(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
フリップチップボンディングに用いる半導体接合用接着フィルムであって、
支持層（Ａ）と、前記支持層（Ａ）に積層された粘着剤層（Ｂ）と、前記粘着剤層（Ｂ）に積層された半導体接合用接着剤層（Ｃ）とを有し、
前記粘着剤層（Ｂ）が、シリコーン系粘着剤、又は、スチレン系エラストマーを含むゴム系粘着剤を含有し、前記半導体接合用接着剤層（Ｃ）が、架橋可能な樹脂とフラックス活性を有する化合物とを含む
ことを特徴とする半導体接合用接着フィルム。
【請求項２】
架橋可能な樹脂は、液状エポキシ樹脂を含有することを特徴とする請求項１記載の半導体接合用接着フィルム。
【請求項３】
半導体接合用接着フィルム製造直後のフラックス活性を有する化合物と液状エポキシ樹脂との合計含有量は、半導体接合用接着剤層（Ｃ）中、１０〜４０重量％であることを特徴とする請求項２記載の半導体接合用接着フィルム。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ラミネート時のバンプ保護性及び製造時の巻きズレ防止性を発現しつつ、半導体接合用接着剤層と粘着剤層との間での成分の移行を抑制し、長期保管後も良好な半田接合性を保つことができる半導体接合用接着フィルムに関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、半田層等からなる突起電極（バンプ）を有する半導体チップを用いたフリップチップ実装が注目されている。
フリップチップ実装においては、基板又は半導体チップに予め貼り付けた半導体接合用接着フィルムを介して半導体チップを接合する方法が行われている。
このような方法では、まず、半導体接合用接着フィルムを半導体ウエハに貼り合わせ、この状態で半導体接合用接着フィルムごと半導体ウエハをダイシングして個々の半導体チップに分割し、得られた半導体チップを基板等の上に実装（ダイボンディング）する。
【０００３】
しかしながら、一般的にバンプの高さに対して半導体接合用接着フィルムの厚みは薄いため、半導体接合用接着フィルムをバンプ付半導体ウエハに貼り合わせたり、貼り合わせた状態で加工したりする際にバンプが潰されることがある。
このように半導体ウエハのバンプが潰されることを防ぐ方法として、特許文献１には、粘着剤層及び支持層を積層した半導体接合用接着フィルムを用いる方法が開示されている。このような半導体接合用接着フィルムでは、粘着剤層の緩衝機能によりバンプが保護される。また、粘着剤層を有することにより、半導体接合用接着フィルムの作製において、フィルムをロールで巻き取る際の巻きズレを抑制することができる。
【０００４】
このような粘着剤層及び支持層を積層した半導体接合用接着フィルムを貼り合わせた半導体チップでは、半導体接合用接着剤層付き半導体チップを粘着剤層から剥がしてピックアップし、半導体接合用接着剤層を介して半導体チップを基板等の上に実装する。
しかしながら、接着剤の組成や用いる粘着剤との組み合わせによっては、半導体接合用接着剤層と粘着剤層とを積層して保管している間に、半田接合性が低下するという問題があった。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００５−２８７３４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本発明は、ラミネート時のバンプ保護性及び製造時の巻きズレ防止性を発現しつつ、半導体接合用接着剤層と粘着剤層との間での成分の移行を抑制し、長期保管後も良好な半田接合性を保つことができる半導体接合用接着フィルムを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明は、フリップチップボンディングに用いる半導体接合用接着フィルムであって、支持層（Ａ）と、前記支持層（Ａ）に積層された粘着剤層（Ｂ）と、前記粘着剤層（Ｂ）に積層された半導体接合用接着剤層（Ｃ）とを有し、前記粘着剤層（Ｂ）が、シリコーン系粘着剤、又は、スチレン系エラストマーを含むゴム系粘着剤を含有し、前記半導体接合用接着剤層（Ｃ）が、架橋可能な樹脂とフラックス活性を有する化合物とを含む半導体接合用接着フィルムである。
以下、本発明を詳述する。
【０００８】
本発明者らは、半導体接合用接着剤層と粘着剤層とを積層して保管している間に半田接合性が低下する理由が、半導体接合用接着剤層中に含まれるフラックス活性を有する化合物及び液状エポキシ樹脂等の液状成分が粘着剤層側に移行するためであることを見出した。
本発明者らは、フリップチップボンディングに用いる、支持層と、支持層に積層された粘着剤層と、粘着剤層に積層された半導体接合用接着剤層とを有する半導体接合用接着フィルムにおいて、粘着剤層にシリコーン系粘着剤、又は、スチレン系エラストマーを含むゴム系粘着剤を用い、半導体接合用接着剤層に架橋可能な樹脂とフラックス活性を有する化合物とを用いることによって、ラミネート時のバンプ保護性及び製造時の巻きズレ防止性を発現しつつ、半導体接合用接着剤層と粘着剤層間の成分の移行を抑え、長期保管後も良好な半田接合性が保たれることを見出し、本発明を完成するに至った。
【０００９】
本発明の半導体接合用接着フィルムは、フリップチップボンディングに用いるものであり、支持層（Ａ）と、上記支持層（Ａ）に積層された粘着剤層（Ｂ）と、上記粘着剤層（Ｂ）に積層された半導体接合用接着剤層（Ｃ）とを有する。
【００１０】
上記支持層（Ａ）としては、例えば、ポリエチレンテレフタレート、ポリブチレンテレフタレート等のポリエステル系樹脂や、ポリテトラフルオロエチレン、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリメチルペンテン、ポリビニルアセテート等のポリオレフィン系樹脂や、ポリ塩化ビニル、ポリイミド、ＡＢＳ（アクリロニトリル−ブタジエン−スチレン）等のプラスチック等を用いることができる。
【００１１】
上記支持層（Ａ）の厚みは特に限定されないが、好ましい下限が５μｍ、好ましい上限が１００μｍである。上記厚みが５μｍ未満であると、半導体接合用接着フィルムのハンドリング性が低下することがある。上記厚みが１００μｍを超えると、フィルムをロールで巻き取る際に浮きが発生し、巻きズレを起こすことがある。上記厚みのより好ましい下限は１０μｍ、より好ましい上限は８０μｍである。
【００１２】
本発明の半導体接合用接着フィルムは、上記支持層（Ａ）に積層された粘着剤層（Ｂ）を有する。
上記粘着剤層（Ｂ）は、シリコーン系粘着剤、又は、スチレン系エラストマーを含むゴム系粘着剤を含有する。
本発明の半導体接合用接着フィルムでは、このような粘着剤層（Ｂ）を用いることにより、半導体接合用接着剤層（Ｃ）がフラックス活性を有する化合物及び液状エポキシ樹脂を含む架橋可能な樹脂を含んだものであっても、ラミネート時のバンプ保護性及び製造時の巻きズレ防止性を発現しつつ、半導体接合用接着剤層と粘着剤層との間での成分の移行を抑え、長期保管後も良好な半田接合性を保つことができる。
【００１３】
上記シリコーン系粘着剤としては、例えば、付加反応型、過酸化物硬化型又は縮合反応型のシリコーン系粘着剤等が挙げられる。なかでも、低温短時間で硬化可能という観点から、付加反応型シリコーン系粘着剤が好ましく用いられる。
なお、これらの付加反応型シリコーン系粘着剤は上記粘着剤層（Ｂ）の形成時に硬化するものである。
上記シリコーン系粘着剤として、付加反応型シリコーン系粘着剤を用いる場合、上記シリコーン系粘着剤は白金触媒等の触媒を含んでいてもよい。
例えば、上記付加反応型シリコーン系粘着剤は、必要に応じて、トルエン等の溶剤で希釈したシリコーン樹脂溶液を、白金触媒等の触媒を添加して均一になるよう攪拌した後、上記支持層（Ａ）上に塗布し、１００〜１３０℃／１〜５分で硬化させることができる。
また、必要に応じて、上記付加反応型シリコーン系粘着剤に架橋剤、粘着力を制御するための添加剤を加えたり、上記粘着剤層（Ｂ）の形成前に上記支持層（Ａ）にプライマー処理を施したりしてもよい。
【００１４】
上記付加反応型シリコーン系粘着剤に用いるシリコーン樹脂の市販品としては、ＳＤ４５８０ＰＳＡ、ＳＤ４５８４ＰＳＡ、ＳＤ４５８５ＰＳＡ、ＳＤ４５８７ＬＰＳＡ、ＳＤ４５６０ＰＳＡ、ＳＤ４５７０ＰＳＡ、ＳＤ４６００ＦＣＰＳＡ、ＳＤ４５９３ＰＳＡ、ＤＣ７６５１ＡＤＨＥＳＩＶＥ、ＤＣ７６５２ＡＤＨＥＳＩＶＥ、ＬＴＣ−７５５、ＬＴＣ−３１０（いずれも東レ・ダウコーニング社製）、ＫＲ−３７００、ＫＲ−３７０１、Ｘ−４０−３２３７−１、Ｘ−４０−３２４０、Ｘ−４０−３２９１−１、Ｘ−４０−３２２９、Ｘ−４０−３３２３、Ｘ−４０−３３０６、Ｘ−４０−３２７０−１（いずれも信越化学社製）、ＡＳ−ＰＳＡ００１、ＡＳ−ＰＳＡ００２、ＡＳ−ＰＳＡ００３、ＡＳ−ＰＳＡ００４、ＡＳ−ＰＳＡ００５、ＡＳ−ＰＳＡ０１２、ＡＳ−ＰＳＡ０１４、ＰＳＡ−７４６５（いずれも荒川化学工業社製）、ＴＳＲ１５１２、ＴＳＲ１５１６、ＴＳＲ１５２１（いずれもモメンティブ・パフォーマンス・マテリアルズ社製）等が挙げられる。
【００１５】
上記スチレン系エラストマーは、常温でゴム弾性を有するものであれば特に限定されないが、例えば、スチレンとブタジエン、イソプレン、クロロプレン等の共役ジエン系単量体との共重合体、及び、これらの水添物が挙げられる。共重合体の形態は特に限定されず、ブロック共重合体、ランダム共重合体、グラフト共重合体のいずれであってもよい。これらは、単独で用いられてもよく、２種類以上が併用されてもよい。
上記スチレン系エラストマーとしては、具体的には、スチレン−ブタジエン−スチレン共重合体（ＳＢＳ）、スチレン−ブタジエン−ブチレン−スチレン共重合体（ＳＢＢＳ）、スチレン−エチレン−ブチレン−スチレン共重合体（ＳＥＢＳ）、水添スチレン−ブチレンゴム（ＨＳＢＲ）、スチレン−エチレン−プロピレン−スチレン共重合体（ＳＥＰＳ）、スチレン−イソブチレン−スチレン共重合体（ＳＩＢＳ）、スチレン−エチレン−ブチレン−エチレン共重合体（ＳＥＢＣ）等が挙げられる。
【００１６】
上記スチレン系エラストマーを含むゴム系粘着剤は、スチレン系エラストマー以外の成分として、天然ゴム、イソプレンゴム、ポリイソブチレン、ポリブタジエン、ポリプロピレン、プロピレンと他のα−オレフィンとの共重合体等を含有してもよい。上記他のα−オレフィンとしては、例えば、エチレン、１−ブテン、１−ペンテン、４−メチル−１−ペンテン、１−ヘキセン、１−ヘプテン、１−オクテン、１−デセン、１−ドデセン、３−メチル−１−ペンテン等が挙げられる。共重合体の形態は特に限定されず、ブロック共重合体、ランダム共重合体、グラフト共重合体のいずれであってもよい。これらは、単独で用いられてもよく、２種類以上が併用されてもよい。なかでも、ポリプロピレン、プロピレンと他のα−オレフィンとの共重合体が好ましい。
【００１７】
上記スチレン系エラストマーを含むゴム系粘着剤は、スチレン系エラストマー以外の成分として、更に、必要に応じて、粘着付与剤、軟化剤、酸化防止剤、充填剤等を含有してもよい。
【００１８】
上記粘着付与剤としては、例えば、脂肪族系石油樹脂、脂環族系石油樹脂、芳香族系石油樹脂、テルペン系樹脂、テルペン−フェノール系樹脂、アルキル−フェノール系樹脂、クマロン−インデン系樹脂、ロジン系樹脂等が挙げられる。これらは、単独で用いられてもよく、２種以上が併用されてもよい。
【００１９】
上記軟化剤としては、例えば、各種可塑剤、ポリブテン、ポリイソブチレン低重合物、ポリビニルイソブチルエーテル低重合物、ラノリン、解重合ゴム、プロセスオイル、加硫オイル等が挙げられる。
【００２０】
上記酸化防止剤としては、例えば、ブチルヒドロキシトルエン、２，６−ジ−ターシャリブチル−４−メチルフェノール、２，５−ジ−ターシャリブチルハイドロキノン、メルカプトベンゾイミダゾール、１，１−ビス（４−ヒドロキシフェノール）シクロヘキサン、フェニールベータナフチルアミン等が挙げられる。
【００２１】
上記充填剤としては、例えば、亜鉛華、酸化チタン、シリカ、炭酸カルシウム、水酸化アルミニウム、硫酸バリウム、クレー、タルク、澱粉等が挙げられる。
【００２２】
上記スチレン系エラストマーを含むゴム系粘着剤におけるスチレン系エラストマーの含有量は、好ましい下限が３０重量％、好ましい上限が１００重量％である。上記スチレン系エラストマーの含有量が３０重量％未満であると、柔軟性が低下し、粘着力が不充分となることがある。上記スチレン系エラストマーの含有量は、より好ましい下限が３５重量％、より好ましい上限が９５重量％である。
【００２３】
上記粘着剤層（Ｂ）の厚みは特に限定されないが、好ましい下限が３μｍ、好ましい上限が８０μｍである。
上記厚みが３μｍ未満であると、上記粘着剤層（Ｂ）の厚みが不充分となり、ラミネート時のバンプ保護性及び製造時の巻きズレ防止性が不充分となることがある。上記厚みが８０μｍを超えても厚み増大による効果は得られない。
上記厚みのより好ましい下限は５μｍ、より好ましい上限は５０μｍである。
なお、上記支持層（Ａ）と上記粘着剤層（Ｂ）との間には、更に中間層として、上記支持層（Ａ）と上記粘着剤層（Ｂ）とを接着させる層が存在してもよい。
【００２４】
上記半導体接合用接着剤層（Ｃ）は、架橋可能な樹脂とフラックス活性を有する化合物とを含む。
本発明の半導体接合用接着フィルムでは、このような半導体接合用接着剤層（Ｃ）であっても、上記粘着剤層（Ｂ）を用いることにより、ラミネート時のバンプ保護性及び製造時の巻きズレ防止性を発現しつつ、半導体接合用接着剤層と粘着剤層間での成分の移行を抑え、長期保管後も良好な半田接合性を保つことができる。
なお、本明細書において、架橋可能な樹脂とは、熱及び／又は光によって架橋する官能基を有し、３次元網目構造を形成して硬化する樹脂を意味する。
【００２５】
上記架橋可能な樹脂としては、例えば、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、ポリウレタン樹脂等の熱硬化性樹脂や、感光性オニウム塩等の光カチオン触媒により重合するエポキシ樹脂、感光性ビニル基を有するアクリル樹脂等の光硬化性樹脂等が挙げられる。これらは単独で用いられてもよく、２種以上が併用されてもよい。なかでも、反応性や硬化物の物性が優れている点から、エポキシ樹脂が好ましい。
【００２６】
上記エポキシ樹脂は特に限定されないが、ビスフェノール骨格を主鎖に有するエポキシ樹脂や、多環式炭化水素骨格を主鎖に有するエポキシ樹脂が好ましい。ビスフェノール骨格を主鎖に有するエポキシ樹脂を用いることにより、優れた接着性が得られる。また、多環式炭化水素骨格を主鎖に有するエポキシ樹脂を用いることにより、硬化物が剛直になり分子の運動が阻害されるため、硬化物の機械的強度、耐熱性及び耐湿性が高くなる。
【００２７】
上記ビスフェノール骨格を主鎖に有するエポキシ樹脂は特に限定されず、例えば、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂等のエポキシ樹脂等が挙げられる。これらは単独で用いられてもよく、２種以上を併用してもよい。
また、上記多環式炭化水素骨格を主鎖に有するエポキシ樹脂は特に限定されず、例えば、ジシクロペンタジエンジオキシド、ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂、ナフタレン型エポキシ樹脂、テトラヒドロキシフェニルエタン型エポキシ樹脂、テトラキス（グリシジルオキシフェニル）エタン、３，４−エポキシ−６−メチルシクロヘキシルメチル−３，４−エポキシ−６−メチルシクロヘキサンカルボキシレート等が挙げられる。これらは単独で用いられてもよく、２種以上が併用されていてもよい。なかでも、ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂、ナフタレン型エポキシ樹脂等のエポキシ樹脂が好ましい。
【００２８】
上記ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂としては、例えば、ジシクロペンタジエン骨格を有するフェノールノボラックエポキシ樹脂等が挙げられる。
上記ナフタレン型エポキシ樹脂としては、例えば、１−グリシジルナフタレン、２−グリシジルナフタレン、１，２−ジグリシジルナフタレン、１，５−ジグリシジルナフタレン、１，６−ジグリシジルナフタレン、１，７−ジグリシジルナフタレン、２，７−ジグリシジルナフタレン、トリグリシジルナフタレン又は１，２，５，６−テトラグリシジルナフタレン等が挙げられる。
【００２９】
上記多環式炭化水素骨格を主鎖に有するエポキシ樹脂の重量平均分子量の好ましい下限は５００、好ましい上限は１０００である。上記重量平均分子量が５００未満であると、硬化物の機械的強度、耐熱性又は耐湿性を充分に高めることができないことがある。上記重量平均分子量が１０００を超えると、硬化物が剛直になりすぎて、脆くなることがある。
【００３０】
上記エポキシ樹脂は、常温で固体の固体状エポキシ樹脂であってもよく、常温で液体の液状エポキシ樹脂であってもよい。フィルムの可撓性や、接着力等の点から、液状エポキシ樹脂を含有することが好ましい。本発明の半導体接合用接着フィルムでは、半導体接合用接着層（Ｃ）が上記粘着剤層（Ｂ）側に移行しやすい液状エポキシ樹脂を含んでいる場合でも、長期保管後の半田接合性を良好に保つことができる。
なお、本明細書中、常温とは２５℃±１５℃程度を意味する。
【００３１】
上記固体状エポキシ樹脂のうち、市販品としては、例えば、ＥＰＩＣＬＯＮ  ８６０、１０５５０、１０５５（いずれもＤＩＣ社製）等のビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ＥＰＩＣＬＯＮ  ＥＸＡ−１５１４（ＤＩＣ社製）等のビスフェノールＳ型エポキシ樹脂、ＥＰＩＣＬＯＮ  ＨＰ−４７００、ＨＰ−４７１０、ＨＰ−４７７０（いずれもＤＩＣ社製）等のナフタレン型エポキシ樹脂、ＥＰＩＣＬＯＮ  ＨＰ−７２００シリーズ（ＤＩＣ社製）等のジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂、ＥＰＩＣＬＯＮ  ＨＰ−５０００、ＥＸＡ−９９００（いずれもＤＩＣ社製）等のクレゾールノボラック型エポキシ樹脂等が挙げられる。
【００３２】
上記液状エポキシ樹脂のうち、市販品としては、例えば、ＥＰＩＣＬＯＮ  ８４０、８４０−Ｓ、８５０、８５０−Ｓ、ＥＸＡ−８５０ＣＲＰ（いずれもＤＩＣ社製）等のビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ＥＰＩＣＬＯＮ  ８３０、８３０−Ｓ、ＥＸＡ−８３０ＣＲＰ（いずれもＤＩＣ社製）等のビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、ＥＰＩＣＬＯＮ  ＨＰ−４０３２、ＨＰ−４０３２Ｄ（いずれもＤＩＣ社製）等のナフタレン型エポキシ樹脂、ＥＰＩＣＬＯＮ  ＥＸＡ−７０１５（ＤＩＣ社製）、ＥＸ−２５２（ナガセケムテックス社製）等の水添ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ＥＸ−２０１（ナガセケムテックス社製）等のレゾルシノール型エポキシ樹脂、ＥＰ−４０８８Ｌ（アデカ社製）等のジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂等が挙げられる。
【００３３】
上記架橋可能な樹脂が上記エポキシ樹脂を含有する場合、上記半導体接合用接着剤層（Ｃ）は、更に、架橋可能な樹脂として、エポキシ基と反応する官能基を有する高分子化合物を含有してもよい。
【００３４】
上記エポキシ基と反応する官能基を有する高分子化合物は特に限定されず、例えば、アミノ基、ウレタン基、イミド基、水酸基、カルボキシル基、エポキシ基等を有するポリマーが挙げられる。なかでも、エポキシ基を有する高分子化合物が好ましい。エポキシ基を有する高分子化合物を用いることにより、フィルムの可撓性が高くなる。また、多環式炭化水素骨格を主鎖に有するエポキシ樹脂とエポキシ基を有する高分子化合物とを併用することにより、上記多環式炭化水素骨格を主鎖に有するエポキシ樹脂により硬化物の機械的強度、耐熱性及び耐湿性を高めることができるとともに、上記エポキシ基を有する高分子化合物により硬化物の可撓性が高くなる。
【００３５】
上記エポキシ基を有する高分子化合物は、末端及び側鎖（ペンダント位）のうちの少なくとも一方にエポキシ基を有することが好ましい。
上記エポキシ基を有する高分子化合物として、例えば、エポキシ基含有アクリルゴム、エポキシ基含有ブタジエンゴム、ビスフェノール型高分子量エポキシ樹脂、エポキシ基含有フェノキシ樹脂、エポキシ基含有アクリル樹脂、エポキシ基含有ウレタン樹脂、エポキシ基含有ポリエステル樹脂等が挙げられる。これらは単独で用いられてもよく、２種以上が併用されてもよい。なかでも、硬化物の機械的強度及び耐熱性を高めることができるため、エポキシ基含有アクリル樹脂が好ましい。
【００３６】
上記フラックス活性を有する化合物としては、例えば、カルボキシル基を有する化合物、リン酸化合物、亜リン酸化合物、フェノール性水酸基を有する化合物、活性ロジン、アミン等が挙げられる。なかでも、フラックス活性能が高いことから、カルボキシル基を有する化合物、亜リン酸化合物が好適である。
【００３７】
上記カルボキシル基を有する化合物としては、例えば、脂肪族酸無水物、脂環式酸無水物、芳香族酸無水物等の酸無水物、脂肪族カルボン酸、芳香族カルボン酸等が挙げられる。
上記脂肪族酸無水物としては、無水コハク酸、ポリアジピン酸無水物、ポリアゼライン酸無水物、ポリセバシン酸無水物等が挙げられる。
上記脂環式酸無水物としては、メチルテトラヒドロ無水フタル酸、メチルヘキサヒドロ無水フタル酸、無水メチルハイミック酸、ヘキサヒドロ無水フタル酸、テトラヒドロ無水フタル酸、トリアルキルテトラヒドロ無水フタル酸、メチルシクロヘキセンジカルボン酸無水物等が挙げられる。
上記芳香族酸無水物としては、無水フタル酸、無水トリメリット酸、無水ピロメリット酸、ベンゾフェノンテトラカルボン酸無水物、エチレングリコールビストリメリテート、グリセロールトリストリメリテート等が挙げられる。
上記脂肪族カルボン酸としては、特に限定されないが、例えば、蟻酸、酢酸、プロピオン酸、酪酸、吉草酸、ピバル酸、カプロン酸、カプリル酸、ラウリン酸、ミリスチン酸、パルミチン酸、ステアリン酸、アクリル酸、メタクリル酸、クロトン酸、オレイン酸、フマル酸、マレイン酸、シュウ酸、マロン酸、琥珀酸、グルタル酸、アジピン酸、セバシン酸、ドデカンジオン酸、ピメリン酸等が挙げられる。
上記芳香族カルボン酸としては、例えば、安息香酸、フタル酸、イソフタル酸、テレフタル酸、ヘミメリット酸、トリメリット酸、トリメシン酸、メロファン酸、プレーニト酸、ピロメリット酸、メリット酸、キシリル酸、ヘメリト酸、メシチレン酸、プレーニチル酸、トルイル酸、ケイ皮酸、２−ヒドロキシ安息香酸、３−ヒドロキシ安息香酸、４−ヒドロキシ安息香酸、２，３−ジヒドロキシ安息香酸、２，４−ジヒドロキシ安息香酸、ゲンチジン酸（２，５−ジヒドロキシ安息香酸）、２，６−ジヒドロキシ安息香酸、３，５−ジヒドロキシ安息香酸、没食子酸（３，４，５−トリヒドロキシ安息香酸）等の安息香酸誘導体、１，４−ジヒドロキシ−２−ナフトエ酸、３，５−ジヒドロキシ−２−ナフトエ酸、３，５−ジヒドロキシ−２−ナフトエ酸等のナフトエ酸誘導体、フェノールフタリン、ジフェノール酸等が挙げられる。
【００３８】
上記亜リン酸化合物として、例えば、亜リン酸、亜リン酸モノエステル、亜リン酸ジエステル等が挙げられる。
上記亜リン酸モノエステルとして、例えば、亜リン酸モノメチル、亜リン酸モノエチル、亜リン酸モノブチル、亜リン酸モノラウリル、亜リン酸モノオレイル、亜リン酸モノフェニル、亜リン酸モノナフチル等が挙げられる。
上記亜リン酸ジエステルとして、例えば、亜リン酸ジメチル、亜リン酸ジエチル、亜リン酸ジブチル、亜リン酸ジラウリル、亜リン酸ジオレイル、亜リン酸ジフェニル、亜リン酸ジナフチル、亜リン酸ジ−ｏ−トリル、亜リン酸ジ−ｍ−トリル、亜リン酸ジ−ｐ−トリル、亜リン酸ジ−ｐ−クロロフェニル、亜リン酸ジ−ｐ−ブロモフェニル、亜リン酸ジ−ｐ−フルオロフェニル等が挙げられる。
【００３９】
上記フラックス活性を有する化合物は、上記架橋可能な樹脂の硬化剤又は硬化促進剤として作用するものであってもよい。
このようなフラックス活性を有する硬化剤としては、例えば、ＹＨ−３０６、ＹＨ−３０７、ＹＨ−３０９（いずれも三菱化学社製）等の酸無水物系硬化剤等が挙げられる。
また、フラックス活性を有する硬化促進剤としては、例えば、フジキュアー７０００、フジキュアー７００１、フジキュアー７００２（Ｔ＆Ｋ  ＴＯＫＡ社製）等が挙げられる。
【００４０】
本発明の半導体接合用接着フィルム製造直後の上記フラックス活性を有する化合物と液状エポキシ樹脂との合計含有量は、上記半導体接合用接着剤層（Ｃ）中、好ましい下限が１０重量％、好ましい上限が４０重量％である。
上記合計含有量が１０重量％未満であると半田接合性が低下したり、接着力が不足したりすることがある。上記合計含有量が４０重量％を超えると実装時にボイドが発生したり、長期保管後の半田接合性が不充分となったりすることがある。
上記合計含有量は、より好ましい下限が１２重量％、より好ましい上限が３０重量％である。
なお、上記合計含有量は、例えば、ガスクロマトグラフ質量分析法により測定することができる。
【００４１】
本発明の半導体接合用接着フィルムを常温で２週間保管した後の上記半導体接合用接着剤層（Ｃ）における上記フラックス活性を有する化合物と液状エポキシ樹脂との合計含有量は、製造直後の合計含有量からの変化量が３重量％未満であることが好ましい。
上記変化量が３重量％以上であると、長期保管後の半田接合性が不充分となることがある。
上記変化量は２重量％未満であることがより好ましい。
【００４２】
上記半導体接合性接着剤層（Ｃ）は、更に、フラックス活性を有しない硬化剤、フラックス活性を有しない硬化促進剤、フィラー、シランカップリング剤、粘着付与剤、ゴム粒子等の応力緩和剤等を含有してもよい。
【００４３】
上記フラックス活性を有しない硬化剤は特に限定されず、例えば、チオール系硬化剤、アミン系硬化剤、ベンゾオキサジン系硬化剤等が挙げられる。これらは単独で用いられてもよく、２種以上が併用されてもよい。
【００４４】
上記フラックス活性を有しない硬化促進剤は特に限定されず、例えば、イミダゾール系硬化促進剤、３級アミン系硬化促進剤等が挙げられる。なかでも、硬化速度、硬化物の物性等を容易に調整できることから、イミダゾール系硬化促進剤が好ましい。これらは単独で用いられてもよく、２種以上が併用されてもよい。
【００４５】
上記イミダゾール系硬化促進剤としては、例えば、イミダゾールの１位をシアノエチル基で保護した１−シアノエチル−２−フェニルイミダゾール、イソシアヌル酸で塩基性を保護したイミダゾール系硬化促進剤（商品名「２ＭＡ−ＯＫ」、四国化成工業社製、常温（２５℃）で固体）、２ＭＺ、２ＭＺ−Ｐ、２ＰＺ、２ＰＺ−ＰＷ、２Ｐ４ＭＺ、Ｃ１１Ｚ−ＣＮＳ、２ＰＺ−ＣＮＳ、２ＰＺＣＮＳ−ＰＷ、２ＭＺ−Ａ、２ＭＺＡ−ＰＷ、Ｃ１１Ｚ−Ａ、２Ｅ４ＭＺ−Ａ、２ＭＡＯＫ−ＰＷ、２ＰＺ−ＯＫ、２ＭＺ−ＯＫ、２ＰＨＺ、２ＰＨＺ−ＰＷ、２Ｐ４ＭＨＺ、２Ｐ４ＭＨＺ−ＰＷ、２Ｅ４ＭＺ・ＢＩＳ、ＶＴ、ＶＴ−ＯＫ、ＭＡＶＴ、ＭＡＶＴ−ＯＫ（いずれも四国化成工業社製）等が挙げられる。なかでも、これらのイミダゾール系硬化促進剤は、単独で用いられてもよく、２種以上が併用されてもよい。
【００４６】
上記酸無水物系硬化剤と上記硬化促進剤（例えば、イミダゾール系硬化促進剤）とを併用する場合は、上記酸無水物系硬化剤の添加量をエポキシ基に対して理論的に必要な当量以下とすることが好ましい。上記酸無水物系硬化剤の添加量が過剰であると、硬化物から水分により塩素イオンが溶出しやすくなるおそれがある。例えば、熱水を用いて、硬化物から溶出成分を抽出した際に、抽出水のｐＨが４〜５程度まで低くなり、エポキシ樹脂から引き抜かれた塩素イオンが多量に溶出してしまうことがある。
【００４７】
上記アミン系硬化剤と上記硬化促進剤（例えば、イミダゾール系硬化促進剤）とを併用する場合は、上記アミン系硬化剤の添加量をエポキシ基に対して理論的に必要な当量以下とすることが好ましい。上記アミン系硬化剤の添加量が過剰であると、硬化物から水分により塩素イオンが溶出しやすくなるおそれがある。例えば、熱水を用いて、硬化物から溶出成分を抽出した際に、抽出水のｐＨが高く、抽出水が塩基性となり、エポキシ樹脂から引き抜かれた塩素イオンが多量に溶出してしまうことがある。
【００４８】
上記フィラーとしては、シリカ、アルミナ、硫酸バリウム、タルク、クレー、雲母粉、水酸化アルミニウム、水酸化マグネシウム、炭酸カルシウム、炭酸マグネシウム、酸化マグネシウム、窒化ホウ素、ホウ酸アルミニウム、チタン酸バリウム、チタン酸ストロンチウム、チタン酸カルシウム、チタン酸マグネシウム、チタン酸ビスマス、酸化チタン、ジルコン酸バリウム、ジルコン酸カルシウム、スメクタイト粘土鉱物、膨潤性マイカ、バーミキュライト、ハロイサイト等の層状珪酸塩が有機化処理された有機化層状珪酸塩等が挙げられる。上記フィラーは１種のみが用いられてもよく、２種以上が併用されてもよい。
【００４９】
上記フィラーの含有量は、上記半導体接合用接着剤層（Ｃ）中、好ましい下限が１０重量％、好ましい上限が７０重量％である。
上記フィラーの含有量が１０重量％未満であると半導体接合用接着フィルムの接合信頼性が低下することがある。上記フィラーの含有量が７０重量％を超えると製膜性が低下したり、半田接合性が低下したりすることがある。
【００５０】
上記シランカップリング剤として、従来公知のシラン化合物を使用可能である。上記シランカップリング剤は、エポキシシラン、アミノシラン、イソシアネートシラン、アクリロキシシラン、メタクリロキシシラン、ビニルシラン、スチリルシラン、ウレイドシラン、スルフィドシラン及びイミダゾールシランからなる群からなる群から選択された少なくとも１種であることが好ましい。また、シラザンのようなアルコキシシランにより、表面処理されたシリカを用いてもよい。上記シランカップリング剤は、１種のみが用いられてもよく、２種以上が併用されてもよい。
【００５１】
上記半導体接合用接着剤層（Ｃ）の厚みは特に限定されないが、好ましい下限が５μｍ、好ましい上限が２００μｍである。上記厚みが５μｍ未満であると、半導体チップと基板との間を上記半導体接合用接着剤層（Ｃ）が充分に充填できず、ボイドが生じることがある。上記厚みが２００μｍを超えると、半導体チップと基板とを接合した際に過剰な接着剤がはみ出し、周囲を汚染することがある。
上記厚みのより好ましい下限は１０μｍ、より好ましい上限は１００μｍである。
【００５２】
本発明の半導体接合用接着フィルムの製造直後に測定した上記半導体接合用接着剤層（Ｃ）の硬化前のガラス転移温度Ｔｇは、−１０℃以上１０℃未満であることが好ましい。
上記ガラス転移温度Ｔｇが−１０℃未満であるとタックが強く、ハンドリング性が低下することがある。上記ガラス転移温度Ｔｇが１０℃以上であるとフィルムの可撓性が低下したり、半田接合性が低下したりすることがある。
なお、上記ガラス転移温度Ｔｇは、例えば、示差走査熱量測定により求めることができる。
【００５３】
本発明の半導体接合用接着フィルムを常温で２週間保管した後に測定した上記半導体接合用接着剤層（Ｃ）の硬化前のガラス転移温度Ｔｇは、製造直後に測定したガラス転移温度Ｔｇからの変化量が５℃未満であることが好ましい。
上記変化量が５℃以上であると、長期保管後の半田接合性が不充分となることがある。
上記変化量は４℃未満であることがより好ましい。
【００５４】
本発明の半導体接合用接着フィルムにおいては、上記支持層（Ａ）の、上記粘着剤層（Ｂ）と接する面とは反対側の面に、ダイシングテープが貼り合わせられていてもよい（即ち、ダイシングテープと一体化していてもよい）。これにより、本発明の半導体接合用接着フィルムをダイシングテープとして好適に用いることができる。
上記ダイシングテープは、半導体ウエハをダイシングする際に一般的に用いられるダイシングテープであれば特に限定されないが、基材と、上記基材の片面に積層された粘着剤層とを有することが好ましい。
上記ダイシングテープの基材は特に限定されず、例えば、ポリエチレンテレフタレートフィルム等のポリエステル系フィルムや、ポリテトラフルオロエチレンフィルム、ポリエチレンフィルム、ポリプロピレンフィルム、ポリメチルペンテンフィルム、ポリビニルアセテートフィルム等のポリオレフィン系フィルムや、ポリ塩化ビニルフィルム、ポリイミドフィルム等のプラスチックフィルム等が挙げられる。なかでも、エクスパンド性に優れており、環境負荷が小さいため、ポリオレフィン系フィルムが好ましい。
【００５５】
上記ダイシングテープの粘着剤層を構成する粘着剤として、例えば、アクリル系粘着剤、特殊合成ゴム系粘着剤、合成樹脂系粘着剤、ゴム系粘着剤等が挙げられる。なかでも、比較的安価な感圧タイプのアクリル系粘着剤が好ましい。
【００５６】
上記ダイシングテープは特に限定されず、各社から市販されているが、具体的には例えば、ＰＥテープ＃６３１８−Ｂ（積水化学工業社製、厚み７０μｍのポリエチレンフィルムの片面に、厚み１０μｍのゴム系粘着剤層が形成されている粘着フィルム）等が挙げられる。
【００５７】
本発明の半導体接合用接着フィルムの製造方法は特に限定されず、例えば、下記の方法が挙げられる。
まず、シリコーン系粘着剤、又は、スチレン系エラストマーを含む粘着剤溶液を支持層（Ａ）上に塗工し、加熱乾燥して支持層（Ａ）上に粘着剤層（Ｂ）を形成し、粘着剤層付き基材フィルムを作製する。更に、架橋可能な樹脂等を含有する樹脂溶液を離型フィルム上に塗布し、加熱乾燥して離型フィルム上に半導体接合用接着剤層（Ｃ）を形成した後、この半導体接合用接着剤層（Ｃ）に粘着剤層付き基材フィルムの粘着剤層（Ｂ）をラミネートする。更に、支持層（Ａ）の粘着剤層（Ｂ）と接する面とは反対側の面に、ダイシングテープを貼り合わせてもよい。
【００５８】
また、シリコーン系粘着剤、又は、スチレン系エラストマーを含むゴム系粘着剤を含有する粘着剤組成物と、支持層（Ａ）の原料とを、インフレーション法、Ｔダイ法等の公知の方法により共押出して、粘着剤層付き基材フィルムを作製することもできる。
【００５９】
また、粘着剤層付き基材フィルムとして、予め粘着剤層（Ｂ）が支持層（Ａ）に積層された市販品を用いることもできる。
シリコーン系粘着剤を含む粘着剤層（Ｂ）が支持層（Ａ）に積層された粘着剤層付き基材フィルムの市販品として、例えば、パナプロテクトシリーズ（パナック社製）等が挙げられる。また、スチレン系エラストマーを含むゴム系粘着剤を含む粘着剤層（Ｂ）が支持層（Ａ）に積層された粘着剤層付き基材フィルムの市販品として、例えば、ＦＳＡ−０１０Ｃ、ＦＳＡ−０１０Ｍ、ＦＳＡ−０２０Ｍ、ＦＳＡ−０５０Ｍ、ＦＳＡ−１００Ｍ、ＦＳＡ−１５０Ｍ、ＦＳＡ−３００Ｍ、ＦＳＡ−０１０Ｂ、ＦＳＡ−０２０Ｂ（いずれもフタムラ化学社製）等が挙げられる。
【００６０】
本発明の半導体接合用接着フィルムを用いた半導体装置の製造方法は特に限定されず、例えば、上記支持層（Ａ）の、上記粘着剤層（Ｂ）と接する面とは反対側の面に、上記ダイシングテープが貼り合わせられている（即ち、上記ダイシングテープと一体化している）半導体接合用接着フィルムを用意し、本発明の半導体接合用接着フィルムの上記半導体接合用接着剤層（Ｃ）を半導体ウエハに貼り合わせる工程（１）、上記半導体接合用接着フィルムごと上記半導体ウエハをダイシングする工程（２）、上記半導体接合用接着剤層付き半導体チップを上記粘着剤層（Ｂ）から剥がしてピックアップする工程（３）、及び、上記半導体接合用接着剤層（Ｃ）を介して半導体チップを基板又は他の半導体チップの上に実装する工程（４）を有する方法等が挙げられる。
【００６１】
上記工程（１）において本発明の半導体接合用接着フィルムの上記半導体接合用接着剤層（Ｃ）を半導体ウエハに貼り合わせる方法は特に限定されず、ラミネーターを用いた一般的な貼り合わせ方法を用いることができる。なかでも、充分なバンプ追従性を得るためには、真空ラミネーターを用いることが好ましい。
【００６２】
上記工程（２）において上記半導体接合用接着フィルムごと上記半導体ウエハをダイシングする方法は特に限定されず、例えば、ダイシング装置（例えば、ディスコ社製のＤＦＤ６３６１）を用いて上記半導体接合用接着フィルムごと上記半導体ウエハを個々の半導体チップに分割する方法等が挙げられる。
このとき、ダイシングを１段階で行ってもよいが、ダイシングによる上記半導体ウエハの破損を防ぐ観点から、ダイシングを２段階（ステップカット）で行うことが好ましい。また、ダイシングでは、一枚の刃でダイシングするシングルカット、二枚の刃でダイシングするステップカット、二枚の刃でダイシングするベベルカット等を用いることができる。ベベルカットでは、上記半導体ウエハの表面を切断するために、断面がＶ字形状の刃が用いられる。なかでも、ダイシングによる上記半導体ウエハの破損を防ぐ観点から、ステップカットが好ましい。
【００６３】
また、上記工程（２）において上記半導体接合用接着フィルムごと上記半導体ウエハをダイシングする方法として、レーザー光を照射する方法を用いてもよい。レーザー光の照射により上記半導体接合用接着フィルムごと上記半導体ウエハをダイシングする場合、レーザー光は上記粘着剤層（Ｂ）に至るように照射される。
【００６４】
上記工程（３）において上記半導体接合用接着剤層付き半導体チップを上記粘着剤層（Ｂ）から剥がしてピックアップする方法は特に限定されず、例えば、上記ダイシングテープを引き延ばして、分割された個々の半導体チップの間隔を拡張した後、半導体チップの裏面側からニードルで突き上げたり、半導体チップの表面側から真空ピールしたり、超音波振動を利用したりすることにより、上記半導体接合用接着剤層付き半導体チップを上記粘着剤層（Ｂ）から剥がす方法等が挙げられる。
【００６５】
上記工程（４）において上記半導体接合用接着剤層（Ｃ）を介して半導体チップを基板又は他の半導体チップの上に実装する方法は特に限定されず、フリップチップボンダーを用いた一般的な実装方法を用いることができる。
【発明の効果】
【００６６】
本発明によれば、ラミネート時のバンプ保護性及び製造時の巻きズレ防止性を発現しつつ、半導体接合用接着剤層と粘着剤層との間での成分の移行を抑制し、長期保管後も良好な半田接合性を保つことができる半導体接合用接着フィルムを提供することができる。
【発明を実施するための形態】
【００６７】
以下に実施例を挙げて本発明の態様を更に詳しく説明するが、本発明はこれら実施例のみに限定されない。
【００６８】
各実施例及び比較例において、粘着剤層（Ｂ）の原料として、下記のものを用いた。
（１）シリコーン系粘着剤
・シリコーン樹脂
ＬＴＣ−７５５：東レ・ダウコーニング社製、
ＳＤ４５８７Ｌ：東レ・ダウコーニング社製
Ｘ−４０−３２２９：信越化学工業社製
・白金触媒
ＮＣ−２５：東レ・ダウコーニング社製
ＣＡＴ−ＰＬ−５０Ｔ：信越化学工業社製
（２）スチレン系エラストマーを含むゴム系粘着剤
・スチレン系エラストマー
シブスター０７３Ｔ：カネカ社製、スチレン系重合体ブロックとイソブチレン系重合体ブロックからなるスチレン系エラストマー、スチレン−イソブチレン−スチレン共重合体（ＳＩＢＳ）
クレイトンＧ１６５７：クレイトンポリマー社製、スチレン系重合体ブロックとエチレン／ブチレン系共重合体ブロックからなるスチレン系エラストマー、スチレン−エチレン／ブチレン−スチレン共重合体（ＳＥＢＳ）
・粘着付与剤
アルコンＰ−１２５：荒川化学工業社製、脂環族飽和炭化水素樹脂
（３）アクリル樹脂
ＳＫ−１４９５Ｃ：綜研化学社製
ＳＫ−２９７５：綜研化学社製
（４）ウレタン樹脂
ＵＳ−９０２Ａ：一方社油脂工業社製
（５）その他の成分
・架橋剤
コロネートＬ−４５：積水フーラー社製
【００６９】
また、半導体接合用接着剤層（Ｃ）の原料として、下記のものを用いた。
（１）架橋可能な樹脂
ＨＰ−７２００ＨＨ：ＤＩＣ社製、ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂、常温で固体
ＥＰ−４０８８Ｌ：アデカ社製、ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂、常温で液体
Ｇ−２０５０：日油社製、エポキシ基含有アクリル樹脂
（２）フラックス活性を有する化合物
グルタル酸：和光純薬工業社製、フラックス剤
ＹＨ−３０９：三菱化学社製、酸無水物系硬化剤
フジキュアー７０００：Ｔ＆Ｋ  ＴＯＫＡ社製、イミダゾール系硬化促進剤
（３）フラックス活性を有しない硬化剤及び硬化促進剤
ＴＭＭＰ：ＳＣ有機化学社製、チオール系硬化剤
２ＭＡ−ＯＫ：四国化成社製、イミダゾール系硬化促進剤
（４）その他の成分
・無機フィラー
ＳＳＰ−０１ＰＴ：トクヤマ社製、表面処理球状シリカフィラー
・シランカップリング剤
ＫＢＥ−４０２：信越化学工業社製、エポキシシラン
・応力緩和剤
ＡＣ−４０３０：ガンツ化成社製、コアシェル型アクリルゴム粒子
【００７０】
（実施例１）
（粘着剤層付き基材フィルムの作製）
支持層（Ａ）として、ＰＥＴフィルム（帝人デュポンフィルム社製「Ａ−３１」、厚み２５μｍ、非処理面使用）を用いた。
【００７１】
粘着剤層（Ｂ）の原料として、表１に示す原料を表１に示す割合で配合し、粘着剤組成物を作製した。得られた粘着剤組成物を酢酸エチルで希釈して固形分３０重量％の粘着剤溶液を作製した。得られた粘着剤溶液を、アプリケーターを用いて支持層（Ａ）の非処理面上に乾燥後の厚みが２０μｍとなるように塗布し、１２０℃のオーブンで３分間加熱乾燥し、支持層（Ａ）に粘着剤層（Ｂ）が積層された粘着剤層付き基材フィルムを作製した。
【００７２】
（半導体接合用接着剤層の作製）
半導体接合用接着剤層（Ｃ）の原料として、表１に示す原料を表１に示す割合で配合し、樹脂組成物を作製した。得られた樹脂組成物を溶剤としてメチルエチルケトンに固形分６０重量％となるように添加し、撹拌して樹脂溶液を得た。得られた樹脂溶液を、離型フィルムの上に厚み３０μｍになるようにアプリケーターを用いて塗布し、１１０℃のオーブン内で３分間加熱乾燥し、離型フィルム上に半導体接合用接着剤層（Ｃ）を形成した。
【００７３】
（半導体接合用接着フィルムの作製）
半導体接合用接着剤層（Ｃ）に、上記粘着剤層付き基材フィルムの粘着剤層（Ｂ）を常温でラミネートし、ラミネート体を得た。ラミネート体を円形に切り抜いた後、支持層（Ａ）の粘着剤層（Ｂ）と接する面とは反対側の面にダイシングテープとしてのＰＥテープ＃６３１８−Ｂ（積水化学工業社製、厚み７０μｍのポリエチレンフィルムの片面に、厚み１０μｍのゴム系粘着剤層が形成されている粘着フィルム）をゴム系粘着剤層側から貼り合わせた。その後、ダイシングテープを円形に切り抜いた。このようにして、離型フィルム／半導体接合用接着剤層（Ｃ）／粘着剤層（Ｂ）／支持層（Ａ）／ダイシングテープがこの順で積層された半導体接合用接着フィルムを作製した。
【００７４】
（実施例２）
表１に示す原料を用い、表１に示す配合割合に変更した以外は実施例１と同様にして半導体接合用接着フィルムを作製した。
【００７５】
（実施例３〜６）
粘着剤層付き基材フィルムとして、予め支持層（Ａ）に粘着剤層（Ｂ）が積層された下記のものを用いた以外は実施例１と同様にして、半導体接合用接着フィルムを作製した。
【００７６】
実施例３：パナプロテクトＰＸ５０Ｔ０１Ｂ２５（パナック社製、支持層（Ａ）：ＰＥＴ、粘着剤層（Ｂ）：シリコーン系粘着剤）
実施例４：ＦＳＡ−０１０Ｃ（フタムラ化学社製、支持層（Ａ）：ポリプロピレンフィルム、粘着剤層（Ｂ）：スチレン系エラストマーとポリプロピレン系樹脂混合物）
実施例５：ＦＳＡ−０１０Ｍ（フタムラ化学社製、支持層（Ａ）：ポリプロピレンフィルム、粘着剤層（Ｂ）：スチレン系エラストマーとポリプロピレン系樹脂混合物）
実施例６：ＦＳＡ−０２０Ｍ（フタムラ化学社製、支持層（Ａ）：ポリプロピレンフィルム、粘着剤層（Ｂ）：スチレン系エラストマーとポリプロピレン系樹脂混合物）
【００７７】
（実施例７及び８）
原料の配合割合を表１に示す割合とした以外は実施例１と同様にして、半導体接合用接着フィルムを作製した。
【００７８】
（実施例９）
（粘着剤層付き基材フィルムの作製）
粘着剤層（Ｂ）の原料として、表１に示す原料を表１に示す割合で配合し、混練することにより、粘着剤組成物を作製した。得られた粘着剤組成物とポリプロピレンとを、成形温度２００℃でＴダイ法により共押出し、ポリプロピレンからなる支持層（Ａ）に粘着剤層（Ｂ）が積層された粘着剤層付き基材フィルムを作製した。支持層（Ａ）の厚みは４０μｍ、粘着剤層（Ｂ）の厚みは５μｍであった。
【００７９】
得られた粘着剤層付き基材フィルムを用いた以外は実施例１と同様にして、半導体接合用接着フィルムを作製した。
【００８０】
（実施例１０）
表１に示す原料を用い、表１に示す配合割合とした以外は実施例９と同様にして、半導体接合用接着フィルムを作製した。
【００８１】
（比較例１〜４）
表１に示す原料を用い、表１に示す配合割合とし、（粘着剤層付き基材フィルムの作製）において、１００℃のオーブンで５分間加熱乾燥し、更に４０℃のオーブン内で３日間養生して粘着剤層（Ｂ）を架橋させ、粘着剤層付き基材フィルムを作製した以外は実施例１と同様にして、半導体接合用接着フィルムを作製した。
なお、比較例４では粘着剤層（Ｂ）を形成しなかった。
【００８２】
（比較例５）
表１に示す原料を用い、表１に示す配合割合に変更した以外は実施例１と同様にして半導体接合用接着フィルムを作製した。
【００８３】
＜評価＞
得られた半導体接合用接着フィルムについて、次の工程で評価を行った。結果を表２に示した。
【００８４】
（１）成分の移行性
得られた半導体接合用接着フィルムの粘着剤層（Ｂ）と半導体接合用接着剤層（Ｃ）とを剥離し、半導体接合用接着剤層（Ｃ）を露出させた。半導体接合用接着剤層（Ｃ）について、ガスクロマトグラフ質量分析計（ＪＭＳ  Ｋ−９、日本電子社製）を用い、製造直後の含有成分を定量した。また、示差走査熱量測定装置（ＤＳＣ６２２０、セイコーインスツルメンツ社製）を用い、製造直後の半導体接合接着剤層（Ｃ）のガラス転移温度Ｔｇを測定した。
また、得られた半導体接合用接着フィルムを常温で２週間保管した後、粘着剤層（Ｂ）と半導体接合用接着剤層（Ｃ）とを剥離し、半導体接合用接着剤層（Ｃ）を露出させた。製造直後と同様にして、含有成分の定量、ガラス転移温度Ｔｇの測定を行った。
各実施例について、製造直後に測定したものを初期値として、常温で２週間保管後の成分含有量及びガラス転移温度Ｔｇの初期値からの変化量を算出し、以下の基準で評価した。
○：半導体接合用接着剤層（Ｃ）中に含まれるフラックス活性を有する化合物と液状エポキシ樹脂との合計含有量の初期値からの変化量が３重量％未満、かつ、ガラス転移温度の初期値からの変化量が５℃未満
×：半導体接合用接着剤層（Ｃ）中に含まれるフラックス活性を有する化合物と液状エポキシ樹脂との合計含有量の初期値からの変化量が３重量％以上、又は、ガラス転移温度の初期値からの変化量が５℃以上
【００８５】
（２）製造時巻きズレ
得られた半導体接合用接着フィルムを幅３３０ｍｍにカットし、１ｍ／ｍｉｎのライン速度で３インチ径のプラスチックコアに巻き取った。得られた製造物について以下の基準で評価した。
○：巻きズレが確認されなかった。
×：巻きズレが確認された。
【００８６】
（３）ラミネート性
得られた半導体接合用接着フィルムの離型フィルムを剥離し、半導体接合用接着剤層（Ｃ）を露出させた。露出した接着剤層（Ｃ）を、直径８インチの半田バンプ付きシリコンウエハ（厚み１００μｍ、ＷＡＬＴＳ−ＴＥＧ  ＭＢ５０−０１０１ＪＹ、ハンダの溶融温度２３５℃、ウォルツ社製、バンプ高さ４５μｍ）のバンプ電極を有する面に、真空ラミネーター（ＡＴＭ−８１２Ｍ、タカトリ社製）を用いて６０℃、真空度１００Ｐａで貼り合わせた。
貼り合わせた後のバンプ状態を顕微鏡で観察し、以下の基準で評価した。
○：バンプ潰れが確認されなかった。
×：バンプ潰れが確認された。
【００８７】
（４）実装性
得られた半導体接合用接着フィルムのダイシングテープをダイシングフレームにマウントし、シリコンウエハの裏面から、ダイシング装置ＤＦＤ６３６１（ディスコ社製）を用い、回転数４００００ｒｐｍ、送り速度２０ｍｍ／秒で７．３ｍｍ×７．３ｍｍのチップサイズにダイシングした。なお、ダイシングの際の切り込み深さは、支持層（Ａ）がダイシングテープと接する面まで切り込むように設定した。
ダイシング後、ダイボンダーｂｅｓｔｅｍ  Ｄ−０２（キャノンマシーナリー社製）を用いて、突き上げ速度５ｍｍ／秒、ピックアップ温度２３℃の条件で、分割された半導体チップのピックアップを行った。この工程において、粘着剤層（Ｂ）と半導体接合用接着剤層（Ｃ）とを剥離し、半導体接合用接着剤層付き半導体チップを得た。
ピックアップした半導体接合用接着剤層付き半導体チップを、Ｎｉ／Ａｕ電極を有する基板（ＷＡＬＴＳ−ＫＩＴ  ＭＢ５０−０１０１ＪＹ、ウォルツ社製）上に、ボンディング装置（東レエンジニアリング社製、ＦＣ−３０００）を用いてフリップチップ実装した。
実装後のサンプルについて、超音波探傷装置（Ｃ−ＳＡＭ  Ｄ−９０００、ＳＯＮＯＳＣＡＮ社製）を用いたボイドの観察、４端子法による初期導通の確認及び導通抵抗値の測定を行った。また、実装後のサンプルの断面を、研磨装置を用いて研磨し、顕微鏡で半田接合状態を確認した。ボイド、初期導通、半田接合性について、以下の基準で評価した。
＜ボイド＞
○：超音波探傷観察においてボイドが確認されなかった。
△：超音波探傷観察においてボイドが数箇所観察された。
×：超音波探傷観察においてボイドが多数確認された。
＜初期導通＞
○：導通が確認された。
×：導通不良であった。
＜半田接合性＞
○：半田濡れが良好であった。
△：半田濡れは良好ではないが、半田と基板側電極が接触していた。
×：半田と基板側電極の間に樹脂の噛み込みがあり、接合不良であった。
【００８８】
【表１】
0006386385.tif 000002
【００８９】
【表２】
0006386385.tif 000003
【産業上の利用可能性】
【００９０】
本発明によれば、ラミネート時のバンプ保護性及び製造時の巻きズレ防止性を発現しつつ、半導体接合用接着剤層と粘着剤層との間での成分の移行を抑制し、長期保管後も良好な半田接合性を保つことができる半導体接合用接着フィルムを提供することができる。