(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
整流回路を有し、
前記整流回路は、トランジスタと、キャパシタと、入力端子と、出力端子と、を有し、
前記入力端子は、前記トランジスタのゲートと電気的に接続され、
前記入力端子は、前記トランジスタのソースまたはドレインの一方と電気的に接続され、
前記出力端子は、前記トランジスタのソースまたはドレインの他方と電気的に接続され、
前記出力端子は、前記キャパシタの電極の一方と電気的に接続され、
前記トランジスタは、酸化物半導体層を有し、
前記トランジスタは、室温において、ソースとドレインの間の電圧が３．１［Ｖ］のときにオフ電流が１０［ｚＡ／μｍ］以下であるとともに、８５℃において、ソースとドレインの間の電圧が３．１［Ｖ］のときにオフ電流が１００［ｚＡ／μｍ］以下であることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
整流回路を有し、
前記整流回路は、第１のトランジスタと、第２のトランジスタと、第１のキャパシタと、第２のキャパシタと、入力端子と、出力端子と、を有し、
前記入力端子は、前記第１のキャパシタの電極の一方と電気的に接続され、
前記第１のキャパシタの電極の他方は、前記第１のトランジスタのゲートと電気的に接続され、
前記第１のキャパシタの電極の他方は、前記第１のトランジスタのソースまたはドレインの一方と電気的に接続され、
前記第１のキャパシタの電極の他方は、前記第２のトランジスタのソースまたはドレインの一方と電気的に接続され、
前記第２のトランジスタのソースまたはドレインの他方は、前記第２のトランジスタのゲートと電気的に接続され、
前記出力端子は、前記第２のキャパシタの電極の一方と電気的に接続され、
前記出力端子は、前記第１のトランジスタのソースまたはドレインの他方と電気的に接続され、
前記第１のトランジスタ及び前記第２のトランジスタは、酸化物半導体層を有し、
前記第１のトランジスタ及び前記第２のトランジスタは、室温において、ソースとドレインの間の電圧が３．１［Ｖ］のときにオフ電流が１０［ｚＡ／μｍ］以下であるとともに、８５℃において、ソースとドレインの間の電圧が３．１［Ｖ］のときにオフ電流が１００［ｚＡ／μｍ］以下であることを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
請求項１または請求項２において、
前記酸化物半導体層中のキャリア密度は、１×１０１４／ｃｍ３未満であることを特徴とする半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
技術分野は、整流回路およびこれを用いた無線通信装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
ＲＦＩＤ（Ｒａｄｉｏ  Ｆｒｅｑｕｅｎｃｙ  ＩＤｅｎｔｉｆｉｃａｔｉｏｎ）技術を用
いた無線通信システムにおいて、データキャリアに搭載されたアンテナが、リーダ／ライ
タに搭載されたアンテナから送信される搬送波を受信すると、電磁誘導により起電力が誘
起される。そして、データキャリアに搭載された整流回路が、そこで誘起された交流電流
から直流電流を生成する。
【０００３】
データキャリアに搭載される整流回路は、一般的には、ゲートとソース又はドレインが接
続された、いわゆるダイオード接続のＭＯＳトランジスタ（以下、「トランジスタ」と記
す）により構成される。この整流回路は、搭載されたトランジスタのしきい値電圧を超え
た実効値の交流信号を、直流信号へと整流する。
【０００４】
整流回路を構成するダイオード接続のトランジスタの破壊を防ぐためには、整流しようと
する交流電圧の約３倍の逆耐電圧が必要である。ここで、データキャリアに搭載される整
流回路に入力される交流電圧の値は、リーダ／ライタのアンテナとデータキャリアのアン
テナとの距離により変化する。そのため、整流回路に入力される最大の交流電圧を考慮し
て、使用するトランジスタを選択する必要がある。
【０００５】
図２は、整流回路を構成するダイオード接続のトランジスタ（チャネル形成領域：ポリシ
リコン，オフ電流：１０−９［Ａ／μｍ］）における、逆バイアス静特性を示すグラフで
ある。なお、横軸は電圧［Ｖ］、縦軸は電流［Ａ］の値を示している。このグラフより、
このダイオード接続のトランジスタに逆方向バイアスを印加すると、−１０［Ｖ］より大
きい電圧で降伏現象が始まり、トランジスタが破壊することがわかる。
【０００６】
逆バイアス状態で流れる逆方向電流は、ダイオード接続のトランジスタのオフ電流と相関
している。そして、この逆方向電流における自由電子が、電界で加速され衝突電離を引き
起こすことにより、降伏現象が発生する。
【０００７】
したがって、整流回路を構成するダイオード接続のトランジスタとして、オフ電流の小さ
いトランジスタを適用することが、トランジスタの破壊を防ぎ、ひいては整流回路の信頼
性を高めるうえで重要である。
【０００８】
ところで、酸化物半導体をチャネル形成領域に用いたトランジスタはオフ電流が小さいこ
とが知られている。
【０００９】
非特許文献１では、酸化物半導体をチャネル形成領域に用いたトランジスタを搭載した整
流回路が提案されている。
【先行技術文献】
【非特許文献】
【００１０】
【非特許文献１】Ｓ．Ｈ．Ｃｈｏ，Ｓ．Ｗ．Ｋｉｍ，Ｄ．Ｗ．Ｉｈｍ，Ｂ．Ｓ．Ｂａｅ，Ｄ．Ｈ．Ｃｈｏ，Ｃ．Ｗ．Ｂｙｕｎ，Ｃ．Ｓ．Ｈｗａｎｇ，Ｓ．Ｈ．Ｋ．Ｐａｒｋ，”Ｏｘｉｄｅ  ＴＦＴ  Ｒｅｃｔｉｆｉｅｒ  ｗｉｔｈ  ＲＦ  Ａｎｔｅｎｎａ”，ＩＤＷ’０９，２００９，ｐｐ．１８１５−１８１７
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１１】
非特許文献１には、チャネルがＩＧＺＯ（Ｉｎｄｉｕｍ  Ｇａｌｌｉｕｍ  Ｚｉｎｃ  Ｏ
ｘｉｄｅ），オフ電流が１０−１２［Ａ／μｍ］であるトランジスタを搭載した、両波倍
電圧整流回路（非特許文献１  Ｆｉｇ．４（ａ））および半波整流回路（非特許文献１  
Ｆｉｇ．４（ｂ））が開示されている。
【００１２】
ここで、半波整流回路は、交流の半サイクルのみを整流する回路である。一方、両波倍電
圧整流回路は、半波整流回路を２組直列にした回路であり、半波整流回路で整流しなかっ
た交流の残りの半サイクルも整流する回路である。そのため、両波倍電圧整流回路の出力
は、半波整流回路の出力の約２倍となる。
【００１３】
ところが、非特許文献１の両波倍電圧整流回路（非特許文献１  Ｆｉｇ．４（ａ））によ
って、電圧振幅１０［Ｖ］の交流電圧を整流し、得られた直流電圧は約４．８［Ｖ］であ
る（非特許文献１  Ｆｉｇ．５（ａ））。また、半波整流回路（非特許文献１  Ｆｉｇ．
４（ｂ））によって、電圧振幅１０［Ｖ］の交流電圧を整流し、得られた直流電圧は約５
［Ｖ］である（非特許文献１  Ｆｉｇ．５（ｂ））。
【００１４】
この結果について、非特許文献１において、両波倍電圧整流回路（非特許文献１  Ｆｉｇ
．４（ａ））では、高抵抗のトランジスタ（酸化物半導体をチャネル形成領域に用いたト
ランジスタ）を２つ用いているため、トランジスタを１つしか用いていない半波整流回路
（非特許文献１  Ｆｉｇ．４（ｂ））よりも電圧降下が大きい、と考察している。
【００１５】
非特許文献１で開示されている酸化物半導体をチャネル形成領域に用いたトランジスタの
オフ電流は１０−１２［Ａ／μｍ］なので、ポリシリコントランジスタと比較して、逆方
向バイアス印加による破壊には強いといえる。しかし、一般的な整流回路の特性が得られ
ておらず、整流効率が犠牲になっているといえる。
【００１６】
よって、ダイオード接続の、酸化物半導体をチャネル形成領域に用いたトランジスタを適
用し、トランジスタの破壊を防ぐことにより信頼性を高め、かつ、整流効率の向上した整
流回路の提供を課題とする。
【課題を解決するための手段】
【００１７】
本発明の一態様は、トランジスタと、交流信号が入力される端子と、キャパシタと、出力
端子と、を有し、前記交流信号が入力される端子に、前記トランジスタのゲートと前記ト
ランジスタのソース又はドレインの一方が電気的に接続され、前記出力端子に、前記トラ
ンジスタのソース又はドレインの他方と前記キャパシタの第１の電極が電気的に接続され
、前記キャパシタの第２の電極に、接地電位が電気的に接続され、前記トランジスタは、
酸化物半導体をチャネル形成領域に用い、前記酸化物半導体中のキャリア密度が１×１０
１４／ｃｍ３未満である、整流回路である。
【００１８】
本発明の一態様は、トランジスタと、交流信号が入力される端子と、キャパシタと、出力
端子と、を有し、前記交流信号が入力される端子に、前記トランジスタのゲートと前記ト
ランジスタのソース又はドレインの一方が電気的に接続され、前記出力端子に、前記トラ
ンジスタのソース又はドレインの他方と前記キャパシタの第１の電極が電気的に接続され
、前記キャパシタの第２の電極に、接地電位が電気的に接続され、前記トランジスタは、
酸化物半導体をチャネル形成領域に用い、室温において、ソース−ドレイン電圧が３．１
［Ｖ］のときにオフ電流が１０［ｚＡ／μｍ］以下である、整流回路である。
【００１９】
本発明の一態様は、トランジスタと、交流信号が入力される端子と、キャパシタと、出力
端子と、を有し、前記交流信号が入力される端子に、前記トランジスタのゲートと前記ト
ランジスタのソース又はドレインの一方が電気的に接続され、前記出力端子に、前記トラ
ンジスタのソース又はドレインの他方と前記キャパシタの第１の電極が電気的に接続され
、前記キャパシタの第２の電極に、接地電位が電気的に接続される整流回路の作製方法で
あって、前記トランジスタのチャネル形成領域を第１の酸化物半導体によって形成する工
程と、前記第１の酸化物半導体に、水素と、水と、水酸基と、を除去するための第１の加
熱処理を施して第２の酸化物半導体を形成する工程と、連続して、酸素雰囲気または窒素
及び酸素を含む雰囲気で、前記第２の酸化物半導体の酸素欠損を修復するための第２の加
熱処理を施して第３の酸化物半導体を形成する工程を有し、前記トランジスタのチャネル
形成領域に前記第３の酸化物半導体を用いる、整流回路の作製方法である。
【００２０】
本発明の一態様は、第１のトランジスタと、第２のトランジスタと、交流信号が入力され
る端子と、第１のキャパシタと、第２のキャパシタと、出力端子と、を有し、前記交流信
号が入力される端子に、前記第１のキャパシタの第１の電極が電気的に接続され、前記第
１のキャパシタの第２の電極に、前記第１のトランジスタのソース又はドレインの一方と
前記第１のトランジスタのゲートと前記第２のトランジスタのソース又はドレインの一方
が電気的に接続され、前記出力端子に、前記第１のトランジスタのソース又はドレインの
他方と前記第２のキャパシタの第１の電極が電気的に接続され、前記第２のキャパシタの
第２の電極に、接地電位と前記第２のトランジスタのゲートと前記第２のトランジスタの
ソース又はドレインの他方が電気的に接続され、前記第１のトランジスタ及び前記第２の
トランジスタは、酸化物半導体をチャネル形成領域に用い、前記酸化物半導体中のキャリ
ア密度が１×１０１４／ｃｍ３未満である、整流回路である。
【００２１】
本発明の一態様は、第１のトランジスタと、第２のトランジスタと、交流信号が入力され
る端子と、第１のキャパシタと、第２のキャパシタと、出力端子と、を有し、前記交流信
号が入力される端子に、前記第１のキャパシタの第１の電極が電気的に接続され、前記第
１のキャパシタの第２の電極に、前記第１のトランジスタのソース又はドレインの一方と
前記第１のトランジスタのゲートと前記第２のトランジスタのソース又はドレインの一方
が電気的に接続され、前記出力端子に、前記第１のトランジスタのソース又はドレインの
他方と前記第２のキャパシタの第１の電極が電気的に接続され、前記第２のキャパシタの
第２の電極に、接地電位と前記第２のトランジスタのゲートと前記第２のトランジスタの
ソース又はドレインの他方が電気的に接続され、前記第１のトランジスタ及び前記第２の
トランジスタは、酸化物半導体をチャネル形成領域に用い、室温において、ソース−ドレ
イン電圧が３．１［Ｖ］のときにオフ電流が１０［ｚＡ／μｍ］以下である、整流回路で
ある。
【００２２】
本発明の一態様は、第１のトランジスタと、第２のトランジスタと、交流信号が入力され
る端子と、第１のキャパシタと、第２のキャパシタと、出力端子と、を有し、前記交流信
号が入力される端子に、前記第１のキャパシタの第１の電極が電気的に接続され、前記第
１のキャパシタの第２の電極に、前記第１のトランジスタのソース又はドレインの一方と
前記第１のトランジスタのゲートと前記第２のトランジスタのソース又はドレインの一方
が電気的に接続され、前記出力端子に、前記第１のトランジスタのソース又はドレインの
他方と前記第２のキャパシタの第１の電極が電気的に接続され、前記第２のキャパシタの
第２の電極に、接地電位と前記第２のトランジスタのゲートと前記第２のトランジスタの
ソース又はドレインの他方が電気的に接続される整流回路の作製方法であって、前記第１
のトランジスタと、前記第２のトランジスタのチャネル形成領域を第１の酸化物半導体に
よって形成する工程と、前記第１の酸化物半導体を、水素と、水と、水酸基と、を除去す
るための第１の加熱処理を施して第２の酸化物半導体を形成する工程と、連続して、酸素
雰囲気または窒素及び酸素を含む雰囲気で、前記第２の酸化物半導体の酸素欠損を修復す
るための第２の加熱処理を施して第３の酸化物半導体を形成する工程を有し、前記第１の
トランジスタ及び前記第２のトランジスタのチャネル形成領域に前記第３の酸化物半導体
を用いる、整流回路の作製方法である。
【００２３】
本発明の一態様は、トランジスタと、交流信号が入力される端子と、キャパシタと、出力
端子と、アンテナと、を有し、前記交流信号が入力される端子に、前記トランジスタのゲ
ートと前記トランジスタのソース又はドレインの一方が電気的に接続され、前記出力端子
に、前記トランジスタのソース又はドレインの他方と前記キャパシタの第１の電極が電気
的に接続され、前記キャパシタの第２の電極に、接地電位が電気的に接続され、前記交流
信号は、前記アンテナが受信した信号であり、前記トランジスタは、酸化物半導体をチャ
ネル形成領域に用い、前記酸化物半導体中のキャリア密度が１×１０１４／ｃｍ３未満で
ある、無線通信装置である。
【００２４】
本発明の一態様は、トランジスタと、交流信号が入力される端子と、キャパシタと、出力
端子と、アンテナと、を有し、前記交流信号が入力される端子に、前記トランジスタのゲ
ートと前記トランジスタのソース又はドレインの一方が電気的に接続され、前記出力端子
に、前記トランジスタのソース又はドレインの他方と前記キャパシタの第１の電極が電気
的に接続され、前記キャパシタの第２の電極に、接地電位が電気的に接続され、前記交流
信号は、前記アンテナが受信した信号であり、前記トランジスタは、酸化物半導体をチャ
ネル形成領域に用い、室温において、ソース−ドレイン電圧が３．１［Ｖ］のときにオフ
電流が１０［ｚＡ／μｍ］以下である、無線通信装置である。
【００２５】
本発明の一態様は、トランジスタと、交流信号が入力される端子と、キャパシタと、出力
端子と、アンテナと、を有し、前記交流信号が入力される端子に、前記トランジスタのゲ
ートと前記トランジスタのソース又はドレインの一方が電気的に接続され、前記出力端子
に、前記トランジスタのソース又はドレインの他方と前記キャパシタの第１の電極が電気
的に接続され、前記キャパシタの第２の電極に、接地電位が電気的に接続され、前記交流
信号は、前記アンテナが受信した信号である無線通信装置の作製方法であって、前記トラ
ンジスタのチャネル形成領域を、第１の酸化物半導体によって形成する工程と、前記第１
の酸化物半導体は、水素と、水と、水酸基と、を除去するための第１の加熱処理を施して
第２の酸化物半導体を形成する工程と、連続して、酸素雰囲気または窒素及び酸素を含む
雰囲気で、前記第２の酸化物半導体の酸素欠損を修復するための第２の加熱処理を施して
第３の酸化物半導体を形成する工程を少なくとも有する、無線通信装置の作製方法である
。
【００２６】
本発明の一態様は、第１のトランジスタと、第２のトランジスタと、交流信号が入力され
る端子と、第１のキャパシタと、第２のキャパシタと、出力端子と、アンテナと、を有し
、前記交流信号が入力される端子に、前記第１のキャパシタの第１の電極が電気的に接続
され、前記第１のキャパシタの第２の電極に、前記第１のトランジスタのソース又はドレ
インの一方と前記第１のトランジスタのゲートと前記第２のトランジスタのソース又はド
レインの一方が電気的に接続され、前記出力端子に、前記第１のトランジスタのソース又
はドレインの他方と前記第２のキャパシタの第１の電極が電気的に接続され、前記第２の
キャパシタの第２の電極に、接地電位と前記第２のトランジスタのゲートと前記第２のト
ランジスタのソース又はドレインの他方に電気的に接続され、前記交流信号は、前記アン
テナが受信した信号であり、前記第１のトランジスタ及び前記第２のトランジスタは、酸
化物半導体をチャネル形成領域に用い、前記酸化物半導体中のキャリア密度が１×１０１
４／ｃｍ３未満である、無線通信装置である。
【００２７】
本発明の一態様は、第１のトランジスタと、第２のトランジスタと、交流信号が入力され
る端子と、第１のキャパシタと、第２のキャパシタと、出力端子と、アンテナと、を有し
、前記交流信号が入力される端子に、前記第１のキャパシタの第１の電極が電気的に接続
され、前記第１のキャパシタの第２の電極に、前記第１のトランジスタのソース又はドレ
インの一方と前記第１のトランジスタのゲートと前記第２のトランジスタのソース又はド
レインの一方が電気的に接続され、前記出力端子に、前記第１のトランジスタのソース又
はドレインの他方と前記第２のキャパシタの第１の電極が電気的に接続され、前記第２の
キャパシタの第２の電極に、接地電位と前記第２のトランジスタのゲートと前記第２のト
ランジスタのソース又はドレインの他方に電気的に接続され、前記交流信号は、前記アン
テナが受信した信号であり、前記第１のトランジスタ及び前記第２のトランジスタは、酸
化物半導体をチャネル形成領域に用い、室温において、ソース−ドレイン電圧が３．１［
Ｖ］のときにオフ電流が１０［ｚＡ／μｍ］以下である、無線通信装置である。
【００２８】
本発明の一態様は、第１のトランジスタと、第２のトランジスタと、交流信号が入力され
る端子と、第１のキャパシタと、第２のキャパシタと、出力端子と、アンテナと、を有し
、前記交流信号が入力される端子に、前記第１のキャパシタの第１の電極が電気的に接続
され、前記第１のキャパシタの第２の電極に、前記第１のトランジスタのソース又はドレ
インの一方と前記第１のトランジスタのゲートと前記第２のトランジスタのソース又はド
レインの一方が電気的に接続され、前記出力端子に、前記第１のトランジスタのソース又
はドレインの他方と前記第２のキャパシタの第１の電極が電気的に接続され、前記第２の
キャパシタの第２の電極に、接地電位と前記第２のトランジスタのゲートと前記第２のト
ランジスタのソース又はドレインの他方に電気的に接続され、前記交流信号は、前記アン
テナが受信した信号である無線通信装置の作製方法であって、前記第１のトランジスタと
、前記第２のトランジスタのチャネル形成領域を第１の酸化物半導体によって形成する工
程と、前記第１の酸化物半導体を、水素と、水と、水酸基と、を除去するための第１の加
熱処理を施して第２の酸化物半導体を形成する工程と、連続して、酸素雰囲気または窒素
及び酸素を含む雰囲気で、前記第２の酸化物半導体の酸素欠損を修復するための第２の加
熱処理を施して第３の酸化物半導体を形成する工程を有し、前記第１のトランジスタ及び
前記第２のトランジスタのチャネル形成領域に前記第３の酸化物半導体を用いる、無線通
信装置の作製方法である。
【００２９】
本発明の一態様は、上記に記載の整流回路を搭載した無線通信装置である。
【発明の効果】
【００３０】
絶縁破壊が発生しにくい整流回路を提供することができる。したがって、この整流回路を
搭載した無線通信装置の寿命を、長寿命とすることができる。
【図面の簡単な説明】
【００３１】
【図１】整流回路の構成を示す回路図
【図２】整流回路に搭載されたダイオード接続のトランジスタにおける、逆バイアス静特性を示すグラフ
【図３】酸化物半導体をチャネル形成領域に用いたトランジスタの特性評価用回路図
【図４】酸化物半導体をチャネル形成領域に用いたトランジスタの特性を示す図
【図５】酸化物半導体をチャネル形成領域に用いたトランジスタの特性を示す図
【図６】酸化物半導体をチャネル形成領域に用いたトランジスタの特性を示す図
【図７】酸化物半導体をチャネル形成領域に用いたトランジスタをダイオード接続した場合の、ダイオード特性を示すグラフ
【図８】トランジスタの作製方法の一例を示す図
【図９】整流回路の入出力電圧を示すグラフ
【発明を実施するための形態】
【００３２】
（実施の形態１）
整流回路に搭載するトランジスタとして、以下に示す、高純度化および電気的にｉ型（真
性）化、または実質的にｉ型（真性）化された酸化物半導体をチャネル形成領域に用いた
トランジスタを適用する。
【００３３】
（酸化物半導体をチャネル形成領域に用いたトランジスタについて）
本明細書に開示する酸化物半導体について説明する。トランジスタに用いる酸化物半導体
は、ドナーの原因である水素、水、水酸基または水酸化物（水素化合物ともいう）などの
不純物を意図的に排除したのち、これらの不純物の排除工程において同時に減少してしま
う酸素を供給することで、高純度化および電気的にｉ型（真性）化、または実質的にｉ型
（真性）化されている。トランジスタの電気的特性の変動を抑制するためである。
【００３４】
酸化物半導体に含まれる水素を極力除去することで、酸化物半導体中のキャリア密度は、
１×１０１４／ｃｍ３未満、好ましくは１×１０１２／ｃｍ３未満、より好ましくは１×
１０１０／ｃｍ３未満となる。
【００３５】
ワイドギャップ半導体である酸化物半導体は、少数キャリア密度が低く、また、少数キャ
リアが誘起されにくい。そのため、酸化物半導体をチャネル形成領域に用いたトランジス
タにおいては、トンネル電流が発生し難く、ひいては、オフ電流が流れ難いといえる。
【００３６】
また、ワイドギャップ半導体である酸化物半導体をチャネル形成領域に用いたトランジス
タにおいては、衝突イオン化ならびにアバランシェ降伏が起きにくい。ホットキャリア劣
化の主な要因は、アバランシェ降伏によってキャリアが増大し、高速に加速されたキャリ
アがゲート絶縁膜へ注入されることである。したがって、酸化物半導体をチャネル形成領
域に用いたトランジスタは、ホットキャリア劣化への耐性があるといえる。
【００３７】
なお、本明細書においてオフ電流とは、室温において、−２０［Ｖ］以上−５［Ｖ］以下
の範囲で任意のゲート電圧を印加したときに、しきい値電圧Ｖｔｈが正であるｎチャネル
型トランジスタのソース−ドレイン間を流れる電流を指す。なお、室温とは、１５℃以上
２５℃以下の温度を指す。
【００３８】
高純度化および電気的にｉ型（真性）化、または実質的にｉ型（真性）化された酸化物半
導体をチャネル形成領域に用いたトランジスタは、室温において、チャネル幅Ｗ＝１［μ
ｍ］あたりの電流値が、１０−１６［Ａ／μｍ］以下、好ましくは１０−１８［Ａ／μｍ
］＝１［ａＡ／μｍ］（ａ：アト）以下、さらに好ましくは１０−２１［Ａ／μｍ］＝１
［ｚＡ／μｍ］（ｚ：ゼプト）以下である。
【００３９】
（オフ電流の測定結果について）
高純度化および電気的にｉ型（真性）化、または実質的にｉ型（真性）化された酸化物半
導体をチャネル形成領域に用いたトランジスタのオフ電流を測定した結果について説明す
る。
【００４０】
まず、電流測定方法に用いた特性評価用素子について、図３に基づいて説明する。図３に
示す特性評価用素子は、測定系３０が３つ並列に接続されている。測定系３０はそれぞれ
、キャパシタＣ３０，高純度化および電気的にｉ型（真性）化、または実質的にｉ型（真
性）化された酸化物半導体をチャネル形成領域に用いたトランジスタＭ３０，３１および
トランジスタＭ３２，３３から構成される。
【００４１】
トランジスタＭ３０のソースまたはドレインの一方は電圧Ｖ２を供給する電源に、接続さ
れている。トランジスタＭ３０のソースまたはドレインの他方はトランジスタＭ３１のソ
ースまたはドレインの一方に、接続されている。トランジスタＭ３０のゲートは電圧Ｖｅ
ｘｔ＿ｂ２を供給する配線に、接続されている。
【００４２】
トランジスタＭ３１のソースまたはドレインの他方は、電圧Ｖ１を供給する電源に接続さ
れている。トランジスタＭ３１のゲートは、電圧Ｖｅｘｔ＿ｂ１を供給する配線に接続さ
れている。
【００４３】
トランジスタＭ３２のソースまたはドレインの一方は、電圧Ｖ２を供給する電源に接続さ
れている。トランジスタＭ３２のソースまたはドレインの他方は、出力端子に接続されて
いる。トランジスタＭ３２のゲートは、キャパシタＣ３０の一端に接続されている。
【００４４】
トランジスタＭ３３のソースまたはドレインの一方は、出力端子に接続されている。トラ
ンジスタＭ３３のソースまたはドレインの他方は、ゲートに接続されている。
【００４５】
キャパシタＣ３０の他端は、電圧Ｖ２を供給する電源に接続されている。
【００４６】
続いて、図３に示す特性評価用素子を用いた電流測定方法について説明する。最初に、オ
フ電流を測定するために電位差を付与する初期期間について説明する。初期期間において
、トランジスタＭ３１のゲートにトランジスタＭ３１を導通状態とする電圧Ｖｅｘｔ＿ｂ
１を入力し、トランジスタＭ３１を導通状態とする。すると、トランジスタＭ３０のソー
スまたはドレインの他方と接続されるノード（つまり、トランジスタＭ３１のソースまた
はドレインの一方、キャパシタＣ３０の一端、およびトランジスタＭ３２のゲートに接続
されるノード）であるノードＡに、電圧Ｖ１が入力される。ここで、電圧Ｖ１は、高電圧
とする。また、トランジスタＭ３０は非導通状態としておく。
【００４７】
その後、トランジスタＭ３１のゲートに、トランジスタＭ３１を非導通状態とする電圧Ｖ
ｅｘｔ＿ｂ１を入力し、トランジスタＭ３１を非導通状態とする。トランジスタＭ３１を
非導通状態とした後に、電圧Ｖ１を低電圧とする。ここでも、トランジスタＭ３０は非導
通状態としておく。また、電圧Ｖ２は、電圧Ｖ１と同じく低電圧とする。
【００４８】
以上で、初期期間が終了する。初期期間が終了した状態では、ノードＡと、トランジスタ
Ｍ３０のソースまたはドレインの一方との間に、電位差が生じている。また、ノードＡと
、トランジスタＭ３１のソースまたはドレインの他方との間にも、電位差が生じている。
そのため、トランジスタＭ３０およびトランジスタＭ３１にはわずかに電荷が流れる。つ
まり、オフ電流が発生する。
【００４９】
次に、オフ電流の測定期間について説明する。測定期間において、電圧Ｖ１，Ｖ２はとも
に低電圧に固定する。また、ノードＡは、フローティング状態とする。その結果、トラン
ジスタＭ３０には電荷が流れ、時間の経過とともにノードＡに保持される電荷量は変動す
る。すなわち、ノードＡの電位が変動し、出力端子の出力電位Ｖｏｕｔも変動する。
【００５０】
続いて、得られた出力電位Ｖｏｕｔから、オフ電流を算出する方法について説明する。ノ
ードＡの電位ＶＡは、出力電位Ｖｏｕｔの関数として次の式（１）で表される。
【数１】
0006311001.tif 000002
【００５１】
また、ノードＡの電荷ＱＡは、次の式（２）で表される。
【数２】
0006311001.tif 000003
ＣＡ：ノードＡに接続される容量（キャパシタＣ３０の容量と他の容量との和）
【００５２】
ノードＡの電流ＩＡは、ノードＡに流れ込む電荷（またはノードＡから流れ出る電荷）の
時間微分により求められる。よって、ノードＡの電流ＩＡは、次の式（３）で表される。
【数３】
0006311001.tif 000004
【００５３】
以下に示す電流測定において、特性評価用素子のトランジスタＭ３０、Ｍ３１は、高純度
化および電気的にｉ型（真性）化、または実質的にｉ型（真性）化された酸化物半導体を
チャネル形成領域に用いたトランジスタである。トランジスタは、Ｗ／Ｌ＝５０／１０［
μｍ］である。また、並列された各測定系３０において、キャパシタＣ３０の容量値はそ
れぞれ、１００［ｆＦ］，１［ｐＦ］，３［ｐＦ］である。
【００５４】
また、高電圧は５Ｖ，低電圧は０Ｖとする。測定期間において、電圧Ｖ１は原則として低
電圧であるが、出力電位Ｖｏｕｔを測定するタイミングにおいて、出力回路を動作させる
必要が生じるため、１０〜３００［ｓｅｃ］ごとに、１００［ｍｓｅｃ］の期間だけ高電
圧とする。また、式（３）におけるΔｔは、約３００００［ｓｅｃ］とする。
【００５５】
図４は、電流測定に係る経過時間Ｔｉｍｅと、出力電位Ｖｏｕｔとの関係を示す図である
。これより、時間の経過にしたがって、電位が変化する様子が確認できる。
【００５６】
図５は、電流測定によって算出された室温（２５℃）におけるオフ電流を示す図である。
なお、図５は、ソース−ドレイン電圧Ｖと、オフ電流Ｉとの関係を表している。図５から
、ソース−ドレイン電圧が４［Ｖ］の条件において、オフ電流Ｉは約４０［ｚＡ／μｍ］
であることがわかる。また、ソース−ドレイン電圧が３．１［Ｖ］の条件において、オフ
電流は１０［ｚＡ／μｍ］以下であることがわかる。
【００５７】
図６は、電流測定によって算出された８５℃の温度環境下におけるオフ電流を示す図であ
る。図６は、８５℃の温度環境下におけるソース−ドレイン電圧Ｖと、オフ電流Ｉとの関
係を表している。図６から、ソース−ドレイン電圧が３．１［Ｖ］の条件において、オフ
電流は１００［ｚＡ／μｍ］以下であることがわかる。
【００５８】
（整流回路の構成について）
図１（Ａ）に示す整流回路は、トランジスタＭ１と、交流信号が入力される端子１０と、
キャパシタＣ１と、出力端子１１と、を有している。交流信号が入力される端子１０に、
トランジスタＭ１のゲートとトランジスタＭ１のソース又はドレインの一方が電気的に接
続されている。出力端子１１に、トランジスタＭ１のソース又はドレインの他方とキャパ
シタＣ１の第１の電極が電気的に接続されている。キャパシタＣ１の第２の電極に、接地
電位が電気的に接続された構成である。
【００５９】
整流回路は、端子１０から入力された交流信号を整流し、端子１１から直流信号を出力す
る。この整流回路は、高純度化および電気的にｉ型（真性）化、または実質的にｉ型（真
性）化された酸化物半導体をチャネル形成領域に用いた、ダイオード接続のトランジスタ
Ｍ１およびキャパシタＣ１から構成されている。
【００６０】
なお、図１において、酸化物半導体をチャネル形成領域に用いたトランジスタであること
を明確にするためにトランジスタを示す回路図記号には”ＯＳ”の文字を付している。
【００６１】
図１（Ｂ）に示す整流回路は、第１のトランジスタＭ３と、第２のトランジスタＭ２と、
交流信号が入力される端子１０と、第１のキャパシタＣ２と、第２のキャパシタＣ３と、
出力端子１１と、を有している。交流信号が入力される端子１０に、キャパシタＣ２の第
１の電極が電気的に接続されている。キャパシタＣ２の第２の電極に、トランジスタＭ３
のソース又はドレインの一方とトランジスタＭ３のゲートとトランジスタＭ２のソース又
はドレインの一方が電気的に接続されている。出力端子１１に、トランジスタＭ３のソー
ス又はドレインの他方とキャパシタＣ３の第１の電極が電気的に接続されている。キャパ
シタＣ３の第２の電極に、接地電位とトランジスタＭ２のゲートとトランジスタＭ２のソ
ース又はドレインの他方が電気的に接続された構成である。
【００６２】
整流回路は、端子１０から入力された交流信号を整流し、端子１１から直流信号を出力す
る。この整流回路は、高純度化および電気的にｉ型（真性）化、または実質的にｉ型（真
性）化された酸化物半導体をチャネル形成領域に用いた、ダイオード接続のトランジスタ
Ｍ２，Ｍ３およびキャパシタＣ２，Ｃ３から構成されている。
【００６３】
図７は、高純度化および電気的にｉ型（真性）化、または実質的にｉ型（真性）化された
酸化物半導体をチャネル形成領域に用いたトランジスタをダイオード接続した場合の、ダ
イオード特性を示すグラフである。このグラフより、−３０［Ｖ］の逆バイアス電圧を印
加しても、降伏現象が発生せず、トランジスタが破壊しないことがわかる。
【００６４】
また、整流回路における電力損失Ｐは、次の式（４）で表される。
【数４】
0006311001.tif 000005
Ｉ：電流，ＲＤＳ（ＯＮ）：トランジスタのオン抵抗
【００６５】
式（４）より、トランジスタのオン抵抗が高いほど（オン電流が低いほど）、整流回路に
おける電力損失は増加することがわかる。
【００６６】
ここで、飽和特性領域におけるトランジスタのドレイン電流ＩＤＳは、次の式（５）で表
される。
【数５】
0006311001.tif 000006
μ：移動度，Ｃ：ゲート酸化膜の単位面積のキャパシタンス，Ｗ：チャネル幅，ＶＧ：ゲ
ート電圧，ＶＴＨ：しきい値電圧，Ｌ：チャネル長
【００６７】
式（５）より、トランジスタのオン電流を高くするためには、次の第１乃至第３の条件を
満たせばよいことがわかる。第１の条件は、移動度μを向上させる。第２の条件は、チャ
ネル長Ｌを短くする。第３の条件は、チャネル幅Ｗを大きくする。
【００６８】
つまり、電力損失を低減するための手段のひとつとして、トランジスタのチャネル幅Ｗを
大きくし、オン電流を高めることが挙げられる。ところが、チャネル幅Ｗの値はオフ電流
の値にも相関するため、その大きさには限度がある。先述のとおり、オフ電流が大きいト
ランジスタを整流回路に用いると、降伏現象や発熱により絶縁破壊が生じる可能性が高ま
るためである。
【００６９】
ここで、高純度化および電気的にｉ型（真性）化、または実質的にｉ型（真性）化された
酸化物半導体をチャネル形成領域に用いたトランジスタは、室温において、ソース−ドレ
イン電圧が３．１［Ｖ］のときにオフ電流が１０［ｚＡ／μｍ］以下である。
【００７０】
例えば、このトランジスタのチャネル幅Ｗを大きくすることで、オン電流を３桁高めたと
する。このとき、オフ電流も３桁高まるが、それでもオフ電流は１０−１８［Ａ／μｍ］
以下である。ポリシリコンをチャネル形成領域に用いたトランジスタのオフ電流１０−９
［Ａ／μｍ］と比較して値が小さく、このトランジスタは破壊しにくいといえる。
【００７１】
したがって、高純度化および電気的にｉ型（真性）化、または実質的にｉ型（真性）化さ
れた酸化物半導体をチャネル形成領域に用いたトランジスタを整流回路に搭載することに
より、電力損失が少ない、すなわち整流効率に優れ、かつ、絶縁破壊が発生しにくい整流
回路を提供することができるといえる。
【００７２】
（実施の形態２）
高純度化および電気的にｉ型（真性）化、または実質的にｉ型（真性）化された酸化物半
導体をチャネル形成領域に用いたトランジスタの作製方法の一例について、図８に基づい
て説明する。
【００７３】
まず、基板１００上に下地膜となる絶縁層１０１を形成する。絶縁層１０１は、処理室内
の残留水分を除去しつつ成膜するとよい。絶縁層１０１に水素、水、水酸基または水酸化
物などが含まれないようにするためである。
【００７４】
次に、絶縁層１０１上に、酸化物半導体層をスパッタリング法により成膜する。なお、酸
化物半導体層の成膜前に、絶縁層１０１が形成された基板１００を予備加熱するとよい。
酸化物半導体層に、水素、水および水酸基が極力含まれないようにするためである。予備
加熱により、基板１００に吸着した水素、水などの不純物は脱離し、排気される。
【００７５】
酸化物半導体層のターゲットとしては、酸化亜鉛を主成分とする金属酸化物のターゲット
を用いることができる。例えば、組成比として、Ｉｎ２Ｏ３：Ｇａ２Ｏ３：ＺｎＯ＝１：
１：１、すなわち、Ｉｎ：Ｇａ：Ｚｎ＝１：１：０．５のターゲットを用いることができ
る。これ以外にも、Ｉｎ：Ｇａ：Ｚｎ＝１：１：１またはＩｎ：Ｇａ：Ｚｎ＝１：１：２
の組成比を有するターゲットを用いることもできる。
【００７６】
その他、Ｉｎ−Ｓｎ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ，Ｉｎ−Ｓｎ−Ｚｎ−Ｏ，Ｉｎ−Ａｌ−Ｚｎ−Ｏ，
Ｓｎ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ，Ａｌ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ，Ｓｎ−Ａｌ−Ｚｎ−Ｏ，Ｉｎ−Ｚｎ−Ｏ
，Ｓｎ−Ｚｎ−Ｏ，Ａｌ−Ｚｎ−Ｏ，Ｚｎ−Ｍｇ−Ｏ，Ｓｎ−Ｍｇ−Ｏ，Ｉｎ−Ｍｇ−Ｏ
，Ｉｎ−Ｏ，Ｓｎ−Ｏ，Ｚｎ−Ｏなどの金属酸化物をターゲットとして用いることができ
る。
【００７７】
また、酸化物半導体層として、ＩｎＭＯ３（ＺｎＯ）ｍ（ｍ＞０、且つｍは非自然数）で
表記される薄膜を用いることもできる。ここで、Ｍは、Ｇａ、Ａｌ、ＭｎおよびＣｏから
選ばれた１または複数の金属元素である。例えば、Ｍとして、Ｇａ、ＧａおよびＡｌ、Ｇ
ａおよびＭｎ、もしくはＧａおよびＣｏが挙げられる。
【００７８】
成膜した酸化物半導体層は、第１のフォトリソグラフィ工程により島状の酸化物半導体層
１０２に加工される（図８（Ａ）参照）。その後、酸化物半導体層１０２から水素、水、
および水酸基等を除去するために、基板を電気炉に導入し、加熱処理する。この加熱処理
は、酸化物半導体層１０２に対する脱水化、脱水素化の効果を奏する。
【００７９】
この加熱処理の温度は、４００℃以上７５０℃以下、好ましくは４００℃以上基板の歪み
点未満とする。また、この加熱処理の雰囲気は、水、水素などが含まれないようにする。
【００８０】
この加熱処理の後、連続して酸素雰囲気または窒素および酸素を含む雰囲気（例えば、窒
素：酸素の体積比＝４：１）で酸化物半導体層１０２を加熱処理するとよい。酸化物半導
体層１０２中に生じた酸素欠損を修復するためである。
【００８１】
その後、絶縁層１０１および酸化物半導体層１０２上に、第１の電極１０３ａおよび第２
の電極１０３ｂを形成する（図８（Ｂ）参照）。第１の電極１０３ａは、ソース電極およ
びドレイン電極の一方として機能する。第２の電極１０３ｂは、ソース電極およびドレイ
ン電極の他方として機能する。
【００８２】
次に、絶縁層１０１，酸化物半導体層１０２，第１の電極１０３ａおよび第２の電極１０
３ｂ上にゲート絶縁層１０４を形成する（図８（Ｃ）参照）。なお、ゲート絶縁層１０４
の成膜雰囲気には、水素が含まれないようにするとよい。
【００８３】
続いて、ゲート絶縁層１０４の一部を除去することにより、第１の電極１０３ａ，第２の
電極１０３ｂに達する開口１０５ａ，１０５ｂを形成する（図８（Ｄ）参照）。
【００８４】
そして、ゲート絶縁層１０４および開口１０５ａ，１０５ｂ上に、ゲート電極１０６，第
１の配線１０７ａおよび第２の配線１０７ｂを形成する（図８（Ｅ）参照）。
【００８５】
以上のように、高純度化および電気的にｉ型（真性）化、または実質的にｉ型（真性）化
された酸化物半導体をチャネル形成領域に用いたトランジスタを作製することができる。
【実施例１】
【００８６】
図９（Ａ）は、図１（Ａ）に示す半波整流回路に入力された交流電圧と、これを整流し、
出力された直流電圧を示す測定データである。
【００８７】
図１（Ａ）における、トランジスタＭ１のサイズは、Ｗ／Ｌ＝５０００／５［μｍ］であ
る。また、キャパシタＣ１の容量値は、３００［ｐＦ］である。
【００８８】
グラフ９０は、入力された交流電圧のグラフである。電圧振幅は、約１０［Ｖ］である。
グラフ９１は、出力された直流電圧のグラフである。グラフ９１においてリップルは小さ
く、また、平均値３．９１［Ｖ］が得られている。
【００８９】
図９（Ｂ）は、図１（Ｂ）に示す半波２倍圧整流回路に入力された交流電圧と、これを整
流し、出力された直流電圧を示す測定データである。
【００９０】
図１（Ｂ）における、トランジスタＭ２，Ｍ３のサイズは、それぞれＷ／Ｌ＝５０００／
５［μｍ］である。また、キャパシタＣ２，Ｃ３の容量値は、それぞれ３００［ｐＦ］で
ある。
【００９１】
グラフ９２は、入力された交流電圧のグラフである。電圧振幅は、約１０［Ｖ］である。
グラフ９３は、出力された直流電圧のグラフである。グラフ９３において、リップルは小
さく、また、平均値６．８０［Ｖ］が得られている。
【００９２】
このように、高純度化および電気的にｉ型（真性）化、または実質的にｉ型（真性）化さ
れた酸化物半導体をチャネル形成領域に用いたトランジスタによって整流回路を構成する
ことにより、電力損失が少なく、リップルが低減された品質の高い直流電流を得ることが
できる。すなわち、整流回路の整流効率を向上させることができるといえる。
【符号の説明】
【００９３】
１０  端子
１１  端子
Ｍ１  酸化物半導体をチャネル形成領域に用いたトランジスタ
Ｍ２  酸化物半導体をチャネル形成領域に用いたトランジスタ
Ｍ３  酸化物半導体をチャネル形成領域に用いたトランジスタ
Ｃ１  キャパシタ
Ｃ２  キャパシタ
Ｃ３  キャパシタ
３０  測定系
Ｃ３０  キャパシタ
Ｍ３０  高純度化および電気的にｉ型（真性）化、または実質的にｉ型（真性）化された
酸化物半導体をチャネル形成領域に用いたトランジスタ
Ｍ３１  高純度化および電気的にｉ型（真性）化、または実質的にｉ型（真性）化された
酸化物半導体をチャネル形成領域に用いたトランジスタ
Ｍ３２  トランジスタ
Ｍ３３  トランジスタ
１００  基板
１０１  絶縁層
１０２  酸化物半導体層
１０３ａ  第１の電極
１０３ｂ  第２の電極
１０４  ゲート絶縁層
１０５ａ  開口
１０５ｂ  開口
１０６  ゲート電極
１０７ａ  第１の配線
１０７ｂ  第２の配線
【図１】
0006311001.tif 000007
【図２】
0006311001.tif 000008
【図３】
0006311001.tif 000009
【図４】
0006311001.tif 000010
【図５】
0006311001.tif 000011
【図６】
0006311001.tif 000012
【図７】
0006311001.tif 000013
【図８】
0006311001.tif 000014
【図９】
0006311001.tif 000015