(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の粒子と、少なくとも１種類の酸化剤と、少なくとも１種類の酸又は溶剤とを含み、前記複数の粒子は少なくとも外表面がダイヤモンド表面よりも軟らかい、アルミナからなる粒子、又は、前記複数の粒子は平均粒径が２μｍ未満のダイヤモンド粒子であり、ｐＨが３以下又は１１より大きいスラリーを準備し、
９９未満のショアＤ硬さを有するパッドで、前記ダイヤモンド表面に対して前記パッドを回転させながら、前記スラリーを間に介して前記ダイヤモンド表面を押圧することにより、二乗平均平方根（ｒｍｓ）表面粗さが１５ｎｍ未満の平滑なダイヤモンド表面を形成すること、
を特徴とするダイヤモンド表面の化学機械研磨（ＣＭＰ）方法。
【請求項２】
前記パッドは、前記ショアＤ硬さが９０未満の柔らかい布、金属ウールパッド又はポリマ研磨パッドである請求項１記載の方法。
【請求項３】
前記酸化剤は、遷移金属化合物又は過化合物である請求項１記載の方法。
【請求項４】
前記酸化剤は、ＫＭｎＯ４又はＫ２Ｓ２Ｏ８化合物である請求項３記載の方法。
【請求項５】
前記ダイヤモンド表面は、コバルト‐ダイヤモンド又はニッケル‐ダイヤモンドの複合材、又は、母材から突出したダイヤモンド粒子である請求項１記載の方法。
【請求項６】
前記押圧における研磨圧は、１０ｐｓｉ未満である請求項１記載の方法。
【請求項７】
前記スラリーは、少なくとも１種類の界面活性剤を含む請求項１記載の方法。
【請求項８】
少なくとも外表面がダイヤモンド表面よりも軟らかい、アルミナからなる複数の粒子と、遷移金属化合物又は過化合物からなる少なくとも１種類の酸化剤と、少なくとも１種類の酸とを含み、ｐＨが３以下のスラリーを準備し、
９９未満のショアＤ硬さを有する柔らかい布、金属ウールパッド又はポリマ研磨パッドで、前記ダイヤモンド表面に対して前記パッドを回転させながら、前記スラリーを間に介して前記ダイヤモンド表面を押圧することで、二乗平均平方根（ｒｍｓ）表面粗さが１０ｎｍ未満の平滑なダイヤモンド表面を形成すること、
を特徴とするダイヤモンド表面の化学機械研磨（ＣＭＰ）方法。
【請求項９】
前記押圧における研磨圧は、１０ｐｓｉ未満である請求項８記載の方法。
【請求項１０】
前記スラリーは、少なくとも１種類の界面活性剤を含む請求項８記載の方法。
【請求項１１】
前記ｒｍｓ表面粗さは、１ｎｍ未満である請求項８記載の方法。
【請求項１２】
基板と、
前記基板上にあって平滑なダイヤモンド表面を有するダイヤモンド層と、を備え、
前記ダイヤモンド層は、
（ｉ）平均粒径が０．５μｍ超では１５ｎｍ未満の二乗平均平方根（ｒｍｓ）表面粗さ、平均粒径が５０ｎｍから０．５μｍの間では１０ｎｍ未満のｒｍｓ表面粗さ、及び、平均粒径が５０ｎｍ未満では５ｎｍ未満のｒｍｓ表面粗さを有し、
（ｉｉ）研磨損傷指数（ＰＤＩ）が１０９／ｃｍ２未満であり、
前記ＰＤＩは、以下の式によって定義され、
ＰＤＩ＝Ａ-Ｂ  ・・・（単位：／ｃｍ２）
ここで、Ａは、研磨された前記ダイヤモンド表面から上部ｙμｍの厚さにおける、転位、スクラッチ傷、ピット、又は積層欠陥を含む欠陥の推定平均表面欠陥密度であり、Ｂは、前記ダイヤモンド層の表面から距離ｙμｍにおける前記推定平均表面欠陥密度であり、前記ｙは、前記ダイヤモンド層の厚さが３μｍ以上の場合に２μｍであり、前記ダイヤモンド層の厚さが３μｍ未満の場合に前記ダイヤモンド層の厚さの半分であること、
を特徴とするダイヤモンド形成物。
【請求項１３】
前記基板が、前記ダイヤモンド層を含む単結晶ダイヤモンド基板である請求項１２記載の形成物。
【請求項１４】
前記基板が、シリコン、ダイヤモンド、ＧａＮ、ＡｌＧａＮ、ＳｉＣ又はＳｉＮからなる請求項１２記載の形成物。
【請求項１５】
前記平滑なダイヤモンド表面上に半導体キャップ層又はダイヤモンドキャップ層を更に備え、
少なくとも１つの電子デバイスが前記半導体キャップ層又は前記ダイヤモンドキャップ層上に形成される請求項１２記載の形成物。
【請求項１６】
前記半導体キャップ層は、ＧａＮ、ＧａＮ、ＡｌＧａＮ又はＳｉＣからなる請求項１５記載の形成物。
【請求項１７】
前記ＰＤＩが１０６／ｃｍ２未満である請求項１２記載の形成物。
【請求項１８】
平均粒径が１００ｎｍより大きく、前記ＰＤＩが１０６／ｃｍ２未満であり、ｒｍｓ表面粗さが１ｎｍ未満である請求項１２記載の形成物。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
開示される実施形態は、平滑なダイヤモンド表面、及び少なくとも１つの平滑なダイヤモンド表面層を含む電子デバイスを形成するための、ダイヤモンド表面の化学機械研磨（ＣＭＰ）に関する。
【背景技術】
【０００２】
ダイヤモンドは、炭素の同素体の１つであり、炭素原子がダイヤモンド格子と呼ばれる面心立方結晶構造に配置されたものである。ダイヤモンド結晶は、粒径に基づき超ナノ結晶（粒径：１０ｎｍ未満）、ナノ結晶（粒径：１０ｎｍ〜２５０ｎｍ）、微結晶（粒径：２５０ｎｍ〜２５０μｍ）及び単結晶ダイヤモンド（粒径：２５０μｍ超）に分類することができる。ダイヤモンドは、薄膜（膜厚：２０μｍ未満）、厚膜（膜厚：２０μｍより厚く２００μｍまで）又はバルク材（膜厚：２００μｍ超）として存在することができる。ダイヤモンドの薄膜とバルク材は、グラファイト状のｓｐ２相で共存することができる。単結晶ダイヤモンド膜は、（１００）、（１１０）、（１１１）又はその他の結晶方位を有することができる。
【０００３】
ダイヤモンドは、その格別な物理的特性から多くの用途に適している。注目すべきは、その並外れた硬さや高熱伝導率（９００〜２３２０Ｗ・ｍ−１・Ｋ−１）、また、広いバンドギャップや高光分散性である。ダイヤモンドの熱伝導率は、他のどの既知材料よりも遥かに高く、ダイヤモンド薄膜基板の選択は、（１）電子デバイスの小型化、（２）高輝度発光ダイオード（ＬＥＤ）、（３）レーザダイオード、（４）高出力（例えば、５００Ｗ／ｍｍ２）‐高周波デバイス、（５）高周波デバイス、（６）音響装置を含む用途における熱に関する課題に対し、最良であるといえる。ダイヤモンド層の用途として非常に適したものに、ＭＥＭＳ（微小電気機械システム）、ＮＥＭＳ（ナノ電気機械システム）、ダイヤモンドを使ったパワー電子デバイスがある。また、ダイヤモンドは、化学機械研磨（ＣＭＰ）工程においてパッドを調整したり、切削工具材料として利用したりすることができる。
【０００４】
電子機器などの用途でダイヤモンドの独特な性質を生かすには、ダイヤモンド表面は極めて平滑であることが望ましい。極めて平滑な表面は、摩擦を低減し、熱伝導率を高め、統合適合性を向上させるからである。一般に、性質の組み合わせによって用途は異なる。ダイヤモンドの用途が、例えば、電子部品実装用基板である場合、その非常に高い熱伝導率は効率的な放熱に、非常に高い電気抵抗は優れた電気的絶縁に、また、低透過性は環境からデバイスを保護するために活用されている。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかし、ダイヤモンド表面が極めて平滑であることが望ましいにもかかわらず、そのニーズは未だ満たされていない。当分野で周知のように、膜厚と膜の粒径にもよるが、低圧気相蒸着しただけのダイヤモンド膜は非常に粗く、通常少なくとも４ｎｍから最大で数百μｍの平均表面粗さを有している。
【０００６】
従来のＣＭＰ法は、ダイヤモンド膜の研磨には概して向いていない。これは主に、ダイヤモンドが極端に硬く化学的に不活性であり、そのためダイヤモンドする標準的化学作用や粒子を使ったＣＭＰの除去速度は非常に低いか、実質的にはゼロとなってしまうからである。非化学機械研磨の方法がダイヤモンドの平坦化法として開示されておあり、（１）レーザー研磨、（２）イオンビーム研磨、（３）溶融塩を用いた研磨及び（４）ダイヤモンド‐ダイヤモンド研磨がふくまれる。これらの方法は、コスト効率が高くもなければ、工業レベルでの製造が可能でもない。また、これら工程では、平均表面粗さを半導体デバイス製造での使用に適したレベル、例えば、二乗平均平方根（ｒｍｓ）２０ｎｍ未満、まで低減できない。更に、化学添加物なしでダイヤモンド粒子を使用すると、表面下にダメージを与え、その上にエピタキシャル成長しても品質は低く、低熱伝導率となってしまう。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
開示される実施形態は、ダイヤモンド表面を加工して平滑なダイヤモンド表面を提供するための化学機械研磨（ＣＭＰ）法を含む。本明細書では、（ｉ）平均粒径が０．５μｍ超では１５ｎｍ未満の二乗平均平方根（ｒｍｓ）表面粗さ、平均粒径が５０ｎｍから０．５μｍの間では１０ｎｍ未満のｒｍｓ表面粗さ、及び、平均粒径が５０ｎｍ未満では５ｎｍ未満のｒｍｓ表面粗さを有し、（ｉｉ）研磨損傷指数（Ｐｏｌｉｓｈｉｎｇ Ｄａｍａｇｅ Ｉｎｄｅｘ：ＰＤＩ）が１０９／ｃｍ２未満であるものを平滑なダイヤモンド表面と定義する。
【０００８】
平滑なダイヤモンド表面は、厚さ１０ｎｍ〜２００μｍの範囲のダイヤモンド膜／層上に設けられてもよく、２００μｍを超える厚さの単結晶ダイヤモンドのバルク材上に設けられてもよい。本明細書で使用されるダイヤモンド材料は、厚さが２０μｍ未満であれば薄膜の形態であり、厚さが２０μｍから２００μｍの間であれば厚膜の形態をしている。
【０００９】
また、ダイヤモンド表面は、複合材料の形態であってもよく、例えば、金属、セラミック又はポリマ母材の表面上の粒径が０．２μｍを超えるダイヤモンド粒子であってもよい。この場合、ダイヤモンド粒子は母材表面から突出してもよい。かかる結晶系は、ＣＭＰプロセス用のパッドコンディショナーとして使用できる。複合材の別の例として、金属、セラミック又はポリマ中にダイヤモンド粒子が埋め込まれた混合物がある。例えば、ダイヤモンド‐コバルト、ダイヤモンド‐炭化タングステン（ＷＣ）、ダイヤモンド‐炭化ケイ素などの複合材があるが、これに限定されない。ダイヤモンド粒子の平均粒径は、０．２μｍより大きくてもよい。
【００１０】
ＣＭＰの際、膜、バルク又は複合材のいずれかの形態のダイヤモンドの表面が、通常、ダイヤモンド表面に対して研磨パッドを回転又は移動させながらダイヤモンド表面と研磨パッドとの間にスラリーを介在した状態で研磨パッドに押圧され、平滑なダイヤモンド表面が形成される。研磨パッドは、金属、セラミック、樹脂を含む軟質ポリマ、又は、これらの材料の複合混合物からなるものとすることができる。一実施形態において、研磨パッドは、それぞれ９９未満のショアＤ硬さを有する柔らかい布、又はウールパッド、又は軟質ポリマパッドとすることができる。
【００１１】
スラリーは、複数のスラリー粒子を含み、これら粒子は、ダイヤモンドより軟質であるか、少なくとも外表面がダイヤモンドより軟質であるか（例えば、表面がより軟質なもので覆われたダイヤモンド粒子）、あるいは、平均粒径が２μｍ未満のダイヤモンド粒子とすることができる。また、スラリーは、少なくとも１種類の酸化剤と、少なくとも１種類の酸又は溶剤とを含み、そのｐＨは３以下又は１１以上である。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１】図１は、例示的実施形態に係る、平滑なダイヤモンド表面を形成するためのダイヤモンド表面のＣＭＰ方法の一例のステップを示すフローチャートである。
【図２】図２は、例示的実施形態に係る、基板と、基板上にあって平滑なダイヤモンド表面を有するダイヤモンド層と、その平滑なダイヤモンド表面上のダイヤモンド又は半導体層とを備えた形成物を示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
開示される実施形態を、添付の図面を参照しながら説明する。各図面において、同様の参照番号は類似又は同等の要素を示している。図面は縮尺通りに描かれているわけではなく、開示される実施形態を単に説明するために提供されるものである。幾つかの態様を、例示した実施適用例を参照して以下に説明する。数々の具体的詳細、関係性及び方法は、開示される実施形態が十分に理解されるために記載されていることを理解されたい。しかし当業者は、開示される実施形態が１つ以上の具体的詳細を使用せずに、または他の方法を使用して実施されうることを容易に認識するであろう。また、周知の構造又は動作は、開示される実施形態が不明瞭にならないようにその詳細を示していない。開示される実施形態は、いくつかの行為又は事象が異なる順序で及び／又は他の行為もしくは事象と同時に生じうることから、例示される行為又は事象の順序によって限定されない。更に、例示された全ての行為又は事象が、開示される実施形態よる方法を実行するために必要とされるわけではない。
【００１４】
開示される実施形態は、ダイヤモンド表面を研磨して平滑なダイヤモンド表面を形成するための、ＣＭＰをベースとした方法／プロセスを含む。実施形態は、ダイヤモンド単結晶基板、又は、超ナノ結晶ダイヤモンド（Ｓｕｐｅｒ‐Ｎａｎｏｃｒｙｓｔａｌｌｉｎｅ Ｄｉａｍｏｎｄ：ＳＮＤＣ、即ち、平均粒径が１０ｎｍ未満のもの）、ナノ結晶ダイヤモンド粒径のもの（即ち、平均粒径が１０〜２５０ｎｍのもの）、微結晶ダイヤモンド（即ち、平均粒径が２５０ｎｍ〜２５０μｍのもの）を含むダイヤモンド膜、又は、単結晶ダイヤモンド膜（粒径が２５０μｍを超えるもの）において、平滑なダイヤモンド表面を形成するために適用することができる。粒質は、ランダムでも、テクスチャード加工されていても、単一配向した単結晶であってもよい。開示されるＣＭＰ研磨により研磨したダイヤモンド表面の二乗平均平方根（ｒｍｓ）表面粗さの典型的な初期（ＣＭＰ前）平均値は、少なくとも５ｎｍから２０ｎｍ〜数ミクロンであり、初期においては粒径が小さいものよりも粒径が大きいものの方が多少粗い傾向にある。
【００１５】
表面を研磨するダイヤモンドは、厚さが１０ｎｍ〜２００μｍの範囲の層／膜、又は厚さが２００μｍを超えるバルク材のいずれかの形態とすることができる。ダイヤモンド表面は、厚さが１８μｍ未満である場合は薄膜形態のものであり、か、厚さが２０μｍ〜２００μｍの間である場合は厚膜形態のものである。単結晶ダイヤモンド材料は、（１００）、（１１１）、（１１０）を含む方位に配向しても、その他の結晶方位に配向してもよい。単結晶材料は、初期の表面粗さが比較的低いが、材料を機械的に研磨することにより生じる大きな初期ダメージを表面下に含んでいてもよい。
【００１６】
ダイヤモンド表面は、複合材料の形態、例えば、金属母材の表面上の粒径が０．２μｍを超えるダイヤモンド粒子であってもよい。この場合、ダイヤモンド粒子は表面から突出してもよい。かかる結晶系は、ＣＭＰプロセス用のパッドコンディショナーとして使用できる。開示される複合材の別の例として、金属、セラミック又はポリマ中にダイヤモンド粒子が埋め込まれた混合物がある。例えば、ダイヤモンド‐コバルト、ダイヤモンド‐炭化タングステン（ＷＣ）、ダイヤモンド‐炭化ケイ素があるが、これに限定されない。
【００１７】
開示される実施形態は、ダイヤモンド表面を加工して平滑なダイヤモンド表面を提供するためのＣＭＰ法を含む。上述したように、ダイヤモンド表面は、薄膜、厚膜、多結晶、単結晶バルク材又は複合材の形態のものとすることができる。ダイヤモンドの表面は、ダイヤモンド表面を研磨するためにダイヤモンド表面に対して研磨パッドを、又はその逆で、回転させながら、又は両者を同時に回転させながらダイヤモンド表面と研磨パッドとの間に粒子と酸化剤を含むスラリーを介在した状態で、金属、セラミック又はポリマ研磨パッドに押圧される。少なくともスラリー粒子の外表面と研磨パッドの両者を、ダイヤモンドより軟質とすることができる。また、上述したように、粒子は、平均粒径が２μｍ未満の未被覆ダイヤモンド粒子とすることもできる。
【００１８】
開示される方法によりもたらされる予期せぬ結果の１つに、少なくとも外表面がダイヤモンド表面より軟質である粒子又は平均粒径が２μｍ未満のダイヤモンド粒子であるスラリー粒子を使用したＣＭＰでのダイヤモンド除去速度が高かった（例えば、２０ｎｍ／ｈｒ以上）ことがある。被覆ダイヤモンド粒子は、他の粒子と混合することができる。非ダイヤモンド粒子の例としては、アルミナ、炭化ケイ素、シリカ、サファイア、石英、他の酸化物、及び窒化物がある。
【００１９】
ダイヤモンドよりも軟質な材料、又は、ダイヤモンドより表面が軟質な被覆ダイヤモンド粒子、又は、平均粒径が２μｍ未満のダイヤモンド粒子がダイヤモンド表面を研磨する、という予期しない能力は、酸化剤がＣＭＰ中に触媒分解してその場で反応種を生成するという、開示される研磨工程の触媒性質によるものと考えられる。本明細書に開示されるような酸化剤と酸又は溶剤を含有する被覆ダイヤモンド粒子スラリーを用いた場合のダイヤモンド表面の研磨速度が、同様のダイヤモンド粒子を使用する場合よりも高くなることは、ＣＭＰ中の酸化剤の触媒分解にも起因しうる。
【００２０】
図１は、例示的実施形態に係る、平滑なダイヤモンド表面を形成するためのダイヤモンド表面の化学機械研磨（ＣＭＰ）の方法例１００を示すフローチャートである。ステップ１０１は、少なくとも外表面がダイヤモンド表面よりも軟質である粒子又は平均粒径が２μｍ未満のダイヤモンド粒子からなる複数の粒子と、少なくとも１種類の酸化剤と、少なくとも１種類の酸又は溶剤とを含むスラリーを準備することを含む。スラリーは、ｐＨが５以下又は１１以上である。通常このｐＨは、１．５〜３、又は、１１〜１３である。
【００２１】
スラリー粒子の平均粒径は、５００μｍ以下とすることができる。スラリー粒子は、アルミナ、チタニア又はシリカ粒子とすることができる。スラリー粒子は、被覆ダイヤモンド粒子、又は、シリカ、アルミナ、炭化ホウ素（ＢＣ）、窒化ホウ素（ＢＮ）などのダイヤモンドより軟質な粒子、又は、これら粒子の混合物からなるものとすることができる。
【００２２】
化学添加物の存在下で、被覆ダイヤモンド粒子を含むスラリーで行う研磨は、スクラッチ傷などの形態の表面損傷や、ダイヤモンド研磨面の表面より下に表面下損傷を与えてしまう可能性がある。表面損傷は、スクラッチ傷、及び、転位、積層欠陥、表面ピットなどその他の微細構造欠陥という形で現れ、ＣＭＰプロセス自体によって引き起こされる。かかる欠陥は、上面から０．５μｍ〜５μｍに位置する傾向がある。したがって、研磨することにより、表面近傍領域（５μｍまで）における欠陥密度が、バルク状態の材料よりも高くなってしまう。これら欠陥を無くすということは、表面下損傷を除去することを意味する。かかる表面下損傷は、粒度の大きい（粒径：０．５μｍ〜数ｍｍ）多結晶又は単結晶ダイヤモンド材料には重要な問題である。これら欠陥を排除又は実質的に低減するために、スラリーに、ダイヤモンドより軟質な粒子又は外表面がダイヤモンドより軟質相の材料で被覆されたダイヤモンド粒子を含ませることができる。
【００２３】
研磨ダメージを定量化するものとして、本明細書では研磨損傷指数（ＰＤＩ）を用いる。ＰＤＩは、以下の式によって定義される。
ＰＤＩ＝Ａ-Ｂ  ・・・（単位：／ｃｍ２）
ここで、Ａは、研磨されたダイヤモンド表面から上部「ｙ」μｍの厚さにおける欠陥（転位、スクラッチ傷、ピット、積層欠陥など）の推定平均表面密度であり、Ｂは、ダイヤモンド層の表面から距離「ｙ」μｍにおける推定平均表面欠陥密度である。距離「ｙ」部分は、ダイヤモンドの厚さが３μｍ以上の場合に通常「２」μｍであり、ダイヤモンド層の厚さが３μｍ未満の場合に通常ダイヤモンド膜の厚さの半分である。このように、ＰＤＩの値により、研磨工程によって形成された欠陥の数に関する情報が得られる。これら欠陥は、標準的な材料の表面／表面下特性化技術、例えば、以下に限定はされるものではないが、光学顕微鏡法、偏光を用いた光学顕微鏡法、原子間力顕微鏡法（ＡＦＭ）、走査電子顕微鏡法（ＳＥＭ）、透過電子顕微鏡法（ＴＥＭ）、カソードルミネッセンスなどによって表面を評価することで測定することができる。個々の欠陥は、それぞれ、この測定で数値的にカウントされる。
【００２４】
開示される方法で得られるＰＤＩの値は、通常、１０９／ｃｍ２未満であり、例えば、１０５／ｃｍ２未満である。ＰＤＩ値が１０６／ｃｍ２未満であれば、従来のダイヤモンド研磨方法によって得られた結果よりも実質的に表面及び表面下の損傷が少ないことを意味する。開示される特定の研磨条件下では、ＰＤＩ値を、１０２／ｃｍ２未満も含む１０３／ｃｍ２未満とすることができる。
【００２５】
一般に、全ての材料がダイヤモンドより軟質であると考えられる。軟質材料の例としては、シリカ、アルミナ、ジルコニア、窒化ケイ素、炭化ケイ素、炭化ホウ素、窒化ホウ素又は他の窒化物、炭化物類、酸化物類、及びそれらの混合物及び化合物が挙げられる。スラリー中の粒子の濃度は、０．０１重量％から８０重量％まで変化させることができる。非ダイヤモンド粒子の大きさは、２ｎｍから５００μｍまで変化させることができる。上述したように、混合粒子は、被覆ダイヤモンド粒子と非ダイヤモンド粒子の混合物とすることができる。粒子は、平均粒径２μｍ未満のダイヤモンド粒子からなるものとすることもできる。
【００２６】
上述したように被覆ダイヤモンド粒子でダイヤモンド膜及びダイヤモンドバルク材を研磨する場合、ダイヤモンド粒子は、不溶性の化合物（スラリーに溶けない）、界面活性剤又はその他の添加剤で被覆することができる。被覆粒子は、表面下損傷の減少を補助してＰＤＩを減少させ、スラリー中の粒子分散を高めることができる。被覆ダイヤモンド粒子やダイヤモンドより軟質な他の粒子の場合、粒径は２ｎｍ〜５００μｍの範囲とすることができ、粒子濃度は０．１重量％〜８０重量％の範囲とすることができる。被覆厚さは、０．５ｎｍ〜１００μｍの間で変化させることができる。被覆は、連続的であっても不連続的であってもよい。不連続被覆の場合、表面積被覆率は一般に１％より大きく、通常は１０％より大きい。
【００２７】
酸化剤としては、過化合物が挙げられるが、酸化状態が少なくとも３である遷移金属からなるものとすることもできる。過酸化系化合物は、酸化状態が最も高い元素を含む化合物である。過酸化系酸化剤化合物の一部としては、過マンガン酸塩などの遷移金属元素や、過塩素酸塩などの非遷移元素がある。また、スラリーは、３Ｍ未満の濃度の遷移金属イオン、ＥＤＴＡなどのキレート剤、アゾールなどの腐食防止剤、及びアミンを含むことができる。遷移金属元素系の酸化剤としては、例えば、セリウム、マンガン、クロム、チタン、鉄、コバルト、銅、亜鉛、ニッケル及びバナジウムが挙げられるが、これに限定されない。
【００２８】
過化合物の酸化剤としては、例えば、過マンガン酸カリウム（ＫＭｎＯ４）、過マンガン酸ナトリウム（ＮａＭｎＯ４）、過塩素酸カリウム（ＫＣｌＯ４）、過ヨウ素酸カリウム（ＫＩＯ４）、過臭素酸カリウム（ＫＢｒＯ４）、過酸化カリウム（Ｋ２Ｏ２）、過ホウ酸カリウム（ＫＢＯ３）、ペルオキソクロム酸カリウム（Ｋ３ＣｒＯ８）、ペルオキソ二炭酸カリウム（Ｋ２Ｃ２Ｏ６）、ペルオキソ二硫酸カリウム（Ｋ２Ｓ２Ｏ８）、過レニウム酸カリウム（ＫＲｅＯ４）、ペルオキシ一硫酸カリウム（ＫＨＳＯ５）、オルト過ヨウ素酸カリウム（Ｋ５ＩＯ５）及びペルオキソ一硫酸（又はペルオキシモノ硫酸）カリウム（Ｋ２ＳＯ５）が挙げられる。過マンガン酸塩中のマンガンの酸化状態は＋７であり、マンガンとしては最も高い酸化状態にある。同様に、塩素酸塩中の塩素の酸化状態は＋７であり、最も高い酸化状態にある。遷移金属又は過酸化系化合物の酸化状態は、少なくとも＋３であり、それより高くできる。酸化状態が＋３以上の遷移金属としては、例えば、Ｖ３＋、４＋、５＋、Ｔｉ３＋、４＋、Ｃｒ３＋、６＋、Ｍｎ＋３＋、４＋、７＋、Ｆｅ３＋、Ｎｉ３＋、Ｃｏ３＋、Ｍｏ３＋、４＋、５＋、６＋、Ｒｕ３＋、４＋、Ｐｄ４＋、Ｔａ４＋、５＋、Ｗ６＋、Ｒｅ４＋、６＋、７＋、Ａｕ３＋及びＺｒ４＋がある。酸化剤の混合物を使用することもできる。酸化剤の濃度は、０．００１重量％から高温（例えば、７０℃）での酸化剤の最大溶解度まで変化させることができる。
【００２９】
スラリーは、塩類及び／又は界面活性剤又は界面活性ポリマを任意で含むことができる。界面活性剤はイオン性であっても非イオン性であってもよく、また、表面活性ポリマは、通常５００ダルトンを超える分子量を有している。開示される平滑なダイヤモンド表面を達成するにあたり、界面活性剤とポリマを様々な形で役立てることができる。一実施形態においては、ダイヤモンド粒子を含む粒子の表面上に界面活性剤又はポリマを吸着させることで、研磨工程における摩擦を低減し、ダイヤモンド膜の壊滅的剥離の可能性を低くする。更に、ダイヤモンドの表面上に界面活性剤又はポリマが吸着することにより、研磨されたダイヤモンド表面の最終的な平滑性が高くなる。最後に、界面活性剤又はポリマは、スラリー中の粒子の安定性を高めるため、研磨工程をより均一に行うことができる。
【００３０】
また、開示されるスラリーには、様々な界面活性剤を添加することができる。界面活性剤は、カチオン性でも、アニオン性でも、両性イオン性でも、非イオン性であってもよい。界面活性剤は、単独又は混合物として使用することができる。本発明で使用できる界面活性剤の一覧としては、Ｍｉｌｔｏｎ Ｊ. Ｒｏｓｅｎの「Ｓｕｒｆａｃｔａｎｔｓ ａｎｄ ＩｎｔｅｒｆａｃｉａｌＰｈｅｎｏｍｅｎａ（界面活性剤と界面現象）」（以下Ｒｏｓｅｎとする）、１９８９年Ｊｏｈｎ Ｗｉｌｅｙ ＆ Ｓｏｎｓ社発行、３〜３２、５２〜５４、７０〜８０、１２２〜１３２及び３９８〜４０１ページを参照されたい。界面活性剤の濃度は、その臨界ミセル濃度（ＣＭＣ）の０．００１倍からＣＭＣの１００倍までの間で変更することができる。
【００３１】
また、スラリーは、塩類、殺生物剤、ｐＨ安定剤、及び、アルカリ及び遷移金属を含む様々な元素の水溶性イオンなどの他の添加剤を含んでもよい。例えば、塩類は、ＫＩ、ＫＢｒ、ＫＣＯ３、ＫＣｌ、ＮＨ４Ｉ又はＮＨ４Ｃｌとすることができる。塩分濃度は、０．００１Ｍ〜５Ｍの範囲とすることができる。
【００３２】
ステップ１０２では、金属、金属セラミック複合材料、金属ポリマ複合材料、金属含浸ダイヤモンド粒子からなるパッド、柔らかい布、ウールパッド又はポリマ研磨パッドで、ダイヤモンド表面に対してパッドを回転させながらスラリーを間に介してダイヤモンド表面を押圧することで、平滑なダイヤモンド表面を形成する。パッドのショアＤ硬さは、９９未満である。
【００３３】
ダイヤモンド膜の厚さが２０μｍ未満（ダイヤモンド薄膜）である場合、例えば、１８μｍである場合、研磨工程中に基板からのダイヤモンド薄膜剥離が更に頻繁に発生しうる。一般に、この場合にはどの研磨パッドを使用してもよいが、布、ウール又は樹脂パッド、あるいは、ショアＤ硬さが９９を超えない、通常９０未満の軟質ポリマパッドを使用すると剥離が低減される。ポリマパッドは、ポリウレタン系化合物又は他の架橋ポリマからなるものとすることができる。また、パッドは、これら材料の複合材とすることもできる。ダイヤモンド薄膜の剥離現象を更に低減するために、界面活性剤をスラリーに添加し、軟質ポリマ、ウール、布又は樹脂系研磨パッドを使用することができる。かかる研磨パッドは、ダイヤモンド粒子などの粒子に含浸されていても含浸されていなくてもよい。
【００３４】
パッド圧は０．５ｐｓｉから５００ｐｓｉ未満の範囲とすることができる。一部の実施形態では、使用される研磨圧は１０ｐｓｉ未満であり、例えば、１ｐｓｉ〜８ｐｓｉである。圧力がこの範囲の下限近くであるほど、除去速度は低くなる。この範囲の上限近くであるほど除去速度も高くなるが、この条件下では、ダイヤモンド膜が剥離する場合がある。線速度は、０.０５ｍ／ｓｅｃから１００ｍ／ｓｅｃの範囲とすることができる。線速度が低いほど、高速の場合（１ｍ／ｓｅｃ超）よりも除去速度が低くなる。一方、高線速度では、膜が剥離するか、パッドがより高い比率で侵食される可能性がある。ポリマパッドは粘弾性を有することから、低線速度であると、パッドが基板上のダイヤモンド膜の湾曲にあわせて変形する。研磨工程中の回転速度は、５ｒｐｍ〜５０００ｒｐｍの範囲とすることができる。ｒｐｍが高くなるほど除去速度が上がることが予想されるが、ｒｐｍが高くなるほど、パッドが湾曲した研磨面に沿って変形できなくなるか、非常に急速に侵食される可能性がある。ＣＭＰは、通常、７０℃以下の温度、例えば、４０℃以下（２０〜３０℃（室温）の温度範囲など）で行われる。また、ＣＭＰの際に、赤外線から紫外線の波長範囲の放射線をダイヤモンド表面に照射することもできる。
【００３５】
上述したように、研磨パッドは、柔らかい布やウールパッド、あるいは、ショアＤ硬さが９９未満であって通常９０未満の軟質ポリマパッドとすることができる。任意で、ダイヤモンド基板表面に接触する層のショアＤ硬さが接触していないポリマ層よりも少なくとも１０高くなるような、２層以上の層からなるパッドとすることもできる。ポリマパッドの厚さは、少なくとも０．０５ｍｍ、最大で約２０ｍｍとすることができる。
【００３６】
研磨パッドは、金属からなるものとすることができる。本実施形態では、金属パッドは、一般に、ヌープ硬度が５０ｋｇ／ｍｍ２〜１５００ｋｇ／ｍｍ２の範囲であれば、どんな金属からなってもよい。金属パッドとしては、金属面が、例えば、錫、銅、鉄、スチール、黄銅などであるものが挙げられる。セラミックパッドとしては、例えば、アルミナ、チタニア、ジルコニア、炭化物類、窒化ケイ素及びその他の窒化物挙げられる。任意で、金属、セラミック又はポリマパッドに、硬さがダイヤモンド（ヌープ硬度：１０，０００ｋｇ／ｍｍ２）から軟質金属又はセラミックの粒子（１００ｋｇ／ｍｍ２よりも高い硬度）の範囲にある粒子を含浸させてもよい。任意で、上述した粒子を含浸した又はしていない樹脂接着パッドを用いてもよい。研磨パッドに含浸された粒子は、パッドの研磨性を高めることができ、よって、スラリーの除去速度を上げることができる。樹脂接着パッドは、銅、錫、アンチモン等の金属又はセラミック粉末含むことができる。金属パッドは、黄銅、鋳鉄、錫、銅などの単相の金属又は合金、及び合金又は複合材料からなるものとすることができる。
【００３７】
いくつかの実施形態では、研磨パッドは軟質の多孔性ポリマからなる。例えば、軟質ポリマ研磨パッドの材料は、ポリエチレンのように、０．８ｇ／ｃｍ３未満の密度又は９０未満のショアＤ硬さを持つことができる。軟質ポリマパッドとしては、例えば、Ｃａｂｏｔ Ｍｉｃｒｏｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ社製（イリノイ州Ａｕｒｏｒａ）のパッドであるＤ１００（登録商標）、Ｒｏｄｅｌ社製（アリゾナ州Ｐｈｏｅｎｉｘ）のパッドであるＳＵＢＡ４（登録商標）及びＩＣ１０００（登録商標）がある。ＳＵＢＡTM４パッドは、ポリウレタン含浸ポリエステルフェルトのパッドであり、ＩＣ１０００TMパッドは、ポリウレタンハードトップの穿孔研磨パッドである。ダイヤモンドの薄膜又は厚膜や多結晶又は単結晶ダイヤモンドのバルク材又は複合ダイヤモンド材料を研磨する際には、本明細書で９９未満のショアＤ硬さを有するものとして定義される軟質パッド（ウール、布、樹脂又はポリマ）、粒径が２ｎｍ〜５００μｍの範囲のダイヤモンド粒子又は被覆ダイヤモンド粒子又は混合粒子（ダイヤモンドとその他の粒子）を用いることができる。
【００３８】
上述するように、本明細書に開示されるＣＭＰ法は、ダイヤモンドの除去速度を上げる反応種を生成する酸化剤の触媒分解がその場（in-situ）でおこることに基づいていてもよい。触媒作用を更に高めるために、室温を超える温度（例えば、３５〜９０℃）、ＣＭＰプロセス中の摩擦作用、不溶性化合物と遷移金属元素の存在、遷移金属の不溶性元素又は化合物によるスラリー粒子の表面の被覆、可溶性遷移金属イオンの存在、研磨中の摩擦の増加、酸化剤の分解の結果として研磨中に起こる不溶性遷移金属化合物の形成、遷移金属酸化物又は不溶性化合物による研磨パッドの表面の被覆、又は、放射出力を紫外線から赤外線の波長範囲内で変化させることができる光学ランプを使った研磨工程の照射を用いることができる。
【００３９】
触媒作用は、研磨工程自体の間に起こる局所的な温度上昇により促進させることができる。別の実施形態では、温度は、高温のスラリー、ランプを使用したパッド及び研磨装置の加熱又は抵抗加熱源など、外部熱源を設けることにより上昇させることができる。触媒作用は、研磨工程中における水溶性イオン（例えば、マンガン、亜鉛、クロム、鉄、コバルト、銅の遷移金属イオン）、不溶性軟質表面組成物（例えば、遷移金属（Ｍｎ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｃｏ、Ｆｅ、Ｎｉ）の酸化物、窒化物、塩化物、硫酸塩、硝酸塩、炭酸塩（例えば、ＭｎＯ２、ＭｎＣｌ３、ＴｉＯ２、ＣｕＯ）又は遷移金属（Ｆｅ、Ｍｎ、Ｚｎ、Ｃｏ、Ａｇ）の存在によっても促進させることができる。
【００４０】
ダイヤモンド膜の厚さが２０μｍ未満である（ダイヤモンド薄膜と定義される）場合、例えば、１５μｍの場合、基板から膜が剥離する問題がより頻繁に発生する。この場合、スラリー中の粒子は、あらゆる粒径や硬度、組成、濃度で使用できる。しかし、一実施形態では、スラリーは、そのｐＨが３未満、例えば、１．５〜３となるように、複数の非ダイヤモンド粒子（硬度が１００ｋｇ／ｍｍ２〜１０００ｋｇ／ｍｍ２、粒径が２ｎｍ〜５００μｍ、濃度が０．０１重量％〜８０重量％）、及び／又は、粒径が２μｍ未満に限定されたダイヤモンド粒子、過化合物又は遷移金属元素を含有する酸化剤、及び、酸を含む。
【００４１】
各種基板上に成長されるダイヤモンド膜は、基板に相当な湾曲を引き起こすことが予想される。この湾曲は、固有の成長と、ダイヤモンド膜を含む基板に湾曲を引き起こしうる熱的不整合応力により生じる。ダイヤモンド膜を含む基板をウェハ全面にわたって確実に均一に研磨するために、ショアＤ硬さが９９未満のポリマパッドや、厚さが１μｍ〜１０ｃｍの範囲にある複合パッドを使用することができる。バルク材と比べ、先に行われた又は機械研磨としての硬いダイヤモンドの研磨により、表面近傍領域（５μｍまで）の欠陥密度は料より高くなっている。これら欠陥の一部又は全体的低減は、表面下損傷の除去を意味する。表面近傍領域からスクラッチ傷や表面欠陥を一部又は完全に除去することは、表面下損傷の除去を意味する。
【００４２】
図２は、基板２０１と、基板２０１上にあって平滑なダイヤモンド表面２０３を有するダイヤモンド層２０２と、平滑なダイヤモンド表面２０３上のダイヤモンド又は半導体からなるキャップ層２０５とを備えた形成物２００の断面模式図である。複数の電子デバイス（例えば、トランジスタ）２０８が、キャップ層２０５内又は上に形成されている。基板２０１は、シリコン、ダイヤモンド、ＧａＮ、ＡｌＧａＮ又はＳｉＣをはじめとする様々な基板とすることができる。キャップ層２０５が半導体からなる場合、その半導体は、シリコン、ＧａＮ、ＡｌＧａＮ、ＳｉＣ又はＴｉＮを含む半導体とすることができる。一実施形態では、ダイヤモンド層２０２は、コバルト‐ダイヤモンド、ニッケル‐ダイヤモンド、又は、ニッケルや炭化タングステンなどの金属又はセラミックからなる母材から突出したダイヤモンド粒子からなる。別の実施形態では、基板２０１は、平滑なダイヤモンド表面２０３を有するダイヤモンド層２０２を含む単結晶ダイヤモンド基板からなる。
【００４３】
平滑なダイヤモンド表面２０３は、（ｉ）平均粒径が０．５μｍ超では１５ｎｍ未満のｒｍｓ表面粗さ、平均粒径が５０ｎｍから０．５μｍの間では１０ｎｍ未満のｒｍｓ表面粗さ、平均粒径が５０ｎｍ未満では５ｎｍ未満のｒｍｓ表面粗さを有し、（ｉｉ）研磨損傷指数（ＰＤＩ）が１０９／ｃｍ２未満である。平均粒径が１００ｎｍを超える一実施形態では、ＰＤＩが１０６／ｃｍ２未満であり、ｒｍｓ表面粗さが１ｎｍ未満である。
【００４４】
電子デバイス２０８は、ダイヤモンド層２０２の高い熱伝導率と、また、キャップ層２０５がダイヤモンド層からなり、動作中に電子デバイス２０８の発する熱の分散を補助する熱拡散機能を有する場合にはキャップ層２０５からの恩恵を受けることができる。別の実施形態では、ダイヤモンド層２０２は、複数のダイヤモンドアイランドを有するパターン層である。
【実施例】
【００４５】
開示される実施形態を、以下の具体的な実施例により更に説明するが、開示される実施形態の範囲又は内容は、これによりいかなる制限を受けるものではない。使用される温度は、全ての実施例において約２５℃であった。
【００４６】
実施例１：厚さが異なるダイヤモンド試料を、（ｉ）液体キャリア（例えば、水）と、遷移金属の過化合物である過マンガン酸カリウムからなる酸化剤を含むＣＭＰスラリー組成物で研磨した。実験は、ビュラー社製の研磨機ＥｃｏＭｅｔ４／ＡｕｔｏＭｅｔ２を使って行った。過マンガン酸カリウム酸化剤の濃度は０.４モルであり、粒径が約３００ｎｍの１０％アルミナ粒子を用いた。スラリーのｐＨを２とするため、硝酸（ＨＮＯ３）を加えた。研磨に用いた研磨パラメータは、圧力が１０ｐｓｉ、パッドの線速度が１ｍ／ｓｅｃ、パッドはポリウレタンからなるポリマパッドＩＣ１０００であった。
【表１】
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【００４７】
実施例２：結晶子サイズの異なるダイヤモンド試料を、（ｉ）液体キャリア（例えば、水）と、過化合物である過マンガン酸カリウム又は過硫酸カリウムからなる酸化剤を含むＣＭＰスラリー組成物で研磨した。実験は、ビュラー社製の研磨機ＥｃｏＭｅｔ４／ＡｕｔｏＭｅｔ２を使って行った。酸化剤の濃度は１リットルあたり０.４モルであり、粒径が３００ｎｍの１０％アルミナ粒子又は濃度２％の０．２５μｍ径ダイヤモンド粒子又はこの２つの混合物を用いた。スラリーのｐＨを２に調節するため、硝酸を用いた。研磨に用いた研磨パラメータは、圧力が１０ｐｓｉ、パッドの線速度が１ｍ／ｓｅｃ、パッドはＣａｂｏｔ Ｄ１００であった。研磨は２００分間行った。
【表２】
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【００４８】
実施例３：１ｃｍ×１ｃｍの微晶質ダイヤモンド試料を、（ｉ）液体キャリア（例えば、水）と、過化合物である過硫酸カリウムからなる酸化剤を含むＣＭＰスラリー組成物で研磨した。実験は、ビュラー社製の研磨機ＥｃｏＭｅｔ４／ＡｕｔｏＭｅｔ２を使って行った。酸化剤の濃度は０.４モルであり、粒子は０．２５μｍ径ダイヤモンド粒子が２％であった。スラリーのｐＨを２とするため、硝酸を用いた。研磨に用いた研磨パラメータは、圧力が１０ｐｓｉ、パッドの線速度が１ｍ／ｓｅｃであり、以下に示す異なるパッドを使った。研磨は６０分間行った。
【表３】
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【００４９】
実施例４：１ｃｍ×１ｃｍの多結晶ダイヤモンド試料を、（ｉ）液体キャリア（例えば、水）と、以下の表に示す過化合物から選んだ酸化剤を含むＣＭＰスラリー組成物で研磨した。実験は、ビュラー社製の研磨機ＥｃｏＭｅｔ４／ＡｕｔｏＭｅｔ２を使って行った。１リットルあたり０.４モルの濃度の異なる酸化剤と平均粒径が１／４μｍのダイヤモンド粒子２％が、研磨用スラリーに用いられた。スラリーのｐＨを２に変更するため、硝酸を用いた。研磨に用いた研磨パラメータは、圧力が１０ｐｓｉ、パッドの線速度が１ｍ／ｓｅｃであり、パッドはＩＣ１０００であった。研磨は６０分間行った。
【表４】
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【００５０】
実施例５：１ｃｍ×１ｃｍの多結晶ダイヤモンド試料を、（ｉ）液体キャリア（例えば、水）と、過化合物である過硫酸カリウムの酸化剤を含むＣＭＰスラリー組成物で研磨した。実験は、ビュラー社製の研磨機ＥｃｏＭｅｔ４／ＡｕｔｏＭｅｔ２を使って行った。酸化剤の濃度は１リットルあたり０.２モルであり、以下の表に記載される異なるスラリー粒子を用いた。スラリーのｐＨを２に変更するため、硝酸を用いた。研磨に用いた研磨パラメータは、圧力が１０ｐｓｉ、パッドの線速度が１ｍ／ｓｅｃであり、パッドはＩＣ１０００であった。研磨は６０分間行った。
【表５】
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【００５１】
実施例６：１ｃｍ×１ｃｍの多結晶ダイヤモンド試料に、（ｉ）液体キャリア（例えば、水）と、過化合物である過硫酸塩の酸化剤を含むＣＭＰスラリー組成物を接触させた。実験は、ビュラー社製の研磨機ＥｃｏＭｅｔ４／ＡｕｔｏＭｅｔ２を使って行った。酸化剤の濃度は１リットルあたり０.２モルであり、以下の表に記載される遷移金属酸化物（ＭｎＯ２）で被覆された様々な粒子を使用した。研磨に用いた研磨パラメータは、圧力が１０ｐｓｉ、パッドの線速度が１ｍ／ｓｅｃであり、パッドはＩＣ１０００であった。研磨は６０分間行った。
【表６】
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【００５２】
実施例７：１ｃｍ×１ｃｍの多結晶ダイヤモンド試料を、（ｉ）液体キャリア（例えば、水）と、過化合物である過硫酸カリウム化合物の酸化剤を含むＣＭＰスラリー組成物で研磨した。実験は、ビュラー社製の研磨機ＥｃｏＭｅｔ４／ＡｕｔｏＭｅｔ２を使って行った。酸化剤の濃度は０.２モルであり、１μｍダイヤモンド粒子１％と以下の表に記載される異なる界面活性剤を用いた。研磨に用いた研磨パラメータは、圧力が１０ｐｓｉ、パッドの線速度が１ｍ／ｓｅｃであり、パッドはＩＣ１０００を用いた。研磨は６０分間行った。
【表７】
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【００５３】
実施例８：１ｃｍ×１ｃｍの多結晶ダイヤモンド試料を、（ｉ）液体キャリア（例えば、水）と、過化合物である過マンガン酸塩の酸化剤を含むＣＭＰスラリー組成物で研磨した。実験は、ビュラー社製の研磨機ＥｃｏＭｅｔ４／ＡｕｔｏＭｅｔ２を使って行った。酸化剤の濃度は０.２モルであり、１／４μｍのダイヤモンド粒子１％を用いた。研磨圧が５ｐｓｉ、パッドの線速度が１ｍ／ｓｅｃであり、Ｃａｂｏｔ Ｄ１００パッドを実験に用いた。研磨は、以下の表に示される異なるｐＨで６０分間行った。
【表８】
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【００５４】
実施例９：金属板（４インチを超える直径）から突出したダイヤモンド粒子を、（ｉ）液体キャリア（例えば、水）と、過化合物である過硫酸カリウムの酸化剤を含むＣＭＰスラリー組成物で研磨した。実験は、ビュラー社製の研磨機ＥｃｏＭｅｔ４／ＡｕｔｏＭｅｔ２を使って行った。酸化剤の濃度は０.２モルであり、１／４μｍのダイヤモンドスラリー粒子２１％を用いた。研磨圧が５ｐｓｉ、パッドの線速度が１ｍ／ｓｅｃであり、Ｃａｂｏｔ Ｄ１００パッドを用いた。研磨は、６０分間行った。金属板突出したダイヤモンド粒子の高さは、１０μｍから５００μｍの間であった。ダイヤモンド粒子の研磨速度は、１００ｎｍ／ｈｒであった。
【００５５】
本発明の種々の実施形態について説明してきたが、これらは例としてのみ与えられたのであって、限定されないことを理解されたい。開示される実施形態には、その開示される実施形態の精神又は範囲から逸脱することなく、本明細書の開示に従って様々な変更を行うことができる。従って、本発明の実施形態の範囲は、上記に明示した実施形態のいずれによっても制限されるべきではない。更に正確には、本発明の範囲は、以下の特許請求の範囲及びその均等物によって定義されるべきである。
【００５６】
本発明の実施形態を、１つ以上の実施形態を示して例示及び説明してきたが、本明細書及び添付の図面を読み理解することで、当業者が同等の変更や修正を行うであろう。また、特定の特徴が複数ある実施形態のうちの一つに関して開示されたが、このような特徴は、所定の又は特定の利用に関して所望される又は有利な他の形態の一つ以上の他の特徴と組み合わせてもよい。
【００５７】
本明細書に使用される専門用語は、特定の実施形態を説明するという目的のためのみであり、本発明の実施形態の限定は意図していない。本明細書に使用されるとき、単数形の「ａ」、「ａｎ」及び「ｔｈｅ」は、文脈が他に明確に指示しない限りは、複数形も含むことを意図する。更に、「含む（ｉｎｃｌｕｄｅ）」、「含んでいる（ｉｎｃｌｕｄｉｎｇ）」、「有している（ｈａｖｉｎｇ）」、「有する（ｈａｓ）」、「有する（ｗｉｔｈ）」又はそれらの変化形が発明の詳細な説明及び／又は請求項で使用されている範囲に関して、これらの用語は、用語「含んでいる（ｃｏｍｐｒｉｓｉｎｇ）」と同様な意味で包含的なものであることが意図されている。
【００５８】
他に規定されない限りは、本明細書に使用されるすべての用語（技術用語及び科学用語を含む）は、本発明の実施形態が属する当業者が一般的に理解するのと同じ意味を有する。一般的に使用される辞書に規定されるものなど、用語は、関連技術の文脈におけるそれらの意味と整合性がとれる意味を有すると解釈されるべきであること、及び本明細書にそのように明確に規定されない場合には、理想的又は非常に形式的な意味において解釈されることにはならない。
【符号の説明】
【００５９】
１００・・・方法例、１０１・・・ステップ、１０２・・・ステップ、２００・・・形成物、２０１・・・基板、２０２・・・ダイヤモンド層、２０３・・・平滑なダイヤモンド表面、２０５・・・キャップ層、２０８・・・電子デバイス
【図１】
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【図２】
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