(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１面と前記第１面と反対側の第２面とを有すると共に、貫通孔を有する絶縁基板と、
前記第１面上に形成されている第１導体層と、
前記第２面上に形成されている第２導体層と、
前記貫通孔に形成されていて、前記第１導体層と前記第２導体層とを接続するスルーホール導体とを有するプリント配線板であって、
前記貫通孔は、前記第１面に第１開口を有する第１開口部と前記第２面に第２開口を有する第２開口部と前記第１開口部と前記第２開口部の接合箇所に形成されている接合面とから成り、前記第１面と前記第１開口部の側壁との間の角度は９７度から１１０度であり、前記第２面と前記第２開口部の側壁との間の角度は９７度から１１０度であり、前記スルーホール導体はボイドを有し、前記ボイドと前記貫通孔の側壁との間の距離は１５μｍ以上であり、
前記第１開口の径と前記第２開口の径は、５５μｍ以上１２０μｍ以下であり、
前記絶縁基板の厚みは、７５μｍ〜２００μｍである。
【請求項２】
請求項１のプリント配線板であって、前記接合面の径が、４５μｍ以上７５μｍ以下である。
【請求項３】
請求項１のプリント配線板であって、前記第１導体層は、前記スルーホール導体上の導体と前記スルーホール導体の周りに形成されている導体とからなる前記スルーホール導体のランドを含み、前記ランドは凹部を有し、前記凹部の深さが１０μｍ未満である。
【請求項４】
請求項１のプリント配線板であって、前記絶縁基板は、２枚の補強部材を含む。
【請求項５】
請求項１のプリント配線板であって、前記絶縁基板は、複数枚の補強部材を含み、前記補強部材は前記絶縁基板の前記第１面と略平行に絶縁基板内に形成されていて、前記接合面は、隣接する前記補強部材の間に位置する。
【請求項６】
請求項１のプリント配線板であって、補強部材はガラスクロスである。
【請求項７】
請求項４のプリント配線板であって、前記ボイドは、前記２枚の補強部材の間に位置している。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、第１開口部と第２開口部で形成されている貫通孔に形成されているスルーホール導体を有するプリント配線板に関する。
【背景技術】
【０００２】
特許文献１は、誘電体層に砂時計形状の貫通孔を形成することと、砂時計形状の貫通孔に導電材料を充填すること、とを有する導電性コラムの製造方法を開示している。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００６−４１４６３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
特許文献１の導電性コラムは砂時計形状の貫通孔に形成されている。そのため、特許文献１の図３Ｆに示されるように、特許文献１の導電性コラムは細い部分を有する。ヒートサイクル等に起因するストレスが導電性コラムの細い部分に集中すると、特許文献１の導電性コラムの接続信頼性が低下すると予想される。
【０００５】
本発明の目的は、スルーホール導体を介する接続信頼性を高くすることである。別の目的は、高密度なプリント配線板を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明のプリント配線板は、第１面と前記第１面と反対側の第２面とを有すると共に、貫通孔を有する絶縁基板と、前記第１面上に形成されている第１導体層と、前記第２面上に形成されている第２導体層と、前記貫通孔に形成されていて、前記第１導体層と前記第２導体層とを接続するスルーホール導体とを有する。そして、前記貫通孔は、前記第１面に第１開口を有する第１開口部と前記第２面に第２開口を有する第２開口部と前記第１開口部と前記第２開口部の接合箇所に形成されている接合面とから成り、前記第１面と前記第１開口部の側壁との間の角度は９７度から１１０度であり、前記第２面と前記第２開口部の側壁との間の角度は９７度から１１０度であり、前記スルーホール導体はボイドを有し、前記ボイドと前記貫通孔の側壁との間の距離は１５μｍ以上であり、前記第１開口の径と前記第２開口の径は、５５μｍ以上１２０μｍ以下であり、前記絶縁基板の厚みは、７５μｍ〜２００μｍである。
【図面の簡単な説明】
【０００７】
【図１】本発明の実施形態のプリント配線板の製造方法を示す工程図。
【図２】図２（Ａ）は実施形態のプリント配線板の断面図を示し、図２（Ｂ）はスルーホール導体の拡大図を示す。
【図３】図３（Ａ）は貫通孔の模式図であり、図３（Ｂ）は貫通孔の断面図であり、図３（Ｃ）は凹部を有するスルーホール導体を示す図であり、図３（Ｄ）は貫通孔の径を示す図である。
【図４】図４（Ａ）は参考例の貫通孔の模式図を示し、図４（Ｂ）は参考例のスルーホール導体を示し、図４（Ｃ）は参考例のスルーホール導体の接合面を示し、図４（Ｄ）は実施形態のスルーホール導体の接合面を示す。
【図５】実施形態と参考例の貫通孔の断面の模式図。
【発明を実施するための形態】
【０００８】
特許文献１の図３Ｆに示される導電性コラムと同様なスルーホール導体３６０の断面が図４（Ｂ）に示される。図４（Ｂ）に示されるスルーホール導体は参考例のスルーホール導体である。参考例のスルーホール導体用の貫通孔２８０の模式図が図４（Ａ）に示される。図４（Ａ）や図４（Ｂ）は、貫通孔２８０と貫通孔を充填しているスルーホール導体３６０を示している。貫通孔２８０は、第１開口部２８０ｆと第２開口部２８０ｓで形成されている。第１開口部２８０ｆと第２開口部２８０ｓの接合箇所に接合面２８０ｃが形成されている。接合面２８０ｃに斜線が描かれている。参考例のスルーホール導体は、図４（Ｂ）に示されるように、第１開口部と第２開口部の接合箇所に屈曲点２８０Ｐ１、２８０Ｐ２を有する。図４（Ｂ）に示されるように、屈曲点２８０Ｐ１は、貫通孔の右側の側壁に形成されていて、屈曲点２８０Ｐ２は、貫通孔の左側の側壁に形成されている。ヒートサイクル等でスルーホール導体がストレスを受けると、屈強点にストレスが集中すると予想される。図４（Ｂ）に示されるように、屈曲点２８０Ｐ１と屈曲点２８０Ｐ２との間の距離Ｋ１０は短い。さらに、参考例では、貫通孔はめっきで充填されている。そのため、例えば、ストレスは、屈曲点２８０Ｐ１から屈曲点２８０Ｐ２に最短距離で到達すると考えられる。その様子が図４（Ｃ）に示されている。図４（Ｃ）中の円は接合面２８０ｃを示し、接合面内の矢印はストレスの経路である。図４（Ｃ）に示されるように、参考例では貫通孔の一方の側壁から他方の側壁に最短距離でストレスが到達する。その結果、参考例の貫通孔の径が小さくなると、スルーホール導体の接続信頼性が低下すると予想される。
【０００９】
特許文献１の１５段落によれば、特許文献１では、貫通孔が完全にめっきで充填されている。その時、誘電体層上にもめっきが形成される。特許文献１では、貫通孔がめっきで完全に充填されるため、誘電体層上に形成されるめっき膜の厚みが厚いと予想される。誘電体層上のめっき膜が厚いと、誘電体層上に微細な導体回路を形成することが難しい。従って、特許文献１の技術で高密度なプリント配線板を提供することは難しいと考えられる。
【００１０】
図２（Ａ）は、実施形態のプリント配線板１０の断面図を示す。プリント配線板１０は、コア基板３０とコア基板３０の両面に形成されているビルドアップ層５５Ｆ、５５Ｓを有する。ビルドアップ層５５Ｆは、上側のビルドアップ層であり、ビルドアップ層５５Ｓは下側のビルドアップ層である。
【００１１】
コア基板は、第１面Ｆと第１面Ｆと反対側の第２面Ｓとを有する絶縁基板２０Ｚと絶縁基板の第１面Ｆ上に形成されている第１導体層３４Ｆと第２面Ｓ上に形成されている第２導体層３４Ｓと絶縁基板２０Ｚを貫通し第１導体層３４Ｆと第２導体層３４Ｓとを接続するスルーホール導体３６とで形成されている。スルーホール導体３６は、絶縁基板を貫通する貫通孔２８内に形成される。貫通孔２８の模式図が図３（Ａ）に示され、スルーホール導体３６の断面図が図２（Ｂ）に示されている。図３（Ａ）に示されるように、貫通孔２８は、絶縁基板の第１面Ｆに形成されている第１開口２８Ｆを有する第１開口部２８ｆと絶縁基板の第２面Ｓに形成されている第２開口２８Ｓを有する第２開口部２８ｓと第１開口部２８ｆと第２開口部２８ｓの接合箇所に形成されている接合面２８ｃとで形成されている。接合面２８ｃに斜線が描かれている。また、図２（Ｂ）に示されるように、貫通孔２８は第１開口部２８ｆの側壁と第２開口部の側壁の接合箇所に接合部２８Ｐを有する。図２（Ｂ）と図３（Ｂ）、図３（Ｃ）、図３（Ｄ）は、接合面２８ｃの重心を通り絶縁基板の第１面に垂直な面で貫通孔２８を切断することで得られる図である。図２（Ｂ）に右側の接合部２８ＰＲと左側の接合部２８ＰＬが示される。
第１開口部２８ｆは第１面から第２面に向かってテーパーしていることが好ましい。第２開口部２８ｓは第２面から第１面に向かってテーパーしていることが好ましい。接合面２８ｃの径ｄ３は、第１開口部の第１開口２８Ｆの径ｄ１および第２開口部の第２開口２８Ｓの径ｄ２より小さい。
接合面２８ｃの径ｄ３は、図３（Ｂ）に示される接合部２８ＰＲと接合部２８ＰＬとの間の距離である。第１開口２８Ｆの径は第１面上の直径であり、第２開口２８Ｓの径は第２面上の直径である。接合面の径ｄ３は、第１開口の径ｄ１や第２開口の径ｄ２より小さい。そして、絶縁基板の第１面と第１開口部の側壁との間の角度（第１角度）θ１は９７度から１１０度であり、絶縁基板の第２面と第２開口部の側壁との間の角度（第２角度）θ２は９７度から１１０度である。θ１やθ２は図５（Ａ）と図５（Ｂ）に示されている。
【００１２】
図２（Ａ）に示されるように、コア基板３０の第１面Ｆ上に上側のビルドアップ層５５Ｆが形成されている。上側のビルドアップ層５５Ｆは、交互に積層されている導体層５８Ｆ、１５８Ｆと樹脂絶縁層５０Ｆ、１５０Ｆを有する。さらに、上側のビルドアップ層５５Ｆは、樹脂絶縁層を貫通し隣接する導体層を接続するビア導体６０Ｆ、１６０Ｆを有する。上側のビルドアップ層５５Ｆ上に開口７１Ｆを有する上側のソルダーレジスト層７０Ｆが形成されている。開口７１Ｆにより上側のパッド１５８ＦＰが露出される。上側のパッド１５８ＦＰ上にＩＣチップ実装用の半田バンプ７６Ｆが形成されている。パッド１５８ＦＰ上にパッドの酸化を防止するための保護膜７２が形成されている。
【００１３】
図２（Ａ）に示されるように、コア基板３０の第２面Ｆ上に下側のビルドアップ層５５Ｓが形成されている。下側のビルドアップ層５５Ｓは、交互に積層されている導体層５８Ｓ、１５８Ｓと樹脂絶縁層５０Ｓ、１５０Ｓを有する。さらに、下側のビルドアップ層５５Ｓは、樹脂絶縁層を貫通し隣接する導体層を接続するビア導体６０Ｓ、１６０Ｓを有する。下側のビルドアップ層５５Ｓ上に開口７１Ｓを有する下側のソルダーレジスト層７０Ｓが形成されている。開口７１Ｓにより下側のパッド１５８ＳＰが露出される。下側のパッド１５８ＳＰ上にマザーボードと接続するための半田バンプ７６Ｓが形成されている。パッド１５８ＳＰ上にパッドの酸化を防止するための保護膜７２が形成されている。
【００１４】
図２（Ｂ）にコア基板の一部が示されている。図２（Ｂ）はスルーホール導体の拡大図であり、スルーホール導体とスルーホール導体の周りの絶縁基板を示している。
スルーホール導体３６は、補強部材１８Ｆ、１８Ｓと樹脂とを含む絶縁基板２０Ｚを貫通する貫通孔２８内に形成されている。補強部材の例は、ガラス繊維またはアラミド繊維などの不織布やガラスクロスである。ガラスクロスが好ましい。図２（Ａ）に示されるように、補強部材は絶縁基板２０Ｚの第１面と略平行に絶縁基板内に形成されている。補強部材は１枚でもよいが、図２（Ａ）に示されるように、補強部材１８Ｆ、１８Ｓは複数であることが好ましい。絶縁基板の強度や剛性が高くなる。補強部材の数は２枚が好ましい。
【００１５】
補強部材１８Ｆ、１８Ｓが複数の場合、接合面２８ｃは、隣接する補強部材の間に位置する。
絶縁基板２０Ｚが２枚の補強部材を含む場合、絶縁基板２０Ｚは、図１（Ａ）に示されるように第１樹脂層１６ｃと第１樹脂層１６ｃを挟む第１補強部材１８Ｆと第２補強部材１８Ｓと第１補強部材上の第２樹脂層１６Ｆと第２補強部材上の第３樹脂層１６Ｓで形成される。樹脂層１６ｃ、１６Ｆ、１６Ｓは補強部材を含まない。樹脂層１６ｃ、１６Ｆ、１６Ｓは樹脂と無機粒子を含んでも良い。補強部材を含む層１８Ｆ、１８Ｓは、補強部材と樹脂で形成される。補強部材を含む層１８Ｆ、１８Ｓは、さらに、無機粒子を含んでも良い。
【００１６】
図３（Ｂ）等に示される貫通孔２８内にスルーホール導体３６が形成されている。図２（Ａ）や図２（Ｂ）に示されるように、スルーホール導体はボイドＢＢを含む。スルーホール導体内にボイドが形成されている。
図５に実施形態と参考例の貫通孔が示される。図５に示される各貫通孔２８、２８１、２８２は、絶縁基板の第１面Ｆに形成されている第１開口２８Ｆ、２８１Ｆ、２８２Ｆを有する第１開口部２８ｆ、２８１ｆ、２８２ｆと絶縁基板の第２面Ｓに形成されている第２開口２８Ｓ、２８１Ｓ、２８２Ｓを有する第２開口部２８ｓ、２８１ｓ、２８２ｓと第１開口部と第２開口部の接合箇所に形成されている接合面２８ｃ、２８１ｃ、２８２ｃとで形成されている。そして、図５（Ａ）と図５（Ｃ）、図５（Ｅ）は、第１開口２８Ｆ、２８１Ｆ、２８２Ｆの重心を通り絶縁基板の第１面Ｆに垂直な面で貫通孔を切断することで得られる貫通孔の断面図である。図５（Ａ）と図５(Ｃ)、図５（Ｅ）中に絶縁基板の第１面と第１開口部の側壁との間の角度θ１、θ１１、θ１２が示されていて、角度θ１、θ１１、θ１２は第１角度である。第１角度は、図５（Ａ）と図５（Ｃ）、図５（Ｅ）から求められる。図５（Ｂ）と図５（Ｄ）、図５（Ｆ）は、第２開口２８Ｓ、２８１Ｓ、２８２Ｓの重心を通り絶縁基板の第２面Ｓに垂直な面で貫通孔を切断することで得られる貫通孔の断面図である。図５（Ｂ）と図５（Ｄ）、図５（Ｆ）中に絶縁基板の第２面と第２開口部の側壁との間の角度θ２，θ２１，θ２２が示されていて、角度θ２、θ２１，θ２２は第２角度である。第２角度は、図５（Ｂ）と図５（Ｄ）、図５（Ｆ）から求められる。
図５（Ａ）と図５（Ｂ）は、実施形態の貫通孔２８を示す。図５（Ｃ）と図５（Ｄ）は、参考例１の貫通孔２８１を示す。図５（Ｅ）と図５（Ｆ）は、参考例２の貫通孔２８２を示す。図５中の各貫通孔２８、２８１、２８２の第１開口の径の大きさは同じである。図５中の各貫通孔２８，２８１，２８２の第２開口の径の大きさは同じである。
実施形態の貫通孔２８は所定の角度θ１、θ２を有する。参考例１の貫通孔２８１の角度θ１１、θ２１は、１１０度より大きい。参考例２の貫通孔２８２の角度θ１２、θ２２は、９７度より小さい。そのため、接合面の径ｄ３は、参考例１、実施形態、参考例２の順で大きくなる。その様子が図５（Ｇ）に示されている。
参考例１では、接合面の径が小さいので、特許文献１に示されるように、貫通孔はめっきで充填される。参考例１のスルーホール導体はボイドを含まない。しかしながら、参考例１では、接合面の径が小さいため、図４（Ｃ）に示されるように、屈曲点２８０Ｐ１から屈曲点２８０Ｐ２に容易にストレスが到達する。参考例１のスルーホール導体の信頼性は低い。
【００１７】
参考例２では、接合面の径が大きすぎる。そのため、貫通孔内のめっきの析出が十分に行われる前に、第１開口や第２開口がめっきで閉じられる。その結果、スルーホール導体内のボイドが大きすぎる。スルーホール導体のめっき膜の厚みｔが薄すぎる。参考例２では、厚みｔの値が１５μｍ未満となる。参考例２では、スルーホール導体のめっき膜の厚みｔが薄いため、ヒートサイクルでスルーホール導体が伸縮を繰り返すと、スルーホール導体が劣化する。
実施形態の角度θ１、θ２は参考例１の角度θ１１、θ２１より小さい。そのため、貫通孔２８をめっきで完全に充填することが難しい。また、実施形態の角度θ１、θ２は参考例２の角度θ１２、θ２２より大きい。貫通孔内のめっきの析出が実施形態と参考例２で比較されると、実施形態は参考例２より優れる。そのため、実施形態のスルーホール導体のめっき膜の厚みｔは１５μｍ以上となる。実施形態のスルーホール導体はボイドを含む。そして、実施形態のスルーホール導体のめっき膜の厚みは１５μｍ以上である。そのため、ヒートサイクルでスルーホール導体が伸縮を繰り返しても、実施形態のスルーホール導体は劣化しがたい。実施形態と参考例でめっき膜の厚みｔは貫通孔の側壁とボイドとの間に形成されているめっき膜の厚みの内、最小のめっき膜の厚みである。例えば、ボイドが楕円の場合、めっき膜の厚みｔが図４（Ｄ）に示されている。また、図４（Ｄ）に示されるように、スルーホール導体がボイドを有するため、屈曲点２８０Ｐ１と屈曲点２８０Ｐ２との間の経路Ｐ１２の距離が長くなる。図４（Ｄ）は、実施形態の接合面を示している。経路Ｐ１２は実線で示されている。経路は屈曲点Ｐ２８０Ｐ１からボイドに至る。そして、経路はボイドの外周を約半周回る。その後、経路はボイドの外周から屈曲点Ｐ２８０Ｐ２に至る。接合部にストレスが集中しても、経路が長いので、実施形態のスルーホール導体の信頼性が低下しがたい。
【００１８】
補強部材は貫通孔の側壁から貫通孔内に突出してもよい。その場合、補強部材はスルーホール導体に食い込む。スルーホール導体がボイドを有しても、スルーホール導体が貫通孔の側壁からはがれ難い。ボイドを有するスルーホール導体の信頼性が低下しない。
【００１９】
絶縁基板２０Ｚが複数の補強部材１８Ｆ、１８Ｓを含む場合、第１補強部材１８Ｆは第１開口部２８ｆ内のスルーホール導体に食い込み、第２補強部材１８Ｓは第２開口部２８ｓ内のスルーホール導体に食い込む。接合面は補強部材１８Ｆと補強部材１８Ｓとの間に位置する。接合部２８ＰＲと接合部２８ＰＬの間にボイドが形成されている。接合箇所の位置と補強部材の位置は一致しない。貫通孔２８の接合部や接合面は第１補強部材１８Ｆと第２補強部材１８Ｓに挟まれている第１樹脂層１６ｃ内に形成されている。接合部と屈曲点は実質的に同じ箇所である。
【００２０】
図２（Ｂ）に示されているスルーホール導体用の貫通孔の角度θ１、θ２は９７度から１１０度である。さらに、補強部材が２枚であって、補強部材が貫通孔内に突出する。補強部材１８Ｆ、１８Ｓはスルーホール導体に食い込んでいる。図２（Ｂ）に示されるように、ボイドＢＢが補強部材１８Ｆと補強部材１８Ｓとの間のスルーホール導体内に位置する。補強部材１８Ｆと補強部材１８Ｓとの間の位置ＤＳは図２（Ｂ）に示されている。位置ＤＳは２枚の補強部材１８Ｆ、１８Ｓで挟まれている。図２（Ｂ）に示されるように、ボイドＢＢを含んでいるスルーホール導体部分の上下に形成されているスルーホール導体部分に補強部材が食い込んでいる。そのため、高温時のボイドの膨張が抑制される。図２（Ｂ）に示されているスルーホール導体によれば、スルーホール導体がボイドを有しても、スルーホール導体の信頼性が低下しがたい。
【００２１】
図３（Ｂ）に示されるように接合部２８ＰＲ、２８ＰＬは、コア基板３０の厚み方向の略中央部ＣＣに位置することが望ましい。第１開口部内の導体の体積と第２開口部内の導体の体積が略均しくなる。反りを抑制することが可能となる。
【００２２】
２枚の補強部材を有する実施形態では、補強部材が貫通孔内に突出する。補強部材１８Ｆを貫通している部分の貫通孔の径ｄ４が接合面の径ｄ３より小さくても良い。補強部材１８Ｓを貫通している部分の貫通孔の径ｄ５が接合面の径ｄ３より小さくても良い。その場合、補強部材１８Ｆ、１８Ｓに形成されている開口はめっきで閉じられる。位置ＤＳに確実にボイドが形成される。しかしながら、実施形態では、角度θ１、θ２は９７度から１１０度であるので、ボイドＢＢと貫通孔２８の側壁との間のめっき膜の厚みｔは、１５μｍ以上となる。
【００２３】
実施形態のプリント配線板では、スルーホール導体を形成するめっき膜は、第１導体層や第２導体層を形成する。スルーホール導体がボイドＢＢを有するため、第１導体層や第２導体層の厚みが薄くなる。そのため、第１導体層や第２導体層は微細な導体回路やスルーホール導体のランドを有する。高密度なコア基板が形成される。スルーホール導体間のピッチが狭くなる。
【００２４】
貫通孔２８の接合面の径ｄ３が、４５μｍ以上７５μｍ以下であり、貫通孔２８の第１開口の径ｄ１と第２開口の径ｄ２が、５５μｍ以上１２０μｍ以下であることが好ましい。スルーホール導体３６のボイドＢＢと貫通孔２８の側壁との間の距離（めっき膜の厚み）ｔが２０μｍ以上になる。
【００２５】
絶縁基板の厚みＴは７５μｍ〜２００μｍであることが好ましい。絶縁基板の厚みが７５μｍ未満であると、厚みが薄いので、貫通孔はめっきで充填される。スルーホール導体内にボイドを形成することが難しい。
絶縁基板の厚みが２００μｍを超えると、スルーホール導体内のボイドが大きくなる。めっき膜の厚みｔが１５μｍ未満になりやすい。
【００２６】
図３（Ｃ）は、スルーホール導体の別例を示す。
図３（Ｃ）に示されるように、別例のスルーホール導体３６のランド３６ＦＲ、３６ＳＲは、凹部３６Ｆr、３６Ｓｒを有する。スルーホール導体３６のランド３６ＦＲ、３６ＳＲが凹部３６Ｆr、３６Ｓｒを有すると、スルーホール導体３６を形成するめっき膜の体積が少なくなる。そのため、スルーホール導体と同時に形成される第１導体層や第２導体層の厚みが薄くなる。例えば、第１導体層や第２導体層の厚みは１５μｍ以下になる。また、スルーホール導体内にボイドが確実に形成される。
凹部３６Ｆr、３６Ｓｒの深さＸ１、Ｘ２は１０μｍ未満であることが望ましい。凹部の深さＸ１、Ｘ２が１０μｍ以上であると、凹部の上に形成される樹脂絶縁層５０Ｆ、５０Ｓの平坦性が低下する。そのため、スルーホール導体のランド上に形成される導体層５８Ｆ、５８Ｓが断線やショート等の不具合を有する。また、貫通孔内のめっき膜の体積が少ないので、めっき膜の厚みｔが１５μｍ未満になりやすい。
【００２７】
実施形態のプリント配線板１０の製造方法が図１に示される。図１（Ａ）に示される出発基板が準備される。出発基板２０は、第１面Ｆと第１面と反対側の第２面を有する絶縁基板２０Ｚと絶縁基板２０Ｚの第１面に積層されている第１金属箔２２Ｆと絶縁基板２０Ｚの第２面に積層されている第２金属箔２２Ｓで形成されている。絶縁基板２０Ｚの厚みＴは２００μｍである。絶縁基板２０Ｚは樹脂と補強部材で形成されている。絶縁基板２０Ｚは無機粒子を有しても良い。絶縁基板２０Ｚの樹脂の例は、エポキシ樹脂やＢＴ（ビスマレイミドトリアジン）樹脂である。絶縁基板２０Ｚの補強部材の例はガラスクロスやアラミド繊維である。絶縁基板２０Ｚの無機粒子の例はシリカやアルミナである。出発基板２０の金属箔は銅箔であり、金属箔の厚みは、５μｍである。図１（Ａ）の絶縁基板２０Ｚは、第１樹脂層１６ｃと第１樹脂層１６ｃを挟む２枚のガラスクロス１８Ｆ、１８Ｓとガラスクロス１８Ｆ上の第２樹脂層１６Ｆとガラスクロス１８Ｓ上の第３樹脂層１６Ｓで形成されている。第１樹脂層１６ｃと第２樹脂層１６Ｆ、第３樹脂層１６Ｓは樹脂と無機粒子で形成されている。
【００２８】
図１（Ｂ）に示されるように、第１金属箔２２ＦにＣＯ２レーザが照射される。絶縁基板の第１面Ｆ側に第１開口部２８ｆが形成される。第１開口部２８ｆは、第１面Ｆに第１開口２８Ｆを有し、第１面から第２面Ｓに向かってテーパーしている。角度θ１が９７度から１１０度の範囲内に形成されるように、レーザの条件が設定される。レーザの条件はショット数やパルス幅、出力等である。第２ショットの径を第１ショットの径より小さくすることが出来る。
【００２９】
図１（Ｃ）に示されるように、第２金属箔２２ＳにＣＯ２レーザが照射される。絶縁基板の第２面側に第２開口部２８ｓが形成される。第２開口部２８ｓは、第２面Ｓに第２開口２８Ｓを有し、第２面Ｓから第１面Ｆに向かってテーパーしている。角度θ２が９７度から１１０度の範囲内に形成されるように、レーザの条件が設定される。レーザの条件はショット数やパルス幅、出力等である。第２ショットの径を第１ショットの径より小さくすることが出来る。
第１開口部と第２開口部で貫通孔２８が形成される。第１開口部と第２開口部の接合箇所に接合面が形成される。接合面は図３（Ａ）に示される。図３（Ａ）中の接合面に斜線が描かれている。接合面は第１樹脂層１６ｃに形成されている。図１（Ｃ）では、第１角度θ１が、例えば、１００度である。第２角度θ２が、例えば、１０７度である。第１角度θ１の値と第２角度θ２の値が異なると、スルーホール導体内にボイドが形成され、めっき膜の厚みｔが２０μｍ以上になりやすい。第１角度θ１と第２角度θ２との差は５度以上であることが望ましい。
【００３０】
第１金属箔と第２金属箔、貫通孔の側壁上に無電解めっき処理により無電解めっき膜３１が形成される。無電解めっき膜３１をシード層として、シード層上に電解めっき膜３２が形成される。電解めっき膜上にエッチングレジストが形成される。エッチングレジストから露出する電解めっき膜３２と無電解めっき膜３１、銅箔２２Ｆ、２２Ｓがエッチングで除去される。エッチングレジストが除去される。図１（Ｄ）に示されるように、貫通孔２８にスルーホール導体３６が形成される。同時にスルーホール導体のランドを含む第１導体層３４Ｆや第２導体層３４Ｓが形成される。角度θ１、θ２が９７度から１１０度の範囲内の値であるので、スルーホール導体はボイドを有する。そして、めっき膜の厚みｔが１５μｍ以上である。コア基板３０が完成する。
第１導体層や第２導体層の厚みは２０μｍ以下であることが好ましい。微細な第１導体層や第２導体層が得られる。
【００３１】
図３（Ｃ）に示されるように、スルーホール導体のランド３６ＦＲ、３６ＳＲは凹部３６Ｆｒ、３６Ｓｒを有しても良い。電解めっき膜３２を形成するめっき時間を調整することで、凹部３６Ｆｒ、３６Ｓｒの有無や凹部３６Ｆｒ、３６Ｓｒの深さＸ１、Ｘ２は調整される。
【００３２】
次に、コア基板の第１面上に上側のビルドアップ層５５Ｆが形成され、コア基板の第２面上に下側のビルドアップ層５５Ｓが形成される。ビルドアップ層５５Ｆ、５５Ｓは、例えば、周知のセミアディティブ法で形成される。例えば、ＪＰ２０００−１２４６０３Ａがセミアディティブ法を開示している。
実施形態では、上側のビルドアップ層５５Ｆは、交互に積層されている樹脂絶縁層５０Ｆ、１５０Ｆと導体層５８Ｆ、１５８Ｆとを含む。さらに、上側のビルドアップ層５５Ｆは、隣接する導体層３４Ｆ、５８Ｆ、１５８Ｆを接続するビア導体６０Ｆ、１６０Ｆを有する。
下側のビルドアップ層５５Ｓは、交互に積層されている樹脂絶縁層５０Ｓ、１５０Ｓと導体層５８Ｓ、１５８Ｓとを含む。さらに、下側のビルドアップ層５５Ｓは、隣接する導体層３４Ｓ、５８Ｓ、１５８Ｓを接続するビア導体６０Ｓ、１６０Ｓを有する。
【００３３】
上側のビルドアップ層上に上側のソルダーレジスト層７０Ｆが形成される。上側のソルダーレジスト層は導体層１５８Ｆを露出する開口７１Ｆを有する。開口７１Ｆから露出する導体層１５８Ｆは上側のパッド１５８ＦＰとして機能する。
下側のビルドアップ層上に下側のソルダーレジスト層７０Ｓが形成される。下側のソルダーレジスト層は導体層１５８Ｓを露出する開口７１Ｓを有する。開口７１Ｓから露出する導体層１５８Ｓは下側のパッド１５８ＳＰとして機能する。
【００３４】
開口７１Ｆ、７１Ｓから露出するパッド１５８ＦＰ、１５８ＳＰ上に保護膜７２が形成される。保護膜の例はＮｉ／Ａｕである。
【００３５】
上側のパッド上に上側の半田バンプ７６Ｆが形成される。下側のパッド上に下側の半田バンプ７６Ｓが形成される。図２（Ａ）に示されるプリント配線板１０が完成する。
【００３６】
実施形態のプリント配線板のスルーホール導体はボイドを有し、スルーホール導体を形成しているめっき膜の厚みが１５μｍ以上である。そのため、スルーホール導体が屈曲点を有しても、ヒートサイクルでスルーホール導体の抵抗の変化率が小さい。スルーホール導体を介する上側のビルドアップ層と下側のビルドアップ層間の接続信頼性が高い。
【符号の説明】
【００３７】
１０  プリント配線板
２０Ｚ  絶縁基板
２８  貫通孔
２８ｆ  第１開口部
２８ｓ  第２開口部
２８ｃ  接合面
３０  コア基板
３４Ｆ、３４Ｓ  導体層
３６  スルーホール導体
５０Ｆ、５０Ｓ  樹脂絶縁層
５８Ｆ、５８Ｓ  導体層
ＢＢ  ボイド
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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