(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板の裏面に、赤色光又は赤外光の透過率が前記半導体基板より低い金属薄膜層を形成する工程と、
前記半導体基板と前記金属薄膜層を加熱して、前記金属薄膜層の材料を前記半導体基板に拡散させて、前記半導体基板の材料と前記金属薄膜層の材料が混合した反応層を形成する反応工程と、
前記反応工程の後に、赤色光又は赤外光である光線を出射し、前記金属薄膜層からの反射の有無によって半導体基板の有無を検知する検知工程と、を備えたことを特徴とする半導体デバイス用基板の製造方法。
【請求項２】
前記反応工程の前に、前記半導体基板の表面に半導体層を形成し、前記半導体層の表面に絶縁膜を形成する工程を備えたことを特徴とする請求項１に記載の半導体デバイス用基板の製造方法。
【請求項３】
前記金属薄膜層の裏面に、ＳｉＣ、ＨｆＯ２、ＺｎＯ２、又は貴金属でエッチング保護膜を形成する工程を備えたことを特徴とする請求項１又は２に記載の半導体デバイス用基板の製造方法。
【請求項４】
前記金属薄膜層の裏面に、Ｗ、Ｃｒ、又はＡｌで追加金属薄膜層を形成する工程を備えたことを特徴とする請求項１又は２に記載の半導体デバイス用基板の製造方法。
【請求項５】
前記追加金属薄膜層の裏面に、ＳｉＣ、ＨｆＯ２、ＺｎＯ２、又は貴金属でエッチング保護膜を形成する工程を備えたことを特徴とする請求項４に記載の半導体デバイス用基板の製造方法。
【請求項６】
前記金属薄膜層はＮｉを含む合金又はＮｉで形成されたことを特徴とする請求項１〜５のいずれか１項に記載の半導体デバイス用基板の製造方法。
【請求項７】
前記半導体基板は、ＳｉＣ又はＧａＮで形成されたことを特徴とする請求項１〜６のいずれか１項に記載の半導体デバイス用基板の製造方法。
【請求項８】
前記検知工程は、前記半導体基板に半導体素子を形成するための処理を行う際に実施されることを特徴とする請求項１〜７のいずれか１項に記載の半導体デバイス用基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、例えば半導体デバイスの作成に用いられる基板及びその基板の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体基板上にトランジスタ、抵抗、及びキャパシタ等を有する回路を作製するためには、基板に対して様々な処理が施される。例えば、半導体製造装置により基板上に金属薄膜又は絶縁膜を形成したり、露光装置でレジストをパターニングしたりする。
【０００３】
基板に対して様々な処理を施すウエハプロセスにおいては、半導体製造装置内の基板認識センサによって、基板の有無を検知する。Ｓｉ基板又はＧａＡｓ基板の有無の検知には、これらの基板が赤色光又は赤外光を吸収(又は反射)する性質を利用する。具体的には、赤色光又は赤外光がセンサに入射したときは基板がないことを認識する。また、赤色光又は赤外光が基板に吸収されセンサに入射しないときは、基板があることを認識する。
【０００４】
近年、パワーデバイス又は高周波デバイスに、Ｓｉに比べてバンドギャップが広いＳｉＣ又はＧａＮ等の化合物半導体基板を使用することがある。ＳｉＣ又はＧａＮは赤色光又は赤外光に対して透明であるので、赤色光又は赤外光による基板の有無の検知ができない。
【０００５】
特許文献１には、基板の端部に設けた全反射面によって、赤色光等を反射することが開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２０１０−１４１１２４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
Ｓｉ基板又はＧａＡｓ基板などの処理に用いる半導体製造装置では、赤色光又は赤外光により基板の有無を検知する。赤色光又は赤外光に対して透明な基板を検知するために新たな検知システムを構築するとコスト高となる。そこで、赤色光又は赤外光により基板の有無を検知する既存の半導体製造装置により、これらの光に対して透明な基板を処理することが好ましい。しかし、特許文献１に開示の技術では、基板の端部に全反射面を設けるので、基板中央部で基板の有無を検知できない問題があった。
【０００８】
赤色光又は赤外光に対して透明な基板の裏面側に、赤色光又は赤外光の透過率が低いＣｒ、Ｗ、Ａｌなどの金属薄膜層を形成し、基板の検知を可能とすることが考えられる。しかしながら、熱処理、ドライエッチング、ウェットエッチング、及び薬液処理などが繰り返し行われる過程で、その金属薄膜層が剥がれたり、エッチングされたりすることがあった。
【０００９】
本発明は、上述のような課題を解決するためになされたもので、赤色光又は赤外光を基板の有無の検知に用いる半導体製造装置によって、弊害なく処理ができる基板、及びその基板の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本願の発明に係る半導体デバイス用基板の製造方法は、半導体基板の裏面に、赤色光又は赤外光の透過率が該半導体基板より低い金属薄膜層を形成する工程と、該半導体基板と該金属薄膜層を加熱して、該金属薄膜層の材料を該半導体基板に拡散させて、該半導体基板の材料と該金属薄膜層の材料が混合した反応層を形成する反応工程と、該反応工程の後に、赤色光又は赤外光である光線を出射し、該金属薄膜層からの反射の有無によって半導体基板の有無を検知する検知工程と、を備えたことを特徴とする。
【発明の効果】
【００１２】
本発明によれば、金属薄膜層の成分を基板に拡散させることで、金属薄膜層の剥がれ及びエッチングを抑制できる。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
【図１】実施の形態１に係る基板の正面図である。
【図２】基板の有無の検知方法を示す図である。
【図３】実施の形態２に係る基板の正面図である。
【図４】実施の形態３に係る基板の正面図である。
【図５】実施の形態４に係る基板の正面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１４】
本発明の実施の形態に係る基板と基板の製造方法について図面を参照して説明する。同じ又は対応する構成要素には同じ符号を付し、説明の繰り返しを省略する場合がある。
【００１５】
実施の形態１．
図１は、本発明の実施の形態１に係る基板の正面図である。実施の形態１に係る基板は、基板１０を備えている。基板１０は例えばＳｉＣ又はＧａＮなどの赤色光又は赤外光に対して透明な材料で形成されている。基板１０の裏面に反応層１２が設けられている。反応層１２は、赤色光又は赤外光の透過率が基板１０より低い透過防止金属と基板１０の材料とが混合した層である。
【００１６】
反応層１２の裏面に金属薄膜層１４が形成されている。金属薄膜層１４は、前述の透過防止金属と同じ材料で形成されている。金属薄膜層１４は例えばＮｉを含む合金又はＮｉで形成されている。Ｎｉを含む合金とは、例えばＮｉＣｒ、ＮｉＦｅ、ＮｉＭｏ、ＮｉＴｉ、又はＮｉＷである。
【００１７】
本発明の実施の形態１に係る基板の製造方法を説明する。まず、基板１０の裏面に、赤色光又は赤外光の透過率が基板１０より低い金属薄膜層１４を形成する。金属薄膜層１４は例えば蒸着法又はスパッタリング法で形成する。
【００１８】
次いで、反応工程を実施する。反応工程では、基板１０と金属薄膜層１４を加熱して、金属薄膜層１４の材料を基板１０に拡散させて、基板１０の材料と金属薄膜層１４の材料が混合した反応層１２を形成する。基板１０と金属薄膜層１４は、ラピッドサーマルアニール法等により８５０℃以上に加熱することが好ましい。
【００１９】
こうして完成した基板には、基板上に半導体素子を形成するための熱処理、ドライエッチング、ウェットエッチング、及び薬液処理などが繰り返し施される。そして、基板のハンドリング（搬送）又はアライメント等を行う際には、基板のある場所又は基板のない場所に赤色光又は赤外光を照射し、基板の有無を検知する。図２は、基板の有無の検知方法を示す図である。赤色光又は赤外光である光線１５は、基板に入射し金属薄膜層１４によって反射される。この場合、センサ１６に光線１５が入射しないので、半導体製造装置内に基板があると認識される。他方、光線１５がセンサ１６に入射する場合は半導体製造装置内に基板がないと認識される。
【００２０】
ところで、蒸着法、スパッタリング法、又は化学気相成長法により金属薄膜層(Ｃｒ、Ｗ、Ａｒ等)を形成するだけでは、基板に対する金属薄膜層の付着力が弱い。ウエハプロセスにおいて、金属薄膜層が剥がれたり、エッチングされたりすると、基板の有無を検知できなくなり基板認識エラーを起こす。これを防止するために、本発明の実施の形態１では、金属薄膜層１４の成分を基板１０に拡散させて反応層１２を形成した。反応層１２は基板１０と金属薄膜層１４の付着力を高める。反応層１２により、金属薄膜層１４が剥がれたりエッチングされたりすることを防止できる。よって、赤色光又は赤外光を基板の有無の検知に用いる半導体製造装置によって、弊害なく基板を処理できる。
【００２１】
本発明の実施の形態１に係る基板は、基板１０の裏面全体に反応層１２及び金属薄膜層１４が形成されているので、赤色光又は赤外光を基板の端部に入射させてもよいし基板の中央部に入射させてもよい。
【００２２】
本発明の実施の形態１に係る基板は反応層１２により金属薄膜層１４の剥がれ等を防止したことを特徴とする。この特徴を失わない範囲で様々な変形が可能である。例えば、基板１０の上に、（透明な）基板又は半導体層を形成してもよい。なお、以下の実施の形態に係る基板と基板の製造方法については、実施の形態１との共通点が多いので実施の形態１との相違点を中心に説明する。
【００２３】
実施の形態２．
図３は、実施の形態２に係る基板の正面図である。この基板は、基板１０の表面に形成された半導体層２０と、半導体層２０の表面に形成された絶縁膜２２と、を備えている。絶縁膜２２は例えばＳｉＮ膜又はＳｉＯ膜である。
【００２４】
実施の形態２に係る基板の製造方法を説明する。反応工程の前に、基板１０の表面に半導体層２０を形成し、半導体層２０の表面に絶縁膜２２を形成する。絶縁膜２２は化学気相成長法又はスパッタリング法により形成する。その後、反応工程を実施する。反応工程では基板が高温になるので半導体層２０の変質が懸念されるが、絶縁膜２２により半導体層２０の変質を防止できる。このように、反応工程の前に基板１０の上に半導体層２０が形成されている場合でも、絶縁膜２２を設けることで半導体層２０の変質を防止できる。
【００２５】
実施の形態３．
図４は、実施の形態３に係る基板の正面図である。この基板は、金属薄膜層１４の裏面にエッチング保護膜３０を備えている。エッチング保護膜３０は、ＳｉＣ、ＨｆＯ２、ＺｎＯ２、又は貴金属で形成されている。貴金属とは、例えばＡｕ、Ｐｔ、又はＰｄである。エッチング保護膜３０はウエハプロセスにおけるエッチング工程にてエッチングされ難い。
【００２６】
エッチング保護膜３０は、金属薄膜層１４の裏面に、真空蒸着法、スパッタリング法、化学気相成長法、又はＡＬＤ法で形成される。反応工程の前にエッチング保護膜３０を形成してもよいし、反応工程の後にエッチング保護膜３０を形成してもよい。
【００２７】
ウエハプロセスでは多数回にわたってエッチング処理を実施するので、当該エッチング処理により金属薄膜層１４が膜減りするおそれがある。そこで、本発明の実施の形態３では、金属薄膜層１４の裏面にエッチング保護膜３０を設けた。エッチング保護膜３０により、エッチング処理による金属薄膜層１４の膜減りを抑制できる。
【００２８】
実施の形態４．
図５は、実施の形態４に係る基板の正面図である。金属薄膜層１４の裏面に追加金属薄膜層４０が形成されている。追加金属薄膜層４０は例えばＷ、Ｃｒ、又はＡｌで形成されている。Ｗ、Ｃｒ、又はＡｌで形成された追加金属薄膜層４０は、Ｎｉを含む合金又はＮｉで形成された金属薄膜層１４よりも赤色光又は赤外光に対する透過率が低い。追加金属薄膜層４０の裏面にはエッチング保護膜３０が形成されている。エッチング保護膜３０は、ＳｉＣ、ＨｆＯ２、ＺｎＯ２、又は貴金属で形成されている。
【００２９】
本発明の実施の形態４に係る基板の製造方法は、金属薄膜層１４の裏面に、Ｗ、Ｃｒ、又はＡｌで追加金属薄膜層４０を形成する工程と、追加金属薄膜層４０の裏面に、ＳｉＣ、ＨｆＯ２、ＺｎＯ２、又は貴金属でエッチング保護膜３０を形成する工程を備える。これらの工程は反応工程の前に実施しても良いし、反応工程の後に実施しても良い。
【００３０】
追加金属薄膜層４０は金属薄膜層１４よりも赤色光又は赤外光に対する透過率が低いので、基板の有無の検知精度を高めることができる。エッチング保護膜３０は省略しても良い。なお、ここまでで説明した各実施の形態に係る基板及び基板の製造方法の特徴は適宜に組み合わせて用いてもよい。
【符号の説明】
【００３１】
１０  基板、  １２  反応層、  １４  金属薄膜層、  １６  センサ、  ２０  半導体層、  ２２  絶縁膜、  ３０  エッチング保護膜、  ４０  追加金属薄膜層  
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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