(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の共振周波数のうちの何れかで発振し、かつ、被検出物との距離が近づくにつれて前記発振の振幅が小さくなる検出回路と、
前記検出回路と接続され、前記検出回路の前記発振の振幅が第１の閾値よりも大きいときに第１の電圧を出力し、一方、前記検出回路の前記発振の振幅が第１の閾値よりも小さいときに前記第１の電圧と異なる第２の電圧を出力する第１の判定回路と、
前記検出回路と接続され、前記検出回路の前記発振の振幅が前記第１の閾値よりも小さい第２の閾値よりも大きいときに前記検出回路の共振周波数を前記複数の共振周波数のうちの第１の共振周波数とし、一方、前記検出回路の前記発振の振幅が前記第２の閾値よりも小さいときに前記検出回路の前記共振周波数を前記複数の共振周波数のうちの前記第１の共振周波数と異なる第２の共振周波数とする第２の判定回路と、
を有する近接センサ。
【請求項２】
前記検出回路は、
第１のコイルと、
前記第１のコイルと並列に接続される第１のコンデンサと、
前記第１のコイル及び前記第１のコンデンサと並列に接続される第２のコンデンサと、
前記第１のコイル及び前記第１のコンデンサと並列に接続され、かつ、前記第２のコンデンサと直列に接続され、前記第２のコンデンサへ通電するか否かを切り替えるスイッチング素子とを有し、
前記スイッチング素子がオフとなり、前記第２のコンデンサへ通電しないときに前記検出回路は前記第１の共振周波数で発振し、一方、前記スイッチング素子がオンとなり、前記第２のコンデンサへ通電するときに前記検出回路は前記第２の共振周波数で発振し、
前記検出回路の前記発振の振幅が前記第２の閾値よりも小さいと、前記第２の判定回路は前記スイッチング素子をオフにして前記第２のコンデンサへの通電を停止し、一方、前記検出回路の前記発振の振幅が前記第２の閾値よりも大きいと、前記第２の判定回路は前記スイッチング素子をオンにして前記第２のコンデンサへ通電させる、請求項１に記載の近接センサ。
【請求項３】
前記検出回路は、
第１のコイルと、
前記第１のコイルと並列に接続される第１のコンデンサと、
前記第１のコイル及び前記第１のコンデンサと並列に接続される第２のコイルと、
前記第１のコイル及び前記第１のコンデンサと並列に接続され、かつ、前記第２のコイルと直列に接続され、前記第２のコイルへ通電するか否かを切り替えるスイッチング素子とを有し、
前記スイッチング素子がオフとなり、前記第２のコイルへ通電しないときに前記検出回路は前記第１の共振周波数で発振し、一方、前記スイッチング素子がオンとなり、前記第２のコイルへ通電するときに前記検出回路は前記第２の共振周波数で発振し、
前記検出回路の前記発振の振幅が前記第２の閾値よりも小さいと、前記第２の判定回路は前記スイッチング素子をオフにして前記第２のコイルへの通電を停止し、一方、前記検出回路の前記発振の振幅が前記第２の閾値よりも大きいと、前記第２の判定回路は前記スイッチング素子をオンにして前記第２のコイルへ通電させる、請求項１に記載の近接センサ。
【請求項４】
遊技機本体と、
前記遊技機本体の前面に設けられ、該前面に沿って遊技球が流下可能な複数の経路の何れかに設けられる入賞装置と、
前記入賞装置に遊技球が入ったことを検知する、請求項１〜３の何れか一項に記載の近接センサと、
遊技球を払い出す玉払い出し装置と、
前記近接センサにより前記入賞装置に入った遊技球が検知されると、所定個数の遊技球を前記玉払い出し装置に払い出させる制御部と、
を有する遊技機。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、磁性体などの被検出物の接近を検知する近接センサ及びそのような近接センサを有する遊技機に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来より、遊技機では、遊技球といった、磁性を有する被検出物の接近または通過を検知するために、近接センサが用いられている。このような近接センサは、例えば、発振回路と共振回路を有する。そして遊技球が十分に離れている場合、発振回路及び共振回路は定常発振となり、一方、遊技球が近接センサに近づくと、発振回路及び共振回路の発振条件が変化して、発振回路及び共振回路は、発振を停止する。そして近接センサは、発振回路及び共振回路が発振しているときと発振を停止しているときとで異なる電圧を持つ信号を出力する。これにより、遊技球の近接センサへの接近が検知される。
【０００３】
一方、近接センサの近傍で、近接センサの共振回路の共振周波数と略一致する周波数を持つ電磁界の発生と停止を繰り返すことで、近接センサに遊技球を誤検知させる不正行為が知られている。そこで、このような不正行為を防止するための技術が提案されている（例えば、特許文献１及び２を参照）。
【０００４】
例えば、特許文献１に開示された低周波近傍電磁界検出回路は、高周波発振回路を有し、その高周波発振回路は、検出電極に対して低周波近傍電磁界が照射されていない場合に発振停止し、一方、検出電極に対して低周波近傍電磁界が照射されると発振する。これにより、低周波近傍電磁界検出回路は、低周波近傍電磁界の照射を検知できるので、その検知結果を例えば制御回路へ通知することで、制御回路は異常が生じたことを知ることができる。
【０００５】
また、特許文献２に開示された遊技球検出スイッチは、遊技球の検知用のコイルとは別個に、低周波近傍電磁界の到来を電圧の誘起により検出するコイルを有する。そしてその二つのコイルは、磁束発生方向が一致するように配置される。これにより、この遊技球検出スイッチは、低周波数近傍電磁界の到来を検知したときの出力電圧を、低周波数近傍電磁界が到来していないとの出力電圧と異ならせることで、遊技球の検知とは別個に低周波数近傍電磁界の到来を検知できる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２０１０−２５６２４５号公報
【特許文献２】特開２０１２−１５２５１２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
特許文献１、２の何れの技術でも、遊技球検知用の発振回路とは別個に、低周波数近傍電磁界を検知するための回路が設けられる。そのため、遊技球検知用の発振回路自体は、その電磁界の照射と非照射の繰り返しにも反応する。
【０００８】
そこで、本発明は、電磁界の照射による誤動作を抑制可能な近接センサを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明の一つの形態として、近接センサが提供される。この近接センサは、複数の共振周波数のうちの何れかで発振し、かつ、被検出物との距離が近づくにつれてその発振の振幅が小さくなる検出回路と、検出回路と接続され、検出回路の発振の振幅が第１の閾値よりも大きいときに第１の電圧を出力し、一方、検出回路の発振の振幅が第１の閾値よりも小さいときに第１の電圧と異なる第２の電圧を出力する第１の判定回路と、検出回路と接続され、検出回路の発振の振幅が第１の閾値よりも小さい第２の閾値よりも大きいときに検出回路の共振周波数を複数の共振周波数のうちの第１の共振周波数とし、一方、検出回路の発振の振幅が第２の閾値よりも小さいときに検出回路の共振周波数を複数の共振周波数のうちの第１の共振周波数と異なる第２の共振周波数とする第２の判定回路とを有する。
【００１０】
この近接センサにおいて、検出回路は、第１のコイルと、第１のコイルと並列に接続される第１のコンデンサと、第１のコイル及び第１のコンデンサと並列に接続される第２のコンデンサと、第１のコイル及び第１のコンデンサと並列に接続され、かつ、第２のコンデンサと直列に接続され、第２のコンデンサへ通電するか否かを切り替えるスイッチング素子とを有することが好ましい。この場合において、スイッチング素子がオフとなり、第２のコンデンサへ通電しないときに検出回路は第１の共振周波数で発振し、一方、スイッチング素子がオンとなり、第２のコンデンサへ通電するときに検出回路は第２の共振周波数で発振する。そして検出回路の発振の振幅が第２の閾値よりも小さいと、第２の判定回路はスイッチング素子をオフにして第２のコンデンサへの通電を停止し、一方、検出回路の発振の振幅が第２の閾値よりも大きいと、第２の判定回路はスイッチング素子をオンにして第２のコンデンサへ通電させることが好ましい。
【００１１】
あるいは、この近接センサにおいて、検出回路は、第１のコイルと、第１のコイルと並列に接続される第１のコンデンサと、第１のコイル及び第１のコンデンサと並列に接続される第２のコイルと、第１のコイル及び第１のコンデンサと並列に接続され、かつ、第２のコイルと直列に接続され、第２のコイルへ通電するか否かを切り替えるスイッチング素子とを有することが好ましい。この場合において、スイッチング素子がオフとなり、第２のコイルへ通電しないときに検出回路は第１の共振周波数で発振し、一方、スイッチング素子がオンとなり、第２のコイルへ通電するときに検出回路は第２の共振周波数で発振する。そして検出回路の発振の振幅が第２の閾値よりも小さいと、第２の判定回路はスイッチング素子をオフにして第２のコイルへの通電を停止し、一方、検出回路の発振の振幅が第２の閾値よりも大きいと、第２の判定回路はスイッチング素子をオンにして第２のコイルへ通電させることが好ましい。
【００１２】
本発明の他の形態によれば、遊技機本体と、遊技機本体の前面に設けられ、その前面に沿って遊技球が流下可能な複数の経路の何れかに設けられる入賞装置と、入賞装置に遊技球が入ったことを検知する近接センサと、遊技球を払い出す玉払い出し装置と、近接センサにより入賞装置に入った遊技球が検知されると、所定個数の遊技球を玉払い出し装置に払い出させる制御部とを有する遊技機が提供される。この遊技機において、近接センサは、上記の何れかの近接センサである。
【発明の効果】
【００１３】
本発明に係る近接センサは、電磁界の照射による誤動作を抑制できるという効果を奏する。
【図面の簡単な説明】
【００１４】
【図１】本発明の一つの実施形態に係る近接センサの回路図である。
【図２】共振回路の共振周波数を持つ電磁界が照射されていない場合における、近接センサの各部の電圧の時間変化を示すタイミングチャートである。
【図３】共振回路の共振周波数を持つ電磁界が照射された場合における、近接センサの各部の電圧の時間変化を示すタイミングチャートである。
【図４】変形例による、近接センサの回路図である。
【図５】変形例による、共振回路の共振周波数を持つ電磁界が照射されていない場合における、近接センサの各部の電圧の時間変化を示すタイミングチャートである。
【図６】変形例による、共振回路の共振周波数を持つ電磁界が照射された場合における、近接センサの各部の電圧の時間変化を示すタイミングチャートである。
【図７】他の変形例による、共振回路の回路図である。
【図８】上記の実施形態または変形例による近接センサの外観斜視図である。
【図９】上記の実施形態または変形例による近接センサが搭載される遊技機の概略斜視図である。
【発明を実施するための形態】
【００１５】
以下、本発明の一つの実施形態による近接センサを、図を参照しつつ説明する。この近接センサは、磁性体などの被検出物が近づくほど発振の振幅が小さくなる、LC共振回路を持つ検出回路を有する。そしてそのLC共振回路が、互いに並列に接続される、二つのコンデンサとコイルを有する。そしてこの近接センサは、検出回路の発振の振幅変化を検知して、近接センサからの出力電圧を切り替える第１の判定回路よりも、振幅変化に対する閾値が小さい第２の判定回路によって、LC共振回路の二つのコンデンサのうちの一方に通電するか否かを切り替えるスイッチをオンオフ制御して、LC共振回路の共振周波数を変化させる。これにより、この近接センサは、LC共振回路の共振周波数と略一致する周波数を持つ電磁界が照射されても、第１の判定回路が出力電圧を変化させるより前に、共振周波数を切り替える。これにより、この近接センサは、検出回路への電磁界照射による誤動作を抑制する。
【００１６】
なお、以下の実施形態では、近接センサは、遊技機に用いられ、遊技球を検知するものとする。しかし、この近接センサは、遊技機以外の用途に利用されてもよい。
【００１７】
図１は、本発明の一つの実施形態に係る近接センサの回路図である。図１に示されるように、近接センサ１は、検出回路１０と、第１判定回路１３と、第２判定回路１４とを有する。
【００１８】
検出回路１０は、遊技球の接近を発振状態の変化により検出する。本実施形態では、検出回路１０は、遊技球が十分に離れている場合には定常発振を行い、遊技球が近づくにつれてその発振の振幅を小さくする。そのために、検出回路１０は、共振回路１１と発振回路１２とを有する。
【００１９】
共振回路１１は、互いに並列に接続された、コイルLと二つのコンデンサC1、C2とを有する。さらに、共振回路１１は、コイルL及びコンデンサC1と並列に接続され、かつ、コンデンサC2と直列に接続される、スイッチの一例であるNPN型のトランジスタTr1を有する。そしてコイルL、コンデンサC1、C2の一端は、共振回路１１の高電圧側の出力端子と接続される。一方、コイルL、コンデンサC1の他端は接地される。同様に、コンデンサC2の他端は、トランジスタTr1のコレクタに接地され、トランジスタTr1のエミッタは接地される。なお、トランジスタTr1とコンデンサC2の接続位置は互いに入れ替えられてもよい。
【００２０】
共振回路１１は、トランジスタTr1がオフのとき、コイルLとコンデンサC1とにより構成されるLC共振回路として動作する。一方、共振回路１１は、トランジスタTr1がオンのとき、コイルLと二つのコンデンサC1、C2とにより構成されるLC共振回路として動作する。そのため、共振回路１１の共振周波数は、トランジスタTr1がオフのときとオンのときとで異なる。トランジスタTr1がオフのとき、共振回路１１の共振周波数f1は次式で表される。
【数１】
0006380173.tif 000002
ここで、Lは、コイルLのインダクタンスであり、C1は、コンデンサC1の静電容量である。一方、トランジスタTr1がオンのとき、共振回路１１の共振周波数f2は次式で表される。
【数２】
0006380173.tif 000003
ここで、C2は、コンデンサC2の静電容量である。もし、C1=C2であれば、共振周波数f2は、共振周波数f1の略0.7倍となる。
【００２１】
なお、トランジスタTr1のオン・オフ制御は、第２判定回路１４により行われる。第２判定回路１４により行われる、トランジスタTr1のオン・オフ制御の詳細については後述する。
【００２２】
コイルLは、例えば、賞球口、あるいは玉払い出し装置などの遊技球の通路に、遊技球がコイルLの内部を通過するように配置される。そしてコイルLの内部を遊技球が通過する際に、共振回路１１と発振回路１２の発振条件が変化して、検出回路１０の発振が停止する。一方、遊技球がコイルLから十分に離れている場合、検出回路１０が発振状態となる。例えば、遊技球が共振回路１１のコイルLから十分に離れている場合、共振回路１１のコンダクタンスgLは、発振回路１２のコンダクタンスgiよりも小さくなってナイキストの発振条件が満たされ、一方、遊技球がコイルL内を通過している場合、共振回路１１のコンダクタンスgLが発振回路１２のコンダクタンスgiよりも大きくなってナイキストの発振条件が満たされなくなるように、コイルLのインダクタンス及びコンデンサC1、C2の静電容量と、発振回路１２の抵抗R1の抵抗値が設定される。
【００２３】
発振回路１２は、共振回路１１の高電位側に設けられる出力端子１１ａと接続され、共振回路１１が発振状態となるときに発振し、かつ、共振回路１１の発振の振幅を増幅する。一方、共振回路１１が発振停止状態となっているとき、発振回路１２も発振を停止する。
そのために、発振回路１２は、４個のトランジスタTr2〜Tr5と、定電流回路I0と、定電圧回路V0とを有する。
【００２４】
PNP型のトランジスタTr2及びTr3のエミッタは、それぞれ電圧源Ｖccと接続されている。また、トランジスタTr2及びTr3のベースは互いに接続され、さらにNPN型のトランジスタTr4のコレクタに接続されている。さらに、トランジスタTr2のコレクタも、トランジスタTr4のコレクタに接続されている。また、トランジスタTr3のコレクタは、共振回路１１の高電圧側の出力端子１１ａと接続されている。そしてトランジスタTr4のベースは、電圧源Vccと共振回路１１の出力端子１１ａとの間に、電圧源Vcc側から順に直列に接続される定電流回路I0と定電圧回路V0との間に接続される。さらに、トランジスタTr4のエミッタは、抵抗R1を介して接地される。
【００２５】
さらに、PNP型のトランジスタTr5のベースは、トランジスタTr4のエミッタと抵抗R1の間に接続され、トランジスタTr5のコレクタは、抵抗R2を介して電圧源Vccに接続されるとともに、発振回路１２の出力端子１２ａと接続される。そしてトランジスタTr5のエミッタは接地される。
【００２６】
定電圧回路V0の負側端子は、共振回路１１の出力端子１１ａと接続され、一方、
定電圧回路V0の正側端子は、定電流回路I0の出力側端子と接続される。そして定電圧回路V0は、共振回路１１の出力端子１１ａとトランジスタTr4のベース間の直流バイアス電圧を一定に保つ。
【００２７】
定電流回路I0の入力側端子は、電圧源Vccと接続され、一方、定電流回路I0の出力側端子は、定電圧回路V0を介して共振回路１１の出力端子１１ａと接続され、定電流回路I0は、共振回路１１のコイルLに駆動電流を供給する。なお、定電流回路I0及び定電圧回路V0に関しては、様々な定電流回路及び定電圧回路の何れかを利用することができ、例えば、特開２００８−３００３号公報に開示されている、発振回路が有する駆動電流回路及び定電圧回路とすることができる。
【００２８】
発振回路１２では、共振回路１１の出力端子１１ａの電位の上昇に追従し、定電圧回路V0を介してバイアスされてトランジスタTr4のベースに入力される電圧により、トランジスタTr4のエミッタ電位も上昇する。そして、トランジスタTr4のエミッタ電位と抵抗R1で定まる電流によってトランジスタTr2のコレクタ電流も増加する。そしてそのコレクタ電流の増加に応じて、トランジスタTr2とミラー接続されたトランジスタTr3のコレクタ電流も増加し、トランジスタTr3のコレクタ電流が共振回路１１の高電圧側の出力端子に帰還される。また、トランジスタTr4のエミッタ電位の上昇によりトランジスタTr5のベース電位も上昇する。そしてトランジスタTr5のベース電位の上昇に応じてトランジスタTr5のエミッタ電位も上昇する。これらの回路動作により、共振回路１１の出力端子の電位の上昇に追従して、発振回路１２の出力端子１２ａの電圧が上昇する。
【００２９】
同様に、共振回路１１の出力端子１１ａの電位が低下する場合にも、トランジスタTr4のベースに入力される電位に従い、トランジスタTr2、Tr3に流れる電流も変化する。また、トランジスタTr4のエミッタ電位により、トランジスタTr5のベース電位も定まり、トランジスタTr5のベース電位に追従してトランジスタTr5のエミッタ電位も変化する。そのため、共振回路１１の出力端子１１ａの電位の低下に追従して、発振回路１２の出力端子１２ａの電圧も低下する。
このように、共振回路１１が発振状態にある間、発振回路１２の出力端子１２ａの電圧は、共振回路１１の共振周波数で発振する。一方、共振回路１１が発振停止状態にある間、発振回路１２の出力端子１２ａの電圧は、一定電圧となる。
【００３０】
第１判定回路１３は、発振回路１２の出力端子１２ａと接続され、その出力端子１２ａの電圧の振幅が、第１の閾値以上となるか否かで異なる電圧を出力する。すなわち、第１判定回路１３は、遊技球が共振回路１１のコイルLから十分に遠く、検出回路１０が発振状態にある場合と、遊技球が共振回路１１のコイルL内を通過して検出回路１０が発振停止状態にある場合とで、異なる電圧を出力する。
【００３１】
同様に、第２判定回路１４も、発振回路１２の出力端子１２ａと接続され、その出力端子１２ａの電圧の振幅が、第２の閾値以上となるか否かで共振回路１１のトランジスタTr1のオン・オフを切り替える。する。ただし、第２の閾値は、第１の閾値よりも、発振回路１２からの発振出力の電圧の平均値に近い値に設定される。そのため、遊技球が共振回路１１のコイルLに近接した状態で、共振回路１１の共振周波数f1と略一致する周波数を持つ電磁界が照射されたとき、第１判定回路１３からの出力電圧が切り替わるよりも前に、第２判定回路１４が共振回路１１のトランジスタTr1をオンにするので、共振回路１１の共振周波数がf1からf2に変化して、検出回路１０の発振の振幅が減衰する。これにより、そのような電磁界が照射されたときの近接センサ１の誤動作が防止される。
なお、遊技球が共振回路１１のコイルLに近接した状態で、共振回路１１の共振周波数f2と略一致する周波数を持つ電磁界が照射されても、トランジスタTr1がオフであるために、共振回路１１は共振しないので、近接センサ１は誤動作を生じない。
【００３２】
本実施形態では、第１判定回路１３は、二つのトランジスタTr6、Tr7を有する。NPN型のトランジスタTr6のエミッタは、抵抗R6を介して発振回路１２の出力端子１２ａと接続され、トランジスタTr6のコレクタは、PNP型のトランジスタTr7のベースと接続される。また、トランジスタTr6のベースは、電圧源Vccとグラウンドとの間に直列に接続された３つの抵抗R3〜R5のうち、抵抗R3及び抵抗R4を介して電圧源Vccと接続される。
【００３３】
また、トランジスタTr7のエミッタは電圧源Vccと接続され、トランジスタTr7のコレクタは、並列接続された抵抗R8とコンデンサC3により構成される積分回路１３１の高電圧側の一端１３ａに接続される。そしてその積分回路１３１の高電圧側の他端１３ｂは、第１判定回路１３の出力端子となる。
第１判定回路１３の出力端子１３ｂは、例えば、制御回路といった他の装置と近接センサ１を接続するための出力回路（図示せず）と出力され、出力端子１３ｂの電圧に応じた信号が出力回路から出力される。
【００３４】
発振回路１２の出力端子１２ａの電圧が、抵抗R3及びR4の抵抗値の和と抵抗R5の抵抗値との分圧とトランジスタTr6のベース−エミッタ間電圧により決定される第１の閾値電圧よりも高い場合、例えば、発振回路１２が発振していない場合、トランジスタTr6はオフとなる。なお、第１の閾値電圧は、発振回路１２の出力端子の平均電圧よりも低い値に設定される。そのため、トランジスタTr7もオフとなり、その結果として積分回路１３１へ電流が流れないので、第１判定回路１３の出力電圧は相対的に低くなる。
【００３５】
一方、発振回路１２が発振して、発振回路１２の出力端子１２ａの電圧が第１の閾値電圧よりも低くなると、すなわち、検出回路１０の発振の振幅が、出力端子１２ａの電圧の平均値と第１の閾値電圧の差の絶対値よりも大きくなると、トランジスタTr6はオンとなる。そのため、トランジスタTr7もオンとなり、その結果として積分回路１３１へ電流が流れ込むので、第１判定回路１３の出力電圧は相対的に高くなる。また、積分回路１３１により、第１判定回路１３の出力電圧は平滑化されるので、検出回路１０が発振して、その振幅が発振回路１２の出力端子１２ａの平均電圧と第１の閾値電圧の差の絶対値よりも大きい間、第１判定回路１３の出力電圧は相対的に高い値に維持される。
【００３６】
同様に、第２判定回路１４は、二つのトランジスタTr8、Tr9を有する。NPN型のトランジスタTr8のエミッタは、抵抗R7を介して発振回路１２の出力端子１２ａと接続され、トランジスタTr8のコレクタは、PNP型のトランジスタTr9のベースと接続される。また、トランジスタTr8のベースは、電圧源Vccとグラウンドとの間に直列に接続された３つの抵抗R3〜R5のうち、抵抗R3を介して電圧源Vccと接続される。
また、トランジスタTr9のエミッタは電圧源Vccと接続され、トランジスタTr9のコレクタは、並列接続された抵抗R9とコンデンサC4により構成される積分回路１４１の高電圧側の一端１４ａに接続される。そしてその積分回路１４１の高電圧側の他端１４ｂは、抵抗R10を介して共振回路１１のトランジスタTr1のベースと接続される。
【００３７】
発振回路１２の出力端子１２ａの電圧が、抵抗R3の抵抗値と抵抗R4及びR5の抵抗値の和との分圧とトランジスタTr8のベース−エミッタ間電圧により決定される第２の閾値電圧よりも高い場合、例えば、発振回路１２が発振していない場合、トランジスタTr8はオフとなる。そのため、トランジスタTr9もオフとなり、その結果として積分回路１４１へ電流が流れないので、第２判定回路１４の出力電圧は相対的に低くなる。
【００３８】
一方、発振回路１２が発振して、発振回路１２の出力端子の電圧が第２の閾値電圧よりも低くなると、すなわち、検出回路１０の発振の振幅が、出力端子１２ａの電圧の平均値と第２の閾値電圧の差の絶対値よりも大きくなると、トランジスタTr8はオンとなる。そのため、トランジスタTr9もオンとなり、その結果として積分回路１４１へ電流が流れ込むので、第２判定回路１４の出力電圧は相対的に高くなる。また、積分回路１４１により、第２判定回路１４の出力電圧は平滑化されるので、発振回路１２が発振して、その振幅が発振回路１２の出力端子１２ａの平均電圧と第２の閾値電圧の差の絶対値よりも大きい間、第２判定回路１４の出力電圧は相対的に高い値に維持され、共振回路１１のトランジスタTr1もオンの状態が維持される。
【００３９】
なお、第２の閾値電圧は、上記のように、抵抗R3の抵抗値と抵抗R4及びR5の抵抗値の和との分圧に依存するため、抵抗R3及びR4の抵抗値の和と抵抗R5の抵抗値との分圧に依存する第１の閾値電圧よりも高くなる。したがって、発振回路１２の出力端子の平均電圧と第２の閾値電圧の差の絶対値は、発振回路１２の出力端子の平均電圧と第１の閾値電圧の差の絶対値よりも小さい。したがって、発振回路１２が発振を停止している状態から発振を開始すると、第１判定回路１３よりも先に、第２判定回路１４の出力電圧が変化して、共振回路１１の共振周波数が切り替わる。
【００４０】
図２は、共振回路１１の共振周波数f1を持つ電磁界が照射されていない場合における、近接センサ１の各部の電圧の時間変化を示すタイミングチャートである。
図２において、各グラフの横軸は時間を表す。一番上のグラフの縦軸は、遊技球と共振回路１１のコイルL間の距離を表す。また、上から２番目以降の各グラフの縦軸は電圧を表す。そして線２０１は、遊技球と共振回路１１のコイルL間の距離の時間変化を表す。波形２０２は、発振回路１２の出力端子１２ａの電圧の発振波形を表す。また、波形２０３、２０４は、それぞれ、第１判定回路１３の出力端子１３ｂの電圧の波形、第２判定回路１４の出力端子１４ｂの電圧の波形を表す。
【００４１】
時刻t1よりも前では、遊技球が共振回路１１のコイルLから十分に遠いので、検出回路１０は発振状態となり、発振回路１２の出力端子１２ａの電圧も発振している。そしてその電圧の振幅は、発振回路１２の出力端子１２ａの電圧の平均値と第１の閾値電圧Th1の差の絶対値よりも大きいため、第１判定回路１３の出力電圧及び第２判定回路１４の出力電圧は、何れも、オンであることを表す相対的に高い電圧となる。
【００４２】
時刻t1以降、遊技球が共振回路１１のコイルLに近づくにつれて、発振回路１２の出力端子１２ａの電圧の振幅が徐々に小さくなる。そして時刻t2において、その振幅は、発振回路１２の出力端子１２ａの電圧の平均値と第１の閾値電圧Th1の差の絶対値よりも小さくなる。その結果、第１判定回路１３の出力電圧は、オフであることを表す相対的に低い電圧に低下する。一方、発振回路１２の出力端子の電圧の振幅は、発振回路１２の出力端子の電圧の平均値と第２の閾値電圧Th2の差の絶対値よりも大きいので、この時点では、第２判定回路１４の出力電圧は相対的に高い電圧で維持される。
【００４３】
その後、遊技球が共振回路１１のコイルLにさらに近づくにつれて、発振回路１２の出力端子１２ａの電圧の振幅もさらに小さくなる。そして時刻t3になると、その振幅は、発振回路１２の出力端子１２ａの電圧の平均値と第２の閾値電圧Th2の差の絶対値よりも小さくなる。その結果、第２判定回路１４の出力電圧も、オフであることを表す相対的に低い電圧に低下する。そのため、共振回路１１のトランジスタTr1がオフとなってコンデンサC2が共振回路１１の共振に寄与しなくなるため、共振回路１１の共振周波数がf2からf1に切り替わる。その共振周波数の変化に伴い、検出回路１０の発振周波数も高くなる。
【００４４】
その後、遊技球が共振回路１１のコイルLにさらに近づくにつれて、発振回路１２の出力端子１２ａの電圧の振幅もさらに小さくなり、時刻t4において検出回路１０は、発振停止状態となる。そして遊技球が共振回路１１のコイルLから離れ始めると、時刻t5において、検出回路１０は発振を再開する。
【００４５】
その後、遊技球が共振回路１１のコイルLからさらに遠ざかるにつれて、発振回路１２の出力端子１２ａの電圧の振幅は徐々に大きくなり、時刻t6において、その振幅は、発振回路１２の出力端子の電圧の平均値と第２の閾値電圧Th2の差の絶対値よりも大きくなる。その結果、第２判定回路１４の出力電圧も、相対的に高い電圧に上昇する。そのため、共振回路１１のトランジスタTr1がオンとなってコンデンサC2が共振回路１１の共振に寄与するようになるため、共振回路１１の共振周波数がf1からf2に低下する。その共振周波数の変化に伴い、検出回路１０の発振周波数も低くなる。
【００４６】
その後、遊技球が共振回路１１のコイルLからさらに遠ざかるにつれて、発振回路１２の出力端子１２ａの電圧の振幅もさらに大きくなり、時刻t7において、その振幅は、発振回路１２の出力端子１２ａの電圧の平均値と第１の閾値電圧Th1の差の絶対値よりも大きくなる。その結果、第１判定回路１３の出力電圧も、相対的に高い電圧に上昇する。
このように、遊技球が共振回路１１のコイルL内を通過する度に、第１判定回路１３からの出力電圧は、相対的に高い電圧から一旦相対的に低い電圧に低下し、その後再度相対的に高い電圧に戻る。そこで、遊技機の制御回路（図示せず）など、近接センサ１のコイルLを通過する遊技球を計数する回路は、第１判定回路１３からのこの出力電圧の変化を調べることで、遊技球の数を計数できる。
【００４７】
図３は、共振回路１１の共振周波数f1を持つ電磁界が照射された場合における、近接センサ１の各部の電圧の時間変化を示すタイミングチャートである。
図３において、各グラフの横軸は時間を表す。一番上のグラフの縦軸は、遊技球と共振回路１１のコイルL間の距離を表す。また、上から２番目以降の各グラフの縦軸は電圧を表す。そして線３０１は、遊技球と共振回路１１のコイルL間の距離の時間変化を表す。波形３０２は、発振回路１２の出力端子１２ａの電圧の発振波形を表す。また、波形３０３、３０４は、それぞれ、第１判定回路１３の出力端子１３ｂの電圧の波形、第２判定回路１４の出力端子１４ｂの電圧の波形を表す。さらに、一番下に示される波形３０５は、共振回路１１の近傍での、共振周波数f1と同じ周波数を持つ電磁界の有無を表す。
【００４８】
この例では、時刻t1〜t5の間、共振回路１１に電磁界が照射されており、かつ、時刻t1〜時刻t6まで、遊技球が検出回路１０の発振を停止させるほど共振回路１１のコイルLの近傍に位置しているとする。
【００４９】
時刻t1〜時刻t2の間、電磁界の照射により、検出回路１０は、遊技球が近傍に存在するにも関わらず発振し、徐々に発振回路１２の出力端子１２ａの電圧の振幅は大きくなる。そして、時刻t2においてその振幅が発振回路１２の出力端子１２ａの電圧の平均値と第２の閾値電圧Th2の差の絶対値よりも大きくなる。その結果、第２判定回路１４の出力電圧も、相対的に高い電圧に上昇する。そのため、共振回路１１のトランジスタTr1がオンとなってコンデンサC2が共振回路１１の共振に寄与するようになるため、共振回路１１の共振周波数がf1からf2に低下する。その共振周波数の変化により、電磁界の周波数と共振回路１１の共振周波数とが一致しなくなるので、時刻t2以降、検出回路１０の発振は徐々に弱くなる。
【００５０】
そして時刻t3になると、発振回路１２の出力端子１２ａの電圧の振幅は、発振回路１２の出力端子の電圧の平均値と第２の閾値電圧Th2の差の絶対値よりも小さくなる。その結果、第２判定回路１４の出力電圧も、相対的に低い電圧に低下する。そのため、共振回路１１のトランジスタTr1がオフとなってコンデンサC2が共振回路１１の共振に寄与しなくなるため、共振回路１１の共振周波数がf2からf1に戻る。これに伴い、共振回路１１が、電磁界と共振するようになるので、時刻t3以降、発振回路１２の出力電圧の振幅も、再度、大きくなり始める。
【００５１】
しかし、時刻t4になると、時刻t2と同様に、発振回路１２の出力電圧の振幅が発振回路１２の出力端子１２ａの電圧の平均値と第２の閾値電圧Th2の差の絶対値よりも大きくなるので、第２判定回路１４の出力電圧も相対的に高い電圧に上昇して、共振回路１１のトランジスタTr1が再びオンとなり、共振回路１１の共振周波数がf1からf2に低下する。
【００５２】
このように、電磁界が共振回路１１に照射されている間、発振回路１２の出力端子１２ａの電圧の振幅は、発振回路１２の出力端子１２ａの電圧の平均値と第１の閾値電圧Th1の差の絶対値より大きくなることはなく、したがって、第１判定回路１３の出力電圧も相対的に低い電圧で維持されたままとなる。そして、発振回路１２の出力電圧の振幅の増加→共振回路１１の共振周波数の低下→発振回路１２の出力電圧の振幅の減少→共振回路１１の共振周波数の上昇→発振回路１２の出力電圧の振幅の増加、が繰り返されることになる。
【００５３】
時刻t5において、共振回路１１への電磁界の照射がなくなると、その後、検出回路１０の発振も停止となる。そして、遊技球が共振回路１１のコイルLから遠ざかり始めた後、時刻t6において、検出回路１０は発振を再開する。その後、遊技球と共振回路１１のコイルL間の距離が大きくなるにつれて、発振回路１２の出力電圧の振幅は徐々に増加し、時刻t7において、発振回路１２の出力電圧の振幅は、発振回路１２の出力端子の電圧の平均値と第１の閾値電圧Th1の差の絶対値より大きくなる。その結果、第１判定回路１３の出力電圧も、相対的に高い電圧に上昇する。
【００５４】
このように、共振周波数f1と同じ周波数を持つ電磁界の共振回路１１への照射の有無にかかわらず、第１判定回路１３の出力電圧は変化しない。そのため、この近接センサ１は、そのような電磁界の照射によって誤動作しないことが分かる。
【００５５】
以上に説明してきたように、この近接センサは、検出回路が発振停止状態から発振を開始した際に、近接センサの出力電圧が切り替わるよりも前に共振回路の共振周波数が切り替わる。そのため、この近接センサは、共振回路の一方の共振周波数と同じ周波数を持つ電磁界が照射されたとしても、出力電圧が変化する前に、共振回路が共振しなくなるので、そのような電磁界による出力電圧への影響を抑制できる。そのため、この近接センサは、そのような電磁界の照射による誤動作を抑制できる。
【００５６】
変形例によれば、第１の閾値電圧及び第２の閾値電圧は、それぞれ、発振回路の出力端子の電圧の平均値よりも高い電圧に設定されてもよい。ただし、この場合も、その平均値と第１の閾値電圧との差の絶対値よりも、その平均値と第２の閾値電圧との差の絶対値の方が小さくなるように、第１の閾値電圧及び第２の閾値電圧は設定される。
【００５７】
図４は、この変形例による、近接センサ２の回路図である。変形例による近接センサ２も、検出回路１０と、第１判定回路２３と、第２判定回路２４とを有する。そして検出回路１０は、共振回路１１と発振回路１２とを有する。図４に示される近接センサ２は、図１に示される近接センサ１と比較して、第１判定回路２３及び第２判定回路２４の構成が異なる。そこで以下では、第１判定回路２３、第２判定回路２４及びその関連部分について説明する。検出回路１０の詳細については、上記の実施形態の説明を参照されたい。
【００５８】
この変形例では、第１判定回路２３は、コンパレータCMP1と、積分回路２３１とを有する。そして発振回路１２の出力端子１２ａから出力された電圧は、コンパレータCMP1の正極側入力端子に入力される。一方、コンパレータCMP1の負極側入力端子は、電圧源Vccとグラウンドの間に直列に接続された３個の抵抗R3〜R5のうち、抵抗R3を介して電圧源Vccと接続される。そしてコンパレータCMP1の出力端子は、抵抗R6を介して、並列接続された抵抗R7とコンデンサC3により構成される積分回路２３１の高電圧側の一端２３ａに接続される。そしてその積分回路２３１の高電圧側の他端２３ｂは、第１判定回路２３の出力端子となる。
【００５９】
発振回路１２の出力端子１２ａの電圧が、抵抗R3の抵抗値と抵抗R4及びR5の抵抗値の和との分圧により決定される第１の閾値電圧よりも低い場合、例えば、検出回路１０が発振していない場合、コンパレータCMP1の出力電圧は相対的に低くなる。そのため、積分回路２３１へ電流が流れないので、第１判定回路２３の出力電圧は相対的に低くなる。
【００６０】
一方、検出回路１０が発振して、発振回路１２の出力端子１２ａの電圧が第１の閾値電圧よりも高くなると、コンパレータCMP1の出力電圧は相対的に高くなる。そのため、積分回路２３１へ電流が流れ込むので、第１判定回路２３の出力電圧は相対的に高くなる。また、積分回路２３１により、第１判定回路２３の出力電圧は平滑化されるので、発振回路１２が発振して、その振幅が発振回路１２の出力端子の平均電圧と第１の閾値電圧の差の絶対値よりも大きい間、第１判定回路２３の出力電圧は相対的に高い値に維持される。
【００６１】
同様に、第２判定回路２４は、コンパレータCMP2と、積分回路２４１とを有する。そして発振回路１２の出力端子１２ａから出力された電圧は、コンパレータCMP2の正極側入力端子に入力される。一方、コンパレータCMP2の負極側入力端子は、抵抗R3及び抵抗R4を介して電圧源Vccと接続される。そしてコンパレータCMP2の出力端子は、抵抗R8を介して、並列接続された抵抗R9とコンデンサC4により構成される積分回路２４１の高電圧側の一端２４ａに接続される。そしてその積分回路２４１の高電圧側の他端２４ｂは、抵抗R10を介して共振回路１１のトランジスタTr1のベースと接続される。
【００６２】
発振回路１２の出力端子１２ａの電圧が、抵抗R3及びR4の抵抗値の和と抵抗R5の抵抗値との分圧により決定される第２の閾値電圧よりも低い場合、例えば、検出回路１０が発振していない場合、コンパレータCMP2の出力電圧は相対的に低くなる。そのため、積分回路２４１へ電流が流れないので、第２判定回路２４の出力電圧は相対的に低くなる。
【００６３】
一方、検出回路１０が発振して、発振回路１２の出力端子１２ａの電圧が第２の閾値電圧よりも高くなると、コンパレータCMP2の出力電圧は相対的に高くなる。そのため、積分回路２４１へ電流が流れ込むので、第２判定回路２４の出力電圧は相対的に高くなる。また、積分回路２４１により、第２判定回路２４の出力電圧は平滑化されるので、発振回路１２が発振して、その振幅が発振回路１２の出力端子の平均電圧と第２の閾値電圧の差の絶対値よりも大きい間、第２判定回路２４の出力電圧は相対的に高い値に維持され、共振回路１１のトランジスタTr1もオンの状態が維持される。
【００６４】
また、第２の閾値電圧は、抵抗R3及び抵抗R4の抵抗値の和と抵抗R5の抵抗値との分圧に依存するため、抵抗R3の抵抗値と抵抗R4及び抵抗R5の抵抗値の和との分圧に依存する第１の閾値電圧よりも低くなる。したがって、発振回路１２の出力端子の平均電圧と第２の閾値電圧の差の絶対値は、発振回路１２の出力端子の平均電圧と第１の閾値電圧の差の絶対値よりも小さい。したがって、上記の実施形態と同様に、検出回路１０が発振を停止している状態から発振を開始すると、第１判定回路２３よりも先に、第２判定回路２４の出力電圧が変化して、共振回路１１の共振周波数が切り替わる。
【００６５】
図５は、変形例による、共振回路１１の共振周波数f1を持つ電磁界が照射されていない場合における、近接センサ２の各部の電圧の時間変化を示すタイミングチャートである。
図５において、各グラフの横軸は時間を表す。一番上のグラフの縦軸は、遊技球と共振回路１１のコイルL間の距離を表す。また、上から２番目以降の各グラフの縦軸は電圧を表す。そして線５０１は、遊技球と共振回路１１のコイルL間の距離の時間変化を表す。波形５０２は、発振回路１２の出力端子１２ａの電圧の発振波形を表す。また、波形５０３、５０４は、それぞれ、第１判定回路２３の出力端子２３ｂの電圧の波形、第２判定回路２４の出力端子２４ｂの電圧の波形を表す。
【００６６】
線５０１に示されるように、時刻t1よりも前では、遊技球が共振回路１１のコイルLから十分に遠いので、検出回路１０は発振状態となり、波形５０２に示されるように、発振回路１２の出力端子１２ａの電圧も発振している。そしてその電圧の振幅は、発振回路１２の出力端子１２ａの電圧の平均値と第１の閾値電圧Th1の差の絶対値よりも大きいため、波形５０３及び５０４に示されるように、第１判定回路２３の出力電圧及び第２判定回路２４の出力電圧は、何れも、オンであることを表す相対的に高い電圧となる。
【００６７】
時刻t1以降、遊技球が共振回路１１のコイルLに近づくにつれて、発振回路１２の出力端子１２ａの電圧の振幅が徐々に小さくなる。そして時刻t2において、その振幅は、発振回路１２の出力端子１２ａの電圧の平均値と第１の閾値電圧Th1の差の絶対値よりも小さくなる。その結果、第１判定回路２３の出力電圧は、オフであることを表す相対的に低い電圧に低下する。一方、発振回路１２の出力端子１２ａの電圧の振幅は、発振回路１２の出力端子１２ａの電圧の平均値と第２の閾値電圧Th2の差の絶対値よりも大きいので、この時点では、第２判定回路２４の出力電圧は相対的に高い電圧で維持される。
【００６８】
その後、遊技球が共振回路１１にさらに近づくにつれて、発振回路１２の出力端子１２ａの電圧の振幅もさらに小さくなる。そして時刻t3になると、その振幅は、発振回路１２の出力端子１２ａの電圧の平均値と第２の閾値電圧Th2の差の絶対値よりも小さくなる。その結果、第２判定回路２４の出力電圧も、オフであることを表す相対的に低い電圧に低下する。そのため、共振回路１１のトランジスタTr1がオフとなってコンデンサC2が共振回路１１の共振に寄与しなくなるため、共振回路１１の共振周波数がf2からf1に高くなる。その共振周波数の変化に伴い、検出回路１０の発振周波数も高くなる。
【００６９】
その後、遊技球が共振回路１１のコイルLにさらに近づくにつれて、発振回路１２の出力端子１２ａの電圧の振幅もさらに小さくなり、時刻t4において検出回路１０は、発振停止状態となる。そして遊技球が共振回路１１のコイルLから離れ始めると、時刻t5において、検出回路１０は発振を再開する。
【００７０】
その後、遊技球が共振回路１１のコイルLからさらに遠ざかるにつれて、発振回路１２の出力端子１２ａの電圧の振幅は徐々に大きくなり、時刻t6において、その振幅は、発振回路１２の出力端子１２ａの電圧の平均値と第２の閾値電圧Th2の差の絶対値よりも大きくなる。その結果、第２判定回路２４の出力電圧も、相対的に高い電圧に上昇する。そのため、共振回路１１のトランジスタTr1がオンとなってコンデンサC2が共振回路１１の共振に寄与するようになるため、共振回路１１の共振周波数がf1からf2に低下する。その共振周波数の変化に伴い、検出回路１０の発振周波数も低くなる。
【００７１】
その後、遊技球が共振回路１１のコイルLからさらに遠ざかるにつれて、発振回路１２の出力端子１２ａの電圧の振幅もさらに大きくなり、時刻t7において、その振幅は、発振回路１２の出力端子１２ａの電圧の平均値と第１の閾値電圧Th1の差の絶対値よりも大きくなる。その結果、第１判定回路２３の出力電圧も、相対的に高い電圧に上昇する。
【００７２】
このように、この変形例でも、遊技球が共振回路１１の近傍を通過する度に、第１判定回路２３からの出力電圧は、相対的に高い電圧から一旦相対的に低い電圧に低下し、その後再度相対的に高い電圧に戻る。
【００７３】
図６は、共振回路１１の共振周波数f1を持つ電磁界が照射された場合における、近接センサ１の各部の電圧の時間変化を示すタイミングチャートである。
図６において、各グラフの横軸は時間を表す。一番上のグラフの縦軸は、遊技球と共振回路１１のコイルL間の距離を表す。また、上から２番目以降の各グラフの縦軸は電圧を表す。そして線６０１は、遊技球と共振回路１１のコイルL間の距離の時間変化を表す。波形６０２は、発振回路１２の出力端子１２ａの電圧の発振波形を表す。また、波形６０３、６０４は、それぞれ、第１判定回路２３の出力端子２３ｂの電圧の波形、第２判定回路２４の出力端子２４ｂの電圧の波形を表す。さらに、一番下に示される波形６０５は、共振回路１１の近傍での、共振周波数f1と同じ周波数を持つ電磁界の有無を表す。
【００７４】
この例では、時刻t1〜t5の間、共振回路１１に電磁界が照射されており、かつ、時刻t1〜時刻t6まで、遊技球が検出回路１０の発振を停止させるほど共振回路１１のコイルLの近傍に位置しているとする。
【００７５】
時刻t1〜時刻t2の間、電磁界の照射により、検出回路１０は、遊技球が近傍に存在するにも関わらず発振し、徐々に発振回路１２の出力端子１２ａの電圧の振幅は大きくなる。そして時刻t2において、その振幅が発振回路１２の出力端子１２ａの電圧の平均値と第２の閾値電圧Th2の差の絶対値よりも大きくなる。その結果、第２判定回路２４の出力電圧も、相対的に高い電圧に上昇する。そのため、共振回路１１のトランジスタTr1がオンとなってコンデンサC2が共振回路１１の共振に寄与するようになるため、共振回路１１の共振周波数がf1からf2に低下する。その共振周波数の変化により、電磁界の周波数と共振回路１１の共振周波数とが一致しなくなるので、時刻t2以降、検出回路１０の発振は徐々に弱くなる。
【００７６】
そして時刻t3になると、発振回路１２の出力端子１２ａの電圧の振幅は、発振回路１２の出力端子１２ａの電圧の平均値と第２の閾値電圧Th2の差の絶対値よりも小さくなる。その結果、第２判定回路２４の出力電圧も、相対的に低い電圧に低下する。そのため、共振回路１１のトランジスタTr1がオフとなってコンデンサC2が共振回路１１の共振に寄与しなくなるため、共振回路１１の共振周波数がf2からf1に戻る。これに伴い、共振回路１１が、電磁界と共振するようになるので、時刻t3以降、発振回路１２の出力電圧の振幅も、再度、大きくなり始める。
【００７７】
しかし、時刻t4になると、時刻t2と同様に、発振回路１２の出力端子１２ａの電圧の振幅が発振回路１２の出力端子１２ａの電圧の平均値と第２の閾値電圧Th2の差の絶対値よりも大きくなるので、第２判定回路２４の出力電圧も相対的に高い電圧に上昇して、共振回路１１のトランジスタTr1がオンとなり、共振回路１１の共振周波数がf1からf2に低下する。
【００７８】
このように、電磁界が共振回路１１に照射されている間、発振回路１２の出力電圧の振幅は、発振回路１２の出力端子１２ａの電圧の平均値と第１の閾値電圧Th1の差の絶対値より大きくなることはなく、したがって、第１判定回路２３の出力電圧も相対的に低い電圧で維持されたままとなる。そして、発振回路１２の出力電圧の振幅の増加→共振回路１１の共振周波数の低下→発振回路１２の出力電圧の振幅の減少→共振回路１１の共振周波数の上昇→発振回路１２の出力電圧の振幅の増加、が繰り返されることになる。
【００７９】
時刻t5において、共振回路１１への電磁界の照射がなくなると、その後、検出回路１０の発振も停止となる。そして、遊技球が共振回路１１のコイルLから遠ざかり始めた後、時刻t6において、検出回路１０は発振を再開する。その後、遊技球と共振回路１１のコイルL間の距離が大きくなるにつれて、発振回路１２の出力電圧の振幅は徐々に増加し、時刻t7において、発振回路１２の出力電圧の振幅は、発振回路１２の出力端子１２ａの電圧の平均値と第１の閾値電圧Th1の差の絶対値より大きくなる。その結果、第１判定回路２３の出力電圧も、相対的に高い電圧に上昇する。
【００８０】
このように、共振周波数f1と同じ周波数を持つ電磁界の共振回路１１への照射の有無にかかわらず、第１判定回路１３の出力電圧は変化しない。そのため、この変形例による近接センサ２も、そのような電磁界の照射によって誤動作しないことが分かる。
【００８１】
また他の変形例によれば、共振回路は、一つのコンデンサと二つのコイルとが並列に接続されるLC共振回路であってもよい。この場合、何れか一方のコイルと直列に、第２判定回路からの出力電圧に応じてオン・オフ制御されるトランジスタが接続されればよい。
【００８２】
図７は、この変形例による共振回路２１の回路図である。共振回路２１は、互いに並列に接続された、二つのコイルL1、L2とコンデンサCとを有する。さらに、共振回路２１は、コンデンサC及びコイルL1と並列に接続され、かつ、コイルL2と直列に接続される、スイッチの一例であるNPN型のトランジスタTr1を有する。そしてコイルL1、L2、コンデンサCの一端は、共振回路２１の高電圧側の出力端子と接続される。一方、コイルL1及びコンデンサCの他端は接地される。同様に、コイルL2の他端は、トランジスタTr1のコレクタに接地され、トランジスタTr1のエミッタは接地される。なお、トランジスタTr1とコイルL2の接続位置は互いに入れ替えられてもよい。
【００８３】
共振回路２１は、トランジスタTr1がオフのとき、コイルL1とコンデンサCとにより構成されるLC共振回路として動作する。一方、共振回路２１は、トランジスタTr1がオンのとき、二つのコイルL1、L2とコンデンサCとにより構成されるLC共振回路として動作する。そのため、共振回路２１の発振周波数は、トランジスタTr1がオフのときとオンのときとで変化する。トランジスタTr1がオフのとき、共振回路２１の共振周波数f1は次式で表される。
【数３】
0006380173.tif 000004
ここで、L1は、コイルL1のインダクタンスであり、Cは、コンデンサCの静電容量である。一方、トランジスタTr1がオンのとき、共振回路２１の共振周波数f2は次式で表される。
【数４】
0006380173.tif 000005
ここで、L2は、コイルL2のインダクタンスである。もし、L1=L2であれば、共振周波数f2は、共振周波数f1の略1.4倍となる。
このように、この変形例でも、共振回路２１は、第２判定回路からの出力電圧に応じて共振周波数を切り替えることができる。
【００８４】
さらに他の変形例によれば、近接センサの共振回路は、コイルと並列に接続されるコンデンサを３個以上有していてもよい。そしてそれらコンデンサのうちの一つ以外については、図１に示された共振回路１１のコンデンサC2と同様に、トランジスタと直列に接続されてもよい。そして共振回路の何れかのコンデンサと直列に接続されるトランジスタは、図１または図４に示された第２判定回路と同様の判定回路によって、発振回路の出力端子の電圧の振幅に応じてオンオフ制御されてもよい。この場合、各判定回路がトランジスタをオンにする閾値電圧は、互いに異なり、かつ、発振回路の出力電圧の平均値と閾値電圧の差の絶対値が、近接センサ自体の出力を与える第１判定回路の第１の閾値電圧と発振回路の出力電圧の平均値の差の絶対値よりも、小さくなるように設定されればよい。これにより、共振回路に遊技球が近接して、検出回路の発振が停止している状態から、遊技球が共振回路から遠ざかるにつれて検出回路が発振を開始する際、その発振による、検出回路の出力電圧の振幅の増加につれて３段階以上、共振周波数が切り替わることになる。そのため、この変形例による近接センサは、照射される電磁界の周波数が２段階で切り替え可能な場合でも、その電磁界による誤動作を抑制することができる。
【００８５】
図８は、上記の実施形態または変形例による近接センサ１０８の外観斜視図である。近接センサ１０８は、樹脂製の筐体３１内に設けられた基板（図示せず）上に、上記の実施形態または変形例で示された回路を有する。そして筐体３１の一端側には、遊技球が通過可能な通過孔３２が形成されており、この通過孔３２の周囲を覆うように、共振回路のコイルが設けられている。すなわち、遊技球が通過孔３２を通過する際、その遊技球は、共振回路のコイルの内部も通過する。
【００８６】
図９は、上記の実施形態または変形例による近接センサが搭載される遊技機の概略斜視図である。図９に示すように、遊技機１００は、上部から中央部の大部分の領域に設けられ、遊技機本体である遊技盤１０１と、遊技盤１０１の下方に配設された球受け部１０２と、ハンドルを備えた操作部１０３と、遊技盤１０１の略中央に設けられた表示装置１０４とを有する。
【００８７】
また遊技盤１０１の側方にはレール１０５が配設されている。また遊技盤１０１上には遊技球が流下する複数の経路を規定する多数の障害釘１０６及び何れかの経路上に少なくとも一つの入賞装置１０７が設けられている。そして各入賞装置１０７には、遊技球が入賞装置１０７に入ったことを検知するために、近接センサ１０８が、その通過孔３２が入賞装置１０７に入った遊技球の経路上に位置するように配置される。
【００８８】
そして遊技機１００の背面には、例えば、遊技機１００全体を制御する主制御回路（図示せず）、及び、表示装置１０４及びスピーカ（図示せず）といった、遊技の演出に関連する各部を制御するサブ制御回路（図示せず）などが配置されている。
【００８９】
操作部１０３は、遊技者の操作によるハンドルの回動量に応じて図示しない発射装置より所定の力で遊技球を発射する。発射された遊技球は、レール１０５に沿って上方へ移動し、多数の障害釘１０６の間を落下する。そして遊技球が何れかの入賞装置１０７に入ったことを、近接センサ１０８により検知すると、遊技盤１０１の背面に設けられた主制御回路（図示せず）は、遊技球が入った入賞装置１０７に応じた所定個の遊技球を玉払い出し装置（図示せず）を介して球受け部１０２へ払い出す。
【００９０】
このように、当業者は、本発明の範囲内で、実施される形態に合わせて様々な変更を行うことができる。
【符号の説明】
【００９１】
１、２    近接センサ
１０    検出回路
１１、２１    共振回路
１２    発振回路
１３、２３    第１判定回路
１４、２４    第２判定回路
１５    出力回路
１００    遊技機
１０１    遊技盤
１０２    球受け部
１０３    操作部
１０４    表示装置
１０５    レール
１０６    障害釘
１０７    入賞装置
１０８    近接センサ
L、L1、L2    コイル
C、C1〜C3    コンデンサ
R1〜R10    抵抗
CMP1、CMP2    コンパレータ
Tr1〜Tr9    トランジスタ
【図１】
0006380173.tif 000006
【図２】
0006380173.tif 000007
【図３】
0006380173.tif 000008
【図４】
0006380173.tif 000009
【図５】
0006380173.tif 000010
【図６】
0006380173.tif 000011
【図７】
0006380173.tif 000012
【図８】
0006380173.tif 000013
【図９】
0006380173.tif 000014