(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
フェライトセラミックを含む複数の絶縁体層が積層方向に積層されて構成されている積層体と、
Ａｇを含み、かつ、前記絶縁体層上に設けられている複数のコイル導体層と前記絶縁体層を前記積層方向に貫通する少なくとも１以上のビアホール導体とが接続されることにより構成されているコイルであって、周回しながら該積層方向に進行する螺旋状をなすコイルと、
を備えており、
前記積層方向から平面視したときに前記複数のコイル導体層が重なって形成される環状の軌道の外周側の外縁と前記積層体の外縁とに挟まれているサイドギャップにおける第１のポア面積率は、９．０％以上２０．０％以下であり、
２つの前記コイル導体層により前記積層方向から挟まれている部分における第２のポア面積率は、８．０％以下であること、
を特徴とする電子部品。
【請求項２】
前記第１のポア面積率と前記第２のポア面積率との差は、４．０％以上であること、
を特徴とする請求項１に記載の電子部品。
【請求項３】
前記絶縁体層は、ＮｉＣｕＺｎ系フェライトセラミックを含んでいること、
を特徴とする請求項１又は請求項２のいずれかに記載の電子部品。
【請求項４】
前記コイル導体層は、金属酸化物を含んでいること、
を特徴とする請求項１ないし請求項３のいずれかに記載の電子部品。
【請求項５】
前記金属酸化物は、酸化アルミニウム、酸化亜鉛、酸化錫、酸化ニッケル、酸化銅、酸化鉄又は酸化カルシウムの内の少なくともいずれか１つを含んでいること、
を特徴とする請求項４に記載の電子部品。
【請求項６】
前記積層体に形成されているポアは、樹脂が充填されていること、
を特徴とする請求項１ないし請求項５のいずれかに記載の電子部品。
【請求項７】
前記積層体の前記積層方向の一方側の面に設けられている第１の外部電極と、
前記積層体の前記積層方向の他方側の面に設けられている第２の外部電極と、
を更に備えていること、
を特徴とする請求項１ないし請求項６のいずれかに記載の電子部品。
【請求項８】
前記積層体の前記積層方向に直交する直交方向の一方側の面に設けられている第１の外部電極と、
前記積層体の前記直交方向の他方側の面に設けられている第２の外部電極と、
を更に備えていること、
を特徴とする請求項１ないし請求項６のいずれかに記載の電子部品。
【請求項９】
請求項１ないし請求項８のいずれかに記載の電子部品の製造方法であって、
複数のマザー絶縁体層に前記複数のコイル導体層及び前記少なくとも１以上のビアホール導体を形成する導体形成工程と、
前記コイル導体層及び前記ビアホール導体が形成された前記複数のマザー絶縁体層を１枚ずつ積層及び圧着してマザー積層体を得る積層工程と、
前記マザー積層体を複数の前記積層体に分割する分割工程と、
前記積層体を焼成する焼成工程と、
焼成された前記積層体内に酸性溶液を浸透させる浸透工程と、
を備えており、
前記積層工程後において前記マザー積層体に対して圧着を行わないこと、
を特徴とする電子部品の製造方法。
【請求項１０】
請求項１ないし請求項８のいずれかに記載の電子部品の製造方法であって、
複数のマザー絶縁体層に前記複数のコイル導体層及び前記少なくとも１以上のビアホール導体を形成する導体形成工程と、
前記コイル導体層及び前記ビアホール導体が形成された前記複数のマザー絶縁体層を１枚ずつ積層及び圧着してマザー積層体を得る積層工程と、
４００ｋｇｆ／ｃｍ２以下の圧力で前記マザー積層体を圧着する圧着工程と、
前記マザー積層体を複数の前記積層体に分割する分割工程と、
前記積層体を焼成する焼成工程と、
焼成された前記積層体内に酸性溶液を浸透させる浸透工程と、
を備えていること、
を特徴とする電子部品の製造方法。
【請求項１１】
前記電子部品は、外部電極を更に備えており、
前記浸透工程では、前記外部電極を形成するための酸性のめっき液を浸透させること、
を特徴とする請求項９又は請求項１０のいずれかに記載の電子部品の製造方法。
【請求項１２】
前記浸透工程では、前記積層方向から平面視したときに前記複数のコイル導体層が重なって形成される環状の軌道の外周側の外縁と前記積層体の外縁とに挟まれているサイドギャップを介して前記複数のコイル導体層と該複数のコイル導体層の周囲の前記絶縁体層との界面まで前記酸性溶液を浸透させること、
を特徴とする請求項９ないし請求項１１のいずれかに記載の電子部品の製造方法。
【請求項１３】
前記浸透工程では、前記複数のコイル導体層と該複数のコイル導体層の周囲の前記絶縁体層との界面の結合を前記酸性溶液により切断すること、
を特徴とする請求項１２に記載の電子部品の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電子部品及びその製造方法に関し、より特定的には、コイルを備えた電子部品及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来の電子部品に関する発明として、特許文献１に記載の積層コイル部品が知られている。該積層コイル部品は、セラミック積層体と螺旋状コイルと外部電極とを備えている。セラミック積層体は、磁性体セラミック層が積層されることにより形成されている。螺旋状コイルは、内部導体を層間接続させることにより形成されている。外部電極は、セラミック積層体の表面に形成されている。また、セラミック積層体のサイドギャップ部のポア面積率が６％〜２０％の範囲にある。これにより、外部電極をめっきにより形成する際に、酸性のめっき液が、サイドギャップ部を介して内部導体とその周囲の磁性体セラミックとの界面に到達するようになる。その結果、内部導体とその周囲の磁性体セラミックとの界面の結合が切断される。
【０００３】
以上のような電子部品では、内部導体とその周囲の磁性体セラミックとの界面の結合が切断されているので、内部導体と磁性体セラミック層との間に焼成収縮挙動や熱膨張係数の違いから発生する内部応力が緩和される。
【０００４】
しかしながら、特許文献１に記載の積層コイル部品では、セラミック積層体のサイドギャップ部以外の部分（例えば、積層方向から２つの内部電極に挟まれた部分）のポア面積率も高くなると推測される。そのため、セラミック積層体全体のポア面積率が高くなり、セラミック積層体の強度が低くなってしまう。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】国際公開第２００９／０３４８２４号
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
そこで、本発明の目的は、内部応力を緩和しつつ、積層体の強度を向上させることができる電子部品及びその製造方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の一形態に係る電子部品は、フェライトセラミックを含む複数の絶縁体層が積層方向に積層されて構成されている積層体と、Ａｇを含み、かつ、前記絶縁体層上に設けられている複数のコイル導体層と前記絶縁体層を前記積層方向に貫通する少なくとも１以上のビアホール導体とが接続されることにより構成されているコイルであって、周回しながら該積層方向に進行する螺旋状をなすコイルと、を備えており、前記積層方向から平面視したときに前記複数のコイル導体層が重なって形成される環状の軌道の外周側の外縁と前記積層体の外縁とに挟まれているサイドギャップにおける第１のポア面積率は、９．０％以上２０．０％以下であり、２つの前記コイル導体層により前記積層方向から挟まれている部分における第２のポア面積率は、８．０％以下であること、を特徴とする。
【０００８】
本発明の第１の形態に係る電子部品の製造方法は、上記一形態に係る電子部品の製造方法であって、複数のマザー絶縁体層に前記複数のコイル導体層及び前記少なくとも１以上のビアホール導体を形成する導体形成工程と、前記コイル導体層及び前記ビアホール導体が形成された前記複数のマザー絶縁体層を１枚ずつ積層及び圧着してマザー積層体を得る積層工程と、前記マザー積層体を複数の前記積層体に分割する分割工程と、前記積層体を焼成する焼成工程と、焼成された前記積層体内に酸性溶液を浸透させる浸透工程と、を備えており、前記積層工程後において前記マザー積層体に対して圧着を行わないこと、を特徴とする。
【０００９】
本発明の第２の形態に係る電子部品の製造方法は、上記一形態に係る電子部品の製造方法であって、複数のマザー絶縁体層に前記複数のコイル導体層及び前記少なくとも１以上のビアホール導体を形成する導体形成工程と、前記コイル導体層及び前記ビアホール導体が形成された前記複数のマザー絶縁体層を１枚ずつ積層及び圧着してマザー積層体を得る積層工程と、４００ｋｇｆ／ｃｍ２以下の圧力で前記マザー積層体を圧着する圧着工程と、前記マザー積層体を複数の前記積層体に分割する分割工程と、前記積層体を焼成する焼成工程と、焼成された前記積層体内に酸性溶液を浸透させる浸透工程と、を備えていること、を特徴とする。
【発明の効果】
【００１０】
本発明によれば、内部応力を緩和しつつ、積層体の強度を向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】電子部品１０の外観斜視図である。
【図２】電子部品１０の積層体１２の分解斜視図である。
【図３Ａ】図１のＡ−Ａにおける断面構造図である。
【図３Ｂ】図３ＡのＢ−Ｂにおける断面構造図である。
【図４Ａ】絶縁体層１６ｋ，１６ｊの積層時の断面構造図である。
【図４Ｂ】絶縁体層１６ｋ，１６ｊの積層時の断面構造図である。
【図４Ｃ】収束イオンビーム加工の説明図である。
【図５】実験結果を示したグラフである。
【図６】第３の変形例に係る電子部品１０ｃの外観斜視図である。
【図７】電子部品１０ｃの積層体１１２の分解斜視図である。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
（電子部品の構造）
以下に、本発明の一実施形態に係る電子部品について図面を参照しながら説明する。図１は、電子部品１０の外観斜視図である。図２は、電子部品１０の積層体１２の分解斜視図である。以下では、電子部品１０の積層方向を左右方向と定義し、電子部品１０を左側から平面視したときに、２つの辺が延在する方向をそれぞれ前後方向及び上下方向と定義する。上下方向、前後方向及び左右方向は互いに直交している。
【００１３】
電子部品１０は、図１及び図２に示すように、積層体１２、コイルＬ及び外部電極１４ａ，１４ｂを備えている。積層体１２は、直方体状をなしており、図２に示すように、絶縁体層１６ａ〜１６ｏが左側から右側へとこの順に並ぶように積層されることにより構成されている。
【００１４】
絶縁体層１６ａ〜１６ｏは、左側から平面視したときに正方形状をなしている。ただし、絶縁体層１６ａ〜１６ｏは、左側から平面視したときに長方形状をなしていてもよい。絶縁体層１６ａ〜１６ｏは、フェライトセラミックを含んでおり、本実施形態では、ＮｉＣｕＺｎ系フェライトセラミックを含んでいる。ただし、絶縁体層１６ａ〜１６ｏの材料はこれに限らない。以下では、絶縁体層１６ａ〜１６ｏの左側の主面を表面と呼び、絶縁体層１６ａ〜１６ｏの右側の主面を裏面と呼ぶ。
【００１５】
外部電極１４ａは、積層体１２の左面の全体を覆うと共に、積層体１２の上面、下面、前面及び後面の一部を覆っている。外部電極１４ｂは、積層体１２の右面の全体を覆うと共に、積層体１２の上面、下面、前面及び後面の一部を覆っている。外部電極１４ａ，１４ｂは、例えば、Ａｇを主成分とする導電性ペーストにより下地電極を作製した後に、下地電極上にＮｉめっき及びＳｎめっきをこの順に施すことにより作製される。ただし、外部電極１４ａ，１４ｂの形状及び材料はこれに限らない。
【００１６】
コイルＬは、図２に示すように、コイル導体層１８ａ〜１８ｈ及びビアホール導体ｖ１〜ｖ９を含んでいる。コイル導体層１８ａ〜１８ｈはそれぞれ、絶縁体層１６ｄ〜１６ｋの表面上に設けられている。コイル導体層１８ａ〜１８ｈは、枠状の正方形状の１辺が切り欠かれた形状をなしており、角張ったＵ字型をなしている。すなわち、コイル導体層１８ａ〜１８ｈは、３／４ターンの長さを有している。また、コイル導体層１８ａ〜１８ｈは、左側から平面視したときに、互いに重なり合って枠状の正方形状の軌道Ｒをなしている。ただし、コイル導体層１８ａ〜１８ｈの長さや形状は、これに限らない。以下では、左側から平面視したときに、コイル導体層１８ａ〜１８ｈの反時計回り方向の上流側の端部を上流端と呼び、コイル導体層１８ａ〜１８ｈの反時計回り方向の下流側の端部を下流端と呼ぶ。
【００１７】
ビアホール導体ｖ１は、絶縁体層１６ａ〜１６ｃを左右方向に貫通しており、外部電極１４ａとコイル導体層１８ａの上流端とを接続している。ビアホール導体ｖ２は、絶縁体層１６ｄを左右方向に貫通しており、コイル導体層１８ａの下流端とコイル導体層１８ｂの上流端とを接続している。ビアホール導体ｖ３は、絶縁体層１６ｅを左右方向に貫通しており、コイル導体層１８ｂの下流端とコイル導体層１８ｃの上流端とを接続している。ビアホール導体ｖ４は、絶縁体層１６ｆを左右方向に貫通しており、コイル導体層１８ｃの下流端とコイル導体層１８ｄの上流端とを接続している。ビアホール導体ｖ５は、絶縁体層１６ｇを左右方向に貫通しており、コイル導体層１８ｄの下流端とコイル導体層１８ｅの上流端とを接続している。ビアホール導体ｖ６は、絶縁体層１６ｈを左右方向に貫通しており、コイル導体層１８ｅの下流端とコイル導体層１８ｆの上流端とを接続している。ビアホール導体ｖ７は、絶縁体層１６ｉを左右方向に貫通しており、コイル導体層１８ｆの下流端とコイル導体層１８ｇの上流端とを接続している。ビアホール導体ｖ８は、絶縁体層１６ｊを左右方向に貫通しており、コイル導体層１８ｇの下流端とコイル導体層１８ｈの上流端とを接続している。ビアホール導体ｖ９は、絶縁体層１６ｋ〜１６ｏを左右方向に貫通しており、コイル導体層１８ｈの下流端と外部電極１４ｂとを接続している。
【００１８】
コイル導体層１８ａ〜１８ｈ及びビアホール導体ｖ１〜ｖ９は、例えば、Ａｇを主成分とする導電性ペーストにより作製される。
【００１９】
以上のようなコイルＬは、左側から平面視したときに反時計回り方向の周回しながら左側から右側へと進行する螺旋状をなしている。
【００２０】
ところで、電子部品１０は、内部応力を緩和しつつ、積層体１２の強度を向上させるために、以下に説明する構造を有する。図３Ａは、図１のＡ−Ａにおける断面構造図である。図３Ｂは、図３ＡのＢ−Ｂにおける断面構造図である。
【００２１】
まず、積層体１２の各部について定義する。コイル導体層１８ａ〜１８ｈが重なって形成される環状の軌道を軌道Ｒと定義する。また、軌道Ｒは、正方形状の枠状をなしている。軌道Ｒの外周側の外縁を外縁Ｃ１と定義し、軌道Ｒの内周側の外縁を外縁Ｃ２と定義する。ここで、積層体１２において、外縁Ｃ１と積層体１２の外縁とに挟まれている領域をサイドギャップＡ１と定義する。サイドギャップＡ１の左端は、コイル導体層１８ａの左側の主面であり、サイドギャップＡ１の右端は、コイル導体層１８ｈの右側の主面である。
【００２２】
また、コイル導体層１８ａ〜１８ｈの内の２つのコイル導体層により左右方向から挟まれている領域を層間部Ａ２と定義する。層間部Ａ２は、図３Ｂに示すように、左側から平面視したときに、外縁Ｃ１と外縁Ｃ２に挟まれた領域であり、軌道Ｒと一致する。層間部Ａ２の左端は、絶縁体層１６ｄの表面であり、層間部Ａ２の右端は、絶縁体層１６ｊの裏面である。
【００２３】
ここで、サイドギャップＡ１のポア面積率Ｐ１は、９．０％以上２０．０％以下である。ただし、少なくとも、サイドギャップＡ１の左右方向の中央におけるポア面積率Ｐ１が９．０％以上２０．０％以下であればよい。サイドギャップＡ１全体のポア面積率Ｐ１が、９．０％以上２０．０％以下であることが最も好ましい。また、層間部Ａ２のポア面積率Ｐ２は、０％以上８．０％以下であり、より好ましくは、０．７％以上７.７％以下である。ただし、少なくとも、積層体１２の左右方向の中央に１番目に近いコイル導体層と２番目に近いコイル導体層とに挟まれた部分のポア面積率Ｐ２が０％以上８．０％以下であり、より好ましくは、０．７％以上７.７％以下であればよい。層間部Ａ２全体のポア面積率Ｐ２は、０％以上８．０％以下であり、０．７％以上７.７％以下であることが特に好ましい。更に、ポア面積率Ｐ１とポア面積率Ｐ２との差は、４．０％以上であることが好ましい。ポア面積率とは、積層体１２の断面において、単位面積の断面に対してポア（空孔）が占める面積の割合である。ポアとは、絶縁体内に形成され、絶縁体の材料が存在しない空間である。
【００２４】
（電子部品の製造方法）
以下に、電子部品１０の製造方法について図面を参照しながら説明する。図４Ａ及び図４Ｂは、絶縁体層１６ｋ，１６ｊの積層時の断面構造図である。
【００２５】
まず、絶縁体層１６ａ〜１６ｏとなるべきセラミックグリーンシート２１６ａ〜２１６ｏ（マザー絶縁体層の一例）を準備する。具体的には、４８ｍｏｌ％の酸化第二鉄（Ｆｅ2Ｏ3）、２９．５ｍｏｌ％の酸化亜鉛（ＺｎＯ）、１４．５ｍｏｌ％の酸化ニッケル（ＮｉＯ）及び７．７ｍｏｌ％の酸化銅（ＣｕＯ）を原材料としてボールミルに投入し、湿式調合を行う。得られた混合物を乾燥してから粉砕し、得られた粉末を７００℃で２時間仮焼する。得られた仮焼粉末をボールミルにて１６時間にわたって湿式粉砕した後、乾燥してから解砕して、フェライトセラミック粉末を得る。
【００２６】
このフェライトセラミック粉末に対して結合剤（酢酸ビニル、水溶性アクリル等）と可塑剤、湿潤材及び分散剤を加えてボールミルで混合を行い、その後、減圧により脱泡を行う。得られたセラミックスラリーをドクターブレード法により、キャリアシート上にシート状に形成して乾燥させ、絶縁体層１６ａ〜１６ｏとなるべきセラミックグリーンシート２１６ａ〜２１６ｏを作製する。セラミックグリーンシート２１６ａ〜２１６ｏの厚みは、１３．０μｍである。
【００２７】
次に、絶縁体層１６ａ〜１６ｏとなるべきセラミックグリーンシート２１６ａ〜２１６ｏのそれぞれに、ビアホール導体ｖ１〜ｖ９を形成する。具体的には、絶縁体層１６ａ〜１６ｏとなるべきセラミックグリーンシート２１６ａ〜２１６ｏにレーザビームを照射してビアホールを形成する。更に、ビアホールに対して、Ａｇ，Ｐｄ，Ｃｕ，Ａｕやこれらの合金などの導電性材料からなるペーストを印刷塗布などの方法により充填して、ビアホール導体ｖ１〜ｖ９を形成する。
【００２８】
次に、絶縁体層１６ａ〜１６ｏとなるべきセラミックグリーンシート２１６ａ〜２１６ｏ上に、導電性ペーストをスクリーン印刷法やフォトリソグラフィ法などの方法で塗布することにより、コイル導体層１８ａ〜１８ｈを形成する。導電性ペーストは、例えば、Ａｇに、ワニス及び溶剤が加えられたものである。なお、コイル導体層１８ａ〜１８ｈを形成する工程とビアホールに対して導電性材料からなるペーストを充填する工程とは、同じ工程において行われてもよい。
【００２９】
次に、絶縁体層１６ａ〜１６ｏとなるべきセラミックグリーンシート２１６ａ〜２１６ｏを積層して未焼成のマザー積層体を得る。具体的には、図４Ａ及び図４Ｂに示すように、絶縁体層１６ａ〜１６ｏとなるべきセラミックグリーンシート２１６ａ〜２１６ｏを１枚ずつ積層及び仮圧着する。仮圧着条件は、例えば、１００ｋｇｆ／ｃｍ2の圧力及び３秒間から３０秒間程度の時間である。図４Ａに示すように、コイル導体層１８ｇ，１８ｈが設けられている部分の左右方向の厚みは、コイル導体層１８ｇ，１８ｈが設けられていない部分の左右方向の厚みより大きい。したがって、図４Ｂに示すように、コイル導体層１８ｇ，１８ｈが設けられたセラミックグリーンシート２１６ｊ，２１６ｋが仮圧着されると、コイル導体層１８ｇ，１８ｈが設けられていないサイドギャップＡ１及び領域Ａ３では、コイル導体層１８ｇ，１８ｈが設けられている層間部Ａ２よりも弱く圧着される。そのため、サイドギャップＡ１及び領域Ａ３におけるセラミックグリーンシートの材料の密度は、層間部Ａ２におけるセラミックグリーンシートの材料の密度よりも低くなる。この後、未焼成のマザー積層体に対して本圧着を施さない。ただし、必要に応じて、４００ｋｇｆ／ｃｍ2以下の弱い圧力でマザー積層体に対して本圧着を施してもよい。
【００３０】
次に、マザー積層体を複数の積層体１２に分割する。具体的には、マザー積層体をカット刃により所定寸法の複数の積層体１２にカットする。これにより未焼成の積層体１２が得られる。
【００３１】
次に、未焼成の積層体１２に、脱バインダー処理及び焼成を行う。サイドギャップＡ１及び領域Ａ３におけるセラミックグリーンシート２１６ａ〜２１６ｏの材料の密度は、層間部Ａ２におけるセラミックグリーンシート２１６ａ〜２１６ｏの材料の密度よりも低くなっている。その結果、サイドギャップＡ１及び領域Ａ３のポア面積率は、層間部Ａ２のポア面積率よりも大きくなる。具体的には、サイドギャップＡ１及び領域Ａ３のポア面積率Ｐ１は、９．０％以上２０．０％以下になる。また、層間部Ａ２のポア面積率Ｐ２は、０．７％以上８．０％以下になる。脱バインダー処理及び焼成の条件については、後述する。
【００３２】
以上の工程により、焼成された積層体１２が得られる。積層体１２にバレル加工を施して、面取りを行う。その後、Ａｇを主成分とする導電性材料からなる電極ペーストを、積層体１２の表面に塗布する。そして、塗布した電極ペーストを約７５０℃の温度で６０分間の条件で焼き付ける。これにより、外部電極１４ａ，１４ｂの下地電極が形成される。
【００３３】
次に、ＮｉＣｌ2溶液（酸性溶液の一例）に積層体１２を浸漬させる。これにより、ＮｉＣｌ2溶液がサイドギャップＡ１を介してコイル導体層１８ａ〜１８ｈとコイル導体層１８ａ〜１８ｈの周囲の絶縁体層１６ｃ〜１６ｌとの界面まで浸透する。その結果、コイル導体層１８ａ〜１８ｈとコイル導体層１８ａ〜１８ｈの周囲の絶縁体層１６ｃ〜１６ｌとの界面の結合がＮｉＣｌ2溶液により切断される。
【００３４】
最後に、下地電極の表面に、Ｎｉめっきを施した後に、Ｓｎめっきを施すことにより、外部電極１４ａ，１４ｂを形成する。以上の工程を経て、図１に示すような電子部品１０が完成する。
【００３５】
（効果）
以上のように構成された電子部品１０によれば、内部応力の緩和が図られる。より詳細には、サイドギャップＡ１のポア面積率Ｐ１は、９．０％以上２０．０％以下である。したがって、積層体１２をＮｉＣｌ2溶液に浸漬した際に、ＮｉＣｌ2溶液がサイドギャップＡ１を介してコイル導体層１８ａ〜１８ｈとコイル導体層１８ａ〜１８ｈの周囲の絶縁体層１６ｃ〜１６ｌとの界面まで浸透する。その結果、コイル導体層１８ａ〜１８ｈとコイル導体層１８ａ〜１８ｈの周囲の絶縁体層１６ｃ〜１６ｌとの界面の結合がＮｉＣｌ2溶液により切断される。すなわち、コイル導体層１８ａ〜１８ｈと絶縁体層１６ｃ〜１６ｌとが接触しているものの、固着していない。これにより、コイル導体層１８ａ〜１８ｈと絶縁体層１６ｃ〜１６ｌとの間に発生する内部応力が緩和される。その結果、絶縁体層１６ｃ〜１６ｌに応力が加わることによる透磁率の変化等が抑制されるようになる。
【００３６】
また、電子部品１０では、層間部Ａ２のポア面積率Ｐ２は、０．７％以上８．０％以下である。これにより、後述する実験結果からも分かるように、積層体１２の強度が向上する。
【００３７】
（実験）
本願発明者は、電子部品１０が奏する効果をより明確にするために、以下に説明する実験を行った。まず、本願発明者は、サンプル１ないしサンプル２７を３０個ずつ作成した。サンプル１ないしサンプル９では、仮圧着及び本圧着を行った。仮圧着時の圧力は、１００ｋｇｆ／ｃｍ2とした。本圧着時の圧力は、１０００ｋｇｆ／ｃｍ2とした。サンプル１ないしサンプル９では、焼成温度の最高温度（以下、単に焼成温度と称す）を８５０℃から９１０℃まで変化させた。サンプル１０ないしサンプル１８では、仮圧着及び本圧着を行った。仮圧着時の圧力は、１００ｋｇｆ／ｃｍ2とした。本圧着時の圧力は、４００ｋｇｆ／ｃｍ2とした。サンプル１０ないしサンプル１８では、焼成温度を８６０℃から９２０℃まで変化させた。サンプル１９ないしサンプル２７では、仮圧着のみを行い本圧着を行わなかった。仮圧着時の圧力は、１００ｋｇｆ／ｃｍ2とした。サンプル１９ないしサンプル２７では、焼成温度を８７０℃から９３０℃まで変化させた。
【００３８】
サンプル１ないしサンプル２７のサイズは以下の通りである。
左右方向の長さ：０．６ｍｍ
前後方向の長さ：０．３ｍｍ
上下方向の長さ：０．３ｍｍ
また、サンプル１ないしサンプル２７におけるコイルＬのターン数は、３０ターンである。また、目標とするインピーダンス特性の値は１００ＭＨｚにおいて１２００Ω（公差±１０％）と設定した。
【００３９】
以上のようなサンプル１ないしサンプル２７において、サイドギャップＡ１のポア面積率Ｐ１及び層間部Ａ２のポア面積率Ｐ２を測定した。また、サンプル１ないしサンプル２７において、１００ＭＨｚにおけるインピーダンス特性を測定した。更に、サンプル１ないしサンプル２７において、抗折強度を測定した。更に、サンプル１ないしサンプル２７において、第１のたわみ試験を行った。以下に、各測定の詳細について説明する。
【００４０】
（ａ）ポア面積率の測定
積層体１２の前後方向に垂直な断面を鏡面研磨し、収束イオンビーム加工（ＦＩＢ加工）した面を走査電子顕微鏡（ＳＥＭ）により観察し、焼結後の積層体１２のポア面積率を測定した。
【００４１】
具体的には、画像処理ソフト「Ａ像くん」によりポア面積率を測定した。その具体的な、測定方法は、以下の通りである。
ＦＩＢ装置                ：ＳＩＩ製  ＳＭＩ３０５０Ｒ
ＳＥＭ（走査電子顕微鏡）  ：日立ハイテク製Ｓ−４８００
Ａ像くん（画像処理ソフト）：旭化成製
【００４２】
＜収束イオンビーム加工（ＦＩＢ加工）＞
図４Ｃは、収束イオンビーム加工の説明図である。図４Ｃに示すように、鏡面研磨したサンプルの研磨面に対し、入射角５°でＦＩＢ加工を行った。
【００４３】
＜走査電子顕微鏡（ＳＥＭ）による観察＞
ＳＥＭ観察は、以下の条件で行った。
加速電圧      ：５ｋＶ
試料傾斜      ：５゜
信号          ：二次電子
コーティング  ：Ｐｔ
倍率          ：５０００倍
【００４４】
＜ポア面積率の算出＞
ポア面積率は、以下の方法で求めた
ａ）計測範囲を決める。小さすぎると測定箇所による誤差が生じる。
（この実施例では、計測範囲を２４．７６μｍ×１４．３９μｍとした）
ｂ）磁性体セラミックとポアが識別しにくければ明るさ、コントラストを調節する。
ｃ）２値化処理を行い、ポアのみを抽出する。画像処理ソフトＡ像くんの「色抽出」では完全でない場合には手動で補う。
ｄ）ポア以外を抽出した場合はポア以外を削除する。
ｅ）画像処理ソフトの「総面積・個数計測」で総面積、個数、ポア面積率、計測範囲の面積を測定する。
ｆ）ここで内部電極が像に含まれている場合は、内部電極の部分の面積は不要な部分の面積として次式で算出する。
ポア面積率＝ポア総面積／（計測範囲の面積−不要な部分の総面積）×１００
【００４５】
なお、サイドギャップＡ１のポア面積率Ｐ１を求める際には、サイドギャップＡ１の左右方向の中央におけるポア面積率を測定した。また、層間部Ａ２のポア面積率Ｐ２を求める際には、積層体１２の左右方向の中央に１番目に近いコイル導体層及び２番目に近いコイル導体層の間のポア面積率を測定した。
【００４６】
（ｂ）インピーダンス特性の測定
サンプル１ないしサンプル２７を３０個ずつ準備し、インピーダンスアナライザ（ヒューレット・パッカード社製ＨＰ４２９１Ａ）を用いて１００ＭＨｚにおけるインピーダンスの測定を行って平均値を求めた。
【００４７】
（ｃ）抗折強度の測定
３０個の試料について、ＥＩＡＪ−ＥＴ−７４０３に規定の試験方法にて測定を行い、ワイブルプロットした場合における破壊確率＝１％のときの強度を抗折強度とした。
【００４８】
（ｄ）第１のたわみ試験
３０個の試料について、基板厚０．８ｍｍのガラスエポキシ基板に実装し、この基板を中央部裏面より押し棒を用いて表面方向に押圧することで２．０ｍｍまで撓ませ、３０秒保持した。
【００４９】
表１ないし表３は、実験結果を示した表である。図５は、実験結果を示したグラフである。横軸はポア面積率Ｐ１を示し、横軸はポア面積率Ｐ２を示している。
【００５０】
【表１】
0006398857.tif 000002
【００５１】
【表２】
0006398857.tif 000003
【００５２】
【表３】
0006398857.tif 000004
【００５３】
なお、表１ないし表３では、インピーダンス特性が１０８０Ω以上（すなわち、目標とするインピーダンス値１２００Ωに対して−１０％以内）となったサンプルについては良品と判定し、インピーダンス特性が１０８０Ωより小さくなったサンプルについては不良品と判定した。インピーダンス特性による良品又は不良品の判定は、内部応力による良品又は不良品の判定と等価である。すなわち、内部応力が緩和されている場合には、絶縁体層の透磁率の低下が抑制され、十分なインダクタンス値が発生しているために、インピーダンス特性が相対的に大きくなる。一方、内部応力が緩和されていない場合には、絶縁体層の透磁率が低下し、十分なインダクタンス値が発生していないために、インピーダンス特性が相対的に小さくなる。
【００５４】
なお、焼成温度が高くなるにしたがって、インピーダンス特性において不良品と判定されるサンプルが多くなっている。これは、焼成温度が高くなると、積層体１２が十分に焼成されてサイドギャップＡ１のポア面積率Ｐ１が小さくなり、ＮｉＣｌ2溶液が積層体１２内に浸透しにくくなるためである。
【００５５】
また、抗折強度が４．０Ｎ以上となったサンプルについては良品と判定し、抗折強度が４．０Ｎより小さくなったサンプルについては不良品と判定した。たわみ試験は、たわみ量２．０ｍｍで３０秒保持後に、積層体のクラックの発生が無いものを良品と判定した。また、表１ないし表３では、３０個の試料全てが良品の場合に○と記載し、１つでも不良品がある場合に×とした。第１のたわみ試験及び抗折強度の試験に基づいて、積層体１２の強度を判定した。
【００５６】
表１ないし表３及び図５によれば、サイドギャップＡ１のポア面積率Ｐ１が９．０％以上であれば、インピーダンス特性の試験において良品と判定されている。これは、サイドギャップＡ１のポア面積率Ｐ１が高くなれば、ＮｉＣｌ2溶液が積層体１２内に浸透しやすくなるためである。その結果、内部応力が緩和され、電子部品のインダクタンス値の低下が抑制されている。ただし、サイドギャップＡ１のポア面積率Ｐ１が大きくなり過ぎる（例えば、２０％より大きくなる）と、積層体の透磁率が低下するので、電子部品のインダクタンス値が低下する。したがって、ポア面積率Ｐ１は、９．０％以上２０．０％以下であることが好ましい。
【００５７】
一方、表１ないし表３及び図５によれば、層間部Ａ２のポア面積率Ｐ２が８．０％以下であれば、第１のたわみ試験及び抗折強度の試験において良品と判定されている。これは、層間部Ａ２のポア面積率Ｐ２が小さくなっているために、積層体の強度が向上しているためである。なお、ポア面積率Ｐ２は、低いことが好ましく、０％であってもよい。ただし、ポア面積率Ｐ２は、０．７％以上であることが好ましい。
【００５８】
サンプル６、サンプル１３ないしサンプル１５及びサンプル２１ないしサンプル２４については、インピーダンス特性の試験、第１のたわみ試験及び抗折強度の試験において良品と判定された。サンプル６、サンプル１３ないしサンプル１５及びサンプル２１ないしサンプル２４では、ポア面積率Ｐ１は、９．０％以上２０．０％以下であり、ポア面積率Ｐ２は、０．７％以上８．０％以下である。以上より、実験によれば、ポア面積率Ｐ１が９．０％以上２０．０％以下であって、かつ、ポア面積率Ｐ２が、０．７％以上８．０％以下である場合には、内部応力を緩和しつつ、積層体１２の強度を向上させることができる。
【００５９】
ところで、実験によれば、電子部品１０の製造において、本圧着を行わない又は本圧着を低い圧力（４００ｋｇｆ／ｃｍ2以下）で行った場合の方が、本圧着を高い圧力（１０００ｋｇｆ／ｃｍ2）で行った場合よりも、ポア面積率Ｐ１が９．０％以上２０．０％以下であって、かつ、ポア面積率Ｐ２が、０．７％以上８．０％以下である電子部品１０を容易に得ることができる。
【００６０】
より詳細には、１０００ｋｇｆ／ｃｍ2の圧力で本圧着を行った場合、焼成温度が８８５℃であるサンプル６のみが良品と判定されている。一方、４００ｋｇｆ／ｃｍ2の圧力で本圧着を行った場合、焼成温度が８８５℃以上８９５℃以下のサンプル１３ないしサンプル１５が良品と判定されている。また、本圧着を行わなかった場合、焼成温度が８９０℃以上９０５℃以下のサンプル２１ないしサンプル２４が良品と判定されている。このように、本圧着を行わない又は本圧着を低い圧力で行った場合の方が、本圧着を高い圧力で行った場合よりも、ポア面積率Ｐ１が９．０％以上２０．０％以下であって、かつ、ポア面積率Ｐ２が、０．７％以上８．０％以下である電子部品１０を得るための温度条件が緩くなる。以下に理由を説明する。
【００６１】
電子部品１０において、内部応力を緩和しつつ、積層体１２の強度を向上させるためには、ポア面積率Ｐ１が高く、かつ、ポア面積率Ｐ２が低いことが好ましい。すなわち、ポア面積率Ｐ１とポア面積率Ｐ２との差が大きい（例えば、４％以上）ことが好ましい。
【００６２】
しかしながら、電子部品の製造方法において、１０００ｋｇｆ／ｃｍ2程度の強い圧力でマザー積層体に対して本圧着を施すと、本圧着により、サイドギャップＡ１におけるセラミックグリーンシートの材料の密度が上昇する。これにより、サイドギャップＡ１におけるセラミックグリーンシートの材料の密度と、層間部Ａ２におけるセラミックグリーンシートの材料の密度との差が小さくなる。その結果、サイドギャップＡ１のポア面積率Ｐ１と、層間部Ａ２のポア面積率Ｐ２との差が小さくなる。そのため、表１に示すように、ポア面積率Ｐ１が９．０％以上２０．０％以下であって、かつ、ポア面積率Ｐ２が、０．７％以上８．０％以下である電子部品１０を得ることができる焼成温度が８８５℃のみとなってしまう。このように、高い圧力で本圧着が行われると、焼成温度を厳しく管理しなければ、所望のポア面積率Ｐ１，Ｐ２を有する電子部品１０を得ることが困難である。
【００６３】
一方、電子部品１０の製造方法では、未焼成のマザー積層体に対して本圧着を施さない、又は、４００ｋｇｆ／ｃｍ2以下の弱い圧力でマザー積層体に対して本圧着を施す。これにより、サイドギャップＡ１におけるセラミックグリーンシートの材料の密度は、層間部Ａ２におけるセラミックグリーンシートの材料の密度よりも低くなる。その結果、サイドギャップＡ１のポア面積率Ｐ１が高くなり、層間部Ａ２のポア面積率Ｐ２が低くなる。すなわち、ポア面積率Ｐ１とポア面積率Ｐ２との差が大きくなる。そのため、表２及び表３に示すように、ポア面積率Ｐ１が９．０％以上２０．０％以下であって、かつ、ポア面積率Ｐ２が、０．７％以上８．０％以下である電子部品１０を得ることができる焼成温度が８８５℃以上８９５℃以下又は８８０℃以上９０５℃以下となる。すなわち、焼成温度の範囲が広がる。このように、本圧着が行われない、又は、低い圧力で本圧着が行われると、焼成温度を厳しく管理しなくても、所望のポア面積率Ｐ１，Ｐ２を有する電子部品１０を得ることができる。
【００６４】
ポア面積率Ｐ１，Ｐ２は、原料のロットばらつき、粉砕時のばらつき、焼成ばらつき等の種々の加工ばらつきにより変動する。そのため、焼成温度の許容範囲が広くなると、加工ばらつきが存在していたとしても、所望のポア面積率Ｐ１，Ｐ２を有する電子部品１０を得ることが容易となる。
【００６５】
（第１の変形例）
以下に、本発明の第１の変形例に係る電子部品１０ａについて説明する。電子部品１０ａは、コイル導体層１８ａ〜１８ｈ及びビアホール導体ｖ１〜ｖ９の材料において電子部品１０と相違する。
【００６６】
より詳細には、コイル導体層１８ａ〜１８ｈ及びビアホール導体ｖ１〜ｖ９は、Ａｌ2Ｏ3（金属酸化物の一例）を含み、Ａｇを主成分とする導電性ペースト（材料）により作製されている。すなわち、コイル導体層１８ａ〜１８ｈは、Ａｌ2Ｏ3（金属酸化物の一例）を含んでいる。ただし、コイル導体層１８ａ〜１８ｈは、Ａｌ2Ｏ3以外の金属酸化物を含んでいてもよい。なお、電子部品１０ａの構造は、電子部品１０の構造と同じであるので、説明を省略する。
【００６７】
電子部品１０ａによれば、電子部品１０と同じ作用効果を奏することができる。
【００６８】
また、コイル導体層１８ａ〜１８ｈ及びビアホール導体ｖ１〜ｖ９の材料が金属酸化物を含むことにより、コイル導体層１８ａ〜１８ｈ及びビアホール導体ｖ１〜ｖ９の焼成時の収縮開始温度が高くなる。そのため、コイル導体層１８ａ〜１８ｈ及びビアホール導体ｖ１〜ｖ９の収縮開始温度と絶縁体層１６ａ〜１６ｏの収縮開始温度とが近づく。その結果、コイル導体層１８ａ〜１８ｈ及びビアホール導体ｖ１〜ｖ９が絶縁体層１６ａ〜１６ｏよりも先に収縮して、絶縁体層１６ａ〜１６ｏの焼結が妨げられることが抑制される。よって、絶縁体層１６ａ〜１６ｏのポア面積率にばらつきが発生することが抑制され、積層体１２の強度のばらつきが抑制される。その結果、ワイブルプロットした場合における破壊確率＝１％のときの抗折強度の値が上がる。
【００６９】
本願発明者は、前記電子部品１０ａが奏する効果をより明確にするために、以下に説明する実験を行った。まず、本願発明者は、サンプル２８ないしサンプル３０を３０個ずつ作成した。サンプル２８ないしサンプル３０では、仮圧着のみを行い本圧着を行わなかった。仮圧着時の圧力は、１００ｋｇｆ／ｃｍ2とした。また、サンプル２８ないしサンプル３０では、導電性ペーストに混合するＡｌ2Ｏ3の割合を変化させた。なお、焼成温度はいずれも８９０℃とした。
【００７０】
サンプル２８ないしサンプル３０のサイズは以下の通りである。
左右方向の長さ：０．６ｍｍ
前後方向の長さ：０．３ｍｍ
上下方向の長さ：０．３ｍｍ
また、サンプル２８ないしサンプル３０におけるコイルＬのターン数は、３０ターンである。また、目標とするインピーダンス特性の値は１００ＭＨｚにおいて１２００Ω（公差±１０％）と設定した。
【００７１】
以上のようなサンプル２８ないしサンプル３０において、サイドギャップＡ１のポア面積率Ｐ１及び層間部Ａ２のポア面積率Ｐ２を測定した。更に、サンプル２８ないしサンプル３０において、抗折強度を測定した。更に、サンプル２８ないしサンプル３０において、第１のたわみ試験及び第２のたわみ試験を測定した。
【００７２】
（第２のたわみ試験）
３０個の試料について、基板厚０．８ｍｍのガラスエポキシ基板に実装し、この基板を中央部裏面より押し棒を用いて表面方向に押圧することで３．０ｍｍまで撓ませ、３０秒保持した。
【００７３】
表４は、実験結果を示した表である。
【００７４】
【表４】
0006398857.tif 000005
【００７５】
表４によれば、Ａｌ2Ｏ3を含んでいる導電性ペーストを用いたサンプル２９及びサンプル３０では、Ａｌ2Ｏ3を含んでいない導電性ペーストを用いたサンプル２８よりも、抗折強度が高くなっていることが分かる。また、Ａｌ2Ｏ3を含んでいない導電性ペーストを用いたサンプル２８では、第１のたわみ試験では良品と判定され、第２のたわみ試験では不良品と判定されたのに対して、Ａｌ2Ｏ3を含んでいる導電性ペーストを用いたサンプル２９及びサンプル３０では、第１のたわみ試験及び第２のたわみ試験の両方で良品と判定された。これにより、コイル導体層１８ａ〜１８ｈがＡｌ2Ｏ3（金属酸化物の一例）を含んでいることにより、積層体１２の強度が向上することが分かる。なお、本変形例に係る電子部品１０ａでは、金属酸化物としてＡｌ2Ｏ3（酸化アルミニウム）を用いたが、酸化亜鉛、酸化錫、酸化ニッケル、酸化銅、酸化鉄および酸化カルシウム等の金属酸化物についても同様の効果が得られる。
【００７６】
（第２の変形例）
以下に、本発明の第２の変形例に係る電子部品１０ｂについて説明する。電子部品１０ｂは、下地電極にＮｉめっき及びＳｎめっきを施す前に積層体１２をエポキシ樹脂に含浸させて、エポキシ樹脂を硬化させている点において、電子部品１０と相違する。そのため、電子部品１０ｂの積層体１２のポアは、エポキシ樹脂が充填されている。なお、エポキシ樹脂以外の樹脂が用いられてもよい。また、電子部品１０ｂの構造は、電子部品１０の構造と同じであるので、説明を省略する。
【００７７】
電子部品１０ｂによれば、電子部品１０と同じ作用効果を奏することができる。更に、電子部品１０ｂでは、ポアがエポキシ樹脂により充填されているので、積層体１２の強度が向上する。さらに、エポキシ樹脂を充填させてもインピーダンス特性の値の低下が抑制できる。
【００７８】
本願発明者は、前記電子部品１０ｂが奏する効果をより明確にするために、以下に説明する実験を行った。まず、本願発明者は、サンプル３１ないしサンプル３３を３０個ずつ作成した。サンプル３１ないしサンプル３３は、それぞれサンプル３，１２，２１においてエポキシ樹脂を含浸し、硬化させたサンプルである。
【００７９】
以上のようなサンプル３１ないしサンプル３３において、サイドギャップＡ１のポア面積率Ｐ１及び層間部Ａ２のポア面積率Ｐ２を測定した。また、サンプル３１ないしサンプル３３において、１００ＭＨｚにおけるインピーダンス特性を測定した。更に、サンプル３１ないしサンプル３３において、抗折強度を測定した。更に、サンプル３１ないしサンプル３３において、第１のたわみ試験及び第３のたわみ試験を行った。
【００８０】
表５は、実験結果を示した表である。
【００８１】
（第３のたわみ試験）
３０個の試料について、基板厚１．６ｍｍのガラスエポキシ基板に実装し、この基板を中央部裏面より押し棒を用いて表面方向に押圧することで２．０ｍｍまで撓ませ、３０秒保持した。
【００８２】
【表５】
0006398857.tif 000006
【００８３】
表５によれば、エポキシ樹脂を充填したサンプル３１ないしサンプル３３では、エポキシ樹脂を充填していないサンプル３、１２、２１よりも、抗折強度が高くなっていることが分かる。また、エポキシ樹脂を充填していないサンプル２１では、第１のたわみ試験では良品と判定され、第３のたわみ試験では不良品と判定されたのに対して、エポキシ樹脂を充填したサンプル３１では、第１のたわみ試験及び第３のたわみ試験の両方で良品と判定された。これにより、積層体１２にエポキシ樹脂を充填することによって、積層体１２の強度が向上することが分かる。
【００８４】
また、サンプル３，１２に樹脂を充填したサンプル３１，３２は、層間部Ａ２のポア面積率Ｐ２が０．７％以上８．０％以下の範囲外にあるため、樹脂を充填することによって、インピーダンス特性の値が１０％以上低下した。
【００８５】
一方、サンプル２１では、層間部Ａ２のポア面積率Ｐ２が０．７％以上８．０％以下の範囲にあるため、サンプル３３のようにエポキシ樹脂を充填させてもインピーダンスの低下が４％以下に抑えられている。
【００８６】
インピーダンス特性の値が低下しないのは、層間部Ａ２のポア面積率Ｐ２が０．７％以上８．０％以下と小さいため、含浸した樹脂がコイル導体層とその周囲の絶縁体層との界面まで入り難くなり、コイル導体層とその周囲の絶縁体層との界面の結合が切れた状態を保持することができるためである。
【００８７】
（第３の変形例）
以下に、本発明の第３の変形例に係る電子部品について図面を参照しながら説明する。図６は、第３の変形例に係る電子部品１０ｃの外観斜視図である。図７は、電子部品１０ｃの積層体１１２の分解斜視図である。以下では、電子部品１０ｃの積層方向を上下方向と定義し、電子部品１０ｃを上側から平面視したときに、長辺が延在する方向を左右方向と定義し、短辺が延在する方向を前後方向と定義する。上下方向、前後方向及び左右方向は互いに直交している。
【００８８】
電子部品１０と電子部品１０ｃとの相違点は、外部電極１１４ａ，１１４ｂとコイルＬとの位置関係である。より詳細には、電子部品１０では、コイルＬは、左右方向に進行しながら周回する螺旋状をなしており、所謂横巻き構造を有している。そして、外部電極１４ａ，１４ｂは、積層体１２の左右方向の両側に設けられている。
【００８９】
一方、電子部品１０ｃでは、図６及び図７に示すように、コイルＬは、上下方向に進行しながら周回する螺旋状をなしており、所謂縦巻き構造を有している。そして、外部電極１１４ａ，１１４ｂは、積層体１１２の左右方向の両側に設けられている。以下に係る相違点を中心に、電子部品１０ｃについて説明する。
【００９０】
電子部品１０ｃは、図６及び図７に示すように、積層体１１２、コイルＬ、外部電極１１４ａ，１１４ｂ及び接続導体層１２０ａ，１２０ｂを備えている。積層体１１２は、直方体状をなしており、図７に示すように、絶縁体層１１６ａ〜１１６ｍが上側から下側へとこの順に並ぶように積層されることにより構成されている。絶縁体層１１６ａ〜１１６ｍは、絶縁体層１６ａ〜１６ｏと同じであるのでこれ以上の説明を省略する。
【００９１】
外部電極１１４ａ，１１４ｂはそれぞれ、積層方向に直交する左右方向の両側の面に設けられている。なお、外部電極１１４ａ，１１４ｂのその他の構成は、外部電極１４ａ，１４ｂと同じであるので説明を省略する。
【００９２】
コイルＬは、図７に示すように、コイル導体層１１８ａ〜１１８ｇ及びビアホール導体ｖ１１〜ｖ１６を含んでいる。コイル導体層１１８ａ〜１１８ｇはそれぞれ、絶縁体層１１６ｄ〜１１６ｊの表面上に設けられている。コイル導体層１１８ａ〜１１８ｇは、枠状の長方形状の１辺が切り欠かれた形状をなしている点において、コイル導体層１８ａ〜１８ｈと相違する。ただし、コイル導体層１１８ａ〜１１８ｇのその他の構成はコイル導体層１８ａ〜１８ｈと同じであるので説明を省略する。以下では、上側から平面視したときに、コイル導体層１１８ａ〜１１８ｇの時計回り方向の上流側の端部を上流端と呼び、コイル導体層１１８ａ〜１１８ｇの時計回り方向の下流側の端部を下流端と呼ぶ。
【００９３】
ビアホール導体ｖ１１は、絶縁体層１１６ｄを上下方向に貫通しており、コイル導体層１１８ａの下流端とコイル導体層１１８ｂの上流端とを接続している。ビアホール導体ｖ１２は、絶縁体層１１６ｅを上下方向に貫通しており、コイル導体層１１８ｂの下流端とコイル導体層１１８ｃの上流端とを接続している。ビアホール導体ｖ１３は、絶縁体層１１６ｆを上下方向に貫通しており、コイル導体層１１８ｃの下流端とコイル導体層１１８ｄの上流端とを接続している。ビアホール導体ｖ１４は、絶縁体層１１６ｇを上下方向に貫通しており、コイル導体層１１８ｄの下流端とコイル導体層１１８ｅの上流端とを接続している。ビアホール導体ｖ１５は、絶縁体層１１６ｈを上下方向に貫通しており、コイル導体層１１８ｅの下流端とコイル導体層１１８ｆの上流端とを接続している。ビアホール導体ｖ１６は、絶縁体層１１６ｉを上下方向に貫通しており、コイル導体層１１８ｆの下流端とコイル導体層１１８ｇの上流端とを接続している。
【００９４】
接続導体層１２０ａは、コイル導体層１１８ａの上流端と外部電極１１４ａとを接続している。接続導体層１２０ｂは、コイル導体層１１８ｇの下流端と外部電極１１４ｂとを接続している。
【００９５】
コイル導体層１１８ａ〜１１８ｈ、接続導体層１２０ａ，１２０ｂ及びビアホール導体ｖ１１〜ｖ１６は、例えば、Ａｇを主成分とする導電性ペーストにより作製される。
【００９６】
以上のようなコイルＬは、上側から平面視したときに時計回り方向に周回しながら上側から下側へと進行する螺旋状をなしている。
【００９７】
ここで、電子部品１０ｃにおいても、サイドギャップＡ１のポア面積率Ｐ１は、９．０％以上２０．０％以下であり、層間部Ａ２のポア面積率Ｐ２は、０％以上８．０％以下であり、より好ましくは、０．７％以上７.７％以下である。
【００９８】
なお、電子部品１０ｃの製造方法は、電子部品１０の製造方法と同じであるので説明を省略する。
【００９９】
以上のように構成された電子部品１０ｃによれば、電子部品１０と同じ作用効果を奏する。
【０１００】
本願発明者は、電子部品１０ｃが奏する効果をより明確にするために、以下に説明する実験を行った。まず、本願発明者は、サンプル３４ないしサンプル３６を３０個ずつ作成した。サンプル３４では、仮圧着及び本圧着を行った。本圧着時の圧力は、１０００ｋｇｆ／ｃｍ2とした。仮圧着時の圧力は、１００ｋｇｆ／ｃｍ2とした。サンプル３４では、焼成温度を８７０℃とした。サンプル３５では、仮圧着及び本圧着を行った。本圧着時の圧力は、４００ｋｇｆ／ｃｍ2とした。仮圧着時の圧力は、１００ｋｇｆ／ｃｍ2とした。サンプル３５では、焼成温度を８８０℃とした。サンプル３６では、仮圧着のみを行い本圧着を行わなかった。仮圧着時の圧力は、１００ｋｇｆ／ｃｍ2とした。サンプル３６では、焼成温度を８９０℃とした。
【０１０１】
サンプル３４ないしサンプル３６のサイズは以下の通りである。
左右方向の長さ：０．４ｍｍ
前後方向の長さ：０．２ｍｍ
上下方向の長さ：０．２ｍｍ
また、サンプル３４ないしサンプル３６におけるコイルＬのターン数は、３０ターンである。また、目標とするインピーダンス特性の値は１００ＭＨｚにおいて１２０Ω（公差±１０％）と設定した。
【０１０２】
以上のようなサンプル３４ないしサンプル３６において、サイドギャップＡ１のポア面積率Ｐ１及び層間部Ａ２のポア面積率Ｐ２を測定した。また、サンプル３４ないしサンプル３６において、１００ＭＨｚにおけるインピーダンス特性を測定した。更に、サンプル３４ないしサンプル３６において、抗折強度を測定した。更に、サンプル３４ないしサンプル３６において、第２，４のたわみ試験を行った。
【０１０３】
表６は、実験結果を示した表である。
【０１０４】
（第４のたわみ試験）
３０個の試料について、基板厚１．６ｍｍのガラスエポキシ基板に実装し、この基板を中央部裏面より押し棒を用いて表面方向に押圧することで３．０ｍｍまで撓ませ、３０秒保持した。
【０１０５】
【表６】
0006398857.tif 000007
【０１０６】
表６によれば、サンプル３４ないしサンプル３６においても、ポア面積率Ｐ１が９．０％以上２０．０％以下であって、かつ、ポア面積率Ｐ２が、０．７％以上８．０％以下である場合には、内部応力を緩和しつつ、積層体１２の強度を向上させることができる。
【０１０７】
本発明に係る電子部品及びその製造方法は、前記電子部品１０，１０ａ〜１０ｃ及びその製造方法に限らず、その要旨の範囲内において変更可能である。
【０１０８】
また、電子部品１０，１０ａ〜１０ｃ及びその製造方法の各構成を任意に組み合わせてもよい。
【０１０９】
なお、電子部品１０，１０ａ〜１０ｃの製造方法において、下地電極にＮｉめっき及びＳｎめっきを施す前に積層体１２を酸性溶液に浸漬することによって、内部応力を緩和している。しかしながら、外部電極１４ａ，１４ｂ，１１４ａ，１１４ｂを形成するため（より正確には、下地電極にＮｉめっき及びＳｎめっきを施すため）の酸性のめっき液に積層体１２を浸漬することによって、内部応力を緩和してもよい。
【産業上の利用可能性】
【０１１０】
以上のように、本発明は、電子部品及びその製造方法に有用であり、特に、内部応力を緩和しつつ、積層体の強度を向上させることができる点において優れている。
【符号の説明】
【０１１１】
１０，１０ａ〜１０ｃ：電子部品
１２，１１２：積層体
１４ａ，１４ｂ，１１４ａ，１１４ｂ：外部電極
１６ａ〜１６ｏ，１１６ａ〜１１６ｍ：絶縁体層
１８ａ〜１８ｈ，１１８ａ〜１１８ｇ：コイル導体層
Ａ１：サイドギャップ
Ａ２：層間部
Ｌ：コイル
Ｒ：軌道
【図１】
0006398857.tif 000008
【図２】
0006398857.tif 000009
【図３Ａ】
0006398857.tif 000010
【図３Ｂ】
0006398857.tif 000011
【図４Ａ】
0006398857.tif 000012
【図４Ｂ】
0006398857.tif 000013
【図４Ｃ】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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