(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
高周波（ＲＦ）および直流（ＤＣ）電力を電極に結合させるためのキャパシタアセンブリであって、
ＲＦ電源からのＲＦ電力を受け取るための第１の導電性プレートであり、中心孔を含む、第１の導電性プレートと、
前記第１の導電性プレートに結合され、前記中心孔を囲む少なくとも１つのキャパシタと、
前記少なくとも１つのキャパシタを介して前記第１の導電性プレートに電気的に結合された第２の導電性プレートであり、ＤＣ電源からのＤＣ電力を受け取るための入力タップと、前記ＲＦおよびＤＣ電力を電極に結合させるための少なくとも１つの出力タップとを含む、第２の導電性プレートと
を含む、キャパシタアセンブリ。
【請求項２】
前記第１の導電性プレートが円形である、請求項１に記載のキャパシタアセンブリ。
【請求項３】
前記少なくとも１つのキャパシタが、チューブラキャパシタである、請求項１または２に記載のキャパシタアセンブリ。
【請求項４】
前記少なくとも１つのキャパシタが、前記中心孔のまわりに放射状に配設された複数のキャパシタである、請求項１または２に記載のキャパシタアセンブリ。
【請求項５】
中間導電性プレートと、
前記中間導電性プレートに結合された第２の複数のキャパシタと
をさらに含み、
前記複数のキャパシタが、前記第１の導電性プレートと前記中間導電性プレートとの間に配設され、
前記第２の複数のキャパシタが、前記中間導電性プレートと前記第２の導電性プレートとの間に配設される、請求項４に記載のキャパシタアセンブリ。
【請求項６】
前記ＲＦ電力を前記第１の導電性プレートに結合させるための第３の導電性プレート
をさらに含み、
前記第１の導電性プレートの前記中心孔は、ねじが切られて、対応してねじが切られているボルトを受け取り、それによって、前記第３の導電性プレートを前記第１の導電性プレートに結合させる、請求項１または２に記載のキャパシタアセンブリ。
【請求項７】
前記第１の導電性プレートが、前記第３の導電性プレートと前記第１の導電性プレートとの間の表面接触を増加させるためにガスケットを収容する溝を含む、請求項６に記載のキャパシタアセンブリ。
【請求項８】
前記少なくとも１つの出力タップが複数の出力タップを含む、請求項１または２に記載のキャパシタアセンブリ。
【請求項９】
前記複数の出力タップの各々が、それぞれの電極に結合される、請求項８に記載のキャパシタアセンブリ。
【請求項１０】
少なくとも１つの電極を含む基板支持体と、
前記少なくとも１つの電極に電気的に結合された少なくとも１つのキャパシタアセンブリであり、請求項１から９までのいずれかに記載の前記キャパシタアセンブリを含む、少なくとも１つのキャパシタアセンブリと
を含む基板支持アセンブリ。
【請求項１１】
前記少なくとも１つの電極に結合された直流（ＤＣ）電源
をさらに含む、請求項１０に記載の基板支持アセンブリ。
【請求項１２】
前記ＤＣ電源が、前記第２の導電性プレートの前記入力タップを介して前記少なくとも１つの電極に結合される、請求項１１に記載の基板支持アセンブリ。
【請求項１３】
前記第１の導電性プレートに結合された高周波（ＲＦ）電源
をさらに含む、請求項１０に記載の基板支持アセンブリ。
【請求項１４】
前記キャパシタアセンブリと前記ＲＦ電源との間に配設されたＲＦマッチングネットワーク
をさらに含む、請求項１３に記載の基板支持アセンブリ。
【請求項１５】
前記基板支持アセンブリが静電チャックである、請求項１０から１４までのいずれかに記載の基板支持アセンブリ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本開示の実施形態は、一般に、基板処理装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
基板にマイクロ電子デバイスを形成するのに、多くの場合、例えば、物理的気相堆積（ＰＶＤ）チャンバ、原子層堆積（ＡＬＤ）チャンバ、化学気相堆積（ＣＶＤ）チャンバなどのような堆積チャンバ中で堆積される薄膜の多数の層が必要とされる。多くの場合、静電チャックを使用して、堆積プロセスの間基板支持体上に基板を静電的に保持する。チャック上に基板を静電的に保持するために、直流（ＤＣ）電力が、ＤＣ電源から、一般に、チャックの電極に供給される。
加えて、高周波（ＲＦ）エネルギーが、さらに、多くの場合、基板の方に進む入来イオンのエネルギーを制御するために基板支持体の電極に供給される。場合によっては、ＤＣおよびＲＦエネルギーが同じ電極に供給される。例えば、高電流ＤＣ電力が、ＲＦ電力をＤＣ電流から分離しながら、静電チャックの１つまたは複数の電極に送出される。真空型キャパシタが、ＲＤ電力をＤＣ電流から分離するために使用されている。しかしながら、発明者等は、真空型キャパシタは大きく（例えば、約２〜３インチ）、貴重な空間を使い果たしていることに気付いた。さらに、静電チャックにおける電力要求の増加に応じるには、さらに大きいキャパシタが必要であり、したがって、貴重な空間をさらに使い果たすことになる。他の従来の設計には、キャパシタのインラインアレイが含まれる。しかしながら、インラインアレイは、やはり、静電チャックの追加された電力要件を満たすために追加のキャパシタを追加しなければならないので有効でないと発明者等は確信している。
それゆえに、発明者等は、ＲＦおよびＤＣエネルギーを電極に結合させるための改善されたキャパシタアセンブリの実施形態を提供した。
【発明の概要】
【課題を解決するための手段】
【０００３】
高周波（ＲＦ）および直流（ＤＣ）エネルギーを電極に結合させるためのキャパシタアセンブリと、キャパシタアセンブリを組み込んだ基板支持体との実施形態が本明細書で提供される。いくつかの実施形態において、キャパシタアセンブリは、ＲＦ電源からのＲＦ電力を受け取るための第１の導電性プレートであり、中心孔を含む、第１の導電性プレートと、第１の導電性プレートに結合され、中心孔を囲む少なくとも１つのキャパシタと、少なくとも１つのキャパシタを介して第１の導電性プレートに電気的に結合された第２の導電性プレートであり、ＤＣ電源からのＤＣ電力を受け取るための入力タップと、ＲＦおよびＤＣ電力を電極に結合させるための少なくとも１つの出力タップとを含む、第２の導電性プレートとを含む。
いくつかの実施形態において、ＲＦおよびＤＣ電力を電極に結合させるためのキャパシタアセンブリは、ＲＦ電源からのＲＦ電力を受け取るための円形導電性プレートであり、中心孔を含む、円形導電性プレートと、第１の導電性プレートに結合され、中心孔のまわりに放射状に配設された複数のキャパシタと、複数のキャパシタを介して円形導電性プレートに電気的に結合された第２の導電性プレートであり、ＤＣ電源からのＤＣ電力を受け取るための入力タップと、ＲＦおよびＤＣ電力を電極に結合させるための少なくとも１つの出力タップとを含む、第２の導電性プレートとを含む。
【０００４】
いくつかの実施形態では、基板支持アセンブリは、少なくとも１つのチャッキング電極を含む基板支持体と、直流（ＤＣ）電源と、高周波（ＲＦ）電源と、少なくとも１つのチャッキング電極に電気的に結合された少なくとも１つのキャパシタアセンブリとを含む。少なくとも１つのキャパシタアセンブリは、ＲＦ電源からのＲＦ電力を受け取るための第１の導電性プレートであり、中心孔を含む、第１の導電性プレートと、第１の導電性プレートに結合され、中心孔を囲む少なくとも１つのキャパシタと、少なくとも１つのキャパシタを介して第１の導電性プレートに電気的に結合された第２の導電性プレートであり、ＤＣ電源からのＤＣ電力を受け取るための入力タップと、ＲＦおよびＤＣ電力を電極に結合させるための少なくとも１つの出力タップとを含む、第２の導電性プレートとを含む。
【０００５】
本開示の他のおよびさらなる実施形態を以下で説明する。
上述で簡単に要約し、以下でより詳細に論じる本開示の実施形態は、添付図面に示す本開示の例示的な実施形態を参照して理解することができる。しかしながら、添付図面は、本開示の典型的な実施形態のみを示し、それゆえに、本開示は他の等しく効果的な実施形態を認めることができるので範囲を限定すると見なすべきでない。
【図面の簡単な説明】
【０００６】
【図１】本開示のいくつかの実施形態による本発明のキャパシタアセンブリとともに使用するのに好適なプロセスチャンバの簡単化した概略図である。
【図２】本開示のいくつかの実施形態によるキャパシタアセンブリの概略図である。
【図３】本開示のいくつかの実施形態によるキャパシタアセンブリの等角図である。
【図３Ａ】本開示のいくつかの実施形態によるキャパシタアセンブリの側面断面図である。
【図４】本開示のいくつかの実施形態によるキャパシタアセンブリの側面断面図である。
【図５】本開示のいくつかの実施形態によるキャパシタアセンブリの概略図である。
【発明を実施するための形態】
【０００７】
理解を容易にするために、同一の参照番号が、可能な場合、図に共通する同一の要素を指定するために使用されている。図は原寸に比例して描かれておらず、見やすくするために簡単化されている場合がある。１つの実施形態の要素および特徴は、さらなる詳述なしに他の実施形態に有益に組み込むことができる。
キャパシタアセンブリと、キャパシタアセンブリを組み込んだ基板支持体との実施形態が本明細書で提供される。本発明のキャパシタアセンブリの実施形態は、有利には、直流（ＤＣ）および高周波（ＲＦ）電力の両方が共通電極に供給される場合、直流（ＤＣ）が高周波（ＲＦ）電源と干渉しないようにすることができる。本発明のキャパシタアセンブリの実施形態は、有利には、既存の基板支持体に容易に後付けされ、それにより、既存の基板支持体の不必要なおよび潜在的に高価な改造を避けることができる。
【０００８】
図１は、本開示の実施形態によるキャパシタアセンブリとともに使用するのに好適な例示の基板処理チャンバの簡単化した概略側面図を示す。プロセスチャンバ１００は、例えば、物理的気相堆積（ＰＶＤ）チャンバ、原子層堆積（ＡＬＤ）チャンバ、化学気相堆積（ＣＶＤ）チャンバなどのような基板を処理するのに好適な任意のタイプのプロセスチャンバとすることができる。例示的なプロセスチャンバは、カリフォルニア州、サンタクララのＡｐｐｌｉｅｄ  Ｍａｔｅｒｉａｌｓ，  Ｉｎｃ．から入手可能なプロセスチャンバ、ならびに他の製造業者から入手可能なプロセスチャンバを含むことができる。
図１に記載されているように、プロセスチャンバ１００は、チャンバ本体１０２と、リッドアセンブリ１０４であり、リッドアセンブリ１０４に固定されたターゲット１０６（またはシャワーヘッド）を含む、リッドアセンブリ１０４と、ターゲット１０６と反対の位置に基板１１０を保持するための基板支持体１０８とを含むことができる。図１はターゲット１０６を示しているが、代替として、シャワーヘッドまたは他の処理構成要素が、チャンバ構成に応じてターゲット１０６の場所で取って代わって配設されてもよい。本発明のキャパシタアセンブリは、一般に、ＲＦおよびＤＣエネルギーが共通電極に供給される任意のプロセスチャンバで使用することができる。
【０００９】
プロセスチャンバ１００は、処理容積部１０５を含む内部容積部を有する。処理体積部１０５は、例えば、基板支持体１０８とターゲット１０６（またはチャンバのシャワーヘッドもしくはリッド）との間に画定することができる。基板支持体１０８は、基板支持体上に基板１１０を保持するために静電チャックを含む。好適な基板１１０は、２００ｍｍ、３００ｍｍ、４５０ｍｍ、もしくは他の直径の半導体ウエハなどの丸い基板、またはガラスパネルなどのような長方形基板を含む。
【００１０】
基板支持体１０８は、１つまたは複数のＲＦ電源およびＤＣ電源に結合された電極１１４を含む。したがって、電極１１４は、ＲＦバイアス電極およびチャッキング電極の両方である。電極１１４は、１つまたは複数のＲＦ電源（１つのＲＦ電源１１６が示されている）に１つまたは複数のそれぞれのマッチングネットワーク（マッチングネットワーク１１８が示されている）を通して結合される。ＲＦ電源１１６は、例えば、チャンバ構成、基板組成、および実行されるべき特定のプロセスに依存して、プロセスチャンバにおける使用に好適な周波数の連続またはパルス電力のいずれかを供給することができる。ＲＦ電力は、実行されるプロセスにとって好適な大きさで供給され得る。
電極１１４は、さらに、ＤＣ電力を電極１１４に供給するためにＤＣ電源１２６に結合される。ＤＣ電源１２６は、所望の用途のために、例えば、基板を基板支持体に静電的にクランプするために、十分なエネルギーを供給するのに使用されるような任意の好適なＤＣ電源とすることができる。
【００１１】
キャパシタアセンブリ１２４は、ＲＦ電源１１６と電極１１４との間に設けられる。マッチングネットワーク１１８が存在する場合、キャパシタアセンブリ１２４は、マッチングネットワーク１１８と電極１１４との間に同様に配設される。ＤＣ電源１２６は、キャパシタアセンブリ１２４と電極１１４との間の接合部で電極１１４に結合される。以下の説明は静電チャックに関してなされるが、ＤＣ電圧を阻止する必要があり、ＲＦを接続するかまたは整合させる任意の用途で、キャパシタアセンブリ１２４を使用することができる。
いくつかの実施形態では、基板支持体１０８を昇降機構１１２に結合させて、基板支持体１０８の位置を制御することができる。昇降機構１１２は、基板をチャンバ中におよびチャンバから移送するのに好適な下の位置（図示のような）と、処理に好適な上の位置との間で基板支持体１０８を移動させることができる。
【００１２】
いくつかの実施形態では、ＲＦ電力をターゲット１０６に供給すために、１つまたは複数のＲＦ電源（１つのＲＦ電源１２０が示されている）をプロセスチャンバ１００に結合させることができる。例えば、ＲＦ電源１２０は、プロセスチャンバ１００のリッドアセンブリ１０４に１つまたは複数のそれぞれの整合ネットワーク（１つの整合ネットワーク１２２が示されている）を介して結合させることができる。
図２は、本開示のいくつかの実施形態によるキャパシタアセンブリ２００の概略図を示す。キャパシタアセンブリ２００は、図１に関して上述で論じたキャパシタアセンブリ１２４として使用することができる。キャパシタアセンブリ２００は、第１の導電性プレート２０２と、第２の導電性プレート２０６と、第１の導電性プレート２０２と第２の導電性プレート２０６との間に配設され電気的に結合された複数のキャパシタ２０４とを含む。複数のキャパシタ２０４は、はんだ付け、ろう付けなどのような任意の好適な方法で第１および第２の導電性プレートの各々に電気的に結合され得る。
複数のキャパシタ２０４は、円形アレイ（図３〜４の例示的な例に示すように）で配列される。いくつかの実施形態では、複数のキャパシタ２０４は、円形アレイの中心軸に対して軸対称に円形アレイで配列される（図３〜４の例示的な例に示すように）。いくつかの実施形態では、約９個のキャパシタが円形アレイで設けられる。しかしながら、キャパシタの数は、キャパシタアセンブリ２００のサイズによってのみ制限され、任意の数のキャパシタ（すなわち、１つまたは複数）を代替として使用することができる。複数のキャパシタ２０４の各々のキャパシタンスは、実質的に同じである。複数のキャパシタ２０４は、一般に、ＲＦ電力の周波数と物理的空間制限とに応じて任意のサイズの任意の数のキャパシタを含むことができる。
【００１３】
第１の導電性プレート２０２は、ＲＦ電源１１６からのＲＦ電力を受け取るためにＲＦ電源１１６に（存在する場合にはマッチングネットワーク１１８を介して）結合される。第２の導電性プレート２０６は、例えば導体２１０を介して負荷２０８に電気的に結合される。例えば、負荷２０８は、図１に関して上述した電極１１４とすることができる。いくつかの実施形態では、第２の導電性プレート２０６は、例えば追加の導体２１２を使用して、複数の場所で負荷２０８に結合され得る。いくつかの実施形態では、導体２１０および追加の導体は互いに実質的に均等に離間されて、有利には、ＲＦ電源１１６によって供給されたＲＦ電力のほぼ等しい割り当て分を受け取って負荷２０８に分配する。
【００１４】
ＤＣ電源１２６も１つまたは複数の場所で負荷２０８に結合される。いくつかの実施形態では、ＤＣ電源１２６は、ＤＣ電源１２６からのＤＣ電力を受け取るための第２の導電性プレート２０６に結合され、その結果、ＤＣ電源１２６は、導体２１０と、存在する場合には任意の追加の導体２１２とを介して負荷２０８に結合される。いくつかの実施形態では、ＤＣ電源１２６を負荷２０８に直接的にまたは間接的に結合させる追加の導体２１２または別個の導体（図示せず）を介して、ＤＣ電源１２６を負荷２０８に結合させることができる。
動作時に、ＲＦエネルギーは、ＲＦ電源１１６によって第１の導電性プレート２０２に供給される。ＲＦエネルギーは、複数のキャパシタ２０４を横切って第２の導電性プレート２０６に進む。複数のキャパシタの放射状配置は、有利には、不満足な分布を示している従来の長方形アレイと比較して、より均一な分布のＲＦ電力を負荷の各部分に供給する。ＲＦエネルギーは、導体２１０と任意の追加の導体２１２とによって負荷２０８に結合される。ＤＣ電力は、導体２１０（および任意の追加の導体２１２）によって、または別個の導体（図示せず）を介して負荷２０８に結合される。いくつかの実施形態では、ＤＣ電源１２６は第２の導電性プレート２０６に結合され、ＤＣ電力は導体２１０と任意の追加の導体２１２とを介して負荷２０８に結合される。
【００１５】
図３は、本開示のいくつかの実施形態による例示的なキャパシタアセンブリ３００の等角図を示す。キャパシタアセンブリ３００は、キャパシタアセンブリ２００の特定の構成の例示であり、本開示の範囲を限定するものではない。キャパシタアセンブリ３００は、第１の導電性プレート３０２と第２の導電性プレート３０４とを含む。複数のキャパシタ３０６が、第１の導電性プレート３０２と第２の導電性プレート３０４との間に配設され、第１の導電性プレート３０２と第２の導電性プレート３０４とを電気的に結合させる。第１の導電性プレート３０２および第２の導電性プレート３０４は、任意の好適な導電性材料から形成することができる。いくつかの実施形態では、第１の導電性プレート３０２および第２の導電性プレート３０４は、変色または酸化に対して耐性がある材料、例えば、銀、金、またはインピーダンスが変色によって悪影響を受けない他の金属などで被覆することができる。例えば、いくつかの実施形態では、第１の導電性プレート３０２および第２の導電性プレート３０４は、銅から形成され、銀のコーティングを有する。
【００１６】
図３に示すように、第１の導電性プレート３０２は、複数のキャパシタ３０６の各々へのＲＦエネルギーの実質的に均一な流れを促進するために、円形とするか、または何か他の対称な形状を有することができる。第１の導電性プレート３０２は、第１の導電性プレート３０２にＲＦエネルギーを結合させるための特徴部、例えば孔３０８などを含む。いくつかの実施形態では、特徴部は、第１の導電性プレート３０２中にまたはその上に中心に置くことができる。例えば、図３に示すように、孔３０８は、第１の導電性プレート３０２の中心にある。いくつかの実施形態では、孔３０８は、ねじが切られて、対応してねじが切られているボルトを受け取ることができる。
【００１７】
マッチングネットワーク１１８からの出力部などのＲＦ電源１１６に結合された導体は、第１の導電性プレート３０２に結合される。例えば、いくつかの実施形態では、導体は、孔３０８を介して第１の導電性プレート３０２にボルト締めすることができる。図３Ａは、本開示のいくつかの実施形態によるキャパシタアセンブリ３００の側面断面図を示す。いくつかの実施形態では、図３Ａに示すように、第３の導電性プレート３１６が、マッチングネットワーク１１８からの出力部に結合され得る。第３の導電性プレート３１６は、例えば第１の導電性プレート３０２の孔３０８にねじ込まれるボルト３１８を使用して第１の導電性プレート３０２に結合され得る。いくつかの実施形態では、第１の導電性プレート３０２は、第３の導電性プレート３１６の表面と第１の導電性プレート３０２の対面している表面との間の表面接触を強化し、それにより、第１の導電性プレート３０２へのＲＦ電流の流れの強化を促進するために、ＲＦガスケット３１０を受け取る溝３１４をさらに含むことができる。ＲＦガスケット３１０は、インピーダンスが変色によって悪影響を受けない金属コーティングを伴って任意の導電性材料から形成することができる。いくつかの実施形態では、ＲＦガスケット３１０は銀めっきされた銅から形成される。
【００１８】
図３に戻ると、複数のキャパシタ３０６は、個々に、用途に好適な任意の従来のキャパシタ、例えば磁器型セラミックキャパシタなどとすることができるが、他のタイプのキャパシタを使用することもできる。いくつかの実施形態では、複数のキャパシタは、第２の導電性プレート３０４へのＲＦ電力の均一な送出を確実にするために孔３０８のまわりに放射状に配列される。複数のキャパシタ３０６の放射状配置は、さらに有利には、キャパシタアセンブリ３００の高温の区域の発生を防止し、キャパシタアセンブリ３００の全体サイズを減少させる。アーク発生を避け、十分な電圧分離を確実にするために第１の導電性プレート３０２と第２の導電性プレート３０４との間の十分に大きい距離を確実にするようにキャパシタ３０６のサイズは選ばれる。いくつかの実施形態では、所望のキャパシタンスをもつチューブラキャパシタが、代替として、複数のキャパシタ３０６の代わりに使用されてもよい。
【００１９】
第２の導電性プレート３０４の以下の説明は、図３および図４を参照しながら行われる。図４は、複数のキャパシタ３０６を示すキャパシタアセンブリ３００の側面断面図を示す。いくつかの実施形態では、第２の導電性プレート３０４は、孔４０２を含むことができる。孔４０２は、第２の導電性プレート３０４の中心に置くことができる。いくつかの実施形態では、第２の導電性プレート３０４は、１対のフランジ４０４を含むことができる。フランジ４０４は、第２の導電性プレート３０４の第１の端部４０８に近接して第２の導電性プレート３０４の大体において両側に配設することができる。
入力タップ４１２を第２の導電性プレート３０４に設けることができる。いくつかの実施形態では、入力タップ４１２は、第２の導電性プレート３０４の第１の端部４０８に形成される。いくつかの実施形態では、入力タップ４１２は、第１の端部４０８の中心に近接して形成される。入力タップ４１２は、ＤＣ電力を受け取るためにＤＣ電源（例えば、ＤＣ電源１２６）に結合され得る。
【００２０】
第２の導電性プレート３０４は、負荷（例えば、図２に関して上述した負荷２０８）に電力を送出するために１つまたは複数の出力タップ３１２を含む。複数の出力タップ３１２が設けられる実施形態では、出力タップ３１２は、互いに等距離で隔置することができる。複数の出力タップ３１２が設けられる実施形態では、出力タップ３１２は、第２の導電性プレート３０４に軸対称に配列することができる。出力タップ３１２の対称軸は、複数のキャパシタ３０６の対称軸と同じにすることができる。いくつかの実施形態では、出力タップ３１２は、フランジ４０４の各々と、第１の端部４０８と反対の第２の導電性プレート３０４の第２の端部４０６とに形成される。
【００２１】
１つまたは複数の出力タップ３１２は、負荷（例えば、電極１１４）に電気的に結合され得る。第２の導電性プレート３０４のまわりに出力タップ３１２を対称に配置すると、負荷へのＤＣおよびＲＦ電力のより均一な送出が促進される。しかしながら、出力タップ３１２は、第２の導電性プレート３０４のどこにでも形成することができる。各出力タップ３１２は、異なる負荷（例えば、異なる電極）または同じ負荷（例えば、同じ電極）に関連づけることができる。いくつかの実施形態では、ＲＦエネルギーがＤＣ電源１２６に行かないように、フィルタ盤（図示せず）が第２の導電性プレート３０４とＤＣ電源１２６との間に配設されてもよい。
図４は、例示として、９つのキャパシタを示している。しかしながら、任意の数のキャパシタを使用して、所望の量の電力を負荷に送出することができる。例えば、第１の導電性プレート３０２および第２の導電性プレート３０４の直径は、より高い（またはより低い）電力要件を満たすようにより多くの（またはより少ない）キャパシタを収容するためにより大きく（またはより小さく）することができる。代替としてまたは組み合わせて、異なる値をもつキャパシタを使用して、特定の周波数要件を満たすことができる。
【００２２】
図５は、本開示のいくつかの実施形態によるキャパシタアセンブリ５００の概略図を示す。いくつかの実施形態では、上述のようなキャパシタアセンブリ２００または３００と同様の２つ以上のキャパシタアセンブリを積み重ねて、アセンブリで取り扱うことができる電力の量を増加させることができる。積み重ねた構成では、中間導電性プレート５０２（第１の導電性プレート３０２と同様の）が、第１の複数のキャパシタ３０６によって第１の導電性プレート３０２に結合され、第２の複数のキャパシタ５０６によって第２の導電性プレート３０４に結合される。いくつかの実施形態では、中間導電性プレート５０２は、第２の中間導電性プレート５０４（破線で示すような）に直接に結合され得、第２の中間導電性プレート５０４は、第２の複数のキャパシタ５０６によって第２の導電性プレート３０４に結合される。第２の中間導電性プレート５０４を設けると、有利には、アセンブリの構築およびモジュール方式が容易になる。
【００２３】
例えば、負荷（例えば、電極１１４）に供給する必要がある電圧の量が非常に大きい場合、そのような構成が望ましい。電圧が非常に大きいそのような場合には、ＤＣ電力を受け取る第２の導電性プレート３０４と、マッチングネットワーク１１８からＲＦ電力を受け取る第１の導電性プレート３０２との間の距離は、ＲＦ電力をＤＣ電流から分離するために十分に大きくなければならない。キャパシタアセンブリ３００を積み重ねることにより、必要な電圧分離が達成されることになる。代替として、長いキャパシタまたは積み重ねたキャパシタを使用して、第１の導電性プレート３０２と第２の導電性プレート３０４との間の距離を増加させることができる。
【００２４】
上述は本開示の実施形態に関するが、他のおよびさらなる実施形態が、本開示の基本範囲から逸脱することなく考案され得る。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図３Ａ】
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【図４】
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【図５】
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