(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
上面を有する絶縁基板と、
長辺および短辺を有しているとともに、前記絶縁基板の前記上面に前記長辺同士が互いに対向し合うように配列されており、プローブが接続される複数の端子と、
前記絶縁基板の前記上面に、前記複数の端子のうち少なくとも配列の端に位置するものの前記長辺に沿って、該長辺から離間して配置されたダミー端子と、
前記端子と前記ダミー端子とを熱的に接続する接続配線と、を有していることを特徴とする回路基板。
【請求項２】
前記複数の端子のうち互いに隣り合う端子の前記長辺同士の間の距離と、前記端子の長辺と前記ダミー端子の外周のうち前記端子の前記長辺に沿った部分との間の距離が互いに同じであることを特徴とする請求項１記載の回路基板。
【請求項３】
前記端子およびダミー端子は、外周部分が絶縁層で覆われていることを特徴とする請求項１または請求項２記載の回路基板。
【請求項４】
前記絶縁基板がムライト質焼結体からなることを特徴とする請求項１〜請求項３のいずれかに記載の回路基板。
【請求項５】
請求項１〜請求項４のいずれかに記載の回路基板と、
前記複数の端子にそれぞれ接続されたプローブとを有することを特徴とする回路装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、例えば半導体素子の検査装置等に用いられるプローブカード用の回路基板、および回路基板を含む回路装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
半導体素子の電気的な検査をするためのプローブカードとして、セラミック基板等の絶縁基板上に半導体素子の電極と電気的に接続される多数の端子が配列された回路基板が用いられている。それぞれの端子には、半導体素子の電極との接続のための接続材が接合される。
【０００３】
端子に接続材が接続されてなる回路装置は、例えばプローブカードを構成する主要な部品として使用される。この場合、端子に接合された接続材が半導体素子の電極に押し当てられて接続され、半導体素子の回路に対して動作の検査が行なわれる。
【０００４】
近年、半導体素子の小型化および高密度化等にともない、回路基板の端子についても微細化および高密度化が要求されている。この微細化の要求に対して端子の微細化（平面視における面積の減少）が進んでいる。そのため、端子と絶縁基板との接合面積がより小さくなってきている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開2000−323525号公報
【特許文献２】特開2002−110902号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
上述した従来の回路基板および回路装置では、端子の微細化に伴い、端子と絶縁基板との接合の強度を確保することが重要な課題になってきている。すなわち、回路基板等がプローブカード用に用いられる場合には、プローブが端子にレーザー光の照射等によって接合されるが、このときの加熱および冷却によって端子と絶縁基板との間に大きな熱応力が生じる可能性がある。そのため、この熱応力による端子と絶縁基板との間の剥がれの抑制が重要な課題になっている。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の一つの態様の回路基板は、上面を有する絶縁基板と、長辺および短辺を有しているとともに前記絶縁基板の前記上面に前記長辺同士が対向し合うように配列されており、プローブが接続される複数の端子と、前記絶縁基板の前記上面に、前記複数の端子のうち少なくとも配列の端に位置するものの前記長辺に沿って、該長辺から離間して配置されたダミー端子と、前記端子と前記ダミー端子とを熱的に接続する接続配線と、を有していることを特徴とする。
【０００８】
本発明の一つの態様の回路装置は、上記構成の回路基板と、前記複数の端子にそれぞれ接続されたプローブとを有することを特徴とする。
【発明の効果】
【０００９】
配列の端に位置する端子について、その長辺に沿ってダミー端子が配置され、端子とダミー端子とを熱的に接続する接続配線を有していることから、端の端子とダミー端子とが互いに有効に熱的に接続されている。これによって、レーザー光等によって加えられた熱は、さらにダミー端子に伝導され、ダミー端子からも外部に効果的に放散される。そのため、特に熱応力が大きくなる傾向がある配列の端に位置する端子について、上記放熱によってその熱応力を効果的に低減させることができる。また、ダミー端子は、例えば長方形状の端子の外周のうち比較的長い長辺に沿って配置されているため、比較的広い範囲で、端子と絶縁基板との間に生じる熱応力をダミー端子で吸収することができる。したがって、端子の絶縁基板に対する接合の強度および信頼性が高い回路基板を提供することができる。
【００１０】
また、上記回路基板に、半導体素子の電極等との接続材としてプローブが接続されていることから、信頼性が高い回路装置を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】（ａ）は本発明の実施形態の回路基板を示す平面図であり、（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ線における断面図である。
【図２】図１の回路基板の要部を拡大して示す平面図である。
【図３】本発明の実施形態の回路装置の要部を示す斜視図である。
【図４】（ａ）〜（ｃ）はそれぞれ図１（ｂ）の要部の例を拡大して示す断面図である。
【図５】図１の回路基板の第１の変形例における要部を拡大して示す平面図である。
【図６】図１の回路基板の第２の変形例における要部を拡大して示す平面図である。
【図７】図１の回路基板の第３の変形例における要部を拡大して示す平面図である。
【図８】（ａ）は本発明の他の実施形態の回路基板を示す平面図であり、（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ線における断面図である。
【図９】図８の回路基板の要部を拡大して示す平面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
本発明の実施形態の回路基板について図面を参照して説明する。なお、以下の説明で用いられる図は模式的なものであり、上下の区別は説明上の便宜的なものあって実際に回路基板が使用されるときの上下を規制するものではない。また、以下の説明における半導体素子とは、個片の素子（いわゆるチップ）に限らず、それぞれが素子となる複数の領域がシリコン基板等の半導体基板に配列された半導体ウエハも含む。
【００１３】
図１（ａ）は本発明の実施形態の回路基板を示す平面図であり、図１（ｂ）は図１（ａ）のＡ−Ａ線における断面図である。また、図２は、図１の回路基板の要部（Ｂ部分）を拡大して示す平面図である。また、図３は本発明の実施形態の回路装置の要部（図２のＣ部分）を示す斜視図である。図１（ｂ）では、端子およびダミー端子について詳細を省略して模式的に示している。
【００１４】
実施の形態の回路基板は、絶縁基板１と、絶縁基板１の上面に配列された複数の端子２と、端子２に隣接して配置されたダミー端子３とを有している。
【００１５】
絶縁基板１は、例えば回路基板の全体の剛性を確保する機能を有している。絶縁基板１によって回路基板としての剛性が高められている。これにより、例えば回路基板がプローブカード用基板として用いられて半導体素子（図示せず）に検査のために押し付けられるときに、その変形が抑制されている。
【００１６】
また、絶縁基板１は、複数の端子２を、互いに電気的に絶縁させた状態で同じ平面上に直線状等の並びで配列させるための基体として機能する。絶縁基板１は、例えば平面視（上面側から見たとき）において四角形、六角形または八角形等の多角形状、または円形状等の板状である。図１においては、正八角形板状の絶縁基板１が例示されている。絶縁基板１の平面状の上面に複数の端子２が配列されている。
【００１７】
絶縁基板１の平面視における寸法は、例えばプローブカード用基板として使用されるときに、検査される半導体素子の平面視における寸法に応じて適宜設定される。
【００１８】
絶縁基板１には、上面の端子２から下面にかけて回路配線４が設けられている。回路配線４は、例えば、端子２を絶縁基板１の下面側に電気的に導出させて、外部電気回路への電気的な接続を容易とするためにものである。すなわち、回路配線４は、端子２を外部接続するための導電路として機能する。
【００１９】
回路配線４は、例えば、絶縁基板１の下面等の露出表面に設けられた表面配線４ａと、端子２から下面の表面配線４ａにかけて絶縁基板１を厚み方向に貫通している貫通導体４ｂとを有している。表面配線４ａのうち絶縁基板の下面に設けられた部分は外部接続用の接続パッドとして機能する。この接続パッドとして機能する表面配線４ａが半導体素子の電気的な検査を行なう回路等の外部電気回路に、はんだ等の導電性接続材によって電気的に接続される。
【００２０】
例えば図３に示すように、回路基板の端子２にプローブ６が接合されて回路装置が形成されている。この回路装置について、プローブ６の先端部分が半導体素子の電極（図示せず）に押し当てられて互いに電気的に接続されて半導体素子の電気的な検査が行なわれる。この場合、端子２は、プローブ６が半田等の接続材７で接合される際、レーザー光（以下、単にレーザーという）による加熱で接続材７を溶融させて接続するための下地金属層として機能する。
【００２１】
プローブ６を介して端子２と電気的に接続された半導体素子の電極は、さらに回路配線４を介して外部電気回路と電気的に接続される。これにより、半導体素子の電極と外部電気回路とが互いに電気的に接続され、半導体素子の電気回路が正常に作動するか否か等の検査が行なわれる。
【００２２】
この場合、半導体素子は電気的なチェックを行なうために一時的に回路基板の上面に載置される。半導体素子としては、例えば、ＩＣまたはＬＳＩ等の半導体集積回路素子、または半導体基板の表面に微小な電子機械機構が形成されてなるマイクロマシン（いわゆるＭＥＭＳ素子）等が挙げられる。
【００２３】
例えば上記のように半導体素子と電気的に接続される端子２は、半導体素子の電極に応じて多数個が絶縁基板１の上面に設けられる。多数個の端子２の絶縁基板１上面への配列に適するように、個々の端子２は例えば長方形状等の四角形状のパターンで形成されている。この長方形状の端子２が、それぞれの長辺同士が互いに隣り合うように配列されている。つまり、複数の端子２が直線状の並びで配列されている。この端子２の並びは、例えば絶縁基板１の上面の辺に平行に延びている。また、端子２が長方形状のパターンである場合には、例えば図３に示すような長方形状の底面を有するプローブ６の接合が容易である。
【００２４】
回路配線４は、例えば端子２と外部電気回路とを電気的に接続する導電路として機能する。プローブ６が端子２を介して表面配線４ａとしての回路配線４と電気的に接続されるとともに、半導体素子の電極と直接に接続されて、半導体素子の電極と絶縁基板１の下面の表面配線（接続パッド）４ａとが互いに電気的に接続される。すなわち、回路基板の上面側に配置されてプローブ６と接続された半導体素子が、回路基板の上記各導体部分を介して回路基板の下面側に電気的に導出される。
【００２５】
絶縁基板１は、例えば酸化アルミニウム質焼結体、窒化アルミニウム質焼結体、炭化珪
素質焼結体、ムライト質焼結体またはガラスセラミックス等のセラミック焼結体を含む絶縁材料によって形成されている。
【００２６】
また、端子２、ダミー端子３（詳細については後述）および回路配線４は、例えば、タングステン、モリブデン、マンガン、銅、クロム、ニッケル、銀、パラジウム、金または白金等の金属材料によって形成されている。また、端子２、ダミー端子３および回路配線４は、これらの金属材料の合金材料からなるものであってもよい。これらの金属材料（合金材料）は、例えばメタライズ導体（厚膜導体）、薄膜導体またはめっき導体等の形態で絶縁基板１に被着されて形成されている。なお、端子２、ダミー端子３および回路配線４は、互いに異なる材料からなるものであってもよく、互いに異なる種類の形態で絶縁基板１に被着されたものであってもよい。例えば、端子２およびダミー端子３が銅の薄膜導体を含むものであり、回路配線４がタングステンの厚膜導体を含むものであってもよい。
【００２７】
絶縁基板１、端子２、ダミー端子３および回路配線４は、例えば次のようにして作製することができる。すなわち、酸化アルミニウム等の原料粉末を有機溶剤およびバインダ等とともにシート状に成形して複数のセラミックグリーンシートを作製するとともに、タングステン等の金属材料の粉末を有機溶剤およびバインダ等とともに混練して金属ペーストを作製する。次に、セラミックグリーンシートの主面等に金属ペーストを所定のパターンで印刷した後、これらのセラミックグリーンシートを積層して焼成する。その後、焼成された絶縁基板１の上面に薄膜法（エッチング法によるパターン加工を含む）によって端子２、ダミー端子３および回路配線４を形成する。以上の工程によって絶縁基板１、端子２、ダミー端子３および回路配線４を作製することができる。
【００２８】
ダミー端子３は、配列された複数の端子２のうち少なくとも配列の端に位置する端子２に隣り合って配置されている。この端の端子２とダミー端子３とは、例えば絶縁基板１の一部を介して互いに熱的に接続されている。ダミー端子３は、端子２から外部への放熱を促進して端子２に生じる熱応力を低減する機能を有している。この場合、特に熱応力が大きくなる傾向がある、配列の端に位置する端子２からの放熱を促進することが望ましい。そのため、ダミー端子３は、複数の端子のうち少なくとも配列の端に位置するものの長辺に沿って設けられている。また、ダミー端子３は、例えば端子２に対するプローブ６の接合位置の位置決めのために、端子２の長辺から離間して配置されている。仮に、ダミー端子３の外周が端子２の長辺に直接につながっていると、端子２の位置が不明りょうになるため、プローブ６の接合位置の位置決めが難しくなる。
【００２９】
なお、ダミー端子３は、例えば図２に拡大して示すように、端子２の長辺だけでなく短辺に沿った部分を含んでいてもよい。また、一つのダミー端子３が二つの端子２の間に配置されていてもよい。言い換えれば、一つのダミー端子３が二つの端子２に対して兼用されていてもよい。
【００３０】
また、ダミー端子３は、例えば貫通導体４ｂ等の回路配線４を介して絶縁基板１の内部に設けられた接地導体層等の他の導体（図１〜図３では図示せず）に電気的に接続されていてもよい。
【００３１】
端子２とダミー端子３とが熱的に接続されているため、プローブ６が端子２に接続されるときにレーザーの照射等によって端子２に伝導される熱は、ダミー端子３からも外部に効果的放散される。そのため、特に熱応力が大きくなる傾向がある端の端子について、上記放熱によってその熱応力を効果的に低減させることができる。また、ダミー端子３は、例えば長方形状の端子の外周うち比較的長い長辺に沿って配置されている。そのため、比較的広い範囲で、端子２と絶縁基板１との間に生じる熱応力をダミー端子で吸収することができる。したがって、端子２の絶縁基板１に対する接合の強度および信頼性を向上させ
ることができる。
【００３２】
この場合、ダミー端子３から外部に熱が放散されたとしても、ダミー端子３の表面積が比較的小さいため、端子２のプローブ６が実際に溶接されて接合される部分には、溶接に対して十分な熱の供給が可能である。つまり、端子２に対するプローブ６の接合が可能であるとともに、接合に対しては過剰な熱が外部に放散される。
【００３３】
なお、端子２とダミー端子３とが互いに熱的に接続されているとは、両者の間が空間である場合に比べて、端子２とダミー端子３との間の熱伝導率が高い状態を言う。言い換えれば、端子２とダミー端子３とが、絶縁基板１の一部、または回路配線４等の金属材料を介してつながっている状態を言う。
【００３４】
特に、端子２とダミー端子３との間に絶縁基板１の一部のみが介在している場合よりも端子２とダミー端子３との間の熱伝導率が高いことが好ましい。例えば絶縁基板１が酸化アルミニウム質焼結体またはムライト質焼結体からなる場合（絶縁基板１の熱伝導率が約５〜30Ｗ／ｍ・Ｋの場合）に、互いに熱的に接続された端子２とダミー端子３との間の熱伝導率が絶縁基板１の熱伝導率より５％以上高いことが好ましい。
【００３５】
端子２とダミー端子３との熱的な接続は、例えば以下のようにしてより有効なものとすることができる。すなわち、端子２とダミー端子３とをつなぐように、絶縁基板１より熱伝導率の高い銅またはタングステンといった金属材料で回路配線４（貫通導体４ｂ等）を形成することで、端子２とダミー端子３の熱的な接続をより有効なものとすることができる。
【００３６】
図１の例において端子２とダミー端子３との熱的な接続の例を図４（ａ）〜（ｃ）に示す。すなわち、図４（ａ）〜（ｃ）はそれぞれ図１（ｂ）の要部（図１のＤ部分）の例を拡大して示す断面図である。図４において図１および図２と同様の部位には同様の符号を付している。
【００３７】
図４（ａ）の例は、端子２とダミー端子３とが絶縁基板１の一部によって熱的に接続されている例である。この場合、端子２とダミー端子３との間の熱伝導率は、絶縁基板１の熱伝導率とほぼ同じ程度になり、この伝熱路によって両者が互いに熱的に接続される。
【００３８】
絶縁基板１の一部を介して端子２とダミー端子３とが熱的に接続されている場合には、端子２と、これに隣り合うダミー端子３との隣接間隔（互いに対向し合う端子２の長辺とダミー端子３の外辺との間の距離）を、例えば約100μｍ程度以下と比較的近くすること
が好ましい。これは、例えばムライト質焼結体等からなる絶縁基板１の熱伝導率が比較的小さい場合が多いことによる。また、端子２をダミー端子３と離間させることの容易さ、および端子２の位置を画像認識で認識してプローブ６を接続するときの作業性（識別の容易さ等）等を考慮すれば、上記隣接間隔は50μｍ以上であることが好ましい。すなわち、上記隣接間隔は、例えば約50〜100μｍ程度に設定される。
【００３９】
図４（ｂ）に示す例は、端子２の下側（絶縁基板１の内部）に平面視における面積が比較的大きい回路配線４が設けられた例である。この回路配線４は、例えば接地導体層等の内部配線４ｃであり、回路配線４の一部である貫通導体４ｂによってダミー端子３と接続されている。この場合には、絶縁基板１の一部を介して端子２から内部配線４ｃに熱が伝導され、さらに内部配線４ｃから貫通導体４ｂおよびダミー端子３を経て外部に効果的に放熱される。すなわち、絶縁基板１より熱伝導率の高い銅またはタングステン等によって内部配線４ｃが形成されているため、ダミー端子３と内部配線４ｃとが接続されているることで端子２とダミー端子３との熱的な接続をさらに有効なものとすることもできる。
【００４０】
図４（ｃ）の例は、絶縁基板１の表面に絶縁基板１より熱伝導率の高い絶縁材料が層状に配置された例である。この絶縁材料は、例えば窒化アルミニウムや窒化珪素の比較的熱伝導率が高い絶縁材料であり、絶縁基板１の上面に熱伝導絶縁膜１ａとして設けられている。この絶縁材料は、例えば蒸着等の方法によって絶縁基板１の上面に形成することができる。この場合、端子２とダミー端子３との間に熱伝導絶縁膜１ａが形成されるため、端子２とダミー端子３との熱的な接続をさらに有効なものとすることができる。なお、図４（ｃ）では高熱伝導絶縁膜１ａを絶縁基板１の上面全体に形成しているが、端子２とダミー端子３を接続する領域だけに形成してもよい。この場合には絶縁基板１と高熱伝導絶縁膜１ａとの熱膨張係数に違いがあっても、その熱膨張係数の差に起因して絶縁基板１等に加わる熱応力等の応力がより効果的に低減される。そのため、絶縁基板１の反り等の影響が出にくくなるので、その反りの抑制に関しては好ましい。
【００４１】
なお、仮に、上記の熱応力によってダミー端子３と絶縁基板１との界面部分に亀裂が生じたとしても、端子２はダミー端子３とは独立したパターンであるため、その亀裂が端子２にまで進行する可能性は小さい。言い換えれば、ダミー端子３がいわゆる犠牲になって、端子２の絶縁基板１に対する接合が維持される。
【００４２】
また、複数の端子２のうち互いに隣り合う端子２の長辺同士の間の距離と、端子２の長辺とダミー端子３の外周のうち端子２の長辺に沿った部分との間の距離が互いに同じであってもよい。ダミー端子３が端子２と同様の形状および寸法の長方形状のパターンであるときには、複数の端子２の配列の端に隣り合うように、端子２同士の隣接間隔と同じ隣接間隔でダミー端子３が配列された形態になる。
【００４３】
この場合には、プローブ６が端子２に接続される際にレーザー半田付け等によって端子２からダミー端子３に伝達される熱の放散状態は、連続して形成されていた端子２から隣の端子２に伝達される熱の放散状態により近くなる。そのため、例えば一定の加熱条件でレーザー半田付けを行っても、端の端子２が過熱されるおそれがより小さくなる。
【００４４】
図５および図６の例は、端子２とダミー端子３とが、絶縁基板１の上面に配置された回路配線４の一部を介して互いに接続されている例である。この例において絶縁基板１の上面に設けられた回路配線４の一部は、端子２とダミー端子３との熱的な接続をより有効なものとする接続配線４ｄとして機能する。
【００４５】
すなわち、回路基板は、例えば図５および図６に示すように、端子２とダミー端子３とを熱的に接続する接続配線４ｄをさらに有するものであってもよい。接続配線４ｄは、例えば絶縁基板１の上面に、それぞれ長方形状のパターンである端子２の短辺とダミー端子３の短辺とを接続するように設けられている。なお、図５および図６は、図１の回路基板の第１の変形例および第２の変形例における要部を拡大して示す平面図である。図５および図６において図１および図２と同様の部位には同様の符号を付している。
【００４６】
このような接続配線４ｄが設けられている場合には、端子２とダミー端子３との熱的な接続をさらに有効なものとすることができる。すなわち、端子２とダミー端子３との間の熱伝導率がさらに向上する。
【００４７】
なお、図６の例では、端子２の長辺に沿った部分のみにダミー端子３が配置されている。この場合には、絶縁基板１の上面のうちダミー端子３が配置されている領域が比較的小さいため、回路基板の小型化に対して有利である。
【００４８】
また、端子２およびダミー端子３は、例えばともに互いに長方形状であるときに、互い
に隣り合う長辺が単に直線状（線分）ではなく凹凸を有するものであってもよい。図７の例では、端子２とダミー端子３との互いに隣り合う長辺部分が、複数の三角形状の凹凸が繰り返し並んだ形状（いわゆるのこ刃状）になっている。なお、図７は、図１の回路基板の第３の変形例における要部を拡大して示す平面図である。図７において図１および図２と同様の部位には同様の符号を付している。
【００４９】
この場合には、隣り合う長辺同士の間での熱伝導性も向上する。また、のこ刃状の頂点部分は表面張力で接続材７の厚みが直線部より薄くなるため、熱応力がさらに小さくなる。したがって、この場合には、端子２の絶縁基板１からの剥離の抑制に対してより一層有利である。
【００５０】
なお、この場合に、一方（端子２またはダミー端子３）の辺の凸部分が、他方（ダミー端子３または端子２）の辺の凹部分に隣り合うようにしてもよい。すなわち、隣り合う端子２とダミー端子３との間で辺（長辺）の凹凸が互いにかみ合うような配置になっていてもよい。この場合には、例えば、互いに隣り合う端子２同士、および端子２とダミー端子３との間の電気絶縁性を十分に確保しながら、それぞれの辺部分に凹凸を設けることができる。つまり、凸部分同士が隣り合うことによる電気絶縁性の低下のおそれがないため、配線密度を低下させることなく、端子２とダミー端子３との間の熱伝導性を向上させることができるようになる。
【００５１】
また、回路基板および回路装置において、例えば検査対象の半導体ウエハが大型化に対応して、ムライト質焼結体を絶縁基板１の材料として用いてもよい。この場合には、バーンインテストのように低温（例えば−50℃）および高温（例えば125℃）の両方で素子の
特性が測定される場合でも、半導体ウエハの熱膨張係数と回路基板（絶縁基板１）との熱膨張係数が互いに近い。そのため、回路基板の端子２に接続したプローブ６と素子の電極位置がずれにくいので、テスト時間を短縮できるという効果を得ることもできる。ただし、ムライト質焼結体は酸化アルミニウム質焼結体に比べ機械的な強度が小さいために、端子２に加わる熱応力によって端子２が剥がれやすくなる傾向がある。そのため、この場合には、後述するように端子２およびダミー端子３が絶縁層で被覆されていることが好ましい。
【００５２】
図８（ａ）は本発明の他の実施形態の回路基板を示す平面図であり、図８（ｂ）は図８（ａ）のＡ−Ａ線における断面図である。また、図９は、図８の回路基板の要部（Ｅ部分）を拡大して示す平面図である。図８および図９において図１〜図３と同様の部位には同様の符号を付している。
【００５３】
図８および図９の例において、端子２およびダミー端子３は、それぞれの外周部分が絶縁層１ｂで覆われている。この場合には、端子２およびダミー端子３の絶縁基板１に対する接合の強度が絶縁層１ｂによってさらに高められている。そのため、端子２の絶縁基板１からの剥がれがより効果的に抑制されている。なお、図８（ｂ）でも、端子２およびダミー端子３については詳細を省略して模式的に示している。
【００５４】
絶縁層１ｂは、例えば絶縁基板１と同様の絶縁材料（ムライト質焼結体または酸化アルミニウム質焼結体等）によって形成されていてもよく、絶縁基板１とは異なる絶縁材料によって形成されていてもよい。すなわち、絶縁層１ｂの材料は、後述するように端子２およびダミー端子３の外周部分の絶縁基板１に対する接合を補強するものであれば種々の絶縁材料を選択して用いることができる。この場合、端子２等の導体部分の電気特性等の回路基板としての種々の特性に対する影響、生産性および経済性等を考慮することが好ましい。このような絶縁材料（絶縁基板１とは異なるもの）としては、例えばポリイミド樹脂やオーバーコートガラス等が挙げられる。この絶縁材料としてポリイミド樹脂を使用する
場合には、300℃程度の低温で加工できるために、600℃程度以上の温度が加わるオーバーコートガラスにくらべ回路基板や回路配線４に与える影響が少ないので好ましい。また、ポリイミド樹脂は誘電率も小さいため、回路基板としての電気特性に与える影響も小さいので好ましい。
【００５５】
なお、端子２およびダミー端子３は、その外周部分のみが絶縁層１ｂによって覆われている。端子２の中央部分は、プローブ６が接続されるため外部に露出している必要がある。また、ダミー端子３の中央部は、外部への放熱の促進のため絶縁層１ｂで覆われていないことが望ましい。したがって、図８および図９の例において、端子２およびダミー端子３は、その外周部分のみが絶縁層１ｂによって覆われている。
【００５６】
また、絶縁層１ｂは、端子２およびダミー端子３の外周部分から絶縁基板１の上面にかけて一体的に被覆している。これによって、端子２およびダミー端子３の絶縁基板１に対する接合の強度を効果的に高めることが可能になっている。したがって、特に端子２の剥がれに起因した回路基板としての不具合の可能性がさらに効果的に低減されている。
【符号の説明】
【００５７】
１・・・・・絶縁基板
１ａ・・・・高熱伝導絶縁膜
１ｂ・・・・絶縁層
２・・・・・端子
３・・・・・ダミー端子
４・・・・・配線
４ａ・・・・表面配線
４ｂ・・・・貫通導体
４ｃ・・・・内部配線
４ｄ・・・・接続配線
５・・・・・絶縁層
６・・・・・プローブ
７・・・・・接合材
【図１】
0006392630.tif 000002
【図２】
0006392630.tif 000003
【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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