(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
上面に凸部を有する基板と、
前記基板の前記上面に配置された第１部分と、前記第１部分の端部から前記第１部分側に曲折し、端部が前記凸部に接触した第２部分とを有するフレキシブル基板と、
前記第１部分において前記フレキシブル基板の第１面から露出し、第１方向の長さが前記第１方向と交差する第２方向の長さよりも長く、前記第２方向に４つ配列した第１端子と、
前記第２部分において前記第１面と異なる前記フレキシブル基板の第２面から露出し、前記第１方向の長さが前記第２方向の長さよりも長く、前記第２方向に５つ配列した第２端子と、
前記基板と前記フレキシブル基板とを収納し、前記フレキシブル基板の前記第２部分における前記第２面の一部が接触したハウジングと、
を具備するモジュール。
【請求項２】
前記モジュールはコネクタと接続することが可能であり、
前記第２端子の面は、前記基板の前記上面に対して傾きを有し、
前記モジュールが前記コネクタに挿入された場合に、前記第２端子の面が前記コネクタと接続される請求項１記載のモジュール。
【請求項３】
前記フレキシブル基板は、前記第１方向における前記第２端子のサイドにスリットを有し、前記第１方向における前記スリットの長さは前記第１方向における前記第２端子の長さよりも長い請求項１記載のモジュール。
【請求項４】
前記基板は、前記第２方向に沿って前記凸部を複数個備え、
前記フレキシブル基板の前記第２部分の端部は前記複数の凸部で固定され、
前記複数の凸部は、前記フレキシブル基板の曲折部分が前記上面が向く方向にたわむような位置に配置される請求項１記載のモジュール。
【請求項５】
前記フレキシブル基板の曲折部分は、緩やかなラウンド状に曲がる形状を含む請求項４記載のモジュール。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本実施形態は、モジュールに関する。
【背景技術】
【０００２】
ＮＡＮＤ型フラッシュメモリが搭載された半導体記憶装置が知られている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２０１１−２３３５００号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
性能を向上することが可能なモジュールを提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
実施形態のモジュールは、基板と、フレキシブル基板と、第１端子と、第２端子と、ハウジングとを具備する。基板は、上面に凸部を有する。フレキシブル基板は、基板の上面に配置された第１部分と、第１部分の端部から第１部分側に曲折し、端部が凸部に接触した第２部分とを有する。第１端子は、第１部分においてフレキシブル基板の第１面から露出し、第１方向の長さが第１方向と交差する第２方向の長さよりも長く、第１部分において第２方向に４つ配列する。第２端子は、第２部分において第１面と異なるフレキシブル基板の第２面から露出し、第１方向の長さが第２方向の長さよりも長く、第２方向に５つ配列する。ハウジングは、基板とフレキシブル基板とを収納し、フレキシブル基板の第２部分における第２面の一部が接触する。
【図面の簡単な説明】
【０００６】
【図１】第１実施形態に係る半導体記憶装置のブロック図。
【図２】第１実施形態に係る不揮発性半導体メモリのブロック図。
【図３】第１実施形態に係る半導体記憶装置の動作概念図。
【図４】第２実施形態の例２−１に係るモジュールの平面図。
【図５】図４のＶ−Ｖ線に沿った断面図。
【図６】第２実施形態の例２−１に係るモジュールの製造工程を示す平面図。
【図７】図６のＶＩＩ−ＶＩＩ線に沿った断面図。
【図８】第２実施形態の例２−２に係るモジュールの平面図。
【図９】図８のＩＸ−ＩＸ線に沿った断面図。
【図１０】第２実施形態の例２−３に係るモジュールの平面図。
【図１１】図１０のＸＩ−ＸＩ線に沿った断面図。
【図１２】第２実施形態の例２−４に係るモジュールの断面図。
【図１３】第２実施形態の例２−５に係るモジュールの断面図。
【図１４】第３実施形態の例３−１に係るモジュールの平面図。
【図１５】図１４のＸＶ−ＸＶ線に沿った断面図。
【図１６】第３実施形態の例３−１に係るモジュールの製造工程を示す平面図。
【図１７】図１６のＸＶＩＩ−ＸＶＩＩ線に沿った断面図。
【図１８】図１６に続く、第３実施形態の例３−１に係るモジュールの製造工程を示す平面図。
【図１９】図１８のＸＩＸ−ＸＩＸ線に沿った断面図。
【図２０】第３実施形態の例３−２に係るモジュールの平面図。
【図２１】図２０のＸＸＩ−ＸＸＩ線に沿った断面図。
【図２２】第３実施形態の例３−２に係るモジュールの製造工程を示す平面図。
【図２３】図２２のＸＸＩＩＩ−ＸＸＩＩＩ線に沿った断面図。
【図２４】図２２に続く、第３実施形態の例３−２に係るモジュールの製造工程を示す平面図。
【図２５】図２４のＸＸＶ−ＸＸＶ線に沿った断面図。
【図２６】第３実施形態の例３−３に係るモジュールの断面図。
【図２７】第３実施形態の例３−４に係るモジュールの断面図。
【図２８】第４実施形態に係るモジュールの平面図。
【図２９】図２８のモジュールの側面図。
【図３０】図２８のモジュールの斜視図。
【図３１】第４実施形態に係るモジュールの製造工程を示す平面図。
【図３２】図３１のモジュールの側面図。
【図３３】図３１に続く、第４実施形態に係るモジュールの製造工程を示す平面図。
【図３４】図３３のモジュールの側面図。
【図３５】図３３に続く、第４実施形態に係るモジュールの製造工程を示す平面図。
【図３６】図３５のモジュールの側面図。
【図３７】第５実施形態に係るモジュールの平面図。
【図３８】図３７のモジュールの側面図。
【図３９】図３７のモジュールの斜視図。
【図４０】第５実施形態に係る他のモジュールの側面図。
【図４１】第５実施形態に係るモジュールの製造工程を示す平面図。
【図４２】図４１のモジュールの側面図。
【図４３】図４１に続く、第５実施形態に係るモジュールの製造工程を示す平面図。
【図４４】図４３のモジュールの側面図。
【図４５】図４３に続く、第５実施形態に係るモジュールの製造工程を示す平面図。
【図４６】図４５のモジュールの側面図。
【発明を実施するための形態】
【０００７】
以下、実施形態について、図面を参照して説明する。尚、以下の説明において、同一の機能及び構成を有する要素については、共通する参照符号を付し、重複説明は必要な場合に行う。
【０００８】
［１］第１実施形態
第１実施形態の半導体記憶装置１は、不揮発性半導体メモリ１０、コントローラ２０、温度センサ３０を含む。温度センサ３０の出力端子Ｔ３は、不揮発性半導体メモリ１０のレディ／ビジー（Ready/Busy）端子Ｔ１及びコントローラ２０のレディ／ビジー端子Ｔ２に電気的に接続される。温度センサ３０は、不揮発性半導体メモリ１０の温度状態に応じて、コントローラ２０のコマンド発行を停止及び再開させることができる。
【０００９】［１−１］半導体記憶装置１の構成  図１を用いて、第１実施形態に係る半導体記憶装置１の構成について説明する。ここでは、半導体記憶装置１として、ＵＳＢ（登録商標）（Universal Serial Bus）メモリを例に挙げるが、例えば、ＳＤ（登録商標）カードメモリ、ＭｉｃｒｏＳＤ（登録商標）カードメモリ、ＣＦ（Compact Flash（登録商標））カードメモリ等でもよい。
【００１０】
図１に示すように、第１実施形態に係る半導体記憶装置１は、不揮発性半導体メモリ１０、コントローラ２０、温度センサ３０及びＵＳＢコネクタ４０を備えている。
【００１１】
不揮発性半導体メモリ１０は、複数のメモリセルを備え、データを不揮発に記憶する。不揮発性半導体メモリ１０は、メモリインターフェイス（Ｉ／Ｆ）回路１１等を有している。不揮発性半導体メモリ１０の一例は、ＮＡＮＤ型フラッシュメモリであり、メモリインターフェイス（Ｉ／Ｆ）回路１１は、ＮＡＮＤインターフェイス回路である。メモリインターフェイス回路１１は、トランジスタＴｒ１を含んでいる。トランジスタＴｒ１のソースは、接地端子に接続されている。トランジスタＴｒ１のドレインは、不揮発性半導体メモリ１０のステータスチェック用のレディ／ビジー端子Ｔ１に接続されている。トランジスタＴｒ１は、オープンドレイン出力になっている。
【００１２】
不揮発性半導体メモリ１０は、不揮発性半導体メモリ１０の内部の動作状態を知らせるためのレディ／ビジー信号を出力する。不揮発性半導体メモリ１０は、不揮発性半導体メモリ１０がデータの書き込み、読み出し又は消去動作中には、ビジー信号（ＲＹ／（／ＢＹ）＝“Ｌ”）を出力し、これらの動作が完了すると、レディ信号（ＲＹ／（／ＢＹ）＝“Ｈ”）を自動的に出力する。不揮発性半導体メモリ１０の構成等については、図２を用いて後述する。
【００１３】
コントローラ２０は、外部からの命令に応答して、不揮発性半導体メモリ１０に対して、読み出し、書き込み及び消去動作等を制御する。コントローラ２０は、メモリインターフェイス（Ｉ／Ｆ）回路２１、ＵＳＢインターフェイス（Ｉ／Ｆ）回路２２、ＭＰＵ（Micro Processing Unit）２３、ＲＯＭ（Read Only Memory）２４及びＲＡＭ（Random Access Memory）２５等を有している。
【００１４】
メモリインターフェイス回路２１は、コントローラ２０と不揮発性半導体メモリ１０との間のインターフェイス処理を行う。メモリインターフェイス回路２１は、レディ／ビジー端子Ｔ２を含む。レディ／ビジー端子Ｔ２は、 コントローラ２０により“Ｈ”レベルの信号（例えば３．３Ｖ）を供給する。
【００１５】
ＵＳＢインターフェイス回路２２は、ＵＳＢコネクタ４０に接続され、半導体記憶装置１と外部との間におけるデータやコマンドの授受等を制御する。ＵＳＢインターフェイス回路２２とＵＳＢコネクタ４０とを接続するデータ線の本数は、例えば、ＵＳＢ２．０の場合は４本、ＵＳＢ３．０の場合は９本である。
【００１６】
ＭＰＵ２３は、半導体記憶装置１全体の動作を司り、外部から受けたコマンドに従って不揮発性半導体メモリ１０に対する所定の処理を実行する。ＲＯＭ２４は、ＭＰＵ２３により制御される制御プログラム等を格納する。ＲＡＭ２５は、ＭＰＵ２３の作業エリアとして使用され、制御プログラム等を一時的に記憶する。
【００１７】
不揮発性半導体メモリ１０及びコントローラ２０は、メモリインターフェイス回路１１及びメモリインターフェイス回路２１を介して、複数のデータ線で接続されている。この複数のデータ線は、レディ／ビジー線ＲＢＬを含む。このレディ／ビジー線ＲＢＬは、不揮発性半導体メモリ１０のメモリインターフェイス回路１１におけるステータスチェック用のレディ／ビジー端子Ｔ１とコントローラ２０のメモリインターフェイス回路２１におけるステータスチェック用のレディ／ビジー端子Ｔ２とを接続している。レディ／ビジー端子Ｔ２は、レディ／ビジー線ＲＢＬを介して、レディ／ビジー端子Ｔ１から出力されたレディ／ビジー信号を受ける。
【００１８】
温度センサ３０は、トランジスタＴｒ２を有している。トランジスタＴｒ２のソースは、接地端子に接続されている。トランジスタＴｒ２のドレインは、温度センサ３０の出力端子Ｔ３に接続されている。トランジスタＴｒ２は、オープンドレイン出力になっている。温度センサ３０の出力端子Ｔ３は、レディ／ビジー端子Ｔ１及びＴ２に接続されている。
【００１９】
温度センサ３０は、温度センサ３０の周囲又は近傍（例えば、温度センサ３０の直下にある基板上の銅パターン）、コントローラ２０、不揮発性半導体メモリ１０等をモニタする。
【００２０】
第１実施形態では、温度センサ３０が不揮発性半導体メモリ１０の温度をモニタする例について説明する。この場合、温度センサ３０は、例えば、不揮発性半導体メモリ１０上又は不揮発性半導体メモリ１０の近傍に配置されている。温度センサ３０がコントローラ２０をモニタする場合、温度センサ３０は、例えば、コントローラ２０上又はコントローラ２０の近傍に配置されている。温度センサ３０が半導体記憶装置１をモニタする場合、温度センサ３０は、例えば、半導体記憶装置１の外部に外付けされてもよい。
【００２１】
温度センサ３０は、不揮発性半導体メモリ１０及びコントローラ２０が搭載された同一基板に搭載されてもよい。温度センサ３０は、半導体記憶装置１内において、図１のように不揮発性半導体メモリ１０及びコントローラ２０の外部に配置されてもよいし、不揮発性半導体メモリ１０又はコントローラ２０に内蔵されてもよい。
【００２２】
温度センサ３０のモニタは、常時行われてもよいし、所定期間に設定することも可能である。
【００２３】
不揮発性半導体メモリ１０の温度が基準値より低い場合、温度センサ３０は、トランジスタＴｒ２をオフする。その結果、温度センサ３０は“Ｈ”レベルになる。一方で、不揮発性半導体メモリ１０の温度が基準値以上の高い場合、温度センサ３０は、トランジスタＴｒ２をオンする。その結果、温度センサ３０は“Ｌ”レベルになる。不揮発性半導体メモリ１０の温度の基準値は、例えば温度センサ３０内に予め設定されていてもよいし、コントローラ２０や半導体記憶装置１の外部から任意に設定及び変更することも可能である。
【００２４】
温度センサ３０、コントローラ２０及び不揮発性半導体メモリ１０は、図示するように直接接続してもよいが、出力調整用として受動部品（例えば、抵抗素子、コンデンサ等）を介して接続してもよい。
【００２５】
［１−２］不揮発性半導体メモリ１０
図２を用いて、第１実施形態に係る不揮発性半導体メモリ１０について説明する。図２に示すように、不揮発性半導体メモリ１０は、入出力（Ｉ／Ｏ）制御回路１１ａ、ロジック制御回路１１ｂ及びレディ／ビジー制御回路１１ｃを有するメモリインターフェイス回路１１、メモリセルアレイ１２、センスアンプ１３ａ、データレジスタ１３ｂ、カラムデコーダ１３ｃ、カラムバッファ１３ｄ、ロウアドレスデコーダ１４ａ、ロウアドレスバッファ１４ｂ、メモリセルアレイ制御回路１５、コマンドレジスタ１６ａ、アドレスレジスタ１６ｂ、ステータスレジスタ１６ｃ及び高電圧発生回路１７を有している。
【００２６】
入出力制御回路１１ａは、コントローラ２０に対して入出力信号（Ｉ／Ｏ１〜８又は１６）を送受信する。
【００２７】
ロジック制御回路１１ｂは、コントローラ２０からコマンドを受信する。コントローラ２０から受信するコマンドは、例えば、チップイネーブル信号／ＣＥ、コマンドラッチイネーブル信号ＣＬＥ、アドレスラッチイネーブル信号ＡＬＥ、ライトイネーブル信号／ＷＥ、リードイネーブル信号／ＲＥ、ライトプロテクト信号／ＷＰ及びパワーオンセレクト信号ＰＳＬである。／ＣＥは、不揮発性半導体メモリ１０をイネーブルにするための信号である。ＣＬＥは、入力信号がコマンドであることを不揮発性半導体メモリ１０に通知する信号である。ＡＬＥは、入力信号がアドレス信号であることを不揮発性半導体メモリ１０に通知する信号である。／ＷＥは、入力信号を不揮発性半導体メモリ１０に取り込ませるための信号である。／ＲＥは、出力信号を不揮発性半導体メモリ１０から取り出すための信号である。/ＷＰは、書き込み及び消去から不揮発性半導体メモリ１０を保護するための信号である。ＰＳＬは、不揮発性半導体メモリ１０の初期設定を行う場合に使われる信号である。
【００２８】
レディ／ビジー制御回路１１ｃは、コントローラ２０に対してレディ／ビジー信号を送信する。レディ／ビジー制御回路１１ｃの出力はトランジスタＴｒ１のゲートに接続されている。不揮発性半導体メモリ１０がレディ状態の場合、レディ／ビジー制御回路１１ｃは“Ｌ”レベルを出力し、トランジスタＴｒ１はオフする。その結果、レディ／ビジー信号は“Ｈ”レベルになる。不揮発性半導体メモリ１０がビジー状態の場合、レディ／ビジー制御回路１１ｃは、“Ｈ”レベルを出力しトランジスタＴｒ１をオンする。その結果、レディ／ビジー信号は“Ｌ”レベルになる。
【００２９】
メモリセルアレイ１２は、各々がワード線及びビット線に関連付けられた複数の不揮発性メモリセルの集合を備えている。センスアンプ１３ａ、データレジスタ１３ｂ、カラムデコーダ１３ｃ及びカラムバッファ１３ｄは、データの読み出し時には、メモリセルからビット線に読み出されたデータをセンス及び増幅する。データの書き込み時には、書き込みデータをメモリセルに転送する。ロウアドレスデコーダ１４ａ及びロウアドレスバッファ１４ｂは、ブロックアドレスやページアドレスをデコードして、対応するワード線を選択し、選択ワード線及び非選択ワード線に適切な電圧を印加する。
【００３０】
メモリセルアレイ制御回路１５は、レディ／ビジー制御回路１１ｃ、センスアンプ１３ａ、データレジスタ１３ｂ、カラムデコーダ１３ｃ、ロウアドレスデコーダ１４ａ、ステータスレジスタ１６ｃ及び高電圧発生回路１７を制御する。コマンドレジスタ１６ａ及びアドレスレジスタ１６ｂは、コントローラ２０から受信したコマンドやアドレス等を保持し、また種々のテーブルを保持することも可能である。ステータスレジスタ１６ｃは、データの書き込みや消去動作のステータスを保持し、これによって、コントローラ２０に動作が正常に完了したか否かを通知する。高電圧発生回路１７は、データの書き込み、読み出し及び消去に必要な電圧を発生し、これをロウアドレスデコーダ１４ａ及びセンスアンプ１３ａに供給する。不揮発性半導体メモリ１０には、例えば、電源電圧ＶＣＣ及び接地電圧ＶＳＳが供給されている。
【００３１】
［１−３］半導体記憶装置１の温度制御
図３を用いて、第１実施形態に係る半導体記憶装置１の温度制御について説明する。尚、温度センサ３０は、不揮発性半導体メモリ１０の温度を常時モニタしている。
【００３２】
図３に示すように、不揮発性半導体メモリ１０は、スタンバイ状態の場合、“Ｈ”レベルになる。このとき、不揮発性半導体メモリ１０の温度が基準値より低い場合、温度センサ３０は“Ｈ”レベルになる。この場合、レディ／ビジー信号は、“Ｈ”レベル（レディ状態）になる。これにより、コントローラ２０は、コマンド発行が可能な状態になる（ステータス（１））。
【００３３】
コントローラ２０は、不揮発性半導体メモリ１０がレディ状態のとき、不揮発性半導体メモリ１０に対してコマンドを発行できる。（ステータス（２））。
【００３４】
コントローラ２０がコマンドを発行すると、不揮発性半導体メモリ１０は、コントローラ２０から受信した信号をコマンドレジスタ１６ａに保存する。メモリセルアレイ制御回路１５は、コントローラ２０から受信した信号に応じて、高電圧発生回路１７に信号を送信する。信号を受信した高電圧発生回路１７は、メモリセルアレイ１２、センスアンプ１３ａ及びロウアドレスデコーダ１４ａに対して電圧を印加し、データの読み書きを行う。データの読み書きを行っているとき、メモリセルアレイ制御回路１５は、レディ／ビジー制御回路１１ｃに対して信号を送信する。レディ／ビジー制御回路１１ｃは、信号を受信すると、トランジスタＴｒ１をオンする。これにより、不揮発性半導体メモリ１０はビジー状態（“Ｌ”レベル）になり、レディ／ビジー信号は“Ｌ”レベル（例えば０Ｖ）になる。この場合、不揮発性半導体メモリ１０がビジー状態になっているので、温度センサ３０のステータス状態に関係なく、コントローラ２０はコマンド発行できない状態となる（ステータス（３））。
【００３５】
不揮発性半導体メモリ１０がデータの読み書きを行うと、不揮発性半導体メモリ１０は発熱し、温度が上昇する。不揮発性半導体メモリ１０の温度が基準値以上に上昇すると、温度センサ３０は “Ｌ”レベルになる。このとき、不揮発性半導体メモリ１０と温度センサ３０は共に“Ｌ”レベルであるので、レディ／ビジー信号は“Ｌ”レベルのまま変化しない。この場合、コントローラ２０は、コマンド発行できない状態である（ステータス（４））。
【００３６】
不揮発性半導体メモリ１０がデータの読み書き動作を終了すると、レディ／ビジー制御回路１１ｃは、トランジスタＴｒ１をオフする。これにより、不揮発性半導体メモリ１０は、スタンバイ状態（“Ｈ”レベル）になる。一方、温度センサ３０は、不揮発性半導体メモリ１０の温度が基準値より高い場合、“Ｌ”レベルを維持する。これにより、レディ・ビジー信号は、“Ｌ”レベルになる。その結果、不揮発性半導体メモリ１０がスタンバイ状態になっていても、コントローラ２０は、不揮発性半導体メモリ１０がビジー状態であるように見える。従って、コントローラ２０は、コマンド発行できない状態となる（ステータス（５））。
【００３７】
不揮発性半導体メモリ１０の読み書き動作が終了すると、不揮発性半導体メモリ１０の温度は徐々に低下する。不揮発性半導体メモリ１０の温度が基準値より低くなると、温度センサ３０は“Ｈ”レベルになる。このとき、不揮発性半導体メモリ１０と温度センサ３０が共に“Ｈ”レベルになるため、レディ／ビジー信号は、“Ｈ”レベル（レディ状態）になる。その結果、コントローラ２０は、再びコマンド発行可能な状態になる（ステータス（１））。
【００３８】
このように、本実施形態に係る半導体記憶装置１では、不揮発性半導体メモリ１０が高温状態である場合、温度センサ３０によってレディ／ビジー信号は“Ｌ”レベルになる。これにより、不揮発性半導体メモリ１０がスタンバイ状態になっていても、コントローラ２０がコマンドを発行することを停止させることができる。
【００３９】
尚、不揮発性半導体メモリ１０の温度上昇によって温度センサ３０が“Ｌ”レベルなり、不揮発性半導体メモリ１０の読み書き動作が中断された場合、不揮発性半導体メモリ１０の温度低下によって温度センサ３０が“Ｈ”レベルになった後に、中断された読み書き動作が再度行われる。
【００４０】
また、不揮発性半導体メモリ１０の読み書き動作ではなく、半導体記憶装置１の外部からの影響によって不揮発性半導体メモリ１０が高温状態になった場合においても、温度センサ３０はコントローラ２０のコマンド発行を停止することができる。
【００４１】
［１−４］第１実施形態の効果
半導体記憶装置１は、半導体素子の微細化及び動作の高速化によって、発熱が大きくなり、温度が上昇し過ぎてしまう場合がある。ＵＳＢメモリのように、人が直接触る可能性のあるデバイスは、筐体に熱を逃がすことができない。また、現在の不揮発性半導体メモリ１０を搭載したデバイスは、温度センサ３０を搭載していないため、温度上昇に対して不揮発性半導体メモリ１０の動作を制御することができない。
【００４２】
そこで、第１実施形態では、不揮発性半導体メモリ１０を搭載した半導体記憶装置１に温度センサ３０を設ける。温度センサ３０の出力端子Ｔ３は、不揮発性半導体メモリ１０のレディ／ビジー端子Ｔ１及びコントローラ２０のレディ／ビジー端子Ｔ２に接続する。不揮発性半導体メモリ１０の温度が基準値以上になった場合、温度センサ３０はトランジスタＴｒ２をオンして、レディ／ビジー信号を“Ｌ”レベルにする。これにより、不揮発性半導体メモリ１０がスタンバイ状態になっていても、コントローラ２０は、不揮発性半導体メモリ１０がビジー状態であるように見え、コマンドの発行を停止する。
【００４３】
以上のように、温度センサ３０は、不揮発性半導体メモリ１０の温度状態に応じて、コントローラ２０のコマンド発行を停止させることができ、不揮発性半導体メモリ１０のさらなる温度上昇を回避することができる。従って、不揮発性半導体メモリ１０を搭載した半導体記憶装置１の温度の制御及び管理が可能となり、半導体記憶装置１の性能向上を図ることができる。
【００４４】
［２］第２実施形態
第２実施形態は、モールドタイプのモジュールに対して、立体的な構造の端子（立体型端子）を設けている。第２実施形態に係るモジュールは、モールドタイプのモジュール全般に使用可能で、例えば、ＵＳＢメモリやＵＳＢケーブルの端子として使用することが可能である。第２実施形態に係るモジュールは、例えば、図１のＵＳＢコネクタ４０に使用してもよい。
【００４５】
［２−１］例２−１
例２−１は、信号出力用の平型端子５２に導電部材５３を接続する。導電部材５３は、凸部５１の形状に沿った立体的な構造を有している。
【００４６】
［２−１−１］構造
図４及び図５を用いて、例２−１によるモジュールの構造について説明する。図４及び図５に示すように、例２−１のモジュールは、基板５０、凸部５１、信号出力用の平型端子５２及び導電部材５３を備えている。
【００４７】
基板５０は、絶縁性の材料（例えば樹脂）で形成されている。本実施形態のモジュールがＵＳＢメモリの端子等の場合、基板５０は、例えばシリコンチップが配置された回路基板をモールドして形成されたものである。
【００４８】
凸部５１は、基板５０の上面から突出し、導電部材５３の台座となる。凸部５１の平面形状は、例えば、長方形や正方形等の四角形、円形、楕円形等である。尚、凸部５１は、端部が角張っていてもよいし、端部が丸まったドーム状でもよく、突出した形状であればよい。
【００４９】
凸部５１は、基板５０上に複数個配置されている。凸部５１は、平型端子５２及び導電部材５３の数に対応した数（例えば４つ）の島状で配置されている。尚、凸部５１は、Ｙ方向（例えば、導電部材５３の延在方向と垂直方向）に延びた１本のライン状で配置されてもよい。
【００５０】
凸部５１は、絶縁性の材料（例えば樹脂）で形成されている。凸部５１は、基板５０と同じ材料で基板５０と一体として設けられている。尚、凸部５１は、基板５０と異なる材料で形成されてもよいし、基板５０と別に形成されてもよい。
【００５１】
平型端子５２は、基板５０の凸部５１が形成された面上に複数個（例えば４つ）配置されている。平型端子５２は、例えば金属で形成されている。尚、平型端子５２の表面が露出していれば、平型端子５２の一部又は全部が基板５０内に埋め込まれてもよい。
【００５２】
導電部材５３は、一端が平型端子５２に接続され、他端が基板５０に沿って凸部５１までＸ方向に延在する。導電部材５３は、凸部５１を覆っている。具体的には、導電部材５３の一端側（平型端子５２側）は、平面的に形成され、導電部材５３の他端側（凸部５１側）は、凸部５１の形状に沿った凹部形状５３ａを有するように立体的に形成されている。
【００５３】
導電部材５３は、凸部５１の第２側面５１ｂに対向する部分において、Ａ側から挿入するコネクタ（図示せず）と接続される。但し、導電部材５３は、凸部５１の第２側面５１ｂを全て覆う必要はなく、例えば平型端子５２から凸部５１の上面の途中まで延びた構造でもよい。尚、導電部材５３は、Ｂ側から挿入するコネクタ（図示せず）との接続に使用されてもよい。
【００５４】
導電部材５３は、例えば、導電性ペースト又は金属箔で形成されている。導電性ペーストの場合、熱硬化型ペースト又はＵＶ硬化型ペースト等が用いられる。導電性ペーストの材料としては、銀（Ａｇ）、パラジウム（Ｐｄ）、銅（Ｃｕ）等が用いられる。金属箔の材料としては、アルミニウム（Ａｌ）、銅、銀等が用いられる。尚、導電性ペーストは、半田ペースト以外が望ましい。半田ペーストとは、半田の粉末にフラックス（例えば、ロジンやロジン変性樹脂に有機酸、ハロゲン化塩、ハロゲン化合物からなる活性剤を添加したもの）を加えて、適当な粘度にしたものを意味する。
【００５５】
導電部材５３は、複数個（例えば４つ）配置され、平型端子５２の数に対応した個数で配置されている。
【００５６】
このように、例２−１では、平型端子５２から凸部５１の形状に沿って導電部材５３を延在させている。これにより、凹部形状５３ａの立体型端子を有するモジュールが形成されている。
【００５７】
［２−１−２］製造方法
図４乃至図７を用いて、例２−１によるモジュールの製造方法について説明する。ここでは、基板５０と凸部５１が一体として形成される場合を例に挙げる。
【００５８】
まず、図６及び図７に示すように、基板５０及び凸部５１は、封止樹脂等を用いて、モールドすることによって同時に形成される。次に、基板５０の凸部５１が形成された面上に、平型端子５２が形成される。次に、図４及び図５に示すように、平型端子５２から凸部５１まで、導電部材５３が形成される。例えば、導電部材５３に金属ペーストが用いられる場合は、プリント処理により導電部材５３が形成される。導電部材５３に金属箔が用いられる場合は、圧着することによって導電部材５３が形成される。以上のように、導電部材５３からなる立体型端子を有するモジュールが形成される。
【００５９】
［２−２］例２−２
例２−１では、導電部材５３として導電性ペースト又は金属箔を用いている。これに対して、例２−２では、導電部材として金属板５４を用いている。以下では、例２−１と異なる点についてのみ説明する。
【００６０】
［２−２−１］構造
図８及び図９を用いて、例２−２によるモジュールの構造について説明する。図８及び図９に示すように、例２−２のモジュールは、平型端子５２に接続する導電部材として金属板５４が配置されている。金属板５４は、例２−１の導電部材５３の凹部形状５３ａと同様に、凸部５１の形状に沿った凹部形状５４ａを有している。金属板５４は、例えば、銅等の材料で形成されている。
【００６１】
［２−２−２］製造方法
図６乃至図９を用いて、例２−２によるモジュールの製造方法について説明する。まず、図６及び図７に示すように、例２−１と同様の方法で、基板５０、凸部５１及び平型端子５２が形成される。次に、図８及び図９に示すように、平型端子５２、基板５０及び凸部５１上に金属板５４が配置される。これにより、立体構造の金属板５４の凹部形状５４ａは、対応する凸部５１を覆うように配置される。尚、立体構造の金属板５４は、凸部５１の形状に沿った凹部形状５４ａを有するように予め形成される。このように、金属板５４からなる立体型端子を有するモジュールが形成される。
【００６２】
［２−３］例２−３
図１０及び図１１を用いて、例２−３によるモジュールの構造について説明する。以下では、例２−１及び例２−２と異なる点についてのみ説明する。
【００６３】
図１０及び図１１に示すように、例２−３のモジュールは、平型端子５２に接続する立体型端子として、例２−１の導電部材（導電性ペースト又は金属箔）５３と例２−２の金属板５４との両方を用いている。すなわち、導電部材（導電性ペースト又は金属箔）５３上に金属板５４が配置され、金属板５４が導電部材５３を介して平型端子５２と接続されている。
【００６４】
導電部材５３のＸ方向に延在する長さは、金属板５４のＸ方向に延在する長さよりも短く、導電部材５３のＹ方向の幅は、金属板５４のＹ方向の幅より長くなっているが（図１０参照）、これに限定されない。導電部材５３は、金属板５４の全ての底面下に配置されなくてもよい。導電部材５３は、金属板５４と平型端子５２との電気的な接続面積が増加するように、金属板５４の底面下の少なくとも一部に設けられればよい。例えば、導電部材５３は、金属板５４と凸部５１との間に配置されず（凹部形状５３ａを有さず）、金属板５４が、凸部５１上に直接配置されてもよい。
【００６５】
金属板５４は、導電部材５３の全ての上面上に配置されなくてもよく、導電部材５３の一部だけを覆うように設けてもよい。例えば、金属板５４は、凸部５１の上方にのみ配置されてもよい。金属板５４は、凹部形状５４ａを有していなくてもよい。
【００６６】
導電部材５３と金属板５４とは、逆に配置されてもよい。すなわち、平型端子５２、基板５０及び凸部５１上に金属板５４が配置され、この金属板５４上に導電部材５３が設けられてもよい。
【００６７】
［２−４］例２−４
図１２を用いて、例２−４によるモジュールの構造について説明する。例２−４の金属板５４は、凸部５１の第１側面５１ａから凸部５１の上面まで覆い、凸部５１の上方（Ｚ方向）に曲折し、さらに平型端子５２側に曲折している。このように、金属板５４は凸部５１の上方に立体的に形成された凹部形状５４ａを有する。これにより、立体型端子を有するモジュールが形成されている。
【００６８】
尚、金属板５４は、凸部５１上で円弧状に曲折してもよく、凸部５１の上面から上方に曲折している部分を有していればよい。
【００６９】
［２−５］例２−５
図１３を用いて、例２−５によるモジュールの構造について説明する。例２−５のモジュールは、例２−４のモジュールに、導電部材５３を追加した構造である。導電部材５３は、金属板５４と平型端子５２、基板５０及び凸部５１との間に配置されている。
【００７０】
尚、導電部材５３は、金属板５４と基板５０及び凸部５１との間の一部に形成されていてもよく、金属板５４が、導電部材５３を介して平型端子５２に接続されていればよい。
【００７１】
［２−６］第２実施形態の効果
第２実施形態では、基板５０上に形成した凸部５１に沿って、平型端子５２に接続された導電部材５３及び金属板５４を配置する（例２−３）。これにより、導電部材５３及び金属板５４は、凸部５１の形状に沿った凹部形状５３ａ及び５４ａを有する立体型端子となる。このため、凸部５１上の導電部材５３及び金属板５４の上面が平坦となるので、信号出力端子の平坦度を確保することができる。また、導電部材５３は、プリント又は圧着により形成される。これにより、導電部材５３は、基板５０、凸部５１及び平型端子５２に密着されるため、導電部材５３と基板５０、凸部５１及び平型端子５２との間に異物が入り込むことを抑制することができる。さらに、導電部材５３を設けることで、金属板５４と平型端子５２との接触面積を増加させることができる。
【００７２】
以上により、第２実施形態に係るモジュールでは、立体型端子（導電部材５３及び金属板５４）と平型端子５２との接続の安定性を向上することができ、性能向上を図ることができる。
【００７３】
［３］第３実施形態
第２の実施形態の立体型端子は、凸部５１の形状に沿って形成されている。これに対して、第３実施形態の立体型端子は、凸部５１を設けずに又は凸部５１の形状に沿わずに立体構造が形成されている。以下、第２実施形態と異なる点についてのみ説明する。
【００７４】
［３−１］例３−１
例３−１は、基板５０上に凸部５１を設けずに、立体型端子を形成している。
【００７５】
［３−１−１］構造
図１４及び図１５を用いて、例３−１によるモジュールの構造について説明する。図１４及び図１５に示すように、例３−１のモジュールは、基板５０上に凸部５１を設けない。立体的な構造は、金属板５４の凹部形状５４ａによって形成されている。
【００７６】
具体的には、導電部材５３は、平型端子５２及び基板５０上に配置されており、平型端子５２に接続されている。金属板５４は、導電部材５３上に配置された第１部分と凹部形状５４ａに曲折された第２部分とを有している。金属板５４の凹部形状５４ａと基板５０との間には、空間５５ができている。金属板５４の凹部形状５４ａの端部は、基板５０に接していてもよいし、基板５０から離れていてもよい。導電部材５３は、金属板５４の第１部分下のみに形成されているが、凹部形状５４ａの下方まで延在してもよい。
【００７７】
尚、例３−１のモジュールでは、導電部材５３を使用せずに、金属板５４を平型端子５２に直接接続してもよい。
【００７８】
［３−１−２］製造方法
図１４乃至図１９を用いて、例３−１によるモジュールの製造方法について説明する。まず、図１６及び図１７に示すように、基板５０は、封止樹脂等を用いて、モールドすることによって形成される。次に、基板５０上に、平型端子５２が形成される。次に、図１８及び図１９に示すように、平型端子５２及び基板５０上に導電部材５３が形成される。そして、図１４及び図１５に示すように、凹部形状５４ａを有する金属板５４が、導電部材５３及び基板５０上に配置される。金属板５４は、導電部材５３を介して平型端子５２に接続される。このようにして、導電部材５３及び金属板５４からなる立体型端子を有するモジュールが形成される。
【００７９】
［３−２］例３−２
例３−２は、凸部５１の形状と異なる凹部形状５４ａを有する金属板５４を配置する。凸部５１の第２側面５１ｂと金属板５４との間には、空間５５を設けている。
【００８０】
［３−２−１］構造
図２０及び図２１を用いて、例３−２によるモジュールの構造について説明する。図２０及び図２１に示すように、例３−２のモジュールは、例２−３に対して、金属板５４が凸部５１の第２側面５１ｂと接していない。これにより、空間５５が設けられている。このため、金属板５４の凹部形状５４ａは、凸部５１と異なる形状になっている。金属板５４の位置は、凸部５１の第１側面５１ａで固定されている。尚、金属板５４の凹部形状５４ａの端部は、基板５０に接していてもよいし、基板５０から離れていてもよい。
【００８１】
導電部材５３の一端は、対応する平型端子５２に接続されている。導電部材５３の他端は、凸部５１の第１側面５１ａから凸部５１の上面を覆うように形成されている。尚、導電部材５３は、図示する形状に限定されず、例えば、平型端子５２から凸部５１の第２側面５１ｂまで、平型端子５２から凸部５１の上面の一部まで、平型端子５２から凸部５１の第１側面５１ａの一部まで、又は平型端子５２から凸部５１を覆って基板５０上まで延在してもよい。
【００８２】
尚、例３−２のモジュールでは、導電部材５３を使用せずに、金属板５４を平型端子５２に直接接続してもよい。
【００８３】
［３−２−２］製造方法
図２０乃至図２５を用いて、例３−２に従ったモジュールの製造方法について説明する。まず、図２２及び図２３に示すように、基板５０、凸部５１及び平型端子５２は、例２−１と同様の方法で形成される。次に、図２４及び図２５に示すように、導電部材５３が平型端子５２から凸部５１の上面を覆うように形成される。そして、図２０及び図２１に示すように、凹部形状５４ａを有する金属板５４が、導電部材５３及び基板５０上に配置される。金属板５４は、導電部材５３を介して平型端子５２に接続される。この際、金属板５４は、導電部材５３を介して、凸部５１の第１側面５１ａに接するように位置固定される。このようにして、導電部材５３及び金属板５４からなる立体型端子を有するモジュールが形成される。
【００８４】
［３−３］例３−３
図２６を用いて、例３−３によるモジュールの構造について説明する。例３−２では、金属板５４が凸部５１の第１側面５１ａで位置固定されている。これに対して、例３−３では、金属板５４が凸部５１の第２側面５１ｂで位置固定されている。このため、凸部５１の第２側面５１ｂは金属板５４に接し、凸部５１の第１側面５１ａは金属板５４と離間している。第１側面５１ａ側に空間５５が設けられている。
【００８５】
尚、例３−３のモジュールでは、導電部材５３を使用せずに、金属板５４を平型端子５２に直接接続してもよい。また、凸部５１の第２側面５１ｂで金属板５４の位置を固定した状態で、後述する例３−４のように凸部５１の上面上に空間を設けてもよい。
【００８６】
［３−４］例３−４
図２７を用いて、例３−４によるモジュールの構造について説明する。例３−４では、金属板５４は、凸部５１の第１側面５１ａで位置固定されている。凸部５１の第２側面５１ｂ及び上面と離間し、第２側面５１ｂ及び上面側に空間５５が設けられている。
【００８７】
尚、例３−４のモジュールでは、導電部材５３を使用せずに、金属板５４を平型端子５２に直接接続してもよい。
【００８８】
［３−５］第３実施形態の効果
第３実施形態では、上記第２実施形態と同様の効果を得ることができる。さらに、第３の実施形態では、凸部５１の形状と異なる形状の立体型端子を形成することができる。
【００８９】
［４］第４実施形態
第４実施形態は、モールドタイプのモジュールに対して、信号出力用の平型端子６４を有するフレキシブル基板６２を折り曲げることで、立体型端子を形成している。第４実施形態のモジュールは、モールドタイプのモジュール全般に使用可能である。例えば、図１のＵＳＢコネクタ４０に使用してもよい。以下では、第４実施形態のモジュールをＵＳＢ３．０のオス型コネクタに適用した例について説明する。
【００９０】
［４−１］構造
図２８乃至図３０を用いて、第４実施形態に係るモジュールの構造について説明する。尚、図３０は、図２８及び図２９に示すハウジング６８を省略している。
【００９１】
図２８乃至図３０に示すように、第４実施形態に係るモジュールは、基板６０、凸部６１、フレキシブル基板６２、内部配線６３、信号出力用の平型端子６４、６５、固定部品６７及びハウジング６８を備えている。
【００９２】
基板６０は、絶縁性の材料（例えば樹脂）で形成されている。本実施形態のモジュールがＵＳＢメモリの端子等の場合、基板６０は、例えばシリコンチップが配置された回路基板をモールドして形成されたものである。
【００９３】
凸部６１は、基板６０の上面から突出し、フレキシブル基板６２の平型端子６４の台座となる。凸部６１の平面形状は、例えば、長方形や正方形等の四角形、円形、楕円形等である。凸部６１において、第１側面６１ａ側の端部は角張っており、第２側面６１ｂ側の端部は丸まっている。尚、凸部６１は、図示する形状に限定されない。凸部６１は、基板６０上に複数個配置されている。凸部６１は、平型端子６４の数に対応した数（例えば５つ）の島状で配置されている。
【００９４】
フレキシブル基板６２は、平面部分（第１部分）６２ｂと曲折部分（第２部分）６２ｄとを有する。フレキシブル基板６２の平面部分６２ｂは、凸部６１を通すための穴６２ａを複数個（例えば５つ）有している。この平面部分６２ｂは、穴６２ａに凸部６１が設けられ、基板６０上に接着されている。フレキシブル基板６２の曲折部分６２ｄは、凸部６１を覆うように、平面部分６２ｂに向かって折り曲げられている。フレキシブル基板６２の曲折部分６２ｄは、凸部６１の形状に沿って曲げられ、凸部６１の上面に接している。フレキシブル基板６２の曲折部分６２ｄの端部６２ｅは、フレキシブル基板６２の平面部分６２ｂに接している。平面部分６２ｂの曲折部分６２ｄ側の端部６２ｃは、基板６０の端部に位置しているが、フレキシブル基板６２は、基板６０の端部の手前で折り曲げてもよい。
【００９５】
内部配線６３は、フレキシブル基板６２の内部に設けられている。内部配線６３の一端は、基板６０内部の対応する信号出力端子（図示せず）に接続されている。内部配線６３の他端は、平型端子６４に接続されている。内部配線６３は、フレキシブル基板６２の内部に複数個形成されており、平型端子６４の数に対応した数（例えば５つ）だけ配置されている。
【００９６】
平型端子６４は、フレキシブル基板６２の曲折部分６２ｄに複数個（例えば５つ）設けられている。平型端子６４は、例えば金属で形成されている。平型端子６４は、フレキシブル基板６２から露出されており、Ａ側から挿入するコネクタ（図示せず）と接続される。平型端子６４は、凸部６１の形状に沿って曲げられている。
【００９７】
平型端子６５は、フレキシブル基板６２の表面に複数個（例えば４つ）配置されており、例えば金属で形成されている。平型端子６５は、基板６０の内部の対応する信号出力端子（図示せず）に接続されている。
【００９８】
スリット６６は、各平型端子６４における、Ｘ方向の両サイドに設けられている。スリット６６のＸ方向の長さは、例えば、平型端子６４の延在方向の長さよりも長いが、これに限定されない。
【００９９】
固定部品６７は、折り曲げられたフレキシブル基板６２を押さえる部品であり、本体６７ａと櫛形部６７ｂとを有する。櫛形部６７ｂは、本体６７ａから櫛状に突出している。櫛形部６７ｂは、隣り合う凸部６１の間に挿入され、隣り合う平型端子６４のスリット６６間におけるフレキシブル基板６２の曲折部分６２ｄを基板６０に押さえつけている。櫛形部６７ｂは、曲折部分６２ｄの端部６２ｅ側におけるスリット６６の端部付近まで延在しているが、これに限定されない。固定部品６７は、櫛形部６７ｂの根本に凹部６７ｃを有している。凹部６７ｃは、フレキシブル基板６２の折り曲げ部分の破損を防止するために設けられている。凹部６７ｃとフレキシブル基板６２とは、接さずに隙間があってもよいが、隙間がなくてもよい。
【０１００】
以上のように、第４実施形態では、平型端子６４を有するフレキシブル基板６２を折り曲げ、平型端子６４を凸部６１に沿って配置する。これにより、立体的な平型端子６４を有するモジュールが形成される。
【０１０１】
尚、ここでは、曲折とは、直角に折れ曲がることに限定されず、緩やかにラウンド状に曲がる場合も含まれる。
【０１０２】
［４−２］製造方法
図２８乃至図３６を用いて、第４実施形態に係る立体型端子の製造方法について説明する。ここでは、基板６０と凸部６１が一体として形成される場合を例に挙げる。
【０１０３】
図３１及び図３２に示すように、基板６０及び凸部６１は、封止樹脂等を用いて、モールドすることによって同時に形成される。次に、フレキシブル基板６２の穴６２ａに凸部６１が挿入され、基板６０上にフレキシブル基板６２の一部（平面部分６２ｂ）が接着される。尚、フレキシブル基板６２には平型端子６４、６５が形成されており、平型端子６５はフレキシブル基板６２の第１面から露出され、平型端子６４はフレキシブル基板６２の第２面（第１面と反対側の面）から露出されている。
【０１０４】
次に、図３３及び図３４に示すように、フレキシブル基板６２の曲折部分６２ｄが、フレキシブル基板６２の平面部分６２ｂの端部６２ｃから平面部分６２ｂ側に折り曲げられる。そして、図３５及び図３６に示すように、フレキシブル基板６２の曲折部分６２ｄの端部６２ｅが凸部６１の上面に接触した状態で、ハウジング６８に収納される。この際、フレキシブル基板６２の曲折部分６２ｄをハウジング６８で押さえることにより、フレキシブル基板６２の折り曲げられた状態が保たれる。
【０１０５】
次に、図２８乃至図３０に示すように、固定部品６７を、フレキシブル基板６２が折り曲げられた方向からハウジング６８に挿入する。これにより、スリット６６間の平型端子６４が配置されていない曲折部分６２ｄは、固定部品６７の櫛形部６７ｂによって、基板６０側に押さえつけられる。その結果、フレキシブル基板６２の平型端子６４は、凸部６１の形状に沿って変形し、平型端子６４からなる立体型端子を有するモジュールが形成される。
【０１０６】
［４−３］第４実施形態の効果
第４実施形態に係るモールドタイプのモジュールでは、信号出力用の平型端子６４を有するフレキシブル基板６２を折り曲げることで、立体型端子を形成している。
【０１０７】
具体的には、モールドされた基板６０からフレキシブル基板６２が引き出され、このフレキシブル基板６２が基板６０上に設けられた凸部６１を覆うように折り曲げられる。そして、フレキシブル基板６２の非端子部が、櫛形の固定部品６７で押さえられる。これにより、フレキシブル基板６２に設けられた平型端子６４が凸部６１で隆起し、オス型の立体型端子が形成される。
【０１０８】
以上のように、本実施形態では、平型端子６４を有するフレキシブル基板６２を折り曲げることで、複雑な部品を付加することなく、立体的な平型端子６４を形成することができる。また、フレキシブル基板６２における平型端子６４と非端子と部の間に、スリット６６を設けることで、隣接する平型端子６４間の分離及び絶縁性を向上することができる。このように、本実施形態では、モジュールの性能向上を図ることができる。
【０１０９】
［５］第５実施形態
第４実施形態では、平型端子６４が凸部６１を覆うことで立体型端子が形成されている。これに対して、第５実施形態では、フレキシブル基板６２の端部６２ｅを凸部６１に引っかけることで立体的な平型端子６４が形成されている。以下では、第５施形態のモジュールを、ＵＳＢ３．０のメス型コネクタに適用したものを一例とし、第４施形態と異なる点について説明する。
【０１１０】
［５−１］構造
図３７乃至図３９を用いて、第５実施形態に係るモジュールの構造について説明する。尚、図３９は、図３７及び図３８に示すハウジング６８を省略している。
【０１１１】
図３７乃至図３９に示すように、第５実施形態のモジュールでは、フレキシブル基板６２の曲折部分６２ｄが平面部分６２ｂに向かって折り曲げられ、曲折部分６２ｄの端部６２ｅが凸部６１の第１側面６１ａで固定されている。これにより、フレキシブル基板６２の曲折部分６２ｄが上方にたわみ、平型端子６４も曲がっている。平型端子６４の面は、基板６０の面に対して角度を有し（傾き）、Ａ側から挿入するコネクタ（図示せず）と接続される。
【０１１２】
凸部６１は、フレキシブル基板６２の曲折部分６２ｄが上方にたわむような位置に配置されている。尚、凸部６１は、Ｙ方向（例えば、フレキシブル基板６２の延在方向と垂直方向）に延びた１本のライン状で形成されてもよい。凸部６１の代わりに、フレキシブル基板６２に凹形状のへこみを設けてもよい。
【０１１３】
スリット６６は、平型端子６４の間に設けられている。スリット６６のＸ方向の長さは、例えば、平型端子６４の延在方向の長さよりも長いが、これに限定されない。
【０１１４】
固定部品６７は、折り曲げられたフレキシブル基板６２を押し込む部品である。この固定部品６７によって押し込まれたフレキシブル基板６２の上面は、ハウジング６８に接触している。フレキシブル基板６２の曲折部分６２ｄの端部６２ｅは、固定部品６７の押し込み量によって、凸部６１及びフレキシブル基板６２との接触状態が変化する。例えば、押し込み量が大きい場合は、フレキシブル基板６２の端部６２ｅは、平面部分６２ｂと面で接触している。押し込み量が小さい場合は、フレキシブル基板６２の端部６２ｅは、凸部６１の第１側面６１ａ及びフレキシブル基板６２の平面部分６２ｂと角で接触している。
【０１１５】
以上のように、平型端子６４を有するフレキシブル基板６２を折り曲げて、凸部６１で端部６２ｅの位置固定をする。これにより、立体的な平型端子６４を有するモジュールが形成される。
【０１１６】
尚、図４０に示すように、基板６０上に凸部６１を設けずに、フレキシブル基板６２を曲げた状態で端部６２ｅを平面部分６２ｂに接着してもよい。
【０１１７】
［５−２］製造方法
図３７乃至図３９及び図４１乃至図４６を用いて、第５実施形態に係る立体型端子の製造方法について説明する。
【０１１８】
図４１及び図４２に示すように、第４実施形態と同様の方法で、基板６０、凸部６１及びフレキシブル基板６２が形成される。
【０１１９】
次に、図４３及び図４４に示すように、フレキシブル基板６２の曲折部分６２ｄが、フレキシブル基板６２の平面部分６２ｂの端部６２ｃから折り曲げられる。そして、図４３及び図４４に示すように、フレキシブル基板６２の端部６２ｅが凸部６１の第１側面６１ａに接触した状態で、ハウジング６８に収納される。
【０１２０】
次に、図３７乃至図３９に示すように、固定部品６７を、フレキシブル基板６２が折り曲げられた方向からハウジング６８に挿し込む。これにより、フレキシブル基板６２の端部６２ｅが、固定部品６７によって、凸部６１の第１側面６１ａに押しつけられる。その結果、フレキシブル基板６２に設けられた平型端子６４は、固定部品６７の押し込みに応じて変形し、立体型端子を有するモジュールが形成される。
【０１２１】
［５−３］第５実施形態の効果
上記第５実施形態によれば、第４実施形態と同様に、フレキシブル基板６２を使用した立体型端子を形成することができる。
【０１２２】
具体的には、モールドされた基板６０からフレキシブル基板６２が引き出され、このフレキシブル基板６２が基板６０上に設けられた凸部６１に引っかかるように折り曲げられる。そして、フレキシブル基板の曲折部分６２ｄが固定部品６７で押し込まれる。これにより、平型端子６４の面が基板６０の面に対して角度を有する構造となり、メス型の立体型端子が形成される。
【０１２３】
以上のように、本実施形態では、平型端子６４を有するフレキシブル基板６２を折り曲げる。これにより、複雑な部品を付加することなく、立体的な平型端子６４を形成することができる。また、フレキシブル基板６２における平型端子６４間にスリット６６を設けることで、隣接する平型端子６４間の分離及び絶縁性を向上することができる。さらに、Ａ側から挿入したコネクタ（図示せず）を平型端子６４に接続する場合に、各平型端子６４にかかる応力をスリット６６で吸収させることができ、安定した接続が可能となる。このように、本実施形態では、モジュールの性能向上を図ることができる。
【０１２４】
尚、上記各実施形態において、
（１）読み出し動作では、Aレベルの読み出し動作に選択されたワード線に印加される電圧は、例えば0V〜0.55Vの間である。これに限定されることなく、0.1V〜0.24V、0.21V〜0.31V、0.31V〜0.4V、0.4V〜0.5V、0.5V〜0.55Vいずれかの間にしてもよい。
【０１２５】
Bレベルの読み出し動作に選択されたワード線に印加される電圧は、例えば1.5V〜2.3Vの間である。これに限定されることなく、1.65V〜1.8V、1.8V〜1.95V、1.95V〜2.1V、2.1V〜2.3Vいずれかの間にしてもよい。
【０１２６】
Cレベルの読み出し動作に選択されたワード線に印加される電圧は、例えば3.0V〜4.0Vの間である。これに限定されることなく、3.0V〜3.2V、3.2V〜3.4V、3.4V〜3.5V、3.5V〜3.6V、3.6V〜4.0Vいずれかの間にしてもよい。
【０１２７】
読み出し動作の時間（tR）としては、例えば25μs〜38μs、38μs〜70μs、70μs〜80μsの間にしてもよい。
【０１２８】
（２）書き込み動作は、上述したとおりプログラム動作とベリファイ動作を含む。書き込み動作では、プログラム動作時に選択されたワード線に最初に印加される電圧は、例えば13.7V〜14.3Vの間である。これに限定されることなく、例えば13.7V〜14.0V、14.0V〜14.6Vいずれかの間としてもよい。
【０１２９】
奇数番目のワード線を書き込む際の、選択されたワード線に最初に印加される電圧と、偶数番目のワード線を書き込む際の、選択されたワード線に最初に印加される電圧を変えてもよい。
【０１３０】
プログラム動作をＩＳＰＰ方式（Incremental Step Pulse Program）としたとき、ステップアップの電圧として、例えば0.5V程度が挙げられる。
【０１３１】
非選択のワード線に印加される電圧としては、例えば6.0V〜7.3Vの間としてもよい。この場合に限定されることなく、例えば7.3V〜8.4Vの間としてもよく、6.0V以下としてもよい。
【０１３２】
非選択のワード線が奇数番目のワード線であるか、偶数番目のワード線であるかで、印加するパス電圧を変えてもよい。
【０１３３】
書き込み動作の時間（tProg）としては、例えば1700μs〜1800μs、1800μs〜1900μs、1900μs〜2000μsの間にしてもよい。
【０１３４】
（３）消去動作では、半導体基板上部に形成され、かつ、上記メモリセルが上方に配置されたウェルに最初に印加する電圧は、例えば12V〜13.6Vの間である。この場合に限定されることなく、例えば13.6V〜14.8V、14.8V〜19.0V、19.0〜19.8V、19.8V〜21Vの間であってもよい。
【０１３５】
消去動作の時間（tErase）としては、例えば3000μs〜4000μs、4000μs〜5000μs、4000μs〜9000μsの間にしてもよい。
【０１３６】
（４）メモリセルの構造は、半導体基板（シリコン基板）上に膜厚が4〜10ｎｍのトンネル絶縁膜を介して配置された電荷蓄積層を有している。この電荷蓄積層は膜厚が2〜3ｎｍのＳｉＮ、又はＳｉＯＮ等の絶縁膜と膜厚が3〜8ｎｍのポリシリコンとの積層構造にすることができる。また、ポリシリコンにはＲｕ等の金属が添加されていてもよい。電荷蓄積層の上には絶縁膜を有している。この絶縁膜は、例えば、膜厚が3〜10ｎｍの下層Ｈｉｇｈ−ｋ膜と膜厚が3〜10ｎｍの上層Ｈｉｇｈ−ｋ膜に挟まれた膜厚が4〜10ｎｍのシリコン酸化膜を有している。Ｈｉｇｈ−ｋ膜はＨｆＯ等が挙げられる。また、シリコン酸化膜の膜厚はＨｉｇｈ−ｋ膜の膜厚よりも厚くすることができる。絶縁膜上には膜厚が3〜10ｎｍの仕事関数調整用の材料を介して膜厚が30ｎｍ〜70ｎｍの制御電極が形成されている。ここで仕事関数調整用の材料はＴａＯ等の金属酸化膜、ＴａＮ等の金属窒化膜である。制御電極にはＷ等を用いることができる。
【０１３７】
また、メモリセル間にはエアギャップを形成することができる。
【０１３８】
上記実施形態は、以下の内容を含む。
【０１３９】
＜１＞  不揮発性半導体メモリと、
前記不揮発性半導体メモリを制御するコントローラと、
前記不揮発性半導体メモリのレディ／ビジー端子及び前記コントローラのレディ／ビジー端子に接続された出力端子を有する温度センサと
を具備し、
前記不揮発性半導体メモリの温度が基準値以上になった場合に、前記コントローラは、前記不揮発性半導体メモリへのコマンドの送信を停止する半導体記憶装置。
【０１４０】
＜２＞  前記不揮発性半導体メモリの前記温度が前記基準値より低くなった場合に、前記コントローラは、前記不揮発性半導体メモリへのコマンドの送信を再開する前記＜１＞記載の半導体記憶装置。
【０１４１】
＜３＞  基板と、
前記基板上に配置された凸部と、
前記基板上に配置された端子と、
前記基板及び前記端子上に配置されかつ前記端子に接続されている第１部分と、前記第１部分から前記凸部に沿って配置された第２部分とを有する第１導電部材と
を具備するモジュール。
【０１４２】
＜４＞  前記第１導電部材上に配置された第２導電部材をさらに具備し、
前記第１導電部材及び前記第２導電部材の一方は金属板であり、前記第１導電部材及び前記第２導電部材の他方は導電性ペースト又は金属箔である前記＜３＞記載のモジュール。
【０１４３】
＜５＞  前記第１導電部材の前記第２部分は、前記凸部の形状に沿った凹部形状を有している前記＜３＞記載のモジュール。
【０１４４】
＜６＞  前記第１導電部材の前記第２部分の一部のみが、前記凸部の形状に沿って配置されている前記＜３＞記載のモジュール。
【０１４５】
＜７＞  基板と、
前記基板上に配置された端子と、
前記基板及び前記端子上に配置された第１導電部材と、
前記第１導電部材上に配置された第１部分と、前記第１部分から凹部形状で配置された第２部分とを有する第２導電部材と、
を具備し、
前記第１導電部材は導電性ペースト又は金属箔であり、前記第２導電部材は金属板であるモジュール。
【０１４６】
尚、本発明の実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。
【符号の説明】
【０１４７】
１０…不揮発性半導体メモリ、１１、２１…メモリインターフェイス回路、２０…コントローラ、２２…ＵＳＢインターフェイス回路、３０…温度センサ、４０…ＵＳＢコネクタ、５０、６０…基板、５１、６１…凸部、５２、６４、６５…平型端子、５３…導電部材、５４…金属板、５５…空間、６２…フレキシブル基板、６３…内部配線、６６…スリット、６７…固定部品。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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【図２７】
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【図２８】
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【図２９】
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【図３０】
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【図３１】
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【図３２】
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【図３３】
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【図３４】
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【図３５】
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【図３６】
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【図３７】
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【図３８】
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【図３９】
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【図４０】
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【図４１】
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【図４２】
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【図４３】
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【図４４】
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【図４５】
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【図４６】
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