(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
液晶表示装置であって、
ガラス基板（１１）と、ゲート線（１３）と、絶縁層（１６）と、半導体層（１７）と、データライン（１２）と、鈍化層（１８０）と、第一電極層（１５）と、該第一電極層（１５）を覆う第一配向層（１９）とを具備するＴＦＴマトリックス基板（１）であって、その上にはブラックマトリックス（２２）とフォトスペーサー（３０）が設けられ、前記絶縁層（１６）と鈍化層（１８０）との間にはカラーフィルタ層（１８）が設けられているＴＦＴマトリックス基板（１）と、
第二電極層（２４）及び該第二電極層（２４）を覆う第二配向層（２９）を具備するＣＦ基板（２）と、
前記ＴＦＴマトリックス基板（１）の第一配向層（１９）と前記ＣＦ基板（２）の第二配向層（２９）との間に配置される液晶層（３）とを含み、
前記第一配向層（１９）と前記第二配向層（２９）はいずれも、少なくとも一個の区域（１０、２０）に分けられ、各区域は複数個の配向区域（１００、２００）に分けられ、前記第一配向層（１９）と前記第二配向層（２９）の所定の配向区域（１００、２００）の所定の配向方向は互いに垂直であり、
前記第一配向層（１９）と前記第二配向層（２９）の各配向区域（１００、２００）に偏光方向が異なる線形偏光をそれぞれ照射するとき、前記各配向区域に照射する線形偏光の偏光方向と前記配向方向とが対応することにより、前記第一配向層（１９）と前記第二配向層（２９）上には配向区域（１００、２００）の所定の配向方向と対応する配向方向を有する配向層が形成され、
前記各区域（１０、２０）は２本の垂直の分離線（Ｘ軸とＹ軸）によって４個の配向区域に分けられ、４個の配向区域における液晶分子の配向方向において、第三象限の液晶分子とＸ軸との間にはａ度の角度が形成され、第一象限の液晶分子とＸ軸との間には−ａ度の角度が形成され、第二象限の液晶分子とＸ軸との間には（ａ−１８０）度の角度が形成され、第四象限の液晶分子とＸ軸との間には（１８０−ａ）度の角度が形成され、
前記各区域（１０、２０）は２本の垂直の分離線によって４個の配向区域に分けられ、前記４個の配向区域のうち少なくとも２個の配向区域の所定の配向方向は異なっている液晶表示装置。
【請求項２】
前記ブラックマトリックス（２２）は、前記ＴＦＴマトリックス基板（１）の鈍化層（１８０）上に設けられるか、或いは前記ＴＦＴマトリックス基板（１）のガラス基板（１１）上、ゲートライン（１３）の下に設けられるか、或いは前記ＴＦＴマトリックス基板（１）のガラス基板（１１）上、ゲートライン（１３）の両側に設けられるか、或いは前記ＴＦＴマトリックス基板（１）のカラーフィルタ層（１８）とデータライン（１２）との間に設けられる請求項１に記載の液晶表示装置。
【請求項３】
前記フォトスペーサー（３０）は前記ブラックマトリックス（２２）上に設けられるか或いは前記ＴＦＴマトリックス基板（１）の鈍化層（１８０）上に設けられる請求項２に記載の液晶表示装置。
【請求項４】
前記第一電極層（１５）は画素電極層であり、前記第二電極層（２４）は共用電極層である請求項１に記載の液晶表示装置。
【請求項５】
液晶表示装置であって、
ガラス基板（１１）と、ゲート線（１３）と、絶縁層（１６）と、半導体層（１７）と、データライン（１２）と、鈍化層（１８０）と、第一電極層（１５）と、該第一電極層（１５）を覆う第一配向層（１９）とを具備するＴＦＴマトリックス基板（１）であって、その上にはブラックマトリックス（２２）とフォトスペーサー（３０）が設けられ、前記絶縁層（１６）と鈍化層（１８０）との間にはカラーフィルタ層（１８）が設けられているＴＦＴマトリックス基板（１）と、
第二電極層（２４）及び該第二電極層（２４）を覆う第二配向層（２９）を具備するＣＦ基板（２）と、
前記ＴＦＴマトリックス基板（１）の第一配向層（１９）と前記ＣＦ基板（２）の第二配向層（２９）との間に配置される液晶層（３）とを含み、
前記第一配向層（１９）と前記第二配向層（２９）はいずれも、少なくとも一個の区域（１０、２０）に分けられ、各区域は複数個の配向区域（１００、２００）に分けられ、前記第一配向層（１９）と前記第二配向層（２９）の所定の配向区域（１００、２００）の所定の配向方向は互いに垂直であり、前記各区域（１０、２０）は２本の垂直の分離線によって４個の配向区域に分けられ、前記４個の配向区域のうち少なくとも２個の配向区域の所定の配向方向は異なっており、
前記第一配向層（１９）と前記第二配向層（２９）の各配向区域（１００、２００）に偏光方向が異なる線形偏光をそれぞれ照射するとき、前記各配向区域に照射する線形偏光の偏光方向と前記配向方向とが対応することにより、前記第一配向層（１９）と前記第二配向層（２９）上には配向区域（１００、２００）の所定の配向方向と対応する配向方向を有する配向層が形成され、
前記一個の区域はＸ軸とＹ軸によって４個の区域に分割され、液晶分子の配向方向において、第三象限の液晶分子とＸ軸との間にはａ度の角度が形成され、第一象限の液晶分子とＸ軸との間には−ａ度の角度が形成され、第二象限の液晶分子とＸ軸との間には（ａ−１８０）度の角度が形成され、第四象限の液晶分子とＸ軸との間には（１８０−ａ）度の角度が形成され、
前記各区域（１０、２０）は２本の垂直の分離線によって４個の配向区域に分けられ、前記４個の配向区域のうち少なくとも２個の配向区域の所定の配向方向は異なっている液晶表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
［関連出願への相互参照］
この出願は、出願日が２０１３年１２月３１日であり、出願番号が２０１３１０７４７８０３．９であり、発明の名称が「液晶表示装置及びその製造方法」である中国特許出願の優先権を主張し、該中国特許出願の全内容を本願に採用する。
【０００２】
［技術分野］
本発明は、薄膜トランジスタ液晶表示装置（Thin  Film  Transistor  liquid  crystal  display、ＴＦＴ−ＬＣＤ）に関し、特に液晶表示装置及びその製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００３】
図１は、従来のＰＳＶＡモード（高分子安定化垂直配向、Polymer  Stabilization  Vertical-Alignment）の液晶表示装置が常用する画素電極を示す図であり、図面には一個の画素電極が示されている。従来のＰＳＶＡモードの液晶表示装置において、画素電極は、「米」形に設けられ、かつ中央の垂直部分８０と、水平部分８１と、Ｘ軸との夾角が±４５度であるか或いは±１３５度である分枝８２とで構成される。垂直部分８０と水平部分８１は画素を４個の区域に等分し、各区域には傾斜が４５度である分枝８２が平行に配置されている。
【０００４】
図２は、図１の画素電極に電圧を印加するときの液晶の移動を示す図である。図２は、図１の画素電極に４Ｖの電圧を印加するとき、液晶分子９０が画素電極の外部から画素電極の中央へ移動することを示す図である。移動の角度は切口の方向に沿い（すなわち、分枝８２の方向に沿い、図面の矢印が指す方向のとおりである）、４個の区域の液晶の移動方向はそれぞれ、±４５度、±１３５度の方向に沿い、かついずれも画素の中央区域に向かう。図に示すとおり、液晶の移動方向とＸ軸との間の夾角において、第一象限は−１３５度であり、第二象限は−４５度であり、第三象限は４５度であり、第四象限は１３５度である。従来のＰＳＶＡ製造方法において、画素電極を「米」形に形成することにより、液晶分子の配向を制御し、広視野角下の色偏差を改善することができる。
【０００５】
しかしながら、上述した従来の方法は、電極の設計に強く依存し、かつ表示区域に明暗ラインが形成されることにより、光線の透過率が低下し、表示の効果と輝度に影響を与える欠点を有している。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本発明の目的は、配向の効果がよく、かつ広視野角下の色偏差と開口率を向上させることができる液晶表示装置及びその製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上述した目的を実現するため、本発明は液晶表示装置を提供する。液晶表示装置は、第一電極層及び該第一電極層を覆う第一配向層を具備するＴＦＴマトリックス基板であって、その上にはブラックマトリックスとフォトスペーサーが更に設けられているＴＦＴマトリックス基板と、第二電極層及び該第二電極層を覆う第二配向層を具備するＣＦ基板と、前記ＴＦＴマトリックス基板の第一配向層と前記ＣＦ基板の第二配向層との間に配置される液晶層とを含む。前記第一配向層と前記第二配向層はいずれも、少なくとも一個の区域に分けられ、各区域は複数個の配向区域に分けられ、前記第一配向層と前記第二配向層の所定の配向区域の所定の配向方向は互いに垂直である。前記第一配向層と前記第二配向層の各配向区域に偏光方向が異なる線形偏光をそれぞれ照射するとき、前記各配向区域に照射する線形偏光の偏光方向と前記配向方向とが対応することにより、前記第一配向層と前記第二配向層上には配向区域の所定の配向方向と対応する配向方向を有する配向層が形成される。
【０００８】
本発明の実施例において、前記ＴＦＴマトリックス基板は、ガラス基板、ゲート線、絶縁層、半導体層、データライン及び鈍化層を更に含み、前記絶縁層と鈍化層との間にはカラーフィルタ層が設けられる。
【０００９】
本発明の実施例において、前記ブラックマトリックスは、前記ＴＦＴマトリックス基板の鈍化層上に設けられるか、或いは前記ＴＦＴマトリックス基板のガラス基板上、ゲートラインの下に設けられるか、或いは前記ＴＦＴマトリックス基板のガラス基板上、ゲートラインの両側に設けられるか、或いは前記ＴＦＴマトリックス基板のカラーフィルタ層とデータラインとの間に設けられる。
【００１０】
本発明の実施例において、前記フォトスペーサーは前記ブラックマトリックス上に設けられるか或いは前記ＴＦＴマトリックス基板の鈍化層上に設けられる。
【００１１】
本発明の実施例において、前記各区域は２本の垂直の分離線によって４個の配向区域に分けられ、前記４個の配向区域のうち少なくとも２個の配向区域の所定の配向方向は異なっている。
【００１２】
本発明の実施例において、前記第一電極層は画素電極層であり、前記第二電極層は共用電極層である。
【００１３】
本発明は液晶表示装置を更に提供する。該液晶表示装置は、第一電極層及び該第一電極層を覆う第一配向層を具備するＴＦＴマトリックス基板であって、その上にはブラックマトリックスとフォトスペーサーが更に設けられているＴＦＴマトリックス基板と、第二電極層及び該第二電極層を覆う第二配向層を具備するＣＦ基板と、前記ＴＦＴマトリックス基板の第一配向層と前記ＣＦ基板の第二配向層との間に配置される液晶層とを含む。前記第一配向層と前記第二配向層はいずれも、少なくとも一個の区域に分けられ、各区域は複数個の配向区域に分けられ、前記第一配向層と前記第二配向層の所定の配向区域の所定の配向方向は互いに垂直であり、前記各区域は２本の垂直の分離線によって４個の配向区域に分けられ、前記４個の配向区域のうち少なくとも２個の配向区域の所定の配向方向は異なっている。前記第一配向層と前記第二配向層の各配向区域に偏光方向が異なる線形偏光をそれぞれ照射するとき、前記各配向区域に照射する線形偏光の偏光方向と前記配向方向とが対応することにより、前記第一配向層と前記第二配向層上には配向区域の所定の配向方向と対応する配向方向を有する配向層が形成される。
【００１４】
本発明は液晶表示装置の製造方法を更に提供する。該液晶表示装置の製造方法であって、
ＴＦＴマトリックス基板とＣＦ基板を提供し、前記ＴＦＴマトリックス基板の第一電極層上に偏光反応材料を塗布することにより第一配向層を形成し、前記ＣＦ基板の第二電極層上に偏光反応材料を塗布することにより第二配向層を形成するステップと、
前記第一配向層と前記第二配向層を少なくとも一個の区域に分けるステップであって、各区域は複数個の配向区域を含み、前記第一配向層と前記第二配向層の所定の配向区域の所定の配向方向は互いに垂直であるステップと、
前記第一配向層と前記第二配向層の各配向区域に偏光方向が異なる線形偏光をそれぞれ照射するステップであって、前記各配向区域に照射する線形偏光の偏光方向と前記配向方向とが対応することにより、前記第一配向層と前記第二配向層上に各配向区域の所定の配向方向に対応する配向方向を有する配向層を形成するステップと、
前記ＴＦＴマトリックス基板上の第一電極とＣＦ基板上の第二電極に電気を入れることにより、液晶部の液晶分子の配向を実施するステップと、
ブラックマトリックスを前記ＴＦＴマトリックス基板上に設けるステップと、
フォトスペーサーを前記ＴＦＴマトリックス基板上に設けるステップとを含む。
【００１５】
本発明の実施例において、ブラックマトリックスをＴＦＴマトリックス基板の鈍化層上に設けるか、或いはＴＦＴマトリックス基板のガラス基板上、ゲートラインの下に設けるか、或いはＴＦＴマトリックス基板のガラス基板上、ゲートラインの両側に設けるか、或いはＴＦＴマトリックス基板のカラーフィルタ層とデータラインとの間に設ける。
【００１６】
本発明の実施例において、前記フォトスペーサーを前記ブラックマトリックス上に設けるか或いは前記ＴＦＴマトリックス基板の鈍化層上に設ける。
【００１７】
本発明の実施例において、前記ＴＦＴマトリックス基板上に偏光反応材料を塗布することにより第一配向層を形成する前、前記ＴＦＴマトリックス基板の絶縁層と鈍化層との間にカラーフィルタ層を設けるステップを更に含む。
【発明の効果】
【００１８】
本発明により、次のような発明の効果を奏することができる。
第一に、本発明の実施例において、偏光方向が異なる線形偏光をＴＦＴマトリックス基板の第一配向層とＣＦ基板の第二配向層の各配向区域に照射することにより、所定の配向方向を有する配向層を形成することができ、特に、画素電極を加工する必要がないので、従来の画素電極によって明暗ラインが形成されることを防止し、光線の透過率を向上させることができる。
第二に、本発明の実施例において、第一配向層の各区域の各配向区域の所定の配向方向と第二配向層の各区域の各配向区域の所定の配向方向を自由に設けることができるので、液晶部の各画素構造の４個の区域の配向を自由に制御し、広視野角下の色偏差を改善することができる。
第三に、ＴＦＴマトリックス基板上にブラックマトリックスが設けられていることにより、ＴＦＴマトリックス基板とＣＦ基板の位置がずれるとき画素区域の開口率が低下する問題を防止することができる。
第四に、フォトスペーサーがＴＦＴマトリックス基板上に設けられることにより、ＴＦＴマトリックス基板とＣＦ基板の位置がずれるとき画素区域に明暗ラインが形成されることを防止することができる。
また、本発明の実施例において、カラーフィルタ層がＴＦＴマトリックス基板上に設けられることにより、液晶部（液晶層）の上表面と下表面の平坦化を実現し、配向の効果を向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１９】
本発明の実施例または従来の技術の事項をより詳細に説明するため、以下、本発明の実施例または従来の技術に採用される図面を簡単に説明する。下記図面は本発明の一部分の実施例にしか過ぎないものであるため、本技術分野の技術者は本発明の要旨を逸脱しない範囲で設計の変更等をすることができる。
【図１】従来の技術のＰＳＶＡモードの液晶表示装置が常用する画素電極を示す図である。
【図２】図１の画素電極に電圧を印加するとき液晶の移動を示す図である。
【図３】本発明の一実施例に係る液晶表示装置の画素構造を示す図である。
【図４】本発明の一実施例に係る液晶表示装置において、図３のＡ−Ａ線に沿う断面を示す図である。
【図５】本発明の第一実施例に係る液晶表示装置の配向原理を説明するためＴＦＴマトリックス基板の区域を示す図である。
【図６】本発明の第一実施例に係る液晶表示装置の配向原理を説明するためＣＦ基板の区域を示す図である。
【図７】本発明の第一実施例に係る液晶表示装置の配向原理を説明するためＣＦ基板の区域に対して偏光を照射することを示す図である。
【図８】本発明の第一実施例に係る液晶表示装置の配向原理を説明するため液晶配向結果を示す図である。
【図９】本発明の第二実施例に係る液晶表示装置の配向原理を説明するためＴＦＴマトリックス基板の区域を示す図である。
【図１０】本発明の第二実施例に係る液晶表示装置の配向原理を説明するためＣＦ基板の区域を示す図である。
【図１１】本発明の第二実施例に係る液晶表示装置の配向原理を説明するため液晶配向結果を示す図である。
【図１２】本発明の第三実施例に係る液晶表示装置の配向原理を説明するためＴＦＴマトリックス基板の区域を示す図である。
【図１３】本発明の第三実施例に係る液晶表示装置の配向原理を説明するためＣＦ基板の区域を示す図である。
【図１４】本発明の第三実施例に係る液晶表示装置の配向原理を説明するため液晶配向結果を示す図である。
【図１５】本発明の他の実施例に係る液晶表示装置を示す断面図である。
【図１６】本発明の他の実施例に係る液晶表示装置を示す断面図である。
【図１７】本発明の液晶表示装置の製造方法を示す流れ図である。
【発明を実施するための形態】
【００２０】
以下、図面により本発明の各実施例を説明し、下記実施例は本発明を実施することができる好適な実施例である。本発明に記載される方向用語、例えば、「上」、「下」、「前」、「左」、「右」、「内」、「外」及び「側面」などは、添付図面上の方向を示すものである。すなわち、これらの方向用語は、本発明を説明するものであるが、本発明を限定するものではない。
【００２１】
図３と図４は、本発明の実施例に係る液晶表示装置の構造を示す図である。該液晶表示装置は、
第一電極層１５及び該第一電極層１５を覆う第一配向層１９を具備するＴＦＴマトリックス基板１であって、その上にはブラックマトリックス（Black  Matrix）２２とフォトスペーサー（Photo  Spacer）３０が更に設けられているＴＦＴマトリックス基板１と、
第二電極層２４及び該第二電極層２４を覆う第二配向層２９を具備するＣＦ（Color  Filter、カラーフィルタ）基板２と、
ＴＦＴマトリックス基板１の第一配向層１９とＣＦ基板２の第二配向層２９との間に配置される液晶層３とを含む。
前記第一配向層１９と第二配向層２９はいずれも、少なくとも一個の区域に分けられ、各区域は複数個の配向区域に分けられ、第一配向層１９と第二配向層２９の所定の配向区域の所定の配向方向は互いに垂直である。
第一配向層１９と第二配向層２９の各配向区域に偏光方向が異なる線形偏光をそれぞれ照射するとき、各配向区域に照射する線形偏光の偏光方向と配向方向とが対応することにより、第一配向層１９と第二配向層２９上には配向区域の所定の配向方向と対応する配向方向を有する配向層が形成される。
【００２２】
以下、具体的な実施例により前記第一配向層と第二配向層の配向の原理と過程について説明する。
【００２３】
図５〜図８には本発明の第一実施例が示されている。該実施例において、図５に示すとおり、ＴＦＴマトリックス基板１の第一配向層は複数個の区域１０に分けられ、各区域１０は複数個の配向区域１００を含む。図５において、各区域１０は２本の垂直の分離線によって４個の配向区域１００に分けられる（図面には１個の区域１０が４個の配向に分けられることが示されているが、これは本発明の例示にしか過ぎないものである）。各区域１０には所定の配向方向が設けられ（図面の矢印を参照）、１つの区域１０において、少なくとも２個の配向区域１００の所定の配向方向は異なっている。左側の２個の配向区域１００の所定の配向方向は上に向かい、右側の２個の配向区域１００の所定の配向方向は下に向かう。
【００２４】
同様に、図６に示すとおり、ＣＦ基板２の第二配向層は複数個の区域２０に分けられ、各区域２０は複数個の配向区域２００を含む。図６において、各区域２０は２本の垂直の分離線によって４個の配向区域２００に分けられる。各区域２０には所定の配向方向が設けられ（図面の矢印を参照）、１つの区域２０において、少なくとも２個の配向区域２００の所定の配向方向は異なっている。上側の２個の配向区域２００の所定の配向方向は右に向かい、下側の２個の配向区域１００の所定の配向方向は左に向かう。
【００２５】
第一配向層の各配向区域１００と第二配向層の各配向区域２００の所定の配向方向は互いに垂直である。
【００２６】
図７は、線形偏光によって基板を照射することを示す図である。本実施例において、線形偏光として紫外線（ＵＶ）を採用する。図７は、紫外線によって図６中のＣＦ基板２の第二配向層の１つの区域２０の下側配向区域２００を照射することを示す図である。図面において、矢印の方向は線形偏光の照射方向を示し、矢印上の黒色の横線は線形偏光の偏光方向を示す。本実施例において、線形偏光の偏光方向と第二配向層の区域２０の下側配向区域２００の所定の配向方向とが合う（例えば、同一）ようにすることにより、線形偏光の照射を実施し、前記配向区域２００に所定の配向方向の配向層を形成することができる。
【００２７】
同様に、偏光方向が異なる線形偏光を第二配向層の各区域２０の他の配向区域２００に照射することにより、第二配向層上に所定の配向方向の配向層を形成することができる。また、線形偏光によって第一配向層の各区域１０の各配向区域１００を照射することにより、第一配向層上に所定の配向方向の配向層を形成することができる。
【００２８】
図８は、本発明の第一実施例に係る液晶表示装置の液晶配向構造を示す図である。配向層が形成された後、ＴＦＴマトリックス基板上の第一電極とＣＦ基板上の第二電極に給電することにより、液晶部の液晶分子の配向を実施することができる。第一配向層の各配向区域１００と第二配向層の各配向区域２００の所定の配向方向が垂直であり、第一配向層と第二配向層の作用により、液晶部の各配向区域の液晶分子を移動させ、液晶分子の配向を実施することができる。図８は、図５と図６の１つの区域の液晶分子の配向を示す図である。第三象限の液晶分子とＸ軸との間にａ度の角度が形成され、第一象限の液晶分子とＸ軸との間に−ａ度の角度が形成され、第二象限の液晶分子とＸ軸との間に（ａ−１８０）度の角度が形成され、第四象限の液晶分子とＸ軸との間に（１８０−ａ）度の角度が形成されることにより、広視野角下の色偏差を改善することができる。他の区域の液晶分子の配向もこれに類似している。
【００２９】
図９〜図１１には本発明の第二実施例が示されている。該実施例における、ＴＦＴマトリックス基板１の第一配向層の１つの区域１０において、上側の２個の配向区域１００の所定の配向方向は下に向かい、下側の２個の配向区域１００の所定の配向方向は上に向かう。ＣＦ基板２の第二配向層の所定の区域２０において、右側の２個の配向区域２００の所定の配向方向は左に向かい、左側の２個の配向区域１００の所定の配向方向は右に向かう。液晶表示装置の所定の区域の液晶分子の配向が終わると、液晶分子はいずれも画素の中央に向かい（図１１を参照）、第一象限の液晶分子とＸ軸との間にはｃ度の角度が形成される。
【００３０】
図１２〜図１４には本発明の第三実施例が示されている。該実施例における、ＴＦＴマトリックス基板１の第一配向層の１つの区域１０において、右側の２個の配向区域１００の所定の配向方向は右に向かい、左側の２個の配向区域１００の所定の配向方向は左に向かう。ＣＦ基板２の第二配向層の所定の区域２０において、上側の２個の配向区域２００の所定の配向方向は上に向かい、下側の２個の配向区域１００の所定の配向方向は下に向かう。液晶表示装置の所定の区域の液晶分子の配向が終わると、液晶分子はいずれも画素の中央から離れる方向になり（図１４を参照）、第一象限の液晶分子とＸ軸との間にはｂ度の角度が形成される。
【００３１】
注意されたいことは、上述した３つの実施例は本発明の例示にしか過ぎないものである。本発明の他の実施例において、実施の需要により第一配向層の各区域の各配向区域の所定の配向方向を調節することができる。また、対応する第二配向層上の配向区域の所定の配向方向も適度に調節することができる。
【００３２】
本発明の一実施例において、第一電極層１５は画素電極層であり、第二電極層２４は共用電極層である。配向層の各区域のサイズはＴＦＴマトリックス基板１の画素構造のサイズ及び位置に対応する。
【００３３】
以下、本発明の液晶表示装置の構造について具体的に説明する。図３と図４に示すとおり、前記ＴＦＴマトリックス基板１は、ガラス基板１１と、該ガラス基板１１上に形成されたゲート線１３及び共用電極１４とを更に含む。その（ゲート線１３と共用電極１４の）上には絶縁層１６が設けられ、ゲート線１３の真上に位置する絶縁層１６上には半導体層１７が更に設けられ、半導体層１７にはドレインとソースを形成するためのデータライン１２が設けられ、データライン１２上には一層の鈍化層１８０が設けられ、鈍化層１８０上には画素電極１５が形成され、画素電極１５上には第一配向層１９が設けられている。
【００３４】
液晶部（液晶層）の上表面と下表面の平坦化を実現するため、カラーフィルタ層１８をＴＦＴマトリックス基板１の絶縁層１６と鈍化層１８０との間に設ける必要がある。
【００３５】
ＣＦ基板２は、具体的に、ガラス基板２１と該ガラス基板２１上に形成された共用電極層２４とを更に含む。第二配向層２９は共用電極層２４上に設けられる。
【００３６】
液晶層３は、具体的に、液晶分子（図示せず）とフォトスペーサー３０を含む。
【００３７】
本発明において、ＴＦＴマトリックス基板１とＣＦ基板２の位置がずれることにより画素区域の開口率が低下する問題を防止するため、ＴＦＴマトリックス基板上にブラックマトリックス２２を設ける。
【００３８】
図４に示すとおり、本実施例において、ブラックマトリックス２２はＴＦＴマトリックス基板１の鈍化層１８０上に設けられ、ＣＦ基板２上にはブラックマトリックスが設けられていない。
【００３９】
図１５は本発明の他の実施例に係る液晶表示装置を示す断面図である。本実施例と図４に示された実施例の相違点は、本実施例のブラックマトリックス２２がＴＦＴマトリックス基板１のガラス基板１上、ゲートライン１３の下に設けられることである。ＣＦ基板２上にはブラックマトリックスが設けられていない。本実施例の他の構造は、図４に示された実施例の構造と一致しており、図４の説明を参照することができるので、ここでは再び説明しない。
【００４０】
図１６は本発明の他の実施例に係る液晶表示装置を示す断面図である。本実施例と図４に示された実施例の相違点は、本実施例のブラックマトリックス２２がＴＦＴマトリックス基板１のガラス基板１上、ゲートライン１３の両側に設けられることである。ＣＦ基板２上にはブラックマトリックスが設けられていない。本実施例の他の構造は、図４に示された実施例の構造と一致しており、図４の説明を参照することができるので、ここでは再び説明しない。
【００４１】
他の実施例において、実際に需要によりブラックマトリックス２２をＴＦＴマトリックス基板１の他の位置に設けることもできる。例えば、ブラックマトリックス２２をＴＦＴマトリックス基板１上のカラーフィルタ層１８とデータライン１２との間に設けることができる。これが設けられる位置について、上述した説明を参照することができ、かつ同一の効果を奏することができるので、ここでは再び説明しない。
【００４２】
図４、図１５及び図１６を参照すると、本発明のＴＦＴマトリックス基板１上にフォトスペーサー（Photo  Spacer）３０を更に設けることができる。具体的に、図４において、フォトスペーサー３０をブラックマトリックス２２上に設け、図１５と図１６において、フォトスペーサー３０を鈍化層１８０上に設けることができる。フォトスペーサー（Photo  Spacer）３０をＴＦＴマトリックス基板１上に設ける目的は、ＴＦＴマトリックス基板１とＣＦ基板２の位置がずれることによって画素区域に明暗ライン（disclination  line）が形成されることを防止するためである。フォトスペーサー３０の高さが高いことにより、この付近に位置する液晶部の平坦化に悪い影響を与えるおそれがある。通常、フォトスペーサー３０を表示区域から所定の距離離れている箇所に設けることができるが、フォトスペーサー３０がＣＦ基板２上に設けられ、かつＣＦ基板２とＴＦＴマトリックス基板１の位置がずれるとき、フォトスペーサー３０がＴＦＴマトリックス基板１の表示区域に入ることによって配向が悪くなるおそれがある（暗いラインは液晶の配向が悪いことによって形成されるものである）。フォトスペーサー３０はＣＦ基板２に当接するか或いは所定の距離離れることができる。
【００４３】
上述した配向の形成原理、過程及び液晶表示装置の構造に基づいて、本発明は該液晶表示装置の製造方法を更に提供する。図１７は本発明の一実施例に係る該液晶表示装置の製造方法を示す流れ図であり、本実施例の製造方法は次のステップを含む。
【００４４】
ステップＳ１０において、ＴＦＴマトリックス基板とＣＦ基板を提供する。ＴＦＴマトリックス基板の第一電極層上に偏光反応材料を塗布することにより第一配向層を形成し、ＣＦ基板の第二電極層上に偏光反応材料を塗布することにより第二配向層を形成する。
【００４５】
ステップＳ１１において、第一配向層と第二配向層を少なくとも一個の区域に分ける。各区域は複数個の配向区域を含み、第一配向層と第二配向層の所定の配向区域の所定の配向方向は互いに垂直である。
【００４６】
ステップＳ１２において、第一配向層と第二配向層の各配向区域に偏光方向が異なる線形偏光をそれぞれ照射する。各配向区域に照射する線形偏光の偏光方向と配向方向とが対応することにより、第一配向層と第二配向層上に各配向区域の所定の配向方向に対応する配向方向を有する配向層を形成する。
【００４７】
ステップＳ１３において、ＴＦＴマトリックス基板上の第一電極とＣＦ基板上の第二電極に給電することにより、液晶部の液晶分子の配向を実施する。
【００４８】
ステップＳ１４において、ブラックマトリックスをＴＦＴマトリックス基板上に設ける。
【００４９】
ステップＳ１５において、フォトスペーサーをＴＦＴマトリックス基板上に設ける。
【００５０】
具体的に、ステップＳ１４において、ブラックマトリックスをＴＦＴマトリックス基板の鈍化層上に設けるか、或いはＴＦＴマトリックス基板のガラス基板上、ゲートラインの下に設けるか、或いはＴＦＴマトリックス基板のガラス基板上、ゲートラインの両側に設けるか、或いはＴＦＴマトリックス基板の他の位置、例えばＴＦＴマトリックス基板上のカラーフィルタ層とデータラインとの間に設けることができる。
【００５１】
ステップＳ１５において、フォトスペーサーをブラックマトリックス上に設けるか或いはＴＦＴマトリックス基板の鈍化層上に設けることができる。
【００５２】
注意されたいことは、本発明の製造方法は、ＴＦＴマトリックス基板上に偏光反応材料を塗布することにより第一配向層を形成する前、行われるステップを更に含む。
すなわち、ＴＦＴマトリックス基板の絶縁層と鈍化層との間にカラーフィルタ層を設けるステップを更に含む。本発明は、カラーフィルタ層をＴＦＴマトリックス基板内に設けることにより、液晶部の上表面と下表面の平坦化を実現し、ステップＳ１３においてより良い配向の効果を奏することができる。
【００５３】
本発明の一実施例において、第一電極層１５は画素電極層であり、第二電極層２４は共用電極層である。配向層の各区域のサイズはＴＦＴマトリックス基板１の画素構造のサイズ及び位置に対応する。
【００５４】
第一配向層と第二配向層の配向の形成原理及び過程について、図５〜１４の説明を参照することができるので、ここでは再び説明しない。
【００５５】
本発明により、次のような発明の効果を奏することができる。
第一に、本発明の実施例において、偏光方向が異なる線形偏光をＴＦＴマトリックス基板の第一配向層とＣＦ基板の第二配向層の各配向区域に照射することにより、所定の配向方向を有する配向層を形成することができ、特に、画素電極を加工する必要がないので、従来の画素電極によって明暗ラインが形成されることを防止し、光線の透過率を向上させることができる。
第二に、本発明の実施例において、第一配向層の各区域の各配向区域の所定の配向方向と第二配向層の各区域の各配向区域の所定の配向方向を自由に設けることができるので、液晶部の各画素構造の４個の区域の配向を自由に制御し、広視野角下の色偏差を改善することができる。
第三に、ＴＦＴマトリックス基板上にブラックマトリックスが設けられていることにより、ＴＦＴマトリックス基板とＣＦ基板の位置がずれるとき画素区域の開口率が低下する問題を防止することができる。
第四に、フォトスペーサーがＴＦＴマトリックス基板上に設けられることにより、ＴＦＴマトリックス基板とＣＦ基板の位置がずれるとき画素区域に明暗ラインが形成されることを防止することができる。
また、本発明の実施例において、カラーフィルタ層がＴＦＴマトリックス基板上に設けられることにより、液晶部（液晶層）の上表面と下表面の平坦化を実現し、配向の効果を向上させることができる。
【００５６】
以上、本発明の好適な実施例を詳述してきたが、本発明の構成は上記の実施例に限定されるものではない。本技術分野の当業者は本発明の要旨を逸脱しない範囲内で設計の変換等を行うことができる。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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