(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
底面（２２０）と側壁（２３０）とを有するキャビティ（２１０）を有するキャリア（２００）を備えるハウジング（１００）を有し、
前記キャビティ（２１０）の幅は、前記底面（２２０）側から広がっており、
前記側壁（２３０）は、前記底面（２２０）に対して４５°以外の角度（２５０）で傾斜し、
出射方向（４３０）が前記底面（２２０）に平行なレーザチップ（４００）が前記キャビティ（２１０）内の前記底面（２２０）に配置されており、
反射要素（５００，６００，７００）が、前記キャビティ（２１０）内に配置され、かつ、前記底面（２２０）と前記側面（２３０）との間の縁部（２４０）で支持されており、
前記反射要素（５００，６００，７００）の反射面（５１０，６１０，７１０）と前記キャビティ（２１０）の前記底面（２２０）とが４５°の角度（５４０，６４０，７４０）を成し、
前記出射方向（４３０）と前記反射要素（５００，６００，７００）の前記反射面（５１０，６１０，７１０）とが４５°の角度（５５０，６５０，７５０）を成しており、
前記反射要素（５００，６００，７００）は、プリズムとして構成されている、
レーザ部品（１０，２０，３０）。
【請求項２】
前記反射要素（５００，７００）は、前記側壁（２３０）で支持されている、
請求項１に記載のレーザ部品（１０，３０）。
【請求項３】
前記反射要素（６００，７００）は、前記底面（２２０）で支持されている、
請求項１または２に記載のレーザ部品（２０，３０）。
【請求項４】
前記キャビティ（２１０）は、カバー（３００）によって閉鎖されている、
請求項１〜３のいずれか一項に記載のレーザ部品（１０，２０，３０）。
【請求項５】
前記反射要素（５００，６００，７００）は、ガラスを含む、
請求項１〜４のいずれか一項に記載のレーザ部品（１０，２０，３０）。
【請求項６】
前記キャリア（２００）は、少なくとも部分的に結晶性の半導体材料を含む、
請求項１〜５のいずれか一項に記載のレーザ部品（１０，２０，３０）。
【請求項７】
前記キャリア（２００）は、シリコンを含み、
前記底面（２２０）は、前記キャリア（２００）の｛１００｝面で形成されており、
前記側壁（２３０）は、前記キャリア（２００）の｛１１１｝面で形成されている、
請求項６に記載のレーザ部品（１０，２０，３０）。
【請求項８】
−  底面（２２０）および側壁（２３０）を有するキャビティ（２１０）を有するキャリア（２００）を設けるステップであって、前記キャビティ（２１０）の幅は、前記底面（２２０）側から広がっており、前記側壁（２３０）は、前記底面（２２０）に対して４５°以外の角度（２５０）で傾斜している、ステップと；
−  レーザチップ（４００）を、前記レーザチップ（４００）の出射方向（４３０）が前記底面（２２０）に平行になるように前記キャビティ（２１０）内の前記底面（２２０）に配置するステップと；
−  反射要素（５００，６００，７００）を、前記反射要素（５００，６００，７００）が前記底面（２２０）と前記側壁（２３０）との間の縁部（２４０）で支持され、前記反射要素（５００，６００，７００）の反射面（５１０，６１０，７１０）と前記キャビティ（２１０）の前記底面（２２０）とが４５°の角度（５４０，６４０，７４０）を成し、かつ、前記出射方向（４３０）と前記反射要素（５００，６００，７００）の前記反射面（５１０，６１０，７１０）とが４５°の角度（５５０，６５０，７５０）を成すように前記キャビティ（２１０）内に配置するステップと、
を含み、
前記反射要素（５００，６００，７００）は、はんだ接続または接着剤によって前記キャビティ（２１０）内に固着される、
レーザ部品（１０，２０，３０）の製造方法。
【請求項９】
前記反射要素（５００，６００，７００）を配置するステップにおいて、前記キャリア（２００）は、前記底面（２２０）と前記側壁（２３０）との間の前記縁部（２４０）が前記底面（２２０）および前記側壁（２３０）より下に配置されるように傾けられる、
請求項８に記載の方法。
【請求項１０】
前記キャリア（２００）を設けるステップには、エッチングプロセスによって前記キャビティ（２１０）を形成することが含まれる、
請求項８または９に記載の方法。
【請求項１１】
−  前記キャビティ（２１０）をカバー（３００）によって密封するさらなるステップを含む、
請求項８〜１０のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１２】
前記キャリア（２００）には、それぞれが底面（２２０）および側壁（２３０）を有する複数のキャビティ（２１０）が設けられ、
レーザチップ（４００）が、前記レーザチップ（４００）の出射方向（４３０）が前記キャビティ（２１０）の前記底面（２２０）に平行になるように、それぞれ、各キャビティ（２１０）内に配置され、
反射要素（５００，６００，７００）が前記キャビティ（２１０）の前記底面（２２０）と前記側壁（２３０）との間の縁部（２４０）で支持され、前記反射要素（５００，６００，７００）の反射面（５１０，６１０，７１０）と前記キャビティ（２１０）の前記底面（２２０）とが４５°の角度（５４０，６４０，７４０）を成し、かつ、前記出射方向（４３０）と前記反射要素（５００，６００，７００）の前記反射面（５１０，６１０，７１０）とが４５°の角度（５５０，６５０，７５０）を成すように前記反射要素（５００，６００，７００）が各キャビティ（２１０）内に配置される、
請求項８〜１１のいずれか一項に記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、レーザ部品およびレーザ部品の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体ベースのレーザチップを有するレーザ部品が先行技術から知られている。そのようなレーザ部品では、レーザチップは、レーザチップのレーザファセットの過度な経年劣化を防ぐためにレーザチップを密封封止するために使用されるハウジング内に配置されている。かかるハウジングはさらに、レーザチップからの廃熱を放散するために使用される。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
レーザ部品を提供することが本発明の目的である。この目的は、請求項１の特徴を有するレーザ部品によって達成される。レーザ部品の製造方法を特定することが本発明の他の目的である。この目的は、請求項１０の特徴を含む方法によって達成される。様々な改良形態を従属請求項において特定する。
【課題を解決するための手段】
【０００４】
レーザ部品はハウジングを有し、ハウジングは、底面および側壁を有するキャビティを有するキャリアを備える。キャビティの幅は、底面側から広がっている。出射方向が底面に平行なレーザチップがキャビティ内の底面に配置されている。底面と側壁との間の縁部で支持される反射要素がキャビティ内に配置されている。反射要素の反射面とキャビティの底面とは、４５°の角度を成している。出射方向と反射要素の反射面とは同様に、４５°の角度を成している。
【０００５】
この反射要素の反射面の配置によって、レーザチップによって出射されるレーザ光は、反射要素の反射面でキャビティの底面に直交する方向に反射されることができる。したがって、反射要素において反射されるレーザ光は、レーザ部品のキャリアのキャビティから出てレーザ部品によって出射されることができる。この場合、有利なことに、レーザ光のさらなるビーム偏向は必要ない。
【０００６】
キャビティの底面と側壁との間の縁部で反射要素を支持することによって、レーザ部品のハウジングのキャリアのキャビティ内の反射要素の位置および方向が有利なことに、反射要素を搭載する際の追加的な調節ステップを必要とすることなく高精度で確定可能である。これにより、レーザ部品を単純かつ安価に製造することができる。
【０００７】
さらに、キャビティの底面と側壁との間の縁部で反射要素を支持することによって、反射要素は有利なことに、省スペースで配置され、それにより小型の外形寸法を有するレーザ部品のハウジングを構成することができる。
【０００８】
出射方向がキャビティの底面に平行なレーザチップを配置することによって有利なことに、レーザチップをキャビティの底面に大面積に亘って接触させて配置することができる。その結果、有利なことに、レーザ部品のハウジングのキャリアとレーザチップとの高い熱伝導性の接続が得られる。それにより、レーザ部品の動作中にレーザチップにおいて生じた廃熱を効率的に放散することができる。
【０００９】
レーザ部品の一実施形態では、反射要素は側壁で支持されている。これにより、反射要素は有利なことに、レーザ部品のキャリアのキャビティ内に特に省スペースで配置される結果、レーザ部品のハウジングは小型の外形寸法を有することができる。
【００１０】
レーザ部品の一実施形態では、反射要素は、キャビティの底面で支持されている。これにより、有利なことに、反射要素はまた、ハウジングのキャリアのキャビティ内に省スペースでかつ安定して配置される。
【００１１】
レーザ部品の一実施形態では、キャビティはカバーによって閉鎖されている。レーザ部品のレーザチップによって出射されるレーザ光のビーム偏向がレーザ部品のカバーにおいて行われる必要がないため、カバーは有利なことに単純かつ安価に構成可能である。カバーがビーム偏向構造を有する必要がないため、レーザ部品を搭載する際にカバーを特別に調節することも求められない。その結果、レーザ部品の製造が単純化される。
【００１２】
レーザ部品の一実施形態では、反射要素はガラスを含む。したがって、反射要素の反射面は有利なことに、特に高い反射性を有することができる。
【００１３】
レーザ部品の一実施形態では、反射要素はプリズムとして構成されている。これにより、レーザ部品のハウジングのキャリアのキャビティ内に反射要素を単純かつ安価に搭載することができるだけでなく、反射要素を単純かつ安価に製造することができる。
【００１４】
レーザ部品の一実施形態では、キャビティの側壁は、キャビティの底面に対して４５°以外の角度で傾斜している。側壁と底面との間の４５°の角度からの偏差は有利なことに、反射要素によって補償される。
【００１５】
レーザ部品の一実施形態では、キャリアは、少なくとも部分的に結晶性の半導体材料を含む。これにより、有利なことに、半導体技術の諸方法を用いて単純かつ安価にキャリアを製造することができる。
【００１６】
レーザ部品の一実施形態では、キャリアはシリコンを含む。この場合、底面は、キャリアの｛１００｝面で形成されている。側壁は、キャリアの｛１１１｝面で形成されている。これにより、有利なことに、エッチング方法によってキャリアのキャビティを作ることができる。この場合、側壁と底面とは異なるエッチング速度でキャリアの異なる結晶方向に形成され、キャビティの側壁と底面との間に定義した角度が得られる。
【００１７】
レーザ部品の製造方法が、底面および側壁を有するキャビティを有するキャリアを設けるステップであって、このキャビティの幅は底面側から広がっているステップと、レーザチップの出射方向が底面に平行になるようにキャビティの底面にレーザチップを配置するステップと、反射要素が底面と側壁との間の縁部で支持され、反射要素の反射面とキャビティの底面とが４５°の角度を成し、かつ上記出射方向と反射要素の反射面とが同様に４５°の角度を成すようにキャビティ内に反射要素を配置するステップと、を含む。
【００１８】
キャビティ内の反射要素の位置および方向は有利なことに、本方法ではキャビティの底面と側壁との間の縁部で支持される反射要素の配置によって、反射要素の位置および方向を確定するための別の調節ステップを必要とせずに高精度で確定される。したがって、本方法は有利なことに、単純かつ安価に実行可能である。
【００１９】
本方法の一実施形態では、反射要素を配置する際に、キャリアは、底面と側壁との間の縁部が底面より下、および側壁より下に配置されるように傾けられる。したがって、反射要素は、反射要素がキャリアのキャビティ内に配置される際に重力によって自動的に、キャビティの底面と側壁との間の縁部で支持されるように移動され、かつ／または支持されている状態が維持される。その結果、本方法は有利なことに、よりいっそう単純に実行される。
【００２０】
本方法の一実施形態では、キャリアを設けるステップには、エッチングプロセスによってキャビティを形成することが含まれる。これにより、有利なことに、キャリアを設ける単純かつ安価なステップが可能になる。特に、キャリアにキャビティを形成することは、半導体技術の確立された諸方法によって行われうる。
【００２１】
本方法の一実施形態では、反射要素は、はんだ接続または接着剤によってキャビティ内に固着される。これにより、有利なことに、単純、頑丈、かつ安価に反射要素をキャビティ内に固着することができる。
【００２２】
本方法の一実施形態では、本方法は、カバーによってキャビティを密封するさらなるステップを含む。カバーは例えば、ウェハ接合方法によってレーザ部品のハウジング要素のキャリアに固着されうる。本方法によって得られるレーザ部品では、レーザ部品のハウジングのカバーにおいてビーム偏向が行われなくてもよいため、有利なことに、特別にカバーを調節する必要がない。したがって、本方法は、単純、迅速かつ安価に実行可能である。
【００２３】
本方法の一実施形態では、キャリアには、それぞれが底面および側壁を有する複数のキャビティが設けられる。この場合、レーザチップの出射方向がキャビティの底面に平行になるようにレーザチップが、それぞれ、各キャビティ内に配置される。反射要素は、反射要素がキャビティの底面と側壁との間の縁部で支持され、反射要素の反射面とキャビティの底面とが４５°の角度を成し、かつ出射方向と反射要素の反射面とが同様に４５°の角度を成すように各キャビティ内に配置される。したがって、本方法では有利なことに、共通の処理ステップにおいて複数のレーザ部品を並行して製造することができる。したがって、有利なことに、個々のレーザ部品あたりの製造コストを大幅に削減することができる。したがって、さらに、レーザ部品あたりの必要な処理時間を有利なことに大幅に減らすことができる。
【００２４】
本発明の上記性質、特徴、および、利点、ならびにそれらの実現方法は、それぞれが概略図を示す図面に関連して詳細に説明される例示的な実施形態の以下の記述に関連してさらに明らかとなり、またさらに容易に理解される。
【図面の簡単な説明】
【００２５】
【図１】第１のレーザ部品の断面側面図である。
【図２】第２のレーザ部品の断面側面図である。
【図３】第３のレーザ部品の断面側面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２６】
図１は、第１のレーザ部品１０の概略的な断面側面図である。第１のレーザ部品１０は、半導体ベースのレーザチップ４００が配置されたハウジング１００を備える。
【００２７】
第１のレーザ部品１０のハウジング１００は、キャリア２００を備える。キャリア２００は、キャリア基板から、好ましくは結晶性または半結晶性の半導体基板から製造されている。例えば、キャリア２００は、半導体ウェハから、例えばシリコンウェハから、特に例えば｛１００｝シリコンウェハから製造されうる。
【００２８】
キャリア２００は、上面２０１、および上面２０１とは反対側に位置する下面２０２を有する。キャビティ２１０が、キャリア２００の上面２０１に構成されている。キャビティ２１０は、上面２０１から下面２０２方向にキャリア２００内に延在している。キャビティ２１０は、キャリア２００の上面２０１および下面２０２に基本的に平行な底面２２０を有する。キャビティ２１０は、キャリア２００の上面２０１において開口し、底面２２０の領域において閉鎖されている。
【００２９】
側壁２３０が、キャビティ２１０の底面２２０からキャリア２００の上面２０１まで伸長している。縁部２４０が、底面２２０と側壁２３０との間に構成されている。側壁２３０は、底面２２０に対して角度２５０分傾斜しており、角度２５０は、０°〜９０°であり、かつ特に４５°以外の値でありうる。側壁２３０の傾斜によって、キャビティ２１０の幅は、キャリア２００の底面２２０側から上面２０１方向に、すなわちキャビティ２１０の開口方向に広がっている。
【００３０】
キャビティ２１０は例えば、キャリア２００の上面２０１にエッチング方法を用いて形成されていてもよい。キャリア２００が結晶性または半結晶性の半導体材料を含む場合、キャビティ２１０の底面２２０、および底面２２０に対して角度２５０分傾斜した側壁２３０を構成するためにエッチング速度の異方性を使用してもよい。キャリア２００が、上面２０１が｛１００｝面によって形成されるシリコンウェハである場合、底面２２０も同様に｛１００｝面によって形成され、側壁２３０はキャリアの｛１１１｝面によって形成される。この場合、キャビティ２１０の側壁２３０と底面２２０との間の角度２５０は例えば、５４．７４°である。しかしながら、キャビティ２１０の底面２２０および／または側壁２３０を、他の結晶面によって形成してもよい。キャリア２００はまた、シリコン以外の材料からなっていてもよい。キャビティ２１０はまた、エッチング方法以外の方法によって構成されていてもよい。
【００３１】
第１のレーザ部品１０のキャリア２００は、第１のスルーコンタクト２６０および第２のスルーコンタクト２７０を有する。スルーコンタクト２６０，２７０は、それぞれ、キャビティ２１０の底面２２０からキャリア２００の下面２０２まで伸長している。第１のコンタクト要素２６１および第２のコンタクト要素２７１がキャビティ２１０の底面２２０に配置されている。第１のはんだコンタクト面２６２および第２のはんだコンタクト面２７２がキャリア２００の下面２０２に配置されている。第１のコンタクト要素２６１は、第１のスルーコンタクト２６０によって第１のはんだコンタクト面２６２に電気接続されている。第２のコンタクト要素２７１は、第２のスルーコンタクト２７０によって第２のはんだコンタクト面２７２に電気接続されている。コンタクト要素２６１，２７１およびはんだコンタクト面２６２，２７２は例えば、平坦なメタライゼーションとして構成されていてもよい。スルーコンタクト２６０，２７０は例えば、キャリア２００の、導電性材料で充填される開口部として構成されていてもよい。
【００３２】
キャリア２００の下面２０２の第１のはんだコンタクト面２６２および第２のはんだコンタクト面２７２は、第１のレーザ部品１０の電気接続のために使用されうる。第１のレーザ部品１０は例えば、リフローはんだ付けによる表面実装等の表面実装のためのＳＭＴ部品として提供される。
【００３３】
レーザチップ４００は、キャリア２００のキャビティ２１０内でキャビティ２１０の底面２２０に配置されている。この場合、レーザチップ４００の下面４１０は、底面２２０に対向している。レーザチップ４００の第１のコンタクト面４１１および第２のコンタクト面４１２がキャリア２００のキャビティ２１０の底面２２０の上の第１のコンタクト要素２６１および第２のコンタクト要素２７１に電気接続されている。図１に示した例では、レーザチップ４００のコンタクト面４１１，４１２は、レーザチップ４００の下面４１０に配置されており、例えばはんだ接続によってキャビティ２１０の底面２２０の上のコンタクト要素２６１，２７１に接続されている。しかしながら、コンタクト面４１１，４１２は、レーザチップ４００の他の位置に配置されていてもよく、および／または他の方法、例えば接着剤接続によってキャリア２００のコンタクト要素２６１，２７１に接続されていてもよい。
【００３４】
第１のレーザ部品１０のキャリア２００は、第１のスルーコンタクト２６０および第２のスルーコンタクト２７０に加えて、さらなるスルーコンタクトであって、レーザチップ４００からの廃熱を放散し、かつこの廃熱をハウジング１００のキャリア２００の下面２０２まで運ぶ目的のさらなるスルーコンタクトを有していてもよい。これらのさらなるスルーコンタクトは、キャビティ２１０の底面２２０の上のさらなるコンタクト要素に接続され、さらなるコンタクト要素は、レーザチップ４００との高い熱伝導性の接続を確立するために使用される。さらなるスルーコンタクトはさらに、キャリア２００の下面２０２のさらなるはんだコンタクト面に接続され、さらなるはんだコンタクト面は、第１のレーザ部品１０の外へ廃熱を伝導するために使用される。
【００３５】
レーザチップ４００は、レーザチップ４００の下面４１０に直交するレーザファセット４２０を有する。レーザチップ４００は、レーザファセット４２０において、レーザファセット４２０に直交する出射方向４３０にレーザ光４４０を出射するように構成されている。したがって、出射方向４３０は、レーザチップ４００の下面４１０に基本的に平行であり、ひいてはキャリア２００のキャビティ２１０の底面２２０にも同様に基本的に平行である。レーザチップ４００の出射方向４３０は、キャビティ２１０の側壁２３０の方向に向けられている。
【００３６】
レーザチップ４００によって出射されるレーザ光４４０は、第１のレーザ部品１０によってキャリア２００の上面２０１に直交する方向に出射されることが意図されている。この目的のために、レーザチップ４００によって出射されるレーザ光４４０は９０°偏向されなければならない。この目的のために、第１のレーザ部品１０は第１の反射要素５００を有する。
【００３７】
第１の反射要素５００は、三角形の基面を有するプリズムの幾何学的形状、好ましくは円柱の幾何学的形状を有する。したがって、第１の反射要素５００は、楔の形状に構成されている。第１の反射要素５００は例えば、ガラスからなっていてもよい。
【００３８】
第１の反射要素５００は、反射面５１０および支持面５２０を有する。反射面５１０と支持面５２０とは、角度５３０を成す。第１の反射要素５００の反射面５１０と支持面５２０との間の角度５３０は、キャビティ２１０の側壁２３０のキャビティ２１０の底面２２０に対する傾斜角度である角度２５０と、第１の反射要素５００の反射面５１０と支持面５２０との間の角度５３０との差が４５°の値であるように設定されている。例えば、側壁２３０のキャビティ２１０の底面２２０に対する傾斜角度である角度２５０が５４．７４°である場合、第１の反射要素５００の反射面５１０と支持面５２０との間の角度５３０の値は９．７４°である。
【００３９】
第１の反射要素５００は、キャリア２００のキャビティ２１０内に配置されている。この場合、第１の反射要素５００の支持面５２０は、キャビティ２１０の側壁２３０で支持されている。同時に、第１の反射要素５００はまた、キャビティ２１０の底面２２０と側壁２３０との間の縁部２４０でも支持されている。これにより確実に、第１の反射要素５００のキャリア２００のキャビティ２１０内での位置および方向が確定される。第１の反射要素５００の反射面５１０は、キャビティ２１０内に配置されたレーザチップ４００のレーザファセット４２０の方向を向いている。
【００４０】
説明した第１の反射要素５００の配置の結果、第１の反射要素５００の反射面５１０は、キャビティ２１０の底面２２０に対して４５°の角度５４０で傾斜している。さらに、レーザチップ４００の出射方向４３０と第１の反射要素５００の反射面５１０とは、同様に４５°の角度５５０を成している。また、キャリア２００のキャビティ２１０内での第１の反射要素５００の方向は、キャビティ２１０の底面２２０に直交し、レーザチップ４００のレーザファセット４２０に直交し、かつ第１の反射要素５００の反射面５１０に直交する面が存在することによっても表現される。当然、製造の精度に応じて一定の公差および逸脱がありうる。
【００４１】
第１のレーザ部品１０の動作時、レーザチップ４００によってレーザファセット４２０において出射されたレーザ光４４０は、第１の反射要素５００の反射面５１０に４５°の角度５５０で突き当たるため、出射方向４３０に直交する方向、すなわち、同様にキャリア２００のキャビティ２１０の底面２２０に直交する方向に偏向される。このように偏向されたレーザ光４４０は、キャリア２００の上面２０１においてキャリア２００のキャビティ２１０から出てくる、したがって第１のレーザ部品１０によって出射される。
【００４２】
キャリア２００のキャビティ２１０は、キャリア２００の上面２０１においてカバー３００によって閉鎖される。第１のレーザ部品１０の動作時にレーザチップ４００のレーザファセット４２０の過度な経年劣化を回避するために、キャビティ２１０は好ましくは、カバー３００によって堅く密封されている。カバー３００は、光透過性材料、例えばガラスを含む。カバー３００は例えば、平行平面板として構成される。第１の反射要素５００の反射面５１０で反射されるレーザ光４４０は、カバー３００を通ってキャリア２００のキャビティ２１０から、好ましくは偏向されずに、またはわずかにのみ偏向されて出てくる。
【００４３】
第１のレーザ部品１０を製造するために、最初にキャリア２００の上面２０１にキャビティ２１０を形成する。次に、事前に作成した第１の反射要素５００をキャビティ２１０内に配置し、第１の反射要素５００がキャビティ２１０の底面２２０と側壁２３０との間の縁部２４０で支持されるようにキャビティ２１０の側壁２３０に固着する。第１の反射要素５００の支持面５２０をキャビティ２１０の側壁２３０に固着することは例えば、接着接合またははんだ付けによって実行される。
【００４４】
キャビティ２１０の底面２２０と側壁２３０との間の縁部２４０が底面２２０より下、および側壁２３０より下に配置されるようにキャリア２００を傾けて第１の反射要素５００をキャリア２００のキャビティ２１０内に配置することができる。したがって、第１の反射要素５００は、重力の影響を受けて自動的に側壁２３０と底面２２０との間の縁部２４０までキャビティ２１０の側壁２３０上を滑動する。これにより確実に、第１の反射要素５００は、キャリア２００のキャビティ２１０内の所望の位置および方向をとる。
【００４５】
さらなる製造ステップでは、レーザチップ４００は、キャリア２００のキャビティ２１０の底面２２０に配置される。レーザチップ４００のキャビティ２１０内への配置を、第１の反射要素５００をキャリア２００のキャビティ２１０内に配置する前に実行してもよい。レーザチップ４００のキャリア２００のキャビティ２１０内での所望の位置および方向は例えば、レーザチップ４００のコンタクト面４１１，４１２とキャビティ２１０の底面２２０の上のコンタクト要素２６１，２７１とのはんだ接続を製造する際のレーザチップ４００の自動位置合わせによって調節される。
【００４６】
次いで、キャリア２００のキャビティ２１０をカバー３００で閉鎖してもよい。
【００４７】
キャリア２００の上面２０１に複数のキャビティ２１０を構成することができる。この場合、キャリア２００は例えば、ウェハとして構成される。次に、レーザチップ４００および第１の反射要素５００が上述の方法でキャリア２００の全キャビティ２１０内に配置される。次に、このように製造された複数の第１のレーザ部品が分離されるようにキャリア２００は分割される。
【００４８】
図２は、第２のレーザ部品２０の概略的な断面側面図である。第２のレーザ部品２０、および第２のレーザ部品２０を製造するために使用される製造方法は、図１を用いて説明した第１のレーザ部品１０および第１のレーザ部品１０の製造方法と大きく類似する。したがって、互いに対応する構成部分は、図１および図２の表現において同じ参照符号で示されている。第２のレーザ部品２０と第１のレーザ部品１０との差異のみを以下に説明する。
【００４９】
第２のレーザ部品２０は、第１の反射要素５００に代えて第２の反射要素６００を有する。第２の反射要素６００は、三角形の基面を有するプリズムまたは円柱の幾何学的形状を有する。第２の反射要素６００も例えば、ガラスからなっていてもよい。
【００５０】
第２の反射要素６００は、反射面６１０および支持面６２０を有する。第２の反射要素６００の支持面６２０は、第２のレーザ部品２０のキャリア２００のキャビティ２１０の底面２２０で支持されている。この場合、第２の反射要素６００もまた、キャビティ２１０の底面２２０と側壁２３０との間の縁部２４０で支持されている結果、第２の反射要素６００の位置および方向が確定されている。
【００５１】
第２の反射要素６００の反射面６１０は、第２のレーザ部品２０のレーザチップ４００のレーザファセット４２０に対向している。第２の反射要素６００の反射面６１０とキャリア２００のキャビティ２１０の底面２２０とは、４５°の角度６４０を成す。したがって、レーザチップ４００の出射方向４３０と第２の反射要素６００の反射面６１０とは、同じく４５°の角度６５０を成す。
【００５２】
第２のレーザ部品２０を製造する際、第２の反射要素６００の支持面６２０は、例えば接着剤またははんだ接続によってキャリア２００のキャビティ２１０の底面２２０に固着される。第２のレーザ部品２０を製造する際にも同様に、キャビティ２１０の底面２２０と側壁２３０との間の縁部２４０が底面２２０より下、および側壁２３０より下に配置されるようにキャリア２００を傾けて第２の反射要素６００を位置合わせしてもよい。その結果、第２の反射要素６００は重力によって底面２２０と側壁２３０との間の縁部２４０の方向に引き寄せられる。
【００５３】
図３は、第３のレーザ部品３０の概略的な断面側面図である。第３のレーザ部品３０、および第３のレーザ部品３０を製造するために使用される方法は、図１を用いて説明した第１のレーザ部品１０および第１のレーザ部品１０の製造方法と大きく類似する。したがって、図１と同じ参照符号が図３の対応する構成部分に使用されている。第３のレーザ部品３０と第１のレーザ部品１０との差異のみを以下に説明する。
【００５４】
第３のレーザ部品３０は、第１の反射要素５００に代えて第３の反射要素７００を有する。第３の反射要素７００は、台形の断面領域を有するプリズムの幾何学的形状、好ましくは円柱の幾何学的形状を有する。第３の反射要素７００も例えば、ガラスからなっていてもよい。
【００５５】
第３の反射要素７００は、反射面７１０、第１の支持面７２０、および第２の支持面７３０を有する。第３の反射要素７００の第１の支持面７２０は、キャリア２００のキャビティ２１０の側壁２３０で支持されている。第３の反射要素７００の第２の支持面７３０は、キャリア２００のキャビティ２１０の底面２２０で支持されている。第３の反射要素７００もまた、キャビティ２１０の底面２２０と側壁２３０との間の縁部２４０で支持されていることにより、第３の反射要素７００の方向および位置が高精度で確定される。
【００５６】
第３の反射要素７００の反射面７１０は、レーザチップ４００のレーザファセット４２０に対向している。反射面７１０とキャリア２００のキャビティ２１０の底面２２０とは、４５°の角度７４０を成す。したがって、レーザチップ４００の出射方向４３０と第３の反射要素７００の反射面７１０とは、同じく４５°の角度７５０を成す。
【００５７】
第３のレーザ部品３０のキャリア２００のキャビティ２１０内に第３の反射要素７００を搭載することも同様に、キャリア２００をわずかに傾けて行われてもよく、その結果、底面２２０と側壁２３０との間の縁部２４０がキャビティ２１０の底面２２０より下、および側壁２３０より下に配置される。したがって、キャビティ２１０の底面２２０および側壁２３０で支持されている第３の反射要素７００は、重力によって保持される。
【００５８】
好ましい例示的実施形態に基づき、本発明を詳細に例示および説明してきた。しかしながら、本発明は、開示した例に限定されない。むしろ、当業者であれば、開示した例に基づき、本発明の保護範囲から逸脱することなく、他の変形形態を得ることができる。
【００５９】
本特許出願は、独国特許出願第１０２０１４１１４６１８．２号の優先権を主張し、その開示内容は参照によって本明細書に援用される。
【符号の説明】
【００６０】
１０  第１のレーザ部品
２０  第２のレーザ部品
３０  第３のレーザ部品
１００  ハウジング
２００  キャリア
２０１  上面
２０２，４１０  下面
２１０  キャビティ
２２０  底面
２３０  側壁
２４０  縁部
２５０，５３０，５４０，５５０，６４０，６５０，７４０，７５０  角度
２６０  第１のスルーコンタクト
２６１  第１のコンタクト要素
２６２  第１のはんだコンタクト面
２７０  第２のスルーコンタクト
２７１  第２のコンタクト要素
２７２  第２のはんだコンタクト面
３００  カバー
４００  レーザチップ
４１１  第１のコンタクト面
４１２  第２のコンタクト面
４２０  レーザファセット
４３０  出射方向
４４０  レーザ光
５００  第１の反射要素
５１０，６１０，７１０  反射面
５２０，６２０  支持面
６００  第２の反射要素
７００  第３の反射要素
７２０  第１の支持面
７３０  第２の支持面
【図１】
0006393414.tif 000002
【図２】
0006393414.tif 000003
【図３】
0006393414.tif 000004