(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
電極（３）と対電極（７）との間に配置された少なくとも１層の光活性層（５）を含んでなる光電子部品（１）であって、前記光活性層（５）は、少なくとも３種の材料と、供与体および／または受容体の結晶化する傾向に影響を及ぼすように構成される少なくとも１種の第３の材料とを含有する混合複数層を含んでなり、少なくとも１種の材料は小分子から構成される有機材料であり、少なくとも１種の材料は供与体であり、かつ少なくとも１種の材料は受容体であり、前記供与体および前記受容体は供与体−受容体系を形成し、少なくとも１種の第３の材料はアリールクラウンエーテル、ヘテロアリールクラウンエーテル、およびアリール−ヘテロアリールクラウンエーテルからなる群から選択される、光電子部品。
【請求項２】
少なくとも１種の第３の材料がクラウンエーテルを含み、
前記クラウンエーテルが、一般式（Ｉａ）または（Ｉｂ）
【化１】
0006329181.tif 000021

【化２】
0006329181.tif 000022

（式中、Ａｒ＝フェニル、ビフェニル、トリフェニル、ナフチル、ビナフチル、３〜６縮合フェニル環、アントラセニル、フェナントレニル、ピレニルであり、
Ｈｅｔａｒ＝チオフェン、ピロール、フラン、オキサゾール、チアゾール、オキサジアゾール、チアジアゾール、トリアゾール、ピリジン、ピリミジン、ピラジン、ベンゾチオフェン、ベンゾピロール、ベンゾフラン、ベンゾチオフェン、ベンゾピロール、ベンゾフラン、ベンゾキサゾール、ベンゾチアゾール、チエノチオフェン、チエノピロール、チエノフラン、３〜６縮合複素環、ジチエノチオフェン、ジチエノピロール、ジチエノベンゼン、ジチエノシクロペンタジエン、ジピロロベンゼンであり、
エーテル架橋は、特定のフェニル環（オルト、メタおよびパラ位）、ナフチル環、縮合フェニル環、ならびにヘテロアリール環および縮合ヘテロアリール環において１，２、１，３および１，４位で結合し、
ｍおよびｎは、それぞれ独立して、１、２、３、４、５、６であり、
ｏおよびｐは、それぞれ独立して、０、１、２、３、４、５、６である）からなる群から選択される、
または、
前記クラウンエーテルが、以下の一般式（ＩＩ）
【化５】
0006329181.tif 000023
（式中、Ａｒ＝フェニル、ビフェニル、トリフェニル、ナフチル、ビナフチル、３〜６縮合フェニル環（アントラセニル、フェナントレニル、ピレニル、．．．）であり、
Ｈｅｔａｒ＝チオフェン、ピロール、フラン、オキサゾール、チアゾール、オキサジアゾール、チアジアゾール、トリアゾール、ピリジン、ピリミジン、ピラジン、ベンゾチオフェン、ベンゾピロール、ベンゾフラン、ベンゾチオフェン、ベンゾピロール、ベンゾフラン、ベンゾキサゾール、ベンゾチアゾール、チエノチオフェン、チエノピロール、チエノフラン、３〜６縮合複素環、ジチエノチオフェン、ジチエノピロール、ジチエノベンゼン、ジチエノシクロペンタジエン、ジピロロベンゼンであり、
エーテル架橋は、特定のフェニル環（オルト、メタおよびパラ位）、ナフチル環、縮合フェニル環、ならびにヘテロアリール環および縮合ヘテロアリール環において１，２、１，３および１，４位で結合し、
ｍおよびｎは、それぞれ独立して、１、２、３、４、５、６であり、
ｐおよびｑは、それぞれ独立して、１、２、３、４、５、６である）を有することを特徴とする、請求項１に記載の光電子部品。
【請求項３】
前記第３の材料が、ＬＵＭＯの大きさ＜＝前記受容体のＬＵＭＯの大きさであり、かつＨＯＭＯの大きさ＞＝前記供与体のＨＯＭＯであるエネルギー準位を有することを特徴とする、請求項２に記載の光電子部品。
【請求項４】
前記第３の材料が、前記第３の材料のＬＵＭＯの大きさが、前記光活性層（５）の受容体材料のＬＵＭＯの大きさより０．３ｅＶ低く、かつ／または前記第３の材料のＨＯＭＯの大きさが、前記光活性層（５）の供与体材料のＨＯＭＯのエネルギー準位の大きさより０．３ｅＶ大きいエネルギー準位を有することを特徴とする、請求項２または３に記載の光電子部品。
【請求項５】
前記光活性層（５）中の前記第３の材料の割合が、０．１重量％＜ｘ＜３０重量％であることを特徴とする、請求項２〜４のいずれか一項に記載の光電子部品。
【請求項６】
前記光活性層（５）中の少なくとも１種の供与体材料がオリゴマーであることを特徴とする、請求項２〜５のいずれか一項に記載の光電子部品。
【請求項７】
前記第３の材料がオリゴマーであることを特徴とする、請求項２〜６のいずれか一項に記載の光電子部品。
【請求項８】
前記クラウンエーテルが、以下の構造
【化３】
0006329181.tif 000024
【化４】
0006329181.tif 000025
（式中、それぞれの場合において、ｎおよびｍは、それぞれ独立して、３、４および５から選択され、かつ
Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3、Ｒ4、Ｒ5、Ｒ6、Ｒ7、Ｒ8、Ｒ9、Ｒ10、Ｒ11およびＲ12は、それぞれ独立して、Ｈ、ＣＨ3、Ｃ2Ｈ5、Ｃ3Ｈ7、Ｃ4Ｈ9、Ｃ5Ｈ11、Ｃ6Ｈ13、イソブチル、ＣＦ3、Ｃ2Ｆ5、Ｃ3Ｆ7、Ｃ4Ｆ9、Ｃ5Ｆ11、Ｃ6Ｆ13、ＯＨ、Ｏ−ＣＨ3、ＣＨ2−Ｏ−ＣＨ3、ＣＨ2−Ｏ−ＣＨ2−ＣＨ3、ＣＮ、フェニル、チオフェンから選択される）を有する化合物であることを特徴とする、請求項１に記載の光電子部品。
【請求項９】
前記光電子部品（１）が有機ソーラーセルであることを特徴とする、請求項２〜８のいずれか一項に記載の光電子部品。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電極と対電極との間に配置された光活性層を有する光電子部品に関する。
【背景技術】
【０００２】
光電子部品、例えば、ソーラーセルまたはＬＥＤ、ＴＦＴなどは、今日では、広範囲にわたる使用が日常生活で、および産業界で見出されている。
【０００３】
例えば、可撓性構造を有し、したがって、湾曲した表面での配置が可能な薄膜ソーラーセルが既知である。この種類のソーラーセルは、好ましくは、非晶質シリコン（ａ−Ｓｉ）またはＣＩＧＳ（Ｃｕ（Ｉｎ，Ｇａ）（Ｓ，Ｓｅ）2）から構成される活性層を有する。
【０００４】
これらの薄膜ソーラーセルの特有の不都合な点は、材料によって生じる高い生産コストである。
【０００５】
また追加的に、可撓性構造を有する有機活性層を有するソーラーセルも既知である（Ｋｏｎａｒｋａ−Ｐｏｗｅｒ  Ｐｌａｓｔｉｃ  Ｓｅｒｉｅｓ）。有機活性層は、ポリマー（例えば、特許文献１）または小分子（例えば、特許文献２）から形成されてもよい。ポリマーは蒸発性ではなく、したがって、溶液から適用することができることがポリマーの特徴であるが、小分子は蒸発性である。
【０００６】
従来の無機ベースの部品（ケイ素、ヒ化ガリウムなどの半導体）に勝る、そのような有機ベースの部品の利点は、いくつかの光吸収係数が極めて高い（２×１０5ｃｍ-1まで）こと、したがって、低い材料必要条件およびエネルギー消費で、非常に薄いソーラーセルを製造することが可能であることである。さらなる技術的態様は、低コスト、プラスチック膜上で可撓性の大面積部品を製造する可能性、ならびに有機化学の実質的に無制限の変動選択および無制限の有効性である。さらなる利点は、例えば、ガラス用途で使用することができる透明部品を製造することが可能となる可能性である。
【０００７】
ソーラーセルは、光エネルギーを電気エネルギーに変換する。「光活性」という用語は、ソーラーセルの場合、光エネルギーから電気エネルギーへの変換を指す。無機ソーラーセルと対照的に、光は、有機ソーラーセルにおいて自由電荷担体を直接生じず、その代わりに、最初に励起子が形成され、すなわち、電気的に中性な励起状態（束縛電子−正孔対）である。第２のステップにおいてのみ、これらの励起子は自由電荷担体に分離され、これは次いで、電流の流れに寄与する。
【０００８】
文献においてすでに提案された有機ソーラーセルを実施する可能な様式は、以下の層構造を有するｐｉｎダイオードのものである：
０．担体、基板、
１．通常透明なベース接触、
２．ｐ層、
３．ｉ層、
４．ｎ層、
５．トップ接触。
【０００９】
この文脈において、ｎおよびｐは、それぞれ、熱平衡状態において自由電子または正孔の密度の増加を導くｎ−およびｐ−ドーピングを意味する。しかしながら、材料特性（例えば、異なる移動度）のため、未知の不純物（例えば、層製造の間の合成、分解または反応生成物から残存する残渣）、あるいは環境影響（例えば、隣接する層、金属または他の有機材料の内部拡散、周囲雰囲気からの気体ドーピング）のため、ｎ層およびｐ層が少なくとも部分的に名目上ドーピングされず、好ましくはｎ−導電性、または好ましくはｐ−導電性特性を有するのみであることが可能でもある。この文脈において、この種類の層は、主として輸送層であるとして考えられる。「ｉ層」という用語は、対照的に、名目上ドーピングされていない層（真性層）を指す。１層またはそれ以上のｉ層は、ここで、１種の材料または２種以上の材料の混合物（相互侵入ネットワークまたはバルクヘテロ接合と呼ばれるもの）のいずれかの層からなってもよい。透明なベース接触を通して入る入射光は、ｉ層で、またはｎ／ｐ層で励起子（束縛電子−正孔対）を生じる。これらの励起子は、非常に高い電界によってのみ、または適切な界面で分離することができる。有機ソーラーセルにおいては、十分に高い電界は利用できず、有機ソーラーセルのための全ての有望なデザインは、光活性界面における励起子分離をベースとする。励起子はそのような活性界面に拡散し、そこで、電子および正孔は互いから分離される。電子を受け取る材料は受容体と呼ばれ、正孔を受け取る材料は供与体と呼ばれる。分離界面は、ｐ（ｎ）層とｉ層との間にあってもよく、または２層のｉ層の間にあってもよい。ソーラーセルにおいて設置された電界において、次いで、電子はｐ領域に、正孔はｎ領域に輸送される。好ましくは、輸送層は、例えば、特許文献３に記載されるように、大きいバンドギャップ（ワイドギャップ）を有する、透明な、または実質的に透明な材料である。ワイドギャップ材料は、ここで、４５０ｎｍ未満、好ましくは４００ｎｍ未満の波長範囲で吸収最大を有する材料を指す。
【００１０】
ＬＵＭＯ準位またはＨＯＭＯ準位を調節する手段は、当業者に既知であり、ＨＯＭＯおよびＬＵＭＯのエネルギー準位の異なる位置を有する非常に多くの有機材料が既知である。調節は、したがって、ＨＯＭＯおよびＬＵＭＯのエネルギー準位の所望の位置を有する材料を選択して、使用することによって達成される。加えて、例えば、電子吸引基または電子供与基の組み込みによって、有機材料のＨＯＭＯおよびＬＵＭＯ準位を低下または増加させことが可能であり、したがって、材料を必要条件に従って調節することが可能となる。
【００１１】
光は常に最初に励起子を生じ、まだいずれの自由電荷担体も生じないため、活性界面への励起子の低再結合拡散は、有機ソーラーセルにおいて重要な役割を演じる。
【００１２】
ｉ層が混合層である場合、光吸収の機能は、１つの部品のみ、または両方によると仮定される。混合層の利点は、生じた励起子が、それらが分離されるドメイン境界線に達する前に、非常に短い距離のみをカバーしなければならないということである。電子および正孔は、それぞれの材料へと別々に輸送される。材料が混合層を通して接触しているため、この概念の場合、別々の電荷は、特定の材料において長い寿命を有し、連続的なパーコレーションパスが、いずれの点からもそれぞれの接触まで、両電荷担体型のために存在することが重要である。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１３】
【特許文献１】米国特許第７８２５３２６Ｂ２号明細書
【特許文献２】欧州特許出願公開第２３８５５５６Ａ１号明細書
【特許文献３】国際公開第２００４／０８３９５８号パンフレット
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１４】
現在までのところ、小分子の分野において、吸収剤層の厚さは、約３０〜４０ｎｍ（最良の場合で６０ｎｍ）に限定されているが、ところが、ポリマー分野においては、良好なフィルファクター（ＦＦ）（６０％より高い）を維持しながら、２００ｎｍまでが可能である。その理由は、ポリマーとは対照的に、鎖上での輸送がないため、ＳＭ−ＯＰＶ（小分子を含んでなる有機ソーラーセル）の電荷担体のより乏しい輸送である。小分子を含んでなる有機ソーラーセルの分野において、課題は、現在までのところ、なおより高い透過係数によって解決されており（溶液中で１００，０００まで、またはより高い）、これは、良好なＦＦと組み合わせて、良好な効率を導いた。しかしながら、シアニン極限のため、これは無限の改善が可能でない。したがって、それによって、量子収量を増加させるために、混合供与体−受容体層（バルクヘテロ接合、ＢＨＪと呼ばれる）をより厚く製造することができる解決策が求められている。
【課題を解決するための手段】
【００１５】
本発明の目的は、光電子部品、および改善された量子収量を有する光電子部品を製造する方法を明示することである。
【００１６】
この目的は、請求項１において請求される光電子部品によって達成される。有利な形態は、従属請求項において明示される。
【００１７】
光活性層の層厚の増加を通して、量子収量の増加を達成することが可能である。しかしながら、ここでの課題は、オリゴマー単位のねじれ（ｔｏｒｓｉｏｎ）の発生および過度の結晶化であり、これはしばしば短絡を生じる。
【００１８】
したがって、本発明によって、少なくとも１層の光活性層を含んでなる光電子部品であって、光活性層は、供与体および／または受容体の結晶化する傾向に影響を及ぼすように構成される少なくとも１種の第３の材料とともに、少なくとも３種の材料を含有する混合複数層を含んでなり、少なくとも１種の有機材料は小分子から構成され、少なくとも１種の材料は供与体であり、かつ少なくとも１種の材料は受容体であり、供与体および受容体は供与体−受容体系を形成する、光電子部品が提案される。
【００１９】
本発明の文脈において、小分子は、１００〜２０００の単分散モル質量を有する非ポリマー有機分子であって、標準圧力（周囲雰囲気の気圧）下および室温において固相にあるものを意味するものとして理解される。より詳しくは、これらの小分子は光活性であってもよい。「光活性」とは、エネルギーが供給される時に分子の電荷状態が変化することを意味するものとして理解される。エネルギー供給とは、光エネルギー供給、例えば、可視光または紫外線、または電気エネルギー供給を意味するものとして理解される。
【００２０】
本発明の一実施形態において、第３の材料は、ＬＵＭＯの大きさ＜＝受容体のＬＵＭＯであり、かつＨＯＭＯの大きさ＞＝供与体のＨＯＭＯであるエネルギー準位を有する。第３の材料のＨＯＭＯとＬＵＭＯとの間の差異は、したがって、図３０の通り、供与体のＨＯＭＯと受容体のＬＵＭＯとの間の差異より大きいか、または少なくとも等しい。
【００２１】
「ＨＯＭＯ」および「ＬＵＭＯ」という用語は、通常、化学において、最高被占軌道および最低空軌道を意味するものとして理解される。用語は、個々の分子、および固体または材料膜の両方に関する。ＨＯＭＯおよびＬＵＭＯのエネルギー準位は、当業者に既知の方法で、例えば、サイクリックボルタンメトリー（ＣＶ）または紫外線光電子分光法（ＵＰＳ）によって決定することができる。
【００２２】
本発明のさらなる実施形態において、第３の材料は、第３の材料のＬＵＭＯの大きさが、光活性層の受容体材料のＬＵＭＯより好ましくは０．３ｅＶ低く、かつ／または第３の材料のＨＯＭＯの大きさが、光活性層の供与体材料のＨＯＭＯのエネルギー準位の大きさより０．３ｅＶ高いエネルギー準位を有する。
【００２３】
本発明のさらなる実施形態において、光活性層中の第３の材料の割合は、１０％未満である。
【００２４】
本発明のさらなる実施形態において、光活性層中の第３の材料の割合は、１０％〜５０％である。
【００２５】
本発明のさらなる実施形態において、光活性層中の第３の材料の割合は、０．１重量％＜ｘ＜３０重量％、好ましくは、０．１重量％＜ｘ＜２０重量％、より好ましくは、０．１重量％＜ｘ＜１０重量％である。
【００２６】
本発明のさらなる実施形態において、第３の材料は、光活性層内で同時に電荷輸送を改善する。
【００２７】
本発明のさらなる実施形態において、光活性層中の少なくとも１種の供与体材料はオリゴマーである。
【００２８】
本発明の文脈において、オリゴマーは、１００〜２０００の単分散モル質量を有し、かつ標準圧力（周囲雰囲気の気圧）下および室温において固相にある非ポリマー有機分子を意味するものとして理解される。
【００２９】
本発明のさらなる実施形態において、光活性層の少なくとも１種の供与体材料Ｄ１はオリゴマーであり、供与体材料Ｄ１のＨＯＭＯの大きさは、第３の材料のＨＯＭＯの大きさに等しく、かつ供与体材料Ｄ１のＬＵＭＯの大きさは、第３の材料のＬＵＭＯの大きさに等しい。
【００３０】
本発明のさらなる実施形態において、第３の材料はオリゴマーである。
【００３１】
本発明のさらなる実施形態において、第３の材料は、供与体および／または受容体の結晶化を防ぐように構成される。同時に、第３の材料は、正孔導体、電子導体または両極性輸送材料でもよく、後者は、例えば、電子および正孔導体の混合物でもよい。
【００３２】
本発明のさらなる実施形態において、第３の材料は、その分子構造のため、供与体および／または受容体相の結晶化を最小化する。供与体および受容体のより良好な混合によって、より多くの励起子が、分離している界面に達して、電荷担体へと分離され、したがって、電流に寄与することが可能である。
【００３３】
本発明のさらなる実施形態において、第３の材料の分子構造は、供与体材料Ｄ１の分子構造と実質的に同様であり、その結果、第３の材料は、供与体材料Ｄ１の格子欠陥として作用し、供与体材料Ｄ１は、純粋な相として有意に結晶化しない。
【００３４】
格子欠陥（また、格子不完全性または結晶欠陥）は、その他の場合には周期的な結晶格子のいずれかの不規則性を指す。格子不完全性の存在は、理想結晶の理論モデルから実際の結晶を識別する。格子不完全性は、結晶の多くの特性に関して、特に化学反応性、結晶中の質量移動および拡散、ならびにその機械的特性に関して、基本的な重要性である。格子欠陥は、欠陥領域の空間的な範囲に関して分類される。格子欠陥が２以上の原子範囲を有する空間的な寸法の数が識別される。このように、ゼロから三次元格子欠陥が識別される。
【００３５】
本発明の一実施形態において、第３の材料の分子構造は、第３の材料が供与体および／または受容体材料において格子欠陥を生じるように構成される。
【００３６】
本発明の一実施形態において、第３の材料の分子構造は、受容体材料Ａ１の構造と実質的に同様であり、その結果、第３の材料は、受容体材料Ａ１の格子欠陥として作用し、受容体材料Ａ１は、純粋な相として有意に結晶化しない。
【００３７】
本発明のさらなる実施形態において、第３の材料は、供与体材料および／または受容体材料の結晶化が改善されるように構成される。この場合、第３の材料は相分離を確実にし、したがって、より連続的な伝導経路を作成することによって、個々の相における電荷輸送を改善する。改善された相分離は、例えば、第３の材料を用いなかったものと比較して、三重混合層におけるフォトルミネセンスシグナルの低下によって実証することができる。
【００３８】
本発明のさらなる実施形態において、第３の材料は、第３の材料が受容体と供与体との間での最小分離を確立し、第３の材料が、同時に、受容体および供与体の相分離に寄与するように選択される。したがって、「ジェミナル（ｇｅｍｉｎａｌ）再結合」の問題を低下することができる。
【００３９】
本発明の文脈において、ジェミナル再結合は、すでに分離された電荷担体の互いとの再結合を意味するものとして理解される。
【００４０】
本発明のさらなる実施形態において、第３の材料は、その分子構造において、フラーレン親和性であるように構成される第１の領域およびフラーレン疎性であるように構成される第２の領域を有し、第１および第２の領域は空間的に分離されて構成される。
【００４１】
本発明の文脈において、フラーレン親和性とは、フラーレン（Ｃ60、Ｃ70など）に近づくことを好む分子構造または分子構造の少なくとも一部分を意味するものとして理解される。
【００４２】
本発明の文脈において、フラーレン疎性とは、フラーレン（Ｃ60、Ｃ70など）から離れることを好む分子構造または分子構造の少なくとも一部分を意味するものとして理解される。
【００４３】
本発明のさらなる実施形態において、光電子部品は、電極と対電極との間で２層以上の光活性層を有する。この部品は、例えば、タンデムセルまたはトリプルセルの形態をとってもよい。入射光が部品内でいくつかの光活性層を通過するため、これは特に有利である。特に有利には、異なる吸収最大を有する様々な吸収剤層が互いに適合する。これは、入射光の効率的な利用を可能にする。
【００４４】
本発明のさらなる実施形態において、光活性層の少なくとも１層は、受容体として、フラーレンまたはフラーレン誘導体の群からの材料を含んでなる。
【００４５】
本発明のさらなる実施形態において、少なくとも１層のドーピングされたか、または部分的にドーピングされたか、またはドーピングされていない輸送層が、電極と対電極との間に配置される。
【００４６】
本発明のさらなる実施形態において、光電子部品は、特定の光波長範囲内で少なくとも半透明である。
【００４７】
本発明のさらなる実施形態において、光電子部品は、有機ソーラーセルである。
【００４８】
本発明のさらなる実施形態において、この部品は、ｐｉｎシングル、ｐｉｎタンデムセル、ｐｉｎマルチプルセル、ｎｉｐシングルセル、ｎｉｐタンデムセルまたはｎｉｐマルチプルセルである。
【００４９】
本発明のさらなる実施形態において、この部品は、ｎｉｐ、ｎｉ、ｉｐ、ｐｎｉｐ、ｐｎｉ、ｐｉｐ、ｎｉｐｎ、ｎｉｎ、ｉｐｎ、ｐｎｉｐｎ、ｐｎｉｎまたはｐｉｐｎ構造の組み合わせからなり、ここでは、少なくとも１層のｉ層を含有する複数の独立した組み合わせが積み重なる。
【００５０】
本発明のさらなる実施形態において、第３の材料は、クラウンエーテル、トリフェニル、ソルビトール、キナクリドン、ビス（４−（ｔｅｒｔ−ブチル）ベンゾエート−Ｏ）ヒドロキシアルミニウムからなる群から選択される。
【００５１】
本発明のさらなる実施形態において、第３の材料として、一般式（ＩａおよびＩｂ）のクラウンエーテルが選択される。
【００５２】
【化１】
0006329181.tif 000002
【００５３】
【化２】
0006329181.tif 000003
（式中、Ａｒ＝フェニル、ビフェニル、トリフェニル、ナフチル、ビナフチル、３〜６縮合フェニル環（例えばアントラセニル、フェナントレニル、ピレニル）であり、
Ｈｅｔａｒ＝チオフェン、ピロール、フラン、オキサゾール、チアゾール、オキサジアゾール、チアジアゾール、トリアゾール、ピリジン、ピリミジン、ピラジン、ベンゾチオフェン、ベンゾピロール、ベンゾフラン、ベンゾチオフェン、ベンゾピロール、ベンゾフラン、ベンゾキサゾール、ベンゾチアゾール、チエノチオフェン、チエノピロール、チエノフラン、３〜６縮合複素環、ジチエノチオフェン、ジチエノピロール、ジチエノベンゼン、ジチエノシクロペンタジエン、ジピロロベンゼンであり、
エーテル架橋は、特定のフェニル環（オルト、メタおよびパラ位）、ナフチル環、縮合フェニル環、ならびにヘテロアリール環および縮合ヘテロアリール環において１，２、１，３および１，４位で結合し、
ｍおよびｎは、それぞれ独立して、１、２、３、４、５、６であり、
ｏおよびｐは、それぞれ独立して、０、１、２、３、４、５、６である）
【００５４】
より詳しくは、ジベンゾクラウンエーテルおよびジナフトクラウンエーテル、ならびに混合ベンゾ／ナフトクラウンエーテルが使用される。以下の構造を有する化合物が好ましい。
【００５５】
【化３】
0006329181.tif 000004
【００５６】
【化４】
0006329181.tif 000005
（式中、それぞれの場合において、ｎおよびｍは、それぞれ独立して、３、４および５から選択され、かつ
Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3、Ｒ4、Ｒ5、Ｒ6、Ｒ7、Ｒ8、Ｒ9、Ｒ10、Ｒ11およびＲ12は、それぞれ独立して、Ｈ、ＣＨ3、Ｃ2Ｈ5、Ｃ3Ｈ7、Ｃ4Ｈ9、Ｃ5Ｈ11、Ｃ6Ｈ13、イソブチル、ＣＦ3、Ｃ2Ｆ5、Ｃ3Ｆ7、Ｃ4Ｆ9、Ｃ5Ｆ11、Ｃ6Ｆ13、ＯＨ、Ｏ−ＣＨ3、ＣＨ2−Ｏ−ＣＨ3、ＣＨ2−Ｏ−ＣＨ2−ＣＨ3、ＣＮ、フェニル、チオフェンから選択される）
【００５７】
本発明の一実施形態において、クラウンエーテルは、以下の一般式（ＩＩ）：
【００５８】
【化５】
0006329181.tif 000006
（式中、Ａｒ＝フェニル、ナフチル、ビフェニル、トリフェニル、ナフチル、ビナフチル、３〜６縮合フェニル環、アントラセニル、フェナントレニル、ピレニルであり、
Ｈｅｔａｒ＝チオフェン、ピロール、フラン、チエノチオフェン、オキサゾール、チアゾール、オキサジアゾール、チアジアゾール、トリアゾール、ピリジン、ピリミジン、ピラジン、ベンゾチオフェン、ベンゾピロール、ベンゾフラン、ベンゾチオフェン、ベンゾピロール、ベンゾフラン、ベンゾキサゾール、ベンゾチアゾール、チエノチオフェン、チエノピロール、チエノフラン、３〜６縮合複素環、ジチエノチオフェン、ジチエノピロール、ジチエノベンゼン、ジチエノシクロペンタジエン、ジピロロベンゼンであり、
エーテル架橋は、特定のフェニル環（オルト、メタおよびパラ位）、ナフチル環、縮合フェニル環、ならびにヘテロアリール環および縮合ヘテロアリール環において１，２、１，３および１，４位で結合し、
ｍおよびｎは、それぞれ独立して、１、２、３、４、５、６であり、
ｐおよびｑは、それぞれ独立して、１、２、３、４、５、６である）を有する。
【００５９】
以下の構造を有する化合物が特に好ましい。
【００６０】
【化６】
0006329181.tif 000007
【００６１】
【化７】
0006329181.tif 000008
【００６２】
【化８】
0006329181.tif 000009
【００６３】
【化９】
0006329181.tif 000010
【００６４】
【化１０】
0006329181.tif 000011
【００６５】
【化１１】
0006329181.tif 000012
【００６６】
本発明の一実施形態において、クラウンエーテルは、アリールおよびヘテロアリールクラウンエーテル、ならびに縮合アリールおよび縮合ヘテロアリールクラウンエーテル、好ましくは、ジアリールおよびジヘテロアリールクラウンエーテル、ならびに混合アリールおよびヘテロアリールクラウンエーテル、より好ましくは、ジベンゾ−クラウンエーテル、ジナフト−クラウンエーテルおよび混合ベンゾ−ナフト−クラウンエーテルからなる群から選択される。アリールクラウンエーテルは、少なくとも１つのアリール基からなるが、二環式、三環式および多環式芳香族ヒドロカルビル基を有してもよい。その中のアリールベース骨格の２つの炭素原子は結合し、モノエトキシ、ジエトキシ、トリエトキシ、テトラエトキシ、ペンタエトキシおよびヘキサエトキシ基と一緒に環を形成する。縮合アリールクラウンエーテルは、少なくとも１つの二環式芳香族ヒドロカルビル基からなるが、三環式および多環式芳香族ヒドロカルビル基を有してもよい。その中の縮合ベース骨格の２つの炭素原子は結合し、モノエトキシ、ジエトキシ、トリエトキシ、テトラエトキシ、ペンタエトキシおよびヘキサエトキシ基と一緒に環を形成する。縮合ヘテロアリールクラウンエーテルは、それに縮合した少なくとも１つのベンゼン環またはさらなるヘテロアリール環を有する少なくとも１つのヘテロアリール環からなるが、三環式および多環式複素環式芳香族ヒドロカルビル基を有してもよい。その中の縮合ベース骨格の２つの炭素原子は結合し、モノエトキシ、ジエトキシ、トリエトキシ、テトラエトキシ、ペンタエトキシおよびヘキサエトキシ基と一緒に環を形成する。ジアリールクラウンエーテルは、クラウンの形態でアルコキシ架橋を介して互いに結合する２つの非縮合（分離）アリール基からなる。これらのアルコキシ単位は、１〜６個のエトキシ基からなる。縮合ジアリールクラウンエーテルは、クラウンの形態で２つのアルコキシ架橋を介して互いに結合する２つの縮合アリール基からなる。これらのアルコキシ単位は、１〜６個のエトキシ基からなる。縮合ジヘテロアリールクラウンエーテルは、クラウンの形態で２つのアルコキシ架橋を介して互いに結合する２つの縮合ヘテロアリール基からなる。これらのアルコキシ単位は、１〜６個のエトキシ基からなる。アリールヘテロアリールクラウンエーテルは、クラウンの形態で２つのアルコキシ架橋を介して互いに結合するアリール基およびヘテロアリール基の両方からなる。これらのアルコキシ単位は、１〜６個のエトキシ基からなる。
【００６７】
本発明のさらなる実施形態において、第３の材料はソルビトールである。以下の構造を有する化合物が好ましい。
【００６８】
【化１２】
0006329181.tif 000013
（式中、Ｒ１およびＲ２は、それぞれ独立して、Ｈ、ＣＨ3、Ｃ2Ｈ5、および
【００６９】
【化１３】
0006329181.tif 000014
から選択される）
本発明のさらなる実施形態において、第３の材料はキナクリドンである。以下の構造を有する化合物が好ましい。
【００７０】
【化１４】
0006329181.tif 000015
本発明のさらなる実施形態において、第３の材料は、以下の構造を有するビス（４−ｔｅｒｔ−ブチル）ベンゾエート−Ｏ）ヒドロキシアルミニウムである。
【００７１】
【化１５】
0006329181.tif 000016
本発明のさらなる実施形態において、第３の材料は、以下の構造を有するトリフェニルである。
【００７２】
【化１６】
0006329181.tif 000017
（式中、Ｒ１〜Ｒ６は、それぞれ独立して、Ｈ、ＯＨ、ＯＣＨ3、ＯＯＣＨ3から選択され、少なくとも３つの酸素は、分子で存在する）
以下の構造を有する化合物が好ましい。
【００７３】
【化１７】
0006329181.tif 000018
【００７４】
本発明の好ましい展開形態は、請求項またはそれの個々の特徴の組み合わせから明白である。
【００７５】
本発明を、いくつかの実施例および図面を参照して、以下に詳細に例示する。実施例は、本発明を限定することなく、本発明を説明するように意図される。
【図面の簡単な説明】
【００７６】
【図１】本発明の部品の概略図。
【図２】光活性層に２種の材料を有する比較部品の電流−電圧特徴。
【図３】図２に示すものと同一の層構造を有するが、第３の材料として化合物（Ｉ）を使用して、３種の材料が光活性層に存在する部品の電流−電圧特徴。
【図４】光活性層に２種の材料を有する比較部品の電流−電圧特徴。
【図５】図４に示すものと同一の層構造を有するが、第３の材料として化合物（Ｉ）を使用して、３種の材料が光活性層に存在する部品の電流−電圧特徴。
【図６】光活性層に２種の材料を有する比較部品の電流−電圧特徴。
【図７】図６に示すものと同一の層構造を有するが、第３の材料として化合物（Ｉ）を使用して、３種の材料が光活性層に存在する部品の電流−電圧特徴。
【図８】光活性層に２種の材料を有する比較部品の電流−電圧特徴。
【図９】図８に示すものと同一の層構造を有するが、第３の材料として化合物（ＩＩ）を使用して、３種の材料が光活性層に存在する部品の電流−電圧特徴。
【図１０】光活性層に２種の材料を有する比較部品の電流−電圧特徴。
【図１１】図１０に示すものと同一の層構造を有するが、第３の材料として化合物（Ｖ）を使用して、３種の材料が光活性層に存在する部品の電流−電圧特徴。
【図１２】光活性層に２種の材料を有する比較部品の電流−電圧特徴。
【図１３】図１２に示すものと同一の層構造を有するが、第３の材料として化合物（ＶＩ）を使用して、３種の材料が光活性層に存在する部品の電流−電圧特徴。
【図１４】基板温度７０℃で析出された、光活性層に２種の材料を有する比較部品の電流−電圧特徴。
【図１５】図１４に示すものと同一の層構造を有するが、第３の材料として化合物（ＩＩＩ）を使用して、３種の材料が光活性層に存在し、かつ室温で析出された部品の電流−電圧特徴。
【図１６】基板温度７０℃で析出された、光活性層に２種の材料を有する比較部品の電流−電圧特徴。
【図１７】図１６に示すものと同一の層構造を有するが、第３の材料として化合物（Ｉ）を使用して、３種の材料が光活性層に存在し、かつ室温で析出された部品の電流−電圧特徴。
【図１８】基板温度７０℃で析出された、光活性層に２種の材料を有する比較部品の電流−電圧特徴。
【図１９】図１８に示すものと同一の層構造を有するが、第３の材料として化合物（ＶＩ）を使用して、３種の材料が光活性層に存在し、かつ室温で析出された部品の電流−電圧特徴。
【図２０】光活性層に２種の材料を有する比較部品の電流−電圧特徴。
【図２１】光活性層に２種の材料を有する比較部品の外部量子効率の表示。
【図２２】日射の関数としての、光活性層に２種の材料を有する比較部品のフィルファクター特徴および開回路電圧の表示。
【図２３】光活性層に３種の材料を有する部品の電流−電圧特徴。
【図２４】光活性層に３種の材料を有する部品の外部量子効率の表示。
【図２５】日射の関数としての、光活性層に３種の材料を有する本発明の部品のフィルファクター特徴および開回路電圧の表示。
【図２６】光活性層に２種の材料を有する比較部品の電流−電圧特徴。
【図２７】光活性層に２種の材料を有する比較部品の外部量子効率の表示。
【図２８】光活性層に３種の材料を有する本発明の部品の電流−電圧特徴。
【図２９】光活性層に３種の材料を有する部品の外部量子効率の表示。
【図３０】３種の材料によるエネルギースキームの概略図。
【発明を実施するための形態】
【００７７】
本発明の実施例において、図１は、例証として、無機ソーラーセルとして実施される部品１の概略図を示す。膜のように、部品１は、可撓性の様式で、例えば膜として好ましくは実施される透明基板２上で配置される。金属、導電性酸化物、特にＩＴＯ、ＺｎＯ：Ａｌまたは他のＴＣＯ、あるいは導電性ポリマー、例えば、ＰＥＤＯＴ：ＰＳＳまたはＰＡＮＩから実施される電極３は、基板２上に配置される。電極３上に、例えば、電子または正孔輸送層として実施される電荷担体輸送層４が配置される。この電荷担体輸送層４上に、一緒に供与体−受容体系を形成する少なくとも１種の供与体材料および１種の受容体材料を含んでなる光活性層５が配置される。加えて、光活性層は、０．１重量％＜ｘ＜１０重量％の割合を有する第３の材料を含んでなる。この第３の材料は、クラウンエーテル、トリフェニル、ソルビトール、キナクリドン、ビス（４−（ｔｅｒｔ−ブチル）ベンゾエート−Ｏ）ヒドロキシアルミニウムからなる群から選択される。光活性層５上に、さらなる電荷担体輸送層６が配置される。この電荷担体輸送層６は、同様に電子または正孔トランスポート層の形態であり、電荷担体輸送層６は、電荷担体輸送層４と相補的であるように構成される。この電荷担体輸送層６の上に、例えば金属、例えばＡｌから形成される対電極７が配置される。
【００７８】
第２の実施例において、本発明の部品１は、供与体材料Ｄ１および受容体材料Ａ１が供与体−受容体系を形成する３種の材料を含んでなる光活性層５を有する。供与体材料Ｄ１は、例えば、フタロシアニン、ペリレン誘導体、ＴＰＤ誘導体、オリゴチオフェン、あるいは国際公開第２００６０９２１３４Ａ１号パンフレット、国際公開第２０１１１６１２６２号パンフレットまたは国際公開第２０１１１６１１７０Ａ１号パンフレットに開示する材料の種類からの材料である。受容体材料Ａ１は、例えば、フラーレンまたはフラーレン誘導体（Ｃ60、Ｃ70など）である。光活性層５は、さらなる供与体材料Ｄ２の形態の第３の材料をさらに含んでなる。第３の材料Ｄ２は、供与体材料Ｄ１の結晶する傾向に影響を及ぼす。別の形態において、第３の材料は、受容体材料Ａ１の結晶する傾向に影響を及ぼす受容体材料Ａ２である。
【００７９】
さらなる実施例において、光活性成分１は、例えば、以下の構造：
ＩＴＯ／Ｃ６０／光活性混合層／ＢＰＡＰＦ（９，９−ビス［４−［Ｎ，Ｎ−ビス（ビフェニル−４−イル）アミノ］フェニル］−９Ｈ−フルオレン）／ＢＰＡＰＦ：ＮＤＰ９／ＮＤＰ９／Ａｕ
を有し、光活性混合層は、第３の材料として、７％より多い添加で、以下の化合物の１種を含んでなる。
【００８０】
【化１８】
0006329181.tif 000019
【００８１】
【化１９】
0006329181.tif 000020
【００８２】
さらなる実施例において、図２および３は、グラフの形態の、供与体−受容体系による、３０ｎｍの層厚さを有する光活性層５を有する部品１に関する試験結果を示す。光活性層５は、７０℃の基板温度で析出された。図２は、供与体−受容体系による部品１の電流−電圧特徴を示し、図３は、供与体−受容体系および化合物（Ｉ）を含んでなる光活性層による部品の電流−電圧特徴を示す。部品の光活性層５は、ここでは、化合物（Ｉ）の添加のみに関して異なる。この場合、化合物（Ｉ）の添加によって引き起こされる４６％から５８．６％へのフィルファクター（ＦＦ）の上昇が見られる。
【００８３】
第３の材料の添加は、発生する電流に対する有意な影響を有することは、フィルファクター（ＦＦ）の比較から推測することができる。
【００８４】
さらなる実施例において、図４および５は、グラフの形態の、異なる供与体−受容体系による、３０ｎｍの層厚さを有する光活性層５を有する部品１に関する試験結果を示す。光活性層５は、７０℃の基板温度で析出された。図４は、供与体−受容体系による部品１の電流−電圧特徴を示し、図５は、供与体−受容体系および化合物（Ｉ）を含んでなる光活性層による部品の電流−電圧特徴を示す。部品の光活性層５は、ここでは、化合物（Ｉ）の添加のみに関して異なる。この場合、化合物（Ｉ）の添加によって引き起こされる４８．８％から６５．７％へのフィルファクター（ＦＦ）の上昇が見られる。
【００８５】
さらなる実施例において、図６および７は、グラフの形態の、第３の供与体−受容体系による、３０ｎｍの層厚さを有する光活性層５を有する部品１に関する試験結果を示す。光活性層５は、７０℃の基板温度で析出された。図６は、供与体−受容体系による部品１の電流−電圧特徴を示し、図７は、供与体−受容体系および化合物（Ｉ）を含んでなる光活性層による部品の電流−電圧特徴を示す。部品の光活性層５は、ここでは、化合物（Ｉ）の添加のみに関して異なる。この場合、化合物（Ｉ）の添加によって引き起こされる５０．７％から６２．７％へのフィルファクター（ＦＦ）の上昇が見られる。
【００８６】
さらなる実施例において、図８および９は、グラフの形態の、供与体−受容体系による、３０ｎｍの層厚さを有する光活性層５を有する部品１に関する試験結果を示す。光活性層５は、７０℃の基板温度で析出された。図８は、供与体−受容体系による部品１の電流−電圧特徴を示し、図９は、供与体−受容体系および化合物（ＩＩ）を含んでなる光活性層による部品の電流−電圧特徴を示す。部品の光活性層５は、ここでは、化合物（ＩＩ）の添加のみに関して異なる。この場合、化合物（ＩＩ）の添加によって引き起こされる４６％から５０．６％へのフィルファクター（ＦＦ）の上昇が見られる。
【００８７】
さらなる実施例において、図１０および１１は、グラフの形態の、さらなる供与体−受容体系による、３０ｎｍの層厚さを有する光活性層５を有する部品１に関する試験結果を示す。光活性層５は、７０℃の基板温度で析出された。図１０は、供与体−受容体系による部品１の電流−電圧特徴を示し、図１１は、供与体−受容体系および化合物（Ｖ）を含んでなる光活性層による部品の電流−電圧特徴を示す。部品の光活性層５は、ここでは、化合物（Ｖ）の添加のみに関して異なる。この場合、化合物（Ｖ）の添加によって引き起こされる４８．８％から６０．２％へのフィルファクター（ＦＦ）の上昇が見られる。
【００８８】
さらなる実施例において、図１２および１３は、グラフの形態の、供与体−受容体系による、３０ｎｍの層厚さを有する光活性層５を有するさらなる部品１に関する試験結果を示す。光活性層５は、７０℃の基板温度で析出された。図１２は、供与体−受容体系による部品１の電流−電圧特徴を示し、図１３は、供与体−受容体系および化合物（ＶＩ）を含んでなる光活性層による部品の電流−電圧特徴を示す。部品の光活性層５は、ここでは、化合物（ＶＩ）の添加のみに関して異なる。この場合、化合物（ＶＩ）の添加によって引き起こされる４８．８％から６０．３％へのフィルファクター（ＦＦ）の上昇が見られる。
【００８９】
さらなる実施例において、図１４および１５は、グラフの形態の、供与体−受容体系による、３０ｎｍの層厚さを有する光活性層５を有するさらなる部品１に関する試験結果を示す。光活性層５は、７０℃の基板温度で析出された。図１４は、供与体−受容体系による部品１の電流−電圧特徴を示し、図１５は、供与体−受容体系および化合物（ＩＩＩ）を含んでなる光活性層による部品の電流−電圧特徴を示す。部品の光活性層５は、ここでは、化合物（ＩＩＩ）の添加のみに関して異なる。この場合、化合物（ＩＩＩ）の添加によって引き起こされる６０．０％から６５．２％へのフィルファクター（ＦＦ）の上昇が見られる。
【００９０】
さらなる実施例において、図１６および１７は、グラフの形態の、供与体−受容体系による、３０ｎｍの層厚さを有する光活性層５を有する部品１に関する試験結果を示す。光活性層５は、図１６の場合、７０℃、および図１７の場合、室温の基板温度で析出された。図１６は、供与体−受容体系による部品１の電流−電圧特徴を示し、図１７は、供与体−受容体系および化合物（Ｉ）を含んでなる光活性層による部品の電流−電圧特徴を示す。部品の光活性層５は、ここでは、化合物（Ｉ）の添加および光活性層５の析出における基板温度に関して異なる。この場合、フィルファクターは、６４％（図１６）および６３．６％（図１７）で実質的に同じであることが見出される。したがって、化合物（Ｉ）の添加を通して、添加なしで加熱された基板の場合のように、より低い基板温度で同様のフィルファクターを達成することが可能である。したがって、添加を通して、析出においてより単純化された条件を達成することが可能である。
【００９１】
さらなる実施例において、図１８および１９は、グラフの形態の、供与体−受容体系による、３０ｎｍの層厚さを有する光活性層５を有する部品１に関する試験結果を示す。光活性層５は、図１８の場合および図１９の場合、室温の基板温度で析出された。図１８は、供与体−受容体系による部品１の電流−電圧特徴を示し、図１９は、供与体−受容体系および化合物（ＶＩ）を含んでなる光活性層による部品の電流−電圧特徴を示す。部品の光活性層５は、ここでは、化合物（ＶＩ）の添加および光活性層５の析出における基板温度に関して異なる。この場合、５５．１％（図１８）および６０．９％（図１９）におけるフィルファクターは、化合物（ＶＩ）の添加によって増加することが見出される。
【００９２】
さらなる実施例において、本発明の部品１は、供与体材料Ｄ１および受容体材料Ａ１が供与体−受容体系を形成する３種の材料を含んでなる光活性層５を有する。供与体材料Ｄ１は、例えば、フタロシアニン、ペリレン誘導体、ＴＰＤ誘導体、オリゴチオフェン、あるいは国際公開第２００６０９２１３４Ａ１号パンフレット、国際公開第２０１１１６１２６２号パンフレットまたは国際公開第２０１１１６１１７０Ａ１号パンフレットに開示する材料の種類からの材料である。受容体材料Ａ１は、例えば、フラーレンまたはフラーレン誘導体（Ｃ６０、Ｃ７０など）である。光活性層５は、さらなる供与体材料Ｄ２の形態の第３の材料をさらに含んでなる。第３の材料Ｄ２は、供与体材料Ｄ１の結晶する傾向に影響を及ぼす。別の形態において、第３の材料は、受容体材料Ａ１の結晶する傾向に影響を及ぼす受容体材料Ａ２である。
【００９３】
さらなる実施例において、図２０〜２２は、グラフの形態の、供与体−受容体系による、２０ｎｍ（１１）または３０ｎｍ（１２）の層厚さを有する光活性層５を有する部品１に関する試験結果を示す。図２０は、部品１の電流−電圧特徴を示し、図２１は、外部量子効率の表示であり、図２２は、放射照度に対するフィルファクター（ＦＦ）および開回路電圧（Ｕoc）のプロットである。
【００９４】
さらなる実施例において、図２３〜２５は、グラフの形態の、第３の材料としてさらなる供与体Ｄ２を有する供与体−受容体系による、２０ｎｍ（１３）または３０ｎｍ（１４）の層厚さを有し、かつそれぞれの場合において、１：１：１の比率で添加された、光活性層５を有する部品１に関する試験結果を示す。図２３は、本発明の部品１の電流−電圧特徴を示し、図２４は、外部量子効率の表示であり、図２５は、放射照度に対するフィルファクター（ＦＦ）および開回路電圧（Ｕoc）のプロットである。
【００９５】
フィルファクター（ＦＦ）および発生した電流の特徴的な値の比較から、第３の材料の添加は、発生した電流に対する有意な影響を有することを推測することができる。特に、図２１および図２４の比較によって、外部量子効率に対する第３の材料の影響が示され、これは図２１と比較して、図２４においてより多く記録される。
【００９６】
さらなる実施例において、図２６および図２７は、グラフの形態の、供与体−受容体系による、２０ｎｍ（１５）または３０ｎｍ（１６）の層厚さを有する光活性層５を有する部品１に関する試験結果を示す。図２６は、部品１の電流−電圧特徴を示し、図２７は、外部量子効率の表示である。
【００９７】
さらなる実施例において、図２８および図２９は、グラフの形態の、第３の材料としてさらなる供与体Ｄ２を有する供与体−受容体系による、２０ｎｍ（１７）または３０ｎｍ（１８）の層厚さを有する光活性層５を有する部品１に関する試験結果を示す。層５は、受容体：供与体Ｄ１：供与体Ｄ２＝１：１：０．１の比率を有する。図２８は、本発明の部品１の電流−電圧特徴を示し、図２９は、外部量子効率の表示である。
【００９８】
フィルファクター（ＦＦ）の特徴的な値の比較から、第３の材料供与体Ｄ２の添加は、フィルファクターに対する有意な影響を有することを推測することができる。特に、図２６および図２８の比較によって、フィルファクターに対する第３の材料の影響が示され、これは図２６と比較して、図２８においてより高い。
【００９９】
さらなる実施例において、図３０は、供与体材料、受容体材料および第３の材料による光活性層を有する部品のエネルギースキームを示す。供与体材料のＨＯＭＯ位１０および供与体材料のＬＵＭＯ位１１は、図３０から推測することができる。加えて、図３０は、受容体のＨＯＭＯ位２０および受容体のＬＵＭＯ位２１を示す。加えて、図３０は、第３の材料のＨＯＭＯ位３０および第３の材料のＬＵＭＯ位３１を示す。図３０から推測することができるように、これは、供与体材料のＨＯＭＯ位と同規模またはそれより高いＨＯＭＯ位３０、ならびに受容体のＬＵＭＯ位と同規模またはそれより低いＬＵＭＯ位３１を有し、すなわち、受容体のＬＵＭＯと真空準位の間である。エネルギーの真空準位は、符号４０によって表される。
【符号の説明】
【０１００】
１  光電子部品
２  基板
３  電極
４  電荷担体輸送層（ＥＴＬまたはＨＴＬ）
５  光活性層
６  電荷担体輸送層（ＥＴＬまたはＨＴＬ）
７  対電極
１０  供与体材料のＨＯＭＯ位
１１  供与体材料のＬＵＭＯ位
２０  受容体材料のＨＯＭＯ位
２１  受容体材料のＬＵＭＯ位
３０  第３の材料のＨＯＭＯ位
３１  第３の材料のＬＵＭＯ位
４０  エネルギーの真空準位
【図１】
0006329181.tif 000026
【図２】
0006329181.tif 000027
【図３】
0006329181.tif 000028
【図４】
0006329181.tif 000029
【図５】
0006329181.tif 000030
【図６】
0006329181.tif 000031
【図７】
0006329181.tif 000032
【図８】
0006329181.tif 000033
【図９】
0006329181.tif 000034
【図１０】
0006329181.tif 000035
【図１１】
0006329181.tif 000036
【図１２】
0006329181.tif 000037
【図１３】
0006329181.tif 000038
【図１４】
0006329181.tif 000039
【図１５】
0006329181.tif 000040
【図１６】
0006329181.tif 000041
【図１７】
0006329181.tif 000042
【図１８】
0006329181.tif 000043
【図１９】
0006329181.tif 000044
【図２０】
0006329181.tif 000045
【図２１】
0006329181.tif 000046
【図２２】
0006329181.tif 000047
【図２３】
0006329181.tif 000048
【図２４】
0006329181.tif 000049
【図２５】
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【図２６】
0006329181.tif 000051
【図２７】
0006329181.tif 000052
【図２８】
0006329181.tif 000053
【図２９】
0006329181.tif 000054
【図３０】
0006329181.tif 000055