(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
オプトエレクトロニクス部品（１００，２００）のカバー要素（１０，２０）を製造する方法であって、
−  上面（３０１）と、下面（３０２）と、前記上面（３０１）から前記下面（３０２）まで延在する多数の開口部（３１０）を有するフレーム（３００）を作製するステップと、
−  多数の前記開口部（３１０）の中に材料（４００）を導入するステップと、
−  それぞれが１つの開口部（３１０）を有する部分要素（５００）が形成されるように前記フレーム（３００）を分割するステップと、
を含み、
前記フレーム（３００）は、ＴｉＯ２、ＺｒＯ２、Ａｌ２Ｏ３、ＡｌＮ、ＳｉＯ２または別の光反射性材料の粒子、および／または、有色顔料が埋め込まれた材料からなる、方法。
【請求項２】
前記フレーム（３００）は、射出成形またはトランスファ成形によって作製される、
請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記フレーム（３００）は、シリコーンまたはエポキシ樹脂を含むマトリックス材料からなる、
請求項１または２に記載の方法。
【請求項４】
前記材料（４００）は、ブレーディング、噴霧法、またはディスペンシングによって、前記開口部（３１０）の中に導入される、
請求項１〜３のいずれか一項に記載の方法。
【請求項５】
前記材料（４００）は、埋め込まれた波長変換粒子を有する、
請求項１〜４のいずれか一項に記載の方法。
【請求項６】
前記開口部（３１０）は、それぞれ、本質的に矩形の断面を有するように形成される、
請求項１〜５のいずれか一項に記載の方法。
【請求項７】
前記フレーム（３００）を分割する前記ステップは、ソーイング、レーザ分離、切断、またはスタンピングによって、実行される、
請求項１〜６のいずれか一項に記載の方法。
【請求項８】
前記フレーム（３００）は、前記開口部（３１０）が規則的に配置されるように作製される、
請求項１〜７のいずれか一項に記載の方法。
【請求項９】
前記フレーム（３００）のセクション（５２０）によって環状に囲まれている開口部（３１０）を有する少なくとも１つの部分要素（５００）、が形成されるように、前記フレーム（３００）が分割される、
請求項１〜８のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１０】
前記フレーム（３００）を分割する前に、多数の開口部（３１０）において、前記開口部（３１０）の中に導入された前記材料（４００）は分割される、
請求項１〜９のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１１】
前記材料（４００）を分割する前記ステップは、ボーリング、スタンピング、ソーイング、切断、ウォータージェット切断、またはレーザ加工によって実行される、
請求項１０に記載の方法。
【請求項１２】
前記材料（４００）を導入する前に、前記フレーム（３００）は、プラズマによって処理される、
請求項１〜１１のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１３】
前記材料（４００）を導入する前記ステップは、前記フレーム（３００）が完全に硬化する前に実行される、
請求項１〜１２のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１４】
オプトエレクトロニクス部品（１００，２００）を製造する方法であって、
−  請求項１〜１３のいずれか一項に記載の方法によって、カバー要素（１０，２０）を製造するステップと、
−  オプトエレクトロニクス半導体チップ（６００）を作製するステップと、
−  前記オプトエレクトロニクス半導体チップ（６００）の放射放出面（６０１）上に前記カバー要素（１０，２０）を配置するステップと、
を含む、方法。
【請求項１５】
以下の追加のステップ、すなわち、
−  キャリア（７００）の表面（７０１）上に前記オプトエレクトロニクス半導体チップ（６００）を配置するステップと、
−  前記オプトエレクトロニクス半導体チップ（６００）の側面および前記カバー要素（１０，２０）の側面が少なくとも部分的に封止材料（８００）によって覆われるように、前記キャリア（７００）の前記表面（７０１）上に前記封止材料（８００）を配置するステップと、
を含む、
請求項１４に記載の方法。
【請求項１６】
オプトエレクトロニクス部品（１００，２００）であって、
放射放出面（６０１）を有するオプトエレクトロニクス半導体チップ（６００）と、
前記放射放出面（６０１）上に配置されているカバー要素（１０，２０）と、
を有し、
前記カバー要素（１０，２０）は、第１の材料を有する単一の第１のセクション（５１０）と、前記第１の材料とは異なる第２の材料を有する第２のセクション（５２０）とを備え、
少なくとも前記第１の材料は、波長変換粒子を含有し、
前記第２の材料は、ＴｉＯ２、ＺｒＯ２、Ａｌ２Ｏ３、ＡｌＮ、ＳｉＯ２または別の光反射性材料の粒子、および／または、有色顔料を含有する、
オプトエレクトロニクス部品（１００，２００）。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、カバー要素の製造方法、オプトエレクトロニクス部品の製造方法、オプトエレクトロニクス部品のカバー要素およびオプトエレクトロニクス部品に関する。
【背景技術】
【０００２】
白色光または別の色の光を放出するオプトエレクトロニクス部品（例えば発光ダイオード部品）は、従来技術から公知である。このようなオプトエレクトロニクス部品は、第１の波長を有する電磁放射を放出するように（例えば青色スペクトル領域の波長を有する電磁放射を放出するように）意図されているオプトエレクトロニクス半導体チップ（例えば発光ダイオードチップ）を備えることが知られている。これに加えて、このようなオプトエレクトロニクス部品は、オプトエレクトロニクス半導体チップによって放出される電磁放射の一部分の波長を変換するように意図されている変換要素を有する。これを目的として、変換要素は波長変換粒子を有し、波長変換粒子は、第１の波長を有する電磁放射を吸収し、第２の（一般にはより長い）波長を有する電磁放射を放出するように構成されている。波長変換粒子は、一般的には、変換要素のマトリックス材料に（例えばシリコーンまたはセラミックに）埋め込まれる。
【０００３】
このようなオプトエレクトロニクス部品においては、オプトエレクトロニクス半導体チップと、オプトエレクトロニクス半導体チップの放射放出面上に配置されている変換要素とを、光反射性の封止材料に埋め込み、封止材料がオプトエレクトロニクス半導体チップの側面および変換要素の側面を覆うことが知られている。この封止材料は、例えば、散乱粒子が埋め込まれたシリコーンを備えていることができる。変換要素の上面（光出口面として使用される）が封止材料によって汚れることを防止する目的で、変換要素を、本質的に垂直な側面と鋭利な外縁部を有するように構成する必要がある。変換要素がシリコーン系のマトリックス材料を含む場合、これらの要件を満たすことが難しい。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
本発明の１つの目的は、オプトエレクトロニクス部品のカバー要素を製造する方法を提供することである。この目的は、請求項１の特徴を有する方法によって達成される。本発明のさらなる目的は、オプトエレクトロニクス部品を製造する方法を提供することである。この目的は、請求項１５の特徴を有する方法によって達成される。本発明のさらなる目的は、オプトエレクトロニクス部品を提供することである。この目的は、請求項１７の特徴を有するオプトエレクトロニクス部品によって達成される。従属請求項には、さまざまな修正形態が記載されている。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
オプトエレクトロニクス部品のカバー要素を製造する方法は、多数の開口部を有するフレームを作製するステップと、多数の開口部の中に材料を導入するステップと、フレームを分割するステップと、を含む。この方法によって、共通の処理ステップにおいて多数のカバー要素を同時に製造することができ、これは有利である。したがって、本方法では、カバー要素を経済的に大量生産することができる。この場合、フレームを分割することによって、個々のカバー要素を個片化する。フレームを分割することによって、本質的に垂直な切断面および鋭利な縁部を形成することができるため、本方法によって得られるカバー要素は、本質的に垂直な側面および鋭利な外縁部を有することができ、これは有利である。
【０００６】
本方法の一実施形態においては、フレームは、射出成形またはトランスファ成形によって作製する。これに代えて、別の成形工程によってフレームを作製することもできる。したがって、本方法では、経済的かつ高い再現性でフレームを作製することができ、これは有利である。
【０００７】
本方法の一実施形態においては、フレームは、シリコーンまたはエポキシ樹脂を含むマトリックス材料からなる。これらの材料は、経済的に入手することができ、かつ好適な材料特性を有し、これは有利である。
【０００８】
本方法の一実施形態においては、フレームは、ＴｉＯ２、ＺｒＯ２、Ａｌ２Ｏ３、ＡｌＮ、ＳｉＯ２、または別の光反射性材料の粒子、もしくは、有色顔料、のうちの少なくとも１種類が埋め込まれた材料、からなる。したがって、フレームは、白色かつ光反射性の外観、または有色の外観を呈することができ、これは有利である。これに加えて、フレームは、波長変換特性を有する、またはフレームの開口部の中に導入される材料に類似する外観を呈することもできる。
【０００９】
本方法の一実施形態においては、ブレーディング（blading）、噴霧法、またはディスペンシング（dispensing）によって、開口部の中に材料を導入する。これにより、本方法は、経済的かつ良好な再現性で実施することができ、これは有利である。
【００１０】
本方法の一実施形態においては、上記の材料は、埋め込まれた波長変換粒子を有する。この波長変換粒子は、例えば、有機発光材料または無機発光材料の形で、あるいは量子ドットの形で、存在させることができる。この場合、本方法によって得ることのできるカバー要素は、カバー要素の作用として電磁放射の波長を変換する変換要素として使用することができる。
【００１１】
本方法の一実施形態においては、上記の材料は、ペーストとして開口部の中に導入する。このようにすることで、材料を容易に処理することができ、これは有利である。さらには、本方法を経済的に実施することが可能となる。
【００１２】
本方法の一実施形態においては、開口部は、それぞれ、本質的に矩形の断面を有するように形成する。したがって、本方法によって、本質的に矩形のカバー要素を得ることができ、これは有利である。これにより、本カバー要素を、本質的に矩形の放射放出面を有するオプトエレクトロニクス半導体チップと組み合わせて使用することが可能である。この場合、本方法によって得ることのできるカバー要素によって、放射放出面が本質的に完全に覆われ、これは有利である。
【００１３】
本方法の一実施形態においては、フレームを分割するステップは、ソーイング、レーザ分離、切断、またはスタンピングによって実行する。フレームを分割するためのこれらの方法では、鋭利な縁部を有する本質的に垂直な分割面を形成することが可能であり、これは有利である。このようにすることで、本方法によって得ることのできるカバー要素も、本質的に垂直な側面および鋭利な縁部を有する。
【００１４】
本方法の一実施形態においては、フレームは、開口部が規則的に配置されるように作製する。これにより、本方法によって得ることのできるカバー要素を特に容易に個片化することができ、これは有利である。
【００１５】
本方法の一実施形態においては、それぞれが１つの開口部を有する部分要素が形成されるように、フレームを分割する。この場合、部分要素それぞれが、オプトエレクトロニクス半導体チップと組み合わせて使用するのに適するカバー要素を形成し、これは有利である。
【００１６】
本方法の一実施形態においては、フレームのセクションによって環状に囲まれている開口部を有する少なくとも１つの部分要素が形成されるように、フレームを分割する。開口部を環状に囲んでいるフレームのセクションは、本質的に垂直な側面および鋭利な縁部を有することができ、これは有利である。さらに、カバー要素を形成している部分要素のうち、開口部を環状に囲んでいるセクションは、反射体の一部、またはオプトエレクトロニクス部品の発光面の側縁部（シャッター）の一部、またはカバー要素の波長変換部分を形成することができる。
【００１７】
本方法の一実施形態においては、フレームを分割する前に、多数の開口部において、開口部の中に導入された材料を分割する。この場合、例えば、開口部の材料の角領域を、開口部の材料のそれ以外の部分から分離することができる。これにより、本方法によって得ることのできるカバー要素は、その角領域に凹部を有し、これらの角領域は、例えば、オプトエレクトロニクス半導体チップのボンディング面を露出させることを目的とする。
【００１８】
本方法の一実施形態においては、材料を分割するステップは、ボーリング（boring）、スタンピング、ソーイング、切断、ウォータージェット切断、またはレーザ加工によって実行する。これらの方法ステップは、高い精度で経済的かつ高速に実行することができ、これは有利である。
【００１９】
本方法の一実施形態においては、材料を導入する前に、フレームをプラズマによって処理する。これによって、フレームの開口部の中に導入する材料とフレームの材料との間の接着性（adhesion）を改善することができ、これは有利である。
【００２０】
本方法の一実施形態においては、材料を導入するステップは、フレームが完全に硬化する前に実行する。これによって、フレームの材料と、フレームの開口部の中に導入される材料との間の接着性をさらに改善することができ、これは有利である。
【００２１】
オプトエレクトロニクス部品を製造する方法は、上述したタイプの方法によってカバー要素を製造するステップと、オプトエレクトロニクス半導体チップを作製するステップと、オプトエレクトロニクス半導体チップの放射放出面上にカバー要素を配置するステップと、を含む。この方法によって得ることのできるオプトエレクトロニクス部品のカバー要素は、本質的に垂直な側面および鋭利な縁部を有することができ、これは有利である。
【００２２】
本方法の一実施形態においては、本方法は、キャリアの表面上にオプトエレクトロニクス半導体チップを配置するステップと、キャリアの表面上に封止材料を配置するステップであって、オプトエレクトロニクス半導体チップの側面およびカバー要素の側面が少なくとも部分的に封止材料によって覆われるように配置する、ステップと、をさらに含む。この方法によって得ることのできるオプトエレクトロニクス部品のカバー要素は、本質的に垂直な側面および鋭利な縁部を有することができるため、封止材料を配置するときに、電磁放射が放出されるように意図されているカバー要素の上面に封止材料が達する危険性が低く、これは有利である。したがって、本方法では、オプトエレクトロニクス部品の製造における歩留まりを高めることができる。
【００２３】
オプトエレクトロニクス部品のカバー要素は、第１の材料を有する第１のセクションを備えており、さらに、第１の材料とは異なる第２の材料を有する第２のセクションを備えている。カバー要素の第１のセクションの第１の材料および第２のセクションの第２の材料は、異なる機械的特性を有することができ、カバー要素に課される複数の異なる要件を満たすことができ、これは有利である。特に、第２の材料は、カバー要素の本質的に垂直な外表面および鋭利な縁部を形成することができる。
【００２４】
少なくとも第１の材料は、埋め込まれた波長変換粒子を有する。したがって、埋め込まれた波長変換粒子を有する第１の材料は、カバー要素の作用として電磁放射の波長を変換する目的に使用することができる。第２のセクション（５２０）は、埋め込まれたＴｉＯ２、ＺｒＯ２、Ａｌ２Ｏ３、ＡｌＮ、ＳｉＯ２または埋め込まれた別の光反射性材料の粒子、および／または、埋め込まれた有色顔料を有する。
【００２５】
本オプトエレクトロニクス部品は、放射放出面を有するオプトエレクトロニクス半導体チップを備えている。さらに、本オプトエレクトロニクス部品は、放射放出面上に配置されている上述したタイプのカバー要素を備えている。このオプトエレクトロニクス部品のカバー要素は、本質的に垂直な側面および鋭利な縁部を有することができ、これは有利である。
【００２６】
本発明の上述した特性、特徴、および利点と、これらを達成する方法は、それぞれ概略的に示した図面を参照しながら以下にさらに詳しく説明する例示的な実施形態に関連して、さらに明らかとなり、包括的に理解されるであろう。
【図面の簡単な説明】
【００２７】
【図１】フレームの平面図を示している。
【図２】フレームの断面側面図を示している。
【図３】フレームの開口部の中に変換材料が導入された状態のフレームの平面図を示している。
【図４】開口部の中に変換材料が導入された状態のフレームの断面側面図を示している。
【図５】第１の変換要素を形成している、フレームの部分要素の平面図を示している。
【図６】第１のオプトエレクトロニクス部品の断面側面図を示している。
【図７】分離溝が形成された状態のフレームの平面図を示している。
【図８】凹部を有する第２のカバー要素を形成している、フレームの部分要素の平面図を示している。
【図９】第２のオプトエレクトロニクス部品の平面図を示している。
【発明を実施するための形態】
【００２８】
図１は、フレーム３００の概略的な平面図を示している。図２は、フレーム３００の概略的な断面側面図を示している。フレーム３００は、オプトエレクトロニクス部品のカバー要素を製造するときの中間生成物を形成している。
【００２９】
フレーム３００は、本質的に平坦なプレートレット（platelet）として構成されており、上面３０１と、上面３０１の反対側に位置する下面３０２とを有する。さらに、フレーム３００は、多数の開口部３１０を有し、これらの開口部３１０それぞれは、上面３０１からフレーム３００を貫いて下面３０２まで延在している。図示した例においては、開口部３１０は、行および列を有する規則的な格子状に配置されているが、これは必須ではない。各開口部３１０は、本質的に円柱形状を有する。図示した例においては、開口部３１０は、ほぼ正方形の断面を有する。したがって、フレーム３００の上面３０１および下面３０２における、開口部３１０の開口面も、それぞれほぼ正方形の形状を有する。しかしながら、長方形断面、または別の形状の断面を有するように開口部３１０を構成することも可能である。
【００３０】
フレーム３００は、例えば、成形工程、好ましくは特に射出成形またはトランスファ成形によって、作製することができる。
【００３１】
フレーム３００は、マトリックス材料を有する。マトリックス材料は、シリコーンを含むことが好ましいが、エポキシ樹脂または別の材料を含むこともできる。フレーム３００のマトリックス材料は、フィラーによって満たされている。フィラーは、フレーム３００のマトリックス材料に粒子の形で埋め込まれていることが好ましい。
【００３２】
フィラーは、例えば、高い光反射性の材料（例えばＴｉＯ２、ＺｒＯ２、Ａｌ２Ｏ３、ＡｌＮ、ＳｉＯ２）とすることができる。この場合、フレーム３００は、白色の外観を呈し、良好な光反射特性を有する。
【００３３】
しかしながらこれに代えて、またはこれに加えて、フィラーは、１種類または複数種類の有色顔料を備えることもできる。例えば、フィラーは、無機顔料を備えることができる。この場合、フレーム３００は、白色以外の色を有することができる。
【００３４】
さらに、電磁放射の波長を変換するように構成されている波長変換粒子を、フレーム３００のマトリックス材料に埋め込むこともできる。波長変換粒子は、例えば有機発光材料または無機発光材料によって形成することができ、量子ドットを備えることもできる。この場合、フレーム３００は、波長変換特性を有する。フレーム３００に入射する第１の波長を有する電磁放射の少なくとも一部分が、波長変換粒子によって吸収される。次いで、フレーム３００のマトリックス材料に埋め込まれている波長変換粒子は、異なる（一般にはより長い）波長の電磁放射を放出する。
【００３５】
図３は、時間的に図１の状態に続く処理状態におけるフレーム３００の平面図を示している。図４は、図３に示した処理状態におけるフレーム３００の概略的な断面側面図を示している。
【００３６】
フレーム３００の開口部３１０の中に変換材料４００が導入されている。変換材料４００は、フレーム３００の開口部３１０を本質的に完全に満たしている。フレーム３００の上面３０１およびフレーム３００の下面３０２において、開口部３１０の中に配置されている変換材料４００は、フレーム３００の上面３０１および下面３０２と本質的に同一平面にある。
【００３７】
変換材料４００は、例えば、ブレーディング、噴霧法、または注入法（dosing technique）（ディスペンシング）によって、フレーム３００の開口部３１０の中に導入されている。ブレーディング法（スクリーン印刷法に類似する方法で変換材料４００をブレードによってフレーム３００の開口部３１０の中に拡散させる）は、特に容易に実行することができ、時間もほとんどかからない。
【００３８】
変換材料４００は、波長変換粒子が埋め込まれたペーストの形で、フレーム３００の開口部３１０の中に導入することが好ましい。変換材料４００を形成するペーストは、例えば、シリコーンペーストとすることができる。波長変換粒子は、例えば、有機発光材料または無機発光材料の形で、あるいは量子ドットの形で、存在させることができる。波長変換粒子は、第１の波長を有する電磁放射を吸収し、異なる（一般にはより長い）波長を有する電磁放射を放出するように構成される。
【００３９】
フレーム３００の開口部３１０の中に変換材料４００を導入した後、開口部３１０の中に配置された変換材料４００を硬化させることができる。変換材料４００を硬化させるステップは、例えば、熱処理もしくは化学的処理またはその両方によって実行することができる。変換材料４００が硬化するときに、開口部３１０の中に配置されている変換材料４００とフレーム３００の材料との間に、機械的に安定な接合が形成されることが好ましい。
【００４０】
フレーム３００の開口部３１０の中に変換材料４００を導入するステップは、フレーム３００を作製した後、フレーム３００のマトリックス材料の格子構造が完全に硬化する前に実行することができる。これによって、フレーム３００の開口部３１０の中に導入される変換材料４００とフレーム３００の材料との間の接合性を改善することができる。これに代えて、またはこれに加えて、フレーム３００を作製するステップと、フレーム３００の開口部３１０の中に変換材料４００を導入するステップとの間に、フレーム３００をプラズマによって処理するステップを実行することができる。このようにすることで、フレーム３００の開口部３１０の中に導入される変換材料４００とフレーム３００との間に、特に安定な接合が形成されるように、特に開口部３１０の領域においてフレーム３００の表面を改質することができる。
【００４１】
フレーム３００の開口部３１０の中に導入した変換材料４００を硬化させた後、フレーム３００を分割して多数の部分要素５００を得ることができる。フレーム３００を分割するステップは、例えば、ソーイング、レーザ分離、切断、ウォータージェット切断、またはスタンピングによって実行することができる。この場合、図３および図４に概略的に示した分離面に沿って、フレーム３００を分割する。図示した例においては、分離面３２０は、結果として得られる部分要素５００それぞれがフレーム３００の１つの開口部３１０を備えているように、フレーム３００の開口部３１０の規則的な配置の行の間および列の間に延在している。
【００４２】
図５は、フレーム３００を分割することによって得ることのできる部分要素５００の概略的な平面図を示している。部分要素５００は、第１のカバー要素１０を形成している。
【００４３】
部分要素５００によって形成されている第１のカバー要素１０は、上面５０１と、上面５０１の反対側に位置する下面５０２とを有する。部分要素５００の上面５０１は、フレーム３００の上面３０１の一部分によって形成されている。部分要素５００の下面５０２は、フレーム３００の下面３０２の一部分によって形成されている。
【００４４】
さらに、部分要素５００によって形成されている第１のカバー要素１０は、フレーム３００を分離面３２０に沿って分割することによって形成された側面５０３を有する。フレーム３００を分割することによって形成された、部分要素５００の側面５０３は、本質的に平坦に形成されており、部分要素５００の上面５０１および下面５０２に垂直な向きにある。部分要素５００の縁部（部分要素５００の側面５０３と上面５０１との間の境界と、部分要素５００の側面５０３と下面５０２との間の境界とに形成されている）は、鋭利に形成されており、わずかに丸みを帯びているのみである。
【００４５】
フレーム３００の部分要素５００によって形成されている第１のカバー要素１０は、変換材料４００によって満たされているフレーム３００の開口部３１０の１つを備えている。変換材料４００を含んだ状態で形成されているこの開口部３１０は、部分要素５００によって形成されている第１のカバー要素１０の第１のセクション５１０を形成している。部分要素５００の第１のセクション５１０（変換材料４００によって満たされている開口部によって形成されている）は、部分要素５００の第２のセクション５２０（フレーム３００の一部分から形成されている）によって、環状に囲まれている。したがって、部分要素５００によって形成されている第１のカバー要素１０は、第１のセクション５１０においては、変換材料４００を有する。部分要素５００によって形成されている第１のカバー要素１０は、第２のセクション５２０においては、フレーム３００の材料を有する。
【００４６】
図６は、第１のオプトエレクトロニクス部品１００の概略的な断面側面図を示している。第１のオプトエレクトロニクス部品１００は、例えば、発光ダイオード部品とすることができる。
【００４７】
第１のオプトエレクトロニクス部品１００は、表面７０１を有するキャリア７００を備えている。キャリア７００は、基板と称することもできる。
【００４８】
キャリア７００の表面７０１上に、オプトエレクトロニクス半導体チップ６００が配置されている。オプトエレクトロニクス半導体チップ６００は、例えば、発光ダイオードチップ（ＬＥＤチップ）とすることができる。オプトエレクトロニクス半導体チップ６００は、放射放出面６０１と、放射放出面６０１の反対側に位置する下面６０２とを有する。さらに、オプトエレクトロニクス半導体チップ６００は側面６０３を有し、この側面６０３は、オプトエレクトロニクス半導体チップ６００の下面６０２と放射放出面６０１との間に延在している。
【００４９】
オプトエレクトロニクス半導体チップ６００は、その放射放出面６０１において電磁放射を放出するように構成されている。例えば、オプトエレクトロニクス半導体チップ６００は、その放射放出面６０１において青色スペクトル領域の波長を有する電磁放射を放出するように、構成することができる。
【００５０】
オプトエレクトロニクス半導体チップ６００は、その下面６０２に電気コンタクトを有し、この電気コンタクトは、オプトエレクトロニクス半導体チップ６００の動作時にオプトエレクトロニクス半導体チップ６００に通電する目的に使用される。オプトエレクトロニクス半導体チップ６００は、例えばフリップチップとして構成することができる。
【００５１】
オプトエレクトロニクス半導体チップ６００は、オプトエレクトロニクス半導体チップ６００の下面６０２がキャリア７００の表面７０１の側であるように、キャリア７００の表面７０１上に配置されている。オプトエレクトロニクス半導体チップ６００の下面６０２に配置されている電気コンタクトは、キャリア７００の表面７０１上に配置されている相手方コンタクトと導電接続されている。
【００５２】
オプトエレクトロニクス半導体チップ６００の放射放出面６０１上には、部分要素５００によって形成されている第１のカバー要素１０が配置されている。この場合、第１のカバー要素１０の下面５０２は、オプトエレクトロニクス半導体チップ６００の放射放出面６０１の側にある。
【００５３】
第１のカバー要素１０の下面５０２は、オプトエレクトロニクス半導体チップ６００の放射放出面６０１と本質的に同じ大きさである。したがって、オプトエレクトロニクス半導体チップ６００の放射放出面６０１は、第１のカバー要素１０によって本質的に完全に覆われており、第１のカバー要素１０はオプトエレクトロニクス半導体チップ６００の側面６０３よりも突き出さない。部分要素５００によって形成されている第１のカバー要素１０の側面５０３は、オプトエレクトロニクス半導体チップ６００の側面６０３と本質的に同一平面にある。
【００５４】
また、第１のカバー要素１０の第１のセクション５１０がオプトエレクトロニクス半導体チップ６００の放射放出面６０１と本質的に同じ大きさであるように、第１のカバー要素１０を構成することも可能である。この場合、オプトエレクトロニクス半導体チップ６００の放射放出面６０１は、第１のカバー要素１０の第１のセクション５１０によって本質的に完全に覆われる。第１のカバー要素１０は、オプトエレクトロニクス半導体チップ６００の側面６０３よりも突き出す。
【００５５】
第１のカバー要素１０は、例えば、光透過性の接着剤によって、オプトエレクトロニクス半導体チップ６００の放射放出面６０１上に固定することができる。オプトエレクトロニクス半導体チップ６００の放射放出面６０１上に第１のカバー要素１０を配置するステップは、オプトエレクトロニクス半導体チップ６００をキャリア７００の表面７０１上に配置する前に実行することができる。しかしながら、これに代えて、オプトエレクトロニクス半導体チップ６００をキャリア７００の表面７０１上に配置するまでは、オプトエレクトロニクス半導体チップ６００の放射放出面６０１上に第１のカバー要素１０を配置しないこともできる。
【００５６】
オプトエレクトロニクス半導体チップ６００および第１のカバー要素１０は、第１のオプトエレクトロニクス部品１００のキャリア７００の表面７０１上に配置されている封止材料８００に埋め込まれている。封止材料８００は、オプトエレクトロニクス半導体チップ６００の側面６０３と、第１のカバー要素１０の側面５０３とを、本質的に完全に覆っている。
【００５７】
しかしながら、第１のカバー要素１０の上面５０１は、封止材料８００によって覆われていない。キャリア７００の表面７０１とは反対側の、封止材料８００の上面８０１は、第１のカバー要素１０の上面５０１と本質的に同一平面にある。オプトエレクトロニクス半導体チップ６００および第１のカバー要素１０を封止材料８００によって封止するときに、第１のカバー要素１０の上面５０１が汚れることが、第１のカバー要素１０の本質的に平坦かつ垂直な側面５０３と、第１のカバー要素１０の上面５０１と側面５０３との間の鋭利な縁部とによって、防止される。
【００５８】
封止材料８００は、例えば、光反射性のフィラー（例えば、ＴｉＯ２、ＺｒＯ２、Ａｌ２Ｏ３、ＡｌＮ、またはＳｉＯ２を含むフィラー粒子）によって満たされたシリコーンを含むことができる。
【００５９】
図７は、オプションであるさらなる処理ステップを実行した後の、時間的に図３の状態に続く処理状態における、変換材料４００によって満たされた開口部３１０を有するフレーム３００の概略的な平面図を示している。この処理ステップにおいては、フレーム３００のまだ分割されていない部分要素５００それぞれに、分離溝５３０が形成されている。分離溝５３０それぞれは、フレーム３００の上面３０１から垂直方向にフレーム３００の下面３０２まで、フレーム３００を完全に貫いている。各分離溝５３０は、それぞれの部分要素５００の開口部３１０の中に配置されている変換材料４００を貫いており、それぞれの部分要素５００の開口部３１０の角領域における変換材料４００の部分を、開口部３１０の中の変換材料４００の残りの部分から分離している。この場合、各分離溝５３０は、フレーム３００の互いに垂直な２つの分離面３２０の間に円弧の形状で延在している。分離溝５３０は、例えばスタンピングまたはレーザ加工によって形成することができる。
【００６０】
図８は、分離面３２０に沿ってフレーム３００を分割した後の、図７に示したフレーム３００の部分要素５００の概略的な平面図を示している。部分要素５００は、第２のカバー要素２０を形成している。部分要素５００の開口部３１０の中の変換材料４００のうち、分離溝５３０によって分離されていた領域が、分離面３２０に沿ってフレーム３００を分割した後、部分要素５００の残りの部分から完全に取り除かれている。したがって、部分要素５００は、角領域に凹部５４０を有する。この凹部５４０は、部分要素５００の下面５０２から上面５０１まで、部分要素５００の高さ全体にわたり延在している。凹部５４０は、部分要素５００によって形成されている第２のカバー要素２０の第１のセクション５１０の一部分と、第２のセクション５２０の一部分とを含む。それ以外に関しては、第２のカバー要素２０は、図５の第１のカバー要素１０と同様に構成されている。
【００６１】
上述した方法においては、分離溝５３０を形成するステップと、分離面３２０に沿ってフレーム３００を分割することによって部分要素５００を個片化するステップは、２つの個別の処理ステップにおいて実行される。しかしながら、例えば部分要素５００の自由形状個片化（free-form individualization）の方法によって、分離面３２０に沿ってフレーム３００を分割するのと同時に分離溝５３０を形成することも可能である。別の可能な方法としては、フレーム３００を分割する前に、例えばボーリングによって凹部５４０を形成する。この場合、分離溝５３０を形成するステップを省くことができる。
【００６２】
図９は、第２のオプトエレクトロニクス部品２００の概略的な平面図を示している。第２のオプトエレクトロニクス部品２００は、例えば、発光ダイオード部品とすることができる。第２のオプトエレクトロニクス部品２００は、図６の第１のオプトエレクトロニクス部品１００に対応する部分・要素を有する。図６および図９において、対応する部分・要素には同じ参照数字を付してあり、これらについては以下では詳しく説明しない。第２のオプトエレクトロニクス部品２００と第１のオプトエレクトロニクス部品１００との異なる部分についてのみ以下に説明する。
【００６３】
第２のオプトエレクトロニクス部品２００は、第１のカバー要素１０の代わりに第２のカバー要素２０を有する。第２のカバー要素２０は、第２のオプトエレクトロニクス部品２００のオプトエレクトロニクス半導体チップ６００の放射放出面６０１上に配置されており、放射放出面６０１を実質的に完全に覆っている。第２のオプトエレクトロニクス部品２００のオプトエレクトロニクス半導体チップ６００の放射放出面６０１は、第２のカバー要素２０の凹部５４０の領域においてのみ、第２のカバー要素２０によって覆われていない。
【００６４】
第２のオプトエレクトロニクス部品２００のオプトエレクトロニクス半導体チップ６００の放射放出面６０１のうち、第２のカバー要素２０の凹部５４０の領域における、第２のカバー要素２０によって覆われていない部分に、オプトエレクトロニクス半導体チップ６００の電気コンタクトパッドを配置することができる。この場合、オプトエレクトロニクス半導体チップ６００は、例えばトップエミッタ（top emitter）として構成することができる。ボンディングワイヤは、例えば、第２のカバー要素２０の凹部５４０の存在によって露出したままである領域に配置することができる。
【００６５】
第２のカバー要素２０の凹部５４０は、角領域以外の位置に配置することもできる。２つ以上の凹部を設けることも可能である。
【００６６】
変換材料４００の代わりに、波長変換粒子が埋め込まれていない別の材料を、フレーム３００の開口部３１０の中に導入することもできる。また、フレーム３００の開口部３１０の中に導入する材料が、異なるフィラー（例えばＴｉＯ２またはＳｉＯ２）を含むこともできる。この場合、カバー要素１０，２０は、波長を変換するためではなく、単に覆う目的で使用される。
【００６７】
ここまで、本発明について、好ましい例示的な実施形態に関連して詳しく説明してきた。しかしながら、本発明はこれらの開示した例に限定されない。当業者には、本発明の保護範囲から逸脱することなく、これらの実施形態から別の変形形態を導くことができるであろう。
【００６８】
本特許出願は、独国特許出願第１０２０１３２１４８７７．１号の優先権を主張し、この文書の開示内容は参照によって本明細書に組み込まれている。
【符号の説明】
【００６９】
１０  第１のカバー要素
２０  第２のカバー要素
１００  第１のオプトエレクトロニクス部品
２００  第２のオプトエレクトロニクス部品
３００  フレーム
３０１  上面
３０２  下面
３１０  開口部
３２０  分離面
４００  変換材料
５００  部分要素
５０１  上面
５０２  下面
５０３  側面
５１０  第１のセクション
５２０  第２のセクション
５３０  分離溝
５４０  凹部
６００  オプトエレクトロニクス半導体チップ
６０１  放射放出面
６０２  下面
６０３  側面
７００  キャリア
７０１  表面
８００  封止材料
８０１  上面
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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