(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
下記一般式（３−１）で表される、化合物。
【化１】
0006367061.tif 000048
〔前記一般式（３−１）中、Ｒ１及びＲ２は、それぞれ独立に、水素原子、置換もしくは無置換の炭素数１〜２０のアルキル基、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜１８のアリール基、置換もしくは無置換の炭素数１〜２０のアルキル基を有するモノ置換、ジ置換、又はトリ置換のアルキルシリル基、置換もしくは無置換の炭素数６〜１８のアリール基を有するモノ置換、ジ置換、又はトリ置換のアリールシリル基である。
Ｒ１１〜Ｒ２４は、それぞれ独立に、水素原子、置換もしくは無置換の炭素数１〜２０のアルキル基、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜１８のアリール基、置換もしくは無置換の環形成原子数５〜２０のヘテロアリール基、又はシアノ基である。
Ｌ１及びＬ２は、単結合、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜２４のアリーレン基、又は置換もしくは無置換の環形成原子数３〜１８のヘテロアリーレン基である。Ｌ１及びＬ２は、互いに同一であってもよく、異なっていてもよい。
Ａｒ１〜Ａｒ４は、それぞれ独立に、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜１８のアリール基、又は置換もしくは無置換の環形成原子数５〜２０のヘテロアリール基である。〕
【請求項２】
Ｌ１、Ｌ２が、単結合、又は下記一般式（ｉ）〜（iii）のいずれかで表される基である、請求項１に記載の化合物。
【化２】
0006367061.tif 000049
〔式中、ＲＸは、それぞれ独立に、水素原子、置換もしくは無置換の炭素数１〜８のアルキル基、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜１８のアリール基、置換もしくは無置換の環形成原子数５〜１３のヘテロアリール基、又はシアノ基であり、ＲＸを複数有する場合、該複数のＲＸは、互いに同一でも異なっていてもよい。ａは、それぞれ独立に、０〜４の整数であり、ｂは、それぞれ独立に、０〜３の整数である。＊及び＊＊は、結合位置を示す。〕
【請求項３】
前記「置換もしくは無置換」という記載における置換基が、炭素数１〜８のアルキル基、環形成炭素数３〜８のシクロアルキル基、環形成炭素数６〜１８のアリール基、アミノ基、炭素数１〜８のアルキル基及び環形成炭素数６〜１８のアリール基から選ばれる置換基を有するモノ置換又はジ置換アミノ基、炭素数１〜８のアルキル基を有するアルコキシ基、環形成原子数５〜１３のヘテロアリール基、ハロゲン原子、並びにシアノ基からなる群より選ばれる、請求項１又は２に記載の化合物。
【請求項４】
請求項１〜３のいずれか１項に記載の化合物からなる、有機エレクトロルミネッセンス素子用材料。
【請求項５】
陰極、陽極、及び該陰極と該陽極の間に一層以上の有機薄膜層を有する有機エレクトロルミネッセンス素子であって、
前記一層以上の有機薄膜層が発光層を含み、前記一層以上の有機薄膜層の少なくとも１層が請求項１〜３のいずれか１項に記載の化合物を含む層である、有機エレクトロルミネッセンス素子。
【請求項６】
請求項５に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子を搭載した、電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、化合物、有機エレクトロルミネッセンス素子用材料、有機エレクトロルミネッセンス素子、及び電子機器に関する。
【背景技術】
【０００２】
陽極と陰極との間に発光層を含む有機薄膜層を備え、発光層に注入された正孔と電子との再結合によって生じる励起子（エキシトン）エネルギーから発光を得る有機エレクトロルミネッセンス素子（以下、「有機ＥＬ素子」と記載することもある）が知られている。
【０００３】
有機ＥＬ素子は、自発光型素子としての利点を活かし、高発光効率、高画質、低消費電力さらには薄型のデザイン性に優れた発光素子として期待されている。発光層を、ホストにドーパントとして発光材料をドーピングしたホスト／ドーパント発光層にすることが知られている。
ホスト／ドーパント発光層では、ホストに注入された電荷から効率よく励起子を生成することができる。そして、生成された励起子のエネルギーをドーパントに移動させ、ドーパントから高効率の発光を得ることができる。
【０００４】
近年では有機ＥＬ素子の性能向上を果たすべく、ホスト／ドーパントシステムに関してもさらなる研究が行われており、好適なホスト材料及びその他の有機ＥＬ素子用材料の探索が続いている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開平２０１２−２４７４９７号公報
【特許文献２】米国特許出願公開第２０１２／０１８１５２０号明細書
【特許文献３】韓国特許第１０−２０１２−０１１６８８４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本発明の目的は、発光効率が高い有機ＥＬ素子を実現する化合物を提供することである。また、他の目的は、当該化合物からなる有機ＥＬ素子用材料、当該化合物を用いた有機ＥＬ素子、及び当該有機ＥＬ素子を搭載した電子機器を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明者らは、鋭意研究を重ねた結果、下記一般式（１）で表されるテトラベンゾフルオレン骨格を主骨格とする特定構造の化合物が上記課題を解決し得ることを見出した。
下記一般式（１）においては、Ｒ17とＲ18の位置が近接していることから、立体障害性が高いため、化合物の平面性が低い構造となる。
【０００８】
すなわち、本発明の一態様によれば、下記［１］〜［４］が提供される。
［１］下記一般式（１）で表される化合物。
【０００９】
【化１】
0006367061.tif 000002
【００１０】
〔前記一般式（１）中、Ｒ1及びＲ2は、それぞれ独立に、水素原子、置換もしくは無置換の炭素数１〜５０のアルキル基、環形成炭素数３〜５０のシクロアルキル基、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜５０のアリール基、置換もしくは無置換の環形成原子数３〜５０のヘテロアリール基、置換もしくは無置換の炭素数１〜５０のアルキル基を有するモノ置換、ジ置換、又はトリ置換のアルキルシリル基、置換もしくは無置換の炭素数６〜５０のアリール基を有するモノ置換、ジ置換、又はトリ置換のアリールシリル基、置換もしくは無置換の炭素数１〜２０のアルコキシ基、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜５０のアリールオキシ基、アミノ基、置換もしくは無置換の炭素数１〜５０のアルキル基を有するモノ置換又はジ置換アルキルアミノ基、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜５０のアリール基を有するモノ置換又はジ置換アリールアミノ基、ニトロ基、又はシアノ基であり、Ｒ1及びＲ2は、互いに結合して環を形成していてもよい。
Ｒ11〜Ｒ24は、それぞれ独立に、水素原子又は置換基である。
ＲX1及びＲX2は、それぞれ独立に、水素原子又は置換基であるが、ＲX1及びＲX2の少なくとも一方は、脱離し、当該基と結合していた炭素原子が＊と結合する。
ｎは１又は２である。
Ｌは、単結合、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜５０のアリーレン基、又は置換もしくは無置換の環形成原子数３〜５０のヘテロアリーレン基である。ｎが２である場合、２つのＬは、互いに同一であってもよく、異なっていてもよい。
Ｒａは、置換もしくは無置換の炭素数１〜５０のフルオロアルキル基、シアノ基、アミノ基、置換もしくは無置換の炭素数１〜５０のアルキル基を有するモノ置換又はジ置換アルキルアミノ基、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜５０のアリール基を有するモノ置換又はジ置換アリールアミノ基、置換もしくは無置換の環形成原子数３〜５０のヘテロアリール基を有するモノ置換又はジ置換ヘテロアリールアミノ基、置換もしくは無置換の環形成炭素数１０〜５０のアリール基、置換もしくは無置換の環形成原子数３〜５０のヘテロアリール基、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜５０のアリール基を有する置換アリールエチニル基、又は、置換もしくは無置換の環形成原子数３〜５０のヘテロアリール基を有する置換へテロアリールエチニル基である。〕
【００１１】
［２］上記［１］に記載の化合物からなる、有機エレクトロルミネッセンス素子用材料。
［３］陰極、陽極、及び該陰極と該陽極の間に一層以上の有機薄膜層を有する有機エレクトロルミネッセンス素子であって、
前記一層以上の有機薄膜層が発光層を含み、前記一層以上の有機薄膜層の少なくとも１層が上記［１］に記載の化合物を含む層である、有機エレクトロルミネッセンス素子。
［４］上記［３］に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子を搭載した、電子機器。
【発明の効果】
【００１２】
本発明によれば、発光効率が高い有機ＥＬ素子を実現する化合物を提供できる。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
【図１】本発明の一態様に係る有機ＥＬ素子の概略構成を示す図である。
【図２】実施例１で用いた化合物（１）の３次元構造式を示す図である。
【図３】実施例１で用いた化合物（１）の３次元構造式を示す別の図である。
【図４】比較例１で用いた化合物（ＢＤ１）の３次元構造式を示す図である。
【図５】比較例１で用いた化合物（ＢＤ１）の３次元構造式を示す別の図である。
【図６】参考例１で用いた化合物（Ｘ）の３次元構造式を示す図である。
【図７】参考例１で用いた化合物（Ｘ）の３次元構造式を示す別の図である。
【図８】参考例２で用いた化合物（Ｙ）の３次元構造式を示す図である。
【図９】参考例２で用いた化合物（Ｙ）の３次元構造式を示す別の図である。
【発明を実施するための形態】
【００１４】
本明細書において、「置換もしくは無置換の炭素数ＸＸ〜ＹＹのＺＺ基」という表現における「炭素数ＸＸ〜ＹＹ」は、ＺＺ基が無置換である場合の炭素数を表すものであり、置換されている場合の置換基の炭素数は含めない。ここで、「ＹＹ」は「ＸＸ」よりも大きく、「ＸＸ」と「ＹＹ」はそれぞれ１以上の整数を意味する。
また、本明細書において、「置換もしくは無置換の原子数ＸＸ〜ＹＹのＺＺ基」という表現における「原子数ＸＸ〜ＹＹ」は、ＺＺ基が無置換である場合の原子数を表すものであり、置換されている場合の置換基の原子数は含めない。ここで、「ＹＹ」は「ＸＸ」よりも大きく、「ＸＸ」と「ＹＹ」はそれぞれ１以上の整数を意味する。
【００１５】
本明細書において、環形成炭素数とは、原子が環状に結合した構造の化合物（例えば、単環化合物、縮合環化合物、架橋化合物、炭素環化合物、複素環化合物）の当該環自体を構成する原子のうちの炭素原子の数を表す。当該環が置換基によって置換される場合、置換基に含まれる炭素は環形成炭素数には含まない。以下で記される「環形成炭素数」については、特筆しない限り同様とする。例えば、ベンゼン環は環形成炭素数が６であり、ナフタレン環は環形成炭素数が１０であり、ピリジニル基は環形成炭素数５であり、フラニル基は環形成炭素数４である。また、ベンゼン環やナフタレン環に置換基として例えばアルキル基が置換している場合、当該アルキル基の炭素数は、環形成炭素数の数に含めない。また、フルオレン環に置換基として例えばフルオレン環が結合している場合（スピロフルオレン環を含む）、置換基としてのフルオレン環の炭素数は環形成炭素数の数に含めない。
【００１６】
また、本明細書において、環形成原子数とは、原子が環状に結合した構造（例えば単環、縮合環、環集合）の化合物（例えば単環化合物、縮合環化合物、架橋化合物、炭素環化合物、複素環化合物）の当該環自体を構成する原子の数を表す。環を構成しない原子（例えば環を構成する原子の結合手を終端する水素原子）や、当該環が置換基によって置換される場合の置換基に含まれる原子は環形成原子数には含まない。以下で記される「環形成原子数」については、特筆しない限り同様とする。例えば、ピリジン環の環形成原子数は６であり、キナゾリン環の環形成原子数は１０であり、フラン環の環形成原子数は５である。ピリジン環やキナゾリン環の炭素原子にそれぞれ結合している水素原子や置換基を構成する原子については、環形成原子数の数に含めない。また、フルオレン環に置換基として例えばフルオレン環が結合している場合（スピロフルオレン環を含む）、置換基としてのフルオレン環の原子数は環形成原子数の数に含めない。
【００１７】
また、本明細書において、「水素原子」とは、中性子数が異なる同位体、すなわち、軽水素（ｐｒｏｔｉｕｍ）、重水素（ｄｅｕｔｅｒｉｕｍ）及び三重水素（ｔｒｉｔｉｕｍ）を包含する。
本明細書中において、「ヘテロアリール基」及び「ヘテロアリーレン基」は、環形成原子として、少なくとも１つのヘテロ原子を含む基であり、該へテロ原子としては、窒素原子、酸素原子、硫黄原子、ケイ素原子及びセレン原子から選ばれる１種以上であることが好ましく、窒素原子、酸素原子、及び硫黄原子から選ばれる１種以上であることがより好ましい。
【００１８】
本明細書中において、「置換もしくは無置換のカルバゾリル基」は、下記のカルバゾリル基、
【化２】
0006367061.tif 000003
及び上記の基に対して、さらに任意の置換基を有する置換カルバゾリル基を表す。
なお、当該置換カルバゾリル基は、任意の置換基同士が互いに結合して縮環してもよく、窒素原子、酸素原子、ケイ素原子及びセレン原子等のヘテロ原子を含んでもよく、また、結合位置は１位〜９位のいずれであってもよい。このような置換カルバゾリル基の具体例として、例えば、下記に示す基が挙げられる。
【００１９】
【化３】
0006367061.tif 000004
【００２０】
本明細書において、「置換もしくは無置換のジベンゾフラニル基」及び「置換もしくは無置換のジベンゾチオフェニル基」は、下記のジベンゾフラニル基及びジベンゾチオフェニル基、
【化４】
0006367061.tif 000005
及び上記の基に対して、さらに任意の置換基を有する置換ジベンゾフラニル基及び置換ジベンゾチオフェニル基を表す。
なお、当該置換ジベンゾフラニル基及び置換ジベンゾチオフェニル基は、任意の置換基同士が互いに結合して縮環してもよく、窒素原子、酸素原子、ケイ素原子及びセレン原子等のヘテロ原子を含んでもよく、また、結合位置は１位〜８位のいずれであってもよい。
このような置換ジベンゾフラニル基及び置換ジベンゾチオフェニル基の具体例として、例えば、下記に示す基が挙げられる。
【００２１】
【化５】
0006367061.tif 000006
［上記式中、Ｘは酸素原子又は硫黄原子を表し、Ｙは酸素原子、硫黄原子、ＮＨ、ＮＲa（Ｒaはアルキル基又はアリール基である。）、ＣＨ2、又は、ＣＲb2（Ｒbはアルキル基又はアリール基である。）を表す。］
【００２２】
また、「置換基」、又は「置換もしくは無置換」との記載における置換基としては、炭素数１〜５０（好ましくは１〜１８、より好ましくは１〜８）のアルキル基；環形成炭素数３〜５０（好ましくは３〜１０、より好ましくは３〜８、更に好ましくは５又は６）のシクロアルキル基；環形成炭素数６〜５０（好ましくは６〜２５、より好ましくは６〜１８）のアリール基；環形成炭素数６〜５０（好ましくは６〜２５、より好ましくは６〜１８）のアリール基を有する炭素数７〜５１（好ましくは７〜３０、より好ましくは７〜２０）のアラルキル基；アミノ基；炭素数１〜５０（好ましくは１〜１８、より好ましくは１〜８）のアルキル基及び環形成炭素数６〜５０（好ましくは６〜２５、より好ましくは６〜１８）のアリール基から選ばれる置換基を有するモノ置換又はジ置換アミノ基；炭素数１〜５０（好ましくは１〜１８、より好ましくは１〜８）のアルキル基を有するアルコキシ基；環形成炭素数６〜５０（好ましくは６〜２５、より好ましくは６〜１８）のアリール基を有するアリールオキシ基；炭素数１〜５０（好ましくは１〜１８、より好ましくは１〜８）のアルキル基及び環形成炭素数６〜５０（好ましくは６〜２５、より好ましくは６〜１８）のアリール基から選ばれる置換基を有するモノ置換、ジ置換又はトリ置換シリル基；環形成原子数５〜５０（好ましくは５〜２４、より好ましくは５〜１３）のヘテロアリール基；炭素数１〜５０（好ましくは１〜１８、より好ましくは１〜８）のハロアルキル基；ハロゲン原子（フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子）；シアノ基；ニトロ基；炭素数１〜５０（好ましくは１〜１８、より好ましくは１〜８）のアルキル基及び環形成炭素数６〜５０（好ましくは６〜２５、より好ましくは６〜１８）のアリール基から選ばれる置換基を有するスルホニル基；炭素数１〜５０（好ましくは１〜１８、より好ましくは１〜８）のアルキル基及び環形成炭素数６〜５０（好ましくは６〜２５、より好ましくは６〜１８）のアリール基から選ばれる置換基を有するジ置換ホスフォリル基；アルキルスルホニルオキシ基；アリールスルホニルオキシ基；アルキルカルボニルオキシ基；アリールカルボニルオキシ基；ホウ素含有基；亜鉛含有基；スズ含有基；ケイ素含有基；マグネシウム含有基；リチウム含有基；ヒドロキシ基；アルキル置換又はアリール置換カルボニル基；カルボキシル基；ビニル基；（メタ）アクリロイル基；エポキシ基；並びにオキセタニル基からなる群より選ばれる基であることが好ましい。
これらの置換基は、さらに上述の任意の置換基により置換されていてもよい。また、これらの置換基は、複数の置換基が互いに結合して環を形成していてもよい。
また、「置換もしくは無置換」との記載における「無置換」とは、これらの置換基で置換されておらず、水素原子が結合していることを意味する。
【００２３】
上記置換基の中でも、より好ましくは、置換もしくは無置換の炭素数１〜５０（好ましくは１〜１８、より好ましくは１〜８）のアルキル基、置換もしくは無置換の環形成炭素数３〜５０（好ましくは３〜１０、より好ましくは３〜８、更に好ましくは５又は６）のシクロアルキル基、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜５０（好ましくは６〜２５、より好ましくは６〜１８）のアリール基、置換もしくは無置換の炭素数１〜５０（好ましくは１〜１８、より好ましくは１〜８）のアルキル基及び置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜５０（好ましくは６〜２５、より好ましくは６〜１８）のアリール基から選ばれる置換基を有するモノ置換又はジ置換アミノ基、置換もしくは無置換の環形成原子数５〜５０（好ましくは５〜２４、より好ましくは５〜１３）のヘテロアリール基、ハロゲン原子、シアノ基である。
【００２４】
本明細書中、好ましいとする規定は任意に選択することができ、また、好ましいとする規定の組み合わせはより好ましいと言える。
【００２５】
〔化合物〕
本発明の一態様において、下記一般式（１）で表される化合物が提供される。当該化合物は、有機エレクトロルミネッセンス素子用材料として有用である。
【００２６】
【化６】
0006367061.tif 000007
【００２７】
＜一般式（１）中のＲ1及びＲ2、Ｒ11〜Ｒ24、ＲX1及びＲX2について＞
前記一般式（１）において、Ｒ1及びＲ2は、それぞれ独立に、水素原子、置換もしくは無置換の炭素数１〜５０のアルキル基、環形成炭素数３〜５０のシクロアルキル基、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜５０のアリール基、置換もしくは無置換の環形成原子数３〜５０のヘテロアリール基、置換もしくは無置換の炭素数１〜５０のアルキル基を有するモノ置換、ジ置換、又はトリ置換のアルキルシリル基、置換もしくは無置換の炭素数６〜５０のアリール基を有するモノ置換、ジ置換、又はトリ置換のアリールシリル基、置換もしくは無置換の炭素数１〜２０のアルコキシ基、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜５０のアリールオキシ基、アミノ基、置換もしくは無置換の炭素数１〜５０のアルキル基を有するモノ置換又はジ置換アルキルアミノ基、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜５０のアリール基を有するモノ置換又はジ置換アリールアミノ基、ニトロ基、又はシアノ基であり、Ｒ1及びＲ2は、互いに結合して環を形成していてもよい。
なお、これらの基が有してもよい置換基としては、上述のとおりである。
【００２８】
Ｒ1及びＲ2として選択し得るアルキル基の炭素数は、１〜５０であり、好ましくは１〜２０、より好ましくは１〜１８、さらに好ましくは１〜８である。
該アルキル基としては、例えば、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、イソブチル基、ｓ−ブチル基、ｔ−ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、ノニル基、デシル基、ウンデシル基、及びドデシル基、トリデシル基、テトラデシル基、オクタデシル基、テトラコサニル基、テトラコンタニル基等が挙げられ、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、イソブチル基、ｓ−ブチル基、ｔ−ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、ノニル基、デシル基、ウンデシル基、ドデシル基、トリデシル基、テトラデシル基、及びオクタデシル基が好ましく、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、イソブチル基、ｓ−ブチル基、ｔ−ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、及びオクチル基がより好ましく、メチル基がさらに好ましい。前記各基は、異性体基が存在する場合には、異性体基を含む。
【００２９】
Ｒ1及びＲ2として選択し得るシクロアルキル基の炭素数は、３〜５０であり、好ましくは３〜２５、より好ましくは３〜１８、さらに好ましくは５〜８である。
該シクロアルキル基として、シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロヘプチル基、シクロオクチル基、アダマンチル基等が挙げられ、シクロペンチル基、シクロヘキシル基が好ましい。前記各基は、異性体基が存在する場合には、異性体基を含む。
【００３０】
Ｒ1及びＲ2として選択し得るアリール基の環形成炭素数は、６〜５０であり、好ましくは６〜１８、より好ましくは６〜１３、さらに好ましくは６〜１２、特に好ましくは６〜１０である。なお、該アリール基は、非縮合アリール基、縮合アリール基、及びこれらの組み合わせのいずれであってもよい。
該アリール基としては、例えば、フェニル基、ビフェニリル基、ターフェニリル基、クアテルフェニリル基、キンクフェニリル基、ナフチル基（１−ナフチル基、２−ナフチル基）、アセナフチレニル基、アントリル基、ベンゾアントリル基、アセアントリル基、フェナントリル基、ベンゾフェナントリル基、フェナレニル基、フルオレニル基（９，９−ジメチルフルオレニル基、９，９−ジフェニルフルオレニル基、９，９’−スピロビフルオレニル基を含む。）、ベンゾフルオレニル基、ジベンゾフルオレニル基、ピセニル基、ペンタセニル基、ピレニル基、クリセニル基、ベンゾクリセニル基、フルオランテニル基、ベンゾフルオランテニル基、テトラセニル基、ペリレニル基、コロニル基、ジベンゾアントリル基、ナフチルフェニル基、ｓ−インダニル基、ａｓ−インダニル基、トリフェニレニル基、ベンゾトリフェニレニル基等が挙げられ、フェニル基が好ましい。前記各基は、異性体基が存在する場合には、異性体基を含む。
【００３１】
Ｒ1及びＲ2として選択し得るヘテロアリール基の環形成原子数は、３〜５０であり、好ましくは５〜２０、より好ましくは５〜１４、更に好ましくは５〜１０である。
該ヘテロアリール基は、少なくとも１個、好ましくは１〜５個、より好ましくは１〜３個、さらに好ましくは１〜２個の同一又は異なるヘテロ原子を含む。
該へテロアリール基としては、例えば、ピロリル基、フリル基、チエニル基、ピリジル基、ピリダジニル基、ピリミジニル基、ピラジニル基、トリアジニル基、ビビリジニル基、イミダゾリル基、オキサゾリル基、チアゾリル基、ピラゾリル基、イソオキサゾリル基、イソチアゾリル基、オキサジアゾリル基、チアジアゾリル基、トリアゾリル基、テトラゾリル基、インドリル基、イソインドリル基、ベンゾフラニル基、イソベンゾフラニル基、ベンゾチオフェニル基、イソベンゾチオフェニル基、インドリジニル基、キノリジニル基、キノリル基、イソキノリル基、シンノリル基、フタラジニル基、キナゾリニル基、キノキサリニル基、ベンゾイミダゾリル基、ベンゾオキサゾリル基、ベンゾチアゾリル基、インダゾリル基、ベンゾイソキサゾリル基、ベンゾイソチアゾリル基、ジベンゾフラニル基、ジベンゾチオフェニル基、カルバゾリル基、ビスカルバゾリル基、フェナントリジニル基、アクリジニル基、フェナントロリニル基、フェナジニル基、フェノチアジニル基、フェノキサジニル基、アザトリフェニレニル基、ジアザトリフェニレニル基、キサンテニル基、アザカルバゾリル基、アザジベンゾフラニル基、アザジベンゾチオフェニル基、ベンゾフラノベンゾチオフェニル基、ベンゾチエノベンゾチオフェニル基、ジベンゾフラノナフチル基、ジベンゾチエノナフチル基、ジナフトチエノチオフェニル基、及びジナフト［2',3':2,3:2',3':6,7］カルバゾリル基が挙げられる。
【００３２】
Ｒ1及びＲ2として選択し得る置換もしくは無置換の炭素数１〜５０のアルキル基を有するモノ置換、ジ置換、又はトリ置換のアルキルシリル基、置換もしくは無置換の炭素数６〜５０のアリール基を有するモノ置換、ジ置換、又はトリ置換のアリールシリル基としては、Ｒ1及びＲ2で説明したアルキル基、アリール基で置換されたシリル基が挙げられ、例えば、トリアルキルシリル基、トリアリールシリル基、モノアルキルジアリールシリル基、ジアルキルモノアリールシリル基が挙げられ、具体的には、トリメチルシリル基、トリエチルシリル基、トリブチルシリル基、トリオクチルシリル基、トリイソブチルシリル基、ジメチルエチルシリル基、ジメチルイソプロイルシリル基、ジメチルプロピルシリル基、ジメチルブチルシリル基、ジメチルターシャリーブチルシリル基、ジエチルイソプロピルシリル基、フェニルジメチルシリル基、ジフェニルメチルシリル基、ジフェニルターシャリーブチル基、トリフェニルシリル基等が挙げられ、トリメチルシリル基、トリエチルシリル基、トリブチルシリル基が好ましく、トリメチルシリル基がさらに好ましい。
【００３３】
Ｒ1及びＲ2として選択し得る炭素数１〜５０のアルコキシ基としては、−ＯＲ’で表される基であって、Ｒ’は、上述の炭素数１〜５０のアルキル基を表す。
具体的な該アルコキシ基としては、例えばメトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、ブトキシ基、ペンチルオキシ基、ヘキシルオキシ基等が挙げられる。
【００３４】
Ｒ1及びＲ2として選択し得る環形成炭素数６〜５０のアリールオキシ基としては、−ＯＲ’’で表される基であって、Ｒ’’は、上述の炭素数６〜５０のアリール基を表す。
具体的な該アリールオキシ基としては、例えばフェノキシ基、ビフェニルオキシ基、１−ナフチルオキシ基、２−ナフチルオキシ基、ｐ−ターフェニル−４−イルオキシ基、ｐ−トリルオキシ基等が挙げられる。
【００３５】
Ｒ1及びＲ2として選択し得る置換もしくは無置換の炭素数１〜５０のアルキル基を有するモノ置換又はジ置換アルキルアミノ基、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜５０のアリール基を有するモノ置換又はジ置換アリールアミノ基としては、Ｒ1及びＲ2で説明したアルキル基、アリール基で置換されたアミノ基が挙げられ、例えば、フェニルアミノ基、トリルアミノ基、ナフチルアミノ基、メチルアミノ基、エチルアミノ基、ヘキシルアミノ基、ジフェニルアミノ基、ジトリルアミノ基、ジナフチルアミノ基、ナフチルフェニルアミノ基、ジメチルアミノ基、ジエチルアミノ基、ジヘキシルアミノ基等が挙げられる。
【００３６】
前記一般式（１）において、Ｒ11〜Ｒ24は、それぞれ独立に、水素原子又は置換基であり、該置換基としては、上述したものが挙げられる。
Ｒ11〜Ｒ24は、それぞれ独立に、水素原子、置換もしくは無置換の炭素数１〜５０のアルキル基、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜５０のアリール基、置換もしくは無置換の環形成原子数３〜５０のヘテロアリール基、又はシアノ基であると好ましい。
前記一般式（１）において、ＲX1及びＲX2は、それぞれ独立に、水素原子又は置換基であるが、ＲX1及びＲX2の少なくとも一方は、脱離し、当該基と結合していた炭素原子が＊と結合する。該置換基としては、上述したものが挙げられ、Ｒ1及びＲ2で説明した基が好ましく挙げられる。
【００３７】
＜一般式（１）中の−Ｌ−Ｒａについて＞
前記一般式（１）において、Ｌは、単結合、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜５０のアリーレン基、又は置換もしくは無置換の環形成原子数３〜５０のヘテロアリーレン基である。ｎが２である場合、２つのＬは、互いに同一であってもよく、異なっていてもよい。
なお、当該アリーレン及びヘテロアリーレン基が有してもよい置換基としては、上述のとおりである。
【００３８】
本発明の一態様として、Ｌが表すアリーレン基の環形成炭素数は６〜５０であり、好ましくは６〜２４、より好ましくは６〜１８、さらに好ましくは６〜１２、特に好ましくは６〜１０である。
【００３９】
本発明の一態様においては、Ｌが、単結合、又は下記一般式（ｉ）〜（iii）のいずれかで表される基であると好ましい。
【化７】
0006367061.tif 000008
【００４０】
上記式（ｉ）〜（iii）中、ＲXは、それぞれ独立に、水素原子又は置換基であり、ＲXを複数有する場合、該複数のＲXは、互いに同一でも異なっていてもよく、複数のＲXから選ばれる２つが、互いに結合して、環構造を形成してもよい。当該置換基としては、上述のものが挙げられる。なお、ＲXは、上記式（ｉ）〜（iii）中のそれぞれのベンゼン環の置換基を表し、各ベンゼン環の炭素原子と結合する。
ａは、それぞれ独立に、０〜４の整数であり、好ましくは０〜２の整数、より好ましくは０〜１の整数、更に好ましくは０である。
ｂは、それぞれ独立に、０〜３の整数であり、好ましくは０〜２の整数、より好ましくは０〜１の整数、更に好ましくは０である。
＊及び＊＊は、結合位置を示す。つまり、＊及び＊＊の一方が、前記一般式（１）中のＲX1及び／又はＲX2と結合していた炭素原子との結合位置を示し、他方がＲａとの結合位置を示す。
【００４１】
なお、上記式（ｉ）又は（ii）中の複数のＲXから選ばれる２つが、互いに結合して環構造を形成する場合の基として、下記式で表される基が挙げられる。これらの基も、上記式（ｉ）又は（ii）で表される基に含まれる。
【００４２】
【化８】
0006367061.tif 000009
（上記式中、＊及び＊＊は結合位置を示す。また、上記式中の結合位置以外の炭素原子は、上述の置換基と結合していてもよい。）
【００４３】
Ｌが表すアリーレン基の具体例としては、下記式で表される基が挙げられる。
【化９】
0006367061.tif 000010
（上記式中、＊及び＊＊は結合位置を示す。また、上記式中の結合位置以外の炭素原子は、上述の置換基と結合していてもよい。）
【００４４】
また、前記一般式（１）において、Ｌが表すヘテロアリーレン基の環形成原子数は３〜５０であり、好ましくは３〜１８、より好ましくは３〜１３、特に好ましくは３〜１０である。
このようなヘテロアリーレン基としては、例えば、ピロール、ピリジン、イミダゾピリジン、ピラゾール、トリアゾール、テトラゾール、インドール、イソインドール及びカルバゾール等の含窒素複素環化合物の残基；フラン、ベンゾフラン、イソベンゾフラン、ジベンゾフラン、オキサゾール、オキサジアゾール、ベンゾオキサゾール、ベンゾナフトフラン及びジナフトフラン等の含酸素複素環化合物の残基；チオフェン、ベンゾチオフェン、ジベンゾチオフェン、チアゾール、チアジアゾール、ベンゾチアゾール、ベンゾナフトチオフェン及びジナフトチオフェン等の含硫黄複素環化合物の残基などが挙げられる。
【００４５】
前記一般式（１）において、Ｒａは、置換もしくは無置換の炭素数１〜５０のフルオロアルキル基、シアノ基、アミノ基、置換もしくは無置換の炭素数１〜５０のアルキル基を有するモノ置換又はジ置換アルキルアミノ基、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜５０のアリール基を有するモノ置換又はジ置換アリールアミノ基、置換もしくは無置換の環形成原子数３〜５０のヘテロアリール基を有するモノ置換又はジ置換ヘテロアリールアミノ基、置換もしくは無置換の環形成炭素数１０〜５０のアリール基、置換もしくは無置換の環形成原子数３〜５０のヘテロアリール基、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜５０のアリール基を有する置換アリールエチニル基、又は、置換もしくは無置換の環形成原子数３〜５０のヘテロアリール基を有する置換へテロアリールエチニル基である。
【００４６】
Ｒａとして選択し得るフルオロアルキル基の炭素数は、１〜５０であり、好ましくは１〜２０、より好ましくは１〜１８、さらに好ましくは１〜８である。
該フルオロアルキル基としては、前記Ｒ1及びＲ2で説明したアルキル基の例の水素原子をフッ素原子で置換された基が挙げられ、トリフルオロメチル基、ペンタフルオロエチル基、等が挙げられる。
Ｒａとして選択し得る置換もしくは無置換の炭素数１〜５０のアルキル基を有するモノ置換又はジ置換アルキルアミノ基、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜５０のアリール基を有するモノ置換又はジ置換アリールアミノ基としては、前記Ｒ1及びＲ2で説明したものと同様の例が挙げられる。
Ｒａとして選択し得る置換もしくは無置換の環形成原子数３〜５０のヘテロアリール基を有するモノ置換又はジ置換ヘテロアリールアミノ基としては、前記Ｒ1及びＲ2で説明したヘテロアリール基で置換されたアミノ基が挙げられる。
【００４７】
Ｒａとして選択し得るアリール基の環形成炭素数は、１０〜５０であり、好ましくは１０〜１８、より好ましくは１０〜１３、さらに好ましくは１０〜１２である。なお、該アリール基は、非縮合アリール基、縮合アリール基、及びこれらの組み合わせのいずれであってもよい。
該アリール基としては、例えば、ビフェニリル基、ターフェニリル基、クアテルフェニリル基、キンクフェニリル基、ナフチル基（１−ナフチル基、２−ナフチル基）、アセナフチレニル基、アントリル基、ベンゾアントリル基、アセアントリル基、フェナントリル基、ベンゾフェナントリル基、フェナレニル基、フルオレニル基（９，９−ジメチルフルオレニル基、９，９−ジフェニルフルオレニル基、９，９’−スピロビフルオレニル基を含む。）、ベンゾフルオレニル基、ジベンゾフルオレニル基、ピセニル基、ペンタセニル基、ピレニル基、クリセニル基、ベンゾクリセニル基、フルオランテニル基、ベンゾフルオランテニル基、テトラセニル基、ペリレニル基、コロニル基、ジベンゾアントリル基、ナフチルフェニル基、トリフェニレニル基、ベンゾトリフェニレニル基等が挙げられる。前記各基は、異性体基が存在する場合には、異性体基を含む。
【００４８】
Ｒａとして選択し得るヘテロアリール基の環形成原子数は、３〜５０であり、好ましくは５〜２０、より好ましくは５〜１４、更に好ましくは５〜１０である。
該ヘテロアリール基は、少なくとも１個、好ましくは１〜５個、より好ましくは１〜３個、さらに好ましくは１〜２個の同一又は異なるヘテロ原子を含む。
該へテロアリール基としては、前記Ｒ1及びＲ2で説明したヘテロアリール基と同様の例が挙げられる。
Ｒａとして選択し得る置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜５０のアリール基を有する置換アリールエチニル基、置換もしくは無置換の環形成原子数３〜５０のヘテロアリール基を有する置換へテロアリールエチニル基としては、前記Ｒ1及びＲ2で説明したアリール基、ヘテロアリール基で置換されたエチニル基が挙げられ、例えば、フェニルエチニル基、ナフチルエチニル基、ビリジルエチニル基等が挙げられる。
【００４９】
（本発明の一態様の化合物）
前記一般式（１）で表される一態様の化合物は、下記一般式（２）で表される化合物が好ましい。
【００５０】
【化１０】
0006367061.tif 000011
【００５１】
前記一般式（２）中、Ｒ1、Ｒ2、Ｒ11〜Ｒ24、Ｌ、及びＲａは、前記一般式（１）に関する記載と同じである。ＲX1は、水素原子又は置換基である。当該置換基としては、上述のものが挙げられる。
【００５２】
また、一般式（２）で表される一態様の化合物は、下記一般式（２−１）で表される化合物が好ましい。
【００５３】
【化１１】
0006367061.tif 000012
【００５４】
前記一般式（２−１）中、Ｒ1、Ｒ2、Ｌ、及びＲａは、前記一般式（１）に関する記載と同じである。
【００５５】
前記一般式（１）で表される一態様の化合物は、下記一般式（３）で表される化合物が好ましい。
【００５６】
【化１２】
0006367061.tif 000013
【００５７】
前記一般式（３）中、Ｒ1、Ｒ2、及びＲ11〜Ｒ24は、前記一般式（１）に関する記載と同じである。Ｌ1及びＬ2は、前記一般式（１）中のＬと同じ規定であり、Ｒａ1及びＲａ2は、前記一般式（１）中のＲａと同じ規定である。
また、前記一般式（３）において、Ｒ1とＲ2、Ｒ11とＲ24、Ｒ12とＲ23、Ｒ13とＲ22、Ｒ14とＲ21、Ｒ15とＲ20、Ｒ16とＲ19、Ｒ17とＲ18、Ｌ1とＬ2、並びに、Ｒａ1とＲａ2が、互いに同一の基であると好ましい。すなわち、対称性を有する構造であると好ましい。
前記の対称性を有する構造の化合物は、合成や反応後の精製が容易である。そのため、高純度な化合物を得ることができ、結果として素子性能の向上が期待できると推測される。
【００５８】
また、一般式（３）で表される一態様の化合物は、下記一般式（３−１）〜（３−５）で表される化合物が好ましい。
【００５９】
【化１３】
0006367061.tif 000014
前記一般式（３−１）中、Ｒ1、Ｒ2、及びＲ11〜Ｒ24は、前記一般式（１）に関する記載と同じである。Ｌ1及びＬ2は、前記一般式（３）に関する記載と同じである。Ａｒ1〜Ａｒ4は、それぞれ独立に、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜５０のアリール基、又は置換もしくは無置換の環形成原子数３〜５０のヘテロアリール基である。
Ａｒ1〜Ａｒ4として選択し得るアリール基、ヘテロアリール基としては、前記一般式（１）のＲ1及びＲ2で説明したアリール基、ヘテロアリール基と同様の例が挙げられる。
【００６０】
【化１４】
0006367061.tif 000015
【００６１】
前記一般式（３−２）中、Ｒ1、Ｒ2、及びＲ11〜Ｒ24は、前記一般式（１）に関する記載と同じである。Ｌ1及びＬ2は、前記一般式（３）に関する記載と同じである。ＡｒX1及びＡｒX2は、それぞれ独立に、置換もしくは無置換の環形成炭素数１０〜５０のアリール基である。
ＡｒX1及びＡｒX2として選択し得るアリール基としては、前記一般式（１）のＲａで説明したアリール基と同様の例が挙げられる。
【００６２】
【化１５】
0006367061.tif 000016
【００６３】
前記一般式（３−３）中、Ｒ1、Ｒ2、及びＲ11〜Ｒ24は、前記一般式（１）に関する記載と同じである。Ｌ1及びＬ2は、前記一般式（３）に関する記載と同じである。ＨＡｒ1及びＨＡｒ2は、それぞれ独立に、置換もしくは無置換の環形成炭素数３〜５０のヘテロアリール基である。
ＨＡｒ1及びＨＡｒ2として選択し得るヘテロアリール基としては、前記一般式（１）のＲ1及びＲ2で説明したヘテロアリール基と同様の例が挙げられる。
【００６４】
【化１６】
0006367061.tif 000017
【００６５】
前記一般式（３−４）中、Ｒ1、Ｒ2、及びＲ11〜Ｒ24は、前記一般式（１）に関する記載と同じである。Ｌ1及びＬ2は、前記一般式（３）に関する記載と同じである。ＡｒX3は、置換もしくは無置換の環形成炭素数１０〜５０のアリール基であり、ＨＡｒ3は、置換もしくは無置換の環形成炭素数３〜５０のヘテロアリール基である。
ＡｒX3として選択し得るアリール基としては、前記一般式（１）のＲａで説明したアリール基と同様の例が挙げられる。
ＨＡｒ3として選択し得るヘテロアリール基としては、前記一般式（１）のＲ1及びＲ2で説明したヘテロアリール基と同様の例が挙げられる。
【００６６】
【化１７】
0006367061.tif 000018
前記一般式（３−５）中、Ｒ1及びＲ2は、前記一般式（１）に関する記載と同じである。Ｌ1、Ｌ2、Ｒａ1、及びＲａ2は、前記一般式（３）に関する記載と同じ規定である。
【００６７】
以下に本発明の一態様の化合物の具体例を示すが、これらに限定されるものではない。
【００６８】
【化１８】
0006367061.tif 000019
【００６９】
【化１９】
0006367061.tif 000020
【００７０】
【化２０】
0006367061.tif 000021
【００７１】
【化２１】
0006367061.tif 000022
【００７２】
【化２２】
0006367061.tif 000023
【００７３】
【化２３】
0006367061.tif 000024
【００７４】
【化２４】
0006367061.tif 000025
【００７５】
【化２５】
0006367061.tif 000026
【００７６】
【化２６】
0006367061.tif 000027
【００７７】
【化２７】
0006367061.tif 000028
【００７８】
【化２８】
0006367061.tif 000029
【００７９】
【化２９】
0006367061.tif 000030
【００８０】
【化３０】
0006367061.tif 000031
【００８１】
【化３１】
0006367061.tif 000032
【００８２】
【化３２】
0006367061.tif 000033
【００８３】
【化３３】
0006367061.tif 000034
【００８４】
【化３４】
0006367061.tif 000035
【００８５】
【化３５】
0006367061.tif 000036
【００８６】
【化３６】
0006367061.tif 000037
【００８７】
【化３７】
0006367061.tif 000038
【００８８】
【化３８】
0006367061.tif 000039
【００８９】
【化３９】
0006367061.tif 000040
【００９０】
【化４０】
0006367061.tif 000041
【００９１】
〔有機ＥＬ素子用材料〕
本発明の一態様の有機ＥＬ素子用材料は、上述の前記一般式（１）で表される化合物からなるものであり、前記一般式（２）、（２−１）、（３）及び（３−１）〜（３−４）から選ばれる化合物からなるものであることが好ましい。
本発明の一態様の有機ＥＬ素子用材料は、有機ＥＬ素子における材料として有用であり、例えば、有機ＥＬ素子の陽極と陰極との間に配置された一層以上の有機薄膜層の材料として有用である。
【００９２】
〔有機ＥＬ素子〕
次に、本発明の一態様の有機ＥＬ素子について説明する。
本発明の一態様の有機ＥＬ素子は、陽極、陰極、及び該陰極と該陽極の間に一層以上の有機薄膜層を有する。この一層以上の有機薄膜層は発光層を含み、また、この一層以上の有機薄膜層の少なくとも１層が前記一般式（１）で表される化合物を含む層である。
前記一般式（１）で表される化合物が含まれる有機薄膜層の例としては、陽極と発光層との間に設けられる陽極側有機薄膜層（正孔輸送層、正孔注入層等）、発光層、陰極と発光層との間に設けられる陰極側有機薄膜層（電子輸送層、電子注入層等）、スペース層、障壁層等が挙げられるが、これらに限定されるものではない。
前記一般式（１）で表される化合物は、上記いずれの層に含まれていてもよく、例えば、蛍光発光ユニットの発光層におけるホスト材料やドーパント材料、燐光発光ユニットの発光層におけるホスト材料、発光ユニットの正孔輸送層材料、電子輸送層材料等として用いることができる。
【００９３】
本発明の一態様において、前記一般式（１）で表される化合物の有機薄膜層（好ましくは発光層）中の含有量は、当該有機薄膜層を構成する全成分の全モル数（１００モル％）に対して、好ましくは３０モル％以上、より好ましくは５０モル％以上、更に好ましくは７０モル％以上、より更に好ましくは９０モル％以上である。
【００９４】
本発明の一態様において、有機ＥＬ素子は、蛍光又は燐光発光型の単色発光素子であっても、蛍光／燐光ハイブリッド型の白色発光素子であってもよいし、単独の発光ユニットを有するシンプル型であっても、複数の発光ユニットを有するタンデム型であってもよく、中でも、燐光発光型であることが好ましい。ここで、「発光ユニット」とは、一層以上の有機層を含み、そのうちの一層が発光層であり、注入された正孔と電子が再結合することにより発光することができる最小単位をいう。
【００９５】
従って、シンプル型有機ＥＬ素子の代表的な素子構成としては、以下の素子構成を挙げることができる。
（１）陽極／発光ユニット／陰極
また、上記発光ユニットは、燐光発光層や蛍光発光層を複数有する積層型であってもよく、その場合、各発光層の間に、燐光発光層で生成された励起子が蛍光発光層に拡散することを防ぐ目的で、スペース層を有していてもよい。発光ユニットの代表的な層構成を以下に示す。
（ａ）正孔輸送層／発光層（／電子輸送層）
（ｂ）正孔輸送層／第一燐光発光層／第二燐光発光層（／電子輸送層）
（ｃ）正孔輸送層／燐光発光層／スペース層／蛍光発光層（／電子輸送層）
（ｄ）正孔輸送層／第一燐光発光層／第二燐光発光層／スペース層／蛍光発光層（／電子輸送層）
（ｅ）正孔輸送層／第一燐光発光層／スペース層／第二燐光発光層／スペース層／蛍光発光層（／電子輸送層）
（ｆ）正孔輸送層／燐光発光層／スペース層／第一蛍光発光層／第二蛍光発光層（／電子輸送層）
（ｇ）正孔輸送層／電子障壁層／発光層（／電子輸送層）
（ｈ）正孔輸送層／発光層／正孔障壁層（／電子輸送層）
（ｉ）正孔輸送層／蛍光発光層／トリプレット障壁層（／電子輸送層）
【００９６】
上記各燐光又は蛍光発光層は、それぞれ互いに異なる発光色を示すものとすることができる。具体的には、上記積層発光ユニット（ｄ）において、正孔輸送層／第一燐光発光層（赤色発光）／第二燐光発光層（緑色発光）／スペース層／蛍光発光層（青色発光）／電子輸送層といった層構成等が挙げられる。
なお、各発光層と正孔輸送層あるいはスペース層との間には、適宜、電子障壁層を設けてもよい。また、各発光層と電子輸送層との間には、適宜、正孔障壁層を設けてもよい。電子障壁層や正孔障壁層を設けることで、電子又は正孔を発光層内に閉じ込めて、発光層における電荷の再結合確率を高め、発光効率を向上させることができる。
【００９７】
タンデム型有機ＥＬ素子の代表的な素子構成としては、以下の素子構成を挙げることができる。
（２）陽極／第一発光ユニット／中間層／第二発光ユニット／陰極
ここで、上記第一発光ユニット及び第二発光ユニットとしては、例えば、それぞれ独立に上述の発光ユニットと同様のものを選択することができる。
上記中間層は、一般的に、中間電極、中間導電層、電荷発生層、電子引抜層、接続層、中間絶縁層とも呼ばれ、第一発光ユニットに電子を、第二発光ユニットに正孔を供給する、公知の材料構成を用いることができる。
【００９８】
図１に、前記有機ＥＬ素子の一例の概略構成を示す。有機ＥＬ素子１は、基板２、陽極３、陰極４、及び該陽極３と陰極４との間に配置された発光ユニット１０とを有する。発光ユニット１０は、燐光ホスト材料と燐光ドーパント（燐光発光材料）を含む少なくとも１つの燐光発光層を含む発光層５を有する。発光層５と陽極３との間に正孔注入・輸送層（陽極側有機薄膜層）６等、発光層５と陰極４との間に電子注入・輸送層（陰極側有機薄膜層）７等を形成してもよい。また、発光層５の陽極３側に電子障壁層（図示せず）を、発光層５の陰極４側に正孔障壁層（図示せず）を、それぞれ設けてもよい。これにより、電子や正孔を発光層５に閉じ込めて、発光層５における励起子の生成確率をさらに高めることができる。
【００９９】
なお、本発明において、蛍光ドーパント（蛍光発光材料）と組み合わされたホストを蛍光ホストと称し、燐光ドーパントと組み合わされたホストを燐光ホストと称する。蛍光ホストと燐光ホストは分子構造のみにより区分されるものではない。すなわち、燐光ホストとは、燐光ドーパントを含有する燐光発光層を形成する材料を意味し、蛍光発光層を形成する材料として利用できないことを意味しているわけではない。蛍光ホストについても同様である。
【０１００】
（基板）
基板は、発光素子の支持体として用いられる。基板としては、例えば、ガラス、石英、プラスチックなどを用いることができる。また、可撓性基板を用いてもよい。可撓性基板とは、折り曲げることができる（フレキシブル）基板のことであり、例えば、ポリカーボネート、ポリ塩化ビニルからなるプラスチック基板等が挙げられる。
【０１０１】
（陽極）
基板上に形成される陽極には、仕事関数の大きい（具体的には４．０ｅＶ以上）金属、合金、電気伝導性化合物、およびこれらの混合物などを用いることが好ましい。具体的には、例えば、酸化インジウム−酸化スズ（ＩＴＯ：Ｉｎｄｉｕｍ  Ｔｉｎ  Ｏｘｉｄｅ）、珪素若しくは酸化珪素を含有した酸化インジウム−酸化スズ、酸化インジウム−酸化亜鉛、酸化タングステン、および酸化亜鉛を含有した酸化インジウム、グラフェン等が挙げられる。この他、金（Ａｕ）、白金（Ｐｔ）、または金属材料の窒化物（例えば、窒化チタン）等が挙げられる。
【０１０２】
（陰極）
陰極には、仕事関数の小さい（具体的には３．８ｅＶ以下）金属、合金、電気伝導性化合物、およびこれらの混合物などを用いることが好ましい。このような陰極材料の具体例としては、元素周期表の第１族または第２族に属する元素、すなわちリチウム（Ｌｉ）やセシウム（Ｃｓ）等のアルカリ金属、およびマグネシウム（Ｍｇ）等のアルカリ土類金属、およびこれらを含む合金（例えば、ＭｇＡｇ、ＡｌＬｉ）等の希土類金属およびこれらを含む合金等が挙げられる。
【０１０３】
（発光層のゲスト材料）
発光層は、発光性の高い物質を含む層であり、種々の材料を用いることができる。
発光層のゲスト材料としては、例えば、発光性の高い物質としては、蛍光を発光する蛍光性化合物や燐光を発光する燐光性化合物を用いることができる。蛍光性化合物は一重項励起状態から発光可能な化合物であり、燐光性化合物は三重項励起状態から発光可能な化合物である。
【０１０４】
発光層に用いることができる青色系の蛍光発光材料として、ピレン誘導体、スチリルアミン誘導体、クリセン誘導体、フルオランテン誘導体、フルオレン誘導体、ジアミン誘導体、トリアリールアミン誘導体等が使用できる。具体的には、Ｎ，Ｎ'−ビス［４−（９Ｈ−カルバゾール−９−イル）フェニル］−Ｎ，Ｎ'−ジフェニルスチルベン−４，４'−ジアミン（略称：ＹＧＡ２Ｓ）、４−（９Ｈ−カルバゾール−９−イル）−４'−（１０−フェニル−９−アントリル）トリフェニルアミン（略称：ＹＧＡＰＡ）、４−（１０−フェニル−９−アントリル）−４'−（９−フェニル−９Ｈ−カルバゾール−３−イル）トリフェニルアミン（略称：ＰＣＢＡＰＡ）などが挙げられる。
発光層に用いることができる緑色系の蛍光発光材料として、芳香族アミン誘導体等を使用できる。具体的には、Ｎ−（９，１０−ジフェニル−２−アントリル）−Ｎ，９−ジフェニル−９Ｈ−カルバゾール−３−アミン（略称：２ＰＣＡＰＡ）、Ｎ−［９，１０−ビス（１，１'−ビフェニル−２−イル）−２−アントリル］−Ｎ，９−ジフェニル−９Ｈ−カルバゾール−３−アミン（略称：２ＰＣＡＢＰｈＡ）、Ｎ−（９，１０−ジフェニル−２−アントリル）−Ｎ，Ｎ'，Ｎ'−トリフェニル−１，４−フェニレンジアミン（略称：２ＤＰＡＰＡ）、Ｎ−［９，１０−ビス（１，１'−ビフェニル−２−イル）−２−アントリル］−Ｎ，Ｎ'，Ｎ'−トリフェニル−１，４−フェニレンジアミン（略称：２ＤＰＡＢＰｈＡ）、Ｎ−［９，１０−ビス（１，１'−ビフェニル−２−イル）］−Ｎ−［４−（９Ｈ−カルバゾール−９−イル）フェニル］−Ｎ−フェニルアントラセン−２−アミン（略称：２ＹＧＡＢＰｈＡ）、Ｎ，Ｎ，９−トリフェニルアントラセン−９−アミン（略称：ＤＰｈＡＰｈＡ）などが挙げられる。
発光層に用いることができる赤色系の蛍光発光材料として、テトラセン誘導体、ジアミン誘導体等が使用できる。具体的には、Ｎ，Ｎ，Ｎ'，Ｎ'−テトラキス（４−メチルフェニル）テトラセン−５，１１−ジアミン（略称：ｐ−ｍＰｈＴＤ）、７，１４−ジフェニル−Ｎ，Ｎ，Ｎ'，Ｎ'−テトラキス（４−メチルフェニル）アセナフト［１，２−ａ］フルオランテン−３，１０−ジアミン（略称：ｐ−ｍＰｈＡＦＤ）などが挙げられる。
【０１０５】
発光層に用いることができる青色系の燐光発光材料として、イリジウム錯体、オスミウム錯体、白金錯体等の金属錯体、好ましくはイリジウム、オスミウム又は白金金属のオルトメタル化錯体が使用される。具体的には、ビス［２−（４'，６'−ジフルオロフェニル）ピリジナト−Ｎ，Ｃ２'］イリジウム（III）テトラキス（１−ピラゾリル）ボラート（略称：ＦＩｒ６）、ビス［２−（４'，６'−ジフルオロフェニル）ピリジナト−Ｎ，Ｃ２'］イリジウム（III）ピコリナート（略称：ＦＩｒｐｉｃ）、ビス［２−（３'，５'ビストリフルオロメチルフェニル）ピリジナト−Ｎ，Ｃ２'］イリジウム（ＩＩＩ）ピコリナート（略称：Ｉｒ（ＣＦ３ｐｐｙ）２（ｐｉｃ））、ビス［２−（４'，６'−ジフルオロフェニル）ピリジナト−Ｎ，Ｃ２'］イリジウム（III）アセチルアセトナート（略称：ＦＩｒａｃａｃ）などが挙げられる。
発光層に用いることができる緑色系の燐光発光材料として、イリジウム錯体等が使用される。トリス（２−フェニルピリジナト−Ｎ，Ｃ２'）イリジウム（III）（略称：Ｉｒ（ｐｐｙ）３）、ビス（２−フェニルピリジナト−Ｎ，Ｃ２'）イリジウム（III）アセチルアセトナート（略称：Ｉｒ（ｐｐｙ）２（ａｃａｃ））、ビス（１，２−ジフェニル−１Ｈ−ベンゾイミダゾラト）イリジウム（III）アセチルアセトナート（略称：Ｉｒ（ｐｂｉ）２（ａｃａｃ））、ビス（ベンゾ［ｈ］キノリナト）イリジウム（III）アセチルアセトナート（略称：Ｉｒ（ｂｚｑ）２（ａｃａｃ））などが挙げられる。
発光層に用いることができる赤色系の燐光発光材料として、イリジウム錯体、白金錯体、テルビウム錯体、ユーロピウム錯体等の金属錯体が使用される。具体的には、ビス［２−（２'−ベンゾ［４，５−α］チエニル）ピリジナト−Ｎ，Ｃ３'］イリジウム（III）アセチルアセトナート（略称：Ｉｒ（ｂｔｐ）２（ａｃａｃ））、ビス（１−フェニルイソキノリナト−Ｎ，Ｃ２'）イリジウム（III）アセチルアセトナート（略称：Ｉｒ（ｐｉｑ）２（ａｃａｃ））、（アセチルアセトナト）ビス［２，３−ビス（４−フルオロフェニル）キノキサリナト］イリジウム（III）（略称：Ｉｒ（Ｆｄｐｑ）２（ａｃａｃ））、２，３，７，８，１２，１３，１７，１８−オクタエチル−２１Ｈ，２３Ｈ−ポルフィリン白金（II）（略称：ＰｔＯＥＰ）等の有機金属錯体が挙げられる。
また、トリス（アセチルアセトナト）（モノフェナントロリン）テルビウム（III）（略称：Ｔｂ（ａｃａｃ）３（Ｐｈｅｎ））、トリス（１，３−ジフェニル−１，３−プロパンジオナト）（モノフェナントロリン）ユーロピウム（III）（略称：Ｅｕ（ＤＢＭ）３（Ｐｈｅｎ））、トリス［１−（２−テノイル）−３，３，３−トリフルオロアセトナト］（モノフェナントロリン）ユーロピウム（III）（略称：Ｅｕ（ＴＴＡ）３（Ｐｈｅｎ））等の希土類金属錯体は、希土類金属イオンからの発光（異なる多重度間の電子遷移）であるため、燐光性化合物として用いることができる。
【０１０６】
（発光層のホスト材料）
発光層としては、上述した発光性の高い物質（ゲスト材料）を他の物質（ホスト材料）に分散させた構成としてもよい。
発光層のホスト材料は、発光性の高い物質を分散させるための物質であれば各種のものを用いることができ、発光性の高い物質よりも最低空分子軌道準位（ＬＵＭＯ準位）が高く、最高被占分子軌道準位（ＨＯＭＯ準位）が低い物質を用いることが好ましい。
発光性の高い物質を分散させるための物質（ホスト材料）としては、１）アルミニウム錯体、ベリリウム錯体、若しくは亜鉛錯体等の金属錯体、２）オキサジアゾール誘導体、ベンゾイミダゾール誘導体、若しくはフェナントロリン誘導体等の複素環化合物、３）カルバゾール誘導体、アントラセン誘導体、フェナントレン誘導体、ピレン誘導体、若しくはクリセン誘導体等の縮合芳香族化合物、３）トリアリールアミン誘導体、若しくは縮合多環芳香族アミン誘導体等の芳香族アミン化合物を使用できる。より具体的には、トリス（８−キノリノラト）アルミニウム（III）（略称：Ａｌｑ）、トリス（４−メチル−８−キノリノラト）アルミニウム（III）（略称：Ａｌｍｑ３）、ビス（１０−ヒドロキシベンゾ［ｈ］キノリナト）ベリリウム（ＩＩ）（略称：ＢｅＢｑ２）、ビス（２−メチル−８−キノリノラト）（４−フェニルフェノラト）アルミニウム（III）（略称：ＢＡｌｑ）、ビス（８−キノリノラト）亜鉛（II）（略称：Ｚｎｑ）、ビス［２−（２−ベンゾオキサゾリル）フェノラト］亜鉛（II）（略称：ＺｎＰＢＯ）、ビス［２−（２−ベンゾチアゾリル）フェノラト］亜鉛（II）（略称：ＺｎＢＴＺ）などの金属錯体、２−（４−ビフェニリル）−５−（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−１，３，４−オキサジアゾール（略称：ＰＢＤ）、１，３−ビス［５−（ｐ−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−１，３，４−オキサジアゾール−２−イル］ベンゼン（略称：ＯＸＤ−７）、３−（４−ビフェニリル）−４−フェニル−５−（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−１，２，４−トリアゾール（略称：ＴＡＺ）、２，２'，２''−（１，３，５−ベンゼントリイル）トリス（１−フェニル−１Ｈ−ベンゾイミダゾール）（略称：ＴＰＢＩ）、バソフェナントロリン（略称：ＢＰｈｅｎ）、バソキュプロイン（略称：ＢＣＰ）などの複素環化合物や、９−［４−（１０−フェニル−９−アントリル）フェニル］−９Ｈ−カルバゾール（略称：ＣｚＰＡ）、３，６−ジフェニル−９−［４−（１０−フェニル−９−アントリル）フェニル］−９Ｈ−カルバゾール（略称：ＤＰＣｚＰＡ）、９，１０−ビス（３，５−ジフェニルフェニル）アントラセン（略称：ＤＰＰＡ）、９，１０−ジ（２−ナフチル）アントラセン（略称：ＤＮＡ）、２−ｔｅｒｔ−ブチル−９，１０−ジ（２−ナフチル）アントラセン（略称：ｔ−ＢｕＤＮＡ）、９，９'−ビアントリル（略称：ＢＡＮＴ）、９，９'−（スチルベン−３，３'−ジイル）ジフェナントレン（略称：ＤＰＮＳ）、９，９'−（スチルベン−４，４'−ジイル）ジフェナントレン（略称：ＤＰＮＳ２）、３，３'，３''−（ベンゼン−１，３，５−トリイル）トリピレン（略称：ＴＰＢ３）、９，１０−ジフェニルアントラセン（略称：ＤＰＡｎｔｈ）、６，１２−ジメトキシ−５，１１−ジフェニルクリセンなどの縮合芳香族化合物、Ｎ，Ｎ−ジフェニル−９−［４−（１０−フェニル−９−アントリル）フェニル］−９Ｈ−カルバゾール−３−アミン（略称：ＣｚＡ１ＰＡ）、４−（１０−フェニル−９−アントリル）トリフェニルアミン（略称：ＤＰｈＰＡ）、Ｎ，９−ジフェニル−Ｎ−［４−（１０−フェニル−９−アントリル）フェニル］−９Ｈ−カルバゾール−３−アミ���（略称：ＰＣＡＰＡ）、Ｎ，９−ジフェニル−Ｎ−｛４−［４−（１０−フェニル−９−アントリル）フェニル］フェニル｝−９Ｈ−カルバゾール−３−アミン（略称：ＰＣＡＰＢＡ）、Ｎ−（９，１０−ジフェニル−２−アントリル）−Ｎ，９−ジフェニル−９Ｈ−カルバゾール−３−アミン（略称：２ＰＣＡＰＡ）、ＮＰＢ（またはα−ＮＰＤ）、ＴＰＤ、ＤＦＬＤＰＢｉ、ＢＳＰＢなどの芳香族アミン化合物などを用いることができる。また、発光性の高い物質（ゲスト材料）を分散させるための物質（ホスト材料）は複数種用いることができる。
【０１０７】
（電子輸送層）
電子輸送層は、電子輸送性の高い物質を含む層である。電子輸送層には、１）アルミニウム錯体、ベリリウム錯体、亜鉛錯体等の金属錯体、２）イミダゾール誘導体、ベンゾイミダゾール誘導体、アジン誘導体、カルバゾール誘導体、フェナントロリン誘導体等の複素芳香族化合物、３）高分子化合物を使用することができる。
【０１０８】
（電子注入層）
電子注入層は、電子注入性の高い物質を含む層である。電子注入層には、リチウム（Ｌｉ）、フッ化リチウム（ＬｉＦ）、フッ化セシウム（ＣｓＦ）、フッ化カルシウム（ＣａＦ２）、リチウム酸化物（ＬｉＯｘ）等のようなアルカリ金属、アルカリ土類金属、またはそれらの化合物を用いることができる。
【０１０９】
（正孔注入層）
正孔注入層は、正孔注入性の高い物質を含む層である。正孔注入性の高い物質としては、モリブデン酸化物、チタン酸化物、バナジウム酸化物、レニウム酸化物、ルテニウム酸化物、クロム酸化物、ジルコニウム酸化物、ハフニウム酸化物、タンタル酸化物、銀酸化物、タングステン酸化物、マンガン酸化物、芳香族アミン化合物、又は高分子化合物（オリゴマー、デンドリマー、ポリマー等）等も使用できる。
【０１１０】
（正孔輸送層）
正孔輸送層は、正孔輸送性の高い物質を含む層である。正孔輸送層には、芳香族アミン化合物、カルバゾール誘導体、アントラセン誘導体等を使用する事ができる。ポリ（Ｎ−ビニルカルバゾール）（略称：ＰＶＫ）やポリ（４−ビニルトリフェニルアミン）（略称：ＰＶＴＰＡ）等の高分子化合物を用いることもできる。但し、電子よりも正孔の輸送性の高い物質であれば、これら以外のものを用いてもよい。なお、正孔輸送性の高い物質を含む層は、単層のものだけでなく、上記物質からなる層が二層以上積層したものとしてもよい。
【０１１１】
本発明の一態様において、有機ＥＬ素子の各層は従来公知の真空蒸着法、スピンコーティング法等により形成することができる。例えば、真空蒸着法、分子線蒸着法（ＭＢＥ法）、あるいは、層を形成する化合物の溶液を用いた、ディッピング法、スピンコーティング法、キャスティング法、バーコート法、ロールコート法等の塗布法による公知の方法で形成することができる。
【０１１２】
各有機層の膜厚は特に制限されないが、一般に膜厚が薄すぎるとピンホール等の欠陥が生じやすく、逆に厚すぎると高い駆動電圧が必要となり効率が悪くなる。そのため、各有機層の膜圧は、通常５ｎｍ〜１０μｍ、好ましくは１０ｎｍ〜１μｍである。
【０１１３】
〔電子機器〕
本発明の一態様の電子機器は、上述の本発明の一態様の有機ＥＬ素子を搭載したものである。
このような電子機器としては、例えば、有機ＥＬパネルモジュール等の表示部品、テレビ、携帯電話、パーソナルコンピュータ等の表示装置、及び、照明、車両用灯具の発光装置等が挙げられる。
【実施例】
【０１１４】
次に、実施例および比較例を挙げて本発明をさらに詳しく説明するが、本発明はこれらの実施例の記載内容になんら制限されるものではない。
なお、以下の合成反応を参照し、目的物に合わせた公知の代替反応や原料を用いることによって、本願の特許請求の範囲で規定の化合物を合成することが可能である。
【０１１５】
合成例１
［１］中間体（Ａ）の合成
中間体（Ａ）の合成スキームを以下に示す。
【０１１６】
【化４１】
0006367061.tif 000042
【０１１７】
［１−１］中間体（Ａ１）の合成
スターラーバー、ジムロート、窒素風船付き三方コック、滴下ロートを備えた１００ｍＬの二口フラスコにマグネシウムリボン（１．０ｇ，４１．７ｍｍｏｌ）、ヨウ素を入れ窒素置換した。次にテトラヒドロフラン［ＴＨＦ］（２０ｍＬ）に溶解させた９−ブロモフェナントレン（１０．７ｇ，４１．７ｍｍｏｌ）を滴下ロートに入れた。マグネシウムリボンが浸る程度（溶液の５分の１程度）の溶液を滴下ロートから二口フラスコへ流し、反応が始まるまで待った（色と熱で判断する）。反応が始まったら激しく沸騰しないように溶液を滴下した。滴下終了後、室温で２時間撹拌した。その後、ギ酸エチル（１．５ｇ，２０．８ｍｍｏｌ）を加えて室温で２時間撹拌した。反応終了後、２Ｍ塩酸で処理した（マグネシウムが無くなるまで）。クロロホルムで抽出、チオ硫酸ナトリウム水溶液、水、食塩水で洗浄し、無水硫酸ナトリウムで乾燥した。減圧濃縮後、ジエチルエーテルで洗浄、ろ過することによって白色固体の中間体（Ａ１）（４．７ｇ，１２．３ｍｍｏｌ）（収率５９％）を得た。
【０１１８】
［１−２］中間体（Ａ２）の合成
スターラーバー、窒素風船付き三方コック、ラバーセプタムを備えた５０ｍＬの二口フラスコに中間体（Ａ１）（４．７３ｇ，１２．３ｍｍｏｌ）を入れ窒素置換した。ジクロロメタン（２０ｍＬ）を加え、トリフルオロ酢酸［ＴＦＡ］（４ｍＬ）を滴下し、室温で２０分間攪拌した。反応終了後、ジクロロメタンを用いてろ過することにより黄色固体の中間体（Ａ２）（３．９ｇ，１０．６ｍｍｏｌ）（収率８６％）を得た。
【０１１９】
［１−３］中間体（Ａ３）の合成
スターラーバー、窒素風船付き三方コック、ラバーセプタムを備えた５０ｍＬの二口フラスコに中間体（Ａ２）（１．０ｇ，２．８ｍｍｏｌ）を入れ窒素置換した。そこに、ＴＨＦ（６０ｍＬ）とＥｔＯＨ−ＫＯＨ（１．５ｍＬ）溶液を加え、３０分間攪拌した。反応終了後、塩化アンモニウム水溶液で処理し、固体が析出する。ジエチルエーテルを用いてろ過することにより、褐色固体の中間体（Ａ３）（０．８ｇ，２．３ｍｍｏｌ）（収率８２％）を得た。
【０１２０】
［１−４］中間体（Ａ４）の合成
スターラーバー、窒素風船付き三方コック、ラバーセプタムを備えた５０ｍＬの二口フラスコに中間体（Ａ３）（０．６７ｇ，２．０  ｍｍｏｌ）、ＫＯＨ（０．４ｇ）、ＫＩ（０．１ｇ）を入れ窒素置換した。ジメチルスルフォキシド［ＤＭＳＯ］（１０ｍＬ）、ＴＨＦ（１０ｍＬ）、ＣＨ3Ｉ（０．７１ｇ，５ｍｍｏｌ）を加え終夜撹拌を行った。２Ｍ−ＨＣｌ水溶液で処理し、クロロホルムで抽出、Ｎａ2Ｓ2Ｏ3水溶液、水、飽和食塩水で洗浄し、無水硫酸ナトリウムで乾燥した。溶液を濃縮し、シリカゲルカラムクロマトグラフィーで異性体の混合物を得た。この溶液を濃縮し、ジクロロメタンで飽和溶液をつくり、エタノールを加えることで溶出させることで、淡黄色固体として中間体（Ａ４）（０．４６ｇ，１．１７ｍｍｏｌ）（収率５８％）を得た。
【０１２１】
［１−５］中間体（Ａ）の合成
５０ｍＬのナス型フラスコに撹拌子、中間体（Ａ４）（１００ｍｇ，０．２５ｍｍｏｌ）、Ｎ−ブロモスクシンイミド［ＮＢＳ］（２２６ｍｇ，１．２５ｍｍｏｌ）、ジメチルホルムアミド［ＤＭＦ］（１０ｍＬ）を入れ、終夜撹拌した。クロロホルムで抽出を行い、分離した有機層を水および飽和食塩水で洗い、無水硫酸ナトリウムで乾燥した。エバポレーターで濃縮を行い、３０ｇのカラムクロマトグラフィー（展開溶媒；ヘキサン：トルエン（９：１））で精製し、褐色固体の中間体（Ａ）（８５．８ｍｇ，０．１５５ｍｍｏｌ）（収率６２％）を得た。本化合物は、以下の分析結果から同定された。
1Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3，５００ＭＨｚ）δ／ｐｐｍ  ２．０５（ｓ，６Ｈ，−ＣＨ３），  ７．６５（ｍ，２Ｈ，６ｏｒ７，１０ｏｒ１１−Ｈ），７．７５（ｍ，２Ｈ，６ｏｒ７−Ｈ，  １０ｏｒ１１−Ｈ），７．８６（ｄｄ，Ｊ＝８．８，２．０Ｈｚ，２Ｈ，２，１５−Ｈ），８．３３（ｄ，Ｊ＝８．８Ｈｚ，２Ｈ，１，１６−Ｈ），８．６１（ｄ，Ｊ＝８．２Ｈｚ，２Ｈ，  ８，９−Ｈ），８．７６（ｄ，Ｊ＝８．３Ｈｚ，２Ｈ，５，１２−Ｈ），９．０３（ｄ，Ｊ＝  １．９Ｈｚ，２Ｈ，４，１３−Ｈ）；13Ｃ−ＮＭＲ（１２５．８ＭＨｚ，ＣＤＣｌ3）δ／ｐｐｍ１４９．４３，１３４．００，１３２．９５，１３０．２６，１２９．７０，１２８．２１，１２７．７７，１２６．８１，１２６．３８，１２６．２８，１２５．９０，１２５．６９，１２３．５９，１２０．１６，５０．７６，２５．９７；ＩＲ（ＫＢｒ）νｃｍ-1  ３０８６ｗ，２９７６ｗ，２９３４ｗ，１４９３ｓ，１４２５ｍ，１００９ｗ，９１２ｗ，８１２ｍ，７５８ｓ，７２９ｍ；ＭＳ（ＥＩ）ｍ／ｚ（ｒｅｌ．ｉｎｔｅｎｓｉｔｙ）５５４  （［Ｍ（81Ｂｒ81Ｂｒ）］+，４９），５５２（［Ｍ（79Ｂｒ81Ｂｒ）］+，１００），５５０（［Ｍ（79Ｂｒ79Ｂｒ）］+，５１）；Ｅｌｅｍｅｎｔａｌ  ａｎａｌｙｓｉｓ（％）ｃａｌｃｄ  ｆｏｒ  Ｃ31Ｈ20Ｂｒ2：Ｃ６７．４１，Ｈ  ３．６５；ｆｏｕｎｄ：Ｃ６７．５４，Ｈ３．９９
【０１２２】
［２］化合物（１）の合成
化合物（１）の合成スキームを以下に示す。
【０１２３】
【化４２】
0006367061.tif 000043
【０１２４】
アルゴン雰囲気下、中間体（Ａ）（４９６ｍｇ，０．８９８ｍｍｏｌ）、Ｎ−フェニルアニリン（３１９ｍｇ，１．８９ｍｍｏｌ）、トリス（ジベンジリデンアセトン）ジパラジウム（３３ｍｇ，０．０３６ｍｍｏｌ）、ｔｅｒｔ−ブチルホスフィンのテトラフルオロホウ酸塩（４２ｍｇ，０．１４４  ｍｍｏｌ）、ナトリウム−ｔｅｒｔ−ブトキシド（２４２ｍｇ，２．５１ｍｍｏｌ）にトルエン（１０ｍＬ）を加え、還流温度で６時間撹拌した。反応終了後、混合物を減圧濃縮し、メタノールで洗浄した後、固体をろ別した。混合物をジクロロメタンに溶解し、シリカゲルのショートカラムクロマトグラフィーに通した後、減圧濃縮した。その後、ヘキサン／ジクロロメタンの混合溶媒を用いてシリカゲルのカラムクロマトグラフィーで精製、続いてジクロロメタン／１，２−ジメトキシエタンから再結晶操作を行い、化合物（１）（３２０ｍｇ，０．４３９ｍｍｏｌ）（収率４９％）を得た。本化合物は、質量分析の結果、ｍ／ｅ＝７２８．９であり、上記化合物（１）（Ｅｘａｃｔ  ｍａｓｓ：７２８．３２）であると同定した。
上記の合成反応を参照し、必要に応じて公知の反応や原料を利用することによって、特許請求の範囲である一般式（１）で表されるあらゆる化合物を合成することが可能である。
【０１２５】
実施例１［有機ＥＬ素子の製造例］
以下に、有機ＥＬ素子の製造に用いた化合物を示す。
【０１２６】
【化４３】
0006367061.tif 000044
【０１２７】
実施例１
２５ｍｍ×２５ｍｍ×厚さ１．１ｍｍのＩＴＯ透明電極（陽極）付きガラス基板（ジオマテック株式会社製）をイソプロピルアルコール中で超音波洗浄を５分間行った後、ＵＶオゾン洗浄を５分間行った。
洗浄後の透明電極ライン付きガラス基板を真空蒸着装置の基板ホルダーに装着し、まず透明電極ラインが形成されている側の面上に前記透明電極を覆うようにして上記化合物（ＨＩ−１）を蒸着して膜厚６０ｎｍのＨＩ−１膜を成膜し、正孔注入層を形成した。次に、この正孔注入層上に、正孔輸送材料として上記化合物（ＨＴ−１）を蒸着して膜厚２０ｎｍのＨＴ−１膜を成膜し、正孔輸送層を形成した。こうして、正孔輸送領域を形成した。
さらに、このＨＴ−１膜上に膜厚４０ｎｍで、ホスト材料として上記化合物（ＢＨ−１）と、ドーパント材料として前記化合物（１）とを１９：１の質量比で共蒸着により成膜し、発光層とした。
次に、上記化合物（ＥＴ−１）を膜厚２０ｎｍで蒸着し、電子輸送層とした。その上に、弗化リチウムを膜厚１ｎｍで蒸着し、次いでアルミニウムを膜厚８０ｎｍで蒸着した。このアルミニウム／弗化リチウムは陰極として働く。このようにして有機ＥＬ素子を作製した。
【０１２８】
［有機ＥＬ素子の評価］
作製した有機ＥＬ素子について、下記方法に従って測定を行い、性能を評価した。結果を表１に示す。
（１）外部量子効率（ＥＱＥ）
電流密度が１０ｍＡ／ｃｍ2となるように素子に電圧を印加した時の分光放射輝度スペクトルを分光放射輝度計「ＣＳ−１０００」（コニカミノルタ株式会社製）で計測した。得られた上記分光放射輝度スペクトルから、ランバシアン放射を行なったと仮定し外部量子効率（単位：％）を算出した。
（２）発光ピーク波長（λp）
上記の分光放射輝度スペクトルからλpを読み取った。
【０１２９】
比較例１，２
実施例１において、化合物（１）の代わりに下記構造の化合物（ＢＤ１）［比較例１］，化合物（ＢＤ２）［比較例２］を用いた以外は同様にして有機ＥＬ素子を作製し、評価した。結果を表１に示す。
【０１３０】
【化４４】
0006367061.tif 000045
【０１３１】
【表１】
0006367061.tif 000046
【０１３２】
表１より、蛍光発光性の有機ＥＬ素子において、ドーパント材料として化合物（１）を用いると、有機ＥＬ素子の高効率での動作を実現できた。これは、テトラベンゾフルオレン骨格の平面が歪んでいるため、隣接分子との相互作用が弱くなることが原因の一つと推測される。
【０１３３】
次に、上記化合物（１）と化合物（ＢＤ１）の分子軌道計算で最適化された３次元構造を、それぞれ図１〜２、図３〜４に示す。また、下記化合物（Ｘ）、（Ｙ）の３次元構造を、それぞれ、参考例１、２として、図５〜６、図７〜８に示す。
図１は、中心のテトラベンゾフルオレンの骨格に対し平行方向から見た図であり、図２は垂直方向から見た図である。同様に、図３、５，７は、中心骨格に対し平行方向から見た図であり、図４、６、８は垂直方向から見た図である。
計算手法は密度汎関数法（Ｄｅｎｓｉｔｙ  Ｆｕｎｃｔｉｏｎａｌ  Ｔｈｅｏｒｙ）で、Ｂ３ＬＹＰ／６−３１Ｇ*レベルでの量子科学計算を適用した。
【０１３４】
【化４５】
0006367061.tif 000047
【０１３５】
図１〜２と、図３〜８の構造式の比較より、化合物（１）においては、上記一般式（１）のＲ17とＲ18の示す水素原子の位置が近接していることから、化合物（ＢＤ１）、（Ｘ）、（Ｙ）に比べテトラベンゾフルオレン骨格の平面が歪んでいることが確認できる。
【符号の説明】
【０１３６】
１  有機ＥＬ素子
２  基板
３  陽極
４  陰極
５  発光層
６  陽極側有機薄膜層
７  陰極側有機薄膜層
１０  発光ユニット
【図１】
0006367061.tif 000050
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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