(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の画素がマトリクス状に配列された表示部と、を有し、
前記複数の画素の各々は、トランジスタと、メモリ性を有する表示素子と、を有し、
前記トランジスタは、ゲート電極層と、ゲート絶縁層と、酸化物半導体層と、ソース電極層と、ドレイン電極層と、有し、
前記ソース電極層又は前記ドレイン電極層の一方は、前記表示素子と電気的に接続され、
前記酸化物半導体層は、インジウムと、ガリウムと、亜鉛と、を有し、
前記表示部は、第１の領域と、第２の領域と、第３の領域とを有する表示装置の駆動方法であって、
前記複数の画素に画像情報に応じた第１の信号を入力し、前記第１の領域に第１の階調を表示させ、第２の領域に残像を有する第２の階調を表示させ、前記第３の領域に第３の階調を表示させ、前記表示部に第１の画像を表示させる第１のステップと、
前記複数の画素に前記第１の信号よりも振幅電圧が小さい第２の信号を入力し、前記第２の領域が有する前記残像を消去し、前記第２の領域に第１の階調を表示させ、前記表示部に第２の画像を表示する第２のステップと、を有し、
前記残像は、前記画像情報が入力される前に第１の領域に第１の階調が表示され、第２の領域及び第３の領域に第３の階調が表示された前記表示部の第３の画像に起因するものであり、
前記残像の消去は、前記第２の領域の第２の階調に、前記第１の領域の第１の階調を近づけることによって行われるものであり、
前記第１のステップの後に前記第２のステップを行うものである表示装置の駆動方法。
【請求項２】
複数の画素がマトリクス状に配列された表示部と、を有し、
前記複数の画素の各々は、トランジスタと、メモリ性を有する表示素子と、を有し、
前記トランジスタは、ゲート電極層と、ゲート絶縁層と、酸化物半導体層と、ソース電極層と、ドレイン電極層と、有し、
前記ソース電極層又は前記ドレイン電極層の一方は、前記表示素子と電気的に接続され、
前記酸化物半導体層は、インジウムと、ガリウムと、亜鉛と、を有し、
前記表示部は、第１の領域と、第２の領域と、第３の領域とを有する表示装置の駆動方法であって、
前記複数の画素に画像情報に応じた第１の信号を入力し、前記第１の領域に第１の階調を表示させ、第２の領域に残像を有する第２の階調を表示させ、前記第３の領域に第３の階調を表示させ、前記表示部に第１の画像を表示させる第１のステップと、
前記複数の画素に前記第１の信号よりも振幅電圧が小さい第２の信号を入力し、前記第２の領域が有する前記残像を消去し、前記第２の領域に第１の階調を表示させ、前記表示部に第２の画像を表示する第２のステップと、
前記複数の画素に第３の信号を入力し、前記第２の画像を保持する第３のステップと、を有し、
前記残像は、前記画像情報が入力される前に第１の領域に第１の階調が表示され、第２の領域及び第３の領域に第３の階調が表示された前記表示部の第３の画像に起因するものであり、
前記残像の消去は、前記第２の領域の第２の階調に、前記第１の領域の第１の階調を近づけることによって行われるものであり、
前記第１のステップの後に前記第２のステップを行い、前記第２のステップの後に前記第３のステップを行うものである表示装置の駆動方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電気泳動表示装置又は液晶表示装置等の表示装置及びその駆動方法に関する。
また、電気泳動表示装置又は液晶表示装置等の表示装置を具備する電子機器に関する。
【背景技術】
【０００２】
低消費電力で駆動可能な表示装置のひとつとして、電気泳動素子を用いた表示装置（電気
泳動表示装置ともいう）が注目されている。電気泳動素子は、電界による帯電微粒子の移
動をその原理とするものであり、電界を発生させない限りは、極めて長時間にわたって帯
電粒子の状態を維持できるという特徴を有している。そのため、電気泳動素子を用いた表
示装置は、長時間にわたって画像を保持することができ、電子書籍やポスターなどの静止
画像用の表示装置として期待されている。
【０００３】
電気泳動素子を用いた表示装置は、上述のように消費電力が極めて小さい表示装置として
非常に有望であるため、これまでにも様々な構成が提案されている。例えば、液晶表示装
置などと同様に、画素のスイッチング素子としてトランジスタを用いたアクティブマトリ
クス型の表示装置が提案されている（例えば、特許文献１参照）。特許文献１の電気泳動
素子を用いた表示装置では、画像の書き換えを行う際、すべての画素電極を同じ電位に設
定し、共通電極と画素電極との間に電圧を印加することにより、画像を消去し（以下、画
像の初期化ともいう）、その後新たな画像を表示させる技術が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００２−１４９１１５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、従来の技術では、画像を書き換える際、一旦画像の初期化を行った後、新
たな画像を表示していたため、画像の書き換え時間が長くなっていた。また、画像を書き
換える際、画像の初期化を行うため、画像が全体的に白色又は黒色になっていた。そのた
め、利用者には画像がちらついているように認識されていた。また、画像の初期化は、画
像の初期化を行う前の各画素の階調が異なるにも係わらず、すべての画素電極を同じ電位
に設定することにより行われるため、新たに表示する画像には、前の画像に起因する輝度
のズレが生じていた。そのため、この輝度のズレは、使用者には残像として認識されてい
た。以上のことから、従来の技術では、表示品位が低下していた。
【０００６】
上述の問題等に鑑み、開示する発明の一態様では、表示品位の向上を図ることを課題の一
とする。また、画像の書き換え時間の短縮を図ることを課題とする。また、画像のちらつ
きを低減することを課題とする。また、残像の低減を図ることを課題とする。なお、本発
明の一態様は、上記課題のすべてを解決する必要はない。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の一態様は、複数の画素がマトリクス状に配列された表示部を有する表示装置の駆
動方法であって、第１のステップと第２のステップとを有する表示装置の駆動方法である
。第１のステップでは、複数の画素のそれぞれに第１の信号を入力し、表示部に第１の画
像を表示する。第２のステップでは、複数の画素のそれぞれに第２の信号を入力し、第１
のステップにおいて表示部に生じる残像を消去し、表示部に第２の画像を表示する。第１
のステップの後に第２のステップが行われる。
【０００８】
本発明の一態様は、複数の画素がマトリクス状に配列された表示部を有する表示装置の駆
動方法であって、第１のステップと第２のステップと第３のステップとを有する表示装置
の駆動方法である。第１のステップでは、複数の画素のそれぞれに第１の信号を入力し、
表示部に第１の画像を表示する。第２のステップでは、複数の画素のそれぞれに第２の信
号を入力し、第１のステップにおいて表示部に生じる残像を消去し、表示部に第２の画像
を表示する。第３のステップでは、複数の画素のそれぞれに第３の信号を入力し、第２の
画像を保持する。第１のステップの後に第２のステップが行われ、第２のステップの後に
第３のステップが行われる。
【０００９】
本発明の一態様である表示装置の駆動方法において、第３の信号は、複数の画素のコモン
電圧の電位と等しい又はおおむね等しくてもよい。
【００１０】
本発明の一態様である表示装置の駆動方法において、第１の信号の振幅電圧は、第２の信
号の振幅電圧よりも大きくてもよい。
【００１１】
本発明の一態様である表示装置の駆動方法において、複数の画素のそれぞれに第１の信号
が保持される時間は、複数の画素のそれぞれに第２の信号が保持される時間よりも長くて
もよい。
【００１２】
本発明の一態様は、複数の画素がマトリクス状に配列された表示部と、駆動部と、を有す
る表示装置である。駆動部は、複数の画素のそれぞれに第１の信号を入力し、表示部に第
１の画像を表示する機能と、表示部に第１の画像を表示した後に、記複数の画素のそれぞ
れに第２の信号を入力し、第１の画像に生じる残像を消去し、表示部に第２の画像を表示
する機能と、を有する表示装置である。
【００１３】
本発明の一態様は、複数の画素がマトリクス状に配列された表示部と、駆動部と、を有す
る表示装置である。駆動部は、複数の画素のそれぞれに第１の信号を入力し、表示部に第
１の画像を表示する機能と、表示部に第１の画像を表示した後に、複数の画素のそれぞれ
に第２の信号を入力し、第１の画像に生じる残像を消去し、表示部に第２の画像を表示す
る機能と、表示部に第２の画像を表示した後に、複数の画素のそれぞれに第３の信号を入
力し、第２の画像を保持する機能と、を有する表示装置である。
【００１４】
本発明の一態様である表示装置において、第３の信号は、複数の画素のコモン電圧の電位
と等しい又はおおむね等しくてもよい。
【００１５】
本発明の一態様である表示装置において、第１の信号の振幅電圧は、第２の信号の振幅電
圧よりも大きくてもよい。
【００１６】
本発明の一態様である表示装置において、複数の画素のそれぞれに第１の信号が保持され
る時間は、複数の画素のそれぞれに第２の信号が保持される時間よりも長くてもよい。
【００１７】
なお、本明細書等において、明示的に単数として記載されているものについては、単数で
あることが望ましい。ただし、これに限定されず、複数であることも可能である。同様に
、明示的に複数として記載されているものについては、複数であることが望ましい。ただ
し、これに限定されず、単数であることも可能である。
【００１８】
なお、本明細書等において、各実施の形態の図面等において示す各構成の、大きさ、層の
厚さ、信号波形、又は領域は、明瞭化のために誇張されて表記している場合がある。よっ
て、必ずしもそのスケールに限定されない。
【００１９】
なお、本明細書等において、第１、第２、第３、乃至第Ｎ（Ｎは自然数）という用語は、
構成要素の混同を避けるために付したものであり、数的に限定するものではないことを付
記する。
【発明の効果】
【００２０】
本発明の一態様は、画像を書き換えた後、残像を消去するために各画素に信号を入力する
。そのため、画像の書き換え時間の短縮を図ることができる。また、画像のちらつきを低
減することができる。また、残像の低減を図ることができる。すなわち、表示品位の向上
を図ることができる。
【図面の簡単な説明】
【００２１】
【図１】本発明の一態様の表示装置を説明するための図。
【図２】本発明の一態様の表示装置を説明するための図。
【図３】本発明の一態様の表示装置を説明するための図。
【図４】本発明の一態様の表示装置を説明するための図。
【図５】本発明の一態様の表示装置を説明するための図。
【図６】本発明の一態様の表示装置を説明するための図。
【図７】本発明の一態様の表示装置を説明するための図。
【図８】本発明の一態様の表示装置を説明するための図。
【図９】本発明の一態様の表示装置を説明するための図。
【図１０】本発明の一態様の表示装置を説明するための図。
【図１１】本発明の一態様の電子機器を説明するための図。
【図１２】本発明の一態様の電子機器を説明するための図。
【発明を実施するための形態】
【００２２】
以下では、本発明の実施の形態について図面を用いて詳細に説明する。ただし、本発明は
以下の説明に限定されず、本発明の趣旨およびその範囲から逸脱することなくその形態お
よび詳細を様々に変更し得ることは、当業者であれば容易に理解される。したがって、本
発明は以下に示す実施の形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。なお、以下
に説明する本発明の構成において、同じ物を指し示す符号は異なる図面間において共通と
する。
【００２３】
（実施の形態１）
本実施の形態では、開示する発明の一態様である表示装置及びその駆動方法について説明
する。
【００２４】
まず、本実施の形態の表示装置の構成例について、図１を参照して説明する。図１に示す
表示装置は、複数の画素１００がマトリクス状に配列された表示部１０（画素部ともいう
）と、各画素を駆動するための走査線駆動回路１１及び信号線駆動回路１２等の駆動回路
と、走査線駆動回路１１及び信号線駆動回路１２等の駆動回路を制御するためのコントロ
ーラ１３とを有する。
【００２５】
表示部１０には、ｎ（ｎは自然数）本のゲート信号線１１１（ゲート信号線１１１＿１乃
至ゲート信号線１１１＿ｎと示す）が走査線駆動回路１１からＸ方向に延伸して設けられ
、ｍ（ｍは自然数）本のソース信号線１１２（ソース信号線１１２＿１乃至ソース信号線
１１２＿ｍと示す）が信号線駆動回路１２からＹ方向に延伸して設けられる。そして、ｎ
本のゲート信号線１１１とｍ本のソース信号線１１２との交差領域には、各々、画素１０
０が設けられる。つまり、複数の画素１００は、ｎ行×ｍ列のマトリクス状に配列される
。ゲート信号線１１１は、走査線駆動回路１１の出力信号（例えばゲート信号）を伝達す
る機能を有する配線であり、配線又は信号線ともいう。ソース信号線１１２は、信号線駆
動回路１２の出力信号（例えば映像信号）を伝達する機能を有する配線であり、配線又は
信号線ともいう。
【００２６】
なお、表示部１０には、画素１００の構成に応じて、ゲート信号線１１１及びソース信号
線１１２の他にも様々な配線を設けてもよい。表示部１０に設けることが可能な配線とし
ては、容量線、電源線、信号線又はゲート信号線１１１とは異なるゲート信号線などがあ
る。
【００２７】
なお、表示部１０には、ダミー画素、ダミー配線（例えばダミーのゲート信号線、ダミー
のソース信号線など）を設けてもよい。ダミー画素及びダミー配線は、複数の画素１００
がマトリクス状に配列される部分の周辺に設けるとよい。こうして、表示部１０にダミー
画素及びダミー配線を設けることにより、表示不良を低減することができる。
【００２８】
走査線駆動回路１１は、１行目の画素１００からｎ行目の画素１００までを順番に選択す
る機能を有する回路であり、駆動回路又はゲートドライバともいう。走査線駆動回路１１
は、シフトレジスタ回路又はデコーダ回路等を有する。画素１００を選択するタイミング
の制御は、走査線駆動回路１１がｎ本のゲート信号線１１１にゲート信号（走査信号とも
いう）を出力することにより行われる。例えば、ｉ（ｉは１乃至ｎのいずれか一）行目の
画素１００を選択する場合、走査線駆動回路１１は、ｉ本目のゲート信号線１１１に出力
するゲート信号を選択状態（ハイレベルとロウレベルとの一方）にする。このとき、ｉ行
目以外の行の画素１００を選択しないのであれば、走査線駆動回路１１は、ｉ本目以外の
ゲート信号線１１１に出力するゲート信号を非選択状態（ハイレベルとロウレベルとの他
方）にする。
【００２９】
なお、走査線駆動回路１１は、２行以上（例えば２又は３）の画素１００を同時に選択し
てもよい。こうすれば、画素１００を選択する回数を減らすことができ、消費電力の削減
を図ることができる。
【００３０】
なお、走査線駆動回路１１は、ｎ行の画素１００を１行ずつ任意の順番で選択してもよい
。この場合、走査線駆動回路１１は、デコーダ回路を有するとよい。
【００３１】
なお、走査線駆動回路１１は、ｎ行の画素１００の中の一部の画素１００のみを選択して
もよい。いわゆる、パーシャル駆動（部分駆動ともいう）である。走査線駆動回路１１が
パーシャル駆動を行うことにより、消費電力の削減を図ることができる。
【００３２】
信号線駆動回路１２は、ｍ本のソース信号線１１２に映像信号をそれぞれ出力する機能を
有する回路であり、駆動回路又はソースドライバともいう。映像信号は、画像情報に応じ
た信号である。よって、各画素１００に映像信号を入力することにより、各画素１００の
階調を制御し、画像情報に応じた画像を表示部１０に表示することが可能になる。各画素
１００への映像信号の入力の制御は、走査線駆動回路１１が各行の画素１００を選択する
毎に、信号線駆動回路１２がｍ本のソース信号線１１２に映像信号を出力することにより
行われる。
【００３３】
なお、信号線駆動回路１２は、ｍ本のソース信号線１１２に同時又はおおむね同時に映像
信号を出力する。こうして、画素１００に映像信号を入力する時間を長くすることができ
るので、表示品位の向上を図ることができる。ただし、信号線駆動回路１２は、ｍ本のソ
ース信号線１１２に１本又は複数本ずつ順番に出力してもよい。この場合、信号線駆動回
路１２は、デマルチプレクサ回路を有するとよい。信号線駆動回路１２がデマルチプレク
サ回路を有することにより、表示部１０が形成される基板と、外部回路との接続点数を少
なくすることができる。その結果、歩留まりの向上、コストの削減及び／又は信頼性の向
上などを図ることができる。
【００３４】
コントローラ１３は、画像情報に応じて走査線駆動回路１１及び信号線駆動回路１２等の
駆動回路を制御する機能を有する回路であり、制御回路又はタイミングコントローラとも
いう。走査線駆動回路１１及び信号線駆動回路１２等の駆動回路の制御は、コントローラ
１３が様々な制御信号を走査線駆動回路１１及び信号線駆動回路１２等の駆動回路に供給
することにより行われる。例えば、コントローラ１３は、垂直同期信号、クロック信号又
はパルス幅制御信号等の制御信号を走査線駆動回路１１に供給する。例えば、コントロー
ラ１３は、映像信号と、水平同期信号、クロック信号又はラッチ信号等の制御信号とを信
号線駆動回路１２に供給する。
【００３５】
なお、コントローラ１３は、走査線駆動回路１１及び信号線駆動回路１２等の駆動回路に
信号を供給するだけでなく、これらの回路に電圧を供給してもよい。この場合、コントロ
ーラ１３は、ＤＣＤＣコンバータ及び／又はレギュレータ回路等の電源回路を有する。走
査線駆動回路１１及び信号線駆動回路１２等の駆動回路に信号を供給する回路と電圧を供
給する回路とを同じ基板に形成すること（ワンチップ化すること）により、部品点数の削
減、コストの削減及び／又は歩留まりの向上を図ることができる。
【００３６】
次に、画素１００の回路構成の例について、図２（Ａ）を参照して説明する。画素１００
は、トランジスタ１０１と、表示素子１０２と、容量素子１０３とを有する。表示素子１
０２は、コモン電極１２１と画素電極１２２（電極ともいう）とに挟持されている。トラ
ンジスタ１０１の第１の端子（ソース電極とドレイン電極との一方）は、ソース信号線１
１２と電気的に接続される。トランジスタ１０１の第２の端子（ソース電極とドレイン電
極との他方）は、画素電極１２２と電気的に接続される。トランジスタ１０１のゲートは
、ゲート信号線１１１と電気的に接続される。容量素子１０３の第１の電極は、容量線１
１３と電気的に接続される。容量素子１０３の第２の電極は、画素電極１２２と電気的に
接続される。
【００３７】
容量線１１３は、全ての画素１００の容量素子１０３の第１の電極と電気的に接続されて
いる。容量線１１３には所定の電圧が供給されており、容量線１１３のことを電源線とも
いう。特に、容量線１１３には、コモン電極１２１に供給される電圧と同じ電圧、又はコ
モン電極１２１に供給される電圧と同じ値の電圧を供給することが好適である。こうして
、表示装置に供給する電源電圧の種類を少なくすることができる。
【００３８】
コモン電極１２１は、全ての画素１００の表示素子１０２において共通であり、電極、対
向電極、共通電極又は陰極ともいう。コモン電極１２１には所定の電圧（コモン電圧とも
いう）が供給される。ただし、コモン電極１２１に供給される電圧を変動させてもよい。
こうすれば、映像信号の振幅電圧を小さくすることができるので、消費電力の削減を図る
ことができる。また、メモリ性を有する表示素子は一般的なＴＮ液晶などと比較して駆動
電圧が大きいため、トランジスタに印加される電圧が大きくなる。そのため、トランジス
タに劣化が生じてしまうことがある。しかし、前述したように、コモン電極１２１に供給
する電圧を変動させ、映像信号の振幅電圧を小さくすることにより、トランジスタに印加
される電圧を小さくすることができる。その結果、トランジスタの劣化を抑制することが
できる。
【００３９】
なお、コモン電極１２１に供給される電圧を変動させる場合は、容量線１１３に供給され
る電圧も同時に変動させてもよい。つまり、コモン電極１２１と容量線１１３とを同じ又
はおおむね同じ電位としてもよい。こうすれば、コモン電極１２１に供給される電圧が変
動しても、表示素子１０２に印加される電圧を保つことができる。その結果、表示素子１
０２の階調を維持することができ、表示品位の低下を防止することができる。
【００４０】
トランジスタ１０１は、ソース信号線１１２と画素電極１２２との導通状態を制御する機
能を有するスイッチであり、選択用トランジスタともいう。トランジスタ１０１としては
、Ｎチャネル型トランジスタを用いてもよいし、Ｐチャネル型トランジスタを用いてもよ
い。トランジスタ１０１としてＮチャネル型トランジスタが用いられる場合、ゲート信号
がハイレベルになることにより、トランジスタ１０１がオンになり、画素１００が選択さ
れる。また、ゲート信号がロウレベルになることにより、トランジスタ１０１がオフにな
り、画素１００は非選択になる。一方、トランジスタ１０１としてＰチャネル型トランジ
スタが用いられる場合、ゲート信号がロウレベルになることにより、トランジスタ１０１
がオンになり、画素１００が選択される。また、ゲート信号がハイレベルになることによ
り、トランジスタ１０１がオフになり、画素１００は非選択になる。
【００４１】
なお、トランジスタ１０１としてＮチャネル型トランジスタを用いる場合、トランジスタ
１０１としては、非晶質シリコン、微結晶シリコン若しくは酸化物半導体を有するトラン
ジスタ、又は有機トランジスタなどを用いることができる。特に、トランジスタ１０１と
して、酸化物半導体を有するトランジスタを用いることによって、トランジスタ１０１の
オフ電流を小さくすることができる。その結果、容量素子１０３を省略又は縮小すること
ができる。また、トランジスタ１０１の耐圧の向上を図ることができる。電気泳動素子等
のメモリ性を有する表示素子は駆動電圧が大きいため、トランジスタ１０１の耐圧を大き
くすることは好適である。
【００４２】
なお、トランジスタ１０１として、非晶質シリコン、微結晶シリコン又は酸化物半導体を
有するトランジスタを用いる場合、多結晶シリコンを有するトランジスタを用いた場合と
比較して、製造工程の削減を図ることができる。したがって、製造コストの削減、歩留ま
りの向上及び／又は信頼性の向上を図ることができる。
【００４３】
容量素子１０３は、画素電極１２２の電位を一定に保つ機能を有する容量素子であり、保
持容量ともいう。具体的には、容量素子１０３は、容量線１１３と画素電極１２２との電
位差、又はこの電位差に応じた電荷を保存する。こうして、画素電極１２２の電位を一定
に保つことができ、表示品位の向上を図ることができる。あるいは、画像を保持すること
が可能な時間を長くすることができる。
【００４４】
なお、容量素子１０３の第１の電極を別の行（例えば１つ前の行）のゲート信号線１１１
と接続してもよい。こうすれば、容量線１１３を省略することができ、開口率の向上を図
ることができる。
【００４５】
表示素子１０２は、メモリ性を有する表示素子である。表示素子１０２又は表示素子１０
２の駆動方式としては、マイクロカプセル型電気泳動方式、マイクロカップ型電気泳動方
式、水平移動型電気泳動方式、垂直移動型電気泳動方式、ツイストボール方式、粉体移動
方式、電子粉流体方式、コレステリック液晶素子、カイラルネマチック液晶、反強誘電性
液晶、高分子分散型液晶、帯電トナー、エレクトロウェッティング方式、エレクトロクロ
ミズム方式、エレクトロデポジション方式などがある。
【００４６】
次に、表示素子１０２としてマイクロカプセル型電気泳動方式を用いた表示素子を用いた
場合の画素１００の断面構造の例について、図２（Ｂ）を参照して説明する。表示素子１
０２は、コモン電極１２１と画素電極１２２との間に、複数のマイクロカプセル１２３が
配置された構成である。マイクロカプセル１２３は、樹脂１２４により固定される。樹脂
１２４は、バインダとしての機能を有し、透光性を有する。ただし、コモン電極１２１と
画素電極１２２とマイクロカプセル１２３とによって形成される空間には、空気又は不活
性ガスなどの気体を充填してもよい。この場合、コモン電極１２１と画素電極１２２の一
方又は双方に、粘着剤又は接着剤等含む層を形成して、マイクロカプセル１２３を固定す
るとよい。
【００４７】
マイクロカプセル１２３は、膜１２５と、正と負の一方に帯電した白色粒子１２６と、正
と負の他方に帯電した黒色粒子１２７と、透光性を有する分散液１２８と、を有する。白
色粒子１２６と黒色粒子１２７と分散液１２８とは、膜１２５の中に封入される。
【００４８】
なお、膜１２５に封入される粒子を、青、緑又は赤などに着色してもよい。あるいは、分
散液１２８を、青、緑又は赤などに着色してもよい。あるいは、膜１２５に封入される粒
子と、分散液１２８との双方を、青、緑又は赤などに着色してもよい。こうすれば、カラ
ー表示を行うことができる。
【００４９】
なお、膜１２５の中には、３種類以上の粒子を封入してもよい。これらの粒子は、互いに
異なる電荷密度であるとよい。
【００５０】
上記のような表示素子１０２では、コモン電極１２１と画素電極１２２との間に電位差を
生じさせることにより、白色粒子１２６及び黒色粒子１２７が移動する。この粒子の移動
を利用して、表示素子１０２の階調を制御する。例えば、コモン電極１２１の方から見た
場合、コモン電極１２１の付近に白色粒子１２６が移動すると、表示素子１０２の階調は
高く（例えば白）なる。逆に、コモン電極１２１の付近に黒色粒子１２７が移動すると、
表示素子１０２の階調は低く（例えば黒）なる。
【００５１】
一方で、コモン電極１２１と画素電極１２２とを同じ電位、又はコモン電極１２１と画素
電極１２２との電位差を表示素子１０２の閾値電圧以下とすることにより、白色粒子１２
６と黒色粒子１２７との移動は止まる。これを利用して、表示素子１０２の階調を維持す
ることができる。例えば、コモン電極１２１の方から見た場合、コモン電極１２１の付近
に白色粒子１２６が集まっている状態のときに、白色粒子１２６と黒色粒子１２７との移
動を止めることにより、表示素子１０２を高い階調に維持することができる。逆に、コモ
ン電極１２１の付近に黒色粒子１２７が集まっている状態のときに、白色粒子１２６と黒
色粒子１２７との移動を止めることにより、表示素子１０２を低い階調に維持することが
できる。
【００５２】
次に、本実施の形態の表示装置の動作の概略について以下に説明する。
【００５３】
表示素子１０２の階調の制御は、コモン電極１２１の電位と画素電極１２２の電位とを制
御し、表示素子１０２に電圧を印加することにより行われる。コモン電極１２１の電位の
制御は、コモン電極１２１にコモン電圧を供給することにより行われる。画素電極１２２
の電位の制御は、ソース信号線１１２に入力される信号（信号線駆動回路１２の出力信号
）を制御することにより行われる。なお、トランジスタ１０１がオンになることにより、
ソース信号線１１２の信号が画素１００に入力される。
【００５４】
なお、表示素子１０２に印加する電圧の大きさ、表示素子１０２にその閾値電圧の絶対値
よりも大きい電圧を印加する時間、及び表示素子１０２に印加する電圧の正負などの中の
１つ以上を制御することにより、表示素子１０２の階調を制御することができる。
【００５５】
なお、表示素子１０２の階調の保持は、コモン電極１２１の電位と画素電極１２２の電位
とを、同じ値又は表示素子１０２の閾値電圧以下にすることにより行われる。
【００５６】
ここで、本実施の形態の表示装置の詳細な動作について説明する前に、比較例の表示装置
の動作について、図３（Ａ）乃至（Ｄ）を参照して説明する。図３（Ａ）は、比較例の表
示装置において画像を書き換える場合の動作を説明するためのフローチャートの例を示す
。比較例の表示装置は、画像を初期化するステップと、画像を書き換えるステップと、画
像を保持するステップとに分けて説明することができる。図３（Ｂ）乃至（Ｄ）は、比較
例の表示装置において画像を書き換える場合の表示部１０に表示される画像の例を示す。
なお、表示部１０に既に表示している画像を旧画像と示し、表示部１０に新たに表示する
画像を新画像と示す。なお、表示部１０を領域Ａと領域Ｂと領域Ｃとに分割して説明する
。領域Ａは、旧画像から新画像に書き換わっても、白色（第１の階調ともいう）のままの
領域である。領域Ｂは、旧画像から新画像に書き換わると、黒色（第２の階調ともいう）
から白色に変化する領域である。領域Ｃは、旧画像から新画像に書き換わると、白色から
黒色に変化する領域である。
【００５７】
なお、便宜上、使用者は、表示装置をコモン電極１２１側から見ているものとする。よっ
て、白色粒子１２６がコモン電極１２１側に集まると、使用者には白色に見えるものとし
、黒色粒子１２７がコモン電極１２１側に集まると、使用者には黒色に見えるものとする
。
【００５８】
なお、便宜上、画素電極１２２の電位がコモン電極１２１の電位よりも高い場合に、白色
粒子１２６は画素電極１２２側に移動し、黒色粒子１２７はコモン電極１２１側に移動す
るものとする。そして、画素電極１２２の電位がコモン電極１２１の電位よりも低い場合
に、白色粒子１２６はコモン電極１２１側に移動し、黒色粒子１２７は画素電極１２２側
に移動するものとする。
【００５９】
まず、表示部１０には、旧画像が表示されている。よって、図３（Ｂ）に示すように、領
域Ａは白色であり、領域Ｂは黒色であり、領域Ｃは白色である。つまり、領域Ａ及び領域
Ｃでは、白色粒子１２６がコモン電極１２１側に集まっており、領域Ｂでは、黒色粒子１
２７がコモン電極１２１側に集まっている。
【００６０】
その後、画像情報が表示装置に入力される。すると、ステップ１において、表示部１０は
、全体的に白色になるように初期化され、旧画像が消去される。よって、図３（Ｃ）に示
すように、領域Ａは白色のままになり、領域Ｂは黒色から白色に変化し、領域Ｃは白色の
ままになる。表示部１０の初期化は、全ての画素１００において、画素電極１２２の電位
をコモン電極１２１の電位よりも低く設定し、白色粒子１２６をコモン電極１２１側に移
動させることにより行われる。しかしながら、図３（Ｃ）において、領域Ａ及び領域Ｃと
、領域Ｂとでは、階調に差が生じる。これは、初期化を行う前の領域Ａ及び領域Ｃと領域
Ｂとでは、白色粒子１２６及び黒色粒子１２７の分布状態が異なるにもかかわらず、全て
の画素１００において、表示素子１０２に同じように電圧を印加することにより生じる。
【００６１】
その後、ステップ２において、表示部１０に新画像が表示される。よって、図３（Ｄ）に
示すように、領域Ａは白色のままになり、領域Ｂは白色のままになり、領域Ｃは白色から
黒色に変化する。領域Ａ及び領域Ｂの階調の制御は、領域Ａ及び領域Ｂの画素１００にお
いて、画素電極１２２の電位をコモン電極１２１の電位と等しい値に設定し、粒子を移動
させない又は粒子の移動を止めることにより行われる。領域Ｃの階調の制御は、領域Ｃの
画素１００において、画素電極１２２の電位をコモン電極１２１の電位よりも高く設定し
、黒色粒子１２７をコモン電極１２１側に移動させることにより行われる。しかしながら
、領域Ａ及び領域Ｂの画素１００において、粒子は移動しないため、図３（Ｃ）と同様に
、領域Ａの階調と領域Ｂの階調とには差が生じたままとなる。
【００６２】
その後、ステップ３において、表示部１０の画像が保持される。よって、領域Ａは白色の
ままとなり、領域Ｂは白色のままとなり、領域Ｃは黒色のままになる。画像の保持は、全
ての画素１００において、画素電極１２２の電位をコモン電極１２１の電位と等しい値に
設定し、粒子を移動させない又は粒子の移動を止めることにより行われる。当然ながら、
全ての画素１００において、粒子は移動しないため、図３（Ｄ）と同様に、領域Ａの階調
と領域Ｂの階調とには差が生じたままとなる。
【００６３】
以上のように、比較例の表示装置では、表示部を初期化した後に、表示部に新画像を表示
していた。そのため、表示部１０に新画像を表示するまでの時間が長くなっていた。また
、表示部１０の初期化を行うため、旧画像から新画像に変化する間に、画像が全体的に白
色又は黒色になる。そのため、使用者には画像がちらついているように認識されるため、
表示品位が低下していた。また、表示部１０の初期化を行っても、新画像において、旧画
像に応じた階調ずれが生じていた。そのため、使用者には残像として認識され、表示品位
が低下していた。
【００６４】
次に、本実施の形態の表示装置の詳細な動作について、従来の技術と比較した有利な点等
を、図４（Ａ）乃至（Ｄ）及び図５を参照して説明する。図４（Ａ）は、本実施の形態の
表示装置において画像を書き換える場合の動作を説明するためのフローチャートの例を示
す。本実施の形態の表示装置の動作は、画像を書き換えるステップと、残像を消去するス
テップと、画像を保持するステップとに分けて説明することができる。図４（Ｂ）乃至（
Ｄ）は、本実施の形態の表示装置において画像を書き換える場合の表示部１０に表示され
る画像の例を示す。図５は、本実施の形態の表示装置において画像を書き換える場合の動
作を説明するためのタイミングチャートの例を示す。本実施の形態の表示装置は、画像の
書き換えを行う期間Ｔ１（書き換え期間）と、残像の消去を行う期間Ｔ２（消去期間）と
、画像の保持を行う期間Ｔ３（保持期間）とに分けて説明することができる。期間Ｔ１は
、図４（Ａ）に示すステップ２０１を行う期間であり、期間Ｔ２は図４（Ａ）に示すステ
ップ２０２を行う期間であり、期間Ｔ３は図４（Ａ）に示すステップ２０３を行う期間で
ある。
【００６５】
なお、便宜上、コモン電極１２１の電位は、所定の値（Ｖ０と示す）とする。また、図５
では、領域Ａの画素１００の画素電極１２２の電位を電位２１１Ａと示し、領域Ｂの画素
１００の画素電極１２２の電位を電位２１１Ｂと示し、領域Ｃの画素１００の画素電極１
２２の電位を電位２１１Ｃと示す。
【００６６】
まず、表示部１０には、旧画像が表示されている。よって、図４（Ｂ）に示すように、領
域Ａは白色であり、領域Ｂは黒色であり、領域Ｃは白色である。つまり、領域Ａ及び領域
Ｃでは、白色粒子１２６がコモン電極１２１側に集まっており、領域Ｂでは、黒色粒子１
２７がコモン電極１２１側に集まっている。
【００６７】
その後、新画像の画像情報が表示装置に入力される。すると、図４（Ａ）に示すステップ
２０１又は図５に示す期間Ｔ１において、新画像の画像情報に応じた信号である映像信号
（第１の信号ともいう）が各画素１００に入力されることにより、表示部１０に新画像が
表示される。よって、図４（Ｃ）に示すように、領域Ａは白色のままになり、領域Ｂは黒
色から白色に変化し、領域Ｃは白色から黒色に変化する。
【００６８】
領域Ａの階調の制御は、図５に示すように、電位Ｖ０と等しい値の映像信号を領域Ａの画
素１００に入力し、画素電極１２２の電位を電位Ｖ０と等しい値に設定することにより行
われる。こうして、領域Ａにおいて、粒子の移動を止めることができるので、領域Ａを白
色に維持することができる。
【００６９】
なお、領域Ａの階調の制御は、電位Ｖ０よりも低い値の映像信号を領域Ａの画素１００に
入力し、画素電極１２２の電位を電位Ｖ０よりも低い値に設定することにより行われても
よい。
【００７０】
領域Ｂの階調の制御は、図５に示すように、電位Ｖ０よりも低い値の映像信号を領域Ｂの
画素１００に入力し、画素電極１２２の電位を電位Ｖ０よりも低い値に設定することによ
り行われる。こうして、領域Ｂにおいて、白色粒子１２６をコモン電極１２１側に移動さ
せることができ、領域Ｂを白色に近づけることができる。
【００７１】
領域Ｃの階調の制御は、図５に示すように、電位Ｖ０よりも高い値の映像信号を領域Ｃの
画素１００に入力し、画素電極１２２の電位を電位Ｖ０よりも高い値に設定することによ
り行われる。こうして、領域Ｃにおいて、黒色粒子１２７をコモン電極１２１側に移動さ
せることができ、領域Ｃを黒色に近づけることができる。
【００７２】
上記ステップ２０１又は期間Ｔ１の動作により、表示部１０に新画像を表示することがで
きる。しかしながら、ステップ２０１の終了時点（期間Ｔ１の終了時点）では、図４（Ｃ
）に示すように、領域Ａと領域Ｂとでは、階調に差が生じている。つまり、表示部１０に
は、旧画像が残像として表示されている。なお、ステップ２０１又は期間Ｔ１において表
示される画像を第１の画像ともいう。
【００７３】
なお、領域Ａ、領域Ｂ又は領域Ｃの階調を中間調とする場合には、表示素子１０２に印加
する電圧の大きさを制御するとよい。
【００７４】
その後、図４（Ａ）に示すステップ２０２又は図５に示す期間Ｔ２において、残像を消去
するための信号である消去信号（第２の信号ともいう）が各画素１００に入力されること
により、表示部１０が表示する画像から残像が消去される。具体的には、領域Ｂの階調を
変化させ、領域Ａと領域Ｂとの階調の差を無くす又は小さくする。
【００７５】
領域Ａの階調の制御は、図５に示すように、電位Ｖ０と等しい値の消去信号を領域Ａの画
素１００に入力し、画素電極１２２の電位を電位Ｖ０と等しい値に設定することにより行
われる。こうして、領域Ａにおいて、粒子の移動を止めることができるので、領域Ａの階
調を維持することができる。
【００７６】
領域Ｂの階調の制御は、図５に示すように、電位Ｖ０よりも低い値の消去信号（実線で示
す）と電位Ｖ０よりも高い値の消去信号（破線で示す）の一方を領域Ｂの画素１００に入
力し、画素電極１２２の電位を制御することにより行われる。具体的には、ステップ２０
１の終了時点又は期間Ｔ１の終了時点において、領域Ｂの階調が領域Ａの階調よりも低い
場合、領域Ｂの階調の制御は、電位Ｖ０よりも低い値の消去信号を領域Ｂの画素１００に
入力し、画素電極１２２の電位を電位Ｖ０よりも低い値に設定することにより行われる。
これにより、領域Ｂにおいて、白色粒子１２６をコモン電極１２１側に移動させ、領域Ｂ
の階調をステップ２０１の終了時点よりも高くする。こうして、領域Ａと領域Ｂとの階調
の差を無くす又は小さくすることができる。一方で、ステップ２０１の終了時点又は期間
Ｔ１の終了時点において、領域Ｂの階調が領域Ａの階調よりも高い場合、領域Ｂの階調の
制御は、電位Ｖ０よりも高い値の消去信号を領域Ｂの画素１００に入力し、画素電極１２
２の電位を電位Ｖ０よりも高い値に設定することにより行われる。これにより、領域Ｂに
おいて、黒色粒子１２７をコモン電極１２１側に移動させ、領域Ｂの階調をステップ２０
１の終了時点よりも低くする。こうして、領域Ａと領域Ｂとの階調の差を無くす又は小さ
くすることができる。
【００７７】
領域Ｃの階調の制御は、図５に示すように、電位Ｖ０と等しい値の消去信号を領域Ａの画
素１００に入力し、画素電極１２２の電位を電位Ｖ０と等しい値に設定することにより行
われる。こうして、領域Ｃにおいて、粒子の移動を止めることができるので、領域Ｃの階
調を維持することができる。
【００７８】
上記ステップ２０２又は期間Ｔ２の動作により、ステップ２０１において表示部１０に表
示された画像（第１の画像）に生じる残像を消去することができる。なお、ステップ２０
２又は期間Ｔ２において表示部１０に表示される画像を第２の画像ともいう。
【００７９】
なお、ステップ２０２又は期間Ｔ２では、階調の差を無くす又は小さくするだけなので、
ステップ２０１又は期間Ｔ１と比較すると、粒子の移動量は小さい。そのため、ステップ
２０２を行う時間又は期間Ｔ２の長さは、ステップ２０１を行う時間又は期間Ｔ１よりも
短いとよい。つまり、画素が消去信号を保持する時間は、画素が映像信号を保持する時間
よりも短いとよい。
【００８０】
なお、ステップ２０２又は期間Ｔ２において表示素子１０２に印加される電圧の絶対値は
、ステップ２０１又は期間Ｔ１において表示素子１０２に印加される電圧の絶対値よりも
小さいとよい。つまり、消去信号の振幅電圧は、映像信号の振幅電圧よりも小さいとよい
。これにより、消費電力の削減を図ることができる。
【００８１】
なお、ステップ２０２又は期間Ｔ２において、領域Ａの階調を領域Ｂの階調に近づけるこ
とにより、領域Ａと領域Ｂとの階調の差を無くす又は小さくしてもよい。この場合、電位
Ｖ０よりも低い値の消去信号と電位Ｖ０よりも高い値の消去信号の一方を領域Ａの画素１
００に入力し、領域Ａの階調を制御するとよい。
【００８２】
その後、図４（Ａ）に示すステップ２０３又は図５に示す期間Ｔ３において、画像を保持
するための信号である保持信号（第３の信号ともいう）が各画素１００に入力されること
により、表示部１０に表示されている画像（図４（Ｄ）に示す画像）を保持することがで
きる。よって、領域Ａは白色のままとなり、領域Ｂは白色のままとなり、領域Ｃは黒色の
ままになる。
【００８３】
各領域の階調の制御は、図５に示すように、電位Ｖ０と等しい値の保持信号を各領域の画
素１００に入力し、画素電極１２２の電位を電位Ｖ０と等しい値に設定することにより行
われる。こうして、各領域において、粒子の移動を止めることができるので、各領域の階
調を維持することができる。したがって、ステップ２０３又は期間Ｔ３において、ステッ
プ２０３において表示部１０に表示した画像（第２の画像）を、表示部１０に表示し続け
ることができる。
【００８４】
以上のように、本実施の形態の表示装置は、表示部１０に新画像を表示した後に、残像の
消去を行う。そのため、本実施の形態の表示装置は、比較例の表示装置よりも、新画像に
応じた画像情報が入力されてから表示部１０に新画像が表示されるまでの時間を短くする
ことができる。すなわち、画像の書き換え速度を速くすることができる。
【００８５】
また、本実施の形態の表示装置では、表示部１０に新画像を表示する前に、初期化を行わ
ない。そのため、比較例の表示装置のように、画像のちらつきにより、表示品位の低下を
生じるといったことがない。すなわち、表示品位の向上を図ることができる。
【００８６】
次に、図５を参照して説明した表示装置の駆動方法とは異なる表示装置の駆動方法につい
て、図６に示すタイミングチャートを参照して説明する。図６を用いて説明する表示装置
の駆動方法は、表示素子１０２に電圧を印加する時間を制御することにより、各領域の階
調を制御するところが、図５を参照して説明した表示装置の駆動方法と異なる。
【００８７】
図６に示すタイミングチャートでは、期間Ｔ１は、複数のサブ期間（期間Ｔ１−１乃至Ｔ
１−Ｎ（Ｎは自然数）と示す）に分割され、期間Ｔ２は、複数のサブ期間（期間Ｔ２−１
乃至Ｔ２−Ｍ（Ｍは自然数）と示す）に分割される。
【００８８】
期間Ｔ１では、各画素１００の階調の制御は、各サブ期間（期間Ｔ１−１乃至Ｔ１−Ｎ）
において、電位Ｖ０と等しい値の映像信号と、電位Ｖ０よりも高い値の映像信号と、電位
Ｖ０よりも低い値の映像信号のいずれか１つを各画素１００に入力することにより行われ
る。これらの信号の組み合わせにより、画素１００を様々な階調にすることができる。具
体的には、画素１００の階調を高く設定するほど、電位Ｖ０よりも低い値の映像信号を画
素１００に入力するサブ期間の数を多くする。これにより、画素電極１２２の電位が電位
Ｖ０よりも低く設定される時間が長くなるので、コモン電極１２１側に移動する白色粒子
１２６の数が多くなる。一方で、画素１００の階調を低く設定するほど、電位Ｖ０よりも
高い値の映像信号を画素１００に入力するサブ期間の数を多くする。これにより、画素電
極１２２の電位が電位Ｖ０よりも高く設定される時間が長くなるので、コモン電極１２１
側に移動する黒色粒子１２７の数が多くなる。
【００８９】
期間Ｔ２では、各画素１００の階調の制御は、各サブ期間（期間Ｔ２−１乃至Ｔ２−Ｍ）
において、電位Ｖ０と等しい値の消去信号と、電位Ｖ０よりも高い値の消去信号と、電位
Ｖ０よりも低い値の消去信号のいずれか１つを各画素１００に入力することにより行われ
る。これらの信号の組み合わせにより、残像を消去することができる。
【００９０】
期間Ｔ３では、図５を用いて説明した表示装置の駆動方法と同様に、各画素１００に保持
信号を入力し、各画素１００の階調を保持する。
【００９１】
以上のように、映像信号の値を３つ、消去信号の値を３つにすることができる。よって、
信号線駆動回路１２の構成を単純にすることができる。
【００９２】
なお、期間Ｔ２における粒子の移動量は、期間Ｔ１における粒子の移動量よりも小さい。
よって、期間Ｔ２が有するサブ期間の数を、期間Ｔ１が有するサブ期間の数よりも少なく
することができる。これにより、画像の書き換えを開始してから画像の保持を行うまでの
時間を短くすることができ、消費電力の削減を図ることができる。
【００９３】
あるいは、消去信号の振幅電圧（電位Ｖ０よりも高い値と低い値との差）を、映像信号の
振幅電圧（電位Ｖ０よりも高い値と低い値との差）よりも小さくすることができる。これ
により、消費電力の削減を図ることができる。
【００９４】
なお、期間Ｔ１が有するサブ期間（期間Ｔ１―１乃至Ｔ１−Ｎ）を重み付けすることがで
きる。例えば、期間Ｔ１−１の長さをｔとすると、期間Ｔ１−２の長さを２×ｔとし、期
間Ｔ１−３の長さを４×ｔとする。これにより、画素１００に信号を入力する回数を減ら
すことができる。よって、消費電力の削減を図ることができる。同様に、期間Ｔ２が有す
るサブ期間（期間Ｔ２−１乃至Ｔ２−Ｍ）を重み付けすることができる。
【００９５】
次に、コントローラ１３の具体例について説明する。図７は、本実施の形態の表示装置の
ブロック図の一例である。図７に示す表示装置は、コントローラ３００と駆動回路３０４
と表示部３０５とを有する。コントローラ３００は、図１のコントローラ１３に対応する
。駆動回路３０４は、図１の走査線駆動回路１１及び信号線駆動回路１２などに対応する
。表示部３０５は、図１の表示部１０に対応する。図７に示すコントローラ３００は、比
較部３０１と遅延部３０２とパネルコントローラ３０３とを有する。コントローラ３００
には、画像情報が入力される。コントローラ３００に入力される画像情報は、比較部３０
１に入力され、さらに遅延部３０２を介して比較部３０１に入力される。遅延部３０２は
、画像情報を保存し、次の画像情報がコントローラ３００に入力されるときに、保存した
画像情報を比較部３０１に出力する。よって、比較部３０１には、コントローラ３００に
入力されている画像情報（新画像情報と示す）と、新画像情報よりも前に入力された画像
情報（旧画像情報と示す）との２つの画像情報が入力される。比較部３０１は、新画像情
報と旧画像情報との比較を行い、その比較結果をパネルコントローラ３０３に出力する。
パネルコントローラ３０３は、比較結果を参照して、駆動回路３０４を制御する。そして
、駆動回路３０４は、表示部３０５が有する複数の画素に、それぞれ信号を入力すること
により、表示部３０５に画像を表示する。
【００９６】
本実施の形態は、他の実施の形態に記載した構成と適宜組み合わせて実施することが可能
である。
【００９７】
（実施の形態２）
本実施の形態では、開示する発明の一態様である表示装置に用いることができるトランジ
スタの例について説明する。
【００９８】
図８（Ａ）乃至（Ｄ）にトランジスタの断面構造の一例を示す。
【００９９】
図８（Ａ）に示すトランジスタ１２１０は、ボトムゲート構造のトランジスタの一つであ
り、逆スタガ型トランジスタともいう。
【０１００】
トランジスタ１２１０は、絶縁表面を有する基板１２００上に、ゲート電極層１２０１、
ゲート絶縁層１２０２、半導体層１２０３、ソース電極層１２０５ａ、及びドレイン電極
層１２０５ｂを含む。また、トランジスタ１２１０を覆い、半導体層１２０３に接する絶
縁層１２０７が設けられている。絶縁層１２０７上にはさらに保護絶縁層１２０９が形成
されている。
【０１０１】
図８（Ｂ）に示すトランジスタ１２２０は、チャネル保護型（チャネルストップ型ともい
う）と呼ばれるボトムゲート構造の一つであり逆スタガ型トランジスタともいう。
【０１０２】
トランジスタ１２２０は、絶縁表面を有する基板１２００上に、ゲート電極層１２０１、
ゲート絶縁層１２０２、半導体層１２０３、半導体層１２０３のチャネル形成領域上に設
けられたチャネル保護層として機能する絶縁層１２２７、ソース電極層１２０５ａ、及び
ドレイン電極層１２０５ｂを含む。また、トランジスタ１２２０を覆い、保護絶縁層１２
０９が形成されている。
【０１０３】
図８（Ｃ）示すトランジスタ１２３０はボトムゲート型のトランジスタであり、絶縁表面
を有する基板である基板１２００上に、ゲート電極層１２０１、ゲート絶縁層１２０２、
ソース電極層１２０５ａ、ドレイン電極層１２０５ｂ、及び半導体層１２０３を含む。ま
た、トランジスタ１２３０を覆い、半導体層１２０３に接する絶縁層１２０７が設けられ
ている。絶縁層１２０７上にはさらに保護絶縁層１２０９が形成されている。
【０１０４】
トランジスタ１２３０においては、ゲート絶縁層１２０２は基板１２００及びゲート電極
層１２０１上に接して設けられ、ゲート絶縁層１２０２上にソース電極層１２０５ａ、ド
レイン電極層１２０５ｂが接して設けられている。そして、ゲート絶縁層１２０２、及び
ソース電極層１２０５ａ、ドレイン電極層１２０５ｂ上に半導体層１２０３が設けられて
いる。
【０１０５】
図８（Ｄ）に示すトランジスタ１２４０は、トップゲート構造のトランジスタの一つであ
る。トランジスタ１２４０は、絶縁表面を有する基板１２００上に、絶縁層１２４７、半
導体層１２０３、ソース電極層１２０５ａ、及びドレイン電極層１２０５ｂ、ゲート絶縁
層１２０２、ゲート電極層１２０１を含む。そして、ソース電極層１２０５ａ、ドレイン
電極層１２０５ｂにそれぞれ配線層１２４６ａ、配線層１２４６ｂが接して設けられ電気
的に接続している。
【０１０６】
本実施の形態では、半導体層１２０３として酸化物半導体層を用いる。
【０１０７】
酸化物半導体層としては、少なくともＩｎ、Ｇａ、Ｓｎ及びＺｎから選ばれた一種以上の
元素を含有する。例えば、四元系金属の酸化物であるＩｎ−Ｓｎ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ系酸化
物半導体や、三元系金属の酸化物であるＩｎ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ系酸化物半導体、Ｉｎ−Ｓ
ｎ−Ｚｎ−Ｏ系酸化物半導体、Ｉｎ−Ａｌ−Ｚｎ−Ｏ系酸化物半導体、Ｓｎ−Ｇａ−Ｚｎ
−Ｏ系酸化物半導体、Ａｌ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ系酸化物半導体、Ｓｎ−Ａｌ−Ｚｎ−Ｏ系酸
化物半導体や、二元系金属の酸化物であるＩｎ−Ｚｎ−Ｏ系酸化物半導体、Ｓｎ−Ｚｎ−
Ｏ系酸化物半導体、Ａｌ−Ｚｎ−Ｏ系酸化物半導体、Ｚｎ−Ｍｇ−Ｏ系酸化物半導体、Ｓ
ｎ−Ｍｇ−Ｏ系酸化物半導体、Ｉｎ−Ｍｇ−Ｏ系酸化物半導体や、Ｉｎ−Ｇａ−Ｏ系の材
料、一元系金属の酸化物であるＩｎ−Ｏ系酸化物半導体、Ｓｎ−Ｏ系酸化物半導体、Ｚｎ
−Ｏ系酸化物半導体などを用いることができる。また、上記酸化物半導体にＩｎとＧａと
ＳｎとＺｎ以外の元素、例えばＳｉＯ２を含ませてもよい。
【０１０８】
例えば、Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ系酸化物半導体とは、インジウム（Ｉｎ）、ガリウム（Ｇ
ａ）、亜鉛（Ｚｎ）を有する酸化物半導体、という意味であり、その組成比は問わない。
【０１０９】
また、酸化物半導体層は、化学式ＩｎＭＯ３（ＺｎＯ）ｍ（ｍ＞０）で表記される薄膜を
用いることができる。ここで、Ｍは、Ｚｎ、Ｇａ、Ａｌ、Ｍｎ及びＣｏから選ばれた一ま
たは複数の金属元素を示す。例えばＭとして、Ｇａ、Ｇａ及びＡｌ、Ｇａ及びＭｎ、また
はＧａ及びＣｏなどがある。
【０１１０】
また、酸化物半導体としてＩｎ−Ｚｎ−Ｏ系の材料を用いる場合、用いるターゲットの組
成比は、原子数比で、Ｉｎ：Ｚｎ＝５０：１〜１：２（モル数比に換算するとＩｎ２Ｏ３
：ＺｎＯ＝２５：１〜１：４）、好ましくはＩｎ：Ｚｎ＝２０：１〜１：１（モル数比に
換算するとＩｎ２Ｏ３：ＺｎＯ＝１０：１〜１：２）、さらに好ましくはＩｎ：Ｚｎ＝１
５：１〜１．５：１（モル数比に換算するとＩｎ２Ｏ３：ＺｎＯ＝１５：２〜３：４）と
する。例えば、Ｉｎ−Ｚｎ−Ｏ系酸化物半導体の形成に用いるターゲットは、原子数比が
Ｉｎ：Ｚｎ：Ｏ＝Ｘ：Ｙ：Ｚのとき、Ｚ＞１．５Ｘ＋Ｙとする。
【０１１１】
また、酸化物半導体膜には、化学式ＩｎＭＯ３（ＺｎＯ）ｍ（ｍ＞０、且つｍは自然数で
ない）で表記される薄膜を用いることができる。ここで、Ｍは、Ｇａ、Ａｌ、Ｍｎおよび
Ｃｏから選ばれた一または複数の金属元素を示す。例えばＭとして、Ｇａ、Ｇａ及びＡｌ
、Ｇａ及びＭｎ、またはＧａ及びＣｏなどがある。
【０１１２】
なお本実施の形態の構成において酸化物半導体は、ｎ型不純物である水素を酸化物半導体
から除去し、酸化物半導体の主成分以外の不純物が極力含まれないように高純度化するこ
とにより真性（ｉ型）とし、又は真性型としたものである。すなわち、不純物を添加して
ｉ型化するのでなく、水素や水等の不純物を極力除去したことにより、高純度化されたｉ
型（真性半導体）又はそれに近づけたものである。加えて、酸化物半導体は、２．０ｅＶ
以上、好ましくは２．５ｅＶ以上、より好ましくは３．０ｅＶ以上のバンドギャップを有
する。そのため、酸化物半導体は、熱励起に起因するキャリアの発生を抑制することがで
きる。その結果、酸化物半導体によってチャネル形成領域が構成されたトランジスタの動
作温度の上昇に伴うオフ電流の増加を低減することができる。
【０１１３】
また、高純度化された酸化物半導体中にはキャリアが極めて少なく（ゼロに近い）、キャ
リア濃度は１×１０１４／ｃｍ３未満、好ましくは１×１０１２／ｃｍ３未満、さらに好
ましくは１×１０１１／ｃｍ３未満である。
【０１１４】
酸化物半導体中にキャリアが極めて少ないため、トランジスタでは、オフ電流を少なくす
ることができる。具体的には、上述の酸化物半導体を半導体層に用いたトランジスタは、
チャネル幅１μｍあたりのオフ電流を１０ａＡ／μｍ（１×１０−１７Ａ／μｍ）以下に
すること、さらには１ａＡ／μｍ（１×１０−１８Ａ／μｍ）以下、さらには１０ｚＡ／
μｍ（１×１０−２０Ａ／μｍ）にすることが可能である。つまりトランジスタの非導通
状態において、酸化物半導体は絶縁体とみなして回路設計を行うことができる。一方で、
酸化物半導体は、トランジスタの導通状態においては、非晶質シリコンで形成される半導
体層よりも高い電流供給能力を見込むことができる。
【０１１５】
酸化物半導体を半導体層１２０３に用いたトランジスタ１２１０、１２２０、１２３０、
１２４０は、オフ状態における電流値（オフ電流値）を低くすることができる。よって、
画像を保持することが可能な時間を長くすることができ、消費電力の削減を図ることがで
きる。あるいは、保持容量の省略又は縮小を図ることができるので、画素を小さくするこ
とができる。よって、解像度の向上を図ることができる。
【０１１６】
また、酸化物半導体を半導体層１２０３に用いたトランジスタ１２１０、１２２０、１２
３０、１２４０は、耐圧を大きくすることができる。よって、電気泳動素子等は駆動電圧
が大きいため、酸化物半導体を用いたトランジスタは有用である。
【０１１７】
絶縁表面を有する基板１２００に使用することができる基板に大きな制限はないが、少な
くとも、後の加熱処理に耐えうる程度の耐熱性を有していることが必要となる。バリウム
ホウケイ酸ガラスやアルミノホウケイ酸ガラスなどのガラス基板を用いることができる。
【０１１８】
また、ガラス基板としては、後の加熱処理の温度が高い場合には、歪み点が７３０℃以上
のものを用いると良い。また、ガラス基板には、例えば、アルミノシリケートガラス、ア
ルミノホウケイ酸ガラス、バリウムホウケイ酸ガラスなどのガラス材料が用いられている
。なお、実用的な耐熱ガラスである、酸化ホウ素（Ｂ２Ｏ３）３より酸化バリウム（Ｂａ
Ｏ）を多く含むガラス基板を用いてもよい。
【０１１９】
なお、上記のガラス基板に代えて、セラミック基板、石英基板、サファイア基板などの絶
縁体でなる基板を用いても良い。他にも、結晶化ガラスなどを用いることができる。また
、プラスチック基板等も適宜用いることができる。
【０１２０】
ボトムゲート構造のトランジスタ１２１０、１２２０、１２３０において、下地膜となる
絶縁膜を基板とゲート電極層の間に設けてもよい。下地膜は、基板からの不純物元素の拡
散を防止する機能があり、窒化シリコン膜、酸化シリコン膜、窒化酸化シリコン膜、又は
酸化窒化シリコン膜から選ばれた一又は複数の膜による積層構造により形成することがで
きる。
【０１２１】
ゲート電極層１２０１の材料は、モリブデン、チタン、クロム、タンタル、タングステン
、アルミニウム、銅、ネオジム、スカンジウム等の金属材料またはこれらを主成分とする
合金材料を用いて、単層でまたは積層して形成することができる。
【０１２２】
例えば、ゲート電極層１２０１の２層の積層構造としては、アルミニウム層上にモリブデ
ン層が積層された２層の積層構造、または銅層上にモリブデン層を積層した２層構造、ま
たは銅層上に窒化チタン層若しくは窒化タンタル層を積層した２層構造、窒化チタン層と
モリブデン層とを積層した２層構造とすることが好ましい。３層の積層構造としては、タ
ングステン層または窒化タングステン層と、アルミニウムとシリコンの合金層またはアル
ミニウムとチタンの合金層と、窒化チタン層またはチタン層とを積層した積層とすること
が好ましい。なお、透光性を有する導電膜を用いてゲート電極層を形成することもできる
。透光性を有する導電膜としては、透光性導電性酸化物等をその例に挙げることができる
。
【０１２３】
ゲート絶縁層１２０２は、プラズマＣＶＤ法又はスパッタリング法等を用いて、酸化シリ
コン層、窒化シリコン層、酸化窒化シリコン層、窒化酸化シリコン層、酸化アルミニウム
層、窒化アルミニウム層、酸化窒化アルミニウム層、窒化酸化アルミニウム層、又は酸化
ハフニウム層を単層で又は積層して形成することができる。
【０１２４】
ゲート絶縁層１２０２は、ゲート電極層側から窒化シリコン層と酸化シリコン層を積層し
た構造とすることもできる。例えば、第１のゲート絶縁層としてスパッタリング法により
膜厚５０ｎｍ以上２００ｎｍ以下の窒化シリコン層（ＳｉＮｙ（ｙ＞０））を形成し、第
１のゲート絶縁層上に第２のゲート絶縁層として膜厚５ｎｍ以上３００ｎｍ以下の酸化シ
リコン層（ＳｉＯｘ（ｘ＞０））を積層して、膜厚１００ｎｍのゲート絶縁層とする。ゲ
ート絶縁層１２０２の膜厚は、トランジスタに要求される特性によって適宜設定すればよ
く３５０ｎｍ乃至４００ｎｍ程度でもよい。
【０１２５】
ソース電極層１２０５ａ、ドレイン電極層１２０５ｂに用いる導電膜としては、例えば、
Ａｌ、Ｃｒ、Ｃｕ、Ｔａ、Ｔｉ、Ｍｏ、Ｗから選ばれた元素、または上述した元素を成分
とする合金か、上述した元素を組み合わせた合金膜等を用いることができる。また、Ａｌ
、Ｃｕなどの金属層の下側又は上側の一方または双方にＣｒ、Ｔａ、Ｔｉ、Ｍｏ、Ｗなど
の高融点金属層を積層させた構成としても良い。また、Ｓｉ、Ｔｉ、Ｔａ、Ｗ、Ｍｏ、Ｃ
ｒ、Ｎｄ、Ｓｃ、ＹなどＡｌ膜に生ずるヒロックやウィスカーの発生を防止する元素が添
加されているＡｌ材料を用いることで耐熱性を向上させることが可能となる。
【０１２６】
ソース電極層１２０５ａ、ドレイン電極層１２０５ｂに接続する配線層１２４６ａ、配線
層１２４６ｂのような導電膜も、ソース電極層１２０５ａ、ドレイン電極層１２０５ｂと
同様な材料を用いることができる。
【０１２７】
また、ソース電極層１２０５ａ、ドレイン電極層１２０５ｂは、単層構造でも、２層以上
の積層構造としてもよい。例えば、シリコンを含むアルミニウム膜の単層構造、アルミニ
ウム膜上にチタン膜を積層する２層構造、Ｔｉ膜と、そのＴｉ膜上に重ねてアルミニウム
膜を積層し、さらにその上にＴｉ膜を成膜する３層構造などが挙げられる。
【０１２８】
また、ソース電極層１２０５ａ、ドレイン電極層１２０５ｂ（これと同じ層で形成される
配線層を含む）となる導電膜を導電性の金属酸化物で形成しても良い。導電性の金属酸化
物としては酸化インジウム（Ｉｎ２Ｏ３）、酸化スズ（ＳｎＯ２）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）
、酸化インジウム酸化スズ合金（Ｉｎ２Ｏ３―ＳｎＯ２、ＩＴＯと略記する）、酸化イン
ジウム酸化亜鉛合金（Ｉｎ２Ｏ３―ＺｎＯ）または前記金属酸化物材料にシリコン若しく
は酸化シリコンを含ませたものを用いることができる。
【０１２９】
絶縁層１２０７、１２２７、１２４７、保護絶縁層１２０９としては、酸化絶縁膜、又は
窒化絶縁膜などの無機絶縁膜を好適に用いることができる。
【０１３０】
絶縁層１２０７、１２２７、１２４７には、代表的には酸化シリコン膜、酸化窒化シリコ
ン膜、酸化アルミニウム膜、または酸化窒化アルミニウム膜などの無機絶縁膜を用いるこ
とができる。
【０１３１】
保護絶縁層１２０９には、窒化シリコン膜、窒化アルミニウム膜、窒化酸化シリコン膜、
窒化酸化アルミニウム膜などの無機絶縁膜を用いることができる。
【０１３２】
また、保護絶縁層１２０９上にトランジスタ起因の表面凹凸を低減するために平坦化絶縁
膜を形成してもよい。平坦化絶縁膜としては、ポリイミド、アクリル、ベンゾシクロブテ
ン、ポリアミド、エポキシ等の、耐熱性を有する有機材料を用いることができる。また上
記有機材料の他に、低誘電率材料（ｌｏｗ−ｋ材料）、シロキサン系樹脂、ＰＳＧ（リン
ガラス）、ＢＰＳＧ（リンボロンガラス）等を用いることができる。なお、これらの材料
で形成される絶縁膜を複数積層させることで、平坦化絶縁膜を形成してもよい。
【０１３３】
なお、半導体層１２０３としては、酸化物半導体だけでなく、非晶質シリコン、微結晶シ
リコン、多結晶シリコンを用いることができる。
【０１３４】
本実施の形態は、他の実施の形態に記載した構成と適宜組み合わせて実施することが可能
である。
【０１３５】
（実施の形態３）
本実施の形態では、開示する発明の一態様である表示装置が有する画素のレイアウトの例
について、図９を参照して説明する。
【０１３６】
トランジスタ、容量素子、又は配線などは、導電層４０１、半導体層４０２、導電層４０
３、導電層４０４、及びコンタクトホール４０５などによって構成される。ただし、これ
らの層以外にも、絶縁層、別の導電層、又は別のコンタクトホールなどを形成することが
可能である。
【０１３７】
導電層４０１は、トランジスタのゲート電極、容量素子の電極及び／又は配線としての機
能を有する部分を含む。半導体層４０２は、トランジスタのチャネル領域、トランジスタ
のソース及び／又はトランジスタのドレインとしての機能を有する部分を含む。導電層４
０３は、トランジスタのソース、トランジスタのドレイン、容量素子の電極及び／又は配
線などとしての機能を有する部分を含む。導電層４０４は、画素電極としての機能を有す
る部分を含む。コンタクトホール４０５は、導電層４０１と導電層４０４とを接続する機
能及び／又は導電層４０３と導電層４０４とを接続する機能を有する。
【０１３８】
導電層４０４は、ゲート信号線１１１及びソース信号線１１２と重なるように配置される
。そのため、ある画素の画素電極（例えば導電層４０４の一部）と、該画素に隣接する画
素の画素電極と、の間の隙間を小さくすることができる。こうして、光学開口率を高くす
ることができるため、表示品位を高くすることができる。
【０１３９】
なお、導電層４０４とソース信号線１１２とが重なると、導電層４０４の電位が変動しや
すくなる。このため、容量素子１０３の容量値を大きくすることによって、導電層４０４
の電位の変動を小さくすることができる。そのため、容量素子１０３の面積は、導電層４
０４のうち、画素電極としての機能を有する部分の面積の３０％以上９０％以下であるこ
とが好ましい。より好ましくは、４０％以上８０％以下である。さらに好ましくは、５０
％以上７０％以下である。
【０１４０】
なお、容量素子１０３の面積とは、容量素子１０３の一方の電極としての機能を有する導
電層４０１と、容量素子１０３の他方の電極としての機能を有する導電層４０３とが重な
る面積とする。
【０１４１】
なお、導電層４０４は、ゲート信号線１１１とソース信号線１１２の一方のみと、重なる
ように配置されることが可能である。これにより、導電層４０４に生じるノイズを小さく
することができるため、表示品位の向上を図ることができる。
【０１４２】
なお、導電層４０４は、１行前のゲート信号線１１１と重なるように配置されることが好
ましい。これにより、ゲート信号線１１１の電位の変化により、導電層４０４の電位が変
化することを低減することができるため、表示品位の向上を図ることができる。
【０１４３】
トランジスタ１０１は、デュアルゲート構造（２つのトランジスタが直列に電気的に接続
されるような構造）とする。こうして、トランジスタ１０１のオフ電流を小さくすること
ができる。メモリ性を有する表示素子は、駆動電圧が大きい場合が多いので、特に好まし
い。
【０１４４】
本実施の形態は、他の実施の形態に記載した構成と適宜組み合わせて実施することが可能
である。
【０１４５】
（実施の形態４）
本実施の形態では、上記実施の形態で示す表示装置において、タッチパネル機能を付加し
た表示装置の構成について、図１０（Ａ）、（Ｂ）を用いて説明する。
【０１４６】
図１０（Ａ）は、本実施の形態の表示装置の概略図である。図１０（Ａ）には、上記実施
の形態の表示装置である表示パネル１５０１にタッチパネルユニット１５０２を重畳して
設け、筐体１５０３（ケース）にて合着させる構成について示している。タッチパネルユ
ニット１５０２は、抵抗膜方式、表面型静電容量方式、投影型静電容量方式等を適宜用い
ることができる。
【０１４７】
図１０（Ａ）に示すように、表示パネル１５０１とタッチパネルユニット１５０２とを別
々に作製し重畳することにより、タッチパネル機能を付加した表示装置の作製に係るコス
トの削減を図ることができる。
【０１４８】
図１０（Ａ）とは異なるタッチパネル機能を付加した表示装置の構成について、図１０（
Ｂ）に示す。図１０（Ｂ）に示す表示装置１５０４は、複数設けられる画素１５０５に光
センサ１５０６、表示素子１５０７（例えば電気泳動素子、液晶素子など）を有する。そ
のため、図１０（Ａ）とは異なり、タッチパネルユニット１５０２を重畳して作製する必
要がなく、表示装置の薄型化を図ることができる。なお、画素１５０５とともにゲート線
側駆動回路１５０８、信号線側駆動回路１５０９、光センサ用駆動回路１５１０を画素１
５０５と同じ基板上に作製することで、表示装置の小型化を図ることができる。なお光セ
ンサ１５０６は、アモルファスシリコン等で形成し、酸化物半導体を用いたトランジスタ
と重畳して形成する構成としてもよい。
【０１４９】
本実施の形態により、タッチパネルの機能を付加した液晶表示装置において、酸化物半導
体膜を用いたトランジスタを用いることで、静止画の表示の際の、画像の保持特性を向上
させることができる。そしてリフレッシュレートを低減して静止画表示を行う際、階調が
変化することによる画質の劣化を小さくすることができる。
【０１５０】
なお、本実施の形態は、他の実施の形態と適宜組み合わせることができる。
【０１５１】
（実施の形態５）
本実施の形態においては、上記実施の形態で説明した表示装置を具備する電子機器の例に
ついて説明する。
【０１５２】
図１１（Ａ）は携帯型遊技機であり、筐体９６３０、表示部９６３１、スピーカ９６３３
、操作キー９６３５、接続端子９６３６、記録媒体読込部９６７２、等を有する。図１１
（Ａ）に示す携帯型遊技機は、記録媒体に記録されているプログラム又はデータを読み出
して表示部に表示する機能、他の携帯型遊技機と無線通信を行って情報を共有する機能、
等を有する。なお、図１１（Ａ）に示す携帯型遊技機が有する機能はこれに限定されず、
様々な機能を有する。
【０１５３】
図１１（Ｂ）はデジタルカメラであり、筐体９６３０、表示部９６３１、スピーカ９６３
３、操作キー９６３５、接続端子９６３６、シャッターボタン９６７６、受像部９６７７
、等を有する。図１１（Ｂ）に示すデジタルカメラは、静止画を撮影する機能、動画を撮
影する機能、撮影した画像を自動または手動で補正する機能、アンテナから様々な情報を
取得する機能、撮影した画像、又はアンテナから取得した情報を保存する機能、撮影した
画像、又はアンテナから取得した情報を表示部に表示する機能、等を有する。なお、図１
１（Ｂ）に示すデジタルカメラが有する機能はこれに限定されず、様々な機能を有する。
【０１５４】
図１１（Ｃ）はテレビ受像器であり、筐体９６３０、表示部９６３１、スピーカ９６３３
、操作キー９６３５、接続端子９６３６、等を有する。図１１（Ｃ）に示すテレビ受像機
は、テレビ用電波を処理して画像信号に変換する機能、画像信号を処理して表示に適した
信号に変換する機能、画像信号のフレーム周波数を変換する機能、等を有する。なお、図
１１（Ｃ）に示すテレビ受像機が有する機能はこれに限定されず、様々な機能を有する。
【０１５５】
図１１（Ｄ）は、電子計算機（パーソナルコンピュータ）用途のモニター（ＰＣモニター
ともいう）であり、筐体９６３０、表示部９６３１等を有する。図１１（Ｄ）に示すモニ
ターは、ウインドウ型表示部９６５３が表示部９６３１にある例について示している。な
お説明のために表示部９６３１にウインドウ型表示部９６５３を示したが、他のシンボル
、例えばアイコン、画像等であってもよい。パーソナルコンピュータ用途のモニターでは
、入力時にのみ画像信号が書き換えられる場合が多く、上記実施の形態における表示装置
の駆動方法を適用する際に好適である。なお、図１１（Ｄ）に示すモニターが有する機能
はこれに限定されず、様々な機能を有する。
【０１５６】
図１２（Ａ）はコンピュータであり、筐体９６３０、表示部９６３１、スピーカ９６３３
、操作キー９６３５、接続端子９６３６、ポインティングデバイス９６８１、外部接続ポ
ート９６８０等を有する。図１２（Ａ）に示すコンピュータは、様々な情報（静止画、動
画、テキスト画像など）を表示部に表示する機能、様々なソフトウェア（プログラム）に
よって処理を制御する機能、無線通信又は有線通信などの通信機能、通信機能を用いて様
々なコンピュータネットワークに接続する機能、通信機能を用いて様々なデータの送信又
は受信を行う機能、等を有する。なお、図１２（Ａ）に示すコンピュータが有する機能は
これに限定されず、様々な機能を有する。
【０１５７】
次に、図１２（Ｂ）は携帯電話であり、筐体９６３０、表示部９６３１、スピーカ９６３
３、操作キー９６３５、マイクロフォン９６３８等を有する。図１２（Ｂ）に示した携帯
電話は、様々な情報（静止画、動画、テキスト画像など）を表示する機能、カレンダー、
日付又は時刻などを表示部に表示する機能、表示部に表示した情報を操作又は編集する機
能、様々なソフトウェア（プログラム）によって処理を制御する機能、等を有する。なお
、図１２（Ｂ）に示した携帯電話が有する機能はこれに限定されず、様々な機能を有する
。
【０１５８】
次に、図１２（Ｃ）は電子ペーパー（Ｅ−ｂｏｏｋともいう）であり、筐体９６３０、表
示部９６３１、操作キー９６３２等を有する。図１２（Ｃ）に示した電子ペーパーは、様
々な情報（静止画、動画、テキスト画像など）を表示する機能、カレンダー、日付又は時
刻などを表示部に表示する機能、表示部に表示した情報を操作又は編集する機能、様々な
ソフトウェア（プログラム）によって処理を制御する機能、等を有する。なお、図１２（
Ｃ）に示した電子ペーパーが有する機能はこれに限定されず、様々な機能を有する。別の
電子ペーパーの構成について図１２（Ｄ）に示す。図１２（Ｄ）に示す電子ペーパーは、
図１２（Ｃ）の電子ペーパーに太陽電池９６５１、及びバッテリー９６５２を付加した構
成について示している。表示部９６３１として反射型の表示装置を用いる場合、比較的明
るい状況下での使用が予想され、太陽電池９６５１による発電、及びバッテリー９６５２
での充電を効率よく行うことができ、好適である。なおバッテリー９６５２としては、リ
チウムイオン電池を用いると、小型化を図れる等の利点がある。
【０１５９】
本実施の形態において述べた電子機器は、実施の形態１の表示装置を有するため、表示品
位の向上を図ることができる。
【０１６０】
本実施の形態は、他の実施の形態に記載した構成と適宜組み合わせて実施することが可能
である。
【符号の説明】
【０１６１】
Ｖ０    電位
１    ステップ
２    ステップ
３    ステップ
１０    表示部
１１    走査線駆動回路
１２    信号線駆動回路
１３    コントローラ
１００    画素
１０１    トランジスタ
１０２    表示素子
１０３    容量素子
１１１    ゲート信号線
１１２    ソース信号線
１１３    容量線
１２１    コモン電極
１２２    画素電極
１２３    マイクロカプセル
１２４    樹脂
１２５    膜
１２６    白色粒子
１２７    黒色粒子
１２８    分散液
２０１    ステップ
２０２    ステップ
２０３    ステップ
２１１Ａ    電位
２１１Ｂ    電位
２１１Ｃ    電位
３００    コントローラ
３０１    比較部
３０２    遅延部
３０３    パネルコントローラ
３０４    駆動回路
３０５    表示部
４０１    導電層
４０２    半導体層
４０３    導電層
４０４    導電層
４０５    コンタクトホール
１２００    基板
１２０１    ゲート電極層
１２０２    ゲート絶縁層
１２０３    半導体層
１２０７    絶縁層
１２０９    保護絶縁層
１２１０    トランジスタ
１２２０    トランジスタ
１２２７    絶縁層
１２３０    トランジスタ
１２４０    トランジスタ
１２４７    絶縁層
１５０１    表示パネル
１５０２    タッチパネルユニット
１５０３    筐体
１５０４    表示装置
１５０５    画素
１５０６    光センサ
１５０７    表示素子
１５０８    ゲート線側駆動回路
１５０９    信号線側駆動回路
１５１０    光センサ用駆動回路
９６３０    筐体
９６３１    表示部
９６３２    操作キー
９６３３    スピーカ
９６３５    操作キー
９６３６    接続端子
９６３８    マイクロフォン
９６５１    太陽電池
９６５２    バッテリー
９６５３    ウインドウ型表示部
９６７２    記録媒体読込部
９６７６    シャッターボタン
９６７７    受像部
９６８０    外部接続ポート
９６８１    ポインティングデバイス
１２０５ａ    ソース電極層
１２０５ｂ    ドレイン電極層
１２４６ａ    配線層
１２４６ｂ    配線層
【図１】
0006362733.tif 000002
【図２】
0006362733.tif 000003
【図３】
0006362733.tif 000004
【図４】
0006362733.tif 000005
【図５】
0006362733.tif 000006
【図６】
0006362733.tif 000007
【図７】
0006362733.tif 000008
【図８】
0006362733.tif 000009
【図９】
0006362733.tif 000010
【図１０】
0006362733.tif 000011
【図１１】
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【図１２】
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