(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の絶縁体層が積層方向に積層されてなる積層体と、
前記積層方向に直交する第１の直交方向にこの順に並び、かつ、バンドパスフィルタを構成している第１のＬＣ並列共振器ないし第６のＬＣ並列共振器と、
前記第１のＬＣ並列共振器と前記第６のＬＣ並列共振器との間に接続されている第７のコンデンサと、
前記第１のＬＣ並列共振器と前記第３のＬＣ並列共振器との間に接続されている第８のコンデンサと、
前記第４のＬＣ並列共振器と前記第６のＬＣ並列共振器との間に接続されている第９のコンデンサと、
を備えており、
第ｎ（ｎは１ないし６の整数）のＬＣ並列共振器はそれぞれ、第ｎのインダクタ及び第ｎのコンデンサを含んでおり、
前記第ｎのインダクタ及び前記第ｎのコンデンサにより囲まれた第ｎのループ面であって、前記積層方向と実質的に平行な第ｎのループ面が形成されており、
前記第１のループ面ないし前記第６のループ面は、前記第１の直交方向から平面視したときに、該第１の直交方向に隣り合うもの同士で重なりあっていること、
を特徴とする電子部品。
【請求項２】
前記第ｎのインダクタはそれぞれ、前記絶縁体層を前記積層方向に貫通する第ｎの層間接続導体及び第ｎ＋６の層間接続導体と、前記絶縁体層上に設けられている第ｎのインダクタ導体層と、を含んでおり、
前記第ｎの層間接続導体及び前記第ｎ＋６の層間接続導体は、前記第ｎのインダクタ導体層から前記積層方向の一方側に向かって延在していること、
を特徴とする請求項１に記載の電子部品。
【請求項３】
前記第ｎのコンデンサは、前記絶縁体層を介して対向する第ｎのコンデンサ導体層及びグランド導体層により構成されており、
前記第ｎの層間接続導体は、前記第ｎのコンデンサ導体層に接続され、
前記第ｎ＋６の層間接続導体は、前記グランド導体層に接続されていること、
を特徴とする請求項２に記載の電子部品。
【請求項４】
前記第７の層間接続導体ないし前記第９の層間接続導体は、前記第１の層間接続導体ないし前記第３の層間接続導体よりも、前記積層方向及び前記第１の直交方向に直交する第２の直交方向の一方側に位置しており、
前記第１０の層間接続導体ないし前記第１２の層間接続導体は、前記第４の層間接続導体ないし前記第６の層間接続導体よりも、前記第２の直交方向の他方側に位置しており、
を特徴とする請求項３に記載の電子部品。
【請求項５】
前記第１のインダクタ導体層ないし前記第６のインダクタ導体層は、前記積層方向及び前記第１の直交方向に直交する第２の直交方向に延在しており、
前記第ｍ（ｍは１ないし５の整数）のインダクタ導体層と前記第ｍ＋１のインダクタ導体層との前記第１の直交方向における間隔のうち、前記第３のインダクタ導体層と前記第４のインダクタ導体層との該第１の直交方向における間隔が最も小さいこと、
を特徴とする請求項２ないし請求項４のいずれかに記載の電子部品。
【請求項６】
前記グランド導体層には、該グランド導体層の外縁から該外縁の内側に向かって延在するスリットが設けられていること、
を特徴とする請求項３に記載の電子部品。
【請求項７】
前記第１のインダクタと前記第６のインダクタとを接続する接続導体層を、
更に備えていること、
を特徴とする請求項２ないし請求項６のいずれかに記載の電子部品。
【請求項８】
前記第１の外部電極と、
前記第１の外部電極と前記第１のＬＣ並列共振器との間に接続されている第７のインダクタと、
を更に備えていること、
を特徴とする請求項１ないし請求項７のいずれかに記載の電子部品。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電子部品に関し、より特定的には、複数のＬＣ並列共振器を備えた電子部品に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来の電子部品に関する発明としては、例えば、特許文献１に記載の積層帯域通過フィルタが知られている。該積層帯域通過フィルタは、５段のＬＣ並列共振器を備えている。このように、ＬＣ並列共振器を多段化することによって、通過帯域外の帯域における信号の減衰量を大きくすることができる。
【０００３】
ところで、積層帯域通過フィルタにおいて、通過帯域外の帯域における信号の減衰量をより大きくすることが望まれている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】国際公開第２００７／１１９３５６号
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
そこで、本発明の目的は、通過帯域外の帯域における高周波信号の減衰量をより大きくすることができる電子部品を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の一形態に係る電子部品は、複数の絶縁体層が積層方向に積層されてなる積層体と、前記積層方向に直交する第１の直交方向にこの順に並び、かつ、バンドパスフィルタを構成している第１のＬＣ並列共振器ないし第６のＬＣ並列共振器と、前記第１のＬＣ並列共振器と前記第６のＬＣ並列共振器との間に接続されている第７のコンデンサと、前記第１のＬＣ並列共振器と前記第３のＬＣ並列共振器との間に接続されている第８のコンデンサと、前記第４のＬＣ並列共振器と前記第６のＬＣ並列共振器との間に接続されている第９のコンデンサと、を備えており、第ｎ（ｎは１ないし６の整数）のＬＣ並列共振器はそれぞれ、第ｎのインダクタ及び第ｎのコンデンサを含んでおり、前記第ｎのインダクタ及び前記第ｎのコンデンサにより囲まれた第ｎのループ面であって、前記積層方向と実質的に平行な第ｎのループ面が形成されており、前記第１のループ面ないし前記第６のループ面は、前記第１の直交方向から平面視したときに、該第１の直交方向に隣り合うもの同士で重なりあっていること、を特徴とする。
【発明の効果】
【０００７】
本発明によれば、通過帯域外の帯域における高周波信号の減衰量をより大きくすることができる。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
【図１】第１の実施形態に係る電子部品１０ａの等価回路図である。
【図２】電子部品１０ａ〜１０ｃの外観斜視図である。
【図３Ａ】電子部品１０ａの分解斜視図である。
【図３Ｂ】電子部品１０ａを上側から透視した図である。
【図４】比較例に係る電子部品１１０ａの等価回路図である。
【図５】比較例に係る電子部品１１０ｂの等価回路図である。
【図６】比較例に係る電子部品１１０ｃの等価回路図である。
【図７】比較例に係る電子部品１１０ｄの等価回路図である。
【図８】比較例に係る電子部品１１０ｅの等価回路図である。
【図９】電子部品１０ａの通過特性（｜Ｓ２１｜）を示したグラフである。
【図１０】電子部品１１０ａの通過特性（｜Ｓ２１｜）を示したグラフである。
【図１１】電子部品１１０ｂの通過特性（｜Ｓ２１｜）を示したグラフである。
【図１２】電子部品１１０ｃの通過特性（｜Ｓ２１｜）を示したグラフである。
【図１３】電子部品１１０ｄの通過特性（｜Ｓ２１｜）を示したグラフである。
【図１４】電子部品１１０ｅの通過特性（｜Ｓ２１｜）を示したグラフである。
【図１５】第２の実施形態に係る電子部品１０ｂの等価回路図である。
【図１６】電子部品１０ｂの分解斜視図である。
【図１７】電子部品１０ｂの通過特性（｜Ｓ２１｜）を示したグラフである。
【図１８】第３の実施形態に係る電子部品１０ｃの等価回路図である。
【図１９】電子部品１０ｃの分解斜視図である。
【図２０】電子部品１０ｃの通過特性（｜Ｓ２１｜）を示したグラフである。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
（第１の実施形態）
以下に、本発明の第１の実施形態に係る電子部品について図面を参照しながら説明する。図１は、第１の実施形態に係る電子部品１０ａの等価回路図である。
【００１０】
まず、電子部品１０ａの等価回路について図面を参照しながら説明する。電子部品１０ａは、図１に示すように、インダクタＬ１〜Ｌ６、コンデンサＣ１〜Ｃ６，Ｃａ〜Ｃｇ及び外部電極１４ａ〜１４ｃを等価回路の構成として備えており、所定の帯域の高周波信号を通過させるバンドパスフィルタである。
【００１１】
外部電極１４ａ，１４ｂは、高周波信号が入出力する入出力端子である。外部電極１４ｃは、接地される接地端子である。
【００１２】
インダクタＬ１〜Ｌ６とコンデンサＣ１〜Ｃ６とはそれぞれ、互いに並列に接続されており、ＬＣ並列共振器ＬＣ１〜ＬＣ６を構成している。
【００１３】
ＬＣ並列共振器ＬＣ１の一端は、外部電極１４ａに接続されている。ＬＣ並列共振器ＬＣ６の一端は、外部電極１４ｂに接続されている。更に、ＬＣ並列共振器ＬＣ１〜ＬＣ６は、外部電極１４ａから外部電極１４ｂの間にこの順に並んでいる。ＬＣ並列共振器ＬＣ１〜ＬＣ６は、隣り合うもの同士で磁界結合し、バンドパスフィルタを構成している。また、ＬＣ並列共振器ＬＣ１〜ＬＣ６の他端は、外部電極１４ｃに接続されている。ＬＣ並列共振器の一端とは、図１において、ＬＣ並列共振器のインダクタとコンデンサとの接続部の内の上側の接続部を示す。ＬＣ並列共振器の他端とは、図１において、ＬＣ並列共振器のインダクタとコンデンサとの接続部の内の下側の接続部を示す。
【００１４】
コンデンサＣａは、ＬＣ並列共振器ＬＣ１の一端とＬＣ並列共振器ＬＣ２の一端との間に接続されている。コンデンサＣｂは、ＬＣ並列共振器ＬＣ２の一端とＬＣ並列共振器ＬＣ３の一端との間に接続されている。コンデンサＣｃは、ＬＣ並列共振器ＬＣ１の一端とＬＣ並列共振器ＬＣ３の一端との間に接続されている。
【００１５】
コンデンサＣｄは、ＬＣ並列共振器ＬＣ４の一端とＬＣ並列共振器ＬＣ５の一端との間に接続されている。コンデンサＣｅは、ＬＣ並列共振器ＬＣ５の一端とＬＣ並列共振器ＬＣ６の一端との間に接続されている。コンデンサＣｆは、ＬＣ並列共振器ＬＣ４の一端とＬＣ並列共振器ＬＣ６の一端との間に接続されている。
【００１６】
コンデンサＣｇは、外部電極１４ａと外部電極１４ｂとの間に接続されることにより、ＬＣ並列共振器ＬＣ１の一端とＬＣ並列共振器ＬＣ６の一端との間に接続されている。
【００１７】
以上のように構成された電子部品１０ａは、ＬＣ並列共振器ＬＣ１〜ＬＣ６の共振周波数（以下、単に共振周波数と称す）付近の周波数を有する高周波信号を外部電極１４ａから外部電極１４ｂへと通過させるバンドパスフィルタを構成している。より詳細には、ＬＣ並列共振器ＬＣ１〜ＬＣ６のインピーダンス値は、共振周波数付近の周波数を有する高周波信号が外部電極１４ａから入力すると最大となる。そのため、共振周波数付近の周波数を有する高周波信号は、ＬＣ並列共振器ＬＣ１〜ＬＣ６を通過することができないので、外部電極１４ｃから出力しない。その結果、共振周波数付近の周波数を有する高周波信号は、外部電極１４ｂから出力する。また、共振周波数付近の周波数以外の周波数を有する高周波信号は、ＬＣ並列共振器ＬＣ１〜ＬＣ６を通過して外部電極１４ｃから出力する。
【００１８】
次に、電子部品１０ａの具体的な構成について図面を参照しながら説明する。図２は、電子部品１０ａの外観斜視図である。図３Ａは、電子部品１０ａの分解斜視図である。図３Ｂは、電子部品１０ａを上側から透視した図である。図３Ｂでは、積層体１２、インダクタ導体層１７ａ〜１７ｆ及びビアホール導体ｖ１〜ｖ１２のみを示した。
【００１９】
以下では、電子部品１０ａの積層方向を上下方向と定義する。また、電子部品１０ａを上側から平面視したときに、電子部品１０ａの長辺が延在する方向を左右方向と定義し、電子部品１０ａの短辺が延在する方向を前後方向と定義する。上下方向、前後方向及び左右方向は、互いに直交している。
【００２０】
電子部品１０ａは、積層体１２、外部電極１４ａ〜１４ｃ、インダクタ導体層１７ａ〜１７ｆ，１８ａ〜１８ｆ，１９ａ〜１９ｆ、コンデンサ導体層２０ａ〜２０ｆ，２２，４０ａ，４０ｃ，４０ｄ，４０ｆ，４１ａ，４１ｃ，４１ｄ，４１ｆ，５０ａ，５０ｂ，５１ａ，５１ｂ、グランド導体層３１及びビアホール導体ｖ１〜ｖ１２，ｖ２０〜ｖ２４（層間接続導体の一例）を備えている。
【００２１】
積層体１２は、直方体状をなしており、絶縁体層１６ａ〜１６ｌが上側から下側へとこの順に並ぶように積層されることにより構成されている。絶縁体層１６ａ〜１６ｌは、上側から平面視したときに、長方形状をなしており、例えば、セラミック等により作製されている。以下では、絶縁体層１６ａ〜１６ｌの上側の主面を表面と呼び、絶縁体層１６ａ〜１６ｌの下側の主面を裏面と呼ぶ。
【００２２】
外部電極１４ａ，１４ｂはそれぞれ、積層体１２の左面及び右面において上下方向に延在している。また、外部電極１４ａ，１４ｂは、積層体１２の上面及び底面に折り返されている。外部電極１４ｃは、積層体１２の底面に設けられている長方形状の導体層である。外部電極１４ａ〜１４ｃは、例えば、Ａｇ等の下地電極状にＮｉめっき及びＳｎめっきが施されることにより作製される。
【００２３】
インダクタ導体層１７ａ〜１９ａはそれぞれ、絶縁体層１６ｂ〜１６ｄの表面上に設けられており、前後方向に延在する帯状の導体層である。
【００２４】
ビアホール導体ｖ１は、絶縁体層１６ｂ〜１６ｉを上下方向に貫通している。ビアホール導体ｖ１の上端は、インダクタ導体層１７ａ〜１９ａの前端に接続されている。これにより、ビアホール導体ｖ１は、インダクタ導体層１７ａ〜１９ａから下側に向かって延在している。
【００２５】
ビアホール導体ｖ７は、絶縁体層１６ｂ〜１６ｊを上下方向に貫通している。ビアホール導体ｖ７は、ビアホール導体ｖ１よりも後ろ側に位置している。そのため、ビアホール導体ｖ７の上端は、インダクタ導体層１７ａ〜１９ａの後端に接続されている。これにより、ビアホール導体ｖ７は、インダクタ導体層１７ａ〜１９ａから下側に向かって延在している。
【００２６】
以上のように構成されたインダクタ導体層１７ａ〜１９ａ及びビアホール導体ｖ１，ｖ７は、インダクタＬ１に含まれている。これにより、インダクタＬ１は、左側から平面視したときに、下側に向かって開口する角張ったＵ字型をなしている。
【００２７】
コンデンサ導体層２０ａは、絶縁体層１６ｊの表面上に設けられており、前後方向に延在する帯状の導体層である。
【００２８】
グランド導体層３１は、絶縁体層１６ｋの表面上に設けられている矩形状の導体層であり、絶縁体層１６ｋの略全面を覆っている。これにより、コンデンサ導体層２０ａは、絶縁体層１６ｋを介してグランド導体層３１と対向している。
【００２９】
以上のように構成されたコンデンサ導体層２０ａ及びグランド導体層３１は、コンデンサＣ１に含まれている。また、ビアホール導体ｖ１の下端は、コンデンサ導体層２０ａに接続されている。ビアホール導体ｖ２の下端は、グランド導体層３１に接続されている。これにより、インダクタＬ１とコンデンサＣ１は、互いに並列接続されて、ＬＣ並列共振器ＬＣ１を構成している。また、インダクタＬ１は、左側から平面視したときに、コンデンサ導体層２０ａからグランド導体層３１へと反時計回り方向に周回している。
【００３０】
インダクタ導体層１７ｂ〜１９ｂ及びビアホール導体ｖ２，ｖ８は、インダクタＬ２に含まれている。コンデンサ導体層２０ｂ及びグランド導体層３１は、コンデンサＣ２に含まれている。インダクタＬ２とコンデンサＣ２は、互いに並列接続されて、ＬＣ並列共振器ＬＣ２を構成している。
【００３１】
インダクタ導体層１７ｃ〜１９ｃ及びビアホール導体ｖ３，ｖ９は、インダクタＬ３に含まれている。コンデンサ導体層２０ｃ及びグランド導体層３１は、コンデンサＣ３に含まれている。インダクタＬ３とコンデンサＣ３は、互いに並列接続されて、ＬＣ並列共振器ＬＣ３を構成している。
【００３２】
インダクタ導体層１７ｄ〜１９ｄ及びビアホール導体ｖ４，ｖ１０は、インダクタＬ４に含まれている。コンデンサ導体層２０ｄ及びグランド導体層３１は、コンデンサＣ４に含まれている。インダクタＬ４とコンデンサＣ４は、互いに並列接続されて、ＬＣ並列共振器ＬＣ４を構成している。
【００３３】
インダクタ導体層１７ｅ〜１９ｅ及びビアホール導体ｖ５，ｖ１１は、インダクタＬ５に含まれている。コンデンサ導体層２０ｅ及びグランド導体層３１は、コンデンサＣ５に含まれている。インダクタＬ５とコンデンサＣ５は、互いに並列接続されて、ＬＣ並列共振器ＬＣ５を構成している。
【００３４】
インダクタ導体層１７ｆ〜１９ｆ及びビアホール導体ｖ６，ｖ１２は、インダクタＬ６に含まれている。コンデンサ導体層２０ｆ及びグランド導体層３１は、コンデンサＣ６に含まれている。インダクタＬ６とコンデンサＣ６は、互いに並列接続されて、ＬＣ並列共振器ＬＣ６を構成している。
【００３５】
ＬＣ並列共振器ＬＣ１〜ＬＣ６は、実質的に同じ構造を有しているので、詳細な説明を省略する。ＬＣ並列共振器ＬＣ１〜ＬＣ６は、積層体１２において左側から右側へとこの順に並んでいる。また、コンデンサ導体層２０ａ，２０ｆはそれぞれ、絶縁体層１６ｊの左側及び右側の短辺に引き出されている。これにより、ＬＣ並列共振器ＬＣ１，ＬＣ６はそれぞれ、外部電極１４ａ，１４ｂに接続されている。また、インダクタＬ２〜Ｌ６は、左側から平面視したときに、インダクタＬ１と同方向に周回している。
【００３６】
以上のように構成されたＬＣ並列共振器ＬＣ１〜ＬＣ６はそれぞれ、図３Ｂに示すように、インダクタＬ１〜Ｌ６及びコンデンサＣ１〜Ｃ６により囲まれたループ面Ｓ１〜Ｓ６であって、上下方向と実質的に平行なループ面Ｓ１〜Ｓ６を形成している。本実施形態では、ループ面Ｓ１〜Ｓ６は、左右方向に直交する平面である。ループ面Ｓ１〜Ｓ６はそれぞれ、インダクタ導体層１７ａ〜１７ｆの左右方向の中央を通過する平面である。
【００３７】
ループ面Ｓ１〜Ｓ６は、左側から平面視したときに、左右方向に隣り合うもの同士で重なり合っている。本実施形態では、ループ面Ｓ１〜Ｓ６は、左側から平面視したときに、実質的に一致した状態で重なり合っている。これにより、ＬＣ並列共振器ＬＣ１〜ＬＣ６は、左右方向に隣り合うもの同士で磁界結合することにより、バンドパスフィルタを構成している。本実施形態では、ループ面Ｓ１〜Ｓ６が一致した状態で重なっているが、ループ面Ｓ１〜Ｓ６の高さ方向が異なることにより、ループ面Ｓ１〜Ｓ６が一致した状態で重ならない場合もある。
【００３８】
ただし、図３Ｂに示すように、隣り合う２つのインダクタ導体層１７ａ〜１７ｆの左右方向における間隔のうち、インダクタ導体層１７ｃとインダクタ導体層１７ｄとの左右方向における間隔が最も小さくなっている。本実施形態では、インダクタ導体層１７ｃとインダクタ導体層１７ｄとの左右方向における間隔が最も小さくなっているが、必ずしも、インダクタ導体層１７ｃとインダクタ導体層１７ｄとの左右方向における間隔が最も小さくなくてもよい。
【００３９】
ビアホール導体ｖ２０〜ｖ２４は、絶縁体層１６ｋ，１６ｌを上下方向に貫通している。ビアホール導体ｖ２０〜ｖ２４の上端は、グランド導体層３１に接続されている。ビアホール導体ｖ２０〜ｖ２４の下端は、外部電極１４ｃに接続されている。これにより、ＬＣ並列共振器ＬＣ１〜ＬＣ４は、外部電極１４ｃに接続されている。
【００４０】
コンデンサ導体層２２は、絶縁体層１６ｅの表面上に設けられ、左右方向に延在する帯状の導体層である。コンデンサ導体層２２は、ループ面Ｓ１〜Ｓ６を貫通しており、上側から平面視したときに、インダクタ導体層１９ａ，１９ｆと重なっている。これにより、インダクタ導体層１９ａとインダクタ導体層１９ｆとの間にはコンデンサ導体層２２を介して、コンデンサＣｇが形成されている。
【００４１】
コンデンサ導体層４０ａ，４０ｃは、絶縁体層１６ｆの表面上に設けられている長方形状の導体層である。コンデンサ導体層４１ａ，４１ｃは、絶縁体層１６ｈの表面上に設けられている長方形状の導体層である。コンデンサ導体層４０ａ，４１ａはそれぞれ、ビアホール導体ｖ１と接続されることにより、インダクタＬ１と接続されている。コンデンサ導体層４０ｃ，４１ｃはそれぞれ、ビアホール導体ｖ３と接続されることにより、インダクタＬ３と接続されている。
【００４２】
コンデンサ導体層５０ａは、絶縁体層１６ｇの表面上に設けられ、ビアホール導体ｖ１〜ｖ３に対する後ろ側において左右方向に延在する帯状の導体層である。これにより、コンデンサ導体層５０ａは、上側から平面視したときに、コンデンサ導体層４０ａ，４０ｃ，４１ａ，４１ｃと重なっている。その結果、コンデンサ導体層４０ａ，４１ａとコンデンサ導体層４０ｃ，４１ｃとの間には、コンデンサ導体層５０ａを介してコンデンサＣｃが形成されている。
【００４３】
コンデンサ導体層５１ａは、絶縁体層１６ｉの表面上に設けられ、ビアホール導体ｖ１，ｖ３に対する後ろ側において左右方向に延在する帯状の導体層である。ただし、コンデンサ導体層５１ａは、ビアホール導体ｖ２と接続されることにより、インダクタＬ２と接続されている。これにより、コンデンサ導体層５１ａは、上側から平面視したときに、コンデンサ導体層２０ａ，２０ｃ，４１ａ，４１ｃと重なっている。その結果、コンデンサ導体層２０ａ，４１ａとコンデンサ導体層５１ａとの間には、コンデンサＣａが形成されている。コンデンサ導体層２０ｃ，４１ｃとコンデンサ導体層５１ａとの間には、コンデンサＣｂが形成されている。
【００４４】
コンデンサ導体層４０ｄ，４０ｆ，４１ｄ，４１ｆ，５０ｂ，５１ｂは、上側から平面視したときに、積層体１２の左右方向の中央を前後方向に延在する直線に関して、コンデンサ導体層４０ａ，４０ｃ，４１ａ，４１ｃ，５０ａ，５１ａと線対称な関係にある。これにより、コンデンサ導体層４０ｄ，４１ｄとコンデンサ導体層４０ｆ，４１ｆとの間には、コンデンサ導体層５０ｂを介してコンデンサＣｆが形成されている。コンデンサ導体層２０ｄ，４１ｄとコンデンサ導体層５１ｂとの間には、コンデンサＣｄが形成されている。コンデンサ導体層２０ｆ，４１ｆとコンデンサ導体層５１ｂとの間には、コンデンサＣｅが形成されている。なお、コンデンサ導体層４０ｄ，４０ｆ，４１ｄ，４１ｆ，５０ｂ，５１ｂのこれ以上の詳細な説明を省略する。
【００４５】
（効果）
前記電子部品１０ａによれば、通過帯域外の帯域における高周波信号の減衰量をより大きくすることができる。より詳細には、特許文献１に記載の積層帯域通過フィルタでは、５段のＬＣ並列共振器が用いられているのに対して、電子部品１０ａでは、６段のＬＣ並列共振器ＬＣ１〜ＬＣ６が用いられている。このように、ＬＣ並列共振器を多段化することにより、通過帯域外の帯域における高周波信号の減衰量をより大きくすることができる。
【００４６】
更に、電子部品１０ａでは、隣り合わないＬＣ並列共振器同士を結合させるコンデンサＣｃ，Ｃｆ，Ｃｇが適切な位置に設けられているので、通過帯域近傍における高減衰化が図られる。本願発明者は、電子部品１０ａが奏する効果をより明確にするために、以下に説明するコンピュータシミュレーションを行った。図４ないし図８はそれぞれ、比較例に係る電子部品１１０ａ〜１１０ｅの等価回路図である。
【００４７】
本願発明者は、電子部品１０ａ，１１０ａ〜１１０ｅのモデルを作成し、これらの通過特性をコンピュータに演算させた。電子部品１１０ａは、電子部品１０ａからコンデンサＣｃ，Ｃｆ，Ｃｇが取り除かれた回路構成を有している。電子部品１１０ｂは、電子部品１０ａからコンデンサＣｇが取り除かれた回路構成を有している。電子部品１１０ｃは、電子部品１０ａからコンデンサＣｃ，Ｃｆが取り除かれた回路構成を有している。電子部品１１０ｄは、電子部品１０ａからコンデンサＣｃが取り除かれた回路構成を有している。電子部品１１０ｅは、電子部品１０ａからコンデンサＣｃ，Ｃｇが取り除かれた回路構成を有している。
【００４８】
図９は、電子部品１０ａの通過特性（｜Ｓ２１｜）を示したグラフである。図１０ないし図１４は、電子部品１１０ａ〜１１０ｅの通過特性（｜Ｓ２１｜）を示したグラフである。図９ないし図１４において、縦軸は｜Ｓ２１｜を示し、横軸は周波数を示す。
【００４９】
図１０ないし図１４によれば、電子部品１１０ａ〜１１０ｅでは、通過帯域の低周波側の減衰極が１ＧＨｚ付近に位置し、通過帯域の高周波側の減衰極が２．３ＧＨｚ付近に位置していることが分かる。
【００５０】
一方、図９によれば、電子部品１０ａでは、通過帯域の低周波側の減衰極が１ＧＨｚ付近に位置し、通過帯域の高周波側の減衰極が２ＧＨｚ付近に位置していることが分かる。
【００５１】
以上の結果より、コンデンサＣｃ，Ｃｆ，Ｃｇのいずれか１つでも欠けている電子部品１１０ａ〜１１０ｅでは、通過帯域の狭帯域化を図ることが困難である。一方、コンデンサＣｃ，Ｃｆ，Ｃｇの全てを備えている電子部品１０ａでは、通過帯域近傍における高減衰化を図ることができる。すなわち、電子部品１０ａでは、隣り合わないＬＣ並列共振器を適切な位置に設けることにより、通過帯域近傍における高減衰化を図ることができる。
【００５２】
（第２の実施形態）
以下に第２の実施形態に係る電子部品について図面を参照しながら説明する。図１５は、第２の実施形態に係る電子部品１０ｂの等価回路図である。図１６は、電子部品１０ｂの分解斜視図である。図１７は、電子部品１０ｂの通過特性（｜Ｓ２１｜）を示したグラフである。電子部品１０ｂの外観斜視図は、電子部品１０ａと同じであるので、図２を援用する。
【００５３】
電子部品１０ｂは、以下に説明するように、第１の相違点ないし第４の相違点において電子部品１０ａと相違する。第１の相違点は、図１６に示すように、電子部品１０ｂのＬＣ並列共振器ＬＣ１〜ＬＣ３は、電子部品１０ａのＬＣ並列共振器ＬＣ１〜ＬＣ３の前後を反転させた構造を有している点である。第２の相違点は、図１５に示すように、電子部品１０ｂがインダクタＬ１０を備えている点である。第３の相違点は、グランド導体層３１にスリットＳＬ１，ＳＬ２が設けられている点である。第４の相違点は、インダクタ導体層１７ａ〜１７ｆの左右方向における間隔が全て等しい点である。
【００５４】
第１の相違点について説明する。電子部品１０ｂのＬＣ並列共振器ＬＣ１〜ＬＣ３は、電子部品１０ａのＬＣ並列共振器ＬＣ１〜ＬＣ３の前後を反転させた構造を有している点である。そのため、電子部品１０ｂでは、ビアホール導体ｖ７〜ｖ９は、ビアホール導体ｖ１〜ｖ３よりも、前側に位置している。その結果、インダクタＬ１〜Ｌ３とインダクタＬ４〜Ｌ６とが逆向きに周回するようになる。すなわち、インダクタＬ１〜Ｌ３は、左側から平面視したときに、コンデンサ導体層２０ａ〜２０ｃからグランド導体層３１へと時計回り方向に周回している。インダクタＬ４〜Ｌ６は、左側から平面視したときに、コンデンサ導体層２０ｄ〜２０ｆからグランド導体層３１へと反時計回り方向に周回している。
【００５５】
第２の相違点について説明する。インダクタＬ１０は、インダクタＬ１とインダクタＬ６との間に接続されており、接続導体層６０により構成されている。接続導体層６０は、絶縁体層１６ｊと絶縁体層１６ｋとの間に追加された絶縁体層１６ｍの表面上に設けられている線状の導体層である。接続導体層６０は、ビアホール導体ｖ７とビアホール導体ｖ１２とを接続している。
【００５６】
第３の相違点について説明する。スリットＳＬ１，ＳＬ２は、グランド導体層３１の外縁から外縁の内側に向かって延在している切り欠きである。本実施形態では、スリットＳＬ１は、グランド導体層３１の中央よりも左側において、グランド導体層３１の後ろ側の辺から前側に向かって延在している。スリットＳＬ２は、グランド導体層３１の中央よりも右側において、グランド導体層３１の前側の辺から後ろ側に向かって延在している。これにより、グランド導体層３１のインダクタンス値が大きくなる。
【００５７】
以上のように構成された電子部品１０ｂにおいても、電子部品１０ａと同じ作用効果を得ることができる。
【００５８】
また、電子部品１０ｂでは、インダクタＬ１〜Ｌ３とインダクタＬ４〜Ｌ６とが逆方向に周回している。これにより、インダクタＬ１〜Ｌ３とインダクタＬ４〜Ｌ６との磁界結合が弱くなる。そのため、ＬＣ並列共振器ＬＣ１〜ＬＣ３とＬＣ並列共振器ＬＣ４〜ＬＣ６との間で高周波信号が伝送されにくくなる。その結果、図１７に示すように、電子部品１０ｂでは、通過帯域よりも低い帯域における減衰量が大きくなる。
【００５９】
また、電子部品１０ｂでは、インダクタＬ１とインダクタＬ６とを接続するインダクタＬ１０が設けられている。これにより、通過帯域の低周波側に減衰極を形成することが可能となる。
【００６０】
また、電子部品１０ｂでは、以下の理由によっても、通過帯域よりも低い帯域における減衰量が大きくなる。より詳細には、グランド導体層３１にはスリットＳＬ１，ＳＬ２が設けられているので、グランド導体層３１のインダクタンス値が大きくなる。これにより、ＬＣ共振器ＬＣ１〜ＬＣ６間の磁気結合が変化し、低周波側の減衰極の位置を調整することができる。その結果として、低周波側の減衰量を大きくすることができる。
【００６１】
（第３の実施形態）
以下に第３の実施形態に係る電子部品について図面を参照しながら説明する。図１８は、第３の実施形態に係る電子部品１０ｃの等価回路図である。図１９は、電子部品１０ｃの分解斜視図である。図２０は、電子部品１０ｃの通過特性（｜Ｓ２１｜）を示したグラフである。電子部品１０ｃの外観斜視図は、電子部品１０ａと同じであるので、図２を援用する。
【００６２】
電子部品１０ｃは、図１９に示すように、インダクタＬ７，Ｌ８が設けられている点において、電子部品１０ａと相違する。インダクタＬ７は、外部電極１４ａとＬＣ並列共振器ＬＣ１の一端との間に接続されている。インダクタＬ８は、外部電極１４ｂとＬＣ並列共振器ＬＣ６の一端との間に接続されている。以下にこの相違点について説明する。
【００６３】
絶縁体層１６ｅと絶縁体層１６ｆとの間に絶縁体層１６ｍ，１６ｎが追加されている。インダクタＬ７は、図１９に示すように、インダクタ導体層７０ａ，７１ａ及びビアホール導体ｖ４０を含んでいる。インダクタ導体層７０ａは、絶縁体層１６ｎの表面上に設けられており、上側から平面視したときに、時計回り方向に周回する線状の導体層である。インダクタ導体層７０ａの時計回り方向の上流側の端部は、絶縁体層１６ｎの左側の辺に引き出されている。これにより、インダクタＬ７は、外部電極１４ａに接続されている。
【００６４】
インダクタ導体層７１ａは、絶縁体層１６ｍの表面上に設けられており、上側から平面視したときに、時計回り方向に周回する線状の導体層である。インダクタ導体層７１ａの時計回り方向の下流側の端部は、ビアホール導体ｖ１に接続されている。これにより、インダクタＬ７は、ＬＣ並列共振器ＬＣ１に接続されている。
【００６５】
ビアホール導体ｖ４０は、絶縁体層１６ｍを上下方向に貫通しており、インダクタ導体層７０ａの時計回り方向の下流側の端部とインダクタ導体層７１ａの時計回り方向の上流側の端部とを接続している。
【００６６】
インダクタＬ８は、インダクタ導体層７０ｂ，７１ｂ及びビアホール導体ｖ４１を含んでいる。ただし、インダクタＬ８は、上側から平面視したときに、積層体１２の左右方向の中央を前後方向に延在する直線に関してインダクタＬ７と線対称な関係にある。よって、インダクタＬ８の詳細な説明については省略する。
【００６７】
以上のように構成された電子部品１０ｃにおいても、電子部品１０ａと同じ作用効果を得ることができる。
【００６８】
また、電子部品１０ｃでは、外部電極１４ａと外部電極１４ｂとの間においてインダクタＬ７，Ｌ８がローパスフィルタとして機能する。これにより、図２０に示すように、電子部品１０ｃでは、通過帯域よりも高い帯域における減衰量が大きくなる。
【００６９】
（その他の実施形態）
本発明に係る電子部品は、前記電子部品１０ａ〜１０ｃに限らず、その要旨の範囲内において変更可能である。
【００７０】
なお、電子部品１０ａ〜１０ｃの構成を任意に組み合わせてもよい。
【００７１】
なお、ループ面Ｓ１〜Ｓ６は、互いに平行でなくてもよい。
【産業上の利用可能性】
【００７２】
以上のように、本発明は、電子部品に有用であり、特に、通過帯域外の帯域における高周波信号の減衰量をより大きくすることができる点において優れている。
【符号の説明】
【００７３】
１０ａ〜１０ｃ：電子部品
１２：積層体
１４ａ〜１４ｃ：外部電極
１６ａ〜１６ｎ：絶縁体層
１７ａ〜１７ｆ，１８ａ〜１８ｆ，１９ａ〜１９ｆ，７０ａ，７０ｂ，７１ａ，７１ｂ：インダクタ導体層
２０ａ〜２０ｆ，２２，４０ａ，４０ｃ，４０ｄ，４０ｆ，４１ａ，４１ｃ，４１ｄ，４１ｆ，５０ａ，５０ｂ，５１ａ，５１ｂ：コンデンサ導体層
３１：グランド導体層
６０：接続導体層
Ｃ１〜Ｃ６，Ｃａ〜Ｃｇ：コンデンサ
Ｌ１〜Ｌ８，Ｌ１０：インダクタ
ＬＣ１〜ＬＣ６：ＬＣ並列共振器
Ｓ１〜Ｓ６：ループ面
ＳＬ１，ＳＬ２：スリット
ｖ１〜ｖ１２，ｖ２０〜ｖ２４，ｖ４０，ｖ４１：ビアホール導体
【図１】
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【図２】
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【図３Ａ】
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【図３Ｂ】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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