(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
２５℃から１７５℃まで３分で昇温し、次いで１７５℃を３時間維持する条件下のＤＳＣ測定により描かれるＤＳＣ曲線において、１７５℃に達してから反応ピークが消滅するまでの時間が３０分未満であり、
１７５℃で３０分加熱することにより硬化させて得られる硬化物の粘弾性を１０Ｈｚで測定することにより得られる２００℃の引張貯蔵弾性率が１００ＭＰａ以上である、
半導体装置の製造に用いられる接着シート。
【請求項２】
２５℃〜３００℃の範囲を毎分１０℃で昇温する条件下のＤＳＣ測定により得られる反応熱量が８０ｍＪ／ｍｇ以上である請求項１に記載の接着シート。
【請求項３】
１７５℃で３０分加熱することにより硬化させて得られる硬化物のＴｇが１５０℃以上である請求項１又は２に記載の接着シート。
【請求項４】
ＢＥＴ比表面積が４ｍ２／ｇ以上のシリカフィラーを含み、
前記シリカフィラーの含有量が５０重量％以上である請求項１〜３のいずれかに記載の接着シート。
【請求項５】
水酸基当量が１２０ｇ／ｅｑ．以下のフェノール樹脂を含む請求項１〜４のいずれかに記載の接着シート。
【請求項６】
樹脂成分を含み、
前記樹脂成分がエポキシ樹脂、フェノール樹脂及びアクリル樹脂を含み、
前記樹脂成分１００重量％中の前記アクリル樹脂の含有量は１４重量％以下である請求項１〜４のいずれかに記載の接着シート。
【請求項７】
前記フェノール樹脂の水酸基当量は１２０ｇ／ｅｑ．以下である請求項６に記載の接着シート。
【請求項８】
基材及び前記基材上に配置された粘着剤層を備えるダイシングシートと、
前記粘着剤層上に配置された請求項１〜７のいずれかに記載の接着シートとを備えるダイシングシート付き接着シート。
【請求項９】
請求項８に記載のダイシングシート付き接着シートを準備する工程と、
前記接着シートに半導体ウエハを圧着する工程と、
前記接着シート上に配置された前記半導体ウエハをダイシングすることにより、パッドを備える半導体チップ及び前記半導体チップ上に配置された接着フィルムを備えるダイボンド用チップを形成する工程と、
端子部を備える被着体に前記ダイボンド用チップを圧着することによりチップ付き被着体を形成する工程と、
前記チップ付き被着体を加熱することにより前記接着フィルムを硬化させる工程と、
銅を含むワイヤーの一端と前記パッドを接合するステップ及び前記ワイヤーの他端と前記端子部を接合するステップを含み、前記接着フィルムを硬化させる工程の後に行う工程と
を含む半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、接着シート、ダイシングシート付き接着シート及び半導体装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体装置の方法に関して、例えば、半導体チップを接着シートでリードフレームなどの被着体に固定する工程と、接着シートを硬化させる工程と、ワイヤーボンディングする工程とを含む半導体装置の方法が知られている（例えば、特許文献１参照）。
【０００３】
近年、金ワイヤーを用いたワイヤーボンディングから安価な銅ワイヤーを用いたワイヤーボンディングへの移行が進んでいる。また、半導体装置の小型化の要求から、半導体チップの小型化が進んでいる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２０１３−５３１９０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
銅ワイヤーは酸化しやすいため半導体チップのパッドと接着し難く、溶融ボールが硬い。それゆえ、銅ワイヤーを用いたワイヤーボンディングでは、ワイヤーボンディング装置から出される超音波により半導体チップが振動しやすく、銅ワイヤーとパッドの接合不良、チップ割れが生じやすい。リードフレームと接触する面積が小さい小型の半導体チップは振動しやすいため、接合不良、チップ割れが特に生じやすい。
【０００６】
本発明は前記課題を解決し、短時間で硬化させることが可能で、銅ワイヤーとパッドの接合不良、半導体チップの割れを低減することができる接着シート、ダイシングシート付き接着シートを提供することを目的とする。本発明はまた、短時間で接着シートを硬化させることが可能で、銅ワイヤーとパッドの接合不良、半導体チップの割れを低減することができる半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明は、半導体装置の製造に用いられる接着シートに関する。本発明の接着シートは、次の性質を備える。すなわち、２５℃から１７５℃まで３分で昇温し、次いで１７５℃を３時間維持する条件下のＤＳＣ測定により描かれるＤＳＣ曲線において、１７５℃に達してから反応ピークが消滅するまでの時間が３０分未満である。１７５℃に達してから反応ピークが消滅するまでの時間が３０分未満であるので、短時間で硬化させることが可能である。本発明の接着シートは次の性質をさらに備える。すなわち、１７５℃で３０分加熱することにより硬化させて得られる硬化物の粘弾性を１０Ｈｚで測定することにより得られる２００℃の引張貯蔵弾性率が１００ＭＰａ以上である。２００℃の引張貯蔵弾性率が１００ＭＰａ以上であるので、半導体チップの振動を低減することが可能で、銅ワイヤーとパッドの接合不良、半導体チップの割れを低減できる。
【０００８】
本発明の接着シートは次の性質をさらに備えることが好ましい。すなわち、２５℃〜３００℃の範囲を毎分１０℃で昇温する条件下のＤＳＣ測定により得られる反応熱量が８０ｍＪ／ｍｇ以上であることが好ましい。
【０００９】
本発明の接着シートは次の性質をさらに備えることが好ましい。すなわち、１７５℃で３０分加熱することにより硬化させて得られる硬化物のＴｇが１５０℃以上であることが好ましい。
【００１０】
本発明の接着シートは、好ましくはＢＥＴ比表面積が４ｍ２／ｇ以上のシリカフィラーを含む。シリカフィラーの含有量は、好ましくは５０重量％以上である。
【００１１】
本発明の接着シートは、樹脂成分を含む。好ましくは、樹脂成分がエポキシ樹脂、フェノール樹脂及びアクリル樹脂を含む。より好ましくは、樹脂成分１００重量％中のアクリル樹脂の含有量は１４重量％以下である。フェノール樹脂の水酸基当量は、好ましくは１２０ｇ／ｅｑ．以下である。
【００１２】
本発明はまた、基材及び基材上に配置された粘着剤層を備えるダイシングシートと、粘着剤層上に配置された接着シートとを備えるダイシングシート付き接着シートに関する。
【００１３】
本発明はまた、ダイシングシート付き接着シートを準備する工程と、接着シートに半導体ウエハを圧着する工程と、接着シート上に配置された半導体ウエハをダイシングすることにより、パッドを備える半導体チップ及び半導体チップ上に配置された接着フィルムを備えるダイボンド用チップを形成する工程と、端子部を備える被着体にダイボンド用チップを圧着することによりチップ付き被着体を形成する工程と、チップ付き被着体を加熱することにより接着フィルムを硬化させる工程と、銅を含むワイヤーの一端とパッドを接合するステップ及びワイヤーの他端と端子部を接合するステップを含み、接着フィルムを硬化させる工程の後に行う工程とを含む半導体装置の製造方法に関する。
【図面の簡単な説明】
【００１４】
【図１】接着シートの概略断面図である。
【図２】ダイシングシート付き接着シートの概略断面図である。
【図３】変形例に係るダイシングシート付き接着シートの概略断面図である。
【図４】ダイシングシート付き接着シート上に半導体ウエハを配置した様子の概略を示す断面図である。
【図５】半導体ウエハを個片化した様子の概略を示す断面図である。
【図６】半導体チップ付き被着体の概略断面図である。
【図７】半導体装置の概略断面図である。
【図８】実施例２のＤＳＣ曲線である。
【発明を実施するための形態】
【００１５】
以下に実施形態を掲げ、本発明を詳細に説明するが、本発明はこれらの実施形態のみに限定されるものではない。
【００１６】
［実施形態１］
（接着シート３）
図１に示すように、接着シート３の形態はシート状である。接着シート３は熱硬化性を備える。
【００１７】
接着シート３は次の性質をさらに備える。すなわち、２５℃から１７５℃まで３分で昇温し、次いで１７５℃を３時間維持する条件下のＤＳＣ測定により描かれるＤＳＣ曲線において、１７５℃に達してから反応ピークが消滅するまでの時間が３０分未満である。１７５℃に達してから反応ピークが消滅するまでの時間は３０分未満であるので、短時間で硬化させることが可能である。また、標準的なワイヤーボンディング条件で完全又は略完全に硬化させることが可能で、半導体チップの振動を低減できる。１７５℃に達してから反応ピークが消滅するまでの時間は、好ましくは２５分未満である。一方、１７５℃に達してから反応ピークが消滅するまでの時間の下限は、例えば５分、１０分、１５分などである。
【００１８】
「反応ピークが消滅する」とは、測定用サンプルとリファレンス用サンプルの温度が等しくなるように両者に加えた単位時間当たりの熱エネルギーの入力の差が一定になることをいう。
【００１９】
１７５℃に達してから反応ピークが消滅するまでの時間は、硬化促進剤の種類、硬化促進剤の含有量、樹脂の種類などによりコントロールできる。
【００２０】
好ましくは、接着シート３は次の性質をさらに備える。すなわち、２５℃〜３００℃の範囲を毎分１０℃で昇温する条件下のＤＳＣ測定により得られる反応熱量は８０ｍＪ／ｍｇ以上、より好ましくは８５ｍＪ／ｍｇ以上である。一方、反応熱量は、好ましくは３００ｍＪ／ｍｇ以下、より好ましくは２００ｍＪ／ｍｇ以下である。
【００２１】
「反応熱量」とは、２５℃〜３００℃の範囲を毎分１０℃で昇温する条件下のＤＳＣ測定により測定される熱量を試験片の重量で割ることにより算出される値である。
【００２２】
接着シート３を硬化させて得られる硬化物の粘弾性を１０Ｈｚで測定することにより得られる２００℃の引張貯蔵弾性率は１００ＭＰａ以上、好ましくは２００ＭＰａ以上である。１００ＭＰａ以上であるので、半導体チップの振動を低減することが可能で、銅ワイヤーとパッドの接合不良、半導体チップの割れを低減できる。２００℃の引張貯蔵弾性率は、好ましくは１０００ＭＰａ以下、より好ましくは７００ＭＰａ以下である。２００℃の引張貯蔵弾性率の上限として、例えば、５００ＭＰａ、４００ＭＰａなども例示できる。
なお、硬化物は、接着シート３を１７５℃で３０分加熱し、硬化させることにより得られたものである。
【００２３】
硬化物の２００℃の引張貯蔵弾性率は、フェノール樹脂の水酸基当量、シリカフィラーの含有量、シリカフィラーの粒径などによりコントロールできる。例えば、水酸基当量が小さいフェノール樹脂を使用すること、シリカフィラーの含有量を増加させること、粒径の小さいシリカフィラーを使用することにより、２００℃の引張貯蔵弾性率を高めることができる。
【００２４】
硬化物のＴｇは、好ましくは１５０℃以上、より好ましくは１８０℃以上である。１５０℃以上であると、硬化物の２００℃の引張貯蔵弾性率を１００ＭＰａ以上に設定しやすい。一方、硬化物のＴｇは、好ましくは２５０℃以下、より好ましくは２２０℃以下である。
【００２５】
硬化物のＴｇ（「ガラス転移温度」）は、フェノール樹脂の水酸基当量などによりコントロールできる。
【００２６】
接着シート３は、樹脂成分を含む。樹脂成分としては、アクリル樹脂、エポキシ樹脂、フェノール樹脂などが挙げられる。
【００２７】
アクリル樹脂としては、特に限定されるものではなく、炭素数３０以下、特に炭素数４〜１８の直鎖若しくは分岐のアルキル基を有するアクリル酸又はメタクリル酸のエステルの１種又は２種以上を成分とする重合体（アクリル共重合体）などが挙げられる。前記アルキル基としては、例えばメチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、ｔ−ブチル基、イソブチル基、アミル基、イソアミル基、ヘキシル基、へプチル基、シクロヘキシル基、２−エチルヘキシル基、オクチル基、イソオクチル基、ノニル基、イソノニル基、デシル基、イソデシル基、ウンデシル基、ラウリル基、トリデシル基、テトラデシル基、ステアリル基、オクタデシル基、又はドデシル基などが挙げられる。
【００２８】
また、重合体（アクリル共重合体）を形成する他のモノマーとしては、特に限定されるものではなく、例えばアクリル酸、メタクリル酸、カルボキシエチルアクリレート、カルボキシペンチルアクリレート、イタコン酸、マレイン酸、フマール酸若しくはクロトン酸などの様なカルボキシル基含有モノマー、無水マレイン酸若しくは無水イタコン酸などの様な酸無水物モノマー、（メタ）アクリル酸２−ヒドロキシエチル、（メタ）アクリル酸２−ヒドロキシプロピル、（メタ）アクリル酸４−ヒドロキシブチル、（メタ）アクリル酸６−ヒドロキシヘキシル、（メタ）アクリル酸８−ヒドロキシオクチル、（メタ）アクリル酸１０−ヒドロキシデシル、（メタ）アクリル酸１２−ヒドロキシラウリル若しくは（４−ヒドロキシメチルシクロヘキシル）−メチルアクリレートなどの様なヒドロキシル基含有モノマー、スチレンスルホン酸、アリルスルホン酸、２−（メタ）アクリルアミド−２−メチルプロパンスルホン酸、（メタ）アクリルアミドプロパンスルホン酸、スルホプロピル（メタ）アクリレート若しくは（メタ）アクリロイルオキシナフタレンスルホン酸などの様なスルホン酸基含有モノマー、又は２−ヒドロキシエチルアクリロイルホスフェートなどの様な燐酸基含有モノマーが挙げられる。
【００２９】
アクリル樹脂のなかでも、重量平均分子量が１０万以上のものが好ましく、３０万〜３００万のものがより好ましく、５０万〜２００万のものがさらに好ましい。かかる数値範囲内であると、接着性及び耐熱性に優れるからである。なお、重量平均分子量は、ＧＰＣ（ゲル・パーミエーション・クロマトグラフィー）により測定し、ポリスチレン換算により算出された値である。
【００３０】
アクリル樹脂は、エポキシ基と反応可能な官能基を含むことが好ましい。これにより、アクリル樹脂をエポキシ樹脂と架橋させることができる。
【００３１】
エポキシ基と反応可能な官能基としては、例えば、カルボキシル基、ヒドロキシル基などが挙げられる。なかでも、エポキシ基との反応性が高いという理由から、カルボキシル基が好ましい。
【００３２】
アクリル樹脂の酸価は、好ましくは５ｍｇＫＯＨ／ｇ以上、より好ましくは１０ｍｇＫＯＨ／ｇ以上である。一方、アクリル樹脂の酸価は、好ましくは４０ｍｇＫＯＨ／ｇ以下、より好ましくは２５ｍｇＫＯＨ／ｇ以下である。
なお、酸価は、ＪＩＳ Ｋ ００７０−１９９２に規定される中和滴定法で測定できる。
【００３３】
樹脂成分１００重量％中のアクリル樹脂の含有量は、好ましくは１４重量％以下、より好ましくは１２重量％以下、さらに好ましくは１１重量％以下である。１４重量％以下であると、２００℃の引張貯蔵弾性率を高めることができる。樹脂成分１００重量％中のアクリル樹脂の含有量は、好ましくは５重量％以上、より好ましくは７重量％以上である。
【００３４】
エポキシ樹脂としては特に限定されず、例えばビスフェノールＡ型、ビスフェノールＦ型、ビスフェノールＳ型、臭素化ビスフェノールＡ型、水添ビスフェノールＡ型、ビスフェノールＡＦ型、ビフェニル型、ナフタレン型、フルオンレン型、フェノールノボラック型、オルソクレゾールノボラック型、トリスヒドロキシフェニルメタン型、テトラフェニロールエタン型などの二官能エポキシ樹脂や多官能エポキシ樹脂、又はヒダントイン型、トリスグリシジルイソシアヌレート型若しくはグリシジルアミン型などのエポキシ樹脂が用いられる。これらのエポキシ樹脂のうちノボラック型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂、トリスヒドロキシフェニルメタン型樹脂又はテトラフェニロールエタン型エポキシ樹脂が特に好ましい。これらのエポキシ樹脂は、硬化剤としてのフェノール樹脂との反応性に富み、耐熱性などに優れるからである。
【００３５】
エポキシ樹脂のエポキシ当量は、好ましくは１２０ｇ／ｅｑ．以上、より好ましくは１４０ｇ／ｅｑ．以上、さらに好ましくは１５０ｇ／ｅｑ．以上である。一方、エポキシ樹脂のエポキシ当量は、好ましくは２５０ｇ／ｅｑ．以下、より好ましくは２００ｇ／ｅｑ．以下である。
なお、エポキシ樹脂のエポキシ当量は、ＪＩＳ Ｋ ７２３６−２００９に規定された方法で測定できる。
【００３６】
フェノール樹脂は、エポキシ樹脂の硬化剤として作用するものであり、例えば、フェノールノボラック樹脂、フェノールアラルキル樹脂、クレゾールノボラック樹脂、ｔｅｒｔ−ブチルフェノールノボラック樹脂、ノニルフェノールノボラック樹脂などのノボラック型フェノール樹脂、レゾール型フェノール樹脂、ポリパラオキシスチレンなどのポリオキシスチレンなどが挙げられる。これらのフェノール樹脂のうちフェノールノボラック樹脂、フェノールアラルキル樹脂が特に好ましい。半導体装置の接続信頼性を向上させることができるからである。
【００３７】
フェノール樹脂の水酸基当量は、好ましくは１２０ｇ／ｅｑ．以下、より好ましくは１１０ｇ／ｅｑ．以下である。１２０ｇ／ｅｑ．以下であると、架橋密度を高めることが可能で、２００℃の引張貯蔵弾性率を高めることができる。一方、フェノール樹脂の水酸基当量は、好ましくは８０ｇ／ｅｑ．以上、より好ましくは９０ｇ／ｅｑ．以上である。
【００３８】
エポキシ樹脂とフェノール樹脂との配合割合は、例えば、エポキシ樹脂成分中のエポキシ基１当量当たりフェノール樹脂中の水酸基が０．５〜２．０当量になるように配合することが好適である。より好適なのは、０．８〜１．２当量である。即ち、両者の配合割合がかかる範囲を外れると、十分な硬化反応が進まず、硬化物の特性が劣化し易くなるからである。
【００３９】
樹脂成分１００重量％中のエポキシ樹脂及びフェノール樹脂の合計含有量は、好ましくは８６重量％以上、より好ましくは８８重量％以上、さらに好ましくは８９重量％以上である。８６重量％以上であると、２００℃の引張貯蔵弾性率を高めることができる。一方、エポキシ樹脂及びフェノール樹脂の合計含有量は、好ましくは９５重量％以下、より好ましくは９３重量％以下である。
【００４０】
接着シート３がＢＥＴ比表面積が４ｍ２／ｇ以上のシリカフィラーを含むことが好ましい。
【００４１】
シリカフィラーのＢＥＴ比表面積は、好ましくは１５ｍ２／ｇ以上である。一方、シリカフィラーのＢＥＴ比表面積は、好ましくは１００ｍ２／ｇ以下、より好ましくは５０ｍ２／ｇ以下である。
ＢＥＴ比表面積は、ＢＥＴ吸着法（多点法）により測定する。具体的には、接着シート３を、大気雰囲気下、７００℃で２時間強熱して灰化させる。得られた灰分を１１０℃、６時間以上で真空脱気した後に、Ｑｕａｎｔａｃｈｒｏｍｅ製４連式比表面積・細孔分布測定装置「ＮＯＶＡ−４２００ｅ型」を用い、窒素ガス中、７７．３５Ｋの温度下で測定する。
【００４２】
シリカフィラーの新モース硬度は好ましくは４以上である。４以上であると、２００℃の引張貯蔵弾性率を効果的に高めることができる。シリカフィラーの新モース硬度の上限は特に限定されないが、例えば、１０である。
【００４３】
接着シート３中のシリカフィラーの含有量は、好ましくは５０重量％以上、より好ましくは５１重量％以上である。５０重量％以上であると、２００℃の引張貯蔵弾性率を高めることができる。一方、シリカフィラーの含有量は、好ましくは７０重量％以下、より好ましくは６５重量％以下である。
【００４４】
接着シート３は硬化促進剤を含むことが好ましい。硬化促進剤の含有量は、樹脂成分１００重量部に対し、好ましくは０．１〜５重量部、より好ましくは０．１〜３重量部である。０．１重量部以上であると、短時間で硬化させることが可能である。
【００４５】
硬化促進剤としては特に限定されず、例えば、イミダゾール系化合物、トリフェニルフォスフィン系化合物、アミン系化合物、トリフェニルボラン系化合物、トリハロゲンボラン系化合物等が挙げられる。
【００４６】
イミダゾール系化合物としては、２−メチルイミダゾール（商品名；２ＭＺ）、２−ウンデシルイミダゾール（商品名；Ｃ１１Ｚ）、２−ヘプタデシルイミダゾール（商品名；Ｃ１７Ｚ）、１，２−ジメチルイミダゾール（商品名；１．２ＤＭＺ）、２−エチル−４−メチルイミダゾール（商品名；２Ｅ４ＭＺ）、２−フェニルイミダゾール（商品名；２ＰＺ）、２−フェニル−４−メチルイミダゾール（商品名；２Ｐ４ＭＺ）、１−ベンジル−２−メチルイミダゾール（商品名；１Ｂ２ＭＺ）、１−ベンジル−２−フェニルイミダゾール（商品名；１Ｂ２ＰＺ）、１−シアノエチル−２−メチルイミダゾール（商品名；２ＭＺ−ＣＮ）、１−シアノエチル−２−ウンデシルイミダゾール（商品名；Ｃ１１Ｚ−ＣＮ）、１−シアノエチル−２−フェニルイミダゾリウムトリメリテイト（商品名；２ＰＺＣＮＳ−ＰＷ）、２，４−ジアミノ−６−［２’−メチルイミダゾリル−（１’）］−エチル−ｓ−トリアジン（商品名；２ＭＺ−Ａ）、２，４−ジアミノ−６−［２’−ウンデシルイミダゾリル−（１’）］−エチル−ｓ−トリアジン（商品名；Ｃ１１Ｚ−Ａ）、２，４−ジアミノ−６−［２’−エチル−４’−メチルイミダゾリル−（１’）］−エチル−ｓ−トリアジン（商品名；２Ｅ４ＭＺ−Ａ）、２，４−ジアミノ−６−［２’−メチルイミダゾリル−（１’）］−エチル−ｓ−トリアジンイソシアヌル酸付加物（商品名；２ＭＡ−ＯＫ）、２−フェニル−４，５−ジヒドロキシメチルイミダゾール（商品名；２ＰＨＺ−ＰＷ）、２−フェニル−４−メチル−５−ヒドロキシメチルイミダゾール（商品名；２Ｐ４ＭＨＺ−ＰＷ）等が挙げられる（いずれも四国化成（株）製）。
【００４７】
トリフェニルフォスフィン系化合物としては特に限定されず、例えば、トリフェニルフォスフィン、トリブチルフォスフィン、トリ（ｐ−メチルフェニル）フォスフィン、トリ（ノニルフェニル）フォスフィン、ジフェニルトリルフォスフィン等のトリオルガノフォスフィン、テトラフェニルホスホニウムブロマイド（商品名；ＴＰＰ−ＰＢ）、メチルトリフェニルホスホニウム（商品名；ＴＰＰ−ＭＢ）、メチルトリフェニルホスホニウムクロライド（商品名；ＴＰＰ−ＭＣ）、メトキシメチルトリフェニルホスホニウム（商品名；ＴＰＰ−ＭＯＣ）、ベンジルトリフェニルホスホニウムクロライド（商品名；ＴＰＰ−ＺＣ）等が挙げられる（いずれも北興化学社製）。
【００４８】
トリフェニルボラン系化合物としては特に限定されず、例えば、トリ（ｐ−メチルフェニル）フォスフィン等が挙げられる。また、トリフェニルボラン系化合物としては、さらにトリフェニルフォスフィン構造を有するものも含まれる。トリフェニルフォスフィン構造及びトリフェニルボラン構造を有する化合物としては特に限定されず、例えば、テトラフェニルホスホニウムテトラフェニルボレート（商品名；ＴＰＰ−Ｋ）、テトラフェニルホスホニウムテトラ−ｐ−トリボレート（商品名；ＴＰＰ−ＭＫ）、ベンジルトリフェニルホスホニウムテトラフェニルボレート（商品名；ＴＰＰ−ＺＫ）、トリフェニルホスフィントリフェニルボラン（商品名；ＴＰＰ−Ｓ）等が挙げられる（いずれも北興化学社製）。
【００４９】
アミノ系化合物としては特に限定されず、例えば、モノエタノールアミントリフルオロボレート（ステラケミファ（株）製）、ジシアンジアミド（ナカライテスク（株）製）等が挙げられる。
【００５０】
トリハロゲンボラン系化合物としては特に限定されず、例えば、トリクロロボラン等が挙げられる。
【００５１】
接着シート３は、前記成分以外にも、フィルム製造に一般に使用される配合剤、例えば、架橋剤などを適宜含有してよい。
【００５２】
接着シート３は、通常の方法で製造できる。例えば、前記各成分を含有する接着剤組成物溶液を作製し、接着剤組成物溶液を基材セパレータ上に所定厚みとなる様に塗布して塗布膜を形成した後、塗布膜を乾燥させることで、接着シート３を製造できる。
【００５３】
接着剤組成物溶液に用いる溶媒としては特に限定されないが、前記各成分を均一に溶解、混練又は分散できる有機溶媒が好ましい。例えば、ジメチルホルムアミド、ジメチルアセトアミド、Ｎ-メチルピロリドン、アセトン、メチルエチルケトン、シクロヘキサノンなどのケトン系溶媒、トルエン、キシレンなどが挙げられる。塗布方法は特に限定されない。溶剤塗工の方法としては、例えば、ダイコーター、グラビアコーター、ロールコーター、リバースコーター、コンマコーター、パイプドクターコーター、スクリーン印刷などが挙げられる。なかでも、塗布厚みの均一性が高いという点から、ダイコーターが好ましい。
【００５４】
基材セパレータとしては、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレン、ポリプロピレンや、フッ素系剥離剤、長鎖アルキルアクリレート系剥離剤などの剥離剤により表面コートされたプラスチックフィルムや紙などが使用可能である。接着剤組成物溶液の塗布方法としては、例えば、ロール塗工、スクリーン塗工、グラビア塗工などが挙げられる。また、塗布膜の乾燥条件は特に限定されず、例えば、乾燥温度７０〜１６０℃、乾燥時間１〜５分間で行うことができる。
【００５５】
接着シート３の製造方法としては、例えば、前記各成分をミキサーにて混合し、得られた混合物をプレス成形して接着シート３を製造する方法なども好適である。ミキサーとしてはプラネタリーミキサーなどが挙げられる。
【００５６】
接着シート３の厚みは特に限定されないが、５μｍ以上が好ましく、１５μｍ以上がより好ましい。５μｍ未満であると、反りが生じた半導体ウエハや半導体チップと接着しない箇所が発生し、接着面積が不安定となる場合がある。また、接着シート３の厚みは１００μｍ以下が好ましく、５０μｍ以下がより好ましい。１００μｍを超えると、ダイアタッチの荷重によって接着シート３が過度にはみ出し、パッドを汚染する場合がある。
【００５７】
接着シート３は、半導体装置の製造に使用される。具体的には、リードフレームなどの被着体と半導体チップとを接着するためのフィルム（以下、「ダイアタッチフィルム」という）として使用される。被着体としては、リードフレーム、インターポーザ、半導体チップなどが挙げられる。
【００５８】
接着シート３は、ダイシングシート付き接着シートの形態で使用することが好ましい。
【００５９】
（ダイシングシート付き接着シート１０）
ダイシングシート付き接着シート１０について説明する。
【００６０】
図２に示すように、ダイシングシート付き接着シート１０は、ダイシングシート１及びダイシングシート１上に配置された接着シート３を備える。ダイシングシート１は、基材１１及び基材１１上に配置された粘着剤層１２を備える。接着シート３は粘着剤層１２上に配置されている。
【００６１】
図３に示すように、ダイシングシート付き接着シート１０は、ワーク（半導体ウエハ４など）貼り付け部分にのみ接着シート３を形成した構成であってもよい。
【００６２】
基材１１は、ダイシングシート付き接着シート１０の強度母体となるものであり、紫外線透過性を有するものが好ましい。基材１１としては、例えば、低密度ポリエチレン、直鎖状ポリエチレン、中密度ポリエチレン、高密度ポリエチレン、超低密度ポリエチレン、ランダム共重合ポリプロピレン、ブロック共重合ポリプロピレン、ホモポリプロレン、ポリブテン、ポリメチルペンテンなどのポリオレフィン、エチレン−酢酸ビニル共重合体、アイオノマー樹脂、エチレン−（メタ）アクリル酸共重合体、エチレン−（メタ）アクリル酸エステル（ランダム、交互）共重合体、エチレン−ブテン共重合体、エチレン−ヘキセン共重合体、ポリウレタン、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレートなどのポリエステル、ポリカーボネート、ポリイミド、ポリエーテルエーテルケトン、ポリイミド、ポリエーテルイミド、ポリアミド、全芳香族ポリアミド、ポリフェニルスルフイド、アラミド（紙）、ガラス、ガラスクロス、フッ素樹脂、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデン、セルロース系樹脂、シリコーン樹脂、金属（箔）、紙などが挙げられる。
【００６３】
基材１１の表面は、隣接する層との密着性、保持性などを高める為、慣用の表面処理、例えば、クロム酸処理、オゾン暴露、火炎暴露、高圧電撃暴露、イオン化放射線処理などの化学的又は物理的処理、下塗剤（例えば、後述する粘着物質）によるコーティング処理を施すことができる。
【００６４】
基材１１の厚さは、特に制限されず適宜に決定できるが、一般的には５〜２００μｍ程度である。
【００６５】
粘着剤層１２の形成に用いる粘着剤としては特に制限されず、例えば、アクリル系粘着剤、ゴム系粘着剤などの一般的な感圧性接着剤を用いることができる。感圧性接着剤としては、半導体ウエハやガラスなどの汚染をきらう電子部品の超純水やアルコールなどの有機溶剤による清浄洗浄性などの点から、アクリル系ポリマーをベースポリマーとするアクリル系粘着剤が好ましい。
【００６６】
アクリル系ポリマーとしては、例えば、（メタ）アクリル酸アルキルエステル（例えば、メチルエステル、エチルエステル、プロピルエステル、イソプロピルエステル、ブチルエステル、イソブチルエステル、ｓ−ブチルエステル、ｔ−ブチルエステル、ペンチルエステル、イソペンチルエステル、ヘキシルエステル、ヘプチルエステル、オクチルエステル、２−エチルヘキシルエステル、イソオクチルエステル、ノニルエステル、デシルエステル、イソデシルエステル、ウンデシルエステル、ドデシルエステル、トリデシルエステル、テトラデシルエステル、ヘキサデシルエステル、オクタデシルエステル、エイコシルエステルなどのアルキル基の炭素数１〜３０、特に炭素数４〜１８の直鎖状又は分岐鎖状のアルキルエステルなど）及び（メタ）アクリル酸シクロアルキルエステル（例えば、シクロペンチルエステル、シクロヘキシルエステルなど）の１種又は２種以上を単量体成分として用いたアクリル系ポリマーなどが挙げられる。なお、（メタ）アクリル酸エステルとはアクリル酸エステル及び／又はメタクリル酸エステルをいい、本発明の（メタ）とは全て同様の意味である。
【００６７】
アクリル系ポリマーは、凝集力、耐熱性などの改質を目的として、必要に応じ、前記（メタ）アクリル酸アルキルエステル又はシクロアルキルエステルと共重合可能な他のモノマー成分に対応する単位を含んでいてもよい。この様なモノマー成分として、例えば、アクリル酸、メタクリル酸、カルボキシエチル（メタ）アクリレート、カルボキシペンチル（メタ）アクリレート、イタコン酸、マレイン酸、フマル酸、クロトン酸などのカルボキシル基含有モノマー；無水マレイン酸、無水イタコン酸などの酸無水物モノマー；（メタ）アクリル酸２−ヒドロキシエチル、（メタ）アクリル酸２−ヒドロキシプロピル、（メタ）アクリル酸４−ヒドロキシブチル、（メタ）アクリル酸６−ヒドロキシヘキシル、（メタ）アクリル酸８−ヒドロキシオクチル、（メタ）アクリル酸１０−ヒドロキシデシル、（メタ）アクリル酸１２−ヒドロキシラウリル、（４−ヒドロキシメチルシクロヘキシル）メチル（メタ）アクリレートなどのヒドロキシル基含有モノマー；スチレンスルホン酸、アリルスルホン酸、２−（メタ）アクリルアミド−２−メチルプロパンスルホン酸、（メタ）アクリルアミドプロパンスルホン酸、スルホプロピル（メタ）アクリレート、（メタ）アクリロイルオキシナフタレンスルホン酸などのスルホン酸基含有モノマー；２−ヒドロキシエチルアクリロイルホスフェートなどのリン酸基含有モノマー；アクリルアミド、アクリロニトリルなどが挙げられる。これら共重合可能なモノマー成分は、１種又は２種以上使用できる。これら共重合可能なモノマーの使用量は、全モノマー成分の４０重量％以下が好ましい。
【００６８】
更に、アクリル系ポリマーは、架橋させる為、多官能性モノマーなども、必要に応じて共重合用モノマー成分として含むことができる。この様な多官能性モノマーとして、例えば、ヘキサンジオールジ（メタ）アクリレート、（ポリ）エチレングリコールジ（メタ）アクリレート、（ポリ）プロピレングリコールジ（メタ）アクリレート、ネオペンチルグリコールジ（メタ）アクリレート、ペンタエリスリトールジ（メタ）アクリレート、トリメチロールプロパントリ（メタ）アクリレート、ペンタエリスリトールトリ（メタ）アクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサ（メタ）アクリレート、エポキシ（メタ）アクリレート、ポリエステル（メタ）アクリレート、ウレタン（メタ）アクリレートなどが挙げられる。これらの多官能性モノマーも１種又は２種以上用いることができる。多官能性モノマーの使用量は、粘着特性などの点から、全モノマー成分の３０重量％以下が好ましい。
【００６９】
アクリル系ポリマーは、単一モノマー又は２種以上のモノマー混合物を重合に付すことにより得られる。重合は、溶液重合、乳化重合、塊状重合、懸濁重合などの何れの方式で行うこともできる。清浄な被着体への汚染防止などの点から、低分子量物質の含有量が小さいのが好ましい。この点から、アクリル系ポリマーの数平均分子量は、好ましくは３０万以上、更に好ましくは４０万〜３００万程度である。
【００７０】
また、前記粘着剤には、ベースポリマーであるアクリル系ポリマーなどの数平均分子量を高める為、外部架橋剤を適宜に採用することもできる。外部架橋方法の具体的手段としては、ポリイソシアネート化合物、エポキシ化合物、アジリジン化合物、メラミン系架橋剤などのいわゆる架橋剤を添加し反応させる方法が挙げられる。外部架橋剤を使用する場合、その使用量は、架橋すべきベースポリマーとのバランスにより、更には、粘着剤としての使用用途によって適宜決定される。一般的には、前記ベースポリマー１００重量部に対して、５重量部程度以下、更には０．１〜５重量部配合するのが好ましい。更に、粘着剤には、必要により、前記成分のほかに、従来公知の各種の粘着付与剤、老化防止剤などの添加剤を用いてもよい。
【００７１】
粘着剤層１２は放射線硬化型粘着剤により形成することができる。放射線硬化型粘着剤は、紫外線などの放射線の照射により架橋度を増大させてその粘着力を容易に低下させることができる。
【００７２】
図２に示す粘着剤層１２のワーク貼り付け部分に対応する部分１２ａのみを放射線照射することにより他の部分１２ｂとの粘着力の差を設けることができる。この場合、未硬化の放射線硬化型粘着剤により形成されている前記部分１２ｂは接着シート３と粘着し、ダイシングする際の保持力を確保できる。
【００７３】
また、図３に示す接着シート３に合わせて放射線硬化型の粘着剤層１２を硬化させることにより、粘着力が著しく低下した前記部分１２ａを形成できる。この場合、未硬化の放射線硬化型粘着剤により形成されている前記部分１２ｂにウエハリングを固定できる。
【００７４】
つまり、粘着剤層１２を放射線硬化型粘着剤により形成する場合には、粘着剤層１２における前記部分１２ａの粘着力＜その他の部分１２ｂの粘着力、となるように前記部分１２ａを放射線照射することが好ましい。
【００７５】
放射線硬化型粘着剤は、炭素−炭素二重結合などの放射線硬化性の官能基を有し、かつ粘着性を示すものを特に制限なく使用することができる。放射線硬化型粘着剤としては、例えば、前記アクリル系粘着剤、ゴム系粘着剤などの一般的な感圧性粘着剤に、放射線硬化性のモノマー成分やオリゴマー成分を配合した添加型の放射線硬化型粘着剤を例示できる。
【００７６】
配合する放射線硬化性のモノマー成分としては、例えば、ウレタンオリゴマー、ウレタン（メタ）アクリレート、トリメチロールプロパントリ（メタ）アクリレート、テトラメチロールメタンテトラ（メタ）アクリレート、ペンタエリスリトールトリ（メタ）アクリレート、ペンタエリストールテトラ（メタ）アクリレート、ジペンタエリストールモノヒドロキシペンタ（メタ）アクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサ（メタ）アクリレート、１，４−ブタンジオールジ（メタ）アクリレートなどが挙げられる。また放射線硬化性のオリゴマー成分はウレタン系、ポリエーテル系、ポリエステル系、ポリカーボネート系、ポリブタジエン系など種々のオリゴマーがあげられ、その分子量が１００〜３００００程度の範囲のものが適当である。放射線硬化性のモノマー成分やオリゴマー成分の配合量は、前記粘着剤層の種類に応じて、粘着剤層の粘着力を低下できる量を、適宜に決定することができる。一般的には、粘着剤を構成するアクリル系ポリマーなどのベースポリマー１００重量部に対して、例えば５〜５００重量部、好ましくは４０〜１５０重量部程度である。
【００７７】
また、放射線硬化型粘着剤としては、前記説明した添加型の放射線硬化型粘着剤のほかに、ベースポリマーとして、炭素−炭素二重結合をポリマー側鎖又は主鎖中もしくは主鎖末端に有するものを用いた内在型の放射線硬化型粘着剤が挙げられる。内在型の放射線硬化型粘着剤は、低分子成分であるオリゴマー成分などを含有する必要がなく、又は多くは含まない為、経時的にオリゴマー成分などが粘着剤在中を移動することなく、安定した層構造の粘着剤層を形成することができる為好ましい。
【００７８】
前記炭素−炭素二重結合を有するベースポリマーは、炭素−炭素二重結合を有し、かつ粘着性を有するものを特に制限なく使用できる。この様なベースポリマーとしては、アクリル系ポリマーを基本骨格とするものが好ましい。アクリル系ポリマーの基本骨格としては、前記例示したアクリル系ポリマーが挙げられる。
【００７９】
前記アクリル系ポリマーへの炭素−炭素二重結合の導入法は特に制限されず、様々な方法を採用できるが、炭素−炭素二重結合はポリマー側鎖に導入するのが分子設計が容易である。例えば、予め、アクリル系ポリマーに官能基を有するモノマーを共重合した後、この官能基と反応しうる官能基及び炭素−炭素二重結合を有する化合物を、炭素−炭素二重結合の放射線硬化性を維持したまま縮合又は付加反応させる方法が挙げられる。
【００８０】
これら官能基の組合せの例としては、カルボン酸基とエポキシ基、カルボン酸基とアジリジル基、ヒドロキシル基とイソシアネート基などが挙げられる。これら官能基の組合せのなかでも反応追跡の容易さから、ヒドロキシル基とイソシアネート基との組合せが好適である。また、これら官能基の組み合わせにより、前記炭素−炭素二重結合を有するアクリル系ポリマーを生成するような組合せであれば、官能基はアクリル系ポリマーと前記化合物のいずれの側にあってもよいが、前記の好ましい組み合わせでは、アクリル系ポリマーがヒドロキシル基を有し、前記化合物がイソシアネート基を有する場合が好適である。この場合、炭素−炭素二重結合を有するイソシアネート化合物としては、例えば、メタクリロイルイソシアネート、２−メタクリロイルオキシエチルイソシアネート、ｍ−イソプロペニル−α，α−ジメチルベンジルイソシアネートなどが挙げられる。また、アクリル系ポリマーとしては、前記例示のヒドロキシ基含有モノマーや２−ヒドロキシエチルビニルエーテル、４−ヒドロキシブチルビニルエーテル、ジエチレングルコールモノビニルエーテルのエーテル系化合物などを共重合したものが用いられる。
【００８１】
前記内在型の放射線硬化型粘着剤は、前記炭素−炭素二重結合を有するベースポリマー（特にアクリル系ポリマー）を単独で使用することができるが、特性を悪化させない程度に前記放射線硬化性のモノマー成分やオリゴマー成分を配合することもできる。放射線硬化性のオリゴマー成分などは、通常ベースポリマー１００重量部に対して３０重量部の範囲内であり、好ましくは０〜１０重量部の範囲である。
【００８２】
前記放射線硬化型粘着剤には、紫外線などにより硬化させる場合には光重合開始剤を含有させる。光重合開始剤としては、例えば、４−（２−ヒドロキシエトキシ）フェニル（２−ヒドロキシ−２−プロピル）ケトン、α−ヒドロキシ−α，α’−ジメチルアセトフェノン、２−メチル−２−ヒドロキシプロピオフェノン、１−ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトンなどのα−ケトール系化合物；メトキシアセトフェノン、２，２−ジメトキシ−２−フェニルアセトフエノン、２，２−ジエトキシアセトフェノン、２−メチル−１−［４−（メチルチオ）−フェニル］−２−モルホリノプロパン−１などのアセトフェノン系化合物；ベンゾインエチルエーテル、ベンゾインイソプロピルエーテル、アニソインメチルエーテルなどのベンゾインエーテル系化合物；ベンジルジメチルケタールなどのケタール系化合物；２−ナフタレンスルホニルクロリドなどの芳香族スルホニルクロリド系化合物；１−フェノン−１，１―プロパンジオン−２−（ｏ−エトキシカルボニル）オキシムなどの光活性オキシム系化合物；ベンゾフェノン、ベンゾイル安息香酸、３，３’−ジメチル−４−メトキシベンゾフェノンなどのベンゾフェノン系化合物；チオキサンソン、２−クロロチオキサンソン、２−メチルチオキサンソン、２，４−ジメチルチオキサンソン、イソプロピルチオキサンソン、２，４−ジクロロチオキサンソン、２，４−ジエチルチオキサンソン、２，４−ジイソプロピルチオキサンソンなどのチオキサンソン系化合物；カンファーキノン；ハロゲン化ケトン；アシルホスフィノキシド；アシルホスフォナートなどが挙げられる。光重合開始剤の配合量は、粘着剤を構成するアクリル系ポリマーなどのベースポリマー１００重量部に対して、例えば０．０５〜２０重量部程度である。
【００８３】
また放射線硬化型粘着剤としては、例えば、特開昭６０−１９６９５６号公報に開示されている、不飽和結合を２個以上有する付加重合性化合物、エポキシ基を有するアルコキシシランなどの光重合性化合物と、カルボニル化合物、有機硫黄化合物、過酸化物、アミン、オニウム塩系化合物などの光重合開始剤とを含有するゴム系粘着剤やアクリル系粘着剤などが挙げられる。
【００８４】
前記放射線硬化型の粘着剤層１２中には、必要に応じて、放射線照射により着色する化合物を含有させることもできる。放射線照射により、着色する化合物を粘着剤層１２に含ませることによって、放射線照射された部分のみを着色することができる。放射線照射により着色する化合物は、放射線照射前には無色又は淡色であるが、放射線照射により有色となる化合物であり、例えば、ロイコ染料などが挙げられる。放射線照射により着色する化合物の使用割合は、適宜設定できる。
【００８５】
粘着剤層１２の厚さは、特に限定されないが、チップ切断面の欠け防止や接着シート３の固定保持の両立性などの点よりは、１〜５０μｍ程度であるのが好ましい。好ましくは２〜３０μｍ、更には５〜２５μｍが好ましい。
【００８６】
ダイシングシート付き接着シート１０は、セパレータにより保護されていることが好ましい（図示せず）。すなわち、接着シート３上にセパレータが配置されていることが好ましい。セパレータは、実用に供するまで接着シート３を保護する保護材としての機能を有している。セパレータは接着シート３上にワークを貼着する際に剥がされる。セパレータとしては、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレン、ポリプロピレンや、フッ素系剥離剤、長鎖アルキルアクリレート系剥離剤などの剥離剤により表面コートされたプラスチックフィルムや紙なども使用可能である。
【００８７】
ダイシングシート付き接着シート１０は、通常の方法で製造できる。例えば、ダイシングシート１の粘着剤層１２と接着シート３とを貼り合わせることで、ダイシングシート付き接着シート１０を製造できる。
【００８８】
剥離温度２５℃、剥離速度３００ｍｍ／ｍｉｎの条件下で、接着シート３をダイシングシート１から引き剥がしたときの剥離力は、好ましくは０．１Ｎ／１０ｍｍ以上である。０．１Ｎ／１０ｍｍ未満であると、チップ飛びが発生するおそれがある。一方、剥離力は、好ましくは０．２Ｎ／１０ｍｍ以下である。０．２Ｎ／１０ｍｍを超えると、ピックアップが困難になる傾向がある。
【００８９】
（半導体装置の製造方法）
図４に示すように、ダイシングシート付き接着シート１０に半導体ウエハ４を圧着する。半導体ウエハ４としては、シリコンウエハ、シリコンカーバイドウエハ、化合物半導体ウエハなどが挙げられる。化合物半導体ウエハとしては、窒化ガリウムウエハなどが挙げられる。
【００９０】
圧着方法としては、例えば、圧着ロールなどの押圧手段により押圧する方法などが挙げられる。
【００９１】
圧着温度（貼り付け温度）は、３５℃以上が好ましく、３７℃以上がより好ましい。圧着温度の上限は低い方が好ましく、好ましくは５０℃以下、より好ましくは４５℃以下である。低温で圧着することにより、半導体ウエハ４への熱影響を防止することが可能で、半導体ウエハ４の反りを抑制できる。また、圧力は、１×１０５Ｐａ〜１×１０７Ｐａであることが好ましく、２×１０５Ｐａ〜８×１０６Ｐａであることがより好ましい。
【００９２】
図５に示すように、半導体ウエハ４をダイシングすることにより、ダイボンド用チップ４１を形成する。ダイボンド用チップ４１は、半導体チップ５及び半導体チップ５上に配置された接着フィルム３１を備える。半導体チップ５は、チップ本体部５０２及びチップ本体部５０２上に配置されたパッド５０１を備える。パッド５０１は電極パッドである。パッド５０１の材料としては、アルミニウムなどが挙げられる。本工程では、ダイシングシート付き接着シート１０まで切込みを行なうフルカットと呼ばれる切断方式などを採用できる。ダイシング装置としては特に限定されず、従来公知のものを用いることができる。また、半導体ウエハ４は、ダイシングシート付き接着シート１０により接着固定されているので、チップ欠けやチップ飛びを抑制できると共に、半導体ウエハ４の破損も抑制できる。
【００９３】
ダイボンド用チップ４１をピックアップする。ピックアップの方法としては特に限定されず、従来公知の種々の方法を採用できる。例えば、個々の半導体チップ５をダイシングシート付き接着シート１０側からニードルによって突き上げ、次いでダイボンド用チップ４１をピックアップ装置によってピックアップする方法などが挙げられる。
【００９４】
粘着剤層１２が紫外線硬化型である場合、粘着剤層１２に紫外線を照射した後にピックアップする。これにより、粘着剤層１２のダイボンド用チップ４１に対する粘着力が低下するので、ダイボンド用チップ４１を容易にピックアップできる。紫外線照射の際の照射強度、照射時間などの条件は特に限定されず、適宜必要に応じて設定すればよい。
【００９５】
図６に示すように、ダイボンド用チップ４１を被着体６に圧着することにより半導体チップ付き被着体６１を得る。半導体チップ付き被着体６１は、被着体６、被着体６上に配置された接着フィルム３１及び接着フィルム３１上に配置された半導体チップ５を備える。被着体６は、本体部６０２及び本体部６０２上に配置された端子部６０１を備える。
【００９６】
ダイボンド用チップ４１を被着体６に圧着する温度（以下、「ダイアタッチ温度」という）は、好ましくは８０℃以上、より好ましくは９０℃以上である。また、ダイアタッチ温度は、好ましくは１５０℃以下、より好ましくは１３０℃以下である。
【００９７】
半導体チップ付き被着体６１を加圧下で加熱することにより接着フィルム３１を硬化させる。これにより、半導体チップ５を被着体６に固着させる。加圧下で接着フィルム３１を硬化させることにより、接着フィルム３１と被着体６との間に存在するボイドを消滅させることが可能で、接着フィルム３１が被着体６と接触する面積を確保できる。
【００９８】
加圧下で加熱する方法としては、例えば、不活性ガスが充填されたチャンバー内に配置された半導体チップ付き被着体６１を加熱する方法などが挙げられる。加圧雰囲気の圧力は、好ましくは０．５ｋｇ／ｃｍ２（４．９×１０−２ＭＰａ）以上、より好ましくは１ｋｇ／ｃｍ２（９．８×１０−２ＭＰａ）以上、さらに好ましくは５ｋｇ／ｃｍ２（４．９×１０−１ＭＰａ）以上である。０．５ｋｇ／ｃｍ２以上であると、接着フィルム３１と被着体６との間に存在するボイドを容易に消滅させることができる。加圧雰囲気の圧力は、好ましくは２０ｋｇ／ｃｍ２（１．９６ＭＰａ）以下、より好ましくは１８ｋｇ／ｃｍ２（１．７７ＭＰａ）以下、さらに好ましくは１５ｋｇ／ｃｍ２（１．４７ＭＰａ）以下である。２０ｋｇ／ｃｍ２以下であると、過度な加圧による接着フィルム３１のはみ出しを抑制できる。
【００９９】
加熱温度は、好ましくは８０℃以上、より好ましくは１２０℃以上、さらに好ましくは１５０℃以上、特に好ましくは１７０℃以上である。８０℃以上であると、接着フィルム３１を適度な硬さとすることが可能で、加圧キュアによりボイドを効果的に消失させることができる。加熱温度は、好ましくは２６０℃以下、より好ましくは２００℃以下、より好ましくは１８０℃以下である。２６０℃以下であると、接着フィルム３１の分解を防ぐことができる。
【０１００】
加熱時間は、好ましくは０．１時間以上、より好ましくは０．２時間以上である。加熱時間は、好ましくは２４時間以下、より好ましくは３時間以下、さらに好ましくは１時間以下、特に好ましくは３０分以下である。
【０１０１】
図７に示すように、パッド５０１と端子部６０１をボンディングワイヤー７で電気的に接続するワイヤーボンディング工程を行う。ボンディングワイヤー７の材料としては、銅などが挙げられる。
【０１０２】
ワイヤーボンディング工程は、ボンディングワイヤー７の一端とパッド５０１を接合するステップ、ボンディングワイヤー７の他端と端子部６０１を接合するステップなどを含む。
【０１０３】
ボンディングワイヤー７の一端とパッド５０１を接合するステップは、具体的には、ボンディングワイヤー７の一端をパッド５０１に圧着しながらボンディングワイヤー７に超音波を印加することにより、ボンディングワイヤー７とパッド５０１を接合するステップである。
【０１０４】
好ましくは１７５℃以上、より好ましくは２００℃以上で接合する。一方、好ましくは３００℃以以下、より好ましくは２６０℃以以下で接合する。
【０１０５】
ボンディングワイヤー７の他端と端子部６０１を接合するステップは、具体的には、ボンディングワイヤー７の他端を端子部６０１に圧着しながら、ボンディングワイヤー７に超音波を印加することによりボンディングワイヤー７と端子部６０１を接合するステップである。
【０１０６】
ワイヤーボンディング工程を行った後、封止樹脂８により半導体チップ５を封止する封止工程を行う。本工程は、被着体６に搭載された半導体チップ５やボンディングワイヤー７を保護する為に行われる。本工程は、封止用の樹脂を金型で成型することにより行う。封止樹脂８としては、例えばエポキシ系の樹脂を使用する。樹脂封止の際の加熱温度は、好ましくは１６５℃以上、より好ましくは１７０℃以上であり、加熱温度は、好ましくは１８５℃以下、より好ましくは１８０℃以下である。
【０１０７】
必要に応じて、封止後に更に加熱をしてもよい（後硬化工程）。これにより、封止工程で硬化不足の封止樹脂８を完全に硬化できる。加熱温度は適宜設定できる。
【０１０８】
以上のとおり、ダイシングシート付き接着シート１０を準備する工程と、接着シート３に半導体ウエハ４を圧着する工程と、接着シート３上に配置された半導体ウエハ４をダイシングすることにより、パッド５０１を備える半導体チップ５及び半導体チップ５上に配置された接着フィルム３１を備えるダイボンド用チップ４１を形成する工程と、端子部６０１を備える被着体６にダイボンド用チップ４１を圧着することによりチップ付き被着体６１を形成する工程と、チップ付き被着体６１を加熱することにより接着フィルム３１を硬化させる工程と、銅を含むワイヤー７の一端とパッド５０１を接合するステップ及びワイヤー７の他端と端子部６０１を接合するステップを含み、接着フィルム３１を硬化させる工程の後に行う工程とを含む方法により、半導体装置を製造できる。
【実施例】
【０１０９】
以下、本発明に関し実施例を用いて詳細に説明するが、本発明はその要旨を超えない限り、以下の実施例に限定されるものではない。
【０１１０】
実施例で使用した成分について説明する。
アクリルゴム：ナガセケムテックス社製のテイサンレジンＳＧ−７０８−６（カルボキシル基及びヒドロキシル基を含むアクリル酸エステル共重合体、Ｍｗ：７０万、酸価：９ｍｇＫＯＨ／ｇ、ガラス転移温度：４℃）
エポキシ樹脂１：日本化薬社製のＥＰＰＮ−５０１ＨＹ（エポキシ当量１６９ｇ／ｅｑ．のエポキシ樹脂）
エポキシ樹脂２：日本化薬社製のＥＯＣＮ−１０２０（エポキシ当量１９８ｇ／ｅｑ．のエポキシ樹脂）
エポキシ樹脂３：三菱化学社製のｊＥＲ８２８（エポキシ当量１９０ｇ／ｅｑ．のエポキシ樹脂）
フェノール樹脂１：明和化成社製のＭＥＨ−７８５１Ｓ（水酸基当量２０９ｇ／ｅｑ．のフェノール樹脂）
フェノール樹脂２：荒川化学社製のＰ−１８０（水酸基当量１０５ｇ／ｅｑ．のフェノール樹脂）
シリカフィラー：アドマテックス社製のＳＯ−２５Ｒ（ＢＥＴ比表面積６．５ｍ２／ｇ、新モース硬度７の球状シリカ）
触媒：北興化学工業（株）製のＴＰＰ−ＭＫ（テトラフェニルホスホニウムテトラ−ｐ−トリルボレート）
【０１１１】
［接着シート及びダイシングシート付き接着シートの作製］
表１に記載の配合比に従い、表１に記載の各成分及び溶媒（メチルエチルケトン）を、ハイブリッドミキサー(キーエンス製  ＨＭ−５００)の攪拌釜に入れ、攪拌モード、３分で攪拌・混合した。得られたワニスを、離型処理フィルム（三菱樹脂（株）製のＭＲＡ５０）にダイコーターにて塗布した後、乾燥させて、厚み２０μｍの接着シートを得た。接着シートから直径２３０ｍｍの円形状の接着シートを切り出し、円形状の接着シートをダイシングシート（日東電工（株）製のＰ２１３０Ｇ）の粘着剤層に２５℃で貼り付けて、ダイシングシート付き接着シートを作製した。
【０１１２】
［評価］
得られた接着シート、ダイシングシート付き接着シートについて、以下の評価を行った。結果を表１に示す。
【０１１３】
（貯蔵弾性率およびＴｇの測定）
接着シートを６０℃で貼り合せて厚み４００μｍの積層シートを得た。積層シートを１０ｍｍ×３０ｍｍ×４００μｍのサイズに加工することにより加工品を得た。加工品を１７５℃で３０分加熱することにより硬化させた。硬化後に加工品の粘弾性を動的粘弾性系測定装置（ＴＡインスツルメンツ社製のＲＳＡ III）を用いて測定した。測定条件は、温度範囲−１０℃〜２８５℃、昇温速度１０℃／ｍｉｎ、チャック間距離２２．５ｍｍ、１０Ｈｚで行った。得られた貯蔵弾性率データから、２００℃の貯蔵弾性率を読み取った。また得られたｔａｎδのピークの温度をＴｇとした。
【０１１４】
（反応熱量の測定）
接着シートから１０ｍｇの試験片を切り出した。試験片をアルミパンで挟むことにより、測定サンプルを用意した。アルミパンのみからなるリファレンス用サンプルも用意した。示唆走査熱量測定装置（セイコーインスツルメンツ社製のＤＳＣ６２２０）を用いて、昇温速度１０℃／ｍｉｎ、温度範囲２５℃〜３００℃で測定を行った。得られた発熱反応ピークの熱量をサンプルの重量で割ることにより反応熱量を算出した。
【０１１５】
（ピーク消失時間の測定）
接着シートから１０ｍｇの試験片を切り出した。試験片をアルミパンで挟むことにより、測定用サンプルを用意した。アルミパンのみからなるリファレンス用サンプルも用意した。示唆操作熱量測定装置（セイコーインスツルメンツ社製、ＤＳＣ６２２０）を用いて、２５℃から１７５℃まで３分で昇温し、次いで１７５℃を３時間維持する条件でＤＳＣ測定した。１７５℃に達してから反応ピークが消滅するまでの時間を、ＤＳＣ曲線から読み取った。なお、「反応ピークが消滅する」とは、測定用サンプルとリファレンス用サンプルの温度が等しくなるように両者に加えた単位時間当たりの熱エネルギーの入力の差が一定になることをいう。実施例２のＤＳＣ曲線を図８に示す。
【０１１６】
（ワイヤーボンド性）
片面をアルミ蒸着したウェハを研削することにより、厚み１００μｍのダイシング用ウェハを得た。ダイシング用ウェハをダイシングシート付き接着シートに貼りつけ、次いで２ｍｍ角にダイシングすることにより、接着シート付きのチップを得た。接着シート付きのチップをＣｕリードフレーム上に１２０℃、０．１ＭＰａ、１ｓｅｃの条件でダイアタッチした。１７５℃で３０分加熱することで接着シートを硬化させた。ワイヤーボンディング装置（Ｋ＆Ｓ社製のＭａｘｕｍ Ｐｌｕｓ）を用いて、ひとつのチップに線径２０μｍのＣｕワイヤーを５本ボンディングした。出力８０Ａｍｐ、時間１０ｍｓ及び荷重５０ｇの条件でＣｕワイヤーをＣｕリードフレームに打った。２００℃、出力１２５Ａｍｐ、時間１０ｍｓ及び荷重８０ｇの条件でＣｕワイヤーをチップに打った。５本のＣｕワイヤーのうち１本以上をチップに接合できなかった場合を×と判定し、５本のＣｕワイヤーのうち５本をチップに接合できた場合を○と判定した。
【０１１７】
【表１】
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【符号の説明】
【０１１８】
１０      ダイシングシート付き接着シート
１        ダイシングシート
１１      基材
１２      粘着剤層
３        接着シート
４        半導体ウエハ
５        半導体チップ
５０１    パッド
５０２    チップ本体部
４１      ダイボンド用チップ
６        被着体
６０１    端子部
６０２    本体部
６１      半導体チップ付き被着体
７        ボンディングワイヤー
８        封止樹脂
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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