(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
対象液の溶存酸素濃度を低減する脱酸素装置であって、
対象液を貯溜する貯溜槽と、
酸素とは異なる添加ガスを前記貯溜槽内の前記対象液中に供給するガス供給部と、
前記ガス供給部から前記対象液中に供給される前記添加ガスの供給開始からの総量である総供給量と前記対象液の溶存酸素濃度との関係を示す相関情報を記憶する記憶部と、
前記総供給量と前記相関情報とに基づいて前記対象液の溶存酸素濃度を求める演算部と、
前記ガス供給部からの前記添加ガスの単位時間あたりの供給量である単位供給量を制御する供給制御部と、
を備え、
前記演算部により求められた溶存酸素濃度が、予め定められた目標濃度以下まで減少すると、前記供給制御部が、前記単位供給量を、前記対象液の溶存酸素濃度を維持する維持供給量に減少させ、
前記対象液への前記添加ガスの供給開始時における前記単位供給量が第１供給量であり、
前記演算部により求められた溶存酸素濃度が前記目標濃度まで減少するよりも前に、前記供給制御部が、前記単位供給量を前記第１供給量よりも小さくかつ前記維持供給量よりも大きい第２供給量に減少させることを特徴とする脱酸素装置。
【請求項２】
対象液の溶存酸素濃度を低減する脱酸素装置であって、
対象液を貯溜する貯溜槽と、
酸素とは異なる添加ガスを前記貯溜槽内の前記対象液中に供給するガス供給部と、
前記ガス供給部から前記対象液中に供給される前記添加ガスの供給開始からの総量である総供給量と前記対象液の溶存酸素濃度との関係を示す相関情報を記憶する記憶部と、
前記ガス供給部からの前記添加ガスの単位時間あたりの供給量である単位供給量を制御する供給制御部と、
前記ガス供給部から前記貯溜槽内の前記対象液中に供給される前記添加ガスの供給量を調節する流量調節部と、
前記供給制御部による前記流量調節部の制御記録に基づいて前記総供給量を取得し、前記総供給量と前記相関情報とに基づいて前記対象液の溶存酸素濃度を求める演算部と、
を備えることを特徴とする脱酸素装置。
【請求項３】
請求項２に記載の脱酸素装置であって、
前記演算部により求められた溶存酸素濃度が、予め定められた目標濃度以下まで減少すると、前記供給制御部が、前記単位供給量を、前記対象液の溶存酸素濃度を維持する維持供給量に減少させることを特徴とする脱酸素装置。
【請求項４】
請求項３に記載の脱酸素装置であって、
前記対象液への前記添加ガスの供給開始時における前記単位供給量が第１供給量であり、
前記演算部により求められた溶存酸素濃度が前記目標濃度まで減少するよりも前に、前記供給制御部が、前記単位供給量を前記第１供給量よりも小さくかつ前記維持供給量よりも大きい第２供給量に減少させることを特徴とする脱酸素装置。
【請求項５】
請求項１または４に記載の脱酸素装置であって、
前記ガス供給部が、
前記貯溜槽内にて前記添加ガスを噴出する複数のガス供給口と、
前記単位供給量が前記第１供給量から前記第２供給量に切り替えられる際に、前記複数のガス供給口の数を増加させる供給口調節部と、
を備えることを特徴とする脱酸素装置。
【請求項６】
請求項１または３に記載の脱酸素装置であって、
前記ガス供給部が、
前記貯溜槽内にて前記添加ガスを噴出するガス供給口と、
前記ガス供給口の大きさを変更する供給口変更部と、
を備え、
前記演算部により求められた溶存酸素濃度が前記目標濃度まで減少するよりも前に、前記供給口変更部が、前記ガス供給口を大きくすることを特徴とする脱酸素装置。
【請求項７】
請求項６に記載の脱酸素装置であって、
前記ガス供給口が、重ねられた２つの板部材のそれぞれの開口の重複部であり、
前記供給口変更部が、前記２つの板部材の相対位置を変更することにより、前記重複部の面積を変更することを特徴とする脱酸素装置。
【請求項８】
対象液の溶存酸素濃度を低減する脱酸素装置であって、
対象液を貯溜する貯溜槽と、
酸素とは異なる添加ガスを前記貯溜槽内の前記対象液中に供給するガス供給部と、
を備え、
前記ガス供給部が、
前記貯溜槽内にて前記添加ガスを噴出するガス供給口と、
前記ガス供給口の大きさを変更する供給口変更部と、
を備えることを特徴とする脱酸素装置。
【請求項９】
請求項８に記載の脱酸素装置であって、
前記ガス供給口が、重ねられた２つの板部材のそれぞれの開口の重複部であり、
前記供給口変更部が、前記２つの板部材の相対位置を変更することにより、前記重複部の面積を変更することを特徴とする脱酸素装置。
【請求項１０】
基板を処理する基板処理装置であって、
請求項１ないし９のいずれかに記載の脱酸素装置と、
前記脱酸素装置により溶存酸素濃度が低減された前記対象液を含む処理液を基板に供給する処理液供給部と、
を備えることを特徴とする基板処理装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、対象液の溶存酸素濃度を低減する脱酸素装置、および、当該脱酸素装置を備える基板処理装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来より、半導体基板（以下、単に「基板」という。）の製造工程では、基板に対して処理液を供給して様々な処理が施される。例えば、基板上に洗浄液を供給して、基板の表面に付着した異物を洗い流す洗浄処理が行われる。洗浄液としてフッ酸が用いられる場合、基板表面の酸化膜を除去することにより、酸化膜に付着している異物の除去が行われる。
【０００３】
基板の液処理では、基板表面の酸化を防止するために、基板に供給される処理液の溶存酸素濃度を低くすることが求められる。処理液の溶存酸素濃度を低くする方法として、例えば、真空脱気法やバブリング法が知られている。特許文献１の脱入気装置では、真空脱気法が利用される。当該脱入気装置では、純水の周囲の外部空間を真空環境または低圧環境にすることにより、純水中の酸素等の溶存濃度を低下させる。また、特許文献２の脱酸素装置では、バブリング法が利用される。当該脱酸素装置では、水槽中の被処理水を循環させる循環配管上の循環ポンプにガス吸入部が設けられ、ガス吸入部に窒素ガスが供給される。これにより、水槽中の被処理水に窒素ガスの気泡が供給され、被処理水中の酸素の溶存濃度が低下する。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開平７−３２８３１３号公報
【特許文献２】特開２００５−７３０９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
ところで、処理液の脱気に真空脱気法を利用すると、脱気するための装置が大型化するとともに装置の製造コストが増大する。また、特許文献２の脱酸素装置では、被処理水の溶存酸素濃度が目標濃度まで低下しているか否かを知ることができない。当該脱酸素装置に溶存酸素計を設けることも考えられるが、溶存酸素濃度を精度良く測定するためには、高価な溶存酸素計を用いる必要があり、装置の製造コストが増大する。
【０００６】
本発明は、上記課題に鑑みなされたものであり、対象液の溶存酸素濃度を容易に取得することを目的としている。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
請求項１に記載の発明は、対象液の溶存酸素濃度を低減する脱酸素装置であって、対象液を貯溜する貯溜槽と、酸素とは異なる添加ガスを前記貯溜槽内の前記対象液中に供給するガス供給部と、前記ガス供給部から前記対象液中に供給される前記添加ガスの供給開始からの総量である総供給量と前記対象液の溶存酸素濃度との関係を示す相関情報を記憶する記憶部と、前記総供給量と前記相関情報とに基づいて前記対象液の溶存酸素濃度を求める演算部と、前記ガス供給部からの前記添加ガスの単位時間あたりの供給量である単位供給量を制御する供給制御部とを備え、前記演算部により求められた溶存酸素濃度が、予め定められた目標濃度以下まで減少すると、前記供給制御部が、前記単位供給量を、前記対象液の溶存酸素濃度を維持する維持供給量に減少させ、前記対象液への前記添加ガスの供給開始時における前記単位供給量が第１供給量であり、前記演算部により求められた溶存酸素濃度が前記目標濃度まで減少するよりも前に、前記供給制御部が、前記単位供給量を前記第１供給量よりも小さくかつ前記維持供給量よりも大きい第２供給量に減少させる。
請求項２に記載の発明は、対象液の溶存酸素濃度を低減する脱酸素装置であって、対象液を貯溜する貯溜槽と、酸素とは異なる添加ガスを前記貯溜槽内の前記対象液中に供給するガス供給部と、前記ガス供給部から前記対象液中に供給される前記添加ガスの供給開始からの総量である総供給量と前記対象液の溶存酸素濃度との関係を示す相関情報を記憶する記憶部と、前記ガス供給部からの前記添加ガスの単位時間あたりの供給量である単位供給量を制御する供給制御部と、前記ガス供給部から前記貯溜槽内の前記対象液中に供給される前記添加ガスの供給量を調節する流量調節部と、前記供給制御部による前記流量調節部の制御記録に基づいて前記総供給量を取得し、前記総供給量と前記相関情報とに基づいて前記対象液の溶存酸素濃度を求める演算部とを備える。
請求項３に記載の発明は、請求項２に記載の脱酸素装置であって、前記演算部により求められた溶存酸素濃度が、予め定められた目標濃度以下まで減少すると、前記供給制御部が、前記単位供給量を、前記対象液の溶存酸素濃度を維持する維持供給量に減少させる。
【０００９】
請求項４に記載の発明は、請求項３に記載の脱酸素装置であって、前記対象液への前記添加ガスの供給開始時における前記単位供給量が第１供給量であり、前記演算部により求められた溶存酸素濃度が前記目標濃度まで減少するよりも前に、前記供給制御部が、前記単位供給量を前記第１供給量よりも小さくかつ前記維持供給量よりも大きい第２供給量に減少させる。
【００１０】
請求項５に記載の発明は、請求項１または４に記載の脱酸素装置であって、前記ガス供給部が、前記貯溜槽内にて前記添加ガスを噴出する複数のガス供給口と、前記単位供給量が前記第１供給量から前記第２供給量に切り替えられる際に、前記複数のガス供給口の数を増加させる供給口調節部とを備える。
【００１１】
請求項６に記載の発明は、請求項１または３に記載の脱酸素装置であって、前記ガス供給部が、前記貯溜槽内にて前記添加ガスを噴出するガス供給口と、前記ガス供給口の大きさを変更する供給口変更部とを備え、前記演算部により求められた溶存酸素濃度が前記目標濃度まで減少するよりも前に、前記供給口変更部が、前記ガス供給口を大きくする。
【００１２】
請求項７に記載の発明は、請求項６に記載の脱酸素装置であって、前記ガス供給口が、重ねられた２つの板部材のそれぞれの開口の重複部であり、前記供給口変更部が、前記２つの板部材の相対位置を変更することにより、前記重複部の面積を変更する。
【００１３】
請求項８に記載の発明は、対象液の溶存酸素濃度を低減する脱酸素装置であって、対象液を貯溜する貯溜槽と、酸素とは異なる添加ガスを前記貯溜槽内の前記対象液中に供給するガス供給部とを備え、前記ガス供給部が、前記貯溜槽内にて前記添加ガスを噴出するガス供給口と、前記ガス供給口の大きさを変更する供給口変更部とを備える。
【００１４】
請求項９に記載の発明は、請求項８に記載の脱酸素装置であって、前記ガス供給口が、重ねられた２つの板部材のそれぞれの開口の重複部であり、前記供給口変更部が、前記２つの板部材の相対位置を変更することにより、前記重複部の面積を変更する。
【００１５】
請求項１０に記載の発明は、基板を処理する基板処理装置であって、請求項１ないし９のいずれかに記載の脱酸素装置と、前記脱酸素装置により溶存酸素濃度が低減された前記対象液を含む処理液を基板に供給する処理液供給部とを備える。
【発明の効果】
【００１６】
本発明では、対象液の溶存酸素濃度を容易に取得することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１７】
【図１】第１の実施の形態に係る基板処理装置の構成を示す図である。
【図２】脱酸素装置の構成を示す図である。
【図３】脱酸素装置の平面図である。
【図４】添加ガスの総供給量と対象液の溶存酸素濃度との関係を示す図である。
【図５】第２の実施の形態に係る脱酸素装置の構成を示す図である。
【図６】第３の実施の形態に係る脱酸素装置の構成を示す図である。
【図７】第４の実施の形態に係る脱酸素装置の構成を示す図である。
【図８】噴出部の一部および供給口変更部を示す斜視図である。
【発明を実施するための形態】
【００１８】
図１は、本発明の第１の実施の形態に係る脱酸素装置７を備える基板処理装置１の構成を示す図である。基板処理装置１は、半導体基板９（以下、単に「基板９」という。）を１枚ずつ処理する枚葉式の装置である。基板処理装置１は、基板９に処理液を供給して液処理（例えば、洗浄処理）を行う。図１では、基板処理装置１の構成の一部を断面にて示す。処理液として、例えば、純水にて希釈された希フッ酸が利用される。
【００１９】
基板処理装置１は、ハウジング１１と、基板保持部３１と、基板回転機構３３と、カップ部４と、処理液供給部６と、脱酸素装置７とを備える。ハウジング１１は、基板保持部３１およびカップ部４等を収容する。図１では、ハウジング１１を破線にて示す。
【００２０】
基板保持部３１は、上下方向を向く中心軸Ｊ１を中心とする略円板状の部材である。基板９は、上面９１を上側に向けて、基板保持部３１の上方に配置される。基板９の上面９１には、例えば、微細な凹凸のパターンが予め形成されている。基板保持部３１は、水平状態に基板９を保持する。基板回転機構３３は、基板保持部３１の下方に配置される。基板回転機構３３は、中心軸Ｊ１を中心として基板９を基板保持部３１と共に回転する。
【００２１】
カップ部４は、中心軸Ｊ１を中心とする環状の部材であり、基板９および基板保持部３１の径方向外側に配置される。カップ部４は、基板９および基板保持部３１の周囲を全周に亘って覆い、基板９から周囲に向かって飛散する処理液等を受ける。カップ部４の底部には、図示省略の排出ポートが設けられる。カップ部４にて受けられた処理液等は、当該排出ポートを介してカップ部４およびハウジング１１の外部へと排出される。
【００２２】
処理液供給部６は、上部ノズル６１を備える。上部ノズル６１は、基板９の中央部の上方に配置される。上部ノズル６１の先端には、処理液を吐出する吐出口が設けられる。上部ノズル６１から吐出された処理液は、基板９の上面９１に供給される。上部ノズル６１は、配管やバルブ等を介して混合部８３、脱酸素装置７、対象液供給源８１および純水供給源８２に接続される。
【００２３】
基板処理装置１では、対象液供給源８１から脱酸素装置７に、脱酸素処理の対象となる液体（以下、「対象液」という。）であるフッ酸が供給される。脱酸素装置７では、フッ酸の脱酸素処理が行われ、フッ酸の溶存酸素濃度が、基板９の処理において処理液に求められる溶存酸素濃度の上限値よりも低い濃度まで低減される。脱酸素処理が行われたフッ酸は、脱酸素装置７から混合部８３に送られる。混合部８３では、脱酸素装置７からのフッ酸と純水供給源８２からの純水とが混合され、処理液である希フッ酸が生成される。処理液は、脱酸素装置７により溶存酸素濃度が低減された対象液を含む。混合部８３は、例えば、ミキシングバルブである。混合部８３に送られる純水には、予め脱酸素処理が行われており、当該純水の溶存酸素濃度は、基板９の処理において処理液に求められる溶存酸素濃度の上限値よりも低い。
【００２４】
処理液は、混合部８３から上部ノズル６１へと送られ、上部ノズル６１から、回転する基板９の上面９１の中央部に向けて吐出される。基板９の上面９１上に供給された処理液は、遠心力により上面９１上を径方向外方へと移動し、基板９の外縁からカップ部４へと飛散する。カップ部４により受けられた処理液は、上記排出ポートを介してカップ部４およびハウジング１１の外部へと排出される。基板処理装置１では、基板９の上面９１に所定の時間だけ処理液が供給されることにより、基板９の上面９１に対する液処理が行われる。当該所定の時間が経過すると、基板９への処理液の供給が停止され、基板９に対する液処理が終了する。
【００２５】
図２は、脱酸素装置７の構成を示す図である。図２では、脱酸素装置７以外の構成も併せて描いている。脱酸素装置７は、対象液の溶存酸素濃度を低減する装置である。脱酸素装置７は、貯溜槽７１と、ガス供給部７２と、コンピュータ７６とを備える。図２では、貯溜槽７１の内部を示す。貯溜槽７１は、対象液供給源８１から供給される対象液であるフッ酸を貯溜する。貯溜槽７１は、例えば、略直方体の容器である。貯溜槽７１内の空間は密閉空間である。貯溜槽７１の上部には図示省略の排気弁が設けられ、貯溜槽７１内の空間が所定の圧力に維持される。
【００２６】
ガス供給部７２は、複数のガス供給口７２２が設けられるガス噴出部７２１と、供給口調節部７２３と、流量調節部７２４とを備える。ガス噴出部７２１は、貯溜槽７１内の底部近傍に配置される。ガス噴出部７２１は、配管７２５を介して添加ガス供給源８４に接続される。供給口調節部７２３および流量調節部７２４は、配管７２５上に設けられる。添加ガス供給源８４からガス噴出部７２１に供給された添加ガスは、複数のガス供給口７２２から貯溜槽７１内の対象液７０中に供給される。添加ガスは、対象液７０における溶存濃度を低下させる対象ガスである酸素とは異なる種類のガスである。添加ガスとしては、好ましくは、不活性ガスが利用される。図２に示す脱酸素装置７では、添加ガスとして窒素（Ｎ２）ガスが利用される。ガス噴出部７２１から対象液７０中に添加ガスが供給されることにより、対象液７０の脱酸素処理が行われ、対象液７０の溶存酸素濃度が低下する。
【００２７】
図３は、脱酸素装置７を示す平面図である。図３では、貯溜槽７１の内部を示す（図５ないし図７においても同様）。また、図３では、コンピュータ７６の図示を省略する。ガス噴出部７２１は、第１噴出部７７１と、第２噴出部７７２とを備える。図３に示す例では、３つの第１噴出部７７１と３つの第２噴出部７７２とが、交互に配列される。第１噴出部７７１および第２噴出部７７２は１つであっても、２つ以上であってもよい。各第１噴出部７７１および各第２噴出部７７２は略直線状の管路である。各第１噴出部７７１および各第２噴出部７７２には、貯溜槽７１内にて添加ガスを噴出する複数のガス供給口７２２が設けられる。各第１噴出部７７１および各第２噴出部７７２では、同形状かつ同じ大きさの複数のガス供給口７２２が、およそ等間隔に配置される。脱酸素装置７では、各ガス供給口７２２から対象液７０（図２参照）中に添加ガスの気泡が供給される。
【００２８】
配管７２５は、複数の第１噴出部７７１に接続される第１配管７２６と、第１配管７２６から分岐して複数の第２噴出部７７２に接続される第２配管７２７とを備える。流量調節部７２４は、第１配管７２６と第２配管７２７との分岐点よりも上流側（すなわち、添加ガス供給源８４に近い位置）に設けられ、ガス噴出部７２１への添加ガスの供給量を調節する。供給口調節部７２３は、第２配管７２７上に設けられる。供給口調節部７２３は、第２噴出部７７２への添加ガスの供給および供給停止を切り替える。
【００２９】
ガス供給部７２では、供給口調節部７２３により第２噴出部７７２への添加ガスの供給が停止されている場合、添加ガス供給源８４からの添加ガスは、第１噴出部７７１の複数のガス供給口７２２から対象液７０中に供給される。また、供給口調節部７２３により第２噴出部７７２に添加ガスが供給される場合、添加ガス供給源８４からの添加ガスは、第１噴出部７７１および第２噴出部７７２の複数のガス供給口７２２から対象液７０中に供給される。すなわち、供給口調節部７２３は、対象液７０中にガスを供給する複数のガス供給口７２２の数を変化させる供給口数変更部である。
【００３０】
図２に示すコンピュータ７６は、各種演算処理を行うＣＰＵ、基本プログラムを記憶するＲＯＭおよび各種情報を記憶するＲＡＭ等を含む一般的なコンピュータシステムの構成となっている。コンピュータ７６により、記憶部７３、演算部７４および供給制御部７５の機能が実現される。換言すれば、コンピュータ７６は、記憶部７３と、演算部７４と、供給制御部７５とを備える。
【００３１】
記憶部７３は、添加ガスの総供給量と対象液７０の溶存酸素濃度との関係を示す相関情報を記憶する。添加ガスの総供給量とは、ガス供給部７２から貯溜槽７１内の対象液７０中に添加ガスが供給される際の供給開始からの添加ガスの総量である。相関情報は、基板処理装置１により基板９の処理が行われるよりも前に、図４に例示する上記関係が測定により求められ、予め記憶部７３に格納される。
【００３２】
図４の横軸は添加ガスの総供給量を示し、縦軸は対象液７０の溶存酸素濃度を示す。図４中の実線７０１〜７０４はそれぞれ、添加ガスの総供給量と対象液７０の溶存酸素濃度との関係を示す。実線７０１〜７０４では、対象液７０中に供給される添加ガスの気泡の平均径（すなわち、気泡の直径の平均値）が異なる。気泡の平均径は、実線７０１で最も小さく、実線７０２で２番目に小さく、実線７０３で３番目に小さく、実線７０４で最も大きい。実線７０１〜７０４では、添加ガスの単位供給量は同じである。
【００３３】
図４に示すように、添加ガスの総供給量が増加するに従って溶存酸素濃度は低下する。また、添加ガスの気泡の平均径が小さくなるに従って、溶存酸素濃度の低下速度（すなわち、脱気速度）は大きくなる。相関情報は、添加ガスの総供給量と対象液７０の溶存酸素濃度との関係を実質的に示すものであればよい。例えば、対象液７０に対するガス供給部７２からの添加ガスの単位時間あたり供給量（以下、「単位供給量」という。）が一定である場合、相関情報は、添加ガスの総供給時間（すなわち、供給開始からの経過時間）と溶存酸素濃度との関係を示すものであってもよい。
【００３４】
図２に示す供給制御部７５は、流量調節部７２４を制御することにより、ガス供給部７２からの添加ガスの単位供給量を制御する。演算部７４は、対象液７０への添加ガスの総供給量と、記憶部７３に記憶されている上述の相関情報とに基づいて、対象液７０の溶存酸素濃度を求める。添加ガスの総供給量は、例えば、供給制御部７５による流量調節部７２４の制御記録に基づいて取得される。
【００３５】
このように、脱酸素装置７では、対象液７０に対する添加ガスの総供給量と対象液７０の溶存酸素濃度との関係を示す相関情報が記憶部７３に記憶され、演算部７４により、ガス供給部７２からの添加ガスの総供給量と当該相関情報とに基づいて対象液７０中の溶存酸素濃度が求められる。これにより、酸素濃度計等により対象液７０の溶存酸素濃度を測定することなく、対象液７０の溶存酸素濃度を容易に取得することができる。その結果、脱酸素装置７の製造コストを低減することができる。
【００３６】
脱酸素装置７では、演算部７４により求められた対象液７０の溶存酸素濃度が、予め定められた目標濃度以下まで減少すると、供給制御部７５が流量調節部７２４を制御し、添加ガスの単位供給量を維持供給量まで減少させる。維持供給量とは、目標濃度以下となった対象液７０の溶存酸素濃度を維持するために対象液７０中に供給される添加ガスの単位時間あたりの流量である。目標濃度は、例えば、上述の混合部８３に供給される純水の溶存酸素濃度よりも低い濃度に設定される。維持供給量は、脱酸素処理中の添加ガスの単位供給量よりも小さい。これにより、添加ガスの使用量を抑制しつつ、対象液７０の溶存酸素濃度を目標濃度以下に維持することができる。維持供給量は、例えば、ゼロであってもよい。すなわち、対象液７０の溶存酸素濃度が目標濃度以下に維持できるのであれば、溶存酸素濃度が目標濃度以下になった対象液７０には添加ガスは供給されなくてもよい。
【００３７】
脱酸素装置７では、演算部７４により求められた対象液７０の溶存酸素濃度が目標濃度まで減少するよりも前に、供給制御部７５が流量調節部７２４を制御し、添加ガスの単位供給量を減少させる。具体的には、対象液７０への添加ガスの供給開始時における添加ガスの単位供給量を第１供給量とすると、対象液７０の溶存酸素濃度が、目標濃度よりも高い閾値濃度まで減少した時点で、単位供給量は、第１供給量よりも小さくかつ維持供給量よりも大きい第２供給量へと減少される。
【００３８】
添加ガスの単位供給量が第１供給量から第２供給量へと減少することにより、対象液７０に対する添加ガスの総供給量の増加率が減少し、溶存酸素濃度の低下速度も減少する。これにより、対象液７０の溶存酸素濃度を目標濃度に制御する際に、オーバーシュートが生じることを抑制することができる。その結果、対象液７０の溶存酸素濃度を目標濃度に容易に制御することができる。上述の閾値濃度は、好ましくは、対象液７０への添加ガスの供給開始時における対象液７０の溶存酸素濃度である初期濃度と、上述の目標濃度との平均値よりも低い。これにより、対象液７０の脱酸素処理に要する時間の増大を抑制することができる。
【００３９】
脱酸素装置７では、添加ガスの単位供給量が第１供給量から第２供給量に切り替えられる際に、供給口調節部７２３が複数のガス供給口７２２の数を増加させる。具体的には、添加ガスの単位供給量が第１供給量である状態では、供給口調節部７２３により、図３に示す第２噴出部７７２への添加ガスの供給が停止されており、第１噴出部７７１のガス供給口７２２のみから対象液７０中に添加ガスが供給される。また添加ガスの単位供給量が第２供給量である状態では、供給口調節部７２３により、第２噴出部７７２へも添加ガスが供給され、第１噴出部７７１および第２噴出部７７２から対象液７０中に添加ガスが供給される。
【００４０】
このように、添加ガスの単位供給量が比較的大きい第１供給量である場合、貯溜槽７１の底部に配置されるガス供給口７２２の分布密度を小さくする（すなわち、ガス供給口７２２を粗に配置する）ことにより、近接するガス供給口７２２からの添加ガスの気泡が合体して大径化することを抑制することができる。その結果、対象液７０の脱酸素処理を効率良く行うことができる。また、添加ガスの単位供給量が比較的小さい第２供給量である場合、各ガス供給口７２２から単位時間あたりに供給される添加ガスの気泡の数は少ないため、近接するガス供給口７２２からの添加ガスの気泡が合体する可能性は低い。そこで、貯溜槽７１の底部に配置されるガス供給口７２２の分布密度を大きくする（すなわち、ガス供給口７２２を密に配置する）ことにより、対象液７０中における添加ガスの気泡の分布の均一性を向上させる。その結果、対象液７０の脱酸素処理を効率良く行うことができる。
【００４１】
図５は、第２の実施の形態に係る脱酸素装置７ａを示す平面図である。脱酸素装置７ａは、例えば、図１に示す脱酸素装置７に代えて基板処理装置１に設けられる。図５に示す脱酸素装置７ａは、図２および図３に示すガス供給部７２に代えてガス供給部７２ａが設けられる点、および、コンピュータ７６が開口制御部７８を備える点を除き、図２および図３に示す脱酸素装置７とおよそ同様の構造を有する。以下の説明では、脱酸素装置７ａの構成のうち、脱酸素装置７の構成と対応する構成に同符号を付す。
【００４２】
ガス供給部７２ａは、複数のガス供給口７２２が設けられるガス噴出部７２１ａと、流量調節部７２４とを備える。ガス噴出部７２１ａは、配管を介して添加ガス供給源８４に接続される。流量調節部７２４は、当該配管上に設けられる。ガス噴出部７２１ａは、略直方体の箱部７７３と、略矩形の板部材であるスリット板７７４と、供給口変更部７７７とを備える。箱部７７３は、比較的薄い中空の部材であり、貯溜槽７１の底部に配置される。箱部７７３は添加ガス供給源８４に接続される。スリット板７７４は、箱部７７３の上面部７７３ａ上に重ねられる。供給口変更部７７７は、スリット板７７４を所定の移動方向（図５中の上下方向）に水平に移動する。開口制御部７８は、演算部７４からの出力に基づいて供給口変更部７７７を制御する。
【００４３】
箱部７７３の上面部７７３ａには、箱部７７３の内部空間に連通する複数の開口７７５が設けられる。図５に示す例では、３０個の開口７７５がマトリクス状に配置される。図５に示す例では、各開口７７５は三角形である。各開口７７５の上記移動方向に垂直な幅方向の幅（以下、単に「幅」という。）は、図５中の下側から上側に向かうに従って（すなわち、上記移動方向の一方側から他方側に向かうに従って）漸次増大する。スリット板７７４には、複数の開口７７６が設けられる。図５に示す例では、５個の開口７７６が上記移動方向に配列される。図５に示す例では、各開口７７６は、幅方向に延びる略矩形状であり、幅方向に配列された６個の開口７７５のそれぞれと部分的に重なる。
【００４４】
ガス供給部７２ａでは、箱部７７３の開口７７５とスリット板７７４の開口７７６との重複部が、添加ガス供給源８４からガス噴出部７２１ａに供給された添加ガスを貯溜槽７１内にて噴出するガス供給口７２２である。供給口変更部７７７がスリット板７７４を移動方向に移動することにより、開口７７５と開口７７６との重複部の面積、すなわち、ガス供給口７２２の大きさが変化する。具体的には、スリット板７７４が図５中の下側に移動するとガス供給口７２２は小さくなり、スリット板７７４が図５中の上側に移動するとガス供給口７２２は大きくなる。
【００４５】
開口７７５が形成された箱部７７３の上面部７７３ａを１つの板部材と捉えると、ガス供給口７２２は、重ねられた２つの板部材（すなわち、箱部７７３の上面部７７３ａおよびスリット板７７４）のそれぞれの開口７７５，７７６の重複部である。また、供給口変更部７７７は、当該２つの板部材の相対位置を変更することにより、開口７７５，７７６の重複部の面積を変更する。ガス噴出部７２１ａを当該構造とすることにより、ガス供給口７２２の大きさを容易に変更することができる。これにより、ガス供給口７２２から貯溜槽７１内の対象液中に供給される添加ガスの気泡の直径を容易に変更することができる。
【００４６】
脱酸素装置７ａでは、図２および図３に示す脱酸素装置７と同様に、演算部７４が、対象液への添加ガスの総供給量と、記憶部７３に記憶されている上述の相関情報（図４参照）とに基づいて、対象液の溶存酸素濃度を求める。これにより、上記と同様に、酸素濃度計等により対象液の溶存酸素濃度を測定することなく、対象液の溶存酸素濃度を容易に取得することができる。
【００４７】
脱酸素装置７ａでは、演算部７４により求められた対象液の溶存酸素濃度が目標濃度まで減少するよりも前に、開口制御部７８による制御により、供給口変更部７７７が、スリット板７７４を図５中の上側に移動させて各ガス供給口７２２を大きくする。具体的には、対象液の溶存酸素濃度が、目標濃度よりも高い上述の閾値濃度まで減少した時点で、各ガス供給口７２２が大きくされる。これにより、ガス供給口７２２から貯溜槽７１内の対象液中に供給される添加ガスの気泡の直径が大きくなる。
【００４８】
上述のように、添加ガスの気泡の平均径が大きくなると、溶存酸素濃度の低下速度は小さくなる（図４参照）。このため、対象液の溶存酸素濃度を目標濃度に制御する際に、オーバーシュートが生じることを抑制することができる。その結果、対象液の溶存酸素濃度を目標濃度に容易に制御することができる。上述の閾値濃度は、好ましくは、対象液への添加ガスの供給開始時における対象液の溶存酸素濃度である初期濃度と、上述の目標濃度との平均値よりも低い。これにより、対象液の脱酸素処理に要する時間の増大を抑制することができる。
【００４９】
図６は、第３の実施の形態に係る脱酸素装置７ｂを示す平面図である。脱酸素装置７ｂは、例えば、図１に示す脱酸素装置７に代えて基板処理装置１に設けられる。図６に示す脱酸素装置７ｂは、図５に示すガス供給部７２ａに代えてガス供給部７２ｂが設けられる点を除き、図５に示す脱酸素装置７ａとおよそ同様の構造を有する。以下の説明では、脱酸素装置７ｂの構成のうち、脱酸素装置７ａの構成と対応する構成に同符号を付す。
【００５０】
ガス供給部７２ｂは、ガス噴出部７２１ｂと、供給口変更部７７７ｂと、流量調節部７２４とを備える。ガス噴出部７２１ｂは、第１噴出部７９１と、第２噴出部７９２と、第３噴出部７９３とを備える。図６に示す例では、各２つの第１噴出部７９１、第２噴出部７９２および第３噴出部７９３が、図６中の上下方向に順に配列される。第１噴出部７９１、第２噴出部７９２および第３噴出部７９３はそれぞれ、１つであっても、３つ以上であってもよい。ガス噴出部７２１ｂでは、同じ種類の噴出部は隣接しないように配置される。
【００５１】
各第１噴出部７９１、各第２噴出部７９２および各第３噴出部７９３は、略直線状の管路である。各第１噴出部７９１、各第２噴出部７９２および各第３噴出部７９３には、貯溜槽７１内にて添加ガスを噴出する複数のガス供給口７２２が設けられる。第１噴出部７９１、第２噴出部７９２および第３噴出部７９３に設けられるガス供給口７２２の大きさは互いに異なる。図６に示す例では、第１噴出部７９１のガス供給口７２２が最も小さく、第２噴出部７９２のガス供給口７２２が２番目に小さく、第３噴出部７９３のガス供給口７２２が最も大きい。脱酸素装置７ｂでは、各ガス供給口７２２から対象液中に添加ガスの気泡が供給される。
【００５２】
供給口変更部７７７ｂは、第１噴出部７９１、第２噴出部７９２および第３噴出部７９３と添加ガス供給源８４とをそれぞれ接続する３つの配管上に設けられた３つのバルブ７９４ａ，７９４ｂ，７９４ｃを備える。供給口変更部７７７ｂにおいて３つのバルブ７９４ａ，７９４ｂ，７９４ｃが開閉されることにより、添加ガス供給源８４からの添加ガスが、第１噴出部７９１、第２噴出部７９２および第３噴出部７９３のうち、いずれか１種類の噴出部のガス供給口７２２から対象液中に供給される。すなわち、供給口変更部７７７ｂは、添加ガス供給源８４から添加ガスが供給される噴出部を第１噴出部７９１、第２噴出部７９２および第３噴出部７９３の間で切り替えることにより、対象液に添加ガスを供給するガス供給口７２２の大きさを変更する。これにより、ガス供給口７２２から貯溜槽７１内の対象液中に供給される添加ガスの気泡の直径を容易に変更することができる。
【００５３】
脱酸素装置７ｂでは、図２および図３に示す脱酸素装置７と同様に、演算部７４が、対象液への添加ガスの総供給量と、記憶部７３に記憶されている上述の相関情報（図４参照）とに基づいて、対象液の溶存酸素濃度を求める。これにより、上記と同様に、酸素濃度計等により対象液の溶存酸素濃度を測定することなく、対象液の溶存酸素濃度を容易に取得することができる。
【００５４】
脱酸素装置７ｂでは、演算部７４により求められた対象液の溶存酸素濃度が目標濃度まで減少するよりも前に、開口制御部７８により供給口変更部７７７ｂが制御されることにより、バルブ７７４ａ，７７４ｂ，７７４ｃのうち少なくとも２つのバルブが切り替えられ、添加ガスを噴出するガス供給口７２２が大きくなる。具体的には、対象液の溶存酸素濃度が、目標濃度よりも高い上述の閾値濃度まで減少した時点で、添加ガス供給源８４からの添加ガスの送出先が、例えば第１噴出部７９１から第２噴出部７９２に切り替えられる。これにより、ガス供給口７２２から貯溜槽７１内の対象液中に供給される添加ガスの気泡の直径が大きくなる。
【００５５】
上述のように、添加ガスの気泡の平均径が大きくなると、溶存酸素濃度の低下速度は小さくなる（図４参照）。このため、対象液の溶存酸素濃度を目標濃度に制御する際に、オーバーシュートが生じることを抑制することができる。その結果、対象液の溶存酸素濃度を目標濃度に容易に制御することができる。上述の閾値濃度は、好ましくは、対象液への添加ガスの供給開始時における対象液の溶存酸素濃度である初期濃度と、上述の目標濃度との平均値よりも低い。これにより、対象液の脱酸素処理に要する時間の増大を抑制することができる。
【００５６】
図６に示す例では、ガス噴出部７２１ｂは、それぞれのガス供給口７２２の大きさが異なる３種類の噴出部７９１〜７９３を備えるが、噴出部の種類は３種類には限定されない。ガス噴出部７２１ｂでは、それぞれのガス供給口７２２の大きさが異なる複数種類の噴出部が設けられていればよい。
【００５７】
図７は、第４の実施の形態に係る脱酸素装置７ｃを示す平面図である。脱酸素装置７ｃは、例えば、図１に示す脱酸素装置７に代えて基板処理装置１に設けられる。図７に示す脱酸素装置７ｃは、図５に示すガス供給部７２ａに代えてガス供給部７２ｃが設けられる点を除き、図５に示す脱酸素装置７ａとおよそ同様の構造を有する。以下の説明では、脱酸素装置７ｃの構成のうち、脱酸素装置７ａの構成と対応する構成に同符号を付す。
【００５８】
ガス供給部７２ｃは、ガス噴出部７２１ｃと、供給口変更部７７７ｃと、流量調節部７２４とを備える。ガス噴出部７２１ｃは、貯溜槽７１の底部に配置される複数の噴出部７９５を備える。各噴出部９５は、複数のガス供給口７２２を備える。図７に示す例では、６つの噴出部７９５が図７中の上下方向に配列される。噴出部７９５は、１つであっても複数であってもよい。各噴出部７９５の図７中の左側の端部には、供給口変更部７７７ｃが接続される。
【００５９】
図８は、１つの噴出部７９５の左端部近傍の部位および供給口変更部７７７ｃを拡大して示す斜視図である。他の噴出部７９５および供給口変更部７７７ｃの構造も、図８に示すものと同様である。噴出部７９５は、外筒部７９６と、内筒部７９７とを備える。外筒部７９６および内筒部７９７はそれぞれ、筒状の板部材である。内筒部７９７は、僅かな間隙をあけて外筒部７９６の内側に配置される。図８では、図の理解を容易にするために、内筒部７９７の側面を覆う外筒部７９６の一部を省略している。
【００６０】
内筒部７９７の側面には、長手方向に配列される複数の開口群７９８が設けられる。各開口群７９８は、内筒部７９７の周方向に配列される小開口７９８ａ、中開口７９８ｂおよび大開口７９８ｃを含む。小開口７９８ａが最も小さく、中開口７９８ｂが２番目に小さく、大開口７９８ｃが最も大きい。図８に示す例では、小開口７９８ａ、中開口７９８ｂおよび大開口７９８ｃはそれぞれ略円形の貫通孔である。各開口群７９８は、互いに大きさが異なる２つ以上の開口を含んでいればよい。
【００６１】
外筒部７９６の側面には、長手方向に配列される複数の外側開口７９９が設けられる。複数の外側開口７９９は、長手方向に関して複数の開口群７９８にそれぞれ対応する位置に配置される。外側開口７９９は、大開口７９８ｃと同じ大きさ、または、大開口７９８ｃよりも大きい。図８に示す例では、各外側開口７９９は略円形の貫通孔である。
【００６２】
内筒部７９７は、供給口変更部７７７ｃに接続され、供給口変更部７７７ｃにより外筒部７９６の内側にて回転する。外筒部７９６は、回転しない。供給口変更部７７７ｃにより内筒部７９７が回転されることにより、内筒部７９７の開口群７９８のいずれかの開口７９８ａ〜７９８ｃが、外筒部７９６の外側開口７９９に重なる。ガス供給部７２ｃでは、内筒部７９７の開口７９８ａ〜７９８ｃと外筒部７９６の外側開口７９９との重複部が、添加ガス供給源８４（図７参照）からガス噴出部７２１ｃに供給された添加ガスを貯溜槽７１内にて噴出するガス供給口７２２である。供給口変更部７７７ｃが内筒部７９７を回転させることにより、開口７９８ａ〜７９８ｃと外側開口７９９との重複部の面積、すなわち、ガス供給口７２２の大きさが変化する。
【００６３】
脱酸素装置７ｃのガス噴出部７２１ｃでは、ガス供給口７２２は、重ねられた２つの筒状の板部材（すなわち、外筒部７９６および内筒部７９７）のそれぞれの開口７９９，７９８ａ〜７９８ｃの重複部である。また、供給口変更部７７７ｃは、当該２つの筒状の板部材の周方向における相対位置を変更することにより、開口７９９，７９８ａ〜７９８ｃの重複部の面積を変更する。ガス噴出部７２１ｃを当該構造とすることにより、ガス供給口７２２の大きさを容易に変更することができる。これにより、ガス供給口７２２から貯溜槽７１内の対象液中に供給される添加ガスの気泡の直径を容易に変更することができる。
【００６４】
図７に示す脱酸素装置７ｃでは、図２および図３に示す脱酸素装置７と同様に、演算部７４が、対象液への添加ガスの総供給量と、記憶部７３に記憶されている上述の相関情報（図４参照）とに基づいて、対象液の溶存酸素濃度を求める。これにより、上記と同様に、酸素濃度計等により対象液の溶存酸素濃度を測定することなく、対象液の溶存酸素濃度を容易に取得することができる。
【００６５】
脱酸素装置７ｃでは、演算部７４により求められた対象液の溶存酸素濃度が目標濃度まで減少するよりも前に、開口制御部７８による制御により、供給口変更部７７７ｃが、内筒部７９７を回転させて各ガス供給口７２２を大きくする。具体的には、対象液の溶存酸素濃度が、目標濃度よりも高い上述の閾値濃度まで減少した時点で、外筒部７９６の外側開口７９９に重なる内筒部７９７の開口が、例えば、小開口７９８ａから中開口７９８ｂに変更される。これにより、ガス供給口７２２から貯溜槽７１内の対象液中に供給される添加ガスの気泡の直径が大きくなる。
【００６６】
上述のように、添加ガスの気泡の平均径が大きくなると、溶存酸素濃度の低下速度は小さくなる（図４参照）。このため、対象液の溶存酸素濃度を目標濃度に制御する際に、オーバーシュートが生じることを抑制することができる。その結果、対象液の溶存酸素濃度を目標濃度に容易に制御することができる。上述の閾値濃度は、好ましくは、対象液への添加ガスの供給開始時における対象液の溶存酸素濃度である初期濃度と、上述の目標濃度との平均値よりも低い。これにより、対象液の脱酸素処理に要する時間の増大を抑制することができる。
【００６７】
図８に示す例では、内筒部７９７には、大きさが異なる３種類の開口７９８ａ〜７９８ｃが設けられるが、内筒部７９７にて周方向に配列される開口の大きさは３種類には限定されない。ガス供給部７２ｃでは、大きさが異なる複数種類の開口が、内筒部７９７の側面において周方向に設けられていればよい。ガス供給部７２ｃでは、内筒部７９７が回転することなく、供給口変更部７７７ｃにより外筒部７９６が回転してもよい。また、外筒部７９６と同様に１種類の開口が形成される筒状の板部材が、内筒部７９７と同様に複数種類の開口が形成される筒状部材の内側に配置されてもよい。
【００６８】
図５に示す脱酸素装置７ａでは、様々な種類の対象液の脱酸素処理が可能である。対象液の種類が変更され、対象液の表面張力が変化すると、ガス供給口７２２の大きさが一定であっても添加ガスの気泡の直径は変化する。具体的には、ガス供給口７２２の大きさが一定のままで対象液の表面張力が大きくなると、添加ガスの気泡の直径も大きくなる。上述のように、添加ガスの気泡の直径が大きくなると、溶存酸素濃度の低下速度は小さくなる。したがって、対象液の種類が変更される場合であっても常に脱酸素処理を効率良く行うためには、対象液の種類に関わらず、対象液に供給される添加ガスの気泡の直径をおよそ一定とすることが好ましい。また、対象液の種類によって脱酸素処理に適した溶存酸素濃度の低下速度が存在するのであれば、添加ガスの気泡の直径を、当該低下速度を実現するのに適した直径とすることが好ましい。
【００６９】
脱酸素装置７ａは、上述のように、対象液を貯溜する貯溜槽７１と、添加ガスを貯溜槽７１内の対象液中に供給するガス供給部７２ａとを備える。また、ガス供給部７２ａは、貯溜槽７１内にて添加ガスを噴出するガス供給口７２２と、ガス供給口７２２の大きさを変更する供給口変更部７７７とを備える。これにより、脱酸素装置７ａでは、対象液の種類に関わらず、対象液に供給される添加ガスの気泡の直径をおよそ一定とすることができる。また、対象液に供給される添加ガスの気泡の直径を、対象液の種類に合わせて適切な大きさとすることができる。なお、この場合、脱酸素装置７ａから、上述の記憶部７３および演算部７４は省略されてよい。図６および図７に示す脱酸素装置７ｂ，７ｃにおいても同様である。
【００７０】
上述の脱酸素装置７，７ａ〜７ｃおよび基板処理装置１では、様々な変更が可能である。
【００７１】
例えば、図５に示す脱酸素装置７ａでは、演算部７４により求められた対象液の溶存酸素濃度が目標濃度まで減少するよりも前に、各ガス供給口７２２の拡大と並行して、供給制御部７５が流量調節部７２４を制御することにより、添加ガスの単位供給量を減少させてもよい。これにより、溶存酸素濃度の低下速度をより小さくすることができる。その結果、上述のオーバーシュートが生じることを抑制し、対象液の溶存酸素濃度を目標濃度に容易に制御することができる。図６および図７に示す脱酸素装置７ｂ，７ｃにおいても同様である。
【００７２】
図２および図３に示す脱酸素装置７では、必ずしも、対象液の溶存酸素濃度が目標濃度まで減少するよりも前に、添加ガスの単位供給量が減少される必要はない。例えば、対象液の溶存酸素濃度が目標濃度以下になるのであれば目標濃度からある程度以上離れていてもよい場合、溶存酸素濃度が目標濃度以下となるまで、添加ガスの単位供給量は一定に維持されてもよい。
【００７３】
図５に示す脱酸素装置７ａでは、必ずしも、対象液の溶存酸素濃度が目標濃度まで減少するよりも前に、ガス供給口７２２が大きくされる必要はない。例えば、対象液の溶存酸素濃度が目標濃度以下になるのであれば目標濃度からある程度以上離れていてもよい場合、溶存酸素濃度が目標濃度以下となるまで、ガス供給口７２２の大きさは一定に維持されてもよい。また、脱酸素装置７ａでは、ガス供給口７２２は１つであってもよい。図６および図７に示す脱酸素装置７ｂ，７ｃにおいても同様である。
【００７４】
図２および図３に示す脱酸素装置７では、貯溜槽７１と配管により接続される大型タンクがさらに設けられ、大型タンクに貯溜される対象液と、貯溜槽７１にて脱酸素処理を施された対象液とを循環させることにより、大型タンク内の対象液全ての脱酸素処理が行われてもよい。図５ないし図７に示す脱酸素装置７ａ〜７ｃにおいても同様である。
【００７５】
図２および図３に示す脱酸素装置７では、供給口調節部７２３によるガス供給口７２２の数の変更は、必ずしも第２噴出部７７２への添加ガスの供給および供給停止によるものには限定されず、他の様々な方法により行われてもよい。例えば、貯溜槽７１の底面全体に略均等に分布して配置された複数のガス供給口７２２のうち、一部のガス供給口７２２を可動板にて覆い、覆われていないガス供給口７２２から添加ガスを供給し、ガス供給口７２２の数を増加させる際に、当該可動板をガス供給口７２２上から退避させる構造が採用されてもよい。
【００７６】
図１に示す基板処理装置１では、処理液は、脱酸素装置７，７ａ〜７ｃにより溶存酸素濃度が低減された対象液を含むのであれば、対象液と純水との混合液には限定されない。処理液は、例えば、対象液と純水以外の液体との混合液であってもよく、対象液そのものであってもよい。
【００７７】
基板処理装置１では、対象液供給源８１に２つの脱酸素装置７が接続され、一方の脱酸素装置７において脱酸素処理が完了した対象液（すなわち、溶存酸素濃度が目標濃度以下とされた対象液）が混合部８３にて処理液の生成に利用されるのと並行して、他方の脱酸素装置７において対象液の脱酸素処理が行われてもよい。この場合、当該他方の脱酸素装置７において、演算部７４により求められた溶存酸素濃度が目標濃度以下まで減少すると、混合部８３に対象液を送出する脱酸素装置７が、上記一方の脱酸素装置７から他方の脱酸素装置７へと切り替えられる。そして、当該一方の脱酸素装置７では、対象液供給源８１から貯溜槽７１への対象液の補充が行われ、対象液の脱酸素処理が行われる。対象液供給源８１には、３つ以上の脱酸素装置７が接続され、これらの脱酸素装置７から順番に混合部８３に対象液が供給されてもよい。基板処理装置１に脱酸素装置７ａ〜７ｃが設けられる場合においても同様である。
【００７８】
基板処理装置１では、純水供給源８２と混合部８３との間に、もう１つの脱酸素装置７または脱酸素装置７ａ〜７ｃのいずれかが設けられ、純水供給源８２からの純水に対して、当該もう１つの脱酸素装置による脱酸素処理が行われてもよい。
【００７９】
基板処理装置１は、半導体基板の洗浄処理以外の液処理に利用されてもよい。また、基板処理装置１は、半導体基板以外に、液晶表示装置、プラズマディスプレイ、ＦＥＤ（field emission display）等の表示装置に使用されるガラス基板の処理に利用されてもよい。あるいは、基板処理装置１は、光ディスク用基板、磁気ディスク用基板、光磁気ディスク用基板、フォトマスク用基板、セラミック基板および太陽電池用基板等の処理に利用されてもよい。
【００８０】
上述の脱酸素装置７，７ａ〜７ｃは、複数の基板９を処理液貯溜槽に貯溜された処理液に浸漬して処理するバッチ式の基板処理装置にて利用されてもよい。また、脱酸素装置７，７ａ〜７ｃは、基板処理装置以外の様々な装置において利用されてもよく、単独で使用されてもよい。
【００８１】
上記実施の形態および各変形例における構成は、相互に矛盾しない限り適宜組み合わされてよい。
【符号の説明】
【００８２】
１    基板処理装置
６    処理液供給部
７，７ａ〜７ｃ    脱酸素装置
７０    対象液
７１    貯溜槽
７２，７２ａ〜７２ｃ    ガス供給部
７３    記憶部
７４    演算部
７５    供給制御部
７２２    ガス供給口
７２３    供給口調節部
７７３ａ    （箱部の）上面部
７７４    スリット板
７７５，７７６    開口
７７７，７７７ｂ，７７７ｃ    供給口変更部
７９６    外筒部
７９７    内筒部
７９８ａ    小開口
７９８ｂ    中開口
７９８ｃ    大開口
７９９    外側開口
【図１】
0006391524.tif 000002
【図２】
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【図３】
0006391524.tif 000004
【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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