(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板へ向けて処理液を吐出するノズルと、
前記ノズルの先端部を囲うように該ノズルに取り付けられる囲い部材と、
前記ノズルおよび前記囲い部材を移動させる移動機構と、
前記移動機構によって移動された前記ノズルおよび前記囲い部材を洗浄液で洗浄する洗浄部と
を備え、
前記洗浄部は、洗浄槽を備え、
前記洗浄槽は、
前記ノズルを前記洗浄液に浸漬させる第１領域と、
前記囲い部材を前記洗浄液に浸漬させる第２領域と
を有すること
を特徴とする基板処理装置。
【請求項２】
前記第１領域に連通して設けられ、前記洗浄液を排出する第１ドレイン路と、
前記第２領域に連通して設けられ、前記洗浄液を排出する第２ドレイン路と
を備えること
を特徴とする請求項１に記載の基板処理装置。
【請求項３】
前記第２ドレイン路の前記洗浄液の排出速度は、
前記第１ドレイン路の前記洗浄液の排出速度よりも遅いこと
を特徴とする請求項２に記載の基板処理装置。
【請求項４】
前記移動機構は、
前記第２領域において前記洗浄液に浸漬する前記囲い部材を、実質的に前記囲い部材の表面に液残りが生じない移動速度で徐々に前記第２領域から離脱させること
を特徴とする請求項２または３に記載の基板処理装置。
【請求項５】
前記洗浄槽へ前記洗浄液を供給する供給路を備え、
前記供給路の吐出口は、
該吐出口から吐出された前記洗浄液の液流で前記洗浄槽に渦が形成される向きに配置されていること
を特徴とする請求項１〜４のいずれか一つに記載の基板処理装置。
【請求項６】
前記囲い部材は、中空錐体状に形成されていること
を特徴とする請求項１〜５のいずれか一つに記載の基板処理装置。
【請求項７】
基板へ向けて処理液を吐出するノズルと、前記ノズルの先端部を囲うように該ノズルに取り付けられる囲い部材と、前記ノズルおよび前記囲い部材を移動させる移動機構と、洗浄槽とを備え、前記洗浄槽は、前記ノズルを洗浄液に浸漬させる第１領域と、前記囲い部材を前記洗浄液に浸漬させる第２領域とを有する基板処理装置を用い、前記移動機構によって移動された前記ノズルおよび前記囲い部材を前記洗浄液で洗浄する洗浄工程
を含むことを特徴とするノズル洗浄方法。 
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
開示の実施形態は、基板処理装置およびノズル洗浄方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、半導体ウェハやガラス基板といった基板に対し、処理液を供給することによって洗浄処理等の基板処理を行う基板処理装置が知られている。
【０００３】
このような基板処理装置は、基板へ向けて処理液を吐出するノズルを備えている。なお、吐出される処理液の飛散等を防止するため、ノズルの周囲には、ノズルを囲う囲い部材が設けられる場合がある。
【０００４】
たとえば、特許文献１には、囲い部材として円錐状の傘型覆いが取り付けられた半導体基板洗浄装置が開示されている。
【０００５】
また、基板処理装置には、ノズル自体に付着して残存した処理液による基板の汚染を防ぐために、ノズル自体を洗浄するノズル洗浄機構が設けられる場合がある（たとえば、特許文献２参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２０００−１８８２７３号公報
【特許文献２】特開２００７−２５８４６２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかしながら、上述した従来技術には、ノズルとノズルに取り付けられた囲い部材を洗浄するという点で更なる改善の余地がある。たとえば特許文献１に開示の装置は、囲い部材の取り付けられたノズルを備えているものの、かかるノズルを洗浄するノズル洗浄機構を備えていない。
【０００８】
また、たとえば特許文献２に開示のノズル洗浄機構は、ノズルに対し洗浄液を吹き付けることによってノズルを洗浄するものであるが、かかる方式を採った場合、ノズルに洗浄ムラが生じやすいという問題点がある。また、かかるノズル洗浄機構は、囲い部材のないノズルを洗浄するものであり、囲い部材の取り付けられたノズルを洗浄するものではない。
【０００９】
実施形態の一態様は、ノズルとノズルに取り付けられた囲い部材を洗浄することができる基板処理装置およびノズル洗浄方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
実施形態の一態様に係る基板処理装置は、ノズルと、囲い部材と、移動機構と、洗浄部とを備える。ノズルは、基板へ向けて処理液を吐出する。囲い部材は、ノズルの先端部を囲うようにノズルに取り付けられる。移動機構は、ノズルおよび囲い部材を移動させる。洗浄部は、移動機構によって移動されたノズルおよび囲い部材を洗浄液で洗浄する。また、洗浄部は、洗浄槽を備える。洗浄槽は、ノズルを洗浄液に浸漬させる第１領域と、囲い部材を洗浄液に浸漬させる第２領域とを有する。
【発明の効果】
【００１１】
実施形態の一態様によれば、ノズルとノズルに取り付けられた囲い部材を洗浄することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１】図１は、実施形態に係る基板処理システムの概略構成を示す図である。
【図２Ａ】図２Ａは、処理ユニットの構成を示す平面模式図である。
【図２Ｂ】図２Ｂは、図２Ａに示すＡ−Ａ’線略断面図である。
【図２Ｃ】図２Ｃは、ノズル洗浄部の構成を示す斜視模式図である。
【図２Ｄ】図２Ｄは、ノズル洗浄部の構成を示す略断面図である。
【図２Ｅ】図２Ｅは、ノズル洗浄部の構成を示す平面模式図である。
【図３】図３は、実施形態に係る基板処理システムが実行するノズル洗浄処理の処理手順を示すフローチャートである。
【図４Ａ】図４Ａは、ノズル洗浄処理の各処理の説明図（その１）である。
【図４Ｂ】図４Ｂは、ノズル洗浄処理の各処理の説明図（その２）である。
【図４Ｃ】図４Ｃは、ノズル洗浄処理の各処理の説明図（その３）である。
【図４Ｄ】図４Ｄは、ノズル洗浄処理の各処理の説明図（その４）である。
【図４Ｅ】図４Ｅは、ノズル洗浄処理の各処理の説明図（その５）である。
【図４Ｆ】図４Ｆは、ノズル乾燥処理の変形例を示す図である。
【図５Ａ】図５Ａは、ノズルの変形例を示す図（その１）である。
【図５Ｂ】図５Ｂは、ノズルの変形例を示す図（その２）である。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
以下、添付図面を参照して、本願の開示する基板処理装置およびノズル洗浄方法の実施形態を詳細に説明する。なお、以下に示す実施形態によりこの発明が限定されるものではない。
【００１４】
図１は、本実施形態に係る基板処理システムの概略構成を示す図である。以下では、位置関係を明確にするために、互いに直交するＸ軸、Ｙ軸およびＺ軸を規定し、Ｚ軸正方向を鉛直上向き方向とする。
【００１５】
図１に示すように、基板処理システム１は、搬入出ステーション２と、処理ステーション３とを備える。搬入出ステーション２と処理ステーション３とは隣接して設けられる。
【００１６】
搬入出ステーション２は、キャリア載置部１１と、搬送部１２とを備える。キャリア載置部１１には、複数枚の基板、本実施形態では半導体ウェハ（以下ウェハＷ）を水平状態で収容する複数のキャリアＣが載置される。
【００１７】
搬送部１２は、キャリア載置部１１に隣接して設けられ、内部に基板搬送装置１３と、受渡部１４とを備える。基板搬送装置１３は、ウェハＷを保持するウェハ保持機構を備える。また、基板搬送装置１３は、水平方向および鉛直方向への移動ならびに鉛直軸を中心とする旋回が可能であり、ウェハ保持機構を用いてキャリアＣと受渡部１４との間でウェハＷの搬送を行う。
【００１８】
処理ステーション３は、搬送部１２に隣接して設けられる。処理ステーション３は、搬送部１５と、複数の処理ユニット１６とを備える。複数の処理ユニット１６は、搬送部１５の両側に並べて設けられる。
【００１９】
搬送部１５は、内部に基板搬送装置１７を備える。基板搬送装置１７は、ウェハＷを保持するウェハ保持機構を備える。また、基板搬送装置１７は、水平方向および鉛直方向への移動ならびに鉛直軸を中心とする旋回が可能であり、ウェハ保持機構を用いて受渡部１４と処理ユニット１６との間でウェハＷの搬送を行う。
【００２０】
処理ユニット１６は、基板搬送装置１７によって搬送されるウェハＷに対して所定の基板処理を行う。
【００２１】
また、基板処理システム１は、制御装置４を備える。制御装置４は、たとえばコンピュータであり、制御部１８と記憶部１９とを備える。記憶部１９には、基板処理システム１において実行される各種の処理を制御するプログラムが格納される。制御部１８は、記憶部１９に記憶されたプログラムを読み出して実行することによって基板処理システム１の動作を制御する。
【００２２】
なお、かかるプログラムは、コンピュータによって読み取り可能な記憶媒体に記録されていたものであって、その記憶媒体から制御装置４の記憶部１９にインストールされたものであってもよい。コンピュータによって読み取り可能な記憶媒体としては、たとえばハードディスク（ＨＤ）、フレキシブルディスク（ＦＤ）、コンパクトディスク（ＣＤ）、マグネットオプティカルディスク（ＭＯ）、メモリカードなどがある。
【００２３】
上記のように構成された基板処理システム１では、まず、搬入出ステーション２の基板搬送装置１３が、キャリア載置部１１に載置されたキャリアＣからウェハＷを取り出し、取り出したウェハＷを受渡部１４に載置する。受渡部１４に載置されたウェハＷは、処理ステーション３の基板搬送装置１７によって受渡部１４から取り出されて、処理ユニット１６へ搬入される。
【００２４】
処理ユニット１６へ搬入されたウェハＷは、処理ユニット１６によって処理された後、基板搬送装置１７によって処理ユニット１６から搬出されて、受渡部１４に載置される。そして、受渡部１４に載置された処理済のウェハＷは、基板搬送装置１３によってキャリア載置部１１のキャリアＣへ戻される。
【００２５】
次に、処理ユニット１６の概略構成について図２Ａおよび図２Ｂを参照して説明する。図２Ａは、処理ユニット１６の構成を示す平面模式図である。また、図２Ｂは、図２Ａに示すＡ−Ａ’線略断面図である。
【００２６】
図２Ａに示すように、処理ユニット１６は、チャンバ２１内に、基板保持機構２２と、回収カップ２３と、ノズルヘッド２４と、移動機構２５と、ノズル洗浄部３０とを備える。
【００２７】
基板保持機構２２は、ウェハＷを水平に保持するとともに、保持したウェハＷを鉛直軸まわりに回転させる。回収カップ２３は、基板保持機構２２を取り囲むように配置され、回転に伴う遠心力によってウェハＷの外方へ飛散する処理液を受け止めて回収する。
【００２８】
ノズルヘッド２４は、ウェハＷの上方からウェハＷへ向けて処理液を供給する。具体的にノズルヘッド２４は、図２Ｂに示すように、ノズル２４１と、囲い部材２４５とを備える。ノズル２４１は、処理液供給源２４４からバルブ２４３を介して処理液供給管２４２へ供給される処理液を、ウェハＷへ向けて吐出する。
【００２９】
囲い部材２４５は、上端部および下端部が開口された中空錐体状、たとえば図２Ｂに示すように傘状に形成され、かかる傘の内側にノズル２４１の先端部を囲うように、ノズル２４１に取り付けられる。なお、囲い部材２４５は、ノズル２４１から吐出される処理液の飛散等を防ぐ役割を担う。
【００３０】
また、囲い部材２４５の上端部付近には、貫通孔２４６が形成されている。貫通孔２４６は、後述するように囲い部材２４５を洗浄液へ浸漬させる際に、傘の内側から洗浄液を通過させ、囲い部材２４５を浸漬させやすくする。
【００３１】
また、図２Ａに示すように、移動機構２５は、ノズルヘッド２４を水平方向（ここではＸＹ平面方向）に旋回移動、および、鉛直方向（ここではＺ軸方向）に昇降移動させる。
【００３２】
ノズル洗浄部３０は、ノズルヘッド２４を洗浄液に浸漬させて洗浄する。洗浄液としては、ＨＤＩＷ（温純水）等を用いることができる。
【００３３】
次に、ノズル洗浄部３０の構成についてより具体的に、図２Ｃ〜図２Ｅを参照して説明する。図２Ｃは、ノズル洗浄部３０の構成を示す斜視模式図である。また、図２Ｄは、ノズル洗浄部３０の構成を示す略断面図である。また、図２Ｅは、ノズル洗浄部３０の構成を示す平面模式図である。
【００３４】
図２Ｃに示すように、ノズル洗浄部３０は、洗浄槽３１を備える。洗浄槽３１は、洗浄液を貯留する。制御部１８（図１参照）は、前述の移動機構２５を用いて、ノズル２４１および囲い部材２４５を洗浄槽３１へ出し入れする（図２Ｃ中の矢印ａ０参照）。
【００３５】
具体的に洗浄槽３１は、図２Ｄに示すように、ノズル２４１および囲い部材２４５の形状に対応する傾斜角度を有する形状に形成されている。すなわち、洗浄槽３１は、その底面の中央部に、ノズル２４１の先端部に対応して窪んだ形状の第１領域３１ａを有する。
【００３６】
また、洗浄槽３１は、その底面の中央部から外周部へ向けて下り勾配となるように形成された形状の第２領域３１ｂを有する。第１領域３１ａは、ノズル２４１を洗浄液に浸漬させる。第２領域３１ｂは、囲い部材２４５を洗浄液に浸漬させる。
【００３７】
また、ノズル洗浄部３０は、洗浄槽３１へ洗浄液を供給する第１供給路３２１と、第２供給路３２２とを備える。第１供給路３２１は第１領域３１ａへ連通しており、洗浄液供給源３２４からバルブ３２３を介して供給される洗浄液を第１領域３１ａへ吐出する。
【００３８】
また、第２供給路３２２は第２領域３１ｂへ連通しており、洗浄液供給源３２４からバルブ３２３を介して供給される洗浄液を第２領域３１ｂへ吐出する。なお、図２Ｄでは第１供給路３２１および第２供給路３２２が、洗浄液の同一供給系統から分岐している例を示しているが、それぞれ別供給系統から洗浄液の供給を受けてもよい。
【００３９】
また、ノズル洗浄部３０は、オーバーフロードレイン路３３１を備える。オーバーフロードレイン路３３１は、洗浄槽３１の上限液位を超える洗浄液を洗浄槽３１から排出する。
【００４０】
また、ノズル洗浄部３０は、第１ドレイン路３４１と、第２ドレイン路３４２とを備える。第１ドレイン路３４１および第２ドレイン路３４２には、バルブ３４３を介してたとえば真空ポンプ等のドレイン装置３４４が接続される。
【００４１】
第１ドレイン路３４１は、第１領域３１ａと連通しており、洗浄槽３１へ貯留された洗浄液を第１領域３１ａから排出する。また、第２ドレイン路３４２は、第２領域３１ｂと連通しており、洗浄槽３１へ貯留された洗浄液を第２領域３１ｂから排出する。
【００４２】
なお、第２ドレイン路３４２は、第１ドレイン路３４１からよりも遅い速度で洗浄液が排出されるように設けられている。具体的には、たとえば、構造的に第２ドレイン路３４２を第１ドレイン路３４１よりも狭く設けてもよいし、第２ドレイン路３４２の中途に中間槽を設けてもよいし、第２ドレイン路３４２に専用のバルブを設けてこれを制御することでもよい。
【００４３】
また、ノズル洗浄部３０は、不活性ガス供給路３５１を備える。不活性ガス供給路３５１は、オーバーフロードレイン路３３１よりも上方に設けられ、不活性ガス供給源３５３からバルブ３５２を介して供給されるＮ２等の不活性ガスを洗浄槽３１内へ吐出して、ノズル２４１および囲い部材２４５を乾燥させる。
【００４４】
また、上述した第１供給路３２１、第２供給路３２２および不活性ガス供給路３５１各々の吐出口は、洗浄槽３１内に複数個ずつ配置することができる。
【００４５】
具体的には図２Ｅに示すように、たとえば第１供給路３２１の吐出口は、第１ドレイン路３４１まわりの同一円Ｃ１の円周上に等間隔で複数個（ここでは３個）、各々の吐出方向が同一円Ｃ１の接線方向となるように設けられて、吐出される洗浄液の液流で渦が形成されるように配置される。
【００４６】
また、同様に、たとえば第２供給路３２２の吐出口は、第２領域３１ｂ（図２Ｄ参照）まわりの同一円Ｃ２の円周上に等間隔で複数個（ここでは３個）、各々の吐出方向が同一円Ｃ２の接線方向となるように設けられて、吐出される洗浄液の液流で渦が形成されるように配置される。
【００４７】
これにより、ノズル２４１および囲い部材２４５を洗浄槽３１へ差し入れて洗浄液へ浸漬させる際に、渦を巻いた洗浄液の液流でノズル２４１および囲い部材２４５を洗浄（以下、「浸漬トルネード洗浄」と言う）することができるので、洗浄ムラなく確実にノズル２４１および囲い部材２４５を洗浄することができる。
【００４８】
また、たとえば不活性ガス供給路３５１の吐出口は、洗浄槽３１の外周まわりに等間隔で複数個（ここでは３個）、各々の吐出方向がノズル２４１の位置付く洗浄槽３１の中央部を向くように設けられる。
【００４９】
これにより、ノズル２４１および囲い部材２４５を乾燥させる際に、ノズル２４１および囲い部材２４５の傘の内側にムラなく均一に不活性ガスを供給することができるので、液残りなく確実にノズル２４１および囲い部材２４５を乾燥させることができる。
【００５０】
なお、第１供給路３２１の吐出口の各々は、吐出される洗浄液の液流で渦が形成されるならば、同一円Ｃ１の円周上に限らず、異なる円周上に設けられてもよい。同様に、第２供給路３２２の吐出口の各々も、同一円Ｃ２の円周上に限らず、異なる円周上に設けられてもよい。また、無論、第１供給路３２１、第２供給路３２２および不活性ガス供給路３５１各々の吐出口は、３個ずつに限られない。
【００５１】
一方、図２Ｅに示すように、第２ドレイン路３４２の排出口は、たとえば１個であってもよい。かかる場合、洗浄槽３１の第２領域３１ｂの底面は、かかる１個の第２ドレイン路３４２の排出口へ向けて傾斜していることが好ましい。なお、第２ドレイン路３４２は、第１ドレイン路３４１からよりも遅い速度で洗浄液が排出することが可能であれば、その排出口は必ずしも１個でなくともよい。
【００５２】
次に、ノズル洗浄部３０における具体的動作について、図３および図４Ａ〜図４Ｅを参照して説明する。図３は、本実施形態に係る基板処理システム１が実行するノズル洗浄処理の処理手順を示すフローチャートである。また、図４Ａ〜図４Ｅは、ノズル洗浄処理の各処理の説明図（その１）〜（その５）である。
【００５３】
まず、ノズル洗浄処理の処理手順について図３を参照して概略的に説明する。なお、図３には、制御部１８が移動機構２５を制御することにより、ノズルヘッド２４をノズル洗浄部３０の洗浄槽３１へ差し入れた状態からの処理手順を示している。ノズル洗浄部３０では、制御部１８の制御に従って図３に示す各処理が実行される。
【００５４】
図３に示すように、ノズル洗浄部３０ではまず、洗浄槽３１へ差し入れられたノズルヘッド２４を粗洗浄する粗洗浄処理が行われる（ステップＳ１０１）。これにより、ノズル２４１および囲い部材２４５へ付着した汚れを除去しやすくする。かかる粗洗浄処理の具体的な動作については、図４Ａを参照して後述する。
【００５５】
つづいて、ノズル洗浄部３０では、前述の浸漬トルネード洗浄処理が行われる（ステップＳ１０２）。これにより、ノズル２４１および囲い部材２４５へ付着した汚れを確実に洗い流す。かかる浸漬トルネード洗浄処理の具体的な動作については、図４Ｂを参照して後述する。
【００５６】
つづいて、ノズル洗浄部３０では、第１ドレイン処理が行われる（ステップＳ１０３）。これは、洗浄槽３１へ貯留された洗浄液を排出するための１段階目の処理である。かかる第１ドレイン処理の具体的な動作については、図４Ｃを参照して後述する。
【００５７】
つづいて、ノズル洗浄部３０では、第２ドレイン処理が行われる（ステップＳ１０４）。これは、洗浄槽３１へ貯留された洗浄液を排出するための２段階目の処理である。かかる第２ドレイン処理の具体的な動作については、図４Ｄを参照して後述する。
【００５８】
つづいて、ノズル洗浄部３０では、ノズル乾燥処理が行われる（ステップＳ１０５）。これにより、洗浄液により濡れたノズル２４１および囲い部材２４５を乾燥させる。かかるノズル乾燥処理の具体的な動作については、図４Ｅを参照して後述する。
【００５９】
以下、図３に示したノズル洗浄処理の各処理をより具体的に説明する。図４Ａに示すように、粗洗浄処理ではまず、バルブ３２３が開放されて、洗浄液供給源３２４から洗浄液Ｌが供給される（図中の矢印ａ１参照）。
【００６０】
このとき、第１供給路３２１からは第１領域３１ａへ向けて洗浄液Ｌが吐出され、ノズル２４１の先端部を粗洗浄する。第２供給路３２２からは第２領域３１ｂへ向けて洗浄液Ｌが吐出され、囲い部材２４５の内側を粗洗浄する。
【００６１】
また、粗洗浄処理では、バルブ３４３が開放されてドレイン装置３４４が動作しており、第１ドレイン路３４１および第２ドレイン路３４２からは洗浄液Ｌが排出される（図中の矢印ａ２，ａ３参照）。
【００６２】
つづいて、図４Ｂに示すように、浸漬トルネード洗浄処理では、バルブ３４３が閉じられて第１ドレイン路３４１および第２ドレイン路３４２からの洗浄液Ｌの排出が一旦止められる。
【００６３】
一方、バルブ３２３は開放されたままで洗浄液供給源３２４から洗浄液Ｌを供給し続け（図中の矢印ａ４参照）、第１供給路３２１および第２供給路３２２から吐出される洗浄液Ｌは洗浄槽３１へ貯留されて、ノズル２４１および囲い部材２４５を浸漬させる。
【００６４】
なお、このとき、洗浄液Ｌの液流は、図２Ｅの説明で述べたように渦巻いており、浸漬されたノズル２４１および囲い部材２４５をトルネード洗浄する。これにより、ノズル２４１および囲い部材２４５へ付着した汚れを確実に除去することができる。
【００６５】
洗浄槽３１の上限液位を超える洗浄液Ｌについては、オーバーフロードレイン路３３１から排出される（図４Ｂ中の矢印ａ５参照）。
【００６６】
つづいて、図４Ｃに示すように、第１ドレイン処理では、バルブ３２３が閉じられ、洗浄液供給源３２４からの洗浄液Ｌの供給が止められる。一方、バルブ３４３は開放され、洗浄槽３１へ貯留された洗浄液Ｌは、第１ドレイン路３４１および第２ドレイン路３４２から排出される（図中の矢印ａ６，ａ７参照）。
【００６７】
なお、上述したように、このとき第２ドレイン路３４２からは、第１ドレイン路３４１からよりも遅い速度で洗浄液Ｌが排出される。このため、ノズル２４１が洗浄液Ｌに浸漬していた第１領域３１ａから洗浄液Ｌが排出し切っても、第２領域３１ｂには囲い部材２４５の外周部を浸漬した状態で洗浄液Ｌがまだ残っている。
【００６８】
かかる状態から引き続き、図４Ｄに示すように、第２ドレイン処理では、第２領域３１ｂに残る洗浄液Ｌの液面を揺らさないように、遅い速度での第２ドレイン路３４２からの洗浄液Ｌの排出が継続される（図中の矢印ａ８参照）。
【００６９】
このように、囲い部材２４５の外周部を浸漬した洗浄液Ｌを遅い速度で徐々に排出することによって、実質的に囲い部材２４５の表面に洗浄液Ｌの液残りが生じるのを防ぐことができる。
【００７０】
つづいて、図４Ｅに示すように、ノズル乾燥処理では、洗浄液Ｌを排出し切ってバルブ３４３が閉じられた後、移動機構２５によりノズル２４１および囲い部材２４５が持ち上げられる（図中の矢印ａ９参照）。
【００７１】
そして、移動機構２５が、不活性ガス供給路３５１の吐出口付近にノズル２４１および囲い部材２４５を位置付けた後、バルブ３５２が開放されて、不活性ガス供給源３５３から不活性ガスがノズル２４１へ向けて吐出され（図中の矢印ａ１０参照）、ノズル２４１および囲い部材２４５を乾燥させる。
【００７２】
なお、このとき制御部１８は、ノズル２４１および囲い部材２４５の傘の内側にムラなく均一に不活性ガスが行き渡るように、移動機構２５によりノズル２４１および囲い部材２４５を不活性ガス供給路３５１の吐出口付近で上げ下げしてもよい。
【００７３】
また、図４Ｅでは、図中の矢印ａ１０に示す通り、不活性ガスが水平方向（ＸＹ平面方向）に吐出されるものとしているが、その吐出方向はたとえば囲い部材２４５の傘の内側に沿うものであってもよい。
【００７４】
図４Ｆは、ノズル乾燥処理の変形例を示す図である。具体的には、図４Ｆに示すように、不活性ガス供給路３５１Ａは、その吐出口の吐出方向が、囲い部材２４５の傘の内側に沿うものとなるように設けられてもよい（図中の矢印ａ１１参照）。
【００７５】
かかる場合、不活性ガスは、まず囲い部材２４５の傘の内側に沿って供給され、中央部のノズル２４１付近で多方向から集まることとなるので、上述のようにノズル２４１および囲い部材２４５を不活性ガス供給路３５１Ａの吐出口付近で上げ下げしなくとも、均一に不活性ガスを行き渡らせることができる。
【００７６】
以上のようにノズル洗浄部３０を動作させることにより、囲い部材２４５の取り付けられたノズル２４１を性能高く効率的に洗浄することができる。
【００７７】
上述してきたように、本実施形態に係る基板処理システム１（「基板処理装置」の一例に相当）は、ノズル２４１と、囲い部材２４５と、移動機構２５と、ノズル洗浄部３０（「洗浄部」の一例に相当）とを備える。
【００７８】
ノズル２４１は、ウェハＷ（「基板」の一例に相当）へ向けて処理液を吐出する。囲い部材２４５は、ノズル２４１の先端部を囲うようにノズル２４１に取り付けられる。移動機構２５は、ノズル２４１および囲い部材２４５を移動させる。ノズル洗浄部３０は、移動機構２５によって移動されたノズル２４１および囲い部材２４５を洗浄液で洗浄する。
【００７９】
したがって、本実施形態に係る基板処理システム１によれば、ノズル２４１とノズル２４１に取り付けられた囲い部材２４５を洗浄することができる。
【００８０】
なお、上述した実施形態では、囲い部材２４５が、底面が円である中空円錐体状である場合を例に示したが、底面が多角形である中空錐体状であってもよい。また、錐体の側面が平面ではなく、曲面であってもよい。
【００８１】
また、上述した実施形態では、実質的に囲い部材２４５の表面への液残りを防ぐため、第２領域３１ｂの洗浄液を第１ドレイン路３４１からよりも遅い速度で第２ドレイン路３４２から排出させる場合を例に挙げた。
【００８２】
これは、言わば第２領域３１ｂにおける洗浄液の液面を揺らさないように洗浄液の液面および囲い部材２４５の相対位置を変化させればよく、したがって、囲い部材２４５側を移動させることでも実現可能である。
【００８３】
具体的には、移動機構２５により、第２領域３１ｂにおいて洗浄液に浸漬する囲い部材２４５を、液処理の昇降動作時よりも遅い移動速度で徐々に第２領域３１ｂから離脱させればよい。かかる移動機構２５による動作は、第２ドレイン路３４２からの洗浄液の排出と組み合わされてもよい。
【００８４】
また、上述した実施形態では、直線的な傾斜を有する傘状の形態を例に説明してきたが、囲い部材２４５の形状はこれに限定されない。例えば、囲い部材２４５の傾斜が曲線的な形状を有する碗状（略半球形）の形状を有していてもよい（例えば、図５Ａ）。また、囲い部材２４５は、全てが傾斜面を有している必要はなく、一部分が垂直面（Ｚ軸方向に平行な面）、または水平面（Ｘ軸またはＹ軸方向に平行な面）を有していてもよい（例えば、図５Ｂ）。第２供給路３２２は、囲い部材２４５の形状に対応して設けられていればよく、囲い部材２４５の上面側に洗浄液を直接供給できる位置にあってもよい。
【００８５】
また、上述した実施形態では、洗浄液が主にＨＤＩＷ、不活性ガスが主にＮ２であるものとしたが、それぞれ洗浄液および不活性ガスを限定するものではない。これらは、たとえばノズル２４１から吐出される処理液の種類等に応じて、それぞれ相応しい洗浄性能が得られる洗浄液および不活性ガスに置換することが可能である。
【００８６】
さらなる効果や変形例は、当業者によって容易に導き出すことができる。このため、本発明のより広範な態様は、以上のように表しかつ記述した特定の詳細および代表的な実施形態に限定されるものではない。したがって、添付の特許請求の範囲およびその均等物によって定義される総括的な発明の概念の精神または範囲から逸脱することなく、様々な変更が可能である。
【符号の説明】
【００８７】
１  基板処理システム
２  搬入出ステーション
３  処理ステーション
４  制御装置
１６  処理ユニット
２４  ノズルヘッド
２５  移動機構
３０  ノズル洗浄部
３１  洗浄槽
３１ａ  第１領域
３１ｂ  第２領域
２４１  ノズル
２４５  囲い部材
３２１  第１供給路
３２２  第２供給路
３３１  オーバーフロードレイン路
３４１  第１ドレイン路
３４２  第２ドレイン路
３５１、３５１Ａ  不活性ガス供給路
Ｗ  ウェハ
【図１】
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【図２Ａ】
0006387329.tif 000003
【図２Ｂ】
0006387329.tif 000004
【図２Ｃ】
0006387329.tif 000005
【図２Ｄ】
0006387329.tif 000006
【図２Ｅ】
0006387329.tif 000007
【図３】
0006387329.tif 000008
【図４Ａ】
0006387329.tif 000009
【図４Ｂ】
0006387329.tif 000010
【図４Ｃ】
0006387329.tif 000011
【図４Ｄ】
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【図４Ｅ】
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【図４Ｆ】
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【図５Ａ】
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【図５Ｂ】
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