(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に形成された導体パターンをめっき成長させて、前記基板上にコイルパターンを形成するめっき工程と、
前記コイルパターンにめっき残渣が付着している場合に、前記コイルパターンから前記めっき残渣を除去する除去工程と、
前記めっき残渣を除去した除去回数又は前記めっき残渣の除去量が第１の閾値を超えた場合に、めっき槽の清掃を要求する清掃要求アラームを出力するアラーム工程と、
を備える、
インダクタの製造方法。
【請求項２】
前記アラーム工程において前記清掃要求アラームが出力された場合に、前記めっき槽の清掃を行う、
請求項１に記載のインダクタの製造方法。
【請求項３】
前記アラーム工程において前記清掃要求アラームが出力される頻度が第２の閾値を超えた場合に、前記めっき槽の点検を要求する点検要求アラームを出力する第２アラーム工程を、更に備える、
請求項１又は２に記載のインダクタの製造方法。
【請求項４】
前記コイルパターンにおいて隣接する導体間に、前記基板を厚さ方向に貫通する貫通孔を形成する貫通孔形成工程、を更に備え、
前記除去工程において、前記コイルパターンに付着しているめっき残渣を前記貫通孔に落下させる、
請求項１から３の何れか一項に記載のインダクタの製造方法。
【請求項５】
前記貫通孔形成工程において、前記貫通孔を前記コイルパターンに沿って形成する、
請求項４に記載のインダクタの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、インダクタの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
昨今、携帯電話、スマートフォン・タブレットＰＣ等のモバイル機器に使用されるインダクタ（コイル部品）は、機器の多機能化に伴い益々の小型化が要求されている。
【０００３】
インダクタの小型化を図る構造として、薄膜型インダクタが知られている。薄膜型インダクタは、銅等の導体によって基板上に形成される導体パターンをめっきによって成長させ、基板上にコイルパターンを形成する。この構造では、めっきによってコイルパターンの断面積を増大させることで低抵抗化に繋がる。その結果、コイルの電流容量を増やすことができ、機器の高効率化を図ることができる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開平８−２１３７４０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
ところで、インダクタの基板上にコイルパターンを形成する際、めっき槽内のめっき液に含まれるめっき残渣がコイルパターンの導体間に付着する可能性があり、インダクタにショート不良が発生する虞がある。ここで、めっき槽を清掃する頻度を多くすればめっき残渣によるショート不良の懸念は少なくなるが、清掃頻度が多くなるほど清掃コストが嵩むことになる。
【０００６】
現状は、一定期間毎、或いは、めっき槽に投入する基板の枚数が一定枚数に至る毎にめっき槽を清掃することが行われているが、インダクタの品質と製造コストのバランスを良好に保つことは容易でない。例えば、めっき槽の清掃頻度が過剰である場合、めっき槽内が清潔に維持されるため、高品質のインダクタを製造できるが、製造コストも高くなってしまう。一方、めっき槽の清掃頻度が不足している場合、インダクタの製造コストを安価に抑えることができるが、めっき槽内がめっき残渣に汚染されることでインダクタの品質が低下する虞がある。
【０００７】
本件は、上記の課題に鑑みてなされたものであり、インダクタの品質と製造コストのバランスを両立できるインダクタの製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本件の一観点によると、基板上に形成された導体パターンをめっき成長させて、前記基板上にコイルパターンを形成するめっき工程と、前記コイルパターンにめっき残渣が付着している場合に、前記コイルパターンから前記めっき残渣を除去する除去工程と、前記めっき残渣を除去した除去回数又は前記めっき残渣の除去量が第１の閾値を超えた場合に、前記めっき槽の清掃を要求する清掃要求アラームを出力するアラーム工程と、を備える、インダクタの製造方法が提供される。
【発明の効果】
【０００９】
本件によれば、インダクタの品質と製造コストのバランスを両立できるインダクタの製造方法を提供できる。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】図１は、実施形態に係るインダクタの外観斜視図である。
【図２】図２は、図１におけるＡ−Ａ’矢視断面図である。
【図３】図３は、実施形態に係る絶縁基板の上面図である。
【図４】図４は、実施形態に係る絶縁基板の下面図である。
【図５】図５は、実施形態に係るインダクタの製造工程を示すフロー図である（１）。
【図６】図６は、実施形態に係るインダクタの製造工程を示すフロー図である（２）。
【図７】図７は、実施形態に係るインダクタの製造工程を説明する図である（１）。
【図８】図８は、実施形態に係るインダクタの製造工程を説明する図である（２）。
【図９】図９は、実施形態に係るインダクタの製造工程を説明する図である（３）。
【図１０】図１０は、実施形態に係るめっき槽を説明する図である。
【図１１】図１１は、実施形態に係る絶縁基板のコイルパターンの導体間にめっき残渣が付着する状況を説明する図である。
【図１２】図１２は、実施形態に係る絶縁基板のコイルパターンの導体間にめっき残渣が付着しているか否かを検出する方法を説明する図である。
【図１３】図１３は、実施形態に係るインダクタの製造工程を説明する図である（４）。
【図１４】図１４は、実施形態に係るインダクタの製造工程を説明する図である（５）。
【図１５】図１５は、実施形態に係るトリミング装置及び制御装置を示す図である。
【図１６】図１６は、変形例に係るインダクタの製造工程を示すフロー図である。
【図１７】図１７は、変形例に係るトリミング処理時におけるめっき残渣の計量方法を説明する図である。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
以下、図面を参照しながら本件に関する実施形態を詳細に説明する。
【００１２】
＜実施形態１＞
図１は、実施形態１に係るインダクタ１の外観斜視図である。インダクタ１は、「コイル」とも呼ばれるチップ部品である。図２は、図１におけるＡ−Ａ’矢視断面図である。インダクタ１は、絶縁基板１０、絶縁基板１０の上面１０ａに形成された導体の第１コイルパターン１１、絶縁基板１０の下面１０ｂに形成された導体の第２コイルパターン１２、外装コア１３、一対の外部電極１４ａ，１４ｂ等を備えている。
【００１３】
絶縁基板１０は、例えば絶縁樹脂基板である。図３は、絶縁基板１０を上面１０ａ側から眺めた上面図である。図４は、絶縁基板１０を下面１０ｂ側から眺めた下面図である。図３に示すように、絶縁基板１０は略矩形状の平面を有し、その中央部には略楕円形の開口１０ｃが形成されている。開口１０ｃは、絶縁基板１０を厚さ方向に貫通している。
【００１４】
絶縁基板１０は、第１コイルパターン１１及び第２コイルパターン１２を形成するための基材である。図３及び図４に示すように、第１コイルパターン１１及び第２コイルパターン１２は、平面視にてスパイラル（渦巻き、ループ）形状を有しており、図示の例では周回数が４ターンとなっているが、その周回数は特定の数に限定されない。第１コイルパターン１１及び第２コイルパターン１２は、スパイラル形状にパターン形成された導体を、めっきによって成長させることで形成されており、導体の厚さを十分に確保しすることができる。これにより、コイルの低抵抗化を実現し、コイルの電流容量を増やすことで、機器の高効率化を図っている。
【００１５】
本実施形態における第１コイルパターン１１及び第２コイルパターン１２は、図３及び図４に示すように楕円形のスパイラルとなっているが、例えば円形や矩形のスパイラルとしてもよく、あるいは、その他の形状を有していてもよい。第１コイルパターン１１及び第２コイルパターン１２は、絶縁基板１０の開口１０ｃを取り囲むように配置されている。第１コイルパターン１１及び第２コイルパターン１２は、平面視にて重なり合っている。
【００１６】
絶縁基板１０の上面１０ａ側から眺めた第１コイルパターン１１は、外周端１１ａから内周端１１ｂに向かって時計廻りのスパイラルを形成している。一方、絶縁基板１０の下面１０ｂ側から眺めた第２コイルパターン１２は、外周端１２ａから内周端１２ｂに向かって時計廻りのスパイラルを形成している。また、第１コイルパターン１１の内周端１１ｂと第２コイルパターン１２の内周端１２ｂは、絶縁基板１０を貫通するスルーホール導体（図示せず）を介して電気的に接続されている。
【００１７】
第１コイルパターン１１及び第２コイルパターン１２を有する絶縁基板１０は、外装コア１３によって覆われている。外装コア１３は、例えば磁性体含有樹脂である。この磁性体含有樹脂は、例えば、樹脂に金属磁性粉を混入することで形成される磁性材料である。また、磁性体含有樹脂に含まれる樹脂は、例えば絶縁性結着剤として機能する。樹脂の材料としては、例えば液状エポキシ樹脂、粉体エポキシ樹脂などを用いてもよい。図１に示す例において、外装コア１３が略直方体形状となっているが、他の形状であってもよい。なお、外装コア１３の表面は、絶縁被膜（図示せず）によって被覆されていてもよい。
【００１８】
図１に示すように、インダクタ１（外装コア１３）の両端部には、一対の外部電極１４ａ，１４ｂが形成されている。第１コイルパターン１１の外周端１１ａは第１引き出し電極１５ａによって外装コア１３における一方の側面１３ａまで引き出され、第１引き出し電極１４ａを介して一方の外部電極１４ａに接続されている。また、第２コイルパターン１２の外周端１２ａは第２引き出し電極１５ｂによって外装コア１３における他方の側面１３ｂまで引き出され、第２引き出し電極１５ｂを介して他方の外部電極１４ｂに接続されている。
【００１９】
また、図２に示すように、インダクタ１の絶縁基板１０には、絶縁基板１０を厚さ方向に貫通するトリミング用貫通孔２０が設けられている。図３及び図４に示すように、トリミング用貫通孔２０は、絶縁基板１０の第１コイルパターン１１及び第２コイルパターン１２における隣接する導体間、すなわちスパイラル状に周回する各ターン同士の間に配設されている。言い換えると、トリミング用貫通孔２０は、第１コイルパターン１１及び第２コイルパターン１２に沿ってスパイラル状に形成されている。完成後のインダクタ１において、トリミング用貫通孔２０には絶縁樹脂１６が充填されている。トリミング用貫通孔２０の詳細については後述する。また、トリミング用貫通孔２０は、絶縁樹脂１６によって充填されなくてもよく、インダクタ１の製造完了時において、トリミング用貫通孔２０が中空状となっていてもよい。
【００２０】
次に、実施形態に係るインダクタ１の製造工程を説明する。図５及び図６は、インダクタ１の製造工程を示すフロー図である。図７、図８に示すように、所定の箇所に開口１０ｃ及びスルーホール（図示せず）が形成された絶縁基板１０を用意する（図５：Ｓ０１）。図７に、第１導体パターン４０が形成された絶縁基板１０の上面１０ａを示し、図８に、第２導体パターン５０が形成された絶縁基板１０の下面１０ｂを示している。絶縁基板１０の上面１０ａには、第１導体パターン４０がパターン形成されている。また、絶縁基板１０の下面１０ｂには、第２導体パターン５０がパターン形成されている。第１導体パターン４０は、第１スパイラル導体４１と、第１引き出し電極用導体４２とを含む。また
、第２導体パターン５０は、第２スパイラル導体５１と、第２引き出し電極用導体５２とを含む。
【００２１】
図７に示す例では、第１スパイラル導体４１は、楕円スパイラル形状を有しており、めっき成長することで図３に示した第１コイルパターン１１となる。また、第１引き出し電極用導体４２は、めっき成長することで、図３に示した第１引き出し電極１５ａとなる。また、図８に示す例では、第２スパイラル導体５１は、楕円スパイラル形状を有しており、めっき成長することで図４に示した第２コイルパターン１２となる。また、第２引き出し電極用導体５２は、めっき成長することで図４に示した第２引き出し電極１５ｂとなる。第１スパイラル導体４１及び第２スパイラル導体５１は、平面視が同一のスパイラル形状を有しており、そのスパイラル形状は上下に重なっている。
【００２２】
本実施形態において、第１導体パターン４０及び第２導体パターン５０は、銅（Ｃｕ）によって形成されている。例えば、絶縁基板１０の略全面に銅の下地膜を無電解めっき法によって形成する。このとき、絶縁基板１０のスルーホール（図示せず）の内部には、銅膜が形成される。なお、このスルーホールは、第１スパイラル導体４１及び第２スパイラル導体５１の内周端位置に対応する位置に設けられており、スルーホールによって第１スパイラル導体４１及び第２スパイラル導体５１が電気的に接続される。その後、例えばフォトレジストを露光・現像することにより、第１導体パターン４０及び第２導体パターン５０をパターン形成することができる。
【００２３】
次に、図９に示すように、絶縁基板１０にトリミング用貫通孔２０を形成する（図５：Ｓ０２）。図９は、上面１０ａ側から眺めた絶縁基板１０を示している。図９に示すトリミング用貫通孔２０は、例えばＣＯ２レーザなどを用いたレーザ加工によって形成することができる。また、トリミング用貫通孔２０は、絶縁基板１０における第１スパイラル導体４１及び第２スパイラル導体５１の隣接する導体（各ターン）間に配置されたスパイラル状の平面形状を有する貫通孔として形成される。
【００２４】
次に、図１０に示すようなめっき液６０が貯留されためっき槽６１を用意し、絶縁基板１０をめっき液６０に浸漬させて電解めっきを行い、第１導体パターン４０及び第２導体パターン５０をめっき成長させる（図５：Ｓ０３）。めっき槽６１を用いた電解めっきによって、第１導体パターン４０の第１スパイラル導体４１及び第１引き出し電極用導体４２がめっき成長する。その結果、絶縁基板１０の上面１０ａにそれぞれ第１コイルパターン１１及び第１引き出し電極１５ａが形成される（図３を参照）。また、第２導体パターン５０の第２スパイラル導体５１及び第２引き出し電極用導体５２がめっき成長することで絶縁基板１０の下面１０ｂにそれぞれ第２コイルパターン１２及び第２引き出し電極１５ｂが形成される（図４を参照）。なお、図１０に示す符号６２は陽極、６３は補助電極、６４は基板用電源、６５は補助電極用電源である。
【００２５】
めっき槽６１内のめっき液６０には、電解めっきが繰り返し行われることで生成されるめっき残渣が浮遊している場合がある。従って、めっき槽６１から取り出した絶縁基板１０においては、図１１に示すように、第１コイルパターン１１および第２コイルパターン１２の導体間にめっき残渣６６が付着する可能性がある。このように、第１コイルパターン１１や第２コイルパターン１２の導体間に付着しためっき残渣６６をそのまま放置すると、めっき残渣６６の大きさによっては第１コイルパターン１１や第２コイルパターン１２が短絡してショート不良が発生する虞がある。また、めっき残渣６６のサイズは、例えば数μｍ程度と微小であるため、めっき槽６１から除去することが容易ではない。
【００２６】
そこで、本実施形態においては、第１コイルパターン１１及び第２コイルパターン１２の導体間に付着しためっき残渣６６に起因するショートを抑制するため、導体間に付着し
ためっき残渣６６の除去する処理（トリミング処理）を行う。具体的には、めっき槽６１によるめっき処理が実施された後の絶縁基板１０における第１コイルパターン１１及び第２コイルパターン１２の導体間にめっき残渣６６が付着しているか否かを検出する（図５：Ｓ０４）。なお、めっき残渣６６が付着しているかどうかは、例えば、図１２に示す検出装置１００が用いられる。検出装置１００は、例えば、マイクロスコープ等の光学機器であってもよい。めっき処理後の絶縁基板１０を、例えば半導体検査用に市販されている光学顕微鏡のステージに載置し、絶縁基板１０における第１コイルパターン１１及び第２コイルパターン１２を観察してもよい。例えば、光学顕微鏡は、第１コイルパターン１１及び第２コイルパターン１２を高倍率（例えば、ミクロン又はサブミクロン程度の精度）で撮像するカメラと、このカメラによって撮像した画像を表示するモニタを備えていてもよい。そして、光学顕微鏡のモニタに映した第１コイルパターン１１及び第２コイルパターン１２の拡大画像に基づいて、第１コイルパターン１１及び第２コイルパターン１２へのめっき残渣６６の付着を検出してもよい。なお、めっき残渣６６の付着検出は、第１コイルパターン１１及び第２コイルパターン１２の拡大画像を目視することで行ってもよい。また、第１コイルパターン１１及び第２コイルパターン１２の拡大画像に画像処理を行うことで、第１コイルパターン１１及び第２コイルパターン１２に付着しているめっき残渣６６を検出してもよい。
【００２７】
絶縁基板１０における第１コイルパターン１１及び第２コイルパターン１２の導体間へのめっき残渣６６の付着が検出されなかった場合、図１３に示すように絶縁基板１０におけるトリミング用貫通孔２０に絶縁樹脂１６を充填する（図５：Ｓ０５）。絶縁樹脂１６は、例えばエポキシ樹脂であってもよい。次いで、図１４に示すように、磁性体含有樹脂を含む外装コア１３によって絶縁基板１０を覆う（図５：Ｓ０６）。例えば、絶縁基板１０に磁性体含有樹脂のペーストを印刷装置（図示せず）によって印刷した後、加熱によって上記ペーストを硬化させることで外装コア１３を形成してもよい。その後、外装コア１３の両端部に外部電極１４ａ，１４ｂを形成する（図５：Ｓ０７）。その結果、図１および図２に示したインダクタ１が完成する。なお、インダクタ１の製造に際して、トリミング用貫通孔２０に対する絶縁樹脂１６の充填は適宜省略してもよい。
【００２８】
一方、図５のＳ０４において、第１コイルパターン１１及び第２コイルパターン１２における導体間へのめっき残渣６６の付着が検出された場合、導体間に付着しためっき残渣６６を除去するトリミング処理を行う（図６：Ｓ０８）。めっき残渣６６のトリミング処理は、図１５に示すトリミング装置２００によって行われる。トリミング装置２００は、例えば、エキシマレーザ等のレーザ光を照射するレーザ照射装置であってもよい。トリミング装置２００は、ステージ（図示せず）に載置された絶縁基板１０における上面１０ａ又は下面１０ｂに向かってレーザ光を照射する。
【００２９】
本実施形態において、トリミング装置２００は、トリミング用貫通孔２０におけるスパイラル形状の一端側から他端側に向けてトリミング用貫通孔２０上をなぞる様に一筆書きでトリミング用のレーザ光を照射する。例えば、絶縁基板１０にアライメントマークを設けておき、トリミング装置２００が備えるカメラ（図示せず）によって絶縁基板１０のアライメントマークを検出してもよい。そして、トリミング装置２００は、検出したアライメントマークの位置を基準位置として予め定められた軌道に沿ってレーザ光の照射点が推移するようにレーザ光を照射することにより、トリミング用貫通孔２０に沿ってレーザ光を照射してもよい。なお、レーザ光の照射点の軌道は、絶縁基板１０の設計仕様に基づいて予め設定しておくことができる。そして、トリミング用貫通孔２０に沿ってレーザ光の照射位置が推移する過程で、第１コイルパターン１１又は第２コイルパターン１２に付着しているめっき残渣６６にレーザ光が当たると、めっき残渣６６がコイルから分離、脱落する。その結果、第１コイルパターン１１及び第２コイルパターン１２に付着していためっき残渣６６をこれらから除去することができる。また、トリミング用貫通孔２０上をな
ぞる様にレーザ光を照射することで、第１コイルパターン１１及び第２コイルパターン１２に付着しているめっき残渣６６の数に関わらず、これらを好適に除去することができる。なお、第１コイルパターン１１及び第２コイルパターン１２から取り除かれためっき残渣６６は、トリミング用貫通孔２０へと落下し、このトリミング用貫通孔２０を通じて絶縁基板１０の下方に脱落する。
【００３０】
次に、めっき槽６１の清掃頻度に基づくインダクタ１の品質と製造コストの関係について説明する。ここで、めっき槽６１を清掃する頻度を多くすれば、めっき残渣６６によるショート不良の懸念は少なくなるが、清掃頻度が多くなるほど清掃コストが嵩むことになる。従来では、めっき槽６１を一定期間毎に清掃したり、めっき処理を行った絶縁基板１０の枚数が一定枚数に到達するタイミングでめっき槽６１の清掃を行っていた。しかしながら、このような従来の手法では、インダクタ１の品質と製造コストのバランスを良好に保つことは容易でない。例えば、めっき槽６１の清掃頻度が過剰である場合、たしかに高品質のインダクタ１を製造することができるが、製造コストも高く嵩んでしまう。一方、めっき槽６１の清掃頻度が不足している場合、たしかにインダクタ１の製造コストを安価に抑えることができるが、インダクタ１の品質が低下する虞がある。そこで、本実施形態では、インダクタ１の製造時に実施されるめっき残渣６６のトリミング回数に基づいてめっき槽６１の清掃タイミングを決定することにした。以下、その詳細について説明する。
【００３１】
ここで、図１５の符号３００はトリミング装置２００の制御装置である。制御装置３００はカウンタ装置を有しており、トリミング装置２００によって絶縁基板１０に対するめっき残渣６６のトリミング処理が１回行われる毎に、そのトリミング回数Ｎｔをカウントする（図６：Ｓ０９）。制御装置３００は、例えば汎用コンピュータであってもよく、所定の基準時からのめっき残渣６６のトリミング回数Ｎｔをカウントし、その記憶装置に記憶する。更に、本実施形態において、制御装置３００に記憶されているトリミング回数Ｎｔのカウント値は、めっき槽６１の清掃が行われる毎にリセットされる（０に戻される）。つまり、制御装置３００は、めっき槽６１の清掃が前回行われた時点からトリミング装置２００によって行われたトリミング処理の回数をカウントする。
【００３２】
トリミング装置２００の制御装置３００は、トリミング回数Ｎｔが所定の基準トリミング回数Ｎｔｂを超えたか否かを判定する（図６：Ｓ１０）。ここで、トリミング回数Ｎｔが基準トリミング回数Ｎｔｂを超えていると判定された場合（Ｎｔ＞Ｎｔｂ）、制御装置３００は、めっき槽６１の清掃を要求する清掃要求アラームを出力する（図６：Ｓ１１）。一方、トリミング回数Ｎｔが基準トリミング回数Ｎｔｂ以下と判定された場合（Ｎｔ≦Ｎｔｂ）、図５のＳ０５に進む。Ｓ０５〜Ｓ０７の各ステップについては上記の通りである。
【００３３】
本実施形態において、基準トリミング回数Ｎｔｂは、めっき槽６１の清掃を行うべきか否かを判定するための閾値であり、第１の閾値の一例である。トリミング回数Ｎｔが基準トリミング回数Ｎｔｂを超えている場合には、めっき槽６１のめっき液６０に混入しているめっき残渣６６が多く、めっき液６０を交換してめっき槽６１の清掃を行う必要があると判断される。一方、トリミング回数Ｎｔが基準トリミング回数Ｎｔｂ以下の場合、めっき液６０に混入されているめっき残渣６６が少なく、めっき液６０の交換及びめっき槽６１の清掃を直ちに行う必要がないと判断される。そして、Ｓ１１において清掃要求アラームが出力されると、めっき液６０の交換及びめっき槽６１の清掃が行われる（図６：Ｓ１２）。
【００３４】
なお、制御装置３００は、表示装置３１０に清掃要求アラームを表示させることで当該アラームを文字で出力してもよい。また、表示装置３１０は、図示しないスピーカから清掃要求アラームを音声出力してもよいし、その他の方法で清掃要求アラームを出力しても
よい。
【００３５】
次いで、制御装置３００は、清掃要求アラームを出力する頻度である清掃要求出力頻度Ｎｆを算出する（図６：Ｓ１３）。清掃要求出力頻度Ｎｆは、例えば、制御装置３００が前回の清掃要求アラームを出力してから今回の同アラームを出力するまでに経過した期間を清掃要求インターバルとし、所定の基準期間を清掃要求インターバルで除した値として求めたものである。基準期間が一定の条件下では、清掃要求インターバルが短くなるほど清掃要求出力頻度Ｎｆが大きな値となり、めっき槽６１の清掃要求アラームがより頻繁に出力されることを意味する。
【００３６】
制御装置３００は、清掃要求出力頻度Ｎｆが、所定の基準清掃要求出力頻度Ｎｆｂを超えているか否かを判定する（図６：Ｓ１４）。そして、清掃要求出力頻度Ｎｆが基準清掃要求出力頻度Ｎｆｂを超えていると判定された場合（Ｎｆ＞Ｎｆｂ）、制御装置３００は、めっき槽６１の点検を要求する点検要求アラームを出力する（図６：Ｓ１５）。ここで、制御装置３００は、めっき槽６１の点検要求アラームを、表示装置３１０に文字表示させてもよいし、スピーカから音声で出力してもよい。一方、清掃要求出力頻度Ｎｆが基準清掃要求出力頻度Ｎｆｂ以下と判定された場合（Ｎｆ≦Ｎｆｂ）、図５のＳ０５に進む。Ｓ０５以降の工程については上記の通りである。また、制御装置３００は、Ｓ１５において、トリミング回数Ｎｔのカウント値をリセットする（０に戻す）。
【００３７】
ここで、基準清掃頻度Ｎｆｂは、めっき槽６１における異常の有無を確認するための異常確認点検を行うべきかどうかを判定するための閾値であり、第２の閾値の一例である。基準清掃頻度Ｎｆｂが基準清掃要求出力頻度Ｎｆｂを超えている場合には、清掃要求アラームが頻繁に出力されているため、めっき槽６１に何らかの異常があると判断される。一方、基準清掃頻度Ｎｆｂが基準清掃要求出力頻度Ｎｆｂ以下の場合、めっき槽６１には特段の異常がないと判断される。そして、Ｓ１５において、制御装置３００から点検要求アラームが出力されると、めっき槽６１の異常確認点検が行われる（図６：Ｓ１６）。めっき槽６１の異常確認点検では、例えば、めっき槽６１内におけるめっき液６０の水素イオン指数（ｐＨ、potential hydrogen）が異常値を示していないかどうかを確認してもよい。そして、めっき槽６１の異常確認点検が終わると、図５のＳ０５に進む。Ｓ０５〜Ｓ０７の各ステップについては上記の通りである。
【００３８】
また、清掃要求出力頻度Ｎｆの算出は上記の例に限られない。例えば、キーボードやマウス等の入力装置３２０を用いてめっき槽６１の清掃日時の入力を受け付ける毎に、制御装置３００が基準清掃頻度Ｎｆｂを算出してもよい。この場合、例えば、直近２回分の清掃日時に基づいて前回の清掃日時から今回の清掃日時までの期間を清掃インターバルとして算出する。そして、所定の基準期間を上記清掃インターバルで除した値を清掃要求出力頻度Ｎｆとして算出してもよい。また、上記実施形態では、清掃要求アラームの出力や点検要求アラームの出力等の各処理をトリミング装置２００の制御装置３００が実行しているが、これらの各処理を他のコンピュータに実行させてもよい。また、上述したインダクタ１の製造工程では、トリミング用貫通孔２０を形成した後の絶縁基板１０に対してめっき処理を施しているが、めっき処理を施した後の絶縁基板１０にトリミング用貫通孔２０を形成してもよい。
【００３９】
以上のように、本実施形態に係るインダクタ１の製造方法は、めっき槽６１で電解めっきを行った絶縁基板１０について、コイルへのめっき残渣６６の付着を検出したことを契機に、めっき残渣６６を除去するトリミング処理を行う。そして、所定の基準時からカウントされるトリミング回数Ｎｔが基準トリミング回数Ｎｔｂを超えた場合に、めっき槽６１の清掃要求アラームを出力し、めっき槽６１の清掃を行うようにした。このように、インダクタ１の製造時におけるめっき残渣６６のトリミング処理の実施情報を蓄積すること
で、めっき槽６１のめっき液６０にめっき残渣６６がどの程度存在するかどうかを直接的に把握できる。そして、インダクタ１の製造時におけるコイルへのめっき残渣６６の付着状況をモニタリングすることができる。これによれば、めっき槽６１の清掃を行うべき適切な時期を容易に把握することができる。その結果、めっき液６０の交換頻度、めっき槽６１の清掃頻度に過不足が生じることを抑制し、インダクタ１の品質と製造コストのバランスを良好に維持することが可能となる。また、上記の通り、絶縁基板１０に係るコイルへの導体間にめっき残渣６６が付着しても、トリミング処理によってめっき残渣６６を除去することができる。そのため、インダクタ１におけるショート不良を好適に抑制できる。
【００４０】
＜変形例＞
次に、図５及び図１６を参照して、インダクタ１の製造方法に係る変形例について説明する。図１６は、変形例に係るインダクタ１の製造工程を示すフロー図である。本変形例では、図６に示したフローの代わりに、図１６に示すフローに従ってインダクタ１を製造する。図１６において、図６で説明したステップと共通の内容については、同じステップ番号を付すことで詳しい説明を省略する。また、図５における各ステップについては上述の通りである。図５のＳ０４において、第１コイルパターン１１及び第２コイルパターン１２における導体間へのめっき残渣６６の付着が検出された場合、コイルの導体間に付着しためっき残渣６６を除去するトリミング処理を行う（図１６：Ｓ０８）。なお、めっき残渣６６のトリミング処理の内容については、図６において説明した通りである。
【００４１】
図１７は、変形例に係るトリミング処理時におけるめっき残渣６６の計量方法を説明する図である。本変形例においては、図１６のＳ０８においてトリミング処理を行う際、当該トリミング処理において絶縁基板１０のコイルから除去されるめっき残渣６６の除去量（以下、「めっき残渣除去量Ｑｗ」という）を計量する（図１６：Ｓ１７）。トリミング処理時におけるめっき残渣除去量Ｑｗの計量は、図１７に示すように、絶縁基板１０の下方に配置する計量器４００によって行うことができる。計量器４００としては、例えばマイクロ電子天秤等を用いることができる。
【００４２】
計量器４００は、トリミング処理時に絶縁基板１０から落下するめっき残渣６６を収集（格納）する計量皿４１０を有する。トリミング装置２００がトリミング用のレーザ光を絶縁基板１０に向けて照射すると、上記実施形態と同様、絶縁基板１０のコイルに付着しているめっき残渣６６が分離して、コイルから除去される（図１７を参照）。図１７に示す例において、絶縁基板１０の上面１０ａに形成された第１コイルパターン１１に付着していためっき残渣６６は、レーザトリミングによってトリミング用貫通孔２０に落下する。そして、めっき残渣６６は、トリミング用貫通孔２０を通じて絶縁基板１０の下面１０ｂ側に抜け、絶縁基板１０の下方に落下する。また、絶縁基板１０の下面１０ｂに形成された第２コイルパターン１２に付着しているめっき残渣６６は、レーザトリミングによって絶縁基板１０の下方に落下する。このようにして、絶縁基板１０から下方に脱落しためっき残渣６６は、絶縁基板１０の下方に配置されている計量皿４１０に集められる。そして、計量器４００は、計量皿４１０に集められためっき残渣６６の重量を測定することで、めっき残渣除去量Ｑｗを計量することができる。
【００４３】
計量器４００は、例えば、制御装置３００と配線接続されている。制御装置３００は、計量器４００が計量されためっき残渣除去量Ｑｗを計量器４００から取得し、所定の基準時から現在までにおけるめっき残渣総除去量ΣＱｗを算出する。そして、制御装置３００は、めっき残渣総除去量ΣＱｗが所定の基準めっき残渣総除去量ΣＱｗｂを超えているか否かを判定する（図１６：Ｓ１８）。ここで、計量器４００は、トリミング装置２００がトリミング処理を１回行う毎に、トリミング処理が実施された絶縁基板１０のコイルから除去されためっき残渣６６の除去量をめっき残渣除去量Ｑｗとして制御装置３００に出力
する。つまり、めっき残渣除去量Ｑｗは、トリミング処理１回で除去されるめっき残渣６６の重量である。
【００４４】
なお、制御装置３００は、トリミング装置２００によるトリミング処理が実施される毎に、計量器４００からめっき残渣除去量Ｑｗを取得する。また、制御装置３００は、新たに計量器４００からめっき残渣除去量Ｑｗを取得する毎に、所定の基準時から現在までに計量器４００から取得しためっき残渣除去量Ｑｗを合算し、めっき残渣総除去量ΣＱｗとして記憶装置に記憶する。なお、所定の基準時としては、めっき槽６１の清掃を前回行ったときの日時等を例示できる。本変形例においては、制御装置３００の記憶装置に記憶されているめっき残渣総除去量ΣＱｗが、めっき槽６１の清掃が行われる毎にリセットされる（０に戻される）。
【００４５】
図１６のＳ１８において、めっき残渣総除去量ΣＱｗが基準めっき残渣総除去量ΣＱｗｂを超えていると判定された場合（ΣＱｗ＞ΣＱｗｂ）、制御装置３００は、めっき槽６１の清掃要求をアラームとして出力する（図１６：Ｓ１１）。一方、Ｓ１８において、めっき残渣総除去量ΣＱｗが基準めっき残渣総除去量ΣＱｗｂ以下であると判定された場合（ΣＱｗ≦ΣＱｗｂ）、図５のＳ０５に進む。Ｓ０５〜Ｓ０７の各ステップについては上記の通りである。
【００４６】
ここで、基準めっき残渣総除去量ΣＱｗｂは、めっき槽６１の清掃を行うべきか否かを判定するためのめっき残渣総除去量ΣＱｗに関する閾値であり、第１の閾値の一例である。めっき残渣総除去量ΣＱｗが基準めっき残渣総除去量ΣＱｗｂを超えている場合、めっき槽６１のめっき液６０に混入しているめっき残渣６６の量が比較的多く、めっき液６０を交換してめっき槽６１の清掃を行う必要があると判断される。一方、めっき残渣総除去量ΣＱｗが基準めっき残渣総除去量ΣＱｗｂ以下の場合、めっき液６０に混入されているめっき残渣６６の量が比較的少なく、めっき液６０の交換及びめっき槽６１の清掃を直ちに行う必要がないと判断される。そして、図１６のＳ１１において清掃要求アラームが出力されると、めっき液６０の交換及びめっき槽６１の清掃が行われる（図１６：Ｓ１２）。その後のＳ１３〜Ｓ１６の各ステップについては上記の通りである。なお、本変形例では、Ｓ１５のステップにおいて、制御装置３００がめっき残渣総除去量ΣＱｗの値をリセットする（０に戻す）。そして、Ｓ１６においてめっき槽６１の異常確認点検が行われた後、図５のＳ０５に進み、Ｓ０５〜Ｓ０７の各ステップが行われる。
【００４７】
以上のように、本変形例では、インダクタ１の製造時に実施されるめっき残渣６６のトリミング回数Ｎｔの代わりに、めっき残渣総除去量ΣＱｗに基づいてめっき槽６１の清掃要求アラームを出力し、めっき槽６１の清掃タイミングを決定するようにした。ここで、めっき残渣除去量Ｑｗは、トリミング処理１回で除去されるめっき残渣６６の除去量であるため、絶縁基板１０に実際に付着していためっき残渣６６の数、重量等をよく反映している。従って、めっき槽６１の清掃を前回行ってから現在までのめっき残渣除去量Ｑｗを合算しためっき残渣総除去量ΣＱｗは、めっき槽６１のめっき液６０に含まれているめっき残渣６６の量をより正確に反映したパラメータといえる。よって、本変形例によれば、めっき槽６１のめっき液６０にめっき残渣６６がどの程度存在するかをより精度よく把握することができる。その結果、めっき槽６１におけるめっき液６０の交換頻度、即ちめっき槽６１の清掃頻度に過不足が生じることを抑制し、インダクタ１の品質と製造コストのバランスを良好に維持することが可能となる。
【００４８】
以上、実施形態及び変形例に沿ってインダクタ１の製造方法について説明したが、上記実施形態及び変形例は種々の変更、改良、組み合わせ等が可能なことは当業者にとって自明である。例えば、上記実施形態においては、絶縁基板１０の両面にコイルパターンを形成しているが、片面だけにコイルパターンを形成してもよい。また、本実施形態において
、絶縁基板１０に設けられるトリミング用貫通孔２０をスパイラル形状としているが、これには限られない。例えば、絶縁基板１０の第１コイルパターン１１及び第２コイルパターン１２のスパイラルが延伸する方向に沿って複数の貫通孔を断続的に配列してもよい。なお、インダクタ１は、携帯電話、スマートフォン・タブレットＰＣ等のモバイル機器に好適に適用されるが、これらに限られず、種々の電子機器に適用することができる。
【符号の説明】
【００４９】
１・・・インダクタ
１０・・・絶縁基板
１１・・・第１コイルパターン
１２・・・第２コイルパターン
２０・・・トリミング用貫通孔
３０・・・第２凹溝
４０・・・第１導体パターン
４１・・・第１スパイラル導体
５０・・・第２導体パターン
５１・・・第２スパイラル導体
６０・・・めっき液
６１・・・めっき槽
６６・・・めっき残渣
１００・・・検出装置
２００・・・トリミング装置
３００・・・制御装置
３１０・・・表示装置
３２０・・・入力装置
４００・・・計量器
４１０・・・計量皿
【図１】
0006380028.tif 000002
【図２】
0006380028.tif 000003
【図３】
0006380028.tif 000004
【図４】
0006380028.tif 000005
【図５】
0006380028.tif 000006
【図６】
0006380028.tif 000007
【図７】
0006380028.tif 000008
【図８】
0006380028.tif 000009
【図９】
0006380028.tif 000010
【図１０】
0006380028.tif 000011
【図１１】
0006380028.tif 000012
【図１２】
0006380028.tif 000013
【図１３】
0006380028.tif 000014
【図１４】
0006380028.tif 000015
【図１５】
0006380028.tif 000016
【図１６】
0006380028.tif 000017
【図１７】
0006380028.tif 000018