(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
シリコン単結晶からなるボンドウェーハの表面から水素イオン及び希ガスイオンのうち少なくとも１種類のガスイオンをイオン注入してイオン注入層を形成し、前記ボンドウェーハの前記イオン注入した表面と、シリコン単結晶からなるベースウェーハの表面とを、該ベースウェーハ表面に形成されたシリコン酸化膜を介して貼り合わせた後、剥離熱処理を行って前記イオン注入層で前記ボンドウェーハを剥離することにより、前記ベースウェーハ上に埋め込み酸化膜層とＳＯＩ層とを有するＳＯＩウェーハを作製し、該ＳＯＩウェーハに対してアルゴンガス含有雰囲気で平坦化熱処理を行うＳＯＩウェーハの製造方法において、
前記剥離熱処理後に、他の熱処理を挟まずに、前記ＳＯＩウェーハのテラス部のシリコン酸化膜上に存在するシリコン薄片を除去する処理を行った後に、前記アルゴンガス含有雰囲気で平坦化熱処理を行うＳＯＩウェーハの製造方法であり、
前記シリコン薄片を除去する処理を行った後、前記アルゴンガス含有雰囲気で平坦化熱処理を行う前に、前記ＳＯＩウェーハのＳＯＩ層に犠牲酸化処理を行い、
前記シリコン薄片を除去する処理として、ＨＦを含有する水溶液を用い、前記テラス部のシリコン酸化膜を減厚するエッチングを行う、又は、物理的作用で洗浄を行うことで前記シリコン薄片を除去することを特徴とするＳＯＩウェーハの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ＳＯＩウェーハの製造方法に関し、特に、イオン注入剥離法を用いたＳＯＩウェーハの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
ＳＯＩ（Ｓｉｌｉｃｏｎ  ｏｎ  Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ）ウェーハの製造方法、特に先端集積回路の高性能化を可能とする薄膜ＳＯＩウェーハの製造方法として、イオン注入したウェーハを貼り合わせ後に剥離してＳＯＩウェーハを製造する方法（イオン注入剥離法：スマートカット法（登録商標）とも呼ばれる技術）が注目されている。
【０００３】
このイオン注入剥離法は、二枚のシリコンウェーハの内、少なくとも一方に酸化膜を形成すると共に、一方のシリコンウェーハ（ボンドウェーハ）の上面から水素イオンまたは希ガスイオン等のガスイオンを注入し、該ウェーハ内部にイオン注入層（微小気泡層又は封入層とも呼ぶ）を形成する。その後、イオンを注入した方の面を、酸化膜を介して他方のシリコンウェーハ（ベースウェーハ）と密着させ、その後熱処理（剥離熱処理）を加えて微小気泡層を劈開面として一方のウェーハ（ボンドウェーハ）を薄膜状に剥離する。さらに、熱処理（結合熱処理）を加えて強固に結合してＳＯＩウェーハを製造する技術である（特許文献１参照）。この段階では、劈開面（剥離面）がＳＯＩ層の表面となっており、ＳＯＩ膜厚が薄くてかつ均一性も高いＳＯＩウェーハが比較的容易に得られている。
【０００４】
しかし、剥離後のＳＯＩウェーハ表面にはイオン注入によるダメージ層が存在し、また、表面粗さが通常のシリコンウェーハの鏡面に比べて大きなものとなっている。したがって、イオン注入剥離法では、このようなダメージ層と表面粗さを除去することが必要になる。
【０００５】
従来、このダメージ層等を除去するために、結合熱処理後の最終工程において、タッチポリッシュと呼ばれる研磨しろの極めて少ない鏡面研磨（取りしろ：１００ｎｍ程度）が行われていた。ところが、ＳＯＩ層に機械加工的要素を含む研磨をしてしまうと、研磨の取り代が均一でないために、水素イオンなどの注入と剥離によって達成されたＳＯＩ層の膜厚均一性が悪化してしまうという問題が生じる。
【０００６】
このような問題点を解決する方法として、前記タッチポリッシュの代わりに高温熱処理を行って表面粗さを改善する平坦化処理が行われるようになってきている。例えば、特許文献２では、剥離熱処理後（または結合熱処理後）に、ＳＯＩ層の表面を研磨することなく水素を含む還元性雰囲気下の熱処理（急速加熱・急速冷却熱処理（ＲＴＡ処理））を加えることを提案している。
【０００７】
ここで、特許文献２の（００６５）段落に記載されているように、剥離後のＳＯＩ層表面（剥離面）に対して熱処理を行う前には、パーティクルや不純物などによる汚染を避けるため、いわゆるＲＣＡ洗浄と呼ばれ、広く知られているウェット洗浄を行うことが必須である。
【０００８】
また、特許文献３の（００５０）段落によれば、テラス部に酸化膜を有するＳＯＩウェーハをイオン注入剥離法により作製した場合、ボンドウェーハの剥離時にテラス部の酸化膜上にシリコン薄片が付着するため、その後のエピタキシャル成長によってパーティクル汚染などの原因となる。特許文献３には、この問題を回避するため、エピタキシャル成長前に、テラス部に存在するシリコン薄片を除去する洗浄工程として、ＳＣ１洗浄（ＮＨ４ＯＨとＨ２Ｏ２の混合水溶液による洗浄）やＨＦ洗浄などのウェット洗浄を行うことが記載されている。
【０００９】
ここで、テラス部に酸化膜を有するＳＯＩウェーハのうち、特に、ＢＯＸ（埋め込み酸化膜）層厚が数μｍと厚い場合は、ウェーハの反り発生を抑制する為、同程度の厚みの裏面酸化膜が形成される。このようなＢＯＸ層厚が厚いＳＯＩウェーハは、最近、Ｓｉフォトニクスや、ＲＦデバイス（高周波デバイス）向けに用途が広がっている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１０】
【特許文献１】特開平５−２１１１２８号公報
【特許文献２】特開平１１−３０７４７２号公報
【特許文献３】特開２００９−２７１２４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１１】
特許文献３に記載されているように、剥離直後の貼り合わせウェーハのテラス部にはシリコン薄片などのパーティクルが付着していることが知られている。
【００１２】
発明者らが検討したところ、テラス部にシリコン酸化膜を有するＳＯＩウェーハのテラス部の酸化膜上にこのようなシリコン薄片が存在したままアルゴンガス含有雰囲気で平坦化熱処理を行うと、シリコン薄片と酸化膜が反応し、Ｓｉ＋ＳｉＯ２→２ＳｉＯ（気体）の反応式に基づいて、シリコン薄片のまわりで、テラス部のシリコン酸化膜が大きくエッチングされて凹みが形成されてしまうことが判明した。テラス部にこのような凹みが形成されている状態でデバイス製造プロセスが行われると、凹みにフォトレジストが残留しやすく、汚染やパーティクルの発生源となってしまう。
【００１３】
本発明は、上記問題点に鑑みてなされたものであって、イオン注入剥離法による剥離熱処理を行って作製された、テラス部にシリコン酸化膜を有するＳＯＩウェーハの剥離面をアルゴンガス含有雰囲気で平坦化熱処理を行う際、テラス部に不要な凹みを形成することなく剥離面を平坦化することを可能にするＳＯＩウェーハの製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１４】
上記目的を達成するために、本発明は、シリコン単結晶からなるボンドウェーハの表面から水素イオン及び希ガスイオンのうち少なくとも１種類のガスイオンをイオン注入してイオン注入層を形成し、前記ボンドウェーハの前記イオン注入した表面と、シリコン単結晶からなるベースウェーハの表面とを、該ベースウェーハ表面に形成されたシリコン酸化膜を介して貼り合わせた後、剥離熱処理を行って前記イオン注入層で前記ボンドウェーハを剥離することにより、前記ベースウェーハ上に埋め込み酸化膜層とＳＯＩ層とを有するＳＯＩウェーハを作製し、該ＳＯＩウェーハに対してアルゴンガス含有雰囲気で平坦化熱処理を行うＳＯＩウェーハの製造方法において、
前記剥離熱処理後に、他の熱処理を挟まずに、前記ＳＯＩウェーハのテラス部のシリコン酸化膜上に存在するシリコン薄片を除去する処理を行った後に、前記アルゴンガス含有雰囲気で平坦化熱処理を行うことを特徴とするＳＯＩウェーハの製造方法を提供する。
【００１５】
このように、剥離熱処理後に、他の熱処理を挟まずに、ＳＯＩウェーハのテラス部の酸化膜（以下、テラス酸化膜ともいう）上に存在するシリコン薄片を除去する処理を行った後に、アルゴンガス含有雰囲気で平坦化熱処理を行うことによって、アルゴンガス含有雰囲気で平坦化熱処理を行う際にテラス部に不要な凹みを形成することなく、剥離面を平坦化することができる。
【００１６】
このとき、前記シリコン薄片を除去する処理として、ＨＦを含有する水溶液を用い、前記テラス部のシリコン酸化膜を減厚するエッチングを行うことで前記シリコン薄片を除去することができる。
【００１７】
このように、ＨＦ（フッ化水素）を含有する水溶液を用いてテラス部のシリコン酸化膜を減厚することで、シリコン薄片とテラス部との間のシリコン酸化膜が除去されて、シリコン薄片をリフトオフさせることができる。
【００１８】
また、本発明のＳＯＩウェーハの製造方法では、前記シリコン薄片を除去する処理として、物理的作用で洗浄を行うこともできる。
【００１９】
このように、物理的作用による洗浄（ウェーハ面を摩擦する洗浄等）を行うことによって、シリコン薄片を効果的に除去することができる。
【００２０】
また、本発明のＳＯＩウェーハの製造方法では、前記シリコン薄片を除去する処理を行った後、前記アルゴンガス含有雰囲気で平坦化熱処理を行う前に、前記ＳＯＩウェーハのＳＯＩ層に犠牲酸化処理を行うことが好ましい。
【００２１】
このように、ＳＯＩウェーハのＳＯＩ層に対して犠牲酸化処理を行うことで、剥離面のダメージを十分に除去することができるので、結晶性に優れたＳＯＩ層を得ることができる。
【発明の効果】
【００２２】
本発明によれば、剥離熱処理直後の付着強度が弱い段階で、テラス酸化膜上のシリコン薄片を除去することができるので、テラス酸化膜上にシリコン薄片の無い貼り合わせＳＯＩウェーハを作製することができる。この状態を維持した上で、アルゴンガス含有雰囲気下での高温アニールによるＳＯＩ層表面の平坦化を行うことで、テラス部の輝点（凹み）の発生を抑制することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２３】
【図１】本発明のＳＯＩウェーハの製造方法の一例を示した工程フロー図である。
【図２】テラス部の酸化膜に生ずる凹みの発生原因及びそのメカニズムの説明図である。
【図３】本発明のＳＯＩウェーハの製造方法を説明する概略図である。
【図４】テラス部とＳＯＩ層の境界付近の顕微鏡写真である。（Ａ）は実施例２での結果を示す写真である。（Ｂ）は比較例２での結果を示す写真である。
【発明を実施するための形態】
【００２４】
以下、本発明の契機となった、アルゴンガス含有雰囲気で平坦化熱処理を行った際にテラス部の酸化膜に生ずる凹みの発生原因やそのメカニズムについて図２を用いて詳細に説明する。
【００２５】
イオン注入剥離法を用いて、ＳＯＩウェーハ２０の作製を行うと、ウェーハ周辺部は、テラス部２１と呼ばれる、ＳＯＩ層２２が転写しない領域が形成される（図２（ａ））。これは、貼り合せる前の材料ウェーハの周辺部が、研磨等によりダレ形状となっているため、ウェーハを貼り合わせると、ウェーハ周辺部を完全に貼り合わせることができず、この未結合部分のＳｉ層が転写できないために形成される領域であり、テラス部２１と呼ばれる。
【００２６】
テラス部２１には、ＳＯＩ層２２が転写されないものの、テラス部２１に対応するボンドウェーハの位置には、剥離用の水素イオン等のガスイオンが注入されている。この為、イオン注入された水素が剥離熱処理でブリスタリングしてこの位置でボンドウェーハが剥がれ、シリコン薄片２３が形成されてしまう。このシリコン薄片２３がテラス部２１に付着すると、剥離熱処理によって付着力が高まってしまう。また、剥離熱処理時に、ＳＯＩ層２２のエッジ部で剥離と割れが起きて、シリコン薄片２３が生じ、テラス部２１にシリコン薄片２３が載ってしまう場合もある。従って、剥離熱処理後、ＳＣ−１洗浄等のウェット洗浄が行われる場合がある（図２（ｂ））。
【００２７】
ところが、ＳＯＩ層２２が比較的厚いＳＯＩウェーハ２０を作製する場合、剥離時のＳＯＩ層２２が厚くなると（例えば５００ｎｍ以上）、剥離時に剥がれるシリコン薄片２３も厚くなってしまう。すると、シリコン薄片自体の剛性が高くなるので、剥離するシリコン薄片２３の面積が相対的に大きくなる。このような状況で、剥離後の洗浄を行っても、シリコン薄片２３の表面積が大きいので、シリコン薄片２３とＳｉ基板の間に、洗浄液が入り込むことができにくくなる。つまり、シリコン薄片２３を洗浄時にリフトオフし、ウェーハから剥がすことができず、後工程にシリコン薄片２３を残してしまう。すなわち、シリコン薄片２３の厚さが厚いほど（ボンドウェーハへのイオン注入深さが深いほど）、形成されたシリコン薄片２３は除去され難くなる。
【００２８】
また、例えば数１００ｎｍ以上の厚いＢＯＸ層２６（酸化膜２４のうち、ベースウェーハとＳＯＩ層２２に挟まれた埋め込み酸化膜層）を持つＳＯＩウェーハ２０を作製する場合、イオン注入機の加速電源の制約で、ボンドウェーハ表面に形成された厚い酸化膜を介して、Ｓｉ層にイオン注入できない場合がある。この場合、ベースウェーハにＢＯＸ層２６となる主な酸化膜２４を形成し、ベアウェーハ（又は、薄い酸化膜が形成された酸化膜付きウェーハ）にイオン注入して、ウェーハの剥離を行う。
【００２９】
ここで、酸化膜付ウェーハにイオン注入して剥離を行うと、剥離したシリコン薄片は酸化膜とＳｉ層から構成されている。この場合、Ｓｉと酸化膜の熱膨張係数の違いから、バイメタルのように、シリコン薄片が反っている。一方、ベアウェーハにイオン注入して剥離を行うと、シリコン薄片はＳｉのみから構成されている為反らない。このような状況で、剥離後の洗浄を行うと、シリコン薄片が反っていないので、シリコン薄片とＳｉ基板の間に隙間ができず、洗浄液が入り込むことができない。つまり、シリコン薄片を洗浄時にリフトオフし、ウェーハから剥がすことが極めて困難になり、後工程にシリコン薄片を残してしまう。すなわち、酸化膜を介さずにボンドウェーハへのイオン注入を行った方が、酸化膜を介してイオン注入を行うよりも、形成されたシリコン薄片は除去され難くなる。
【００３０】
本発明者らは、このようなテラス部２１のシリコン酸化膜２４上に付着したシリコン薄片２３が、その後平坦化熱処理を行った際に、テラス部２１の凹み２５となることを発見した（図２（ｃ））。即ち、剥離面の平坦化を行うアルゴンガス含有雰囲気下での高温アニール時において、テラス部２１のシリコン酸化膜２４上にシリコン薄片２３が載っていると、シリコン薄片２３とシリコン酸化膜２４が反応し、Ｓｉ＋ＳｉＯ２→２ＳｉＯ（気体）の反応式に基づいて、シリコン薄片２３のまわりで、テラス部２１のシリコン酸化膜２４が大きくエッチングされてしまう。このエッチングでできた凹み２５が、最終検査時の感応検査で輝点として検出される。そして、テラス部２１にこのような凹み２５が形成されている状態でデバイス製造プロセスが行われるとフォトレジストが残留しやすく、汚染やパーティクルの発生源となってしまうため、このような凹み２５を発生させないこと、延いては、テラス部の酸化膜上のシリコン薄片２３を十分に除去した状態でアルゴンガス含有雰囲気下での平坦化熱処理を行う必要があることを本発明者らは見出した。
【００３１】
テラス部の酸化膜上に付着したシリコン薄片が及ぼす影響については、特許文献３に、エピタキシャル成長によるテラス部のポリシリコン成長が開示されているが、アルゴンガス含有雰囲気下での平坦化熱処理のような膜成長を伴わない熱処理において、テラス部に凹みが発生してしまうという問題点については、従来は全く知られておらず、本発明者らが始めて見出した現象である。
【００３２】
本発明は、このようなテラス部の凹みを形成することなく剥離面を平坦化することを目的とする。以下、本発明について更に詳述する。
【００３３】
図１に本発明のＳＯＩウェーハの製造方法の一例を示した工程フロー図を示す。
【００３４】
まず、シリコン単結晶からなるベースウェーハの表面に、シリコン酸化膜を熱酸化等により形成する（図１（Ａ））。尚、形成するシリコン酸化膜の厚さは特に限定されないが、本発明では例えば２μｍ厚とすることができる。
【００３５】
また、シリコン単結晶からなるボンドウェーハの表面から水素イオン及び希ガスイオンのうち少なくとも１種類のガスイオンをイオン注入して、ボンドウェーハの所定深さにイオン注入層を形成する（図１（Ｂ））。このときのイオン注入層の深さは、剥離後に形成されるＳＯＩ層の厚さに反映される。従って、注入エネルギー等を制御してイオン注入することにより、ＳＯＩ層の厚さを制御することができる。尚、この際、表面に酸化膜の無いシリコン単結晶からなるボンドウェーハにイオン注入を行っても良いし、ボンドウェーハに薄いシリコン酸化膜を形成し、該酸化膜を介してイオン注入を行っても良い。
【００３６】
上記ベースウェーハに対する処理と上記ボンドウェーハに対する処理は、独立して行うことができ、どちらを先に行っても良いし、並行して行ってもよい。
【００３７】
次いで、ボンドウェーハのイオン注入した表面と、シリコン単結晶からなるベースウェーハの表面とを、該ベースウェーハ表面に形成されたシリコン酸化膜を介して貼り合わせる（図１（Ｃ））。この貼り合わせは、例えば、常温の清浄な雰囲気下でボンドウェーハとベースウェーハとを接触させることにより、接着剤等を用いることなくウェーハ同士が接着する。
【００３８】
次いで、剥離熱処理を行ってイオン注入層でボンドウェーハを剥離することにより、ベースウェーハ上に埋め込み酸化膜層（ＢＯＸ層）とＳＯＩ層とを有するＳＯＩウェーハを作製する（図１（Ｄ））。この剥離熱処理としては、例えば、Ａｒ等の不活性ガス雰囲気下、通常４００℃以上７００℃以下、３０分以上熱処理を加えればボンドウェーハをイオン注入層で剥離することができ、例えば５００℃３０分とすることができる。
【００３９】
このように、表面に酸化膜が形成されたベースウェーハを用いてイオン注入剥離法によって貼り合わせＳＯＩウェーハを作製すると、図３（ａ）に示すように、剥離熱処理を行った剥離直後のＳＯＩウェーハ１０のテラス部１のシリコン酸化膜４上には、シリコン薄片３が多数付着している。
【００４０】
本発明においては、剥離熱処理後に、他の熱処理を挟まずに、ＳＯＩウェーハ１０のテラス部１のシリコン酸化膜４上に存在するシリコン薄片３を除去する処理を行う（図１（Ｅ））。
【００４１】
このシリコン薄片３の除去は、ＲＣＡ洗浄などの通常の洗浄で除去できれば問題ないが、剥離厚さが厚いウェーハ、もしくは、ベアウェーハのボンドウェーハを用いた場合には、ＲＣＡ洗浄だけでは、シリコン薄片３を除去できない場合がある。
【００４２】
そこで、剥離後洗浄に、ＨＦ（フッ化水素）を含有する水溶液を用い、テラス部１の酸化膜厚を減厚するエッチングを行うことで、シリコン薄片３とテラス部１との間のシリコン酸化膜４を除去し、シリコン薄片３をリフトオフさせることができ、テラス酸化膜上のシリコン薄片３を効果的に除去することができる（図３（ｂ））。ＨＦを含有する水溶液としては、例えば１５％ＨＦ水溶液を用いることができる。減厚すべき厚さは剥離温度や剥離時のＳＯＩ層厚に依存するため、シリコン薄片を除去することができれば特に限定されないが、例えば１〜１００ｎｍとすることができ、５ｎｍ以上とすることが好ましい。
【００４３】
またこの際、図３（ｄ）のようにテラス部１のシリコン酸化膜４を完全に除去してもシリコン薄片３は除去できるが、ＢＯＸ層６のオーバーエッチングによりＳＯＩ層２の周辺部がオーバーハング状となることに加えて、その後のアルゴンガス含有雰囲気下での高温アニール（平坦化熱処理）により、ＳＯＩ層２とＢＯＸ層６界面のエッチングが進行して薄膜状のＳＯＩ層が形成され、新たなパーティクル発生源となり得るため、テラス酸化膜は完全に除去しない方が望ましい。
【００４４】
ＨＦを含有する水溶液を用いる方法の他に、スクラブ洗浄のように、スポンジなどを用いてウェーハ表面を摩擦する洗浄（物理的作用による洗浄）を行ってもシリコン薄片３を効果的に除去することができる。
【００４５】
ここで、イオン注入剥離法を用いた貼り合わせＳＯＩウェーハの製造工程では、イオン注入時、および、剥離時に発生したダメージ層を除去する為、剥離後のＳＯＩ層表面に犠牲酸化処理（犠牲酸化＋酸化膜除去）を行ったり、ウェーハ内部の酸素析出を制御する、或いは、面粗さ改善など品質改善の為、ＲＴＡ（Ｒａｐｉｄ  Ｔｈｅｒｍａｌ  Ａｎｎｅａｌ）などを実施する場合がある。しかし、これらの熱処理は剥離熱処理に比べて熱処理温度が高いため、シリコン薄片とテラス部酸化膜との間の付着強度が高くなり、これらの熱処理を経た後にＨＦ洗浄を行っても、シリコン薄片を除去できなくなる場合がある。ゆえに、本発明においては、テラス部の酸化膜上のシリコン薄片の除去は、剥離熱処理後に、（剥離熱処理以外の）他の熱処理を挟まずに行う必要がある。
【００４６】
このようにしてシリコン薄片を除去する処理を行った後、必要に応じて一般的なＲＣＡ洗浄（例えばＳＣ−１洗浄）を行うこともできる。以上のプロセスにより、テラス酸化膜上に、シリコン薄片が無い状態を作り出すことができる。
【００４７】
このようにして、シリコン薄片を除去した後は、アルゴンガス含有雰囲気で平坦化熱処理を行うのであるが、その前に、ＳＯＩウェーハのＳＯＩ層に犠牲酸化処理を行うことが好ましい（図１（Ｆ））。例えば９００℃程度の温度で犠牲酸化熱処理を行うことにより、ＳＯＩ層表面のダメージを酸化するのと同時に貼り合わせ界面結合強度を強化することができる。続いて、ＳＯＩ層表面の犠牲酸化膜を除去する為、１５％のＨＦ洗浄、および、必要に応じて、ＲＣＡ洗浄を行う。このような犠牲酸化処理を加えることで、剥離面のダメージを十分に除去することができるので、結晶性に優れたＳＯＩ層を得ることができる。
【００４８】
次いで、テラス部１のシリコン酸化膜４上のシリコン薄片３が除去されたＳＯＩウェーハ１０に対し、アルゴンガス含有雰囲気下での平坦化熱処理を行う（図１（Ｇ）、図３（ｃ）、（ｅ））。該平坦化熱処理条件としては、例えば１００％Ａｒガス雰囲気下での１２００℃、２時間の熱処理とすることができる。
【００４９】
平坦化熱処理によって、イオン注入層での剥離に起因する表面粗さが改善され、デバイスとして使用できるレベルのウェーハ表面を形成することができる。また、本発明においては、テラス部の酸化膜上にシリコン薄片が無いＳＯＩウェーハを作製し、それに対し、アルゴンガス含有雰囲気下での平坦化熱処理を行うことで、従来は、アルゴンガス含有雰囲気下での平坦化熱処理後にテラス部に発生していた、シリコン薄片起因の輝点（すなわち凹み）の発生を抑制し、テラス部を綺麗に保つことができる。その結果、デバイス製造プロセスでの汚染やパーティクルの発生を回避することができる。
【００５０】
この後、更なる残存ダメージ層の除去、および、ＳＯＩ層膜厚調整のため、犠牲酸化を行っても良い。
【００５１】
また、平坦化のためのアルゴンガス含有雰囲気での高温熱処理の負荷を軽減し、スリップ転位の発生を抑制するため、アルゴンガス含有雰囲気での平坦化熱処理の前に、水素雰囲気のＲＴＡ（Ｈ２ＲＴＡ）を行うこともできる。この場合の工程順は以下の通りである。
剥離熱処理 → シリコン薄片除去  →  Ｈ２ＲＴＡ  →  犠牲酸化処理  →  Ａｒアニール
このように、Ｈ２ＲＴＡ（例えば、１１５０℃、６０秒）を加えることによって、Ａｒアニールの温度を１２００℃未満に下げることもできる。
【実施例】
【００５２】
以下、実施例及び比較例を示して本発明をより具体的に説明するが、本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。
【００５３】
（実施例１〜３）
ボンドウェーハ及びベースウェーハとして、直径３００ｍｍ、結晶方位＜１００＞のシリコン単結晶ウェーハを用い、表１の条件で貼り合わせＳＯＩウェーハを製造し（実施例１〜３）、テラス部の凹みの有無を顕微鏡観察を行った。実施例１〜３において、輝点（凹み）は観察されず、綺麗なテラス部が形成された。尚、実施例２の顕微鏡写真を図４（Ａ）に示す。
【００５４】
【表１】
0006380245.tif 000002
【００５５】
（実施例４）
シリコン薄片除去工程を、純水中でスポンジを用いてウェーハ表面を摩擦するスクラブ洗浄とした以外は、実施例３と同一条件でＡｒアニールまで行った後、テラス部の凹みの顕微鏡観察を行ったところ、凹みは観察されなかった。
【００５６】
（比較例１〜３）
ボンドウェーハ及びベースウェーハとして、直径３００ｍｍ、結晶方位＜１００＞のシリコン単結晶ウェーハを用い、表２の条件で、即ち、剥離熱処理後に、ＳＣ−１洗浄のみを行い（ＳＯＩウェーハのテラス部のシリコン酸化膜上に存在するシリコン薄片を除去する処理を行わずに）、ＳＯＩウェーハを製造し（比較例１〜３）、テラス部の凹みの有無を顕微鏡観察を行った。尚、比較例２の顕微鏡写真を図４（Ｂ）に示す。
【００５７】
【表２】
0006380245.tif 000003
【００５８】
比較例１では、テラス部のシリコン薄片を除去しないまま平坦化熱処理を行ったため、Ａｒアニールでテラス部に凹みが発生してしまった。比較例２及び３では、平坦化熱処理（Ａｒアニール）前の犠牲酸化処理時の酸化膜除去により、テラス部の酸化膜も減厚されるが、酸化熱処理やＨ２ＲＴＡによってシリコン薄片が強固に付着しているため除去されず、Ａｒアニールで凹みが発生してしまった。
【００５９】
なお、本発明は、上記実施形態に限定されるものではない。上記実施形態は、例示であり、本発明の特許請求の範囲に記載された技術的思想と実質的に同一な構成を有し、同様な作用効果を奏するものは、いかなるものであっても本発明の技術的範囲に包含される。
【符号の説明】
【００６０】
１、２１…テラス部、  ２、２２…ＳＯＩ層、  ３、２３…シリコン薄片、  ４、２４…シリコン酸化膜、  ２５…凹み、  ６、２６…ＢＯＸ層（埋め込み酸化膜層）、  １０、２０…ＳＯＩウェーハ。
【図１】
0006380245.tif 000004
【図２】
0006380245.tif 000005
【図３】
0006380245.tif 000006
【図４】
0006380245.tif 000007