(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも一方向に移動可能な対象物と、
前記対象物の温度を調整するための温度調整システムであって、当該温度調整システムが流体を輸送するための導管システムを備え、当該導管システムの少なくとも一部が前記対象物上または前記対象物内に配置される温度調整システムと、
前記導管システム内の少なくとも一つの場所での前記流体の圧力を示す測定信号を与えるセンサを備える測定システムと、
前記対象物の前記少なくとも一方向の動きを前記測定信号の制御下で前記流体の測定圧力と前記対象物の推定オフセットとの間の所定の関係を用いて制御する制御システムと、を備えることを特徴とするリソグラフィ装置。
【請求項２】
前記対象物の動きは、前記流体の圧力の変化を誘起し、前記測定システムは、前記流体の圧力の変化を検知するよう構成されることを特徴とする請求項１に記載のリソグラフィ装置。
【請求項３】
前記導管システムは、導管部分および導管接続部分を含み、前記導管部分は、前記対象物上または前記対象物内に配置され、前記導管接続部分は、前記対象物上または前記対象物内に配置されておらず、前記導管部分および前記導管接続部分は、互いに接続されており、前記センサは、前記導管接続部分に位置することを特徴とする請求項１または２に記載のリソグラフィ装置。
【請求項４】
前記制御システムは、前記導管接続部分に接続される少なくとも一つの圧力パルス制限器をさらに備え、前記センサは、前記対象物と前記圧力パルス制限器の間の前記導管部分に位置することを特徴とする請求項３に記載のリソグラフィ装置。
【請求項５】
前記導管システムは、導管部分および導管接続部分を含み、前記導管部分は、前記対象物上または前記対象物内に配置され、前記導管接続部分は、前記対象物上または前記対象物内に配置されておらず、前記導管部分および前記導管接続部分は、互いに接続されており、前記センサは、前記導管部分上または前記導管部分上の場所に位置することを特徴とする請求項１または２に記載のリソグラフィ装置。
【請求項６】
前記センサは、前記少なくとも一つの場所の圧力を測定して前記測定信号を与える圧力センサであることを特徴とする請求項１から５のいずれか一項に記載のリソグラフィ装置。
【請求項７】
前記センサは、前記測定信号を与えるよう構成される歪みゲージであり、前記測定信号は、前記少なくとも一つの場所における前記導管システムの壁の一部の歪みを示し、前記歪みは、前記圧力と相関することを特徴とする請求項１から５のいずれか一項に記載のリソグラフィ装置。
【請求項８】
アクチュエータシステムおよび位置測定システムをさらに備え、前記位置測定システムは、前記対象物の位置を示す位置信号を与えるよう配置され、制御器は、前記アクチュエータシステムを制御して前記位置信号の制御下で前記対象物を移動させることを特徴とする請求項１から７のいずれか一項に記載のリソグラフィ装置。
【請求項９】
前記対象物の加速は、圧力勾配を生じさせ、前記センサは、前記圧力勾配を示す測定信号を与えるよう構成されることを特徴とする請求項１から８のいずれか一項に記載のリソグラフィ装置。
【請求項１０】
前記導管システムに沿って前記流体を輸送するためのポンプをさらに備え、前記流体の流れは、流体雑音を有し、前記センサは、前記流体雑音を示す前記測定信号を与えるよう構成されることを特徴とする請求項１から９のいずれか一項に記載のリソグラフィ装置。
【請求項１１】
投影システムと、基板テーブルと、サポート構造とをさらに備え、前記投影システムは、パターニングデバイス上に配置されるパターンを基板上に投影するよう構成され、前記サポート構造は、前記パターニングデバイスを保持するよう構成され、前記基板テーブルは、前記基板を保持するよう構成され、前記対象物は、前記サポート構造および前記基板テーブルの少なくとも一方を備えることを特徴とする請求項１から１０のいずれか一項に記載のリソグラフィ装置。
【請求項１２】
前記少なくとも一方向は、前記対象物の重要な動作中における主移動方向に対応することを特徴とする請求項１から１１のいずれか一項に記載のリソグラフィ装置。
【請求項１３】
前記測定信号を変換して前記対象物の推定オフセットを表すよう構成される予測部を備えることを特徴とする請求項１から１２のいずれか一項に記載のリソグラフィ装置。
【請求項１４】
少なくとも一方向に移動可能な対象物と、
前記対象物の温度を調整するための温度調整システムであって、当該温度調整システムが流体を輸送するための導管システムを備え、当該導管システムの少なくとも一部が前記対象物上または前記対象物内に配置される温度調整システムと、
前記導管システム内の少なくとも一つの場所での前記流体の圧力を示す測定信号を与えるセンサを備える測定システムと、
前記対象物の前記少なくとも一方向の動きを前記測定信号の制御下で前記流体の測定圧力と前記対象物の推定オフセットとの間の所定の関係を用いて制御する制御システムと、を備えることを特徴とする対象物位置決めシステム。
【請求項１５】
請求項１から１３のいずれか一項に記載のリソグラフィ装置を用いることを特徴とするデバイス製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
［関連出願へのクロスリファレンス］
本出願は、２０１４年６月１９日に出願された欧州出願１４１７３１４６．３号の利益を主張し、その全体が参照により本書に援用される。
【０００２】
本発明は、リソグラフィ装置、対象物位置決めシステムおよびデバイス製造方法に関する。
【背景技術】
【０００３】
リソグラフィ装置は、所望のパターンを基板に、たいていは基板の目標部分に与える機械である。リソグラフィ装置は例えば、集積回路（ＩＣ）の製造に用いることができる。その場合、マスクまたはレチクルとも称されるパターニングデバイスがＩＣの個々の層に形成される回路パターンを生成するために使用されうる。このパターンは、基板（例えばシリコンウェーハ）上の（例えばダイの一部、一つのダイ、またはいくつかのダイを備える）目標部分に転写されることができる。パターンは典型的に基板上に設けられた放射感応性材料（レジスト）層への結像により転写される。一般に、一枚の基板にはネットワーク状に隣接する目標部分が含まれ、これらは連続してパターン付与される。従来のリソグラフィ装置は、いわゆるステッパを含み、パターン全体を目標部分に一回で露光することで各目標部分が照射される。従来のリソグラフィ装置は、いわゆるスキャナを含み、放射ビームに対してパターンを所与の方向（「スキャン」方向）にスキャンするとともに、この方向に平行または反平行に基板を同期させてスキャンすることにより各目標部分が照射される。パターンを基板にインプリントすることによっても、パターニングデバイスから基板へパターンを転写することが可能である。
【０００４】
リソグラフィ装置は、通常、位置決めされる必要のある一以上の対象物、例えば基板テーブルまたはサポート構造を備える。より具体的には、正確に位置決めされる必要のある対象物上の、または、その対象物に関連する、注目点と称される特定の点である。例えば、注目点は、目標部分に位置してもよい。注目点の位置を直接的に測定することは不可能であるかもしれない。したがって、測定点と称される別の点の位置が測定される。注目点の位置は、測定点の位置に関連することが仮定される。しかしながら、温度変化や他の影響が対象物の変形を生じさせ、測定点に対する注目点の位置の変化につながる可能性がある。温度変化や他の影響を位置制御の考慮に入れなければ、注目点の位置の誤差が生じるであろう。
【０００５】
対象物の温度差を低減するため、温度調整システムが設けられうる。温度調整システムは、対象物上または対象物内に配置される導管システムを備えうる。温度調整システムは、導管システム内の流体を受けるよう構成されうる。流体は、対象物の温度条件に応じて対象物から、または、対象物に向けて熱を輸送するために用いることができる。温度調整システムを用いることは、対象物の温度を制御し、したがって、変形を低減し、注目点の位置の誤差を低減するかもしれない。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
対象物、導管システムおよびその内部の流体が加速する方向の加速は、加速方向とは反対側の流体中に圧力勾配を生じさせる。この圧力勾配は、導管システム内の流体の共振モードを励起するかもしれず、導管システム内の圧力パルスの発生につながる可能性がある。圧力パルスは、対象物上での顕著な動的外乱力を生じさせることができる。結果として生じる外乱力は、対象物の正確な位置決めに悪影響を与える。例えば、導管システム内の圧力変動は、対象物に作用する外乱力を生じさせるかもしれず、いくつかの場合において、対象物の一部の変形をも生じさせるかもしれない。したがって、温度調整システムが対象物の変形を低減して対象物の正確な位置決めを改善しうる場合であっても、圧力変動が変形を生じさせるかもしれない。圧力変動により生じる変形は、温度調整システムの有効性を減少させるかもしれない。露光されるべき基板を保持する基板テーブルが対象物である場合、基板テーブルの小さな変形が基板位置を変えて、基板のパターニングにおいてオーバーレイ誤差および／またはフォーカス誤差を生じさせ、または、増大させるかもしれない。
【０００７】
したがって、対象物上の点の改善された位置決めを提供することが望ましい。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明のある実施の形態によれば、リソグラフィ装置が提供される。この装置は、少なくとも一方向に移動可能な対象物と、流体を輸送するための導管システムであって、導管システムの少なくとも一部が対象物上または対象物内に配置される導管システムと、導管システム内の少なくとも一つの場所での流体の圧力を示す測定信号を与えるセンサを備える測定システムと、対象物の少なくとも一方向の動きを測定信号の制御下で制御する制御システムと、を備える。
【０００９】
本発明の別の実施の形態によれば、対象物位置決めシステムが提供される。このシステムは、少なくとも一方向に移動可能な対象物と、流体を輸送するための導管システムであって、導管システムの少なくとも一部が対象物上または対象物内に配置される導管システムと、導管システム内の少なくとも一つの場所での流体の圧力を示す測定信号を与えるセンサを備える測定システムと、対象物の少なくとも一方向の動きを測定信号の制御下で制御する制御システムと、を備える。
【００１０】
本発明の別の実施の形態によれば、リソグラフィ装置が提供される。この装置は、少なくとも一方向に移動可能な対象物と、流体を輸送するための導管システムであって、導管システムの少なくとも一部が対象物上または対象物内に配置される導管システムと、導管システム内の少なくとも一つの場所での流体の予測圧力を示す信号を生成するよう構成される圧力予測システムと、対象物の少なくとも一方向の動きを信号の制御下で制御する制御システムと、を備える。
【００１１】
本発明の別の実施の形態によれば、本発明のリソグラフィ装置を用いるデバイス製造方法が提供される。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
本発明の実施の形態は、例示のみを目的として、対応する部分が対応する符号により示される添付の模式的な図面を参照しながら説明される。
【図１】本発明のある実施の形態に係るリソグラフィ装置を示す図である。
【図２】流体を収容し、圧力パルス制限器を有する導管システムを含む対象物と、参考として、導管システム内の流体の圧力変動のモデルとを示す図である。
【図３】本発明のある実施の形態に係る対象物位置決めシステムを示す図である。
【図４】本発明のある実施の形態に係る導管システムを含む対象物を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
図１は、本発明の一実施の形態に係るリソグラフィ装置を模式的に示す。この装置は、放射ビームＢを調整するよう構成される照明システム（イルミネータ）ＩＬと、パターニングデバイス（例えばマスク）ＭＡを支持するよう構築され、特定のパラメータにしたがってパターニングデバイスＭＡを正確に位置決めするよう構成される第１位置決め装置ＰＭに接続されるサポート構造（例えばマスクテーブル）ＭＴと、基板（例えばレジストコートされたウェハ）Ｗを保持するよう構築され、特定のパラメータにしたがって基板Ｗを正確に位置決めするよう構成される第２位置決め装置ＰＷに接続される基板テーブル（例えばウェハテーブル）ＷＴａおよびＷＴｂと、パターニングデバイスＭＡにより放射ビームＢに与えられるパターンを基板Ｗの（例えば一以上のダイを備える）目標部分Ｃに投影するよう構成される投影システムＰＳと、を備える。
【００１４】
照明システムＩＬは、放射を方向付け、成形し、または制御するための屈折型、反射型、磁気型、電磁気型、静電型あるいは他の種類の光学素子といった各種光学素子またはこれらの任意の組み合わせを含んでもよい。
【００１５】
本書で用いられる「放射ビーム」の用語は、いかなる種類の電磁的な放射を包含し、紫外（ＵＶ）放射（例えば、３６５ｎｍ、２４８ｎｍ、１９３ｎｍ、１５７ｎｍもしくは１２６ｎｍ、または、その近傍の波長を有する）および極端紫外（ＥＵＶ）放射（例えば、５−２０ｎｍの範囲の波長を有する）を含むとともに、イオンビームや電子ビームといった粒子ビームをも含む。
【００１６】
サポート構造ＭＴは、パターニングデバイスＭＡを支持する。つまり、その重さに耐える。サポート構造ＭＴは、パターニングデバイスＭＡの向き、リソグラフィ装置の設計、および、例えばパターニングデバイスＭＡが真空環境で保持されるか否かといった他の条件に応じた方法でパターニングデバイスＭＡを保持する。サポート構造ＭＴは、機械式、真空式、静電式または他の固定技術を用いてパターニングデバイスＭＡを保持できる。サポート構造ＭＴは、フレームまたはテーブルであってよく、例えば必要に応じて固定式または可動式であってよい。サポート構造ＭＴは、例えば投影システムＰＳに対して、パターニングデバイスＭＡが所望の位置にあることを確実にしてよい。
【００１７】
本書で用いられる「パターニングデバイス」の用語は、放射ビームの断面にパターンを付して例えば基板Ｗの目標部分Ｃにパターンを生成するために使用可能な任意のデバイスを参照するものとして広く解釈されるべきである。放射ビームに付されるパターンは、例えばパターン位相シフトフィーチャまたはいわゆるアシストフィーチャを含む場合、基板Ｗの目標部分Ｃにおける所望のパターンに完全に対応しなくてもよいことに留意されるべきである。たいていの場合、放射ビームに付されるパターンは、目標部分Ｃに生成される集積回路などのデバイスの特定の機能層に対応するであろう。
【００１８】
パターニングデバイスＭＡは、透過型または反射型であってよい。パターニングデバイスＭＡの例は、マスク、プログラマブルミラーアレイおよびプログラマブルＬＣＤパネルを含む。マスクはリソグラフィにおいて周知であり、例えばバイナリマスク、レベンソン型位相シフトマスク、減衰型位相シフトマスク、さらには様々なハイブリッド型マスクなどのマスク型を含む。プログラマブルミラーアレイの例は、小型ミラーのマトリックス配列を使用し、各ミラーは、入射する放射ビームを異なる方向に反射するように個別に傾けることができる。傾けられたミラーは、ミラーマトリックスにより反射される放射ビームにパターンを付与する。
【００１９】
本書での「投影システム」の用語は、用いられる露光放射または液浸液の使用もしくは真空環境の使用といった他の要素に応じて、屈折型、反射型、反射屈折型、磁気型、電磁気型および静電型の光学システム、または、これらの任意の組み合わせを含む、任意の種類の投影システムを含むものと広く解釈されるべきである。
【００２０】
図示されるように、装置は透過型である（例えば透過型のパターニングデバイスＭＡを用いる）。代わりに、装置は反射型であってよい（例えば、上述したような種類のプログラマブルミラーアレイを用いる、または、反射型のパターニングデバイスを用いる）。
【００２１】
リソグラフィ装置は、二つの基板テーブル（デュアルステージ）またはそれ以上の基板テーブル（および／または二以上のサポート構造）を有する種類の装置であってよい。このような「マルチステージ」の機械において、追加のテーブルが並行して使用されてもよいし、一以上のテーブルが露光のために使用されている間に一以上の他の基板テーブルで準備工程が実行されてよい。リソグラフィ装置は、投影システムＰＳの特性を測定するためのセンサなどの測定機器を保持するよう配置された測定テーブルを備えてもよい。ある実施の形態において、測定テーブルは、基板Ｗを保持することができない。図１の例における二つの基板テーブルＷＴａおよびＷＴｂは、デュアルステージリソグラフィ装置の例である。
【００２２】
リソグラフィ装置は、投影システムＰＳと基板Ｗの間の隙間を埋めるように、基板Ｗの少なくとも一部が比較的高屈折率を有する流体（例えば水）によりカバーされる種類の装置であってもよい。液浸液は、リソグラフィ装置の他の隙間、例えばパターニングデバイスＭＡと投影システムＰＳの間に適用されてもよい。液浸技術は、投影システムの開口数を増やすための技術として周知である。本書で用いられる「液浸」の用語は、基板などの構造が流体中に水没しなければならないこと意味するのではなく、むしろ露光中に投影システムＰＳと基板Ｗの間に流体が配置されることを意味するのみである。
【００２３】
図１を参照すると、照明システムＩＬは、放射源ＳＯからの放射ビームＢを受ける。放射源ＳＯおよびリソグラフィ装置ＬＡは、例えば放射源ＳＯがエキシマレーザである場合、別体であってもよい。このような場合、放射源ＳＯはリソグラフィ装置ＬＡの部分を形成するものとみなされない。このような場合、放射ビームは放射源ＳＯから照明システムＩＬに向けて、例えば適当な方向付けミラーおよび／またはビームエキスパンダを備えるビームデリバリシステムＢＤの助けを借りて通過する。別の場合、例えば放射源ＳＯが水銀ランプである場合、放射源ＳＯがリソグラフィ装置ＬＡの一体的な部分であってよい。放射源ＳＯおよび照明システムＩＬは、必要に応じてビームデリバリシステムＢＤとともに放射システムと称されてもよい。
【００２４】
照明システムＩＬは、放射ビームＢの角度強度分布を調整するためのアジャスタＡＤを備えてもよい。たいていの場合、イルミネータの瞳面における強度分布の外側半径範囲および／または内側半径範囲（一般にそれぞれσアウタおよびσインナと称される）を少なくとも調整できる。さらに、照明システムＩＬは、インテグレータＩＮおよびコンデンサＣＯなどの様々な他の要素を備えてもよい。照明システムＩＬは、その断面に所望の均一性および強度分布を有するように放射ビームを調整するために用いられてよい。
【００２５】
放射ビームＢは、サポート構造ＭＴに保持されるパターニングデバイスＭＡに入射し、パターニングデバイスＭＡによりパターン化される。パターニングデバイスＭＡを通過すると、放射ビームＢは、基板Ｗの目標部分Ｃにビームを合焦させる投影システムＰＳを通過する。第２位置決め装置ＰＷおよび位置センサＩＦ（例えば干渉計装置、リニアエンコーダまたは容量性センサ）の助けにより、例えば異なる目標部分Ｃが放射ビームＢの経路上に位置するように基板テーブルＷＴａ／ＷＴｂを正確に動かすことができる。同様に、第１位置決め装置ＰＭおよび別の位置センサ（これは図１に明示していない）は、例えばマスクライブラリからの機械検索後またはスキャン中に、放射ビームＢの経路に対するパターニングデバイスＭＡの正確な位置決めのために用いることができる。
【００２６】
一般に、パターニングデバイスＭＡの動きは、第１位置決め装置ＰＭの一部を形成するロングストロークモジュールおよびショートストロークモジュールの助けにより実現されてもよい。ロングストロークモジュールは、ショートストロークモジュールを長い範囲にわたって限定された精度で動かすように配置される。ショートストロークモジュールは、パターニングデバイスＭＡをロングストロークモジュールより短い範囲にわたって高い精度で動かすように配置される。同様に、基板テーブルＷＴａ／ＷＴｂの動きは、第２位置決め装置ＰＷの一部を形成するロングストロークモジュールおよびショートストロークモジュールを用いて実現されてもよい。（スキャナと対照的に）ステッパの場合、サポート構造ＭＴがショートストロークアクチュエータのみに接続されてもよいし、もしくは固定されてもよい。
【００２７】
パターニングデバイスＭＡおよび基板Ｗは、マスクアライメントマークＭ１，Ｍ２および基板アライメントマークＰ１，Ｐ２を用いて位置合わせされてもよい。基板アライメントマークＰ１，Ｐ２は図示されるように専用の目標部分を占めているが、これらは目標部分Ｃの間のスペースに位置してもよい。目標部分Ｃの間のスペースに位置するマークは、スクライブラインアライメントマークとして知られる。同様に、一以上のダイがパターニングデバイスＭＡ上に設けられる場合、マスクアライメントマークＭ１，Ｍ２がダイの間に位置してもよい。
【００２８】
図示される装置は、リソグラフィ装置ＬＡを様々なモードで用いることにより基板を露光するために用いられてもよい。例えば、露光はスキャンモードで形成されてもよく、サポート構造ＭＴに対する基板テーブルＷＴａ／ＷＴｂの速度および方向が投影システムＰＳの拡大（縮小）率および像反転特性により決定されてもよい。スキャンモードでは、露光フィードの最大サイズが単一動的露光における目標部分Ｃの（非スキャン方向）の幅を制限する一方、スキャン動作の長さが目標部分Ｃの（スキャン方向）の高さを決定する。
【００２９】
図１のリソグラフィ装置ＬＡは、二つの基板テーブルＷＴａおよびＷＴｂと、二つのステーション（露光ステーションおよび測定ステーション）とを有するいわゆるデュアルステージ型の装置であり、二つのステーション間で基板テーブルＷＴの交換が可能である。一方の基板テーブルＷＴ上の一方の基板Ｗが露光ステーションにて露光されている間、別の基板Ｗが測定ステーションにて他方の基板テーブルＷＴに装着されることができ、その結果、様々な準備ステップが実行されうる。準備ステップは、レベルセンサＬＳを用いて基板Ｗの表面をマッピングすることと、アライメントセンサＡＳを用いて基板Ｗ上の基板アライメントマークＰ１，Ｐ２の位置を測定することとを含んでよい。これは、装置の処理能力の実質的な向上を可能にする。仮に、露光ステーションと同様に測定ステーションに基板テーブルＷＴがある間に位置センサＩＦが基板テーブルの位置ＷＴを測定できない場合、双方のステーションにて基板テーブルＷＴの位置の追跡を可能にする第２位置センサが設けられてもよい。二つの基板テーブルＷＴａおよびＷＴｂの代わりに、リソグラフィ装置が一つの基板テーブルＷＴと、投影システムＰＳの特性を測定するためのセンサといった測定機器を保持するよう配置される測定テーブルとを備えてもよい。
【００３０】
リソグラフィ装置ＬＡは、さらにリソグラフィ装置制御ユニットＬＡＣＵを含み、これは記載される様々なアクチュエータおよびセンサの動きおよび測定の全てを制御する。リソグラフィ装置制御ユニットＬＡＣＵは、装置の動作に関連する所望の計算を実現するための信号処理およびデータ処理能力も含む。実際のところ、リソグラフィ装置制御ユニットＬＡＣＵは、多くのサブユニットのシステムとして実現されるであろう。各サブユニットは、リアルタイムでのデータ取得や処理、装置内のサブシステムまたは構成要素の制御を扱う。例えば、一つの処理サブシステムは、第２位置決め装置ＰＷのサーボ制御に特化してもよい。個別のユニットが異なるアクチュエータまたは異なる軸を扱ってもよい。別のサブユニットは、位置センサＩＦの読み出しに特化してもよい。リソグラフィ装置ＬＡの全体的な制御は、中央処理ユニットにより制御されてもよい。中央処理ユニットは、サブユニット、オペレータおよびリソグラフィ製造工程に包含される他の装置と通信してもよい。
【００３１】
サポート構造ＭＴおよび基板テーブルＷＴａ／ＷＴｂは、リソグラフィ装置内の対象物の例であり、投影システムＰＳなどの参照基準に対して正確に位置決めされる必要があるかもしれない。位置決め可能でありうる対象物の他の例は、投影システムＰＳ内の光学素子、または、第１位置決め装置ＰＭおよび／または第２位置決め装置ＰＷなどの位置決め装置自体である。
【００３２】
リソグラフィ装置ＬＡ内の参照基準に対して対象物を位置決めするため、リソグラフィ装置は、本発明に係る少なくとも一つの対象物位置決めシステムを備える。これは、以下に詳細に説明されるであろう。
【００３３】
図２に示されるように、温度調整システムは、対象物ＯＢ上または対象物ＯＢ内の導管システムＣＣＳに流体ＣＦを提供することで対象物ＯＢの温度を制御するために用いることができる。対象物ＯＢ上または対象物ＯＢ内の導管システムＣＣＳの配置は、たいていの場合、対象物ＯＢの温度制御を最適化するように選択される。しかしながら、温度調整システムを用いることにより与えられる利益にも拘わらず、導管システムＣＣＳ内の流体ＣＦの擾乱が対象物ＯＢに影響を与えるかもしれない。この擾乱は、対象物ＯＢの位置決めの精度に悪影響を与えるかもしれない。
【００３４】
導管システムＣＣＳは、ホースを通じてリソグラフィ装置ＬＡの静止部分に接続されてもよい。ホースは、対象物ＯＢと静止部分との間に配置されるキャリアシステムにより搬送されてもよい。キャリアシステムの動きにより生じる動的外乱から導管システムＣＣＳを分離するため、導管システムＣＣＳは少なくとも一つの圧力パルス制限器ＰＰＬを備えてもよい。例えば、圧力パルス制限器ＰＰＬは、圧力容器または膨張容器の形態を取ることができる。圧力パルス制限器ＰＰＬは、キャリアシステムまたは導管システムＣＣＳの任意の点に配置されてもよい。圧力パルス制限器ＰＰＬは、キャリアシステムと導管システムＣＣＳの間の接続部に配置されてもよい。圧力パルス制限器ＰＰＬは、できるだけ対象物ＯＢの近くに配置されてもよい。
【００３５】
導管システムＣＣＳ内の流体ＣＦは、動的システムとして記述されることができる。動的システムは、質量とバネの系として対象物ＯＢ内の流体ＣＦを表す。
【００３６】
例えば、導管システムＣＣＳ内の流体ＣＦは、導管システムＣＣＳの長手方向の多重質量−バネ−ダンパ系として機能してもよく、例えば、流体ＣＦの弾性および／または導管システムの弾性および／または導管システムＣＣＳに接続されうるホースの弾性による。
【００３７】
各圧力パルス制限器ＰＰＬは、動的システム内の非常に柔らかいバネとして表されることができ、動的システム内の開放端として機能してもよい。圧力パルス制限器ＰＰＬは、導管システムＣＣＳの外側から（例えばキャリアシステムにより）導入される流体ＣＦの圧力変動を相殺してもよい。したがって、導管システムＣＣＦ内の流体ＣＦは、隔離された系としてモデル化されてもよい。圧力パルス制限器ＰＰＬを対象物ＯＢにできるだけ近づけて配置することで、流体ＣＦの圧力変動を低減することができる。
【００３８】
圧力パルス制限器ＰＰＬが効果的にシステムを隔離するときでさえ、導管システムＣＣＳ内の流体ＣＦは顕著な擾乱を引き起こす。対象物ＯＢの加速方向の加速が導管システムＣＣＳ内の流体ＣＦに圧力勾配を生じさせることが分かっている。圧力勾配は、導管システムＣＣＳ内の流体ＣＦの共振モードを励起させるかもしれず、これは圧力パルスの発生につながる。これに加えてまたは代えて、導管システムＣＣＳ内の流体ＣＦの圧力勾配は、導管システムＣＣＳに接続するホースの加速により生成されるかもしれない。ホースは柔軟であり、対象物ＯＢが加速されるときに変形するかもしれず、流体ＣＦの圧力勾配を生じさせるかもしれない。
【００３９】
加速の間、導管システムＣＣＳ内で圧力の変化が生成され、次の単純化した式により支配されうる。
圧力変化＝ρ・加速・Ｌ
ここで、Ｌは（圧力変化が計算される場所である）点から圧力パルス制限器ＰＰＬまでの距離であり、ρは流体ＣＦの密度である。圧力変化は、準静的圧力の変化と称されてもよい。圧力変化の大きさは、基板テーブルＷＴで最大となるであろう。例えば図２のように、圧力パルス制限器ＰＰＬが特定の場所に位置するとき、原理上、圧力パルス制限器ＰＰＬでの圧力変動は０であるからである。導管システムＣＣＳのある例および従来技術の圧力変動モデルが図２に示される。圧力パルス制限器ＰＰＬを基板テーブルＷＴにできるだけ近づけて配置すること、好ましくは基板テーブルの下に配置することは、基板テーブルＷＴ内の流体ＣＦの圧力変動を低減させる。しかしながら、圧力パルス制限器ＰＰＬおよび基板テーブルＷＴのそれぞれのサイズが原因で、基板テーブルＷＴの下に圧力パルス制限器ＰＰＬを配置することはたいていの場合不可能であり、基板テーブルＷＴ上または基板テーブルＷＴ内に必要とする他の構成部品が存在しうる。
【００４０】
ある例として、加速中の圧力変化は、約０．１−０．３ｂａｒに達するかもしれない。ある例において、基板テーブルＷＴの機械的感度は、７ｎｍ／ｂａｒである。機械的感度は、任意の妥当な値であってもよく、例えば、０．０１−２０ｎｍ／ｂａｒまたは０．１−１０ｎｍ／ｂａｒの範囲であってもよい。機械的感度は、対象物ＯＢの変形と流体ＣＦとの間の関係を表す。機械的感度は、対象物の剛性に影響されてもよい。機械的剛性を変化させたり選択したりする方法で、対象物ＯＢに用いる材料が選択されてもよいし、対象物ＯＢが製造されてもよい。機械的感度は、異なる圧力変化に対する対象物ＯＢの応答を試験することで決定されてもよいし、例えば、対象物ＯＢの変形を測定することで決定されてもよい。この例において、圧力の線形的な増加が基板テーブルＷＴにわたって存在する。この例では、基板テーブルＷＴの縁にて基板テーブルＷＴの約０．７−２．１ｎｍの局所的変位が生じ、したがって、基板テーブルにより保持される基板Ｗにも同様の変形が生じるであろう。その結果、基板上に存在しうる注目点（例えば目標部分Ｃ）も測定点に対して移動し、注目点の相対位置はもはや正確に分からないであろう。測定点は、位置測定システムが位置測定をするように配置される対象物上の場所である。測定点は、対象物上の固定された場所であってもよいし、対象物の位置に依存して変化する場所であってもよい。
【００４１】
さらに、対象物の異なる部分が異なる態様で変形する場合、例えば、注目点が一方向の変形によって移動し、測定点が別方向の変形によって移動する場合、測定点に対する注目点の既知の位置に含まれる誤差は、より一層大きくなるかもしれない組み合わせの誤差となる。
【００４２】
基板Ｗの（基板テーブルＷＴの変形に起因する）局所的変位は、径方向位置の誤差と称することができる。径方向位置の誤差は、基板Ｗの縁に向けてより大きくなる傾向にあり、基板サイズが大きくなるにつれて増大する。したがって、対象物ＯＢの温度制御がオーバレイ誤差を低減させたとしても、対象物ＯＢのいくらかの変形が依然として存在しうる。温度調整システムにより提供される低減可能性は、温度調整システム自体により誘起される誤差によって制限される。温度調整システムにより誘起される誤差を低減することは、全体的な誤差を低減させ、したがって、オーバレイ誤差を低減させうる。
【００４３】
導管システムＣＣＳを通過する流体ＣＦは、流れ現象とは独立した長手方向の動力学を示しうる。第１共振周波数は、例えば、約５０Ｈｚであるかもしれない。この共振周波数は、ステージ移動の周波数からそれほど離れておらず、これは、基板Ｗをパターン化するためにリソグラフィ装置に要求される動きがパターン化される基板Ｗ上の注目点の位置決めの精度を低減させる圧力パルスをも誘起しそうであるということを意味する。流体ＣＦの動力学は、典型的に減衰されにくい。第１周波数に対応するモードは、Ｘおよび／またはＹ方向の加速により励起されることができる。基板テーブルＷＴでの圧力パルスは、容易に共振周波数で励起されるかもしれず、基板Ｗの露光中も依然として存在するかもしれない。
【００４４】
本発明は、温度調整システムを用いる優位性をさらに改善させる対象物位置決めシステムを提供することを目的とする。本発明は、導管システムＣＣＳ内の流体ＣＦの圧力の測定、決定または推定により、及び、これらの測定に基づく対象物ＯＢの位置制御により、これを実現する。
【００４５】
本発明のある実施の形態に係る対象物位置決めシステムの例は、図３に概略的に示され、参照基準（例えば投影システムＰＳ）に対して位置決めされるべき対象物ＯＢ（例えば図１に示されるような基板テーブルＷＴまたはサポート構造ＭＴ）を備える。対象物ＯＢは、対象物ＯＢ上または対象物ＯＢ内に導管システムＣＣＳを有し、これは図３において対象物ＯＢとの組み合わせとして示される。導管システムＣＣＳは、流体ＣＦとともに設けられる。また、位置測定システムＰＭＳが一以上のセンサ（例えば図１の位置センサＩＦ）とともに示され、参照基準ＲＥに対する対象物ＯＢの一以上の自由度（例えば、並進方向のＸおよび／またはＹ、および／または、回転方向のＲｚ）の位置に基づいて出力ＯＰを提供する。また、一以上のセンサ（例えば圧力センサ）を持つ測定システムＭＳが示され、導管システムＣＣＳ内の流体ＣＦの圧力に基づく測定信号ＳＩＧである出力を提供する。測定信号ＳＩＧは、信号Δの生成に用いられる予測部ＰＤに送られる。信号Δは、測定システムＭＳからの測定に基づく測定点と注目点の間の推定オフセットを示す。
【００４６】
さらに、アクチュエータシステムＡＣＳが示される。アクチュエータシステムＡＣＳは、好ましくは対象物ＯＢに力Ｆを加えることにより、対象物ＯＢを位置決めする一以上のアクチュエータを有してもよい。また、アクチュエータシステムＡＣＳを駆動するよう構成される制御システムＣＳが示される。制御システムＣＳは、アクチュエータシステムＡＣＳを制御し、位置測定システムＰＭＳの出力ＯＰ、信号Δ、及び、対象物ＯＢの所望位置を表す設定値ＳＰに基づいて対象物ＯＢを位置決めするよう構成されてもよい。
【００４７】
図３において、アクチュエータシステムＡＣＳは、対象物ＯＢと参照基準ＲＥの間に力Ｆを加えるように示される。参照基準ＲＥは、位置測定システムＰＭＳにより参照基準ＲＥに対する対象物ＯＢの位置を決定するために用いられる。しかしながら、力Ｆが参照基準ＲＥに加えられることは必須ではない。加えた力の結果として生じる擾乱を最小化するため、力分離フレーム（不図示）が設けられてもよい。力分離フレームは、参照基準ＲＥに擾乱を与えることなく力Ｆが対象物ＯＢに印加されうるように、参照基準ＲＥから切り離されてもよい。
【００４８】
制御システムＣＳは、対象物ＯＢの少なくとも一方向の位置をアクチュエータ制御システムＡＣＳを用いて制御する。例えば、少なくとも一つの方向は、並進方向Ｘおよび／またはＹ、および／または、回転方向Ｒｚのいずれであってもよい。少なくとも一つの方向は、対象物ＯＢの重要な動作中の主移動方向に対応してもよい。例えば、重要な動作は、スキャン中、ステップ中、測定中などの対象物ＯＢの移動を含んでもよい。
【００４９】
図３において、位置測定システムＰＭＳが対象物ＯＢの位置を参照基準ＲＥに対して測定するように示される。位置測定システムＰＭＳは、対象物ＯＢの位置を対象物ＯＢ上の測定点で測定する。この図は、直接的な測定の実行を示唆するかもしれないが、位置測定システムＰＭＳが対象物ＯＢの位置を別の構造に対して測定するよう構成されることも可能である。位置測定システムＰＭＳにより測定できる自由度の例は、Ｘ方向、Ｘ方向に直交するＹ方向、および、ＸおよびＹ方向の双方に直交する軸（一般にＺ軸と称される）周りの回転方向Ｒｚである。位置測定システムＰＭＳは、任意の形式の位置センサを備えてもよく、例えば、干渉計型デバイス、エンコーダ格子板、加速度計および容量性センサなどを備えてもよい。
【００５０】
図３において、測定システムＭＳは、対象物ＯＢまたは導管システムＣＣＳの特性を測定するように示される。測定システムＭＳは、測定信号ＳＩＧを提供するセンサＳＥ（図３に不図示）を備える。測定システムＭＳは、圧力測定システムであってもよい。測定信号ＳＩＧは、導管システムＣＣＳ内の少なくとも一点での流体ＣＦの圧力を示す。測定システムＭＳは、流体ＣＦの圧力を直接測定するセンサＳＥ（例えば圧力センサ）を備えてもよい。圧力の直接的な測定に用いるセンサＳＥは、流体ＣＦの圧力を測定する。圧力の間接的な測定に用いるセンサＳＥは、流体ＣＦおよび／または導管システムＣＣＳの別の特性を測定する。間接的測定は、圧力を決定するために用いられてもよい。
【００５１】
様々な種類の圧力センサが用いられてもよい。ある実施の形態において、高周波圧力センサが用いられる。この文脈において、高周波圧力センサは、対象物ＯＢの高速移動および／または流体ＣＦ中の圧力パルスを正確に測定するのに十分に速い測定が得られるものである。いくつかの場合において、圧電性の圧力センサが用いられてもよい。代わりに、ファイバーブラッググレーティングが用いられてもよい。
【００５２】
測定システムＭＳからの出力は、予測部ＰＤに送られる測定信号ＳＩＧである。予測部ＰＤは、測定信号ＳＩＧを変換して測定圧力に基づいたある測定場所でのある方向の対象物の推定オフセットを表すようにする。推定オフセットは、圧力に起因した測定点に対する注目点の推定された空間的変化である。図３において、推定オフセットを示す信号はΔとして示される。Δは、予測部ＰＤにより制御システムＣＳに与えられる。推定オフセットは、システムの動的モデルを用いる予測部ＰＤにより決定されてもよい。代わりに、予測部がある種の較正プロセスを用いて推定オフセットと測定圧力の関係を決定してもよい。
【００５３】
図２，３および４に示される注目点のＸ方向およびＹ方向の位置は、推定オフセットに影響を与えうる。上述のように、誤差は基板Ｗの縁においてより大きくなる傾向にある。反対に、誤差は、特定の点（例えば、基板Ｗの中心において）小さいかもしれず、または、無視さえできるかもしれない。したがって、推定オフセットは、異なる位置で誘起される変形の変動に応じて、注目点のＸ方向およびＹ方向の位置に基づいて計算されてもよい。
【００５４】
推定オフセットは、測定システムＭＳにより測定される圧力を示す出力（つまり、測定信号ＳＩＧ）に基づいて予測部ＰＤにより計算される。この実施の形態において、予測部ＰＤは、測定圧力と圧力変化により生じるであろう推定オフセットとの間の所定の関係を用いてオフセットを推定する。例えば、上述のように、機械的感度が一定と仮定される場合、対象物ＯＢ内の変形（つまり、推定オフセット）は、圧力に直接的に比例するかもしれない。したがって、推定オフセットと圧力は、所定の定数を持つ線形関係を有するかもしれない。圧力と推定オフセットの関係はより複雑かもしない。構造モデルがオフセットの推定に用いられてもよい。圧力と推定オフセットの間の関係は、例えば、推定オフセットと測定圧力の関係を決定するためのある種の較正プロセスを用いることにより、経験的に導出されるかもしれない。制御システムＣＳにて推定オフセットを用いることは、対象物ＯＢが外乱力の影響を緩和するように制御されることができることを意味する。したがって、温度調整システムにより誘起される誤差を低減することができる。このようにして、対象物ＯＢは、対象物ＯＢの位置制御時に制御システムＣＳが推定オフセットを用いない場合に比べてより正確に位置決めされうる。
【００５５】
設定値ＳＰは、設定値生成部ＳＰＧにより制御システムＣＳに与えられてもよい。設定値生成部ＳＰＧ、予測部ＰＤおよび／または制御システムＣＳは、図１にも示されるように、リソグラフィ装置制御ユニットＬＡＣＵの一部であってもよい。
【００５６】
図３に示されるように、制御システムＣＳに対する三つの入力があり、予測部ＰＤからのΔ（これは、上述のように、導管システムＣＣＳ内の流体の圧力測定結果に基づいて温度調整システムにより誘起される推定オフセットを示す信号である）、位置測定システムＰＭＳからの出力ＯＰ（これは対象物ＯＢの実位置を示す）および設定値ＳＰ（これは対象物ＯＢの所望位置を示す）である。これら三つの入力から、制御システムＣＳは、対象物を所望の位置に位置決めするのに必要な力を決定する。このようにして、制御システムＣＳは、流体圧力を示す出力、位置測定結果および対象物ＯＢの所望位置を示す設定値に基づいて、対象物ＯＢの少なくとも一方向の動きを制御してもよい。
【００５７】
上述のように、位置測定システムＰＭＳからの出力ＯＰは、対象物ＯＢ上の測定点を示す。制御システムＣＳは、測定点の位置を使用し、注目点と測定点の間の既知の関係を用いて、注目点の実位置を決定できる。これら点の間の関係が既知である（または少なくとも仮定される）場合でも、対象物ＯＢの任意の変形が測定点に対する注目点の位置の誤差を誘起するであろう。推定オフセットは、測定点と注目点の間の既知の関係における誤差を低減または除去するために用いられてもよい。制御システムＣＳは、これらの入力を用いて注目点を所望の位置に位置決めする。
【００５８】
図３において、予測部ＰＤからの信号ＦΔがアクチュエータシステムＡＣＳに直接送信されてもよいことを示すために破線が用いられている。この実施の形態において、予測部ＰＤは、制御システムＣＳに信号Δを送信しなくてもよい。この実施の形態において、制御システムＣＳは、対象物ＯＢに印加されるべき力Ｆを位置測定システムＰＭＳからの出力ＯＰおよび設定値ＳＰに基づいて決定してもよい。加えて、予測部は、測定信号ＳＩＧに基づいて推定オフセット力を決定してもよい。この実施の形態において、制御システムＣＳは、対象物ＯＢをできるだけ正確に位置決めするようにアクチュエータシステムＡＣＳを制御し、予測部ＰＤは、測定点と注目点の間の任意の誤差をなくすために印加されるべき力Ｆに対するオフセットを示す。
【００５９】
上述の実施の形態において、流体ＣＦの慣性力は、対象物ＯＢの位置決めに影響を与える。しかしながら、測定圧力を用いることは、対象物ＯＢがより良く位置決めされるように、リソグラフィ装置ＬＡが対象物ＯＢに加わる力Ｆを適合させることを可能にする。
【００６０】
上述の実施の形態において、対象物上の温度調整システムの悪影響は、測定され、かつ、対象物の位置を何らかの方法で制御するときに用いられることができる。したがって、温度調整システムの使用の任意の悪影響が減少または除去すらされるように対象物ＯＢの位置を変えることができる。
【００６１】
図４は、対象物ＯＢの温度を制御する流体ＣＦを受けるための導管システムＣＣＳを含む対象物ＯＢの上面を概略的に示す図である。導管システムＣＣＳの一部は、例えば、切削加工の後に切削された導管システムＣＣＳを上部品（不図示）で覆うことにより対象物ＯＢ内に形成されてもよい。対象物ＯＢは、対象物ＯＢ内に形成される導管システムＣＣＳとともに、または、それとは別に、放電加工、化学エッチング、切削加工、（例えばＳｉＣを用いる）化学蒸気浸透法、または、これら工程の任意の組み合わせにより形成されてもよい。
【００６２】
導管システムＣＣＳは、熱交換器およびポンプを備える温度調整システム（不図示）の一部であることが好ましい。熱交換器は、流体ＣＦが対象物ＯＢに用いられる前に流体ＣＦを熱的に調整するよう構成される。ポンプは、流体ＣＦを対象物ＯＢから及び対象物ＯＢに向けて輸送するよう構成される。流体ＣＦは、導管システムＣＣＳの全体にわたって設けられる。図４の対象物ＯＢは、Ｘ方向およびＹ方向に対応する少なくとも二方向に移動可能である。
【００６３】
図４において、導管システムＣＣＳは、導管部分ＣＣおよび導管接続部分ＣＣＰで構成される。見て分かるように、導管システムＣＣＳの導管部分ＣＣは、対象物ＯＢの円周の周りに配置されうる。導管部分ＣＣは、対象物ＯＢ上または対象物ＯＢ内にある導管システムＣＣＳの一部であると称されてもよい。例えば、ここで、導管システムＣＣＳの壁の一部は、対象物ＯＢに接触する。この場合、導管接続部分ＣＣＰは、導管システムＣＣＳの一部であり、対象物ＯＢに接触する導管システムＣＣＳの壁の一部を有しない。図４において、導管システムＣＣＳの壁が対象物ＯＢ（つまり、対象物ＯＢの縁）にもはや直接接触していない位置は、導管部分ＣＣと導管接続部分ＣＣＰの接続位置である。
【００６４】
ある実施の形態において、導管部分ＣＣおよび導管接続部分ＣＣＰは、一つの管、つまり、連続した管であってもよい。ある実施の形態において、導管部分ＣＣは、対象物ＯＢの内部の溝（チャネル）であってもよく、各導管接続部分ＣＣＰがそれぞれ導管部分ＣＣに接続される分離された管であってもよい。
【００６５】
別の実施の形態において、導管接続部分ＣＣＰおよび導管部分ＣＣは、互いに接続される分離した管を用いてそれぞれ形成されてもよい。導管接続部分ＣＣＰは、それぞれが対象物ＯＢの縁にて導管部分ＣＣに接続される二つの管を備えてもよい。さらに、導管部分ＣＣおよび導管接続部分ＣＣＰは異なってもよい。例えば、異なる材料が異なる部分および／または異なる断面形状のために用いられてもよい。
【００６６】
上述の実施の形態において、導管部分ＣＣおよび導管接続部分ＣＣＰへの言及は、導管の壁がその点で対象物ＯＢに直接接触する導管システムＣＣＳの部分との違いを規定する。しかしながら、少なくとも一つの導管接続部分ＣＣＰの一部にまで延びる管が導管部分ＣＣとして用いられるかもしれない。代わりに又は加えて、導管接続部分ＣＣＰに用いられる管が導管部分ＣＣにまで延びるかもしれない。このようにして、導管システムＣＣＳ内のいくつかの点での互いの接続を有する複数の管が用いられてもよい。
【００６７】
導管部分ＣＣと各導管接続部分ＣＣＰとの間、または、上述したような部分に用いられる管の間にコネクタ（不図示）があってもよい。各コネクタは、直線的なセグメントを備えてもよく、および／または、特定の方向に導管システムＣＣＳを向けるよう半径または曲げが設定されてもよい。
【００６８】
圧力パルス制限器ＰＰＬは、図４において二つの導管接続部分ＣＣＰの端部に示されている。測定システムＭＳは、図４に示されるように、導管接続部分ＣＣＰの一方に設けられてもよい。図３に関連して既に記載したように、測定システムＭＳは導管システムＣＣＳの内側で流体ＣＦの圧力を検出する。
【００６９】
測定システムＭＳは、導管システムＣＣＳ内の流体ＣＦの圧力を測定する圧力センサＳＥを備えてもよく、測定圧力に対応する測定信号ＳＩＧを予測部ＰＤ（図４にて不図示）に送信してもよい。この測定結果は、温度調整システムの存在に起因して対象物ＯＢに加わる擾乱の影響を最小化するために制御システムＣＳ（または上述の予測部）により用いられる。
【００７０】
ある実施の形態において、測定システムＭＳが可能な限り対象物ＯＢの近くの場所に設けられてもよい。対象物ＯＢの近くで取得される測定結果は、より離れて取得される場合よりも対象物ＯＢ内の流体の圧力をより正確に表す。
【００７１】
説明したように、システムは動的システムとしてモデル化されてもよく、制御システムＣＳは、このようなモデルの出力（つまり、推定オフセット）を用いて対象物ＯＢの動きを制御する。既に説明したように、図４に示される導管システムＣＣＳは、圧力パルス制限器ＰＰＬに起因する分離されたシステム、つまり、圧力パルス制限器ＰＰＬとのコネクタより外側からの導管システムＣＣＳの圧力変動がないものとしてモデル化できる。測定システムＭＳは、導管システムＣＣＳ内の圧力変動の測定を可能にし、これを制御システムＣＳの計算に含めて対象物ＯＢの位置を決定できるようにする。上述のように、予測部ＰＤは温度調整システムに起因する推定オフセットを決定することができ、これは測定システムＭＳにより検出される圧力変動に対応する。ある別の実施の形態において、予測部ＰＤが測定信号ＳＩＧを直接的に力（これは図３においてもΔにより表される信号を有してもよい）に変換してもよく、これが制御システムＣＳに反映される。代わりに、予測部ＰＤは、力を直接的に表す信号ＦΔをアクチュエータシステムＡＣＳに送信して対象物ＯＢの制御を適合させてもよい。
【００７２】
上述の実施の形態において、対象物ＯＢは一つの導管システムＣＣＳとともに記載される。しかしながら、複数の導管システムＣＣＳがあってもよく、その全てが部分的に同じ対象物ＯＢ内または対象物ＯＢ上に設けられてもよい。さらに、導管システムＣＣＳは、対象物ＯＢの円周の周りの単純な円形状とともに示されている。しかしながら、導管システムＣＣＳ（または各導管システムＣＣＳ）の形状は、異なる形状であることができる。導管システムＣＣＳの形状は、対象物ＯＢの内部の圧力分布に影響を与えうる。
【００７３】
本発明の図４において、測定システムＭＳは導管接続部分ＣＣＰ上に示される。測定システムＭＳは、対象物ＯＢと圧力パルス制限器ＰＰＬの間にあるように示される。測定システムＭＳは、圧力が対象物ＯＢ内で正確に測定できるように位置する。この場所は、対象物ＯＢにできるだけ近くてもよい。測定システムＭＳの場所は、測定される特性および／または対象物の移動に応じて最適化されてもよい。測定システムＭＳは、導管システムＣＣＳの任意の点に配置されてもよい。測定システムＭＳは、導管部分ＣＣ上に位置してもよい。測定システムＭＳは、対象物ＯＢ上または対象物ＯＢ内に位置してもよい。センサＳＥは、測定システムＭＳに直接的に接続されてもよい。代わりに、センサＳＥは測定システムＭＳに直接的に接続されなくてもよく、例えば測定システムＭＳに向けて無線で測定結果を送信してもよい。上述した測定システムＭＳの場所は、センサＳＥ自体の場所であってもよいし、および／または、測定システムＭＳの場所であってもよい。
【００７４】
導管システムＣＣＳ内に設けられる流体ＣＦは、図４に示される導管システムＣＣＳの外部にあるソース（不図示）から供給される。流体ＣＦは、管および／またはホースを介して圧力パルス制限器ＰＰＬの外部にあるソースから供給される。流体ＣＦは、液体および／または気体である。例えば、流体ＣＦは、調整された水、流体ＣＯ２、気体および液体ＣＯ２の混合体、流体ヘリウム、グリコール、または、フロンなどの冷媒等であってもよい。
【００７５】
図４において、二つの圧力パルス制限器ＰＰＬは、対象物ＯＢから同じ距離の同様の場所に位置する。しかしながら、圧力パルス制限器ＰＰＬは、異なる場所および／または対象物ＯＢから異なる距離にあってもよい。一つの圧力パルス制限器ＰＰＬは、キャリアシステムまたは導管システムＣＣＳ上の任意の場所に位置してもよい。代わりに、複数の圧力パルス制限器ＰＰＬが設けられてもよい。
【００７６】
図４において、本実施の形態が測定システムＭＳ内に一つのセンサＳＥを有するように示される。しかしながら、複数のセンサが用いられてもよい。
上述の実施の形態において、測定システムＭＳは、流体ＣＦの流体圧を直接的に測定するセンサＳＥを備える。ある実施の形態において、測定システムＭＳは、流体ＣＦの流体圧を間接的に測定するセンサＳＥを備える。圧力を間接測定するセンサＳＥは、例えば、導管システムＣＣＳの圧力とは異なる特性を測定してもよい。例えば、歪みゲージ圧力センサといった歪みセンサは、導管システムＣＣＳの壁内の歪みを測定するために用いられてもよい。歪みの測定結果は、圧力の推定に用いられてもよく、これを推定オフセットまたは推定オフセット力を決定するために使用し、上述の対象物ＯＢの制御に用いることができる。任意の形式の歪みセンサが歪みの測定に用いられてもよく、例えば、圧電歪みセンサである。好ましくは、用いる歪みセンサが、ｎεのオーダ、可能であればさらにｐεのオーダで歪みを測定するように構成される。歪みセンサは、導管システムの壁の外側、内側、または内部に位置してもよい。代わりに、測定されうる導管システムＣＣＳの異なる特性は、流体ＣＦの密度、流体ＣＦの光学特性であってもよく、例えば、複屈折センサまたは干渉計などが用いられる。
【００７７】
ある実施の形態において、導管システムＣＣＳは、対象物ＯＢ内に全体が包含されてもよい。この実施の形態において、導管システムＣＣＳは、導管部分ＣＣのみを備えてもよい。この実施の形態において、測定システムＭＳは、対象物ＯＢに含まれる導管システムＣＣＳの圧力を測定してもよい。例えば、導管システムＣＣＳの圧力は、調整された水で満たされてもよく、対象物ＯＢが加速される前にポートが密閉されてもよい。この実施の形態において、導管システムＣＣＳが圧力パルス制限器ＰＰＬを備えなくてもよい。密閉されたシステム内において、対象物ＯＢが加速されるときに圧力はある領域で増加し別の領域で減少するであろう。圧力変動に起因して対象物ＯＢの変形が依然として生じるであろう。しかし、圧力と推定オフセットの間の関係は異なるであろうし、異なってモデル化されるべきかもしれない。これらの違いを別にして、上述の実施の形態は、圧力の検知および対象物ＯＢの動きの制御に用いられてもよい。
【００７８】
この実施の形態において、測定システムＭＳも同様に対象物ＯＢの内部にあってもよく、測定信号ＳＩＧを無線で制御システムＣＳに送信してもよい。導管システムＣＣＳは、同様に導管部分ＣＣのみ（つまり、全体として一つの部分）を対象物ＯＢの内部に備えてもよい。上に述べたが、導管部分ＣＣが複数の管で構成され、これらの管がいずれも対象物の外に延びないように、または、対象物から離れて延びないように構成されてもよい。これらの管は、これらが異なる直径、異なる断面を有するように、および／または、異なる種類の管となるように異なっていてもよい。
【００７９】
予測部ＰＤは、リソグラフィ装置制御ユニットＬＡＣＵの一部であってもよいし、そうでなくてもよい。つまり、予測部ＰＤは分離した制御ユニットであってもよい。予測部ＰＤは、図３に示されるようなＬＡＣＵ内の制御システムＣＳから分離されてもよい。代わりに、予測部ＰＤが制御システムＣＳの一部であってもよく、制御システムが測定システムＭＳからの測定信号ＳＩＧを受信してこれを直接的に用いるようにしてもよい。
【００８０】
上述の実施の形態によれば、対象物ＯＢは、基板テーブルＷＴ、サポート構造ＭＴ、工学素子、投影システムＰＳ、第１位置決め装置ＰＭ、第２位置決め装置ＰＷ、または、適応可能であれば、リソグラフィ装置内で位置決めされる必要がありうる任意の他の対象物ＯＢであってもよい。
【００８１】
Ｘ方向の位置決め精度がＹ方向に対して要求されるのと同様ではないこと、または、対象物ＯＢがＹ方向のみに加速されるときにのみ要求される位置決め精度が適用可能であり、その結果、Ｘ方向の挙動があまり関係しないことも可能である。したがって、たとえ一方向のみであっても、測定システムＭＳの出力Δに基づいて対象物ＯＢを制御することが有益かもしれない。上述の実施の形態は、対象物ＯＢが移動または位置決めされうる方向の例として、Ｘ、ＹおよびＲｚを用いる。しかしながら、対象物ＯＢは、Ｘ、Ｙおよび／またはＺ方向を含む任意の軸方向およびこれらの軸に対する回転方向において移動または位置決めされてもよく、または、図示されるＸ−Ｙ軸に対して回転または変換されうる任意の他の軸に基づく方向に沿って移動または位置決めされてもよい。
【００８２】
上述の実施の形態のよれば、注目点は変化してもよい。例えば、対象物ＯＢが基板Ｗを支持する基板テーブルＷＴの場合、基板は、基板Ｗの異なる目標部分Ｃを露光するために移動されうる。この場合、基板Ｗ上の注目点は変化するであろう。特定の注目点について推定オフセットが決定された後、その推定オフセットを他の注目点について用いることも可能である。例えば、推定オフセットの大きさが所与の半径にて一定であることが（推定オフセットの方向が変化する場合でさえ）想定されうる。したがって、一つの注目点からの推定オフセットが他の注目点、例えば同じ半径の他の点について用いられてもよい。
【００８３】
上述の実施の形態のいずれかに係る実施の形態において、圧力パルス制限器ＰＰＬが設けられなくてもよい。この実施の形態において、対象物の移動に起因する圧力変動は、圧力パルス制限器ＰＰＬの欠如に起因してより大きいかもしれないが、上述の圧力変動の影響が緩和するよう対象物ＯＢを移動させるために制御システムが用いられてもよい。
【００８４】
ある実施の形態において、圧力パルス制限器ＰＰＬは能動的（アクティブ）であってもよい。この場合、能動的とは、導管システムＣＣＳの内側の液体ＣＦの圧力に影響を与えるように圧力パルス制限器ＰＰＬが制御されうることを意味する。これは、測定システムＭＳからの出力ＳＩＧに基づいてもよい。
【００８５】
上述の実施の形態において、推定オフセットが制御システム内で対象物ＯＢの動きの制御に用いられる一方、測定信号ＳＩＧは流体内の圧力変動の影響をなくすために用いられる。しかしながら、推定オフセットは、制御システムによってこのように用いられなくてもよい。代替例として、推定オフセットは、測定システムの補正として位置センサにより測定される位置に適用されてもよい。このようにして圧力変動をなくすように適合されている測定結果は、注目点の所望位置との比較のために制御システムにより直接的に用いられてもよい。このようにして、制御システムは、設定値ＳＰおよび位置測定システムＰＭＳからの出力ＯＰに関係する入力に基づいて対象物ＯＢの位置を制御する。これは、測定点と注目点の間の距離の変動が含まれているため、より正確であろう。
【００８６】
誘起される圧力パルスに加えて、導管システムＣＣＳに含まれる流体ＣＦの経路内の不規則性に起因した流体内の力の乱れがある。これら力の不規則性は、流体ＣＦ内のフローノイズ（流体雑音）とも称されうる。流体雑音は、流体ＣＦの圧力分布に対するノイズの場所に応じて、流体ＣＦの特定の共振モードを励起するかもしれない。各モードは、対象物ＯＢに異なる態様および異なる程度に影響を与えるかもしれない。流体雑音は、加速方向とは異なる方向に外乱力を生じさせるかもしれず、つまり、対象物上に力を誘起させるかもしれない。測定システムＰＲＳは、外乱力を測定するために用いられてもよく、外乱力を示す測定信号ＳＩＧが生成されてもよい。測定信号ＳＩＧは、流体雑音の影響を決定し、対象物ＯＢの動きの制御中に流体雑音をなくすために予測部ＰＤ（または制御システムＣＳ）により用いられることができる。
【００８７】
上述の実施の形態は、流体ＣＦ内の流体雑音に起因する外乱力の影響を低減するために用いられてもよい。これは、上述の圧力パルスの影響の低減に代えて、または、加えてなされてもよい。流体雑音の影響を低減するため、異なるセンサが用いられてもよい。少なくとも一つのセンサが導管システムＣＣＳの特性を測定するために用いられてもよく、これは流体雑音の影響を正確に測定するのに十分に速い測定が得られるように構成される。流体雑音の影響は、上述のいずれかの実施の形態における制御システムＣＳによる対象物ＯＢの位置決めに反映させることもできる。
【００８８】
上述の実施の形態のいずれかにおいて、対象物ＯＢの加速および流体雑音に起因する圧力勾配が対象物ＯＢに作用する外乱力を生じさせ、これが対象物ＯＢの位置決め誤差を生じさせるかもしれない。対象物ＯＢの位置決め誤差は、注目点の直接のオフセットにつながるかもしれない。オフセットは、上述の実施の形態のように決定されることができ、同様に、任意の外乱力の影響を低減するように対象物ＯＢが制御されることができる。これは、上述の実施の形態のいずれを用いてなされてもよいし、例えば、位置オフセットの決定により、例えば、ある点の流体ＣＦの圧力の測定結果または予測を用いて、または、力のオフセットを示す信号を直接アクチュエータに送信することによりなされてもよい。
【００８９】
本発明のある実施の形態において、流体ＣＦとともに導管システムＣＣＳが設けられ、導管システムＣＣＳの少なくとも一部が対象物上または対象物内に配置されてもよい。この実施の形態において、導管システムの内部の液体の圧力を示す測定信号ＳＩＧを与える測定システムＰＲＳが設けられない場合を除いて、他の機構が上述の実施の形態のいずれかと同じであってもよい。本実施の形態において、例えば、質量とバネの系に関連して記述されたように、流体ＣＦの圧力変動の予測にモデルが用いられてもよい。圧力予測システムは、予測圧力を示す信号の生成に用いられてもよい。圧力予測システムは、リソグラフィ装置制御ユニットＬＡＣＵの一部であってもよいし、そうでなくてもよい。予測圧力は、上述の実施の形態と同様に、制御システムＣＳにおいて対象物ＯＢの動きを制御するために用いられてもよい。このようにしてモデルを用いることは、上述の実施の形態で記述されるように、温度調整システムの悪影響の低減を可能にする。
【００９０】
本発明の特定の実施の形態が上述されたが、説明したもの以外の態様で本発明が実施されてもよい。例えば、本発明の制御システムは、上述の方法を記述した機械で読み取り可能な命令の一以上のシーケンスを含むコンピュータプログラム、または、このようなコンピュータプログラムが保存されるデータ保存媒体（例えば、半導体メモリ、磁気ディスクまたは光学ディスク）の形式をとってもよい。
【００９１】
本書ではＩＣの製造におけるリソグラフィ装置の使用を例として説明しているが、本書に説明したリソグラフィ装置は他の用途にも適用することが可能であるものと理解されたい。他の用途としては、集積光学システム、磁気ドメインメモリ用案内パターンおよび検出パターン、フラットパネルディスプレイ、液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）、薄膜磁気ヘッドなどがある。本書に言及された基板Ｗは露光前または露光後において、例えばトラック（典型的にはレジスト層を基板Ｗに塗布し、露光後のレジストを現像する装置）、メトロロジツール、および／またはインスペクションツールにより処理されてもよい。適用可能であれば、本書の開示はこれらのまたは他の基板処理装置にも適用され得る。また、基板Ｗは例えば多層ＩＣを製造するために複数回処理されてもよく、その場合には本書における基板Ｗという用語は既に処理されている多数の処理層を含む基板Ｗをも意味しうる。
【００９２】
上記では、光学リソグラフィとの関連で本発明の実施の形態の使用に特に言及しているが、本発明は、インプリントまたは電子ビームリソグラフィなどの他の用途においても使用可能であり、文脈上許されれば、光学リソグラフィに限定されないことが理解されよう。インプリントリソグラフィでは、パターニングデバイスの微細構成によって、基板Ｗ上に生成されるパターンが画定される。パターニングデバイスＭＡの微細構成を基板Ｗに設けられたレジストの層に押しつけ、その後、電磁放射、熱、圧力またはその組合せにより、レジストを硬化する。レジストを硬化した後、パターニングデバイスＭＡがレジストから除去され、パターンが残される。
【００９３】
上述の説明は例示であり、限定を意図しない。したがって、以下に述べる請求項の範囲から逸脱することなく既述の本発明に変更を加えることができるということは、当業者には明らかなことである。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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