(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
インクジェット装置を用いて塗布されて用いられ、かつ光の照射により硬化させて用いられる接着剤であって、
光硬化性化合物と、光重合開始剤とを含み、
溶剤を含まないか又は含み、
前記光硬化性化合物が、（メタ）アクリロイル基を有する光硬化性化合物、ビニル基を有する光硬化性化合物、又はマレイミド基を有する光硬化性化合物であり、
接着剤が前記溶剤を含む場合には、前記溶剤の含有量が１重量％以下であり、
ＪＩＳ  Ｋ２２８３に準拠して測定された２５℃及び１ｒｐｍでの粘度が１６０ｍＰａ・ｓ以上、１６００ｍＰａ・ｓ以下である、インクジェット用光硬化性接着剤。
【請求項２】
前記光硬化性化合物が、光硬化性反応基を１個有する光硬化性化合物と、前記光硬化性反応基を２個以上有する光硬化性化合物とを含む、請求項１に記載のインクジェット用光硬化性接着剤。
【請求項３】
前記光硬化性化合物１００重量％中、前記光硬化性反応基を１個有する光硬化性化合物の含有量が７０重量％以上、９９．９重量％であり、前記光硬化性反応基を２個以上有する化合物の含有量が０．１重量％以上、３０重量％である、請求項２に記載のインクジェット用光硬化性接着剤。
【請求項４】
前記光硬化性反応基を１個有する光硬化性化合物が、２−エチルヘキシル（メタ）アクリレートを含む、請求項２又は３に記載のインクジェット用光硬化性接着剤。
【請求項５】
前記光硬化性反応基を２個以上有する光硬化性化合物が、下記式（１）で表される光硬化性化合物である、請求項２〜４のいずれか１項に記載のインクジェット用光硬化性接着剤。
【化１】
0006345061.tif 000007
前記式（１）中、Ｒ１及びＲ２はそれぞれ、水素原子又はメチル基を表す。
【請求項６】
フィラーを含まないか又は含み、
前記フィラーを含む場合には、前記フィラーの含有量が１重量％以下である、請求項１〜５のいずれか１項に記載のインクジェット用光硬化性接着剤。
【請求項７】
半導体素子搭載用の支持部材又は半導体素子の表面上に、インクジェット装置を用いて、請求項１〜６のいずれか１項に記載のインクジェット用光硬化性接着剤を塗布して、接着剤層を形成する塗布工程と、
光の照射により前記接着剤層の硬化を進行させる光照射工程と、
光が照射された前記接着剤層の前記支持部材又は前記半導体素子側とは反対の表面上に、半導体素子を積層する積層工程とを備える、半導体装置の製造方法。
【請求項８】
前記塗布工程と前記光照射工程と前記積層工程とが複数回繰り返し行われる、請求項７に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項９】
前記インクジェット用光硬化性接着剤を循環させながら、塗布する、請求項７又は８に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１０】
前記インクジェット装置が、前記インクジェット用光硬化性接着剤が貯留されるインクタンクと、前記インクタンクと接続されておりかつ前記インクジェット用光硬化性接着剤が吐出される吐出部と、一端が前記吐出部に接続されており、他端が前記インクタンクに接続されており、かつ内部を前記インクジェット用光硬化性接着剤が流れる循環流路部とを有し、
前記塗布工程において、前記インクジェット装置内で、前記インクジェット用光硬化性接着剤を前記インクタンクから前記吐出部に移動させた後に、前記吐出部から吐出されなかった前記インクジェット用光硬化性接着剤を、前記循環流路部内を流して前記インクタンクに移動させることにより、前記インクジェット用光硬化性接着剤を循環させながら、塗布する、請求項７〜９のいずれか１項に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１１】
循環されている前記インクジェット用光硬化性接着剤の温度が４０℃以上、１００℃以下である、請求項９又は１０に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１２】
第１の電子部品本体と、第２の電子部品本体と、前記第１の電子部品本体と前記第２の電子部品本体とを接続している接着剤層とを備え、
前記接着剤層が、請求項１〜６のいずれか１項に記載のインクジェット用光硬化性接着剤を、インクジェット装置を用いて塗布し、かつ光の照射により硬化させて形成されている、電子部品。
【請求項１３】
前記第１の電子部品本体が半導体素子搭載用の支持部材又は半導体素子であり、
前記第２の電子部品本体が半導体素子である、請求項１２に記載の電子部品。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、インクジェット装置を用いて塗布されて用いられ、かつ光の照射により硬化させて用いられるインクジェット用光硬化性接着剤に関する。また、本発明は、上記接着剤を用いる半導体装置の製造方法、並びに上記接着剤を用いた電子部品に関する。
【背景技術】
【０００２】
基板上に半導体チップが硬化物層を介して積層された半導体装置が知られている。また、複数の半導体チップが、硬化物層を介して積層された半導体装置が広く知られている。
【０００３】
上記半導体装置は、半導体チップの下面に硬化性組成物層（接着剤層）を積層した状態で、基板又は半導体チップ上に、硬化性組成物層付き半導体チップを、硬化性組成物層側から積層し、かつ硬化性組成物層を硬化させることにより製造されている。このような半導体装置の製造方法の一例は、例えば、下記の特許文献１に開示されている。また、特許文献１では、上記硬化性組成物層（接着剤層）を形成するために、放射線重合性化合物と、光開始剤と、熱硬化性樹脂とを含有する組成物が開示されている。
【０００４】
また、半導体装置は、例えば、基板又は半導体チップ上に、ディスペンサー又はスクリーン印刷などにより硬化性組成物を塗布して硬化性組成物層を形成した後、硬化性組成物層上に半導体チップを積層し、かつ硬化性組成物層を硬化させることにより形成されることもある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】ＷＯ２０１１／０５８９９６Ａ１
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
上述した従来の半導体装置の製造方法では、タクトタイムが長くなり、半導体装置を効率的に製造することができない。さらに、厚み精度が低くなりやすく、接着剤層のはみ出しが発生したり、平坦性が得られないためボイドが発生したりすることがある。従って、半導体装置における各層間の接着信頼性が低くなることがある。
【０００７】
特に、ディスペンサー又はスクリーン印刷などにより硬化性組成物を塗布する製造方法では、硬化性組成物を均一に塗布することが困難であるという問題がある。このため、硬化物層を高精度に形成することが困難であったり、形成された硬化物層にボイドが発生しやすかったりする。
【０００８】
なお、特許文献１に記載の組成物は、インクジェット装置を用いて塗布されて用いられていない。
【０００９】
本発明の目的は、インクジェット装置を用いて塗布されて用いられ、かつ光の照射により硬化させて用いられ、接着剤が硬化した接着剤層を高精度に形成し、接着剤層にボイドを生じ難くすることができるインクジェット用光硬化性接着剤を提供することである。また、本発明は、上記接着剤を用いる半導体装置の製造方法、並びに上記接着剤を用いた電子部品を提供することも目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明の広い局面によれば、インクジェット装置を用いて塗布されて用いられ、かつ光の照射により硬化させて用いられる接着剤であって、光硬化性化合物と、光重合開始剤とを含み、溶剤を含まないか又は含み、接着剤が前記溶剤を含む場合には、前記溶剤の含有量が１重量％以下であり、ＪＩＳ  Ｋ２２８３に準拠して測定された２５℃及び１ｒｐｍでの粘度が１６０ｍＰａ・ｓ以上、１６００ｍＰａ・ｓ以下である、インクジェット用光硬化性接着剤が提供される。
【００１１】
本発明に係る接着剤のある特定の局面では、前記光硬化性化合物が、光硬化性反応基を１個有する光硬化性化合物と、前記光硬化性反応基を２個以上有する光硬化性化合物とを含む。
【００１２】
本発明に係る接着剤のある特定の局面では、前記光硬化性化合物１００重量％中、前記光硬化性反応基を１個有する光硬化性化合物の含有量が７０重量％以上、９９．９重量％であり、前記光硬化性反応基を２個以上有する化合物の含有量が０．１重量％以上、３０重量％である。
【００１３】
本発明に係る接着剤のある特定の局面では、前記光硬化性反応基を１個有する光硬化性化合物が、２−エチルヘキシル（メタ）アクリレートを含む。
【００１４】
本発明に係る接着剤のある特定の局面では、前記光硬化性反応基を２個以上有する光硬化性化合物が、下記式（１）で表される光硬化性化合物である。
【００１５】
【化１】
0006345061.tif 000002
【００１６】
前記式（１）中、Ｒ１及びＲ２はそれぞれ、水素原子又はメチル基を表す。
【００１７】
本発明に係る接着剤のある特定の局面では、前記接着剤がフィラーを含まないか又は含み、前記接着剤が前記フィラーを含む場合には、前記フィラーの含有量が１重量％以下である。
【００１８】
本発明の広い局面によれば、半導体素子搭載用の支持部材又は半導体素子の表面上に、インクジェット装置を用いて、上述したインクジェット用光硬化性接着剤を塗布して、接着剤層を形成する塗布工程と、光の照射により前記接着剤層の硬化を進行させる光照射工程と、光が照射された前記接着剤層の前記支持部材又は前記半導体素子側とは反対の表面上に、半導体素子を積層する積層工程とを備える、半導体装置の製造方法が提供される。
【００１９】
本発明に係る半導体装置の製造方法のある特定の局面では、前記塗布工程と前記光照射工程と前記積層工程とが複数回繰り返し行われる。
【００２０】
本発明に係る半導体装置の製造方法のある特定の局面では、前記インクジェット用光硬化性接着剤を循環させながら、塗布する。
【００２１】
本発明に係る半導体装置の製造方法のある特定の局面では、前記インクジェット装置が、前記インクジェット用光硬化性接着剤が貯留されるインクタンクと、前記インクタンクと接続されておりかつ前記インクジェット用光硬化性接着剤が吐出される吐出部と、一端が前記吐出部に接続されており、他端が前記インクタンクに接続されており、かつ内部を前記インクジェット用光硬化性接着剤が流れる循環流路部とを有し、前記塗布工程において、前記インクジェット装置内で、前記インクジェット用光硬化性接着剤を前記インクタンクから前記吐出部に移動させた後に、前記吐出部から吐出されなかった前記インクジェット用光硬化性接着剤を、前記循環流路部内を流して前記インクタンクに移動させることにより、前記インクジェット用光硬化性接着剤を循環させながら、塗布する。
【００２２】
本発明に係る半導体装置の製造方法のある特定の局面では、循環されている前記インクジェット用光硬化性接着剤の温度が４０℃以上、１００℃以下である。
【００２３】
本発明の広い局面によれば、第１の電子部品本体と、第２の電子部品本体と、前記第１の電子部品本体と前記第２の電子部品本体とを接続している接着剤層とを備え、前記接着剤層が、上述したインクジェット用光硬化性接着剤を、インクジェット装置を用いて塗布し、かつ光の照射により硬化させて形成されている、電子部品が提供される。
【００２４】
本発明に係る電子部品のある特定の局面では、前記第１の電子部品本体が半導体素子搭載用の支持部材又は半導体素子であり、前記第２の電子部品本体が半導体素子である。
【発明の効果】
【００２５】
本発明に係るインクジェット用光硬化性接着剤は、光硬化性化合物と、光重合開始剤とを含み、溶剤を含まないか又は含み、接着剤が上記溶剤を含む場合には、上記溶剤の含有量が１重量％以下であり、更にＪＩＳ  Ｋ２２８３に準拠して測定された２５℃及び１ｒｐｍでの粘度が１６０ｍＰａ・ｓ以上、１６００ｍＰａ・ｓ以下であるので、本発明に係るインクジェット用光硬化性接着剤をインクジェット装置を用いて塗布し、次に光の照射により硬化させたときに、接着剤が硬化した接着剤層を高精度に形成し、接着剤層にボイドを生じ難くすることができる。
【図面の簡単な説明】
【００２６】
【図１】図１は、本発明の一実施形態に係るインクジェット用光硬化性接着剤を用いて得られる電子部品を模式的に示す正面断面図である。
【図２】図２（ａ）〜（ｅ）は、図１に示す電子部品の製造方法の各工程を説明するための断面図である。
【図３】図３は、図２に示す電子部品の製造方法において用いられるインクジェット装置の一例を示す概略構成図である。
【図４】図４は、図２に示す電子部品の製造方法において用いられるインクジェット装置の他の例を示す概略構成図である。
【図５】図５は、図１に示す電子部品の変形例を模式的に示す正面断面図である。
【図６】図６は、図１に示す電子部品の他の変形例を模式的に示す正面断面図である。
【図７】図７は、本発明の一実施形態に係るインクジェット用光硬化性接着剤を用いて得られる電子部品の第１の変形例を模式的に示す正面断面図である。
【図８】図８は、本発明の一実施形態に係るインクジェット用光硬化性接着剤を用いて得られる電子部品の第２の変形例を模式的に示す正面断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２７】
以下、本発明を詳細に説明する。
【００２８】
本発明に係るインクジェット用光硬化性接着剤（以下、接着剤と略記することがある）は、インクジェット装置を用いて塗布されて用いられる。本発明に係る接着剤は、スクリーン印刷により塗布される接着剤、及びディスペンサーによる塗布される接着剤等とは異なる。
【００２９】
本発明に係る接着剤は、光の照射により硬化させて用いられる。本発明に係る接着剤は、光硬化性接着剤であり、光硬化性を有する。
【００３０】
本発明に係る接着剤は、光硬化性化合物（光の照射により硬化可能な硬化性化合物）と、光重合開始剤とを含む。本発明に係る接着剤は、溶剤を含まないか又は含む。本発明に係る接着剤が上記溶剤を含む場合には、上記溶剤の含有量は１重量％以下である。
【００３１】
本発明に係る接着剤のＪＩＳ  Ｋ２２８３に準拠して測定された２５℃及び１ｒｐｍでの粘度は１６０ｍＰａ・ｓ以上、１６００ｍＰａ・ｓ以下である。
【００３２】
本発明に係る接着剤では、上述した構成が備えられているので、本発明に係るインクジェット用光硬化性接着剤をインクジェット装置を用いて塗布し、次に光の照射により硬化させたときに、接着剤が硬化した接着剤層を高精度に形成し、接着剤層にボイドを生じ難くすることができる。本発明では、ボイドの発生を抑えつつ、接着剤層を高精度に形成することができる。また、接着剤層と被着体との密着性を高めることもでき、熱衝撃が加わった後でも接着剤層と被着体との高い密着性を維持することができる。
【００３３】
本発明に係る接着剤は、インクジェット装置を用いて塗布されるので、２５℃で液状である。接着剤層を高精度に形成し、接着剤層にボイドを生じ難くする観点から、上記接着剤の２５℃及び１ｒｐｍでの粘度は１６０ｍＰａ・ｓ以上、１６００ｍＰａ・ｓ以下に限定される。上記接着剤の２５℃及び１ｒｐｍでの粘度は好ましくは１８０ｍＰａ・ｓ以上、より好ましくは２００ｍＰａ・ｓ以上、好ましくは１５００ｍＰａ・ｓ以下、より好ましくは１３００ｍＰａ・ｓ以下である。
【００３４】
上記粘度は、ＪＩＳ  Ｋ２２８３に準拠して、Ｅ型粘度計（東機産業社製「ＴＶＥ２２Ｌ」）を用いて、２５℃及び１ｒｐｍで測定される。
【００３５】
本発明に係る半導体装置の製造方法は、半導体素子搭載用の支持部材又は半導体素子の表面上に、インクジェット装置を用いて、上記インクジェット用光硬化性接着剤を塗布して、接着剤層を形成する塗布工程と、光の照射により上記接着剤層の硬化を進行させる光照射工程と、光が照射された上記接着剤層の上記支持部材又は上記半導体素子側とは反対の表面上に、半導体素子を積層する積層工程とを備える。
【００３６】
本発明に係る接着剤を用いれば、接着剤層を高精度に形成し、接着剤層にボイドを生じ難くすることができる。従って、本発明に係る接着剤は、本発明に係る半導体装置の製造方法に好適に使用可能である。
【００３７】
本発明に係る半導体装置の製造方法では、上記塗布工程と上記光照射工程と上記積層工程とが複数回繰り返し行われることが好ましい。例えば、塗布工程Ａ、光照射工程Ａ、積層工程Ａ、塗布工程Ｂ、光照射工程Ｂ、積層工程Ｂ、…をこの順で行うことが好ましい。
【００３８】
接着剤層をより一層高精度に形成し、接着剤層にボイドをより一層生じ難くする観点からは、上記インクジェット用光硬化性接着剤を循環させながら、塗布することが好ましい。
【００３９】
上記インクジェット装置が、上記接着剤が貯留されるインクタンクと、上記インクタンクと接続されておりかつ上記接着剤が吐出される吐出部と、一端が上記吐出部に接続されており、他端が上記インクタンクに接続されており、かつ内部を上記接着剤が流れる循環流路部とを有することが好ましい。
【００４０】
上記接着剤を塗布する際に、上記インクジェット装置内で、上記接着剤を上記インクタンクから上記吐出部に移動させた後に、上記吐出部から吐出されなかった上記接着剤を、上記循環流路部内を流して上記インクタンクに移動させることにより、上記接着剤を循環させながら、塗布する。上記接着剤を循環させながら塗布すれば、本発明の効果がより一層効果的に得られる。すなわち、接着剤層をより一層高精度に形成し、接着剤層にボイドをより一層生じ難くすることができる。
【００４１】
また、本発明では、厚みの厚い接着剤層を高精度に形成することができる。また、本発明では、多層化された接着剤層であっても、微細かつ高精度に形成することができる。
【００４２】
以下、図面を参照しつつ、本発明の具体的な実施形態及び実施例を説明することにより、本発明を明らかにする。
【００４３】
図１は、本発明の一実施形態に係るインクジェット用光硬化性接着剤を用いて得られる電子部品を模式的に示す正面断面図である。
【００４４】
図１に示す電子部品１は、第１の電子部品本体２と、第１の電子部品本体２の表面上に配置された接着剤層３と、接着剤層３の表面上に配置された第２の電子部品本体４とを備える。第２の電子部品本体４は、接着剤層３の第１の電子部品本体２側とは反対側に配置されている。接着剤層３の第１の表面上に、第１の電子部品本体２が配置されている。接着剤層３の第１の表面とは反対側の第２の表面上に、第２の電子部品本体４が配置されている。接着剤層３は光及び熱硬化後の接着剤層であり、硬化した接着剤層である。接着剤層３を形成するために、本発明の一実施形態に係るインクジェット用光硬化性接着剤が用いられている。このインクジェット用光硬化性接着剤が、インクジェット装置を用いて塗布され、かつ光の照射により硬化されて、接着剤層３が形成されている。
【００４５】
上記電子部品本体としては、具体的には、半導体ウェハ、ダイシング後の半導体ウェハ（分割された半導体ウェハ、半導体素子）、カバーガラス、コンデンサ、ダイオード、プリント基板、フレキシブルプリント基板、ガラスエポキシ基板及びガラス基板等が挙げられる。上記電子部品本体は、半導体素子搭載用の支持部材であってもよい。
【００４６】
高精度に形成された接着剤層が特に求められることから、上記電子部品本体は、回路基板、カバーガラス、半導体ウェハ又は、ダイシング後の半導体ウェハであることが好ましい。
【００４７】
高精度に形成された接着剤層が特に求められることから、上記第１の電子部品本体が、半導体素子搭載用の支持部材又は半導体素子であることが好ましく、回路基板又は半導体素子であることがより好ましく、回路基板又はダイシング後の半導体ウェハであることが更に好ましい。高精度に形成された接着剤層が特に求められることから、上記第２の電子部品本体が、半導体素子であることが好ましく、ダイシング後の半導体ウェハであることがより好ましい。
【００４８】
高精度に形成された接着剤層が特に求められることから、上記第１の電子部品本体が回路基板又はダイシング後の半導体ウェハであり、かつ上記第２の電子部品本体が、ダイシング後の半導体ウェハであることが好ましく、更に、上記第１の電子部品本体が回路基板であり、かつ上記第２の電子部品本体が、ダイシング後の半導体ウェハであることがより好ましい。上記電子部品は半導体装置用電子部品であることが好ましい。
【００４９】
上記電子部品は、半導体素子を備えていることが好ましく、半導体装置であることが好ましい。
【００５０】
以下、図２（ａ）〜（ｅ）を参照しつつ、図１に示す電子部品の製造方法の一例について説明する。
【００５１】
先ず、図２（ａ）に示すように、第１の電子部品本体２上に、インクジェット装置１１を用いて、インクジェット用光硬化性接着剤を塗布して、接着剤層１２を形成する（塗布工程）。ここでは、第１の電子部品本体２の表面上に、全体に、接着剤を塗布している。塗布後、接着剤の液滴が互いに混ざり合い、図２（ｂ）に示す状態の接着剤層１２になる。
【００５２】
図３に示すように、インクジェット装置１１は内部に、インクタンク２１と、吐出部２２と、循環流路部２３とを有する。
【００５３】
循環流路部２３は、循環流路部２３内に、バッファタンク２３Ａとポンプ２３Ｂとを有する。但し、図４に示すインクジェット装置１１Ｘのように、循環流路部２３Ｘは、循環流路部２３Ｘ内に、バッファタンクとポンプとを有していなくてもよい。上記循環流路部は、上記循環流路部内に、上記バッファタンクを有することが好ましく、上記ポンプを有することが好ましい。また、上記循環流路部は、上記循環流路部内に、バッファタンク及びポンプの他に、流速計、温度計、フィルター、液面センサー等を有していてもよい。
【００５４】
インクタンク２１には、上記接着剤が貯留されている。吐出部２２（インクジェットヘッド）から、上記接着剤が吐出される。吐出部２２は吐出ノズルを含む。インクタンク２１に、吐出部２２が接続されている。インクタンク２１と吐出部２２とは流路を介して接続されている。循環流路部２３の一端は吐出部２２に接続されており、他端はインクタンク２１に接続されている。循環流路部２３の内部を、上記接着剤が流れる。
【００５５】
バッファタンク２３Ａ又はポンプ２３Ｂが備えられる場合には、バッファタンク２３Ａ及びポンプ２３Ｂはそれぞれ、吐出部２２とインクタンク２１との間に配置されることが好ましい。バッファタンク２３Ａはポンプ２３Ｂよりも吐出部２２側に配置されている。ポンプ２３Ｂは、バッファタンク２３Ａよりもインクタンク２１側に配置されている。バッファタンク２３Ａには、上記接着剤が仮貯留される。
【００５６】
上記吐出部としては、サーマル方式、バブル噴射方式、電磁バルブ方式又はピエゾ方式のインクジェットヘッド等が挙げられる。また、上記吐出部内の循環流路部としては、共通循環流路（マニフォールド）から吐出ノズルへ分岐しているエンドシュータータイプや吐出ノズルをインクが循環するサイドシュータータイプが挙げられる。接着剤の吐出性を高めて、微細な接着剤層の形成精度をより一層高める観点からは、上記インクジェット装置がピエゾ方式のインクジェットヘッドを用いるインクジェット装置であり、上記塗布工程において、ピエゾ素子の作用によって、上記接着剤を塗布することが好ましい。
【００５７】
上記接着剤の循環方法に関しては、インクの自重を利用したり、ポンプ等を利用して加圧、減圧等を行い循環したりすることが可能である。これらは複数組み合わせて用いてもよい。ポンプとしてはシリンダ方式の無脈動ポンプ、プロペラポンプ、ギヤポンプ及びダイヤフラムポンプ等が挙げられる。循環効率を高めて、微細な接着剤層の形成精度をより一層高める観点からは、上記循環流路部は、上記循環流路部内に上記接着剤を移送させるポンプを含むことが好ましい。
【００５８】
上記吐出部の吐出ノズルにおいては、適切な圧力に保ちかつ、その範囲内で圧力変動（脈動）が少ないことが好ましい。ポンプ等を使用する場合にはポンプの脈動を抑えるために、ポンプと上記吐出部との間に減衰器を設けることが好ましい。このような減衰器としては、上記接着剤が仮貯留されるバッファタンクや膜式のダンパ等が挙げられる。
【００５９】
硬化した接着剤層をより一層高精度に形成する観点からは、上記循環流路部は、上記循環流路部内に、上記接着剤が仮貯留されるバッファタンクを含むことが好ましい。
【００６０】
上記接着剤を加熱しながら循環させる場合には、上記インクタンク内に加熱ヒーターを導入したり、上記循環流路部に加熱ヒーターを用いたりすることで、上記接着剤の温度を調節することが可能である。
【００６１】
上記接着剤を加熱しながら循環させる場合には、インクタンク２１内に加熱ヒーターを導入したり、循環流路部２３，２３Ｘに加熱ヒーターを用いたりすることで、上記接着剤の温度を調節することが可能である。
【００６２】
上記の塗布工程において、インクジェット装置１１内で、上記接着剤をインクタンク２１から吐出部２２に移動させた後に、吐出部２２から吐出されなかった上記接着剤を、循環流路部２３内を流してインクタンク２１に移動させる。それによって、上記の塗布工程において、上記接着剤を循環させながら、塗布することが好ましい。
【００６３】
次に、図２（ｂ），（ｃ）に示すように、上記の塗布工程後に、第１の光照射部１３から接着剤層１２に光を照射して、接着剤層１２の硬化を進行させる（第１の光照射工程）。それによって、第１の光照射部１３により光が照射された接着剤層１２Ａが形成される。接着剤層１２Ａは、予備硬化物である。後述する第２の光照射部１４から光が照射される場合、第１の光照射部１３から照射される光の波長や照射強度と、後述する第２の光照射部１４から照射される光の波長や照射強度とが同じでも異なっていてもよい。接着剤層の硬化性をより一層高める観点からは、第２の光照射部１４から照射される照射強度が第１の光照射部１３から照射される光の照射強度より強い方が好ましい。
【００６４】
なお、「第１の光照射部１３から接着剤層１２に光を照射して、接着剤層１２の硬化を進行させる」には、反応を進行させて増粘状態にすることも含まれる。
【００６５】
光照射を行う装置としては特に限定されず、紫外線を発生する発光ダイオード（ＵＶ−ＬＥＤ）、メタルハライドランプ、高圧水銀ランプ、及び超高圧水銀ランプ等が挙げられる。接着剤層の形成精度をより一層高める観点からは、特に第１の光照射部に、ＵＶ−ＬＥＤを用いることが好ましい。
【００６６】
次に、図２（ｃ），（ｄ）に示すように、上記の第１の光照射工程後に、第１の光照射部１３とは別の第２の光照射部１４から、第１の光照射部１３から光が照射された接着剤層１２Ａに光を照射して、接着剤層１２Ａの硬化をさらに進行させる（第２の光照射工程）。それによって、第２の光照射部１４により光が照射された接着剤層１２Ｂが形成される。接着剤層１２Ｂは、予備硬化物である。
【００６７】
上記の第２の光照射工程は、後述する積層工程前に行われることが好ましい。硬化した接着剤層をより一層高精度に形成する観点からは、上記第２の光照射工程が行われることが好ましい。但し、上記第２の光照射工程は必ずしも行われる必要はなく、上記第１の光照射工程後に、上記第２の光照射工程を行わずに、後述する積層工程が行われてもよい。
【００６８】
次に、図２（ｄ），（ｅ）に示すように、上記の第２の光照射工程後に、光が照射された接着剤層１２Ｂ上に、第２の電子部品本体４を配置して、第１の電子部品本体２と第２の電子部品本体４とを、光が照射された接着剤層１２Ｂを介して、圧力を付与して貼り合わせて、一次積層体１Ａを得る（積層工程）。なお、上記第１の光照射工程後に、上記第２の光照射工程を行わない場合には、光が照射された接着剤層１２Ａ上に、第２の電子部品本体４を配置して、第１の電子部品本体２と第２の電子部品本体４とを、光が照射された接着剤層１２Ａを介して、圧力を付与して貼り合わせて、一次積層体１Ａを得る（積層工程）。
【００６９】
また、必要に応じて、一次積層体１Ａを加熱して、第１の電子部品本体２と第２の電子部品本体４との間の接着剤層１２Ｂをより一層硬化させる。このようにして、図１に示す電子部品１を得ることができる。
【００７０】
なお、上記塗布工程と上記第１の光照射工程とを繰り返すことで、接着剤層を多層化して、多層の接着剤層を形成してもよい。図５に示すように、複数の接着剤層３２Ａ，３２Ｂ，３２Ｃが積層された接着剤層３２を備える電子部品３１を得てもよい。
【００７１】
さらに、上記塗布工程と上記第１の光照射工程と上記積層工程とを繰り返すことで、接着剤層及び第２の電子部品本体を多層化してもよい。図６に示すように、接着剤層４２Ａと第２の電子部品本体４３Ａと接着剤層４２Ｂと第２の電子部品本体４３Ｂと接着剤層４２Ｃと第２の電子部品本体４３Ｃとを備える電子部品４１を得てもよい。
【００７２】
上記の電子部品の製造方法において、接着剤の吐出性及び移送性を高めて、硬化した接着剤層をより一層高精度に形成する観点からは、循環されている上記接着剤の温度は好ましくは３０℃以上、より好ましくは４０℃以上、好ましくは１２０℃以下、より好ましくは１００℃以下である。
【００７３】
接着剤の吐出性を高めて、硬化した接着剤層をより一層高精度に形成する観点からは、上記接着剤の吐出時の１ｒｐｍでの粘度は３ｍＰａ・ｓ以上、より好ましくは５ｍＰａ・ｓ以上、更に好ましくは１６０ｍＰａ・ｓ以上、好ましくは２０００ｍＰａ・ｓ以下、より好ましくは１６００ｍＰａ・ｓ以下、更に好ましくは１５００ｍＰａ・ｓ以下である。接着剤層をより一層高精度に形成し、接着剤層にボイドをより一層生じ難くする観点からは、上記接着剤の吐出時の１ｒｐｍでの粘度は１６０ｍＰａ・ｓ以上、１６００ｍＰａ・ｓ以下であることが特に好ましい。
【００７４】
上記粘度は、ＪＩＳ  Ｋ２２８３に準拠して、Ｅ型粘度計（東機産業社製「ＴＶＥ２２Ｌ」）を用いて、吐出時の温度で測定される。
【００７５】
硬化した接着剤層をより一層高精度に形成する観点からは、上記積層工程において、貼り合わせ時に付与する圧力は好ましくは０．０１ＭＰａ以上、より好ましくは０．０５ＭＰａ以上、好ましくは１０ＭＰａ以下、より好ましくは８ＭＰａ以下である。
【００７６】
上記加熱工程を行う場合には、硬化した接着剤層をより一層高精度に形成する観点からは、上記積層工程において、貼り合わせ時の温度は好ましくは３０℃以上、より好ましくは４０℃以上、好ましくは１５０℃以下、より好ましくは１３０℃以下である。
【００７７】
上記接着剤は、光硬化性を有する。上記接着剤は、光硬化性化合物と、光重合開始剤とを含む。上記接着剤の硬化を進行させるために上記接着剤を加熱しないことが好ましく、上記接着剤を硬化させるために加熱しないことが好ましい。
【００７８】
以下、上記接着剤に含まれる各成分の詳細を説明する。
【００７９】
（光硬化性化合物）
上記光硬化性化合物としては、（メタ）アクリロイル基を有する硬化性化合物、ビニル基を有する硬化性化合物及びマレイミド基を有する硬化性化合物等が挙げられる。硬化した接着剤層をより一層高精度に形成する観点からは、上記光硬化性化合物は、（メタ）アクリロイル基（１個以上）を有することが好ましい。上記光硬化性化合物は、１種のみが用いられてもよく、２種以上が併用されてもよい。
【００８０】
本明細書では、上記（メタ）アクリロイル基を有する硬化性化合物は、メタクリロイル基及びアクリロイル基の内少なくとも一方を有する化合物を意味する。
【００８１】
上記光硬化性化合物として、光硬化性反応基を２個以上有する多官能化合物（Ａ１）を用いてもよく、光硬化性反応基を１個有する単官能化合物（Ａ２）を用いてもよい。
【００８２】
硬化した接着剤層をより一層高精度に形成する観点からは、上記接着剤が、上記光硬化性化合物として、（メタ）アクリロイル基を１個有する単官能化合物（Ａ２）と、（メタ）アクリロイル基を２個以上有する多官能化合物（Ａ１）とを含むことが好ましい。
【００８３】
上記多官能化合物（Ａ１）としては、多価アルコールの（メタ）アクリル酸付加物、多価アルコールのアルキレンオキサイド変性物の（メタ）アクリル酸付加物、ウレタン（メタ）アクリレート類、及びポリエステル（メタ）アクリレート類等が挙げられる。上記多価アルコールとしては、ジエチレングリコール、トリエチレングリコール、ポリエチレングリコール、ジプロピレングリコール、トリプロピレングリコール、ポリプロピレングリコール、トリメチロールプロパン、シクロヘキサンジメタノール、トリシクロデカンジメタノール、ビスフェノールＡのアルキレンオキシド付加物、及びペンタエリスリトール等が挙げられる。
【００８４】
上記多官能化合物（Ａ１）の具体例としては、トリシクロデカンジメタノールジ（メタ）アクリレート、イソボルニルジメタノールジ（メタ）アクリレート及びジシクロペンテニルジメタノールジ（メタ）アクリレート等が挙げられる。なかでも、硬化物の耐湿熱性をより一層高める観点からは、上記多官能化合物（Ａ１）は、トリシクロデカンジメタノールジ（メタ）アクリレートであることが好ましい。
【００８５】
上記「（メタ）アクリレート」の用語は、アクリレート又はメタクリレートを示す。上記「（メタ）アクリル」の用語は、アクリル又はメタクリルを示す。
【００８６】
上記多官能化合物（Ａ１）は、多環骨格を有し、かつ（メタ）アクリロイル基を２個以上有する多官能化合物（Ａ１）であることが好ましい。多官能化合物（Ａ１）の使用により、上記接着剤の硬化物の耐湿熱性を高くすることができる。従って、電子部品の信頼性を高めることができる。
【００８７】
上記多官能化合物（Ａ１）は、多環骨格を有し、かつ（メタ）アクリロイル基を２個以上有すれば特に限定されない。多官能化合物（Ａ１）として、多環骨格を有し、かつ（メタ）アクリロイル基を２個以上有する従来公知の多官能化合物を用いることができる。上記多官能化合物（Ａ１）は、（メタ）アクリロイル基を２個以上有するため、光の照射により重合が進行し、硬化する。上記多官能化合物（Ａ１）は、１種のみが用いられてもよく、２種以上が併用されてもよい。
【００８８】
上記多官能化合物（Ａ１）の具体例としては、トリシクロデカンジメタノールジ（メタ）アクリレート、イソボルニルジメタノールジ（メタ）アクリレート及びジシクロペンテニルジメタノールジ（メタ）アクリレート等が挙げられる。なかでも、硬化物の耐湿熱性をより一層高める観点からは、上記多官能化合物（Ａ１）は、トリシクロデカンジメタノールジ（メタ）アクリレートであることが好ましい。
【００８９】
上記多官能化合物（Ａ１）及び後述する単官能化合物（Ａ２）における上記「多環骨格」とは、複数の環状骨格を連続して有する構造を示す。多官能化合物（Ａ１）及び単官能化合物（Ａ２）における上記多環骨格としてはそれぞれ、多環脂環式骨格及び多環芳香族骨格等が挙げられる。
【００９０】
上記多環脂環式骨格としては、ビシクロアルカン骨格、トリシクロアルカン骨格、テトラシクロアルカン骨格及びイソボルニル骨格等が挙げられる。
【００９１】
上記多環芳香族骨格としては、ナフタレン環骨格、アントラセン環骨格、フェナントレン環骨格、テトラセン環骨格、クリセン環骨格、トリフェニレン環骨格、テトラフェン環骨格、ピレン環骨格、ペンタセン環骨格、ピセン環骨格及びペリレン環骨格等が挙げられる。
【００９２】
上記単官能化合物（Ａ２）の具体例としては、イソボルニル（メタ）アクリレート、ジヒドロキシシクロペンタジエニル（メタ）アクリレート、ジシクロペンテニル（メタ）アクリレート、ジシクロペンテニルオキシエチル（メタ）アクリレート、ジシクロペンタニル（メタ）アクリレート、ナフチル（メタ）アクリレート及び２−エチルヘキシル（メタ）アクリレート等が挙げられる。なかでも、硬化物の耐湿熱性をより一層高める観点からは、上記単官能化合物（Ａ２）は、イソボルニル（メタ）アクリレート、ジヒドロキシシクロペンタジエニル（メタ）アクリレート、ジシクロペンテニル（メタ）アクリレート、ジシクロペンテニルオキシエチル（メタ）アクリレート、ジシクロペンタニル（メタ）アクリレート及び２−エチルヘキシル（メタ）アクリレートからなる群から選択された少なくとも１種であることが好ましい。さらに、上記単官能化合物（Ａ２）が２−エチルヘキシル（メタ）アクリレートを含むことがより好ましい。この場合、上記単官能化合物（Ａ２）１００重量％中、２−エチルヘキシル（メタ）アクリレートの含有量は好ましくは１重量％以上、より好ましくは５重量％以上、好ましくは９０重量％以下、より好ましくは８０重量％以下である。
【００９３】
上記ビニル基を有する化合物としてはビニルエーテル類、エチレン誘導体、スチレン、クロロメチルスチレン、α−メチルスチレン、無水マレイン酸、ジシクロペンタジエン、Ｎ−ビニルピロリドン及びＮ−ビニルホルムアミド等が挙げられる。
【００９４】
上記マレイミド基を有する化合物としては、特に限定されず例えば、Ｎ−メチルマレイミド、Ｎ−エチルマレイミド、Ｎ−ヘキシルマレイミド、Ｎ−プロピルマレイミド、Ｎ−ブチルマレイミド、Ｎ−オクチルマレイミド、Ｎ−ドデシルマレイミド、Ｎ−シクロヘキシルマレイミド、Ｎ−フェニルマレイミド、Ｎ−ｐ−カルボキシフェニルマレイミド、Ｎ−ｐ−ヒドロキシフェニルマレイミド、Ｎ−ｐ−クロロフェニルマレイミド、Ｎ−ｐ−トリルマレイミド、Ｎ−ｐ−キシリルマレイミド、Ｎ−ｏ−クロロフェニルマレイミド、Ｎ−ｏ−トリルマレイミド、Ｎ−ベンジルマレイミド、Ｎ−２，５−ジエチルフェニルマレイミド、Ｎ−２，５−ジメチルフェニルマレイミド、Ｎ−ｍ−トリルマレイミド、Ｎ−α−ナフチルマレイミド、Ｎ−ｏ−キシリルマレイミド、Ｎ−ｍ−キシリルマレイミド、ビスマレイミドメタン、１，２−ビスマレイミドエタン、１，６−ビスマレイミドヘキサン、ビスマレイミドドデカン、Ｎ，Ｎ’−ｍ−フェニレンジマレイミド、Ｎ，Ｎ’−ｐ−フェニレンジマレイミド、４，４’−ビスマレイミドジフェニルエーテル、４，４’−ビスマレイミドジフェニルメタン、４，４’−ビスマレイミド−ジ（３−メチルフェニル）メタン、４，４’−ビスマレイミド−ジ（３−エチルフェニル）メタン、４，４’−ビスマレイミド−ジ（３−メチル−５−エチル−フェニル）メタン、Ｎ，Ｎ’−（２，２−ビス−（４−フェノキシフェニル）プロパン）ジマレイミド、Ｎ，Ｎ’−２，４−トリレンジマレイミド、Ｎ，Ｎ’−２，６−トリレンジマレイミド、及びＮ，Ｎ’−ｍ−キシリレンジマレイミド等が挙げられる。
【００９５】
絶縁信頼性や接着信頼性をより一層高める観点から、上記光硬化性化合物は、ジシクロペンタジエン骨格を有することが好ましい。
【００９６】
接着剤層をより一層高精度に形成し、接着剤層にボイドをより一層生じ難くする観点からは、上記光硬化性化合物が、光硬化性反応基を２個以上有する光硬化性化合物を含むことが好ましい。
【００９７】
接着剤層を更に一層高精度に形成し、接着剤層にボイドを更に一層生じ難くする観点からは、上記光硬化性化合物が、光硬化性反応基を１個有する光硬化性化合物を含むことが好ましく、光硬化性反応基を１個有する光硬化性化合物と、光硬化性反応基を２個以上有する光硬化性化合物とを含むことがより好ましい。
【００９８】
上記光硬化性反応基は、重合性不飽和二重結合を含む基であることが好ましく、（メタ）アクリロイル基であることがより好ましい。
【００９９】
接着剤層をより一層高精度に形成し、接着剤層にボイドをより一層生じ難くする観点からは、上記光硬化性化合物及び上記光硬化性反応基を２個以上有する光硬化性化合物は、下記式（１）で表される光硬化性化合物を含むことが好ましい。
【０１００】
【化２】
0006345061.tif 000003
【０１０１】
上記式（１）中、Ｒ１及びＲ２はそれぞれ、水素原子又はメチル基を表す。
【０１０２】
硬化した接着剤層をより一層高精度に形成する観点からは、上記接着剤１００重量％中、上記光硬化性化合物の含有量は、好ましくは３０重量％以上、より好ましくは５０重量％以上、好ましくは９９．９重量％以下、より好ましくは９９重量％以下である。
【０１０３】
接着剤層をより一層高精度に形成し、接着剤層にボイドをより一層生じ難くする観点からは、上記光硬化性化合物の全体１００重量％中、上記光硬化性反応基を２個以上有する光硬化性化合物及び上記式（１）で表される光硬化性化合物の含有量はそれぞれ、好ましくは０．１重量％以上、より好ましくは０．５重量％以上、好ましくは１００重量％（全量）以下、より好ましくは３０重量％以下、更に好ましくは１５重量％以下である。
【０１０４】
接着剤層をより一層高精度に形成し、接着剤層にボイドをより一層生じ難くする観点からは、上記光硬化性化合物の全体１００重量％中、上記光硬化性反応基を１個有する光硬化性化合物の含有量は好ましくは７０重量％以上、より好ましくは８５重量％以上、好ましくは１００重量％（全量）以下、より好ましくは９９．９重量％以下、更に好ましくは９９．５重量％以下である。
【０１０５】
（溶剤）
上記接着剤は溶剤を含まないか又は含む。上記接着剤は、溶剤を含んでいてもよく、含んでいなくてもよい。接着剤層をより一層高精度に形成し、接着剤層にボイドをより一層生じ難くする観点からは、上記接着剤における溶剤の含有量は少ないほどよい。
【０１０６】
上記溶剤としては、水及び有機溶剤等が挙げられる。なかでも、残留物の除去性をより一層高める観点からは、有機溶剤が好ましい。上記有機溶剤としては、エタノール等のアルコール類、アセトン、メチルエチルケトン、シクロヘキサノン等のケトン類、トルエン、キシレン、テトラメチルベンゼン等の芳香族炭化水素類、セロソルブ、メチルセロソルブ、ブチルセロソルブ、カルビトール、メチルカルビトール、ブチルカルビトール、プロピレングリコールモノメチルエーテル、ジプロピレングリコールモノメチルエーテル、ジプロピレングリコールジエチルエーテル、トリプロピレングリコールモノメチルエーテル等のグリコールエーテル類、酢酸エチル、酢酸ブチル、乳酸ブチル、セロソルブアセテート、ブチルセロソルブアセテート、カルビトールアセテート、ブチルカルビトールアセテート、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、ジプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、炭酸プロピレン等のエステル類、オクタン、デカン等の脂肪族炭化水素類、並びに石油エーテル、ナフサ等の石油系溶剤等が挙げられる。
【０１０７】
上記接着剤が上記溶剤を含む場合には、上記接着剤１００重量％中、上記溶剤の含有量は１重量％以下である。上記接着剤１００重量％中、上記溶剤の含有量は好ましくは０．５重量％以下である。
【０１０８】
（フィラー）
上記接着剤はフィラーを含まないか又は含む。上記接着剤は、フィラーを含んでいてもよく、含んでいなくてもよい。接着剤層をより一層高精度に形成し、接着剤層にボイドをより一層生じ難くする観点からは、上記接着剤におけるフィラーの含有量は少ないほどよい。さらに、上記接着剤におけるフィラーの含有量が少ないほど、インクジェット装置による吐出不良の発生が抑えられる。
【０１０９】
上記フィラーとしては、シリカ、タルク、クレイ、マイカ、ハイドロタルサイト、アルミナ、酸化マグネシウム、水酸化アルミニウム、窒化アルミニウム及び窒化ホウ素等が挙げられる。
【０１１０】
上記接着剤が上記フィラーを含む場合には、上記接着剤１００重量％中、上記フィラーの含有量は好ましくは５重量％以下、より好ましくは１重量％以下、更に好ましくは０．５重量％以下である。
【０１１１】
（他の成分）
上記接着剤は、他の成分を含んでいてもよい。他の成分としては特に限定されないが、カップリング剤等の接着助剤、顔料、染料、レベリング剤、消泡剤、及び重合禁止剤等が挙げられる。
【０１１２】
（電子部品の具体例）
以下、本発明の一実施形態に係るインクジェット用光硬化性接着剤を用いて得られる電子部品の他の具体例について説明する。
【０１１３】
図７は、本発明の一実施形態に係るインクジェット用光硬化性接着剤を用いて得られる電子部品の第１の変形例を模式的に示す正面断面図である。
【０１１４】
図７に示す半導体装置７１は、電子部品である。半導体装置７１は、基板５３Ａと、接着剤層７２と、第１の半導体ウェハ７３とを備える。基板５３Ａは上面に、第１の接続端子５３ａを有する。第１の半導体ウェハ７３は上面に、接続端子７３ａを有する。基板５３Ａは、第２の接続端子５３ｂが設けられていないことを除いては、後述する基板５３と同様に形成されている。
【０１１５】
基板５３Ａ上に、接着剤層７２を介して、第１の半導体ウェハ７３が積層されている。接着剤層７２は、上記接着剤を光硬化させることにより形成されている。
【０１１６】
第１の半導体ウェハ７３は上面に、接続端子７３ａを有する。接続端子７３ａから配線７４が引き出されている。配線７４により、接続端子７３ａと第１の接続端子５３ａとが電気的に接続されている。
【０１１７】
図８は、本発明の一実施形態に係るインクジェット用光硬化性接着剤を用いて得られる電子部品の第２の変形例を模式的に示す正面断面図である。
【０１１８】
図８に示す半導体装置５１は、電子部品である。半導体装置５１は、積層構造体５２を備える。積層構造体５２は、基板５３と、接着剤層５４と、基板５３上に接着剤層５４を介して積層された第２の半導体ウェハ５５とを有する。基板５３上に、第２の半導体ウェハ５５が配置されている。基板５３上に、第２の半導体ウェハ５５は間接に積層されている。平面視において、基板５３は、第２の半導体ウェハ５５よりも大きい。基板５３は、第２の半導体ウェハ５５よりも側方に張り出している領域を有する。
【０１１９】
接着剤層５４は、例えば、硬化性組成物を硬化させることにより形成されている。硬化前の硬化性組成物を用いた硬化性組成物層は、粘着性を有していてもよい。硬化前の硬化性組成物層を形成するために、硬化性組成物シートを用いてもよい。
【０１２０】
基板５３は上面に、第１の接続端子５３ａを有する。第２の半導体ウェハ５５は上面に、接続端子５５ａを有する。接続端子５５ａから配線５６が引き出されている。配線５６の一端は、第２の半導体ウェハ５５上に設けられた接続端子５５ａに接続されている。配線５６の他端は、基板５３上に設けられた第１の接続端子５３ａに接続されている。配線５６により、接続端子５５ａと第１の接続端子５３ａとが電気的に接続されている。配線５６の他端は、第１の接続端子５３ａ以外の他の接続端子に接続されていてもよい。配線５６は、ボンディングワイヤーであることが好ましい。
【０１２１】
積層構造体５２における第２の半導体ウェハ５５上に、接着剤層６１を介して、第１の半導体ウェハ６２が積層されている。接着剤層６１は、上記接着剤を光硬化させることにより形成されている。
【０１２２】
基板５３は上面に、第２の接続端子５３ｂを有する。第１の半導体ウェハ６２は上面に、接続端子６２ａを有する。接続端子６２ａから配線６３が引き出されている。配線６３の一端は、第１の半導体ウェハ６２上に設けられた接続端子６２ａに接続されている。配線６３の他端は、基板５３上に設けられた第２の接続端子５３ｂに接続されている。配線６３により、接続端子６２ａと第２の接続端子５３ｂとが電気的に接続されている。配線６３の他端は、第２の接続端子５３ｂ以外の他の接続端子に接続されていてもよい。配線６３は、ボンディングワイヤーであることが好ましい。
【０１２３】
半導体装置５１では、第２の半導体ウェハ５５上に、光硬化性接着剤を、インクジェット装置から吐出して、接着剤層６１を形成することで得ることができる。これに対して、半導体装置７１は、基板５３Ａ上に、光硬化性接着剤を、インクジェット装置から吐出して、接着剤層７２を形成することで得ることができる。
【０１２４】
以下、実施例及び比較例を挙げて、本発明を具体的に説明する。本発明は、以下の実施例のみに限定されない。
【０１２５】
実施例及び比較例では、下記の表１に示す材料を用いた。
【０１２６】
【表１】
0006345061.tif 000004
【０１２７】
（実施例１）
２官能アクリル化合物（トリシクロデカンジメタノールジアクリレート）５重量部と、単官能アクリル化合物（２−エチルヘキシルアクリレート）５０重量部と、単官能アクリル化合物（イソボルニルアクリレート）３５重量部と、ビスフェノールＡ型エポキシアクリレート５重量部と、光重合開始剤(ＢＡＳＦ社製「ＩＲＧＡＣＵＲＥ３６９」)５重量部とを攪拌し、接着剤Ａを得た。
【０１２８】
（実施例２〜７及び比較例１〜３）
実施例１と同様にして、表２の配合組成の接着剤Ｂ〜Ｊを得た。 
【０１２９】
（粘度測定）
得られた接着剤の粘度を、ＪＩＳ  Ｋ２２８３に準拠して、Ｅ型粘度計（東機産業社製「ＴＶＥ２２Ｌ」）を用いて、２５℃及び１ｒｐｍで測定した。
【０１３０】
（半導体装置の作製）
（１）吐出試験評価用サンプルの作製
ＦＲ４ガラスエポキシ基板（厚み０．３ｍｍ、市販のソルダーレジストが塗布されている、縦１０ｍｍ×横１０ｍｍの半導体チップが置かれる場所が３行×９列で２７個設けられている）を用意した。上述した本発明の一実施形態に係る電子部品の製造方法に従って、図２（ａ）〜（ｅ）に示す各工程（但し、下記の表３に示すように塗布条件を設定）を経て、接着剤層を形成した。上記接着剤を循環させながら、塗布する上記塗布工程と、上記第１の光照射工程とを繰り返し２０μｍの接着剤層を形成した。接着剤層は半導体チップを実装する１０×１０ｍｍの部分に形成し、２７個の吐出試験評価用サンプルを作製した。
【０１３１】
（２）半導体装置（積層構造体）の作製
ＦＲ４ガラスエポキシ基板（厚み０．３ｍｍ、市販のソルダーレジストが塗布されている、縦１０ｍｍ×横１０ｍｍの半導体チップが置かれる場所が３行×９列で２７個設けられている）を用意した。上述した本発明の一実施形態に係る電子部品の製造方法に従って、図２（ａ）〜（ｅ）に示す各工程（但し、下記の表３に示すように塗布条件を設定）を経て、接着剤層を形成した。上記接着剤を循環させながら、塗布する上記塗布工程と、上記第１の光照射工程とを繰り返し２０μｍの接着剤層を形成した。その後、接着剤層上に、ダイボンド装置を用いて、半導体チップ（縦１０ｍｍ×横１０ｍｍ×厚み８０μｍ）に見立てたシリコンベアチップを１１０℃で０．０５ＭＰａの条件で積層して、積層体を得た。シリコンベアチップを積層した後、光学顕微鏡（キーエンス社製「デジタルマイクロスコープＶＨ―Ｚ１００」）を用いて接着剤層のはみ出しが１００μｍ未満であることを確認した。
【０１３２】
（評価）
（１）吐出抜けの確認（接着剤層を形成した基板の評価）
実体顕微鏡（ニコン社製「ＳＭＺ−１０」）にて接着剤層（２７個のパターン）の確認を行い、液の抜けの確認を行った。
【０１３３】
［吐出抜けの判定基準］
○：抜けのあるパターンなし
△：抜けのあるパターンが１個以上、５個未満
×：抜けのあるパターンが５個以上
【０１３４】
（２）半導体装置のボイドの確認
超音波探査映像装置（日立建機ファインテック社製「ｍｉ−ｓｃｏｐｅ  ｈｙｐｅｒ  ＩＩ」）を用いて、得られた半導体装置の接着剤層のボイドを観察し、下記の基準で評価した。
【０１３５】
［ボイドの判定基準］
○○：ボイドがほとんど観察されなかった
○：ボイドがわずかに観察された（使用上問題がない）
×：ボイドが観察された（使用上問題あり）
【０１３６】
（３）接着信頼性の評価
得られた半導体装置を用いて初期のダイシェア測定を行った。それとは別の半導体装置を８５℃及び湿度８５ＲＨ％条件下で５００時間放置し、その後１００℃で２時間乾燥させた後、ダイシェア測定を行った。初期の接着力に対する上記の条件で放置した後の接着力の低下の程度から、接着信頼性を下記の基準で判定した。
【０１３７】
［接着信頼性の判定基準］
○○：接着力の低下が０％以上、１０％未満
○：接着力の低下が１０％以上、５０％未満
△：接着力の低下が５０％以上、７０％未満
×：接着力の低下が７０％以上
【０１３８】
結果を下記の表２に示す。塗布条件を下記の表３に示す。
【０１３９】
【表２】
0006345061.tif 000005
【０１４０】
【表３】
0006345061.tif 000006
【符号の説明】
【０１４１】
１…電子部品
１Ａ…一次積層体
２…第１の電子部品本体
３…接着剤層（光照射後）
４…第２の電子部品本体
１１，１１Ｘ…インクジェット装置
１２…接着剤層
１２Ａ…第１の光照射部により光が照射された接着剤層
１２Ｂ…第２の光照射部により光が照射された接着剤層
１３…第１の光照射部
１４…第２の光照射部
２１…インクタンク
２２…吐出部
２３，２３Ｘ…循環流路部
２３Ａ…バッファタンク
２３Ｂ…ポンプ
３１…電子部品
３２…多層の接着剤層（光照射後）
３２Ａ，３２Ｂ，３２Ｃ…接着剤層（光照射後）
４１…電子部品
４２Ａ，４２Ｂ，４２Ｃ…接着剤層（光照射後）
４３Ａ，４３Ｂ，４３Ｃ…第２の電子部品本体
５１，７１…半導体装置
５２…積層構造体
５３，５３Ａ…基板
５３ａ…第１の接続端子
５３ｂ…第２の接続端子
５４，６１，７２…接着剤層
５５…第２の半導体ウェハ
５５ａ，７３ａ…接続端子
５６，６３，７４…配線
６２，７３…第１の半導体ウェハ
６２ａ…接続端子
【図１】
0006345061.tif 000008
【図２】
0006345061.tif 000009
【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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