(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
回転軸と、
前記回転軸に接続された回転ステージであり、前記回転軸の中心軸線に対して周方向に配列された複数の載置領域において複数のウエハを保持するように構成された、該回転ステージと、
前記回転ステージをその内部空間に収容するよう構成されたサセプタと、
前記内部空間において、前記回転ステージの外側から前記中心軸線に対して直交する方向に沿った処理ガスの流れを形成するよう構成されたガス供給機構と、
前記サセプタを収容する容器と、
前記サセプタを覆うように前記容器と前記サセプタとの間に設けられた第１の断熱材と、
前記内部空間内に設けられた第２の断熱材であり、前記中心軸線に最も近い前記複数の載置領域内の位置よりも前記中心軸線に対して外側、且つ、前記中心軸線から最も遠い前記複数の載置領域内の位置よりも前記中心軸線に対して内側に位置する断熱領域に設けられた第２の断熱材と、
を備え、
前記回転ステージは、その上に前記複数のウエハを保持する第１面と該第１面と反対側の第２面とを有し、
前記第２の断熱材は、前記第２面と前記サセプタとの間に設けられている、
成膜装置。
【請求項２】
前記第２の断熱材は前記断熱領域において延在する環状板形状を有する、請求項１に記載の成膜装置。
【請求項３】
前記回転ステージ上に搭載されるホルダを更に備え、
前記ホルダは前記複数の載置領域を提供する、
請求項１又は２に記載の成膜装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明の実施形態は、成膜装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
近年、半導体パワーデバイスといった電子デバイスに、炭化ケイ素（ＳｉＣ）が用いられるようになっている。このような電子デバイスの製造においては、ＳｉＣ基板上にＳｉＣ膜をエピタキシャル成長によって成膜する処理が実行される。
【０００３】
上述した処理には、枚葉式の成膜装置よりもスループットに優れたセミバッチ式の成膜装置を用いることができる。セミバッチ式の成膜装置は、例えば、特開２０１４−２７０２８号公報、特開２００８−１５９９４７号公報等の文献に記載されている。
【０００４】
上記の文献のうち特開２００８−１５９９４７号公報に記載された成膜装置は、回転軸、回転ステージ、サセプタ、容器、断熱材、及びガス供給機構を備えている。回転ステージは、回転軸に結合されている。この回転ステージ上にはホルダが搭載される。ホルダは、複数のウエハが載置される複数の載置領域を提供している。ホルダは、複数の載置領域が回転軸の中心軸線に対して周方向に配列されるよう、回転ステージ上に載置される。サセプタは、角筒形状を有しており、その内部空間に回転ステージを収容している。サセプタは、誘導加熱によって加熱されるようになっている。容器は、サセプタを収容している。サセプタと容器との間には、断熱材が設けられている。ガス供給機構は、回転ステージの外側から回転軸に直交する方向に処理ガスの流れを形成するよう構成されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２０１４−２７０２８号公報
【特許文献２】特開２００８−１５９９４７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
ＳｉＣ膜のエピタキシャル成長においては、ｐ型又はｎ型の不純物を、当該ＳｉＣ膜に取り込むように成膜が行われる。特にｐ型では、ＳｉＣ膜に取り込まれる不純物の濃度は、ウエハ面内の温度が低い領域では高くなり、温度が高い領域では低くなる。したがって、不純物の濃度のウエハの面内におけるバラツキを抑制するためには、成膜時のウエハの面内における温度のバラツキを低減させる必要がある。しかしながら、ウエハの温度のバラツキを低減させる観点からは、上述した従来のセミバッチ式の成膜装置には更なる改良が望まれている。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
一態様においては、セミバッチ式の成膜装置が提供される。この成膜装置は、回転軸、回転ステージ、サセプタ、ガス供給機構、容器、第１の断熱材、及び第２の断熱材を備える。回転ステージは、回転軸に接続されている。回転ステージは、複数のウエハを保持するように構成されている。複数のウエハは、回転軸の中心軸線に対して周方向に配列された複数の載置領域に載置される。サセプタは、回転ステージをその内部空間に収容するよう構成されている。ガス供給機構は、前記内部空間において、回転ステージの外側から中心軸線に対して直交する方向に沿った処理ガスの流れを形成するよう構成されている。容器はサセプタを収容している。第１の断熱材は、サセプタを覆うように容器とサセプタとの間に設けられている。第２の断熱材は、サセプタによって提供される内部空間内に設けられている。また、第２の断熱材は、回転軸の中心軸線に最も近い複数の載置領域内の位置よりも当該中心軸線に対して外側、且つ、回転軸の中心軸線から最も遠い複数の載置領域内の位置よりも当該中心軸線に対して内側に位置する断熱領域に設けられている。
【０００８】
一態様に係る成膜装置では、回転ステージに回転軸が接続されているので、当該回転軸が延在する領域にはサセプタを存在させることができない。よって、中心軸線に近いウエハ内の領域にはサセプタからの熱が伝達されにくく、また、当該領域から熱が奪われる傾向がある。また、当該成膜装置では、回転ステージの外側から、中心軸線に対して直交する方向に処理ガスが供給されるので、中心軸線から遠いウエハ内の領域の熱が処理ガスにより奪われ易い傾向がある。このため、当該成膜装置では、第２の断熱材が、上述した断熱領域に設けられている。この第２の断熱材により、中心軸線に近い領域と中心軸線から遠い領域との間の中間の領域における成膜時のウエハの温度が下げられる。したがって、ウエハの面内における温度のバラツキを低減させることが可能となる。
【０００９】
一実施形態では、回転ステージは、その上に複数のウエハを保持する第１面と該第１面と反対側の第２面とを有し、第２の断熱材は、第２面とサセプタとの間に設けられていてもよい。ウエハを保持する部材からウエハに伝達する熱量は、当該部材を構成する物質によるウエハの汚染（特にウエハ裏面へのデポ）を防止するためには、極力少ないことが望ましい。この実施形態では、第２の断熱材がサセプタと回転ステージの第２面との間に設けられているので、ウエハを保持する部材に伝達する熱量が低減される。したがって、ウエハの汚染を抑制することが可能となる。
【００１０】
一実施形態では、第２の断熱材は断熱領域において延在する環状板形状を有していてもよい。なお、複数の第２の断熱材が、当該断熱領域内において分布していてもよい。また、第２の断熱材が部分的に断熱領域外に延び出していてもよい。
【００１１】
一実施形態において、成膜装置は、回転ステージ上に搭載されるホルダを更に備え、当該ホルダが前記複数の載置領域を提供していてもよい。
【発明の効果】
【００１２】
以上説明したように、セミバッチ式の成膜装置においてウエハの面内における温度のバラツキを低減させることが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
【図１】一実施形態に係る成膜システムを示す図である。
【図２】一実施形態に係る成膜装置を概略的に示す図である。
【図３】図２に示す成膜装置の容器の内部の構造を示す断面図である。
【図４】図３に示すホルダ及び回転ステージを示す平面図である。
【図５】図３に示すサセプタの斜視図である。
【図６】図３に示す成膜装置のサセプタ、回転ステージ、及び第２の断熱材を模式的に示す図である。
【図７】第２の断熱材の位置決めを行うための構造の例を示す断面図である。
【図８】第２の断熱材の位置決めを行うための構造の例を示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１４】
以下、図面を参照して種々の実施形態について詳細に説明する。なお、各図面において同一又は相当の部分に対しては同一の符号を附すこととする。
【００１５】
まず、一実施形態に係る成膜装置を備える成膜システムについて説明する。図１は、一実施形態に係る成膜システムを示す図である。図１に示す成膜システム１は、ポート１０２Ａ〜１０２Ｃ、ローダモジュール１０４、位置合わせ機構１０６、ロードロックチャンバ１０８Ａ及び１０８Ｂ、トランスファーモジュール１１０、及び、一実施形態に係る成膜装置１０を備えている。
【００１６】
ポート１０２Ａ〜１０２Ｃのそれぞれには、後述するホルダが収容されている。ホルダ上には、後述するように、複数のウエハが載置されている。ポート１０２Ａ〜１０２Ｃは、ローダモジュール１０４に接続されている。
【００１７】
ローダモジュール１０４は、チャンバ、及び、当該チャンバ内に設けられた搬送装置を有している。ローダモジュール１０４の搬送装置は、ポート１０２Ａ〜１０２Ｃの何れかに収容されているホルダを取り出し、当該ホルダを、ロードロックチャンバ１０８Ａ及び１０８Ｂのうち何れかに搬送する。なお、ロードロックチャンバ１０８Ａ又は１０８Ｂに搬送される前に、ホルダが位置合わせ機構１０６に送られて、当該位置合わせ機構１０６によって当該ホルダの位置合わせが行われてもよい。
【００１８】
ロードロックチャンバ１０８Ａ及び１０８Ｂは、予備減圧室を提供している。ローダモジュール１０４の搬送装置によって搬送されたホルダは、ロードロックチャンバ１０８Ａ及び１０８Ｂの何れかの予備減圧室に収容される。
【００１９】
トランスファーモジュール１１０は、ロードロックチャンバ１０８Ａ及び１０８Ｂに接続されている。トランスファーモジュール１１０は、減圧可能なチャンバ、及び当該チャンバ内に設けられた搬送装置を有している。トランスファーモジュール１１０の搬送装置は、搬送アームを有している。この搬送アームは、ロードロックチャンバ１０８Ａ又は１０８Ｂの予備減圧室に収容されているホルダを取り出し、当該ホルダを成膜装置１０に搬送する。
【００２０】
以下、一実施形態に係る成膜装置１０について説明する。図２は、一実施形態に係る成膜装置を概略的に示す図である。図２に示すように、成膜装置１０は、容器１２を備えている。容器１２は、略直方体形状の外形を有する箱形の容器であり、その内部に減圧可能な空間Ｓ（図３参照）を提供している。
【００２１】
容器１２には、圧力調整器１４を介して排気装置１６が接続されている。排気装置１６は、例えば、真空ポンプである。この排気装置１６によって、容器１２内の空間Ｓが減圧されるようになっている。また、容器１２には圧力計１８が接続されている。圧力計１８は、容器１２内の空間の圧力を測定する。圧力調整器１４は、圧力計１８によって測定された圧力測定値に基づき、容器１２内の空間の圧力を調整するよう動作する。
【００２２】
容器１２の周囲には、コイル２０が設けられている。コイル２０は高周波電源２２に接続されている。高周波電源２２からの高周波電力がコイル２０に供給されると、後述するサセプタが誘導加熱によって加熱される。
【００２３】
また、成膜装置１０は、ガス供給機構ＧＭを備えている。ガス供給機構ＧＭは、バルブＶ１〜Ｖ６、流量制御器ＦＣ１〜ＦＣ６、ガスラインＧＬ１、ガスラインＧＬ２、及び、ガス供給器２４を有している。バルブＶ１〜Ｖ６はそれぞれ、ガスソースＧＳ１〜ＧＳ６に接続されている。ガスソースＧＳ１は、シリコンを含有する原料ガスのソースであり、例えば、ＳｉＨ４ガスのソースである。ガスソースＧＳ２は、炭素を含有するガスのソースであり、例えば、Ｃ３Ｈ８ガスのソースである。ガスソースＧＳ３は、キャリアガスのソースであり、例えば、Ｈ２ガスのソースである。ガスソースＧＳ４は、ｐ型の不純物を含有するソースであり、例えば、ＴＭＡ（トリメチルアルミニウム）ガスのソースである。ガスソースＧＳ５は、ｎ型の不純物を含有するソースであり、例えば、Ｎ２ガスのソースである。また、ガスソースＧＳ６は、冷却用のガスのソースであり、例えば、Ａｒガスといった希ガスのソースである。
【００２４】
バルブＶ１〜Ｖ６はそれぞれ、流量制御器ＦＣ１〜ＦＣ６に接続されている。流量制御器ＦＣ１〜ＦＣ６は、マスフローコントローラ又は圧力制御式の流量制御器である。流量制御器ＦＣ１〜ＦＣ５は、共通のガスラインＧＬ１に接続されており、当該ガスラインＧＬ１は、ガス供給器２４に接続されている。このガス供給器２４は、容器１２によって提供される空間Ｓのうち後述する成膜用の空間Ｓ１（図３参照）に処理ガスを供給する。
【００２５】
流量制御器ＦＣ６はガスラインＧＬ２に接続されており、当該ガスラインＧＬ２は、容器１２によって提供される空間Ｓのうち後述する空間Ｓ２（図３参照）に冷却用のガスを供給する。
【００２６】
また、成膜装置１０は、制御器２６を更に備え得る。制御器２６は、ＣＰＵ、記憶装置、キーボードといった入力装置、表示部、及び、通信装置を有し得る。記憶装置には、成膜装置１０において実行される成膜処理の各工程において当該成膜装置１０の各部を制御するプログラム、即ちレシピが記憶されている。ＣＰＵは、当該プログラムに従って動作し、通信装置を介して成膜装置１０の各部に制御信号を送出する。このような制御器２６の制御により、例えば、バルブＶ１〜Ｖ６、流量制御器ＦＣ１〜ＦＣ６、高周波電源２２、圧力調整器１４、排気装置１６等が制御される。また、後述する回転ステージ用の駆動装置も制御される。
【００２７】
以下、図３を参照し、成膜装置１０の容器１２内部の構造について説明する。図３は、図２に示す成膜装置の容器の内部の構造を示す断面図である。図３に示すように、成膜装置１０は、容器１２の内部に、回転ステージ３０、サセプタ３２、及び、第１の断熱材３４を備えている。また、成膜装置１０は、回転軸３６を更に備えている。
【００２８】
回転ステージ３０は、複数のウエハＷを保持し、当該複数のウエハＷを中心軸線Ｚ周りに回転させるように構成されている。一実施形態では、回転ステージ３０は、略円盤形状を有している。回転ステージ３０は、例えば、ＳｉＣによってコーティングされたグラファイト製の部材であってもよく、又は、多結晶ＳｉＣ製の部材であってもよい。この回転ステージ３０の中心には、回転軸３６が接続されている。回転軸３６は、略円柱形状をなしており、鉛直方向、即ち、中心軸線Ｚが延びる方向に延在している。中心軸線Ｚは、この回転軸３６の中心軸線である。この回転軸３６は、駆動装置３８に接続されている。駆動装置３８は、回転軸３６を中心軸線Ｚ中心に回転させる動力を発生し、回転ステージ３０を中心軸線Ｚ中心に回転させる。
【００２９】
回転ステージ３０は、一実施形態では、互いに対向する第１面３０ａ及び第２面３０ｂを有している。第１面３０ａは、回転ステージ３０の上側の面であり、第２面３０ｂは、第１面３０ａの反対側の面、即ち、回転ステージ３０の下側の面である。複数のウエハＷは第１面３０ａの上に保持される。一実施形態では、複数のウエハＷは、ホルダ４０上に載置され、当該ホルダ４０が回転ステージ３０上に搭載される。
【００３０】
図４は、図３に示すホルダ及び回転ステージを上方から視て示す平面図である。図３及び図４に示すように、ホルダ４０は、略円板形状の部材であり、例えば、ＳｉＣによってコーティングされたグラファイト製の部材であってもよく、又は、多結晶ＳｉＣ製の部材であってもよい。一実施形態では、回転ステージ３０の第１面３０ａは中心軸線Ｚ中心に周方向に延びる円形状の凹部を画成している。ホルダ４０は、この凹部内に嵌め込まれる。
【００３１】
ホルダ４０の上面は、複数のウエハＷがそれぞれ載置される複数の載置領域４０ａを提供している。複数の載置領域４０ａは、ホルダ４０の中心に対して周方向に配列されている。したがって、ホルダ４０が回転ステージ３０上に載置された状態では、複数の載置領域４０ａ及びウエハＷは中心軸線Ｚに対して周方向に並ぶように配列される。なお、図４においては、載置領域４０ａの個数は８であるが、載置領域４０ａの個数は２以上の任意の個数であり得る。
【００３２】
一実施形態では、複数の載置領域４０ａのそれぞれは、凹部を画成するホルダ４０の面であってもよい。当該凹部は、ウエハＷの直径よりも若干大きな直径を有する円形の平面形状を有する。この実施形態では、複数のウエハＷはそれぞれ、ホルダ４０によって提供される凹部内に嵌め込まれ、複数の載置領域４０ａ上に載置される。このように回転ステージ３０によって保持された複数のウエハＷは、回転軸３６の回転に伴う回転ステージ３０の回転により、成膜中に中心軸線Ｚに対して周方向に回転される。
【００３３】
回転ステージ３０は、サセプタ３２の内部空間、即ち、サセプタ３２によって提供される成膜用の空間Ｓ１内に収容されている。図５は、図３に示すサセプタの斜視図である。サセプタ３２は、略角筒形状の部材である。サセプタ３２は、中心軸線Ｚに直交するＸ方向の両端において開口を提供している。サセプタ３２は、例えば、ＳｉＣでコーティングされたグラファイトから構成され得る。
【００３４】
具体的に、サセプタ３２は、一対の壁部３２ａ及び３２ｂ、並びに、一対の壁部３２ｃ及び３２ｄを有している。一対の壁部３２ａ及び３２ｂは、略平板状であり、互いに対向している。壁部３２ａは、回転ステージ３０の第１面３０ａに対面しており、壁部３２ｂは、回転ステージ３０の第２面３０ｂに対面している。一対の壁部３２ｃ及び３２ｄは、互いに対向しており、一対の壁部３２ａ及び３２ｂに交差する方向に延在して当該一対の壁部３２ａ及び３２ｂの縁部に接続している。
【００３５】
サセプタ３２は、コイル２０による誘導加熱によって加熱される。サセプタ３２が加熱されると、当該サセプタ３２からの輻射等により、回転ステージ３０、ホルダ４０、及び、複数のウエハＷが加熱される。即ち、サセプタ３２は、回転ステージ３０、ホルダ４０、及び、複数のウエハＷを、４面から加熱するように構成されている。
【００３６】
サセプタ３２は、第１の断熱材３４によって覆われている。一実施形態では、第１の断熱材３４は、サセプタ３２の外面に沿って延びる略箱形の形状を有しており、Ｘ方向の両端において、サセプタ３２の開口に連続する開口を提供している。第１の断熱材３４は、サセプタ３２の熱伝導率よりも低い熱伝導率を有している。例えば、第１の断熱材３４は、グラファイトから構成され得る。但し、第１の断熱材３４を構成するカーボン材料の密度はサセプタ３２を構成するカーボン材料の密度よりも低い。このため、第１の断熱材３４は、例えば、カーボン繊維から構成され得る。第１の断熱材３４は、サセプタ３２と容器１２との間に介在しており、サセプタ３２から容器１２に向かう熱の伝達を阻害し、サセプタ３２からの熱を、回転ステージ３０、ホルダ４０、及び、複数のウエハＷに向けて伝達させる。これにより、効率の良いウエハＷの加熱が可能となっている。
【００３７】
第１の断熱材３４は、保持部材４２によって覆われている。即ち、保持部材４２は、回転ステージ３０、サセプタ３２、及び第１の断熱材３４を収容する空間を提供している。この空間は、Ｘ方向に延びている。また、保持部材４２は、Ｘ方向の両端において開口し、且つ、空間Ｓ１に通じる経路を提供している。この保持部材４２は、例えば、石英から構成され得る。保持部材４２は、柱状の支持部４４を介して容器１２の内面に支持されている。この保持部材４２と容器１２との間には、上述した空間Ｓ２が形成されており、当該空間Ｓ２には、上述したように冷却用のガスが供給されるようになっている。
【００３８】
また、保持部材４２のＸ方向における一方の開口端には、上述したガス供給器２４が取り付けられている。ガス供給器２４は、成膜用の空間Ｓ１内において、Ｘ方向に向かう処理ガスの流れを形成する。即ち、ガス供給器２４は、回転ステージ３０の外側からＸ方向に向かい、且つ、複数のウエハＷの成膜面に沿った方向に向かう処理ガスの流れを形成する。一実施形態では、ガス供給器２４は、中心軸線Ｚが延びる方向及びＸ方向に直交する方向に配列された複数のガス吐出口を提供している。図３に示すように、ガス供給器２４は、保持部材４２によって提供される開口の下側部分に対面するよう配置されている。当該開口の上側部分は、上述したトランスファーモジュール１１０の搬送アームが、ホルダ４０を空間Ｓ１に搬送する際に、通過するようになっている。
【００３９】
なお、サセプタ３２、第１の断熱材３４、及び保持部材４２には、回転軸３６が通る貫通孔が形成されているが、空間Ｓ１に供給された処理ガスが当該貫通孔から漏れ出さないよう、回転軸３６の周囲には磁性流体シールといった封止部が設けられ得る。また、容器１２にも、回転軸３６が通る孔が形成されるが、空間Ｓ２に供給されたガスが当該孔から漏れ出さないよう、回転軸３６と容器１２との間には、磁性流体シールといった封止部が設けられ得る。
【００４０】
図３に示すように、成膜装置１０は、第２の断熱材５０を更に備えている。第２の断熱材５０は、サセプタ３２の熱伝導率よりも低い熱伝導率を有している。例えば、第２の断熱材５０は、グラファイトから構成され得る。但し、第２の断熱材５０を構成するカーボン材料の密度はサセプタ３２を構成するカーボン材料の密度よりも低くなっている。このため、第２の断熱材５０は、例えば、カーボン繊維から構成され得る。
【００４１】
第２の断熱材５０は、断熱領域５２に設けられている。この断熱領域５２は、サセプタ３２の内部空間内の領域である。即ち、断熱領域５２は、サセプタ３２の上側内面３２ｆと下側内面３２ｇとの間に位置している。また、断熱領域５２は中心軸線Ｚに最も近い複数の載置領域４０ａ内の位置よりも中心軸線Ｚに対して外側、且つ、中心軸線Ｚから最も遠い複数の載置領域４０ａ内の位置よりも中心軸線に対して内側に位置している。換言すると、断熱領域５２は、複数の載置領域４０ａ内の全ての位置のうち中心軸線Ｚから径方向に最短距離を有する位置よりも中心軸線Ｚに対して外側、且つ、複数の載置領域４０ａ内の全ての位置のうち中心軸線Ｚから径方向に最大距離を有する位置よりも中心軸線Ｚに対して内側に位置している。なお、図４においては、中心軸線Ｚを中心に上記最短距離を半径とする円Ｃ１が描かれており、中心軸線Ｚを中心に上記最大距離を半径とする円Ｃ２が描かれている。同図中に示されるように、断熱領域５２は、中心軸線Ｚに対して円Ｃ１よりも外側、且つ、円Ｃ２よりも内側の環状の領域である。
【００４２】
一実施形態では、第２の断熱材５０は、略環状板形状を有しており、回転ステージ３０の第２面３０ｂとサセプタ３２の下側内面３２ｇとの間に設けられている。より具体的な例では、第２の断熱材５０は、サセプタ３２の下側内面３２ｇ上に設けられている。
【００４３】
この成膜装置１０では、ウエハＷ上にＳｉＣをエピタキシャル成長させる際には、複数のウエハＷを保持した回転ステージ３０が回転される。また、コイル２０による誘導加熱により、サセプタ３２が加熱され、当該サセプタ３２からの輻射によって、複数のウエハＷが加熱される。例えば、複数のウエハＷは１６００℃程度の温度に加熱される。また、ガス供給機構ＧＭのガス供給器２４から処理ガスが空間Ｓ１内においてＸ方向に供給される。この処理ガスは、例えば、ＳｉＨ４ガス、Ｃ３Ｈ８ガス、及びＨ２ガスを含む。また、エピタキシャル成長膜にｐ型の不純物を取り込む場合には、処理ガスは、例えば、ＴＭＡガスを更に含み得る。或いは、エピタキシャル成長膜にｎ型の不純物を取り込む場合には、処理ガスは、例えば、Ｎ２ガスを更に含み得る。このような成膜処理により、ウエハＷ上にＳｉＣのエピタキシャル成長膜が形成される。
【００４４】
この成膜装置１０では、回転ステージ３０の中心に回転軸３６が接続されているので、回転軸３６が延在する領域にはサセプタ３２が存在しない。よって、中心軸線Ｚに近いウエハＷ内の領域にはサセプタ３２からの熱が伝達されにくく、また、当該領域から熱が奪われる傾向がある。また、回転ステージ３０の外側から、中心軸線Ｚに対して直交する方向、即ちＸ方向に処理ガスが供給されるので、中心軸線Ｚから遠いウエハＷ内の領域の熱が処理ガスにより奪われ易い傾向がある。このため、第２の断熱材５０が、上述した断熱領域５２に設けられている。
【００４５】
図６は、図３に示す成膜装置のサセプタ３２、回転ステージ３０、及び第２の断熱材５０を模式的に示す図であり、サセプタ３２、回転ステージ３０、及び第２の断熱材５０の中心軸線Ｚの一方側の部分のみを示している。図６に示すように、第２の断熱材５０は、中心軸線Ｚに近いウエハＷ内の領域ＲＮと中心軸線Ｚから遠いウエハＷ内の領域ＲＦとの間の、ウエハＷ内の中間の領域ＲＭに対するサセプタ３２からの輻射による熱の伝達を阻害する。したがって、第２の断熱材５０により、中間の領域ＲＭにおける成膜時のウエハＷの温度が下げられる。また、第２の断熱材５０によって伝達を阻害された熱は、図中矢印で示すように、サセプタ３２内を伝達する。したがって、第２の断熱材５０によって覆われていない部分においてサセプタ３２による輻射が増大され、ウエハＷ内の領域ＲＭよりも、ウエハＷ内の領域ＲＮ及び領域ＲＦに対して伝達される熱が増大される。その結果、ウエハＷの面内における温度のバラツキが低減される。
【００４６】
成膜時におけるウエハＷの面内における温度のバラツキが低減されると、ＳｉＣエピタキシャル成長膜に取り込まれる不純物の濃度のウエハＷの面内におけるバラツキが低減される。また、ウエハＷの面内における温度のバラツキが生じると、ウエハＷ内の低温の領域において、異状核形成に起因した三角欠陥といった欠陥が発生し得るが、成膜装置１０によれば、低温になり易い傾向のあるウエハＷ内の領域ＲＮ及び領域ＲＦに伝達される熱が増大されて、ウエハＷ内の面内の温度のバラツキが低減されるので、このような欠陥の発生も抑制される。
【００４７】
また、一実施形態では、第２の断熱材５０は、回転ステージ３０の第２面３０ｂとサセプタ３２との間に設けられている。ここで、ホルダ４０からウエハＷに伝達する熱量は、当該ホルダ４０を構成する物質によるウエハＷの汚染を防止するためには、極力少ないことが望ましい。この実施形態では、第２の断熱材５０が回転ステージ３０の第２面３０ｂとサセプタ３２との間に設けられているので、ホルダ４０に伝達する熱量が低減される。したがって、ウエハＷの汚染（特にウエハＷへのデポ）を抑制することが可能となる。
【００４８】
以上、種々の実施形態について説明してきたが、上述した実施形態に限定されることなく種々の変形態様を構成可能である。図７及び図８は、第２の断熱材の位置決めを行うための構造の例を示す断面図であり、図６と同様に、サセプタ３２、回転ステージ３０、及び第２の断熱材５０の中心軸線Ｚの一方側の部分を模式的に示している。例えば、図７に示すように、位置決め部材６０をサセプタ３２に固定し、当該位置決め部材６０に第２の断熱材５０の内縁を当接させることにより、第２の断熱材５０を位置決めする構造が採用されてもよい。なお、位置決め部材６０は、図７に示すように、第２の断熱材５０の内縁に接触する外縁を有する環状板形状を有してもよいが、これに限定されるものではない。また、図８に示すように、サセプタ３２に凹部を形成し、当該凹部内に第２の断熱材５０を嵌め込む構造が採用されていてもよい。
【００４９】
また、図３に示した例では、第２の断熱材５０は環状板形状を有しているが、複数の第２の断熱材が断熱領域５２において分布されていてもよい。例えば、複数の第２の断熱材が断熱領域５２において周方向に配列されていてもよい。また、第２の断熱材は、部分的に断熱領域５２外に延び出していてもよい。
【符号の説明】
【００５０】
１…成膜システム、１０…成膜装置、１２…容器、１６…排気装置、２０…コイル、２４…ガス供給器、２６…制御器、３０…回転ステージ、３２…サセプタ、３４…第１の断熱材、３６…回転軸、３８…駆動装置、４０…ホルダ、４０ａ…載置領域、４２…保持部材、５０…第２の断熱材、５２…断熱領域、ＧＭ…ガス供給機構、Ｚ…中心軸線。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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