(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
イオンによる処置のためにウェハを支持するように構成されたクランプ面を有し、前記クランプ面の下に少なくとも１対の電極も有するプラテンと、
前記少なくとも１対の電極へのＡＣ信号および前記ＡＣ信号を表わす感知信号を供給するように構成されたクランプ電源と、
前記クランプ面にウェハがクランプされていないときに前記クランプ電源から前記感知信号を受信し、前記感知信号を監視して前記感知信号が所定の堆積物閾値を上回る前記クランプ面上の堆積物を表わすか否かを決定するように構成されたコントローラと、を備え、
前記コントローラは、
前記クランプ面にウェハがクランプされていないときに前記ＡＣ信号の電流レベルの振幅が所定の振幅閾値を上回るか否かを分析することによって、前記感知信号が前記所定の堆積物閾値を上回る前記クランプ面上の堆積物を表わすか否かを決定し、
前記ＡＣ信号の振幅が前記所定の振幅閾値を上回る場合に、前記プラテンの前記クランプ面のスパッタ洗浄処理を始め、
前記感知信号を分析することによって、前記スパッタ洗浄処理中の前記堆積物の除去速度を監視し、
前記除去速度に応じて、予想される洗浄時間間隔を算出する、
イオン注入装置。
【請求項２】
前記所定の振幅閾値はピークツーピークで２．５ｍＡである、請求項１に記載のイオン注入装置。
【請求項３】
クランプ面を有するプラテンの少なくとも１対の電極にＡＣ信号を供給するステップと、
前記クランプ面にウェハがクランプされていないときに前記ＡＣ信号を表わす感知信号を監視するステップと、
前記クランプ面にウェハがクランプされていないときに記感知信号が所定の堆積物閾値を上回る前記クランプ面上の堆積物を表わすか否かを決定するステップと、
前記感知信号が前記所定の堆積物閾値を上回る前記クランプ面上の堆積物を表わすか否かを決定するために、前記クランプ面にウェハがクランプされていないときに前記ＡＣ信号の電流レベルの振幅を所定の振幅閾値と比較するステップと、
前記ＡＣ信号の振幅が前記所定の振幅閾値を上回る場合に、前記プラテンの前記クランプ面のスパッタ洗浄処理を始めるステップと、
前記感知信号を分析することによって、前記スパッタ洗浄処理中の前記堆積物の除去速度を監視するステップと、
前記除去速度に応じて、予想される洗浄時間間隔を算出するステップと、
を含むイオン注入装置の動作方法。
【請求項４】
前記感知信号は、前記ＡＣ信号の振幅が前記所定の振幅閾値を上回る場合に、前記所定の堆積物閾値を上回る前記クランプ面上の堆積物を表わす、請求項３に記載の方法。
【請求項５】
前記感知信号は、前記ＡＣ信号の振幅が前記所定の振幅閾値を下回る場合に、前記所定の堆積物閾値を下回る前記クランプ面上の堆積物を表わす、請求項３に記載の方法。
【請求項６】
前記所定の振幅閾値はピークツーピークで２．５ｍＡである、請求項３に記載の方法。
【請求項７】
前記ＡＣ信号の振幅が前記所定の振幅閾値を下回るまで、ウェハが前記クランプ面にクランプされるのを阻止するステップ
さらに含む請求項３に記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
（関連出願の相互参照）
本出願は、２０１２年３月２３日に出願された米国仮特許出願第６１／６１４，５６４号の利益を主張するものであり、この先行出願は参照により本明細書に組み込まれる。
【０００２】
本発明はプラテンに関し、より詳しくはプラテンのクランプ面の監視に関する。
【背景技術】
【０００３】
イオン注入は伝導率を変える不純物を半導体ウェハに導入するための標準的な技術である。イオン注入は、ビームラインイオン注入装置またはプラズマドーピング注入装置で行うことができる。ビームラインイオン注入装置では、ドーパントガスをイオン源でイオン化し、そして、イオンをイオン源から抽出して、所望エネルギーのビームを形成するために加速することができる。それから、イオンビームを、プラテンで支持されるウェハの前面に向けることができる。ウェハは半導体ウェハとすることができ、イオンビームのエネルギーイオンは、アニール工程後に半導体ウェハの結晶格子に埋め込まれて、所望伝導率の領域を形成する。プラズマドーピング注入装置は、プラテンで支持されるウェハをプラズマチャンバ内に位置付ける。プラズマはプラズマチャンバ内で生成され、プラズマからのイオンは、例えばウェハおよび／またはプラズマチャンバにバイアスをかけることによって、ウェハの方へ加速される。
【０００４】
殆どのプラテンは、ウェハをプラテンのクランプ面にクランプするのに静電力を利用する静電チャックである。プラテンのクランプ面は、イオンビーム副産物の堆積のために、例えばイオンビームがドーズ量制御用ファラデーカップに長期間衝突する際のインスタンスにクランプ面上に蓄積するヒ素の堆積が原因で時間が経つと汚れる。
【０００５】
プラテンのクランプ面上の堆積物は、特に高温イオン注入すなわち高温注入で問題となる。集積回路メーカーは、次世代デバイス、例えば、フィン型電界効果トランジスタ（ＦｉｎＦＥＴｓ）の開発のために高温注入で実験している。高温注入は、通常１５０℃を超える温度で行われる。３００℃を超える温度で行われる高温注入もあれば、３００℃から７５０℃の間で行われる高温注入もある。イオンビーム副産物からの典型的な堆積物に加えて、さらにいくらかの堆積物が熱いクランプ面に引きつけられる。これに加えて、熱的活性化反応がプラテンの熱いクランプ面で生じ、高温注入プロセスの間に更なる堆積物を発生し得る。例えば炭素、フッ素、タングステンおよび水素といった微量の物質が、イオン注入装置内に存在し得る。これらの物質は、熱的活性化反応に寄与して、プラテンのクランプ面上に追加の不必要な堆積物を生成する。この一例は、ガス状の前駆体からの高融点金属の分解である。他の例は、メタンの反応からの炭素の分解である。
【０００６】
プラテンのクランプ面上の堆積物の蓄積は、プラテンによって提供される締め付け力に悪影響を及ぼす。堆積物は、ウェハを保持する静電界を分路し得る。清浄化されなければ、堆積物の蓄積は、過度のレベルに達して、ウェハの不慮の落下およびウェハの破損の原因となるかもしれない。低エネルギーイオンがプラテンのクランプ面に向けられるスパッタ洗浄処理を用いてクランプ面を有効に清浄することができる。しかし、クランプ面上の堆積物の蓄積量と位置は多くの変数に依存しているため、いつスパッタ洗浄処理が必要であるかを予測するのは困難である。このことは、スパッタ洗浄のためにイオン処理を過度に中断させるかもしれない。これは、スループット性能、すなわち所与の一定期間に処理できるウェハの個数を低下させ、従って、所有コストに悪影響を及ぼす。あるいは、頻繁に十分に浄化されなければ、ウェハの落下および破損の危険性が存在する。これに加えて、イオン注入装置がウェハを処理しているときに、その場で堆積物の量を監視するのは困難である。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
したがって、堆積物の過度な蓄積の指標のために、プラテン面を技術的に監視する必要がある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本開示の一態様によれば、イオン注入装置が提供される。このイオン注入装置は、イオンで処置するウェハを支持するように構成されたクランプ面を有し、前記クランプ面の下に少なくとも１対の電極も有するプラテンと、前記少なくとも１対の電極へのＡＣ信号および前記ＡＣ信号を表わす感知信号を供給するように構成されたクランプ電源と、コントローラと、を備える。前記コントローラは、前記クランプ面にウェハがクランプされていないときに前記クランプ電源から前記感知信号を受信するように構成される。前記コントローラは、さらに、前記感知信号を監視して該感知信号が所定の堆積物閾値を超える前記クランプ面上の堆積物を表わすかどうかを決定するように構成される。
【０００９】
本開示の別の態様によれば、イオン注入装置の動作方法は、クランプ面を有するプラテンの少なくとも１対の電極にＡＣ信号を供給するステップと、前記クランプ面にウェハがクランプされていないときに前記ＡＣ信号を表わす感知信号を監視するステップと、前記クランプ面にウェハがクランプされていないときに前記感知信号が、所定の堆積物閾値を超える前記クランプ面上の堆積物を表わすかどうかを決定するステップと、を含む。
【００１０】
本発明をより良く理解するために、参照により本明細書に組み込まれる添付の図面を参照する。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】一実施形態のイオン注入装置の概略図である。
【図２Ａ】ウェハが存在しないときのプラテンのきれいなクランプ面の部分拡大断面図である。
【図２Ｂ】ウェハが存在するときの図２Ａのプラテンのきれいなクランプ面の部分拡大断面図である。
【図２Ｃ】ウェハが存在しないときの図２Ａのプラテンの汚れたクランプ面の部分拡大断面図である。
【図３】図１のクランプ電源により供給されるＡＣ信号の電流の時間に対するプロットである。
【図４】スパッタ洗浄処理のための入射角で配向された図１のイオン注入装置の部分断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
図１には、イオン注入装置１００のブロック図が例示されている。イオン注入装置１００は、イオン源１０２、エンドステーション１０５、およびコントローラ１２０を含む。エンドステーション１０５は、プラテン１１２、クランプ電源１７２、ロボット１３２、チルト機構１１８およびヒーター１０６を含んでもよい。イオン源１０２は、イオンビーム１０４を生成するように構成される。イオン注入装置１００は、プラテン１１２で支持されるウェハ１１０の前面の方にイオンビーム１０４が向けられるようにイオンビーム１０４を操作するために、イオン源１０２とプラテン１１２の間に当業者に知られている他のビームラインコンポーネントを含んでもよい。説明を容易にするために、ウェハ１１０は破線で示され、わずかにプラテン１１２のクランプ面１１４から離れて示されている。当業者は、動作中にウェハ１１０がクランプ面１１４と密に接触することを理解するだろう。ウェハ１１０は、３００ミリメートル（ｍｍ）の直径の、または他の直径サイズのディスク状の半導体ウェハであってもよい。プラテン１１２のクランプ面１１４は、ウェハ１１０を支持するために、同じようなディスク状であってもよい。
【００１３】
この技術分野で知られていているように、イオンビーム１０４は、リボンビームまたはスポットビームであってもよい。イオンビーム１０４は、イオンビームの動き、ウェハの動きまたはこれら２つの組合せによってウェハ１１０の前面全体に行きわたらせることができる。一実施態様において、イオンビーム１０４は、断面形状がほぼ長方形のリボンビームであってもよい。リボンビームの長寸法は、短寸法より少なくとも３倍大きくすることができる。ウェハは、ウェハ１１０の前面全体にわたってリボンビームが行きわたるように、リボンビームの長寸法に対して直角の方向に機械的に駆動することができる。
【００１４】
エンドステーション１０５はプラテン１１２を備える。プラテン１１２は、クランプ面１１４を形成する頂部誘電体層１６８を有している静電チャックである。プラテン１１２は、クランプ面１１４の下に少なくとも１対の電極１６０、１６２も有する。いくつかの実施形態では、プラテンは３対の電極、すなわち全部で６つの電極を有する。クランプ電源１７２は、プラテン１１２のクランプ面１１４にウェハ１１０を固定するための静電力を発生させるために、交流（ＡＣ）信号を電極１６０、１６２に供給するように構成される。ＡＣ信号は、定期的な間隔で方向を反転する電流である。ＡＣ信号の例として、方形波信号、正弦波信号または準方形波信号が含まれる。クランプ電源１７２は、ＡＣ信号の感知信号を表すものを供給するように構成された回路１７１も含むのが有利である。
【００１５】
エンドステーション１０５は、ウェハをプラテン１１２に導入し、かつウェハをプラテン１１２から取り外すため自動化したウェハハンドリング装置も備えていてもよい。自動ウェハハンドリング装置は、プラテン１１２への、およびプラテン１１２からのウェハの移動を容易にするためにロボット１３２を備えていてもよい。自動ウェハハンドリング装置は、ウェハを大気条件下からロードロックを介してプラテン１１２への、そして、イオン処理の後にロードロックを介して大気条件下へのウェハの移動を容易にする必要があるので追加のロボットを備えていてもよい。
【００１６】
チルト機構１１８は、イオンビーム１０４に対してプラテン１１２を傾けるように構成される。一実施態様において、チルト機構１１８は、２つの直交軸に対してプラテン１１８を傾けることができる。回転するプラテンまたはロプラットが、そのような能力を備えていてもよい。
【００１７】
エンドステーション１０５は、高温注入のためにウェハ１１０を加熱するように構成されるヒーター１０６も備えることができる。ヒーター１０６はプラテン１１２の外部にあって、ウェハ１１０がヒーターの近くに位置すると、プラテン上に置かれたウェハ１１０を直接加熱することができる。例えば、ヒーター１０６は、高温注入のためにウェハを加熱する、一つ以上のランプを含むことができる。あるいは、ヒーター１０６、例えば加熱素子またはヒートトレースは、プラテン１１２の内部に位置させてもよい。プラテン１１２の内部か、または外部（または、両方で使用されるか）にかかわらず、ヒーター１０６は、１５０℃より高い温度での高温注入を可能にするように構成される。ヒーター１０６は、３００℃から７５０℃の間を含む３００℃より高いウェハ温度で高温注入を可能にするようにも構成される。
【００１８】
コントローラ１２０は、所望の入出力機能を実行するようにプログラムすることができる汎用のコンピュータとするか、または汎用コンピュータのネットワークを含むことができる。コントローラ１２０は、例えば特定用途向け集積回路（ASIC: application specific integrated circuits）、他のハードワイヤードの、またはプログラム可能な電子デバイス、個別素子の回路等のような、他の電子回路またはコンポーネントを含むこともできる。コントローラ１２０は、通信デバイス、データ記憶装置、およびソフトウェアも含んでもよい。コントローラ１２０は、例えばクランプ電源１７２、ロボット１３２、チルト機構１１８、ヒーター１０６、イオン源１０２といった、様々なシステムおよびコンポーネントから入力信号を受信して、これらを制御するために、出力信号をそれぞれに供給することができる。
【００１９】
動作中に、複数のウェハは、イオンビーム１０４で処理するために、プラテン１１２へ、そしてプラテン１１２から循環させてもよい。連続するウェハがイオンビーム１０４で処理される間の期間中、ウェハはプラテン１１２にクランプされない。時間が経つと、堆積物１５０がプラテン１１２のクランプ面１１４に堆積する。堆積物１５０は、説明の明確化のために、図１だけに誇張サイズおよび形状で示されている。堆積物１５０は、クランプ面１１４に一様に、または、通常は不均一に堆積する。これらの堆積物１５０は、イオンビームの副産物、例えば、インスタンスにおけるヒ素の堆積に起因し得る。高温注入処理が実行される場合、いくらかの堆積物が熱いクランプ面に引きつけられるため、堆積物１５０の量および堆積物が蓄積する速度が問題になる。これに加えて、熱活性化反応が熱いクランプ面で生じ、追加の堆積物を生成し得る。例えば炭素、フッ素、タングステンおよび水素といったような微量の物質が、イオン注入装置１００内に存在し得る。これらの物質は、熱による活性化反応に寄与して、プラテン１１２のクランプ面１１４上に不所望な追加の堆積物を生成する。
【００２０】
クランプ電源１７２は、１対の電極１６０、１６２に供給されるＡＣ信号を表わす感知信号を、回路１７１を介してコントローラ１２０に供給するように構成されるのが有利である。コントローラ１２０は、クランプ電源１７２からの感知信号を受信し、その感知信号が所定の閾値を上回るクランプ面１１４上の堆積物を表わすかどうかを決定するために、感知信号を監視するように構成される。
【００２１】
図２Ａには、図１のプラテン１１２と一致するプラテン２１２のクランプ面２１４の拡大部分断面図が、ウェハなしで、クランプ面に感知できるほどの堆積物がないきれいなクランプ面で示されている。また、この図は約５〜７マイクロメートルの高さを有する３つの突起２０２、２０４、２０６またはメサも示している。そのような突起のない他のクランプ面は、粗い質感を有してもよい。図２Ｂは、図２Ａのきれいなクランプ面と同じクランプ面の拡大部分断面図であるが、ウェハ２１０がクランプ位置にあり、クランプされたウェハ２１０の下面が突起２０２、２０４、２０６の上面に載っている。最後に図２Ｃは、図２Ａと同じ拡大部分断面図であるが、ウェハはなく、汚れたクランプ面２１４を例示している。この例では、堆積物がクランプ面２１４上に堆積された層２１６を形成している。
【００２２】
図２Ａのウェハがなく、クランプ面がきれいな状態の期間中、クランプ電源１７２によって電極１６０、１６２へ供給されるＡＣ信号は、公称のピークツーピークの振幅を有する。図２Ｂのウェハのクランプ状態にあっては、ＡＣ信号は、図２Ａの公称のピークツーピーク振幅の約６〜７倍のピークツーピーク振幅を有する。最後に、図２Ｃのウェハがなく、汚れたクランプ面という状態にあっては、ＡＣ信号は図２Ａの公称のピークツーピーク振幅より大きいピークツーピーク振幅を有するが、ウェハを備える図２Ｂの値よりも小さいピークツーピーク振幅を有する。一例では、電流の振幅は、図２Ａでは約２．０ミリアンペア（ｍＡ）となり、図２Ｂでは約１３ｍＡとなり、図２Ｃでウェハの落下と破損が生じることがわかる前には最大で約８ｍＡにまでなり得る。
【００２３】
導電性の堆積物、および半導体の堆積物を含む堆積物または堆積層２１６は、実際にクランプされたウェハ２１０の下面より物理的に電極１６０、１６２に近い、一種のクランプされた半導体ウェハとして実際上ふるまう。堆積物２１６は、実際上プラテン２１２のキャパシタンスを変える擬似の層または平板を形成する。したがって、ウェハがない場合のピークツーピーク電流振幅は、堆積物２１６の蓄積に比例して増加する傾向にある。３相系（３対の電極、すなわち全部で６つの電極）の場合、各相は、他の相と１２０度ずらしてＡＣ信号を供給することができる。堆積物がクランプ面２１４上に均一に堆積する場合に、ウェハがないときの電流は３つの全ての相で均等に増加する。堆積物が不均一に蓄積する場合（よくあるケースである）、各相でウェハがないときの電流は互いに相違し、不均一の堆積物および／または堆積物の過度の蓄積に関わる指標を提供する。
【００２４】
図３には、ウェハをクランプする期間の間に生じるウェハのない複数の期間にわたる、クランプ電源１７２により供給されるＡＣ信号のピークツーピーク電流（ｍＡ）の時間に対するプロットが例示されている。時刻（ｔ０）と時刻（ｔｌ）との間には、ウェハが存在せず、プラテン２１２のクランプ面２１４は図２Ａに示されるようにきれいである。ＡＣ信号の振幅は（Ｉ１）、すなわち約２ｍＡの公称値を有することができる。時刻（ｔｌ）と時刻（ｔ２）との間では、第１のウェハがクランプ面にクランプされ、ＡＣ信号の振幅は（Ｉ３）、すなわち約１３ｍＡにまで上昇し得る。時刻（ｔ２）と時刻（ｔ３）との間では、ウェハが再び存在せず、（Ｉ１）よりもわずかに上昇した、ウェハがない場合の電流振幅のほんのわずかな上昇が観察され得る。このプロセスは、最終的にウェハのない場合のＡＣ信号の電流レベルが所定の振幅閾値（Ｉ２）を上回る時刻（ｔ６）まで続く。
【００２５】
所定の振幅閾値（Ｉ２）は、ウェハがない時刻（ｔ６）におけるような時間間隔中に、ひとたびその閾値を上回れば、コントローラ１２０が、クランプ電源１７２からの感知信号は所定の堆積物閾値を上回るクランプ面上の堆積物を表わすと決定するように選択することができる。所定の振幅閾値（Ｉ２）は、一実施形態では２．５ｍＡに選定されてもよい。それに応じて、コントローラ１２０は修正措置をとることができる。修正措置は、図４につき、さらに明細書中で詳述されるように、クランプ面のスパッタ洗浄処理を開始するステップを含んでもよい。修正措置は、別のウェハがプラテン１１２にクランプされるのを阻止することによって、自動的に一時停止する動作を含んでもよい。コントローラ１２０は、クランプ面が十分に洗浄されるまでロボット１３２が別のウェハをプラテンの上に置くのを阻止するために、ロボット１３２を制御することができる。このようにして、ウェハの落下およびウェハの廃棄の可能性を大幅に最小化することができる。あるいは、コントローラ１２０は警報を発して、イオン注入装置のオペレーターにいつ洗浄処理を始めるべきかの判断を提供することができる。
【００２６】
コントローラ１２０は、ある時間間隔にわたるＡＣ信号の電流レベルの振幅の増加率を所定の増加率閾値と比較することもできる。言い換えると、所定の振幅閾値（Ｉ２）は、ウェハがない電流レベルを超えることはないが、電流レベルの増加率はコントローラ１２０に修正措置をとらせるために所定の増加率閾値を上回るのに十分なほどに大きくなる、ということがあり得る。
【００２７】
図４は、所定の堆積物閾値を上回るクランプ面上の堆積物を表す感知信号に応答し、コントローラ１２０によって開始させることができるスパッタ洗浄処理を例示している。コントローラ１２０は、特定の低いエネルギーイオンビーム１０４の経路に対して所望の入射角θを達成すべく、プラテン１１２を傾けるためにチルト機構１１８に命令することができる。
【００２８】
入射角θの説明をわかりやすくするために、イオンビーム１０４の経路がＺ軸を規定するデカルト座標系を規定することができる。Ｚ軸は、直交平面と交差する。Ｘ軸は、この平面における水平軸である。Ｙ軸は、Ｘ軸に対して直角で、この平面における垂直軸である。図４に例示されるように、プラテン１１２は、この技術分野で「Ｘチルト」と称されることのあるＸ軸まわりをチルト機構１１８によって傾けられる。図４に例示されるように、入射角θは、プラテン１１２のクランプ面１１４によって規定される平面４０４と、Ｙ軸との間の角度として規定することができる。
【００２９】
入射角θは９０度未満の範囲内とすることができるが、スパッタの歩留まりを増やすために４０度より大きくすることもあり得る。一実施態様において、入射角θは７０度であってもよい。プラテン１１２のための走査システム（図示せず）が、スパッタ洗浄処理中にイオンビーム１０４がプラテン１１２のクランプ面１１４全体に当たるように、プラテンをＹ方向に垂直に並進させてもよい。一実施態様において、イオン注入装置１００は、約５〜１５ミリアンペア（ｍＡ）のイオンビーム電流を有する低いエネルギー（およそ５ｋｅＶ）のＡｒ＋イオンビームを提供してもよい。
【００３０】
コントローラ１２０は、ウェハがない場合の電流レベルの振幅を表わす感知信号を分析することによって、スパッタ洗浄処理中の堆積物の除去速度を監視してもよい。このようにして、異なるイオンビームの処方の有効性を、比較し、対比することができる。これに加えて、ひとたび除去速度が分かれば、コントローラ１２０は予測される総洗浄時間を確かめるために計算を実行できる。このようにして、イオン注入装置の生産性への影響を最小に抑えることができる。
【００３１】
従って、プラテンにクランプされるウェハがないときにプラテンの電極に供給されるＡＣ信号の振幅を監視することによってプラテンのクランプ面の状態を監視するように構成されるコントローラを有するイオン注入装置が提供される。ウェハのないＡＣ信号の振幅の増加は、蓄積する堆積物を示す。結局のところ、堆積物の蓄積が過剰になる場合、プラテンのクランプ能力が損なわれる可能性がある。コントローラは、ウェハがないときのＡＣ信号の振幅を、クランプ失敗の可能性を最小限に抑えるために選定された所定の振幅閾値と比較してもよい。これは、イオン注入の間に、イオン注入装置のスループットに影響を与えることなく、その場でクランプ面の状態を監視することを可能にする。これに加えて、このことは、洗浄の中断回数を最小限に抑えることと、ウェハの落下および破損といった事象を最小限にするために必要に応じて、その洗浄を行うときを確定することの双方のために、修正措置をいつ行う必要があるかを決定するための予測能力を提供する。修正措置は、自動的にスパッタ洗浄処理を始めて、適切に清浄されるまで、追加のウェハのイオン処理を中断することを含むことができる。このことは、常温注入と比較して、堆積物が蓄積しやすい高温注入にとって特に有用である。
【００３２】
本開示は、ここに記述された特定の実施形態の範囲に制限されるものではない。それどころか、ここに記述されたものに加えて、本開示の他のいろいろな実施形態と変形例は、前述の説明と添付の図面から当業者にとって明らかであろう。従って、他のいろいろな実施形態と変形例は、本開示の範囲内であることが意図される。さらに、本開示は特定の目的のための特定の環境における特定の実施状況でここに記述されたが、その有用性がそのことに制限されず、本開示が多くの目的のための多くの環境で有益に実行され得ることを当業者は認めるであろう。
【図１】
0006329525.tif 000002
【図２Ａ】
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【図２Ｂ】
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【図２Ｃ】
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【図３】
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【図４】
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