(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１のピック及び第２のピックを有する搬送機構を用いて、熱処理室と該熱処理室と異なる他の処理室との間において基板を順次搬送する基板搬送方法であって、
未処理の基板を前記第１のピックに保持し、前記熱処理室まで搬送する第１の工程と、
前記熱処理室にて熱処理された処理済の基板を前記第２のピックに保持し、前記第１のピックが保持した未処理の基板を前記熱処理室に搬入する第２の工程と、
前記第２のピックに保持した前記処理済の基板を前記他の処理室まで搬送する第３の工程と、
前記他の処理室内の未処理の基板を前記第１のピックに保持し、前記第２のピックが保持した処理済の基板を前記他の処理室に搬入した後、前記第１のピック及び前記第２のピックのいずれも基板を保持していない状態にする第４の工程と、
を有する、基板搬送方法。
【請求項２】
前記第４の工程の後、未処理の基板を前記第２のピックに保持し、未処理の基板及び処理済の基板を保持するピックを前記第１のピックと前記第２のピックとの間で切り替える第５の工程、
を有する請求項１に記載の基板搬送方法。
【請求項３】
前記第４の工程は、
前記熱処理室において基板の熱処理が実行されている間に行われる、
請求項１又は２に記載の基板搬送方法。
【請求項４】
前記熱処理室において複数の基板が同時に熱処理され、
前記第４の工程は、
前記同時に熱処理された複数の基板のうち前記第２のピックが最後に保持した前記処理済の基板を前記他の処理室に搬入した後、前記第１のピック及び前記第２のピックのいずれも基板を保持していない状態にする、
請求項１〜３のいずれか一項に記載の基板搬送方法。
【請求項５】
前記第４の工程は、
前記第１のピックが保持した未処理の基板を一時的にバッファ機構に載置することで、前記第１のピック及び前記第２のピックのいずれも基板を保持していない状態にする、
請求項１〜４のいずれか一項に記載の基板搬送方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板搬送方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体ウェハ（以下、「ウェハ」ともいう。）に対して各種の薄膜の処理（例えば、成膜処理、改質処理、熱処理、エッチング処理等）を順次実行することで、ウェハ上に多層構造の薄膜を形成する半導体デバイスの製造工程が知られている。
【０００３】
このような半導体デバイスの製造は、例えば、複数の処理室を１つの共通搬送室に連結し、連続して複数の処理を行うことを可能としたクラスタ構造の処理システムにより実現可能である。かかる構成の処理システムおいて、ウェハを各処理室の間にていわば渡り歩くように搬送する搬送方法が提案されている（例えば、特許文献１を参照）。
【０００４】
各処理室では、必要な処理が連続的に且つ効率的に実行されることが好ましい。そこで、上記処理システムでは、ウェハを効率的に搬送するために二つのアームを備える搬送ロボットが使用される場合がある。搬送ロボットの二つのアームのそれぞれにはウェハを保持するピックが設けられている。一方のピックは、処理が施されていない未処理のウェハを保持し、処理室まで搬送する。他方のピックは、処理室において所定の処理が施された処理済のウェハを保持し、次の処理室まで搬送する。このように、搬送ロボットに設けられた二つのピックのそれぞれにウェハを保持することにより、一つのアームを備えた搬送ロボットによるウェハの搬送よりも効率的にウェハを搬送することができる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００４−１１９６３５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、ウェハに熱処理を施す処理室から搬出された処理済のウェハは高温になっている。よって、熱処理室から搬出した処理済のウェハを保持するためには、二つのアーム（ピックを含む）が高温に耐え得る材質から構成される必要がある。
【０００７】
特に、一方のアームと他方のアームとの役割が固定されると、一方のアームに加わる熱量と、他方のアームに加わる熱量とが異なってくる。例えば、一方のアームは処理前のウェハ（以下、「未処理ウェハ」ともいう。）を搬送し、他方のアームは処理後のウェハ（以下、「処理済ウェハ」ともいう。）を搬送するように各アームの役割を固定した場合について考える。この場合、処理済ウェハを搬送するアームのピーク温度は、未処理ウェハを搬送するアームのピーク温度よりも高温になる。この結果、受熱量を両方のアームに分散させることができず、処理済ウェハを搬送するアームの劣化が未処理ウェハを搬送するアームの劣化よりも早まる。
【０００８】
上記課題に対して、一側面では、本発明は、基板の搬送においてアームのピーク温度を下げることを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上記課題を解決するために、一の態様によれば、第１のピック及び第２のピックを有する搬送機構を用いて、熱処理室と該熱処理室と異なる他の処理室との間において基板を順次搬送する基板搬送方法であって、未処理の基板を前記第１のピックに保持し、前記熱処理室まで搬送する第１の工程と、前記熱処理室にて熱処理された処理済の基板を前記第２のピックに保持し、前記第１のピックが保持した未処理の基板を前記熱処理室に搬入する第２の工程と、前記第２のピックに保持した前記処理済の基板を前記他の処理室まで搬送する第３の工程と、前記他の処理室内の未処理の基板を前記第１のピックに保持し、前記第２のピックが保持した処理済の基板を前記他の処理室に搬入した後、前記第１のピック及び前記第２のピックのいずれも基板を保持していない状態にする第４の工程とを有する基板搬送方法が提供される。
【発明の効果】
【００１０】
一の側面によれば、基板の搬送においてアームのピーク温度を下げることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】一実施形態に係る処理システムの構成の一例を示す図。
【図２】一実施形態に係るＰＭ１及びＰＭ２の搬送時間及び処理時間の一例を示す図。
【図３】一実施形態に係るウェハの搬送処理の一例を示すフローチャート。
【図４Ａ】一実施形態に係るウェハの搬送動作の一例を説明する図（その１）。
【図４Ｂ】一実施形態に係るウェハの搬送動作の一例を説明する図（その２）。
【図４Ｃ】一実施形態に係るウェハの搬送動作の一例を説明する図（その３）。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
以下、本発明を実施するための形態について図面を参照して説明する。なお、本明細書及び図面において、実質的に同一の構成については、同一の符号を付することにより重複した説明を省く。
【００１３】
［処理システムの構成］
まず、本発明の一実施形態に係る処理システム１の構成の一例について、図１を参照しながら説明する。図１に示すように、本実施形態に係る処理システム１は、熱処理室ＰＭ１、ＰＭ２（以下、総称して熱処理室ＰＭともいう。）を有する。
【００１４】
熱処理室ＰＭ１、ＰＭ２は、６枚のウェハに同時に熱処理を施すセミバッチ式のプロセスチャンバである。熱処理室ＰＭ１は、サセプタｂを回転させながら６枚のウェハを順次搬入し、６枚のウェハに同時に例えば７００℃程度の熱処理を施す。熱処理室ＰＭ２も同様に、サセプタａを回転させながら６枚のウェハを順次搬入し、６枚のウェハに同時に例えば７００℃程度の熱処理を施す。なお、熱処理室ＰＭ１、ＰＭ２のそれぞれにおいて同時に処理するウェハの枚数は６枚に限られず、１枚又は２枚以上であってもよい。
【００１５】
本実施形態に係る処理システム１では、熱処理室ＰＭ１、ＰＭ２を含む複数の処理室間にてウェハを搬送する。処理システム１が有する複数の処理室には、熱処理室ＰＭ１、ＰＭ２、ロードロック室８Ａ、８Ｂ、８Ｃ及び共通搬送室２が含まれる。
【００１６】
多角形状の共通搬送室２の周囲には、真空引きが可能な二つの熱処理室ＰＭ１、ＰＭ２が、それぞれゲートバルブ６を介して連結されている。熱処理室ＰＭ１は、サセプタｂを有し、サセプタｂを回転させて６枚のウェハを順に室内に載置する。熱処理室ＰＭ２は、サセプタａを有し、サセプタａを回転させて６枚のウェハを順に室内に載置する。そして、共通搬送室２には、真空引きが可能な三つのロードロック室８Ａ、８Ｂ、８Ｃを介して長方形状の搬入側搬送室１０が連結されている。
【００１７】
ロードロック室８Ａ、８Ｂ、８Ｃと共通搬送室２及び搬入側搬送室１０との連結部にはそれぞれゲートバルブ６が介在する。搬入側搬送室１０には、三つの導入ポート１２及びオリエンタ１４が連結されている。導入ポート１２は、ウェハを複数枚収容できるカセットを載置する。オリエンタ１４は、ウェハを回転してこの偏心量を光学的に求めて位置合わせを行う。
【００１８】
搬入側搬送室１０には、搬入側搬送機構１６が設けられている。搬入側搬送機構１６は、ウェハを保持する二つのピック１６Ａ、１６Ｂを有する。ピック１６Ａ、１６Ｂは、屈伸、旋回、昇降及び直線移動が可能である。共通搬送室２には、共通搬送機構（以下、単に「搬送機構１８」ともいう。）が設けられている。搬送機構１８は、ウェハを保持する二つのピック１８Ａ、１８Ｂを有する。ピック１８Ａ、１８Ｂは、屈伸、旋回、昇降及び直線移動が可能である。ここで、共通搬送室２と三つのロードロック室８Ａ、８Ｂ、８Ｃは、ウェハを共通搬送室２内へ搬入する搬入口、又はウェハを共通搬送室２外へ搬出する搬出口として用いられる。
【００１９】
共通搬送室２には、ウェハを一時的に保持するためのバッファ機構３８が設けられている。このバッファ機構３８は、上下動する昇降ロッドの上端に板状のバッファベースを設け、このバッファベース上に例えば３本の支持ピンを突出させて設け、３本の支持ピンの上端でウェハの裏面を支持できるようになっている。ただし、バッファ機構３８は、ウェハを一時的に載置できれば、どのような構成でもよい。また、バッファ機構３８は、図１に示す位置に限らず、共通搬送室２のいずれの位置に配置されてもよい。
【００２０】
制御部４０は、ＣＰＵ４１（Central Processing Unit）、ＲＯＭ４２（Read Only Memory）、ＲＡＭ４３（Random Access Memory）及びＨＤＤ４４（Hard Disk Drive）を有する。制御部４０は、ＲＡＭ４３又はＨＤＤ４４に記憶されたレシピに設定された処理手順及び搬送手順に従い、熱処理室ＰＭにて実行されるウェハの熱処理や熱処理室ＰＭ１、ＰＭ２とロードロック室８Ａ，８Ｂ，８Ｃとの間のウェハの搬送処理を制御する。なお、制御部４０の機能は、ソフトウェアを用いて実現してもよく、ハードウェアを用いて実現してもよく、ソフトウェアとハードウェアとを組み合わせて実現してもよい。
【００２１】
［ウェハの搬送方法］
次に、かかる構成の処理システム１におけるウェハの搬送方法について図２、図３、図４Ａ〜図４Ｃを参照しながら説明する。図２は、一実施形態に係る熱処理室ＰＭ１及び熱処理室ＰＭ２の搬送時間及び処理時間の一例を示す。図３は、一実施形態に係るウェハの搬送処理の一例を示すフローチャートを示す。図４Ａ〜図４Ｃは、一実施形態に係るウェハの搬送動作の一例を説明する図である。図３に示すウェハの搬送処理は、主に制御部４０により制御される。
【００２２】
以下では、熱処理室ＰＭ１に６枚のウェハを順に搬入し、６枚のウェハを同時に熱処理し、６枚のウェハを順に搬出する工程について説明する。これにより、熱処理室ＰＭ２に６枚のウェハを順に搬入し、６枚のウェハを同時に熱処理し、６枚のウェハを順に搬出する工程についての説明は重複記載となるため省略する。
【００２３】
図２に示すように、二つの熱処理室ＰＭ１、ＰＭ２では、並行してウェハに熱処理が施される。熱処理が実行される前後では、ウェハの入替処理が行われる。ウェハの入替処理では、処理済ウェハの熱処理室ＰＭ１及び熱処理室ＰＭ２からの搬出と、未処理ウェハの熱処理室ＰＭ１及び熱処理室ＰＭ２への搬入とが行われる。
【００２４】
例えば、図２に示す時刻ｔ０において、熱処理室ＰＭ２では、既に６枚のウェハが搬入され、熱処理中の状態である。一方、熱処理室ＰＭ１では、時刻ｔ０は、ウェハの入替処理が開始された時刻であり、この時点で熱処理室ＰＭ１に搬入されたウェハは存在しない。
【００２５】
かかる状況において、図３の基板搬送処理が開始されると、ステップＳ１０において、制御部４０は、未処理ウェハをピック１６Ａ又はピック１６Ｂのいずれか一方のピックに保持し、熱処理室ＰＭ１まで搬送する。ウェハは、３つの導入ポート１２のうちのいずれかに設置したカセット（キャリアも含む）から取り出される。ウェハは、搬入側搬送室１０に設けられたピック１６Ａ又はピック１６Ｂのいずれか一方に保持され、ロードロック室８Ａ、８Ｂ、８Ｃのいずれかに運ばれる。
【００２６】
図４Ａの（ａ）の例では、三つのロードロック室８Ａ、８Ｂ、８Ｃのうちのロードロック室８Ｂを介して未処理ウェハＷ０１が一方のピック（ここでは、ピック１８Ｂ）に保持され、熱処理室ＰＭ１の入口付近まで搬送される。
【００２７】
次に、図３のステップＳ１２において、制御部４０は、未処理ウェハを熱処理室ＰＭ１に搬入する。これにより、図４Ａの（ａ）に示すように、ピック１８Ｂが保持した未処理ウェハＷ０１が、熱処理室ＰＭ１に搬入され、サセプタｂに載置される。
【００２８】
次に、図３のステップＳ１４において、制御部４０は、６枚目の未処理ウェハを熱処理室ＰＭ１に搬入済みであるかを判定する。この時点では、熱処理室ＰＭ１に搬入されているウェハは、１枚の未処理ウェハのみである。よって、制御部４０は、６枚目の未処理ウェハを熱処理室ＰＭ１に搬入済みでないと判定し、ステップＳ１０に戻り、次の未処理ウェハを一方のピックに保持し、ステップＳ１０〜Ｓ１４の処理を実行する。
【００２９】
ステップＳ１４において、制御部４０は、６枚目の未処理ウェハを熱処理室ＰＭ１に搬入済みであると判定したとき、ステップＳ１６に進み、次の未処理ウェハを一方のピックに保持し、熱処理室ＰＭ１の入り口付近まで搬送する（第１の工程の一例）。
【００３０】
図４Ａの（ｂ）には、１枚目〜６枚目の未処理ウェハＷ０１〜未処理ウェハＷ０６が熱処理室ＰＭ１に搬入され、熱処理室ＰＭ１にて熱処理が開始され（図２の時刻Ｔ１の時点）、次の未処理ウェハＷ１１がピック１８Ｂに保持された状態が示されている。なお、図４Ａの（ｂ）ではロードロック室８Ｂを介して未処理ウェハＷ１１が取り出されているが、これに限らず、ロードロック室８Ａやロードロック室８Ｃを介して未処理ウェハＷ１１が取り出されてもよい。
【００３１】
図４Ａの（ｃ）には、熱処理室ＰＭ１にて６枚のウェハＷ０１〜Ｗ０６が熱処理を施されている間に、ピック１８Ｂが保持した未処理ウェハＷ１１が、熱処理室ＰＭ１の入口付近まで搬送された状態が示されている。
【００３２】
次に、図３のステップＳ１８において、制御部４０は、６枚のウェハＷ０１〜Ｗ０６の熱処理が完了したかを判定する。制御部４０は、６枚のウェハＷ０１〜Ｗ０６の熱処理が完了したと判定したとき、ステップＳ２０に進む。制御部４０は、ステップＳ２０において、熱処理室ＰＭ１にて熱処理が施された処理済ウェハを他方のピック（ここでは、ピック１８Ａ）に保持し、ピック１８Ｂが保持した未処理ウェハを熱処理室ＰＭ１に搬入する（第２の工程の一例）。図２の時刻Ｔ２の時点では、熱処理室ＰＭ１においてウェハへの熱処理が完了し、ウェハの入替処理が開始される。つまり、図４Ｂの（ｄ）に示すように、処理済ウェハＷ０１がピック１８Ａに保持され、ピック１８Ｂが保持した未処理ウェハＷ１１が、熱処理室ＰＭ１に搬入され、サセプタｂに載置される。
【００３３】
次に、図３のステップＳ２２において、制御部４０は、他方のピックが保持した処理済ウェハＷ０１をロードロック室の付近まで搬送する（第３の工程の一例）。
【００３４】
次に、制御部４０は、図３のステップＳ２４において、熱処理を実行すべき未処理ウェハがカセット内にあるかを判定する。制御部４０は、熱処理を実行すべき未処理ウェハがカセット内にないと判定した場合、ステップＳ２６に進み、他方のピックが保持した処理済ウェハをロードロック室８に搬入し、本処理を終了する。
【００３５】
一方、制御部４０は、熱処理を実行すべき未処理ウェハがあると判定した場合、ステップＳ２８に進み、未処理ウェハを一方のピックに保持し、他方のピックが保持した処理済ウェハをロードロック室に搬入する。図４Ｂの（ｅ）には、未処理ウェハＷ１２がピック１８Ｂに保持され、処理済ウェハＷ０１がピック１８Ａに保持され、ロードロック室８Ａに搬入された状態が示されている。
【００３６】
次に、図３のステップＳ３０において、制御部４０は、６枚目の処理済ウェハを熱処理室ＰＭ１から搬出済みであるかを判定する。この時点では、１枚の処理済ウェハＷ０１のみが熱処理室ＰＭ１から搬出されている。よって、制御部４０は、６枚目の処理済ウェハを熱処理室ＰＭ１から搬出済みでないと判定し、ステップＳ２０に戻り、次の処理済ウェハを他方のピックに保持し、ステップＳ２０以降の処理を実行する。このようにして、２枚目の処理済ウェハＷ０２〜６枚目の処理済ウェハＷ０６が熱処理室ＰＭ１から搬出されるまで、ステップＳ２０〜Ｓ３０の処理が実行される。図４Ｂの（ｄ）及び図４Ｂの（ｅ）には、２枚目の処理済ウェハＷ０２〜６枚目の処理済ウェハＷ０６が、一枚ずつ熱処理室ＰＭ１から搬出され、ロードロック室８Ａに搬入される状態が示されている。このとき、処理済ウェハはピック１８Ａにより保持され、未処理ウェハはピック１８Ｂにより保持される。
【００３７】
図３のステップＳ３０において、制御部４０は、６枚目の処理済ウェハを熱処理室ＰＭ１から搬出済みであると判定すると、ステップＳ３２に進み、ピック１８Ａ及びピック１８Ｂの役割を切り替えるタイミングであるかを判定する。つまり、処理済ウェハがピック１８Ｂにより保持され、未処理ウェハがピック１８Ａにより保持されるように切り替えるタイミングであるかが判定される。
【００３８】
例えば、図２の時刻ｔ３のタイミングには、熱処理室ＰＭ１ではウェハの入替処理が完了し、ウェハの熱処理が開始される。一方、時刻ｔ３のタイミングには熱処理室ＰＭ２ではウェハの熱処理中である。つまり、図２の時刻ｔ３から時刻ｔ４までの間、熱処理室ＰＭ１及び熱処理室ＰＭ２のいずれにおいても搬送機構１８は使用されない。この間、搬送機構１８は熱処理室ＰＭ１及び熱処理室ＰＭ２によるウェハの熱処理が完了するのを待っているアイドリング状態となっている。
【００３９】
一方、図２の時刻ｔ１のタイミングには、熱処理室ＰＭ１ではウェハの入替処理が完了し、ウェハの熱処理が開始される。一方、時刻ｔ１のタイミングには熱処理室ＰＭ２ではウェハの熱処理が完了し、ウェハの入替処理が開始される。つまり、図２の時刻ｔ１のタイミングでは搬送機構１８はアイドリング状態となっていない。
【００４０】
以上から、時刻ｔ３〜時刻ｔ４のタイミングで、後述されるピック１８Ａ及びピック１８Ｂの役割を切り替える処理を実行することが好ましい。時刻ｔ３〜時刻ｔ４のタイミングで、ピック１８Ａ及びピック１８Ｂの役割を切り替えるために搬送機構１８を使用しても、通常のウェハの搬送に遅延は生じないためである。
【００４１】
一方、時刻ｔ１のタイミングで、ピック１８Ａ及びピック１８Ｂの役割を切り替えるために搬送機構１８を利用することは好ましくない。通常のウェハの搬送に遅延が生じるためである。
【００４２】
以上から、制御部４０は、図３のステップＳ３２において、切替タイミングではないと判定した場合、ステップＳ１０に戻り、ピック１８Ａ及びピック１８Ｂの役割を切り替えずにステップＳ１０〜Ｓ３０の処理を行う。これにより、次の６枚のウェハについて、ピック１８Ｂは、未処理ウェハを搬送し、ピック１８Ａは処理済ウエハを搬送することになる。
【００４３】
一方、制御部４０は、図３のステップＳ３２において、切替タイミングであると判定した場合、ステップＳ３４に進み、一方のピックが保持した未処理ウェハをバッファ機構３８に一時的に載置する。これによれば、図４Ｂの（ｆ）に示すように、ピック１８Ｂが保持した未処理ウェハＷ２１がバッファ機構３８に一時的に載置される。これにより、図４Ｃの（ｇ）に示すように、ピック１８Ａ及びピック１８Ｂのいずれもウェハを保持していない状態にすることができる（第４の工程の一例）。
【００４４】
次に、制御部４０は、図３のステップＳ３６において、バッファ機構３８に載置された未処理ウェハを、未処理ウェハをバッファ機構３８に載置したピックでない方のピックに保持する。これにより、ピック１８Ａが一方のピックとして未処理ウェハを保持し、ピック１８Ｂが他方のピックとして処理済ウェハを保持するようにピックの役割が切り替わる。
【００４５】
例えば、図４Ｃの（ｈ）に示すように、ピック１８Ａがバッファ機構３８に載置された未処理ウェハＷ２１を保持することで、図４Ｃの（ｉ）に示すように、処理済ウェハＷ１１は、ピック１８Ｂに保持される。このようにして、制御部４０は、未処理ウェハを搬送するピックと、処理済ウェハを搬送するピックとを二つのピックの間で切り替えた後、ステップＳ１０に戻り、ステップＳ１０以降の処理を繰り返す。
【００４６】
以上、本実施形態にかかるウェハの搬送方法について説明した。搬送機構１８に備えられた二つのアームのうち、一方のアームが未処理ウェハを搬送し、他方のアームが処理済ウェハを搬送する場合、処理済ウェハを搬送するアーム（ピックを含む）に加わる熱量は、未処理ウェハを搬送するアーム（ピックを含む）に加わる熱量よりも高くなる。
【００４７】
特に、ウェハに例えば７００℃程度の高温による熱処理が施される場合、熱処理室から搬出された処理済ウェハは相当程度高温になっている。よって、各アームの役割が固定されていると、処理済ウェハを搬送するアーム側のピーク温度は、未処理ウェハを搬送するアーム側のピーク温度よりも高くなる。この結果、ウェハを保持するピックに加わる熱量を両方のアームに分散させることができず、処理済ウェハを搬送するアームの劣化が早まる。特に、搬送機構１８の二つのアームはいずれも高温に耐え得る材質から構成されているものの、受熱量が高い処理済ウェハを搬送するアームの、例えば手首関節ベアリング等、熱に弱い部材から劣化するという課題を有する。
【００４８】
これに対して、本実施形態にかかるウェハの搬送方法によれば、搬送機構１８に備えられた二つのアームの役割を固定化しないような搬送が可能である。つまり、所定の切替タイミングに未処理ウェハを搬送するアームと処理済ウェハを搬送するアームとを切り替える。これにより、各アームの受熱量を低下させ、各アームのピーク温度を下げることができる。この結果、アームに設けられた手首関節ベアリング等の耐熱性が低い部材の劣化のスピードを抑えることができる。また、二つのアーム（ピック１８Ａ、１８Ｂを含む）のそれぞれの受熱量が減るため、ピック１８Ａ、１８Ｂを含むアームを構成する部材に必要な耐熱性のレベルを下げることができる。これにより、アームを構成する部材のコストを低減することが可能になる。
【００４９】
また、本実施形態にかかるウェハの搬送方法によれば、アイドリング状態にある搬送機構１８を使用して未処理のウェハを保持するピックと処理済のウェハを保持するピックとを二つのピック１８Ａ、１８Ｂの間で切り替える。これにより、ウェハの搬送処理に遅延を生じさせずに、ピック１８Ａ、１８Ｂの役割を切り替えることができる。
【００５０】
以上、基板搬送方法を上記実施形態により説明したが、本発明にかかる基板搬送方法は上記実施形態に限定されるものではなく、本発明の範囲内で種々の変形及び改良が可能である。上記複数の実施形態に記載された事項は、矛盾しない範囲で組み合わせることができる。
【００５１】
例えば、本発明にかかる基板搬送方法において、未処理のウェハを保持するピックと処理済のウェハを保持するピックとを切り替える切替タイミングは、搬送機構がアイドリング状態であるときに限らない。つまり、上記切替タイミングは、搬送機構がアイドリング状態でないときであってもよい。
【００５２】
また、例えば、本発明において基板に実行する熱処理は、基板に熱が加わる処理であれば、熱処理室内が７００℃以下の行われる基板処理であってもよい。また、本発明において基板に実行する熱処理は、プラズマ処理、その他の熱による処理を含むことができる。
【００５３】
また、本発明にかかる基板は、ウェハに限られず、例えば、フラットパネルディスプレイ（Flat Panel Display)用の大型基板、ＥＬ素子又は太陽電池用の基板であってもよい。
【符号の説明】
【００５４】
１：処理システム
２：共通搬送室
６：ゲートバルブ
８Ａ，８Ｂ，８Ｃ：ロードロック室
１０：搬入側搬送室
１２：導入ポート
１６：搬入側搬送機構
１６Ａ、１６Ｂ：ピック（搬入側搬送室のピック）
１８：共通搬送機構（搬送機構）
１８Ａ、１８Ｂ：ピック（共通搬送機構のピック）
３８:バッファ機構
４０：制御部
ａ，ｂ：サセプタ
ＰＭ１，ＰＭ２：熱処理室
【図１】
0006338989.tif 000002
【図２】
0006338989.tif 000003
【図３】
0006338989.tif 000004
【図４Ａ】
0006338989.tif 000005
【図４Ｂ】
0006338989.tif 000006
【図４Ｃ】
0006338989.tif 000007