(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板処理チャンバの内面を保護するためのライナーアセンブリであって、
外面及び処理容積を画定する内面を有するリング形状の本体を有する下方ライナーであって、前記リング形状の本体はその内部を通る複数のガス流路を含み、前記複数のガス流路は前記外面を前記処理容積に結合する、下方ライナーと、
前記複数のガス流路と揃えられた複数のフローガイドを含む、前記リング形状の本体の上方に配置された上方ライナーであって、前記複数のフローガイドは上方ライナ―に形成された複数の凹部であり、各フローガイドには前記下方ライナーに面する湾曲内面が設けられ、前記複数の凹部は互いに平行である、上方ライナーと
を備えた、ライナーアセンブリ。
【請求項２】
前記リング形状の本体の前記複数のガス流路と反対側にある排気開口部と、前記排気開口部と前記複数のガス流路の間で前記リング形状の本体を通る基板開口部とをさらに有する、請求項１に記載のライナーアセンブリ。
【請求項３】
前記下方ライナーがさらに前記上方ライナーと対向する上面を備え、前記複数のガス流路の各々は垂直部分と結合された水平部分を備える、請求項１に記載のライナーアセンブリ。
【請求項４】
前記水平部分は前記リング形状の本体の前記外面に対して開かれ、前記垂直部分は、前記リング形状の部分の上面に対して開かれる上端と、前記水平部分と結合する下端とを有する、請求項３に記載のライナーアセンブリ。
【請求項５】
前記上方ライナーは、半径方向内向きに延在するリップを有するリング形状の本体を含み、前記リップは中心開口部を画定する、請求項１に記載のライナーアセンブリ。
【請求項６】
前記リップは、前記下方ライナーから離れて配置される、請求項５に記載のライナーアセンブリ。
【請求項７】
前記上方ライナーと前記下方ライナーは石英を含む、請求項１に記載のライナーアセンブリ。
【請求項８】
基板を処理するための方法であって、
複数の加熱素子からの放射エネルギーを基板処理チャンバ内部に配向すること、及び
前記処理チャンバ内に配置されるライナーアセンブリ内に形成される複数のガス流路を使用して処理ガスの流れを調整することを含み、前記ライナーアセンブリは、外面及び処理容積を画定する内面を有するリング形状の本体を備え、前記リング形状の本体は、前記外面を前記処理容積に結合する複数のガス流路を含み、前記ライナーアセンブリはさらに前記リング形状の本体の上方に配置された上方ライナーを備え、前記上方ライナーは前記複数のガス流路と揃えられた複数のフローガイドを含み、前記複数のフローガイドは上方ライナ―に形成された複数の凹部であり、各フローガイドには下方ライナーに面する湾曲内面が設けられている、方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本開示の実施形態は、概して、半導体基板を処理する装置及び方法に関する。具体的には、本開示の実施形態は、処理チャンバ内のガス流分布を改善するための装置及び方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体デバイスを製造するための幾つかの処理、例えば、急速熱処理、エピタキシャル堆積、化学気相堆積、物理的気相堆積、電子ビーム硬化は、高温で実行される。通常、処理される基板は、処理チャンバ内で一又は複数の熱源によって、所望の温度まで加熱される。一又は複数の熱源は、熱源によって生成されるエネルギーが、チャンバ本体内に配置される基板上で放射されるように、一般的にチャンバ本体の外側に装着される。処理ガスは通常、ガス注入口からチャンバに供給され、処理チャンバに結合されたポンピングシステムによって、チャンバ本体内を流れ続ける。従来のチャンバ内のガス分布は、処理領域全体にわたって一様なわけではない。例えば、ガス注入口近傍のガス分布はポンピングポート近傍のガス分布とは異なり、エッジ領域近傍のガス分布は中心領域近傍のガス分布とは異なる。基板の連続回転はガス分布の非均一性を低減するが、回転だけでは均一性を高めるための要件として十分ではない。
【０００３】
したがって、ガス流分布が改善された熱処理チャンバが必要となっている。
【発明の概要】
【０００４】
本開示の実施形態は、概して、一又は複数の基板を高温で処理するための装置及び方法を提供する。具体的には、本開示の実施形態は、一又は複数の処理ガスを処理チャンバに分布させる装置及び方法に関する。
【０００５】
本開示の一実施形態は、基板処理チャンバの内面を保護するためのライナーアセンブリを提供する。ライナーアセンブリは、基板処理チャンバの内面及び基板処理容積を画定する内面によって収容されるように大きさが決められた外面を有するリング形状の本体を含む。リング形状の本体は、基板処理容積の外面に結合される複数のガス流路を含み、複数のガス流路の各々はガス注入口に結合され、ガス流を調整するように設計されている。
【０００６】
本開示の一実施形態は、基板を処理する方法および装置を提供する。装置は、チャンバ内部を形成するチャンバ本体を含み、チャンバ本体は、対向する側面に形成される注入開口部と排気開口部、及び注入開口部と排気開口部との間に形成される基板開口部を含む。装置はまた、注入開口部に配置されるガス注入口と、チャンバ内部に配置される基板支持体と、チャンバ本体の内面を保護し、ガス注入口のガス流を調整するためのライナーアセンブリとを含む。ライナーは、チャンバ本体の内面及び基板処理容積を画定する内面によって収容されるように大きさが決められた外面を有するリング形状の本体を備え、リング形状の本体は、基板処理容積の外面に結合される複数のガス流路を含み、複数のガス流路の各々はガス注入口と結合し、ガス流を調整するように設計されている。
【０００７】
本開示の別の実施形態は、基板を処理する方法を提供する。方法は、複数の加熱素子からの放射エネルギーを基板処理チャンバ内部に配向すること、及び処理チャンバ内に配置されるライナーアセンブリ内に形成される複数のガス流路を使用して処理ガスの流れを調整することを含む。ライナーアセンブリは、チャンバ本体の内面及び基板処理容積を画定する内面によって収容されるように大きさが決められた外面を有するリング形状の本体を備え、リング形状の本体は、外面を基板処理容積に結合する複数のガス流路を含み、複数のガス流路の各々はガス注入口に結合し、ガス流を調整するように設計されている。
【０００８】
従って、本開示の上述の特徴を詳細に理解しうる方法、上記で簡単に要約した本開示のより具体的な説明は、実施形態を参照することによって得られ、実施形態の一部は添付の図面に示されている。しかし、本開示は他の等しく有効な実施形態も許容しうるため、添付の図面は、この開示の典型的な実施形態のみを示しており、従って、本開示の範囲を限定すると見なされるべきではないことに、留意されたい。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１Ａ】本開示の一実施形態による処理チャンバの概略的な側面断面図である。
【図１Ｂ】図１Ａの処理チャンバの概略的な上部断面図である。
【図２Ａ】本開示の一実施形態によるライナーアセンブリの概略的な側面断面図である。
【図２Ｂ】図２Ａのライナーアセンブリの第２の概略的な側面断面図である。
【図３】本開示の一実施形態によるライナーアセンブリの部分側面断面図である。
【図４】本開示の一実施形態によるライナーアセンブリの部分側面断面図である。
【図５Ａ】本開示の一実施形態によるライナーアセンブリの部分側面断面図である。
【図５Ｂ】図５Ａのライナーアセンブリの概略的な上面図である。
【図５Ｃ】本開示の別の実施形態によるライナーアセンブリの概略的な部分上面図である。
【００１０】
理解を容易にするため、可能な場合には、図に共通する同一の要素を示すために同一の参照番号を使用した。一実施形態の要素および特徴は、更なる記述がなくても、他の実施形態に有益に組み込むことができることが企図される。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
上述の説明では、説明の目的のために、本開示の完全な理解を促すために、多数の詳細が記載されている。幾つかの例では、詳細にするのではなく、むしろ本開示を不明確にするのを避けるため、よく知られている構造及び装置がブロック図の形態で示されている。これらの実施形態は、当業者が本開示を実施することができるように十分詳細に記述されているが、他の実施形態も実現しうること、更には本開示の範囲を逸脱することなく、論理的、機械的、電気的、及び他の変更を行いうることを理解されたい。
【００１２】
本開示の実施形態は、複数の個々に分離されたガス流路を有するライナーアセンブリを提供する。ライナーアセンブリにより、処理される基板を横断する速度、密度、方向及び空間配置などのフローパラメータの同調性が有効となる。処理される基板を横断する処理ガスは、本開示の実施形態によるライナーアセンブリを用いて、個々の処理に対して特別に調整されてもよい。本開示の実施形態によるライナーアセンブリは、従来のライナーと比較して、ガス注入経路での圧力低下を最小限に抑える利点を有する。本開示の一実施形態は、圧力低下を低減するために角度をつけた、或いは短くした流路を有するライナーアセンブリを含む。本開示によるライナーアセンブリの別の利点は、流路のフローコンダクタンスを調整及び／又は変更できることである。一実施形態では、ライナーアセンブリは様々なサイズの複数のガス流路を含んでもよく、これにより複数のガス流路の各々を通過する様々なフローコンダクタンスを提供する。ライナーアセンブリ内の複数のガス流路の空間分布はまた、処理チャンバ内に調整されたフローを実現するように設計されている。
【００１３】
本開示の実施形態によるライナーアセンブリは、複数の処理ガスが、処理される基板の近傍に到達する前に、混ざるのを防止する別の利点を有することがある。加えて、本開示の実施形態によるライナーアセンブリはまた、ガングリリング（ｇｕｎ  ｇｒｉｌｌｉｎｇ）、拡散結合及び溶接済みプラグの使用などによる直接的な方法を用いて製造しうる利点を有する。
【００１４】
図１Ａは、本開示の一実施形態による処理チャンバ１００の概略的な断面図である。図１Ｂは、処理チャンバ１００の概略的な上部断面図である。処理チャンバ１００は、基板１０８の上面１１６での材料の堆積を含む一又は複数の基板を処理するために使用されてもよい。処理チャンバ１００は、放射加熱ランプ１０２のアレイ、その他の構成要素として、処理チャンバ１００内に配置される基板支持体１０６の背面１０４を含んでもよい。幾つかの実施形態では、放射加熱ランプ１０２は上方ドーム１２８の上方に配置されてもよい。基板支持体１０６は、図に示したように、中央開口部を有する円板状の基板支持体１０６であってもよい。代替的に、基板支持体１０６は環状の基板支持体であってもよく、これにより、複数の放射加熱ランプ１０２の熱放射への基板の曝露を促進するため基板のエッジから基板を支持する。
【００１５】
基板支持体１０６は、上方ドーム１２８と下方ドーム１１４との間の処理チャンバ１００内に配置される。ベースリング１３６は上方ドーム１２８と下方ドーム１１４との間に配置されてもよい。上方ドーム１２８、下方ドーム１１４及びベースリング１３６は、一般的に処理チャンバ１００の内側領域を画定する。基板１０８（縮尺どおりではない）は、図１Ｂに示すように、処理チャンバ１００内に持ち込まれ、ローディングポート１０３を経由して基板支持体１０６上に配置されうる。
【００１６】
図１Ａでは、基板支持体１０６は処理位置に示されている。基板支持体１０６は、リフトピン１０５が下方ドーム１１４に接することができるように、処理位置下方のローディング位置まで垂直移動され、基板支持体１０６及び中央シャフト１３２の孔を通り、基板１０８を基板支持体１０６から持ち上げてもよい。基板支持体１０６は、処理位置に配置されている間に、処理チャンバ１００の内部容積を、基板支持体１０６上方の処理ガス領域１５６と基板支持体１０６下方のパージガス領域１５８とに分割する。基板支持体１０６は、処理中に、処理チャンバ１００内の熱及び処理ガス流の空間的な偏りの影響を最小限に抑えるため、中央シャフト１３２によって回転され、これにより基板１０８の一様な処理を促進する。基板支持体１０６は中央シャフト１３２によって支持され、中央シャフトは、基板１０８の装填中及び取り出し中、場合によっては処理中に、方向１３４に沿って基板１０８を上下に移動する。基板支持体１０６は、放射加熱ランプ１０２からの放射エネルギーを吸収し、放射エネルギーを基板１０８に伝導するため、シリコンカーバイド又はシリコンカーバイドを塗装したグラファイトから形成されてもよい。
【００１７】
一般的に、上方ドーム１２８の中央窓部分及び下方ドーム１１４の底部は、石英などの光学的に透明な材料で形成されている。放射加熱ランプ１０２のアレイなど、一又は複数のランプは、処理ガスが通過する際に、基板１０８の様々な領域で温度を独立に制御するため、規定の方法で中央シャフト１３２の周りで下方ドーム１１４に隣接して真下に配置されてもよく、これによって、基板１０８の上面１１６への材料の堆積を促進する。ここでは詳細に議論されていないが、堆積された材料は砒化ガリウム、窒化ガリウム、又は窒化ガリウムアルミニウムを含んでもよい。
【００１８】
放射加熱ランプ１０２は、基板１０８を摂氏約２００度から摂氏約１６００度の範囲内の温度まで加熱するように構成されたバルブ１４１を含むこともある。各放射加熱ランプ１０２は、電力が放射加熱ランプ１０２に供給される際に経由する電力分布ボード（図示せず）に結合されている。放射加熱ランプ１０２は、ランプ収容開口部を有するランプヘッド１４５内に配置されてもよい。ランプヘッド１４５は、例えば、放射加熱ランプ１０２の間に配置されたチャネル１４９に導入される冷却流体によって、処理中又は処理後に冷却されてもよい。一実施形態では、ランプヘッド１４５内のチャネル１４９は、下方ドーム１０４のランプヘッド１４５に近接していることもあり、下方ドーム１０４を伝導的に及び放射的に冷却するために使用されてもよい。一実施形態では、ランプヘッド１４５は、ランプ壁及びランプ周囲のリフレクタ（図示せず）の壁を冷却してもよい。代替的に、下方ドーム１０４は業界で既知の対流法で冷却されてもよい。用途によっては、ランプヘッド１４５は下方ドーム１１４に接することもあれば、接しないこともある。
【００１９】
オプションにより円形シールド１６７が基板支持体１０６の周りに配置されることがある。シールド１６７は、処理ガスに事前加熱ゾーンを提供する一方で、放射加熱ランプ１０２から基板１０８のデバイス側１１６への熱／光ノイズの漏れを防止又は最小限に抑制する。シールド１６７は、化学気相堆積（ＣＶＤ）ＳｉＣ、ＳｉＣ被覆焼結グラファイト、成長させたＳｉＣ、不透明石英、被覆石英、又は、処理ガス及びパージングガスによる化学的な破壊に対して耐久力のある任意の同様に好適な材料から作られてもよい。
【００２０】
ライナーアセンブリ１６３は、処理チャンバ１００内に配置されてもよい。一実施形態では、ライナーアセンブリ１６３は円形シールド１６７を取り囲んでもよい。ライナーアセンブリ１６３は、ベースリング１３６の内周の範囲内にネストされるか、内周によって取り囲まれるように、大きさが決められる。ライナーアセンブリ１６３は、処理チャンバ１００の金属壁から処理容積（すなわち、処理ガス領域１５６及びパージガス領域１５８）をシールドする。例えば、ベースリング１３６の金属壁である。金属壁は前駆体と反応し、処理容積内に汚染を引き起こす。ライナーアセンブリ１６３は一体として示されているが、以下で説明されるように、ライナーアセンブリ１６３は一又は複数のライナーを含んでもよい。本開示の実施形態によれば、ライナーアセンブリ１６３は、一又は複数の処理ガスを処理ガス領域１５６に注入するための複数のガス流路１９０を含む。ライナーアセンブリ１６３はまた、一又は複数のガスをパージガス領域１５８に注入するための複数のガス流路１９２を含む。
【００２１】
光学式高温計１１８は、基板１０８の温度を測定するため上方ドーム１２８の外側に配置されてもよい。基板支持体１０６の基板１０８の背面加熱の結果として、基板支持体上での温度測定／制御のための光学式高温計１１８の使用が可能である。光学式高温計１１８による温度測定は、基板のデバイス側で、例えば、この方法での基板背面１１０の加熱は放射率に依存しないために未知の放射率を有する上面１１６で実行されてもよい。その結果、光学式高温計１１８は、光学式高温計１１８に直接届く放射加熱ランプ１０２からの最小限の背景放射によって、基板１０８からの放射を検出することができ、これによって基板１０８の正確な温度測定を行うことができる。
【００２２】
リフレクタ１２２は、基板１０８から基板１０８の後方に放射される赤外線を反射するため、オプションにより上方ドーム１２８の外側に配置されてもよい。リフレクタ１２２は、固定リング１３０を使用して上方ドーム１２８に固定されてもよい。リフレクタ１２２は、アルミニウム又はステンレス鋼などの金属からできていてもよい。反射効率は、リフレクタ領域を金などの高い反射性被覆材で被覆することによって、改善される。リフレクタ１２２は、冷却源（図示せず）に結合された、一又は複数の機械加工されたチャネル１２６を有してもよい。チャネル１２６は、リフレクタ１２２の側面に形成された流路（図示せず）に結合する。流路は水などの流体の流れを伝えるように構成されており、リフレクタ１２２を冷却するため、リフレクタ１２２の一部又は全体を覆う任意の所望のパターンで、リフレクタ１２２の側面に沿って水平に走行してもよい。
【００２３】
処理ガス供給源１７２の一又は複数の処理ガスは、ベースリング１３６の側壁に配置される処理ガス注入口１７４を通って、処理ガス領域１５６へ導入されてもよい。処理ガス注入口１７４は、一又は複数の個々のガス流を供給するため、一又は複数のガス注入口１９６（図１Ｂに示す）を含んでもよい。処理ガス注入口１７４は、個々のガス流に、速度、密度、又は組成などの様々なパラメータを提供するように構成されてもよい。処理ガス注入口１７４の一又は複数のガス注入口１９６の各々は、ライナーアセンブリ１６３を通って形成される複数のガス流路１９０の１つに結合される。複数のガス流路１９０は、一般的に処理ガスを半径方向内向きに配向するように構成されている。複数のガス流路１９０の各々は、処理ガス注入口１７４からの処理ガスの速度、密度、方向及び位置などの一又は複数のパラメータを調整するように使用されてもよい。複数のガス流路１９０は、処理のため一又は複数の処理ガスを処理ガス領域１５６に配向する前に、処理ガス注入口１７４の一又は複数の処理ガスを調整する。
【００２４】
処理中、基板支持体１０６は図１Ａに示すように、処理位置に配置されてもよい。処理位置で、基板１０８は処理ガス注入口１７４に隣接し、処理ガス注入口１７４とほぼ同じ高さに位置するため、処理ガスは、層流のように基板１０８の上面１１６を横断し、流路１７３に沿って上方に回転して流れることができる。処理ガスは、ライナーアセンブリ１６３を通って形成される排気開口部１９４、及び処理ガス注入口１７４に対向する処理チャンバ１００の側面に配置されたガス排出口１７８を通り、（流路１７５に沿って）処理ガス領域１５６を出る。ガス排出口１７８経由の処理ガスの除去は、ガス排出口１７８に結合された真空ポンプ１８０によって促進される。処理ガス注入口１７４とガス排出口１７８は、互いに揃えられ、ほぼ同じ高さに位置するため、このようなガス注入口１７４とガス排出口１７８の平行な配置は、平らな上方ドーム１２８と組み合わされると、基板１０８を横断する一般的に平面的な一様なガス流を可能にする、と考えられている。更に、半径方向の均一性が、基板支持体１０６を通る基板１０８の回転によってもたらされることがある。
【００２５】
同様に、パージガスは、パージガス源１６２からパージガス領域１５８へ、オプションのパージガス注入口１６４を介して、或いはライナーアセンブリ１６３に形成される複数のガス流路１９２を通るベースリング１３６の側壁に配置される処理ガス注入口１７４を介して、供給されてもよい。パージガス注入口１６４は、処理ガス注入口１７４の下の高さに配置される。円形シールド１６７が使用される場合、円形シールド１６７は処理ガス注入口１７４とパージガス注入口１６４との間に配置されてもよい。いずれの場合でも、パージガス注入口１６４は、パージガスを一般的に半径方向内向きに配向するように構成されている。膜形成処理中、基板支持体１０６は、パージガスが層流のように基板支持体１０６の背面１０４を横断し、流路１６５に沿って下方に回転して流れるような位置に配置されてもよい。いかなる特定の理論に制限されるものではないが、パージガスのフローは、処理ガスがパージガス領域１５８に入るのを防止する、又は実質的に妨げる、或いは、パージガス領域１５８（すなわち、基板支持体１０６の下の領域）に入る処理ガスの拡散を低減すると考えられている。パージガスは（流路１６６に沿って）パージガス領域１５８を出て、パージガス注入口１６４の反対側の処理チャンバ１００の側面上に配置されているガス排出口１７８を通って、処理チャンバ１００の外へ排出される。
【００２６】
同様に、パージング処理中、基板支持体１０６は、パージガスが基板支持体１０６の背面１０４を横断して流れることができるように、高い位置に配置されてもよい。
【００２７】
図１Ｂは、処理ガス注入口１７４からガス排出口１７８までの流路を示す。複数のガス流路１９０は、流路１７３を実質的に平行な方法で配向するため、ライナーアセンブリ１６３の一部に沿って分散されてもよい。各ガス流路１９０の数、寸法、及び位置は、ターゲット流量パターンを実現するように配置されてもよい。排気開口部１９４は、複数のガス流路１９０の反対側のライナーアセンブリ１６３を通って形成される広い開口部であってもよい。
【００２８】
当業者であれば、複数のガス流路１９０、１９２は例示を目的として示されていることを理解されたい。ガス注入口又は排出口などは、基板１０８上での材料の一様な堆積を更に促進するように調整されてもよい。本開示の実施形態によるライナーアセンブリの例示的な実施形態が以下に説明される。
【００２９】
図２Ａは、本開示の一実施形態によるライナーアセンブリ２００の概略的な側面断面図である。ライナーアセンブリ２００は、下方ライナー２１０及び下方ライナー２１０の上方に配置される上方ライナー２２０を含んでもよい。複数のガス流路２０２は、下方ライナー２１０に形成されてもよい。上方ライナー２２０は、複数のガス流路２０２に揃えられる複数のフローガイド２２２を含んでもよい。複数のフローガイド２２２の各々は、ガス流を対応するガス流路２０２から処理ガス領域１５６に配向するように形成される。
【００３０】
下方ライナー２１０はリング形状の本体２１２を有してもよい。リング形状の本体２１２は、ベースリング１３６の内面に面する外面２１４及び処理される基板１０８に面する内面２１６を有する。下方ライナー２１０は、上方ライナー２２０に面する上面２１８を有する。複数のガス流路２０２及び排気開口部２０４は、リング形状の本体２１２の対向する側面を通って形成される。一実施形態では、基板開口部２０６は、複数の流路２０２と排気開口部２０４との間のリング形状の本体２１２を通って形成される。
【００３１】
複数のガス流路２０２の各々は、相互に結合された水平部分２０２ａ及び垂直部分２０２ｂを含んでもよい。水平部分２０２ａは、外面２１４から止まり孔を穿孔することによって形成されてもよい。垂直部分２０２ｂは、水平部分２０２ａと結合するため、上面２１８から止まり孔を穿孔することによって形成されてもよい。
【００３２】
上方ライナー２２０は、半径方向内向きに延在するリップ２２６を有するリング形状の本体２２８を含む。リップ２２６は中心開口部２２４を画定する。リップ２２６は下方ライナー２１０から離れて配置される。リング形状の本体２２８は、下方ライナー２１０に面する湾曲した内面２３０を有する。複数のフローガイド２２２は、ガス流路２０２のガス流を配向するため、内面２３０に形成されてもよい。フローガイド２２２の形状寸法は、流れの向きを変えてターゲット流路を実現する。流路２３２は図２Ａに概略的に図解されている。
【００３３】
図２Ｂは、本開示の一実施形態による、ガス流路２０２とフローガイド２２２の分布を示すライナーアセンブリ２００の第２の概略的な側面断面図である。
【００３４】
上方ライナー２２０及び下方ライナー２１０は、処理化学物質に対して適合性のある物質から構成されてもよい。一実施形態では、上方ライナー２２０及び下方ライナー２１０は石英から形成されてもよい。複数のガス流路２０２はガンドリリングによって形成されてもよい。
【００３５】
図３は、本開示の一実施形態によるライナーアセンブリ３００の部分側面断面図である。ライナーアセンブリ３００は、外面３１２、内面３１４及び上面３１６を有するリング形状の本体３１０を含む。リング形状の本体３１０は、外面３１２と内面３１４を結合する複数の流路３０８を画定する。一実施形態では、複数の流路３０８の各々は、外面３１２、内面３１４及び上面３１６からそれぞれ止まり孔を穿孔することによって形成される３つのチャネル３０２、３０４、３０６を含む。複数の挿入物３２０は、上面３１６からチャネル３０４の各々に配置されてもよい。
【００３６】
図４は、本開示の一実施形態によるライナーアセンブリ４００の部分側面断面図である。ライナーアセンブリ４００は、カバーリング４２０がチャネル３０４を差し込むための複数の突起４２２を有することを除いて、ライナーアセンブリ３００と同様である。
【００３７】
図５Ａは、本開示の一実施形態によるライナーアセンブリ５００の部分側面断面図である。図５Ｂは、ライナーアセンブリ５００の概略的な上面図である。ライナーアセンブリ５００は、ライナー本体５２０及び注入リング５１０を含む。ライナー本体５２０は、外面５２２及び内面５２４を備えたリング形状の本体を有する。注入リング５１０は、リング形状の本体５２０の内面に装着されている。リング形状のライナー本体５２０は、複数の傾斜したチャネル５２８の対応する１つに結合する複数の水平チャネル５２６を含む。水平チャネル５２６は、外面５２２からの止まり孔の穿孔によって形成されてもよく、傾斜したチャネル５２８は、水平チャネル５２６に結合するため、内面５２４からの止まり孔の穿孔によって形成されてもよい。注入リング５１０は、複数の傾斜チャネル５２８に揃えられる複数の水平チャネル５１２を含む。傾斜チャネル５２８は、ガス流を上向きに配向し、抵抗を低減する。注入リング５１０により、流路での傾斜したチャネル５２８の製造が容易になる。
【００３８】
図５Ｃは、本開示の別の実施形態によるライナーアセンブリ５３０の概略的な部分上面図である。ライナーアセンブリ５３０は、その中に形成される水平チャネル５３４を有する複数の不連続な注入ブロック５３２を含むことを除いて、ライナーアセンブリ５２０と同様である。
【００３９】
以上の説明は本開示の実施形態を対象としているが、本開示の基本的な範囲を逸脱することなく本発明の他の追加の実施形態を考案することができ、本開示の範囲は、添付の特許請求の範囲によって定められる。
【図１Ａ】
0006368773.tif 000002
【図１Ｂ】
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【図２Ａ】
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【図２Ｂ】
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【図３】
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【図４】
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【図５Ａ】
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【図５Ｂ】
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【図５Ｃ】
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