(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数のデータラインと複数のゲートラインとが交差することにより画定された複数の領域にそれぞれ形成された複数の画素と、
第１プレートと、
第２プレートと、
を有し、
前記複数の画素のそれぞれは、トランジスタと、ストレージキャパシタと、有機発光ダイオードとを含み、
前記トランジスタは、半導体層とゲートと、ソース電極と、ドレイン電極と、を含み、
前記ストレージキャパシタは、第１の電極と第２の電極とを含み、
前記第１プレートが、
前記半導体層と重畳し、前記トランジスタの前記ゲートを形成するゲート部と、
前記ストレージキャパシタの前記第１の電極を形成し、前記ゲート部と一体形成されたキャパシタ部と、
を有し、
前記第２プレートが、
前記第１プレート上に位置し、且つ、前記半導体層と重畳せず、且つ、
前記ストレージキャパシタの前記第２の電極を形成するために前記キャパシタ部と重畳しており、
前記トランジスタの前記ソース電極又は前記ドレイン電極は、前記半導体層と前記第２プレートとを接続し、
前記第１プレートは、前記ゲート部において、前記半導体層の上に位置する、
ことを特徴とする有機発光表示パネル。
【請求項２】
前記トランジスタは、前記画素内の前記有機発光ダイオードを駆動する駆動トランジスタである
ことを特徴とする請求項１に記載の有機発光表示パネル。
【請求項３】
前記半導体層は、低温多結晶シリコンにより形成されている
ことを特徴とする請求項１または２に記載の有機発光表示パネル。
【請求項４】
前記半導体層は、その表面に少なくとも１つの突出部を有する
ことを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の有機発光表示パネル。
【請求項５】
前記少なくとも１つの突出部は、
前記半導体層の表面にグレインを内包して形成されている
ことを特徴とする請求項４に記載の有機発光表示パネル。
【請求項６】
前記第１プレートの前記ゲート部の表面に、前記半導体層の表面の形状が反映されている
ことを特徴とする請求項１乃至５のいずれか１項に記載の有機発光表示パネル。
【請求項７】
前記半導体層と前記ゲート部との間に形成された第１絶縁膜と、
前記キャパシタ部と前記第２プレートとの間に形成された第２絶縁膜と、
前記第２プレート上に形成された第３絶縁膜と
を更に有することを特徴とする請求項１乃至６のいずれか１項に記載の有機発光表示パネル。
【請求項８】
前記第１絶縁膜、前記第２絶縁膜、及び前記第３絶縁膜の前記半導体層と重畳する部分の表面に、前記半導体層の表面の形状が反映されている
ことを特徴とする、請求項７に記載の有機発光表示パネル。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、有機発光表示パネルに関するものである。
【背景技術】
【０００２】
平板表示装置の分野において、これまでは軽くて消費電力の少ない液晶表示装置が広く使われてきた。しかしながら、液晶表示装置は自ら光を生成できない非発光素子（non-emissive device）であるため、輝度（brightness）、コントラスト比（contrast ratio）、視野角（viewing angle）、及び大面積化などの面で課題がある。
【０００３】
このため、このような液晶表示装置の短所を克服できる新たな平板表示装置の開発が活発に進められている。新たな平板表示装置のうちの１つである有機発光表示装置は、自ら光を生成する発光素子であるため液晶表示装置に比べて輝度、視野角、及びコントラスト比などの面で優れているのに加え、バックライトを必要としないので、軽量薄型が可能であり、消費電力の面でも有利である。
【０００４】
有機発光表示装置の有機発光表示パネルは、各画素領域の薄膜トランジスタに接続された有機発光素子から出射される光を用いて映像を表示する。有機発光素子は、正極（anode）と負極（cathode）との間に有機物からなる有機発光層を形成し、電界を加えることにより光を発する素子であり、低い電圧で駆動可能であり、電力消耗が比較的少なく、軽くて軟性（flexible）な基板の上部にも形成可能な特徴を有する。
【０００５】
しかしながら、有機発光表示パネルでは、トランジスタの電気的特性の低下によって、駆動電圧、リーク電流などが増加し、パネルに暗点が発生することがあった。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２０１５−１０２８７３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
本発明の目的は、トランジスタの電気的特性の低下を防止し、駆動電圧及びリーク電流を減少させ、暗点発生を防止しうる有機発光表示パネルを提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
前述した目的を達成するために、本発明の一観点によれば、複数のデータラインと複数のゲートラインとが交差することにより画定された複数の領域にそれぞれ形成された複数の画素を有し、前記複数の画素のそれぞれは、トランジスタと、ストレージキャパシタと、有機発光ダイオードとを含み、前記トランジスタは、半導体層とゲートとを含み、前記ストレージキャパシタは、第１の電極と第２の電極とを含み、前記トランジスタの前記ゲート及び前記ストレージキャパシタの前記第１の電極は、前記ゲートとなるゲート部と、前記第１電極となるキャパシタ形成部とを有する第１プレートにより形成されており、前記ストレージキャパシタの前記第２の電極は、前記半導体層と重畳しない第２プレートにより形成されていることを特徴とする有機発光表示パネルが提供される。
【発明の効果】
【０００９】
本発明は、トランジスタの電気的特性の低下を防止し、駆動電圧及びリーク電流を減少させ、暗点発生を防止する効果がある。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】本発明の実施形態に係る有機発光表示装置の概略的なシステム構成図である。
【図２】本発明の実施形態に係る有機発光表示パネルの画素構造の例示図である。
【図３】本発明の実施形態に係る有機発光表示パネルの画素構造の他の例示図である。
【図４】本発明の実施形態に係る有機発光表示パネルの種々の画素構造での共通部分である。
【図５】本発明の他の実施形態に係る有機発光表示パネル１４０の画素の部分平面図の例示図である。
【図６】図５の有機発光表示パネル１４０の画素内の第１プレート５３０の構造を示す図である。
【図７】本発明の実施形態に係る有機発光表示パネルの画素の部分断面図の例示図である。
【図８】本発明の更に他の実施形態に係る有機発光表示パネルの画素の部分平面図の他の例示図である。
【図９】本発明の更に他の実施形態に係る有機発光表示パネルの画素の部分断面図の他の例示図である。
【図１０Ａ】本発明の実施形態に係る有機発光表示パネルの画素内の第２プレートの構造的な特徴を説明するための図である。
【図１０Ｂ】本発明の実施形態に係る有機発光表示パネルの画素内の第２プレートの構造的な特徴を説明するための図である。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
以下、本発明の実施形態を例示的な図面を通じて詳細に説明する。各図面の構成要素に参照符号を付加するに当たって、同一の構成要素に対しては、たとえ他の図面上に表示されていてもできる限り同一な符号を有するようにしていることに留意しなければならない。また、本発明を説明するに当たって、関連した公知構成または機能に対する具体的な説明が本発明の要旨を曖昧にすることがあると判断される場合には、その詳細な説明は省略する。
【００１２】
また、本発明の構成要素を説明するに当たって、第１、第２、Ａ、Ｂ、（ａ）、（ｂ）などの用語を使用することがある。このような用語はその構成要素を他の構成要素と区別するためのものであり、その用語により当該構成要素の本質や配置または順序などが限定されない。ある構成要素が他の構成要素に“連結”、“結合”、または“接続”されると記載された場合、その構成要素はその他の構成要素に直接的に連結または接続できるが、各構成要素の間に更に他の構成要素が“連結”、“結合”、または“接続”されることもできると理解されるべきである。同じ脈絡で、ある構成要素が他の構成要素の“上”にまたは“下”に形成されると記載された場合、その構成要素は該他の構成要素に直接または更に他の構成要素を介して間接的に形成されることを全て含むことと理解されるべきである。
【００１３】
図１は、一実施形態による有機発光表示装置に関するシステム構成図である。
【００１４】
図１を参照すると、有機発光表示装置１００は、有機発光表示パネル１４０、データ駆動部１２０、ゲート駆動部１３０、タイミングコントローラ１１０などを含む。
【００１５】
まず、タイミングコントローラ１１０は、ホストシステムから入力される垂直／水平同期信号（Ｖｓｙｎｃ、Ｈｓｙｎｃ）と映像データ（ＤＡＴＡ）、クロック信号（ＣＬＫ）などの外部タイミング信号に基づいて、データ駆動部１２０を制御するためのデータ制御信号（Data Control Signal；ＤＣＳ）と、ゲート駆動部１３０を制御するためのゲート制御信号（Gate Control Signal；ＧＣＳ）を出力する。また、タイミングコントローラ１１０は、ホストシステムから入力される映像データ（ＤＡＴＡ）をデータ駆動部１２０で使用するデータ信号形式に変換し、変換された映像データ（ＤＡＴＡ′）をデータ駆動部１２０に供給することができる。
【００１６】
データ駆動部１２０は、タイミングコントローラ１１０から入力されるデータ制御信号（ＤＣＳ）及び変換された映像データ（ＤＡＴＡ′）に応答して、映像データ（ＤＡＴＡ′）を階調値に対応する電圧値であるデータ信号（アナログ画素信号又はデータ電圧）に変換してデータラインＤ１〜Ｄｍに供給する。
【００１７】
ゲート駆動部１３０は、タイミングコントローラ１１０から入力されるゲート制御信号（ＧＣＳ）に応答してゲートラインＧ１〜Ｇｎにスキャン信号（ゲートパルス又はスキャンパルス、ゲートオン信号）を順次に供給する。
【００１８】
一方、有機発光表示パネル１４０上の各画素Ｐは、データラインＤ１〜ＤｍとゲートラインＧ１〜Ｇｎとにより画定された画素領域にマトリックス状に配置することができ、第１電極である画素電極（anode）、第２電極である共通電極（cathode）、有機層を含む少なくとも１つの有機発光素子でありうる。
【００１９】
各画素Ｐには、ゲートラインＧ１〜Ｇｎ、データラインＤ１〜Ｄｍ、及び高電位電圧を供給するための高電位電圧ラインが形成されている。また、各画素Ｐには、ゲートラインＧ１〜ＧｎとデータラインＤ１〜Ｄｍとの間にスイッチングトランジスタ（Switching Transistor）が形成されている。さらに、各画素Ｐには、正極、負極、及び有機発光層で構成された有機発光ダイオードと、スイッチングトランジスタのソース電極（又はドレイン電極）と高電位電圧ラインとの間に駆動トランジスタ（Driving Transistor）が形成されている。
【００２０】
実施形態に係る有機発光表示パネル１４０の駆動トランジスタにおいて、半導体層と半導体層上に位置する第１プレートの少なくとも一部は重畳することができる。但し、第１プレート上に位置し、第１プレートと共にストレージキャパシタを形成する第２プレートは、半導体層とは重畳しない。これに対しては、以下に詳細に説明する。
【００２１】
図２は、本発明の実施形態に係る有機発光表示パネル１４０の画素構造の例示図である。
【００２２】
図２は、２Ｔ（Transistor）−１Ｃ（Capacitor）構造の等価回路図である。図２を参照すると、各画素は、１つのデータラインＤＬと接続され、１つのゲートラインＧＬを通じて１つのスキャン信号（ＳＣＡＮ）のみの供給を受ける。
【００２３】
このような各画素は、有機発光ダイオード（Organic Light Emitting Diode；ＯＬＥＤ）、駆動トランジスタ（Driving Transistor；ＤＴ）、スイッチングトランジスタ（Switching Transistor；ＳＷＴ）、及びストレージキャパシタ（Ｃｓｔｇ）などを含む。このように各画素は、２つのトランジスタＤＴ，ＳＷＴと１つのストレージキャパシタＣｓｔｇとを含む２Ｔ−１Ｃ構造を有する。
【００２４】
各画素内の駆動トランジスタＤＴは、駆動電圧ライン（Driving Voltage Line；ＤＶＬ）から供給される駆動電圧（ＥＶＤＤ）の印加を受けて、スイッチングトランジスタＳＷＴを通じて印加されたゲートノードＮ１の電圧（データ電圧）により制御されて有機発光ダイオードＯＬＥＤを駆動させるトランジスタである。
【００２５】
このような駆動トランジスタＤＴは、第１ノードＮ１、第２ノードＮ２、第３ノードＮ３を有しており、第１ノードＮ１はスイッチングトランジスタＳＷＴに接続され、第２ノードＮ２は有機発光ダイオードＯＬＥＤに接続され、第３ノードＮ３は駆動電圧（ＥＶＤＤ）の供給を受ける。
【００２６】
実施形態に係る有機発光表示パネル１４０の画素構造は、前述した２Ｔ−１Ｃ構造に制限されるものではない。例えば、図３を用いて以下に説明する３Ｔ−１Ｃ構造でもよい。
【００２７】
図３は、本発明の実施形態に係る有機発光表示パネル１４０の画素構造の他の例示図である。
【００２８】
図３は３Ｔ−１Ｃ構造を図示しており、図３を参照すると、各画素は、有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ：Organic Light Emitting Diode）、駆動トランジスタＤＴ、スイッチングトランジスタＳＷＴ、センシングトランジスタ（Sensing Transistor；ＳＥＮＴ）、及びストレージキャパシタ（Storage Capacitor；Ｃｓｔｇ）などを含む。
【００２９】
各画素内の駆動トランジスタＤＴは、駆動電圧ラインＤＶＬから供給される駆動電圧（ＥＶＤＤ）の印加を受けて、スイッチングトランジスタＳＷＴを通じて印加されたゲートノードＮ２の電圧（データ電圧）により制御されて有機発光ダイオードＯＬＥＤを駆動させるトランジスタである。
【００３０】
このような駆動トランジスタＤＴは、第１ノードＮ１、第２ノードＮ２、第３ノードＮ３を有しており、第１ノードＮ１はセンシングトランジスタＳＥＮＴに接続され、第２ノードＮ２はスイッチングトランジスタＳＷＴに接続され、第３ノードＮ３は駆動電圧（ＥＶＤＤ）の供給を受ける。
【００３１】
ここで、一例では、駆動トランジスタＤＴの第１ノードＮ１はソースノード（Source Node、‘ソース電極’ともいう）であり、第２ノードＮ２はゲートノード（Gate Node、‘ゲート電極’ともいう）であり、第３ノードＮ３はドレインノード（Drain Node、‘ドレイン電極’ともいう）でありうる。ただし、トランジスタのタイプ変更、回路変更などによって、駆動トランジスタＤＴの第１ノード、第２ノード、及び第３ノードは変わることがある。
【００３２】
また、センシングトランジスタＳＥＮＴは、ゲートラインＧＬから供給されるスキャン信号（ＳＣＡＮ）により制御され、基準電圧（Ｖｒｅｆ：Reference Voltage）を供給する基準電圧ライン（ＲＶＬ：Reference Voltage Line）又は基準電圧ラインＲＶＬに接続される接続パターン（ＣＰ：Connection Pattern）と、駆動トランジスタＤＴの第１ノードＮ１との間に接続されている。
【００３３】
また、スイッチングトランジスタＳＷＴは、ゲートラインＧＬから共通に供給されるスキャン信号（ＳＣＡＮ）により制御され、対応するデータラインＤＬと駆動トランジスタＤＴの第２ノードＮ２との間に接続されている。
【００３４】
また、ストレージキャパシタＣｓｔｇは、駆動トランジスタＤＴの第１ノードＮ１と第２ノードＮ２との間に接続され、データ電圧を１フレーム間維持する役割をすることができる。
【００３５】
前述したように、センシングトランジスタＳＥＮＴとスイッチングトランジスタＳＷＴは、１つの同一のゲートライン（共通ゲートライン）を通じて供給される１つのスキャン信号により制御される。
【００３６】
このような３Ｔ−１Ｃに基づくシングルスキャン構造と関連して、センシングトランジスタＳＥＮＴは、基本的に、駆動トランジスタＤＴのゲートノードＮ２にデータ電圧を印加できるようにするものであって、駆動と関連したトランジスタである。スイッチングトランジスタＳＷＴは、駆動とも関連があるが、基本的には、画素間輝度偏差を補償するためのセンシング（Sensing）と関連したトランジスタである。
【００３７】
一方、本発明の第１実施形態に係る有機発光表示パネル１４０の画素構造は、図２を参照して説明した“基本画素構造（３Ｔ−１Ｃに基づくシングルスキャン構造）”の他に、各画素がデータラインＤＬ、ゲートラインＧＬ、駆動電圧ラインＤＶＬ、基準電圧ラインＲＶＬなどの種々の信号ラインに接続された“信号ライン連結構造”も含む。
【００３８】
ここで、種々の信号ラインは、各画素にデータ電圧を供給するためのデータライン、スキャン信号を供給するためのゲートラインだけでなく、各画素に基準電圧（Ｖｒｅｆ）を供給するための基準電圧ラインＲＶＬ、駆動電圧（ＥＶＤＤ）を供給するための駆動電圧ラインＤＶＬなどをさらに含む。
【００３９】
一方、一実施形態に係る有機発光表示パネル１４０の画素構造は、前述した構造に制限されず、多様な方式によりなされることができる。
【００４０】
図４は、本発明の実施形態に係る有機発光表示パネル１４０の種々の画素構造での共通部分である。
【００４１】
画素構造の共通部分（commom part）は図２及び図３に図示されている。多様な画素構造が共通的に有する構成が図４に図示される。
【００４２】
図４を参照すると、多様な画素構造は、駆動トランジスタＤＴ及びストレージキャパシタＣｓｔｇを共通に含む。ストレージキャパシタＣｓｔｇの上部プレート又は下部プレートは、駆動トランジスタＤＴのゲートに電気的に接続し、ストレージキャパシタＣｓｔｇの下部プレート又は上部プレートは駆動トランジスタＤＴのソース電極又はドレイン電極に電気的に接続することができる。
【００４３】
以上、実施形態が適用される有機発光表示パネル１４０の画素構造の例を説明し、以下では実施形態に係る有機発光表示パネル１４０構造の具体的な例示に対して説明する。
【００４４】
図５は本発明の他の実施形態に係る有機発光表示パネル１４０の画素の部分平面図の例示図であり、図６は図５の有機発光表示パネル１４０の画素内の第１プレート５３０の構造を示す図である。
【００４５】
図５は有機発光表示パネル１４０の多様な画素構造が有する共通部分（common part）に対して示した図であり、残りの構成要素の場合、多様に設計できることに留意しなければならない。
【００４６】
図５及び図６を参照すると、実施形態に係る有機発光表示パネル１４０は、多数のデータラインＤ１〜Ｄｍ及び多数のゲートラインＧ１〜Ｇｎが互いに交差して定義され、トランジスタＤＴ及びストレージキャパシタ（Storage Capacitor；Ｃｓｔｇ）を含む各画素には、半導体層５２０、半導体層５２０上に位置し、トランジスタＤＴのゲート部５３０ａ及びストレージキャパシタＣｓｔｇの第１電極となるキャパシタ形成部５３０ｂからなる第１プレート５３０、及び第１プレート５３０上に位置し、ストレージキャパシタＣｓｔｇの第２電極となり、半導体層５２０と重畳しない第２プレート５４０が形成されている。
【００４７】
第１プレート５３０のゲート部５３０ａは半導体層５２０と重畳し、第１プレート５３０のキャパシタ形成部５３０ｂは第２プレート５４０と重畳してストレージキャパシタＣｓｔｇを形成することができる。
【００４８】
一方、トランジスタＤＴは、各画素Ｐ内の有機発光ダイオードＯＬＥＤを駆動する駆動トランジスタＤＴであるが、これに制限されるものではない。また、実施形態に係る構造はゲート部５３０ａが半導体層５２０の上部に位置するトップゲート（top gate）方式によるが、これに制限されるものでなく、ボトムゲート（bottom gate）方式によることもできる。
【００４９】
トランジスタＤＴの半導体層５２０はトランジスタＤＴのソース電極またはドレイン電極５５０、５５０'に接続される領域を含み、アクティブ（active）または活性化領域の役割をする領域を含むことができる。
【００５０】
また、半導体層５２０は、低温多結晶シリコン（Low Temperature Poly Silicon）でありうる。低温多結晶シリコン方式の半導体層５２０は、アクティブ領域の直列抵抗が低く、ゲート絶縁膜を薄く形成することができ、これを用いた有機発光表示パネル１４０は駆動回路を内蔵可能であり、低い駆動電圧で高解像度の製品を具現できるようにする長所がある。
【００５１】
一方、第１プレート５３０のゲート部５３０ａは、トランジスタＤＴのゲート電極の役割をする。ゲート部５３０ａはキャパシタ形成部５３０ｂと一体形成され、半導体層５２０と重畳して形成することができる。言い換えると、第１プレート５３０は、半導体層５２０と重畳するゲート部５３０ａ及び第２プレート５４０と重畳するキャパシタ形成部５３０ｂからなる。また、ゲート部５３０ａは、Ａｌ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ａｇ、Ｍｇ、Ａｕ、Ｎｉ、Ｎｄ、Ｉｒ、Ｃｒ、Ｌｉ、Ｃａ、Ｍｏ、Ｔｉ、Ｗ、Ｃｕのうち、少なくとも１つ以上の金属または合金で形成できるが、これに制限されるものではない。
【００５２】
このような第１プレート５３０とその上部に位置する第２プレート５４０は、ストレージキャパシタＣｓｔｇを形成することができる。ここで、第１プレート５３０はストレージキャパシタＣｓｔｇの第１電極の役割をし、第２プレート５４０はストレージキャパシタＣｓｔｇの第２電極の役割をすることができる。ストレージキャパシタＣｓｔｇは、データ電圧を１フレームの間維持することができる。第２プレート５４０は、少なくとも１つ以上の金属または合金で形成できる。
【００５３】
一方、図５に図示された半導体層５２０、第１プレート５３０、及び第２プレート５４０の形状は説明の便宜のために図示されたものであり、多様に設計できる。
【００５４】
図７は実施形態に係る有機発光表示パネル１４０の画素の部分断面図の例示図であり、図５のＡ−Ａ’を切断した断面図である。
【００５５】
図７を参照すると、他の実施形態に係る有機発光表示パネル１４０には、基板５１０上に多数のデータライン及び多数のゲートラインが互いに交差して定義され、トランジスタ及びストレージキャパシタ（Storage Capacitor）を含む多数の画素Ｐが形成され、各画素Ｐには半導体層５２０、半導体層５２０上に位置し、トランジスタＤＴのゲート部５３０ａ及びストレージキャパシタＣｓｔｇの第１電極となるキャパシタ形成部５３０ｂからなる第１プレート５３０、及び第１プレート５３０上に位置し、ストレージキャパシタＣｓｔｇの第２電極となり、半導体層５２０と重畳しない第２プレート５４０が形成できる。
【００５６】
また、有機発光表示パネル１４０は、半導体層５２０とゲート部５３０ａとの間に形成された第１絶縁膜５２２、キャパシタ形成部５３０ｂと第２プレート５４０との間に形成された第２絶縁膜５３２、及び第２プレート５４０上に形成された第３絶縁膜５４２をさらに含むことができる。
【００５７】
一方、有機発光表示パネル１４０は、第１プレート５３０上に位置し、第２プレート５４０がある方向と反対の方向に形成されたトランジスタＤＴのソース電極又はドレイン電極５５０をさらに含むことができる。また、第３絶縁膜５４２とソース電極又はドレイン電極５５０を覆うように平坦化膜５６０を形成することができる。
【００５８】
具体的に説明すると、基板５１０はガラス（Glass）基板だけでなく、ＰＥＴ（Polyethylen terephthalate）、ＰＥＮ（Polyethylen naphthalate）、ポリイミド（Polyimide）などを含むプラスチック基板などでありうる。
【００５９】
第１基板５１０上には、不純物の侵入を遮断するためのバッファ層（buffering layer、図示せず）がさらに備えられる。バッファ層（図示せず）は、例えば窒化シリコンまたは酸化シリコンの単一層または多数層で形成することができる。バッファ層（図示せず）は、半導体層５２０が低温多結晶シリコンの場合には、界面特性に優れたＳｉＯ２により形成することができる。
【００６０】
一方、基板５１０上に形成される半導体層５２０は、低温多結晶シリコン（Low Temperature Poly Silicon）であって、半導体層５２０の表面には少なくとも１つの突出部５００を形成することができる。
【００６１】
ここで、突出部５００は、低温多結晶シリコンの製造工程中に発生する。具体的には、低温多結晶シリコンは非晶質シリコン（amorphous silicon）を基板５１０又はバッファ層上にプラズマ化学気相堆積（Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition；ＰＥＣＶＤ）法などにより堆積した後、エキシマレーザー（excimer laser）を照射して再結晶化する工程を経て製造される。この際、突出部５００は、半導体層の表面にグレイン（Grain）が内包されて形成されたもの、言い換えると、再結晶化したシリコンの結晶であるグレイン（grain）によるグレインバウンダリ（grain boundary）によるものでありうる。
【００６２】
このような図７に図示された突出部５００は説明の便宜のためのものであり、突出部５００の形状、サイズ、または個数は多様に形成できる。
【００６３】
一方、ゲート部５３０ａは、半導体層５２０の表面の形状に対応するように形成できる。ゲート部５３０ａは堆積工程により形成できるが、半導体層５２０の突出部５００によって、その表面形状が反映される。
【００６４】
一方、第１絶縁膜５２２、第２絶縁膜５３２、及び第３絶縁膜５４２は、ＳｉＯｘ、ＳｉＮｘ、ＳｉＯＮ、Ａｌ２Ｏ３、ＴｉＯ２、Ｔａ２Ｏ５、ＨｆＯ２、ＺｒＯ２、ＢＳＴ、ＰＺＴのような無機絶縁物質、または例えばベンゾシクロブテン（ＢＣＢ）やアクリル（acryl）系樹脂（resin）を含む有機絶縁物質、またはこれらの組合からなることができる。
【００６５】
前述したゲート部５３０ａだけでなく、第１絶縁膜５２２、第２絶縁膜５３２、及び第３絶縁膜５４２で半導体層５２０と重畳する部分も半導体層５２０の表面の形状に対応するように形成できる。第１絶縁膜５２２、第２絶縁膜５３２、及び第３絶縁膜５４２は、化学気相堆積（Chemical Vapor Deposition；ＣＶＤ）や物理気相堆積（Physical Vapor Deposition；ＰＶＤ）などの工程により薄く形成されるので、下部層の表面形状が反映される。
【００６６】
一方、ソース電極又はドレイン電極５５０は、有機発光表示パネル１４０の第１プレート５３０上に位置し、第２プレート５４０がある方向と反対の方向に形成することができる。言い換えると、図７に示すように、半導体層５２０を基準に、第３絶縁膜５４２上で第２プレート５４０が形成された領域と反対の領域に形成することができる。ソース電極又はドレイン電極５５０は、例えば、Ａｌ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ａｇ、Ｍｇ、Ａｕ、Ｎｉ、Ｎｄ、Ｉｒ、Ｃｒ、Ｌｉ、Ｃａ、Ｍｏ、Ｔｉ、Ｗ、Ｃｕのうち、いずれか１つの金属またはこれらの合金であって、単一層または多数層で形成することができ、特にクロム（Ｃｒ）やタンタル（Ｔａ）などの高融点金属で形成できるが、これに制限されるものではない。
【００６７】
第３絶縁膜５４２とソース電極又はドレイン電極５５０上には、素子を平坦化させるための平坦化層５６０が形成できる。平坦化層５６０は、機械的強度、耐透湿性、成膜容易性、生産性などを考慮して、疎水性の性質を有し、水素含有層であって、例えば、フォトアクリル系の物質、ＳｉＯＮ、窒化シリコン（ＳｉＮｘ）、酸化シリコン（ＳｉＯｘ）、酸化アルミニウム（ＡｌＯｘ）のうち、いずれか１つで形成できる。
【００６８】
図８は更に他の実施形態に係る有機発光表示パネル１４０の画素の部分平面図の他の例示図であり、図９は更に他の実施形態に係る有機発光表示パネル１４０の画素の部分断面図の他の例示図である。
【００６９】
図８及び図９を参照すると、更に他の実施形態に係る有機発光表示パネル１４０は、半導体層５２０、半導体層５２０上に位置する第１プレート５３０を含むトランジスタＤＴ、及び第１プレート５３０上に位置する第２プレート５４０を含むことができる。
【００７０】
有機発光表示パネル１４０は、第１プレート５３０と第２プレート５４０とが重畳して形成されたストレージキャパシタ（Storage Capacitor；Ｃｓｔｇ）をさらに含むことができる。
【００７１】
ここで、トランジスタＤＴは駆動トランジスタＤＴであるが、これに制限されるものではない。また、実施形態に係る構造はトップゲート（top gate）方式であるが、これに制限されるものではない。
【００７２】
トランジスタＤＴの半導体層５２０は、ソース電極又はドレイン電極５５０，５５０'に接続される領域を含み、アクティブ（active）または活性化領域の役割をする領域を含むことができる。また、半導体層５２０は低温多結晶シリコン（Low Temperature Poly Silicon）でありうる。
【００７３】
更に他の実施形態に係る有機発光表示パネル１４０の第２プレート５４０の一部は、トランジスタＤＴの半導体層５２０と重畳し、第２プレート５４０と第１プレート５３０とは大部分の領域が重畳する。これによって、ストレージキャパシタＣｓｔｇの静電容量を大きくすることができ、トランジスタＤＴが形成された領域を除外したストレージキャパシタＣｓｔｇ形成領域のサイズが減るので、非開口部の領域が減るようになり、これによって開口率を向上する効果がある。
【００７４】
図１０ａ及び図１０ｂは、実施形態に係る有機発光表示パネル１４０の画素内の第２プレート５４０の構造的な特徴を説明するための図である。
【００７５】
図１０ａ及び図１０ｂを参照すると、有機発光表示パネル１４０は、基板５１０上に形成された半導体層５２０、半導体層５２０上に位置する第１プレート５３０とを含むトランジスタＤＴ、及び第１プレート５３０上に位置する第２プレート５４０を含む構造が図示される。
【００７６】
また、有機発光表示パネル１４０は、半導体層５２０とゲート部５３０ａとの間に形成された第１絶縁膜５２２、キャパシタ形成部５３０ｂと第２プレート５４０との間に形成された第２絶縁膜５３２、及び第２プレート５４０上に形成された第３絶縁膜５４２が形成される。
【００７７】
ここで、トランジスタＤＴは駆動トランジスタであり、低温多結晶シリコントランジスタ（ＬＴＰＳ ＴＦＴ）でありうる。
【００７８】
図１０ａは第２プレート５４０が半導体層５２０と重畳しない場合であり、図１０ｂは第２プレート５４０が半導体層５２０と重畳する場合である。
【００７９】
半導体層５２０は低温多結晶シリコンからなることができ、前述したように、低温多結晶シリコンの場合、形成過程で、グレインバウンダリによって多数の突出部５００が形成される。これによって、半導体層５２０の上方（図面で縦方向）への厚さは一定でなく形成される。即ち、半導体層５２０の上部表面に屈曲が発生し、これによって半導体層５２０上の第１プレート５３０、第１絶縁膜５２２、第２絶縁膜５３２、及び第３絶縁膜５４２で半導体層５２０と重畳する部分の形状は、半導体層５２０の表面形状に対応するように形成できる。
【００８０】
この際、第２プレート５４０が半導体層５２０と重畳する場合、トランジスタＤＴの電気的特性の低下をもたらすことがある。例えば、半導体層５２０を劣化させてシリコンバンドギャップ（band gap）内にシリコン原子が結合されていない領域であるトラッピングサイト（trapping site）が多く形成され、これによって電気的特性が低下することがある。具体的には、しきい値電圧（threshold voltage）が増加し、電界効果移動度（field effect mobility）が減少し、リーク電流の増加などの問題点が発生することがある。
【００８１】
また、突出部５００の存在によって、第１プレート５３０、絶縁膜５２２、５３２、５４２、及び第２プレート５４０にクラック（crack）が発生することがあり、ステップカバレッジ（step coverage）特性が低下することがある。
【００８２】
前述した問題点により、有機発光表示パネル１４０がターンオンされた時、多数の暗点が発生して、輝度や明暗比の特性が低下することがある。
【００８３】
但し、第２プレート５４０が半導体層５２０と重畳しないように形成される場合、突出部５００によるトランジスタＤＴの電気的特性の低下を防止することができる効果が発生する。これによって、有機発光表示パネル１４０の低い駆動電圧を具現し、リーク電流を低下させて、暗点の発生を防止することができる。
【００８４】
以上、図面を参照して実施形態を説明したが、本発明はこれに制限されるものではない。
【００８５】
以上で記載された“含む”、“構成する”、または“有する”などの用語は、特別に反対になる記載がない限り、該当構成要素が内在できることを意味するものであるので、他の構成要素を除外するのでなく、他の構成要素を更に含むことができることと解釈されるべきである。技術的または科学的な用語を含んだ全ての用語は、異に定義されない限り、本発明が属する技術分野で通常の知識を有する者により一般的に理解されることと同一な意味を有する。辞典に定義された用語のように、一般的に使われる用語は関連技術の文脈上の意味と一致するものと解釈されるべきであり、本発明で明らかに定義しない限り、理想的であるとか、過度に形式的な意味として解釈されない。
【００８６】
以上の説明は、本発明の技術思想を例示的に説明したことに過ぎないものであって、本発明が属する技術分野で通常の知識を有する者であれば、本発明の本質的な特性から逸脱しない範囲で多様な修正及び変形が可能である。したがって、本発明に開示された実施形態は本発明の技術思想を限定するためのものではなく、説明するためのものであるので、このような実施形態により本発明の技術思想の範囲が限定されるものではない。本発明の保護範囲は請求範囲により解釈されなければならず、それと同等な範囲内にある全ての技術思想は本発明の権利範囲に含まれるものと解釈されるべきである。
【符号の説明】
【００８７】
５１０    基板
５２０    半導体層
５２２    第１絶縁膜
５３０    第１プレート
５３２    第２絶縁膜
５４０    第２プレート
５４２    第３絶縁膜
５５０    ソース電極またはドレイン電極
５６０    平坦化膜
【図１】
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【図２】
0006392184.tif 000003
【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０Ａ】
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【図１０Ｂ】
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