(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
エピタキシャル膜を成長させる反応室と、前記反応室を密閉開放可能な連通部を介して前記反応室にシリコンウェーハを搬送可能に設けられたウェーハ移載室と、前記反応室に接続された排気管を介して前記反応室を排気する排気装置とを備えた気相成長装置を用いて、前記シリコンウェーハにエピタキシャル膜を形成するエピタキシャルシリコンウェーハの製造方法において、
前記ウェーハ移載室の圧力が前記反応室の圧力より高く、かつ、前記排気装置が前記反応室を排気している状態で前記連通部を開き、前記ウェーハ移載室内のシリコンウェーハを前記反応室に搬送した後、前記連通部を閉じてから前記反応室の圧力を、前記連通部を閉じた時点の圧力よりも一旦上昇させた後に下降させることで、前記排気管内の付着物を前記排気装置側に送った後、前記エピタキシャル膜の形成を開始することを特徴とするエピタキシャルシリコンウェーハの製造方法。
【請求項２】
前記排気管内に設けた排気調整部により前記反応室の圧力を上昇させることを特徴とする請求項１に記載のエピタキシャルシリコンウェーハの製造方法。
【請求項３】
前記連通部を閉じてから、前記排気装置の駆動状態を変更することなく、前記排気調整部が前記反応室の排気を調整することで、前記反応室の圧力を上昇させた後、前記反応室の圧力と前記排気調整部よりも前記排気装置側の圧力との差、および、前記排気装置を利用した前記反応室の排気に伴い、前記排気管内の付着物を前記排気装置側に送ることを特徴とする請求項２に記載のエピタキシャルシリコンウェーハの製造方法。
【請求項４】
前記排気調整部は、
前記反応室側の第１開口が前記排気装置側の第２開口よりも大きい錐台筒状に形成された第１調整部と、
前記第１調整部より前記排気装置側に設けられ、前記反応室側の第３開口が前記排気装置側の第４開口よりも大きい錐台筒状に形成された第２調整部とを備え、
前記排気管の内径、前記第１開口の径、および、前記第３開口の径をＡ、前記第２開口の径をＢ、前記第４開口の径をＣとして、
Ｂ／ＡおよびＣ／Ａが、０．３３以下であり、
Ｂ／ＡおよびＣ／Ａの少なくとも一方が、０．２６以下であり、
（Ｂ＋Ｃ）／Ａが、０．５９以下に構成されていることを特徴とする請求項３に記載のエピタキシャルシリコンウェーハの製造方法。
【請求項５】
エピタキシャル膜を成長させる反応室と、
前記反応室を密閉開放可能な連通部を介して前記反応室にシリコンウェーハを搬送可能に設けられたウェーハ移載室と、
前記ウェーハ移載室内の前記シリコンウェーハを前記反応室に搬送する搬送部と、
前記反応室に接続され、排気装置の駆動により前記反応室を排気可能に構成された排気管とを備え、シリコンウェーハにエピタキシャル膜を形成する気相成長装置であって、
前記排気管内に設けられ、前記反応室の排気を調整する排気調整部を備え、
前記排気調整部は、
前記反応室側の第１開口が前記排気装置側の第２開口よりも大きい錐台筒状に形成された第１調整部と、
前記第１調整部より前記排気装置側に設けられ、前記反応室側の第３開口が前記排気装置側の第４開口よりも大きい錐台筒状に形成された第２調整部とを備え、
前記第１調整部および前記第２調整部は、前記排気管の内径、前記第１開口の径、および、前記第３開口の径をＡ、前記第２開口の径をＢ、前記第４開口の径をＣとして、
Ｂ／ＡおよびＣ／Ａが０．３３以下、
Ｂ／ＡおよびＣ／Ａの少なくとも一方が０．２６以下、
（Ｂ＋Ｃ）／Ａが０．５９以下の条件を満たすように形成されていることを特徴とする気相成長装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、エピタキシャルシリコンウェーハの製造方法、および、気相成長装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、エピタキシャルシリコンウェーハを製造する気相成長装置が知られている（例えば、特許文献１参照）。
特許文献１に記載の装置では、窒素ガス雰囲気としたウェーハ移載室の圧力を、水素ガス雰囲気とした反応室の圧力よりも高めた状態で、仕切り可動機構を開放してウェーハ移載室の窒素ガスを反応室に流入させる。そして、ウェーハ移載室のシリコンウェーハを反応室に載置した後、仕切り可動機構を閉止して反応室への窒素ガスの供給を停止し、シリコンウェーハにシリコンエピタキシャル膜を形成する。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２０１３−２３２４５５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
ところで、特許文献１に記載のような装置には、排気管を介して反応室を排気する排気装置が設けられている。排気管内には、エピタキシャル膜の原料である付着物としてのシリコンの生成物が存在することがある。
排気管内に生成物が存在する状態で、ウェーハ移載室のシリコンウェーハを反応室に載置するために、ウェーハ移載室の圧力を反応室の圧力よりも高めた状態で仕切り可動機構を開放すると、ウェーハ移載室の窒素ガスが反応室に流入するため、ウェーハ移載室の圧力が反応室の圧力より低くなることがある。ウェーハ移載室の圧力が反応室の圧力より低くなると、排気装置で反応室を排気していても、ウェーハ移載室の圧力を高めようとするガスの流れが排気管内で発生し、排気管内の生成物が反応室に流入するおそれがある。
反応室に流入した生成物は、シリコンウェーハに付着し、ＬＰＤ（Light Point Defect：ライト・ポイント・デフェクト）の発生原因となるおそれがある。
【０００５】
本発明の目的は、ＬＰＤ密度が小さい高品質のエピタキシャルシリコンウェーハを得ることが可能なエピタキシャルシリコンウェーハの製造方法、および、気相成長装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明者は、鋭意研究を重ねた結果、ウェーハ移載室のシリコンウェーハを反応室に載置後の反応室の圧力変化に着目し、本発明を完成するに至ったものである。
【０００７】
すなわち、本発明のエピタキシャルシリコンウェーハの製造方法は、エピタキシャル膜を成長させる反応室と、前記反応室を密閉開放可能な連通部を介して前記反応室にシリコンウェーハを搬送可能に設けられたウェーハ移載室と、前記反応室に接続された排気管を介して前記反応室を排気する排気装置とを備えた気相成長装置を用いて、前記シリコンウェーハにエピタキシャル膜を形成するエピタキシャルシリコンウェーハの製造方法において、前記ウェーハ移載室の圧力が前記反応室の圧力より高く、かつ、前記排気装置が前記反応室を排気している状態で前記連通部を開き、前記ウェーハ移載室内のシリコンウェーハを前記反応室に搬送した後、前記連通部を閉じてから前記反応室の圧力を、前記連通部を閉じた時点の圧力よりも一旦上昇させた後に下降させることで、前記排気管内の付着物を前記排気装置側に送った後、前記エピタキシャル膜の形成を開始することを特徴とする。
【０００８】
本発明のエピタキシャルシリコンウェーハの製造方法では、前記排気管内に設けた排気調整部により前記反応室の圧力を上昇させることが望ましい。
【０００９】
本発明のエピタキシャルシリコンウェーハの製造方法では、前記連通部を閉じてから、前記排気装置の駆動状態を変更することなく、前記排気調整部が前記反応室の排気を調整することで、前記反応室の圧力を上昇させた後、前記反応室の圧力と前記排気調整部よりも前記排気装置側の圧力との差、および、前記排気装置を利用した前記反応室の排気に伴い、前記排気管内の付着物を前記排気装置側に送ることが望ましい。
【００１０】
本発明のエピタキシャルシリコンウェーハの製造方法では、前記排気調整部は、前記反応室側の第１開口が前記排気装置側の第２開口よりも大きい錐台筒状に形成された第１調整部と、前記第１調整部より前記排気装置側に設けられ、前記反応室側の第３開口が前記排気装置側の第４開口よりも大きい錐台筒状に形成された第２調整部とを備え、前記排気管の内径、前記第１開口の径、および、前記第３開口の径をＡ、前記第２開口の径をＢ、前記第４開口の径をＣとして、Ｂ／ＡおよびＣ／Ａが、０．３３以下であり、Ｂ／ＡおよびＣ／Ａの少なくとも一方が、０．２６以下であり、（Ｂ＋Ｃ）／Ａが、０．５９以下に構成されていることが望ましい。
なお、本発明における「排気管の内径」とは、排気管が円筒状の場合には、開口の直径を意味し、角筒状の場合には、開口の最大径と最小径との平均値を意味する。同様に「第１〜第４開口の径」とは、例えば第１，第２調整部が円錐台筒状であり、開口が円形の場合には、開口の直径を意味し、例えば角錐台筒状であり、開口が多角形の場合には、開口の最大径と最小径との平均値を意味する。
【００１１】
本発明の気相成長装置は、エピタキシャル膜を成長させる反応室と、前記反応室を密閉開放可能な連通部を介して前記反応室にシリコンウェーハを搬送可能に設けられたウェーハ移載室と、前記ウェーハ移載室内の前記シリコンウェーハを前記反応室に搬送する搬送部と、前記反応室に接続され、排気装置の駆動により前記反応室を排気可能に構成された排気管とを備え、シリコンウェーハにエピタキシャル膜を形成する気相成長装置であって、前記排気管内に設けられ、前記反応室の排気を調整する排気調整部を備え、前記排気調整部は、前記反応室側の第１開口が前記排気装置側の第２開口よりも大きい錐台筒状に形成された第１調整部と、前記第１調整部より前記排気装置側に設けられ、前記反応室側の第３開口が前記排気装置側の第４開口よりも大きい錐台筒状に形成された第２調整部とを備え、前記第１調整部および前記第２調整部は、前記排気管の内径、前記第１開口の径、および、前記第３開口の径をＡ、前記第２開口の径をＢ、前記第４開口の径をＣとして、Ｂ／ＡおよびＣ／Ａが０．３３以下、Ｂ／ＡおよびＣ／Ａの少なくとも一方が０．２６以下、（Ｂ＋Ｃ）／Ａが０．５９以下の条件を満たすように形成されていることを特徴とする。
【００１２】
本発明によれば、ＬＰＤ密度が小さい高品質のエピタキシャルシリコンウェーハを得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
【図１】本発明の一実施形態に係る気相成長装置を示す模式図。
【図２】前記一実施形態に係る気相成長装置の一部を示す模式図。
【図３】本発明の実施例に係るバッフル形状を変化させたときの実験結果を示す図。
【図４】前記実施例の合格実験例における反応室の圧力変化を示すグラフ。
【図５】前記実施例の不合格実験例における反応室の圧力変化を示すグラフ。
【図６】前記実施例の不合格実験例における反応室の圧力変化を示すグラフ。
【発明を実施するための形態】
【００１４】
本発明の一実施形態を、図面を参照して説明する。
図１に示すように、気相成長装置１は、エピタキシャル膜を成長させる反応室２と、連通部３を介して反応室２にシリコンウェーハＷを搬送可能に設けられたウェーハ移載室４と、連通部３を密閉開放する開閉部５と、ウェーハ移載室４内のシリコンウェーハＷを反応室２に搬送する搬送部６と、反応室２に接続され、排気装置７の駆動により反応室２を排気可能に構成された円筒状の排気管８とを備えている。
反応室２には、当該反応室２内に水素ガス（Ｈ２）を供給する水素ガス供給部２１が接続されている。連通部３には、ウェーハ移載室４内に窒素ガス（Ｎ２）を供給する窒素ガス供給部３１が接続されている。
【００１５】
シリコンウェーハＷにシリコンエピタキシャル膜を形成する場合、通常、反応室２内の水素ガスがウェーハ移載室４内に流入しないように、ウェーハ移載室４の圧力を反応室２の圧力よりも高めた状態で開閉部５が連通部３を開く。そして、搬送部６が、ウェーハ移載室４のシリコンウェーハＷを、反応室２内に配置したサセプタ２２上に載置する。
連通部３を開いた際、ウェーハ移載室４の窒素ガスは反応室２に流入するが、連通部３を閉じることにより反応室２への窒素ガスの供給が停止され、所定の水素ガス雰囲気下の圧力になった時点で、反応室２内を所定温度まで昇温させ、水素ガス雰囲気下でベーク処理を行う。その後、反応室２内に水素ガスをキャリアガスとしてトリクロロシラン（ＳｉＨＣｌ３）等の原料ガスを供給し、所定の温度、時間でエピタキシャル成長処理をする。エピタキシャル層が所定厚さに達した後、原料ガスの供給を停止し、キャリアガスのみの供給に切り替える。
エピタキシャル成長処理が終了した後、サセプタ２２上に載置されたエピタキシャルシリコンウェーハを装置外へ搬出することにより、エピタキシャルシリコンウェーハが得られる。
【００１６】
ウェーハ移載室４内のシリコンウェーハＷを反応室２内に搬入する際、連通部３が開いているときには、反応室２と排気管８のガスは、排気装置７の駆動による排気（以下、第１排気力という場合がある）に加えて、ウェーハ移載室４と反応室２との圧力差（以下、第２排気力という場合がある）によって、排気装置７側に送られる。そして、連通部３が閉じると、ウェーハ移載室４と反応室２とが遮断されるため第２排気力が発生せず、反応室２と排気管８のガスは、第１排気力のみによって排気装置７側に送られる。すなわち、反応室２の圧力は、連通部３が閉じた後、上昇することなく、直ちに下降するため、排気管８内に存在する生成物を排気装置７に向けて排出する効果が弱まり、反応室２内に生成物が流入する可能性が高まる。
【００１７】
一方、連通部３が閉じた後に、反応室２の圧力を連通部３を閉じた時点の圧力よりも一旦上昇させてから下降するように圧力を調整することにより、反応室２と当該反応室２より排気装置７側の位置との間に圧力差が生じ、この圧力差（以下、第３排気力という場合がある）と第１排気力とによって、連通部３が開いているときよりも強い流れで、反応室２と排気管８のガスが排気装置７側に送られる。この強い流れによって、排気管８内の生成物を、反応室２から離れた位置まで送ることが可能となる。
【００１８】
この連通部３が閉じた後の反応室２の圧力調整は、図２に示すように排気管８内に反応室２の排気を調整する排気調整部９を設けることにより達成することができる。具体的には、排気管８内に、第１調整部としての上流バッフル９１と第２調整部としての下流バッフル９２とを設けることにより圧力調整することができる。
このような構成では、排気管８は、例えば、第１配管８１と、第２配管８２と、第３配管８３とを備えている。
上流バッフル９１、下流バッフル９２、第１〜第３配管８１〜８３は、例えば、剛性および耐酸性を有するステンレスにより形成されている。第１配管８１および第３配管８３は、円筒状に形成されている。第２配管８２は、蛇腹状に形成され、伸縮可能に構成されている。なお、第２配管８２は、円筒状配管であってもよい。
【００１９】
上流バッフル９１は、反応室２側の第１開口９１Ａが排気装置７側の第２開口９１Ｂよりも大きい円錐台筒状に形成されている。上流バッフル９１の反応室２側の端部は、第１配管８１と第２配管８２とに挟持されている。第１開口９１Ａの径は、第１配管８１の内径および第２配管８２の内径と同じ大きさに設定されている。
下流バッフル９２は、上流バッフル９１より排気装置７側に設けられている。下流バッフル９２は、反応室２側の第３開口９２Ａが排気装置７側の第４開口９２Ｂよりも大きい円錐台筒状に形成されている。下流バッフル９２の反応室２側の端部は、第２配管８２と第３配管８３とに挟持されている。第３開口９２Ａの径は、第２配管８２の内径および第３配管８３の内径と同じ大きさに設定されている。
このような構成により、排気管８に、排気装置７側から流れてくる生成物をそれぞれ捕集する上流捕集部９３と、下流捕集部９４とが設けられる。上流捕集部９３は、上流バッフル９１の外周面と第２配管８２の内周面との間の領域で構成され、下流捕集部９４は、下流バッフル９２の外周面と第３配管８３の内周面との間の領域で構成されている。
【００２０】
特に、第１〜第３配管８１〜８３の内径Ａと、第２開口９１Ｂの内径Ｂと、第４開口９２Ｂの内径Ｃとが、以下の条件（１）〜（３）を全て満たすことが望ましい。
（１）Ｂ／ＡおよびＣ／Ａが０．３３以下
（２）Ｂ／ＡおよびＣ／Ａの少なくとも一方が０．２６以下
（３）（Ｂ＋Ｃ）／Ａが０．５９以下
【００２１】
なお、上流バッフル９１および下流バッフル９２の形状は、上記条件（１）〜（３）を全て満たせば特に限定されず、円錐台筒状であってもよいし角錐台筒状であってもよい。上流バッフル９１および下流バッフル９２の一方が円錐台筒状であり、他方が角錐台筒状であってもよい。また、上流バッフル９１の第１開口９１Ａが円形であり、第２開口９１Ｂが多角形であってもよいし、下流バッフル９２についても第３，第４開口９２Ａ，９２Ｂで形状が異なっていてもよい。
第２開口９１Ｂおよび第４開口９２Ｂの径は、生成物による詰まりを抑制するために、６ｍｍ以上であることが好ましい。上流バッフル９１の高さＤは、４５ｍｍ以上６９ｍｍ以下が好ましく、下流バッフル９２の高さＥは、２５ｍｍ以上３７ｍｍ以下が好ましい。
上流バッフル９１の下端から下流バッフル９２の上端までの距離Ｆは、４１ｍｍ以上６５ｍｍ以下が好ましい。
第１〜第３配管８１〜８３は、円筒状であってもよいし角筒状であってもよい。
【００２２】
上述したように、上記実施形態では、ウェーハ移載室４内のシリコンウェーハＷを反応室２に搬送し、連通部３を閉じてから、反応室２の圧力を一旦上昇させた後に下降させることで、排気管８内の生成物を排気装置７側に送る。
このため、連通部３を閉じてから反応室２の圧力が上昇せずに下降する構成と比べて、生成物を反応室２から離れた位置に送ることができ、生成物が反応室２内に流入することが抑制される。その結果、ＬＰＤ密度が小さい高品質のエピタキシャルシリコンウェーハを得ることができる。
特に、排気調整部９を上流バッフル９１および下流バッフル９２で構成しているため、これらを所定形状に形成するだけの簡単な方法で、ＬＰＤ密度が小さい高品質のエピタキシャルシリコンウェーハを得ることができる。
【００２３】
［他の実施形態］
なお、本発明は上記実施形態にのみ限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲内において種々の改良ならびに設計の変更などが可能である。
【００２４】
すなわち、上流バッフル９１および下流バッフル９２を第１〜第３配管８１〜８３で挟持する構成としたが、配管の中に収容して固定する構成としてもよいし、配管と一体的に形成してもよい。
排気調整部９としては、上流バッフル９１および下流バッフル９２の代わりに、これらが設けられた位置を開閉する弁等の開閉手段を設けてもよい。この場合、開閉手段が、連通部３が閉じるタイミングとほぼ同じタイミングで排気管８の流路を閉じることで、反応室２の圧力を一旦上昇させ、排気管８の流路を開くことで、連通部３が開いているときよりも強いガスの流れにより生成物を排気装置７側に送ってもよい。
連通部３を閉じてから反応室２の圧力を一旦上昇させた後に下降させる方法としては、排気調整部９を設けずに、排気装置７の駆動状態を変更する方法であってもよい。
【実施例】
【００２５】
以下、本発明の実施例について説明する。
まず、第１開口９１Ａの内径Ａ、第２開口９１Ｂの内径Ｂ、第３開口９２Ａの内径Ａ、第４開口９２Ｂの内径Ｃ、高さＤ、高さＥを、図３に示すように設定した上流バッフル９１、下流バッフル９２を準備した。排気管８を構成する第１〜第３配管８１〜８３の内径Ａは、第１開口９１Ａおよび第３開口９２Ａの内径Ａと同じ３１ｍｍにした。また、直径が３００ｍｍのシリコンウェーハＷを準備した。
そして、第２開口９１Ｂの内径Ｂが１２ｍｍかつ高さＤが４５ｍｍの上流バッフル９１と、第４開口９２Ｂの内径Ｃが１２ｍｍかつ高さＥが２５ｍｍの下流バッフル９２を、図１に示すような気相成長装置１の排気管８に配置し、以下の条件で複数のエピタキシャルシリコンウェーハを製造した（実験例１）。
まず、ウェーハ移載室４の圧力を反応室２の圧力よりも高めた状態で、連通部３を開いてウェーハ移載室４の窒素ガスを反応室２に流入させる。その後、ウェーハ移載室４のシリコンウェーハＷを反応室２に載置した後、連通部３を閉じて反応室２への窒素ガスの供給を停止し、シリコンウェーハＷにシリコンエピタキシャル膜を形成した。なお、排気装置７の駆動状態（排気状態）は、連通部３を開く前から、エピタキシャル膜の形成が終了するまでの間、変更していない。また、反応室２およびウェーハ移載室４のそれぞれの圧力、排気装置７の排気状態等は、以下の表１に示すように、一般的なエピタキシャルシリコンウェーハの製造条件と同じにした。なお、表１において、SLM(Standard Liter/Min)とは、1atm(1.013×105Pa)、0℃における1分間あたりの流量をリットルで表示した単位を表す。
【００２６】
【表１】
0006380063.tif 000002
【００２７】
また、実験例２〜２４として、図３に示す条件の上流バッフル９１、下流バッフル９２を配置し、それぞれの実験例において、実験例１と同様の条件で複数のエピタキシャルシリコンウェーハを製造した。なお、実験例１１，２３では、下流バッフル９２を配置せず、実験例１２，２４では、上流バッフル９１を配置しなかった。
【００２８】
次に、実験例１〜２４で製造したエピタキシャルシリコンウェーハのＬＰＤを、以下の条件で評価した。
［ＬＰＤ評価条件］
使用装置：表面検査装置（ＳＰ−２：ＫＬＡ Ｔｅｎｃｏｒ社製）
測定対象：サイズ２５０ｎｍ以上のＬＰＤ
【００２９】
エピタキシャルシリコンウェーハ１枚あたりのＬＰＤの平均個数を、図３に示す。また、ＬＰＤの平均個数が０．１個未満の場合を合格（ＯＫ）とし、０．１個以上の場合を不合格（ＮＧ）として、品質を評価した。その結果を、図３に示す。
図３に示すように、実験例６，８，９，１０，１８，２０，２１，２２（以下、当該実験例をまとめて合格実験例という場合がある）の品質が合格レベル（高品質）であることが分かった。また、実験例１〜５，７，１１〜１７，１９，２３，２４（以下、当該実験例をまとめて不合格実験例という場合がある）の品質が不合格レベル（高品質でない）であることが分かった。
そして、この結果から、ＬＰＤ密度が小さい高品質のエピタキシャルシリコンウェーハを得るためには、第１〜第３配管８１〜８３の内径Ａと、第２開口９１Ｂの内径Ｂと、第４開口９２Ｂの内径Ｃとが、以下の条件（１）〜（３）を全て満たせばよいことが分かった。
（１）Ｂ／ＡおよびＣ／Ａが０．３３以下
（２）Ｂ／ＡおよびＣ／Ａの少なくとも一方が０．２６以下
（３）（Ｂ＋Ｃ）／Ａが０．５９以下
【００３０】
また、上記実験例１〜２４において、連通部３を開いてウェーハ移載室４の窒素ガスを反応室２に流入させ、シリコンウェーハＷを反応室２に載置した後、連通部３を閉じてからの反応室２の圧力変化を圧力センサにより測定した。
合格実験例の結果を図４に示し、不合格実験例の結果を図５、図６に示す。
なお、図４〜図６の縦軸は、連通部３が閉じられた時の圧力を１とした場合の比率を表す。
【００３１】
図４〜図６に示すように、合格実験例では、反応室２の圧力は、連通部３が閉じられた後、この閉じられた時点の圧力よりも一旦上昇してから下降し、不合格実験例では、連通部３が閉じられた後、上昇することなく直ちに下降することがわかった。なお、図３において、「オーバーシュート」とは、連通部３が閉じられた後、反応室２の圧力が、一旦、上昇してから下降する現象を意味する。
【符号の説明】
【００３２】
１…気相成長装置
２…反応室
３…連通部
４…ウェーハ移載室
６…搬送部
７…排気装置
８…排気管
９…排気調整部
９１…上流バッフル（第１調整部）
９２…下流バッフル（第２調整部）
９１Ａ…第１開口
９１Ｂ…第２開口
９２Ａ…第３開口
９２Ｂ…第４開口
Ｗ…シリコンウェーハ
【図１】
0006380063.tif 000003
【図２】
0006380063.tif 000004
【図３】
0006380063.tif 000005
【図４】
0006380063.tif 000006
【図５】
0006380063.tif 000007
【図６】
0006380063.tif 000008