(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体層の実装面側にｐ側電極及びｎ側電極を備えた発光素子と、
前記発光素子のｐ側電極及びｎ側電極を覆う樹脂層と、
前記樹脂層内で前記発光素子上に設けられ、前記発光素子のｐ側電極及びｎ側電極に電気的に接続された保護素子と、
前記樹脂層内に設けられ、前記発光素子のｐ側電極に接続されるとともに前記樹脂層における前記発光素子とは反対側の面において露出するｐ側導電性部材と、
前記樹脂層内に設けられ、前記発光素子のｎ側電極に接続されるとともに前記樹脂層における前記発光素子とは反対側の面において露出するｎ側導電性部材と、
前記樹脂層における前記発光素子とは反対側の面に、前記ｐ側導電性部材と前記ｎ側導電性部材とにそれぞれ接続されたｐ側外部電極とｎ側外部電極と、を備え、
前記ｐ側導電性部材及び前記ｎ側導電性部材は、それぞれワイヤを有することを特徴とする発光装置。
【請求項２】
前記保護素子は、前記発光素子に対向する側に第１電極及び第２電極を有し、
前記保護素子の第１電極は、前記発光素子のｐ側電極に電気的に接続され、
前記保護素子の第２電極は、前記発光素子のｎ側電極に電気的に接続されることを特徴とする請求項１に記載の発光装置。
【請求項３】
前記保護素子は、前記発光素子に対向する側に第１電極を有し、前記発光素子とは反対側に第２電極を有し、
前記保護素子の第１電極及び第２電極の一方は、前記発光素子のｐ側電極に電気的に接続され、
前記保護素子の第１電極及び第２電極の他方は、前記発光素子のｎ側電極に電気的に接続されることを特徴とする請求項１に記載の発光装置。
【請求項４】
前記保護素子は、前記発光素子とは反対側に第１電極及び第２電極を有し、
前記保護素子の第１電極及び第２電極の一方は、ワイヤを介して、前記ｐ側外部電極に電気的に接続され、
前記保護素子の第１電極及び第２電極の他方は、ワイヤを介して、前記ｎ側外部電極に電気的に接続されていることを特徴とする請求項１に記載の発光装置。
【請求項５】
半導体層の実装面側にｐ側電極及びｎ側電極を有する発光素子と、第１電極及び第２電極を同一面側に有する保護素子と、を準備する工程と、
前記発光素子のｐ側電極と前記保護素子の第１電極及び第２電極の一方とが電気的に接続され、かつ前記発光素子のｎ側電極と前記保護素子の第１電極及び第２電極の他方とが電気的に接続されるように、前記発光素子上に前記保護素子を実装する工程と、
ワイヤの一端を前記発光素子のｐ側電極に接続し、かつワイヤの他端を前記発光素子のｎ側電極に接続する工程と、
前記半導体層の実装面側に樹脂層を形成し、前記保護素子と前記ワイヤを前記樹脂層内に埋没させる工程と、
前記樹脂層の一部を除去して前記樹脂層内に埋没させたワイヤの一部を前記樹脂層における発光素子とは反対側の面において露出させる工程と、
を有することを特徴とする発光装置の製造方法。
【請求項６】
半導体層の実装面側にｐ側電極及びｎ側電極を有する発光素子と、第１電極及び第２電極を同一面側に有する保護素子と、を準備する工程と、
前記発光素子とは反対側に前記第１電極及び前記第２電極を有するように前記保護素子を前記発光素子上に載置する工程と、
第１ワイヤの一端を前記発光素子のｐ側電極に接続し、かつ前記第１ワイヤの他端を前記保護素子の第１電極及び第２電極の一方に接続するとともに、第２ワイヤの一端を前記発光素子のｎ側電極に接続し、かつ前記第２ワイヤの他端を前記保護素子の第１電極及び第２電極の他方に接続する工程と、
前記半導体層の実装面側に樹脂層を形成し、前記保護素子と前記第１ワイヤ及び前記第２ワイヤとを前記樹脂層内に埋没させる工程と、
前記樹脂層の一部を除去して前記樹脂層内に埋没させた第１ワイヤ及び第２ワイヤの一部を前記樹脂層における発光素子とは反対側の面において露出させる工程と、
を有することを特徴とする発光装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
発光装置及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、発光装置のサイズを発光素子に近いレベルまで小型化したＣＳＰ（Ｃｈｉｐ  Ｓｉｚｅ  Ｐａｃｋａｇｅ又はＣｈｉｐ  Ｓｃａｌｅ  Ｐａｃｋａｇｅ）構造を有する発光装置において、より一層の小型化を実現するために、基板上に半導体層を形成した後、レーザリフトオフ法やエッチングなどにより基板を除去して発光素子とし、半導体層の実装面側を樹脂層で覆う発明が提案された（特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２０１３−２４７２４７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
発光装置の幅が発光素子の幅と同程度に維持されたＣＳＰ構造を有する発光装置において、発光素子上に設けられた保護素子を樹脂層内に埋没させることができる発光装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
上記課題は、次の手段により解決される。
【０００６】
半導体層の実装面側にｐ側電極及びｎ側電極を備えた発光素子と、前記発光素子のｐ側電極及びｎ側電極を覆う樹脂層と、前記樹脂層内で前記発光素子上に設けられ、前記発光素子のｐ側電極及びｎ側電極に電気的に接続された保護素子と、前記樹脂層内に設けられ、前記発光素子のｐ側電極に接続されるとともに前記樹脂層における前記発光素子とは反対側の面において露出するｐ側導電性部材と、前記樹脂層内に設けられ、前記発光素子のｎ側電極に接続されるとともに前記樹脂層における前記発光素子とは反対側の面において露出するｎ側導電性部材と、を備え、前記ｐ側導電性部材及び前記ｎ側導電性部材は、それぞれワイヤを有することを特徴とする発光装置。
【０００７】
半導体層の実装面側にｐ側電極及びｎ側電極を有する発光素子と、ｐ側電極及びｎ側電極を同一面側に有する保護素子と、を準備する工程と、前記発光素子のｐ側電極と前記保護素子のｐ側電極とが電気的に接続され、かつ前記発光素子のｎ側電極と前記保護素子のｎ側電極とが電気的に接続されるように、前記発光素子上に前記保護素子を実装する工程と、ワイヤの一端を前記発光素子のｐ側電極に接続し、かつワイヤの他端を前記発光素子のｎ側電極に接続する工程と、前記半導体層の実装面側に樹脂層を形成し、前記保護素子と前記ワイヤを前記樹脂層内に埋没させる工程と、前記樹脂層の一部を除去して前記樹脂層内に埋没させたワイヤの一部を前記樹脂層における発光素子とは反対側の面において露出させる工程と、を有することを特徴とする発光装置の製造方法。
【０００８】
半導体層の実装面側にｐ側電極及びｎ側電極を有する発光素子と、ｐ側電極およびｎ側電極を同一面側に有する保護素子と、を準備する工程と、前記発光素子とは反対側にｐ側電極及びｎ側電極を有するように前記保護素子を前記発光素子上に載置する工程と、第１ワイヤの一端を前記発光素子のｐ側電極に接続し、かつ前記第１ワイヤの他端を前記保護素子のｐ側電極に接続するとともに、第２ワイヤの一端を前記発光素子のｎ側電極に接続し、かつ前記第２ワイヤの他端を前記保護素子のｎ側電極に接続する工程と、前記半導体層の実装面側に樹脂層を形成し、前記保護素子と前記第１ワイヤ及び前記第２ワイヤとを前記樹脂層内に埋没させる工程と、前記樹脂層の一部を除去して前記樹脂層内に埋没させた第１ワイヤ及び第２ワイヤの一部を前記樹脂層における発光素子とは反対側の面において露出させる工程と、を有することを特徴とする発光装置の製造方法。
【発明の効果】
【０００９】
上記の発光装置及びその製造方法によれば、発光装置の幅が発光素子の幅と同程度に維持されたＣＳＰ構造を有する発光装置において、発光素子上に設けられた保護素子を樹脂層内に埋没させることができる発光装置を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１Ａ】実施形態１に係る発光装置の構成を示す模式的平面図である。
【図１Ｂ】図１Ａ中のＡ−Ａ線断面を示す模式図である。
【図２Ａ】実施形態１に係る発光装置の製造方法の一例を説明する模式的断面図である。
【図２Ｂ】実施形態１に係る発光装置の製造方法の一例を説明する模式的断面図である。
【図２Ｃ】実施形態１に係る発光装置の製造方法の一例を説明する模式的断面図である。
【図２Ｄ】実施形態１に係る発光装置の製造方法の一例を説明する模式的断面図である。
【図２Ｅ】実施形態１に係る発光装置の製造方法の一例を説明する模式的断面図である。
【図２Ｆ】実施形態１に係る発光装置の製造方法の一例を説明する模式的断面図である。
【図２Ｇ】実施形態１に係る発光装置の製造方法の一例を説明する模式的断面図である。
【図２Ｈ】実施形態１に係る発光装置の製造方法の一例を説明する模式的断面図である。
【図３Ａ】実施形態２に係る発光装置の構成を示す模式的平面図である。
【図３Ｂ】図３Ａ中のＡ−Ａ線断面を示す模式図である。
【図４Ａ】実施形態２に係る発光装置の製造方法の一例を説明する模式的断面図である。
【図４Ｂ】実施形態２に係る発光装置の製造方法の一例を説明する模式的断面図である。
【図４Ｃ】実施形態２に係る発光装置の製造方法の一例を説明する模式的断面図である。
【図４Ｄ】実施形態２に係る発光装置の製造方法の一例を説明する模式的断面図である。
【図４Ｅ】実施形態２に係る発光装置の製造方法の一例を説明する模式的断面図である。
【図４Ｆ】実施形態２に係る発光装置の製造方法の一例を説明する模式的断面図である。
【図４Ｇ】実施形態２に係る発光装置の製造方法の一例を説明する模式的断面図である。
【図４Ｈ】実施形態２に係る発光装置の製造方法の一例を説明する模式的断面図である。
【図５Ａ】実施形態３に係る発光装置の模式的平面図である。
【図５Ｂ】図５Ａ中のＡ−Ａ線断面を示す模式図である。
【図６Ａ】実施形態４に係る発光装置の模式的平面図である。
【図６Ｂ】図６Ａ中のＡ−Ａ線断面を示す模式図である。
【図７】図１Ｂ、図３Ｂ、図５Ｂ、及び図６Ｂにおいて模式的に示した発光素子の断面を拡大した図である。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
［実施形態１に係る発光装置１］
図１Ａは実施形態１に係る発光装置の模式的平面図であり、図１Ｂは図１Ａ中のＡ−Ａ線断面を示す模式図である。図１Ａおよび図１Ｂに示すように、実施形態１に係る発光装置１は、半導体層１１の実装面側にｐ側電極１２及びｎ側電極１３を備えた発光素子１０と、発光素子１０のｐ側電極１２及びｎ側電極１３を覆う樹脂層２０と、樹脂層２０内で発光素子１０上に設けられ、発光素子１０のｐ側電極１２及びｎ側電極１３に電気的に接続された保護素子４０と、樹脂層２０内に設けられ、発光素子１０のｐ側電極１２に接続されるとともに樹脂層２０における発光素子１０とは反対側の面において露出するｐ側導電性部材３１と、樹脂層２０内に設けられ、発光素子１０のｎ側電極１３に接続されるとともに樹脂層２０における発光素子１０とは反対側の面において露出するｎ側導電性部材３２と、を備え、ｐ側導電性部材３１及びｎ側導電性部材３２は、それぞれワイヤＷを有する発光装置である。以下、順に説明する。
【００１２】
（発光素子１０）
発光素子１０は、例えば発光ダイオードチップなどである。発光素子１０は、半導体層１１の実装面側にｐ側電極１２とｎ側電極１３とを備えている。半導体層１１の実装面は、成長用基板８０が存在している面（あるいは存在していた面）とは反対側の面である。成長用基板８０が存在している面（あるいは存在していた面）は半導体層１１の光出射面であり、光出射面からは半導体層１１で生成された光が出射される。なお、本実施形態では、成長用基板８０に半導体層１１を積層した後、成長用基板８０が完全に除去され、成長用基板８０が完全に除去された半導体層１１の光出射面に蛍光体層６０が設けられる。
【００１３】
半導体層１１は、成長用基板８０の上に例えばＭＯＣＶＤ法（有機金属気相成長法）、ＨＶＰＥ法（ハイドライド気相成長法）、ＭＢＥ法（分子線エピタキシャル成長法）などの方法を用いて積層される。成長用基板８０としては、例えば、サファイアやスピネル（ＭｇＡｌ２Ｏ４）のような絶縁性基板、また炭化ケイ素（ＳｉＣ）、ＺｎＳ、ＺｎＯ、Ｓｉ、ＧａＡｓ、ダイヤモンド、及び窒化物半導体と格子接合するニオブ酸リチウム、ガリウム酸ネオジム等の酸化物基板を用いることができる。成長用基板８０は、半導体層１１の作製後に完全に除去されていてもよいし、一部が除去されていてもよいし、まったく除去されていなくてもよい。成長用基板８０は、例えばレーザリフトオフ法や研磨やエッチングなどにより除去することができる。
【００１４】
蛍光体層６０としては、波長変換材料（例：蛍光体）を含有した樹脂材料を用いることができる。
【００１５】
樹脂材料としては、半導体層１１や波長変換材料から出射した光に対して透光性を有する材料を用いることができる。このような材料としては、例えば、シリコーン樹脂、変性シリコーン樹脂、エポキシ樹脂、変性エポキシ樹脂、ユリア樹脂、フェノール樹脂、アクリレート樹脂、ウレタン樹脂、フッ素樹脂若しくはこれらの樹脂を少なくとも１種以上含む樹脂、又はハイブリッド樹脂などを好適に用いることができる。
【００１６】
波長変換材料としては、半導体層１１から出射した光を励起光として、この励起光と異なる波長の光を発する材料を用いることができ、特に、粒状の蛍光体を好適に用いることができる。例えば、Ｃｅ（セリウム）で賦活されたＹＡＧ（イットリウム・アルミニウム・ガーネット）系蛍光体、Ｃｅで賦活されたＬＡＧ（ルテチウム・アルミニウム・ガーネット）系蛍光体、Ｅｕ（ユーロピウム）及び／又はＣｒ（クロム）で賦活された窒素含有アルミノ珪酸カルシウム（ＣａＯ−Ａｌ２Ｏ３−ＳｉＯ２）系蛍光体、Ｅｕで賦活されたシリケート（（Ｓｒ，Ｂａ）２ＳｉＯ４）系蛍光体、βサイアロン蛍光体、ＫＳＦ（Ｋ２ＳｉＦ６：Ｍｎ）系蛍光体などは、波長変換材料の一例である。また、量子ドット蛍光体も波長変換材料の一例である。
【００１７】
蛍光体層６０の膜厚は、波長変換材料の含有量や所望する色調などに応じて定めることができるが、例えば、１〜５００μｍとすることができ、５〜２００μｍとすることがより好ましく、１０〜１００μｍとすることが更に好ましい。
【００１８】
蛍光体層６０は、半導体層１１の光出射面に設けられていてもよいが、設けられていなくてもよい。蛍光体層６０が半導体層１１の光出射面に設けられない場合は、半導体層１１の光出射面それ自体から光が取り出される。
【００１９】
発光素子１０のｐ側電極１２やｎ側電極１３は、例えば、半導体層１１が有するｐ型半導体層１１３やｎ型半導体層１１１に電気的に接続されるパッド電極である。ｐ側電極１２やｎ側電極１３には、金属材料を用いることができ、例えば、Ａｇ、Ａｌ、Ｎｉ、Ｒｈ、Ａｕ、Ｃｕ、Ｔｉ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ｍｏ、Ｃｒ、Ｗなどの単体金属又はこれらの金属を主成分とする合金などを好適に用いることができる。なお、合金を用いる場合は、例えば、ＡｌＳｉＣｕ合金（ＡＳＣ）のように、組成元素としてＳｉなどの非金属元素を含有するものであってもよい。また、ｐ側電極１２やｎ側電極１３としては、これらの金属材料を単層で、又は積層したものを利用することができる。
【００２０】
（樹脂層２０）
樹脂層２０は、発光素子１０のｐ側電極１２とｎ側電極１３とを覆っている。樹脂層２０は例えば半導体層１１の実装面に設けられている。樹脂層２０には、例えば、シリコーン樹脂、変性シリコーン樹脂、エポキシ樹脂、変性エポキシ樹脂、ユリア樹脂、フェノール樹脂、アクリレート樹脂、ウレタン樹脂、フッ素樹脂若しくはこれらの樹脂を少なくとも１種以上含む樹脂、又はハイブリッド樹脂などを用いることができる。樹脂層２０には、粒状のカーボンブラックやＡｌＮ（窒化アルミニウム）、ＳｉＣ（炭化ケイ素）などの熱伝導部材を含有させるようにしてもよい。このようにすれば、熱伝導率が高まるため、発光素子１０で生じた熱を迅速に伝導して外部に放熱させることができる。なお、透光性の樹脂材料を樹脂層２０として用いる場合には、樹脂層２０に光反射性のフィラーを含有させることが好ましい。このようにすれば、半導体層１１の光出射面から効率良く光を取り出すことができる。樹脂層２０の厚みは、機械強度の観点から３０μｍ以上５００μｍ以下程度であることが好ましく、１００μｍ以上３００μｍ以下程度であることが更に好ましい。樹脂層２０は例えば金型を用いた圧縮成形やトランスファーモールド、スピンコートなどにより設けることができる。
【００２１】
（ｐ側導電性部材３１、ｎ側導電性部材３２）
ｐ側導電性部材３１とｎ側導電性部材３２は、樹脂層２０内に設けられるとともに、樹脂層２０における発光素子１０とは反対側の面において露出する。ｐ側導電性部材３１とｎ側導電性部材３２は、発光素子１０のｐ側電極１２とｎ側電極１３にそれぞれ接続される。ｐ側導電性部材３１及びｎ側導電性部材３２としてはワイヤＷが用いることができる。これにより、発光装置の量産性が向上する。
【００２２】
ワイヤＷとしては、良好な電気伝導性及び熱伝導性を有する金属材料を用いることが好ましく、例えば、Ａｕ、Ｃｕ、Ａｌ、Ａｇ又はこれらの金属を主成分とする合金などを好適に用いることができる。ワイヤＷの表面にはコーティングを施してもよい。発光素子１０にて生じる熱を効率よく伝導するために、ワイヤＷの径は太いほど好ましい。具体的には、２０μｍ程度以上であることが好ましく、３０μｍ程度以上であることがさらに好ましい。なお、ワイヤＷの径の上限は、発光素子１０のｎ側電極１３及びｐ側電極１２に配線可能なサイズであれば特に限定されるものではないが、ワイヤボンディングを行う際の衝撃で半導体層１１にダメージが生じない程度、例えば、３ｍｍ程度以下とすることが好ましく、１ｍｍ程度以下とすることが更に好ましい。なお、Ｃｕ、Ａｌ又はこれらを主成分とする合金からなる材料をワイヤＷとして用いれば、より太いワイヤＷを安価に利用することができる。ワイヤＷの形状は特に限定されず、円形の断面形状を有するワイヤＷの他に、楕円形や長方形などの断面形状を有するリボン状のワイヤＷを用いるようにしてもよい。
【００２３】
（保護素子４０）
保護素子４０は、樹脂層２０内で発光素子１０上に設けられ、発光素子１０のｐ側電極１２とｎ側電極１３とに電気的に接続される。より具体的に説明すると、保護素子４０は発光素子１０に対向する側にｐ側電極４１及びｎ側電極４２を有しており、保護素子４０のｐ側電極４１及びｎ側電極４２は接合部材７０（例：半田バンプ、銅バンプ、金バンプ、銀ペースト）を用いて発光素子１０のｐ側電極１２及びｎ側電極１３に電気的に接続される。
【００２４】
保護素子４０としては、例えば、発光素子１０に印加される逆方向の電圧を短絡したり、発光素子１０の動作電圧より高い所定の電圧以上の順方向電圧を短絡したりさせることができる素子、つまり、過熱、過電圧、過電流、保護回路、静電保護素子等が挙げられる。具体的には、ツェナーダイオードやトランジスタのダイオード、コンデンサなどを用いることができる。
【００２５】
（ｐ側外部電極５１、ｎ側外部電極５２）
樹脂層２０における発光素子１０とは反対側の面には、ｐ側導電性部材３１とｎ側導電性部材３２とにそれぞれ接続されたｐ側外部電極５１とｎ側外部電極５２とを設けてもよい。ｐ側外部電極５１やｎ側外部電極５２によれば、発光装置１を外部基板に実装することが容易になる。ｐ側外部電極５１やｎ側外部電極５２は、Ａｕ−Ｓｎ共晶半田などのＡｕ合金系の接合材料を用いた実装基板との接合性を高めるため、少なくとも最上層がＡｕで形成されていることが好ましい。例えば、スパッタリング法により、まず、Ｔｉ及びＮｉの薄膜を順次に形成し、Ｎｉ層の上層にＡｕ層を積層して形成することが好ましい。ｐ側外部電極５１やｎ側外部電極５２は、総膜厚が０．１〜５μｍ程度であることが好ましく、０．５〜４μｍ程度であることが更に好ましい。なお、ワイヤＷがＡｕで形成されている場合は、ｐ側外部電極５１やｎ側外部電極５２を設けずに、ワイヤＷの上面を外部との接続面としてもよい。
【００２６】
以上説明したように、実施形態１に係る発光装置１によれば、発光装置１の幅が発光素子１０の幅と同程度に維持されたＣＳＰ構造を有する発光装置において、発光素子１０上に設けられた保護素子４０を樹脂層４０内に埋没させることができる発光装置を提供することができる。
【００２７】
また、実施形態１に係る発光装置１によれば、ｐ側導電性部材３１とｎ側導電性部材３２が、めっきよりも簡単に形成することが可能なワイヤＷを有して構成されるため、樹脂層２０内に保護素子４０が設けられた樹脂層２０が比較的厚い発光装置の量産性を効果的に向上させることができる。なお、実施形態１は、樹脂層２０内に保護素子４０を設ける発光装置のなかでも、小型化を実現するために成長用基板８０を完全に除去したりその厚さを薄くしたりする発光装置に対して特に好ましく適用することができる。このようにして小型化が図られた発光装置では、このような小型化が図られていない発光装置よりも、発光装置の機械強度を維持するために樹脂層２０が厚く設けられることが多いからである。
【００２８】
［実施形態１に係る発光装置１の製造方法］
図２Ａから図２Ｈは、実施形態１に係る発光装置の製造方法の一例を説明する模式的断面図である。
【００２９】
（第１工程）
まず、半導体層１１の実装面側にｐ側電極１２およびｎ側電極１３を有する発光素子１０と、ｐ側電極４１およびｎ側電極４２を同一面側に有する保護素子４０と、を準備する。発光素子１０の半導体層１１は、具体的には、ＭＯＣＶＤ法（有機金属気相成長法）、ＨＶＰＥ法（ハイドライド気相成長法）、ＭＢＥ法（分子線エピタキシャル成長法）などの方法により、成長用基板８０の上に半導体層１１を積層し、積層された半導体層１１の上面（実装面）側にｐ側電極１２及びｎ側電極１３を形成する。ｐ側電極１２及びｎ側電極１３は、例えばスパッタリングにより形成する。
【００３０】
（第２工程）
次に、図２Ａに示すように、発光素子１０のｐ側電極１２と保護素子４０のｐ側電極４１とが電気的に接続され、かつ発光素子１０のｎ側電極１３と保護素子４０のｎ側電極４２とが電気的に接続されるように、発光素子１０上に保護素子４０を実装する。具体的には、例えば半田などの接合部材７０を用いて、保護素子４０のｐ側電極４１を発光素子１０のｐ側電極１２に電気的に接続し、かつ保護素子４０のｎ側電極４２を発光素子１０のｎ側電極１３に電気的に接続する。
【００３１】
（第３工程）
次に、図２Ｂに示すように、ワイヤボンディング装置により、ワイヤＷの一端を発光素子１０のｐ側電極１２に接続し、かつワイヤＷの他端を発光素子１０のｎ側電極１３に接続する。
【００３２】
（第４工程）
次に、図２Ｃに示すように、金型を用いた圧縮成形により半導体層１１の実装面側に樹脂層２０を形成し、保護素子４０とワイヤＷを樹脂層２０内に埋没させる。
【００３３】
（第５工程）
次に、図２Ｄに示すように、樹脂層２０を硬化させた後、切削装置を用いて樹脂層２０の一部を除去して樹脂層２０内に埋没させたワイヤＷの一部を樹脂層２０における発光素子１０とは反対側の面において露出させる。これによって、ワイヤＷは、２本のワイヤＷに分離される。また、樹脂層２０の上面と同一面となるように、ワイヤＷの一部が露出する。
【００３４】
（第６工程）
次に、図２Ｅに示すように、ワイヤＷの上面及びその近傍の樹脂層２０の上面に、ｎ側外部電極５２及びｐ側外部電極５１としての金属膜を形成する。金属膜は、例えばスパッタリング法により成膜した金属膜をパターニングすることにより形成することができる。金属膜のパターニングは、エッチングによるパターン形成法やリフトオフによるパターン形成法などを用いることができる。
【００３５】
（第７工程）
次に、図２Ｆに示すように、例えば、ＬＬＯ（レーザーリフトオフ法）やケミカルリフトオフ法等により、成長用基板８０を除去する。このとき、半導体層１１は、樹脂層２０により補強されているため、割れやひびなどの損傷を受けない。露出した半導体層１１の下面（光出射面）には、研磨やウェットエッチングなどによる粗面化により凹凸形状を形成してもよい。なお、除去した成長用基板８０は、表面を研磨することで、別個の半導体層１１の成長用基板８０として再利用することができる。
【００３６】
（第８工程）
次に、図２Ｇに示すように、半導体層１１の下面（光出射面）側に蛍光体層６０を形成する。蛍光体層６０は、例えば、溶剤に樹脂材料及び蛍光体を含有させたスラリーをスプレー塗布することにより形成することができる。
【００３７】
（第９工程）
次に、図２Ｈに示すように、ダイシングにより集合基板を個片化して複数の発光装置１とする。
【００３８】
以上説明した製造方法例によれば、実施形態１に係る発光装置１を容易に製造することができる。また、実施形態１に係る発光装置１の量産性を向上させることができる。
【００３９】
［実施形態２に係る発光装置２］
図３Ａは実施形態２に係る発光装置の模式的平面図であり、図３Ｂは図３Ａ中のＡ−Ａ線断面を示す模式図である。
【００４０】
図３Ａ及び図３Ｂに示すように、実施形態２に係る発光装置２は、保護素子４０が発光素子１０とは反対側にｐ側電極４１及びｎ側電極４２を有するとともに、保護素子４０のｐ側電極４１及びｎ側電極４２がワイヤＷを介してｐ側外部電極５１及びｎ側外部電極５２にそれぞれ電気的に接続されている点で、実施形態１に係る発光装置１と相違する。実施形態２によっても、実施形態１と同様に、発光装置２の幅が発光素子１０の幅と同程度に維持されたＣＳＰ構造を有する発光装置において、発光素子１０上に設けられた保護素子４０を樹脂層４０内に埋没させることができる発光装置を提供することができる。また、発光装置２の量産性を向上させることができる。
【００４１】
実施形態２においては、保護素子４０を発光素子１０上に載置する接合部材７０として、樹脂材料を用いることができる。具体的には、エポキシ樹脂、シリコーン樹脂、ポリイミド樹脂、アクリル系樹脂や不飽和ポリエステルなどの樹脂などが好適に挙げられる。これらは、単独又は２種類以上混合して使用することもできる。
【００４２】
［実施形態２に係る発光装置２の製造方法］
図４Ａから図４Ｈは、実施形態２に係る発光装置の製造方法の一例を説明する模式的断面図である。
【００４３】
（第１工程）
第１工程は実施形態１の第１工程と同じであるので説明を省略する。
【００４４】
（第２工程）
次に、図４Ａに示すように、発光素子１０上に保護素子４０を載置する。具体的には、保護素子４０は、ｐ側電極４１及びｎ側電極４２を同一面側に有しており、発光素子１０とは反対側にｐ側電極４１及びｎ側電極４２が位置するように、発光素子１０上に樹脂材料などの接合部材７０を介して載置される。
【００４５】
（第３工程）
次に、図４Ｂに示すように、ワイヤボンディング装置により、第１ワイヤＷ１の一端を発光素子１０のｐ側電極１２に接続し、かつ第１ワイヤＷ１の他端を保護素子４０のｐ側電極４１に接続するとともに、第２ワイヤＷ２の一端を発光素子１０のｎ側電極１３に接続し、かつ第２ワイヤＷ２の他端を保護素子４０のｎ側電極４２に接続する。
【００４６】
（第４工程）
次に、図４Ｃに示すように、金型を用いた圧縮成型により半導体層１１の実装面側に樹脂層２０を形成し、保護素子４０と第１ワイヤＷ１及び第２ワイヤＷ２を樹脂層２０内に埋没させる。
【００４７】
（第５工程）
次に、図４Ｄに示すように、樹脂層２０を硬化させた後、切削装置を用いて樹脂層２０の一部を除去して樹脂層２０内に埋没させた第１ワイヤＷ１及び第２ワイヤＷ２の一部を樹脂層２０における発光素子１０とは反対側の面において露出させる。これによって、第１ワイヤＷ１及び第２ワイヤＷ２は、それぞれ２本のワイヤＷに分離される（合計４本）。また、樹脂層２０の上面と同一面となるように、第１ワイヤＷ１及び第２ワイヤＷ２の一部が露出する。
【００４８】
（第６工程）
次に、図４Ｅに示すように、第１ワイヤＷ１及び第２ワイヤＷ２の上面及びその近傍の樹脂層２０の上面に、ｎ側外部電極５２及びｐ側外部電極５１としての金属膜を形成する。金属膜は、例えばスパッタリング法により成膜した金属膜をパターニングすることにより形成することができる。金属膜のパターニングは、エッチングによるパターン形成法やリフトオフによるパターン形成法などを用いることができる。
【００４９】
（第７工程から第９工程）
第７工程から第９工程（図４Ｆから図４Ｈ参照）は、実施形態１の第７工程から第９工程と同じであるので説明を省略する。
【００５０】
以上説明した製造方法例によれば、実施形態２に係る発光装置２を容易に製造することができる。また、発光装置２の量産性を向上させることができる。
【００５１】
［実施形態３に係る発光装置］
図５Ａは実施形態３に係る発光装置の模式的平面図であり、図５Ｂは図５Ａ中のＡ−Ａ線断面を示す模式図である。図５Ａ、図５Ｂに示すように、実施形態３に係る発光装置３は、放熱性を向上させるために、ｐ側導電性部材３１とｎ側導電性部材３２が、発光装置の量産性が悪化しない程度の厚さで、めっき層３１（Ｐ）、３２（Ｐ）をその一部に有している点で、実施形態１と相違する。このように、発光装置の量産性が悪化しない程度の厚さであれば、ｐ側導電性部材３１とｎ側導電性部材３２は、ワイヤ３１（Ｗ）、３２（Ｗ）に加えて、めっき層３１（Ｐ）、３２（Ｐ）をその一部に有していてもよい。
【００５２】
［実施形態４に係る発光装置］
図６Ａは実施形態４に係る発光装置の模式的平面図であり、図６Ｂは図６Ａ中のＡ−Ａ線断面を示す模式図である。図６Ａ、図６Ｂに示すように、実施形態４に係る発光装置４は、保護素子４０が、発光素子１０に対向する側及び発光素子１０とは反対側にｎ側電極４２及びｐ側電極４１をそれぞれ有しており、発光素子１０に対向する側の保護素子４０のｎ側電極４２が接続部材７０によって発光素子１０のｎ側電極１３に電気的に接続され、発光素子１０とは反対側の保護素子４０のｐ側電極４１がワイヤＷによって発光素子１０のｐ側電極１２に電気的に接続されている点で、実施形態１と相違する。保護素子４０のｐ側電極４１及びｎ側電極４２のいずれか一方が発光素子１０とは反対側に設けられ、いずれか他方が発光素子１０に対向する側に設けられる場合には、樹脂層２０が厚く設けられる傾向にあるが、このような場合であっても、実施形態４によれば、発光装置の量産性を向上させることができる。
【００５３】
［発光素子１０］
図７は図１Ｂ、図３Ｂ、図５Ｂ、及び図６Ｂにおいて模式的に示した発光素子１０の断面を拡大した図である。図７に示すように、発光素子１０は、半導体層１１とｐ側電極１２とｎ側電極１３と絶縁膜１４とを備えている。半導体層１１は、例えば、ＩｎＸＡｌＹＧａ１−Ｘ−ＹＮ（０≦Ｘ、０≦Ｙ、Ｘ＋Ｙ＜１）などの半導体が用いられる。半導体層１１は、より具体的には、例えばｎ型半導体層１１１、活性層１１２、及びｐ型半導体層１１３などからなる。ｎ型半導体層１１１、活性層１１２、及びｐ型半導体層１１３は、それぞれ単層構造でもよいが、組成及び膜厚等が異なる層を有する積層構造、超格子構造等であってもよい。特に、活性層１１２は、量子効果が生ずる薄膜を積層した単一量子井戸又は多重量子井戸構造であることが好ましい。図７に示した発光素子１０を用いれば、半導体層１１の実装面側におけるｎ側電極１３の高さとｐ側電極１２の高さとを同じ高さ（ほぼ同じ高さを含む。）に形成することができるため、発光素子１０上に保護素子４０を載置しやすくなり、好ましい。
【００５４】
以上、実施形態について説明したが、これらの説明は一例に関するものであり、特許請求の範囲に記載された構成は、これらの説明によって何ら限定されるものではない。
【符号の説明】
【００５５】
１      発光装置
２      発光装置
３      発光装置
４      発光装置
１０    発光素子
１１    半導体層
１１１  ｎ型半導体層
１１２  活性層
１１３  ｐ型半導体層
１２    発光素子のｐ側電極
１３    発光素子のｎ側電極
１４    絶縁膜
２０    樹脂層
３１        ｐ側導電性部材
３１（Ｗ）  ｐ側導電性部材（ワイヤ）
３１（Ｐ）  ｐ側導電性部材（めっき層）
３２        ｎ側導電性部材
３２（Ｗ）  ｎ側導電性部材（ワイヤ）
３２（Ｐ）  ｎ側導電性部材（めっき層）
４０    保護素子
４１    保護素子のｐ側電極
４２    保護素子のｎ側電極
５１    ｐ側外部電極
５２    ｎ側外部電極
６０    蛍光体層
７０    接合部材
８０    成長用基板
Ｗ      ワイヤ
Ｗ１    第１ワイヤ
Ｗ２    第２ワイヤ
【図１Ａ】
0006398381.tif 000002
【図１Ｂ】
0006398381.tif 000003
【図２Ａ】
0006398381.tif 000004
【図２Ｂ】
0006398381.tif 000005
【図２Ｃ】
0006398381.tif 000006
【図２Ｄ】
0006398381.tif 000007
【図２Ｅ】
0006398381.tif 000008
【図２Ｆ】
0006398381.tif 000009
【図２Ｇ】
0006398381.tif 000010
【図２Ｈ】
0006398381.tif 000011
【図３Ａ】
0006398381.tif 000012
【図３Ｂ】
0006398381.tif 000013
【図４Ａ】
0006398381.tif 000014
【図４Ｂ】
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【図４Ｃ】
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【図４Ｄ】
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【図４Ｅ】
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【図４Ｆ】
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【図４Ｇ】
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【図４Ｈ】
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【図５Ａ】
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【図５Ｂ】
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【図６Ａ】
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【図６Ｂ】
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【図７】
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