(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
ＣＶＤ法又はＡＬＤ法で成膜する対象の基板上に装着され、成膜領域を規定する開口部を有する枠体形状のマスクであって、
前記基板の上面と対向する対向面を有し、
前記対向面の一部である第１面部分は、装着時に前記基板の上面に接触し、
前記対向面における前記第１面部分を除く第２面部分は、
前記第１面部分を基準にして前記基板の上面から離間する方向に退避した位置にあり、
前記マスクは、内周縁のサイズが前記開口部の外縁よりも大きい支持フレームと、当該支持フレームに取り付けられた環状の板材とで構成され、
前記環状の板材は、前記支持フレームの内周縁から前記開口部の中央部に向けて突出する突出片部を有し、
前記第１面部分は、前記支持フレームの下面の一部であり、
前記第２面部分は、前記突出片部の下面であり、
前記支持フレームはセラミックスからなり、
前記環状の板材は、環状に配された複数の金属板で構成され、
前記複数の突出片部は、隣接するもの同士が常温で互いに間隙をあけた状態で、一平面に沿って環状に配置されている、
マスク。
【請求項２】
ＣＶＤ法又はＡＬＤ法で成膜する対象の基板の上から押圧するように装着され、成膜領域を規定する開口部を有する枠体形状のマスクであって、
前記基板の上面と対向する対向面を有し、
前記対向面の一部である第１面部分は、装着時に前記基板の上面に接触し、
前記対向面における前記第１面部分を除く第２面部分は、
前記第１面部分を基準にして前記基板の上面から離間する方向に退避した位置にあり、
前記基板は、表示素子が配設される表示領域を有すると共に、当該表示領域から周辺領域に引き出された引出配線が形成され、
前記開口部は、前記表示領域に対応して開設され、
前記第２面部分は
前記周辺領域に引き出された引出配線が存在する領域に対応する領域に設定されており、
前記マスクは、セラミックス板材を加工して形成されたものであって、
前記第２面部分は、第１面部分を基準にしてザグリ加工によって面位置が退避している、
マスク。
【請求項３】
基板上における発光素子を形成する領域に封止層又は保護層を形成することによって有
機発光デバイスを製造する方法であって、
前記封止層又は前記保護層を形成する際に、請求項１または２に記載のマスクを
用いてＣＶＤ法又はＡＬＤ法で形成する、
有機発光デバイスの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ＣＶＤ法又はＡＬＤ法で基板上に薄膜を形成する際に用いるマスク、及び有機発光デバイスを製造する方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来から、基板上の中央領域に表示部が形成された表示パネルにおいて、表示部を覆うように封止層を形成し、表示部が水分やガス等によって劣化するのを防止することが行なわれている。
例えば、有機ＥＬパネルにおいて、基板上に２次元状に配設された複数のＥＬ素子を構成する材料は、一般に活性が高く不安定であり、空気中の水分や酸素と容易に反応する。このような水分や酸素との反応は有機ＥＬ素子の特性を著しく悪化させる原因となるので、有機ＥＬ素子を外気から封止するために、２次元状に配設された複数のＥＬ素子の全体を被覆するように、窒化シリコン（ＳｉＮ）などからなる封止層を形成し、さらに酸化アルミニウムなどで保護層を形成することもある。
【０００３】
これらの層を形成する方法として、化学蒸着（ＣＶＤ）法、原子層堆積（ＡＬＤ）法が用いられている。ここで、基板上にＣＶＤ法やＡＬＤ法で成膜する際に、基板上の限られた領域だけに成膜する場合は、開口を有するマスクを基板上に装着した状態で成膜を行う。
例えば、表示パネルにおける基板上の表示領域を囲む周辺領域には、表示領域から引き出された引出配線や外部との接続をなす端子部が存在している。封止層は表示領域全体を覆う必要があるが、その封止層によって端子部が覆われてしまうと、端子部とその端子部に接続される配線端子との導通性が悪くなってしまう。そこで、成膜領域を規定する開口部が形成されているにマスクを基板上に装着して、表示領域は封止層を形成し、端子部の上には封止材料が付着しないようにしている。
【０００４】
マスクの素材としては、特許文献１に開示されているように、成膜時に温度が上昇しても寸法を正確に維持することができ、プラズマにも耐えることができ、クリーニング時に使用するフッ素系ガスに対する耐食性を有する材料が好ましい。そこで、通常ＣＶＤ用のマスクの材料には、アルミナやジルコニアなどのセラミックスが用いられている。
このセラミック製のマスクは、セラミックスの素材を切削加工することで作製することができる。また、セラミック製のマスクは、熱膨張率が低いので、温度上昇時にも寸法精度を維持することができる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２０１１−７６７５９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
上記のＣＶＤ用やＡＬＤ用のマスクは、成膜対象となる基板上に装着されると、基板表面がマスクの対向面で押圧されるので、基板表面の周辺領域に形成されている配線層などが損傷することがある。特に、セラミックスからなる大型表示パネル用のマスクは、重量が大きく４０ｋｇ〜５０ｋｇに及ぶので、そのマスクが基板の周辺領域を押圧することによって、配線層などが損傷しやすい。
【０００７】
本発明はこのような課題を鑑みてなされたもので、ＣＶＤ法あるいはＡＬＤ法によって薄膜を形成する際に、マスクとしての機能を維持しながら、成膜対象となる基板表面の損傷を抑えることにできるマスク及び表示パネルの製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記課題を解決するために、本発明の一態様にかかるマスクは、ＣＶＤ法又はＡＬＤ法で成膜する対象の基板上に装着され、成膜領域を規定する開口部を有する枠体形状のマスクであって、基板の上面と対向する対向面を有し、対向面の一部である第１面部分は、装着時に前記基板の上面に接触し、対向面における第１面部分を除く第２面部分は、第１面部分を基準にして基板の上面から離間する方向に退避した位置にある。
【発明の効果】
【０００９】
上記態様のマスクによれば、成膜対象の基板に装着された時に、第１面部分は基板上面せ接触し押圧するが、第２面部分は基板上面から離間する方向に退避しているので、基板の上面が強く押圧されることがなく、マスク機能も維持することができる。
従って、基板の上面におけるマスクと対向する領域の中で、第２面部分と対向する領域においては、マスクによって押圧されて傷ができるのを回避できる。よって、マスクによって傷がつくのを避けたい領域（例えば、基板上の引出配線が存在する領域）に対応する領域を第２面部分として設定しておけば、その領域がマスクで押圧されて傷つくのを回避することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】有機ＥＬ表示パネルの主要部に相当するＥＬ基板１を示す断面図である。
【図２】ＥＬ基板１を作製する際に薄膜封止層１０８を形成する工程を示す斜視図である。
【図３】プラズマＣＶＤ成膜装置２００の概略構成図である。
【図４】薄膜封止層１０８を形成する工程を示す図であって（ａ）は実施の形態にかかるマスク３を用いた場合、（ｂ）は比較例にかかるマスク６を用いた場合を示す。
【図５】（ａ）はマスク３を下面側から見た斜視図、（ｂ）はマスク４を下面側から見た斜視図である。
【図６】保護層１０９を形成する様子を示す図であって、（ａ）はマスク４を装着した場合、（ｂ）はマスク３を装着した場合を示す。
【図７】実施の形態２にかかるマスク５の構成を示す分解斜視図である。
【図８】マスク５を用いてＣＶＤ法により薄膜封止層１０８を形成する様子を示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
＜発明に到った経緯＞
ＣＶＤ用あるいはＡＬＤ法で、基板上に薄膜を形成するとき、開口部を有するマスクを基板の上に装着した状態で薄膜形成を行う。
ここで、マスクにおける対向面を基板の上面と非接触にすることができれば、マスクによって基板が傷つくのを避けることができる。しかし、マスク機能を発揮させるには、マスクを基板の上面に接するように配置することが必要であって、マスクにおける対向面全体を基板と非接触にすれば、マスクとしての機能を確保するのが難しい。
【００１２】
このような背景のもとに、マスクとしての機能を維持することと基板を傷つけないこととを両立させる方法を検討し、本発明に到った。
＜発明の態様＞
本発明の一態様にかかるＣＶＤ用のマスクは、ＣＶＤ法又はＡＬＤ法で成膜する対象の基板上に装着され、成膜領域を規定する開口部を有する枠体形状のマスクであって、基板の上面と対向する対向面を有し、対向面の一部である第１面部分は、装着時に前記基板の上面に接触し、対向面における第１面部分を除く第２面部分は、第１面部分を基準にして基板の上面から離間する方向に退避した位置にある。
【００１３】
上記態様のマスクによれば、成膜対象の基板に装着した時に、第１面部分は基板上面に接触して押圧するが、第２面部分は基板上面から離間する方向に退避しているので、基板の上面が第２面部分で強く押圧されることがない。また、第２面部分は基板上面から退避した位置にあってもマスク機能を発揮することはできる。
従って、マスクによって傷がつくのを避けたい部分に対応する領域を、第２面部分として退避させれば、マスク機能を確保しながら、その領域がマスクで押圧されて傷つくのを回避することができる。
【００１４】
上記態様のマスクにおいて、以下のようにすることができる。
第２面部分が開口部に臨む縁部分及び開口部から離れた奥部分を有している場合、当該縁部分の退避量よりも奥部分の退避量を大きくする。
基板が、表示素子が配設される表示領域を有すると共に、当該表示領域から周辺領域に引き出された引出配線が形成されていて、開口部が表示領域に対応して開設されている場合、第２面部分を、周辺領域に引き出された引出配線が存在する領域に対応して設定する。
【００１５】
マスクがセラミックス板材を加工して形成されたものである場合、第２面部分は、第１面部分を基準にしてザグリ加工によって面位置を退避させる。
マスクは、内周縁のサイズが開口部の外縁よりも大きい支持フレームと、当該支持フレームに取り付けられた環状の板材とで構成され、環状の板材は、支持フレームの内周縁から前記開口部の中央部に向けて突出する突出片部を有した構成とすることもできる。この場合、第１面部分は、支持フレームの下面の一部で形成し、第２面部分は、突出片部の下面で形成すればよい。
【００１６】
ここで、支持フレームをセラミックスで構成し、環状の板材は、環状に配された複数の金属板で構成し、複数の突出片部は、隣接するもの同士が常温で互いに間隙をあけた状態で、一平面に沿って環状に配置することもできる。
本発明の一態様にかかる有機発光デバイスの製造方法は、基板上における発光素子を形成する領域に封止層又は保護層を形成することによって有機発光デバイスを製造する方法であって、封止層又は保護層を形成する際に、上記態様のマスクを用いてＣＶＤ法又はＡＬＤ法で形成する。
【００１７】
＜実施の形態１＞
実施の形態にかかる有機ＥＬ表示パネルの製造方法について説明する。
[ＥＬ表示パネルの全体的な製造方法]
図１に、有機ＥＬ表示パネルの主要部に相当するＥＬ基板１を示す。
このＥＬ基板１は、ＴＦＴ基板１０１と、その表面に、ＴＦＴ、パッシベーション膜１１１、平坦化膜１０２、下部電極１０３、バンク１０４、有機発光層１０５、電子輸送層１０６、上部電極１０７、薄膜封止層１０８、保護層１０９が順次積層されて構成されている。
【００１８】
図２は、ＥＬ基板１を作製する際に薄膜封止層１０８を形成する工程を示す斜視図である。当図において、ＥＬ基板２は薄膜封止層１０８、保護層１０９が形成する前の基板であって、中央部に表示領域４１が形成されており、表示領域４１を囲繞する周辺領域４２には、引出し配線として複数の配線層１１２が配設されている。このＥＬ基板２に薄膜封止層１０８を形成することによってＥＬ基板１が作製される。
【００１９】
表示領域４１においては、下部電極１０３、バンク１０４、有機発光層１０５、電子輸送層１０６、上部電極１０７によって複数のトップエミッション型の有機ＥＬ素子が形成され、３色の発光素子の組みで１画素（ピクセル）が形成されている。
このＥＬ基板１の上に、図示は省略するが、カラーフィルタが形成されたＣＦ基板を、封止樹脂層を介して対向配置して貼り合せることによって、有機ＥＬ表示パネルが製造される。
【００２０】
薄膜封止層１０８、保護層１０９は、表示領域４１に配設されているすべての有機ＥＬ素子を覆うように、表示領域４１よりも若干大きいサイズに形成されている。
この薄膜封止層１０８、保護層１０９の形成工程については、後で詳しく説明する。
以下、ＥＬ基板１の各部の構成について具体例を示す。
ＴＦＴ基板１０１は、ガラス基板、樹脂基板、アルミナ等の絶縁性材料からなるベース基板１０１ａの上面に、複数のＴＦＴを所定パターンで形成してなるＴＦＴ層１０１ｂを有する構造である。
【００２１】
ＴＦＴ層１０１ｂからは配線層１１２が引き出され、これらの上をパッシベーション膜１１１が覆っている。パッシベーション膜１１１は、ＳｉＯ（酸化シリコン）またはＳｉＮからなる薄膜である。
平坦化膜１０２は、ポリイミド系樹脂あるいはアクリル系樹脂等の絶縁材料からなり、パッシベーション膜１１１の上面の段差を平坦化している。
【００２２】
下部電極１０３は、コンタクトホール１０３ａを介してＴＦＴ層１０１ｂと接続されている。例えば、Ａｇ（銀）、ＡＰＣ（銀、パラジウム、銅の合金）、ＡＲＡ（銀、ルビジウム、金の合金）、ＭｏＣｒ（モリブデンとクロムの合金）、ＮｉＣｒ（ニッケルとクロムの合金）等の光反射性導電材料からなり、各画素に対応した領域に形成されている。
バンク１０４は、例えば、絶縁性の有機材料（例えばアクリル系樹脂、ポリイミド系樹脂、ノボラック型フェノール樹脂等）からなり、ＴＦＴ基板１０１の中央領域内において、下部電極１０３同士の間に形成されている。
【００２３】
有機発光層１０５は、バンク１０４で規定された各画素に対応する領域に形成されており、パネル駆動時に注入されるホールと電子との再結合によってＲ、ＧまたはＢに発光する有機発光材料で構成されている。
電子輸送層１０６は、例えば、バリウム、フタロシアニン、フッ化リチウムからなり、上部電極１０７から注入される電子を有機発光層１０５へ輸送する機能を有する。
【００２４】
上部電極１０７は、ＩＴＯ、ＩＺＯ等の光透過性導電材料で形成された透明電極であって、バンク１０４および有機発光層１０５の上面を覆うように、表示部全体に亘って形成されている。
薄膜封止層１０８は、有機発光層１０５が水分やガス等に触れるのを防止する層であって、ＳｉＮ、ＳｉＯ、ＳｉＯＮ（酸窒化シリコン）、ＳｉＣ（炭化ケイ素）、ＳｉＯＣ（炭素含有酸化シリコン）等の光透過性材料からなり、上部電極１０７上に表示部全体に亘って形成されている。
【００２５】
保護層１０９は、薄膜封止層１０８を覆って形成され、酸化アルミニウム（Ａｌ2Ｏ3、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）等の光透過性材料からなる。薄膜封止層１０８の上にさらに保護層１０９を形成することで、例えば薄膜封止層１０８にピンホールが存在する場合でも、その封止欠陥部分から薄膜封止層１０８内に水分やガス等が浸入するのを防止することができる。
【００２６】
ＴＦＴ基板１０１の外周領域における薄膜封止層１０８が形成されている領域の外側には、複数本の引出配線層１１２が互いに間隔をおいて形成されている（図２参照）。各引出配線層１１２の端部は、外部接続用に上面露出して端子部４３が形成されている。
引出配線層１１２は、例えば、Ｃｒ、Ｍｏ、Ａｌ、Ｔｉ、Ｃｕなどの金属、あるいは金属を含む合金（例えば、ＭｏＷ、ＭｏＣｒ、ＮｉＣｒなど）等の導電材料からなる。
【００２７】
[薄膜封止層１０８の形成方法]
ＥＬ基板２にＣＶＤ法で薄膜封止層１０８を形成する工程について説明する。
図３はプラズマＣＶＤ成膜装置２００の概略構成図である。
プラズマＣＶＤ成膜装置２００は、反応チャンバ２０１及びその内部に設けられた薄膜形成の対象となるＥＬ基板２を載置する基板ホルダ２０２、基板ホルダ２０２と対向して設けられたシャワーヘッド２０３、反応チャンバ２０１から排気するための排気口２０４などを備える。
【００２８】
基板ホルダ２０２は、ＥＬ基板２を加熱するヒータを備えている。また基板ホルダ２０２は、プラズマ放電用の一方の電極を兼ね、接地されている。
シャワーヘッド２０３は、ガス導入口２０５から導入される反応ガスを細孔から噴出する。また、シャワーヘッド２０３及びガス導入口２０５は、反応チャンバ２０１から絶縁され、高周波電源２０６と接続され、プラズマ放電用の他方の電極を兼ねている。
【００２９】
プラズマＣＶＤ成膜装置２００及びマスク３を用いて、次のように基板ホルダ２０２上に薄膜封止層１０８を形成する。
図４（ａ）では、薄膜封止層１０８を形成する工程において、プラズマＣＶＤ成膜装置２００の基板ホルダ２０２上に、ＥＬ基板２及びマスク３が載置されている状態を断面で示している。
【００３０】
成膜時には、当図に示すように基板ホルダ２０２上にＥＬ基板２及びマスク３を載置する。そして、反応チャンバ２０１内から真空排気し、ＥＬ基板２を所定のＣＶＤ成膜温度（８０℃）に加熱し、窒化シリコン膜を形成するための反応ガスとして、シリコン系ソースガスとしてシラン、窒化ガスとして窒素またはアンモニアを流す。その状態で、高周波電源２０６によってシャワーヘッド２０３に高周波電力を印加して、ＥＬ基板２の表面近傍にプラズマ反応場を形成する。
【００３１】
プラズマ反応場における化学反応によってＥＬ基板２上に窒化シリコンが堆積して薄膜が形成される。
所定枚数のＥＬ基板２に対して成膜し、成膜後のＥＬ基板１を反応チャンバ２０１外へ搬出する。
その後、反応チャンバ２０１から排気口２０４から排気し、クリーニングガスをガス導入口２０５から導入する。その状態で高周波電力を印加してフッ素系ラジカル種を生成させ、クリーニングを実施する。フッ素系ラジカル種は反応チャンバ２０１の内壁面やシャワーヘッド２０３等に付着した膜と化学反応してガス化させ、クリーニングガスと共に排気口２０４から外部へ排出される。
【００３２】
[マスク３]
図２に示すように、マスク３は、外周縁がＥＬ基板２よりも大サイズの長方形枠体状であって、その中央部に、ＥＬ基板２上に薄膜封止層１０８を成膜するときの成膜領域を規定する開口部３１を有している。マスク３は、セラミックスで形成され、その内周縁１１の内側が開口部３１である。
【００３３】
図５（ａ）はマスク３を下面側から見た斜視図である。
マスク３の下面側には、図４（ａ）、図５（ａ）に示すように、内周縁１１の周りを取り巻く凹領域１７が形成されている。この凹領域１７にＥＬ基板２が嵌り込むようになっている。
凹領域１７の底面は、マスク３がＥＬ基板２に装着されたときにＥＬ基板２の上面と対向する対向面１８である。
【００３４】
この対向面１８は、外周領域に設定されている接触面部分１８１と、その内周側に設定されている退避面部分１８２とに分かれている。接触面部分１８１は、マスク３をＥＬ基板２の上に装着したときに、ＥＬ基板２における外周部上面と接触する領域である。一方、退避面部分１８２は、接触面部分１８１の面位置を基準として、面位置がＺ方向に退避している。
【００３５】
接触面部分１８１及び退避面部分１８２は、それぞれがＸ−Ｙ面に沿った平面であって、互いに平行である。
マスク３を形成するセラミック材としては、アルミナ、ジルコニアをはじめとして、チタン酸アルミニウム、フォルステライト、ステアタイト、コージライ、ムライト、普通磁器、窒化アルミ、ガラスセラミックスなどが挙げられる。
【００３６】
マスク３は、セラミックス製の枠体を切削加工することによって作製することができる。ここで、退避面部分１８２については、平面を掘り下げる加工（ザグリ加工）によって、その面位置を、接触面部分１８１の面位置よりもＺ方向に退避させることができる。
対向面１８の中で、どの領域を接触面部分１８１とし、どの領域を退避面部分１８２とするかについては、一般的に、ＥＬ基板２の表面において傷がついても大丈夫な領域に対応する領域を接触面部分１８１とし、傷をつけたくない領域を退避面部分１８２として設定する。そして、退避面部分１８２の幅Ｗも、ＥＬ基板２上において傷つけたくない領域の幅に合わせて設定する。
【００３７】
ここでは、ＥＬ基板２の上面において、引出配線層１１２が存在しない外周部は押圧しても大丈夫な領域なので、対向面１８の中で、この外周部に対向する領域を接触面部分１８１として設定する。
一方、ＥＬ基板２の上面における引出配線層１１２の端子部４３は傷をつけたくないので、対向面１８の中で、この領域に対向する領域を退避面部分１８２として設定する。
【００３８】
すなわち、ＥＬ基板２上において、表示領域４１の周囲には、複数の引出配線層１１２が存在している。そして、ＥＬ基板２上にマスク３を装着したときに、対向面１８の内周側の領域が、複数の引出配線層１１２が形成されている領域と重なるので、マスク３においては、この内周側領域を退避面部分１８２に設定する。
そして、退避面部分１８２の幅Ｗは、引出配線層１１２が存在する領域に合わせて、例えば１ｃｍに設定する。
【００３９】
マスク３の厚みＴは、特に限定されないが、例えば５〜１０ｍｍである。
接触面部分１８１を基準にした退避面部分１８２の退避量Ｄは、下記の基板表面の傷防止効果を得るために２０μｍ以上とすることが好ましい。一方、退避量Ｄを大きくし過ぎると、退避面部分１８２におけるマスク機能が低下するので、退避量Ｄは２００μｍ以下とすることが好ましい。
【００４０】
マスク３による効果：
マスク３の効果について、比較例のマスク６と対比して説明する。
図４（ｂ）は比較例にかかるマスク６がＥＬ基板２に装着された状態を示している。
このマスク６は、マスク３と同様の構成であるが、対向面１１８に退避面部分１８２に相当する領域はなく、対向面１１８全体が一平面上に形成されている。
【００４１】
従って、この比較例にかかるマスク６をＥＬ基板２に装着したときには、マスク６の自重により、対向面１１８がＥＬ基板２の上面に存在する引出配線層１１２を上から押圧して、引出配線層１１２が傷つくこともある。
これに対して、マスク３は、ＥＬ基板２に装着されたときに、接触面部分１８１はＥＬ基板２の上面と接触して、このＥＬ基板２の上面を押圧するが、この領域には引出配線層１１２が存在しないので引出配線層１１２を傷つけることがない。一方、退避面部分１８２は引出配線層１１２と対向するが、退避面部分１８２の面位置が、接触面部分１８１の面位置に対して退避している（すなわち、ＥＬ基板２の表面から離間する方向に退避している）ので、引出配線層１１２に対して非接触とすることができる。あるいは、退避面部分１８２が引出配線層１１２に接触したとしても、強い押圧力はかからないので、マスク３の装着によって引出配線層１１２が傷つくのを回避できる。また、退避面部分１８２においても、マスク機能は発揮される。
【００４２】
なお、上記のように退避面部分１８２の退避量Ｄを２０μｍ以上に設定することによって、例えばＥＬ基板２の表面と退避面部分１８２との間にゴミが付着しているような場合でも、ゴミによって引出配線層１１２などに傷がつくのを抑えることができる。
以上のようにＣＶＤ法でＥＬ基板２上に成膜する際にマスク３を用いれば、マスキング効果及びＥＬ基板２に対する傷防止の効果を両立することができる。
【００４３】
[保護層１０９の形成方法]
図６（ａ）は、ＥＬ基板１の上面にマスク４を装着して保護層１０９を形成する様子を示す図である。
ＥＬ基板１の上面にマスク４を装着して、原子層堆積（ＡＬＤ）法によってＥＬ基板１の薄膜封止層１０８上に、Ａｌ2Ｏ3からなる保護層１０９を形成する。
【００４４】
保護層１０９の膜厚は、例えば厚さ２０ｎｍとする。
この工程で用いるＡＬＤ装置は、上記ＣＶＤ装置と類似しているが、装置本体内に供給される気体の種類や供給シーケンスなどが異なる。
ＡＬＤ装置において、具体的には、トリメチルアルミニウム（ＴＭＡ）ガスの存在下で、酸素プラズマによってＡｌ2Ｏ3の層を堆積させる。ＡＬＤ成膜条件は、例えば、成膜温度が７５℃〜９５℃、成膜圧力が８０Ｐａ〜１２０Ｐａである。
【００４５】
＜マスク４＞
ＡＬＤ法で成膜する際のマスクとして、上記のマスク３を用いてもよいが、ＡＬＤ法が原子レベルのガス状態の材料を堆積させる方法であって、ＣＶＤ法で成膜する場合と比べて、マスクの下側に成膜材料が入り込みやすい。
そのため、ＡＬＤ法の場合は、以下に説明するマスク４を用いることが好ましい。
【００４６】
図５（ｂ）は、マスク４を下面側から見た斜視図である。
図５（ｂ），図６（ａ）に示すように、保護層１０９の形成に使用するマスク４は、上記のマスク３と同様の構成であって、対向面１８に接触面部分１８１と退避面部分１８２とを備えている。
従って、このマスク４をＥＬ基板１に装着したときに、引出配線層１１２が押圧されて傷つくのを回避できる点はマスク３と同様である。
【００４７】
一方、マスク４においては、退避面部分１８２の中で、開口部３１に臨む縁部分１８２ａの退避量Ｗ１は、開口部３１から離れた奥部分１８２ｂの退避量Ｗ２よりも小さく設定されている点が、上記マスク３と異なっている。
このマスク４は、退避面部分１８２における開口部３１に臨む縁部分１８２ａの退避量Ｄ１が小さいので、ＥＬ基板１上に装着したときに、奥部分１８２ｂでは、退避量Ｄ２を十分に確保して、引出配線層１１２との接触を回避すると共に、縁部分１８２ａでは、ＥＬ基板１の上面との間隙幅が小さくなる。
【００４８】
従って、ＡＬＤ法で成膜する際に、マスク４を用いると、マスク３を用いる場合と比べて以下の効果を奏する。
図６（ｂ）に示すようにマスク３を用いてＡＬＤ法で成膜した場合、ＥＬ基板２に対する傷防止効果は良好であるが、退避面部分１８２の下に堆積材料が入り込んで、引出配線層１１２の端子部４３上にＡｌ2Ｏ3が堆積することもある。原子層堆積法で形成されたＡｌ2Ｏ3層は緻密であるため、端子部４３上にＡｌ2Ｏ3層が存在すると、端子部４３に接続される外部端子との導通が妨げられる。
【００４９】
一方、マスク４をＥＬ基板１上に装着したときに、縁部分１８２ａが引出配線層１１２と接触しやすくなるものの、ＡＬＤ法で成膜するときに、対向面１８の下に成膜材料が入り込むのを抑えることができる。従って、端子部４３の上に成膜材料が堆積するのを抑えることができる。
マスク４の退避面部分１８２に関する寸法例を示す。
【００５０】
退避面部分１８２全体の幅Ｗは８ｍｍである。
縁部分１８２ａの幅Ｗ１は４ｍｍ、その退避量Ｄ１は２０μｍである。
奥部分１８２ｂの幅Ｗ２は４ｍｍ、その退避量Ｄ２は５０μｍである。
＜実施の形態２＞
本実施形態では、マスク５を用いて、ＣＶＤ法により薄膜封止層１０８を形成する。
【００５１】
図７は、マスク５の構成を示す分解斜視図である。
マスク５は、セラミックスからなり枠形状の支持フレーム５０と、支持フレーム５０に取り付けられた複数の金属板６０ａ〜６０ｊと、金属板６０ａ〜６０ｊの上を覆うセラミックス製のカバー７０とで構成されている。
支持フレーム５０は、長方形状の枠体であって、支持フレーム５０の上面側には、図８に示すように支持台座部５３及び傾斜台座部５４が形成されている。この支持台座部５３及び傾斜台座部５４に、金属板６０ａ〜６０ｂが環状に配置されて取り付けられている。
【００５２】
一方、支持フレーム５０の下面側には、図８に示すように、凹領域５７が形成され、マスク５をＥＬ基板２に装着すると、この凹領域５７にＥＬ基板２が嵌り込み、凹領域５７の底面がＥＬ基板２の外周部上面と接触して、押圧するようになっている。
従って、このマスク５においては、凹領域５７の底面が接触面部分５７ａである。
金属板６０ａ〜６０ｂのそれぞれは、支持フレーム５０の支持台座部５３に取付けられる支持部６１と、傾斜台座部５４の上面に沿って伸長する傾斜部６２と、支持フレーム５０の内周縁５１から開口部３１の中央に向けて水平方向に突出する突出片部６３とを有している。各金属板６０ａ〜６０ｂは、長方形状の金属板材が、支持フレーム５０の支持台座部５３及び傾斜台座部５４の角度に合わせて折り曲げ加工された部材である。
【００５３】
金属板６０ａ〜６０ｂの材料としては、アルミ板、アルマイト処理したアルミ板、ステンレス板をはじめとする各種金属板を用いることができる。
複数の金属板６０ａ〜６０ｊは、隣接する突出片部６３ａ〜６３ｊ同士が常温にて互いに間隙を開けた状態で、ＸーＹ平面上に環状に配列されている。
そして、環状に配置された複数の突出片部６３ａ〜６３ｊによって、開口部３１の外縁が形成されている。
【００５４】
各金属板６０ａ〜６０ｊの支持部６１は、支持フレーム５０の支持台座部５３に固定されている。ただし、以下のように、各金属板６０ａ〜６０ｊがＣＶＤ成膜温度（８０℃）まで上昇して熱膨張したときに板が撓むことがないように固定している。
各金属板６０ａ〜６０ｊの支持部６１を支持台座部５３に固定するために、各金属板６０ａ〜６０ｊの支持部６１には、ねじ６５を挿通させるねじ穴６４ａ，６４ｂが開設され、支持台座部５３にはねじ孔５６が穿設されている。各金属板６０ａ〜６０ｊのねじ孔５６を挿通した６５を、ねじ孔５６に締結することによって各金属板６０ａ〜６０ｊの支持部６１を支持台座部５３に固定される。
【００５５】
ここで、各金属板６０ａ〜６０ｊにおける支持部６１の中央部に設けられたねじ穴６４ａは、ねじ６５の軸を丁度挿通できる円形であって、各金属板６０ａ〜６０ｊの中央部はねじ６５によって支持台座部５３に締結され、しっかりと固定される。一方、各金属板６０ａ〜６０ｂの両端部に設けられたねじ穴６４ｂは、内周縁５１に沿って伸長する長円形の長孔であって、この両端部はねじ６５でねじ止めするが、締め付けはしない。
【００５６】
これによって、各金属板６０ａ〜６０ｊは、支持フレーム５０に３点でねじ止めされるので位置がずれることがない。また、各金属板６０ａ〜６０ｊの両端部は、支持台座部５３の表面上を内周縁５１に沿った方向にスライド可能な状態でねじ止めされるので、金属板６０ａ〜６０ｊが熱応力によって撓むこともない。
なお、金属板６０ａ〜６０ｊを支持台座部５３に固定する方法は、ねじ止めに限らず、リべットなどの締結部材を用いて固定してもよい。
【００５７】
カバー７０は、支持フレーム５０の支持台座部５３及び傾斜台座部５４と同程度のサイズを有する枠体状の部材である。このカバー７０は、金属板６０ａ〜６０ｊの支持部６１及び傾斜部６２の上を覆うように支持フレーム５０に取付けられる。
カバー７０の下面側には、図８に示すように各ねじ６５の頭部が嵌り込む孔が穿設され、各ねじ６５の頭部もカバー７０で覆われるようになっている。
【００５８】
薄膜封止層１０８の外縁で膜厚がシャープに立ち上がるようにする上で、各金属板６０ａ〜６０ｊにおける突出片部６３ａ〜６３ｊが内周縁５１から突出する突出量Ｈは、５ｍｍ以上であることが好ましく、さらに１０ｍｍ以上であることが好ましい。また、突出片部６３ａ〜６３ｊの板厚は、２ｍｍ以下とし、１ｍｍ以下とすることが好ましい。
一方、突出片部６３ａ〜６３ｊの強度を確保する上で、突出片部６３ａ〜６３ｊの板厚ｔは０．５ｍｍ以上とすることが好ましい。
【００５９】
また通常は、セラミックスよりも金属板の方が線熱膨張率が大きいため、隣接する２つの金属板の突出片部６３同士の間隙６６は、温度が上昇すると間隙幅が狭まる。ここで常温における各間隙の間隙幅は、ＣＶＤ成膜温度（８０℃）まで上昇したときに微小になるように設定することが好ましい。
金属板６０ａ〜６０ｊの突出片部６３ａ〜６３ｊの下面の面位置は、接触面部分５７ａの面位置を基準にしてＺ方向に退避しており、退避面部分となっている。この退避量Ｄは、例えば１００μｍである。
【００６０】
このようなマスク５を用いてＣＶＤ法でＥＬ基板２上に成膜することによって、実施の形態１で説明したマスク３と同様にＥＬ基板２表面が傷つくのを回避する効果が得られる。
すなわち、マスク５がＥＬ基板２に装着されたときには、接触面部分５７ａはＥＬ基板２の外周部上面と接触して押圧する。一方、突出片部６３ａ〜６３ｊの下面（退避面部分）は、ＥＬ基板２の上面から離間する方向に退避しているので、ＥＬ基板２の上面に存在する引出配線層１１２が突出片部６３ａ〜６３ｊによって強く押圧されることはない。
【００６１】
従って、マスク５の装着に伴ってＥＬ基板２表面の引出配線層１１２が傷つくのを回避できる。
なお、本実施の形態では、支持フレーム５０に複数の金属板を取り付けることによって、突出片部を形成したが、１枚の枠形状の板を支持フレームに取り付けることによって突出片部を形成することもでき、その場合も、突出片部の下面を支持フレーム下面の接触面部分に対して退避した位置に設定することによって、同様にＥＬ基板２表面の引出配線層１１２が傷つくのを回避できる。
【００６２】
＜変形例＞
１．上記実施の形態１では、マスク４をＡＬＤ法による保護層１０９の成膜に用いる例を説明したが、マスク４をＣＶＤ法による薄膜封止層１０８などの成膜に用いてもよい。
２．上記実施の形態では、マスク３〜５を、薄膜封止層１０８及び保護層１０９を形成する際に用いる例を示したが、パッシベーション膜１１１を形成する際に用いることもできる。また一般に、基板上の一定領域にＣＶＤ法あるいはＡＬＤ法で薄膜を形成する際に、マスク３あるいはマスク４を用いることによって、同様に基板の上面を傷つけない効果を得ることができる。
【００６３】
３．上記実施の形態のマスク３〜５では、対向面の中で、ＥＬ基板上の引出配線層１１２と対向する領域を退避面部分として設定したが、ＥＬ基板上において傷つけたくない領域と対向する領域を、退避面部分として適宜設定すればよい。例えば、ＥＬ基板上にコネクタが存在し、そのコネクタをマスクで傷つけたくない場合には、マスクの対向面の中で、当該コネクタが存在する領域に対向する領域を退避面部分として設定すればよい。
【００６４】
４．上記実施の形態のマスク３〜５では、対向面の中で、内周側領域を退避面部分とし、外周側領域を接触面部分としたが、ＥＬ基板上において傷をつけたくない領域がどこにあるかによって、退避面部分及び接触面部分の位置も変わる。
例えば、ＥＬ基板上において傷をつけたくない領域が外周側の領域にある場合、マスクにおける対向面の中で、外周側領域を退避面部分とし、内周側領域を接触面部分に設定すればよい。
【産業上の利用可能性】
【００６５】
本発明のマスクは、有機ＥＬ表示パネルの封止層、保護層をＣＶＤ法あるいはＡＬＤ法で形成する場合をはじめとして、基板上にＣＶＤ法あるいはＡＬＤ法で薄膜を形成する際に利用できる。
【符号の説明】
【００６６】
１  ＥＬ基板
２  ＥＬ基板
３〜５  マスク
１１  内周縁
１７  凹領域
１８  対向面
３１  開口部
４１  表示領域
４２  周辺領域
４３  端子部
５０  支持フレーム
６０ａ〜６０ｊ  金属板
６１  支持部
６２  傾斜部
６３  突出片部
７０  カバー
１０８  薄膜封止層
１０９  保護層
１１１  パッシベーション膜
１１２  引出配線層
１１８  対向面
１８１  接触面部分
１８２  退避面部分
１８２ａ  縁部分
１８２ｂ  奥部分
２００  プラズマＣＶＤ成膜装置
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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