(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１のダイパッドと、
前記第１のダイパッドの上面上に接着材を介して固定され、本体部および前記本体部の側面に設けられた凸部、によって構成される第２のダイパッドと、
前記第２のダイパッドの上面上に固定された半導体チップと、
前記半導体チップに電気的に接続された端子部と、
前記第１のダイパッド、前記第２のダイパッド、前記半導体チップ、および前記端子部、を覆うパッケージ材と、
を備え、
前記第１のダイパッドは、前記端子部と実質的に同一の厚さであり、
前記凸部の厚さは、前記本体部の厚さに等しい、
半導体装置。
【請求項２】
前記第２のダイパッドの前記本体部は複数の前記側面を備え、
各々の前記側面には、複数の前記凸部が設けられている、
請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】
前記第２のダイパッドの前記本体部は、前記第１のダイパッドより厚い、
請求項１または２に記載の半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明の実施形態は、半導体装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体チップの搭載部であるダイパッドを有し、半導体チップおよびダイパッドをパッケージ材で覆うことによって設けられた半導体装置においては、半導体チップに電流が流れることによって発生するジュール熱を効率的に半導体装置外に放出することが重要である。
【０００３】
良好な放熱特性を実現するための手段として、搭載部であるとともに放熱板としても機能する金属製のダイパッドを水平方向に拡大することによってダイパッドの熱抵抗を低下させることが考えられる。しかしながら、この手段では半導体装置の水平方向におけるサイズが大きくなる、という問題がある。
【０００４】
良好な放熱特性を実現するための他の手段として、金属製のダイパッドの厚さを厚くすることによってダイパッドの熱抵抗を低下させることが考えられる。しかしながら、厚い金属板の微細加工は困難であるため、この手段は現実的な解決手段とはなり難い。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２０１４−５３３４４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
実施形態は、良好な放熱特性を備える半導体装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
実施形態に係る半導体装置は、第１のダイパッドと、前記第１のダイパッドの上面上に接着材を介して固定され、本体部および前記本体部の側面に設けられた凸部、によって構成される第２のダイパッドと、前記第２のダイパッドの上面上に固定された半導体チップと、前記半導体チップに電気的に接続された端子部と、前記第１のダイパッド、前記第２のダイパッド、前記半導体チップ、および前記端子部、を覆うパッケージ材と、を備える。前記第１のダイパッドは、前記端子部と実質的に同一の厚さである。また、前記凸部の厚さは、前記本体部の厚さに等しい。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
【図１Ａ】第１の実施形態に係る半導体装置を模式的に示す上面図である。
【図１Ｂ】図１Ａの一点鎖線Ｘ−Ｘ´に沿って示す半導体装置の断面図である。
【図１Ｃ】第１の実施形態に係る半導体装置を模式的に示す下面図である。
【図２】第２のダイパッドを示す斜視図である。
【図３Ａ】第２のダイパッドの製造方法を説明するための上面図である。
【図３Ｂ】第２のダイパッドの製造方法を説明するための上面図である。
【図４】第２のダイパッドの製造方法を説明するための部分断面図である。
【図５Ａ】第１の実施形態に係る半導体装置の製造方法を説明するための、図１Ｂに対応する断面図である。
【図５Ｂ】第１の実施形態に係る半導体装置の製造方法を説明するための、図１Ｂに対応する断面図である。
【図５Ｃ】第１の実施形態に係る半導体装置の製造方法を説明するための、図１Ｂに対応する断面図である。
【図５Ｄ】第１の実施形態に係る半導体装置の製造方法を説明するための、図１Ｂに対応する断面図である。
【図５Ｅ】第１の実施形態に係る半導体装置の製造方法を説明するための、図１Ｂに対応する断面図である。
【図５Ｆ】第１の実施形態に係る半導体装置の製造方法を説明するための、図１Ｂに対応する断面図である。
【図６】第２の実施形態に係る半導体装置の、図１Ｂに対応する断面図である。
【図７】第２のダイパッドを示す斜視図である。
【図８】第２のダイパッドの製造方法を説明するための、図４に対応する部分断面図である。
【図９Ａ】他の実施形態に係る半導体装置を示す、図１Ｂに対応する断面図である。
【図９Ｂ】他の実施形態に係る半導体装置を示す、図６に対応する断面図である。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
以下に、実施形態に係る半導体装置について、図面を参照して詳細に説明する。
【００１０】
＜第１の実施形態＞
図１Ａは、第１の実施形態に係る半導体装置を模式的に示す上面図である。また、図１Ｂは、図１Ａの一点鎖線Ｘ−Ｘ´に沿って示す半導体装置の断面図である。さらに、図１Ｃは、第１の実施形態に係る半導体装置を模式的に示す下面図である。
【００１１】
図１Ａ、図１Ｂ、および図１Ｃに示すように、第１の実施形態に係る半導体装置１０は、半導体チップ１１、および半導体チップ１１を覆うパッケージ材１２、等によって構成される。
【００１２】
半導体チップ１１は、例えば高周波信号の電力を増幅するＧａＮ−ＦＥＴ等のような、大電力を扱うことができる半導体デバイスである。
【００１３】
半導体チップ１１は、ダイパッド部１３に搭載される。ダイパッド部１３は、半導体チップ１１の搭載部として機能するとともに、半導体チップ１１において発生するジュール熱を放熱する放熱板としても機能する。
【００１４】
ダイパッド部１３は、第１のダイパッド１３１と、第１のダイパッド１３１の上面上に固定された第２のダイパッド１３２と、によって構成される。
【００１５】
第１のダイパッド１３１は、例えば銅（Ｃｕ）等の熱伝導性に優れた金属材料によって構成される四角形状の板体である。後述するが、第１のダイパッド１３１は、複数の端子部１４とともに加工される。したがって、第１のダイパッド１３１は、端子部１４と実質的に同一の厚さ、すなわち、微細加工が可能な程度の厚さ（例えば０．２ｍｍ程度）となっている。
【００１６】
図１Ｂに示すように、この第１のダイパッド１３１は、側面および下面の一部を切り欠いた切り欠き部１３１ａを有する。切り欠き部１３１ａを設けることにより、第１のダイパッド１３１とパッケージ材１２との界面にクラックが発生した場合に、このクラックが半導体装置１０の内部方向に伸展することを抑制することができ、半導体装置１０の信頼性を向上させることができる。
【００１７】
このような第１のダイパッド１３１の上面上には、第１のダイパッド１３１と同様に、例えば銅（Ｃｕ）等の熱伝導性に優れた金属材料によって構成される第２のダイパッド１３２が固定されている。
【００１８】
図２は、第２のダイパッドを示す斜視図である。以下に、図２を参照して、第２のダイパッド１３２について説明する。
【００１９】
図２に示すように、第２のダイパッド１３２は、例えば金属によって構成される四角形の板状の本体部１３２ａと、本体部１３２ａの４つの側面に、側面から離れる方向に突出するように設けられた複数の凸部１３２ｂと、によって構成されている。全ての凸部１３２ｂは、本体部１３２ａと一体的に設けられている。
【００２０】
複数の凸部１３２ｂのそれぞれの厚さは、本体部１３２ａの厚さに等しくなっている。したがって、本体部１３２ａの下面と複数の凸部１３２ｂの下面との間に段差はなく、両者は同一平面内に配置される。
【００２１】
このような第２のダイパッド１３２は、図１Ｂに示すように、第１のダイパッド１３１の上面の面積よりわずかに小さい面積の下面を有するように構成されている。なお、本実施形態において、第２のダイパッド１３２の下面の面積は、本体部１３２ａの下面の面積、および複数の凸部１３２ｂの下面の面積、の和を意味する。
【００２２】
そして、このように構成された第２のダイパッド１３２が、第１のダイパッド１３１の上面上に、例えば銀（Ａｇ）ペーストによって構成される接着材１５で固定されている（図１Ｂ）。
【００２３】
第２のダイパッド１３２は複数の凸部１３２ｂを有する。したがって、四角形の板状の本体部のみによって構成される第２のダイパッドと比較して、接着材１５の這い上がりを抑制することができる。この結果、第２のダイパッド１３２とパッケージ材１２との密着性を向上させることができ、半導体装置１０の信頼性を向上させることができる。以下にこの理由について詳述する。
【００２４】
四角形の板状の本体部のみによって構成される第２のダイパッドを第１のダイパッドの上面上に、接着材で固定する場合を考える。第２のダイパッドと第１のダイパッドとの間に空気層が存在すると、第２のダイパッドと第１のダイパッドとの間の熱抵抗が上昇する。したがって、通常は、第２のダイパッドと第１のダイパッドとの間に空気層ができないように、少し多めの量の接着材を使用する。
【００２５】
しかしながら、多めの接着材を使用すると、接着材が第２のダイパッドの側面を伝わり、第２のダイパッドの上面まで這い上がる現象が生じる。さらに、接着材を硬化させるキュア工程時にも接着材はさらに広がる。このようにして、第２のダイパッドの側面および上面の一部は、接着材で覆われてしまう。
【００２６】
ここで、接着材としては高い熱伝導性を有するＡｇペーストが使用され、パッケージ材としては一般的にシリカフィラーを含有するエポキシ樹脂が使用されるが、これらの密着性は悪い。
【００２７】
したがって、このような一般的な材料を用いた場合において、第２のダイパッドの側面および上面の一部が接着材で覆われてしまうと、第２のダイパッドとパッケージ材とが密着せず、パッケージ材は、これとの密着性が悪い接着材と接する。したがって、接着材とパッケージ材との界面において剥離が生じ、半導体装置の信頼性を低下させる。
【００２８】
これに対して本実施形態に係る半導体装置１０のように、第２のダイパッド１３２が複数の凸部１３２ｂを有する場合、接着材１５は、凸部１３２ｂの下面に広がるため、接着材１５が本体部１３２ａの側面および凸部１３２ｂの側面を這い上がることが抑制される。したがって、接着材１５とパッケージ材１２との密着面積を小さくして第２のダイパッド１３２とパッケージ材１２との密着面積を大きくすることができ、半導体装置１０の信頼性を向上させることができる。
【００２９】
なお、本体部１３２ａの各側面に複数の凸部１３２ｂを設けた場合、接着材１５は、凸部１３２ｂ間の本体部１３２ａの側面を這い上がり難い、ということが本願発明者によって確認されている。したがって、本体部１３２ａの各側面には、複数の凸部１３２ｂを設けることが好ましい。
【００３０】
また、第２のダイパッド１３２は、少なくとも第１のダイパッド１３１より厚いことが好ましい。第２のダイパッド１３２をこのように厚くすることにより、接着材１５の第２のダイパッド１３２の側面および上面への這い上がりを抑制することができる。さらに、第１のダイパッド１３１および第２のダイパッド１３２によって構成されるダイパッド部１３の体積を増加させることができ、ダイパッド部１３の熱抵抗を十分に低下させることができる。
【００３１】
以上に説明した第１のダイパッド１３１および第２のダイパッド１３２によって構成されるダイパッド部１３には、半導体チップ１１が搭載される。半導体チップ１１は、例えば高い熱伝導性を有するＡｇペースト等の接着材１６によって、ダイパッド部１３に搭載される（図１Ｂ）。
【００３２】
また、第１の実施形態に係る半導体装置１０は、各々が微細加工が可能な程度の厚さ（例えば０．２ｍｍ程度）の複数の端子部１４を備える。
【００３３】
図１Ａおよび図１Ｃに示すように、複数の端子部１４は、第１のダイパッド１３１から電気的に独立した複数の第１の端子部１４１と、第１のダイパッド１３１から延出する引き出しライン１７に接続する複数の第２の端子部１４２と、によって構成される。
【００３４】
各第１の端子部１４１は、半導体チップ１１に対して信号および電源を供給する外部入力端子、または半導体チップ１１から供給される信号を半導体装置１０の外部に出力する外部出力端子、のいずれかである。
【００３５】
これに対して第２の端子部１４２はそれぞれ、第１のダイパッド１３１等を接地するための接地用端子である。
【００３６】
図１Ｂに示すように、このような複数の端子部１４のそれぞれは、第１のダイパッド１３１と同様に、側面および下面の一部を切り欠いた切り欠き部１４ａを有する。切り欠き部１４ａを設けることにより、端子部１４とパッケージ材１２との界面にクラックが発生した場合に、このクラックが半導体装置１０の内部方向に伸展することを抑制することができ、半導体装置１０の信頼性を向上させることができる。
【００３７】
このような複数の端子部１４は、図１Ｃに示すように、第１のダイパッド１３１の周囲に、第１のダイパッド１３１を囲うように配置されている。そして、各端子部１４は、ワイヤ１８によって半導体チップ１１に電気的に接続されている。ワイヤ１８は、例えば金（Ａｕ）または銅（Ｃｕ）等によって構成される金属製の導体線である。
【００３８】
そして、第１の実施形態に係る半導体装置１０において、以上に説明した第１のダイパッド１３１、第２のダイパッド１３２、半導体チップ１１、複数の端子部１４、および複数のワイヤ１８は、パッケージ材１２で覆われている。パッケージ材１２は、第１のダイパッド１３１の下面および複数の端子部１４の下面を露出するように、これらを覆っている。このパッケージ材１２は、例えばシリカフィラーを含有するエポキシ樹脂によって構成される。
【００３９】
次に、以上に説明した半導体装置１０の製造方法を説明する。この半導体装置１０は、第２のダイパッド１３２を製造し、製造された第２のダイパッド１３２を用いて製造される。そこでまず、第２のダイパッド１３２の製造方法を説明する。図３Ａおよび図３Ｂはそれぞれ、第２のダイパッドの製造方法を説明するための上面図である。また、図４は、第２のダイパッドの製造方法を説明するための図であって、図３Ｂの領域Ｒを切断する工程を説明するための部分断面図である。
【００４０】
まず、図３Ａに示すように、例えば銅（Ｃｕ）等の熱伝導性に優れた金属板１９に、十字状の貫通孔２０および四角形の貫通孔２１を、これらが交互に配列されるように形成する。
【００４１】
次に、図３Ｂに示すように、十字状の貫通孔２０と四角形の貫通孔２１との間の金属板１９を切断する。この切断工程は、図４に示すように、金属板１９を金型２２で挟んだ後、金型２２に設けられているブレード誘導路２３に対して、ブレード２４を図中の矢印方向にスライドさせることにより実行される。
【００４２】
このようにして、図２に示されるような第２のダイパッド１３２を製造することができる。
【００４３】
次に、このように製造された第２のダイパッド１３２を用いた半導体装置１０の製造方法を説明する。図５Ａ乃至図５Ｆはそれぞれ、第１の実施形態に係る半導体装置の製造方法を説明するための、図１Ｂに対応する断面図である。
【００４４】
まず、例えば銅（Ｃｕ）等の金属材料によって構成された金属板を加工し、図５Ａに示すように、複数の第１のダイパッド１３１と複数の端子部１４が一体化されたリードフレーム２５を形成する。この際、各々の第１のダイパッド１３１および各々の端子部１４には、切り欠き部１３１ａ、１４ａも形成される。
【００４５】
次に、図５Ｂに示すように、各々の第１のダイパッド１３１の上面上に銀（Ａｇ）ペーストによって構成された接着材１５を塗布し、別途製造された第２のダイパッド１３２を、各々の第１のダイパッド１３１の上面上に接着材１５を介して配置する。この後、接着材１５を硬化させ、第２のダイパッド１３２を固定する。
【００４６】
この工程において、第１のダイパッド１３１と第２のダイパッド１３２との間に空気層が形成されることを抑制するため、少し多めの量の接着材１５が塗布される。しかしながら、第２のダイパッド１３２は凸部１３２ｂを有するため、接着材１５が本体部１３２ａの側面を這い上がって第２のダイパッド１３２の上面に到達することを抑制することができる。
【００４７】
このようにしてダイパッド部１３を形成した後、図５Ｃに示すように、各々のダイパッド部１３の上面上（各々の第２のダイパッド１３２の上面上）に、銀（Ａｇ）ペーストによって構成された接着材１６を塗布し、半導体チップ１１を、各々のダイパッド部１３の上面上（各々の第２のダイパッド１３２の上面上）に接着材１６を介して配置する。この後、接着材１６を硬化させ、半導体チップ１１を固定する。このようにして、各々のダイパッド部１３の上面上（各々の第２のダイパッド１３２の上面上）に半導体チップ１１を搭載する。
【００４８】
次に、図５Ｄに示すように、半導体チップ１１と各々の端子部１４とに、例えば金（Ａｕ）または銅（Ｃｕ）等によって構成されるワイヤ１８を接続し、半導体チップ１１と各々の端子部１４とを電気的に接続する。
【００４９】
次に、図５Ｅに示すように、複数の第１のダイパッド１３１と複数の端子部１４とが一体化されたリードフレーム２５の下面が露出するように、リードフレーム２５、複数の半導体チップ１１、および複数のワイヤ１８を、例えばシリカフィラーを含有するエポキシ樹脂によって構成されるパッケージ材１２で覆う。これにより、リードフレーム２５およびパッケージ材１２で一体化された複数の半導体装置１０が製造される。
【００５０】
最後に、図５Ｆに示すように、半導体装置１０間のパッケージ材１２および端子部１４間のリードフレーム２５を切断し、一体化された複数の半導体装置１０を個片化する。
【００５１】
このようにして、第１の実施形態に係る半導体装置１０を製造することができる。
【００５２】
以上に説明した第１の実施形態によれば、第１のダイパッド１３１および第２のダイパッド１３２によってダイパッド部１３を構成するため、良好な放熱特性を備えた半導体装置１０を提供することができる。
【００５３】
さらに、第１の実施形態によれば、第２のダイパッド１３２の本体部１３２ａの側面に凸部１３２ｂを設けているため、第１のダイパッド１３１に対して第２のダイパッド１３２を固定する接着材１５が、第２のダイパッド１３２の側面および上面の一部を覆うことを抑制することができる。この結果、第２のダイパッド１３２とパッケージ材１２との密着性を向上させ、信頼性に優れた半導体装置１０を提供することができる。
【００５４】
＜第２の実施形態＞
図６は、第２の実施形態に係る半導体装置の、図１Ｂに対応する断面図である。また、図７は、第２の実施形態に係る半導体装置に適用される第２のダイパッドを示す斜視図である。以下に、図６および図７を参照して、第２の実施形態に係る半導体装置を説明する。なお、第２の実施形態に係る半導体装置の上面図は図１Ａと同様であり、第２の実施形態に係る半導体装置の下面図は図１Ｃと同様である。したがって、これらの図示は省略する。また、以下の説明において、第１の実施形態に係る半導体装置と同一部分については同一符号を付してその説明を省略する。
【００５５】
第２の実施形態に係る半導体装置３０は、第１の実施形態に係る半導体装置１０と比較して、ダイパッド部３３を構成する第２のダイパッド３３２の構成が異なる。以下に、第２の実施形態に係る半導体装置３０の第２のダイパッド３３２について説明する。
【００５６】
図６および図７に示すように、第２の実施形態に係る半導体装置３０において、第２のダイパッド３３２の各凸部３３２ｂは、四角形の板状の本体部３３２ａより薄くなっている。このような複数の凸部３３２ｂはそれぞれ、凸部３３２ｂの下面と本体部３３２ａの下面との間に段差が形成されるように、本体部３３２ａの側面に設けられている。
【００５７】
なお、第２のダイパッド３３２が、第１のダイパッド１３１からはみ出さないように構成される点は、第１の実施形態と同様である。
【００５８】
このような第２のダイパッド３３２および第２の実施形態に係る半導体装置３０は、第１の実施形態と同様に製造することができる。したがって、第２のダイパッド３３２の製造方法および第２の実施形態に係る半導体装置３０の製造方法の説明は省略する。
【００５９】
以上に説明した第２の実施形態においても、第１の実施形態と同様に、第１のダイパッド１３１および第２のダイパッド３３２によってダイパッド部３３を構成するため、良好な放熱特性を備えた半導体装置３０を提供することができる。
【００６０】
また、第２の実施形態によれば、第２のダイパッド３３２の本体部３３２ａの側面に凸部３３２ｂを設けている。この凸部３３２ｂは、凸部３３２ｂの下面まで本体部３３２ａの側面を這い上がってきた接着材１５が凸部３３２ｂの上側に這い上がり、第２のダイパッド３３２の上面に到達することを抑制することができる。この結果、第２のダイパッド３３２とパッケージ材１２との密着性を向上させ、信頼性に優れた半導体装置３０を提供することができる。
【００６１】
さらに、第２の実施形態によれば、第１のダイパッド１３１と第２のダイパッド３３２との接着材１５を介した密着性を向上させることができ、第１の実施形態と比較して、より良好な放熱特性を備えた半導体装置３０を提供することができる。以下にこの理由について説明する。
【００６２】
図８は、第２の実施形態に係る半導体装置の第２のダイパッドの製造方法を説明するための、図４に対応する部分断面図である。第２のダイパッド３３２は、図８に示すように、第２のダイパッド３３２となる金属板３９をブレード２４で切断することによって製造されるが、ブレード２４で押し下げられた部分は、凸部３３２ｂとなる部分の下面に「バリ３９ａ」として残存する。ここで、第２の実施形態のように、凸部３３２ｂの厚さが本体部３３２ａの厚さより薄く、凸部３３２ｂの下面と本体部３３２ａの下面との間に段差がある場合には、図示するように「バリ３９ａ」が形成されても、これが本体部３３２ａの下面より下方に突出することが抑制される。したがって、第１のダイパッド１３１と第２のダイパッド３３２とを接着材１５を介して密着させることができる。この結果、半導体装置３０の放熱特性をより向上させることができる。
【００６３】
反対に、第１の実施形態に係る半導体装置の第２のダイパッド１３２のように、凸部１３２ｂの厚さが本体部１３２ａの厚さと等しく、凸部１３２ｂの下面と本体部１３２ａの下面との間に段差が存在しない場合、凸部１３２ｂに形成される「バリ」は、本体部１３２ａの下面より下方に突出する。したがって、「バリ」は、第１のダイパッド１３１と第２のダイパッド１３２の密着性を阻害する。
【００６４】
以上に、本発明の実施形態を説明したが、この実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これらの新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の趣旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これらの実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。
【００６５】
例えば上記第各実施形態に係る半導体装置１０、３０は、複数の端子部１４が下面から露出した、いわゆるＱＦＮ（Ｑｕａｄ  Ｆｏｒ  Ｎｏｎ−ｌｅａｄ  ｐａｃｋａｇｅ）型の半導体装置であった。しかし、第１の実施形態において説明したダイパッド部１３の構成や、第２の実施形態において説明したダイパッド部３３の構成を、図９Ａおよび図９Ｂに示すように、複数の端子部５４が側面から突出した、いわゆるＱＦＰ（Ｑｕａｄ  Ｆｌａｔ  Ｐａｃｋａｇｅ）型の半導体装置５０、７０に対して適用してもよい。なお、図９Ａにおいて、第１の実施形態に係る半導体装置１０と同一部分には同一符号を付しており、図９Ｂにおいて、第２の実施形態に係る半導体装置３０と同一部分には同一符号を付している。
【符号の説明】
【００６６】
１０、３０、５０、７０・・・半導体装置
１１・・・半導体チップ
１２・・・パッケージ材
１３、３３・・・ダイパッド部
１３１・・・第１のダイパッド
１３１ａ・・・切り欠き部
１３２、３３２・・・第２のダイパッド
１３２ａ、３３２ａ・・・本体部
１３２ｂ、３３２ｂ・・・凸部
１４、５４・・・端子部
１４ａ・・・切り欠き部
１４１・・・第１の端子部
１４２・・・第２の端子部
１５、１６・・・接着材
１７・・・引き出しライン
１８・・・ワイヤ
１９、３９・・・金属板
２０・・・十字状の貫通孔
２１・・・四角形の貫通孔
２２・・・金型
２３・・・ブレード誘導路
２４・・・ブレード
２５・・・リードフレーム
３９ａ・・・バリ
【図１Ａ】
0006430422.tif 000002
【図１Ｂ】
0006430422.tif 000003
【図１Ｃ】
0006430422.tif 000004
【図２】
0006430422.tif 000005
【図３Ａ】
0006430422.tif 000006
【図３Ｂ】
0006430422.tif 000007
【図４】
0006430422.tif 000008
【図５Ａ】
0006430422.tif 000009
【図５Ｂ】
0006430422.tif 000010
【図５Ｃ】
0006430422.tif 000011
【図５Ｄ】
0006430422.tif 000012
【図５Ｅ】
0006430422.tif 000013
【図５Ｆ】
0006430422.tif 000014
【図６】
0006430422.tif 000015
【図７】
0006430422.tif 000016
【図８】
0006430422.tif 000017
【図９Ａ】
0006430422.tif 000018
【図９Ｂ】
0006430422.tif 000019