(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
集積回路を備える装置であって、
前記集積回路は、
電源レールと、
接地レールと、
第１のセルと、を備え、
前記第１のセルは左側エッジおよび右側エッジを有し、
前記第１のセルは、
前記第１のセルに含まれ、前記左側エッジから前記右側エッジまで連続しているｐドープ拡散領域であって、前記ｐドープ拡散領域は前記電源レールに電気的に接続される、ｐドープ拡散領域と、
前記ｐドープ拡散領域の上方に配置され、前記電源レールに電気的に接続される第１のゲートと、
前記第１のセルに含まれ、前記左側エッジから前記右側エッジまで連続しているｎドープ拡散領域であって、前記ｎドープ拡散領域は前記接地レールに電気的に接続される、ｎドープ拡散領域と、
前記ｎドープ拡散領域の上方に配置され、前記接地レールに電気的に接続される第２のゲートと、を備え、
前記ｐドープ拡散領域および前記ｎドープ拡散領域の上方に、前記左側エッジに近接して配置される左側フローティングゲートと、
前記ｐドープ拡散領域および前記ｎドープ拡散領域の上方に、前記右側エッジに近接して配置される右側フローティングゲートと、によって特徴付けられている、集積回路を備える装置。
【請求項２】
前記第１のゲートは第１のポリシリコンゲートであり、前記第２のゲートは第２のポリシリコンゲートであり、前記左側フローティングゲートは左側フローティングポリシリコンゲートであり、前記右側フローティングゲートは右側フローティングポリシリコンゲートである、請求項１に記載の装置。
【請求項３】
前記集積回路は、第２のセルをさらに備え、
前記第２のセルは左側エッジを有し、
前記第２のセルは、
ｐドープ拡散領域と、
ｎドープ拡散領域と、
前記第１のセルおよび前記第２のセルの前記ｐドープ拡散領域を互いに接続するｐドープブリッジ拡散領域と、
前記第１のセルおよび前記第２のセルの前記ｎドープ拡散領域を互いに接続するｎドープブリッジ拡散領域と、を備える、請求項２に記載の装置。
【請求項４】
前記ｐドープブリッジ拡散領域および前記ｎドープブリッジ拡散領域はそれぞれ、前記右側フローティングポリシリコンゲートの下に配置される、請求項３に記載の装置。
【請求項５】
前記ｐドープブリッジ拡散領域および前記ｎドープブリッジ拡散領域はそれぞれ、前記右側フローティングポリシリコンゲートの上に配置される、請求項３に記載の装置。
【請求項６】
前記ｐドープブリッジ拡散領域および前記ｎドープブリッジ拡散領域はそれぞれ、前記左側フローティングポリシリコンゲートの下に配置される、請求項３に記載の装置。
【請求項７】
前記ｐドープブリッジ拡散領域および前記ｎドープブリッジ拡散領域はそれぞれ、前記左側フローティングポリシリコンゲートの上に配置される、請求項３に記載の装置。
【請求項８】
前記第２のセルは、前記第２のセルの前記ｐドープ領域および前記ｎドープ領域の上方に、前記第２のセルの前記左側エッジに近接して配置される左側フローティングポリシリコンゲートを備える、請求項３に記載の装置。
【請求項９】
前記第２のセルは右側エッジを有し、前記第２のセルの前記ｐドープ領域は前記第２のセルの前記左側エッジから前記第２のセルの前記右側エッジまで連続しており、前記第２のセルの前記ｎドープ領域は前記第２のセルの前記左側エッジから前記第２のセルの前記右側エッジまで連続している、請求項８に記載の装置。
【請求項１０】
前記装置は、電話、タブレット、基地局およびコンピュータシステムからなるグループから選択される、請求項１に記載の装置。
【請求項１１】
集積回路内のセルを互いにブリッジする方法であって、
前記方法は、
設計におけるセルの配置後に、前記設計において連続拡散互換（ＣＤＣ）フィラーセルを挿入するステップであって、ＣＤＣセルが、
前記ＣＤＣセルの左側エッジから右側エッジまで連続しているｐドープ拡散領域であって、前記ｐドープ拡散領域は電源レールに電気的に接続される、ｐドープ拡散領域と、前記ｐドープ拡散領域の上方に配置され、前記電源レールに電気的に接続される第１のゲートと、前記左側エッジから前記右側エッジまで連続しているｎドープ拡散領域であって、前記ｎドープ拡散領域は接地レールに電気的に接続される、ｎドープ拡散領域と、前記ｎドープ拡散領域の上方に配置され、前記接地レールに電気的に接続される第２のゲートと、前記ｐドープ拡散領域および前記ｎドープ拡散領域の上方に、前記左側エッジに近接して配置される左側フローティングゲートと、前記ｐドープ拡散領域および前記ｎドープ拡散領域の上方に、前記右側エッジに近接して配置される右側フローティングゲートとを含む、挿入するステップと、
セルリストを形成するために、配置行上のセルをグループ化し、順序付けるステップと、
前記セルリストを順番に横断するステップと、を含み、
前記セルリスト内のセルがＣＤＣセルであり、前記セルの隣接するセルがＣＤＣセルであり、前記セルおよび前記隣接するセルがそれぞれ拡散領域を備える場合には、前記セルおよび前記隣接するセルの前記拡散領域を互いに電気的に接続するように前記セルおよび前記隣接するセルを重ね合わせるために、前記セルのエッジにブリッジセルを作製するステップをさらに含む、集積回路内のセルを互いにブリッジする方法。
【請求項１２】
前記第１のゲートは第１のポリシリコンゲートであり、前記第２のゲートは第２のポリシリコンゲートであり、前記左側フローティングゲートは左側フローティングポリシリコンゲートであり、前記右側フローティングゲートは右側フローティングポリシリコンゲートである、請求項１１に記載の方法。
【請求項１３】
前記セルリスト内の第２のセルがフィラーセルであり、前記第２のセルの隣接するセルがＣＤＣセルであり、前記第２のセルおよび前記隣接するセルがそれぞれ拡散領域を備える場合には、前記フィラーセルを、前記第２のセルの前記隣接するセルに改善された性能を与える拡散プロファイルを有するフィラーセルと置き換えるステップと、前記第２のセルおよび前記隣接するセルの前記拡散領域を互いに電気的に接続するように前記第２のセルおよび前記隣接するセルを重ね合わせるために、前記第２のセルのエッジにブリッジセルを作製するステップと、をさらに含む、請求項１１または１２に記載の方法。
【請求項１４】
集積回路内にフィラーセルを生成する方法であって、
前記方法は、
設計において第１の１組の配置制約を加えるステップであって、前記第１の１組の配置制約は連続している拡散互換（ＣＤＣ）セルと非ＣＤＣセルとの間の最小間隔を強制し、ＣＤＣセルが、
前記ＣＤＣセルの左側エッジから右側エッジまで連続しているｐドープ拡散領域であって、前記ｐドープ拡散領域は電源レールに電気的に接続される、ｐドープ拡散領域と、前記ｐドープ拡散領域の上方に配置され、前記電源レールに電気的に接続される第１のゲートと、前記左側エッジから前記右側エッジまで連続しているｎドープ拡散領域であって、前記ｎドープ拡散領域は接地レールに電気的に接続される、ｎドープ拡散領域と、前記ｎドープ拡散領域の上方に配置され、前記接地レールに電気的に接続される第２のゲートと、前記ｐドープ拡散領域および前記ｎドープ拡散領域の上方に、前記左側エッジに近接して配置される左側フローティングゲートと、前記ｐドープ拡散領域および前記ｎドープ拡散領域の上方に、前記右側エッジに近接して配置される右側フローティングゲートとを含む、加えるステップと、
前記最小間隔に起因する前記設計においてＣＤＣセルと非ＣＤＣセルとの間の空所を終端するためにエンドキャップセルを選択し、挿入するステップと、
前記設計における配置行上のＣＤＣセル間に配置空所が存在する場所に、フィラーセルを作製するステップと、を含む、集積回路内にフィラーセルを生成する方法。
【請求項１５】
前記第１のゲートは第１のポリシリコンゲートであり、前記第２のゲートは第２のポリシリコンゲートであり、前記左側フローティングゲートは左側フローティングポリシリコンゲートであり、前記右側フローティングゲートは右側フローティングポリシリコンゲートである、請求項１４に記載の方法。
【請求項１６】
前記第１の１組の配置制約に加えて、配置制約を与える第２の１組の配置制約を加えるステップであって、前記第２の１組の配置制約は、前記設計における第１のタイプのセルが、前記設計における第２のタイプのセルと当接するのを防ぐ、加えるステップと、
前記設計において互換性のないＣＤＣセル間の空所を終端するためにデュアルエンドキャップセルを選択し、挿入するステップと、をさらに含む、請求項１４または１５に記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
米国特許法第１１９条に基づく優先権の主張
本特許出願は、本出願の譲受人に譲渡され、参照により本明細書に明確に組み込まれる、２０１３年６月１８日に出願された「ＭＥＴＨＯＤ  ＡＮＤ  ＡＰＰＡＲＡＴＵＳ  ＦＯＲ  Ａ  ＤＩＦＦＵＳＩＯＮ  ＢＲＩＤＧＥＤ  ＣＥＬＬ  ＬＩＢＲＡＲＹ」と題する米国仮出願第６１／８３６，３０９号の恩典を主張する。
【０００２】
本発明の実施形態は、集積回路の設計に関する。
【背景技術】
【０００３】
最新のプロセス技術では、トランジスタ性能は、トランジスタゲートの先の拡散長（ＬＯＤ：ｌｅｎｇｔｈ  ｏｆ  ｄｉｆｆｕｓｉｏｎ）に大きく依存する。この依存性は、２例を挙げると、浅いトレンチ分離（ＳＴＩ）までの距離に依存する拡散領域内の応力差と、フラッシュアニーリング中のＳＴＩと拡散エリアとの間の局所加熱の差とによって引き起こされる場合がある。
【０００４】
数多くの最新のＣＭＯＳ論理セルライブラリでは、拡散は通常、２つの行、すなわち、１つの行はＰ型ｐＭＯＳＦＥＴ（金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ）用、もう１つの列はｎＭＯＳＦＥＴ用である２つの行内にレイアウトされる。通常の論理セルライブラリは、セル内のトランジスタを隣接するセルから電気的に絶縁するために、各セルのエッジ（境界）において拡散を遮断する。さらに、層に対して一定のパターニングを強制するポリシリコン（または金属ゲート）層に関する制約もある。これらのポリシリコンパターニングルールは、通常の論理セルレイアウトがセルエッジにおいてダミーポリシリコン機構を有するというものである。
【０００５】
ゲートアレイとして知られる、他のタイプのセルライブラリでは、一様な拡散およびポリシリコンパターンが用いられる。ある形のゲートアレイでは、拡散エリアはセルエッジにおいて遮断されるのではなく、代わりに、論理的に等価でないノードを電気的に絶縁するために切り替えられるＭＯＳＦＥＴを用いる。これらのセルアーキテクチャの１つ副産物は、ゲートアレイの基本テンプレートを構成するすべての論理回路に対して拡散サイズ（それゆえ、ＭＯＳＦＥＴ幅）が類似であることである。
【発明の概要】
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の実施形態は、拡散ブリッジセルライブラリのためのシステムおよび方法に向けられる。
【０００７】
トランジスタ性能は拡散エリアの遮断によって大きく影響を及ぼされるので、実施形態は、性能または漏れ電力に影響を及ぼすようにＬＯＤ効果の恩恵を最大化することが予想されるセルアーキテクチャを提供する。
【０００８】
一実施形態では、集積回路が、セル内に含まれ、セルの左側エッジから右側エッジまで連続しているｐドープ拡散領域を有するセルを含み、ｐドープ拡散領域は電源レールに電気的に接続される。セルはさらに、ｐドープ拡散領域の上方に配置され、すなわち、後の製造ステップにおいて作製され、電源レールに電気的に接続される第１のポリシリコンゲートと、セル内に含まれ、左側エッジから右側エッジまで連続しており、接地レールに電気的に接続されるｎドープ拡散領域と、ｎドープ拡散領域の上方に配置され、接地レールに電気的に接続される第２のポリシリコンゲートと、ｐドープ拡散領域およびｎドープ拡散領域の上方に、左側エッジに近接して配置される左側フローティングポリシリコンゲートと、ｐドープ拡散領域およびｎドープ拡散領域の上方に、すなわち、後の製造ステップにおいて作製され、右側エッジに近接して配置される右側フローティングポリシリコンゲートとを含む。
【０００９】
別の実施形態では、方法が、集積回路内のセルを互いにブリッジする。その方法は、セルの各エッジにマーカ層を追加することと、２つの拡散エッジと接触するマーカ形状ごとに、各マーカ形状によって接触される２つの拡散エッジのうちの最も短い方の拡散エッジを成長させることであって、その成長は各マーカ形状の幅である、成長させることと、新たな拡散領域を画定するために、成長した拡散エッジとマーカ形状とにブールＡＮＤを適用することと、集積回路のポリシリコンピッチを有するように各新たな拡散領域を成長させることと、成長した新たな拡散領域に近接する各フローティングゲートを成長させることとを含む。
【００１０】
別の実施形態では、方法が集積回路内のセルを互いにブリッジする。その方法は、設計におけるセルの配置後に、設計内に連続拡散互換（ＣＤＣ：ｃｏｎｔｉｎｕｏｕｓ  ｄｉｆｆｕｓｉｏｎ  ｃｏｍｐａｔｉｂｌｅ）フィラーセルを挿入することと、セルリストを形成するために、配置行上のセルをグループ化し、順序付けすることと、セルリストを順番に横断することであって、セルリスト内のセルがＣＤＣセルであり、そのセルの隣接するセルがＣＤＣセルである場合には、そのセルおよび隣接するセルはそれぞれ拡散領域を含む、横断することと、その後、そのセルおよび隣接するセルの拡散領域を電気的に接続するように、そのセルおよび隣接するセルを重ね合わせるためにセルのエッジにブリッジセルを作製することとを含む。
【００１１】
別の実施形態では、方法が、集積回路内にフィラーセルを生成する。その方法は、設計において第１の１組の配置制約を加えることであって、第１の配置制約は、連続拡散互換（ＣＤＣ）セルと非ＣＤＣセルとの間の最小間隔を強制することと、最小間隔に起因する設計においてＣＤＣセルと非ＣＤＣセルとの間の空所を終端するためにエンドキャップセルを選択し、挿入することと、その設計において配置行上のＣＤＣセル間に配置空所が存在する場所にフィラーセルを作製することとを含む。
【００１２】
別の実施形態では、方法が、集積回路内のセルをデチューンする。その方法は、ブリッジングセルまたはエンドキャップセルを備える、設計のためのブリッジタイミングモデルを生成することと、ブリッジングセルまたはエンドキャップセルが除去された、その設計のための非ブリッジタイミングモデルを生成することと、ブリッジタイミングモデルを用いて静的タイミング解析を実行することと、その設計における高速経路内のセルごとに、各セルに隣接するセルを特定することとを含み、両方の隣接するセルがあるマージン内で設定上不可欠でない場合には、セルに隣接する任意のブリッジングセルが設計から除去される。
【００１３】
別の実施形態では、集積回路が、電源電圧を与えるための手段と、接地電圧を与えるための手段と、セルとを含む。セルは、セル内に含まれ、セルの左側エッジから右側エッジまで連続しており、電源電圧を与えるための手段に電気的に接続されるｐドープ拡散領域と、ｐドープ拡散領域の上方に配置され、電源電圧を与えるための手段に電気的に接続される第１のポリシリコンゲートと、セル内に含まれ、左側エッジから右側エッジまで連続しており、接地電圧を与える手段に電気的に接続されるｎドープ拡散領域と、ｎドープ拡散領域の上方に配置され、接地電圧を与えるための手段に電気的に接続される第２のポリシリコンゲートと、ｐドープ拡散領域およびｎドープ拡散領域の上方に、左側エッジに近接して配置される左側フローティングポリシリコンゲートと、ｐドープ拡散領域およびｎドープ拡散領域の上方に、右側エッジに近接して配置される右側フローティングポリシリコンゲートとを含む。
【００１４】
別の実施形態では、方法が集積回路内のセルを互いにブリッジする。その方法は、セルの各エッジにマーカ層を追加すること、成長させるための手段とであって、成長させるための手段はマーカ形状によっていずれも接触される２つの拡散エッジのうちの最も短い方の拡散エッジを成長させ、成長させるための手段は、マーカ形状の幅を有するように最も短い方の拡散エッジを成長させる、成長させるための手段と、新たな拡散領域を画定するための手段であって、新たな拡散領域を画定するための手段は、新たな拡散領域を画定するために、成長した拡散エッジおよびマーカ形状にブールＡＮＤを適用する、新たな拡散領域を画定するための手段と、集積回路のポリシリコンピッチを有するように各新たな拡散領域を成長させることと、成長した新たな拡散領域に近接する各フローティングゲートを成長させることとを含む。
【００１５】
添付の図面は、本発明の実施形態の説明を助けるために提示されており、実施形態を限定するためではなく、実施形態の例示のみのために提供されている。
【図面の簡単な説明】
【００１６】
【図１】一実施形態による、セルレイアウトを示す図である。
【図２】一実施形態による、連続拡散領域を形成するための方法を示す図である。
【図３】一実施形態による、ブリッジングセルを形成するための方法を示す図である。
【図４】一実施形態による、エンドキャップセルおよびフィラーセルを形成するための方法を示す図である。
【図５】一実施形態による、デュアルエンドキャップセルを形成するための方法を示す図である。
【図６】一実施形態による、高速経路をデチューンするための方法を示す図である。
【図７】一実施形態の適用例を見つけることができる通信システムを示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１７】
本発明の特定の実施形態に向けられる以下の説明および関連する図面において、複数の実施形態が開示される。本発明の範囲から逸脱することなく、代替の実施形態を考案することができる。さらに、本発明の関連する詳細を不明瞭にしないように、本発明のよく知られている要素は詳細に説明されないか、または省略される。
【００１８】
「本発明の実施形態」という用語は、本発明のすべての実施形態が、論じられた特徴、利点または動作モードを含むことを要求しない。
【００１９】
本明細書において使用される用語は、特定の実施形態を説明することのみを目的とするものであり、本発明の実施形態を限定するものではない。本明細書において使用されるときに、単数形「ａ」、「ａｎ」、および「ｔｈｅ」は、文によって別段に明確に指示されない限り、複数形をも含むものとする。さらに、「含む、備える（ｃｏｍｐｒｉｓｅｓ）」、「含んでいる、備えている（ｃｏｍｐｒｉｓｉｎｇ）」、「含む（ｉｎｃｌｕｄｅｓ）」、および／または「含んでいる（ｉｎｃｌｕｄｉｎｇ）」という用語は、本明細書において使用されるときに、述べられた特徴、整数、ステップ、動作、要素、および／または構成要素の存在を明示するが、１つまたは複数の他の特徴、整数、ステップ、動作、要素、構成要素、および／またはそれらのグループの存在または追加を排除しないことはさらに理解されよう。
【００２０】
さらに、多くの実施形態が、たとえば、コンピューティングデバイスの要素によって実行されることになる一連の動作に関して説明される。特定の回路（たとえば、特定用途向け集積回路（ＡＳＩＣ））、プログラム命令を実行する１つまたは複数のプロセッサ、または両方の組合せが、本明細書において説明される種々の動作を実行できることは認識されよう。さらに、本明細書において説明される一連の動作は、実行時に、関連するプロセッサに本明細書において説明される機能を実行させることになる、対応する１組のコンピュータ命令を記憶している、任意の形の非一時的コンピュータ可読記憶媒体内で完全に具現されるものと見なすことができる。したがって、本発明の様々な態様はいくつかの異なる形において具現することができ、そのすべてが、特許請求される主題の範囲内に入ると考えられる。さらに、本明細書において説明される実施形態ごとに、任意のそのような実施形態の対応する形は、本明細書において、たとえば、説明される動作を実行する「ように構成されるロジック」として説明される場合がある。
【００２１】
実施形態が、以下に説明される以下の特徴のうちのいくつかまたはすべてを有するセルライブラリアーキテクチャを提供することができる。そのような特徴は、ＬＯＤを長くした場合に高いデバイス性能を示す所与のプロセス技術の場合の性能を改善することが期待される。
【００２２】
実施形態が、セルが連続拡散領域を有するセルライブラリアーキテクチャを提供することができる。さらに、実施形態がセルを互いにブリッジするための方法を提供することができ、いくつかの、またはすべてのそのようなセルが、セルライブラリアーキテクチャによる連続拡散領域を有する。
【００２３】
実施形態が、セルにわたって１つまたは複数の連続拡散領域を備えるセルレイアウトを提供することができ、各拡散領域はセル内に完全に内蔵される。また、実施形態が、協働してＯＦＦ構成をなす１つまたは複数のトランジスタを備えるセルも提供し、その構成では、ｐＭＯＳＦＥＴのためのゲートがＶｄｄにあり、ｎＭＯＳＦＥＴのためのゲートがＶｓｓにある。この特徴は、セルのための連続拡散プロファイルを保持しながら、信号ノードおよび電源ノードを電気的に絶縁するのを助ける。そのような協働するトランジスタは、電気的に分離された拡散領域を絶縁するために、ＳＴＩの代わりに用いられる。
【００２４】
実施形態が、トランジスタゲートの上にポリシリコンコンタクトを備えるセルを提供することができる。この特徴によれば、トランジスタのゲートが、協働するトランジスタ上の、またはその周囲のトランジスタの幅を小さくしないようにして協働できるようになる。一実施形態のセルはその特徴を有することができ、それにより、拡散領域の左側エッジ部分および右側エッジ部分が電源レールまたは接地レールに電気的に接続される。後に論じられるように、この特徴は、信号線を電源レールまたは接地レールに短絡することなく、または信号線を別の信号線に短絡することなく、セルを互いにブリッジするのを容易にする。
【００２５】
実施形態が、パッケージングのための左側エッジまたは右側エッジにおいてフローティングポリシリコンストライプを備えるセルを提供することができる。セルライブラリアーキテクチャ自体は、セルエッジにおいて拡散領域を含まない。具体化後に、フローティングポリシリコンストライプは、後処理アルゴリズムを用いてフローティングトランジスタに変換され、それはブリッジングと呼ばれる場合がある。
【００２６】
実施形態が、左側境界および右側境界において限られた１組の拡散エッジプロファイルを有するセルライブラリを提供することができる。たとえば、特定の実施形態では、ｐＭＯＳＦＥＴおよびｎＭＯＳＦＥＴはそれぞれ、２つのデバイスサイズのうちの１つと、単一のオフセットとを許される。こうして、左側エッジおよび右側エッジを有するセルの任意の単一の行の場合に、拡散エッジプロファイルの数は、２（ｐＭＯＳＦＥＴまたはｎＭＯＳＦＥＴのため）×２（２つの拡散高）×２（左側、右側のいずれか）であり、所与のセルの場合に、８つの異なるプロファイルタイプがもたらされる。
【００２７】
実施形態が、セルの拡散エッジプロファイルを表す符号化を含むセルライブラリを提供することができ、その符号化は、セル上にセル名または属性として記憶される。
【００２８】
上記の特徴のうちの１つまたは複数を有するそのようなセルは、連続拡散互換セルと呼ばれる場合がある。これらの特徴によれば、セルエッジにあるフローティングポリシリコンを、特定のデバイス幅および長さのフローティングゲートＭＯＳＦＥＴに変換することができる。
【００２９】
セルライブラリはセルの内部にある連続拡散領域を含むが、連続拡散互換（ＣＤＣ）であるように構成されるので、ブリッジングと呼ばれる技法を用いて、セル間の連続拡散を可能にすることができる。ブリッジングの目的は、ＣＤＣである２つのセルを接続することである。これは、期待された性能を達成する際に重要である。
【００３０】
図１は、一実施形態による、セル１００のレイアウトを示す。ｐドープ拡散領域が１０２を付されており、ｎドープ拡散領域が１０４を付される。拡散領域１０２および１０４はセルの幅にわたって連続している。実際には、ｐドープ拡散領域１０２はｎウエル内に形成されるが、簡単にするために、ｎウエルは図示されない。
【００３１】
ゲートを形成するためのポリシリコン層はそれぞれ１０６を付される。１０８を付される左側ポリシリコン層、および１１０を付される右側ポリシリコン層はそれぞれ、セルを互いにブリッジするために浮いている。例示のために、ポリシリコン層の下にある誘電体層は図示されない。この説明において後に論じられるように、セルをブリッジするために拡散が成長し、図１では、ブリッジするための成長したｐドープ拡散領域およびｎドープ拡散領域がそれぞれ１２６および１２８を付されており、セル１００にブリッジされる他のセルが１０１を付される。セル１０１はエンドキャップセル、またはブリッジングセルとすることができ、それについては後に論じられる。
【００３２】
ｐドープ領域が電源電圧Ｖｄｄに接続されるように、ｐドープ領域１０２内に局所相互接続層１１２が形成される。ｎドープ領域１０４が基板（または接地）電圧Ｖｓｓに接続されるように、ｎドープ領域１０４内に局所相互接続層１１４が形成される。ｐドープ拡散領域１０２の部分のために電気的絶縁が望ましい場合には、ｐドープ拡散層１０２の上方の、１１６を付されたポリシリコン層が、相互接続１１８によって局所相互接続層１１２のうちの１つに接続され、ＯＦＦに切り替えられたｐＭＯＳＦＥＴを与える。ポリシリコン層１１６は、ｐＭＯＳＦＥＴのゲートとしての役割を果たし、誘電体層の上方に形成される。ｐドープ領域１０２の上方に誘電体層が形成されるが、例示しやすくするために図示されない。
【００３３】
ｎドープ拡散領域１０４の部分のために電気的絶縁が望ましい場合には、ｎドープ拡散層１０４の上方の、１２０を付されたポリシリコン層が、相互接続１２２によって局所相互接続層１１４のうちの１つに接続され、ＯＦＦに切り替えられたｎＭＯＳＦＥＴを与える。ポリシリコン層１２０は、ｎＭＯＳＦＥＴのゲートとしての役割を果たし、誘電体層の上方に形成される。ｎドープ領域１０４の上方に誘電体層が形成されるが、例示しやすくするために図示されない。
【００３４】
拡散領域のプロファイルは、セルに沿って変化する場合があることに留意されたい。たとえば、数字ラベル１２４は、ｎドープ拡散領域１０４のためのプロファイル（高さ）における移行領域を指示する。
【００３５】
実施形態が、隣接するセル内の拡散領域の幅に依存する、セルエッジにあるフローティングポリシリコン層上に新たな拡散領域を作製するブリッジングステップを含むことができる。設計またはレイアウトプロセスにおいて、これらの新たな拡散領域は、それぞれのフローティングポリシリコン層の上、または下に存在することができる。製造前に、各層は独立して結合され、処理されて、１つの製造ライン内に適切に並べられる。実際の製造プロセス、たとえば、ゲートファーストまたはゲートラストによるが、ブリッジングステップ中にそのように新たに作製された拡散領域は、それぞれのフローティングポリシリコン層の前または後に処理することができる。したがって、ある実施形態が、ブリッジングステップにおいて新たな拡散領域を、それぞれのフローティングポリシリコン層の上にあるとして扱うか、下にあるとして扱うかは重要ではなく、新たに作製された拡散領域を、それぞれのフローティングポリシリコン層「上」にあると言う場合、設計またはレイアウトプロセス中にフローティングポリシリコン層の下、または上に存在する場合があることを意味するように解釈されるべきである。
【００３６】
そのような新たな拡散領域を追加することは、セルエッジにおいてフローティングゲート寄生デバイスを生み出す場合がある。２つの隣接するポリシリコンの特徴が同等でない場合には、ポリシリコンの特徴の変化の度合いを小さくするために、付加的なポリシリコン形状を追加することができるか、またはおそらく、レイアウト設計ルールを満たすように追加することができる。フローティングゲートデバイス上にマーカ層を施して、デバイスがＬＶＳ（レイアウト対回路図（ｌａｙｏｕｔ  ｖｅｒｓｕｓ  ｓｃｈｅｍａｔｉｃ））チェックにかけられるのを防ぐことができる。
【００３７】
ブリッジング方法は、種々のやり方で取り扱うことができる。１つの手法は、幾何学的ブリッジング方法と呼ばれる場合がある。この手法では、レイアウト内のすべてのＣＤＣセルの左側または右側（または両方）のエッジにマーカ層が追加される。配置後に、必要な場合に、ＣＤＣフィラーセルが挿入される。幾何学的（形状に基づく）処理ルーチンを用いて、設計ルールチェック（ＤＲＣ）に合うようにセル間をブリッジすることができる。詳細には、新たな拡散領域を作製することができ、新たな拡散領域が作製されるセルエッジにおいてフローティングゲートの長さを成長させることができる。
【００３８】
一例が、図２の流れ図において示される。セルエッジにある各フローティングゲートにマーカ層が追加される（２０２）。２つの拡散エッジと接触するマーカ形状ごとに、最も短い拡散エッジを、その対応するマーカ形状の幅だけ成長させる（２０４）。新たな拡散領域は、成長した拡散エッジおよびその対応するマーカ形状の各対に適用されるブール（論理）演算子ＡＮＤによって画定される（２０６）。新たな各拡散はポリシリコンピッチにおいて成長する（２０８）。ポリシリコン線の幅が成長した新たな拡散と接触することに基づいて、成長した新たな拡散の下に各フローティングゲートを成長させる（２１０）。
【００３９】
別の実施形態が、行に基づくブリッジング方法と呼ばれる場合があり、図３に示される。配置後に、ＣＤＣフィラーセルが挿入される（３０２）。同じ配置行上のセルがグループ化され、たとえば、左側から右側に順序付けられる（３０４）。セルリストを順番に横断する：１）現在のセルがＣＤＣセルであり、隣接するセルがＣＤＣセルである場合には、拡散領域を接続するために、そして、拡散エッジプロファイルの違いから生じる場合がある基層における設計ルールエラーを補正するために、セルエッジに、２つのセルを重ね合わせるブリッジ層が作製されるか、または２）現在のセルがフィラーセルであり、隣接するセルがＣＤＣセルである場合には、フィラーセルが、改善された、または最適な性能を有する隣接するＣＤＣセルを与える拡散プロファイルを有するフィラーセルと置き換えられ、上記のように、セルエッジにブリッジセルも作製される。
【００４０】
また、実施形態は、連続および非連続拡散ライブラリセル、すなわち、異種の連続−拡散ライブラリセルを混在させるための方法も提供する。セルにわたる連続拡散は性能を高めることができるが、エリアのペナルティまたは回路の制約が存在する場合がある（連続拡散のために、従来のアーキテクチャのライブラリセルを特定の回路の場合に有用にするライブラリアーキテクチャが必要とされることに起因する）。論理ネットリストにおいて最大の自由度を有するために、連続拡散セルと、非連続拡散セルとを組合せることが多くの場合に望ましい。
【００４１】
最初に考えたときは、ＣＤＣセルおよび非ＣＤＣセルを一緒に使用することは最適でないと思われる場合があったが、ＬＯＤ効果が改善された、または最適な性能を与えるように、ＣＤＣセルを互いにブリッジすることが重要であることに気がついた。非ＣＤＣセル内での混在は、拡散を遮断せざるを得なくなり、隣接するＣＤＣセルのＬＯＤに影響を及ぼすので望ましくない。ブリッジされるＣＤＣセルの性能劣化を軽減するために、これらのブリッジされるＣＤＣセルの適切な性能を確保するために、連続拡散領域を終端することが提案される。ＣＤＣセルのグループを終端するとき、終端用（エンドキャップ）ダミーセルを用いて、そのグループ内のブリッジされるＣＤＣセルのための適切な性能を保証するＬＯＤを与えるべきである。
【００４２】
図４は、ＣＤＣライブラリセルを非ＣＤＣライブラリセルと混在させるための方法を示す。その方法は、ＣＤＣライブラリセルと非ＣＤＣライブラリセルとの間の最小間隔を強制するために、２つのタイプの間に配置制約を加える（４０２）。エンドキャップセルは、上記の最小間隔制約によって引き起こされるＣＤＣセルと非ＣＤＣセルとの間の空所を終端するように選択され、挿入される（４０４）。その方法は、配置行上のＣＤＣセル間に配置空所が存在する領域間にフィラーセルを作製する（４０６）。
【００４３】
図４の実施形態によるこれらのセルの選択および挿入は、既知の良好なＬＯＤ条件に関するあらかじめ計算された表に基づいて隣接するセルのための最適なＬＯＤを与えるフィラーセルおよびエンドキャップセルを選択することによって、隣接するセルの性能を最大化するように選択することができる（パラメトリック周波数改善）。
【００４４】
図５は、互換性のない連続−拡散ライブラリセルを混在させるための方法を示す。ステップ５０２は、さらなる配置近接制約を利用して、あるタイプのＣＤＣセルが他のタイプのＣＤＣセルと隣接するのを防ぐことを示す。これは、２つの連続拡散セルのための拡散エッジプロファイルが設計ルール制約に起因して互換性がないときに生じる場合がある。一例として、Ａ、ＢおよびＣで表され、設計ルールを有する３つの拡散エッジプロファイルが存在すると仮定する。ＡはＡまたはＢと接触することができ、ＢはＡ、ＢまたはＣと接触することができ、ＣはＢまたはＣと接触することができる。この特定の１組の設計ルールの場合に、ＡとＣとの間に最小間隔を強制するために、配置制約が規定されるべきである。
【００４５】
互換性のない連続拡散セル間の空所を終端するために、デュアルエンドキャップセルが選択され、挿入される（５０４）。デュアルエンドキャップセルは、２つの異なるタイプの互換性ないＣＤＣセルを終端するセルである。上記の例および方法を参照すると、セルタイプＡおよびＣは４つのトラックの分離制約によって配置され、１つのトラックは、通常ポリシリコンピッチに対応するピッチを有する、標準的なセル行上の１組の離散化された配置位置である。ＡおよびＣのセルタイプのための拡散エッジプロファイルを終端するタイプ「Ａ−Ｃ」のデュアルエンドキャップセルが、セルＡとＣとの間に挿入される。
【００４６】
代替的には、デュアルエンドキャップセルの代わりに、２つの個々のエンドキャップセルを挿入することができる。最適なセル性能を得るのに適したフィラーセル、エンドキャップセルまたはデュアルエンドキャップセルを選択するために、符号化された拡散エッジプロファイルを、セル名または属性によって記憶することができる。
【００４７】
性能を向上させるＬＯＤ手法を適用することに対する１つの短所は、トランジスタのためのオフ電流が増加する場合があることである。これは、非連続拡散手法に比べて、漏れ電力が増加することにつながる。理想的には、性能を得るために必要とされる場合に連続拡散を利用し、漏れ電力の方が重要である場合に非連続を利用することが好ましい。したがって、他の実施形態は、連続拡散セルを非連続拡散セルに選択的に変換することによって、漏れ電力を低減するための方法を提供する。
【００４８】
通常の設計フローの統合および配置部分中に、混在技法を利用して、連続拡散セルおよび非連続拡散セルのいずれかを選択することができる。しかしながら、設計フローの終了時に、漏れ電力を低減するために、不可欠でない経路をデチューンするために、適所でセルスワップを行うことが好ましい場合がある。さらに、設計において、競合条件を引き起こす場合がある高速経路が存在する場合がある。これらの場合、競合を回避し、ホールドタイムマージンを大きくするために、連続拡散セルを非連続拡散セルに変換することが望ましい場合もある。
【００４９】
ＣＤＣセルアーキテクチャを用いるとき、ブリッジングセルを選択的に除去することによって、漏れを少なくするために、または競合を少なくするために、実施形態の方法を用いて適所でデバイスをデチューンすることができる。ブリッジングセルの除去は、ブリッジングセルの左側および右側の両方においてセルに悪影響を及ぼす場合があるので、どのブリッジを除去するかの判断は簡単ではないことに留意されたい。
【００５０】
図６は、上記の方法のための流れ図を示す。ステップ６０２において、ライブラリが隣接するＣＤＣセルまたはフィラーセルおよび／またはエンドキャップセルにブリッジされるときにＬＯＤを仮定して、ＣＤＣライブラリを特徴付けることに基づいて、タイミングモデルが生成される。タイミングモデルは、ブリッジまたは標準タイミングモデルと呼ばれる場合がある。ステップ６０４において、ＣＤＣライブラリを特徴付けることに基づくが、ブリッジが除去されるように、ステップ６０２において仮定されたのとは異なるＬＯＤ条件で、第２のタイミングモデルが生成される。このタイミングモデルは、非ブリッジタイミングモデルと呼ばれる場合がある。これは一般的に、ステップ６０２の当初の特徴付けより、低い漏れを有し、遅くすべきである。ステップ６０６において、ブリッジタイミングモデルを用いて静的なタイミング解析が実行される。
【００５１】
ステップ６０８において、その設計における高速経路内のセルごとに、そのセル（高速経路セルと呼ばれる場合がある）に隣接するセルが特定される。ステップ６１０において、両方の隣接するセルが、あるマージン内で設定上不可欠でない場合には、高速経路セルに隣接するブリッジングセルが除去され、高速経路セルおよび両方の隣接するセルのために非ブリッジタイミングモデルが使用される。ステップ６０８および６１０が、漏れ電力に大きく寄与するが、設定上不可欠でないセルに対して繰り返される（ステップ６１２）。
【００５２】
左側または右側の両方においてフィラーセルまたはエンドキャップセルに当接するＣＤＣセルの場合、フィラーセルおよびエンドキャップセルは、タイミングを合わせるために調整される必要はなく、それゆえ、上記のステップを簡単にすることができる。
【００５３】
さらなる精度を達成し、セルスワップに関する可能性を高めるために、上記の方法は、４つの特徴付け：ブリッジ（標準）タイミングモデル；右側非ブリッジタイミングモデル；左側非ブリッジタイミングモデル；および両側非ブリッジタイミングモデルを提供するように拡張することができる。これは、その左側ブリッジングセルのみ、またはその右側ブリッジングセルのみ、または左側および右側の両方のブリッジングセルを除去することによって、両側においてブリッジされるセルをデチューンすることができるという点で、より高い粒度を可能にする。たとえば、先に説明された方法を、両方のブリッジングセルの除去を試みるように修正することができるが、左側または右側のいずれかのタイミングが設定時間（＋マージン）に違反することになる場合には、左側のみ、または右側のみのブリッジングセルを除去するシミュレーションを試みるために、左側または右側非ブリッジタイミングモデルが選択されるべきである。
【００５４】
図７は、一実施形態の適用例を見つけることができる通信システムを示す。図７は、基地局７０４Ａ、７０４Ｂおよび７０４Ｃを含む、ワイヤレス通信ネットワーク７０２を示す。図７は、７０６を付された通信デバイスを示しており、そのデバイスはモバイルセルラー通信デバイス、たとえば、いわゆるスマートフォン、タブレット、またはセルラー電話ネットワークに適した何らかの他の種類の通信デバイスとすることができる。通信デバイス７０６は、モバイルである必要はない。図７の特定の例では、通信デバイス７０６は、基地局７０４Ｃに関連付けられるセル内に位置する。矢印７０８および７１０は、それぞれアップリンクチャネルおよびダウンリンクチャネルを図式的に表しており、そのチャネルによって、通信デバイス７０６は基地局７０４Ｃと通信する。
【００５５】
実施形態は、たとえば、通信デバイス７０６もしくは基地局７０４Ｃ、またはその両方に関連付けられるデータ処理システムにおいて用いることができる。図７は、本明細書において説明される実施形態が利用される場合がある数多くの適用例のうちの１つのみを示す。
【００５６】
情報および信号を多種多様な異なる技術および技法のいずれかを用いて表すことができることを、当業者は理解されよう。たとえば、上記の説明全体にわたって言及される場合があるデータ、命令、コマンド、情報、信号、ビット、シンボル、およびチップは、電圧、電流、電磁波、磁場もしくは磁性粒子、光場もしくは光学粒子、またはそれらの任意の組合せによって表すことができる。
【００５７】
さらに、本明細書において開示された実施形態に関連して説明された種々の例示的な論理ブロック、モジュール、回路、およびアルゴリズムステップは、電子ハードウェア、コンピュータソフトウェア、または両方の組合せとして実現できることを、当業者は理解されよう。ハードウェアとソフトウェアのこの互換性を明確に示すために、種々の例示的な構成要素、ブロック、モジュール、回路、およびステップは、概してそれらの機能に関してこれまで説明されてきた。そのような機能がハードウェアまたはソフトウェアのどちらとして実施されるのかは、特定の応用形態と、システム全体に課される設計制約とに依存する。当業者は、説明された機能を、特定の応用形態ごとに様々なやり方で実施することができるが、そのような実施の判断が、本発明の範囲からの逸脱を生じさせると解釈されるべきでない。
【００５８】
本明細書において開示された実施形態に関連して説明された方法、シーケンス、および／またはアルゴリズムは、ハードウェアにおいて、プロセッサによって実行されるソフトウェアモジュールにおいて、またはその２つの組合せで直接具現することができる。ソフトウェアモジュールは、ＲＡＭメモリ、フラッシュメモリ、ＲＯＭメモリ、ＥＰＲＯＭメモリ、ＥＥＰＲＯＭメモリ、レジスタ、ハードディスク、リムーバブルディスク、ＣＤ−ＲＯＭ、または当技術分野において知られている任意の他の形の記憶媒体中に存在することができる。例示的な記憶媒体は、プロセッサが記憶媒体から情報を読み取り、記憶媒体に情報を書き込むことができるように、プロセッサに結合される。代替形態では、記憶媒体は、プロセッサと一体にすることができる。
【００５９】
したがって、本発明の実施形態は、拡散ブリッジセルライブラリのための方法を具現する非一時的コンピュータ可読媒体を含むことができる。したがって、本発明は図示される例には限定されず、本明細書において説明される機能を実行するためのあらゆる手段が、本発明の実施形態に含まれる。
【００６０】
上記の開示は本発明の例示的な実施形態を示すが、添付の特許請求の範囲によって規定される本発明の範囲から逸脱することなく、本明細書において種々の変更および修正を加えることができることに留意されたい。本明細書において説明された本発明の実施形態による方法クレームの機能、ステップおよび／または動作は、特定の順序で実施される必要はない。さらに、本発明の要素は、単数形において記載または特許請求されている場合があるが、単数形に限定することが明示的に述べられていない限り、複数形も考えられる。
【符号の説明】
【００６１】
１００  セル
１０１  他のセル
１０２  ｐドープ拡散領域
１０４  ｎドープ拡散領域
１０６  ポリシリコン層
１０８  左側ポリシリコン層
１１０  右側ポリシリコン層
１１２  局所相互接続層
１１４  局所相互接続層
１１６  ポリシリコン層
１１８  相互接続
１２０  ポリシリコン層
１２２  相互接続
１２４  移行領域
１２６  成長したｐドープ拡散領域
１２８  成長したｎドープ拡散領域
７０２  ワイヤレス通信ネットワーク
７０４Ａ  基地局
７０４Ｂ  基地局
７０４Ｃ  基地局
７０６  通信デバイス
７０８  アップリンクチャネル
７１０  ダウンリンクチャネル
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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