(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の非蒸着スリット、および非蒸着スリット間に介在するヒューズ部を備えた金属蒸着膜と、誘電体フィルムと、からなる金属化フィルムが積層され、もしくは巻き回されて金属化フィルム柱体が形成されており、
金属化フィルム柱体の２つの電極取り出し面に金属溶射部が形成されており、
それぞれの金属溶射部に外部引き出し端子が接合されてなる金属化フィルムコンデンサにおいて、
前記金属蒸着膜は、非蒸着スリットが形成されたスリット形成領域と、非蒸着スリットが形成されていないスリット非形成領域を備えており、
少なくともスリット非形成領域に最も近いヒューズ部に、該ヒューズ部にて発生する熱で溶融しない絶縁性の非溶融膜が形成されている金属化フィルムコンデンサ。
【請求項２】
非溶融膜が、ヒューズ部と、ヒューズ部から3mm以上離れた領域までを包囲する請求項１に記載の金属化フィルムコンデンサ。
【請求項３】
スリット非形成領域に最も近い複数のヒューズ部を包囲する帯状の非溶融膜が形成されている請求項１または２に記載の金属化フィルムコンデンサ。
【請求項４】
非溶融膜の厚さが0.3μm以下である請求項１〜３のいずれか一項に記載の金属化フィルムコンデンサ。
【請求項５】
非溶融膜の融点が1000℃以上である請求項１〜４のいずれか一項に記載の金属化フィルムコンデンサ。
【請求項６】
非溶融膜の誘電率が誘電体フィルムの誘電率以上である請求項１〜５のいずれか一項に記載の金属化フィルムコンデンサ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、金属化フィルムコンデンサに関するものである。
【背景技術】
【０００２】
たとえば車両用のインバータ回路等には耐電圧が高く、温度特性や周波数特性に優れた金属化フィルムコンデンサが適用されている。従来の金属化フィルムコンデンサは、金属化フィルムを巻き回してなる巻回し型や金属化フィルムを積層してなる積層型のものが一般的であり、さらには、コンデンサの絶縁破壊状態を解消する自己回復機能を備えたものも開発されている。その構成を図５，６を参照して説明する。
【０００３】
図５には、二種類の金属化フィルムｃ１、ｃ２を示している。一方の金属化フィルムｃ１は、誘電体フィルムａ１と、非蒸着スリットｓと絶縁マージンｍｇを備えた金属蒸着膜ｂ１とから構成されており、他方の金属化フィルムｃ２も同様に、誘電体フィルムａ２と、非蒸着スリットｓと絶縁マージンｍｇを備えた金属蒸着膜ｂ２とから構成されており、金属化フィルムｃ１、ｃ２は、絶縁マージンｍｇを相互に反対側に備えている。なお、図示例以外にも、二種類の金属化フィルムの一方は図示する金属化フィルムｃ１であり、他方の金属化フィルムは、誘電体フィルムと絶縁マージンのみを備えた金属蒸着膜（非蒸着スリットｓがなく、いわゆるベタ蒸着による金属蒸着膜）とから構成されている形態もある。
【０００４】
金属化フィルムｃ１、ｃ２を構成する金属蒸着膜ｂ１、ｂ２においては、非蒸着スリットｓ、ｓ１が形成されたスリット形成領域ＶＡと、非蒸着スリットｓ、ｓ１が形成されていないスリット非形成領域ＮＡがある。スリット形成領域ＶＡでは、複数の非蒸着スリットｓ、ｓ１が間隔を置いて形成され、非蒸着スリットｓ、ｓ１の端部間には幅の狭いヒューズ部ｆｓ、ｆｓ１が形成され、各非蒸着スリットｓ、ｓ１で包囲された複数のセグメントｓｇに分割されている。なお、図５において、スリット非形成領域ＮＡに最も近い非蒸着スリットは非蒸着スリットｓ１で示し、スリット非形成領域ＮＡに最も近いヒューズ部はヒューズ部ｆｓ１で示している。
【０００５】
金属化フィルムｃ１、ｃ２を双方の絶縁マージンｍｇが積層方向で一致しないように積層して二枚一対の金属化フィルムｄを形成し、この二枚一対の金属化フィルムｄを図６で示すように積層もしくは巻き回すことによって金属化フィルム柱体Ｋが形成される。さらに、金属化フィルム柱体Ｋの両端の二つの電極取り出し面には金属溶射部ｅ（メタリコン電極）が形成され、この金属溶射部ｅにはんだ層ｇを介して外部引き出し端子ｆ（バスバー）が接続されることにより、金属化フィルムコンデンサＣが形成される。なお、特許文献１には、図５で示すように、非蒸着スリットおよび絶縁マージンを備えた金属蒸着膜と誘電体フィルムとから構成される金属化フィルムと、絶縁マージンのみを備えた金属蒸着膜と誘電体フィルムとから構成される金属化フィルムとを積層して二枚一対の金属化フィルムを構成し、この二枚一対の金属化フィルムを積層もしくは巻き回すことによって形成される金属化フィルムコンデンサが開示されている。
【０００６】
金属化フィルムｃ１、ｃ２において、金属蒸着膜ｂ１、ｂ２のうち、絶縁マージンｍｇと反対側の端部は金属溶射部ｅと接し、一方で絶縁マージンｍｇのある端部は当該絶縁マージンｍｇによって金属溶射部ｅと接触が遮断されている。また、金属蒸着膜ｂ１、ｂ２のうちで金属溶射部ｅに密着している端部は、電極接触を保証するために他の部位よりも厚めのいわゆるヘビーエッジとなっており、たとえば、金属蒸着膜の一般部の厚みが数十nm程度である場合に、ヘビーエッジの厚みはその倍程度に調整されている。なお、金属化フィルムコンデンサＣがさらに不図示のケース内に収容され、ケース内に形成された不図示のモールド樹脂体にて封止された構造のものも一般的である。
【０００７】
金属化フィルムｃ１、ｃ２を構成する金属蒸着膜ｂ１、ｂ２においては、金属蒸着膜ｂ１、ｂ２が複数の非蒸着スリットｓ、ｓ１で包囲された複数のセグメントｓｇに分割されるものの、非蒸着スリットｓ、ｓ１の間にヒューズ部ｆｓ、ｆｓ１（この部分は蒸着部分である）が存在していることにより、ヒューズ部ｆｓ、ｆｓ１を介して隣接するセグメントｓｇ同士が電気的に導通可能な状態となっている。
【０００８】
ヒューズ部ｆｓ、ｆｓ１はあるセグメントｓｇが絶縁破壊状態となった際にこのセグメントｓｇと隣接するセグメントｓｇの導通を遮断する機能を備えている。すなわち、あるセグメントｓｇにおける誘電体が欠損等することで絶縁破壊が生じ、下層のセグメントｓｇと導通してしまう絶縁破壊が生じると、ヒューズ部ｆｓ、ｆｓ１を介して絶縁破壊状態のセグメントｓｇに流入する電流量が増加する。ヒューズ部ｆｓ、ｆｓ１を流れる電流量が増加することによってヒューズ部ｆｓ、ｆｓ１の温度が上昇してヒューズ部ｆｓ、ｆｓ１の金属蒸着膜が蒸発飛散し、結果として絶縁破壊状態のセグメントｓｇは隣接するセグメントｓｇから隔離される。このように、絶縁破壊状態にあるセグメントｓｇを隣接するセグメントｓｇから隔離してフィルムコンデンサの絶縁破壊状態を解消する機能が自己回復機能である。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００９】
【特許文献１】特開２００４−２００５８８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
上記するヒューズ部ｆｓ、ｆｓ１を流れる電流量の増加に関しては、金属溶射部ｅに接するスリット非形成領域ＮＡに最も近いヒューズ部ｆｓ１における電流量が他のヒューズ部ｆｓに比して多くなり、熱負荷が集中し易い。
【００１１】
そして、このスリット非形成領域ＮＡに最も近いヒューズ部ｆｓ１における熱負荷の集中により、積層状態の複数の金属化フィルムｃ１、ｃ２が連続的に溶融し（いわゆる、多層溶融で、図６における領域ＨＡにて連続的に溶融する）、この多層溶融が金属化フィルムコンデンサＣの短絡の要因となり得る。
【００１２】
本発明は上記する問題に鑑みてなされたものであり、スリット非形成領域に最も近いヒューズ部における熱負荷の集中によって積層状態の複数の金属化フィルムが連続的に溶融するのを解消することのできる、金属化フィルムコンデンサを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
前記目的を達成すべく、本発明による金属化フィルムコンデンサは、複数の非蒸着スリット、および非蒸着スリット間に介在するヒューズ部を備えた金属蒸着膜と、誘電体フィルムと、からなる金属化フィルムが積層され、もしくは巻き回されて金属化フィルム柱体が形成されており、金属化フィルム柱体の２つの電極取り出し面に金属溶射部が形成されており、それぞれの金属溶射部に外部引き出し端子が接合されてなる金属化フィルムコンデンサにおいて、前記金属蒸着膜は、非蒸着スリットが形成されたスリット形成領域と、非蒸着スリットが形成されていないスリット非形成領域を備えており、少なくともスリット非形成領域に最も近いヒューズ部に、該ヒューズ部にて発生する熱で溶融しない絶縁性の非溶融膜が形成されているものである。
【００１４】
本発明の金属化フィルムコンデンサは、少なくともスリット非形成領域に最も近いヒューズ部に、該ヒューズ部にて発生する熱で溶融しない絶縁性の非溶融膜が形成されていることにより、積層状態の金属化フィルムが連続的に溶融するのを解消することができ、金属化フィルムの溶融による短絡を防止することのできる金属化フィルムコンデンサである。
【００１５】
非蒸着スリットやヒューズ部を具備するスリット形成領域は、いわゆるパターン蒸着にて誘電体フィルムの表面に形成され、非蒸着スリットやヒューズ部を具備しないスリット非形成領域は、いわゆるベタ蒸着にて誘電体フィルムの表面に形成される。
【００１６】
誘電体フィルムとしては、ポリプロピレン（PP）やポリフェニレンサルファイド（PPS）、ポリフッ化ビニリデン(PVDF)などが適用でき、金属蒸着膜の素材としてはアルミニウムや亜鉛などを適用できる。
【００１７】
積層されたり、巻き回されて金属化フィルム柱体を形成する金属化フィルムは、誘電体フィルムと、非蒸着スリットと絶縁マージンを備えた金属蒸着膜とから構成され、絶縁マージンを相互に反対側に配設した二枚の金属化フィルムを積層して用いられる。また、誘電体フィルムと、非蒸着スリットおよび絶縁マージンを備えた金属蒸着膜とから構成される金属化フィルムと、誘電体フィルムと絶縁マージンのみを備えた金属蒸着膜（非蒸着スリットがない金属蒸着膜）とから構成された金属化フィルムを積層して用いてもよい。
【００１８】
いずれの形態の金属化フィルムの積層体を適用した場合であっても、それらを巻回して、もしくは積層して製作された金属化フィルム柱体の両端の電極取り出し面に、亜鉛などからなる金属溶射部が形成され、形成された金属溶射部の表面に棒状や板状のバスバーなどからなる外部引き出し端子がはんだ付け等されてその全体が形成される。
【００１９】
非蒸着スリットやヒューズ部を具備するスリット形成領域は、いわゆるパターン蒸着にて誘電体フィルムの表面に形成され、非蒸着スリットやヒューズ部を具備しないスリット非形成領域は、いわゆるベタ蒸着にて誘電体フィルムの表面に形成される。
【００２０】
ここで、絶縁性の非溶融膜は、チタン酸バリウム(BaTiO3)、チタン酸ジルコン酸鉛(Pb(Zr,Ti)O3)などのファインセラミックスから形成できる。なお、非溶融膜が導電性の場合にはヒューズとして機能しないことより、非溶融膜は絶縁性である。
【００２１】
スリット非形成領域に最も近いヒューズ部への非溶融膜の形成方法としては、別途製作した非溶融膜をヒューズ部に貼り付ける方法や共巻きする方法などが挙げられる。また、誘電体フィルムがフィルム材料の塗工プロセスを経て製作される場合は、フィルム材料塗工前の基材に予め非溶融膜材料を塗工しておいたり、吹付けておいたり、ゾルゲル法やスパッタリング、CVD法などで形成することができる。
【００２２】
ここで、「少なくともスリット非形成領域に最も近いヒューズ部に非溶融膜が形成されている」とは、スリット非形成領域に最も近いヒューズ部に非溶融膜が形成される形態の他、ヒューズ部を含んでヒューズ部から所定距離離れた領域まで非溶融膜が形成されている形態などを含む意味である。また、非溶融膜は、ヒューズ部の一方面に設けられてもよいし、上下の両面に設けられてもよい。
【００２３】
中でも、ヒューズ部のみならず、ヒューズ部から3mm以上離れた領域まで包含するように非溶融膜を形成することにより、ヒューズ部やヒューズ部近傍での熱負荷の集中による金属化フィルムの溶融を完全に防止することが可能になり、好ましい。
【００２４】
また、ヒューズ部とその周辺の領域までを包含するように非溶融膜を形成する形態として、スリット非形成領域に最も近い複数のヒューズ部を包囲する帯状の非溶融膜を形成するのが非溶融膜の形成効率性の観点から好ましい。
【００２５】
また、非溶融膜の厚さが0.3μm以下であるのが好ましい。
非溶融膜の厚さが0.3μm以下であることにより、厚さ2〜5μmの誘電体フィルムにシワを生じさせ難いことが本発明者等によって特定されている。
【００２６】
また、非溶融膜の融点が1000℃以上であるのが好ましい。
金属蒸着膜の一般的な形成材料であるアルミの蒸散温度が1000℃程度であることより、好ましい非溶融膜の融点を1000℃以上としたものである。
【００２７】
さらに、非溶融膜の誘電率が誘電体フィルムの誘電率以上であるのが好ましい。
非溶融膜の誘電率が誘電体フィルムの誘電率以上であることにより、静電容量の僅かな低下を抑制することができる。
【発明の効果】
【００２８】
以上の説明から理解できるように、本発明の金属化フィルムコンデンサによれば、少なくともスリット非形成領域に最も近いヒューズ部に、該ヒューズ部にて発生する熱で溶融しない絶縁性の非溶融膜が形成されていることにより、積層状態の金属化フィルムが連続的に溶融するのを解消することができ（いわゆる多層溶融の解消）、複数の金属化フィルムの連続的な溶融による短絡を防止することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２９】
【図１】本発明の金属化フィルムコンデンサを構成する二枚の金属化フィルムの実施の形態１を積層する前の状態を示した模式図である。
【図２】本発明の金属化フィルムコンデンサの実施の形態を示した縦断面図である。
【図３】本発明の金属化フィルムコンデンサを構成する二枚の金属化フィルムの実施の形態２を積層する前の状態を示した模式図である。
【図４】本発明の金属化フィルムコンデンサを構成する二枚の金属化フィルムの実施の形態３を積層する前の状態を示した模式図である。
【図５】従来の金属化フィルムコンデンサを構成する二枚の金属化フィルムを積層する前の状態を示した模式図である。
【図６】従来の金属化フィルムコンデンサの実施の形態を示した縦断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００３０】
以下、図面を参照して本発明の金属化フィルムコンデンサの実施の形態を説明する。
【００３１】
（金属化フィルムコンデンサの実施の形態、および金属化フィルムの実施の形態１）
図１は、本発明の金属化フィルムコンデンサを構成する二枚の金属化フィルムの実施の形態１を積層する前の状態を示した模式図であり、図２は、本発明の金属化フィルムコンデンサの実施の形態を示した縦断面図である。
【００３２】
図１で示すように、本発明の金属化フィルムコンデンサ１００は、二枚の金属化フィルム３Ａ，３Ｂから構成される。
【００３３】
一方の金属化フィルム３Ａは、誘電体フィルム１Ａと、非蒸着スリットｓ、ｓ１および絶縁マージンｍｇを備えた金属蒸着膜２Ａとから構成されており、他方の金属化フィルム３Ｂも同様に、誘電体フィルム１Ｂと、非蒸着スリットｓ、ｓ１および絶縁マージンｍｇを備えた金属蒸着膜２Ｂとから構成されており、絶縁マージンｍｇが相互に反対側に配設されたものである。
【００３４】
金属蒸着膜２Ａ、２Ｂのうち、非蒸着スリットｓ、ｓ１やヒューズ部ｆｓ、ｆｓ１を具備するスリット形成領域ＶＡはいわゆるパターン蒸着にて誘電体フィルム１Ａ、１Ｂの表面にそれぞれ形成され、非蒸着スリットｓ、ｓ１やヒューズ部ｆｓ、ｆｓ１を具備しないスリット非形成領域ＮＡはいわゆるベタ蒸着にて誘電体フィルム１Ａ、１Ｂの表面にそれぞれ形成される。なお、非蒸着スリットｓ、ｓ１のパターン形状は図示例に何等限定されるものではなく、多様なパターン形状が適用可能である。
【００３５】
図１において、スリット非形成領域ＮＡに最も近い非蒸着スリットは非蒸着スリットｓ１で示し、スリット非形成領域ＮＡに最も近いヒューズ部はヒューズ部ｆｓ１で示している。
【００３６】
ここで、誘電体フィルム１Ａ，１Ｂは、ポリプロピレン（PP）やポリフェニレンサルファイド（PPS）、ポリエチレンナフタレート（PEN）、ポリエチレンテレフタレート（PET）、ポリフッ化ビニリデン（PVDF）などから形成できる。
【００３７】
また、金属蒸着膜２Ａ，２Ｂは、アルミニウムや亜鉛などを蒸着することで形成される。
【００３８】
金属化フィルム３Ａ、３Ｂを構成する金属蒸着膜２Ａ、２Ｂのスリット形成領域ＶＡにおいては、複数の非蒸着スリットｓ、ｓ１が間隔を置いて形成され、非蒸着スリットｓ、ｓ１の端部間には幅の狭いヒューズ部ｆｓ、ｆｓ１が形成され、各非蒸着スリットｓ、ｓ１で包囲された複数のセグメントｓｇに分割されている。
【００３９】
図１で示すように、二枚の金属化フィルム３Ａ、３Ｂを、双方の絶縁マージンｍｇが積層方向で一致しないようにして双方を積層することで、図２で示す金属化フィルム積層体４が形成される。
【００４０】
金属化フィルム積層体４を巻回して、もしくは積層することにより、図２で示すように金属化フィルム柱体１０が形成される。この金属化フィルム柱体１０の両端の電極取り出し面に対し、アルミニウムや亜鉛などからなる金属溶射部２０を形成し、形成された金属溶射部２０の表面に棒状や板状のバスバーなどからなる外部引き出し端子４０をはんだ層３０を介して接続することにより、金属化フィルムコンデンサ１００が形成される。
【００４１】
図１に戻り、スリット非形成領域ＮＡに最も近いヒューズ部ｆｓ１の表面には、ヒューズ部ｆｓ１にて発生する熱で溶融しない絶縁性の非溶融膜５が貼り付け等によって形成されている。なお、図示例は、ヒューズ部ｆｓ１の上面にのみ非溶融膜５が形成された形態であるが、ヒューズ部ｆｓ１の上下面の両面に非溶融膜５が形成される形態であってもよい。
【００４２】
ここで、非溶融膜５は、チタン酸バリウム(BaTiO3)、チタン酸ジルコン酸鉛(Pb(Zr,Ti)O3)、フェライト(M2+OFe2O3)、アルミナ(Al2O3)、ジルコニア(ZrO2)、窒化アルミ(AlN)、窒化ケイ素(Si3N4)、炭化ケイ素(SiC)などのファインセラミックスから形成される。
【００４３】
非溶融膜５の厚さt1は0.3μm以下である。この厚さ範囲の非溶融膜５を適用することで、厚さ2〜5μmの誘電体フィルム１Ａ，１Ｂにシワを生じさせ難いことが本発明者等によって特定されている。
【００４４】
また、非溶融膜５の融点は、金属蒸着膜２Ａ，２Ｂの一般的な形成材料であるアルミの蒸散温度である1000℃以上である。
【００４５】
さらに、非溶融膜５の誘電率は誘電体フィルム１Ａ，１Ｂの誘電率以上となっており、静電容量の僅かな低下を抑制することを可能としている。
【００４６】
熱負荷が集中し易いスリット非形成領域ＮＡに最も近いヒューズ部ｆｓ１に、ヒューズ部ｆｓ１にて発生する熱で溶融しない絶縁性の非溶融膜５を形成したことにより、積層状態の金属化フィルム３Ａ，３Ｂが連続的に溶融するのを解消することができ、金属化フィルム３Ａ，３Ｂの溶融による短絡を防止することが可能になる。
【００４７】
（金属化フィルムの実施の形態２）
図３は、二枚の金属化フィルムの実施の形態２を積層する前の状態を示した模式図である。
【００４８】
図示する金属化フィルム３Ａ’、３Ｂ’を形成する金属蒸着膜２Ａ’、２Ｂ’は、ヒューズ部ｆｓ１のみならず、ヒューズ部ｆｓ１から3mm以上離れた領域（t2,t3）までを包含する非溶融膜５Ａが形成されたものである。
【００４９】
実際には、スリット非形成領域ＮＡに最も近いヒューズ部ｆｓ１のみならず、その周辺までが熱負荷の集中する領域になり得ることから、ヒューズ部ｆｓ１から3mm以上離れた領域（t2,t3）までを包含する非溶融膜５Ａを設けることで、ヒューズ部ｆｓ１やヒューズ部ｆｓ１近傍での熱負荷の集中による金属化フィルム３Ａ’，３Ｂ’の溶融を完全に防止することが可能になる。なお、この3mmとは、絶縁破壊時の金属蒸着膜２Ａ’，２Ｂ’の蒸散面積より、必要範囲として規定したものである。
【００５０】
（金属化フィルムの実施の形態３）
図４は、二枚の金属化フィルムの実施の形態３を積層する前の状態を示した模式図である。
【００５１】
図示する金属化フィルム３Ａ”、３Ｂ”を形成する金属蒸着膜２Ａ”、２Ｂ”は、スリット非形成領域ＮＡに最も近い複数のヒューズ部ｆｓ１を包囲する帯状の非溶融膜５Ｂが形成されたものである。
【００５２】
この帯状の非溶融膜５Ｂにおいても、ヒューズ部ｆｓ１から3mm以上離れた領域（t3）までが包含される。
【００５３】
（材料物性に基づく検証）
本発明者等は、絶縁破壊時に生じる熱によってアルミ製の金属蒸着膜が蒸散しつつ誘電体フィルムへ伝熱して誘電体フィルムを溶融させること、すなわち、アルミ蒸着膜に加わる熱を非溶融膜に与えた際にこの非溶融膜が溶融するか否かを検証した。この検証にて適用した金属蒸着膜、非溶融膜、および誘電体フィルムの物性を以下の表１に示す。
【００５４】
【表１】
0006304169.tif 000002
【００５５】
ここで、熱のかかる体積は、非溶融膜＞金属蒸着膜、すなわち、温度上昇は非溶融膜＜金属蒸着膜となる（一般に、金属蒸着膜の膜厚は数nm〜数10nmであり、非溶融膜の原料粒子径は数100nmである）。
【００５６】
また、融点に関しては、非溶融膜＞金属蒸着膜である（一般に、セラミックスの融点は金属の融点よりも高い）。
【００５７】
以上より、非溶融膜は溶融しないことから、金属化フィルムのいわゆる多層溶融を解消することができ、金属化フィルムコンデンサの自己回復性を確保できることが分かる。
【００５８】
以上、本発明の実施の形態を図面を用いて詳述してきたが、具体的な構成はこの実施形態に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲における設計変更等があっても、それらは本発明に含まれるものである。
【符号の説明】
【００５９】
１Ａ，１Ｂ…誘電体フィルム、２Ａ，２Ａ’,２Ａ”，２Ｂ，２Ｂ’，２Ｂ”…金属蒸着膜、３Ａ，３Ａ’,３Ａ”,３Ｂ，３Ｂ’，３Ｂ”…金属化フィルム、４…金属化フィルム積層体、５，５Ａ，５Ｂ…非溶融膜、１０…金属化フィルム柱体、２０…金属溶射部（メタリコン、メタリコン電極）、３０…はんだ層、４０…外部引き出し端子（バスバー）、１００…金属化フィルムコンデンサ、ｍｇ…絶縁マージン（空隙）、ｓ…非蒸着スリット、ｓ１…非蒸着スリット（スリット非形成領域に最も近い非蒸着スリット）、ｆｓ…ヒューズ部、ｆｓ１…ヒューズ部（スリット非形成領域に最も近いヒューズ部）、ｓｇ…セグメント、ＶＡ…スリット形成領域、ＮＡ…スリット非形成領域
【図１】
0006304169.tif 000003
【図２】
0006304169.tif 000004
【図３】
0006304169.tif 000005
【図４】
0006304169.tif 000006
【図５】
0006304169.tif 000007
【図６】
0006304169.tif 000008