(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
高電圧の直流電圧を交流高電圧に変換する高電圧側回路部と、
前記交流高電圧を交流低電圧に変換するトランスと、
前記交流低電圧を直流電圧に変換する低電圧側回路部と、
前記トランスの温度を検出する温度センサとを備え、
前記トランスは、
コアと、
前記コアと磁気的に繋がる巻線と、
前記巻線を支持するボビンと、
前記ボビンに一体に形成され、前記温度センサを前記コアまたは前記巻線に押し付ける押付部とを有し、
前記押付部は、可撓性部材により形成され、
前記押付部は、基部および前記基部から延在された先端部を有し、
前記ボビンは、前記押付部の基部を支持する支持部および前記支持部と前記コアとの間に挿入用開口が形成された押付部保持部を有し、
前記温度センサは、前記挿入用開口から挿入されて前記押付部により前記コアに押し付けられている、ＤＣ−ＤＣコンバータ装置。
【請求項２】
請求項１に記載のＤＣ−ＤＣコンバータ装置において、
前記押付部の前記先端部に、前記挿入用開口から挿入される前記温度センサの先端に当接するストッパが形成されている、ＤＣ−ＤＣコンバータ装置。
【請求項３】
高電圧の直流電圧を交流高電圧に変換する高電圧側回路部と、
前記交流高電圧を交流低電圧に変換するトランスと、
前記交流低電圧を直流電圧に変換する低電圧側回路部と、
前記トランスの温度を検出する温度センサとを備え、
前記トランスは、
コアと、
前記コアと磁気的に繋がる巻線と、
前記巻線を支持するボビンと、
前記ボビンに一体に形成され、前記温度センサを前記コアまたは前記巻線に押し付ける押付部とを有し、
前記押付部は、可撓性部材により形成され、
前記押付部は、基部および前記基部から延在された先端部を有し、
前記ボビンは、前記押付部の基部を支持する支持部、および前記押付部の前記先端部側に挿入用開口部が形成されたガイド部を有し、
前記温度センサは、前記挿入用開口部から挿入されて前記押付部により前記巻線に押し付けられている、ＤＣ−ＤＣコンバータ装置。
【請求項４】
請求項１乃至３のいずれか１項に記載されたＤＣ−ＤＣコンバータ装置において、
前記温度センサに接続された制御回路部をさらに有し、
前記制御回路部は、前記温度センサが検出した温度情報に基づいて予め設定された温度ディレーティングを行う、ＤＣ−ＤＣコンバータ装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ＤＣ−ＤＣコンバータ装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
ハイブリッド車やプラグインハイブリッド車、電気自動車などの車両には、動力駆動用の高電圧蓄電池と、インバータと、ＤＣ−ＤＣコンバータ装置と、低電圧負荷の補助電源としての低電圧蓄電池とが搭載されている。
ＤＣ−ＤＣコンバータ装置は、高電圧蓄電池の直流高電圧出力を直流低電圧出力に変換して車両のライトやラジオなどの低電圧負荷へ電力供給を行う。ＤＣ−ＤＣコンバータ装置は、高電圧蓄電池の高電圧の直流電圧を交流高電圧に変換する高電圧回路部と、交流高電圧を交流低電圧に変換するトランスと、交流低電圧を直流低電圧に変換する低電圧回路部と、電圧変換された電圧を出力する出力端子とを備えている。
【０００３】
交流高電圧を交流低電圧に変換するトランスは、一次巻線、二次巻線および磁性体コアを備えており、このトランスには、その構成上避けることができない損失、即ち巻線の導体損失（いわゆる銅損）および磁性体コアのコア損失（いわゆる鉄損）が存在する。変換電力の増大に伴って増加するトランスの損失は、殆どは熱となってトランスの自己温度を上昇させるとともに、トランスが実装される部位の周囲温度や、トランスに接続される回路部品の温度を上昇させる。このため、ＤＣ−ＤＣコンバータ装置は、トランスの放熱を大きくする構造とされている。
【０００４】
ＤＣ−ＤＣコンバータ装置に用いられるトランスではないが、トランスの温度を検出可能なトランスの一例として、下記の構造を有するトランスが知られている。１次および２次コイルが捲回されるボビンに、Ｅ字型コアの中央脚部を挿通する第１の開口と、サーマルプロテクタが挿入される第２の開口とが設けられている。第２の開口内に電極端子を有するサーマルプロテクタを挿入し、該サーマルプロテクタの電極端子を、外部引出し線に接続された一対の接触子に接続する。サーマルプロテクタは、回路を開閉する接点を有する一対のバイメタルと、このバイメタルを収納するケースとを備えている（例えば、特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】実開平７−３２９２６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
特許文献１に記載されたトランスは、構造が複雑である。また、巻線または鉄心の温度が所定の温度に達するとサーマルプロテクタが開閉する構造であるので、ＤＣ−ＤＣコンバータ装置の駆動を制御するために、トランスの温度を他の回路部に送信することができない。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の第１の態様によるＤＣ−ＤＣコンバータ装置は、高電圧の直流電圧を交流高電圧に変換する高電圧側回路部と、前記交流高電圧を交流低電圧に変換するトランスと、前記交流低電圧を直流電圧に変換する低電圧側回路部と、前記トランスの温度を検出する温度センサとを備え、前記トランスは、コアと、前記コアと磁気的に繋がる巻線と、前記巻線を支持するボビンと、前記ボビンに一体に形成され、前記温度センサを前記コアまたは前記巻線に押し付ける押付部とを有し、前記押付部は、可撓性部材により形成され、前記押付部は、基部および前記基部から延在された先端部を有し、前記ボビンは、前記押付部の基部を支持する支持部および前記支持部と前記コアとの間に挿入用開口が形成された押付部保持部を有し、前記温度センサは、前記挿入用開口から挿入されて前記押付部により前記コアに押し付けられている。
本発明の第２の態様によるＤＣ−ＤＣコンバータ装置は、高電圧の直流電圧を交流高電圧に変換する高電圧側回路部と、前記交流高電圧を交流低電圧に変換するトランスと、前記交流低電圧を直流電圧に変換する低電圧側回路部と、前記トランスの温度を検出する温度センサとを備え、前記トランスは、コアと、前記コアと磁気的に繋がる巻線と、前記巻線を支持するボビンと、前記ボビンに一体に形成され、前記温度センサを前記コアまたは前記巻線に押し付ける押付部とを有し、前記押付部は、可撓性部材により形成され、前記押付部は、基部および前記基部から延在された先端部を有し、前記ボビンは、前記押付部の基部を支持する支持部、および前記押付部の前記先端部側に挿入用開口部が形成されたガイド部を有し、前記温度センサは、前記挿入用開口部から挿入されて前記押付部により前記巻線に押し付けられている。
【発明の効果】
【０００８】
本発明によれば、簡素な構造のトランスを備えるＤＣ−ＤＣコンバータ装置を提供することができる。また、温度センサによりトランスの温度を他の回路部に送信することができる。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】本発明に係るＤＣ−ＤＣコンバータ装置の主回路を示す図。
【図２】本発明に係るＤＣ−ＤＣコンバータ装置に適用されるトランスの第１の実施形態を示す外観斜視図。
【図３】（Ａ）は、図２に図示されたトランスの上面図、（Ｂ）は側面図。
【図４】図２に図示されたトランスの分解斜視図。
【図５】（Ａ）は、図２に図示された温度センサの側面図、（Ｂ）は、（Ａ）のＶB−ＶB線拡大断面図。
【図６】（Ａ）は、図４に図示されたボビンの斜視図、（Ｂ）は、（Ａ）の領域ＶＩBの拡大図。
【図７】図３（Ａ）のＶＩＩ−ＶＩＩ線断面図。
【図８】本発明に係るＤＣ−ＤＣコンバータ装置に適用されるトランスの第２の実施形態を示す外観斜視図。
【図９】（Ａ）は、図８に図示されたトランスの上面図、（Ｂ）は側面図。
【図１０】（Ａ）は、図８の領域ＸAの拡大図、（Ｂ）は、図９（Ｂ）のＸB−ＸB線拡大断面図。
【図１１】本発明に係るＤＣ−ＤＣコンバータ装置に適用されるトランスの第３の実施形態を示す外観斜視図。
【図１２】（Ａ）は、図１１に図示されたトランスの上面図、（Ｂ）は側面図。
【図１３】（Ａ）は、図１１の領域ＸＩＩＩAの拡大図、（Ｂ）は、図１２（Ｂ）のＸＩＩＩB−ＸＩＩＩB線拡大断面図。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
−第１の実施形態―
［ＤＣ−ＤＣコンバータ装置の回路構成］
以下、図１〜図７を参照して、本発明のＤＣ−ＤＣコンバータ装置の第１の実施形態を説明する。
図１は、本発明に係るＤＣ−ＤＣコンバータ装置の主回路を示す図である。
ＤＣ−ＤＣコンバータ装置１００は、高電圧の直流電圧を交流高電圧に変換する高電圧側スイッチング回路（高電圧側回路部）２１０、交流高電圧を交流低電圧に変換するトランス５００、および低電圧の交流電圧を直流電圧に変換する低電圧側整流回路（低電圧側回路部）２２０を備えている。高電圧側スイッチング回路２１０および低電圧側整流回路２２０は、制御回路２４０によりスイッチング制御が行われる。
【００１１】
高電圧側スイッチング回路２１０とトランス５００との間には、共振コイル２０３（Ｌｒ）が接続されており、この共振コイル２０３のインダクタンスとトランス５００の漏れインダクタンスの合成インダクタンスを用いて、高電圧側スイッチング回路２１０を構成するＭＯＳＦＥＴのゼロ電圧スイッチングを可能としている。
【００１２】
低電圧側整流回路２２０の出力側には、出力電圧に重畳するノイズを除去するために、フィルタコイル２０７（Ｌ１）とフィルタコンデンサ２０５（Ｃ１）からなる平滑回路が設けられている。
なお、共振コイル２０３、フィルタコイル２０７およびフィルタコンデンサ２０５は省略することができる。
【００１３】
（高電圧側スイッチング回路の回路構成）
高電圧側スイッチング回路２１０は、Ｈブリッジ型として接続された４つのＭＯＳＦＥＴ Ｈ１〜Ｈ４と平滑用入力コンデンサ２０２（Ｃｉｎ）とから構成されている。各ＭＯＳＦＥＴ Ｈ１〜Ｈ４には、スナバコンデンサが並列に設けられている。高電圧側スイッチング回路２１０の４つのＭＯＳＦＥＴ Ｈ１〜Ｈ４を位相シフトＰＷＭ制御することで、トランス５００の一次側には交流高電圧が発生する。ＭＯＳＦＥＴ Ｈ１とＨ２の接続部、およびＭＯＳＦＥＴ Ｈ３とＨ４の接続部は、それぞれ、トランス５００の一次巻線５２０ａの引出し端子５２３、５２４（図２〜４参照）に接続されている。
【００１４】
（低電圧側整流回路の回路構成）
低電圧側整流回路２２０は、ＭＯＳＦＥＴ Ｓ１、Ｓ２で構成される二つの整流相と、チョークコイル２０６（Ｌｏｕｔ）および平滑用コンデンサ２０８（Ｃｏｕｔ）から構成される平滑回路とを有している。それぞれの整流相の高電位側配線、すなわちＭＯＳＦＥＴ Ｓ１、Ｓ２のドレイン側配線はトランス５００の二次巻線５２０ｂのコイル端子５２１、５２２（図２〜４参照）に接続されている。トランス５００の二次側センタタップ端子は、チョークコイル２０６（Ｌｏｕｔ）に接続され、チョークコイル２０６（Ｌｏｕｔ）の出力側に平滑用コンデンサ２０８（Ｃｏｕｔ）が接続されている。
【００１５】
なお、図１では、整流素子は２つのＭＯＳＦＥＴ Ｓ１、Ｓ２で例示されているが、整流素子を構成するＭＯＳＦＥＴの個数は設計上、適宜、定めることができる。
【００１６】
ＤＣ−ＤＣコンバータ装置１００は、低電圧側整流回路２２０のＭＯＳＦＥＴＳ１、Ｓ２にかかるサージ電圧を抑制するためのアクティブクランプ回路２３０を備えている。アクティブクランプ回路２３０は、アクティブクランプ用ＭＯＳＦＥＴ Ｓ３、Ｓ４、およびアクティブクランプ用コンデンサ２０９（Ｃｃ）を備えている。
【００１７】
トランス５００は、温度センサ４００を備えている。
トランス５００は、上述した通り、交流高電圧を交流低電圧に変換する。詳細は後述するが、トランス５００は、一次巻線、二次巻線および磁性体コアを備えている。一次巻線に交流を流し、磁性体コア中に磁束を発生させ、この磁束による電磁誘導により二次巻線に電圧を誘起させる。一次巻線と二次巻線の巻数比を変えることにより二次巻線に誘起される電圧を変えることができる。トランスには、巻線の導体損失（いわゆる銅損）および磁性体コアのコア損失（いわゆる鉄損）が存在する。トランス５００の損失は、殆どは熱となって、トランス５００の自己温度を上昇させるとともに、トランス５００が実装される部位の周囲温度や、トランス５００に接続される回路部品の温度を上昇させる。このため、本発明による実施形態では、温度センサ４００によりトランス５００の温度を検出し、その温度情報を制御回路２４０に送出する。制御回路２４０では、温度センサ４００から送出された温度情報に応じて予め設定された定格値以下で動作するように制御する、いわゆる、温度ディレーティングを行う。温度ディレーティングは、例えば、検出温度が７０℃未満では負荷率１００％、検出温度が８５℃以上では、動作停止（負荷率０％）とする。また、検出温度が７０℃以上〜８５℃未満での負荷率は、負荷率１００％〜８５％の範囲内で検出温度に反比例して変化する値とする。つまり、検出温度が７５℃から１℃上がると負荷率が１％下がるようにする。但し、これは温度ディレーティングを説明するための例示であって、温度ディレーティングは任意に設定可能である。温度ディレーティングは、予め、設定されて所定の記憶領域に記憶されている。
【００１８】
［トランスの構造］
図２は、本発明に係るＤＣ−ＤＣコンバータ装置に適用されるトランスの第１の実施形態を示す外観斜視図であり、図３（Ａ）は、図２に図示されたトランスの上面図であり、図３（Ｂ）は、その側面図である。図４は、図２に図示されたトランスの分解斜視図である。
トランス５００は、一次巻線５２０ａと、二次巻線５２０ｂと、ボビン５３０と、一対のコア５１０ａ、５１０ｂとを備えている。トランス５００は、温度センサ４００が取付けられる温度センサ取付構造５５０を備えている。温度センサ取付構造５５０に温度センサ４００を取り付けることにより、トランス５００の温度が検出可能となる。温度センサ取付構造５５０については後述する。
【００１９】
コア５１０ａ、５１０ｂは、フェライト等の磁性材料により形成されている。図４に示されるように、コア５１０ｂは、ＰＱタイプコアであり、中央部に円筒磁脚５１１が形成され、円筒磁脚５１１の外周側方に一対の側部磁脚５１２が形成されている。コア５１０ｂの円筒磁脚５１１と側部磁脚５１２のとの間には、リング状の空間部５１３が形成されている。コア５１０ａは、円筒磁脚５１１および一対の側部磁脚５１２の上面に配置される。
【００２０】
一次巻線５２０ａは、エナメル撚り線を巻回して形成されている。一次巻線５２０ａは、巻線の両端から引き出された一対の引出し端子５２３、５２４を有している。上述したように、一次巻線５２０ａの引出し端子５２３、５２４には、ＭＯＳＦＥＴ Ｈ１とＨ２の接続部、およびＭＯＳＦＥＴ Ｈ３とＨ４の接続部が接続される。
二次巻線５２０ｂは、平板状導体により形成されている。図４では、二次巻線５２０ｂは、１ターン捲回された構造として例示されている。しかし、二次巻線５２０ｂは、複数ターン捲回されたものであってもよい。二次巻線５２０ｂの巻線部の両端には、一対のコイル端子５２１、５２２が形成されている。上述したように、二次巻線５２０ｂのコイル端子５２１、５２２には、ＭＯＳＦＥＴ Ｓ１、Ｓ２のドレイン側配線が接続される。
【００２１】
図６（Ａ）は、図４に図示されたボビンの斜視図であり、図６（Ｂ）は、図６（Ａ）の領域ＶＩBの拡大図である。
ボビン５３０は絶縁材料で形成されている。図６（ａ）に図示されるように、ボビン５３０は、軸方向に離間対向して配置された上板部５３１と下板部５３２を有する。一次巻線５２０ａは上板部５３１と下板部５３２との間に配置される。上板部５３１は、一次巻線５２０ａと二次巻線５２０ｂとを絶縁する。下板部５３２は、コア５１０ｂと一次巻線５２０ａとを絶縁する。
【００２２】
上板部５３１および下板部５３２は、それぞれ、コア５１０ｂの円筒磁脚５１１を挿通する円形の開口部５３３を有する。上板部５３１の開口部５３３の周縁部には、突出筒部５３４が形成されている。二次巻線５２０ｂは、その巻線部を突出筒部５３４の外周側に配置した状態で、上板部５３１上に載置される。ボビン５３０は、一次巻線５２０ａ、二次巻線５２０ｂが取付けられた状態で、上板部５３１と下板部５３２の開口部５３３を、コア５１０ｂの円筒磁脚５１１に挿通して、コア５１０ｂの空間部５１３内に配置される。ボビン５３０が収容されたコア５１０ｂの上面にコア５１０ａが配置され、トランス５００が作製される。
【００２３】
図５（Ａ）は、図２に図示された温度センサの側面図であり、図５（Ｂ）は、図５（Ａ）のＶB−ＶB線拡大断面図である。
温度センサ４００は、センサ部４１０と、信号線４２０と、コネクタ４３０とを備えている。センサ部４１０は、サーミスタ等のセンサ素子４１１をはんだ等の接続材４１２により信号線４２０に接続し、樹脂４１３をポッティングし、樹脂４１３を高熱伝導性の保護材４１４により保護した構造を有する。
【００２４】
［温度センサ取付構造］
図７は、図３（Ａ）のＶＩＩ−ＶＩＩ線断面図である。
ボビン５３０には、温度センサ取付構造５５０が絶縁樹脂により一体成型されている。
図６（Ａ）、（Ｂ）に図示されるように、温度センサ取付構造５５０は、上板部５３１と下板部５３２の１つのコーナ部に設けられ、押付部５６０と、押付部保持部５７０とを有する。押付部保持部５７０は、押付部５６０の根元部である基部５６１を支持する支持部５７１を有する。押付部５６０は、コア５１０ｂの一側面５１５（図７等参照）に沿って、コア５１０ｂの底面５１４（図２、図７参照）側に延在されている。押付部５６０は、可撓性を有する部材により形成されており、基部５６１を支持部として、延在方向と垂直方向に変形可能である。押付部５６０の先端部には、コア５１０ｂの一側面５１５側に突出するようにＬ字状に屈折したストッパ５６２が形成されている。ストッパ５６２は、押付部保持部５７０に温度センサ４００のセンサ部４１０を挿入する際、センサ部４１０の先端に当接する。
【００２５】
押付部保持部５７０は、押付部５６０の側方に、該押付部５６０から離間して設けられた一対の側壁５７２を有する。押付部保持部５７０の、コア５１０ｂの一側面５１５に対面する側は開口されている。押付部５６０の基部５６１とコア５１０ｂとの間には開口部５７３が形成されている。押付部保持部５７０の開口部５７３は、温度センサ４００のセンサ部４１０を挿入可能に形成されている。押付部保持部５７０の一対の側壁５７２は、センサ部４１０を挿入する際、センサ部４１０のガイド部となる。
【００２６】
温度センサ４００のセンサ部４１０を温度センサ取付構造５５０に取付けるには下記の手順で行う。
温度センサ４００のセンサ部４１０を押付部保持部５７０の支持部５７１側の開口部５７３に挿入する。温度センサ４００のセンサ部４１０を、センサ部４１０の測定面側である一面側をコア５１０ｂの一側面５１５に接触した状態で、押付部保持部５７０の側壁５７２をガイドとしてコア５１０ｂの底面５１４側に押し込んでいく。温度センサ４００は、センサ部４１０の他面側により、押付部５６０をコア５１０ｂの一側面５１５とは反対側に撓ませながら下降する。温度センサ４００は、センサ部４１０の先端部が押付部５６０のストッパ５６２に当接して、挿入が規制される。この状態では、図７に図示されるように、温度センサ４００のセンサ部４１０は、押付部５６０の復元力により、その測定面側である一面側がコア５１０ｂの一側面５１５に密着するように押し付けられる。
これにより、トランス５００のコア５１０ｂの温度が温度センサ４００のセンサ部４１０により検出されるようになり、信号線４２０およびコネクタ４３０を介して制御回路２４０に送信することが可能となる。制御回路２４０は、温度センサ４００により検出された温度情報に基づいて、予め設定された温度ディレーティング、例えば、定格値以下の動作を行う。
【００２７】
上述した第１の実施形態によれば、次の作用効果が得られる。
（１）ＤＣ−ＤＣコンバータ装置１００における交流高電圧を交流低電圧に変換するトランス５００のボビン５３０に、温度センサ４００のセンサ部４１０を、トランス５００のコア５１０ａに押し付ける押付部５６０を一体成型した。このため、トランス５００の構造を簡素とすることができ、かつ、温度センサ４００によりトランス５００の温度を制御回路２４０に送信することができる。
【００２８】
（２）押付部５６０を可撓性部材により形成し、可撓性部材の復元力により、温度センサ４００をトランス５００のコア５１０ａに押し付けるようにした。このため、温度センサ４００のセンサ部４１０をトランス５００のコア５１０ａに確実に密着させることができる。
【００２９】
（３）ボビン５３０に、押付部５６０の基部５６１を支持する支持部５７１および該支持部５７１とコア５１０ｂとの間に開口部５７３を有する押付部保持部５７０を設けた。押付部保持部５７０は、ガイドとなる一対の側壁５７２を有している。このため、温度センサ４００のセンサ部４１０を、押付部保持部５７０をガイド部として押付部保持部５７０内に挿入することができる。これにより、トランス５００への温度センサ４００の取付けを効率的に行うことができる。
【００３０】
（４）押付部５６０の先端に温度センサ４００のセンサ部４１０の先端に当接して、センサ部４１０の挿入を規制するストッパ５６２を設けた。このため、センサ部４１０の取付位置を確実かつ容易に設定することができる。
【００３１】
（５）温度センサ４００により検出した温度情報を制御回路２４０に送信し、制御回路２４０により、温度センサ４００が検出した温度情報に基づいて予め設定された温度ディレーティングを行うことができる。
【００３２】
−第２の実施形態−
図８〜図１０を参照して、本発明の第２の実施形態を説明する。
図８は、本発明に係るＤＣ−ＤＣコンバータ装置に適用されるトランスの第２の実施形態を示す外観斜視図である。図９（Ａ）は、図８に図示されたトランスの上面図、図９（Ｂ）は側面図である。図１０（Ａ）は、図８の領域ＸAの拡大図であり、図１０（Ｂ）は、図９（Ｂ）のＸB−ＸB線拡大断面図である。
第２の実施形態は、温度センサ４００により、トランス５００の一次巻線５２０ａの温度を検出する。第２の実施形態のトランス５００は、温度センサ取付構造６５０が第１の実施形態の温度センサ取付構造５５０と相違するのみであり、他は第１の実施形態のトランス５００と同じである。従って、以下は、主として第１の実施形態と相違する構成について説明する。
【００３３】
温度センサ取付構造６５０は、絶縁樹脂によりボビン５３０に一体成型されている。
温度センサ取付構造６５０は、コア５１０ｂの底面５１４からの高さ位置が、一次巻線５２０ａの外周側面に対応する位置に形成されている。温度センサ取付構造６５０は、押付部６６０と押付部保持部６７０とを有する。押付部６６０および押付部保持部６７０は、コア５１０ｂの一側面５１８に沿って形成されている。押付部保持部６７０は、押付部６６０の根元部である基部６６１（図１０参照）を支持している。押付部６６０は、コア５１０ｂの一側面５１８に沿って、コア５１０ｂの一方の側部磁脚の外面５１７からコア５１０ｂの他方の側部磁脚の外面５１６側に向けて延在されている。押付部６６０は、可撓性を有する部材により形成されており、基部６６１を支持部として、一次巻線５２０ａの外周と接離する方向に変形可能である。押付部６６０は、基部６６１から、一次巻線５２０ａの外周に接近する側に傾斜し、さらに先端部６６２側が一次巻線５２０ａの外周から遠ざかる側に傾斜状に屈折されている。
【００３４】
押付部保持部６７０は、押付部６６０の側方に、該押付部６６０から離間して設けられた一対の側壁６７２と、該一対の側壁６７２を連結する底部とを有する。押付部保持部６７０の、一次巻線５２０ａに対面する側は開口されている。また、押付部保持部６７０の、押付部６６０の先端部６６２側には、開口部６７３が形成されている。押付部保持部６７０の開口部６７３は、温度センサ４００のセンサ部４１０を挿入可能に形成されている。押付部保持部６７０の一対の側壁６７２は、センサ部４１０を挿入する際、センサ部４１０のガイド部となる。
【００３５】
温度センサ４００のセンサ部４１０を温度センサ取付構造６５０に取付けるには、下記の手順で行う。
温度センサ４００のセンサ部４１０を、コア５１０ｂの他方の側部磁脚の外面５１６側から押付部６６０の先端部６６２側に設けられた開口部６７３に挿入し、コア５１０ｂの一方の側部磁脚の外面５１７側に押し込んでいく。このとき、押付部６６０の先端部６６２は、一次巻線５２０ａから遠ざかる側に傾斜状に屈折しているので、温度センサ４００のセンサ部４１０は、押付部６６０を一次巻線５２０ａから遠ざかる方向に変形させる。そして、温度センサ４００のセンサ部４１０は押付部保持部６７０の側壁６７２をガイドとして押し込まれていく。温度センサ４００は、センサ部４１０の測定面側である一面側を一次巻線５２０ａの外周側面に接触した状態で、他面側で押付部５６０をコア５１０ｂの一側面５１８とは反対側に撓ませながら押し込まれる。このため、温度センサ４００のセンサ部４１０の先端が押付部保持部６７０の底部に達した状態では、図１０（Ｂ）に図示されるように、温度センサ４００のセンサ部４１０は、押付部６６０の復元力により、その測定面側である一面側が一次巻線５２０ａの外周側面に密着するように押し付けられる。
【００３６】
これにより、一次巻線５２０ａの温度が温度センサ４００のセンサ部４１０により検出され、信号線４２０、コネクタ４３０を介して制御回路２４０に送信される。このため、制御回路２４０により、温度センサ４００により検出された温度情報に基づいて、予め設定された温度ディレーティング、例えば、定格値以下の動作を行う。
【００３７】
第２の実施形態によれば、第１の実施形態の効果（１）〜（５）と同様な効果を奏する。但し、第１の実施形態におけるコア５１０ｂを一次巻線５２０ａに置き換えて読むこととする。
【００３８】
−第３の実施形態−
図１１〜図１３を参照して、本発明の第３の実施形態を説明する。
図１１は、本発明に係るＤＣ−ＤＣコンバータ装置に適用されるトランスの第３の実施形態を示す外観斜視図である。図１２（Ａ）は、図１１に図示されたトランスの上面図であり、図１２（Ｂ）は側面図である。図１３（Ａ）は、図１１の領域ＸＩＩＩAの拡大図であり、図１３（Ｂ）は、図１２（Ｂ）のＸＩＩＩB−ＸＩＩＩB線拡大断面図である。
第３の実施形態は、温度センサ４００により、トランス５００の二次巻線５２０ｂの温度を検出する。
【００３９】
第３の実施形態において、温度センサ取付構造６５０は、コア５１０ｂの底面５１４からの高さ位置が、二次巻線５２０ｂの側面に対応する位置とされている以外は、第２の実施形態と同様である。
つまり、図１３（ａ）、（ｂ）に図示されるように、温度センサ４００のセンサ部４１０は、二次巻線５２０ｂの外周側面に密着している。この状態で、温度センサ４００のセンサ部４１０は、温度センサ取付構造６５０の押付部６６０の復元力により二次巻線５２０ｂの外周側面に押し付けられている。
第３の実施形態における他の構成は、第２の実施形態と同一である。従って、第３の実施形態における第２の実施形態と同一の部材に、同一の符号を付して説明を省略する。
【００４０】
第３の実施形態においても、第１の実施形態の効果（１）〜（５）と同様な効果を奏する。但し、第１の実施形態におけるコア５１０ｂを二次巻線５２０ｂに置き換えて読むこととする。
【００４１】
なお、上記各実施形態では、押付部５６０、６６０は、樹脂により形成されている部材として例示した。しかし、押付部５６０、６６０は、ばね鋼等の弾性金属部材により形成してもよい。この構造は、弾性金属部材をボビン５３０にインサート成型すると効率的に作製することができる。
【００４２】
上記各実施形態では、トランス５００はＰＱコアを用いたものとして例示した。しかし、例えば、ＥＥコアやＥＩ等のＰＱコア以外のコアを用いるようにしてもよい。
【００４３】
上記実施形態におけるＤＣ−ＤＣコンバータ回路は一例であって、本発明は、他の回路構成を用いることを何ら制限するものではない。例えば、平滑回路部やフィルタ部は、他の回路構成としたり、適宜、省略したりすることができる。
【００４４】
上記では、種々の実施の形態および変形例を説明したが、本発明はこれらの内容に限定されるものではない。本発明の技術的思想の範囲内で考えられるその他の態様も本発明の範囲内に含まれる。
【符号の説明】
【００４５】
１００      ＤＣ−ＤＣコンバータ装置
２１０      高電圧側スイッチング回路（高電圧側回路部）
２２０      低電圧側整流回路（低電圧側回路部）
４００      温度センサ
５００      トランス
５１０ａ、５１０ｂ    コア
５２０ａ    一次巻線（巻線）
５２０ｂ    二次巻線（巻線）
５３０      ボビン
５６０、６６０      押付部
５６１、６６１      基部
５６２      ストッパ
５７０、６７０      押付部保持部（ガイド部）
５７１      支持部
５７２、６７２      側壁（ガイド部）
５７３、６７３    開口部（挿入用開口部）
６６２      先端部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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