(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
母基板を厚み方向に貫通し、前記母基板の主面に沿う所定方向に配列された複数の貫通孔を形成する貫通孔形成ステップと、
前記複数の貫通孔が形成された前記母基板を複数の絶縁基板に個片化し、この際、前記複数の貫通孔の配列に沿って前記母基板を分離し、分割された前記複数の貫通孔によって前記複数の絶縁基板の外周面にキャスタレーションを形成する個片化ステップと、
を有し、
前記個片化ステップは、
前記複数の貫通孔の中心に対してその配列の側方の一方側へずれた位置にて前記複数の貫通孔を結ぶように前記母基板を分離する第１分離ステップと、
前記複数の貫通孔の中心に対してその配列の側方の他方側へずれた位置にて前記複数の貫通孔を結ぶように前記母基板を分離乃至は部分的に除去する第２分離ステップと、を含む
電子デバイスの製造方法。
【請求項２】
前記第１分離ステップでは、前記母基板を、分離面に対して前記一方側に位置する絶縁基板と前記他方側に位置する捨て代とに分離し、
前記第２分離ステップでは、前記母基板を、分離面に対して前記他方側に位置する絶縁基板と前記一方側に位置する前記捨て代とに分離する
請求項１に記載の電子デバイスの製造方法。
【請求項３】
前記第１分離ステップ及び前記第２分離ステップでは、ダイシングブレードによって前記母基板を切断する
請求項１又は２に記載の電子デバイスの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電子デバイスの製造方法及び電子デバイスに関する。
【背景技術】
【０００２】
基板（配線基板）の外周面にキャスタレーション（基板の平面視における凹部）が形成された電子デバイスが知られている（例えば特許文献１及び２）。キャスタレーションの内面には導体（キャスタレーション導体）が形成される。キャスタレーション導体は、例えば、基板の表裏の導体パターンの接続に利用されたり、基板の裏面に配置された外部端子に接続され、バンプ（半田等）の外部端子に対する接合の補助に利用されたりしている。
【０００３】
このようなキャスタレーションの形成方法として、基板が多数個取りされる母基板において、ダイシングされる予定のライン上に複数の貫通孔を設ける方法が知られている（例えば特許文献２）。この方法では、母基板がダイシングされて複数の基板に個片化されると、これに伴って貫通孔が分割され、平面視において弧状のキャスタレーションとなる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２０１１−１９９５７７号公報
【特許文献２】特開２００７−２３４６５７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
キャスタレーションの形状は、電子デバイスの特性乃至は信頼性に影響を及ぼす。例えば、基板の平面視において、キャスタレーションが設けられた側面（例えば矩形状の基板の１辺）と、キャスタレーションの内面とが交差する角部の角度が鋭角であると、半田がキャスタレーションから前記角部を回り込んで基板の側面に密着することができない。その結果、接合強度が低下するおそれがある。
【０００６】
しかし、貫通孔の形状を適宜な形状にすることによって上記のような課題を解決しようとすると種々の不都合が生じる。例えば、ドリル等の一部の穴あけ手段を用いることが困難になる。また、例えば、貫通孔の形状の向きと、基板（導体パターン）の向きとの相対関係を考慮して貫通孔を形成する必要が生じ、製造設計が煩雑になるおそれがある。
【０００７】
従って、好適な形状のキャスタレーションを簡便に形成可能な電子デバイスの製造方法及び配線基板の製造方法、並びに、好適な形状のキャスタレーションを有する電子デバイス及び配線基板が提供されることが望まれる。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明の一態様に係る電子デバイスの製造方法は、母基板を厚み方向に貫通し、前記母基板の主面に沿う所定方向に配列された複数の貫通孔を形成する貫通孔形成ステップと、前記複数の貫通孔が形成された前記母基板を複数の絶縁基板に個片化し、この際、前記複数の貫通孔の配列に沿って前記母基板を分離し、分割された前記複数の貫通孔によって前記複数の絶縁基板の外周面にキャスタレーションを形成する個片化ステップと、を有し、前記個片化ステップは、前記複数の貫通孔の中心に対してその配列の側方の一方側へずれた位置にて前記複数の貫通孔を結ぶように前記母基板を分離する第１分離ステップと、前記複数の貫通孔の中心に対してその配列の側方の他方側へずれた位置にて前記複数の貫通孔を結ぶように前記母基板を分離乃至は部分的に除去する第２分離ステップと、を含む。
【０００９】
好適には、前記第１分離ステップでは、前記母基板を、分離面に対して前記一方側に位置する絶縁基板と前記他方側に位置する捨て代とに分離し、前記第２分離ステップでは、前記母基板を、分離面に対して前記他方側に位置する絶縁基板と前記一方側に位置する前記捨て代とに分離する。
【００１０】
好適には、前記第１分離ステップ及び前記第２分離ステップでは、ダイシングブレードによって前記母基板を切断する。
【００１１】
本発明の一態様に係る電子デバイスは、主面の平面視において、外周の第１辺、又は、外周の第１辺と第２辺とが交差する角部にキャスタレーションが形成された絶縁基板を有し、前記絶縁基板の主面の平面視において、前記第１辺を延長した仮想線と、前記キャスタレーションの内面からなる弧を含む仮想円の中心との距離が、１５０μｍよりも大きい又は前記絶縁基板の厚さの半分よりも大きい。
【発明の効果】
【００１２】
上記の手順によれば、好適な形状のキャスタレーションを簡便に形成可能であり、また、上記の構造によれば、キャスタレーションの形状が好適である。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
【図１】本発明の実施形態に係る電子デバイスの要部の構成を示す斜視図。
【図２】図１の電子デバイスの裏面を示す平面図。
【図３】図３（ａ）〜図３（ｃ）は図１の電子デバイスの製造方法の要部を説明するための模式図。
【図４】図３（ｃ）の一部拡大図。
【発明を実施するための形態】
【００１４】
図１は、本発明の実施形態に係る電子デバイスとしての水晶発振器１の要部の構成を示す斜視図である。なお、以下では、水晶発振器１に対して便宜的に定義した直交座標系ｘｙｚを参照しながら水晶発振器１について説明することがある。
【００１５】
水晶発振器１は、例えば、概略、チップ状に構成されている。その寸法は適宜に設定されてよいが、一例として、長辺の長さ（ｘ方向）は１．５ｍｍ〜７ｍｍ、短辺の長さ（ｙ方向）は、１ｍｍ〜５ｍｍ、厚さ（ｚ方向）は０．５ｍｍ〜２ｍｍである。
【００１６】
水晶発振器１は、回路基板等の実装基体に実装される電子部品として構成されている。例えば、水晶発振器１は、ｚ方向負側の面を不図示の実装基体に対向させ、水晶発振器１と実装基体との間に配置された不図示のバンプによって実装基体に接合され、これにより、実装基体に対して固定されるとともに電気的に接続される。なお、バンプは、例えば、半田又は導電性接着剤からなる。
【００１７】
水晶発振器１は、例えば、デバイス基板３と、デバイス基板３に設けられた振動子部５及びＩＣ７とを有している。なお、この他にも、水晶発振器１は、適宜な電子素子及び／又は部材を有していてもよい。例えば、水晶発振器１は、ＩＣ７及び振動子部５を覆う樹脂部を有していてもよい。
【００１８】
振動子部５は、例えば、デバイス基板３に実装された不図示の振動素子と、振動素子を密閉するカバー９とを有している。振動素子は、特に図示しないが、例えば、板状の水晶片と、水晶片の両主面に設けられた１対の励振電極とを有している。
【００１９】
ＩＣ７は、例えば、デバイス基板３に不図示のバンプを介して実装されており、デバイス基板３を介して振動素子と電気的に接続されている。また、ＩＣ７は、例えば、振動素子に電圧を印加して一定の周波数の発振信号を生成する発振回路等を有している。
【００２０】
図２は、水晶発振器１のｚ方向の負側の面を示す平面図である。
【００２１】
図１及び図２に示すように、デバイス基板３は、絶縁基板１１と、絶縁基板１１に設けられた各種の導体とを有している。
【００２２】
絶縁基板１１は、例えば、概略矩形の板状であり、振動子部５及びＩＣ７が実装される第１主面１１ａ（図１）と、その背面であって、不図示の実装基板に対向する第２主面１１ｂと、これら主面の周縁に位置する外周面１１ｃとを有している。また、絶縁基板１１は、その厚みがデバイス基板３の厚みに相当しており、例えば、１００〜３００μｍとなっている。
【００２３】
外周面１１ｃには、適宜な位置にキャスタレーション１１ｄが形成されている。例えば、キャスタレーション１１ｄは、デバイス基板３の矩形の角部（４隅）に位置している。キャスタレーション１１ｄは、平面視における凹部（切り欠き部）であり、例えば、第１主面１１ａから第２主面１１ｂに亘って形成されている。キャスタレーション１１ｄの平面視における形状は、例えば、第１主面１１ａから第２主面１１ｂに亘って一定（同一）である。また、４つのキャスタレーション１１ｄの形状は、例えば、互いに同一である。
【００２４】
図２に示すように、平面視において、キャスタレーション１１ｄの内面は、例えば、仮想円Ｃ１の一部である弧となるように形成されている。なお、仮想円Ｃ１は、円（真円。以下同じ。）であり、楕円や長円ではない。
【００２５】
本実施形態は、キャスタレーション１１ｄの大きさ（例えば弧の長さ）に比較して、仮想円Ｃ１の半径ｒ１が比較的大きい（半径ｒ１に対してキャスタレーション１１ｄが小さい）ことを特徴のひとつとしている。ここで、例えば、仮想円Ｃ１の半径ｒ１は、３５０〜６５０μｍとなっている。
【００２６】
別の観点では、本実施形態は、デバイス基板３の矩形の１辺を延長した仮想線Ｌｎと、前記１辺を切り欠くキャスタレーション１１ｄの弧を含む仮想円Ｃ１の中心Ｏ１との距離ｓ１が比較的大きいことを特徴の一つとしている。例えば、距離ｓ１は、１５０μｍより長い。また、例えば、距離ｓ１は、デバイス基板３の厚みの半分よりも長い。距離ｓ１は、例えば、１５０〜２８０μｍとなっている。
【００２７】
また、別の観点では、本実施形態は、キャスタレーション１１ｄの弧に対する中心角θ１が比較的小さいことを特徴の一つとしている。
【００２８】
また、別の観点では、本実施形態は、デバイス基板３の矩形の１辺と、前記１辺を切り欠くキャスタレーション１１ｄの弧の接線とがなす交差角θ２が比較的大きい乃至は鈍角であることを特徴の一つとしている。
【００２９】
絶縁基板１１の材料は、絶縁性を有するものであれば適宜なものとされてよく、また、絶縁基板１１は、単一の材料から構成されてもよいし、複数の材料から構成されてもよい。例えば、絶縁基板１１は、セラミック若しくは樹脂により構成され、又は、紙乃至は繊維からなる基材に樹脂を含浸したものにより構成されている。なお、絶縁基板１１は、ガラス繊維に樹脂を含浸したガラスエポキシ基板であることが好ましい。
【００３０】
絶縁基板１１に設けられる各種の導体は、例えば、第２主面１１ｂに設けられた複数の外部端子１３（図２）と、キャスタレーション１１ｄに設けられたキャスタレーション導体１５（図１）と、第１主面１１ａに設けられた導体パターン１７（図１）とを含んでいる。
【００３１】
外部端子１３は、水晶発振器１を不図示の実装基体に実装するためのものである。外部端子１３は、例えば、第２主面１１ｂに重ねられた層状導体からなり、第２主面１１ｂの矩形の４隅に配置されている。外部端子１３の平面形状は適宜に設定されてよく、例えば、概略矩形であり、その一部はキャスタレーション１１ｄによって切り欠かれている。外部端子１３は、例えば、半田等からなるバンプによって不図示の実装基体のパッドと接合される。
【００３２】
キャスタレーション導体１５は、例えば、外部端子１３と導体パターン１７とを電気的に接続するためのものである。また、例えば、キャスタレーション導体１５は、外部端子１３とともにバンプが接合され、水晶発振器１の不図示の実装基体に対する実装に寄与する。キャスタレーション導体１５は、例えば、キャスタレーション１１ｄの内面に重ねられた層状導体からなり、キャスタレーション１１ｄの内面全面に亘って設けられている。
【００３３】
導体パターン１７は、例えば、キャスタレーション導体１５とＩＣ７とを接続するためのものである。導体パターン１７は、例えば、第２主面１１ｂに重ねられた層状導体からなり、キャスタレーション導体１５から延びる配線１７ａと、配線１７ａの先端に位置し、ＩＣ７とバンプにより接合された不図示のパッドとを有している。また、例えば、導体パターン１７は、ＩＣ７等により隠れて不図示であるが、ＩＣ７とバンプにより接合されたパッドと、当該パッドから振動子部５へ延びる配線と、当該配線の先端に位置し、不図示の振動素子とバンプにより接合されたパッドとを有している。
【００３４】
上記の外部端子１３、キャスタレーション導体１５及び導体パターン１７の材料は、適宜な導電材料（一般に金属）とされてよい。また、これらの導体は、複数の導体層が重ねられて構成されてよい。例えば、これらの導体は、Ｃｕ、Ａｌ、Ｔｉ、Ａｇ、Ａｕ、Ｎｉ、Ｃｒ若しくはこれらの合金、又は、これらのいずれかを積層したものからなる。
【００３５】
図３（ａ）〜図３（ｃ）は、水晶発振器１の製造方法を説明するための模式図である。
【００３６】
まず、図３（ａ）に示すように、絶縁基板１１が多数個取りされる母基板２１（ウェハ状の母材）を準備する。母基板２１は、例えば、その厚みが１００〜３００μｍとなっている。
【００３７】
次に、母基板２１の一部の平面図である図３（ｂ）に示すように、母基板２１を厚み方向（ｚ方向）に貫通する複数の貫通孔２１ｈを形成する。貫通孔２１ｈは、キャスタレーション１１ｄを構成するためのものであり、その形状及び大きさは、図２に示した仮想円Ｃ１の形状及び大きさと同一である。貫通孔２１ｈは、その直径が、例えば、７００〜１３００μｍとなっている。複数の貫通孔２１ｈは、縦横に配列されている。すなわち、複数の貫通孔２１ｈは、ｘ方向に延びる直線に沿って配列されているとともに、ｙ方向に延びる直線に沿って配列されている。複数の貫通孔２１ｈの形成は、公知の適宜な方法によって行われてよく、例えば、ドリルを用いて行われる。
【００３８】
次に、図３（ｃ）に示すように、貫通孔２１ｈのｘ方向の配列及びｙ方向の配列に沿って母基板２１を分離（例えば切断）することによって、母基板２１を複数の絶縁基板１１に個片化する。
【００３９】
より具体的には、貫通孔２１ｈのｙ方向の一の配列に沿って母基板２１を分離するときは、まず、この配列に含まれる複数の貫通孔２１ｈの中心Ｏ１に対して配列の側方の一方側（ｘ方向の正側）にずれた位置にてこの配列に含まれる複数の貫通孔２１ｈを結ぶように（第１直線Ｌ１に沿って）母基板２１を分離する。次に、この配列に含まれる複数の貫通孔２１ｈの中心Ｏ１に対して配列の側方の他方側（ｘ方向の負側）にずれた位置にてこの配列に含まれる複数の貫通孔２１ｈを結ぶように（第２直線Ｌ２に沿って）母基板２１を分離する。ｙ方向の配列について説明したが、ｘ方向の配列についても同様に、第１直線Ｌ１に沿う分離及び第２直線Ｌ２に沿う分離を行う。
【００４０】
従って、母基板２１は、複数の絶縁基板１１と、その間に位置する捨て代２３とに分離されることになる。また、この分離に伴って貫通孔２１ｈは分割され、平面視において弧状のキャスタレーション１１ｄを構成する。貫通孔２１ｈの中心Ｏ１を通る直線に沿って分離した場合に比較して、キャスタレーション１１ｄは小さくなり、絶縁基板１１の１辺と中心Ｏ１との距離ｓ１（図２）は大きくなり、キャスタレーション１１ｄの弧に対する中心角θ１（図２）は小さくなり、交差角θ２は大きくなる。
【００４１】
なお、分離の順番は適宜に設定されてよい。例えば、貫通孔２１ｈの一のｙ方向の配列に対して第１直線Ｌ１及び第２直線Ｌ２に沿う分離を行った後、次の一のｙ方向の配列に対して第１直線Ｌ１及び第２直線Ｌ２に沿う切断を行ってもよいし、複数のｙ方向の配列に対して第１直線Ｌ１に沿う分離を行った後、複数のｙ方向の配列に対して第２直線Ｌ２に沿う分離を行ってもよい。
【００４２】
分離は、例えば、ダイシングブレード２５を用いたフルカットによりなされる。その他、レーザーを用いた切断が行われたり、ダイシングブレードを用いたハーフカットによる分離がなされたりしてもよい。なお、ダイシングブレード又はレーザーを用いた場合においては、一定の幅で母基板２１が除去（例えばダイシングブレードでは切削）される。
【００４３】
図４は、図３（ｃ）の一部を拡大して示す図である。上記のように、ダイシングブレード２５によって母基板２１を切断すると、ダイシングブレード２５の刃厚と概略同等の幅ｗ１の削り代２７（図中、ハッチングして示す領域）が生じることになる。なお、これまでの説明から理解されるように、削り代２７の幅ｗ１は、貫通孔２１ｈの直径（ｒ１×２）よりも小さく、本実施形態では更に貫通孔２１ｈの半径ｒ１よりも小さい。
【００４４】
なお、外部端子１３、導体パターン１７、ＩＣ７及び振動子部５は、適宜な時期に設けられてよい。例えば、外部端子１３、導体パターン１７、ＩＣ７及び振動子部５は、貫通孔２１ｈを形成する前の図３（ａ）の状態の母基板２１において設けられてもよいし、貫通孔２１ｈを形成した後に設けられてもよいし、母基板２１を個片化した後に設けられてもよい。また、これらは、別々の時期に設けられてよい。
【００４５】
同様に、キャスタレーション導体１５は、貫通孔２１ｈを形成した後であれば、適宜な時期に設けられてよい。例えば、キャスタレーション導体１５は、貫通孔２１ｈを形成した後、且つ、母基板２１を個片化する前に設けられてもよいし、母基板２１を個片化した後に設けられてもよい。
【００４６】
なお、外部端子１３、キャスタレーション導体１５及び導体パターン１７の形成方法は、公知の方法と同様でよく、ＩＣ７及び振動子部５の実装方法も公知の方法と同様でよい。
【００４７】
以上のとおり、本実施形態の水晶発振器１の製造方法は、母基板２１を厚み方向に貫通し、母基板２１の主面に沿う所定方向（ｘ方向又はｙ方向）に配列された複数の貫通孔２１ｈを形成する貫通孔形成ステップ（図３（ｂ））と、複数の貫通孔２１ｈが形成された母基板２１を複数の絶縁基板１１に個片化し、この際、複数の貫通孔２１ｈの配列に沿って母基板２１を分離し、分割された複数の貫通孔２１ｈによって複数の絶縁基板１１の外周面にキャスタレーション１１ｄを形成する個片化ステップ（図３（ｃ）及び図４）と、を有している。個片化ステップは、（例えばｙ方向の一の配列における）複数の貫通孔２１ｈの中心Ｏ１に対してその配列の側方の一方側（例えばｘ方向の正側）へずれた位置にて複数の貫通孔２１ｈを結ぶように第１直線Ｌ１に沿って母基板２１を分離する第１分離ステップと、複数の貫通孔２１ｈの中心Ｏ１に対してその配列の側方の他方側（例えばｘ方向の負側）へずれた位置にて複数の貫通孔２１ｈを結ぶように第２直線Ｌ２に沿って母基板２１を分離する第２分離ステップと、を含む。
【００４８】
従って、例えば、図３（ｃ）及び図４を参照して説明したように、本実施形態の水晶発振器１の製造方法では、キャスタレーションが設けられた側面とキャスタレーションの内面とが交差する角部の角度が、従来のように各列の貫通孔２１ｈの中心Ｏ１を結ぶ直線に沿って母基板２１を分離する場合のように鋭角にならず、鈍角となる。つまり、本実施形態の水晶発振器１の製造方法では、絶縁基板１１の１辺と、当該１辺を切り欠くキャスタレーション１１ｄの弧の接線とがなす交差角θ２を大きくすることができる。すなわち、従来と同様に円形の貫通孔２１ｈを形成しつつ、キャスタレーション１１ｄの形状を実質的に変更することができる。
【００４９】
交差角θ２を大きくすることができると、例えば、半田等のバンプが、キャスタレーション１１ｄの弧と、絶縁基板１１の１辺との交差部を回り込んで前記１辺に密着しやすくなる。その結果、バンプの水晶発振器１に対する接合強度が向上する。また、例えば、ダイシングブレード２５によって母基板２１を切断する場合に、ダイシングブレード２５が貫通孔２１ｈに到達したときにバリが生じることが抑制される。
【００５０】
なお、従来と同様に、貫通孔２１ｈの中心Ｏ１を結ぶ直線に沿って母基板２１を切断する場合においても、図４の幅ｗ２に相当する刃厚を有するダイシングブレードによって母基板２１を切断すれば、本実施形態と同様の形状及び大きさのキャスタレーション１１ｄを形成することができ、従来と同様に円形の貫通孔２１ｈを形成しつつキャスタレーション１１ｄの形状を実質的に変更することができる。
【００５１】
しかし、一般には、材料の節約の観点から削り代は小さくされることが好ましいとされており、ダイシングブレードの刃厚も薄くされている。一般には、ダイシングブレードの刃厚は、１００μｍ以下であり、厚いもので３００μｍ程度である。従って、従来は、距離ｓ１（幅ｗ２の半分）が１５０μｍ（３００μｍ／２）を超えるキャスタレーション１１ｄを有する電子デバイスは存在していないと考えらえる。
【００５２】
また、ダイシングブレードの刃厚は、例えば、ダイシングの際に母基板２１が割れないように、母基板２１の厚さ以下とされる。従って、従来は、距離ｓ１が絶縁基板１１（母基板２１）の厚さの半分を超えるキャスタレーション１１ｄを有する電子デバイスは存在していないと考えらえる。
【００５３】
従って、本実施形態の製造方法によって製造される水晶発振器１であって、特に特徴的なものは、主面の平面視において、外周の第１辺と第２辺とが交差する角部にキャスタレーション１１ｄが形成された絶縁基板１１を有し、絶縁基板１１の主面の平面視において、前記第１辺を延長した仮想線Ｌｎと、キャスタレーション１１ｄの内面からなる弧を含む仮想円Ｃ１の中心Ｏ１との距離ｓ１が、１５０μｍよりも大きい又は絶縁基板１１の厚さの半分よりも大きい。ここで、距離ｓ１は、例えば、１５０〜２８０ｍとなっている。このようにすることで、従来と同様に円形の貫通孔２１ｈを形成しつつキャスタレーション１１ｄの形状を実質的に変更することが可能となる。
【００５４】
また、本実施形態の水晶発振器１の製造方法は、第１分離ステップ（例えば第１直線Ｌ１に沿う切断）では、母基板２１を、分離面（切断面）に対して一方側（例えばｘ方向の正側）に位置する絶縁基板１１と他方側（例えばｘ方向の負側）に位置する捨て代２３とに分離し、第２分離ステップ（例えば第２直線Ｌ２に沿う切断）では、母基板２１を、分離面に対して他方側に位置する絶縁基板１１と一方側に位置する前記捨て代２３とに分離する。
【００５５】
従って、ダイシングブレード２５の刃厚（削り代２７の幅ｗ１）を変えずに、捨て代２３の幅を適宜に変更して、キャスタレーション１１ｄの形状を設定することができる。本実施形態の製造方法の変形例として、例えば、刃厚が、幅ｗ２よりも小さく、且つ、ｗ２の半分以上であるダイシングブレード２５を用いるなど、捨て代２３が発生しないように母基板２１を絶縁基板１１に個片化する方法が考えられる。このような変形例に比較して、捨て代２３を生じさせる本実施形態では、ダイシングブレード２５の刃厚を薄くでき、また、ダイシングブレード２５の母基板２１を切削する面（円盤の外周面）において、幅方向（軸方向）の一部のみが母基板２１の切削に利用されて摩耗するような不都合も生じない。
【００５６】
なお、上述した変形例の説明から理解されるように、第１直線Ｌ１に沿って行われた第１分離ステップの後に行われる第２直線Ｌ２に沿う第２分離ステップは、第２直線Ｌ２に沿って母基板２１を絶縁基板１１と捨て代２３とに分離するのではなく、第１分離ステップにおける母基板２１の切断面を削る（部分的に除去する）ものであってもよい。
【００５７】
本発明は、以上に説明した実施形態及び変形例に限定されず、種々の態様で実施されてよい。
【００５８】
例えば、電子デバイスは、水晶発振器等の圧電デバイスに限定されず、例えば、抵抗素子、インダクタ、キャパシタ又は半導体デバイス（例えばＩＣ又はＬＥＤ）であってもよい。また、圧電デバイスは、発振器に限定されず、例えば、圧電振動子、ＳＡＷ（Surface Acoustic Wave）デバイスであってもよい。圧電振動子又は圧電発振器の圧電体は、水晶に限定されず、例えば、セラミックであってもよい。また、圧電発振器の構造は、図１に例示したような単層基板（基板の両面にのみ導体層が形成された基板）の一方の主面に振動素子及びＩＣが実装されるものに限定されず、基板の一方の主面に振動素子が実装され、他方の主面にＩＣが実装されるものであってもよい。また、電子デバイスは、絶縁基板（デバイス基板）を収容する恒温槽を有するものであってもよい。
【００５９】
上記のように電子デバイスが種々のデバイスとされてよいことと同様に、キャスタレーションが形成される絶縁基板は、実施形態の説明において例示した以外の適宜なものとされてよい。例えば、半導体デバイスにおいて、絶縁基板はシリコンからなる半導体基板であってよい。ＳＡＷデバイスにおいて、絶縁基板は単結晶からなる圧電基板であってよい。
【００６０】
キャスタレーションとなる貫通孔の形状は、円形でなくてもよい。例えば、貫通孔の形状は、楕円であってもよいし、矩形であってもよい。いずれの形状であっても、各貫通孔に対して２回の分離ステップがなされることによって、貫通孔の形状及び／又は寸法の自由度が向上する。
【００６１】
キャスタレーションは、絶縁基板の４隅（角部）ではなく、側面（平面視の辺）の中途に設けられてもよい。例えば、図１の絶縁基板１１において、長辺（ｘ方向に延びる辺）それぞれの中途（角部よりも辺の中央側）に２つのキャスタレーションが設けられてもよい。なお、この場合、ｘ方向に配列された複数の貫通孔を結ぶように分離ステップが行われるが、ｙ方向に延びる直線に沿った分離は、複数の貫通孔を避けるように行われる。すなわち、一の貫通孔は、実施形態のように４つのキャスタレーションを構成するのではなく、２つのキャスタレーションを構成する。
【００６２】
このように辺の中途にキャスタレーションを設ける場合においても、複数の貫通孔の中心に対して配列の一方側及び他方側にずれた位置にて複数の貫通孔を結ぶように２回に亘って分離ステップを行うことによって、従来の略半円状のキャスタレーションに比較して、絶縁基板１１の矩形の辺とキャスタレーションの弧との交差角を大きくしたり、絶縁基板１１の矩形の辺を延長した仮想線とキャスタレーションの弧を含む仮想円の中心との距離を大きくしたりすることができる。
【００６３】
一の絶縁基板１１に設けられるキャスタレーションの数は、４つに限定されず、例えば、１又は２つでもよいし、５つ以上であってもよい。また、一の絶縁基板１１に複数のキャスタレーションが設けられる場合において、複数のキャスタレーションの形状及び／又は大きさは互いに同一であってもよいし、互いに異なっていてもよい。
【００６４】
母基板から取り出される複数の絶縁基板は、互いに異なる構成であってもよいし、互いに同一の構成であって互いに異なる向きに配置されていてもよい。別の観点では、複数の貫通孔は、ｘ方向及びｙ方向の一方に平行に配列されている一方で、ｘ方向及びｙ方向の他方に平行に配列されていなくてもよい。例えば、ｘ方向に配列された複数の貫通孔の列が、ｙ方向の位置を互いに異ならせて複数設けられている場合において、複数の列間において、複数の貫通孔のｘ方向の位置は互いに異なっていてもよい。この場合であっても、ｘ方向に配列された複数の貫通孔を結ぶように母基板を分離する際に、２回の分離ステップを行う本願発明を適用できる。
【００６５】
キャスタレーションが絶縁基板の辺の中途に設けられてよいことの説明、及び、上記のｘ方向及びｙ方向の一方のみにおいて複数の貫通孔が配列されていてよいことの説明から理解されるように、複数の貫通孔を結ぶように母基板を分離する分離ステップは、ｘ方向及びｙ方向の一方のみにおいて行われ、他方においては、複数の貫通孔を避けて行われてよい。また、ｘ方向及びｙ方向の双方において複数の貫通孔を結ぶように母基板を分離する場合において、ｘ方向及びｙ方向の一方のみにおいて、貫通孔の中心に対してずれた位置にて２回の分離ステップを行い、ｘ方向及びｙ方向の他方については、貫通孔の中心を通る位置にて１回の分離ステップを行うようにしてもよい。
【００６６】
母基板から取り出される複数の絶縁基板の構成が互いに異なってもよいことの説明、及び、一の絶縁基板に設けられる複数のキャスタレーションの形状及び／又は大きさが互いに異なってもよいことの説明から理解されるように、複数の貫通孔の大きさ及び／又は形状は互いに異なっていてもよい。
【００６７】
電子デバイスにおいて、積層された複数の絶縁基板が設けられている場合、その一部が本願発明の絶縁基板と捉えられてもよいし、その全体が本願発明の絶縁基板と捉えられてもよい。例えば、複数の絶縁基板のうちキャスタレーションが一体的に形成されている範囲が本願発明の絶縁基板と捉えられてよい。また、例えば、距離ｓ１が絶縁基板の厚さの半分よりも大きいか否かによって電子デバイスが本願発明の好適な一態様に該当するか否かを判定する場合には、貫通孔を結ぶように共に分離（切断）が行われた範囲が本願発明の絶縁基板に該当すると判定してもよい。
【００６８】
実施形態では、キャスタレーション導体１５は、外部端子１３と導体パターン１７とを接続する作用と、バンプの接合を強化する作用との双方を奏した。しかし、キャスタレーション導体は、上記の２つの作用のうち一方のみを奏するように設けられてもよい。例えば、導体パターンと外部端子とは絶縁基板を貫通する貫通導体によって接続され、キャスタレーション導体は導体パターンに接続されないようにしてもよい。また、例えば、バンプはキャスタレーション導体に接触しないように配置されてもよい。
【符号の説明】
【００６９】
１…水晶発振器（電子デバイス）、１１…絶縁基板、１１ｄ…キャスタレーション、２１…母基板、２１ｈ…貫通孔、Ｏ１…中心。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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