(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に犠牲層を形成するステップと、
前記犠牲層上にシルセスキオキサンによる薄膜トランジスタ形成層を形成するステップと、
前記薄膜トランジスタ形成層上に薄膜トランジスタ配線を形成するステップと、
前記薄膜トランジスタ配線が形成された前記薄膜トランジスタ形成層を剥離するステップと、
剥離した前記薄膜トランジスタ形成層を、他の基板に転写するステップと、
を備えたことを特徴とする薄膜トランジスタの製造方法。
【請求項２】
前記薄膜トランジスタ形成層を形成するステップは、
前記シルセスキオキサンを前記犠牲層上に塗布するステップと、
塗布された前記シルセスキオキサンを硬化させるステップと、を含む
ことを特徴とする請求項１に記載の薄膜トランジスタの製造方法。
【請求項３】
前記シルセスキオキサンは、ケージ型またはアモルファス型である
ことを特徴とする請求項１に記載の薄膜トランジスタの製造方法。
【請求項４】
前記シルセスキオキサンは、５００℃の耐熱温度を有する
ことを特徴とする請求項１に記載の薄膜トランジスタの製造方法。
【請求項５】
前記他の基板は、フレキシブル基板である
ことを特徴とする請求項１に記載の薄膜トランジスタの製造方法。
【請求項６】
前記薄膜トランジスタ形成層を剥離するステップは、
前記犠牲層をレーザアブレーションで破壊するステップを含む
ことを特徴とする請求項１に記載の薄膜トランジスタの製造方法。
【請求項７】
基板上に犠牲層を形成するステップと、
前記犠牲層上にシルセスキオキサンによる薄膜トランジスタ形成層を形成するステップと、
前記薄膜トランジスタ形成層上に薄膜トランジスタ配線を形成するステップと、
前記薄膜トランジスタ配線が形成された前記薄膜トランジスタ形成層を剥離するステップと、
剥離した前記薄膜トランジスタ形成層を、他の基板に転写するステップと、
を備えたことを特徴とするボトムエミッション型の有機ＥＬディスプレイの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ：Ｔｈｉｎ  Ｆｉｌｍ  Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）およびその製造方法、並びにＴＦＴを用いた表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来から、例えばガラス基板上にＴＦＴを形成し、ガラス基板からＴＦＴを剥離させ、剥離したＴＦＴを他の基板に転写することで、薄膜デバイスを製造する方法が知られている（例えば、特許文献１参照）。以下、図面を参照しながら、薄膜デバイスの製造方法について説明する。
【０００３】
図２は、従来の薄膜デバイスの製造方法を示す説明図である。
まず、ガラス基板５１上に、例えばアモルファスシリコン（ａ−Ｓｉ：ａｍｏｒｐｈｏｕｓ  Ｓｉｌｉｃｏｎ）で犠牲層５２を形成し、犠牲層５２上にポリイミド（Ｐｏｌｙｉｍｉｄｅ、以下「ＰＩ」と称する）を塗布して硬化させ、ＴＦＴ形成層５３を形成する（図２（ａ）参照）。
【０００４】
続いて、ＰＩで形成されたＴＦＴ形成層５３上に、ＴＦＴプロセスを用いて、ＴＦＴ配線５４を形成する（図２（ｂ）参照）。なお、ＴＦＴプロセスは、一般的なガラス基板の場合と同様なので、説明を省略する。また、以下、ＴＦＴ形成層５３とＴＦＴ配線５４とを合わせたものを、単に「ＴＦＴ」と称することもある。
【０００５】
次に、犠牲層５２を、例えばレーザアブレーション（Ｌａｓｅｒ  Ａｂｌａｔｉｏｎ）等によって破壊し、ＴＦＴ配線５４が形成されたＴＦＴ形成層５３を、ガラス基板５１から剥離させる（図２（ｃ）参照）。なお、ａ−Ｓｉにレーザを照射することで、ａ−Ｓｉ中の水素が気体化して接触面積が小さくなることにより、剥離が可能になる。
【０００６】
続いて、剥離したＴＦＴ形成層５３を、例えばフレキシブル（Ｆｌｅｘｉｂｌｅ）基板５５に転写し（貼り付け）、フレキシブルな薄膜デバイスを製造する（図２（ｄ）参照）。なお、犠牲層の種類、犠牲層の破壊方法、およびＴＦＴ形成層の転写方法は、上述したものに限定されず、多種多様である。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特開平１０−１２５９３１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
従来は、ＴＦＴを形成する際に、ＴＦＴ形成層としてＰＩが用いられている。ここで、ＰＩは、耐熱性（耐熱温度５００℃程度）および耐薬品性に優れるとともに、塗布法によりＴＦＴ形成層を形成することができるので、広く用いられている。
【０００９】
しかしながら、ＰＩは、オレンジ色（茶色）に着色しているので、ＰＩをＴＦＴ形成層として形成されたＴＦＴを、ボトムエミッション（Ｂｏｔｔｏｍ  Ｅｍｉｓｓｉｏｎ）型の有機ＥＬディスプレイ（ＯＬＥＤ：Ｏｒｇａｎｉｃ  Ｌｉｇｈｔ  Ｅｍｉｔｔｉｎｇ  Ｄｉｓｐｌａｙ）や液晶ディスプレイ（ＬＣＤ：Ｌｉｑｕｉｄ  Ｃｒｙｓｔａｌ  Ｄｉｓｐｌａｙ）に適用することができないという問題がある。
【００１０】
なお、透明ＰＩと呼ばれるものも存在しているが、耐熱温度が３００℃程度以下なので、一般的なＴＦＴプロセス（低温ポリシリコン（ＬＴＰＳ：Ｌｏｗ  Ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ  Ｐｏｌｙ  Ｓｉｌｉｃｏｎ）工程やａ−Ｓｉ工程）に適用することができない。
【００１１】
すなわち、ＰＩの耐熱性を高めるためには、分子のパッキング（Ｐａｃｋｉｎｇ）を強める必要があるが、パッキングを強めると、電荷移動相互作用が高まって、着色を生じることになる。
【００１２】
また、ＰＩには、波長４００ｎｍの近辺に透過率の低い（９０％程度）領域（光を吸収する領域）が存在するので、ＰＩをＴＦＴ形成層として形成されたＴＦＴを、ディスプレイに適用した場合には、色が赤っぽくなるという問題もある。
【００１３】
この発明は、上記のような課題を解決するためになされたものであり、透明度の高い薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）、およびこのような薄膜トランジスタの製造方法、並びにこのような薄膜トランジスタを用いた表示装置を得ることを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１５】
また、この発明に係る薄膜トランジスタの製造方法は、基板上に犠牲層を形成するステップと、犠牲層上にシルセスキオキサンによる薄膜トランジスタ形成層を形成するステップと、薄膜トランジスタ形成層上に薄膜トランジスタ配線を形成するステップと、薄膜トランジスタ配線が形成された薄膜トランジスタ形成層を剥離するステップと、剥離した薄膜トランジスタ形成層を、他の基板に転写するステップと、を備えたものである。
【発明の効果】
【００１７】
この発明に係る薄膜トランジスタによれば、シルセスキオキサンで形成された薄膜トランジスタ形成層と、薄膜トランジスタ形成層上に形成された薄膜トランジスタ配線と、を備えている。
また、この発明に係る薄膜トランジスタの製造方法によれば、基板上に犠牲層を形成するステップと、犠牲層上にシルセスキオキサンによる薄膜トランジスタ形成層を形成するステップと、薄膜トランジスタ形成層上に薄膜トランジスタ配線を形成するステップと、を備えている。
また、この発明に係る表示装置によれば、上述した薄膜トランジスタを用いている。
ここで、シルセスキオキサンは、耐熱性および耐薬品性に優れるとともに、透明性の高い材料である。
そのため、透明度の高い薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）、およびこのような薄膜トランジスタの製造方法、並びにこのような薄膜トランジスタを用いた表示装置を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１８】
【図１】この発明の実施の形態１に係る表示装置の製造方法を示す説明図である。
【図２】従来の薄膜デバイスの製造方法を示す説明図である。
【発明を実施するための形態】
【００１９】
以下、この発明に係る薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）およびその製造方法、並びに表示装置の好適な実施の形態につき図面を用いて説明するが、各図において同一、または相当する部分については、同一符号を付して説明する。
【００２０】
実施の形態１．
図１は、この発明の実施の形態１に係る表示装置の製造方法を示す説明図である。この発明の実施の形態１では、ＴＦＴ形成層として、上述したＰＩに代えて、シルセスキオキサン（Ｓｉｌｓｅｓｑｕｉｏｘａｎｅ、以下「ＳＳＱ」と称する）を用いている。
【００２１】
まず、耐熱性に優れた基板（例えば、ガラス基板１）上に、例えばａ−Ｓｉで犠牲層２を形成し、犠牲層２上にＳＳＱを塗布して硬化させ、薄膜トランジスタ形成層（ＴＦＴ形成層）３を形成する（図１（ａ）参照）。なお、ＳＳＱの構造としては、ケージ（Ｃａｇｅ）型、アモルファス（Ａｍｏｒｐｈｏｕｓ）型またはラダー（Ｌａｄｄｅｒ）型のものが用いられる。
【００２２】
続いて、ＳＳＱで形成されたＴＦＴ形成層３上に、ＴＦＴプロセスを用いて、薄膜トランジスタ配線（ＴＦＴ配線）４を形成する（図１（ｂ）参照）。なお、ＴＦＴプロセスは、一般的なガラス基板の場合と同様なので、説明を省略する。また、以下、ＴＦＴ形成層３とＴＦＴ配線４とを合わせたものを、単に「ＴＦＴ」と称することもある。
【００２３】
ここで、ＴＦＴは、ａ−Ｓｉを用いたＴＦＴ（ａ−Ｓｉ  ＴＦＴ）、ＬＴＰＳを用いたＴＦＴ（ＬＴＰＳ  ＴＦＴ）、または透明アモルファス酸化物半導体（ＴＡＯＳ：Ｔｒａｎｓｐａｒｅｎｔ  Ａｍｏｒｐｈｏｕｓ  Ｏｘｉｄｅ  Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ）を用いたＴＦＴ（ＴＡＯＳ−ＴＦＴ）等である。また、ＴＦＴは、例えば真空装置や、フォトリソグラフィ（Ｐｈｏｔｏｌｉｔｈｏｇｒａｐｈｙ）法を用いて形成される。
【００２４】
次に、犠牲層２を、例えばレーザアブレーション（Ｌａｓｅｒ  Ａｂｌａｔｉｏｎ）等によって破壊し、ＴＦＴ配線４が形成されたＴＦＴ形成層３を、ガラス基板１から剥離させる（図１（ｃ）参照）。
【００２５】
続いて、剥離したＴＦＴ形成層３を、例えばフレキシブル（Ｆｌｅｘｉｂｌｅ）基板５に転写し（貼り付け）、フレキシブルな表示装置を製造する（図１（ｄ）参照）。なお、犠牲層の種類、犠牲層の破壊方法、およびＴＦＴ形成層の転写方法は、上述したものに限定されず、多種多様である。
【００２６】
ここで、ＳＳＱは、耐熱性および耐薬品性に優れるとともに、透明性の高い材料である。一般的に、ＳＳＱの耐熱温度は、５００℃程度であり、透過率は、すべての可視光域においてほぼ１００％である。
【００２７】
そのため、ＳＳＱを、従来使用されていたＰＩの代わりに用いることで、着色の問題を解決することができ、ＳＳＱをＴＦＴ形成層３として形成されたＴＦＴをフレキシブル基板５に転写して、ボトムエミッション型の有機ＥＬディスプレイや液晶ディスプレイを作成することができる。
【００２８】
また、上述したように、ＳＳＱは、すべての可視光域において透過率がほぼ１００％なので、従来使用されていたＰＩにおいて、色が赤っぽくなるという問題を解決することができる。
さらに、ＳＳＱは、塗布法によりＴＦＴ形成層を形成することができるので、ＰＩと同等のコストで上記の問題を解決することができる。
【００２９】
以上のように、実施の形態１によれば、シルセスキオキサンで形成された薄膜トランジスタ形成層と、薄膜トランジスタ形成層上に形成された薄膜トランジスタ配線と、を備えている。
また、この発明に係る薄膜トランジスタの製造方法によれば、基板上に犠牲層を形成するステップと、犠牲層上にシルセスキオキサンによる薄膜トランジスタ形成層を形成するステップと、薄膜トランジスタ形成層上に薄膜トランジスタ配線を形成するステップと、を備えている。
また、この発明に係る表示装置によれば、上述した薄膜トランジスタを用いている。
ここで、シルセスキオキサンは、耐熱性および耐薬品性に優れるとともに、透明性の高い材料である。
そのため、透明度の高い薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）、およびこのような薄膜トランジスタの製造方法、並びにこのような薄膜トランジスタを用いた表示装置を得ることができる。
また、このような薄膜トランジスタをフレキシブル基板に転写して、ボトムエミッション型の有機ＥＬディスプレイや液晶ディスプレイを作成することができる。
【符号の説明】
【００３０】
１  ガラス基板、２  犠牲層、３  ＴＦＴ形成層（薄膜トランジスタ形成層）、４  ＴＦＴ配線（薄膜トランジスタ配線）、５  フレキシブル基板。
【図１】
0006276496.tif 000002
【図２】
0006276496.tif 000003