(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
分子線エピタキシー法以外の堆積方法で、基板の上にＡｌＯＮからなる第１バッファ層を形成する第１工程と、
分子線エピタキシー法以外の堆積方法で、前記第１バッファ層の上に接してＡｌＮからなる第２バッファ層を形成する第２工程と、
分子線エピタキシー法により前記第２バッファ層の上にＧａまたはＩｎを供給し、前記第２バッファ層の表面に形成された自然酸化層の酸素をもとに、ＧａＯまたはＩｎＯを形成する第３工程と、
加熱することで前記第２バッファ層の上に形成された前記ＧａＯまたは前記ＩｎＯを気化させる第４工程と、
前記ＧａＯまたは前記ＩｎＯを気化させたあとで、分子線エピタキシー法により、前記第２バッファ層の上にＡｌＮからなる結晶層を形成する第５工程と
を備え、
前記第３工程、前記第４工程、前記第５工程は、同一の装置内で実施する
ことを特徴とする窒化物半導体結晶成長方法。
【請求項２】
請求項１記載の窒化物半導体結晶成長方法において、
前記第１工程および前記第２工程では、スパッタ法により前記第１バッファ層および前記第２バッファ層を形成することを特徴とする窒化物半導体結晶成長方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、窒化物半導体であるＡｌＮの結晶層を分子線エピタキシー法で形成する窒化物半導体結晶成長方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
ＧａＮを代表とする窒化物半導体は、短波長領域の発光ダイオードや高出力トランジスタなどの材料として幅広く使われている。これらの窒化物半導体の層は、有機金属気相成長(Metal Organic Vapor Phase Epitaxy：ＭＯＶＰＥ）法や分子線エピタキシー（Molecular Beam Epitaxy；ＭＢＥ）法などの気相成長法により、サファイア基板、Ｓｉ基板、ＳｉＣ基板上に成長させて形成している。一般に、上記の異種基板上で１０００℃程度の高温でＧａＮ層を直接成長させると、ＧａＮ層の結晶欠陥密度が低くならないことが知られている。このため、通常は、結晶欠陥密度の低いＧａＮ層を得るために、次に示すような様々な方法がとられている。
【０００３】
第１に、５００℃程度の低温でＧａＮ層またはＡｌＮ層を成長させ、この後に１０００℃程度の高温でＧａＮ層を成長させる方法がある（２段階成長法）。
【０００４】
第２に、高温でＡｌＮ層を成長させてからＧａＮ層を成長させる方法がある。
【０００５】
また、第３に、酸素元素（Ｏ）と窒素元素（Ｎ）の組成を変化させたＡｌＯＮバッファー層を基板の表面に堆積した後、このバッファー層の上にＧａＮ層を成長させる方法がある（特許文献１参照）。
【０００６】
サファイア基板、Ｓｉ基板、またはＳｉＣ基板などの異種基板上にＭＯＶＰＥ法やＭＢＥ法でＧａＮ層を成長させる場合、主に、第１および第２の方法が採用されている。しかし、一般的には、ＭＢＥ法により第１の方法および第２の方法でサファイア基板上に成長したＧａＮ層やＡｌＮなどの窒化物半導体の結晶欠陥密度は、ＭＯＶＰＥ法で成長した窒化物半導体の結晶欠陥密度よりも劣る。
【０００７】
一方、ＭＯＶＰＥ法に比較して、ＭＢＥ法の方が、残留不純物濃度が低いという利点がある。このため、ＭＢＥ法においても、サファイア基板上などに結晶欠陥密度の低い窒化物半導体を成長させることが望まれている。ここで、上述した第３の方法による窒化物半導体層の成長を、ＭＢＥ法で実施した報告もなされている（非特許文献１参照）。第３の方法によれば、ＡｌＯＮバッファー層を利用することで、ＭＢＥ法でも結晶性のよい窒化物半導体層が得られるものとされている。
【０００８】
以下、上記ＡｌＯＮバッファー層を用いたＭＯＶＰＥによる結晶成長技術について説明する。まず、図４Ａに示すように、電子サイクロトロン共鳴（Electron Cyclotron Resonance；ＥＣＲ）スパッタ法を用い、サファイア基板２０１上に、酸素元素（Ｏ）と窒素元素（Ｎ）の組成を変化させたＡｌＯＮ層２０２、およびＡｌＮ層２０３を、室温の条件で堆積させる。ＡｌＯＮ層２０２とＡｌＮ層２０３とを合わせてＡｌＯＮバッファー層と呼ばれている。このＡｌＯＮバッファー層の厚さは２０ｎｍ程度である。
【０００９】
次に、上述したように、ＡｌＯＮ層２０２およびＡｌＮ層２０３を形成したサファイア基板２０１をＥＣＲスパッタ装置から搬出し、新たに、ＭＯＶＰＥ成長装置に搬送する。次いで、ＭＯＶＰＥ法により、ＡｌＮ層２０３の層上に、１０００℃という高温でＧａＮ層２０４を成長する。この方法によれば、高品質なＧａＮ層２０４を得ることができる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１０】
【特許文献１】特許第４２４９１８４号公報
【非特許文献】
【００１１】
【非特許文献１】T. Makimoto et al. , "RF-MBE Growth of AlN on a Sapphire Substrate Using an AlON Buffer Layer", Materials Research Society Fall Meeting, T6.04, 2013.
【非特許文献２】S. R. Lee et al. , "Effect of threading dislocations on the Bragg peakwidths of GaN, AlGaN, and AlN heterolayers", Applied Physics Letters, vol.86, 241904, 2005.
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１２】
しかしながら、上述したＡｌＯＮバッファー層を用いる方法をＭＢＥ法に適用しても、窒化物半導体の一つであるＡｌＮ層を成長した場合、結晶性を向上させることができず、必ずしも高品質なＡｌＮの結晶層を形成できないという問題があった。
【００１３】
本発明は、以上のような問題点を解消するためになされたものであり、分子線エピタキシー法により、ＡｌＯＮバッファー層を用いてより結晶性のよいＡｌＮの結晶層が形成できるようにすることを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１４】
本発明に係る窒化物半導体結晶成長方法は、分子線エピタキシー法以外の堆積方法で、基板の上にＡｌＯＮからなる第１バッファー層を形成する第１工程と、分子線エピタキシー法以外の堆積方法で、第１バッファー層の上に接してＡｌＮからなる第２バッファー層を形成する第２工程と、分子線エピタキシー法により第２バッファー層の上にＧａまたはＩｎを供給し、第２バッファー層の表面に形成された自然酸化層の酸素をもとに、ＧａＯまたはＩｎＯを形成する第３工程と、加熱することで第２バッファー層の上に形成されたＧａＯまたはＩｎＯを気化させる第４工程と、ＧａＯまたはＩｎＯを気化させたあとで、分子線エピタキシー法により、第２バッファー層の上にＡｌＮからなる結晶層を形成する第５工程とを備え、第３工程、第４工程、第５工程は、同一の装置内で実施する。例えば、第１工程および第２工程では、スパッタ法により第１バッファー層および第２バッファー層を形成すればよい。
【発明の効果】
【００１５】
以上説明したことにより、本発明によれば、分子線エピタキシー法により、ＡｌＯＮバッファー層を用いてより結晶性のよいＡｌＮの結晶層が形成できるという優れた効果が得られる。
【図面の簡単な説明】
【００１６】
【図１】図１は、本発明の実施の形態における窒化物半導体結晶成長方法を説明するための説明図である。
【図２】図２は、ＡｌＯＮバッファー層の上にＡｌＯ層を介してＡｌＮ結晶成長層を形成した第１試料と（ａ）、ＡｌＯＮバッファー層の上に直接ＡｌＮ結晶成長層を形成した第２試料と（ｂ）について、ＡｌＮ（０００２）面に対するＸ線ロッキングカーブを示す特性図である。
【図３】図３は、ＡｌＯＮバッファー層の上にＡｌＯ層を介してＡｌＮ結晶成長層を形成した第１試料と（ａ）、ＡｌＯＮバッファー層の上に直接ＡｌＮ結晶成長層を形成した第２試料と（ｂ）について、（１−１０２）面に対するＸ線ロッキングカーブを示す特性図である。
【図４Ａ】図４Ａは、ＡｌＯＮバッファー層を用いたＭＯＶＰＥによる結晶成長技術を説明するための説明図である。
【図４Ｂ】図４Ｂは、ＡｌＯＮバッファー層を用いたＭＯＶＰＥによる結晶成長技術を説明するための説明図である。
【発明を実施するための形態】
【００１７】
以下、本発明の実施の形態について図を参照して説明する。図１は、本発明の実施の形態における窒化物半導体結晶成長方法を説明するための説明図である。
【００１８】
まず、第１工程Ｓ１０１で、基板１０１の上にＡｌＯＮからなる第１バッファー層１０２を形成する。例えば、基板１０１は、主表面をｃ面（０００１）としたサファイア基板である。また、第１バッファー層１０２は、層厚方向に酸素と窒素の組成を変化させており、基板１０１から離れるほど窒素の方が酸素より大きい組成となっている。次に、第２工程Ｓ１０２で、第１バッファー層１０２の上に接してＡｌＮからなる第２バッファー層１０３を形成する。
【００１９】
ここで、第１バッファー層１０２および第２バッファー層１０３の堆積（形成）は、分子線エピタキシー法以外の堆積方法で実施する。例えば、スパッタ法により第１バッファー層１０２および第２バッファー層１０３を形成すればよい。また、第１バッファー層および第２バッファー層１０３の合計層厚は、２０ｎｍとすればよい。
【００２０】
次に、第３工程Ｓ１０３で、分子線エピタキシー法により、第２バッファー層１０３の上にＧａまたはＩｎの分子線１０４を照射してＧａまたはＩｎを供給し、第２バッファー層１０３の表面に形成された自然酸化層の酸素をもとに、ＧａＯまたはＩｎＯからなる酸化層１０５を形成する。酸化層１０５は、例えば、層厚１０ｎｍ程度得形成すればよい。
【００２１】
引き続き、第４工程Ｓ１０４で、加熱することで第２バッファー層１０３の上に形成されたＧａＯまたはＩｎＯを気化させ、少なくとも一部の酸化層１０５を除去し、第２バッファー層１０３の少なくとも一部の表面を露出させる。
【００２２】
次に、第５工程Ｓ１０５で、分子線エピタキシー法により、第２バッファー層１０３の少なくとも一部の表面に、ＡｌＮ結晶１０７ａを成長させる。このとき、残存している酸化層１０５の上には、結晶性の悪いＡｌＮ層１０６が形成される。引き続き、分子線エピタキシー法による、ＡｌＮ結晶１０７ａの成長を継続させ、第６工程Ｓ１０６で、第２バッファー層１０３の上にＡｌＮからなる結晶層１０７を形成する。
【００２３】
ここで、第２バッファー層１０３の少なくとも一部の表面から始まったＡｌＮ結晶１０７ａの結晶性は良好であり、残存している酸化層１０５上に成長した結晶性の悪いＡｌＮ層１０６よりも成長速度が速い。このため、部分的に始まった結晶性の良いＡｌＮ結晶１０７ａの成長進行に伴い、残存している酸化層１０５上に成長したＡｌＮ層１０６は、結晶性の良い結晶層１０７で覆われることになる。以上のことから、最終的には、結晶性のよい結晶層１０７が得られる。
【００２４】
ここで、第３工程Ｓ１０３、第４工程Ｓ１０４、第５工程Ｓ１０５、第６工程Ｓ１０６は、同一の装置内で実施する。
【００２５】
上述した成長方法により、結晶層１０７の成長が、自然酸化層がない第２バッファー層１０３の上で実施されるので、結晶性のよい状態で結晶層１０７が得られるようになる。また、分子線エピタキシー法により成長しているので、残留不純物濃度が低い状態が得られる。
【００２６】
上述した実施の形態では、分子線エピタキシー法により供給したＧａまたはＩｎから自然酸化層の酸素をもとに形成したＧａＯまたはＩｎＯを、加熱により蒸発させることで、第２バッファー層１０３の表面に形成されていた自然酸化層（ＡｌＯ）の少なくとも一部を除去したところに特徴がある。
【００２７】
ここで、スパッタ法により形成した第２バッファー層１０３は、必ずしもＡｌＮの結晶とはなっていない。結晶状態のＡｌＮは安定な物質であるため、酸化されにくいものと考えられる。これに対し、結晶とはなっていない第２バッファー層１０３は安定ではなく、酸化されやすいものと考えられる。このため、第２バッファー層１０３を形成した後、異なる装置（分子線エピタキシー装置）に移動する過程で、第２バッファー層１０３の表面には、自然酸化によるＡｌＯの層が形成されるものと考えられる。
【００２８】
ここで、Ａｌ元素とＯ元素が完全に結びついたＡｌ―Ｏは、強い結合を持っていることが知られている。しかしながら、空気中でＡｌＮが酸化してできた自然酸化によるＡｌＯ層は、アモルファス状態であり、すべての結合が完全なＡｌ―Ｏ結合になっていない。また、Ａｌ元素とＮ元素が結びついたＡｌＮも、強い結合を持っている。このようなＡｌＮが酸化した場合には、Ｎ−Ａｌ−Ｏという形になることが考えられる。また、この化合物中のＡｌ−Ｏ結合は、単なるＡｌ−Ｏ結合よりも弱い結合であると考えられる。
【００２９】
これらのことに加え、反応性の強い金属Ｉｎや金属Ｇａを供給すれば、Ａｌ−Ｏ結合の一部をＩｎ−ＯやＧａ−Ｏに変換することが可能になるものと考えられる。また、高温にすることにより、これらのＩｎＯやＧａＯを蒸発することが期待できる。このように、第２バッファー層１０３に形成した酸化膜１０５の少なくとも一部を取り除くことができれば、この取り除いた部分にＡｌＮの原料を供給することにより、結晶性の良いＡｌＮの結晶核を形成することができる。この状態よりさらにＡｌＮの原料を供給すれば、各々の結晶核が結合し、最終的には、表面が平坦なＡｌＮの結晶層１０６を成長させることが可能となる。
【００３０】
なお、ＩｎＯやＧａＯを蒸発させる温度は高ければ高いほど望ましいが、実際には、一般的にＭＢＥ法でＡｌＮを成長する温度である７００℃から８００℃程度が望ましい。
【００３１】
発明者らの鋭意の検討により、第２バッファー層１０３の表面に形成されるＡｌＯによりこの上に形成されるＡｌＮの結晶性の低下を招いていることが見いだされ、この知見をもとに、上記ＡｌＯを除去することで、以下に詳述するように、より結晶性のよい窒化物半導体の結晶層が得られるという本発明に至った。
【００３２】
まず、前述したように、ＭＯＶＰＥ法では、ＡｌＯＮバッファー層を利用することで、より結晶性のよい高品質な窒化物半導体の結晶層が形成できる。これに対し、分子線エピタキシー法では、ＡｌＯＮバッファー層を利用しても、必ずしも高品質の窒化物半導体を得ることができない。これは、ＡｌＯＮバッファー層を形成した後、ＥＣＲスパッタ装置から分子線エピタキシー法による成長装置に搬入するまでの間に、ＡｌＯＮバッファー層の表面のＡｌＮ層が空気中で酸化され、自然酸化層が形成されるためであると考えられる。
【００３３】
この自然酸化層は、ＭＯＶＰＥ法で使用するアンモニアガスあるいは水素ガスによって、比較的簡単に還元されて取り除くことができると考えられる。このことからも、自然酸化により形成されたＡｌ−Ｏ結合は、Ａｌ−Ｏ結晶の結合よりも弱いものと考えられる。このため、ＭＯＶＰＥ法では、空気中で酸化されて形成された酸化層による酸素原子を含まないＡｌＮ層に変化するので、高品質の窒化物半導体を成長させることができると考えられる。これに対し、アンモニアガスや水素ガスを使わずに窒化物半導体を成長するＭＢＥ法では、ＡｌＮ層の表面に空気中で酸化されて酸化層が形成されると、これを簡単に取り除くことができない。この結果、この酸化層が表面に存在するＡｌＯＮバッファー層上に成長した窒化物半導体の特性は劣化するものと考えられる。
【００３４】
ここで、非特許文献１では、ＡｌＯＮバッファー層上に、４８０℃の低温で１０ｎｍの厚さのＡｌＮ層を成長し、この上に、８００℃の高温で９００ｎｍのＡｌＮ結晶層を成長している。この技術では、ＡｌＯＮバッファー層上に直接ＡｌＮ層を成長した場合よりも、ＡｌＮ結晶層の結晶性を改善させている。この技術においては、ＡｌＯＮバッファー層の表面に形成された自然酸化層の上に、低温で形成したＡｌＮの層が存在しているため、ＡｌＮ結晶層の結晶性が改善しているものと考えられる。ただし、ＭＯＶＰＥ法で成長したＡｌＮ結晶層の特性に比べると、非特許文献１のＡｌＮ結晶層の特性は劣っている。
【００３５】
上述した様々な検討の結果、発明者らは、分子線エピタキシー法により、ＡｌＯＮバッファー層（第２バッファー層１０３）の表面に形成された自然酸化層（ＡｌＯ）を除去してから、ＡｌＮを結晶成長させることで、ＡｌＯＮバッファー層を用いてより結晶性のよいＡｌＮの結晶層が形成できるものと考えた。
【００３６】
ところで、ＡｌＯは、分子線エピタキシー法を実施する装置において昇温可能な８００℃程度の温度では、気化させることができない。これに対し、ＧａＯまたはＩｎＯであれば、８００℃程度の温度で気化させることが可能である。このため、本発明では、分子線エピタキシー法により、活性な金属Ｇａまたは金属Ｉｎを第２バッファー層１０３の上に供給し、ＡｌＯと反応させ、ＧａＯまたはＩｎＯとし、これらを気化させることで、第２バッファー層１０３の上に形成されていたＡｌＯを除去するようにした。
【００３７】
以下、ＡｌＯの有無による、ＡｌＮバッファー上に形成されるＡｌＮ結晶の結晶性の違いについて、実際に作製した試料の測定結果をもとに説明する。
【００３８】
［試料作製］
はじめに、試料の作成について説明する。まず、ＥＣＲスパッタ法を用い、主表面をｃ面（０００１）としたサファイア基板上に、ＡｌＯＮバッファー層を室温で堆積させる。ＥＣＲスパッタ法では、金属アルミのターゲットを用い、アルゴンでＥＣＲプラズマを生成した。また、成膜室内に酸素ガスおよび窒素ガスを供給し、サファイア基板の上にＡｌＯＮバッファー層を形成した。このＡｌＯＮバッファー層は、サファイア基板の側から、ＯとＮの組成を変化させたＡｌＯＮ層、ＡｌＮ層の順に積層した積層構造としている。なお、ＡｌＯＮ層は、サファイア基板の側より、Ｏの組成比を１００％から徐々に低下させた組成傾斜層としている。また、ＡｌＯＮ層およびＡｌＮ層の合計の層厚は、約２０ｎｍとした。室温条件で各層を形成しているので、これらは必ずしも結晶化している訳ではない。
【００３９】
また、ＡｌＯＮバッファー層の上に、さらにＡｌＯ層を追加して形成した試料を作製した。ＡｌＯＮバッファー層の上にさらにＡｌＯ層を形成した試料を第１試料とする。また、ＡｌＯ層を形成していない試料を第２試料とした。
【００４０】
次に、上述したように第１試料および第２試料の各々について、スパッタ装置より搬出し、次いで、プラズマ分子線エピタキシー装置に搬入し、ＡｌＮを結晶成長する。プラズマ分子線エピタキシー装置を用いた結晶成長法では、ＡｌセルによるＡｌ分子を加熱した基板表面に照射し、プラズマで活性化した窒素ガスを基板表面に供給することにより、ＡｌＮ層を成長する。なお、窒素ガス流量は毎分２ｍｌとし、また、プラズマを生成するための高周波のパワーは５００Ｗとした。
【００４１】
以上のことにより、ＡｌＯＮバッファー層の上にＡｌＯ層を介してＡｌＮ結晶成長層を形成した第１試料と、ＡｌＯＮバッファー層の上に直接ＡｌＮ結晶成長層を形成した第２試料とを作製した。なお、第１試料のＡｌＮ結晶成長層の厚さは、９００ｎｍであり、第２試料のＡｌＮ結晶成長層の厚さは、２０００ｎｍである。
【００４２】
［特性評価］
次に、第１試料と第２試料の各々について、特定の比較をした。図２は、第１試料および第２試料について、ＡｌＮ（０００２）面に対するＸ線ロッキングカーブを示す特性図である。図２の（ａ）が、第１試料のロッキングカーブを示し、図２の（ｂ）が、第２試料のロッキングカーブを示している。図２に示すように、第２試料（ｂ）の方が、第１試料（ａ）に比較してＸ線ロッキングカーブの半値幅が激減していることが分かる。
【００４３】
次に、ＡｌＮの（１−１０２）面に対するＸ線ロッキングカーブについて図３に示す。図３は、第２試料および第１試料について、ＡｌＮ（１−１０２）面に対するＸ線ロッキングカーブを示す特性図である。図３の（ａ）が、第１試料のロッキングカーブを示し、図３の（ｂ）が、第２試料のロッキングカーブを示している。図３に示すように、第２試料（ｂ）の方が、第１試料（ａ）に比較してＸ線ロッキングカーブの半値幅が激減している。
【００４４】
このように、ＡｌＮ（０００２）面とＡｌＮ（１−１０２）面に対するＸ線ロッキングカーブの半値幅を測定することにより、らせん転位密度（ＮＳ）と刃状転位密度（ＮＥ）を計算することができる（非特許文献２参照）。この計算結果を表１に示す。
【００４５】
【表１】
0006271390.tif 000002
【００４６】
第１試料におけるＡｌＮ結晶成長層のＸ線ロッキングカーブは、結晶性が悪いため、ノイズが多い。これに対し、第２試料では、らせん転位密度は１／１０以下に、刃状転位密度は１／５０以下まで減少していることが分かる。ここで、第２試料では、８００℃の条件で成長したＡｌＮ結晶成長層の厚さが厚い（２０００ｎｍ）ので、転位密度が減少する可能性がある。しかしながら、この膜厚の範囲内（９００ｎｍ〜２０００ｎｍ）では、このＡｌＮ層の膜厚による転位密度の減少は高々１／５程度である。表１では、これ以上の転位密度の減少が確認されているので、ＡｌＯＮバッファー層上の酸化層（ＡｌＮ層）を削除することが、高品質のＡｌＮ層を成長する上で有効であることが、初めて実験的に明らかにされた。
【００４７】
上述した実験の結果より、ＡｌＯＮバッファー層の上のＡｌＯを取り除くことにより、高品質のＡｌＮ層を、分子線エピタキシー法により結晶成長できることが、明らかになった。
【００４８】
以上の説明したように、本発明では、分子線エピタキシー法により、第２バッファー層の上にＧａまたはＩｎの分子線を照射してＧａまたはＩｎを供給し、第２バッファー層の表面に形成された自然酸化層の酸素をもとに、ＧａＯまたはＩｎＯを形成し、これを加熱することでＧａＯまたはＩｎＯを気化させるようにしたので、自然酸化層を取り除いた状態でＡｌＮの結晶層が結晶成長できる。この結果、本発明によれば、分子線エピタキシー法により、ＡｌＯＮバッファー層を用いてより結晶性のよいＡｌＮの結晶層が形成できるようになる。
【００４９】
ＡｌＯＮバッファー層の上層を構成しているＡｌＮ層の表面に、分子線エピタキシー装置へ搬送する間に空気中にさらされることで形成される自然酸化層を除去する方法としては、アンモニアを用いる方法、水素ガスを用いる方法が考えられる。これらの方法では、アンモニアガスや水素ガスを使用し、さらに、廃ガス処理を行う必要があり、大きな製造コストがかかる。
【００５０】
これに対して、本発明によれば、ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体の分子線エピタキシー装置で一般に用いられているＧａやＩｎの分子線を使うので、きわめて容易に実施可能であり、製造コストの上昇を招くことがない。
【００５１】
なお、本発明は以上に説明した実施の形態に限定されるものではなく、本発明の技術的思想内で、当分野において通常の知識を有する者により、多くの変形および組み合わせが実施可能であることは明白である。例えば、サファイア基板に限らず、Ｓｉ基板、ＳｉＣ基板などの異種基板を用いるようにしてもよい。
【符号の説明】
【００５２】
１０１…基板、１０２…第１バッファー層、１０３…第２バッファー層、１０４…分子線、１０５…酸化層、１０６…ＡｌＮ層、１０７…結晶層、１０７ａ…ＡｌＮ結晶。
【図１】
0006271390.tif 000003
【図２】
0006271390.tif 000004
【図３】
0006271390.tif 000005
【図４Ａ】
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【図４Ｂ】
0006271390.tif 000007