(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
化学量論的化合物の第１元素と第２元素のうち前記第１元素の一部が第３元素で置換された化合物の、前記第１元素と前記第２元素の組成比を、Ｘ線分光法を用いて求める工程と、
前記組成比と、前記化合物中の前記第２元素の組成とを用いて、前記化合物中の前記第１元素の組成を求める工程と、
前記化合物中の前記第１元素の組成を用いて、前記化合物中の前記第３元素の組成を求める工程と
を含むことを特徴とする組成分析方法。
【請求項２】
前記第１元素と前記第２元素とは、互いの特性Ｘ線を前記Ｘ線分光法によって得る際の、前記化合物に対するＸ線吸収が、同程度とみなせる元素であることを特徴とする請求項１に記載の組成分析方法。
【請求項３】
前記組成比を求める工程は、前記Ｘ線分光法により得られる前記第１元素の特性Ｘ線の強度と、理論式により得られる前記第１元素の第１ｋファクタと、前記Ｘ線分光法により得られる前記第２元素の特性Ｘ線の強度と、理論式により得られる前記第２元素の第２ｋファクタとを用いて、前記組成比を求める工程を含むことを特徴とする請求項１又は２に記載の組成分析方法。
【請求項４】
前記化合物中の前記第１元素の組成を求める工程では、前記化合物中の前記第２元素の組成として、前記化学量論的化合物中の前記第２元素の組成を用いることを特徴とする請求項１乃至３のいずれかに記載の組成分析方法。
【請求項５】
前記化合物中の前記第３元素の組成を求める工程は、前記化学量論的化合物中の前記第１元素の組成と前記第２元素の組成の和から、前記化合物中の前記第１元素の組成と前記第２元素の組成を差し引き、前記化合物中の前記第３元素の組成を求める工程を含むことを特徴とする請求項１乃至４のいずれかに記載の組成分析方法。
【請求項６】
前記化合物中の前記第３元素の組成を求める工程は、前記化学量論的化合物中の前記第１元素の組成から、前記化合物中の前記第１元素の組成を差し引き、前記化合物中の前記第３元素の組成を求める工程を含むことを特徴とする請求項１乃至４のいずれかに記載の組成分析方法。
【請求項７】
Ｘ線分光法により得られる情報を用いて、化学量論的化合物の第１元素と第２元素のうち前記第１元素の一部が第３元素で置換された化合物の、前記第１元素と前記第２元素の組成比を求める第１処理部と、
前記組成比と、前記化合物中の前記第２元素の組成とを用いて、前記化合物中の前記第１元素の組成を求める第２処理部と、
前記化合物中の前記第１元素の組成を用いて、前記化合物中の前記第３元素の組成を求める第３処理部と
を含むことを特徴とする組成分析装置。
【請求項８】
コンピュータに、
Ｘ線分光法により得られる情報を用いて、化学量論的化合物の第１元素と第２元素のうち前記第１元素の一部が第３元素で置換された化合物の、前記第１元素と前記第２元素の組成比を求め、
前記組成比と、前記化合物中の前記第２元素の組成とを用いて、前記化合物中の前記第１元素の組成を求め、
前記化合物中の前記第１元素の組成を用いて、前記化合物中の前記第３元素の組成を求める
処理を実行させることを特徴とする組成分析プログラム。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、組成分析方法、組成分析装置及び組成分析プログラムに関する。
【背景技術】
【０００２】
Ｘ線分光法を用いて、材料に含まれる元素の組成や含有率を求める技術が知られている。例えば、合金めっき材料の合金元素含有率の測定や、半導体材料の元素組成の評価に、Ｘ線分光法が用いられている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開平８−２９７１０６号公報
【特許文献２】特開２００４−００６５４５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
ところで、化学量論的化合物は、広く機能性材料として使用され、その機能の改変のために、不純物元素が添加される場合がある。このような化合物では、その機能を制御するうえで、不純物元素の組成を把握することが重要になる。
【０００５】
しかし、Ｘ線分光法では、測定に用いる試料の形態や、測定対象元素から生じたＸ線の試料への吸収（Ｘ線吸収）等の影響により、化合物中の不純物元素（添加元素）の組成を精度良く求めることが難しい場合がある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の位置観点によれば、化学量論的化合物の第１元素と第２元素のうち前記第１元素の一部が第３元素で置換された化合物の、前記第１元素と前記第２元素の組成比を、Ｘ線分光法を用いて求める工程と、前記組成比と、前記化合物中の前記第２元素の組成とを用いて、前記化合物中の前記第１元素の組成を求める工程と、前記化合物中の前記第１元素の組成を用いて、前記化合物中の前記第３元素の組成を求める工程とを含む組成分析方法が提供される。
【０００７】
また、本発明の一観点によれば、組成分析に用いる組成分析装置、組成分析プログラムが提供される。
【発明の効果】
【０００８】
開示の技術によれば、化合物中に添加された元素の組成を、Ｘ線分光法を用い、試料形態やＸ線吸収の影響を抑えて、精度良く求めることが可能になる。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】ＴＥＭ−ＥＤＳ分析の説明図である。
【図２】Ｘ線吸収の説明図である。
【図３】組成分析方法の一例を示す図である。
【図４】組成分析結果の一例を示す図である。
【図５】組成分析装置の一例を示す図である。
【図６】コンピュータのハードウェア構成の一例を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
化学式ＡxＢyで表される化学量論的化合物は、広く機能性材料として使用され、更なる機能向上のために不純物元素の添加が行われる場合がある。機能を制御するうえでは、化学量論的化合物に不純物元素を添加した化合物のその不純物元素の組成（濃度）の把握が重要になる。
【００１１】
このような化合物中の不純物元素の組成は、例えば、透過型電子顕微鏡（Transmission Electron Microscope；ＴＥＭ）に装着されたエネルギー分散型Ｘ線分光（Energy Dispersive x-ray Spectroscopy；ＥＤＳ）検出器を用いて分析される（ＴＥＭ−ＥＤＳ分析）。
【００１２】
図１はＴＥＭ−ＥＤＳ分析の説明図である。
図１に示すように、ＴＥＭの試料ホルダ１０ａにセットされた化合物の試料２０ａに、電子線３０ａが照射され、電子線３０ａが照射された試料２０ａから放射される特性Ｘ線４０ａが、ＥＤＳ検出器５０ａで検出される。電子線３０ａの照射により試料２０ａから発生する各元素の特性Ｘ線４０ａの強度から、ｋファクタ（ｋ因子）と呼ばれる係数を用いて、試料２０ａの組成が求められる。
【００１３】
試料の化合物に含まれる元素をＡ，Ｂ，Ｃ，・・・とし、検出された各元素の特性Ｘ線の強度をそれぞれＩA，ＩB，ＩC，・・・とし、各元素のｋファクタをそれぞれｋA，ｋB，ｋC，・・・とすると、元素Ａの組成ＣAは、次の式（１）で表される。
【００１４】
ＣA＝ｋAＩA／（ｋAＩA＋ｋBＩB＋ｋCＩC・・・）  ・・・（１）
このような式（１）に従い、化合物に含まれる元素Ａの組成ＣAを求めることができる。化合物に含まれる他の元素Ｂ，Ｃ，・・・の組成ＣB，ＣC，・・・についても、これと同様にして求めることができる。
【００１５】
ここで用いるｋファクタを求める方法には２種類ある。
１つは、組成が既知の標準試料を用いて実験的に求める方法である。例えば、組成を求める対象試料と近い組成を有する標準試料について、それに含まれる各元素の特性Ｘ線を測定し、標準試料の組成比と上記式（１）のような関係式（ＣA／ＣB＝（ｋA／ｋB）・（ＩA／ＩB）等）から、ｋファクタを求める。これを対象試料のｋファクタとして用いる。或いは、組成が既知である複数種の標準試料について、各元素の特性Ｘ線強度とｋファクタの関係（検量線）を取得しておき、その関係に基づき、組成を求める対象試料について得られた各元素の特性Ｘ線強度から、ｋファクタを求める。
【００１６】
対象試料の組成を適正に求めるためには、適正なｋファクタを用いることが重要であるが、そのような適正なｋファクタを上記方法で求めるためには、標準試料として、できるだけ対象試料に組成が近いものを用いることが望ましい。しかし、そのような標準試料を準備することは、必ずしも容易でない。
【００１７】
ｋファクタを求めるもう１つの方法は、理論式に基づいて求める方法である。試料の化合物に含まれる元素ＡのｋファクタｋAは、以下の理論式（２）で表される。
ｋA＝ＭA／（σAωAｐAεA）  ・・・（２）
式（２）において、ＭAは元素Ａの原子量、σAは元素Ａのイオン化断面積、ωAは元素Ａの蛍光収率、ｐAは元素Ａから発生する各種特性Ｘ線（Ｋα線、Ｋβ線、Ｌα線等）に対する着目する特性Ｘ線の割合、εAは元素Ａの検出器効率である。
【００１８】
尚、化合物に含まれる他の元素Ｂ，Ｃ，・・・のｋファクタｋB，ｋC，・・・も、同様の理論式となる。
上記式（２）のような理論式を用いることで、各元素のｋファクタを求めることができる。しかし、この式（２）のような理論式では、ＴＥＭ試料厚さをゼロと近似するため、実際には有限の厚さを有するＴＥＭ試料では、Ｘ線吸収の問題が生じる。
【００１９】
図２はＸ線吸収の説明図である。
図２に示すように、電子線３０ｂが照射された試料２０ｂ内で発生する特性Ｘ線４０ｂは、試料２０ｂを透過して検出器５０ｂで検出される。特性Ｘ線４０ｂは、試料２０ｂを透過する間に、一部が試料２０ｂ内に吸収される。
【００２０】
試料２０ｂが軽元素と重元素を含む化合物である場合、軽元素の特性Ｘ線は、重元素の特性Ｘ線に比べてエネルギーが小さく、試料２０ｂ内でより多く吸収される。そのため、軽元素の組成が実際よりも小さく評価され、逆に重元素の組成が実際よりも大きく評価される。これがＸ線吸収の問題である。
【００２１】
この問題を解決するためには、試料２０ｂの厚さｔをできるだけ薄くし、ゼロに近付ければよいが、それにも限界がある。
試料２０ｂの厚さを薄くする方法とは別の方法として、吸収補正という方法が知られている。検出される各元素の特性Ｘ線強度Ｉを、次の式（３）で表される吸収補正係数ＣＦで割ることで補正する。
【００２２】
ＣＦ＝［１−ｅｘｐ｛−（μ／ρ）・ｃｏｓｅｃ（α）・ρｔ｝］／｛（μ／ρ）・ｃｏｓｅｃ（α）・ρ｝  ・・・（３）
式（３）において、μ／ρは試料２０ｂに対する各元素の特性Ｘ線の質量吸収係数、αは検出器５０ｂの角度、ρは試料２０ｂの密度、ｔは試料２０ｂの厚さである。
【００２３】
式（３）で表される吸収補正係数ＣＦを用いた吸収補正では、各元素の特性Ｘ線の質量吸収係数μ／ρ、検出器５０ｂの角度α、試料２０ｂの密度ρ、試料２０ｂの厚さｔの各パラメータに、正確な値を用いることが重要になる。
【００２４】
これらのパラメータのうち、検出器５０ｂの角度αについては、用いるＴＥＭやその測定条件で決まってくる値を用いることができる。一方、試料２０ｂの密度ρ、厚さｔについては、他の装置、手法を用いて別途測定する必要があり、また、その測定で正確な値を得ることも、必ずしも容易でない。質量吸収係数μ／ρについては、公知の値（例えば、http://physics.nist.gov/PhysRefData/XrayMassCoef/tab3.html）を用いることが可能であるが、この質量吸収係数μ／ρのほか、上記の試料２０ｂの密度ρ、厚さｔに誤差があると、試料２０ｂの組成値に誤差が生じることになる。
【００２５】
このように、標準試料を用いる手法や吸収補正を行う手法では、化学量論的化合物に不純物元素を添加した化合物の、その不純物元素の組成を、精度良く分析することができない場合がある。
【００２６】
そこで、標準試料を用いたり吸収補正を行ったりすることなく、化合物（化学量論的化合物に不純物元素を添加した化合物）に含まれる不純物元素の組成を精度良く分析することのできる手法について、以下に実施形態として説明する。
【００２７】
図３は組成分析方法の一例を示す図である。
本実施形態では、まず、化学量論的化合物に含まれる第１元素と第２元素のうち第１元素の一部が第３元素（不純物元素）で置換された化合物を準備する（ステップＳ１）。
【００２８】
ここで、第１元素と第２元素は、例えば、互いに原子番号が近い元素の組み合わせ、或いは、特性Ｘ線のエネルギーが近い元素の組み合わせであるものとする。例えば、第１元素と第２元素は、第１３族−第１５族、第１２族−第１６族、第２族−第４族、第１族−第１７族の元素の組み合わせであって、互いに原子番号又は特性Ｘ線のエネルギーが近い元素の組み合わせである。
【００２９】
不純物元素は、このような組み合わせの第１元素と第２元素を含む化学量論的化合物の、第１元素と同じ原子サイトを占有する元素である。ステップＳ１では、化学量論的化合物の第１元素の一部が、このような不純物元素で置換された化合物が準備される。
【００３０】
次いで、準備した化合物について、例えば、ＥＤＳ検出器を備えるＴＥＭ（ＴＥＭ−ＥＤＳ）を用いたＸ線分光法により、第１元素と第２元素（母相）の組成比を求める（ステップＳ２）。
【００３１】
化合物中の第１元素と第２元素の原子番号が近い場合、それらの特性Ｘ線のエネルギー差は小さいので、質量吸収係数の差が小さくなり、吸収補正係数ＣＦの差も小さくなる。化合物中の第１元素と第２元素の原子番号が離れていても、互いの特性Ｘ線のエネルギーが近い場合であれば、同様に、質量吸収係数の差、吸収補正係数ＣＦの差は小さくなる。
【００３２】
そこで、本実施形態の組成分析では、第１元素から発生する特性Ｘ線と、第２元素から発生する特性Ｘ線の、化合物に吸収されるＸ線吸収の程度の違いを無視する。化合物について得られる第１元素の特性Ｘ線の強度と、第２元素の特性Ｘ線の強度から、上記式（１）及びｋファクタの理論式（２）を用い、吸収補正係数ＣＦによる特性Ｘ線の吸収補正を行わずに、不純物元素を含む化合物の第１元素と第２元素の組成比を求める。
【００３３】
このようにして不純物元素を含む化合物について求めた第１元素と第２元素の組成比と、その化合物中の第２元素の組成とを用いて、その化合物中の第１元素の組成を求める（ステップＳ３）。
【００３４】
不純物元素は、化学量論的化合物の、第１元素とのみ置換し、第２元素とは置換しない。そのため、不純物元素を含む化合物中の第２元素の組成は、不純物元素を含まない化学量論的化合物中の第２元素の組成と同じになる。この第２元素の組成と、上記ステップＳ２で求めた、不純物元素を含む化合物の第１元素と第２元素の組成比とを用いて、その化合物中の第１元素の組成を求める。
【００３５】
このようにして不純物元素を含む化合物について求めた第１元素の組成を用いて、その化合物中の不純物元素の組成を求める（ステップＳ４）。
例えば、不純物元素を含まない化学量論的化合物中の第１元素の組成（ａｔｏｍ％）、第２元素の組成（ａｔｏｍ％）、及び、上記のようにして求めた不純物元素を含む化合物中の第１元素の組成（ａｔｏｍ％）を用いて、不純物元素の組成（ａｔｏｍ％）を求める。
【００３６】
上記組成分析方法について、より具体的に説明する。
ここでは、原子番号が近い元素Ａ（第１元素）と元素Ｂ（第２元素）の化学量論的化合物ＡxＢyに、不純物元素Ｑ（第３元素）が、元素Ａに置換して添加されている化合物ＱnＡx-nＢy（ステップＳ１）の、その不純物元素Ｑの組成ｎを求める。
【００３７】
元素Ａと元素Ｂは、原子番号が近いので、両者の間でＸ線吸収の程度の違いを無視する。化合物ＱnＡx-nＢyのＸ線分光法により得られる元素Ａの特性Ｘ線強度と、元素Ｂの特性Ｘ線強度から、吸収補正無しで、上記式（１）及び式（２）を用い、元素Ａと元素Ｂの組成比ｘ−ｎ：ｙ（又は（ｘ−ｎ）／ｙ）を求める（ステップＳ２）。
【００３８】
即ち、上記式（１）より、元素Ａの組成ｘ−ｎ（＝ＣA）、元素Ｂの組成ｙ（＝ＣB）、化合物ＱnＡx-nＢyのＸ線分光法により得られる元素Ａの特性Ｘ線強度ＩA、及び元素Ｂの特性Ｘ線強度ＩBの間には、次式（４）の関係がある。
【００３９】
（ｘ−ｎ）／ｙ＝ＣA／ＣB＝ｋAＩA／ｋBＩB  ・・・（４）
上記式（２）の理論式から求められる元素ＡのｋファクタｋA及び元素ＢのｋファクタｋBと、Ｘ線分光法で得られる元素Ａの特性Ｘ線強度ＩA及び元素Ｂの特性Ｘ線強度ＩBを用いて、式（４）より、化合物ＱnＡx-nＢyの元素Ａと元素Ｂ（母相）の組成比ｘ−ｎ：ｙが求められる。
【００４０】
不純物元素Ｑは、元素Ａのサイトしか置換せず、元素Ｂのサイトを置換しないので、元素Ｂの組成ｙ（ａｔｏｍ％）は、不純物元素Ｑを含まない化学量論的化合物ＡxＢyの組成ｙから変わらず、既知の値である。従って、組成ｙの値と、上記のようにして求めた組成比ｘ−ｎ：ｙから、元素Ａの組成ｘ−ｎ（ａｔｏｍ％）が求められる（ステップＳ３）。
【００４１】
そして、化合物ＱnＡx-nＢyについて、ｎ＋（ｘ−ｎ）＋ｙ＝１００ａｔｏｍ％の関係、並びに、既知の元素Ｂの組成ｙ（ａｔｏｍ％）、及び、ステップＳ３で求めた元素Ａの組成ｘ−ｎ（ａｔｏｍ％）が用いられ、不純物元素Ｑの組成ｎが求められる（ステップＳ４）。即ち、組成の和である１００から、ステップＳ３で求めた組成ｘ−ｎ、及び既知の組成ｙを差し引くことで、不純物元素Ｑの組成ｎが求められる。
【００４２】
或いは、不純物元素Ｑを含まない化学量論的化合物ＡxＢyにおける既知の元素Ａの組成ｘ（ａｔｏｍ％）と、ステップＳ３で求めた元素Ａの組成ｘ−ｎ（ａｔｏｍ％）が用いられ、不純物元素Ｑの組成ｎが求められる（ステップＳ４）。即ち、既知の組成ｘから、ステップＳ３で求めた組成ｘ−ｎを差し引くことで、不純物元素Ｑの組成ｎが求められる。
【００４３】
更に具体例を挙げて説明する。
一例として、ジンクブレンド構造の砒化ガリウム（ＧａＡｓ）に、アルミニウム（Ａｌ）を添加した、ＡｌxＧａ1-xＡｓ化合物で説明する。
【００４４】
ＧａとＡｓは原子番号が近いので、Ｘ線吸収の程度の違いを無視する。Ｘ線分光法により得られるＧａの特性Ｘ線強度とＡｓの特性Ｘ線強度から、吸収補正無しで、ＧａとＡｓの組成比ＣGa：ＣAsが求められる。Ａｌ原子はＧａサイトしか置換せず、Ａｓサイトを置換しないので、Ａｓの組成ＣAsは５０ａｔｏｍ％である。ＧａとＡｓの組成比ＣGa：ＣAsから、Ｇａの組成ＣGaが求められる。更に、Ａｌの組成ＣAlを含めたＣAl＋ＣGa＋ＣAs＝１００ａｔｏｍ％の関係から、Ａｌの組成ＣAlが求められる。
【００４５】
ここで、ＴＥＭ−ＥＤＳを用い、ＡｌxＧａ1-xＡｓ化合物のＡｌ組成を分析した例について述べる。
図４は組成分析結果の一例を示す図である。
【００４６】
図４には、Ａｌ組成が１２．８ａｔｏｍ％のＡｌxＧａ1-xＡｓ化合物試料から、ＴＥＭ試料厚さが異なる複数種（ここでは４種）のＴＥＭ試料を作製し、ＴＥＭ−ＥＤＳを用いて検出される各元素の特性Ｘ線の強度から、Ａｌ組成を求めた結果を示している。
【００４７】
図４のＤに、上記のような本実施形態の手法に従ってＡｌ組成を求めた結果を示している。
図４には比較のため、各元素の特性Ｘ線強度と、上記式（２）で得られるｋファクタを用い、上記（１）により、Ａｌ組成を求めた結果（図４のＥ）を併せて示している。即ち、図４のＥは、従来の吸収補正無しの手法でＡｌ組成を求めた結果である。
【００４８】
更に、図４には比較のため、各元素の特性Ｘ線強度を上記式（３）の吸収補正係数ＣＦを用いて補正し、これと上記式（２）で得られるｋファクタを用い、上記（１）により、Ａｌ組成を求めた結果（図４のＦ）を併せて示している。即ち、図４のＦは、従来の吸収補正有りの手法でＡｌ組成を求めた結果である。
【００４９】
図４のＤ〜Ｆのうち、図４のＤに示した本実施形態の手法（図３）によるＡｌ組成値が、いずれのＴＥＭ試料厚さにおいても、最も真のＡｌ組成値（１２．８ａｔｏｍ％）に近くなっている。
【００５０】
図４のＥに示した吸収補正無しの手法では、Ａｌ組成値が、いずれのＴＥＭ試料厚さにおいても、真のＡｌ組成値（１２．８ａｔｏｍ％）から比較的大きく乖離し、ＴＥＭ試料厚さが厚くなるほど、その乖離が大きくなる。吸収補正を行っていないため、ＴＥＭ試料のＸ線吸収がＡｌ組成値に影響を及ぼし、しかもＴＥＭ試料厚さが厚くなるほどＸ線吸収がＡｌ組成値に及ぼす影響が大きくなっていると言える。
【００５１】
一方、図４のＦに示した吸収補正有りの手法では、吸収補正により、ＴＥＭ試料のＸ線吸収がＡｌ組成値に及ぼす影響が抑えられ、図４のＥに示した吸収補正無しの手法に比べ、Ａｌ組成値の、真のＡｌ組成値（１２．８ａｔｏｍ％）からの乖離が小さくなる。Ａｌ組成値の、ＴＥＭ試料厚さ依存性も、吸収補正無しの手法に比べて改善される。しかし、本実施形態の手法（図４のＤ）に比べると、真のＡｌ組成値からは乖離している。吸収補正係数ＣＦの誤差（質量吸収係数、ＴＥＭ試料の密度、厚さ等の誤差）がＡｌ組成値に影響していることが一因と考えられる。
【００５２】
このように、本実施形態の手法によれば、化学量論的化合物に不純物元素を添加した化合物の、その不純物元素の組成を、精度良く分析することができる。本実施形態の手法では、不純物元素の組成へのＴＥＭ試料厚さの影響を抑えることができるため、従来のようにＴＥＭ試料を可能な限り薄くする必要が無くなる。
【００５３】
ここで、本実施形態の手法は、Ｘ線吸収の程度の違いが無視できる程度に原子番号或いは特性Ｘ線エネルギーが近い元素を含む化学量論的化合物に適用される。
化合物の質量吸収係数は、化合物の各元素の質量吸収係数を用いて重量比の平均で表される。質量吸収係数は、Ｘ線のエネルギーに対して急激に変化する。よって、原子番号が大きく異なる元素では、それらから発生する特性Ｘ線のエネルギー差が大きいので、質量吸収係数の差も大きくなる。一方、原子番号が近い元素では、それらから発生する特性Ｘ線のエネルギー差が小さいので、質量吸収係数の差も小さくなる。
【００５４】
本実施形態の手法では、Ｘ線吸収が無視できる程度に原子番号或いは特性Ｘ線エネルギーが近い元素を含む化学量論的化合物を対象とする。原子番号が近い元素とは、例えば、互いの原子番号の差が４以下の元素である。原子番号が近ければ、特性Ｘ線のエネルギー差が小さく、質量吸収係数の差が小さくなり、吸収補正係数ＣＦの差も小さくなって、Ｘ線吸収の程度の違いが無視できるようになる。元素同士の吸収補正係数ＣＦの差が１％以下となる時の質量吸収係数の比は４以下である。元素同士の質量吸収係数の比が４を上回ると、Ｘ線吸収により、不純物元素の組成が真値から１％程度の範囲でずれて評価される。Ｘ線吸収の程度の違いを無視し、不純物元素の組成を精度良く分析するため、本実施形態の手法では、質量吸収係数の比が４以下となるような組み合わせの元素を含む化学量論的化合物、そのような組み合わせの元素を母相に含む化合物を、対象にすることが望ましい。
【００５５】
本実施形態の手法を適用する対象となる化学量論的化合物として、ＧａＡｓと同じジンクブレンド構造のアンチモン化インジウム（ＩｎＳｂ）、テルル化カドミウム（ＣｄＴｅ）、窒化ホウ素（ＢＮ）、セレン化亜鉛（ＺｎＳｅ）、リン化アルミニウム（ＡｌＰ）がある。このほか、規則合金の鉄ニッケル合金（ＦｅＮｉ）、コバルトマンガン合金（ＣｏＭｎ）がある。また、塩化ナトリウム（ＮａＣｌ（岩塩））構造のフッ化ナトリウム（ＮａＦ）、塩化カリウム（ＫＣｌ）、臭化ルビジウム（ＲｂＢｒ）や、塩化セシウム（ＣｓＣｌ）構造のヨウ化セシウム（ＣｓＩ）がある。
【００５６】
尚、不純物元素の組成について要求される分析（評価）精度に基づき、本実施形態の手法を適用する対象の化学量論的化合物を選択してもよい。要求される不純物元素の組成分析精度が１％であるような場合には、例えば、上記のように質量吸収係数の比が４以下となるような組み合わせの元素を含む化学量論的化合物を対象にする。要求される不純物元素の組成分析精度が５％，１０％といったように、１％を上回るような場合には、要求される組成分析精度に応じ、質量吸収係数の比が４を上回るような組み合わせの元素を含む化学量論的化合物を対象にすることもできる。
【００５７】
また、以上の説明では、２種の元素を含む２元系の化学量論的化合物（それに不純物元素を添加した化合物）を対象にする場合を例示したが、３種の元素を含む３元系の化学量論的化合物（それに不純物元素を添加した化合物）を対象にすることもできる。
【００５８】
ここでは、原子番号が近い元素Ａと元素Ｂと、更に元素Ｃを含む化学量論的化合物ＡxＢyＣzに、不純物元素Ｑが、元素Ａに置換して添加されている化合物ＱnＡx-nＢyＣz（ステップＳ１）の、その不純物元素Ｑの組成ｎを求める。
【００５９】
元素Ａと元素Ｂは、原子番号が近いので、両者の間でＸ線吸収の程度の違いを無視する。化合物ＱnＡx-nＢyＣzのＸ線分光法により得られる元素Ａの特性Ｘ線強度と、元素Ｂの特性Ｘ線強度から、吸収補正無しで、上記式（１）及び式（２）を用い、元素Ａと元素Ｂの組成比ｘ−ｎ：ｙ（又は（ｘ−ｎ）／ｙ）を求める（ステップＳ２）。
【００６０】
即ち、上記式（１）より、元素Ａの組成ｘ−ｎ（＝ＣA）、元素Ｂの組成ｙ（＝ＣB）、化合物ＱnＡx-nＢyＣzのＸ線分光法により得られる元素Ａの特性Ｘ線強度ＩA、及び元素Ｂの特性Ｘ線強度ＩBの間には、上記式（４）の関係がある。
【００６１】
上記式（２）の理論式から求められる元素ＡのｋファクタｋA及び元素ＢのｋファクタｋBと、Ｘ線分光法で得られる元素Ａの特性Ｘ線強度ＩA及び元素Ｂの特性Ｘ線強度ＩBを用いて、上記式（４）より、化合物ＱnＡx-nＢyＣzの元素Ａと元素Ｂの組成比ｘ−ｎ：ｙが求められる。
【００６２】
不純物元素Ｑは、元素Ａのサイトしか置換せず、元素Ｂ及び元素Ｃのサイトを置換しないので、元素Ｂの組成ｙ（ａｔｏｍ％）及び元素Ｃの組成ｚ（ａｔｏｍ％）はそれぞれ、不純物元素Ｑを含まない化学量論的化合物ＡxＢyＣzの組成ｙ及び組成ｚで、既知である。従って、組成ｙの値と、上記のようにして求めた組成比ｘ−ｎ：ｙから、元素Ａの組成ｘ−ｎ（ａｔｏｍ％）が求められる（ステップＳ３）。
【００６３】
そして、化合物ＱnＡx-nＢyＣzについて、ｎ＋（ｘ−ｎ）＋ｙ＋ｚ＝１００ａｔｏｍ％の関係、並びに、元素Ｂの組成ｙ（ａｔｏｍ％）、元素Ｃの組成ｚ（ａｔｏｍ％）、及び、求めた元素Ａの組成ｘ−ｎ（ａｔｏｍ％）が用いられ、不純物元素Ｑの組成ｎが求められる（ステップＳ４）。即ち、組成の和である１００から、ステップＳ３で求めた組成ｘ−ｎ、既知の組成ｙ、及び既知の組成ｚを差し引くことで、不純物元素Ｑの組成ｎが求められる。元素Ｃの既知の組成ｚを予め差し引いた１００−ｚから、ステップＳ３で求めた組成ｘ−ｎ、及び既知の組成ｙを差し引き、不純物元素Ｑの組成ｎを求めてもよい。
【００６４】
或いは、不純物元素Ｑを含まない化学量論的化合物ＡxＢyＣzにおける既知の元素Ａの組成ｘ（ａｔｏｍ％）と、ステップＳ３で求めた元素Ａの組成ｘ−ｎ（ａｔｏｍ％）が用いられ、不純物元素Ｑの組成ｎが求められる（ステップＳ４）。即ち、既知の組成ｘから、ステップＳ３で求めた組成ｘ−ｎを差し引くことで、不純物元素Ｑの組成ｎが求められる。
【００６５】
更に具体例を挙げて説明する。
一例として、ペロブスカイト構造のチタン酸カルシウム（ＣａＴｉＯ3）の、Ｃａサイトを置換する不純物元素Ｑを添加した、ＱnＣａ1-xＴｉＯ3化合物で説明する。
【００６６】
ＣａとＴｉは原子番号が近いので、Ｘ線吸収の程度の違いを無視する。Ｘ線分光法により得られるＣａの特性Ｘ線強度とＴｉの特性Ｘ線強度から、吸収補正無しで、ＣａとＴｉの組成比ＣGa：ＣAsが求められる。Ｑ原子はＣａサイトしか置換せず、Ｔｉサイト及びＯサイトを置換しないので、Ｔｉの組成ＣTiは２０ａｔｏｍ％、Ｏの組成ＣOは６０ａｔｏｍ％である。ＣａとＴｉの組成比ＣCa：ＣTiから、Ｃａの組成ＣCaが求められる。更に、Ｑの組成ＣQを含めたＣQ＋ＣCa＋ＣTi＋ＣO＝１００ａｔｏｍ％の関係から、Ｑの組成ＣQが求められる。
【００６７】
本実施形態の手法（図３）は、このような３元系の化学量論的化合物にも適用可能であり、これに添加される不純物元素の組成を、精度良く分析することができる。
本実施形態の手法は、３元系の化学量論的化合物を対象とする場合も、上記同様、Ｘ線吸収の程度の違いが無視できる程度に原子番号或いは特性Ｘ線エネルギーが近い組み合わせの元素を含む化学量論的化合物に適用される。Ｘ線吸収の程度の違いを無視し、不純物元素の組成を精度良く分析するため、原子番号の差が４以下、或いは質量吸収係数の比が４以下となるような組み合わせの元素を含む化学量論的化合物を対象にすることが望ましい。
【００６８】
本実施形態の手法が適用可能な３元系の化学量論的化合物としては、ＣａＴｉＯ3のほか、同じペロブスカイト構造のセリウム酸バリウム（ＢａＣｅＯ3）、ジルコン酸ストロンチウム（ＳｒＺｒＯ3）、スピネル構造のアルミン酸マグネシウム（ＭｇＡｌ2Ｏ4）がある。
【００６９】
これまで述べてきた化学量論的化合物は、化学量論的化合物に含まれる２種の元素の原子番号が近いことで、それらの特性Ｘ線のうち、Ｋ線同士或いはＬ線同士のエネルギーが近くなる。例えば、ＧａＡｓの場合、ＧａのＫα線のエネルギーは９．２４１ｋｅＶ、ＡｓのＫα線のエネルギーは１０．５３０ｋｅＶである。以上の説明では、このようにＫ線同士、或いはＬ線同士のエネルギーが近いことを利用して、Ｘ線吸収の影響を回避し、添加される不純物元素の組成を精度良く求める手法を例示した。
【００７０】
このほか、本実施形態の手法（図３）は、一方の元素のＫ線と、もう一方の元素のＬ線とのエネルギーが近い組み合わせの元素を含む化学量論的化合物にも、適用可能である。このような化学量論的化合物の例として、ジンクブレンド構造の砒化アルミニウム（ＡｌＡｓ）、ルチル構造のフッ化コバルト（ＣｏＦ2）、ペロブスカイト構造のチタン酸バリウム（ＢａＴｉＯ3）がある。ＡｌＡｓでは、ＡｌのＫα線のエネルギーが１．４８６ｋｅＶ、ＡｓのＬα線のエネルギーが１．２８２ｋｅＶである。ＣｏＦ2では、ＣｏのＬα線のエネルギーが０．７７６ｋｅＶ、ＦのＫα線のエネルギーが０．６７７ｋｅＶである。ＢａＴｉＯ3では、ＢａのＬα線のエネルギーが４．４６５ｋｅＶ、ＴｉのＫα線のエネルギーが４．５０８ｋｅＶである。このようなＫ線とＬ線とのエネルギーが近い組み合わせの元素を含む化学量論的化合物についても、本実施形態の手法を適用することができる。
【００７１】
以上の説明では、ＴＥＭ−ＥＤＳを用い、試料の化合物に電子線を照射し、電子線が照射された化合物から放射される特性Ｘ線を検出する場合を例にした。このほか、特性Ｘ線の検出には、ＥＤＳ検出器のほか、波長分散型Ｘ線分光（Wavelength Dispersive x-ray Spectroscopy；ＷＤＳ）検出器を用いることもできる。また、化合物から特性Ｘ線を放出させる装置には、ＴＥＭのほか、走査型電子顕微鏡（Scanning Electron Microscope；ＳＥＭ）、蛍光Ｘ線分析装置（X-Ray Fluorescence spectrometer；ＸＲＦ）、電子線マイクロアナライザ（Electron Probe MicroAnalyzer；ＥＰＭＡ）等を用いることもできる。
【００７２】
以上説明した、本実施形態の手法は、例えば、次の図５に示すような構成を有する組成分析装置１００を用いて実施することができる。
図５は組成分析装置の一例を示す図である。
【００７３】
図５に示す組成分析装置１００は、照射部１１０、検出部１２０及び組成分析処理部１３０を備える。
照射部１１０は、分析対象の化合物の試料１０１に電子線又はＸ線１０２を照射する。照射部１１０には、ＴＥＭやＳＥＭ等の装置が用いられる。試料１０１には、原子番号或いは特性Ｘ線エネルギーが近い元素Ａと元素Ｂを含む化学量論的化合物（少なくとも一部にＡxＢyの構造を含む）の、一方の元素Ａの一部が不純物元素Ｑで置換された化合物（少なくとも一部にＱnＡx-nＢyの構造を含む）が用いられる。
【００７４】
検出部１２０は、照射部１１０によって電子線又はＸ線１０２が照射された試料１０１から放射される元素Ａ及び元素Ｂの特性Ｘ線１０３を検出する。検出部１２０には、ＥＤＳ検出器やＷＤＳ検出器等が用いられる。
【００７５】
組成分析処理部１３０は、第１処理部１３１、第２処理部１３２及び第３処理部１３３を有している。組成分析処理部１３０は更に、取得部１３４及びデータベース（ＤＢ）１３５を有している。
【００７６】
取得部１３４は、不純物元素Ｑを含まない化学量論的化合物の構造（組成の一般式）、及び不純物元素Ｑを含む試料１０１の化合物の構造（組成の一般式）を示す情報（構造情報）を取得する。この構造情報は、例えば、オペレータによって組成分析処理部１３０に入力され、入力された情報を、取得部１３４が取得する。
【００７７】
ＤＢ１３５には、上記式（２）の理論式を用いた元素Ａ及び元素ＢのｋファクタｋA及びｋBの算出に用いられる各種パラメータの情報が記憶される。
第１処理部１３１は、検出部１２０によって検出される元素Ａの特性Ｘ線強度ＩAと、元素Ｂの特性Ｘ線強度ＩBから、上記式（１）及び式（２）を用い、特性Ｘ線の吸収補正無しで、不純物元素Ｑを含む化合物中の元素Ａと元素Ｂの組成比（ｘ−ｎ）／ｙを求める。即ち、第１処理部１３１は、上記図３のステップＳ２で述べたような処理を実行する。
【００７８】
第１処理部１３１は、元素Ａ及び元素Ｂについて、ＤＢ１３５に記憶された各種パラメータ、並びに、検出部１２０で検出された特性Ｘ線強度ＩA及びＩB等を用いて、上記式（２）から、ｋファクタｋA及びｋBを算出する。第１処理部１３１は更に、検出部１２０で検出された元素Ａ及び元素Ｂの特性Ｘ線強度ＩA及びＩB、算出したｋファクタｋA及びｋBを用いて、上記式（１）より得られる上記式（４）の関係式から、元素Ａ及び元素Ｂの組成比（ｘ−ｎ）／ｙを算出する。
【００７９】
第２処理部１３２は、第１処理部１３１によって求められた元素Ａと元素Ｂの組成比（ｘ−ｎ）／ｙと、化合物中の元素Ｂの組成ｙとを用いて、化合物中の元素Ａの組成ｘ−ｎを求める。即ち、第２処理部１３２は、上記図３のステップＳ３で述べたような処理を実行する。
【００８０】
第２処理部１３２での処理には、不純物元素Ｑが化学量論的化合物の元素Ａのサイトのみを占有し、元素Ｂの組成が不純物元素Ｑの添加前の化学量論的化合物と同じで既知であることが利用される。第２処理部１３２は、取得部１３４で取得された、不純物元素Ｑを含まない化学量論的化合物或いは不純物元素Ｑを含む化合物の構造情報から、元素Ｂの組成ｙ（ａｔｏｍ％）を抽出する。第２処理部１３２は、その抽出した元素Ｂの組成ｙ（ａｔｏｍ％）と、第１処理部１３１で算出された元素Ａと元素Ｂの組成比（ｘ−ｎ）／ｙとを用い、化合物中の元素Ａの組成ｘ−ｎ（ａｔｏｍ％）を算出する。
【００８１】
第３処理部１３３は、既知の元素Ｂの組成ｙ（ａｔｏｍ％）と、第２処理部１３２によって求められた元素Ａの組成ｘ−ｎ（ａｔｏｍ％）を用いて、化合物中の不純物元素Ｑの組成ｎを求める。即ち、第３処理部１３３は、上記図３のステップＳ４で述べたような処理を実行する。
【００８２】
第３処理部１３３は、例えば、化合物中の元素（不純物元素Ｑを含む）の組成の和を１００（ａｔｏｍ％）とし、元素Ａの組成ｘ−ｎ（ａｔｏｍ％）と元素Ｂの組成ｙ（ａｔｏｍ％）を用いて、不純物元素Ｑの組成ｎ（ａｔｏｍ％）を算出する。或いは、不純物元素Ｑを含まない化学量論的化合物における既知の元素Ａの組成ｘ（ａｔｏｍ％）と、第２処理部１３２で算出される元素Ａの組成ｘ−ｎ（ａｔｏｍ％）を用いて、不純物元素Ｑの組成ｎを算出する。
【００８３】
尚、ここでは図示を省略するが、組成分析装置１００は、算出した不純物元素Ｑの組成ｎ等の情報を記憶する記憶部、そのような情報を出力する表示装置等の出力部を更に備えてもよい。
【００８４】
上記のような組成分析装置１００により、所定の化合物に含まれる不純物元素の組成を、精度良く求めることができる。
尚、組成分析装置１００の処理機能は、コンピュータを用いて実現することができる。
【００８５】
図６はコンピュータのハードウェア構成の一例を示す図である。
コンピュータ２００は、プロセッサ２０１によって全体が制御される。プロセッサ２０１には、バス２０９を介してＲＡＭ（Random Access Memory）２０２と複数の周辺機器が接続される。プロセッサ２０１は、マルチプロセッサであってもよい。プロセッサ２０１は、例えば、ＣＰＵ（Central Processing Unit）、ＭＰＵ（Micro Processing Unit）、ＤＳＰ（Digital Signal Processor）、ＡＳＩＣ（Application Specific Integrated Circuit）、又はＰＬＤ（Programmable Logic Device）である。また、プロセッサ２０１は、ＣＰＵ、ＭＰＵ、ＤＳＰ、ＡＳＩＣ、ＰＬＤのうち、２種以上の要素の組み合わせであってもよい。
【００８６】
ＲＡＭ２０２は、コンピュータ２００の主記憶装置として使用される。ＲＡＭ２０２には、プロセッサ２０１に実行させるＯＳ（Operating System）のプログラムやアプリケーションプログラムの少なくとも一部が一時的に格納される。また、ＲＡＭ２０２には、プロセッサ２０１による処理に必要な各種データが格納される。
【００８７】
バス２０９に接続されている周辺機器としては、ＨＤＤ（Hard Disk Drive）２０３、グラフィック処理装置２０４、入力インタフェース２０５、光学ドライブ装置２０６、機器接続インタフェース２０７及びネットワークインタフェース２０８がある。
【００８８】
ＨＤＤ２０３は、内蔵したディスクに対して、磁気的にデータの書き込み及び読み出しを行う。ＨＤＤ２０３は、コンピュータ２００の補助記憶装置として使用される。ＨＤＤ２０３には、ＯＳのプログラム、アプリケーションプログラム、及び各種データが格納される。尚、補助記憶装置としては、フラッシュメモリ等の半導体記憶装置を使用することもできる。
【００８９】
グラフィック処理装置２０４には、モニタ２１１が接続される。グラフィック処理装置２０４は、プロセッサ２０１からの命令に従って、画像をモニタ２１１の画面に表示させる。モニタ２１１としては、ＣＲＴ（Cathode Ray Tube）を用いた表示装置や液晶表示装置等がある。
【００９０】
入力インタフェース２０５には、キーボード２１２とマウス２１３とが接続される。入力インタフェース２０５は、キーボード２１２やマウス２１３から送られてくる信号をプロセッサ２０１に送信する。尚、マウス２１３は、ポインティングデバイスの一例であり、他のポインティングデバイスを使用することもできる。他のポインティングデバイスとしては、タッチパネル、タブレット、タッチパッド、トラックボール等がある。
【００９１】
光学ドライブ装置２０６は、レーザ光等を利用して、光ディスク２１４に記録されたデータの読み取りを行う。光ディスク２１４は、光の反射によって読み取り可能なようにデータが記録された可搬型の記録媒体である。光ディスク２１４には、ＤＶＤ（Digital Versatile Disc）、ＤＶＤ−ＲＡＭ、ＣＤ−ＲＯＭ（Compact Disc Read Only Memory）、ＣＤ−Ｒ（Recordable）／ＲＷ（ReWritable）等がある。
【００９２】
機器接続インタフェース２０７は、コンピュータ２００に周辺機器を接続するための通信インタフェースである。例えば機器接続インタフェース２０７には、メモリ装置２１５やメモリリーダライタ２１６を接続することができる。メモリ装置２１５は、機器接続インタフェース２０７との通信機能を搭載した記録媒体である。メモリリーダライタ２１６は、メモリカード２１７へのデータの書き込み、又はメモリカード２１７からのデータの読み出しを行う装置である。メモリカード２１７は、カード型の記録媒体である。
【００９３】
ネットワークインタフェース２０８は、ネットワーク２１０に接続されている。ネットワークインタフェース２０８は、ネットワーク２１０を介して、他のコンピュータ又は通信機器との間でデータの送受信を行う。
【００９４】
以上のようなハードウェア構成によって、組成分析装置１００の処理機能を実現することができる。
コンピュータ２００は、例えばコンピュータ読み取り可能な記録媒体に記録されたプログラムを実行することにより、組成分析装置１００の処理機能を実現する。コンピュータ２００に実行させる処理内容を記述したプログラムは、様々な記録媒体に記録しておくことができる。例えば、コンピュータ２００に実行させるプログラムをＨＤＤ２０３に格納しておくことができる。プロセッサ２０１は、ＨＤＤ２０３内のプログラムの少なくとも一部をＲＡＭ２０２にロードし、プログラムを実行する。また、コンピュータ２００に実行させるプログラムを、光ディスク２１４、メモリ装置２１５、メモリカード２１７等の可搬型記録媒体に記録しておくこともできる。可搬型記録媒体に格納されたプログラムは、例えば、プロセッサ２０１からの制御により、ＨＤＤ２０３にインストールされた後、実行可能となる。また、プロセッサ２０１が、可搬型記録媒体から直接プログラムを読み出して実行することもできる。
【００９５】
以上説明した実施の形態に関し、更に以下の付記を開示する。
（付記１）  化学量論的化合物の第１元素と第２元素のうち前記第１元素の一部が第３元素で置換された化合物の、前記第１元素と前記第２元素の組成比を、Ｘ線分光法を用いて求める工程と、
前記組成比と、前記化合物中の前記第２元素の組成とを用いて、前記化合物中の前記第１元素の組成を求める工程と、
前記化合物中の前記第１元素の組成を用いて、前記化合物中の前記第３元素の組成を求める工程と
を含むことを特徴とする組成分析方法。
【００９６】
（付記２）  前記第１元素の特性Ｘ線のエネルギーと、前記第２元素の特性Ｘ線のエネルギーとが近いことを特徴とする付記１に記載の組成分析方法。
（付記３）  前記第１元素の特性Ｘ線と、前記第２元素の特性Ｘ線とは、Ｋ線同士、Ｌ線同士、又はＫ線とＬ線であることを特徴とする付記２に記載の組成分析方法。
【００９７】
（付記４）  前記第１元素の特性Ｘ線の質量吸収係数と、前記第２元素の特性Ｘ線の質量吸収係数との比が、前記第３元素の組成の分析精度を基に設定される所定範囲内であることを特徴とする付記２又は３に記載の組成分析方法。
【００９８】
（付記５）  前記第１元素の原子番号と、前記第２元素の原子番号とが近いことを特徴とする付記１乃至４のいずれかに記載の組成分析方法。
（付記６）  前記第１元素の原子番号と、前記第２元素の原子番号との差が４以下であることを特徴とする付記５に記載の組成分析方法。
【００９９】
（付記７）  前記第１元素と前記第２元素とは、互いの特性Ｘ線を前記Ｘ線分光法によって得る際の、前記化合物に対するＸ線吸収が、同程度とみなせる元素であることを特徴とする付記１乃至６のいずれかに記載の組成分析方法。
【０１００】
（付記８）  前記組成比を求める工程は、前記Ｘ線分光法により得られる前記第１元素の特性Ｘ線の強度と、理論式により得られる前記第１元素の第１ｋファクタと、前記Ｘ線分光法により得られる前記第２元素の特性Ｘ線の強度と、理論式により得られる前記第２元素の第２ｋファクタとを用いて、前記組成比を求める工程を含むことを特徴とする付記１乃至７のいずれかに記載の組成分析方法。
【０１０１】
（付記９）  前記化合物中の前記第１元素の組成を求める工程では、前記化合物中の前記第２元素の組成として、前記化学量論的化合物中の前記第２元素の組成を用いることを特徴とする付記１乃至８のいずれかに記載の組成分析方法。
【０１０２】
（付記１０）  前記化合物中の前記第３元素の組成を求める工程は、前記化学量論的化合物中の前記第１元素の組成と前記第２元素の組成の和から、前記化合物中の前記第１元素の組成と前記第２元素の組成を差し引き、前記化合物中の前記第３元素の組成を求める工程を含むことを特徴とする付記１乃至９のいずれかに記載の組成分析方法。
【０１０３】
（付記１１）  前記化合物中の前記第３元素の組成を求める工程は、前記化学量論的化合物中の前記第１元素の組成から、前記化合物中の前記第１元素の組成を差し引き、前記化合物中の前記第３元素の組成を求める工程を含むことを特徴とする付記１乃至９のいずれかに記載の組成分析方法。
【０１０４】
（付記１２）  Ｘ線分光法により得られる情報を用いて、化学量論的化合物の第１元素と第２元素のうち前記第１元素の一部が第３元素で置換された化合物の、前記第１元素と前記第２元素の組成比を求める第１処理部と、
前記組成比と、前記化合物中の前記第２元素の組成とを用いて、前記化合物中の前記第１元素の組成を求める第２処理部と、
前記化合物中の前記第１元素の組成を用いて、前記化合物中の前記第３元素の組成を求める第３処理部と
を含むことを特徴とする組成分析装置。
【０１０５】
（付記１３）  コンピュータに、
Ｘ線分光法により得られる情報を用いて、化学量論的化合物の第１元素と第２元素のうち前記第１元素の一部が第３元素で置換された化合物の、前記第１元素と前記第２元素の組成比を求め、
前記組成比と、前記化合物中の前記第２元素の組成とを用いて、前記化合物中の前記第１元素の組成を求め、
前記化合物中の前記第１元素の組成を用いて、前記化合物中の前記第３元素の組成を求める
処理を実行させることを特徴とする組成分析プログラム。
【符号の説明】
【０１０６】
１０ａ  試料ホルダ
２０ａ，２０ｂ  試料
３０ａ，３０ｂ  電子線
４０ａ，４０ｂ  特性Ｘ線
５０ａ  ＥＤＳ検出器
５０ｂ  検出器
１００  組成分析装置
１０１  試料
１０２  電子線又はＸ線
１０３  特性Ｘ線
１１０  照射部
１２０  検出部
１３０  組成分析処理部
１３１  第１処理部
１３２  第２処理部
１３３  第３処理部
１３４  取得部
１３５  ＤＢ
２００  コンピュータ
２０１  プロセッサ
２０２  ＲＡＭ
２０３  ＨＤＤ
２０４  グラフィック処理装置
２０５  入力インタフェース
２０６  光学ドライブ装置
２０７  機器接続インタフェース
２０８  ネットワークインタフェース
２０９  バス
２１０  ネットワーク
２１１  モニタ
２１２  キーボード
２１３  マウス
２１４  光ディスク
２１５  メモリ装置
２１６  メモリリーダライタ
２１７  メモリカード
【図１】
0006311532.tif 000002
【図２】
0006311532.tif 000003
【図３】
0006311532.tif 000004
【図４】
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【図５】
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【図６】
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