(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
セルアレイ領域及び周辺回路領域を有する基板上に層間絶縁膜を形成する段階と、
前記層間絶縁膜をエッチングし前記セルアレイ領域に複数のセルリセス領域及び少なくとも１つのダミーリセス領域を形成する段階と、
前記層間絶縁膜上にシード膜を形成する段階と、
電気めっきにより前記セルリセス領域及び前記ダミーリセス領域を埋めるめっき膜を形成する段階と、
を含み、
前記ダミーリセス領域は、前記セルリセス領域と周辺回路領域との間に形成され、
前記セルアレイ領域は、前記セルリセス領域が形成されるセルパターン領域、及び、前記セルパターン領域と前記周辺回路領域との間に配置され前記ダミーリセス領域が形成されるダミーパターン領域を有し、
前記ダミーパターン領域内の単位面積当たりの前記層間絶縁膜の上部面の面積は、前記周辺回路領域内の単位面積当たりの前記層間絶縁膜の上部面の面積より小さく、前記セルパターン領域内の単位面積当たりの前記層間絶縁膜の上部面の面積より広いことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２】
前記ダミーリセス領域は、複数個形成され、
一のダミーリセス領域と前記一のダミーリセス領域に隣り合う他のダミーリセスとの間隔は、一のセルリセス領域と前記一のセルリセス領域に隣り合う他のセルリセス領域との間隔より広いことを特徴とする請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項３】
前記セルリセス領域は、第１方向に延びるライン状に形成され、
前記ダミーリセス領域は、前記第１方向と交差する第２方向に延びるバー状に形成されることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項４】
前記めっき膜を形成する段階は、前記基板がめっき液と接するように処理する段階をさらに含み、
前記めっき液は、抑制剤（ｓｕｐｐｒｅｓｓｏｒ）を含み、
前記めっき膜を形成するとき、前記ダミーパターン領域内の前記抑制剤の濃度は、前記周辺回路領域内の前記抑制剤の濃度より低く、前記セルパターン領域内の前記抑制剤の濃度より高いことを特徴とする請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項５】
前記ダミーパターン領域は複数形成され、
前記ダミーパターン領域は、前記セルパターン領域を基準に対称な位置に配置されることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項６】
前記ダミーリセス領域の第１方向に平行な長さは、前記セルリセス領域の前記第１方向に平行な長さより短いことを特徴とする請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体装置は、高集積、高密度、低電力消費及び高速動作が要求されている。高集積回路を有する半導体装置の多層連結配線は、例えば、アルミニウムなどの金属で形成されている。アルミニウムで配線を形成するとき、絶縁膜上にアルミニウム層を蒸着し、エッチングする。
【０００３】
近年、デザインルールが小さくなることにより配線の材料としてアルミニウムの代わりに銅に用いられている。なぜならば、アルミニウムの電気抵抗が相対的に大きくてアルミニウム配線線幅が小さくなるほど、電気抵抗がさらに大きくなって高速動作が難しくなったためである。したがって、電気抵抗が小さくて値段が安い銅を配線の材料として好むようになった。一方、銅はエッチングさせるのが難しい。したがって、銅で配線を形成するためにダマシン法を使用する。即ち、絶縁膜に銅配線が形成されるリセス領域を形成し、バリア膜とシード膜とを形成した後、電気めっきによって銅膜を形成してリセス領域を満たし、ダマシン法により層間絶縁膜上の銅膜を除去する。
【０００４】
しかし、デザインルールがさらに小さくなることによってシード膜の厚さも薄くなり電気抵抗が大きくなる。これは、セルアレイ領域で密集された小さい線幅の配線を形成する時に、さらに深刻になる傾向がある。したがって、セルアレイ領域に電気が円滑に供給されないので、電気めっきの際にボイドが発生され得る。また、周辺回路領域とセルアレイ領域での配線密度の差によってめっき液の濃度差が急激に発生し、めっき膜が均一に形成され難くなり、ボイドが発生される恐れがある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】韓国特許公開第１０−２００９−００４３９４８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本発明の目的は、ボイドの発生を防止し均一なめっき膜を形成可能な半導体装置の製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の半導体装置の製造方法は、セルアレイ領域及び周辺回路領域を有する基板上に層間絶縁膜を形成する段階と、層間絶縁膜をエッチングしセルアレイ領域に複数のセルリセス領域と少なくとも１つのダミーリセス領域を形成する段階と、層間絶縁膜上にシード膜を形成する段階と、電気めっきによりセルリセス領域及びダミーリセス領域を埋めるめっき膜を形成する段階と、を含み、ダミーリセス領域はセルリセス領域と周辺回路領域との間に形成される。
セルアレイ領域は、セルリセス領域が形成されるセルパターン領域及びダミーリセス領域が形成されるダミーパターン領域を包含でき、ダミーパターン領域はセルパターン領域と周辺回路領域との間に配置され得る。
また、ダミーパターン領域内の単位面積当たりの層間絶縁膜の上部面の面積は、周辺回路領域内の単位面積当たりの層間絶縁膜の上部面の面積より小さく、セルパターン領域内の単位面積当たりの層間絶縁膜の上部面の面積より広い。
【０００８】
本発明の半導体装置の製造方法では、ダミーリセス領域は複数個形成される。このとき、望ましくは一のダミーリセス領域と一のダミーリセス領域に隣り合う他のダミーリセス領域との間隔は、一のセルリセス領域と一のセルリセス領域に隣り合う他のセルリセス領域との間隔より広い。
【０００９】
セルリセス領域は、第１方向に延びるライン状に形成され、ダミーリセス領域は第１方向と交差する第２方向に延びるバー状に形成されることができる。
【００１２】
めっき膜を形成する段階は、基板がめっき液と接するように処理する段階をさらに包含でき、めっき液は抑制剤（ｓｕｐｐｒｅｓｓｏｒ）を含む。めっき膜を形成する段階の間、ダミーパターン領域内の抑制剤の濃度は周辺回路領域内の抑制剤の濃度より低くセルパターン領域で抑制剤の濃度より高いことがあり得る。
【００１３】
ダミーパターン領域は複数形成され、セルパターン領域を基準に対称な位置に配置され得る。
【００１４】
第１方向に平行なダミーリセス領域の長さは、第１方向に平行なセルリセス領域の長さより短くなり得る。
【発明の効果】
【００１９】
本発明による半導体装置の製造方法では、セルリセス領域と周辺回路領域との間にダミーリセス領域が配置される。また、ダミーリセス領域間の間隔及び長さがセルリセス領域間の間隔及び長さより小さくなるように形成され、ダミーパターン領域の層間絶縁膜の上部面積がセルパターン領域の層間絶縁膜の上部面積より大きくなるように形成される。これにより、ダミーパターン領域がめっき液に含まれた抑制剤の濃度勾配を緩和させ、セルパターン領域内で均一な抑制剤濃度を提供する。したがって、セルパターン領域内でボイドが発生することなく、均一なめっき膜を形成することができる。
【００２０】
また、ダミーパターン領域が存在することによりセルパターン領域への電流供給が円滑になり得る。これにより、セルパターン領域内でボイドが発生することなく、さらに均一なめっき膜を形成することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２１】
【図１】本発明の一実施形態による半導体装置の製造方法を示すフローチャートである。
【図２】本発明の一実施形態による基板のレイアウトを示す模式図である。
【図３Ａ】図２のＩ−Ｉ’線断面図である。
【図３Ｂ】図２のＩＩ−ＩＩ’線断面図である。
【図４Ａ】本発明の一実施形態による半導体装置の図３Ａ以後の製造方法を順次的に示す断面図である。
【図４Ｂ】本発明の一実施形態による半導体装置の図３Ｂ以後の製造方法を順次的に示す断面図である。
【図５Ａ】本発明の一実施形態による半導体装置の図３Ａ以後の製造方法を順次的に示す断面図である。
【図５Ｂ】本発明の一実施形態による半導体装置の図３Ｂ以後の製造工方法を順次的に示す断面図である。
【図６】本発明の一実施形態による半導体装置の製造方法で用いる電気めっき装置の断面図である。
【図７】本発明の一実施形態による半導体装置の製造方法において電気めっきを行うときのウエハー表面における電流の流れとめっき液の流れを示す。
【図８Ａ】本発明の一実施形態による半導体装置の製造方法において図４Ａの状態で電気めっきを行うときのシード膜表面に存在する添加剤を概略的に示す断面図である。
【図８Ｂ】本発明の一実施形態による半導体装置の製造方法において図４Ｂの状態で電気めっきを行うときのシード膜表面に存在する添加剤を概略的に示す断面図である。
【図９Ａ】本発明の一実施形態による半導体装置の図３Ａ以後の製造方法を順次的に示す断面図である。
【図９Ｂ】本発明の一実施形態による半導体装置の図３Ｂ以後の製造方法を順次的に示す断面図である。
【図１０】本発明の一実施形態による半導体装置の変形例の基板の平面図を示す。
【図１１】本発明の一実施形態による半導体装置の変形例であって、図１０とは異なる変形例の基板の平面図を示す。
【発明を実施するための形態】
【００２２】
本発明の長所及び特徴、そしてそれらを達成する方法は添付される図面と共に詳細に後術されている実施形態を参照すれば、明確になる。しかし、本発明は以下で開示される実施形態に限定されることではなく、互に異なる多様な形態に具現でき、単なる本実施形態は本発明の開示が完全になるようにし、本発明が属する技術分野で通常の知識を有する者に発明の範疇を完全に公知させるために提供されることであり、本発明は請求項の範疇によって定義される。明細書全文に掛けて同一参照符号は同一構成要素を称する。
【００２３】
本明細書で使用された用語は実施形態を説明するためのことであり、本発明を制限するものではない。本明細書で、単数形は文句で特別に言及しない限り、複数形も含む。明細書で使用される「含む」及び／又は「包含する」は、言及された構成要素段階、動作及び／又は素子は１つ以上の他の構成要素段階、動作及び／又は素子の存在又は追加を排除しない。また、本明細書で、ある膜が他の膜又は基板の上にあると言及される場合にそれは他の膜又は基板上に直接形成され得るか、或いはこれらの間に第３の膜が介在されることもあり得ることを意味する。
【００２４】
また、本明細書で記述する実施形態は本発明の理想的な例示図である断面図及び／又は平面図を参考して説明される。図面において、膜及び領域の厚さは技術的内容の効果的な説明のために誇張される。したがって、製造技術及び／又は許容誤差等によって例示図の形態が変形され得る。したがって、本発明の実施形態は図示された特定形態に制限されることではなく、製造方法によって生成される形態の変化も含む。例えば、直角に図示されたエッチング領域はラウンドされるか、或いは所定曲率を有する形態であり得る。したがって、図面で例示された領域は概略的な属性を有し、図面で例示された領域の模様は素子の領域の特定形態を例示するためのことであり、発明の範疇を制限するためのことではない。
【００２５】
以下、図面を参照して、本発明の実施形態を詳細に説明する。
【００２６】
（一実施形態）
図１は、本発明の一実施形態による半導体装置の製造方法を示すフローチャートである。図２は、本発明の一実施形態による基板のレイアウトである。図３Ａ及び図３Ｂは各々図２をＩ−Ｉ’線及びＩＩ−ＩＩ’線に沿って切断した断面図である。
【００２７】
図１、図２、図３Ａ及び図３Ｂを参照すれば、先ず、基板１の上に層間絶縁膜５を形成する（Ｓ１０）。基板１はセルアレイ領域ＣＡＲ及び周辺回路領域ＰＥＲを含むことができる。本実施形態で、セルアレイ領域ＣＡＲはセルパターン領域ＣＰＲとダミーパターン領域ＤＰＲとを含むことができる。ダミーパターン領域ＤＰＲは周辺回路領域ＰＥＲとセルパターン領域ＣＰＲとの間に配置され得る。また、ダミーパターン領域ＤＰＲは複数個配置され、セルパターン領域ＣＰＲを基準に対称的に配置され得る。周辺回路領域ＰＥＲもセルアレイ領域ＣＡＲを基準に対称的に配置され得る。さらに周辺回路領域ＰＥＲはセルアレイ領域ＣＡＲを囲むことができる。周辺回路領域ＰＥＲはセンスアンプ領域及び／又はデコーディング回路領域等に該当され得る。層間絶縁膜５を形成する前に、基板１には下部絶縁膜３を形成できる。図示しないが、下部絶縁膜３を形成する前に基板１には素子分離膜及び複数個のトランジスターを形成することができる。下部絶縁膜３はエッチング阻止膜であるか、或いはトランジスターを覆う下部層間絶縁膜であり得る。
【００２８】
続いて、層間絶縁膜５をエッチングしてセルリセス領域１０とダミーリセス領域２０を形成する（Ｓ２０）。セルリセス領域１０はセルパターン領域ＣＰＲに形成され、ダミーリセス領域２０はダミーパターン領域ＤＰＲに形成される。セルパターン領域ＣＰＲは第１方向Ｘに延びるライン状のグルーブであり得る。本実施形態で、ダミーリセス領域２０はホール状であるか、又は第１方向Ｘに延びるバー状のトレンチ又はグルーブであり得る。セルリセス領域１０はビットラインのような配線が形成される空間を提供することができる。セルリセス領域１０とダミーリセス領域２０とは複数個形成され得る。このとき、ダミーリセス領域２０は、隣接するダミーリセス領域２０間の間隔Ｄ２が隣接するセルリセス領域１０間の間隔Ｄ１より広くなるように形成されることが望ましい。また、ダミーリセス領域２０は、第１方向Ｘと平行なダミーリセス領域２０の長さＬ２が第１方向Ｘと平行なセルリセス領域１０の長さＬ１より短くなるように形成されることが望ましい。ダミーパターン領域ＤＰＲ内の層間絶縁膜５の上部面の面積は、周辺回路領域ＰＥＲ内の層間絶縁膜５の上部面の面積より小さく、セルパターン領域ＣＰＲ内の層間絶縁膜５の上部面の面積より大きい。
【００２９】
図４Ａ、図５Ａ及び図９Ａは、図３Ａ以後の製造方法を順次的に示す断面図である。図４Ｂ、図５Ｂ及び図９Ｂは、図３Ｂ以後の製造方法を順次的に示す断面図である。
【００３０】
図１、図４Ａ及び図４Ｂを参照すれば、セルリセス領域１０及びダミーリセス領域２０が形成される層間絶縁膜５の上にバリア膜６をコンフォーマルに形成する。バリア膜６はチタン、窒化チタン、タンタル、窒化タンタルを含むグループから選択される少なくとも１つの膜で形成され得る。バリア膜６は化学気相蒸着法又は物理気相蒸着法のような蒸着法を利用して形成され得る。バリア膜６は後続に形成される銅の拡散を防ぐ役割を果たし得る。バリア膜６が形成された層間絶縁膜５の上にシード膜７を形成する（Ｓ３０）。シード膜７は、例えば銅で形成され得る。シード膜７は物理的気相蒸着法のような蒸着法を利用して形成され得る。シード膜７は層間絶縁膜５の上では第１厚さＴ１に、リセス領域１０、２０内では第２厚さＴ２に形成され得る。第１厚さＴ１は第２厚さＴ２より厚い。これは、蒸着するとき、シード膜７を形成するソースガス成分がリセス領域１０、２０の内側へ入るのが難しいためである。このような現象はデザインルールが小さくなることによって、さらに深刻になる。
【００３１】
図１、図５Ａ及び図５Ｂを参照すれば、電気めっきによりセルリセス領域１０とダミーリセス領域２０との間にめっき膜９ａ、９ｂを形成する（Ｓ４０）。めっき膜９ａ、９ｂはセルリセス領域１０内のセルパターン９ａとダミーリセス領域２０内のダミーパターン９ｂとを含むことができる。
【００３２】
図６は、本発明の一実施形態による電気めっき装置の概略的な断面図である。図７は、電気めっきを行うときウエハー表面における電流の流れ及びめっき液の流れを示す。図８Ａ及び図８Ｂは、各々図４Ａ及び図４Ｂに示す断面を有する部材に対して電気めっきをおこなうとき、シード膜表面に存在する添加剤を概略的に示す断面図である。
【００３３】
図６を参照すれば、電気めっき装置３００はめっき槽２００を含む。めっき槽２００は上側が開放された円筒形に、ウエハー１００及びめっき液２１０が収容されるように内部に収容空間を有する。めっき槽２００の上部にはウエハー１００を固定させるチャック２０６が配置される。チャック２０６は回転軸２０８に連結されて回転することができる。チャック２０６の内部には図示しない上部電極が配置され、ウエハー１００に電気的に連結され得る。めっき槽２００の下部には下部電極２０４が配置される。めっき槽２００の下部にはめっき液２１０を供給するめっき液供給管２０２が配置され得る。
【００３４】
図７を参照すれば、ウエハー１００は複数個のチップ領域５０を含むことができる。チップ領域５０の内には図２に開示された周辺回路領域ＰＥＲとセルアレイ領域ＣＡＲとが配置され得る。ウエハー１００では、電流は第１矢印７０に沿ってウエハー１００の縁からウエハー１００の中心部に流れ得る。また、ウエハー１００では、めっき液２１０は第２矢印７１に沿って円形に流れ得る。
【００３５】
図６、図８Ａ及び図８Ｂを参照すれば、めっき液２１０は電流が流れ得る電解質溶液を含むことができる。例えば、めっき液２１０は硫酸Ｈ2ＳＯ4、硫酸銅Ｃｕ2ＳＯ4、塩酸ＨＣｌ等を含むことができる。また、めっき液２１０は均一なめっき膜を形成するために添加剤を包含することもあり得る。添加剤はめっき膜の成長やめっき膜を構成する金属のイオンの移動を抑制できる抑制剤（Ｓｕｐｐｒｅｓｓｏｒ）１３、めっき膜を構成する金属のイオンが還元反応を行う間に触媒として作用してめっき膜を構成する金属の蒸着速度を高さは加速剤（Ａｃｃｅｌｅｒａｔｏｒ）１１、及び／又は電極表面に吸着して電流効率を低くして蒸着速度を減少させめっき膜の上面を平坦化するレベラー（ｌｅｖｅｌｅｒ）１５を含むことができる。抑制剤１３は粒子の大きさが大きいため、主にリセス領域１０、２０の外部、即ち、層間絶縁膜５の上部面上のシード膜７表面に存在する。したがって、抑制剤１３の濃度も層間絶縁膜５の上部面積、即ち、シード膜７の上部面積に比例することができる。加速剤１１は粒子の大きさが小さいので、主にリセス領域１０、２０の内部に存在する。抑制剤１３が存在する部位にはめっき膜が形成されにくくなり、加速剤１１が存在する部位にはめっき膜が形成されやすくなるため、めっき膜９ａ、９ｂはリセス領域１０、２０の底面から上方に形成され、リセス領域１０、２０が満たされる。
【００３６】
また、図６及び図７を参照して、ウエハー１００の表面では、めっき液２１０は第２矢印７１のように円形に流れるようになる。このようなめっき液２１０の流れによりセルアレイ領域ＣＡＲ内の基板１の表面上の添加剤のうち、抑制剤１３は濃度差が発生する。特にめっき液２１０の流れによりパターン密度の急激な差が発生する周辺回路領域ＰＥＲに隣接するセルアレイ領域ＣＡＲの縁において、セルアレイ領域ＣＡＲの中心部より抑制剤１３の濃度が高いことがあり得る。したがって、ダミーリセス領域ＤＰＲがなくセルリセス領域１０が存在する比較例の半導体装置では、周辺回路領域ＰＥＲに隣接するセルアレイ領域ＣＡＲの縁に存在するセルリセス領域１０内の抑制剤１３によって、めっき膜が形成されにくくなる。
【００３７】
しかしながら、一実施形態による半導体装置では、めっき液２１０の流れにより抑制剤１３の濃度が高くなるセルアレイ領域ＣＡＲの縁にダミーパターン領域ＤＰＲが配置される。これにより、セルパターン領域ＣＰＲ内の抑制剤１３の濃度が均一になるため、めっき膜が均一に形成され得る。
【００３８】
また、比較例の半導体装置では、周辺回路領域ＰＥＲとセルアレイ領域ＣＡＲとの間にパターン密度の急激な差が発生する。抑制剤１３が存在できるシード膜７の上部面の面積、即ち、層間絶縁膜５の上部面の面積の差が発生する。したがって、周辺回路領域ＰＥＲとセルアレイ領域ＣＡＲとの間に抑制剤１３の濃度差が急激に発生するようになる。したがって、セルアレイ領域ＣＡＲの縁における抑制剤１３の濃度がセルアレイ領域ＣＡＲの中心部における抑制剤１３の濃度より高いことがあり得る。したがって、比較例の半導体装置では、周辺回路領域ＰＥＲに隣接するセルアレイ領域ＣＡＲの縁に存在するセルリセス領域１０内には抑制剤１３によってめっき膜が形成されにくくなることがあり得る。
【００３９】
しかしながら、一実施形態による半導体装置では、セルアレイ領域ＣＡＲの縁にダミーパターン領域ＤＰＲが配置される。一実施形態による半導体装置では、ダミーパターン領域ＤＰＲ内の層間絶縁膜５の上部面の面積が周辺回路領域ＰＥＲ内の層間絶縁膜５の上部面積より小さく、セルパターン領域ＣＰＲ内の層間絶縁膜５の上部面積より大きいため、ダミーパターン領域ＤＰＲ内の抑制剤１３の濃度はセルパターン領域ＣＰＲ内の値と周辺回路領域ＰＥＲ内の値との間に存在するようになる。したがって、ダミーパターン領域ＤＰＲによって、セルパターン領域ＣＰＲの縁で抑制剤１３の濃度勾配を低くすることができる。したがって、セルパターン領域ＣＰＲ全域において抑制剤１３が均一な濃度で存在することができる。したがって、セルパターン領域ＣＰＲ内のめっき膜が均一に形成され得る。
【００４０】
一方、図２、図７、図８Ａ及び図８Ｂを参照して、電気めっき装置３００で電気めっきされるウエハー１００の表面で電流の流れは第１矢印７０のようにウエハー１００の縁から中心方向に流れるようになる。したがって、チップ領域５０の位置にしたがって電流は図２の基板１の上でライン状に形成されているセルリセス領域１０と平行な第１方向Ｘに流れることもあり、又は第１方向Ｘと交差する第２方向Ｙに流れることもあり得る。
【００４１】
電流が第１方向Ｘに流れる場合、電流がセルリセス領域１０の間の層間絶縁膜５の上の相対的に厚い第１厚さＴ１を有するシード膜７を通じてセルリセス領域１０の内の相対的に薄い第２厚さＴ２のシード膜７へ電流が円滑に流れるようになる。したがって、この場合にはボイドが形成されず、めっき膜が形成しやすい。
【００４２】
しかし、電流が第２方向Ｙに流れる場合、ダミーパターン領域ＤＰＲがなくセルアレイ領域ＣＡＲの縁までセルリセス領域１０が配置される比較例であれば、電流はセルリセス領域１０の内の薄い第２厚さＴ２のシード膜７を通じて流れるようになる。セルリセス領域１０の内のシード膜７は薄い第２厚さＴ２によって電気抵抗が大きいため、セルアレイ領域ＣＡＲの中心部まで電流の供給が円滑に行われない。したがって、セルアレイ領域ＣＡＲにボイドが形成され得る。
【００４３】
しかしながら、一実施形態による半導体装置では、セルアレイ領域ＣＡＲの縁に相対的に広い間隔Ｄ２と短い長さＬ２のダミーリセス領域２０が配置される。これにより、電流がダミーリセス領域２０間の層間絶縁膜５の上の相対的に厚い第１厚さＴ１を有するシード膜７を通じてセルパターン領域ＣＰＲに流れるようになるため、電流の供給を円滑に行われ得る。したがって、ボイドがなく均一なめっき膜を形成できる。
【００４４】
したがって、再び図５Ａ及び図５Ｂを参照すれば、電気めっきを行い、セルリセス領域１０とダミーリセス領域２０との間にめっき膜９ａ、９ｂを形成する（Ｓ４０）。めっき膜９ａ、９ｂは、セルリセス領域１０内のセルパターン９ａとダミーリセス領域２０内のダミーパターン９ｂとを含むことができる。
【００４５】
続いて、図９Ａ及び図９Ｂを参照して、平坦化エッチング及び／又は選択的エッチングを行い、層間絶縁膜５上のバリア膜６、シード膜７、及びめっき膜９ａ、９ｂを除去し、層間絶縁膜５の表面を露出させると同時にセルリセス領域１０とダミーリセス領域２０との間に各々セルパターン９ａ及びダミーパターン９ｂを残すことができる。
【００４６】
図２、図９Ａ及び図９Ｂを参照すれば、一実施形態による半導体装置は、セルアレイ領域ＣＡＲ及び周辺回路領域ＰＥＲを含む基板１を含む。基板１の上には下部絶縁膜３が配置される。下部絶縁膜３の上に層間絶縁膜５が配置される。セルアレイ領域ＣＡＲはセルパターン領域ＣＰＲとダミーパターン領域ＤＰＲとを含む。ダミーパターン領域ＤＰＲはセルアレイ領域ＣＡＲの縁に位置する。ダミーパターン領域ＤＰＲはセルパターン領域ＣＰＲと周辺回路領域ＣＡＲとの間に位置する。ダミーパターン領域ＤＰＲで層間絶縁膜５の内には少なくとも１つのダミーパターン９ｂが位置する。セルパターン領域ＣＰＲで層間絶縁膜５の内には複数のセルパターン９ａが位置する。セルパターン９ａ及びダミーパターン９ｂと層間絶縁膜５との間にはバリア膜６及びシード膜７が配置される。隣接するダミーパターン９ｂ間の間隔Ｄ２は、隣接するセルパターン９ａ間の間隔Ｄ１より広い。第１方向Ｘと平行なダミーパターン９ｂの長さＬ２は、第１方向Ｘと平行なセルパターン９ａの長さＬ１より短い。
【００４７】
一実施形態による半導体装置の構造は、フラッシュメモリ装置や可変抵抗メモリ装置、ＤＲＡＭ等の多様な半導体メモリ装置に適用され得る。セルパターン９ａは、例えばビットラインのような配線に対応され得る。ダミーパターン９ｂはテストパターンに使用されることもあり得る。
【００４８】
図１０は一実施形態による半導体装置の変形例の基板の平面図を示す。
図１０を参照すれば、ダミーリセス領域２０は第１方向Ｘと交差する第２方向Ｙに延びる平面状のバー状を形成することができる。即ち、ダミーリセス領域２０はセルリセス領域１０と直交する平面状のバー状を形成することができる。
【００４９】
図１１は一実施形態による半導体装置の別の変形例の基板の平面図を示す。
図１１を参照すれば、ダミーパターン領域ＤＰＲには図２に示すダミーリセス領域２０のホール状と図１０に示すダミーリセス領域２０のバー状が混合されて配置され得る。
【００５０】
その他に、ダミーリセス領域２０の形状は、円形状、楕円形状、三角形状、四角形状、または斜方形状など多様な形状を有することができる。
【００５１】
以上、添付された図面を参照して本発明の一実施形態による半導体装置を説明したが、本発明が属する技術分野で通常の知識を有する者は本発明がその技術的思想や必須的な特徴を変形することなく、他の具体的な形態に実施できることを理解できる。したがって、以上で記述した実施形態には全て面で例示的なことであり、限定されないことと理解しなければならない。
【符号の説明】
【００５２】
１        ・・・基板、
３        ・・・下部絶縁膜、
５        ・・・層間絶縁膜、
６        ・・・バリア膜、
７        ・・・シード膜、
１０      ・・・セルリセス領域、
９ａ      ・・・セルパターン、
９ｂ      ・・・ダミーパターン、
１１      ・・・加速剤、
１３      ・・・抑制剤、
１５      ・・・レベラー、
２０      ・・・ダミーリセス領域、
５０      ・・・チップ領域、
１００    ・・・ウエハー、
２００    ・・・めっき槽、
２１０    ・・・めっき液、
２０４    ・・・下部電極、
２０６    ・・・チャック、
２０８    ・・・回転軸、
３００    ・・・めっき装置。
【図１】
0006297256.tif 000002
【図２】
0006297256.tif 000003
【図３Ａ】
0006297256.tif 000004
【図３Ｂ】
0006297256.tif 000005
【図４Ａ】
0006297256.tif 000006
【図４Ｂ】
0006297256.tif 000007
【図５Ａ】
0006297256.tif 000008
【図５Ｂ】
0006297256.tif 000009
【図６】
0006297256.tif 000010
【図７】
0006297256.tif 000011
【図８Ａ】
0006297256.tif 000012
【図８Ｂ】
0006297256.tif 000013
【図９Ａ】
0006297256.tif 000014
【図９Ｂ】
0006297256.tif 000015
【図１０】
0006297256.tif 000016
【図１１】
0006297256.tif 000017