(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
移動体の第１方向の位置を計測しながら移動体を位置決めする位置決め装置を有し、前記移動体上に配置された基板の第１領域に対してパターンの形成を行い、前記第１領域に対するパターンの形成のあと前記位置決め装置が前記移動体を前記第１方向と交差する第２方向に移動させてから前記基板の第２領域に対してパターンの形成を行うパターニング装置であって、
前記位置決め装置は、
前記移動体の第１方向における位置を計測可能な第１計測手段及び第２計測手段と、
前記移動体を前記第１方向に駆動可能な駆動手段と、
前記第１計測手段または前記第２計測手段により計測された前記移動体の前記第１方向における位置を示す位置情報に基づいて、前記駆動手段を制御する制御手段と、を有し、
前記制御手段は、前記移動体の前記第１方向における位置指令情報と前記位置情報とに応じた制御偏差と、所定の値に設定された制御パラメータと、に基づいて前記駆動手段を制御し、
前記駆動手段の制御に用いる前記位置情報を、前記第１計測手段の計測により得られた位置情報から前記第２計測手段の計測により得られた位置情報へ切り替える場合、前記第１領域に対するパターンの形成を終えた後且つ前記第２領域に対するパターンの形成の開始前の、前記駆動手段の制御に用いる前記位置情報の切り替えとは異なるタイミングで、前記制御パラメータの値を変更することを特徴とするパターニング装置。
【請求項２】
前記第１領域に対するパターンの形成を終えた後、かつ、前記第２領域に対するパターンの形成の開始前に、前記駆動手段の制御に用いる前記位置情報を前記第１計測手段の計測により得られた位置情報から前記第２計測手段の計測により得られた位置情報に切り替えることを特徴とする請求項１に記載のパターニング装置。
【請求項３】
前記制御パラメータは、比例ゲインＫｐ、積分ゲインＫｉ、微分ゲインＫｄ、ノッチフィルタの周波数、およびローパスフィルタのカットオフ周波数のうち少なくとも１つであることを特徴とする請求項１又は２に記載のパターニング装置。
【請求項４】
前記制御手段は、前記駆動手段の制御を行うためのＰＩＤ制御部を備えることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載のパターニング装置。
【請求項５】
前記第１方向は高さ方向であって、前記第１計測手段および前記第２計測手段は、前記第２方向において互いに異なる位置に設けられていることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載のパターニング装置。
【請求項６】
前記制御手段は、前記移動体の前記第２方向における位置に関する情報に基づいて、前記第１計測手段の計測により得られた位置情報から前記第２計測手段の計測により得られた位置情報へ、前記駆動手段の制御に用いる位置情報の切り替えを行うことを特徴とする請求項１乃至５のいずれか１項に記載のパターニング装置。
【請求項７】
前記第１領域に対するパターンの形成を行うための第１位置から前記第２領域に対するパターンの形成を行うための第２位置へ、前記移動体を前記第２方向にステップ移動させることを特徴とする請求項１乃至６のいずれか１項に記載のパターニング装置。
【請求項８】
前記第１計測手段および前記第２計測手段はそれぞれ干渉計であることを特徴とする請求項１乃至７のいずれか１項に記載のパターニング装置。
【請求項９】
前記第１計測手段および前記第２計測手段はそれぞれ干渉計であって、
前記第１計測手段は前記移動体に設けられた第１ミラーの前記第１方向の位置の計測により前記位置情報を得、
前記第２計測手段は前記移動体に設けられた第２ミラーの前記第１方向の位置の計測により前記位置情報を得、
前記第２ミラーは、前記基板の配置される部分から見て前記第１ミラーとは反対側且つ前記第１ミラーから前記第２方向側に離れて配置されていることを特徴とする請求項１乃至７のいずれか１項に記載のパターニング装置。
【請求項１０】
前記パターニング装置は、ステップ・アンド・スキャン型の露光装置、ステップ・アンド・リピート型の露光装置、インプリント装置、荷電粒子線描画装置から選択されるいずれかであることを特徴とする請求項１乃至９のいずれか１項に記載のパターニング装置。
【請求項１１】
物品の製造方法において、
請求項１乃至１０のいずれか１項に記載のパターニング装置を用いて基板にパターンを形成する工程と、
パターンが形成された前記基板を処理する工程と、を有し、
該処理した基板を用いて物品を製造することを特徴とする物品の製造方法。
【請求項１２】
移動体の第１方向の位置を計測しながら移動体上に配置された基板の第１領域に対してパターンの形成を行い、前記第１領域に対するパターンの形成のあと前記移動体を前記第１方向と交差する第２方向に移動させてから前記基板の第２領域に対してパターンの形成を行うパターニング装置に用いられる位置決め装置であって、前記移動体の第１方向における位置を計測可能な第１計測手段および第２計測手段と、前記移動体を前記第１方向に駆動可能な駆動手段と、前記第１計測手段または前記第２計測手段により計測された前記移動体の第１方向における位置を示す位置情報に基づいて前記駆動手段を制御する制御手段と、を有する位置決め装置の制御方法において、
前記移動体の前記第１方向における位置指令情報と前記位置情報とに応じた制御偏差と、所定の値に設定された制御パラメータと、に基づいて、前記駆動手段を制御する工程を含み、
前記駆動手段の制御に用いる位置情報を前記第１計測手段の計測により得られた位置情報から前記第２計測手段の計測により得られた位置情報へ切り替える場合、前記第１領域に対するパターンの形成を終えた後且つ前記第２領域に対するパターンの形成の開始前の、前記駆動手段の制御に用いる前記位置情報の切り替えとは異なるタイミングタイミングで前記制御パラメータの前記所定の値を変更することを特徴とする制御方法。
【請求項１３】
前記第１領域に対するパターンの形成を終えた後、かつ、前記第２領域に対するパターンの形成の開始前に、前記駆動手段の制御に用いる前記位置情報を前記第１計測手段の計測により得られた位置情報から前記第２計測手段の計測により得られた位置情報に切り替えることを特徴とする請求項１２に記載の制御方法。
【請求項１４】
前記制御パラメータは、比例ゲインＫｐ、積分ゲインＫｉ、微分ゲインＫｄ、ノッチフィルタの周波数、およびローパスフィルタのカットオフ周波数のうち少なくとも１つであることを特徴とする請求項１２又は１３に記載の制御方法。
【請求項１５】
前記制御手段は、前記駆動手段に対してＰＩＤ制御を行うことを特徴とする請求項１２乃至１４のいずれか１項に記載の制御方法。
【請求項１６】
前記第１方向は高さ方向であって、前記第１計測手段および前記第２計測手段は、前記第２方向において互いに異なる位置に設けられており、
前記移動体の前記第２方向における位置に関する情報に基づいて、前記第１計測手段から得られた位置情報から前記第２計測手段から得られた位置情報へ、前記駆動手段の制御に用いる位置情報の切り替えを行うことを特徴とする請求項１２乃至１５のいずれか１項に記載の制御方法。
【請求項１７】
前記第１計測手段および前記第２計測手段はそれぞれ干渉計であって、
前記第１計測手段は前記移動体に設けられた第１ミラーの前記第１方向の位置の計測により前記位置情報を得、
前記第２計測手段は前記移動体に設けられた第２ミラーの前記第１方向の位置の計測により前記位置情報を得、
前記第２ミラーは、前記基板の配置される部分から見て前記第１ミラーとは反対側且つ前記第１ミラーから前記第２方向側に離れて配置されていることを特徴とする請求項１２乃至１６のいずれか１項に記載の制御方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、移動体を位置決めする位置決め装置を有するパターニング装置に関する。また、このようなパターニング装置における位置決め装置の制御方法、あるいは物品の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体デバイスや液晶デバイス等を製造するためのリソグラフィ装置では、従来から、基板や原版を搭載するステージを位置決めする位置決め装置が用いられている。
【０００３】
特許文献１には、ステージのＺ軸方向（投影光学系の光軸に沿う方向）における位置を計測するための位置計測手段として干渉計を用いることが記載されている。干渉計からのＺ軸方向に進む計測光は、ステージの上面に配置されたミラーに反射され、干渉計は、反射された光と参照光との干渉により生じる干渉縞から位置を計測する。
【０００４】
また、特許文献１には、複数の干渉計および複数のミラーをステージのＸＹ方向位置に応じて切り替えて用いることが記載されている。このように複数の干渉計および複数のミラーを切り替えて用いることで、一方の干渉計からの計測光が投影光学系によって遮蔽されたとしても他方の干渉計からの計測光を用いてステージの位置を計測することができる。
【０００５】
干渉計で検出されたステージのＺ軸方向位置は、ステージの位置フィードバック制御に用いられるが、特許文献１はＺ軸方向位置フィードバック制御の詳細について言及していない。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２００２−３１９５４１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
近年、リソグラフィ装置に対して、解像度、オーバーレイ精度をさらに向上させることが要求されており、位置決め装置にはさらに高い位置決め性能が求められている。
【０００８】
本発明は、位置計測手段を切り替えて用いる位置決め装置において、従来よりも位置決め精度を高めることが可能な位置決め装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明にかかるパターニング装置は、移動体の第１方向の位置を計測しながら移動体を位置決めする位置決め装置を有し、前記移動体上に配置された基板の第１領域に対してパターンの形成を行い、前記第１領域に対するパターンの形成のあと前記位置決め装置が前記移動体を前記第１方向と交差する第２方向に移動させてから前記基板の第２領域に対してパターンの形成を行うパターニング装置であって、前記位置決め装置は、前記移動体の第１方向における位置を計測可能な第１計測手段及び第２計測手段と、前記移動体を前記第１方向に駆動可能な駆動手段と、前記第１計測手段または前記第２計測手段により計測された前記移動体の前記第１方向における位置を示す位置情報に基づいて、前記駆動手段を制御する制御手段と、を有し、前記制御手段は、前記移動体の前記第１方向における位置指令情報と前記位置情報とに応じた制御偏差と、所定の値に設定された制御パラメータと、に基づいて前記駆動手段を制御し、前記駆動手段の制御に用いる前記位置情報を、前記第１計測手段の計測により得られた位置情報から前記第２計測手段の計測により得られた位置情報へ切り替える場合、前記第１領域に対するパターンの形成を終えた後且つ前記第２領域に対するパターンの形成の開始前の、前記駆動手段の制御に用いる前記位置情報の切り替えとは異なるタイミングで、前記制御パラメータの値を変更することを特徴とする。
【発明の効果】
【００１０】
本発明によれば、位置計測手段を切り替えて用いる位置決め装置を有するパターニング装置において、従来よりも位置決め装置の位置決め精度を高めることが可能なパターニング装置を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】半導体露光装置の構成を示す概略図である。
【図２】ウエハステージの周辺の構成を示す斜視図である。
【図３】半導体露光装置の制御部を示す図である。
【図４】位置制御の制御ブロックを示す図である。
【図５】制御パラメータの切り替えにより生じる制御偏差を示す図である。
【図６】ウエハ上の複数のショット領域を示す図である。
【図７】制御パラメータの変更のタイミングを示す図である。
【図８】位置決め方法のフローを説明する図である。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
（実施例１）
図１は、半導体露光装置１００を示す図である。図２は、図１におけるウエハステージ１０の周辺を示す斜視図である。本実施例では、ステップ・アンド・スキャン型の露光装置（パターニング装置）を説明する。
【００１３】
半導体露光装置１００には、転写すべきパターンが形成されたレチクル（原版）と、感光剤が塗布されたウエハ（基板）が搬入される。照明系３２は、レチクルステージ３３に搭載された不図示のレチクルをスリット光で照明し、投影系３４は、レチクルのパターン像をウエハステージ１０（位置決め装置）に搭載された不図示のウエハ上に投影する。レチクルステージ３３とウエハステージ１０を走査方向（Ｙ軸方向）に同期して移動させることで、レチクルのパターンを感光剤が塗布されたウエハ上に転写する。本実施例では、照明系３２、投影系３４によりウエハにパターン（感光剤への潜像を含む）を形成するためのパターニング手段を構成する。
【００１４】
ウエハステージ１０は、定盤４１に対してＸ軸方向に長ストロークで移動可能なＸステージ３１と、Ｘステージに対してＹ方向に長ストロークで移動可能なＹステージ４０を備える。さらに、Ｙステージ４０に対して短ストロークにＸ軸方向、Ｙ軸方向、Ｚ軸方向（投影系の光軸方向）、ωｘ方向、ωｙ方向、ωｚ方向（以下、６軸方向と称する）に移動可能なトップステージ（移動体）２７を備える。
【００１５】
ここで、ωｘ方向はＸ軸回りの回転方向、ωｙ方向はＹ軸回りの回転方向、ωｚ方向はＺ軸回りの回転方向を示す。ウエハを保持するウエハチャック（保持手段）２６は、トップステージ２７上に搭載されている。
【００１６】
Ｘステージ３１は、Ｘリニアモータ４２により駆動され、Ｘリニアモータ４２は、定盤４１上に配置された複数のコイル（固定子）と、Ｘステージ３１に設けられた永久磁石（可動子）とを有する。Ｙステージ４０は、Ｙリニアモータ３５により駆動され、Ｙリニアモータ３５は、Ｘステージ３１上に配置された複数のコイル（固定子）と、Ｙステージ４０に設けられた永久磁石（可動子）と、を有する。Ｘステージ３１とＹステージ４０との間には軸受が構成され、Ｘリニアモータ４２の駆動によりＸステージ３１とＹステージ４０は一体でＸ方向に移動する。Ｙステージ４０およびＸステージ３１は、定盤４１上に気体軸受を介して支持される。
【００１７】
トップステージ２７は、複数のリニアモータにより６軸方向に駆動される。本実施例では、Ｘ軸方向用のＸリニアモータを２つ、Ｙ軸方向用のＹリニアモータを１つ、Ｚ軸方向用のＺリニアモータ４４（駆動手段）を３つが設けられる（図１では、Ｚリニアモータ４４のみ図示している）。各リニアモータは、Ｙステージ４０上に配置されたコイル（固定子）と、トップステージ２７に設けられた永久磁石（可動子）と、を有する。また、トップステージ２７は、不図示の自重支持機構により、Ｙステージ４０上に浮上した状態で支持される。
【００１８】
投影系３４は、複数の光学素子と、複数の光学素子を収納した鏡筒とを有し、鏡筒支持体３５により支持されている。鏡筒支持体３５は、エアマウント３６を介してベース部材３８上に支持され、定盤４１は、エアマウント３７を介してベース部材３８上に支持される。エアマウント３６、３７は、例えば、公知の能動的（アクティブ）除振装置である。このような能動的除振装置は、床からベース部材３８を介して伝わる振動を低減するとともに、内臓アクチュエータとセンサにより鏡筒支持体３５、定盤４１上で物体が移動することによって生じる振動を抑制する。
【００１９】
また、ウエハステージ１０は、トップステージ２７の位置を計測する干渉計（位置計測手段）を備える。Ｘ干渉計２４ａ，２４ｂは、Ｘ軸方向に進む計測光をトップステージ２７上のミラー２９に照射し、反射された光と参照光との干渉により生じる干渉縞からトップステージ２７のＸ軸方向位置を計測（検出）する。Ｙ干渉計２３ａ、２３ｂ、２３ｃは、Ｙ軸方向に進む計測光をトップステージ２７上のミラー２８に照射し、反射された光と参照光との干渉により生じる干渉縞からトップステージ２７のＹ軸方向位置を計測（検出）する。また、Ｘ干渉計２４ａと２４ｂの計測値の差分を用いて、トップステージ２７のωｙ方向位置を計測し、Ｙ干渉計２３ａと２３ｂの計測値の差分を用いて、トップステージ２７のωｘ方向位置を計測する。さらに、Ｙ干渉計２３ｂと２３ｃの計測値の差分を用いて、トップステージ２７のωｚ方向位置を計測する。
【００２０】
Ｚ干渉計２５ａ，２５ｂは、Ｚ軸方向に進む計測光をトップステージ２７上のミラー３０ａ，３０ｂに照射し、反射された光と参照光との干渉により生じる干渉縞からトップステージ２７のＺ軸方向位置を計測（検出）する。Ｚ干渉計２５ａからの計測光は、鏡筒支持体３５に固定されたミラー２１ａ，２２ａを介してミラー３０ａに照射され、ミラー３０ａで反射された計測光はミラー２１ａ，２２ａを介して干渉計２５ａに導かれる。同様に、Ｚ干渉計２５ｂからの計測光は、鏡筒支持体３５に固定されたミラー２１ｂ，２２ｂを介してミラー３０ｂに照射され、ミラー３０ｂで反射された計測光はミラー２１ｂ，２２ｂを介して干渉計２５ｂに導かれる。また、干渉計２５ａからの参照光はミラー２１ａを介してミラー２２ａに照射され、ミラー２２ａで反射された参照光がミラー２１ａを介して干渉計２５ａに導かれる。同様に、干渉計２５ｂからの参照光はミラー２１ｂを介してミラー２２ｂに照射され、ミラー２２ｂで反射された参照光がミラー２１ｂを介して干渉計２５ｂに導かれる。
【００２１】
ミラー３０ａ，３０ｂはＹ軸方向に沿って長い形状であり、ミラー２１ａ，２１ｂ，２２ａ，２２ｂはＸ軸方向に沿って長い形状であり、Ｚ干渉計２５ａ，２５ｂはＸステージ３１上に配置されている。このような構成により、トップステージ２７のＸＹ方向の位置に関わらず、ミラー３０ａまたはミラー３０ｂに計測光を照射することができる。ミラー２２ａ，２２ｂの間には投影系３４が配置されており、ミラー３０ａ，３０ｂの一方の上方に投影系３４が位置する場合には、他方のミラーを用いて位置を計測することができる。なお、Ｘステージ３１にＺ干渉計２５ａ，２５ｂを設ける代わりにミラーやプリズムを設けて、外部に配置されたＺ干渉計２５ａ，２５ｂからの計測光および参照光をこれらの光学部材によりミラー２１ａ，２２ａへ導光してもよい。
【００２２】
トップステージ２７とＹステージ４０との間には、位置センサ（不図示）が設けられている。本実施形態では、位置センサとしてリニアエンコーダを用いている。３箇所に設けられたリニアエンコーダにより、Ｙステージ４０に対するトップステージ２７のＺ軸方向、ωｘ方向、ωｙ方向における位置を計測可能である。このリニアエンコーダは、ミラー３０ａ、３０ｂの面形状を計測、補正するキャリブレーションにおいて用いられ、代わりに静電容量センサなどを用いることもできる。
【００２３】
半導体露光装置１００は、ＣＰＵ、メモリ等を含む制御部５０を備える。図３は、制御部５０の詳細を示す図である。なお、以下の説明では、トップステージ２７のＺ軸方向位置の制御について説明する。
【００２４】
制御部５０は、主制御部５１と、ステージ制御部５２と、を有する。主制御部５１は、半導体露光装置の全体のシーケンスを制御し、ステージ制御部５２に対して、位置指令情報を送信する。なお、位置指令情報を送信する代わりに、位置指令情報を生成するために必要な情報を送信し、ステージ制御部５２が位置指令情報を生成してもよい。また、半導体露光装置は、基板の表面のＺ軸方向位置を検出するフォーカス検出部を備えており、主制御部５１の代わりにフォーカス検出部から位置指令情報Ｚｒを取得してもよい。
【００２５】
ステージ制御部５２（制御手段）は、ＰＩＤ制御部５３と、制御パラメータ変更部（変更手段）５４と、切り替え部（切り替え手段）５５と、を備える。ステージ制御部５２は、主制御部５１から位置指令情報を取得し、干渉計２５ａ，２５ｂからトップステージ２７の位置情報（位置計測情報）を取得し、取得された位置指令情報と位置情報とにもとづいて、トップステージ２７の位置をフィードバック制御する。
【００２６】
図４は、トップステージ２７の位置制御を示す制御ブロック図である。位置指令情報Ｚｒに対して干渉計２５ａまたは２５ｂからの位置情報Ｚｍがフィードバックされ、制御偏差ｅｚがＰＩＤ制御部５３に入力される。ＰＩＤ制御部５３は、所定の値に設定可能な制御パラメータと、制御偏差ｅｚと、にもとづいて、リニアモータ４４を駆動するための制御入力ｕｚを生成する。制御対象は、ドライバ４３、リニアモータ４４、トップステージ２７、を含み、制御入力はドライバ４３に入力される。本実施形態において、制御パラメータは、制御偏差ｅｚに対する制御入力のｕｚの感度を示し、例えば、比例ゲインＫｐ、積分ゲインＫｉ、微分ゲインＫｄのいずれか、あるいは少なくとも２つの組み合わせである。なお、Ｚ軸方向以外の方向の位置制御についても、干渉計の切り替えがないことを除き同様のフィードバック制御が行われる。
【００２７】
切り替え部５５は、制御入力ｕｚの生成において使用する干渉計を、干渉計２５ａから干渉計２５ｂに、あるいは、干渉計２５ｂから干渉計２５ａに切り替える。
【００２８】
例えば、ミラー３０ａの上方に投影系３４が位置する場合、干渉計２５ａからの計測光が投影系３４に遮られてしまい、計測ができないことがある。そこで、切り替え部５５は、トップステージ２７のＸ軸方向（またはＸＹ方向）の位置情報に基づいて、制御指令の生成に用いる干渉計を切り替える。トップステージ２７のＸ軸方向の位置情報は、干渉計２４ａ，２４ｂから取得されるものであってもよく、主制御部５１から取得される位置指令情報であってもよい。また、切り替えに用いる情報は、ショット領域を特定する情報であってもよく、トップステージ２７のＸ軸方向の位置に相関のある情報であればよい。
【００２９】
干渉計の切り替えは、干渉計２５ａ，２５ｂにより同時に計測が可能な位置にトップステージ２７が位置するときに、切り替え前に用いていた一方の干渉計の計測値を、切り替え後に用いる他方の干渉計に引き渡すことで行われる。
【００３０】
制御パラメータ変更部５４は、ＰＩＤ制御部５３に設定された制御パラメータを変更する。本実施例では、メモリ（記憶手段）に予め２つの値を記憶しておき、２つの値を切り替えてＰＩＤ制御部５３の設定値（第１の設定値と第２の設定値）とすることで、制御パラメータを変更する。制御パラメータの変更は、干渉計の切り替えに応じて行われる。なお、本明細書において、「切り替えに応じて」は、干渉計の切り替え後に制御パラメータが変更される場合に限らず、切り替えの前に制御パラメータが変更される場合も包括する意味で用いている。制御パラメータを変更することにより、干渉計の切り替えによりフィードバック制御系の制御特性が変化した場合であっても高い制御性能を得ることができる。すなわち、位置決め装置が高い位置決め精度を得ることが可能となる。また、本実施例のように干渉計の切り替えとともに使用されるミラーも切り替わる構成においては特に、切り替えにともなう制御特性の変化が大きいため、本発明による位置決め精度向上の効果は大きい。
【００３１】
つづいて、制御パラメータの変更のタイミングについて説明をする。図５は、制御パラメータを変更したときの制御偏差を示す図である。横軸は時間であり、縦軸はＸ軸方向の位置指令情報（上図）、Ｚ軸方向の制御偏差（下図）である。図中点線で示したタイミングで制御パラメータを変更している。図から分かるように、制御パラメータを変更した直後は、制御偏差が大きくなってしまい、フィードバック制御により時間Ｔ１を経て所定の範囲内まで収束する。
【００３２】
本実施例では、この制御偏差の増大が露光をする際（基板に露光光を照射している間）の位置決め精度に与える影響を低減するように、制御パラメータの変更のタイミングを決定している。
【００３３】
図６は、ウエハ上の複数のショット領域（１回の走査で露光される被処理領域）を示す図である。図７は、本実施例の制御パラメータの変更のタイミングを示す図である。横軸は時間であり、縦軸はトップステージのＸ軸方向の位置である。図６の矢印で示すとおり、ショット領域ＳＡに対してＹ軸方向（負の向き）にスリット光を走査し、つづいてショット領域ＳＢに対してＹ軸方向（正の向き）にスリット光を走査する場合について説明する。ショット領域ＳＡとショット領域ＳＢの露光の間には、Ｘ軸方向へのステップ移動が行われる。スリット光の走査およびステップ移動は、ウエハステージ１０の駆動により行われる。
【００３４】
干渉計の切り替えがステップ移動の最中のＸＡ位置で生じる場合、制御パラメータの変更を同時に行ってしまうと、ショット領域ＳＢの露光（第２ショット領域へのパターン形成）開始時に制御偏差が十分に小さくなっていない可能性がある。そこで、本実施例では、露光開始時ｔＳよりも時間Ｔ１以上早いタイミングｔ３（露光開始時ｔｓよりもＴ１早いタイミングｔ２よりも前）で制御パラメータを変更する。つまり、制御パラメータ変更部５４は、ショット領域ＳＢの露光開始（パターン形成の開始）のタイミングに関する（相関のある）情報を取得し、この情報にもとづいて、制御パラメータの変更を行う。
【００３５】
また、本実施例では、ショット領域ＳＡの露光（第１ショット領域へのパターン形成）をする際の位置決め精度に与える影響を低減する必要があるため、ショット領域ＳＡの露光終了時ｔｅよりも後にパラメータの変更を行う。つまり、制御パラメータ変更部５４は、ショット領域ＳＡの露光終了のタイミングに関する（相関のある）情報を取得し、この情報にもとづいて、制御パラメータの変更を行う。
【００３６】
一例として、ステップ移動の最中ＸＡ位置で生じる干渉計の切り替えより早いタイミングとなるステップ移動の開始とともに、制御パラメータの変更を行ってもよい。ステップ移動に要する時間は、制御偏差が十分小さくなるまでに要する時間よりも長いため、ショット領域ＳＡとショット領域ＳＢの両方の露光をする際の位置決め精度に与える影響を低減することが可能となる。この場合、上述の露光開始のタイミングに関する情報は、ショット領域ＳＢに向けてのステップ移動の開始信号となる。なお、タイミングに関する情報としては、時刻情報、ショット領域の情報、移動体の位置に関する情報などを用いてもよい。
【００３７】
上述の実施例では、位置計測手段の好適な例として干渉計を用いたが、これに限定されず、他の位置計測手段を用いてもよい。また、駆動手段として好適な例としてリニアモータを用いたが、これに限定されず、他の駆動手段を用いてもよい。また、制御手段、切り替え手段、変更手段は、ＣＰＵ（プロセッサ）、メモリ、ＲＯＭを有する１つの回路基板で構成されてもよく、複数の回路基板で構成してもよい。
【００３８】
また、本実施例では、制御パラメータの好適な例としてＰＩＤ制御の比例ゲインＫｐ、積分ゲインＫｉ、微分ゲインＫｄを挙げているが、変更する制御パラメータをノッチフィルタの周波数、ローパスフィルタのカットオフ周波数としてもよい。また、Ｚ軸方向用の干渉計を切り替える例を挙げたが、Ｙ軸方向用やＸ軸方向用の干渉計を切り替える場合にも適用可能である。
【００３９】
上述の実施例では、好適な例としてステップ・アンド・スキャン型の半導体露光装置に用いられる位置決め装置について説明をしたが、これに限られない。ステップ・アンド・リピート型の半導体露光装置、インプリント装置、マスクレスの荷電粒子線描画装置などのリソグラフィ装置に適用することができる。この場合、パターニング手段は、各装置によって構成が異なる。また、リソグラフィ装置以外でも、高い位置決め精度が要求される装置（例えば、顕微鏡や加工装置）にも適用可能である。
【００４０】
図８は、上述の位置決め方法のフローを説明する図（制御パラメータの変更に関わる部分を抜粋）である。本実施例の位置決め方法は、トップテーブル２７のＺ軸方向における位置を計測し、計測された位置情報にもとづいてフィードバック制御を行い、トップテーブル２７を位置決めする。位置決め方法は、フィードバック制御に用いる位置計測手段を、干渉計２５ａから干渉計２５ｂに切り替える工程（Ｓ１０）と、切り替えに応じて、フィードバック制御に用いる制御パラメータの設定値を変更する工程（Ｓ２０）と、を含む。上述の制御部５０のメモリに格納されたプログラムがコンピュータにこれらの処理を実行させてもよい。
【００４１】
［物品の製造方法］
つぎに、リソグラフィ装置を利用した物品の製造方法について説明する。本明細書において、本明細書において「物品」は半導体デバイス、液晶表示デバイス、これらのデバイスを製造する時に使用するレチクル（マスク）、微細構造体など、リソグラフィのパターニングにより形成可能なものを意味する。
【００４２】
一例として半導体デバイスを説明する。半導体デバイスは、ウエハに集積回路を作る前工程と、前工程で作られたウエハ上の集積回路チップを製品として完成させる後工程を経ることにより製造される。前工程は、前述の半導体露光装置を使用して感光剤が塗布されたウエハを露光する工程と、ウエハを現像、エッチングする工程を含む。なお、エッチング工程の代わりにドーピングする工程を行う場合もあり、現像後は、いくつかの処理形態がある。後工程は、アッセンブリ工程（ダイシング、ボンディング）と、パッケージング工程（封入）を含む。液晶表示デバイスは、透明電極を形成する工程を経ることにより製造される。透明電極を形成する工程は、透明導電膜が蒸着されたガラス基板に感光剤を塗布する工程と、前述の露光装置を使用して感光剤が塗布されたガラス基板を露光する工程と、ガラス基板を現像する工程を含む。本実施形態のデバイス製造方法によれば、従来よりも高品位のデバイスを製造することができる。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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