(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
１００ｎｍ以下の幅を有する凹凸パターンが配置された第１パターンと、１００ｎｍよりも広い幅を有する凹凸パターンが配置された第２パターンと、を有するテンプレートにおいて、
前記第２パターンの凹パターンの底部に、前記凹凸パターンの高さよりも低い第１ダミーパターンと、
前記第２パターンの凸パターンに、前記凹凸パターンの深さよりも浅い第２ダミーパターンと、
を有し、
前記第１ダミーパターンに隣接する他のパターンとの間の間隔が１００ｎｍ以下となるように前記第１ダミーパターンが配置され、
前記第２ダミーパターンに隣接する他のパターンとの間の間隔が１００ｎｍ以下となるように前記第２ダミーパターンが配置され、
前記第２ダミーパターンの延在方向の一方の端部には、前記第２パターンの凹パターンが接続されることを特徴とするテンプレート。
【請求項２】
前記第１パターンは、幅が１００ｎｍ以下のラインパターンとスペースパターンとが交互に配置されたラインアンドスペースパターンであり、
前記第１ダミーパターンは、前記ラインアンドスペースパターンと同じ幅を有するラインパターンおよび／またはスペースパターンを含むことを特徴とする請求項１に記載のテンプレート。
【請求項３】
前記ラインアンドスペースパターンのアスペクト比と、前記第１ダミーパターンのアスペクト比と、が１以上異なることを特徴とする請求項２に記載のテンプレート。
【請求項４】
前記第１パターンは、幅が１００ｎｍ以下のラインパターンとスペースパターンとが交互に配置されたラインアンドスペースパターンであり、
前記第２ダミーパターンは、前記ラインアンドスペースパターンと同じ幅を有するラインパターンおよび／またはスペースパターンを含むことを特徴とする請求項１に記載のテンプレート。
【請求項５】
前記第１ダミーパターンの高さは、レジストを介して加工対象に当該テンプレートを接触させて前記凹凸パターンを転写し、転写された前記凹凸パターンを用いて加工を行った際に、前記加工対象に転写されない高さであることを特徴とする請求項１に記載のテンプレート。
【請求項６】
１００ｎｍ以下の幅を有する凹凸パターンを含む第１パターン、１００ｎｍよりも広い幅を有する凹凸パターンを含む第２パターン、および前記第２パターンの凹パターンに、隣接する他のパターンとの間の間隔が１００ｎｍ以下となるように配置される第１ダミーパターンを有する第１レジストパターンをテンプレート基板の一方の面に形成し、
前記第１レジストパターンをマスクとして前記テンプレート基板をエッチングし、
前記テンプレート基板の前記第１ダミーパターン、および前記第２パターンの凸パターンに設けられる、隣接する他のパターンとの間隔が１００ｎｍ以下となり、前記凹凸パターンの深さよりも浅く、延在方向の一端が前記第２パターンの凹パターンに接続される第２ダミーパターンの形成位置以外を覆う第２レジストパターンを形成し、
前記第２レジストパターンをマスクとして、前記第１ダミーパターンが所定の高さとなるように前記第１ダミーパターンと露出した前記第２パターンの前記凸パターンをエッチングすることを特徴とするテンプレートの製造方法。
【請求項７】
加工対象上にレジストを滴下し、
１００ｎｍ以下の幅を有する凹凸パターンが配置された第１パターンと、１００ｎｍよりも広い幅を有する凹凸パターンが配置された第２パターンと、を有するテンプレートを、パターン形成面が前記レジストを介して前記加工対象上に押し付け、
前記レジストを硬化させ、
前記テンプレートを前記加工対象から除去し、
前記テンプレートは、前記第２パターンの凹パターンの底部に、前記凹凸パターンの高さよりも低い第１ダミーパターンと、前記第２パターンの凸パターンに、前記凹凸パターンの深さよりも浅い第２ダミーパターンと、を有し、
前記第１ダミーパターンに隣接する他のパターンとの間の間隔が１００ｎｍ以下となるように前記第１ダミーパターンが配置され、
前記第２ダミーパターンに隣接する他のパターンとの間の間隔が１００ｎｍ以下となるように前記第２ダミーパターンが配置され、
前記第２ダミーパターンの延在方向の一方の端部には、前記第２パターンの凹パターンが接続されることを特徴とするインプリント方法。
【請求項８】
前記レジストの滴下で、前記テンプレートに形成されたパターン形状によらず、前記レジストの配置は一定であることを特徴とする請求項７に記載のインプリント方法。
【請求項９】
前記テンプレートの除去の後、硬化した前記レジストに転写された凹凸パターンを用いて前記加工対象を加工し、
前記加工対象の加工では、前記第１ダミーパターンは、前記加工対象には転写されないことを特徴とする請求項７に記載のインプリント方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明の実施形態は、テンプレートとその製造方法およびインプリント方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
ナノインプリントリソグラフィは、レジストを滴下したデバイス基板上に、凹凸パターンが形成されたテンプレートを押し付け、レジストを硬化させることによって、テンプレートとは凹凸が逆になったレジストパターンを形成する技術である。ナノインプリントリソグラフィでは、上記の処理を１ショットずつ順に繰り返していく。そのため、デバイス基板上へのレジストの滴下、テンプレートの移動、テンプレートの押し付け、レジストの硬化などに時間がかかり、従来のフォトリソグラフィに比べて処理に時間を有してしまう。
【０００３】
テンプレートの凹凸パターンへのレジストの充填には、毛細管現象が利用されている。そのため、微細な凹凸パターンの場合には、比較的短時間でレジストを凹パターンに充填することができるが、幅が１００ｎｍよりも大きな凹凸パターンの場合には、レジストを凹パターンに充填するのにより多くの時間を要する。スループットを上げようとして、テンプレートの押し付け時間を短くすると、大きな凹凸パターンへのレジストの充填が不完全になる。また、大きな凹凸パターンへのレジストの充填を完全にしようとすると、テンプレートの押し付け時間が長くなり、スループットが低下する。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特許第５４２６４８９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
本発明の一つの実施形態は、微細な凹凸パターンと大きな凹凸パターンとを有するテンプレートを用いてパターン形成を行う際に、短時間で大きい凹凸パターンへのレジストの充填を行うことができるテンプレートとその製造方法およびインプリント方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の一つの実施形態によれば、第１パターンと、第２パターンと、第１ダミーパターンと、第２ダミーパターンと、を有するテンプレートが提供される。前記第１パターンは、１００ｎｍ以下の幅を有する凹凸パターンが配置される。前記第２パターンは、１００ｎｍよりも広い幅を有する凹凸パターンが配置される。前記第１ダミーパターンは、前記第２パターンの凹パターンの底部に配置され、前記凹凸パターンの高さよりも低い。前記第２ダミーパターンは、前記第２パターンの凸パターンに配置され、前記凹凸パターンの深さよりも浅い。また、前記第１ダミーパターンに隣接する他のパターンとの間の間隔が１００ｎｍ以下となるように前記第１ダミーパターンが配置される。前記第２ダミーパターンに隣接する他のパターンとの間の間隔が１００ｎｍ以下となるように前記第２ダミーパターンが配置される。そして、前記第２ダミーパターンの延在方向の一方の端部には、前記第１パターンの凹パターンが接続される。
【図面の簡単な説明】
【０００７】
【図１】図１は、実施形態によるテンプレートの構造の一例を示す図である。
【図２】図２は、実施形態によるインプリント方法の手順の一例を模式的に示す図である。
【図３】図３は、テンプレートを基板に接触させたときのレジストの状態を模式的に示す上面図である。
【図４】図４は、実施の形態によるパターン形成方法の一例を模式的に示す断面図である。
【図５】図５は、実施の形態によるパターン形成方法の一例を模式的に示す断面図である。
【図６】図６は、テンプレートの製造方法の手順の一例を模式的に示す下面図である。
【図７】図７は、図６のＣ−Ｃ断面でのテンプレートの製造方法の一例を模式的に示す図である。
【図８】図８は、図６のＤ−Ｄ断面でのテンプレートの製造方法の一例を模式的に示す図である。
【図９】図９は、レジストを介して基板に一般的なテンプレートを接触させた場合の状態を模式的に示す図である。
【発明を実施するための形態】
【０００８】
以下に添付図面を参照して、実施形態にかかるテンプレートとその製造方法およびインプリント方法を詳細に説明する。なお、この実施形態により本発明が限定されるものではない。また、以下の実施形態で用いられるテンプレートの断面図は模式的なものであり、層の厚みと幅との関係や各層の厚みの比率などは現実のものとは異なる場合がある。さらに、以下で示す膜厚は一例であり、これに限定されるものではない。
【０００９】
図１は、実施形態によるテンプレートの構造の一例を示す図であり、（ａ）は下面図であり、（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ断面図であり、（ｃ）は（ａ）のＢ−Ｂ断面図である。
【００１０】
テンプレート１０は、ガラス、シリコン、樹脂などからなるテンプレート基板１１の一方の面（下面）に、凹凸パターンが形成されたものである。凹凸パターンは、幅が１００ｎｍ以下の微細パターンと、幅が１００ｎｍよりも大きい大パターンと、を有する。微細パターンとして、たとえば１０〜５０ｎｍの幅を有するラインパターン２１とスペースパターン２２とが延在方向に交差する方向に配列したラインアンドスペースパターン２０を挙げることができる。大パターンとして、１００ｎｍよりも広い幅を有する凹パターン３１および凸パターン３２を含む周辺パターン３０を挙げることができる。これらのラインアンドスペースパターン２０と周辺パターン３０は、このテンプレート１０を用いて基板上に形成されるレジストパターンとは凹凸が逆になっている。
【００１１】
また、テンプレート１０上で凹パターン３１の幅が１００ｎｍより大きい領域には、ダミーパターン５０が設けられる。パターン間の距離が１００ｎｍよりも大きくなると、毛細管現象が起こりにくくなり、レジストの充填に時間がかかってしまう。そのため、本実施形態では、１００ｎｍよりも広い幅の凹パターン３１に隣接するパターンとの距離が１００ｎｍ以下の凹凸パターンを設けて、毛細管現象によってレジストの充填にかかる時間を短縮化させるようにしている。ダミーパターン５０として、たとえばラインアンドスペースパターン２０と同じ幅のラインパターン５１とスペースパターン５２とが延在方向に交差する方向に配列したラインアンドスペースパターンが用いられる。
【００１２】
さらに、テンプレート１０上で凸パターン３２の幅が１００ｎｍより大きい領域にも、ダミーパターン４０が設けられる。凸パターン３２は、加工対象の基板上でパターンが形成されない領域である。この凸パターン３２にもダミーパターン４０を設けるのは、たとえばダミーパターン４０の延在方向に、幅が１００ｎｍより大きい凹パターンが存在する場合に、その凹パターンへのレジストの供給を短時間で行うためである。ダミーパターン４０として、たとえばラインアンドスペースパターン２０と同じ幅のラインパターン４１とスペースパターン４２とが延在方向に交差する方向に配列したラインアンドスペースパターンが用いられる。
【００１３】
これらのダミーパターン４０，５０は、テンプレート１０上には設けられるが、テンプレート１０を転写したレジストパターンで基板をエッチングしたときに、基板には転写されないパターンである。そのため、ダミーパターン４０，５０の高さは、通常の凹凸パターン（ラインパターン２１、凸パターン３２）の高さよりも低ければよい。凹パターン３１にダミーパターン５０を設ける場合には、ダミーパターン５０は、凹パターン３１の底部に対して突出し、また凸パターン３２の高さよりも低くなるように設けられる。また、凸パターン３２にダミーパターン４０を設ける場合には、凸パターン３２の下面とラインパターン４１の下面とが同じ高さとなるようにダミーパターン４０が設けられる。すなわち、凸パターン３２の下面に対してスペースパターン４２を掘り込むことで、ラインアンドスペース状のダミーパターン４０が設けられる。このとき、スペースパターン４２の深さは、凸パターン３２の高さよりも小さくなっている。
【００１４】
ダミーパターン４０，５０は、ラインアンドスペースパターン２０のラインパターン２１およびスペースパターン２２の幅と同じ幅を有するパターンによって構成されることが望ましい。また、ラインアンドスペースパターン２０のラインパターン２１またはスペースパターン２２のアスペクト比（パターンの高さ／線幅）に対して、ダミーパターン４０，５０のアスペクト比を１以上小さくすることが望ましい。たとえば、ラインアンドスペースパターン２０のラインパターン２１またはスペースパターン２２のアスペクト比を２以上とし、ダミーパターン４０，５０のアスペクト比を１以下とする。これによって、同じ工程で同じ高さとして製造されたがばらつきを有する加工対象を加工するためのパターンと、上記のようにダミーパターンとして意図的に高さを変えたものとの間を区別することができる。つまり、加工対象に転写するパターンと転写しないパターンとを区別することができる。このように加工対象に形成するためのパターンとダミーパターン４０，５０の間のアスペクト比を１以上異ならせることで、加工対象へのダミーパターン４０，５０への転写を抑制することができる。
【００１５】
つぎに、このようなテンプレートを用いたインプリント方法について説明する。図２は、実施形態によるインプリント方法の手順の一例を模式的に示す図である。まず、図２（ａ）に示されるように、デバイスを作製する基板１００上のショット領域にレジスト１１０をインクジェット方式で滴下する。基板１００上には、導電性膜、絶縁膜などの被加工膜が形成されていてもよい。また、レジスト１１０として紫外線硬化樹脂などを用いることができる。レジスト１１０は、たとえば１０〜１００μｍの径を有し、５０〜５００μｍの間隔で滴下される。
【００１６】
ついで、図２（ｂ）に示されるように、テンプレート１０のパターン形成面（下面）を基板１００側に向けた状態で、レジスト１１０を滴下したショット領域上にテンプレート１０を移動させる。このとき、テンプレート１０の位置を基板１００の位置に合わせる。その後、図２（ｃ）に示されるように、レジスト１１０を介してテンプレート１０を基板１００に接触させる。
【００１７】
図２（ａ）に示されるように、レジスト１１０は、ショット領域上に疎な状態で配置される。そして、図２（ｃ）に示されるように、テンプレート１０を基板１００に所定の距離を置いて配置する。テンプレート１０には凹凸パターンが形成されているので、テンプレート１０がレジスト１１０と接触すると、接触した部分から凹パターンの延在方向に沿ってレジスト１１０が充填されていく。
【００１８】
図３は、テンプレートを基板に接触させたときのレジストの状態を模式的に示す上面図である。図３（ａ）に示されるように、ハーフピッチが１００ｎｍ以下のラインアンドスペースパターン２０が形成されている場所では、毛細管現象によって、基板面に平行な方向にテンプレート１０のスペースパターン２２（凹パターン）にレジスト１１０が充填されていく。また、図３（ｂ）に示されるように、１００ｎｍ以上の幅を有する周辺パターン３０の凹パターン３１または凸パターン３２にも、上記したようにハーフピッチが１００ｎｍ以下のダミーパターン４０，５０が形成されている。そのため、ラインアンドスペースパターン２０の場合と同様に毛細管現象によって、レジスト１１０と接触した部分から、ダミーパターン４０，５０の延在方向に沿ってスペースパターン４２，５２にレジスト１１０が充填される。その結果、周辺パターン３０（凹パターン３１）へのレジスト１１０の供給が素早く行われる。
【００１９】
周辺パターン３０（凹パターン３１）のダミーパターン５０（ラインパターン５１）の下面は、基板１００の上面とは接触していない。しかし、レジスト１１０の大きさに比してテンプレート１０に形成される凹凸パターンの大きさは極めて小さい。そのため、テンプレート１０を基板１００に接触させた際に、周辺パターン３０（凹パターン３１）に形成されるダミーパターン５０にもレジスト１１０が接触する。その結果、周辺パターン３０（凹パターン３１）の底部に形成されたダミーパターン５０（スペースパターン５２）を伝わって、周辺パターン３０（凹パターン３１）にもレジスト１１０が充填されることになる。
【００２０】
なお、図１（ｃ）の凸パターン３２に形成されるダミーパターン４０は、ダミーパターン４０の延在方向の端部に凹パターンが配置される場合に、その凹パターンにレジスト１１０を供給するパスとしての役割を果たしている。
【００２１】
ついで、図２（ｄ）に示されるように、テンプレート１０を介してレジスト１１０に紫外線を照射し、レジスト１１０を固化させる。その後、図２（ｅ）に示されるように、テンプレート１０を離型すると、テンプレート１０の凹凸パターンとは凹凸が逆転したレジストパターン１１０Ａが形成される。そして、このレジストパターン１１０Ａをマスクとして、基板（被加工膜）の加工が行われる。
【００２２】
なお、上記した例では、レジスト１１０として紫外線硬化樹脂を用い、紫外線を照射してレジスト１１０を固化する場合を例に挙げた。しかし、レジスト１１０として熱硬化樹脂を用い、熱を与えることでレジスト１１０を固化してもよい。
【００２３】
図４と図５は、実施の形態によるパターン形成方法の一例を模式的に示す断面図である。図４は、図１（ａ）のＡ−Ａ断面でのパターン形成方法の一例を模式的に示す図であり、図５は、図１（ｂ）のＢ−Ｂ断面でのパターン形成方法の一例を模式的に示す図である。図４（ａ）と図５（ａ）は、ともに、テンプレート１０を基板１００から離型した状態を示している。これらの図に示されるように、レジストパターン１１０Ａの１００ｎｍ以上の幅を有する凹パターン１３２に形成されるダミーパターン１４１の高さは、ラインアンドスペースパターン１２０のような他の凹凸パターンに比して低くなっている。また、レジストパターン１１０Ａの１００ｎｍ以上の幅を有する凸パターン１３１に形成されるダミーパターン１５２の高さ（深さ）は、ダミーパターン１５２が形成されている凸パターン１３１の高さに比して小さくなっている。
【００２４】
ついで、図４（ｂ）と図５（ｂ）に示されるように、ＲＩＥ（Reactive  Ion  Etching）法などの異方性エッチングによって、レジストパターン１１０Ａをマスクとして基板１００の加工を行う。図４（ｂ）と図５（ｂ）は、レジストのＲＬＴ（Residual  Layer  Thickness）の部分が除去された加工途中の状態を示している。また、このとき、ダミーパターン１４１，１５２は消滅している。
【００２５】
この状態からさらに異方性エッチングを行い、図４（ｃ）と図５（ｃ）に示されるように、基板１００または基板１００上に形成された被加工膜を加工する。これによって、所望の加工パターンを有する基板１００が得られる。なお、ダミーパターン１４１，１５２は、レジストパターン１１０Ａから消滅しているので、ダミーパターン１４１，１５２に対応する部分は、基板１００または被加工膜には形成されない。その結果、ダミーパターン１４１，１５２は、作製される基板１００上のデバイスに対して影響を与えることがない。
【００２６】
つぎに、このようなテンプレートの製造方法について説明する。図６〜図８は、実施形態によるテンプレートの製造方法の手順の一例を模式的に示す図である。図６は、テンプレートの製造方法の手順の一例を模式的に示す下面図であり、図７は、図６のＣ−Ｃ断面でのテンプレートの製造方法の一例を模式的に示す図であり、図８は、図６のＤ−Ｄ断面でのテンプレートの製造方法の一例を模式的に示す図である。
【００２７】
まず、図６（ａ）〜図８（ａ）に示されるように、ガラス、シリコン、樹脂などの平板状のテンプレート基板１１の一方の面上の全面にレジストを塗布する。ついで、電子線リソグラフィによって露光を行った後、現像を行い、第１レジストパターンを形成する。第１レジストパターンは、ラインアンドスペースパターンを形成するためのパターン２１１と、周辺パターンを形成するためのパターン２１２と、が形成される。また、周辺パターンを形成するためのパターン２１２のうち凹部の幅（パターン間の距離）が１００ｎｍよりも大きいパターンにも、ダミー用のラインアンドスペースパターン２１３が形成される。なお、図６（ａ）では、理解の容易のため、上面図ではあるが第１レジストパターンにハッチングを付している。
【００２８】
ついで、図６（ｂ）〜図８（ｂ）に示されるように、第１レジストパターンをマスクとして、ＲＩＥ法などの異方性エッチングを用いて、所定の深さとなるようにテンプレート基板１１をエッチングする。たとえば、ラインアンドスペースパターン２０におけるアスペクト比が２以上となる深さとなるように、テンプレート基板１１をエッチングする。これによって、第１レジストパターンがテンプレート基板１１に転写された第１テンプレートパターンが形成される。
【００２９】
パターン２１１に対応する領域にはラインパターン２１とスペースパターン２２とが交互に配置されたラインアンドスペースパターン２０が形成される。パターン２１２に対応する領域には周辺パターン３０が形成される。そして、パターン２１３に対応する領域には、ラインパターン５１ａとスペースパターン５２ａとが交互に配置されたダミー用のラインアンドスペースパターン５０ａが形成される。ラインアンドスペースパターン２０、周辺パターン３０およびダミー用のラインアンドスペースパターン５０ａのパターンの高さはどれも同じである。
【００３０】
その後、図６（ｃ）〜図８（ｃ）に示されるように、テンプレート基板１１の第１テンプレートパターンが形成された側の面上の全面にレジストを塗布する。ついで、電子線リソグラフィによって露光を行った後、現像を行い、第２レジストパターンを形成する。具体的には、ラインアンドスペースパターン２０の形成領域を被覆するパターン２２１が設けられる。また、周辺パターン３０の凹パターン３１では、ラインパターン５２ａの形成領域が開口するように、そして、周辺パターン３０のうち凸部の幅が１００ｎｍ以上ある凸パターン３２上では、ダミー用のラインアンドスペースパターンを形成するようにパターン２２２が設けられる。なお、図６（ｃ）では、理解の容易のため、上面図ではあるが第２レジストパターンにハッチングを付している。
【００３１】
その後、図６（ｄ）〜図８（ｄ）に示されるように、第２レジストパターンをマスクとして、ＲＩＥ法などの異方性エッチングを用いて、テンプレート基板１１をエッチングする。このとき、第２レジストパターンでマスクされていない領域の深さが、第１テンプレートパターンの深さよりも浅くなる条件でエッチングされる。たとえば、第２レジストパターンで覆われていない領域のアスペクト比が１以下となる深さとなるように、テンプレート基板１１をエッチングする。これによって、図６（ｂ）と図７（ｂ）で周辺パターン３０の凹パターン３１に形成されたダミーのラインパターン５１の上面が、凸パターン３２の上面よりも後退する。また、周辺パターン３０の凸パターン３２上には、凸パターン３２よりも浅い深さのスペースパターン４２が配列したラインアンドスペース状のダミーパターン４０が形成される。そして、第２レジストパターンを除去することで、図１に示されるテンプレート１０が形成される。
【００３２】
本実施形態では、ナノインプリントリソグラフィで使用されるテンプレート１０に、１００ｎｍよりも大きい幅を有する凹パターン３１が存在する場合に、その凹パターン３１の高さよりも低く、１００ｎｍ以下の幅を有するスペースパターン５２を含むダミーパターン５０をその凹パターン３１に形成した。これによって、インプリント処理時に、１００ｎｍよりも大きい幅を有する凹パターン３１に形成されたダミーパターン５０のスペースパターン５２に毛細管現象によってレジスト１１０が素早く充填されることになる。
【００３３】
図９は、レジストを介して基板に一般的なテンプレートを接触させた場合の状態を模式的に示す図である。この図に示されるように、テンプレート１０に１００ｎｍよりも大きい幅を有する凹パターン３１が存在すると、インプリント処理時に毛細管現象が働かず、凹パターン３１にレジスト１１０が充填されるまでに、かなりの時間を要してしまう。このように一般的なテンプレートを用いた場合に比して、本実施形態では１００ｎｍよりも大きい幅を有する凹パターン３１にレジスト１１０を充填する時間を短縮することができる。その結果、インプリント処理の高速化を図ることができるという効果を有する。
【００３４】
また、ダミーパターン４０，５０の高さを、基板１００（加工対象）にパターンを形成するための凹凸パターンの高さよりも低くしたので、レジストパターンにダミーパターン４０，５０が転写されても、転写されたダミーパターンの基板１００（加工対象）への加工工程の途中で消失する。つまり、ダミーパターン４０，５０の転写によって生成されたレジストパターンは、基板１００上に最終的に形成されるデバイスパターンには転写されない。その結果、基板１００に形成されるデバイスパターンに、ダミーパターン４０，５０が影響を与えることがないという効果を有する。
【００３５】
さらに、従来では、サイズの大きい周辺パターン３０へのレジスト１１０の充填を早めるために、サイズの大きい周辺パターン３０の位置に合わせてレジスト１１０を滴下することもあった。しかし、本実施形態では、そのようなレジスト１１０の配置を考慮しなくてもよい。そのため、テンプレート１０に形成されたパターン形状によらず、レジスト１１０の配置を一定とすることができる。つまり、テンプレート１０のパターン形状ごとにレジスト１１０の配置を変更する作業を行わなくてよい。
【００３６】
本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。
【００３７】
（付記）
［付記１］
１００ｎｍ以下の幅を有する凹凸パターンが配置された第１パターンと、１００ｎｍよりも広い幅を有する凹凸パターンが配置された第２パターンと、を有するテンプレートにおいて、
前記第２パターンの凹パターンの底部に、前記凹凸パターンの高さよりも低い第１ダミーパターンを有し、
前記第１ダミーパターンに隣接する他のパターンとの間の間隔が１００ｎｍ以下となるように前記第１ダミーパターンが配置されることを特徴とするテンプレート。
［付記２］
前記第１パターンは、幅が１００ｎｍ以下のラインパターンとスペースパターンとが交互に配置されたラインアンドスペースパターンであり、
前記第１ダミーパターンは、前記ラインアンドスペースパターンと同じ幅を有するラインパターンおよび／またはスペースパターンを含むことを特徴とする付記１に記載のテンプレート。
［付記３］
前記ラインアンドスペースパターンは、アスペクト比が２以上であり、
前記第１ダミーパターンは、アスペクト比が１以下であることを特徴とする付記２に記載のテンプレート。
［付記４］
前記第２パターンの凸パターンに、前記凹凸パターンの深さよりも浅い第２ダミーパターンを有し、
前記第２ダミーパターンに隣接する他のパターンとの間の間隔が１００ｎｍ以下となるように前記第２ダミーパターンが配置されることを特徴とする付記１に記載のテンプレート。
［付記５］
前記第１パターンは、幅が１００ｎｍ以下のラインパターンとスペースパターンとが交互に配置されたラインアンドスペースパターンであり、
前記第２ダミーパターンは、前記ラインアンドスペースパターンと同じ幅を有するラインパターンおよび／またはスペースパターンを含むことを特徴とする付記４に記載のテンプレート。
［付記６］
前記ラインアンドスペースパターンは、アスペクト比が２以上であり、
前記第２ダミーパターンは、アスペクト比が１以下であることを特徴とする付記５に記載のテンプレート。
［付記７］
前記ラインアンドスペースパターンのアスペクト比と、前記第２ダミーパターンのアスペクト比と、が１以上異なることを特徴とする付記５に記載のテンプレート。
［付記８］
１００ｎｍ以下の幅を有する凹凸パターンを含む第１パターン、１００ｎｍよりも広い幅を有する凹凸パターンを含む第２パターン、および前記第２パターンの凹パターンに、隣接する他のパターンとの間の間隔が１００ｎｍ以下となるように配置される第１ダミーパターンを有する第１レジストパターンをテンプレート基板の一方の面に形成し、
前記第１レジストパターンをマスクとして前記テンプレート基板をエッチングし、
前記テンプレート基板の前記第１ダミーパターンの形成位置以外を覆う第２レジストパターンを形成し、
前記第２レジストパターンをマスクとして、前記第１ダミーパターンが所定の高さとなるように前記第１ダミーパターンをエッチングすることを特徴とするテンプレートの製造方法。
［付記９］
前記第１パターンは、幅が１００ｎｍ以下のラインパターンとスペースパターンとが交互に配置されたラインアンドスペースパターンであり、
前記第１ダミーパターンは、前記ラインアンドスペースパターンと同じ幅を有するラインパターンおよび／またはスペースパターンを含むことを特徴とする付記８に記載のテンプレートの製造方法。
［付記１０］
前記第１レジストパターンを用いたエッチングでは、前記ラインアンドスペースパターンのアスペクト比が２以上となるようにエッチングを行い、
前記第２レジストパターンを用いたエッチングでは、前記第１ダミーパターンのアスペクト比が１以下となるようにエッチングを行うことを特徴とする付記９に記載のテンプレートの製造方法。
［付記１１］
前記第１レジストパターンを用いたエッチングと前記第２レジストパターンを用いたエッチングでは、前記ラインアンドスペースパターンのアスペクト比と、前記第１ダミーパターンのアスペクト比と、が１以上異なるようにエッチングを行うことを特徴とする付記９に記載のテンプレートの製造方法。
［付記１２］
前記第２レジストパターンの形成では、前記第２パターンの凸パターンに、隣接する他のパターンとの間の間隔が１００ｎｍ以下となるように配置される第２ダミーパターンを前記第２レジストパターンに形成することを特徴とする付記８に記載のテンプレートの製造方法。
［付記１３］
加工対象上にレジストを滴下し、
１００ｎｍ以下の幅を有する凹凸パターンが配置された第１パターンと、１００ｎｍよりも広い幅を有する凹凸パターンが配置された第２パターンと、を有するテンプレートを、パターン形成面が前記レジストを介して前記加工対象上に押し付け、
前記レジストを硬化させ、
前記テンプレートを前記加工対象から除去し、
前記テンプレートの押し付けで、前記テンプレートは、前記第２パターンの凹パターンの底部に、前記凹凸パターンの高さよりも低い第１ダミーパターンを有し、前記第１ダミーパターンに隣接する他のパターンとの間の間隔が１００ｎｍ以下となるように前記第１ダミーパターンが配置されることを特徴とするインプリント方法。
［付記１４］
前記第１パターンは、幅が１００ｎｍ以下のラインパターンとスペースパターンとが交互に配置されたラインアンドスペースパターンであり、
前記第１ダミーパターンは、前記ラインアンドスペースパターンと同じ幅を有するラインパターンおよび／またはスペースパターンを含むことを特徴とする付記１３に記載のインプリント方法。
［付記１５］
前記ラインアンドスペースパターンは、アスペクト比が２以上であり、
前記第１ダミーパターンは、アスペクト比が１以下であることを特徴とする付記１４に記載のインプリント方法。
［付記１６］
前記ラインアンドスペースパターンのアスペクト比と、前記第１ダミーパターンのアスペクト比と、が１以上異なることを特徴とする付記１４に記載のインプリント方法。
【符号の説明】
【００３８】
１０  テンプレート、１１  テンプレート基板、２０，１２０，２１３  ラインアンドスペースパターン、２１，４１，５１，５１ａ  ラインパターン、２２，４２，５２，５２ａ  スペースパターン、３０  周辺パターン、３１，１３２  凹パターン、３２，１３１  凸パターン、４０，５０，１４１，１５２  ダミーパターン、５０ａ  ダミー用のラインアンドスペースパターン、１００  基板、１１０  レジスト、１１０Ａ  レジストパターン、２１１，２１２，２１３，２２１，２２２  パターン。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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