(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
ＳｉＣ半導体に電極構造を形成する半導体デバイスの製造方法であって、
前記ＳｉＣ半導体に、ニッケル及びチタンを含む層を形成した後、１１５０℃以上１３５０℃以下及び昇温速度が１０℃／分以上１００℃／分以下、加熱保持時間が３０分以上１２０分以下の加熱によりチタンカーバイドを有するニッケルシリサイド層を生成し、前記チタンカーバイドを有するニッケルシリサイド層上に金属層を形成することにより、上記電極構造を形成することを特徴とする半導体デバイスの製造方法。
【請求項２】
前記半導体デバイスは、前記電極構造として、前記チタンカーバイドを有するニッケルシリサイド層のオーミック電極と前記金属層の裏面電極とからなる裏面電極構造を有し、表面電極構造としてショットキー電極と表面電極を有することを特徴とする請求項１に記載の半導体デバイスの製造方法。
【請求項３】
前記電極構造は、ＳｉＣ半導体上に、チタンカーバイドを有するニッケルシリサイド層、チタン層、ニッケル層、金層の順に積層された電極構造であることを特徴とする請求項１または２に記載の半導体デバイスの製造方法。
【請求項４】
前記チタンカーバイドを有するニッケルシリサイド層は、前記ＳｉＣ半導体に近い方から、ニッケルシリサイド層、チタンカーバイド層の順に積層されていることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の半導体デバイスの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ＳｉＣ半導体デバイスの製造方法及び該製造方法により製造されたＳｉＣ半導体デバイスに関する。特に均質な裏面電極の形成方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来からパワーデバイスとして用いられている半導体デバイスは、半導体材料としてシリコンを用いたものが主流であるが、ワイドギャップ半導体であるＳｉＣは、シリコンに比較して熱伝導度が３倍、最大電界強度が１０倍、電子のドリフト速度２倍という物性値を有していることから、絶縁破壊電圧が高く低損失で高温動作可能なパワーデバイスとして、近年その応用が各機関で盛んに研究されている。そのようなパワーデバイスの構造は、裏面側に低抵抗なオーミック電極を備えた裏面電極を有する縦型の半導体デバイスが主流である。裏面電極には、様々な材料および構造が用いられているが、その中の１つとして、チタン層とニッケル層と銀層との積層体（特許文献１参照）や、チタン層とニッケル層と金層との積層体（特許文献２参照）などが提案されている。
【０００３】
ショットキーバリアダイオードに代表されるＳｉＣを用いた縦型半導体デバイスにおいては、ＳｉＣ基板上にニッケル層を製膜後、加熱によりニッケルシリサイド層を形成して、ＳｉＣ基板とニッケルシリサイド層との間にオーミックコンタクトを形成する手法が用いられている（特許文献１および特許文献２参照）。
【０００４】
また、オーミック電極を形成する方法として、ＳｉＣ基板上に複数の金属（Ｎｉ、Ｔｉ、Ａｌ）の積層膜を成膜後、７００℃から１１００℃で加熱処理することが提案され、最も好適には８００℃でオーミック特性が得られることが示されている（特許文献３参照）。また、ＳｉＣ基板の裏面にレーザ光を照射することで低温プロセスにおいてオーミック電極を形成することが提案されている（特許文献４参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００７−１８４５７１号公報
【特許文献２】特開２０１０−８６９９９号公報
【特許文献３】特開２００５−２７７２４０号公報
【特許文献４】特開２００８−１３５６１１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
特許文献３や特許文献４のような従来技術により得られるオーミック電極は、コンタクト抵抗のばらつきが大きく、良好な順方向降下電圧（Ｖｆ）が得られないという問題がある。
【０００７】
特許文献４に記されたＳｉＣ半導体デバイス用裏面電極の製造方法では、ＳｉＣ基板上にニッケル層を形成したのち、ＫｒＦエキシマレーザ（２４８ｎｍ）を用いて０.９Ｊ／ｃｍ２の強度のレーザ光照射を行うことにより、ニッケルシリサイド層を形成し、ＳｉＣとニッケルシリサイド層の間にオーミックコンタクトを形成している。
【０００８】
ニッケルシリサイドは、特許文献１によると、以下の反応式で示される固相反応により生成する。
Ｎｉ  ＋  ２ＳｉＣ  →  ＮｉＳｉ2  ＋  ２Ｃ
例えば、特許文献１では、ＳｉＣ基板上にニッケル層を製膜後、加熱によりニッケルシリサイド層を形成してＳｉＣ基板とニッケルシリサイド層との間にオーミックコンタクトを形成している製法において、上記加熱を、Ａｒガス雰囲気中で、１０００℃、２分急速加熱で行うことが記載されている。
【０００９】
しかしながら、上記反応式の固相反応が均一に進行しないとオーミックコンタクト抵抗がばらついてしまい、作製したＳｉＣ半導体デバイスで良好なＶＦ特性を得ることができないという問題がある。
【００１０】
本発明は、これらの問題を解決しようとするものであり、ニッケル及びチタンを含む層を加熱してチタンカーバイドを包含した均質なニッケルシリサイド層を形成する新規なＳｉＣ半導体デバイスの製造方法を提供し、かつ、裏面電極構造の裏面コンタクト抵抗が十分に低く且つ均質なＳｉＣ半導体デバイスを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本発明は、前記目的を達成するために、以下の特徴を有する。
【００１２】
本発明は、ＳｉＣ半導体に電極構造を形成する半導体デバイスの製造方法であって、前記ＳｉＣ半導体に、ニッケル及びチタンを含む層を形成した後、１１５０℃以上１３５０℃以下及び昇温速度が１０℃／分以上１００℃／分以下、加熱保持時間が３０分以上１２０分以下の加熱によりチタンカーバイドを有するニッケルシリサイド層を生成し、前記チタンカーバイドを有するニッケルシリサイド層上に、金属層を形成することにより、上記電極構造を形成することを特徴とする。
【００１３】
本発明の半導体デバイスは、具体例として、電極構造として、チタンカーバイドを有するニッケルシリサイド層のオーミック電極と金属層の裏面電極とからなる裏面電極構造を有し、表面電極構造としてショットキー電極と表面電極を有する。また、前記電極構造は、具体例として、ＳｉＣ半導体上に、チタンカーバイドを有するニッケルシリサイド層、チタン層、ニッケル層、金層の順に積層された電極構造である。また、前記チタンカーバイドを有するニッケルシリサイド層は、前記ＳｉＣ半導体に近い方から、ニッケルシリサイド層、チタンカーバイド層の順に積層されている。
【発明の効果】
【００１５】
本発明の製造方法によれば、裏面コンタクト抵抗が、十分に低くかつ均質なＳｉＣ半導体デバイス用裏面電極を得ることができる。具体的には、ＳｉＣ半導体上に、チタン及びニッケルを含む層を積層した後、加熱によりチタンカーバイドを含むニッケルシリサイド層を形成させることにより、裏面コンタクト抵抗が十分に低く、かつばらつきの少ないＳｉＣ半導体デバイス用裏面電極を得ることができる。ばらつきが少ないので、歩留まりがよい。さらに、加熱の際の条件を、所定の条件にすることにより、裏面コンタクト抵抗とそのばらつきが改善できる。
【図面の簡単な説明】
【００１６】
【図１】本発明の実施例に係るショットキーバリアダイオードの製造方法において、ＳｉＣ基板を示す断面図である。
【図２】本発明の実施例に係るショットキーバリアダイオードの製造方法において、ガードリングを形成する工程を示す断面図である。
【図３】本発明の実施例に係るショットキーバリアダイオードの製造方法において、絶縁層およびニッケルシリサイド層を形成する工程を示す断面図である。
【図４】本発明の実施例に係るショットキーバリアダイオードの製造方法において、コンタクトホールを形成する工程を示す断面図である。
【図５】本発明の実施例に係るショットキーバリアダイオードの製造方法において、ショットキー電極を形成する工程を示す断面図である。
【図６】本発明の実施例に係るショットキーバリアダイオードの製造方法において、表面電極を形成する工程を示す断面図である。
【図７】本発明の実施例に係るショットキーバリアダイオードの製造方法において、裏面電極を形成する工程を示す断面図である。
【図８】フィールドリミッティングリング（ＦＬＲ）構造を持つＳＢＤの断面図である。
【図９】本発明のオーミック電極のシート抵抗と加熱温度の関係を示す図である。
【図１０】本発明の加熱温度１１００℃における加熱保持時間とオーミック電極のシート抵抗との関係を示す図である。
【図１１】ジャンクションバリアショットキー（ＪＢＳ）構造を持つＳＢＤの断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１７】
本発明の実施の形態について、以下説明する。
【００１８】
本発明では、ＳｉＣ半導体上への電極形成において、従来のＮｉ層を形成する方法に換えて、チタン及びニッケルを含む層を形成して、加熱によりチタンカーバイドを含むニッケルシリサイド層を形成させることを行った。ＳｉＣ半導体上に、チタン及びニッケルを含む層を、例えば、ニッケル層、チタン層の順で積層した後、加熱によりチタンカーバイドを含むニッケルシリサイド層を形成させることができ、チタンカーバイドが生成されることにより、炭素の析出を防ぐことができる。
【００１９】
本発明では、ニッケルシリサイド層を形成させる加熱を、特定の条件で行うことにより、裏面コンタクト抵抗が十分低くかつ均質な裏面電極構造を得ることができる。
【００２０】
なお、チタンカーバイドを含むニッケルシリサイド層を形成後に行う様々な処理工程（ショットキー電極の形成など）を経ることで表面に析出する炭素層を、裏面電極金属膜の形成前に、逆スパッタ等により除去することにより、裏面電極金属膜の剥離を防止することができる。
【００２１】
本発明では、チタンカーバイドを含むニッケルシリサイド層の上に金属層を形成している。ニッケルシリサイド層をオーミック電極、その上の金属層を裏面電極と呼び、オーミック電極と裏面電極とからなる構造を裏面電極構造と、便宜上呼ぶ。一方、ＳｉＣ基板の裏面電極構造とは反対の面に、ＳｉＣ基板に接してショットキー電極と該ショットキー電極上に金属層からなる表面電極を形成して設ける。ショットキー電極と表面電極とからなる構造を表面電極構造と呼ぶ。
【００２２】
本発明に係るＳｉＣ半導体デバイスの好ましい実施の形態として、ショットキーバリアダイオードについて、図１〜７を参照して説明する。図１〜７は、ショットキーバリアダイオードの製造方法を説明するための図であり、製造工程のショットキーバリアダイオードの断面を模式的に表している。図７は、製造されたショットキーバリアダイオードの構造を表している。ＳｉＣ半導体を用いたショットキーバリアダイオードは、ＳｉＣ基板１、ガードリング２、絶縁層３、チタンカーバイドを包含したニッケルシリサイド層４、ショットキー電極６、表面電極７、裏面電極８を備えている。
【００２３】
図１は、ＳｉＣ基板を示す断面図である。ＳｉＣ基板１は、ＳｉＣからなるウェーハ層とＳｉＣからなるエピタキシャル層で構成される。
【００２４】
図２は、ガードリングを形成する工程を示す図である。図２に示すように、ＳｉＣ基板１のエピタキシャル層の一部にイオン注入を施すことにより、ガードリング２を形成する。
【００２５】
図３は、絶縁層およびニッケルシリサイド層を形成する工程を示す断面図である。ガードリング２の上にＳｉＯ2からなる絶縁層３を形成した後、ＳｉＣ基板１の裏面にニッケルおよびチタンを含む層を製膜し、引き続いて行う加熱によりチタンカーバイドを包含したニッケルシリサイド層４からなるオーミック電極を形成する。
ニッケルおよびチタンを含む層は、ニッケル層、チタン層の順で、ＳｉＣ基板に形成することが好ましい。ニッケルとチタンの割合は、ニッケルとチタンを積層で形成する場合は、それぞれの膜厚の比を１対１から１０対１、好ましくは３対１から６対１とすることで実施できる。その際、ニッケルの膜厚は２０〜１００ｎｍ、チタンの膜厚は１０〜５０ｎｍであることが好ましい。又、ニッケル中にチタンが含まれるように合金として形成してもよい。ニッケルとチタンの割合は、１対１から１０対１、好ましくは３対１から６対１とすることで実施できる。前記ニッケルおよびチタンを含む層を１０５０℃以上１３５０℃以下で加熱することにより、ＳｉＣ基板との反応によりチタンカーバイドが生成し、チタンカーバイドを包含したニッケルシリサイド層が得られる。
【００２６】
ニッケル層とチタン層の形成方法は、蒸着、スパッタ等の薄膜の形成方法を用いることができる。薄膜形成後、アルゴン等の不活性ガス雰囲気中で圧力０．１Ｐａ以上１.０１３ＭＰａ以下、望ましくは０.１ＭＰａ以上０.２ＭＰａ以下、およびガス流量１００ｃｃ／分以上１００００ｃｃ／分以下、望ましくは５００ｃｃ／分以上３０００ｃｃ／分以下で加熱して、ニッケルシリサイド層を得る。該加熱は、加熱炉を用い、昇温速度は１０℃／分以上１３５０℃／分以下、望ましくは１０℃／分以上１００℃／分以下、到達温度は１１００℃以上１３５０℃以下、望ましくは１１５０℃または１２００℃以上１３５０℃以下、加熱保持時間は０分以上１２０分以下、望ましくは２分以上３０分以下である。
【００２７】
実施例で示すように、オーミック電極のシート抵抗を測定したところ、到達温度１１００℃以上で抵抗値が低くなり、且つ、ばらつきも小さくなった結果が得られている。昇温速度及び到達温度及び加熱保持時間が上記の範囲内であると、裏面コンタクト抵抗がシート抵抗０.７Ω／□以下と十分に低く、かつ裏面コンタクト抵抗が均質で歩留まりがよい。好ましい場合は、シート抵抗が０.４Ω／□以下で且つばらつきの小さい素子が得られる。また、昇温速度については、１０℃／分未満であると、生産性が著しく低下するので好ましくない。一方１３５０℃／分を超えると加熱装置で使用している部材のサーマルショックによる破損等の不具合が発生する。昇温速度が１０℃／分以上１００℃／分以下であると、生産性を確保しつつ上記不具合が発生しないため、その効果がより顕著である。到達温度が１０５０℃未満であると、ニッケルシリサイド層の生成が不十分である。到達温度が１３５０℃を超えると加熱装置で使用している部材の耐熱温度を超えるため装置に不具合が発生することがあり、加熱温度の上限は装置の耐熱温度により制約を受ける。到達温度が１２００℃以上１３５０℃以下であると、その効果がより顕著である。加熱保持時間が０分でもよいが、加熱保持する場合１２０分を超えると、生産性が著しく低下するとともに装置がオーバーヒートを生じるおそれがある。加熱保持時間は、上記の観点から２分以上３０分以下がより好ましい。
【００２８】
形成されたチタンカーバイドを包含したニッケルシリサイド層は、厚さ１０〜１００ｎｍ、好ましくは２０〜３０ｎｍである。
【００２９】
なお、チタンカーバイドはオーミック電極の上に成膜する裏面電極積層体のチタンと良好な密着性を示すため、裏面電極剥離を抑制する機能を有する。
【００３０】
図４は、絶縁層３の一部をエッチングにより取り除き、コンタクトホールを形成する工程を示す断面図である。図５は、ショットキー電極を形成する工程を示す断面図である。図５に示すように、エッチングにより露出した部分にショットキー電極６としてたとえばチタンを製膜後、引き続いて行う加熱によりショットキーコンタクトが形成される。加熱温度は４００〜６００℃程度である。加熱雰囲気はアルゴンまたはヘリウムである。
【００３１】
図６は、表面電極７を形成する工程を示す断面図である。図６に示すように、ショットキー電極６を、たとえばアルミニウムで覆い表面電極７を形成する。
【００３２】
図７は、金属層の積層体を形成して裏面電極８とする工程を示す断面図である。炭素層を取り除いた、チタンカーバイドを含むニッケルシリサイド層４上に、図７に示すように、例えば、チタン、ニッケル、金の順で積層した積層体からなる裏面電極８を形成する。
【００３３】
全ての製膜操作が完了した基板をダイシングして、ＳｉＣショットキーバリアダイオードのチップを得る。以上、ショットキーバリアダイオードについて説明したが、本発明に係るＳｉＣ半導体デバイスは、ショットキーバリアダイオードに限定されず、ＭＯＳＦＥＴなど、ＳｉＣを用いた種々の半導体デバイスにおいても同様である。
【００３４】
（実施例１）
本発明の実施例について、図１〜８を参照して以下説明する。図８に、フローティングリミッティングリング（ＦＬＲ）構造を持つショットキーバリアダイオード（ＳＢＤ）の模式図を示す。
【００３５】
エピタキシャル層（低濃度ｎ型ドリフト層１３）を形成したＳｉＣ基板（高濃度ｎ型基板１２）に、イオン注入によりチャンネルストッパー用のｎ型領域と、終端構造用のｐ型領域（ｐ型不純物イオン注入領域１４）とＦＬＲ構造１６用のｐ型領域を形成する。その後、チャンネルストッパー用のｎ型領域を形成するために注入されたリンと、終端構造用のｐ型領域とＦＬＲ構造用のｐ型領域を形成するために注入されたアルミニウムとを、活性化するために、アルゴン雰囲気中において１６２０℃で１８０秒間の活性化を行った。その後、常圧ＣＶＤ装置を用いて基板表面側に厚さ５００ｎｍのＳｉＯ2膜を形成した後、裏面側にスパッタ装置を用いて、厚さ２０ｎｍのチタン層と厚さ６０ｎｍのニッケル層を製膜した。なお、基板側から、厚さ６０ｎｍのニッケル層、厚さ２０ｎｍのチタン層の順で積層した。製膜した基板は、赤外線ランプを備えた高速アニール装置（ＲＴＡ）を用いて、アルゴン雰囲気中、昇温速度２０℃／分、到達温度１１００℃、加熱保持時間２分間の加熱処理を行った。この加熱処理によりＳｉＣ基板のシリコン原子はニッケルと反応してニッケルシリサイドを生成し、オーミックコンタクトを得ることができる。また、ＳｉＣ基板の炭素原子はチタンと反応してチタンカーバイドを生成してニッケルシリサイドの表面に析出する。
【００３６】
フッ酸緩衝液を用いて表面側の酸化膜にコンタクトホールを形成し（図４参照）、スパッタ装置でショットキー電極１５用のチタンを２００ｎｍ製膜後、ＲＴＡを用いてアルゴン雰囲気中５００℃で５分間の処理を行う。
【００３７】
次に、蒸着装置を用いてニッケルシリサイド層の上に、チタン７０ｎｍ、ニッケル７００ｎｍ、金２００ｎｍを連続蒸着して、裏面電極を形成する。ここで用いる裏面電極材料は、銀、アルミニウム、銅なども使用可能であり、層構成は単層または２層でも構わない。また、形成方法はスパッタ法、メッキ法なども可能である。
【００３８】
得られた基板をダイシングして電気特性を評価した結果、室温でのオン電圧（Ｖｆ）が１.３９±０.０４５ＶのＳｉＣショットキーバリアダイオードを得ることができた。±０.０４５Ｖは、複数の素子のばらつきの程度を示している。
【００３９】
（実施例２）
本実施例では、ＳｉＣ半導体上に、チタン及びニッケルを含む層を積層した後、加熱によりチタンカーバイドを含むニッケルシリサイド層を形成させる際の、該加熱の条件について、複数の条件を設定して調べた。赤外線ランプを備えた高速アニール装置（ＲＴＡ）を用いて、アルゴン雰囲気中、昇温速度１０℃／分でかつ加熱温度条件を異ならせて作製したオーミック電極のシート抵抗を測定した。加熱保持時間は３０分である。測定結果を表１に示す。
【００４０】
【表１】
0006261155.tif 000002
【００４１】
表１の、オーミック電極のシート抵抗と加熱温度の関係を図９に示す。図中、縦棒の長さはシート抵抗のばらつきを示す。加熱温度が高くなるほど抵抗値が低くなり、ばらつきも小さくなる傾向が認められた。しかし、加熱温度１１００℃以上では、抵抗値とそのばらつきは、共にほぼ一定となった。表１からわかるように、加熱温度１０５０℃以上で、シート抵抗が０.５７Ω／□以下を示し、かつ、ばらつきも０.１４以下を示し、１０００℃の場合より改善されていることがわかる。加熱温度１１００℃以上で、シート抵抗が０.４２Ω／□以下を示し、かつ、ばらつきも０.１４以下を示し、優れていることがわかる。また、加熱温度１１５０℃以上であれば、シート抵抗が０.３９Ω／□以下とさらに低くでき、かつばらつきも０.０６以下とさらに改善される。さらに、加熱温度１２００℃以上であれば、シート抵抗が０.３７Ω／□以下を示し、かつばらつきも０.０５以下を示し、さらに改善される。加熱温度が１３５０℃を超えると、シート抵抗及びばらつきも優れているが、改善の効果が特に向上しない。
【００４２】
さらに、昇温速度５０℃／分および１００℃／分で作製したサンプルについても、測定を行ったところ、ほぼ同様の結果が得られた。
【００４３】
次に、昇温速度１０℃／分、加熱温度１１００℃において加熱保持時間を異ならせて作製した複数のオーミック電極のシート抵抗を測定した。測定結果を表２に示す。
【００４４】
【表２】
0006261155.tif 000003
【００４５】
表２の、オーミック電極のシート抵抗と加熱温度１１００℃における加熱保持時間の関係を、図１０に示す。図中、横軸は保持時間を分の単位で示す。図中、縦棒の長さはシート抵抗のばらつきを示す。加熱保持時間が長いほど抵抗値が低くなり、ばらつきも小さくなる傾向が認められた。しかし、２０分以上では、抵抗値、ばらつき共に、ほぼ一定となった（図１０）。
【００４６】
このことから、加熱保持時間０分以上で、シート抵抗が０.７Ω／□以下を示し、かつ、ばらつきも０.１５以下を示し、特性が優れていることがわかる。また、加熱保持時間が１分以上であれば、シート抵抗が０.６６Ω／□以下とさらに低くでき、ばらつきも０.１４以下とさらに改善される。さらに、加熱保持時間２分以上であれば、シート抵抗が０.６２Ω／□以下を示し、かつばらつきも０.１３以下を示し、さらに改善される。さらに、加熱保持時間が、５分以上、１０分以上、２０分以上にすれば、より改善される。しかし、加熱保持時間を長くしても改善の効果が特に向上しないので、加熱保持時間の上限は、１２０分以下とすることが好ましく、３０分以下でもよい。
【００４７】
さらに、加熱温度１１００℃、１１５０℃、１２００℃、１２５０℃、１３００℃、１３５０℃、１４００℃、１４５０℃、１５００℃、昇温速度５０℃／分、１００℃／分で作製したサンプルについて測定したところ、図１０と同様の結果が得られた。
【００４８】
（実施例３）
本発明の実施例３について、図１１を参照して以下説明する。図１１に、ジャンクションバリアショットキー（ＪＢＳ）構造を持つショットキーバリアダイオード（ＳＢＤ）の模式図を示す。実施例１のショットキーバリアダイオードの代わりに、図１１に示したジャンクションバリアショットキー（ＪＢＳ）構造１７を持つショットキーバリアダイオード（ＳＢＤ）についても、実施例１と同様に作製した。同様の加熱条件で同様の結果が得られた。
【００４９】
（比較例）
本比較例では、本発明による裏面電極の形成法を用いない、ＳｉＣ半導体デバイスの製造工程について説明する。エピタキシャル層を形成したＳｉＣ基板に、イオン注入によりチャンネルストッパー用のｎ型領域と、終端構造用のｐ型領域とフローティングリミッティングリング（ＦＬＲ）構造用のｐ型領域を形成後、チャンネルストッパー用のｎ型領域を形成するために注入されたリンと終端構造用のｐ型領域とＦＬＲ構造用のｐ型領域を形成するために注入されたアルミニウムを活性化するために、アルゴン雰囲気中において１６２０℃で１８０秒間の活性化を行った。常圧ＣＶＤ装置を用いて基板表面側に厚さ５００ｎｍのＳｉＯ2膜を形成した後、裏面側にスパッタ装置を用いて厚さ６０ｎｍのニッケル層を製膜し、ＲＴＡを用いて、アルゴン雰囲気中、昇温速度１５００℃／分で１０００℃に昇温後、２分間の処理を行ってニッケルシリサイドを生成した。その後、実施例１と同じ方法で裏面電極を形成した。得られた基板をダイシングして電気特性を評価した結果、室温でのオン電圧（Ｖｆ）が１.４１±０.２４２Ｖであった。
【００５０】
実施例１と比較例の結果から、実施例１は、オン電圧（Ｖｆ）が１.３９で、比較例の１.４１より低いこと、さらに、オン電圧のばらつきが、実施例１では±０.０４５Ｖで、比較例の±０.２４２より一桁以上小さいことがわかる。本発明のＳｉＣ半導体デバイス用裏面電極構造およびＳｉＣ半導体デバイスの製造方法を用いることによって、裏面コンタクト抵抗が十分に低く且つ均質なＳｉＣ半導体デバイスを得ることができる。
【００５１】
上記実施の形態及び実施例は、発明を理解しやすくするために記載したものであり、この形態に限定されるものではない。本発明の要旨を逸脱しない範囲において種々変更可能であることは言うまでもない。本発明に係るＳｉＣ半導体デバイスは、ショットキーバリアダイオードに限定されず、たとえばＭＯＳＦＥＴなど、ＳｉＣを用いた種々の半導体デバイスが含まれる。
【符号の説明】
【００５２】
１    ＳｉＣ基板
２    ガードリング
３    絶縁層
４    チタンカーバイドを包含したニッケルシリサイド層
６    ショットキー電極
７    表面電極
８    裏面電極
１１  オーミック電極
１２  高濃度ｎ型基板
１３  低濃度ｎ型ドリフト層
１４  ｐ型不純物イオン注入領域
１５  ショットキー電極
１６  ＦＬＲ構造
１７  ＪＢＳ構造
【図１】
0006261155.tif 000004
【図２】
0006261155.tif 000005
【図３】
0006261155.tif 000006
【図４】
0006261155.tif 000007
【図５】
0006261155.tif 000008
【図６】
0006261155.tif 000009
【図７】
0006261155.tif 000010
【図８】
0006261155.tif 000011
【図９】
0006261155.tif 000012
【図１０】
0006261155.tif 000013
【図１１】
0006261155.tif 000014