(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
耐引っかき性ガラス製品（７）であって、
・ガラス又はガラスセラミック製の基材（８）、及び
・該基材上に堆積により適用される、２０：８０〜９５：０５原子％の範囲内のＡｌ：Ｓｉの混合比を有し、かつ表面粗さＲａ  １．５ｎｍ未満を有するＡｌＳｉＮカバー層（９）
を含む、耐引っかき性ガラス製品（７）。
【請求項２】
該ＡｌＳｉＮカバー層（９）が、可視光線及び赤外線に対して透明である、請求項１記載の耐引っかき性製品（７）。
【請求項３】
該カバー層（９）のＡｌＳｉＮがＸ線非晶質で存在する、請求項１又は２記載の耐引っかき性製品。
【請求項４】
該カバー層（９）の硬さが１５ＧＰａを上回る、請求項１から３までのいずれか１項記載の耐引っかき性製品。
【請求項５】
該カバー層（９）が、μ  ０．２５未満の、金属体に対する静止摩擦μを有する、請求項１から４までのいずれか１項記載の耐引っかき性製品。
【請求項６】
該カバー層（９）が、光の可視領域において０．１５未満の平均反射率を有する、請求項１から５までのいずれか１項記載の耐引っかき性製品。
【請求項７】
該カバー層の層厚が、０．５μｍ〜５μｍの範囲内である、請求項１から６までのいずれか１項記載の耐引っかき性製品。
【請求項８】
該カバー層（９）が、ホウ素、チタン、クロム、ジルコニウム、ハフニウム及び炭素のうち少なくとも１種の元素の少なくとも１種の炭化物、窒化物、炭窒化物又は酸化物を含有する、請求項１から７までのいずれか１項記載の耐引っかき性製品。
【請求項９】
クックトップ用のガラスセラミックプレートの形態で、又は暖炉及びオーブン用並びに車両、航空機又は船舶用のガラス板として、又はスキャナレジのカバーの形態で、又はのぞき窓の形態又はディスプレイのカバーの形態での、請求項１から８までのいずれか１項記載の耐引っかき性ガラス製品。
【請求項１０】
該カバー層（９）上に堆積された最終層（１２）を特徴とし、その層厚は、該ＡｌＳｉＮカバー層（９）の層厚よりも小さく、その際に該最終層（１２）が、アルミニウム、ケイ素、ホウ素、ジルコニウム、チタン、クロム、ニッケルのうち少なくとも１種の元素の酸化物、窒化物、炭窒化物又は酸窒化物の群からの１種以上の物質を含有する、請求項１から９までのいずれか１項記載の耐引っかき性ガラス製品。
【請求項１１】
中間層（１３）を特徴とし、その層厚は、該ＡｌＳｉＮカバー層（９）の層厚よりも小さく、その際に該カバー層（９）が、該中間層（１３）上に堆積されており、かつ該中間層（１３）が、アルミニウム、ケイ素、ホウ素、ジルコニウム、チタン、クロム、ニッケルのうち少なくとも１種の元素の酸化物、窒化物、炭窒化物又は酸窒化物の群からの１種以上の物質を含有する、請求項１から１０までのいずれか１項記載の耐引っかき性ガラス製品。
【請求項１２】
ガラス製品の耐引っかき性表面を製造する方法であって、次の工程：
ａ）ガラス又はガラスセラミック製の基材（８）を、Ａｌ：Ｓｉ  ２０：８０〜９５：０５原子％の混合比のＡｌ及びＳｉ製の合金ターゲットを有するスパッタ装置中に準備する工程、
ｂ）スパッタされる粒子を、０．０１〜１．５［Ｐａ］の範囲内のプロセス圧でのターゲット面積あたり１０〜２０００Ｗ／ｃｍ2の範囲内の出力で放出する工程
を有する、ガラス製品の耐引っかき性表面を製造する方法。
【請求項１３】
スパッタ法として、ＨｉＰＩＭＳ（大出力インパルスマグネトロンスパッタリング）法が、インパルス間隔中のプラズマの維持と組み合わせて使用される、請求項１２記載の方法。
【請求項１４】
インパルス間隔中に、負電圧又は交流電圧が、ターゲットと基材（８）との間で維持される、請求項１３記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、耐引っかき性ガラス製品並びにガラス製品の耐引っかき性表面を製造する方法に関する。
【０００２】
光磁気記憶媒体は、EP 0 233 062 A2から知られており、かつとりわけ、ガラス基材、その上に保護層、その上に光磁気記憶層及びその上に更にまた保護層を含む。該保護層は、様々な化合物中に、その中にはＡｌＳｉＮ及びＡｌＮも含む、成分Ｓｉ、Ａｌ、Ｏ及びＮを含有する。
【０００３】
薄く、Ｘ線非晶質の窒化アルミニウム又は窒化ケイ素アルミニウムのカバー層(Deckschicht)の製造は、US 4,957,604から知られており、その際に、スパッタ法のためのプロセスパラメーターが記載される。
【０００４】
“ガラス製品”の定義には、本明細書の範囲内で、ガラスセラミック製品、特にクックトップ用のガラスセラミックプレートも含まれる。更なる応用可能性は、高い温度負荷に晒されているガラス板に、例えば暖炉ののぞき窓ガラス又はオーブン扉ガラスに、並びに極めて低い温度にも晒されているガラス板に、例えば車両、航空機又は船舶のガラス板に関する。更なる応用分野は、例えばスキャナレジ(Scannerkassen)又は物品が観察窓上を移動する類似の装置の、耐引っかき性ののぞき窓ガラス及びカバー(Abdeckungen)に関する。
【０００５】
EP 1 705 162 A1からは、結晶質物質と非晶質物質とからなるマトリックスとしての極めて硬い二相コーティングが知られており、該物質は同時に基材上に堆積され、それにより緊密混合されている。該層は、少なくとも可視光線に対して透明である。該非晶質物質は、窒化ケイ素Ｓｉ3Ｎ4である。結晶質物質として、窒化アルミニウムＡｌＮ、窒化ホウ素ＢＮ、窒化ガリウムＧａＮ及び窒化インジウムＩｎＮ並びにそれらの合金が挙げられる。該層は低い膨張係数を有し、それにより、該層を、熱により著しく伸びる基材、例えば窓用ガラス上に適用する際に、割れの発生及び剥離現象の結果となる。
【０００６】
DE 10 2007 033 338 B4からは、硬質材料でコーティングされたガラス製品又はガラスセラミック製品が知られており、そのガラス基材又はガラスセラミック基材上へ、大部分がＸ線非晶質のモルホロジーを有する窒化ケイ素層が堆積されている。該窒化ケイ素層は、＞１０Ｗ／ｃｍ2、好ましくは少なくとも１２Ｗ／ｃｍ2ターゲット面積の出力でのスパッタリングにより、堆積される。該窒化ケイ素層は、ケイ素中アルミニウム５〜１０原子％でドープされていてよい。２０００〜３０００のビッカース硬さが測定された。しかし、実際には、該コーティングが、満足のいくほど化学的に安定ではないことがわかった。この欠点は、クックトップ面の保護層としての使用の際に、塩水が該表面上に達し、かつ４００〜６００℃で蒸発する場合に、明らかになった。ＳｉＮ結合が切断され、かつＳｉＯを有するサイトが生じ、そこにＮａイオンが結合することができ、このことは、この水の焼き付き(Einbrand)の際の該層の目立つ光学的変化に付随して現れる。Ａｌでドープされた層の更なる欠点は、該ドープ層の低い熱膨張係数と比べて相対的に高い熱膨張係数（ＣＴＥ）を有する基材上へ適用される場合に、その剥離の危険にある。
【０００７】
ＳｉＮコーティングを用いて、ＡｌＮでドープされた場合でも、極めて大きな硬さが達成されうる一方で、該表面が、電子顕微鏡における観察の際に粗い構造を有することが明らかになった。そのような表面はさえない印象を与え、かつ物品は、そのようなカバー層上を簡単に引きずることができない。これは、高められた静止摩擦に反映される。これは、クックトップの場合になべを移動するのに、又はスキャナレジの場合に物品をその上を滑らせて読み取るのに、不利である。
【０００８】
本発明には、論じられた技術水準と比較して塩水焼き付きに対するより良好な化学的抵抗性を有し、かつその上を導かれる物品に対してより良好な滑り特性を有する、透明で引っかきに対する保護層を生み出すという課題が課される。該透明で引っかきに対する保護層は更に、膨大な種類のガラスから選択することができる基材上により良好に付着できるべきである。ＳｉＮ層系と比べて、その引っかきに対する保護作用は、更に改善されるべきである。
【０００９】
前記課題は、独立請求項の特徴により解決される。
【００１０】
本発明によれば、ガラス又はガラスセラミック製の基材上へ、ＡｌＳｉＮカバー層が堆積法により適用される。該カバー層は、２０：８０〜９５：０５原子％、好ましくは４０：６０〜８５：１５原子％及び最も好ましくは５０：５０〜７５：２５原子％の範囲内のＡｌ：Ｓｉの混合比を有する非晶質の、特にＸ線非晶質のＡｌＳｉＮ層からなる。Ｒａ＜１．５ｎｍ、より良好にＲａ＜１．０ｎｍの表面粗さが遵守される。それにより、該カバー層上へ導かれる物品の所望の滑り特性が達成され、そのうえ、良好な引っかきに対する保護作用が得られる。
また、本発明では、カバー層の硬さは１５ＧＰａを上回ることが好ましく、さらに好ましくは２０ＧＰａを上回り、特に好ましくは２５ＧＰａを上回る。
【００１１】
ＡｌＳｉＮカバー層は、純ＡｌＳｉＮ層に加え、より少ない範囲で更なる層成分を有していてよい層でもあると理解される。特に、そのような層は、窒化物層であってよく、該層の場合に、Ａｌ及びＳｉが、場合により含まれる更なる成分に比べて支配的である。好ましくは、モル量を基準として、Ａｌ及びＳｉは、該層の窒化物成分の少なくとも２／３に調節される。
【００１２】
本発明による耐引っかき性ガラス製品は、クックトップ用のガラスセラミックプレートの形態で、又は暖炉及びオーブン用並びに車両、航空機又は船舶用のガラス板として、又はスキャナレジのカバーの形態で、又はのぞき窓又はディスプレイのカバーの形態で、形成されていてよい。そのようなディスプレイは、特にタッチディスプレイであってもよく、例えばこれらはとりわけ携帯電話、タブレットＰＣ及びその他のハンドヘルド電子装置に使用される。ここでは、本発明によるカバー層を用いて、高い耐引っかき性及び耐摩耗性が達成される。
【００１３】
それ自体として、多様な堆積法、例えばＣＶＤ法、ゾル−ゲル法及びＰＶＤ法をＡｌＳｉＮカバー層を製造するために使用することができる。しかしながら、好ましいのは、スパッタ法であり、この場合に、特にＨｉＰＩＭＳ法（大出力インパルスマグネトロンスパッタリング）であり、これはＨＰＰＭＳ法（大出力パルスマグネトロンスパッタリング）としても知られている。この方法は、該ターゲット上での少なくとも１００Ｗ／ｃｍ2ターゲット面積の高い出力密度を可能にする。好ましい出力範囲は、１００〜２０００Ｗ／ｃｍ2である。該パルスの繰返し周波数は、５００Ｈｚ〜１０ＫＨｚの範囲内である。該インパルスは、インパルス間隔(Impulspause)の間にインパルス列として放出することもできる。任意に、パルス列に引き続く該パルス間隔中に、ターゲットと基材との間に、直流電圧又は交流電圧であってよい数(einigen)百Ｖの電圧を維持して、該プラズマを該スパッタ装置中で維持することができる。該スパッタ装置におけるプロセス圧は、相対的に低い値に維持され（典型的に≦５×１０-3ｍｂａｒ）、これは、議論された措置と相互に作用して、ＡｌＳｉＮからなる堆積された層の極めて緻密で滑らかな構造をもたらす。
【００１４】
本発明の実施例は、図面に基づいて記載される。その際に、図面は以下に示す通りである：
【図面の簡単な説明】
【００１５】
【図１】本発明によるカバー層を製造するためのスパッタ装置の概略図。
【図２】本発明によるカバー層の拡大した切抜きの走査像。
【図３】技術水準のカバー層の走査像。
【図４】本発明によるカバー層の場合の欠陥面積と粗さ値との関係を示す図。
【図５】ガラスセラミック上、ＡｌドープＳｉＮ層上及び本発明によるカバー層上の、静止摩擦を示す図。
【図６】本発明によるカバー層のＸ線回折図。
【図７】技術水準の層のＸ線回折図。
【図８】本発明によるカバー層の場合の欠陥数について示す線図。
【図９】技術水準のカバー層の場合の欠陥数を示す線図。
【図１０】本発明によるカバー層の場合の分光反射率を示す線図。
【図１１】技術水準のカバー層の場合の分光反射率を示す線図。
【図１２】本発明によるコーティングされたガラス製品の実施例を示す図。
【図１３】本発明によるコーティングされたガラス製品の実施例を示す図。
【図１４】本発明によるコーティングされたガラス製品の実施例を示す図。
【００１６】
図１は、スパッタ装置の概略図を示す。該装置に導く輸送装置が存在し、該輸送装置に、装填装置１上で基材が装備される。該基材は、真空レベル（＜１×１０-4ｍｂａｒ）に真空排気されるロックイン室(Einschleusekammer)２中へ達する。引き続き、該基材は、同様に真空排気されている加熱室３中へ輸送され、かつ定義された温度（例えば３００℃）で予め決められた時間にわたってそこに留まる。その後、該基材は、スパッタされうる材料を有する少なくとも１個のターゲット４０を有するプロセス室４中へ輸送される。本発明の場合に、Ａｌ及びＳｉ製の合金ターゲットが、Ａｌ：Ｓｉ  ２０：８０〜９５：０５原子％、好ましくは４０：６０〜８５：１５原子％及び最も好ましくは５０：５０〜７５：２５原子％の混合比で使用される。１個以上の該ターゲットは、符号４０で表されている。該プロセス室４中へ、プロセスガス、典型的にはアルゴン（Ａｒ）が通されるので、そこで１．０×１０-3〜５．０×１０-3ｍｂａｒの範囲内の典型的なプロセス圧が確立される。プラズマを該プロセス室中で点火するために、該ターゲット上へ負電圧が印加される。それにより、該ターゲットから該基材の方への材料の輸送をもたらすスパッタ過程が引き起こされる。約１０Ｗ／ｃｍ2の平均出力密度で操作することができる。ＨｉＰＩＭＳ法として又はＨＰＰＭＳ法として知られた高い出力密度を有するスパッタ法も使用することができる。該スパッタリング中に、窒素（Ｎ）は、反応性ガスとして調整されて供給されるので、該基材上にＡｌＳｉＮカバー層が形成される。この手順の場合に、該基材を、所望の層厚が達成されるまで、１個又は複数の該ターゲットのそばを繰り返し通過させることができる。
【００１７】
次いで、コーティングされた基材は、ロックアウト室(Ausschleusekammer)５を経て移動し、該ロックアウト室はプロセス室４に対してシールした後に換気され、その後、該生成物は、取出し装置６により取り出される。
【００１８】
図１による略図は更に、電源及びパルスユニット１０並びに、ターゲットと基材もしくは基材ホルダとの間に印加される電圧の調整された供給を担当する制御器１１を略示的に示す。スパッタ装置の更なる詳細は、当業者に知られており、かつ図１に示されていない。
【００１９】
図２は、本発明による製品のコーティングされた側のサイズ２μｍ×２μｍの正方形の切抜きを示し、その際に、該カバー層は、約５０：５０原子％のＡｌ：Ｓｉ比を有する。その明暗値は、１０．０ｎｍ〜０．０ｎｍのスケールを描写する。図２は表を含み、０．４〜１．２ｎｍにわたる平均粗さＲａ［ｎｍ］の測定値、並びに０．５〜１．５ｎｍにわたる二乗平均偏差ＲＭＳ［ｎｍ］を有する。該値は、原子間力顕微鏡（ＡＦＭ）を用いて取得された。該層のトポグラフィーは、すなわち極めて滑らかかつ平らである。該層が滑らかであればあるほど、外部の物品、例えば研磨粒子に対する作用点がよりいっそう少なくなる。滑らかな表面は、この理由から、同じ表面硬さの粗い表面よりも耐引っかき性である。その異物は、滑らかな表面上で簡単に滑り落ちることができ、かつ該層表面の凸部又は凹部に残らない。比較試験からは、Ｒａ＞１．５ｎｍの粗さで、その引っかきに対する感受性の有意な増加をまねくことが明らかになった。ゆえに、特に、Ｒａ＜１．５ｎｍの粗さ、より良好にＲａ＜１．０ｎｍを有する層が、特に引っかきが目立たない。
【００２０】
図３は、１０原子％のＡｌドープを有するＳｉＮの層を有する比較試料の２μｍ×２μｍの切抜きを示す。この試料も、原子間力顕微鏡を用いて走査された。その明暗値は、１５．０ｎｍ〜０．０ｎｍのスケールを描写する。測定された粗さ値ＲＭＳ及び粗さＲａが、そのトポグラフィー図に加え、見出される。その平均粗さＲａは、１．３〜１．９ｎｍにわたり、かつ二乗平均粗さＲＭＳは、１．６〜２．４ｎｍにわたる。
【００２１】
粗さ値は、該カバー層の欠陥面積のサイズにも影響を及ぼす。図４は、約５０：５０原子％のＡｌ：Ｓｉ比を有するＡｌＳｉＮ−カバー層の欠陥面積と粗さ値との関係を示す。その横座標は、プロセスガス圧ｐ［Ｐａ］を示すのに対し、左側の縦座標は、相対欠陥面積ΔΑ／Α0［％］を示し、かつ右側の縦座標は、平均Ｒａ［ｎｍ］を示す。該図は、低いプロセスガス圧が、低い粗さ値の達成のために有利であることを示す。
【００２２】
クックトップの範囲における該ＡｌＳｉＮカバー層の使用にとって、重要であるのは、なべを容易に該クックトップ上を移動できることである。そのようななべは、特に合金鋼からなる。図５は、異なるクックトップ形成物での合金鋼に対する静止摩擦μの棒グラフを示す。左側の試料１は、コーティングされていないガラスセラミックに関し、中央の試料２は、ガラスセラミック上のＡｌＳｉＮカバー層に関し、かつ右側の試料３は、ガラスセラミック上の１０原子％Ａｌドープを有するＳｉＮ層に関する。該棒は、複数の測定の平均値を表す。該図から明らかであるように、DE 10 2007 033 338 B4によるアルミニウムドープＳｉＮコーティングは、クックトップの使用分野における静止摩擦に関して、本発明によるコーティングよりもあまり有利ではない。
【００２３】
アルミニウムドープＳｉＮでのコーティングに関して、クックトップにおいて使用する際の更なる欠点、すなわち、該クックトップ面上への塩水焼き付きの危険がなお存在する。すなわち塩水が、該クックトップ面上で蒸発する際に、該水が、ＳｉとＮとの間の結合を切断し、Ｎａイオンが結合しうるＳｉＯサイトが形成されうる。このことは、該クックトップ面上の該ＳｉＮ層の目立つ光学的変化をまねき、これは望ましくない。
【００２４】
既に上記のように、本発明によるＡｌＳｉＮコーティングは、更なる層成分もなお含有していてよい。しかし、その際に、Ａｌ及びＳｉは、場合により含まれる更なる成分に比べて支配的である。これらの層成分は、ホウ素、チタン、クロム、ジルコニウム、ハフニウム及び炭素のうち少なくとも１種の元素の炭化物及び／又は窒化物及び／又は炭窒化物及び／又は酸化物を含んでよいが、示された実施例に限定されるものではない。本発明によるコーティングの有利な性質を得るために、これらの層成分は好ましくは多くとも１／３含まれている（ので、Ａｌ及びＳｉは、該窒化物及び酸化物成分の少なくとも２／３に調節される）。好ましくは、これらの層成分は、Ａｌ及びＳｉの全モル含量の多くとも１／４、特に好ましくは多くとも１５％含まれている。前記の層成分は、合金鋼に対する本発明による層の低い静止摩擦値に加えて、滑り摩擦も有利に低下させることができる。それゆえ、その摩耗に対する保護も改善される。
【００２５】
炭化物及び炭窒化物は、更に付加的に、その光透過率を低下させるために使用することができる。
【００２６】
本発明での低い粗さ値を達成するには、該ＡｌＳｉＮ層が、本発明による製造条件下で、非晶質で存在するという事実も寄与する。このことは、Ｘ線回折図を示す図６を用いて証明される。該Ｘ線の入射角は、その優先方向（１００）に相当する。その横座標は、該Ｘ線回折の開口角２Θに関する。その縦座標は、カウントを表す。該図中で、更に、ＡｌＮ結晶の場合のＸ線回折現象のΘ位置を表す印（端部に四角を有する上に伸びた線）が、そのようなものが該試料中で確認可能である場合に、書き込まれている。すなわち、高められたカウント値が印で標示された全ての位置に存在する場合には、該試料中にＡｌＮクリスタリットが存在することが想定されうる。しかしながら、図６は、本発明による製造条件の場合に、ＡｌＮクリスタリットを含まないカバー層が生成できることを示す。従って、本発明によるカバー層は、Ｘ線非晶質でもある。生成されるＡｌＳｉＮカバー層の表面の並外れた平滑性は、とりわけ、ＡｌＮクリスタリットの欠如のためでありうる。
【００２７】
図７は、EP 1 705 162 A1によるＳｉＮ／ＡｌＮからなる結晶質／非晶質の二相カバー層のＸ線回折図を示す。その横座標上に、そしてまた、結晶質ＡｌＮの発生の際にピークカウント値として目立つようにされた２Θ位置が標示されている。該図が示すように、該試料中に結晶質ＡｌＮ含分を検出することができる。
【００２８】
本発明によるＡｌＳｉＮカバー層の低い層粗さは、適用試験の実施後の、欠陥サイズにより分類された、少ない数の該欠陥の要因となっている。図８は、本発明によるＡｌＳｉＮカバー層の欠陥等級に関する該欠陥の数のグラフによる図を示し、かつ図９は、１０原子％Ａｌドープの場合のアルミニウムドープＳｉＮ層のそのような図を示す。等級サイズ５の約２５個の欠陥並びに等級サイズ１２を上回る際に欠如した欠陥で、本発明によるＡｌＳｉＮカバー層は、図９によるＡｌドープＳｉＮ層を有するものよりも、本質的により良好な引っかきに対する保護作用を提供する。この場合に、等級サイズ５の約８０個の欠陥が存在し、かつ該欠陥の数は、ほぼ等級サイズ２０で初めてゼロに低下する。
【００２９】
該欠陥の等級サイズは、該欠陥の面積に相当する。詳細には、該等級サイズは、評価カメラのピクセルの数に関連する。該ピクセルは、約２５μｍ×２５μｍのサイズを有する。それに応じて、例として、等級サイズ５は、最大１２５μｍのエッジ長さを有する欠陥を含む。
【００３０】
クックトップの場合に、しばしば、該黒色ガラスセラミックと一緒に、該カバー層を通して良好に知覚できるべき模様が印刷される。この理由から、該コーティングが、可視領域内でできるだけ少なく反射及び吸収する場合が望ましい。該層の屈折率は、できるだけ小さいべきである。図１０は、光の可視領域において及び赤外領域において、本発明によるＡｌＳｉＮカバー層についての波長の分光反射率を示し、かつ図１１に、DE 10 2007 033 338 B4によるＳｉ3Ｎ4層についてのそのような分光反射率を示す。本発明によるＡｌＳｉＮ層の反射率（図１０）は、一般的に、技術水準によるＳｉ3Ｎ4層の反射率（図１１）よりも低く、かつ可視領域においてピーク値で０．２に近いのに対し、図１１の場合に、可視領域におけるピーク値は一部には０．３０及び０．３５である。本発明によるコーティングの製造の際に有利であるのは、該基材を該コーティング前又は該コーティング中に、緻密な層の形成を容易にする高められた温度へ至らしめるための基材加熱の使用である。該加熱は、単純な放射加熱器より実現することができる。選択的に、例えばフラッシュランプアニールの際のような、パルス法による加熱が、有用でありうる。更に、該層材料又は該基材に合わされているレーザーを使用することができ、該基材を該コーティング前又は該コーティング中に加熱し、それにより該層の堆積に有利な影響を及ぼす。
本発明による層の硬さと、引っかきに対する保護作用の性能とは、その製造に引き続く処理によっても改善することができる。炉中での単純な熱処理に加えて、更に、フラッシュランプ加熱又はレーザーによる処理を使用することができる。
【００３１】
まとめると、本発明を用いて、耐引っかき性の非晶質で透明なＡｌＳｉＮカバー層が生み出され、その表面粗さが著しく低く、それにより、なべ及び他の物品に対する抜群の滑り特性を有することが確かめられた。該カバー層は、可視光線において及び大体において赤外領域においても透明であり、かつ塩水焼き付きに対する良好な化学的抵抗性を示す。該カバー層が、より低い光透過率を有するべき場合には、該ＡｌＳｉＮ層は、ホウ素、チタン、クロム、ジルコニウム、ハフニウムのうち少なくとも１種の元素の炭化物又は炭窒化物を含有してもよい。
【００３２】
以下に、本発明によるガラス製品の幾つかの実施態様が記載される。図１２は、本発明の基本の実施態様を断面図で示す。好ましくは、本発明によるガラス製品７のために、側８０、８１を有するガラス又はガラスセラミック製のフラットな又は板状の基材８が使用される。該側の少なくとも１つの上に、示された例の場合に側８０上に、本発明によるＡｌＳｉＮカバー層９が、堆積されている。ＡｌＳｉＮカバー層９の層厚は、０．５μｍ〜５μｍ、好ましくは０．５〜２μｍの範囲内である。好ましくは、少なくとも１種の利用面がコーティングされる。それに応じて、ガラスセラミック−クックトップのガラスセラミックプレートの形態のガラス製品７の場合に、コーティングされた側８０が、該ガラスセラミックプレートの上面であろう。例えばタッチスクリーン用の、ディスプレイカバーの形態のガラス製品７の場合に、カバー層９を有する側８０は、相応して、該カバーの、利用者の方を向いた外面である。
【００３３】
本発明の実施態様によれば、図１３の例に示されたように、カバー層９に加え、更に最終層(Abschlussschicht)１２も存在していてよい。最終層１２はその際に、カバー層９上に堆積されている。最終層１２は特に、光学的性質又は摩擦特性の変更に利用することができる。該最終層用の材料として適しているのは、特に、アルミニウム、ケイ素、ホウ素、ジルコニウム、チタン、クロム、ニッケルのうち少なくとも１種の元素の酸化物、窒化物、炭窒化物又は酸窒化物の群からの１種以上の物質である。
【００３４】
事情によっては、そのようなカバー層１２は、その層厚に依存して、全体で該コーティングの機械的性質の悪化も必然的に伴いうる。
【００３５】
ゆえに好ましいのは、この最終層１２を薄く維持することである。ゆえに、一般的に、本発明の実施態様によれば、ＡｌＳｉＮカバー層９上に、層厚がＡｌＳｉＮカバー層９の層厚よりも少ない最終層１２が堆積されていることが意図されているが、示された実施例に限定されるものではない。特に好ましくは、そのような最終層１２の層厚は、１〜５００ｎｍの範囲内、特に好ましくは１〜２００ｎｍの範囲内である。
【００３６】
更に別の実施態様によれば、中間層１３も堆積させることができる。図１４は、それについて、１つの実施例を示す。該ＡｌＳｉＮカバー層は、前もって堆積された中間層１３上に堆積される。中間層１３の目的は、カバー層９の付着を改善することである。中間層１３も、好ましくは薄く維持される。中間層１３は、更なる展開によれば、１〜５００ｎｍの範囲内、好ましくは１〜２００ｎｍの範囲内、特に好ましくは１〜５０ｎｍの範囲内の層厚を有する。最終層１２の場合と同じように、該中間層用の材料として、特に、アルミニウム、ケイ素、ホウ素、ジルコニウム、チタン、クロム、ニッケルのうち少なくとも１種の元素の酸化物、窒化物、炭窒化物又は酸窒化物からの１種以上の物質が適している。
【符号の説明】
【００３７】
１  装填装置、  ２  ロックイン室、  ３  加熱室、  ４  プロセス室、  ５  ロックアウト室、  ６  取出し装置、  ７  ガラス製品、  ８  基材、  ９  カバー層、１０  電源及びパルスユニット、  １１  制御器、  １２  最終層、  １３  中間層、  ４０  ターゲット、  ８０，８１  ８の側
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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