(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
３’，４’−エポキシシクロヘキシルメチル３，４−エポキシシクロヘキサンカルボキシレートと、ビスフェノールＡジグリシジルエーテル、またはクレゾールノボラック型ジグリシジルエーテルから選択されるグリシジルエーテルと、酸無水物系硬化剤とを含んでなる、ＳｉＣ半導体素子の封止のための耐熱樹脂組成物であって、
前記３’，４’−エポキシシクロヘキシルメチル３，４−エポキシシクロヘキサンカルボキシレート１００質量部に対し、前記グリシジルエーテルを、２５〜５０質量部含む、耐熱樹脂組成物。
【請求項２】
平均粒径が１〜１００ｎｍの無機充填剤をさらに含み、該無機充填剤が、前記耐熱樹脂組成物全体の質量を１００％として、６０〜９０質量％含まれる、請求項１に記載の耐熱樹脂組成物。
【請求項３】
請求項１または２のいずれかに記載の耐熱樹脂組成物を硬化させてなる樹脂硬化物。
【請求項４】
ガラス転移温度が２２０℃以上である、請求項３に記載の樹脂硬化物。
【請求項５】
半導体素子と、前記半導体素子の一方の面に接合された絶縁基板と、前記半導体素子の他方の面に接合された外部回路との接続用プリント基板とを含む部材を、封止材で封止してなる成形体を備える半導体装置であって、
前記封止材が、
前記半導体素子を被覆して前記半導体素子に近接する領域に設けられる第１の封止層であって、熱硬化性樹脂からなる第１の封止層と、
請求項１または２のいずれかに記載の耐熱樹脂組成物からなる第２の封止層であって、前記第１の封止層を被覆し、かつ前記成形体の外表面の少なくとも一部を形成する第２の封止層と
を含んでなる、半導体装置。
【請求項６】
前記半導体素子が、ＳｉＣ半導体素子である、請求項５に記載の半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、耐熱樹脂組成物に関する。本発明は、特には、ＳｉＣ（炭化シリコン）やＧａＮ（チッ化ガリウム）を用いた半導体素子の封止材料として好適に用いられる耐熱樹脂組成物、並びにかかる耐熱樹脂組成物で封止してなる半導体装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、一般的に用いられているＳｉ（シリコン）半導体素子を用いた半導体装置では、エポキシ樹脂やシリコーンゲルにより、封止を行い、絶縁性を確保していた。近年、ＳｉＣやＧａＮのようなワイドバンドギャップ材料はＳｉに比べて優れた耐熱性、電気的特性を有しているため研究開発が進められており、将来的にＳｉからワイドバンドギャップ材料に置き換わることが想定されている。ワイドバンドギャップ材料からなる半導体素子は、Ｓｉに比べて高温動作が可能であるが、半導体素子封止材料にも同様に高耐熱性が要求されている。
【０００３】
一般的に、高耐熱性熱硬化樹脂として、エポキシ系樹脂では脂環式エポキシ化合物、硬化剤では酸無水物系が利用されている。
【０００４】
光半導体封止用樹脂組成物として、脂環式エポキシ化合物及び可撓性連鎖を骨格に含むエポキシ樹脂からなるエポキシ樹脂成分、並びに、カチオン重合開始剤を含有してなる組成物が知られている（例えば、特許文献１を参照）。当該組成物においては、ガラス転移温度（Ｔｇ）を最大でも８０℃と低く抑える必要性がある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開2006-299073号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
脂環式エポキシ化合物と酸無水物系硬化剤の硬化反応は、例えば、２分子の脂環式エポキシ化合物と、１分子の２官能酸無水物系硬化剤とが反応する場合、１分子の脂環式エポキシ化合物と酸無水物系硬化剤の一方の官能基との１段目の反応工程と、残る１分子の脂環式エポキシ化合物と酸無水物系硬化剤の残る官能基との２段目の反応工程との２段階で進行すると考えられる。このとき、脂環式エポキシ化合物は立体障害が高いため、反応速度、特に２段目の反応速度が遅い。このため、硬化時間が不十分であると、一段目の反応のみが完了し、硬化物中に未反応部位が残る可能性が高い。未反応部位は、硬化物が高温に曝されると劣化反応の起点となり、劣化の進行によりクラックが発生するという問題がある。また、未反応部位が残存することは、硬化物の架橋度の低下につながり、ガラス転移温度が低下する可能性がある。すなわち、硬化物が高温に曝されると機械特性が変化し、クラックや形状変化を発生することがある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明者らは、上記課題に鑑みて、未反応部位を残存させないように、２段目の反応工程を促進することを検討し、脂環式エポキシ化合物よりも立体障害の低いグリシジルエーテルを、脂環式エポキシ化合物とともに用いることに想到し本発明を完成するに至った。
【０００８】
本発明は、上記課題を解決するためになされたものである。すなわち、本発明は、一実施形態によれば、耐熱樹脂組成物であって、少なくとも２官能の脂環式エポキシ化合物と、少なくとも２官能のグリシジルエーテルと、酸無水物系硬化剤とを含んでなる。
【０００９】
前記耐熱樹脂組成物において、前記グリシジルエーテルに対する、前記脂環式エポキシ化合物の当量比が、０．１〜１．５であることが好ましい。
【００１０】
前記耐熱樹脂組成物において、前記脂環式エポキシ化合物１００質量部に対し、前記グリシジルエーテルを、１０〜６０質量部含んでなることが好ましい。
【００１１】
前記耐熱樹脂組成物において、前記脂環式エポキシ化合物が、３’，４’−エポキシシクロヘキシルメチル３，４−エポキシシクロヘキサンカルボキシレートであることが好ましい。
【００１２】
前記耐熱樹脂組成物において、前記少なくとも２官能のグリシジルエーテルが、ビスフェノールＡジグリシジルエーテル、またはクレゾールノボラック型ジグリシジルエーテルであることが好ましい。
【００１３】
前記耐熱樹脂組成物は、半導体素子の封止のために用いられることが好ましい。
【００１４】
前記半導体素子が、ＳｉＣ半導体素子であることが好ましい。
【００１５】
本発明は、別の実施形態によれば、前述のいずれかの耐熱樹脂組成物を硬化させてなる耐熱樹脂硬化物である。
前記耐熱樹脂硬化物は、ガラス転移温度が２００℃以上であることが好ましい。
【００１６】
本発明は、また別の実施形態によれば、半導体装置であって、半導体素子と、前記半導体素子の一方の面に接合された絶縁基板と、前記半導体素子の他方の面に接合された外部回路との接続用プリント基板とを含む部材を、封止材で封止してなる成形体を備え、前記封止材が、前記半導体素子を被覆して前記半導体素子に近接する領域に設けられる第１の封止層であって、熱硬化性樹脂からなる第１の封止層と、前述のいずれかの耐熱樹脂組成物からなる第２の封止層であって、前記第１の封止層を被覆し、かつ前記成形体の外表面の少なくとも一部を形成する第２の封止層とを含んでなる。
前記半導体装置において、前記半導体素子が、ＳｉＣ半導体素子であることが好ましい。
【発明の効果】
【００１７】
本発明に係る耐熱樹脂組成物は、例えば２００℃以上の動作温度においても、絶縁破壊電圧の低下や塑性変形が生じない、２００℃以上のガラス転移温度を実現しうる、信頼性の高い耐熱樹脂組成物及び硬化物を提供することができる。このような耐熱樹脂組成物、半導体封止樹脂として用いた場合に特に有用であり、動作温度が高温になるＳｉＣ半導体素子あるいはＧａＮ半導体素子の封止において、有効に使用することができる。また、本発明は、高温条件下で使用されてもクラック発生がなく信頼性の高い半導体装置を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１８】
【図１】図１は、本発明に係る耐熱樹脂組成物を用いて封止してなる、半導体モジュール成形構造体の断面構造を示す概念図である。
【発明を実施するための形態】
【００１９】
以下に、図面を参照して、本発明の実施の形態を説明する。ただし、本発明は、以下に説明する実施の形態によって限定されるものではない。
【００２０】
［第１実施形態：樹脂組成物］
本発明は、第１実施形態によれば、耐熱樹脂組成物であって、少なくとも２官能の脂環式エポキシ化合物と、少なくとも２官能のグリシジルエーテルと、酸無水物系硬化剤とを含んでなる。
【００２１】
少なくとも２官能の脂環式エポキシ化合物は、脂環式エポキシ基を２以上、３以上、あるいは４以上備えるエポキシ化合物であればよく、１種の脂環式エポキシ化合物であってもよく、２種以上の異なる脂環式エポキシ化合物の組み合わせであってもよい。例えば、３，４−エポキシシクロヘキシル基を２以上、３以上、あるいは４以上備えるエポキシ化合物であればよい。少なくとも２官能の脂環式エポキシ化合物は、好ましくは、３’，４’−エポキシシクロヘキシルメチル３，４−エポキシシクロヘキサンカルボキシレートを挙げることができるが、これには限定されない。脂環式エポキシ化合物の硬化物は、グリシジルエーテルと比較して、特に、耐熱性、強靱性及び透明性の点で優れており、耐熱樹脂組成物において、これらの特性に寄与し得る。
【００２２】
少なくとも２官能のグリシジルエーテルは、グリシジルエーテル基を２以上、３以上、あるいは４以上備えるエポキシ化合物であればよく、１種のグリシジルエーテルであってもよく、２種以上の異なるグリシジルエーテルの組み合わせであってもよい。一例として、ビスフェノールＡジグリシジルエーテル、フェノールノボラック型グリシジルエーテル、ナフトールノボラック型グリシジルエーテル、クレゾールノボラック型グリシジルエーテル、トリフェニルメタン型グリシジルエーテルが挙げられるが、これらには限定されない。グリシジルエーテルは、脂環式エポキシ化合物と比較して、硬化反応が速いため、架橋密度の点で優れており、耐熱樹脂組成物において、曲げ強度、接着強度、熱物性（高Ｔｇ）に寄与し得る。
【００２３】
例示したグリシジルエーテルは、特には、下記の構造式（１）〜（７）を有する、低分子化合物、高分子化合物、並びにそれらの異性体、変成体、誘導体であってよい。
【化１】
0006284031.tif 000002
（各式中、ｎは１〜３０の整数を表す。）
【００２４】
本発明においては、上記脂環式エポキシ化合物と、上記グリシジルエーテルとの当量比（脂環式エポキシ化合物のエポキシ当量／グリシジルエーテルのエポキシ当量）が、０．１〜１．５であることが好ましく、０．８〜１．２であることがより好ましく、０．９〜１．１であることが最も好ましい。脂環式エポキシ化合物と、グリシジルエーテルとの当量比が上記範囲にある化合物を用いることで、これらのエポキシ化合物と酸無水物系硬化剤との反応を制御することができる。すなわち、酸無水物系硬化剤の少なくとも１つの官能基と脂環式エポキシ化合物とを反応させ、次いで、酸無水物系硬化剤の残りの官能基とグリシジルエーテルを反応させるといった二段階の反応で、酸無水物系硬化剤と少なくとも２種のエポキシ化合物との反応を促進することができる。これにより、硬化剤及びエポキシ化合物の未反応部位を減少させることができ、かつ、脂環式エポキシ化合物と、グリシジルエーテルのそれぞれの特性の利点を最大とすることができる。
【００２５】
本実施形態による耐熱樹脂組成物において、脂環式エポキシ化合物と、グリシジルエーテルとの質量比は、脂環式エポキシ化合物１００質量部に対し、グリシジルエーテルが、例えば、１００質量部以下であり、１０〜６０質量部であることが好ましく、２５〜５０質量部であることがより好ましい。脂環式エポキシ化合物特有の高Ｔｇの特性を保つために、脂環式エポキシ化合物は、グリシジルエーテルと同じ質量か、それ以上含まれることが必要となる。
【００２６】
酸無水物系硬化剤としては、メチルテトラヒドロ無水フタル酸、テトラヒドロ無水フタル酸、ヘキサヒドロ無水フタル酸、メチルヘキサヒドロ無水フタル酸、メチル−３，６−エンドメチレン−１，２，３，６−テトラヒドロ無水フタル酸、メチルナジック酸無水物、水素化メチルナジック酸無水物、無水フタル酸、無水トリメリット酸、無水ピロメリット酸、ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物エチレングリコールビスアンヒドロトリメリテート、グリセリルビス（アンヒドロトリメリレート）モノアセテートおよびそれらの異性体、変成体が挙げられるが、これらには限定されない。また、酸無水物系硬化剤は、これらのうち１種を単独で用いることができ、あるいは、２種以上を混合して用いることができる。
【００２７】
耐熱樹脂組成物における酸無水物系硬化剤の含有量は、上記脂環式エポキシ化合物と、上記グリシジルエーテルのエポキシ当量と、酸無水物当量との比が、１．０になるように決定することができる。
【００２８】
任意選択的な成分として、硬化促進剤を添加してもよい。硬化反応を制御するためである。硬化促進剤の具体例としては、２−エチル−４−メチルイミダゾール等のイミダゾール類、ベンジルジメチルアミン等の３級アミン類、トリフェニルフォスフィン等の芳香族フォスフィン類、三フッ化ホウ素モノエチルアミン等のルイス酸、ホウ酸エステル、有機金属化合物、有機酸金属塩等が挙げられるが、これらには限定されない。硬化促進剤の添加量は、硬化剤を１００質量部としたとき、０．０１〜５質量部とすることができる。
【００２９】
耐熱樹脂組成物は、特に半導体封止用樹脂として用いる場合には、その他に、半導体封止用樹脂に通常添加される任意成分を含んでも良い。任意成分としては、例えば、難燃剤、樹脂を着色するための顔料、耐クラック性を向上するための可塑剤やシリコンエラストマーが挙げられるが、これらには限定されない。これらの任意成分の添加量は、用途に応じて、当業者が適宜決定することができるが、耐熱樹脂組成物全体の質量を１００％とした場合に、通常１０質量％以下である。
【００３０】
また、耐熱樹脂組成物は、さらに、無機フィラーを含んでも良い。無機フィラーを含む場合、その質量は、耐熱樹脂組成物全体の質量を１００％とした場合に、例えば、６０〜９０質量％であり、８０〜９０質量％であることが好ましい。無機フィラーをこのような含有量で含むことにより、Ｔｇのさらなる向上が可能である。無機充填剤は、平均粒径が、１〜１００ｎｍ、好ましくは、５〜５０ｎｍの、いわゆる、ナノフィラーを用いる。樹脂の耐熱性を高めるためである。本明細書において、平均粒径とはレーザー回折散乱法で測定した値をいうものとする。無機充填剤を構成する化合物は、ＳｉＯ２、ＢＮ、Ａｌ２Ｏ３、ＡｌＮ及びＳｉ３Ｎ４からなる群から選択される１つ以上であってよいが、これらには限定されない。
【００３１】
上記組成を備える本実施形態による耐熱樹脂組成物を、適切な硬化条件で硬化することにより、硬化物を得ることができる。例えば、１００〜１４０℃で１〜３時間、さらに、１６０〜２００℃で１〜３時間といった、２段階の熱硬化反応により、耐熱樹脂組成物を熱硬化させることができる。本実施形態による耐熱樹脂組成物は、上記組成の特徴を備えることで、Ｔｇが、約２００℃以上、好ましくは、約２１０℃以上であって、硬化後、高温条件下で使用されてもクラックが入りにくい、耐熱樹脂硬化物とすることができる。
【００３２】
［第２実施形態］
本発明は、第２実施形態によれば、半導体装置であって、半導体素子と、前記半導体素子の一方の面に接合された絶縁基板と、前記半導体素子の他方の面に接合された外部回路との接続用プリント基板とを含む部材を、封止材で封止してなる成形体を備え、熱硬化性樹脂が、前記半導体素子に接して被覆する第１封止層を構成し、第１実施形態による耐熱樹脂組成物が、前記第１封止層を被覆し、かつ前記成形体の外表面の少なくとも一部に面して設けられる第２封止層を構成することを特徴とする。
【００３３】
図１は、第２実施形態に係る半導体装置の一例である、半導体モジュール成形構造体１００の断面構造を示す図である。半導体モジュール成形構造体１００においては、絶縁層１の一方の面である下面に略直方体状の第１銅ブロック２、他方の面である上面に略直方体状の第２銅ブロック３が配置されて絶縁基板４を構成する。絶縁基板４の第２銅ブロック３側の面である上面には、導電接合層ａ５を介して、ＳｉＣパワー半導体素子６が複数個搭載され取り付けられている。さらにＳｉＣパワー半導体素子６の上面には、導電接合層ｂ７によりインプラントピン８を備えたインプラント方式プリント基板９が取り付けられている。インプラント方式プリント基板９の上面と、第２銅ブロック３の上面には、それぞれ、外部接続端子１０が取り付けられ、半導体モジュール成形構造体１００の外部との電気的接続が可能に構成されている。ＳｉＣパワー半導体素子６の周囲は、熱硬化性樹脂からなる第１封止層１１で封止される。さらにその周囲が、本発明の第１実施形態による耐熱樹脂組成物を硬化させてなる第２封止層１３で封止されて成形体となっており、半導体モジュール成形構造体１００を構成している。また、第１封止層１１には、半導体モジュール成形構造体１００を図示しない冷却器に取り付けるためのボルトの挿入孔である取り付け金具１２が埋め込まれている。なお、本明細書において、上面、下面とは、説明の目的で、図中の上下を指す相対的な用語であって、半導体装置の使用態様等との関係で上下を限定するものではない。
【００３４】
本実施形態による半導体モジュール成形構造体１００において、樹脂封止部が、第１の封止層１１と、第２の封止層１３との二種類の樹脂により構成される。第１の封止層１１は、ＳｉＣパワー半導体素子６とその近傍にある部材４、５、７、８、９、１０の周囲を完全に覆って、封止部の大半を占める。図示する形態においては、第１封止層１１は、半導体モジュール成形構造体１００の表面に露出していない。第２封止層１３は、第１封止層の表面を覆って、半導体モジュール成形構造体１００の外周部を構成する。
【００３５】
第２封止層１３は、上記第１実施形態において詳述した耐熱樹脂組成物からなる。第２封止層１３を耐熱樹脂組成物とすることで、半導体モジュール成形構造体１００の外周部にクラックが入ることを防止することができ、かつ、外周部の形状変形などを防止し、信頼性の高い半導体装置を提供することができる。耐熱樹脂組成物からなる。
【００３６】
第１封止層１１を構成する樹脂は、熱硬化性樹脂である。このような樹脂は、先に詳述した耐熱樹脂組成物との関係で決定することができる。すなわち、第１封止層１１を構成する樹脂は、第２封止層１３を構成する耐熱樹脂組成物の硬化物との熱膨張率の差が、±１０ｐｐｍ／℃以内のものであることが好ましい。封止後の熱応力を少なくするためである。また、第１封止層１１を構成する樹脂は、第２封止層１３を構成する樹脂との接着強さが、１０ＭＰａ以上であることが好ましい。封止後に、第１封止層１１と第２封止層１３との界面に、クラックが入ることを防止するためである。これらの条件を満たすものであれば、第１封止層１１を構成する樹脂の種類は問わず、半導体装置の樹脂封止に通常用いられる、エポキシ樹脂、ポリアミド樹脂等であってよい。第１封止層１１を構成する樹脂はまた、前述の熱膨張率特性や接着特性の条件を満たすものであれば、第２封止層１３を構成する樹脂と同様に第１実施形態による耐熱樹脂組成物であってもよい。
【００３７】
なお、図示する第１実施形態による半導体モジュール成形構造体１００は、第１銅ブロック２の絶縁層１とは反対側の面、すなわち、図中の下面が、第２封止層１３と接して、第２封止層１３に被覆され、外部と接触しない形態であるが、本発明はこのような形態には限定されない。第１銅ブロック２の下面の一部あるいは全体が露出していて、図示しない冷却部材等との接続が可能な状態であっても良い。また、図１は概念図であって、図示する第１封止層、第２封止層と、他の部材との位置関係は必ずしも図面の通りである必要はない。さらに、絶縁基板４やプリント基板９、インプラントピン８の構成も、図示する形態には限定されない。
【００３８】
次に、第２実施形態による半導体モジュール成形構造体１００を、その製造方法の観点から説明する。ＳｉＣパワー半導体モジュール成形構造体の製造方法は、主として、絶縁基板４、半導体素子６、並びにプリント基板９が接合された部材を組み立てる工程と、前記部材を樹脂封止する工程とから構成される。
【００３９】
絶縁基板４、半導体素子６、並びにプリント基板９が接合された部材を組み立てる工程は、絶縁層１の両面に第１銅ブロック２と第２銅ブロック３を熱圧着してなる絶縁基板４を形成する工程と、絶縁基板４の一方の面に、導電接合層ａ５により１以上のＳｉＣパワー半導体素子６を搭載する工程と、ＳｉＣパワー半導体素子６の絶縁基板４とは反対側の面に、導電接合層ｂ７により、インプラントピン８を有するインプラント方式のプリント基板９を取り付ける工程と、前記第２銅ブロック３及び前記プリント基板９に外部接続端子１０を接続する工程とを含む。このような組み立て工程及び使用する部材の仕様等については、従来技術に開示される、通常の方法に従ってよい。例えば、出願人による、特開2013-004729号公報や、特開2012-191010号公報において説明した各工程を適用することができる。
【００４０】
樹脂封止する工程は、熱硬化性樹脂を用いて第１封止層１１を形成する第１の封止工程と、第１実施形態による耐熱樹脂組成物を用いて第２封止層１３を形成する第２の封止工程とを含む。
【００４１】
第１の封止工程では、予め通常の方法で減圧脱泡した、第１封止層１１となる熱硬化性樹脂１で、絶縁基板４、半導体素子６、並びにプリント基板９が接合された部材を封止する。封止は、トランスファー成形、液状トランスファー成形、射出成型等の成形法により、所定の形状に成形することにより実施する。その後、熱硬化性樹脂を所定の温度及び時間条件で、例えば、１００〜１８０℃で、１〜１０分、熱硬化させて第１封止層１１を形成し、第１の封止工程を完了する。
【００４２】
第２の封止工程では、予め通常の方法で減圧脱泡した、第１実施形態による耐熱樹脂組成物を、第１の封止工程で得られた成形体の外周の少なくとも一部に、塗布、成形、あるいはポッティング等の方法により所定の厚みとなるように被覆する。その後、耐熱樹脂組成物を所定の温度及び時間条件で、例えば、ポッティングならば、１００〜２００℃で、１〜３時間、熱硬化させて、第２封止層１３を形成し、第２の封止工程を完了する。これらの工程により、二層封止構造の樹脂封止部を備える成形体を得ることができる。さらに、成形体の第１封止層１１の成形時に、取り付け金具１２を挿入するための孔を第１封止層に形成し、第１封止層１１及び第２封止層１３の硬化後に孔に取り付け金具１２を挿入する工程により、半導体モジュール成形構造体１００を得ることができる。
【００４３】
第２実施形態による半導体モジュール成形構造体１００及びその製造方法によれば、特には、使用雰囲気が高温、例えば、１７５℃以上となる半導体装置において、半導体装置の信頼性を高めると共に、コストを低減することができる。
【００４４】
以下に、実施例により、本発明をより詳細に説明する。以下の実施例は、本発明の例示であって、本発明を限定するものではない。
【実施例】
【００４５】
［実施例１］
脂環式エポキシ化合物１００質量部に対し、グリシジルエーテルを１０質量部、混合しエポキシ樹脂組成物を得た。このエポキシ樹脂組成物に、酸無水物硬化剤を当量比が１．０となるように加えて均一に混合した後、金型に流し込み、１２０℃、２時間、次いで１８０℃、２時間加熱硬化させ、硬化物を得た。ＤＳＣにより硬化物のＴｇを求めた。使用した化合物は、以下の通り。
脂環式エポキシ化合物：セロキサイド２０２１Ｐ（ダイセル化学工業株式会社製）エポキシ当量１３７
グリシジルエーテル：ＪＥＲエポキシ樹脂８２５（三菱化学株式会社製）エポキシ当量１７５
酸無水物：リカシッドＭＨ−７００（新日本理化株式会社製）酸無水物当量１６１
【００４６】
［実施例２、３］
脂環式エポキシ化合物１００質量部に対し、グリシジルエーテルを、２５質量部、および５０質量部加えた以外は実施例１と同様にして、実施例２、３の硬化物を得た。
【００４７】
［実施例４〜６］
グリシジルエーテル、酸無水物として、以下の化合物を用いた以外は実施例１〜３と同様にして、実施例４〜６の硬化物を得た。
グリシジルエーテル：ＥＰＩＣＬＯＮ  Ｎ−６５５−ＥＸＰ−Ｓ（ＤＩＣ株式会社製）エポキシ当量１９６
酸無水物：ＨＮ−２２００（日立化成工業株式会社製）酸無水物当量１６６
【００４８】
［比較例１、２］
脂環式エポキシ化合物に、グリシジルエーテルを混合することなく、酸無水物硬化剤を当量比が１．０となるように加えて均一に混合した以外は、実施例１〜６と同様にして、比較例１、２の硬化物を得た。酸無水物硬化剤として、比較例１では上記のリカシッドＭＨ−７００を用い、比較例２では上記のＨＮ−２２００を用いた。
【００４９】
結果を下記表１に示す。
【００５０】
【表１】
0006284031.tif 000003
【産業上の利用可能性】
【００５１】
本発明に係る樹脂組成物及びこれを用いた半導体装置は、ＳｉＣやＧａＮといった半導体素子を用いて構成された高温動作となる半導体パワーモジュールにおいて有用である。
【符号の説明】
【００５２】
１      絶縁層
２      第１銅ブロック
３      第２銅ブロック
４      絶縁基板
５      導電接合層ａ
６      ＳｉＣ半導体素子
７      導電接合層ｂ
８      インプラントピン
９      インプラント方式プリント基板
１０    外部接続端子
１１    第１封止層（熱硬化性樹脂）
１２    取り付け金具
１３    第２封止層（耐熱樹脂）
１００  半導体モジュール成形構造体
【図１】
0006284031.tif 000004