(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
酸素含有官能基を有する酸化グラフェンを含む酸化グラフェン膜をヨウ化水素及びアルコールを含む流体と接触させて、前記酸化グラフェン膜中の前記酸素含有官能基の一部又は全部を還元する工程を備える、グラフェン膜の製造方法。
【請求項２】
前記流体における、前記アルコールの体積に対する前記ヨウ化水素の体積の比が０．４未満である、請求項１に記載の製造方法。
【請求項３】
前記流体の圧力が前記アルコールの臨界圧力以下である、請求項１又は２に記載の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、グラフェン膜の製造方法、並びにグラフェン膜及びこれを用いた積層体に関する。
【背景技術】
【０００２】
グラフェンは、１炭素原子の厚さのｓｐ２結合を形成する炭素原子から構成されるシート状の二次元材料であり、化学気相成長法により製造されることが多い。しかし、この製造方法では、１０００℃の高温と触媒が必要で、また続いて転写プロセスも必要とする。これに対して、より簡易な方法として、グラファイトの酸化により得られる酸化グラフェンを還元して、グラフェン又はグラフェン膜（グラフェン薄膜又はグラフェン自己保持膜）を製造する方法が検討されている（例えば、非特許文献１、２）。この製造方法により得られるグラフェンは、還元型酸化グラフェンと称されることがある。還元型酸化グラフェン中には、酸化グラフェンが有していた酸素含有官能基の一部が残存していることが多い。そのため、還元型酸化グラフェンは、グラフェンと酸化グラフェンとの中間に位置する材料として位置付けることができる。
【０００３】
酸化グラフェンの還元による方法は、還元の程度等を調節することでグラフェン膜の電気伝導率を広い範囲で制御できる、グラフェン膜の膜厚等の自由度が高く自己保持性のグラフェン膜の製造が可能である等の点で、化学気相成長法よりも優れている。
【先行技術文献】
【非特許文献】
【０００４】
【非特許文献１】Advanced  Materials  Research,  2014,  1004-1005,  1013-1016
【非特許文献２】Nature  Communications  1,  Article  number:  73,  doi:10.1038/ncomms1067
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかし、酸化グラフェンの還元により得られるグラフェン膜の電気伝導率は、比較的低いものにとどまっており、より高い電気伝導率を含む広い範囲の電気伝導率を実現できることが望まれる。
【０００６】
そこで本発明の主な目的は、酸化グラフェンの還元により、高い電気伝導率を含む広い範囲の電気伝導率を有するグラフェン膜の製造を可能にすることにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明者は、上記課題を解決するために鋭意研究したところ、アルコール及びヨウ化水素を組み合わせることで、従来の還元型酸化グラフェン膜と比較して非常に高い電気伝導率を有するグラフェン膜を製造できることを見出し、本発明を完成するに至った。
【０００８】
すなわち、本発明は、酸素含有官能基を有する酸化グラフェンを含む酸化グラフェン膜をヨウ化水素及びアルコールを含む流体と接触させて、前記酸化グラフェン膜中の前記酸素含有官能基の一部又は全部を還元する工程を備える、グラフェン膜の製造方法を提供する。
【０００９】
上記流体における、アルコールの体積に対するヨウ化水素の体積の比が０．４未満であってもよい。このように少量のヨウ化水素であっても、上記方法によれば効率的にグラフェン膜を製造することができる。
【００１０】
上記流体の圧力は、アルコールの臨界圧力以下であってもよい。このような温和な条件であっても、上記方法によれば効率的にグラフェン膜を製造することができる。
【００１１】
別の側面において、本発明は、酸素含有官能基を有する酸化グラフェンを含むグラフェン膜を提供する。本発明の一側面に係るグラフェン膜は下記式（１）を満たすシート抵抗Ｒｓ（ｋΩ／□）を有する。
Ｒｓ≦０．１５×Ｔ＋１．４４×１０７×（１０３−Ｔ）−４．３  （１）
（Ｔ：グラフェン膜の厚み方向における光透過率（％））
【００１２】
さらに別の側面において、本発明は、絶縁性基板と、前記絶縁性基板上に設けられた上記グラフェン膜と、を備える、積層体を提供する。本発明に係るグラフェン膜は、絶縁性基板上であっても、容易に形成されることができる。
【発明の効果】
【００１３】
本発明によれば、酸化グラフェンの還元により、高い電気伝導率を含む広い範囲の電気伝導率を有するグラフェン膜の製造を可能にすることができる。本発明の方法にも用いられるヨウ化水素は、ヒドラジン等の他の還元剤と比較して安全性が高く、取り扱いが容易である。しかも、ヨウ化水素の使用量を少なくすることが可能であり、環境負荷が低減されることも期待できる。
【図面の簡単な説明】
【００１４】
【図１】実施例１のグラフェン膜及び酸化グラフェン膜のＸＲＤスペクトルである。横軸は回折角（２θ）、縦軸はピーク強度を示す。
【図２】実施例１のグラフェン膜及び酸化グラフェン膜の熱重量変化スペクトルである。横軸は温度、縦軸は質量残存率を示す。
【図３】実施例１のグラフェン膜及びグラファイトのラマンスペクトルである。横軸はラマンシフト、縦軸はピーク強度を示す。
【図４】実施例２及び比較例３のグラフェン膜の光透過率に対するシート抵抗を示すグラフである。横軸は光透過率（Ｔ）、縦軸はシート抵抗（Ｒｓ）を示す。破線はＲｓ＝０．１５×Ｔ＋１．４４×１０７×（１０３−Ｔ）−４．３の曲線を示す。
【発明を実施するための形態】
【００１５】
以下、本発明の好適な実施形態について説明する。ただし、本発明は下記実施形態に何ら限定されるものではない。
【００１６】
本明細書において、「酸化グラフェン膜」は、グラファイトの酸化により形成された酸化グラフェンを成膜したときに形成される膜を意味する。「グラフェン膜」とは、酸化グラフェン膜中の酸素含有官能基の一部又は全部を還元することによって形成される膜を意味し、「還元型酸化グラフェン膜」と称されることもある。グラフェン膜は、還元されずに残存する酸素含有官能基を有する酸化グラフェンを含み得る。酸化グラフェン膜及びグラフェン膜は、薄膜（酸化グラフェン薄膜若しくはグラフェン薄膜）、又は自己保持膜（酸化グラフェン自己保持膜若しくはグラフェン自己保持膜）であり得る。「薄膜」は、基板上に形成された、自己で膜の形態を保持できない態様の膜を意味する。「自己保持膜」は、基板無しに自己で膜の形態を保持できる膜を意味する。グラフェン自己保持膜は、複数のグラフェン薄膜から構成される積層体であり得る。
【００１７】
グラフェン膜の製造方法
一実施形態に係るグラフェン膜の製造方法は、グラファイトを酸化して、酸素含有官能基を有する酸化グラフェンを得る工程と、酸化グラフェンを含む酸化グラフェン膜を形成する工程と、酸化グラフェン膜中の酸素含有官能基の一部又は全部を還元する工程とを備える。
【００１８】
酸化グラフェンは、例えば、非特許文献１に記載のハマーズ法によるグラファイトの酸化によって得ることができる。ハマーズ法は、一般に、グラファイトを過硫酸アンモニウム、五酸化二リン及び硫酸から選ばれる化合物との反応により前処理する工程（第一段階）と、前処理されたグラファイトを硫酸及び強い酸化剤（例えば、過マンガン酸カリウム）で酸化する工程（第二段階）とを含む。通常、前処理後のグラファイトは水で洗浄し、乾燥してから第二段階に供される。第二段階で酸化されたグラファイト（酸化グラフェン）は、過酸化水素、塩酸及び水等により洗浄してもよい。
【００１９】
酸化グラフェンは、グラファイトを酸化することによって生成した酸素含有官能基を有する。酸素含有官能基は、例えば、エポキシ基（−ＣＯＣ−）、水酸基（−ＯＨ）、カルボニル基（−ＣＯ−）、及びカルボキシ基（−ＣＯＯＨ）から選ばれる少なくとも１種の官能基を含み得る。
【００２０】
酸化グラフェンを成膜することで、酸化グラフェン自己保持膜を形成することができる。酸化グラフェン自己保持膜は、例えば、酸化グラフェンの分散液を調製し、この分散液をろ過膜によってろ過し、ろ過膜上に形成された膜を乾燥することによって得ることができる。分散液の溶媒としては、水、エタノール等が挙げられる。
【００２１】
あるいは、基板上に酸化グラフェン薄膜を形成してもよい。これにより、基板及び該基板上に設けられた酸化グラフェン薄膜を有する積層体を製造することができる。基板上の酸化グラフェン薄膜は、例えば、酸化グラフェンを含む分散液又は溶液を基板に塗布し、塗布された分散液又は溶液を乾燥する方法により、得ることができる。分散液又は溶液を基板に塗布する方法としては、スピンコート法、ディップコート法、スプレー法等が挙げられる。
【００２２】
基板は、特に制限されないが、ガラス基板、石英基板、プラスチック基板等の絶縁性基板から選ばれ得る。本実施形態に係る方法は、化学気相成長法における４００℃以上（通常は１０００℃）のような高温での処理が必ずしも必要としないことから、プラスチック基板のような耐熱性が比較的低い基板を使用することができる。基板の表面を、ＵＶオゾン洗浄機等を用いて予め親水化処理してもよい。
【００２３】
酸化グラフェン膜の膜厚は、特に制限されないが、酸化グラフェン自己保持膜の場合、例えば、１〜５００μｍであってもよく、酸化グラフェン薄膜の場合、例えば、０．００１μｍ以上１μｍ未満であってもよい。
【００２４】
酸化グラフェン膜中の酸化グラフェンが有する酸素含有官能基を還元することにより、ｓｐ３結合の炭素がｓｐ２結合の炭素に変換され、還元前の非導電性の酸化グラフェン膜と比較して高い電気伝導性を有するグラフェン膜が形成される。還元工程の前に、酸化グラフェン膜を乾燥しておいてもよい。乾燥は、例えば、減圧又は真空下で４５℃以下の加熱により行うことができる。
【００２５】
酸素含有官能基の還元は、酸化グラフェン膜をヨウ化水素及びアルコールを含む流体と接触させることにより、行うことができる。酸化グラフェン膜が基板上に設けられている場合（酸化グラフェン薄膜の場合）、酸化グラフェン膜は基板とともに還元工程に供されてもよい。還元工程に用いられる流体は、気体、液体、超臨界流体又はこれらの組み合わせであり得る。アルコールは、例えば、エタノールであってもよい。
【００２６】
例えば、反応容器中に酸化グラフェン膜、ヨウ化水素及びアルコールを入れ、反応容器を密閉してから、反応容器中の温度及び圧力を、還元反応が進行するような条件に調整することができる。
【００２７】
還元工程における流体の圧力（絶対圧力）は、アルコールの臨界圧力以下（エタノールの場合、６．１４ＭＰａ以下）であってもよい。本実施形態に係る方法では、ヨウ化水素とアルコールとを組み合わせていることから、アルコールの超臨界流体が形成されるような高圧の条件でなくとも、十分効率的に還元反応を進行させることができる。流体の圧力を臨界圧力以下まで低くすることにより、耐高圧（例えば、９ＭＰａ）用の容器が不要となるため、コストを抑えることが可能となる。同様の観点から、流体の絶対圧力は、２ＭＰａ以下又は１ＭＰａ以下であってもよい。流体の絶対圧力の下限値は、特に制限されないが、適切な反応速度等の観点から、例えば、０．１ＭＰａ（大気圧）以上であってもよい。
【００２８】
還元工程における流体の温度は、適切な反応速度等の観点から、例えば、４００℃以下又は３００℃以下であってもよく、１５０℃以上又は２００℃以上であってもよい。
【００２９】
還元の反応時間は、特に制限されないが、例えば、１〜８時間又は２〜５時間であってもよい。
【００３０】
反応容器は、還元工程中の流体の圧力及び温度に耐えられるものであれば、特に制限されない。反応容器は、例えば、ステンレス反応管であってもよい。
【００３１】
還元工程における流体は、空気を含んでいてもよい。本実施形態に係る還元工程は、特に窒素、アルゴン等の不活性ガスに置換することなく、空気雰囲気下で行うことができる。
【００３２】
流体中のアルコールの体積に対するヨウ化水素の体積の比は０．４未満、０．２以下、０．１以下、又は０．０８以下であってもよい。このようにヨウ化水素の比率が小さい場合であっても、電気伝導率が十分に高いグラフェン膜を得ることができる。電気伝導率等の観点から、ヨウ化水素の体積の比は、例えば、０．０００５以上又は０．００５以上であってもよい。
【００３３】
還元反応を終えた後、形成されたグラフェン膜を、エタノール等で洗浄してもよい。
【００３４】
以上説明した方法により得られるグラフェン膜は、還元型酸化グラフェン膜である。このグラフェン膜は、酸素含有官能基を有する酸化グラフェンを実質的に含んでいなくてもよいし、含んでいてもよい。酸化グラフェンを含むグラフェン膜は、化学気相成長法等により形成される実質的に純粋なグラフェン膜と比較して、多機能性を有することができる。還元の程度等を調整することで、得られるグラフェン膜の親水性（又は疎水性）、電気伝導性、プロトン伝導性等の特性を、広い範囲で制御することができる。また、酸素含有官能基を利用して、グラフェン膜に種々の機能を付与できることも期待される。
【００３５】
また、還元型酸化グラフェン膜（グラフェン膜、特にグラフェン薄膜）は、そのシート抵抗Ｒｓ（ｋΩ／□）が下記式（１）又は（１）’を満たすような、高い電気伝導率を有し得る。光透過率は、波長５５０ｎｍの光の透過率である。一般に、光透過率の値が高いことは、グラフェン膜の膜厚が薄いことに対応する。
Ｒｓ≦０．１５×Ｔ＋１．４４×１０７×（１０３−Ｔ）−４．３  （１）
Ｒｓ≦０．１２×Ｔ＋１．２×１０７×（１０３−Ｔ）−４．６  （１）’
（Ｔ：グラフェン膜の厚み方向における光透過率（％））
【００３６】
グラフェン膜のシート抵抗の下限は、特に制限されないが、例えば、０．００１ｋΩ／□以上、０．０５ｋΩ／□以上、又は１．０ｋΩ／□以上であってもよい。
【００３７】
還元型酸化グラフェン膜は、光透過率Ｔが５０〜１００％の範囲で、式（１）又は式（１）’を満たしていてもよい。
【００３８】
グラフェン膜の膜厚は、特に制限されないが、グラフェン自己保持膜の場合、例えば、１〜５００μｍであってもよく、グラフェン薄膜の場合、例えば、０．００１μｍ以上１μｍ未満であってもよい。
【実施例】
【００３９】
以下、本発明の内容を実施例及び比較例を用いてより詳細に説明する。ただし、本発明は以下の実施例に限定されるものではない。
【００４０】
実施例１
１．酸化グラフェン自己保持膜の作製（グラファイトの酸化及び酸化グラフェンの成膜）
酸化グラフェンの分散液（分散媒体：水）を、非特許文献１に記載の方法に準じたハマーズ法によって調製した。得られた酸化グラフェン分散液を減圧ろ過して、ろ過膜上に酸化グラフェンの膜を形成させた。この膜を室温で乾燥させて、自己保持性の酸化グラフェン膜（酸化グラフェン自己保持膜）を得た。
【００４１】
２．グラフェン膜の作製（酸化グラフェン自己保持膜の還元）
ヒーター及び圧力計が装着された内容量７５ｍＬのステンレス反応管に酸化グラフェン自己保持膜及びエタノール（５０ｍＬ）を加え、さらにヨウ化水素（０．３ｍＬ）を添加し、反応管を密閉した。この際、反応管内の空気は置換しなかった。酸化グラフェン自己保持膜は、減圧下で４５℃の加熱により予め乾燥しておいた。反応管内の圧力を１ＭＰａに調整し、３００℃で４時間の加熱により、還元反応を進行させた。反応管を氷浴で室温まで冷却し、実施例１のグラフェン自己保持膜を得た。グラフェン膜の膜厚は７．５μｍであった。グラフェン膜の膜厚はＳＥＭ（走査型電子顕微鏡）で得られた断面画像を用いて測定した。
【００４２】
３．評価
（１）電気伝導性
グラフェン膜のシート抵抗は、４探針抵抗率測定器Σ−５＋（エヌピイエス株式会社製）を用いて室温で測定した。
グラフェン膜のシート抵抗は８．３Ω／□であった。これと膜厚より計算されるグラフェン膜の電気伝導率は１６０６４Ｓ／ｍであった。
【００４３】
（２）Ｘ線回折
グラフェン膜及び還元前の酸化グラフェン膜の回析角５〜６０°におけるＸＲＤスペクトルを図１に示す。ＸＲＤスペクトルはＲＩＮＴ  Ｕｌｔｉｍａ  ＩＩＩ  薄膜ＸＲＤ（株式会社リガク製）を用いて測定した。酸化グラフェン膜では、２θ＝１０．１２°（層間距離０．８７３ｎｍ）にピークが観測されたのに対して、グラフェン膜では、２θ＝２４．６０°（層間距離０．３６２ｎｍ）にピークが観測された。この結果は、酸化グラフェン膜中にあった酸素含有官能基のうち大部分が還元されたことを示唆する。
【００４４】
（３）熱重量分析
グラフェン膜及び酸化グラフェン膜の熱重量変化スペクトルを図２に示す。熱重量変化スペクトルは、ＤＴＧ−６０Ａ  熱分析装置（株式会社島津製作所製）を用いて測定した。酸化グラフェン膜では２００℃前後で大きな質量減少が観測され、これは酸化グラフェン膜がグラファイトの酸化により形成された酸素含有官能基を有することを示す。酸化グラフェン膜の５００℃での質量減少率は約３７％であった。これに対して、実施例１のグラフェン膜の質量減少率は約１０％であり、大きな質量減少は認められなかった。これも、酸化グラフェン膜中の酸素含有官能基のうち大部分が還元されたことを示唆する。
【００４５】
（４）ラマンスペクトル
グラフェン膜及びグラファイトのラマンスペクトルを図３に示す。ラマンスペクトルは、ＮＲＳ−７２００（日本分光株式会社製）を用いて測定した。グラフェン膜のラマンスペクトルにおいて、Ｇバンド（１５８０ｃｍ−１付近）の強度に対するＤバンド（１３５０ｃｍ−１付近）の強度の比はグラファイトと同様に１未満であったが、Ｄバンドが顕著に観測された。これは、グラファイトから酸化グラフェンを合成する際に、グラファイトの結晶構造の一部が崩壊して生じた結晶欠陥が、グラフェン膜中に残っていること等に起因すると推察される。すなわち、グラフェン膜中に、酸素含有官能基の一部が残存していることが示唆される。
【００４６】
比較例１
実施例１と同様の方法により得た酸化グラフェン自己保持膜を、非特許文献１に記載の超臨界状態のエタノールを用いた方法に準じた方法により処理して、比較例１のグラフェン膜を得た。すなわち、酸化グラフェン自己保持膜及びエタノール（６５ｍＬ）をステンレス反応管に加え、密閉した反応管内で、圧力９ＭＰａ、３００℃で４時間の加熱により、還元反応を進行させた。得られたグラフェン膜の膜厚は１４．４μｍ、シート抵抗は２１．６Ω／□であり、これより計算されるグラフェン膜の電気伝導率は３２１５Ｓ／ｍであった。
【００４７】
比較例２
実施例１と同様の方法により得た酸化グラフェン自己保持膜を、非特許文献２に記載のヨウ化水素及び酢酸を用いた方法に準じた方法により処理して、比較例２のグラフェン膜を得た。すなわち、酸化グラフェン自己保持膜、ヨウ化水素（２ｍＬ）及び酢酸（５ｍＬ）を反応管に加え、密閉した反応器内で、真空圧（１０−１Ｐａ）、４０℃で２４時間の加熱により、還元反応を進行させた。得られたグラフェン膜の膜厚は６．５μｍ、シート抵抗は１９．６Ω／□であり、これより計算されるグラフェン膜の電気伝導率は７８５０Ｓ／ｍであった。
【００４８】
実施例１及び比較例１、２のグラフェン膜の製造方法、膜厚、シート抵抗及び電気伝導率を表１に示す。
【００４９】
【表１】
0006430754.tif 000002
【００５０】
実施例２
１．酸化グラフェン薄膜の作製（グラファイトの酸化及び酸化グラフェンの成膜）
酸化グラフェンの分散液を、実施例１と同様に、ハマーズ法によって調製した。ＵＶオゾン親水化処理したガラス基板上に、酸化グラフェンの分散液をスプレー法によって塗布し、酸化グラフェン薄膜を形成した。
【００５１】
２．グラフェン薄膜の作製（酸化グラフェン薄膜の還元）
ヒーター及び圧力計が装着された内容量７５ｍＬのステンレス反応管に酸化グラフェン薄膜が設けられているガラス基板及びエタノール（５０ｍＬ）を加え、さらにヨウ化水素（０．３ｍＬ）を添加し、反応管を密閉した。この際、反応管内の空気は置換しなかった。酸化グラフェン膜が設けられている基板は、減圧下で４５℃の加熱により予め乾燥しておいた。反応管内の圧力を１ＭＰａに調整し、３００℃で４時間の加熱により、還元反応を進行させた。反応管を氷浴で室温まで冷却し、実施例２のグラフェン薄膜を得た。グラフェン薄膜の光透過率として、分光光度計を用いて、５５０ｎｍの光の透過率（＝（透過光の強度／入射光の強度）×１００）を測定した。
【００５２】
比較例３
実施例２と同様の方法により得た酸化グラフェン薄膜を、非特許文献１に記載の超臨界状態のエタノールを用いた方法に準じた方法により処理して、比較例３のグラフェン膜を得た。すなわち、酸化グラフェン薄膜が設けられているガラス基板及びエタノール（６５ｍＬ）をステンレス反応管に加え、密閉した反応管内で、圧力９ＭＰａ、３００℃で４時間の加熱により、還元反応を進行させた。
【００５３】
実施例２と同様の方法によって、光透過率の異なる酸化グラフェン薄膜及びグラフェン薄膜を作製し、その光透過率及びシート抵抗を測定した。図４は、グラフェン膜のシート抵抗Ｒｓと光透過率Ｔとの関係を示すグラフである。シート抵抗は、光透過率の増加、すなわち膜厚の減少にともなって増加する傾向にあるが、同程度の光透過率（膜厚）で比較すると、実施例２のグラフェン膜は比較例３のグラフェン膜と比較して、シート抵抗が低い（電気伝導率が大きい）ことが確認された。図４には、Ｒｓ＝０．１５×Ｔ＋１．４４×１０７×（１０３−Ｔ）−４．３に対応する曲線（破線）も示しており、実施例２のグラフェン膜のシート抵抗Ｒｓは、式（１）を満たすものであることも確認された。図４には、Ｒｓ＝０．１２×Ｔ＋１．２×１０７×（１０３−Ｔ）−４．６に対応する曲線（二点鎖線）及びＲｓ＝０．０８×Ｔ＋３．２×１０6×（１０３−Ｔ）−４．６に対応する曲線（一点鎖線）も示した。
【００５４】
実施例３〜７
エタノール及びヨウ化水素の量を表２に示すものに変更した以外は、実施例１と同様にして、実施例３〜７のグラフェン薄膜を得た。実施例２〜７のグラフェン薄膜の光透過率８０％におけるシート抵抗を表２に示す。
【００５５】
【表２】
0006430754.tif 000003
【産業上の利用可能性】
【００５６】
本発明に係る方法により得られるグラフェン膜は、例えば、光透過性、電気伝導性などを利用した透明電極、折り曲げ可能な大型タッチパネル又はレーザ部材への応用、高電流密度耐性などを利用した配線材料への応用、化学的な鋭敏性及び化学反応などを利用した化学センサー又は水素貯蔵材料へ応用、機械的強度及び軽元素材料などを利用したメカニカルセンサー又はＭＥＭＳ（Ｍｉｃｒｏ  Ｅｌｅｃｔｒｏ  Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ  Ｓｙｓｔｅｍｓ）デバイスへの応用、高い移動度及び２次元性などを利用した高速トランジスタ、スピンデバイス、単電子トランジスタ又は半導体メモリーへの応用が期待できる。
【００５７】
更に、グラフェン膜と様々な基質材料との組み合わせは、熱伝導材料、高機能触媒材料、ハイブリッド導電性材料、太陽電池、各種薄型表示装置、スーパーキャパシター電極、酸素還元電極触媒、帯電防止膜、並びに金属粒子等のナノ粒子の酸化防止（保護）、完全ガスバリア材などとしての可能性が想定される。
【００５８】
加えて、グラフェン膜の材料そのものが極めて安価である点を考慮すると、金属の使用量の低減又は貴金属フリーの導電材料としての利用も期待される。
【図１】
0006430754.tif 000004
【図２】
0006430754.tif 000005
【図３】
0006430754.tif 000006
【図４】
0006430754.tif 000007