(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体素子と、
前記半導体素子からの熱を放熱する放熱板と、
前記半導体素子および前記放熱板の周囲を封止する封止樹脂とを備え、
前記放熱板は、
セラミックスよりなる絶縁基板と、
前記絶縁基板の両面に積層された金属層とを有し、
前記絶縁基板の側面に金属被膜が設けられている、
ことを特徴とする半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、放熱板を有し樹脂封止された半導体装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
パワー半導体モジュールとして、半導体素子と、当該半導体素子で発生した熱を放熱フィンへと導く放熱板とを含み、全体が樹脂封止された実装構造を有するものがある。当該放熱板は、例えば特許文献１および２に記載されているように、高熱伝導率を有するセラミックス材などからなる絶縁基板の両面に金属層が接合された構成をなす。放熱板の一方の金属層は回路配線をなすとともに、封止樹脂内で例えば半導体素子からの伝熱を行う金属体に接合され、他方の金属層は封止樹脂外に設けられた放熱フィンに接合される。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００８−０４１７５２号公報
【特許文献２】特開２０１４−０６０４１０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、上述の実装構造においては、放熱板に備えられた絶縁基板と封止樹脂との密着性が低い。特に、絶縁基板の側面には、パワー半導体モジュールの冷熱サイクルに伴い大きな応力がかかる。したがって、封止樹脂が絶縁基板から剥がれることを抑制することが望ましい。
【０００５】
本発明は、上記課題に鑑み、放熱板に備えられた絶縁基板から封止樹脂が剥離することを抑制することのできる半導体装置を提供するものである。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
第１の発明は、半導体装置であって、半導体素子と、前記半導体素子からの熱を放熱する放熱板と、前記半導体素子および前記放熱板の周囲を封止する封止樹脂とを備え、前記放熱板は、セラミックスよりなる絶縁基板と、前記絶縁基板の両面に積層された金属層とを有し、前記絶縁基板の側面に金属被膜が設けられている。
【０００７】
第１の発明によれば、絶縁基板の側面に金属被膜が設けられている。金属被膜と封止樹脂との密着性は良好である。したがって、絶縁基板に対する封止樹脂の密着性は、当該金属被膜が設けられない場合と比較して向上する。これにより、冷熱サイクル時に絶縁基板の側面の周辺に応力が集中することにより封止樹脂が剥離しやすくなるという不具合を回避することができる。
【発明の効果】
【０００８】
本発明によれば、放熱板に備えられた絶縁基板から封止樹脂が剥離することを抑制することのできる半導体装置を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】本発明の実施形態に係る半導体装置の構成を示す断面図
【図２】本発明の実施形態に係る半導体装置の製造方法の一部を説明する図であり、（ａ）〜（ｄ）は絶縁基板の側面に金属被膜を形成する工程を説明する図
【発明を実施するための形態】
【００１０】
以下、図１および図２を参照しながら、実施の形態について詳細に説明する。本実施形態に係る半導体装置は、半導体素子と放熱板と封止樹脂とを備えている。放熱板はセラミックスよりなる絶縁基板と、当該絶縁基板の両面に積層された金属層とを有している。そして、絶縁基板の側面に金属被膜が設けられている。
【００１１】
[半導体装置の構成]
図１に、本実施形態に係る半導体装置１の構成を示す。
【００１２】
半導体装置１は、半導体素子Ｄを備えている。半導体素子Ｄは、例えばパワー半導体素子のチップからなり、ここではＩＧＢＴ（Insulated Gate Bipolar Transistor）のチップであるとする。
【００１３】
半導体素子Ｄから見て上側に、順に、金属ブロック１１、ヒートスプレッダ１２、および、放熱板１３が積層されている。半導体素子Ｄから見て下側に、順に、ヒートスプレッダ２２および放熱板２３が積層されている。
【００１４】
半導体素子Ｄと金属ブロック１１とは接合層３１により接合されている。金属ブロック１１とヒートスプレッダ１２とは接合層３２により接合されている。半導体素子Ｄとヒートスプレッダ２２とは接合層３３により接合されている。金属ブロック１１、ヒートスプレッダ１２、および、ヒートスプレッダ２２は例えば銅からなる。接合層３１、接合層３２、および、接合層３３は、例えばはんだからなる。
【００１５】
放熱板１３は、半導体素子Ｄ側から見て、順に、金属層１３ａ、絶縁基板１３ｂ、および、金属層１３ｃが積層された構成である。放熱板２３は、半導体素子Ｄ側から見て、順に、金属層２３ａ、絶縁基板２３ｂ、および、金属層２３ｃが積層された構成である。絶縁基板１３ｂおよび絶縁基板２３ｂはセラミックスからなる。
【００１６】
また、絶縁基板１３ｂの外周端面をなす側面Ｅ１上に、当該側面Ｅ１を覆う金属被膜Ｍ１が設けられている。絶縁基板２３ｂの外周端面をなす側面Ｅ２上に、当該側面Ｅ２を覆う金属被膜Ｍ２が設けられている。
【００１７】
半導体素子Ｄより上側の積層物はＩＧＢＴのエミッタ側の放熱経路を構成している。半導体素子Ｄより下側の積層物はＩＧＢＴのコレクタ側の放熱経路を構成している。
【００１８】
半導体素子Ｄと半導体素子Ｄの上下の積層物とからなる積層体の全体は、モールド樹脂（封止樹脂）４１によって封止されている。金属層１３ｃおよび金属層２３ｃの、半導体素子Ｄ側とは反対側の面は、モールド樹脂４１の外側に露出している。
【００１９】
[半導体装置のめっき工程について]
次に、図２を参照して、上述の金属被膜Ｍ１および金属被膜Ｍ２を形成する工程例を説明する。ここでは、金属被膜Ｍ１および金属被膜Ｍ２をニッケルなどからなるめっき層により構成する場合の工程例を説明する。
【００２０】
図２（ａ）に示すように、窒化ケイ素の粉末を焼結および緻密化する工程により、窒化ケイ素（Ｓｉ３Ｎ４）のセラミックス膜５１を形成する。次いで、図２（ｂ）に示すように、酸化イットリウムガスの雰囲気中で、エキシマレーザなどのレーザ装置６１により、セラミックス膜５１を絶縁基板１３ｂおよび絶縁基板２３ｂの寸法に合せて切断加工する。これにより、図２（ｃ）に示すように、絶縁基板１３ｂの側面Ｅ１および絶縁基板２３ｂの側面Ｅ２となる切断面には、窒化ケイ素の表面が改質されて生じるＳｉ３Ｎ４・Ｙ２Ｏ３からなる改質膜５１ａが形成される。
【００２１】
そして、図２（ｄ）に示すように、図２（ｃ）で得られたセラミックス膜の全体をめっき工程に曝すことにより、改質膜５１ａのみがめっきされる。こうして、側面Ｅ１および側面Ｅ２に窒化ケイ素の表面改質を導入することにより、側面Ｅ１および側面Ｅ２に選択的に、めっき層からなる金属被膜Ｍ１および金属被膜Ｍ２が形成される。この後、絶縁基板１３ｂの両面に金属層１３ａおよび金属層１３ｃが接合されることにより放熱板１３が作成される。また、絶縁基板２３ｂの両面に金属層２３ａおよび金属層２３ｃが接合されることにより放熱板２３が作成される。放熱板１３および放熱板２３が、半導体素子Ｄを含む前述の積層体に組み上げられた後は、モールド樹脂４１による積層体の封止が行われる。この封止工程の前に、金属被膜Ｍ１上および金属被膜Ｍ２上にプライマーなどの密着性強化材を塗布してもよい。
【００２２】
なお、金属被膜Ｍ１および金属被膜Ｍ２を、スパッタリングなどの堆積法により側面Ｅ１および側面Ｅ２上に形成するようにしてもよい。
【００２３】
［実施の形態の効果等］
本実施形態の半導体装置１では、絶縁基板１３ｂの側面Ｅ１に金属被膜Ｍ１が設けられている。また、絶縁基板２３ｂの側面Ｅ２に金属被膜Ｍ２が設けられている。金属被膜Ｍ１および金属被膜Ｍ２とモールド樹脂４１との密着性は良好である。したがって、絶縁基板１３ｂおよび絶縁基板２３ｂに対するモールド樹脂４１の密着性は、当該金属被膜が設けられない場合と比較して向上する。また、これら金属被膜上に密着性強化材を塗布することにより、金属被膜とモールド樹脂４１との密着性、したがって絶縁基板１３ｂおよび絶縁基板２３ｂに対するモールド樹脂４１の密着性は、さらに向上する。
【００２４】
側面Ｅ１および側面Ｅ２に金属被膜が形成されない場合には、半導体装置１に備えられたモールド樹脂４１のせん断耐性を示すシェア強度は、例えば８ＭＰａといった小さい値である。これに対して、側面Ｅ１および側面Ｅ２に金属被膜が形成され、さらに金属被膜にプライマーが塗布される場合には、当該シェア強度は、例えば２５ＭＰａといった大きな値となる。金属被膜が形成される場合の当該シェア強度は、側面Ｅ１および側面Ｅ２にプライマーが塗布されたのみの場合の１５ＭＰａ程度のシェア強度と比較しても、大きな値である。
【００２５】
このように、半導体装置１によれば、冷熱サイクル時に側面Ｅ１および側面Ｅ２の周辺に応力が集中しても、絶縁基板１３ｂおよび絶縁基板２３ｂに対するモールド樹脂４１の密着性が向上することにより、モールド樹脂４１が剥離することを抑制することができる。また、当該密着性が向上することにより、モールド樹脂４１に割れが発生することを抑制することができる。
【産業上の利用可能性】
【００２６】
本発明は、パワー半導体素子などの放熱構造を有する半導体素子を有する半導体装置などに適用可能である。
【符号の説明】
【００２７】
１                    半導体装置
１１                  金属ブロック
１２、２２            ヒートスプレッダ
１３、２３            放熱板
１３ａ、１３ｃ、２３ａ、２３ｃ          金属層
１３ｂ、２３ｂ        絶縁基板
３１、３２、３３      接合層
４１                  モールド樹脂
５１                  セラミックス膜
５１ａ                改質膜
６１                  レーザ装置
Ｄ                    半導体素子
Ｅ１、Ｅ２            側面
Ｍ１、Ｍ２            金属被膜
【図１】
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【図２】
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