(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体原料ガスを含む供給ガス（３ａ）が導入されるガス導入口（２ａ）と排出されるガス排出口（２ｂ）とを有した中空形状の容器（２）と、
前記容器内に配置されると共に前記供給ガスの供給経路の一部を構成し、前記供給ガスのガス入口とガス出口を有する中空部を備え、前記ガス供給経路の上流側から下流側に向かって内径および外径が徐々に広がる断面テーパ状部分を有する筒状部材で構成されたガス導入部（４）と、
前記ガス導入部の外周面に沿って配置された抵抗加熱ヒータ（５）と、
前記抵抗加熱ヒータにて加熱された前記ガス導入部を通じて供給される前記供給ガスが供給され、前記ガス出口に対向配置された半導体基板（１０）の設置面（６ａ）を有するサセプタ（６）と、を有し、
前記抵抗加熱ヒータは、前記供給ガスの上流から下流に向かって複数に分割していることを特徴とする半導体製造装置。
【請求項２】
前記ガス導入部は、前記供給ガスの供給経路の上流が前記断面テーパ状部分とされ、該断面テーパ状部分よりも前記供給ガスの供給経路の下流側において断面直線状部分とされていることを特徴とする請求項１に記載の半導体製造装置。
【請求項３】
前記ガス導入部は、前記断面テーパ状部分を含む拡径部（４ａ）に加えて、該拡径部の内側に配置された円錐形状もしくは円錐台形状とされた中央部（４ｂ）を有し、
前記抵抗加熱ヒータは、前記中央部における前記供給ガスの供給経路と反対側にも配置されていることを特徴とする請求項１または２に記載の半導体製造装置。
【請求項４】
半導体原料ガスを含む供給ガス（３ａ）が導入されるガス導入口（２ａ）と排出されるガス排出口（２ｂ）とを有した中空形状の容器（２）と、
前記容器内に配置されると共に前記供給ガスの供給経路の一部を構成し、前記供給ガスのガス入口とガス出口を有する中空部を備え、前記ガス供給経路の上流側から下流側に向かって内径および外径が徐々に広がる断面テーパ状部分を有する筒状部材で構成されたガス導入部（４）と、
前記ガス導入部の外周面に沿って配置された抵抗加熱ヒータ（５）と、
前記抵抗加熱ヒータにて加熱された前記ガス導入部を通じて供給される前記供給ガスが供給され、前記ガス出口に対向配置された半導体基板（１０）の設置面（６ａ）を有するサセプタ（６）と、を有し、
前記ガス導入部は、前記断面テーパ状部分を含む拡径部（４ａ）に加えて、該拡径部の内側に配置された円錐形状もしくは円錐台形状とされた中央部（４ｂ）を有し、
前記抵抗加熱ヒータは、前記中央部における前記供給ガスの供給経路と反対側にも配置されていることを特徴とする半導体製造装置。
【請求項５】
前記サセプタのうち前記設置面の反対側には、前記半導体基板を加熱するヒータ（９）が備えられていることを特徴とする請求項１ないし４のいずれか１つに記載の半導体製造装置。
【請求項６】
前記ガス導入部と前記抵抗加熱ヒータの少なくとも一方が前記ガス導入部の中心軸を中心として回転させられることで、前記ガス導入部が前記抵抗加熱ヒータに対して相対回転させられることを特徴とする請求項１ないし５のいずれか１つに記載の半導体製造装置。
【請求項７】
半導体原料ガスを含む供給ガス（３ａ）が導入されるガス導入口（２ａ）と排出されるガス排出口（２ｂ）とを有した中空形状の容器（２）と、
前記容器内に配置されると共に前記供給ガスの供給経路の一部を構成し、前記供給ガスのガス入口とガス出口を有する中空部を備え、前記ガス供給経路の上流側から下流側に向かって内径および外径が徐々に広がる断面テーパ状部分を有する筒状部材で構成されたガス導入部（４）と、
前記ガス導入部の外周面に沿って配置された抵抗加熱ヒータ（５）と、
前記抵抗加熱ヒータにて加熱された前記ガス導入部を通じて供給される前記供給ガスが供給され、前記ガス出口に対向配置された半導体基板（１０）の設置面（６ａ）を有するサセプタ（６）と、を有し、
前記ガス導入部と前記抵抗加熱ヒータの少なくとも一方が前記ガス導入部の中心軸を中心として回転させられることで、前記ガス導入部が前記抵抗加熱ヒータに対して相対回転させられることを特徴とする半導体製造装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、下地となる半導体基板上に半導体層を形成する半導体製造装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来、特許文献１において、半導体製造装置として、化学的気相（ＣＶＤ：Chemical  Vapor  Deposition）成長によって半導体基板上に半導体層を形成するＣＶＤ装置が提案されている。このＣＶＤ装置では、サセプタの表面に配置される半導体基板の下方位置に、半導体基板に近づくに連れて徐々に内径が拡大させられるロート状のガス導入部を配置し、ガス導入部をその外周に配置された誘導加熱用の高周波コイルで加熱しながら原料ガスを導入する。これにより、半導体基板の表面に半導体層を成長させている。
【０００３】
このように、半導体基板の下方位置にロート状のガス導入部を配置して原料ガスを導入することで、効率良くガスを加熱しつつ、かつ、半導体基板に対して均一に原料ガスを供給することが可能となる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００３−８６５１６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、高周波コイルを用いて誘導加熱によってロート状のガス導入部を加熱する形態であることから、ガス導入部のうち高周波コイルに近い部分が優先的に加熱され、ガス導入部の上下方向に温度分布が生じる。そして、このガス導入部内の温度分布が原因でガス導入部の熱疲労破壊を引き起こすという問題を発生させる。
【０００６】
本発明は上記点に鑑みて、ガス導入部内の温度均一化を図ることができ、ガス導入部の熱疲労破壊を抑制することが可能な半導体製造装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記目的を達成するため、請求項１に記載の発明では、半導体原料ガスを含む供給ガス（３ａ）が導入されるガス導入口（２ａ）と排出されるガス排出口（２ｂ）とを有した中空形状の容器（２）と、容器内に配置されると共に供給ガスの供給経路の一部を構成し、供給ガスのガス入口とガス出口を有する中空部を備え、ガス供給経路の上流側から下流側に向かって内径および外径が徐々に広がる断面テーパ状部分を有する筒状部材で構成されたガス導入部（４）と、ガス導入部の外周面に沿って配置された抵抗加熱ヒータ（５）と、抵抗加熱ヒータにて加熱されたガス導入部を通じて供給される供給ガスが供給され、ガス出口に対向配置された半導体基板（１０）の設置面（６ａ）を有するサセプタ（６）と、を有していることを特徴としている。
【０００８】
このように、ガス導入部に沿って抵抗加熱ヒータを備えているため、ガス導入部の上下方向の温度分布を抑制し、ガス導入部の熱疲労破壊を抑制することが可能となる。このような半導体製造装置によれば、ガス導入部内の温度均一化を図ることができ、ガス導入部の熱疲労破壊を抑制することができる。
【０００９】
なお、上記各手段の括弧内の符号は、後述する実施形態に記載の具体的手段との対応関係の一例を示すものである。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】本発明の第１実施形態にかかるＳｉＣ層製造装置の断面構成を示す図である。
【図２】図１における抵抗加熱ヒータ５およびガス導入部４の拡大斜視図である。
【図３】本発明の第２実施形態にかかるＳｉＣ層製造装置の断面構成を示す図である。
【図４】本発明の第３実施形態にかかるＳｉＣ層製造装置の断面構成を示す図である。
【図５】本発明の第４実施形態にかかるＳｉＣ層製造装置の断面構成を示す図である。
【図６】本発明の第５実施形態にかかるＳｉＣ層製造装置の断面構成を示す図である。
【図７】本発明の第６実施形態にかかるＳｉＣ層製造装置の断面構成を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
以下、本発明の実施形態について図に基づいて説明する。なお、以下の各実施形態相互において、互いに同一もしくは均等である部分には、同一符号を付して説明を行う。
【００１２】
（第１実施形態）
本発明の第１実施形態について説明する。本実施形態では、半導体製造装置として、炭化珪素（以下、ＳｉＣという）にて構成される半導体基板上にＳｉＣ層を形成するＳｉＣ層製造装置を例に挙げて説明する。
【００１３】
図１に示すように、ＳｉＣ層製造装置１は、容器２の底部に備えられたガス導入口２ａを通じてガス供給源３からの原料ガスを含む供給ガス３ａを導入すると共に、上面に備えられたガス排出口２ｂを通じて供給ガス３ａのうちの未反応ガスを排出する。そして、ＳｉＣ層製造装置１は、装置内に配置したＳｉＣ単結晶にて構成された半導体基板１０上にＳｉＣ層１１をエピタキシャル成長させることにより、ＳｉＣ層１１が備えられたＳｉＣ基板を形成する。
【００１４】
例えば、半導体基板１０の上にＳｉＣ層１１をエピタキシャル成長させた基板は、いわゆるエピ基板として用いられる。すなわち、ｎチャネル型の縦型ＭＯＳＦＥＴなどを形成するエピ基板を製造する場合、半導体基板１０としてｎ+型ＳｉＣ基板を用い、このｎ+型ＳｉＣ基板上にＳｉＣ層１１としてｎ-型ＳｉＣ層を形成する。これにより、ｎ+型ＳｉＣ基板にてドレインを構成すると共に、ｎ-型ＳｉＣ層にてドリフト層を構成することが可能なエピ基板を製造することができる。このｎ-型ＳｉＣ層の上に、ｐ型ベース領域やｎ+型ソース領域、ゲート絶縁膜やゲート電極などを形成することで、ｎチャネル型の縦型ＭＯＳＦＥＴを構成することができる。
【００１５】
具体的には、ＳｉＣ層製造装置１には、容器２、ガス供給源３、ガス導入部４、抵抗加熱ヒータ５、サセプタ６および回転機構７などが備えられている。
【００１６】
容器２は、例えば成長空間やガス導入空間を構成する中空部が備えられた円筒部材によって構成され、例えばＳＵＳなどによって構成されている。上記したように、容器２の底面にはガス導入が行われるガス導入口２ａ、上面にはガス排出が行われるガス排出口２ｂが備えられている。ガス導入口２ａは、容器２の中心軸上に形成されており、ガス排出口２ｂは、容器２の中心軸から所定距離離れた位置に複数個形成されている。
【００１７】
ガス供給源３は、供給ガス３ａをガス導入口２ａより容器２内に導入する。供給ガス３ａは、基本的にはＳｉおよびＣを含有するＳｉＣの原料ガスであるが、本実施形態の場合、原料ガスに加えてキャリアガスを含み、原料ガスをキャリアガスと共に容器２内に導入している。原料ガスとしては、例えば、Ｓｉ原料となるＳｉＨ4、ＳｉＨ2Ｃｌ2、ＳｉＨＣｌ3、ＳｉＣｌ4等のシラン系ガスとＣ原料となるＣ3Ｈ8やＣ2Ｈ2等の炭化水素系ガスの混合ガスを用いている。キャリアガスとしては、Ｈ2のようなエッチングガスやＡｒ、Ｈｅのような不活性ガスを用いている。
【００１８】
ガス導入部４は、ガス導入口２ａを通じて供給される供給ガス３ａを半導体基板１０側に導く部材である。例えば、ガス導入部４は、ＳｉＣ、ＳｉＣコートカーボンもしくは高融点の炭化金属（炭化タンタル（ＴａＣ）、炭化ニオブ（ＮｂＣ）、炭化バナジウム（ＶＣ）、炭化チタン（ＴｉＣ）、炭化タングステン（ＷＣ）、炭化ハフニウム（ＨｆＣ）などで構成されている。このガス導入部４は、ガス供給経路の一部を構成する中空部を有し、供給ガス３ａの供給経路の上流側から下流側に向けて内径および外径が拡大する筒状部材で構成されている。
【００１９】
具体的には、ガス導入部４は、容器２の中心軸と同軸を中心軸とする中空円錐台形状で構成されており、円錐台形状における上面および底面が開口させられることでガス入口およびガス出口を構成している。そして、ガス入口から中空部内を通じてガス出口より供給ガス３ａを半導体基板１０に導入する。すなわち、ガス導入部４は、ガス導入口２ａからサセプタ６側、つまり半導体基板１０側に向かって徐々に内径が広がるように、内周面が断面テーパ状とされている。本実施形態では、ガス導入部４を一定の厚みで構成しており、ガス導入部４の外径も内径と同様に、半導体基板１０側に向かって徐々に広がっており、外周面も断面テーパ状とされている。
【００２０】
抵抗加熱ヒータ５は、容器２の内部に配置されており、ガス導入部４の外周に沿って配置されている。すなわち、抵抗加熱ヒータ５は、ガス導入部４の外周面に沿って断面テーパ状とされている。図２に示すように、抵抗加熱ヒータ５は、抵抗体を蛇腹状に繰り返し折り返した形状で構成されている。ガス導入部４の側面のうち、ガス導入部４の中心軸周りの方向を周方向、その垂直方向を母線方向と呼ぶと、本実施形態の抵抗加熱ヒータ５は、母線方向を長手方向とする複数本の抵抗体が延設され、隣り合う抵抗体同士が長手方向の一端において周方向の抵抗体で連結された構造とされている。
【００２１】
そして、抵抗加熱ヒータ５のうちの引出部５ａが例えばガス導入口２ａより容器２の外方に引き出され、引出部５ａを通じて抵抗加熱ヒータ５に対して通電可能となっている。
【００２２】
サセプタ６は、半導体基板１０が設置される台座となるものであり、カーボンなどによって構成されている。サセプタ６は、ガス導入部４のガス出口に対向配置され、ガス導入部４の中心軸を法線方向とする設置面６ａを有している。この設置面６ａに半導体基板１０を貼り付けることで、半導体基板１０のうちのＳｉＣ層１１を成長させる一面がガス導入部４側に向けられる。本実施形態の場合、サセプタ６は、中空状の円盤状部材６ｂとパイプ状の支持部６ｃとを有した構成とされている。支持部６ｃは、円盤状部材６ｂのうちの設置面６ａと反対側の面から突出させられており、回転機構７に連結されている。支持部６ｃの中心軸は、ガス導入部４の中心軸に対して同軸とされている。
【００２３】
回転機構７は、パイプ状の支持部６ｃを介し、支持部６ｃの中心軸を回転中心として、円盤状部材６ｂおよび半導体基板１０を回転させる。このように、回転機構７によって半導体基板１０を回転させることにより、半導体基板１０のうちのＳｉＣ層１１の成長面の温度や成長したＳｉＣ層１１の成長面の温度の面内分布を低減して、温度の均一化を図ることが可能となる。
【００２４】
以上のようにして、本実施形態にかかるＳｉＣ層製造装置１が構成されている。続いて、このように構成されたＳｉＣ層製造装置１を用いた半導体基板１０の表面上へのＳｉＣ層１１の製造方法について説明する。
【００２５】
まず、サセプタ６の設置面６ａに半導体基板１０を取り付け、容器２内に設置する。そして、回転機構７によってサセプタ６と共に半導体基板１０を回転させる。また、ガス導入部４を抵抗加熱ヒータ５にて加熱しつつ、ガス導入口２ａから供給ガス３ａを供給し、ガス導入部４を通じて半導体基板１０の表面側に導入する。
【００２６】
これにより、抵抗加熱ヒータ５によって加熱されたガス導入部４からの熱輻射によって、半導体基板１０が１６００℃前後に加熱される。そして、供給ガス３ａに含まれるＳｉＣの原料ガスからのＳｉおよびＣの供給に基づいて、半導体基板１０の表面にＳｉＣ層１１が成長させられる。このときに供給される供給ガス３ａは、ガス導入部４からの熱伝導で予め熱分解されていることから、半導体基板１０の表面に高品質なＳｉＣ層１１をエピタキシャル成長させることが可能となる。
【００２７】
特に、ガス導入口２ａ側において、ガス導入部４の開口径が狭くなっていることで、供給ガス３ａに対してガス導入部４からの熱伝導が受け易くなり、供給ガス３ａが効率良く加熱される。また、半導体基板１０に近づくに連れて、ガス導入部４の開口径が広がることで、半導体基板１０の全面に供給ガス３ａが行き渡る。このため、より均一に原料供給が行われ、より高品質にＳｉＣ層１１を成長させられる。
【００２８】
そして、本実施形態の場合、ガス導入部４に沿って抵抗加熱ヒータ５を備えているため、ガス導入部４の上下方向の温度分布を抑制し、ガス導入部４の熱疲労破壊を抑制することが可能となる。このように、本実施形態のＳｉＣ層製造装置１によれば、ガス導入部４内の温度均一化を図ることができ、ガス導入部４の熱疲労破壊を抑制することを可能にできる。
【００２９】
（第２実施形態）
本発明の第２実施形態について説明する。本実施形態は、第１実施形態に対してガス導入部４の回転機構を備えるようにしたものであり、その他については第１実施形態と同様であるため、第１実施形態と異なる部分についてのみ説明する。
【００３０】
図３に示すように、本実施形態では、ガス導入部４を回転させる回転機構８を備えている。このように、回転機構８を備えることで、ガス導入部４の中心軸を回転中心として、ガス導入部４を回転可能としている。
【００３１】
このような回転機構８によって、ＳｉＣ層１１の成長中にガス導入部４を回転させることで、ガス導入部４の周方向の温度分布をより均一化することが可能となる。すなわち、ガス導入部４と抵抗加熱ヒータ５との間の間隔が周方向において均一であることが好ましいが、加工精度などによってその間隔が均一にならないことがあり得る。また、抵抗加熱ヒータ５が図２に示したような蛇腹状の形状とされていることから、抵抗加熱ヒータ５がガス導入部４の全面に必ず対向配置されているのではなく、蛇腹状の隙間などにおいて対向配置されていない部分もある。したがって、回転機構８にてガス導入部４を回転させることで、上記効果を得ることが可能となる。
【００３２】
（第３実施形態）
本発明の第３実施形態について説明する。本実施形態は、第１、第２実施形態に対して抵抗加熱ヒータ５の構成を変更したものであり、その他については第１、第２実施形態と同様であるため、第１、第２実施形態と異なる部分についてのみ説明する。なお、ここでは、第１実施形態に対して抵抗加熱ヒータ５の構成を変更した場合について説明するが、第２実施形態についても同様の構成を適用できる。
【００３３】
図４に示すように、本実施形態では、抵抗加熱ヒータ５を供給ガス３ａの流動経路の上流から下流に向かって複数（ここでは３つ）に分割して配置している。このように、抵抗加熱ヒータ５を複数に分割することで、下記の効果を得ることができる。
【００３４】
すなわち、半導体基板１０とガス導入部４の位置によっては、半導体基板１０の熱輻射の影響でガス導入部４が不均一に加熱される場合がある。この場合、抵抗加熱ヒータ５を分割することで、ガス導入部４の中心軸方向において、抵抗加熱ヒータ５の出力調整（電力調整）を行うことで、ガス導入部４を均一に加熱することが可能となる。
【００３５】
また、抵抗加熱ヒータ５を１段よって構成する場合、蛇腹状とされた抵抗加熱ヒータ５は、ガス導入口２ａ側と半導体基板１０側とで隙間の大きさが変わるため、ガス導入口２ａ側において密集し、半導体基板１０側において密集度合いが低くなる。このため、ガス導入部４の中心軸方向において多少温度分布が発生する可能性もある。しかしながら、本実施形態のように、抵抗加熱ヒータ５を複数に分割すれば、上記のような密集度合いの変化を小さくでき、よりガス導入部４を均一に加熱することが可能となる。
【００３６】
（第４実施形態）
本発明の第４実施形態について説明する。本実施形態は、第１〜第３実施形態に対してガス導入部４および抵抗加熱ヒータ５の構成を変更したものであり、その他については第１〜第３実施形態と同様であるため、第１〜第３実施形態と異なる部分についてのみ説明する。なお、ここでは、第３実施形態に対して抵抗加熱ヒータ５の構成を変更した場合について説明するが、第１、第２実施形態についても同様の構成を適用できる。
【００３７】
図５に示すように、本実施形態では、ガス導入部４を断面テーパ状の部分と直線状の部分とを組み合わせて構成している。具体的には、ガス導入部４のうち供給ガス３ａの供給経路の上流側を断面テーパ状とし、下流側に向けてガス導入部４の内径および外径を徐々に大きくし、所定の径となった位置から更に下流側を断面直線状としている。このような形状とすることで、供給ガス３ａがガス導入部４の径方向外側に集中し過ぎないようにできる。
【００３８】
使用する供給ガス３ａの種類やガス導入部４の温度によっては、ＳｉＣ層１１の成膜速度に分布が生じる場合がある。このような場合において、ＳｉＣ層１１の中心部が凹むような形状となる場合には、ガス導入部４の径の広がりを抑えることで、供給ガス３ａの広がりを抑えられ、ＳｉＣ層１１の中心部へのガス供給量を増加して、ＳｉＣ層１１の平坦化を実現できる。
【００３９】
（第５実施形態）
本発明の第５実施形態について説明する。本実施形態は、第１〜第４実施形態に対してガス導入部４の構成を変更したものであり、その他については第１〜第４実施形態と同様であるため、第１〜第４実施形態と異なる部分についてのみ説明する。なお、ここでは、第４実施形態に対して抵抗加熱ヒータ５の構成を変更した場合について説明するが、第１〜第３実施形態についても同様の構成を適用できる。
【００４０】
図６に示すように、本実施形態では、ガス導入部４のうちガス導入口２ａから半導体基板１０側に向かって徐々に内径および外形が拡大する部分を拡径部４ａとして、ガス導入部４を拡径部４ａの内側に中央部４ｂが備えられた構成としている。中央部４ｂは、拡径部４ａの中心軸が通過する中央位置に配置され、円錐台形状（もしくは円錐形状）で構成されている。拡径部４ａと中央部４ｂとは別部材として構成されていても良いが、ガス導入口２ａ側において、拡径部４ａと中央部４ｂとを連結して一体構造とし、その連結部に複数の開口部を設けてガス導入口２ａを構成しても良い。このように、拡径部４ａと中央部４ｂとを一体構造とすれば、これらの相対位置を一定にできる。なお、ガス導入部４に拡径部４ａと中央部４ｂと連結する連結部を設けつつ、連結部に複数の開口部を設ける場合、複数の開口部をガス導入部４の中心軸を中心とした周方向において等間隔に設けると、ガス供給を均一にできて好ましい。
【００４１】
また、中央部４ｂの内側、つまり供給ガス３ａの供給経路と反対側にも、抵抗加熱ヒータ５が配置されており、中央部４ｂの壁面に沿って傾斜させられている。
【００４２】
以上説明したように、本実施形態では、ガス導入部４を拡径部４ａと中央部４ｂとを有した構成としている。これにより、中央部４ｂを配置した分、ガス導入部４の中心に供給ガス３ａが集中し過ぎないようにできる。
【００４３】
すなわち、上記したように、使用する供給ガス３ａの種類やガス導入部４の温度によっては、ＳｉＣ層１１の成膜速度に分布が生じる場合がある。このような場合において、ＳｉＣ層１１の中心部が突出するような形状となる場合には、ガス導入部４に中央部４ｂを設けることで、供給ガス３ａが中心に集中し過ぎることが抑えられ、ＳｉＣ層１１の外縁部へのガス供給量を増加して、ＳｉＣ層１１の平坦化を実現できる。
【００４４】
（第６実施形態）
本発明の第６実施形態について説明する。本実施形態は、第１〜第５実施形態に対して半導体基板１０の加熱機構を備えたものであり、その他については第１〜第５実施形態と同様であるため、第１〜第５実施形態と異なる部分についてのみ説明する。なお、ここでは、第５実施形態に対して抵抗加熱ヒータ５の構成を変更した場合について説明するが、第１〜第４実施形態についても同様の構成を適用できる。
【００４５】
図７に示すように、本実施形態では、サセプタ６の円盤状部材６ｂの中空部内、つまり設置面６ａの裏面側に加熱機構としてのヒータ９を備えている。このように、ヒータ９をサセプタ６の設置面６ａに対向して配置することで、半導体基板１０を裏面側から加熱することが可能となる。
【００４６】
使用する供給ガス３ａによっては、抵抗加熱ヒータ５でガス導入部４を必要以上に加熱する必要が無い場合、半導体基板１０をヒータ９によって加熱することで、ガス導入部４の温度を必要な温度まで下げることが可能となる。つまり、ガス導入部４の輻射熱によって半導体基板１０を加熱していたが、ヒータ９によって半導体基板１０を加熱することで、ガス導入部４の温度を相対的に下げることが可能となる。これにより、ガス導入部４の熱疲労破壊をより抑制することが可能となる。
【００４７】
（他の実施形態）
本発明は上記した実施形態に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載した範囲内において適宜変更が可能である。
【００４８】
例えば、上記各実施形態では、ガス導入口２ａを容器２の底部に配置すると共にガス排出口２ｂを容器２の上面に配置し、下方に配置したガス導入部４を通じて上方に配置した半導体基板１０側に供給ガス３ａが供給されるようにした。これに対して、これら各部の構成要素を上下反対に配置し、上方に配置したガス導入部４から下方に配置した半導体基板１０側に供給ガス３ａが供給されるようにしても良い。
【００４９】
また、上記第２実施形態において、ガス導入部４が回転させられる構成について説明したが、ガス導入部４の中心軸を中心として、ガス導入部４が抵抗加熱ヒータ５に対して相対回転させられれば良い。このため、ガス導入部４と抵抗加熱ヒータ５の少なくとも一方を回転させれば良い。
【符号の説明】
【００５０】
２      容器
３ａ    供給ガス
４      ガス導入部
４ａ    拡径部
４ｂ    中央部
５      抵抗加熱ヒータ
６      サセプタ
６ａ    設置面
７、８  回転機構
９      ヒータ
１０    半導体基板
【図１】
0006405859.tif 000002
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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