(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
閉ループ内で結合されたＬＣタンク及び増幅回路を含み、出力周波数を有する出力信号を発生するフィードバック発振器回路を動作させる方法であって、該方法は、
前記ＬＣタンクの出力電圧を、異なる位相を有する第１の電圧及び第２の電圧に分割するために、前記出力電圧に、第１の位相シフト及び第２の位相シフトを与えるステップと、
前記第１の電圧を、第１のプログラム可能なトランスコンダクタンス値に従って、第１の電流に変換するステップと、
前記第２の電圧を、第２のプログラム可能なトランスコンダクタンス値に従って、第２の電流に変換するステップと、
前記第１の電流及び前記第２の電流を合成して合成電流を得るステップと、
前記合成電流を前記ＬＣタンクに加えるステップと、
を含み、
前記合成電流は、前記周波数を温度に対して安定させるために、前記ＬＣタンクが選択されたインピーダンス条件で動作するように設定し、前記インピーダンス条件は、関連する非ゼロインピーダンス角を有する、ことを特徴とする方法。
【請求項２】
前記第１の電圧及び前記第２の電圧の前記異なる位相は、前記閉ループ内で非ゼロ位相シフトを生成することにより発振条件を満たさせ、前記位相シフトは、ＬＣタンクのインピーダンス角の符号と反対の符号を有する、ことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記ＬＣタンクの前記出力電圧の振幅を検出するステップと、
前記増幅回路の線形動作を維持するために、前記第１のトランスコンダクタンス値及び前記第２のトランスコンダクタンス値を調整するステップと、
を含む、ことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記第１の位相シフトは、ローパスフィルタ処理を行うことにより得る、ことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項５】
前記第２の位相シフトは、ハイパスフィルタ処理に続いて位相反転を行うことにより得る、ことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項６】
発振周波数を有する出力信号を発生するフィードバック発振器回路であって、
ＬＣタンクと、
前記ＬＣタンクの出力電圧を、異なる位相を有する第１の電圧及び第２の電圧に分割するための回路と、
閉ループ内で前記ＬＣタンクに結合された増幅回路であって、
前記第１の電圧を、第１のプログラム可能なトランスコンダクタンス値に従って、第１の電流に変換するための回路と、
前記第２の電圧を、第２のプログラム可能なトランスコンダクタンス値に従って、第２の電流に変換するための回路と、を含む増幅回路と、
前記第１の電流及び第２の電流を合成し、得られた合成電流を前記ＬＣタンクに加えるための回路と、
を含み、
前記合成電流は、前記周波数を温度に対して安定させるために、前記ＬＣタンクが選択されたインピーダンス条件で動作するように設定し、前記インピーダンス条件は、関連する非ゼロインピーダンス角を有する、ことを特徴とする発振器回路。
【請求項７】
前記第１の電圧及び前記第２の電圧の前記異なる位相は、前記閉ループ内で非ゼロ位相シフトを生成することにより発振条件を満たさせ、前記位相シフトは、ＬＣインピーダンス角の符号の反対の符号を有する、ことを特徴とする請求項６に記載の発振器回路。
【請求項８】
前記ＬＣタンクに結合され、前記ＬＣタンクの前記出力電圧の振幅を検出し、さらに、前記増幅回路の線形動作を維持するために、前記第１のトランスコンダクタンス値及び前記第２のトランスコンダクタンス値を調整するための自動振幅コントローラを含む、ことを特徴とする請求項６に記載の発振器回路。
【請求項９】
前記分割するための回路は、前記ＬＣタンクに結合された第１の位相シフタ回路を含み、前記第１の電圧は、前記第１の位相シフタ回路の出力電圧から得られる、ことを特徴とする請求項６に記載の発振器回路。
【請求項１０】
前記第１の位相シフタ回路は、ローパスフィルタを含む、ことを特徴とする請求項９に記載の発振器回路。
【請求項１１】
前記分割するための回路は、前記ＬＣタンクに結合された第２の位相シフタ回路を含み、前記第２の電圧は、前記第２の位相シフタ回路の出力電圧から得られる、ことを特徴とする請求項９に記載の発振器回路。
【請求項１２】
前記第２の位相シフタ回路は、ハイパスフィルタと、前記ハイパスフィルタに続く位相反転回路を含む、ことを特徴とする請求項１１に記載の発振器回路。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、一般に、発振器の出力周波数の変化を最小にするＬＣタンク温度ヌル現象を利用した高安定型インダクタ―キャパシタ（ＬＣ）発振器に関する。
【背景技術】
【０００２】
電子クロック生成は、従来、必要とされるクロックを生成するために選択的に乗算及び／又は除算される、外部の水晶に基づく基準発振器に依拠してきた。クロックの主要な仕様は、目標とする周波数以外に、周波数の正確性と安定性がある。周波数の正確性は、電源及び温度に対して目標周波数を維持する能力であり、これは通常、目標周波数からのドリフトとしてパーセント又はｐｐｍ（parts per million）で表される。長期間の安定性は、発振器の近接位相ノイズ（close-in phase noise）による影響を受ける。典型的に、高Ｑ素子（high-Ｑ element）を用いる発振器は、低位相ノイズの特性を持ち、よって、良好な周波数安定性を有し、電源及び温度に依存する発振器の増幅利得の変化に左右されにくい。
【０００３】
例えば、水晶発振器（ＸＯ）は、非常に高い品質係数（Ｑ）に由来して、電源及び温度全域にわたって非常に良好な周波数安定性及び周波数精度を提供する高Ｑ発振器である。しかしながら、水晶を含め、全ての共振子（振動子）は、温度に対して満足のいく性能を有しているわけではなく、従って、温度による周波数の“シフト（ずれ）”を低減及び／又は補償する追加の回路及び技術が必要とされる。典型的に、温度補償型水晶発振器（ＴＣＸＯ）は、水晶の温度依存性を無効にするための温度依存性を持つ追加のデバイスを備える。その結果、低い温度依存性の発振周波数が得られる。
【０００４】
しかしながら、複数の規格、増加する機能性、より高くなるデータ速度、及びメモリの増大をより小型に低コストでサポートする必要性のために、電子システムのますます増加する複雑性は、設計者を、増加するゲート密度から恩恵を受けるディープサブミクロンＣＭＯＳ技術において、ＳｏＣ（Systems on Chip）の開発を介して、集積レベルを増加させることに向かわせている。水晶発振器による基準クロックは、水晶が本質的にかさばるものであるために、サイズ変更及び集積が困難であり、従って、電子システムに対して可能なサイズ及びコストの低減化を制限してしまっている。
【０００５】
高ＱＭＥＭＳ共振器及び薄膜バルク音響共振器（ＦＢＡＲ）を使用する最近の取り組みは、同じパッケージに、高Ｑ素子及び特定用途向け集積回路（ＡＳＩＣ）を集積する可能性を示してきた。しかしながら、高Ｑ素子は、ＳｏＣに対して実用的でない特別なパッケージ及び／又は較正（キャリブレーション）を必要とすることがあるため、パッケージングによってもたらされる、パフォーマンスに影響するストレスが、困難な障害としてなお存在する。このストレスは、共振器の温度挙動を変化させることがあり、結果として、大きい周波数シフトをもたらすと共に劣化を加速させるおそれがある。従って、典型的に、このような影響を緩和するために、特別なアセンブリ及びパッケージング技術が必要とされるが、これは、クロックを生成するコストを増加させる。同様の問題は、共振器の材料の機械的特性に基づく共振器にも存在し、注意深い設計と製造手順及びプロセスを必要とする。
【０００６】
ＵＳＢ及びＳＡＴＡのようなアプリケーションのための設計要件は、優れた周波数の精度及び安定性を必要とせず、良好なジッタ性能を生成する適切な位相ノイズ特性を有することができるＣＭＯＳプロセスに利用可能な比較的低いＱ素子を備えた発振器を用いて、満たすことができる。現在の取り組みでは、リング発振器、弛緩型発振器、及びＬＣ発振器が使用されている。しかしながら、これらの実装における報告された周波数精度は、電源及び温度に対する大きなドリフトがあり、より精度及び安定性を必要とするアプリケーションにおいて、これらの発振器は、役立たない。温度に対するドリフトを低減するための抑制策として、温度に対するトリミングが必要とされるが、これは、ＳｏＣにとって、コストもかかり、実用的でもない。
【０００７】
従って、ＣＭＯＳ技術において既存の最適化プロセス手順に依拠するとともに周波数の安定性及びジッタの要件を満たす集積化の解決策は、より価値あるものとなる。高く安定した出力周波数を達成するために、タンク温度ヌル位相（temperature null phase）で動作するＬＣタンク発振器が、米国特許第８，０７２，２８１号に記載されており、その内容は参照することにより本明細書に組み込まれる。本明細書に記載される技術及び回路は、温度ヌル位相を巧みに利用する改良例及び拡張例も含んでいる。
【発明の概要】
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明は、実質的に、温度に対して非依存性のＬＣ型発振器を提供する。この発振器は、ＬＣ発振器タンクと、温度ヌル位相で該ＬＣ発振器タンクを動作させるために該ＬＣ発振器タンクに結合された周波数安定化回路とを含み、実質的に温度ヌル位相に相当する位相で、タンク発振を生成する。該温度ヌル位相は、温度変化に伴う発振器の出力発振の周波数における変化が、低減又は最小化されるときの、ＬＣタンク発振の位相である。
【０００９】
例えば、フィードバックループは、ＬＣタンクの出力電圧を、異なる位相を有する２つの電圧に分割し、各電圧を、別個に、プログラム可能なトランスコンダクタンスによって電流へ変換することができる。この２つの電流を合成して合成電流を形成し、その後この合成電流をＬＣタンクに加えることができる。この合成電流の位相は、ＬＣタンクが温度に対して周波数安定性を達成するインピーダンス条件で動作するように、調整される。
【００１０】
ＬＣタンクの出力電圧の振幅を、連続的に、モニター又は検出し、さらに、プログラム可能なトランスコンダクタンスを、実質的に、互いに独立して調整することができる。振幅の検出は、フィードバックループ内に自動振幅制御（ＡＡＣ）回路を２つの電圧変換回路と並列に含めることにより、達成することができる。
【００１１】
本開示の別の態様において、この２つの電圧の各々は、フィルタ処理される。本開示の一態様では、第１の電圧は、ローパスフィルタ処理される。本開示の別の態様では、第２の電圧は、ハイパスフィルタ処理される。本開示の更なる態様では、ハイパスフィルタを含む経路は、位相反転回路を含む。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１】例示的なＬＣ発振器タンクを示す回路図である。
【図２】例示的なＬＣ発振器タンクの位相プロットを示す図である。
【図３】ゼロ位相で動作するＬＣ発振器タンクの、温度に対する発振周波数を示す図である。
【図４】例示的なＬＣ発振器タンクの温度ヌル位相を示す図である。
【図５】温度ヌル位相で動作するときの、温度に対する周波数偏差を示す図である。
【図６】タンク温度ヌル位相で動作する発振器を示す図である。
【図７Ａ】タンク温度ヌル位相で動作する別の発振器を示す図である。
【図７Ｂ】図７Ａに示す回路の信号に関するフェーザ図である。
【図８Ａ】１次のローパスフィルタ及びハイパスフィルタを用いて温度ヌル位相で動作するタンクを含む発振器を示す図である。
【図８Ｂ】図８Ａに示す装置の信号に関するフェーザ図である。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
図１を参照すると、発振器の設計に用いられるＬＣ発振器タンク回路１０は、インダクタンス（誘導性素子）Ｌ及びキャパシタンス（容量素子）Ｃのもととなる素子から構成される。ＬＣ発振器タンク回路１０における誘導性素子Ｌ及び容量素子Ｃは、限定されないが、オンチップ集積化インダクタ、接着ワイヤ(bond-wires)、金属―絶縁膜―金属（ＭｉＭ）コンデンサ、金属フィンガーコンデンサ、金属酸化物半導体（ＭＯＳ）コンデンサ、セラミック共振器、微小電気機械システム（ＭＥＭＳ）、音叉共振器、ＭＥＭＳワイングラス（wine-glass）共振器、ＭＥＭＳ型共振器、表面弾性波（ＳＡＷ）、及びバルク弾性波（ＢＡＷ）デバイス等のような、様々な種類の共振器及び受動素子から構成することができる。
【００１４】
品質係数Ｑが有限であるという物理的な制限のために、理想的な純粋のインダクタ又はキャパシタの実装は、通常、可能ではない。今日までのＣＭＯＳ技術における集積化インダクタンスは、ＭＥＭＳ共振器及び水晶と比較すると、低いＱ係数を持つ。インダクタにおける損失の原因には、インダクタの金属の抵抗損（ohmic loss）ｒＬ、及び基板の抵抗損ｒＳＵＢがある。これらの損失の両方とも、通常、温度に依存しており、従って、インダクタの全体のインピーダンス及びＱは、温度に依存する。
【００１５】
また、タンクの集積化キャパシタ部分は、容量値の温度依存だけでなく、有限の温度依存Ｑをも被る。結果として、集積化ＬＣタンクの物理的な実装は、該タンクのインピーダンス及びＱ係数に強い温度依存性を与えることになり、これは、結果として、タンクの共振周波数が温度依存することになる。
【００１６】
典型的に、ＬＣ発振器タンク１０を用いて設計された発振器は、タンク損失を排除する役割を担う増幅器を備える。発振器が発振を維持するために、バルクハウゼン条件は、開ループ利得が１より大きいこと、及び、位相がゼロに等しいこと、を必要とする。発振器がゼロ位相をもたらすとすると、発振が起こるためには、ＬＣ発振器タンクのインピーダンスＺＴａｎｋは、ゼロ位相を持たなければならない。この位相条件を用いて、次のように、発振周波数ωＯＳＣが導かれる。
【数１】
0006352263.tif 000002
式（１）
【数２】
0006352263.tif 000003
式（２）
発振条件φＴａｎｋ＝０とすると、次の結果になる。
【数３】
0006352263.tif 000004
ここで、
0006352263.tif 000005
式（３）
【００１７】
上記の式（１）―（３）から、ｒＬが温度に依存する場合、発振周波数は温度に依存することが分かる。温度に従うｒＬの線形変化は、発振周波数のほぼ線形変化をもたらす。加えて、Ｃにおけるどんな温度変動でも、強く温度依存性に寄与することになる。
【００１８】
このことは、図２にグラフを用いて示されており、図２では、Ｌ、ｒＬ、及びＣから構成されるタンクのφＴａｎｋが、異なる複数の温度に対してプロットされ、さらに、ｒＬの線形温度依存は、次のように定義される。
【数４】
0006352263.tif 000006
式（４）
ここで、αは、ｒＬの温度係数である。
【００１９】
これらの位相プロットとφＴａｎｋ＝０との交点を用いて、発振周波数が決定されることに注意されたい。図３には、温度に対応する対応発振周波数がプロットされており、これは、ゼロ位相で動作する典型的なＬＣ発振器における、８０００ｐｐｍの強い温度依存性を示している。
【００２０】
再び、図２において位相プロットを調べると、タンクの品質係数が、温度と共に変化するので、位相プロットは、温度と共に変化する。さらに、発振周波数において、温度が低いほどＱが高くなり、従って、温度が低いほど、負の傾斜が大きくなる。これにより、温度と共に変化する位相プロットの傾きは、これらのプロットの交点をもたらす。
【００２１】
同じ位相で交点が生じるとき、温度に依存しないタンク動作点が生成され、このタンクは、位相φＮｕｌｌを用い、温度“ヌル（null）”で、動作すると言うことができる。温度に対する位相プロットが、正確に同じ位相で交差するとき、この理想的な温度ヌル位相（temperature null phase）が生じる。タンクがφＮｕｌｌに理想的に等しい位相で発振すると、偏差（ずれ）ゼロの発振周波数が生じる。
【００２２】
より現実的なタンクは、温度に対して小さい周波数偏差を伴う温度ヌルを示す。これは、図４にグラフを用いて示され、図４では、発振条件は、φＴａｎｋ＝φＮｕｌｌであり、温度に対する発振周波数がプロットされている。図５から分かるように、温度ヌル位相で発振器を動作させると、発振周波数の温度依存性は、かなり低くなる。例えば、図５において、周波数のドリフトは、わずか２９０ｐｐｍである。これと、図３のゼロ位相での８０００ｐｐｍの周波数ドリフトとを比較すると、温度ヌル位相での発振は、より安定な周波数を生成する。
【００２３】
グローバル温度ヌル（ＧＮｕｌｌ：Global Temperature Null）は、温度範囲Ｔに対して最小の周波数偏差をもたらし、温度範囲の中央Ｔ０における温度に対する発振周波数の変化ｄｆＯＳＣ／ｄＴが、非常に小さいかゼロとなる位相動作点φＧＮｕｌｌとして、定義することができる。温度ヌルの特性の評価は、温度に対する発振周波数偏差である。タンクの性能指数（ＦＯＭ）は、次のように定義される。
【数５】
0006352263.tif 000007
式（５）
ここで、ｆＴ０は、Ｔ０での発振周波数である。ＦＯＭの値が小さいほど、ヌル特性は良好になり、ＦＯＭ＝０で完全なヌルが生じる。
【００２４】
ローカル温度ヌル（ＬＮｕｌｌ：Local Temperature Null）は、ｄｆＯＳＣ／ｄＴ＝０となる位相動作点φＬＮｕｌｌとして、定義することができる。代替的に、ＬＮｕｌｌは、温度（Ｔ＋δ）及び（Ｔ−δ）の位相プロットの交点として、温度Ｔにおいて定義することができ、この場合、δは、無限小である。
温度Ｔ０を中心とするＧＮｕｌｌの発振周波数ωＧＮｕｌｌは、温度（Ｔ０＋ΔＴ）と（Ｔ０−ΔＴ）における２つの位相曲線の交点を見つけることにより、導出することもできる。ｒＬの温度依存性が線形的であるときのＬＣ発振器タンクにおいて、ＧＮｕｌｌでの位相及び周波数は、次のようになる。
【数６】
0006352263.tif 000008
式（６）
【数７】
0006352263.tif 000009
式（７）
【００２５】
バルクハウゼン条件を満たしつつ、タンクを非ゼロ位相で発振させるために、タンクと関連する能動回路は、タンクと同じ大きさで反対符号の位相を提供しなければならない。言い換えると、タンク位相が−φの場合、能動回路は、位相φを提供しなければならない。図６に、温度安定型発振器の開示の一態様を示す。ここでは、タンク１０は、位相−φで動作し、その一方で、回路２０は全体として、バルクハウゼン条件を満たす。タンク電圧ＶＴは、トランスコンダクタンス２２０への入力電圧がＶ０∠φとなるように位相シフトφを加える位相シフタ２１０に、印加される。従って、トランスコンダクタンスが実質的に小さな位相シフトを導入すると仮定すると、トランスコンダクタンス２２０は、タンク電圧ＶＴに対して位相φだけシフトされたタンク電流（ＩＴ）を生成する。ここで、このループで満たされるバルクハウゼン条件において、タンクのインピーダンスは、次のように与えられる。
【数８】
0006352263.tif 000010
式（８）
【００２６】
開示の他の態様において、位相シフタブロック２１０により導入される位相φは、できるだけタンク温度ヌル位相に近づくように、デジタルワードφＣｏｎｔｒｏｌによりプログラムされる。
【００２７】
図７Ａに、開示の他の態様が示され、ここでは、タンク温度ヌル位相で動作する、他の回路技術が説明されている。タンクのＡＣ電圧信号ＶＴは、２つの経路に分割される。第１の経路は、位相シフタ２１０ａを通り、ＡＣ電圧信号ＶＬを提供する。タンク電圧ＶＴに対して、ＶＬの位相は、−θＬだけシフトされ、さらに、ＶＬの振幅は、ＡＬで調整される。その後、ＶＬは、電流ＩＬを生成するプログラム可能なトランスコンダクタ２２０ａへ入力される。第２の経路は、位相シフタ２１０ｂを通り、ＡＣ電圧信号ＶＨを提供する。タンク電圧ＶＴに対して、信号ＶＨの位相は、−θＨだけシフトされ、さらに、ＶＨの振幅は、ＡＨで調整される。その後、ＶＨは、電流ＩＨを生成するプログラム可能なトランスコンダクタ２２０ｂへ入力される。両経路からの出力電流ＩＬ及びＩＨは足し合わされて、全体のタンク電流ＩＴを生成する。最終的に、発振器が臨界発振条件で動作し、さらにトランスコンダクタ２２０ａ及び２２０ｂが線形領域で動作するように、ＡＡＣブロック３００は、発振器の振幅レベルを調整する。これは、発振信号の高調波成分、及びこの成分の周波数安定性への影響を最小にする。
【００２８】
どのようにして、図７Ａの装置から温度ヌル位相φＧＮＵＬＬが得られるかを理解するためには、図に示された電圧及び電流信号の位相及び振幅を追跡しなければならない。図７Ｂは、図７Ａに表示された電圧及び電流信号のフェーザ図を示す。図７Ｂにおけるフェーザは、次の式で表される。
【数９】
0006352263.tif 000011
式（７Ａ）
0006352263.tif 000012
式（７Ｂ）
0006352263.tif 000013
式（７Ｃ）
0006352263.tif 000014
式（７Ｄ）
0006352263.tif 000015
式（７Ｅ）
0006352263.tif 000016
式（７Ｆ）
【００２９】
直接導出により、ＩＴとＶＴの間のタンクインピーダンス（ＺＴａｎｋ）における位相シフトφは、次のように与えられる。
【数１０】
0006352263.tif 000017
式（８）
【００３０】
従って、位相φＧＮＵＬＬは、図７Ａに示されたデジタル制御ワードを介して、２つのプログラム可能なトランスコンダクタ２２０ａと２２０ｂの間の比を調整することにより、正確に得ることができる。一実施形態において、２つの位相シフタによって提供される位相シフトθＨ及びθＬと振幅スケーリング係数ＡＨ及びＡＬは、実質的に、温度に対して一定となるべきである。さもなければ、温度ヌルでの周波数安定性は、温度依存性による影響を受ける。
【００３１】
開示の別の形態において、図７Ａの位相シフタ２１０ａは、図８Ａに示すようなブロック４１０ａにおける１次のローパスフィルタ（ＬＰＦ）により、実現される。ＬＰＦは、抵抗“Ｒ”と容量“Ｃ”から構成される。開示の更に別の形態において、図７Ａの位相シフタ２１０ｂは、図８Ａに示すような、１次のハイパスフィルタ（ＨＰＦ）４１０ｂ、及びブロック４１０ｃのような反転段により、実現される。ＨＰＦ４１０ｂは、抵抗“Ｒ”と容量“Ｃ”から構成される。位相反転回路４１０ｃは、信号に対して１８０°の位相シフトを与える。ＨＰＦのＲ及びＣの値は、実質的に、ＬＰＦのものと一致する。図８Ｂは、図８Ａに表示された電圧及び電流信号のフェーザ図を示す。
【００３２】
図８Ａに関して、“アナログフィルタの設計”（Analog Filter Design, 著M.E. Van Valkenburg, Oxford University Press, 1995）に記載されているように、ＡＬ、θＬ、ＡＨ及びθＨは、次の式で表される。
【数１１】
0006352263.tif 000018
式（９Ａ）
0006352263.tif 000019
式（９Ｂ）
0006352263.tif 000020
式（９Ｃ）
0006352263.tif 000021
式（９Ｄ）
【００３３】
ここで、Ｒ及びＣは、各々、ＬＰＦ及びＨＰＦの両方に用いられる抵抗及び容量である。さらに、ωは、ＬＰＦ及びＨＰＦが動作しているときの、角周波数である。発振器という具体的な場合において、ωは、発振周波数である。
【００３４】
図８Ａにおけるフェーザは、次の関係式で表される。
【数１２】
0006352263.tif 000022
式（１０Ａ）
0006352263.tif 000023
式（１０Ｂ）
0006352263.tif 000024
式（１０Ｃ）
0006352263.tif 000025
式（１０Ｄ）
0006352263.tif 000026
式（１０Ｅ）
0006352263.tif 000027
式（１０Ｆ）
【００３５】
最終的に、ＩＴとＶＴの間のタンクインピーダンス（ＺＴａｎｋ）における位相シフトφは、次で与えられる。
【数１３】
0006352263.tif 000028
式（１１）
【００３６】
従って、位相φＧＮＵＬＬは、図８Ａに示すデジタル制御ワードを介して、２つのプログラム可能なトランスコンダクタンスｇｍｌとｇｍｈの間の比を調整することにより、正確に、得ることができる。
【００３７】
Ｒ×Ｃの積、又は時定数ＲＣは、実質的に、温度に対して一定でなければならない。そうでなければ、温度ヌル位相での周波数安定性は、ＲＣ時定数の温度依存性に影響を受ける。温度に対する時定数ＲＣの安定化は、異なる技術を用いて行うことができる。第一の技術例は、Ｒ及びＣのそれぞれが実質的に温度に対して安定的であるような、Ｒ及びＣを得ることである。第二の技術例は、温度依存性がＣのそれと実質的に正反対となるＲを得て、結果として、実質的に安定的なＲＣ時定数の積を得ることである。
【００３８】
当業者により認識されるように、本願に記載された革新的な概念は、広い応用範囲にわたり修正及び変更することができる。従って、特許内容の範囲は、論じた特定の例示的な技術に限定すべきではなく、後記の特許請求の範囲によって特定されるべきである。
【図１】
0006352263.tif 000029
【図２】
0006352263.tif 000030
【図３】
0006352263.tif 000031
【図４】
0006352263.tif 000032
【図５】
0006352263.tif 000033
【図６】
0006352263.tif 000034
【図７】
0006352263.tif 000035
【図８】
0006352263.tif 000036