(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
伸縮性を有する基材と、前記基材に埋設され、前記基材よりも相対的に硬い難伸縮部と、を備えた伸縮性基板と、
前記難伸縮部上に設けられ、又は、前記難伸縮部と重複するように前記基材上に設けられている少なくとも１つの電子部品と、
前記難伸縮部上に設けられ、又は、前記難伸縮部と重複するように前記基材上に設けられている少なくとも１つの配線と、を備え、
前記難伸縮部は、前記難伸縮部の第１及び第２の主面を貫通する貫通孔を有しており、
前記基材は、前記第１の主面及び前記第２の主面の少なくとも一方を被覆する被覆部を有しており、
前記貫通孔は、前記被覆部の一部が突出することで、前記貫通孔の少なくとも一部に前記基材が前記貫通孔の内面と接触するように充填されていることを特徴とする回路基板。
【請求項２】
請求項１に記載の回路基板であって、
前記難伸縮部は、前記難伸縮部の全面が前記基材で覆われるように前記基材に埋設されていることを特徴とする回路基板。
【請求項３】
請求項１又は２に記載の回路基板であって、
前記貫通孔は、前記貫通孔の貫通方向に対して実質的に直交する断面が、前記断面の中心に対して点対称となるような形状を有していることを特徴とする回路基板。
【請求項４】
請求項１〜３の何れか１項に記載の回路基板であって、
前記難伸縮部は、複数の前記貫通孔を有していることを特徴とする回路基板。
【請求項５】
請求項４に記載の回路基板であって、
複数の前記貫通孔は、前記難伸縮部の中心に対して点対称となるように配置されていることを特徴とする回路基板。
【請求項６】
請求項１〜５の何れか１項に記載の回路基板であって、
複数の前記電子部品は、第１及び第２の方向に沿ってｍ行ｎ列でマトリクス状に配列されたｍ×ｎ個の薄膜トランジスタであり、
前記配線は、
前記第１の方向に沿って配列されたｍ個の前記薄膜トランジスタのソース電極又はドレイン電極を相互に電気的に接続するｎ本の第１の走査配線と、
前記第１の走査配線と電気的に絶縁されると共に、前記第２の方向に沿って配列されたｎ個の前記薄膜トランジスタのゲート電極を相互に電気的に接続するｍ本の第２の走査配線と、を含むことを特徴とする回路基板。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、伸縮性基板及び回路基板に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
易伸長性ポリマー母材中に中実難伸長性ポリマー部が部分的に且つ一体的に形成されているシート状伸長性有機基材が知られている（例えば、特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２０１２−２１４６９９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
上記易伸長性ポリマー母材に埋設された中実難伸長性ポリマー部は、当該基材に対して相対的に硬い。このため、シート状伸長性有機基材を伸縮させると、伸縮方向と平行の界面において、難伸縮部が基材から剥離するおそれがある、という問題がある。
【０００５】
本発明が解決しようとする課題は、基材からの剥離の抑制が可能となる難伸縮部を備える伸縮性基板及びそれを備えた回路基板を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
［１］本発明に係る回路基板は、伸縮性を有する基材と、前記基材に埋設され、前記基材よりも相対的に硬い難伸縮部と、を備えた伸縮性基板と、前記難伸縮部上に設けられ、又は、前記難伸縮部と重複するように前記基材上に設けられている少なくとも１つの電子部品と、前記難伸縮部上に設けられ、又は、前記難伸縮部と重複するように前記基材上に設けられている少なくとも１つの配線と、を備え、前記難伸縮部は、前記難伸縮部の第１及び第２の主面を貫通する貫通孔を有しており、前記基材は、前記第１の主面及び前記第２の主面の少なくとも一方を被覆する被覆部を有しており、前記貫通孔は、前記被覆部の一部が突出することで、前記貫通孔の少なくとも一部に前記基材が前記貫通孔の内面と接触するように充填されていることを特徴とする。
【０００７】
［２］上記発明において、前記難伸縮部は、前記難伸縮部の全面が前記基材で覆われるように前記基材に埋設されていてもよい。
【０００８】
［３］上記発明において、前記貫通孔は、前記貫通孔の貫通方向に対して実質的に直交する断面が、前記断面の中心に対して点対称となるような形状を有していてもよい。
【０００９】
［４］上記発明において、前記難伸縮部は、複数の前記貫通孔を有していてもよい。
【００１０】
［５］上記発明において、複数の前記貫通孔は、前記難伸縮部の中心に対して点対称となるように配置されていてもよい。
【００１２】
［６］上記発明において、複数の前記電子部品は、第１及び第２の方向に沿ってｍ行ｎ列でマトリクス状に配列されたｍ×ｎ個の薄膜トランジスタであり、前記配線は、前記第１の方向に沿って配列されたｍ個の前記薄膜トランジスタのソース電極又はドレイン電極を相互に電気的に接続するｎ本の第１の走査配線と、前記第１の走査配線と電気的に絶縁されると共に、前記第２の方向に沿って配列されたｎ個の前記薄膜トランジスタのゲート電極を相互に電気的に接続するｍ本の第２の走査配線と、を含んでいてもよい。
【発明の効果】
【００１３】
本発明における難伸縮部は、当該難伸縮部の第１及び第２の主面を貫通する貫通孔を有している。また、基材は、第１及び第２の主面の少なくとも一方を被覆する被覆部を有している。この被覆部の一部が突出することで、貫通孔の少なくとも一部に基材が貫通孔の内面と接触するように充填されている。これにより、第１及び第２の主面にかかるせん断応力が貫通孔の内面で発生する垂直方向のせん断応力により低減されるので、伸縮性基板の伸縮方向に沿って難伸縮部が基材から剥離するのを抑制することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１４】
【図１】図１は、本発明の第１実施形態のおける回路基板の平面透視図である。
【図２】図２は、本発明の第１実施形態における伸縮性基板を示す図であり、図２（ａ）は平面透視図であり、図２（ｂ）は、図２（ａ）のIIb-IIb線に沿った断面図である。
【図３】図３は、本発明の第１実施形態における伸縮性基板の第１変形例を示す図であり、図３（ａ）は平面透視図であり、図３（ｂ）は、図３（ａ）のIIIb-IIIb線に沿った断面図である。
【図４】図４は、本発明の第１実施形態における回路基板の図１のIV-IV線に沿った断面図である。
【図５】図５は、本発明の第１実施形態における回路基板の貫通孔、電子部品、及び、配線の位置関係を説明するための図であり、難伸縮部の平面図である。
【図６】図６（ａ）〜図６（ｃ）は、本発明の第１実施形態における難伸縮部の製造工程を示す断面図である。
【図７】図７（ａ）〜図７（ｅ）は、本発明の第１実施形態における回路基板の製造工程を示す断面図である。
【図８】図８は、本発明の第２実施形態における回路基板の平面透視図である。
【図９】図９は、本発明の第２実施形態における回路基板の図８のIX-IX線に沿った断面図である。
【図１０】図１０は、本発明の第２実施形態の回路基板の貫通孔、電子部品、及び、配線の位置関係を説明するための図であり、難伸縮部の平面図である。
【図１１】図１１は、本発明の第３実施形態における回路基板を示す図であり、図１１（ａ）は、本発明の第３実施形態における回路基板の平面透視図であり、図１１（ｂ）は、図１１（ａ）のXIb-XIb線に沿った断面図である。
【図１２】図１２は、本発明の第４実施形態における回路基板を示す図であり、図１２（ａ）は、本発明の第４実施形態における回路基板の平面透視図であり、図１２（ｂ）は、図１２（ａ）のXIIb-XIIb線に沿った断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１５】
以下に、本発明の実施形態を図面に基づいて説明する。
【００１６】
<<第１実施形態>>
図１は、本発明の第１実施形態のおける回路基板の平面透視図であり、図２は、本発明の第１実施形態における伸縮性基板を示す図であり、図２（ａ）は平面透視図であり、図２（ｂ）は、図２（ａ）のIIb-IIb線に沿った断面図である。
【００１７】
本実施形態における回路基板１は、図１に示すように、伸縮性基板２０と、薄膜トランジスタ４０と、配線５０と、を備えている。この回路基板１は、例えば、人体に密着配置させて人体の動作に追随させる用途や、複雑な形状の物体の表面を覆うように配置される用途に使用される。なお、本実施形態における「回路基板１」が本発明の「回路基板」の一例に相当する。
【００１８】
伸縮性基板２０は、図２（ａ）及び図２（ｂ）に示すように、基材２１と、アイランド３０と、を備えている。なお、図２（ａ）及び図２（ｂ）に示す例では、１つのアイランド３０が基材２１に埋設されているが、特にこれに限定されず、基材に設けられたアイランドの数や配置は任意に設定することができる。
【００１９】
基材２１は、平面上（図中Ｘ方向及びＹ方向）に延在したシート状に形成されている。この基材２１は、当該基材２１の図中上側の主面（以下単に、「第１の主面２２」とも称する。）と図中下側の主面（以下単に、「第２の主面２３」とも称する。）を有しており、これら両主面２２，２３が相互に実質的に平行となるように形成されている。このような伸縮性基板２０は、図中ＸＹ平面に沿った方向において伸縮可能となっている（以下、単に「伸縮方向」とも称する）。
【００２０】
この基材２１は、０．１［ＭＰａ］〜１０［ＭＰａ］程度のヤング率を有する材料から構成されている。このような基材２１を構成する材料の具体例としては、例えば、シリコーンゴム、ウレタンゴム、フッ素ゴム、天然ゴム、アクリルゴム、熱可塑性エラストマー等のエラストマーを例示することができる。
【００２１】
アイランド３０は、平板形状を有しており、当該アイランド３０の全面が基材２１で覆われることで、外部に露出することなく、基材２１の内部に埋設されている。このアイランド３０は、当該アイランド３０の図中上側の主面（以下単に、「第３の主面３１」とも称する。）と、当該アイランド３０の図中下側の主面（以下単に、「第４の主面３２」とも称する。）と、を有しており、これら両主面３１，３２が相互に実質的に平行となるように形成されている。なお、アイランド３０の形状は、特に上述に限定されず、例えば、円板形状等でもよい。
【００２２】
このアイランド３０は、基材２１に対して相対的に硬い材料で構成されている。このため、基材２１を任意に伸縮させても、アイランド３０の形状がほとんど変化しない。これにより、伸縮性基板２０は、伸縮性を有すると共に、形状不変なアイランド３０上に他の部材を適当な固定手段を用いて保持、固定することができる。
【００２３】
このようなアイランド３０は、具体的には、基材２１を構成する材料のヤング率（Ｅ１）に対して相対的に大きいヤング率（Ｅ２）を有する材料から構成されており（Ｅ２＞Ｅ１）、好ましくは、基材２１を構成する材料のヤング率に対して２倍以上のヤング率を有する材料で構成されている（Ｅ２≧２×Ｅ１）。
【００２４】
また、アイランド３０を構成する材料の具体例としては、例えば、基材２１を構成するエラストマーと同一のエラストマーにフィラーを添加したものを例示することができる。フィラーとしては、例えば、シリカ粉末、カーボンブラック、アルミナ粉末等を例示することができる。なお、フィラーの添加量は、所望のヤング率に応じて適宜設定されるが、当該アイランドの材料の全重量に対して１〜６０重量％であることが好ましい。
【００２５】
このように、基材２１を構成するエラストマーと同一のエラストマーにフィラーを添加することで、アイランド３０のヤング率が基材２１のヤング率に対して相対的に大きくなり、基材２１に対してアイランド３０を相対的に硬くすることができる。
【００２６】
なお、基材２１を構成するエラストマーと同一のエラストマーを主成分としつつ、基材２１よりも架橋剤の配合比を多くしたり、基材２１よりも硬化剤の配合比を多くすることで、アイランド３０のヤング率を基材２１のヤング率より大きくしてもよい。
【００２７】
また、基材２１を構成するエラストマーと同一のエラストマーを主成分とする材料でアイランド３０を構成することで、基材２１とアイランド３０の密着性を向上させることができる。これにより、伸縮性基板２０の伸縮の繰り返しに伴う基材２１からのアイランド３０の剥離を抑制することができる。
【００２８】
なお、アイランド３０を構成する材料のヤング率が、基材２１を構成する材料のヤング率よりも相対的に大きければ、アイランド３０を構成する材料は特に限定されない。例えば、基材２１を構成するエラストマーとは異なるエラストマー、エラストマー以外の樹脂材料、セラミックス、或いは、ガラス等でアイランド３０を構成してもよい。また、アイランド３０が導電性を有してもよい場合には、金属材料でアイランド３０を構成してもよい。
【００２９】
このような基材２１は、厚みが１０［μｍ］〜１００［μｍ］であることが好ましく、アイランド３０は、厚みが１０［μｍ］〜１００［μｍ］であることが好ましい。
【００３０】
本実施形態におけるアイランド３０の第３及び第４の主面３１，３２上には、被覆部２４が積層している。この被覆部２４は、基材２１が当該第３及び第４の主面３１，３２の全面を覆うことで形成されている。このように、平面視においてアイランド３０と重複する領域についても、伸縮可能な基材２１により構成される被覆部２４が当該第３及び第４の主面３１，３２を覆っていることで、伸縮性基板２０の伸縮方向における伸縮性が低下するのが抑制されている。
【００３１】
また、アイランド３０には、図２（ａ）及び図２（ｂ）に示すように、１つの第１の貫通孔３３が形成されている。この第１の貫通孔３３は、略円形状の開口を有しており、アイランド３０の第３及び第４の主面３１、３２の間を一様の径を有するように貫通し、鉛直方向（図中Ｚ方向）に沿って形成されている。また、この第１の貫通孔３３の内部には、当該第１の貫通孔３３の内面に接触するように被覆部２４の一部が突出している。そして、被覆部２４の突出した部分が第１の貫通孔３３に沿って延在することで、この第１の貫通孔３３を介して、アイランド３０の両方の主面３１，３２に積層する被覆部２４同士が連通されている。結果的には、この第１の貫通孔３３の内部に基材２１が充填している。
【００３２】
なお、本実施形態では、基材２１によって第１の貫通孔３３の内部が完全に充填されているが、被覆部２４の一部が突出することで、第１の貫通孔３３の少なくとも一部に基材２１が当該第１の貫通孔３３の内面と接触するように充填されていれば、基材２１の充填量は特に限定されない。
【００３３】
なお、特に限定しないが、このような第１の貫通孔３３の径は、１０［μｍ］以上であることが好ましい。これにより、第１の貫通孔３３の内部に基材２１を取り込み易くすることができる。
【００３４】
なお、本実施形態では、第１の貫通孔３３の貫通方向に対して実質的に直交する当該第１の貫通孔３３の断面が、当該断面の中心（Ｃ１）に対して点対称となるように形成されていれば、特に円形状に限定されず、例えば、特に図示しないが、第１の貫通孔３３は、四角形、菱型、又は、六角形などのｎ角形（但し、ｎは偶数である。）や楕円等の断面形状を有していてもよい。
【００３５】
また、本実施形態では、１つのアイランド３０に対して１つの第１の貫通孔３３が形成されているが、特にこれに限定されない。図３は、本発明の第１実施形態における伸縮性基板の第１変形例を示す図であり、図３（ａ）は平面透視図であり、図３（ｂ）は、図３（ａ）のIIIb-IIIb線に沿った断面図である。
【００３６】
例えば、図３（ａ）及び図３（ｂ）に示すように、第１の貫通孔３３は、複数形成されていてもよい。伸縮性基板２０Ａに設けられたアイランド３０Ａには、５つの第１の貫通孔３３ａ〜３３ｅが形成されている。このうち、第１の貫通孔３３ａは、アイランド３０Ａの中心（Ｃ２）と実質的に同一の中心（Ｃ１）を有するように形成されている。また、第１の貫通孔３３ａの中心と同一の中心を有する仮想円上に中心を有する第１の貫通孔３３ｂ〜３３ｅが形成されている。そして、これらの貫通孔３３ｂ〜３３ｅが当該仮想円の周方向に沿って実質的に等間隔となるよう配置されている。
【００３７】
このように、複数の第１の貫通孔３３は、当該複数の第１の貫通孔３３が形成されたアイランド３０Ａの中心（Ｃ２）に対して点対称となるように形成されていることが好ましい。なお、アイランド３０Ａの中心（Ｃ２）に対して実質的に点対称となるよう形成される複数の第１の貫通孔３３は、特に上述に限定されない。
【００３８】
また、本実施形態では、第１の貫通孔３３は、一様の径を有するように形成されているが、特にこれに限定されない。特に限定しないが、例えば、アイランド３０の第３及び第４の主面３１，３２の間に亘って、第１の貫通孔３３の径が漸次的に変化するように形成されていてもよい。
【００３９】
また、本実施形態では、第１の貫通孔３３は、アイランド３０の第３及び第４の主面３１，３２の間を鉛直方向に貫通するように形成されているが、特にこれに限定されない。
【００４０】
なお、本実施形態における「伸縮性基板２０」が本発明の「伸縮性基板」の一例に相当し、本実施形態における「基材２１」が本発明の「基材」の一例に相当し、本実施形態における「アイランド３０」が本発明の「難伸縮部」の一例に相当し、本実施形態における「第３の主面３１」が本発明の「第１の主面」の一例に相当し、本実施形態における「第４の主面３２」が本発明の「第２の主面」の一例に相当し、本実施形態における「第１の貫通孔３３」が本発明の「貫通孔」の一例に相当する。
【００４１】
また、上述において、「第１の貫通孔３３の中心（Ｃ１）」及び「アイランド３０の中心（Ｃ２）」とは、平面視における重心の位置をそれぞれ示す。ここで「重心」とは、平面視における輪郭の内部を一様の質量にて分布させたときの質量中心を意味する。
【００４２】
図４は、本発明の第１実施形態における回路基板の図１のIV-IV線に沿った断面図である。
【００４３】
薄膜トランジスタ４０は、図１及び図４に示すように、伸縮性基板２０のアイランド３０上に形成されている。このように、基材２１よりも相対的に硬いアイランド３０上に薄膜トランジスタ４０を設けることで、基材２１の伸縮に伴って薄膜トランジスタ４０の破壊の防止を図ることができる。この薄膜トランジスタ４０は、アイランド３０と同様、当該薄膜トランジスタ４０の全面が基材２１で覆われており、外部に露出することなく、基材２１の内部に埋設されている。なお、本実施形態における「薄膜トランジスタ４０」が本発明の「電子部品」及び「薄膜トランジスタ」の一例に相当する。
【００４４】
本実施形態における薄膜トランジスタ４０は、ボトムゲートトップコンタクト型の構造を有する薄膜トランジスタであり、アイランド３０の上にゲート電極４１、ゲート絶縁層４２、及び半導体層４３が順に積層するように設けられている。そして、当該ゲート絶縁層４２及び半導体層４３の上部に並列となるようにソース電極４４とドレイン電極４５が設けられている。これらの電極４４，４５の間には、半導体層４３が介在しており、これにより、所定の間隔が形成されている。
【００４５】
なお、このドレイン電極４５の２次側に画素電極を接続することで、当該薄膜トランジスタ４０をスイッチング素子として用いた画像表示装置を得ることができる。また、ソース電極４４の１次側に圧力検出素子を接続することで、圧力検出装置を得ることができる。
【００４６】
なお、本実施形態における「ゲート電極４１」が本発明の「ゲート電極」の一例に相当し、本実施形態における「ソース電極４４」が本発明の「ソース電極」の一例に相当し、本実施形態における「ドレイン電極４５」が本発明の「ドレイン電極」の一例に相当する。
【００４７】
配線５０は、図１及び図４に示すように、第１の配線６０と、第２の配線７０と、絶縁樹脂部８０と、を有している。
【００４８】
第１の配線６０は、第１及び第２の走査配線６１、６５と、第１及び第２の引出配線６３、６７と、第１及び第２の立上り配線６４、６８と、を有している。また、第２の配線７０は、第３の走査配線７１と、第３の引出配線７３と、第３の立上り配線７４と、を有している。
【００４９】
第１の走査配線６１は、基材２１の第１の主面２２上をＹ方向に沿って延在している。この第１の走査配線６１からは、第１の引出配線６３が基材２１の第１の主面２２上をＸ方向に沿って引き出されている。この第１の引出配線６３は、一方の端部で第１の主面２２に露出した第１の立上り配線６４と電気的に接続されている。
【００５０】
第１の立上り配線６４は、基材２１中を鉛直方向に沿って延在する第２の貫通孔２４１の内部に形成されている。この第１の立上り配線６４は、図４に示すように、一方の端部では、ソース電極４４と電気的に接続されている。また、他方の端部では、基材２１の第１の主面２２で露出しており、第１の走査配線６１を介して、回路基板１に実装される別の薄膜トランジスタのソース電極（不図示）と電気的に接続されている。
【００５１】
なお、第１の引出配線６３及び第１の立上り配線６４は、ソース電極４４を第１の主面２２上で電気的に接続することが可能となっていれば、その配置や経路については、特に上述に制限されない。
【００５２】
第２の走査配線６５は、基材２１の第１の主面２２上をＹ方向に沿って延在している。この第２の走査配線６５からは、第２の引出配線６７が基材２１の第１の主面２２上をＸ方向に沿って引き出されている。この第２の引出配線６７は、一方の端部で第１の主面２２に露出した第２の立上り配線６８と電気的に接続されている。
【００５３】
第２の立上り配線６８は、基材２１中を鉛直方向に沿って延在する第３の貫通孔２４２の内部に形成されている。この第２の立上り配線６８は、図４に示すように、一方の端部では、ドレイン電極４５と電気的に接続されている。また、他方の端部では、基材２１の第１の主面２２で露出しており、第２の走査配線６５を介して、回路基板１に実装される別の薄膜トランジスタのドレイン電極（不図示）と電気的に接続されている。
【００５４】
なお、第２の引出配線６７及び第２の立上り配線６８は、ドレイン電極４５が第１の主面２２上で電気的に接続することが可能となっていれば、その配置や経路については、特に上述に制限されない。
【００５５】
図１に示すように、第３の走査配線７１は、基材２１の第１の主面２２上をＸ方向に沿って延在している。第３の引出配線７３は、アイランド３０の第３の主面３１上に形成されており、アイランド３０と薄膜トランジスタ４０との間に介装されている。この第３の引出配線７３は、ゲート電極４１に連結されており、当該第３の引出配線７３の一部がゲート電極４１から薄膜トランジスタ４０の外側に向かって延在している。
【００５６】
第３の走査配線７１からは、第３の立上り配線７４が、第１及び第２の立上り配線６４、６８と同様に、鉛直方向に沿って引き出されている。この第３の立上り配線７４は、鉛直方向に沿って延在する第４の貫通孔２４３の内部に形成されており、端部で第３の引出配線７３と電気的に接続している。また、他方の端部では、基材２１の第１の主面２２で露出しており、第３の走査配線７１を介して、回路基板１に実装される別の薄膜トランジスタのゲート電極（不図示）と電気的に接続されている。
【００５７】
なお、第３の引出配線７３及び第３の立上り配線７４は、ゲート電極４１が第１の主面２２上で電気的に接続することが可能となっていれば、その配置や経路については、特に上述に制限されない。
【００５８】
この配線５０は、基材２１の伸縮に追従するために伸縮性を有している。伸縮性を有する配線５０としては、例えば、特開２０１２−５４１９２号公報に開示されているものを用いることができる。
【００５９】
具体的には、この配線５０は、例えば、水性ポリウレタン分散液と導電性粒子から構成される導電性ペーストを塗布し、当該導電性ペーストを乾燥させることで形成されている。この乾燥によってポリウレタン分散液が水分を含まないポリウレタンエラストマーとなり、このポリウレタンエラストマーが導電性粒子を結合するバインダとして機能することで、配線５０に伸縮性が付与される。
【００６０】
なお、本実施形態における「配線５０」が本発明の「配線」の一例に相当する。
【００６１】
絶縁樹脂部８０は、第１の配線６０と、第２の配線７０と、を電気的に絶縁するため、基材２１の第１の主面２２上に設けられている。この樹脂絶縁部８０は、図１に示すように、平面視において、第１の走査配線６１及び第３の走査配線７１の重複部分（交差部分）と、第２の走査配線６５及び第３の走査配線７１の重複部分と、に設けられている。これにより、重複部分において絶縁性が確保されるので、配線５０の短絡不良の抑制を図ることができる。
【００６２】
図５は、本発明の第１実施形態における回路基板の貫通孔、電子部品、及び、配線の位置関係を説明するための図であり、難伸縮部の平面図である。
【００６３】
本実施形態では、回路基板１におけるアイランド３０は、図５に示すように、平面視において、第３の主面３１上に実装領域３６と、非実装領域３７と、を有している。実装領域３６とは、平面視において、薄膜トランジスタ４０又は配線５０の少なくとも一方が実装された領域であり（図中一点鎖線により囲まれた領域）、非実装領域３７とは、平面視において、薄膜トランジスタ４０又は配線５０のいずれもが実装されていない領域である。本実施形態では、第１の貫通孔３３は、アイランド３０の非実装領域３７に形成されている。
【００６４】
次に、本実施形態におけるアイランド３０の製造方法について、図６（ａ）〜図６（ｃ）を参照しながら説明する。
【００６５】
本実施形態では、アイランド３０の第３の主面３１上に薄膜トランジスタ４０及び配線５０を形成すると共に、アイランド３０の第３及び第４の主面３１，３２の間を貫通する第１の貫通孔３３を形成する。
【００６６】
本実施形態におけるアイランド３０の製造方法は、アイランドの形成工程と、薄膜トランジスタ及び第３の引出配線の形成工程と、貫通孔形成工程と、を備えている。
【００６７】
まず、アイランドの形成工程では、図６（ａ）に示すように、アイランド３０を所定の形状に形成する。具体的には、例えば、薄膜トランジスタ４０や第１の貫通孔３３が配置可能な寸法にアイランド３０を切削加工する。
【００６８】
次に、薄膜トランジスタ及び第３の引出配線の形成工程では、図６（ｂ）に示すように、薄膜トランジスタ４０及び第３の引出配線７３を、上述の準備したアイランド３０上に形成する。
【００６９】
具体的には、まず、スパッタリング法によりアルミニウム（Ａｌ）をアイランド３０上に積層することでゲート電極４１及び第３の引出配線７３を同時に一体的に形成する。なお、本実施形態では、ゲート電極４１及び第３の引出配線７３を構成する導電性材料として、アルミニウム（Ａｌ）を用いているが、特にこれに限定されず、例えば、クロム（Ｃｒ）、チタン（Ｔｉ）、銅（Ｃｕ）、モリブデン（Ｍｏ）、タングステン（Ｗ）、ニッケル（Ｎｉ）、金（Ａｕ）、パラジウム（Ｐｄ）、白金（Ｐｔ）、銀（Ａｇ）、錫（Ｓｎ）、タンタル（Ｔａ）、又は、これらを少なくとも一つ含む合金等を用いてもよい。
【００７０】
また、ゲート電極４１及び第３の引出配線７３の製法は、特に上述に限定されず、例えば、グラビア印刷法、スクリーン印刷法、グラビアオフセット印刷法等の印刷法、化学蒸着法、無電解めっき法、電解めっき法、或いはそれらを組み合わせた方法等によって、ゲート電極４１及び第３の引出配線７３を形成してもよい。なお、上述のような印刷法を用いる場合、導電性材料に代えて導電性インクをアイランド３０上に印刷して硬化させることでゲート電極４１を形成する。このようなゲート電極４１を構成する導電性インクとしては、例えば、金（Ａｕ）、銀（Ａｇ）、カーボン（Ｃ）等のナノ金属粒子が含有したものを例示することができる。
【００７１】
次に、プラズマ酸化法やＵＶ酸化法を用いてゲート電極４１の表面を酸化させ、酸化アルミニウム（ＡｌＯｘ）被膜を積層させることでゲート絶縁層４２を形成する。次に、真空蒸着法を用いてゲート絶縁層４２上にＤＮＴＴ（dinaphthothienothiophene）を積層させることで半導体層４３を形成する。なお、半導体層４３を構成する材料は、特に上述に限定されない。
【００７２】
次に、スクリーン印刷法により銀（Ａｇ）インクを印刷し硬化させることでソース電極４４及びドレイン電極４５を形成する。なお、ソース電極４４及びドレイン電極４５の製法は、特に上記に限定されず、上述のゲート電極４１で例示したような製法によって構成してもよい。
【００７３】
次に、貫通孔形成工程では、図６（ｃ）に示すように、アイランド３０の非実装領域において、当該アイランド３０を鉛直方向に沿って切削加工し貫通することで第１の貫通孔３３を形成する。なお、第１の貫通孔３３を形成する方法は、特に上述に限定されない。例えば、第１の貫通孔３３を形成する方法として、レーザーによるアブレーションで基材２１を貫通することで形成してもよい。
【００７４】
次に、本実施形態における回路基板１の製造方法について、図７（ａ）〜図７（ｅ）を参照しながら説明する。
【００７５】
本実施形態における回路基板１の製造方法は、下部基材形成工程と、アイランドの載置工程と、上部基材形成工程と、配線形成工程と、を備えている。
【００７６】
まず、下部基材形成工程では、図７（ａ）に示すように、容器９０内に基材用材料２５を流し込む。この基材用材料２５としては、例えば、上述した基材２１を構成することとなる液状エラストマーを例示することができる。そして、容器９０内に流し込んだ基材用材料２５を乾燥炉（不図示）内に載置し、９０［℃］、４分間の条件で加熱し、基材用材料２５を硬化させることで、下部基材２６ｂを形成する。
【００７７】
次に、アイランドの載置工程では、図７（ｂ）に示すように、上述の製法により形成された薄膜トランジスタ４０が設けられたアイランド３０を下部基材２６ｂ上の中央付近に載置する。
【００７８】
次に、上部基材形成工程では、下部基材形成工程と同様の要領で、図７（ｃ）に示すように、アイランド３０が載置された下部基材２６ｂが容器９０内に収容したまま、この容器９０内に基材用材料２５を流し込む。このとき、基材用材料２５は高い流動性を有するため、当該基材用材料２５の表面において、アイランド３０を載置することで生じた凹凸や、薄膜トランジスタ４０を形成することで生じたアイランド３０の凹凸が平坦化される。
【００７９】
そして、図７（ｄ）に示すように、容器９０内に流し込んだ基材用材料２５を乾燥炉（不図示）内に載置し、９０［℃］、４分間の条件で加熱し、基材用材料２５を硬化させることで、上部基材２６ａを形成する。これにより、アイランド３０は基材２１の内部に埋設される。
【００８０】
次に、配線形成工程では、図７（ｅ）に示すように、まず、第２〜第４の貫通孔２４１〜２４３（第４の貫通孔２４３については、図１参照）を基材２１の鉛直方向に沿って切削加工することで形成する。なお、これらの貫通孔２４１〜２４３の形成方法は、特に上述に限定されず、例えば、レーザーによるアブレーションで基材２１を貫通することで形成されていてもよい。
【００８１】
そして、例えば、スパッタリング法により第２〜第４貫通孔２４１〜２４３の内部にアルミニウム（Ａｌ）を充填させることで、第１〜第３の立上り配線６４，６８，７４（第３の立上り配線７４については、図１参照）を形成する。そして、スクリーン印刷法を用いて基材２１の第１の主面２２上に上述の導電性ペーストを印刷して硬化させることで、第１〜第３の走査配線６１，６５，７１と，第１及び第２の引出配線６３，６７を形成する。なお、第１〜第３の立上り配線６４，６８，７４及び第１〜第３の走査配線６１，６５，７１を構成する材料は、特に上述に限定されない。また、第１〜第３の立上り配線６４，６８，７４及び第１〜第３の走査配線６１，６５，７１の製法は、特に上述に限定されない。
【００８２】
また、このとき、グラビアオフセット印刷法によってフェノール樹脂インクを印刷して硬化させることで絶縁樹脂部８０を形成する。なお、絶縁樹脂部８０を構成する樹脂材料としては、特に上述に限定されない。また、絶縁樹脂部８０の印刷法は、特に限定されず、例えば、スクリーン印刷法やグラビア印刷法であってもよい。以上により、回路基板１が完成する。
【００８３】
なお、上述の製法では、液状エラストマーを硬化させることでアイランド３０を基材２１に埋め込んだが、特にこれに限定されない。例えば、金型内に架橋剤を配合した原料エラストマーとアイランドを配置して加硫成型処理を行うことでアイランド３０を基材２１に埋め込んでもよい。
【００８４】
次に、本実施形態における回路基板１及び伸縮性基板２０の作用について説明する。
【００８５】
従来の伸縮性基板では、当該伸縮性基板を伸縮させる場合、伸縮方向と平行な界面において、基材とアイランドのヤング率の差に起因した高いせん断応力が生じる。これにより、基材とアイランドの伸縮方向と平行な界面において、アイランドが基材から剥離するおそれがある、といった問題があった。
【００８６】
これに対し、本実施形態では、アイランド３０は、当該アイランド３０の伸縮方向と平行な界面（第３及び第４の主面３１，３２）を貫通する第１の貫通孔３３を有している。このように、第３及び第４の主面３１，３２においては、当該第３及び第４の主面３１，３２の全体の面積から第１の貫通孔３３がそれぞれの主面３１，３２で開口する開口の面積が減算される。これにより、アイランド３０の両主面３１，３２において、基材２１とアイランド３０との接触面積が小さくなる。
【００８７】
また、第１の貫通孔３３の内部に基材２１が充填されており、第１の貫通孔３３の内面と基材２１とが接着されているため、当該第１の貫通孔３３の内面と基材２１との接触面積が増加する。このため、第１の貫通孔３３が設けられている分だけ、アイランド３０が伸張しやすくなり、伸縮性基板２０を伸縮する際に、第１の貫通孔３３の内面と接触している基材２１が伸縮性基板２０の伸縮方向と同方向に伸縮しやすくなる。これに伴い、伸縮性基板２０の伸縮方向に対する垂直方向に沿って、第１の貫通孔３３の内面でせん断応力が発生するようなる。したがって、第３及び第４の主面３１，３２にかかるせん断応力が第１の貫通孔３３の内面で発生するせん断応力により低減される。これにより、伸縮性基板２０の伸縮方向に沿ってアイランド３０が基材２１から剥離するのを抑制することができる。
【００８８】
さらに、本実施形態では、被覆部２４がアイランド３０の第３及び第４の主面３１，３２を被覆しており、基材２１中にアイランド３０が埋設されている。このように、アイランド３０が基材２１の第１及び第２の主面２２，２３間を貫通していないことで、伸縮性基板２０の伸縮性が低下するのを抑制することができる。
【００８９】
また、本実施形態では、第１の貫通孔３３は、当該第１の貫通孔３３の貫通方向に対して、実質的に直交する断面が、当該断面の中心（Ｃ１）に対して常に点対称となるように形成されている。この場合、平面視において、第１の貫通孔３３の径方向での等方性が確保されるので、伸縮性基板２０の伸縮方向に対して、基材２１とアイランド３０との間に生じるせん断応力が均等に印加されるようにすることができる。これにより、アイランド３０が基材２１から剥離するのをさらに抑制することができる。
【００９０】
また、本実施形態では、第１の貫通孔３３は、１つのアイランド３０に対して、複数形成することで、アイランド３０の第３及び第４の主面３１，３２において、基材２１と、アイランド３０と、の接触面積がさらに小さくすることができる。これにより、アイランド３０が基材２１から剥離するのをさらに抑制することができる。
【００９１】
また、本実施形態では、複数の第１の貫通孔３３は、当該複数の第１の貫通孔３３が形成されたアイランド３０Ａの中心（Ｃ２）に対して点対称となるように形成することで、アイランド３０の第３及び第４の主面３１，３２において、基材２１と、アイランド３０Ａと、の接触面積がさらに小さくなると共に、平面視において、アイランド３０Ａの等方性を確保することができる。これにより、アイランド３０Ａが基材２１から剥離するのをさらに抑制することができる。
【００９２】
また、本実施形態では、第１の貫通孔３３は、平面視において、薄膜トランジスタ４０及び配線５０が第１の貫通孔３３と重複しないようにアイランド３０上に形成されている。これにより、アイランド３０が基材２１から剥離するのを抑制することができると共に、薄膜トランジスタ４０及び配線５０をアイランド３０上により強固に保持、固定することができる。
【００９３】
<<第２実施形態>>
図８及び図９は、本発明の第２実施形態における回路基板を示す図であり、図８は、本発明の第２実施形態における回路基板の平面透視図であり、図９は、図８のIX-IX線に沿った断面図である。
【００９４】
本実施形態における回路基板１０は、図８及び図９に示すように、伸縮性基板２００と、ｍ×ｎ個の薄膜トランジスタ４０と、配線５００と、を備えている。本実施形態では、アイランド３００上に複数の薄膜トランジスタ４０（本実施形態では、４つ）が形成されている点、及び、複数の薄膜トランジスタ４０に対応するように配線５００が形成されている点で第１実施形態と相違する。
【００９５】
回路基板１０には、図８に示すように、ｍ×ｎ個（ｍ、ｎはいずれも自然数である。）の薄膜トランジスタ４０が組み込まれている。このｍ×ｎ個の薄膜トランジスタ４０が、複数の第１の貫通孔３３（本実施形態では、５つ）が形成された１つのアイランド３００上にＸ方向及びＹ方向に沿ってｍ行ｎ列のマトリクス状に配列されている。
【００９６】
なお、本実施形態では、アイランド３００には、複数の第１の貫通孔３３が形成されているが、特にこれに限定されず、アイランド３００には、少なくとも１つの第１の貫通孔３３が形成されていればよい。
【００９７】
配線５００は、図８及び図９に示すように、第１の配線６００と、第２の配線７００と、絶縁樹脂部８００と、を有している。
【００９８】
この第１の配線６００は、第１及び第４の走査配線６１０、６２と、第１の引出配線６３０と、第１の立上り配線６４０と、第２及び第５の走査配線６５０、６６と、第２の引出配線６７０と、第２の立上り配線６８０と、を有している。また、第２の配線７００は、第３及び第６の走査配線７１０，７２と、第３の引出配線７３０と、第３の立上り配線７４０と、を有している。
【００９９】
第１及び第２の走査配線６１０，６５０は、基材２１の第１の主面２２上をＸ方向に沿って延在している。また。第４及び第５の走査配線６２、６６は、アイランド３００の第３の主面３１上をＹ方向に沿って延在している。この第４及び第５の走査配線６２、６６は、ｎ本形成されており、これらがＸ方向に沿って並んでいる。また、ｎ本の第４及び第５の走査配線６２，６６は、実質的に等間隔で相互に平行となるように配列されている。
【０１００】
第１及び第２の引出配線６３０，６７０は、アイランド３００の第３の主面３１上をＸ方向に沿って延在している。この第１及び第２の引出配線６３０，６７０は、Ｙ方向に沿って並んでいるｍ個の薄膜トランジスタ４０に対応するように、ｍ本形成されている。このｍ本の第１の引出配線６３０は、１本の第４の走査配線６２から引き出されており、一方の端部でソース電極４４と電気的に接続している。また、ｍ本の第２の引出配線６７０は、１本の第５の走査配線６６から引き出されており、一方の端部でドレイン電極４５と電気的に接続している。
【０１０１】
第１の立上り配線６４０は、基材２１中を鉛直方向に沿って延在しており、アイランド３０の第３の主面３１上で第４の走査配線６２と電気的に接続している。この第１の立上り配線６４０は、ｎ本の第４の走査配線６２に対応するようにｎ本形成されており、このｎ本の第１の立上り配線６４０が１本の第１の走査配線６１０から引き出されている。
【０１０２】
第２の立上り配線６８０は、基材２１中を鉛直方向に沿って延在しており、アイランド３０の第３の主面３１上で第５の走査配線６６と電気的に接続している。この第２の立上り配線６８０は、ｎ本の第５の走査配線６６に対応するようにｎ本形成されており、このｎ本の第２の立上り配線６８０が１本の第２の走査配線６５０から引き出されている。
【０１０３】
第３の走査配線７１０は、基材２１の第１の主面２２上をＹ方向に沿って延在している。第６の走査配線７２は、アイランド３００の第３の主面３１上をＸ方向に沿って延在している。この第６の走査配線７２は、ｍ本形成されており、これらがＹ方向に沿って並んでいる。また、ｍ本の第６の走査配線７２は、実質的に等間隔で相互に平行となるように配列されている。
【０１０４】
第３の引出配線７３０は、アイランド３００の第３の主面３１上をＹ方向に沿って延在している。この第３の引出配線７３０は、Ｘ方向に沿って並んでいるｎ個の薄膜トランジスタ４０に対応するように、ｎ本形成されており、このｎ本の第３の引出配線７３０が１本の第６の走査配線７２から引き出されている。そして、一方の端部でゲート電極４１と電気的に接続している。
【０１０５】
第３の立上り配線７４０は、基材２１中を鉛直方向に沿って延在しており、アイランド３０の第３の主面３１上で第６の走査配線７２と電気的に接続している。この第３の立上り配線７４０は、ｍ本の第６の走査配線７２に対応するようにｍ本形成されており、このｍ本の第３の立上り配線７４０が１本の第３の走査配線７１０から引き出されている。
【０１０６】
このような配線５００を構成する材料としては、第１実施形態と同様の材料を例示することができる。
【０１０７】
なお、本実施形態における「第４の走査配線６２」及び「第５の走査配線６６」が本発明の「第１の走査配線」の一例に相当し、本実施形態における「第６の走査配線７２」が本発明の「第２の走査配線」の一例に相当し、本実施形態における「Ｘ方向」が本発明の「第１の方向」の一例に相当し、本実施形態における「Ｙ方向」が本発明の「第２の方向」の一例に相当する。
【０１０８】
樹脂絶縁部８００は、第１及び第２の配線６００，７００の重複部分に形成されている。具体的には、絶縁樹脂部８００は、図８で示すように、平面視において、第１の走査配線６１０及び第３の走査配線７１０の重複部分と、第２の走査配線６５０及び第３の走査配線７１０の重複部分と、第１の引出配線６３０及び第３の引出配線７３０の重複部分と、第２の引出配線６７０及び第３の引出配線７３０の重複部分と、第４の走査配線６２及び第６の走査配線７２の重複部分と、第５の走査配線６６及び第６の走査配線７２の重複部分と、に形成されている。  
【０１０９】
図１０は、本発明の第２実施形態における回路基板の貫通孔、電子部品、及び、配線の位置関係を説明するための図であり、難伸縮部の平面図である。
【０１１０】
本実施形態では、回路基板１０におけるアイランド３００は、第１実施形態と同様に、図１０に示すように、平面視において、第３の主面３１上に実装領域３６０と、非実装領域３７０と、を有している。そして、第１の貫通孔３３がアイランド３００の非実装領域３７０に形成されている。
【０１１１】
次に、本実施形態における回路基板１０及び伸縮性基板２００の作用について説明する。
【０１１２】
本実施形態における回路基板１０及び伸縮性基板２００についても、第１実施形態における回路基板１及び伸縮性基板２０と同様の作用効果を得ることができる。
【０１１３】
さらに、本実施形態では、１つのアイランド３００上に複数の薄膜トランジスタ４０が配置されている。このように、複数の薄膜トランジスタに対応するようにアイランドを複数形成する必要がない。これにより、伸縮性基板２００の製造工程の簡素化を図ることができ、延いては、伸縮性基板２００及び回路基板１０の製造コストの増大の抑制を図ることができる。
【０１１４】
<<第３実施形態>>
図１１は、本発明の第３実施形態における回路基板を示す図であり、図１１（ａ）は、本発明の第３実施形態における回路基板の平面透視図であり、図１１（ｂ）は、図１１（ａ）のXIIIb-XIIIb線に沿った断面図である。
【０１１５】
本実施形態における回路基板１１は、図１１（ａ）及び図１１（ｂ）に示すように、伸縮性基板２０１と、薄膜トランジスタ４００と、配線５０１と、を備えている。本実施形態では、アイランド３０１が基材２１の第１の主面２２から外部へ露出している点、薄膜トランジスタ４００が外部へ露出している点、及び、第１〜第３の立上り配線６４，６８，７４が形成されていない点で第１実施形態と相違する。
【０１１６】
本実施形態における伸縮性基板２０１は、図１１（ａ）及び図１１（ｂ）に示すように、基材２１と、アイランド３０１と、を有している。このアイランド３０１は、基材２１から第３の主面３１が露出するように基材２１に埋設されている。この第３の主面３１は、基材２１の第１の主面２２と実質的に同一平面上に位置している。
【０１１７】
このように、本実施形態におけるアイランド３０１では、第３の主面３１側は被覆部２４によって覆われておらず、第４の主面３２側は被覆部２４によって覆われている。このように、被覆部２４が当該第３及び第４の主面３１，３２の少なくとも一方を覆っていることで、第１実施形態と同様、伸縮性基板２０の伸縮性が低下するのが抑制されている。
【０１１８】
このアイランド３０１には、第１の貫通孔３３０が形成されている。この第１の貫通孔３３０は、一方の端部では、アイランドの第３の主面３１で開口している。そして、第３の主面３１が基材２１から露出していることに伴って、当該第１の貫通孔３３０も外部に向かって露出している。また、第４の主面３２側では、この第１の貫通孔３３０の内部に向かって、当該第１の貫通孔３３０の内面に接触するように被覆部２４の一部が突出している。そして、被覆部２４の突出した部分が第１の貫通孔３３０に沿って延在することで、第３の主面３１側から基材２１が露出している。結果的には、この第１の貫通孔３３０の内部には、基材２１が充填されている。
【０１１９】
なお、本実施形態では、アイランド３０１は、第３の主面３１が基材２１の第１の主面２２と実質的に同一平面上に位置するように設けられているが、特にこれに限定されない。特に図示しないが、例えば、基材２１の第１の主面２２に対して、アイランド３０１が上方に突出するように設けられていてもよい。
【０１２０】
薄膜トランジスタ４００は、図１１（ａ）及び図１１（ｂ）に示すように、アイランド３０１の第３の主面３１上に形成されている。このアイランド３０１は、第３の主面３１が基材２１から露出していることに伴って、薄膜トランジスタ４００が外部に向かって露出している。
【０１２１】
配線５０１は、第１の配線６０１と、第２の配線７０１と、絶縁樹脂部８０１と、を有している。
【０１２２】
第１の配線６０１は、第１及び第２の走査配線６１１，６５１と、第１及び第２の引出配線６３１，６７１と、を有している。また、第２の配線７０１は、第３の走査配線７１１と、第３の引出配線７３１と、を有している。
【０１２３】
第１及び第２の走査配線６１１，６５１は、基材２１の第１の主面２２上及びアイランド３０１の第３の主面３１上に亘って、Ｙ方向に沿って形成されている。第１の走査配線６１１からは、第１の引出配線６３１がアイランド３０１の第３の主面３１上をＸ方向に沿って引き出されており、一方の端部でソース電極４４と電気的に接続している。また、第２の走査配線６５１からは、第２の引出配線６７１がアイランド３０１の第３の主面３１上をＸ方向に沿って引き出されており、一方の端部でドレイン電極４５と電気的に接続している。
【０１２４】
第３の走査配線７１１は、基材２１の第１の主面２２及びアイランド３０１の第３の主面３１に亘って、Ｘ方向に沿って形成されている。この第３の走査配線７１１からは、第３の引出配線７３１がアイランド３０１の第３の主面３１上をＹ方向に沿って引き出されており、一方の端部でゲート電極４１と電気的に接続している。
【０１２５】
絶縁樹脂部８０１は、アイランド３０１の第３の主面３１上に４箇所形成されている。この絶縁樹脂部８０１は、第１実施形態と同様の要領で形成されている。
【０１２６】
次に、本実施形態における回路基板１１及び伸縮性基板２０１の作用について説明する。
【０１２７】
本実施形態における回路基板１１及び伸縮性基板２０１についても、第１実施形態における回路基板及び伸縮性基板と同様の作用効果を得ることができる。
【０１２８】
なお、本実施形態におけるアイランド３０１では、第３の主面３１側は被覆部２４によって覆われておらず、第４の主面３２側は被覆部２４によって覆われている。このように、被覆部２４が当該第３及び第４の主面３１，３２の少なくとも一方を覆っていることで、第１実施形態と同様、伸縮性基板２０の伸縮性が低下するのを抑制することができる。
【０１２９】
また、本実施形態では、回路基板１１は、立上り配線６４，６８，７４を形成する必要がなく、配線５０１の形成の簡素化を図ることができる。これにより、伸縮性基板２０１及び回路基板１１の製造コストの増大の抑制をさらに図ることができる。
【０１３０】
<<第４実施形態>>
図１２は、本発明の第４実施形態における回路基板を示す図であり、図１２（ａ）は、本発明の第４実施形態における回路基板の平面透視図であり、図１２（ｂ）は、図１２（ａ）のXVb-XVb線に沿った断面図である。
【０１３１】
本実施形態における回路基板１２は、図１２（ａ）及び図１２（ｂ）に示すように、伸縮性基板２０と、薄膜トランジスタ４０１と、配線５０２と、を備えている。本実施形態では、薄膜トランジスタ４０１が外部に露出している点、及び、立上り配線６４、６８、７４が形成されていない点で第１実施形態と相違する。なお、第３実施形態における回路基板１２を構成する伸縮性基板２０は、第１実施形態が備える各構成と同一であるため、説明は省略する。
【０１３２】
本実施形態では、薄膜トランジスタ４０１は、図１２（ａ）及び図１２（ｂ）に示すように、基材２１の第１の主面２２上に形成されており、基材２１に埋設されることなく外部に露出している。
【０１３３】
配線５０２は、図１２（ａ）及び図１２（ｂ）に示すように、第１の配線６０２と、第２の配線７０２と、絶縁樹脂部８０２と、を有している。
【０１３４】
第１の配線６０２は、第１及び第２の走査配線６１２，６５２と、第１及び第２の引出配線６３２，６７２と、を有している。また、第２の配線７０２は、第３の走査配線７１２と、第３の引出配線７３２と、を有している。
【０１３５】
この第１及び第２の配線６０２，７０２は、基材２１の第１の主面２２上に形成されていること以外は、第３実施形態で説明した第１及び第２の配線６０１，７０１の各構成と同一の構成を有しているため、説明は省略する。
【０１３６】
絶縁樹脂部８０２は、基材２１の第１の主面２２上に４箇所形成されている。絶縁樹脂部８０２は、第１実施形態と同様の要領で形成されている。
【０１３７】
次に、本実施形態における回路基板１２及び伸縮性基板２０の作用について説明する。
【０１３８】
本実施形態における回路基板１２及び伸縮性基板２０についても、第１実施形態における回路基板と同様の作用効果を得ることができる。
【０１３９】
さらに、本実施形態では、回路基板１２は、立上り配線６４，６８，７４を形成する必要がなく、配線５０２の形成の簡素化を図ることができる。これにより、回路基板１２の製造コストの増大の抑制をさらに図ることができる。
【０１４０】
なお、以上に説明した実施形態は、本発明の理解を容易にするために記載されたものであって、本発明を限定するために記載されたものではない。したがって、上記の実施形態に開示された各要素は、本発明の技術的範囲に属する全ての設計変更や均等物をも含む趣旨である。  
【符号の説明】
【０１４１】
１、１０〜１２・・・回路基板
２０、２００、２０１・・・伸縮性基板
２１・・・基材
２２・・・第１の主面
２３・・・第２の主面
２４・・・被覆部
３０，３００，３０１・・・アイランド
３１・・・第３の主面
３２・・・第４の主面
３３，３３０・・・第１の貫通孔
３６，３６０・・・実装領域
３７，３７０・・・非実装領域
４０，４００，４０１・・・薄膜トランジスタ
５０、５００〜５０２・・・配線
６０、６００〜６０２・・・第１の配線
７０、７００〜７０２・・・第２の配線
８０、８００〜８０２・・・樹脂絶縁部
９０・・・容器
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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