(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
液晶ポリマーから成形された基材フィルム上に、以下の化学式で表され且つスピネル型結晶構造を有する光活性金属酸化物結晶が樹脂中に分散した樹脂組成物からなる回路形成樹脂層が積層されたものであり、
ＡＢ2Ｏ4またはＢＡＢＯ4
［式中、Ａは、二価銅、または、二価銅と、カドミウム、亜鉛、コバルト、マグネシウム、スズ、チタン、鉄、アルミニウム、ニッケル、マンガンおよびクロムからなる群から選択される二価金属との組み合わせを示し；Ｂは、三価クロム、または、三価クロムと、カドミウム、マンガン、ニッケル、亜鉛、銅、コバルト、マグネシウム、スズ、チタン、鉄およびアルミニウムからなる群から選択される三価金属との組み合わせを示す］
上記回路形成樹脂層に対する上記光活性金属酸化物結晶の割合が５質量％以上、２０質量％以下であり、且つ、
全体の比誘電率が３．４以下で且つ誘電正接が０．００５以下であることを特徴とする電子回路基板用積層体。
【請求項２】
上記基材フィルムが、液晶ポリマーの異方性を緩和するための無機物を含む請求項１に記載の電子回路基板用積層体。
【請求項３】
上記樹脂組成物が、上記光活性金属酸化物結晶の光活性を向上させるための無機物がさらに上記樹脂中に分散したものである請求項１または２に記載の電子回路基板用積層体。
【請求項４】
上記基材フィルムの比誘電率が３．４以下で且つ誘電正接が０．００３以下である請求項１〜３のいずれかに記載の電子回路基板用積層体。
【請求項５】
上記回路形成樹脂層の比誘電率が３．４以下で且つ誘電正接が０．００５以下である請求項１〜４のいずれかに記載の電子回路基板用積層体。
【請求項６】
上記回路形成樹脂層を構成する上記樹脂の比誘電率が２．７以下で且つ誘電正接が０．００５以下である請求項１〜５のいずれかに記載の電子回路基板用積層体。
【請求項７】
上記回路形成樹脂層を構成する樹脂が、ビスマレイミドトリアジン樹脂、熱硬化変性ポリフェニレンエーテル樹脂、溶媒可溶性液晶ポリマーまたは溶媒可溶性フッ素樹脂である請求項１〜６のいずれかに記載の電子回路基板用積層体。
【請求項８】
上記回路形成樹脂層の厚さが１μｍ以上、３０μｍ以下である請求項１〜７のいずれかに記載の電子回路基板用積層体。
【請求項９】
上記回路形成樹脂層の厚さが上記基材フィルムの厚さよりも薄い請求項１〜８のいずれかに記載の電子回路基板用積層体。
【請求項１０】
上記基材フィルムの平面方向の線膨張係数が３ｐｐｍ／℃以上、３０ｐｐｍ／℃以下であり、且つ、平面方向の一方向での線膨張係数と当該方向に直交する方向の線膨張係数との比が０．４以上、２．５以下である請求項１〜９のいずれかに記載の電子回路基板用積層体。
【請求項１１】
上記基材フィルムの片面に上記回路形成樹脂層が積層されたものである請求項１〜１０のいずれかに記載の電子回路基板用積層体。
【請求項１２】
上記基材フィルムの両面に上記回路形成樹脂層が積層されたものである請求項１〜１０のいずれかに記載の電子回路基板用積層体。
【請求項１３】
請求項１〜１２のいずれかに記載の電子回路基板用積層体の上記回路形成樹脂層に電子回路が形成されているものであることを特徴とする電子回路基板。
【請求項１４】
請求項１３に記載の電子回路基板が２以上積層されているものであることを特徴とする多層電子回路基板。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、レーザー照射部分に選択的に金属をめっきする方法により微細な電子回路を形成可能なものであり、且つ誘電特性に極めて優れた電子回路基板用積層体、当該電子回路基板用積層体に電子回路を形成したものである電子回路基板、および当該電子回路基板を積層した多層電子回路基板に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来、電子回路基板を作製するには、一般的に、材料基板に銅箔などの金属箔を熱融着したり接着剤を用いて貼り付けたり、また、スパッタや蒸着、無電解めっき法などで材料基板上に金属層を形成した後に、回路パターン以外の部分を化学エッチングにより除去して電子回路を形成していた。
【０００３】
しかし、上記の方法にはコスト面での問題があった。また、材料基板に電子回路を形成した後に曲げ加工や絞り加工して立体基板とする場合には、金属層が切断されてしまうことがあった。
【０００４】
そこで、ＬＤＳ法（Ｌａｓｅｒ  Ｄｉｒｅｃｔ  Ｓｔｒｕｃｔｕｒｉｎｇ法）など、基板中にレーザー照射で活性化される光活性金属酸化物結晶を分散させ、当該基板の回路形成部分にレーザーを照射することにより選択的にめっき性を付与した後、レーザー照射部分に金属をめっきする方法が開発されている（特許文献１〜５）。
【０００５】
また、特許文献６には、触媒顆粒を含み且つ犠牲層を含む複合材料誘電層を基板上に積層し、触媒顆粒を選択的に活性化して導線層を形成した後に犠牲層を除去することにより回路基板を作製する方法が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特表２０００−５０３８１７号公報
【特許文献２】特表２０００−５０２４０７号公報
【特許文献３】特表２００４−５３４４０８号公報
【特許文献４】特開２００６−３４８２９８号公報
【特許文献５】特表２００９−５２２７８６号公報
【特許文献６】特開２０１０−２５１６８５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
上述したように、レーザーを用いて高精細パターンを低コストで形成できるＬＤＳ法などが開発されている。
【０００８】
しかし従来のＬＤＳ法などでは、電子回路を形成すべき基板に光活性金属酸化物結晶を分散させる必要があるため、電子回路基板全体の誘電特性が低下してしまい、高周波回路に適するものが製造できないという問題がある。
【０００９】
そこで本発明は、ＬＤＳ法などにより微細な電子回路を形成可能なものであり、且つ誘電特性に極めて優れた電子回路基板用積層体と、当該電子回路基板用積層体に電子回路を形成したものである電子回路基板を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明者らは、上記課題を解決するために鋭意研究を重ねた。その結果、液晶ポリマーから成形された基材フィルム上に、所定割合の光活性金属酸化物結晶が樹脂中に分散した回路形成樹脂層を積層すれば、当該回路形成樹脂層にＬＤＳ法などにより電子回路を形成できるのみならず、誘電特性に優れた電子回路基板用積層体が得られることを見出して、本発明を完成した。
【００１１】
以下、本発明を示す。
【００１２】
［１］  液晶ポリマーから成形された基材フィルム上に、光活性金属酸化物結晶が樹脂中に分散した樹脂組成物からなる回路形成樹脂層が積層されたものであり、
上記回路形成樹脂層に対する上記光活性金属酸化物結晶の割合が５質量％以上、２０質量％以下であり、且つ、
全体の比誘電率が３．４以下で且つ誘電正接が０．００５以下であることを特徴とする電子回路基板用積層体。
【００１３】
［２］  上記基材フィルムが、液晶ポリマーの異方性を緩和するための無機物を含む上記［１］に記載の電子回路基板用積層体。かかる無機物により、液晶ポリマーを溶融加工する際に生じる分子配向の異方性という液晶ポリマーフィルムの欠点を克服することができる。
【００１４】
［３］  上記樹脂組成物が、上記光活性金属酸化物結晶の光活性を向上させるための無機物がさらに上記樹脂中に分散したものである上記［１］または［２］に記載の電子回路基板用積層体。かかる無機物の添加により、光活性金属酸化物結晶の量を低減しつつ、微細な電子回路の正確な形成がより一層簡便なものになる。
【００１５】
［４］  上記基材フィルムの比誘電率が３．４以下で且つ誘電正接が０．００３以下である上記［１］〜［３］のいずれかに記載の電子回路基板用積層体。かかる基材フィルムを用いれば、電子回路基板用積層体全体の誘電特性も優れたものとなる。
【００１６】
［５］  上記回路形成樹脂層の比誘電率が３．４以下で且つ誘電正接が０．００５以下である上記［１］〜［４］のいずれかに記載の電子回路基板用積層体。かかる回路形成樹脂層を用いれば、電子回路基板用積層体全体の誘電特性も優れたものとなる。
【００１７】
［６］  上記回路形成樹脂層を構成する上記樹脂の比誘電率が２．７以下で且つ誘電正接が０．００５以下である上記［１］〜［５］のいずれかに記載の電子回路基板用積層体。かかる樹脂を用いれば、電子回路基板用積層体全体の誘電特性も優れたものとなる。
【００１８】
［７］  上記回路形成樹脂層を構成する樹脂が、ビスマレイミドトリアジン樹脂、熱硬化変性ポリフェニレンエーテル樹脂、溶媒可溶性液晶ポリマーまたは溶媒可溶性フッ素樹脂である上記［１］〜［６］のいずれかに記載の電子回路基板用積層体。これら樹脂は、適切な溶媒に対して可溶性を示すことから、光活性金属酸化物結晶などを均一分散させることができ、また、ワニス化して液晶ポリマー基材フィルム上で容易にフィルム化できる。
【００１９】
［８］  上記回路形成樹脂層の厚さが１μｍ以上、３０μｍ以下である上記［１］〜［７］のいずれかに記載の電子回路基板用積層体。上記回路形成樹脂層の厚さが１μｍ以上であれば、ＬＤＳ法などによる電子回路の形成が可能であるといえる。また、３０μｍ以下であれば、全体の誘電特性も確保できる。
【００２０】
［９］  上記回路形成樹脂層の厚さが上記基材フィルムの厚さよりも薄い上記［１］〜［８］のいずれかに記載の電子回路基板用積層体。かかる態様により、ＬＤＳ法などによる電子回路の形成が可能であり、且つ、十分な誘電特性と強度を示す電子回路基板用積層体がより確実に得られる。
【００２１】
［１０］  上記基材フィルムの平面方向の線膨張係数が３ｐｐｍ／℃以上、３０ｐｐｍ／℃以下であり、且つ、平面方向の一方向での線膨張係数と当該方向に直交する方向の線膨張係数との比が０．４以上、２．５以下である上記［１］〜［９］のいずれかに記載の電子回路基板用積層体。
【００２２】
［１１］  上記基材フィルムの片面に上記回路形成樹脂層が積層されたものである上記［１］〜［１０］のいずれかに記載の電子回路基板用積層体。
【００２３】
［１２］  上記基材フィルムの両面に上記回路形成樹脂層が積層されたものである上記［１］〜［１０］のいずれかに記載の電子回路基板用積層体。
【００２４】
［１３］  上記［１］〜［１２］のいずれかに記載の電子回路基板用積層体の上記回路形成樹脂層に電子回路が形成されているものであることを特徴とする電子回路基板。
【００２５】
［１４］  上記［１３］に記載の電子回路基板が２以上積層されているものであることを特徴とする多層電子回路基板。
【発明の効果】
【００２６】
本発明に係る電子回路基板用積層体の回路形成樹脂層には、ＬＤＳ法などにより電子回路を形成可能であるため、電子回路形成のために銅箔などを積層する必要がない。また、当該回路形成樹脂層において、かかる電子回路形成に寄与するものではあるが誘電特性を貶める原因となる光活性金属酸化物結晶の割合を所定範囲に調整していることから、積層体全体の誘電特性は優れたものとなる。よって、本発明に係る電子回路基板用積層体から製造される電子回路基板は、１ＧＨｚ以上といった高周波でも伝送損失が抑制されており、高周波製品に用いるアンテナ基板や伝送路基板として非常に有用であり、また、当該積層体を複数枚重ね合わせて熱プレスで液晶ポリマーを熱融着させ一体化させることができるので、一括多層工法による多層電子回路基板の材料としても好適なものである。
【発明を実施するための形態】
【００２７】
本発明に係る電子回路基板用積層体は、液晶ポリマーから成形された基材フィルム上に、光活性金属酸化物結晶が樹脂中に分散した樹脂組成物からなる回路形成樹脂層が積層された構成を有する。
【００２８】
液晶ポリマーには、溶融状態で液晶性を示すサーモトロピック液晶ポリマーと、溶液状態で液晶性を示すレオトロピック液晶ポリマーとがある。本発明では何れの液晶ポリマーも用い得るが、耐熱性や難燃性がより優れることから、サーモトロピック液晶ポリマーを好適に用いる。
【００２９】
サーモトロピック液晶ポリマーのうちサーモトロピック液晶ポリエステル（以下、単に「液晶ポリエステル」という）とは、例えば、芳香族ヒドロキシカルボン酸を必須のモノマーとし、芳香族ジカルボン酸や芳香族ジオールなどのモノマーと反応させることにより得られる芳香族ポリエステルであって、溶融時に液晶性を示すものである。その代表的なものとしては、パラヒドロキシ安息香酸（ＰＨＢ）と、フタル酸と、４，４’−ビフェノールから合成されるＩ型［下式（１）］、ＰＨＢと２，６−ヒドロキシナフトエ酸から合成されるＩＩ型［下式（２）］、ＰＨＢと、テレフタル酸と、エチレングリコールから合成されるＩＩＩ型［下式（３）］が挙げられる。
【００３０】
【化１】
0006405817.tif 000002
【００３１】
本発明においては、耐熱性や耐加水分解性により優れることから、上記のうちＩ型液晶ポリエステルとＩＩ型液晶ポリエステルが好ましい。
【００３２】
上記式（１）において、フタル酸としてはイソフタル酸が好ましい。
【００３３】
本発明における基材フィルムの厚さは適宜調整すればよいが、１０μｍ以上、１０００μｍ以下が好ましい。本発明では基材フィルムにより全体的な強度を担保するため、当該厚さは１０μｍ以上が好ましい。また、当該厚さが１０μｍ以上であれば、多層板にした場合などにおける層間絶縁性も確保することができる。一方、厚さの上限は特に制限されないが、厚過ぎると電子回路基板全体が重くなってしまったり、絞り加工などし難くなるおそれがあり得るので、１０００μｍ以下が好ましい。当該厚さとしては２０μｍ以上がより好ましく、５０μｍ以上がさらに好ましく、また、５００μｍ以下がより好ましく、３００μｍ以下がさらに好ましい。
【００３４】
液晶ポリマーフィルムの誘電特性は一般的に優れているといえる。しかし本発明では、電子回路基板用積層体または電子回路基板の全体での誘電特性の改善を課題の一つとしているため、特に誘電特性に優れた液晶ポリマーフィルムを基材として用いることが好ましい。具体的には、液晶ポリマー基材フィルムの比誘電率としては３．４以下が好ましく、誘電正接としては０．００３以下が好ましい。
【００３５】
本発明に係る基材フィルムのマトリックス樹脂は、誘電特性のため実質的に液晶ポリマーのみとするが、液晶ポリマーは剪断応力をかけると強い異方性を示すので、必要に応じて、液晶ポリマーを溶融加工する際に生じる分子配向の異方性を緩和するための無機物を添加してもよい。かかる配向緩和用の無機物を導入することにより、例えば押し出された後の液晶ポリマー表面が平滑になり、また均配向性が得られやすくなる。
【００３６】
液晶ポリマーの分子配向の異方性を緩和するための無機物としては、特に制限されるものではないが、例えば、酸化アルミ、酸化チタン、酸化珪素、窒化珪素などからなる無機物フィラーを挙げることができる。当該無機物フィラーの形状は特に制限されず、例えば、球状、板状、棒状、針状、不定形状などを挙げることができ、また、当該無機フィラーの大きさとしては５０ｎｍ以上、１０μｍ以下が好ましい。なお、当該無機フィラーの大きさは、その拡大写真における各無機フィラーの最長部を測定してもよいし、また、粒度分布測定から求めた体積平均粒子径や個数平均粒子径としてもよい。
【００３７】
上記の液晶ポリマーの異方性を緩和するための無機物は基材フィルムの誘電特性を貶めるので、液晶ポリマー基材フィルム全体（液晶ポリマー基材フィルムと当該無機物との合計）に対する無機物の割合は２０質量％以下とすることが好ましい。上記割合を２０質量％以下にすることにより、液晶ポリマー基材フィルムの比誘電率を３．４以下、誘電正接が０．００３以下に制御でき、積層体全体の誘電特性を優れたものにすることができる。
【００３８】
本発明で用いる液晶ポリマー基材フィルムの製造方法は特に制限されず、例えば、溶融押出法やインフレーション法などの従来方法で製造すればよい。なお、これら方法で製造された液晶ポリマーフィルムの異方性が高い場合には、二軸延伸などにより異方性を低減することが可能である。
【００３９】
本発明に係る液晶ポリマー基材フィルムの平面方向の線膨張係数としては３ｐｐｍ／℃以上、３０ｐｐｍ／℃以下が好ましく、また、平面方向の一方向での線膨張係数と、当該方向に直交する方向の線膨張係数との比が０．４以上、２．５以下であることが好ましい。線膨張係数や上記比が上記範囲を外れる場合は、平面方向で熱応力、機械的強度、誘電率が異なっていたり、また、めっきにより電子回路を形成した場合などにおいて反りが発生し得るなど、電子回路基板の材料として使い難くなるおそれがあり得る。なお、平面方向の線膨張係数を測定する方向は特に制限されないが、液晶ポリマーフィルムを溶融押出した後に押出方向（ＭＤ方向）と直交する方向（ＴＤ方向）に延伸して異方性を低減した場合には、通常、ＭＤ方向の線膨張係数が平面方向で最も小さくなる。しかし延伸倍率を高めた場合には、ＴＤ方向の線膨張係数が最小になり、ＭＤ方向が最大になることもあり得る。このように、液晶ポリマーフィルムの平面方向ではＭＤ方向またはＴＤ方向で線膨張係数が最大または最小となるので、線膨張係数はＭＤ方向とＴＤ方向で測定することが好ましい。また、線膨張係数や上記比は、延伸操作により調整可能である。
【００４０】
液晶ポリマー基材フィルムには回路形成樹脂層を積層するが、液晶ポリマーフィルムの反応性は一般的に低いといえる。よって、液晶ポリマー基材フィルムの少なくとも回路形成樹脂層を積層する側の表面は、回路形成樹脂層との密着性を確保するために、プラズマ処理、コロナ放電処理、ＵＶ照射処理、アルカリ液処理、サンドブラスト処理などで粗化したり、接着に寄与する官能基の数を増やしておくことが好ましい。
【００４１】
本発明において液晶ポリマー基材フィルム上に積層する回路形成樹脂層は、ＬＤＳ法などにより電子回路を形成するための層であって、光活性金属酸化物結晶が樹脂中に分散した樹脂組成物からなるものである。
【００４２】
光活性金属酸化物結晶は、レーザー照射により二価金属原子と酸素原子との間の結合が切断されて活性化し、当該二価金属原子にめっき金属が付着できるようになるものであり、例えば、以下の化学式で表され且つスピネル型結晶構造を有するものを挙げることができる。
ＡＢ2Ｏ4またはＢＡＢＯ4
［式中、Ａは、カドミウム、亜鉛、銅、コバルト、マグネシウム、スズ、チタン、鉄、アルミニウム、ニッケル、マンガンおよびクロムからなる群から選択される二価金属を示し；Ｂは、カドミウム、マンガン、ニッケル、亜鉛、銅、コバルト、マグネシウム、スズ、チタン、鉄、アルミニウムおよびクロムからなる群から選択される三価金属を示す］
【００４３】
光活性金属酸化物結晶の平均粒子径は適宜調整すればよいが、樹脂フィルム中への分散のし易さや調製のし易さなどの観点から、５０ｎｍ以上、１０μｍ以下が好ましい。
【００４４】
回路形成樹脂層のマトリックスを構成する樹脂としては、電子回路基板用フィルムまたは電子回路基板の全体での誘電特性の改善を課題の一つとしているため、誘電特性に優れたものを用いることが好ましい。具体的には、光活性金属酸化物結晶を含まない状態の樹脂の比誘電率として２．７以下が好ましく、誘電正接としては０．００５以下が好ましい。
【００４５】
また、回路形成樹脂層を構成する樹脂としては、優れた誘電特性のみならず、光活性金属酸化物結晶の均一分散のためや、ワニス化して液晶ポリマー基材フィルム上で容易にフィルム化できるようにするため、適切な溶媒に対して可溶性を示すものが好ましい。このような樹脂としては、かかる特性を有するものであれば特に制限されないが、例えば、ビスマレイミドトリアジン樹脂、熱硬化変性ポリフェニレンエーテル樹脂、溶媒可溶性液晶ポリマーまたは溶媒可溶性フッ素樹脂を挙げることができる。
【００４６】
ビスマレイミドトリアジン樹脂はビスマレイミドとトリアジンを共重合させた熱硬化性樹脂である。熱硬化変性ポリフェニレンエーテル樹脂は、熱可塑性ポリフェニレンエーテル樹脂とエポキシ樹脂とを配合してトルエンなどの溶媒に溶解し、触媒として２−エチル−４−メチルイミダゾールを加えて架橋させた樹脂である。溶媒可溶性液晶ポリマーは、全芳香族ポリエステルを溶媒可溶型に変性したもので、住友化学製の液晶ポリマーワニスなどがある。溶媒可溶性フッ素樹脂は、フッ素樹脂をアモルファス化してフッ素系溶媒に可溶化したもので、旭硝子製のサイトップなどがある。
【００４７】
回路形成樹脂層を構成する樹脂の吸水率としては０．１％以下が好ましい。吸水率の小さい樹脂を用いることで、吸湿に起因する誘電特性の変動や、配線間のショート現象（イオンマイグレーション）や、はんだ実装時の基板膨れ不良などを発生し難くすることができる。なお、かかる吸水率は、ＪＩＳ  Ｃ６４７１に記載されているとおり、樹脂試料を２３℃の水中に２４時間浸漬する前後の重量変化を測定することにより測定することができる。
【００４８】
回路形成樹脂層における光活性金属酸化物結晶の割合は、適宜調整すればよいが、５質量％以上、２０質量％以下とする。当該割合が５質量％以上であれば、ＬＤＳ法による電子回路の形成をより確実に行うことが可能になる。一方、光活性金属酸化物結晶の誘電特性は悪く、電子回路基板用積層体や電子回路基板の全体の誘電特性を貶めるので、当該割合は２０質量％以下とする。当該割合としては、６質量％以上がより好ましく、７質量％以上がさらに好ましく、また、１５質量％以下がより好ましく、１０質量％以下がさらに好ましい。
【００４９】
本発明に係る回路形成樹脂層には、さらに、光活性金属酸化物結晶の光活性を向上させるための無機物を分散させることにより、レーザー照射による回路形成樹脂層の加工性を向上させてもよい。かかる無機物としては、特に制限されないが、例えば、酸化珪素、窒化珪素、酸化アルミニウム、酸化チタンなどからなる無機物フィラーを挙げることができる。当該無機物フィラーの形状は特に制限されず、例えば、球状、板状、棒状、針状、不定形状などを挙げることができ、また、当該無機フィラーの大きさとしては５０ｎｍ以上、１０μｍ以下が好ましい。なお、当該無機フィラーの大きさは、その拡大写真における各無機フィラーの最長部を測定してもよいし、また、粒度分布測定から求めた体積平均粒子径や個数平均粒子径としてもよい。
【００５０】
上記の光活性金属酸化物結晶の光活性を向上させるための無機物の回路形成樹脂層に対する割合としては、２０質量％以下が好ましい。上記無機物は誘電特性を貶めるので、上記割合を２０質量％以下にすることにより、回路形成樹脂層の比誘電率を３．４以下、誘電正接が０．００５以下に制御することができ、本発明に係る積層体全体の誘電特性を優れたものにすることができる。
【００５１】
回路形成樹脂層の厚さも適宜調整すればよいが、回路形成樹脂層を構成する樹脂と光活性金属酸化物結晶の誘電特性は液晶ポリマー基材フィルムより劣るといえるので、ＬＤＳ法などによる電子回路の形成が可能な範囲でできるだけ薄くすることが好ましい。例えば、１μｍ以上、３０μｍ以下とすることができる。回路形成樹脂層の厚さが１μｍ以上であれば、ＬＤＳ法などによる電子回路の形成が可能であるといえる。また、３０μｍ以下であれば、全体の誘電特性も確保できるといえる。当該厚さとしては５μｍ以上がより好ましく、１０μｍ以上がさらに好ましい。
【００５２】
樹脂の種類、光活性金属酸化物結晶の種類、および回路形成樹脂層における光活性金属酸化物結晶の割合などは、回路形成樹脂層の誘電特性が優れたものになるように適宜選択することが好ましい。例えば、回路形成樹脂層の比誘電率が３．４以下、誘電正接が０．００５以下となるように上記を適宜選択することが好ましい。
【００５３】
回路形成樹脂層は、上記樹脂の粘稠溶液に光活性金属酸化物結晶が均一分散するようよく混合した後、液晶ポリマー基材フィルム上にキャスティングし、乾燥することにより液晶ポリマー基材フィルム上に積層することができる。回路形成樹脂層は、目的とする電子回路基板の形態などに応じて液晶ポリマー基材フィルムの片面のみに積層してもよいし、両面に積層してもよい。
【００５４】
液晶ポリマーの種類、回路形成樹脂層を構成する樹脂の種類、回路形成樹脂層における光活性金属酸化物結晶の割合、回路形成樹脂層の厚さなど、およびこれらの組み合わせは、電子回路基板用積層体全体の誘電特性が優れたものになるよう適宜選択することが好ましい。具体的には、電子回路基板用積層体全体の比誘電率として３．４以下が好ましく、誘電正接としては０．００５以下が好ましい。
【００５５】
本発明に係る電子回路基板用積層体の回路形成樹脂層には、ＬＤＳ法などにより電子回路を形成することが可能である。具体的には、回路形成樹脂層に形成すべき電子回路の回路パターンに沿ってレーザーを照射すると、回路形成樹脂層を構成する樹脂が削れて光活性金属酸化物結晶が露出すると共に、レーザーのエネルギーにより光活性金属酸化物結晶が活性化され、二価金属原子またはそのイオンが露出する。その二価金属原子または二価イオンとめっき金属との親和性により、レーザー照射部位に選択的に導電性金属をめっきすることが可能になる。
【００５６】
ＬＤＳ法などで用いるレーザーとしては、波長が数百ｎｍの通常のイットリウム・アルミニウム・ガーネット（ＹＡＧ）レーザーを用いることができる。但し、回路形成樹脂層をあまり掘削したくない場合には、波長１０６４ｎｍのレーザーを用いてもよい。
【００５７】
レーザー照射により活性化された部分をめっきする金属めっきの材料は、電気伝導性に優れ、比較的安価な金属材料である銅が好ましい。銅めっき回路パターンは、無電解銅めっき、電解銅めっきにより形成できる。めっき浴は一般に硫酸銅水溶液を用いる。
【００５８】
本発明に係る電子回路基板用積層体への回路形成は、片面または両面に施すことができる。片面に回路形成した電子回路基板用積層体は、一枚の基材において一つの面が電気伝導層、その反対面が電気絶縁層となっている。よって、当該積層体を複数枚、同方向に重ねた多層基板を作製する際に、電気伝導層と電気絶縁層を交互に設けることができるため、多層基板用の基材として好都合である。また、両面に回路形成した電子回路基板用積層体は、一枚の基材で２層の回路層を有していることから、一枚の基材のみで形成する両面回路形成基板や、多層基板の中央部に一層使用することで多層基材に使用する基材の枚数を減らすことができ、多層基板の薄型化に好都合である。
【００５９】
本発明に係る電子回路基板用積層体の回路形成樹脂層に電子回路を形成した電子回路基板は、その２以上を積層することにより多層電子回路基板としてもよい。例えば、本発明に係る電子回路基板の縦方向（Ｚ方向）に層間を結合するための貫通孔を開け、当該貫通孔に導電ペーストを重点した後、２以上の電子回路基板を一括積層プレスする一括多層工法により多層電子回路基板を製造することができる。
【００６０】
本発明に係る電子回路基板用積層体の基材フィルムのマトリックス樹脂は、熱可塑性樹脂の液晶ポリマーである。よって、特に液晶ポリマー基材フィルムの片面に電子回路が形成された積層体は、その複数枚を液晶ポリマー基材フィルムと電子回路層が交互になるように積層し、液晶ポリマーを熱融着することで一度の熱プレスで多層化することが可能である。かかる多層化方法は、一括多層工法と呼ばれる。
【００６１】
銅箔などの金属箔を積層した後にエッチングなどにより電子回路パターンを形成する従来基板は、電子回路パターン形成後の基板を曲げ加工や絞り加工する際に電子回路パターンも一緒に曲げられたり伸ばされたりするために電子回路が断線し易く、立体成型が難しいという欠点がある。それに対して本発明に係る電子回路基板の電子回路パターンは、電子回路パターンを形成すべき部分にレーザー照射し、続いて上記のとおり立体成形した後、または、上記のとおり立体成形してから電子回路パターンを形成すべき部分にレーザーを照射した後に、めっきによりレーザー照射部分に選択的に電子回路パターンを形成できる。この際、電子回路パターンは曲げられたり伸ばされたりしないために断線し難く、立体基板を作製し易いという利点がある。
【実施例】
【００６２】
以下、実施例を挙げて本発明をより具体的に説明するが、本発明はもとより下記実施例によって制限を受けるものではなく、前・後記の趣旨に適合し得る範囲で適当に変更を加えて実施することも勿論可能であり、それらはいずれも本発明の技術的範囲に包含される。
【００６３】
実施例１
２５μｍ厚の液晶ポリマーフィルム（プライマテック社製「ＢＩＡＣ  ＢＣフィルム  ２５μｍ」）の片面を、酸素プラズマにより表面処理した。具体的には、リアクティブイオンエッチング装置（サムコ社製「プラズマドライクリーナーＰＸ−１０００」）を用い、真空度１３．３Ｐａで酸素ガスのみを５分間導入し、液晶ポリマーフィルムの表面を粗化した。別途、熱硬化変性ＰＰＥ樹脂に対して１１．１質量％のＣｕＣｒ2Ｏ4結晶粉末（Ｓｈｅｐｈｅｒｄ社製「２０Ｃ９８０」）を混合し、上記液晶ポリマーフィルムの酸素プラズマ処理側面上に厚さ１０μｍコーティングし、２００℃で１時間加熱して完全硬化させることにより、回路形成樹脂層を設けた。当該回路形成樹脂層におけるＣｕＣｒ2Ｏ4結晶粉末の割合は１０．０質量％であった。当該回路形成樹脂層に、レーザー照射装置（パナソニック社製「ＬＰ−Ｓ」）を用いてＹＡＧレーザーを照射することにより、１ｍｍ幅で長さ５０ｍｍの線上において、ＣｕＣｒ2Ｏ4結晶粉末を活性化させてめっき性を発現させた後、当該積層体を硫酸銅溶液より成る銅めっき浴に浸漬して厚さ０．５μｍの無電解銅めっき層を形成した。続いて、電解銅めっきを行なって厚さ１２μｍの銅パターンを形成した。
【００６４】
形成された回路パターンを光学顕微鏡（キーエンス社製「デジタルマイクロスコープＶＨＸ−５００」）で観察したところ、パターン幅に乱れは無く、１ｍｍ幅の回路が正確に形成されていた。
【００６５】
また、形成された回路パターンの密着性を、引張試験機（東洋精機社製「ストログラフＥ５Ｄ」）を用いて評価した。具体的には、回路パターンの端部を剥離し、引張試験機のクランプに挟んで１８０°方向に剥離し、剥離強度を測定した。測定は５本の回路パターンにつき行い、平均値を算出した。その結果、剥離強度は０．７Ｎ／ｍｍであった。
【００６６】
さらに、得られた積層体の誘電特性を、ネットワークアナライザー（アジレントテクノロジ社製「Ｅ５０７１Ｃ」）を用い、測定周波数３ＧＨｚ、測定モードＴＥ011で、空洞共振器摂動法により評価した。その結果、比誘電率は３．３、誘電正接は０．００４と、上記積層体の誘電特性は極めて優れたものであることが証明された。
【００６７】
実施例２
２５μｍ厚の液晶ポリマーフィルム（プライマテック社製「ＢＩＡＣ  ＢＣフィルム  ２５μｍ」）の両面を上記実施例１と同様の条件で酸素プラズマにより表面処理した。別途、溶剤可溶性のアモルファスフッ素樹脂（旭硝子社製「サイトップ」）に対して１１．１質量％のＣｕＣｒ2Ｏ4結晶粉末（Ｓｈｅｐｈｅｒｄ社製「２０Ｃ９８０」）を混合し、上記液晶ポリマーフィルムの酸素プラズマ処理側面上に厚さ１０μｍコーティングし、２００℃で１時間加熱して完全硬化させることにより、上記液晶ポリマーフィルムの両面に回路形成樹脂層を設けた。なお、当該回路形成樹脂層におけるＣｕＣｒ2Ｏ4結晶粉末の割合は１０．０質量％であった。当該回路形成樹脂層に、レーザー照射装置（パナソニック社製「ＬＰ−Ｓ」）を用いてＹＡＧレーザーを照射することにより、１ｍｍ幅で長さ５０ｍｍの線上において、ＣｕＣｒ2Ｏ4結晶粉末を活性化させてめっき性を発現させた後、当該積層体を硫酸銅溶液より成る銅めっき浴に浸漬して厚さ０．５μｍの無電解銅めっき層を形成した。続いて、電解銅めっきを行なって厚さ１２μｍの銅パターンを形成した。
【００６８】
形成された回路パターンの密着性を上記実施例１と同様に評価したところ、剥離強度は０．６Ｎ／ｍｍであった。
【００６９】
また、得られた積層体の誘電特性を上記実施例１と同様に評価したところ、比誘電率は２．８、誘電正接は０．００３と、上記積層体の誘電特性は極めて優れたものであることが証明された。
【００７０】
比較例１
上記実施例１において、熱硬化変性ＰＰＥ樹脂に対するＣｕＣｒ2Ｏ4結晶粉末の割合を３．１質量％、即ち、回路形成樹脂層に対するＣｕＣｒ2Ｏ4結晶粉末の割合を３．０質量％にした以外は同様にして回路形成樹脂層を設け、電子回路基板用積層体を作製した。
【００７１】
しかし、この電子回路基板用積層体の回路形成樹脂層にＹＡＧレーザーを照射した後に硫酸銅溶液より成る銅めっき浴に浸漬したが、無電解銅めっきは析出しなかった。このように光活性金属酸化物結晶の割合が小さ過ぎる場合には、レーザー照射選択めっき性の電子回路基板用積層体が得られないことが分かった。
【００７２】
比較例２
上記実施例１において、熱硬化変性ＰＰＥ樹脂に対するＣｕＣｒ2Ｏ4結晶粉末の割合を４２．８質量％、即ち、回路形成樹脂層に対するＣｕＣｒ2Ｏ4結晶粉末の割合を３０．０質量％にした以外は同様にして回路形成樹脂層を設け、電子回路基板用積層体を作製した。
【００７３】
この電子回路基板用積層体の回路形成樹脂層にＹＡＧレーザー照射して照射部分のＣｕＣｒ2Ｏ4結晶粉末のみを活性化させ、この積層体を硫酸銅より成る銅めっき浴に浸漬して厚さ１μｍの無電解銅めっきを所定箇所に形成した。続いて、電解銅めっきを行なって厚さ１２μｍの銅パターンにした。
【００７４】
この銅パターンの密着性を上記実施例１と同様の条件で評価したところ、０．７Ｎ／ｍｍと十分な剥離強度を有していることが分かった。
【００７５】
しかし、この積層体の誘電特性を上記実施例１と同様の条件で評価した結果、比誘電率は３．５、誘電正接は０．００８と、誘電特性は十分なものではなかった。
【００７６】
以上の結果のとおり、光活性金属酸化物結晶を過剰に多く含んだ樹脂を用いて回路形成樹脂層を形成した場合は、積層体全体の誘電特性に優れたレーザー照射選択めっき性付与電子回路基板用積層体が得られないことが分かった。
【００７７】
比較例３
熱硬化変性ＰＰＥ樹脂の代わりにエポキシ樹脂を用いた以外は上記実施例１と同様にして電子回路基板用積層体を作製した。
【００７８】
得られた電子回路基板用積層体の銅パターンの密着性を上記実施例１と同様の条件で評価したところ、０．８Ｎ／ｍｍと十分な剥離強度を有していることが分かった。
【００７９】
しかし、この積層体の誘電特性を上記実施例１と同様の条件で評価した結果、比誘電率は３．７、誘電正接は０．０１８と、誘電特性は十分なものではなかった。
【００８０】
以上の結果のとおり、光活性金属酸化物結晶を混合する樹脂として誘電特性が悪い樹脂を用いて回路形成樹脂層を形成した場合は、積層体全体の誘電特性に優れたレーザー照射選択めっき性付与電子回路基板用積層体が得られないことが分かった。
【００８１】
比較例４
２５μｍ厚の液晶ポリマーフィルムの代わりに２５μｍ厚のポリイミドフィルム（東レデュポン社製「カプトン１００Ｈ」）を用いた以外は上記実施例１と同様にして電子回路基板用積層体を作製した。
【００８２】
得られた電子回路基板用積層体の銅パターンの密着性を上記実施例１と同様の条件で評価したところ、０．８Ｎ／ｍｍと十分な剥離強度を有していることが分かった。
【００８３】
しかし、この積層体の誘電特性を上記実施例１と同様の条件で評価した結果、比誘電率は３．４、誘電正接は０．０１１と、誘電特性は十分なものではなかった。
【００８４】
以上の結果のとおり、基材フィルムとして誘電特性が悪い樹脂フィルムを用いた場合は、積層体全体の誘電特性に優れたレーザー照射選択めっき性付与電子回路基板用積層体が得られないことが分かった。