(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
芳香族二無水物と、ｍ−フェニレンジアミン、ｐ−フェニレンジアミンおよびこれらの組み合わせから選択されたジアミンと、の重合から誘導された単位を含む押出ポリエーテルイミドであって、アニリンで末端キャップ化された押出ポリエーテルイミドを含み、
１ｋＨｚ、２３℃、ＲＨ５０％における誘電率は、少なくとも３であり、押出前で、前記ポリエーテルイミドを少なくとも９０質量％含むことを特徴とする一軸延伸高収率押出ポリエーテルイミドフィルム。
【請求項２】
前記ポリエーテルイミドの質量平均分子量は、ポリスチレン標準を用いたゲル透過クロマトグラフィで求めて、２０，０００〜４００，０００ダルトンであり；
１００秒−１と５０００秒−１での粘度比は、キャピラリーレオメータで測定して、３４０℃で１０未満であり；
引張弾性率は、ＡＳＴＭ  Ｄ６３８に準拠して求めて、３８０，０００ｐｓｉ（２６１８ＭＰａ）以上であり；
前記フィルムのガラス転移温度は、厚みが０．１２５インチ（３．２ｍｍ）の試験サンプルを用い、ＡＳＴＭ  Ｄ６４８に準拠し６６ｐｓｉ（０．４５ＭＰａ）で測定して、２１７℃超であり、熱変形温度は、同条件で測定して、少なくとも１９５℃であり、
１ｋＨｚ、２３℃、ＲＨ５０％における散逸率は、１％以下であり、
絶縁破壊強度は、ＡＳＴＭ  Ｄ−１４９に準拠して測定して、少なくとも３００Ｖ／μｍであり、
シワなし領域の前記フィルムの厚み変動は、光学的形状測定法で測定して、前記フィルム厚の±１０％以下であり、
シワなし領域の平均表面粗さ（Ｒａ）は、光学的形状測定法で測定して、前記フィルムの平均厚の±３％未満であることを特徴とする請求項１に記載の一軸延伸高収率押出フィルム。
【請求項３】
前記ポリエーテルイミドは、下式の構造を有することを特徴とする請求項１に記載の一軸延伸高収率押出フィルム：
【化１】
0006329253.tif 000020
式中、Ｔは、−Ｏ−または式−Ｏ−Ｚ−Ｏ−の基［式中、−Ｏ−または−Ｏ−Ｚ−Ｏ−基の二価結合は、３，３’、３，４’、４，３’または４，４’位置にあり；Ｚは、二価のＣ６−２７芳香族炭化水素基、そのハロゲン化誘導体、直鎖または分枝鎖Ｃ２−１０アルキレン基、そのハロゲン化誘導体、Ｃ３−２０シクロアルキレン基、そのハロゲン化誘導体，あるいは−（Ｃ６Ｈ１０）ｚ−（Ｚは１〜４の整数）である］であり；Ｒは、ｍ−フェニレンジアミン、ｐ−フェニレンジアミンおよびこれらの組み合わせから選択されたジアミンの残基である。
【請求項４】
前記フィルムは架橋ポリエーテルイミドを含むことを特徴とする請求項１に記載の一軸延伸高収率押出フィルム。
【請求項５】
前記フィルムは、分枝鎖ポリエーテルイミドを含むことを特徴とする請求項１に記載の一軸延伸高収率押出フィルム。
【請求項６】
前記フィルムは、さらに、Ｃ１５−Ｃ３０カルボン酸、Ｃ１５−Ｃ３０脂肪族カルボン酸アミドおよびこれらの混合物から選択された離型剤を、組成物の合計質量に対して、５．０質量％未満含むことを特徴とする請求項１に記載の一軸延伸高収率押出フィルム。
【請求項７】
前記フィルムは、さらに、シリコーンポリエーテルイミド、ポリエーテルイミドスルホン、ポリエステル、ポリカーボネート、シリコーンポリカーボネート−ポリエステルコポリマーおよびこれらの組み合わせから選択されたポリマーを、前記組成物の合計質量に対して、２０質量％未満含むことを特徴とする請求項１に記載の一軸延伸高収率押出フィルム。
【請求項８】
前記フィルムは、ｍ−フェニレンジアミン、ｐ−フェニレンジアミンおよびこれらの組み合わせから選択されたアミンの重合から誘導された単位を含むポリエーテルイミド以外のポリエーテルイミドを１５％未満含むことを特徴とする請求項１に記載の一軸延伸高収率押出フィルム。
【請求項９】
請求項１に記載の一軸延伸高収率押出フィルムを含むことを特徴とする物品。
【請求項１０】
さらに、前記フィルムの少なくとも一部に配置された導電性金属の層を含むことを特徴とする請求項９に記載の物品。
【請求項１１】
請求項１０に記載の物品を含むことを特徴とするコンデンサ。
【請求項１２】
請求項１１に記載のコンデンサを備えることを特徴とする電子物品。
【発明の詳細な説明】
【背景技術】
【０００１】
本開示は、コンデンサフィルムに関し、特にポリエーテルイミドコンデンサフィルムに関する。
【０００２】
体積エネルギー密度と動作温度が高く、長寿命の静電容量フィルムコンデンサは、パルス電力、自動車および産業用エレクトロニクス装置にとって重要な部品である。コンデンサは、本質的には、絶縁性（誘電体）フィルムの薄層で分離された２枚の平行導電性プレートを有するエネルギー貯蔵デバイスである。該プレート間に電圧が印加されると、誘電体中の電場によって電荷が移動し、エネルギーが貯蔵される。コンデンサに貯蔵されるエネルギーの量は、絶縁材の誘電率とフィルムの寸法（合計面積と厚み）に依存するため、コンデンサが蓄積し得るエネルギーの総量を最大にするには、フィルムの誘電率と破壊電圧を最大化し、フィルム厚を最小化する。コンデンサの誘電材料の物性は、コンデンサ性能を決定する主要な要因であるため、この誘電材料の物性の１つまたは複数を向上させることによって、コンデンサ部品の相応する性能を向上させることが可能となり、通常、該部品が組み込まれたエレクトロニクスシステムや製品の性能向上や長寿命化が図られる。
【０００３】
二軸延伸ポリ（プロピレン）（ＢＯＰＰ）で作られた静電容量フィルムコンデンサは、電気器具、電子機器、オーブンおよび炉、冷蔵庫、自動車および家電などの、低散逸率、高絶縁抵抗および低誘電吸収が求められる用途に使用されてきた。これらのコンデンサの低誘電率（Ｄｋ）は約２．２であり、最高使用温度は約１００℃であるため、高動作温度およびまたは高エネルギー密度が要求される用途におけるその使用は制限される。ポリ（エチレンテレフタレート）（ＰＥＴ）フィルムおよびポリ（カーボネート）（ＰＣ）フィルムは、ＢＯＰＰフィルムより大きな誘電率（約３．０）を有するが、これらのフィルムで作られたコンデンサは、動作温度が約１２５℃以下の温度でのみ使用できる。
【０００４】
溶媒キャスティング法で製造されたポリエーテルイミドフィルムの誘電率は約３．２であり得、最高動作温度は約２００℃にもなり得る。溶媒キャスティングプロセスでは、フィルムの製造コストを上昇させる溶媒と、溶媒が少量取り込まれ得るフィルムと、が必要となる。これらの欠陥を改善するために、ポリエーテルイミドフィルムの製造に押出が提案されてきた。しかしながら、押出機に供給されるポリエーテルイミド出発材料の１５質量％、２０質量％あるいはそれ以上が、コンデンサに使用される十分に高品質のフィルムには変換されないという点で、押出は不経済である。
【０００５】
従って、当分野では、新規なフィルムと、非常に高純度であり、優れた電気的特性、特に高絶縁破壊強度と高誘電率とを有するフィルムが製造可能な製造方法と、が求められている。こうしたフィルムが高温で作動できれば、さらなる利点となるであろう。また、工業規模プロセスに修正可能な、こうしたフィルムの効率的な生産方法も求められている。こうした方法が環境にやさしいものであれば、さらに利点となるであろう。
【発明の概要】
【０００６】
一軸延伸押出フィルムは、芳香族二無水物と、ｍ−フェニレンジアミン、ｐ−フェニレンジアミンおよびこれらの組み合わせから選択されたジアミンと、の重合から誘導された単位を含むポリエーテルイミドであって、置換または未置換芳香族第１級モノアミンで末端キャップ化されたポリエーテルイミドを含み；押出前で、ポリエーテルイミドを少なくとも９０質量％含む。
【０００７】
特定の実施形態では、該ポリエーテルイミドの質量平均分子量は、ポリスチレン標準を用いたゲル透過クロマトグラフィで求めて、２０，０００〜４００，０００ダルトンであり；１００秒−１と５０００秒−１での粘度比は、キャピラリーレオメータで測定して、３４０℃で１０未満であり；引張弾性率は、ＡＳＴＭ  Ｄ６３８に準拠して求めて、３８０，０００ｐｓｉ（２６１８ＭＰａ）以上であり；該フィルムのガラス転移温度は、厚みが０．１２５インチ（３．２ｍｍ）の試験サンプルを用い、ＡＳＴＭ  Ｄ６４８に準拠し６６ｐｓｉ（０．４５ＭＰａ）で測定して、２１０℃または２１７℃超であり、熱変形温度は、同条件で測定して、少なくとも１９５℃であり；１ｋＨｚ、２３℃、ＲＨ５０％における誘電率と散逸率は、それぞれ少なくとも３および１％以下であり、絶縁破壊強度は、ＡＳＴＭ  Ｄ−１４９に準拠して測定して、少なくとも３００Ｖ／μｍであり；シワなし領域のフィルムの厚み変動および平均表面粗さ（Ｒａ）は、光学的形状測定法で測定して、それぞれフィルム厚の±１０％以下およびフィルムの平均厚の±３％未満である。
【０００８】
金属化一軸延伸押出フィルムを含む上記のフィルムを含む物品も開示される。
【０００９】
金属化一軸延伸押出フィルムで作られたコンデンサも開示される。
【００１０】
また、巻き付けられた金属化一軸延伸押出フィルムで作られたコンデンサを備える電子物品も開示される。
【００１１】
添付図は、例示として示されるものであり、制限するものではない。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１】実施例１および２での欠陥の結果を示す。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
本発明は、一部には、優れた特性を有する静電コンデンサ用のポリエーテルイミド基板フィルムは、押出による無溶媒プロセスで製造できるという知見に基づいている。驚くべき重要な特長として、フィルムは、ある特定のポリエーテルイミド材料の押出によって効率的に製造でき、押出フィルムは高収率である。すなわち、本発明に準じて作られたフィルムは、押出前で、ポリエーテルイミド（押出条件に置かれた未押出のポリエーテルイミド）を少なくとも９０質量％含む。高収率は、芳香族二無水物と、ｍ−フェニレンジアミン、ｐ−フェニレンジアミンおよびこれらの組み合わせから選択されたジアミンと、の重合から誘導された単位を含むポリエーテルイミドであって、置換または未置換芳香族第１級モノアミンで末端キャップ化されたポリエーテルイミドを使用することによって達成される。別の驚くべき特長として、芳香族第１級モノアミン置換基を有するポリエーテルイミドで作られたフィルムは、同置換基を有さないポリエーテルイミドで作られたフィルムに比べて、誘電率が向上する。
【００１４】
本特許出願においては種々の数値範囲が開示される。これらの範囲は連続的であり、最小値と最大値間のすべての数値を含む。別途明示される場合を除き、本出願に明記された種々の数値範囲は近似である。同じ成分あるいは特性に係る範囲はすべて終点を含むものであり、該終点は独立に組み合わせ可能である。
【００１５】
別途明示される場合を除き、本出願中の分子量はすべて質量平均分子量を指す。こうした分子量はすべてダルトン単位で表される。
【００１６】
単数表現は量の限定を示すものではなく、参照されたアイテムが少なくとも１つ存在することを示すものである。本明細書での「その組み合わせ」とは、参照された要素の１つまたは複数と、任意に参照されていない類似の要素と、を含むものである。明細書の全体に亘って、「ある実施形態」、「別の実施形態」および「一部の実施形態」などの言及は、該実施形態に関連して記載された特定の要素（例えば、特長、構造、特性およびまたは特質）が本明細書に記載の少なくともある実施形態に含まれており、他の実施形態に含まれていてもいなくてもよいことを意味する。また、記載された要素（類）は、種々の実施形態において任意の好適な方法で組み合わせられ得るものと理解されるべきである。
【００１７】
フィルムが、押出前で、ポリエーテルイミドを少なくとも９０質量％含む高収率押出ポリエーテルイミドフィルムかどうかを決定するために、ピクセルあたりの分解能が８μｍのＳｍａｒｔ  ＬＩＮＥ−ＣＡＭ８０００ＨＳデジタルラインＣＣＤライン走査カメラを用いたＳｃｈｅｎｋ  Ｖｉｓｉｏｎオンラインスキャナなどの光学検査システムを用いて、フィルム上の欠陥数をカウントできる。欠陥（数）は、２５μｍ未満から１００μｍ超の範囲のサイズに従って分類できる。
【００１８】
全欠陥数が３０００個を超えるフィルムは、押出前で、ポリエーテルイミドを９０質量％未満含む押出ポリエーテルイミドフィルムを有するフィルムとして分類され、全欠陥数が３０００個以下のフィルムは、押出前で、ポリエーテルイミドを９０質量％超含む押出ポリエーテルイミドフィルムを有するフィルムとして分類される。
【００１９】
化合物は標準命名法を用いて記載される。例えば、表記のいかなる基によっても置換されていない位置は、その価電子帯が表示された結合または水素原子によって満たされているものと理解されるべきである。２つの文字または記号間以外のダッシュ（「−」）は、置換基の結合点を示す。例えば、−ＣＨＯは、カルボニル基の炭素を経由して結合される。「アルキル」としては、Ｃ１−３０分枝鎖および直鎖と、特定の数の炭素原子を有する不飽和脂肪族炭化水素基と、が挙げられる。アルキルの例としては、これに限定されないが、メチル、エチル、ｎ−プロピル、ｉ−プロピル、ｎ−ブチル、ｓ−ブチル、ｔ−ブチル、ｎ−ペンチル、ｓ−ペンチル、ｎ−およびｓ−ヘキシル、ｎ−およびｓ−ヘプチルおよびｎ−およびｓ−オクチルが挙げられる。「アリール」は、フェニル、トロポン、インダニルまたはナフチルなどの、特定の数の炭素原子を含む芳香族部分を意味する。
【００２０】
「アルキル」としては、分枝鎖または直鎖、不飽和脂肪族Ｃ１−３０炭化水素基が挙げられる（例えば、メチル、エチル、ｎ−プロピル、ｉ−プロピル、ｎ−ブチル、ｓ−ブチル、ｔ−ブチル、ｎ−ペンチル、ｓ−ペンチル、ｎ−およびｓ−ヘキシル、ｎ−およびｓ−ヘプチル、ｎ−およびｓ−オクチル）。「アルケニル」は、少なくとも１つの炭素−炭素二重結合（例えばエテニル（−ＨＣ＝ＣＨ２）を有する直鎖または分枝鎖、一価炭化水素基を意味する。「アルコキシ」は、酸素経由で結合したアルキル基（例えばアルキル−Ｏ−）を意味し、例えば、メトキシ基、エトキシ基およびｓｅｃ−ブチルオキシ基である。
【００２１】
「アルキレン」は、直鎖または分枝鎖、飽和、二価の脂肪族炭化水素基（例えば、メチレン基（−ＣＨ２−）またはプロピレン基（−（ＣＨ２）３−）を意味する。
【００２２】
「シクロアルキレン」は、二価の環式アルキレン基：−ＣｎＨ２ｎ−ｘ（ｘは、環化で置換された水素数）を意味する。「シクロアルケニル」は、１つ以上の環（環員はすべて炭素）と、該環内に１つ以上の炭素−炭素二重結合と、を有する一価の基（例えば、シクロペンチルおよびシクロヘキシル）を意味する。
【００２３】
「アリール」は、フェニル、トロポン、インダニルまたはナフチルなどの、特定の数の炭素原子を含む芳香族炭化水素基を意味する。
【００２４】
接頭辞「ハロ」は、フルオロ、クロロ、ブロモ、ヨードおよびアスタチン置換基を１つまたは複数含む基または化合物を意味する。異なるハロ基の組み合わせ（例えば、ブロモとフルオロ）も存在できる。ある実施形態では、クロロ基だけが存在する。
【００２５】
接頭辞「ヘテロ」は、該化合物または基が、ヘテロ原子である環員を少なくとも１つ（例えば、１つ、２つ、または３つのヘテロ原子）（これらのヘテロ原子は、それぞれ独立にＮ、Ｏ、ＳまたはＰ）含むことを意味する。
【００２６】
「置換された」は、置換原子の正常な原子価を超えないことを条件として、水素の代わりに、Ｃ１−９アルコキシ、Ｃ１−９ハロアルコキシ、ニトロ（−ＮＯ２）、シアノ（−ＣＮ）、Ｃ１−６アルキルスルホニル（−Ｓ（＝Ｏ）２−アルキル）、Ｃ６−１２アリールスルホニル（−Ｓ（＝Ｏ）２−アリール）、チオール（−ＳＨ）、チオシアノ（−ＳＣＮ）、トシル（ＣＨ３Ｃ６Ｈ４ＳＯ２−）、Ｃ３−１２シクロアルキル、Ｃ２−１２アルケニル、Ｃ５−１２シクロアルケニル、Ｃ６−１２アリール、Ｃ７−１３アリールアルキレン、Ｃ４−１２ヘテロシクロアルキルおよびＣ３−１２ヘテロアリールから独立に選択された少なくとも１つの（例えば、１つ、２つ、３つ、あるいは４つの）置換基で、化合物または基が置換されることを意味する。
【００２７】
別途明示される場合を除き、すべてのＡＳＴＭ試験は、ＡＳＴＭ標準２００３年版に基づくものである。
【００２８】
該フィルムの製造に使用されるポリエーテルイミドは、式（１）の構造単位を２つ以上、例えば、１０〜１０００個または１０〜５００個含む：
【化１】
0006329253.tif 000002
式中、Ｒは、それぞれ同じであっても異なっていてもよく、ｍ−フェニレン、ｐ−フェニレンあるいはこれらの組み合わせから選択された基である。
【００２９】
さらに、式（１）のＴは、−Ｏ−または式−Ｏ−Ｚ−Ｏ−基であり、ここで、−Ｏ−または−Ｏ−Ｚ−Ｏ−基の二価結合は、３，３’、３，４’、４，３’または４，４’位置にある。式（１）の−Ｏ−Ｚ−Ｏ−の基Ｚは、置換または未置換二価有機基でもあり、Ｚの価数を超えないことを条件として、１〜６個のＣ１−８アルキル基、１〜８個のハロゲン原子あるいはこれらの組み合わせで任意に置換された芳香族Ｃ６−２４単環式または多環式部分であってもよい。典型的な基Ｚは、式（３）のジヒドロキシ化合物から誘導された基を含む：
【化２】
0006329253.tif 000003
式中、ＲａとＲｂは、同じであっても異なっていてもよく、例えば、ハロゲン原子または１価のＣ１−６アルキル基であり；ｐとｑは、それぞれ独立に０〜４の整数であり；ｃは０〜４であり；Ｘａは、ヒドロキシ置換芳香族基を結合する架橋基であり、各Ｃ６アリーレン基の架橋基とヒドロキシ置換基は、Ｃ６アリーレン基上に互いにオルト、メタまたはパラ（特定的にはパラ）位置に配置されている。架橋基Ｘａは、単結合、−Ｏ−、−Ｓ−、−Ｓ（Ｏ）−、−Ｓ（Ｏ）２−、−Ｃ（Ｏ）−またはＣ１ー１８有機架橋基であってもよい。Ｃ１−１８有機架橋基は、環式または非環式、芳香族または非芳香族であってもよく、ハロゲン、酸素、窒素、硫黄、シリコンまたはリンなどのヘテロ原子をさらに含んでいてもよい。Ｃ１−１８有機基は、それに結合しているＣ６アリーレン基が、それぞれ共通のアルキリデン炭素に、あるいはＣ１−１８有機架橋基の異なる炭素に結合されるように配置されていてもよい。特定の例では、基Ｚは式（２ａ）の二価基である：
【化３】
0006329253.tif 000004
式中、Ｑは、−Ｏ−、−Ｓ−、−Ｃ（Ｏ）−、−ＳＯ２−、−ＳＯ−または−ＣｙＨ２ｙ−（ｙは、１から５の整数またはそのハロゲン化誘導体（パーフルオロアルキレン基を含む））である。特定の実施形態では、Ｚは、式（２ａ）のＱが２，２−イソプロピリデンであるビスフェノールＡから誘導される。
【００３０】
式（１）の中のある実施形態では、Ｒは、ｍ−フェニレン、ｐ−フェニレンまたはこれらの組み合わせであり、Ｔは−Ｏ−Ｚ−Ｏ（Ｚは、式（２ａ）の二価基）である。あるいは、Ｒは、ｍ−フェニレン、ｐ−フェニレンまたはこれらの組み合わせであり、Ｔは−Ｏ−Ｚ−Ｏ（Ｚは、式（２ａ）の二価基）であり、Ｑは、式（２ｂ）で示される２，２−イソプロピリデンである：
【化４】
0006329253.tif 000005
一部の実施形態では、Ｒはｍ−フェニレンであり、Ｔは−Ｏ−Ｚ−Ｏ（Ｚは、式（２ａ）の二価基）であり、Ｑは２，２−イソプロピリデンである。他の実施形態では、Ｒはｐ−フェニレンであり、Ｔは−Ｏ−Ｚ−Ｏ（Ｚは、式（２ａ）の二価基）であり、Ｑは２，２−イソプロピリデンである。
【００３１】
ポリエーテルイミドは、式（４）の芳香族ビス（エーテル無水物）
【化５】
0006329253.tif 000006
（式中、Ｔは、上記の式（１）で定義したもの）と、ｍ−フェニレンジアミン、ｐ−フェニレンジアミンまたはこれらの組み合わせとの反応を含む、当業者に周知のいずれかの方法で調製できる。ポリエーテルイミドのコポリマーは、式（３）の芳香族ビス（エーテル無水物）（式中、Ｔは、エーテル官能性を有さず、例えばスルホンである）と、異なるビス（無水物）と、の組み合わせを用いて製造できる。
【００３２】
ビス（無水物）の具体的な例としては、３，３−ビス［４−（３，４−ジカルボキシフェノキシ）フェニル］プロパン二無水物；４，４’−ビス（３，４−ジカルボキシフェノキシ）ジフェニルエーテル二無水物；４，４’−ビス（３，４−ジカルボキシフェノキシ）ジフェニルスルフィド二無水物；４，４’−ビス（３，４−ジカルボキシフェノキシ）ベンゾフェノン二無水物；４，４’−ビス（３，４−ジカルボキシフェノキシ）ジフェニルスルホン二無水物；２，２−ビス［４−（２，３−ジカルボキシフェノキシ）フェニル］プロパン二無水物；４，４’−ビス（２，３−ジカルボキシフェノキシ）ジフェニルエーテル二無水物；４，４’−ビス（２，３−ジカルボキシフェノキシ）ジフェニルスルフィド二無水物；４，４’−ビス（２，３−ジカルボキシフェノキシ）ベンゾフェノン二無水物；４，４’−ビス（２，３−ジカルボキシフェノキシ）ジフェニルスルホン二無水物；４−（２，３−ジカルボキシフェノキシ）−４’−（３，４−ジカルボキシフェノキシ）ジフェニル−２，２−プロパン二無水物；４−（２，３−ジカルボキシフェノキシ）−４’−（３，４−ジカルボキシフェノキシ）ジフェニルエーテル二無水物；４−（２，３−ジカルボキシフェノキシ）−４’−（３，４−ジカルボキシフェノキシ）ジフェニルスルフィド二無水物；４−（２，３−ジカルボキシフェノキシ）−４’−（３，４−ジカルボキシフェノキシ）ベンゾフェノン二無水物；４−（２，３−ジカルボキシフェノキシ）−４’−（３，４−ジカルボキシフェノキシ）ジフェニルスルホン二無水物およびこれらの種々の組み合わせが挙げられる。
【００３３】
ポリエーテルイミドのコポリマーは、式（３）の芳香族ビス（エーテル無水物）と、異なるジアミンと、の組み合わせを用いて製造できる。異なるジアミンとしては、例えば、エチレンジアミン、プロピレンジアミン、トリメチレンジアミン、ジエチレントリアミン、トリエチレンテトラミン、ヘキサメチレンジアミン、ヘプタメチレンジアミン、オクタメチレンジアミン、ノナメチレンジアミン、デカメチレンジアミン、１，１２−ドデカンジアミン、１，１８−オクタデカンジアミン、３−メチルヘプタメチレンジアミン、４，４−ジメチルヘプタメチレンジアミン、４−メチルノナメチレンジアミン、５−メチルノナメチレンジアミン、２，５−ジメチルヘキサメチレンジアミン、２，５−ジメチルヘプタメチレンジアミン、２，２−ジメチルプロピレンジアミン、Ｎ−メチル−ビス（３−アミノプロピル）アミン、３−メトキシヘキサメチレンジアミン、１，２−ビス（３−アミノプロポキシ）エタン、ビス（３−アミノプロピル）スルフィド、１，４−シクロヘキサンジアミン、ビス−（４−アミノシクロヘキシル）メタン、ｍ−フェニレンジアミン、ｐ−フェニレンジアミン、２，４−ジアミノトルエン、２，６−ジアミノトルエン、ｍ−キシリレンジアミン、ｐ−キシリレンジアミン、２−メチル−４，６−ジエチル−１，３−フェニレン−ジアミン、５−メチル−４，６−ジエチル−１，３−フェニレン−ジアミン、ベンジジン、３，３’−ジメチルベンジジン、３，３’−ジメトキシベンジジン、１，５−ジアミノナフタレン、ビス（４−アミノフェニル）メタン、ビス（２−クロロ−４−アミノ−３，５−ジエチルフェニル）メタン、ビス（４−アミノフェニル）プロパン、２，４−ビス（ｐ−アミノ−ｔ−ブチル）トルエン、ビス（ｐ−アミノ−ｔ−ブチルフェニル）エーテル、ビス（ｐ−メチル−ｏ−アミノフェニル）ベンゼン、ビス（ｐ−メチル−ｏ−アミノペンチル）ベンゼン、１，３−ジアミノ−４−イソプロピルベンゼン、ビス（４−アミノフェニル）スルフィド、ビス−（４−アミノフェニル）スルホンおよびビス（４−アミノフェニル）エーテルが挙げられる。これらの化合物の組み合わせも使用できる。しかしながら、本明細書に記載の高収率を達成するためには、これらの代替となるジアミンを最小量、例えば、使用するジアミンの全モル数に対して、１０モル％未満、５モル％未満あるいは１モル％未満使用すること、あるいは全く使用しないことが好ましい。
【００３４】
さらに、所望の高収率を達成するために、ポリエーテルイミドは、置換または未置換芳香族第１級モノアミンで、例えば、置換または未置換アニリン、置換または未置換ナフチル第一アミン、あるいは置換または未置換ヘテロアリールアミンで末端キャップ化されている。ここで、置換基は、芳香環に結合した、任意にハロゲン化されたＣ６−１２アリール基、任意にハロゲン化されたＣ１−１２アルキル基、スルホン基、Ｃ１−１２エステル基、Ｃ１−１２アミド基、ハロゲン、Ｃ１−１２アルキルエーテル基、Ｃ６−１２アリールエーテル基あるいはＣ６−１２アリールケト基から選択される。付加された官能性によって、分子量を制御する芳香族第１級モノアミンの機能が妨げられてはならない。好適なモノアミンは、米国特許第６，９１９，４２２号にリストアップされている。具体的な例としては、アニリン、クロロアニリン、パーフルオロメチルアニリン、ナフチルアミンなどが挙げられる。ある実施形態では、芳香族モノアミンはアニリンである。
【００３５】
ポリエーテルイミドの製造中に添加される芳香族モノアミンの量は、所望の分子量とその他の考慮すべき事柄に依存する。例えば、イミド化反応で存在する芳香族モノアミンの量は、芳香族ジアミン（例えばフェニレンジアミン）の合計モル数に対して、０超〜１０モル％であってもよく、具体的には１〜１０モル％であってもよく、あるいは、２〜１０モル％であってもよく、５〜９モル％であってもよく、あるいは６〜７モル％であってもよい。イミド化触媒の有無に拘わらず、イミド化開始前後の任意のタイミングで、例えば芳香族ジアミン、芳香族二無水物、溶媒あるいはこれらの組み合わせに、単官能性反応物質を添加してもよい。特定の量は、所定の実験によって決定できる。
【００３６】
ある実施形態では、各反応物質の相対量、触媒の種類と量、芳香族第１級モノアミンの種類と量および反応条件は、アミン基１．０当たり無水物基を１．０〜１．４モル当量有するポリエーテルイミドが得られるように選択される。アミン基１．０当たりの無水物基の他のモル当量としては、アミン基１．０当たり、１．０から、１．００２、１．１、１．２、１．３および１．４から選択された数のモル当量までが含まれ得る。
【００３７】
ポリエーテルイミドは、さらに任意に架橋していてもよい。架橋方法は既知であり、例えば、ある波長でポリエーテルイミドの架橋に効果的な時間、押出フィルムを照射する。例えば、２８０ｎｍ超〜４００ｎｍ以下の波長の紫外線照射によって架橋できる。
【００３８】
ある実施形態では、架橋ポリエーテルイミドの絶縁破壊強度は、未架橋のポリエーテルイミドを含む同じフィルムに対して、５〜５０％高い。ある実施形態では、フィルムは架橋していない。
【００３９】
あるいは、またはさらに、該フィルムは、任意に分枝鎖ポリエーテルイミドを含む。この場合、フィルムの絶縁破壊強度は、非分枝鎖ポリエーテルイミドを含む点を除いて同じであるフィルムに比べて、５〜５０％高い。分枝鎖ポリエーテルイミドの形成方法は、当分野では既知である。分枝鎖ポリエーテルイミドが使用される場合、フィルムの絶縁破壊強度は、非分枝鎖ポリエーテルイミドを含む点を除いて同じであるフィルムに比べて、５〜５０％高い。ある実施形態では、フィルムは、分枝鎖ポリエーテルイミドを含まない。
【００４０】
ポリエーテルイミドのメルトインデックスは、ＡＳＴＭ  Ｄ１２３８に準拠し温度３４０〜３７０℃、荷重６．７ｋｇで測定して、０．１〜１０ｇ／ｍｉｎであってもよい。一部の実施形態では、ポリエーテルイミドポリマーの質量平均分子量（Ｍｗ）は、ポリスチレン標準を用いたゲル透過クロマトグラフィで測定して、２０，０００〜４００，０００ｇ／モル（ダルトン）である。一部の実施形態では、ポリエーテルイミドのＭｗは１０，０００〜２００，０００のダルトンであり、Ｍｗが１０，０００〜８０，０００ダルトンあるいは５０，０００〜７５，０００ダルトンの時に特に良好な結果が得られる。こうしたポリエーテルイミドポリマーの固有粘度は、２５℃のｍ−クレゾール中で測定して、典型的には０．２ｄＬ／ｇ超であり、より具体的には０．３５〜０．７ｄＬ／ｇである。
【００４１】
ポリエーテルイミドの１００秒−１と５０００秒−１での粘度比は、キャピラリーレオメータで測定して、３４０℃で１０未満であってもよい。
【００４２】
ポリエーテルイミドの引張弾性率は、ＡＳＴＭ  Ｄ６３８に準拠して求めて、３８０，０００ｐｓｉ（２６１８ＭＰａ）以上であってもよい。
【００４３】
本発明者らは、高収率で、特に以下に記載するようにロール状の、および所望の電気的特性およびその他の特性を有するフィルムを製造するためには、ポリエーテルイミドフィルム形成組成物（および従ってフィルム）の、以下に記載する種々の副生物と混入物の量は少なければならない、ことを見出した。
【００４４】
例えば、ポリエーテルイミドフィルム形成組成物またはフィルムは、分子量が５００ｇ／モル以上のリン含有安定剤を、該形成組成物またはフィルムの質量に対して、０〜２質量％、あるいは０〜１質量％、あるいは０．５〜１質量％含んでいてもよい。
【００４５】
ポリエーテルイミドフィルム形成組成物またはフィルムは、ヒドロキシル基含有化合物を、該形成組成物またはフィルムの質量部に対して、０、０．１〜５０ｐｐｍ未満、４０ｐｐｍ未満、３０ｐｐｍ未満あるいは２０ｐｐｍ未満含んでいてもよい。
【００４６】
ポリエーテルイミドフィルム形成組成物またはフィルムは、無水フタル酸フェニレンジアミンまたは無水フタル酸フェニレンジアミンイミドのそれぞれを、該形成組成物またはフィルムの質量部に対して、０、０．１〜１０ｐｐｍ未満、８ｐｐｍ未満、５ｐｐｍ未満あるいは３ｐｐｍ未満含んでいてもよい。あるいは、またはさらに、ポリエーテルイミドフィルム形成組成物またはフィルムは、無水フタル酸フェニレンジアミンおよび無水フタル酸フェニレンジアミンイミドの合計を、該形成組成物またはフィルムの質量部に対して、０、０．１〜１０ｐｐｍ未満、８ｐｐｍ未満、５ｐｐｍあるいは３ｐｐｍ未満含んでいてもよい。
【００４７】
ポリエーテルイミドフィルム形成組成物またはフィルムは、分子量が５００ダルトン未満の化合物を、該形成組成物またはフィルムの質量に対して、０、０．１〜５質量％未満、４質量％未満、３質量％未満、あるいは２質量％未満含んでいてもよい。
【００４８】
ポリエーテルイミドフィルム形成組成物またはフィルムは、ハロゲン含有化合物を、該形成組成物またはフィルムの質量部に対して、０、０．１〜１５００ｐｐｍ未満、１２００ｐｐｍ未満、１０００ｐｐｍ未満、８００ｐｐｍ未満、あるいは５００ｐｐｍ未満含んでいてもよい。
【００４９】
ポリエーテルイミドフィルム形成組成物またはフィルムは、アルカリ金属を、該形成組成物またはフィルムの質量部に対して、０、０．１〜１００ｐｐｍ未満、８０ｐｐｍ未満、６０ｐｐｍ未満、４０ｐｐｍ未満、あるいは２０ｐｐｍ未満含んでいてもよい。
【００５０】
ポリエーテルイミドフィルム形成組成物またはフィルムは、浸出性の低イオン性塩化物と硫酸塩のそれぞれを、該形成組成物またはフィルムの質量部に対して、０〜０．１ｐｐｍ未満含んでいてもよい。
【００５１】
ポリエーテルイミドフィルム形成組成物またはフィルムは、Ａｌ、Ｃａ、Ｃｒ、Ｆｅ、Ｋ、Ｍｇ、Ｎａ、ＮｉおよびＴｉから選択された金属混入物をそれぞれ、該形成組成物またはフィルムの質量部に対して、０、０．１〜１０ｐｐｍ未満、９ｐｐｍ未満、８ｐｐｍ未満、７ｐｐｍ未満、６ｐｐｍ未満、あるいは５ｐｐｍ未満含んでいてもよい。あるいは、またはさらに、フィルム中の金属混入物の合計量は、０、０．１〜２０ｐｐｍ未満、１５ｐｐｍ未満、１０ｐｐｍ未満、あるいは５ｐｐｍ未満であってもよい。
【００５２】
ポリエーテルイミドフィルム形成組成物またはフィルムは、フッ素を、組成物の合計質量に対して、０、０．１〜５質量％未満、具体的には４質量％未満、３質量％未満、２質量％未満、あるいは１質量％未満含んでいてもよい。フッ素が存在することによって、ポリマーおよびそれで製造される対応するフィルムの絶縁破壊強度が低下し得る。
【００５３】
従って、ポリエーテルイミドフィルム形成組成物またはフィルムは、フッ素含有化合物を、該形成組成物またはフィルムの質量部に対して、０、０．１〜１０００ｐｐｍ未満、具体的には７５０ｐｐｍ未満、５００ｐｐｍ未満、あるいは５０ｐｐｍ未満含む。ある実施形態では、フィルム形成組成物はフッ素含有化合物を含まない。こうした化合物としては、これに限定されないが、ある離型剤、充填剤（例えば微粒子ＰＴＦＥ）あるいは難燃剤が挙げられる。
【００５４】
所望の高収率あるいは物理的および電気的特性が著しく悪影響を受けないことを条件として、ポリエーテルイミドフィルム形成組成物および従ってフィルム中に、他のポリマー成分が存在してもよい。ポリエーテルイミドフィルム形成組成物またはフィルムは、例えば、シリコーンポリエーテルイミド、ポリエーテルイミドスルホン、ポリエステル、ポリカーボネート、シリコーンポリカーボネート−ポリエステルコポリマーおよびこれらの組み合わせから選択されたポリマーを、該形成組成物またはフィルムの質量に対して、１〜５０質量％、１〜４０質量％、１〜３０質量％、１〜２０質量％あるいは１〜１０質量％含んでいてもよい。あるいは、ポリエーテルイミドフィルム形成組成物またはフィルムは、他の任意のポリマー、特に、シリコーンポリエーテルイミド、ポリエーテルイミドスルホン、ポリエステル、ポリカーボネート、シリコーンポリカーボネート−ポリエステルコポリマーおよびこれらの組み合わせから選択された他の任意のポリマーを、該形成組成物またはフィルムの質量に対して、０、０．１〜２０質量％未満、１５質量％未満、１０質量％未満あるいは５質量％未満含んでいてもよい。
【００５５】
ポリエーテルイミドフィルム形成組成物またはフィルムは、ｍ−フェニレンジアミン、ｐ−フェニレンジアミンおよびこれらの組み合わせから選択されたアミンの重合から誘導された単位を含むポリエーテルイミド以外のポリエーテルイミドを、該形成組成物またはフィルムの質量に対して、０、０．１〜１５質量％未満、１２質量％未満、１０質量％未満、８質量％未満、あるいは５質量％未満含んでいてもよい。
【００５６】
ポリエーテルイミドまたはフィルムの単一のガラス転移温度は、１５０℃超、１６０℃超あるいは１８０℃超であってもよい。
【００５７】
ポリエーテルイミドフィルムは、径が２０μｍ超の炭化介在物を、１００ｃｍ２領域当たり２個未満あるいは１個未満含んでいてもよい。また、ポリエーテルイミドフィルムは、径が２０μｍ超のゲル領域を、１００ｃｍ２領域当たり２個未満あるいは１個未満含んでいてもよい。
【００５８】
同様に、該シワなしフィルム、特に後述のようなロール状のシワなしフィルムを製造するためには、ポリエーテルイミドフィルム形成組成物（従ってそのフィルム）は、シリコーン化合物を１０００質量ｐｐｍ未満、具体的には７５０質量ｐｐｍ未満、５００質量ｐｐｍ未満あるいは５０質量ｐｐｍ未満含むことも見出された。ある実施形態では、フィルム形成組成物またはフィルムは、シリコーン化合物を含まない。こうしたシリコーン化合物としては、これに限定されないが、シリコーンオイルおよびポリジメチルシロキサンが挙げられる。
【００５９】
さらにより具体的には、ポリエーテルイミドフィルム形成組成物およびフィルムは、フッ素含有化合物およびシリコーン化合物を１０００質量ｐｐｍ未満、具体的には７５０質量ｐｐｍ未満、５００質量ｐｐｍ未満あるいは５０質量ｐｐｍ未満含む。ある実施形態では、フィルム形成組成物またはフィルムは、フッ素含有化合物およびシリコーン化合物を含まない。
【００６０】
一部の実施形態では、本質的に臭素と塩素を含まないポリエーテルイミドフィルム形成組成物とフィルムを使用することが望ましい。臭素と塩素を「本質的に含まない」とは、フィルム形成組成物がこれらを、組成物の質量に対して、３質量％未満含むことを意味し、他の実施形態では、１質量％未満含むことを意味する。他の実施形態では、該組成物はハロゲンフリーである。「ハロゲンフリー」とは、ハロゲン含量（フッ素、臭素、塩素およびヨウ素の合計量）が、組成物の合計質量に対して１０００質量ｐｐｍ以下であると定義される。ハロゲン量は、原子吸光法などの通常の化学分析で求められる。
【００６１】
また、フィルムは押出で製造され、溶媒キャスティングプロセスでは製造されないので、本発明の押出フィルムは、「溶媒フリー」であり得る。「溶媒フリー」とは、フィルムが１０００ｐｐｍ未満の溶媒を含むことを意味する。一実施形態では、フィルムは、溶媒を、５００ｐｐｍ未満、４００ｐｐｍ未満、３００ｐｐｍ未満、２００ｐｐｍ未満、１００ｐｐｍ未満あるいは１０ｐｐｍ未満含む。一実施形態では、フィルムは、いかなる検出可能量の溶媒も含まない。こうした溶媒の例としては、これに限定されないが、ｏ−クレゾール、ｍ−クレゾール、ジメチルアセトアミド（ＤＭＡＣ）、Ｎ−メチルピロリドン（ＮＭＰ）、ジメチルホルムアミド（ＤＭＦ）、クロロベンゼン、ｏ−ジクロロベンゼン、トリクロロベンゼン、ベラトロール、アニソールおよびこれらの組み合わせが挙げられる。
【００６２】
ポリエーテルイミドフィルム形成組成物は、さらに任意に、その特性（例えば誘電率、熱膨張率など）を調節する微粒子充填剤の１種または複数種を含んでも含まなくてもよい。典型的な微粒子充填剤としては、溶融シリカや結晶シリカなどのシリカ粉末；窒化ホウ素粉末およびホウケイ酸粉末；アルミナおよび酸化マグネシウム（すなわちマグネシア）；ケイ酸塩球；煙塵；セノスフェア；アルミノケイ酸塩（アーモスフェア）；天然ケイ砂；石英；珪岩；酸化チタン、チタン酸バリウム、バリウムストロンチウム、五酸化タンタル、トリポリ；珪藻土；合成シリカ；およびこれらの組み合わせが挙げられる。これらの充填剤はすべて、ポリマーマトリックス樹脂との接着性および分散性向上のために、シランで表面処理されていてもよい。ポリエーテルイミドフィルム形成組成物中に微粒子充填剤が存在する場合、その量は大きく異なっていてもよく、所望の物性が効果的に得られる量となる。一部の例では、微粒子充填剤の存在量は、フィルム形成組成物の合計質量に対して、０．１〜５０体積％、０．１〜４０体積％、あるいは５〜３０体積％、より具体的には５〜２０体積％である。
【００６３】
フッ素が５質量％超とならないように、シリコーンが１０００質量ｐｐｍ超とならないように、あるいは該組成物の所望の特性が著しく悪影響を受けないように添加剤が選択されることを条件として、ポリエーテルイミドフィルム形成組成物は、誘電体基板ポリマー組成物に組み込まれる種々の添加剤を含んでも含まなくてもよい。ある実施形態では、いかなる添加剤の量も、分子量が２５０ダルトン未満の化合物の含有量が１，０００ｐｐｍ未満となる量である。典型的な添加剤としては、酸化防止剤、熱安定剤、光安定剤、紫外線（ＵＶ）吸収剤、失活剤、可塑剤、潤滑剤、帯電防止剤、難燃剤、防滴剤および放射線安定剤が挙げられる。添加剤の組み合わせも使用できる。前述の添加剤（充填剤はすべて除く）個々の存在量は、フィルム形成組成物の合計質量に対して、一般に０．００５〜２０質量％であり、具体的には０．０１〜１０質量％である。
【００６４】
好適な酸化防止剤は、ホスファイト、ホスホナイト、ヒンダードフェノールまたはこれらの混合物などの化合物であり得る。トリアリールホスファイトとアリールホスホネートとを含むリン含有安定剤は有用な添加剤である。二官能性リン含有化合物も見過ごされ得る。好適な安定剤の分子量は３００以上であり得る。一部の典型的な化合物は、Ｃｉｂａ  Ｃｈｅｍｉｃａｌ社からＩＲＧＡＰＨＯＳ１６８として販売されているトリス−ジ−ｔｅｒｔ−ブチルフェニルホスファイトおよびＤｏｖｅｒ  Ｃｈｅｍｉｃａｌ社からＤＯＶＥＲＰＨＯＳ  Ｓ−９２２８として市販されているビス（２，４−ジクミルフェニル）ペンタエリスリトールジホスファイトである。
【００６５】
ホスファイトとホスホナイトの例としては、トリフェニルホスファイト、ジフェニルアルキルホスファイト、フェニルジアルキルホスファイト、トリス（ノニルフェニル）ホスファイト、トリラウリルホスファイト、トリオクタデシルホスファイト、ジステアリルペンタエリスリトールジホスファイト、トリス（２，４−ジ−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）ホスファイト、ジイソデシルペンタエリスリトールジホスファイト、ビス（２，４−ジ−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）ペンタエリスリトールジホスファイト、ビス（２，６−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−４−メチルフェニル）−ペンタエリスリトールジホスファイト、ジイソデシルオキシペンタエリスリトールジホスファイト、ビス（２，４−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−６−メチルフェニル）ペンタエリスリトールジホスファイト、ビス（２，４，６−トリス（ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）ペンタエリスリトールジホスファイト、トリステアリルソルビトールトリ−ホスファイト、テトラキス（２，４−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−フェニル）４，４’−ビフェニレンジホスホナイト、ビス（２，４−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−６−メチルフェニル）メチルホスファイト、ビス（２，４−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−６−メチルフェニル）エチルホスファイト、２，２’，２’’−ニトリロ［トリエチルトリス（３，３’，５，５’−テトラ−ｔｅｒｔ−ブチル−１，１’−ビフェニル−２，２’−ジイル）ホスファイト］、２−エチルヘキシル（３，３’，５，５’−テトラ−ｔｅｒｔ−ブチル−１，１’−ビフェニル−２，２’−ジイル）ホスファイトおよび５−ブチル−５−エチル−２−（２，４，６−トリ−ｔｅｒｔ−ブチルフェノキシ）−１，３，２−ジオキサホスフィランが挙げられる。
【００６６】
２つ以上の有機リン化合物を含む組み合わせも考慮される。有機リン化合物が組み合わせで使用される場合、それらは同じタイプであっても異なるタイプであってもよい。組み合わせとしては、例えば、２つのホスファイトであってもよく、あるいはホスファイトとホスホナイトであってもよい。一部の実施形態では、分子量が３００以上のリン含有安定剤が有用である。例えばアリールホスファイトなどのリン含有安定剤の組成物中の量は、組成物の合計質量に対して、通常０．００５〜３質量％であり、具体的には０．０１〜１．０質量％である。
【００６７】
例えば、アルキル化モノフェノールおよびアルキル化ビスフェノールまたはポリフェノールなどのヒンダードフェノールも酸化防止剤として使用できる。典型的なアルキル化モノフェノールとしては、２，６−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−４−メチルフェノール；２−ｔｅｒｔ−ブチル−４，６−ジメチルフェノール；２，６−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−４−エチルフェノール；２，６−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−４−ｎ−ブチルフェノール；２，６−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−４−イソブチルフェノール；２，６−ジシクロペンチル−４−メチルフェノール；２−（α−メチルシクロヘキシル）−４，６−ジメチルフェノール；２，６−ジオクタデシル−４−メチルフェノール；２，４，６−トリシクロヘキシルフェノール；２，６−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−４−メトキシメチルフェノール；側鎖内で線状または分枝状であるノニルフェノール、例えば２，６−ジ−ノニル−４−メチルフェノール；２，４−ジメチル−６−（１’−メチルウンデカ−１’−イル）フェノール；２，４−ジメチル−６−（１’−メチルヘプタデカ−１’−イル）フェノール；２，４−ジメチル−６−（１’−メチルトリデカ−１’−イル）フェノールおよびこれらの混合物が挙げられる。典型的なアルキリデンビスフェノールとしては、２，２’−メチレンビス（６−ｔｅｒｔ−ブチル−４−メチルフェノール）、２，２’−メチレンビス（６−ｔｅｒｔ−ブチル−４−エチルフェノール）、２，２’−メチレンビス［４−メチル−６−（α−メチルシクロヘキシル）−フェノール］、２，２’−メチレンビス（４−メチル−６−シクロヘキシルフェノール）、２，２’−メチレンビス（６−ノニル−４−メチルフェノール）、２，２’−メチレンビス（４，６−ジ−ｔｅｒｔ−ブチルフェノール）、２，２’−エチリデンビス（４，６−ジ−ｔｅｒｔ−ブチルフェノール）、２，２’−エチリデンビス（６−ｔｅｒｔ−ブチル−４−イソブチルフェノール）、２，２’−メチレンビス［６−（α−メチルベンジル）−４−ノニルフェノール］、２，２’−メチレンビス［６−（α、α−ジメチルベンジル）−４−ノニルフェノール］、４，４’−メチレンビス−（２，６−ジ−ｔｅｒｔ−ブチルフェノール）、４，４’−メチレンビス（６−ｔｅｒｔ−ブチル−２−メチルフェノール）、１，１−ビス（５−ｔｅｒｔ−ブチル−４−ヒドロキシ−２−メチルフェニル）ブタン、２，６−ビス（３−ｔｅｒｔ−ブチル−５−メチル−２−ヒドロキシベンジル）−４−メチルフェノール、１，１，３−トリス（５−ｔｅｒｔ−ブチル−４−ヒドロキシ−２−メチルフェニル）ブタン、１，１−ビス（５−ｔｅｒｔ−ブチル−４−ヒドロキシ−２−メチル−フェニル）−３−ｎ−ドデシルメルカプトブタン、エチレングリコールビス［３，３−ビス（３’−ｔｅｒｔ−ブチル−４’−ヒドロキシフェニル）ブチレート］、ビス（３−ｔｅｒｔ−ブチル−４−ヒドロキシ−５−メチル−フェニル）ジシクロペンタジエン、ビス［２−（３’−ｔｅｒｔ−ブチル−２’−ヒドロキシ−５’−メチルベンジル）−６−ｔｅｒｔ−ブチル−４−メチルフェニル］テレフタレート、１，１−ビス−（３，５−ジメチル−２−ヒドロキシフェニル）ブタン、２，２−ビス−（３，５��ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−４−ヒドロキシフェニル）プロパン、２，２−ビス−（５−ｔｅｒｔ−ブチル−４−ヒドロキシ２−メチルフェニル）−４−ｎ−ドデシルメルカプトブタン、１，１，５，５−テトラ−（５−ｔｅｒｔ−ブチル−４−ヒドロキシ−２−メチルフェニル）ペンタンおよびこれらの混合物が挙げられる。
【００６８】
ヒンダードフェノール化合物の分子量は３００ｇ／モル以上であってもよい。高分子量であることによって、例えば３００℃以上などの高い加工温度で、ヒンダードフェノール部分がポリマー融液中に保持され易くなり得る。ヒンダードフェノール安定剤の組成物中の量は、組成物の合計質量に対して、通常０．００５〜２質量％であり、具体的には０．０１〜１．０質量％である。
【００６９】
一部の実施形態では、ポリエーテルイミドフィルム形成組成物は、再掲になるが、フッ素またはシリコンが５質量％超とならないように、あるいは該組成物の所望の特性が著しく悪影響を受けないようにポリマーが選択されることを条件として、少なくとも１つの追加の非晶質ポリマーをさらに任意に含んでいてもよい。こうした追加のポリマーの例としては、これに限定されないが、ポリ（フェニレンスルホン）、ポリ（スルホン）、ポリ（エーテルスルホン）、ポリ（アリーレンスルホン）、ポリ（フェニレンエーテル）、ポリカーボネート（ポリカーボネートホモポリマー、ポリカーボネートコポリマー、例えばポリエステルカーボネートコポリマー）、およびこれらのブレンドとコポリマーが挙げられる。該ポリマーが存在する場合、その量は、組成物の合計質量に対して、０超〜１２質量％であり、具体的には０．１〜１０質量％であり、より具体的には０．５〜５質量％である。ある実施形態では、該フィルム形成組成物は該ポリエーテルイミド以外のポリマーを含まない。
【００７０】
ポリエーテルイミドフィルム形成組成物は、緊密混合を形成する条件下で成分を混合することにより調製できる。こうした条件には、多くの場合、単軸または二軸スクリュー押出機、ミキシングボウル、あるいは成分にせん断を印加できる同様の混合装置内での溶融混合が含まれる。二軸スクリュー押出機は、単軸スクリュー押出機より混合能力および自己拭き取り能力が高いことから、好適であることが多い。組成物中の揮発性不純物を除去するために、押出機の少なくとも１つのベントを通して混合物を減圧することが好都合であることが多い。多くの場合、溶融に先立ってポリエーテルイミド（およびまたは他の添加剤）を乾燥させることは好都合である。溶融処理は、過剰なポリマー分解を避けるために２９０℃〜３４０℃で行われることが多いが、それでも十分に溶融させることによって、未溶融成分のない緊密ポリマー混合物が得られる。また、４０〜１００μｍのキャンドルまたはスクリーンフィルタを用いて該ポリマー混合物を溶融濾過して、望ましくない黒斑や、例えば径が１μｍ超の粒子などの他の異種混入物質を除去することもできる。
【００７１】
典型的なプロセスでは、種々の成分を押出混合器に投入して連続したストランドを製造し、これを冷却後ペレット状に裁断する。別の手順では、成分を乾式混合によって混合後、ミル内で溶融・粉砕するか、あるいは押出して裁断する。また、該組成物と他の任意成分を混合し直接に押出して、フィルムを形成することもできる。ある実施形態では、これらの成分はすべて、できるだけ水分を含まない。また、混合は、機械中の滞留時間の短縮化、注意深い温度制御、摩擦熱の利用および成分間の緊密混合の形成が確実になされるように行われる。
【００７２】
該組成物は、フラットダイ（ｆｌａｔ  ｄｉｅ）を用いた、熱可塑性組成物用に従来から使用されている押出機を用いて押出せる。該押出キャストフィルム法は、押出機でポリマーを溶融するステップと、該溶融ポリマーをリップギャップが小さなフラットダイを経由して搬送するステップと、比較的高い巻き取り速度でフィルムを延伸するステップと、ポリマーを冷却・凝固化して最終のフィルムを形成するステップと、を備える。押出機は、単軸スクリュー式のものであっても二軸スクリュー式のものであってもよく、また、ダイを経由するポリマーの一定の非脈動流れを得るために、溶融ポンプを使用してもよい。ダイのリップギャップは１００〜２００μｍと小さくてもよく、巻き取りローラーを最高速度２００ｍ／ｍｉｎで作動させてもよい。該押出機には、フィルムをテンパー／アニールして、凍結内部応力の発生を最小化する加熱ロールが追加されていてもよい。多くの場合、フィルム端部はトリミングされ、張力調節巻き取り機構を用いてロール上に巻き取られる。一部の例では、複合材料を薄膜に延伸する前に、市販およびまたは実験的に官能化された充填剤をポリマー中に均一に分散し得る。この場合、均一な分散を得るための充填剤のポリマーマトリックス中への混合を、延伸操作前のポリマーの溶融に用いた押出機とは別個の押出機で行ってもよく、あるいはより好適には、同じ押出機で行ってもよい。比較的厚みの薄いこうした押出フィルムを望み通りに調製するためには、溶融ポリマーを一定の均一な流れで、ダイ経由で正確に送ること、フィルムを作るポリマーのレオロジー特性、樹脂および装置が両方とも清浄であること、および巻き取り機構の機械的な特性がすべて必要となるであろう。
【００７３】
ある実施形態では、押出キャストフィルム法は、大規模装置に拡張可能なワンステップであり、いかなる溶媒の使用も必要としない。高分子量のポリマーおよびまたはガラス転移温度が高いポリマーの場合であっても、この押出プロセスを適切にデザインすることによって、材料の熱分解または機械的分解を生じ得る過剰な温度とならないポリマー環境が得られる。溶融物に対してろ過装置を使用することによって、それから適切に除去されていなければフィルムの誘電性能を損なうであろうゲルや黒斑などの混入物質を実質的に含まないフィルムが製造できる。この方法で製造されたフィルムは、織布全体に亘って均一な厚みを有する薄膜（１０μｍおよびさらにそれより薄い）であり、シワあるいは表面の波状の起伏がほとんどなく平坦であり、相対的に混入物質を含まない。
【００７４】
溶融組成物は、溶融ポンプにより、押出機ダイ経由で搬送される。ある実施形態では、フィルムを２５０℃〜５００℃、例えば３００℃〜４５０℃の温度で押出し、押出したフィルムを一軸に延伸して誘電体基板フィルムを製造する。具体的には、フィルム形成組成物の成分を混合、溶融および緊密混合後、ろ過して１μｍ超の粒子を除去し；前述の温度でフラットダイを経由して押出し；その後一軸に延伸する。延伸後、下記のようにフィルムを直接金属化でき、あるいは貯蔵または出荷用の巻き取りロール上に巻き取りできる。フィルムの長さは少なくとも１０ｍあるいは１００〜１０，０００ｍであってもよく、幅は少なくとも３００ｍｍあるいは３００〜３，０００ｍｍであってもよい。フィルムの押出速度は変動し得る。市販の実施形態では、フィルムの押出速度は１０ｌｂｓ／ｈｒ（４．５ｋｇ／ｈｒ）〜１０００ｌｂｓ／ｈｒ（５００ｋｇ／ｈｒ）であってもよい。押出機ダイプレートからのフィルムの引抜き（巻き取り）速度は１０ｍ／ｍｉｎ〜３００ｍ／ｍｉｎであってもよい。
【００７５】
重要な特長として、上記のようなポリエーテルイミドフィルム形成組成物を使用することによって、高収率押出フィルム、すなわち、押出前で、ポリエーテルイミドを少なくとも９０質量％、少なくとも９２質量％、少なくとも９４質量％、少なくとも９６質量％あるいは少なくとも９８質量％含むフィルムが得られる。
【００７６】
フィルムはその少なくとも一面を金属化できる。フィルムの使用目的に応じて、例えば、銅、アルミニウム、銀、金、ニッケル、亜鉛、チタン、クロム、バナジウム、タンタル、ニオブ、黄銅などの広範な金属が使用できる。フィルムの少なくとも平滑な面、すなわち、光学的形状測定法で求めたＲａが±３％未満の面が金属化される。ポリマーフィルムの金属化方法は既知であり、例えば、真空金属蒸着、金属スパッタリング、プラズマ処理、電子照射処理、化学的酸化または還元反応および無電解湿式化学的蒸着などが挙げられる。該フィルムは、従来の無電解めっきによって両面を金属化できる。別の実施形態では、例えばインクジェット印刷によって、フィルムの表面上にパターン化された金属層を形成できる。金属化層の厚みは、金属化フィルムの使用目的によって決定され、例えば、１Åから、１０００ｎｍ、５００ｎｍまたは１０ｎｍまでの範囲であってもよい。ある実施形態では、金属膜の厚みは１〜３０００Å、１〜２８２０Å、１〜２０００Åあるいは１〜１０００Åであってもよい。導電性金属を使用する場合、ポリマーフィルム上の金属層の抵抗率は０．１〜１０００Ω／□、あるいは０．１〜１００Ω／□であってもよい。
【００７７】
例えば金属層の接着を高めるために、金属化されるフィルムの表面を、例えば、洗浄、火炎処理、プラズマ放電、コロナ放電などによって予備処理してもよい。例えば、クリヤーコート（耐引っかき性を付与するポリ（メチルメタクリレート）やポリ（エチルメタクリレート）など）あるいはポリエーテルイミドフィルムの別の層を金属層上に堆積してラミネートを形成してもよい。
【００７８】
こうして製造されたフィルムと金属化フィルムは、種々の有利な物性を有する。
【００７９】
例えば、フィルムと金属化フィルムのガラス転移温度は、２１０℃超、２１５℃超、２１７℃超、２２０℃超あるいは２２５℃超であり得る。
【００８０】
フィルムと金属化フィルムの熱変形温度は、０．１２５インチ（３．２ｍｍ）厚の試験サンプルを用い、ＡＳＴＭ  Ｄ６４８に準拠し６６ｐｓｉ（０．４５ＭＰａ）で測定して、少なくとも１９５℃、少なくとも１９８℃、少なくとも２００℃あるいは少なくとも２０５℃であり得る。
【００８１】
フィルムと金属化フィルムの散逸率は、１ｋＨｚ、２３℃およびＲＨ５０％において、誘電分光法で測定して、０超〜５％未満、０超〜４％未満、０超〜３％未満、０超〜２％未満あるいは０超〜１％未満であり得る。ある実施形態では、フィルムの散逸率は低く、０．１％未満あるいは０．０８％未満である。ある実施形態では、１ｋＨｚでの散逸率は、０〜１７５℃の範囲で本質的に変わらず、１．３％未満である。別の実施形態では、散逸率は、１ｋＨｚ〜１００ｋＨｚ、２３℃、およびＲＨ５０％において０〜１．３％未満あるいは１．０％未満である。
【００８２】
該組成物と製造方法は、所望の性能特性、特に電気的特性を実現するために変更できる。
【００８３】
フィルムと金属化フィルムの誘電率は、１ｋＨｚ、２３℃およびＲＨ５０％において高いものであり得、特に、２．７超、３．０超あるいは３．２超であり得、３．３、３．４、４．２、４．３、４．４あるいは４．５、最大７．０であり得る。
【００８４】
フィルムと金属化フィルムの誘電率は、さらに、それらが製造されるポリマーのＴｇまで安定であり得る。該フィルムは一般に、ポリエーテルイミドのＴｇより低い温度、例えば約２０℃低い温度環境で使用される。ある実施形態では、１ｋＨｚでのフィルムの誘電率は、０〜１７５℃の範囲で本質的に変わらず、その差は、最大誘電率値の２０％未満、１０％未満あるいは５％未満である。
【００８５】
フィルムと金属化フィルムは、シワなし領域、すなわち、十分に平坦で滑らかであり、その表面が金属化されると、金属化フィルムの表面形態が好都合に一貫したものとなる領域を、少なくとも１つ有し得る。
【００８６】
また、フィルムと金属化フィルムは、大きなシワなし領域を有する。該シワなし領域は十分に滑らかで平坦であるため、該基板フィルムを金属化して、絶縁破壊強度が少なくとも３００Ｖ／μｍの金属化フィルムが得られる。該シワなし領域は十分に滑らかで平坦であるため、該基板フィルムを金属化して、該領域全体で実質的に均一の絶縁破壊強度を有する金属化フィルムが得られる。
【００８７】
特に、シワなし領域の厚みは、０超〜５０μｍ未満、４０μｍ未満、３０μｍ未満、２０μｍ未満あるいは１５μｍ未満である。フィルムの厚みは、例えば、０超〜１３μｍであってもよい。ある実施形態では、フィルム厚のばらつきは、その厚みの±１０％であり、フィルムの表面粗さは、フィルムの平均厚みの３％未満である。該フィルムによって、柔軟性、薄層性および誘電率安定性などの他の長所となる物理的および電気的特性を維持しながら、従来のフィルムに比べて、コンデンサ誘電率と絶縁破壊強度が共に向上する。例えば、フィルムは、高絶縁破壊強度（少なくとも３００Ｖ／μｍ）、高誘電率（２．７超）および低散逸率（１％未満）を有し得る。また、該フィルムの誘電率は１５０℃まで安定であり得る。従って、該フィルムとこれから作られたコンデンサは、エレクトロニクス産業用の部品を製造する現在の材料と方法に対して有利である。特に有利な点は、該フィルムは、工業規模の無溶媒プロセスで信頼性高く製造できる点である。溶媒使用時のフィルムから溶媒を除去することは困難であり得る。ここでの押出フィルムは、溶媒なしで処理されるため、コスト面および生産面で有利であると共に、より環境にやさしい。別の実施形態では、該押出フィルムの厚みは０超〜７μｍ以下である。
【００８８】
ある実施形態では、未金属化フィルムの絶縁破壊強度は少なくとも３００Ｖ／μｍ、少なくとも３５０Ｖ／μｍあるいは少なくとも４００Ｖ／μｍである。ある実施形態では、未金属化フィルムの絶縁破壊強度は、最高５２０、５３０、５４０、５５０、５６０、５７０、５８０、５９０、６００、６１０、６２０、６３０、６４０および６５０Ｖ／μｍであり得る。
【００８９】
該フィルムのシワなし領域の平坦度は、特定の領域全体のフィルム厚変動を測定することにより求められる。ここで、平坦なフィルムのフィルム厚変動は、測定領域全体の平均フィルム厚に対して、±１０％以下、±９％以下、±８％以下、±６％以下、±５％以下、±４％以下、±３％以下、±２％以下あるいは±１％以下である。ある実施形態では、厚み変動は±１％と小さいものであり得る。
【００９０】
フィルム表面のシワなし領域の平滑度は、表面の平均表面粗さ（「Ｒａ」）を光学的形状測定法で測定することにより定量化できる。ここで、フィルムのシワなし領域表面のＲａは、光学的形状測定法で測定して、平均フィルム厚の±３％未満、±２％未満あるいは±１％と小さい。
【００９１】
特に有利な特徴は、シワなし領域がフィルムの大領域に亘って製造できることである。例えば、フィルムの少なくとも８０％領域、少なくとも８５％領域、少なくとも９０％領域、少なくとも９５％領域あるいは少なくとも９７％領域がシワなし領域であり得る。別の実施形態では、シワなし領域は、少なくとも１ｍ２の、少なくとも２ｍ２の、少なくとも３ｍ２の、少なくとも５ｍ２の、少なくとも１０ｍ２の、少なくとも２０ｍ２の、少なくとも５０ｍ２の、あるいは少なくとも１００ｍ２の隣接部を有していてもよい。大きなシワなし領域によって、金属化フィルムがロール状で製造、貯蔵および出荷できるという点で、重要な製造上の長所が得られる。このように、該フィルムの長さは少なくとも１０ｍ、幅は少なくとも３００ｍｍであり、フィルムの少なくとも８０％領域、少なくとも８５％領域、少なくとも９０％領域、少なくとも９５％領域あるいは少なくとも９７％領域はシワなし領域である。別の実施形態では、フィルムの長さは１００〜１０，０００ｍ、幅は３００〜３，０００ｍｍであり、フィルムの少なくとも８０％領域、少なくとも８５％領域、少なくとも９０％領域、少なくとも９５％領域あるいは少なくとも９７％領域はシワなし領域である。
【００９２】
フィルムと金属化フィルムの、金属上での、金属化表面上での、およびそれ自体上での動的および静的摩擦係数は、ＡＳＴＭ  Ｄ１８９４に準拠して測定して、０．７５未満であり得る。
【００９３】
フィルムと金属化フィルムの表面抵抗率は、ＡＳＴＭ  Ｄ２５７に準拠して測定して、１Ｅ１３Ω／□超であり得る。
【００９４】
フィルムと金属化フィルムの０〜１７５℃における絶縁破壊強度差は、ＡＳＴＭ  Ｄ１４９に準拠して測定して、２３℃の値から４０％未満である。
【００９５】
フィルムと金属化フィルムの１ｋＨｚ、０〜１７５℃におけるキャパシタンス差は、２３℃の値に対して、±５％未満あるいは±３％未満であり得る。
【００９６】
フィルムと金属化フィルムは本質的に溶剤フリーであり得、すなわち、分子量が２５０ダルトン未満の化合物を１，０００ｐｐｍ未満、７５０ｐｐｍ未満、５００ｐｐｍあるいは２５０ｐｐｍ未満含む。
【００９７】
フィルムと金属化フィルムは、拡大なしに０．３ｍの距離で見たときに、少なくとも３ｍ２の、あるいは少なくとも９ｍ２の領域全体に亘って、目に見える塵やゲルを有さないものであり得る。
【００９８】
フィルムと金属化フィルムは、５０倍拡大して見たときに、少なくとも３ｍ２の、あるいは少なくとも９ｍ２の領域全体に亘って、目に見える空洞を有さないものであり得る。
【００９９】
該ポリエーテルイミドフィルムは、任意の非晶性フィルム用途に使用でき、特に、金属化に好適である。該金属化フィルムは、任意の金属化フィルム用途に使用でき、特に、例えばコンデンサあるいは回路材料として電気用途に好適である。円筒状に巻かれた金属化ポリマーフィルムを用いて、高エネルギー密度および高電圧の無極性コンデンサを製造できる。特定の実施形態では、該ポリエーテルイミドフィルムは、押出後、真空チャンバ内で蒸着により、厚みが１Å〜１０００ｎｍ、１〜３０００Åあるいは１〜１０００Åになるまで、銅またはアルミニウムなどの導電性金属を移動中のポリマーフィルム上にスプレーすることによって金属化される。ポリマーフィルム上の金属の抵抗率は、約０．１Ω／□〜１００Ω／□であり得る。金属化プロセスの前に、ポリマーフィルムを適切にマスキングしてフィルムの幅方向端部に未金属化縁を作ることができ、それによって、金属化フィルムの交互層（コンデンサを組み立てた場合）の両端部に未金属化領域が形成され、最終的に先端金属化が行われる際のコンデンサ電極の電気的な短絡が防止される。
【０１００】
その後、積み重ねた２枚の金属化ポリマーフィルムをチューブ状に巻くことにより、コンデンサが製造できる。電線が各金属層に接続される。特定の実施形態では、金属化フィルムの２つの別個のロールが、コンデンサ巻き取り機内に配置されてマンドレル（その後除去されてもよい）上に互いに緊密に巻かれ、これらの層は、コンデンサの典型的な構造、すなわち、対向面上に２つの金属層を有する誘電体を複製するように、連続したポリエーテルイミド／金属化層／ポリエーテルイミド／金属化層に配置される。該２つのフィルムロールは、両端側の未金属化縁で巻かれる。
【０１０１】
コンデンサの巻き程度は、コンデンサの所望の物理的サイズあるいは所望のキャパシタンスに依存する。２個のロールをしっかりと巻くことによって、残存していれば絶縁破壊を早め得る取り込み空気の除去に役立つ。ＨＥＰＡフィルタが組み込まれた、少なくともクラス１００のクリーンルーム環境で個々のコンデンサを処理することによって、誘電体フィルム層間の接点の異物混入の可能性を低減でき、また、誘電体への水分取り込みを低減できる。電気巻き上げを用いることにより、各コンデンサの均一な張力がより良好に維持され得る。その後、コンデンサの端部にテープを貼り、両端開口のトレー内でストラップで縛ってフィルム層のほどけを防止し、また、例えば、高亜鉛含量はんだを含む導体素子により、またその後のスズ９０％、亜鉛１０％を含む標準の柔軟な最終スプレーはんだにより、円筒の端部および先端部をスプレーできる。この最初のスプレーによって、金属化表面にはスクラッチが生じて溝ができ、これによって、誘電体フィルム上の金属化とのより良好な接触が実現される。さらに、最終スプレーを組み合わせることによって、最終端子とのより良好なコンタクト接着が得られる。続いて、伝導性の、すなわち、アルミリード線をその後各端部にはんだ付けして最終端子を形成する。一つの端子を缶の底部にスポット溶接してもよく、もう一方の端子を蓋に並行溶接してもよい。真空充填装置内で、該コンデンサに液状含浸物（例えばイソプロピルフェニルスルホン）を満たして閉じる。
【０１０２】
別の実施形態では、本発明は、巻き付けられた金属化一軸延伸押出フィルムで作られたコンデンサを備える電子物品に関する。
【０１０３】
他のコンデンサ構造も可能である。例えば、コンデンサは、積層構造に堆積された第１および第２電極と；前記第１および第２電極間に、少なくとも部分的にそれぞれと接触するように配置されたポリエーテルイミドフィルムと、を少なくとも備える平坦な構造を有していてもよい。追加のポリエーテルイミドフィルムと電極層は、交互層内に存在してもよい。従って、電子デバイスを形成する多層物品は、ポリエーテルイミド層／金属層／誘電体層（この誘電体層は、本明細書に記載のポリエーテルイミドフィルムであっても、あるいは他の誘電体材料であってもよい）を含む本請求項の範囲内である。追加の層（例えば、追加の誘電体／金属交互層）が任意に存在してもよい。
【０１０４】
以下の実施例は、当業者に対して追加のガイダンスを与えるためのものである。従って、これらの実施例は、いかなる方法においても、本発明を限定するものではない。
【０１０５】
本明細書で引用された特許および参考文献はすべて、参照によって本明細書に援用される。別途明示される場合を除き、量はすべて質量部と質量％である。
【０１０６】
例示の目的で典型的な実施形態について記載したが、これらの記述は本発明の範囲を限定すると考えられるべきでない。従って、当業者であれば、本発明の趣旨および範囲から逸脱することなく、種々の変更、順応および代替案を考え得るであろう。
【０１０７】
［実施例］
（実施例１〜４）
（実施例１）
目的：この実施例の目的は、一軸延伸高収率押出ポリエーテルイミドフィルムの製造において、芳香族二無水物と、ｍ−フェニレンジアミンから選択されたジアミンと、の重合から誘導された単位を含み、第１級モノアミン（アニリン）で末端キャップ化された押出ポリエーテルイミドであるポリエーテルイミド（ＰＥＩ１）の収率を評価することであった。
【０１０８】
（実施例２）
目的：この実施例の目的は、一軸延伸高収率押出ポリエーテルイミドフィルムの製造において、芳香族二無水物と、ｍ−フェニレンジアミンから選択されたジアミンと、の重合から誘導された単位を含み、置換芳香族第１級モノアミン（アニリン）で末端キャップ化されていない押出ポリエーテルイミドであるポリエーテルイミド（ＰＥＩ２）の収率を評価することであった。
【０１０９】
（実施例３）
目的：この実施例の目的は、一軸延伸高収率押出ポリエーテルイミドフィルムの製造において、芳香族二無水物と、ｐ−フェニレンジアミンから選択されたジアミンと、の重合から誘導された単位を含み、置換芳香族第１級モノアミン（アニリン）で末端キャップ化されていない押出ポリエーテルイミドであるポリエーテルイミド（ＰＥＩ４）の収率を評価することであった。
【０１１０】
（実施例４）
目的：この実施例の目的は、一軸延伸高収率押出ポリエーテルイミドフィルムの製造において、芳香族二無水物と、ｐ−フェニレンジアミンから選択されたジアミンと、の重合から誘導された単位を含み、置換芳香族第１級モノアミン（アニリン）で末端キャップ化された押出ポリエーテルイミドであるポリエーテルイミド（ＰＥＩ３）の生成を評価することであった。
【０１１１】
（材料）
以下の材料を使用して、試験用のポリエーテルイミドフィルムを製造した。
【０１１２】
【表１】
0006329253.tif 000007
【０１１３】
技術と手順
以下の段落では、これらの実施例で使用する材料の特性決定方法について説明する。５．２５オンスのバレルを備えた１８０トン射出成形機を用いて、薄膜に変換前の比較用として、引張試験用および熱変形温度（ＨＤＴ）試験用のＡＳＴＭサンプルを成形した。材料は、１５０℃の除湿乾燥器内で８時間乾燥させて水分量を０．０２質量％未満とした後、溶融温度３８０℃で成形した。オイルサーモレータを用いて、型表面温度を１５０℃に制御した。スクリュー回転数は、スクリュー復帰後のスクリュー減圧なしに、背圧０．３ＭＰａで６０〜８０ｒｐｍであった。典型的なサイクルタイムは３２〜３５秒であり、成形するＡＳＴＭ試験片に応じて変えた。引張特性は、ＡＳＴＭ  Ｄ６３８標準試験方法に準拠し、Ｉ形試験片、速度０．２インチ／ｍｉｎで評価し、熱変形温度は、ＡＳＴＭ  Ｄ６４８に準拠し、２６４ｐｓｉ（１．８ＭＰａ）、０．２５０インチ（６．４ｍｍ）アニーリングなしの試験サンプルで評価した。また、各材料のペレットを用いて、ＡＳＴＭ  Ｄ１２３８に準拠し、３３７℃および６．６ｋｇｆでのメルトフローレートのレオロジー特性を測定し、さらに、キャピラリーレオメータを用いて、３４０℃におけるせん断粘度を測定した。ガラス転移温度（Ｔｇ）は、３００℃までの加熱速度を２０℃／ｍｉｎとした示差走査熱量法（ＤＳＣ）で測定し、２回目のスキャンの結果を報告する。決定した特性を表２に示す。
【０１１４】
【表２】
0006329253.tif 000008
【０１１５】
（フィルム調製特性）
以下の材料で試験用のフィルムを製造した。示したフィルム実施例は、表１にリストアップした材料で製造され、定容積流れとして１６ＲＰＭで作動するＭａａｇ融液ポンプを装備した、定圧モードで制御されるＤｒ．Ｃｏｌｌｉｎ  ３０ｍｍ単軸押出機を用いて調製されたものである。材料を加工前に除湿乾燥機内で６〜８時間乾燥させて、水分量を０．０２質量％未満とした。溶融温度は、材料の種類と押し出されるフィルム厚に応じて３５０〜３６５℃とした。ダイリップギャップ設定を３００μｍとした４５０ｍｍ幅のＣｌｏｅｒｅｎ  Ｅｐｏｃｈ  Ｖダイを通して、材料を押し出した。連続ライン速度１４ｍ／秒でその後の融液カーテンを引き降ろすことにより、１０μｍの押出フィルムを研磨キャスティングロール上に形成し、フィルム試験用のコアに巻き付けた。
【０１１６】
フィルム上およびその中の欠陥を測定し、ピクセルあたりの分解能が８μｍのＳｍａｒｔ  ＬＩＮＥ−ＣＡＭ８０００ＨＳデジタルラインＣＣＤライン走査カメラを用いたＳｃｈｅｎｋ  Ｖｉｓｉｏｎオンラインスキャナで、その数をカウントした。２５μｍ未満から１００μｍ超のサイズに従って、欠陥（数）を分類した。全欠陥数が３０００個を超えるフィルムは、押出前で、ポリエーテルイミドを９０質量％未満含む押出ポリエーテルイミドフィルムを有するフィルムとして分類し、全欠陥数が３０００個以下のフィルムは、押出前で、ポリエーテルイミドを９０質量％超含む押出ポリエーテルイミドフィルムを有するフィルムとして分類した。
【０１１７】
（フィルム試験／評価手順）
表４に示したフィルム試験結果は、前述の手順によって押し出しされたフィルムに対して、以下の試験方法と手順を用いて評価したものである。各材料の押出し薄膜の絶縁破壊強度を、ＡＳＴＭ  Ｄ−１４９試験方法に準じ、Ｇａｌｄｅｎ  ＨＴ（登録商標）オイル中で測定した。ホットプレート／抵抗コイルを用いて、該オイルの温度を試験温度とした。電極は、３インチの黄銅板底部電極上の１／４インチステンレスボールで構成されている。Ｔｒｅｋ３０／２０±３０ｋＶ  ＤＣ高圧電源を用いて、黄銅板の電圧を５００Ｖ／ｓにて上昇させて材料を電気的に短絡させ、絶縁破壊が生じた時の電圧をＬａｂｖｉｅｗコンピュータソフトウェアで記録した。絶縁破壊強度を２０℃、５０℃、１００℃および１５０℃で測定した。各温度での２０サンプルの結果からワイブル統計分析による平均値を報告値とした。
【０１１８】
以下の方法により、誘電率と散逸率をフィルムサンプル上で測定した。頂部電極として、１００ｎｍ厚の金を、電子ビーム蒸着により１０ｍｍの円形シャドウマスクを通して、各材料種の５つのサンプル上に堆積させた。サンプルの底部全面領域上の１００ｎｍ厚の金で底部電極を構成した。印加したバイアス磁場におけるキャパシタンスと散逸率は、Ａｇｉｌｅｎｔ  Ｅ４９８０Ａ  Ｐｒｅｃｉｓｉｏｎ  ＬＣＲ  Ｍｅｔｅｒを用いて測定した。誘電率は、電極の径（すべての電気的試験で、１０ｍｍ径の円形電極を使用）とフィルム厚を用いて算出した。フィルム厚は、精度±０．２μｍのＨｅｉｄｅｎｈａｉｎ  Ｍｅｔｒｏ厚みゲージを用いて測定した。炉内温度を−４０℃〜１５０℃の範囲で変化させ、また、ＬＣＲメータによって、各温度における周波数を１００Ｈｚ〜１ＧＨｚの範囲で変化させた。デジタルマルチメータに接続した炉内部の熱電対によって、炉内温度を確認した。
【０１１９】
フィルムのガラス転移温度（Ｔｇ）は、３００℃までの加熱速度を２０℃／ｍｉｎとした示差走査熱量法（ＤＳＣ）で測定し、２回目のスキャンの結果を報告する。
【０１２０】
縦方向および横方向に採取したフィルムサンプルの引裂強度は、Ｔｒｏｕｓｅｒ  Ｔｅａｒ  ＡＳＴＭ  Ｄ１９３８試験方法を用いて測定した。
【０１２１】
押出フィルムの動的および静的摩擦係数は、ＡＳＴＭ  Ｄ１８９４に準拠し、アルミニウム表面上で測定した。
【０１２２】
（結果）
上記の方法を用いて、表３と４に示す結果が得られた。図１は、実施例１と２での欠陥の結果を示す。
【０１２３】
【表３】
0006329253.tif 000009
【０１２４】
（実施例１：考察）
表３の実施例１の我々の結果は、第１級モノアミンで末端キャップ化されたポリエーテルイミド（ＰＥＩ１）で作られた押出ポリエーテルイミドフィルムは、第１級モノアミンで末端キャップ化されていないポリエーテルイミド（ＰＥＩ２）で作られたフィルムより高性能であることを示している。我々の結果は、さらに、高収率押出ポリエーテルイミドフィルムは、押出前で、ポリエーテルイミドを少なくとも９０質量％含むことも示している。
【０１２５】
より具体的には、表３の結果は、末端キャップ化した第１級モノアミンが押出フィルム内に生成された全欠陥数の低減に与える影響と加工性の向上、時間に対する欠陥の傾向、およびその後の押出しプロセスの収率に与える影響を示している。末端キャップ化したモノアミンによって、１００μｍ超の大きな欠陥と５０〜１００μｍサイズの欠陥−これらによって、材料の収率と加工性が低下する−の数が低減されるという改善については、特に注目されるべきである。アニリン末端キャップを含む樹脂では、時間に対して欠陥数が上昇する対照樹脂と比較して、時間経過に伴う欠陥数がより安定していることがわかる。これは、アニリン末端キャップを含まない材料の加工時間が長くなればなるほど、欠陥の数とサイズが増加し、プロセス収率が受け入れがたいものとなって該材料が利用されなくなるため、アニリン末端キャップを含まない材料を使用することの課題を反映している。アニリン末端キャップポリエーテルイミドは、より安定であり、フィルム中に留まって、移動・燃焼・炭化しない。このことは、アニリン末端キャップを含まないポリエーテルイミドで明白である。また、該材料は、いかなる加工表面上にも集まらず劣化もしないため、ダイラインや介在物、染みなどの視覚的欠陥も視覚的にはなくなる。全欠陥数の変化と、時間に対するアニリン末端キャップ化樹脂の安定性の向上と、によって、全体的な機械利用が増加し、生産収率が向上する。
【０１２６】
さらに表２と４に示すように、我々のデータは、ＰＥＩ１で作られた一軸延伸高収率押出フィルムの質量平均分子量は、ポリスチレン標準を用いたゲル透過クロマトグラフィで求めて、２０，０００〜４００，０００ダルトンであり；１００秒−１と５，０００秒−１での粘度比は、キャピラリーレオメータで測定して、３４０℃で１１未満であり；引張弾性率は、ＡＳＴＭ  Ｄ６３８に準拠して求めて、３８０，０００ｐｓｉ（２６１８ＭＰａ）以上である、ことを示している。フィルムのガラス転移温度は、厚みが０．２５０インチ（６．４ｍｍ）の試験サンプルを用い、ＡＳＴＭ  Ｄ６４８に準拠し２６４ｐｓｉ（１．８ＭＰａ）で測定して、２１０℃超または２１７℃超であり、熱変形温度は、同条件で測定して、少なくとも１９５℃であり、１ｋＨｚ、２３℃、ＲＨ５０％における誘電率と散逸率は、それぞれ少なくとも３および１％以下であり、絶縁破壊強度は、ＡＳＴＭ  Ｄ−１４９に準拠して測定して、少なくとも３００Ｖ／μｍであった。
【０１２７】
フィルムは、さらに、完全にシワなし領域で作られており、該フィルムの厚み変動は、フィルム厚の±１０％以下であり、平均表面粗さ（Ｒａ）は、フィルムの平均厚の±３％未満であることが示唆される。このことは、コア上にフィルムを巻いても、フィルム内には目で見えるシワや裂け目がないことから、視覚的にも明らかである。
【０１２８】
（実施例２：考察）
実施例２の我々の結果は、第１級モノアミンで末端キャップ化されていないポリエーテルイミドで作られた押出ポリエーテルイミドフィルムは、末端キャップ化されたポリエーテルイミド（ＰＥＩ１）で作られたフィルムより性能が著しく低下することを示している。大きな欠陥の数は、末端キャップとしてアニリンを含む材料より著しく多かった。欠陥数は、欠陥がダイリップ表面上に集まり最終的に通過ウェブ上に落ちるにつれて材料が炭化・燃焼し、その後フィルム内での欠陥となるため、時間と共に増加する。これによって、潜在的には長い生産運転が数時間に制限される。なぜなら、この問題によって、収率が再構築される前に機械表面の清浄化が必要となるためである。加工性と従って収率は、時間経過と共に低下する。なぜなら、欠陥数が多くなりすぎていかなる用途にも有用でなくなるためである。また、光学的スキャナでカウントされ、必ずしも視覚的欠陥とはならないダイラインや介在物、染みなどの視覚的欠陥が肉眼で容易に見分けられるようになるため、形態および機能上許容できないものとなって収率ロスに繋がる。アニリン末端キャップを含まない材料の欠陥数は、時間に対して増加し、全体的な機械利用と生産収率は低下する。
【０１２９】
（実施例３：考察）
実施例１の我々の結果は、芳香族第１級モノアミンで末端キャップ化されたポリエーテルイミド（ＰＥＩ１）で作られた押出ポリエーテルイミドフィルムは、第１級モノアミンで末端キャップ化されていないポリエーテルイミド（ＰＥＩ２）で作られたフィルムより高性能であることを示している。アニリン末端キャップとｐ−フェニレンジアミンを用いた材料（ＰＥＩ４）は、ポリエーテルイミド材料に典型的な機械的特性および電気的特性を有しており、化学構造が類似しているため、該材料の予期される結果は同様である。それらは、材料の種類が同じであり、加工時には、同じ加工方法、温度および圧力が用いられる。さらに、我々の結果は、高収率押出ポリエーテルイミドフィルムは、押出前で、ポリエーテルイミドを少なくとも９０質量％含んでおり、この材料を使用すれば同様の結果が得られるであろうことを示している。
【０１３０】
（比較実施例４：考察）
実施例２の我々の結果は、芳香族第１級モノアミンで末端キャップ化されていないポリエーテルイミド（ＰＥＩ２）で作られた押出ポリエーテルイミドフィルムの性能は、末端キャップ化されたポリエーテルイミド（ＰＥＩ１）で作られたフィルムより著しく劣っていることを示している。ｐ−フェニレンジアミンを用い、モノアミン末端キャップを含まないポリエーテルイミドでの我々の結果では、収率が悪く、生産運転も短いであろう。材料は劣化し、フィルム内の欠陥レベルも著しく高くなって、生産収率が低下する。該材料は、同じポリエーテルイミド材料種に属することから予期されるように、ｍ−フェニレンジアミンを用いたポリエーテルイミド（ＰＥＩ２）の化学構造および特性に類似している。さらに、我々の結果は、ｍ−フェニレンジアミンを用い、芳香族第１級モノアミン末端キャップを含まないポリエーテルイミドと同様の方法で該材料を使用すると、フィルムの収率が９０％未満となることを示している。
【０１３１】
（実施例５〜５８）
材料特性
【０１３２】
【表４】
0006329253.tif 000010
【０１３３】
（方法と手順）
（フィルム調製方法）
以下の材料で試験用のフィルムを製造した。示したフィルム実施例は、表１にリストアップした材料で製造され、定容積流れとして１６ＲＰＭで作動するＭａａｇ融液ポンプを装備した、定圧モードで制御されるＤｒ．  Ｃｏｌｌｉｎ  ３０ｍｍ単軸押出機を用いて調製されたものである。材料を加工前に除湿乾燥機内で６〜８時間乾燥させて、水分量を０．０２質量％未満とした。溶融温度は、材料の種類と押し出されるフィルム厚に応じて３５０〜３６５℃とした。ダイリップギャップ設定を３００μｍとした４５０ｍｍ幅のＣｌｏｅｒｅｎ  Ｅｐｏｃｈ  Ｖダイを通して、材料を押し出した。連続ライン速度１４ｍ／秒でその後の融液カーテンを引き降ろすことにより、１０μｍの押出フィルムを研磨キャスティングロール上に形成し、フィルム試験用のコアに巻き付けた。
【０１３４】
（フィルム試験方法）
表５に報告したフィルム試験結果は、前述の手順によって押し出されたフィルムに対して、以下の試験方法と手順を用いて評価したものである。
【０１３５】
各材料の押出し薄膜の絶縁破壊強度を、ＡＳＴＭ  Ｄ−１４９試験方法に準じ、Ｇａｌｄｅｎ  ＨＴ（登録商標）オイル中で測定した。ホットプレート／抵抗コイルを用いて、該オイルの温度を試験温度とした。電極は、３インチの黄銅板底部電極上の１／４インチステンレスボールで構成されている。Ｔｒｅｋ３０／２０±３０ｋＶ  ＤＣ高圧電源を用いて、黄銅板の電圧を５００Ｖ／ｓにて上昇させて材料を電気的に短絡させ、絶縁破壊が生じた時の電圧をＬａｂｖｉｅｗコンピュータソフトウェアで記録した。誘電絶縁破壊強度を、２０℃、５０℃、１００℃および１５０℃で測定した。各温度での２０サンプルの結果からワイブル統計分析による平均値を報告値とした。
【０１３６】
以下の方法により、誘電率と散逸率をフィルムサンプル上で測定した。頂部電極として、厚さ１００ｎｍの金を、電子ビーム蒸着により１０ｍｍの円形シャドウマスクを通して、各材料種の５つのサンプル上に堆積させた。サンプルの底部全面領域上の１００ｎｍ厚の金で底部電極を構成した。印加したバイアス磁場におけるキャパシタンスと散逸率は、Ａｇｉｌｅｎｔ  Ｅ４９８０Ａ  Ｐｒｅｃｉｓｉｏｎ  ＬＣＲ  Ｍｅｔｅｒを用いて測定した。誘電率は、電極の径（すべての電気的試験で、１０ｍｍ径の円形電極を使用）とフィルム厚を用いて算出した。フィルム厚は、精度±０．２μｍのＨｅｉｄｅｎｈａｉｎ  Ｍｅｔｒｏ厚みゲージを用いて測定した。炉内温度を−４０℃〜１５０℃の範囲で変化させ、また、ＬＣＲメータによって、各温度における周波数を１００Ｈｚ〜１ＧＨｚの範囲で変化させた。デジタルマルチメータに接続した炉内部の熱電対によって、炉内温度を確認した。
【０１３７】
フィルムのガラス転移温度（Ｔｇ）は、３００℃までの加熱速度を２０℃／ｍｉｎとした示差走査熱量法（ＤＳＣ）（ＤＳＣ）で測定し、２回目のスキャンの結果を報告する。
【０１３８】
縦方向および横方向に採取したフィルムサンプルの引裂強度は、Ｔｒｏｕｓｅｒ  Ｔｅａｒ  ＡＳＴＭ  Ｄ１９３８試験方法を用いて測定した。
【０１３９】
押出フィルムの動的および静的摩擦係数は、ＡＳＴＭ  Ｄ１８９４に準拠し、アルミニウム表面上で測定した。
【０１４０】
実施例５〜８の目的は、示されたポリエーテルイミドで作られたフィルムの重要な特性を試験し、芳香族第１級モノアミン末端キャップ（アニリン）の使用が電気的特性、熱特性および機械的特性などのフィルム性能特性に及ぼす効果を評価することであった。結果を表４に示す。
【０１４１】
（結果）
【表５】
0006329253.tif 000011
【０１４２】
（考察）
表５の結果は、我々の発明から作られたフィルムの１ｋＨｚ、２３℃およびＲＨ５０％における誘電率は少なくとも３であり、一方、我々の発明の範囲内ではないフィルムのそれは、同条件において、３未満であることを示している。誘電率の２．９２から３．０６への上昇は、キャパシタンス等級を５％変化させることでコンデンサの性能に影響を及ぼすので、重要な変化である。理論に拘束されることなく、これによって、より多くのエネルギーの貯蔵が可能となり、従って、コンデンサのエネルギー密度が向上する。散逸率の増加（熱の形態のエネルギー損失）を伴わない誘電率の増加は重要な進展である。なぜなら、散逸率と誘電率は共に増加すると予期され、誘電率だけの増加を見ることは予期されていなかったためである。最後に、後述の表において、温度と周波数の関数としての一貫した結果であることが示されるであろう。
【０１４３】
（実施例９〜６１）
実施例９〜６１の目的は、示されたポリエーテルイミドで作られたフィルムの重要な特性を試験し、芳香族第１級モノアミン末端キャップ（アニリン）の使用が電気的特性、熱特性および機械的特性などのフィルム性能特性に及ぼす効果を評価することであった。結果を以下の表に示す。
【０１４４】
（方法と手順）
試験用フィルムを製造する前述の手順を用いて、以下の結果を得た。
【０１４５】
（結果）
（フィルムの誘電率の結果）
【表６】
0006329253.tif 000012
【０１４６】
（考察）
表６の結果は、芳香族第１級モノアミン末端キャップポリエーテルイミドフィルムを含む実施例９〜１９では、１ｋＨｚ、２３℃およびＲＨ５０％における誘電率が少なくとも３の材料が生成され、一方、モノアミンを含まないポリエーテルイミドの誘電率は３未満であることを示している。評価した温度領域に亘って、約５％上昇した。
【０１４７】
【表７】
0006329253.tif 000013
【０１４８】
（考察）
表６に示した我々の結果は、本発明に準じて作られたフィルムの誘電率は、１ＭＨｚ、２３℃およびＲＨ５０％において約３であり、一方、本発明の範囲内でないフィルムのそれは、同条件において、３未満であることを示している。実施例２０〜３０に示されるように、温度の関数としての誘電率は、温度の関数として安定であり、発明材料の２０℃の値と比較して２％未満変化する。
【０１４９】
（フィルムの散逸率の結果）
【表８】
0006329253.tif 000014
【０１５０】
（考察）
表７の結果は、実施例３１〜４１の１ｋＨｚ、２３℃およびＲＨ５０％における散逸率は１％以下であり、本発明に準じて作られた押出ポリエーテルイミドフィルムは、押出前で、ポリエーテルイミドを少なくとも９０質量％含んでおり、一方、本発明に準じていないポリエーテルイミド（第１級モノアミンで末端キャップ化されていない）で作られたフィルムは、押出前で、９０質量％未満のポリエーテルイミドで作られていることを示している。芳香族第１級モノアミンアニリンを使用した場合、フィルムの品質および表面は非常に良好であり、ダイライン、大きな介在物、炭化および劣化したポリマーなどの欠陥がなく、そのために、材料の収率は、非アニリン末端キャップ化材料と対照的に９０％超であった。
【０１５１】
【表９】
0006329253.tif 000015
【０１５２】
考察：我々の結果は、本発明に準じて作られた押出ポリエーテルイミドフィルムの散逸率は、１ＭＨｚ、２３℃およびＲＨ５０％で１％以下であるが、押出前で、ポリエーテルイミドを少なくとも９０質量％含んでおり、一方、本発明に準じていないポリエーテルイミド（第１級モノアミンで末端キャップ化されていない）で作られたフィルムは、押出前で、９０質量％未満のポリエーテルイミドで作られていることを示している。また、本発明に準じて作られたフィルムは、本発明の他の特長も満たしていた。
【０１５３】
（フィルムの誘電率の結果）
【表１０】
0006329253.tif 000016
【０１５４】
（考察）
我々の結果は、両方のフィルムの絶縁破壊強度は、ＡＳＴＭ  Ｄ−１４９に準拠して測定して、少なくとも３００Ｖ／μｍであるが、本発明に準じて作られた押出ポリエーテルイミドフィルムは、押出前で、ポリエーテルイミドを少なくとも９０質量％含んでおり、一方、本発明に準じていないポリエーテルイミド（第１級モノアミンで末端キャップ化されていない）で作られたフィルムは、押出前で、９０質量％未満のポリエーテルイミドで作られていることを示している。また、本発明に準じて作られたフィルムは、本発明の他の特長も満たしていた。
【０１５５】
以下、該ポリエーテルイミドフィルム、それを含む物品および製造方法の一部の実施形態について説明する。
【０１５６】
ある実施形態では、一軸延伸高収率押出ポリエーテルイミドフィルムは、芳香族二無水物と、ｍ−フェニレンジアミン、ｐ−フェニレンジアミンおよびこれらの組み合わせから選択されたジアミンと、の重合から誘導された単位を含む押出ポリエーテルイミドであって、置換または未置換芳香族第１級モノアミンで末端キャップ化された押出ポリエーテルイミドを含み、押出前で、ポリエーテルイミドを少なくとも９０質量％含む。フィルムの厚みは、０超〜５０μｍ未満である。あるいは、フィルムの厚みは、０超〜１０μｍ未満である。
【０１５７】
前述のいずれかのフィルムのポリエーテルイミドの質量平均分子量は、ポリスチレン標準を用いたゲル透過クロマトグラフィで求めて、２０，０００〜４００，０００ダルトンであり；１００秒−１と５，０００秒−１での粘度比は、キャピラリーレオメータで測定して、３４０℃で１０未満であり；引張弾性率は、ＡＳＴＭ  Ｄ６３８に準拠して求めて、３８０，０００ｐｓｉ（２６１８ＭＰａ）以上である。該フィルムのガラス転移温度は、厚みが０．１２５インチ（３．２ｍｍ）の試験サンプルを用い、ＡＳＴＭ  Ｄ６４８に準拠し６６ｐｓｉ（０．４５ＭＰａ）で測定して、２１０℃超または２１７℃超であり、熱変形温度は、同条件で測定して、少なくとも１９５℃であり；１ｋＨｚ、２３℃、ＲＨ５０％における誘電率と散逸率は、それぞれ少なくとも３および１％以下であり、絶縁破壊強度は、ＡＳＴＭ  Ｄ−１４９に準拠して測定して、少なくとも３００Ｖ／μｍであり；シワなし領域のフィルムの厚み変動および平均表面粗さ（Ｒａ）は、光学的形状測定法で測定して、それぞれフィルム厚の±１０％以下およびフィルムの平均厚の±３％未満である。
【０１５８】
別の実施形態では、前述のフィルムのポリエーテルイミドの質量平均分子量は、ポリスチレン標準を用いたゲル透過クロマトグラフィで求めて、２０，０００〜４００，０００ダルトンであり；１００秒−１と５，０００秒−１での粘度比は、キャピラリーレオメータで測定して、３４０℃で１１未満であり；引張弾性率は、ＡＳＴＭ  Ｄ６３８に準拠して求めて、３８０，０００ｐｓｉ（２６１８ＭＰａ）以上である。該フィルムのガラス転移温度は、厚みが０．２５０インチ（６．４ｍｍ）の試験サンプルを用い、ＡＳＴＭ  Ｄ６４８に準拠し２６４ｐｓｉ（１．８ＭＰａ）で測定して、２１０℃超または２１７℃超であり、熱変形温度は、同条件で測定して、少なくとも１９５℃であり；１ｋＨｚ、２３℃、ＲＨ５０％における誘電率と散逸率は、それぞれ少なくとも３および１％以下であり、絶縁破壊強度は、ＡＳＴＭ  Ｄ−１４９に準拠して測定して、少なくとも３００Ｖ／μｍであり；シワなし領域のフィルムの厚み変動および平均表面粗さ（Ｒａ）は、光学的形状測定法で測定して、それぞれフィルム厚の±１０％以下およびフィルムの平均厚の±３％未満である。
【０１５９】
さらに別の実施形態では、一軸延伸高収率押出ポリエーテルイミドフィルムは、芳香族二無水物と、ｍ−フェニレンジアミン、ｐ−フェニレンジアミンおよびこれらの組み合わせから選択されたジアミンと、の重合から誘導された単位を含む押出ポリエーテルイミドであって、置換または未置換芳香族第１級モノアミンで末端キャップ化された押出ポリエーテルイミドを含み、押出前で、ポリエーテルイミドフィルムを少なくとも９０質量％含み、その厚みは、０超〜１０μｍ未満である。
【０１６０】
前述のフィルムの特定の実施形態では、以下の条件の１つまたは複数が当てはまる：該フィルムの、金属上での、金属化表面上での、およびそれ自体上での動的および静的摩擦係数は、ＡＳＴＭ  Ｄ１８９４に準拠して測定して０．７５未満である；該フィルムの表面抵抗率は、ＡＳＴＭ  Ｄ２５７に準拠して測定して、１Ｅ１３Ω／□超である；１ｋＨｚでの該フィルムの誘電率は、０〜１７５℃の範囲で本質的に変わらず、その差は、最大誘電率値の２０％未満である；１ｋＨｚでの散逸率は、０〜１７５℃の範囲で本質的に変わらず、１．３％未満である；散逸率は、１ｋＨｚ〜１００ｋＨｚ、２３℃およびＲＨ５０％において１．３％未満である；該フィルムの０〜１７５℃における絶縁破壊強度差は、ＡＳＴＭ  Ｄ１４９に準拠して測定して、２３℃の値から４０％未満である；１ｋＨｚ、０〜１７５℃におけるキャパシタンス差は、２３℃の値に対して、±５％未満である；該ポリエーテルイミドは、下式の構造：
【化６】
0006329253.tif 000017
｛式中、Ｔは、−Ｏ−または式−Ｏ−Ｚ−Ｏ−の基［式中、−Ｏ−または−Ｏ−Ｚ−Ｏ−基の二価結合は、３，３’、３，４’、４，３’または４，４’位置にあり；Ｚは、二価のＣ６−２７芳香族炭化水素基、そのハロゲン化誘導体、直鎖または分枝鎖Ｃ２−１０アルキレン基、そのハロゲン化誘導体、Ｃ３−２０シクロアルキレン基、そのハロゲン化誘導体，あるいは−（Ｃ６Ｈ１０）ｚ−（Ｚは１〜４の整数）である］であり；Ｒは、ｍ−フェニレンジアミン、ｐ−フェニレンジアミンおよびこれらの組み合わせから選択されたジアミンの残基であり、具体的には下式の構造を有する二価基
【化７】
0006329253.tif 000018
［式中、Ｑａは、単結合、−Ｏ−、−Ｓ−、−Ｃ（Ｏ）−、−ＳＯ２−、−ＳＯ−、または−ＣｙＨ２ｙ−とそのハロゲン化誘導体（ｙは、１〜５の整数）］であり；あるいは、Ｔは、
【化８】
0006329253.tif 000019
である｝構造を有する；該ポリエーテルイミドは、アミン基１．０当たり無水物基を１．０〜１．４モル当量含む；該置換または未置換芳香族第１級モノアミンは、置換および未置換アニリン、置換および未置換ナフチル第一アミン、および置換および未置換ヘテロアリール第一アミン（ここで、置換基は、芳香環に結合した、任意にハロゲン化されたＣ６−１２アリール基，任意にハロゲン化されたＣ１−１２アルキル基、スルホン基、Ｃ１−１２エステル基、Ｃ１−１２アミド基、ハロゲン、Ｃ１−１２アルキルエーテル基、Ｃ６−１２アリールエーテル基またはＣ６−１２アリールケト基から選択される）から選択される；該置換または未置換芳香族第１級モノアミンはアニリンである；該フィルムは架橋ポリエーテルイミドを含み、その絶縁破壊強度は、未架橋のポリエーテルイミドを含むフィルムに比べて、５〜５０％高い；該フィルムは、分枝鎖ポリエーテルイミドを含み、その絶縁破壊強度は、非分枝鎖ポリエーテルイミドを含む点を除いて同じであるフィルムに比べて、５〜５０％高い；該ポリエーテルイミドは、分子量が５００ｇ／モル以上のリン含有安定剤を０〜２質量％含む；該フィルムは、ヒドロキシル基含有化合物を５０ｐｐｍ未満含む；該フィルムは、無水フタル酸フェニレンジアミンあるいは無水フタル酸フェニレンジアミンイミドをそれぞれ１０ｐｐｍ未満含む；該フィルムは、無水フタル酸フェニレンジアミンあるいは無水フタル酸フェニレンジアミンイミドの合計を１０ｐｐｍ未満含む；該フィルムは、分子量が５００ダルトン未満の化合物を、フィルムの合計質量に対して、５質量％未満含む；該フィルムは、ハロゲン含有化合物を１５００ｐｐｍ未満含む；該フィルムは、アルカリ金属を１００ｐｐｍ未満含む；該フィルムは、浸出性の低イオン性塩化物と硫酸塩のそれぞれを０．１ｐｐｍ未満含む；該フィルムは、浸出性の低イオン性塩化物と硫酸塩のそれぞれを１ｐｐｍ未満含む；該フィルムは、Ａｌ、Ｃａ、Ｃｒ、Ｆｅ、Ｋ、Ｍｇ、Ｎａ、ＮｉおよびＴｉから選択された金属混入物をそれぞれ１０ｐｐｍ未満含む；該フィルムは、Ａｌ、Ｃａ、Ｃｒ、Ｆｅ、Ｋ、Ｍｇ、Ｎａ、ＮｉおよびＴｉから選択された金属混入物をそれぞれ２５ｐｐｍ未満含む；該フィルム中の該金属混入物の合計量は２０ｐｐｍ未満である；該フィルム中の該金属混入物の合計量は１００ｐｐｍ未満である；該フィルムは、さらに、Ｃ１５−Ｃ３０カルボン酸、Ｃ１５−Ｃ３０脂肪族カルボン酸アミドおよびこれらの混合物から選択された離型剤を、組成物の合計質量に対して、０．０１〜５．０質量％含む；該フィルムは、さらに、Ｃ１５−Ｃ３０カルボン酸、Ｃ１５−Ｃ３０脂肪族カルボン酸アミドおよびこれらの混合物から選択された離型剤を、組成物の合計質量に対して、５．０質量％未満含む；該フィルムは、さらに、シリコーンポリエーテルイミド、ポリエーテルイミドスルホン、ポリエステル、ポリカーボネート、シリコーンポリカーボネート−ポリエステルコポリマーおよびこれらの組み合わせから選択されたポリマーを、組成物の合計質量に対して、１〜５０質量％を含む；該フィルムは、さらに、シリコーンポリエーテルイミド、ポリエーテルイミドスルホン、ポリエステル、ポリカーボネート、シリコーンポリカーボネート−ポリエステルコポリマーおよびこれらの組み合わせから選択されたポリマーを、組成物の合計質量に対して、２０質量％未満含む；該フィルムは、ｍ−フェニレンジアミン、ｐ−フェニレンジアミンおよびこれらの組み合わせから選択されたアミンの重合から誘導された単位を含むポリエーテルイミド以外のポリエーテルイミドを１５％未満含む；該フィルムは、径が２０μｍ超の炭化介在物を、１００ｃｍ２領域当たり２個未満含む；該フィルムの単一のガラス転移温度は１５０℃超である；あるいは、該フィルムの長さは少なくとも１０ｍ、幅は少なくとも３００ｍｍであり、フィルムの少なくとも８０％領域はシワなし領域である。
【０１６１】
別の実施形態では、ある物品は、前述のいずれかの実施形態の一軸延伸高収率押出フィルムを含む。該物品は、さらに、フィルムの少なくとも一部に配置された導電性金属の層を含んでいてもよい。以下の条件の１つまたは複数が該物品に当てはまる：該導電性金属は、アルミニウム、亜鉛、銅、タンタル、ニオブ、黄銅またはこれらの組み合わせを含む；該導電性金属層の厚みは１〜３０００Åである；該導電性金属層の厚みは１〜２８２０Åである；該導電性金属層の抵抗率は、０．１〜１００Ω／□である；該導電性金属層は、化学気相蒸着、原子層蒸着あるいは高温真空蒸着によって堆積される。コンデンサは、上記のいずれかの実施形態の巻き付けられた金属化フィルムを含んでいてもよい。また、該コンデンサを備える電子物品も開示される。
【０１６２】
押出前で、ある量のポリエーテルイミドを少なくとも９０質量％含む、前述の実施形態の一軸延伸高収率押出フィルムの製造方法は、該ポリエーテルイミドの該ある量を押し出すステップを備える。
【０１６３】
前述の方法の特定の実施形態では、以下の条件の１つまたは複数が当てはまる：該方法は、さらに、ある波長でポリエーテルイミドの架橋に効果的な時間、該押出フィルムを照射するステップを備える；該架橋ポリエーテルイミドを含むフィルムの絶縁破壊強度は、未架橋のポリエーテルイミドを含む同じフィルムに対して、５〜５０％高い；該フィルムは押出で製造され、溶媒キャスティングプロセスでは製造されない；あるいは、該フィルムは、溶媒を１０００ｐｐｍ未満含む。
【図１】
0006329253.tif 000021