(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
開口を有する凹部が設けられた樹脂成形体と、
一端部側が前記樹脂成形体の内部に埋設され他端部側が前記樹脂成形体の外部に延出された、互いに同一面上に並設された第１リードフレーム及び第２リードフレームを備え、
前記凹部の底面に前記第１及び第２のリードフレームの夫々の一端部側の一部が露出して該露出部の前記第１リードフレームに半導体発光素子が実装されると共に、前記樹脂成形体から延出された、前記第１リードフレーム及び第２リードフレームの夫々の他端部側が折り曲げられて前記半導体発光素子の光軸方向で且つ光照射方向と反対方向に向けて延設された折曲延長部を有するサイドビュー型の半導体発光装置であって、
前記樹脂成形体は、前記半導体発光素子の光軸方向に垂直な面に沿って延設された前面部、当該前面部の上縁から略垂直に立ち上がって後方に向かって延びる上壁部及び当該前面部の両側縁の夫々から略垂直に立ち上がって後方に向かって延びる一対の側壁部を有しており、
前記凹部は、前記半導体発光素子を収容するテーパ状の開口とされ、前記前面部に設けられており、
前記第１リードフレームは、前記前面部、上壁部及び一対の側壁部で囲まれた空間部内に位置するとともに、前記凹部の底面に一部が露出する素子実装部と、当該素子実装部の両側から下方に延びる延長脚部を有しており、当該延長脚部に前記第１リードフレームの前記折曲延長部が設けられており、
前記第２リードフレームは、前記前面部、上壁部及び一対の側壁部で囲まれた空間部内に位置するとともに、前記凹部の底面に一部が露出し前記半導体発光素子とボンディングワイヤを介して接続する一方の端部と、当該一方の端部から下方に延びた位置に設けられた第２リードフレームの前記折曲延長部を有しており、
前記第１リードフレーム及び第２リードフレームは、前記前面部、上壁部及び一対の側壁部で囲まれた空間部内において前記第１リードフレームが前記第２リードフレームの前記一方の端部を前記素子実装部及び前記延長脚部にて略コの字状に覆うと共に前記第２リードフレームを前記延長脚部にて挟んでおり、前記第２リードフレームの一方の端部が前記第１リードフレームの前記素子実装部の下側に位置し、
前記第１リードフレームの前記素子実装部及び前記延長脚部と、前記第２リードフレームの一方の端部は、前記凹部内で露出する部分を除いて前記樹脂成形体内に埋設されており、前記前面部の下側から底面に向かって夫々の他端部側が前記樹脂成形体の外側に延出し、当該延出部分が、前記第１リードフレーム及び前記第２リードフレームの夫々の折曲延長部とされ、
前記第２リードフレームの折曲延長部と、該折曲延長部を挟んだ両側に位置する前記第１リードフレームの折曲延長部が互いに平行に並設されており、
前記第１リードフレームの幅は、前記第２リードフレームの幅よりも広く形成されており、前記第１リードフレームの前記延長脚部の幅は前記第２リードフレームの幅の２倍以上とされ、
前記第１リードフレームの両折曲延長部の夫々には、幅方向において前記樹脂成形体の側壁部側から前記第２リードフレーム側に向かう切欠部が設けられていることを特徴とする半導体発光装置。
【請求項２】
前記第１リードフレームの両折曲延長部の夫々の下面及び前記第２リードフレームの折曲延長部の下面はいずれも同一平面上に位置すると共に前記樹脂成形体の最下面に対して同一平面上、あるいはそれよりも上方に位置することを特徴とする請求項１に記載の半導体発光装置。
【請求項３】
前記樹脂成形体には、レンズに設けられた突起部を嵌合する係合凹部が設けられ、レンズの突起部を前記樹脂成形体の係合凹部に嵌合することにより、前記レンズが前記半導体発光素子が実装された凹部を覆うように前記樹脂成形体に装着されていることを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の半導体発光装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体発光装置に関するものであり、詳しくは、発光源に半導体発光素子を用いた表面実装型で且つサイドビュー型の半導体発光装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、この種の半導体発光装置としては、例えば、特許文献１に図１２に示す構成の発光素子パッケージが開示されている。
【０００３】
開示された発光素子パッケージ１００は、側面１０３及び底面１０４を有する凹部１０２を設けたパッケージ本体１０１と、互いに電気的に分離された第１のリードフレーム１１０及び第２のリードフレーム１２０を備えており、第１のリードフレーム１１０及び第２のリードフレーム１２０はパッケージ本体１０１を貫通すると共に、夫々のリードフレーム１１０、１２０の一端部１１０ａ、１２０ａは凹部１０２の底面１０４に露出し、他端部１１０ｂ、１２０ｂは本体部１０１から突出して突出面１０５に沿って折り曲げられている。
【０００４】
そして、第１のリードフレーム１１０の一端部１１０ａには発光素子１３０、１３１が載設されて夫々の発光素子１３０、１３１の下部電極（図示せず）と第１のリードフレーム１１０とが電気的に接続されると共に、夫々の発光素子１３０、１３１の上部電極（図示せず）と第２のリードフレーム１２０の一端部１２０ａにボンディングワイヤ１４０、１４１が接続されて、発光素子１３０、１３１の上部電極と第２のリードフレーム１２０とがボンディングワイヤ１４０、１４１を介して電気的に接続されている。
【０００５】
また、第２のリードフレーム１２０の一端部１２０ａにはツェナーダイオード素子１３２が載設されてツェナーダイオード素子１３２の下部電極（図示せず）と第２のリードフレーム１２０とが電気的に接続されると共に、ツェナーダイオード素子１３２の上部電極（図示せず）と第１のリードフレーム１１０の一端部１１０ａにボンディングワイヤ１４２が接続されて、ツェナーダイオード素子１３２の上部電極と第１のリードフレーム１１０とがボンディングワイヤ１４２を介して電気的に接続されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２０１３−２１９３５７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
ところで、上記特許文献１の発光素子パッケージ１００においてはその製造方法は、第１のリードフレーム１１０と第２のリードフレーム１２０を一対とする複数対をタイバー（接続部）によって一体化してなる多連のリードフレームを形成し、その多連のリードフレームのインサート成形によって複数個のパッケージを一括形成して夫々のパッケージに発光素子１３０、１３１及びツェナーダイオード素子１３２を実装した後にタイバーを切断して個々の発光素子パッケージ１００に個片化するのが一般的である。
【０００８】
また、上記方法によって製造された発光素子パッケージ１００を実装基板２００に実装するにあたっては、パッケージ本体１０１から突出した、第１のリードフレーム１１０及び第２のリードフレーム１２０の夫々の他端部１１０ｂ、１２０ｂが、実装基板２００に設けられた電極パッド２０１、２０２にはんだ接合される（図１３（基板実装図）参照）。
【０００９】
その場合、第１のリードフレーム１１０及び第２のリードフレーム１２０の夫々の他端部１１０ｂ、１２０ｂの先端面１１０ｃ、１２０ｃは製造工程における個片化の際のタイバー切断面となっており、はんだの濡れ性を確保するためのメッキ処理が施されていない。
【００１０】
そのため、実装基板２００の電極パッド２０１、２０２に対する第１のリードフレーム１１０及び第２のリードフレーム１２０の夫々の他端部１１０ｂ、１２０ｂのはんだ接合時の延長方向のアライメントは、第１のリードフレーム１１０及び第２のリードフレーム１２０の夫々の他端部１１０ｂ、１２０ｂの折曲部１１０ｄ、１２０ｄにおけるはんだフィレット１５０、１５１のみで行われ、先端面１１０ｃ、１２０ｃでは、はんだフィレットは形成されない。そのため、該他端部１１０ｂ、１２０ｂの夫々のはんだ接合部におけるはんだ２０３、２０４の量あるいは濡れ状態の違いによって他端部１１０ｂ、１２０ｂのアライメントにズレが生じ、実装基板２００に対する発光素子パッケージ１００の位置精度の低下の不具合要因となる。
【００１１】
そこで、本発明は上記問題に鑑みて創案なされたもので、その目的とするところは、実装基板に対して自動はんだ付けによって実装する際に実装基板の面方向に対して高い位置精度で実装することができ、且つ半導体発光素子の発光時の発熱に対して高い放熱性を有する半導体発光装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
上記課題を解決するために、本発明の請求項１に記載された発明は、開口を有する凹部が設けられた樹脂成形体と、一端部側が前記樹脂成形体の内部に埋設され他端部側が前記樹脂成形体の外部に延出された、互いに同一面上に並設された第１リードフレーム及び第２リードフレームを備え、前記凹部の底面に前記第１及び第２のリードフレームの夫々の一端部側の一部が露出して該露出部の前記第１リードフレームに半導体発光素子が実装されると共に、前記樹脂成形体から延出された、前記第１リードフレーム及び第２リードフレームの夫々の他端部側が折り曲げられて前記半導体発光素子の光軸方向で且つ光照射方向と反対方向に向けて延設された折曲延長部を有するサイドビュー型の半導体発光装置であって、前記樹脂成形体は、前記半導体発光素子の光軸方向に垂直な面に沿って延設された前面部、当該前面部の上縁から略垂直に立ち上がって後方に向かって延びる上壁部及び当該前面部の両側縁の夫々から略垂直に立ち上がって後方に向かって延びる一対の側壁部を有しており、前記凹部は、前記半導体発光素子を収容するテーパ状の開口とされ、前記前面部に設けられており、前記第１リードフレームは、前記前面部、上壁部及び一対の側壁部で囲まれた空間部内に位置するとともに、前記凹部の底面に一部が露出する素子実装部と、当該素子実装部の両側から下方に延びる延長脚部を有しており、当該延長脚部に前記第１リードフレームの前記折曲延長部が設けられており、前記第２リードフレームは、前記前面部、上壁部及び一対の側壁部で囲まれた空間部内に位置するとともに、前記凹部の底面に一部が露出し前記半導体発光素子とボンディングワイヤを介して接続する一方の端部と、当該一方の端部から下方に延びた位置に設けられた第２リードフレームの前記折曲延長部を有しており、前記第１リードフレーム及び第２リードフレームは、前記前面部、上壁部及び一対の側壁部で囲まれた空間部内において前記第１リードフレームが前記第２リードフレームの前記一方の端部を前記素子実装部及び前記延長脚部にて略コの字状に覆うと共に前記第２リードフレームを前記延長脚部にて挟んでおり、前記第２リードフレームの一方の端部が前記第１リードフレームの前記素子実装部の下側に位置し、前記第１リードフレームの前記素子実装部及び前記延長脚部と、前記第２リードフレームの一方の端部は、前記凹部内で露出する部分を除いて前記樹脂成形体内に埋設されており、前記前面部の下側から底面に向かって夫々の他端部側が前記樹脂成形体の外側に延出し、当該延出部分が、前記第１リードフレーム及び前記第２リードフレームの夫々の折曲延長部とされ、  前記第２リードフレームの折曲延長部と、該折曲延長部を挟んだ両側に位置する前記第１リードフレームの折曲延長部が互いに平行に並設されており、前記第１リードフレームの幅は、前記第２リードフレームの幅よりも広く形成されており、前記第１リードフレームの前記延長脚部の幅は前記第２リードフレームの幅の２倍以上とされ、前記第１リードフレームの両折曲延長部の夫々には、幅方向において前記樹脂成形体の側壁部側から前記第２リードフレーム側に向かう切欠部が設けられていることを特徴とするものである。
【００１３】
また、本発明の請求項２に記載された発明は、請求項１において、前記第１リードフレームの両折曲延長部の夫々の下面及び前記第２リードフレームの折曲延長部の下面はいずれも同一平面上に位置すると共に前記樹脂成形体の最下面に対して同一平面上、あるいはそれよりも上方に位置することを特徴とするものである。
【００１４】
また、本発明の請求項３に記載された発明は、請求項１又は請求項２において、前記樹脂成形体には、レンズに設けられた突起部を嵌合する係合凹部が設けられ、レンズの突起部を前記樹脂成形体の係合凹部に嵌合することにより、前記レンズが前記半導体発光素子が実装された凹部を覆うように前記樹脂成形体に装着されていることを特徴とするものである。
【発明の効果】
【００１５】
本発明の半導体発光装置は、一方のリードフレームが他方のリードフレームを挟んで左右対称の形状を有すると共に互いに同一面上に並設されてなる一対のリードフレームを有し、一対のリードフレームの夫々の一端部側が凹部を有する樹脂成形体の内部に埋設されて凹部底面に露出した露出部の一方に半導体発光素子が実装され、他端部側が樹脂成形体から延出して折り曲げられて半導体発光素子の光軸方向で且つ光照射方向と反対方向に向けて延設された折曲延長部を有している。そして、他方のリードフレームの折曲延長部、及び／又は、一方のリードフレームの両折曲延長部の夫々に、幅方向の一端部から幅方向に向かう切欠部が設けられている。
【００１６】
そのため、上記半導体発光装置を自動はんだ付けによって実装基板に実装する際に、実装基板に設けられた電極パッドと切欠部が設けられた折曲延長部とを接合する溶融はんだの表面張力によるセルフアライメントによって自動的に所定の位置に移動して実装基板の面方向に対して高い位置精度で半導体発光装置を実装することができる。
【００１７】
また、半導体発光素子は発光と同時に発熱を生じる。その場合、半導体発光素子は、一方のリードフレームが他方のリードフレームを挟んで左右対称の形状を有する一対のリードフレームのいずれかに実装されている。そのため、半導体発光素子が実装されたリードフレームにおいては、半導体発光素子から発せられた熱による温度分布は均一化され、温度分布の偏りが抑制される。
【００１８】
その結果、半導体発光素子から発せられた熱は、温度分布が均一化されて熱抵抗が低減されたリードフレームを介して効率的に外部に逃がされる。これにより、半導体発光素子の発光時の自己発熱を効率良く放熱して半導体発光素子自体の温度上昇を抑制することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１９】
【図１】実施形態の半導体発光装置に係る分解斜視図である。
【図２】実施形態の半導体発光装置に係る正面図である。
【図３】レンズを取り外した状態の正面図である。
【図４】図２のＡ−Ａ断面図である。
【図５】図２のＢ−Ｂ断面図である。
【図６】リードフレームの配置説明図である。
【図７】半導体発光装置の基板実装状態を示す正面図である。
【図８】図７のＣ部拡大図である。
【図９】半導体発光装置の基板実装状態を示す断面図である。
【図１０】図９のＤ部拡大図である。
【図１１】他のリードフレームの配置説明図である。
【図１２】従来例の説明図である。
【図１３】同じく、従来例の説明図である。
【発明を実施するための形態】
【００２０】
以下、この発明の好適な実施形態を図１〜図１１を参照しながら、詳細に説明する（同一部分については同じ符号を付す）。尚、以下に述べる実施形態は、本発明の好適な具体例であるから、技術的に好ましい種々の限定が付されているが、本発明の範囲は、以下の説明において特に本発明を限定する旨の記載がない限り、これらの実施形態に限られるものではない。
【００２１】
図１は、実施形態の半導体発光装置に係わる分解斜視図、図２は正面図、図３はレンズを取り外した状態の正面図、図４は図２のＡ−Ａ断面図、図５は図２のＢ−Ｂ断面図である。
【００２２】
実施形態の半導体発光装置１は、本体２と本体２に装着するレンズ３によって構成されている。
【００２３】
本体２は、樹脂材料からなる樹脂成形体５と、金属板部材からなる第１のリードフレーム３０及び第２のリードフレーム３１と、発光源となる半導体発光素子７を備えており、一対のリードフレーム３０、３１を樹脂材料でインサート成形することにより、半導体発光装置１のパッケージ６が形成されている。
【００２４】
パッケージ６を構成する樹脂成形体５は、後述する半導体発光素子７の光軸Ｘの方向に垂直な面に沿って延設された前面部１０、前面部１０の上縁から略垂直に立ち上がって後方（半導体発光素子７の光照射方向と反対方向）に向かって延びる上壁部２０及び前面部１０の両側縁の夫々から略垂直に立ち上がって後方に向かって延びる側壁部２１、２２を有している。
【００２５】
前面部１０を挟んで互いに対向する側壁部２１、２２は、前面部１０の下面１３よりも下方まで延長されている。つまり、樹脂成形体５は、半導体発光素子７の光照射方向の前方から見ると前面部１０の下面１３と両側壁部２１、２２の夫々の内側面２１ａ、２２ａで囲まれた空間部２５を有している。
【００２６】
前面部１０は、前面側の中央部に半導体発光素子７及びボンディングワイヤ８を収容するテーパ状の収容凹部１１が設けられ、前面側の、前記収容凹部１１を挟んだ両側に、後述するレンズ３に設けられた突起部４２を嵌合する段差状の係合凹部１２が設けられている。
【００２７】
一対のリードフレーム３０、３１は、互いに同一面上に並設されると共に、樹脂成形体５の前面部１０内を上壁部２０側から下方に向かって埋設されて該前面部１０の下面１３から外部に延出され、延出部の下方において略直角に折り曲げられて前面部１０の下面１３に沿って後方に向かって延設されている。
【００２８】
リードフレーム３０、３１の夫々の、樹脂成形体５の前面部１０内に埋設された部分（インナーリード）３０ａ、３１ａの夫々の一部は、該前面部１０に形成された収容凹部１１の底面に露出しており、前面部１０外に延出された部分（アウターリード）３０ｂ、３１ｂの夫々の一部は、折り曲げられて前面部１０の下面１３に沿って後方に向かって延設された折曲延長部３０ｃ、３１ｃを有している。
【００２９】
リードフレーム３０、３１の折曲延長部３０ｃ、３１ｃの夫々の下面３０ｄ、３１ｄは、樹脂成形体５の両側壁部２１、２２の夫々の下端面２１ｂ、２２ｂに対して同一平面上、あるいはそれよりも上方に位置している。
【００３０】
なお、樹脂成形体５の両側壁部２１、２２の夫々の下端面２１ｂ、２２ｂ同士は同一平面上にあることが好ましい。また、リードフレーム３０、３１の折曲延長部３０ｃ、３１ｃの夫々の下面３０ｄ、３１ｄ同士も同一平面上にあることが好ましい。さらに、樹脂成形体５の両側壁部２１、２２の夫々の下端面２１ｂ、２２ｂ同士が位置する同一平面と、リードフレーム３０、３１の折曲延長部３０ｃ、３１ｃの夫々の下面３０ｄ、３１ｄ同士が位置する同一平面は、互いに平行な平面であることが好ましい。
【００３１】
これにより、半導体発光装置１を実装基板に実装する際に、半導体発光装置１の一対のリードフレーム３０、３１のアウターリード３０ｂ、３１ｂの夫々の折曲延長部３０ｃ、３１ｃと実装基板に設けられた電極パッドとの平行度が確実に確保されて互いのはんだ接合における高い接合（実装）信頼性を得ることができる。
【００３２】
樹脂成形体５の前面部１０に設けられた収容凹部１１内には、該収容凹部１１の底面に露出したインナーリード３０ａ、３１ａの一方３０ａに、発光源となる半導体発光素子７が導電性接合部材(図示せず)を介して実装され、半導体発光素子７の下部電極とリードフレーム３０とが電気的に接続されている。
【００３３】
また、一端部が半導体発光素子７の上部電極に接合されたボンディングワイヤ８の他端部がインナーリード３０ａ、３１ａの他方３１ａに接合されて、半導体発光素子７の上部電極とリードフレーム３１がボンディングワイヤ８を介して電気的に接続されている。
【００３４】
なお、場合によっては、収容凹部１１内に透光性樹脂が充填されて、半導体発光素子７及びボンディングワイヤ８が樹脂封止される。これにより、透光性樹脂は半導体発光素子７を水分、塵埃及びガス等の外部環境から保護し、且つボンディングワイヤ８を振動及び衝撃等の機械的応力から保護する。また、透光性樹脂は半導体発光素子７の光出射面とで界面を形成し、半導体発光素子７の発光光を半導体発光素子７の光出射面から透光性樹脂内に効率良く出射させる機能も有する。
【００３５】
ところで、互いに同一面上に並設された一対のリードフレーム３０、３１は図６（リードフレームの配置説明図）にあるように、ボンディングワイヤ８が接合される第２のリードフレーム３１を囲むように半導体発光素子７が実装される第１のリードフレーム３０が配置されている。第１のリードフレーム３０は、半導体発光素子７が実装される幅広で面積が大きい素子実装部３０ｇと素子実装部３０ｇの両側から延びる延長脚部３０ｅを有している。夫々の延長脚部３０ｅは、第２のリードフレーム３１の両側に第２のリードフレーム３１に沿って平行に延びており、第２のリードフレーム３１よりも幅広に形成されている。
【００３６】
また、第１のリードフレーム３０は第２のリードフレーム３１を挟んで左右対称の形状を呈している。換言すると、第１のリードフレーム３０は該第１のリードフレーム３０の両延長脚部３０ｅの延長方向に沿う中心軸Ｙに対して左右対称の形状を呈している。同時に、第１のリードフレーム３０の両延長脚部３０ｅは、第２のリードフレーム３１を挟んだ両側に該第２のリードフレーム３１に沿って平行に並設されている。
【００３７】
第１のリードフレーム３０の素子実装部３０ｇは、樹脂成形体５の前面部１０内に埋設されて前面部１０の面方向の多くの部分を占め（図３参照）、延長脚部３０ｅの夫々は、一部が樹脂成形体５の前面部１０内に埋設されると共にそれ以外の部分が樹脂成形体５から延出されて延出部分に、直角に折り曲げられた折曲延長部３０ｃを有している。そして、両折曲延長部３０ｃの夫々には、幅方向の一端部から幅方向に向かって所定の幅及び所定の長さの切欠部３０ｆが設けられている。なお、第２のリードフレーム３１の、樹脂成形体５から延出された延出部分にも、直角に折り曲げられた折曲延長部３１ｃを有している。
【００３８】
なお、第２のリードフレーム３１は、例えば０．３ｍｍの幅を有し、第１のリードフレーム３０と第２のリードフレーム３１の間の隙間は、第２のリードフレーム３１の幅と同じ０．３ｍｍを有している。これは、金属板からリードフレームの金型抜きを行う場合、前記隙間は第２のリードフレーム３１の幅以上が必要なためである。一方、第１のリードフレーム３０の延長脚部３０ｅの幅は、空間部２５の幅から第２のリードフレーム３１の幅と前記隙間と側壁部２１、２２の夫々の内側面２１ａ、２２ａとの隙間を差し引いた幅分だけ広げることが可能であるが、少なくとも第２のリードフレーム３１の幅の２倍以上になるように設定することが好ましい。
【００３９】
また、第１のリードフレーム３０の両折曲延長部３０ｃの夫々に設けられた切欠部３０ｆは、幅が第２のリードフレーム３１の幅よりも大きい０．５ｍｍであることが好ましい。但し、切欠部３０ｆの両端部の夫々に第３のはんだフィレット６０ｃが形成される幅であればよい。
【００４０】
一方、レンズ３は、平板状の基台部４０の一方の面の中央部に、長手方向に垂直な断面形状が円弧状のシリンドリカルレンズ部４１が形成され、他方の面の両端部に階段状の突起部４２が設けられている。
【００４１】
そして、樹脂成形体５の前面部１０に設けられた係合凹部１２にレンズ３に設けられた突起部４２を嵌合して固定することにより、本体２にレンズ３が装着されてなる半導体発光装置１が形成されている。なお、レンズ３は、シリンドリカルレンズ部４１の中心軸Ｚが半導体発光素子７の光軸Ｘ上に位置するように装着されている（図４参照）。
【００４２】
図７〜図１０は、上記構成の半導体発光装置１を実装基板５０上に実装したときの状態を示すものであり、そのうち図７は半導体発光装置１を光照射方向から見た図、図８は図７のＣ部詳細図である。また、図９は半導体発光装置１を実装基板５０上に実装したときの状態を示すもので図２のＢ−Ｂ断面の位置における断面図、図１０は図９のＤ部詳細図である。
【００４３】
実装基板５０は、予め導体による配線パターンが形成されていると共に、半導体発光装置１を実装する位置に、該半導体発光装置１の第１のリードフレーム３０及び第２のリードフレーム３１の夫々の、樹脂成形体５の下面１３から延出されて折り曲げられた両折曲延長部３０ｃ及び一つの折曲延長部３１ｃに対応する位置に両折曲延長部３０ｃ及び一つの折曲延長部３１ｃに対応する形状寸法の、一対の電極パッド５１ａと一つの電極パッド５１ｂが設けられている。
【００４４】
この場合、一対の電極パッド５１ａの夫々には、両折曲延長部３０ｃの夫々に設けられた切欠部３０ｆに対応する切欠部５１ｃが設けられており、一対の電極パッド５１ａの夫々は両折曲延長部３０ｃの夫々の外周を所定の大きさだけ拡大したような形状寸法を有している。なお、電極パッド５１ｂも同様に、折曲延長部３１ｃの外周を所定の大きさだけ拡大したような形状寸法を有している。
【００４５】
そして、実装基板５０の一対の電極パッド５１ａの夫々と半導体発光装置１の第１のリードフレーム３０の両折曲延長部３０ｃの夫々がはんだ接合されて、互いの機械的及び電気的な接続が図られ、同様に、実装基板５０の電極パッド５１ｂと半導体発光装置１の第２のリードフレーム３１の折曲延長部３１ｃがはんだ接合されて、互いの機械的及び電気的な接続が図られている。
【００４６】
この場合、実装基板５０の一対の電極パッド５１ａの夫々と半導体発光装置１の第１のリードフレーム３０の両折曲延長部３０ｃの夫々のはんだ接合において、折曲延長部３０ｃの幅方向に対しては両端部に一対の第１のはんだフィレット６０ａが形成され（図８参照）、長手方向に対しては折曲部３０ｈに第２のはんだフィレット６０ｂが形成されると共に切欠部３０ｆの両端部の夫々に第３のはんだフィレット６０ｃが形成される（図１０参照）。
【００４７】
つまり、第１のリードフレーム３０の、互いに平行に並設された両折曲延長部３０ｃの夫々が一対の電極パッド５１ａの夫々に対して、延長方向及び延長方向に垂直な幅方向のいずれの方向、つまり実装基板５０の面方向の互いに垂直な方向の夫々に対して２箇所以上のはんだフィレットによって接合固定される。
【００４８】
そのため、実装基板５０にリフローはんだ付けやディップはんだ付け等の自動はんだ付けによって半導体発光装置１を実装する際に、溶融はんだの表面張力によるセルフアライメントによって、一対の電極パッド５１ａに対して互いに平行に並設された両折曲延長部３０ｃの夫々が自動的に所定の位置に移動して固定される。その結果、実装基板５０に対する自動実装によるはんだ接合よって、実装基板５０の面方向に対して高い位置精度で半導体発光装置を実装することができる。
【００４９】
また、半導体発光素子７は発光と同時に発熱を生じる。この場合、半導体発光素子７は、第２のリードフレーム３１を挟んで左右対称の形状を有する第１のリードフレーム３０の素子実装部３０ｇの中央部に実装されている。そのため、第１のリードフレーム３０においては半導体発光素子７から発せられた熱による温度分布は均一化され、温度分布の偏りが抑制される。
【００５０】
その結果、半導体発光素子７から発せられた熱は、温度分布が均一化されて熱抵抗が低減された第１のリードフレーム３０を介して効率的に外部に逃がされる。
【００５１】
これにより、半導体発光素子７の発光時の自己発熱が効率良く放熱されて半導体発光素子７自体の温度上昇が抑制され、温度上昇に起因する半導体発光素子７の発光効率の低減による発光光量の減少が抑えられると共に、同様に半導体発光装置７の温度上昇に起因する半導体発光素子７の素子劣化による発光寿命の短縮を抑制することができ、その結果、高い信頼性及び適切な照射光量を確保することができる。
【００５２】
なお、一対のリードフレーム３０、３１は、上記構成に限られるものではなく、ボンディングワイヤ８が接合された第２のリードフレーム３１を囲むように半導体発光素子７が実装された第１のリードフレーム３０が配置されてなる上記構成に対し、例えば図１１（リードフレームの配置説明図）にあるように、第２のリードフレーム３１に半導体発光素子７を実装し、第１のリードフレーム３０にボンディングワイヤ８を接合すると共に、第２のリードクレーム３１を広幅化して第１のリードフレーム３０全体を狭幅化する。同時に、第２のリードフレームに切欠部３１ｆを設ける。
【００５３】
これにより、半導体発光装置の基板実装時に、実装基板に設けられた電極パッドと第２のリードフレーム３１に対して対称位置に設けられた第１のリードフレーム３０の両折曲延長部３０ｃとのはんだ接合と、同じく、電極パッドと第２のリードフレーム３１の、切欠部３１ｆが設けられた折曲延長部３１ｃとのはんだ接合によって、実装基板の面に対して高い位置精度で半導体発光装置を実装することができる。
【００５４】
また、半導体発光素子７の発光時の発熱は、幅広で熱抵抗が低い第２のリードフレーム３１から外部に逃がされる。そのため、半導体発光素子７の発光時の自己発熱による温度上昇が抑制されて温度上昇に起因する発光寿命の短縮及び発光効率の低下が抑制され、高い信頼性及び適切な照射光量を確保することができる。
【００５５】
なお、レンズ３のレンズ部は、上記シリンドリカルレンズに限られるものではなく、球面あるいは非球面等の、半導体発光装置１に求められる配光特性が得られるようなレンズ形状に設定される。
【符号の説明】
【００５６】
１…  半導体発光装置
２…  本体
３…  レンズ
５…  樹脂成形体
６…  パッケージ
７…  半導体発光素子
８…  ボンディングワイヤ
１０…  前面部
１１…  収容凹部
１２…  係合凹部
１３…  下面
２０…  上壁部
２１…  側壁部
２１ａ…  内側面
２１ｂ…  下端面
２２…  側壁部
２２ａ…  内側面
２２ｂ…  下端面
２５…  空間部
３０…  第１のリードフレーム
３０ａ…  インナーリード
３０ｂ…  アウターリード
３０ｃ…  折曲延長部
３０ｄ…  下面
３０ｅ…  延長脚部
３０ｆ…  切欠部
３０ｇ…  素子実装部
３０ｈ…  折曲部
３１…  第２のリードフレーム
３１ａ…  インナーリード
３１ｂ…  アウターリード
３１ｃ…  折曲延長部
３１ｄ…  下面
３１ｆ…  切欠部
４０…  基台部
４１…  シリンドリカルレンズ部
４２…  突起部
５０…  実装基板
５１ａ…  電極パッド
５１ｂ…  電極パッド
５１ｃ…  切欠部
６０ａ…  第１のはんだフィレット
６０ｂ…  第２のはんだフィレット
６０ｃ…  第３のはんだフィレット
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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