(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
光学アセンブリであって、
光学面を含む光学デバイスと、
前記光学面を実質的に又は完全に覆う前形成封止材膜と、を含み、前記封止材が、
硬化しても硬化しなくてもよい第１のシリコーン含有ホットメルト組成物を含む第１の層であって、第１主表面及び第２主表面を有する第１の層と、
硬化しても硬化しなくてもよい第２のシリコーン含有ホットメルト組成物を含む第２の層であって、第１主表面及び第２主表面を有する第２の層と、を含み、前記第２の層の前記第１主表面が、前記第１の層の前記第１主表面と接触し、
前記第１及び／又は第２のシリコーン含有ホットメルト組成物は、少なくとも１つの樹脂−直鎖状組成物を含み、前記樹脂−直鎖状組成物は、４０〜９０モルパーセントの式［Ｒ１２ＳｉＯ２／２］のジシロキシ単位と、１０〜６０モルパーセントの式［Ｒ２ＳｉＯ３／２］のトリシロキシ単位と、０．５〜２５モルパーセントのシラノール基［≡ＳｉＯＨ］と、を含有するオルガノシロキサンブロックコポリマーを含み、式中、Ｒ１は、独立して、Ｃ１〜Ｃ３０ヒドロカルビルであり、Ｒ２は、独立して、Ｃ１〜Ｃ２０ヒドロカルビルであり、式中、ジシロキシ単位［Ｒ１２ＳｉＯ２／２］は、直鎖状ブロック当たり平均１０〜４００個のジシロキシ単位［Ｒ１２ＳｉＯ２／２］を有する直鎖状ブロック中に配置され、トリシロキシ単位［Ｒ２ＳｉＯ３／２］は、少なくとも５００ｇ／モルの分子量を有する非直鎖状ブロック中に配置され、少なくとも３０％の非直鎖状ブロックは、互いに架橋され、一緒にナノドメインに主に凝集され、各直鎖状ブロックは、少なくとも１つの非直鎖状ブロックに連結され、オルガノシロキサンブロックコポリマーは、少なくとも２０，０００ｇ／モルの重量平均分子量を有し、２５℃で固体である、光学アセンブリ。
【請求項２】
前記第１のシリコーン含有ホットメルト組成物及び前記第２のシリコーン含有ホットメルト組成物のうち少なくとも１つが、反応性又は非反応性シリコーン含有ホットメルト組成物である、請求項１に記載の光学アセンブリ。
【請求項３】
前記第１のシリコーン含有ホットメルト組成物及び前記第２のシリコーン含有ホットメルト組成物のうち少なくとも１つが、ヒドロシリル化硬化組成物、高フェニル−Ｔ組成物、シリコンシーラント組成物、ポリ尿素−ポリシロキサン組成物、ＭＱ／ポリシロキサン組成物、ＭＱ／Ｘ−ジオルガノシロキサン組成物、ポリイミド−ポリシロキサン組成物、ポリカーボネート−ポリシロキサン組成物、ポリウレタン−ポリシロキサン組成物、ポリアクリレート−ポリシロキサン組成物、又はポリイソブチレン−ポリシロキサン組成物のうち少なくとも１つを含む、請求項１に記載の光学アセンブリ。
【請求項４】
前記第１の層及び前記第２の層のうち少なくとも１つがショアＡ硬度勾配を有し、該ショアＡ硬度勾配が、前記第１の層の前記第１主表面から前記第２主表面まで、又は、前記第２の層の前記第１主表面から前記第２主表面までである、請求項１に記載の光学アセンブリ。
【請求項５】
前記封止材の厚さが約０．５μｍ〜約５０００μｍである、請求項１に記載の光学アセンブリ。
【請求項６】
前記第１の層及び前記第２の層のうち少なくとも１つが硬化している、請求項１に記載の光学アセンブリ。
【請求項７】
結合層を更に含む、請求項１に記載の光学アセンブリ。
【請求項８】
前記結合層が樹脂を含む、請求項７に記載の光学アセンブリ。
【請求項９】
前形成封止材膜であって、
硬化しても硬化しなくてもよい第１のシリコーン含有ホットメルト組成物を含む第１の層であって、第１主表面及び第２主表面を有する第１の層と、
硬化しても硬化しなくてもよい第２のシリコーン含有ホットメルト組成物を含む第２の層であって、第１主表面及び第２主表面を有する第２の層と、を含み、前記第２の層の前記第１主表面が、前記第１の層の前記第１主表面と接触し、
前記第１及び／又は第２のシリコーン含有ホットメルト組成物は、少なくとも１つの樹脂−直鎖状組成物を含み、前記樹脂−直鎖状組成物は、４０〜９０モルパーセントの式［Ｒ１２ＳｉＯ２／２］のジシロキシ単位と、１０〜６０モルパーセントの式［Ｒ２ＳｉＯ３／２］のトリシロキシ単位と、０．５〜２５モルパーセントのシラノール基［≡ＳｉＯＨ］と、を含有するオルガノシロキサンブロックコポリマーを含み、式中、Ｒ１は、独立して、Ｃ１〜Ｃ３０ヒドロカルビルであり、Ｒ２は、独立して、Ｃ１〜Ｃ２０ヒドロカルビルであり、式中、ジシロキシ単位［Ｒ１２ＳｉＯ２／２］は、直鎖状ブロック当たり平均１０〜４００個のジシロキシ単位［Ｒ１２ＳｉＯ２／２］を有する直鎖状ブロック中に配置され、トリシロキシ単位［Ｒ２ＳｉＯ３／２］は、少なくとも５００ｇ／モルの分子量を有する非直鎖状ブロック中に配置され、少なくとも３０％の非直鎖状ブロックは、互いに架橋され、一緒にナノドメインに主に凝集され、各直鎖状ブロックは、少なくとも１つの非直鎖状ブロックに連結され、オルガノシロキサンブロックコポリマーは、少なくとも２０，０００ｇ／モルの重量平均分子量を有し、２５℃で固体である、前形成封止材膜。
【請求項１０】
光学アセンブリの製造方法であって、
前形成封止材膜で光学デバイスの光学面を覆う工程を含み、
前記前形成封止材膜が、
第１のシリコーン含有ホットメルト組成物を含む第１の層であって、第１主表面及び第２主表面を有する第１の層と、
第２のシリコーン含有ホットメルト組成物を含む第２の層であって、第１主表面及び第２主表面を有する第２の層と、を含み、前記第２の層の前記第１主表面が、前記第１の層の前記第１主表面と接触し、
前記第１及び／又は第２のシリコーン含有ホットメルト組成物は、少なくとも１つの樹脂−直鎖状組成物を含み、前記樹脂−直鎖状組成物は、４０〜９０モルパーセントの式［Ｒ１２ＳｉＯ２／２］のジシロキシ単位と、１０〜６０モルパーセントの式［Ｒ２ＳｉＯ３／２］のトリシロキシ単位と、０．５〜２５モルパーセントのシラノール基［≡ＳｉＯＨ］と、を含有するオルガノシロキサンブロックコポリマーを含み、式中、Ｒ１は、独立して、Ｃ１〜Ｃ３０ヒドロカルビルであり、Ｒ２は、独立して、Ｃ１〜Ｃ２０ヒドロカルビルであり、式中、ジシロキシ単位［Ｒ１２ＳｉＯ２／２］は、直鎖状ブロック当たり平均１０〜４００個のジシロキシ単位［Ｒ１２ＳｉＯ２／２］を有する直鎖状ブロック中に配置され、トリシロキシ単位［Ｒ２ＳｉＯ３／２］は、少なくとも５００ｇ／モルの分子量を有する非直鎖状ブロック中に配置され、少なくとも３０％の非直鎖状ブロックは、互いに架橋され、一緒にナノドメインに主に凝集され、各直鎖状ブロックは、少なくとも１つの非直鎖状ブロックに連結され、オルガノシロキサンブロックコポリマーは、少なくとも２０，０００ｇ／モルの重量平均分子量を有し、２５℃で固体である、方法。
【請求項１１】
前記覆う工程の前に、前記前形成封止材膜を予め形成する工程を更に含む、請求項１０に記載の方法。
【請求項１２】
前記前形成封止材膜を圧縮成形する工程又は積層する工程を更に含む、請求項１０に記載の方法。
【請求項１３】
前記第１の層又は前記第２の層のうち少なくとも１つが１つ以上の蛍光体を含む、請求項１０に記載の方法。
【請求項１４】
前記第１の層又は前記第２の層のうち少なくとも１つを硬化する工程を更に含み、前記第１の層若しくは前記第２の層のうち少なくとも１つが、前記第１の層若しくは前記第２の層のうち別の少なくとも１つの硬化速度と同じ若しくは異なる硬化速度を有する；又は、前記第１の層若しくは前記第２の層のうち少なくとも１つが、前記第１の層若しくは前記第２の層のうち別の少なくとも１つの硬化機構と同じ若しくは異なる硬化機構を有する、請求項１０に記載の方法。
【請求項１５】
前記硬化機構が、ホットメルト硬化、湿気硬化、ヒドロシリル化硬化、縮合硬化、ペルオキシド硬化、又は、クリックケミストリー系硬化機構を含む、請求項１４に記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本出願は、２０１２年１２月２１日出願の米国特許仮出願第６１／７４０，８６７号の優先権の利益を主張するものであり、その全体は、参照することにより全体が記載されているかのように本明細書に組み込まれる。
【０００２】
（発明の分野）
本開示は、概して、層状ポリマー構造及び関連する方法に関する。
【背景技術】
【０００３】
光学エミッタ、光学検出器、光学増幅器などの光学デバイスは、光学面を通って光を放出又は受光し得る。種々のかかるデバイスについて、この光学面は、電子的構成要素又は、環境条件（例えば、雨、雪、及び熱）に敏感であり得る他の構成要素であることがあり、又はこれらを含むことがある。発光ダイオード（ＬＥＤ）、レーザダイオード、及び光センサを概して含む、オプトエレクトロニクスなどの特定の光学デバイスは、保護されない場合、電気的短絡又は環境条件からの他の障害に影響されやすい可能性のある固体電子的構成要素を含み得る。直ちには影響され得ない光学デバイスでさえ、保護されない場合、経時的に機能低下する可能性がある。したがって、当該技術分野において、とりわけ操作される環境から光学デバイスを保護する層状ポリマー構造が必要である。
【０００４】
１つ以上の光学デバイスを備える光学アセンブリは、層状ポリマー構造を、環境因子から保護するための封止材として、レンズとして、蛍光体源として、及び他の目的で利用する場合がある。光学デバイス用の層状ポリマー構造として利用され得る物質は、時間と共に分解する傾向を示す場合がある。かかる層状ポリマー構造は、最初は比較的透明であるが、例えば、変質は、濁り、黄変、又はその他色のひずみという結果になることがあり、光学デバイスから放出又は検出される光の低下やひずみの原因となる。亀裂、歪みなどといった破損の他の形態は、光学デバイスの操作性及び／又は性能を徐々に損なうことがある。
【０００５】
一部のシリコーン系層状ポリマー構造を含むかかる層状ポリマー構造は、白金触媒などの触媒を利用する硬化機構に依存する場合がある。しかしながら、残留触媒が、かかるシリコーン系層状ポリマー構造の熱安定性及び／又は長期耐久性を制限することがある。
【発明の概要】
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の様々な実施形態は、光学デバイスの光学面に対して、光学アセンブリ中で封止材として利用するものなどの層状ポリマー構造に関する。層状ポリマー構造は、第１の層と、第２の層と、を含んでよい。種々の層は、シリコーン含有ホットメルト組成物であってよい。層状ポリマー構造は、第１の層と、第２の層と、を含む前形成封止材膜であってよく、第１の層及び第２の層の各々は、独立して、シリコーン含有ホットメルト組成物を含む。
【図面の簡単な説明】
【０００７】
【図１】光学アセンブリにおいて封止材として利用され得るような、層状ポリマー構造の側面図である。
【図２】蛍光体を有する層を含む、層状ポリマー構造の側面図である。
【図３】３つの層を含む層状ポリマー構造側面図である。
【図４】例示の層中の二次元勾配の一例である。
【図５】光学アセンブリの一例である。
【図６】光学アセンブリの一例である。
【図７】光学アセンブリの一例である。
【図８】光学アセンブリの一例である。
【図９】光学アセンブリの一例である。
【図１０】光学アセンブリの一例である。
【図１１Ａ】光学アセンブリを形成するための、基板上での光学デバイスとの多層組成物の係合を示す。
【図１１Ｂ】光学アセンブリを形成するための、基板上での光学デバイスとの多層組成物の係合を示す。
【発明を実施するための形態】
【０００８】
用語「ホットメルト」は、本明細書で使用されるとき、概して、室温以下又は使用温度以下で固体であり、融解物になる材料（例えば、粘性を特徴とし、ないしは別の方法で、８０℃〜１５０℃などの高温で元の寸法に完全に戻らずに変形し得る材料）を指す。
【０００９】
本明細書に記載の種々の実施例及び実施形態の「ホットメルト」組成物は、反応性であってもよく又は非反応性であってもよい。反応性ホットメルト材料及び組成物は、硬化後室温で強度が高く、かつ流動し難い（すなわち、高粘度）、化学的に硬化性の熱硬化性製品である。反応性ホットメルト組成物の非限定例として、ジメチルアルケニルシロキシ末端ジメチルポリシロキサン；メチルアルケニルシロキサン及びジメチルシロキサンのジメチルアルケニルシロキシ末端コポリマー；メチルフェニルシロキサン及びジメチルシロキサンのジメチルアルケニルシロキシ末端コポリマー；メチルフェニルシロキサン、メチルアルケニルシロキサン、及びジメチルシロキサンのジメチルアルケニルシロキシ末端コポリマー；ジフェニルシロキサン及びジメチルシロキサンのジメチルアルケニルシロキシ末端コポリマー；ジフェニルシロキサン、メチルアルケニルシロキサン、及びジメチルシロキサンのジメチルアルケニルシロキシ末端コポリマー；又は、上記の任意の好適な組み合わせなどの、アルケニル反応性基を含有する組成物が挙げられる。ホットメルト組成物の粘度は、比較的低い温度（例えば、室温以下）での高度の粘性から、温度が室温などの作業温度より十分に高い、目標温度に向かって上昇するにつれて、比較的低い粘性を有するまで、温度の変化に伴って著しく変化する傾向がある。種々の実施例において、標的温度は２００℃である。反応性又は非反応性ホットメルト組成物は、組成物が、室温前後でよりも、高温（例えば、約５０〜２００℃の温度）で有意に粘性が低いため、概して、高温（例えば、室温より高い温度、例として５０℃を超える）で基板に適用される。場合によっては、ホットメルト組成物は、流動性質量として高温で基板上に適用され、次いで、冷却のみにより素早く「再凝固させる」ことを可能にする。他の用途の方法は、室温での、例えば、基板又は上板上のホットメルト材料のシートの適用、続いて加熱を含む。
【００１０】
種々の実施例において、層状ポリマー構造は、例えば、室温で固体である組成物（固体組成物）を含む。種々の他の実施例において、層状ポリマー構造は、約１．４を超える屈折率を有する組成物を含む。なお他の実施例において、層状ポリマー構造は、オルガノシロキサンブロックコポリマーを含む。層状ポリマー構造が、オルガノシロキサンブロックコポリマーを含むとき、ブロックコポリマーは、いくつかの実施例において、少なくとも２０，０００ｇ／モルの重量平均分子量を有する。いくつかの実施例において、オルガノシロキサンブロックコポリマーは、直鎖状ブロック当たり平均で１０〜４００個のジシロキシ単位［Ｒ１２ＳｉＯ２／２］を各々が有する直鎖状ブロックの中に配置される、４０〜９０モルパーセントの式［Ｒ１２ＳｉＯ２／２］のジシロキシ単位を含み得る。他の実施例において、オルガノシロキサンブロックコポリマーはまた、各々が少なくとも５００ｇ／モルの重量平均分子量を有する、非直鎖状ブロックに配置される、１０〜６０モルパーセントの式［Ｒ２ＳｉＯ３／２］のトリシロキシ単位を含み得る。なお他の実施例において、オルガノシロキサンブロックコポリマーはまた、０．５〜２５モルパーセントのシラノール基［≡ＳｉＯＨ］を含み得る。これらの式中、Ｒ１は、独立して、Ｃ１〜Ｃ３０ヒドロカルビルであり、Ｒ２は、独立して、Ｃ１〜Ｃ２０ヒドロカルビルである。加えて、種々の実施例において、非直鎖状ブロックの少なくとも３０％は、別の非直鎖状ブロックと架橋され得る。他の種々の実施例において、非直鎖状ブロックは、ナノドメインに凝集されてもよい。なお他の実施例において、オルガノシロキサンブロックコポリマーの各直鎖状ブロックは、少なくとも１つの非直鎖状ブロックに連結され得る。層にされたポリマー構造は、当該技術分野で既知である種々の層にされたポリマー構造と比べて、改善された厚さ制御を有し得る。
【００１１】
図１は、ポリマー構造など、光学アセンブリ（以下）において封止材として利用され得るような、層状ポリマー構造１００の側面図である。
【００１２】
様々な実施形態において、層状ポリマー構造は、前形成封止材膜を含む。本明細書で使用されるとき、用語「前形成封止材膜」は、広義では、光学デバイスの光学面を覆うのに使用される前、例えば、光学デバイスの光学面上に例えば配置される前に形成される、層状ポリマー構造を指す。前形成封止材膜は、任意の好適な寸法のシート、又は任意の好適な幅及び長さのテープの形状など、任意の好適な形状を取ることができる。例えば、光学デバイスの光学面を覆うのに使用される前に、前形成封止材膜は、独立した膜、シート、又はテープであってよい。しかしながら、用語「前形成封止材膜」は、例えば、光学デバイスの光学面上に第１の層である層状ポリマー構造を形成し、その後、第１の層である層状ポリマー構造の上面に第２の層である層状ポリマー構造を形成することなどを含まない。
【００１３】
層状ポリマー構造１００は、本明細書に詳細に説明されるようなシリコーン含有ホットメルト組成物を含み得る、本体１０２を含む。本体１０２は、多層のシリコーン含有ホットメルト組成物を組み込んでよい。本体１０２は、蛍光体を含んでよく、様々な特徴を持つ勾配（例えば、層状ポリマー構造の各個別層にわたる勾配）をもたらすように形成されてよい。種々の実施例において、層状ポリマー構造１００は、約０．５μｍ〜５０００μｍの厚さである。種々の実施例において、本体１０２及び本体を構成し得る１つ以上の層は、樹脂−直鎖状組成物、ヒドロシリル化硬化組成物、高フェニル−Ｔ組成物、シリコンシーラント組成物、ポリ尿素−ポリシロキサン組成物、ＭＱ／ポリシロキサン組成物、ＭＱ／Ｘ−ジオルガノシロキサン組成物、ポリイミド−ポリシロキサン組成物、ポリカーボネート−ポリシロキサン組成物、ポリウレタン−ポリシロキサン組成物、ポリアクリレート−ポリシロキサン組成物、又はポリイソブチレン−ポリシロキサン組成物のうち、少なくとも１つを含んでよい。いくつかの実施形態において、ポリカーボネート及びポリカーボネート−シロキサンコポリマー混合物が意図される。
【００１４】
更に図１に関して、層状ポリマー構造１００は剥離ライナー１０４も含んでよく、又は、種々の実施例において、剥離ライナー１０４に取り付けられてよい。剥離ライナー１０４は、層状ポリマー構造１００の光学デバイスなどの別の物体への固定を促進する、剥離剤を含んでよい。種々の実施例において、剥離ライナー１０４は、シリコン処理したＰＥＴ又はフッ素化ライナーであるか、又はこれらを含む。種々の実施例において、剥離ライナー１０４は平滑であり、又は、非平滑で、例えば反射防止面としての機能を果たす。
【００１５】
更に図１に関して、層状ポリマー構造１００は、本体１０２中に、第１の層１０６と、第２の層１０８と、を含む。種々の実施例において、第１の層１０６及び第２の層１０８は、両方ともシリコーン含有ホットメルト組成物であるが、種々の実施例において、異なる化学的性質を含む。本明細書に詳細に開示されるように、このような化学的性質の差は、層１０６、１０８間で比較的小さくてもよく、又は顕著に異なっていてもよい。本明細書に開示される種々の実施例において、第１の層は、第２の層と異なる材料特性、例えば弾性率、硬度、屈折率、光透過率、又は熱伝導率を有する。
【００１６】
更に図１に関して、層１０６、１０８は各々、第１主表面１１０、及び第１主表面１１０と反対側の第２主表面１１２を有してよい。剥離ライナー１０４を除去する又は組み込まないことで、第１の層１０６が、環境条件に曝される、又は曝され得る第１主表面１１０を有するようにしてよい（例えば、任意の追加ライナーで覆わないことで、雨、雪、及び熱などの屋外環境に曝す）。第１の層の第１主表面１１０は、全体に若しくは部分的に粗くあっても粗くしてもよく、又は、環境（屋外又は屋内）から、又は光学アセンブリ（例えば、光起電力パネル及び光学エネルギーを生成するデバイス、光結合素子、光学ネットワーク及びデータ伝送、器具パネル及びスイッチ、車内灯、信号の回転及び停止、家庭用電気器具、ＶＣＲ／ＤＶＤ／ステレオ／オーディオ／ビデオデバイス、遊具／ゲーム器具類、防犯設備、スイッチ、建築照明、標識（チャネルレター）、マシンビジョン、小売り表示、非常灯、ネオン及びバルブ交換、懐中電灯、アクセント照明フルカラービデオ、単色メッセージボード、交通機関では、レール、及び航空用途、携帯電話では、携帯情報端末（ＰＤＡ）、デジタルカメラ、ノート型パソコン、医療器具類では、バーコード読み取り機、カラー＆硬貨センサ、エンコーダ、光学スイッチ、光ファイバー通信、並びにこれらの組み合わせ）内から由来することがある塵埃などの埃を実質的にはじいてよい。
【００１７】
更に図１に関して、積層などの本明細書に開示される種々プロセスによって、及び触媒を使用することによって、層１０６、１０８を互いに対して固定してよい。第１の層及び第２の層は独立して、それらに使用される特定の組成物に対して適切に、硬化しても硬化しなくてもよい。ある実施例において、層１０６、１０８のうち１つのみが硬化され、一方、層１０６、１０８のうちもう１つは、硬化せずに固まってよい。ある実施例において、第１の層１０６及び第２の層１０８の各々が硬化されるが、異なる硬化速度で硬化される。種々の実施例において、第１の層１０６及び第２の層１０８の各々は、同一の又は異なる硬化機構を有する。ある実施例において、層１０６、１０８の硬化機構のうち少なくとも１つとして、ホットメルト硬化、湿気硬化、ヒドロシリル化硬化（上記）、縮合硬化、ペルオキシド／ラジカル硬化、光硬化、又は、いくつかの実施例において、アジドとアルキンとの間の金属触媒（銅若しくはルテニウム）反応、若しくはラジカル媒介性チオール−エン反応が関与する、クリックケミストリー系硬化が挙げられる。
【００１８】
更に図１に関して、層１０６、１０８の硬化機構として、同一層１０６若しくは１０８内で、又は、各層１０６又は１０８において、１つ以上の硬化機構の組み合わせを挙げてよい。例えば、同一層１０６又は１０８内の硬化機構として、ヒドロシリル化及び縮合硬化の組み合わせ（ヒドロシリル化が先に起こり、その後縮合硬化が起こる（下記参照）又はその反対、例えば、ヒドロシリル化／アルコキシ又はアルコキシ／ヒドロシリル化）、紫外光硬化及び縮合硬化の組み合わせ（例えば、ＵＶ／アルコキシ）、シラノール及びアルコキシ硬化の組み合わせ、シラノール及びヒドロシリル化硬化の組み合わせ、又は、アミド及びヒドロシリル化硬化の組み合わせを挙げてよい。
【００１９】
更に図１に関して、第１の層１０６及び第２の層１０８は、例えば互いに相溶し得ない第１硬化触媒及び第２硬化触媒を利用できる。いくつかの実施例において、このような配置は、互いに触媒の「作用を損なわせる」可能性があり、第１の層１０６と第２の層１０８との間の境界面で不完全に硬化するようになる。種々の実施例において、第１の層１０６及び第２の層１０８は、独立して、反応性又は非反応性シリコーン含有ホットメルト組成物を選択的に有する。
【００２０】
更に図１に関して、いくつかの実施例において、第１の層１０６及び第２の層１０８は、一方の層にＰｈ−Ｔ−ＰｈＭｅ、別の層にＰｈ−Ｔ−ＰｈＭｅを含む。いくつかの実施例において、Ｐｈ−Ｔ−ＰｈＭｅ層のうちの１つは、高屈折率Ｐｈ−Ｔ−ＰｈＭｅ層である。本明細書で使用されるように、用語「高屈折率」は、約１．５〜約１．５８、例えば、約１．５５〜約１．５８又は約１．５６〜約１．５８の屈折率を指す。他の実施例において、Ｐｈ−Ｔ−ＰｈＭｅ層のうちの１つは、硬化される。いくつかの実施例において、Ｐｈ−Ｔ−ＰｈＭｅ層のうちの１つは、約５０〜約１００マイクロメートル（例えば、約５０〜約７５マイクロメートル、約６０〜約９０マイクロメートル、又は約７５〜約１００マイクロメートル）の厚さを有する。他の実施例において、Ｐｈ−Ｔ−ＰｈＭｅ層のうちの１つは、約０．３〜約１．５ｍｍ（例えば、約０．５〜約１．３ｍｍ、約１〜約１．５ｍｍ、又は約０．７５〜約１．５ｍｍ）の厚さを有する。なお他の実施例において、更に他の実施例において、Ｐｈ−Ｔ−ＰｈＭｅは蛍光体を含む。
【００２１】
更に図１に関して、いくつかの実施例において、第１の層１０６及び第２の層１０８は、一方の層にＰｈ−Ｔ−ＰｈＭｅ、別の層にＰｈ−Ｔ−ＰＤＭＳを含む。いくつかの実施例において、Ｐｈ−Ｔ−ＰｈＭｅ層は高屈折率Ｐｈ−Ｔ−ＰｈＭｅ層である。いくつかの実施例において、Ｐｈ−Ｔ−ＰｈＭｅ層は、約５０〜約１００マイクロメートル（例えば、約５０〜約７５マイクロメートル、約６０〜約９０マイクロメートル、又は約７５〜約１００マイクロメートル）の厚さを有する。他の実施例において、Ｐｈ−Ｔ−ＰＤＭＳ層は、約０．３〜約１．５ｍｍ（例えば、約０．５〜約１．３ｍｍ、約１〜約１．５ｍｍ、又は約０．７５〜約１．５ｍｍ）の厚さを有する。更に他の実施例において、Ｐｈ−Ｔ−ＰｈＭｅ層は蛍光体を含む。
【００２２】
更に図１に関して、いくつかの実施例において、第１の層１０６及び第２の層１０８は、一方の層にＰｈ−Ｔ−ＰｈＭｅ、別の層にＭＱ／−ＰＤＭＳを含む。いくつかの実施例において、Ｐｈ−Ｔ−ＰｈＭｅ層は高屈折率Ｐｈ−Ｔ−ＰｈＭｅ層である。いくつかの実施例において、Ｐｈ−Ｔ−ＰｈＭｅ層は、約５０〜約１００マイクロメートル（例えば、約５０〜約７５マイクロメートル、約６０〜約９０マイクロメートル、又は約７５〜約１００マイクロメートル）の厚さを有する。他の実施例において、ＭＱ／ＰＤＭＳ層は、約０．３〜約１．５ｍｍ（例えば、約０．５〜約１．３ｍｍ、約１〜約１．５ｍｍ、又は約０．７５〜約１．５ｍｍ）の厚さを有する。更に他の実施例において、Ｐｈ−Ｔ−ＰｈＭｅ層は蛍光体を含む。
【００２３】
更に図１に関して、いくつかの実施例において、第１の層１０６及び第２の層１０８は、一方の層にＰｈ−Ｔ−ＰｈＭｅ、別の層にＮｐ−Ｔ−ＰｈＭｅを含む。いくつかの実施例において、Ｐｈ−Ｔ−ＰｈＭｅ層は高屈折率Ｐｈ−Ｔ−ＰｈＭｅ層である。いくつかの実施例において、Ｎｐ−Ｔ−ＰｈＭｅ層は超高屈折率Ｎｐ−Ｔ−ＰｈＭｅ層である。本明細書で使用されるように、用語「超高屈折率」は、例えば、１．６５を超える、１．７５を超える、約１．６〜約２．５、約１．７５〜約２、又は約１．６５〜約２の１．５８を超える屈折率を指す。他の実施例において、Ｐｈ−Ｔ−ＰｈＭｅ層は、約０．３〜約１．５ｍｍ（例えば、約０．５〜約１．３ｍｍ、約１〜約１．５ｍｍ、又は約０．７５〜約１．５ｍｍ）の厚さを有する。他の実施例において、Ｎｐ−Ｔ−ＰｈＭｅ層は、約５０〜約１００マイクロメートル（例えば、約５０〜約７５マイクロメートル、約６０〜約９０マイクロメートル、又は約７５〜約１００マイクロメートル）の厚さを有する。更に他の実施例において、Ｎｐ−Ｔ−ＰｈＭｅ層は、蛍光体を含む。
【００２４】
更に図１に関して、第２の層１０８は、シリコーン含有ホットメルト組成物内の蛍光体であるか、これを含む。
【００２５】
本明細書に記載される種々実施形態で使用するのに意図される蛍光体は、任意の好適な蛍光体であってよい。ある実施例において、蛍光体は、ホスト材料、並びに銅活性化硫化亜鉛及び銀活性化硫化亜鉛などの活性剤から作製される。ホスト材料は、様々な好適な材料、例えば、亜鉛、カドミウム、マンガン、アルミニウム、ケイ素、又は種々希土類金属の酸化物、窒化物及び酸窒化物、硫化物、セレン化物、ハロゲン化物又はケイ酸塩、Ｚｎ２ＳｉＯ４：Ｍｎ（Ｗｉｌｌｅｍｉｔｅ）；ＺｎＳ：Ａｇ＋（Ｚｎ、Ｃｄ）Ｓ：Ａｇ；ＺｎＳ：Ａｇ＋ＺｎＳ：Ｃｕ＋Ｙ２Ｏ２Ｓ：Ｅｕ；ＺｎＯ：Ｚｎ；ＫＣｌ；ＺｎＳ：Ａｇ、Ｃｌ又はＺｎＳ：Ｚｎ；（ＫＦ、ＭｇＦ２）：Ｍｎ；（Ｚｎ、Ｃｄ）Ｓ：Ａｇ又は（Ｚｎ、Ｃｄ）Ｓ：Ｃｕ；Ｙ２Ｏ２Ｓ：Ｅｕ＋Ｆｅ２Ｏ３、ＺｎＳ：Ｃｕ、Ａｌ；ＺｎＳ：Ａｇ＋Ｃｏ−ｏｎ−Ａｌ２Ｏ３；（ＫＦ、ＭｇＦ２）：Ｍｎ；（Ｚｎ、Ｃｄ）Ｓ：Ｃｕ、Ｃｌ；ＺｎＳ：Ｃｕ又はＺｎＳ：Ｃｕ、Ａｇ；ＭｇＦ２：Ｍｎ；（Ｚｎ、Ｍｇ）Ｆ２：Ｍｎ；Ｚｎ２ＳｉＯ４：Ｍｎ、Ａｓ；ＺｎＳ：Ａｇ＋（Ｚｎ、Ｃｄ）Ｓ：Ｃｕ；Ｇｄ２Ｏ２Ｓ：Ｔｂ；Ｙ２Ｏ２Ｓ：Ｔｂ；Ｙ３Ａｌ５Ｏ１２：Ｃｅ；Ｙ２ＳｉＯ５：Ｃｅ；Ｙ３Ａｌ５Ｏ１２：Ｔｂ；ＺｎＳ：Ａｇ、Ａｌ；ＺｎＳ：Ａｇ；ＺｎＳ：Ｃｕ、Ａｌ又はＺｎＳ：Ｃｕ、Ａｕ、Ａｌ；（Ｚｎ、Ｃｄ）Ｓ：Ｃｕ、Ｃｌ＋（Ｚｎ、Ｃｄ）Ｓ：Ａｇ、Ｃｌ；Ｙ２ＳｉＯ５：Ｔｂ；Ｙ２ＯＳ：Ｔｂ；Ｙ３（Ａｌ、Ｇａ）５Ｏ１２：Ｃｅ；Ｙ３（Ａｌ、Ｇａ）５Ｏ１２：Ｔｂ；ＩｎＢＯ３：Ｔｂ；ＩｎＢＯ３：Ｅｕ；ＩｎＢＯ３：Ｔｂ＋ＩｎＢＯ３：Ｅｕ；ＩｎＢＯ３：Ｔｂ＋ＩｎＢＯ３：Ｅｕ＋ＺｎＳ：Ａｇ；（Ｂａ、Ｅｕ）Ｍｇ２Ａｌ１６Ｏ２７；（Ｃｅ、Ｔｂ）ＭｇＡｌ１１Ｏ１９；ＢａＭｇＡｌ１０Ｏ１７：Ｅｕ、Ｍｎ；ＢａＭｇ２Ａｌ１６Ｏ２７：Ｅｕ（ＩＩ）；ＢａＭｇＡｌ１０Ｏ１７：Ｅｕ、Ｍｎ；ＢａＭｇ２Ａｌ１６Ｏ２７：Ｅｕ（ＩＩ）、Ｍｎ（ＩＩ）；Ｃｅ０．６７Ｔｂ０．３３ＭｇＡｌ１１Ｏ１９：Ｃｅ、Ｔｂ；Ｚｎ２ＳｉＯ４：Ｍｎ、Ｓｂ２Ｏ３；ＣａＳｉＯ３：Ｐｂ、Ｍｎ；ＣａＷＯ４（Ｓｃｈｅｅｌｉｔｅ）；ＣａＷＯ４：Ｐｂ；ＭｇＷＯ４；（Ｓｒ、Ｅｕ、Ｂａ、Ｃａ）５（ＰＯ４）３Ｃｌ；Ｓｒ５Ｃｌ（ＰＯ４）３：Ｅｕ（ＩＩ）；（Ｃａ、Ｓｒ、Ｂａ）３（ＰＯ４）２Ｃｌ２：Ｅｕ；（Ｓｒ、Ｃａ、Ｂａ）１０（ＰＯ４）６Ｃｌ２：Ｅｕ；Ｓｒ２Ｐ２Ｏ７：Ｓｎ（ＩＩ）；Ｓｒ６Ｐ５ＢＯ２０：Ｅｕ；Ｃａ５Ｆ（ＰＯ４）３：Ｓｂ；（Ｂａ、Ｔｉ）２Ｐ２Ｏ７：Ｔｉ；３Ｓｒ３（ＰＯ４）２．ＳｒＦ２：Ｓｂ、Ｍｎ；Ｓｒ５Ｆ（ＰＯ４）３：Ｓｂ、Ｍｎ；Ｓｒ５Ｆ（ＰＯ４）３：Ｓｂ、Ｍｎ；ＬａＰＯ４：Ｃｅ、Ｔｂ；（Ｌａ、Ｃｅ、Ｔｂ）ＰＯ４；（Ｌａ、Ｃｅ、Ｔｂ）ＰＯ４：Ｃｅ、Ｔｂ；Ｃａ３（ＰＯ４）２ＣａＦ２：Ｃｅ、Ｍｎ；（Ｃａ、Ｚｎ、Ｍｇ）３（ＰＯ４）２：Ｓｎ；（Ｚｎ、Ｓｒ）３（ＰＯ４）２：Ｍｎ；（Ｓｒ、Ｍｇ）３（ＰＯ４）２：Ｓｎ；（Ｓｒ、Ｍｇ）３（ＰＯ４）２：Ｓｎ（ＩＩ）；Ｃａ５Ｆ（ＰＯ４）３：Ｓｂ、Ｍｎ；Ｃａ５（Ｆ、Ｃｌ）（ＰＯ４）３：Ｓｂ、Ｍｎ；（Ｙ、Ｅｕ）２Ｏ３；Ｙ２Ｏ３：Ｅｕ（ＩＩＩ）；Ｍｇ４（Ｆ）ＧｅＯ６：Ｍｎ；Ｍｇ４（Ｆ）（Ｇｅ、Ｓｎ）Ｏ６：Ｍｎ；Ｙ（Ｐ、Ｖ）Ｏ４：Ｅｕ；ＹＶＯ４：Ｅｕ；Ｙ２Ｏ２Ｓ：Ｅｕ；３．５ＭｇＯ・０．５ＭｇＦ２・ＧｅＯ２：Ｍｎ；Ｍｇ５Ａｓ２Ｏ１１：Ｍｎ；ＳｒＡｌ２Ｏ７：Ｐｂ；ＬａＭｇＡｌ１１Ｏ１９：Ｃｅ；ＬａＰＯ４：Ｃｅ；ＳｒＡｌ１２Ｏ１９：Ｃｅ；ＢａＳｉ２Ｏ５：Ｐｂ；ＳｒＦＢ２Ｏ３：Ｅｕ（ＩＩ）；ＳｒＢ４Ｏ７：Ｅｕ；Ｓｒ２ＭｇＳｉ２Ｏ７：Ｐｂ；ＭｇＧａ２Ｏ４：Ｍｎ（ＩＩ）；Ｇｄ２Ｏ２Ｓ：Ｔｂ；Ｇｄ２Ｏ２Ｓ：Ｅｕ；Ｇｄ２Ｏ２Ｓ：Ｐｒ；Ｇｄ２Ｏ２Ｓ：Ｐｒ、Ｃｅ、Ｆ；Ｙ２Ｏ２Ｓ：Ｔｂ；Ｙ２Ｏ２Ｓ：Ｅｕ；Ｙ２Ｏ２Ｓ：Ｐｒ；Ｚｎ（０．５）Ｃｄ（０．４）Ｓ：Ａｇ；Ｚｎ（０．４）Ｃｄ（０．６）Ｓ：Ａｇ；ＣｄＷＯ４；ＣａＷＯ４；ＭｇＷＯ４；Ｙ２ＳｉＯ５：Ｃｅ；ＹＡｌＯ３：Ｃｅ；Ｙ３Ａｌ５Ｏ１２：Ｃｅ；Ｙ３（Ａｌ、Ｇａ）５Ｏ１２：Ｃｅ；ＣｄＳ：Ｉｎ；ＺｎＯ：Ｇａ；ＺｎＯ：Ｚｎ；（Ｚｎ、Ｃｄ）Ｓ：Ｃｕ、Ａｌ；ＺｎＳ：Ｃｕ、Ａｌ、Ａｕ；ＺｎＣｄＳ：Ａｇ、Ｃｕ；ＺｎＳ：Ａｇ；ａｎｔｈｒａｃｅｎｅ、ＥＪ−２１２、Ｚｎ２ＳｉＯ４：Ｍｎ；ＺｎＳ：Ｃｕ；ＮａＩ：Ｔｌ；ＣｓＩ：Ｔｌ；ＬｉＦ／ＺｎＳ：Ａｇ；ＬｉＦ／ＺｎＳＣｕ、Ａｌ、Ａｕ、及びこれらの組み合わせから選択してよい。
【００２６】
更に図１に関して、種々の実施例において、蛍光体は第２の層１０８中に分散されてよい。追加的に又は別の方法として、蛍光体は別個の層内に分散されてよく、例えば、蛍光体は、固体組成物と独立した層内に存在してよく、又は、別の組成物、例えばシリコーン含有ホットメルト組成物と組み合わせてもよい。
【００２７】
更に図１に関して、層１０６、１０８は、互いに、及び剥離層１０４に対して様々な方向で構成されてよい。層状ポリマー構造の種々の実施例において、同一材料を多様な順序の層中で利用して、それを通る光について所望の効果をもたらすことができる。したがって、本明細書に開示され、当該技術分野において既知の様々な光学デバイス用の種々封止材は、内部で利用される特定の材料に加え、特定の光学デバイスに依存した特定の層順序を利用することもできる、層を有してよい。種々の実施例において、特定の封止材は、種々の光学デバイス間で一般に応用可能であってよい。しかしながら、他の光学デバイスは、可能性のある変更例の中でも、利用材料及び／又は層の順序に関して優れる封止材を有利に利用できる。
【００２８】
更に図１に関して、１つ以上の層１０６、１０８は、勾配を含んでよい。ある実施例において、シリコーン含有ホットメルト組成物及び／又は蛍光体の勾配であってよい。勾配は、連続的（例えば、中断されておらず、及び／若しくは一貫して変化している）、又は段階的、例えば、非連続的若しくは１つ以上の段階で変化するものであってよい。種々の実施例において、段階的勾配は、段階間の異なる層を反映し得る。用語「勾配」は、例えば、シリコーン含有ホットメルト組成物の成分量、及び／又は蛍光体量の段階的変化として説明できる。勾配は、蛍光体によって生成される光の大きさの段階的変化としても説明できる。
【００２９】
更に図１に関して、一実施例において、勾配は、更に、最大増大率の方向を指すベクトル場として定義され、その大きさは、最大変化率である。別の実施例において、勾配は、水平方向及び垂直方向の導関数により与えられる成分を有する、シリコーン含有ホットメルト組成物及び／又は蛍光体上の点における一連の二次元ベクトルとして更に定義できる。ある実施例では、各点において、ベクトルは、最大に増加する方向を向き、ベクトルの長さは、その方向の変化率に対応する。
【００３０】
更に図１に関して、ある実施例において、組成物は、ジシロキシ単位及びトリシロキシ単位の勾配を含む。別の実施例において、組成物は、ジシロキシ単位、トリシロキシ単位、及びシラノール基の勾配を含む。なお別の実施例において、組成物は、トリシロキシ単位及びシラノール基の勾配を含む。更なる実施例において、組成物は、ジシロキシ単位及びシラノール基の勾配を含む。加えて、屈折率が様々であるシリコーン組成物を使用して、組成物勾配を調製することができる。例えば、屈折率１．４３の樹脂−直鎖状のフェニル−Ｔ−ＰＤＭＳは、勾配を形成するように、屈折率１．５６の樹脂−直鎖状のフェニル−Ｔ−ＰｈＭｅと組み合わされ得る。かかる実施例は、ＬＥＤなどの高屈折率光学デバイスから空気面への比較的スムースな転移を提供できる。
【００３１】
更に図１に関して、例示される実施例において、勾配により、剥離層１０４に近接して比較的硬い組成物が、剥離層１０４の遠位に比較的柔らかい組成物がもたらされる。種々の実施例において、このような層状ポリマー構造１００の例を利用して、例えば、ＬＥＤなどの比較的敏感な電子的構成要素を備える光学デバイスの光学面に対して、比較的柔らかい表面をもたらすことができる。同時に、勾配を形成する層１０６、１０８の比較的硬い表面を、環境条件に曝し、得られる光学アセンブリに有用な復元力を提供できる。種々の別の実施例において、環境条件に曝される層状ポリマー構造１００の側面は、有利には、特定の使用状況に応じて、内部条件よりも比較的柔らかくてよい。ある実施例において、第１の層１０６は蛍光体を含み、第２の層１０８は勾配を有する組成物を含む。
【００３２】
図２は、シリコーン含有ホットメルト組成物２０６と共に蛍光体２０４を有する層２０２を含む、層状ポリマー構造２００の側面からの図である。図示された実施例は、説明目的で１つの層２０２のみを示すが、必要に応じて任意の数の追加層を含めてよい。剥離層１０４も、図示された実施例に含まれる。例示されるように、蛍光体は概ね、組成物２０６全体に均一に分散される。種々の実施例において、蛍光体２０４を、組成物２０６全体に均一に分散される勾配パターンで定めることができ、又は、組成物２０６の一部の領域では高濃度で、組成物２０６の別の領域では低濃度で存在できる。
【００３３】
更に図２に関して、ある実施例において、層２０２は、勾配を含む組成物２０６と組み合わせた蛍光体２０４を含む。例示される実施例において、組成物２０６が勾配を形成しても、蛍光体２０４は概ね均一に分散される。種々の別の実施例において、蛍光体２０４の分散は、組成物２０６中の勾配の代わりに、又はそれに加えて、勾配をもたらし得る。
【００３４】
図３は、第１の層３０６、第２の層３０８、及び第３の層３１０を有する本体３０２を含む、層状ポリマー構造３００の側面図である。例示される実施例において、第１の層３０６が第１の蛍光体を含むことによって、第１の層３０６は、第１の色に対応する波長に応じて通過する光を変化させる。第２の層３０８が第２の蛍光体を含むことによって、第２の層３０８は、第２の色に対応する波長に応じて通過する光を変化させる。ある実施例において、第１及び第２の色は、それぞれ黄色及び赤色であるが、種々の実施例では、層状ポリマー構造３００が付随する光学デバイスの特徴に応じて、色は選択可能である。第３の層３１０はシリコーン含有ホットメルト組成物を含んでよく、意図的に光を歪ませないように選択できる。上述のように、層３０６、３０８、３１０の順序は、関連する光学デバイスの特徴によって選択できる。ある実施例において、第３の層３１０は、光学デバイスの光学面上に配置されるように構成され、光学デバイス及び光学面に対して層状ポリマー構造３００を少なくとも部分的に接着するために、接着剤を含んでよい。
【００３５】
更に図３に関して、種々の実施例において、第３の層３１０は有機ポリマーである。有機ポリマーは、用語「シリコン含有ホットメルト組成物」として本明細書に定義されるシリコン含有ホットメルト組成物を除く。有機ポリマーは、アクリルポリマー、ポリカーボネート、アルキレンポリマー、又はアルキレン−アクリルコポリマーであっても、これらを含んでもよい。アルキレンポリマーは、ポリイソブチレン又はポリフッ化ビニルであってよい。アルキレン−アクリルコポリマーは、エチレン−酢酸ビニルコポリマーであってよい。有機ポリマーは、プラスチック系キャリアであってよい。プラスチック系キャリアは、ポリイソブチレン、ポリエチレンテレフタレート、ポリプロピレン、高密度ポリエチレン、低密度ポリエチレン、ポリプロピレン、又はこれらの組み合わせであってよい。
【００３６】
更に図３に関して、いくつかの実施例において、第１、第２、及び第３の層３０６、３０８、３１０は、１つの層中にＮｐ−Ｔ−ＰｈＭｅを、別の層中にＰｈ−Ｔ−ＰｈＭｅを、及び最後の層中にＰｈ−Ｔ−ＰｈＭｅを含む。いくつかの実施例において、Ｐｈ−Ｔ−ＰｈＭｅ層のうちの１つは、高屈折率Ｐｈ−Ｔ−ＰｈＭｅ層である。他の実施例において、Ｐｈ−Ｔ−ＰｈＭｅ層のうちの１つは、硬化される。いくつかの実施例において、Ｐｈ−Ｔ−ＰｈＭｅ層のうちの１つは、約５０〜約１００マイクロメートル（例えば、約５０〜約７５マイクロメートル、約６０〜約９０マイクロメートル、又は約７５〜約１００マイクロメートル）の厚さを有する。他の実施例において、Ｐｈ−Ｔ−ＰｈＭｅ層のうちの１つは、約０．３〜約１．５ｍｍ（例えば、約０．５〜約１．３ｍｍ、約１〜約１．５ｍｍ、又は約０．７５〜約１．５ｍｍ）の厚さを有する。他の実施例において、Ｎｐ−Ｔ−ＰｈＭｅ層は、約１〜約２０マイクロメートル（例えば、約１〜約１０マイクロメートル、約１０〜約１５マイクロメートル、又は約１０〜約２０マイクロメートル）の厚さを有する。更に他の実施例において、Ｐｈ−Ｔ−ＰｈＭｅ層は蛍光体を含む。
【００３７】
更に図３に関して、いくつかの実施例において、第１、第２、及び第３の層３０６、３０８、３１０は、１つの層中にＰｈ−Ｔ−ＰｈＭｅを、別の層中にＭＱ／ＰＤＭＳを、及び最後の層中に有機ポリマーを含む。いくつかの実施例において、Ｐｈ−Ｔ−ＰｈＭｅ層は高屈折率Ｐｈ−Ｔ−ＰｈＭｅ層である。他の実施例において、Ｐｈ−Ｔ−ＰｈＭｅ層は、約５０〜約１００マイクロメートルの厚さを有する。他の実施例において、ＭＱ／ＰＤＭＳ層は、約０．３〜約１．５ｍｍの厚さを有する。なお他の実施例において、他の実施例において、有機ポリマー層は、約５０〜約１００マイクロメートルの厚さを有する。更に他の実施例において、Ｐｈ−Ｔ−ＰｈＭｅ層は蛍光体を含む。
【００３８】
更に図３に関して、内部に利用される層の特定の組み合わせを含む、層状ポリマー構造１００〜３００の種々の別の実施例が意図される。ある実施例において、層状ポリマー構造３００は、蛍光体を有する１つの層３０６と、１つの透明層３０８と、屈折率の勾配を有する１つの層３１０と、を含む。種々の層状ポリマー構造１００〜３００は、例えば剥離層１０４の一部として、又は記載した層に加えて、接着剤を含んでよい。種々の実施例において、接着剤は、例えば蛍光体層の硬化に寄与し得る。
【００３９】
図４は、例示の層４００中の二次元勾配の実施例である。勾配により、層４００の第１端部４０２において、第２端部４０４におけるよりも比較的硬いシリコーン含有ホットメルト組成物がもたらされる。例示の実施例は、本明細書に開示される別の層における別の勾配に対して、同様によく適用できる。
【００４０】
本明細書に開示される光学アセンブリは、種々のアーキテクチャを有し得る。例えば、光学アセンブリは、光学デバイスと、本体（例えば、図１の本体１０２）を有する封止材として働く層状ポリマー構造のみを含んでよい。別の方法として、光学アセンブリは、光学デバイスと、本体（例えば、図１の本体１０２）を有する封止材として働く層状ポリマー構造のみを含んでよく、封止材及び／又は光学デバイス上、又はこれらに対して配置される剥離ライナー（例えば、図１の剥離ライナー１０４）を更に含んでよい。
【００４１】
光学アセンブリは、光起電力パネル及び他の光学エネルギーを生成するデバイスでは、光結合素子、光学ネットワーク及びデータ伝送、器具パネル、及びスイッチ、車内灯、信号の回転及び停止、家庭用電気器具、ＶＣＲ／ＤＶＤ／ステレオ／オーディオ／ビデオデバイス、遊具／ゲーム器具類、防犯設備、スイッチ、建築照明、標識（チャネルレター）、マシンビジョン、小売り表示、非常灯、ネオン及びバルブ交換、懐中電灯、アクセント照明フルカラービデオ、単色メッセージボード、交通機関では、レール、及び航空用途、携帯電話では、携帯情報端末（ＰＤＡ）、デジタルカメラ、ノート型パソコン、医療器具類では、バーコード読み取り機、カラー＆硬貨センサ、エンコーダ、光学スイッチ、光ファイバー通信、及びこれらの組み合わせなどの種々の既知の用途があり得る。
【００４２】
光学デバイスは、可干渉光源、当該技術分野で既知である種々のレーザなどの可干渉光源、並びに、半導体発光ダイオード（ＬＥＤ）、有機ＬＥＤ、ポリマーＬＥＤ、量子ドットＬＥＤ、赤外線ＬＥＤ、可視光ＬＥＤ（カラー付き及び白色光を含む）、紫外線ＬＥＤ、及びこれらの組み合わせを含むＬＥＤ及び様々な種類の発光ダイオードなどの可干渉光源を含み得る。
【００４３】
光学アセンブリはまた、光学アセンブリと典型的に付随するような、当該技術分野で既知である１つ以上の層又は構成要素を含む。例えば、光学アセンブリは、１つ以上のドライバ、光学素子、熱シンク、筐体、レンズ、動力源、固定具、ワイヤ、電極、回路などを含み得る。
【００４４】
光学アセンブリは、基板及び／又は上板を含み得る。基板及び上板は、同じでもよく、又は異なっていてもよく、各々独立して当該技術分野で既知の任意の好適な物質を含んでもよい。基板及び／又は上板は、軟質、可撓性、剛性、又は硬質であってよい。代替的に、基板及び／又は上板は、剛性かつ硬質のセグメントを含みつつ、軟質かつ可撓性のセグメントを含んでもよい。基板及び／又は上板は、光を透過してもよく、半透明でもよく、又は光を透過しなくてもよい（すなわち、光を通さなくてもよい）。上板は光を透過してよい。一実施例において、基板及び／又は上板としては、ガラスがある。別の実施例において、基板及び／又は上板として、金属箔、ポリイミド、エチレン−酢酸ビニルコポリマー、及び／又は有機フルオロポリマー（エチレンテトラフルオロエチレン（ＥＴＦＥ）、ＴＥＤＬＡＲ（登録商標）（ＤｕＰｏｎｔ（Ｗｉｌｍｉｎｇｔｏｎ，ＤＥ））、ポリエステル／ＴＥＤＬＡＲ（登録商標）、ＴＥＤＬＡＲ（登録商標）／ポリエステル／ＴＥＤＬＡＲ（登録商標）が挙げられるが、これらに限定されない）、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）単独又はケイ素と酸化物質で被覆されたもの（ＳｉＯｘ）、並びにこれらの組み合わせが挙げられる。一実施例において、基板は更に、ＰＥＴ／ＳｉＯｘ−ＰＥＴ／Ａｌ基板（式中、ｘは１〜４の値である）として定義される。
【００４５】
基板及び／又は上板は、耐荷重性でも非耐荷重性でもよく、光学アセンブリの任意の部分に含まれてもよい。基板は、光学デバイスの裏に位置する光学アセンブリの「底層」であってよく、通常は光学デバイス及び光学アセンブリの機械的支持として、少なくとも部分的に機能してよい。代替的に、光学アセンブリは、第２の又は追加の基板及び／又は上板を含み得る。この基板は、光学アセンブリの底層であってもよく、一方、第２の基板は、最上層で、かつ上板として機能してもよい。第２の基板（例えば、上板として機能する第２の基板）は、光（例えば、可視、紫外線、及び／又は赤外線光）に対して実質的に透明であってよく、基板の最上部に位置付けられる。
【００４６】
更に、光学アセンブリはまた、１つ以上の結合層を含み得る。１つ以上の結合層は、光学デバイスを基板に接着するように、基板上に配設され得る。一実施例において、光学アセンブリは、基板を含まず、結合層を含まない。結合層は、ＵＶ、赤外線、及び／又は可視光を透過してもよい。しかしながら、結合層は、光に不透過性又は半透明であってもよい。結合層は、粘着性であり、ゲル、ガム、液体、ペースト、樹脂、又は固体でもよい。一実施例において、結合層は膜である。
【００４７】
別の方法として、光学アセンブリは、剥離ライナー１０４がない単一層又は多層のシリコーン含有ホットメルト組成物を含んでよい。別の実施例において、蛍光体は密度勾配で存在し、光学アセンブリは、制御分散された蛍光体を含む。この実施例において、制御分散は、沈殿及び／又は沈降されてよい。更に別の実施例において、光学アセンブリは、任意の１つ以上の層中の弾性率及び／又は硬度の勾配を有し得る。更に別の実施例において、光学アセンブリは、光学アセンブリの任意の部分に存在する１つ以上のガスバリア層を含んでよい。光学アセンブリは、光学アセンブリの任意の部分に存在する１つ以上の非粘着層、非塵埃層、及び／又は染色層を含んでよい。光学アセンブリは更に、Ｂステージ膜（例えば、前形成封止材膜の実施形態）の組み合わせを含んでよく、１つ以上の層の非融解膜を含んでよい。光学アセンブリはまた、光学アセンブリ内、例えば上部に配置される１つ以上の硬質層、例えば、ガラス、ポリカーボネート、又はポリエチレンテレフタレート、を含んでもよい。硬質層は、光学アセンブリの最外層として配置されてよい。光学アセンブリは、第１最外層として第１硬質層と、第２最外層として第２硬質層と、を含んでよい。光学アセンブリは更に、光学アセンブリの任意の部分に存在する１つ以上の拡散体混合層を含んでよい。１つ以上の拡散体層は、例えば、ｅ粉末、ＴｉＯ２、Ａｌ２Ｏ３などを含んでよい。光学アセンブリは反射体を含んでよく、及び／又は、固体組成物（例えば、膜として）は内部に埋め込まれた反射体壁を含んでよい。任意の１つ以上の固体膜の層は、平滑であってよく、パターン付きであってよく、又は、平滑部分とパターン付き部分を含んでよい。あるいは、光学アセンブリは、例えば、蛍光体の代わりにカーボンナノチューブを含んでよい。別の方法として、カーボンナノチューブは、例えばウェハ表面上で特定の方向に並んでいてよい。これらのカーボンナノチューブの周囲に膜を注型成形して、熱放散性が改善した透明膜を生成できる。
【００４８】
図５は、光学アセンブリ５００の実施例の図である。光学アセンブリは、封止材５０２と、各々が光学面５０６を有し、各々が基板５０８上に位置付けられる光学デバイス５０４と、を備える。封止材５０２のシリコーン組成物は、厚さ１ｍｍの成形型を有するホットプレスによって、１００℃で３０分間加熱できる。厚さ１ｍｍのＢステージ透明シート又は層を組み込んでよい。封止材５０２は、ドーム型空洞を有する成形型中に図示されるように、光学デバイス５０４に圧縮成形してよい。透明シート又は層を封止材５０２中に組み込んでよい。光学アセンブリ５００に組み込まれるような封止材５０２は、封止材５０２を融解し、ドーム型空洞中で封止材５０２と硬化するための、１３０℃で５分間の圧縮成形によって得ることができる。
【００４９】
更に図５に関して、封止材５０２は、本明細書に開示されるような多層を有する本体、例えば本体１０２（図１）又は本体３０２（図３）であっても、これを含んでもよい。光学アセンブリの種々実施例が本明細書に開示されるが、光学アセンブリ５００の封止材５０２は、本明細書に開示される材料層の任意の様々な組み合わせによって構成され得る。更に、光学デバイス５０４は、本明細書に開示される、又は当該技術分野において既知の任意の光学デバイス５０４であってよい。本明細書に開示される他の封止材と同様に、封止材５０２は、光学デバイス５０２の光学面５０６を実質的に又は完全に覆う。
【００５０】
本明細書に記載される実施形態の光学アセンブリは、特に封止材を含む。同様に、封止材は、第１の反応性又は非反応性シリコーン含有ホットメルト組成物を含む第１の層と、第２の反応性又は非反応性シリコーン含有ホットメルト組成物を含む第２の層と、を含む。第１及び／又は第２のシリコーン含有組成物は、樹脂−直鎖状組成物、ヒドロシリル化硬化組成物、高フェニル−Ｔ組成物、シリコンシーラント組成物、ポリ尿素−ポリシロキサン組成物、ＭＱ／ポリシロキサン組成物、ＭＱ／Ｘ−ジオルガノシロキサン組成物、ポリイミド−ポリシロキサン組成物、ポリカーボネート−ポリシロキサン組成物、ポリウレタン−ポリシロキサン組成物、ポリアクリレート−ポリシロキサン組成物、又はポリイソブチレン−ポリシロキサン組成物のうち、少なくとも１つを含む。いくつかの実施形態において、ポリカーボネート及びポリカーボネート−シロキサンコポリマー混合物が意図される。別の実施形態において、本明細書に記載されるもの、及び米国特許出願公開第２０１３／０１６８７２７号及び同第２０１３／０２４５１８７号（この両者の全体は、参照することにより全体が記載されているかのように本明細書に組み込まれる）に記載されるものなどの樹脂−直鎖状オルガノシロキサンブロックコポリマー組成物が、例えばブレンド法によって、直鎖状又は樹脂オルガノポリシロキサン成分と組み合わせられる組成物が意図される。かかる組成物は、２０１２年３月２１日出願の米国特許仮出願第６１／６１３，５１０号に記載されている。かかる組成物は、樹脂−直鎖状オルガノシロキサンブロックコポリマーの硬化膜の光透過性に及ぼす影響（もしある場合）を最小限に抑えて、樹脂−直鎖状オルガノシロキサンブロックコポリマー組成物の強靭性及び流動挙動の改善を示す。
【００５１】
本明細書で使用されるとき、用語「樹脂−直鎖状組成物」は、オルガノシロキサン「直鎖状」部分に結合されたオルガノシロキサン「樹脂」部分を有するオルガノシロキサンブロックコポリマーを含む。樹脂−直鎖状組成物は、以下で詳細に説明する。樹脂−直鎖状組成物は、その全体を参照することにより全体が記載されているかのように本明細書に組み込まれる、米国特許第８，１７８，６４２号に開示されるものを含んでもよい。簡潔に言えば、‘６４２特許に開示される樹脂−直鎖状組成物は、（Ａ）平均構造式ＲａＳｉＯ（４−ａ）／２によって表されるオルガノポリシロキサンと、一般式ＨＲ２２Ｓｉ（Ｒ２２ＳｉＯ）ｎＲ２２ＳｉＨによって表されるジオルガノポリシロキサンとの間のヒドロシリル化反応によって得られる溶剤可溶性オルガノポリシロキサンと、（Ｂ）平均構造式Ｒ２ｂＨｃＳｉＯによって表されるオルガノハイドロジェンポリシロキサンと、（Ｃ）ヒドロシリル化触媒と、を含有し、可変部Ｒａ、Ｒ２、ａ、ｎ、ｂ、及びｃが本明細書に定義される組成物を含む。
【００５２】
本明細書に詳しく開示されるように、樹脂−直鎖状組成物は様々な特徴を含み得る。ある樹脂−直鎖状組成物では、組成物は、樹脂に富む相と、相分離した直鎖に富む相と、を含む。
【００５３】
本明細書で使用されるとき、用語「高フェニル−Ｔ組成物」は、以下の平均単位式で表されるフェニル基含有オルガノポリシロキサンを架橋することによって得られる組成物を含む。
（Ｒ１３ＳｉＯ１／２）ａ（Ｒ１２ＳｉＯ２／２）ｂ（Ｒ１ＳｉＯ３／２）ｃ（ＳｉＯ４／２）ｄ（Ｒ２Ｏ１／２）ｅ
式中、Ｒ１は、フェニル基、１〜６個の炭素原子を有するアルキル若しくはシクロアルキル基、又は、２〜６個の炭素原子を有するアルケニル基であり、ただし、６０〜８０モル％のＲ１がフェニル基であり、１０〜２０モル％のＲ１がアルケニル基であり、Ｒ２は水素原子又は１〜６個の炭素原子を有するアルキル（alky）基であり、「ａ」、「ｂ」、「ｃ」、「ｄ」、及び「ｅ」は、０≦ａ≦０．２、０．２≦ｂ≦０．７、０．２≦ｃ≦０．６、０≦ｄ≦０．２、０≦ｅ≦０．１、及びａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ＝１の条件を満たす数である。
【００５４】
また、用語「高フェニル−Ｔ組成物」は、以下のシリコーン組成物を部分的に架橋することによって得られる組成物も含む。
（Ａ）以下の平均単位式で表されるフェニル基含有オルガノポリシロキサン：
（Ｒ１３ＳｉＯ１／２）ａ（Ｒ１２ＳｉＯ２／２）ｂ（Ｒ１ＳｉＯ３／２）ｃ（ＳｉＯ４／２）ｄ（Ｒ２Ｏ１／２）ｅ
式中、Ｒ１は、フェニル基、１〜６個の炭素原子を有するアルキル若しくはシクロアルキル基、又は、２〜６個の炭素原子を有するアルケニル基であり、ただし、６０〜８０モル％のＲ１がフェニル基であり、１０〜２０モル％のＲ１がアルケニル基であり、Ｒ２は水素原子又は１〜６個の炭素原子を有するアルキル基であり、「ａ」、「ｂ」、「ｃ」、「ｄ」、及び「ｅ」は、０≦ａ≦０．２、０．２≦ｂ≦０．７、０．２≦ｃ≦０．６、０≦ｄ≦０．２、０≦ｅ≦０．１、及びａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ＝１の条件を満たす数である；
（Ｂ）以下の一般式で表されるフェニル基含有オルガノポリシロキサン：
Ｒ３３ＳｉＯ（Ｒ３２ＳｉＯ）ｍＳｉＲ３３
式中、Ｒ３は、フェニル基、１〜６個の炭素原子を有するアルキル若しくはシクロアルキル基、又は、２〜６個の炭素原子を有するアルケニル基であり、ただし、４０〜７０モル％のＲ３がフェニル基であり、少なくとも１つのＲ３がアルケニル基であり、「ｍ」は５〜１００の整数である；
（Ｃ）１分子当たり少なくとも２つのケイ素原子結合水素原子を有するフェニル基含有オルガノポリシロキサン
（Ｄ）ヒドロシリル化反応触媒。
【００５５】
いくつかの実施例において、成分（Ｃ）は、一般式：（ＨＲ４２ＳｉＯ）２Ｓｉ  Ｒ４２で表されるオルガノトリシロキサンであり、
式中、Ｒ４はフェニル基、又は、１〜６個の炭素原子を有するアルキル若しくはシクロアルキル基であり、ただし、３０〜７０モル％のＲ４はフェニル基である。実施例７〜２２も参照されたい。
【００５６】
いくつかの実施例において、樹脂−直鎖状組成物及び／又は高フェニル−Ｔ組成物は、「ヒドロシリル化硬化組成物」と考えることができる。
【００５７】
本明細書で使用されるとき、用語「シリコーンシーラント組成物」は、米国特許第４，９６２，１５２号、同第５，２６４，６０３号、同第５，３７３，０７９号、及び同第５，４２５，９４７号（これらの全体が、参照することにより全体が記載されているかのように本明細書に組み込まれる）に開示されるものなどのポリシロキサンシーラントを含む。ＸＩＡＭＥＴＥＲ（登録商標）（Ｄｏｗ  Ｃｏｒｎｉｎｇ（Ｍｉｄｌａｎｄ，ＭＩ））ブランドのアセトキシ、アルコキシ、及びオキシムシーラントも含まれる。その他シリコーンシーラント組成物として、Ｄｏｗ  Ｃｏｒｎｉｎｇ（Ｍｉｄｌａｎｄ，ＭＩ）から入手可能なＳｏｔｅｆａ  ７０Ｍなどのシロキサン高稠度ゴム組成物が挙げられる。
【００５８】
本明細書で使用されるとき、用語「ポリ尿素−ポリシロキサン組成物」として、ポリ尿素及びポリシロキサンセグメントを含む多元ブロックコポリマーが挙げられるが、これらに限定されない。いくつかの実施例において、ポリ尿素−ポリシロキサン組成物として、ＧＥＮＩＯＭＥＲ（登録商標）（Ｗａｃｋｅｒ  Ｃｈｅｍｉｅ  ＡＧ（Ｍｕｎｉｃｈ  Ｇｅｒｍａｎｙ））、ＴＥＣＴＯＳＩＬ（登録商標）（Ｗａｃｋｅｒ  Ｃｈｅｍｉｅ  ＡＧ（Ｍｕｎｉｃｈ  Ｇｅｒｍａｎｙ））などを含むポリ尿素−ＰＤＭＳ組成物が挙げられる。ポリ尿素−ポリシロキサン組成物は、追加のポリマー部分、例えばポリプロピレンオキシドの軟質部分も含んでよい。また、ポリ尿素−ポリシロキサン組成物として、その全体を参照することにより全体が記載されているかのように本明細書に組み込まれる、米国特許出願公開第２０１０／００４７５８９号に開示されるポリ尿素−ポリシロキサン組成物も挙げられる。
【００５９】
本明細書で使用されるとき、用語「ＭＱ／ポリシロキサン組成物」として、ＭＱシリコーン樹脂（全てＤｏｗ  Ｃｏｒｎｉｎｇ  Ｃｏｒｐｏｒａｔｉｏｎから市販される、ＭＱ−１６００  Ｓｏｌｉｄ  Ｒｅｓｉｎ、ＭＱ−１６０１  Ｓｏｌｉｄ  Ｒｅｓｉｎ、７４６６  Ｒｅｓｉｎ、及び７３６６  Ｒｅｓｉｎ、並びに、参照することにより全体が記載されているかのように本明細書に組み込まれる、米国特許第５，０８２，７０６号に開示されるＭＱ樹脂）、並びに、ポリジメチルシロキサン（ＰＤＭＳ）などのポリオルガノシロキサンを含有する、ＭＱ型ホットメルト組成物を含む組成物が挙げられる。かかる組成物として、Ｄｏｗ  Ｃｏｒｎｉｎｇ（登録商標）Ｑ２−７７３５  Ａｄｈｅｓｉｖｅ、及びＩｎｓｔａｎｔＧｌａｚｅ  Ａｓｓｅｍｂｌｙ  Ｓｅａｌａｎｔが挙げられるが、これらに限定されない。
【００６０】
またＭＱ型組成物は、１分子当たり少なくとも平均２つの脂肪族不飽和有機基を有し、１２，０００ｍＰａ−ｓまでの粘度を有する低粘度ポリジオルガノシロキサンと、１分子当たり少なくとも平均２つの脂肪族不飽和有機基を有し、少なくとも４５，０００ｍＰａ−ｓの粘度を有する高粘度ポリジオルガノシロキサンと、１分子当たり少なくとも平均２つの脂肪族不飽和有機基を有するシリコーン樹脂と、１分子当たり少なくとも平均２つのケイ素結合水素原子を有する架橋剤と、を含む、国際公開第２０１０／１３８２２１号及び米国特許出願公開第２０１２／００６５３４３号（両者とも、その全体を参照することにより本明細書に組み込まれる）に開示されるもののような組成物も含む。
【００６１】
その他ＭＱ型組成物として、その全体を参照することにより全体が記載されているかのように本明細書に組み込まれる、米国特許第５，７０８，０９８号に開示されるものが挙げられる。簡潔に言えば、‘０９８特許に開示される組成物は、Ｒが官能性又は非官能性、置換又は非置換有機ラジカルである、Ｒ３ＳｉＯ１／２及びＳｉＯ４／２単位（それぞれＭ単位及びＱ単位）から主に構成される高分子ポリマーを含む。これらの高分子ポリマーは、「ＭＱ−樹脂」又は「ＭＱシリコーン樹脂」と称される。いくつかの実施例において、‘０９８特許に開示されるＭＱ型組成物は、それぞれＤ単位及びＴ単位と称される、多くのＲ２ＳｉＯ２／２及びＲＳｉＯ３／２単位を含んでよい。ＭＱシリコーン樹脂は一般に、樹脂高分子を、典型的には芳香族溶剤であるが必ずしもそうとは限らない溶媒に溶解する方法で調製される。‘０９８特許のいくつかの実施形態は、主にＭＱ型のシリコーン樹脂をポリジメチルシロキサン液及びゴム類などの直鎖状シリコーン流体と、実質的に均質になるまでブレンドすることによって調製される、無溶剤の熱可塑性シリコーンペレットを目的としている。このブレンドを、所定の圧縮形成温度まで加熱し、圧縮塊に圧縮成形して、ペレット状に形成する。ペレットの組成は、ペレットが、所定の圧縮形成温度で塑性流動を示し、所定の最高保存温度以下の温度で凝集に抵抗するようにバランスを取る。
【００６２】
その他のＭＱ型組成物は、参照することにより全体が記載されているかのように本明細書に組み込まれる、米国特許出願公開第２０１１／０１０４５０６号に開示されている。簡潔に言えば、‘５０６出願に開示されるＭＱ型組成物は、（１）２重量％未満のシラノール含量を有し、Ｍ及びＱ単位から構成されるシリコーン樹脂と、（２）二官能性単位のＤ及び特定の末端単位から構成されるオルガノポリシロキサンと、（３）シラン架橋剤と、（４）触媒と、を含む、ホットメルト接着剤組成物である。その他ＭＱ型組成物は、その全体を参照することにより全体が記載されているかのように本明細書に組み込まれる、国際公開第２００７／１２０１９７号に開示される。
【００６３】
本明細書で使用されるとき、用語「ＭＱ／Ｘ−ジオルガノシロキサン組成物」として、ＭＱシリコーン樹脂と、Ｘ−ジオルガノシロキサンと、を含む、ＭＱ型ホットメルト組成物などの組成物が挙げられるが、これらに限定されず、ここでＸとして任意の有機ポリマーが挙げられるが、これらに限定されない。いくつかの実施例において、Ｘ−ジオルガノシロキサンの有機ポリマー部分は、ブロック、二元ブロック、三元ブロック、多元ブロック、及び、１つ以上の有機ポリマー（例えば、アクリルポリマー、ポリカーボネート、アルキレンポリマー、又はアルキレン−アクリルコポリマー）を含有するセグメント化部分を含む。いくつかの実施例において、Ｘ−ジオルガノシロキサンのジオルガノシロキサン部分は、ブロック、二元ブロック、三元ブロック、多元ブロック、及び、１つ以上のジオルガノシロキサン（例えば、ＰＤＭＳ、ＰｈＭｅ、又はＰｈ２／Ｍｅ２）を含有するセグメント化部分を含む。ＭＱ／Ｘ−ジオルガノシロキサンの非限定例として、ＭＱ−樹脂／ＰＳ−ＰＤＭＳ組成物が挙げられる。
【００６４】
本明細書で使用されるとき、用語「ＭＱ−樹脂／ＰＳ−ＰＤＭＳ組成物」として、ＭＱ−樹脂を含むポリスチレン−ポリジメチルシロキサン組成物（例えば、Ｐｏｌｙｍｅｒ  Ｓｏｕｒｃｅ，Ｉｎｃ．から入手可能な、重量平均分子量（Ｍｗ）が４５，５００、多分散性が１．１５で、３１，０００ｇ／モルのスチレンブロックと、１５，０００ｇ／モルのジメチルシロキサンブロックを有する、トリメチルシロキシ末端ポリ（スチレン−ブロック−ジメチルシロキサン）コポリマー）が挙げられる。かかるＭＱ−樹脂／ＰＳ−ＰＤＭＳ組成物の例は、その全体を参照することにより全体が記載されているかのように本明細書に組み込まれる、国際公開第２０１２／０７１３３０号に開示される。
【００６５】
更に別のＭＱ型組成物として、参照することにより全体が記載されているかのように本明細書に組み込まれる、米国特許出願公開第２０１２／０１２５４３６号に開示されるものが挙げられる。かかる組成物は、少なくとも１つのシリコーンアイオノマー（すなわち、バルク特性が、物質の別々の部位のイオン性相互作用によって影響されるポリマー）を含む、熱可塑性エラストマーを含む。
【００６６】
本明細書で使用されるとき、用語「ポリイミド−ポリシロキサン組成物」は、米国特許第４，７９５，６８０号、同第５，０２８，６８１号、同第５，３１７，０４９号など（これらの全てが、参照することにより全体が記載されているかのように本明細書に組み込まれる）に開示されるものなどのポリイミドポリシロキサンを含む組成物を含む。また、ポリイミド−ポリシロキサン組成物は、以下の式のイミド−シロキサンを含有するイミド−シロキサン組成物が挙げられるが、これらに限定されない、ＰＤＭＳ含有ポリイミドコポリマーを含有する組成物も含む。
【化１】
0006387355.tif 000002
上記の式は、例えば、Ｒｏｇｅｒｓ，Ｍ．Ｅ．；ｅｔ  ａｌ．，Ｊ．ｏｆ  Ｐｏｌｙｍｅｒ  Ｓｃｉ．Ａ：Ｐｏｌｙ  Ｃｈｅｍ  ３２：２６６３（１９９４）、及びＣｏｎｔｅｍｐｏｒａｒｙ  Ｔｏｐｉｃｓ  ｉｎ  Ｐｏｌｙｍｅｒ  Ｓｃｉｅｎｃｅ  ４７〜５５（Ｓａｌａｍｏｎｅ，Ｊ．Ｓ  ａｎｄ．Ｒｉｆｆｌｅ，Ｊ．Ｓ．ｅｄｓ．，Ｎｅｗ  Ｙｏｒｋ：Ｐｌｅｎｕｍ  Ｐｒｅｓｓ  １９９２）に開示されるものであり、これらの文献の全体は、参照することにより全体が記載されているかのように本明細書に組み込まれる。
【００６７】
本明細書で使用されるとき、用語「ポリカーボネート−ポリシロキサン組成物」として、米国特許第７，２３２，８６５号、同第６，８７０，０１３号、同第６，６３０，５２５号、同第５，９３２，６７７号、同第５，９３２，６７７号など（これらの全てが、参照することにより全体が記載されているかのように本明細書に組み込まれる）に開示されるものなどのポリカーボネート−ポリシロキサン組成物を含む組成物が挙げられるが、これらに限定されない。ポリカーボネート−ポリシロキサン組成物としては更に、Ｃｏｎｔｅｍｐｏｒａｒｙ  Ｔｏｐｉｃｓ  ｉｎ  Ｐｏｌｙｍｅｒ  Ｓｃｉｅｎｃｅ  ２６５〜２８８（Ｃｕｌｂｅｒｔｓｏｎ，ｅｄ．，Ｐｌｅｎｕｍ  １９８９）、Ｃｈｅｎ，Ｘ．，ｅｔ  ａｌ．，Ｍａｃｒｏｍｏｌｅｃｕｌｅｓ  ２６：４６０１（１９９３）、Ｄｗｉｇｈｔ，Ｄ．Ｗ．ｅｔ  ａｌ．，Ｊｏｕｒｎａｌ  ｏｆ  Ｅｌｅｃｔｒｏｎ  Ｓｐｅｃｔｒｏｓｃｏｐｙ  ａｎｄ  Ｒｅｌａｔｅｄ  Ｐｈｅｎｏｍｅｎａ  ５２：４５７（１９９０）、及びＦｕｒｕｋａｗａ，Ｎ，ｅｔ  ａｌ．，Ｊ．Ａｄｈｅｓ．５９：２８１（１９９６）（これらの全てが、参照することにより全体が記載されているかのように本明細書に組み込まれる）に開示されるものなどのポリカーボネート−ポリシロキサンを含む組成物が挙げられる。
【００６８】
本明細書で使用されるとき、用語「ポリウレタン−ポリシロキサン組成物」として、米国特許第６，７５０，３０９号、同第４，８３６，６４６号、同第４，２０２，８０７号など（これらの全てが、参照することにより全体が記載されているかのように本明細書に組み込まれる）に開示されるものなどのポリウレタン−ポリシロキサン組成物を含む組成物が挙げられるが、これらに限定されない。ポリウレタン−ポリシロキサン組成物としては更に、Ｃｈｅｎ，Ｘ．，ｅｔ  ａｌ．，Ｍａｃｒｏｍｏｌｅｃｕｌｅｓ  ２６：４６０１（１９９３）、Ｄｗｉｇｈｔ，Ｄ．Ｗ．ｅｔ  ａｌ．，Ｊｏｕｒｎａｌ  ｏｆ  Ｅｌｅｃｔｒｏｎ  Ｓｐｅｃｔｒｏｓｃｏｐｙ  ａｎｄ  Ｒｅｌａｔｅｄ  Ｐｈｅｎｏｍｅｎａ  ５２：４５７（１９９０）（これらの全てが、参照することにより全体が記載されているかのように本明細書に組み込まれる）に開示されるものなどのポリウレタン−ポリシロキサンを含有する組成物が挙げられる。
【００６９】
本明細書で使用されるとき、用語「ポリアクリレート−ポリシロキサン組成物」として、米国特許第８，０７６，４４０号、及び同第７，２３０，０５１号に開示されるものなどのポリアクリレート変性ポリシロキサン、並びに、同第４，５５０４１３９号に開示されるものなどのポリアクリレート樹脂及びシロキサン含有コポリマーの混合物が挙げられるが、これらに限定されず、これらの特許文献の全体は、参照することにより全体が記載されているかのように本明細書に組み込まれる。
【００７０】
本明細書で使用されるとき、用語「ポリイソブチレン−ポリシロキサン組成物」として、欧州特許第０９６９０３２号など（この全てが、参照することにより全体が記載されているかのように本明細書に組み込まれる）に開示されるものなどのポリイソブチレン−ポリシロキサン組成物を含む組成物が挙げられるが、これらに限定されない。
【００７１】
封止材としての使用が意図されるその他組成物として、エチレン−酢酸ビニル（ＥＶＡ）コポリマー及びポリフッ化ビニル膜（例えば、ＴＥＤＬＡＲ（登録商標）、Ｄｕｐｏｎｔ（Ｗｉｌｍｉｎｇｔｏｎ，ＤＥ））が挙げられる。
【００７２】
更に本明細書で意図されるのは、アルケニル基が、白金触媒存在下のヒドロシリル化硬化機構によってフッ素化オルガノハイドロジェンシロキサンと反応できる、アルケニル基及びペルフルオロエーテル主鎖を有するペルフルオロ化ポリマー組成物を含有する、封止材である。かかる組成物は、米国特許出願公開第２００９／０２８４１４９号及び特開２０１０−１２３７６９号に開示されており、その全体は、参照することにより全体が記載されているかのように本明細書に組み込まれる。‘１４９及び‘７６９出願に開示される組成物は、ある比表面積を有するシリカも含有する。
【００７３】
樹脂−直鎖状組成物は、当該技術分野において既知であり、例えば、米国特許出願公開第２０１３／０１６８７２７号、同第２０１３／０１７１３５４号、同第２０１３／０２４５１８７号、同第２０１３／０１６５６０２号、及び同第２０１３／０１７２４９６に記載されており、これらの全てが、参照することにより全体が記載されているかのように本明細書に明示的に組み込まれる。いくつかの特定の実施例において、樹脂−直鎖状組成物は、４０〜９０モルパーセントの式［Ｒ１２ＳｉＯ２／２］のジシロキシ単位と、１０〜６０モルパーセントの式［Ｒ２ＳｉＯ３／２］のトリシロキシ単位と、０．５〜２５モルパーセントのシラノール基［≡ＳｉＯＨ］と、を含有するオルガノシロキサンブロックコポリマーを含み、式中、Ｒ１は、独立して、Ｃ１〜Ｃ３０ヒドロカルビルであり、Ｒ２は、独立して、Ｃ１〜Ｃ２０ヒドロカルビルであり、式中、ジシロキシ単位［Ｒ１２ＳｉＯ２／２］は、直鎖状ブロック当たり平均１０〜４００個のジシロキシ単位［Ｒ１２ＳｉＯ２／２］を有する直鎖状ブロック中に配置され、トリシロキシ単位［Ｒ２ＳｉＯ３／２］は、少なくとも５００ｇ／モルの分子量を有する非直鎖状ブロック中に配置され、少なくとも３０％の非直鎖状ブロックは、互いに架橋され、一緒にナノドメインに主に凝集され、各直鎖状ブロックは、少なくとも１つの非直鎖状ブロックに連結され、オルガノシロキサンブロックコポリマーは、少なくとも２０，０００ｇ／モルの重量平均分子量を有し、２５℃で固体である。
【００７４】
固体組成物が、いくつかの実施形態においてまたオルガノシロキサン樹脂（例えば、ブロックコポリマーの一部ではない遊離樹脂）を含有する、本明細書に記載される樹脂−直鎖状オルガノシロキサンブロックコポリマーの硬化性組成物から形成されるとき、オルガノシロキサン樹脂はまた、ナノドメイン内で主に凝集する。
【００７５】
本開示の固体組成物は、それぞれ、直鎖状Ｄ単位のブロック及び非直鎖状Ｔ単位のブロックの凝集からもたらされる、相分離される「軟質」及び「硬質」セグメントを含んでもよい。これらの対応する軟質及び硬質セグメントは、異なるガラス転移温度（Ｔｇ）によって、判定又は推定され得る。したがって、直鎖状セグメントは、典型的には、低いＴｇを有し、例えば、２５℃未満、あるいは０℃未満、あるいは更に−２０℃未満である、「軟質」セグメントとして説明されてよい。直鎖状セグメントは、様々な条件下で、典型的に「流体」様挙動を維持する。逆に、非直鎖状ブロックは、高いＴｇ値を有し、例えば、３０℃超、あるいは４０℃超、あるいは更に５０℃超である、「硬質セグメント」として説明されてよい。
【００７６】
複数回加工できるという点が、本発明の樹脂−直鎖状オルガノポリシロキサンブロックコポリマーの１つの利点であるが、これは、加工温度（Ｔ加工）が、オルガノシロキサンブロックコポリマーの最終硬化に必要とされる温度（Ｔ硬化）よりも低く、すなわち、Ｔ加工＜<Ｔ硬化であるためである。しかしながら、オルガノシロキサンコポリマーは、Ｔ加工が、Ｔ硬化を上回るとき、硬化し、高温安定性を得る。したがって、本発明の樹脂−直鎖状オルガノポリシロキサンブロックコポリマーは、疎水性、高温安定性、水分／紫外線耐性などの典型的にシリコーンに関連する利益と共に、「再加工可能」であるという有意な利点を提供する。
【００７７】
いくつかの実施形態において、樹脂−直鎖状オルガノシロキサンブロックコポリマーを含む固体組成物もまた、安定剤を含有する。例えば、２０１２年１１月３０日に出願されたＰＣＴ特許出願第ＰＣＴ／ＵＳ２０１２／０６７３３４号、及び２０１１年１２月２日に出願された米国仮特許出願第６１／５６６，０３１号を参照されたく、これら全体が、本明細書に完全に記載されているかのように、参照することにより組み込まれる。安定剤は、上に記載されるように、貯蔵性及び／又はオルガノシロキサンブロックコポリマーを含有する固体組成物の他の物理的特性を改善するように、樹脂−直鎖状オルガノシロキサンブロックコポリマーに添加される。安定剤は、アルカリ土類金属塩、金属キレート、ホウ素化合物、ケイ素含有小分子、又はこれらの組み合わせから選択され得る。
【００７８】
いかなる理論にも拘束されることを望むものではないが、安定剤成分は、縮合触媒として働き得る。例えば、本明細書に記載される塩化カルシウム又は金属キレート（例えば、マグネシウムアセチルアセトネート又はＡｌ（ａｃａｃ）３）などの触媒などの塩での処理は、樹脂−直鎖状オルガノシロキサンブロックコポリマーの合成（例えば、合成の終了時）中、生成物の安定性を大いに増大させる。これは、触媒が、シラノール官能性コポリマーの貯蔵性を減少させるように想定される可能性があるため、驚異的であり想定外のことである。しかしながら、理論に束縛されるものではないが、場合によっては、安定剤は、相分離した樹脂に富む相で優先的に可溶性であり得、この相中に存在するシラノール基の縮合を増すと考えられる。この相（すなわち、樹脂が豊富な相）は、主に残留「遊離樹脂」を含有し、この相の縮合は、続いて、樹脂−直鎖状ブロックコポリマーを含有するマトリックスの硬化温度を上げる。例えば、本明細書に記載される安定剤が存在しないと、エラストマー挙動（例えば、２０モル％のフェニル−シルセスキオキサン樹脂、及び「ＰＤＭＳ」としても既知である１８４ｄｐのポリジメチルシロキサンに基づく）を伴う典型的な樹脂−直鎖状材料は、８０℃あたりで流動し始め、樹脂ブロック上にある残留シラノール基からの１２０℃あたりでの更なる縮合硬化が続き、引張強度が２〜５ＭＰａ、破断伸度が２００〜６００％の材料をもたらす。安定剤を含む同じ樹脂−直鎖状材料は、１２０℃から１８０℃まで有意に広がる硬化温度を有する。
【００７９】
本開示はまた、硬化性シリコーン組成物を提供する。硬化性シリコーン組成物は、本明細書に記載されるオルガノシロキサンブロックコポリマーを含む。いくつかの実施形態において、硬化性シリコーン組成物はまた、有機溶媒を含む。いくつかの実施形態において、用語「硬化性シリコーン組成物」はまた、溶媒中の固体組成物の組み合わせ、又は溶媒と組み合わされる固体組成物の組み合わせを含む。有機溶媒は、いくつかの実施形態において、ベンゼン、トルエン、又はキシレンなどの芳香族系溶媒である。いくつかの実施形態において、溶媒は、実質的に（例えば、完全に又は全体的に）本明細書に記載されるオルガノシロキサンブロックコポリマーを溶解する。
【００８０】
本明細書に記載される硬化性組成物は、オルガノシロキサン樹脂（例えば、ブロックコポリマーの一部ではない遊離樹脂）を更に含有してもよい。これらの組成物中に存在するオルガノシロキサン樹脂は、オルガノシロキサンブロックコポリマーを調製するために使用されるオルガノシロキサン樹脂である。したがって、オルガノシロキサン樹脂は、少なくとも６０モル％の［Ｒ２ＳｉＯ３／２］シロキシ単位（例えば、少なくとも７０モル％の［Ｒ２ＳｉＯ３／２］シロキシ単位、少なくとも８０モル％の［Ｒ２ＳｉＯ３／２］シロキシ単位、少なくとも９０モル％の［Ｒ２ＳｉＯ３／２］シロキシ単位、若しくは１００モル％の［Ｒ２ＳｉＯ３／２］シロキシ単位、又は６０〜１００モル％の［Ｒ２ＳｉＯ３／２］シロキシ単位、６０〜９０モル％の［Ｒ２ＳｉＯ３／２］シロキシ単位、若しくは７０〜８０モル％の［Ｒ２ＳｉＯ３／２］シロキシ単位）をその式中に含むことができ、式中、各Ｒ２は、独立して、Ｃ１〜Ｃ２０ヒドロカルビルである。あるいは、オルガノシロキサン樹脂は、シルセスキオキサン樹脂又はフェニルシルセスキオキサン樹脂である。
【００８１】
硬化性組成物が、オルガノシロキサンブロックコポリマー、有機溶媒、及び任意のオルガノシロキサン樹脂を含むとき、各成分の量は、様々であり得る。本発明の硬化性組成物中のオルガノシロキサンブロックコポリマー、有機溶媒及び任意のオルガノシロキサン樹脂の量は、様々であり得る。本開示の硬化性組成物は、４０〜８０重量％の本明細書に記載されるオルガノシロキサンブロックコポリマー（例えば、４０〜７０重量％、４０〜６０重量％、４０〜５０重量％）と、１０〜８０重量％の有機溶媒（例えば、１０〜７０重量％、１０〜６０重量％、１０〜５０重量％、１０〜４０重量％、１０〜３０重量％、１０〜２０重量％、２０〜８０重量％、３０〜８０重量％、４０〜８０重量％、５０〜８０重量％、６０〜８０重量％、又は７０〜８０重量；及び５〜４０重量％）と、オルガノシロキサン樹脂（例えば、５〜３０重量％、５〜２０重量％、５〜１０重量％、１０〜４０重量％、１０〜３０重量％、１０〜２０重量％、２０〜４０重量％、又は３０〜４０重量％）と、を含んでよいが、これらの成分の重量％の和は１００％を超えないものとする。
【００８２】
一実施例において、硬化性組成物は、本明細書に記載されるオルガノシロキサンブロックコポリマーと、有機溶媒と、オルガノシロキサン樹脂と、から本質的になる。本実施例において、これらの成分の重量％の和は、１００％、又は１００％に近いものである。直前に上述した実施例に対する用語「から本質的になる」は、本実施例では、硬化性シリコーン組成物が、本開示のオルガノシロキサンブロックコポリマー又はオルガノシロキサン樹脂ではない、シリコーン又は有機ポリマーを全く含まないことを説明する。
【００８３】
硬化性シリコーン組成物は、硬化触媒を含んでもよい。硬化触媒は、オルガノシロキサンの（縮合）硬化に作用する、様々なスズ又はチタン触媒などの当該技術分野において既知の任意の触媒から選択され得る。縮合触媒は、典型的にヒドロキシ基に結合したケイ素（＝シラノール）の縮合を促進してＳｉ−Ｏ−Ｓｉ連結を形成するために使用される任意の縮合触媒であり得る。例としては、限定されるものではないが、アミン、並びに鉛、スズ、亜鉛及び鉄の錯体が挙げられる。
【００８４】
様々な実施形態において、固体組成物は、フェニル−Ｔ樹脂などの１つ以上の樹脂を、ＰｈＭｅシロキサンなどの１つ以上（シラノール）末端シロキサンと反応させる工程を含む方法によって形成され得る。別の方法として、１つ以上の樹脂は、ＭＴＡ／ＥＴＡ、ＭＴＯ、ＥＴＳ  ９００などでキャッピングされるシラノール末端シロキサンなどの１つ以上のキャッピングされたシロキサン樹脂と反応させてもよい。別の実施例において、固体組成物は、１つ以上の上記構成成分及び／又は１つ以上の構成成分を反応させることにより形成される。なお別の実施例では、この方法は、上述の出願のうちのいずれかに記載される１つ以上の工程を含んでもよい。
【００８５】
別の方法として、方法は、溶媒中の組成物、例えば溶媒を含む硬化性シリコーン組成物を準備する工程と、その後溶媒を除去して固体組成物を形成する工程と、を含んでもよい。溶媒は、任意の公知の処理技術により除去され得る。一実施例において、オルガノシロキサンブロックコポリマーを含む膜が形成され、溶媒は、硬化性シリコーン組成物から蒸発することが可能になり、それによって膜を形成する。膜を、高温、及び／又は減圧に供することは、固体組成物の溶媒除去及びそれに続く形成を加速する。代替的に、硬化性シリコーン組成物は、押出成形機を通過させ溶媒を除去し、リボン又はペレットの形態で固体組成物をもたらしてもよい。剥離膜に対するコーティング作業もまた、スロットダイコーティング、ナイフオーバーロールコーティング、ロッドコーティング、又はグラビアコーティングにおいて見られるように、使用され得るまた、固体膜を調製するにあたりロールからロールへのコーティング作業も使用され得る。コーティング作業では、コンベアオーブン又は他の溶液の加熱及び排気手段を使用して、溶媒を除去し、最終的な固体組成物を得ることができる。
【００８６】
オルガノシロキサンブロックコポリマーは、ａ）直鎖状オルガノシロキサンと、ｂ）少なくとも６０モル％の式［Ｒ２ＳｉＯ３／２］のシロキシ単位をその式中に含有するオルガノシロキサン樹脂と、を、ｃ）溶媒中で反応させる工程Ｉ）を含む方法を用いて形成され得る。一実施例において、直鎖状オルガノシロキサンは、式Ｒ１ｑ（Ｅ）（３−ｑ）ＳｉＯ（Ｒ１２ＳｉＯ２／２）ｎＳｉ（Ｅ）（３−ｑ）Ｒ１ｑを有し、式中、各Ｒ１は、独立して、Ｃ１〜Ｃ３０ヒドロカルビルであり、ｎは、１０〜４００、ｑは、０、１、又は２、Ｅは、少なくとも１つの炭素原子を含む加水分解性基である。別の実施例において、各Ｒ２は、独立してＣ１〜Ｃ２０ヒドロカルビルである。更に別の実施例において、工程Ｉで使用されるａ）及びｂ）の量は、４０〜９０モル％のジシロキシ単位［Ｒ１２ＳｉＯ２／２］及び１０〜６０モル％のトリシロキシ単位［Ｒ２ＳｉＯ３／２］を有するオルガノシロキサンブロックコポリマーをもたらすように選択される。より更なる実施例において、工程Ｉで添加される直鎖状オルガノシロキサンの少なくとも９５重量パーセントが、オルガノシロキサンブロックコポリマーの中に組み込まれる。
【００８７】
なお別の実施例において、この方法は、例えば、オルガノシロキサンブロックコポリマーのトリシロキシ単位を架橋し、及び／又は、オルガノシロキサンブロックコポリマーの重量平均分子量（Ｍｗ）を少なくとも５０％増加させるために、工程Ｉ）のオルガノシロキサンブロックコポリマーを反応させる工程ＩＩ）を含む。更なる実施例は、貯蔵安定性及び／若しくは光学的透明度を強化するようにオルガノシロキサンブロックコポリマーを更に処理する工程、並びに／又は有機溶媒を除去する任意の工程を含む。
【００８８】
硬化性シリコーン組成物は、上に記載されるような、固体組成物及び溶媒を組み合わせる工程を含む方法を用いて形成されてもよい。方法はまた、オルガノシロキサン樹脂及び／又は硬化触媒などの追加成分を、固体組成物及び溶媒のうちの１つ又は両方に、導入及び／又は組み合わせる１つ以上の工程を含む。固体組成物及び溶媒は、当該技術分野では既知である撹拌、渦動、混合などの任意の方法を用いて、互いに及び／又は任意の他の成分と組み合わされてもよい。
【００８９】
いくつかの実施例において、本明細書に記載される実施形態である光学アセンブリは、第１の層と、第２の層と、を含み、これらの層は硬化される。第１の層が硬化される機構は、第２の層が硬化される機構と同一であっても、異なっていてもよい。硬化機構として、ホットメルト、つまり熱硬化、湿気硬化、ヒドロシリル化硬化（上記）、縮合硬化、ペルオキシド／ラジカル硬化、光硬化、又は、いくつかの実施例において、アジドとアルキンとの間の金属触媒（銅若しくはルテニウム）反応、若しくはラジカル媒介性チオール−エン反応が関与する、クリックケミストリー系硬化が挙げられるが、これらに限定されない。別の硬化機構として、ペルオキシドビニル−ＣＨ３硬化、アクリルラジカル硬化、アルキルボラン硬化、及びエポキシ−アミン／フェノール硬化が挙げられるが、これらに限定されない。
【００９０】
本開示はまた、光学アセンブリを形成する方法も提供する。方法は、光学アセンブリを形成するための発光ダイオード及び層を組み合わせる工程を含む。組み合わせる工程は、特に限定されず、互いに隣接して、又は互いの上に、及び／又は互いに直接的に接触して若しくは間接的に接触して発光ダイオード及び層を配置することを含み得るか、又は更に定義され得る。例えば、層は、発光ダイオード上に又は発光ダイオードに直接的に接触して配置されてもよい。代替的に、層は、それでもまだ発光ダイオード上に配置されてもよいが、発光ダイオードから分離して、かつそれと直接的に接触せずに、発光ダイオード上に配置されてもよい。
【００９１】
層を、加熱して流動し、融解し、押し付け、（真空）積層し、圧縮成形し、注入転移成形し、カレンダー加工し、高温エンボス加工し、注入成形し、押出成形し、又は、固体から液体若しくは軟質化された固体へ層を変化させる任意の他のプロセス工程を行う。
【００９２】
液体又は軟質化された層は、次いで、スプレー、注入、塗装、コーティング、浸漬、はけ塗りなどによって、上述の技術のうちの任意の１つ以上により発光ダイオードに適用されてもよい。
【００９３】
一実施例において、組み合わせの工程は、固体組成物が発光ダイオード上に配置され、発光ダイオードに直接的に接触しているように、層を融解する工程として更に定義される。別の実施例において、組み合わせの工程は、層が発光ダイオード上に配置され、発光ダイオードに間接的に接触しているように、層を融解する工程として更に定義される。なおも別の実施例において、この方法は、例えば、溶媒中に溶解する又は部分的に溶解するなど、溶媒中の固体組成物の溶液を準備する工程を更に含む。より更なる実施例において、この方法は、発光ダイオードと層とを組み合わせる工程に先立ち、溶媒を除去して、固体組成物を形成し層を形成する工程を含む。なおも別の実施例において、この方法は、溶媒を除去する工程に続き、発光ダイオードと層とを組み合わせる工程に先立つ、固体組成物を層に形成する工程を更に含む。
【００９４】
他の実施形態において、方法は、例えば、縮合反応遊離基反応、又はヒドロシリル化反応によって、固体組成物を硬化させる工程を含む。任意の触媒、添加剤などが、硬化させる工程において利用できる。例えば、酸性又は塩基性の縮合触媒が、利用され得る。代替的に、白金触媒などのヒドロシリル化触媒が、利用されてもよい。一実施例において、硬化させる工程は、固体組成物の融解温度よりも高温度で起こる。代替的に、硬化させる工程は、層の、ほぼ融解温度、又は融解温度以下で起こり得る。
【実施例】
【００９５】
固体組成物及びオルガノシロキサンブロックコポリマーを含む一連の実施例はまた、本開示に従い形成される。一連の比較実施例もまた形成されるが、本開示には従わない。形成後、実施例及び比較実施例は、シートに形成され、それは次いで更に評価される。
【００９６】
（実施例１）：
５００ｍＬの四口丸底フラスコに、トルエン（６５．０ｇ）及びフェニル−Ｔ樹脂（ＦＷ＝１３６．６ｇ／モルＳｉ；３５．０ｇ、０．２５６モルＳｉ）を投入する。フラスコには、温度計、テフロン撹拌パドル、及びトルエンで予め充填され、かつ水冷凝縮器に取り付けられたＤｅａｎ  Ｓｔａｒｋ装置が装備されている。窒素ブランケットをその後適用する。油浴を使用してフラスコを還流させながら３０分間にわたって加熱する。続いて、フラスコを、約１０８℃（ポットの温度）まで冷却する。
【００９７】
次に、トルエン（３５．０ｇ）及びシラノール末端ＰｈＭｅシロキサン（１４０ｄｐ、ＦＷ＝１３６．３ｇ／モルＳｉ、１．２４モル％  ＳｉＯＨ、６５．０ｇ、０．４７７モルＳｉ）の溶液を調製し、５０／５０ＭＴＡ／ＥＴＡをシロキサンに添加し、室温で２時間混合することにより、窒素下のグローブボックス（同日）内にて５０／５０ＭＴＡ／ＥＴＡ（平均ＦＷ＝２３１．２ｇ／モルＳｉ、１．４４ｇ、０．００６２３モル）でシロキサンをキャッピングする。続いて、キャッピングされたシロキサンをフェニル−Ｔ樹脂／トルエン溶液に１０８℃で添加し、約２時間還流する。
【００９８】
還流後、溶液を、約１０８℃まで再度冷却し、追加量の５０／５０ＭＴＡ／ＥＴＡ（平均ＦＷ＝２３１．２ｇ／モルＳｉ、６．２１ｇ、０．０２６９モル）を添加し、次にこの溶液を更に１時間還流する。
【００９９】
続いて、溶液を９０℃まで冷却し、その後１２ｍＬのＤＩ水を添加する。次いで、水を含む溶液を加熱し、約１．５時間還流させ、共沸蒸留によって水を除去する。水の追加及び続く還流を繰り返す。除去する水相の合計量は、約２７．３ｇである。
【０１００】
続いて、ほとんどの残留酢酸と共にいくらかのトルエン（約５４．０ｇ）を留去し（約２０分間）、固体含有量を増加させる。
【０１０１】
次いで、溶液を室温に冷却し、溶液を５．０μｍのフィルターを通して圧力濾過し、固体組成物を分離する。
【０１０２】
固体組成物を２９Ｓｉ  ＮＭＲによって分析し、約１１．８モル％のＯＺを伴う、ＤＰｈＭｅ０．６３５Ｔアルキル０．０４４Ｔシクロヘキシル０．００４ＴＰｈ０．３１７の構造を確認する。
【０１０３】
（実施例２）：
２Ｌの三口丸底フラスコに、トルエン（５４４．０ｇ）及び２１６．０ｇの上記フェニル−Ｔ樹脂を投入する。フラスコには、温度計、テフロン撹拌パドル、及びトルエンで予め充填され、かつ水冷凝縮器に取り付けられたＤｅａｎ  Ｓｔａｒｋ装置が装備されている。窒素ブランケットを適用する。加熱マントルを使用して溶液を還流させながら３０分間にわたって加熱する。続いて、フラスコを、約１０８℃（ポットの温度）まで冷却する。
【０１０４】
トルエン（１７６．０ｇ）及び２６４．０ｇの上記シラノール末端ＰｈＭｅシロキサンの溶液を調製し、同様に記載されるように、ＭＴＡ／ＥＴＡをシロキサンに添加し、室温で２時間混合することにより、窒素下のグローブボックス（同日）内にて５０／５０  ＭＴＡ／ＥＴＡ（４．８４ｇ、０．０２０９モルＳｉ）でシロキサンをキャッピングする。
【０１０５】
続いて、キャッピングされたシロキサンをフェニル−Ｔ樹脂／トルエン溶液に１０８℃で添加し、約２時間還流する。
【０１０６】
還流後、溶液を、約１０８℃まで再度冷却し、追加量の５０／５０ＭＴＡ／ＥＴＡ（３８．３２ｇ、０．１６６モルＳｉ）を添加し、次にこの溶液を更に２時間還流する。
【０１０７】
続いて、溶液を９０℃まで冷却し、その後３３．６３ｇのＤＩ水を添加する。
【０１０８】
次いで、水を含む溶液を２時間加熱して還流させ、共沸蒸留によって水を除去する。続いて、溶液を還流の段階で３時間加熱する。その後、溶液を１００℃に冷却し、続いて予め乾燥させたＤａｒｃｏ  Ｇ６０カーボンブラック（４．８０ｇ）を添加する。
【０１０９】
次いで、溶液を撹拌しながら室温に冷却し、次いで、室温で一晩撹拌する。次いで、溶液を０．４５μｍのフィルターを通して圧力濾過し、固体組成物を分離する。
【０１１０】
固体組成物を２９Ｓｉ  ＮＭＲによって分析し、約２２．２モル％のＯＺを伴う、ＤＰｈＭｅ０．５１９Ｔアルキル０．０５０ＴＰｈ０．４３１の構造を確認する。ＦＴ−ＩＲ分析を用いても固体組成物中に酢酸は、検出されない。
【０１１１】
（実施例３）：
５００ｍＬの三口丸底フラスコに、トルエン（８６．４ｇ）及び３３．０ｇの上記フェニル−Ｔ樹脂を投入する。フラスコには、温度計、テフロン撹拌パドル、及びトルエンで予め充填され、かつ水冷凝縮器に取り付けられたＤｅａｎ  Ｓｔａｒｋ装置が装備されている。窒素ブランケットを適用する。加熱マントルを使用して溶液を還流させながら３０分間にわたって加熱する。続いて、フラスコを、約１０８℃（ポットの温度）まで冷却する。
【０１１２】
トルエン（２５．０ｇ）及び２７．０ｇの上記シラノール末端ＰｈＭｅシロキサン溶液を調製し、同様に記載されるように、ＭＴＡ／ＥＴＡをシロキサンに添加し、室温で２時間混合することにより、窒素下のグローブボックス（同日）内にてメチルトリス（メチルエチルケトオキシム）シラン（（ＭＴＯ）；ＭＷ＝３０１．４６）でシロキサンをキャッピングする。
【０１１３】
続いて、キャッピングされたシロキサンをフェニル−Ｔ樹脂／トルエン溶液に１０８℃で添加し、約３時間還流する。以下に更なる詳細が記載されるように、次いでこの溶液から膜を注型成形する。溶液中のオルガノシロキサンブロックコポリマーを２９Ｓｉ  ＮＭＲによって分析し、約１７．０モル％のＯＺを伴う、ＤＰｈＭｅ０．４４０ＴＭｅ０．００８ＴＰｈ０．５５２の構造を確認する。ＦＴ−ＩＲ分析を用いても固体組成物中に酢酸は、検出されない。
【０１１４】
（実施例４）：
５Ｌの四口丸底フラスコに、トルエン（１０００．０ｇ）及び２８０．２ｇの上記フェニル−Ｔ樹脂を投入する。フラスコには、温度計、テフロン撹拌パドル、及びトルエンで予め充填され、かつ水冷凝縮器に取り付けられたＤｅａｎ  Ｓｔａｒｋ装置が装備されている。窒素ブランケットを適用する。加熱マントルを使用して溶液を還流させながら３０分間にわたって加熱する。続いて、フラスコを、約１０８℃（ポットの温度）まで冷却する。
【０１１５】
トルエン（５００．０ｇ）及び７２０．０ｇのシラノール末端ＰＤＭＳ（ＦＷ＝７４．３ｇ／モルＳｉ；〜１．０１モル％ＯＨ）の溶液を調製し、同様に記載されるように、ＭＴＡ／ＥＴＡをシロキサンに添加し、室温で３０分間混合することにより、窒素下のグローブボックス（同日）内にて５０／５０ＭＴＡ／ＥＴＡ（２３．７７ｇ、０．１０２８モルＳｉ）でＰＤＭＳをキャッピングする。
【０１１６】
続いて、キャッピングされたＰＤＭＳを、フェニル−Ｔ樹脂／トルエン溶液に１０８℃で添加し、約３時間１５分還流させる。
【０１１７】
還流後、溶液を、約１０８℃まで再度冷却し、追加量の５０／５０  ＭＴＡ／ＥＴＡ（２２．６３ｇ、０．０９７９モルＳｉ）を添加し、次にこの溶液を更に１時間還流する。
【０１１８】
続いて、溶液を１００℃まで冷却し、その後３６．１ｇのＤＩ水を添加する。
【０１１９】
次いで、水を含む溶液を、８８〜９０℃で約３０分間加熱し、約１．７５時間還流状態で加熱して、共沸蒸留によって約３９．６グラムの水を除去する。次いで、溶液を一晩冷却させる。
【０１２０】
続いて、溶液を２時間加熱して還流させ、次いで、１００℃まで冷却する。酢酸濃度を低下させるために、その後、１２６．８ｇのＤＩ水を添加し、３．２５時間にわたって共沸除去する。Ｄｅａｎ  Ｓｔａｒｋ装置から除去される量は、約１３７．３ｇである。続いて、溶液を、１００℃まで冷却する。続いて、１６２．８ｇの水を続けて添加し、その後、４．７５時間にわたって共沸除去する。Ｄｅａｎ  Ｓｔａｒｋ装置から除去される量は、約１７０．７ｇである。次いで、溶液を９０℃に冷却し、１０ｇのＤａｒｃｏ  Ｇ６０カーボンブラックを添加する。次いで、溶液を撹拌しながら室温に冷却し、次いで、室温で一晩撹拌させる。
【０１２１】
次いで、溶液を０．４５μｍのフィルターを通して圧力濾過し、固体組成物を分離する。
【０１２２】
固体組成物を２９Ｓｉ  ＮＭＲによって分析し、約６．５６モル％のＯＺを伴う、ＤＭｅ２０．８１５Ｔアルキル０．０１７ＴＰｈ０．１６８の構造を確認する。ＦＴ−ＩＲ分析を用いても固体組成物中に酢酸は、検出されない。
【０１２３】
（実施例５）：
１２Ｌの三口丸底フラスコに、トルエン（３８０３．９ｇ）及び９４２．５ｇの上記フェニル−Ｔ樹脂を投入する。フラスコには、温度計、テフロン撹拌パドル、及びトルエンで予め充填され、かつ水冷凝縮器に取り付けられたＤｅａｎ  Ｓｔａｒｋ装置が装備されている。窒素ブランケットを適用する。加熱マントルを使用して溶液を還流させながら３０分間にわたって加熱する。続いて、フラスコを、約１０８℃（ポットの温度）まで冷却する。
【０１２４】
トルエン（１３４４ｇ）及び１８２９．０ｇの直前に記載のシラノール末端ＰＤＭＳの溶液を調製し、同様に記載されるように、ＭＴＯをシロキサンに添加し、室温で２時間混合することにより、窒素下のグローブボックス（同日）内にてＭＴＯ（メチルトリス（メチルエチルケトオキシム）シラン（８５．０ｇ、０．２８２０モルＳｉ））でＰＤＭＳをキャッピングする。
【０１２５】
続いて、キャッピングされたＰＤＭＳを、フェニル−Ｔ樹脂／トルエン溶液に１１０℃で添加し、約２時間１０分還流させる。続いて、２７６．０ｇのｎ−ブタノールを添加し、次いで、溶液を３時間にわたって還流させ、一晩室温に冷却させる。
【０１２６】
続いて、約２９１３ｇのトルエンを蒸留により除去し、固体含有量を〜５０重量％に増加させる。次いで、真空を、６５〜７５℃で〜２．５時間適用する。次いで、溶液は、３日間設定した後、５．０μｍの濾過器を通して濾過されて、固体組成物を単離する。
【０１２７】
固体組成物を２９Ｓｉ  ＮＭＲによって分析し、約６．２３モル％のＯＺを伴う、ＤＭｅ２０．７７４ＴＭｅ０．００９ＴＰｈ０．２１７の構造を確認する。ＦＴ−ＩＲ分析を用いても固体組成物中に酢酸は、検出されない。
【０１２８】
（実施例６）：
１Ｌの三口丸底フラスコに、トルエン（１８０．０ｇ）及び６４．９ｇの記載されるフェニル−Ｔ樹脂を投入する。フラスコには、温度計、テフロン撹拌パドル、及びトルエンで予め充填され、かつ水冷凝縮器に取り付けられたＤｅａｎ  Ｓｔａｒｋ装置が装備されている。窒素ブランケットを適用する。加熱マントルを使用して溶液を還流させながら３０分間にわたって加熱する。続いて、フラスコを、約１０８℃（ポットの温度）まで冷却する。
【０１２９】
トルエン（８５．８８ｇ）及び１１５．４ｇのシラノール末端ＰＤＭＳの溶液を調製し、ＥＴＳ  ９００／トルエン（８．２５ｇ、０．０１７７モルＳｉ）をシラノール末端ＰＤＭＳに添加し、室温で２時間混合することにより、窒素下のグローブボックス（同日）内にてＥＴＳ  ９００（トルエン中５０重量％；平均ＦＷ＝２３２／４ｇ／モルＳｉ）でＰＤＭＳをキャッピングする。
【０１３０】
続いて、キャッピングされたＰＤＭＳを、フェニル−Ｔ樹脂／トルエン溶液に１０８℃で添加し、約２時間還流させる。
【０１３１】
続いて、溶液を１０８℃まで再度冷却し、追加量のＥＴＳ９００（１５．９４ｇ、０．０３４３モルＳｉ）を添加する。その後、この溶液を還流状態で１時間加熱して、続いて１０８℃まで再度冷却する。次いで、追加量のＥＴＳ  ９００／トルエン（２．２３ｇ、０．００４８モルＳｉ）を加え、この溶液を再度還流状態で１時間加熱する。
【０１３２】
続いて、溶液を１００℃まで冷却し、３０ｍＬのＤＩ水を添加する。溶液を再度加熱し、還流させ、共沸蒸留によって水を除去する。この処理を３回繰り返す。
【０１３３】
次いで、溶液を加熱し、〜３０ｇの溶媒を留去し、固体含有量を増加させる。次いで、溶液を室温まで冷却し、溶液を、５．０μｍの濾過器を通して濾過して、固体組成物を単離する。
【０１３４】
固体組成物を２９Ｓｉ  ＮＭＲによって分析し、約７．７１モル％のＯＺを伴う、ＤＭｅ２０．７５１Ｔアルキル０．０２８ＴＰｈ０．２２１の構造を確認する。ＦＴ−ＩＲ分析を用いても固体組成物中に酢酸は、検出されない。
【０１３５】
（実施例７）：
実施例において、７５部の、平均組成式：（ＭｅＶｉＳｉＯ２／２）０．２５（Ｐｈ２ＳｉＯ２／２）０．３（ＰｈＳｉＯ３／２）０．４５で表されるメチルフェニルビニルポリシロキサン、２５部の、分子式：（ＨＭｅ２ＳｉＯ）２ＳｉＰｈ２で表されるトリシロキサン、１０部の、分子式：ＶｉＭｅ２ＳｉＯ（ＳｉＭｅＰｈＯ）１７．５ＳｉＭｅ２Ｖｉで表されるメチルフェニルビニルポリシロキサン（mehtylphenylvinylpolysiloxane）、０．００１部の、１，３−ジビニル−１，１，３，３−テトラメチルジシロキサン中の白金１，３−ジビニル−１，１，３，３−テトラメチルジシロキサン錯体溶液（４．５％  Ｐｔ金属を含み、組成物中に５ｐｐｍ白金をもたらす）、及び０．００６部のエチニルシクロヘキサノール（ehthynylcyclohexanol）を混合することによって、８６３０ｍＰａ．ｓの粘度を有する組成物を調製できる。この組成物を、例えば金属製の成形型中で、１００℃で３０分間加熱してよい。この材料は、１００℃で流動性を有するが、２５℃まで冷却すると、粘着性のない固体になり得る。２５℃におけるショアＡ硬度は、約６８であり得る。１ミリメートルの厚さを有するＢステージシートを同様に調製できる。１３０℃にてムービングダイレオメーター（ＭＤＲ）測定を行ったところ、最小トルク値の例として０．０１ｄＮｍを示した。
【０１３６】
（実施例８）：
実施例において、３７．５部の、平均組成式：（ＭｅＶｉＳｉＯ２／２）０．２５（Ｐｈ２ＳｉＯ２／２）０．３（ＰｈＳｉＯ３／２）０．４５で表されるメチルフェニルビニルポリシロキサン、４０部の、平均組成式：（Ｍｅ２ＶｉＳｉＯ１／２）０．２（ＰｈＳｉＯ３／２）０．８で表されるメチルビニルフェニルポリシロキサン（mehtylvinylphenylpolysiloxane）、２２．５部の、分子式：（ＨＭｅ２ＳｉＯ）２ＳｉＰｈ２で表されるトリシロキサン、１０部の、分子式：ＶｉＭｅ２ＳｉＯ（ＳｉＭｅＰｈＯ）１７．５ＳｉＭｅ２Ｖｉで表されるメチルフェニルビニルポリシロキサン、０．００１部の、１，３−ジビニル−１，１，３，３−テトラメチルジシロキサン中の白金１，３−ジビニル−１，１，３，３−テトラメチルジシロキサン錯体溶液（４．５％  Ｐｔ金属を含み、組成物中に５ｐｐｍ白金をもたらす）、及び０．００６部の、エチニルシクロヘキサノールを混合することによって、１７０９０ｍＰａ．ｓの粘度を有する組成物を調製できる。この組成物を、例えば金属製の成形型中で、１００℃で１５分間加熱してよい。この材料は、１００℃で流動性を有するが、２５℃まで冷却すると、粘着性のない固体になった。２５℃におけるショアＡ硬度は、５５であり得る。１ミリメートルの厚さを有するＢステージシートを同様に調製した。１３０℃にてＭＤＲ（ムービングダイレオメーター）測定を行ったところ、最小トルク値として０．０２ｄＮｍを示した。
【０１３７】
比較実施例１：
ボトムドレン付の１Ｌ三口丸底フラスコ（くぼみ付き（Intended）モートン型フラスコ）に、ＤＩ水（１９６．１ｇ）を投入する。このフラスコに、温度計と、Ｔｅｆｌｏｎ撹拌パドルと、水冷凝縮器と、を装備させた。追加のファンネルを、ＰｈＳｉＣｌ３（８２．９５ｇ）、及びＰｈＭｅＳｉＣｌ２（５８．８７ｇ）、及びトルエン（１４２．６５ｇ）で充填する。この溶液を、室温にて開始しフラスコにゆっくりと添加する。フラスコに添加すると、溶液は、７８℃まで発熱する。この溶液を１５分間混合する。続いて、水洗浄により水相を除去し、ＨＣｌを除去する。
【０１３８】
続いて、２５ｍＬのＤＩ水を溶液に加えて、この溶液を８０℃で１５分間加熱する。次いで、水相を除去し、次いで、溶液を加熱し還流させ、共沸蒸留によって追加の水を除去する。これらの工程を数回繰り返す。
【０１３９】
続いて、溶液を加熱し、溶媒を蒸留させ、固体含有量を増加させる。次に、この生成物を、油浴温度１２０℃かつ〜０．５ｍｍ  Ｈｇで、ロータベーパー（rotavapor）を用いて乾燥するまで揮発させ、濾過して生成物を単離する。
【０１４０】
この生成物を２９Ｓｉ  ＮＭＲによって分析し、約４４．５モル％（５．５５重量％）のＯＨ含量で、約１３６ｇ／モルのＦＷを有するＤＰｈＭｅ０．４３７Ｔシクロヘキシル０．００７ＴＰｈ０．５５６の構造を確認する。
【０１４１】
比較実施例２
以下に記載される成分を、真空遊星型混合機（Ｔｈｉｎｋｙ  ＡＲＶ−３１０）を用いて、２ｋＰａ下で１６００ｒｐｍにて２分間混合し、液体組成物を形成する。
成分１：平均単位分子式：（Ｍｅ２ＶｉＳｉＯ１／２）０．２５（ＰｈＳｉＯ３／２）０．７５；５．８ｇ；
成分２：平均単位分子式：Ｍｅ２ＶｉＳｉＯ（ＭｅＰｈＳｉＯ）２５ＯＳｉＭｅ２Ｖｉ；１．８ｇ；
成分３：平均単位分子式：ＨＭｅ２ＳｉＯ（Ｐｈ２ＳｉＯ）ＳｉＭｅ２Ｈ；２．０ｇ；
成分４：平均単位分子式：（ＨＭｅ２ＳｉＯ１／２）０．６０（ＰｈＳｉＯ３／２）０．４；０．２４ｇ；
成分５：平均単位分子式：
（Ｍｅ２ＶｉＳｉＯ１／２）０．１８（ＰｈＳｉＯ３／２）０．５４（ＥｐＭｅＳｉＯ）０．２８、式中、（Ｅｐ＝グリシドキシプロピル（glicidoxypropyl））；０．２３ｇ；
成分６：平均単位分子式：環式化合物（ＶｉＳｉＭｅＯ１／２）ｎ；０．０２ｇ；
１−エチニル−１−シクロヘキサノール；２４０ｐｐｍ
Ｐｔ触媒（１．３−ジビニルテトラメチルシロキサン錯体）；２ｐｐｍ
【０１４２】
比較実施例３：
真空遊星型混合機を用いて以下のものから比較実施例３を調製する。
ビニルジメチルシロキシ末端ポリジメチルシロキサン（平均Ｍｗ＝６０，０００）；４２．９部
ビニルジメチルシロキシ末端ポリジメチルシロキサン（平均Ｍｗ＝２４，０００）；１４．５部
ビニルジメチルシロキシ及びトリメチルシロキシ官能性シリカ、１．０部
トリメチルシロキシ官能性シリカ、５．７部
１，５−ジビニル−１，１，５，５−テトラメチルジコーディネート白金触媒（全組成物のＰｔ含有量５ｐｐｍ）
（アリルグリシドキシプロピル−ＳｉＯ３／２）０．５（ＭｅＳｉＶｉＯ２／２）０．３（Ｍｅ２ＳｉＯ２／２）０．２；１１．７部
【０１４３】
形成後、比較実施例３を、ポリエーテルスルホンコーティングした膜に注型成形し、次いで１００℃にて３分間加熱し、膜を形成する。
【０１４４】
実施例及び比較実施例の評価：
前述の各実施例の形成後、種々のサンプルを評価し、２５℃での弾性率、ショアＡ硬度（硬化）、１２０℃での融解粘度、トラウザー引裂き、引張強度、破断伸度、及び可撓性を判定する。これらの評価の結果は以下の表１で説明される。
【０１４５】
【表１】
0006387355.tif 000003
【０１４６】
引裂き（ＡＳＴＭ  Ｄ６２４）標本を、典型的には１〜２ｍｍの厚さでシートからダイカットする。利用可能なサンプルシートの量に応じて、試験用Ｔ型（トラウザー）の３つの標本を調製する。材料が温度又は湿度にて小さい変化に有意に作用されると予期されないため、試験前の特別な貯蔵は考慮しない。周囲温度又は湿度にて、Ｂｌｕｅｈｉｌｌ  ２ソフトウェアを利用してインストロン万能試験機で標本を試験する。Ｂ型及びＣ型標本について、使用される試験速度は５００ｍｍ／分であり、破損するまで標本を引っ張る。平均ピーク力／厚さを報告する。Ｔ型（トラウザー）標本には５０ｍｍ／分の引張り速度を使用し、引裂き力が見られ安定するまでか又は破損が生じるまで、標本を引っ張る。試験後、力曲線のレベル領域の始点及び終点を、視覚的に識別する。次いで、ソフトウェアの分析機能を使用して、識別された領域内の平均引裂き力／厚さを計算した。１つ以上の標本を試験した場合、平均示度を報告した。
【０１４７】
ほぼ６ｍｍの厚さのデュロメータ（ＡＳＴＭ  Ｄ２２４０）標本を、多層のシートを一括して集積することにより調製する。試験装置は、動作台に載置されるアナログショアＡデュロメータヘッドを含み、それらは両方とも力及び用途速度を制御した。標本のサイズに応じて、３つ又は５つの測定値を取る。読み取りは、接触の１秒後に行われる。平均示度を報告する。
【０１４８】
引張り（ＡＳＴＭ  Ｄ４１２）標本を、典型的には１〜２ｍｍの厚さでシートからダイカットする。好ましい標本サイズはＣ型であるが、より小さいサイズもカット可能であるため３つの標本を得ることができる。材料が温度又は湿度にて小さい変化に有意に作用されると予期されないため、試験前の特別な貯蔵は考慮しない。周囲温度又は湿度にて、Ｂｌｕｅｈｉｌｌ  ２ソフトウェアを利用してインストロン万能試験機で標本を試験する。使用される試験速度は５００ｍｍ／分であり、破損するまで標本を引っ張る。ピーク及び破断点の両方での、平均伸度及び引張強度をヤング係数と共に報告する。未加工の応力歪み曲線を、更なる分析及び他の材料との比較のためにまた持ち出す。
【０１４９】
膜及び液体の形成及び評価：
前述の各実施例の形成後、実施例２、及び４〜６、並びに比較実施例２及び３の１４．５ｍｇのサンプルを、ＬＥＤパッケージ内に配置して硬化し、それぞれ光学アセンブリ２、及び４〜６、並びに比較光学アセンブリ２及び３を形成する。
【０１５０】
ＬＥＤパッケージは、Ｃｈｉｕｎ  Ｐｒｅｃｉｓｉｏｎ  Ｉｎｄｕｓｔｒｙより商業的に利用可能な、ＢｒｉｄｇｅＬｕｘのＬＥＤチップＭＫＯ４５４５Ｃを備えるＴＴＩ−５０７４である。
【０１５１】
実施例２を、１０Ｎ〜３０Ｎの緩やかに増加する圧力の下で、５０℃から１３０℃まで上昇する温度と、その後の１５０℃／２０分の押し付け中の加工によって硬化し、１６０℃で３時間後続の焼成を行う。
【０１５２】
実施例４〜６を各自、１０Ｎ〜３０Ｎの緩やかに増加する圧力の下で  １５０℃にて２０分間の押し付けで硬化し、続いて炉の中で１６０℃にて３時間加熱する。
【０１５３】
比較実施例２を、全く加圧せず炉の中で１５０℃にて１時間硬化させる。
【０１５４】
比較実施例３を、炉を使用しないが１０Ｎ〜３０Ｎの緩やかに増加する圧力の下で押し型の中で１５０℃にて１時間硬化させる。
【０１５５】
各光学アセンブリの形成中、又は形成後、各光学アセンブリを評価し、屈折率、封止中のワイヤ曲げ、再流動安定性（層間剥離）、及び熱サイクル安定性（ワイヤ開きまでのサイクルの数）を判定する。
【０１５６】
【表２】
0006387355.tif 000004
【０１５７】
屈折率を、Ｍｅｔｒｉｃｏｎ  Ｍｏｄｅｌ２０１０／Ｍプリズム結合器を用いて室温にて６３２．８ｎｍの波長のレーザでプリズム結合方法により判定する。
【０１５８】
封止中のワイヤ曲げを、顕微鏡観察及び封止前と封止後との間の比較により判定する。
【０１５９】
再流動安定性（層間剥離）を、少々の光散乱画像が層間剥離を示さない交差偏光フィルター付きの光学顕微鏡を用いる観察により判定する。記述語「優れている」は、層間剥離状態がないことを指す。記述語「許容可能」は、少々の層間剥離状態を指す。記述語「乏しい」は、著しい層間剥離状態を指す。
【０１６０】
熱サイクル安定性（ワイヤ開きまでのサイクルの数）を、ＬＥＤの点灯の失敗がワイヤ開きを示す、ＬＥＤ照明オン／オフ試験により判定する。
【０１６１】
より具体的には、実施例２の再流動安定性が評価され、１回のサイクルは、サンプルを−４０℃の温度に３０分間曝露することと、２分以内に１２５℃まで上昇させることと、１２５℃で３０分間維持することと、２分以内に−４０℃まで低下させることと、を含む。図１は、再流動の前及び後の結果を示す。最も上位の線は、通常の顕微鏡画像を示し、他は交差偏光される顕微鏡画像を示す。比較実施例２（表２を参照）との比較は、実施例２が優位な安定性を有することを示す。基板からの層間剥離は生じない。比較実施例２は、ＰＰＡの白色反射体から、及び時に銀色バックプレーンから層間剥離を呈する。優れた熱サイクル安定性と組み合わせると、実施例２は、ＬＥＤ用途のための高い信頼性の材料を呈する。
【０１６２】
図２は、実施例２、４及び６は、１０００サイクル後であってもワイヤボンド開放を呈さないが、一方比較実施例２は、約２００サイクル後にワイヤボンド開放を呈することを示す。
【０１６３】
追加の実施例−３つのミリング加工ロールを用いてのコポリマー内への蛍光体の組み込み：
混合ロールを用いてオルガノシロキサンブロックコポリマー内に組み込まれる蛍光体を含む追加の実施例をまた形成する。より具体的には、４．９８８ｇの実施例２のサンプルを、８０℃に加熱した３つのミリング加工ロール（ＡＩＭＥＸ  ＢＲ−１５０ＨＣＶ）に置く。続いて、０．４９７ｇのＩｎｔｅｍａｔｉｘ社の蛍光体であるＹＡＧ蛍光体（ＮＹＡＧ４４５４）をオルガノシロキサンブロックコポリマーに加え、混合物を形成する。その混合物を、次いで３つのミリング加工ロールを通過させ、蛍光体をオルガノシロキサンブロックコポリマーに組み込む。
【０１６４】
本プロセス中、蛍光体は、２カ月にわたって凝集せず、沈殿は観察されない。
【０１６５】
対照的に、比較実施例２の１００部が、上述の方法を用いてＮＴＡＧ４８５１の３．５部と共にあるとき、蛍光体の完全な沈殿が、２４時間後に観察される。
【０１６６】
追加の実施例−溶液混合を用いてのコポリマー内への蛍光体の組み込み：
実施例２の追加のサンプルを、トルエン中に７０％固体で溶解し、混合物を形成する。続いて、混合物を、３つのサンプルに分割した。第１のサンプルでは、２５重量％のＣｅＹＡＧが添加される。第２のサンプルでは、２５重量％のＣｅＴＡＧが添加される。第３のサンプルでは、２５重量％のＥｕＮが添加される。これを、実施例４のサンプルで繰り返す。
【０１６７】
実施例２及び４の各サンプルを、１０ｍＬの歯科用ミキサカップにて調製し、次いで手で完全に混合し、次にボルテックスミキサで〜５分間混合し、次いで〜４５分間超音波処理する。
【０１６８】
混合後、次に、実施例２及び４の各サンプルを、ＴＥＦＺＥＬ剥離ライナー１０４上に０．３ｍｍ（１０ミル）の間隙設定で調節可能なドローダウンバーを用いて、膜状にドローダウンする。実施例２及び４の各サンプルは、蛍光体が沈殿し難い点で優れている。実施例２の送信モードの光学顕微鏡写真は、図３として記載され、その中に均一に分散する蛍光体を示す。
【０１６９】
（実施例９）
再度図５を参照すると、光学アセンブリ５００を以下のように作製できる。実施例７のシリコーン組成物を、厚さ１ｍｍの成形型を有するホットプレスによって、１００℃で３０分間加熱した。厚さ１ｍｍのＢステージ透明シートを得た。光学デバイス５０４を得て、基板５０８上の電極にワイヤボンディングし、ドーム型空洞を有する圧縮成形装置内に置いた。透明シートを空洞内に置いた。透明シートと共に、圧縮成形を１３０℃にて５分間実施し、透明シートを融解してドーム型空洞内で硬化し、封止材５０２を形成した。
【０１７０】
（実施例１０）
再度図５を参照すると、光学アセンブリ５００を以下のように作製できる。実施例８のシリコーン組成物を、厚さ１ｍｍの成形型を有するホットプレスによって、１００℃で３０分間加熱した。厚さ１ｍｍのＢステージ透明シートを得た。光学デバイス５０４を基板５０８上の電極にワイヤボンディングし、ドーム型空洞を有する圧縮成形装置内に置いた。透明シートを空洞上に置いた。透明シートと共に、圧縮成形を１３０℃にて５  ５０２間実施し、透明シートを融解してドーム型空洞内で硬化し、封止材５０２を形成した。
【０１７１】
（実施例１１）
再度図５を参照すると、光学アセンブリ５００を以下のように作製できる。５重量％のＹＡＧ黄色蛍光体（Ｉｎｔｅｍａｔｉｘ製のＮＹＡＧ４４５４）を実施例７のシリコーン組成物中に混入し、蛍光体を有するシリコーン組成物を調製した。蛍光剤を有するシリコーン組成物を、厚さ１ｍｍの成形型を有するホットプレスによって１１０℃で１５分間加熱した。厚さ１ｍｍのＢステージ蛍光体シートを得た。光学デバイス５０４を基板５０８上の電極にワイヤボンディングし、ドーム型空洞を有する圧縮成形装置内に置いた。蛍光体シートを空洞上に置いた。実施例９の透明シートと共に、圧縮成形を１３０℃にて５分間実施し、透明シートを融解してドーム型空洞内で硬化し、封止材５０２を形成した。
【０１７２】
（実施例１１ａ）
実施例において、８重量％のＹＡＧ黄色蛍光体（Ｉｎｔｅｍａｔｉｘ製のＮＹＡＧ４４５４）を実施例７のシリコーン組成物中に混入し、蛍光体を有するシリコーン組成物を調製した。蛍光剤を有するシリコーン組成物を、深さ３００μｍの成形型を有するホットプレスによって１２０℃で１５分間加熱した。厚さ３００μｍのＢステージ蛍光体シートを得た。多層シート又は封止材を作製するために調製した実施例９の透明シート（厚さ１ｍｍ）上に、この蛍光体シートを積層した。
【０１７３】
（実施例１１ｂ）
実施例において、５０重量％のＹＡＧ黄色蛍光体（Ｉｎｔｅｍａｔｉｘ製のＮＹＡＧ４４５４）を実施例７のシリコーン組成物中に混入し、蛍光体を有するシリコーン組成物を調製した。蛍光剤を有するシリコーン組成物を、深さ６０μｍの成形型を有するホットプレスによって１２０℃で１５分間加熱した。厚さ６０μｍのＢステージ蛍光体シートを得た。実施例９の透明シート（厚さ１ｍｍ）上に、この蛍光体シートを積層した。
【０１７４】
（実施例１２）
図６は、ＬＥＤなどの光学デバイス６０２を備え、基板６０４にワイヤボンディングされた、光学アセンブリ６００の実施例である。例示されるように、光学デバイス６０２は、基板上の電極６０６にワイヤボンディングされる。光学デバイス６０２を、ドーム型空洞を有する圧縮成形装置内に置いた。蛍光体シートが光学デバイス６０２の光学面６０８に隣接した状態で、本体である実施例１１ａの多層シートを装置内に置いた。多層シートと共に、圧縮成形を１３０℃にて５分間実施し、多層シートを融解してドーム型空洞内で硬化した。圧縮成形後、光学アセンブリ６００は、ドーム型の透明層６１０と、光学デバイス６０２及び基板６０４の表面上の電極６０６を覆う平坦な蛍光体含有層６１２と、を含む、封止材６０９を有していた。種々の実施例において、蛍光体含有層６１２と光学デバイス６０２と電極６０６との間に生じた空隙は、わずかであるか、なかった。種々の実施例において、透明層６１０への蛍光体の混入はなかった。
【０１７５】
（実施例１３）
再度図６を参照すると、光学アセンブリ６００を以下のように作製できる。光学デバイス６０２を、ドーム型空洞を有する圧縮成形装置内に置いた。透明層６１０と、蛍光体含有層６１２（例えば、図１の本体１０２）と、を備え、組み合わせて封止材６０９を形成する実施例１１ｂの多層シートを、蛍光体含有層６１２を形成する蛍光体シートが光学デバイス６０２の光学面６０８に隣接した状態で、装置内に置いた。多層シートと共に、圧縮成形を１３０℃にて５分間実施し、多層シートを融解してドーム型空洞内で硬化した。圧縮成形後、光学アセンブリ６００は、ドーム型の透明層６１０と、光学デバイス６０２及び電極６０６を覆う平坦な蛍光体含有層６１２と、を含む、封止材６０９を有していた。種々の実施例において、蛍光体含有層６１２と光学デバイス６０２と電極６０６との間に生じた空隙は、わずかであるか、なかった。種々の実施例において、透明層６１０への実質的な、又は、いかなる蛍光体の混入はなかった。
【０１７６】
（実施例１４）
図７は、ＬＥＤなどの光学デバイス７０２と、光学デバイス７０２が基板７０４上の電極７０６にワイヤボンディングされる基板７０４と、を備える、光学アセンブリ７００の実施例である。光学デバイス７０２を、ドーム型空洞を有する圧縮成形装置内に置いた。透明層７０８と、任意の様々な厚さの蛍光体含有層７１０（例えば、図１の本体１０２）と、を備える封止材７０７を形成する実施例１１ａの多層シートを、封止材７０８が光学デバイス７０２の光学面７１２に隣接し、かつ、蛍光体シート７１０が透明シート７０８と比べて光学デバイス７０２の光学面７１２から遠位にある状態で、装置内に置いた。多層シートと共に、圧縮成形を１３０℃にて５分間実施し、多層シートを融解してドーム型空洞内で硬化した。圧縮成形後、光学アセンブリ７００は、透明層７０８と、蛍光体７１０と、を含む、ドーム型封止材７０７を有していた。種々の実施例において、封止材７０７と光学デバイス７０２と電極７０６との間に生じた空隙は、わずかであるか、なかった。種々の実施例において、透明層７０８への実質的な、又は、いかなる蛍光体の混入はなかった。
【０１７７】
（実施例１５）
図８は、緑色蛍光体を有するシリコーン組成物の調製のため実施例８のシリコーン組成物に混入される、４０重量％のケイ酸塩緑色蛍光体（Ｉｎｔｅｍａｔｉｘ製のＥＧ３２６１）を含む光学アセンブリ８００の実施例である。緑色蛍光体を有するシリコーン組成物を、深さ６０μｍの成形型を有するホットプレスによって、１１０℃で１５分間加熱し、緑色蛍光体層８０２を形成した。１０重量％の窒化物赤色蛍光体（Ｉｎｔｅｍａｔｉｘ製のＲ６５３５）を実施例８のシリコーン組成物中に混入し、赤色蛍光体を有するシリコーン組成物を調製した。赤色蛍光体を有するシリコーン組成物を、深さ６０μｍの成形型を有するホットプレスによって、１１０℃で１５分間加熱し、赤色蛍光体層８０４を形成した。緑色蛍光体層８０２を実施例１０の透明層８０６上に積層し、赤色蛍光体層８０４を緑色蛍光体層８０２の上部に積層して、封止材８０８を調製した。ＬＥＤなどの光学デバイス８１０を基板８１４上の電極８１２にワイヤボンディングし、ドーム型空洞を有する圧縮成形装置内に置いた。透明層８０６が光学デバイス８１０の光学面８１６に隣接した状態で、封止材８０８を装置内に置いた。多層シート８０８と共に、圧縮成形を１３０℃にて５分間実施し、封止材８０８を融解してドーム型空洞内で硬化した。圧縮成形後、光学アセンブリ８００は、赤色蛍光体層８０６及び緑色蛍光体層８０４を有するドーム型封止材８０８を有していた。種々の実施例において、透明層８０６と光学デバイス８１０と電極８１２との間に生じた空隙は、わずかであるか、なかった。種々の実施例において、透明層８０６への実質的な、又は、いかなる蛍光体の混入はなかった。
【０１７８】
（実施例１６）
種々の実施例において、任意の光学アセンブリ５００、６００、７００、８００は、層として、実施例１１ｂの蛍光体シートを含んでよい。実施例１６では、蛍光体シートを切断し、一部を取り除いて、縞模様及び升目模様の蛍光体シートを作製した。蛍光体シートを、実施例９の透明シート上に積層し、模様付き蛍光体層を有する多層シートを作製した。光学デバイスを基板上の電極にワイヤボンディングし、ドーム型空洞を有する圧縮成形装置内に置いた。模様付き蛍光体シートが光学面に隣接した状態で、模様付き蛍光体層を有する多層シートを装置内に置いた。圧縮成形を１３０℃にて５分間実施し、多層シートを融解してドーム型空洞内で硬化した。圧縮成形後、光学アセンブリは、透明ドーム型封止材、及び平坦かつ模様付きの蛍光体層を有していた。種々の実施例において、蛍光体含有層とＬＥＤダイと電極との間に生じた空隙は、わずかであるか、なかった。種々の実施例において、透明層への実質的な、又は、いかなる蛍光体の混入はなかった。
【０１７９】
（実施例１６ａ）
図９は、光学アセンブリ９００の実施例である。実施例８のシリコーン組成物を、深さ１ｍｍの成形型を有するホットプレスによって、１１０℃で１５分間加熱し、封止材を形成する透明シート９０２を得た。基板９０８上の電極９０６にワイヤボンディングした光学デバイス９０４を、真空積層装置内に置いた。透明シート９０２を、真空積層装置中の基板９０８上に置いた。真空積層装置中の空気を、１３０℃にて１分間吸引した。吸引プロセス後、透明シート９０２を、積層装置で大気にて５分間加圧し、光学アセンブリ９００を得た。
【０１８０】
（実施例１７）
図１０は、光学アセンブリ１０００の実施例である。実施例８のシリコーン組成物を、深さ１ｍｍの成形型を有するホットプレスによって、１１０℃で１５分間加熱し、透明シート１００２を得た。５０重量％のＹＡＧ黄色蛍光体（Ｉｎｔｅｍａｔｉｘ製のＮＹＡＧ４４５４）を実施例８のシリコーン組成物中に混入し、蛍光体層１００４を有するシリコーン組成物を調製した。蛍光体を有するシリコーン組成物を、深さ６０μｍの成形型を有するホットプレスによって、１２０℃で１５分間加熱した。蛍光体層１００４を厚さ１ｍｍの透明シート１００２上に積層し、封止材１００６を作製した。光学デバイス１００８を基板１０１２上の電極１０１０にワイヤボンディングし、真空積層装置内に置いた。真空積層装置中の空気を、１３０℃にて１分間吸引した。吸引プロセス後、封止材１００６を、積層装置で大気にて５分間加圧し、光学アセンブリ１０００を得た。
【０１８１】
（実施例１８）
ガラス製反応器に、１１８ｇのメタノール、３２ｇの濃縮水性水酸化アンモニウム、及び４１ｇのジメチル−ジメトキシシランを投入した。上記成分を、実質的に均一な混合物が得られるまで電磁撹拌などの手段で撹拌した。混合物を激しく撹拌している間に、９６ｇのオルトケイ酸メチルを加えた。約１０秒後、反応生成物がゲル様物質に変化したとき、撹拌を止め、得られた生成物を密閉された低温環境下で１週間そのまま放置することによって、湿式法疎水化補強シリカの分散体を得た。シリカ分散体から、メタノール及び気体アンモニアを除いた。湿式法疎水化補強シリカのＢＥＴ表面積を測定すると、測定結果は、得られた湿式法疎水化補強シリカが、６２０ｍ２／ｇに等しい比表面積を有していることを示した。
【０１８２】
（実施例１９）
疎水化剤を、特公昭６１−５６２５５号に記載される方法によって調製した。２７７ｇのオクタメチルシクロテトラシロキサン、４．６ｇの１，３，５，７−テトラメチル−１，３，５，７−テトラビニルシロックス（tetravinylsilox）、５１７ｇのメチルトリメトキシシラン、及び０．４３ｇの触媒としての水酸化カリウムを用いて、１０５℃にて２時間反応を実施した。その結果、開環転位オルガノポリシロキサンからなる疎水化剤を調製した。炭素ガスによって水酸化カリウムを中和した。得られたポリシロキサンの分析により、生成物が、０．７モル％のメチルビニルシロキシ基を有する直鎖状オルガノポリシロキサンからなることが示された。続いて、得られた疎水化剤を用いて、湿式法疎水化補強シリカを以下のように合成した。ガラス製反応器に、１１８ｇのメタノール、３２ｇの濃縮水性水酸化アンモニウム、及び３９ｇの上記で得られた疎水化（hydrophobizaton）剤を投入した。これらの成分を、実質的に均一な混合物になるまで電磁撹拌などの手段で撹拌した。混合物を激しく撹拌している間に、９６ｇのオルトケイ酸メチルを加えた。約１０秒後、反応生成物がゲル様物質に変化したとき、撹拌を止め、得られた生成物を密閉された低温環境下でそのまま放置して１週間寝かすことによって、湿式法疎水化補強シリカの分散体を得た。シリカ分散体から、メタノール及び気体アンモニアを除いた。湿式法疎水化補強シリカのＢＥＴ表面積を測定すると、測定結果は、得られた湿式法疎水化補強シリカが、５４０ｍ２／ｇに等しい比表面積を有していることを示した。
【０１８３】
（実施例２０）
まず、３００部の、実施例１９で得られた湿式法疎水化補強シリカ分散体（２５重量％のシリカを含む）、及び１００部の、ジメチルビニルシロキシ基でキャッピングされた分子鎖末端を有するメチルビニルシロキサン（methylvinyisiloxane）及びジメチルシロキサンから得られたコポリマーゴム（３，０００に等しい重合度のもの、９９．６３モル％のジメチルシロキサン単位及び０．３７モル％メチルビニルシロキサン単位）を、ニーダー混合機に投入し、混合した。９０℃に加熱することによって溶媒を除去した。揮発性成分を完全に除去すると、シリコーンゴムベースが得られた。次に、１００部の得られたシリコーンゴムベースを次の成分、すなわち、１．５部の、ジメチルシロキサン及びメチルヒドリドシロキサン（粘度７ｍｍ２／ｓ、２５℃において）及びトリメチルシロキシ基（粘度７ｍｍ２／ｓ、２５℃において）でブロックされた分子末端のコポリマー（ケイ素結合水素原子含量が１．５２重量％）；白金金属触媒の含量が１０ｐｐｍになる量の塩化白金酸及びテトラメチルジビニルシロキサンの錯体；１００ｐｐｍのメチル−トリス（メチルイソブチノキシ）シラン；０．５部のγ−メタクリロキシプロピルトリメトキシシラン、０．５部のγ−グリシドキシプロピル−トリメトキシシラン；０．４部のグリセリンモノアリールエーテルと組み合わせた。その結果、透明シリコーンゴム組成物を調製した。得られたシリコーンゴム組成物を０．０３部の赤色アゾ系色素（キシリル−アゾキシリデン−２−ナフトール（napthole））と組み合わせ、赤色のシリコーンゴム組成物を調製した。未硬化状態のこのシリコーンゴム組成物の引張強度を測定すると、２．６ｋｇ／ｃｍ２の程度を示した。得られたシリコーンゴム組成物を、適当な押出成形ノズルを通して膜様製品に押し出し、１．０ｍｍ厚かつ５ｃｍ幅のシリコーンゴム膜を作製した。
【０１８４】
（実施例２１）
図７の光学アセンブリ７００を参照すると、ある実施例において、蛍光体含有層７１０は、第２の透明層７１０の作製のため厚さ３００μｍにプレスした実施例２１のシリコンゴム組成物から作られる押出シリコーンゴムシートであってよく、又は、このシートで置き換えられてよい。２５℃における第２の透明層７１０の屈折率は１．４１であった。第２の透明層７１０を第１の透明層７０８上に積層した。ある実施例において、実施例８のシリコーン組成物を、深さ１ｍｍのホットプレスによって、１１０℃で１５分間加熱することで、第１の透明層７０８を作製した。２５℃における第１の透明層７０８の屈折率は１．５５であった。光学デバイス７０２を基板７０６上の電極７０４にワイヤボンディングし、ドーム型空洞を有する圧縮成形装置内に置いた。第１の透明シート７０８が光学デバイス７０２の光学面７１２に隣接した状態で、多層シートを装置内に置いた。圧縮成形を１３０℃にて５分間実施した。圧縮成形後、光学アセンブリ７００ができた。
【０１８５】
（実施例２２）
図６の光学アセンブリ６００を参照すると、ある実施例において、蛍光体含有層６１２は、実施例２１のシリコンゴム組成物から作られる押出シリコーンゴムシートを含む、又は、このシートで置き換えられる。ある実施例において、押出シリコーンゴムシートを厚さ３００μｍにプレスし、第１の透明層６１２を作製した。第１の透明層６１２を１５０℃で１時間硬化した後、Ａ型硬度のシリコーンシートが生じ、２５℃でＡ７０を示した。硬化したシリコーンの第１の透明層６１２を、第２の透明層６１０上に積層した。実施例８のシリコーン組成物を、深さ１ｍｍのホットプレスによって、１１０℃で１５分間加熱することで、第２の透明層６１０を作製した。１５０℃で１時間硬化した後の第２の透明層６１０のショアＤ硬度は、２５℃でショアＤ７４であった。光学デバイス６０２を、基板６０４上の電極６０６にワイヤボンディングした。基板６０４を、ドーム型空洞を有する圧縮成形装置内に置いた。第１の透明シート６１２が光学デバイス６０２の光学面６０８に隣接した状態で、多層シートを装置内に置いた。圧縮成形を１３０℃にて５分間実施した。圧縮成形後、透明ドーム型封止材を有する光学アセンブリ６００が得られた。
【０１８６】
（実施例２３）
図１１Ａ及び１１Ｂは、光学アセンブリ１１０６を形成するための、基板１１０４上での光学デバイス１１０２との多層組成物１１００の係合を示す。実施例８の多層シリコーン組成物例での多層組成物１１００を、深さ１ｍｍの成形型を有するホットプレスによって、１１０℃で１５分間加熱した。２０重量％のＴｉＯ２粒子及び５０重量％の粉末シリカをシリコーン組成物中に混合し、白色シリコーン組成物１１０８を調製した。ＴｉＯ２を有する白色シリコーン組成物１１０８を、深さ６０μｍの成形型を有するホットプレスによって、１２０℃で１５分間加熱した。白色シリコーン組成物１１０８に、孔あき模様１１１０を開けた。孔あき模様１１１０を有する白色シリコーン組成物１１１０８を、深さ１ｍｍのホットプレスによって実施例８のシリコーン組成物を１１０℃で１５分間加熱することで作製した、１ｍｍ厚さのＢステージ透明シート１１１２上に積層し、多層組成物１１００を作製した。光学デバイス１１０２を基板１１０４上の電極１１１４にワイヤボンディングし、ドーム型空洞を有する圧縮成形装置内に置いた。白色シリコーン組成物１１０８が光学デバイス１１０２の光学面１１１６に隣接した状態で、多層シート１１００を装置内に置いた。圧縮成形を１３０℃にて５分間実施した。圧縮成形後、透明ドーム型封止材を有する光学アセンブリ１１０６が得られた。
【０１８７】
上で説明される値の１つ以上は、変動が本開示の範囲内に留まる限り、±５％、±１０％、±１５％、±２０％、±２５％などで変動し得る。他のすべての要素とは無関係に、マーカッシュ群の各要素から、予期しない結果が得られることがある。各要素は、個別にかつ／又は組み合わせで依存してもよく、添付の「特許請求の範囲」に含まれる特定の実施形態を十分に支援する。独立請求項と、単一及び多重に従属する従属請求項とのすべての組み合わせの主題が、本明細書で明確に企図される。本開示は、説明の文言を含めて、限定よりもむしろ説明のためのものである。上記の教示を鑑みれば、本開示の多数の修正及び変形が可能となり、本開示は、本明細書で具体的に説明した以外の形でも実施され得る。
【０１８８】
この文書では、用語「ａ」、「ａｎ」、又は「ｔｈｅ」は、特に明確に記載しない限り、１又は１超を含むために用いられる。用語「又は」は、別途記載のない限り、非排他的な「又は」を指すために用いられる。加えて、本明細書に採用され、特に定義されない表現又は用語は、単に説明の目的であり、制限するものではない。項目の見出しの任意の使用は、文書の読解を助けることを意図するものであって、限定するものであると解釈すべきではない。項目の見出しに関連する情報は、その特定の項目内に記載されていても項目外に記載されていてもよい。更に、本文書に参照される全ての刊行物、特許、及び特許文書は、参照することによって個々に組み込まれるかのように、全文が参照により本明細書に組み込まれる。この文書と参照により組み込まれる文書との間に矛盾した用法が用いられている場合、組み込まれる文書における用法は、この文書の用法を補足するものであるとみなすべきであり、相容れない矛盾については、この文書における用法を採用する。
【０１８９】
本明細書で使用するとき、用語「実質的に」は、少なくとも約５０％、６０％、７０％、８０％、９０％、９５％、９６％、９７％、９８％、９９％、９９．５％、９９．９％、９９．９９％又は少なくとも約９９．９９９％又はそれ以上といったような大半又はほとんどを指す。いくつかの実施形態において、用語「実質的に」は、「完全に」又は「全体的に」を包含する。
【０１９０】
本発明は、以降の例示的な実施形態を提供する。これらの実施形態に対する付番は、重要度を表記するものとして解釈されるものではない。
【０１９１】
実施形態１は、
光学面を含む光学デバイスと、
前記光学面を実質的に又は完全に覆う前形成封止材膜と、を含み、前記封止材が、
第１のシリコーン含有ホットメルト組成物を含む第１の層であって、第１主表面及び第２主表面を有する第１の層と、
第２のシリコーン含有ホットメルト組成物を含む第２の層であって、第１主表面及び第２主表面を有する第２の層と、を含み、前記第２の層の前記第１主表面が、前記第１の層の前記第１主表面と接触している、光学アセンブリに関する。
【０１９２】
実施形態２は、前記第１のシリコーン含有ホットメルト組成物及び前記第２のシリコーン含有ホットメルト組成物のうち少なくとも１つが、反応性シリコーン含有ホットメルト組成物である、実施形態１に記載の光学アセンブリに関する。
【０１９３】
実施形態３は、前記第１のシリコーン含有ホットメルト組成物及び前記第２のシリコーン含有ホットメルト組成物のうち少なくとも１つが、非反応性シリコーン含有ホットメルト組成物である、実施形態１に記載の光学アセンブリに関する。
【０１９４】
実施形態４は、前記第１のシリコーン含有ホットメルト組成物及び前記第２のシリコーン含有ホットメルト組成物のうち少なくとも１つが、樹脂−直鎖状組成物、ヒドロシリル化硬化組成物、高フェニル−Ｔ組成物、シリコンシーラント組成物、ポリ尿素−ポリシロキサン組成物、ＭＱ／ポリシロキサン組成物、ＭＱ／Ｘ−ジオルガノシロキサン組成物、ポリイミド−ポリシロキサン組成物、ポリカーボネート−ポリシロキサン組成物、ポリウレタン−ポリシロキサン組成物、ポリアクリレート−ポリシロキサン組成物、又はポリイソブチレン−ポリシロキサン組成物のうち少なくとも１つを含む、実施形態１〜３に記載の光学アセンブリに関する。
【０１９５】
実施形態５は、前記樹脂−直鎖状組成物が、相分離した樹脂に富む相と、相分離した直鎖に富む相と、を含む、実施形態４に記載の光学アセンブリに関する。
【０１９６】
実施形態６は、前記第１の層が、前記第２の層と異なる材料特性を有する、実施形態１〜５に記載の光学アセンブリに関する。
【０１９７】
実施形態７は、前記第１の層及び前記第２の層の材料特性が、弾性率、硬度、屈折率、光透過率、又は熱伝導率からなる群から選択される、実施形態６に記載の光学アセンブリに関する。
【０１９８】
実施形態８は、前記第１の層及び前記第２の層のうち少なくとも１つがショアＡ硬度勾配を有し、該ショアＡ硬度勾配が、前記第１の層の前記第１主表面から前記第２主表面まで、又は、前記第２の層の前記第１主表面から前記第２主表面までである、実施形態１〜７に記載の光学アセンブリに関する。
【０１９９】
実施形態９は、前記第１の層及び前記第２の層の少なくとも１つが模様を含む、実施形態１〜８に記載の光学アセンブリに関する。
【０２００】
実施形態１０は、前記第２の層の前記第２主表面がある環境条件に曝され、前記第２の層の前記第２主表面が粗い表面を含む、実施形態１〜９に記載の光学アセンブリに関する。
【０２０１】
実施形態１１は、前記第２の層の前記第２主表面がある環境条件に曝され、前記第２の層の前記第２主表面が実質的に又は完全に埃をはじく、実施形態１〜１０に記載の光学アセンブリに関する。
【０２０２】
実施形態１２は、前記第１の層及び前記第２の層のうち少なくとも１つが屈折率勾配を含み、該屈折率勾配が、前記第１の層の前記第１主表面から前記第２主表面まで、又は、前記第２の層の前記第１主表面から前記第２主表面までである、実施形態１〜１１に記載の光学アセンブリに関する。
【０２０３】
実施形態１３は、前記封止材の厚さが約０．５μｍ〜約５０００μｍである、実施形態１〜１２に記載の光学アセンブリに関する。
【０２０４】
実施形態１４は、前記第１の層及び前記第２の層のうち少なくとも１つが硬化される、実施形態１〜１３に記載の光学アセンブリに関する。
【０２０５】
実施形態１５は、結合層を含む、実施形態１〜１４に記載の光学アセンブリに関する。
【０２０６】
実施形態１６は、前記結合層が樹脂を含む、実施形態１５に記載の光学アセンブリに関する。
【０２０７】
実施形態１７は、
第１のシリコーン含有ホットメルト組成物を含む第１の層であって、第１主表面及び第２主表面を有する第１の層と、
第２のシリコーン含有ホットメルト組成物を含む第２の層であって、第１主表面及び第２主表面を有する第２の層と、を含み、前記第２の層の前記第１主表面が、前記第１の層の前記第１主表面と接触している、前形成封止材膜に関する。
【０２０８】
実施形態１８は、
前形成封止材膜で光学デバイスの光学面を覆う工程であって、
前記前形成封止材膜が、
第１のシリコーン含有ホットメルト組成物を含む第１の層であって、第１主表面及び第２主表面を有する第１の層と、
第２のシリコーン含有ホットメルト組成物を含む第２の層であって、第１主表面及び第２主表面を有する第２の層と、を含み、前記第２の層の前記第１主表面が、前記第１の層の前記第１主表面と接触している工程を含む、光学アセンブリの製造方法に関する。
【０２０９】
実施形態１９は、前記覆う工程の前に、前記前形成封止材膜を予め形成する工程を更に含む、実施形態１８の方法に関する。
【０２１０】
実施形態２０は、前記前形成封止材膜を圧縮成形する工程又は積層する工程を更に含む、実施形態１８〜１９の方法に関する。
【０２１１】
実施形態２１は、前記第１の層又は前記第２の層のうち少なくとも１つが１つ以上の蛍光体を含む、実施形態１８〜２０の方法に関する。
【０２１２】
実施形態２２は、前記蛍光体が、前記第１の層又は前記第２の層のうち少なくとも１つに模様を形成する、実施形態２１の方法に関する。
【０２１３】
実施形態２３は、前記第１の層又は前記第２の層のうち少なくとも１つを硬化する工程を更に含み、前記第１の層又は前記第２の層のうち少なくとも１つが、前記第１の層又は前記第２の層のうち別の少なくとも１つの硬化速度と同じ又は異なる硬化速度を有する、実施形態１８〜２２の方法に関する。
【０２１４】
実施形態２４は、前記第１の層又は前記第２の層のうち少なくとも１つを硬化する工程を更に含み、前記第１の層又は前記第２の層のうち少なくとも１つが、前記第１の層又は前記第２の層のうち別の少なくとも１つの硬化機構と同じ又は異なる硬化機構を有する、実施形態１８〜２３の方法に関する。
【０２１５】
実施形態２５は、前記硬化機構が、ホットメルト硬化、湿気硬化、ヒドロシリル化硬化、縮合硬化、ペルオキシド硬化、又は、クリックケミストリー系硬化機構を含む、実施形態２４の方法に関する。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１Ａ】
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【図１１Ｂ】
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