(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
次のものを備える、複数の電気ダイを結合させるためのボンディング装置：
第１キャビティを備える底部プレート、ここで、該第１キャビティは圧電マイクロ機械加工超音波トランスデューサ（ＰＭＵＴ）ダイを収容するように構成された第１ポケットと特定用途向け集積回路（ＡＳＩＣ）ダイを収容するように構成された第２ポケットとを備え；
底部プレート上にそれに抗して配置されるように構成された、凹部を備える結合プレート、ここで、該結合プレートが該底部プレートに抗して配置されたときに、
該ＰＭＵＴダイ及び該ＡＳＩＣダイは、固定位置に閉じ込められることになり；
該凹部は、該第１ポケットの一部及び該第２ポケットの一部を露出させ；
底部プレート上にそれに抗して配置されるように構成された成形プレート、ここで、該成形プレートは、
該成形プレートが該底部プレートに抗して配置されたときに該第１キャビティと整列する第２キャビティを備え、それによって該第１及び第２キャビティはトランスデューサアセンブリの形状を集合的に画定し；
該第２キャビティに結合される第１開口部を備え、ここで、該第１開口部は、該成形プレートが該底部プレートに抗して配置されたときに該第１ポケットの一部を露出させ；
該第２キャビティに結合される第２開口部を備え、ここで、該第２開口部は、該成形プレートが該底部プレートに抗して配置されたときに該第２ポケットの一部を露出させ；及び
該第１及び第２キャビティと流体連通する第３開口部を備え、それによって、流体が該第３開口部を介して該第１及び第２キャビティに流れることができる。
【請求項２】
前記成形プレートの前記第１開口部の内部に配置されるように構成された第１遮断ピンをさらに備え、それによって、該成形プレートが前記底部プレートに抗して配置されたときに該第１遮断ピンが前記ＰＭＵＴダイの上部表面と物理的に接触する、請求項１に記載のボンディング装置。
【請求項３】
前記成形プレートの第２開口部の内部に配置されるように構成された第２遮断ピンをさらに備え、それにより、該成形プレートが前記底部プレートに抗して配置されたときに該第２遮断ピンが前記ＡＳＩＣダイの上部表面と物理的に接触する、請求項２に記載のボンディング装置。
【請求項４】
前記成形プレートが前記第２キャビティと流体連通する通気間隙をさらに備える、請求項１に記載のボンディング装置。
【請求項５】
前記成形プレートが第１成形プレートであり、該第１成形プレート上にそれに抗して配置されるように構成される第２成形プレートをさらに備え、ここで、該第２成形プレートが前記第３開口部と流体連通する第４開口部を備える、請求項１に記載のボンディング装置。
【請求項６】
前記トランスデューサアセンブリが湾曲先端部を有する、請求項１に記載のボンディング装置。
【請求項７】
前記湾曲先端部が前記ＰＭＵＴダイに近接して配置され、かつ、球形を有する、請求項６に記載のボンディング装置。
【請求項８】
前記結合プレートの前記凹部が前記ＰＭＵＴダイと前記ＡＳＩＣダイとの間の電気的接続を可能にするように構成される、請求項１に記載のボンディング装置。
【請求項９】
前記電気的接続がボンドワイヤを含む、請求項８に記載のボンディング装置。
【請求項１０】
次の工程を含む、超音波トランスデューサアセンブリを製造する方法：
圧電マイクロ機械加工超音波トランスデューサ（ＰＭＵＴ）ダイ及び特定用途向け集積回路（ＡＳＩＣ）ダイを底部プレートの第１キャビティの第１ポケット及び第２ポケットに装填し；
該ＰＭＵＴダイ及びＡＳＩＣダイを固定位置で保持するような方法で、該底部プレート上にそれに抗して結合プレートを配置し、ここで、該結合プレートは、該ＰＭＵＴダイ及び該ＡＳＩＣダイの一部を露出させる凹部を備え；
該凹部内に導電素子を配置し、ここで、該導電素子は、該ＰＭＵＴダイと該ＡＳＩＣダイとを電気的に相互接続し；
その後、該結合プレートを取り外し；
成形プレートの第２キャビティが該底部プレートの該第１キャビティと整列するような方法で、該底部プレート上にそれに抗して該成形プレートを配置し、ここで、該第１及び第２キャビティは、該超音波トランスデューサアセンブリの形状を集合的に画定し；
該第１及び第２キャビティと流体連通する該成形プレートの第１開口部を介して該第１及び第２キャビティにパッケージ材料を注入し、ここで、該パッケージ材料は、該導電素子を封じ込め、そして該ＰＭＵＴダイ及び該ＡＳＩＣダイをその中に少なくとも部分的に封じ込め；そして
該パッケージ材料を硬化させ、それにより該超音波トランスデューサアセンブリを形成し、ここで、該硬化したパッケージ材料は、該超音波トランスデューサアセンブリの外面を画定する。
【請求項１１】
前記パッケージ材料がエポキシを含む、請求項１０に記載の方法。
【請求項１２】
前記成形プレートが、該成形プレートを前記底部プレートに抗して配置したときに前記ＰＭＵＴダイの一部を露出する第２開口部を備え、そして、前記注入中に該第２開口部内に遮断ピンを配置して、前記パッケージ材料が該ＰＭＵＴダイの表面に接触しないようにすることをさらに含む、請求項１０に記載の方法。
【請求項１３】
前記成形プレートが、該成形プレートを前記底部プレートに抗して配置したときに前記ＡＳＩＣダイの一部を露出させる第３開口部を備え、そして前記注入中に該第３開口部内に追加の遮断ピンを配置して、前記パッケージ材料が該ＡＳＩＣダイの表面に接触しないようにすることをさらに含む、請求項１２に記載の方法。
【請求項１４】
前記導電素子を配置することが、前記ＰＭＵＴダイと前記ＡＳＩＣダイとをワイヤボンディングすることを含む、請求項１０に記載の方法。
【請求項１５】
前記結合プレートの除去の前に、前記凹部内にある前記導電素子の周りに保護コーティングを適用することを含む、請求項１０に記載の方法。
【請求項１６】
前記トランスデューサアセンブリを取り外し；
該トランスデューサアセンブリの周りにパリレンコーティングを施し；そして
該トランスデューサアセンブリを駆動ケーブルに取り付けること
をさらに含む、請求項１０に記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
技術分野
本発明は、一般に、血管内超音波（ＩＶＵＳ）イメージングに関し、特に、ＩＶＵＳイメージングに使用される圧電マイクロ機械加工超音波トランスデューサ（ＰＭＵＴ）などのＩＶＵＳ超音波トランスデューサ用のワイヤボンディング取付具及び鋳型に関する。
【背景技術】
【０００２】
背景
血管内超音波（ＩＶＵＳ）イメージングは、治療の必要性を決定し、インターベンションを案内し、及び／又はその有効性を評価するために、ヒトの体内における動脈などの血管を評価するための診断ツールとして心臓インターベンションで広く使用されている。ＩＶＵＳイメージングシステムは、超音波エコーを使用して関心のある血管の断面画像を生成する。典型的には、ＩＶＵＳイメージングは、超音波信号（電磁波）を放射し、かつ、反射した超音波信号を受信するＩＶＵＳカテーテル上のトランスデューサを使用する。放射された超音波信号（超音波パルスと呼ばれる場合が多い）は、大部分の組織及び血液を容易に通過するが、組織構造（血管壁の様々な層など）、赤血球及び関心のある他の特徴により生じる不連続性によって部分的に反射する。患者インターフェースモジュール（ＰＩＭ）によってＩＶＵＳカテーテルに接続されるＩＶＵＳイメージングシステムは、受信された超音波シグナル（超音波エコーと呼ばれる場合が多い）を処理して、ＩＶＵＳカテーテルが配置されている血管の断面画像を生成する。
【０００３】
ＩＶＵＳカテーテルは、典型的には、超音波信号を送信し、反射した超音波信号を受信するために１個以上のトランスデューサを使用する。しかし、従来のカテーテルは、後にステンレススチールシェル（缶とも呼ばれる）内に配置され、続いて特別にドープされたエポキシでエポキシ接着される別個のワイヤ・ダイサブアセンブリを生じさせる場合がある。このシェル又は缶は、音響エコーが金属缶から離れるのを防止するように成形される。缶からのトランスデューサの分離を防止することが重要である。しかし、これは、従来の技術によって常に達成されるわけではない。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
したがって、トランスデューサを製造し組み立てる従来の方法は、それらの意図された目的では一般に適切ではあったが、あらゆる面で完全に満足できるものではなかった。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
概要
本発明は、ワイヤボンディングにより２個の電気ダイを取り付け、その後、ワイヤボンディングに資する取付具に２個のダイを配置することにより機能する保護注型体でアセンブリを包囲するための方法及び装置を提供する。ドープエポキシ樹脂を直ちにアセンブリにわたって分配して、ニアネットシェイプの保護カバー又は駆動缶を形成することができる。
【０００６】
前述の一般的な説明及び次の詳細な説明の両方は、性質が例示的かつ説明的であり、本発明の範囲を限定することなく本発明の理解を与えることを目的とするものである。この点に関して、本発明の追加の態様、特徴、及び利点は、次の詳細な説明から当業者に明らかになるであろう。
【０００７】
本発明の態様は、次の詳細な説明から、添付の図と共に読むと最もよく理解される。斯界での標準的な慣行に従って、様々な特徴は一定の縮尺で描かれていないことを強調しておく。実際には、様々な特徴の寸法は、議論を明確にするために任意に拡大又は縮小できる。さらに、本発明は、様々な例において参照数字及び／又は文字を繰り返すことができる。この繰り返しは、単純さ及び明瞭さの目的のためであり、それ自体は議論された様々な実施形態及び／又は構成間の関係を規定するものではない。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
【図１】図１は、本発明の様々な態様に係る血管内超音波（ＩＶＵＳ）イメージングシステムの概略図である。
【図２】図２は、本発明の様々な態様に係るトランスデューサの製造及び組立に使用されるボンディング装置の概略斜視図である。
【図３】図３は、本発明の様々な態様に係るトランスデューサの製造及び組立に使用されるボンディング装置の断面図である。
【図４】図４は、本発明の様々な態様に係るトランスデューサの製造及び組立に使用されるボンディング装置の断面図である。
【図５】図５は、本発明の様々な態様に係るトランスデューサの製造及び組立に使用されるボンディング装置の概略斜視図である。
【図６】図６は、本発明の様々な態様に係る、図２〜５に示されたボンディング装置によって作製されたトランスデューサアセンブリの概略斜視図である。
【図７】図７は、本発明の様々な態様に係る、図２〜５に示されたボンディング装置によって作製されたトランスデューサアセンブリの断面図である。
【図８】図８は、本発明の様々な態様に係る、図２〜５に示されたボンディング装置によって作製されたトランスデューサアセンブリの概略斜視図である。
【図９】図９は、本発明の様々な態様に係る、図２〜５に示されたボンディング装置によって作製されたトランスデューサアセンブリの断面図である。
【図１０】図１０は、本発明の様々な態様に係る超音波トランスデューサアセンブリを製造する方法のフローチャートである。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
詳細な説明
本発明の原理の理解を進める目的で、図面に示された実施形態を参照し、特定の用語を同じものを説明するために使用する。それにもかかわらず、本発明の範囲の限定を意図するものではないことが分かるであろう。説明する装置、システム及び方法の任意の変更及びさらなる改変、並びに本発明の原理のさらなる適用が完全に意図され、かつ、本発明の範囲内に含まれる。この開示が関連する当業者であれば通常思いつくと考えられるからである。例えば、本発明は、心臓血管イメージングに関して記載される超音波イメージングを提供するが、このような記載はこの用途に限定することを目的とするものではないことを理解されたい。いくつかの実施形態では、超音波イメージングシステムは、血管内イメージングシステムを包含する。このイメージングシステムは、同様に小さな空洞内での画像化を必要とする任意の用途にも適している。特に、一実施形態に関して説明した特徴、構成要素及び／又は工程を、本発明の他の実施形態に関して説明した特徴、構成要素及び／又は工程と組み合わせることができることが完全に意図される。しかしながら、単純化のため、これらの組み合わせの多数の反復は別々には説明しない。
【００１０】
現在、次の２種類のカテーテルが一般的に使用されている：ソリッドステート型及び回転型。典型的なソリッドステートカテーテルは、カテーテルの周囲に分配され、かつ、電子マルチプレクサ回路に接続されたトランスデューサ（通常は６４個）のアレイを使用する。マルチプレクサ回路は、超音波信号を送信し、反射された超音波信号を受信するためにアレイからトランスデューサを選択する。一連の送信・受信トランスデューサ対をステップスルーすることで、ソリッドステートカテーテルは、機械的に走査されたトランスデューサ素子の効果を合成することができる（ただし、可動部品なしで）。いかなる回転機械部品も存在しないので、トランスデューサアレイは、最小の血管外傷リスクで、血液及び血管組織に直接接触して配置でき、ソリッドステートスキャナは、単純な電気ケーブル及び標準的な取り外し可能電気コネクタでイメージングシステムに直接配線できる。
【００１１】
典型的な回転カテーテルは、目的の血管に挿入されるシース内部で回転する可撓性ドライブシャフトの先端部に位置する単一のトランスデューサを備える。トランスデューサは、典型的には、超音波信号がカテーテルの軸に対して略垂直に伝播するように配向される。典型的な回転カテーテルでは、液体で満たされた（例えば、生理食塩水で満たされた）シースは、回転するトランスデューサ及びドライブシャフトから血管組織を保護すると共に、超音波信号がトランスデューサから組織に自由に伝播し、そして戻ることを可能にする。ドライブシャフトが回転すると（例えば、毎秒３０回転で）、トランスデューサは、高電圧パルスで周期的に励起されて短い超音波バーストを放出する。超音波信号は、トランスデューサから、流体が充填されたシース及びシースの壁を通ってドライブシャフトの回転軸に対して略垂直方向に放射される。その後、同じトランスデューサは、様々な組織構造から反射した戻り超音波信号を待ち、イメージングシステムは、トランスデューサの単一回転の間に生じるこれらの超音波パルス／エコー取得シーケンスの数百のシーケンスから血管断面の二次元画像を組み立てる。
【００１２】
図１は、本発明の様々な態様に係る超音波イメージングシステム１００の概略図である。いくつかの実施形態では、超音波イメージングシステム１００は、血管内超音波イメージングシステム（ＩＶＵＳ）を含む。ＩＶＵＳイメージングシステム１００は、患者インターフェースモジュール（ＰＩＭ）１０４によってＩＶＵＳ制御システム１０６に接続されたＩＶＵＳカテーテル１０２を備える。制御システム１０６は、ＩＶＵＳ画像（ＩＶＵＳシステム１００により生成される画像など）を表示するモニタ１０８に接続されている。
【００１３】
いくつかの実施形態では、ＩＶＵＳカテーテル１０２は回転ＩＶＵＳカテーテルであり、これは、ボルカノ社から入手できるＲｅｖｏｌｕｔｉｏｎ（登録商標）回転ＩＶＵＳイメージングカテーテル及び／又は米国特許第５２４３９８８号及び米国特許第５５４６９４８号に開示された回転ＩＶＵＳカテーテルと同様のものであってよい。これらの文献の両方をその全体について参照により本明細書に援用する。カテーテル１０２は、血管の内腔への挿入のために成形されかつ構成された細長い可撓性カテーテルシース１１０（近位端部１１４及び遠位端部１１６を有する）を備える（図示せず）。カテーテル１０２の縦軸ＬＡは、近位端部１１４と遠位端部１１６との間に延在する。カテーテル１０２は、使用中に血管の湾曲に適応することができるように可撓性である。この点に関し、図１に示される湾曲構成は、例示を目的とするものであり、決して他の実施形態においてカテーテル１０２が曲線的であることができる態様に限定するものではない。一般に、カテーテル１０２は、使用時に任意の所望の直線状又は弧状輪郭となるように構成できる。
【００１４】
シース１１０内には回転イメージングコア１１２が延在している。イメージングコア１１２は、シース１１０の近位端部１１４内に配置された近位端部１１８と、シース１１０の遠位端部１１６内に配置された遠位端部１２０とを有する。シース１１０の遠位端部１１６及びイメージングコア１１２の遠位端部１２０は、ＩＶＵＳイメージングシステム１００の動作中に目的の血管内に挿入される。カテーテル１０２の使用可能な長さ（例えば、患者、特に目的の血管に挿入できる部分）は、任意の好適な長さとすることができ、用途に応じて変更できる。シース１１０の近位端部１１４及びイメージングコア１１２の近位端部１１８は、インターフェースモジュール１０４に接続される。近位端部１１４、１１８は、インターフェースモジュール１０４に取り外し可能に接続されたカテーテルハブ１２４に取り付けられている。カテーテルハブ１２４は、カテーテル１０２とインターフェースモジュール１０４との間に電気的及び機械的接続を与える回転インターフェースを容易にしかつ支持する。
【００１５】
イメージングコア１１２の遠位端部１２０は、トランスデューサアセンブリ１２２を備える。トランスデューサアセンブリ１２２は、回転（モータ又は他の回転装置若しくは方法の使用によって）して血管の画像を取得するように構成される。トランスデューサアセンブリ１２２は、血管、特に血管内の狭窄を可視化するための任意の好適なタイプのものとすることができる。図示された実施形態では、トランスデューサアセンブリ１２２は、圧電マイクロ機械加工超音波トランスデューサ（「ＰＭＵＴ」）及び特定用途向け集積回路（ＡＳＩＣ）などの関連回路を備える。ＩＶＵＳカテーテルに使用される代表的なＰＭＵＴは、米国特許第６６４１５４０号（その全体が参照により本明細書に援用される）に開示されているような高分子圧電膜を備えることができる。ＰＭＵＴトランスデューサは、最適な半径方向での解像度について７５％を超える帯域幅及び最適な方位角及び仰角解像度について球状焦点開口を提供することができる。
【００１６】
また、トランスデューサアセンブリ１２２は、ＰＭＵＴトランスデューサと、その中に配置される関連回路とを有するハウジングを備えることができ、ここで、該ハウジングは、ＰＭＵＴトランスデューサによって生成される超音波信号が移動する開口部を有する。あるいは、トランスデューサアセンブリ１２２は、容量性マイクロ機械加工超音波トランスデューサ（「ＣＭＵＴ」）を含む。さらに別の実施形態では、トランスデューサアセンブリ１２２は、超音波トランスデューサアレイを備える（例えば、いくつかの実施形態では１６、３２、６４又は１２８個の部材を有するアレイを使用する）。
【００１７】
シース１１０内でのイメージングコア１１２の回転は、インターフェースモジュール１０４によって制御されるが、これにより、ユーザが操作できるユーザインタフェースコントロールが得られる。インターフェースモジュール１０４は、イメージングコア１１２を介して受信された情報を受信、分析及び／又は表示することができる。任意の好適な機能、制御、情報処理及び分析並びにディスプレイをインターフェースモジュール１０４に実装できることが分かるであろう。一例では、インターフェースモジュール１０４は、イメージングコア１１２により検出された超音波信号（エコー）に対応するデータを受信し、そして受信されたエコーデータを制御システム１０６に転送する。一例では、インターフェースモジュール１０４は、制御システム１０６にエコーデータを送信する前に、エコーデータの予備的処理を実行する。インターフェースモジュール１０４は、エコーデータの増幅、フィルタリング及び／又は総計を実行することができる。インターフェースモジュール１０４は、トランスデューサアセンブリ１２２内の回路を含めたカテーテル１０２の動作をサポートするために、高及び低電圧直流電力を供給することができる。
【００１８】
いくつかの実施形態では、ＩＶＵＳイメージングシステム１００に関連する配線は、制御システム１０６からの信号をインターフェースモジュール１０４に伝達する及び／又はインターフェースモジュールからの信号を制御システムに伝達することができるように、制御システム１０６からインターフェースモジュール１０４に延びる。いくつかの実施形態では、制御システム１０６は、インターフェースモジュール１０４と無線で通信する。同様に、いくつかの実施形態では、ＩＶＵＳイメージングシステム１００に関連する配線は、制御システム１０６からの信号をモニタ１０８に及び／又はモニタから信号を制御システムに伝達することができるように、制御システム１０６からモニタ１０８に延在することが分かる。いくつかの実施形態では、制御システム１０６は、モニタ１０８と無線で通信する。
【００１９】
超音波トランスデューサを、ＩＶＵＳイメージングシステム１００、例えばトランスデューサアセンブリ１２２に含めることができる。超音波トランスデューサは、小さいサイズを有し、そして高解像度を実現するため、血管内イメージングに適している。いくつかの実施形態では、超音波トランスデューサは、数十又は数百ミクロン程度の大きさを有し、約１メガヘルツ（ＭＨｚ）〜約１３５ＭＨｚの周波数範囲で動作することができ、サブ５０ミクロンの解像度を与えることができると共に、少なくとも１０ミリメートル（ｍｍ）の深さの透過を与えることができる。さらに、超音波トランスデューサは、開発者がトランスデューサ開口の偏向深さに基づいて目標フォーカスエリアを定義し、それにより、表面特性を越えて血管の形態を画定するのに有用な画像を生成することを可能にするように成形される。超音波トランスデューサ及びその製造の様々な態様を以下でより詳細に議論する。
【００２０】
所定の実施形態では、超音波トランスデューサは、圧電マイクロ機械加工超音波トランスデューサ（ＰＭＵＴ）である。他の実施形態では、トランスデューサは、代わりのタイプのトランスデューサを含むことができる。追加の特徴を超音波トランスデューサに加えることができ、以下に説明する特徴の一部を超音波トランスデューサの追加の実施形態の代わりに使用し又は除去することができる。このような超音波トランスデューサを製造する追加の詳細については、２０１２年１２月２１日に出願された、「Ｍｅｔｈｏｄｓ  ａｎｄ  Ａｐｐａｒａｔｕｓ  ｆｏｒ  Ｆｏｃｕｓｉｎｇ  Ｍｉｎｉａｔｕｒｅ  Ｕｌｔｒａｓｏｕｎｄ  Ｔｒａｎｓｄｕｃｅｒｓ」という発明の名称の米国仮出願６１／７４５２１２号（Ｄｙｌａｎ  Ｖａｎ  Ｈｏｖｅｎ、代理人整理番号４４７５５．１０６１）、１２月２１日に出願された「Ｐｒｅｐａｒａｔｉｏｎ  ａｎｄ  Ａｐｐｌｉｃａｔｉｏｎ  ｏｆ  ａ  Ｐｉｅｚｏｅｌｅｃｔｒｉｃ  Ｆｉｌｍ  ｆｏｒ  ａｎ  Ｕｌｔｒａｓｏｕｎｄ  Ｔｒａｎｓｄｕｃｅｒ」という発明の名称の米国仮特許出願第６１／７４５０９１号（Ｄｙｌａｎ  Ｖａｎ  Ｈｏｖｅｎ、代理人整理番号４４７５５．１０６０）、２０１２年５月１１日に出願された、「ＤＥＶＩＣＥ  ＡＮＤ  ＳＹＳＴＥＭ  ＦＯＲ  ＩＭＡＧＩＮＧ  ＡＮＤ  ＢＬＯＯＤ  ＦＬＯＷ  ＶＥＬＯＣＩＴＹ  ＭＥＡＳＵＲＥＭＥＮＴ」という発明の名称の米国仮特許出願第６１／６４６０８０号（代理人整理番号４４７５５．８１７／０１−０１４５−ＵＳ）、２０１２年５月１１日に出願された、「ＵＬＴＲＡＳＯＵＮＤ  ＣＡＴＨＥＴＥＲ  ＦＯＲ  ＩＭＡＧＩＮＧ  ＡＮＤ  ＢＬＯＯＤ  ＦＬＯＷ  ＭＥＡＳＵＲＥＭＥＮＴ」という発明の名称の米国仮特許出願第６１６４６０７４号（代理人整理番号４４７５５．９６１）、及び２０１２年５月１１日に出願された、「Ｃｉｒｃｕｉｔ  Ａｒｃｈｉｔｅｃｔｕｒｅｓ  ａｎｄ  Ｅｌｅｃｔｒｉｃａｌ  Ｉｎｔｅｒｆａｃｅｓ  ｆｏｒ  Ｒｏｔａｔｉｏｎａｌ  Ｉｎｔｒａｖａｓｃｕｌａｒ  Ｕｌｔｒａｓｏｕｎｄ  （ＩＶＵＳ）  Ｄｅｖｉｃｅｓ」という発明の名称の米国仮特許出願第６１／６４６０６２号（代理人整理番号４４７５５．８３８）を参照されたい。これらのそれぞれの内容を本明細書においてその全体を参照により援用する。
【００２１】
従来から、超音波トランスデューサは、ワイヤ・ダイサブアセンブリ上に配置されているが、これは、電気的及び機械的システムが別個のサブアセンブリであることを意味する。これは、相互接続の信頼性、高いコスト、より複雑な製造工程及び柔軟性のないコンフィギュアビリティなどの問題につながる。
【００２２】
本発明の様々な態様によれば、提供されるのは、ワイヤボンディングにより２個の電気ダイを取り付け、その後、ワイヤボンディングに資する取付具に２個の金型を配置することによって機能するのみならず、ドープエポキシを直ちにアセンブリにわたって分配してニアネットシェイプの保護カバー（ドライブ缶としても知られている）を形成することができるように機能する保護注型体でアセンブリを包囲するための方法である。そうすることによって、本発明は、従来技術と比較して多くの利点を与える。これらの利点のいくつかとしては、次のものが挙げられる：
輸送及び組立中におけるＡＳＩＣとＭＥＭＳとの相互接続の機械的及び電気的保護。
ステンレス製缶部品のコストを削減する。
統合されたアセンブリにより組立時における工程及び変動が低減される。
平坦及び傾斜したトランスデューサ構成の両方を可能とする。
室温で実行できる。
【００２３】
ここで、本発明の方法の工程は、缶及びワイヤボンディング混合物及び鋳型（以下、ボンディング装置又はボンディング治具という）の図解を含む図２〜９の図においてさらに詳しく説明する。ボンディング装置を使用してトランスデューサアセンブリのワイヤボンディング及び成形を実行することができる。
【００２４】
図２は、ボンディング装置１００の概略斜視図である。図示した実施形態では、ボンディング装置１００は、結合プレート１１０と、成形プレート１２０−１２１と、底部プレート１３０とを備える。結合プレート１１０又は成形プレート１２０−１２１は、本発明の様々な態様に係るトランスデューサアセンブリを製造する別の段階で底部プレート１３０上にそれに接触して配置できる。
【００２５】
ここで図３を参照すると、結合プレート１１０は、製造のワイヤボンディング工程において断面図で底部プレート１３０上にそれに抗して配置される。成形プレート１２０−１２１は、この製造段階では必要とされないため、図３には示されていない。結合プレート１１０は、複数の凹部又は開口部１４０を備える（図２の斜視図にも示されている）。図示した実施形態では、それぞれの凹部１４０は、傾斜した輪郭を有する、すなわち、頂部では広い開口部を有し、底部ではそれよりも狭い開口部を有する。
【００２６】
底部プレート１３０は、キャビティ１５０を備える。キャビティ１５０は、トランスデューサアセンブリの底部として形成される。言い換えれば、キャビティ１５０は、後で形成されるトランスデューサアセンブリのジオメトリ及びは形状を部分的に画定する。また、底部プレート１３０のキャビティ１５０は、ポケット１６０及びポケット１６１も備える。ポケット１６０は、圧電マイクロ機械加工超音波トランスデューサ（ＰＭＵＴ）ダイ１７０を収容するように構成され、ポケット１６１は、特定用途向け集積回路（ＡＳＩＣ）ダイ１７１を収容するように構成される。ＰＭＵＴは、２０１２年１２月２１日に出願された、「Ｍｅｔｈｏｄｓ  ａｎｄ  Ａｐｐａｒａｔｕｓ  ｆｏｒ  Ｆｏｃｕｓｉｎｇ  Ｍｉｎｉａｔｕｒｅ  Ｕｌｔｒａｓｏｕｎｄ  Ｔｒａｎｓｄｕｃｅｒｓ」という発明の名称の米国仮出願６１／７４５２１２号（Ｄｙｌａｎ  Ｖａｎ  Ｈｏｖｅｎ、代理人整理番号４４７５５．１０６１）、１２月２１日に出願された「Ｐｒｅｐａｒａｔｉｏｎ  ａｎｄ  Ａｐｐｌｉｃａｔｉｏｎ  ｏｆ  ａ  Ｐｉｅｚｏｅｌｅｃｔｒｉｃ  Ｆｉｌｍ  ｆｏｒ  ａｎ  Ｕｌｔｒａｓｏｕｎｄ  Ｔｒａｎｓｄｕｃｅｒ」という発明の名称の米国仮特許出願第６１／７４５０９１号（Ｄｙｌａｎ  Ｖａｎ  Ｈｏｖｅｎ、代理人整理番号４４７５５．１０６０）、２０１２年５月１１日に出願された、「ＤＥＶＩＣＥ  ＡＮＤ  ＳＹＳＴＥＭ  ＦＯＲ  ＩＭＡＧＩＮＧ  ＡＮＤ  ＢＬＯＯＤ  ＦＬＯＷ  ＶＥＬＯＣＩＴＹ  ＭＥＡＳＵＲＥＭＥＮＴ」という発明の名称の米国仮特許出願第６１／６４６０８０号（代理人整理番号４４７５５．８１７／０１−０１４５−ＵＳ）、２０１２年５月１１日に出願された、「ＵＬＴＲＡＳＯＵＮＤ  ＣＡＴＨＥＴＥＲ  ＦＯＲ  ＩＭＡＧＩＮＧ  ＡＮＤ  ＢＬＯＯＤ  ＦＬＯＷ  ＭＥＡＳＵＲＥＭＥＮＴ」という発明の名称の米国仮特許出願第６１６４６０７４号（代理人整理番号４４７５５．９６１）、及び２０１２年５月１１日に出願された、「Ｃｉｒｃｕｉｔ  Ａｒｃｈｉｔｅｃｔｕｒｅｓ  ａｎｄ  Ｅｌｅｃｔｒｉｃａｌ  Ｉｎｔｅｒｆａｃｅｓ  ｆｏｒ  Ｒｏｔａｔｉｏｎａｌ  Ｉｎｔｒａｖａｓｃｕｌａｒ  Ｕｌｔｒａｓｏｕｎｄ  （ＩＶＵＳ）  Ｄｅｖｉｃｅｓ」という発明の名称の米国仮特許出願第６１／６４６０６２号（代理人整理番号４４７５５．８３８）に詳しく記載されている。これらのそれぞれの内容を本明細書においてその全体を参照により援用する。ＡＳＩＣダイ１７１は、複数の導電性端子及びＰＭＵＴの動作を制御するように構成された電気回路を備えることができる。
【００２７】
結合プレート１１０が底部プレート１３０に押圧され、そして固定された（例えば締結機構によって）ときに、ＰＭＵＴダイ１７０及びＡＳＩＣダイ１７１は、それらの各ポケット１６０及び１６１内において固定位置で閉じ込められるであろう。結合プレート１１０の凹部１４０は、ＰＭＵＴダイ１７０の一部及びＡＳＩＣダイ１７１の一部（又はこれらが空の場合にはポケット１６０−１６１の部分）を露出させる。このようにして、導電素子１８０をＰＭＵＴダイ１７０及びＡＳＩＣダイ１７１の両方に取り付けることができる。この方法で、ＰＭＵＴダイ１７０とＡＳＩＣダイ１７１とは、導電素子１８０によって互いに結合できる。図示した実施形態では、導電素子１８０はボンドワイヤである。市販のワイヤボンダを使用してダイを電気的に取り付けることができる。したがって、図３に示す製造段階をワイヤボンディングモードということができる。別の実施形態では、他の導電素子を使用して導電素子１８０を実装することができると解される。
【００２８】
薄い保護コーティング１９０がボンドワイヤ（すなわち、ここで示す導電素子１８０）上に適用されて、ボンドワイヤが取り外された状態にならないように後の工程からボンドワイヤが保護される。その後、結合プレート１１０を取り外すことができる。単純化の理由で、図３は、単一の凹部１４０及びそれぞれのＰＭＵＴダイ１７０及びそれぞれのＡＳＩＣダイ１７１に結合する導電素子１８０しか示していない。しかし、複数の導電素子をこの製造段階で同時に複数のＰＭＵＴ及びＡＳＩＣダイに結合させることができると解される。というのは、結合プレート１１０は、複数の凹部１４０を備えるからである（例えば、図２に示すように）。
【００２９】
図４は、結合プレート１１０を除去した後に底部プレート１３０上にそれに抗して配置される成形プレート１２０−１２１の断面図である。これは、トランスデューサアセンブリ製造の成形段階で生じる。図４に示すように、成形プレート１２０は、成形プレート１２１上にそれに抗して配置され、成形プレート１２１は、底部プレート１３０上にそれに抗して配置される。成形プレート１２０−１２１は、締結機構によって底部プレート１３０に固定できる。成形プレート１２１はキャビティ２００を備える。キャビティ２００は、トランスデューサアセンブリの上部として形成される。キャビティ２００は、底部プレート１３０のキャビティ１５０と整列する。したがって、キャビティ１５０及び２００は、後で形成されるトランスデューサアセンブリのジオメトリ及び形状を集合的に画定する。図４に示すように、キャビティ１５０及び２００の部分１５０Ａ及び２００Ａもトランスデューサアセンブリの湾曲先端部を集合的に画定する。言い換えれば、形成されるトランスデューサアセンブリの先端部は、湾曲又は丸みを帯びた先端を有することになる。
【００３０】
成形プレート１２０は開口部２１０を備え、成形プレート１２１は開口部２１１を備える。開口部２１０−２１１は互いに垂直に整列するが、開口部２１１は、図示した実施形態では開口部２１０よりも狭い。また、開口部２１１はキャビティ２００にも結合している。言い換えれば、開口部２１１及びキャビティ２００は互いに流体連通する。また、成形プレート１２１は、キャビティ２００に結合しかつキャビティ２００と流体連通する通気間隙２２０を備える。
【００３１】
エポキシ（又は別の好適な流体）を、開口部２１０−２１１を介してキャビティ１５０及び２００に注入することができる。言い換えれば、エポキシ材料は、開口部２１０、２１１を通ってキャビティ１５０及び２００にキャビティ１５０及び２００が満たされるまで流れることができる。いくつかの実施形態では、通気間隙２２０は、例えば吸引力によりエポキシ材料の流れを支援することができる。注入経路は、図４に示された矢印により示されている。
【００３２】
また、成形プレート１２１は、ＡＳＩＣダイ１７１を保持するポケットの一部を露出させる開口部２４０並びにＰＭＵＴダイ１７０を保持するポケットの一部を露出させる開口部２４１も備える。これらの開口部２４０−２４１は、エポキシ注入中に遮断ピン２５０−２５１によって満たされる。遮断ピン２５０−２５１は、それぞれ、ＡＳＩＣダイ１７１及びＰＭＵＴダイ１７０の上面と物理的に接触し、それによって、ＡＳＩＣダイ１７１及びＰＭＵＴダイ１７０の表面は、エポキシ注入中にエポキシにはさらされない。遮断ピン２５０−２５１の斜視図が図５に示されている。
【００３３】
その後、キャビティ１５０及び２００を充填するエポキシを高温で硬化させる。いくつかの実施形態では、エポキシ樹脂は、約２〜８時間にわたって約６０℃の温度でオーブン内において硬化される。硬化したエポキシは、ＰＭＵＴダイ１７０及びＡＳＩＣダイ１７１と共に集合的にトランスデューサアセンブリ３００を形成する（図５に示す）が、これは、キャスト缶とも呼ばれる。ＰＭＵＴダイ１７０及びＡＳＩＣダイ１７１は、トランスデューサアセンブリのパッケージを形成する硬化したエポキシによって部分的に封じ込められ又は取り囲まれる。また、導電素子（例えば、ボンドワイヤ）１８０（図３に示す）は、硬化したエポキシにより封じ込められる。パッケージ材料（すなわち、硬化したエポキシ）は、全体にわたって実質的に均一な材料組成を有する。また、パッケージ材料は、ＰＭＵＴダイ１７０及びＡＳＩＣダイ１７１を相対的に固定された位置に支持する。また、パッケージ材料は、超音波トランスデューサアセンブリの外面を画定する。
【００３４】
底部プレート１３０は、キャビティ１５０に結合される開口部２７０及び２７１も備える。エジェクタピン２８０−２８１（図５にも示されている）が、それぞれ開口２７０−２７１に挿入される。エポキシ樹脂の硬化後に、成形プレート１２０−１２１を注意深く除去する。次に、図５に示すように、エジェクタピン２８０−２８１を使用して、トランスデューサアセンブリ３００を取り外すことができる。
【００３５】
図６〜８は、外側シェル又は表面が硬化されたエポキシにより形成されたパッケージ材料によって画定されたトランスデューサアセンブリ３００の様々な断面図及び斜視図を示している。前述のように、トランスデューサアセンブリ３００は、丸みを帯びた又は湾曲した先端部３００Ａを備える。湾曲先端部３００Ａは、ＰＭＵＴダイ１７０に近接して配置されている。いくつかの実施形態では、湾曲先端部３００Ａは球状である。また、トランスデューサアセンブリ３００は凹部３１０−３１１を備える。凹部３１０はＡＳＩＣダイ１７１の一部を露出させ、凹部３１１はＰＭＵＴダイ１７０の一部を露出させる。上述のように、凹部３１０−３１１は、遮断ピン２５０−２５１により形成され、エポキシ注入及び硬化プロセス中に開口部２４０−２４１を占有し、そしてＡＳＩＣダイ１７１及びＰＭＵＴダイ１７０と物理的に接触する（及びそれによって保護する）。
【００３６】
ＡＳＩＣダイ１７１は、凹部３１０によって露出される導電性端子３２０（図８に示されており、導電性パッドとも呼ばれる）も備える。図９を参照すると、ワイヤ３５０は、例えば導電性端子３２０を介してＡＳＩＣダイ１７１に溶接できる。次に、パリレンコーター３７０をトランスデューサアセンブリ３００の周りにコーティングすることができる。コーティングは、コンフォーマルな方法で行うことができる。次に、駆動ケーブル３８０をトランスデューサアセンブリ３００の基部に接着させる。いくつかの実施形態では、導電性端子３２０を覆う遮断領域が必要とされない場合にはワイヤ３５０をＡＳＩＣダイ１７１に取り付けることもできる。ワイヤ３５０が既にＡＳＩＣダイ１７１に接続されている所定の別の実施形態では、駆動ケーブル３８０を射出成形プロセス中にエポキシによってオーバーモールドすることもできる。
【００３７】
とくに、少なくとも本発明の次の要素は新規であると考えられる。
１．ワイヤボンディングアセンブリ上でドープエポキシ缶をキャスティングすること。
２．角度付きワイヤボンディングアセンブリ上でドープエポキシ缶をキャスティングすること。
３．遮断ピンを使用してトランスデューサ表面及びケーブル取付パッドを保護すること。
４．ツールに高潤滑性めっきを使用して容易な抜き出しを保証すること。
５．エジェクタピンを使用してツールからケース部を分離すること。
６．遠位ベントを使用してツールにエポキシを引き入れること（真空を加えることができる）。
７．キャスティングエポキシ缶をコンフォーマルコーティングすること。
８．駆動ケーブルにキャスト缶を取り付けること。
【００３８】
図１０は、超音波トランスデューサアセンブリを製造する方法５００のフローチャートである。方法５００は、底部プレートの第１キャビティの第１ポケット及び第２ポケットに圧電マイクロ機械加工超音波トランスデューサ（ＰＭＵＴ）ダイ及び特定用途向け集積回路（ＡＳＩＣ）ダイを装填するステップ５１０を含む。方法５００は、ＰＭＵＴダイ及びＡＳＩＣダイを固定位置に保持するような方法で、底部プレート上にそれに抗して結合プレートを配置するステップ５２０を含む。結合プレートは、ＰＭＵＴダイ及びＡＳＩＣダイの一部を露出させる凹部を備える。方法５００は、凹部内に導電素子を配置するステップ５３０を含む。導電素子は、ＰＭＵＴダイ及びＡＳＩＣダイを電気的に相互接続する。方法５００は、結合プレートを除去する工程５４０を含む。方法５００は、成形プレートの第２キャビティが底部プレートの第１キャビティと整列するような方法で、底部プレート上にそれに抗して成形プレートを配置するステップ５５０を含む。第１及び第２キャビティは、超音波トランスデューサアセンブリの形状を集合的に画定する。方法５００は、第１及び第２キャビティと流体連通する成形プレートの第１開口部を介して第１及び第２キャビティにパッケージ材料を注入するステップ５６０を含む。パッケージ材料は、導電素子を封じ込め、ＰＭＵＴダイ及びＡＳＩＣダイをその中に少なくとも部分的に封じ込める。方法５００は、パッケージ材料を硬化させ、それにより、硬化されたパッケージ材料が超音波トランスデューサアセンブリの外面を画定する超音波トランスデューサアセンブリを形成するステップ５７０を含む。  
【００３９】
いくつかの実施形態において、パッケージ材料はエポキシ樹脂を含む。いくつかの実施形態では、成形プレートは、成形プレートが底部プレートに抗して配置されたときにＰＭＵＴダイの一部を露出する第２開口部を含む。さらに、方法５００は、パッケージ材料がＰＭＵＴダイの表面に接触しないように注入中に第２開口部内に遮断ピンを配置する工程を含むことができる。いくつかの実施形態では、成形プレートは、成形プレートが底部プレートに抗して配置されたときにＡＳＩＣダイの一部を露出させる第３開口部を含む。方法５００は、パッケージ材料がＡＳＩＣダイの表面に接触しないように注入時に第３開口部内に遮断ピンを配置する工程をさらに含むことができる。いくつかの実施形態では、導電素子を配置するステップ５３０は、ＰＭＵＴダイ及びＡＳＩＣダイをワイヤボンディングすることを含む。いくつかの実施形態では、方法５００は、結合プレートの除去の前に、凹部内にある導電素子の周りに保護コーティングを適用する工程をさらに含む。いくつかの実施形態では、方法５００は、次のステップをさらに含む：トランスデューサアセンブリを取り外し；トランスデューサアセンブリの周りにパリレンコーティングを施し；そして駆動ケーブルにトランスデューサアセンブリを取り付ける。
【００４０】
本発明の一態様は、複数の電気ダイを結合させるためのボンディング装置を含む。ボンディング装置は次のものを備える：第１キャビティを備える底部プレート、ここで、該第１キャビティは圧電マイクロ機械加工超音波トランスデューサ（ＰＭＵＴ）ダイを収容するように構成された第１ポケットと特定用途向け集積回路（ＡＳＩＣ）ダイを収容するように構成された第２ポケットとを備え；該底部プレート上にそれに抗して配置されるように構成された、凹部を備える結合プレート、ここで、該結合プレートが該底部プレートに抗して配置されたときに、該ＰＭＵＴダイ及び該ＡＳＩＣダイは、固定位置に閉じ込められることになり；該凹部は、該第１ポケットの一部及び該第２ポケットの一部を露出させ；底部プレート上にそれに抗して配置されるように構成された成形プレート、ここで、該成形プレートは、該成形プレートが該底部プレートに抗して配置されたときに該第１キャビティと整列する第２キャビティを備え、それによって該第１及び第２キャビティは該トランスデューサアセンブリの形状を集合的に画定し；該第２キャビティに結合される第１開口部を備え、ここで、該第１開口部は、該成形プレートが該底部プレートに抗して配置されたときに該第１ポケットの一部を露出させ；第２キャビティに結合される第２開口部を備え、ここで、該第２開口部は、該成形プレートが該底部プレートに抗して配置されたときに該第２ポケットの一部を露出させ；及び該第１及び第２キャビティと流体連通する第３開口部であって、それによって、流体が該第３開口部を介して該第１及び第２キャビティに流れることができるものを備える。
【００４１】
いくつかの実施形態では、ボンディング装置は、成形プレートの第１開口部の内部に配置されるように構成された第１遮断ピンをさらに備え、それによって、成形プレートが底部プレートに抗して配置されたときに、第１遮断ピンはＰＭＵＴダイの上部表面と物理的に接触する。
【００４２】
いくつかの実施形態では、ボンディング装置は、成形プレートの第２開口部の内部に配置されるように構成された第２遮断ピンをさらに備え、それにより、成形プレートが底部プレートに抗して配置されたときに、第２遮断ピンは、ＡＳＩＣダイの上部表面と物理的に接触する。
【００４３】
いくつかの実施形態では、成形プレートは、第２キャビティと流体連通する通気間隙をさらに備える。
【００４４】
いくつかの実施形態では、成形プレートは第１成形プレートであり、該第１成形プレート上にそれに抗して配置されるように構成される第２成形プレートをさらに備え、ここで、該第２成形プレートは、第３開口部と流体連通する第４開口部を備える。
【００４５】
いくつかの実施形態では、トランスデューサアセンブリは、湾曲先端部を有する。
【００４６】
いくつかの実施形態では、湾曲先端部は、ＰＭＵＴダイに近接して配置され、かつ、球形を有する。
【００４７】
いくつかの実施形態では、結合プレートの凹部は、ＰＭＵＴダイとＡＳＩＣダイとの間の電気的接続を可能にするように構成される。
【００４８】
いくつかの実施形態では、電気的接続は、ボンドワイヤを含む。
【００４９】
本発明の別の態様は、超音波トランスデューサアセンブリを含む。この超音波トランスデューサアセンブリは次のものを備える：圧電マイクロ機械加工超音波トランスデューサ（ＰＭＵＴ）装置を備えるＰＭＵＴダイ；ＰＭＵＴダイから物理的に分離され、複数の導電性端子を備える特定用途向け集積回路（ＡＳＩＣ）ダイ；該ＰＭＵＴダイと該ＡＳＩＣダイとを互いに電気的に結合させる導電素子；該導電素子を封じ込め、かつ、該ＰＭＵＴダイ及び該ＡＳＩＣダイをその中に部分的に封じ込めるパッケージ材料、ここで、該パッケージ材料は、全体にわたって実質的に均一な材料組成を有し、かつ、該ＰＭＵＴ装置の表面を露出させる第１開口部を備え、しかも、該パッケージ材料は、該ＰＭＵＴダイ及び該ＡＳＩＣダイを互いに固定された位置で支持し、かつ、該超音波トランスデューサアセンブリの外面を画定する。
【００５０】
いくつかの実施形態では、パッケージ材料はエポキシである。
【００５１】
いくつかの実施形態では、導電素子は、ボンドワイヤを含む。
【００５２】
いくつかの実施形態では、超音波トランスデューサアセンブリは、ボンドワイヤの周りにコーティングされた保護層をさらに備える。
【００５３】
いくつかの実施形態では、超音波トランスデューサアセンブリは、パッケージ材料の周りにコンフォーマルコーティングされた層をさらに備える。
【００５４】
いくつかの実施形態では、この層は、パリレンを含む。
【００５５】
いくつかの実施形態では、超音波トランスデューサアセンブリは、駆動ケーブルに取り付けられたワイヤをさらに備え、ここで、該ワイヤは、ＡＳＩＣダイに電気的に接続される。
【００５６】
いくつかの実施形態では、パッケージ材料は、導電性端子を少なくとも部分的に露出させる第２開口部を備える。
【００５７】
いくつかの実施形態では、パッケージ材料は、ＰＭＵＴダイ付近に丸みを帯びた先端部を有する。
【００５８】
本発明の別の態様は、超音波トランスデューサアセンブリを製造する方法を含む。この方法は、次の工程を含む：圧電マイクロ機械加工超音波トランスデューサ（ＰＭＵＴ）ダイ及び特定用途向け集積回路（ＡＳＩＣ）ダイを底部プレートの第１キャビティの第１ポケット及び第２ポケットに装填し；該ＰＭＵＴダイ及びＡＳＩＣダイを固定位置で保持するような方法で、該底部プレート上にそれに抗して結合プレートを配置し、ここで、該結合プレートは、該ＰＭＵＴダイ及び該ＡＳＩＣダイの一部を露出させる凹部を備え；該凹部内に導電素子を配置し、ここで、該導電素子は、ＰＭＵＴダイとＡＳＩＣダイとを電気的に相互接続し；その後、結合プレートを取り外し；該成形プレートの第２キャビティが該底部プレートの第１キャビティと整列するような方法で、底部プレート上にそれに抗して成形プレートを配置し、ここで、該第１及び第２キャビティは、該超音波トランスデューサアセンブリの形状を集合的に画定し；第１及び第２キャビティと流体連通する成形プレートの第１開口部を介して第１及び第２キャビティにパッケージ材料を注入し、ここで、該パッケージ材料は、導電素子を封じ込め、そしてＰＭＵＴダイ及びＡＳＩＣダイをその中に少なくとも部分的に封じ込め；そしてパッケージ材料を硬化させ、それにより該超音波トランスデューサアセンブリを形成し、ここで、該硬化したパッケージ材料は、該超音波トランスデューサアセンブリの外面を画定する。
【００５９】
いくつかの実施形態では、パッケージ材料は、エポキシ樹脂を含む。
【００６０】
いくつかの実施形態では、成形プレートは、成形プレートを底部プレートに抗して配置したときにＰＭＵＴダイの一部を露出する第２開口部を備え、そして、注入の間に第２開口部内に遮断ピンを配置して、パッケージ材料がＰＭＵＴダイの表面に接触しないようにすることをさらに含む。
【００６１】
いくつかの実施形態では、成形プレートは、成形プレートを底部プレートに抗して配置したときにＡＳＩＣダイの一部を露出させる第３開口部を備え、そして注入中に第３開口部内に追加の遮断ピンを配置して、パッケージ材料がＡＳＩＣダイの表面に接触しないようにすることをさらに含む。
【００６２】
いくつかの実施形態では、導電素子を配置するステップは、ＰＭＵＴダイ及びＡＳＩＣダイをワイヤボンディングすることを含む。
【００６３】
いくつかの実施形態では、方法は、結合プレートの除去の前に、凹部内にある導電素子の周りに保護コーティングを適用する工程を含む。
【００６４】
いくつかの実施形態では、方法は、次のステップをさらに含む：トランスデューサアセンブリを取り外し；トランスデューサアセンブリの周りにパリレンコーティングを施し；そして該トランスデューサアセンブリを駆動ケーブルに取り付ける。
【００６５】
当業者であれば、上記装置、システム及び方法を様々に変更できることが分かるであろう。したがって、当業者であれば、本発明に包含される実施形態が上記特定の例示的実施形態に限定されるものではないことが分かるであろう。この点に関し、例示的な実施形態を示しかつ説明してきたが、広範囲の修正、変更及び置換が上記開示において意図される。このような変形は、本発明の範囲から逸脱することなく、上記事項になされ得ると解される。したがって、請求の範囲は広くかつ本発明と一致する態様で解釈すべきことが適当である。
【符号の説明】
【００６６】
１００  超音波イメージングシステム
１０２  ＩＶＵＳカテーテル
１０４  患者インターフェースモジュール
１０６  ＩＶＵＳ制御システム
１０８  モニタ
１１０  シース
１１２  回転イメージングコア
１１４  近位端部
１１６  遠位端部
１１８  近位端部
１２０  遠位端部
１２０−１２１  成形プレート
１２２  トランスデューサアセンブリ
１２４  カテーテルハブ
１３０  底部プレート
１４０  凹部
１５０  キャビティ
１６１  ポケット
１７０  圧電マイクロ機械加工超音波トランスデューサ（ＰＭＵＴ）ダイ
１７１  特定用途向け集積回路（ＡＳＩＣ）ダイ
１８０  導電素子
１９０  保護コーティング
２００  キャビティ
【図１】
0006295271.tif 000002
【図２】
0006295271.tif 000003
【図３】
0006295271.tif 000004
【図４】
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【図５】
0006295271.tif 000006
【図６】
0006295271.tif 000007
【図７】
0006295271.tif 000008
【図８】
0006295271.tif 000009
【図９】
0006295271.tif 000010
【図１０】
0006295271.tif 000011