(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
キャビティ型半導体パッケージを形成するために蓋を基部に取り付ける方法であって、前記蓋はキャビティを含むように形成されており、前記基部の第１の接合周縁部によって線引きされる領域内において前記基部の表面に半導体ダイが結合されており、前記蓋は第２の接合周縁部を有し、前記方法は、
第１の接着材を前記第１の接合周縁部および前記第２の接合周縁部のうちの少なくとも一方の一部分に適用する工程であって、前記第１の接合周縁部および前記第２の接合周縁部の残りの部分である、前記接合周縁部の１つの側に沿って連続した一定の領域には前記第１の接着材が存在しない、前記工程と、
前記第２の接合周縁部が前記第１の接合周縁部に当接するとともに、前記第１の接着材が存在しない前記残りの部分の１つの場所において前記基部と前記蓋との間に間隙が作られるように、前記蓋を前記基部上に配置する工程と、
前記第１の接着材を第１の温度で熱硬化させる工程と、
前記間隙を閉じるように第２の接着材を前記残りの部分に適用する工程と、
前記基部と前記蓋との間の接合部において前記蓋の外周全体に前記第２の接着材を適用する工程と、
前記残りの部分に適用された前記第２の接着材を、前記第１の温度よりも低い室温で硬化させる工程と
を備える方法。
【請求項２】
前記第１の接着材は導電性の熱硬化性エポキシ樹脂である、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記第１の接合周縁部および前記第２の接合周縁部のうちの少なくとも一方の前記一部分は馬蹄形をなす、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記第２の接着材を紫外線放射にさらすことによって、前記残りの部分に適用された前記第２の接着材を硬化させる工程をさらに備える、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
前記残りの部分に適用された前記第２の接着材を硬化させて前記キャビティを気密シールする工程をさらに備える、請求項１に記載の方法。
【請求項６】
前記第２の接着材を適用する工程は、前記配置する工程に続いて行われる、請求項１に記載の方法。
【請求項７】
前記第１の接着材を適用する工程は、前記第１の接合周縁部および第２の接合周縁部の両方に前記第１の接着材が存在しない複数の残りの部分を作る工程を含み、前記配置する工程に続いて複数の間隙が作られ、
前記第２の接着材を適用する工程によって、前記第２の接着材が分配されて前記複数の間隙の各々が閉じられる、請求項１に記載の方法。
【請求項８】
キャビティ型半導体パッケージを形成するために蓋を基部に取り付ける方法であって、前記蓋はキャビティを含むように形成されており、前記基部の第１の接合周縁部によって線引きされる領域内において前記基部の表面に半導体ダイが結合されており、前記蓋は第２の接合周縁部を有し、前記方法は、
第１の接着材を前記第１の接合周縁部および前記第２の接合周縁部のうちの少なくとも一方の一部分に適用する工程であって、前記第１の接合周縁部および前記第２の接合周縁部の残りの部分である、前記接合周縁部の１つの側に沿って連続した一定の領域には前記第１の接着材が存在しない、前記工程と、
前記第２の接合周縁部が前記第１の接合周縁部に当接するとともに、前記第１の接着材が存在しない前記残りの部分の１つの場所において前記基部と前記蓋との間に間隙が作られるように、前記蓋を前記基部上に配置する工程と、
前記第１の接着材を第１の温度で熱硬化させる工程と、
前記配置する工程および前記熱硬化させる工程に続いて、前記間隙を閉じるように第２の接着材を前記残りの部分に適用する工程と、
前記基部と前記蓋との間の接合部において前記蓋の外周全体に前記第２の接着材を適用する工程と、
前記残りの部分に適用された前記第２の接着材を、前記第１の温度よりも低い室温で硬化させる工程を備える方法。
【請求項９】
前記第２の接着材を硬化させる工程は、前記第２の接着材を紫外線放射にさらす工程を含む、請求項８に記載の方法。
【請求項１０】
前記第１の接合周縁部および前記第２の接合周縁部のうちの少なくとも一方の前記一部分は馬蹄形をなす、請求項８に記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、一般的には半導体パッケージングに関する。より具体的には、本発明は、キャビティ型微小電気機械システム（ＭＥＭＳ）デバイスパッケージのための蓋取付技法に関する。
【背景技術】
【０００２】
マイクロエレクトロニクスおよび微小電気機械システム（ＭＥＭＳ）技術は、非常に小さな電子構造および機械構造を作成し、従来のバッチ半導体処理技法を使用して単一の基板上にこれらの構造を集積する方法を提供するため、近年において広く普及している。特許文献１にはエッジで接続可能な金属パッケージについて記載されている。このようなマイクロエレクトロニクスおよびＭＥＭＳデバイスは主流の技術になりつつあるが、製造および容易に使用するために、それらを半導体パッケージ内にコスト効率的にパッケージングすることが課題として残っている。
【０００３】
半導体パッケージは一般的に、関連要素のセットを提供する。これらの要素は、たとえば、パッケージングされる１つまたは複数の半導体デバイス、当該デバイスからパッケージへの相互接続、機械的支持と電気的、化学的、および環境的保護との両方を提供するための包囲または収容構造、ならびにパッケージを基板またはシステムに取り付けるための接合構造を含む。半導体パッケージングプロセスの開発者が直面する問題は、たとえば、半導体デバイス（たとえば、マイクロエレクトロニクスおよび微細構造）が高温のプロセスに敏感であること、適切な遮蔽が必要であること、場合によってはデバイスを汚染物質から保護するために気密シールまたは気密に近いシールが要求されることなどから生じる。
【０００４】
実際、腐食、湿気、および塵芥によってデバイスの動作が妨げられるので、保護は多くの半導体デバイスをパッケージングするにあたって重要な要素である。すなわち、パッケージング保護が損なわれると、半導体デバイスは機能しなくなる場合があり、所与の入力に対して出力が生成されなくなるか、または、所与の入力に対して無効なもしくは不正確な出力が生成される。集積回路（ＩＣ）デバイスの形状寸法が縮小し続けているため、微小電気機械システム（ＭＥＭＳ）デバイスの使用が増え続けており、複数の半導体デバイスを収容する半導体パッケージの作製が発展し続けており、低コストで、信頼性があり、高密度のパッケージングソリューションへの需要が増大している。
【０００５】
いくつかのタイプの半導体デバイスは、基部に据え付けられる１つまたは複数のデバイスが、基部に接着される蓋構造のキャビティ内に収納されるキャビティ型パッケージングを必要とする。キャビティ型蓋構造は、一部分において、パッケージングされるデバイスのための環境的保護を提供するように機能する。キャビティ型半導体パッケージングのためのいくつかの蓋取付材料は、１つまたは複数の半導体デバイスを含む基部と、半導体デバイスがその中に存在することになるキャビティを有する蓋との間に分配される蓋取付材料を固めるための熱硬化を必要とする。熱硬化中、構造が室温から硬化温度へと加熱されるとキャビティ内部の膨張する空気からの圧力に起因して、ブローホールとも称される開口が、接合材内に形成され得る。ブローホールは蓋取付材料内に形成され得、それによって、膨張した気体がキャビティから逃げることができる。これらのブローホールは、水、ソーダ、酸、ブレーキ液、塩水噴霧、および、キャビティ内に位置するデバイスに損傷を与え得る任意の他の汚染物質のような外部媒体に対する侵入口をもたらす可能性がある。キャビティ型半導体パッケージの内部の外部媒体は、キャビティ内の望ましくない導電経路の形成、望ましい伝導経路（たとえば、ボンディングワイヤ）の破損、および／またはキャビティ内の材料の膨張もしくは剥離をもたらし得る。
【０００６】
そのため、ブローホールの形成に関連付けられる問題を回避するために、室温硬化材料が提案されている。しかしながら、室温硬化材料には、電磁的遮蔽を必要とする設計には適切でない場合があるものもある。電磁的遮蔽を提供するために、蓋は金属のような導電性材料から形成される。導電性の蓋は、半導体パッケージ内で接地に取り付けられるのでない限り、電磁的遮蔽には効果的でない場合がある。そのような構成においては、蓋取付材料は、接地に対する経路を提供するために導電性である必要がある。室温において硬化するように適合される従来技術の導電性蓋取付材料は機能時間が短い。ポットライフとも称される短い機能時間は、その元のパッケージが開かれるか、または、触媒もしくは他の硬化剤が添加された後の、材料が有効である時間の長さである。室温硬化性の導電性蓋取付材料のポットライフが短いことは、製造環境において望ましくない特性である。たとえば、紫外線放射を使用して室温において硬化するように適合されるいくつかの従来技術の蓋取付材料は、より長いポットライフを有することができる。しかしながら、そのようなＵＶ硬化性の蓋取付材料は一般的に、導電形態では利用可能でない。
【０００７】
ブローホールの形成による問題を回避するために実装され得る別の技法は、超音波溶接である。超音波溶接では、個体状態接合を作成するために高周波超音波音響振動がワークピースに局地的に当てられる。超音波溶接では、材料をともに結合するためにはんだ付け材料、接着剤、締め具などは必要とされない。したがって、ブローホールは形成され得ない。しかしながら、高周波超音波音響振動はキャビティ内に位置するＭＥＭＳデバイスの壊れやすい可動微細構造を壊すおそれがあるため、超音波溶接は、たとえば、ＭＥＭＳデバイスを収容する半導体パッケージとともに使用されるには適切でない可能性がある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００８】
【特許文献１】米国特許第６，３００，６７３号明細書
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
本発明の目的は、上述の問題を解決するキャビティ型半導体パッケージおよびそのパッケージング方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
実施形態は、キャビティ型半導体パッケージング方法、および、当該パッケージング方法にしたがってパッケージングされる半導体デバイス構造を伴う。キャビティ型半導体パッケージング方法は、気密シールまたは気密に近いシールをもたらしながら、熱硬化中に膨張した気体の放出を可能にする安全確実な蓋取付けを提供する。方法は、電磁的遮蔽を必要とし、かつ／または、超音波溶接、熱硬化、もしくは室温硬化プロセスが適切でない場合があるＭＥＭＳデバイスを含むデバイスパッケージに特に適している。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】一実施形態による例示的なキャビティ型半導体パッケージの斜視図。
【図２】別の実施形態による、図１のキャビティ型半導体パッケージをパッケージングするためのパッケージングプロセスのフローチャート。
【図３】パッケージングの初期段階におけるデバイスの上面図。
【図４】図３における線４−４に沿ったデバイスの側断面図。
【図５】パッケージングの後続の段階におけるデバイスの上面図。
【図６】図５における線６−６に沿ったデバイスの側断面図。
【図７】パッケージングの後続の段階におけるデバイスの上面図。
【図８】図７における線８−８に沿ったデバイスの側断面図。
【図９】別の実施形態によるデバイスの側面図。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
図１は、一実施形態による例示的なキャビティ型半導体パッケージ２０の斜視図を示している。一般的に、半導体パッケージ２０は、それに接合される蓋２４を有する基部２２を含む。図１において、蓋２４の一部分は、キャビティ型半導体パッケージ２０のために蓋２４内に形成されるキャビティ２５を露呈させるために切り抜かれている。リード２６が基部２２の表面２８上に形成され得、蓋２４から露出される。リード２６は、半導体パッケージ２０の外部にある要素と基部２２に据え付けられるとともにキャビティ２５内に封入される構成要素（見えていない）との間の電気接続を可能にする導電性特徴である。
【００１３】
一実施形態では、半導体パッケージ２０は、マイクロエレクトロニクスおよび／または微小電気機械システム（ＭＥＭＳ）デバイス（たとえば、ジャイロスコープ、加速度計、センサ、または他の微細構造）のような半導体デバイスを含み得る。本明細書においては、キャビティ型半導体パッケージ構成が例示として示されている。しかしながら、半導体パッケージ２０は、特定の設計基準にしたがって、広範な形態、サイズ、形状、および機能をとってもよい。
【００１４】
図２は、別の実施形態による、半導体パッケージ２０（図１）をパッケージングするためのパッケージングプロセス３０のフローチャートを示す。パッケージングプロセス３０は、その後に半導体パッケージ２０内の構成要素に対する湿気、粒子などのような外部汚染物質からの損傷を実質的に制限するための気密シールまたは気密に近いシールをもたらしながら、蓋が熱硬化蓋取付材料を使用して基部に付着されるときに蓋内のキャビティから圧力を放出することができるようにする蓋取付技法を記載している。ＭＥＭＳデバイスを収容するキャビティ型半導体パッケージ２０のパッケージングに関連してプロセス３０を説明する。しかしながら、以下の方法は、気密シールまたは気密に近いシールを提供するためにキャビティ型蓋が取り付けられることになる多様な半導体設計のためのパッケージング方法に適合されることができることが諒解される。
【００１５】
以下、説明を簡潔にするために、単一の半導体パッケージに関連してパッケージングプロセス３０を記載する。しかしながら、以下のプロセスは複数の半導体パッケージを同時にパッケージングすることを可能にすることを当業者には理解されたい。たとえば、複数の半導体パッケージが基部２２への同時のパッケージングを受け得、ここで、基部２２はリードフレーム片またはパネルであり得る。続いて、複数の蓋２４が内部に形成されているキャップウェハが、複数の半導体パッケージ２０を形成するための以下の方法によってリードフレーム片またはパネルに取り付けられることができる。結果もたらされる複数の半導体パッケージ２０から成る構造は、その後、たとえば、従来のようなダイシングまたは打ち抜きによって単離されることができ、最終用途においてプリント回路基板上に結合され得る個々の半導体パッケージ２０が提供される。
【００１６】
パッケージングプロセス３０は活動（アクティビティ）３２によって開始する。活動３２において、１つまたは複数の半導体ダイがその上に据え付けられる基部２２が提供される。
【００１７】
活動３２に関連して図３および図４を参照すると、図３は、パッケージングの初期段階３６における半導体デバイス３４の上面図を示しており、図４は、図３における切断線４−４に沿った半導体デバイス３４の側面図を示している。以下の図３〜図９は、下記に説明するように、半導体デバイス３４および半導体パッケージ２０（図１）の異なる複数の要素を区別するためにさまざまなシェーディングおよび／またはハッチングを使用して示されている。これらの種々の要素は、現行のおよび近い将来のマイクロマシニング技法を利用して生成されることができる。
【００１８】
半導体デバイス３４は、基部２２と、基部２２に結合され、かつ／または積層された形態で互いに結合される１つまたは複数の半導体ダイ３８とを含む。より具体的には、基部２２は、１つまたは複数の半導体ダイ３８が取り付けられるダイパッド４０を含むリードフレームであり得る。ボンドパッド４２がダイパッド４０の周囲に配置され得る。半導体ダイ３８は、本明細書においてはボンディングワイヤ４４と称される１つまたは複数の電気接続を介して相互接続され得、かつ／または、半導体ダイ３８は、ボンディングワイヤ４４を介してダイパッド４０の周囲に配置されるボンドパッド４２に接続され得る。ボンドパッド４２のうちのいくつかまたはすべては、リード２６に電気的に結合され得る。代替的に、または付加的に、ボンドパッド４２のうちのいくつかまたはすべては、基部２２を貫通して基部２２の下面上のリードコンタクト領域（図示せず）まで延在し得る。
【００１９】
半導体ダイ３８のうちの少なくとも１つの設計構成は、適切な環境的保護を提供するためにキャビティパッケージングを必要とする。さらに、一例では、半導体デバイス３４の半導体ダイ３８のうちの１つは、ジャイロスコープ、加速度計、センサなどのようなＭＥＭＳデバイスであり得る。この特定の形態の半導体ダイ３８は、本明細書においてはＭＥＭＳデバイス４８と称する。ＭＥＭＳデバイス４８は、その壊れやすい可動部を保護するためにそれ自体のキャビティパッケージ内にシールされ得る。しかしながら、ＭＥＭＳデバイス４８、ならびにキャビティ２５内の他の半導体ダイ３８、電気接続、および材料は、さまざまな流体および／または粒子がキャビティ２５内に侵入することによって損傷を受けるおそれがある。したがって、接合周縁部５０が、ダイパッド４０の領域５２を線引きする、すなわち、画定する。ＭＥＭＳデバイス４８を含む半導体ダイ３８は、接合周縁部５０によって線引きされる領域５２内で基部２２の表面２８に据え付けられる。接合周縁部５０は、下記に詳細に説明するように、蓋、たとえば、蓋２４（図１）の対応する接合周縁部が基部２２に取り付けられることになる場所（ロケーション）である。
【００２０】
その取り付けられる半導体ダイ３８およびボンディングワイヤ４４を有する半導体デバイス３４は、デバイス製造者から提供され、別個のパッケージング施設においてパッケージングされ得る。代替的には、半導体デバイス３４は、同じ製造施設内で作製およびパッケージングされてもよい。
【００２１】
パッケージングプロセス３０（図２）に戻って参照すると、活動３２に続いて、活動５４が実行される。活動５４において、内部にキャビティ（空洞）が形成される蓋が提供される。たとえば、キャビティ２５（図１）を有する蓋２４（図１）が、半導体デバイス３４をパッケージングするものとは別個のまたは同じ製造施設から提供され得る。
【００２２】
パッケージングプロセス３０は活動５６によって継続する。活動５６において、熱硬化性の接着材料（接着材）が基部２２または蓋２４のいずれかまたは両方の接合周縁部の一部分に適用される。次に、活動５８において、蓋２４が基部２２上に配置される。
【００２３】
パッケージングプロセス３０の活動５６および５８に関連して図５および図６を参照すると、図５は、パッケージングの後続の段階５８における半導体デバイス３４の上面図を示しており、図６は、図５内の切断線６−６に沿った半導体デバイス３４の側面図を示している。図５および図６に示されているように、蓋２４はフランジ６０を含む。フランジ６０は、蓋２４の方の接合周縁部６２を画定する。より具体的には、フランジ６０の底面が、蓋２４の方の接合周縁部６２を形成する。蓋２４の接合周縁部６２は、基部２２上の接合周縁部５０に当接するようなサイズおよび形状にされる。
【００２４】
一実施形態によれば、接着材６４が基部２２上の接合周縁部５０の部分６６に適用される。しかしながら、接着材６４は、接合周縁部５０の残りの部分６８には適用されない。図５に示されているように、残りの部分６８は蓋２４のフランジ６０の下にあり、点線によって境界を定められている。したがって、接着材６４が適用される接合周縁部５０の部分６６は、部分６８を除く接合周縁部５０の残りの部分を構成する。一実施形態では、接着材６４が適用される部分６６は接合周縁部５０の大部分を構成し、部分６８は部分６６よりも著しく小さい。たとえば、部分６６は、一般的に「馬蹄形」であり得、接合周縁部の１つの側に沿った小さな領域のみが、接着材６４が適用されていない部分６８のために確保されている。
【００２５】
代替的な実施形態では、接着材６４はさまざまなパターンにおいて適用され得る。１つの例示的なパターンは、接着材６４が、離間された点状に接合周縁部５０に適用されるものを含む。そのような構成では、残りの部分６８は、接合周縁部５０の周囲に離間され、接着材６４が適用される接合周縁部５０の部分６６によって分離される、接着材６４が適用されていない複数の部分（図示せず）を含む。接着材６４は、代替的に、接合周縁部５０の代わりにまたはそれに加えて、蓋２４の接合周縁部６２の一部分に適用されてもよく、たとえば、部分６８における接合周縁部６２の残りの部分には接着材６４がない。したがって、両方の接合周縁部５０および６２の１つまたは複数の部分６８には接着材６４がない。
【００２６】
接合周縁部５０および／または接合周縁部６２に接着材６４が適用された後、蓋２４の接合周縁部６２が接合周縁部５０に当接するように、蓋２４が基部２２上に配置される。部分６８の１つまたは複数の場所における接着材６４がない場所に、１つまたは複数の間隙７０が基部２２と蓋２４との間に形成される。示されている構成においては、単一の間隙７０が図６において特に明白である。タスク５８に続いて、ＭＥＭＳデバイス４８を含む半導体ダイ３８が、蓋２４のキャビティ２５内に配置される。
【００２７】
図２に戻って参照して、蓋２４が基部２２上に配置される活動５８に続いて、パッケージングプロセス３０は活動７２によって継続する。タスク７２において、蓋２４および半導体デバイス３４の構造が熱硬化プロセスを受ける。蓋２４がキャビティ２５内に位置する半導体ダイ３８に対する遮蔽体として機能することになる場合、導電性エポキシ材料が接着材６４であるように選択される。導電性接着材６４は接地への経路を提供し、それによって、蓋２４は半導体ダイ３８を効果的に遮蔽する。さらなる実施形態では、この導電性エポキシ材料は、熱硬化性材料でもある。熱硬化性の導電性材料は、少なくとも部分的に、相対的に使用するのが容易で、相対的にポットライフが長く、強度が高いため、有利である。
【００２８】
熱硬化性エポキシ材料は一般的に、摂氏１７０度またはそれ以上の温度において硬化する、すなわち、固くなる。熱硬化プロセスの間にこの構造が加熱されると、キャビティ２５の内部の空気が膨張する。蓋２４と基部２２との間の間隙７０（図６）が、この空気をキャビティ２５から放出することを可能にし、それによって、蓋２４と基部２２との間に適用される接着材６４を通じてブローホールが形成されることが大きく妨げられる。
【００２９】
熱硬化活動７２に続いて、パッケージングプロセス３０は活動７４によって継続する。活動７４において、別の接着材が間隙７０（図６）を閉じるかまたは他の様態でシールするために部分６８（図５）に適用される。この接着材の第２の適用は、ダイボンダのダイボンドディスペンスチップ（ｄｉｅ  ｂｏｎｄ  ｄｉｓｐｅｎｓｅ  ｔｉｐ）が接着材で特定の場所に適切な線を描くことができる標準的なディスペンサを利用して実行され得る。
【００３０】
次に、活動７６が実行され、当該活動において、活動７４において分配された接着材が適切に硬化され、基部２２と蓋２４との間の大きく気密シールされた接合を有する半導体パッケージ２０がもたらされる。活動７６に続いて、パッケージングプロセス３０は、簡潔にするために本明細書においては説明されない他の活動を含み得る。これらの追加の作製活動は、外部電気相互接続の形成、ダイシング、検査などを含むことができる。プロセス３０は、半導体パッケージ２０を製造するための半導体デバイス３４のパッケージングに続いて終了する。
【００３１】
ここで図７および図８を参照すると、図７は、パッケージングの後続の段階７８における半導体デバイス３４の上面図を示しており、図８は、図７における切断線８−８に沿った半導体デバイス３４の側面図を示している。活動７４（図２）にしたがって、間隙７０の場所に接着材８０が適用される。ここでも、接着材８０は、ダイボンダのダイボンドディスペンスチップが適切な線の接着材８０を適用する標準的なディスペンサを利用して分配され得る。図示されているように、接着材８０は、図７において部分６８の幅を越えて延在する接着材８０のビードまたは線によって表されているように、熱硬化した接着材６４上に部分的に重なるように分配され得る。無論、複数の間隙７０が形成される場合、接着材８０は複数の間隙７０を閉じるために複数の間隙７０の各々の場所において適用される。
【００３２】
接着材８０は、熱硬化性接着材６４よりも著しく低い温度で硬化する製品であり得る。たとえば、接着材８０は、たとえば、一般的に室温と称される摂氏２０〜２５度（華氏６８〜７７度）の温度において硬化し得る。加えて、接着材８０は、たとえば、紫外線（ＵＶ）放射下で硬化する光硬化性材料であり得る。そのような材料は、ＵＶ硬化性材料と称されることがある。ＵＶ硬化性材料は、ＵＶ放射にさらされるとほぼ瞬間的に硬化、すなわち固くなり、他の接着材に必要とされる乾燥期間または熱硬化期間がなくなっている。したがって、活動７６（図２）において、接着材８０は、接着材８０の硬化を容易にするために、従来の技法によって室温においてＵＶ放射にさらされ得る。室温で硬化するＵＶ硬化性接着材８０が実装されるため、キャビティ２５内の残りの空気または気体は、受ける膨張が皆無かまたはそれに近い。それゆえ、接着材８０が硬化するとき、接着材６４および８０を貫通するブローホールは形成されないことになる。したがって、ＭＥＭＳデバイス４８を含む半導体ダイ３８が中に配置されるシールされたキャビティ２５が形成される。
【００３３】
図９は、別の実施形態による半導体パッケージ２０の側面図を示している。事例によっては、基部２２と蓋２４との間に空隙が残っていないことをさらに確実にすることが望ましい場合がある。したがって、パッケージングプロセス３０（図２）のタスク７４（図２）において、接着材８０が、基部２２と蓋２４との間の接合部において蓋２４の外周８２（図７も参照されたい）全体に適用され得る。この接着材８０の適用は、間隙７０（図６）を閉じるときの部分６８（図５）への接着材８０の適用と同時に実行され得る。
【００３４】
本明細書に記載されている実施形態は、キャビティ型半導体パッケージング方法、および、当該パッケージング方法にしたがってパッケージングされるキャビティ型半導体パッケージ構造を伴う。パッケージング方法は、気密シールまたは気密に近いシールをもたらしながら、熱硬化中に膨張した気体の放出を可能にする安全確実な蓋取付けを提供する。特に、パッケージング方法は、熱硬化性接着材が基部と蓋との間の接合周縁部の一部分に適用され、それによって、熱硬化性接着材がない１つまたは複数の間隙が残る、２段階接着プロセスを伴う。熱硬化プロセスの間、蓋の内部キャビティはこれらの間隙を通じて適切にブローされることができる。熱硬化に続いて、接合周縁部の残りの部分が、著しく低い温度、すなわち、室温で硬化する接着材を使用して１つまたは複数の間隙を閉じるために接合される。このようにして、半導体要素が中に存在するシールされたキャビティ型パッケージが形成される。方法は、他の蓋取付技法を使用して損傷を受けるおそれがある、ＭＥＭＳデバイスを含む半導体パッケージに特に適している。
【００３５】
本発明の好ましい実施形態が詳細に例示および記載されてきたが、本発明の精神または添付の特許請求項の範囲から逸脱することなく、そこにさまざまな改変を行うことができることが当業者には容易に明らかとなろう。たとえば、蓋および基部は、図示されているもの以外のさまざまな他の形状およびサイズをとることができる。加えて、ＭＥＭＳデバイスを含む半導体ダイは、キャビティ型パッケージングが必要とされるさまざまな半導体デバイスを表している。
【図１】
0006271151.tif 000002
【図２】
0006271151.tif 000003
【図３】
0006271151.tif 000004
【図４】
0006271151.tif 000005
【図５】
0006271151.tif 000006
【図６】
0006271151.tif 000007
【図７】
0006271151.tif 000008
【図８】
0006271151.tif 000009
【図９】
0006271151.tif 000010