(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
基材と、
前記基材に搭載され、第１入出力端子および第２入出力端子を有するＲＦＩＣ素子と、
前記基材に形成され、一端が前記第１入出力端子に接続される第１接続端であり、他端が第１開放端である第１ダイポールエレメント、および、一端が前記第２入出力端子に接続される第２接続端であり、他端が第２開放端である第２ダイポールエレメントで構成されるダイポール型アンテナと、
を備え、
前記ダイポール型アンテナの形成領域は、平面視で長手方向および短手方向をもち、前記長手方向の互いに対向する端部である第１端部および第２端部を有し、前記短手方向の互いに対向する側部である第１側部および第２側部を有し、
前記第１ダイポールエレメントは、前記第１接続端から前記第１端部方向へ延伸するとともに前記第１側部方向に向かってミアンダ状に蛇行する導体パターンであり、
前記第２ダイポールエレメントは、前記第２接続端から前記第２端部方向へ延伸するとともに前記第２側部方向に向かってミアンダ状に蛇行する導体パターンであり、
前記第１開放端は前記第１ダイポールエレメントの形成領域のうち前記第１側部寄りの位置にあり、前記第２開放端は前記第２ダイポールエレメントの形成領域のうち前記第２側部寄りの位置にあり、
前記第１ダイポールエレメントは、前記第１開放端が、前記第１端部より前記第２端部方向へ折り返されていて、前記第２ダイポールエレメントは前記第２開放端が、前記第２端部より前記第１端部方向へ折り返されている、
ことを特徴とする、ＲＦＩＤタグ。
【請求項２】
基材と、
前記基材に搭載され、第１入出力端子および第２入出力端子を有するＲＦＩＣ素子と、
前記基材に形成され、一端が前記第１入出力端子に接続される第１接続端であり、他端が第１開放端である第１ダイポールエレメント、および、一端が前記第２入出力端子に接続される第２接続端であり、他端が第２開放端である第２ダイポールエレメントで構成されるダイポール型アンテナと、
を備え、
前記ダイポール型アンテナの形成領域は、平面視で長手方向および短手方向をもち、前記長手方向の互いに対向する端部である第１端部および第２端部を有し、前記短手方向の互いに対向する側部である第１側部および第２側部を有し、
前記第１ダイポールエレメントは、前記第１接続端から前記第１端部方向へ延伸するとともに前記第１側部方向に向かってミアンダ状に蛇行する導体パターンであり、
前記第２ダイポールエレメントは、前記第２接続端から前記第２端部方向へ延伸するとともに前記第２側部方向に向かってミアンダ状に蛇行する導体パターンであり、
前記ＲＦＩＣ素子は前記ダイポール型アンテナの形成領域の中央に配置されていて、
前記第１ダイポールエレメントの一部は前記ＲＦＩＣ素子と前記第１側部との間に配置されていて、前記第２ダイポールエレメントの一部は前記ＲＦＩＣ素子と前記第２側部との間に配置されている、
ことを特徴とする、ＲＦＩＤタグ。
【請求項３】
前記ＲＦＩＣ素子は、ＲＦＩＣチップと、前記ＲＦＩＣチップと前記ダイポール型アンテナとのインピーダンスを整合させるインピーダンス整合回路と、を一体化した素子である、請求項１または２に記載のＲＦＩＤタグ。
【請求項４】
前記ダイポール型アンテナは、前記長手方向の寸法が前記短手方向の寸法の２倍以上である、請求項１から３のいずれかに記載のＲＦＩＤタグ。
【請求項５】
前記ＲＦＩＣ素子は前記ダイポール型アンテナを介してＵＨＦ帯で通信する、請求項１から４のいずれかに記載のＲＦＩＤタグ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、物品に設けられるＲＦＩＤ（RadioFrequency IDentification）タグに関し、特に、ダイポール型アンテナを備えるＲＦＩＤタグに関する。
【背景技術】
【０００２】
特許文献１には、ダイポール型アンテナとして作用する導体パターンが形成された基材にＲＦＩＣ素子が搭載されたＲＦＩＤタグが示されている。このＲＦＩＤタグは例えば物流管理のために物品に貼付され、必要に応じてリーダ／ライタで読み取り／書き込みが行われる。【０００３】
上記ダイポール型アンテナは、ＲＦＩＣ素子の二つの接続端に接続される二つのダイポールエレメントで構成される。そのため、ＲＦＩＣ素子の二つの接続端からそれぞれの開放端まで延びる二つのダイポールエレメントの延びる方向に、利得が０となるヌル点が生じる。このヌル点の方向ではリーダ／ライタと通信できない。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特許第５９０４３１６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
何らかの物品の管理のためにＲＦＩＤタグを利用する際、ＲＦＩＤタグに対するリーダ／ライタの向きには自由度があるので、通常は上述のヌル点の存在は問題とはならない。つまり、ＲＦＩＤタグと通信可能な筈の距離で通信できないときには、ＲＦＩＤタグに対するリーダ／ライタの向きを少し変えるだけで、ヌル点を避けることができ、通信が可能となる。【０００６】
ところが、物品に対するＲＦＩＤタグの貼付可能な位置が限定されていたり、物品に対する（ＲＦＩＤタグに対する）リーダ／ライタの向きが限定されていたりすると、上述のヌル点が重大な問題となることがある。つまり、物品に対して唯一貼付可能な位置に唯一貼付可能な方向でＲＦＩＤタグを貼付し、物品に対して唯一可能な方向でリーダ／ライタをかざすような状況では通信できず、ＲＦＩＤタグが実質的に利用できないことになる。【０００７】
そこで、本発明の目的は、ヌル点による通信不可となる状況を回避できるようにしたＲＦＩＤタグを提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
（１）本発明のＲＦＩＤタグは、
基材と、
前記基材に搭載され、第１入出力端子および第２入出力端子を有するＲＦＩＣ素子と、
前記基材に形成され、一端が前記第１入出力端子に接続される第１接続端であり、他端が第１開放端である第１ダイポールエレメント、および、一端が前記第２入出力端子に接続される第２接続端であり、他端が第２開放端である第２ダイポールエレメントで構成されるダイポール型アンテナと、
を備え、
前記ダイポール型アンテナの形成領域は、平面視で長手方向および短手方向をもち、前記長手方向の互いに対向する端部である第１端部および第２端部を有し、前記短手方向の互いに対向する側部である第１側部および第２側部を有し、
前記第１ダイポールエレメントは、前記第１接続端から前記第１端部方向へ延伸するとともに前記第１側部方向に向かってミアンダ状に蛇行する導体パターンであり、
前記第２ダイポールエレメントは、前記第２接続端から前記第２端部方向へ延伸するとともに前記第１側部方向に向かってミアンダ状に蛇行する導体パターンであり、
前記第２ダイポールエレメントは、前記第２接続端から前記第２端部方向へ延伸するとともに前記第２側部方向に向かってミアンダ状に蛇行する導体パターンであり、
前記第１開放端は前記第１ダイポールエレメントの形成領域のうち前記第１側部寄りの位置にあり、前記第２開放端は前記第２ダイポールエレメントの形成領域のうち前記第２側部寄りの位置にあり、
前記第１ダイポールエレメントは、前記第１開放端が、前記第１端部より前記第２端部方向へ折り返されていて、前記第２ダイポールエレメントは前記第２開放端が、前記第２端部より前記第１端部方向へ折り返されている、
ことを特徴とする。
【０００９】
上記構成によれば、ダイポール型アンテナのヌル点は、ダイポール型アンテナの形成領域の長手方向から、ダイポール型アンテナの形成領域の面内方向で傾く（回転する）ので、ヌル点からずれた方向にリーダ／ライタをかざすことができ、ヌル点による通信不可となる状況が回避できる。【００１１】
また、この構造により、ダイポール型アンテナの形成領域の長手方向からのヌル点の傾きを効果的に大きくできる。
【００１３】
（２）本発明のＲＦＩＤタグは、
基材と、
前記基材に搭載され、第１入出力端子および第２入出力端子を有するＲＦＩＣ素子と、
前記基材に形成され、一端が前記第１入出力端子に接続される第１接続端であり、他端が第１開放端である第１ダイポールエレメント、および、一端が前記第２入出力端子に接続される第２接続端であり、他端が第２開放端である第２ダイポールエレメントで構成されるダイポール型アンテナと、
を備え、
前記ダイポール型アンテナの形成領域は、平面視で長手方向および短手方向をもち、前記長手方向の互いに対向する端部である第１端部および第２端部を有し、前記短手方向の互いに対向する側部である第１側部および第２側部を有し、
前記第１ダイポールエレメントは、前記第１接続端から前記第１端部方向へ延伸するとともに前記第１側部方向に向かってミアンダ状に蛇行する導体パターンであり、
前記第２ダイポールエレメントは、前記第２接続端から前記第２端部方向へ延伸するとともに前記第２側部方向に向かってミアンダ状に蛇行する導体パターンであり、
前記ＲＦＩＣ素子は前記ダイポール型アンテナの形成領域の中央に配置されていて、
前記第１ダイポールエレメントの一部は前記ＲＦＩＣ素子と前記第１側部との間に配置されていて、前記第２ダイポールエレメントの一部は前記ＲＦＩＣ素子と前記第２側部との間に配置されている、
ことを特徴とする。
上記構成によれば、第１ダイポールエレメントと第２ダイポールエレメントによるダイポール型アンテナの１８０度回転対称性を持たせることができ、高利得のダイポール型アンテナ特性を維持できる。
【００１４】
また、限られた面積の基材に所定線長の第１ダイポールエレメントおよび第２ダイポールエレメントを形成できる。
（３）前記ＲＦＩＣ素子は、ＲＦＩＣチップと、前記ＲＦＩＣチップと前記ダイポール型アンテナとのインピーダンスを整合させるインピーダンス整合回路と、を一体化した素子であることが好ましい。この構成により、貼付などによりＲＦＩＤタグを設ける先である物品の誘電率や透磁率の影響を受けず、ＲＦＩＤタグ単体での電気的特性を保てる。
【００１５】
（４）例えば、前記ダイポール型アンテナは、前記長手方向の寸法が前記短手方向の寸法の２倍以上である。この構造により、ＲＦＩＣ素子から互いに概略反対方向へ延びる第１ダイポールエレメントおよび第２ダイポールエレメントの範囲を長く確保でき、ダイポール型アンテナの所定の利得が得やすい。
【００１６】
（５）前記ＲＦＩＣ素子は前記ダイポール型アンテナを介してＵＨＦ帯で通信することが好ましい。これにより、ＵＨＦ帯を利用するＲＦＩＤシステムに適合できる。
【００１８】
上記構成によれば、物品に対するＲＦＩＤタグの貼付可能な位置が限定されていたり、物品に対する（ＲＦＩＤタグに対する）リーダ／ライタの向きが限定されていたりしても、ＲＦＩＤタグによる物品の管理が可能となる。
【発明の効果】
【００１９】
本発明によれば、物品に対して規制された位置・方向にＲＦＩＤタグを貼付し、物品に対して規制された方向にリーダ／ライタをかざさなければならない状況でも、ヌル点による通信不可となる状況を回避できる。また、物品に対するＲＦＩＤタグの貼付可能な位置が限定されていたり、物品に対するリーダ／ライタの向きが限定されていたりしても、ＲＦＩＤタグによる物品の管理が可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００２０】
【図１】図１（Ａ）は第１の実施形態に係るＲＦＩＤタグ３０１の平面図である。図１（Ｂ）はＲＦＩＤタグ３０１のヌル点の方向を示す図である。
【図２】図２（Ａ）は、本実施形態のＲＦＩＤタグにおいて、Ｚ軸方向から視た指向性パターンの外形図である。図２（Ｂ）はＸ−Ｙ面での指向性を示す図である。
【図３】図３は、本実施形態のＲＦＩＤタグ、それを設けた物品、およびリーダ／ライタの位置関係を示す図である。
【図４】図４は、ＲＦＩＣ素子１００の斜視図である。
【図５】図５は、図４に示すＲＦＩＣ素子の縦断面図である。
【図６Ａ】図６Ａは、多層基板１２０の上位の絶縁層を真上から見た状態を示す平面図である。
【図６Ｂ】図６Ｂは、多層基板１２０の中位の絶縁層の平面図である。
【図６Ｃ】図６Ｃは、多層基板１２０の下位の絶縁層の示す平面図である。
【図７Ａ】図７Ａは、図６Ａに示す絶縁層のＢ１−Ｂ１線断面図である。
【図７Ｂ】図７Ｂは、図６Ｂに示す絶縁層のＢ２−Ｂ２線断面図である。
【図７Ｃ】図７Ｃは、図６Ｃに示す絶縁層のＢ３−Ｂ３線断面図である。
【図８】図８は、ＲＦＩＣ素子１００の等価回路を示す図である。
【図９】図９は、ＲＦＩＣ素子１００のインダクタＬ１〜Ｌ４に生じる磁界の方向を示す図である。
【図１０】図１０は、ＲＦＩＣ素子１００におけるリジッド領域およびフレキシブル領域の分布を示す図である。
【図１１】図１１は、ＲＦＩＣ素子１００をランドＬＡ１，ＬＡ２に取り付けたＲＦＩＤタグが撓んだ状態を示す図である。
【図１２】図１２は、図１１のＲＦＩＤタグの等価回路を流れる電流の一例を示す図である。
【図１３】図１３は、図１１のＲＦＩＤタグにおいて、ＲＦＩＣチップに接続される回路をＲＦＩＣチップから視た反射損失の周波数特性を示す図である。
【図１４】図１４は第２の実施形態に係るＲＦＩＤタグ３０２Ａの平面図である。
【図１５】図１５は第２の実施形態に係る別のＲＦＩＤタグ３０２Ｂの平面図である。
【図１６】図１６は第３の実施形態に係るＲＦＩＤタグ３０３Ａの平面図である。
【図１７】図１７は第３の実施形態に係る別のＲＦＩＤタグ３０３Ｂの平面図である。
【図１８】図１８は第４の実施形態に係るＲＦＩＤタグ３０４の平面図である。
【図１９】図１９は、一般的なダイポール型アンテナの指向性を示す図である。
【図２０】図２０は、図１９において、ダイポール型アンテナのＸ軸を面内に含む、その面（Ｅ面）における指向性を示す図である。
【図２１】図２１（Ａ）はＺ軸方向から視た指向性パターンの外形である。図２１（Ｂ）はＸ−Ｙ面での指向性を示す図である。
【図２２】図２２（Ａ）は比較例のＲＦＩＤタグの平面図である。図２２（Ｂ）は比較例のＲＦＩＤタグのヌル点の方向を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００２１】
以降、図を参照して幾つかの具体的な例を挙げて、本発明を実施するための複数の形態を示す。各図中には同一箇所に同一符号を付している。要点の説明または理解の容易性を考慮して、便宜上実施形態を分けて示すが、異なる実施形態で示した構成の部分的な置換または組み合わせは可能である。第２の実施形態以降では第１の実施形態と共通の事柄についての記述を省略し、異なる点についてのみ説明する。特に、同様の構成による同様の作用効果については実施形態毎には逐次言及しない。
【００２２】
《第１の実施形態》
図１（Ａ）は第１の実施形態に係るＲＦＩＤタグ３０１の平面図である。図１（Ｂ）はこのＲＦＩＤタグ３０１のヌル点の方向を示す図である。
【００２３】
本実施形態のＲＦＩＤタグ３０１は、矩形板状の基材１、この基材１に形成された第１ダイポールエレメント１０および第２ダイポールエレメント２０、基材１に搭載されたＲＦＩＣ素子１００を備える。
【００２４】
基材１は、平面視で長手方向（図１（Ａ）におけるＸ軸方向）および短手方向（図１（Ａ）におけるＹ軸方向）をもち、長手方向の互いに対向する端部である第１端部Ｅ１および第２端部Ｅ２を有し、短手方向の互いに対向する側部である第１側部Ｓ１および第２側部Ｓ２を有する。本実施形態では、基材のほぼ全面が、ダイポール型アンテナの形成領域であるので、基材１の「長手方向」、「短手方向」、「第１端部Ｅ１」、「第２端部Ｅ２」、「第１側部Ｓ１」および「第２側部Ｓ２」は、本発明に係る「長手方向」、「短手方向」、「第１端部」、「第２端部」、「第１側部」および「第２側部」にそれぞれ対応する。
【００２５】
基材１の中央には、ＲＦＩＣ素子１００を実装するためのランドＬＡ１，ＬＡ２が形成されている。このランドＬＡ１，ＬＡ２にＲＦＩＣ素子１００の第１入出力端子および第２入出力端子がそれぞれ接続される。
【００２６】
基材１には第１ダイポールエレメント１０および第２ダイポールエレメント２０が形成されている。この第１ダイポールエレメント１０および第２ダイポールエレメント２０で１つのダイポール型アンテナが構成される。
【００２７】
第１ダイポールエレメント１０は主導体パターン部１１と先端部１２とで構成される。第２ダイポールエレメント２０は主導体パターン部２１と先端部２２とで構成される。
【００２８】
第１ダイポールエレメント１０の一端は、ランドＬＡ１に接続される（ＲＦＩＣ素子の第１入出力端子に接続される）第１接続端ＣＥ１である。第１ダイポールエレメント１０の他端は第１開放端ＯＥ１である。第２ダイポールエレメント２０の一端は、ランドＬＡ２に接続される（ＲＦＩＣ素子の第２入出力端子に接続される）第２接続端ＣＥ２である。第２ダイポールエレメント２０の他端は第２開放端ＯＥ２である。
【００２９】
第１ダイポールエレメント１０は、第１接続端ＣＥ１から第１端部Ｅ１方向へ延伸するとともに第１側部Ｓ１方向に向かってミアンダ状に蛇行する導体パターンである。同様に、第２ダイポールエレメント２０は、第２接続端ＣＥ２から第２端部Ｅ２方向へ延伸するとともに第２側部Ｓ２方向に向かってミアンダ状に蛇行する導体パターンである。
【００３０】
第１開放端ＯＥ１は第１ダイポールエレメント１０の形成領域のうち第１側部Ｓ１寄りの位置にある。同様に、第２開放端ＯＥ２は第２ダイポールエレメント２０の形成領域のうち第２側部Ｓ２寄りの位置にある。
【００３１】
第１ダイポールエレメント１０は、第１開放端ＯＥ１が、基材１の第１端部Ｅ１より第２端部Ｅ２方向へ折り返されている。同様に、第２ダイポールエレメント２０は、第２開放端ＯＥ２が、基材１の第２端部Ｅ２より第１端部Ｅ１方向へ折り返されている。
【００３２】
本実施形態では、第１ダイポールエレメント１０のうち、先端部１２の線幅は主導体パターン部１１の線幅より２倍以上太い。同様に、第２ダイポールエレメント２０のうち、先端部２２の線幅は主導体パターン部２１の線幅より２倍以上太い。また、主導体パターン部１１の長手方向の形成範囲は、第１接続端ＣＥ１から第１端部Ｅ１までの範囲であるが、先端部１２は第１接続端ＣＥ１より第２端部Ｅ２方向へ更に延出している。同様に、主導体パターン部２１の長手方向の形成範囲は、第２接続端ＣＥ２から第２端部Ｅ２までの範囲であるが、先端部２２は第２接続端ＣＥ２より第１端部Ｅ１方向へ更に延出している。
【００３３】
第１ダイポールエレメント１０の先端部１２および第２ダイポールエレメント２０の先端部２２は、ダイポールエレメントの開放端およびその付近に容量を付加するための導体パターンである。この容量付加によって、ダイポールエレメントを短縮化している。
【００３４】
本実施形態のＲＦＩＤタグは、長手方向の寸法は２４ｍｍ、短手方向の寸法は８ｍｍであり、短手方向と長手方向の寸法比は１：３である。すなわち長手方向の寸法は短手方向の寸法の２倍以上である（図１（Ｂ）参照）。
【００３５】
図１９は、一般的なダイポール型アンテナの指向性を示す図である。ダイポールエレメントはＸ軸方向に沿っている。図２０は、図１９において、ダイポール型アンテナのＸ軸を面内に含む、その面（Ｅ面）における指向性を示す図である。図２１（Ａ）はＺ軸方向から視た指向性パターンの外形である。図２１（Ｂ）はＸ−Ｙ面での指向性を示す図である。
【００３６】
一般的なダイポールアンテナは、両端が電圧最大、中央が電流最大となる、１／２波長で共振する状態で使用される。そのため、Ｅ面（電界振動面）での指向性は、図２０、図２１（Ｂ）に示すような８の字型となる。そして、電圧分布の対称軸方向であるＸ軸方向がヌル点となる。
【００３７】
ここで、比較例のＲＦＩＤタグを図２２（Ａ）、図２２（Ｂ）に示す。この比較例のＲＦＩＤタグの、第１ダイポールエレメント１０は第１接続端ＣＥ１から第１端部Ｅ１方向に向かってミアンダ状に蛇行する導体パターンである。また、第２ダイポールエレメント２０は第２接続端ＣＥ２から第２端部Ｅ２方向に向かってミアンダ状に蛇行する導体パターンである。第１接続端ＣＥ１から第１端部Ｅ１までの、第１ダイポールエレメント１０の形成領域をＺＥ１で表し、第２接続端ＣＥ２から第２端部Ｅ２までの、第２ダイポールエレメント２０の形成領域をＺＥ２で表すと、領域ＺＥ１における電圧分布の重心と、領域ＺＥ２における電圧分布の重心とを結ぶ線は、ヌル点にほぼ一致する。この比較例では、ヌル点はＸ軸方向に一致する。
【００３８】
図１（Ａ）において、第１ダイポールエレメント１０全体のうち先端部１２の電圧強度分布は相対的に大きい。同様に、第２ダイポールエレメント２０全体のうち先端部２２の電圧強度分布は相対的に大きい。そのため、領域ＺＥ１における電圧分布の重心と、領域ＺＥ２における電圧分布の重心とを結ぶ線は、Ｘ軸から傾く。図１（Ｂ）におけるＮＵＬＬ−ＮＵＬＬで示す太矢印は、ヌル点を表している。このように、ヌル点はＸ軸から傾く。
【００３９】
図２（Ａ）は、本実施形態のＲＦＩＤタグにおいて、Ｚ軸方向から視た指向性パターンの外形図である。図２（Ｂ）はＸ−Ｙ面での指向性を示す図である。
【００４０】
特に、本実施形態では、容量付加作用のある先端部１２，２２を備えることにより、第１ダイポールエレメント１０全体のうち、電圧強度の高い領域が先端部１２に集中し、第２ダイポールエレメント２０全体のうち、電圧強度の高い領域が先端部２２に集中する。このことにより、領域ＺＥ１における電圧分布の重心と、領域ＺＥ２における電圧分布の重心とを結ぶ線は、Ｘ軸から効果的に傾く。
【００４１】
このように、図１（Ｂ）において、Ｘ軸方向はヌル点ではないので、Ｘ軸方向にリーダ／ライタをかざすと、通信できる。
【００４２】
図３は、本実施形態のＲＦＩＤタグ、それを設けた物品、およびリーダ／ライタの位置関係を示す図である。物品４０１Ａ−４０１Ｅは例えばインクジェットプリンタのインクカートリッジである。これらインクカートリッジは概略直方体形状であり、図３における上面にＲＦＩＤタグ３０１Ａ−３０１Ｅがそれぞれ貼付されている。これらインクカートリッジを、インクジェットプリンタの筐体内に装着した状態でＲＦＩＤタグと通信する場合に、インクカートリッジの構造上およびインクジェットプリンタ本体への実装構造上、図３以外の面にＲＦＩＤタグを貼付することができない場合がある。
【００４３】
例えば、各インクカートリッジの外面である六面のうち、インクジェットプリンタの筐体内において、電気的接続を行う面やインク供給口が設けられた面にはＲＦＩＤタグを貼付するスペースが無い。また、その他の面についても、インクジェットプリンタの筐体内の金属部材が近接する面にもＲＦＩＤタグは貼付できない。これら金属部材がＲＦＩＤタグ通信を阻害するからである。これらの事情により、ＲＦＩＤタグを貼付可能な面は限られる。また、インクジェットプリンタの筐体の構造上、インクジェットプリンタに対してリーダ／ライタを向ける方向についても限られることがある。
【００４４】
図３において、太矢印で示す方向から（Ｘ軸方向に）リーダ／ライタを近接させても、上述のとおり、このＸ軸方向はヌル点ではないので、ＲＦＩＤ通信が可能となる。これにより、ＲＦＩＤタグを介しての、インクカートリッジおよびインクジェットプリンタの管理が可能となる。
【００４５】
以降、ＲＦＩＣ素子の構成と作用について説明する。
【００４６】
図４は、ＲＦＩＣ素子１００の斜視図である。ＲＦＩＣ素子１００は、例えば、９００ＭＨｚ帯、すなわちＵＨＦ帯の通信周波数に対応するＲＦＩＣ素子である。ＲＦＩＣ素子１００は、主面が矩形をなす多層基板１２０を有する。多層基板１２０は、可撓性を有している。多層基板１２０は、例えば、ポリイミドや液晶ポリマ等の可撓性を有する樹脂絶縁層を積層した積層体の構造を有する。これらの材料で構成される各絶縁層の誘電率は、ＬＴＣＣに代表されるセラミック基材層の誘電率よりも小さい。
【００４７】
ここでは、多層基板１２０の長さ方向をＸ軸とし、多層基板１２０の幅方向をＹ軸とし、多層基板１２０の厚み方向をＺ軸とする。
【００４８】
図５は、図４に示すＲＦＩＣ素子の縦断面図である。図６Ａは、多層基板１２０の上位の絶縁層を真上から見た状態を示す平面図である。図６Ｂは、多層基板１２０の中位の絶縁層の平面図である。図６Ｃは、多層基板１２０の下位の絶縁層の示す平面図である。図７Ａは、図６Ａに示す絶縁層のＢ１−Ｂ１線断面図である。図７Ｂは、図６Ｂに示す絶縁層のＢ２−Ｂ２線断面図である。図７Ｃは、図６Ｃに示す絶縁層のＢ３−Ｂ３線断面図である。
【００４９】
多層基板１２０には、図５に示すように、ＲＦＩＣチップ１６０およびインピーダンス整合回路１８０が内蔵されている。多層基板１２０の一方の主面には、第１端子電極１４０ａおよび第２端子電極１４０ｂが形成されている。整合回路１８０はＲＦＩＣチップ１６０と、第１ダイポールエレメント１０および第２ダイポールエレメント２０とをインピーダンス整合させるとともに、アンテナの共振周波数特性を定める。
【００５０】
ＲＦＩＣチップ１６０は、シリコン等の半導体を素材とする硬質の半導体基板に各種の素子を内蔵した構造を有している。ＲＦＩＣチップ１６０の両主面は正方形である。また、ＲＦＩＣチップ１６０の他方の主面には、図６Ｃに示すように、第１入出力端子１６０ａおよび第２入出力端子１６０ｂが形成されている。多層基板１２０の内部において、ＲＦＩＣチップ１６０は、正方形の各辺がＸ軸方向またはＹ軸方向に沿って延び、且つ一方の主面および他方の主面がＸ−Ｙ面に平行な状態で、Ｘ軸、Ｙ軸、およびＺ軸の各々における中央に位置する。
【００５１】
整合回路１８０は、コイル導体２００および層間接続導体２４０ａ，２４０ｂによって構成されている。コイル導体２００は、図６Ｂまたは図６Ｃに示すコイルパターン２００ａ〜２００ｃによって構成されている。コイルパターン２００ａの一部は、第１コイル部ＣＩＬ１により構成されている。コイルパターン２００ｂの一部は、第２コイル部ＣＩＬ２により構成されている。コイルパターン２００ｃの一部は、第３コイル部ＣＩＬ３および第４コイル部ＣＩＬ４により構成されている。
【００５２】
第１コイル部ＣＩＬ１、第３コイル部ＣＩＬ３、および層間接続導体２４０ａは、Ｚ軸方向に並ぶように配置されている。第２コイル部ＣＩＬ２、第４コイル部ＣＩＬ４、および層間接続導体２４０ｂも、Ｚ軸方向に並ぶように配置されている。
【００５３】
ＲＦＩＣチップ１６０は、多層基板１２０をＺ軸方向から見たとき、第１コイル部ＣＩＬ１と第２コイル部ＣＩＬ２との間に配置されている。また、ＲＦＩＣチップ１６０は、多層基板１２０をＹ軸方向から見たとき、第３コイル部ＣＩＬ３と第４コイル部ＣＩＬ４との間に配置されている。
【００５４】
第１端子電極１４０ａおよび第２端子電極１４０ｂは、いずれも可撓性を有する銅箔を素材として短冊状に形成されている。第１端子電極１４０ａおよび第２端子電極１４０ｂの各々の主面のサイズは、互いに一致する。第１端子電極１４０ａおよび第２端子電極１４０ｂの短辺は、Ｘ軸方向に延びている。第１端子電極１４０ａおよび第２端子電極１４０ｂの長辺は、Ｙ軸方向に延びている。
【００５５】
従って、ＲＦＩＣチップ１６０は、多層基板１２０をＹ軸方向から見たとき、整合回路１８０の一部と整合回路１８０の他の一部とによって挟まれる。また、ＲＦＩＣチップ１６０は、多層基板１２０をＸ軸方向から見たとき、整合回路１８０と重なる。整合回路１８０は、多層基板１２０を平面視したとき、第１端子電極１４０ａおよび第２端子電極１４０ｂの各々と部分的に重なる。
【００５６】
多層基板１２０は、図６Ａ〜図６Ｃに示すように、積層された３つのシート状の絶縁層１２０ａ〜１２０ｃによって構成されている。絶縁層１２０ａは上位に位置し、絶縁層１２０ｂは中位に位置し、絶縁層１２０ｃは下位に位置する。
【００５７】
絶縁層１２０ａの一方の主面には、第１端子電極１４０ａおよび第２端子電極１４０ｂが形成されている。絶縁層１２０ｂの一方の主面の中央位置には、他方主面に達する矩形の貫通孔ＨＬ１が形成されている。貫通孔ＨＬ１は、ＲＦＩＣチップ１６０を包含するサイズに形成されている。また、絶縁層１２０ｂの一方の主面のうち貫通孔ＨＬ１の周辺には、コイルパターン２００ｃが形成されている。コイルパターン２００ｃは、可撓性を有する銅箔を素材として構成されている。
【００５８】
コイルパターン２００ｃの一端部は、平面視において、第１端子電極１４０ａと重なる位置に配置され、Ｚ軸方向に延びる層間接続導体２２０ａによって第１端子電極１４０ａと接続されている。また、コイルパターン２００ｃの他端部は、平面視において、第２端子電極１４０ｂと重なる位置に配置され、Ｚ軸方向に延びる層間接続導体２２０ｂによって第２端子電極１４０ｂと接続されている。層間接続導体２２０ａ，２２０ｂは、Ｓｎを主成分とする硬質の金属バルクで構成されている。
【００５９】
絶縁層１２０ｃの一方の主面には、コイルパターン２００ａ，２００ｂが形成されている。コイルパターン２００ａ，２００ｂは、可撓性を有する銅箔を素材として構成されている。
【００６０】
第１コイル端Ｔ１および第２コイル端Ｔ２は、いずれも、絶縁層１２０ｃを平面視したとき、矩形に形成されている。
【００６１】
コイルパターン２００ａの一端部は、Ｚ軸方向に延びる層間接続導体２４０ａによってコイルパターン２００ｃの一端部と接続されている。コイルパターン２００ｂの一端部は、Ｚ軸方向に延びる層間接続導体２４０ｂによってコイルパターン２００ｃの他端部と接続されている。層間接続導体２４０ａ，２４０ｂは、Ｓｎを主成分とする硬質の金属バルクで構成されている。
【００６２】
絶縁層１２０ｂ，１２０ｃを平面視したとき、コイルパターン２００ａの一部の区間はコイルパターン２００ｃの一部の区間と重なり、コイルパターン２００ｂの一部の区間もコイルパターン２００ｃの他の一部の区間と重なる。ここでは、コイルパターン２００ａ，２００ｃが重なり合う区間のうち、コイルパターン２００ａ側の区間を“第１コイル部ＣＩＬ１”といい、コイルパターン２００ｃ側の区間を“第３コイル部ＣＩＬ３”という。また、コイルパターン２００ｂ，２００ｃが重なり合う区間のうち、コイルパターン２００ｂ側の区間を“第２コイル部ＣＩＬ２”といい、コイルパターン２００ｃ側の区間を“第４コイル部ＣＩＬ４”という。さらに、コイルパターン２００ａの一端部またはコイルパターン２００ｃの一端部の位置を“第１位置Ｐ１”といい、コイルパターン２００ｂの一端部またはコイルパターン２００ｃの他端部の位置を“第２位置Ｐ２”という。
【００６３】
絶縁層１２０ｃの一方の主面には、矩形のダミー導体２６０ａ，２６０ｂが形成されている。ダミー導体２６０ａ，２６０ｂは、可撓性を有する銅箔を素材として構成されている。絶縁層１２０ｂ，１２０ｃを平面視したとき、ダミー導体２６０ａ，２６０ｂは、矩形の貫通孔ＨＬ１の４つのコーナー部のうち、２つのコーナー部にそれぞれ重なるように配置されている。
【００６４】
ＲＦＩＣチップ１６０は、他方の主面の４つのコーナー部が第１コイル端Ｔ１、第２コイル端Ｔ２、およびダミー導体２６０ａ，２６０ｂとそれぞれ対向するように、絶縁層１２０ｃに実装されている。第１入出力端子１６０ａは、平面視において第１コイル端Ｔ１と重なるように、ＲＦＩＣチップ１６０の他方の主面に配置されている。同様に、第２入出力端子１６０ｂは、平面視において第２コイル端Ｔ２と重なるように、ＲＦＩＣチップ１６０の他方の主面に配置されている。
【００６５】
その結果、ＲＦＩＣチップ１６０は、第１入出力端子１６０ａによって第１コイル端Ｔ１と接続され、第２入出力端子１６０ｂによって第２コイル端Ｔ２と接続されている。
【００６６】
なお、絶縁層１２０ａ〜１２０ｃの厚さは、１０μｍ以上１００μｍ以下である。このため、多層基板１２０に内蔵されたＲＦＩＣチップ１６０および整合回路１８０は、外側から透けて見える。従って、ＲＦＩＣチップ１６０および整合回路１８０の接続状態（断線の有無）を容易に確認することができる。
【００６７】
図８は、上述したように構成されるＲＦＩＣ素子１００の等価回路を示す図である。図８において、インダクタＬ１は、第１コイル部ＣＩＬ１に対応している。インダクタＬ２は、第２コイル部ＣＩＬ２に対応している。インダクタＬ３は、第３コイル部ＣＩＬ３に対応している。インダクタＬ４は、第４コイル部ＣＩＬ４に対応している。整合回路１８０によるインピーダンス整合の特性は、インダクタＬ１〜Ｌ４の値によって規定される。
【００６８】
インダクタＬ１の一端部は、ＲＦＩＣチップ１６０に設けられた第１入出力端子１６０ａに接続されている。インダクタＬ２の一端部は、ＲＦＩＣチップ１６０に設けられた第２入出力端子１６０ｂに接続されている。インダクタＬ１の他端部は、インダクタＬ３の一端部に接続されている。インダクタＬ２の他端部は、インダクタＬ４の一端部に接続されている。インダクタＬ３の他端部は、インダクタＬ４の他端部に接続されている。第１端子電極１４０ａは、インダクタＬ１，Ｌ３の接続点に接続されている。第２端子電極１４０ｂは、インダクタＬ２，Ｌ４の接続点に接続されている。
【００６９】
図８に示す等価回路から分かるように、第１コイル部ＣＩＬ１、第２コイル部ＣＩＬ２、第３コイル部ＣＩＬ３、および第４コイル部ＣＩＬ４は、磁界が同相となるように巻回され且つ互いに直列接続されている。従って、磁界は、ある時点において、図９において矢印で示す方向に向くように発生する。一方、磁界は、別の時点において、図９において矢印で示す方向とは反対の方向に向くように発生する。
【００７０】
また、図６Ｂおよび図６Ｃから分かるように、第１コイル部ＣＩＬ１および第３コイル部ＣＩＬ３は、ほぼ同一のループ形状で且つ同一の第１巻回軸を有している。同様に、第２コイル部ＣＩＬ２および第４コイル部ＣＩＬ４は、ほぼ同一のループ形状で且つ同一の第２巻回軸を有している。第１巻回軸および第２巻回軸は、ＲＦＩＣチップ１６０を挟む位置に配置されている。
【００７１】
すなわち、第１コイル部ＣＩＬ１および第３コイル部ＣＩＬ３は、磁気的且つ容量的に結合している。同様に、第２コイル部ＣＩＬ２および第４コイル部ＣＩＬ４は、磁気的且つ容量的に結合している。
【００７２】
以上の説明から分かるように、ＲＦＩＣチップ１６０は、第１入出力端子１６０ａおよび第２入出力端子１６０ｂを有し、多層基板１２０に内蔵されている。また、整合回路１８０は、コイルパターン２００ａ〜２００ｃを含んで多層基板１２０に内蔵されている。このうち、コイルパターン２００ａは第１入出力端子１６０ａに接続された他端部（＝第１コイル端Ｔ１）を有し、コイルパターン２００ｂは第２入出力端子１６０ｂに接続された他方に端部（＝第２コイル端Ｔ２）を有する。また、第１端子電極１４０ａおよび第２端子電極１４０ｂは、多層基板１２０の一方の主面に設けられている。第１端子電極１４０ａは、コイルパターン２００ａの一端部（＝第１位置Ｐ１）に接続されている。第２端子電極１４０ｂは、コイルパターン２００ｂの一端部（＝第２位置Ｐ２）にそれぞれ接続されている。
【００７３】
また、第１コイル部ＣＩＬ１は、第１コイル端Ｔ１から第１位置Ｐ１までの区間に存在し、多層基板１２０の一方の主面と交差する方向に第１巻回軸を有する。第２コイル部ＣＩＬ２は、第２コイル端Ｔ２から第２位置Ｐ２までの区間に存在し、多層基板１２０の一方の主面と交差する方向に第２巻回軸を有する。第３コイル部ＣＩＬ３は、平面視において第１コイル部ＣＩＬ１と重なるように配置されている。第４コイル部ＣＩＬ４は、平面視において第２コイル部ＣＩＬ２と重なるように配置されている。第１コイル部ＣＩＬ１，第３コイル部ＣＩＬ３と第２コイル部ＣＩＬ２，第４コイル部ＣＩＬ４とは、ＲＦＩＣチップ１６０を挟む位置に配置されている。多層基板１２０には、整合回路１８０と、ＲＦＩＣチップ１６０とが内蔵されている。
【００７４】
ＲＦＩＣチップ１６０は、半導体基板で構成されている。このため、第１コイル部ＣＩＬ１、第２コイル部ＣＩＬ２、第３コイル部ＣＩＬ３、および第４コイル部ＣＩＬ４にとって、ＲＦＩＣチップ１６０は、グランドまたはシールドとして機能する。その結果、第１コイル部ＣＩＬ１および第２コイル部ＣＩＬ２、並びに、第３コイル部ＣＩＬ３および第４コイル部ＣＩＬ４は、磁気的にも容量的にも互いに結合し難くなる。これによって、通信信号の通過帯域の狭帯域化が抑制される。
【００７５】
次に、ＲＦＩＣ素子１００をはんだ等の導電性接合材１３ａ，１３ｂによってランドＬＡ１，ＬＡ２上に取り付けた例について説明する。図１０は、ＲＦＩＣ素子１００におけるリジッド領域およびフレキシブル領域の分布を示す図である。図１１は、ＲＦＩＣ素子１００をランドＬＡ１，ＬＡ２に取り付けたＲＦＩＤタグが撓んだ状態を示す図である。
【００７６】
上述したように、多層基板１２０、コイルパターン２００ａ〜２００ｃ、第１端子電極１４０ａ、および第２端子電極１４０ｂは、可撓性を有する部材で構成されている。一方、層間接続導体２２０ａ，２２０ｂ，２４０ａ，２４０ｂ、およびＲＦＩＣチップ１６０は、硬質の部材で構成されている。また、第１端子電極１４０ａおよび第２端子電極１４０ｂは、比較的サイズが大きいため、可撓性が低い。また、第１端子電極１４０ａおよび第２端子電極１４０ｂにＮｉ／ＡｕやＮｉ／Ｓｎ等のめっき膜を施した場合には、第１端子電極１４０ａおよび第２端子電極１４０ｂの可撓性はさらに低くなる。
【００７７】
このため、ＲＦＩＣ素子１００には、図１０に示すように、リジッド領域およびフレキシブル領域が形成される。より具体的には、第１端子電極１４０ａ、第２端子電極１４０ｂ、およびＲＦＩＣチップ１６０が配置された領域はリジッド領域になり、他の領域はフレキシブル領域となる。特に、第１端子電極１４０ａおよび第２端子電極１４０ｂはＲＦＩＣチップ１６０から離れた位置に設けられるため、第１端子電極１４０ａとＲＦＩＣチップ１６０との間、および第２端子電極１４０ｂとＲＦＩＣチップ１６０との間はフレキシブル領域になる。
【００７８】
このため、ＲＦＩＣ素子１００が基材１のランドＬＡ１，ＬＡ２に貼り付けたＲＦＩＤタグを曲面に貼り付けた場合、ＲＦＩＣ素子１００は、例えば、図１１に示すように撓む。
【００７９】
図１２は、図１１のＲＦＩＤタグの等価回路を流れる電流の一例を示す図である。図１３は、図１１のＲＦＩＤタグにおいて、ＲＦＩＣチップに接続される回路をＲＦＩＣチップから視た反射損失の周波数特性を示す図である。
【００８０】
図１２に示すように、第１入出力端子１６０ａとび第２入出力端子１６０ｂとの間には、ＲＦＩＣチップ１６０が有する寄生容量（浮遊容量）Ｃｐが存在する。このため、ＲＦＩＣ素子１００では２つの共振が発生する。１つ目の共振は、第１ダイポールエレメント１０、第２ダイポールエレメント２０、インダクタＬ３，Ｌ４で構成される電流経路に生じる共振である。２つ目の共振は、インダクタＬ１〜Ｌ４および寄生容量Ｃｐで構成される電流経路（電流ループ）に生じる共振である。これらの２つの共振は、各電流経路に共有されるインダクタＬ３〜Ｌ４によって結合される。２つの共振にそれぞれ対応する２つの電流Ｉ１およびＩ２は、図１２において破線の矢印で示すように流れる。
【００８１】
また、１つ目の共振周波数および２つ目の共振周波数のいずれも、インダクタＬ３〜Ｌ４の影響を受ける。これにより、図１３に示すように、１つ目の共振周波数ｆ１と２つ目の共振周波数ｆ２との間には、数１０ＭＨｚ（具体的には５ＭＨｚ以上５０ＭＨｚ以下程度）の差が生じる。このように二つの共振を結合させることで、図１３に示すような広帯域の共振周波数特性が得られる。
【００８２】
本実施形態によれば、ＲＦＩＣ素子１００内にＲＦＩＣチップ１６０と、第１ダイポールエレメント１０および第２ダイポールエレメント２０とのインピーダンスを整合させるとともに、アンテナの共振周波数特性を定めるインピーダンス整合回路を設けたので、次のような作用効果を奏する。
【００８３】
先ず、インピーダンス整合および共振周波数特性設定用の回路を基材に形成する必要が無いので、基材の面積を、ダイポールエレメントを形成するためのスペースとして有効に利用でき、ＲＦＩＤタグの小型化が図れる。また、同サイズであれば、高利得化が図れる。
【００８４】
また、ＲＦＩＣ素子１００を実装するランドＬＡ１，ＬＡ２は、平面視でＲＦＩＣ素子１００の第１コイル部ＣＩＬ１、第２コイル部ＣＩＬ２、第３コイル部ＣＩＬ３、および第４コイル部ＣＩＬ４と重なるので、コイル部ＣＩＬ１〜ＣＩＬ４はランドＬＡ１，ＬＡ２で電磁気的に遮蔽される、このことにより、ＲＦＩＤタグの貼付先の物品の電磁気的特性の影響を受けにくい。つまり、比誘電率や比透磁率の高い物品にＲＦＩＤタグ３０１を貼付する場合でも、その貼付した状態と貼付前の単体状態とで、ＲＦＩＤタグの電磁気的特性の変化が少ない。
【００８５】
《第２の実施形態》
第２の実施形態ではダイポール型アンテナの形状が第１の実施形態で示したものとは異なるＲＦＩＤタグについて示す。
【００８６】
図１４は第２の実施形態に係るＲＦＩＤタグ３０２Ａの平面図である。本実施形態のＲＦＩＤタグ３０２Ａは、矩形板状の基材１、この基材１に形成された第１ダイポールエレメント１０および第２ダイポールエレメント２０、基材１に搭載されたＲＦＩＣ素子１００を備える。
【００８７】
基材１には第１ダイポールエレメント１０および第２ダイポールエレメント２０が形成されている。この第１ダイポールエレメント１０および第２ダイポールエレメント２０で１つのダイポール型アンテナが構成される。
【００８８】
第１ダイポールエレメント１０の一端は、ランドＬＡ１に接続される（ＲＦＩＣ素子の第１入出力端子に接続される）第１接続端ＣＥ１である。第１ダイポールエレメント１０の他端は第１開放端ＯＥ１である。第２ダイポールエレメント２０の一端は、ランドＬＡ２に接続される（ＲＦＩＣ素子の第１入出力端子に接続される）第２接続端ＣＥ２である。第２ダイポールエレメント２０の他端は第２開放端ＯＥ２である。
【００８９】
第１ダイポールエレメント１０は、第１接続端ＣＥ１から第１端部Ｅ１方向へ延伸するとともに第１側部Ｓ１方向に向かってミアンダ状に蛇行する導体パターンである。同様に、第２ダイポールエレメント２０は、第２接続端ＣＥ２から第２端部Ｅ２方向へ延伸するとともに第２側部Ｓ２方向に向かってミアンダ状に蛇行する導体パターンである。
【００９０】
第１開放端ＯＥ１は第１ダイポールエレメント１０の形成領域のうち第１側部Ｓ１寄りの位置にある。同様に、第２開放端ＯＥ２は第２ダイポールエレメント２０の形成領域のうち第２側部Ｓ２寄りの位置にある。
【００９１】
第１ダイポールエレメント１０は、第１開放端ＯＥ１が、基材１の第１端部Ｅ１に近接する位置にある。同様に、第２ダイポールエレメント２０は、第２開放端ＯＥ２が、基材１の第２端部Ｅ２に近接する位置にある。
【００９２】
本実施形態のＲＦＩＤタグ３０２Ａは、図１（Ａ）に示したＲＦＩＤタグ３０１とは、第１開放端ＯＥ１、第２開放端ＯＥ２の位置が異なる。また、先端部１２，２２を備えない点で、図１（Ａ）に示したＲＦＩＤタグ３０１とは異なる。
【００９３】
ここでは、第１ダイポールエレメント１０の第１開放端ＯＥ１から第１接続端ＣＥ１方向へ、導体パターンを辿って一定量だけ戻った位置までの範囲を先端部領域Ｚ１２で表している。同様に、第２ダイポールエレメント２０の第２開放端ＯＥ２から第２接続端ＣＥ２方向へ、導体パターンを辿って一定量だけ戻った位置までの範囲を先端部領域Ｚ２２で表している。
【００９４】
図１４において、第１ダイポールエレメント１０全体のうち先端部領域Ｚ１２の電圧強度分布は相対的に大きい。同様に、第２ダイポールエレメント２０全体のうち先端部領域Ｚ２２の電圧強度分布は相対的に大きい。そのため、領域Ｚ１２における電圧分布の重心と、領域Ｚ２２における電圧分布の重心とを結ぶ線は、Ｘ軸から傾く。図１４における太矢印は、ヌル点を表している。このように、ヌル点はＸ軸から傾く。
【００９５】
上記先端部領域Ｚ１２，Ｚ２２と先端部領域でない領域との境界は臨界的意義のある境界ではない。上記先端部領域Ｚ１２，Ｚ２２は説明の都合上表したものである。つまり、第１ダイポールエレメント１０の第１開放端ＯＥ１から第１接続端ＣＥ１方向へ、導体パターンを辿って戻る「一定量」、および第２ダイポールエレメント２０の第２開放端ＯＥ２から第２接続端ＣＥ２方向へ、導体パターンを辿って戻る「一定量」は、便宜的に導入したものである。この「一定量」を変更しても、上述のヌル点はＸ軸から傾くことの作用説明は成り立つ。
【００９６】
図１５は本実施形態に係る別のＲＦＩＤタグ３０２Ｂの平面図である。このＲＦＩＤタグ３０２Ｂは、第１ダイポールエレメント１０の一部である側部導体パターン１０ＳはＲＦＩＣ素子１００と第１側部Ｓ１との間に配置されていて、第２ダイポールエレメント２０の一部である側部導体パターン２０ＳはＲＦＩＣ素子１００と第２側部Ｓ２との間に配置されていている。その他の構成は図１４に示したＲＦＩＤタグ３０２Ａと同じである。
【００９７】
図１５の例では、側部導体パターン１０Ｓ，２０Ｓを備えているので、領域Ｚ１２における電圧分布の重心と、領域Ｚ２２における電圧分布の重心とを結ぶ線は、図１４に示した例に比べて、Ｘ軸からより効果的に傾く。
【００９８】
本実施形態によれば、ＲＦＩＤタグのダイポールエレメントの先端部に容量付加用の導体パターンを備えていないので、このＲＦＩＤタグの貼付先の物品の電磁気的特性の影響を受けにくい。つまり、比誘電率の高い物品にＲＦＩＤタグ３０１を貼付する場合でも、その貼付した状態と貼付前の単体状態とで、ダイポールエレメントの先端部に付加される容量の変化が少なく、ＲＦＩＤタグの電磁気的特性の変化が少ない。
【００９９】
《第３の実施形態》
第３の実施形態では、ダイポール型アンテナの形状が第１、第２の実施形態で示したものとは異なるＲＦＩＤタグについて示す。
【０１００】
図１６は第３の実施形態に係るＲＦＩＤタグ３０３Ａの平面図である。本実施形態のＲＦＩＤタグ３０３Ａは、矩形板状の基材１、この基材１に形成された第１ダイポールエレメント１０および第２ダイポールエレメント２０、基材１に搭載されたＲＦＩＣ素子１００を備える。
【０１０１】
第１ダイポールエレメント１０の第１開放端ＯＥ１は第１端部Ｅ１寄りの位置ではなく、第１端部Ｅ１や第２端部Ｅ２よりも中央寄りの位置にある。同様に、第２ダイポールエレメント２０の第２開放端ＯＥ２は第２端部Ｅ２寄りの位置ではなく、第１端部Ｅ１や第２端部Ｅ２よりも中央寄りの位置にある。
【０１０２】
また、第１ダイポールエレメント１０の側部導体パターン１０Ｓは、ランドＬＡ１とランドＬＡ２との中間点よりも第２端部Ｅ２方向へ延出する位置まで形成されている。同様に、第２ダイポールエレメント２０の側部導体パターン２０Ｓは、ランドＬＡ１とランドＬＡ２との中間点よりも第１端部Ｅ１方向へ延出する位置まで形成されている。
【０１０３】
その他の構成は図１５に示したＲＦＩＤタグ３０２Ｂと同じである。
【０１０４】
図１７は本実施形態に係る別のＲＦＩＤタグ３０３Ｂの平面図である。第１ダイポールエレメント１０の第１開放端ＯＥ１が側部導体パターン１０Ｓの主要部より突出している。同様に、第２ダイポールエレメント２０の第２開放端ＯＥ２が側部導体パターン２０Ｓの主要部より突出している。その他の構成は図１６に示したＲＦＩＤタグ３０３Ａと同じである。
【０１０５】
本実施形態によれば、第１ダイポールエレメント１０の第１開放端ＯＥ１が第１側部Ｓ１に沿った位置で且つ第１端部Ｅ１から離れた位置（内部の位置）にあるので、また、第２ダイポールエレメント２０の第２開放端ＯＥ２が第２側部Ｓ２に沿った位置で且つ第２端部Ｅ２から離れた位置（内部の位置）にあるので、第１ダイポールエレメント１０における電圧分布の重心と、第２ダイポールエレメント２０における電圧分布の重心とを結ぶ線は、Ｘ軸から効果的に傾く。
【０１０６】
ダイポール型アンテナの共振周波数は、側部導体パターン１０Ｓおよび側部導体パターン２０Ｓの長さによって定めることができるが、特に、図１７に示したように、開放端ＯＥ１，ＯＥ２の突出量だけを変更すれば、指向性を変化させることなく、共振周波数を独立して定めることができる。
【０１０７】
《第４の実施形態》
第４の実施形態では、ダイポール型アンテナの形状がこれまでに示したものとは異なるＲＦＩＤタグについて示す。
【０１０８】
図１８は第４の実施形態に係るＲＦＩＤタグ３０４の平面図である。本実施形態のＲＦＩＤタグ３０４は、矩形板状の基材１、この基材１に形成された第１ダイポールエレメント１０および第２ダイポールエレメント２０、基材１に搭載されたＲＦＩＣ素子１００を備える。
【０１０９】
第１ダイポールエレメント１０は主導体パターン部１１と先端部１２とで構成される。第２ダイポールエレメント２０は主導体パターン部２１と先端部２２とで構成される。
【０１１０】
第１ダイポールエレメント１０の主導体パターン部１１は側部導体パターン１１Ｓを含む。この側部導体パターン１１ＳはＲＦＩＣ素子１００と先端部１２との間に配置されている。同様に、第２ダイポールエレメント２０の主導体パターン部２１の一部である側部導体パターン２１ＳはＲＦＩＣ素子１００と先端部２２との間に配置されている。
【０１１１】
本実施形態のように、先端部１２の一方端は第１端部Ｅ１に近接せず、主にＲＦＩＣ素子１００と第１側部Ｓ１との間に形成されていてもよい。同様に、先端部２２の一方端は第２端部Ｅ２に近接せず、主にＲＦＩＣ素子１００と第２側部Ｓ２との間に形成されていてもよい。
【０１１２】
本実施形態によれば、先端部１２が第１側部Ｓ１に沿った位置で且つ第１端部Ｅ１から離れていて、先端部２２が第２側部Ｓ２に沿った位置で且つ第２端部Ｅ２から離れているので、先端部１２，２２が比較的小面積であっても、第１ダイポールエレメント１０と第２ダイポールエレメント２０の電圧分布の重心を結ぶ線はＸ軸から効果的に傾けることができる。
【０１１３】
以上に示した各実施形態では、平面視で矩形状の基材１を備えるＲＦＩＤタグを例示したが、角部に丸みがあってもよい。また、基材１の平面視形状は楕円形、長円形であってもよい。また、第１端部Ｅ１、第２端部Ｅ２、第１側部Ｓ１、第２側部Ｓ２はいずれも全体が曲線であってもよい。
【０１１４】
また、以上に示した各実施形態では、ＲＦＩＣチップ１６０と、このＲＦＩＣチップ１６０とダイポール型アンテナとのインピーダンスを整合させるインピーダンス整合回路とを一体化したＲＦＩＣ素子１００を備えるＲＦＩＤタグを例示したが、インピーダンス整合回路は基材に形成してもよい。
【０１１５】
また、以上の各実施形態で示したダイポール型アンテナは、各ダイポールエレメントの電気長が１／４波長相当で、第１開放端から第２開放端までの電気長が１／２波長相当のダイポールアンテナであるが、第１開放端から第２開放端までの電気長が１／２波長未満であってもよいし、第１ダイポールエレメントと第２ダイポールの電気長が異なる非対称ダイポール型アンテナであってもよい。
【０１１６】
また、以上の各実施形態で示したＲＦＩＤタグでは、基材のほぼ全面にダイポール型アンテナを形成したが、基材の一部がダイポール型アンテナの形成領域であってもよい。また、基材の外形はダイポール型アンテナの形成領域の相似形でなくてもよい。
【０１１７】
また、ＲＦＩＤタグによる物品の管理は、電気機器、電子機器、それらの付属品の管理に限られるものではない。また、上記「筐体」は電気機器や電子機器の筐体に限るものではなく、管理対象の物品を収納する収納体の意味である。
【０１１８】
最後に、上述の実施形態の説明は、すべての点で例示であって、制限的なものではない。当業者にとって変形および変更が適宜可能である。本発明の範囲は、上述の実施形態ではなく、特許請求の範囲によって示される。さらに、本発明の範囲には、特許請求の範囲内と均等の範囲内での実施形態からの変更が含まれる。
【符号の説明】
【０１１９】
ＣＥ１…第１接続端
ＣＥ２…第２接続端
ＣＩＬ１…第１コイル部
ＣＩＬ２…第２コイル部
ＣＩＬ３…第３コイル部
ＣＩＬ４…第４コイル部
Ｃｐ…寄生容量
Ｅ１…第１端部
Ｅ２…第２端部
ＨＬ１…貫通孔
Ｌ１，Ｌ２，Ｌ３，Ｌ４…インダクタ
ＬＡ１，ＬＡ２…ランド
ＯＥ１…第１開放端
ＯＥ２…第２開放端
Ｐ１…第１位置
Ｐ２…第２位置
Ｓ１…第１側部
Ｓ２…第２側部
Ｔ１…第１コイル端
Ｔ２…第２コイル端
Ｚ１２…第１ダイポールエレメント１０の先端部領域
Ｚ２２…第２ダイポールエレメント２０の先端部領域
ＺＥ１…第１接続端ＣＥ１から第１端部Ｅ１までの、第１ダイポールエレメント１０の形成領域
ＺＥ２…第２接続端ＣＥ２から第２端部Ｅ２までの、第２ダイポールエレメント２０の形成領域
Ｚ１２…第１ダイポールエレメント１０の第１開放端ＯＥ１から第１接続端ＣＥ１方向へ、導体パターンを辿って一定量だけ戻った位置までの範囲を先端部領域
Ｚ２２…第２ダイポールエレメント２０の第２開放端ＯＥ２から第２接続端ＣＥ２方向へ、導体パターンを辿って一定量だけ戻った位置までの範囲を先端部領域
１…基材
１０…第１ダイポールエレメント
１０Ｓ，２０Ｓ…側部導体パターン
１１，２１…主導体パターン部
１１Ｓ，２１Ｓ…側部導体パターン
１２，２２…先端部
１３ａ，１３ｂ…導電性接合材
２０…第２ダイポールエレメント
１００…ＲＦＩＣ素子
１２０…多層基板
１２０ａ，１２０ｂ，１２０ｃ…絶縁層
１４０ａ…第１端子電極
１４０ｂ…第２端子電極
１６０…ＲＦＩＣチップ
１６０ａ…第１入出力端子
１６０ｂ…第２入出力端子
１８０…整合回路
２００…コイル導体
２００ａ，２００ｂ，２００ｃ…コイルパターン
２２０ａ，２２０ｂ…層間接続導体
２４０ａ，２４０ｂ…層間接続導体
２６０ａ，２６０ｂ…ダミー導体
３０１，３０１Ａ，３０２Ａ，３０２Ｂ，３０３Ａ，３０３Ｂ，３０４…ＲＦＩＤタグ
４０１Ａ〜４０１Ｅ…物品
【要約】
ＲＦＩＤタグ（３０１）は、基材（１）とＲＦＩＣ素子（１００）と、ダイポール型アンテナとを備える。基材（１）は第１端部（Ｅ１）、第２端部（Ｅ２）、第１側部（Ｓ１）および第２側部（Ｓ２）を有する。ＲＦＩＣ素子（１００）は基材（１）に搭載され、第１入出力端子および第２入出力端子を有する。ダイポール型アンテナは第１ダイポールエレメント（１０）および第２ダイポールエレメント（２０）とで構成される。第１ダイポールエレメント（１０）は、第１接続端（ＣＥ１）から第１端部（Ｅ１）方向へ延伸するとともに第１側部（Ｓ１）方向に向かってミアンダ状に蛇行する導体パターンであり、第２ダイポールエレメント（２０）は、第２接続端（ＣＥ２）から第２端部（Ｅ２）方向へ延伸するとともに第２側部（Ｓ２）方向に向かってミアンダ状に蛇行する導体パターンである。【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６Ａ】
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【図６Ｂ】
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【図６Ｃ】
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【図７Ａ】
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【図７Ｂ】
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【図７Ｃ】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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