(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも一部が検出対象の物理量に応じたインピーダンスを持つ複数のインピーダンス素子を有したブリッジ回路と、
前記ブリッジ回路の出力電圧のオフセットを調整するためのオフセット調整回路とを備え、
前記ブリッジ回路は、電源が供給される２つのノードの間に直列に接続された２以上の前記インピーダンス素子をそれぞれ含む２つの直列回路を有し、
前記オフセット調整回路は、
前記２つの直列回路の少なくとも一方の直列回路において前記２以上のインピーダンス素子を接続する経路に挿入された分圧回路と、
前記分圧回路における両端のノードの電圧差を一定に保つ定電圧回路とを有し、
前記分圧回路は、前記分圧回路の両端のノードに生じる電圧差を分圧し、当該分圧した電圧を出力ノードから出力し、
前記分圧回路の分圧比の調整が可能であり、
前記オフセットの調整を行う場合、一方の前記直列回路における前記分圧回路の出力ノードと他方の前記直列回路の中間ノードとの電圧差、若しくは、一方の前記直列回路における前記分圧回路の出力ノードと他方の前記直列回路における前記分圧回路の出力ノードとの電圧差が所定の値へ近づくように前記分圧比が調整される、
センサ装置。
【請求項２】
前記定電圧回路は、
前記分圧回路と並列に接続され、制御信号に応じて抵抗値が変化する可変抵抗素子と、
前記分圧回路における前記両端のノードの電圧差を増幅する差動増幅回路と、
前記差動増幅回路の出力電圧と基準電圧との差を増幅し、当該増幅結果に応じた前記制御信号を出力する誤差増幅回路とを含む、
請求項１に記載のセンサ装置。
【請求項３】
前記差動増幅回路は、前記分圧回路における前記両端のノードの電圧差を増幅した結果の電圧と、一定に保たれた同相電圧とが加算された電圧を出力する、
請求項２に記載のセンサ装置。
【請求項４】
前記分圧回路は、前記両端のノードの間の抵抗値が一定であり、前記両端のノードにおける一方のノードと前記出力ノードとの間の抵抗値、及び、前記両端のノードにおける他方のノードと前記出力ノードとの間の抵抗値が調整可能である、
請求項１乃至３の何れか一項に記載のセンサ装置。
【請求項５】
前記２つのノードに一定の電圧が供給されており、
前記複数のインピーダンス素子は、インピーダンスの温度係数が揃っている、
請求項１乃至４の何れか一項に記載のセンサ装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ブリッジ回路によって物理量を検出するセンサ装置に係り、特に、ブリッジ回路の出力のオフセット調整が可能なセンサ装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
例えば圧力センサや磁気センサなど、物理量に応じて抵抗値が変化するタイプのセンサ素子がある。この種のセンサ素子によって物理量の検出値を得る場合、一般にブリッジ回路が用いられる。ブリッジ回路の出力には、センサ素子の抵抗値のばらつきによるオフセット電圧が生じるため、広いレンジで精度のよい検出値を得るには、アナログ回路でのオフセット電圧の調整が必要となる。下記の特許文献には、センサ素子と並列若しくは直列に抵抗を挿入することによりオフセット電圧を調整する方法が記載されている。また、同文献には、ブリッジ回路の出力に電圧を加算することによりオフセット電圧を調整する方法が記載されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開平１−３１１２８４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
オフセット電圧の調整用の抵抗をＩＣの内部で形成する場合、製造ロット毎の抵抗値のばらつきが数十％程度発生するため、オフセット電圧の調整範囲が製造ロット毎にばらついてしまうという問題がある。また、調整用の抵抗のばらつきにより、ブリッジ回路の出力感度がばらつくという問題もある。
【０００５】
更に、調整用の抵抗とセンサ素子とでは温度特性が異なるため、ある温度でオフセット電圧の調整を行っても、温度の変化に応じてオフセット電圧の変動（ドリフト）が発生するという問題がある。センサ素子と抵抗の温度特性を完全に合わせるのは困難であり、結果としてオフセット電圧の温度特性が劣化してしまう。
【０００６】
図３は、オフセット調整用の可変抵抗器（ポテンショメータ）１０５を持つ一般的なブリッジ回路１００を示す図である。
図３に示すブリッジ回路１００では、抵抗１０１と抵抗１０２との直列回路並びに抵抗１０３と抵抗１０４との直列回路がそれぞれ電源電圧ＶＤＤとグランドＧＮＤの間に接続される。可変抵抗器１０５は、抵抗１０１と抵抗１０２とを接続する中間経路に挿入される。抵抗１０６は、温度補償のための抵抗であり、可変抵抗器１０５と並列に接続される。抵抗１０３及び１０４が接続される中間ノードの電圧Ｖｏｐと、可変抵抗器１０５の中間端子の電圧Ｖｏｎとの差が、ブリッジ回路１００の出力電圧となる。
【０００７】
図４は、図３に示すブリッジ回路１００について行った出力のシミュレーション結果を示す図であり、可変抵抗器１０５が設けられた片側の電圧Ｖｏｎのばらつきと温度変化を示す。図４Ａは調整範囲における上限値を示し、図４Ｂは調整範囲における下限値を示す。各図における「ＴＹＰ」は代表値を示し、「ＭＡＸ」はばらつきの最大値を示し、「ＭＩＮ」はばらつきの最小値を示す。このシミュレーションにおいて、ブリッジ回路１００を構成する４つの抵抗１０１，１０２，１０３，１０４の抵抗値は２０００［Ω］、温度係数は１８６０［ｐｐｍ／℃］である。可変抵抗器１０５は、３２個の抵抗を直列に接続して構成されたものであり、各抵抗の抵抗値は２．３６［Ω］、温度係数は２９００［ｐｐｍ／℃］である。温度補償用の抵抗１０６の抵抗値は１２６．６［Ω］、温度係数は１３００［ｐｐｍ／℃］である。
【０００８】
図４のシミュレーションにおいて、電源電圧ＶＤＤは４［Ｖ］であり、設計上の電圧Ｖｏｎの調整範囲は２±０．０２５［Ｖ］である。しかしながら、抵抗値の製造ばらつきのため、調整範囲は±０．０１８［Ｖ］〜±０．０３５［Ｖ］と大きくばらついている。また、温度補償用の抵抗１０６を設けているにも関わらず、温度による電圧Ｖｏｎの大きな変化が生じている。
【０００９】
本発明はかかる事情に鑑みてなされたものであり、その目的は、製造ばらつき等の影響によるブリッジ回路のオフセット調整範囲のばらつきを抑えることができるセンサ装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明に係るセンサ装置は、少なくとも一部が検出対象の物理量に応じたインピーダンスを持つ複数のインピーダンス素子を有したブリッジ回路と、前記ブリッジ回路の出力電圧のオフセットを調整するためのオフセット調整回路とを備える。前記ブリッジ回路は、電源が供給される２つのノードの間に直列に接続された２以上の前記インピーダンス素子をそれぞれ含む２つの直列回路を有する。前記オフセット調整回路は、前記２つの直列回路の少なくとも一方の直列回路において前記２以上のインピーダンス素子を接続する経路に挿入された分圧回路と、前記分圧回路における両端のノードの電圧差を一定に保つ定電圧回路とを有する。前記分圧回路は、前記分圧回路の両端のノードに生じる電圧差を分圧し、当該分圧した電圧を出力ノードから出力する。前記分圧回路は、分圧比の調整が可能である。前記オフセットの調整を行う場合、一方の前記直列回路における前記分圧回路の出力ノードと他方の前記直列回路の中間ノードとの電圧差、若しくは、一方の前記直列回路における前記分圧回路の出力ノードと他方の前記直列回路における前記分圧回路の出力ノードとの電圧差が所定の値へ近づくように前記分圧比が調整される。
【００１１】
この構成によれば、前記分圧回路における両端のノードの電圧差が一定に保たれる。そのため、前記複数のインピーダンス素子のインピーダンスに製造ばらつきがあったとしても、前記分圧比の調整による前記出力ノードの電圧の変化範囲は概ね一定となる。これにより、一方の前記直列回路における前記分圧回路の出力ノードと他方の前記直列回路の中間ノードとの電圧差や、一方の前記直列回路における前記分圧回路の出力ノードと他方の前記直列回路における前記分圧回路の出力ノードとの電圧差についても、前記分圧比の調整による変化範囲は概ね一定となる。従って、前記複数のインピーダンス素子のインピーダンスに製造ばらつきがあったとしても、前記オフセットの調整範囲は概ね一定となり、ばらつきが抑制される。
【００１２】
好適に、前記定電圧回路は、前記分圧回路と並列に接続され、制御信号に応じて抵抗値が変化する可変抵抗素子と、前記分圧回路における前記両端のノードの電圧差を増幅する差動増幅回路と、前記差動増幅回路の出力電圧と基準電圧との差を増幅し、当該増幅結果に応じた前記制御信号を出力する誤差増幅回路とを含む。
【００１３】
この構成によれば、前記分圧回路における前記両端のノードの電圧差が前記差動増幅回路において増幅され、その差動増幅回路の出力電圧と前記基準電圧との差が前記誤差増幅回路において増幅され、当該増幅結果に応じた前記制御信号が前記誤差増幅回路から出力される。前記分圧回路と並列に接続された前記可変抵抗素子の抵抗値が、前記制御信号に応じて変化することにより、前記分圧回路の両端のノードの電圧差が一定に保たれる。
【００１４】
好適に、前記差動増幅回路は、前記分圧回路における前記両端のノードの電圧差を増幅した結果の電圧と、一定に保たれた同相電圧とが加算された電圧を出力する。
【００１５】
この構成によれば、前記分圧回路の両端のノードの電圧差は、前記差動増幅回路のゲインと、前記基準電圧と、前記同相電圧とに応じた一定の電圧に保たれる。
【００１６】
好適に、前記分圧回路は、前記両端のノードの間の抵抗値が一定であり、前記両端のノードにおける一方のノードと前記出力ノードとの間の抵抗値、及び、前記両端のノードにおける他方のノードと前記出力ノードとの間の抵抗値が調整可能である。
【００１７】
この構成によれば、前記両端のノードにおける一方のノードと前記出力ノードとの間の抵抗値と、前記両端のノードにおける他方のノードと前記出力ノードとの間の抵抗値とを調整することにより、前記分圧比を調整することが可能となる。また、前記両端のノードの間の抵抗値が一定であるため、前記インピーダンス素子に印加される電圧は、前記分圧比の調整によってほとんど変化しない。これにより、前記インピーダンス素子において物理量の変化をインピーダンスの変化に変換する感度が分圧比の調整の影響を受け難くなる。
【００１８】
好適に、前記２つのノードに一定の電圧が供給されており、前記複数のインピーダンス素子はインピーダンスの温度係数が揃っている。
【００１９】
この構成によれば、前記複数のインピーダンス素子におけるインピーダンスの温度係数が揃っているため、前記複数のインピーダンス素子におけるインピーダンスの比は、温度によって変化し難い。また、前記２つのノードに一定の電圧が供給されており、前記分圧回路における両端のノードの電圧差が一定に保たれていることから、前記複数のインピーダンス素子におけるインピーダンスの比が温度によって変化し難ければ、前記複数のインピーダンス素子に印加される電圧も温度によって変化し難い。従って、前記ブリッジ回路の出力電圧のオフセットは温度によって変化し難い。
【発明の効果】
【００２０】
本発明によれば、製造ばらつき等の影響によるブリッジ回路のオフセット調整範囲のばらつきを抑えることができる。
【図面の簡単な説明】
【００２１】
【図１】本発明の実施形態に係るセンサ装置の構成の一例を示す図である。
【図２】図１に示すセンサ装置について行った出力のシミュレーション結果を示す図である。図２Ａは調整範囲における上限値を示し、図２Ｂは調整範囲における下限値を示す。
【図３】オフセット調整用の可変抵抗器を持つブリッジ回路を示す図である。
【図４】図３に示すブリッジ回路について行った出力のシミュレーション結果を示す図である。図４Ａは調整範囲における上限値を示し、図４Ｂは調整範囲における下限値を示す。
【発明を実施するための形態】
【００２２】
図１は、本発明の実施形態に係るセンサ装置１の構成の一例を示す図である。図１に示すセンサ装置１は、４つのインピーダンス素子Ｚ１〜Ｚ４を有するブリッジ回路１０と、ブリッジ回路１０の出力電圧のオフセットを調整するためのオフセット調整回路２０を備える。
【００２３】
インピーダンス素子Ｚ１〜Ｚ４（以下、区別せずに「インピーダンス素子Ｚ」と記す場合がある。）は、例えば磁場や温度、圧力などの検出対象の物理量に応じたインピーダンスを持つ素子（センサ素子）である。本実施形態において、４つのインピーダンス素子Ｚ１〜Ｚ４は温度係数が揃っている。
【００２４】
ブリッジ回路１０は、２つの直列回路１１Ａ及び１１Ｂを有する。直列回路１１Ａ及び１１Ｂは、２つのノードＮ１，Ｎ２の間に直列に接続された２つのインピーダンス素子Ｚをそれぞれ含む。直列回路１１Ａはインピーダンス素子Ｚ１及びＺ２を含み、直列回路１１Ｂはインピーダンス素子Ｚ３及びＺ４を含む。ノードＮ１は電源ラインに接続され、ノードＮ２はグランドＧＮＤに接続される。２つのノードＮ１，Ｎ２には、一定の電源電圧ＶＤＤが供給される。
【００２５】
インピーダンス素子Ｚ１は、一方の端子がノードＮ１に接続され、他方の端子が後述の分圧回路２１を介してインピーダンス素子Ｚ２の一方の端子に接続される。インピーダンス素子Ｚ２の他方の端子はノードＮ２に接続される。インピーダンス素子Ｚ３は、一方の端子がノードＮ１に接続され、他方の端子がインピーダンス素子Ｚ４の一方の端子に接続される。インピーダンス素子Ｚ４の他方の端子はグランドＧＮＤに接続される。
【００２６】
オフセット調整回路２０は、図１の例において、分圧回路２１と定電圧回路２２を有する。
【００２７】
分圧回路２１は、直列回路１１Ａの中間経路（２つのインピーダンス素子Ｚ１，Ｚ２を接続する経路）に挿入されており、当該挿入された中間経路において両端のノードＮ３，Ｎ４に生じる電圧差を分圧し、当該分圧した電圧を出力ノードＮ５から出力する。分圧回路２１は、両端のノードＮ３，Ｎ４の間の抵抗値が一定であり、ノードＮ３と出力ノードＮ５との間の抵抗値、及び、ノードＮ４と出力ノードＮ５との間の抵抗値が調整可能である。
【００２８】
分圧回路２１は、例えば可変抵抗器（ポテンショメータ）を用いて構成される。具体的には、分圧回路２１は、ノードＮ３及びＮ４の間に直列に接続された複数の抵抗と、直列接続されたこれらの抵抗の中間ノードの１つを選択して出力ノードＮ５に接続するマルチプレクサを含んで構成される。分圧回路２１の分圧比は、マルチプレクサによって中間ノードの選択を切り替えることにより調整される。
【００２９】
定電圧回路２２は、分圧回路２１における両端のノードＮ３，Ｎ４の電圧差Ｖｎを一定に保つ。図１に示す定電圧回路２２は、可変抵抗素子２２１と、差動増幅回路２２２と、誤差増幅回路２２３を含む。
【００３０】
可変抵抗素子２２１は、分圧回路２１と並列に接続されており、誤差増幅回路２２３から出力される制御信号Ｖｇに応じて抵抗値が変化する。図１の例において、可変抵抗素子２２１はｎ型のＭＯＳトランジスタであり、ドレインがノードＮ３に接続され、ソースがノードＮ４に接続され、ゲートに制御信号Ｖｇが入力される。なお、可変抵抗素子２２１はＭＯＳトランジスタに限定されず、他の種類のトランジスタ（バイポーラトランジスタ等）でもよい。
【００３１】
差動増幅回路２２２は、分圧回路２１における両端のノードＮ３，Ｎ４の電圧差Ｖｎを増幅する。例えば差動増幅回路２２２は、分圧回路２１における両端のノードＮ３，Ｎ４の電圧差Ｖｎを増幅した結果の電圧と、一定に保たれた同相電圧Ｖｃｏｍとが加算された電圧Ｖａを出力する。差動増幅回路２２２のゲインをＧとすると、差動増幅回路２２２の出力電圧Ｖａは次の式で表される。
【００３２】
Ｖａ  ＝  Ｇ・Ｖｎ＋Ｖｃｏｍ    …（１）
【００３３】
誤差増幅回路２２３は、差動増幅回路２２２の出力電圧Ｖａと基準電圧Ｖｒｅｆとの差を増幅し、当該増幅結果に応じた制御信号Ｖｇを出力する。基準電圧Ｖｒｅｆは、不図示の基準電圧源によって生成され、温度変動が微小に抑えられている。誤差増幅回路２２３のゲインは十分に大きいため、差動増幅回路２２２の出力電圧Ｖａと基準電圧Ｖｒｅｆとがほぼ等しくなるようにフィードバック制御が働く。このフィードバック制御により、ノードＮ３，Ｎ４の電圧差Ｖｎは概ね次の式で表される。
【００３４】
Ｖｎ  ＝  （Ｖｒｅｆ−Ｖｃｏｍ）／Ｇ    …（２）
【００３５】
式（２）から分かるように、ノードＮ３，Ｎ４の電圧差Ｖｎは、インピーダンス素子Ｚのインピーダンスの製造ばらつきによって影響を受けない一定の値となる。
【００３６】
上述した構成を有する図１に示すセンサ装置１の動作を説明する。
一例として、インピーダンス素子Ｚ１及びＺ４のペアと、インピーダンス素子Ｚ２及びＺ３のペアとの間で、検出対象の物理量に対するインピーダンスの変化の方向が逆になっているものとする。具体的には、例えば、検出対象の物理量（磁場など）が大きくなる場合、インピーダンス素子Ｚ１及びＺ４のペアにおいてインピーダンスが増大し、インピーダンス素子Ｚ２及びＺ３のペアにおいてインピーダンスが減少する。逆に、検出対象の物理量（磁場など）が小さくなる場合、インピーダンス素子Ｚ１及びＺ４のペアにおいてインピーダンスが減少し、インピーダンス素子Ｚ２及びＺ３のペアにおいてインピーダンスが増大する。
【００３７】
検出対象の物理量が大きくなる場合、インピーダンス素子Ｚ３のインピーダンスが小さくなるとともにインピーダンス素子Ｚ４のインピーダンスが大きくなるため、直列回路１１Ｂの中間ノードＮ６（インピーダンス素子Ｚ３及びＺ４を接続するノード）の電圧Ｖｏｐが上昇する。また、インピーダンス素子Ｚ１のインピーダンスが大きくなるとともにインピーダンス素子Ｚ４のインピーダンスが小さくなるため、ノードＮ３及びＮ４の電圧Ｖｏｐがそれぞれ低下する。ここで、ノードＮ３及びＮ４の電圧差Ｖｎが定電圧回路２２により一定に保たれているため、分圧回路２１の分圧比が変化しないものとすると、ノードＮ４に対する出力ノードＮ５の電圧は一定に保たれている。従って、ノードＮ４の電圧が低下すると、出力ノードＮ５の電圧Ｖｏｎも低下する。以上により、電圧Ｖｏｐが上昇し、電圧Ｖｏｎが低下するため、ブリッジ回路１０の出力電圧Ｖｏ（＝Ｖｏｐ−Ｖｏｎ）は正の方向に変化する。
【００３８】
検出対象の物理量が小さくなる場合は、上述と逆の動作により電圧Ｖｏｐが低下し、電圧Ｖｏｎが上昇するため、ブリッジ回路１０の出力電圧Ｖｏは負の方向に変化する。このように、ブリッジ回路１０の出力電圧Ｖｏは、検出対象の物理量に応じて変化する。
【００３９】
ブリッジ回路１０の出力電圧Ｖｏ（直列回路１１Ｂの中間ノードＮ６と分圧回路２１の出力ノードＮ５との電圧差）は、検出対象の物理量が基準値のときに所定の値（例えばゼロ）になることが求められる。本実施形態に係るセンサ装置１では、この所定の値に対する出力電圧Ｖｏのずれ（オフセット）が小さくなるように、分圧回路２１の分圧比が調整される。分圧回路２１の分圧比を調整すると、出力ノードＮ５の電圧Ｖｏｎは、ノードＮ４の電圧から出力ノードＮ５の電圧までの範囲内で変化する。ただし、ノードＮ４及びＮ５の電圧差Ｖｎは定電圧回路２２によって一定に制御されているため、電圧Ｖｏｎの変化の範囲、すなわち出力電圧Ｖｏのオフセットの調整範囲は常に一定となる。
【００４０】
図２は、図１に示すセンサ装置１について行った出力のシミュレーション結果を示す図であり、出力ノードＮ５の電圧Ｖｏｎのばらつきと温度変化を示す。図２Ａは調整範囲における上限値を示し、図２Ｂは調整範囲における下限値を示す。図２のシミュレーションでは、図４のシミュレーションにおける抵抗１０１，１０２，１０３，１０４と同じ抵抗値の条件をそれぞれブリッジ回路１０のインピーダンス素子Ｚ１，Ｚ２，Ｚ３，Ｚ４に適用し、可変抵抗器１０５と同じ抵抗値の条件を分圧回路２１に適用している。電源電圧ＶＤＤは、図４のシミュレーションと同じ４［Ｖ］である。分圧回路２１のノードＮ３及びＮ４の電圧差Ｖｎは、定電圧回路２２によって０．０５［Ｖ］となるように制御している。
【００４１】
図２のシミュレーション結果によれば、インピーダンス素子Ｚの抵抗値のばらつきによる影響を表す「ＴＹＰ」，「ＭＡＸ」，「ＭＩＮ」のグラフがほぼ一致している。従って、インピーダンス素子Ｚの抵抗値に製造ばらつきが生じても、電圧Ｖｏｎの調整範囲はほとんど変化しないことが分かる。また、インピーダンス素子Ｚ１，Ｚ２の抵抗値が温度に応じて変化しても、出力ノードＮ５の電圧Ｖｏｎはほぼ一定となっており、抵抗の温度特性によるオフセット電圧の変動が抑制されていることが分かる。
【００４２】
以上説明したように、本実施形態に係るセンサ装置１によれば、分圧回路２１における両端のノードＮ３，Ｎ４の電圧差Ｖｎが一定に保たれる。そのため、４つのインピーダンス素子Ｚのインピーダンスに製造ばらつきがあったとしても、分圧回路２１の分圧比の調整による出力ノードＮ５の電圧Ｖｏｎの変化範囲は概ね一定となる。これにより、ブリッジ回路１０の出力電圧Ｖｏ（中間ノードＮ６と出力ノードＮ５との電圧差）についても、分圧比の調整による変化範囲は概ね一定となる。従って、インピーダンス素子Ｚのインピーダンスの製造ばらつきに影響されることなく、出力電圧Ｖｏのオフセットの調整範囲を一定に保つことが可能となり、図４のシミュレーション結果に示すような調整範囲のばらつきを抑制できる。
【００４３】
本実施形態に係るセンサ装置１によれば、ブリッジ回路１０を構成する４つのインピーダンス素子Ｚにおけるインピーダンスの温度係数が揃っているため、４つのインピーダンス素子Ｚにおけるインピーダンスの比は、温度によって変化し難い。また、２つのノードＮ１及びＮ２に一定の電源電圧ＶＤＤが供給されており、分圧回路２１における両端のノードＮ３及びＮ４の電圧差Ｖｎが一定に保たれていることから、４つのインピーダンス素子Ｚにおけるインピーダンスの比が温度によって変化し難ければ、４つのインピーダンス素子Ｚに印加される電圧も温度によって変化し難い。従って、ブリッジ回路１０の出力電圧Ｖｏのオフセットは、図４のシミュレーション結果において示すように、温度によって変化し難くなる。すなわち、環境の温度が変化してもオフセットの調整のずれが生じ難くなるため、広い温度範囲で精度の高い物理量の検出を行うことができる。
【００４４】
本実施形態に係るセンサ装置１によれば、分圧回路２１における両端のノードＮ３及びＮ４の間の抵抗値が一定であり、かつ、ノードＮ３及びＮ４の電圧差Ｖｎが定電圧回路２２によって一定に保たれているため、インピーダンス素子Ｚ１，Ｚ２に印加される電圧は分圧比の調整によって変化せず、ほぼ一定となる。これにより、インピーダンス素子Ｚ１，Ｚ２において物理量の変化をインピーダンスの変化に変換する感度が、分圧比の調整の影響を受け難くなる。すなわち、出力電圧Ｖｏのオフセットの調整が物理量の検出感度に影響を与え難くなり、良好な検出精度を得ることができる。
【００４５】
以上、本発明の実施形態について説明したが、本発明は上述した実施形態にのみ限定されるものではなく、種々のバリエーションを含んでいる。
【００４６】
上述した実施形態では、ブリッジ回路１０における２つの直列回路１１Ａ及び１１Ｂのうち、一方の直列回路１１Ａにのみオフセット調整回路２０が設けられているが、本発明はこれに限定されない。本発明の他の実施形態では、２つの直列回路１１Ａ及び１１Ｂの両方に同様なオフセット調整回路２０を設けて、それぞれのオフセット調整回路２０における分圧回路２１の分圧比を調整することにより出力電圧Ｖｏのオフセットを調整してもよい。これにより、４つのインピーダンス素子Ｚ１〜Ｚ４に印加される電圧がほぼ等しくなり、各インピーダンス素子Ｚにおける物理量の検出感度を揃えやすくなるため、より良好な検出精度を得ることができる。
【００４７】
上述した実施形態では、ブリッジ回路１０における４つのインピーダンス素子Ｚがそれぞれセンサ素子であり、検出対象の物理量に応じたインピーダンスを持っているが、本発明はこれに限定されない。本発明の他の実施形態では、ブリッジ回路を構成する複数のインピーダンス素子の一部が固定のインピーダンスを持っていてもよい。
【００４８】
上述した実施形態では、ノードＮ１，Ｎ２に一定の電源電圧ＶＤＤが供給されているが、本発明の他の実施形態では、ノードＮ１，Ｎ２に定電流源から一定の電流を供給してもよい。
【符号の説明】
【００４９】
１…センサ装置、１０…ブリッジ回路、１１Ａ，１１Ｂ…直列回路、Ｚ，Ｚ１，Ｚ２，Ｚ３，Ｚ４…インピーダンス素子、２０…オフセット調整回路、２１…分圧回路、２２…定電圧回路、２２１…可変抵抗素子、２２２…差動増幅回路、２２３…誤差増幅回路、Ｎ１〜Ｎ４…ノード、Ｎ５…出力ノード、Ｎ６…中間ノード、Ｖｒｅｆ…基準電圧、Ｖｃｏｍ…同相電圧、Ｖｇ…制御信号。
【図１】
0006357182.tif 000002
【図２】
0006357182.tif 000003
【図３】
0006357182.tif 000004
【図４】
0006357182.tif 000005