(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
被塗物に塗布液を塗布する静電誘引式の塗布装置であって、
ノズル駆動電圧が印加されることによって前記塗布液を吐出するノズルと、
前記被塗物と前記ノズルとを相対移動させる移動部と、
前記ノズル駆動電圧の印加中に、前記ノズル駆動電圧の大きさを変更するための制御信号を出力する制御部と、
前記制御部から出力された前記制御信号に応じた大きさのアナログの制御電圧を出力するアナログ出力部と、
前記ノズルに前記ノズル駆動電圧を印加する電圧印加部であって、前記ノズル駆動電圧の印加中に、前記アナログ出力部から出力された前記制御電圧に応じて前記ノズル駆動電圧の大きさを変更する電圧印加部と、
前記ノズルと接地面との間に設けられる抵抗と、
を備える塗布装置。
【請求項２】
前記制御部は、前記ノズルの位置に同期して前記制御信号を出力する、請求項１に記載の塗布装置。
【請求項３】
前記制御部は、前記ノズルから前記塗布液が吐出される範囲で前記ノズル駆動電圧の大きさを変更するための前記制御信号を出力する、請求項１又は請求項２に記載の塗布装置。
【請求項４】
被塗物に塗布液を塗布する静電誘引式の塗布装置を用いた塗布方法であって、
前記塗布装置は、
ノズル駆動電圧が印加されることによって前記塗布液を吐出するノズルと、
前記被塗物と前記ノズルとを相対移動させる移動部と、
前記ノズル駆動電圧の大きさを変更するための制御信号を出力する制御部と、
前記制御部から出力された前記制御信号に応じた大きさのアナログの制御電圧を出力するアナログ出力部と、
前記ノズルに前記ノズル駆動電圧を印加する電圧印加部であって、前記アナログ出力部から出力された前記制御電圧に応じて前記ノズル駆動電圧の大きさを変更する電圧印加部と、
前記ノズルと接地面との間に設けられる抵抗と、
を備え、
前記ノズル駆動電圧の印加中に前記制御部から前記制御信号を出力することにより、前記ノズル駆動電圧の印加中に前記ノズル駆動電圧の大きさを変更する、塗布方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
被塗物に塗布液を塗布する静電誘引式の塗布装置、及び、それを用いた塗布方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、被塗物に塗布液を塗布する静電誘引式の塗布装置において、被塗物の表面に選択的に塗布液を塗布するものが知られている（例えば、特許文献１参照）。特許文献１に記載のレジスト膜形成装置はノズルと半導体チップとの間にパルス電圧を印加することによって半導体チップの上に選択的にレジスト膜を形成するものである。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２０１４−１５７８９７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
ところで、一般に電圧は立ち上がり時にオーバーシュートが発生する。オーバーシュートが発生すると塗布液の広がり方がばらついたり塗布液が不連続に霧化したりすることにより、塗布液の吐出開始時に塗布液の吐出のされ方が不安定になってしまう。また、一般に電圧は垂直に立ち下がるのではなく緩やかに立ち下がる。電圧が緩やかに立ち下がると液切れが悪くなり、吐出終了時に塗布液の量が多くなってしまう。
【０００５】
例えば半導体チップの表面全体に一様にレジスト膜を形成する場合は、ノズルを半導体チップから外れた位置に移動させて吐出を開始させたり吐出を停止させたりすることにより、吐出開始時に塗布液の吐出のされ方が不安定になったり吐出終了時に塗布液の量が多くなったりしてもその影響を受けないようにすることができる。
【０００６】
これに対し、半導体チップの上に選択的にレジスト膜を形成する場合は半導体チップの上で吐出が開始されたり停止されたりするので、吐出開始時に塗布液の吐出のされ方が不安定になったり吐出終了時に塗布液の量が多くなったりすると、半導体チップ上において塗布液が塗布される範囲や塗布液の膜厚が不安定になってしまう。従来はこのような問題について検討されていなかった。
【０００７】
本明細書では、塗布液の吐出開始時及び吐出終了時に塗布液が塗布される範囲や塗布液の膜厚が不安定になってしまうことを抑制する技術を開示する。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本明細書によって開示される塗布装置は、被塗物に塗布液を塗布する静電誘引式の塗布装置であって、ノズル駆動電圧が印加されることによって前記塗布液を吐出するノズルと、前記被塗物と前記ノズルとを相対移動させる移動部と、前記ノズル駆動電圧の印加中に、前記ノズル駆動電圧の大きさを変更するための制御信号を出力する制御部と、前記制御部から出力された前記制御信号に応じた大きさのアナログの制御電圧を出力するアナログ出力部と、前記ノズルに前記ノズル駆動電圧を印加する電圧印加部であって、前記ノズル駆動電圧の印加中に、前記アナログ出力部から出力された前記制御電圧に応じて前記ノズル駆動電圧の大きさを変更する電圧印加部と、前記ノズルと接地面との間に設けられる抵抗と、を備える。
【０００９】
上記の塗布装置によると、ノズル駆動電圧の印加中にノズル駆動電圧の大きさを変更することができる。これにより、被塗物の表面に選択的に塗布液を塗布することができる。
【００１０】
そして、上記の塗布装置によると、ノズルと接地面との間に抵抗が設けられているので、ノズル駆動電圧の立ち上がり時にオーバーシュートを抑制することができる。これにより、塗布液の吐出開始時に塗布液の吐出のされ方が不安定になってしまうことを抑制できる。また、ノズルと接地面との間に抵抗を設けると、ノズル駆動電圧を速やかに立ち下げることができる。これにより、吐出終了時に塗布液の量が不安定になってしまうことを抑制できる。
【００１１】
よって上記の塗布装置によると、塗布液の吐出開始時及び吐出終了時に塗布液が塗布される範囲や塗布液の膜厚が不安定になってしまうことを抑制することができる。
【００１２】
また、前記制御部は、前記ノズルの位置に同期して前記制御信号を出力してもよい。
【００１３】
上記の塗布装置によると、被塗物の表面上の塗布液を塗布すべき領域と塗布すべきでない領域とを精度よく塗布し分けることができる。
【００１４】
また、前記制御部は、前記ノズルから前記塗布液が吐出される範囲で前記ノズル駆動電圧の大きさを変更するための前記制御信号を出力してもよい。
【００１５】
上記の塗布装置によると、被塗物の表面上の領域に応じて塗布液の膜厚を変更することができる。
【００１６】
また、本明細書によって開示される塗布方法は、被塗物に塗布液を塗布する静電誘引式の塗布装置を用いた塗布方法であって、前記塗布装置は、ノズル駆動電圧が印加されることによって前記塗布液を吐出するノズルと、前記被塗物と前記ノズルとを相対移動させる移動部と、前記ノズル駆動電圧の大きさを変更するための制御信号を出力する制御部と、前記制御部から出力された前記制御信号に応じた大きさのアナログの制御電圧を出力するアナログ出力部と、前記ノズルに前記ノズル駆動電圧を印加する電圧印加部であって、前記アナログ出力部から出力された前記制御電圧に応じて前記ノズル駆動電圧の大きさを変更する電圧印加部と、前記ノズルと接地面との間に設けられる抵抗と、を備え、前記ノズル駆動電圧の印加中に前記制御部から前記制御信号を出力することにより、前記ノズル駆動電圧の印加中に前記ノズル駆動電圧の大きさを変更する。
【００１７】
上記の塗布方法によると、塗布液の吐出開始時及び吐出終了時に塗布液が塗布される範囲や塗布液の膜厚が不安定になってしまうことを抑制することができる。
【発明の効果】
【００１８】
本明細書によって開示される塗布装置、及び、それを用いた塗布方法によれば、塗布液の吐出開始時及び吐出終了時に塗布液が塗布される範囲や塗布液の膜厚が不安定になってしまうことを抑制することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１９】
【図１】実施形態に係る塗布装置のブロック図。
【図２】レジスト膜が形成されたシリコンウェハの上面図
【図３】レジスト膜の形成を説明するための上面図
【図４】立ち上がり時の電圧のグラフ
【図５】立ち下がり時の電圧のグラフ
【図６】他の実施形態に係る対向電極を示す斜視図
【発明を実施するための形態】
【００２０】
＜実施形態＞
本発明の実施形態を図１ないし図５によって説明する。
【００２１】
（１）レジスト膜形成装置の概要
図１及び図２を参照して、本実施形態に係る静電誘引式の塗布装置としてのレジスト膜形成装置１の概要について説明する。レジスト膜形成装置１は静電誘引によってノズル３１Ｂからレジスト液１０を吐出し、吐出したレジスト液１０によってシリコンウェハＷにレジスト膜を形成する装置である。シリコンウェハＷは「被塗物」の一例である。また、レジスト液１０は「塗布液」の一例である。
【００２２】
具体的には、ノズル３１Ｂに電圧を印加するとノズル３１Ｂ内のレジスト液１０が静電気力によって互いに反発することによって微粒化し、対向電極（本実施形態ではステージ３２）に誘引されてノズル３１Ｂから吐出される。吐出されたレジスト液１０は飛翔中に更に微粒化しながら広がり、ステージ３２に載置されているシリコンウェハＷに霧状に塗布（噴霧）される。
【００２３】
図２に示すように、レジスト膜形成装置１はシリコンウェハＷにレジスト膜を選択的に形成可能に構成されている。図２において網掛けされた領域１４はレジスト膜が形成された領域を示しており、網掛けされていない領域はレジスト膜が形成されていない領域を示している。
【００２４】
（２）レジスト膜形成装置の構成
次に、図１を参照して、レジスト膜形成装置１の構成について説明する。レジスト膜形成装置１はレジスト液供給装置２０、塗布部３０、抵抗４０、直流電源部５０、塗布制御部６０、及び、電圧制御部７０を備えている。塗布制御部６０、及び、電圧制御部７０は「制御部」の一例である。
【００２５】
（２−１）レジスト液供給装置
レジスト液供給装置２０はレジスト液１０を収容するタンク、及び、タンクに収容されているレジスト液１０をレジスト液供給路２１に送り出すポンプを備えている。ポンプとしてはシリンジポンプやギアポンプを用いることが望ましい。これらのポンプを用いると微小量のレジスト液１０を安定して送り出すことができる。
【００２６】
（２−２）塗布部
塗布部３０はノズル部３１、シリコンウェハＷが載置されるステージ３２、及び、ステージ３２に対してノズル部３１を移動させる移動部３３を備えている。
ノズル部３１は本体部３１Ａとノズル３１Ｂとを備えている。本体部３１Ａは合成樹脂などの非導電性の材料によって形成されており、内部に図示しない流路が形成されている。図示しない流路の一端側にはレジスト液供給路２１を介してレジスト液供給装置２０が接続されており、他端側にはノズル３１Ｂが固定されている。ノズル３１Ｂは導電性を有する金属によって極細い筒状に形成されている。
【００２７】
ステージ３２はノズル３１Ｂに対向して配置されている。ステージ３２は導電材によって構成されており、図１に示すように接地されている。なお、ステージ３２を昇降可能に構成し、塗布制御部６０によってノズル３１Ｂとの距離を可変に制御してもよい。
【００２８】
移動部３３はノズル部３１が取り付けられるノズルブラケット３３Ａ、ノズルブラケット３３Ａを図１において紙面垂直方向（Ｘ方向）に搬送するＸ方向搬送部３３Ｂ、及び、Ｘ方向搬送部３３Ｂを左右方向（Ｙ方向）に搬送するＹ方向搬送部３３Ｃを備えている。Ｘ方向搬送部３３Ｂ、及び、Ｙ方向搬送部３３Ｃはステッピングモータやそのステッピングモータを駆動するモータ駆動回路などを備えており、ノズル３１Ｂの位置決め制御が可能である。
【００２９】
なお、Ｘ方向搬送部３３Ｂ、及び、Ｙ方向搬送部３３Ｃの駆動方法は位置決め制御が可能な駆動方法であればステッピングモータを用いる方法に限られるものではなく、サーボモータ等を用いる方法であってもよい。
【００３０】
（２−３）抵抗
抵抗４０はノズル３１Ｂと接地面との間に設けられている。具体的には、抵抗４０は一端がノズル３１Ｂに接続されており、他端が接地されている。抵抗４０の抵抗値は例えば１０〜１００ＭΩである。詳しくは後述するが、抵抗４０はレジスト液１０の吐出開始時にレジスト液１０の吐出のされ方を速やかに安定させ、且つ、レジスト液１０の吐出終了時にレジスト液１０を速やかに液切れさせるために設けられている。
【００３１】
（２−４）直流電源部
直流電源部５０はアナログ出力部５１、電圧印加部５２、及び、出力電圧・電流モニタ５３を備えている。
アナログ出力部５１は電圧制御部７０から出力された制御信号に応じた大きさのアナログの制御電圧を電圧印加部５２に出力する装置である。アナログ出力部５１はデジタル信号をアナログ信号（電圧）に変換するＤ／Ａ変換回路などを備えている。
【００３２】
電圧印加部５２は外部から供給される交流電圧を高精度の直流高電圧に変換してノズル３１Ｂに印加する装置である。電圧印加部５２は外部から供給される交流電圧をより高周波の交流電圧に変換する高周波発振部、高周波発振部から出力される交流電圧を降圧する第１のトランス、第１のトランスで降圧された交流電圧を昇圧する第２のトランス、第２のトランスで昇圧された交流電圧を整流する整流回路などを備えている。
【００３３】
ここで、本実施形態ではノズル３１Ｂにプラスの直流高電圧を印加するものとする。なお、ノズル３１Ｂにマイナスの直流高電圧を印加してもよいし、プラスの直流電圧とマイナスの直流電圧とを交互に印加してもよい。以降の説明では電圧印加部５２からノズル３１Ｂに印加される直流高電圧のことをノズル駆動電圧というものとする。
【００３４】
電圧印加部５２には電圧制御部７０からノズル駆動電圧の印加を開始するオン信号、及び、印加を停止するオフ信号が出力される。電圧印加部５２はオン信号が出力されるとノズル３１Ｂへのノズル駆動電圧の印加を開始し、オフ信号が出力されると印加を終了する。
【００３５】
また、電圧印加部５２にはノズル駆動電圧の印加中にアナログ出力部５１から前述したアナログの制御電圧が出力される。電圧印加部５２は制御電圧が出力されると印加中のノズル駆動電圧の大きさを制御電圧に応じた大きさに変更する。
【００３６】
出力電圧・電流モニタ５３は電圧印加部５２によってノズル３１Ｂに印加されるノズル駆動電圧やノズル３１Ｂに流れる電流をレジスト膜形成装置１の監視者がモニタするための装置である。
【００３７】
（２−５）塗布制御部
塗布制御部６０はレジスト膜形成装置１の全体を制御する装置である。図１に示すように塗布制御部６０にはレジスト液供給装置２０、移動部３３、及び、電圧制御部７０が接続されている。
【００３８】
塗布制御部６０は例えばＰＬＣ（Ｐｒｏｇｒａｍｍａｂｌｅ  Ｌｏｇｉｃ  Ｃｏｎｔｒｏｌｌｅｒ）として構成されている。なお、塗布制御部６０はＣＰＵ、ＲＯＭ、ＲＡＭ等を備えるコンピュータとして構成されてもよいし、ＡＳＩＣとして構成されてもよい。また、ＣＰＵに替えてＦＰＧＡ（Ｆｉｅｌｄ−Ｐｒｏｇｒａｍｍａｂｌｅ  Ｇａｔｅ  Ａｒｒａｙ）を用いてもよい。
【００３９】
塗布制御部６０にはレジスト液１０を塗布するパターンを表すパターン情報が書き換え可能に記憶されている。パターン情報にはＸＹ座標系においてレジスト膜を形成する形成対象領域を示す情報や、各形成対象領域に形成するレジスト膜の膜厚を示す情報などが含まれている。
【００４０】
（２−６）電圧制御部
電圧制御部７０は直流電源部５０を制御する装置である。電圧制御部７０もＰＬＣ（Ｐｒｏｇｒａｍｍａｂｌｅ  Ｌｏｇｉｃ  Ｃｏｎｔｒｏｌｌｅｒ）として構成されている。なお、電圧制御部７０はＡＳＩＣとして構成されてもよい。図１に示すように電圧制御部７０にはアナログ出力部５１、及び、電圧印加部５２が接続されている。
【００４１】
電圧制御部７０は、塗布制御部６０から指示されたタイミングで、ノズル駆動電圧の印加を開始するオン信号、及び、ノズル駆動電圧の印加を停止するオフ信号を電圧印加部５２に出力する。また、電圧制御部７０は、塗布制御部６０から指示されたタイミングで、ノズル駆動電圧の大きさを変更するための制御信号をアナログ出力部５１に出力する。
【００４２】
（３）塗布制御部の制御処理
次に、図３を参照して、シリコンウェハＷにレジスト膜を形成するときの塗布制御部６０の制御処理について説明する。なお、以下に説明する制御処理は一例であり、制御処理はこれに限定されるものではない。
【００４３】
図３において網掛けされている領域はレジスト膜が形成される形成対象領域を示している。各形成対象領域に付されている番号はその形成対象領域にレジスト膜が形成される順番を示している。具体的には、本実施形態では図３においてＸＹ座標系の左上を原点（０，０）、左右方向をＸ方向、上下方向をＹ方向とし、複数の形成対象領域のうち上にある形成対象領域（左上のＹ座標が０に近い形成対象領域）から先に、また、左上のＹ座標が同じ形成対象領域が複数ある場合は左にある形成対象領域（左上のＸ座標が０に近い形成対象領域）から先にレジスト膜を形成するものとする。
なお、原点（０，０）はシリコンウェハＷから外れた位置にあり、制御処理の開始時にはノズル３１Ｂは原点（０，０）にあるものとする。
【００４４】
塗布制御部６０は、外部の装置からレジスト膜の形成が指示されると、電圧制御部７０にノズル駆動電圧の印加を指示する。電圧制御部７０はノズル駆動電圧の印加が指示されると電圧印加部５２にオン信号を出力してノズル駆動電圧の印加を開始させる。ここでは印加を開始した直後のノズル駆動電圧は０Ｖであり、この時点では未だレジスト液１０は吐出されないものとする。
【００４５】
次に、塗布制御部６０は移動部３３を制御してノズル３１Ｂを最初の形成対象領域の左上の位置に移動させる。なお、前述したオン信号の出力はノズル３１Ｂを最初の形成対象領域の左上の位置に移動させてから行ってもよい。
【００４６】
そして、塗布制御部６０は移動部３３を制御してノズル３１ＢをＸ方向右側に移動させる。このとき、塗布制御部６０はノズル３１ＢのＸ方向右側への移動の開始に同期して、ノズル駆動電圧の大きさをレジスト液１０が吐出される大きさに変更するよう電圧制御部７０に指示する。レジスト液１０が吐出されるノズル駆動電圧の大きさは５ｋＶなどである。電圧制御部７０は変更が指示されると、レジスト液１０が吐出される大きさのノズル駆動電圧に変更するための制御信号をアナログ出力部５１に出力する。これによりノズル３１Ｂからレジスト液１０の吐出が開始される。
【００４７】
より具体的には、塗布制御部６０は電圧制御部７０にノズル駆動電圧の変更を指示するとき、前述したパターン情報を参照して、現在の形成対象領域に形成するレジスト膜の膜厚に応じた大きさのノズル駆動電圧に変更するよう指示し、電圧制御部７０はその膜厚に応じた大きさのノズル駆動電圧に変更するための制御信号をアナログ出力部５１に出力する。
【００４８】
これにより、単位時間当たりにノズル３１Ｂから吐出されるレジスト液１０の量が形成対象領域に応じて調整され、パターン情報で設定されている膜厚のレジスト膜が形成される。言い換えると、制御部（塗布制御部６０、及び、電圧制御部７０）は、ノズル３１Ｂからレジスト液１０が吐出される範囲で、形成対象領域に応じてノズル駆動電圧の大きさを変更する。
【００４９】
そして、塗布制御部６０はノズル３１Ｂが形成対象領域のＸ方向の右端に達すると、移動部３３を制御してノズル３１ＢをＹ方向下側に１座標分移動させる。そして、塗布制御部６０は移動部３３を制御してノズル３１ＢをＸ方向左側に移動させる。これを繰り返すことによって形成対象領域全体にレジスト膜が形成される。
【００５０】
そして、塗布制御部６０は一つの形成対象領域にレジスト膜を形成し終えると、ノズル駆動電圧を０Ｖに変更するよう電圧制御部７０に指示する。電圧制御部７０は０Ｖに変更するよう指示されると、ノズル駆動電圧を０Ｖに変更するための制御信号をアナログ出力部５１に出力する。これによりノズル３１Ｂからのレジスト液１０の吐出が終了する。
【００５１】
そして、塗布制御部６０は同様に他の形成対象領域にレジスト膜を形成し、最後の形成対象領域にレジスト膜を形成し終えると電圧制御部７０にノズル駆動電圧の印加の停止を指示する。電圧制御部７０は印加の停止が指示されると電圧印加部５２にオフ信号を出力してノズル駆動電圧の印加を停止させる。
【００５２】
（４）抵抗の作用
先ず、図４を参照して、抵抗４０有りの場合と抵抗４０無しの場合のノズル駆動電圧の立ち上がり波形について説明する。ここでいうノズル駆動電圧の立ち上がりとは、０Ｖのノズル駆動電圧の印加中にノズル駆動電圧をレジスト液１０が吐出される大きさに変更したときのノズル駆動電圧の立ち上がりのことをいう。
【００５３】
図４は本願発明者によって行われた測定の結果を示すものであり、実線９１は抵抗４０有りの場合の立ち上がり波形を示しており、点線９２は比較例として抵抗４０無しの場合の立ち上がり波形を示している。
【００５４】
図４に示すように、本願発明者が測定した結果では、抵抗４０有りの場合は抵抗４０無しの場合に比べてオーバーシュートによる電圧の最大値（最初のピーク電圧）が小さかった。そして、立ち上がり開始時から２番目のピーク電圧までの時間のことをノズル駆動電圧が安定するまでの時間としたとき、抵抗４０有りの場合は抵抗４０無しの場合に比べて安定するまでの時間が短かった。このように、抵抗４０を設けると、抵抗４０を設けない場合に比べて立ち上がり時のオーバーシュートを抑制することができた。
【００５５】
次に、図５を参照して、抵抗４０有りの場合と抵抗４０無しの場合の立ち下がり波形について説明する。ここでいうノズル駆動電圧の立ち下がりとは、レジスト液１０が吐出される大きさのノズル駆動電圧の印加中にノズル駆動電圧を０Ｖに変更したときのノズル駆動電圧の立ち下がりのことをいう。
【００５６】
図５は本願発明者によって行われた測定の結果を示すものであり、実線９３は抵抗４０有りの場合の立ち下がり波形を示しており、点線９４は比較例として抵抗４０無しの場合の立ち下がり波形を示している。
【００５７】
図５に示すように、本願発明者が測定した結果では、抵抗４０有りの場合は抵抗４０無しの場合に比べて立ち下がり開始時から電圧が０Ｖまで立ち下がるまでの時間が約１／２０の時間であった。このように、抵抗４０を設けると、抵抗４０を設けない場合に比べてノズル駆動電圧が立ち下がるまでの時間を短縮することができた。
【００５８】
（５）実施形態の効果
以上説明したレジスト膜形成装置１によると、ノズル駆動電圧の印加中にノズル駆動電圧の大きさを変更することができる。これにより、シリコンウェハＷの表面に選択的にレジスト液１０を塗布することができる。
【００５９】
そして、レジスト膜形成装置１によると、ノズル３１Ｂと接地面との間に抵抗４０が設けられているので、ノズル駆動電圧の立ち上がり時にオーバーシュートを抑制することができる。これにより、レジスト液１０の吐出開始時にレジスト液１０の吐出のされ方が不安定になってしまうことを抑制できる。また、抵抗４０を設けると、ノズル駆動電圧を速やかに立ち下げることができる。これにより、吐出終了時にレジスト液１０の量が不安定になってしまうことを抑制できる。
【００６０】
よってレジスト膜形成装置１によると、レジスト液１０の吐出開始時にレジスト液１０が塗布される範囲や膜厚が不安定になってしまうことを抑制できる。また、吐出終了時に塗布液の膜厚が不安定になってしまうことも抑制できる。これにより、シリコンウェハＷの表面に選択的にレジスト液１０を塗布する場合に、形成対象領域からレジスト液１０がはみ出してしまったり一つの形成対象領域内でレジスト液１０の膜厚が不均一になってしまったりすることを抑制することができ、レジスト膜を良好に形成することができる。
【００６１】
更に、レジスト膜形成装置１によると、制御部（塗布制御部６０、及び、電圧制御部７０）は、ノズル３１Ｂの位置に同期して制御信号を出力するので、シリコンウェハＷの表面上のレジスト液１０を塗布すべき領域（形成対象領域）と塗布すべきでない領域（形成対象領域以外の領域）とを精度よく塗布し分けることができる。
【００６２】
更に、レジスト膜形成装置１によると、制御部（塗布制御部６０、及び、電圧制御部７０）は、ノズル３１Ｂからレジスト液１０が吐出される範囲でノズル駆動電圧の大きさを変更するための制御信号を出力するので、形成対象領域に応じてレジスト液１０の膜厚を変更することができる。
【００６３】
＜他の実施形態＞
本明細書によって開示される技術は上記記述及び図面によって説明した実施形態に限定されるものではなく、例えば次のような実施形態も本明細書によって開示される技術的範囲に含まれる。
【００６４】
（１）上記実施形態では被塗物としてシリコンウェハＷを例に説明した。しかしながら、被塗物はこれに限定されるものではない。例えば被塗物はＭＥＭＳ（Ｍｉｃｒｏ  Ｅｌｅｃｔｒｏ  Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ  Ｓｙｓｔｅｍｓ）であってもよい。ＭＥＭＳは機械部品、センサ、アクチュエータ、電子回路などを集積したデバイスであり、表面に複雑な凹凸を有している。被塗物がＭＥＭＳである場合、レジスト膜形成装置１は例えばＭＥＭＳの凹部のみに選択的にレジスト膜を形成してもよい。
【００６５】
また、塗布液もレジスト液１０に限定されるものではなく、導電膜、絶縁膜、蛍光体などが形成される塗布液であってもよい。
【００６６】
また、被塗物はシリコンウェハＷやＭＥＭＳなどの電気的な基板に限られるものではない。例えば電気的な基板以外の被塗物に塗装の目的で塗料を塗布してもよい。この場合は塗料が塗布液の一例である。
【００６７】
（２）上記実施形態では電圧制御部７０がアナログ出力部５１に制御信号を出力する場合を例に説明した。これに対し、塗布制御部６０がアナログ出力部５１に直接制御信号を出力してもよい。また、上記実施形態では塗布制御部６０と電圧制御部７０とが独立した装置として構成されている場合を例に説明したが、これらは一つの装置として構成されてもよい。
【００６８】
（３）上記実施形態ではシリコンウェハＷに対してノズル３１Ｂを移動させる場合を例に説明したが、ノズル３１Ｂに対してシリコンウェハＷを移動させる構成であってもよい。
【００６９】
（４）上記実施形態において、図６に示すように、ノズル３１Ｂと図示しない被塗物との間に対向電極３１Ｃを備え、その対向電極３１Ｃを接地してもよい。図６に示す対向電極３１Ｃは細長い金属を曲げて両端を向かい合わせたものであり、ノズル３１Ｂの中心軸線を延長した仮想直線がその両端の間を通過するように配置されている。
【符号の説明】
【００７０】
１・・・レジスト膜形成装置（塗布装置）、１０・・・レジスト液（塗布液）、３１Ｂ・・・ノズル、３３・・・移動部、４０・・・抵抗、５２・・・電圧印加部、６０・・・塗布制御部（制御部）、７０・・・電圧制御部（制御部）、Ｗ・・・シリコンウェハ（被塗物）
【図１】
0006430882.tif 000002
【図２】
0006430882.tif 000003
【図３】
0006430882.tif 000004
【図４】
0006430882.tif 000005
【図５】
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【図６】
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