(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
回路基板の製造方法であって、基板表面上に形成するソルダレジスト層とドライフィルムレジスト層との間に、２５０℃３０分静置下での重量変化が４．０％以下の液体状の有機物成分であって、動粘度が８０ｍｍ2／ｓ以上１２００００ｍｍ2／ｓ以下である液体状の有機物成分の層を形成することを含み、
前記液体状の有機物成分が、末端にフェニル基、メチル基、水素原子が導入されたシリコーンオイル、又は、ポリエーテルの有機基が側鎖に導入されたシリコーンオイルである、製造方法。
【請求項２】
下記の工程（１）〜（７）を含む回路基板の製造方法。
工程（１）：はんだ付け部が設けられた基板表面にソルダレジスト層を形成し、前記はんだ付け部が露出するようにはんだ付け用開口部を形成する工程。
工程（２）：前記ソルダレジスト層上に２５０℃３０分静置下での重量変化が４．０％以下の液体状の有機物成分であって、動粘度が８０ｍｍ2／ｓ以上１２００００ｍｍ2／ｓ以下である液体状の有機物成分の層を形成する工程であって、前記液体状の有機物成分が、末端にフェニル基、メチル基、水素原子が導入されたシリコーンオイル、又は、ポリエーテルの有機基が側鎖に導入されたシリコーンオイルである、工程。
工程（３）：前記有機物成分の層上にドライフィルムレジスト層を形成する工程。
工程（４）：前記ドライフィルムレジスト層及び前記有機物成分の層に、前記はんだ付け部が露出するように、工程（１）の開口部と連通するはんだ付け用開口部を形成する工程。
工程（５）：前記はんだ付け用開口部にはんだバンプ形成材料を入れる工程。
工程（６）：加熱して前記はんだバンプ形成材料を溶融させて前記はんだ付け部にはんだバンプを固定させる工程。
工程（７）：前記ドライフィルムレジスト層を剥離する工程。
【請求項３】
下記の工程（１’）、（２’）、及び（５）〜（７）を含む回路基板の製造方法。
工程（１’）：はんだ付け部が設けられた基板表面にソルダレジスト層を形成し、前記ソルダレジスト層上に２５０℃３０分静置下での重量変化が４．０％以下の液体状の有機物成分であって、動粘度が８０ｍｍ2／ｓ以上１２００００ｍｍ2／ｓ以下である液体状の有機物成分の層を形成し、前記有機物成分の層上にドライフィルムレジスト層を形成する工程であって、前記液体状の有機物成分が、末端にフェニル基、メチル基、水素原子が導入されたシリコーンオイル、又は、ポリエーテルの有機基が側鎖に導入されたシリコーンオイルである、工程。工程（２’）：前記ソルダレジスト層、有機物成分の層、及びドライフィルムレジスト層に、前記はんだ付け部が露出するように、はんだ付け用開口部を形成する工程。
工程（５）：前記はんだ付け用開口部にはんだバンプ形成材料を入れる工程。
工程（６）：加熱して前記はんだバンプ形成材料を溶融させて前記はんだ付け部にはんだバンプを固定させる工程。
工程（７）：前記ドライフィルムレジスト層を剥離する工程。
【請求項４】
前記液体状の有機物成分がメチルフェニルシリコーンオイル、ジメチルシリコーンオイル及びＨＬＢが１１以上１７以下のポリエーテル変性シリコーンからなる群より選ばれる１種以上である、請求項１から３のいずれかに記載の製造方法。
【請求項５】
ドライフィルムレジスト層を剥離させる工程にアルカリ溶液を使う、請求項２から４のいずれかに記載の製造方法。
【請求項６】
前記有機物成分の層を形成する方法が、ソルダレジスト層表面に前記液体状の有機物成分を塗布する方法である、請求項１から５のいずれかに記載の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本開示は、回路基板の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、プリント配線板やセラミック基板への電子部品の実装に関しては、高密度化の要求が年々増しており、かかる要求を満たす方式としてベアチップ実装方式が注目されている。ベアチップ実装方式においては、チップと基板配線との電気的接続をワイヤボンディングを介して達成する従来のフェイスアップ実装に代わり、該電気的接続を金属バンプを介して達成するフェイスダウン実装が広く採用される傾向にある。金属バンプを介してフェイスダウン実装する、いわゆる金属バンプ法によると、電子部品間に低抵抗な接続を形成することが期待できる。
【０００３】
金属バンプを狭ピッチ化する方法として、特許文献１は、基板表面上のソルダレジスト層の上に、さらにドライフィルムレジストをラミネートし、電極パッドに開口部を設け、はんだペーストを供給し、リフロー後、ドライフィルムレジストを剥離する方法を開示する。
【０００４】
特許文献２は、ドライフィルムレジストの剥離を容易とするため、ドライフィルムレジストとしてネガ型感放射線性二層積層膜を使用することを開示する。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２０００−２０８９１１号公報
【特許文献２】特開２００５−２６６７９５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
金属バンプ法においては、バンプ形成のために用いたドライフィルムレジストの剥離される必要があるが、洗浄しても剥離残渣が残る場合、あるいは、洗浄により剥離残渣は残らないがソルダレジスト層表面が荒れてしまう場合がある。どちらの場合も、良好な電子部品実装を行うことが困難となってしまう。
【０００７】
そこで、本開示は、一態様において、リフロー後のドライフィルムレジストの剥離性を向上できる回路基板の製造方法を提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本開示は、一又は複数の実施形態において、基板表面上に形成するソルダレジスト層とドライフィルムレジスト層との間に、２５０℃３０分静置下での重量変化が４．０％以下の液体状の有機物成分であって、動粘度が８０ｍｍ2／ｓ以上１２００００ｍｍ2／ｓ以下である液体状の有機物成分の層を形成することを含む、回路基板の製造方法に関する。
【０００９】
本開示は、一又は複数の実施形態において、工程（１）〜（７）を含む回路基板の製造方法に関する。
工程（１）：はんだ付け部が設けられた基板表面にソルダレジスト層を形成し、前記はんだ付け部が露出するようにはんだ付け用開口部を形成する工程。
工程（２）：前記ソルダレジスト層上に２５０℃３０分静置下での重量変化が４．０％以下の液体状の有機物成分であって、動粘度が８０ｍｍ2／ｓ以上１２００００ｍｍ2／ｓ以下である液体状の有機物成分の層を形成する工程。
工程（３）：前記有機物成分の層上にドライフィルムレジスト層を形成する工程。
工程（４）：前記ドライフィルムレジスト層及び前記有機物成分の層に、前記はんだ付け部が露出するように、工程（１）の開口部と連通するはんだ付け用開口部を形成する工程。
工程（５）：前記はんだ付け用開口部にはんだバンプ形成材料を入れる工程。
工程（６）：加熱して前記はんだバンプ形成材料を溶融させて前記はんだ付け部にはんだバンプを固定させる工程。
工程（７）：前記ドライフィルムレジスト層を剥離する工程。
【００１０】
本開示は、一又は複数の実施形態において、下記の工程（１’）、（２’）、及び（５）〜（７）を含む回路基板の製造方法に関する。
工程（１’）：はんだ付け部が設けられた基板表面にソルダレジスト層を形成し、前記ソルダレジスト層上に２５０℃３０分静置下での重量変化が４．０％以下の液体状の有機物成分であって、動粘度が８０ｍｍ2／ｓ以上１２００００ｍｍ2／ｓ以下である液体状の有機物成分の層を形成し、前記有機物成分の層上にドライフィルムレジスト層を形成する工程。
工程（２’）：前記ソルダレジスト層、有機物成分の層、及びドライフィルムレジスト層に、前記はんだ付け部が露出するように、はんだ付け用開口部を形成する工程。
工程（５）：前記はんだ付け用開口部にはんだバンプ形成材料を入れる工程。
工程（６）：加熱して前記はんだバンプ形成材料を溶融させて前記はんだ付け部にはんだバンプを固定させる工程。
工程（７）：前記ドライフィルムレジスト層を剥離する工程。
【発明の効果】
【００１１】
本開示に係る回路基板の製造方法によれば、ドライフィルムレジスト等の樹脂マスク層（樹脂膜）を用いて回路基板のはんだ付け部（例えば、電極など）にはんだバンプを固定化する場合において、はんだバンプの加熱処理（リフロー）後のドライフィルムレジストの剥離性を向上できる、という効果が奏され得る。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１】本開示に係る回路基板の製造方法の一又は複数の実施形態を示す概略工程説明図である。
【図２】本開示に係る回路基板の製造方法の一又は複数の実施形態を示す概略工程説明図である。
【図３】ドライフィルムレジストを使用したはんだバンプ形成を含む回路基板の製造方法の一例を示す概略工程説明図である。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
特許文献１等で開示される、ドライフィルムレジストを使用したはんだバンプ形成を含む回路基板の製造方法の一実施形態は、例えば、図３に概略されるものである。図３（ａ）に示すように、まず、回路基板１０の表面にソルダレジスト層１（絶縁層）が形成され強固に固定される。ソルダレジスト層１には、電極部１１が露出するように開口部が形成される。ソルダレジスト層１の上にドライフィルムレジスト２が積層され、露光により電極部１１を覆う部分が除かれ、前記開口部と連通するように開口部７が形成される。或いは、ソルダレジスト層１とドライフィルムレジスト層２とを積層した後に電極部１１が露出するように開口部７を形成してもよい。ついで図３（ｂ）に示すように、回路基板１０の開口部７にはんだバンプ形成材料５を塗布する。或いは、はんだバンプ形成材料のかわりに、はんだボールを開口部７に配置してもよい。ついで、加熱（リフロー）して、図３（ｃ）に示すように、はんだを前記電極部１１の表面に析出させ、はんだバンプ６を形成する。そして、図３（ｄ）に示すようにドライフィルムレジスト層２を洗浄剤組成物で剥離して、はんだバンプ６が形成された回路基板１０を得る。なお、一又は複数の実施形態において、必要に応じて図３（ｅ）に示すようにはんだバンプ６のフラッタニングを行う。図３に概略されるはんだバンプ形成方法においては、図示していないが、はんだの濡れ性等を向上させるため、はんだフラックスが使用されることがある。
【００１４】
本開示は、ソルダレジスト層とドライフィルムレジスト層との間に、第３の層として所定の有機物成分の層を配置することで、ドライフィルムレジストの剥離性が向上する、という知見に基づく。つまり、該第３の層が配置されることにより、洗浄後のドライフィルムレジスト層の剥離残渣及び／又は洗浄後のソルダレジスト層の表面の荒れが、該第３の層がない場合と比べて、抑制されるという知見に基づく。
【００１５】
本開示の方法において、ドライフィルムレジスト層の剥離性が向上するメカニズムの詳細は明らかではないが、以下のように推測される。
すなわち、ソルダレジスト層とドライフィルムレジスト層とが直接積層され、さらに、フラックス成分が加えられた状態で加熱（リフロー）されると、フラックス成分とドライフィルムレジスト層とが高温で変質し、ソルダレジスト層への結合が強固になることが剥離性の悪化の原因であると考えられる。ソルダレジスト層とドライフィルムレジスト層との間に、第３の層として所定の有機物成分の層を配置すること、高温変質による強固な結合を抑制できるため、ドライフィルムレジストの剥離性が向上すると考えられる。但し、本開示はこのメカニズムに限定して解釈されなくてもよい。
【００１６】
［第３の層］
本開示に係る回路基板の製造方法は、一態様において、ソルダレジスト層とドライフィルムレジスト層との間に、第３の層として所定の有機物成分の層を配置することを含む。前記有機物成分の層は、ドライフィルムレジストの剥離性向上の観点から、液体状であり、好ましくは常温（２５℃）で液体状である。
【００１７】
［有機物成分］
第３の層を構成する前記有機物成分は、ドライフィルムレジストの剥離性向上の観点から、２５０℃３０分静置下での重量変化が４．０％以下であり、好ましくは３．５％以下、より好ましくは３．０％以下、更に好ましくは２．０％以下、更に好ましくは１．５％以下、さらにより好ましくは１．３％以下である。２５０℃３０分静置下での重量変化は、実施例に記載の方法で測定及び算出できる。
【００１８】
前記有機物成分は、一又は複数の実施形態において、２５℃における動粘度が、８０ｍｍ2／ｓ以上１２００００ｍｍ2／ｓ以下であり、ドライフィルムレジストの剥離性向上の観点から、好ましくは９０ｍｍ2／ｓ以上、より好ましくは１００ｍｍ2／ｓ以上である。同様の観点から、２５℃における動粘度は、好ましくは１０００００ｍｍ2／ｓ以下、より好ましくは１２０００ｍｍ2／ｓ以下、更に好ましくは１１０００ｍｍ2／ｓ以下、更により好ましくは１００００ｍｍ2／ｓ以下である。同様の観点から、２５℃における動粘度は、好ましくは８０ｍｍ2／ｓ以上１０００００ｍｍ2／ｓ以下、より好ましくは８０ｍｍ2／ｓ以上１２０００ｍｍ2／ｓ以下、更に好ましくは９０ｍｍ2／ｓ以上１１０００ｍｍ2／ｓ以下、より好ましくは１００ｍｍ2／ｓ以上１００００ｍｍ2／ｓ以下である。
【００１９】
前記有機物成分としては、一又は複数の実施形態において、ドライフィルムレジストの剥離性向上の観点から、好ましくはシリコーンオイル（ポリシロキサン）、及びＰＥＧ（ポリエチレングリコール）が挙げられる。前記シリコーンオイルとしては、ドライフィルムレジストの剥離性向上の観点から、好ましくは非反応性シリコーンオイルである。前記シリコーンオイルとしては、同様の観点から、末端にフェニル基、メチル基、水素原子が導入されたシリコーンオイル及びこれらの変性シリコーンオイルが好ましい。前記変性シリコーンオイルとしては、フェニル基、ポリエーテル基等の有機基が側鎖に導入されたシリコーンオイルがより好ましい。末端にフェニル基、メチル基、水素原子が導入されたシリコーンオイルとしては、メチルフェニルシリコーンオイル、ジフェニルシリコーンオイル、ジメチルシリコーンオイル、メチルハイドロジェンシリコーンオイル等が挙げられる。フェニル基、ポリエーテルの有機基が側鎖に導入されたシリコーンオイルとしては、フェニル変性シリコーン、ポリエーテル変性シリコーン等が挙げられる。
【００２０】
前記有機物成分は、一又は複数の実施形態において、ドライフィルムレジストの密着性向上の観点から、メチルフェニルシリコーンオイル、ジメチルシリコーンオイル及びポリエーテル変性シリコーンからなる群より選ばれる１種以上が好ましい。ドライフィルムレジストの密着性向上の観点から、ポリエーテル変性シリコーンのＨＬＢが、好ましくは８以上、より好ましくは１０以上、更に好ましくは１１以上、更により好ましくは１２以上である。同様の観点から、ＨＬＢが、好ましくは１８以下、より好ましくは１７以下、更に好ましくは１６以下である。同様の観点から、ＨＬＢが、好ましくは８以上１８以下、より好ましくは１０以上１８以下、更に好ましくは１１以上１７以下、更に好ましくは１２以上１６以下である。
【００２１】
［回路基板の製造方法］
本開示に係る回路基板の製造方法は、一態様において、基板表面上に形成するソルダレジスト層とドライフィルムレジスト層との間に、前記有機物成分の第３の層を形成することを含む。
【００２２】
本開示に係る回路基板の製造方法の一又は複数の実施形態を図１及び図２に基づいて説明する。図１は、本開示に係る回路基板の製造方法の一又は複数の実施形態を示す概略工程説明図である。図１と図２は、（ｂ）以外は同じである。図１（ａ）に示すように、まず、回路基板１０の表面にソルダレジスト層１（絶縁層）が形成され強固に固定される。ソルダレジスト層１には、電極部１１が露出するように開口部が形成される。ソルダレジスト層１の上に前記有機物成分の層３が形成され、さらにその上にドライフィルムレジスト層２が積層され、露光により電極部１１を覆う部分が除かれ、前記開口部と連通するように開口部７が形成される。或いは、ソルダレジスト層１と前記有機物成分の層３とドライフィルムレジスト層２とをこの順で積層した後に電極部１１が露出するように開口部７を形成してもよい。ついで図１（ｂ）に示すように、回路基板１０の開口部７にはんだバンプ形成材料５を塗布する。或いは、図２（ｂ）に示すように、はんだバンプ形成材料５のかわりに、はんだボール４を開口部７に配置してもよい。ついで、加熱（リフロー）して、図１（ｃ）に示すように、はんだを前記電極部１１の表面に析出させ、はんだバンプ６を形成する。そして、図１（ｄ）に示すようにドライフィルムレジスト層２を洗浄剤組成物で剥離して、はんだバンプ６が形成された回路基板１０を得る。なお、一又は複数の実施形態において、必要に応じて図３（ｅ）に示すように、前記有機物成分の層３の洗浄、及び、はんだバンプ６のフラッタニングを行う。図１及び２に概略されるはんだバンプ形成方法においては、図示していないが、はんだの濡れ性等を向上させるため、はんだフラックスを使用してもよい。
【００２３】
したがって、本開示に係る回路基板の製造方法は、一又は複数の実施形態において、下記の工程（１）〜（７）を含む回路基板の製造方法に関する。
工程（１）：はんだ付け部が設けられた基板表面にソルダレジスト層を形成し、前記はんだ付け部が露出するようにはんだ付け用開口部を形成する工程。
工程（２）：前記ソルダレジスト層上に２５０℃３０分静置下での重量変化が４．０％以下の液体状の有機物成分の層を形成する工程。
工程（３）：前記有機物成分の層上にドライフィルムレジスト層を形成する工程。
工程（４）：前記ドライフィルムレジスト層及び前記有機物成分の層に前記はんだ付け部が露出するように、工程（１）の開口部と連通するはんだ付け用開口部を形成する工程。
工程（５）：前記はんだ付け用開口部にはんだバンプ形成材料を入れる工程。
工程（６）：加熱して前記はんだバンプ形成材料を溶融させて前記はんだ付け部にはんだバンプを固定させる工程。
工程（７）：前記ドライフィルムレジスト層を剥離する工程。
【００２４】
本開示に係る回路基板の製造方法は、その他の一又は複数の実施形態において、下記の工程（１’）、（２’）、及び（５）〜（７）を含む回路基板の製造方法に関する。
工程（１’）：はんだ付け部が設けられた基板表面にソルダレジスト層を形成し、前記ソルダレジスト層上に２５０℃３０分静置下での重量変化が４．０％以下の液体状の有機物成分の層を形成し、前記有機物成分の層上にドライフィルムレジスト層を形成する工程。
工程（２’）：前記ソルダレジスト層、有機物成分の層、及びドライフィルムレジスト層に、前記はんだ付け部が露出するように、はんだ付け用開口部を形成する工程。
工程（５）：前記はんだ付け用開口部にはんだバンプ形成材料を入れる工程。
工程（６）：加熱して前記はんだバンプ形成材料を溶融させて前記はんだ付け部にはんだバンプを固定させる工程。
工程（７）：前記ドライフィルムレジスト層を剥離する工程。
【００２５】
［工程（１）］
工程（１）は、はんだ付け部が設けられた基板表面に対してソルダレジスト層を配置して開口部を設ける工程である。はんだ付け部が設けられた基板は、一又は複数の実施形態において、はんだバンプを形成すべきはんだ付け部が設けられた回路基板が挙げられ、前記はんだ付け部は、一又は複数の実施形態において、電極である。前記回路基板は、一又は複数の実施形態において、図１（ａ）に示す通り、回路基板１０の表面がソルダレジスト層１に覆われ、電極部１１が表面に露出している形態が挙げられ、ソルダレジスト層１は回路基板１０の表面に強固に固定されている。ソルダレジスト層１としては、限定されない一又は複数の実施形態において、エポキシ系、アクリル系、ポリイミド系などの樹脂が使用される。
【００２６】
［工程（２）］
工程（２）は、工程（１）のソルダレジスト層の上に有機物成分の層を配置する工程である。有機物成分としては前述のものが挙げられる。有機物成分の層の厚みとしては、ドライフィルムレジストの剥離性向上の観点から、理論的に（計算上）、好ましくは０．１μｍ以上５０μｍ以下、より好ましくは０．３μｍ以上２０μｍ以下、更に好ましくは０．５μｍ以上１０μｍ以下、更により好ましくは０．８μｍ以上５μｍ以下、更により好ましくは約１μｍである。有機物成分の層の配置は、一又は複数の実施形態において、有機物成分をソルダレジスト層表面に塗布することで行うことができるが、有機物成分の層の配置方法は限定されなくてもよい。
【００２７】
［工程（３）］
工程（３）は、工程（２）の有機物成分の層の上にドライフィルムレジスト層を形成する工程である。前記工程は、一又は複数の実施形態において、有機物成分の層の上にフィルム状のドライフィルムレジスト（ドライフィルム）をラミネートする工程である。ドライフィルムレジスト層を形成する樹脂材料としては、一又は複数の実施形態において、均一な厚膜形成の観点からフィルム状の感光性樹脂を用いることが好ましく、ドライフィルムレジストがより好ましい。また、ドライフィルムレジストは、扱い易さ等の点から、露光部分が硬化するネガ型の感光性フィルムがより好ましく、ネガ型のドライフィルムレジストがより好ましい。ネガ型のドライフィルムレジストは主成分がポリアクリル酸であることがより好ましい。本開示におけるドライフィルムレジストとはパターン形成後の工程で剥離を要するフィルム状感光性樹脂を指す。ドライフィルムレジストは、汎用のものを使用できる。ドライフィルムレジスト層の厚みは、一又は複数の実施形態において、析出はんだによりバンプを形成するために必要とされるはんだ析出量の観点から、好ましくは１０μｍ以上、より好ましくは３０μｍ以上である。また、ドライフィルムレジスト層の厚みは、一又は複数の実施形態において、ドライフィルムレジスト層を底部まで硬化させる観点から、好ましくは３００μｍ以下、より好ましくは１５０μｍ以下である。
【００２８】
［工程（４）］
工程（４）は、工程（２）及び（３）で形成した有機物成分の層及びドライフィルムレジスト層に前記はんだ付け部が露出するように開口部を形成する工程である。ドライフィルムレジスト層の開口部の形成は、一又は複数の実施形態において、露光・現像処理により行うことができる。有機物成分の層の開口部の形成は、一又は複数の実施形態において、ドライフィルムレジスト層の開口部の形成後、洗浄して行うことができる。工程（１）から（４）により、図１（ａ）に示す一又は複数の実施形態のように、回路基板１０の表面にソルダレジスト層１、有機物成分の層３、ドライフィルムレジスト層２が形成され、開口部７から電極部１１が露出している基板が得られる。
【００２９】
［工程（１’）及び（２’）］
工程（１）から（４）は、ソルダレジスト層の開口部の形成後に有機物成分の層及びドライフィルムレジスト層を積層するが、これらの工程に替えて、工程（１’）及び（２’）を行ってもよい。工程（１’）は、はんだ付け部が設けられた基板表面に対してソルダレジスト層、有機物成分の層、及びドライフィルムレジスト層を積層する工程である。各層の配置は、それぞれ工程（１）〜（３）と同様に行うことができる。工程（２’）は、工程（１’）の積層物に、はんだ付け部が露出するように、はんだ付け用開口部を形成する工程である。開口部の形成については、工程（１）及び（４）と同様に行うことができる。
【００３０】
［工程（５）］
工程（５）は、工程（４）又は（２’）で形成した開口部にはんだバンプ形成材料を充填する工程である。はんだバンプ形成材料は、一又は複数の実施形態において、はんだペーストであり、例えば、ペースト印刷法で充填されうる（図１（ｂ））。また、はんだバンプ形成材料は、一又は複数の実施形態において、はんだボールであって、例えば、ボール搭載法によって充填されうる（図２（ｂ））。
【００３１】
はんだペーストとしては、一又は複数の実施形態において、（ａ）錫粉末と、鉛、銅、銀等の金属塩とを含有したはんだペースト、あるいは（ｂ）錫粉末と、銀イオン及び銅イオンから選ばれる少なくとも一種と、アリールホスフィン類、アルキルホスフィン類及びアゾール類から選ばれる少なくも一種との錯体とを含有したはんだペーストが挙げられる。上記（ａ）の金属塩と（ｂ）の錯体とは混合して使用することもできる。なお、錫粉末というときは、金属錫粉末の他、例えば銀を含有する錫−銀系の錫合金粉末や銅を含有する錫−銅系の錫合金粉末なども含むものとする。前記金属塩としては、有機カルボン酸塩、有機スルホン酸塩などが挙げられる。
【００３２】
はんだバンプ形成材料に含有されるはんだ合金は、典型的には錫ベースのはんだ合金であるが、例えば、インジウム系合金などの非錫系はんだ合金も、本開示において使用できる。従来の一般的な錫−鉛共晶はんだ合金の粒子も使用できるが、好ましくは鉛フリーはんだ合金の粒子を使用する。好ましい鉛フリーはんだ合金としては、錫−銀系、錫−銅系、錫−銀−銅系などが例示される。代表的組成例を挙げると次の通りである（％は質量％）：
Ｓｎ：残部、Ａｇ：０．３％、Ｃｕ：０．５％
Ｓｎ：残部、Ａｇ：３．５％、Ｃｕ：０．７％
Ｓｎ：残部、Ａｇ：３．５％
Ｓｎ：残部、Ｃｕ：０．７％。
【００３３】
はんだペーストには、さらにフラックス成分や溶剤を混合することもできる。フラックス成分としては、通常、錫−鉛系、錫−銀系、錫−銅系などのはんだ材料に使用されるものを用いることができ、溶剤としては組成物中の他の成分を溶解し、粘度や濃度を調整することができるものであれば、特に限定されるものではない。工程（５）により、図１（ｂ）に示す一又は複数の実施形態のように、回路基板１０の表面にソルダレジスト層１、有機物成分の層３及びドライフィルムレジスト２が形成され、また、回路基板１の表面の電極部２上の開口部７にはんだ形成材料５が充填又は配置された回路基板１０が得られうる。あるいは、工程（５）により、図２（ｂ）に示す一又は複数の実施形態のように、回路基板１０の表面にソルダレジスト層１、有機物成分の層３及びドライフィルムレジスト２が形成され、また、回路基板１の表面の電極部２上の開口部７にはんだボール４が充填又は配置された回路基板１０が得られうる。
【００３４】
［工程（６）］
工程（６）は、工程（５）で充填したはんだバンプ形成材料を加熱して溶融させて前記はんだ付け部にはんだバンプを固定させる工程である。加熱温度は、一又は複数の実施形態において、２００℃以上、回路基板の耐熱性を考慮して２００℃〜２６０℃が挙げられる。はんだバンプ形成材料の液相線温度は、通常２００℃以上であり、加熱温度は、その他の一又は複数の実施形態において、前記はんだバンプ形成材料の液相線温度以上、回路基板の耐熱性を考慮して前記液相線温度以上２６０℃以下が挙げられる。加熱時間は、はんだバンプ形成材料の組成などに応じて決定され、一又は複数の実施形態において、好ましくは３０秒〜１０分程度、より好ましくは１分〜５分程度である。回路基板の生産性の観点から、一回の加熱処理でバンプを固定させることが好ましい。工程（６）により、図１（ｃ）に示す一又は複数の実施形態のように、回路基板１０の表面にソルダレジスト層１、有機物成分の層３及びドライフィルムレジスト２並びに開口部７が形成され、電極部１１上にはんだバンプ６が形成された基板が得られうる。
【００３５】
［工程（７）］
工程（７）は、工程（６）で得られた回路基板のドライフィルムレジストを剥離する工程である。剥離方法としては、一又は複数の実施形態において、洗浄剤を用いた洗浄が挙げられ、該洗浄の手段としては、超音波洗浄法、スプレー法、浸漬揺動法、浸漬法、手拭き法の各種の洗浄手段が挙げられる。回路基板の種類にあわせて、これらの手段を単独で又は適宜組み合わせてもよい。回路基板への影響を抑制する観点及び洗浄性の観点からは、スプレー法、浸漬揺動法又は浸漬法が好ましい。
【００３６】
工程（７）における洗浄剤は、ドライフィルムレジストの剥離性向上の観点から、アルカリ溶液であることが好ましく、特に限定されず、ドライフィルムレジスト層を剥離できる洗浄剤を使用できる。洗浄剤のｐＨは、ドライフィルムレジストの剥離性向上の観点から、好ましくは１０．０以上、より好ましくは１１．０以上、さらに好ましくは１２．０以上であり、好ましくは１４．０以下、より好ましくは１３．５以下、さらに好ましく１３．０以下である。工程（７）における洗浄時の温度は、ドライフィルムレジストの剥離性向上の観点から、好ましくは２５℃以上、より好ましくは４０℃以上である。また、水分の蒸発を抑制する観点から、９０℃以下が好ましく、８０℃以下がより好ましい。工程（７）における洗浄時間は、ドライフィルムレジストの剥離性向上の観点から、１分以上が好ましく、３分以上がより好ましく、５分以上がさらに好ましく、回路基板の製造の時間を短縮する観点から、３０分以下が好ましく、２０分以下がより好ましい。
【００３７】
工程（７）により、図１及び２の（ｄ）に示す一又は複数の実施形態のように、回路基板１０の表面の電極部１１上にはんだバンプ６が形成された基板が得られうる。工程（７）の後、有機物成分の層が残存している場合は、適宜洗浄により除去できる。また、必要に応じて図１及び２の（ｅ）に示す一又は複数の実施形態のように、はんだバンプ６のフラッタニングを行ってもよい。
【００３８】
［電子部品の接合］
本開示に係る回路基板の製造方法は、一又は複数の実施形態において、さらに、前記工程（７）で得られた基板上に電子部品を乗せ、前記はんだバンプの液相線温度２６０℃以下の温度に加熱して電子部品のはんだ付け部と基板のはんだ付け部とを接合し、電子部品が接合した基板を得る工程を含む。この実施形態によれば、電子部品が接合された回路基板を製造できる。
【００３９】
上述した実施形態に関し、本開示はさらに以下の一又は複数の実施形態にかかる組成物、製造方法、或いは用途を開示する。
【００４０】
＜１＞  基板表面上に形成するソルダレジスト層とドライフィルムレジスト層との間に、２５０℃３０分静置下での重量変化が４．０％以下の液体状の有機物成分であって、動粘度が８０ｍｍ2／ｓ以上１２００００ｍｍ2／ｓ以下である液体状の有機物成分の層を形成することを含む、回路基板の製造方法。
【００４１】
＜２＞  下記の工程（１）〜（７）を含む回路基板の製造方法。
工程（１）：はんだ付け部が設けられた基板表面にソルダレジスト層を形成し、前記はんだ付け部が露出するようにはんだ付け用開口部を形成する工程。
工程（２）：前記ソルダレジスト層上に２５０℃３０分静置下での重量変化が４．０％以下の液体状の有機物成分であって、動粘度が８０ｍｍ2／ｓ以上１２００００ｍｍ2／ｓ以下である液体状の有機物成分の層を形成する工程。
工程（３）：前記有機物成分の層上にドライフィルムレジスト層を形成する工程。
工程（４）：前記ドライフィルムレジスト層及び前記有機物成分の層に、前記はんだ付け部が露出するように、工程（１）の開口部と連通するはんだ付け用開口部を形成する工程。
工程（５）：前記はんだ付け用開口部にはんだバンプ形成材料を入れる工程。
工程（６）：加熱して前記はんだバンプ形成材料を溶融させて前記はんだ付け部にはんだバンプを固定させる工程。
工程（７）：前記ドライフィルムレジスト層を剥離する工程。
【００４２】
＜３＞  下記の工程（１’）、（２’）、及び（５）〜（７）を含む回路基板の製造方法。
工程（１’）：はんだ付け部が設けられた基板表面にソルダレジスト層を形成し、前記ソルダレジスト層上に２５０℃３０分静置下での重量変化が４．０％以下の液体状の有機物成分であって、動粘度が８０ｍｍ2／ｓ以上１２００００ｍｍ2／ｓ以下である液体状の有機物成分の層を形成し、前記有機物成分の層上にドライフィルムレジスト層を形成する工程。
工程（２’）：前記ソルダレジスト層、有機物成分の層、及びドライフィルムレジスト層に、前記はんだ付け部が露出するように、はんだ付け用開口部を形成する工程。
工程（５）：前記はんだ付け用開口部にはんだバンプ形成材料を入れる工程。
工程（６）：加熱して前記はんだバンプ形成材料を溶融させて前記はんだ付け部にはんだバンプを固定させる工程。
工程（７）：前記ドライフィルムレジスト層を剥離する工程。
【００４３】
＜４＞  前記液体状の有機物成分の２５０℃３０分静置下での重量変化が、好ましくは３．５％以下、より好ましくは３．０％以下、更に好ましくは２．０％以下、更に好ましくは１．５％以下、さらにより好ましくは１．３％以下であるである、＜１＞から＜３＞のいずれかに記載の製造方法。
＜５＞  前記液体状の有機物成分の２５℃における動粘度が、好ましくは９０ｍｍ2／ｓ以上、より好ましくは１００ｍｍ2／ｓ以上である、＜１＞から＜４＞のいずれかに記載の製造方法。
＜６＞  前記液体状の有機物成分の２５℃における動粘度が、好ましくは１０００００ｍｍ2／ｓ以下、より好ましくは１２０００ｍｍ2／ｓ以下、更に好ましくは１１０００ｍｍ2／ｓ以下、更により好ましくは１００００ｍｍ2／ｓ以下である、＜１＞から＜５＞のいずれかに記載の製造方法。
＜７＞  前記液体状の有機物成分の２５℃における動粘度が、８０ｍｍ2／ｓ以上１２００００ｍｍ2／ｓ以下、好ましくは８０ｍｍ2／ｓ以上１０００００ｍｍ2／ｓ以下、より好ましくは８０ｍｍ2／ｓ以上１２０００ｍｍ2／ｓ以下、更に好ましくは９０ｍｍ2／ｓ以上１１０００ｍｍ2／ｓ以下、より好ましくは１００ｍｍ2／ｓ以上１００００ｍｍ2／ｓ以下である、＜１＞から＜６＞のいずれかに記載の製造方法。
＜８＞  前記液体状の有機物成分がシリコーンオイルである、＜１＞から＜７＞のいずれかに記載の製造方法。
＜９＞  前記液体状の有機物成分がメチルフェニルシリコーンオイル、ジメチルシリコーンオイル及びＨＬＢが１１以上１７以下のポリエーテル変性シリコーンからなる群より選ばれる１種以上である、＜８＞に記載の製造方法。
＜１０＞  前記ポリエーテル変性シリコーンのＨＬＢが、好ましくは８以上、より好ましくは１０以上、更に好ましくは１１以上、更により好ましくは１２以上である、＜９＞に記載の製造方法。
＜１１＞  前記ポリエーテル変性シリコーンのＨＬＢが、好ましくは１８以下、より好ましくは１７以下、更に好ましくは１６以下である、＜９＞又は＜１０＞に記載の製造方法。
＜１２＞  前記ポリエーテル変性シリコーンのＨＬＢが、好ましくは８以上１８以下、より好ましくは１０以上１８以下、更に好ましくは１１以上１７以下、更に好ましくは１２以上１６以下である、＜９＞から＜１１＞のいずれかに記載の製造方法。
＜１３＞  前記液体状の有機物成分の層の厚みが、好ましくは０．１μｍ以上５０μｍ以下、より好ましくは０．３μｍ以上２０μｍ以下、更に好ましくは０．５μｍ以上１０μｍ以下、更により好ましくは０．８μｍ以上５μｍ以下、更により好ましくは約１μｍである、＜１＞から＜１２＞のいずれかに記載の製造方法。
＜１４＞  ドライフィルムレジスト層を剥離させる工程にアルカリ溶液を使う、＜２＞から＜１３＞のいずれかに記載の製造方法。
＜１５＞  前記有機物成分の層を形成する方法が、ソルダレジスト層表面に前記液体状の有機物成分を塗布する方法である、＜１＞から＜１４＞のいずれかに記載の製造方法。
【実施例】
【００４４】
以下の実施例は本開示の例示を目的とし、本開示をいかなる意味でも制限する意図はない。実施例中、％は特に指定しない限り質量％である。
【００４５】
（実施例１）
＜評価基板の作成法＞
ハンダ付け部にソルダレジスト層の開口が形成されたソルダレジスト基板（ソルダレジスト：太陽インキ社製ＡＵＳ  ＳＲ−１、基材：ＦＲ−４）を準備した。この基板に理論的に１μｍ厚さとなる量のメチルフェニルシリコーンオイル（２５℃動粘度１００ｍｍ2／ｓ）（信越化学社製ＫＦ−５０−１００ｃｓ）オクタン１％溶液を塗布した。その上にカバーフィルムを剥がしたドライフィルムレジスト（ＤｕＰｏｎｔ社製）を１００℃に加熱したミニローラーで圧着した。基板上に開口パターンを置いて露光し（１０００ｍＪ照射）、現像した（１ｗｔ％  炭酸ナトリウム水溶液  ３０秒濯ぎ２回）。
この後、実際の回路基板の製造法では、開口部にはんだバンプ形成材料を入れ、加熱することで溶融させて、開口部にはんだバンプを固定させる。ここではモデル実験として、はんだバンプ形成材料は用いず、はんだ溶融温度を想定し、２４０℃の電気炉中に５分間静置した。
【００４６】
＜動粘度の測定＞
ＪＩＳ  Ｚ  ８８０３の方法により、ウッベローデ粘度計にて測定した。
【００４７】
＜密着性の評価＞
室温で半日静置した評価基板について、ドライフィルムレジストの剥離状態を目視で観察し密着性を評価した（以下同様）。
○：良好・・ドライフィルムレジストの剥離部分無し
×：不良・・ドライフィルムレジストの剥離部分有り
【００４８】
＜剥離性の評価＞
５０℃の剥離液（ＴＭＡＨとモノエタノールアミンの混合水溶液）中で８分間超音波処理（３８ｋＨｚ）した後、ドライフィルムレジスト面を４０℃のイオン交換水で５分間シャワー処理し、次に室温のイオン交換水１分間シャワー処理し、窒素ブローを使って水切り乾燥を行った。乾燥後の基板を写真撮影し、残存するドライフィルムレジストの面積を判定して剥離性の評価を行った（以下同様）。
○：良好・・残存面積１％以下
△：良好と不良の間：残存面積１％超１０％以下
×：不良・・残存面積１０％超
【００４９】
＜第３の層の耐熱性の評価＞
メチルフェニルシリコーンオイル（１００ｍｍ2／ｓ、２５℃動粘度、以下同様）（信越化学社製ＫＦ−５０−１００ｃｓ）を定温乾燥機（アドバンテック東洋社製ＤＲＳ４２０ＤＡ）内に大気圧下２５０℃で３０分間静置させ、加熱前後の重量変化を電子天秤により測定して耐熱性を評価した（以下同様）。
○：良好・・重量変化が４％以下
×：不良・・重量変化が４％を超える
【００５０】
（実施例２）
実施例１においてメチルフェニルシリコーンオイル（１００ｍｍ2／ｓ）（信越化学社製ＫＦ−５０−１００ｃｓ）オクタン１％溶液をジメチルシリコーンオイル（１０００ｍｍ2／ｓ）（信越化学社製ＫＦ−９６−１０００ｃｓ）オクタン１％溶液に変えて、ドライフィルムレジストの密着性と剥離性の評価を行った。また、メチルフェニルシリコーンオイル（１００ｍｍ2／ｓ）（信越化学社製ＫＦ−５０−１００ｃｓ）をジメチルシリコーンオイル（１０００ｍｍ2／ｓ）（信越化学社製ＫＦ−９６−１０００ｃｓ）に変えて、耐熱性の評価を行った。
【００５１】
（実施例３）
実施例１においてメチルフェニルシリコーンオイル（１００ｍｍ2／ｓ）（信越化学社製ＫＦ−５０−１００ｃｓ）オクタン１％溶液をジメチルシリコーンオイル（１万ｍｍ2／ｓ）（信越化学社製ＫＦ−９６−１万ｃｓ）オクタン１％溶液に変えて、ドライフィルムレジストの密着性と剥離性の評価を行った。また、メチルフェニルシリコーンオイル（１００ｍｍ2／ｓ）（信越化学社製ＫＦ−５０−１００ｃｓ）をジメチルシリコーンオイル（１万ｍｍ2／ｓ）（信越化学社製ＫＦ−９６−１万ｃｓ）に変えて、耐熱性の評価を行った。
【００５２】
（実施例４）
実施例１においてメチルフェニルシリコーンオイル（１００ｍｍ2／ｓ）（信越化学社製ＫＦ−５０−１００ｃｓ）オクタン１％溶液をジメチルシリコーンオイル（１０万ｍｍ2／ｓ）（信越化学社製ＫＦ−９６−１０万ｃｓ）オクタン１％溶液に変えて、ドライフィルムレジストの密着性と剥離性の評価を行った。また、メチルフェニルシリコーンオイル（１００ｍｍ2／ｓ）（信越化学社製ＫＦ−５０−１００ｃｓ）をジメチルシリコーンオイル（１０万ｍｍ2／ｓ）（信越化学社製ＫＦ−９６−１０万ｃｓ）に変えて、耐熱性の評価を行った。
【００５３】
（参考例１）
実施例１においてメチルフェニルシリコーンオイル（１００ｍｍ2／ｓ）（信越化学社製ＫＦ−５０−１００ｃｓ）オクタン１％溶液をポリビニルアルコール（市販文具水のり）１％水溶液に変えて、ドライフィルムレジストの密着性と剥離性の評価を行った。また、メチルフェニルシリコーンオイル（１００ｍｍ2／ｓ）（信越化学社製ＫＦ−５０−１００ｃｓ）をポリビニルアルコール（和光純薬  特級）に変えて、耐熱性の評価を行った。ここでの耐熱性の評価が不良であったため、ポリビニルアルコール（市販文具水のり）１％水溶液の動粘度の測定は行わなかった。
【００５４】
（比較例１）
実施例１においてメチルフェニルシリコーンオイル（１００ｍｍ2／ｓ）（信越化学社製ＫＦ−５０−１００ｃｓ）オクタン１％溶液を使わずに、ドライフィルムレジストの密着性と剥離性の評価を行った。
【００５５】
実施例１〜４、参考例１、及び比較例１における第３の層の粘度と耐熱性、及びドライフィルムレジストの密着性および剥離性の結果を表１に示す。
【００５６】
【表１】
0006426453.tif 000002
【００５７】
表１のとおり、実施例１〜４は、参考例１及び比較例１と比較して、ドライフィルムレジストの剥離性が優れていた。また、実施例１〜３は、実施例４に比べて剥離性がさらに優れていることが判った。
【００５８】
（実施例５）
実施例１においてメチルフェニルシリコーンオイル（１００ｍｍ2／ｓ）（信越化学社製ＫＦ−５０−１００ｃｓ）オクタン１％溶液をポリエーテル変性シリコーン（１８０ｍｍ2／ｓ、ＨＬＢ  ４）（信越化学社製ＫＦ−６０２０）ＩＰＡ１％に変えて、ドライフィルムレジストの密着性と剥離性の評価を行った。また、メチルフェニルシリコーンオイル（１００ｍｍ2／ｓ）（信越化学社製ＫＦ−５０−１００ｃｓ）をポリエーテル変性シリコーン（１８０ｍｍ2／ｓ、ＨＬＢ  ４）（信越化学社製ＫＦ−６０２０）に変えて、耐熱性の評価を行った。
【００５９】
（実施例６）
実施例１においてメチルフェニルシリコーンオイル（１００ｍｍ2／ｓ）（信越化学社製ＫＦ−５０−１００ｃｓ）オクタン１％溶液をポリエーテル変性シリコーン（１５０ｍｍ2／ｓ、ＨＬＢ  １２）（信越化学社製ＫＦ−３５５Ａ）ＩＰＡ１％に変えて、ドライフィルムレジストの密着性と剥離性の評価を行った。また、メチルフェニルシリコーンオイル（１００ｍｍ2／ｓ）（信越化学社製ＫＦ−５０−１００ｃｓ）をポリエーテル変性シリコーン（１５０ｍｍ2／ｓ、ＨＬＢ  １２）（信越化学社製ＫＦ−３５５Ａ）に変えて、耐熱性の評価を行った。
【００６０】
（実施例７）
実施例１においてメチルフェニルシリコーンオイル（１００ｍｍ2／ｓ）（信越化学社製ＫＦ−５０−１００ｃｓ）オクタン１％溶液をポリエーテル変性シリコーン（２００ｍｍ2／ｓ、ＨＬＢ  １６）（信越化学社製ＫＦ−３５４Ｌ）オクタン１％溶液に変えて、ドライフィルムレジストの密着性と剥離性の評価を行った。また、メチルフェニルシリコーンオイル（１００ｍｍ2／ｓ）（信越化学社製ＫＦ−５０−１００ｃｓ）をポリエーテル変性シリコーン（２００ｍｍ2／ｓ、ＨＬＢ  １６）（信越化学社製ＫＦ−３５４Ｌ）に変えて、耐熱性の評価を行った。
【００６１】
実施例５〜７における第３の層のＨＬＢと粘度と耐熱性、及びドライフィルムレジストの密着性および剥離性の結果を表２に示す。
【００６２】
【表２】
0006426453.tif 000003
【００６３】
表２のとおり、実施例５〜７は、参考例１及び比較例１と比較して、ドライフィルムレジストの剥離性が優れていた。また、実施例６及び７は、実施例５に比べて密着性が優れていることが判った。
【符号の説明】
【００６４】
１    ソルダレジスト層
２    ドライフィルムレジスト層
３    有機物成分の層
４    はんだボール
５    はんだ形成材料
６    はんだバンプ
７    開口部
１０    回路基板
１１    電極部
【図１】
0006426453.tif 000004
【図２】
0006426453.tif 000005
【図３】
0006426453.tif 000006