(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体ウェハの清浄装置であって、第一支持ユニット、移動可能なユニット、第二支持ユニット、第三支持ユニット及び複数個の間隔支持柱を含み、
前記第一支持ユニットは第一支持板と複数本の第一支持棒を含み、各第一支持棒は第一溝を１つずつ含み、かつ該第一溝が前記第一支持棒の縦方向に沿って当該第一支持棒の内側に凹設されたことにより、前記第一支持板の辺縁の位置を決めるとともに該第一支持板を強化し、
前記移動可能なユニットは前記第一支持ユニットに支持され、該移動可能なユニットは、前記第一支持板上に取り付けられる駆動ユニットと、該駆動ユニットの上部に取り付けられる第二支持板と、該第二支持板上に取り付けられる第一キャビティとを含み、
前記第二支持ユニットは前記第一支持ユニットと対向し、該第二支持ユニットは、第二キャビティ、該第二キャビティの位置を決めるための第一貫通孔が形成された第三支持板及び複数本の第二支持棒を含み、各第二支持棒は第二溝を１つずつ含み、かつ該第二溝が前記第二支持棒の縦方向に沿って当該第二支持棒の内側に凹設されたことにより、前記第三支持板の辺縁の位置を決めるとともに該第三支持板を強化し、
前記第三支持ユニットは、自体の構造によって圧力を前記第二キャビティに与えることにより、該第二キャビティが水平状態をなるようにこの位置を決め、前記第三支持ユニットは、前記第二キャビティに圧力を与えるボルトまたは移動用部品を具備する第四支持板と複数本の第三支持棒とを含み、各第三支持棒は第三溝を１つずつ含み、かつ該第三溝が前記第三支持棒の縦方向に沿って当該第三支持棒の内側に凹設されたことにより、前記第四支持板の辺縁の位置を決めるとともに該第四支持板を強化し、
前記複数個の間隔支持柱は、前記第一支持板の位置を決める第一支持棒と前記第三支持板の位置を決める第二支持棒との間に設けられ、各間隔支持柱は、所定の第一支持棒、所定の第二支持棒及び所定の第三支持棒に連結され、
前記第一キャビティと前記第二キャビティが所定の構造を有していることにより、該第一キャビティと前記第二キャビティが接触するとき、前記半導体ウェハを処理するためのマイクロ処理室が形成される半導体ウェハの清浄装置。
【請求項２】
各第一支持棒は溶接または第一連結構造によって所定の間隔支持柱の一端に連結され、各第二支持棒は溶接または第二連結構造によって前記一端と対向する所定の間隔支持柱の反対端に連結され、各第三支持棒は溶接または第三連結構造によって所定の第二支持棒に連結される請求項１に記載の半導体ウェハの清浄装置。
【請求項３】
前記第一、第二及び第三連結構造は棒体またはボルトである請求項２に記載の半導体ウェハの清浄装置。
【請求項４】
前記第一支持ユニットは前記第一支持板上に取り付けられる第一安全リンクを更に含み、前記移動可能なユニットは前記第二支持板上に取り付けられる第二安全リンクを更に含み、該第二安全リンクと前記第一安全リンクが接触することによりキャビティが形成され、前記駆動ユニットは該キャビティ内に設けられる請求項１に記載の半導体ウェハの清浄装置。
【請求項５】
前記駆動ユニットは、一個または複数個のエアバック、機械式位置決め装置または気体式位置決め装置を含む請求項１に記載の半導体ウェハの清浄装置。
【請求項６】
前記第一支持板は、前記駆動ユニットまたは他の部分の位置を決めるための一個または複数個の孔を含む請求項１に記載の半導体ウェハの清浄装置。
【請求項７】
前記他の部分は真空ポンプを含む請求項６に記載の半導体ウェハの清浄装置。
【請求項８】
前記移動可能なユニットは前記第二支持板上に取り付けられた第一ケースを更に含み、前記第二キャビティは前記第一ケース内に取り付けられる請求項１に記載の半導体ウェハの清浄装置。
【請求項９】
第一ケースは傾斜の底面を具備し、該傾斜の底面の構造により漏出した流体が前記第一ケースの最も下部へ流れるようにガイドする請求項７に記載の半導体ウェハの清浄装置。
【請求項１０】
第一ケースの最も下部に設けられる漏出検出センサーを更に含む請求項７に記載の半導体ウェハの清浄装置。
【請求項１１】
第一ケースには排出孔が形成されており、マイクロ処理室から漏出した流体は前記排出孔によって前記第一ケースから排出されることができる請求項７に記載の半導体ウェハの清浄装置。
【請求項１２】
前記第二支持ユニットは第二ケースを更に含み、該第二ケースは前記第三支持板上に形成された第二貫通孔を具備し、該第二貫通孔と前記第一貫通孔とが合うことにより、前記第二キャビティは前記第一貫通孔と前記第二貫通孔によって前記第三支持板に着くことができる請求項１に記載の半導体ウェハの清浄装置。
【請求項１３】
各間隔支持柱は前記移動可能なユニットの移動をガイドするレールを更に含む請求項１に記載の半導体ウェハの清浄装置。
【請求項１４】
前記移動可能なユニットは該移動可能なユニットの移動をガイドするガイド部品を更に含む請求項１に記載の半導体ウェハの清浄装置。
【請求項１５】
ガイド部品は複数個のローラーを含み、各ローラーは前記第二支持板の隅部または辺縁に取り付けられるか或いは第一ケースの隅部または辺縁に取り付けられる請求項１４に記載の半導体ウェハの清浄装置。
【請求項１６】
各第一支持棒は該第一支持棒の端面に凹設された第四溝を更に含み、第四溝の構造により、道具のカバーの周辺は第四溝の内部に収納固定されることができる請求項１に記載の半導体ウェハの清浄装置。
【請求項１７】
前記第一キャビティと前記第二キャビティは一個または複数個の排出孔を含み、流体は一個または複数個の排出孔によって前記マイクロ処理室から排出される請求項１に記載の半導体ウェハの清浄装置。
【請求項１８】
前記第一キャビティと前記第二キャビティは一個または複数個の注入孔を含み、一個または複数個の注入孔によって流体を前記マイクロ処理室に注入する請求項１に記載の半導体ウェハの清浄装置。
【請求項１９】
前記第三支持ユニットが一個または複数個の圧力均等化板を更に含むことにより、前記第四支持板の前記複数個のボルトまたは移動可能な部品上に形成される点圧力を均等化する請求項１に記載の半導体ウェハの清浄装置。
【請求項２０】
前記第一支持棒、第二支持棒及び第三支持棒はステンレスまたは高強度のアルミ合金で製作される請求項１に記載の半導体ウェハの清浄装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
［関連出願への相互参照］
この出願は、出願番号が１４／１４５，８８２であり、出願日が２０１３年１２月３１日であり、発明の名称が"半導体ウェハの清浄装置"である米国特許出願の優先権を主張し、該米国特許出願の全内容を本願に採用する。
【０００２】
本発明は、精密な表面の化学処理に関するものであり、特に半導体ウェハを清浄する装置に関するものである。
【背景技術】
【０００３】
半導体ウェハは集積回路（ＩＣ）の基板として広く応用されている。多数の処理ステップが行われた後と高温の操作が行われる前とにウェハの清浄をしなければならないので、ウェハの清浄はＩＣ製造の過程で最も頻繁なステップになっている。ウェハの表面の超清潔を獲得する方法には大きく以下の二種がある。１つは例えば浸漬及び噴霧技術のような湿式清浄工程であり、他の１つは例えば化学的蒸気及びプラズマによる乾式清浄工程である。湿式清浄方法は、過去３０年間有効に使用してきた経験があり、かつ液体溶液の固有の特性によって金属及び顆粒を有効に除去することができるので、注目を集めている。湿式清浄方法は通常、適当な化学溶液でウェハを浸漬するか或いはウェハに対して噴霧をするステップを含む。
【０００４】
限界寸法が小さくなるとともにウェハのサイズが増加することにより、新しい清浄及び乾燥技術に対する要求が益々強まっている。現在のプログラム駆動技術を研究してみると、これは、高移動チャネルに用いられる材料／基板と、アップ式ソース／トレインに用いられる延伸ＳｉＧｅ、コンデンサーに用いられる新材料及び多量のフォトレジストの除去方法と、装置に影響を与えない顆粒の除去方法と、化学機械研磨用いられる二酸化セリウムのプラズマと、エッチング、清浄及び乾燥時縦横比を増加させる接触部品と他の部品に用いられる事項と、ＥＳＨとＣＯＯ効果によって化学品と水の使用量を減少させる事項とを含む。
【０００５】
公告日が２０１１年５月１０日であり、発明者が本願の発明者である米国特許第7,938,906号には、半導体ウェハの湿式清浄に用いられる新規装置に記載されている。米国特許第7,938,906号の事項を本願に採用する。
【０００６】
米国特許第7,938,906号にはマイクロ処理室を具備する装置が記載されており、該マイクロ処理室は半導体ウェハを収納して処理する。上キャビティと下キャビティで構成されたマイクロ処理室が開放されるとき、半導体ウェハを投入するか或いは取り出すことができ、マイクロ処理室が閉鎖されるとき、化学薬品または他の流体をキャビティに入れることにより半導体ウェハに対する処理を行うことができる。上移動可能な部品と下移動可能な部品が相対的に移動することにより、前記開放と閉鎖を実現することができる。
【０００７】
米国特許第7,938,906号において、４本の支持柱が下移動可能な部品の下部板の各隅部から上移動可能な部品の上部板まで延伸していることにより、装置の上移動可能な部品と下移動可能な部品を一体に結合させ、かつ移動部品が４本の支持柱に沿って上方向または下方向へ移動することにより、マイクロ処理室を開放状態または閉鎖状態にすることができる。しかしながら、前記構造を有していることにより、米国特許第7,938,906号の装置を特定の分野に使用することができない。第一、支持柱の構造によってマイクロ処理室の特定の三次元移動を実現することができない。第二、キャビティのサイズが大きいとき、上キャビティと下キャビティの板体が容易に変形することができる。変形は、上キャビティと下キャビティが閉鎖される時形成されるキャビティの内部空間の形状とサイズに影響を与えるので、想像できない処理結果がでるおそれがある。第三、従来の技術で支持柱と板体及びケース形成された孔とを精密に加工することができないので、部品の間の良好な結合を獲得することができない。第四、処理過程において、移動部品が支持柱に沿って移動する時の摩擦により顆粒が形成されるおそれがある。顆粒は処理の汚染物になる。周知のように、半導体の製造工程において、汚染物である顆粒は通常処理システムの内部で形成される。したがって、装置を改良することにより、モジュールの製造を簡素化し、設備のモジュールの移動によって形成される汚染物を減少させる必要がある。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
本発明は半導体ウェハの清浄装置を提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明の一実施例の半導体ウェハの清浄装置は、第一支持ユニット、移動可能なユニット、第二支持ユニット、第三支持ユニット及び複数個の間隔支持柱を含む。前記第一支持ユニットは第一支持板と複数本の第一支持棒を含み、各第一支持棒は第一溝を１つずつ含み、かつ該第一溝が前記第一支持棒の縦方向に沿って当該第一支持棒の内側に凹設されたことにより、前記第一支持板の辺縁の位置を決めるとともに該第一支持板を強化する。前記移動可能なユニットは前記第一支持ユニットに支持され、該移動可能なユニットは、前記第一支持板上に取り付けられる駆動ユニットと、該駆動ユニットの上部に取り付けられる第二支持板と、該第二支持板上に取り付けられる第一キャビティとを含む。前記第二支持ユニットは前記第一支持ユニットと対向し、該第二支持ユニットは、第二キャビティ、該第二キャビティの位置を決めるための第一貫通孔が形成された第三支持板及び複数本の第二支持棒を含み、各第二支持棒は第二溝を１つずつ含み、かつ該第二溝が前記第二支持棒の縦方向に沿って当該第二支持棒の内側に凹設されたことにより、前記第三支持板の辺縁の位置を決めるとともに該第三支持板を強化する。前記第三支持ユニットは、自身の構造によって圧力を前記第二キャビティに与えることにより、該第二キャビティが水平状態をなるようにこの位置を決め、前記第三支持ユニットは、前記第二キャビティに圧力を与えるボルトまたは移動用部品を具備する第四支持板と複数本の第三支持棒とを含み、各第三支持棒は第三溝を１つずつ含み、かつ該第三溝が前記第三支持棒の縦方向に沿って当該第三支持棒の内側に凹設されたことにより、前記第四支持板の辺縁の位置を決めるとともに該第四支持板を強化する。前記複数個の間隔支持柱は、前記第一支持板の位置を決める第一支持棒と前記第三支持板の位置を決める第二支持棒との間に設けられ、各間隔支持柱は、所定の第一支持棒、書体の第二支持棒及び所定の第三支持棒に連結される。前記第一キャビティと前記第二キャビティが所定の構造を有していることにより、該第一キャビティと前記第二キャビティが接触するとき、前記半導体ウェハを処理するためのマイクロ処理室が形成される。
【００１０】
本発明の一実施例において、各第一支持棒は溶接または第一連結構造によって所定の間隔支持柱の一端に連結される。各第二支持棒は溶接または第二連結構造によって前記一端と対向する所定の間隔支持柱の反対端に連結される。各第三支持棒は溶接または第三連結構造によって所定の第二支持棒に連結される。
【００１１】
本発明の一実施例において、前記第一、第二及び第三連結構造は棒体またはボルトである。
【００１２】
本発明の一実施例において、前記第一支持ユニットは前記第一支持板上に取り付けられる第一安全リンクを更に含む。前記移動可能なユニットは前記第二支持板上に取り付けられる第二安全リンクを更に含む。該第二安全リンクと前記第一安全リンクが接触することによりキャビティが形成され、前記駆動ユニットは該キャビティ内に設けられる。
【００１３】
本発明の一実施例において、前記駆動ユニットは、一個または複数個のエアバック、機械式位置決め装置または気体式位置決め装置を含む。
【００１４】
本発明の一実施例において、前記第一支持板は、前記駆動ユニットまたは他の部分の位置を決めるための一個または複数個の孔を含む。
【００１５】
本発明の一実施例において、前記他の部分は真空ポンプを含む。
【００１６】
本発明の一実施例において、前記移動可能なユニットは前記第二支持板上に取り付けられた第一ケースを更に含み、前記第二キャビティは前記第一ケース内に取り付けられる。
【００１７】
本発明の一実施例において、前記第一ケースは傾斜の底面を具備し、該傾斜の底面の構造により漏出した流体が前記第一ケースの最も下部へ流れるようにガイドする。
【００１８】
本発明の一実施例において、前記第一ケースの最も下部に設けられる漏出検出センサーを更に含む。
【００１９】
本発明の一実施例において、前記第一ケースには排出孔が形成されており、マイクロ処理室から漏出した流体は前記排出孔によって前記下ケースから排出されることができる。
【００２０】
本発明の一実施例において、前記第二支持ユニットは第二ケースを更に含み、該第二ケースは前記第三支持板上に形成された第二貫通孔を具備し、該第二貫通孔と前記第一貫通孔とが合うことにより、前記第二キャビティは前記第一貫通孔と前記第二貫通孔によって前記第三支持板に着くことができる。
【００２１】
本発明の一実施例において、各間隔支持柱は前記移動可能なユニットの移動をガイドするレールを更に含む。
【００２２】
本発明の一実施例において、前記移動可能なユニットは該移動可能なユニットの移動をガイドするガイド部品を更に含む。
【００２３】
本発明の一実施例において、前記ガイド部品は複数個のローラーを含み、各ローラーは前記第二支持板の隅部または辺縁に取り付けられるか或いは前記第一ケースの隅部または辺縁に取り付けられる。
【００２４】
本発明の一実施例において、各第一支持棒は該第一支持棒の端面に凹設された第四溝を更に含み、第四溝の構造により、道具のカバーの周辺は第四溝の内部に収納固定されることができる。
【００２５】
本発明の一実施例において、前記第一キャビティと前記第二キャビティは一個または複数個の排出孔を含み、流体は一個または複数個の排出孔によって前記マイクロ処理室から排出される。
【００２６】
本発明の一実施例において、前記第一キャビティと前記第二キャビティは一個または複数個の注入孔を含み、一個または複数個の注入孔によって流体を前記マイクロ処理室に注入する。
【００２７】
本発明の一実施例において、前記第三支持ユニットが一個または複数個の圧力均等化板を更に含むことにより、前記第四支持板の前記複数個のボルトまたは移動可能な部品上に形成される点圧力を均等化する。
【００２８】
本発明の一実施例において、前記第一支持棒、第二支持棒及び第三支持棒はステンレスまたは高強度のアルミ合金で製作される。
【図面の簡単な説明】
【００２９】
添付された図面により本発明の事項をより詳細に理解することができる。図面は、明細書の事項をより詳細に示すためのものであり、かつ明細書の一部分になる。図面と本発明の実施例により本発明の原理を詳細に説明することができる。図面は、実物の比例によって書かれず、本発明の事項をよく示せる比例にかかれている。
【図１】本発明の実施例に係る半導体ウェハの清浄装置を示す側面図である。
【図２】図１の半導体ウェハの清浄装置を示す分解側面図である。
【図３】所定の方向に見た図１の半導体ウェハの清浄装置を示す分解斜視図である。
【図４】他の方向に見た図１の半導体ウェハの清浄装置を示す分解斜視図である。
【発明を実施するための形態】
【００３０】
図１〜図４は本発明の半導体ウェハの清浄装置１００を示す概略図である。図１は半導体ウェハの清浄装置１００を示す側面図である。図２は半導体ウェハの清浄装置１００を示す分解側面図である。図１と図２を参照すると、前記半導体ウェハの清浄装置１００は、底部支持ユニット１１０、移動可能なユニット１２０、上キャビティ支持ユニット１４０及び上部支持ユニット１６０を含む。底部支持ユニット１１０は自体の構造によって移動可能なユニット１２０を支持し、移動可能なユニット１２０に支持された第一キャビティと上キャビティ支持ユニット１４０に支持された第二キャビティとの間には、構造の湿式清浄をするための完全密閉／開放の空間が形成され、すべての部品は底部支持ユニット１１０と上部支持ユニット１６０との間に収納される。
【００３１】
図３と図４はそれぞれ、所定の方向に見た半導体ウェハの清浄装置１００を示す斜視図と他の方向に見た半導体ウェハの清浄装置１００を示す斜視図である。図３と図４を参照すると、前記底部支持ユニット１１０は少なくとも、底部支持板１１２、下安全リンク１１４及び４本の下支持棒１０２を含む。底部支持板１１２は、高強度の材料、例えばステンレスまたは高強度のアルミ合金で製作される。これは、底部支持板がキャビティの密閉状態を維持するための圧力を受けるからである。底部支持板１１２には、位置決めのためエアバック１１６と他の部品（例えば真空ポンプ）を底部支持板１１２上に固定させるための孔部が形成されている。４本の下支持棒１０２は底部支持板１１２の辺縁を支持し、該底部支持板１１２は清浄工程をするとき最大圧力に耐えることができる。下支持棒１０２は下支持棒１０２の内側に縦方向に凹設された溝１０３を含み、該底部支持板１１２は溝１０３の内部まで滑動することができる。底部支持板１１２の辺縁の厚さは設計によって溝１０３に結合されることができ、底部支持板１１２の位置は下支持棒１０２によって決められる。下支持棒１０２は下支持棒１０２の端部に設けられる溝１０１を更に含む。道具のカバー（図示せず）は、溝１０１の内部まで滑動するとともに溝１０１の内部に収納固定されることができる。下安全リンク１１４でエアバック１１６を覆うことによりエアバックの安全と清潔を保つ。
【００３２】
移動可能なユニット１２０は、上安全リンク１２４、下支持板１２６、下ケース１２８及び下キャビティ１３０を含む。下キャビティ１３０はマイクロ処理室の下作業面と下内周面を画定する。底部支持板１１２の上部に取り付けられるエアバック１１６、或いは他の市販装置例えば機械式位置決め装置または気体式位置決め装置により、移動可能なユニット１２０を上方向また下方向に移動させることができる。一個以上のエアバックを使用するとき、異なる方向の移動を獲得することができる。例えば、四個のエアバックを使用するとき、エアバックの制御システムにより、すなわちパソコンの制御により各エアバックへの空気注入と空気放出を制御し、かつ四個のエアバックの移動を総合的に制御することにより、色々な移動、例えば波動のような移動を獲得することができる。移動可能なユニット１２０の移動は、下支持板１２６の隅部または辺縁に取り付けられるか或いは下ケース１２８の隅部または辺縁に取り付けられるローラーまたはレールにガイドされる。これらのレールは間隔支持柱１０８上に凹設され、該支持柱１０８は底部支持板１１２の位置を決める下支持棒１０２と上支持板１４２の位置を決める上支持棒１０４との間に設けられる。他の従来の技術を採用することにより、移動可能なユニット１２０の移動を獲得することもできる。上安全リンク１２４と下安全リンク１１４でエアバック１１６を覆うことによりエアバックの安全と清潔を保つ。清浄工程を実施するとき使用される流体により、下ケース１２８の材料を選択することができる。下ケース１２８は、下支持板１２６の頂上に取り付けられ、かつ下キャビティ１３０の位置を決めるとともに下キャビティ１３０に漏出した流体を収集する。下ケース１２８を任意の形状に加工することができるが、上述した機能を奏することができない形状であればならない。下ケース１２８は傾斜の底面を具備する。流体が下キャビティ１３０と上キャビティ１５０に漏出するとき、漏出した液体は、下ケース１２８の下部に収集され、かつ下ケース１２８の最も下部に設けられる漏出検出センサーを起動させることができる。これにより、装置が警報を鳴らすとともに流体の流動を止めることができる。下ケース１２８に排出孔が更に形成されていることにより、漏出してきた流体を下ケース１２８から排出することができ、かつ漏出検出センサーが壊れるとき流体が下ケースから溢れることを防止することができる。清浄工程を実施するとき使用される流体により、下キャビティ１３０の材料を選択することができる。下キャビティの材料は、使用される流体に対して良好な耐化学性を有さなければならない。清浄工程を実施するときの目的により、下キャビティ１３０の構造を設けることができる。下キャビティ１３０は通常、良好な安全性、高効率性及び低コスト性を有さなければならない。本発明において、下キャビティ１３０が覆われていない構造を採用する。
【００３３】
上キャビティ支持ユニット１４０は、上支持板１４２、上ケース１４４、上キャビティ１５０及び４本の上支持棒１０４を含む。上キャビティ１５０はマイクロ処理室の上作業面と上内周面を画定する。上支持板１４２は、貫通孔を具備し、かつ上ケース１４４と上キャビティ１５０とを支持する構造を有する。好ましくは、上支持板１４２は、高強度の材料、例えばステンレスまたは高強度のアルミ合金で製作される。設計によって上支持板１４２の辺縁は所定の厚さを有し、上支持板の辺縁は、上支持棒１０４の内側に縦方向に凹設された溝１０５の内部まで滑動し、かつ上支持棒１０４の溝１０５の内部に収納固定されることができる。清浄工程を実施するとき使用される流体により、上ケース１４４の材料を選択することができる。上ケース１４４は、自体の構造によって上キャビティ１５０の位置を決め、かつ漏出した流体が上ケース１４４の内部を通過するようにガイドする。したがって、漏出した流体が装置の他の区域に流れることを防止することができる。上ケース１４４が上キャビティ１５０の位置を精密に決めることにより、キャビティが密閉するとき、上キャビティ１５０と下キャビティ１３０をよく結合させることができる。
【００３４】
上部支持ユニット１６０は、上部支持板１６２と、４本の上部支持棒１０６と、圧力均等化板１５２及び１５３とを含む。上部支持板１６２にはアンテナと管体を通過させる孔が形成されている。上部支持板１６２の位置は上部支持棒１０６によって決められる。上部支持棒１０６は上部支持棒１０６の内側に縦方向に凹設された溝１０７を含む。設計により、上部支持板１６２の辺縁は所定の厚さを有し、上部支持板１６２の辺縁は溝１０７の内部まで滑動するとともに溝１０７の内部に収納固定されることができる。上部支持板１６２は、ボルトを更に含むか或いは従来の移動用部品、例えば気体駆動モジュールを更に含むことができる。前記ボルトまたは従来の移動用部品が上キャビティ１５０に与える力を制御することにより、マイクロ処理室の水平位置と内部形状を変化させることができる。圧力均等化板１５２及び１５３は、ボルトまたは従来の移動用部品によって形成された点圧力を広い区域に分散させる。
【００３５】
連結部品または溶接技術によりすべての支持棒１０２、１０４、１０６と間隔支持柱１０８とを一体に連結することができる。本発明の実施例において、少なくとも一端にボルトが設けられている複数本の棒体により、支持棒１０２、１０４、１０６と間隔支持柱１０８とを一体に連結する。ボルトは、各下支持棒１０２、各上支持棒１０４、各上部支持棒１０６及び各間隔支持柱１０８の中央を通過する。ナットを棒体の端部に結合させることにより、支持棒１０２、１０４、１０６と間隔支持柱１０８とを一体に連結する。本発明の実施例において、複数個のボルトが該第一支持棒を通過した後所定の間隔支持柱１０８の中央のプリスクリュートラックト（pre-screw  tracked）の孔に結合されることにより、各第一支持棒１０２は前記間隔支持柱１０８の一端に連結される。複数個のボルトが第二及び第三支持棒１０４、１０６を通過した後所定の間隔支持柱１０８の中央のプリスクリュートラックトの孔に結合されることにより、各第二支持棒１０４と所定の第三支持棒１０６は前記間隔支持柱１０８の反対端に連結される。本発明の実施例において、各第一支持棒１０２は溶接によって所定の間隔支持柱１０８の一端に連結され、各第二支持棒１０４は溶接によって所定の間隔支持柱１０８の反対端に連結され、各第二支持棒１０４は溶接によって所定の第三支持棒１０６に連結される。間隔支持柱１０８は強い強度を有する必要がある。
【００３６】
以下、本発明の半導体ウェハの清浄装置を用いた半導体ウェハ清浄方法を説明する。
【００３７】
まず、半導体ウェハを下キャビティ１３０の上部に載せる。
【００３８】
次に、エアバック１１６に空気を注入するとともに下キャビティ１３０と上キャビティ１５０を密閉状態にする。エアバック１１６に空気を注入するとき、エアバック１１６は、下支持板１２６、下ケース１２８及び下キャビティ１３０を上へ移動させ、かつ下キャビティ１３０が上支持板１４２及び上ケース１４４によって位置が決められる上キャビティ１５０に接触する所まで移動させる。
【００３９】
マイクロ処理室が密閉状態になると、清浄工程の流体分配システム（図示せず）により処理しようとする流体をマイクロ処理室に入れて、工程を開始する。前記流体分配システムは下キャビティまたは上キャビティに形成される少なくとも１つの孔を含む。下キャビティまたは上キャビティに形成される少なくとも１つの孔により流体をマイクロ処理室に排出することができる。
【００４０】
清浄工程が終わると、エアバック１１６内の空気を放出する。エアバック１１６が空気を放出するとき、下支持板１２６、下ケース１２８及び下キャビティ１３０は、下へ移動し、かつ上安全リンク１２４が底部支持板１１２に支持された下安全リンク１１４に接触する所まで移動する。
【００４１】
最後、下キャビティ１３０から半導体ウェハを取り出す。
【００４２】
本発明の装置は次の発明の効果を奏することができる。第一、装置の主な構造である板及びケースを通過する４本の支持柱を有していない。支持棒で支持板のすべての辺縁を支持し、実施の需要により支持棒の長さを調節することができる。支持棒は、清浄工程をする時受ける圧力と上キャビティと下キャビティとの間の精密結合に需要する圧力または真空力とによって、支持棒が変形することを有効に防止することができる。また、支持棒が設けられていることにより、マイクロ処理室を開放または閉鎖するとき、部品の摩擦によって顆粒が形成されることを減少させることができる。第二、上部支持ユニットのボルトまたは従来の移動用部品を調節することにより、マイクロ処理室の内部の形状を容易に調節することができる。第三、構造が改良されたことにより、半導体ウェハ装置の寿命が終わるとき、より多い部品を回収して使用することができる。
【００４３】
本発明の改良構造を他の道具の設計に応用することにより、良好なキャビティの結合を獲得し、かつより良いキャビティの位置決め方法と移動方法を獲得することができる。例えば、キャビティの精密な密閉、水平移動を獲得するか或いはキャビティの傾斜またはより複雑な移動を獲得することができる。例えば、波動のような移動を獲得することができる。本発明の装置は、複数の部品の製造を有効に簡素化し、かつ複数の部品を簡単に修理または交換することができる。上述したことにより、製造コストを有効に低減することができる。
【００４４】
以上、本発明の好適な実施例を詳述してきたが、本発明の構成は上記の実施例に限定されるものではない。本技術分野の当業者は本発明の要旨を逸脱しない範囲内で設計の変換等を行うことができる。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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