(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
ジエチレングリコールモノブチルエーテル（成分Ａ）、下記式（Ｉ）で表される化合物（成分Ｂ）、水（成分Ｃ）、及び、選択的に、トリエチレングリコールモノブチルエーテル、テトラエチレングリコールモノブチルエーテル、ペンタエチレングリコールモノブチルエーテル、及びジエチレングリコールモノヘキシルエーテル、及びこれらの組み合わせからなる群から選択される成分（成分Ｄ）を含有し、
成分Ａ及び成分Ｄの合計の含有量が、９０．０質量％以上９１．５質量％以下であり、
成分Ｂの含有量が、０．３質量％以上３．０質量％以下であり、
成分Ｃの含有量が、５．０質量％以上９．０質量％以下であり、
成分Ｄの含有量が、０質量％以上８．０質量％以下である、
半田フラックス残渣除去用洗浄剤組成物。
【化１】
0006345512.tif 000010
［上記式（Ｉ）において、Ｒ1は水素原子、メチル基、エチル基又はアミノエチル基、Ｒ2は水素原子、ヒドロキシエチル基、ヒドロキシプロピル基、メチル基又はエチル基、Ｒ3はヒドロキシエチル基又はヒドロキシプロピル基である。］
【請求項２】
成分Ｄを含有しない、請求項１記載の洗浄剤組成物。
【請求項３】
さらに、炭化水素（成分Ｅ）を含有する、請求項１又は２に記載の洗浄剤組成物。
【請求項４】
さらに、ポリアルキレングリコールアルキルアミン型非イオン界面活性剤（成分Ｆ）を含む、請求項１から３のいずれかに記載の洗浄剤組成物。
【請求項５】
さらに、炭素数８以上１８以下の炭化水素基を有するポリアルキレングリコールアルキルエーテル型非イオン界面活性剤（成分Ｇ）を含む、請求項１から４のいずれかに記載の洗浄剤組成物。
【請求項６】
さらに、シリコーン系消泡剤（成分Ｈ）を含む、請求項１から５のいずれかに記載の洗浄剤組成物。
【請求項７】
リフローされた半田を有する被洗浄物を請求項１から６のいずれかに記載の洗浄剤組成物で洗浄する工程を有する、半田フラックス残渣の洗浄方法。
【請求項８】
被洗浄物が、部品が半田で半田付けされた電子部品の製造中間物である、請求項７記載の洗浄方法。
【請求項９】
半導体チップ、チップ型コンデンサ、及び回路基板からなる群から選択される少なくとも１つの部品を、フラックスを使用した半田付けにより回路基板上に搭載する工程、及び、前記搭載物を請求項７又は８に記載のフラックス残渣の洗浄方法により洗浄する工程を含む、電子部品の製造方法。
【請求項１０】
請求項１から６のいずれかに記載の洗浄剤組成物の電子部品の洗浄への使用。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本開示は、半田フラックス残渣除去用洗浄剤組成物、半田フラックス残渣の洗浄方法及び電子部品の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、プリント配線板やセラミック基板への電子部品の実装に関しては、低消費電力、高速処理といった観点から、部品が小型化し、半田フラックスの洗浄においては洗浄すべき隙間が狭くなってきている。また、環境安全面から鉛フリー半田が用いられるようになってきており、これに伴いロジン系フラックスが用いられている。
【０００３】
特許文献１には、ジエチレングリコールモノブチルエーテルを９０．０質量％、及び、メチルジエタノールアミンを５．０質量％含有する洗浄剤（実施例１０）、ジエチレングリコールモノブチルエーテルを９４．０質量％、及び、ジエタノールアミンを１．０質量％含有する洗浄剤（実施例８）等が開示される。
【０００４】
特許文献２には、ジエチレングリコールモノブチルエーテルを９２．５質量％、ジエタノールアミンを１質量％、及び、ｐ−トルエンスルホン酸を１質量％含有する洗浄剤等が開示されている（実施例６）。
【０００５】
特許文献３には、ジエチレングリコールモノブチルエーテルを９１質量％、及び、トリエタノールアミンを１．５質量％含有する洗浄剤等が開示されている（実施例Ｂ）。
【０００６】
特許文献４には、ジエチレングリコールモノブチルエーテルを９２．０質量％、Ｎ−ブチルジエタノールアミンを１．５質量％、及び、クエン酸を０．５質量％含有する洗浄剤等が開示されている（実施例６）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】ＷＯ２０１１／０８１０７１
【特許文献２】特開２００９−２９８９４０号公報
【特許文献３】特開平８−１５７８８７号公報
【特許文献４】特表２００９−２０１９９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
近年の鉛フリー化に伴い、１）リフロー温度の高温化、２）半田金属中のスズ含有量増加が原因で除去困難なロジン酸等のスズ塩がフラックス残渣中に増えたため、既存の洗浄剤では残存してしまうという問題がある。一方で、洗浄性の良いものは電極に用いる銅を腐食してしまうという問題が生じる。さらに、低消費電力、高速処理といった観点から、部品が小型化し洗浄すべき隙間が狭くなってきているため、浸透力が高く、狭い隙間のフラックス残渣を溶解できるものが望まれている。上述の特許文献の洗浄剤でも更なる洗浄性と浸透性の向上が望まれる。
【０００９】
そこで、本開示は、一又は複数の実施形態において、半田フラックスを用いてリフローされた基板に対する洗浄性が優れる半田フラックス残渣除去用洗浄剤組成物を提供する。また、本開示は、一又は複数の実施形態において、半田フラックスを用いてリフローされた基板に対して、銅腐食抑制及び発泡抑制が良好でありながら、洗浄性、及び、狭い隙間への浸透性に優れる半田フラックス残渣除去用洗浄剤組成物を提供する。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本開示は、一又は複数の実施形態において、ジエチレングリコールモノブチルエーテル（成分Ａ）、下記式（Ｉ）で表される化合物（成分Ｂ）、水（成分Ｃ）、及び、選択的に、トリエチレングリコールモノブチルエーテル、テトラエチレングリコールモノブチルエーテル、ペンタエチレングリコールモノブチルエーテル、及びジエチレングリコールモノヘキシルエーテル、及びこれらの組み合わせからなる群から選択される成分（成分Ｄ）を含有し、成分Ａ及び成分Ｄの合計の含有量が、９０．０質量％以上９２．０質量％以下であり、成分Ｂの含有量が、０．３質量％以上３．０質量％以下であり、成分Ｃの含有量が、５．０質量％以上９．０質量％以下であり、成分Ｄの含有量が、０質量％以上８．０質量％以下である、半田フラックス残渣除去用洗浄剤組成物に関する。
【化１】
0006345512.tif 000002
［上記式（Ｉ）において、Ｒ1は水素原子、メチル基、エチル基又はアミノエチル基、Ｒ2は水素原子、ヒドロキシエチル基、ヒドロキシプロピル基、メチル基又はエチル基、Ｒ3はヒドロキシエチル基又はヒドロキシプロピル基である。］
【００１１】
本開示は、その他の一又は複数の実施形態において、リフローされた半田を有する被洗浄物を本開示に係る洗浄剤組成物で洗浄する工程を有する、半田フラックス残渣の洗浄方法に関する。
【００１２】
本開示は、その他の一又は複数の実施形態において、半導体チップ、チップ型コンデンサ、及び回路基板からなる群から選択される少なくとも１つの部品を、フラックスを使用した半田付けにより回路基板上に搭載する工程、及び、前記搭載物を本開示に係るフラックス残渣の洗浄方法により洗浄する工程を含む電子部品の製造方法に関する。
【発明の効果】
【００１３】
本開示によれば、一又は複数の実施形態において、半田フラックスを用いてリフローされた基板に対する洗浄性が優れる半田フラックス残渣除去用洗浄剤組成物、それを用いた洗浄方法、及び、それを用いた電子部品の製造方法を提供できる。また、本開示によれば、一又は複数の実施形態において、半田フラックスを用いてリフローされた基板に対して、銅腐食抑制及び発泡抑制が良好でありながら、洗浄性、及び、狭い隙間への浸透性に優れる半田フラックス残渣除去用洗浄剤組成物、それを用いた洗浄方法、及び、それを用いた電子部品の製造方法を提供できる。
【発明を実施するための形態】
【００１４】
本開示は、所定量のジエチレングリコールモノブチルエーテル（成分Ａ）と所定量の式（Ｉ）で表される化合物（成分Ｂ）と所定量の水（成分Ｃ）とを含有する洗浄剤組成物が半田フラックス残渣に対して優れた洗浄性を示すという知見に基づく。また、本開示は、該洗浄剤組成物は、銅腐食抑制及び発泡抑制が良好でありながら、洗浄性に加え、狭い隙間への浸透性が向上しうるという知見に基づく。
【００１５】
すなわち、本開示は一態様において、エチレングリコールモノブチルエーテル（成分Ａ）、前記式（Ｉ）で表される化合物（成分Ｂ）、水（成分Ｃ）、及び、選択的に、トリエチレングリコールモノブチルエーテル、テトラエチレングリコールモノブチルエーテル、ペンタエチレングリコールモノブチルエーテル、及びジエチレングリコールモノヘキシルエーテル、及びこれらの組み合わせからなる群から選択される成分（成分Ｄ）を含有し、
成分Ａ及び成分Ｄの合計の含有量が、９０．０質量％以上９２．０質量％以下であり、
成分Ｂの含有量が、０．３質量％以上３．０質量％以下であり、
成分Ｃの含有量が、５．０質量％以上９．０質量％以下であり、
成分Ｄの含有量が、０質量％以上８．０質量％以下である、
半田フラックス残渣除去用洗浄剤組成物（以下、「本開示に係る洗浄剤組成物」ともいう。）に関する。
【００１６】
本開示に係る洗浄剤組成物における効果の作用メカニズムの詳細は不明な部分があるが、以下のように推定される。すなわち、ジエチレングリコールモノブチルエーテル（成分Ａ）は半田フラックスとの親和性が高く、成分Ａを多量に含有することで、洗浄剤組成物の表面張力が低くなり狭い隙間の半田フラックス残渣を溶解し洗浄するところ、特定のアルカノールアミン（成分Ｂ）と水（成分Ｃ）をそれぞれ所定量含むことによる半田フラックス残渣中への浸透による膨潤作用により、洗浄性が向上すると考えられる。成分Ａと構造が類似する成分Ｄは、成分Ａよりも半田フラックスとの親和性が劣り、狭い隙間の洗浄性が低下するため、特定量以下にする必要があると考えられる。また、アルカノールアミン（成分Ｂ）は銅腐食性を有するが、含有量を限定することで銅の腐食が抑制されると考えられる。さらに、各成分を特定量とすることで、発泡性が良好に維持されていると考えられる。但し、本開示はこのメカニズムに限定して解釈されなくてもよい。
【００１７】
本開示において「フラックス」とは半田付けに使用されるロジン又はロジン誘導体を含有するロジン系フラックスをいい、本開示において「半田付け」はリフロー方式及びフロー方式の半田付けを含む。本開示において「半田フラックス」とは、半田とフラックスとの混合物をいう。回路基板上に他の部品（例えば、半導体チップ、チップ型コンデンサ、他の回路基板など）が積層して搭載されると前記回路基板と前記他の部品との間に空間（隙間）が形成される。前記搭載のために使用されるフラックスは、リフローなどにより半田付けされた後に、フラックス残渣としてこの隙間にも残存しうる。本開示において「半田フラックス残渣除去用洗浄剤組成物」とは、フラックス又は半田フラックスを用いて半田付けした後のフラックス残渣を洗浄するための洗浄剤組成物をいう。本開示に係る洗浄剤組成物による洗浄性及び狭い隙間への浸透性の顕著な効果発現の点から、半田は鉛（Ｐｂ）フリー半田であることが好ましい。
【００１８】
［成分Ａ］
本開示に係る洗浄剤組成物における成分Ａは、ジエチレングリコールモノブチルエーテルである。なお、本開示において、ブチル基は、特に言及がない場合、ｎ−ブチル基をいう。
【００１９】
本開示に係る洗浄剤組成物における成分Ａの含有量は、一又は複数の実施形態において、隙間に残存するフラックス残渣に対する洗浄性向上の観点から、好ましくは８２．０質量％以上、より好ましくは８４．０質量％以上、さらに好ましくは８６．０質量％以上が、よりさらに好ましくは９０．０質量％以上である。また、成分Ａの含有量は、一又は複数の実施形態において、同様の観点から、好ましくは９２．０質量％以下、より好ましくは９１．５質量％以下、さらに好ましくは９１．０質量％以下である。また、成分Ａの含有量は、一又は複数の実施形態において、同様の観点から、好ましくは８４．０質量％以上９２．０質量％以下、より好ましくは８６．０質量％以上９１．５質量％以下、さらに好ましくは９０．０質量％以上９１．０質量％以下である。
【００２０】
また、洗浄剤組成物に後述する成分Ｄを含まない場合の成分Ａの含有量は、９０．０質量％以上９２．０質量％以下であり、一又は複数の実施形態において、隙間に残存するフラックス残渣に対する洗浄性向上の観点から、好ましくは９０．５質量％以上、より好ましくは９０．７質量％以上である。また、成分Ａと成分Ｄとの合計の含有量は、９０．０質量％以上９２．０質量％以下であり、一又は複数の実施形態において、同様の観点から、好ましくは９１．５質量％以下、より好ましくは９１．０質量％以下である。
【００２１】
［成分Ｄ］
本開示に係る洗浄剤組成物における成分Ａは、一又は複数の実施形態において、その一部がその他のグリコールエーテル（成分Ｄ）と置換していてもよい。成分Ｄとしては、隙間に残存するフラックス残渣に対する洗浄性向上の観点から、トリエチレングリコールモノブチルエーテル、テトラエチレングリコールモノブチルエーテル、ペンタエチレングリコールモノブチルエーテル、及びジエチレングリコールモノヘキシルエーテル、及びこれらの組み合わせからなる群から選択される成分が挙げられる。これらの中でも、成分Ｄは、隙間に残存するフラックス残渣に対する洗浄性向上の観点から、好ましくはトリエチレングリコールモノブチルエーテル、テトラエチレングリコールモノブチルエーテル、ペンタエチレングリコールモノブチルエーテル及びこれらの組み合わせからなる群から選択される成分、より好ましくはトリエチレングリコールモノブチルエーテルである。
【００２２】
本開示に係る洗浄剤組成物が成分Ｄを含有する場合、成分Ａと成分Ｄとの合計の含有量は、一又は複数の実施形態において、隙間に残存するフラックス残渣に対する洗浄性向上の観点から、成分Ｄを含まない場合の成分Ａの含有量（上述）と同様である。すなわち、９０．０質量％以上９２．０質量％以下であり、好ましくは９０．５質量％以上、より好ましくは９０．７質量％以上である。また、成分Ａと成分Ｄとの合計の含有量は、９０．０質量％以上９２．０質量％以下であり、一又は複数の実施形態において、同様の観点から、好ましくは９１．５質量％以下、より好ましくは９１．０質量％以下である。また、成分Ａと成分Ｄとの合計の含有量は、一又は複数の実施形態において、同様の観点から、好ましくは９０．５質量％以上９１．５質量％以下、より好ましくは９０．７質量％以上９１．０質量％以下である。
【００２３】
本開示に係る洗浄剤組成物における成分Ａの成分Ｄとの置換量、すなわち、本開示に係る洗浄剤組成物における成分Ｄの含有量は、一又は複数の実施形態において、０質量％を超え、好ましくは０．５質量％以上、より好ましくは３．０質量％以上である。また、成分Ｄの含有量は、一又は複数の実施形態において、隙間に残存するフラックス残渣に対する洗浄性向上の観点から、好ましくは８．０質量％以下、より好ましくは７．０質量％以下、さらに好ましくは６．０質量％以下である。
【００２４】
本開示に係る洗浄剤組成物は、一又は複数の実施形態において、成分Ｄを含まない。また、本開示に係る洗浄剤組成物は、一又は複数の実施形態において、成分Ｄを含む。
【００２５】
［成分Ｂ］
本開示に係る洗浄剤組成物における成分Ｂは、下記式（Ｉ）で表される１又は複数種類のアルカノールアミンである。
【化２】
0006345512.tif 000003
［上記式（Ｉ）において、Ｒ1は水素原子、メチル基、エチル基又はアミノエチル基、Ｒ2は水素原子、ヒドロキシエチル基、ヒドロキシプロピル基、メチル基又はエチル基、Ｒ3はヒドロキシエチル基又はヒドロキシプロピル基である。］
【００２６】
成分Ｂのアルカノールアミンとしては、一又は複数の実施形態において、モノエタノールアミン、ジエタノールアミン、並びに、これらのアルキル化物及びアミノアルキル化物が挙げられ、隙間に残存するフラックス残渣に対する洗浄性向上の観点から、モノエタノールアミン、ジエタノールアミン、モノメチルモノエタノールアミン、モノメチルジエタノールアミン、ジメチルモノエタノールアミン、モノエチルモノエタノールアミン、モノエチルジエタノールアミン及びモノアミノエチルイソプロパノールアミンが好ましく、ジエタノールアミン、モノエチルモノエタノールアミン、モノメチルジエタノールアミン及びモノアミノエチルイソプロパノールアミンがより好ましく、モノエチルモノエタノールアミン及びモノメチルジエタノールアミンがより好ましい。
【００２７】
本開示に係る洗浄剤組成物における成分Ｂの含有量は、０．３質量％以上３．０質量％以下であり、一又は複数の実施形態において、隙間に残存するフラックス残渣に対する洗浄性向上の観点から、好ましくは０．５質量％以上、より好ましくは１．０質量％以上、さらに好ましくは１．５質量％以上である。また、成分Ｂの含有量は、０．３質量％以上３．０質量％以下であり、一又は複数の実施形態において、同様の観点から、好ましくは２．５質量％以下、より好ましくは２．０質量％以下である。また、成分Ｂの含有量は、一又は複数の実施形態において、同様の観点から、０．３質量％以上３．０質量％以下であって、好ましくは０．５質量％以上３．０質量％以下、より好ましくは１．０質量％以上２．５質量％以下、さらに好ましくは１．５質量％以上２．０質量％以下である。成分Ｂは、上記式（Ｉ）で表される単独の化合物であってもよく、上記式（Ｉ）で表される複数種類の化合物からなるものであってもよい
【００２８】
［成分Ｃ］
本開示に係る洗浄剤組成物における成分Ｃは、水である。水は、蒸留水、イオン交換水、又は超純水等が使用され得る。本開示に係る洗浄剤組成物における成分Ｃの含有量は、一又は複数の実施形態において、５．０質量％以上９．０質量％以下であり、引火性を低減する観点から、好ましくは５．５質量％以上、より好ましくは６．５質量％以上である。また、成分Ｃの含有量は、５．０質量％以上９．０質量％以下であり、一又は複数の実施形態において、隙間に残存するフラックス残渣に対する洗浄力を向上させる観点から、好ましくは８．０質量％以下、さらに好ましくは７．５質量％以下である。成分Ｃの含有量は、一又は複数の実施形態において、隙間に残存するフラックス残渣に対する洗浄力を向上させる点及び引火性を低減する観点から、好ましくは５．５質量％以上８．０質量％以下、より好ましくは６．５質量％以上７．５質量％以下である。
【００２９】
［洗浄剤組成物のその他の成分］
本開示に係る洗浄剤組成物において成分Ａ、Ｂ、Ｃ及びＤの総含有量は、一又は複数の実施形態において、隙間に残存するフラックス残渣に対する洗浄力を向上させる点から、９８．０質量％以上１００質量％以下であることが好ましく、より好ましくは９９．０質量％以上１００質量％以下、さらに好ましくは９９．５質量％以上１００質量％以下、さらにより好ましくは９９．７質量％以上１００質量％以下である。したがって、本開示に係る洗浄剤組成物は、一又は複数の実施形態において、好ましくは０質量％以上２．０質量％以下、より好ましくは０質量％以上１．５質量％以下、さらに好ましくは０質量％以上１．３質量％以下、さらにより好ましくは０質量％以上１．０質量％以下の範囲で、その他の成分を含んでもよい。
【００３０】
［成分Ｅ］
本開示に係る洗浄剤組成物におけるその他の成分としては、一又は複数の実施形態において、発泡性の抑制の観点から、炭化水素（成分Ｅ）が挙げられる。成分Ｅとしては、一又は複数の実施形態において、好ましくは炭素数１０以上、より好ましくは炭素数１２以上であり、そして好ましくは炭素数１８以下、より好ましくは１６以下、さらに好ましくは１４以下の不飽和結合を有する又は有さない炭化水素が挙げられる。成分Ｅは、さらなる一又は複数の実施形態において、同様の観点から、ドデセン、テトラデセンが挙げられる。本開示に係る洗浄剤組成物における成分Ｅの含有量は、発泡性の抑制の観点から、好ましくは０．３質量％以上、より好ましくは０．５質量％以上、さらに好ましくは０．８質量％以上であり、そして好ましくは１．５質量％以下、より好ましくは１．３質量％以下、さらにより好ましくは１．０質量％以下である。
【００３１】
［成分Ｆ］
本開示に係る洗浄剤組成物におけるその他の成分としては、その他の一又は複数の実施形態において、すすぎ性向上の観点から、ポリアルキレングリコールアルキルアミン型非イオン界面活性剤（成分Ｆ）が挙げられる。成分Ｆのアルキル基の炭素数は、好ましくは８以上、より好ましくは１０以上であり、そして、好ましくは１８以下、より好ましくは１４以下である。成分Ｆのアルキレングリコールは、好ましくはエチレングリコール及びプロピレングリコールから選ばれる１種以上、より好ましくはエチレングリコールである。成分Ｆのアルキレングリコールの平均付加モル数は、好ましくは２以上、より好ましくは３以上であり、そして、好ましくは１２以下、より好ましくは８以下、さらに好ましくは６以下である。成分Ｆとしては、一又は複数の実施形態において、下記式（ＩＩ）で表されるものが挙げられる。
【化３】
0006345512.tif 000004
［式（ＩＩ）において、Ｒ4は炭素数８〜１８の炭化水素基、ＥＯはエチレンオキシ基、ｎ及びｍは、それぞれ、ＥＯの平均付加モル数を示す。］
【００３２】
上記式（ＩＩ）において、Ｒ4は、すすぎ性向上の観点から、好ましくは炭素数１０〜１４の炭化水素基であり、ｎ＋ｍは、同様の観点から、好ましくは３以上６以下である。
【００３３】
本開示に係る洗浄剤組成物における成分Ｆの含有量は、すすぎ性向上の観点から、好ましくは０．０５質量％以上、より好ましくは０．１質量％以上、さらに好ましくは０．３質量％以上であり、そして好ましくは１．５質量％以下、より好ましくは１．０質量％以下、さらにより好ましくは０．５質量％以下である。
【００３４】
［成分Ｇ］
本開示に係る洗浄剤組成物におけるその他の成分としては、その他の一又は複数の実施形態において、隙間に残存するフラックス残渣に対する洗浄性向上の観点から、炭素数８以上１８以下の炭化水素基を有するポリアルキレングリコールアルキルエーテル型非イオン界面活性剤（成分Ｇ）が挙げられる。成分Ｇの炭化水素基の炭素数は、好ましくは１０以上、より好ましくは１２以上であり、そして、好ましくは１６以下、より好ましくは１４以下である。成分Ｇの炭化水素基としては、好ましくは１級又は２級であり、より好ましくは１級である。成分Ｇのアルキレングリコールは、好ましくはエチレングリコール及びプロピレングリコールから選ばれる１種以上、より好ましくはエチレングリコール及びプロピレングリコールを有する化合物である。成分Ｇのアルキレングリコールの平均付加モル数は、好ましくは２以上、より好ましくは５以上、さらに好ましくは１０であり、そして、好ましくは２０以下、より好ましくは１６以下、さらに好ましくは１４以下である。成分Ｇとしては、一又は複数の実施形態において、下記式（ＩＩＩ）で表される非イオン界面活性剤が挙げられる。
【化４】
0006345512.tif 000005
［式（ＩＩＩ）において、Ｒ5は炭素数８〜１８の炭化水素基、ＥＯはエチレンオキシ基、ＰＯはプロピレンオキシ基を示す。ｐ、ｑ、及びｒは、それぞれ、ＥＯ、ＰＯの平均付加モル数を示し、それぞれ、０〜１５の数であって、ｐ及びｒは同時に０とならず、かつ、ｑ＞０の場合はｑ≦ｐ＋ｒ≦３０、ｑ＝０の場合はｒ＝０である。］
【００３５】
本開示に係る洗浄剤組成物における成分Ｇの含有量は、、隙間に残存するフラックス残渣に対する洗浄性向上の観点から、好ましくは０．０５質量％以上、より好ましくは０．１質量％以上、さらに好ましくは０．３質量％以上であり、そして好ましくは１．５質量％以下、より好ましくは１．０質量％以下、さらにより好ましくは０．５質量％以下である。
【００３６】
［成分Ｈ］
本開示に係る洗浄剤組成物におけるその他の成分としては、その他の一又は複数の実施形態において、発泡性の抑制の観点から、シリコーン系消泡剤（成分Ｈ）が挙げられる。本開示に係る洗浄剤組成物における成分Ｈの含有量は、、発泡性の抑制の観点から、好ましくは０．０１質量％以上、より好ましくは０．０５質量％以上、さらに好ましくは０．１質量％以上であり、そして好ましくは１．０質量％以下、より好ましくは０．５質量％以下、さらにより好ましくは０．３質量％以下である。
【００３７】
さらなるその他の成分として、本開示に係る洗浄剤組成物は、本開示の効果を損なわない範囲で、必要に応じて、通常洗浄剤に用いられる、ヒドロキシエチルアミノ酢酸、ヒドロキシエチルイミノ２酢酸、エチレンジアミンテトラ酢酸等のアミノカルボン酸塩等のキレート力を持つ化合物、防腐剤、防錆剤、殺菌剤、抗菌剤、酸化防止剤、ヤシ脂肪酸メチルや酢酸ベンジル等のエステルあるいはアルコール類等を適宜併用することができる。
【００３８】
［洗浄剤組成物の調製方法］
本開示における洗浄剤組成物の調製方法は、何ら制限されず、成分Ａ、成分Ｂ、成分Ｃ及び必要に応じて成分Ｄ等を混合することによって調製できる。
【００３９】
［フラックス残渣の洗浄方法］
本開示は、その他の態様において、リフローされた半田を有する被洗浄物を本開示に係る洗浄剤組成物に接触させることを含む、半田フラックス残渣の洗浄方法に関する（以下、本開示に係る洗浄方法ともいう）。本開示に係る洗浄方法は、一又は複数の実施形態において、リフローされた半田を有する被洗浄物を本開示に係る洗浄剤組成物で洗浄する工程を有する。被洗浄物に本開示に係る洗浄剤組成物を接触させる方法、又は、被洗浄物を本開示に係る洗浄剤組成物で洗浄する方法としては、一又は複数の実施形態において、超音波洗浄装置の浴槽内で接触させる方法や、洗浄剤組成物をスプレー状に射出して接触させる方法（シャワー方式）などが挙げられる。本開示に係る洗浄剤組成物は、希釈することなくそのまま洗浄に使用できる。本開示の洗浄方法は、洗浄剤組成物に被洗浄物を接触させた後、水でリンスし、乾燥する工程を含むことが好ましい。本開示の洗浄方法であれば、半田付けした部品の隙間に残存するフラックス残渣を効率よく洗浄できる。本開示の洗浄方法による洗浄性及び狭い隙間への浸透性の顕著な効果発現の点から、半田は鉛（Ｐｂ）フリー半田であることが好ましい。本開示の洗浄方法は、一又は複数の実施形態において、本開示に係る洗浄剤組成物の洗浄力が発揮されやすい点から、本開示に係る洗浄剤組成物と被洗浄物との接触時に超音波を照射することが好ましく、その超音波は比較的強いものであることがより好ましい。前記超音波としては、一又は複数の実施形態において、２６〜７２Ｈｚ、８０〜１５００Ｗが好ましく、３６〜７２Ｈｚ、８０〜１５００Ｗがより好ましい。
【００４０】
［被洗浄物］
本開示に係る洗浄剤組成物は、一又は複数の実施形態において、電子部品の洗浄に使用される。被洗浄物としては、一又は複数の実施形態において、リフローされた半田を有する被洗浄物が挙げられ、その他の一又は複数の実施形態において、部品が半田付けされた電子部品の製造中間物が挙げられ、或いは、半田付けされた部品の隙間にフラックス残渣を含む製造中間物が挙げられる。前記製造中間物は、半導体パッケージや半導体装置を含む電子部品の製造工程における中間製造物であって、例えば、回路基板上にフラックスを使用した半田付けにより半導体チップ、チップ型コンデンサ、及び回路基板などが搭載された物を含む。被洗浄物における隙間とは、例えば、回路基板とその回路基板に半田付けされて搭載された部品（半導体チップ、チップ型コンデンサ、回路基板など）との間に形成される空間であって、その高さ（部品間の距離）が、例えば、５〜５００μｍ、１０〜２５０μｍ、或いは２０〜１００μｍの空間をいう。隙間の幅及び奥行きは、搭載される部品や回路基板上の電極（ランド）の大きさや間隔に依存する。
【００４１】
［電子部品の製造方法］
本開示の電子部品の製造方法は、半導体チップ、チップ型コンデンサ、及び回路基板からなる群から選択される少なくとも１つの部品を、フラックスを使用した半田付により回路基板上に搭載する工程、及び、本開示の洗浄方法により前記搭載物を洗浄する工程を含む。フラックスを使用した半田付けは、一又は複数の実施形態において、鉛フリー半田で行われるものであり、リフロー方式でもよく、フロー方式でもよい。電子部品は、半導体チップが未搭載の半導体パッケージ、半導体チップが搭載された半導体パッケージ、及び、半導体装置を含む。本開示の電子部品の製造方法は、本開示の洗浄方法を行うことにより、半田付けされた部品の隙間に残存するフラックス残渣が低減され、フラックス残渣が残留することに起因する電極間でのショートや接着不良が抑制されるから、信頼性の高い電子部品の製造が可能になる。また、本開示の洗浄方法を行うことにより、半田付けされた部品の隙間に残存するフラックス残渣の洗浄が容易になることから、洗浄時間が短縮化でき、電子部品の製造効率を向上できる。
【００４２】
本開示はさらに以下の一又は複数の実施形態に関する。
【００４３】
＜１＞  ジエチレングリコールモノブチルエーテル（成分Ａ）、下記式（Ｉ）で表される化合物（成分Ｂ）、水（成分Ｃ）、及び、選択的に、トリエチレングリコールモノブチルエーテル、テトラエチレングリコールモノブチルエーテル、ペンタエチレングリコールモノブチルエーテル、及びジエチレングリコールモノヘキシルエーテル、及びこれらの組み合わせからなる群から選択される成分（成分Ｄ）を含有し、
成分Ａ及び成分Ｄの合計の含有量が、９０．０質量％以上９２．０質量％以下であり、
成分Ｂの含有量が、０．３質量％以上３．０質量％以下であり、
成分Ｃの含有量が、５．０質量％以上９．０質量％以下であり、
成分Ｄの含有量が、０質量％以上８．０質量％以下である、
半田フラックス残渣除去用洗浄剤組成物。
【化５】
0006345512.tif 000006
［上記式（Ｉ）において、Ｒ1は水素原子、メチル基、エチル基又はアミノエチル基、Ｒ2は水素原子、ヒドロキシエチル基、ヒドロキシプロピル基、メチル基又はエチル基、Ｒ3はヒドロキシエチル基又はヒドロキシプロピル基である。］
【００４４】
＜２＞  前記洗浄剤組成物における成分Ａの含有量が、好ましくは８２．０質量％以上、より好ましくは８４．０質量％以上、さらに好ましくは８６．０質量％以上が、よりさらに好ましくは９０．０質量％以上である、＜１＞記載の洗浄剤組成物。
＜３＞  前記洗浄剤組成物における成分Ａの含有量が、好ましくは９２．０質量％以下、より好ましくは９１．５質量％以下、さらに好ましくは９１．０質量％以下である、＜１＞又は＜２＞に記載の洗浄剤組成物。
＜４＞  前記洗浄剤組成物における成分Ａの含有量が、好ましくは８４．０質量％以上９２．０質量％以下、より好ましくは８６．０質量％以上９１．５質量％以下、さらに好ましくは９０．０質量％以上９１．０質量％以下である、＜１＞から＜３＞のいずれかに記載の洗浄剤組成物。
＜５＞  前記洗浄剤組成物が成分Ｄを含まない場合、前記洗浄剤組成物における成分Ａの含有量が、９０．０質量％以上であり、好ましくは９０．５質量％以上、より好ましくは９０．７質量％以上である、＜１＞から＜４＞のいずれかに記載の洗浄剤組成物。
＜６＞  前記洗浄剤組成物が成分Ｄを含まない場合、前記洗浄剤組成物における成分Ａの含有量が、９２．０質量％以下であり、好ましくは９１．５質量％以下、より好ましくは９１．０質量％以下である、＜１＞から＜５＞のいずれかに記載の洗浄剤組成物。
＜７＞  前記洗浄剤組成物が成分Ｄを含まない場合、前記洗浄剤組成物における成分Ａの含有量が、好ましくは９０．５質量％以上９１．５質量％以下、より好ましくは９０．７質量％以上９１．０質量％以下である、＜１＞から＜６＞のいずれかに記載の洗浄剤組成物。
＜８＞  前記洗浄剤組成物が成分Ｄを含む場合、前記洗浄剤組成物における成分Ａと成分Ｄとの合計の含有量が、９０．０質量％以上であり、好ましくは９０．５質量％以上、より好ましくは９０．７質量％以上である、＜１＞から＜７＞のいずれかに記載の洗浄剤組成物。
＜９＞  前記洗浄剤組成物が成分Ｄを含む場合、前記洗浄剤組成物における成分Ａと成分Ｄとの合計の含有量が、９２．０質量％以下であり、好ましくは９１．５質量％以下、より好ましくは９１．０質量％以下である、＜１＞から＜８＞のいずれかに記載の洗浄剤組成物。
＜１０＞  前記洗浄剤組成物が成分Ｄを含む場合、前記洗浄剤組成物における成分Ａと成分Ｄとの合計の含有量が、好ましくは９０．５質量％以上９１．５質量％以下、より好ましくは９０．７質量％以上９１．０質量％以下である、＜１＞から＜９＞のいずれかに記載の洗浄剤組成物。
＜１１＞  前記洗浄剤組成物が成分Ｄを含む場合、前記洗浄剤組成物における成分Ｄの含有量が０質量％を超え、好ましくは０．５質量％以上、より好ましくは３．０質量％以上である、＜１＞から＜１０＞のいずれかに記載の洗浄剤組成物。
＜１２＞  前記洗浄剤組成物が成分Ｄを含む場合、前記洗浄剤組成物における成分Ｄの含有量が、好ましくは８．０質量％以下、より好ましくは７．０質量％以下、さらに好ましくは６．０質量％以下である、＜１＞から＜１１＞のいずれかに記載の洗浄剤組成物。
＜１３＞  前記洗浄剤組成物が成分Ｄを含有しない、＜１＞から＜１２＞のいずれかに記載の洗浄剤組成物。
＜１４＞  前記洗浄剤組成物における成分Ｂの含有量が、０．３質量％以上であり、好ましくは０．５質量％以上、より好ましくは１．０質量％以上、さらに好ましくは１．５質量％以上である、＜１＞から＜１３＞のいずれかに記載の洗浄剤組成物。
＜１５＞  前記洗浄剤組成物における成分Ｂの含有量が、３．０質量％以下であり、好ましくは２．５質量％以下、より好ましくは２．０質量％以下である、＜１＞から＜１４＞のいずれかに記載の洗浄剤組成物。
＜１６＞  前記洗浄剤組成物における成分Ｂの含有量が、好ましくは０．５質量％以上３．０質量％以下、より好ましくは１．０質量％以上２．５質量％以下、さらに好ましくは１．５質量％以上２．０質量％以下である、＜１＞から＜１５＞のいずれかに記載の洗浄剤組成物。
＜１７＞  前記洗浄剤組成物における成分Ｃの含有量が、５．０質量％以上であり、好ましくは５．５質量％以上、より好ましくは６．５質量％以上である、＜１＞から＜１６＞のいずれかに記載の洗浄剤組成物。
＜１８＞  前記洗浄剤組成物における成分Ｃの含有量が、９．０質量％以下であり、好ましくは８．０質量％以下、さらに好ましくは７．５質量％以下である、＜１＞から＜１７＞のいずれかに記載の洗浄剤組成物。
＜１９＞  前記洗浄剤組成物における成分Ｃの含有量が、好ましくは５．５質量％以上８．０質量％以下、より好ましくは６．５質量％以上７．５質量％以下である、＜１＞から＜１８＞のいずれかに記載の洗浄剤組成物。
＜２０＞  前記洗浄剤組成物における成分Ａ、Ｂ、Ｃ及びＤの総含有量は、好ましくは９８．０質量％以上１００質量％以下、より好ましくは９９．０質量％以上１００質量％以下、さらに好ましくは９９．５質量％以上１００質量％以下、さらにより好ましくは９９．７質量％以上１００質量％以下である、＜１＞から＜１９＞のいずれかに記載の洗浄剤組成物。
＜２１＞  さらに、炭化水素（成分Ｅ）を含有する、＜１＞から＜２０＞のいずれかに記載の洗浄剤組成物。
＜２２＞  前記成分Ｅが、好ましくは炭素数１０以上、より好ましくは炭素数１２以上であり、そして好ましくは炭素数１８以下、より好ましくは１６以下、さらに好ましくは１４以下の不飽和結合を有する又は有さない炭化水素である、＜２１＞に記載の洗浄剤組成物。
＜２３＞  前記洗浄剤組成物における成分Ｅの含有量が、好ましくは０．３質量％以上、より好ましくは０．５質量％以上、さらに好ましくは０．８質量％以上であり、そして好ましくは１．５質量％以下、より好ましくは１．３質量％以下、さらにより好ましくは１．０質量％以下である、＜２１＞又は＜２２＞に記載の洗浄剤組成物。
＜２４＞  さらに、ポリアルキレングリコールアルキルアミン型非イオン界面活性剤（成分Ｆ）を含有する、＜１＞から＜２３＞のいずれかに記載の洗浄剤組成物。
＜２５＞  前記洗浄剤組成物における成分Ｆの含有量が、好ましくは０．０５質量％以上、より好ましくは０．１質量％以上、さらに好ましくは０．３質量％以上であり、そして好ましくは１．５質量％以下、より好ましくは１．０質量％以下、さらにより好ましくは０．５質量％以下である、＜２４＞に記載の洗浄剤組成物。
＜２６＞  さらに、炭素数８以上１８以下の炭化水素基を有するポリアルキレングリコールアルキルエーテル型非イオン界面活性剤（成分Ｇ）を含む、＜１＞から＜２５＞のいずれかに記載の洗浄剤組成物。
＜２７＞  前記洗浄剤組成物における成分Ｇの含有量が、好ましくは０．０５質量％以上、より好ましくは０．１質量％以上、さらに好ましくは０．３質量％以上であり、そして好ましくは１．５質量％以下、より好ましくは１．０質量％以下、さらにより好ましくは０．５質量％以下である、＜２６＞に記載の洗浄剤組成物。
＜２８＞  さらに、シリコーン系消泡剤（成分Ｈ）を含む、＜１＞から＜２７＞のいずれかに記載の洗浄剤組成物。
＜２９＞  前記洗浄剤組成物における成分Ｈの含有量が、好ましくは０．０１質量％以上、より好ましくは０．０５質量％以上、さらに好ましくは０．１質量％以上であり、そして好ましくは１．０質量％以下、より好ましくは０．５質量％以下、さらにより好ましくは０．３質量％以下である、＜２８＞に記載の洗浄剤組成物。
＜３０＞  リフローされた半田を有する被洗浄物を＜１＞から＜２９＞のいずれかに記載の洗浄剤組成物で洗浄する工程を有する、半田フラックス残渣の洗浄方法。
＜３１＞  被洗浄物が、部品が半田で半田付けされた電子部品の製造中間物である、＜３０＞の洗浄方法。
＜３２＞  半導体チップ、チップ型コンデンサ、及び回路基板からなる群から選択される少なくとも１つの部品を、フラックスを使用した半田付けにより回路基板上に搭載する工程、及び、前記搭載物を＜３０＞又は＜３１＞に記載のフラックス残渣の洗浄方法により洗浄する工程を含む、電子部品の製造方法。
＜３３＞  ＜１＞から＜２９＞のいずれかに記載の洗浄剤組成物の電子部品の洗浄への使用。
【実施例】
【００４５】
１．洗浄剤組成物の調製（実施例１〜１１、比較例１〜１８）
下記表１に示す成分Ａ〜Ｃ、及び必要に応じてその他の成分（表１）を混合し、実施例１〜１１、比較例１〜１８の洗浄剤組成物を調製した。下記表１の成分Ａ〜Ｈ及びその他の成分の数値は、調製した洗浄剤組成物における含有量（質量％）を示す。
【００４６】
表１における成分Ｆ「＊１」及び「＊２」は、下記の化合物である。
成分＊１：下記式（ＩＩ）で表されるポリアルキレングリコールアルキルアミン型非イオン界面活性剤であって、Ｒ4が炭素数１２の炭化水素基であり、ｎ＋ｍが４のもの。
成分＊２：下記式（ＩＩ）で表されるポリアルキレングリコールアルキルアミン型非イオン界面活性剤であって、Ｒ4が炭素数１２の炭化水素基であり、ｎ＋ｍが１０のもの。
【化６】
0006345512.tif 000007
［式（ＩＩ）において、Ｒ4は炭素数８〜１８の炭化水素基、ＥＯはエチレンオキシ基、ｎ及びｍは、それぞれ、ＥＯの平均付加モル数を示す。］
【００４７】
表１における成分Ｇ「＊３」及び「＊４」は、下記の化合物である。
成分＊３：下記式（ＩＩＩ）で表されるポリエチレングリコールポリプロピレングリコールアルキルエーテル型非イオン界面活性剤であって、Ｒ5が炭素数１２及び１４の１級炭化水素基の混合物であり、ｐ＝５、ｑ＝２、ｒ＝５のもの。
成分＊４：下記式（ＩＩＩ）で表されるポリエチレングリコールポリプロピレングリコールアルキルエーテル型非イオン界面活性剤であって、Ｒ5が炭素数１２の２級炭化水素基であり、ｐ＝５、ｑ＝ｒ＝０のもの。
【化７】
0006345512.tif 000008
［式（ＩＩＩ）において、Ｒ5は炭素数８〜１８の炭化水素基、ＥＯはエチレンオキシ基、ＰＯはプロピレンオキシ基を示す。ｐ、ｑ、及びｒは、それぞれ、ＥＯ、ＰＯの平均付加モル数を示し、それぞれ、０〜１５の数であって、ｐ及びｒは同時に０とならず、かつ、ｑ＞０の場合はｑ≦ｐ＋ｒ≦３０、ｑ＝０の場合はｒ＝０である。］
【００４８】
２．洗浄剤組成物の評価
調製した実施例１〜１１及び比較例１〜１８の洗浄剤組成物を用いてテスト基板の洗浄性（洗浄性１及２）、ガラス毛細管試験、腐食性、並びに発泡性について試験を行い、評価した。その結果を表１に示す。
【００４９】
［洗浄性試験（洗浄性１）］
以下の条件でテスト基板を洗浄する洗浄性試験を行った。
〔テスト基板〕
チップコンデンサ（２０１２）を１０個搭載したテスト基板（５０ｍｍ×５０ｍｍ、チップコンデンサと基板の隙間は約５０μｍ）を用いた。ソルダーペーストには鉛フリーのエコソルダーＭ７０５−ＢＰＳ（千住金属工業（株）製）、リフロー炉にはエコリフローＳＮＲ８２５（千住金属工業（株）製）を用い、リフローピーク温度２４０℃、半田溶融時間４５秒、窒素雰囲気下（酸素濃度１００ｐｐｍ）で半田接続した。
〔洗浄方法〕
洗浄は洗浄液への浸漬で行った。まず、［１］各洗浄剤組成物を満たした１Ｌビーカー、［２］プレリンス用のイオン交換水を満たした１Ｌビーカー、［３］仕上げリンス用のイオン交換水を満たした１Ｌビーカーを用意し、それぞれのビーカーを６０℃水浴内で加温する。まず、テスト基板を［１］のビーカー内に浸漬し、超音波（４０ｋＨｚ、６００Ｗ）を５分間照射して洗浄する。次に、該テスト基板を［２］のビーカーに浸漬し、超音波（４０ｋＨｚ、６００Ｗ）を５分間照射してプレリンスを行う。そして、該テスト基板を［３］のビーカー内に浸漬し、超音波（４０ｋＨｚ、６００Ｗ）を５分間照射して仕上げリンスを行う。最後に、送風乾燥機（８５℃、１５分）で乾燥する。
〔洗浄性の評価〕
乾燥後のテスト基板からチップコンデンサを剥離し、光学顕微鏡にてフラックス残渣の残存有無を確認した。評価基準は以下の通り。その結果を表１の「洗浄性１」の欄に示す。
○：１０個中残渣あるものゼロ
△：１０個中残渣あるもの１個
×：１０個中残渣あるもの２個以上
【００５０】
［洗浄性試験（洗浄性２）］
上記洗浄性試験（洗浄性１）と同様の方法で、洗浄時間、プレリンス時間、及び、仕上げリンス時間を、それぞれ１分間に短くして評価した。その結果を表１の「洗浄性２」の欄に示す。
【００５１】
［ガラス毛細管試験］
窒素雰囲気下にて銅板上でエコソルダーＭ７０５−ＢＰＳ（千住金属工業（株）製）を２５０℃、３０分間加熱して、液状のフラックス残渣を分離採取する。ＤＲＵＭＭＯＮＤ製ガラスキャップ（ガラス毛細管）（長さ３２ｍｍ、内径１４０μm）に上記方法にて作成したフラックス残渣を充填し一方の開口部を封止して試験片を作成した。１００ｍＬビーカーに各洗浄剤組成物及びすすぎ用イオン交換水を各１００ｇ加え６０℃に加温する。試験片を各洗浄剤組成物に浸漬し超音波（４０ｋＨｚ、２００Ｗ）を５分間照射後、すすぎ用イオン交換水に移し超音波（４０ｋＨｚ、２００Ｗ）を５分間照射後取り出した。取り出した試験片を光学顕微鏡にて観察し、開口部から溶解したフラックス残渣の距離を測定し、５点の平均値を算出した。フラックス残渣が溶解した距離が長いほど溶解速度が速く洗浄性が良いと評価できる。その結果を表１に示す。
【００５２】
［腐食性］
各洗浄剤組成物を１Ｌビーカーに満たして６０℃に加温し、その中へ厚さ１ｍｍの銅板（３０ｍｍ×５０ｍｍ）を入れ１０分間浸漬。その後イオン交換水にて十分にすすぎ、送風乾燥機（８５℃、１５分）で乾燥し、銅板の表面状態を観察した。評価基準は以下の通り。その結果を表１に示す。
○：変色無し
×：変色あり
【００５３】
［発泡性］
窒素雰囲気下にて銅板上でエコソルダーＭ７０５−ＢＰＳ（千住金属工業（株）製）を２５０℃、３０分間加熱して、液状のフラックス残渣を分離採取した。上記条件にて作成したフラックス残渣を１質量％含有する各洗浄剤組成物をイオン交換水にて１０倍に希釈し、その５０ｍＬを２００ｍＬ共栓付きメスフラスコに加え、６０℃に加温し、上下に激しく３０回振とうした。１分後の泡高さを測定し、下記の基準にて評価した。その結果を表１に示す。
◎：泡無し
○：５ｍＬ未満
×：５ｍＬ以上
【００５４】
【表１】
0006345512.tif 000009
【００５５】
上記表１に示すとおり、実施例１〜１１の洗浄剤組成物は、比較例１〜１８の洗浄剤組成物と比べて優れた洗浄性を示し、かつ、ガラス毛細管試験の結果、すなわち、浸透性も概ね優れた結果を示した。また、実施例１〜１１の洗浄剤組成物は、比較例４の洗浄剤組成物よりも腐食性が低い点で優れていた。
【産業上の利用可能性】
【００５６】
本開示を用いることにより、半田付けされた部品の隙間に残存するフラックス残渣の洗浄が良好に行えることから、例えば、電子部品の製造プロセスにおけるフラックス残渣の洗浄工程の短縮化及び製造される電子部品の性能・信頼性の向上が可能となり、半導体装置の生産性を向上できる。