(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
埋込み回路層（２）を転写するためのプロセスであって、
内部にエッチング停止ゾーン（７、７’）を備え、回路層（２）が形成された表面（１２）を有するドナー基板（１、１’）を用意するステップと、
前記ドナー基板（１，１‘）の前記回路層（２）で覆われた前記表面の全周にわたって、前記ドナー基板の側縁部（１３）から距離をおいて延在する周辺トレンチ（３）または周辺削り取り部（３’）を生成するステップであって、前記周辺削り取り部（３’）または前記周辺トレンチ（３）が、前記回路層（２）を貫通し、前記ドナー基板（１、１’）内へ延在するような深さにわたって生成されるステップと、
前記回路層（２）の露出面（２１）上に、および前記周辺削り取り部の削り取られた面（１３’）または前記周辺トレンチ（３）の壁面のうち少なくともいずれかの面上に、前記周辺トレンチ（３）または前記周辺削り取り部（３‘）を充填しないように、前記回路層（２）のエッチングに対して選択性のある第２の停止層（４）を堆積させるステップと、
レシーバ基板（５）と、前記ドナー基板（１，１‘）の前記第２の停止層（４）によって覆われた側とを接合するステップと、
前記埋込み回路層（２）の前記レシーバ基板（５）への転写を得るように、前記エッチング停止ゾーン（７、７’）に達するまで、前記ドナー基板（１）をその裏面（１１）の化学エッチングによって薄層化するステップと、
を備えることを特徴とする埋込み回路層（２）を転写するためのプロセス。
【請求項２】
前記エッチング停止ゾーンは、前記ドナー基板（１）の裏部（１０１）の材料への前記化学エッチングに対して選択性のある材料からなる第１の停止層（７）であることを特徴とする請求項１に記載のプロセス。
【請求項３】
前記エッチング停止ゾーンは、前記ドナー基板（１’）のドープされた表面層（１０２’）とドープされていない裏面層（１０１’）との間の界面（７’）であることを特徴とする請求項１に記載のプロセス。
【請求項４】
前記周辺削り取り部（３’）または前記周辺トレンチ（３）は、前記ドナー基板（１、１’）の前記裏部（１０１）または裏面層（１０１’）に侵入することなく、前記エッチング停止ゾーン（７、７’）を貫通するような深さを有することを特徴とする請求項１乃至３のいずれか一項に記載のプロセス。
【請求項５】
前記周辺削り取り部（３’）または前記周辺トレンチ（３）は、それが前記エッチング停止ゾーン（７、７’）を貫通しないような深さにわたって生成されること、および化学エッチング薄層化ステップの後、前記ドナー基板（１、１’）の残留する周辺リング（１４）の機械的な除去の追加のステップは、研削または化学機械研磨（ＣＭＰ）によって実行されることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか一項に記載のプロセス。
【請求項６】
前記周辺削り取り部（３’）または前記周辺トレンチ（３）は、それが前記ドナー基板（１、１’）の前記エッチング停止ゾーン（７、７’）を貫通し、前記裏部（１０１）または前記裏面層（１０１’）へ延在するような深さを有すること、および前記化学エッチング薄層化ステップの後、前記第２の停止層（４）の残留物（４１）の機械的な除去の追加のステップは、研削または化学機械研磨（ＣＭＰ）によって実行されることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか一項に記載のプロセス。
【請求項７】
前記第２の停止層（４）は、化学気相成長（ＣＶＤ）またはスピンコーティングから選択された技法によって堆積させられることを特徴とする請求項１乃至６のいずれか一項に記載のプロセス。
【請求項８】
前記周辺トレンチ（３）は、レーザーエッチング、ドライエッチングおよびウェットエッチングから選択された技法を用いて生成されることを特徴とする請求項１乃至７のいずれか一項に記載のプロセス。
【請求項９】
前記周辺トレンチ（３）は、５ｍｍ以下の前記ドナー基板（１、１’）の前記側縁部（１３）から距離（Ｄ１）を置いて配置されることを特徴とする請求項１乃至８のいずれか一項に記載のプロセス。
【請求項１０】
前記周辺トレンチ（３）の幅（Ｌ１）は、１０μｍと５００μｍの間にあることを特徴とする請求項１乃至９のいずれか一項に記載のプロセス。
【請求項１１】
前記第１の停止層（７）および前記第２の停止層（４）を形成する材料は、酸化物または窒化物から選択されることを特徴とする請求項１乃至１０のいずれか一項に記載のプロセス。
【請求項１２】
前記第１の停止層（７）および前記第２の停止層（４）を形成する材料は、酸化シリコン（ＳｉＯ2）、シリコン酸窒化物（ＳｉＯxＮy）またはシリコン酸炭化物（ＳｉＯxＣy）から選択されることを特徴とする請求項１１に記載のプロセス。
【請求項１３】
前記第１の停止層（７）および前記第２の停止層（４）を形成する材料は、同一であることを特徴とする請求項１乃至１２のいずれか一項に記載のプロセス。
【請求項１４】
前記ドナー基板（１）は、半導体材料から生成されることを特徴とする請求項１乃至１３のいずれか一項に記載のプロセス。
【請求項１５】
前記ドナー基板（１）および前記レシーバ基板（５）の前記接合は、分子接合によって行われることを特徴とする請求項１乃至１４のいずれか一項に記載のプロセス。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電子工学、光学、および／または光電子工学の分野に位置する。
【０００２】
本発明は、より詳細には埋込み回路層を転写するプロセスに関する。
【０００３】
様々な電子部品は、そのような埋込み回路層を含む基板から製造される。これらの中でも、例として、背面照射技術を使用するセンサ（「裏面照射センサ（ｂａｃｋｓｉｄｅ  ｉｌｌｕｍｉｎａｔｉｏｎ  ｓｅｎｓｏｒ）」に対する「ＢＳＩセンサ」の頭字語の下で当業者に知られている）について言及されてもよい。これらのセンサは、それらを形成する様々な層の新規な配置に基づく。これらのセンサは、捕獲される光量を増加させることが可能であり、したがって、より効率的である。これらは、特に最新世代のタブレットおよび電話機の画面に使用されることが意図されている。
【背景技術】
【０００４】
前述の技術分野で使用される基板の薄層化は、例えば化学エッチングによって実行されることがある。
【０００５】
半導体オンインシュレータ（ＳｅＯＩ（ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ−ｏｎ−ｉｎｓｕｌａｔｏｒ））タイプの基板が薄層化される場合、化学エッチングは、埋込み酸化物層がエッチング停止層として働くため使用するのが比較的容易である。固体基板の問題である場合は、固体基板を、例えば、ｐ型ドーピングまたはｎ型ドーピングすることによってエッチング停止層を生成することが必要なため、薄層化は、いささかより複雑である。
【０００６】
しかし、ドナー基板が埋込み回路層を備える特定の場合は、埋込み回路層を覆う材料の層の化学エッチングが実に問題となる。特に、使用される化学溶液（例えば、シリコンのエッチングの場合、硫酸（Ｈ2ＳＯ4）、リン酸（Ｈ3ＰＯ4）またはフッ化水素酸（ＨＦ））は、金属に対して、したがって回路を備える層に対して特に反応性が高い。
【０００７】
その結果、エッジから１センチメートル以上に達する、埋込み回路層の横方向のエッチングが生じる。この損傷を受けたゾーンの近傍で製造されたＢＳＩセンサは、したがって使用不可能である。
【０００８】
層の転写によって、接合された基板を製造するためのプロセスが文献（特許文献１）により既に知られており、このプロセスは、ドナー基板の前面に周溝を生成するステップと、この基板を熱酸化するステップと、前面にレシーバ基板を接合するステップと、溝の底部に達するまでドナー基板をその裏面から薄層化するステップとを備える。
【０００９】
そのようなプロセスによって、レシーバ基板にドナー基板の中央部分だけを転写し、不完全に接合された周辺部分を除去することができる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１０】
【特許文献１】欧州特許出願公開第１９６２３２５号明細書
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１１】
しかしながら、この文献は、埋込み回路層を備えるドナー基板の処理については全く記載しておらず、さらに、そのような層は、この文献に記載されている、接合の後に実行される１０００℃を超える熱酸化、または熱処理に耐えられないであろう。
【００１２】
したがって、本発明の目的は、従来技術の前述の欠点を解決する、特にこれらの回路の損傷を回避する埋込み回路層を転写するプロセスを提案することである。
【００１３】
このため、本発明は、埋込み回路層（２）を転写するプロセスに関する。
【課題を解決するための手段】
【００１４】
本発明によると、このプロセスは、
埋込み回路層（２）を転写するためのプロセスであって、
−  内部にエッチング停止ゾーンを備え、「前」面と呼ばれる、ドナー基板の面のうちの１つの面が回路層で覆われたドナー基板を用意するステップと、
−  その面が回路層で覆われた側で、前記ドナー基板の全周にわたって、この基板の側縁部から距離をおいて延在する周辺トレンチ、または周辺削り取り部を生成するステップであって、この削り取り部またはこのトレンチが、それらが回路層を完全に通過し、ドナー基板内へ延在するような深さにわたって生成されるステップと、
−  前記回路層の露出面上に、および削り取られた面上に、または前記トレンチの壁に、「第２の停止層」と呼ばれる、前記回路層のエッチングに対して選択性のある停止材料の層を、前記トレンチを充填せずに、堆積させるステップと、
−  レシーバ基板を、面が前記第２の停止層によって覆われた側で前記ドナー基板に接合するステップと、
−  前記埋込み回路層の前記レシーバ基板への転写を得るように、前記エッチング停止ゾーンに達するまで、ドナー基板（１）をその裏面の化学エッチングによって薄層化するステップと、
を備える。
【００１５】
本発明の他の有利で限定しない特徴によると、
−  前記エッチング停止ゾーンは、「第１の停止層」と呼ばれる、ドナー基板の裏部の材料のエッチングに対して選択性のある材料の層であることと、
−  前記エッチング停止ゾーンは、ドナー基板のドープされた前面層とドープされていない裏面層との間の界面であることと、
−  周辺削り取り部または周辺トレンチは、それがドナー基板の裏部または裏面層に侵入せずに、前記エッチング停止ゾーンを通過するような深さを有することと、
−  周辺削り取り部または周辺トレンチは、それが前記エッチング停止ゾーンを通過しないような深さにわたって生成され、化学エッチング薄層化ステップの後、ドナー基板の残留する周辺リングの機械的な除去の追加のステップは、特に研削または化学機械研磨（ＣＭＰ（ｃｈｅｍｉｃａｌ  ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ  ｐｏｌｉｓｈｉｎｇ））によって実行されることと、
−  周辺削り取り部または周辺トレンチは、それが前記エッチング停止ゾーンを通過し、ドナー基板の裏部または裏面層へ延在するような深さを有し、化学エッチング薄層化ステップの後、前記第２の停止層の残留物の機械的な除去の追加のステップは、特に研削または化学機械研磨（ＣＭＰ）によって実行されることと、
−  第２の停止層は、化学気相成長（ＣＶＤ（ｃｈｅｍｉｃａｌ  ｖａｐｏｒ  ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ））またはスピンコーティングから選択された技法によって堆積させられることと、
−  周辺トレンチは、レーザーエッチング、ドライエッチングおよびウェットエッチングから選択された技法を用いて生成されることと、
−  前記周辺トレンチは、５ｍｍ以下のドナー基板の側縁部から距離をおいて配置されることと、
−  トレンチの幅は、１０μｍと５００μｍの間にあることと、
−  第１の停止層および第２の停止層を形成する材料は、酸化物または窒化物から選択されることと、
−  第１の停止層および第２の停止層を形成する材料は、酸化シリコン、シリコン酸窒化物またはシリコン酸炭化物から選択されることと、
−  第１の停止層および第２の停止層を形成する材料は、同一であることと、
−  ドナー基板は、半導体材料から生成されることと、
−  ドナー基板およびレシーバ基板の接合は、分子付着によって行われることと、
が単独でまたは組み合わせて得られる。
【図面の簡単な説明】
【００１６】
本発明の他の特徴および利点は、例として、限定することなく可能性のある実施形態を示す添付された図面を参照して、次に示される記載から明らかとなるであろう。
【図１】本発明によるプロセスの一実施形態のステップを示す図である。
【図２】本発明によるプロセスの一実施形態のステップを示す図である。
【図３】本発明によるプロセスの一実施形態のステップを示す図である。
【図４】本発明によるプロセスの一実施形態のステップを示す図である。
【図５】本発明によるプロセスの一実施形態のステップを示す図である。
【図６】本発明によるプロセスの一実施形態のステップを示す図である。
【図７】本発明によるプロセスの別の実施形態のステップを示す図である。
【図８】本発明によるプロセスの別の実施形態のステップを示す図である。
【図９】本発明によるプロセスの別の実施形態のステップを示す図である。
【図１０Ａ】図４および図５に示されたプロセスのあるステップの変形実施形態の拡大されたスケールでの詳細図である。
【図１０Ｂ】図４および図５に示されたプロセスのあるステップの変形実施形態の拡大されたスケールでの詳細図である。
【図１０Ｃ】図４および図５に示されたプロセスのあるステップの変形実施形態の拡大されたスケールでの詳細図である。
【図１０Ｄ】図４および図５に示されたプロセスのあるステップの変形実施形態の拡大されたスケールでの詳細図である。
【図１１Ａ】図４および図５に示されたプロセスのあるステップの変形実施形態の拡大されたスケールでの詳細図である。
【図１１Ｂ】図４および図５に示されたプロセスのあるステップの変形実施形態の拡大されたスケールでの詳細図である。
【図１１Ｃ】図４および図５に示されたプロセスのあるステップの変形実施形態の拡大されたスケールでの詳細図である。
【図１１Ｄ】図４および図５に示されたプロセスのあるステップの変形実施形態の拡大されたスケールでの詳細図である。
【発明を実施するための形態】
【００１７】
次に、本発明の第１の実施形態が図１から図６を参照して記載される。
【００１８】
図１では、「裏面」と呼ばれる面１１、および「前面」と呼ばれる反対の面１２を有するドナー基板１が見てわかる。
【００１９】
前面１２は、回路層２で覆われている。
【００２０】
さらに、このドナー基板１は、内部にエッチング停止ゾーンを有する。
【００２１】
本発明の第１の実施形態によると、このエッチング停止ゾーンは、「第１の停止層」と呼ばれる材料の層７である。
【００２２】
停止層７は、このようにしてドナー基板１を、この停止層７と回路層２との間に延在する「前」部と呼ばれる部分１０２と、この停止層７と裏面１１との間に延在する「裏」部と呼ばれる部分１０１とに分割する。
【００２３】
示される例では、これらの前部１０２および裏部１０１は、単層である。しかしながら、これらは、多層である可能性もある。
【００２４】
第１の停止層７は、ドナー基板１を形成する材料（複数可）、特にドナー基板１の裏部１０１に対して選択性のある材料から生成される。
【００２５】
この第１の停止層７は、堆積によって、例えば化学気相成長（ＣＶＤ）によって、または裏部１０１上のエピタキシーによって得られてもよい。また、それは、層転写によって得られてもよい。
【００２６】
前部１０２は、層７の形成の後に、層７に対して上記されたものと同一の技法によって得られてもよい。
【００２７】
また、別の変形実施形態によると、停止層７は、ドーピングによってドナー基板７に注入されてもよい。この技法によって、上記の前部１０２を追加するステップを回避することが可能となる。
【００２８】
純粋に例示的な例として、ドナー基板１は、「半導体オンインシュレータ」（ＳｅＯＩ）または「シリコンオンインシュレータ」（ＳＯＩ（ｓｉｌｉｃｏｎ−ｏｎ−ｉｎｓｕｌａｔｏｒ））タイプであってもよい。この場合、停止層７は、酸化シリコン（ＳｉＯ2）から構成される。
【００２９】
本発明の第２の実施形態によると、エッチング停止ゾーンは、単にドナー基板の２つの層間の界面であってもよい。この変形実施形態が図７に示されている。界面には、参照記号７’がついており、ドナー基板１’の裏面層１０１’と前面層１０２’との間に延在する。
【００３０】
前面層１０２’は、層１０１’と同一の化学的性質の層であるが、高度にドープされていることが好ましい。
【００３１】
エッチング停止ゾーン７、７’の実施形態にかかわらず、エッチング停止ゾーン７、７’は、回路層２の形成の前に常に生成されることが留意される。
【００３２】
プロセスの次のステップが図２に示されており、ドナー基板１の全周にわたって、その面が回路層２で覆われた側で、このドナー基板の側縁部１３から距離をおいて延在する周辺トレンチ３を生成することにある。
【００３３】
このトレンチ３は、回路層２を完全に通過するように、およびドナー基板１内へある深さまで延在するように深さ全体にわたって生成され、このことが図１０および図１１に関連して引き続き詳細に記載される。
【００３４】
周辺トレンチ３は、レーザーエッチング、ドライエッチング、およびウェットエッチングから選択された技法を用いて生成されるのが好ましい。最初の２つの技法に関しては、回路層２を保護することは必要ではなく、一方、ウェットエッチングに関しては、所望の部分のみをエッチングするために、層２の上にエッチングマスクを追加することが必要である。
【００３５】
例として、トレンチ３は、１０μｍと５００μｍの間の幅Ｌ１を有するのが有利である。さらに、この周辺トレンチ３は、５ｍｍ以下のドナー基板の側縁部１３から距離Ｄｌに配置されるのが好ましい。それは、電子部品の作製に引き続き使用されるものであるため、そのような距離によって、回路層２の中央部分を最大限に維持することができる。
【００３６】
次いで、回路層２の露出面２１、すなわち、その前面、およびトレンチ３の面および底部内部壁も、エッチング停止材料の層４で覆われ、このエッチング停止材料の層４が回路層２のエッチングに対して選択性があり、「第２の停止層」と呼ばれる。
【００３７】
このステップは、堆積、好ましくは化学気相成長（ＣＶＤ）またはスピンコーティングから選択された技法によって行われる。スピンコーティングは、基板の中央部分に粘性材を堆積させること、および中心軸のまわりに基板を回転させることにある。
【００３８】
図３に示される層４を形成するステップは、前に形成されたトレンチ３をもちろん充填しないように注意しながら行われる。エッチング停止層４を形成するために使用される材料の粘度および回転速度は、トレンチ３を充填しないように選択される。
【００３９】
第１の停止層７および第２の停止層４を形成する材料は、酸化物または窒化物から選択されるのが好ましく、酸化シリコン（ＳｉＯ2）、シリコン酸窒化物（ＳｉＯxＮy）、シリコン酸炭化物（ＳｉＯxＣy）または窒化シリコン（Ｓｉ3Ｎ4）から選択されるのがより好ましい。
【００４０】
酸化シリコンは、例えば、酸素プラズマまたは酸素アルゴンプラズマ中でテトラメトキシシラン（ＴＥＯＳ）を使用して堆積させられてもよい。
【００４１】
第１の停止層７および第２の停止層４を形成する材料は、同一であるのが有利であるがそれに限定されない。
【００４２】
トレンチ３を超えて放射状に延在する、材料の周辺リングには、参照記号１４がついている。
【００４３】
次いで、図４に示されるように、レシーバ基板５が、ドナー基板１上に堆積させられた第２の停止層４に接合される。
【００４４】
この接合は、分子接合によって行われるのが好ましい。ドナー基板５は、任意選択でボンディング層５０、例えば酸化シリコン（ＳｉＯ2）の層または窒化シリコン（Ｓｉ3Ｎ4）の層で覆われていてもよいことが留意される。
【００４５】
次いで、図５で見てわかるように、ドナー基板１の薄層化は、裏部１０１を除去し、エッチング停止層７に達するようにドナー基板１の裏面１１から開始する化学エッチングによって実行される。
【００４６】
このステップは、引き続きより詳細に記載されるように、レシーバ基板５に接合されていないドナー基板の周辺リング１４を、すぐにまたは追加の機械的な薄層化ステップの後に除去する効果も有する。
【００４７】
レシーバ基板５に転写された、前面層１０２の下に埋め込まれた回路層２がこのようにして得られる。このようにして得られた最終基板には、参照記号６がついている（図６参照）。
【００４８】
停止層７、ならびに露出面２１および回路層２の側縁部上の第２の停止層４の存在によって、回路が化学エッチング薄層化段階中に損傷されないことが保証され、浸入が防止される。
【００４９】
停止ゾーンが酸化シリコン停止層７で、裏部１０１の材料がシリコンである場合、化学エッチング薄層化は、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド（ＴＭＡＨ（ｔｅｔｒａｍｅｔｈｙｌａｍｍｏｎｉｕｍ  ｈｙｄｒｏｘｉｄｅ））またはＫＯＨ（水酸化カリウム）の槽を使用して実行されるのが有利である。
【００５０】
停止ゾーンが停止界面７’であり、裏面層１０１’がシリコンで前面層１０２’が高度にドープされたシリコンである場合、化学エッチング薄層化は、硫酸（Ｈ2ＳＯ4）の溶液、リン酸（Ｈ3ＰＯ4）、フッ化水素酸（ＨＦ）またはプロパン酸（Ｃ2Ｈ5ＣＯＯＨ）の溶液を使用して実行されてもよい。
【００５１】
次に、図７から図９に示される転写プロセスについて記載される。この転写プロセスは、図１から図６に関して以前に記載されたプロセスの変形形態である。同一の構成要素には、同じ数字の参照記号がついている。
【００５２】
この場合、ｌ’がつけられたドナー基板は、周辺の削り取りが行われている。削り取られた部分には、参照記号３’がついている。
【００５３】
この削り取りは、ドナー基板１’の全周にわたって、それが回路層２を完全に通過し、ドナー基板１’内へ延在するような深さまで実行される。
【００５４】
この削り取りは、例えば、ドナー基板１’の側縁部１３の一部分に適用されるツールを使用して、研磨または研削によって行われてもよい。
【００５５】
したがって、第２の停止層４は、回路層２の露出面２１上およびドナー基板１の削り取られた面１３’上の両方に堆積させられ得る。
【００５６】
レシーバ基板５への接合（図８参照）およびドナー基板１の化学的な薄層化（図９参照）の後に、引き続き記載されるように、レシーバ基板５に転写された回路層２は、すぐにまたは機械研磨の追加のステップの後に得られる。
【００５７】
６’がつけられた最終の基板が得られ、これは前部１０２が前面層１０２’と置き換えられている点で図６の基板６とは異なる。
【００５８】
周辺の環状の削り取りの選択肢について、もっぱら、ドナー基板１’が停止界面７’を備える基板である、図７から図９に関連して記載されたが、停止層７を備える、図１から図６に示されたドナー基板１についてもこの削り取りのステップが行われ得ることが理解されるはずである。
【００５９】
反対に、図７から図９のドナー基板１’は、図１から図６に記載されるように周辺トレンチ３の形成が行われてもよい。
【００６０】
上記の様々な実施形態では、第１の停止層７の厚さ、および第２の停止層４の厚さは、０．０１μｍと１００μｍの間にあるのが好ましい。
【００６１】
ここで、ドナー基板１’の周辺トレンチ３の深さに関するパラメータについて、図１０Ａから図１０Ｄおよび図１１Ａから図１１Ｄに関連して記載される。これらの図では示されていないが、トレンチ３が周辺の削り取り部３’によって置き換えられるかどうか、またはドナー基板が停止界面７’を有する基板１’であるかどうかの理屈は同じである。
【００６２】
図１０Ａでは、トレンチ３は、それが回路層２を完全に通過し、停止層７に達することなく、ドナー基板１’内へ延在するような深さにわたって生成される。
【００６３】
図１０Ｂに示される変形形態では、このトレンチ３は、今回は停止層７に達するが、それを通過しない。
【００６４】
これらの両方のシナリオで、裏部１０１の化学的な薄層化のステップの後に、ならびに図１１Ａおよび図１１Ｂでそれぞれ見てわかるように、周辺リング１４は、大なり小なり材料の厚さだけ前部１０２に付着したままである。これら両方の場合で、残留するリング１４の機械的な除去の追加のステップを、特に横方向の化学機械研磨または研削によって実行することが必要である。
【００６５】
図１０Ｃに示される変形実施形態では、周辺トレンチ３は、それがエッチング停止層７を通過するが、ドナー基板１の材料の裏部１０１内へ侵入しないような深さを有する。
【００６６】
この場合、化学エッチングは、周辺リング１４を除去するのに十分である。実際、第２の停止層４の残留する厚さ４０は、小さすぎ、したがって脆弱すぎて、周辺リング１４を保持できない。したがって、この変形形態は、本発明の好ましい変形実施形態である（図１１Ｃ参照）。
【００６７】
最後に、本発明の第４の変形実施形態によると、周辺トレンチ３は、それがエッチング停止層７を通過するだけでなく、裏部１０１内へ延在するような深さを有する（図１０Ｄ参照）。
【００６８】
この場合、および図１１Ｄに示されるように、化学エッチングステップの後に、第２の停止層４の材料の「段差」４１が残ることが観察される。次いで、欠陥のない平坦性を得ることが望まれる場合、この段差は、その小さな厚さのその固有の脆弱性のために、または研削もしくは化学機械研磨によって除去される。
【００６９】
本発明の特徴により、回路層２は、その転写中に保護され、それを覆う層１０２’または前部１０２は、停止層７の位置を選ぶことによって所望の厚さに調整され得る。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０Ａ】
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【図１０Ｂ】
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【図１０Ｃ】
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【図１０Ｄ】
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【図１１Ａ】
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【図１１Ｂ】
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【図１１Ｃ】
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【図１１Ｄ】
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