(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
材料を、基板の上に堆積された第１の層に設けられたビア又はトレンチの中に堆積するための方法であって、
前記ビア又はトレンチを有する前記第１の層を設けることと、
第２の層の第１の部分を前記ビア又はトレンチを有する前記第１の層の上に堆積することであって、前記第２の層の前記第１の部分の前記堆積が、第１の磁石配置を有するマグネトロンスパッタカソードで実行され、前記第１の磁石配置が、前記基板の表面に垂直な方向に対して定められた第１の角座標で示される第１の堆積方向を生じるように設けられる、堆積することと、
前記第２の層の第２の部分を前記ビア又はトレンチを有する前記第１の層の上に堆積することであって、前記第２の層の前記第２の部分の前記堆積が、前記マグネトロンスパッタカソードで実行され、前記第１の磁石配置が、前記基板の表面に垂直な方向に対して定められた第２の角座標で示される第２の堆積方向を生じるように設けられ、前記第２の角座標が前記第１の角座標とは異なる、堆積することと
を含む方法。
【請求項２】
前記マグネトロンスパッタカソードが、回転ターゲットを有する回転可能なマグネトロンスパッタカソードであり、前記回転可能なマグネトロンスパッタカソードが、線源を形成する、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記回転ターゲットが、第１の回転軸の周りで回転する、請求項２に記載の方法。
【請求項４】
前記マグネトロンスパッタカソードが、堆積源のアレイにおける少なくとも３つの堆積源のうちの１つの堆積源である、請求項１から３のいずれか一項に記載の方法。
【請求項５】
前記第２の層が、６０％以上のステップカバレッジを有する、請求項１から４のいずれか一項に記載の方法。
【請求項６】
前記トレンチ又はビアが、前記ビア又はトレンチの底部で３ｎｍ以下の幅を有する、請求項１から５のいずれか一項に記載の方法。
【請求項７】
前記トレンチ又はビアが、７０°以上のテーパ角度を有する、請求項１から６のいずれか一項に記載の方法。
【請求項８】
前記第１の層及び前記第２の層の少なくとも一方が、金属層である、請求項１から７のいずれか一項に記載の方法。
【請求項９】
前記第１の層及び前記第２の層の少なくとも一方が、ＭｏＷ層、Ｍｏ層、Ｔｉ層、Ａｌ層、Ｃｕ層、ＭｏＷ、Ｍｏ、Ｔｉ、Ａｌ、Ｃｕのうちの２つ以上を含む層、或いはＭｏＷ、Ｍｏ、Ｔｉ、Ａｌ、Ｃｕのうちの１つ又は複数の合金を含む層である、請求項８に記載の方法。
【請求項１０】
前記第１の層及び前記第２の層の少なくとも一方が、インジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）層、ドープＩＴＯ層、不純物ドープＺｎＯ、Ｉｎ２Ｏ３、ＳｎＯ２及びＣｄＯ、ＩＴＯ（Ｉｎ２Ｏ３：Ｓｎ）、ＡＺＯ（ＺｎＯ：Ａｌ）、ＩＺＯ（ＺｎＯ：Ｉｎ）、ＧＺＯ（ＺｎＯ：Ｇａ）、又はＺｎＯ、Ｉｎ２Ｏ３、及びＳｎＯ２の組み合わせを含むか或いはこれらの組み合わせからなる多成分酸化物からなるグループから選択された１つ又は複数の成分、又はそれらの組み合わせを含む、請求項１から７のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１１】
基板上にトランジスタを製造する方法であって、
材料を、請求項１から１０のいずれか一項に記載の、基板の上に堆積された第１の層の中に設けられたビア又はトレンチの中に堆積する方法を含む、方法。
【請求項１２】
前記第１の層が、アクティブチャネル層の上に堆積されたゲート絶縁体の上に堆積された前記トランジスタのゲートの上に堆積され、イオン注入が、前記アクティブチャネル層のゲートマスキングで実行される、請求項１１に記載の方法。
【請求項１３】
前記イオン注入が、前記アクティブチャネル層のコンタクト領域のドーピングを前記トランジスタのソースにもたらし、前記アクティブチャネル層のさらなるコンタクト領域のドーピングを前記トランジスタのドレインにもたらす、請求項１２に記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
［０００１］実施形態は、ビア又はトレンチを充填する層の堆積、ビア又はトレンチの中に充填された材料で製造されたデバイス、及びビア又はトレンチの中に充填された材料で層を堆積するための装置に関する。具体的には、実施形態は、材料を、基板の上に堆積された第１の層に設けられたビア又はトレンチの中に堆積するための方法、基板上にトランジスタを製造する方法、電子デバイスのための層スタック、及び電子デバイスに関する。
【背景技術】
【０００２】
［０００２］多くの用途において、基板、例えば、ガラス基板上に薄い層を堆積することが望まれる。従来、基板は、コーティング装置の種々のチャンバの中でコーティングされる。幾つかの用途では、基板は、気相堆積技法を用いて真空の中でコーティングされる。基板上に材料を堆積する方法が幾つか知られている。例えば、基板は、物理的気相堆積（ＰＶＤ）プロセス、化学気相堆積（ＣＶＤ）プロセス、又はプラズマ化学気相堆積（ＰＥＣＶＤ）プロセスなどによってコーティングされてよい。典型的に、これらのプロセスは、コーティングすべき基板が配置される処理装置や処理チャンバの中で実施される。
【０００３】
［０００３］ここ数年、電子デバイス、特に光電子デバイスの価格が大幅に下がった。さらに、ディスプレイの画素密度が引き続き増加している。ＴＦＴディスプレイに関しては、高密度なＴＦＴ集積化が望まれている。しかしながら、デバイスの中の薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）の数が増加しているにも関わらず、歩留りを上昇させ、製造コストを引き下げようと試みられている。
【０００４】
［０００４］例えば、ディスプレイの画素密度増加の一態様は、ＬＴＰＳ−ＴＦＴの利用である。ＬＴＰＳ−ＴＦＴは、例えば、ＬＣＤ又はＡＭＯＬＥＤディスプレイに使用することができる。ＬＴＰＳ−ＴＦＴの製造中、ビアは導電性材料で充填される。画素数の増加、すなわち、ＴＦＴの数の増加によって、導電性材料で充填されるべきビアのアスペクト比がより高くなる。スパッタリング処理を用いてビアを充填することは、製造コスト、及びプロセをスケールアップする潜在性という観点で有益である。さらに、ビア又はトレンチを充填しなければならない他の用途（すなわち、ＬＴＰＳ−ＴＦＴの製造以外の用途）も、改善されたプロセスによって恩恵を受けることができる。
【０００５】
［０００５］ＰＶＤプロセスにおいては、堆積材料は、ターゲットの中に固相で存在し得る。エネルギー粒子をターゲットに衝突させることによって、ターゲット材料の原子、すなわち堆積される材料の原子がターゲットから放出される。ターゲット材料の原子は、コーティングされる基板上に堆積される。ＰＶＤプロセスにおいては、スパッタ材料、すなわち基板上に堆積される材料は、様々な方法で構成されてもよい。例えば、ターゲットは、堆積される材料から製作してもよいし、堆積される材料が固定されるバッキング要素（ｂａｃｋｉｎｇ  ｅｌｅｍｅｎｔ）を有してもよい。堆積される材料を含むターゲットは、堆積チャンバの中で予め決められた位置で支持されたり、固定されたりする。
【０００６】
［０００６］通常、スパッタリングは、マグネトロンスパッタリングとして実行され得る。マグネトロンスパッタリングでは、スパッタリング条件を改善するため、プラズマを閉じ込めるように磁石アセンブリが利用される。基板上に所望の層堆積を得るため、プラズマ分布、プラズマ特性、及びその他の堆積パラメータを制御する必要がある。例えば、所望の層特性を有する均一な層が望ましい。したがって、光電子デバイス及びその他の大規模デバイスの製造に対する需要増加を考慮すると、ディスプレイなどのデバイスの製造のためのプロセスをさらに改善する必要がある。
【発明の概要】
【０００７】
［０００７］上記を踏まえ、材料をビア又はトレンチの中に堆積する方法、基板上にトランジスタを製造する方法、層スタック、及び電子デバイスが提供される。
【０００８】
［０００８］一実施形態によると、材料を、基板の上に堆積された第１の層に設けられたビア又はトレンチの中に堆積するための方法が提供される。この方法は、ビア又はトレンチを有する第１の層を設けることと、第２の層の第１の部分をビア又はトレンチを有する第１の層の上に堆積することであって、第２の層の第１の部分の堆積が、第１の磁石配置を有するマグネトロンスパッタカソードで実行され、第１の磁石配置が、結果として第１の堆積方向となる第１の角座標で設けられる、堆積することと、第２の層の第２の部分をビア又はトレンチを有する第１の層の上に堆積することであって、第２の層の第２の部分の堆積が、マグネトロンスパッタカソードで実行され、第１の磁石配置が、結果として第２の堆積方向となる第２の角座標で設けられ、第２の角座標が第１の角座標とは異なる、堆積することとを含む。一実施例によると、第１の磁石配置は、第１の回転軸の周りで回転可能であり得る。
【０００９】
［０００９］別の実施形態によると、基板上にトランジスタを製造するための方法が提供される。この方法は、材料を、基板の上に堆積された第１の層に設けられたビア又はトレンチの中に堆積することを含む。材料をビア又はトレンチの中に堆積することは、ビア又はトレンチを有する第１の層を設けることと、第２の層の第１の部分をビア又はトレンチを有する第１の層の上に堆積することであって、第２の層の第１の部分の堆積が、第１の回転軸の周りで回転可能な第１の磁石配置を有するマグネトロンスパッタカソードで実行され、第１の磁石配置が、結果として第１の堆積方向となる第１の角座標で設けられる、堆積することと、第２の層の第２の部分をビア又はトレンチを有する第１の層の上に堆積することであって、第２の層の第２の部分の堆積が、マグネトロンスパッタカソードで実行され、第１の磁石配置が、結果として第２の堆積方向となる第２の角座標で設けられ、第２の角座標が第１の角座標とは異なる、堆積することとを含む。
【００１０】
［００１０］さらに別の実施形態によれば、電子デバイスのための層スタックが提供される。層スタックは、基板の上に堆積された材料の第１の層及び第２の層を含む。第１の層及び第２の層は、材料を基板の上に堆積された第１の層に設けられたビア又はトレンチの中に堆積するための方法で堆積される。この方法は、ビア又はトレンチを有する第１の層を設けることと、第２の層の第１の部分をビア又はトレンチを有する第１の層の上に堆積することであって、第２の層の第１の部分の堆積が、第１の回転軸の周りで回転可能な第１の磁石配置を有するマグネトロンスパッタカソードで実行され、第１の磁石配置が、結果として第１の堆積方向となる第１の角座標で設けられる、堆積することと、第２の層の第２の部分をビア又はトレンチを有する第１の層の上に堆積することであって、第２の層の第２の部分の堆積が、マグネトロンスパッタカソードで実行され、第１の磁石配置が、結果として第２の堆積方向となる第２の角座標で設けられ、第２の角座標が第１の角座標とは異なる、堆積することとを含む。
【００１１】
［００１１］さらに別の実施形態によれば、電子デバイスが提供される。電子デバイスは、層スタックを含む。層スタックは、基板の上に堆積された材料の第１の層及び第２の層を含む。第１の層及び第２の層は、材料を、基板の上に堆積された第１の層に設けられたビア又はトレンチの中に堆積するための方法で堆積される。この方法は、ビア又はトレンチを有する第１の層を設けることと、第２の層の第１の部分をビア又はトレンチを有する第１の層の上に堆積することであって、第２の層の第１の部分の堆積が、第１の回転軸の周りで回転可能な第１の磁石配置を有するマグネトロンスパッタカソードで実行され、第１の磁石配置が、結果として第１の堆積方向となる第１の角座標で設けられる、堆積することと、第２の層の第２の部分をビア又はトレンチを有する第１の層の上に堆積することであって、第２の層の第２の部分の堆積が、マグネトロンスパッタカソードで実行され、第１の磁石配置が、結果として第２の堆積方向となる第２の角座標で設けられ、第２の角座標が第１の角座標とは異なる、堆積することとを含む。
【００１２】
［００１２］さらなる利点、特徴、態様、及び詳細は、従属請求項、本明細書の説明、及び添付図面から明らかである。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
［００１３］本発明の上記の特徴を詳細に理解することができるよう、実施形態を参照することによって、上記で簡潔に概説した本発明のより詳細な説明を得ることができる。添付の図面は、本発明の実施形態に関連し、以下において説明される。
【００１４】
【図１Ａ−１Ｅ】実施形態に係る層スタックが堆積されている基板の一部の概略図を示す。
【図１Ｆ−１Ｉ】実施形態に係る層スタックが堆積されている基板の一部の概略図を示す。
【図２】本明細書に記載され、図１Ａから１Ｉに対応する実施形態に従って、基板の上に材料の層を堆積するための方法を示すフロー図を示す。
【図３Ａ】本明細書に記載された実施形態に係る、第１の処理条件で材料の層を堆積する装置の概略図を示す。
【図３Ｂ】本明細書に記載された実施形態に係る、第２の処理条件で材料の層を堆積する装置の概略図を示す。
【図４Ａ−４Ｂ】本明細書に記載された実施形態に係る、第１及び第２の処理条件を示す。
【図５Ａ−５Ｂ】本明細書に記載された実施形態に従って、堆積された層の概略的な結果を示し、図５Ａは、層の第１の部分を示し、図５Ｂは、層の第１及び第２の部分を示す。
【図６】本明細書に記載された実施形態に従って、基板の上に材料の層を堆積するための方法を示すフロー図を示す。
【発明を実施するための形態】
【００１５】
［００２１］ここで、本発明の様々な実施形態について、詳細に参照する。これらの実施形態の１つ又は複数の実施例を図に示す。図面に関する以下の説明の中で、同一の参照番号は、同一の構成要素を指す。下記において、個々の実施形態に関する違いのみが説明される。各実施例は、本発明の説明として提供されているが、本発明を限定することを意図するものではない。さらに、一実施形態の一部として例示又は説明される特徴は、他の実施形態で用いられるか、又は他の実施形態で併用されてもよい。それにより、さらなる実施形態が生み出される。本説明には、このような修正例及変形例が含まれることが意図されている。
【００１６】
［００２２］本明細書に記載された実施形態によると、層スタックは、ビア又はトレンチを充填するように設けられ、ステップカバレッジは、例えば、線源における磁石アセンブリの種々の角座標を設けることによって改善される。例えば、線源は、回転カソード又は回転可能なカソードによって設けられ得る。
【００１７】
［００２３］図１Ａは、第１の堆積処理２０２（図２を参照）の後の層スタック１５０を示す。アクティブチャネル層１５２が基板１５１の上に堆積される。アクティブチャネル層１５２は、アクティブチャネル１５２ａ、源領域１５２ｓ、及びドレイン領域１５２ｄを含む。典型的な実施形態によると、アクティブチャネル層１５２は、ポリシリコン層であってもよい。ポリシリコン層は、例えば、スパッタリンカソードからのシリコンの堆積、及び堆積されたシリコン層の結晶化によって
製造され得る。典型的な実施形態によると、結晶化処理は、レーザ処理、触媒処理、又は別の処理によって実行され得る。
【００１８】
［００２４］一実施例によると、エキシマレーザアニール（ＥＬＡ）を使用してもよい。別の実施例によると、パルス高速熱アニーリング（ＰＲＴＡ：ｐｕｌｓｅｄ  ｒａｐｉｄ  ｔｈｅｒｍａｌ  ａｎｎｅａｌｉｎｇ）技法を用いる増強された金属誘起横方向結晶化（ＭＩＬＣ）を使用してもよい。さらに別の技法は、連続粒界結晶シリコン（ＣＧＳ）方法、連続波（ＣＷ）レーザ方法、及び順次横方向結晶化（ＳＬＳ）を含む。典型的に、これらの処理は、基板１５１の破損を避けるためにエネルギー衝撃が十分に少ないアニール処理を含む。
【００１９】
［００２５］ガラス基板上でＴＦＴを製造する技法は、アモルファスシリコン（ａ−Ｓｉ）処理及び低温ポリシリコン（ＬＴＰＳ）処理を含む。ａ−Ｓｉ処理とＬＴＰＳ処理との間の主な違いは、デバイスの電気特性及び処理の複雑性である。低温ポリシリコンＴＦＴ処理は、可動性がより高いが、低温ポリシリコンＴＦＴを製造する処理はより複雑である。ａ−Ｓｉ  ＴＦＴは、可動性がより低いが、ａ−Ｓｉ  ＴＦＴを製造する処理は単純である。本明細書に記載された実施形態によると、低温ポリシリコンＴＦＴ処理は、改善することができる。低温ポリシリコンＴＦＴ処理は、本明細書に記載された実施形態を有益に利用することができる一実施例である。
【００２０】
［００２６］図１Ｂでは、アクティブチャネル層１５２の上にゲート絶縁体層１５３が設けられている（図２のボックス２０４を参照）。図１Ａから図１Ｅで見ることができるように、アクティブチャネル層１５２、ゲートを形成する材料の層、及びその他の層など、本明細書に記載された層のうちの幾つかは、低温ポリシリコンＴＦＴ処理の間に構造化される。例えばエッチングに起因する構造化は、当業者に知られている方法で、本開示に記載されていない任意の方法に従って実行されてもよい。構造化処理が、本明細書に記載された後続の堆積処理の間で利用されるかどうかは、当業者には明らかである。
【００２１】
［００２７］図１Ｃは、層の第１の部分１６２を示す。本明細書に記載された実施形態によると、第１の部分１６２は、基板上に堆積される材料の第１の堆積方向で、且つ柱状成長で堆積される（図２のボックス２０６参照）。第１の堆積方向は、結果として第１の柱状成長方向となる。図１Ｄは、層の第２の部分１６４を示す。本明細書に記載された実施形態によると、第２の部分１６４は、基板上に堆積される材料の第２の堆積方向で、且つ柱状成長で堆積される（図２のボックス２０８参照）。第２の堆積方向は、結果として第２の柱状成長方向となる。本明細書に記載された実施形態によると、堆積方向は、主要堆積方向又は平均堆積方向と呼ばれてもよい。例えば、堆積分布は、何らかの方向的な広がりをもつかもしれないが、典型的には、材料の主要方向又は平均方向をもつ。
【００２２】
［００２８］本明細書に記載された実施形態によると、材料の層は、基板、すなわち、単一層の物理的特性を有する層の上に堆積され、材料の層は、第１の柱状成長方向及び第２の柱状成長方向を含み、第２の柱状成長方向は、第１の柱状成長方向と異なる。本明細書に記載された実施形態によると、柱状成長の処理パラメータは、以下の通りであり得る。例示的な処理パラメータは、モリブデンの堆積を指し、その他の材料の位置は、このようなその他の材料の柱状成長に対するその他の処理パラメータを有してもよい。
【００２３】
［００２９］本明細書で言及されている柱状成長とは、柱状粒子を有する形態として理解される。粒子は、一方向、すなわち、柱に沿って、著しく大きな長さを有し、これは、柱状成長方向と呼ばれる。幾つかの実施形態によると、柱状成長は、２０ｎｍから５００ｎｍ、又はそれ以上、具体的には、１００ｎｍから４００ｎｍの膜厚に対して設けられてもよい。さらに別の処理パラメータは、０．１から１Ｐａ、具体的には、０．２から０．５Ｐａの堆積圧力、システム構造に左右され得る、カソード毎に３ｋＷから６０ｋＷ、より具体的には、カソード毎に２０ｋＷから４０ｋＷの堆積電力というグループから選択されてもよい。
【００２４】
［００３０］図２のボックス２１０で示されているように、イオン注入処理が実行される。イオン注入は、図１Ｅの矢印９０によっても示されている。イオン注入処理は、源領域１５２ｓ及びドレイン領域１５２ｄのためのドーピングをもたらす。トランジスタのゲート電極は、イオン注入処理の間にマスクとして使用される。したがって、自己整合ドーピング処理が実行される。第２の柱状成長方向は第１の柱状成長方向と異なるが、第１の柱状成長方向及び第２の柱状成長方向を考慮すると、イオンがマスク（すなわち、ゲート電極）を通過する可能性は著しく減少する。ゲート電極を通るイオンのチャネリングが減少することにより、アクティブチャネル領域の望まれないドーピングが減少する。
【００２５】
［００３１］本明細書に記載された実施形態によると、ゲート電極層（又はイオン注入を利用する別の用途のための別の層）の厚さは、２００ｎｍ以上、具体的には３００ｎｍ以上であってもよい。さらに追加の又は代替の実装形態によると、マスキングのための層の第１の部分及び／又はマスキングのための層の第２の部分の厚さは、４０ｎｍ以上、具体的には、１００ｎｍ以上であってもよい。本明細書に記載された幾つかの実施形態に係るゲート電極層は、金属層であってもよく、具体的には、当該層は、ＭｏＷ層、Ｍｏ層、Ｔｉ層、Ａｌ層、Ｃｕ層、ＭｏＷ、Ｍｏ、Ｔｉ、Ａｌ、Ｃｕのうちの２つ以上を含む層、又はＭｏＷ、Ｍｏ、Ｔｉ、Ａｌ、Ｃｕのうちの１つ又は複数の合金を含む層であってもよい。
【００２６】
［００３２］図１Ｆは、誘電体層１７２が設けられる層スタック１５０を示している（図２のボックス２１２を参照）。例えば、誘電体層は、層間誘電体であってもよい。誘電体層１７２は、シリコン酸化層、シリコン窒化物層、シリコン酸窒化物層、又はその他の適切な誘電体層であってもよい。ビア１７３が誘電体層１７２の中でエッチングされる。図１Ｇで示されているように、ビア１７３は、導電性材料１７４で充填される（図２のボックス２１４も参照）。
【００２７】
［００３３］本明細書に記載された他の実施形態と組み合わせることができる、本明細書に記載された実施形態によると、層スタック及び／又はそれに対応するデバイスは、高密度なトランジスタの集積化を有する。例えば、デバイスは、インチ当たり（ＰＰＩ）３００画素以上の画素密度を有してもよい。上記を鑑み、コンタクトホールのサイズが縮小し、コンタクトホール（すなわち、ビア）のテーパ角度が拡大する。本明細書に記載された実施形態によると、第１の堆積方向でビアを充填する層の第１の部分を設けることによって、ステップカバレッジが６０％以上改善される。ビアを充填する層の第１の部分を堆積することは、第１の回転軸の周りで回転可能な第１の磁石配置を有するマグネトロンスパッタカソードで実行される。このとき、第１の磁石配置は、結果として第１の堆積方向となる第１の角座標で設けられる。さらに、ビアを充填する層の第２の部分を堆積することは、第１の磁石配置を有するマグネトロンスパッタカソードで実行される。このとき、第１の磁石配置は、結果として第２の堆積方向となる第２の角座標で設けられる。したがって、ステップカバレッジは、マグネトロンの２つ以上の角座標を設けることによって改善され得る。例えば、マグネトロンは、回転可能なスパッタカソードにおいて設けられてもよく、カソードの回転軸に沿って延在する線源を形成する。複数の線源を用いて、且つマグネトロンの種々の角座標で材料を堆積することによって、ステップカバレッジを改善し得ることは予期せぬ結果であった。
【００２８】
［００３４］本明細書に記載された実施形態によると、ビアは、Ｍｏ、Ｗ、Ｍｏ、Ｔｉ、Ａｌ、Ｃｕ、それらの組み合わせ、及びＭｏ、Ｗ、Ｍｏ、Ｔｉ、Ａｌ、Ｃｕを含む合金からなるグループから選択された材料で充填され得る。具体的には、その導電性材料１７４は、例えば、アルミニウムなどの導電性が高い上述のグループの材料から堆積されてもよく、モリブデン又はチタンなどの材料は接着層として使用されてもよい。
【００２９】
［００３５］図２のボックス２１６は、パッシベーション層１７６（例えば、ラッカーなどの有機パッシベーション層）と、共通電圧電極１７８との位置を示している。これは、図１Ｈでも示されている。パッシベーション層はビアが設けられ、このビアは、共通電圧電極１７８と画素電極１８２の間に設けられたさらなる誘電体層１８０の後に画素電極１８２を設けるために充填され得る（図２のボックス２１８を参照）。本明細書に記載された他の実施形態と組み合わせることができる、本明細書に記載された実施形態によると、パッシベーション層１７６内のワイヤも充填する画素電極は、スパッタリングされ得る。例えば、画素電極は、ＴＣＯ層を形成するために透明導電酸化物（ＴＣＯ）から堆積されてもよい。本明細書に記載された他の実施形態と組み合わせることができる幾つかの実施形態によると、ＴＣＯ層は、インジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）層、ドープＩＴＯ層、不純物ドープＺｎＯ、Ｉｎ２Ｏ３、ＳｎＯ２及びＣｄＯ、ＩＴＯ（Ｉｎ２Ｏ３：Ｓｎ）、ＡＺＯ（ＺｎＯ：Ａｌ）、ＩＺＯ（ＺｎＯ：Ｉｎ）、ＧＺＯ（ＺｎＯ：Ｇａ）、或いはＺｎＯ、Ｉｎ２Ｏ３、及びＳｎＯ２の組み合わせを含むか若しくはこれらの組み合わせからなる多成分酸化物のうちの少なくとも１つ、又はそれらの組み合わせを含み得る。
【００３０】
［００３６］図１Ａから図１Ｉに示されている実施例は、ビアの充填を示す。ただし、他の実施形態によると、本明細書に記載された実施形態に係る、改善されたステップカバレッジによる充填は、トレンチの充填に対しても提供することができる。
【００３１】
［００３７］本明細書に記載された他の実施形態と組み合わせることができる実施形態によると、図３Ａ及び図３Ｂに関連して説明されているように、基板の上に層（例えば、ゲート形成層）を堆積するための装置が提供され得る。図３Ａは、本明細書に記載された実施形態に係る堆積装置１００の概略断面図を示す。例示的に、内部に層を堆積するための１つの真空チャンバ１０２が示されている。図３Ａで示されているように、さらなるチャンバ１０２をチャンバ１０２の隣に設けてもよい。真空チャンバ１０２は、バルブハウジング１０４及びバルブユニット１０５を有するバルブによって、隣接するチャンバから分離され得る。矢印１で示されているように、基板１５１が載っているキャリア１１４が真空チャンバ１０２の中に挿入された後、バルブユニット１０５を閉じることができる。したがって、真空チャンバ１０２の中の雰囲気は、例えば、チャンバ１０２に接続された真空ポンプで技術的真空（ｔｅｃｈｎｉｃａｌ  ｖａｃｕｕｍ）を生成することによって、且つ／又は、処理ガスをチャンバ１０２内の堆積領域内に挿入することによって、個別に制御することができる。上述のように、多くの大面積領域処理用途において、大面積基板はキャリアによって支持される。しかしながら、本明細書に記載された実施形態は、それに限定されるものではなく、処理装置又は処理システムを通して基板を搬送するその他の搬送要素を使用してもよい。
【００３２】
［００３８］基板が載っているキャリア１１４をチャンバ１０２の内外へ搬送するため、チャンバ１０２の中に搬送システムが設けられている。本明細書で使用されている「基板」という用語は、ガラス基板、ウエハ、サファイアなどの透明結晶体のスライス、又はガラスプレートのような基板を含むものとする。
【００３３】
［００３９］図３Ａで示されているように、チャンバ１０２の中に堆積源（例えば、カソード１２２）が設けられている。堆積源は、例えば、基板上に堆積されるべき材料のターゲットを有する回転可能なカソードであってもよい。本明細書に記載された他の実施形態と組み合わせることができる実施形態によれば、カソードは、内部にマグネットアセンブリ１２１を有する回転可能なカソードであってもよい。層の堆積のためにマグネトロンスパッタリングを実施してもよい。図３Ａで例示されているように、隣接するカソードのそれぞれの対は、電源１２３ａ‐ｃに接続され得る。ターゲットアレイの中の堆積処理の性質に応じて、隣接するカソードのそれぞれの対がＡＣ電源に接続されてもよく、又は各カソードがＤＣ電源に接続されてもよい。図３ＡではＤＣ電源が示されており、さらにアノード１１６が電源に接続されている。本明細書に記載された他の実施形態と組み合わせることができる幾つかの実施形態によると、カソード１２２は、交互に偏向され得るようにＡＣ電源に接続される。ＭＦ電源などのＡＣ電源は、例えば、Ａｌ２Ｏ３の層を堆積するために設けられ得る。この場合、追加のアノードなくカソードを動作させることができる。カソードとアノードを含む完全な回路がカソード１２２の対によって設けられるため、例えば、追加のアノードを取り外すことができる。
【００３４】
［００４０］図３Ａで例示されているように、第１の外部堆積アセンブリ３０１は、反応性ガスの第１の組成物を供給するためにガスタンク１４１の第１のグループに接続されてもよく、第２の外部堆積アセンブリ３０２は、反応性ガスの第２の組成物を供給するためにガスタンク１４２の第２のグループに接続されてもよく、内部堆積アセンブリ３０３は、反応性ガスの第３の組成物を内部堆積アセンブリに供給するためにガスタンクの第３のグループ１４３に接続されてもよい。しかしながら、処理ガスを供給するため、さらにすべての堆積アセンブリを同じグループのガスタンクに接続してもよい。
【００３５】
［００４１］本明細書に記載された他の実施形態と組み合わせることができる実施形態によると、コントローラ５００は、電源のうちの１つ又は複数を、共通して又は個別に制御するように構成されている。一例として、コントローラ５００は、第１の電力を第１の外部堆積アセンブリ及び第２の外部堆積アセンブリに供給するための第１の電源を制御するように構成されている。コントローラは、さらに、第２の電力を内部堆積アセンブリに供給するための第２の電源１２３ｂを制御するように構成されてもよい。図３Ａ及び図３Ｂの例示的な実施形態を参照すると、第１の電力を第１の外部堆積アセンブリ及び第２の外部堆積アセンブリに供給するための第１の電源は、第１の電力を第１の外部堆積アセンブリ及び第２の外部堆積アセンブリに供給するための２つの別個の電源１２３ａ、１２３ｃを含み得る。
【００３６】
［００４２］図３Ａ及び図３Ｂで示されているように、チャンバ１０２の中に堆積源（例えば、カソード１２２）が設けられている。堆積源は、例えば、基板上に堆積されるべき材料のターゲットを有する回転可能なカソードであってもよい。典型的に、カソードは、内部に磁石アセンブリ１２１を有する回転可能なカソードであってもよい。したがって、マグネトロンスパッタリングは、基板上に材料を堆積するために実行してもよい。図３Ａ及び図３Ｂで例示されているように、堆積処理は、回転式カソード、及び回転可能な磁石アセンブリ、すなわち、その中の回転可能な磁石ヨークで行ってもよい。
【００３７】
［００４３］本明細書で使用する「マグネトロンスパッタリング」は、マグネトロン、すなわち、磁場を発生させ得るユニットである磁石アセンブリを使用して行われるスパッタリングのことを指す。典型的に、このような磁石アセンブリは、１つ又は複数の永久磁石からなる。これらの永久磁石は、典型的に、回転可能なターゲット表面の下方に発生する発生磁場の内部に自由電子が捕捉されるように、回転可能なターゲットの内部に配置されるか、又は平面ターゲットに連結される。このような磁石アセンブリは、さらに平面カソードに配置連結されてもよい。典型的な実装形態によれば、マグネトロンスパッタリングは、限定はしないが、ＴｗｉｎＭａｇ（商標）カソードアセンブリのような、ダブルマグネトロンカソード、すなわち、カソード１２２によって実現され得る。具体的には、ターゲットからのＭＦスパッタリング（中間周波数スパッタリング）については、ダブルカソードを含むターゲットアセンブリを適用してもよい。典型的な実施形態によると、堆積チャンバの中のカソードは交換可能であってもよい。したがって、ターゲットは、スパッタリングされる材料が消費された後に交換される。
【００３８】
［００４４］本明細書に記載された他の実施形態と組み合わせることができる異なる実施形態によれば、スパッタリングは、ＤＣスパッタリング、ＭＦ（中間周波数）スパッタリング、ＲＦスパッタリング、又はパルススパッタリングとして実行され得る。本明細書に記載されているように、幾つかの堆積処理では、ＭＦ、ＤＣ、又はパルススパッタリングが有益に適用され得る。しかしながら、その他のスパッタリング法をさらに適用してもよい。
【００３９】
［００４５］図３Ａ及び図３Ｂでは、カソード内に設けられた磁石アセンブリ１２１又はマグネトロンを有する複数のカソード１２２が示されている。本明細書に記載された他の実施形態と組み合わせることができる幾つかの実施形態によれば、記載された実施形態に係るスパッタリングは、３つ以上のカソードで実行することができる。しかしながら、特に大面積堆積の用途においては、カソードのアレイ又はカソードの対を設けてもよい。例えば、３つ以上のカソード或いはカソードの対（例えば、３つ、４つ、５つ、６つ、又はさらに多くのカソード或いはカソードの対）を設けてもよい。アレイを１つの真空チャンバ内に設けることができる。さらに、典型的に、互いに隣接するカソード又はカソードの対が、例えば、プラズマ閉じ込めの相互作用によって互いに影響し合うように、アレイを画定してもよい。
【００４０】
［００４６］図３Ａで示されているように、磁石アセンブリは、矢印３００Ａで示されている堆積方向を設けるように、回転される。第１の柱状成長方向が設けられ、結果として第１の堆積方向となる。図３Ｂで示されているように、磁石アセンブリは、矢印３００Ｂで示されている堆積方向を設けるように、回転される。第２の堆積方向が設けられ、結果としてステップカバレッジが改善される。
【００４１】
［００４７］基板上のトランジスタ、具体的にはＬＰＳ−ＴＦＴの製造に関連する本明細書に記載された実施形態であって、ゲート電極が自己整合ドーピング用のマスクとして使用される実施形態は、例えば、モリブデン（Ｍｏ）、モリブデン−タングステン（ＭｏＷ）、チタン（Ｔｉ）、アルミニウム（Ａｌ）、銅（Ｃｕ）、及び上記の成分のうちの１つ又は複数を含有する合金を堆積するためのＤＣスパッタリング処理を利用する。しかしながら、ＭＦスパッタリング処理或いはＲＦスパッタリング処理でスパッタリングされたり、又はＣＶＤ処理で堆積されたりすることができるその他の材料も、マグネトロンスパッタカソードの磁石アセンブリを第１の位置から第２の位置へと動かすことによって、第１の堆積方向及び第２の堆積方向が伴う改善されたステップカバレッジのために利用してもよい。これは、成長方向のコスト効率良い制御という観点で有益に使用される。このような他の材料の例は、本明細書に記載された透明導電酸化物であり得る。
【００４２】
［００４８］本明細書に記載された他の実施形態と組み合わせることができる異なる実施形態によれば、スパッタリングは、ＤＣ（直流）スパッタリング、ＭＦ（中間周波数）スパッタリング、ＲＦスパッタリング、又はパルススパッタリングとして実行され得る。本明細書に記載されているように、幾つかの堆積処理では、ＭＦ、ＤＣ、又はパルススパッタリングが有益に適用され得る。しかしながら、その他のスパッタリング法をさらに適用してもよい。本明細書の実施形態によると、中間周波数は、０．５ｋＨｚから３５０ｋＨｚの範囲、例えば、１０ｋＨｚから５０ｋＨｚの範囲内の周波数である。
【００４３】
［００４９］本明細書に記載された他の実施形態と組み合わせることができる幾つかの実施形態によれば、記載された実施形態に係るスパッタリングは、３つ以上のカソードで実行することができる。しかしながら、特に大面積堆積の用途においては、６つ以上のカソード、例えば、１０以上のカソードを有するカソードのアレイが設けられ得る。アレイを１つの真空チャンバ内に設けてもよい。さらに、典型的に、互いに隣接するカソード又はカソードの対が、例えば、プラズマ閉じ込めの相互作用によって互いに影響し合うように、アレイを画定してもよい。典型的な実装形態によると、スパッタリングは、限定されないが、Ａｐｐｌｉｅｄ  Ｍａｔｅｒｉａｌｓ  Ｉｎｃ．のＰｉＶｏｔなどのシステムのような回転式カソードアレイによって実行され得る。
【００４４】
［００５０］本明細書に記載された他の実施形態と組み合わせることができる幾つかの実施形態によると、本明細書に記載された実施形態は、ディスプレイＰＶＤ、すなわちディスプレイ市場向けの大面積基板上のスパッタ堆積に利用され得る。フラットパネルディスプレイ又は携帯電話ディスプレイが、大面積基板上で製造され得る。幾つかの実施形態によれば、大面積基板、又は複数の基板を有する対応キャリアは、少なくとも０．６７ｍ２のサイズを有し得る。典型的には、このサイズは、約０．６７ｍ２（０．７３×０．９２ｍ−Ｇｅｎ４．５）から約８ｍ２であってもよく、より典型的には、約２ｍ２から約９ｍ２、又はさらに最大で１２ｍ２であってもよい。幾つかの実施形態によると、大面積基板又は対応キャリアは、１．４ｍ２以上のサイズを有し得る。典型的には、本明細書の実施形態に係る、カソードアセンブリのような構造体、装置、及び方法の提供の対象である基板又はキャリアは、本明細書に記載されているように大面積基板である。例えば、大面積基板又はキャリアは、約０．６７ｍ２の基板（０．７３×０．９２ｍ）に相当するＧＥＮ４．５、約１．４ｍ２の基板（１．１ｍ×１．３ｍ）に相当するＧＥＮ５、約４．２９ｍ２の基板（１．９５ｍ×２．２ｍ）に相当するＧＥＮ７．５、約５．７ｍ２の基板（２．２ｍ×２．５ｍ）に相当するＧＥＮ８．５、又はさらに約８．７ｍ２の基板（２．８５ｍ×３．０５ｍ）に相当するＧＥＮ１０であってもよい。ＧＥＮ１１及びＧＥＮ１２のようなさらに次の世代、並びにそれに相当する基板面積を同様に実装してもよい。
【００４５】
［００５１］本明細書に記載された他の実施形態と組み合わせることができるさらに別の実施形態によると、ターゲット材料は、アルミニウム、シリコン、タンタル、モリブデン、ニオブ、チタン、インジウム、ガリウム、亜鉛、スズ、銀、及び銅からなるグループから選択され得る。具体的には、ターゲット材料は、インジウム、ガリウム、及び亜鉛からなるグループから選択され得る。反応性スパッタ処理は、これらのターゲット材料の典型的な堆積酸化物をもたらす。しかしながら、窒化物又は酸化窒化物（ｏｘｉ−ｎｉｔｒｉｄｅ）も同様に堆積され得る。
【００４６】
［００５２］本明細書に記載された実施形態によると、該方法は、静的堆積処理のために基板を位置決めするスパッタ堆積を提供する。典型的には、特に垂直配向された大面積基板の処理のような大面積基板処理においては、静的堆積と動的堆積を区別することができる。本明細書に記載された他の実施形態と組み合わせることができる幾つかの実施形態によると、本明細書に記載された基板及び／又はキャリア、並びに本明細書に記載されたガス供給システムを利用するための装置は、垂直基板処理のために構成することができる。垂直基板処理という用語は、水平基板処理に対して区別して理解される。つまり、垂直基板処理は、基板処理中のキャリア及び基板のほぼ垂直な配向に関する。厳密な垂直配向から数度、例えば、最大で１０度、又はさらに最大で１５度の偏向があっても垂直基板処理とみなされる。垂直基板配向が少し傾斜することによって、結果として、例えば、より安定して基板を取り扱ったり、堆積層を汚染する粒子のリスクを低減させたりすることができる。代替的に、水平の基板配向が可能であり得る。水平基板配向に対しては、カソードアレイは、例えばさらにほぼ水平となる。ただし、垂直配向から、例えば−１５°から＋１５°の範囲内の垂直基板配向によって、大面積基板処理のための床面積が縮小し、それ故に所有コストが減少する。
【００４７】
［００５３］したがって、静的堆積処理は、静的位置が伴う堆積処理、実質的に静的な位置が伴う堆積処理、又は基板の部分的な静的位置が伴う堆積処理として理解することができる。本明細書に記載された静的堆積処理は、静的堆積処理の基板位置が堆積中に何らかの動きが全くないという必要性なしに、動的堆積処理と明確に区別することができる。本明細書に記載された他の実施形態と組み合わせることができるさらに別の実施形態によると、当業者によって依然として静的堆積とみなされる、完全に静的な基板位置からの偏向（例えば、上述の基板の振動、搖動、又その他の何らかの動き）は、追加的又は代替的に、カソード又はカソードアレイの動き（例えば、搖動や振動など）によってもたらされ得る。基板及びカソード（又はカソードアレイ）は、例えば、基板搬送方向、基板搬送方向に対してほぼ垂直な横方向、又はその両方向で、互いに対して移動することができる。
【００４８】
［００５４］さらに別の実施形態によると、第１の堆積方向を有する第１の部分を有し、第２の異なる堆積方向を有する第２の部分を有する層の製造は、動的堆積システムにおいてさらに実行することができ、基板は、２つ以上のソースによって移動される。この場合、基板の搬送速度は、製造プロセスの堆積方向を決定する際に考慮され得る。
【００４９】
［００５５］本明細書に記載された他の実施形態と組み合わせることができる本明細書に記載された実施形態によると、ビア又はトレンチの中に堆積された層のステップカバレッジは、第１の堆積方向と第２の異なる堆積方向との間の切り替えによって改善することができる。この場合、マグネトロンは、種々の堆積方向をもたらす種々の角座標を有するように回転される。本明細書に記載された他の実施形態と組み合わせることができる幾つかの実施形態によると、磁石アセンブリの角座標間の切り替えは、スパッタリング処理をスイッチオフすることなく、行ったり来たりするように実行（例えば、いわゆる磁石アセンブリの「搖動」）することができる。ただし、代替的に、ある角座標から別の角座標へと移動しながら、スパッタリングカソードをスイッチオフすることも可能であり得る（例えば、いわゆる「分割スパッタモード」）。
【００５０】
［００５６］図４Ａは、例えば、ターゲット材料を支持しているバッキングチューブの中で、内部に磁石アセンブリ１２１が設けられたカソード１２２を示している。軸４１０によって示され、矢印によって示されているように、磁石アセンブリ１２１は、垂直堆積方向から偏移するように、すなわち、第１の角座標を有するように、回転され得る。垂直方向、すなわち、基板４５１の表面に対して垂直な方向がライン４７１によって示されている。本明細書に記載されたその他の実施形態と組み合わせることができる典型的な実施形態によれば、角度４７０は、１０°以上、例えば、２０°から６０°（約２５°から４０°など）、例えば、約３０°であってもよい。
【００５１】
［００５７］図４Ａは、閉じ込められたプラズマチューブ４０７と、ライン４７１又は基板４５１のそれぞれに対する磁石アセンブリ１２１の角位置の結果として生じる堆積方向（矢印３００Ａを参照）とを示している。結果として、図５Ａで示されているように、層の第１の部分４７４ａが基板４５１上で成長し、ビア又はトレンチの片側が好ましくは材料でコーティングされる。図４Ａから図５Ｂで示されている基板４５１は、前述の基板であってもよいが、さらに、上部に１つ又は複数の層が設けられた基板であってもよい。図５Ａ及び図５Ｂは、内部にビア（又はトレンチ）が設けられた層４７２と、下層４５２とを概略的に示しており、両方とも基板４５１上に設けられている。
【００５２】
［００５８］層の第１の部分４７４ａを堆積した後、磁石アセンブリ１２１は、図４Ｂで例示されている第２の位置、すなわち、第２の角座標へと回転される。矢印３００Ｂによって示された第２の堆積方向は、磁石アセンブリ１２１の第２の位置によってもたらされる。結果として、図５Ｂで示されているように、層の第２の部分４７４が層の第１の部分４７４ａの上で成長する。第２の部分が堆積されて、ビア又はトレンチの別の側面が好ましくは材料でコーティングされる。本明細書に記載された実施形態によると、ビア又はトレンチの中の層の厚さｄ及びレイアウト幅ｗが設けられ得る。ステップカバレッジは、最薄の幅ｗを層の厚さｄで割った比率によって得られる。典型的な実施形態によると、本明細書に記載されたビア又はトレンチの中に層を堆積する方法によって、６０％以上のステップカバレッジを設けることができる。
【００５３】
［００５９］本明細書に記載された他の実施形態と組み合わせることができるさらに他の実施形態によると、磁石アセンブリの第１の位置と磁石アセンブリの第２の位置の間の切り替え、又はその逆順の切り替えは、１回又は複数回提供される。例えば、磁石アセンブリの第１の位置と磁石アセンブリの第２の位置の間の切り替えは、行ったり来たりするような連続的動作又は準連側的動作であってもよい。幾つかの実施形態によると、マグネトロンスパッタカソードは、回転ターゲットを有する回転可能なマグネトロンスパッタカソードであってもよく、回転可能なマグネトロンスパッタターゲットは線源を形成する。例えば、大面積基板上に回転可能なカソードからスパッタリングする方法のアップスケールに関連する低製造コスト及びポテンシャルから依然として恩恵を受けることが可能でありながらも、本明細書に記載されたように、線源を用いてステップカバレッジが増加することは予期せぬ結果である。例えば、マグネトロンスパッタカソードが、堆積源のアレイにおける少なくとも３つの堆積源のうちの１つの堆積源であるように、カソードのアレイを設けてもよい。
【００５４】
［００６０］本明細書に記載された実施形態によると、トレンチ又はビアは、ビア又はトレンチの底部で３ｎｍ以下の幅を有し得る。またさらに追加的又は代替的に、トレンチ又はビアは、７０°以上のテーパ角度を有し得る。態様のうちの１つ又は両方を提供することにより、３００ｐｐｉ以上の画素密度を実現することができる。
【００５５】
［００６１］幾つかの実施形態によると、画素電極の厚さは、ＩＴＯ又はその他のＴＣＯに対して、３０ｎｍから１００ｎｍ、例えば、約５０ｎｍであってもよく、金属に対しては、画素電極の厚さは、１５０ｎｍから５００ｎｍ、例えば、２５０ｎｍから３５０ｎｍであってもよい。
【００５６】
［００６２］本明細書に記載された他の実施形態と組み合わせることができる幾つかの実施形態によると、層は金属層であってもよく、具体的には、当該層は、ＭｏＷ層、Ｍｏ層、Ｔｉ層、Ａｌ層、Ｃｕ層、ＭｏＷ、Ｍｏ、Ｔｉ、Ａｌ、Ｃｕのうちの２つ以上を含む層、又はＭｏＷ、Ｍｏ、Ｔｉ、Ａｌ、Ｃｕのうちの１つ又は複数の合金を含む層であってもよい。他の実施形態によると、例えば、図１ｌの画素電極１８２は、その層が、インジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）層、ドープＩＴＯ層、不純物ドープＺｎＯ、Ｉｎ２Ｏ３、ＳｎＯ２及びＣｄＯ、ＩＴＯ（Ｉｎ２Ｏ３：Ｓｎ）、ＡＺＯ（ＺｎＯ：Ａｌ）、ＩＺＯ（ＺｎＯ：Ｉｎ）、ＧＺＯ（ＺｎＯ：Ｇａ）、又はＺｎＯ、Ｉｎ２Ｏ３、及びＳｎＯ２の組み合わせを含むか或いはこれらの組み合わせからなる多成分酸化物のうちの少なくとも１つからなるグループから選択された１つ又は複数の成分、又はそれらの組み合わせを含み得る。
【００５７】
［００６３］本明細書に記載された幾つかの実施形態は、本明細書に記載された実施形態を有益に利用することができるＬＴＰＳ−ＴＦＴなどのトランジスタの製造に対して言及しているが、その他の用途も、本明細書に記載された実施形態から同様に恩恵を受けることができる。図７は、材料の第２の層をビア又はトレンチを有する第１の層の上に堆積する方法を示しているが、層の第１の部分は、第１の堆積方向でビア又はトレンチを有する第１の層上に堆積され（図６のボックス６０１を参照）、第２の層の第１の部分の堆積は、第１の回転軸の周りで回転可能な第１の磁石配置を有するマグネトロンスパッタカソードで実行される。このとき、第１の磁石配置は、結果として第１の堆積方向となる第１の角座標で設けられる。第２の層の第２の部分は、ビア又はトレンチを有する第１の層の上に堆積され（図６のボックス６０２を参照）、第２の層の第２の部分の堆積は、マグネトロンスパッタカソードで実行される。このとき、第１の磁石配置は、結果として第２の堆積方向となる第２の角座標で設けられ、第１の角座標は、第２の角座標とは異なる。
【００５８】
［００６４］本明細書に記載されたさらに別の実施形態によると、材料の層を基板の上に堆積する方法が示されている。この方法は、結果として第１の柱状成長方向となる第１の堆積方向で層の第１の部分を堆積することと、結果として第２の柱状成長方向となる第２の堆積方向で層の第２の部分を堆積することとを含む。第２の柱状成長方向は、第１の柱状成長方向とは異なる。層の柱状成長に関しては、第１の堆積方向は、例えば、層の第１の部分の堆積の間に実質的に一定であり得、且つ／又は、第２の堆積方向は、例えば、層の第２の部分の堆積の間に実質的に一定であり得る。角度を有する成長のために第１の堆積方向が設けられてもよく、第１の堆積方向は、マグネトロンスパッタカソードの磁石配置の第１の角座標によって画定され、且つ／又は、第２の堆積方向は、マグネトロンスパッタカソードの磁石配置の第２の角座標によって画定される。
【００５９】
［００６５］上記の記述は、本発明の実施形態を対象としているが、本発明の他の実施形態及びさらなる実施形態は、本発明の基本的な範囲を逸脱せずに考案してもよく、本発明の範囲は、以下の特許請求の範囲によって定められる。
【図１Ａ−１Ｅ】
0006386106.tif 000002
【図１Ｆ−１Ｉ】
0006386106.tif 000003
【図２】
0006386106.tif 000004
【図３Ａ】
0006386106.tif 000005
【図３Ｂ】
0006386106.tif 000006
【図４Ａ−４Ｂ】
0006386106.tif 000007
【図５Ａ−５Ｂ】
0006386106.tif 000008
【図６】
0006386106.tif 000009