(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１面側に開口する有底孔が配置された第１基板の前記第１面に、導電性を有し刺激の印加により粘着力が低下する粘着層、および当該粘着層を介して前記第１基板を支持する第２基板を配置し、
前記第１面に対向する第２面から前記第１基板を薄化することにより、前記有底孔の底部を開口させた貫通孔を形成し、
前記粘着層を介して電流が供給される電解めっき処理によって、前記粘着層から前記貫通孔に導電層を成長させ、
前記粘着層に前記刺激を印加し、
前記粘着層および前記第２基板を前記第１基板から剥がすこと
を含む貫通電極基板の製造方法。
【請求項２】
前記粘着層は、前記第１基板の端部より外側に拡がった周辺部を有し、
前記電流を供給する電源と前記周辺部とが電気的に接続される請求項１に記載の貫通電極基板の製造方法。
【請求項３】
前記第２基板は、少なくとも前記粘着層側に導電性を有する請求項１に記載の貫通電極基板の製造方法。
【請求項４】
前記粘着層は、厚さ方向の導電率が面内のいずれの方向の導電率よりも高い請求項３に記載の貫通電極基板の製造方法。
【請求項５】
第１面側に開口する有底孔が配置された第１基板の前記第１面に、開口部を含み刺激の印加により粘着力が低下する粘着層、および当該開口部によって露出される導電領域を含み当該粘着層を介して前記第１基板を支持する第２基板を配置し、
前記第１面に対向する第２面から前記第１基板を薄化することにより、前記有底孔の底部を開口させた貫通孔を形成し、
前記導電領域を介して電流が供給される電解めっき処理によって、前記導電領域から前記貫通孔に導電層を成長させ、
前記粘着層に前記刺激を印加し、
前記粘着層および前記第２基板を前記第１基板から剥がすこと
を含む貫通電極基板の製造方法。
【請求項６】
基材と、
前記基材上に配置され、刺激の印加により粘着力が低下する粘着層と、
前記基材が接触する面とは反対側の前記粘着層の表面のシート抵抗が０．１Ω／□以上１００Ω／□以下となるように前記粘着層に分散された導電性材料と、
を含み、
前記基材は、フィルムであり、
前記基材の前記粘着層が配置された面とは反対側の面に配置された第２粘着層をさらに含む粘着シート。
【請求項７】
前記導電性材料は、前記シート抵抗が０．１Ω／□以上１０Ω／□以下となるように前記粘着層に分散されていることを特徴とする請求項６に記載の粘着シート。
【請求項８】
基材と、
前記基材上に配置され、刺激の印加により粘着力が低下する粘着層と、
前記基材から離れるほど高密度になるように前記粘着層に分散されている導電性材料と、
を含む粘着シート。
【請求項９】
表面の少なくとも一部において導電性を有する導電領域を含む基材と、
前記導電領域に配置され、刺激の印加により粘着力が低下する粘着層と、
前記粘着層の厚さ方向の導電率が面内の何れかの方向の導電率よりも高くなるように前記粘着層に分散されている導電性材料と、
を含む粘着シート。
【請求項１０】
基材と、
前記基材上に配置され、刺激の印加により粘着力が低下する粘着層と、
面内で密度に分布を持つように前記粘着層に分散されている導電性材料と、
を含む粘着シート。
【請求項１１】
前記導電性材料の密度が高い領域は、面内において格子状の領域を形成する請求項１０に記載の粘着シート。
【請求項１２】
前記粘着層には、前記刺激により当該粘着層に発泡を引き起こすカプセルが分散され、
前記カプセルの殻は、導電性材料を含む樹脂で形成されている請求項６乃至請求項１１のいずれかに記載の粘着シート。
【請求項１３】
前記カプセルは、内部に導電性材料を含む溶剤を封入している請求項１２に記載の粘着シート。
【請求項１４】
表面の少なくとも一部において導電性を有する導電領域を含む基材と、
前記導電領域の少なくとも一部を露出する開口部を含み、刺激の印加により粘着力が低下する粘着層と、
を含み、
前記導電領域のうち、少なくとも前記粘着層によって露出された部分には、前記刺激により発泡するカプセルが分散されている粘着シート。
【請求項１５】
前記基材は、フィルムであり、
前記基材の前記粘着層が配置された面とは反対側の面に配置された第２粘着層をさらに含む請求項８乃至請求項１４のいずれかに記載の粘着シート。
【請求項１６】
表面の少なくとも一部において導電性を有する導電領域を含む基材と、
前記導電領域の少なくとも一部を露出する開口部を含み、刺激の印加により粘着力が低下する粘着層と、
を含み、
前記基材は、フィルムであり、
前記基材の前記粘着層が配置された面とは反対側の面に配置された第２粘着層をさらに含む粘着シート。
【請求項１７】
導電性を有する基材と、
前記基材上に配置され、刺激の印加により粘着力が低下する第１粘着層と、
前記基材の前記粘着層が配置された面とは反対側の面に配置された第２粘着層と、
前記第１粘着層および前記第２粘着層に分散されている導電性材料と、
を含み、
前記基材および前記第２粘着層は、導電性を有し、
前記第１粘着層側から測定したシート抵抗および前記第２粘着層側から測定したシート抵抗は、いずれも、１００Ω／□以下である粘着シート。
【請求項１８】
前記基材がガラス基板、シリコン基板、またはステンレス基板を含む請求項８乃至請求項１４のいずれかに記載の粘着シート。
【請求項１９】
基材と、
前記基材上に配置され、刺激の印加により粘着力が低下する粘着層と、
前記基材が接触する面とは反対側の前記粘着層の表面のシート抵抗が０．１Ω／□以上１００Ω／□以下となるように前記粘着層に分散された導電性材料と、
を含み、
前記基材がガラス基板、シリコン基板、またはステンレス基板を含む粘着シート。
【請求項２０】
前記導電性材料は、前記シート抵抗が０．１Ω／□以上１０Ω／□以下となるように前記粘着層に分散されていることを特徴とする請求項１９に記載の粘着シート。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、貫通電極基板の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
電解めっき処理には、導電層を成長させるためのシード層が形成される。電解めっき処理は、様々な用途に用いられる。一例として、基板（貫通電極基板）の両面を電気的に接続するための貫通電極を形成する際に用いられる（例えば特許文献１）。また、パッケージの小型化のために貫通電極基板は薄膜化が進んでいる。薄膜化に伴い、製造工程において基板が反ってしまう等の問題が生じる場合がある。このような場合には、製造工程においてこの基板を支持するために、この基板に粘着シートを用いて支持基板を貼り合わせる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００６−１４７９７１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
特許文献１に開示された技術によれば、貫通孔に電極を充填させる際に電解めっき処理が用いられる。この例では、シード層は、基板の一方の面に形成される。このシード層から導電層が成長し、貫通孔の内部に充填されることになるが、シード層が設けられた面からも成長する。そのため、シード層が設けられた面に成長した導電層は、最終的には、シード層と共に除去されなければならない。このように電解めっき処理は、貫通孔に導電層を充填することには優れているが、一度形成した層を除去する等、製造工程が煩雑になる場合があった。
【０００５】
本発明は、電解めっき処理を使用した工程を簡略化にすることを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の一実施形態によると、第１面側に開口する有底孔が配置された第１基板の前記第１面に、導電性を有し刺激の印加により粘着力が低下する粘着層、および当該粘着層を介して前記第１基板を支持する第２基板を配置し、前記第１面に対向する第２面から前記第１基板を薄化することにより、前記有底孔の底部を開口させた貫通孔を形成し、前記粘着層を介して電流が供給される電解めっき処理によって、前記粘着層から前記貫通孔に導電層を成長させ、前記粘着層に前記刺激を印加し、前記粘着層および前記第２基板を前記第１基板から剥がすことを含む貫通電極基板の製造方法が提供される。これによれば、電解めっき処理を使用した工程を簡略化することができる。
【０００７】
また、本発明の一実施形態によると、貫通孔が配置された第１基板の当該貫通孔の開口が配置された一方の面に、導電性を有し刺激の印加により粘着力が低下する粘着層を配置し、前記粘着層を介して電流が供給される電解めっき処理によって、前記粘着層から前記貫通孔に導電層を成長させ、前記粘着層に前記刺激を印加し、前記粘着層を前記第１基板から剥がすことを含む貫通電極基板の製造方法が提供される。これによれば、電解めっき処理を使用した工程を簡略化することができる。
【０００８】
前記粘着層は、前記第１基板の端部より外側に拡がった周辺部を有し、前記電流を供給する電源と前記周辺部とが電気的に接続されてもよい。これによれば、電解めっき処理に用いる電流を供給する電源と粘着層との接続を容易に行うことができる。
【０００９】
前記第２基板は、少なくとも前記粘着層側に導電性を有してもよい。これによれば、電解めっき処理による導電層の成長速度の面内分布を少なくすることができる。また、粘着層の導電性が低く（シート抵抗が高く）ても、この面内分布を少なくすることができるため、刺激の印加により粘着性を低下させるための材料を増加させて第１基板から粘着層を剥がしやすくしたり、刺激の印加前における粘着性を向上させる材料を増加させたりすることができる。
【００１０】
前記粘着層は、厚さ方向の導電率が面内のいずれの方向の導電率よりも高くてもよい。これによれば、粘着層に分散される導電性材料の量を減らすことができることができる。
【００１１】
また、本発明の一実施形態によると、第１面側に開口する有底孔が配置された第１基板の前記第１面に、開口部を含み刺激の印加により粘着力が低下する粘着層、および当該開口部によって露出される導電領域を含み当該粘着層を介して前記第１基板を支持する第２基板を配置し、前記第１面に対向する第２面から前記第１基板を薄化することにより、前記有底孔の底部を開口させた貫通孔を形成し、前記導電領域を介して電流が供給される電解めっき処理によって、前記導電領域から前記貫通孔に導電層を成長させ、前記粘着層に前記刺激を印加し、前記粘着層および前記第２基板を前記第１基板から剥がすことを含む貫通電極基板の製造方法が提供される。これによれば、電解めっき処理を使用した工程を簡略化することができる。
【００１２】
また、本発明の一実施形態によると、貫通孔が配置された第１基板の当該貫通孔の開口が配置された一方の面に、開口部を含み刺激の印加により粘着力が低下する粘着層、および当該開口部によって露出される導電領域を含み当該粘着層を介して前記第１基板を支持する第２基板を配置し、前記導電領域を介して電流が供給される電解めっき処理によって、前記導電領域から前記貫通孔に導電層を成長させ、前記粘着層に前記刺激を印加し、前記粘着層および前記第２基板を前記第１基板から剥がすことを含む貫通電極基板の製造方法が提供される。これによれば、電解めっき処理を使用した工程を簡略化することができる。
【００１３】
前記第２基板は、前記第１基板の端部より外側に拡がった前記導電領域と導通する周辺部を有し、前記電流を供給する電源と前記周辺部とが電気的に接続されてもよい。これによれば、電解めっき処理に用いる電流を供給する電源と粘着層との接続を容易に行うことができる。
【００１４】
また、本発明の一実施形態によると、基材と、前記基材上に配置され、刺激の印加により粘着力が低下する粘着層と、前記基材が接触する面とは反対側の前記粘着層の表面のシート抵抗が０．１Ω／□以上１００Ω／□以下となるように前記粘着層に分散された導電性材料と、を含む粘着シートが提供される。これによれば、電解めっき処理を使用した工程を簡略化することができる。
【００１５】
前記導電性材料は、前記シート抵抗が０．１Ω／□以上１０Ω／□以下となるように前記粘着層に分散されていてもよい。これによれば、さらに電解めっき処理における面内分布を少なくすることができる。
【００１６】
また、本発明の一実施形態によると、基材と、前記基材上に配置され、刺激の印加により粘着力が低下する粘着層と、前記基材から離れるほど高密度になるように前記粘着層に分散されている導電性材料と、を含む粘着シートが提供される。これによれば、電解めっき処理を使用した工程を簡略化することができる。
【００１７】
また、本発明の一実施形態によると、表面の少なくとも一部において導電性を有する導電領域を含む基材と、前記導電領域に配置され、刺激の印加により粘着力が低下する粘着層と、前記粘着層の厚さ方向の導電率が面内の何れかの方向の導電率よりも高くなるように前記粘着層に分散されている導電性材料と、を含む粘着シートが提供される。これによれば、電解めっき処理を使用した工程を簡略化することができる。
【００１８】
また、本発明の一実施形態によると、基材と、前記基材上に配置され、刺激の印加により粘着力が低下する粘着層と、面内で密度に分布を持つように前記粘着層に分散されている導電性材料と、を含む粘着シートが提供される。これによれば、電解めっき処理を使用した工程を簡略化することができる。
【００１９】
前記導電性材料の密度が高い領域は、面内において格子状の領域を形成してもよい。これによれば、粘着層において刺激により粘着力を低下させる成分を配置する領域を大きく確保することができる。
【００２０】
前記粘着層には、前記刺激により当該粘着層に発泡を引き起こすカプセルが分散され、前記カプセルの殻は、導電性材料を含む樹脂で形成されていてもよい。これによれば、粘着層における導電性を向上させることができる。
【００２１】
前記カプセルは、内部に導電性材料を含む溶剤を封入していてもよい。これによれば、粘着層における導電性をより向上させることできる。
【００２２】
また、本発明の一実施形態によると、表面の少なくとも一部において導電性を有する導電領域を含む基材と、前記導電領域の少なくとも一部を露出する開口部を含み、刺激の印加により粘着力が低下する粘着層と、を含む粘着シートが提供される。これによれば、電解めっき処理を使用した工程を簡略化することができる。
【００２３】
前記導電領域のうち、少なくとも前記粘着層によって露出された部分には、前記刺激により発泡するカプセルが分散されていてもよい。これによれば、導電領域において電解めっき処理により成長した導電層を剥がしやすくすることができる。
【００２４】
前記基材は、フィルムであり、前記基材の前記粘着層が配置された面とは反対側の面に配置された第２粘着層をさらに含んでもよい。これによれば、別の支持基板を貼り合わせることができる。
【００２５】
また、本発明の一実施形態によると、導電性を有する基材と、前記基材上に配置され、刺激の印加により粘着力が低下する第１粘着層と、前記基材の前記粘着層が配置された面とは反対側の面に配置された第２粘着層と、前記第１粘着層および前記第２粘着層に分散されている導電性材料と、を含み、前記基材および前記第２粘着層は、導電性を有し、前記第１粘着層側から測定したシート抵抗および前記第２粘着層側から測定したシート抵抗は、いずれも、１００Ω／□以下である粘着シートが提供される。これによれば、電解めっき処理を使用した工程を簡略化することができる。また、粘着シートに導電性を有する支持基板を貼り付けることで、電解めっき処理の面内分布をより向上させることができる。
【００２６】
前記基材がガラス基板、シリコン基板、またはステンレス基板を含んでもよい。これによれば、支持基板が必要な工程において別の支持基板を不要とすることができる。
【００２７】
また、本発明の一実施形態によると、貫通孔が配置された基板の当該貫通孔の開口が配置された一方の面に、導電性を有し刺激の印加により粘着力が低下する粘着層を貼り付けた状態で、前記貫通孔をめっき液に浸漬し、前記粘着層に電流を供給し、前記粘着層に前記刺激を印加し、前記粘着層を前記基板から剥がすことを含む電解めっき方法が提供される。これによれば、電解めっき処理を使用した工程を簡略化することができる。
【００２８】
また、本発明の一実施形態によると、貫通孔が配置された基板の当該貫通孔の開口が配置された一方の面に、開口部を含み刺激の印加により粘着力が低下する粘着層、および当該開口部によって露出される導電領域を含む層を配置した状態で、前記貫通孔をめっき液に浸漬し、前記導電領域を含む層に電流を供給し、前記粘着層に前記刺激を印加し、前記粘着層を前記基板から剥がすことを含む電解めっき方法が提供される。これによれば電解めっき処理を使用した工程を簡略化することができる。
【発明の効果】
【００２９】
本発明によると、電解めっき処理を使用した工程を簡略化することができる。
【図面の簡単な説明】
【００３０】
【図１】本発明の第１実施形態における貫通電極基板を説明する上面図である。
【図２】本発明の第１実施形態における貫通電極基板の断面構造（図１における断面線Ａ−Ａ’の断面構造）を説明する図である。
【図３】本発明の第１実施形態における貫通電極基板の製造方法を説明する図である。
【図４】図３に続く貫通電極基板の製造方法を説明する図である。
【図５】図４に続く貫通電極基板の製造方法を説明する図である。
【図６】図５に続く貫通電極基板の製造方法を説明する図である。
【図７】本発明の第１実施形態における粘着シートの構造を説明する図である。
【図８】本発明の第２実施形態における粘着シートの構造を説明する図である。
【図９】本発明の第３実施形態における粘着シートの構造を説明する図である。
【図１０】本発明の第４実施形態における粘着層付き支持基板の構造を説明する図である。
【図１１】本発明の第５実施形態における粘着層付き支持基板の構造を説明する図である。
【図１２】本発明の第６実施形態における粘着層付き支持基板の構造を説明する図である。
【図１３】本発明の第６実施形態における粘着層付き支持基板を用いた場合の貫通電極基板の製造方法を説明する図である。
【図１４】図１３に続く貫通電極基板の製造方法を説明する図である。
【図１５】粘着シートの抵抗が低い場合の貫通孔内に成長する導電層の分布を説明する図である。
【図１６】粘着シートの抵抗が高い場合の貫通孔内に成長する導電層の分布を説明する図である。
【図１７】本発明の第８実施形態に係る半導体装置を示す図である。
【図１８】本発明の第８実施形態に係る半導体装置の別の例を示す図である。
【図１９】本発明の第８実施形態に係る半導体装置のさらに別の例を示す図である。
【図２０】本発明の第８実施形態に係る半導体装置を用いた電子機器を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００３１】
以下、本発明の各実施形態に係る貫通電極基板およびこれを利用した配線基板等について、図面を参照しながら詳細に説明する。なお、以下に示す各実施形態は本発明の実施形態の一例であって、本発明はこれらの実施形態に限定して解釈されるものではない。なお、本実施形態で参照する図面において、同一部分または同様な機能を有する部分には同一の符号または類似の符号（数字の後にＡ、Ｂ等を付しただけの符号）を付し、その繰り返しの説明は省略する場合がある。また、図面の寸法比率は説明の都合上実際の比率とは異なったり、構成の一部が図面から省略されたりする場合がある。
【００３２】
＜第１実施形態＞
［貫通電極基板１０の構成］
図１は、本発明の第１実施形態における貫通電極基板を説明する上面図である。図２は、本発明の第１実施形態における貫通電極基板の断面構造（図１における断面線Ａ−Ａ’の断面構造）を説明する図である。貫通電極基板１０は、基板１００、貫通電極１６１、１６２、絶縁層２１０、２２０、および配線３１１、３１２、３２１、３２２を備える。基板１００には、第１面１０１側と第２面１０２側とに貫通した孔（貫通孔１５１、１５２）が形成されている。
【００３３】
貫通電極１６１は、基板１００に配置された貫通孔１５１の内部に配置されている。貫通電極１６２は、基板１００に配置された貫通孔１５２の内部に配置されている。貫通電極１６１、１６２は、基板１００の第１面１０１側と第２面１０２側とを電気的に接続する。この貫通電極１６１、１６２は、電解めっき処理によって形成された導電層である。この例では、電解めっき処理の際に電流を流す電極は、基板１００に形成されたシード層ではなく、基板を支持するために設けられる粘着シートに導電性を付与したものを利用している。粘着シートを利用した電解めっき処理の説明は後述する。
【００３４】
絶縁層２１０には、開口部２１１、２１２が形成されている。絶縁層２２０には、開口部２２１、２２２が形成されている。
【００３５】
配線３１１は、開口部２１１を介して貫通電極１６１と接続している。配線３２１は、開口部２２１を介して貫通電極１６１と接続している。そのため、配線３１１と配線３２１とは、貫通電極１６１を介して電気的に接続されている。配線３１２は、開口部２１２を介して貫通電極１６２と接続している。配線３２２は、開口部２２２を介して貫通電極１６２と接続している。そのため、配線３１２と配線３２２とは、貫通電極１６２を介して電気的に接続されている。
【００３６】
［貫通電極基板１０の製造方法］
続いて、貫通電極基板１０を製造する方法について、図３〜図６を用いて説明する。
【００３７】
図３は、本発明の第１実施形態における貫通電極基板の製造方法を説明する図である。図４は、図３に続く貫通電極基板の製造方法を説明する図である。図５は、図４に続く貫通電極基板の製造方法を説明する図である。図６は、図５に続く貫通電極基板の製造方法を説明する図である。
【００３８】
まず、第１面１０１および第２面１０２を有する基板１００を準備する（図３（ａ））。基板１００は、例えば、ガラス基板である。なお、基板１００は、ガラス基板に限らず、サファイア等絶縁性基板を用いてもよいし、シリコン等の半導体基板を用いてもよい。
【００３９】
続いて、基板１００の第１面１０１に有底孔１５０を形成する（図３（ｂ））。有底孔１５０は、基板１００の第１面１０１側において開口し、その底部が第２面１０２まで到達していない。
【００４０】
有底孔１５０は、基板１００の表面にマスクを形成してＲＩＥ（Ｒｅａｃｔｉｖｅ  Ｉｏｎ  Ｅｔｃｈｉｎｇ）、ＤＲＩＥ（Ｄｅｅｐ  Ｒｅａｃｔｉｖｅ  Ｉｏｎ  Ｅｔｃｈｉｎｇ）等のドライエッチング、ウエットエッチングのエッチング加工、サンドブラスト加工、レーザ加工等のいずれかの加工法、または２以上の加工法の組合せによって形成されてもよい。
【００４１】
なお、基板１００がガラス基板ではなく、半導体基板等であって絶縁性が不十分である場合には、図３（ｂ）の形状の基板１００の表面（有底孔１５０の表面を含む）に絶縁層を形成してもよい。本実施形態のように基板１００がガラス基板であっても、さらに絶縁層または付加的な他の層が形成されてもよい。
【００４２】
続いて、基板１００の第１面１０１側に、粘着シート５１０を用いて支持基板６１０を貼り付ける（図３（ｃ））。この例では、粘着シート５１０は、部材を挟んで両面に粘着層が配置された積層体として形成されている。粘着シート５１０の粘着層のうち基板１００側の粘着層は、導電性を有し、刺激（この例では所定温度以上の熱）の印加によって粘着力が低下する。なお、刺激は所定温度以上の熱に限らず、光であってもよい。以下の説明において、導電性を有するこの粘着層を導電性粘着層という場合がある。支持基板６１０側の粘着層（以下、支持粘着層という場合がある）は、例えば、感圧粘着剤であって、導電性を有していても有していなくてもよい。また、支持粘着層は、少なくとも導電性粘着層の粘着力が低下する刺激の程度においては、粘着力がほとんど低下しないようになっている。粘着シート５１０の詳細の構造については、後述する。
【００４３】
支持基板６１０は、ガラス基板等の絶縁性基板である。なお、支持基板６１０は、サファイア基板等、他の絶縁性基板であってもよいし、シリコン基板等の半導体基板、またはステンレス基板等の導電性基板であってもよい。
【００４４】
粘着シート５１０の両面に設けられた粘着層によって支持基板６１０と基板１００との位置関係が固定される。これによって、支持基板６１０は、粘着シート５１０を介して基板１００を第１面１０１側から支持する。また、基板１００の第１面１０１と粘着シート５１０とが接触し、貫通孔１５１、１５２の開口が粘着シート５１０によって覆われる。
【００４５】
また、図３（ｃ）に示すように、粘着シート５１０は、基板１００の端部より外側に拡がっている部分（外周部５５０）を有する。外周部５５０は、導電性粘着層の表面５１１が露出された状態となり、電解めっき処理を施す際に、電源から電流を供給するための電極として用いられる。
【００４６】
続いて、基板１００の第２面１０２側から基板１００を薄化して有底孔１５０の底部を開口させ、貫通孔１５１、１５２を形成する（図４（ａ））。このとき、基板１００を薄化することにより有底孔１５０の底部を開口させるとは、底部を開口させるまでに薄化することを少なくとも行うものであって、例えば、全て薄化することによって有底孔１５０の底部を開口させる態様、あるいは、薄化した後、有底孔１５０の底部にあたる部位を選択的に除去して開口させる態様も含む。基板１００の薄化には、例えば、ＣＭＰ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ  Ｐｏｌｉｓｈｉｎｇ）、ウエットエッチングを用いる。ウエットエッチングを用いる場合には、例えば、基板１００をエッチングすることのできる液体として、フッ酸およびフッ化アンモニウムの混合液が用いられる。この際、第１面１０１側はには粘着シート５１０に覆われているため、第２面１０２側からエッチングされる。なお、基板１００が支持基板６１０によって支持されているため、基板１００が薄化しても基板１００の反りが抑制され、また、製造工程中の強度を保つこともできる。
【００４７】
図４（ａ）に示すように、第２面１０２側から粘着シート５１０を見ると、上述した外周部５５０、貫通孔１５１および貫通孔１５２の部分において、導電性粘着層が露出している。
【００４８】
続いて、基板１００に電解めっき処理を施して、貫通孔１５１、１５２の内部に導電層を成長させて、貫通電極１６１、１６２を形成する（図４（ｂ））。この例では、電解めっき処理の陰極として導電性粘着層を利用するため、電流を供給する電源とは、周辺部５５０において接続される。導電性粘着層を介して電流を供給するため、貫通孔１５１、１５２の第１面１０１側の開口部に露出している導電性粘着層から、電解めっき処理による導電層を形成することができる。したがって、電解めっき処理の電極用にシード層を形成しなくてもよい。なお、シード層が基板１００と粘着シート５１０との間の一部に形成されていてもよい。例えば、貫通孔１５１、１５２の開口部周辺にのみシード層が形成され、導電性粘着層からシード層にも電流が供給されるようにしてもよい。
【００４９】
図４（ｂ）に示す例では、貫通孔１５１、１５２がめっき液に浸漬されるようにする一方、周辺部５５０がめっき液に浸漬されないようにしている。導電層の材料は、例えば、銅、金、銀、白金、ロジウム、スズ、アルミニウム、ニッケル、クロム等の金属またはこれらを用いた合金などから選択される。
【００５０】
図４（ｂ）の例では、貫通電極１６１、１６２の第２面１０２側の端部は、基板１００の第２面１０２の位置と揃っているが、第２面１０２よりも突出していてもよいし、第２面１０２よりも窪んでいてもよい。なお、第１面１０１側と第２面１０２側との導通を取ることができれば、貫通電極１６１、１６２にボイドが含まれていてもよい。
【００５１】
続いて、基板１００の第２面１０２側に絶縁層２２０を形成する。絶縁層２２０としては、例えば、感光性樹脂層であり、ドライフィルムレジストを用いて、ラミネート装置等により形成される。そして、露光、現像を経て、貫通電極１６１、１６２の表面の一部を露出する開口部２２１、２２２が形成される（図４（ｃ））。開口部２２１、２２２は、貫通電極１６１、１６２と基板１００との境界部分を覆った状態で貫通電極１６１、１６２の一部を露出するように形成されることが望ましい。
【００５２】
開口部２２１、２２２を形成した後、絶縁層２２０を覆うように導電層３２０を形成する（図５（ａ））。導電層３２０は、例えば、銅、チタン、タンタル、タングステン、アルミニウム等の金属またはこれらを用いた合金の単層膜または積層膜であり、ＰＶＤ法、ＣＶＤ法等により形成される。この導電層３２０に対してフォトリソグラフィによるパターニングが行われると、配線３２１、３２２が形成される（図５（ｂ））。なお、めっき法によって配線を形成してもよい。この場合には、シード層を形成し、配線を形成したい部分以外にレジストパターンを形成し、めっき処理を行えばよい。そして、レジストを剥離し、シード層を除去するという一般的なめっき形成方法を用いることができる。これ以外にも、公知の方法であれば、どのような方法によって配線を形成してもよい。
【００５３】
配線３２１、３２２が形成された後に、所定温度以上の熱処理を粘着シート５１０に施して、導電性粘着層の粘着力を低下させる。そして、基板１００から粘着シート５１０および支持基板６１０を剥がす（図５（ｃ））。上述したとおり、粘着シート５１０の導電性粘着層を電解めっき処理の電極として用いることができ、粘着シートを剥がせばその電極も除去されることになる。そのため、シード層を別途形成して、電解めっき処理後に除去するという工程を行わなくてもよく、製造工程を簡略化することができる。
【００５４】
なお、配線３２１、３２２上に絶縁層および配線層を積層し、配線が多層構造で形成してもよい。この場合には、粘着シート５１０および支持基板６１０を基板１００から剥がす処理は、目的とする配線の多層構造が完成した後に実施されてもよいし、多層構造を形成する途中の工程において実施されてもよい。
【００５５】
なお、粘着シート５１０の粘着力が低下していれば、電解めっき処理によって形成された貫通電極１６１、ｌ６２と粘着シート５１０との分離は容易である。貫通電極１６１、ｌ６２と粘着シート５１０との分離をより容易にするために、貫通電極１６１、１６２と貫通孔１５１、１５２との密着力を向上させておいてもよい。密着力を向上させるためには、例えば、貫通孔１５１、１５２の形状を、基板１００の厚さ方向の中央側において、径を小さくし、第１面１０１側および第２面１０２側において、径を大きくしてもよい。また、粘着シート５１０が貼り付けられた側の第１面１０１側において径を小さくし、第２面１０２側ほど径を大きくするようにしてもよい。また、貫通孔１５１、１５２の側壁が凹凸形状を有するようにしてもよい。貫通孔１５１、１５２の側壁が凹凸形状を有するようにするためには、例えば、有底孔１５０を形成する際にドライエッチングを用いて
エッチング条件等を調整すればよい。
【００５６】
続いて、基板１００の第２面１０２側に、粘着シート５２０を用いて支持基板６２０を貼り付ける。この粘着シート５２０についても、粘着シート５１０と同様の構成であるが、電解めっき処理が行われるわけではないため導電性については有していなくてもよい。粘着シート５２０についても刺激の印加によって基板１００側の粘着層の粘着力が低下するようになっている。なお、薄化された基板１００であっても、後述する製造工程を実行することができれば、必ずしも粘着シート５２０および支持基板６２０を用いなくてもよい。
【００５７】
図６（ａ）に示すように、粘着シート５２０を用いて支持基板６２０を貼り付けた後に、粘着シート５１０および支持基板６１０を基板１００から剥がすようにしてもよい。粘着シート５２０が熱によって粘着力を低下させるものである場合には、予め粘着シート５１０に熱処理を加えて粘着力を低下させた後に、粘着シート５２０を用いて支持基板６２０を貼り付け、その後、粘着シート５１０および支持基板６１０を基板１００から剥がすようにしてもよい。なお、粘着シート５１０を基板１００から剥がした後に、基板１００に導電性粘着層の一部が残存していた場合には、これを除去する処理をしてもよい。残存した導電性粘着層を除去する処理としてはＣＭＰを用いて除去してもよいし、ウエットまたはドライエッチングを用いてもよい。なお、シード層が形成されていた場合には、導電性粘着層と同様にして除去されてもよい。
【００５８】
続いて、絶縁層２１０を設けて、開口部２１１、２１２を形成し、配線３１１、３１２を形成する（図６（ｂ））。絶縁層２１０は、上述した絶縁層２２０と同様にして形成される。配線３１１、３１２は、配線３２１、３２２と同様の方法で形成される。
【００５９】
配線３１１、３１２が形成された後に、所定温度以上の熱処理を粘着シート５２０に施し粘着力を低下させて、基板１００から粘着シート５２０および支持基板６２０を剥がす（図６（ｃ））。このようにして、貫通電極基板１０が製造される。以上が、貫通電極基板１０の製造方法である。
【００６０】
［粘着シート５１０の構成］
図７は、本発明の第１実施形態における粘着シートの構造を説明する図である。粘着シート５１０は、基材となるフィルム５１５、導電性粘着層５１２および支持粘着層５１４を含む。フィルム５１５の一方の面には導電性粘着層５１２が配置され、他方の面には支持粘着層５１４が配置されている。上記の貫通電極基板１０の製造方法の例では、導電性粘着層５１２には基板１００が貼り合わされ、支持粘着層５１４には支持基板６１０が貼り合わされている。なお、粘着シート５１０が使用される前には、粘着シート５１０の両面にセパレータ（剥離ライナー）が配置されていてもよい。
【００６１】
フィルム５１５は、この例では、可撓性を有するＰＥＴ等のプラスチックフィルムである。フィルム５１５は、単層構造でなくてもよく、複数材料を組み合わせた積層構造であってもよい。支持粘着層５１４は、この例では、感圧粘着剤で形成されている。なお、所定の刺激によって粘着力が低下するように形成されていてもよい。
【００６２】
導電性粘着層５１２は、所定の刺激の印加により粘着力が低下する粘着剤で形成された層であり、典型的には電解めっき時にシード層として用いられる層である。この例では、所定の刺激は、所定温度以上の熱である。粘着剤は、例えば、公知の粘着剤であればよい。この粘着剤には、所定温度以上の熱の印加により粘着力を低下させるための熱発泡性のマイクロカプセルが分散されている。このマイクロカプセルは、例えば、加熱によりガス化して大きく膨張する材料（例えば、イソブタン、プロパン等の溶剤）を樹脂（例えば、ポリビニルアルコール、ポリビニルブチラール、ポリメチルメタクリレート等の低粘着性の樹脂）で形成された殻によって封入したものである。この材料が大きく膨張すると、マイクロカプセルが膨張、さらには破裂して発泡し、粘着剤の粘着力を低下させる。したがって、粘着力の低下をさせたい温度に応じて、マイクロカプセルに封入する材料、およびマイクロカプセルの強度等のパラメータを決定すればよい。なお、マイクロカプセル自体は破裂せず、膨張によって薄くなった殻を、ガス化した内部の材料が透過して発泡するものであってもよい。いずれにしても、このマイクロカプセルは、加熱により導電性粘着層５１２に発泡を引き起こし、導電性粘着層５１２の粘着力を低下させるものである。
【００６３】
また、導電性粘着層５１２のシート抵抗が０．１Ω／□以上１００Ω／□以下、望ましくは１Ω／□以上１０Ω／□以下となるように、粘着剤で形成された層に、導電性フィラー等の導電性材料が分散されている。シート抵抗が高すぎると、電解めっき処理において基板１００における貫通孔の位置により、後述するように導電層の成長速度が大きく異なってしまい、後の工程に影響を与えてしまう。一方、導電性粘着層５１２そのもののシート抵抗が低すぎる場合、導電性材料の密度を高くしなくてはならない。その結果マイクロカプセルの密度が低下して、マイクロカプセルが発泡しても粘着力の低下量が少なくなって、基板１００から粘着シート５１０を剥がすのが困難になってしまう。
【００６４】
なお、シート抵抗は、マイクロカプセルが発泡する前の状態において測定されるものである。マイクロカプセルが発泡した後においては導電性材料のネットワークが切れ、抵抗率が上昇するため、シート抵抗も上昇することになる。
【００６５】
また、上述したマイクロカプセルが導電性を有する材料で形成されてもよい。この場合には、導電性材料は、マイクロカプセル外だけでなく、マイクロカプセル内にも分散されていてもよい。マイクロカプセルが導電性を有する材料で形成される場合には、この殻を形成する樹脂に導電性材料を分散させたものを用いてもよい。また、マイクロカプセル内において溶剤と共に導電性材料を分散させてもよい。
【００６６】
また、導電性粘着層５１２において、フィルム５１５から離れるほど（導電性粘着層５１２の表面に近いほど）高い密度で導電性材料が分散されていてもよい。このとき、導電性材料の密度が高い領域では、マイクロカプセルの密度が相対的に低くなっていてもよい。
【００６７】
なお、導電性粘着層５１２の厚さ方向における分布ではなく、面内における分布が存在してもよい。この場合、導電性材料の密度が高い部分が孤立して存在するのではなく、連続的に存在して導電ネットワークを形成することが望ましい。例えば、格子状に導電性材料の密度が高い部分が形成され、導電ネットワークを形成するようにしてもよい。格子に囲まれた領域においてマイクロカプセルの密度が高くなっていてもよい。
【００６８】
＜第２実施形態＞
図８は、本発明の第２実施形態における粘着シートの構造を説明する図である。第２実施形態における粘着シート５１０Ａは、導電性粘着層５１２Ａとフィルム５１５との間に導電層５１３Ａが形成されている。導電層５１３Ａは、例えば、アルミニウム、銅等の金属箔である。導電層５１３Ａはフィルム５１５の表面全体に形成されている場合に限らず、一部に形成されていてもよい。すなわち、フィルム５１５の表面の少なくとも一部に導電領域を形成していればよいが、上述した周辺部５５０に相当する領域を含め、導電領域が孤立して存在する領域をできるだけ少なくすることが望ましい。
【００６９】
なお、フィルム５１５と導電層５１３Ａとが一体に形成され、導電フィルムを構成していてもよい。フィルム５１５をアルミニウム、銅等の金属箔等の導電性材料で形成すれば、導電層５１３Ａが存在しなくても同じ効果が得られる。さらに、導電性粘着層５１２Ａと同様に、支持粘着層５１４についても導電性を有するようにしてもよい。このようにすると、支持粘着層５１４に貼り付けられる支持基板をステンレス板等の金属基板にすることにより、さらに低抵抗化を図ることもできる。このように粘着シート全体が導電性を有する材料で構成されている場合には、粘着シートの表裏それぞれのシート抵抗（表裏間を含めたシート抵抗）が１００Ω／□以下であることが望ましい。言い換えると、粘着シートの導電性粘着層５１２Ａ側から測定したシート抵抗および支持粘着層５１４側から測定したシート抵抗が、いずれも、１００Ω／□以下であることが望ましい。
【００７０】
面内の導電ネットワークが導電層５１３Ａにより形成されているため、導電性粘着層５１２Ａにおいては、厚さ方向に導電性を有することが重要である。したがって、導電性粘着層５１２Ａにおける導電性材料の密度は、第１実施形態における密度よりも少なくしてもよい。このとき、導電性粘着層５１２Ａは、厚さ方向の導電率が面内のいずれの方向の導電率よりも高くなるように、導電性材料が分散されてもよい。
【００７１】
＜第３実施形態＞
図９は、本発明の第３実施形態における粘着シートの構造を説明する図である。第３実施形態における粘着シート５１０Ｂは、パターンが形成された粘着層５１２Ｂを備えている。この例では、粘着層５１２Ｂは、開口部ＥＡが形成されている。開口部ＥＡにおいては、導電層５１３Ｂが露出されている。図示していないが、周辺部５５０に相当する領域においても、同様に導電層５１３Ｂが露出されている。なお、粘着層５１２Ｂは、上述した導電性粘着層とは異なり、導電性材料が分散されていない。
【００７２】
この粘着シート５１０Ｂでは、電解めっき処理において、開口部ＥＡにおいて露出された導電層５１３Ｂからめっきによる導電層が成長する。したがって、開口部ＥＡの領域に、貫通孔１５１、１５２が位置するように、基板１００と粘着シート５１０Ｂとが貼り合わされることになる。
【００７３】
＜第４実施形態＞
図１０は、本発明の第４実施形態における粘着層付き支持基板の構造を説明する図である。この例における粘着層付き支持基板６００は、第１実施形態における粘着シート５１０における基材（フィルム５１５）をガラス基板等の支持基板６１０に置き換えたものであって、粘着シートの一例ともいえる。
【００７４】
粘着層付き支持基板６００によれば、支持基板６１０によって、基板１００を支持することができるため、別途支持基板を要しない。したがって、この例では、支持粘着層５１４についても存在していない。貫通電極基板１０の製造工程に、このような粘着層付き支持基板６００を用いてもよい。以下の第５、第６実施形態においても同様である。
【００７５】
＜第５実施形態＞
図１１は、本発明の第５実施形態における粘着層付き支持基板の構造を説明する図である。この例における粘着層付き支持基板６００Ａは、第２実施形態における粘着シート５１０Ａにおける基材（フィルム５１５）をガラス基板等の支持基板６１０に置き換えたものであって、粘着シートの一例ともいえる。支持基板６１０をガラス基板ではなく、ステンレス基板等の導電性材料で形成された基板とすれば、導電層５１３Ａが存在しなくても同じ効果が得られる。
【００７６】
＜第６実施形態＞
図１２は、本発明の第６実施形態における粘着層付き支持基板の構造を説明する図である。この例における粘着層付き支持基板６００Ｂは、第３実施形態における粘着シート５１０Ｂにおける基材（フィルム５１５）をガラス基板等の支持基板６１０に置き換えたものであって、粘着シートの一例ともいえる。以下、第６実施形態における粘着層付き支持基板６００Ｂを用いた貫通電極基板の製造方法について説明する。
【００７７】
図１３は、本発明の第６実施形態における粘着層付き支持基板を用いた場合の貫通電極基板の製造方法を説明する図である。図１４は、図１３に続く貫通電極基板の製造方法を説明する図である。なお、図１３（ａ）、（ｂ）、（ｃ）は、それぞれ、第１実施形態における図３（ｃ）、図４（ａ）、（ｂ）に対応する工程である。
【００７８】
第１実施形態における図３（ｂ）の基板に第６実施形態における粘着層付き支持基板６００Ｂを貼り付けると、図１３（ａ）に示すとおり、開口部ＥＡに対応する部分に空間５６０が形成される。そして、ＣＭＰを用いて基板１００の第２面１０２側から薄化して、有底孔１５０の底部を開口させる（図１３（ｂ））。これによって、形成された貫通孔１５１、１５２の第１面１０１側の開口部を介して、導電層５１３Ｂが露出される。
【００７９】
続いて、基板１００に電解めっき処理を施して、貫通孔１５１、１５２の内部に導電層１６０を成長させる（図１３（ｃ））。この例では、電解めっき処理の陰極として導電層５１３Ｂを利用する。導電層５１３Ｂを介して電流を供給するため、空間５６０の部分にも導電層１６０が形成される。なお、粘着層５１２Ｂが非常に薄い場合、貫通孔１５１、１５２に成長した導電層１６０によって開口部が塞がれ、空間５６０を充填するほど導電層１６０が形成されない場合もある。
【００８０】
第１実施形態と同様に、基板１００の第２面１０２側に絶縁層、配線を形成し、粘着シート５２０を用いて支持基板６２０を貼り付ける。その後、所定温度以上の熱処理を粘着層５１２Ｂに施して粘着力を低下させ、粘着層５１２Ｂ、導電層５１３Ｂおよび支持基板６１０を基板１００から剥がす（図１４（ａ））。図１４（ａ）においては、導電層１６０と導電層５１３Ｂとの界面において剥がれているが、少なくとも一部の導電層５１３Ｂが導電層１６０に付着したまま、支持基板６１０から剥がれてもよい。
【００８１】
なお、支持基板６１０と導電層１６０との分離がしやすくなるように、導電層５１３Ｂにおいて、上述したような熱発泡性のマイクロカプセルが含まれるようにしてもよい。この場合、導電層５１３Ｂは、金属箔ではなく、導電性材料を分散させた有機層であってもよい。また、上述したように、貫通孔１５１、１５２と導電層１６０との密着力を向上させるため、貫通孔１５１、１５２の形状を、基板１００の厚さ方向の中央側において、径を小さくし、第１面１０１側および第２面１０２側において、径を大きくしたり、粘着シート５１０が貼り付けられた側の第１面１０１側において径を小さくし、第２面１０２側ほど径を大きくしたり、側壁が凹凸形状を有するようにしたりしてもよい。
【００８２】
続いて、導電層１６０のうち、基板１００の第１面１０１から突出した部分を、ＣＭＰを用いて除去し、貫通電極１６１、１６２を形成する（図１４（ｂ））。なお、電解めっき処理において、空間５６０を充填するほど導電層１６０が形成されていない場合、すでに貫通電極１６１、１６２が分離されている場合もある。この場合には、導電層１６０のうち、基板１００の第１面１０１から突出した部分を除去しなくてもよい場合がある。後の工程は、第１実施形態で説明した図６（ｂ）、（ｃ）の工程と同様であるため、説明を省略する。
【００８３】
＜粘着シートの抵抗の影響＞
続いて、上記の各実施形態において説明した粘着シートは、電解めっき処理のシード層の機能を持たせるために、必要な電流を供給するだけでなく導電層の成長速度の分布が少なくなるように、シート抵抗を低減する必要がある。
【００８４】
図１５は、粘着シートの抵抗が低い場合の貫通孔内に成長する導電層の分布を説明する図である。図１６は、粘着シートの抵抗が高い場合の貫通孔内に成長する導電層の分布を説明する図である。図１５、１６に示す例では、基板１００に貫通孔１５１〜１５７が形成されている。電解めっき処理の電極としては、電極５１３０と導電性粘着層５１２Ａまたは５１２Ｚとが用いられる。
【００８５】
図１５に示す例では、図１１に示す第５実施形態の粘着層付き支持基板６００Ａ（粘着シート）を用いている。この例では、電源ＤＣが接続される受電部である端子部分（周辺部５５０に対応）に近い貫通孔１５７と、端子部分から遠い貫通孔１５１とにおいて、導電層１６０の成長速度の違いが少ない。そのため、導電層１６０が第２面１０２まで到達するまでの時間は、ほとんど変わらない。これは、導電層５１３Ａの存在によって、粘着シートの基板１００側のシート抵抗が低減され、端子部分から貫通孔１５１までの電圧降下の影響が少なくなるためである。
【００８６】
一方、図１６に示す例では、シート抵抗が高い粘着層５１２Ｚを用いている。この場合、端子部分から貫通孔１５１までの電圧降下の影響が大きくなり、導電層１６０の成長速度に大きな違いが生じる。そのため導電層１６０が第２面１０２まで到達するまでの時間は、大きく異なってしまう。この差が大きくなりすぎると、貫通孔１５１の導電層１６０が第２面まで到達する間に、貫通孔１５７の導電層１６０が第２面１０２から大きく突出し、後の工程に悪影響を与えてしまったり、隣接する貫通孔１５６と電気的に接触してしまったりすることもある。したがって、電極５１３０を特殊な形状にしたり、遮蔽板を設けたり、他の条件を調整して、導電層１６０の成長速度の差を抑制しなくてはならない。
【００８７】
なお、導電性を持たせるために導電層を用いずに導電性粘着層を用いた粘着シートであっても、導電層１６０の成長速度が所定の分布に収まるように、導電性粘着層のシート抵抗を調整すればよい。また、導電層１６０の成長速度が所定の分布に収まらなかったとしても、他の条件（電極形状、遮蔽板利用）を調整すればよい。また、基板の大きさが小さければ、成長速度の分布が大きな影響を与えない場合もある。
【００８８】
また、導電層１６０の成長速度が所定の分布に収まらなかったとしても、第２面１０２から突出して成長した部分のうち、不要な部分を除去する工程を追加してもよい。その工程としては、例えば、フライカッターを用いて突出した部分を削ってもよいし、ＣＭＰで突出した部分を研磨してもよい。このように、成長速度の違いによって生じた面内分布を事後的に別の工程によって改善するようにしてもよい。このように、図１５に示す例は、粘着シートにおいて金属箔のような導電層が必須の要素であることを示すものではない。また、図１６の例になる条件を有する粘着シートが、本発明の実施形態として取り得ないものではなく、粘着シートのシート抵抗が所定値以下であることを必須の要素とするものでもない。
【００８９】
ここで、上記の各実施形態において説明した粘着シートを用いないような従来技術の例によれば、電解めっき処理のためのシード層をを形成することになるが、面内分布をよくするためにはシード層を低抵抗化しなくてはならない。そのためには、シード層の厚みを厚くすることになる。しかしながら、シード層の厚膜化を行うと、シード層を形成するための形成時間が長くなり、また、電解めっき処理後において不要となった部分のシード層をエッチングするための時間も長くなってしまう。なお、シード層を薄くすると低抵抗化が困難であるため、上記のように不要な部分の研磨等をした上に、さらにシード層をエッチングしなくてはならない。
【００９０】
また、シード層をエッチングする時間が長くなると、残しておきたいめっき層についても一部エッチングされてしまい、例えば、貫通電極として充填されている部分が窪んでしまう等の不具合が発生する場合もある。これに対し、上記の各実施形態において説明した粘着シートを用いて電解めっき処理を行えば、電解めっき処理後に粘着シートを基板から剥がすことで、シード層に相当する導電性粘着層も基板から剥離脱離するため、従来技術において生じた不具合は発生しない。
【００９１】
＜第７実施形態＞
第１実施形態においては、粘着シート５１０を貼り付ける前には、貫通孔１５１、１５２が形成される前の有底孔１５０が基板１００に形成されていた。そして、粘着シート５１０および支持基板６１０を貼り付けた後に、基板１００を薄化して有底孔１５０の底部を開口し、貫通孔１５１、１５２を形成した。その結果、貫通孔１５１、１５２を通して
粘着シート５１０の導電性粘着層を露出させた。
【００９２】
第７実施形態においては、貫通孔１５１、１５２が形成されている基板に粘着シート５１０を貼り付ける。この工程により、図４（ａ）に示す構成と同様になり、貫通孔１５１、１５２の開口部において、基板１００の薄化をしなくても粘着シート５１０が露出した状態になる。このように、粘着シート５１０および支持基板６１０は、基板１００の薄化をしない場合に、電解めっき処理の電極を形成するために用いられてもよい。なお、電解めっき処理の電極として用いるだけであれば、支持基板６１０を用いなくてもよい。この場合には、粘着シート５１０において、支持粘着層５１４は存在しなくてもよい。
【００９３】
＜第８実施形態＞
第８実施形態においては、上述した貫通電極基板１０を用いて製造される半導体装置について説明する。
【００９４】
図１７は、本発明の第８実施形態に係る半導体装置を示す図である。半導体装置１０００は、３つの基板６０（６０−１、６０−２、６０−３）が積層され、ＬＳＩ（Ｌａｒｇｅ  Ｓｃａｌｅ  Ｉｎｔｅｇｒａｔｉｏｎ）基板７０に接続されている。基板６０−１、６０−２は、上述した貫通電極基板１０である。いずれか一方は、上述した貫通電極基板１０ではなく、第１実施形態とは別の製造方法で製造された貫通電極基板であってもよい。これらの基板６０のうちシリコン基板等の半導体基板を用いた貫通電極基板が存在する場合には、その貫通電極基板にＤＲＡＭ等の半導体素子が形成されてもよい。
【００９５】
それぞれの基板６０−１、６０−２、６０−３には、バンプと接続するための接続端子が配置されている。接続端子は、同じ基板に配置された配線と接続されている。基板６０−１の接続端子８１−１は、ＬＳＩ基板７０の接続端子８０とバンプ９０−１により接続されている。基板６０−１の接続端子８２−１は、基板６０−２の接続端子８１−２とバンプ９０−２により接続されている。基板６０−２の接続端子８２−２と、基板６０−３の接続端子８３−１とについても、接続端子がバンプ９０−３により接続されている。バンプ９０−１、９０−２、９０−３は、例えば、インジウム、銅、金等の金属を用いる。
【００９６】
なお、基板６０を積層する場合には、３層に限らず、２層であってもよいし、さらに４層以上であってもよい。また、基板６０と他の基板との接続においては、バンプによるものに限らず、共晶接合など、他の接合技術を用いてもよい。また、ポリイミド、エポキシ樹脂等を塗布、焼成して、基板６０と他の基板とを接着してもよい。
【００９７】
図１８は、本発明の第８実施形態に係る半導体装置の別の例を示す図である。図１７に示す半導体装置１０００は、ＭＥＭＳデバイス、ＣＰＵ、メモリ等の半導体チップ（ＬＳＩチップ）７１−１、７１−２が積層され、ＬＳＩ基板７０に接続されている。
【００９８】
半導体チップ７１−１と半導体チップ７１−２との間に、基板６０が配置され、バンプ９０−１、９０−２により接続されている。基板６０は、上述した貫通電極基板１０である。
【００９９】
ＬＳＩ基板７０上に半導体チップ７１−１が載置されている。ＬＳＩ基板７０と半導体チップ７１−２とは、ワイヤ９５により接続されている。この例では、基板６０は、複数の半導体チップを積層して３次元実装するためのインターポーザとしても用いられ、それぞれ機能の異なる複数の半導体チップを積層することで、多機能の半導体装置を製造することができる。例えば、半導体チップ７１−１を３軸加速度センサとし、半導体チップ７１−２を２軸磁気センサとすることによって、５軸モーションセンサを１つのモジュールで実現した半導体装置を製造することができる。
【０１００】
半導体チップがＭＥＭＳデバイスにより形成されたセンサなどである場合には、センシング結果がアナログ信号により出力されるようなときがある。この場合には、ローパスフィルタ、アンプ等についても半導体チップに形成してもよい。
【０１０１】
図１９は、本発明の第８実施形態に係る半導体装置のさらに別の例を示す図である。上記２つの例（図１７、図１８）は、３次元実装であったが、この例では、２．５次元実装に適用した例である。図１９に示す例では、ＬＳＩ基板７０には、６つの基板６０（６０−１〜６０−６）が積層されて接続されている。ただし、全ての基板６０が積層して配置されているだけでなく、基板面内方向にも並んで配置されている。基板６０の少なくとも一つは、上述した貫通電極基板１０である。
【０１０２】
図１９の例では、ＬＳＩ基板７０上に基板６０−１、６０−５が接続され、基板６０−１上に基板６０−２、６０−４が接続され、基板６０−２上に基板６０−３が接続され、基板６０−５上に基板６０−６が接続されている。なお、図１８に示す例のように、基板６０を複数の半導体チップを接続するためのインターポーザとして用いても、このような２．５次元実装が可能である。例えば、基板６０−３、６０−４、６０−６などが半導体チップに置き換えられてもよい。
【０１０３】
上述のように製造された半導体装置１０００は、例えば、携帯端末（携帯電話、スマートフォンおよびノート型パーソナルコンピュータ等）、情報処理装置（デスクトップ型パーソナルコンピュータ、サーバ、カーナビゲーション等）、家電等、様々な電気機器に搭載される。
【０１０４】
図２０は、本発明の第７実施形態に係る半導体装置を用いた電子機器を示す図である。
半導体装置１０００が搭載された電気機器の例として、図２０（ａ）にはスマートフォン５０００を示し、図２０（ｂ）にはノート型パーソナルコンピュータ６０００を示した。これらの電気機器は、アプリケーションプログラムを実行して各種機能を実現するＣＰＵ等で構成される制御部１１００を有する。各種機能には、半導体装置１０００からの出力信号を用いる機能が含まれる。
【符号の説明】
【０１０５】
１０…貫通電極基板、６０…基板、７０…ＬＳＩ基板、７１…半導体チップ、８０，８１，８２…接続端子、９０…バンプ、９５…ワイヤ、１００…基板、１０１…第１面、１０２…第２面、１５０…有底孔、１５１〜１５７…貫通孔、１６０…導電層、１６１，１６２…貫通電極、２１０，２２０…絶縁層、２１１，２１２，２２１，２２２…開口部、３１１，３１２，３２１，３２２…配線、３２０…導電層、５１０，５１０Ａ，５１０Ｂ，５２０…粘着シート、５１１…導電性粘着層の表面、５１２，５１２Ａ，５１２Ｚ…導電性粘着層、５１２Ｂ…粘着層、５１３Ａ，５１３Ｂ…導電層、５１４…支持粘着層、５１５…フィルム、５５０…周辺部、５６０…空間、６００，６００Ａ，６００Ｂ…粘着層付き支持基板、６１０，６２０…支持基板、１０００…半導体装置、１１００…制御部、５０００…スマートフォン、６０００…ノート型パーソナルコンピュータ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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