(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
信号端子を有するパワー半導体モジュールと、
電流センサ端子を有する電流センサと、
前記信号端子に接続される第１の接続部、および前記電流センサ端子に接続される第２の接続部を有する制御回路基板と、
前記制御回路基板と平行に配置された平坦な上面を有し、前記パワー半導体モジュールおよび前記電流センサを保持する保持部材と、を備え、
前記保持部材の前記上面に対する前記電流センサ端子の先端の高さ位置が、前記保持部材の前記上面に対する前記信号端子の先端の高さ位置よりも高い位置に設定されている、電力変換装置。
【請求項２】
請求項１に記載の電力変換装置において、
前記パワー半導体モジュールは、前記信号端子が露出する信号端子露出側面を有し、
前記電流センサは、前記電流センサ端子を露出する電流センサ端子露出側面を有し、
少なくとも、
ｉ）前記保持部材の前記上面に対する前記信号端子露出側面と前記電流センサ端子露出側面との高さ位置が異なる、および
ｉｉ）前記信号端子露出側面から前記信号端子の前記先端までの長さと前記電流センサ端子露出側面から前記電流センサ端子の前記先端までの長さとが異なる
のいずれかを備えている、電力変換装置。
【請求項３】
請求項２に記載の電力変換装置において、
前記保持部材の前記上面に対する前記電流センサ端子露出側面の高さ位置は、前記保持部材の前記上面に対する前記信号端子露出側面の高さ位置よりも高く、
前記電流センサ端子露出側面から前記電流センサ端子の前記先端までの長さは、前記信号端子露出側面から前記信号端子の前記先端までの長さよりも短い、電力変換装置。
【請求項４】
請求項１から請求項３のいずれか一項に記載の電力変換装置において、
前記保持部材および前記制御回路基板に、それぞれ、組付け用治具の位置決めピンを挿通するための位置決め用開口が設けられている、電力変換装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電力変換装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
ハイブリッド自動車や電気自動車等の車両駆動用の電力変換装置は、インバータ回路の上・下アーム直列回路を内蔵する、例えば、３相分のパワー半導体モジュールを有する。パワー半導体モジュールの電源用端子は電源用基板に接続され、信号用端子は制御回路基板に接続される。電源用基板および制御回路基板には、各端子を挿通する開口が形成され、パワー半導体モジュールの各端子は、開口に挿通された状態ではんだ付けや溶接により接合される。（例えば、特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２０１４−０５０１１８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
パワー半導体モジュールの各端子をはんだ付けや溶接により回路基板に接続する構成では、作業性が良くない。そこで、コネクタのように、端子を挿入するだけで電気的保持が維持される接続構造を用いるようにすれば生産性を向上することができる。しかし、コネクタを用いる接続では、パワー半導体モジュールに形成されている多数の端子をコネクタに挿入して接続する際の挿入力が大きくなり、回路基板が変形したり、破損したりする可能性が生じる。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明の電力変換装置は、信号端子を有するパワー半導体モジュールと、電流センサ端子を有する電流センサと、前記信号端子に接続される第１の接続部、および前記電流センサ端子に接続される第２の接続部を有する制御回路基板と、前記制御回路基板と平行に配置された平坦な上面を有し、前記パワー半導体モジュールおよび前記電流センサを保持する保持部材と、を備え、前記保持部材の前記上面に対する前記電流センサ端子の先端の高さ位置が、前記保持部材の前記上面に対する前記信号端子の先端の高さ位置よりも高い位置に設定されている。
【発明の効果】
【０００６】
本発明によれば、信号端子および電流センサ端子を接続部に挿通する際の制御回路基板の変形を抑制することができる。
【図面の簡単な説明】
【０００７】
【図１】本発明の電力変換装置の一実施の形態を示す分解斜視図。
【図２】（Ａ）は、図１に図示されたパワー半導体モジュールの端子部近傍の拡大図、（Ｂ）は、パワー半導体モジュールに内蔵された回路の一例を示す回路図。
【図３】図１に図示された制御回路基板の上面図。
【図４】パワー半導体モジュールおよび電流センサの各端子を制御回路基板に設けられたコネクタに挿入する前の状態を示す、図１のＩＶ―ＩＶから観た図。
【図５】図４に図示されたパワー半導体モジュールおよび電流センサの各端子を、治具を用いて、制御回路基板に設けられたコネクタに挿入する状態を示す図。
【図６】（Ａ）は、端子をコネクタに挿通する状態を示す模式的断面図、（Ｂ）は、端子の変位量と挿入力との関係を示す特性図。
【図７】（Ａ）、（Ｂ）は、本発明の一実施の形態による、端子の変位量と挿入力との関係を説明するための図。
【図８】（Ａ）、（Ｂ）は、比較品の、端子の変位量と挿入力との関係を説明するための図。
【発明を実施するための形態】
【０００８】
−第１の実施形態−
（電力変換装置の全体構造）
以下、図１〜図７を参照して、本発明の一実施の形態を説明する。
図１は、本発明の電力変換装置の一実施の形態の分解斜視図である。
電力変換装置１は、７つのパワー半導体モジュール１００ａ〜１００ｇ（１００ｇは図示されず）と、３つの温度センサ３００ａ〜３００ｃと、昇圧リアクトル７００と、モールドバスバ５００と、制御回路基板４００とを備えている。パワー半導体モジュール１００ａ〜１００ｇ、温度センサ３００ａ〜３００ｃ、昇圧リアクトル７００、モールドバスバ５００および制御回路基板４００は、図示はしないが、パワー半導体モジュール１００ａ〜１００ｇを冷却するための冷却流路が形成された筐体内に収容される。
【０００９】
各パワー半導体モジュール１００ａ〜１００ｃは、例えば、モータジェネレータ（図示せず）を駆動するＵ相、Ｖ相、Ｗ相用の上下アーム直列回路を内蔵する。パワー半導体モジュール１００ｄ〜１００ｆは、例えば、エアコンのコンプレッサ、油圧ポンプ等の補機用のモータを駆動するＵ相、Ｖ相、Ｗ相用の上下アーム直列回路を内蔵する。パワー半導体モジュール１００ｇはモールドバスバ５００の下方に配置されており、昇圧リアクトル７００に接続され、不図示のスイッチングデバイスおよびダイオードと共に昇圧チョッパを構成している。各パワー半導体モジュール１００ａ〜１００ｇは、同様な構造を有しており、以下では、適宜、パワー半導体モジュール１００という。
【００１０】
電流センサ３００ａおよび３００ｂは、それぞれ、３本の電流センサ端子３０１ａ〜３０１ｃを有する３つの電流センサ部（図示せず）を有している。電流センサ３００ｃは、３本の電流センサ端子３０１ａ〜３０１ｃを有する１つの電流センサ部を有している。電流センサ３００ａ〜３００ｃは、基本的には、同一の構造を有しており、以下では、適宜、電流センサ３００という。
【００１１】
電流センサ３００ａ〜３００ｃは、モールドバスバ５００に取付けられている。
電流センサ３００ａ〜３００ｃは、それぞれ、電流センサ部においてモールドバスバ５００のバスバを流れる電流を測定する。
図２に図示されるように、各パワー半導体モジュール１００ａ〜１００ｇの電源用の端子１０１〜１０３および信号端子１１１〜１１３、１２１〜１２５は、モールドバスバ５００の開口を挿通され、モールドバスバ５００の上方に突出されている。パワー半導体モジュール１００ａ〜１００ｇおよび昇圧リアクトル７００は、不図示の冷却流路を有する筐体の底部内面に固定されている。パワー半導体モジュール１００ａ〜１００ｇおよび昇圧リアクトル７００を、モールドバスバ５００で保持するようにしてもよい。
【００１２】
図２（Ａ）は、図１に図示されたパワー半導体モジュールの端子部近傍の拡大図であり、図２（Ｂ）は、パワー半導体モジュールに内蔵された回路の一例を示す回路図である。
図２（Ａ）、（Ｂ）を参照して、パワー半導体モジュール１００を電気回路と関連付けて説明する。
図２（Ｂ）に図示されるように、パワー半導体モジュール１００には、２つのＩＧＢＴ１１０、１２０と２つのダイオード１３０、１４０とが内蔵されている。ＩＧＢＴ１１０とダイオード１３０とは上アーム回路を構成する。ＩＧＢＴ１２０とダイオード１４０とは、下アーム回路を構成する。
ＩＧＢＴ１１０のエミッタとＩＧＢＴ１２０のコレクタが接続される。この接続点にはダイオード１３０のアノードとダイオード１４０のカソードの接続点とが接続され、また、交流出力端子１０２が接続される。ＩＧＢＴ１１０のコレクタおよびダイオード１３０のカソードは直流正極性入力端子１０１に接続される。ＩＧＢＴ１２０のエミッタおよびダイオード１３０のアノードは直流負極性入力端子１０３に接続される。また、ＩＧＢＴ１１０、１２０のゲートは、それぞれ、ゲート端子１１１、１２１に接続され、ＩＧＢＴ１１０、１２０のエミッタは、それぞれ、エミッタ端子１１２、１２２に接続される。
なお、図２（Ｂ）におけるＴは、ＩＧＢＴを示し、Ｄはダイオードを示す。
【００１３】
図２（Ｂ）に図示された各端子、１０１〜１０３、１１１、１１２、１２１、１２２は、図２（Ａ）に図示されるようにパワー半導体モジュール１００に実装される。但し、図２（Ａ）に図示されるように、直流負極性入力端子１０３は、１０３ａ、１０３ｂとして２つ形成され、パワー半導体モジュール１００の内部で電気的に接続される。また、直流正極性入力端子１０１は、１０１ａ、１０１ｂとして２つに形成され、パワー半導体ミジュール１００の内部で電気的に接続される。なお、図２（Ａ）において、図２（Ｂ）には図示されていない４つの端子１１３、１２３〜１２５は、ＩＧＢＴ１１０、１２０の過電流や、過温度を検出するためのセンサ信号用の端子である。各端子１０１〜１０３、１１１〜１１３、１２１〜１２５は、それぞれ、先端側を突出した状態で補助モールド体１３４にインサート成形される。図示はしないが、各端子１０１〜１０３、１１１〜１１３、１２１〜１２５に接続された上下アーム回路は、導電板に固着された状態で、モジュールケース１３１（図１、図４参照）の上部に形成された開口部１３３からモジュールケース１３１内に収容される。この状態でモジュールケース１３１内部に樹脂１３２が充填され、密封される。電源用の各端子１０１〜１０３は、例えば、ＴＩＧ溶接により、モールドバスバ５００に設けられた不図示のバスバに接続される。
【００１４】
図３は、図１に図示された制御回路基板の上面図である。以下の説明では、図３も参照する。
制御回路基板４００には、各パワー半導体モジュール１００ａ〜１００ｇの信号端子１２１〜１２５に対応する７つの第１のコネクタ４１０、および信号端子１１１〜１１３に対応する７つの第２のコネクタ４２０が取付けられている。また、制御回路基板４００には、電流センサ３００ａ〜３００ｃの電流センサ端子３０１ａ〜３０１ｃに対応する７つの第３のコネクタ４３０が取付けられている。
【００１５】
なお、図１には、組付け用治具８００が図示されている。組付け用治具８００は、制御回路基板４００の上方に配置され、下面に、制御回路基板４００側に突出する複数の位置決めピン８０１が設けられている。制御回路基板４００には、組付け用治具８００の各位置決めピン８０１に対応する位置に、位置決め孔４０１（図３参照）が設けられている。また、モールドバスバ５００には、組付け用治具８００の各位置決めピン８０１に対応する位置に、ボス孔５３１が形成されたボス５３０が設けられている。組付け用治具８００を用いた組付け方法については後述する。
【００１６】
図４は、パワー半導体モジュールおよび電流センサの各端子を制御回路基板に設けられたコネクタに挿入する前の状態を示す、図１のＩＶ―ＩＶから観た図であり、図５は、図４に図示されたパワー半導体モジュールおよび電流センサの各端子を、治具を用いて、制御回路基板に設けられたコネクタに挿入する状態を示す図である。
パワー半導体モジュール１００の信号端子１２１〜１２５、１１１〜１１３および電流センサ３００の電流センサ端子３０１ａ〜３０１ｃを、それぞれ、第１〜第３のコネクタ４１０、４２０、４３０に接続する際、制御回路基板４００は、モールドバスバ５００の平坦な上面と、ほぼ平行に配置される。このとき、本発明の一実施の形態では、電流センサ３００の電流センサ端子３０１ａ〜３０１ｃと第３のコネクタ４３０との接続が、パワー半導体モジュール１００の信号端子１２１〜１２５と第１のコネクタ４１０との接続、およびパワー半導体モジュール１００の信号端子１１１〜１１３と第２のコネクタ４２０との接続より先に行われる。
【００１７】
このため、電流センサ端子３０１ａ〜３０１ｃの各先端の位置は、信号端子１２１〜１２５および１１１〜１１３の各先端の位置よりも上方、すなわち、モールドバスバ５００の上面に対して高い位置に位置している。このようにするためには、例えば、下記の構成を採用する。
ｉ）電流センサ端子３０１ａ〜３０１ｃの長さを、信号端子１１１〜１１３および１２１〜１２５の長さよりも大きくする、または、
ｉｉ）電流センサ３００の電流センサ端子３０１ａ〜３０１ｃが露出される側面３１１の高さ位置を、補助モールド体１３４の信号端子１１１〜１１３、１２１〜１２５が露出される側面１３５の高さ位置よりも高くする。
上記ｉ）およびｉｉ）を同時に満足する構成としてもよい。
【００１８】
図６（Ａ）は、端子をコネクタに挿通する状態を示す模式的断面図であり、図６（Ｂ）は、端子の変位量と挿入力との関係を示す特性図である。
図６（Ａ）では、信号端子１１１〜１１３、１２１〜１２５を代表して信号端子１１１とし、信号端子１１１とコネクタ４２０との接続について説明する。
コネクタ４２０はモールドバスバ５００に固定されている。コネクタ４２０は、ピン挿通穴４２９内に設けられた一対の接続用端子４２１と４２２とを有する。接続用端子４２２は、下端部側が接続用端子４２１側に近接する方向に湾曲されている。この湾曲された部分の先端部には、「く」の字状に屈曲された屈曲部４２５が形成されている。つまり、屈曲部４２５は先端に、接続用端子４２１から離間する方向に傾斜する傾斜部４２５ａを有する。信号端子１１１は、ピン状部材であり、上端が円錐台形状とされている。つまり、信号端子１１１の上端には傾斜部１１１ａが形成されている。
【００１９】
信号端子１１１を、図６の実線の位置から上方へ、すなわち、点線で図示されるようにコネクタ４２０側に変位させていくと、信号端子１１１の傾斜部１１１ａが接続用端子４２２の傾斜部４２５ａに当接する。そして、信号端子１１１は接続用端子４２２を押し広げながら変位する。信号端子１１１の傾斜部１１１ａが接続用端子４２２の傾斜部４２５ａを通過するとき、挿入力が最大、換言すれば、挿入力ピークとなる。このときの接続用端子４２２の変位と接続用端子４２２の挿入力の関係が、図６（Ｂ）に示されている。
【００２０】
図７（Ａ）、（Ｂ）は、本発明の一実施の形態による、端子の変位量と挿入力との関係を説明するための図である。
本発明の一実施の形態では、図７（Ａ）に図示されるように、電流センサ端子３０１ａ〜３０１ｃの各先端の高さ位置が、信号端子１１１〜１１３および１２１〜１２５の各先端の高さ位置よりも上方に位置している。これにより、電流センサ端子３０１ａ〜３０１ｃが第３のコネクタ４３０に接続された後、信号端子１２１〜１２５および１１１〜１１３が、それぞれ、第１、第２のコネクタ４１０、４２０に接続される。このため、電流センサ端子３０１ａ〜３０１ｃと第３のコネクタ４３０との挿入力ピーク位置と、信号端子１２１〜１２５、１１１〜１１３と第１、第２のコネクタ４１０、４２０との挿入力ピーク位置とは、ずれる、換言すれば、重畳しない。
【００２１】
本発明の一実施の形態では、制御回路基板４００に作用する最大負荷は、電流センサ端子３０１ａ〜３０１ｃと第３のコネクタ４３０との挿入力ピーク値（３か所）の総和ｎ＝３、またはパワー半導体モジュール１００の信号端子１２１〜１２５、１１１〜１１３と第１、第２のコネクタ４１０、４２０との挿入力ピーク値（８か所）の総和ｎ＝８となる。
【００２２】
図８（Ａ）、（Ｂ）は、比較品における、端子の変位量と挿入力との関係を説明するための図である。比較品は、図８（Ａ）に図示されるように、電流センサ端子３０１ａ〜３０１ｃの各先端の高さ位置が、信号端子１１１〜１１３および１２１〜１２５の各先端の高さ位置と同一の構造を有する。この構造では、電流センサ端子３０１ａ〜３０１ｃと第３のコネクタ４３０との接続、および信号端子１２１〜１２５、１１１〜１１３と第１、第２のコネクタ４１０、４２０との接続が、同一のタイミングとなる。つまり、電流センサ端子３０１ａ〜３０１ｃと第３のコネクタ４３０との挿入力ピーク位置と、信号端子１２１〜１２５、１１１〜１１３と第１、第２のコネクタ４１０、４２０との挿入力ピーク位置とが、重畳する。
【００２３】
比較品では、制御回路基板４００に作用する最大負荷は、パワー半導体モジュール１００の信号端子１２１〜１２５、１１１〜１１３と第１、第２コネクタ４１０、４２０との挿入力ピーク値（８か所）の総和と、電流センサ端子３０１ａ〜３０１ｃと第３のコネクタ４３０との挿入力ピーク値（３か所）の総和との合計ｎ＝１１となる。
従って、制御回路基板４００に作用する最大負荷は、比較品の方が、本発明の一実施の形態よりも大きい。図７（Ｂ）には、本発明の一実施の形態において制御回路基板４００に作用する最大負荷と対比して、比較品の制御回路基板４００に作用する最大負荷を、点線で示す。
【００２４】
このように、本発明の一実施の形態では、パワー半導体モジュール１００の信号端子１２１〜１２５、１１１〜１１３と第１、第２コネクタ４１０、４２０とを接続する際、および電流センサ端子３０１ａ〜３０１ｃと第３のコネクタ４３０とを接続する際に、制御回路基板４００に作用する負荷を低減することができる。図１に図示された実施形態では、制御回路基板４００に、７つのパワー半導体モジュール１００ａ〜１００ｇと、電流センサ端子３０１ａ〜３０１ｃを有する７つの電流センサ部（図示せず）が実装されている。従って、比較品のように、すべてのパワー半導体モジュール１００ａ〜１００ｇおよび電流センサ３００ａ〜３００ｃを第１〜第３のコネクタ４１０、４２０、４３０に同時に接続する構造では、挿入力ピーク値の総和は大変大きいものとなる。
しかし、本発明の一実施の形態によれば、このような挿入力により生じる制御回路基板４００の大きな変形や破損を防止することができる。また、制御回路基板４００に大きな変形が生じると、はんだ割れやはんだ剥離が生じるが、このような、制御回路基板４００の変形に起因するはんだ割れやはんだ剥離を抑制するので、信頼性の向上を図ることができる。
【００２５】
図４、図５を参照して、パワー半導体モジュール１００ａ〜１００ｇおよび電流センサ１００ａ〜１００ｃに制御回路基板４００を組付ける効率的な組付け方法を説明する。
図４に図示されるように、モールドバスバ５００上に、第１〜第３のコネクタ４１０、４２０、４３０が取付けられた制御回路基板４００を配置する。そして、図５に図示されるように、モールドバスバ５００上に組付け用治具８００を配置する。モールドバスバ５００には、複数のボス孔５３１が形成されたボス５３０が形成されている。ボス孔５３１を有するボス５３０は、図１に図示されるように、パワー半導体モジュール1００ａ〜１００ｇの信号端子１１１〜１１３、１２１〜１２５の近傍、および電流センサ３００ａ〜３００ｃの電流センサ端子３０１ａ〜３０１ｃの近傍に設けられている。
【００２６】
図５に図示するように、組付け用治具８００の各位置決めピン８０１を制御回路基板４００の位置決め孔４０１内に挿通し、各位置決めピン８０１を制御回路基板４００の下面から突出させる。この状態で、つまり、組付け用治具８００の各位置決めピン８０１を制御回路基板４００の下面から突出させた状態で、組付け用治具８００および制御回路基板４００を移動して、組付け用治具８００の各位置決めピン８０１の先端をモールドバスバ５００の各ボス孔５３１に位置合わせし、各位置決めピン８０１の先端部分を各ボス孔５３１に挿入する。そして、組付け用治具８００の各位置決めピン８０１をガイドにして、制御回路基板４００を押し下げる。これにより、各電流センサ３００ａ〜３００ｃの電流センサ端子３０１ａ〜３０１ｃが、第３のコネクタ４３０に接続される。また、各パワー半導体モジュール１００ａ〜１００ｇの信号端子１２１〜１２５および１１１〜１１３が、それぞれ、第１、第２のコネクタ４１０、４２０に接続される。
【００２７】
このとき、上述したように、電流センサ端子３０１ａ〜３０１ｃと第３のコネクタ４３０との挿入力ピーク位置と、信号端子１２１〜１２５、１１１〜１１３と第１、第２のコネクタ４１０、４２０との挿入力ピーク位置とが、重畳することはない。この組付けでは、制御回路基板４００の下方への移動は、組付け用治具８００の位置決めピン８０１をガイドとする。このため、制御回路基板４００の傾きを無くすことができる。また、信号端子１１１〜１１３、１２１〜１２５および電流センサ端子３０１ａ〜３０１ｃのそれぞれの近傍には、組付け用治具８００の位置決めピン８０１が挿通されるボス孔５３１が形成されている。このため、信号端子１２１〜１２５、１１１〜１１３と第１、第２のコネクタ４１０、４２０との接続および電流センサ端子３０１ａ〜３０１ｃと第３のコネクタ４３０との接続が正確となる。すなわち、７つすべての挿入力ピーク位置が揃う。
【００２８】
本発明の一実施の形態によれば、下記の効果を奏する。
（１）パワー半導体モジュール１００ａ〜１００ｇの信号端子１１１〜１１３、１２１〜１２５の先端と電流センサ３００ａ〜３００ｃの電流センサ端子３０１ａ〜３０１ｃの先端とは、信号端子１１１〜１１３、１２１〜１２５の先端が第１、第２のコネクタ４１０、４２０に挿入される際の挿入力ピーク位置と、電流センサ端子３０１ａ〜３０１ｃの先端が第３のコネクタ４３０に挿入される際の挿入力ピーク位置とが重畳しないように設定されている。このため、制御回路基板４００に作用する負荷を低減することができ、制御回路基板４００の変形を抑制したり破損を防止したりすることができる。また、制御回路基板４００の変形を抑制するので、制御回路基板４００の変形に伴って発生するはんだ割れやはんだ剥離を防止することができ、信頼性の向上を図ることができる。
【００２９】
（２）モールドバスバ５００の上面に対する電流センサ端子３０１ａ〜３０１ｃの先端の高さ位置が、モールドバスバ５００の上面に対する信号端子１１１〜１１３、１２１〜１２２５の先端の高さ位置よりも高い位置に設定されている。つまり、電流センサ端子３０１ａ〜３０１ｃが第３のコネクタ４３０に挿通されるタイミングの方が、信号端子１２１〜１２５、１１１〜１１３が第１、第２のコネクタ４１０、４２０に挿通されるタイミングより早い。電流センサは、検出精度を確保するために、設定位置を高精度とする必要がある。電流センサ端子３０１ａ〜３０１ｃが第３のコネクタ４３０に挿通されるタイミングを先にすることで、電流センサ３００ａ〜３００ｃの各電流センサ部に対する電流センサ端子３０１ａ〜３０１ｃの位置精度が高くなり、検出精度を確保することができる。
【００３０】
なお、上記一実施の形態では、すべての電流センサ３００ａ〜３００ｃの電流センサ端子３０１ａ〜３０１ｃが第３のコネクタ４３０に挿通されるタイミングが、すべてのパワー半導体モジュール１００ａ〜１００ｇの信号端子１１１〜１１３、１２１〜１２５が、第１または第２のコネクタ４１０、４２０に挿通されるタイミングより先である構造として例示した。しかし、一部のみの電流センサ３００ａ〜３００ｃの電流センサ端子３０１ａ〜３０１ｃが第３のコネクタ４３０に挿通されるタイミングが、すべてのパワー半導体モジュール１００ａ〜１００ｇまたは一部のパワー半導体モジュール１００ａ〜１００ｇの信号端子１１１〜１１３、１２１〜１２５が、第１または第２のコネクタ４１０、４２０に挿通されるタイミングより先となるようにしてもよい。
【００３１】
あるいは、電流センサ３００ａ〜３００ｃによる電流の検出精度が確保できるならば、電流センサ３００ａ〜３００ｃの電流センサ端子３０１ａ〜３０１ｃが第３のコネクタ４３０に挿通されるタイミングが、パワー半導体モジュール１００ａ〜１００ｇの信号端子１１１〜１１３、１２１〜１２５が、第１または第２のコネクタ４１０、４２０に挿通されるタイミングより後になるようにしてもよい。
【００３２】
上記一実施の形態では、パワー半導体モジュール１００ａ〜１００ｇ上にモールドバスバ５００を配置した構造として例示した。しかし、パワー半導体モジュール１００ａ〜１００ｇを電気的に接続するバスバと、パワー半導体モジュール１００ａ〜１００ｇを保持する保持部材とは、別部材としてもよい。
【００３３】
上記一実施の形態では、電流センサ３００ａ〜３００ｃは、電流センサ端子３０１ａ〜３０１ｃを有する３端子構造として例示した。しかし、３端子以上の端子構造を有する電流センサを適用することもできる。
【００３４】
上記一実施の形態では、第１〜第３のコネクタ４１０、４２０、４３０を、制御回路基板４００に取付けた構造として例示した。しかし、コネクタ部を制御回路基板４００に一体に成形したり、接続用端子４２１、４２２のみを制御回路基板４００に設けたりしてもよい。要は、制御回路基板４００が接続部を備える構造であればよい。
【００３５】
上記一実施の形態では、３相のアーム回路としての機能を備える、３つのパワー半導体モジュール１００ａ〜１００ｃを備える電力変換回路として例示した。しかし、本発明は、１つのパワー半導体モジュール１００を備える電力変換装置１に適用することができる。
【００３６】
上記実施形態では、ＩＧＢＴを用いたインバータ回路として例示した。しかし、ＩＧＢＴに代えて、サイリスタや、ＧＴＯ（Gate Turn Off Thyristor）等を用いたインバータ回路にも適用することができる。
【００３７】
また、直流−交流変換を行うインバータ回路に限らず、交流−交流変換を行うマトリックスコンバータ等に適用することができる。
【００３８】
パワー半導体モジュール１００の構造や、コネクタ４１０、４２０、４３０の接続用端子４２１、４２２の構造は、上記一実施の形態に例示したものに特定されない。本発明の技術的思想の範囲内で考えられるその他の態様も本発明の範囲内に含まれる。
【符号の説明】
【００３９】
１      電力変換装置
１００、１００ａ〜１００ｇ    パワー半導体モジュール
１０１〜１０３      電源用の端子
１０１、１０１ａ、１０１ｂ      直流正極性入力端子
１０３、１０３ａ、１０３ｂ      直流負極性入力端子
１１１〜１１３      信号端子
１２１〜１２５      信号端子
１３５      側面（信号端子露出側面）
３００、３００ａ〜３００ｃ      電流センサ
３０１ａ〜３０１ｃ      電流センサ端子
４００      制御回路基板
４０１      位置決め孔（位置決め用開口）
４１０      第１のコネクタ（第１の接続部）
４２０      第２のコネクタ（第１の接続部）
４３０      第３のコネクタ（第２の接続部）
５００      モールドバスバ（保持部材）
５３１      ボス孔（位置決め用開口）
８００      組付け用治具
８０１      位置決めピン
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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