(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも１つの発熱体と、
第１主面と前記第１主面の反対側に位置する第２主面とを有し、前記第１主面上に前記発熱体を搭載している少なくとも１つのベース体と、
前記第２主面に接続されている少なくとも１つの第１フィンとを備え、
前記ベース体を構成する材料は金属を含み、
前記第１フィンを主に構成する材料は樹脂であり、
前記ベース体の前記第２主面は、凹凸が形成された第１凹凸部を含み、
前記第２主面において前記第１フィンと接続されている領域は前記第１凹凸部を含んでおり、
前記第１凹凸部が形成されている領域は、前記第２主面において前記第１フィンと接続されている領域よりも狭い、放熱構造体。
【請求項２】
複数の前記ベース体を備え、
複数の前記ベース体は、それぞれの前記第２主面が同じ側を向いて隣り合うように配置されており、
前記第１フィンは、隣り合う複数の前記ベース体に跨って、それぞれの前記第２主面と接続されている、請求項１に記載の放熱構造体。
【請求項３】
複数の前記ベース体と、
複数の前記第１フィンとを備え、
複数の前記ベース体は、互いに間隔を隔てて配置されており、かつ、それぞれ異なる前記第１フィンと接続されており、
複数の前記ベース体のうち、１つの前記ベース体の前記第１フィンは他の前記ベース体の前記第１フィンと間隔を隔てて形成されている、請求項１に記載の放熱構造体。
【請求項４】
前記第１主面に接続されており、かつ前記発熱体を囲むように形成されている壁部を備え、
前記ベース体の前記第１主面は凹凸が形成された第２凹凸部を含み、
前記第１主面において前記壁部と接続されている領域は前記第２凹凸部を含んでいる、請求項１〜請求項３のいずれか１項に記載の放熱構造体。
【請求項５】
前記壁部の外周面に接続されている少なくとも１つの第２フィンを備え、
前記第２フィンを主に構成する材料は樹脂である、請求項４に記載の放熱構造体。
【請求項６】
前記第２フィンは、前記放熱構造体を側面視したときに、前記発熱体と重なる前記外周面上の領域に接続されている、請求項５に記載の放熱構造体。
【請求項７】
前記第１フィンは、前記放熱構造体を平面視したときに、前記発熱体と重なる前記第２主面上の領域に接続されている、請求項１〜請求項６のいずれか１項に記載の放熱構造体。
【請求項８】
前記第１フィンには、前記第２主面に沿った方向に延びるように形成されている少なくとも１つの空洞が形成されている、請求項１〜請求項７のいずれか１項に記載の放熱構造体。
【請求項９】
前記第１フィンには、複数の前記空洞が形成されており、
前記空洞が延びる方向に垂直な断面において、複数の前記空洞は格子状に配置されている、請求項８に記載の放熱構造体。
【請求項１０】
前記第１フィンは、前記第２主面に交差する方向に延びるように形成されている芯部と
、前記芯部の少なくとも一部周囲に形成されている被覆部とを含む、請求項１〜請求項９のいずれか１項に記載の放熱構造体。
【請求項１１】
前記第１フィンの側壁と前記第２主面とを接続するように配置された補強部を備え、
前記補強部を主に構成する材料は樹脂である、請求項１〜請求項１０のいずれか１項に記載の放熱構造体。
【請求項１２】
前記第１主面上の第１絶縁層と、
前記第１絶縁層上の導電層とを備え、
前記発熱体は前記導電層上に配置されている、請求項１〜請求項１１のいずれか１項に記載の放熱構造体。
【請求項１３】
前記第２主面上において前記第１フィンが形成されていない全領域を覆う第２絶縁層を備える、請求項１〜請求項１２のいずれか１項に記載の放熱構造体。
【請求項１４】
前記第１凹凸部は、前記ベース体に対するエッチング処理により形成されている、請求項１〜請求項１３のいずれか１項に記載の放熱構造体。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、放熱構造体に関し、特にフィンを備える放熱構造体に関する。
【背景技術】
【０００２】
電子部品からの発熱を効果的に放出するための放熱構造体として、電子部品を搭載した金属板とフィンを有するヒートシンクとを接合させた放熱構造体が一般に採用されている。
【０００３】
また、ヒートシンクに直接絶縁性樹脂層を形成し、この絶縁性樹脂層の上面に回路パターンを形成してなる放熱基板が知られている（たとえば特開２００１−０５７４０６号公報参照）。
【０００４】
また、表面に多数の放熱フィンを有し、モールド成形により得られる放熱基板が知られている（たとえば特開平６−３１８６４９号公報参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００１−０５７４０６号公報
【特許文献２】特開平６−３１８６４９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、金属板とヒートシンクとを接合させた従来の放熱構造体では、金属板とヒートシンクとの接続面にはそれぞれ微細な凹凸または反りが生じているため、接続時に空隙が生じる場合がある。その場合、金属板とヒートシンクとの間の伝熱が妨げられ電子部品に生じた熱を効果的に放熱できない、という問題が生じる。
【０００７】
また、特開２００１−０５７４０６号公報および特開平６−３１８６４９号公報に記載の放熱基板では、当該放熱基板上に回路パターンまたは多層配線層が形成された後、当該回路パターン等上にはんだ接合などにより電子部品が搭載され、半導体装置（放熱構造体）が形成される。この場合、電子部品を回路パターンに搭載する際にこれらに加えられる熱は放熱基板を介して放熱されるため、電子部品を回路パターン上に搭載することが困難である、という問題が生じる。つまり、従来の放熱基板では、これを用いて半導体装置を容易に製造することが困難であった。
【０００８】
本発明は、上記のような課題を解決するためになされたものである。本発明の主たる目的は、電子部品に生じた熱を効果的に放熱することができ、かつ、容易に製造可能な放熱構造体を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
一実施の形態によれば、放熱構造体は、少なくとも１つの発熱体と、第１主面と第１主面の反対側に位置する第２主面とを有し、第１主面上に発熱体を搭載している少なくとも１つのベース体と、第２主面に接続されている少なくとも１つの第１フィンとを備える。ベース体を構成する材料は金属を含み、第１フィンを主に構成する材料は樹脂である。ベース体の第２主面は、凹凸が形成された第１凹凸部を含む。第２主面において第１フィンと接続されている領域は第１凹凸部を含んでいる。
【発明の効果】
【００１０】
上記一実施の形態によれば、ベース体の第２主面には微小な凹凸からなる第１凹凸部が形成されており、第２主面において第１フィンと接続されている領域は第１凹凸部を含んでいる。そのため、主な構成材料が樹脂である第１フィンを、構成材料が金属であり電子部品が搭載されたベース体の第１凹凸部上に樹脂成形により容易に形成することができる。これにより、ベース体と第１フィンとの接続部には空隙の形成が抑制されているため、電子部品に生じた熱を効果的に放熱することができる。また、電子部品は、第１フィンが接続されていないベース体にはんだ接合などにより容易に搭載され得る。つまり、上記一実施の形態によれば、電子部品に生じた熱を効果的に放熱することができ、かつ、容易に製造可能な放熱構造体を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】実施の形態１に係る放熱構造体を説明するための上面図である。
【図２】図１中の線分ＩＩ−ＩＩから見た断面図である。
【図３】図２中の領域ＩＩＩの部分拡大図である。
【図４】図２中の矢印ＩＶから見た下面図である。
【図５】実施の形態２に係る放熱構造体を説明するための上面図である。
【図６】図５中の線分ＶＩ−ＶＩから見た断面図である。
【図７】実施の形態３に係る放熱構造体を説明するための上面図である。
【図８】図７中の矢印ＶＩＩＩから見た側面図である。
【図９】図８中の矢印ＩＸから見た下面図である。
【図１０】実施の形態４に係る放熱構造体の変形例を説明するための上面図である。
【図１１】図１０中の矢印ＸＩから見た側面図である。
【図１２】図１１中の矢印ＸＩＩから見た下面図である。
【図１３】実施の形態５に係る放熱構造体を説明するための上面図である。
【図１４】図１３中の矢印ＸＩＶから見た側面図である。
【図１５】図１４中の矢印ＸＶから見た下面図である。
【図１６】実施の形態６に係る放熱構造体を説明するための側面図である。
【図１７】図１６中の矢印ＸＶＩＩから見た下面図である。
【図１８】実施の形態７に係る放熱構造体を説明するための下面図である。
【図１９】実施の形態１〜実施の形態７に係る放熱構造体における第１フィンの変形例を説明するための側面図である。
【図２０】実施の形態１〜実施の形態７に係る放熱構造体における第１フィンの他の変形例を説明するための側面図である。
【図２１】実施の形態１〜実施の形態７に係る放熱構造体における第１フィンのさらに他の変形例を説明するための側面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
以下、図面に基づいて本発明の実施の形態を説明する。なお、以下の図面において、同一または相当する部分には同一の参照番号を付し、その説明は繰り返さない。
【００１３】
（実施の形態１）
図１〜図４を参照して、実施の形態１に係る放熱構造体１００について説明する。放熱構造体１００は、発熱体としての電子部品１〜４と、ベース体１０と、第１フィン２０とを備える。
【００１４】
電子部品は、能動素子である半導体モジュール１、および受動素子である端子台２、抵抗体３、電解コンデンサ４などを含む。半導体モジュール１は、任意の半導体素子が樹脂などによりパッケージされたものであり、半導体素子はたとえばＭＯＳＦＥＴなどである。半導体モジュール１、端子台２、抵抗体３、電解コンデンサ４は、電気抵抗成分を有するため、電流が流れることによりジュール損が生じる。また、半導体モジュール１は、たとえばスイッチング動作を行う際に瞬時にオン状態とオフ状態との間を移行することができないため、スイッチング損失が生じる。このように、上記電子部品は動作時において発熱体となり得る。
【００１５】
ベース体１０は、第１主面１０Ａと第１主面１０Ａの反対側に位置する第２主面１０Ｂとを有する。第１主面１０Ａ上には、第１絶縁層１１、および導電層１２が積層されている。導電層１２上には上記電子部品１〜４が搭載されており、電子部品１〜４と導電層１２とは電気的に接続されている。また、電子部品１〜４とベース体１０とは第１絶縁層１１により電気的に絶縁されている。第１絶縁層１１は、任意の電気的絶縁材料で構成されていればよく、エポキシ樹脂などの樹脂材料により構成されていてもよい。また、第１絶縁層１１は、公知の酸化膜などであってもよいし、セラミックス板として構成されていてもよい。導電層１２は、任意の導電性材料で構成されていればよく、たとえば銅（Ｃｕ）により構成されている回路パターンとして構成されている。ベース体１０の第１主面１０Ａ、第１絶縁層１１、導電層１２および電子部品１〜４は、たとえば封止体（図示しない）により封止されている。
【００１６】
第２主面１０Ｂは、凹凸が形成された第１凹凸部３０を含む。第１凹凸部３０には、複数の凹凸が形成されており、第１凹凸部３０における個々の凹凸はマイクロオーダーの幅および深さを有している。第１凹凸部３０は、たとえばベース体１０の第２主面１０Ｂに対するエッチング処理により形成される（詳細は後述する）。後述のように、第１凹凸部３０は第１フィン２０と接続されるが、第１凹凸部３０の個々の凹凸の深さはこれらに要求される接続強度に応じて任意に決められる。第１凹凸部３０の当該深さが深いほど上記接続強度は高くなり、当該深さが１００μｍ程度で上記接続強度は飽和する。そのため、上記接続強度を十分に高めるには、第１凹凸部３０の個々の凹凸の深さは１００μｍ以上が好ましい。さらに、このような第１凹凸部３０は第２主面１０Ｂ上に複数形成されている。
【００１７】
ベース体１０を構成する材料は、たとえばアルミニウム（Ａｌ）またはアルミニウム合金であるが、これと同じように高い熱伝導率を有する任意の材料で構成されていればよい。
【００１８】
第１フィン２０は第２主面１０Ｂに接続されている。第１フィン２０を主に構成する材料は、樹脂であり、好ましくは樹脂材料の中では比較的高い熱伝導率を有する熱可塑性樹脂である。たとえば、第１フィン２０を主に構成する材料は、ポリフェニレンサルファイド（ＰＰＳ）、ポリフタルアミド（ＰＰＡ）、ポリブチレンテレフタレート（ＰＢＴ）、ポリアミド（ＰＡ）、ポリアミド６（ＰＡ６）、ポリアミド９（ＰＡ９）、ポリアミド６６（ＰＡ６６）、ポリカーボネート（ＰＣ）、ＡＢＣ樹脂（ＡＢＳ）、熱可塑性エラストマー（ＴＰＥ）からなる群から選択される少なくとも１つである。また、第１フィン２０は、上記のような樹脂よりも高い熱伝導性を有する金属材料からなるフィラーを含んでいてもよい。第１フィン２０の形状は、任意の形状とすることができるが、たとえば直方体である。
【００１９】
さらに、このような第１フィン２０は第２主面１０Ｂ上に複数形成されている。個々の第１フィン２０において第２主面１０Ｂと接続されている端部は、それぞれ個々の第１凹凸部３０の上記凹凸と噛み合わされている。言い換えると、第２主面１０Ｂにおいて第１フィン２０と接続されている領域は、第１凹凸部３０を含んでいる。このとき、ベース体１０と第１フィン２０とが接続されている領域において、少なくとも第１フィン２０と第１凹凸部３０の上記凹凸とが噛み合わされている部分には、空隙が生じていない。
【００２０】
図２〜図４に示されるように、複数の第１フィン２０および複数の第１凹凸部３０は、第２主面１０Ｂにおいて、上記１つの方向に沿って一方の端部から他方の端部まで延びるように形成されている。また、複数の第１フィン２０および複数の第１凹凸部３０は、第２主面１０Ｂにおいて、上記１つの方向に垂直な方向において間隔を隔てて平行に形成されている。図３に示されるように、第２主面１０Ｂの上記垂直な方向において、第１凹凸部３０が形成されている領域Ａ１は第１フィン２０と接続されている領域Ａ２よりも狭い。
【００２１】
次に、実施の形態１に係る放熱構造体１００の製造方法について説明する。
はじめに、ベース体１０の第２主面１０Ｂに第１凹凸部３０を形成する（Ｓ１０）。具体的には、まず第１主面１０Ａと第２主面１０Ｂとを有するベース体１０を準備し、第１主面１０Ａ上に第１絶縁層１１および導電層１２を形成する。第１絶縁層１１および導電層１２は任意の方法により形成され得る。導電層１２は回路パターンとして形成される。次に、第１主面１０Ａの全面、および第２主面１０Ｂにおいて第１凹凸部３０を形成すべき領域以外の領域を覆うマスク膜をそれぞれ形成する。マスク膜は、ベース体１０をエッチング可能な溶液に対し、ベース体１０よりもエッチング速度の遅い任意の材料で構成されていればよい。次に、第２主面１０Ｂにおいて第１凹凸部３０を形成すべき領域に対し、ベース体１０をエッチング可能な溶液を用いてウエットエッチングする。このときのエッチング時間などを適宜調整することにより、上記のような第１凹凸部３０が形成される。上記マスク膜は、第１凹凸部３０が形成された後、除去される。
【００２２】
また、第１凹凸部３０を形成する方法はこれに限られるものではなく、たとえば第２主面１０Ｂにおいて第１凹凸部３０を形成すべき領域に対し選択的にレーザを照射してドライエッチングすることにより第１凹凸部３０を形成してもよい。この場合、第１凹凸部３０を形成するための処理時間は、照射領域に応じて長くなるため、第１凹凸部３０を形成すべき領域を必要最低限に制限することで処理時間を短くすることができる。
【００２３】
次に、ベース体１０の第１主面１０Ａ上に電子部品１〜４を搭載する（Ｓ２０）。具体的には、半導体モジュール１、端子台２、抵抗体３、および電解コンデンサ４をそれぞれ導電層１２上の所定の位置に配置し、かつそれぞれと導電層１２と接合する。これらの電子部品と導電層１２との接合方法は、任意の方法を採用し得るが、たとえばリフローはんだ付け法である。このようにして、半導体モジュール１、端子台２、抵抗体３、および電解コンデンサ４が搭載されているベース体１０が準備される。
【００２４】
次に、ベース体１０の第２主面１０Ｂに第１フィン２０を形成する（Ｓ３０）。具体的には、まず、先の工程（Ｓ２０）において得られたベース体１０をモールド成形用の金型内部に配置し、型締めする。当該金型には、ベース体１０に形成された個々の第１凹凸部３０を１つずつ内部に含む複数のキャビティが形成されている。次に、当該金型の内部に加熱溶融させた熱可塑性樹脂を射出し、冷却する。このとき、金型の内部に配置されている電子部品１〜４は、先の工程（Ｓ２０）のはんだ接合時に加熱される温度よりも低温に加熱されるため、電子部品１〜４の接合状態に影響を与えることがない。なお、このときベース体１０の第１主面１０Ａ、第１絶縁層１１、導電層１２および電子部品１〜４を封止する封止体を同時に形成することができる。
【００２５】
また、第１フィン２０を形成する方法は上記方法に限られるものではない。たとえば、まず射出成形により第１フィン２０を成形したのち、成形された第１フィン２０をモールド成形時（封止体形成時）にベース体１０の第２主面１０Ｂの第１凹凸部３０に接続させてもよい。このようにすれば、上記方法と比べて第１フィン２０の成形性を向上することができる。
【００２６】
このようにして、実施の形態１に係る放熱構造体１００を得ることができる。
なお、実施の形態１に係る放熱構造体１００の製造方法において、第１凹凸部３０を形成する工程（Ｓ１０）はベース体１０に電子部品１〜４を搭載する工程（Ｓ２０）の後に実施してもよい。すなわち、電子部品１〜４が搭載されたベース体１０の第２主面１０Ｂに対してエッチング処理が施されることにより、第１凹凸部３０を形成してもよい。
【００２７】
次に、実施の形態１に係る放熱構造体１００の作用効果について説明する。
放熱構造体１００は、少なくとも１つの発熱体（電子部品１〜４）と、第１主面１０Ａと第１主面１０Ａの反対側に位置する第２主面１０Ｂとを有し、第１主面１０Ａ上に上記発熱体を搭載しているベース体１０と、第２主面１０Ｂに接続されている少なくとも１つの第１フィン２０とを備える。ベース体１０を構成する材料は金属を含む。第１フィン２０を主に構成する材料は樹脂である。ベース体１０の第２主面１０Ｂは、凹凸が形成された第１凹凸部３０を含み、第２主面１０Ｂにおいて第１フィン２０と接続されている領域は第１凹凸部３０を含んでいる。
【００２８】
そのため、主な構成材料が樹脂である第１フィン２０は、構成材料が金属であり電子部品１〜４が搭載されたベース体１０の第１凹凸部３０上に樹脂成形により容易に形成され得る。これにより、ベース体１０と第１フィン２０とが接続されている領域において、少なくとも第１フィン２０と第１凹凸部３０の上記凹凸とが噛み合わされている部分は、空隙の形成が抑制されているため、電子部品１〜４に生じた熱を効果的に放熱することができる。つまり、実施の形態１に係る放熱構造体１００は、電子部品１〜４に生じた熱を効果的に放熱することができ、電子部品１〜４の温度上昇を抑制することができる。さらに、電子部品１〜４は第１フィン２０が接続されていないベース体１０にはんだ接合などにより容易に搭載され得るため、放熱構造体１００は容易に製造可能である。
【００２９】
また、放熱構造体１００は、ベース体１０の第１主面１０Ａ上の第１絶縁層１１と、第１絶縁層１１上の導電層１２とを備え、発熱体としての電子部品１〜４は導電層１２上に配置されている。
【００３０】
そのため、第１絶縁層１１によりベース体１０と導電層１２とを電気的に絶縁することができる。その結果、ベース体１０をＡｌなどの導電性材料により構成することができる。
【００３１】
また、放熱構造体１００において、第１凹凸部３０はベース体１０に対するエッチング処理により形成されている。つまり、第１凹凸部３０は容易に形成され得る。さらに、第１フィン２０は、当該第１凹凸部３０を含むように樹脂成形により容易に形成され得ることから、放熱構造体１００は容易に製造可能である。
【００３２】
また、図３に示されるように、第２主面１０Ｂの上記垂直な方向において、第１凹凸部３０が形成されている領域Ａ１は第１フィン２０と接続されている領域Ａ２よりも狭い。このようにすれば、第１フィン２０をモールド成形により第２主面１０Ｂ上に形成する場合に、第１凹凸部３０は第１フィンが形成されるべき領域として金型に設けられているキャビティの内部に配置される。そのため、上記金型と第２主面１０Ｂとの間を密着させることができ、当該間から樹脂が漏れ出ることを抑制することができる。
【００３３】
これに対し、第２主面１０Ｂの上記垂直な方向において、上記領域Ａ１を上記領域Ａ２よりも広く形成した場合には、第１凹凸部３０が上記キャビティの内部と外部とに跨って配置されるため、上記金型と第２主面１０Ｂとの間には第１凹凸部３０の凹凸に起因した隙間が形成される。そのため、金型内に樹脂を射出した際に当該隙間から樹脂が漏れ出てしまい、放熱構造体１００にバリが生じることになる。その結果、放熱構造体１００を製造する際にバリ取り工程などを行う必要が生じ、製造コストの増大を招く。
【００３４】
つまり、放熱構造体１００は、上記領域Ａ１が上記領域Ａ２よりも狭いため、バリの発生を抑制することができ、容易にかつ低コストで製造可能である。
【００３５】
（実施の形態２）
次に、図５および図６を参照して、実施の形態２に係る放熱構造体１００について説明する。実施の形態２に係る放熱構造体１００は、基本的には実施の形態１に係る放熱構造体１００と同様の構成を備えるが、ベース体１０の第１主面１０Ａに接続されており、かつ発熱体としての電子部品１〜４を囲むように形成されている壁部２１を備える点で異なる。
【００３６】
壁部２１は、第１主面１０Ａの外周部に沿って、電子部品１〜４を囲むように形成されている。壁部２１は、第１主面１０Ａと接続されている。つまり、壁部２１は、第１絶縁層１１および導電層１２が形成されていない第１主面１０Ａ上に形成されている。壁部２１を主に構成する材料は、樹脂であり、好ましくは第１フィン２０を構成する材料と同一の材料である。壁部２１は、第１フィン２０と同等程度の高い熱伝導率を有していなくてもよいが、第１フィン２０と同等程度の高い熱伝導率を有しているのが好ましい。
【００３７】
ベース体１０の第１主面１０Ａは凹凸が形成された第２凹凸部３１を含み、第１主面１０Ａにおいて壁部２１と接続されている領域は第２凹凸部３１を含んでいる。
【００３８】
第２凹凸部３１は、上述した第１凹凸部３０と同様の構成を備えている。つまり、第２凹凸部３１には、複数の凹凸が形成されており、第２凹凸部３１における個々の凹凸はマイクロオーダーの幅および深さを有している。第２凹凸部３１は、たとえばベース体１０の第１主面１０Ａに対するエッチング処理により形成される。第２凹凸部３１は壁部２１と接続されるが、第２凹凸部３１の個々の凹凸の深さはこれらに要求される接続強度に応じて任意に決められる。第２凹凸部３１の個々の凹凸の深さは１００μｍ以上が好ましい。さらに、このような第２凹凸部３１は第１主面１０Ａの外周部に沿って電子部品１〜４を囲むように形成されている。
【００３９】
次に、実施の形態２に係る放熱構造体１００の製造方法について説明する。実施の形態２に係る放熱構造体１００の製造方法は、基本的には実施の形態１に係る放熱構造体１００の製造方法と同様の構成を備えるが、ベース体１０の第１主面１０Ａに第２凹凸部３１を形成する工程および第１主面１０Ａに壁部２１を形成する工程をさらに備える点で異なる。
【００４０】
第２凹凸部３１は、たとえば第１凹凸部３０と同時に形成し得る。具体的には、エッチング処理に先立って、第２凹凸部３１が形成されるべき領域上に開口部を有する上記マスク膜を第１主面１０Ａに形成する。なお、第２主面１０Ｂ上には実施の形態１と同様のマスク膜が形成される。次に、実施の形態１に係る放熱構造体１００の製造方法と同様のエッチング処理が実施されることにより、第１凹凸部３０と第２凹凸部３１を同時に形成することができる。マスク膜は、第１凹凸部３０と第２凹凸部３１を形成した後、除去される。
【００４１】
なお、第２凹凸部３１を形成する工程は第１凹凸部３０と別工程として実施してもよい。また、第２凹凸部３１は、電子部品１〜４を搭載する前の第１主面１０Ａに形成されるのが好ましいが、電子部品１〜４を搭載した後の第１主面１０Ａに形成されてもよい。
【００４２】
壁部２１を形成する工程は、たとえば第１フィン２０を形成する工程（Ｓ３０）と同時に実施し得る。具体的には、上記モールド成型用金型には、ベース体１０に形成された個々の第１凹凸部３０を内部に含む複数のキャビティの他、第２凹凸部３１を内部に含むキャビティが形成されている。このような金型の内部に加熱溶融させた熱可塑性樹脂を射出し、冷却する。このようにして、第１フィン２０と同時に壁部２１を形成することができる。
【００４３】
また、壁部２１を形成する方法は上記方法に限られるものではない。たとえば、まず射出成形により壁部２１を成形したのち、成形された壁部２１をモールド成形によりベース体１０の第１主面１０Ａの第２凹凸部３１に接続させてもよい。このようにすれば、上記方法と比べて壁部２１の成形性を向上することができる。
【００４４】
また、壁部２１を形成した後、壁部２１の内部に配置されている電子部品１〜４を封止するための封止体を形成してもよい。
【００４５】
次に、実施の形態２に係る放熱構造体１００の作用効果について説明する。実施の形態２に係る放熱構造体１００は、実施の形態１に係る放熱構造体１００と基本的に同様の構成を備えるため、実施の形態１に係る放熱構造体１００と同様の作用効果を奏することができる。
【００４６】
さらに、実施の形態２に係る放熱構造体１００は、第１主面１０Ａに接続されており、かつ発熱体としての電子部品１〜４を囲むように形成されている壁部２１を備え、ベース体１０の第１主面１０Ａは凹凸が形成された第２凹凸部３１を含み、第１主面１０Ａにおいて壁部２１と接続されている領域は第２凹凸部３１を含んでいる。
【００４７】
これにより、主な構成材料が樹脂である壁部２１は、構成材料が金属であり電子部品１〜４が搭載されたベース体１０の第２凹凸部３１上に樹脂成形により容易に形成され得る。
【００４８】
また、ベース体１０と壁部２１とが接続されている領域において、少なくとも壁部２１と第２凹凸部３１の上記凹凸とが噛み合わされている部分は、空隙の形成が抑制されている。そのため、壁部２１を形成した後、壁部２１の内部に配置されている電子部品１〜４を封止するための封止体を形成する場合には、加熱溶融された封止体となるべき樹脂材料が壁部２１の外部に流出することを抑制することができる。その結果、実施の形態２に係る放熱構造体１００は、ねじなどを用いることなくベース体１０をパッケージ化することができるため、従来のパッケージ化された放熱基板と比べて、放熱性を向上させることができるとともに小型化することができる。
【００４９】
また、ベース体１０は熱伝導率が高いため、電子部品１〜４により生じた熱はベース体１０を介して壁部２１に伝熱される。そのため、電子部品１〜４により生じた熱を、壁部２１によっても放熱することができる。また、壁部２１を構成する材料が、第１フィン２０と同一の材料であれば、壁部２１の外周面２１Ｃ，２１Ｄのより広い領域を放熱面として作用させることができ、放熱構造体１００の放熱性をより向上することができる。
【００５０】
なお、壁部２１は、第１主面１０Ａの外周部に沿って電子部品１〜４を囲むように形成されているが、これに限られるものではない。壁部２１は、第１主面１０Ａの外周部の一部に沿って形成されていてもよく、たとえば電子部品１〜４において特に放熱性を向上させたい電子部品の近くにのみ壁部２１を形成してもよい。このようにしても、実施の形態１に係る放熱構造体１００と同様の作用効果を奏することができるとともに、壁部２１を放熱面とすることができることにより放熱構造体１００の放熱性をより向上することができる。
【００５１】
（実施の形態３）
図７〜図９を参照して、実施の形態３に係る放熱構造体１００について説明する。実施の形態３に係る放熱構造体１００は、基本的には実施の形態２に係る放熱構造体１００と同様の構成を備えるが、壁部２１の外周面２１Ｃ，２１Ｄに接続されている少なくとも１つの第２フィン２２，２３を備える点で異なる。
【００５２】
第２フィン２２は、第１フィン２０の延在方向（上記１つの方向）に延びる外周面２１Ｃに接続されている。第２フィン２２は、外周面２１Ｃに対して垂直に、かつ第１主面１０Ａと平行な方向に延びるように突出している。第２フィン２２は、上記１つの方向において壁部２１（外周面２１Ｃ）の一方の端部から他方の端部まで延びるように形成されている。
【００５３】
第２フィン２３は、上記延在方向に垂直な方向に延びる外周面２１Ｄに接続されている。第２フィン２３は、外周面２１Ｄに対して垂直に、かつ第１主面１０Ａと垂直な方向に延びるように突出している。
【００５４】
第２フィン２３は、第１主面１０Ａに垂直な方向において、壁部２１（外周面２１Ｄ）の上方端部（ベース体１０と接続されている端部の反対側に位置する端部）から下方端部（ベース体１０と接続されている端部）まで延びるように形成されている。好ましくは、第２フィン２３は、壁部２１の上方端部から第１フィン２０の下方端部まで延びるように形成されており、かつ第２主面１０Ｂよりも下方において第１フィン２０と接続されている。
【００５５】
言い換えると、第２フィン２３は、外周面２１Ｄだけでなく、当該外周面２１Ｄに連なるベース体１０の外周面１０Ｄおよび第１フィン２０の外周面に接続されているのが好ましい。ベース体１０の外周面１０Ｄにおいて第２フィン２３と接続される領域は、凹凸が形成された凹凸部を含んでいてもよい。
【００５６】
第２フィン２２は、壁部２１の外周面２１Ｃ上に複数形成されている。第２フィン２２を構成する材料は、たとえば壁部２１を構成する材料と同一の材料である。第２フィン２２は、その主な構成材料である樹脂より高い熱伝導性を有する金属材料からなるフィラーを含んでいてもよい。
【００５７】
実施の形態３に係る放熱構造体１００の製造方法は、基本的には実施の形態２に係る放熱構造体１００の製造方法と同様の構成を備えるが、第２フィン２２を形成する工程をさらに備える点で異なる。
【００５８】
第２フィン２２は、たとえば第１フィン２０および壁部２１と同時に形成し得る。具体的には、上記モールド成型用金型には、ベース体１０に形成された個々の第１凹凸部３０を１つずつ内部に含む複数のキャビティと、第２凹凸部３１を内部に含むキャビティとが形成されている。このような金型の内部に加熱溶融させた熱可塑性樹脂を射出し、冷却する。このようにして、第２フィン２２を第１フィン２０および壁部２１と同時にベース体１０上に形成することができる。
【００５９】
また、第２フィン２２を形成する方法は上記方法に限られるものではない。たとえば、まず射出成形により第１フィン２０、壁部２１、および第２フィン２２をそれぞれ別体として成形する。その後、これらの成形体と電子部品１〜４を搭載したベース体１０とをモールド成形することにより、第１フィン２０を第１凹凸部３０に、壁部２１を第２凹凸部３１に、第２フィン２２をベース体１０、第１フィン２０および壁部２１にそれぞれ同時に接続させてもよい。また、射出成形により第１フィン２０および第２フィン２２の一体物、または壁部２１および第２フィン２２の一体物を成形したのち、成形された当該一体物をモールド成形により第１凹凸部３０または第２凹凸部３１に接続させてもよい。このようにすれば、上記のようなモールド成形法により第２フィン２２を形成する場合と比べて第２フィン２２の成形性を向上することができる。
【００６０】
次に、実施の形態３に係る放熱構造体１００の作用効果について説明する。実施の形態３に係る放熱構造体１００は、実施の形態２に係る放熱構造体１００と基本的に同様の構成を備えるため、実施の形態２に係る放熱構造体１００と同様の作用効果を奏することができる。
【００６１】
さらに、実施の形態３に係る放熱構造体１００は、壁部２１の外周面２１Ｃ，２１Ｄに接続されている少なくとも１つの第２フィン２２を備え、第２フィン２２を主に構成する材料は樹脂である。
【００６２】
そのため、第２フィン２２，２３は、樹脂成形により第１フィン２０および壁部２１の少なくとも一方と同時に形成することができるため、実施の形態３に係る放熱構造体１００は容易に製造され得る。
【００６３】
また、第２フィン２２，２３は壁部２１を介してベース体１０と接続されているため、第２フィン２２，２３の表面は壁部２１の外周面２１Ｃ，２１Ｄと同様に放熱面として作用することができる。言い換えると、第２フィン２２，２３は、第１主面１０Ａに沿った方向においてベース体１０から突出するように形成されていることから、第２フィン２２，２３の表面積（ベース体１０への投影面積）を大きくすることにより、放熱面を大きく形成することができる。そのため、実施の形態３に係る放熱構造体１００は、放熱性がより向上されている。
【００６４】
（実施の形態４）
図１０〜図１２を参照して、実施の形態４に係る放熱構造体１００について説明する。実施の形態４に係る放熱構造体１００は、基本的には実施の形態３に係る放熱構造体１００と同様の構成を備えるが、第２フィン２２，２３が、放熱構造体１００を側面視したときに、発熱体（電子部品１〜４のうちの半導体モジュール１および電解コンデンサ４）と重なる外周面２１Ｃ，２１Ｄ上の領域に接続されており、また、第１フィン２０が、放熱構造体１００を平面視したときに、発熱体（電子部品１〜４のうちの半導体モジュール１および電解コンデンサ４）と重なる第２主面１０Ｂ上の領域に接続されている点で異なる。
【００６５】
実施の形態４における発熱体とは、実施の形態１における発熱体と異なり、電子部品である半導体モジュール１、端子台２、抵抗体３、および電解コンデンサ４のうち、発熱量が多いなどの理由により特に放熱が必要な電子部品をいう。図１０〜図１２に示す構成例では、半導体モジュール１および電解コンデンサ４である。
【００６６】
放熱構造体１００を側面視したときとは、壁部２１の外周面２１Ｃを側面視したとき、および外周面２１Ｄを側面視したときの少なくともいずれか一方を含む。
【００６７】
第１フィン２０は、放熱構造体１００を平面視したときに、半導体モジュール１および電解コンデンサ４と重なる第２主面１０Ｂ上の領域、および当該領域の周囲に位置する領域に接続されている。つまり、図１１および図１２に示されるように、第１フィン２０は、上記１つの方向に沿ってベース体１０の一方の端部から他方の端部まで延びるように形成されていなくてもよく、当該１つの方向およびこれに垂直な方向において部分的に形成されていてもよい。
【００６８】
第２フィン２２は、壁部２１の外周面２１Ｃを側面視したとき、半導体モジュール１に近い外周面２１Ｃ上において半導体モジュール１と重なる領域および当該領域の周囲に位置する領域に接続されており、かつ電解コンデンサ４に近い外周面２１Ｃ上において、電解コンデンサ４と重なる領域および当該領域の周囲に位置する領域に接続されている。
【００６９】
第２フィン２３は、壁部２１の外周面２１Ｄを側面視したとき、半導体モジュール１に近い外周面２１Ｄ上において半導体モジュール１と重なる領域および当該領域の周囲に位置する領域に接続されている。
【００７０】
言い換えると、第１フィン２０は、ベース体１０の第２主面１０Ｂの全面に渡って形成されているのではなく、上記平面視したときに第２主面１０Ｂ上において放熱が不要な電子部品（たとえば抵抗体３）と重なる領域には接続されていない。また、第２フィン２２，２３は、壁部２１の外周面２１Ｃ，２１Ｄの全面に渡って形成されているのではなく、上記側面視したときに外周面２１Ｃ，２１Ｄ上において放熱が不要な電子部品（たとえば抵抗体３）と重なる領域には接続されていない。
【００７１】
実施の形態４に係る放熱構造体１００の製造方法は、実施の形態３に係る放熱構造体１００と同様に実施視し得る。
【００７２】
次に、実施の形態４に係る放熱構造体１００の作用効果について説明する。実施の形態４に係る放熱構造体１００は、実施の形態３に係る放熱構造体１００と基本的に同様の構成を備えるため、実施の形態３に係る放熱構造体１００と同様の作用効果を奏することができる。
【００７３】
さらに、第２フィン２２，２３は、放熱構造体１００を側面視したときに発熱体と重なる外周面２１Ｃ，２１Ｄ上の領域に接続されている。第１フィン２０は、放熱構造体１００を平面視したときに発熱体と重なる第２主面１０Ｂ上の領域に接続されている。
【００７４】
そのため、実施の形態４に係る放熱構造体１００は、第１フィン２０および第２フィン２２，２３が部分的に設けられているため、実施の形態３に係る放熱構造体１００と比べて軽量化することができる。
【００７５】
さらに、図１２に示されるように、第２フィン２２は、図９に示される実施の形態３における第２フィン２２よりも上記１つの方向において短く形成されている。そのため、実施の形態４に係る放熱構造体２００は、第２フィン２２の近くに発生する温度境界層を実施の形態３における第２フィン２２の近くに発生する温度境界層よりも薄くすることができる。その結果、実施の形態４に係る放熱構造体１００は、第２フィン２２の熱伝導率を向上させることができるため、放熱性を損なわずに軽量化されている。なお、第１フィン２０および第２フィン２２，２３のうち、少なくともいずれか１つが部分的に設けられていても、放熱性を損なわずに実施の形態３に係る放熱構造体１００と比べて軽量化することができる。
【００７６】
また、実施の形態４に係る放熱構造体１００では、第１フィン２０および第２フィン２２，２３が接続されている領域が部分的であり、さらにそれにより第１凹凸部３０が形成される領域も部分的であるため、該放熱構造体１００は容易に製造され得る。
【００７７】
（実施の形態５）
図１３〜図１５を参照して、実施の形態５に係る放熱構造体２００について説明する。実施の形態５に係る放熱構造体２００は、基本的には実施の形態１に係る放熱構造体１００と同様の構成を備えるが、複数のベース体１３，１４，１５を備え、第１フィン２０は、隣り合う複数のベース体１３，１４，１５に跨って、それぞれの第２主面１０Ｂと接続されている点で異なる。
【００７８】
複数のベース体１３，１４，１５はリードフレームとして構成されている。ベース体１３，１４，１５を構成する材料は、たとえばＣｕである。
【００７９】
ベース体１３の第１主面１３Ａ上には、発熱体としての電子部品５（半導体素子）が形成されている。電子部品５は、任意の半導体素子であればよいが、たとえばＭＯＳＦＥＴである。ＭＯＳＦＥＴ５は、ドレインがベース体１３の第１主面１３Ａとはんだ接合されており、ソースがベース体１４の第１主面１４Ａとワイヤ６によりボンディングされており、ゲートがベース体１５の第１主面１５Ａとワイヤ７によりボンディングされている。
【００８０】
複数のベース体１３，１４，１５、ＭＯＳＦＥＴ５、およびワイヤ６，７は、封止体５０により封止されている。封止体５０を構成する材料は、たとえばエポキシ樹脂である。つまり、実施の形態５に係る放熱構造体２００は、半導体モジュールとして構成されている。放熱構造体２００は、たとえば電力変換装置（図示しない）などに搭載され、電流や電圧をオン・オフすることで電力を直流から交流に変換したり、交流から直流に変換したりする。
【００８１】
複数のベース体１３，１４，１５は、それぞれ封止体５０の外部に表出して電力変換装置のターミナルなどに接続可能に設けられている端子を有している。ベース体１３はドレイン端子４１，４４を、ベース体１４はソース端子４２，４５を、ベース体１５はゲート端子４３をそれぞれ有している。
【００８２】
なお、放熱構造体２００がインバータの上アームを構成する場合にはドレイン端子が直流の正極端子、ソース端子が交流端子に接続され、放熱構造体１００がインバータの下アームを構成する場合にはドレイン端子が交流端子、ソース端子が直流の負極端子にそれぞれ接続される。オン・オフの制御はゲート端子４３に入力されるゲート信号により行われる。ゲート信号はゲート端子に接続した制御基板（図示しない）により生成される。この放熱構造体２００では、制御基板でドレイン及びソースの電圧をモニタするため、制御用のドレイン端子４４及びソース端子４５を設けている。
【００８３】
複数のベース体１３，１４，１５は、互いに間隔を隔てて、それぞれの第２主面１３Ｂ，１４Ｂ，１５Ｂが同じ側を向いて隣り合うように配置されている。複数のベース体１３，１４，１５の第２主面１３Ｂ，１４Ｂ，１５Ｂには、それぞれ第１凹凸部３０が形成されている。複数のベース体１３，１４，１５に形成されている第１凹凸部３０は、基本的には実施の形態１における第１凹凸部３０と同様の構成を備えている。複数のベース体１３，１４，１５のそれぞれに形成されている第１凹凸部３０は、複数のベース体１３，１４，１５を所定の位置関係で配置し放熱構造体２００としたときに、任意の方向に連なるように形成されている。
【００８４】
複数の第１フィン２０は、複数のベース体１３，１４，１５のうちの少なくとも２つのベース体に跨って、それぞれの第２主面１０Ｂと接続されている。言い換えると、複数の第１フィン２０は、ベース体１３，１４，１５の第２主面１０Ｂに接続されている部分と、封止体５０に接続されている部分とを有している。第１フィン２０においてベース体１３，１４，１５の第２主面１０Ｂに接続されている部分の少なくとも一部は、第１凹凸部３０と噛み合されている。言い換えると、複数のベース体１３，１４，１５のそれぞれの第２主面１３Ｂ，１４Ｂ，１５Ｂにおいて第１フィン２０と接続されている領域は第１凹凸部３０を含んでいる。
【００８５】
第１フィン２０において封止体５０に接続されている部分は、ベース体１３，１４，１５間に位置し、かつ第２主面１３Ｂ，１４Ｂ，１５Ｂと連なるように形成されている封止体５０の下端面に接続されている部分と、ベース体１３，１４，１５よりも外側に位置し、第２主面１３Ｂ，１４Ｂ，１５Ｂと連なるように形成されている封止体５０の下端面に接続されている部分とを有している。
【００８６】
第１フィン２０を構成する材料は、封止体５０を構成する材料と同一であってもよいし、封止体５０を構成する材料よりも熱伝導率の高い材料であってもよい。放熱構造体２００の動作時におけるベース体１３，１４，１５の電位がそれぞれ異なる場合など、ベース体１３，１４，１５間が互いに電気的に絶縁されている必要がある場合には、第１フィン２０を構成する材料は電気的絶縁性を有する材料である。
【００８７】
次に、実施の形態５に係る放熱構造体２００の製造方法について説明する。実施の形態５に係る放熱構造体２００の製造方法は、基本的には実施の形態１に係る放熱構造体１００の製造方法と同様の構成を備える。第１フィン２０は、封止体５０を形成する際にこれと同時に形成され得る。このようにすれば、第１フィン２０を備えていない従来の半導体モジュールと比べて工数の増大を招くことなく、放熱性を向上させることができる。また、第１フィン２０は、封止体５０を形成した後に、形成され得る。このようにすれば、第１フィン２０を構成する材料を封止体５０を構成する材料よりも高い熱伝導率を有する材料とすることができ、放熱性をより向上させることができる。
【００８８】
次に、実施の形態５に係る放熱構造体２００の作用効果について説明する。実施の形態５に係る放熱構造体２００は、実施の形態１に係る放熱構造体１００と基本的に同様の構成を備えるため、実施の形態１に係る放熱構造体１００と同様の作用効果を奏することができる。つまり、半導体モジュールとしての実施の形態５に係る放熱構造体２００は、従来の半導体モジュールと比べて電子部品に生じた熱を効果的に放熱することができる。また、放熱構造体２００は、ベース体１３，１４，１５の第２主面１３Ｂ，１４Ｂ，１５Ｂに第１フィン２０が直接接続されているため、大型化することなく放熱面の面積を大きくすることができる。
【００８９】
また、従来の半導体モジュールは、フィンを備えたヒートシンクと接続される。このとき、半導体素子が搭載されているベース金属（ベース体）とヒートシンクとが接続されるが、一般にそれぞれの接続面には凹凸や反りが存在するため、接続時には両者の間に空隙が生じる。空隙は両者の間での伝熱を妨げる。そこで、従来の半導体モジュールでは、該空隙の発生を抑制するため、グリース、接着剤、または伝熱シートなどからなる接着層を介してベース金属とヒートシンクとを接続することが行われている。しかし、グリース、接着剤、または伝熱シートなどの熱伝導率はベース金属およびヒートシンクを構成する材料（たとえばＣｕまたはＡｌ）と比べて１桁〜２桁低いため、このような半導体モジュールでは上記接着層が熱抵抗として作用して、ベース金属とヒートシンクとの間で温度上昇を招いていた。
【００９０】
これに対し、放熱構造体２００は、リードフレームとしてのベース体１３，１４，１５の第２主面１３Ｂ，１４Ｂ，１５Ｂに第１フィン２０が直接接続されており、かつ、第２主面１３Ｂ，１４Ｂ，１５Ｂにおいて第１フィン２０と接続されている領域は第１凹凸部３０を含んでいる。そのため、ベース体１３，１４，１５と第１フィン２０との接続部において、少なくとも第１フィン２０と第１凹凸部３０の上記凹凸とが直接噛み合わされている部分には空隙の発生が抑制されている。つまり、放熱構造体２００では、空隙を抑制するためにベース体１３，１４，１５と第１フィン２０との間に熱抵抗を高めるような部材を用いる必要が無いため、これらの間での温度上昇を実質的にゼロとすることができる。
【００９１】
（実施の形態６）
図１６および図１７を参照して、実施の形態６に係る放熱構造体２００について説明する。実施の形態６に係る放熱構造体２００は、基本的には実施の形態５に係る放熱構造体２００と同様の構成を備えるが、第２主面１３Ｂ，１４Ｂ，１５Ｂ上において第１フィン２０が形成されていない全領域を覆う第２絶縁層１６を備える点で異なる。
【００９２】
第２絶縁層１６を構成する材料は、電気的絶縁性を有する任意の材料で構成されていればよく、好ましくは第１フィン２０を構成する材料と同一の材料で構成されている。第２絶縁層１６の膜厚は、第１フィン２０の放熱面を狭めることなく、かつ樹脂成形が可能な膜厚であればよく、１ｍｍ以下であるのが好ましい。
【００９３】
ベース体１３，１４，１５の第２主面１３Ｂ，１４Ｂ，１５Ｂの第１凹凸部３０は、少なくとも第１フィン２０と接続されている領域に形成されていればよいが、第２絶縁層１６と接続されている領域にも形成されていてもよい。たとえば、第１凹凸部３０は、第２主面１３Ｂ，１４Ｂ，１５Ｂの全面に形成されていてもよい。
【００９４】
実施の形態６に係る放熱構造体２００の製造方法は、基本的には実施の形態１に係る放熱構造体１００の製造方法と同様の構成を備える。第２絶縁層１６は、第１フィン２０および封止体５０を形成する際にこれらと同時に形成され得る。また、第２絶縁層１６は、封止体５０を形成した後に、第１フィン２０と同時に形成され得る。
【００９５】
次に、実施の形態６に係る放熱構造体２００の作用効果について説明する。実施の形態６に係る放熱構造体２００は、実施の形態５に係る放熱構造体２００と基本的に同様の構成を備えるため、実施の形態５に係る放熱構造体２００と同様の作用効果を奏することができる。
【００９６】
さらに、第２絶縁層１６により、放熱構造体２００においてベース体１３，１４，１５の第２主面１３Ｂ，１４Ｂ，１５Ｂが露出していないため、放熱構造体２００の絶縁性を高めることができる。
【００９７】
（実施の形態７）
図１８を参照して、実施の形態７に係る放熱構造体２００について説明する。実施の形態７に係る放熱構造体２００は、基本的には実施の形態５に係る放熱構造体１００と同様の構成を備えるが、複数のベース体１３，１４，１５はそれぞれ異なる第１フィン２０と接続されており、複数のベース体１３，１４，１５のうち、１つのベース体の第１フィン２０は他のベース体の第１フィン２０と間隔を隔てて形成されている点で異なる。
【００９８】
第１フィン２０を構成する材料は、実施の形態５に係る放熱構造体２００と異なり、放熱構造体２００の動作時におけるベース体１３，１４，１５の電位がそれぞれ異なる場合であっても、導電性材料とすることができる。つまり、第１フィン２０は、たとえば主な構成材料が樹脂であって、該樹脂よりも高い熱伝導性を有する金属材料からなるフィラーを含んでいてもよい。
【００９９】
これにより、実施の形態７に係る放熱構造体２００は、第１フィン２０の熱伝導率を高めることができるため、半導体素子５に生じた熱をより効果的に放熱することができる。  
【０１００】
また、これにより、第２主面１３Ｂ，１４Ｂ，１５Ｂに垂直な方向における第１フィン２０の長さを長く（第１フィン２０の放熱面を広く）しても、第１フィン２０による高い放熱効率を実現でき、放熱性を向上することができる。
【０１０１】
また、第１フィン２０は、第２主面１３Ｂ，１４Ｂ，１５Ｂ上にそれぞれ分離して形成されている。そのため、実施の形態７に係る放熱構造体２００は、第１フィン２０の近くに発生する温度境界層を実施の形態５における第１フィン２０の近くに発生する温度境界層よりも薄くすることができ、第１フィン２０の熱伝導率を向上させることができる。
【０１０２】
なお、実施の形態７に係る放熱構造体２００は、実施の形態５に係る放熱構造体と同様に製造することができる。
【０１０３】
図１〜図１８に示される実施の形態１〜実施の形態７に係る放熱構造体１００，２００において、第１フィン２０は板状に形成されているが、これに限られるものでない。
【０１０４】
図１９（ａ）に示されるように、第１フィン２０には、第２主面１０Ｂに沿った方向に延びるように形成されている少なくとも１つの空洞２４が形成されていてもよい。このようにすれば、空洞２４を風洞とすることができ、空洞２４内を気体が流通することにより放熱性を向上することができる。また、空洞２４を液体からなる放熱媒体の流通路とすることも可能であり、このようにしても放熱性を向上することができる。
【０１０５】
図１９（ｂ）に示されるように、第１フィン２０には、複数の空洞２４が形成されており、空洞２４が延びる方向に垂直な断面において、複数の空洞２４は格子状に配置されていてもよい。ここで、空洞２４が延びる方向とは、第２主面１０Ｂに沿った任意の方向である。このようにすれば、空洞２４の内周面の面積を大きくすることができるため、空洞２４に起因する放熱性向上の効果をより高めることができる。また、図１９（ｂ）に示される第１フィン２０は、図１９（ａ）に示される第１フィン２０の空洞２４が空洞２４の延在方向に垂直かつ第２主面１０Ｂに沿った方向に延びる部分によって分割されている構造を有している。そのため、図１９（ｂ）に示される第１フィン２０は、図１９（ａ）に示される第１フィン２０と比べて、空洞２４の延在方向に垂直かつ第２主面１０Ｂに沿った方向において高強度とすることができる。図１９（ａ）および（ｂ）に示される第１フィン２０は、樹脂成形により成形可能である。
【０１０６】
図１９（ｃ）に示されるように、第１フィン２０は、第２主面１０Ｂに交差する方向（たとえば垂直な方向）に延びるように形成されている芯部２５と、芯部２５の少なくとも一部周囲に形成されている被覆部２６とを含んでいてもよい。
【０１０７】
被覆部２６を構成する材料は、上述した第１フィン２０を主に構成する樹脂材料と同一であればよい。芯部２５を構成する材料は、被覆部２６を構成する材料よりも高い熱伝導率を有する金属材料であり、たとえばＡｌまたはＣｕである。この場合、第１フィン２０は、被覆部２６を樹脂成形する際に芯部２５をインサート成形することにより形成され、かつ第２主面１０Ｂに接続され得る。このとき、第１凹凸部３０は、第２主面１０Ｂにおいて被覆部２６と接続される部分に含まれるように形成されていればよい。また、芯部２５において被覆部２６と接続される領域には、第１凹凸部３０と同様の凹凸が形成されていてもよい。
【０１０８】
芯部２５は、任意の形状を有していればよく、たとえば板状である。被覆部２６は、芯部２５において、第２主面１０Ｂと接続される部分を除く全周囲を囲うように形成されていてもよい。
【０１０９】
このようにすれば、芯部２５は被覆部２６よりも高い熱伝導率を有しているため、第２主面１０Ｂに垂直な方向において第２主面１０Ｂと接続されていないける第１フィン２０の下方端部まで素早く伝熱させることができる。そのため、当該垂直な方向における第１フィン２０の長さを長くすることにより放熱面を増大させることができ、第１フィン２０の放熱性を向上させることができる。
【０１１０】
また、図２０および図２１に示されるように、実施の形態１〜実施の形態７に係る放熱構造体１００，２００は、上述した第１フィン２０の側壁２０Ｅと第２主面１０Ｂとを接続するように配置された補強部２７を備えていてもよい。補強部２７を主に構成する材料は、樹脂であり、たとえば第１フィン２０を主に構成する材料と同一である。補強部２７は、第１フィン２０の側壁２０Ｅの少なくとも一方と第２主面１０Ｂとを接続するように配置されていればよい。補強部２７は、１つの第１フィン２０の側壁２０Ｅに沿って、互いに間隔を隔てて複数形成されていてもよい。
【０１１１】
図２０（ａ）および（ｂ）に示されるように、補強部２７は、第１フィン２０を挟んで互いに対向するように形成されているのが好ましい。補強部２７が対向する方向は、たとえば第１フィン２０が板状に形成されている場合には、第１フィン２０における第２主面１０Ｂとの接続面での短手方向である。
【０１１２】
また、図２１（ａ）および（ｂ）に示されるように、補強部２７は、隣り合う第１フィン２０の間を接続するように形成されていてもよい。言い換えると、放熱構造体１００，２００を平面視したときに、第１フィン２０と交差する方向に延びるように形成されていてもよい。
【０１１３】
このようにすれば、第１フィン２０は、上記接続面での短手方向における強度を高めることができ、当該短手方向の力を受けたときにも、第２主面１０Ｂとの接続状態を維持しやすくすることができる。
【０１１４】
この場合、第２主面１０Ｂにおいて補強部２７と接続されている領域は上述した第１凹凸部３０と同様の凹凸が形成された第３凹凸部３２を含んでいてもよい。このようにすれば、ベース体１０と補強部２７との間で空隙の発生を抑制することができ、ベース体１０と補強部２７との接続強度を高めることができるとともに補強部２７の放熱性を向上させることができる。
【０１１５】
補強部２７は、任意の方法により成形され、かつ第２主面１０Ｂに接続されればよい。補強部２７は、たとえば第１フィン２０と同時に成形し、かつ第２主面１０Ｂに接続されてもよいし、第１フィン２０を射出成形により成形した後、第２主面１０Ｂに接続する際の樹脂成形により成形、接続されてもよい。
【０１１６】
また、図２１（ａ）および（ｂ）に示されるような補強部２７とすることにより、補強部２７を樹脂成形する際に、金型内に配置されたベース体１０に対し、加熱溶融された樹脂材料を補強部２７が延在する方向に沿って第１フィン２０を横断するように流すことができる。これにより、図２０に示される補強部２７を成形するための金型と比べて、図２１に示される補強部２７を成形するための上記金型は樹脂注入口を削減することができる。
【０１１７】
以上のように本発明の実施の形態について説明を行なったが、今回開示された実施の形態はすべての点で例示であって、制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲のすべての変更が含まれることが意図される。
【符号の説明】
【０１１８】
１  半導体モジュール（電子部品）、２  端子台（電子部品）、３  抵抗体（電子部品）、４  電解コンデンサ（電子部品）、５  ＭＯＳＦＥＴ（電子部品）、６，７  ワイヤ、１０，１３，１４，１５  ベース体、１０Ａ，１３Ａ，１４Ａ，１５Ａ  第１主面、１０Ｂ，１３Ｂ，１４Ｂ，１５Ｂ  第２主面、１０Ｄ，２１Ｃ，２１Ｄ  外周面、１１  第１絶縁層、１２  導電層、１６  第２絶縁層、２０  第１フィン、２０Ｅ  側壁、２１  壁部、２２，２３  第２フィン、２４  空洞、２５  芯部、２６  被覆部、２７  補強部、３０  第１凹凸部、３１  第２凹凸部、３２  第３凹凸部、４１，４４  ドレイン端子、４２，４５  ソース端子、４３  ゲート端子、５０  封止体、１００，２００  放熱構造体。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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