(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
薄膜トランジスタとストレージキャパシタとを含む低温ポリシリコン薄膜トランジスタアレイからなるＡＭＯＬＥＤ（アクティブマトリクス式有機発光ダイオード）表示装置のバックプレートの製造方法であって、
第１ステップにおいて、基板上に第１バッファ層を形成し、
第２ステップにおいて、前記第１バッファ層上に低温ポリシリコン層を形成し、
第３ステップにおいて、前記低温ポリシリコン層をパターン化して、前記ストレージキャパシタの一方の電極となるストレージキャパシタ領域と、前記薄膜トランジスタに対応するＴＦＴソース／ドレイン領域およびチャネル領域と、を含むパターン化された低温ポリシリコン層を形成する第３ステップと、
第４ステップにおいて、前記パターン化された前記低温ポリシリコン層上にゲート電極絶縁層を形成し、さらに、前記ゲート電極絶縁層上に、前記ストレージキャパシタ領域、前記ＴＦＴソース／ドレイン領域および前記チャネル領域に対応するフォトレジストマスクを設け、かつ前記パターン化された前記低温ポリシリコン層に対して第１回目のｐ＋イオンドープを行い、
このとき、前記フォトレジストマスクは、前記チャネル領域および前記チャネル領域の近傍を覆うが、前記ストレージキャパシタ領域および前記ＴＦＴソース／ドレイン領域を覆わず、
第５ステップにおいて、前記ゲート電極絶縁層上にゲート電極金属層を形成し、前記ゲート電極層をパターン化してゲート電極を形成するとともに、
前記ストレージキャパシタの前記低温ポリシリコンからなる前記一方の電極に対向する対向電極を前記ストレージキャパシタ領域の全体に対向するように形成し、
さらに、前記ゲート電極および前記対向電極をハードマスクとして、前記パターン化された前記低温ポリシリコン層に対して第２回目のｐ＋イオンドープを行ない、
第６ステップにおいて、前記ゲート電極および前記対向電極上に第１絶縁層を形成し、前記第１絶縁層上にソース／ドレイン電極層からなるソース／ドレイン電極を形成すると同時に、前記ソース／ドレイン電極がコンタクト窓を介して前記ＴＦＴソース／ドレイン領域の第１回目のｐ＋イオンドープと第２回目のｐ＋イオンドープとを行なった部分に接触し、
前記第４ステップにおける前記第１回目のｐ＋イオンドープを前記パターン化された前記低温ポリシリコン層に注入する深さは、前記第５ステップにおける前記第２回目のｐ＋イオンドープよりも浅く、
前記第５ステップにおける前記第２回目のｐ＋イオンドープを前記パターン化された前記低温ポリシリコン層に注入する深さは、前記第４ステップにおける前記第１回目のｐ＋イオンドープより深い
ことを特徴とするＡＭＯＬＥＤ表示装置のバックプレートの製造方法。
【請求項２】
請求項１に記載のＡＭＯＬＥＤ表示装置のバックプレートの製造方法において、
前記第１ステップと前記第２ステップとの間に、前記第１バッファ層と前記低温シリコン層との間に第２バッファ層を形成するステップをさらに含む
ことを特徴とするＡＭＯＬＥＤ表示装置のバックプレートの製造方法。
【請求項３】
請求項１または請求項２に記載のＡＭＯＬＥＤ表示装置のバックプレートの製造方法において、
前記第１絶縁層と前記ソース／ドレイン電極層との間に第２絶縁層を形成するステップをさらに含む
ことを特徴とするＡＭＯＬＥＤ表示装置のバックプレートの製造方法。
【請求項４】
請求項１から請求項３のいずれかに記載のＡＭＯＬＥＤ表示装置のバックプレートの製造方法において、
前記ソース／ドレイン電極層上にフラット層を形成するステップをさらに含む
ことを特徴とするＡＭＯＬＥＤ表示装置のバックプレートの製造方法。
【請求項５】
請求項４に記載のＡＭＯＬＥＤ表示装置のバックプレートの製造方法において、
前記フラット層上に電極層を形成するステップをさらに含む
ことを特徴とするＡＭＯＬＥＤ表示装置のバックプレートの製造方法。
【請求項６】
請求項５に記載のＡＭＯＬＥＤ表示装置のバックプレートの製造方法において、
前記電極層上に有機質層を形成するステップをさらに含む
ことを特徴とするＡＭＯＬＥＤ表示装置のバックプレートの製造方法。
【請求項７】
請求項６に記載のＡＭＯＬＥＤ表示装置のバックプレートの製造方法において、
前記有機質層上にスペーサーを形成するステップをさらに含む
ことを特徴とするＡＭＯＬＥＤ表示装置のバックプレートの製造方法。
【請求項８】
請求項１から請求項７のいずれかに記載のＡＭＯＬＥＤ表示装置のバックプレートの製造方法において、
前記ゲート電極がモリブデンである
ことを特徴とするＡＭＯＬＥＤ表示装置のバックプレートの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は液晶表示技術に関し、特に高解像度を有するＡＭＯＬＥＤバックプレートの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
有機ＥＬ（ＯＬＥＤ）表示装置は、目下表示技術の主流となっている薄膜トランジスタ液晶表示装置（ＴＦＴ-ＬＣＤ）に比して、広い視野角、高照度、高いコントラス比、省エネ、体積が小さくスリムで軽量などの長所を有し、目下フラットパネル表示技術の中で注目を集めている。有機ＥＬディスプレーの駆動方法はパッシブ・マトリックスとアクティブ・マトリクスとの二種類の方式に分けることができる。アクティブ・マトリクス方式は、パッシブ・マトリックスに比して表示する情報量が多く、パワーの消費が少なく、装置の寿命が長く、画面のコントラスト比が高いなどの長所を具えている。
【０００３】
目下、アクティブ・マトリクス式有機ＥＬ（ＡＭＯＬＥＤ）表示装置は、主に低温ポリシリコンＴＦＴ（ＬＴＰＳ−ＴＦＴ）を用いてＯＬＥＤを駆動して発光させる。一般にアクティブ・マトリクス方式のＡＭＯＬＥＤ表示装置は、主にスイッチＴＦＴと、駆動ＴＦＴと、ストレージキャパシタと、有機発光ダイオードとを含む。通常のＡＭＯＬＥＤ表示装置は、ストレージキャパシタが、スイッチＴＦＴが切換えたデータ信号を記憶し、かつ記憶したデータ信号に応じてＴＦＴの駆動を実行する。ここからデータ信号に対応する電流を出力してＯＬＥＤを発光させる。
【０００４】
図１に、従来のＡＭＯＬＥＤバックプレートの低温ポリシリコンＴＦＴアレイ（ＬＴＰＳ−Ａｒｒａｙ）構造を示した説明図である。ＡＭＯＬＥＤバックプレートの製造工程は、次に掲げるステップを含む。即ち、基板１００上に第１バッフォ層１０１と第２バッファ層１０２とを蒸着する。第１バッファ層はＳｉＮｘであってもよく、第２バッファ層１０２はＳｉＯｘであってもよい。第２バッファ層１０２上にはアモルファスシリコン（ａ−Ｓｉ）層を蒸着し、高温脱水素によって該アモルファスシリコン層に含有される水素を除去し、低温多結晶シリコン技術で該アモルファスシリコン層を低温ポリシリコン（Ｐｏｌｙ−Ｓｉ）層に転化させ、かつ該低温ポリシリコン層をパターン化して低温ポリシリコン層１１０を形成する。パターン化した低温ポリシリコン層１１０に対してｐ＋ドープの工程を行ない、ｐ＋イオンを注入する。パターン化した低温ポリシリコン層１１０上にはゲート電極絶縁層（ＧＩ）１１１を蒸着する。ゲート電極絶縁層１１１上にはゲート電極金属層を蒸着する。該ゲート電極金属層にはフォトマスクの技術を用いて露光を行ない、さらに現像、エッチングを行ない、ゲート電極１２０を形成する。ゲート電極１２０上には第１絶縁層１２１と第２絶縁層 １２２とを形成し、コンタクト窓を利用してソース／ドレイン電極１３０を形成し、さらにフラット層（ＰＬ）１４０、電極層、有機質層（Ｂａｎｋ）１６０、及びスペーサー（ＰＳ）１７０を形成する。
【０００５】
ポリシリコン層、又はその他層のパターン化は、一般にフォトリソグラフィーによって実現する、その具体的な方法は、次に掲げるものであってもよい。即ち、ポリシリコン層上を感光性（Ｐｈｏｔｏ−ｓｅｎｓｉｔｉｖｅ）材料で被覆する。この感光性材料による層は、所謂フォトレジスト層である。次いで、フォトマスクを介して光線を該フォトレジスト層に照射し、該ファとレジスト層を露光する。該フォトマスク上にはポリシリコン層のパターンが形成され、一部の光線が該フォトマスクを通過して該フォトレジスト層上に照射する。よって、フォトレジスト層の露光は選択的となり、同時に、係る方式によってフォトマスク上のパターンが完全にフォトレジストに複製される。次いで、適宜な現像液（ｄｅｖｅｌｏｐｅｒ）を用いて一部のフォトレジストを除去する。ここにおけるエッチングは湿式エッチングか、乾式エッチングか、もしくは両者を併用する。最後に残ったパすべてのターン化したフォトレジストを除去し、ポリシリコン層のパターン化の工程を完成させる。
【０００６】
図１に、他の図において「スイッチＴＦＴ」、「駆動ＴＦＴ」及び「ストレージキャパシタ」と文字表示した部分に対応するスイッチＴＦＴ、駆動ＴＦＴ及びストレージキャパシタ構造の図中の位置を示す。低温ポリシリコン層をパターン化してなる低温ポリシリコン層１１０は、ストレージキャパシタ領域１と、ＴＦＴソース／ドレイン電極領域２と、チャネル領域３とをほぼ含む。ストレージキャパシタ領域１はストレージキャパシタに対応し、ＴＦＴソース／ドレイン電極領域２と、チャネル領域３とは、それぞれＴＦＴソース／ドレイン電極とチャネルとに対応する。図１に開示するように、従来の技術によって、先ずバッファ層とアモルファスシリコン層を蒸着し、該アモルファスシリコン層にレーザ光線を照射して低温ポリシリコン層に転化させる。次いでフォトグラフィー／エッチング工程によってパターン化し、該低温ポリシリコン層にドープ工程を行なう。その他の層は、それぞれ蒸着／フォトリソグラフィー／エッチングの工程を行って形成する。ストレージキャパシタを形成することから、ｐ＋はゲート電極１２０を形成する前にドープ(ｄｏｐｉｎｇ)を行う必要がある。フォトリソグラフィーのずれ（ｓｈｉｆｔ）を防ぐために、スイッチＴＦＴ、駆動ＴＦＴはゲートオーバーラップ（ｇａｔｅ  ｏｖｅｒｌａｐ）型ＴＦＴにするとともに、一方の辺の重畳する長さＬは少なくとも１.２５μｍとする。ゲート電極の幅を広くしなければならない手法であるが故に、パネルの光透過率に影響を与え、パネルの解像度の向上に不利な要素となる。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
この発明は、パネル表示装置の解像度を高める高解像度を有するＡＭＯＬＥＤバックプレートの製造方法を提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明のＡＭＯＬＥＤ表示装置のバックプレートの製造方法は、
薄膜トランジスタとストレージキャパシタとを含む低温ポリシリコン薄膜トランジスタアレイからなるＡＭＯＬＥＤバックプレートの製造方法であって、
第１ステップにおいて、基板上に第１バッファ層を形成し、
第２ステップにおいて、前記第１バッファ層上に低温ポリシリコン層を形成し、
第３ステップにおいて、前記低温ポリシリコン層をパターン化して、前記ストレージキャパシタの一方の電極となるストレージキャパシタ領域と、前記薄膜トランジスタに対応するＴＦＴソース／ドレイン領域およびチャネル領域と、を含むパターン化された低温ポリシリコン層を形成する第３ステップと、
第４ステップにおいて、前記パターン化された前記低温ポリシリコン層上にゲート電極絶縁層を形成し、さらに、前記ゲート電極絶縁層上に、前記ストレージキャパシタ領域、前記ＴＦＴソース／ドレイン領域および前記チャネル領域に対応するフォトレジストマスクを設け、かつ前記パターン化された前記低温ポリシリコン層に対して第１回目のｐ＋イオンドープを行い、
このとき、前記フォトレジストマスクは、前記チャネル領域および前記チャネル領域の近傍を覆うが、前記ストレージキャパシタ領域および前記ＴＦＴソース／ドレイン領域を覆わず、
第５ステップにおいて、前記ゲート電極絶縁層上にゲート電極金属層を形成し、前記ゲート電極層をパターン化してゲート電極を形成するとともに、
前記ストレージキャパシタの前記低温ポリシリコンからなる前記一方の電極に対向する対向電極を前記ストレージキャパシタ領域の全体に対向するように形成し、
さらに、前記ゲート電極および前記対向電極をハードマスクとして、前記パターン化された前記低温ポリシリコン層に対して第２回目のｐ＋イオンドープを行ない、
第６ステップにおいて、前記ゲート電極および前記対向電極上に第１絶縁層を形成し、前記第１絶縁層上にソース／ドレイン電極層からなるソース／ドレイン電極を形成すると同時に、前記ソース／ドレイン電極がコンタクト窓を介して前記ＴＦＴソース／ドレイン領域の第１回目のｐ＋イオンドープと第２回目のｐ＋イオンドープとを行なった部分に接触し、
前記第４ステップにおける前記第１回目のｐ＋イオンドープを前記パターン化された前記低温ポリシリコン層に注入する深さは、前記第５ステップにおける前記第２回目のｐ＋イオンドープよりも浅く、
前記第５ステップにおける前記第２回目のｐ＋イオンドープを前記パターン化された前記低温ポリシリコン層に注入する深さは、前記第４ステップにおける前記第１回目のｐ＋イオンドープより深い
ことを特徴とする。
【０００９】
本発明の一実施形態では、
前記第１ステップと前記第２ステップとの間に、前記第１バッファ層と前記低温シリコン層との間に第２バッファ層を形成するステップをさらに含む
ことが好ましい。
【００１０】
本発明の一実施形態では、
前記第１絶縁層と前記ソース／ドレイン電極層との間に第２絶縁層を形成するステップをさらに含む
ことが好ましい。
【００１１】
本発明の一実施形態では、
前記ソース／ドレイン電極層上にフラット層を形成するステップをさらに含む
ことが好ましい。
【００１２】
本発明の一実施形態では、
前記フラット層上に電極層を形成するステップをさらに含む
ことが好ましい。
【００１３】
本発明の一実施形態では、
前記電極層上に有機質層を形成するステップをさらに含む
ことが好ましい。
【００１４】
本発明の一実施形態では、
前記有機質層上にスペーサーを形成するステップをさらに含む
ことが好ましい。
【００１５】
本発明の一実施形態では、
前記ゲート電極がモリブデンである
ことが好ましい。
【図面の簡単な説明】
【００１９】
【図１】従来のＡＭＯＬＥＤバックプレートの低温ポリシリコンアレイ構造を示した説明図である。
【図２】この発明の実施の形態におけるＡＭＯＬＥＤバックプレートの構造を示した説明図である。
【図３】この発明の実施の形態におけるよるドープ工程を示した第１の説明図である。
【図４】この発明の実施の形態におけるよるドープ工程を示した第２の説明図である。
【図５】この発明の実施の形態におけるよるドープ工程を示した第３の説明図である。
【図６】この発明の実施の形態におけるＡＭＯＬＥＤバックプレートの製造方法を示したブロック図である。
【発明を実施するための形態】
【００２０】
この発明は、パネル表示装置の解像度を高める高解像度を有するＡＭＯＬＥＤバックプレートの製造方法を提供するものであって、基板上に第１バッファ層を形成するステップと、該第１バッファ層上に低温ポリシリコン層を形成するステップと、該低温ポリシリコン層をパターン化して、ストレージキャパシタ領域と、ＴＦＴソース／ドレイン領域と、ホール領域とを含むパターン化された低温ポリシリコン層を形成するステップと、該低温ポリシリコン層上にゲート電極絶縁層を形成し、その上に該ＴＦＴソース／ドレイン領域とストレージキャパシタ領域に対応するフォトレジストマスクを設け、かつ該低温ポリシリコン層に第1回目のｐ＋イオンドープを行なうステップと、該ゲート電極絶縁層上にゲート電極金属層を形成し、パターン化してゲート電極を形成するとともに、該ゲート電極をハードマスクとしてパターン化した該低温ポリシリコン層に第２回目のｐ＋イオンドープを行なうステップと、該ゲート電極上に第１絶縁層を形成し、かつ該第１絶縁層上に、コンタクト窓を介して該ＴＦＴソース／ドレイン領域において第1回目のｐ＋イオンドープと第２回目のｐ＋イオンドープを行った部分に接触するソース／ドレイン電極を形成するステップと、を含む。係る高解像度ＡＭＯＬＥＤバックプレートの製造方法の特徴を説明するために、具体的な実施例を挙げ、図面を参照にして以下に詳述する。
【実施例】
【００２１】
図６に、この発明による高解像度ＡＭＯＬＥＤバックプレートの製造方法の実施の形態を示したブロック図である、図面によれば、この発明による製造方法は、以下に掲げるステップを含む。
【００２２】
ステップ１０において基板上に第１バッファ層を形成する。
【００２３】
ステップ２０において、該第１バッファ層上に低温ポリシリコン層を形成する。
【００２４】
ステップ３０において、該低温ポリシリコン層をパターン化して、ストレージキャパシタ領域と、ＴＦＴソース／ドレイン領域と、ホール領域とを含むパターン化された低温ポリシリコン層を形成する。
【００２５】
ステップ４０において、パターン化した該低温ポリシリコン層上にゲート電極絶縁層を形成し、該ゲート電極絶縁層上に該ＴＦＴソース／ドレイン領域とストレージキャパシタ領域に対応する適宜なフォトレジストマスクを設け、かつパターン化した該低温ポリシリコン層に対して第1回目のｐ＋イオンドープを行なう。
【００２６】
ステップ５０において、該ゲート電極絶縁層上にゲート電極金属層を形成し、かつ該ゲート電極層をパターン化してゲート電極を形成するとともに、該ゲート電極をハードマスクとしてパターン化した該低温ポリシリコン層に対して第２回目のｐ＋イオンドープを行なう。
【００２７】
ステップ６０において 、該ゲート電極上に第１絶縁層を形成し、該第１絶縁層上にソース／ドレイン電極を形成する。同時に該ソース／ドレイン層は、コンタクト窓を介して該ＴＦＴソース／ドレイン領域において、第1回目のｐ＋イオンドープと第２回目のｐ＋イオンドープを行なった部分とに、接触する。
【００２８】
以上の方法は、従来のＡＭＯＬＥＤバックプレートの製造方法と整合させて用いる。従来のＡＭＯＬＥＤバックプレートの製造方法との区別は、２回のｐ＋イオンドープを採用した点である。したがって、図１に開示するようにフォトリソグラフィーの工程において異なる層毎のずれによる誤差を考慮してゲート電極の幅を広くする手法を取る必要がない。ここから、光透過率を高め、設計ルールを改善し、パネルの解像度を高めることができる。
【００２９】
図２及び図３から図５を参照して説明する。図２はこの発明の高解像度を有するＡＭＯＬＥＤバックプレートの製造方法を実施して得たＡＭＯＬＥＤバックプレートの構造を示した説明図である。図３から図５は、この発明の高解像度を有するＡＭＯＬＥＤバックプレートの製造方法におけるドーピング工程の説明図である。好ましい実施の形態によるＡＭＯＬＥＤバックプレートの製造工程は次のとおりである。
【００３０】
基板２００にバッファ層２０１とバッファ層２０２とを蒸着する。実施例において基板２００は透明基板であって、ガラス基板か、もしくはプラスチック材による基板であってもよい。第１バッファ層２０１はＳｉＮｘであってもよく、第２バッファ層２０２はＳｉＯｘであってもよい。第２バッファ層２０２上にはアモルファスシリコン（ａ−Ｓｉ）層を蒸着する。次いで高温脱水素によって該アモルファスシリコン層に含有される水素を除去し、例えばレーザ結晶化などの低温多結晶シリコン技術で該アモルファスシリコン層を低温ポリシリコン（Ｐｏｌｙ−Ｓｉ）層に転化させ、かつ該低温ポリシリコン層をパターン化して低温ポリシリコン層２１０を形成する。
【００３１】
図３は、この発明の好ましい実施の形態における第１回目ドープ工程の説明図である。パターン化した低温ポリシリコン層２１０は、ストレージキャパシタ領域２１と、ＴＦＴソース／ドレイン電極領域とチャネル領域２２、２３とをほぼ含む。ストレージキャパシタ領域２１は対応するストレージキャパシタを形成するために用い、ＴＦＴソース／ドレイン電極領域とチャネル領域２２は対応するスイッチＴＦＴのソース／ドレイ電極とチャネルを形成するために用い、ＴＦＴソース／ドレイン領域２３は対応する、ＴＦＴを駆動するソース／ドレイン電極とチャネルを形成する。パターン化した低温ポリシリコン層２１０上には、ゲート電極絶縁層２１１を形成する。ゲート電極絶縁層２１１上には、ＴＦＴソース／ドレイン電極領域２２、２３とストレージキャパシタ領域に対応する適宜なフォトレジストマスク（ＰＲ）２１２を設けるとともに、パターン化した低温ポリシリコン層２１０に対して第１回目Ｐ＋イオンドープを行う。第１回目ドープを行う場合、ストレージキャパシタの位置のポリシリコンはフォトレジストマスクで覆わない。よって、ここにおけるポリシリコンは第１回目のゴーピングを経て導電特性が向上し、要求される金属導電体に類似する導電特性を具えることになる。
【００３２】
図４、５を参照にして説明する。図４はこの発明の実施例における第２回目ドープ工程の説明図であり、図５は第２回目ドープの結果を示した説明図である。第１回目のドープ工程を経て、パターン化した低温ポリシリコン層２１０上にｐ＋領域を形成し、次いでフォトレジストマスク２１２を除去してゲート電極絶縁層２１１上にゲート電極金属層を蒸着し、該ゲート電極金属層に対し、マスク技術を用いて露光し、さらに現像、エッチングを経てゲート電極２２０を形成する。ゲート電極２２０は、例えばモリブデンであってもよい。ゲート電極２２０をハードマスクとして直接自己整合を行ない、パターン化した低温ポリシリコン層２１０に第２回目のｐ＋イオンドープを行う。イオン注入装置のエネルギーパラメータなどを制御することによって、第１回目ｐ＋イオンドープと第２回目ｐ＋イオンドープとにおいて該パターン化した低温ポリシリコン層２１０にｐ＋イオンを異なる深さで注入する。第２回目ドープを経て、イオン注入装置の発射する深さは第１回目の程度より高くする。ここから図５に開示するように、本来のパターン化した低温ポリシリコン層２１０の両端には、それぞれｐ＋＋ドープ部とｐ＋ドープとが形成される。ストレージキャパシタ領域は一般濃度のｐ＋ドープ部とする。ｐ＋＋領域の不純物濃度の分布は２つの異なるガウス分布を重ね合わせたものである。
【００３３】
また、ゲート電極２２０上に第１絶縁層２２１と第２絶縁層２２２を蒸着してもよい。第１絶縁層２２１と第２絶縁層２２２は、ＳｉＯｘとＳｉＮｋであってもよい。次いで、コンタクト窓を利用して第２絶縁層２２２上にソース／ドレイン電極２３０を形成し、超高濃度ｐ＋＋領域と接触させてソース／ドレイン電極２３０とｐ＋ドープ領域の接触抵抗を低減する。さらに、後工程のＯＬＥＤ製造工程で駆動ＴＦＴと導通接続し、ＯＬＥＤを制御して暗く点灯させる場合にさらに低いインピーダンスを具現化する。ソース／ドレイン電極２３０は、Ｔｉ／Ａｉ／Ｔｉであって、スパッタリングで形成してなる積層構造であってもよく、抵抗の抵抗値を効率よく低下させ、ＴＦＴの応答速度を大幅に高め、フラットパネル表示装置の解像度向上と表示サイズの拡大に利するものである。
【００３４】
次いで、ソース／ドレイン層２３０上にフラット層２４０を形成する。フラット層２４０上には電極層２５０を形成する。電極層２５０上には有機質フォトレジスト層２６０を形成し、有機質フォトレジスト層２６０上にはスペーサー２７０を形成する。電極層２５０はＩＴＯ／Ａｇ／ＩＴＯの積層構造であってもよく、反射率を効率よく高め、ＯＬＥＤ表示装置の輝度を増加させる。以上をまとめると、この発明による高解像度ＡＭＯＬＥＤバックプレートの製造方法は、２回のｐ＋ドープによって設計ルールを改善し、フラットパネル表示装置の解像度を増加させ、ソース／ドレイン電極とｐ＋ドープ領域との接触抵抗を低下させることができる。
【００３５】
以上は、この発明の好ましい実施の形態を説明したものであって、この発明の実施の範囲を限定するものではない。よって、当業者がこの発明の提示する技術プランと技術思想に基づき修正、改変などを行うことは可能であるが、但しこれら修正、改変などはいずれもこの発明の特許請求の範囲に含まれるものとする。
【符号の説明】
【００３６】
１        ストレージキャパシタ領域
１００    基板
１０１    第１バッファ層
１０２    第２バッファ層
１１０    低温ポリシリコン層
１１１    ゲート電極絶縁層
１２０    ゲート電極
１２１    第１絶縁層
１２２    第２絶縁層
１３０    ソース／ドレイン電極
１４０    フラット層
１５０    電極層
１６０    有機質層
１７０    スペーサー
２        ＴＦＴソース／ドレイン電極領域
２００    基板
２０１    第１バッファ層
２０２    第２バッファ層
２１      ストレージキャパ領域
２１０    低温ポリシリコン層
２１１    ゲート電極絶縁層
２１２    フォトレジストマスク
２２      ＴＦＴソース／ドレイン領域
２２１    第１絶縁層
２２２    第２絶縁層
２２０    ゲート電極
２３      チャネル領域
２３０    ソース／ドレイン層
２４０    フラット層
２５０    電極層
２６０    有機質フォトレジスト層
２７０    スペーサー
３        チャネル領域
Ｌ        重複する長さ
【図１】
0006405036.tif 000002
【図２】
0006405036.tif 000003
【図３】
0006405036.tif 000004
【図４】
0006405036.tif 000005
【図５】
0006405036.tif 000006
【図６】
0006405036.tif 000007