(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
対向する両側に位置する第１の板面及び第２の板面を有する基板と、
前記基板の前記第１の板面に設けられた電極層と、
前記基板の前記第１の板面に設けられており、前記電極層と互いに補い合う形状であると共に、前記電極層と共平面をなす絶縁層と、
前記電極層及び前記絶縁層に実装される発光ダイオードチップと、前記発光ダイオードチップを封止する蛍光樹脂とを含み、前記蛍光樹脂が前記電極層と間隔を置いて設けられると共に、前記蛍光樹脂と前記電極層との間に３μｍ乃至１０μｍの間隙が形成されている、少なくとも１つの発光ユニットと、
前記電極層及び前記絶縁層に設けられると共に前記間隙に充填され、前記少なくとも１つの発光ユニットの側縁に被覆された反射ハウジングであって、前記反射ハウジング及び前記少なくとも１つの発光ユニットが、それぞれ前記基板から離れた頂平面を有し、前記反射ハウジングの前記頂平面の前記基板に対する距離が前記少なくとも１つの発光ユニットの前記頂平面の前記基板に対する距離以下であると共に、２つの前記頂平面の間隔が０乃至３０μｍである、反射ハウジングと、
前記電極層に電気的に接続されると共に、前記基板の前記第２の板面に位置する、ボンディングパッド層と、
を含むことを特徴とする発光ダイオードパッケージ構造。
【請求項２】
ツェナーダイオードチップを更に含み、
前記電極層は、
第１のダイボンドブロック、第１の延在ブロック及び前記第１のダイボンドブロックと前記第１の延在ブロックとに接続される第１の接続ブロックを含むと共に、前記第１のダイボンドブロック、前記第１の接続ブロック及び前記第１の延在ブロックによって共同で包囲されるように第１の切欠きが形成されている、第１の電極パッドと、
第２のダイボンドブロック、第２の延在ブロック及び前記第２のダイボンドブロックと前記第２の延在ブロックとに接続される第２の接続ブロックを含む第２の電極パッドであって、前記第２のダイボンドブロック、前記第２の延在ブロック及び前記第２の接続ブロックが、それぞれ前記第１のダイボンドブロック、前記第１の延在ブロック及び前記第１の接続ブロックに隣接して設けられると共に、前記第２のダイボンドブロック、前記第２の接続ブロック及び前記第２の延在ブロックによって共同で包囲されるように第２の切欠きが形成されており、前記第１の電極パッド及び前記第２の電極パッドが略鏡合わせの形に設けられている、第２の電極パッドと、
を含み、
前記発光ダイオードチップが前記第１のダイボンドブロック及び前記第２のダイボンドブロックに実装され、前記ツェナーダイオードチップが前記第１の延在ブロック及び前記第２の延在ブロックに実装される、
ことを特徴とする請求項１に記載の発光ダイオードパッケージ構造。
【請求項３】
２つのツェナーダイオードチップを更に含み、
前記少なくとも１つの発光ユニットの数は２つであり、
前記電極層は、
それぞれＬ字形構造であると共に、第１のダイボンドブロック及び前記第１のダイボンドブロックに対して垂直となるように接続される第１の延在ブロックを含む、２つの第１の電極パッドと、
それぞれ前記２つの第１の電極パッドの内側に対応するように設けられ、それぞれＬ字形構造であると共に、第２のダイボンドブロック及び前記第２のダイボンドブロックに対して垂直となるように接続される第２の延在ブロックを含む、２つの第２の電極パッドと、
を含み、
前記２つの第１の電極パッドのＬ字形構造の角が、前記基板の斜めに対向する２つの角にそれぞれ対応するように設けられると共に、前記２つの第２の電極パッドのＬ字形構造の角が、前記２つの第１の電極パッドのＬ字形構造の角の内側にそれぞれ対応するように設けられ、
いずれか一方の前記第１のダイボンドブロックとそれに隣接する前記第２のダイボンドブロックに１つの前記発光ダイオードチップが実装されており、
いずれか一方の前記第１の延在ブロックとそれに隣接する前記第２の延在ブロックが、１つの前記ツェナーダイオードチップに電気的に接続される、
ことを特徴とする請求項１に記載の発光ダイオードパッケージ構造。
【請求項４】
前記第１のダイボンドブロックと前記第２のダイボンドブロックとの間隔が、前記第１の延在ブロックと前記第２の延在ブロックとの間隔よりも大きいことを特徴とする請求項２又は３に記載の発光ダイオードパッケージ構造。
【請求項５】
前記蛍光樹脂が前記発光ダイオードチップの頂面及び側面に被覆されると共に、前記蛍光樹脂から前記発光ダイオードチップの電極が露出され、前記発光ダイオードチップの頂面が前記蛍光樹脂の頂面に対して平行であると共に、前記発光ダイオードチップの頂面と前記蛍光樹脂の頂面との間の最小間隔が５０μｍ乃至２００μｍであることを特徴とする請求項１〜４に記載の発光ダイオードパッケージ構造。
【請求項６】
前記基板は、セラミック層及び前記セラミック層の一側に位置する少なくとも１つのサージ吸収層を含み、前記セラミック層には、２つの第１の導電性柱が埋設されており、前記電極層が前記２つの第１の導電性柱に電気的に接続され、前記少なくとも１つのサージ吸収層には、２つの第２の導電性柱及び少なくとも２つの金属層が埋設されており、静電容量効果が形成されるように前記２つの第２の導電性柱が前記少なくとも２つの金属層に接続され、前記２つの第１の導電性柱がそれぞれ前記２つの第２の導電性柱に電気的に接続され、前記２つの第２の導電性柱が前記ボンディングパッド層に電気的に接続される、ことを特徴とする請求項１〜５に記載の発光ダイオードパッケージ構造。
【請求項７】
対向する両側に位置する第１の板面及び第２の板面を有する基板と、
前記基板の前記第１の板面に設けられた電極層と、
前記電極層に実装される発光ダイオードチップと、前記発光ダイオードチップを封止する蛍光樹脂とを含み、前記蛍光樹脂が前記電極層と間隔を置いて設けられると共に、前記蛍光樹脂と前記電極層との間に３μｍ乃至１０μｍの間隙が形成されている、発光ユニットと、
前記電極層に実装される補助発光ユニットと、
前記基板に設けられると共に前記間隙に充填される光透過性樹脂層であって、前記電極層及び前記補助発光ユニットが前記光透過性樹脂層内部に埋設されると共に、前記光透過性樹脂層が前記発光ユニットの側縁に被覆され、前記光透過性樹脂層及び前記発光ユニットがそれぞれ前記基板から離れた頂平面を有し、前記光透過性樹脂層の前記頂平面の前記基板に対する距離が前記発光ユニットの前記頂平面の前記基板に対する距離以下であると共に、２つの前記頂平面の間隔が０乃至３０μｍである、光透過性樹脂層と、
前記基板の前記第２の板面に位置し、前記電極層に電気的に接続されると共に、少なくとも２組の電極ボンディングパッドを有し、前記少なくとも２組の電極ボンディングパッドが前記電極層を介してそれぞれ前記発光ユニット及び前記補助発光ユニットに電気的に接続される、ボンディングパッド層と、
を含むことを特徴とする発光ダイオードパッケージ構造。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、発光ダイオードに関し、特に発光ダイオードパッケージ構造に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来の発光ダイオードパッケージ構造は、基板と、基板に設けられた電極層と、電極層に実装された発光ダイオードチップと、発光ダイオードチップに被覆された蛍光樹脂とを含む。しかしながら、蛍光樹脂も電極層に被覆されることによって、発光ダイオードチップと電極層とが蛍光樹脂の影響を受けやすくなり、共晶接合に劣化が生じる問題があった。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
そこで、上述した欠点が改善可能であることに鑑みて、鋭意研究を行い学理を併せて検討した結果、上述した欠点を合理的且つ効果的に改善する方法として本発明の完成を見るに至った。
【０００４】
本発明は、従来の発光ダイオードパッケージ構造に生じ得る欠点を改善するための、発光ダイオードパッケージ構造を提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明に係る発光ダイオードパッケージ構造は、
対向する両側に位置する第１の板面及び第２の板面を有する基板と、
基板の第１の板面に設けられた電極層と、
基板の第１の板面に設けられており、電極層と互いに補い合う形状であると共に、電極層と共平面をなす絶縁層と、
電極層及び絶縁層に実装される発光ダイオードチップと、発光ダイオードチップを封止する蛍光樹脂とを含み、蛍光樹脂が電極層と間隔を置いて設けられると共に、蛍光樹脂と電極層との間に３μｍ乃至１０μｍの間隙が形成されている、少なくとも１つの発光ユニットと、
電極層及び絶縁層に設けられると共に間隙に充填され、少なくとも１つの発光ユニットの側縁に被覆された反射ハウジングであって、反射ハウジング及び少なくとも１つの発光ユニットが、それぞれ基板から離れた頂平面を有し、反射ハウジングの頂平面の基板に対する距離が少なくとも１つの発光ユニットの頂平面の基板に対する距離以下であると共に、２つの頂平面の間隔が０乃至３０μｍである、反射ハウジングと、
電極層に電気的に接続されると共に、基板の第２の板面に位置する、ボンディングパッド層と、
を含む。
【０００６】
他の実施例において、本発明に係る発光ダイオードパッケージ構造は、
対向する両側に位置する第１の板面及び第２の板面を有する基板と、
基板の第１の板面に設けられた電極層と、
電極層に実装される発光ダイオードチップと、発光ダイオードチップを封止する蛍光樹脂とを含み、蛍光樹脂が電極層と間隔を置いて設けられると共に、蛍光樹脂と電極層との間に３μｍ乃至１０μｍの間隙が形成されている、発光ユニットと、
電極層に実装される補助発光ユニットと、
基板に設けられると共に間隙に充填される光透過性樹脂層であって、電極層及び補助発光ユニットが光透過性樹脂層内部に埋設されると共に、光透過性樹脂層が発光ユニットの側縁に被覆され、光透過性樹脂層及び発光ユニットがそれぞれ基板から離れた頂平面を有し、光透過性樹脂層の頂平面の基板に対する距離が発光ユニットの頂平面の基板に対する距離以下であると共に、２つの頂平面の間隔が０乃至３０μｍである、光透過性樹脂層と、
基板の第２の板面に位置し、電極層に電気的に接続されると共に、少なくとも２組の電極ボンディングパッドを有し、少なくとも２組の電極ボンディングパッドが電極層を介してそれぞれ発光ユニット及び補助発光ユニットに電気的に接続される、ボンディングパッド層と、
を含む。
【発明の効果】
【０００７】
このように、本発明に係る発光ダイオードパッケージ構造によれば、蛍光樹脂と電極層との間に３μｍ乃至１０μｍの間隙Ｇが形成されており、尚且つ反射ハウジング（又は光透過性樹脂層）が当該間隙に充填されるため、蛍光樹脂の溢れ出しにより発光ダイオードチップと電極層との間の電気的接続に支障が生じることを回避して、共晶接合の劣化を低減することが可能である。また、反射ハウジングの頂平面の高さが発光ユニットの頂平面よりも低く、この２つの頂平面の高さが０乃至３０μｍの差を有することから、発光形状や輝度の劣化が生じることを回避することが可能である。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
【図１】本発明に係る発光ダイオードパッケージ構造の実施例１を示す斜視図である。
【図２】図１を他の視点から見た状態を示す斜視図である。
【図３】図１の分解図である。
【図４】図２の分解図である。
【図５】図１から発光ユニット及び反射ハウジングを省略した状態を示す上面図である。
【図６Ａ】本発明に係る発光ダイオードパッケージ構造の発光ユニットの断面図である。
【図６Ｂ】本発明に係る発光ダイオードパッケージ構造の発光ユニットの断面図である。
【図６Ｃ】本発明に係る発光ダイオードパッケージ構造の発光ユニットの断面図である。
【図６Ｄ】本発明に係る発光ダイオードパッケージ構造の発光ユニットの断面図である。
【図６Ｅ】本発明に係る発光ダイオードパッケージ構造の発光ユニットの断面図である。
【図６Ｆ】本発明に係る発光ダイオードパッケージ構造の発光ユニットの断面図である。
【図６Ｇ】本発明に係る発光ダイオードパッケージ構造の発光ユニットの断面図である。
【図６Ｈ】本発明に係る発光ダイオードパッケージ構造の発光ユニットの断面図である。
【図６Ｉ】本発明に係る発光ダイオードパッケージ構造の発光ユニットの断面図である。
【図６Ｊ】本発明に係る発光ダイオードパッケージ構造の発光ユニットの断面図である。
【図７】図１のＶＩＩ−ＶＩＩ線に沿った断面図である。
【図８】図１のＶＩＩＩ−ＶＩＩＩ線に沿った断面図である。
【図９】図８のＡの部位の局部拡大図である。
【図１０】図１に光均一化層を更に加えた状態を示す断面図である。
【図１１Ａ】本発明に係る発光ダイオードパッケージ構造の製造方法を示す図である。
【図１１Ｂ】本発明に係る発光ダイオードパッケージ構造の製造方法を示す図である。
【図１１Ｃ】本発明に係る発光ダイオードパッケージ構造の製造方法を示す図である。
【図１１Ｄ】本発明に係る発光ダイオードパッケージ構造の製造方法を示す図である。
【図１２】本発明に係る発光ダイオードパッケージ構造の実施例２を示す斜視図である。
【図１３】図１２を他の視点から見た状態を示す斜視図である。
【図１４】図１２の分解図である。
【図１５】図１３の分解図である。
【図１６】図１２のＸＶＩ−ＸＶＩ線に沿った断面図である。
【図１７】本発明に係る発光ダイオードパッケージ構造の実施例３を示す斜視図である。
【図１８】図１７を他の視点から見た状態を示す斜視図である。
【図１９】図１７の分解図である。
【図２０】図１８の分解図である。
【図２１】図１７から反射ハウジングを省略した状態を示す上面図である。
【図２２】図１７から反射ハウジング、発光ユニット、ツェナーダイオードチップを省略した状態を示す上面図である。
【図２３】本発明に係る発光ダイオードパッケージ構造の実施例４を示す斜視図である。
【図２４】図２３を他の視点から見た状態を示す斜視図である。
【図２５】図２３のＸＸＶ−ＸＸＶ線に沿った断面図である。
【図２６】図２３の分解図である（光透過性樹脂層は省略）。
【図２７】本発明に係る発光ダイオードパッケージ構造の実施例５を示す斜視図である。
【図２８】図２７を他の視点から見た状態を示す斜視図である。
【図２９】図２７の分解図である（光透過性樹脂層は省略）。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
本発明の特徴及び技術内容をより深く理解することができるように、以下、本発明について図面を参照しながら詳細に説明する。但し、その説明内容及び図面は本発明を例示的に説明するものに過ぎず、本発明の範囲を何ら制限するものではない。
【００１０】
＜実施例１＞
図１乃至図１１Ｄは、本発明の実施例１を示す。本実施例に対応する図面に示された数量及び外形は、本発明の内容を理解できるように本発明の実施形態を具体的に説明するのに用いるものに過ぎず、本発明の範囲を制限するものではない。
【００１１】
図１乃至図３に示すように、本実施例に係る発光ダイオードパッケージ構造１００は、基板１と、基板１の対向する２つの表面にそれぞれ設けられた電極層２及びボンディングパッド層３と、基板１に設けられると共に電極層２と互いに補い合う形状の絶縁層４と、電極層２及び絶縁層４に設けられた発光ユニット５及びツェナーダイオードチップ６と、絶縁層４と一体に成形された反射ハウジング７と、を含む。以下、発光ダイオードパッケージ構造１００の各素子の構造をそれぞれ説明した上で、各素子同士の接続関係を説明する。
【００１２】
図３及び図４に示すように、基板１は、略矩形であり、対向する両側に位置する第１の板面１１及び第２の板面１２を有する。基板１には２つの導電性柱１３が埋設されており、各導電性柱１３の対向する２つの端面は、それぞれ第１の板面１１及び第２の板面１２に露出される。電極層２は、基板１の第１の板面１１に設けられる。ボンディングパッド層３は、基板１の第２の板面１２に設けられる。電極層２は、分離して設けられた第１の電極パッド２１及び第２の電極パッド２２を含む。本実施例において、第１の電極パッド２１及び第２の電極パッド２２は、略対称となるように設けられるが、これに限定されない。
【００１３】
図３、図４及び図５に示すように、第１の電極パッド２１は、第１のダイボンドブロック２１１と、第１の延在ブロック２１２と、第１のダイボンドブロック２１１及び第１の延在ブロック２１２に接続される第１の接続ブロック２１３とを含む。第１のダイボンドブロック２１１、第１の接続ブロック２１３及び第１の延在ブロック２１２の配列方向は、基板１の長手方向に対して平行である。第１のダイボンドブロック２１１の面積は第１の延在ブロック２１２の面積よりも大きく、第１の延在ブロック２１２の面積は第１の接続ブロック２１３の面積よりも大きい。
【００１４】
第２の電極パッド２２は、第２のダイボンドブロック２２１と、第２の延在ブロック２２２と、第２のダイボンドブロック２２１及び第２の延在ブロック２２２に接続される第２の接続ブロック２２３とを含む。第２のダイボンドブロック２２１、第２の接続ブロック２２３及び第２の延在ブロック２２２の配列方向は、基板１の長手方向に対して平行である。第２のダイボンドブロック２２１の面積は第２の延在ブロック２２２の面積よりも大きく、第２の延在ブロック２２２の面積は第２の接続ブロック２２３の面積よりも大きい。
【００１５】
第２のダイボンドブロック２２１、第２の接続ブロック２２３及び第２の延在ブロック２２２は、それぞれ第１のダイボンドブロック２１１、第１の接続ブロック２１３及び第１の延在ブロック２１２に隣接して設けられる。第１のダイボンドブロック２１１と第２のダイボンドブロック２２１との間隔Ｄ１は、第１の延在ブロック２１２と第２の延在ブロック２２２との間隔Ｄ２よりも大きい。更に言えば、第１のダイボンドブロック２１１と第２のダイボンドブロック２２１との間隔Ｄ１は、発光ユニット５の２つの電極５１１の間隔に対応している（例えば、上記間隔Ｄ１は、上記２つの電極５１１の間隔と略同じである）。従って、上記間隔Ｄ１は、発光ユニット５の２つの電極５１１（図４を参照）の間隔に基づいて調整することができる。第１の延在ブロック２１２と第２の延在ブロック２２２との間隔Ｄ２は、ツェナーダイオードチップ６の２つの電極（図示せず）の間隔に対応している（例えば、上記間隔Ｄ２は、ツェナーダイオードチップ６の２つの電極の間隔と略同じである）。従って、上記間隔Ｄ２は、ツェナーダイオードチップ６の２つの電極の間隔に基づいて調整することができる。これにより、発光ユニット５及びツェナーダイオードチップ６は、電極層２のサイズを縮小する効果を奏するように、第１の電極パッド２１及び第２の電極パッド２２に同時に実装することができる。
【００１６】
本実施例において、第１のダイボンドブロック２１１及び第２のダイボンドブロック２２１の互いに隣接する内側縁は、相互に平行となると共に、１５０μｍ〜２００μｍの間隔Ｄ１（好ましくは１５０μｍ）を形成する。第１の延在ブロック２１２及び第２の延在ブロック２２２の互いに隣接する内側縁は、相互に平行となると共に、９０μｍ〜１５０μｍの間隔Ｄ２（好ましくは９０μｍ）を形成する。第１の接続ブロック２１３及び第２の接続ブロック２２３の互いに隣接する内側縁の間隔は、１５０μｍから漸次９０μｍまで縮小される。但し、本発明は、上述した条件に限定されない。
【００１７】
更に、第１のダイボンドブロック２１１、第１の接続ブロック２１３及び第１の延在ブロック２１２によって共同で包囲されるようにＵ字形の第１の切欠き２１４が形成されている。第２のダイボンドブロック２２１、第２の接続ブロック２２３及び第２の延在ブロック２２２によって共同で包囲されるようにＵ字形の第２の切欠き２２４が形成されている。上述した第１の切欠き２１４及び第２の切欠き２２４は、基板１の幅方向に沿ってそれぞれ相互に離れる一側に向かって設けられる。これにより、電極層２によって被覆される基板１の第１の板面１１の面積が低減されると共に、絶縁層４の被覆面積が増加する。従って、反射ハウジング７と基板１との結合性が良好となり、製造プロセスにおいて樹脂の密着不良が生じることを回避することができ、シングルの発光ダイオードパッケージ構造１００を製造する際にクラックが発生することを回避することができる。
【００１８】
図３及び図４に示すように、ボンディングパッド層３は、２つの電極ボンディングパッド３１及び１つの放熱ボンディングパッド３２を含む。２つの電極ボンディングパッド３１は、電極層２に電気的に接続されると共に、電極層２を介して発光ユニット５に電気的に接続される。更に言えば、各電極ボンディングパッド３１の面積は、放熱ボンディングパッド３２の面積よりも小さい。本実施例においては、各電極ボンディングパッド３１の面積は、放熱ボンディングパッド３２の面積の半分よりも小さいが、これに限定されない。更に、２つの電極ボンディングパッド３１は、それぞれ第１の延在ブロック２１２及び第２の延在ブロック２２２の略下方に位置しており、基板１に埋め込まれた２つの導電性柱１３を介して、それぞれ第１の延在ブロック２１２及び第２の延在ブロック２２２に電気的に接続される。放熱ボンディングパッド３２は、第１のダイボンドブロック２１１及び第２のダイボンドブロック２２１の略下方に位置している。
【００１９】
絶縁層４は、基板１の第１の板面１１に設けられると共に、電極層２と互いに補い合う構造を有する。即ち、絶縁層４は、基板１において電極層２が設けられていない第１の板面１１の部位に設けられると共に、絶縁層４の側縁が基板１の側縁と揃えられる。そのため、第１の電極パッド２１と第２の電極パッド２２との間に絶縁層４が設けられることにより、第１の電極パッド２１と第２の電極パッド２２との間に電流漏れが生じることを回避することができる。
【００２０】
本実施例において、発光ユニット５は、チップスケールパッケージ（chip scale package，ＣＳＰ）を使用した発光ユニット５である。発光ユニット５は、発光ダイオードチップ５１及び当該発光ダイオードチップ５１を封止する蛍光樹脂５２を含む。発光ダイオードチップ５１と蛍光樹脂５２との間の相対関係は、例えば図６Ａ乃至図６Ｅに示す発光ユニット５のように、必要に応じて調整することができる。又は、発光ユニット５は、図６Ｆ乃至図６Ｊに示すリフレクター５３を更に含んでもよく、当該リフレクター５３は、発光ユニット５の外側部位に位置する。本実施例において、発光ユニット５の構造は、その中心軸に対して略対称である。従って、図６Ａ乃至図６Ｊは、断面図によってその構造を示す。
【００２１】
本実施例において、図６Ａに示すように、発光ユニット５の構造において、蛍光樹脂５２が発光ダイオードチップ５１の頂面５１２及び側面５１３に被覆されると共に、蛍光樹脂５２から発光ダイオードチップ５１の底部の２つの電極５１１が露出される。蛍光樹脂５２の底面５２３は、発光ダイオードチップ５１の底面５１４と面一となる。更に言えば、発光ダイオードチップ５１の頂面５１２は、蛍光樹脂５２の頂面５２１（発光ユニット５の頂平面５２１に相当）に対して平行であり、蛍光樹脂５２の側面５２２は、発光ダイオードチップ５１の側面５１３に対して平行であり、発光ダイオードチップ５１の頂面５１２と蛍光樹脂５２の頂面５２１との間の最小間隔Ｄ３は、５０μｍ乃至２００μｍであるが、これに限定されない。蛍光樹脂５２が発光ダイオードチップ５１の頂面５１２及び側面５１３に被覆されることにより、発光ダイオードチップ５１から発せられた光が蛍光樹脂５２から漏れることを回避することができる。
【００２２】
更に、図６Ｂに示すように、蛍光樹脂５２が発光ダイオードチップ５１の頂面５１２及び側面５１３に被覆されると共に、蛍光樹脂５２から発光ダイオードチップ５１の底部の２つの電極５１１が露出される。蛍光樹脂５２の底縁は、発光ダイオードチップ５１の底縁と面一となる。発光ダイオードチップ５１の頂面５１２は蛍光樹脂５２の頂面５２１に対して平行である。蛍光樹脂５２の側面５２２は、発光ダイオードチップ５１の側面５１３に対して平行ではない。即ち、蛍光樹脂５２の側面５２２と蛍光樹脂５２の頂面５２１とが交わる箇所は鋭角をなしている。また、蛍光樹脂５２の側面５２２と発光ダイオードチップ５１の側面５１３とが交わる箇所は鋭角をなしている。
【００２３】
図６Ｃに示すように、蛍光樹脂５２が発光ダイオードチップ５１の頂面５１２及び側面５１３に被覆されると共に、蛍光樹脂５２から発光ダイオードチップ５１の底部の２つの電極５１１が露出される。蛍光樹脂５２の底面５２３は、発光ダイオードチップ５１の底面５１４と面一となる。発光ダイオードチップ５１の頂面５１２は蛍光樹脂５２の頂面５２１に対して平行である。蛍光樹脂５２の側面５２２は、第１の側面５２２１及び第２の側面５２２２を含む。第１の側面５２２１と蛍光樹脂５２の頂面５２１とが交わる箇所は９０度の角度をなしている。第１の側面５２２１と第２の側面５２２２とが交わる箇所は鈍角をなしている。第２の側面５２２２と発光ダイオードチップ５１の側面５１３とが交わる箇所は鋭角をなしている。
【００２４】
図６Ｄに示すように、蛍光樹脂５２が発光ダイオードチップ５１の頂面５１２に被覆されると共に、発光ダイオードチップ５１の側面５１３に部分的に被覆される。蛍光樹脂５２から、発光ダイオードチップ５１の底部の２つの電極５１１及び発光ダイオードチップ５１の側面５１３の一部が露出される。発光ダイオードチップ５１の頂面５１２は、蛍光樹脂５２の頂面５２１に対して平行である。蛍光樹脂５２の側面５２２は、第１の側面５２２１及び第２の側面５２２２を含む。第１の側面５２２１と蛍光樹脂５２の頂面５２１とが交わる箇所は９０度の角度をなしている。第１の側面５２２１と第２の側面５２２２とが交わる箇所は鈍角をなしている。第２の側面５２２２と発光ダイオードチップ５１側面５１３とが交わる箇所は鋭角をなしている。
【００２５】
図６Ｅに示すように、蛍光樹脂５２は、シート状であると共に、その頂面５２１は、発光ダイオードチップ５１の頂面５１２よりも大きい。蛍光樹脂５２は、発光ダイオードチップ５１の頂面５１２にのみ被覆される。蛍光樹脂５２から、発光ダイオードチップ５１の底部の２つの電極５１１及び発光ダイオードチップ５１の側面５１３が露出される。発光ダイオードチップ５１の頂面５１２は、蛍光樹脂５２の頂面５２１に対して平行である。蛍光樹脂５２の底面５２３は、発光ダイオードチップ５１の頂面５１２と面一となる。
【００２６】
図６Ｆに示すように、発光ユニット５は、リフレクター５３を更に含む。リフレクター５３は、発光ダイオードチップ５１の側面５１３に設けられる。リフレクター５３の頂面５３１は、発光ダイオードチップ５１の頂面５１２と面一となる。リフレクター５３の底面５３３は、発光ダイオードチップ５の底面５１４と面一となる。蛍光樹脂５２は、発光ダイオードチップ５１及びリフレクター５３の頂面５３１に設けられる。蛍光樹脂５２の側面５２２は、リフレクター５３の側面５３２と互いに面一となる。
【００２７】
図６Ｇに示すように、発光ユニット５は、図６Ａの実施形態に変更を施したものである。発光ユニット５は、リフレクター５３を更に含む。リフレクター５３は、蛍光樹脂５２の側面５２２に設けられる。リフレクター５３の頂面５３１は、蛍光樹脂５２の頂面５２１と互いに面一となる。リフレクター５３の底面５３３は、蛍光樹脂５２の底面５２３及び発光ダイオードチップ５１の底面５１４と互いに面一となる。
【００２８】
図６Ｈに示すように、発光ユニット５は、図６Ｅの実施形態に変更を施したものである。発光ユニット５は、リフレクター５３を更に含む。リフレクター５３は、蛍光樹脂５２の側面５２２及び発光ダイオードチップ５１の側面５１３に設けられる。リフレクター５３の頂面５３１は、蛍光樹脂５２の頂面５２１と互いに面一となる。リフレクター５３の底面５３３は、発光ダイオードチップ５１の底面５１４と互いに面一となる。
【００２９】
図６Ｉに示すように、発光ユニット５は、図６Ｃの実施形態に変更を施したものである。発光ユニット５は、リフレクター５３を更に含む。リフレクター５３は、蛍光樹脂５２の側面５２２に設けられる。リフレクター５３の頂面５３１は、蛍光樹脂５２の頂面５２１と互いに面一となる。リフレクター５３の底面５３３は、発光ダイオードチップ５１の底面５１４と互いに面一となる。リフレクター５３の内壁５３４は、第１の側壁５３４１及び第２の側壁５３４２を有する。蛍光樹脂５２の第１の側面５２２１は、リフレクター５３の第１の側壁５３４１に隣接する。蛍光樹脂５２の第２の側面５２２２は、リフレクター５３の第２の側壁５３４２に隣接する。このように、リフレクター５３の内壁５３４は二段構造を有する。
【００３０】
図６Ｊに示すように、発光ユニット５は、図６Ｉの実施形態に変更を施したものである。発光ユニット５は、透明樹脂５４を更に含む。透明樹脂５４は、発光ダイオードチップ５１の外側縁に設けられる。透明樹脂５４の頂面は、発光ダイオードチップ５１の頂面５１２と互いに面一となる。蛍光樹脂５２は、発光ダイオードチップ５１及び透明樹脂５４の上方に設けられる。リフレクター５３は、蛍光樹脂５２及び透明樹脂５４の外側に位置する。リフレクター５３の頂面５３１は、蛍光樹脂５２の頂面５２１と互いに面一となる。リフレクター５３の底面５３３は、発光ダイオードチップ５１の底面５１４と互いに面一となる。リフレクター５３の内壁５３４は、第１の側壁５３４１及び第２の側壁５３４２を有する。蛍光樹脂５２の側面５２２は、リフレクター５３の第１の側壁５３４１に隣接する。透明樹脂５４の側面は、リフレクター５３の第２の側壁５３４２に隣接する。このように、リフレクター５３の内壁５３４は二段構造を有する。
【００３１】
図６Ｂ乃至６Ｊに示された各発光ユニット５において、発光ダイオードチップ５１の厚さは略１５０μｍである。発光ダイオードチップ５１の頂面５１２と蛍光樹脂５２の頂面５２１との間の最小間隔Ｄ３（図６Ａを参照）は、１００μｍ乃至１８０μｍである。また、蛍光樹脂５２の側辺部は、発光ダイオードチップ５１の頂面５１２から略５０μｍ乃至１５０μｍ突出している。
【００３２】
図３及び図７乃至図９に示すように、発光ユニット５は、電極層２及び絶縁層４に実装されると共に、蛍光樹脂５２が電極層２と間隔を置いて設けられる。発光ダイオードチップ５１の２つの電極５１１は、それぞれ第１のダイボンドブロック２１１及び第２のダイボンドブロック２２１に実装される。ツェナーダイオードチップ６は、フリップチップ形式である。ツェナーダイオードチップ６の２つの電極は、それぞれ第１の延在ブロック２１２及び第２の延在ブロック２２２に実装されるが、これに限定されない。例えば、ツェナーダイオードチップ６は、ワイヤボンディング形式であってもよく、ツェナーダイオードチップ６が第１の延在ブロック２１２に実装されると共に、ワイヤボンディング方式によって第２の延在ブロック２２２に接続されるか、又は、ツェナーダイオードチップ６が第２の延在ブロック２２２に実装されると共に、ワイヤボンディング方式によって第１の延在ブロック２１２に接続されるようにしてもよい。更に、蛍光樹脂５２と電極層２との間には、３μｍ乃至１０μｍの間隙Ｇが形成されている（図９を参照）。これにより、蛍光樹脂５２が発光ユニット５と電極層２との間の電気的接続に影響を及ぼすことを回避して、共晶接合の劣化を低減することができる。
【００３３】
反射ハウジング７の材質は、絶縁層４の材質と同等である（例えば白色シリカゲル）。また、反射ハウジング７と絶縁層４とは一体に成形された構造であり、反射ハウジング７が絶縁層４に設けられる形式でもある。本実施例において、反射ハウジング７は、発光ユニット５から発せられた光の少なくとも８０％を反射することができるが、これに限定されない。
【００３４】
反射ハウジング７は、電極層２及び絶縁層４に設けられると共に、間隙Ｇに充填される。反射ハウジング７は、発光ユニット５の側縁に被覆されると共に、ツェナーダイオードチップ６が反射ハウジング７内に埋設される。反射ハウジング７は、頂平面７１及び外側面７２を有する。この反射ハウジング７の頂平面７１と基板１の第１の板面１１との間の距離は、発光ユニット５の頂平面５２１と基板１の第１の板面１１との間の距離よりも小さい。頂平面７１と頂平面５２１との間隔Ｄ４（図９を参照）は、０乃至３０μｍである。更に言えば、本実施例において、頂平面７１と頂平面５２１とは、互いに平行となると共に、好ましくは両者の間隔Ｄ４は１５μｍ乃至３０μｍであるが、これに限定されない。反射ハウジング７の外側面７２は、基板１の側縁及び絶縁層４の側縁と揃えられると共に、外側面７２と発光ユニット５の側縁との最小間隔Ｄ５（図７を参照）は、１００μｍ以上であり、好ましくは１００μｍ〜５００μｍである。これにより、発光ダイオードパッケージ構造１００は、上述した反射ハウジング７が設けられることによって、発光ユニット５の発光効率を効果的に向上させることができると共に、黄色や青の暈が生じる問題を効果的に回避することができる。更に、ツェナーダイオードチップ６が反射ハウジング７に埋設されることによって、ツェナーダイオードチップ６が発光ダイオードパッケージ構造１００の発光効率に影響を及ぼすことを効果的に回避することができる。
【００３５】
また、図１０に示すように、本実施例に係る発光ダイオードパッケージ構造１００は、蛍光樹脂５２に設けられた光均一化層８を更に含んでもよい。本実施例の光均一化層８は、発光ユニット５の頂平面５２１及び反射ハウジング７の頂平面７１に設けられる。光均一化層８の厚さＤ６は、５０μｍ以下である（好ましくは１０μｍ〜５０μｍ）。光均一化層８は、重量百分率で２％乃至５％の二酸化ケイ素又は二酸化チタンを含むが、これに限定されない。これにより、発光ダイオードパッケージ構造１００は、光均一化層８が設けられることによって、色の均一性を効果的に向上させることができる。
【００３６】
以下、本実施例に係る発光ダイオードパッケージ構造１００の製造方法を説明する。図１１Ａ乃至図１１Ｄは、当該製造方法に含まれるステップＳ１１０乃至Ｓ１５０を示す。なお、各素子同士の細部の接続関係は上述した通りであるため、詳しい説明は省略する。
【００３７】
（ステップＳ１１０）
図１１Ａ及び図１１Ｂに示すように、基板モジュール１０の対向する２つの表面に複数の電極層２及び複数のボンディングパッド層３（図示せず）がそれぞれ設けられている。複数の発光ユニット５をそれぞれ上述した複数の電極層２に実装すると共に、複数のツェナーダイオードチップ６をそれぞれ上述した複数の電極層２に実装する。基板モジュール１０は、複数の基板１が一体に接続される構造である。
【００３８】
（ステップＳ１３０）
図１１Ｂ和図１１Ｃに示すように、基板モジュール１０に絶縁モジュール４０及び反射ハウジングモジュール７０をモールディング（molding）し、複数の電極層２、複数のツェナーダイオードチップ６及び複数の発光ユニット５の側面を覆うと共に、各発光ユニット５が頂平面５２１のみ反射ハウジングモジュール７０の外に露出されるようにする。絶縁モジュール４０は、複数の絶縁層４が一体に接続された構造であり、反射ハウジングモジュール７０は、複数の反射ハウジング７が一体に接続された構造である。絶縁モジュール４０及び反射ハウジングモジュール７０は、１つの工程で製造を完了することができ、或いは２つの工程でそれぞれ製造することもでき、ここでは限定されない。
【００３９】
（ステップＳ１５０）
図１１Ｃ及び図１１Ｄに示すように、上述した反射ハウジングモジュール７０、絶縁モジュール４０及び基板モジュール１０を切断して、複数の発光ダイオードパッケージ構造１００を形成する。また、上述した説明では４つの発光ダイオードパッケージ構造１００の製造を例としているが、これに限定されない。
【００４０】
＜実施例２＞
図１２乃至図１６は、本発明に係る実施例２を示す。本実施例は上述した実施例１と類似しているため、同一部分については説明を省略する。２つの実施例の主要な相違点は、本実施例に係る発光ダイオードパッケージ構造１００には、実施例１におけるツェナーダイオードチップ６が設けられていないことである。以下、本実施例における実施例１とは異なる点について説明する。
【００４１】
図１４乃至図１６に示すように、基板１は略方形であり、セラミック層１４及びセラミック層１４の対向する２つの表面にそれぞれ設けられた２つのサージ吸収層（varistor layer）１５を含む。その他の図面に示していない実施例において、２つのサージ吸収層１５は、セラミック層１４の一側にのみ位置するようにしてもよい。本実施例のセラミック層１４には、２つの第１の導電性柱１３１が埋設され、電極層２が２つの第１の導電性柱１３１に電気的に接続される。各サージ吸収層１５には２つの第２の導電性柱１３２及び少なくとも２つの金属層１５１が埋設されており、２つの第２の導電性柱１３２が少なくとも２つの金属層１５１に接続されることで、静電容量効果が形成される。セラミック層１４内の第１の導電性柱１３１は、それぞれサージ吸収層１５における第２の導電性柱１３２に電気的に接続される。第２の導電性柱１３２は、ボンディングパッド層３に電気的に接続される。更に言えば、各第１の導電性柱１３１とそれに隣接する２つの第２の導電性柱１３２とは一体に成形された構造であり、導電性柱１３として形成される。サージ吸収層１５の材料の主成分は酸化亜鉛であり、金属層の材料としては、銀、金、銅、ＮｉＰｄＡｕ（ニッケル／パラジウム／金）等であってよい。これにより、本実施例における基板１は、ツェナーダイオードチップ６の機能を有することができるため、ツェナーダイオードチップ６を省略することで発光ダイオードパッケージ構造１００の寸法を縮小することが可能である。
【００４２】
図１４及び図１５に示すように、電極層２は、基板１の第１の板面１１に設けられると共に、略矩形である第１の電極パッド２１及び第２の電極パッド２２を含む。ボンディングパッド層３は、基板１の第２の板面１２に設けられると共に、略矩形である２つの電極ボンディングパッド３１を含む。第１の電極パッド２１及び第２の電極パッド２２のいずれか一方の長手方向は、いずれか一方の電極ボンディングパッド３１の長手方向に対して略垂直である。これにより、発光ダイオードパッケージ構造１００の製造プロセスにおいて、異なる材質の熱膨張係数の差異により、発光ダイオードパッケージ構造１００に焼結ひずみ（warpage）が生じることを回避することができる。
【００４３】
更に、２つの導電性柱１３（即ち第１の導電性柱１３１及び第２の導電性柱１３２）は、それぞれ基板１において斜めに対向する角に位置すると共に、第１の電極パッド２１及び第２の電極パッド２２が２つの導電性柱１３（即ち第１の導電性柱１３１及び第２の導電性柱１３２）を介して２つの電極ボンディングパッド３１にそれぞれ電気的に接続される。
【００４４】
発光ユニット５は、電極層２に実装されると共に、発光ダイオードチップ５１の２つの電極５１１が第１の電極パッド２１及び第２の電極パッド２２にそれぞれ電気的に接続される。発光ユニット５の中心は、略発光ダイオードパッケージ構造１００の中心軸上に位置している。即ち、発光ユニット５は、発光ダイオードパッケージ構造１００の光学的中心に位置している。
【００４５】
更に、図１２に示すように、絶縁層４及び反射ハウジング７は、同一の材質であり、且つ一体に成形される構造であると共に、反射ハウジング７が、発光ユニット５の側縁を包囲する。反射ハウジング７の外側面７２は、基板１の側縁と揃えられ、反射ハウジング７の外側面７２と発光ユニット５の側縁とが互いに平行となると共に、１００μｍ以上の間隔Ｄ５を形成し、好ましくは、当該間隔Ｄ５は１００μｍ〜５００μｍである。
【００４６】
＜実施例３＞
図１７乃至図２２は、本発明に係る実施例３を示す。本実施例は実施例１と類似しているため、同一部分については説明を省略する。２つの実施例の主な相違点は、本実施例に係る発光ダイオードパッケージ構造１００に含まれる発光ユニット５の数及びツェナーダイオードチップ６の数がそれぞれ２つであることである。以下、本実施例における実施例１とは異なる点について説明する。
【００４７】
図１７乃至図２０に示すように、電極層２は、基板１の第１の板面１１に設けられる。本実施例の電極層２は、基板１の中心軸線に対して１８０度回転対称となるように設けられる。電極層２は、２つの第１の電極パッド２１と２つの第１の電極パッド２１の内側にそれぞれ対応するように設けられた２つの第２の電極パッド２２とを含む。各第１の電極パッド２１は、Ｌ字形構造であると共に、第１のダイボンドブロック２１１及び第１のダイボンドブロック２１１に対して垂直となるように接続される第１の延在ブロック２１２を含む。各第２の電極パッド２２は、Ｌ字形構造であると共に、第２のダイボンドブロック２２１及び第２のダイボンドブロック２２１に対して垂直となるように接続される第２の延在ブロック２２２を含む。
【００４８】
更に、図２０乃至図２２に示すように、２つの第１の電極パッド２１のＬ字形構造の角は、基板１の斜めに対向する２つの角にそれぞれ対応するように設けられ、２つの第２の電極パッド２２のＬ字形構造の角は、２つの第１の電極パッド２１のＬ字形構造の角の内側にそれぞれ対応するように設けられる。いずれか一方の第２の電極パッド２２の第２の延在ブロック２２２は、他方の第２の電極パッド２２のＬ字形構造の角の内側に対応するように設けられる。電極層２が上述した第１の電極パッド２１及び第２の電極パッド２２の配列によって設けられることにより、第１の板面１１において要する面積を効果的に縮小すると共に、２つの発光ユニット５の間隔Ｄ７（図２１を参照）を短縮して、発光ダイオードパッケージ構造１００の発光効果を向上させることができる。
【００４９】
更に言えば、図２２に示すように、第１のダイボンドブロック２１１とそれに隣接する第２のダイボンドブロック２２１との間隔Ｄ１は、第１の延在ブロック２１２とそれに隣接する第２の延在ブロック２２２との間隔Ｄ２よりも大きい。本実施例において、いずれか一方の第１のダイボンドブロック２１１とそれに隣接する第２のダイボンドブロック２２１との間の間隔Ｄ１は、９０μｍ〜１５０μｍであり（好ましくは９０μｍ）、いずれか一方の第１の延在ブロック２１２とそれに隣接する第２の延在ブロック２２２との間の間隔Ｄ２は、１５０μｍ〜２００μｍであるが（好ましくは１５０μｍ）、これに限定されない。
【００５０】
２つの発光ユニット５にそれぞれ含まれる発光ダイオードチップ５１の色温度は互いに相違している。例えば、２つの発光ユニット５に含まれる１つの発光ダイオードチップ５１の温かい色温度は、１５００Ｋ乃至４０００Ｋであり、他方の発光ダイオードチップ５１の冷たい色温度は、４０００Ｋ乃至９０００Ｋであり、発光ダイオードパッケージ構造１００は、同時に冷温２つの色温度を併せ持つことができる。
【００５１】
更に、図２０乃至図２２に示すように、いずれか一方の第１のダイボンドブロック２１１とそれに隣接する第２のダイボンドブロック２２１に発光ダイオードチップ５１が実装されていると共に、２つの発光ユニット５の間隔Ｄ７は、０．１ｍｍ乃至０．５ｍｍであり、好ましくは０．３ｍｍ乃至０．５ｍｍ、最も好ましくは０．４５ｍｍである。本実施例において、２つの発光ユニット５の間隔Ｄ７は０．４５ｍｍであるが、これに限定されない。いずれか一方の第１の延在ブロック２１２とそれに隣接する第２の延在ブロック２２２とは、ツェナーダイオードチップ６に電気的に接続される。ツェナーダイオードチップ６は、フリップチップ方式のチップ又は縦型チップであってよいが、これに限定されない。
【００５２】
ボンディングパッド層３は、基板１の第２の板面１２に設けられると共に、２組の電極ボンディングパッド３１を有する。各組の電極ボンディングパッド３１は、２つの電極ボンディングパッド３１を含む。ボンディングパッド層３は、基板１内に埋設された４つの導電性柱１３を介して電極層２に電気的に接続されると共に、各組の電極ボンディングパッド３１の２つの電極ボンディングパッド３１が、隣接して設けられた第１の電極パッド２１及び第２の電極パッド２２にそれぞれ電気的に接続される。２組の電極ボンディングパッド３１は、電極層２を介して２つの発光ユニット５にそれぞれ電気的に接続される。これにより、発光ダイオードパッケージ構造１００は、使用者に対してより多様な操作方法を提供できるように、２組の電極ボンディングパッド３１を介して２つの発光ユニット５をそれぞれ制御することができる。
【００５３】
＜実施例４＞
図２３乃至図２６は、本発明に係る実施例４を示す。本実施例は実施例３と類似しているため、同一部分については説明を省略する。２つの実施例の主な相違点は、本実施例では、実施例３における絶縁層４及び反射ハウジング７に代えて光透過性樹脂層９を用いると共に、実施例３における１つの発光ユニット５に代えて補助発光ユニット５'を用いていることである。以下、本実施例における実施例３とは異なる点について説明する。
【００５４】
本実施例において、補助発光ユニット５'は、紫外線発光ダイオードチップ５１'であると共に、電極層２に実装されるが、これに限定されない。光透過性樹脂層９は、基板１の第１の板面１１に設けられると共に、発光ユニット５と電極層２との間の間隙Ｇに充填される。電極層２及び補助発光ユニット５'は、光透過性樹脂層９内に埋設される。光透過性樹脂層９は、発光ユニット５の側縁に被覆される。光透過性樹脂層９の頂平面は、発光ユニット５の蛍光樹脂５２の頂平面５２１と共平面を形成する。光透過性樹脂層９は、基板１から離れた頂平面９１及び基板１の側縁と揃えられた外側面９２を有する。光透過性樹脂層９の頂平面９１の基板１に対する距離は、発光ユニット５の頂平面５２１の基板１に対する距離以下である。頂平面９１と頂平面５２１との間隔Ｄ４（図９に類似）は、０乃至３０μｍである。更に言えば、本実施例において、頂平面９１と頂平面５２１とは、互いに平行となると共に、好ましくは、両者の間隔Ｄ４は１５μｍ乃至３０μｍであるが、これに限定されない。
【００５５】
電極層２及びボンディングパッド層３は、それぞれ基板１の第１の板面１１及び第２の板面１２に位置する。ボンディングパッド層３は、通過基板１内に埋設された複数の導電性柱（図示せず）を介して電極層２に電気的に接続されると共に、２組の電極ボンディングパッド３１を有する。２組の電極ボンディングパッド３１は、電極層２を介して発光ユニット５と補助発光ユニット５'とにそれぞれ電気的に接続される。
【００５６】
更に言えば、電極層２は、２組の電極パッド２１、２２、２１'、２２'を含む。一方の組は発光ユニット５を設けるための第１の電極パッド２１及び第２の電極パッド２２であり、他方の組は、補助発光ユニット５'を設けるための第１の電極パッド２１'及び第２の電極パッド２２'である。発光ユニット５を設けるための第１の電極パッド２１は、第１のダイボンドブロック２１１及び第１のダイボンドブロック２１１から延在された第１の延在ブロック２１２を有する。発光ユニット５を設けるための第２の電極パッド２２は、第２のダイボンドブロック２２１及び第２のダイボンドブロック２２１から延在された第２の延在ブロック２２２を有する。第１の電極パッド２１及び第２の電極パッド２２の輪郭は、略Ｌ字形である。補助発光ユニット５'を設けるための第１の電極パッド２１'は、第１のダイボンドブロック２１１'及び第１のダイボンドブロック２１１'から延在された第１の延在ブロック２１２'を有する。第１の延在ブロック２１２及び第１の延在ブロック２１２'は、互いに隣接するように設けられる。第２の電極パッド２２'は、長尺状であり、その長さは第１の電極パッド２１'の長さと略同じである。
【００５７】
第１の電極パッド２１の第１のダイボンドブロック２１１及び第２の電極パッド２２の第２のダイボンドブロック２２１は、フリップチップ式の発光ユニット５を設けるのに用いられる。第１の電極パッド２１の第１の延在ブロック２１２は、ツェナーダイオードチップ６を設けるのに用いられる。ツェナーダイオードチップ６は、ワイヤボンディングによって第２の電極パッド２２の第２の延在ブロック２２２に接続される。第１の電極パッド２１'の第１のダイボンドブロック２１１'は、補助発光ユニット５'を設けるのに用いられる。第１の電極パッド２１'の第１の延在ブロック２１２'は、ツェナーダイオードチップ６を設けるのに用いられる。ツェナーダイオードチップ６は、ワイヤボンディングによって第２の電極パッド２２'に接続される。
【００５８】
＜実施例５＞
図２７乃至図２９は、本発明に係る実施例５を示す。本実施例は実施例４と類似しているため、同一部分については説明を省略する。２つの実施例の主な相違点は、本実施例の補助発光ユニット５'が、赤色発光ダイオードチップ５２'、緑色発光ダイオードチップ５３'及び青色発光ダイオードチップ５４'を含むと共に、当該補助発光ユニット５'に対応するその他の素子（例えば、基板１、電極層２、ボンディングパッド層３、ツェナーダイオードチップ６及び光透過性樹脂層９）について、寸法及び数を相対的に変更していることである。
【００５９】
更に言えば、電極層２は、４つの第１の電極パッド２１、２１'及びこれら４つの第１の電極パッド２１、２１'にそれぞれ隣接して設けられた４つの第２の電極パッド２２、２２'を含む。電極層２に含まれる第１の電極パッド２１、２１'及び第２の電極パッド２２、２２'は、４組に分けることができる。発光ユニット５は、そのうちの１組の第１の電極パッド２１及び第２の電極パッド２２に実装される。赤色発光ダイオードチップ５２'、緑色発光ダイオードチップ５３'及び青色発光ダイオードチップ５４'は、それぞれ構造が同一のその他の３組の第１の電極パッド２１'及び第２の電極パッド２２'に実装される。
【００６０】
発光ユニット５及び赤色発光ダイオードチップ５２'に対応する２組の第１の電極パッド２１、２１'及び第２の電極パッド２２、２２'は、大致等同於実施例４の電極層２と構造が略同じである。赤色発光ダイオードチップ５２'に対応する第１の電極パッド２１'及び第２の電極パッド２２'の輪郭は、青色発光ダイオードチップ５４'に対応する第１の電極パッド２１'及び第２の電極パッド２２'の輪郭と略鏡合わせのように対称となっている。緑色発光ダイオードチップ５３'に対応する第１の電極パッド２１'及び第２の電極パッド２２'の輪郭及び青色発光ダイオードチップ５４'に対応する第１の電極パッド２１'及び第２の電極パッド２２'の輪郭は、基板１に対して垂直であり且つ２つの第１の延在ブロック２１２'の間に対応するように位置する軸線に対して、１８０度回転対称となっている。４つのツェナーダイオードチップ６は、４つの第１の延在ブロック２１２、２１２'にそれぞれ実装されると共に、略直線状に配列される。
【００６１】
また、光透過性樹脂層９は、基板１から離れた頂平面９１及び基板１の側縁と揃えられた外側面９２を有する。光透過性樹脂層９の頂平面９１の基板１に対する距離は、発光ユニット５の頂平面５２１の基板１に対する距離以下である。頂平面９１と頂平面５２１との間隔Ｄ４（図９に類似）は、０乃至３０μｍである。更に言えば、本実施例において、頂平面９１と頂平面５２１とは、互いに平行となると共に、好ましくは両者の間隔Ｄ４は、１５μｍ乃至３０μｍであるが、これに限定されない。
【００６２】
ボンディングパッド層３は、４組の電極ボンディングパッド３１を有する。４組の電極ボンディングパッド３１は、電極層２を介して、発光ユニット５の発光ダイオードチップ５１並びに補助発光ユニット５'の赤色発光ダイオードチップ５２'、緑色発光ダイオードチップ５３'及び青色発光ダイオードチップ５４'にそれぞれ電気的に接続される。
【００６３】
＜本発明の実施例における技術的効果＞
このように、本発明の実施例に係る発光ダイオードパッケージ構造は、蛍光樹脂と電極層との間に３μｍ乃至１０μｍの間隙Ｇが形成されると共に、反射ハウジング（又は光透過性樹脂層）が上述した間隙に充填されることにより、蛍光樹脂が発光ダイオードチップと電極層との間の電気的接続に影響を及ぼすことを回避して、共晶接合の劣化を低減することができる。また、反射ハウジングの頂平面の高さが発光ユニットの頂平面の高さと同じかそれよりも低く、この２つの頂平面の相対距離が０乃至３０μｍであるため、光の形状や輝度に不具合が生じる問題を回避することができる。
【００６４】
更に言えば、実施例１において、電極層の構造によって、発光ユニット及びツェナーダイオードチップを第１の電極パッド及び第２の電極パッドに併せて実装することができるため、電極層の寸法を縮小する効果を奏する。また、電極層の第１の切欠き及び第２の切欠きが、基板の幅方向に沿ってそれぞれ相互に離れる一側に向かって設けられることで、基板の第１の板面のうち電極層によって被覆される面積を低減して絶縁層の被服面積を増加させることができる。更に、第１の電極パッドと第２の電極パッドとの間に絶縁層が設けられることで、第１の電極パッドと第２の電極パッドとの間に電流漏れが生じることを回避することができる。発光ダイオードチップの頂面及び側面と蛍光樹脂の頂面及び側面とが平行且つ等距離となるようにしたことによって、発光ユニットは、発光ダイオードチップから発せられた光が蛍光樹脂から漏れることを回避することができる。また、発光ダイオードパッケージ構造は、反射ハウジングが設けられると共に、ツェナーダイオードチップが反射ハウジング内に埋設されることで、発光ユニットの発光効率を効果的に向上させることができると共に、黄色や青の暈が生じる問題を効果的に回避することができる。また、発光ダイオードパッケージ構造は、光均一化層が設けられることによって、色の均一性を効果的に向上させることができる。
【００６５】
実施例２において、基板がツェナーダイオードチップの機能を有しているため、ツェナーダイオードチップを省略することで発光ダイオードパッケージ構造の寸法を縮小することが可能であると共に、発光ユニットを発光ダイオードパッケージ構造の光学的中心に設けることができる。更に、第１の電極パッド及び第２の電極パッドのいずれか一方の長度方向がいずれか一方の電極ボンディングパッドの長手方向に対して略垂直であることにより、発光ダイオードパッケージ構造の製造プロセスにおいて、異なる材質の熱膨張係数の差異により、発光ダイオードパッケージ構造に焼結ひずみが生じることを回避することができる。
【００６６】
実施例３において、電極層が上述した第１の電極パッド及び第２の電極パッドの配列によって設けられることがにより、第１の板面において要する面積を効果的に縮小すると共に、２つの発光ユニットの間隔を短縮して、発光ダイオードパッケージ構造の発光効果を向上させることができる。更に、発光ダイオードパッケージ構造は、使用者に対してより多様な操作方法を提供できるように、２組の電極ボンディングパッドを介して２つの発光ユニットをそれぞれ制御することができる。
【００６７】
実施例４及び実施例５によれば、実施例３における絶縁層及び反射ハウジングに代えて光透過性樹脂層を用いると共に、実施例３における１つの発光ユニットに代えて補助発光ユニットを用いることによって、発光ダイオードパッケージ構造の応用範囲をより広めることができる。
【００６８】
上記は本発明の好ましい実施例に過ぎず、本発明の範囲を限定するものではない。従って、本発明の特許請求の範囲の内容に基づいて為された均等の変更及び修正は、すべて本発明の範囲に含まれる。
【符号の説明】
【００６９】
１００  発光ダイオードパッケージ構造
１０  基板モジュール
１  基板
１１  第１の板面
１２  第２の板面
１３  導電性柱
１３１  第１の導電性柱
１３２  第２の導電性柱
１４  セラミック層
１５  サージ吸収層
１５１  金属層
２  電極層
２１、２１'  第１の電極パッド
２１１、２１１'  第１のダイボンドブロック
２１２、２１２'  第１の延在ブロック
２１３  第１の接続ブロック
２１４  第１の切欠き
２２、２２'  第２の電極パッド
２２１  第２のダイボンドブロック
２２２  第２の延在ブロック
２２３  第２の接続ブロック
２２４  第２の切欠き
３  ボンディングパッド層
３１  電極ボンディングパッド
３２  放熱ボンディングパッド
４０  絶縁モジュール
４  絶縁層
５  発光ユニット
５１  発光ダイオードチップ
５１１  電極
５１２  頂面
５１３  側面
５１４  底面
５２  蛍光樹脂
５２１  頂平面（頂面）
５２２  側面
５２２１  第１の側面
５２２２  第２の側面
５２３  底面
５３  リフレクター
５３１  頂面
５３２  側面
５３３  底面
５３４  内壁
５３４１  第１の側壁
５３４２  第２の側壁
５４  透明樹脂
５'  補助発光ユニット
５１'  紫外線発光ダイオードチップ
５２'  赤色発光ダイオードチップ
５３'  緑色発光ダイオードチップ
５４'  青色発光ダイオードチップ
６  ツェナーダイオードチップ
７０  反射ハウジングモジュール
７  反射ハウジング
７１  頂平面
７２  外側面
８  光均一化層
９  光透過性樹脂層
９１  頂平面
９２  外側面
Ｇ  間隙
Ｄ１、Ｄ２、Ｄ３、Ｄ４、Ｄ５、Ｄ６、Ｄ７  間隔
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６Ａ】
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【図６Ｂ】
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【図６Ｃ】
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【図６Ｄ】
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【図６Ｅ】
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【図６Ｆ】
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【図６Ｇ】
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【図６Ｈ】
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【図６Ｉ】
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【図６Ｊ】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１Ａ】
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【図１１Ｂ】
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【図１１Ｃ】
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【図１１Ｄ】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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【図２７】
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【図２８】
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【図２９】
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