(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
テンプレートのマーク領域に対応して設けられ、少なくとも２辺で構成される縁部で囲まれた第１開口部と、
前記第１開口部の前記縁部の互いに隣接する２辺の延長線が交わる領域の全てに設けられた第２開口部とを備え、
前記第２開口部に外接する円の径は前記第１開口部に外接する円の径より小さいステンシルマスク。
【請求項２】
前記第２開口部は、複数設けられる請求項１に記載のステンシルマスク。
【請求項３】
前記第１開口部は矩形であり、
前記第２開口部は前記第１開口部の四隅の全てに設けられている請求項１または２に記載のステンシルマスク。
【請求項４】
前記第１開口部の前記縁部の互いに隣接する２辺の延長線が交わる領域の全てに設けられた前記第２開口部のそれぞれの中心点は、前記第１開口部の中心点からの位置が互いに等しい請求項１乃至３のいずれか一項に記載のステンシルマスク。
【請求項５】
テンプレートのマーク領域に対応して設けられプレートのマーク領域に対応して設けられ、少なくとも２辺で構成される縁部で囲まれた第１開口部と、
前記第１開口部の前記縁部の互いに隣接する２辺の延長線が交わる第１領域の全てに設けられた第２開口部とを備え、
前記第２開口部は前記第１開口部より面積が小さいステンシルマスク。
【請求項６】
前記第２開口部は、少なくとも２辺で構成される縁部で囲まれており、
前記第２開口部の前記縁部の互いに隣接する２辺の延長線が交わる第２領域であって、前記第１開口部の中央部から前記第１領域を通って外側に向かう方向に位置する前記第２領域の全てに設けられた第３開口部をさらに備え、
前記第３開口部は前記第２開口部より面積が小さい請求項５に記載のステンシルマスク。
【請求項７】
前記第１開口部および前記第２開口部に隣接して設けられ、前記第１開口部の面積を増大させる第４開口部をさらに備える請求項５に記載のステンシルマスク。
【請求項８】
前記第１開口部の前記縁部の互いに隣接する２辺の延長線が交わる領域の全てに設けられた前記第２開口部のそれぞれの中心点は、前記第１開口部の中心点からの位置が互いに等しい請求項４乃至７のいずれか一項に記載のステンシルマスク。
【請求項９】
テンプレートのマーク領域に対応してステンシルマスクに設けられ、少なくとも２辺で構成される縁部で囲まれた第１開口部に、前記第１開口部の前記縁部の互いに隣接する２辺の延長線が交わる領域の全てに第１パターンを付加し、
前記第１パターンが付加された前記第１開口部を通して前記マーク領域に形成される不純物層の不純物分布を取得し、
前記不純物層の前記不純物の分布に基づいて前記第１パターンを更新するステンシルマスクの製造方法。
【請求項１０】
被処理層上にインプリント材を形成する工程と、
前記インプリント材にテンプレートを接触させた状態で前記テンプレートのマーク領域に設けられたアライメントマークを参照することにより前記テンプレートの位置を確認する工程と、
前記テンプレートのデバイス領域に設けられたテンプレートパターンを前記インプリント材に転写することにより、前記被処理層上にインプリントパターンを形成する工程と、
前記インプリントパターンを前記被処理層に転写することにより、前記被処理層に加工パターンを形成する工程とを備えるインプリント方法であって、
前記マーク領域に対応し、少なくとも２辺で構成される縁部で囲まれた第１開口部が設けられたステンシルマスクを介して前記マーク領域にイオン注入することで前記マーク領域に不純物層を形成し、
前記ステンシルマスクは、前記第１開口部の前記縁部の互いに隣接する２辺の延長線が交わる領域の全てに設けられた第２開口部を備え、
前記第２開口部に外接する円の径は前記第１開口部に外接する円の径より小さいインプリント方法。 
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明の実施形態は、ステンシルマスク、ステンシルマスクの製造方法およびインプリント方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
現在のナノインプリントレジストとテンプレートは光学的な性質が等しい。このためテンプレートにレジストが充填するとテンプレートとレジストの境界面が見えなくなる。レジスト充填時にテンプレートの位置を確認できるようにするため、テンプレートのアライメントマーク領域にレジストと光学的に性質の異なる別材料を埋め込んでいる。別材料を埋め込むために、ステンシルマスクを介してテンプレートにイオン注入する方法がある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００９−２４５５４８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
本発明の一つの実施形態は、アライメントマークからの位置情報を持つ信号情報の劣化を低減させることが可能なステンシルマスク、ステンシルマスクの製造方法およびインプリント方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明の一つの実施形態によれば、ステンシルマスクは、第１開口部と、第２開口部とを備える。第１開口部は少なくとも２辺で構成される縁部で囲まれ、テンプレートのマーク領域に対応して設けられている。第２開口部は、前記第１開口部の前記縁部の互いに隣接する２辺の延長線が交わる領域の全てに設けられている。前記第２開口部に外接する円の径は前記第１開口部に外接する円の径より小さい。
【図面の簡単な説明】
【０００６】
【図１】図１（ａ）は、第１実施形態に係るステンシルマスクの概略構成を示す平面図、図１（ｂ）は、図１（ａ）のステンシルマスクが適用されるテンプレートの概略構成を示す平面図、図１（ｃ）は、図１（ａ）のＲＥ部分を拡大して示す平面図、図１（ｄ）は、図１（ｃ）の開口部ＳＭＢの有無に応じた図１（ｂ）のイオン注入層のイオン分布を示す図である。
【図２】図２（ａ）〜図２（ｇ）は、第１実施形態に係るテンプレートの製造方法を示す断面図である。
【図３】図３は、図１のステンシルマスクの変形例を示す平面図である。
【図４】図４（ａ）は、第２実施形態に係るステンシルマスクの構成例を示す平面図、図４（ｂ）は、図４（ａ）の開口部ＳＭＣ、ＳＭＤの有無に応じた図１（ｂ）のイオン注入層のイオン分布を示す図である。
【図５】図５（ａ）〜図５（ｅ）は、第３実施形態に係るテンプレートを用いたインプリント方法を示す断面図である。
【図６】図６は、第４実施形態に係るステンシルマスクの製造方法を示すフローチャートである。
【図７】図７は、第５実施形態に係るステンシルマスクの設計装置を示すブロック図である。
【図８】図８は、図７のステンシルマスクの設計装置のハードウェア構成を示すブロック図である。
【発明を実施するための形態】
【０００７】
以下に添付図面を参照して、実施形態に係るステンシルマスク、ステンシルマスクの製造方法およびインプリント方法を詳細に説明する。なお、これらの実施形態により本発明が限定されるものではない。
【０００８】
（第１実施形態）
図１（ａ）は、第１実施形態に係るステンシルマスクの概略構成を示す平面図、図１（ｂ）は、図１（ａ）のステンシルマスクが適用されるテンプレートの概略構成を示す平面図、図１（ｃ）は、図１（ａ）のＲＥ部分を拡大して示す平面図、図１（ｄ）は、図１（ｃ）の開口部ＳＭＢの有無に応じた図１（ｂ）のイオン注入層のイオン分布を示す図である。なお、図１（ｄ）では、図１（ｃ）のＹ＝ａの位置におけるイオン分布を示した。このイオン分布は、イオン注入層の光吸収量の分布と等しい。また、イオン分布ＢＤ１は、開口部ＳＭＡの四隅に開口部ＳＭＢがない場合、イオン分布ＢＤ２は、開口部ＳＭＡの四隅に開口部ＳＭＢがある場合を示す。
図１（ｂ）において、テンプレートＴＰには、デバイス領域ＲＡおよびマーク領域ＲＢが設けられている。デバイス領域ＲＡにはインプリントパターンを形成することができる。マーク領域ＲＢには、イオン注入層（不純物層)にて構成されるアライメントマークを形成することができる。デバイス領域ＲＡおよびマーク領域ＲＢは、テンプレートＴＰの同一面に設けられている。なお、テンプレートＴＰは、例えば、石英にて構成することができる。
一方、図１（ａ）および図１（ｃ）において、ステンシルマスクＳＭには、マーク領域ＲＢに対応した開口部ＳＭＡが設けられている。開口部ＳＭＡには開口部ＳＭＢが付加されている。開口部ＳＭＢは開口部ＳＭＡに隣接して設けられている。この時、開口部ＳＭＢに外接する円ＥＮＢの径は開口部ＳＭＡに外接する円ＥＮＡの径より小さくすることができる。ここで言う外接とは、開口部ＳＭＡに開口部ＳＭＢを付加する前の各開口部ＳＭＡ、ＳＭＢの隅に外接することを言う。あるいは、開口部ＳＭＢの面積は開口部ＳＭＡの面積より小さくするようにしてもよい。ここで言う面積とは、開口部ＳＭＡに開口部ＳＭＢを付加する前の面積を言う。開口部ＳＭＢは、例えば、開口部ＳＭＡの四隅に設けることができる。なお、本実施形態において開口部ＳＭＡ、ＳＭＢの形状は四角形だが、五角形や六角形等の他の多角形や楕円状、円状であっても構わない。また、マーク領域ＲＢにおけるイオン注入層のイオン分布を均一化させるために、開口部ＳＭＢの形状は任意に選択することができる。なお、ステンシルマスクＳＭは、例えば、シリコンにて構成することができる。
そして、ステンシルマスクＳＭを介してアンチモンなどをマーク領域ＲＢにイオン注入することにより、イオン注入層をマーク領域ＲＢに埋め込むことができる。ここで、開口部ＳＭＡの四隅に開口部ＳＭＢがない場合、開口部ＳＭＡの四隅では、２つの方向がステンシルマスクＳＭで囲まれるため、開口部ＳＭＡの中央よりもイオンが透過しにくい。このため、図１（ｄ）に示すように、開口部ＳＭＡの四隅に開口部ＳＭＢがない場合、開口部ＳＭＡの端部におけるイオン濃度が急激に低下する。一方、開口部ＳＭＡの四隅に開口部ＳＭＢを設けた場合、開口部ＳＭＡの四隅でのイオンの透過性を向上させることができる。このため、開口部ＳＭＡの四隅に開口部ＳＭＢがある場合は開口部ＳＭＢがない場合に比べて、開口部ＳＭＢに対応する領域内においてマーク領域ＲＢに形成されるイオン注入層のイオン分布を均一化させることができる。
【０００９】
図２（ａ）〜図２（ｇ）は、第１実施形態に係るテンプレートの製造方法を示す断面図である。
図２（ａ）において、テンプレートＴＰに用いられる基板１には、デバイス領域ＲＡおよびマーク領域ＲＢが設けられている。そして、図２（ｂ）に示すように、ステンシルマスクＳＭを介して基板１にイオン注入Ｂ１を行うことで、マーク領域ＲＢにイオン注入層２を形成する。ステンシルマスクＳＭには、図１（ａ）に示すように、開口部ＳＭＡ、ＳＭＢがあり、開口部ＳＭＡ、ＳＭＢのみイオンが透過する。これにより、選択的に基板１にイオンを注入することができる。イオンは、アライメント光を吸収する性質があるものが選ばれ、イオン注入層２の濃度によりアライメント光を吸収する割合を異ならせることができる。この時、図１（ｄ）に示すように、開口部ＳＭＢがない場合のイオン分布はＢＤ１、開口部ＳＭＢがある場合のイオン分布はＢＤ２となる。このため、開口部ＳＭＡの四隅に開口部ＳＭＢを設けることにより、イオン注入層２のイオン分布ＢＤ２を均一化させることができる。イオン注入層２のイオン分布を均一化させることで、アライメントのコントラストを一定にすることが可能となり、計測再現性を向上させることができる。イオン注入層２のイオンは、例えばＳｂ、Ｃｏ、Ａｌ、Ｆｅなどが用いられる。
【００１０】
次に、図２（ｃ）に示すように、スパッタまたはＣＶＤなどの方法にて保護膜３を基板１上に形成する。なお、保護膜３の材料は、例えば、ＣｒＮなどを用いることができる。
【００１１】
次に、図２（ｄ）に示すように、フォトリソグラフィー技術を用いることにより、レジストパターン４を保護膜３上に形成する。なお、レジストパターン４には、凹部１Ａに対応した開口部ＰＡと、凹部１Ｂに対応した開口部ＰＢを設けることができる。
【００１２】
次に、図２（ｅ）に示すように、レジストパターン４を介して保護膜３をエッチングすることにより、レジストパターン４を保護膜３に転写する。この時、保護膜３には、開口部ＰＡ、ＰＢにそれぞれ対応した開口部ＥＡ、ＥＢが形成される。
【００１３】
次に、図２（ｆ）に示すように、レジストパターン４および保護膜３を介して基板１をエッチングする。この時、開口部ＥＡ、ＥＢにそれぞれ対応した凹部１Ａ、１Ｂが基板１に形成される。また、凹部１Ｂに対応してイオン注入層２がパターニングされる。このため、凹部１Ｂのサイズや位置を変えることにより、アライメントマークに任意の形状を与えることができる。また、凹部１Ｂに対応してイオン注入層２をパターニングすることにより、イオン注入層２をパターニングした時の凹部１Ａに対する位置合わせずれを防止することができる。このため、マーク領域ＲＢを参照することにより、デバイス領域ＲＡの位置合わせを精度よく行うことができる。
【００１４】
次に、図２（ｇ）に示すように、レジストパターン４と保護膜３を基板１から剥離する。  
【００１５】
図３は、図１のステンシルマスクの変形例を示す平面図である。
図３において、ステンシルマスクＳＭ１には、マーク領域ＲＢに対応しての開口部ＳＭＡが設けられている。開口部ＳＭＡの四隅には開口部ＳＭＥが設けられている。開口部ＳＭＥの面積は開口部ＳＭＡの面積より小さくすることができる。さらに、開口部ＳＭＥに隣接して開口部ＳＭＦが設けられている。開口部ＳＭＦは、開口部ＳＭＡの対角線上に配置することができる。開口部ＳＭＦの面積は開口部ＳＭＥの面積より小さくすることができる。ここで言う面積とは、開口部ＳＭＡに開口部ＳＭＥ、ＳＭＦを付加する前の面積を言う。ここで、開口部ＳＭＡに開口部ＳＭＥ、ＳＭＦを付加することにより、開口部ＳＭＡの四隅を階段状にすることができ、イオン分布をきめ細かく補正することができる。なお、上述した実施形態では、２段階の開口パターンを開口部ＳＭＡの四隅に付加する構成について示したが、３段階以上の開口パターンを開口部ＳＭＡの四隅に付加するようにしてもよい。
【００１６】
（第２実施形態）
図４（ａ）は、第２実施形態に係るステンシルマスクの構成例を示す平面図、図４（ｂ）は、図４（ａ）の開口部ＳＭＣ、ＳＭＤの有無に応じた図１（ｂ）のイオン注入層のイオン分布を示す図である。なお、図４（ｂ）では、図４（ａ）のＹ＝ａの位置におけるイオン分布ＢＤを示した。また、イオン分布ＢＤ１は、開口部ＳＭＡのステンシルマスクを用いてイオン注入した時のイオン分布を示す。イオン分布ＢＤ３は、マーク領域ＲＢよりも外側の開口部ＳＭＣ、ＳＭＤを持ったステンシルマスクＳＭ２を用いてイオン注入した時のイオン分布を示す。ここで、開口部ＳＭＣは開口部ＳＭＡの四隅に付加することができる。開口部ＳＭＤは開口部ＳＭＡ、ＳＭＣに隣接するようにして開口部ＳＭＡの四辺に付加することができる。この時、開口部ＳＭＣ、ＳＭＤは開口部ＳＭＡの外周を囲むことができる。開口部ＳＭＡ、ＳＭＣ、ＳＭＤにて構成される開口パターンは、開口部ＳＭＡよりも面積を大きくすることができる。また、開口部ＳＭＡ、ＳＭＣ、ＳＭＤにて構成される開口パターンは、マーク領域ＲＢの外側に広がる矩形パターンとすることができる。
開口部ＳＭＣ、ＳＭＤがない場合、開口部ＳＭＡを持つステンシルマスクの２辺の遮蔽効果によりマーク領域ＲＢの両端のイオン濃度が下がる。これに対し、開口部ＳＭＣ、ＳＭＤがある場合、ステンシルマスクの２辺の遮蔽効果をマーク領域ＲＢの外側で発生させることができ、ステンシルマスクの２辺の遮蔽効果がマーク領域ＲＢ内に及ぶのを抑制することが可能となることから、マーク領域ＲＢ全域のイオン分布の均一性を向上させることができる。
【００１７】
（第３実施形態）
図５（ａ）〜図５（ｅ）は、第３実施形態に係るテンプレートを用いたインプリント方法を示す断面図である。
図５（ａ）において、デバイス領域ＲＡには凹部１Ａが設けられ、マーク領域ＲＢには凹部１Ｂが設けられている。凹部１Ａは、凹部１Ｂに比べて微細化することができ、例えば、凹部１Ａの幅および間隔はナノオーダーに設定することができる。また、マーク領域ＲＢには、イオン注入層２が設けられている。このイオン注入層２は、凹部１Ｂにてパターニングされることでアライマントマークを構成することができる。イオン注入層２は基板１と光学特性を異ならせることができる。この光学特性は、例えば、屈折率または消衰定数とすることができる。イオン注入層２は、光吸収層、光散乱層または光反射層を構成するようにしてもよい。例えば、光を吸収するアンチモンなどをイオン注入することにより、イオン注入層２は光吸収層を構成することができる。イオン注入層２で光吸収層を用いた場合、被処理層１１を見やすくするために、例えば、５００〜８００ｎｍの範囲の赤外領域に光吸収波長帯を設定することが好ましい。
そして、インクジェット法などの方法を用いることにより、インプリント材１２を被処理層１１上に吐出させる。被処理層１１には、テンプレートＴＰとの位置合わせに用いられるアライメントマーク１３が形成されている。なお、被処理層１１は、半導体ウェハであってもよいし、半導体層、金属層または絶縁層であってもよい。また、インプリント材１２としては、例えば、紫外線硬化型レジストを用いることができる。
ここで、イオン注入層２からのアライメント光Ｌ１を検出することにより、テンプレートＴＰの位置を判別することができ、テンプレートＴＰと被処理層１１との位置合わせを行うことができる。
【００１８】
次に、図５（ｂ）に示すように、テンプレートＴＰをインプリント材１２に接触させることにより、インプリント材１２を凹部１Ａに充填させ、被処理層１１上にインプリントパターン１２Ａを形成する。この時、イオン注入層２からのアライメント光Ｌ１を検出することにより、テンプレートＴＰの位置を確認することができ、テンプレートＴＰと被処理層１１との位置ずれを検出することができる。ここで、イオン注入層２のイオン分布を均一化することにより、アライメント光Ｌ１の変動を低減させることができ、アライメント計測精度を向上させることが可能となる。
【００１９】
次に、図５（ｃ）に示すように、テンプレートＴＰをインプリントパターン１２Ａに接触させたまま、テンプレートＴＰを通して紫外線Ｌ２をインプリントパターン１２Ａに照射することにより、インプリントパターン１２Ａを硬化させる。なお、図５（ｃ）の例では、インプリントパターン１２Ａを硬化させるために、インプリント材１２として紫外線硬化型レジストを用いるようにしてもよいが、熱硬化型レジストを用いるようにしてもよい。
【００２０】
次に、図５（ｄ）に示すように、インプリントパターン１２Ａが硬化したら、インプリントパターン１２ＡからテンプレートＴＰを除去する。
【００２１】
次に、図５（ｅ）に示すように、インプリントパターン１２Ａを介して被処理層１１のエッチングＥＨを行うことにより、インプリントパターン１２Ａを被処理層１１に転写し、インプリントパターン１２Ａに対応した加工パターン１１Ａを被処理層１１に形成する。そして、被処理層１１に残ったインプリントパターン１２Ａを除去する。なお、被処理層１１の加工は、被処理層１１のエッチングＥＨの他、被処理層１１へのイオン注入でもよい。
なお、上述した実施形態では、イオン注入層２のイオン分布が均一化されるように開口部ＳＭＡに開口部ＳＭＢを設ける方法について説明したが、イオン注入層２の光学特性が均一化されるように開口部ＳＭＡに開口部ＳＭＢを設けるようにしてもよいし、アライメント光Ｌ１の変動を低減されるように開口部ＳＭＡに開口部ＳＭＢを設けるようにしてもよい。
【００２２】
（第４実施形態）
図６は、第４実施形態に係るステンシルマスクの製造方法を示すフローチャートである。
図６において、ステンシルマスクＳＭの形状およびイオン注入条件を変数として、マーク領域ＲＢのデータを作成する（Ｓ１）。次に、マーク領域ＲＢのデータに基づいて、ステンシルマスクＳＭのデータを作成する（Ｓ２）。次に、Ｓ２のデータに基づいて作成されたステンシルマスクＳＭを介して基板１にイオン注入を実施することで、基板１にイオン注入層２を形成する（Ｓ３）。なお、このイオン注入は、ステンシルマスクＳＭおよび基板１の実物を用いて実際に実施するようにしてもよいし、ステンシルマスクＳＭおよび基板１のモデルを用いてシミュレーションを行うようにしてもよい。次に、イオン注入層２の光学特性および膜厚を取得する（Ｓ４）。なお、ステンシルマスクＳＭおよび基板１の実物を用いて実際にイオン注入を行った場合は、イオン注入層２の光学特性および膜厚を計測することができる。ステンシルマスクＳＭおよび基板１のモデルを用いてシミュレーションを行った場合は、イオン注入層２の光学特性および膜厚を計算で求めることができる。
次に、イオン注入層２の光学特性および膜厚が許容範囲内かどうかを判断する（Ｓ５）。そして、イオン注入層２の光学特性および膜厚が許容範囲内でない場合、Ｓ２に戻り、イオン注入層２の光学特性および膜厚が許容範囲内になるまで、Ｓ２〜Ｓ５の処理を繰り返す。なお、イオン注入層２の光学特性が許容範囲内でない場合、ステンシルマスクＳＭの形状を変更することができる。イオン注入層２の膜厚が許容範囲内でない場合、イオン注入のドーズ量および加速電圧を変更することができる。ここで、イオン注入層２の膜厚を許容範囲内に収めることにより、アライメント光計測時のＳ／Ｎを小さくすることができる。
一方、イオン注入層２の光学特性および膜厚が許容範囲内である場合、Ｓ２のデータに基づいてステンシルマスクＳＭを作成し（Ｓ６）、出荷する（Ｓ７）。なお、ステンシルマスクＳＭの出荷時には、イオン注入層２の光学特性および膜厚の情報を付与することができる。
【００２３】
（第５実施形態）
図７は、第５実施形態に係るステンシルマスクの設計装置を示すブロック図である。
図７において、ステンシルマスクの設計装置には、ＣＡＤシステム５１、イオン分布補正部５２、イオン分布検証部５３およびステンシルデータ作成部５４が設けられている。イオン分布補正部５２は、補正ルール５２Ａを保持することができる。補正ルール５２Ａは、開口部ＳＭＢの形状、位置およびサイズなどの情報を与えることができる。
【００２４】
そして、ＣＡＤシステム５１において、ステンシルマスクの設計レイアウトデータＮ１が作成され、イオン分布補正部５２に送られる。そして、イオン分布補正部５２において、補正ルール５２Ａに基づいて開口部ＳＭＡに開口部ＳＭＢが付加され、その補正データＮ２がイオン分布検証部５３に送られる。
【００２５】
そして、イオン分布検証部５３において、補正データＮ２に基づいて作成されるステンシルマスクを介したイオン注入のシミュレーションが行われ、イオン注入層のイオン分布が計算される。そして、マーク領域におけるイオン注入層のイオン分布が所定の範囲内にあるかどうかが検証され、イオン注入層のイオン分布が所定の範囲内にない場合、その検証結果Ｎ３がイオン分布補正部５２に送られる。そして、イオン分布補正部５２において、イオン注入層のイオン分布が所定の範囲内にないという検証結果Ｎ３が送られると、開口部ＳＭＡに付加される開口部ＳＭＢが変更され、その変更された補正データＮ２がイオン分布検証部５３に送られる。一方、イオン分布補正部５２において、イオン注入層のイオン分布が所定の範囲内にあるという検証結果Ｎ３が送られると、その時の補正データＮ４がステンシルデータ作成部５４に送られる。そして、ステンシルデータ作成部５４において、補正データＮ４に基づいてステンシルデータが作成される。ここでは、開口部ＳＭＢのみを説明したが、ＳＭＣ乃至ＳＭＦについても同様である。
【００２６】
図８は、図７のステンシルマスクの設計装置のハードウェア構成を示すブロック図である。
図８において、ステンシルマスクの設計装置には、ＣＰＵなどを含むプロセッサ６１、固定的なデータを記憶するＲＯＭ６２、プロセッサ６１に対してワークエリアなどを提供するＲＡＭ６３、人間とコンピュータとの間の仲介を行うヒューマンインターフェース６４、外部との通信手段を提供する通信インターフェース６５、プロセッサ６１を動作させるためのプログラムや各種データを記憶する外部記憶装置６６を設けることができ、プロセッサ６１、ＲＯＭ６２、ＲＡＭ６３、ヒューマンインターフェース６４、通信インターフェース６５および外部記憶装置６６は、バス６７を介して接続されている。
【００２７】
なお、外部記憶装置６６としては、例えば、ハードディスクなどの磁気ディスク、ＤＶＤなどの光ディスク、ＵＳＢメモリやメモリカードなどの可搬性半導体記憶装置などを用いることができる。また、ヒューマンインターフェース６４としては、例えば、入力インターフェースとしてキーボードやマウスやタッチパネル、出力インターフェースとしてディスプレイやプリンタなどを用いることができる。また、通信インターフェース６５としては、例えば、インターネットやＬＡＮなどに接続するためのＬＡＮカードやモデムやルータなどを用いることができる。ここで、外部記憶装置６６には、テンプレートのマーク領域に埋め込まれたイオン注入層のイオン分布がマーク領域内で均一化されるようにステンシルマスクの形状を補正させるイオン分布補正プログラム６６Ａがインストールされている。そして、イオン分布補正プログラム６６Ａがプロセッサ６１にて実行されると、ステンシルマスクの補正データが算出される。
【００２８】
なお、プロセッサ６１に実行させるイオン分布補正プログラム６６Ａは、外部記憶装置６６に格納しておき、プログラムの実行時にＲＡＭ６３に読み込むようにしてもよいし、イオン分布補正プログラム６６ＡをＲＯＭ６２に予め格納しておくようにしてもよいし、通信インターフェース６５を介してイオン分布補正プログラム６６Ａを取得するようにしてもよい。また、イオン分布補正プログラム６６Ａは、スタンドアロンコンピュータに実行させてもよいし、クラウドコンピュータに実行させてもよい。
【００２９】
本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。
【符号の説明】
【００３０】
ＴＰ  テンプレート、１  基板、１Ａ、１Ｂ  凹部、２  イオン注入層、ＲＡ  デバイス領域、ＲＢ  マーク領域、ＳＭ  ステンシルマスク、ＳＭＡ、ＳＭＢ、ＳＭＣ、ＳＭＤ、ＳＭＥ、ＳＭＦ  開口部
【図１】
0006356620.tif 000002
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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