(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
真空槽の内部に配置され、処理対象物が接触して配置される絶縁板と、
前記絶縁板に配置され前記処理対象物と非接触で対面する第一電極と、
前記第一電極に接続され、電気導電性を有する第一電源配線と、
前記絶縁板上の前記処理対象物が、接地電位に電気的に接続された状態で、吸着電源によって、前記第一電源配線を介して、前記第一電極に吸着電圧が印加され、前記処理対象物と前記第一電極との間の容量が充電され、前記処理対象物が前記絶縁板に吸着される単極型の吸着装置であって、
前記第一電源配線に設けられ、閉状態になると前記第一電極と前記吸着電源とを電気的に接続させ、開状態になると前記第一電極と前記吸着電源との間の電気的接続を遮断させる第一開閉装置と、
第一信号配線によって前記第一電極に電気的に接続され、前記真空槽の外部に配置される第一被測定部と、
前記第一被測定部の電位を測定する第一電位測定装置と、
前記処理対象物を接地電位に接続された接地部材に電気的に接続すると共に、前記第一開閉装置を開状態にし、前記第一電極が電気的に浮遊した状態で、前記第一電位測定装置に前記第一被測定部の電位を測定させる制御装置を有する吸着装置。
【請求項２】
真空槽の内部に配置され、処理対象物が接触して配置される絶縁板と、
前記絶縁板に配置され前記処理対象物と非接触で対面する第一電極と第二電極と、
前記第一電極に接続され、電気導電性を有する第一電源配線と、
前記第二電極に接続され、電気導電性を有する第二電源配線と、
前記第一電源配線と前記第二電源配線を介し、吸着電源によって前記第一電極と前記第二電極との間に吸着電圧を印加して、前記絶縁板に配置された前記処理対象物と前記第一電極との間と、前記処理対象物と前記第二電極との間との容量を充電し、前記処理対象物を前記絶縁板に吸着させる双極型の吸着装置であって、
前記第一電源配線に設けられ、閉状態になると前記第一電極と前記吸着電源とを電気的に接続させ、開状態になると前記第一電極と前記吸着電源との間の電気的接続を遮断させる第一開閉装置と、
前記第一電極に第一信号配線によって電気的に接続され、前記真空槽の外部に配置される第一被測定部と、
前記第一被測定部の電位を測定する第一電位測定装置と、
前記処理対象物を接地電位に接続された接地部材に電気的に接続すると共に、前記第一開閉装置を開状態にし、前記第一電極が電気的に浮遊した状態で、前記第一電位測定装置に前記第一被測定部の電位を測定させる制御装置を有する吸着装置。
【請求項３】
前記第一被測定部の電位を測定する際には、前記制御装置によって、前記処理対象物が前記接地部材に接触される請求項１又は請求項２のいずれか１項記載の吸着装置。
【請求項４】
前記第一被測定部の電位を測定する際には、前記制御装置によって前記真空槽の真空雰囲気中に導電性を有する帯電ガスが含有され、前記処理対象物が前記帯電ガスによって前記接地部材に電気的に接続される請求項１又は請求項２のいずれか１項記載の吸着装置。
【請求項５】
前記帯電ガスを生成して前記処理対象物に接触させ、前記処理対象物を前記接地部材に電気的に接続する帯電ガス生成装置を有し、
前記帯電ガス生成装置は、前記制御装置の制御によって、前記帯電ガスを生成する請求項４記載の吸着装置。
【請求項６】
前記帯電ガス生成装置には、前記処理対象物を前記真空槽内で加工する加工装置が用いられる請求項５記載の吸着装置。
【請求項７】
前記制御装置は、前記第一電位測定装置が測定した測定結果に基づいて逆電圧を算出し、前記第一開閉装置を閉状態にして、前記吸着電源から前記第一電極に前記逆電圧を出力させ、前記第一電極を除電する請求項１乃至請求項６のいずれか１項記載の吸着装置。
【請求項８】
前記制御装置は、前記第一電位測定装置が測定した測定結果に基づいた大きさの電力でプラズマを生成して前記処理対象物に接触させて接地電位に接続させ、前記第一開閉装置を閉状態にして、前記第一電極を接地電位にして前記第一電極を除電する請求項１乃至請求項６のいずれか１項記載の吸着装置。
【請求項９】
前記第一電位測定装置は、前記第一被測定部の電位を検出し、検出した電位の大きさに応じた電位信号を生成する第一電位検出部と、
前記電位信号が入力され、前記電位信号が示す電位の値を求める第一測定装置本体と、
を有し、
前記第一電位検出部は、前記第一被測定部と非接触な状態で前記第一被測定部の電位を検出する請求項１乃至請求項８のいずれか１項記載の吸着装置。
【請求項１０】
前記第一電位測定装置は、前記第一被測定部の電位を検出し、検出した電位の大きさに応じた電位信号を生成する第一電位検出部と、
前記電位信号が入力され、前記電位信号が示す電位の値を求める第一測定装置本体と、
電流の流れを制限する電流制限装置と、
を有し、
前記第一電位検出部は、前記第一被測定部と前記電流制限装置を介して接触した状態で前記第一被測定部の電位を検出する請求項１乃至請求項８のいずれか１項記載の吸着装置。
【請求項１１】
前記第一信号配線の少なくとも一部が、前記第一電源配線にされた請求項１乃至請求項１０の吸着装置。
【請求項１２】
真空槽と、
前記真空槽の内部に配置され、処理対象物が接触して配置される絶縁板と、
前記絶縁板に配置され前記処理対象物と非接触で対面する第一電極と、
前記第一電極に接続され、電気導電性を有する第一電源配線と、
前記第一電源配線によって前記第一電極に接続された吸着電源と、
前記真空槽の内部を真空雰囲気にする真空排気装置と、
前記処理対象物を前記真空雰囲気中で加工をする加工装置と、
接地電位にされた接地部材と、
を有し、
前記吸着電源によって前記第一電極に吸着電圧を印加し、接地電位に電気的に接続された前記処理対象物を吸着して前記加工装置で加工する真空処理装置であって、
前記第一電源配線に設けられ、閉状態になると前記第一電極と前記吸着電源とを電気的に接続させ、開状態になると前記第一電極と前記吸着電源との間の電気的接続を遮断させる第一開閉装置と、
前記第一電極に第一信号配線によって電気的に接続され、前記真空槽の外部に配置された第一被測定部と、
前記第一被測定部の電位を測定する第一電位測定装置と、
前記処理対象物を前記接地部材に電気的に接続すると共に、前記第一開閉装置が開状態にされた状態で、前記第一電位測定装置に前記第一被測定部の電位を測定させる制御装置と、
を有する真空処理装置。
【請求項１３】
真空槽と、
前記真空槽の内部に配置され、処理対象物が接触して配置される絶縁板と、
前記絶縁板に配置され前記処理対象物と非接触で対面する第一電極と第二電極と、
前記第一電極に接続され、電気導電性を有する第一電源配線と、
前記第一電源配線によって前記第一電極に接続された吸着電源と、
前記真空槽の内部を真空雰囲気にする真空排気装置と、
前記処理対象物を前記真空雰囲気中で加工をする加工装置と、
を有し、
前記吸着電源によって前記第一電極と前記第二電極との間に吸着電圧を印加し、前記絶縁板に配置された前記処理対象物を吸着して前記加工装置で加工する真空処理装置であって、
前記第一電源配線に設けられ、閉状態になると前記第一電極と前記吸着電源とを電気的に接続させ、開状態になると前記第一電極と前記吸着電源との間の電気的接続を遮断させる第一開閉装置と、
前記第一電極に第一信号配線によって電気的に接続され、前記真空槽の外部に配置された第一被測定部と、
前記第一被測定部の電位を測定する第一電位測定装置と、
前記処理対象物を接地電位に接続された接地部材に電気的に接続すると共に、前記第一開閉装置が開状態にされた状態で、前記第一電位測定装置に前記第一被測定部の電位を測定させる制御装置と、
を有する真空処理装置。
【請求項１４】
前記第一被測定部の電位を測定する際には、前記制御装置によって、前記処理対象物が前記接地部材に接触される請求項１２又は請求項１３のいずれか１項記載の真空処理装置。
【請求項１５】
前記第一被測定部の電位を測定する際には、前記制御装置によって前記真空槽の真空雰囲気中に導電性を有する帯電ガスが含有され、前記処理対象物が前記帯電ガスによって前記接地部材に電気的に接続される請求項１２又は請求項１３のいずれか１項記載の真空処理装置。
【請求項１６】
前記帯電ガスを生成して前記処理対象物に接触させ、前記処理対象物を前記接地部材に接続する帯電ガス生成装置を有し、
前記帯電ガス生成装置は、前記制御装置の制御によって、前記帯電ガスを生成する請求項１５記載の真空処理装置。
【請求項１７】
前記帯電ガス生成装置には、前記加工装置が用いられる請求項１６記載の真空処理装置。
【請求項１８】
前記制御装置は、前記第一電位測定装置が測定した測定結果に基づいて逆電圧を算出し、前記第一開閉装置を閉状態にして、前記吸着電源から前記逆電圧を前記第一電極に出力させて前記第一電極を除電する請求項１２乃至請求項１７のいずれか１項記載の真空処理装置。
【請求項１９】
前記制御装置は、前記第一電位測定装置が測定した測定結果に基づいた大きさの電力でプラズマを生成して前記処理対象物に接触させて接地電位に接続させ、前記第一開閉装置を閉状態にして、前記第一電極を接地電位にして前記第一電極を除電する請求項１２乃至請求項１７のいずれか１項記載の真空処理装置。
【請求項２０】
前記第一電位測定装置は、前記第一被測定部の電位を検出し、検出した電位の大きさに応じた電位信号を生成する第一電位検出部と、
前記電位信号が入力され、前記電位信号が示す電位の値を求める測定装置本体と、
を有し、
前記第一電位検出部は、前記第一被測定部と非接触な状態で前記第一被測定部の電位を検出する請求項１２乃至請求項１９のいずれか１項記載の真空処理装置。
【請求項２１】
前記第一電位測定装置は、前記第一被測定部の電位を検出し、検出した電位の大きさに応じた電位信号を生成する第一電位検出部と、
前記電位信号が入力され、前記電位信号が示す電位の値を求める測定装置本体と、
電流の流れを制限する電流制限装置と、
を有し、
前記第一電位検出部は、前記第一被測定部と前記電流制限装置を介して接触した状態で前記第一被測定部の電位を検出する請求項１２乃至請求項１９のいずれか１項記載の真空処理装置。
【請求項２２】
前記第一信号配線の少なくとも一部が、前記第一電源配線にされた請求項１２乃至請求項２１のいずれか１項記載の真空処理装置。
【請求項２３】
真空槽内に真空雰囲気を形成する真空雰囲気形成工程と、
前記真空槽内に配置された絶縁板に処理対象物を配置する配置工程と、
前記絶縁板に配置され前記処理対象物と非接触で対面する第一電極を吸着電源に接続し、前記吸着電源から前記第一電極に吸着電圧を印加し、前記絶縁板に配置され、接地電位に電気的に接続された前記処理対象物を前記絶縁板に吸着しながら、前記処理対象物を加工する真空処理工程と、
を有する真空処理方法であって、
前記真空雰囲気中に導電性を有する帯電ガスを含有させ、
前記処理対象物を接地電位に接続された接地部材に電気的に接続する接地工程と、
前記第一電極を前記吸着電源から電気的に切り離して前記第一電極を電気的に浮遊させ、第一信号配線によって前記第一電極に接続され、前記真空槽の外部に配置された第一被測定部の電位を測定する測定工程と、を有する真空処理方法。
【請求項２４】
真空槽内に真空雰囲気を形成する真空雰囲気形成工程と、
前記真空槽内に配置された絶縁板に処理対象物を配置する配置工程と、
前記絶縁板に配置され前記処理対象物と非接触で対面する第一電極と第二電極とを吸着電源に接続し、前記吸着電源から前記第一電極と前記第二電極との間に吸着電圧を印加し、前記絶縁板に配置された前記処理対象物を前記絶縁板に吸着しながら、前記処理対象物を加工する真空処理工程と、
を有する真空処理方法であって、
前記真空雰囲気中に導電性を有する帯電ガスを含有させ、前記処理対象物を接地電位に接続された接地部材に電気的に接続する接地工程と、
前記第一電極を前記吸着電源から電気的に切り離し、第一信号配線によって前記第一電極に電気的に接続され、前記真空槽の外部に配置された第一被測定部の電位を測定する測定工程と、を有する真空処理方法。
【請求項２５】
前記第一被測定部の電位を測定する際には、前記処理対象物が前記接地部材に接触される請求項２３又は請求項２４のいずれか１項記載の真空処理方法。
【請求項２６】
前記真空処理工程では、前記真空雰囲気中に、導電性を有する帯電した加工ガスを含有させ、
前記加工ガスを、前記処理対象物と前記接地部材とに接触させて、前記処理対象物を前記接地部材に電気的に接続させる請求項２３又は請求項２４のいずれか１項記載の真空処理方法。
【請求項２７】
前記帯電ガスには、帯電した前記加工ガスを用いる請求項２６記載の真空処理方法。
【請求項２８】
前記測定工程の測定結果に基づいて逆電圧を算出し、前記第一電極を前記吸着電源に電気的に接続させて、前記吸着電源から前記逆電圧を前記第一電極に出力させる請求項２３乃至請求項２７のいずれか１項記載の真空処理方法。
【請求項２９】
第一被測定部の電位の測定結果に基づいた大きさの電力でプラズマを生成して前記処理対象物に接触させ、前記第一電極を接地電位に接続して前記第一電極を除電する請求項２３乃至請求項２７のいずれか１項記載の真空処理方法。
【請求項３０】
前記測定工程では、第一電位測定装置によって前記第一被測定部の電位を測定する請求項２３乃至請求項２９のいずれか１項記載の真空処理方法であって、
前記第一電位測定装置に接続され、前記第一被測定部の電位を検出する第一電位検出部を、前記第一被測定部と非接触の状態にして、前記第一電位測定装置によって、前記第一被測定部の電位を測定する真空処理方法。
【請求項３１】
前記測定工程では、第一電位測定装置によって前記第一被測定部の電位を測定する請求項２３乃至請求項２９のいずれか１項記載の真空処理方法であって、
前記第一電位測定装置に接続され、前記第一被測定部の電位を検出する第一電位検出部を、電流の流れを制限する電流制限装置を介して前記第一被測定部に接続し、前記第一電位測定装置によって、前記第一被測定部の電位を測定する真空処理方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、処理対象物の残留電荷を測定する技術、処理対象物の残留電荷を消滅させる技術に関する。
【背景技術】
【０００２】
図７Ａの符号１１１は、従来技術の真空処理装置であり、真空槽１２０を有している。真空槽１２０の内部には、吸着板１２１が配置されており、吸着板１２１の上方には、カソード電極１３３に取り付けられたターゲット１３４が配置されている。
真空槽１２０に、真空排気装置１３１が設けられており、真空排気装置１３１を動作させると、真空槽１２０の内部が真空排気され、真空槽１２０の内部に真空雰囲気が形成される。
【０００３】
また、真空槽１２０には、搬入口１７４ａと搬出口１７４ｂとが設けられており、搬入口１７４ａから真空槽１２０の内部に基板を搬入し、真空槽１２０の内部に搬入された基板を、搬出口１７４ｂから真空槽１２０の外部に搬出できるようにされている。
【０００４】
吸着板１２１には、複数の貫通孔１３６が設けられており、各貫通孔１３６には、ピン１４０がそれぞれ挿通されている。
各ピン１４０は、昇降装置１７５に接続され、昇降移動できるようにされている。
基板搬送ロボットのハンドに乗せ、搬入口１７４ａから搬入した基板は、ピン１４０を上昇させてピン１４０に移載させ、ピン１４０を降下させて基板を吸着板１２１上に載置する。
【０００５】
図７Ｂの符号１２３は、吸着板１２１上に載置された基板を示している。
ガス導入装置１３２からスパッタリングガスを真空槽１２０の内部に導入し、スパッタ電源１３５によってカソード電極１３３にスパッタ電圧を印加すると、ターゲット１３４の表面近傍にプラズマが形成され、ターゲット１３４がスパッタリングされ、基板１２３の表面に薄膜が成長する。
【０００６】
このとき、プラズマによって、基板１２３は接地電位の真空槽１２０に電気的に接続されており、吸着電源１２４から、吸着板１２１の内部に配置された電極１０２に吸着電圧を印加して、基板１２３と電極１０２との間に形成されるコンデンサを充電すると、基板１２３は静電吸着力によって吸着板１２１上に静電吸着され、基板１２３と吸着板１２１との間の熱伝達率が向上する。
【０００７】
吸着板１２１は、温度調整装置１３８上に配置されており、温度調整装置１３８によって、基板１２３の温度制御が容易になる。
薄膜が所定膜厚に成長すると、スパッタリングによる真空処理は終了し基板１２３は、真空槽１２０の外部に搬出され、別の未処理の基板が真空槽１２０内に搬入され、スパッタリングが開始される。
【０００８】
上記のような、 吸着板１２１を使用した真空処理方法において、真空処理が終了した基板１２３を真空槽１２０の外部に搬出するために基板１２３を吸着板１２１から剥離させる際に、電極１０２に印加した吸着電圧を遮断しても、電極１０２と基板１２３とで形成されるコンデンサには残留電荷があり、基板１２３は吸着板１２１に吸着されたままである。
【０００９】
図７Ｃは、ピン１４０を上昇させてピン１４０の上端を基板１２３の裏面に接触させた状態であり、残留電荷がある状態で、図７Ｃのピン１４０を更に上昇させて、吸着板１２１上から基板１２３を持ち上げようとすると、残留吸着力によって、基板１２３が割れてしまったり、基板１２３を持ち上げたときに、ピン１４０上で位置がずれたり、また、ピン１４０上から基板１２３が脱落する等の問題が起こる(図７Ｄ)。
【００１０】
残留電荷を直接測定しようとしても、残留電荷によって形成される電気力線は、吸着板１２１と基板１２３との間の微少空間に形成されるため、直接測定することが困難である。基板搬送ロボットのアーム等にセンサを設け、吸着板１２１から持ち上げた基板１２３を真空槽１２０の外部に搬出するときに、基板１２３の帯電量を測定し、次の基板を持ち上げる際に、測定結果から求めた大きさの逆電圧を印加する技術がある。
【００１１】
また、真空処理が終了した基板１２３を吸着板１２１上から剥離させて持ち上げたときに、電極１０２に流れる電流を測定し、測定結果から逆電圧の大きさを求め、次に真空処理をした基板に対し、直前に真空処理をした基板１２３の測定結果から求めた大きさの逆電圧を印加した後、持ち上げる技術がある。
【００１２】
しかし、プロセス条件の相違、プロセスの変化、基板の反り状態の相違、基板表面の相違などによって、残留電荷は基板毎に異なる大きさであるから、持ち上げようとする基板ではなく、別の基板１２３で求めた大きさの逆電圧を、持ち上げようとする基板に印加することになるから、残留電荷を小さくすることはできても、消滅させることはできない。
【００１３】
なお、アームにセンサを設ける場合は、吸着板１２１が求められる真空処理は、ＰＶＤ，ＣＶＤ，エッチング等、いろいろな種類があり、センサが置かれる雰囲気が異なるから、汎用的な吸着装置を提供することが困難である。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１４】
【特許文献１】特許第４２２６１０１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１５】
本発明は、上記従来技術の問題を解決するために創作されたものであり、剥離させようとする基板に対応した逆電圧の大きさを求め、基板を安全に剥離させることができる技術を提供する。
【課題を解決するための手段】
【００１６】
上記課題を解決するため本発明は、真空槽の内部に配置され、処理対象物が接触して配置される絶縁板と、前記絶縁板に配置され前記処理対象物と非接触で対面する第一電極と、前記第一電極に接続され、電気導電性を有する第一電源配線と、前記絶縁板上の前記処理対象物が、接地電位に電気的に接続された状態で、吸着電源によって、前記第一電源配線を介して、前記第一電極に吸着電圧が印加され、前記処理対象物と前記第一電極との間の容量が充電され、前記処理対象物が前記絶縁板に吸着される単極型の吸着装置であって、前記第一電源配線に設けられ、閉状態になると前記第一電極と前記吸着電源とを電気的に接続させ、開状態になると前記第一電極と前記吸着電源との間の電気的接続を遮断させる第一開閉装置と、第一信号配線によって前記第一電極に電気的に接続され、前記真空槽の外部に配置される第一被測定部と、前記第一被測定部の電位を測定する第一電位測定装置と、前記処理対象物を接地電位に接続された接地部材に電気的に接続すると共に、前記第一開閉装置を開状態にし、前記第一電極が電気的に浮遊した状態で、前記第一電位測定装置に前記第一被測定部の電位を測定させる制御装置を有する吸着装置である。
本発明は、真空槽の内部に配置され、処理対象物が接触して配置される絶縁板と、前記絶縁板に配置され前記処理対象物と非接触で対面する第一電極と第二電極と、前記第一電極に接続され、電気導電性を有する第一電源配線と、前記第二電極に接続され、電気導電性を有する第二電源配線と、前記第一電源配線と前記第二電源配線を介し、吸着電源によって前記第一電極と前記第二電極との間に吸着電圧を印加して、前記絶縁板に配置された前記処理対象物と前記第一電極との間と、前記処理対象物と前記第二電極との間との容量を充電し、前記処理対象物を前記絶縁板に吸着させる双極型の吸着装置であって、前記第一電源配線に設けられ、閉状態になると前記第一電極と前記吸着電源とを電気的に接続させ、開状態になると前記第一電極と前記吸着電源との間の電気的接続を遮断させる第一開閉装置と、前記第一電極に第一信号配線によって電気的に接続され、前記真空槽の外部に配置される第一被測定部と、前記第一被測定部の電位を測定する第一電位測定装置と、前記処理対象物を接地電位に接続された接地部材に電気的に接続すると共に、前記第一開閉装置を開状態にし、前記第一電極が電気的に浮遊した状態で、前記第一電位測定装置に前記第一被測定部の電位を測定させる制御装置を有する吸着装置である。
本発明は、前記第一被測定部の電位を測定する際には、前記制御装置によって、前記処理対象物が前記接地部材に接触される吸着装置である。
本発明は、前記第一被測定部の電位を測定する際には、前記制御装置によって前記真空槽の真空雰囲気中に導電性を有する帯電ガスが含有され、前記処理対象物が前記帯電ガスによって前記接地部材に電気的に接続される吸着装置である。
本発明は、前記帯電ガスを生成して前記処理対象物に接触させ、前記処理対象物を前記接地部材に電気的に接続する帯電ガス生成装置を有し、前記帯電ガス生成装置は、前記制御装置の制御によって、前記帯電ガスを生成する吸着装置である。
本発明は、前記帯電ガス生成装置には、前記処理対象物を前記真空槽内で加工する加工装置が用いられる吸着装置である。
本発明は、前記制御装置は、前記第一電位測定装置が測定した測定結果に基づいて逆電圧を算出し、前記第一開閉装置を閉状態にして、前記吸着電源から前記第一電極に前記逆電圧を出力させ、前記第一電極を除電する吸着装置である。
本発明は、前記制御装置は、前記第一電位測定装置が測定した測定結果に基づいた大きさの電力でプラズマを生成して前記処理対象物に接触させて接地電位に接続させ、前記第一開閉装置を閉状態にして、前記第一電極を接地電位にして前記第一電極を除電する吸着装置である。
本発明は、前記第一電位測定装置は、前記第一被測定部の電位を検出し、検出した電位の大きさに応じた電位信号を生成する第一電位検出部と、前記電位信号が入力され、前記電位信号が示す電位の値を求める第一測定装置本体と、を有し、前記第一電位検出部は、前記第一被測定部と非接触な状態で前記第一被測定部の電位を検出する吸着装置である。
本発明は、前記第一電位測定装置は、前記第一被測定部の電位を検出し、検出した電位の大きさに応じた電位信号を生成する第一電位検出部と、前記電位信号が入力され、前記電位信号が示す電位の値を求める第一測定装置本体と、電流の流れを制限する電流制限装置と、を有し、前記第一電位検出部は、前記第一被測定部と前記電流制限装置を介して接触した状態で前記第一被測定部の電位を検出する吸着装置である。
本発明は、前記第一信号配線の少なくとも一部が、前記第一電源配線にされた吸着装置である。
本発明は、真空槽と、前記真空槽の内部に配置され、処理対象物が接触して配置される絶縁板と、前記絶縁板に配置され前記処理対象物と非接触で対面する第一電極と、前記第一電極に接続され、電気導電性を有する第一電源配線と、前記第一電源配線によって前記第一電極に接続された吸着電源と、前記真空槽の内部を真空雰囲気にする真空排気装置と、前記処理対象物を前記真空雰囲気中で加工をする加工装置と、接地電位にされた接地部材と、を有し、前記吸着電源によって前記第一電極に吸着電圧を印加し、接地電位に電気的に接続された前記処理対象物を吸着して前記加工装置で加工する真空処理装置であって、前記第一電源配線に設けられ、閉状態になると前記第一電極と前記吸着電源とを電気的に接続させ、開状態になると前記第一電極と前記吸着電源との間の電気的接続を遮断させる第一開閉装置と、前記第一電極に第一信号配線によって電気的に接続され、前記真空槽の外部に配置された第一被測定部と、前記第一被測定部の電位を測定する第一電位測定装置と、前記処理対象物を前記接地部材に電気的に接続すると共に、前記第一開閉装置が開状態にされた状態で、前記第一電位測定装置に前記第一被測定部の電位を測定させる制御装置と、を有する真空処理装置である。
本発明は、真空槽と、前記真空槽の内部に配置され、処理対象物が接触して配置される絶縁板と、前記絶縁板に配置され前記処理対象物と非接触で対面する第一電極と第二電極と、前記第一電極に接続され、電気導電性を有する第一電源配線と、前記第一電源配線によって前記第一電極に接続された吸着電源と、前記真空槽の内部を真空雰囲気にする真空排気装置と、前記処理対象物を前記真空雰囲気中で加工をする加工装置と、を有し、前記吸着電源によって前記第一電極と前記第二電極との間に吸着電圧を印加し、前記絶縁板に配置された前記処理対象物を吸着して前記加工装置で加工する真空処理装置であって、前記第一電源配線に設けられ、閉状態になると前記第一電極と前記吸着電源とを電気的に接続させ、開状態になると前記第一電極と前記吸着電源との間の電気的接続を遮断させる第一開閉装置と、前記第一電極に第一信号配線によって電気的に接続され、前記真空槽の外部に配置された第一被測定部と、前記第一被測定部の電位を測定する第一電位測定装置と、前記処理対象物を接地電位に接続された接地部材に電気的に接続すると共に、前記第一開閉装置が開状態にされた状態で、前記第一電位測定装置に前記第一被測定部の電位を測定させる制御装置と、を有する真空処理装置である。
本発明は、前記第一被測定部の電位を測定する際には、前記制御装置によって、前記処理対象物が前記接地部材に接触される真空処理装置である。
本発明は、前記第一被測定部の電位を測定する際には、前記制御装置によって前記真空槽の真空雰囲気中に導電性を有する帯電ガスが含有され、前記処理対象物が前記帯電ガスによって前記接地部材に電気的に接続される真空処理装置である。
本発明は、前記帯電ガスを生成して前記処理対象物に接触させ、前記処理対象物を前記接地部材に接続する帯電ガス生成装置を有し、前記帯電ガス生成装置は、前記制御装置の制御によって、前記帯電ガスを生成する真空処理装置である。
本発明は、前記帯電ガス生成装置には、前記加工装置が用いられる真空処理装置である。
本発明は、前記制御装置は、前記第一電位測定装置が測定した測定結果に基づいて逆電圧を算出し、前記第一開閉装置を閉状態にして、前記吸着電源から前記逆電圧を前記第一電極に出力させて前記第一電極を除電する真空処理装置である。
本発明は、前記制御装置は、前記第一電位測定装置が測定した測定結果に基づいた大きさの電力でプラズマを生成して前記処理対象物に接触させて接地電位に接続させ、前記第一開閉装置を閉状態にして、前記第一電極を接地電位にして前記第一電極を除電する真空処理装置である。
本発明は、前記第一電位測定装置は、前記第一被測定部の電位を検出し、検出した電位の大きさに応じた電位信号を生成する第一電位検出部と、前記電位信号が入力され、前記電位信号が示す電位の値を求める測定装置本体と、を有し、前記第一電位検出部は、前記第一被測定部と非接触な状態で前記第一被測定部の電位を検出する真空処理装置である。
本発明は、前記第一電位測定装置は、前記第一被測定部の電位を検出し、検出した電位の大きさに応じた電位信号を生成する第一電位検出部と、前記電位信号が入力され、前記電位信号が示す電位の値を求める測定装置本体と、電流の流れを制限する電流制限装置と、を有し、前記第一電位検出部は、前記第一被測定部と前記電流制限装置を介して接触した状態で前記第一被測定部の電位を検出する真空処理装置である。
本発明は、前記第一信号配線の少なくとも一部が、前記第一電源配線にされた真空処理装置である。
本発明は、真空槽内に真空雰囲気を形成する真空雰囲気形成工程と、前記真空槽内に配置された絶縁板に処理対象物を配置する配置工程と、前記絶縁板に配置され前記処理対象物と非接触で対面する第一電極を吸着電源に接続し、前記吸着電源から前記第一電極に吸着電圧を印加し、前記絶縁板に配置され、接地電位に電気的に接続された前記処理対象物を前記絶縁板に吸着しながら、前記処理対象物を加工する真空処理工程と、を有する真空処理方法であって、前記真空雰囲気中に導電性を有する帯電ガスを含有させ、前記処理対象物を接地電位に接続された接地部材に電気的に接続する接地工程と、前記第一電極を前記吸着電源から電気的に切り離して前記第一電極を電気的に浮遊させ、第一信号配線によって前記第一電極に接続され、前記真空槽の外部に配置された第一被測定部の電位を測定する測定工程と、を有する真空処理方法である。
本発明は、真空槽内に真空雰囲気を形成する真空雰囲気形成工程と、前記真空槽内に配置された絶縁板に処理対象物を配置する配置工程と、前記絶縁板に配置され前記処理対象物と非接触で対面する第一電極と第二電極とを吸着電源に接続し、前記吸着電源から前記第一電極と前記第二電極との間に吸着電圧を印加し、前記絶縁板に配置された前記処理対象物を前記絶縁板に吸着しながら、前記処理対象物を加工する真空処理工程と、を有する真空処理方法であって、前記真空雰囲気中に導電性を有する帯電ガスを含有させ、前記処理対象物を接地電位に接続された接地部材に電気的に接続する接地工程と、前記第一電極を前記吸着電源から電気的に切り離し、第一信号配線によって前記第一電極に電気的に接続され、前記真空槽の外部に配置された第一被測定部の電位を測定する測定工程と、を有する真空処理方法である。
本発明は、前記第一被測定部の電位を測定する際には、前記処理対象物が前記接地部材に接触される真空処理方法である。
本発明は、前記真空処理工程では、前記真空雰囲気中に、導電性を有する帯電した加工ガスを含有させ、前記加工ガスを、前記処理対象物と前記接地部材とに接触させて、前記処理対象物を前記接地部材に電気的に接続させる真空処理方法である。
本発明は、前記帯電ガスには、帯電した前記加工ガスを用いる真空処理方法である。
本発明は、前記測定工程の測定結果に基づいて逆電圧を算出し、前記第一電極を前記吸着電源に電気的に接続させて、前記吸着電源から前記逆電圧を前記第一電極に出力させる真空処理方法である。
本発明は、第一被測定部の電位の測定結果に基づいた大きさの電力でプラズマを生成して前記処理対象物に接触させ、前記第一電極を接地電位に接続して前記第一電極を除電する真空処理方法である。
本発明は、前記測定工程では、第一電位測定装置によって前記第一被測定部の電位を測定する真空処理方法であって、前記第一電位測定装置に接続され、前記第一被測定部の電位を検出する第一電位検出部を、前記第一被測定部と非接触の状態にして、前記第一電位測定装置によって、前記第一被測定部の電位を測定する真空処理方法である。
本発明は、前記測定工程では、第一電位測定装置によって前記第一被測定部の電位を測定する真空処理方法であって、前記第一電位測定装置に接続され、前記第一被測定部の電位を検出する第一電位検出部を、電流の流れを制限する電流制限装置を介して前記第一被測定部に接続し、前記第一電位測定装置によって、前記第一被測定部の電位を測定する真空処理方法である。
【００１７】
本発明は上記のように構成されており、吸着板に内蔵された電極と処理対象物の間のコンデンサの容量をＣとし、処理対象物を接地させたときの残留電荷による電極の電圧をＶとすると、電極と処理対象物の間の残留電荷Ｑは、下記式(１)で表すことができる。
Ｑ ＝ Ｃ・Ｖ……(１)
電極と処理対象物との間の距離をｄとし、比例定数をｋとすると、残留電荷Ｑによる残留吸着力Ｆは、下記(２)式で表すことができる。
Ｆ＝ｋ・Ｑ2／ｄ2……(２)
電圧Ｖを測定すれば残留電荷Ｑや残留吸着力Ｆを求めることができる。また残留電荷Ｑを消滅させるために電極に印加する逆電圧も、測定した残留電荷Ｑと対応して予め測定や計算などによって求めておき、測定した電圧Ｖと、予め求めた残留電荷Ｑと逆電圧の対応とから、印加すべき逆電圧を求めることができる。
【発明の効果】
【００１８】
吸着板から剥離させようとする処理対象物の残留電荷を剥離前に測定することができる。
処理対象物に、最適な値の逆電圧を求めることができ、処理対象物の残留電荷を小さくすることができる。
剥離前に測定できるから、逆電圧を印加した後の残留電荷を測定することができ、逆電圧を印加した後の測定結果に基づいて求めた逆電圧を印加することで、残留電荷を一層小さくすることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１９】
【図１Ａ】第一例の真空処理装置を説明するための図
【図１Ｂ】単極型の第一電極に形成された貫通孔の位置を示すための図
【図１Ｃ】第一例の真空処理装置の吸着板に処理対象物が配置された状態を示すための図
【図２Ａ】第二例の真空処理装置を説明するための図
【図２Ｂ】双極型の第一、第二電極に形成された貫通孔の位置を示すための図
【図２Ｃ】第二例の真空処理装置の吸着板に処理対象物が配置された状態を示すための図
【図３Ａ】第三例の真空処理装置を説明するための図
【図３Ｂ】第三例の真空処理装置の吸着板に処理対象物が配置された状態を示すための図
【図４Ａ】第四例の真空処理装置を説明するための図
【図４Ｂ】第四例の真空処理装置の吸着板に処理対象物が配置された状態を示すための図
【図５Ａ】第五例の真空処理装置を説明するための図
【図５Ｂ】第五例の真空処理装置の吸着板に処理対象物が配置された状態を示すための図
【図５Ｃ】第五例の変形例である第六例の真空処理装置を説明するための図
【図６Ａ】単極型の吸着装置の等価回路
【図６Ｂ】双極型の吸着装置の等価回路
【図６Ｃ】単極型の別例の吸着装置の等価回路
【図６Ｄ】単極型の他の別例の吸着装置の等価回路
【図７Ａ】従来技術の真空処理装置を説明するための図
【図７Ｂ】基板を吸着板上に載置した状態を示す図
【図７Ｃ】ピンを基板裏面に接触させた状態を示す図
【図７Ｄ】ピン上から脱落した基板を示す図
【発明を実施するための形態】
【００２０】
＜真空処理装置＞
図１Ａ、図２Ａ、図３Ａ、図４Ａ、図５Ａ、図５Ｃには、本発明の第一例〜第六例の真空処理装置１１〜１６がそれぞれ示されている。
各真空処理装置１１〜１６は、真空槽２０と、吸着装置８又は９と、加工装置１８とを有している。
第一例〜第六例の真空処理装置１１〜１６の各吸着装置８又は９は、表面が絶縁性である吸着板２１又は２２を有している。
【００２１】
図１Ｃ、図２Ｃ、図３Ｂ、図４Ｂ、図５Ｂ、図５Ｃは、吸着板２１又は２２上に処理対象物２３が乗せられた状態を示している。
吸着板２１，２２は、絶縁体が板状に成形された絶縁板２７を有している。
【００２２】
第一例の真空処理装置１１の吸着板２１は単極型であり、絶縁板２７の内部に第一電極２が配置されており、第二例〜第六例の真空処理装置１２〜１６の吸着板２２は双極型であり、絶縁板２７の内部に第一電極２ａと第二電極２ｂとが配置されている。
【００２３】
吸着板２１，２２に配置された処理対象物２３は、絶縁板２７と接触しており、第一電極２，２ａは、絶縁板２７の一部又は全部を間に挟んで、処理対象物２３の片面と非接触で対面するように配置されており、第二電極２ｂも、絶縁板２７の一部又は全部を間に挟んで、第一電極２ａが対面する処理対象物２３と同じ面に非接触で対面するようにされている。
【００２４】
真空槽２０の底面には、台７３が配置されており、台７３上には温度調整装置３８が配置されている。吸着板２１，２２は、温度調整装置３８上に温度調整装置３８と接触して配置されている。
【００２５】
第一電極２，２ａには、被覆された金属配線である第一電源配線１０，１０ａが接続され、その第一電源配線１０，１０ａは、真空槽２０の壁面(ここでは底壁面)に設けられた端子２８，２８ａを介して、真空槽２０の外部に導出されており、第一電源配線１０，１０ａのうち、真空槽２０の外部に導出された部分は、第一開閉装置７又は７ａを介して、吸着電源２４又は２５に接続されている。
【００２６】
同様に、第二電極２ｂには、被覆された金属配線である第二電源配線１０ｂが接続され、その第二電源配線１０ｂは、真空槽２０の壁面(ここでは底壁面)に設けられた端子２８ｂを介して、真空槽２０の外部に導出されており、真空槽２０の外部に導出された部分は、第二開閉装置７ｂを介して、吸着電源２５に接続されている。
【００２７】
第一開閉装置７，７ａと第二開閉装置７ｂとは二端子のスイッチ装置であり、二端子間の電気的接続を遮断させる開状態と、二端子間を電気的に接続する閉状態とを切り替えられるようになっている。
【００２８】
第一電源配線１０，１０ａにより、第一開閉装置７，７ａの一方の端子は第一電極２，２ａに電気的に接続され、他方の端子は吸着電源２４又は２５に電気的に接続されており、第一電極２，２ａと吸着電源２４，２５とは、第一開閉装置７，７ａが閉状態のときは電気的に接続され、開状態のときは電気的に遮断される。
【００２９】
同様に、第二電源配線１０ｂにより、第二開閉装置７ｂの一方の端子は第二電極２ｂに接続され、他方の端子は吸着電源２５に接続されており、第二電極２ｂと吸着電源２５とは、第二開閉装置７ｂが閉状態のときは電気的に接続され、開状態のときは電気的に遮断される。
【００３０】
吸着電源２４，２５が出力した電圧は、第一開閉装置７，７ａが閉状態のときに第一電極２，２ａに印加される。また、吸着電源２５が出力した電圧は、第二開閉装置７ｂが閉状態のときに、第二電極２ｂに印加される。
【００３１】
双極型の吸着装置９に接続された吸着電源２５は、第一、第二開閉装置７ａ，７ｂが閉状態のときには、第一電極２ａと第二電極２ｂのうち、いずれか一方又は両方に電圧を印加することができ、両方に印加するときには、同じ値の電圧や異なる値の電圧(異なる極性の電圧を含む)を印加できるようにされている。
【００３２】
単極型の吸着板２１に配置された処理対象物２３と第一電極２とは互いに平行であり、双極型の吸着板２２に配置された処理対象物２３と第一、第二電極２ａ，２ｂとはそれぞれ平板である。
【００３３】
処理対象物２３と第一電極２，２ａの間と、処理対象物２３と第二電極２ｂとの間には、絶縁板２７を構成する絶縁体が配置されており、従って、処理対象物２３と第一電極２，２ａの間には第一コンデンサが形成され、処理対象物２３と第二電極２ｂの間には第二コンデンサがそれぞれ形成される。
双極型の吸着板２２に処理対象物２３を配置したときの第一、第二のコンデンサは直列接続されている。
【００３４】
＜配置手順＞
次に、処理対象物２３を吸着板２１，２２に配置する手順を説明する。
真空槽２０には、搬入口７４ａと搬出口７４ｂとが設けられており、また、真空槽２０には、真空排気装置３１が設けられている。
搬入口７４ａと搬出口７４ｂとを閉じ、真空槽２０の内部を、真空排気装置３１によって真空排気し、真空雰囲気にする。真空排気装置３１は、継続して真空槽２０の内部を真空排気するものとする。
【００３５】
真空槽２０で行う真空処理の前処理側には前段槽３０ａが配置され、後処理側には後段槽３０ｂが配置されており、前段槽３０ａと後段槽３０ｂとは、それぞれ真空雰囲気にされている。
搬入口７４ａを開けると、真空槽２０の内部は前段槽３０ａの内部と接続され、また、搬出口７４ｂを開けると、真空槽２０の内部は後段槽３０ｂの内部と接続されるように構成されている。
【００３６】
真空槽２０の内部で真空処理を行う際には、先ず、真空槽２０の内部の真空雰囲気を維持しながら搬入口７４ａを開け、前段槽３０ａの内部に位置する処理対象物(ここでは半導体基板や、金属薄膜が形成されたガラス基板などの基板である。)を真空槽２０の内部に搬入する。
【００３７】
真空槽２０の外部には、昇降装置７５が配置されており、昇降装置７５には、上端が真空槽２０の内部に配置された昇降部材７６が取り付けられている。
吸着板２１，２２と温度調整装置３８とには、複数個の貫通孔３６が設けられており、各貫通孔３６には、下端が昇降部材７６に固定されたピン４０がそれぞれ挿通されている。
図１Ｂは、単極型の第一電極２に形成された貫通孔３６の位置を示しており、図２Ｂは、双極型の第一、第二電極２ａ，２ｂに形成された貫通孔３６の位置を示している。
【００３８】
昇降装置７５が動作すると、昇降部材７６が昇降移動し、それに伴って、ピン４０も昇降移動する。符号７２は、昇降部材７６が昇降移動する台７３内部の空間を示している。符号７９はベロースであり、真空槽２０の内部の雰囲気は、ベロースによって維持される。
昇降装置７５によって、各ピン４０を上昇させ、上端を吸着板２１，２２の表面より上方に位置させ、真空槽２０の内部に搬入された処理対象物２３をピン４０上に乗せる。
【００３９】
次いで、ピン４０を降下させ、上端を吸着板２１，２２の表面より下方に位置させると、ピン４０上の処理対象物２３は吸着板２１，２２上に乗る。図１Ｃ、図２Ｃ、図３Ｂ、図４Ｂ、図５Ｂは、その状態を示している。搬入口７４ａは閉じる。
【００４０】
＜吸着手順＞
次に、処理対象物２３の真空処理手順について説明する。
加工装置１８は、加工ガス導入装置３２を有しており、加工装置１８により、真空槽２０の真空雰囲気中に、プラズマ状の加工ガスや、イオン化した加工ガス等の、帯電した加工ガスを含有させることができるようにされている。加工ガス導入装置３２から、帯電した加工ガスを真空槽２０の真空雰囲気に導入してもよいし、加工装置１８が、加工ガス導入装置３２から真空槽２０の真空雰囲気に導入した加工ガスを、帯電させるようにしてもよい。
【００４１】
真空槽２０は接地電位に接続されており、真空槽２０の内部には、真空槽２０の内部に位置し、真空槽２０と同じ接地電位に接続された接地部材が露出されている。ここでは、真空槽２０の内壁面が真空雰囲気に露出され、符号４９の接地部材として用いられている。
【００４２】
単極型の吸着板２１で処理対象物２３を吸着するためには、処理対象物２３を接地電位等の一定の電位に接続する必要がある。
例えば、導電性のプローブを吸着板２１に配置された処理対象物２３に接触させて、プローブを介して処理対象物２３を接地電位に接続してもよいが、この第一例の真空処理装置１１では、真空雰囲気に、帯電した加工ガスが含有されると、帯電した加工ガスは接地部材４９と処理対象物２３とに接触し、処理対象物２３は接地部材４９に電気的に接続され、接地電位になる。
【００４３】
従って第一例の真空処理装置１１では、真空雰囲気に帯電した加工ガスが含有された状態で、第一開閉装置７を閉じ、第一電極２を吸着電源２４に接続し、吸着電源２４から吸着電圧を出力すると、第一電極２に吸着電圧が印加され、処理対象物２３と第一電極２とで形成された第一コンデンサが吸着電圧で充電される。その結果、静電気力によって処理対象物２３が第一電極２に引き寄せられるので、処理対象物２３が絶縁板２７に吸着される。
【００４４】
吸着された状態では、処理対象物２３と絶縁板２７との間の熱抵抗は、吸着されていない状態のときよりも小さくなっており、処理対象物２３は、温度調整装置３８によって温度制御されながら、加工装置１８によって真空処理がされる。
【００４５】
第二例〜第六例の真空処理装置１２〜１６に設けられた双極型の吸着装置９では、処理対象物２３を吸着板２２上に配置したときに形成された第一、第二コンデンサは直列接続されており、第一開閉装置７ａと第二開閉装置７ｂとを閉状態にすると、直列接続によって形成されたコンデンサの一端と他端は、吸着電源２５に接続される。
従って、吸着電源２５から、第一電極２ａと第二電極２ｂとに異なる値の電圧を印加すると、第一、第二コンデンサを充電することができる。
【００４６】
ここでは、第一電極２ａと第二電極２ｂのうち、一方に負極性の電圧を出力し、他方に正極性の電圧を出力することで、処理対象物２３を接地電位に接続しなくても、第一電極２ａと第二電極２ｂの間に吸着電圧を印加し、処理対象物２３と第一電極２ａの間の第一コンデンサと処理対象物２３と第二電極２ｂの間の第二コンデンサとを充電すると、処理対象物２３は、吸着板２２に吸着される。図２Ａ等の符号７０ａは、双極型の吸着装置９に用いた吸着電源２５の内部で、第一電極２ａに電圧を印加する回路を示しており、符号７０ｂは、吸着電源２５の内部で第二電極２ｂに電圧を印加する回路を示している。
【００４７】
＜真空処理＞
加工装置１８の真空処理を説明すると、第一例と第二例の真空処理装置１１、１２の加工装置１８は、真空槽２０内に配置されたカソード電極３３と、カソード電極３３に設けられたターゲット３４とを有している。
【００４８】
第一例と第二例の真空処理装置１１、１２の加工装置１８には、アルゴンガス等の希ガスから成るスパッタリングガスが加工ガスとして用いられており、加工ガス導入装置３２から真空槽２０の内部に加工ガスが導入される。
加工ガスを導入しながら、スパッタ電源３５によって、カソード電極３３に負電圧を印加すると、加工ガスのプラズマが生成され、ターゲット３４がスパッタリングされ、処理対象物２３の表面に薄膜が成長する。
【００４９】
単極型の吸着板２１では、プラズマ中の帯電したアルゴンガスが帯電した加工ガスであり、処理対象物２３が接地部材４９に電気的に接続され、吸着電源２４から第一電極２に吸着電圧が印加されることで、処理対象物２３が吸着板２１に吸着される。
双極型の吸着板２２では、第一、第二電極２ａ、２ｂの間に吸着電圧を印加することで、処理対象物２３が吸着板２２に吸着される。
【００５０】
図３Ｂの第三例の真空処理装置１３と、図５Ｂ、図５Ｃの第五、第六例の真空処理装置１５，１６とでは、加工装置１８は、シャワーヘッド４３と、プラズマ電源４５とを有しており、加工ガス導入装置３２はシャワーヘッド４３に接続され、薄膜の原料ガスである加工ガスが、加工ガス導入装置３２からシャワーヘッド４３を介して真空槽２０の内部の真空雰囲気に導入される。
【００５１】
プラズマ電源４５は、シャワーヘッド４３に接続されており、プラズマ電源４５を起動してシャワーヘッド４３に電圧を印加すると、加工ガスのプラズマが生成され、処理対象物２３の表面で化学反応が生じて、吸着板２２に吸着された処理対象物２３の表面に薄膜が形成される。
【００５２】
薄膜を形成するときのプラズマに含有される加工ガスは帯電しており、処理対象物２３を接地電位に接続できるから、単極型の吸着装置８を、第三例と第五例の真空処理装置１３，１５に用いることもできる。
【００５３】
図４Ｂの第四例の真空処理装置１４では、加工装置１８は、ターゲット３４と、イオンガン７１とを有している。
イオンガン７１は、イオン生成装置４６と、イオン生成電源４８と、加工ガス導入装置３２とを有しており、加工ガス導入装置３２から、アルゴンガス等の加工ガスをイオン生成装置４６内に導入し、イオン生成電源４８から供給された電圧によって、加工ガスのプラズマを形成し、加工ガスを電離させて帯電した加工ガスを生成する。生成された帯電した加工ガスは、加速されてターゲット３４に照射され、ターゲット３４がスパッタリングされて、吸着板２２に吸着された処理対象物２３の表面に薄膜を形成する。
【００５４】
第四例の真空処理装置１４の加工装置１８が形成する帯電した加工ガスも、処理対象物２３を接地電位に接続できるから、単極型の吸着装置８を、第四例の真空処理装置１４に用いることもできる。
【００５５】
本発明の真空処理装置１１〜１６は、制御装置３９を有しており、加工装置１８は、制御装置３９によって動作が開始された後、所定膜厚の薄膜が形成された等、処理対象物２３の真空処理を終了させる状態になったことが制御装置３９に検出されると、吸着装置８が単極型の第一例の真空処理装置１１では、制御装置３９は、吸着電源２４によって、第一電極２を接地電位に接続して電荷を放電させた後、加工装置１８の動作を停止させ、第一開閉装置７を開状態にして、第一電極２と吸着電源２４との間の電気的接続を遮断させ、第一電極２を電気的に浮遊した状態に置く。
【００５６】
吸着装置９が双極型の第二例〜第六例の真空処理装置１２〜１６では、制御装置３９は、加工装置１８の動作を停止させ、吸着電源２５によって、第一、第二電極２ａ，２ｂを接地電位に接続して電荷を放電させた後、第一開閉装置７ａと第二開閉装置７ｂとを開状態にして、第一、第二電極２ａ，２ｂと吸着電源２５との電気的接続を遮断させ、第一、第二電極２ａ，２ｂを電気的に浮遊した状態に置く。
【００５７】
＜測定手順＞
次に、残留電荷の測定手順を説明する。
本発明の真空処理装置１１〜１５は、真空槽２０の真空雰囲気中に、導電性を有する帯電ガスを含有させる帯電ガス生成装置１９を有している。
第一例〜第四例の真空処理装置１１〜１４では、加工装置１８が帯電ガス生成装置として用いられており、加工ガス導入装置３２から帯電ガス生成装置１９(加工装置１８)に希ガスや窒素ガス等の反応性が低い低反応ガスが供給され、低反応性ガスは帯電ガス生成装置１９内で帯電されて、真空槽２０の内部に導電性を有する帯電ガスとして放出される。その結果、真空槽２０の真空雰囲気中に、導電性を有する帯電ガスを含有させることができる。
【００５８】
第五例の真空処理装置１５では、第四例の真空処理装置１４に設けられたイオンガン７１と同じ構成のイオンガンが帯電ガス生成装置１９として設けられている。
この帯電ガス生成装置１９は、イオン生成装置４６と、イオン生成電源４８と、低反応性ガス導入装置４２とを有しており、制御装置３９の制御によって、低反応性ガス導入装置４２から、アルゴンガス等の低反応性ガスをイオン生成装置４６内に導入し、イオン生成電源４８から供給された電圧によって、低反応性ガスのプラズマを形成し、低反応性ガスを電離させ、帯電した低反応性ガスを生成する。
【００５９】
帯電した低反応性ガスは真空槽２０の内部に導電性を有する帯電ガスとして放出し、真空雰囲気に含有させることができる。低反応性ガスには加工ガスと同種類のガスを用いてもよい。
従って、第五例の真空処理装置１５では、加工装置１８を動作させずに、帯電ガス生成装置１９を動作させて、真空雰囲気に導電性を有する帯電ガスを含有させることができる。
【００６０】
第一例〜第五例の真空処理装置１１〜１５において、真空雰囲気に含有された導電性を有する帯電ガスは、吸着板２１，２２上の処理対象物２３と接地部材４９とに接触し、処理対象物２３を接地電位に接続する。
【００６１】
ここで、図５Ｃの第六例の真空処理装置１６には、第五例の真空処理装置１５の帯電ガス生成装置１９に替え、接地接続装置５０を設け、制御装置３９が接地接続装置５０の装置本体５１を制御し、装置本体５１に取り付けられ、接地電位に接続された触針５２を接地部材４９として吸着板２２上に配置された処理対象物２３の表面又は裏面に接触させることで処理対象物２３を接地電位に置いて、後述するように、第一、第二電極２ａ，２ｂの電位を測定するようにしてもよい。
【００６２】
単極型の吸着装置８の場合も、接地電位の触針を処理対象物２３に接触させることで、第一電極２の残留電荷を測定することができる。
触針５２を接地部材４９にして処理対象物２３を接地電位に接続する場合は、例えば、真空処理装置１５がイオン注入装置であれば、触針５２を処理対象物２３に接触させてイオン注入処理を行える点で都合がよい。他方、触針５２は、プラズマに曝されると劣化するため、処理対象物２３に行う真空処理が、処理対象物２３をプラズマに曝さない処理であれば都合がよい。
【００６３】
導電性を有する帯電ガスや、接地接続装置５０によって処理対象物２３が接地電位に接続されるときに、第一開閉装置７，７ａを開状態にし、第一電極２，２ａと吸着電源２４，２５との間の電気的接続を遮断させ第一電極２，２ａを電気的に浮遊した状態に置くと、第一電極２，２ａには、第一コンデンサの残留電荷に応じた大きさの電位が現れる。
【００６４】
また、処理対象物２３が同様に導電性を有する帯電ガスや、接地接続装置５０によって接地電位に接続されるときに、第二開閉装置７ｂを開状態にし、第二電極２ｂと吸着電源２５との間の電気的接続を遮断させ第二電極２ｂを電気的に浮遊した状態に置くと、第二電極２ｂには、第二コンデンサの残留電荷に応じた大きさの電位が現れる。
【００６５】
単極型の吸着装置８は、第一電極２に接続された第一信号配線１７と、第一信号配線１７に接続された第一被測定部３と、第一被測定部３の電位を測定する第一電位測定装置４とを有している。
【００６６】
また、双極型の吸着装置９では、第一電極２ａに接続された第一信号配線１７ａと、第二電極２ｂに接続された第二信号配線１７ｂと、第一信号配線１７ａに接続された第一被測定部３ａと、第二信号配線１７ｂに接続された第二被測定部３ｂと、第一被測定部３ａの電位を測定する第一電位測定装置４ａと、第二被測定部３ｂの電位を測定する第二電位測定装置４ｂとを有している。
【００６７】
ここでは、第一被測定部３，３ａと第二被測定部３ｂとは露出された金属配線又は露出された金属片であり、第一被測定部３，３ａは、第一電源配線１０、１０ａの真空槽２０の外部に位置する部分に接続され、第一電源配線１０，１０ａのうち、第一電極２，２ａと第一被測定部３、３ａが接続された部分の間が第一信号配線１７，１７ａにされており、同様に、第二被測定部３ｂは、第二電源配線１０ｂの真空槽２０の外部に位置する部分に接続されており、第二電源配線１０ｂのうち、第二電極２ｂと第二被測定部３ｂが接続された部分の間が第二信号配線１７ｂにされている。
【００６８】
第一電位測定装置４，４ａと第二電位測定装置４ｂとは表面電位計であり、第一電位測定装置４，４ａは、第一電位検出部５，５ａと、第一測定装置本体６，６ａとを有しており、第二電位測定装置４ｂは、第二電位検出部５ｂと、第二測定装置本体６ｂとを有している。
【００６９】
符号４４，４４ａは、第一電位検出部５，５ａと第一測定装置本体６，６ａとを接続する金属配線であり、符号４４ｂは、第二電位検出部５ｂと第二測定装置本体６ｂとを接続する金属配線である。
【００７０】
第一電位検出部５、５ａは、第一被測定部３，３ａとは非接触で、第一被測定部３，３ａの近傍に配置されており、第二電位検出部５ｂは、第二被測定部３ｂとは非接触で、第二被測定部３ｂの近傍に配置されている。
第一電位検出部５、５ａは、第一被測定部３，３ａの電位を検出し、検出結果を示す電位信号を生成し、第一測定装置本体６，６ａに出力する。
第二電位検出部５ｂは、第二被測定部３ｂの電位を検出し、検出結果を示す電位信号を生成し、第二測定装置本体６ｂに出力する。
【００７１】
第一測定装置本体６，６ａは、入力された電位信号に基づいて、第一電極２，２ａの極性と、接地電位を基準とした電位の値を求め、求めた極性と電位の値とを制御装置３９に出力する。
第二測定装置本体６ｂは、入力された電位信号に基づいて、第二電極２ｂの極性と接地電位を基準とした電位の値を求め、求めた極性と電位の値とを制御装置３９に出力する。
【００７２】
制御装置３９は、入力された第一電極２，２ａの極性と電位の値とから、第一電極２，２ａの残留電荷を消去するために第一電極２，２ａに印加すべき逆電圧の極性と大きさとを求める。
また、第二電極２ｂの電位の値が入力される制御装置３９は、入力された第二電極２ｂの極性と電位の値とから、第二電極２ｂの残留電荷を消去するために第二電極２ｂに印加すべき逆電圧の極性と大きさとも求める。
【００７３】
第一測定装置本体６，６ａが、第一電位検出部５，５ａから入力された電位信号に基づいて、第一電極２，２ａに印加すべき逆電圧の極性と大きさとを求め、制御装置３９に出力してもよいし、第二測定装置本体６ｂが、第二電位検出部５ｂから入力された電位信号に基づいて、第二電極２ｂに印加すべき逆電圧の極性と大きさとを求め、制御装置３９に出力してもよい。
また、第一電位検出部５ａと第二電位検出部５ｂとを、一台の測定装置本体に接続し、その測定装置本体で、第一、第二電極２ａ，２ｂの極性と電位の値とを測定するようにしてもよい。
【００７４】
＜残留電荷の消滅＞
次に、残留電荷を消滅させる手順について説明する。
制御装置３９は、帯電ガス生成装置１９又は接地接続装置５０を動作させ、処理対象物２３が導電性を有する帯電ガス又は触針５２によって接地電位に接続された状態で、第一開閉装置７，７ａを閉状態にし、第一電極２，２ａの残留電荷を消去するために求めた極性、大きさの逆電圧を吸着電源２４、２５から第一電極２，２ａに出力させ、第一電極２，２ａを除電する。
【００７５】
吸着装置８が単極型である第一例の真空処理装置１１では、第一電極２に逆電圧が印加された後、真空雰囲気中への帯電ガスの供給を停止し、搬出口７４ｂを開け、処理対象物２３を後段槽３０ｂに搬出することができる。
【００７６】
吸着装置９が双極型である第二例〜第五例の真空処理装置１２〜１５では制御装置３９は、帯電ガス生成装置１９又は接地接続装置５０を動作させ、処理対象物２３が、導電性を有する帯電ガス又は触針５２によって接地電位に接続されると共に、制御装置３９は第二開閉装置７ｂを閉状態にし、第一電極２ａに逆電圧を印加した後、又は印加する前に、若しくは印加したときと同時に、第二電極２ｂの残留電荷を消去するために求めた極性、大きさの逆電圧を吸着電源２５から第二電極２ｂに出力させ、第二電極２ｂを除電する。第一、第二電極２ａ，２ｂの逆電圧は同時に求めてもよい。
第一、第二電極２ａ，２ｂのうち、一方の電位を測定しているときは、他方に接続された第一又は第二開閉装置７ａ，７ｂは開状態にすることが望ましい。
【００７７】
単極型の吸着装置８では、処理対象物２３を接地電位に接続した状態で、第一開閉装置７を開状態にし、第一電極２の電位を測定し、直前に測定した測定結果から、残留電荷を消滅させるための逆電圧の極性と電圧値を求め、第一開閉装置７を閉状態にし、直前に求めた逆電圧を吸着電源２４から第一電極２に出力する手順を繰り返し行い、測定した第一電極２の電位の値が、所定の電位範囲内の値になったところで、第一電極２に対する残留電荷の消滅手順を終了させ、処理対象物２３を吸着板２１から剥離させることができる。
【００７８】
双極型の吸着装置９の場合は、単極型の場合と同様に、第一開閉装置７ａを開状態にし、第一電極２ａの電位を測定し、直前に測定した測定結果から、残留電荷を消滅させるための逆電圧の極性と電圧値を求め、第一開閉装置７ａを閉状態にし、直前に求めた逆電圧を吸着電源２５から第一電極２ａに出力する手順を繰り返し行うと共に、処理対象物２３を接地電位に接続した状態で、第二開閉装置７ｂを開状態にし、第二電極２ｂの電位を測定し、直前に測定した測定結果から、残留電荷を消滅させるための逆電圧の極性と電圧値を求め、第二開閉装置７ｂを閉状態にし、直前に求めた逆電圧を吸着電源２５から第二電極２ｂに出力する手順を繰り返し行い、測定した第一電極２ａの電位の値と第二電極２ｂの電位の値とが、所定の電位範囲内の値になったところで、第一、第二電極２ａ，２ｂに対する残留電荷の消滅手順を終了させ、処理対象物２３を吸着板２２から剥離させることができる。
【００７９】
図６Ａは、単極型の吸着装置８の第一電極２に関する等価回路であり、符号２９は、第一電極２と処理対象物２３とで形成される第一コンデンサを示している。符号７７は、帯電ガスが真空雰囲気に含有されるときに、処理対象物２３を接地電位に接続し(本例では接地部材４９に接続する)、帯電ガスの供給を停止して、真空雰囲気に帯電ガスが含有されなくなると、処理対象物２３を接地電位から電気的に切り離す等価的な開閉部材である。
この等価的な開閉部材７７が閉状態になると、第一コンデンサ２９の処理対象物２３側の端子が接地電位に接続される。
【００８０】
図６Ｂは、双極型の吸着装置９の、第一、第二電極２ａ，２ｂに関する等価回路であり、符号２９ａは、第一電極２ａと処理対象物２３とで形成される第一コンデンサを示し、符号２９ｂは、第二電極２ｂと処理対象物２３とで形成される第二コンデンサを示している。符号７８は、帯電ガスが真空雰囲気に含有されるときに、処理対象物２３を接地電位に接続し(本例では接地部材４９に接続する)、帯電ガスの供給が停止され、真空雰囲気に帯電ガスが含有されなくなると処理対象物２３を接地電位から電気的に切り離すことを示す等価的な開閉部材である。
第一、第二コンデンサ２９ａ，２９ｂの処理対象物２３側の端子は、この等価的な開閉部材７８が閉状態になったときに、接地電位に接続される。
【００８１】
図６Ｃは、単極型の吸着装置８の別例の等価回路であり、第一電源配線１０には、分岐のための第一信号配線１７が電気的に接続されており、その分岐のための第一信号配線１７に、第一被測定部３が電気的に接続されている。分岐のための第一信号配線１７が接続された第一電源配線１０の位置と、第一電極２との間の第一電源配線１０は、第一信号配線１７としても用いられている。
【００８２】
この図６Ｃの等価回路の単極型の吸着装置８でも、第一被測定部３の電位を非接触の第一電位検出部５によって検出することで、第一電極２の電位を測定し、測定結果から逆電圧を求めて印加することができる。又、双極型の吸着装置９の第一、第二電源配線１０ａ，１０ｂに、それぞれ分岐のための第一、第二信号配線１７ａ，１７ｂを接続し、その分岐のための第一、第二信号配線１７ａ，１７ｂに第一、第二被測定部３ａ、３ｂを電気的に接続して、第一、第二被測定部３ａ、３ｂの電位を第一、第二電位検出部５ａ，５ｂによって検出することで、第一、第二電極２ａ，２ｂの電位を測定し、測定結果から逆電圧を求めて、第一、第二電極２ａ，２ｂに印加することができる。
【００８３】
図６Ｄは、単極型の吸着装置８の他の別例の等価回路であり、流れる電流を制限するための１０10Ω以上の高インピーダンスの電流制限装置３７によって、第一電位検出部５を第一電源配線１０に接続することで、第一電位検出部５を第一電極２に電気的に接続したときの等価回路である。
【００８４】
ここでも第一信号配線１７は一部が第一電源配線１０と共用にされている。この等価回路のように、単極型の吸着装置８の第一電位検出部５を電流制限装置３７を介して第一電極２に電気的に接続してもよいし、双極型の吸着装置９の第一、第二電位検出部５ａ，５ｂを、別々の電流制限装置３７を介して、それぞれ第一、第二電極２ａ，２ｂに接続しても良い。第一、第二電位検出部５，５ａ，５ｂが電流制限装置３７を介して第一、第二信号配線１７，１７ａ，１７ｂの電位を検出することで、第一、第二電極２，２ａ，２ｂの電位を測定し、逆電圧を求めて第一、第二電極２，２ａ，２ｂに印加すればよい。
【００８５】
上記第一例〜第六例の真空処理装置１１〜１６は、処理対象物２３の表面に薄膜を形成する装置であったが、処理対象物２３の表面をエッチングするエッチング装置など、種々の装置が含まれる。
【００８６】
以上説明した真空処理装置１１〜１６では、第一、第二被測定部３，３ａ，３ｂは、真空槽２０の外部に設けられており、第一、第二被測定部３，３ａ、３ｂの電位を測定し易く、また、第一、第二電位検出部５，５ａ，５ｂを真空槽２０の外部に配置することができるため、第一、第二電位検出部５，５ａ，５ｂが真空処理の影響を受けることが無く、寿命が長くなる。但し、第一、第二被測定部３，３ａ，３ｂを、真空槽２０の内部に設けた吸着装置や真空処理装置には、その利点が無いが、本発明に含まれる。
【００８７】
また、以上説明した第一例〜第六例の真空処理装置１１〜１６では、導電性を有する帯電ガスを真空雰囲気に含有させて、残留電荷に応じた第一、第二電極２，２ａ，２ｂの電位を測定する際に、帯電ガス生成装置１９は、直流電圧を用いて導電性を有する帯電ガスを生成することが望ましい。電位の測定中には、交流電圧を停止させなくても測定は可能である。
【００８８】
なお、上記第一、第二測定装置本体６，６ａ，６ｂには、例えば振動容量方法等、種々の測定原理に基づいて動作する装置が含まれる。
【００８９】
なお、上記第一電極２，２ａと第二電極２ｂは、それぞれ一枚の電極であったが、第一電極２，２ａと第二電極２ｂとは、吸着電源２４、２５から同じ電圧が印加される複数の電極で構成することができる。
【００９０】
以上は第一電極２と接地電位の間に、又は第一、第二電極２ａ，２ｂの間に逆電圧を印加することで、残留電荷を消滅させたが、逆電圧を印加するのでは無く、加工装置１８を動作させてプラズマを生成し、プラズマを処理対象物２３と接地部材４９とに接触させ、処理対象物２３をプラズマと接地部材４９とによって接地電位に接続することで、処理対象物２３の残留電荷を消滅させてもよい。
【００９１】
第一電極２，２ａを除電する場合は、処理対象物２３を吸着しながら真空処理を行い、第一電極２の残留電荷又は第一、第二電極２ａ，２ｂの残留電荷を測定した後、第一開閉装置７，７ａを閉状態にし、吸着電源２４，２５から、第一電極２，２ａに接地電位の電圧を印加し、第一電極２の残留電荷の測定結果から求めた電力をプラズマを生成するスパッタ又はプラズマ電源３５，４５から出力し、カソード電極３３やシャワーヘッド４３から出力させ、低反応性ガスのプラズマを生成し、プラズマと吸着電源２４，２５を介して、処理対象物２３と第一電極２，２ａとの残留電荷を放電させて消滅させる。
【００９２】
第二電極２ｂをプラズマによって除電するときには、第二開閉装置７ｂを閉状態にし、吸着電源２５から第二電極２ｂに接地電位の電圧を印加し、プラズマと吸着電源２５を介して、処理対象物２３と第二電極２ｂとの残留電荷を放電させて消滅させる。
【００９３】
第一、第二電極２，２ａ，２ｂを接地電位に接続するためには、吸着電源２４，２５から接地電位の電圧を第一、第二電極２，２ａ、２ｂにそれぞれ印加してもよいが、吸着電源２４，２５から接地電位の電圧を印加するのでは無く、吸着電源２４，２５内部又は外部に第一、第二補助開閉装置を設け、第一補助開閉装置を閉状態にすることによって、第一電極２，２ａを接地電位に接続し、第二補助開閉装置を閉状態にすることで第二電極２ｂを接地電位に接続してもよく、そのとき、処理対象物２３をプラズマなどの帯電ガスや触針５２によって接地電位に接続して、残留電荷を放電させるようにしてもよい。第一、第二電極２，２ａ，２ｂを接地電位から切り離すためには、第一、第二補助開閉装置を開状態にすればよい。
【００９４】
また、プラズマによる除電を行った後、除電を行った第一、第二電極２，２ａ，２ｂの電位を測定して残留電荷を求め、測定結果の電位が、所定の電位範囲内の値で無い場合には、測定結果の電位に応じた大きさの電力でプラズマを生成し、除電を行う。このように、プラズマによって除電する場合も、測定結果の電位が所定の電位範囲内に入るまで、測定と除電を繰り返し行い、残留電荷を小さくすることができる。
【００９５】
以上は、スパッタ装置やＣＶＤ装置等の成膜装置を例にしたが、本発明は、成膜装置の他、エッチング装置やイオン注入装置等、成膜対象物を真空雰囲気中で処理する真空処理装置が広く含まれる。
特に、イオン注入装置の場合は、処理対象物を真空雰囲気中に配置して処理対象物にイオンを注入するときには、上述の接地接続装置５０によって、処理対象物を接地電位に接続しているから、プラズマを用いずに接地接続装置５０によって処理対象物を接地電位に接続し、第一、第二電極２，２ａ，２ｂの電位を測定することができる。
【００９６】
以上説明した各真空処理装置１１〜１６を構成する帯電ガス生成装置１９等の部材は、制御装置３９によって制御されているが、残留電荷の測定結果の値が異常であった場合には、制御装置３９が警報を出力するようにしたり、又は、制御装置３９が処理対象物２３の種類を判別して、逆電圧等の除電の条件を変更する等、制御装置３９に記憶された処理手順を追加、変更することで、真空処理装置１１〜１６の動作の追加や変更をすることができる。
【実施例】
【００９７】
ＰＩフィルム(ポリイミドフィルム)が貼付された半導体基板である処理対象物２３を、第一例の真空処理装置１１の吸着板２１に配置し、加工装置１８を動作させ、処理対象物２３を接地電位に接続し、第一電極２に吸着電圧を印加して処理対象物２３を吸着した後、加工装置１８を停止させ、第一開閉装置７を開状態にして、処理対象物２３と第一電極２とを浮遊電位に置いて、第一被測定部３の電位を測定した(条件１)。
次に、その状態で、導電性を有する帯電ガスによって、処理対象物２３を接地電位に接続し(条件２)、第一被測定部３の電位を測定した。
【００９８】
測定した電位の値から逆電圧を求め、第一開閉装置７を閉状態にし、帯電ガス生成装置１９によって処理対象物２３を接地電位に接続し、第一電極２に逆電圧を印加する。次いで、帯電ガス生成装置１９によって処理対象物２３を接地電位に接続しながら第一開閉装置７を開状態にし(条件３)、第一被測定部３の電位を測定した。
【００９９】
測定結果を下記表１に示す。各条件とも測定回数は３回である。
「等価的な開閉装置」は、導電性を有する帯電ガスの有無であり、電気的接続の遮断は処理対象物が接地電位に接続されていないとき、電気的に接続される導通は接地電位に接続されているときである。
【０１００】
【表１】
0006387294.tif 000002
【０１０１】
測定値がゼロVのときは、処理対象物２３を剥離しても、第一電極２には電流は流れなかった。
本発明に用いた電位測定方法によって正確な値が求められており、残留電荷が消滅したことが分かる。
【符号の説明】
【０１０２】
２，２ａ……第一電極
２ｂ……第二電極
４、４ａ……第一電位測定装置
４ｂ……第二電位測定装置
５、５ａ……第一電位検出部
５ｂ……第二電位検出部
６、６ａ……第一測定装置本体
６ｂ……第二測定装置本体
７，７ａ……第一開閉装置
７ｂ……第二開閉装置
８，９……吸着装置
１０、１０ａ……第一電源配線
１０ｂ……第二電源配線
１１〜１６……真空処理装置
１７、１７ａ……第一信号配線
１７ｂ……第二信号配線
１８……加工装置
１９……帯電ガス生成装置
２０……真空槽
２１，２２……吸着板
２３……処理対象物
２４，２５……吸着電源
３７……電流制限装置
３９……制御装置
【図１Ａ】
0006387294.tif 000003
【図１Ｂ】
0006387294.tif 000004
【図１Ｃ】
0006387294.tif 000005
【図２Ａ】
0006387294.tif 000006
【図２Ｂ】
0006387294.tif 000007
【図２Ｃ】
0006387294.tif 000008
【図３Ａ】
0006387294.tif 000009
【図３Ｂ】
0006387294.tif 000010
【図４Ａ】
0006387294.tif 000011
【図４Ｂ】
0006387294.tif 000012
【図５Ａ】
0006387294.tif 000013
【図５Ｂ】
0006387294.tif 000014
【図５Ｃ】
0006387294.tif 000015
【図６Ａ】
0006387294.tif 000016
【図６Ｂ】
0006387294.tif 000017
【図６Ｃ】
0006387294.tif 000018
【図６Ｄ】
0006387294.tif 000019
【図７Ａ】
0006387294.tif 000020
【図７Ｂ】
0006387294.tif 000021
【図７Ｃ】
0006387294.tif 000022
【図７Ｄ】
0006387294.tif 000023