(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
被検出雰囲気内に配置されて、自身の温度変化により抵抗値が変化する発熱抵抗体を有するガス検出素子と、
前記発熱抵抗体が予め設定された二つの設定温度にそれぞれ対応する各抵抗値となるように、該発熱抵抗体の通電状態を一定の周期時間毎に切り替える制御を行う通電制御部と、
前記ガス検出素子を収容し、前記被検出雰囲気を自身の内外に流通させるガス導入口を有するケーシング部材と、を備えるガス検出装置において、
前記二つの設定温度のうち高温側の設定温度時に検出される前記発熱抵抗体の両端電圧を高温時電圧とし、低温側の設定温度時に検出される前記発熱抵抗体の両端電圧を低温時電圧としたとき、
前記高温時電圧と前記低温時電圧との比に基づいて、前記被検出雰囲気の湿度を演算する湿度演算部と、
前記湿度演算部が演算した前記湿度の時間変化に応じて、前記ガス導入口の閉塞の度合を判定する閉塞判定部と、を備えた
ガス検出装置。
【請求項２】
請求項１に記載のガス検出装置であって、
前記閉塞判定部は、前記ガス検出装置が始動してから所定の時間内に、前記湿度の時間変化が第１閾値を超えた場合に、前記ガス導入口が閉塞していると判定する、ガス検出装置。
【請求項３】
請求項２に記載のガス検出装置であって、
前記閉塞判定部は、前記ガス検出装置が始動してから前記所定の時間を超え、かつ前記湿度の時間変化が前記第１閾値よりも小さい閾値である第２閾値を超えない場合に、前記ガス導入口が閉塞していると判定する、ガス検出装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、被検出雰囲気中に存在するガスのガス濃度を検出するガス検出装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、環境・自然保護などの社会的要求から、高効率で、クリーンなエネルギー源として燃料電池の研究が活発に行われている。その中で、低温作動、高出力密度等の利点により、家庭用、車載用などのエネルギー源として固体高分子型燃料電池（ＰＥＦＣ）や水素内燃機関が期待されている。
【０００３】
これらのシステムでは、例えば、可燃性ガスである水素を燃料としているため、ガス漏れの検知が重要な課題の一つとして挙げられている。
この種の被検出雰囲気中に存在する可燃性ガスのガス濃度を検出する可燃性ガス検出装置では、被検出雰囲気内にガス検出素子を配置し、このガス検出素子に、自身の温度変化（発熱）により抵抗値が変化する発熱抵抗体と、環境温度の変化により抵抗値が変化する測温抵抗体とを実装するものが知られている。
【０００４】
具体的には、この可燃性ガス検出装置では、ガス検出素子における発熱抵抗体の抵抗値が、二つの設定温度（第１設定温度，第２設定温度）に対応した各抵抗値となるように、ブリッジ回路によって制御し、その時の制御電圧（発熱抵抗体の両端電圧）と、測温抵抗体の抵抗値が変化することによって生じる電圧差（温度電圧）とを用いて、ガス濃度を算出している。
【０００５】
なお、各設定温度（第１設定温度，第２設定温度）は、例えば、ブリッジ回路内に設置された互いに抵抗値の異なる固定抵抗の導通状態を、一定の周期時間毎に選択的に切り替えることによって変更される（例えば、特許文献１、２参照）。これにより、１個のブリッジ回路及び発熱抵抗体を用いて第１設定温度及び第２設定温度における発熱抵抗体の両端電圧を検出することができ、ガス検出素子の小型化及び電力消費の抑制を確保することができる。
又、被検出雰囲気内の可燃性ガスの濃度が当該被検出雰囲気内の湿度に基づき変動することを考慮し、上記特許文献１、２には、上記電圧差だけでなく、第１設定温度と第２設定温度における発熱抵抗体の両端電圧の比(電圧比)を演算し、この比が湿度にほぼ比例することを利用してガス濃度を補正することが記載されている。
【０００６】
一方、上記可燃性ガス検出装置は、ガス導入口を有するケーシング部材の内部にガス検出素子を収容しており、ガス導入口を介してケーシング部材の内外に被検出雰囲気を流通させ、ガス検出素子による検出を行っている。ところが、ガス導入口に泥、水、油分等が付着して閉塞（目詰まり）すると、ガスの検出が不正確になったり、検出が行えなくなるので、ガス導入口の閉塞の有無を判定する必要がある。
このようなことから、ケーシング部材の内部に空気流を測定するモニタ（エアフローモニタ）を設置し、空気流量の変化からガス導入口の閉塞の有無を判定する技術が開発されている（特許文献３参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特許第４３０２６１１号公報
【特許文献２】特開２０１４−２０８５９号公報
【特許文献３】特開２００５−５２８３３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
しかしながら、特許文献３記載の技術の場合、可燃性ガス検出装置に新たにエアフローモニタを設置しなければならず、部品点数の増加により製品コストの増大や、ガス検出装置のコンパクト化が困難になるという問題がある。
すなわち、本発明は、ガス検出装置のケーシング部材に設けられたガス導入口の閉塞の度合を、部品点数を増加させずに容易に判定できるガス検出装置の提供を目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上記課題を解決するため、本発明のガス検出装置は、被検出雰囲気内に配置されて、自身の温度変化により抵抗値が変化する発熱抵抗体を有するガス検出素子と、前記発熱抵抗体が予め設定された二つの設定温度にそれぞれ対応する各抵抗値となるように、該発熱抵抗体の通電状態を一定の周期時間毎に切り替える制御を行う通電制御部と、前記ガス検出素子を収容し、前記被検出雰囲気を自身の内外に流通させるガス導入口を有するケーシング部材と、を備えるガス検出装置において、前記二つの設定温度のうち高温側の設定温度時に検出される前記発熱抵抗体の両端電圧を高温時電圧とし、低温側の設定温度時に検出される前記発熱抵抗体の両端電圧を低温時電圧としたとき、前記高温時電圧と前記低温時電圧との比に基づいて、前記被検出雰囲気の湿度を演算する湿度演算部と、前記湿度演算部が演算した前記湿度の時間変化に応じて、前記ガス導入口の閉塞の度合を判定する閉塞判定部と、を備えている。
このガス検出装置によれば、ガス検出素子で測定可能な高温時電圧及び低温時電圧を用いて被検出雰囲気の湿度を算出し、湿度の時間変化に応じてガス導入口の閉塞の度合を判定する。このため、ガス検出装置に新たにエアフローモニタ等の閉塞の度合を測定する部材を設置する必要がなく、部品点数を増加させずにガス導入口の閉塞の度合を容易に判定できる。
【００１０】
本発明のガス検出装置において、前記閉塞判定部は、前記ガス検出装置が始動してから所定の時間内に、前記湿度の時間変化が第１閾値を超えた場合に、前記ガス導入口が閉塞していると判定してもよい。
このガス検出装置によれば、ガス検出装置が始動してから短時間内に装置内の温度が上昇することに起因して、ガス導入口が閉塞している場合には湿度が時間と共に増加する現象を検知し、ガス導入口の閉塞の度合を確実に判定できる。
【００１１】
本発明のガス検出装置において、前記閉塞判定部は、前記ガス検出装置が始動してから前記所定の時間を超え、かつ前記湿度の時間変化が前記第１閾値よりも小さい閾値である第２閾値を超えない場合に、前記ガス導入口が閉塞していると判定してもよい。
このガス検出装置によれば、ガス検出装置が始動してから時間が経過して装置内の温度が略一定になることに起因して、ガス導入口が閉塞している場合には湿度が時間と共に変化し難いという現象を検知し、ガス導入口の閉塞の度合を確実に判定できる。
【発明の効果】
【００１２】
この発明によれば、ガス検出装置のケーシング部材に設けられたガス導入口の閉塞の度合を、部品点数を増加させずに容易に判定することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
【図１】可燃性ガス検出装置の全体構成図である。
【図２】可燃性ガス検出装置の主要部となるガス検出素子の構成を示す平面図である。
【図３】図２におけるＩＩＢ−ＩＩＢ線に沿ったガス検出素子の断面図である。
【図４】ガス検出素子をケーシング部材に収容した可燃性ガス検出装置の分解斜視図である。
【図５】第１の実施形態において、ＶＨ及びＶＬの取得タイミングを示すタイムチャート、発熱抵抗体の第１設定温度（ＣＨ），第２設定温度（ＣＬ）を示すタイムチャート、及び測温抵抗体の温度の取得タイミングを示すタイムチャートを表す図である。
【図６】第１の実施形態において、ＶＨ、ＶＬ及びＶＴの取得処理のフローチャートを示す図である。
【図７】第１の実施形態において、湿度演算処理及びガス濃度演算処理のフローチャートを示す図である。
【図８】第１の実施形態において、閉塞判定処理の概念図である。
【図９】第１の実施形態において、閉塞判定処理のフローチャートである。
【図１０】第２の実施形態において、閉塞判定処理の概念図である。
【図１１】第２の実施形態において、閉塞判定処理のフローチャートである。
【図１２】平均高温時電圧ＶＨ'、及び平均低温時電圧ＶＬ'を用いた場合の、ＶＨ及びＶＬの取得タイミングを示すタイムチャート、発熱抵抗体の第１設定温度（ＣＨ），第２設定温度（ＣＬ）を示すタイムチャート、及び測温抵抗体の温度の取得タイミングを示すタイムチャートを表す図である。
【図１３】平均高温時電圧ＶＨ'、及び平均低温時電圧ＶＬ'を用いた場合の、ＶＨ、ＶＬ及びＶＴの取得処理のフローチャートを示す図である。
【図１４】平均高温時電圧ＶＨ'、及び平均低温時電圧ＶＬ'を用いた湿度演算処理及びガス濃度演算処理のフローチャートを示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１４】
以下に、本発明の実施形態を図面と共に説明する。
図１は、本発明が適用された可燃性ガス検出装置１の全体構成図である。図２は、可燃性ガス検出装置１の主要部となるガス検出素子３の構成を示す平面図（但し、内部構成も一部示す）であり、図３が図２におけるＩＩＢ−ＩＩＢ線に沿ったガス検出素子の断面図であり、図４がガス検出素子３をケーシング部材９０に収容した可燃性ガス検出装置１の分解斜視図である。
【００１５】
［全体構成］
可燃性ガス検出装置１は、熱伝導式のガス検出素子３を用いて、可燃性ガスの濃度を検出するものであり、例えば、燃料電池自動車の客室内に設置され、水素の漏れを検出する目的等に用いられる。
【００１６】
図１に示すように、可燃性ガス検出装置１は、ガス検出素子３（図２、図３参照）を駆動制御する制御回路５と、制御回路５の動作を制御する切替信号ＣＧ１を生成するとともに、制御回路５から得られる検出信号Ｖ１，ＳＶＴに基づいて、被検出ガス中に含まれる可燃性ガスの湿度を演算する処理（湿度演算）、後述する閉塞判定処理、及びガス濃度を演算する処理（ガス濃度演算処理）を少なくとも含む各種処理を実行するマイクロコンピュータ（以下「マイコン」という）７と、直流電源Ｖｃｃから可燃性ガス検出装置１への電源供給経路を導通，遮断することで制御回路５，マイコン７を起動，停止する起動スイッチ９とを備えている。
【００１７】
なお、制御回路５（但し、後述する発熱抵抗体３４および測温抵抗体３５を除く），マイコン７，起動スイッチ９は単一の回路基板９００（図４参照）上に構成され、この回路基板９００とは別体にガス検出素子３は構成されている。
【００１８】
［ガス検出素子］
次に、ガス検出素子３について説明する。
図２，図３に示すように、ガス検出素子３は、平板形状（平面視四角形状）の基部３０を備え、基部３０の一方の面（以下「表面」という）には、複数の電極３１が形成され、他方の面（以下「裏面」という）には、基部３０の中心付近に、基部３０の一方の方向に沿って一つの凹部３０１が形成されている。
【００１９】
なお、ガス検出素子３は、縦横ともに数ｍｍ（例えば３ｍｍ×３ｍｍ）程度の大きさであり、例えば、シリコン基板を用いたマイクロマシニング技術（マイクロマシニング加工）により製造される。
【００２０】
電極３１は、基部３０の一方の辺（図２中では下方の辺）に沿って配置された二つの電極（電極パッド）３１１，３１２（以下「第１電極群」ともいう）と、他方の辺（図２中では上方の辺）に沿って配置された二つの電極（電極パッド）３１４，３１５（以下「第２電極群」ともいう）とを備える。これらのうち、電極３１２，３１５を、以下ではグランド電極ともいう。また、電極３１を構成する材料としては、例えば、アルミニウム（Ａｌ）又は金（Ａｕ）が用いられる。
【００２１】
基部３０は、シリコン製の基板３２と、基板３２の一方の面に形成された絶縁層３３とを備えており、絶縁層３３が部分的（ここではほぼ正方形）に露出するように基板３２の一部を除去することで凹部３０１が形成されたダイアフラム構造をなしている。つまり、基部３０では、絶縁層３３側（基板３２が除去されていない方）が基部３０の表面となり、基板３２側（基板３２の一部が除去されている方を含む）が基部３０の裏面となる。
【００２２】
絶縁層３３には、凹部３０１により基部３０の裏面に露出した部位に、渦巻き状にパターン形成された発熱抵抗体３４が埋設されているとともに、第２電極群３１４，３１５が形成された側の基部３０の長辺（一辺）に沿って、温度測定に用いる測温抵抗体３５が埋設されている。つまり、発熱抵抗体３４は、絶縁層３３にて測温抵抗体３５よりも中央側の領域に配置され、測温抵抗体３５は、絶縁層３３の縁を形成する四辺のうちの一辺に沿った領域に配置されている。
【００２３】
なお、絶縁層３３は、単一の材料で形成されてもよいし、異なる材料を用いて複数層を成すように形成されてもよい。また、絶縁層３３を構成する絶縁性材料としては、例えば、酸化ケイ素（ＳｉＯ2）や窒化珪素（Ｓｉ3Ｎ4）が用いられる。
【００２４】
発熱抵抗体３４は、自身の温度変化により抵抗値が変化する温度抵抗係数が大きい導電性材料で構成され、また、測温抵抗体３５は、電気抵抗が温度に比例して変化（本実施形態では、温度の上昇に伴って抵抗値が増大）する導電性材料で構成される。発熱抵抗体３４および測温抵抗体３５は、いずれも同じ抵抗材料、本実施形態では白金（Ｐｔ）で形成されている。
【００２５】
そして、発熱抵抗体３４は、発熱抵抗体３４が形成された平面と同じ平面に埋設された配線３６、および配線膜３７を介して第１電極群３１１，３１２に接続され、測温抵抗体３５は、測温抵抗体３５が形成された平面と同じ平面に埋設された配線膜（図示せず）を介して第２電極群３１４，３１５に接続されている。
【００２６】
なお、配線３６や配線膜３７を構成する材料としては、発熱抵抗体３４および測温抵抗体３５と同じ抵抗材料が用いられている。また、基部３０の表面に形成される電極３１と基部３０（絶縁層３３）の内部に形成される配線膜３７とはコンタクトホール（接続導体）によって接続される。
【００２７】
つまり、発熱抵抗体３４は、一端が電極３１１、他端がグランド電極３１２と導通し、測温抵抗体３５は、一端が電極３１４、他端がグランド電極３１５と導通するように接続されている。
［制御回路］
次に、制御回路５の構成について説明する。
【００２８】
図１に示すように、制御回路５は、発熱抵抗体３４への通電制御を行い、発熱抵抗体３４の両端電圧に対応する検出信号Ｖ１を出力する通電制御回路５０と、測温抵抗体３５への通電を行い、被検出雰囲気の温度を表す温度検出信号ＳＶＴを出力する温度調整回路８０とを備えている。
【００２９】
［通電制御回路］
通電制御回路５０は、発熱抵抗体３４を含んで構成されたブリッジ回路（ホイートストンブリッジ回路）５１と、ブリッジ回路５１で検出される電位差を増幅する増幅回路５３と、増幅回路５３の出力に従って、ブリッジ回路５１に流れる電流を増減調整する電流調整回路５５とを備えている。
【００３０】
電流調整回路５５は、ブリッジ回路５１に直流電源Ｖｃｃを供給する電源ラインに接続され、増幅回路５３の出力である調整信号Ｃに従って通電状態（オン抵抗）が変化するトランジスタを備える。具体的には、調整信号Ｃが大きいほど、オン抵抗が大きくなって、ブリッジ回路５１に流れる電流が減少し、逆に、調整信号が小さいほど、オン抵抗が小さくなって、ブリッジ回路５１に流れる電流が増大するように構成されている。
【００３１】
増幅回路５３は、演算増幅器５３１と、演算増幅器５３１の反転入力端子および非反転入力端子のそれぞれに接続された固定抵抗５３２，５３３と、演算増幅器５３１の反転入力端子と出力端子との間に並列接続された固定抵抗５３４，およびコンデンサ５３５とによって構成された周知の差動増幅回路を備える。
【００３２】
つまり、非反転入力端子の入力電圧が反転入力端子の入力電圧より大きい場合に、増幅回路５３の出力である調整信号Ｃが大きくなり（ひいては、ブリッジ回路５１に流れる電流が減少し）、逆に、非反転入力端子の入力電圧が反転入力端子の入力電圧より小さい場合に、調整信号Ｃが小さくなる（ひいては、ブリッジ回路５１に流れる電流が増大する）ように構成されている。
【００３３】
ブリッジ回路５１は、発熱抵抗体３４および２個の固定抵抗５１１，５１２、抵抗値を切替可能な可変抵抗部５２を備えており、固定抵抗５１１と発熱抵抗体３４、固定抵抗５１２と可変抵抗部５２をそれぞれ直列接続し、各直列回路のうち、発熱抵抗体３４および可変抵抗部５２側の各端部ＰＧを接地し、固定抵抗５１１，５１２側の各端部を電源側（電流調整回路５５）に接続することで構成されている。
【００３４】
そして、固定抵抗５１１と発熱抵抗体３４との接続点Ｐ＋は、固定抵抗５３２を介して演算増幅器５３１の非反転入力端子に接続され、固定抵抗５１２と可変抵抗部５２との接続点Ｐ−は、固定抵抗５３３を介して演算増幅器５３１の反転入力端子に接続されている。さらに、接続点Ｐ＋の電位を、検出信号Ｖ１としてマイコン７に供給するように構成されている。
【００３５】
また、可変抵抗部５２は、抵抗値の異なる２個の固定抵抗５２１，５２２と、マイコン７からの切替信号ＣＧ１に従って、固定抵抗５２１，５２２のいずれか一方を有効に動作させる切替スイッチ５２３を備えており、切替スイッチ５２３により可変抵抗部５２の抵抗値を切り替えることで、ブリッジ回路５１のバランスを変化させることができるように構成されている。
【００３６】
なお、固定抵抗５２１は、発熱抵抗体３４が第１設定温度ＣＨ（例えば、４００℃）となる抵抗値を有し、固定抵抗５２２は、発熱抵抗体３４が第１設定温度ＣＨより低く設定された第２設定温度ＣＬ（例えば、３００℃）となる抵抗値を有する。
【００３７】
このように構成された通電制御回路５０では、直流電源Ｖｃｃからブリッジ回路５１への通電を開始すると、増幅回路５３および電流調整回路５５は、接続点Ｐ＋，Ｐ−間に生じる電位差がゼロになるようにブリッジ回路５１に流れる電流を調整する。これにより、発熱抵抗体３４の抵抗値（ひいては温度）が、可変抵抗部５２によって決まる一定値（ひいては第１設定温度ＣＨまたは第２設定温度ＣＬ）に制御される。
【００３８】
具体的には、被検出雰囲気中の可燃性ガスの含有量が変化し、発熱抵抗体３４が発生させる熱量より、可燃性ガスによって奪われる熱量が大きくなった場合には、発熱抵抗体３４の温度が低下することによって、発熱抵抗体３４の抵抗値が減少する。逆に、発熱抵抗体が発生させる熱量より、可燃性ガスによって奪われる熱量が小さくなった場合には、発熱抵抗体３４の温度が上昇することによって、発熱抵抗体３４の抵抗値が増大する。
【００３９】
これに対して、増幅回路５３および電流調整回路５５は、発熱抵抗体３４の抵抗値が減少すると、ブリッジ回路５１に流れる電流、ひいては発熱抵抗体３４が発生させる熱量を増大させ、逆に、発熱抵抗体３４の抵抗値が増大すると、ブリッジ回路５１に流れる電流、ひいては発熱抵抗体３４が発生させる熱量を減少させることで、発熱抵抗体３４の抵抗値（ひいては温度）を一定の大きさに保つ。
【００４０】
つまり、接続点Ｐ＋の電位を表す検出信号Ｖ１からは、発熱抵抗体３４に流れる電流の大きさ、即ち、発熱抵抗体３４の温度（抵抗値）を一定に保つために必要な熱量（さらには、可燃性ガスによって奪われる熱量）がわかり、その熱量はガス濃度に応じた大きさとなるため、検出信号Ｖ１から可燃性ガスのガス濃度がわかることになる。なお、詳細には、ガス濃度を算出する際に、被検出雰囲気内の湿度Ｈを用いて補正し、さらに湿度Ｈを用いて後述するガス導入口９２ｈの閉塞の度合を判定するが、これについては後述の「ガス濃度演算処理」、「湿度演算処理」、「閉塞判定処理」にて説明する。
【００４１】
［温度測定回路］
次に、温度調整回路８０は、測温抵抗体３５を含んで構成されたブリッジ回路（ホイートストンブリッジ）８１と、ブリッジ回路８１から得られる電位差を増幅する増幅回路８３とを備えている。
【００４２】
増幅回路８３は、演算増幅器８３１と、演算増幅器８３１の反転入力端子および非反転入力端子のそれぞれに接続された固定抵抗８３２，８３３と、演算増幅器８３１の反転入力端子と出力端子との間に並列接続された固定抵抗８３４，コンデンサ８３５によって構成された周知の差動増幅回路を備える。
【００４３】
ブリッジ回路８１は、測温抵抗体３５および３個の固定抵抗８１１，８１２，８１３を備えており、固定抵抗８１１と測温抵抗体３５、固定抵抗８１２と固定抵抗８１３をそれぞれ直列接続し、各直列回路のうち、測温抵抗体３５および固定抵抗８１３側の各端部を接地し、固定抵抗８１１，８１２側の各端部を電源に接続することで構成されている。
【００４４】
そして、固定抵抗８１１と測温抵抗体３５との接続点Ｐ−が固定抵抗８３３を介して演算増幅器５３１の反転入力端子に接続され、固定抵抗８１２と固定抵抗８１３との接続点Ｐ＋が固定抵抗８３２を介して演算増幅器８３１の非反転入力端子に接続されている。また、演算増幅器８３１の出力を温度検出信号ＳＶＴとしてマイコンに供給するように構成されている。
【００４５】
測温抵抗体３５は、ガス検出素子３が晒される被検出雰囲気の温度が、予め設定された基準温度の時に、温度検出信号ＳＶＴが基準値となるように設定される。
そして、被検出雰囲気の温度変化に伴って、測温抵抗体３５の抵抗値が変化することにより電位差が生じ、この電位差を増幅したものが温度検出信号ＳＶＴとして出力される。
【００４６】
なお、ガス検出素子３と制御回路５との接続において、ガス検出素子３の各電極３１（３１１，３１２，３１４，３１５）は、電極３１１が通電制御回路５０の接続点Ｐ＋に、電極３１４が温度調整回路８０の接続点Ｐ−に、グランド電極３１２，３１５が制御回路５に共通のグランドラインに接続される。
【００４７】
［マイコン］
マイコン７は、湿度演算処理、閉塞判定処理、ガス濃度演算処理等を実行するための各種のプログラムやデータを格納する記憶装置８（ＲＯＭ，ＲＡＭ等）、この記憶装置８に記憶されたプログラムを実行するＣＰＵ、各種信号を入出力するためのＩＯポート、計時用タイマー等を備えた周知のものである。
【００４８】
ここで、第１設定温度ＣＨ（４００℃）の時に検出される検出信号Ｖ１の信号レベルを高温時電圧ＶＨ、第２設定温度ＣＬ（３００℃）時に検出される検出信号Ｖ１の信号レベルを低温時電圧ＶＬ、温度調整回路８０から読み込んだ温度検出信号ＳＶＴの信号レベルを温度電圧ＶＴというものとする。
【００４９】
そして、記憶装置８には、被検出雰囲気内の環境温度Ｔと温度電圧ＶＴとの相関関係を表す温度換算データ、被検出雰囲気内の湿度Ｈと高温時電圧ＶＨ，低温時電圧ＶＬ，温度電圧ＶＴとの相関関係を表す湿度換算データ、高温時電圧ＶＨまたは低温時電圧ＶＬ（本実施形態では高温時電圧ＶＨを使用）と可燃性ガスのガス濃度Ｘとの相関関係を表す濃度換算データが少なくとも記憶されている。なお、各換算データは、具体的には、換算用マップデータや換算用計算式等で構成されており、実験等により得られたデータに基づいて予め作成されたものである。
【００５０】
なお、湿度換算データには、環境温度Ｔ（ひいては温度電圧ＶＴ）と後述する電圧比ＶＣ（０）との相関関係を表す電圧比換算用マップデータ、後述する電圧比差ΔＶＣと湿度Ｈとの相関関係を表す湿度換算用マップデータが含まれている。さらに、濃度換算データには、温度電圧ＶＴと後述する高温時電圧ＶＨ（０）との相関関係を表す高温時電圧換算用マップデータ、高温時電圧ＶＨおよび湿度Ｈと後述する高温時電圧変化ΔＶＨ（Ｈ）との相関関係を表す湿度電圧変化換算用マップデータ、温度電圧ＶＴおよび高温時電圧ＶＨと後述するガス感度Ｇ（ＶＴ）との相関関係を表すガス感度換算用マップデータが含まれている。
【００５１】
また、マイコン７は、起動スイッチ９がオンされることによって直流電源Ｖｃｃから給電が開始されると起動して、マイコン７の各部を初期化後、ガス濃度演算処理を開始する。
なお、通電制御回路５０および切替信号ＣＧ１を出力するマイコン７が通電制御部の一例に相当し、それぞれ湿度演算処理、閉塞判定処理、ガス濃度演算処理を実行するマイコン７が、それぞれ湿度演算部、閉塞判定部、ガス濃度演算部の一例に相当する。
【００５２】
次に、図４を参照し、可燃性ガス検出装置１におけるケーシング部材９０の構成について説明する。
図４に示すように、可燃性ガス検出装置１は、ガス検出素子３と、回路基板９００と、ガス検出素子３及び回路基板９００を収容するケーシング部材９０とを備えている。ケーシング部材９０は、ケーシング本体部９１と、ケーシング本体部９１の上面開口９１ａを閉塞する略平板状の上面板９２とを備えている。
ケーシング本体部９１の２つの長辺の中央部から外側に向かってそれぞれフランジ部９１ｂが延びており、各フランジ部９１ｂの中央には所定のボルト孔が開口している。そして、ボルト孔に挿通したボルト（図示せず）を、可燃性ガス検出装置１の取付対象体（例えば車両の所定部位）にネジ止めすることで、可燃性ガス検出装置１を取付対象体に取付けるようになっている。又、ケーシング本体部９１の１つの短辺から外側に向かい、外部との信号の入出力を行うための筒状のコネクタ部９１ｃが延びている。
【００５３】
一方、上面板９２の中央部から上方に向かって環状部材９２ａが突出し、環状部材９２ａの内側にはガス導入口９２ｈが開口し、ガス導入口９２ｈを介して被検出雰囲気がケーシング部材９０の内外に流通するようになっている。又、金網２００がガス導入口９２ｈを覆っている。
可燃性ガス検出装置１は、被検出雰囲気中の水素濃度を測定する水素ガスセンサである。又、金網２００は、ケーシング部材９０の内部に配置されたガス検出素子３の温度が水素ガスの発火温度よりも上昇して発火した場合であっても、火炎がケーシング部材９０の外部に出るのを防止する防爆機能を有するフレームアレスタとなっている。
なお、金網２００より下側（ケーシング部材９０の内部側）に、ガス導入口９２ｈを覆うように撥水フィルタを配置し、ガス導入口９２ｈからケーシング部材９０の内部に水が浸入することを防止してもよい。又、撥水フィルタは、金網２００より上側で、ガス導入口９２ｈを覆うように配置してもよい。
【００５４】
また、回路基板９００の上面には、台座９８を介してガス検出素子３が搭載（実装）され、ガス検出素子３の複数（この例では４個）の電極は、台座９８の四隅から下方に突出する接続端子９９のそれぞれにボンディングワイヤ９６を介して接続されている。そして、回路基板９００をケーシング本体部９１に位置決めして収容し、ケーシング本体部９１の上面開口９１ａの内縁に上面板９２を嵌合すると、上面板９２の裏面に接着された環状の弾性シール体９４が回路基板９００の上面を押圧し、回路基板９００を固定するようになっている。
回路基板９００には、ガス検出素子３を制御する上述の制御回路５（但し、後述する発熱抵抗体３４および測温抵抗体３５を除く），マイコン７，起動スイッチ９や各種電子部品（図示せず）が半田付け等により実装されている。又、回路基板９００には、ガス検出素子３との電気的接続を行うための複数の配線部９３１ａ〜９３１ｃが形成され、各配線部９３１ａ〜９３１ｃの一端側には４本のスルーホール９３１ｈが形成されている。そして、各スルーホール９３１ｈに接続端子９９が挿通され、ガス検出素子３が回路基板９００に電気的に接続され、各配線部９３１ａ〜９３１ｃはコネクタ部９１ｃを介して外部に引き出される。
そして、回路基板９００の表面と、ガス導入口９２ｈと、弾性シール体９４の内側面で囲まれたケーシング部材９０の内部空間が、ガス検出素子３を臨ませつつ被検出雰囲気に連通する測定室Ｓを形成し、測定室Ｓ内の被検出雰囲気中の水素ガス濃度をガス検出素子３にて検出するようになっている。なお、本実施形態では、上面板９２は、ケーシング本体部９１に接着剤や溶着等によって固定される。
【００５５】
［ガス濃度演算処理、湿度演算処理、及び閉塞判定処理］
次に、図５〜図９を参照し、本発明の第１の実施形態に係る可燃性ガス検出装置のガス濃度演算処理、湿度演算処理、及び閉塞判定処理について説明する。図５は、それぞれＶＨ及びＶＬの取得タイミングを示すタイムチャート（図５（ａ）、（ｂ））、発熱抵抗体の第１設定温度（ＣＨ），第２設定温度（ＣＬ）を示すタイムチャート（図５（ｃ））、及び測温抵抗体の温度（温度電圧ＶＴ）の取得タイミングを示すタイムチャート（図５（ｄ））を表す。又、図６はＶＨ、ＶＬ及びＶＴの取得処理のフローチャート、図７は湿度演算処理及びガス濃度演算処理のフローチャート、図８は閉塞判定処理の概念図、図９は閉塞判定処理のフローチャートである。
【００５６】
図５（ａ）、（ｂ）に示すように、二つの設定温度（第１設定温度，第２設定温度）におけるそれぞれ高温時電圧ＶＨ、低温時電圧ＶＬを、一定の周期時間毎に交互に取得してゆく。具体的には、最初の周期時間ＴＷ１にてＶＨ１を検出した後、次の周期時間ＴＷ２にてＶＬ１を検出する。このときのＶＨとＶＬの比としては、図５中に領域Ｒ１で図示したＶＨ１、ＶＬ１を用いる。次に、上記ＶＬ１を検出した後、次の周期時間ＴＷ３にてＶＨ２を検出する。このときのＶＨとＶＬの比としては、図５中に領域Ｒ２で図示したＶＬ１、ＶＨ２を用いる。
なお、図５において、高温時電圧（ＶＨ）の添え字１，２，３の順に、時系列で高温時電圧が検出され、同様に低温時電圧（ＶＬ）の添え字１，２，３の順に、時系列で低温時電圧が検出される。又、温度電圧ＶＴＬは、低温時電圧（ＶＬ）を検出したのと同一の周期時間での温度電圧（ＶＴ）を表し、温度電圧ＶＴＨは、高温時電圧（ＶＨ）を検出したのと同一の周期時間での温度電圧（ＶＴ）を表す。
【００５７】
また、上述のように周期時間ＴＷ１、ＴＷ２の領域Ｒ１で高温時電圧ＶＨ１と低温時電圧ＶＬ１とを用いて後述する電圧比ＶＣ１を求め、次に周期時間ＴＷ２、ＴＷ３の領域Ｒ２で低温時電圧ＶＬ１と高温時電圧ＶＨ２とを用いて電圧比ＶＣ２を求めることで、１つの周期時間ＴＷ毎にＶＨ、ＶＬの電圧比が得られる。これに対し、例えば領域Ｒ１の後、次に周期時間ＴＷ３、ＴＷ４で高温時電圧ＶＨ２と低温時電圧ＶＬ２とを用いて電圧比を求めた場合、その算出タイミングは周期時間の２倍となる。
そして、上記電圧比に基づき、被検出雰囲気の湿度及びガス濃度を演算する。
なお、電圧比ＶＣを用いてガス濃度を演算する際、環境温度としては周期時間ＴＷ１での環境温度（温度電圧ＶＴＨ１）を用いてもよく、周期時間ＴＷ２での環境温度（温度電圧ＶＴＬ１）を用いてもよいが、最新の環境温度（つまり、領域Ｒ１ではＶＴＬ１、領域Ｒ２ではＶＴＨ２）を用いると、最新の環境温度を用いてガス濃度を演算できるので好ましい。
また、図５（ｄ）では、可燃性ガス検出装置１が始動してから短時間（例えば、１０分以内）での一般的な温度変化を反映しており、可燃性ガス検出装置１を始動させると可燃性ガス検出装置１内部の被検出雰囲気の温度が上昇し、１０分程度で一定温度に到達するのが通常である。
【００５８】
次に、図６〜図７を参照し、マイコン７のＣＰＵが実行するＶＨ、ＶＬ及びＶＴの取得処理、ガス濃度演算処理、湿度演算処理を説明する。
なお、ガス濃度Ｘを求める演算では、低温時電圧ＶＬまたは高温時電圧ＶＨのいずれかから濃度換算データを用いてガス濃度Ｘを求め、さらには、温度電圧ＶＴから温度換算データを用いて環境温度Ｔを求め、演算結果であるガス濃度Ｘを、同じく演算結果である環境温度Ｔだけを用いて補正する方法もあるが、ここでは、環境温度Ｔに加えて湿度Ｈを用いてガス濃度Ｘを求めるものとする。また、本実施形態では、連続する周期時間でのＶＨ、ＶＬの電圧比を用いて湿度Ｈを算出する。
【００５９】
図６に示すように、ＶＨ、ＶＬ及びＶＴの取得処理において、まずステップＳ１０２では、ＣＰＵは発熱抵抗体３４を高温側（第１設定温度（ＣＨ）側）へ切り替えると共に、測温抵抗体３５に通電を開始する。具体的には、切替信号ＣＧ１によりブリッジ回路５１の抵抗値、即ち、発熱抵抗体３４の設定温度を、一定の周期時間ＴＷの間、第１設定温度ＣＨに保持する制御を行う。
次に、Ｓ１０４で、ＣＰＵは、Ｓ１０２の周期時間での温度電圧ＶＴＨｍを取得する。なお、図５（ｃ）は発熱抵抗体の温度を示すタイムチャートであり、図５（ｄ）は温度電圧ＶＴの取得タイミングを示すタイムチャートである。添え字ｍ、後述する添え字ｎ、及び後述する添え字ｑは自然数であり、１，２，３の順に時系列で取得されることを示す（以下も同様）。
【００６０】
次に、Ｓ１０６で、ＣＰＵは高温時電圧（ＶＨｍ）の取得が初回、つまり、ＶＨ１であるか否かを判定し、Ｎｏであれば演算判定フラグに１を割り当てる（Ｓ１１１）。さらにＳ１１１からＳ１１２へ移行し、発熱抵抗体３４の高温時電圧（ＶＨｍ）を取得する。一方、Ｓ１０６でＹｅｓであれば、そのままＳ１１２へ移行する。
なお、演算判定フラグは、後述する図７のフローでどのＶＨとＶＬを取得する（例えば、領域Ｒ１，Ｒ２のいずれのＶＨ，ＶＬの組）かを判定するフラグであり、演算判定フラグ＝１の場合、領域Ｒ２に相当するＶＨ，ＶＬの組を取得する処理を行う。
次に、ＣＰＵは、周期時間ＴＷが経過したか否かを判定する（Ｓ１１４）。Ｓ１１４でＹｅｓであればＳ１１６へ移行し、ＮｏであればＳ１１４に戻って周期時間ＴＷが経過するのを待つ。なお、図６、図７の例では、ＴＷ＝２００ｍｓｅｃである。
【００６１】
次に、Ｓ１１６で、ＣＰＵは、発熱抵抗体３４を低温側（第２設定温度（ＣＬ）側）へ切り替え、Ｓ１１６の周期時間での温度電圧ＶＴＬｎを取得する（Ｓ１１８）。
次に、Ｓ１２４で、ＣＰＵは、発熱抵抗体３４の低温時電圧（ＶＬｎ）を取得し、さらにＳ１２５で演算判定フラグに０を割り当てる。
次に、ＣＰＵは、周期時間ＴＷが経過したか否かを判定する（Ｓ１２６）。Ｓ１２６でＹｅｓであればＳ１２８へ移行し、ＮｏであればＳ１２６に戻って周期時間ＴＷが経過するのを待つ。
Ｓ１２８で、ＣＰＵは、発熱抵抗体３４を高温側（第１設定温度（ＣＨ）側）へ切り替え、Ｓ１０４へ戻る。
以上のようにして取得されたＶＨｍ、ＶＬｎ、ＶＴＨｍ及びＶＴＬｎは、記憶装置８（ＲＡＭ）に記憶され、以下のガス濃度演算処理、湿度演算処理で読み出される。
【００６２】
次に、図７を参照し、湿度演算処理及びガス濃度演算処理を説明する。なお、湿度演算処理及びガス濃度演算処理は、上記した周期時間ＴＷ毎に行う。すなわち、図６のＳ１０４〜Ｓ１１４の区間が周期時間ＴＷで処理されるので、Ｓ１１４が経過した時点で湿度演算処理及びガス濃度演算処理が行われる。さらにＳ１１６〜Ｓ１２６の区間が次の周期時間ＴＷで処理され、Ｓ１２６が経過した時点でも次の湿度演算処理及びガス濃度演算処理が行われることとなる。
図７において、まずＳ２０４で、ＣＰＵは、演算判定フラグが１であるか否かを判定する。Ｓ２０４でＹｅｓであれば（つまり、図６の最後の処理がＳ１０４〜Ｓ１１４で高温時電圧ＶＨｍの取得処理である場合に）Ｓ２０６へ移行し、通電制御回路５０からＶＨｍ、ＶＬｎを取得するとともに、温度調整回路８０からＶＴＨｍを取得する。ここで、ｍ＝２，ｎ＝１の場合が図５のＲ２に相当し、高温時電圧ＶＨｍ、低温時電圧ＶＬｎ、及び、高温時電圧ＶＨｍを取得する周期時間の温度電圧ＶＴＨｍに基づいての湿度及びガス濃度の演算処理となる。
一方、Ｓ２０４でＮｏであれば、後述するように図６の最後の処理がＳ１１８〜Ｓ１２６で低温時電圧ＶＬｎの取得処理であるから、高温時電圧ＶＨｍ-１、低温時電圧ＶＬｎ、及び、低温時電圧ＶＬｎを取得する周期時間の温度電圧ＶＴＬｎに基づいての湿度及びガス濃度の演算処理に移行する。
【００６３】
次に、Ｓ２１０では、ＣＰＵは、Ｓ２０６にて取得したＶＬｎ、ＶＨｍを次式（２）の入力値として、電圧比ＶＣｑを算出する。
ＶＣｑ＝ＶＨｍ／ＶＬｎ…（２）
次いで、Ｓ２１２では、Ｓ２０６にて取得した温度電圧ＶＴＨｍと、電圧比換算用マップデータとに基づいて、環境温度ＴＨｍ（ひいては温度電圧ＶＴＨｍ）においてガス濃度Ｘ、及び、湿度Ｈがゼロのときの電圧比ＶＣｑ（０）を算出する。
【００６４】
そして、Ｓ２１４では、Ｓ２１０にて算出した電圧比ＶＣｑと、Ｓ２１２にて算出したＶＣｑ（０）とを次式（３）の入力値として、環境温度ＴＨｍ（ひいては温度電圧ＶＴＨｍ）における電圧比差ΔＶＣｑを算出する。
ΔＶＣｑ＝ＶＣｑ−ＶＣｑ（０）…（３）
次に、Ｓ２１６では、Ｓ２１４にて算出した電圧比差ΔＶＣｑと、湿度換算用マップデータとに基づいて、電圧比差ΔＶＣｑのときの湿度Ｈｑを算出する。Ｓ２０６〜Ｓ２１６までが「湿度演算処理」に相当する。
【００６５】
そして、Ｓ２１８では、Ｓ２０６にて取得したＶＴＨｍ、ＶＨｍと、高温時電圧換算用マップデータとに基づいて、環境温度ＴＨｍ（ひいては温度電圧ＶＴＨｍ）においてガス濃度Ｘ、及び、湿度Ｈがゼロのときの高温時電圧ＶＨｑ（０）を算出する。
続いて、Ｓ２２０では、Ｓ２０６にて取得したＶＨｍと、Ｓ２１６にて算出した湿度Ｈｑと、湿度電圧変化換算用マップデータとに基づいて、ＶＨｍのうち湿度Ｈｑによってもたらされた電圧変化分を表す高温時電圧変化ΔＶＨｑ（Ｈ）を算出する。
【００６６】
そして、Ｓ２２２では、Ｓ２０６にて取得したＶＨｍと、Ｓ２１８にて算出したＶＨｑ（０）と、Ｓ２２０にて算出したΔＶＨｑ（Ｈ）とを次式（４）の入力値として、ＶＨｍのうち可燃性ガスによってもたらされた電圧変化分を表す高温時電圧変化ΔＶＨｑ（Ｇ）を算出する。
ΔＶＨｑ（Ｇ）＝ＶＨｍ−ＶＨｑ（０）−ΔＶＨｑ（Ｈ）…（４）
続いてＳ２２４では、Ｓ２０６にて取得したＶＴＨｍ、ＶＨｍと、ガス感度換算用マップデータとに基づいて、ＶＨｍについて環境温度ＴＨｍ（ひいては温度電圧ＶＴＨｍ）毎に予め設定された可燃性ガスに対する感度（単位はガス濃度Ｘの逆数）を表すガス感度Ｇｑ（ＶＴ）を算出する。
最後に、Ｓ２２６にて、Ｓ２２２にて算出した高温時電圧変化ΔＶＨｑ（Ｇ）と、Ｓ２２４にて算出したガス感度Ｇｑ（ＶＴ）とを次式（５）の入力値として、可燃性ガスのガス濃度Ｘｑを算出し、さらにサブルーチンである後述の閉塞判定処理に移行した後、本ガス濃度演算処理を終了する。
Ｘｑ＝ΔＶＨｑ（Ｇ）／Ｇｑ（ＶＴ）…（５）
【００６７】
一方、Ｓ２０４でＮｏの場合（つまり、図６の最後の処理がＳ１１６〜Ｓ１２６で低温時電圧ＶＬｎの取得処理である場合）には、Ｓ２３０へ移行し、通電制御回路５０からＶＨｍ-１、ＶＬｎを取得するとともに、温度調整回路８０からＶＴＬｎを取得する。ここで、ｍ＝２、ｎ＝２の場合が図５のＲ１に相当する。
【００６８】
次に、Ｓ２３４では、ＣＰＵは、Ｓ２３０にて取得したＶＨｍ-１、ＶＬｎを次式（７）の入力値として、電圧比ＶＣｑを算出する。
ＶＣｑ＝ＶＨｍ-１／ＶＬｎ…（７）
なお、添え字ｑは時系列で増加する自然数であるが、ｍ、ｎと直接連動する値ではないので、「ｑ＋１」等で表さずに、すべて「ｑ」で表記する。例えば、Ｓ２０６以降の処理でＶＣ１（ｑ＝１）とされ、Ｓ２０４でＮＯと判定されたとき、Ｓ２３０以降の処理ではＶＣ２（ｑ＝２）となり、算出される毎に１ずつふえてゆく。
そして、Ｓ２３６では、Ｓ２３０にて取得した温度電圧ＶＴＬｎと、電圧比換算用マップデータとに基づいて、環境温度ＴＬｎ（ひいては温度電圧ＶＴＬｎ）においてガス濃度Ｘ、及び、湿度Ｈがゼロのときの電圧比ＶＣｑ（０）を算出する。
【００６９】
そして、Ｓ２３８では、Ｓ２３４にて算出した電圧比ＶＣｑと、Ｓ２３６にて算出したＶＣｑ（０）とを次式（８）の入力値として、環境温度ＴＬｎ（ひいては温度電圧ＶＴＬｎ）における電圧比差ΔＶＣｑを算出する。
ΔＶＣｑ＝ＶＣｑ−ＶＣｑ（０）…（８）
次に、Ｓ２４０では、Ｓ２３８にて算出した電圧比差ΔＶＣｑと、湿度換算用マップデータとに基づいて、電圧比差ΔＶＣｑのときの湿度Ｈｑを算出する。
そして、Ｓ２４２では、Ｓ２３０にて取得したＶＴＬｎ、ＶＨｍ-１と、高温時電圧換算用マップデータとに基づいて、環境温度ＴＬｎ（ひいては温度電圧ＶＴＬｎ）においてガス濃度Ｘ、及び、湿度Ｈがゼロのときの高温時電圧ＶＨｑ（０）を算出する。
続いて、Ｓ２４４では、Ｓ２３０で取得したＶＨｍ-１と、Ｓ２４０にて算出した湿度Ｈｑと、湿度電圧変化換算用マップデータとに基づいて、ＶＨｍ-１のうち湿度Ｈｑによってもたらされた電圧変化分を表す高温時電圧変化ΔＶＨｑ（Ｈ）を算出する。
【００７０】
そして、Ｓ２４６では、Ｓ２３０で取得したＶＨｍ-１と、Ｓ２４２にて算出したＶＨｑ（０）と、Ｓ２４４にて算出したΔＶＨｑ（Ｈ）とを次式（９）の入力値として、ＶＨｍ-１のうち可燃性ガスによってもたらされた電圧変化分を表す高温時電圧変化ΔＶＨｑ（Ｇ）を算出する。
ΔＶＨｑ（Ｇ）＝ＶＨｍ-１−ＶＨｑ（０）−ΔＶＨｑ（Ｈ）…（９）
続いてＳ２４８では、Ｓ２３０で取得したＶＴＬｎ、ＶＨｍ-１と、ガス感度換算用マップデータとに基づいて、ＶＨｍ-１について環境温度ＴＬｎ（ひいては温度電圧ＶＴＬｎ）毎に予め設定された可燃性ガスに対する感度（単位はガス濃度Ｘの逆数）を表すガス感度Ｇｑ（ＶＴ）を算出する。
最後に、Ｓ２５０では、Ｓ２４６にて算出した高温時電圧変化ΔＶＨｑ（Ｇ）と、Ｓ２４８にて算出したガス感度Ｇｑ（ＶＴ）とを次式（１０）の入力値として、可燃性ガスのガス濃度Ｘｑを算出し、さらにサブルーチンである後述の閉塞判定処理に移行した後、ガス濃度演算処理の最初に戻る。
Ｘｑ＝ΔＶＨｑ（Ｇ）／Ｇｑ（ＶＴ）…（１０）
【００７１】
このように、図６、図７の処理では、周期時間ＴＷ毎に切替信号ＣＧ１を切替スイッチ５２３に出力することにより、固定抵抗５１２と可変抵抗部５２との接続点Ｐ−から端部ＰＧ（可変抵抗部５２における接地側端部）への通電経路（可変抵抗部５２における通電経路）を、固定抵抗５２１，５２２のいずれか一方側から他方側に切り替え、これにより高温時電圧ＶＨｍ−１、ＶＨｍ，低温時電圧ＶＬｎ、温度電圧ＶＴＬｎ、ＶＴＨｍを取得する。そして、湿度演算処理及びガス濃度演算処理では、温度電圧ＶＴＬｎ、ＶＴＨｍに基づいてそれぞれ環境温度ＴＬｎ、ＴＨｍを演算する。
さらには、高温時電圧（ＶＨｍ−１、ＶＨｍ）と低温時電圧ＶＬｎとの電圧比から被検出雰囲気内の湿度Ｈｑを演算し、これら環境温度ＴＬｎ、ＴＨｍと湿度Ｈｑとを用いてガス濃度Ｘｑを補正する。
【００７２】
次に、図８を参照し、第１の実施形態に係る閉塞判定処理の概念について説明する。
図８は、可燃性ガス検出装置１のガス導入口９２ｈを故意に閉塞させた場合と、閉塞させなかった場合の、可燃性ガス検出装置が始動（キーオン）してからの可燃性ガス検出装置１内部の絶対湿度の時間変化の実測値を示す。
ガス導入口９２ｈが「閉塞無し」の場合には、可燃性ガス検出装置１内部の絶対湿度の時間による変化は小さく、ほぼ一定（１．５ｖｏｌ％程度）である。一方、ガス導入口９２ｈの「閉塞あり」の場合、始動（キーオン）してすぐの絶対湿度は「閉塞無し」の場合より小さいが、時間と共に絶対湿度が増加し、およそ５分で「閉塞無し」の値に近付く。これは、上記図５（ｄ）に示したように、可燃性ガス検出装置１を始動させると可燃性ガス検出装置１内部の被検出雰囲気の温度が上昇するため、装置１内部の付着水等が蒸発するが、ガス導入口９２ｈが閉塞しているために装置１内の湿度を増大させるものと考えられる。そして、被検出雰囲気の温度が一定温度に到達すると、装置１内でそれ以上湿度が増大せず一定になると考えられる。
【００７３】
以上のことから、可燃性ガス検出装置が始動（キーオン）してから所定の時間（本例では３分）内に、湿度の時間変化が第１閾値（本例では、絶対湿度で０．３ｖｏｌ％）以下であるか否かを判定することで、ガス導入口の閉塞判定が可能となる。
なお、図８に示すように、第１の実施形態では、始動直後と、それぞれ１、２、３分後にそれぞれＨａｂｅ１〜Ｈａｂｅ４の４個の湿度データを取得し、時間変化を求める。
【００７４】
次に、図９を参照し、図８の概念に基づいたサブルーチンである閉塞判定処理について説明する。
まず、Ｓ３０２では、ＣＰＵは、測温抵抗体３５の温度電圧ＶＴを取得し、温度Ｔを算出する。そして、Ｓ３０４で、ＣＰＵは、温度Ｔが０℃を超えるか否かを判定する。Ｓ３０４でＹｅｓであればＳ３０６へ移行し、Ｓ３０４でＮｏであればサブルーチンの処理を終了してメインルーチンへ戻る。これは、温度Ｔが０℃以下であると、被検出雰囲気の絶対湿度が０となってしまい、被検出雰囲気中の湿度に基づく閉塞判定処理自体が行えなくなるためである。
なお、Ｓ３０２で取得するＶＴは最新の値でもよく、Ｓ２０６又はＳ２３０で取得したＶＴＨｍ又はＶＴＬｎでもよい。
【００７５】
次に、Ｓ３０６では、ＣＰＵは、Ｓ２１６又はＳ２４０にて算出した湿度Ｈｑを取得し、Ｓ３０８で所定時間（本例では５秒）経過したか否かを判定する。Ｓ３０８でＹｅｓであればＳ３１０へ移行し、Ｓ３０８でＮｏであればＳ３０６へ戻る。つまり、所定時間（本例では５秒）内に複数の湿度Ｈｑを取得する。
次に、Ｓ３１０では、ＣＰＵは、所定時間（本例では５秒）内に取得した複数の湿度Ｈｑの値から、平均値Ｈａｂｅ（ｒ）を算出する。なお、ｒは時系列で増加する自然数である。例えば、Ｓ３１０の処理でＨａｂｅ１（ｒ＝１）とされ、Ｓ３１４でＮＯと判定されたとき、Ｓ３１０の処理ではＨａｂｅ２（ｒ＝２）となり、算出される毎にｒ＝４まで１ずつふえてゆく。
又、本例では、周期時間ＴＷ＝２００ｍｓｅｃ毎に湿度Ｈｑが取得されるので、５秒間で２５個の湿度Ｈｑが取得され、これを平均してＨａｂｅ（ｒ）が得られる。
【００７６】
次に、Ｓ３１２では、ＣＰＵは、所定時間（本例では５５秒）経過したか否かを判定する。Ｓ３１２でＹｅｓであればＳ３１４へ移行し、Ｓ３１２でＮｏであればＳ３１２へ戻る。このように、Ｓ３１２では所定時間（本例では５５秒）待機する。
次に、Ｓ３１４では、ＣＰＵは、ｒ＝４であるか否かを判定する。Ｓ３１４でＹｅｓであればＳ３１６へ移行し、Ｓ３１４でＮｏであればＳ３０２へ戻る。このようにして、Ｈａｂｅ４になるまで、４個のＨａｂｅを算出する。
次に、Ｓ３１６では、ＣＰＵは、４個のＨａｂｅのうち最大値Ｈａｂｅ（ＭＡＸ）と、最小値Ｈａｂｅ（ＭＩＮ）とを取得し、さらにＳ３１８で次式（２０）により差分ΔＨａｂｅを算出する。
ΔＨａｂｅ＝Ｈａｂｅ（ＭＡＸ）−Ｈａｂｅ（ＭＩＮ）…（２０）
【００７７】
そして、Ｓ３２０では、ＣＰＵは、ΔＨａｂｅが第１閾値（本例では、絶対湿度で０．３ｖｏｌ％）以下であるか否かを判定する。Ｓ３２０でＹｅｓであればＳ３２６で「閉塞無し」と判定しサブルーチンを終了する。一方、Ｓ３２０でＮｏであればＳ３２２で「閉塞あり」と判定し、さらにＳ３２４でアラームを鳴動させる処理をした後、サブルーチンを終了する。
【００７８】
以上のように、第１の実施形態では、ガス検出素子３で測定可能な低温時電圧ＶＬ及び高温時電圧ＶＨを用いて被検出雰囲気の湿度Ｈを算出し、湿度Ｈの時間変化に応じてガス導入口９２ｈの閉塞の度合を判定する。このため、可燃性ガス検出装置１に新たにエアフローモニタ等の閉塞の有無を測定する部材を設置する必要がなく、部品点数を増加させずにガス導入口の閉塞の度合を容易に判定できる。そして、ガス導入口が閉塞したと判定した場合には、アラームを鳴動させる等により、ガスの検出が不正確になったり、検出が行えなくなったことを使用者に報知することができる。
また、第１の実施形態では、始動直後と、それぞれ１、２、３分後にそれぞれＨａｂｅ１〜Ｈａｂｅ４の４個の湿度データを取得し、湿度の変化を求めたが、湿度データの取得タイミングはこれに限られず、始動直後ではない任意の時期に湿度データを取得し、湿度の変化を求めてもよい。例えば、始動直後ではない任意の時期に環境雰囲気とは異なる湿度のガスを導入口に吹きかけ、その際の湿度の変化を求めてもよい。
なお、第１の実施形態では、湿度の時間変化が第１閾値以下であるか否かを判定する方法として、Ｈａｂｅのうち最大値Ｈａｂｅ（ＭＡＸ）と、最小値Ｈａｂｅ（ＭＩＮ）との差分であるΔＨａｂｅと第１閾値との大小関係を用いたが、これに限らず、例えば４個のＨａｂｅから湿度の時間変化による傾きを求め、第１閾値として設定した傾きとの大小を判定してもよい。
又、Ｓ３２２で「閉塞あり」と判定した後、Ｓ３２４のアラーム鳴動処理に限らず、例えば強制的に可燃性ガス検出装置１を停止（キーオフ）させたり、「閉塞あり」の旨を所定の表示部（例えば車両のメータ等）に表示してもよい。
【００７９】
［第２の実施形態における閉塞判定処理］
次に、図１０〜図１１を参照し、本発明の第２の実施形態に係る可燃性ガス検出装置の閉塞判定処理について説明する。なお、ガス濃度演算処理、及び湿度演算処理については、第１の実施形態と同一であるので説明を省略する。図１０は閉塞判定処理の概念図、図１１は閉塞判定処理のフローチャートである。
【００８０】
図１０は、可燃性ガス検出装置１のガス導入口９２ｈを故意に閉塞させた場合と、閉塞させなかった場合の、可燃性ガス検出装置が始動（キーオン）してから所定の時間（本例では１０分）を超えてからの可燃性ガス検出装置１内部の絶対湿度の時間変化の実測値を示す。
ガス導入口９２ｈが「閉塞無し」の場合には、可燃性ガス検出装置１内部の絶対湿度は時間によって変化しており、これはガス導入口９２ｈを流通する外気の湿度が変動することを反映していると考えられる。一方、ガス導入口９２ｈの「閉塞あり」の場合、湿度がほとんど変化しなかったが、これは外気が装置１内に流通しなかったためと考えられる。
なお、図８に示したように、可燃性ガス検出装置１が始動してから短時間（例えば、５分以内）では装置１内部の被検出雰囲気の温度が上昇し、１０分程度で一定温度に到達するのが通常である。従って、第２の実施形態では、装置１内部の被検出雰囲気の温度が一定となる始動してから１０分経過した後の湿度の時間変化を測定する。
【００８１】
つまり、可燃性ガス検出装置が始動（キーオン）してから所定の時間（本例では１０分）を超えてからの湿度の時間変化が第２閾値（本例では、絶対湿度で０．１ｖｏｌ％）を超えたか否かを判定することで、ガス導入口の閉塞判定が可能となる。
なお、図１０に示すように、第２の実施形態では、３分間隔でそれぞれＨａｂｅ１〜Ｈａｂｅ１０の１０個の湿度データを取得し、時間変化を求める。
【００８２】
次に、図１１を参照し、図１０の概念に基づいた閉塞判定処理について説明する。
なお、図１１において、図９の処理フローと同一の処理については、同一のステップ番号を付して説明を省略する。
まず、Ｓ４０１では、ＣＰＵは、可燃性ガス検出装置１が始動（キーオン）してから所定の時間（本例では１０分）経過したか否かを判定する。Ｓ４０１でＹｅｓであればＳ３０２へ移行し、Ｓ４０１でＮｏであれば待機する。これは、上述のように、可燃性ガス検出装置１内部の被検出雰囲気の温度が一定となるのが、始動してから１０分程度経過した後と考えられるからである。
その後、Ｓ３０２〜Ｓ３１０まで移行した後、Ｓ４１２ではＣＰＵは、Ｓ３１２の代わりに所定時間（本例では１７５秒）経過したか否かを判定する。Ｓ４１２でＹｅｓであればＳ４１４へ移行し、Ｓ４１２でＮｏであればＳ４１２へ戻って１７５秒になるまで待機する。次に、Ｓ４１４ではＣＰＵは、Ｓ３１４の代わりにｒ＝１０であるか否かを判定する。Ｓ４１４でＹｅｓであればＳ４１６へ移行し、Ｓ４１４でＮｏであればＳ３０２へ戻る。このようにして、Ｈａｂｅ１０になるまで、１０個のＨａｂｅを算出する。
【００８３】
次に、Ｓ４１６ではＣＰＵは、Ｓ３１６の代わりに、１０個のＨａｂｅのうち最大値Ｈａｂｅ（ＭＡＸ）と、最小値Ｈａｂｅ（ＭＩＮ）とを取得し、さらにＳ３１８で次式（２０）により差分ΔＨａｂｅを算出する。
ΔＨａｂｅ＝Ｈａｂｅ（ＭＡＸ）−Ｈａｂｅ（ＭＩＮ）…（２０）
【００８４】
そして、Ｓ４２０では、ＣＰＵは、ΔＨａｂｅが閾値（本例では０．１）を超えたか否かを判定する。Ｓ４２０でＹｅｓであればＳ３２６で「閉塞無し」と判定しサブルーチンを終了する。一方、Ｓ４２０でＮｏであればＳ３２２で「閉塞あり」と判定し、さらにＳ３２４でアラームを鳴動させる処理をした後、サブルーチンを終了する。
なお、第２の実施形態では、湿度の時間変化が第２閾値以下であるか否かを判定する方法として、Ｈａｂｅのうち最大値Ｈａｂｅ（ＭＡＸ）と、最小値Ｈａｂｅ（ＭＩＮ）との差分であるΔＨａｂｅと第１閾値との大小関係を用いたが、これに限らず、例えば時間的に連続する２つのＨａｂｅから湿度の時間変化による傾きを求め、第２閾値として設定した傾きとの大小を判定してもよい。
【００８５】
［平均高温時電圧又は平均低温時電圧を用いた湿度Ｈの演算処理］
ところで、上記した実施形態においては、ＶＨ及びＶＬの検出タイミングが周期時間ＴＷずれている。このため、環境温度が周期時間ＴＷ程度の時間で大きく変化した場合には、検出タイミングのずれに起因してＶＨとＶＬの比、すなわち湿度Ｈやガス濃度の算出精度が低下することがある。
そこで、特許文献２に記載されているように、平均高温時電圧又は平均低温時電圧を用いることで、これに対応する低温時電圧又は高温時電圧と検出タイミングを仮想的に一致させ、湿度Ｈをより高い精度で算出してもよい。図１２〜図１４を参照し、この方法による処理について説明する。
【００８６】
図１２は、平均高温時電圧又は平均低温時電圧を用いたときの、それぞれＶＨ及びＶＬの取得タイミングを示すタイムチャート（図１２（ａ）、（ｂ））、発熱抵抗体の第１設定温度（ＣＨ），第２設定温度（ＣＬ）を示すタイムチャート（図１２（ｃ））、及び測温抵抗体の温度（温度電圧ＶＴ）の取得タイミングを示すタイムチャート（図１２（ｄ））を表す。又、図１３はＶＨ、ＶＬ及びＶＴの取得処理のフローチャート、図１４は後述する平均高温時電圧ＶＨ'、及び平均低温時電圧ＶＬ'を用いた湿度演算処理及びガス濃度演算処理のフローチャートである。
【００８７】
まず、図１２（ａ）、（ｂ）に示すように、周期時間ＴＷ１、ＴＷ３で時間的に連続する２つのＶＨ１、ＶＨ２の値を平均した平均高温時電圧ＶＨ１'と、ＶＨ１、ＶＨ２の間の周期時間ＴＷ２におけるＶＬ１との関係（これを「第１の情報群」という）に基づいて湿度及びガス濃度の演算を行う。ここで、第１の情報群に用いるＶＨ、ＶＬを図１２中に逆三角形の領域Ｒ１で図示する。
このように、低温時電圧（ＶＬ１）と同一の検出タイミング（周期時間ＴＷ２）における高温時電圧の予測値（平均高温時電圧ＶＨ１'）を、他の周期時間ＴＷ１、ＴＷ３での高温時電圧（ＶＨ１、ＶＨ２）から推定するため、同一の検出タイミングでＶＨ、ＶＬの電圧差及び電圧比が得られ、環境温度の時間的変化に伴う湿度の検出精度の低下を抑制することができる。又、第１の情報群においては周期時間ＴＷ２での環境温度（温度電圧ＶＴＬ１）を用いることで、ＶＨ、ＶＬの電圧差及び電圧比（第１の情報群）を算出するのと同一の検出タイミングでの環境温度を湿度の演算に用いることができる。つまり、時間的に連続する２つの高温時電圧ＶＨ１，ＶＨ２の値を平均した平均高温時電圧ＶＨ１'、２つの高温時電圧ＶＨ１，ＶＨ２の間の周期時間ＴＷ２における低温時電圧ＶＬ１、及び、低温時電圧ＶＬ１を検出した周期時間ＴＷ２における環境温度ＶＴＬ１からなる第１情報群に基づいて、湿度及びガス濃度の演算を行うのである。
【００８８】
さらに、上述のように周期時間ＴＷ３で第１の情報群を算出した後、第１の情報群の算出に用いた低温時電圧ＶＬ１と、次の周期時間ＴＷ４に検出される低温時電圧ＶＬ２とを平均して平均低温時電圧ＶＬ１'を算出する。そして、ＶＬ１'と、ＶＬ１、ＶＬ２の間の周期時間ＴＷ３におけるＶＨ２との関係（これを「第２の情報群」という）に基づいてガス濃度の演算を行う。ここで、第２の情報群に用いるＶＨ、ＶＬを図１２中に三角形の領域Ｒ２で図示する。
第２の情報群においても、高温時電圧（ＶＨ２）と同一の検出タイミング（周期時間ＴＷ３）における低温時電圧の予測値（平均低温時電圧ＶＬ１'）を、他の周期時間ＴＷ２、ＴＷ４での低温時電圧（ＶＬ１、ＶＬ２）から推定するため、同一の検出タイミングでＶＨ、ＶＬの電圧差及び電圧比が得られ、環境温度の時間的変化に伴う湿度の検出精度の低下を抑制することができる。又、第２の情報群においては周期時間ＴＷ３での環境温度（温度電圧ＶＴＨ２）を用いることで、ＶＨ、ＶＬの電圧差及び電圧比（第２の情報群）を算出するのと同一の検出タイミングでの環境温度を湿度の演算に用いることができる。つまり、第時間的に連続する２つの低温時電圧ＶＬ１，ＶＬ２の値を平均した平均高温時電圧ＶＬ１'、２つの低温時電圧ＶＬ１，ＶＬ２の間の周期時間ＴＷ３における高温時電圧ＶＨ２、及び、高温時電圧ＶＨ２を検出した周期時間ＴＷ３における環境温度ＶＴＨ２からなる第２情報群に基づいても、湿度の演算を行うものでもある。
なお、上述のように周期時間ＴＷ４で第２の情報群を算出した後、第２の情報群の算出に用いた高温時電圧ＶＨ２と、次の周期時間ＴＷ５に検出される高温時電圧ＶＨ３とを用い、上記と同様にして第１の情報群を算出する。このように、第１の情報群と第２の情報群とを交互に算出することで、周期時間ＴＷ３以降、一周期時間ＴＷ４、ＴＷ５・・・毎に同一の検出タイミングでＶＨ、ＶＬの電圧差及び電圧比（第１の情報群及び第２の情報群）が得られるので、湿度の検出精度がさらに向上する。これに対し、第１の情報群と第２の情報群のいずれか一方のみを算出する場合、その算出タイミングは周期時間の２倍となる。
【００８９】
次に、図１３、図１４を参照し、マイコン７のＣＰＵが実行するＶＨ、ＶＬ及びＶＴの取得処理、湿度演算処理及びガス濃度演算処理を説明する。なお、図１３、図１４において、それぞれ図６、図７の処理フローと同一の処理については、同一のステップ番号を付して説明を省略する。
【００９０】
図１３に示すように、Ｓ１０２、Ｓ１０４に続きＣＰＵは、Ｓ１０６で、高温時電圧（ＶＨｍ）の取得が初回、つまり、ＶＨ１であるか否かを判定し、Ｎｏであれば濃度演算フラグに１を割り当てると共に（Ｓ１０８）、演算判定フラグに１を割り当てる（Ｓ１１０）。さらにＳ１１０からＳ１１２へ移行する。一方、Ｓ１０６でＹｅｓであれば、そのままＳ１１２へ移行する。
なお、濃度演算フラグ＝１は、ＶＨｍが複数回取得されたことを意味し、図１２で説明したように連続する２つのＶＨｍ-１、ＶＨｍの値を平均して平均高温時電圧ＶＨｍ-１'を算出可能となったことを示す。又、演算判定フラグは、後述する図１４のフローで平均高温時電圧ＶＨｍ-１'と平均低温時電圧ＶＬｎ-１'のいずれを算出するかを判定するフラグであり、演算判定フラグ＝１の場合、平均高温時電圧ＶＨｍ-１'を算出する処理を行う。
【００９１】
次に、Ｓ１１２に続きＣＰＵは、Ｓ１１３を行わずにＳ１１４〜Ｓ１１８に移行する。
次に、Ｓ１２０で、ＣＰＵは、低温時電圧（ＶＬｎ）の取得が初回、つまり、ＶＬ１であるか否かを判定し、ＹｅｓであればＳ１２４へ移行し、Ｎｏであれば演算判定フラグに０を割り当てる（Ｓ１２２）。演算判定フラグ＝０の場合、図１２で説明したように連続する２つのＶＬｎ-１、ＶＬｎの値を平均して平均低温時電圧ＶＬｎ-１'を算出可能となっており、平均低温時電圧ＶＬｎ-１'を算出する処理を行う。さらにＳ１２２の処理後、Ｓ１２４へ移行する。
次に、Ｓ１２４に続きＣＰＵは、Ｓ１２５を行わずにＳ１２６〜Ｓ１２８に移行する。
以上のようにして取得されたＶＨｍ、ＶＬｎ、ＶＴＨｍ及びＶＴＬｎは、濃度演算フラグ及び演算判定フラグと関連付けて記憶装置８（ＲＡＭ）に記憶され、以下の湿度及びガス濃度演算処理で読み出される。
【００９２】
次に、図１４を参照し、湿度演算処理及びガス濃度演算処理を説明する。なお、図１３のＳ１０４〜Ｓ１１４の区間が周期時間ＴＷで処理されるので、Ｓ１１４が経過した時点でＳ１１０の演算判定フラグを読み取った湿度及びガス濃度演算処理が行われる。さらにＳ１１６〜Ｓ１２６の区間が次の周期時間ＴＷで処理され、Ｓ１２６が経過した時点でもＳ１２２の演算判定フラグを読み取った次の湿度及びガス濃度演算処理が行われることとなる。
図１４において、まずステップＳ２０２では、ＣＰＵは濃度演算フラグが１であるか否かを判定する。Ｓ２０２でＹｅｓであればＳ２０４へ移行し、Ｎｏであれば本演算処理を終了し、次回に備える。次にＳ２０４で、ＣＰＵは、演算判定フラグが１であるか否かを判定する。Ｓ２０４でＹｅｓであれば（つまり、図１３のＳ１０４〜Ｓ１１４で時間的に連続する２つの高温時電圧ＶＨｍ-１、ＶＨｍの取得処理がされた場合に）Ｓ２０６へ移行し、通電制御回路５０からＶＨｍ-１、ＶＨｍ、ＶＬｎを取得するとともに、温度調整回路８０からＶＴＬｎを取得する。ここで、ｍ＝２，ｎ＝１の場合が図１２のＲ１に相当し、平均高温時電圧ＶＨｍ-１'、低温時電圧ＶＬｎ、及び、低温時電圧ＶＬｎを取得する周期時間の温度電圧ＶＴＬｎからなる第１情報群に基づいてのガス濃度の演算処理となる。一方、Ｓ２０４でＮｏであれば、平均低温時電圧ＶＬｎ-１'、高温時電圧ＶＨｍ、及び、高温時電圧ＶＨｍを取得する周期時間の温度電圧ＶＴＨｍからなる第２情報群に基づいてのガス濃度の演算処理に移行する。
【００９３】
次に、Ｓ２０８では、ＣＰＵは平均高温時電圧ＶＨｍ-１'を算出する。具体的には、Ｓ２０６で取得したＶＨｍ-１、ＶＨｍを次式（１）の入力値としてＶＨｍ−１'を算出する。
ＶＨｍ-１'＝（ＶＨｍ-１＋ＶＨｍ）／２…（１）
そして、Ｓ２１０〜Ｓ２２６に移行する。但し、図１４のＳ２１０〜Ｓ２２６の処理では、図７のＳ２１０〜Ｓ２２６の処理におけるＶＨｍをＶＨｍ-１'に読み替え、ＶＴＨｍをＶＴＬｎに読み替える。
【００９４】
一方、Ｓ２０４でＮｏの場合（つまり、図１２のＳ１１６〜Ｓ１２６で時間的に連続する２つの低温時電圧ＶＬｎ-１、ＶＬｎの取得処理がされた場合）には、Ｓ２３０へ移行し、通電制御回路５０からＶＬｎ-１、ＶＬｎ、ＶＨｍを取得するとともに、温度調整回路８０からＶＴＨｍを取得する。ここで、ｍ＝２、ｎ＝２の場合が図１２のＲ２に相当する。
【００９５】
次に、Ｓ２３２では、ＣＰＵは平均低温時電圧ＶＬｎ-１'を算出する。具体的には、Ｓ２３０で取得したＶＬｎ-１、ＶＬｎを次式（６）の入力値としてＶＬｎ-１'を算出する。
ＶＬｎ-１'＝（ＶＬｎ-１＋ＶＬｎ）／２…（６）
そして、Ｓ２３４〜Ｓ２５０に移行する。但し、図１４のＳ２３４〜Ｓ２５０の処理では、図７のＳ２３４〜Ｓ２５０の処理におけるＶＨｍ-１をＶＨｍに読み替え、ＶＬｎをＶＬｎ-１'に読み替え、ＶＴＬｎをＶＴＨｍに読み替える。
【００９６】
本発明は上記実施形態に限定されず、本発明の思想と範囲に含まれる様々な変形及び均等物に及ぶことはいうまでもない。
例えば、上記実施形態では可燃性ガス検出装置を例示したが、可燃性では無いガスのガス検出装置にも本発明を適用可能である。さらに、ガス濃度を演算するガス検出装置に限らず、ガス濃度を演算せずに湿度センサとして機能するガス検出装置にも本発明を適用可能である。
なお、本発明のガス検出装置が被検出雰囲気内のガスの濃度を演算する場合には、上記したガス濃度演算部が、通電制御部の制御による発熱抵抗体への通電時に検出される該発熱抵抗体の両端電圧を用いて被検出雰囲気内のガス濃度を演算することになる。一方、本発明のガス検出装置が被検出雰囲気内のガスの濃度を演算せずに湿度センサとして機能する場合には、上記したガス濃度演算部を備えず、湿度演算部が上述の実施形態のようにして湿度を演算することになる。
【００９７】
又、例えば、マイコン７における各処理を実行するための各種のプログラムやデータを記憶するための装置は、マイコン７の内部に備えられる記憶装置８に限られることはなく、マイコン７との間で情報伝達が可能なあらゆる形態の外部記憶装置や記録媒体でもよい。この場合、マイコン７は、外部記憶装置や記録媒体から読み込んだ各種のプログラムやデータを用いて各処理を実行する。記録媒体としては、例えば、持ち運び可能な半導体メモリ（例えば、ＵＳＢメモリ、メモリカード（登録商標）など）、ＣＤ−ＲＯＭやＤＶＤなどの光ディスク、磁気ディスク等が含まれる。
また、ガス濃度の演算方法は上記に限定されない。
【符号の説明】
【００９８】
１    ガス検出装置
３    ガス検出素子
７      マイコン（通電制御部、ガス濃度演算部、湿度演算部、閉塞判定部）
３４    発熱抵抗体
３５    測温抵抗体
５０    通電制御回路（通電制御部）
９０    ケーシング部材
９２ｈ    ガス導入口
ＣＨ    第１設定温度
ＣＬ    第２設定温度
ＶＨ    高温時電圧
ＶＬ    低温時電圧
ＴＷ    周期時間
Ｔ      環境温度
【図１】
0006317643.tif 000002
【図２】
0006317643.tif 000003
【図３】
0006317643.tif 000004
【図４】
0006317643.tif 000005
【図５】
0006317643.tif 000006
【図６】
0006317643.tif 000007
【図７】
0006317643.tif 000008
【図８】
0006317643.tif 000009
【図９】
0006317643.tif 000010
【図１０】
0006317643.tif 000011
【図１１】
0006317643.tif 000012
【図１２】
0006317643.tif 000013
【図１３】
0006317643.tif 000014
【図１４】
0006317643.tif 000015