(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁性を有するベースフィルムと、このベースフィルムの少なくとも一方の面側に積層される導電パターンとを備えるプリント配線板であって、
上記導電パターンの少なくとも一部が、
サブトラクティブ法又はセミアディティブ法により形成される芯体と、
この芯体の外面にメッキにより積層されるシュリンク層と
を有し、
上記一部の導電パターンが渦巻き状であり、
上記渦巻き状部分の上記芯体の幅が外側から内側に向かって大きくなるプリント配線板。
【請求項２】
上記一部の導電パターンの平均回路間隔が、３０μｍ以下である請求項１に記載のプリント配線板。
【請求項３】
上記一部の導電パターンの平均アスペクト比が、０．５以上である請求項１又は請求項２に記載のプリント配線板。
【請求項４】
上記メッキが、電気メッキ又は無電解メッキである請求項１、請求項２又は請求項３に記載のプリント配線板。
【請求項５】
上記芯体及びシュリンク層の主成分が、銅又は銅合金である請求項１から請求項４のいずれか１項に記載のプリント配線板。
【請求項６】
上記ベースフィルムの他方の面側に積層される導電パターンをさらに備え、
この導電パターンの少なくとも一部も上記芯体と上記シュリンク層とを有する請求項１から請求項５のいずれか１項に記載のプリント配線板。
【請求項７】
請求項１から請求項６のいずれか１項に記載のプリント配線板を有する電子部品。
【請求項８】
絶縁性を有するベースフィルムと、このベースフィルムの少なくとも一方の面側に積層される導電パターンとを備えるプリント配線板の製造方法であって、
サブトラクティブ法又はセミアディティブ法により導電パターンの芯体を形成する工程と、
この芯体の外面の少なくとも一部にメッキによりシュリンク層を積層する工程と
を有し、
上記一部の導電パターンが渦巻き状であり、
上記渦巻き状部分の上記芯体の幅が外側から内側に向かって大きくなるプリント配線板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、プリント配線板、電子部品及びプリント配線板の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、電子機器の小型軽量化に伴い、電子機器を構成するコイル等の各電子部品についても小型化及び導電パターンの高密度化が要求されている。この要求に対し、従来の磁性体に電線を巻回したコイルに代わるものとして基板上にコイルパターンを形成したフレキシブルプリント配線板が開発されている（特開２０１１−１９２７１０号公報参照）。
【０００３】
しかし、上記フレキシブルプリント配線板では、レジストパターンを用いフォトリソグラフィ技術によりコイルを形成する導電パターンを積層する。そのため、導電パターンの線幅及びピッチがレジストパターンの線幅及びピッチに依存し、導電パターンの密度向上に限界がある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２０１１−１９２７１０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
本発明は、上述のような事情に鑑みてなされたものであり、高密度の導電パターンを有するプリント配線板、電子部品及びプリント配線板の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の一態様に係るプリント配線板は、絶縁性を有するベースフィルムと、このベースフィルムの少なくとも一方の面側に積層される導電パターンとを備えるプリント配線板であって、上記導電パターンの少なくとも一部が、サブトラクティブ法又はセミアディティブ法により形成される芯体と、この芯体の外面にメッキにより積層されるシュリンク層とを有する。
【０００７】
また、本発明の一態様に係る電子部品は、当該プリント配線板を有する。
【０００８】
さらに、本発明の一態様に係るプリント配線板の製造方法は、絶縁性を有するベースフィルムと、このベースフィルムの少なくとも一方の面側に積層される導電パターンとを備えるプリント配線板の製造方法であって、サブトラクティブ法又はセミアディティブ法により導電パターンの芯体を形成する工程と、この芯体の外面の少なくとも一部にメッキによりシュリンク層を積層する工程とを有する。
【発明の効果】
【０００９】
当該プリント配線板及び電子部品は高密度の導電パターンを有する。従って、当該プリント配線板及び電子部品は例えばコイルとして好適に用いることができる。また、当該プリント配線板の製造方法は高密度の導電パターンを有するプリント配線板を容易かつ確実に製造することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１Ａ】図１Ａは、本発明の一態様に係るプリント配線板を示す模式的平面図である。
【図１Ｂ】図１Ｂは、図１ＡのＡ−Ａ線に沿う模式的断面図である。
【図２Ａ】図２Ａは、図１のプリント配線板の製造方法を説明するための模式的断面図である。
【図２Ｂ】図２Ｂは、図１のプリント配線板の製造方法を説明するための模式的断面図である。
【図２Ｃ】図２Ｃは、図１のプリント配線板の製造方法を説明するための模式的断面図である。
【図２Ｄ】図２Ｄは、図１のプリント配線板の製造方法を説明するための模式的断面図である。
【図３Ａ】図３Ａは、図１のプリント配線板の図２Ａ〜図２Ｄとは異なる製造方法を説明するための模式的断面図である。
【図３Ｂ】図３Ｂは、図１のプリント配線板の図２Ａ〜図２Ｄとは異なる製造方法を説明するための模式的断面図である。
【図３Ｃ】図３Ｃは、図１のプリント配線板の図２Ａ〜図２Ｄとは異なる製造方法を説明するための模式的断面図である。
【図３Ｄ】図３Ｄは、図１のプリント配線板の図２Ａ〜図２Ｄとは異なる製造方法を説明するための模式的断面図である。
【図３Ｅ】図３Ｅは、図１のプリント配線板の図２Ａ〜図２Ｄとは異なる製造方法を説明するための模式的断面図である。
【図４Ａ】図４Ａは、本発明の一態様に係る電子部品であるコイルを示す模式的平面図である。
【図４Ｂ】図４Ｂは、図４ＡのＢ−Ｂ線に沿う模式的断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
［本発明の実施形態の説明］
本発明の実施形態に係るプリント配線板は、絶縁性を有するベースフィルムと、このベースフィルムの少なくとも一方の面側に積層される導電パターンとを備えるプリント配線板であって、上記導電パターンの少なくとも一部が、サブトラクティブ法又はセミアディティブ法により形成される芯体と、この芯体の外面にメッキにより積層されるシュリンク層とを有する。
【００１２】
当該プリント配線板は、導電パターンの少なくとも一部が芯体及びその外面に形成されるシュリンク層を有する。従って、当該プリント配線板は、上記芯体をサブトラクティブ法又はセミアディティブ法により形成した後に、シュリンク層をメッキにより形成することで、導電パターンの間隔をサブトラクティブ法又はセミアディティブ法により形成したものより狭くすることができる。その結果、当該プリント配線板は、高密度の導電パターンを有する。
【００１３】
上記一部の導電パターンが、ストライプ状又は渦巻き状であるとよい。このように、芯体とシュリンク層とを有する導電パターンをストライプ状又は渦巻き状とすることで、導電パターンの規則性が向上し、その結果電気抵抗、誘電率等の均一性を向上することができる。
【００１４】
上記一部の導電パターンの平均回路間隔としては、３０μｍ以下が好ましい。上記平均回路間隔を上記上限以下とすることで、導電パターンの密度をより向上できる。
【００１５】
上記一部の導電パターンの平均アスペクト比としては、０．５以上が好ましい。上記アスペクト比を上記下限以上とすることで、導電パターンの密度を維持したまま厚みを向上できる。
【００１６】
上記メッキが、電気メッキ又は無電解メッキであるとよい。このように、シュリンク層を電気メッキにより形成することで、シュリンク層を容易かつ確実に形成できる。このため、導電パターンの平均回路間隔を小さくでき、密度をさらに向上できる。また、メッキ時に芯体の回路の一部を電気的に遮断することで、所望の芯体の外面のみにシュリンク層を積層できるため、導電パターンの寸法精度を維持しつつ大きさを容易に調整できる。また、シュリンク層を無電解メッキにより形成することで、シュリンク層の厚みの均一性を向上できると共に、コストを低減できる。
【００１７】
上記芯体及びシュリンク層の主成分が、銅又は銅合金であるとよい。このように、芯体及びシュリンク層の主成分が銅であることで、導電パターンの導電性が向上する。また、導電パターンの製造コストを低減できる。
【００１８】
上記ベースフィルムの他方の面側に積層される導電パターンをさらに備え、この導電パターンの少なくとも一部も上記芯体と上記シュリンク層とを有するとよい。このようにベースフィルムの一方の面側及び他方の面側に芯体とシュリンク層とを有する導電パターンを備えることで、当該プリント配線板をコイルとした際に面積や厚みの増加を抑止しつつコイルの巻き数増加及びインダクタンス調整ができるため、結合係数を高めつつ小型化が可能である。
【００１９】
本発明の実施形態に係る電子部品は、当該プリント配線板を有するため、高密度の導電パターンを有するため、スペース効率等に優れる。
【００２０】
さらに、本発明の実施形態に係るプリント配線板の製造方法は、絶縁性を有するベースフィルムと、このベースフィルムの少なくとも一方の面側に積層される導電パターンとを備えるプリント配線板の製造方法であって、サブトラクティブ法又はセミアディティブ法により導電パターンの芯体を形成する工程と、この芯体の外面の少なくとも一部にメッキによりシュリンク層を積層する工程とを有する。
【００２１】
当該プリント配線板の製造方法によれば、上記芯体をサブトラクティブ法又はセミアディティブ法により形成した後に、シュリンク層をメッキにより形成することで、導電パターンの間隔をサブトラクティブ法又はセミアディティブ法により形成したものより狭くすることができる。その結果、当該プリント配線板の製造方法によれば、高密度の導電パターンを有するプリント配線板が得られる。
【００２２】
ここで、「回路間隔」とは、導電パターンの構成要素が線状である場合は対向する隣接面間の距離を意味し、導電パターンの構成要素が点状等の周縁が画定される形状である場合は隣接する導電パターンの周縁間の最短距離を意味する。「アスペクト比」とは、導電パターンの平均幅に対する平均高さの比を意味する。「幅」とは、導電パターンの構成要素が線状である場合は長さ方向に直交する方向の寸法を意味し、導電パターンの構成要素が点状等の周縁が画定される形状である場合は最大径方向に直交する方向の寸法を意味する。「高さ」とは、導電パターンのベースフィルムと接する側の面から導電パターンのベースフィルムと反対側の面までの距離を意味する。「主成分」とは、最も含有量が多い成分であり、例えば含有量が５０質量％以上の成分をいう。なお、これらの定義は、以下において他の部材等に対して用いる場合にも同様に定義される。
【００２３】
［本発明の実施形態の詳細］
以下、本発明の実施形態に係るプリント配線板及びプリント配線板の製造方法について説明する。なお、本実施形態において「表面側」とは、ベースフィルムの厚さ方向のうち、導電パターンが積層される側を指すものであり、本実施形態の表裏がプリント配線板の使用状態における表裏を決定するものではない。
【００２４】
［プリント配線板］
図１Ａ及び図１Ｂのプリント配線板１は、ベースフィルム２及びこのベースフィルム２の表面側に積層される導電パターン３を主に備え、可撓性を有するいわゆるフレキシブルプリント配線板である。また、当該プリント配線板１は、ベースフィルム２又は導電パターン３の表面側にカバーフィルムをさらに備えてもよい。
【００２５】
＜ベースフィルム＞
上記ベースフィルム２は絶縁性及び可撓性を有する。このベースフィルム２の主成分としては、例えばポリイミド、ポリエチレンテレフタレート、フッ素樹脂、液晶ポリマー等が挙げられる。また、ベースフィルム２は、ポリイミド等の例示した樹脂以外の他の樹脂、帯電防止剤等を含有してもよい。
【００２６】
ベースフィルム２の平均厚みの下限としては、特に限定されないが、３μｍが好ましく、５μｍがより好ましく、１０μｍがさらに好ましい。一方、ベースフィルム２の平均厚みの上限としては、特に限定されないが、２００μｍが好ましく、１５０μｍがより好ましく、１００μｍがさらに好ましい。ベースフィルム２の平均厚みが上記下限未満であると、絶縁性及び機械的強度が不十分となるおそれがある。一方、ベースフィルム２の平均厚みが上記上限を超えると、当該プリント配線板１の厚みが大きくなりすぎるおそれがある。
【００２７】
ここで、「平均厚み」とは、任意の十点において測定した厚みの平均値をいう。なお、以下において他の部材等に対して「平均厚み」という場合にも同様に定義される。
【００２８】
＜導電パターン＞
導電パターン３はベースフィルム２の表面側に直接又は他の層を介して積層される。また、導電パターン３は芯体３ａ及びシュリンク層３ｂを有する。
【００２９】
（芯体）
上記芯体３ａは、サブトラクティブ法又はセミアディティブ法によりベースフィルム２の表面に形成される。サブトラクティブ法では、ベースフィルム２に積層された金属箔をエッチングすることにより所望の形状の芯体３ａが形成される。また、セミアディティブ法では、まずベースフィルム２の表面側に薄い導電パターン（シード層）を形成し、このシード層の表面にフォトレジスト法によりレジストパターンを形成する。次いで、露出したシード層の表面に上記レジストパターンをマスクとしてメッキを行うことで所望の形状の芯体３ａが形成される。
【００３０】
芯体３ａの材質としては、例えば銅、アルミニウム、銀、金、ニッケル、これらの合金、ステンレス鋼等が挙げられる。これらの中で、導電性を良好なものとする観点及びコストを低減する観点から銅又は銅合金が好ましい。
【００３１】
芯体３ａの平均幅の上限としては、３０μｍが好ましく、２０μｍがより好ましい。一方、上記平均幅の下限としては、２μｍが好ましく、５μｍがより好ましい。上記平均幅が上記下限未満の場合、導電パターン３の導通性が不十分となるおそれがある。逆に、上記平均幅が上記上限を超えると、当該プリント配線板１の小型化が困難になるおそれがある。
【００３２】
芯体３ａの平均回路間隔の下限としては、１５μｍが好ましく、２０μｍがより好ましい。一方、上記平均回路間隔の上限としては５０μｍが好ましく、３０μｍがより好ましい。上記平均回路間隔が上記下限未満の場合、シュリンク層３ｂを形成するメッキにより隣接する芯体３ａ間の空間が充填され、導電パターン３が短絡するおそれがある。逆に、上記平均回路間隔が上記上限を超えると、導電パターン３の密度が十分に向上しないおそれがある。
【００３３】
芯体３ａの平均高さの上限としては、５０μｍが好ましく、４０μｍがより好ましい。一方、上記平均高さの下限としては、５μｍが好ましく、１０μｍがより好ましい。上記平均高さが上記上限を超えると、当該プリント配線板１の小型化が困難になるおそれがある。上記平均高さが上記下限未満の場合、導電パターン３の導通性が不十分となるおそれがある。
【００３４】
（シュリンク層）
上記シュリンク層３ｂは、上記芯体３ａの外面にメッキにより積層される。このシュリンク層３ｂにより芯体３ａが被覆され、狭間隔の導電パターン３が形成される。また、このメッキは１回のみ行ってもよく、複数回に分けて行ってもよい。
【００３５】
シュリンク層３ｂの形成に用いるメッキとしては、電気メッキ又は無電解メッキが好ましく、電気メッキがより好ましい。また、上記メッキの種類としては、例えば銅メッキ、金メッキ、ニッケルメッキ、これらの合金メッキ等が挙げられる。これらの中で、導電性を良好なものとできる観点及びコスト低減の観点から、銅メッキ又は銅合金メッキが好ましい。
【００３６】
また、シュリンク層３ｂの材質としては、上記芯体３ａと同じものであることが好ましい。このように、芯体３ａ及びシュリンク層３ｂを同じ材質とすることで、芯体３ａ及びシュリンク層３ｂの誘電率等の電気的特性が均一になり、導電パターン３の導電性がより向上する。
【００３７】
シュリンク層３ｂの平均厚みの上限としては、１５μｍが好ましく、１２μｍがより好ましい。一方、上記平均厚みの下限としては、５μｍが好ましく、８μｍがより好ましい。上記平均厚みが上記上限を超えると、導電パターン３の厚み及び高さが過度に増加するおそれがある。逆に、上記平均厚みが上記下限未満の場合、導電パターン３の密度が十分に向上しないおそれがある。ここで、「シュリンク層の厚み」とは、シュリンク層３ｂの芯体３ａと接する側の面からシュリンク層３ｂの芯体３ａと反対側の面までのベースフィルム２の厚さ方向の距離又はその垂直方向の距離を意味する。
【００３８】
上記芯体３ａ及びシュリンク層３ｂを有する導電パターン３の形状としては、ストライプ状又は渦巻き状が好ましく、渦巻き状がより好ましい。導電パターン３がこれらの形状であることで、導電パターン３の規則性が向上し、その結果電気抵抗、誘電率等の均一性を向上することができる。
【００３９】
上記導電パターン３の平均回路間隔の上限としては、３０μｍが好ましく、２０μｍがより好ましい。一方、上記平均回路間隔の下限としては、３μｍが好ましく、５μｍがより好ましい。上記平均回路間隔が上記上限を超えると、導電パターン３の密度が十分に向上しないおそれがある。逆に、上記平均回路間隔が上記下限未満の場合、導電パターン３の形成が困難となるおそれがある。
【００４０】
導電パターン３の平均アスペクト比の下限としては、０．５が好ましく、０．８がより好ましい。一方、上記平均アスペクト比の上限としては、２が好ましく、１．５がより好ましい。上記平均アスペクト比が上記下限未満の場合、導電パターン３の密度が十分に向上しないおそれがある。逆に、上記平均アスペクト比が上記上限を超えると、導電パターン３が破損、剥離等し易くなるおそれがある。
【００４１】
導電パターン３の平均幅の上限としては、４０μｍが好ましく、３５μｍがより好ましい。一方、上記平均幅の下限としては、７μｍが好ましく、１０μｍがより好ましい。上記平均幅が上記上限を超えると、導電パターン３の密度が十分に向上しないおそれがある。逆に、上記平均幅が上記下限未満の場合、導電パターン３が破損、剥離等し易くなるおそれがある。
【００４２】
導電パターン３の平均高さの上限としては、４０μｍが好ましく、３０μｍがより好ましい。一方、上記平均高さの下限としては、１０μｍが好ましく、１５μｍがより好ましい。上記平均高さが上記上限を超えると、当該プリント配線板１の小型化が困難になるおそれがある。上記平均高さが上記下限未満の場合、導電パターン３の導通性が不十分となるおそれがある。
【００４３】
導電パターン３の平均ピッチの上限としては、７０μｍが好ましく、５０μｍがより好ましい。一方、上記平均ピッチの下限としては、１０μｍが好ましく、１５μｍがより好ましい。上記平均ピッチが上記上限を超えると、導電パターン３の密度が十分に向上しないおそれがある。逆に、上記ピッチが上記下限未満の場合、導電パターン３の形成が困難となるおそれがある。ここで「ピッチ」とは、導電パターン３の構成要素が線状である場合は中心線間の距離を意味し、導電パターン３の構成要素が点状等の周縁が確定される形状である場合は中心点間の距離を意味する。
【００４４】
＜カバーフィルム＞
カバーフィルム４は、ベースフィルム２及び導電パターン３を含む積層体の導電パターン３が積層される側の面に接着層５を介して積層される。このカバーフィルム４は導電パターン３等を保護するものである。
【００４５】
カバーフィルム４は、可撓性を有するフィルムであり、さらに絶縁性を有することが好ましい。カバーフィルム４の主成分としては、例えばポリイミド、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、アクリル樹脂、ポリエステル、熱可塑性ポリイミド、ポリエチレンテレフタレート、フッ素樹脂、液晶ポリマー等が挙げられる。特に、耐熱性の観点からポリイミドが好ましい。なお、このカバーフィルム４は、主成分以外の他の樹脂、耐候剤、帯電防止剤等が含有されていてもよい。
【００４６】
カバーフィルム４の平均厚みの下限としては、特に限定されないが、３μｍが好ましく、１０μｍがより好ましい。一方、カバーフィルム４の平均厚みの上限としては、特に限定されないが、５００μｍが好ましく、１５０μｍがより好ましい。カバーフィルム４の平均厚みが上記下限未満であると、導電パターン３等の保護が不十分となるおそれがあると共に、カバーフィルム４に絶縁性が求められる場合には絶縁性が不十分となるおそれがある。逆に、カバーフィルム４の平均厚みが上記上限を超えると、導電パターン３等の保護効果の上積みが少なくなるおそれがあると共に、カバーフィルム４の可撓性が不十分となるおそれがある。
【００４７】
＜接着層＞
接着層５は、カバーフィルム４をベースフィルム２及び導電パターン３を含む積層体の導電パターン３が積層される側の面に接着するものである。この接着層５の平均厚みの下限としては、５μｍが好ましく、１０μｍがより好ましい。一方、接着層５の平均厚みの上限としては、１００μｍが好ましく、７５μｍがより好ましい。接着層５の平均厚みが上記下限未満の場合、カバーフィルム４と上記積層体との接着強度が不十分となるおそれがある。逆に、接着層５の平均厚みが上記上限を超えると、当該プリント配線板１の厚みが不必要に増加するおそれがある。
【００４８】
＜利点＞
当該プリント配線板１は、導電パターン３が芯体３ａ及びその外面に形成されるシュリンク層３ｂを有する。従って、当該プリント配線板１は、上記芯体３ａをサブトラクティブ法又はセミアディティブ法により形成した後に、シュリンク層３ｂをメッキにより形成することで、導電パターン３の間隔をサブトラクティブ法又はセミアディティブ法により形成したものより狭くすることができる。その結果、当該プリント配線板１は、高密度の導電パターン３を有する。
【００４９】
［プリント配線板の製造方法］
次に、本実施形態に係るプリント配線板の製造方法について、当該プリント配線板１を用いて説明する。
【００５０】
当該プリント配線板の製造方法は、サブトラクティブ法又はセミアディティブ法により導電パターン３の芯体３ａを積層する工程と、この芯体３ａの外面の少なくとも一部にメッキによりシュリンク層３ｂを積層する工程とを主に有する。また、シュリンク層３ｂを形成した後、カバーフィルム４をベースフィルム２及び導電パターン３に積層する工程をさらに備えてもよい。
【００５１】
＜芯体形成工程＞
芯体形成工程においては、サブトラクティブ法又はセミアディティブ法によりベースフィルム２の表面に芯体３ａを積層する。この積層方法としては、より微細なパターンを容易に形成できる観点からセミアディティブ法が好ましい。
【００５２】
＜サブトラクティブ法＞
サブトラクティブ法により芯体３ａを形成する場合、図２Ａ〜２Ｃに示すように、芯体形成工程は、ベースフィルム２上に金属箔Ｍを積層する工程、この金属箔Ｍの表面にレジストパターンＸを形成する工程、このレジストパターンＸをマスクとして金属箔Ｍをエッチングする工程、上記レジストパターンＸを剥離する工程を主に備える。
【００５３】
（金属箔積層工程）
本工程では、図２Ａに示すようにベースフィルム２に金属箔Ｍを積層する。この積層方法としては、例えばベースフィルム２に接着剤を用いて金属箔Ｍを貼り合わせる接着法、金属箔Ｍ上にベースフィルム２の材料である樹脂組成物を塗布するキャスト法、ベースフィルム２上にシード層を形成した後、このシード層上に電気メッキで金属層を形成するスパッタ／メッキ法、金属箔を熱プレスで貼付するラミネート法等が挙げられる。
【００５４】
上記金属箔Ｍの平均厚みの下限としては、特に限定はないが、５μｍが好ましく、１０μｍがより好ましい。一方、金属箔Ｍの平均厚みの上限としては、特に限定はないが、１００μｍが好ましく、７５μｍがより好ましく、５０μｍがさらに好ましい。この平均厚みが上記下限未満であると、導電パターン３の導通性が不十分となるおそれがある。逆に、上記平均厚みが上記上限を超えると、プリント配線板１の薄型化の要請に反するおそれがある。
【００５５】
（レジストパターン形成工程）
本工程では、図２Ｂに示すように金属箔Ｍの表面にレジストパターンＸを形成する。具体的には、金属箔Ｍの表面にレジスト膜を積層し、その後露光及び現像することで所定のパターンを有するレジストパターンＸを形成する。上記レジスト膜の積層方法としては、例えばレジスト組成物を金属箔Ｍの表面に塗工する方法、ドライフィルムフォトレジストを金属箔Ｍの表面に積層する方法等が挙げられる。また、レジスト膜の露光及び現像条件は用いるレジスト組成物等に応じて適宜調節可能である。
【００５６】
（金属箔エッチング工程）
本工程では、レジストパターンＸをマスクとして金属箔Ｍをエッチングする。このエッチング方法としては、サブトラクティブ法において用いられる公知の方法を用いることができる。
【００５７】
（レジストパターン剥離工程）
本工程では、金属箔ＭからレジストパターンＸを剥離する。具体的には、剥離液を用いてレジストパターンを剥離する。この剥離液としては、公知のものを用いることができ、例えば水酸化ナトリウム、水酸化カリウム等のアルカリ性水溶液、アルキルベンゼンスルホン酸等の有機酸系溶液、エタノールアミン等の有機アミン類と極性溶剤との混合液などが挙げられる。レジストパターンＸを剥離することで、図２Ｃに示すようにベースフィルム２の表面に芯体３ａが積層された積層体が得られる。
【００５８】
＜セミアディティブ法＞
セミアディティブ法により芯体３ａを形成する場合、図３Ａ〜３Ｄに示すように、芯体形成工程は、ベースフィルム２の表面に薄い導電層（シード層）Ｓを積層する工程、このシード層Ｓの表面にレジストパターンＸを形成する工程、このレジストパターンＸから露出するシード層Ｓの表面にメッキを行い金属パターンＹを形成する工程、上記レジストパターンＸを剥離する工程、及び上記金属パターンＹをマスクとし上記シード層Ｓをエッチングする工程を主に備える。また、芯体３ａは上記シード層Ｓ及び金属パターンＹが順に積層された構造を有する。
【００５９】
（シード層形成工程）
本工程では、図３Ａに示すようにベースフィルム２の表面にシード層Ｓを形成する。このシード層Ｓの形成には公知の方法を用いることができ、例えば無電解メッキ、スパッタリング、蒸着法、導電性微粒子分散液の塗布等が挙げられる。また、シード層Ｓの材質としては、例えば銅、銀、ニッケル、パラジウム等の公知の材質を用いることができ、これらの中で銅が好ましい。
【００６０】
上記シード層Ｓの平均厚みの上限としては、１０ｎｍが好ましく、８ｎｍがより好ましい。一方、上記平均厚みの下限としては、２ｎｍが好ましく、３ｎｍがより好ましい。上記平均厚みが上記上限を超えると、芯体３ａ以外のシード層Ｓがエッチングにより十分に除去されないおそれがある。逆に、上記平均厚みが上記下限未満の場合、シード層Ｓの表面に金属パターンＹが形成され難くなるおそれがある。
【００６１】
（レジストパターン形成工程）
本工程では、図３Ｂに示すようにレジストパターンＸをシード層Ｓの表面に形成する。このレジストパターン形成方法としては、上述のサブトラクティブ法におけるレジストパターンＸの形成方法と同様の方法を採用できる。
【００６２】
（金属パターン形成工程）
本工程では、電気メッキを行うことにより、図３Ｃに示すようにシード層ＳのレジストパターンＸの非積層領域に金属パターンＹを形成する。この電気メッキの種類としては、上記芯体３ａの材質として挙げたものと同様のものを好適に用いることができる。
【００６３】
（レジストパターン剥離工程）
本工程では、シード層ＳからレジストパターンＸを剥離する。この剥離方法は上記サブトラクティブ法と同様である。
【００６４】
（シード層エッチング工程）
本工程では、金属パターンＹをマスクとし上記シード層Ｓをエッチングする。このエッチングにより、図３Ｄに示すようにベースフィルム２に芯体３ａが積層された積層体が得られる。上記エッチングにはシード層Ｓを形成する金属を浸食するエッチング液が使用される。このため、金属パターンＹもエッチング液による浸食を受け得るが、金属パターンＹはシード層Ｓに比べて十分に大きな厚みを有するためエッチングの影響を無視できる。
【００６５】
＜シュリンク層形成工程＞
シュリンク層形成工程においては、芯体３ａにメッキを行いシュリンク層３ｂを積層する。これにより、図２Ｄ及び図３Ｅに示すように、芯体３ａ及びシュリンク層３ｂを有する導電パターン３が形成される。
【００６６】
シュリンク層３ｂを形成するメッキ時の温度の上限としては、６０℃が好ましく、５０℃がより好ましい。一方、上記メッキ温度の下限としては、１０℃が好ましく、２０℃がより好ましい。上記メッキ温度が上記上限を超えると、芯体３ａ等が変形等するおそれがある。逆に、上記メッキ温度が上記下限未満の場合、シュリンク層３ｂの厚みが不十分となるおそれがある。
【００６７】
また、シュリンク層３ｂを形成するメッキ時間の上限としては、２００分が好ましく、１５０分がより好ましい。一方、上記メッキ時間の下限としては、１０分が好ましく、２０分がより好ましい。上記メッキ時間が上記上限を超えると、シュリンク層３ｂの厚みが増大し、導電パターン３の短絡等が生じるおそれがある。逆に、上記メッキ時間が上記下限未満の場合、シュリンク層３ｂの厚みが不十分となるおそれがある。
【００６８】
＜カバーフィルム積層工程＞
カバーフィルム積層工程においては、まずカバーフィルム４の片面に接着層５を積層し、この積層体の接着層５側をベースフィルム２に対向させた状態で載置する。続いて、ベースフィルム２及び導電パターン３と共にカバーフィルム４を加熱し接着層５を硬化させる。この加熱温度としては１２０℃以上２００℃以下が好ましく、加熱時間としては１分以上６０分以下が好ましい。加熱温度及び加熱時間を上記範囲とすることで、接着層５の接着性を効果的に発揮できると共にベースフィルム２等の変質を抑制することができる。加熱方法としては、特に限定されず、例えば熱プレス、オーブン、ホットプレート等の加熱手段を用いて加熱する方法等が挙げられ、熱プレスによる加圧加熱が好ましい。
【００６９】
［利点］
当該プリント配線板の製造方法によれば、上記芯体３ａをサブトラクティブ法又はセミアディティブ法により形成した後に、シュリンク層３ｂをメッキにより形成することで、導電パターン３の間隔をサブトラクティブ法又はセミアディティブ法により形成したものより狭くすることができる。その結果、当該プリント配線板の製造方法によれば、高密度の導電パターン３を有するプリント配線板１が得られる。
【００７０】
［電子部品］
当該電子部品は、当該プリント配線板を有する。また、当該電子部品は、当該プリント配線板以外の電子素子をさらに有してもよい。
【００７１】
上記電子素子は、一般に電子部品に用いられるものであれば特に限定されず、受動素子及び能動素子のいずれであってもよい。この電子素子としては、例えばコンデンサ、インダクタ、抵抗、発光ダイオード、光センサ、ＩＣチップ等が挙げられる。
【００７２】
＜コイル＞
図４Ａ及び図４Ｂに示すコイル１０は、当該プリント配線板１１を備える当該電子部品の一例である。このコイル１０の有するプリント配線板１１は、ベースフィルム１２の表面側及び裏面側に芯体１３ａ及びシュリンク層１３ｂを有する導電パターン１３が積層されている。
【００７３】
上記導電パターン１３は連続した一本の線状であり、ベースフィルム１２の表面側に積層される渦巻き部及びこの渦巻き部の最外側端部に接続される外側直線部と、ベースフィルム１２の裏面側に積層され、スルーホール１３ｃを通じて上記渦巻き部の最内側端部に接続される内側直線部とを有する。また、上記外側直線部及び内側直線部の渦巻き部と接続されていない側の端は図外の電源に接続される。
【００７４】
上記渦巻き部において、芯体１３ａの幅が外側から内側に向かって大きくなることが好ましい。上述のように、シュリンク層１３ｂはメッキにより形成され、さらに渦巻き部の内側では芯体１３ａの間にメッキ液が入り込み難いため、シュリンク層１３ｂの厚みが渦巻き部の外側と内側とで異なる傾向がある。よって、芯体１３ａの幅を外側から内側に向かって大きくすることで、導電パターン１３の幅の均一性を向上できる。
【００７５】
渦巻き部における１周あたりの芯体１３ａの拡幅率の上限としては、５００％が好ましく、４００％がより好ましい。一方、上記拡幅率の下限としては、５％が好ましく、１０％がより好ましい。上記拡幅率が上記上限を超えると、渦巻き部の外側と内側とで導電パターン１３の幅が過度に変化し、コイルの巻き数が向上し難くなるおそれや、外側の導電パターン１３が破損し易くなるおそれがある。逆に、上記拡幅率が上記下限未満の場合、導電パターン１３の幅の均一性が十分に向上しないおそれがある。ここで「拡幅率」とは、拡幅前の幅をＬ１、拡幅後の幅をＬ２とした場合に、｛（Ｌ２−Ｌ１）／Ｌ１｝×１００で表される値である。
【００７６】
（コイルの製造方法）
当該コイル１０の製造方法は、表面側の導電パターン１３を形成する工程、裏面側の導電パターン１３を形成する工程及びスルーホール１３ｃを形成する工程を主に備える。上記表面側導電パターン形成工程及び裏面側導電パターン形成工程は、上述の当該プリント配線板の製造方法における芯体形成工程及びシュリンク層形成工程を備える。
【００７７】
スルーホール形成工程では、表面側の導電パターン１３と裏面側の導電パターン１３との間を電気的に接続する。このスルーホール１３ｃは、表面側の導電パターン１３及び裏面側の導電パターン１３を積層した積層体に貫通孔を形成し、この貫通孔に銅等の金属メッキをすることで形成できる。また、銀ペースト、銅ペースト等を貫通孔に注入して加熱硬化させることによっても形成できる。
【００７８】
上記表面側導電パターン形成工程と裏面側導電パターン形成工程とは同時に行ってもよく、いずれかの工程を行った後、残りの工程を行ってもよい。
【００７９】
＜利点＞
当該コイル１０は、当該プリント配線板１１を備えるため、渦巻き部における導電パターン１３の間隔が狭く、密度が高い。従って、当該コイル１０は小型化が可能であり、かつ優れたインダクタンスを示す。
【００８０】
［他の実施形態］
今回開示された実施の形態はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は、上記実施形態の構成に限定されるものではなく、特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味及び範囲内での全ての変更が含まれることが意図される。
【００８１】
当該プリント配線板は、片面に導電パターンが形成される片面プリント配線板や両面に導電パターンが形成される両面プリント配線板に限定されず、複数層の導電パターンが積層される多層プリント配線板であってもよい。
【００８２】
また、当該プリント配線板は、ベースフィルムが可撓性を有するフレキシブルプリント配線板のほか、ベースフィルムが可撓性を有しないいわゆるリジッド配線板であってもよい。
【００８３】
上記実施形態では導電パターンの全てが芯体及びシュリンク層を有するものを例に取り説明したが、これに限定されず、導電パターンの一部が芯体のみを有してもよい。この場合、必要箇所の芯体にのみシュリンク層を積層することで、導電パターンの大きさを容易に調整でき、当該プリント配線板をより小型化することができる。このように芯体の一部にのみシュリンク層を積層する方法としては、例えばシュリンク層形成工程の前に芯体にマスキングを行う方法、芯体の一部を電気的に遮断し電気メッキによりシュリンク層を形成する方法等が挙げられる。
【００８４】
当該電子部品がコイルである場合、上記実施形態のようにベースフィルムの表面のみに渦巻き状の導電パターンが積層されるものに限定されず、ベースフィルムの裏面側に芯体とシュリンク層とを有する渦巻き状の導電パターンをさらに備えてもよい。
【００８５】
この場合、ベースフィルムの表面側の渦巻き状の導電パターンと裏面側の渦巻き状の導電パターンとはベースフィルムを挟んで等しい位置に積層され、かつ形状が同じであることが好ましい。このように、ベースフィルムの両面の等しい位置に等しい形状の渦巻き状の導電パターンを積層することで、上記コイルの結合係数を向上できる。
【００８６】
また、当該電子部品がコイルである場合、導電パターンが２層以上積層された多層プリント配線板を用いることが好ましい。また、当該コイルが２以上の当該プリント配線板が積層された構成を有することも好ましい。このように、コイルが導電パターンを複数層備えることで、結合係数等の特性を向上できる。
【００８７】
シュリンク層の表面には、表面処理層を形成してもよい。このように導電パターンが表面処理層を備えることで、導電パターンからの導電成分の漏出、又は導電パターンへの導電成分に対する反応性成分（酸素、硫黄等）の拡散が低減される。
【００８８】
表面処理層の材質としては、導電パターンからの導電成分の漏出又は導電パターンへの反応性成分の拡散を防止できるものであれば特に限定されず、例えば金属、樹脂、セラミック、それらの混合物等が挙げられる。中でも、表面処理層の材質としては、ニッケル、スズ、金又はアルミニウムが好ましい。表面処理層は、単層として形成しても、複数層として形成してもよい。
【００８９】
表面処理層の平均厚みとしては、特に限定されないが、その下限としては、０．０１μｍが好ましく、０．０３μｍがより好ましく、０．０５μｍがさらに好ましい。一方、上記平均厚みの上限としては、６．０μｍが好ましく、１．０μｍがより好ましく、０．５μｍがさらに好ましい。表面処理層の平均厚みが上記下限未満であると、銅等の導電パターンの導電成分の漏出及び導電パターンへの反応性成分の拡散の防止が十分でないおそれがある。逆に、上記平均厚みが上限を超えると、厚みの増加によるコスト上昇に比して、これに見合うだけの導電パターンからの導電成分の漏出及び導電パターンへの反応性成分の拡散の防止の効果の上積みを期待できないおそれがある。
【００９０】
なお、表面処理層を形成することに代えて導電パターンの表面にカッパーブライトで防錆処理を施してもよい。ここで、カッパーブライトとは、ポリオキシエチレンアルキルエーテル等の水溶性高分子をイソプロピルアルコール、ヒドロキシ酪酸に溶解したものである。
【産業上の利用可能性】
【００９１】
当該プリント配線板及び電子部品は高密度の導電パターンを有する。従って、当該プリント配線板及び電子部品は例えばコイルとして好適に用いることができる。また、当該プリント配線板の製造方法は当該プリント配線板を容易かつ確実に製造することができる。
【符号の説明】
【００９２】
１、１１  プリント配線板
２、１２  ベースフィルム
３、１３  導電パターン
３ａ、１３ａ  芯体
３ｂ、１３ｂ  シュリンク層
４  カバーフィルム
５  接着層
１０  コイル
１３ｃ  スルーホール
Ｍ  金属箔
Ｓ  シード層
Ｘ  レジストパターン
Ｙ  金属パターン
【図１Ａ】
0006311200.tif 000002
【図１Ｂ】
0006311200.tif 000003
【図２Ａ】
0006311200.tif 000004
【図２Ｂ】
0006311200.tif 000005
【図２Ｃ】
0006311200.tif 000006
【図２Ｄ】
0006311200.tif 000007
【図３Ａ】
0006311200.tif 000008
【図３Ｂ】
0006311200.tif 000009
【図３Ｃ】
0006311200.tif 000010
【図３Ｄ】
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【図３Ｅ】
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【図４Ａ】
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【図４Ｂ】
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