(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
金属製の波箔と平箔とが交互に積層することにより、該積層方向に直交する軸方向に排ガスを導通させるための複数のガス導通経路を形成した触媒担持用のハニカム体であって、
該ハニカム体の軸方向における中央よりも排ガス入り側に位置する入り側領域の少なくとも一部に、前記軸方向において隣接する波の位相が互いに異なるオフセット部が設けられており、
前記オフセット部に配置される波箔は、前記軸方向において分断されることなく繋がっていることを特徴とする触媒担持用のハニカム体。
【請求項２】
前記オフセット部は、天面及びこの天面の両端から延びる一対の側辺を備えたフィン部を配列することにより構成されており、
前記軸方向において隣接する前記フィン部の位相は互いに異なり、
前記軸方向において隣接する前記天面は互いに部分的に繋がっていることを特徴とする請求項１に記載の触媒担持用のハニカム体。
【請求項３】
前記オフセット部は、前記フィン部を前記軸方向に沿って千鳥状に配列することにより構成されていることを特徴とする請求項２に記載の触媒担持用のハニカム体。
【請求項４】
前記オフセット部は、前記フィン部を前記軸方向に対して傾斜する傾斜方向に配列することにより構成されていることを特徴とする請求項２に記載の触媒担持用のハニカム体。
【請求項５】
前記オフセット部に配置される各前記フィン部の前記軸方向における長さは全て同じであることを特徴とする請求項２に記載の触媒担持用のハニカム体。
【請求項６】
前記一対の側辺は、前記天面から離隔するに従って互いに離間するテーパー形状に形成されていることを特徴とする請求項２乃至５のうちいずれか一つに記載の触媒担持用のハニカム体。
【請求項７】
請求項１乃至６のうちいずれか一つに記載のハニカム体と、
前記ハニカム体が収容される外筒と、
を有することを特徴とする触媒担体。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、排ガス浄化用のハニカム体等に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
自動車、各種機械設備等の内燃機関のエンジンから排出される排気ガスの排出経路には、排気ガスを浄化する目的で、触媒を担持したハニカム構造の触媒担体が設置される。排気ガスにはＣＯ、ＨＣ、ＮＯｘが含まれており、これらのガスは触媒と接触することで浄化される。触媒担体の浄化性能を評価する指標として、例えば、Ｔ５０、Ｔ８０がある。
【０００３】
Ｔ５０は排ガスのガス濃度が触媒作用によって半分に減少したときの温度であり、排ガス流入初期の浄化性能（以下、ライトオフ性能という）を評価するために用いることができる。つまり、Ｔ５０が低くなるのに応じて、排ガス流入初期の浄化性能が向上する。Ｔ８０は排ガスのガス濃度が触媒作用によって８０％減少したときの温度であり、排ガス流入後所定時間経過後の定常状態における浄化性能（以下、定常性能という）を評価するために用いることができる。つまり、Ｔ８０が低くなるのに応じて、定常性能が向上する。
【０００４】
また、触媒担体が排出経路に配置されることで圧力損失が発生し、この圧力損失が高くなることで、車両出力が低下する。そのため、触媒担体には、圧力損失が低いことも要求される。
【０００５】
特許文献１は、帯状をなす金属箔製の波板と平板が多層に巻き付けられてロール状をなすハニカム構造体が、外筒内に挿入されると共に、該波板と平板に触媒物質が付着せしめられた、排気ガス浄化用の触媒担体において、該波板は、巻き付けられた軸方向の前後で、部分的に波の位相が異なっていること、を特徴とする排気ガス浄化用の触媒担体を開示する。
【０００６】
この特許文献１の触媒担体は、軸方向に並ぶ波の位相がズレている（オフセットされた）流路もあれば、位相が変化することなく一定の流路もあり、位相ズレの流路が占める割合は、全体の５０％以上〜９５％以下とされている（明細書段落００１７参照）。さらに、位相ズレしている流路における位相変化点は、図２（２）の正断面図から触媒担体の軸方向における略中央と考えられる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特許第４７１９１８０号明細書
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
しかしながら、特許文献１の触媒担体では、触媒担体のライトオフ性能が十分でなかった。すなわち、特許文献１の構成では、位相ズレ部分が設けられることで、セルの中央を通過する排気ガスが位相変化点を通過した後に、オフセットされた下流のセルの外壁に当たることで浄化され易くなるが、ライトオフ性能が十分でなかった。
【０００９】
また、当然のことながら、ライトオフ性能に加えて定常性能が高いことも、触媒担体の機能として重要である。オフセット箇所を増加することで、ライトオフ性能及び定常性能を向上させることはできるが、オフセット箇所を増やしすぎると圧力損失が大きくなる。
【００１０】
そこで、本願発明は、ライトオフ性能、定常性能が高く、圧力損失の少ない触媒担持用のハニカム体を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
上記課題を解決するために、本願発明に係る触媒担持用のハニカム体は、（１）金属製の波箔と平箔とが交互に積層することにより、該積層方向に直交する軸方向に排ガスを導通させるための複数のガス導通経路を形成した触媒担持用のハニカム体であって、該ハニカム体の軸方向における中央よりも排ガス入り側に位置する入り側領域の少なくとも一部に、前記軸方向において隣接する波の位相が互いに異なるオフセット部が設けられており、前記オフセット部に配置される波箔は、前記軸方向において分断されることなく繋がっていることを特徴とする。
【００１２】
（２）前記オフセット部は、天面及びこの天面の両端から延びる一対の側辺を備えたフィン部を配列することにより構成されており、前記軸方向において隣接する前記フィン部の位相は互いに異なり、前記軸方向において隣接する前記天面は互いに部分的に繋がっていることを特徴とする（１）に記載の触媒担持用のハニカム体。
【００１３】
（３）前記オフセット部は、前記フィン部を前記軸方向に沿って千鳥状に配列することにより構成されていることを特徴とする（２）に記載の触媒担持用のハニカム体。
【００１４】
（４）前記オフセット部は、前記フィン部を前記軸方向に対して傾斜する傾斜方向に配列することにより構成されていることを特徴とする（２）に記載の触媒担持用のハニカム体。
【００１５】
（５）前記オフセット部に配置される各前記フィン部の前記軸方向における長さは全て同じであることを特徴とする（２）に記載の触媒担持用のハニカム体。
【００１６】
（６）前記一対の側辺は、前記天面から離隔するに従って互いに離間するテーパー形状に形成されていることを特徴とする（２）乃至（５）のうちいずれか一つに記載の触媒担持用のハニカム体。
【００１７】
（７）（１）乃至（６）のうちいずれか一つに記載のハニカム体と、前記ハニカム体が収容される外筒と、を有することを特徴とする触媒担体。
【発明の効果】
【００１８】
本発明によれば、オフセット部が入り側領域の少なくとも一部にのみ設けられることで、ライトオフ性能、定常性能が高く、圧力損失の少ない触媒担持用のハニカム体を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１９】
【図１】軸方向から視た触媒担体の概略図である（実施形態１）。
【図２】波箔の一部における展開図である（実施形態１）。
【図３】オフセット部Ｓに設けられた軸方向において隣り合うフィンＦの斜視図である（実施形態１）。
【図４】軸方向から視たオフセット部Ｓの一部における概略図である（実施形態１）。
【図５】波箔の一部における展開図である（実施形態２）。
【図６】実施例Ｎｏ.１〜Ｎｏ.４及び比較例Ｎｏ.１〜Ｎｏ.１０の波箔の一部における概略図である。
【図７】フィンのオフセット位置とＴ５０との関係を示すグラフである（実施例１）。
【図８】フィンのオフセット位置とＴ８０との関係を示すグラフである（実施例１）。
【図９】実施例Ｎｏ.５〜Ｎｏ.７及び比較例Ｎｏ.１１〜Ｎｏ.１３の波箔の一部における概略図である。
【図１０】比較例Ｎｏ.１４〜Ｎｏ.１８の波箔の一部における概略図である。
【図１１】フィンのオフセット位置とＴ５０との関係を示すグラフである（実施例２）。
【図１２】フィンのオフセット位置とＴ８０との関係を示すグラフである（実施例２）。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２０】
（実施形態１）
以下に本実施形態を図面に基づき説明する。図１は、軸方向視における触媒担体の概略図である。紙面に対する法線方向が軸方向に対応し、紙面に沿った方向が径方向に対応している。図２は波板の一部における展開図である。白抜きの矢印は排ガスの導通方向（ハニカム体の軸方向）に対応しており、ハッチングで示す箇所はフィンＦの天面に相当する。
【００２１】
触媒担体１は、ハニカム体１０と、外筒２０とから構成され、排ガス浄化用の触媒コンバータとして使用される。触媒担体１は、例えば車両の排ガス経路に配置することができる。
【００２２】
ハニカム体１０は、図２に図示する波箔３０と図２に図示しない平箔４０とを重ね合わせて軸周りに巻き回すことで構成されている。ハニカム体１０の径方向断面は、円形に形成されている。波箔３０及び平箔４０には、触媒担持用の金属箔を用いることができる。金属箔には、Ａｌを含んだ耐熱性の各種ステンレス鋼を用いることができる。触媒担持を行う場合には、ウォッシュコート液（γアルミナと添加剤及び貴金属触媒を成分とする溶液）をハニカム体１０の流路に供給し、高温熱処理によって焼き付けることでハニカム体１０に担持させることができる。
【００２３】
ハニカム体１０の軸方向の一端側から流入した排ガスは、波箔３０及び平箔４０の壁面に接触した際に、これらに担持された触媒物質によって浄化される。
【００２４】
図２の展開図を参照して、波箔３０にはオフセット部Ｓが形成されている。オフセット部Ｓは、ハニカム体１０における入り側領域Ｕの少なくとも一部に設けられている。「少なくとも一部」であるため、ハニカム体１０の入り側領域Ｕの全てがオフセット部Ｓであってもよい。入り側領域Ｕとは、ハニカム体１０を軸方向において均等に二分割した場合における排ガス入り側の領域のことである。入り側領域Ｕにおけるオフセット部Ｓ以外の領域は非オフセット部Ｔによって形成されている。
【００２５】
出側領域Ｖは、全てが非オフセット部Ｔによって構成されている。出側領域Ｖとは、ハニカム体１０を軸方向において均等に二分割した場合における排ガス出側の領域のことである。
【００２６】
図２及び図３を参照しながら、オフセット部Ｓ及び非オフセット部Ｔの構成について詳細に説明する。図３は、オフセット部Ｓに設けられた軸方向において隣り合うフィンＦの斜視図である。オフセット部Ｓは、フィンＦを軸方向に沿って千鳥状に配列したフィン群を複数列設けることにより構成されている。つまり、一つのフィンＦを挟んで軸方向に対向する二つのフィンＦは、互いに位相が同一となる位置に設けられており、軸方向に隣接するフィンＦは、互いに位相が異なるオフセット位置に設けられている。なお、フィン群の配列数は、設置場所の大きさなどに応じて適宜変更できる。フィン群の配列数が増加するのに応じて、波箔３０の巻き数が増大し、ハニカム体１０の径寸法を大きくすることができる。
【００２７】
個々のフィンＦは、天面１０１と、天面１０１の両端から延びる一対の左側斜辺１０２，右側斜辺１０３とを備えており、これらの左側斜辺１０２，右側斜辺１０３は天面１０１から離隔するに従って末広がりとなる方向に傾斜している。つまり、フィンＦは、軸方向視において台形状に形成されている。
【００２８】
ハニカム体１０の周方向において隣り合うフィンＦは、連設部１０４を介して互いに接続されている。具体的には、隣接する一方のフィンＦにおける右側斜辺１０３と他方のフィンＦにおける左側斜辺１０２との下端部を繋ぐことで、周方向において隣り合うフィンＦは接続されている。
【００２９】
また、オフセット部Ｓに設けられる軸方向において隣り合うフィンＦの天面１０１は互いに繋がっており、オフセット部Ｓと非オフセット部Ｔの境界に位置する天面１０１も互いに繋がっている。これにより、千鳥状に配列されたフィンＦを含む波箔３０が一枚の板材となるため、剛性を高めることができる。
【００３０】
すなわち、個々のフィンＦを独立させた場合、ハニカム体１０の径方向から外力を受けることによって、フィンＦが容易に変形するおそれがある。波箔３０に形成されたフィンＦの天面１０１を軸方向において接続しておくことで、径方向から受ける外力に対する剛性を高めることができる。上述のオフセット構造を備えた波箔３０は、オフセット予定位置に切り込みを形成したステンレス鋼などに対して、フィンＦに対応した突起部を有する金型またはローラでプレスすることで、製造することができる。なお、オフセット予定位置に切り込みを形成することは必須条件ではない。この場合、突起部を有する一対の上記金型等を用いてステンレス鋼を挟圧することで、波箔３０を形成してもよい。
【００３１】
ここで、オフセット部Ｓに設けられる各フィンＦの軸方向における寸法をａ、ハニカム体１０の入り側領域Ｕの軸方向における寸法をＬ１としたときに、好ましくは、ａ≧１／５０Ｌ１である。ａ≧１／５０Ｌ１とすることで、オフセット部ＳにおけるフィンＦの段数が多すぎることによる圧力損失を抑制できる。各フィンＦの寸法ａは同一であってもよい。
【００３２】
オフセット部Ｓにおいて、軸方向に隣接するフィンＦの繋ぎ幅Ａは、好ましくは、波箔３０の板厚の３倍以上である。フィンＦの繋ぎ幅Ａが波箔３０の板厚の３倍未満になると、剛性が弱くなり、フィンＦが位置ずれを起こすことで、オフセット形状を維持できなくなるおそれがある。
【００３３】
次に、図４を参照しながら、オフセット部Ｓを設ける意義について説明する。図４は、軸方向から視たオフセット部Ｓの一部における概略図である。軸方向の排ガス入り側に位置するフィンＦ（以下、フィンＦ−ｉという）を実線で示し、このフィンＦ−ｉの排ガス出側に位置するフィンＦ（以下、フィンＦ−ｏという）を破線で示している。
【００３４】
同図を参照して、フィンＦ−ｉに流入した排ガスのうち、フィンＦ−ｉの天面１０１及び斜辺１０２，１０３の近傍を通過する排ガスはこれらの壁面に担持された触媒に接触することで浄化され、フィンＦ−ｉの天面１０１及び斜辺１０２，１０３から離隔した中央を流れる排ガスはフィンＦ−ｉでは浄化され難く層流となって、フィンＦ−ｏに流入する。
【００３５】
ここで、フィンＦ−ｉがハニカム体１０の出側端部まで連続している場合（つまり、ハニカム体１０の全てが非オフセット部Ｔで構成されている場合）、フィンＦ−ｉの中央を通過する排ガスは、浄化不十分な状態でハニカム体１０から排出されるおそれがある。一方、本実施形態のように、ハニカム体１０にオフセット部Ｓを設けた場合には、フィンＦ−ｉの中央を流れる排ガスがフィンＦ−ｉの下流に位置するフィンＦ−ｏの左側斜辺１０２に接触することで、浄化され易くなる。これにより、浄化性能を高めることができる。
【００３６】
本発明者等は、さらに、オフセット部Ｓをハニカム体１０の入り側領域Ｕの少なくとも一部に設けることで、ライトオフ性能及び定常性能を向上させながら、圧力損失を抑制できることを知見した。すなわち、ハニカム体１０の出側領域Ｖにのみオフセット部Ｓを設けた場合には、ライトオフ性能及び定常性能が十分でない。また、ハニカム体１０の全てをオフセット部Ｓで構成した場合には、圧力損失が増大するばかりでなく、オフセット箇所が増加した分だけ浄化性能が向上させることもできない。
【００３７】
（実施形態２）
図５は本実施形態の波板の一部における展開図である。白抜きの矢印は排ガスの導通方向（ハニカム体の軸方向）に対応しており、ハッチングで示す箇所はフィンＦの天面に相当する。なお、実施形態１と機能が共通する要素には、同一符号を付している。
【００３８】
図５の展開図を参照して、波箔３０にはオフセット部Ｓが形成されている。オフセット部Ｓは、ハニカム体１０における入り側領域Ｕの少なくとも一部に設けられている。「少なくとも一部」であるため、ハニカム体１０の入り側領域Ｕの全てがオフセット部Ｓであってもよい。入り側領域Ｕとは、ハニカム体１０を軸方向において均等に二分割した場合における排ガス入り側の領域のことである。入り側領域Ｕにおけるオフセット部Ｓ以外の領域は非オフセット部Ｔによって形成されている。
【００３９】
出側領域Ｖは、全てが非オフセット部Ｔによって構成されている。出側領域Ｖとは、ハニカム体１０を軸方向において均等に二分割した場合における排ガス出側の領域のことである。
【００４０】
オフセット部Ｓは、フィンＦを軸方向に対して傾斜する傾斜方向に配列したフィン群を複数列設けることにより構成されている。本実施形態の波箔３０は、波箔３０の形状に対応する突起を備えた金型又はローラで、平箔をプレスすることで、製造することができる。なお、フィン群の配列数は、設置場所の大きさなどに応じて適宜変更できる。フィン群の配列数が増加するのに応じて、波箔３０の巻き数が増大し、ハニカム体１０の径寸法を大きくすることができる。個々のフィンＦの形状は、実施形態１と共通するから、説明を繰り返さない。
【００４１】
本実施形態の構成でも、軸方向において隣り合う一方のフィンＦによって形成される排ガス経路と、他方のフィンＦの斜辺１０２（１０３）とが、軸方向視において重なる位置に配置されるため、浄化性能を向上させることができる。
【００４２】
本発明者等は、さらに、オフセット部Ｓをハニカム体１０の入り側領域Ｕの少なくとも一部に設けることで、ライトオフ性能及び定常性能を向上させながら、圧力損失を抑制できることを知見した。すなわち、ハニカム体１０の出側領域Ｖにのみオフセット部Ｓを設けた場合には、ライトオフ性能及び定常性能が十分でない。また、ハニカム体１０の全てをオフセット部Ｓで構成した場合には、圧力損失が増大するばかりでなく、オフセット箇所が増加した分だけ浄化性能が向上させることもできない。
【００４３】
上述の実施形態１及び２で説明した作用効果について、実施例を示しながら詳細に説明する。
（実施例１）
本実施例１は、実施形態１に対応するものである。オフセット部Ｓの長さ及び設置位置を種々変更して、ハニカム体のＴ５０（ライトオフ性能）、Ｔ８０（定常性能）及び圧力損失を評価した。具体的には、ＳＶ（空間速度）：１００,０００ｈ−１で模擬ガスをハニカム体に流し、模擬ガス温度を常温からヒーターを用いて徐々に加熱し、各温度におけるＣＯ転化率（％）を測定して、転化率−温度曲線から転化率が５０％となるＴ５０、８０％となる温度Ｔ８０を求めた。模擬ガスとして、ＴＨＣ（プロパン、Ｃ３Ｈ６）：５５０ｐｐｍ（１６５０ｐｐｍＣ）、ＮＯ：５００ｐｐｍ、ＣＯ：０．５％、Ｏ２：１．５％、Ｈ２Ｏ：１０％、Ｎ２：バランスを用いて、ディーゼル排ガスを模擬した。図６は各種サンプルの概略図であり、表１は試験結果及びその評価結果である。
【００４４】
【表１】
0006367729.tif 000002
【００４５】
実施例Ｎｏ．１及び比較例Ｎｏ．１ではオフセット部Ｓの軸方向寸法を８ｍｍとし、非オフセット部Ｔの軸方向寸法を３６ｍｍとした。また、実施例Ｎｏ．１ではオフセット部Ｓをハニカム体１０の入り側端部から形成し、比較例Ｎｏ．１ではオフセット部Ｓをハニカム体１０の出側端部から形成した。これらの実施例Ｎｏ．１及び比較例Ｎｏ．１を比較して、圧力損失は同じであるが、ライトオフ性能及び定常性能ともに実施例Ｎｏ．１が優れていることがわかった。
【００４６】
実施例Ｎｏ．２及び比較例Ｎｏ．２ではオフセット部Ｓの軸方向寸法を１２ｍｍとし、非オフセット部Ｔの軸方向寸法を３２ｍｍとした。また、実施例Ｎｏ．２ではオフセット部Ｓをハニカム体１０の入り側端部から形成し、比較例Ｎｏ．２ではオフセット部Ｓをハニカム体１０の出側端部から形成した。これらの実施例Ｎｏ．２及び比較例Ｎｏ．２を比較して、圧力損失は同じであるが、ライトオフ性能及び定常性能ともに実施例Ｎｏ．２が優れていることがわかった。また、実施例Ｎｏ．１は、比較例
Ｎｏ．２よりもオフセット箇所が少ないにも関わらず、ライトオフ性能及び定常性能が優れていることがわかった。
【００４７】
実施例Ｎｏ．３及び比較例Ｎｏ．３ではオフセット部Ｓの軸方向寸法を１６ｍｍとし、非オフセット部Ｔの軸方向寸法を２８ｍｍとした。また、実施例Ｎｏ．３ではオフセット部Ｓをハニカム体１０の入り側端部から形成し、比較例Ｎｏ．３ではオフセット部Ｓをハニカム体１０の出側端部から形成した。これらの実施例Ｎｏ．３及び比較例Ｎｏ．３を比較して、圧力損失は同じであるが、ライトオフ性能及び定常性能ともに実施例Ｎｏ．３が優れていることがわかった。また、実施例Ｎｏ．２は、比較例
Ｎｏ．３よりもオフセット箇所が少ないにも関わらず、ライトオフ性能及び定常性能が優れていることがわかった。
【００４８】
実施例Ｎｏ．４及び比較例Ｎｏ．４ではオフセット部Ｓの軸方向寸法を２０ｍｍとし、非オフセット部Ｔの軸方向寸法を２４ｍｍとした。また、実施例Ｎｏ．４ではオフセット部Ｓをハニカム体１０の入り側端部から形成し、比較例Ｎｏ．４ではオフセット部Ｓをハニカム体１０の出側端部から形成した。これらの実施例Ｎｏ．４及び比較例Ｎｏ．４を比較して、圧力損失は同じであるが、ライトオフ性能及び定常性能ともに実施例Ｎｏ．４が優れていることがわかった。また、実施例Ｎｏ．３は、比較例
Ｎｏ．４よりもオフセット箇所が少ないにも関わらず、ライトオフ性能が優れており、定常性能が同等であることがわかった。
【００４９】
比較例Ｎｏ.５〜Ｎｏ.８は、実施例Ｎｏ．４に対してオフセット部Ｓの占める割合を徐々に大きくして、オフセット部Ｓを出側領域Ｖにまで拡大したものである。オフセット部Ｓの占める割合が大きくなる程、圧力損失は大きくなった。一方、ライトオフ性能及び定常性能は、オフセット部Ｓを出側領域Ｖにまで拡大しても、殆ど向上しなかった。
【００５０】
つまり、図７及び図８のグラフに示すように、入り側領域Ｕの内部では、オフセット部Ｓの占める割合が増加するのに応じて、ライトオフ性能及び定常性能が向上する。しかしながら、入り側領域Ｕを超えて、オフセット部Ｓを増加しても、ライトオフ性能及び定常性能は向上しないばかりか、却って悪化する場合もあった。
【００５１】
比較例Ｎｏ.９はハニカム体１０の全てを非オフセット部Ｔで構成した場合であり、圧力損失は最も小さかったものの、ライトオフ性能及び定常性能は最も低かった。また、比較例Ｎｏ.１０はハニカム体１０の全てをオフセット部Ｓで構成した場合であり、圧力損失が最も大きく、ライトオフ性能も実施例Ｎｏ.４と同等であった。
【００５２】
上述の結果から、オフセット部Ｓを入り側領域Ｕの少なくとも一部に設けることで、ライトオフ性能及び定常性能を向上させながら、圧力損失を抑制できることがわかった。
【００５３】
（実施例２）
本実施例２は、実施形態２に対応するものである。図９及び図１０の概略図に図示するサンプルを用いて、実施例１と同様の試験を行った。表２は試験結果及び評価結果である。
【００５４】
【表２】
0006367729.tif 000003
【００５５】
実施例Ｎｏ．５及び比較例Ｎｏ．１１ではオフセット部Ｓの軸方向寸法を１２ｍｍとし、非オフセット部Ｔの軸方向寸法を３２ｍｍとした。また、実施例Ｎｏ．５ではオフセット部Ｓをハニカム体１０の入り側端部から形成し、比較例Ｎｏ．１１ではオフセット部Ｓをハニカム体１０の出側端部から形成した。これらの実施例Ｎｏ．５及び比較例Ｎｏ．１１を比較して、圧力損失は概ね同じであるが、ライトオフ性能及び定常性能ともに実施例Ｎｏ．５が優れていることがわかった。
【００５６】
実施例Ｎｏ．６及び比較例Ｎｏ．１２ではオフセット部Ｓの軸方向寸法を１６ｍｍとし、非オフセット部Ｔの軸方向寸法を２８ｍｍとした。また、実施例Ｎｏ．６ではオフセット部Ｓをハニカム体１０の入り側端部から形成し、比較例Ｎｏ．１２ではオフセット部Ｓをハニカム体１０の出側端部から形成した。これらの実施例Ｎｏ．６及び比較例Ｎｏ．１２を比較して、圧力損失は同じであるが、ライトオフ性能及び定常性能ともに実施例Ｎｏ．６が優れていることがわかった。また、実施例Ｎｏ．５は、比較例Ｎｏ．１２よりもオフセット箇所が少ないにも関わらず、ライトオフ性能及び定常性能がともに優れていることがわかった。
【００５７】
実施例Ｎｏ．７及び比較例Ｎｏ．１３ではオフセット部Ｓの軸方向寸法を２０ｍｍとし、非オフセット部Ｔの軸方向寸法を２４ｍｍとした。また、実施例Ｎｏ．７ではオフセット部Ｓをハニカム体１０の入り側端部から形成し、比較例Ｎｏ．１３ではオフセット部Ｓをハニカム体１０の出側端部から形成した。これらの実施例Ｎｏ．７及び比較例Ｎｏ．１３を比較して、圧力損失は同じであるが、ライトオフ性能及び定常性能ともに実施例Ｎｏ．７が優れていることがわかった。また、実施例Ｎｏ．６は、比較例Ｎｏ．１３よりもオフセット箇所が少ないにも関わらず、ライトオフ性能が概ね同等、定常性能が同等であることがわかった。
【００５８】
比較例Ｎｏ.１４〜Ｎｏ.１８は、実施例Ｎｏ．７に対してオフセット部Ｓの占める割合を徐々に大きくして、オフセット部Ｓを出側領域Ｖにまで拡大したものである。オフセット部Ｓの占める割合が大きくなる程、圧力損失は大きくなった。一方、ライトオフ性能及び定常性能は、オフセット部Ｓを出側領域Ｖにまで拡大しても、殆ど向上しなかった。
【００５９】
つまり、図１１及び図１２のグラフに示すように、入り側領域Ｕの内部では、オフセット部Ｓの占める割合が増加するのに応じて、ライトオフ性能及び定常性能が向上する。しかしながら、入り側領域Ｕを超えて、オフセット部Ｓを増加しても、ライトオフ性能及び定常性能は向上しないばかりか、却って悪化する場合もあった。
【００６０】
上述の結果から、オフセット部Ｓを入り側領域Ｕの少なくとも一部に設けることで、ライトオフ性能及び定常性能を向上させながら、圧力損失を抑制できることがわかった。
【００６１】
（変形例１）
上述の実施形態では、波箔３０と平箔４０とを重ね合わせて軸周りに巻き回すことでハニカム体を構成したが、本発明はこれに限るものではなく、他の構成であってもよい。当該他の構成として、複数枚のシート状波箔３０とシート状平箔４０とを準備し、シート状波箔３０とシート状平箔４０とを交互に重ね合わせる構成であってもよい。
【００６２】
（変形例２）
上述の実施形態では、フィンＦを台形状に形成したが、本発明はこれに限るものではない。例えば、天面１０１に対して垂直方向に延びる側辺を設けることにより、フィンＦを矩形状に構成してもよい。
【符号の説明】
【００６３】
１  触媒担体
１０  ハニカム体
２０  外筒
３０  波箔
４０  平箔
１０１  天面
１０２  左側斜辺
１０３  右側斜辺
１０４  連設部
【図１】
0006367729.tif 000004
【図２】
0006367729.tif 000005
【図３】
0006367729.tif 000006
【図４】
0006367729.tif 000007
【図５】
0006367729.tif 000008
【図６】
0006367729.tif 000009
【図７】
0006367729.tif 000010
【図８】
0006367729.tif 000011
【図９】
0006367729.tif 000012
【図１０】
0006367729.tif 000013
【図１１】
0006367729.tif 000014
【図１２】
0006367729.tif 000015