(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
１つ以上の信号線と、
前記１つ以上の信号線へ結合されるトランシーバと、
前記１つ以上の信号線の信号属性を検知する検知回路と、
前記検知回路により検知された前記１つ以上の信号線の信号属性に従って前記トランシーバをトライステートするよう該トランシーバのために１つ以上のバイアス電圧を供給するバイアス生成回路であって、前記トランシーバに高インピーダンスを供給させることにより前記トランシーバをトライステートする、バイアス生成回路と、
前記トランシーバへ供給される１つ以上の電力供給を検出する電源投入検出器と、
前記電源投入検出器からの１つ以上のバイアス電圧又は前記バイアス生成回路からの１つ以上のバイアス電圧を前記トランシーバのために選択するよう動作する回路と
を有する装置。
【請求項２】
前記回路は、前記１つ以上の信号線の有無に従って選択するよう動作する、
請求項１に記載の装置。
【請求項３】
前記１つ以上の信号線は、当該装置の外にあるデバイスへ結合される、
請求項１に記載の装置。
【請求項４】
前記デバイスは、電力充電器又は電力を充電するデバイスである、
請求項３に記載の装置。
【請求項５】
前記トランシーバは、
ＵＳＢ対応トランシーバ、
ＨＤＭＩ対応トランシーバ、又は
ＮＦＣアプリケーションにおいてＵＩＣＣ要素（ＳＩＭカード）へ接続されるインターフェイス
のうちの１つである、
請求項１に記載の装置。
【請求項６】
内部デバイス及び前記バイアス生成回路を保護するよう前記電源投入検出器からの１つ以上のバイアス電圧又は前記バイアス生成回路からの１つ以上のバイアス電圧を前記トランシーバのために選択するよう動作する回路を有する、
請求項１に記載の装置。
【請求項７】
前記デバイスは、
ＵＳＢ対応充電デバイス、
ＨＤＭＩ対応充電デバイス、又は
ＮＦＣアプリケーションにおいてＵＩＣＣ要素（ＳＩＭカード）へ接続されるインターフェイス
のうちの１つである、
請求項３に記載の装置。
【請求項８】
前記トランシーバは、前記１つ以上の信号線で第１電圧シグナリング及び第２電圧シグナリングを提供するように動作する送信器を含む、
請求項１に記載の装置。
【請求項９】
前記第１電圧シグナリングは１．８Ｖのシグナリングであり、前記第２電圧シグナリングは３．３Ｖのシグナリングである、
請求項８に記載の装置。
【請求項１０】
前記送信器は、
第１のｐ形トランジスタと、
前記第１のｐ形トランジスタに直列に結合される第２のｐ形トランジスタと、
前記第２のｐ形トランジスタに直列に結合される第１のｎ形トランジスタと、
前記第１のｎ形トランジスタに直列に結合される第２のｎ形トランジスタと、
前記第１及び第２のｎ形トランジスタに結合される第３のｐ形トランジスタとを含む、
請求項８に記載の装置。
【請求項１１】
前記第１のｐ形、第２のｐ形、第３のｐ形、第１のｎ形及び第２のｎ形トランジスタのうち少なくとも２つにより、１つ以上のバイアス電圧が受信される、
請求項１０に記載の装置。
【発明の詳細な説明】
【背景技術】
【０００１】
ユニバーサル・シリアル・バス（ＵＳＢ；Universal  Serial  Bus）のバッテリ充電検出仕様は、ホスト（すなわち、ホストプロセッサ及び／又はプラットフォーム）が接続先デバイスへ充電電流を供給することができるように、あるいは、接続先デバイスが自身のバッテリを充電するようホストに要求する（例えば、１．５Ａの充電電流を要求する。）ことができるように差動データ線へ接続される多数の種類の充電デバイスを検出するよう、差動データ線にわたるシグナリングを定義する。充電デバイスは、例えば、専用の充電器、ドック、レガシーホスト、若しくはデバイス（例えば、電話機、カメラ、タブレット、など）、又は独自仕様の充電器を含む。
【０００２】
しかし、充電検出シグナリングは、非常に早い段階で（例えば、ホストのコールドブートより前に）、更には、電池切れ状態の間にも、起こり得る。コールドブートの間、ホスト側のトランシーバは、完全にオフされている（すなわち、電力供給がホストに利用可能でない。）。この場合に、ホストプロセッサは、充電デバイスから差動データ線を通ってホスト側のトランシーバへ流れるバックパワー電流を観測し始める（すなわち、充電デバイスのバッテリは、充電デバイスからホスト側のトランシーバへ低インピーダンス経路を通って枯渇し始める。）。このバックパワー電流は、ホスト側のトランシーバのデバイスに損傷を与えうる。ホスト側のバッテリが切れており、デバイス（電源作動式又は電源内蔵式）がホストへ接続されている場合にも、ホストプロセッサは、デバイスから差動データ線を通ってホスト側のトランシーバへ流されるバックパワー電流を観測し始める（すなわち、デバイスのバッテリは、充電デバイスからホスト側のトランシーバへ低インピーダンス経路を通って枯渇し始める。）。そのような場合に、バックパワー電流は、ホストのデバイスに損傷を与えうる。
【０００３】
［優先権の主張］
本願は、“BACK  POWER  PROTECTION  CIRCUIT”と題されて２０１４年９月１１日付けで出願された米国特許出願第１４／４８３６４９号に基づく優先権を主張する。なお、優先権の基礎とされる米国特許出願は、その全文を参照により本願に援用される。
【図面の簡単な説明】
【０００４】
本開示の実施形態は、以下で与えられている詳細な説明から、且つ、本開示の様々な実施形態の添付の図面から、より完全に理解されるだろう。なお、詳細な説明及び図面は、本開示を具体的な実施形態に制限するものと解されるべきではなく、単に説明及び理解のためのものである。
【０００５】
【図１】バッテリ充電検出回路を使用するシステムを表す。
【０００６】
【図２】バック電流フローの複数の経路とともに図１のシステムの詳細な部分を表す。
【０００７】
【図３】本開示のいくつかの実施形態に従って、バックパワー保護回路の高レベルアーキテクチャを表す。
【０００８】
【図４Ａ】電力供給がない場合に、デバイスにストレスをかけられうる多段電圧シグナリング送信器を表す。
【０００９】
【図４Ｂ】本開示のいくつかの実施形態に従って、電力供給がない場合に、自身を保護するようバイアスをかけられたトランジスタを有する多段電圧シグナリング送信器を表す。
【００１０】
【図４Ｃ】本開示のいくつかの実施形態に従って、高電力供給の存在下で、自身を保護するようバイアスをかけられたトランジスタを有する多段電圧シグナリング送信器を表す。
【００１１】
【図５】本開示のいくつかの実施形態に従って、図３の高レベルアーキテクチャの詳細な部分を表す。
【００１２】
【図６】本開示のいくつかの実施形態に従って、高電力供給（例えば、３．３Ｖ）がない場合又は低電力供給（例えば、１．８Ｖ）若しくは高電力供給（例えば、３．３Ｖ）のうちの１つが存在する場合に、１つ以上のバイアス電圧を供給する適応バイアス生成回路を表す。
【００１３】
【図７Ａ】いくつかの実施形態に従って、適応バイアス生成回路のためにバイアス電圧を供給する検知回路の部分を表す。
【００１４】
【図７Ｂ】本開示のいくつかの実施形態に従って、高電力供給（例えば、３．３Ｖ）がない場合又は高電力供給（例えば、３．３Ｖ）が存在する場合に、１つ以上のバイアス電圧を供給する適応バイアス生成回路を表す。
【００１５】
【図８】本開示のいくつかの実施形態に従って、多段電圧シグナリング送信器の高電圧トランジスタのために１つ以上のバイアス電圧を供給する適応バイアス生成回路を表す。
【００１６】
【図９】本開示のいくつかの実施形態に従って、多段電圧シグナリング送信器をトライステートするために１つ以上のバイアス電圧を供給する適応バイアス生成回路を表す。
【００１７】
【図１０Ａ】本開示のいくつかの実施形態に従って、バックパワー保護回路のための基準生成回路を表す。
【図１０Ｂ】本開示のいくつかの実施形態に従って、バックパワー保護回路のための検知回路を表す。
【００１８】
【図１１Ａ】従来の静電放電（ＥＳＤ）保護回路を表す。
【００１９】
【図１１Ｂ】本開示のいくつかの実施形態に従って、バックパワー保護のためのＥＳＤ保護回路を表す。
【００２０】
【図１２】いくつかの実施形態に従って、バックパワー保護回路を備えたスマートデバイス又はコンピュータシステム又はＳｏＣ（System-on-Chip）を表す。
【発明を実施するための形態】
【００２１】
図１は、オフダイ（off-die）のバッテリ充電（ＢＣ；Battery  Charging）検出回路を使用するシステム１００を表す。システム１００は、ホスト１０１、プラットフォーム１０２、及びデバイス１０３を含む。システム１００は、差動信号線ＵＳＢＤＰ及びＵＳＢＤＭ、供給線ＶＢＵＳ、デバイス識別（identification）（ＩＤ）線、並びに接地（Ground）（ＧＮＤ）線のための仕様を定義するＵＳＢバッテリ充電検出仕様を参照して記載される。バックパワー電流に付随する問題は、ＵＳＢ非対応のデバイスにも当てはまる。例えば、ＨＤＭＩ（登録商標）（High-Definition  Multimedia  Interface）、及びＳＩＭカードアプリケーション対応デバイスは、プラットフォーム１０２を介してホスト１０１へ接続するときに、バックパワー電流の問題を示しうる。
【００２２】
ホスト１０１は、デュアルロールデバイス（Dual  Role  Device）である（すなわち、複数の電圧、例えば、１．０Ｖ、１．８Ｖ、及び３．３Ｖで動作することができる。）ＵＳＢトランシーバアナログフロントエンド（ＡＦＥ；Analog  Front-End）１０４と、差動信号線ＵＳＢＤＰ及びＵＳＢＤＭにおけるＥＳＤイベントを保護する静電放電（ＥＳＤ；Electro-Static  Discharge）回路１０５とを含む。デバイス１０３は、プラットフォーム１０２を介してホスト１０１へ接続することができるＵＳＢトランシーバ（例えば、デュアルロールデバイス）、充電器、又はドック１０９である。プラットフォーム１０２は、電力管理集積回路（ＰＭＩＣ；Power  Management  Integrated  Circuit）１０６及びショットキーダイオード１０８を含む。ＰＭＩＣ１０６は、ＵＳＢトランシーバＡＦＥ１０４及びＥＳＤ回路１０５への供給（Supply）を供給する。ＰＭＩＣ１０６は、デバイス１０３が充電のためにプラットフォーム１０２へ接続されているかどうかを、差動信号線ＵＳＢＤＰ＿ＢＣ及びＵＳＢＤＭ＿ＢＣを介して検出するＢＣ検出回路（例えば、ＢＣ１．２仕様対応回路）を含む。
【００２３】
スイッチｓ１及びｓ２がない（ＵＳＢＤＰ＿ＢＣ及びＵＳＢＤＭ＿ＢＣ線が夫々ＵＳＢＤＰ及びＵＳＢＤＭに短絡されている）場合に、差動信号線ＵＳＢＤＰ及びＵＳＢＤＭは、充電検出ドライバ経路（ＰＭＩＣ１０６からデバイス１０３への経路）よりもずっとインピーダンスが低い（例えば、１０Ω未満）ホスト１０１への経路を提供するので、ホスト１０１はバックパワー電流を受け始める。この、より低いインピーダンス経路は、差動信号線ＵＳＢＤＰ及びＵＳＢＤＭにおけるＢＣ検出シグナリングを中止し、故に、デバイス１０３におけるＢＣ検出は、それらの差動信号線を検出又は駆動することができない。ホスト１０１のバッテリが切れているか、又はコールドブートの間に完全にオフされている場合に、バックパワー電流はやはりホスト１０１によって観測されうる。いくつかの場合に、スイッチｓ１及びｓ２が存在することで、ＰＭＩＣ１０６は、充電検出の間に差動信号線ＵＳＢＤＰ及びＵＳＢＤＭを完全に分離することができないことがある。
【００２４】
充電デバイス１０９がプラットフォーム１０２においてＵＳＢＤＰ／ＵＳＢＤＭ差動線へ接続され、それらの信号線において３．３Ｖ、１．８Ｖ又は１．０Ｖシグナリングを駆動し始め、一方で、ホスト１０１及びプラットフォーム１０２が完全にオフされている場合に、ＵＳＢトランシーバＡＦＥ１０４のトランジスタは、充電検出シグナリングが３．３Ｖ／１．８Ｖであるときに、電気的オーバーストレス（ＥＯＳ；Electrical  OverStress）になる。ＵＳＢトランシーバＡＦＥ１０４のトランジスタは、ＵＳＢトランシーバＡＦＥ１０４におけるデバイスが１．８Ｖ／１．０Ｖ信頼性対応デバイスであるので、ＥＯＳ状態になる。ホスト１０１及びプラットフォーム１０２は完全にオフされているから、ホスト１０１の内部バイアス生成回路は、ＵＳＢトランシーバＡＦＥ１０４における１．８Ｖ／１．０Ｖ信頼性対応デバイスのために十分なバイアスを供給することができない。ＵＳＢトランシーバＡＦＥ１０４における１．８Ｖ／１．０Ｖ信頼性対応デバイスは、このとき、ＵＳＢＤＰ／ＵＳＢＤＭ差動線において３．３Ｖシグナリングを受けている。
【００２５】
スイッチｓ１及びｓ２がない場合に、バックパワー電流は、ＵＳＢトランシーバＡＦＥ１０４に対して差動信号線ＵＳＢＤＰ及びＵＳＢＤＭにおいて押し寄せ、金属及びトランジスタの信頼性問題を引き起こしうる。然るに、いくつかの実施形態において、スイッチｓ１及びｓ２は、ＵＳＢトランシーバＡＦＥ１０４への電力供給がオフである場合にＵＳＢトランシーバＡＦＥ１０４を充電デバイス１０９から切り離すよう、差動信号線ＵＳＢＤＰ及びＵＳＢＤＭにおいて設けられる。
【００２６】
同様の問題は、１ｃｍ乃至１０ｃｍといった距離範囲内で動作する非接触式デバイスであるＮＦＣ（すなわち、Near  Field  Communication）デバイスにおいても見られる。ＮＦＣデバイスは、通常、ＲＦ（Radio  Frequency）プロトコルを使用する。それらのプロトコルのほとんどは、一般に、ＩＳＯ／ＩＥＣ１４４４３Ａ（国際標準化機構（ＩＳＯ；International  Organization  for  Standardization）及び国際電気標準会議（ＩＥＣ；International  Electro  Technical  Commission）の合同技術委員会によって定義された識別カード−非接触式集積回路カード）、ＩＳＯ／ＩＥＣ１４４４３Ｂ、ＩＳＯ１５６９３、及びＩＳＯ１８０９２に従う。ＮＦＣデバイスの大部分のための主電力供給は、２．５５Ｖから５．５Ｖの間の範囲に及び、ＩＯ電圧は、ＵＩＣＣ（Universal  Integrated  Circuit  Card）及びセキュア要素のためのクラスＢ及びクラスＣの両方の電圧をサポートするよう１．５Ｖから３．５Ｖの範囲に及ぶ。
【００２７】
ＮＦＣ機能をサポートする製品は、パワー・バイ・フィールド（Power-By-Field）モードとしても知られるバッテリオフモードにおいても動作してよい。これは、カードエミュレーション（card  emulation）における特別なモードである。このモードの典型的な使用ケースは、電車に乗るために読み取り器に携帯電話機をかざすユーザであり、バッテリがオフである場合には、ＮＦＣデバイスは、読み取り器のフィールドからエネルギを捕獲する。この捕獲されたエネルギは、デバイスの電源を入れて、ユーザのためのトランザクションが完了することを可能にする。この場合に、ＵＩＣＣ要素（例えば、ＳＩＭカード）は読み取り器のフィールドから電力を供給され、一方で、モデム上のインターフェイスはオフである。バック電流はモデムへ流れ、インターフェイスに危害を加えうる。
【００２８】
図２は、バック電流フローの複数の経路とともに図１のシステム１００の詳細部２００を表す。いずれかの他の図の要素と同じ参照番号（又は名称）を有している図２の要素は、記載されているのと同様にして動作又は機能することができるが、そのように制限されないことが指摘される。
【００２９】
詳細部２００は、送信器２０２、受信器２０３、及び電源投入検出器（ＰＵＤ；Power-up  Detector）２０４を有するトランシーバ２０１と、プラットフォーム１０２と、充電デバイス１０９とを有する。送信器２０２は、図示されるように結合されているｐ形トランジスタＭＰ１、Ｍｐ２及びＭＰ３、ｎ形トランジスタＭＮ１及びＭＮ２、インバータｉ１及びｉ２、バッファｂ、ロジックＡＮＤゲートａ１、ａ２及びａ３、レベルシフタ（ＬＳ；Level-Shifter）ＬＳ１及びＬＳ２、終端抵抗Ｒｔｅｒｍ、並びにＥＳＤダイオードＤ１及びＤ２を有する。記載を不明りょうにしないように、トランシーバ２０１の簡単なアーキテクチャが示されている。
【００３０】
ここで、送信器２０２は、差動シグナリング線ＵＳＢＤＰ及びＵＳＢＤＭにおいて２種類のシグナリング、すなわち、１．８Ｖ及び３．３Ｖシグナリングを提供する。記載を不明りょうにしないように、ＵＳＢＤＰ信号線のためのトランシーバ２０１が示されている。同じ記載はＵＳＢＤＭ信号線に当てはまる。ここで、別段示されない限りは、ＶＣＣ１ｐ０は１．０ＶのＶｃｃ供給を指し、ＶＣＣ３ｐ３は３．３ＶのＶｃｃ供給を指し、ＶＣＣ１ｐ８は１．８ＶのＶｃｃ供給を指す。ＬＳ１は、０Ｖから１Ｖまで振動する入力の信号振幅を１．８Ｖから３．３Ｖの出力振幅へ変換する。ＬＳ２は、０Ｖから１Ｖまで振動する入力の信号振幅を０Ｖから１．８Ｖの出力振幅へ変換する。
【００３１】
３．３Ｖシグナリングが有効にされる場合に、ｐ形トランジスタＭＰ１、ＭＰ２及びｎ形トランジスタＭＮ１、ＭＮ２を有するドライバは、ＵＳＢＤＰ線上で駆動するよう有効にされる。ＭＰ２及びＭＮ１のゲート端子はＶｂｉａｓによってバイアスを加えられる。ＭＰ１のゲート端子は、ＬＳ１の出力（１．８Ｖから３．３Ｖまで振動する。）によって駆動される。ＬＳ１の出力は、ｆｓｄａｔａ（イネーブル信号）がＡＮＤゲートａ１を有効にするときにｆｓｄａｔａのバージョン（データ）である。ＭＮ２のゲート端子は、ＬＳ２の出力（０Ｖから１．８Ｖまで振動する。）によって駆動される。ＬＳ２の出力は、ｆｓｔｘｅｎ（イネーブル信号）がＡＮＤゲートａ３を有効にするときにｆｓｔｘｅｎのバージョン（データ）である。ＭＰ１のバルク（すなわち、ウェル又は基板）は、Ｖｎｗｅｌｌ（すなわち、ｐ形トランジスタ基板電圧）へ結合されている。
【００３２】
１．８Ｖシグナリングが有効にされる場合に、ＭＰ３、ＭＮ２及びＭＮ１は、ＵＳＢＤＰ線上で駆動するよう有効にされる。この場合に、ｆｓｔｘｅｎは、ＭＰ１をオフさせる。ＭＰ３は、ｈｓｔｘｅｎ（高速データイネーブル信号）がＡＮＤゲートａ２を有効にして、ｈｓｄａｔａがＭＰ３のゲートに対して通過することができるようにするので、ｈｓｄａｔａ（高速データ）を駆動するよう有効にされる。ＭＰ３のバルク（すなわち、ウェル又は基板）は、Ｖｎｗｅｌｌ（ＭＰ３バルク電圧）へ結合されている。
【００３３】
受信器２０３は、図示されるように結合されているｎ形トランジスタＭＮ３、ＭＮ４、ＭＮ５及びＭＮ６、バッファ、並びに抵抗（この例では、４ＫΩ及び１６ＫΩ）を有する。プラットフォーム１０２におけるＰＭＩＣ１０６のＢＣ１．２  １０７は、充電される充電デバイス１０９の検出を示す出力ＢＣ＿ｄｅｔを供給するようバッファ及びコンパレータ‘ｃ’を有する。ダイオードＤ３及びＤ４は、夫々、ＵＳＢＤＰ及びＵＳＢＤＭにおいてＥＳＤ保護を提供するために使用される。
【００３４】
バッテリ充電検出の間、スイッチｓ１及びｓ２はオフされ、スイッチｓ３及びｓ４はオンされる。次いで、ＢＣ１．２  １０７は、ドライバ‘ｂ’を通じてＵＳＢＤＰ上で信号を駆動し始め、コンパレータ‘ｃ’を通じてＵＳＢＤＭ線上の信号を検出する。同様に、バッファ（図示せず。）は、ＵＳＢＤＭ線上で信号を駆動し始め、ＵＳＢＤＰへ接続されたコンパレータ‘ｃ’を通じて信号を検出して、充電デバイスのタイプを識別する。
【００３５】
図２は、複数のバックパワー電流経路を示す。経路１において、バックパワー電流経路は、充電デバイス１０９から始まり、ＵＳＢＤＰ線を通ってＶＣＣ３ｐ３ノードへＥＳＤダイオードＤ１を経由して横断する。経路１を通る電流は、ＵＳＢＤＰ線上の電圧がダイオードＤ１のカットオフ電圧よりも大きいときに流れる。経路２において、バックパワー電流経路は、充電デバイス１０９から始まり、ＵＳＢＤＰ線を通ってＶＣＣ３ｐ３ノードへＭＰ１及びＭＰ２トランジスタの基板（すなわち、Ｖｎｗｅｌｌノード）を経由して横断する。経路２を通る電流は、トランシーバ２０１における全ての電力供給がオフである（すなわち、ＶＣＣ３ｐ３、ＶＣＣ１ｐ８及びＶＣＣ１ｐ０が０Ｖである）ときに流れる。経路３において、バックパワー電流経路は、充電デバイス１０９から始まり、ＵＳＢＤＰ線を通ってＶＣＣ３ｐ３ノードへＭＰ１及びＭＰ２トランジスタの接合ダイオードを経由して横断する。経路３を通る電流は、ＵＳＢＤＰ線上の電圧がＭＰ１及びＭＰ２トランジスタの接合ダイオードのカットオフ電圧よりも大きいときに流れる。この例では、トランジスタＭＰ１、ＭＰ２、ＭＮ１、ＭＮ３、ＭＮ４及びＭＮ５は、ＥＯＳ状態にさらされる（すなわち、１．８Ｖで安全に動作するよう設計されたデバイスは、３．３Ｖのオーバーストレスにさらされる。）。
【００３６】
いくつかの実施形態において、ＥＯＳ状態は、ＵＳＢＤＰ及びＵＳＢＤＮ線上に夫々スイッチｓ１及びｓ２を、それらのスイッチがバック電流フローの間にＵＳＢＤＰ＿ＢＣ線をＵＳＢＤＰ線から切り離し且つＵＳＢＤＭ＿ＢＣ線をＵＳＢＤＭ線から切り離すよう動作するように設けることによって、緩和される。いくつかの実施形態において、それらのスイッチは、トランシーバ２０１における電力供給がオフである（すなわち、ＶＣＣ３ｐ３、ＶＣＣ１ｐ８及びＶＣＣ１ｐ０が０Ｖである。）ときにオフされる（すなわち、スイッチは開かれる。）。しかし、それらのディスクリートスイッチｓ１及びｓ２並びに関連するロジックは、システム１００の全体の費用を増大させる。
【００３７】
例えば、スイッチｓ１及びｓ２は単独で、プラットフォームごとに１０〜３０セント近く費用を増大させうる。これは相当である。適時にスイッチｓ１及びｓ２を作動させることは、余分のロジック及び時間を必要とする。例えば、ＰＭＩＣ１０６は、約５００ｍｓの検出時間（すなわち、バック電流フローを検出する時間）を有してよい。その時間中に、スイッチｓ１及びｓ２はトランスペアレントであり、バックパワー電流がトランシーバ２０１へ流れるようにする。スイッチｓ１及びｓ２の存在は、トランシーバ２０１の全体の電力消費量を増大させる。
【００３８】
例えば、トランシーバ２０１が高速（ＨＳ；High-speed）モードで動作するときに、送信器２０２のドライバはプリエンファシス（pre-emphasis）技術を使用する。この技術は、夫々のスイッチを駆動するための追加の電力消費（例えば、４ｍＷの余分の電力）を生じさせうる。スイッチｓ１及びｓ２を作動させることは、余分のピンの費用を含め、更なる複雑性をＰＭＩＣ１０６及びＢＣ１．２  １０７の設計に加える。スイッチｓ１及びｓ２を作動させることはまた、ＰＭＩＣ１０６を差動信号線ＵＳＢＤＰ及びＵＳＢＤＭへ接続するボードレベルのルーティングを複雑にする。
【００３９】
上記の問題を解消するよう、いくつかの実施形態において、送信器２０２は、送信器２０２への電力がオフであるときに、及び／又はある電力供給条件の下で、高インピーダンスを供給するようトライステート（tri-stated）される。いくつかの実施形態において、オンダイ（on-die）のバックパワー保護回路が設けられ、低電圧（例えば、１．０Ｖ及び１．８Ｖ）信頼性対応デバイスを使用して、バック電流フローの条件の間にトランシーバ２０１のトランジスタを保護する。いくつかの実施形態において、バックパワー保護回路は、トランシーバ２０１における低電圧デバイス（例えば、１Ｖ及び１．８Ｖ作動デバイス）を、差動信号線ＵＳＢＤＰ／ＵＳＢＤＭへ接続されているより高い電圧（例えば、３．３Ｖ）から保護するよう、内部バイアスを生成することによって送信器２０２をトライステートする。いくつかの実施形態において、バックパワー保護回路は、低電圧デバイス（例えば、１．８Ｖ及び／又は１．０Ｖデバイス）を使用しているときに、より高い電圧範囲状態（例えば、３．３Ｖ状態）を扱う場合に、自身を保護するよう内部バイアスを生成することによって、送信器２０２をトライステートする。
【００４０】
実施形態は、差動信号線ＵＳＢＤＰ及びＵＳＢＤＭ、供給線ＶＢＵＳ、ＩＤ線、及びＧＮＤ線のための仕様を定義するＵＳＢバッテリ充電検出仕様を参照して記載されるが、実施形態は、非ＵＳＢ対応デバイスにも適用可能である。例えば、実施形態は、ＨＤＭＩ、ＮＦＣアプリケーションにおけるＵＩＣＣに対するモデム・インターフェイス・コネクテッド（ＭＩＣ；Model  Interface  Connected）、又はＳＩＭカードなどに対応するデバイスに適用可能であって、それらをバックパワー電流の問題から保護する。
【００４１】
以下の記載において、多数の詳細は、本開示の実施形態のより完全な説明を与えるために議論される。なお、当業者に明らかなように、本開示の実施形態は、そのような具体的な詳細によらずとも実施されてよい。他の事例では、よく知られている構造及びデバイスは、本開示の実施形態を不明りょうにすることを避けるために、詳細にではなく、ブロック図形式で示される。
【００４２】
実施形態の対応する図面において、信号は線により表されている点に留意されたい。いくつかの線は、より要素たる信号経路を示すために、より太くされ、且つ／あるいは、主たる情報フロー方向を示すために、１つ以上の端部に矢印を有しうる。そのような表示は、限定であるよう意図されない。むしろ、線は、回路又は論理ユニットのより容易な理解を助けるよう、１つ以上の例となる実施形態に関連して使用される。設計ニーズ又は好みによって決定される如何なる表されている信号も、実際には１つ以上の信号を有してよく、信号は、いずれか一方の方向において進んでよく、如何なる適切なタイプの信号スキームによっても実装されてよい。
【００４３】
明細書の全体を通して、且つ、特許請求の範囲において、語「接続される（connected）」は、如何なる中間デバイスもなしに接続されているモノどうしの直接の電気的接続を意味する。語「結合される（coupled）」は、接続されるモノどうしの直接の電気的接続、あるいは、１つ以上の受動的又は能動的な中間デバイスを経由した間接的な接続のどちらかを意味する。語「回路（circuit）」は、所望の機能を提供するために互いに協調するよう配置されている１つ以上の受動的及び／又は能動的コンポーネントを意味する。語「信号（signal）」は、少なくとも１つの電流信号、電圧信号又はデータ／クロック信号を意味する。「１つの（a、an）」及び「前記（the）」の意味は、複数参照を含む。「〜において（in）」の意味は、「〜の中で（in）」及び「〜の上で（on）」を含む。
【００４４】
語「スケーリング（scaling）」は、設計（スケマティック及びレイアウト）を１つのプロセステクノロジから他のプロセステクノロジへ変換し、その後にレイアウト面積が低減されることを一般に言う。語「スケーリング」はまた、同じテクノロジノード内でレイアウト及びデバイスをダウンサイズすることを一般に言う。語「スケーリング」はまた、他のパラメータ（例えば、電力供給レベル）に対する信号周波数の調整（例えば、減速又は加速、すなわち、夫々、スケーリングダウン又はスケーリングアップ）を指してよい。語「実質的に（substantially）」、「近い（close）」、「近似的に（approximately）」、「近くに（near）」及び「約（about）」は、目標値の±２０％内にあることを一般に言う。
【００４５】
別段示されない限りは、共通のオブジェクトについて記載するための序数形容詞「第１の（first）」、「第２の（second）」及び「第３の（third）」などの使用は、同様のオブジェクトの異なるインスタンスが言及されていることを単に示し、そのように記載されているオブジェクトが、時間的に、空間的に、順位付けにおいて又は何らかの他の様態において、所与の順序にあるべきことを暗示するよう意図されない。
【００４６】
実施形態のために、様々な回路及びロジックブロックにおけるトランジスタは、ドレイン、ソース、ゲート及びバルク端子を含む金属酸化膜半導体（ＭＯＳ；metal  oxide  semiconductor）トランジスタである。トランジスタはまた、トライゲート（Tri-Gate）及びＦｉｎＦＥＴトランジスタ、円筒形全周ゲート（Gate  All  Around  Cylindrical）トランジスタ、トンネル（Tunneling）ＦＥＴ（ＴＦＥＴ）、スクエアワイヤ（Square  Wire）若しくは長方形リボン（Rectangular  Ribbon）トランジスタ、又はカーボンナノチューブ若しくはスピントロニック（spintronic）デバイスのようなトランジスタ機能を実装する他のデバイスを含む。ＭＯＳＦＥＴの対称なソース及びドレイン端子、すなわち、同じ端子は、ここでは交換可能に使用される。他方で、ＴＦＥＴデバイスは非対称なソース及びドレイン端子を有している。当業者に明らかなように、他のトランジスタ、例えば、バイポーラ接合トランジスタ、ＢＪＴ  ＰＮＰ／ＮＰＮ、ＢｉＣＭＯＳ、ＣＭＯＳ、ｅＦＥＴなどは、本開示の適用範囲から逸脱することなしに使用されてよい。語「ＭＮ」は、ｎ形トランジスタ（例えば、ＮＭＯＳ、ＮＰＮ  ＢＪＴ、など）を示し、語「ＭＰ」は、ｐ形トランジスタ（例えば、ＰＭＯＳ、ＰＮＰ  ＢＪＴ、など）を示す。
【００４７】
図３は、本開示のいくつかの実施形態に従って、バックパワー保護回路の高レベルアーキテクチャ３００を表す。いずれかの他の図の要素と同じ参照番号（又は名称）を有している図３の要素は、記載されているのと同様にして動作又は機能することができるが、そのように制限されないことが指摘される。
【００４８】
いくつかの実施形態において、アーキテクチャ３００は、バックパワー保護回路３０１、ＵＳＢトランシーバＡＦＥ３０５（トランシーバ２０１の変形バージョンである。）、コネクタ３０６、及びＰＵＤ２０４を有する。いくつかの実施形態において、バックパワー保護回路３０１は、適応バイアス生成回路３０２、検知回路３０３、及び選択ロジック３０４を有する。いくつかの実施形態において、検知回路３０３は、差動信号線ＵＳＢＤＰ及びＵＳＢＤＭをモニタすることによって、電源供給のオフ状態を検出する。いくつかの実施形態において、検知回路３０３の出力は、検出結果を適応バイアス生成回路３０２へ供給する。それにより、適応バイアス生成回路３０２は、ＰＵＤ２０４によって生成されたバイアス電圧をＵＳＢトランシーバＡＦＥ３０５へ供給すべきか、あるいは、適応バイアス生成回路３０２によって生成されたバイアス電圧をＵＳＢトランシーバＡＦＥ３０５のために供給すべきを判定することができる。
【００４９】
いくつかの実施形態において、適応バイアス生成回路３０２は、１つ以上のバイアス電圧（ここで、簡単のために、Ｖｂｉａｓｂｋｐとひとまとめにされる。）を選択ロジック３０４へ供給する。バイアス電圧Ｖｂｉａｓｂｋｐのうちの１つ以上が選択信号を介して選択ロジック３０４によって選択される場合に、それらのバイアス電圧は、ＵＳＢトランシーバＡＦＥ３０５のデバイスを保護する。例えば、バイアス電圧は、トランジスタのＶｇｓが信頼性閾値を下回るようにし、且つ／あるいは、ＵＳＢトランシーバＡＦＥ３０５における送信器をトライステートする。いくつかの実施形態において、バイアス電圧Ｖｂｉａｓｂｋｐのうちの１つ以上はまた、適応バイアス生成回路３０２内のデバイスを保護する。いくつかの実施形態において、バイアス電圧Ｖｂｉａｓｂｋｐのうちの１つ以上は、選択される場合に、ＵＳＢトランシーバＡＦＥ３０５の高速ドライバをトライステートして、それを、コネクタ３０６へ結合されている充電デバイス１０９によって供給されるバック電流フローから保護する。
【００５０】
いくつかの実施形態において、ＰＵＤ２０４が全ての電力供給の存在を検出する（すなわち、ＶＣＣ１ｐ０、ＶＣＣ１ｐ８、及びＶＣＣ３ｐ３がそれらの通常の電圧レベルにある。）通常機能モードの間、適応バイアス生成回路３０２は、ＵＳＢトランシーバＡＦＥ３０５のためにＰＵＤ２０４から１つ以上のバイアス電圧（ここでは、簡単のために、ＶＢｉａｓとひとまとめにされる。）を選択する。いくつかの実施形態において、バックパワー保護回路３０１は、ＥＳＤダイオードが実際のＥＳＤイベントの間にオンされないようにするために、差動信号線ＵＳＢＤＰ及びＵＳＢＤＭへ結合される変形ＥＳＤ構造を更に有してよい。
【００５１】
図４Ａは、電力供給がない場合に且つバックパワー保護回路３０１がない場合に、デバイスにストレスをかけられうる多段電圧シグナリング送信器４００（例えば、送信器２０２）を表す。いずれかの他の図の要素と同じ参照番号（又は名称）を有している図４Ａの要素は、記載されているのと同様にして動作又は機能することができるが、そのように制限されないことが指摘される。
【００５２】
送信器４００は、電力供給ＶＣＣ３ｐ３、ＶＣＣ１ｐ８及びＶＣＣ１ｐ０が完全にオフである動作状態を示す。そのような場合に、何らかの充電器回路（例えば、３．３Ｖのような、より高い電圧で作動する充電デバイス１０９）がＵＳＢＤＰ線へ接続されている場合には、トランジスタＭＮ１、ＭＰ２及びＭＰ１はＥＯＳ状態となり、バックパワー電流は、点線経路によって示されるように流れる。
【００５３】
図４Ｂは、本開示のいくつかの実施形態に従って、電力供給がない場合に、自身を保護するようバイアスをかけられたトランジスタを有する多段電圧シグナリング送信器４２０（ＵＳＢトランシーバＡＦＥ３０５の送信器）を表す。いずれかの他の図の要素と同じ参照番号（又は名称）を有している図４Ｂの要素は、記載されているのと同様にして動作又は機能することができるが、そのように制限されないことが指摘される。
【００５４】
いくつかの実施形態において、送信器４２０におけるトランジスタは、充電デバイス１０９がコネクタ３０６を介してＵＳＢＤＰ線へ接続される場合に当該トランジスタをバック電流フローから保護するよう、適応バイアス生成回路３０２によってバイアスをかけられる。バイアス電圧（ここでは、簡単のために、Ｖｂｉａｓｂｋｐとひとまとめにされる。）のうちの１つ以上は、ＶＭＰ３＿ｄｒａｉｎ（すなわち、ＭＰ３のドレイン電圧）、ＶＵＳＢＤＰ／２、ＶＭＰ３＿ｄｒａｉｎ、及びＶＵＳＢＤＰを含み、ＶＵＳＢＤＰはＵＳＢＤＰ線上の電圧である。いくつかの実施形態において、内部バイアス電圧は、ＭＰ１、ＭＰ２、ＭＰ３及びＭＮ１のゲート端子、並びにＭＰ１、ＭＰ２及びＭＰ３の基板／ウェル電圧のために供給され、それらのデバイスを、それらのデバイスをオフさせることによってバックパワーから保護する。
【００５５】
いくつかの実施形態において、バックパワー保護状態の間、適応バイアス生成回路３０２は、ＭＰ２デバイスのゲート端子のための電圧を生成する。ゲート電圧は、ＭＰ２のためにＶｇ＝Ｖｎｗｅｌｌ＝ＶＵＳＢＤＰ（Ｖｇはゲート電圧であり、Ｖｂはバルク電圧である。）であるように、ＶＵＳＢＤＰに追随する。Ｖｇ＝Ｖｎｗｅｌｌ＝ＶＵＳＢＤＰを設定することによって、ＭＰ２のＶｇｓは０Ｖであり、バックパワー状態の間、高インピーダンスを提供する。
【００５６】
いくつかの実施形態において、適応バイアス生成回路３０２は、ＭＮ１をＥＯＳ状態から保護するために、ＵＳＢＤＰ線上の電圧の半分（すなわち、ＶＵＳＢＤＰ／２）であるようＭＮ１のゲート電圧（Ｖｇ）を生成する。いくつかの実施形態において、同じデバイス電圧は、ＥＯＳ保護のためにＵＳＢトランシーバＡＦＥ３０５の受信器２０３へ（すなわち、ＭＮ３、ＭＮ４及びＭＮ５のゲート端子へ）供給される。いくつかの実施形態において、適応バイアス生成回路３０２は、ＭＰ３デバイスのためのゲート電圧（Ｖｇ）を生成する。このゲート電圧は、ＭＰ３のドレイン電圧に追随する（すなわち、Ｖｇ＝Ｖｎｗｅｌｌ＝ＶＭＰ３＿ｄｒａｉｎ）。ＭＰ３＿ｄｒａｉｎはＭＰ３のドレイン端子である。この条件において、ＭＰ３トランジスタのＶｇｓは０Ｖであり、高インピーダンスを提供する。そのようなものとしてバイアス電圧を供給することによって、適応バイアス生成回路３０２は、全ての動作状態の間、低電圧デバイス（例えば、１．８Ｖデバイス）が低電圧動作状態（すなわち、１．８Ｖ動作状態）よりもオーバーストレスにならないことを確かにする。いくつかの実施形態において、ＬＳ１及びＬＳ２は、レベルシフタへの電力供給が０Ｖであるときに０Ｖ出力を供給する決定論的（deterministic）レベルシフタである。この場合に、ＭＰ１及びＭＰ２のゲート端子は０Ｖにバイアスされる。
【００５７】
図４Ｃは、本開示のいくつかの実施形態に従って、高電力供給の存在下で、自身を保護するようバイアスをかけられたトランジスタを有する多段電圧シグナリング送信器４３０を表す。いずれかの他の図の要素と同じ参照番号（又は名称）を有している図４Ｃの要素は、記載されているのと同様にして動作又は機能することができるが、そのように制限されないことが指摘される。
【００５８】
いくつかの実施形態において、全ての電力供給が作動している場合に、適応バイアス生成回路３０２は、選択ロジック３０４に、送信器４３０のノード電圧ために図示されるように、ＰＵＤ２０４から生成されたバイアス電圧を選択させる。例えば、全ての電力供給が作動している場合に、ＰＵＤ２０４は、低電圧（例えば、１．８Ｖ）をＭＰ２のゲート端子へ、高電圧（例えば、３．３Ｖ）をＭＰ１及びＭＰ２のバルク／基板端子へ、低電圧（例えば、１．８Ｖ）をＭＮ１のゲート端子へ、そして、低電圧（例えば、１．８Ｖ）をＭＰ３のゲート端子へ及びＭＰ３のバルク／基板端子へ供給する。この場合に、全てのデバイスはＥＯＳから保護される。いくつかの実施形態において、ＰＵＤ２０４は、電力供給、すなわち、１．０Ｖ、１．８Ｖ及び３．３Ｖの如何なる順序にも関係なく、低電圧デバイスを保護するよう内部バイアス電圧を供給する。
【００５９】
図５は、本開示のいくつかの実施形態に従って、図３の高レベルアーキテクチャの詳細部５００を表す。いずれかの他の図の要素と同じ参照番号（又は名称）を有している図５の要素は、記載されているのと同様にして動作又は機能することができるが、そのように制限されないことが指摘される。ここでは、ＵＳＢＤＰ線のための半分の回路が示される。同様の回路は、ＵＳＢＤＭ線のためにも存在する。
【００６０】
ここで、詳細部５００は、送信器部分及び受信器部分について詳細部２００と同様である。送信器５０１と送信器２０２との間の相違は、送信器５０１が、電力供給の有無に従ってゲート及びバルク端子のための異なったバイアス電圧を受ける点である。受信器５０２と受信器２０３との間の相違は、受信器５０２が、電力供給の有無に従ってゲート端子のたの異なったバイアス電圧を受ける点である。実施形態を不明りょうにしないために、送信器５０１及び受信器５０２の回路トポロジは、再度詳細には記載されない。
【００６１】
いくつかの実施形態において、検知回路３０３は、差動信号線ＵＳＢＤＰ及びＵＳＢＤＭをモニタし、適応バイアス生成回路３０２のための制御信号を生成する。いくつかの実施形態において、検知回路３０３はまた、ＶＣＣ３ｐ３供給をモニタすることによって、高電圧（例えば、３．３Ｖ）の電力供給オフ状態を検出する。いくつかの実施形態において、検知回路３０３は、ＶＣＣ３ｐ３供給がオフであり、且つ、充電デバイス１０９がＵＳＢＤＰ及びＵＳＢＤＭ線へ結合されていると決定する。検知回路３０３は、次いで、内部バイアスＶｃｃ１ｐ０＿ａｕｘ；Ｖｃｃ１ｐ８＿ａｕｘ；ｄｐ＿１ｐ８，ｄｐ＿１ｐ０を生成し、且つ、適応バイアス生成回路３０２によって使用される供給を示すような電力良好電圧ｐｗｒｇｏｏｄ＿１ｐ８、ｐｗｒｇｏｏｄ＿１ｐ８ｂを制御する。ここで、ｄｐ＿１ｐ８及びｄｐ＿１ｐ０は、ＵＳＢＤＰ線上の電圧から分圧された電圧である。同様に、いくつかの実施形態において、分圧電圧ｄｍ＿１ｐ８及びｄｍ＿１ｐ０は、ＵＳＢＤＭ線上の電圧から生成される。それらの内部生成された電圧は、バイアスを生成するために使用される。
【００６２】
ここで、適応バイアス生成回路３０２は、その中に選択ロジック３０４を含む。出力Ｖｃｃ１ｐ０＿ｂｐ、Ｖｎｗｅｌｌ＿ｂｐ、Ｖｐｂｉａｓ＿ｂｐ、Ｖｎｂｉａｓ及びＶｎｗｅｌｌ＿ｂｐは、選択ロジック３０４から出力されるバイアス電圧のうちの１つ以上である。いくつかの実施形態において、適応バイアス生成回路３０２は、ＵＳＢＤＰ線上の電圧の後を追う、トランジスタＭＰ１、ＭＰ２、ＭＰ３及びＭＰ４のためのバルク又は基板電圧Ｖｎｗｅｌｌを生成する。いくつかの実施形態において、適応バイアス生成回路３０２は、受信器トランジスタＭＮ３、ＭＮ４、ＭＮ５、ＭＮ６及びＭＮ１のために使用される、受信器制御スイッチのためのバルク又は基板電圧Ｖｎｂｉａｓを生成する。Ｖｎｂｉａｓは、ＵＳＢＤＰ線上の電圧の後を追う。いくつかの実施形態において、ＵＳＢＤＭ線のための同様の回路も、ＵＳＢＤＭドライバ及び受信器関連回路のための適応バイアス電圧を生成する。
【００６３】
いくつかの実施形態において、適応バイアス生成回路３０２は、ＭＰ２のためのゲート電圧Ｖｐｂｉａｓ＿ｂｇを生成する。Ｖｐｂｉａｓ＿ｂｇは、ＶＣＣ３ｐ３＝０Ｖのときに差動信号線ＵＳＢＤＰ及びＵＳＢＤＭ上の電圧に追随し、ＶＣＣ３ｐ３がハイ（high）（例えば、３．３Ｖ）であるときに１．８Ｖである。それらの適応バイアス電圧は、バックパワー電流によって引き起こされるＥＯＳからトランジスタを保護することを助ける。
【００６４】
いくつかの実施形態において、適応バイアス生成回路３０２は、ＵＳＢＤＰ線上の電圧がハイであるときにＭＰ３デバイスを保護するために使用されるＶｃｃ１ｐ０＿ｂｐを生成する。いくつかの実施形態において、適応バイアス生成回路３０２は、ＭＰ３を通る逆電流フローを回避するよう、ＶＣＣ３ｐ３がオフであるときにＭＰ３＿ｄｒａｉｎノード上の電圧を追跡する。いくつかの実施形態において、ＶＣＣ３ｐ３がハイ（すなわち、３．３Ｖ）であるとき、ＭＰ３のゲートは、適応バイアス生成回路３０２によって強制的に低電圧（例えば、無効又はトライステートモードの間、１．８Ｖ）にされる。いくつかの実施形態において、ＥＳＤ回路が使用され、それは、そのＥＳＤダイオードがバックパワー保護の間にクランプしないように設計されている。
【００６５】
いくつかの実施形態において、全ての電力供給が作動している（すなわち、ＶＣＣ１ｐ０、ＶＣＣ１ｐ８及びＶＣＣ３ｐ３が作動している。）ときに、ＰＵＤ２０４は、ＵＳＢトランシーバＡＦＥ３０５のためにＶｂｉａｓ、Ｖｎｗｅｌｌ及びＶｎｂｉａｓのバイアス電圧を生成する。そのような実施形態において、選択ロジック３０４（ここでは、適応バイアス生成回路３０２の部分）は、ＵＳＢトランシーバＡＦＥ３０５のためにＶｂｉａｓ、Ｖｎｗｅｌｌ及びＶｎｂｉａｓのバイアス電圧を供給する。ＶｎｗｅｌｌはＶｎｗｅｌｌ＿ｂｐへ結合され、ＶｎｂｉａｓはＶｎｗｅｌｌ＿ｂｐへ結合される。
【００６６】
図６は、本開示のいくつかの実施形態に従って、高電力供給（例えば、３．３Ｖ）がない場合又は低電力供給（例えば、１．８Ｖ）若しくは高電力供給（例えば、３．３Ｖ）のうちの１つが存在する場合に、バイアス電圧の１つ以上を供給する適応バイアス生成回路６００（回路３０２の部分である。）を表す。いずれかの他の図の要素と同じ参照番号（又は名称）を有している図６の要素は、記載されているのと同様にして動作又は機能することができるが、そのように制限されないことが指摘される。
【００６７】
いくつかの実施形態において、適応バイアス生成回路６００は、図示されるように結合されているｎ形トランジスタＭＮ１及びＭＮ２並びにｐ形トランジスタＭＰ１、ＭＰ２、ＭＰ３、ＭＰ４、ＭＰ５及びＭＰ６を有する。いくつかの実施形態において、適応バイアス生成回路６００は、ＵＳＢトランシーバＡＦＥ３０５のトランジスタ（すなわち、送信器５０１及び受信器５０２におけるデバイス）のためのバイアス電圧、低電圧（例えば、１．８Ｖ）バルク又は基板電圧Ｖｎｂｉａｓ、並びに検知回路３０３のためのＶｃｃ１ｐ８＿ａｌｗａｙｓｏｎ電圧を生成する。ここで、Ｖｃｃ１ｐ８＿ａｌｗａｙｓｏｎは、Ｖｎｂｉａｓ（図示せず。）のバッファリングされたバージョンであり、Ｖｃｃ１ｐ８＿ａｕｘは、検知回路３０３によって供給される。
【００６８】
いくつかの実施形態において、適応バイアス生成回路６００は、ｄｐ＿１ｐ８（ＶＣＣ３ｐ３がオフであるときに低電圧（例えば、１．８Ｖ）に等しい。）を生成し、そして、低電圧バイアス（例えば、１．８Ｖ）を生成して、ＶＣＣ３ｐ３又はＶＣＣ１ｐ８が存在するときにデバイスを保護する。いくつかの実施形態において、ＶＣＣ１ｐ８＿ｉｎｔノードは、ＶＣＣ３ｐ３又はＶＣＣ１ｐ８が存在する場合には１．８Ｖである。いくつかの実施形態において、弱（weak）トランジスタＭＰ３及びＭＰ６は、両方の供給ＶＣＣ１ｐ８及びＶＣＣ３ｐ３が存在するときに、ＭＰ１及びＭＰ４トランジスタのフローティングバイアス（floating  bias）を回避するために使用される。
【００６９】
いくつかの実施形態において、バックパワー状態の間に供給が存在しないとき、ＶＣＣ１ｐ８＿ｉｎｔは０Ｖであり、ＭＰ５を有効にする（すなわち、オンする。）。そのような実施形態において、Ｖｎｂｉａｓ及びＶｃｃ１ｐ８＿ａｌｗａｙｓｏｎは、ｄｐ＿１ｐ８へ接続される（ｄｐ＿１ｐ８は、ＵＳＢＤＰ線上の電圧がハイ（例えば、３．３Ｖ）であるときに低電圧（例えば、１．８Ｖ）にある。）。いくつかの実施形態において、全ての供給がオフであるとき、トランジスタＭＰ２、ＭＮ２及びＭＰ４はオンされ、ＵＳＢＤＰ線上の電圧の後を追うバイアス電圧Ｖｎｂｉａｓを供給する。いくつかの実施形態において、ＶＣＣ３ｐ３が有効にされる（すなわち、ハイである。）とき、トランジスタＭＮ１、ＭＰ１、ＭＮ２及びＭＰ４はオンされ、Ｖｎｂｉａｓのために低電圧（例えば、１．８Ｖ）を供給する。
【００７０】
図７Ａは、本開示のいくつかの実施形態に従って、適応バイアス生成回路３０２のためのバイアス電圧を供給する検知回路３０３の部分７００を表す。いずれかの他の図の要素と同じ参照番号（又は名称）を有している図７Ａの要素は、記載されているのと同様にして動作又は機能することができるが、そのように制限されないことが指摘される。
【００７１】
いくつかの実施形態において、部分７００は、図示されるように結合されているｐ形トランジスタＭＰ１５及びＭＰ１６を有する。いくつかの実施形態において、Ｖｃｃ３ｐ３＿ａｕｘは、ＭＰ１５及びＭＰ１６を用いて図６のＶｃｃ１ｐ８＿ａｌｗａｙｓｏｎ及びＶＣＣ３ｐ３から生成される。いくつかの実施形態において、Ｖｃｃ３ｐ３＿ａｕｘは、３．３Ｖ供給が存在するときに３．３Ｖ供給のＶＣＣ３ｐ３である。
【００７２】
図７Ｂは、本開示のいくつかの実施形態に従って、高電力供給（例えば、３．３Ｖ）がない場合又は高電力供給（例えば、３．３Ｖ）が存在する場合に、バイアス電圧の１つ以上を供給する適応バイアス生成回路７２０（回路３０２の部分である。）を表す。いずれかの他の図の要素と同じ参照番号（又は名称）を有している図７Ｂの要素は、記載されているのと同様にして動作又は機能することができるが、そのように制限されないことが指摘される。
【００７３】
いくつかの実施形態において、適応バイアス生成回路７２０は、図示されるように結合されているｐ形トランジスタＭＰ１７、ＭＰ１８、ＭＰ１９、ＭＰ２０、ＭＰ２１及びＭＰ２２並びにｎ形トランジスタＭＮ６を有する。いくつかの実施形態において、適応バイアス生成回路７２０は、図５のＭＰ１、ＭＰ２、ＭＰ３及びＭＰ４のためのバルク又は基板電圧Ｖｎｗｅｌｌ＿ｂｐを生成する。
【００７４】
図７Ｂを参照し直すと、いくつかの実施形態において、適応バイアス生成回路７２０は、ＶＣＣ３ｐ３供給が０ＶであるときにＵＳＢＤＰ線上の電圧の後を追い、電力供給ＶＣＣ３ｐ３が存在するときに３．３Ｖの供給ＶＣＣ３ｐ３の後を追うバルク電圧Ｖｎｗｅｌｌ＿ｂｐを生成する。
【００７５】
低電圧範囲にある内部補助バイアス（すなわち、例えば、３．３Ｖ供給がホストにおいてオフであるときに１．８Ｖであり、３．３Ｖ供給が存在するときに３．３ＶであるＶｃｃ３ｐ３＿ａｕｘ）は、適応バイアス生成回路３０２を保護するために必要とされる。これは、デバイスが低電圧耐性電圧（例えば、１．８Ｖ耐性電圧）であるからである。トランジスタＭＰ１６、ＭＰ１８、ＭＰ１９及びＭＰ２１は、バックパワー保護状態の間、低電圧（例えば、１．８Ｖの内部バイアス電圧）へとバイアスをかけられる。それにより、それらのトランジスタの出力は、より高い電圧、又はデバイス動作限界を超える電圧とならない。
【００７６】
トランジスタＭＰ１６、ＭＰ１８、ＭＰ１９及びＭＰ２１は、ＵＳＢＤＰ電圧を供給する。いくつかの実施形態において、電力供給（すなわち、ＶＣＣ３ｐ３、ＶＣＣ１ｐ０及びＶＣＣ１ｐ８）が存在するとき、適応バイアス生成回路７２０のトランジスタＭＰ１６、ＭＰ２０、ＭＰ２２及びＭＮ６はオンされ、Ｖｎｗｅｌｌ＿ｂｐノードで高電圧（例えば、３．３Ｖ）出力を供給する。そのような実施形態において、適応バイアス生成回路７２０の内部ノードは、低電圧対応デバイス（例えば、１．８Ｖ対応デバイス）のＥＯＳ限界を破らない。いくつかの実施形態において、ＭＮ６及びＭＰ２２は、バックパワー状態の間ＭＰ２０を保護し、且つ、適応バイアス生成回路７２０の自己防衛を提供するために使用される。
【００７７】
図８は、本開示のいくつかの実施形態に従って、多段電圧シグナリング送信器の高電圧トランジスタのためのバイアス電圧の１つ以上を供給する適応バイアス生成回路８００（回路３０２の部分である。）を表す。いずれかの他の図の要素と同じ参照番号（又は名称）を有している図８の要素は、記載されているのと同様にして動作又は機能することができるが、そのように制限されないことが指摘される。
【００７８】
いくつかの実施形態において、適応バイアス生成回路８００（回路３０２の部分である。）は、図示されるように結合されているｎ形トランジスタＭＮ３、ＭＮ４及びＭＮ５並びにｐ形トランジスタＭＰ６、ＭＰ７、ＭＰ８、ＭＰ９、ＭＰ１０、ＭＰ１１、ＭＰ１２、ＭＰ１３、ＭＰ１４、ＭＰ３５及びＭＰ３６を有する。いくつかの実施形態において、適応バイアス生成回路８００（回路３０２の部分）は、図５のＭＰ３のためのバルク電圧Ｖｎｗｅｌｌ＿ｂｐ、及び内部バイアス電圧を生成する。図８を参照し直すと、いくつかの実施形態において、バックパワー状態の下で、ＭＰ８、ＭＰ１１、ＭＰ７、ＭＰ１２及びＭＰ３６はオンされ、図５のＭＰ３＿ｄｒａｉｎ電圧に追随する。図８を参照し直すと、いくつかの実施形態において、全ての電力供給が存在する機能モードの間、ＭＮ３、ＭＰ７、ＭＮ４、ＭＰ１０、ＭＰ１３及びＭＰ３５はオンされ、図２のＭＰ３デバイスのバルク電圧として低電圧（例えば、１．８Ｖ）を供給する。
【００７９】
図９は、本開示のいくつかの実施形態に従って、多段電圧シグナリング送信器をトライステートするためにバイアス電圧の１つ以上を供給する適応バイアス生成回路９００（回路３０２の部分である。）を表す。いずれかの他の図の要素と同じ参照番号（又は名称）を有している図９の要素は、記載されているのと同様にして動作又は機能することができるが、そのように制限されないことが指摘される。
【００８０】
いくつかの実施形態において、回路ブロック９０１、９０２及び９０３は、図５のＭＰ２及びＭＰ１デバイスを通るバックパワー電流フローを、それらのデバイスの夫々のゲート電圧Ｖｐｂｉａｓ＿ｂｐを追跡し、ＵＳＢＤＰ線上の電圧に適応的に追随することによって保護するよう、設けられる。図９を参照し直すと、いくつかの実施形態において、回路ブロック９０１は、図示されるように結合されているｐ形トランジスタＭＰ２９、ＭＰ３０、ＭＰ３１、ＭＰ３２、ＭＰ３３、ＭＰ３４、ＭＰ３５及びＭＰ３６並びにｎ形トランジスタＭＮ１１を有する。いくつかの実施形態において、回路ブロック９０１は、ＶＣＣ３ｐ３がオフ状態にある時間中に、ＵＳＢＤＰ線（又はＵＳＢＤＭ線）上の電圧を追跡するよう適応的に使用される。いくつかの実施形態において、回路９０１は、機能モード（ドライバイネーブル）の間、図３に図示されるように、ＰＵＤ２０４からのバイアスを有効にする。
【００８１】
図９を参照し直すと、いくつかの実施形態において、回路ブロック９０２は、図示されるように結合されているｐ形トランジスタＭＰ２３、ＭＰ２４及びＭＰ２５並びにｎ形トランジスタＭＮ７及びＭＮ８を有する。回路ブロック９０２は、図５に図示されるように、ＭＰ２トランジスタを駆動する前置ドライバ回路を分離するために使用される。図９を参照し直すと、いくつかの実施形態において、回路ブロック９０３は、バックパワー状態の間には、ＭＰ２４デバイスを保護するために使用され、機能モードの場合（すなわち、全ての電力供給が存在し、ドライバが有効にされるとき）には、ＭＰ２４デバイスを有効にする。いくつかの実施形態において、回路ブロック９０３は、図示されるように結合されているｐ形トランジスタＭＰ２６、ＭＰ２７及びＭＰ２８並びにｎ形トランジスタＭＮ９及びＭＮ１０を有する。
【００８２】
図９を参照し直すと、バックパワー状態の間、いくつかの実施形態において、トランジスタＭＰ３２、ＭＰ３０、ＭＰ３５及びＭＰ２９は、Ｖｐｂｉａｓ＿ｂｐをＵＳＢＤＰ線へＤＣ結合する。このＤＣ結合は、バックパワー状態の間に、図５のＭＰ２デバイスにかかる０ＶのＶｇｓを生成するのを助け、更には、高インピーダンスを送信器５０１へ提供する。図９を参照し直すと、いくつかの実施形態において、トランジスタＭＮ７、ＭＮ８、ＭＰ２３及びＭＰ２４はオフされて、前置ドライバ及びＶｐｂｉａｓ＿ｂｐノードを分離する。いくつかの実施形態において、ＭＰ２５は、低電圧（例えば、１．８Ｖ）を中間電圧として生成することによって、ＭＰ２３及びＭＰ２４を保護するために使用される。
【００８３】
いくつかの実施形態において、図９のトランジスタＭＮ８、ＭＮ９、ＭＮ１０、ＭＰ２４及びＭＰ２７はオフされて、前置ドライバ（ａ２及びｉ２のノードへ結合される。）並びにＶｐｂｉａｓ＿ｂｐノードを分離するのを助ける。ＭＰ２トランジスタのための前置ドライバは、図示されていない点に留意されたい。いくつかの実施形態において、Ｖｐｂｉａｓ＿ｂｐ電圧は、ＵＳＢＤＰ線上の電圧に追随し、このことは、ＭＰ２４デバイスのＥＯＳ状態を引き起こしうる。そのような実施形態において、トランジスタＭＰ２８及びＭＰ２６は、ＭＰ２４のゲート電圧がＶｎｂｉａｓ＿ｂｐに追随することを可能にして、Ｖｐｂｉａｓ＿ｂｐノードから前置ドライバへの逆経路を回避するのを更に助ける。
【００８４】
いくつかの実施形態において、全ての電力供給が存在するとき、トランジスタＭＮ７、ＭＮ８、ＭＰ２３、ＭＰ２４、ＭＮ９及びＭＮ１０はオンされる。いくつかの実施形態において、トランジスタＭＰ２５、ＭＰ２６、ＭＰ２７及びＭＰ２８はオフされて、Ｖｐｂｉａｓ電圧がＶｐｂｉａｓ＿ｂｐ電圧と同じであるようにする。いくつかの実施形態において、ＭＰ２９はオフであり、ＵＳＢＤＰ線からの経路を分離する。いくつかの実施形態において、ＭＰ３０、ＭＰ３３、ＭＰ３４、ＭＮ１１、ＭＰ３２及びＭＰ３１は、ＭＰ２９デバイスのＥＯＳ状態を回避するのを助ける。ＭＰ２９のＥＯＳ状態は、Ｖｐｂｉａｓ＿ｂｐ電圧がＶｐｂｉａｓノード上の電圧と同じであることにより、ＭＰ２９のゲート端子上の電圧が高電圧（例えば、３．３Ｖ）にあり、ＭＰ２９のソース端子上の電圧が高電圧（例えば、３．３Ｖ）にあり、ＭＰ２９のドレイン端子上の電圧が低電圧（例えば、１．８Ｖ）にあるので、回避される。
【００８５】
図１０Ａ及びＢは、本開示のいくつかの実施形態に従って、バックパワー保護回路３０１のための基準生成回路１０００及び検知回路１０２０（例えば、検知回路３０３）を表す。いずれかの他の図の要素と同じ参照番号（又は名称）を有している図１０Ａ及びＢの要素は、記載されているのと同様にして動作又は機能することができるが、そのように制限されないことが指摘される。
【００８６】
いくつかの実施形態において、基準生成回路１０００は、ＵＳＢＤＰ線上の電圧を抵抗Ｒ１（例えば、夫々３３０ＫΩ）によって分割する抵抗性分圧器を用いて、基準電圧ｄｐ＿１ｐ８及びｄｐ＿１ｐ０を供給する。いくつかの実施形態において、抵抗性分圧器は、容量性分圧器によって置換される。いくつかの実施形態において、抵抗性分圧器は、ｎ形又はｐ形トランジスタを使用する能動デバイスにより置換される。他の実施形態では、他のタイプの基準生成回路が使用されてよい。いくつかの実施形態において、電圧ｄｐ＿１ｐ８及びｄｐ＿１ｐ０は、電力供給ＶＣＣ３ｐ３がオフである（又は存在しない）ときに、内部バイアス電圧を追跡するために使用される。
【００８７】
いくつかの実施形態において、検知回路１０２０は、低電圧範囲（例えば、１．８Ｖ範囲）にあるＶｃｃ１ｐ８＿ａｕｘ及びＶｃｃ１ｐ０＿ａｕｘの電圧を生成する基準生成器を有する。いくつかの実施形態において、基準生成器は、抵抗Ｒ２（１ＭΩ以上）を用いてＶＣＣ３ｐ３電圧を分割する抵抗性分圧器を有する。いくつかの実施形態において、抵抗性分圧器は、容量性分圧器により置換される。いくつかの実施形態において、抵抗性分圧器は、ｎ形又はｐ形トランジスタを使用する能動デバイスにより置換される。
【００８８】
いくつかの実施形態において、検知回路１０２０は、図示されるように結合されているシュミットトリガＢＦ１、バッファＢＤ２及びＢＦ３、インバータＩＮＶ１、ＩＮＶ２及びＩＮＶ３を更に有する。いくつかの実施形態において、バッファリングされた電力良好信号ｐｗｒｇｏｏｄ＿１ｐ８及びｐｗｒｇｏｏｄ＿１ｐ０は、図６の適応バイアス生成回路６００から供給される供給Ｖｃｃ１ｐ８＿ａｌｗａｙｓｏｎを用いて生成される。供給Ｖｃｃ１ｐ８＿ａｌｗａｙｓｏｎは、ＶＣＣ３ｐ３供給が０Ｖである（又は存在しない）ときに、ＵＳＢＤＰ線上の電圧に適応的に追随する。
【００８９】
図１１Ａは、従来のＥＳＤ保護回路１１００を表す。いずれかの他の図の要素と同じ参照番号（又は名称）を有している図１１Ａの要素は、記載されているのと同様にして動作又は機能することができるが、そのように制限されないことが指摘される。ＥＳＤ保護回路１１００は、図示されるように結合されているダイオードＤ１及びＤ２並びにクランプ回路から成る。ここで、ＶＣＣ３ｐ３が０Ｖであり、外部回路（例えば、充電デバイス１０９）がＵＳＢＤＰ線（すなわち、データパッド）へ接続されているときに、ＥＳＤダイオードは、パッド電圧をダイオードカットオフ電圧にクランプする。このクランピングは充電検出動作を制限する。
【００９０】
図１１Ｂは、本開示のいくつかの実施形態に従って、バックパワー保護のためのＥＳＤ保護回路１１２０を表す。いずれかの他の図の要素と同じ参照番号（又は名称）を有している図１１Ｂの要素は、記載されているのと同様にして動作又は機能することができるが、そのように制限されないことが指摘される。
【００９１】
いくつかの実施形態において、ＥＳＤ保護回路１１２０は、図示されるように結合されている３つのダイオードＤ１、Ｄ２及びＤ３並びにクランプ回路（クランプ回路１及びクランプ回路２）を有する。それらの実施形態において、Ｄ３ダイオードは、バックパワー状態の間、逆バイアス状態を提供するために使用される。いくつかの実施形態において、余分のクランプ回路（すなわち、クランプ回路２）は、ＶＣＣ３ｐ３及びＶＣＣ３ｐ３＿ｂｐ（すなわち、補助的な３．３Ｖ）のために使用される。図１１Ａの実施形態と違って、図１１Ｂの実施形態は充電検出動作を制限しない。
【００９２】
図１２は、本開示のいくつかの実施形態に従って、バックパワー保護回路を備えたスマートデバイス又はコンピュータシステム又はＳｏＣ（System-on-Chip）を表す。いずれかの他の図の要素と同じ参照番号（又は名称）を有している図１２の要素は、記載されているのと同様にして動作又は機能することができるが、そのように制限されないことが指摘される。
【００９３】
図１２は、平面（flat  surface）インターフェイスコネクタが使用されうるモバイルデバイスの実施形態のブロック図を表す。いくつかの実施形態において、コンピューティングデバイス１６００は、コンピューティングタブレット、携帯電話機若しくはスマートフォン、無線対応電子リーダー、又は他の無線モバイルデバイスのような、モバイルコンピューティングデバイスに相当する。特定のコンポーネントは一般的に示されており、そのようなデバイスの全てのコンポーネントがコンピューティングデバイス１６００において示されているわけでないことが理解されるだろう。
【００９４】
いくつかの実施形態において、コンピューティングデバイス１６００は、論じられているいくつかの実施形態に従って、バックパワー保護回路を備えた第１のプロセッサ１６１０を含む。コンピューティングデバイス１６００の他のブロックも、いくつかの実施形態のバックパワー保護回路を含んでよい。本開示の様々な実施形態は、無線インターフェイスのような、１６７０内のネットワークインターフェイスを更に有してよく、それにより、システムの実施形態は、無線デバイス、例えば、携帯電話機又はパーソナルデジタルアシスタントに組み込まれてよい。
【００９５】
一実施形態において、プロセッサ１６１０（及び／又はプロセッサ１６９０）は、マイクロプロセッサ、アプリケーションプロセッサ、マイクロコントローラ、プログラム可能論理デバイス、又は他のプロセッシング手段のような、１つ以上の物理デバイスを含むことができる。プロセッサ１６１０によって実施されるプロセッシング動作は、アプリケーション及び／又はデバイス機能が実行されるオペレーティングプラットフォーム又はオペレーティングシステムの実行を含む。プロセッシング動作は、人間であるユーザによる若しくは他のデバイスによるＩ／Ｏ（input/output）に関連した動作、電力管理に関連した動作、及び／又はコンピューティングデバイス１６００を他のデバイスへ接続することに関連した動作を含む。プロセッシング動作はまた、オーディオＩ／Ｏ及び／又はディスプレイＩ／Ｏに関連した動作を含んでよい。
【００９６】
一実施形態において、コンピューティングデバイス１６００は、オーディオサブシステム１６２０を含む。オーディオサブシステム１６２０は、オーディオ機能をコンピューティングデバイスへ提供することに関連したハードウェア（例えば、オーディオハードウェア及びオーディオ回路）並びにソフトウェア（例えば、ドライバ、コーデック）コンポーネントに相当する。オーディオ機能は、マイクロホン入力に加えて、スピーカ及び／又はヘッドホン出力を含むことができる。そのような機能のためのデバイスは、コンピューティングデバイス１６００に組み込まれるか、あるいは、コンピューティングデバイス１６００へ接続され得る。一実施形態において、ユーザは、プロセッサ１６１０によって受信されて処理される音声コマンドを供給することによって、コンピューティングデバイス１６００と対話する。
【００９７】
ディスプレイサブシステム１６３０は、ユーザがコンピューティングデバイス１６００と対話するための視覚的及び／又は触覚的な表示を提供するハードウェア（例えば、表示デバイス）及びソフトウェア（例えば、ドライバ）コンポーネントに相当する。ディスプレイサブシステム１６３０は、ディスプレイインターフェイス１６３２を含む。ディスプレイサブシステム１６３０は、表示をユーザに提供するために使用される特定のスクリーン又はハードウェアデバイスを含む。一実施形態において、ディスプレイインターフェイス１６３２は、表示に関連した少なくとも何らかのプロセッシングを実行するための、プロセッサ１６１０とは別個のロジックを含む。一実施形態において、ディスプレイサブシステム１６３０は、出力及び入力の両方をユーザへ提供するタッチスクリーン（又はタッチパッド）デバイスを含む。
【００９８】
Ｉ／Ｏコントローラ１６４０は、ユーザとのインタラクションに関連したハードウェアデバイス及びソフトウェアコンポーネントに相当する。Ｉ／Ｏコントローラ１６４０は、オーディオサブシステム１６２０及び／又はディスプレイサブシステム１６３０の部分であるハードウェアを管理するよう動作可能である。加えて、Ｉ／Ｏコントローラ１６４０は、コンピューティングデバイスへ接続する追加のデバイスのための接続ポイントを表す。その追加のデバイスを通じて、ユーザはシステムと対話してよい。例えば、コンピューティングデバイス１６００に取り付けられ得るデバイスは、マイクロホンデバイス、スピーカ若しくはステレオシステム、ビデオシステム若しくは他の表示デバイス、キーボード若しくはキーパッドデバイス、又はカードリーダー及び他のデバイスのような、特定の用途に使用される他のＩ／Ｏデバイスを含んでよい。
【００９９】
上述されたように、Ｉ／Ｏコントローラ１６４０は、オーディオサブシステム１６２０及び／又はディスプレイサブシステム１６３０と相互作用することができる。例えば、マイクロホン又は他のオーディオデバイスを通じた入力は、コンピューティングデバイス１６００の１つ以上のアプリケーション又は機能のための入力又はコマンドを提供することができる。加えて、オーディオ出力は、ディスプレイ出力の代わりに、又はそれに加えて供給され得る。他の例において、ディスプレイサブシステム１６３０がタッチスクリーンを含む場合には、表示デバイスは入力デバイスとしても動作し、Ｉ／Ｏコントローラ１６４０によって少なくとも部分的に管理され得る。コンピューティングデバイス１６００には、Ｉ／Ｏコントローラ１６４０によって管理されるＩ／Ｏ機能を提供するよう、追加のボタン又はスイッチが更に存在することができる。
【０１００】
一実施形態において、Ｉ／Ｏコントローラ１６４０は、加速度計、カメラ、光センサ若しくは他の環境センサ、又はコンピューティングデバイス１６００に含まれ得る他のハードウェアのような、デバイスを管理する。入力は、システムの動作（例えば、ノイズのフィルタリング、輝度検出のための表示の調整、カメラのフラッシュ、又は他の機能）に作用するよう、環境入力を供給することに加えて、直接的なユーザインタラクションの部分であることができる。
【０１０１】
一実施形態において、コンピューティングデバイス１６００は、バッテリ電力使用量、バッテリの充電、及び節電動作に関連した機能を管理する電力マネージメント１６５０を含む。メモリサブシステム１６６０は、コンピューティングデバイス１６００において情報を記憶するメモリデバイスを含む。メモリは、不揮発性（メモリデバイスへの電力が中断される場合に状態が変化しない。）及び／又は揮発性（メモリデバイスへの電力が中断される場合に状態が不定である。）のメモリデバイスを含むことができる。メモリサブシステム１６６０は、コンピューティングデバイス１６００のアプリケーション及び機能の実行に関連したシステムデータ（長期又は一時であろうとなかろうと。）に加えて、アプリケーションデータ、ユーザデータ、音楽、写真、文書、又は他のデータを記憶することができる。
【０１０２】
実施形態の要素は、コンピュータ実行可能命令（例えば、本願で論じられている如何なる他のプロセスも実施するための命令）を記憶するマシン読み出し可能な媒体（例えば、メモリ１６６０）としても提供される。マシン読み出し可能な媒体（例えば、メモリ１６６０）は、制限なしに、フラッシュメモリ、光ディスク、ＣＤ−ＲＯＭ、ＤＶＤ  ＲＯＭ、ＲＡＭ、ＥＰＲＯＭ、ＥＥＰＲＯＭ、磁気若しくは光学カード、相変化メモリ（ＰＣＭ；phase  change  memory）、又は電子的な若しくはコンピュータにより実行可能な命令を記憶するのに適した他のタイプのマシン読み出し可能な媒体を含んでよい。例えば、本開示の実施形態は、遠隔のコンピュータ（例えば、サーバ）から要求元のコンピュータ（例えば、クライアント）へ通信リンク（例えば、モデム又はネットワーク接続）を経由してデータ信号によって転送され得るコンピュータプログラム（例えば、ＢＩＯＳ）としてダウンロードされてよい。
【０１０３】
コネクティビティ（connectivity）１６７０は、コンピューティングデバイス１６００が外部のデバイスと通信することを可能にするハードウェアデバイス（例えば、無線及び／又は有線コネクタ及び通信ハードウェア）並びにソフトウェアコンポーネント（例えば、ドライバ、プロトコルスタック）を含む。コンピューティングデバイス１６００は、他のコンピューティングデバイス、無線アクセスポイント又は基地局のような別個のデバイス、及びヘッドセット、プリンタ、又は他のデバイスのような周辺機器であってよい。
【０１０４】
コネクティビティ１６７０は、多種多様なタイプのコネクティビティを含むことができる。一般化するよう、コンピューティングデバイス１６００は、セルラーコネクティビティ１６７２及びワイヤレスコネクティビティ１６７４を有して表されている。セルラーコネクティビティ１６７２は、例えば、ＧＳＭ（登録商標）（global  system  for  mobile  communications）又は変形若しくは派生物、ＣＤＭＡ（code  division  multiple  access）又は変形若しくは派生物、ＴＤＭ（time  division  multiplexing）又は変形若しくは派生物、あるいは、他のセルラーサービス標準を介して提供されるような、無線キャリアによって提供されるセルラーネットワークコネクティビティを一般に言う。ワイヤレスコネクティビティ（又は無線インターフェイス）１６７４は、セルラーではないワイヤレスコネクティビティを言い、パーソナルエリアネットワーク（例えば、Ｂｌｕｅｔｏｏｔｈ（登録商標）、Ｎｅａｒ  Ｆｉｅｌｄ、など）、ローカルエリアネットワーク（例えば、Ｗｉ−Ｆｉ（登録商標））、及び／又はワイドエリアネットワーク（例えば、ＷｉＭＡＸ（登録商標））、あるいは、他の無線通信を含むことができる。
【０１０５】
周辺機器接続１６８０は、周辺機器の接続を行うソフトウェアコンポーネント（例えば、ドライバ、プロトコルスタック）に加えて、ハードウェアインターフェイス及びコネクタを含む。コンピューティングデバイス１６００は、他のコンピューティングデバイスに対する周辺機器であってよく（“ｔｏ”１６８２）、更には、周辺機器を自身へ接続されてよい（“ｆｒｏｍ”１６８４）。コンピューティングデバイス１６００は、コンピューティングデバイス１６００においてコンテンツを管理（例えば、ダウンロード及び／又はアップロード、変更、同期化）するといった目的のために、他のコンピューティングデバイスへ接続する“ドッキング”コネクタを一般に有している。加えて、ドッキングコネクタは、コンピューティングデバイス１６００が、例えば、オーディオビジュアル又は他のシステムへのコンテンツ出力を制御することを可能にする特定の周辺機器へ接続することをコンピューティングデバイス１６００に可能にすることができる。
【０１０６】
独自仕様のドッキングコネクタ又は他の独自仕様の接続ハードウェアに加えて、コンピューティングデバイス１６００は、共通の又は標準に基づいたコネクタを経由して周辺機器接続１６８０を行うことができる。共通のタイプは、ユニバーサル・シリアル・バス（ＵＳＢ）コネクタ（多種多様なハードウェアインターフェイスのいずれかを含むことができる。）、ミニディスプレイポート（ＭＤＰ；MiniDisplayPort）を含むディスプレイポート、高精細マルチメディアインターフェイス（ＨＤＭＩ；High  Definition  Multimedia  Interface）、ファイアワイヤ（Firewire）、又は他のタイプを含むことができる。
【０１０７】
「実施形態（an  embodiment）」、「一実施形態（one  embodiment）」、「いくつかの実施形態（some  embodiments）」又は「他の実施形態（other  embodiments）」への明細書中の言及は、実施形態に関連して記載されている特定の特徴、構造、又は特性が少なくとも１つの実施形態に含まれるが、必ずしも全ての実施形態ではないことを意味する。「実施形態」、「一実施形態」又は「いくつかの実施形態」の様々な出現は、必ずしも全てが同じ実施形態に言及しているわけではない。明細書が、コンポーネント、特徴、構造、又は特性が“含まれてよい”、“含まれうる”又は“含まれることがある”（may、might又はcould  include）と述べる場合に、その特定のコンポーネント、特徴、構造、又は特性は含まれる必要はない。明細書又は請求項がある（a又はan）要素に言及する場合に、それは、ただ１つの要素しか存在しないことを意味するものではない。明細書又は請求項が“追加の”（additional）要素に言及する場合に、それは、追加の要素が１つよりも多く存在することを除外しない。
【０１０８】
更には、特定の特徴、構造、機能、又は特性は、１つ以上の実施形態において如何なる適切な方法でも組み合わされてよい。例えば、第１及び第２の実施形態に関連した特定の特徴、構造、機能、又は特性が相互排他的でない場合にはいつでも、第１の実施形態は第２の実施形態と組み合わされてよい。
【０１０９】
本開示は、その具体的な実施形態に関連して記載されてきたが、そのような実施形態の多数の代替案、変更及び変形は、前述の記載に照らして、当業者には明らかだろう。例えば、他のメモリアーキテクチャ、例えば、動的（dynamic）ＲＡＭ（ＤＲＡＭ）は、論じられている実施形態を使用してよい。本開示の実施形態は、全てのそのような代替案、変更、及び変形例を、添付の特許請求の範囲の広い適用範囲内にあるように包含するよう意図される。
【０１１０】
加えて、集積回路（ＩＣ；integrated  circuit）チップ及び他のコンポーネントへのよく知られた電力／接地接続は、説明及び議論の簡単のために、更には、本開示を不明りょうにしないように、提示されている図の中で示されても示されなくてもよい。更には、配置は、ブロック図において、本開示を不明りょうにすることを回避するために、更には、そのようなブロック図の実施に関する仕様が、本開示が実装されるべきであるプラットフォームに大いに依存する（すなわち、そのような仕様は、当業者の視野内に十分にあるべきである。）という事実に照らして、図示されてよい。具体的な詳細（例えば、回路）が、本開示の例となる実施形態を記載するために示される場合に、当業者に当然ながら、本開示は、それらの具体的な詳細によらずに、又はその変形によって、実施されてよい。記載は、よって、限定ではなく実例と見なされるべきである。
【０１１１】
以下の例は、更なる実施形態に関係がある。例における詳細は、１つ以上の実施形態においてどこでも使用されてよい。本願で記載される装置の全ての任意の特徴は、方法又はプロセスに関しても実装されてよい。
【０１１２】
例えば、１つ以上の信号線と、該１つ以上の信号線へ結合されるトランシーバと、前記１つ以上の信号線の信号属性に従って前記トランシーバをトライステートするよう該トランシーバのために１つ以上のバイアス電圧を供給するバイアス生成回路とを有する装置が提供される。いくつかの実施形態において、当該装置は、前記１つ以上の信号線の前記信号属性を検知する検知回路を有する。いくつかの実施形態において、当該装置は、前記トランシーバへ供給される１つ以上の電力供給を検出する電源投入検出器を有する。
【０１１３】
いくつかの実施形態にいて、当該装置は、前記１つ以上の信号線の有無に従って前記電源投入検出器からの１つ以上のバイアス電圧又は前記バイアス生成回路からの１つ以上のバイアス電圧を前記トランシーバのために選択するよう動作する回路を有する。いくつかの実施形態において、前記１つ以上の信号線は、当該装置の外にあるデバイスへ結合される。いくつかの実施形態において、前記デバイスは、電力充電器又は電力を充電するデバイスである。いくつかの実施形態において、前記トランシーバは、ＵＳＢ対応トランシーバ、ＨＤＭＩ対応トランシーバ、又はＮＦＣアプリケーションにおいてＵＩＣＣ要素（ＳＩＭカード）へ接続されるインターフェイス、のうちの１つである。
【０１１４】
他の例において、装置であって、当該装置の外にある充電デバイスへ結合するよう動作するトランシーバと、該トランシーバの１つ以上の電力供給の有無を検出する電源投入検出器と、前記充電デバイスが前記トランシーバへ結合され且つ前記電源投入検出器が前記１つ以上の電力供給の欠如を検出する場合に、前記トランシーバをトライステートさせるバックパワー保護回路とを有する装置が提供される。いくつかの実施形態において、前記バックパワー保護回路は、前記トランシーバへ結合される１つ以上の信号線の信号属性に従って前記トランシーバをトライステートするよう該トランシーバのために１つ以上のバイアス電圧を供給するバイアス生成回路を有する。いくつかの実施形態において、前記バックパワー保護回路は、前記１つ以上の信号線の信号属性を検知する検知回路を有する。いくつかの実施形態において、前記バックパワー保護回路は、前記１つ以上の電力供給の有無に従って前記電源投入検出器からの１つ以上のバイアス電圧又は前記バイアス生成回路からの１つ以上のバイアス電圧を前記トランシーバのために選択するよう動作する回路を有する。いくつかの実施形態において、前記トランシーバは、ＵＳＢ対応トランシーバ、ＨＤＭＩ対応トランシーバ、又はＮＦＣアプリケーションにおいてＵＩＣＣ要素（ＳＩＭカード）へ接続されるインターフェイス、のうちの１つである。
【０１１５】
他の例において、メモリと、該メモリへ結合されるプロセッサであり、装置の外にある充電デバイスへ結合するよう動作するトランシーバと、該トランシーバの１つ以上の電力供給の有無を検出する電源投入検出器と、前記充電デバイスが前記トランシーバへ結合され且つ前記電源投入検出器が前記１つ以上の電力供給の欠如を検出する場合に、前記トランシーバをトライステートさせるバックパワー保護回路とを含む前記プロセッサと、該プロセッサが他のデバイスと通信できるようにする無線インターフェイスとを有するシステムが提供される。いくつかの実施形態において、当該システムは、ディスプレイユニットが前記プロセッサによって処理されたコンテンツを表示できるようにするディスプレイインターフェイスを有する。いくつかの実施形態において、前記バックパワー保護回路は、前記トランシーバへ結合される１つ以上の信号線の信号属性に従って前記トランシーバをトライステートするよう該トランシーバのために１つ以上のバイアス電圧を供給するバイアス生成回路を有する。
【０１１６】
いくつかの実施形態において、前記バックパワー保護回路は、前記１つ以上の信号線の信号属性を検知する検知回路を有する。いくつかの実施形態において、前記バックパワー保護回路は、前記１つ以上の電力供給の有無に従って前記電源投入検出器からの１つ以上のバイアス電圧又は前記バイアス生成回路からの１つ以上のバイアス電圧を前記トランシーバのために選択するよう動作する回路を有する。
【０１１７】
いくつかの実施形態において、前記バックパワー保護回路は、内部デバイス及び前記バイアス生成回路を保護するよう前記電源投入検出器からの１つ以上のバイアス電圧又は前記バイアス生成回路からの１つ以上のバイアス電圧を前記トランシーバのために選択するよう動作する回路を有する。いくつかの実施形態において、前記トランシーバは、ＵＳＢ対応トランシーバ、ＨＤＭＩ対応トランシーバ、又はＮＦＣアプリケーションにおいてＵＩＣＣ要素（ＳＩＭカード）へ接続されるインターフェイス、のうちの１つである。いくつかの実施形態において、前記充電デバイスは、ＵＳＢ対応充電デバイス、ＨＤＭＩ対応充電デバイス、又はＮＦＣアプリケーションにおいてＵＩＣＣ要素（ＳＩＭカード）へ接続されるインターフェイス、のうちの１つである。
【０１１８】
他の例において、１つ以上の信号線を設ける手段と、該１つ以上の信号線の信号属性に従ってトランシーバをトライステートするよう該トランシーバのために１つ以上のバイアス電圧を供給する手段とを有する装置が提供される。いくつかの実施形態において、当該装置は、前記１つ以上の信号線の前記信号属性を検知する手段を有する。いくつかの実施形態において、当該装置は、前記トランシーバへ供給される１つ以上の電力供給を検出する手段を有する。
【０１１９】
いくつかの実施形態において、当該装置は、前記１つ以上の電力供給の有無に従って１つ以上のバイアス電圧を前記トランシーバのために選択する手段を有する。いくつかの実施形態において、前記１つ以上の信号線は、当該装置の外にあるデバイスへ結合される。いくつかの実施形態において、前記デバイスは、電力充電器又は電力を充電するデバイスである。いくつかの実施形態において、前記トランシーバは、ＵＳＢ対応トランシーバ、ＨＤＭＩ対応トランシーバ、又はＮＦＣアプリケーションにおいてＵＩＣＣ要素（ＳＩＭカード）へ接続されるインターフェイス、のうちの１つである。
【０１２０】
他の例において、１つ以上の信号線を設け、該１つ以上の信号線の信号属性に従ってトランシーバをトライステートするよう該トランシーバのために１つ以上のバイアス電圧を供給することを有する方法が提供される。いくつかの実施形態において、当該方法は、前記１つ以上の信号線の前記信号属性を検知することを有する。いくつかの実施形態において、当該方法は、前記トランシーバへ供給される１つ以上の電力供給を検出することを有する。いくつかの実施形態において、当該方法は、前記１つ以上の電力供給の有無に従って１つ以上のバイアス電圧を前記トランシーバのために選択することを有する。いくつかの実施形態において、前記１つ以上の信号線は、装置の外にあるデバイスへ結合される。いくつかの実施形態において、前記デバイスは、電力充電器又は電力を充電するデバイスである。いくつかの実施形態において、前記トランシーバは、ＵＳＢ対応トランシーバ、ＨＤＭＩ対応トランシーバ、又はＮＦＣアプリケーションにおいてＵＩＣＣ要素（ＳＩＭカード）へ接続されるインターフェイス、のうちの１つである。
【０１２１】
他の例において、メモリと、該メモリへ結合されるプロセッサであり、１つ以上の信号線を設ける手段と、該１つ以上の信号線の信号属性に従ってトランシーバをトライステートするよう該トランシーバのために１つ以上のバイアス電圧を供給する手段とを含む前記プロセッサと、該プロセッサが他のデバイスと通信することができるようにする無線インターフェイスとを有するシステムが提供される。いくつかの実施形態において、当該システムは、ディスプレイユニットが前記プロセッサによって処理されたコンテンツを表示することができるようにするディスプレイインターフェイスを有する。
【０１２２】
要約が与えられるが、これは、技術的開示の本質及び主旨を確かめることを読者に可能にするものである。要約は、特許請求の範囲の適用範囲及び意味を限定するために使用されないとの理解の下で提出される。続く特許請求の範囲は、これによって、詳細な説明に組み込まれ、各請求項は、別個の実施形態として自立する。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４Ａ】
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【図４Ｂ】
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【図４Ｃ】
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【図５】
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【図６】
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【図７Ａ】
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【図７Ｂ】
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【図８】
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【図９】
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【図１０Ａ】
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【図１０Ｂ】
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【図１１Ａ】
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【図１１Ｂ】
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【図１２】
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