(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
磁場形成部材が形成する磁場に保持された磁性体砥粒を、前記磁場形成部材と共に回転シャフト周りに回転させた状態で、１枚または複数枚のガラス基板の端部を前記磁性体砥粒に接触させて前記端部を加工するガラス基板の製造方法であって、
前記ガラス基板の一対の主表面のそれぞれに砥粒保持部材を接触させて、前記ガラス基板を一対の前記砥粒保持部材で挟む準備工程と、
一対の前記砥粒保持部材で挟まれた前記ガラス基板の前記端部を、前記磁性体砥粒に接触させて前記端部を加工する加工工程と、
を備え、
前記加工工程で加工される前記端部と前記砥粒保持部材との間には、前記回転シャフトの径方向外側に向かって窪んでいる凹部である砥粒保持空間が形成され、
前記砥粒保持部材は、前記主表面と共に前記砥粒保持空間を形成する空間形成面を有し、
前記ガラス基板の前記端部は、前記空間形成面よりも前記回転シャフトの径方向内側に位置する部分を有する、
ガラス基板の製造方法。
【請求項２】
前記加工工程では、複数枚の前記ガラス基板の前記端部が加工され、
前記ガラス基板および前記砥粒保持部材は、交互に積層されている、
請求項１に記載のガラス基板の製造方法。
【請求項３】
前記砥粒保持部材は、
前記主表面と接触し、第１形成面を有する第１保持部材と、
前記第１保持部材と接触し、第２形成面を有する第２保持部材と、
を有し、
前記砥粒保持空間は、前記主表面、前記第１形成面および前記第２形成面により形成される空間であり、
前記空間形成面は、前記第１形成面および前記第２形成面からなる、
請求項１に記載のガラス基板の製造方法。
【請求項４】
前記加工工程では、複数枚の前記ガラス基板の前記端部が加工され、
前記ガラス基板および前記砥粒保持部材は、交互に積層され、
一対の前記ガラス基板に挟まれている前記砥粒保持部材は、
一対の前記第１保持部材と、
一対の前記第１保持部材に挟まれている前記第２保持部材と、
を有し、
一対の前記第１保持部材に挟まれている前記第２保持部材は、前記加工工程で加工される前記端部を有する前記ガラス基板である、
請求項３に記載のガラス基板の製造方法。
【請求項５】
前記ガラス基板は、角が面取りされた前記端部を有する、
請求項１から４のいずれか１項に記載のガラス基板の製造方法。
【請求項６】
磁場形成部材が形成する磁場に保持された磁性体砥粒を、前記磁場形成部材と共に回転シャフト周りに回転させた状態で、１枚または複数枚の板状物品の端部を前記磁性体砥粒に接触させて前記端部を加工する板状物品の製造方法であって、
前記板状物品の一対の主表面のそれぞれに砥粒保持部材を接触させて、前記板状物品を一対の前記砥粒保持部材で挟む準備工程と、
一対の前記砥粒保持部材で挟まれた前記板状物品の前記端部を、前記磁性体砥粒に接触させて前記端部を加工する加工工程と、
を備え、
前記加工工程で加工される前記端部と前記砥粒保持部材との間には、前記回転シャフトの径方向外側に向かって窪んでいる凹部である砥粒保持空間が形成され、
前記砥粒保持部材は、前記主表面と共に前記砥粒保持空間を形成する空間形成面を有し、
前記板状物品の前記端部は、前記空間形成面よりも前記回転シャフトの径方向内側に位置する部分を有する、
板状物品の製造方法。
【請求項７】
回転シャフトと、
前記回転シャフトに連結され、前記回転シャフト周りに回転する磁場形成部材と、
前記磁場形成部材が形成する磁場により保持される磁性体砥粒と、
を備え、
前記磁性体砥粒は、前記磁場形成部材と共に前記回転シャフト周りに回転している状態で、一対の砥粒保持部材で挟まれたガラス基板の端部と接触して前記端部を加工し、
前記磁性体砥粒により加工される前記端部と前記砥粒保持部材との間には、前記回転シャフトの径方向外側に向かって窪んでいる凹部である砥粒保持空間が形成され、
前記砥粒保持部材は、前記ガラス基板の主表面と共に前記砥粒保持空間を形成する空間形成面を有し、
前記ガラス基板の前記端部は、前記空間形成面よりも前記回転シャフトの径方向内側に位置する部分を有する、
ガラス基板の製造装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ガラス基板の製造方法、および、ガラス基板の製造装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
ガラス基板は、その製造工程において、所定の寸法に切断される。例えば、液晶ディスプレイ、プラズマディスプレイ等のフラットパネルディスプレイ用のガラス基板の製造工程は、マザーガラスと呼ばれる大型のガラス基板にケガキ線を形成して切断する工程を含んでいる。ガラス基板の切断面には、通常、細かなクラックや非常に鋭いエッジが形成される。この切断面は、例えば、断面がＲ形状となるように研削され、さらに、研磨ホイールを用いた研磨加工により鏡面状に仕上げられる。
【０００３】
特許文献１（国際公開第２０１２／０６７５８７号公報）には、ガラス基板の切断面である端面の研磨加工に磁性流体を用いる技術が開示されている。磁性流体を用いる研磨加工では、磁性体砥粒を含む磁性流体を一対の磁石の間に保持し、ガラス基板の端面を磁性流体に接触させた状態で、ガラス基板の端面と磁性流体とを相対的に移動させることで、ガラス基板の端面を研磨する。磁性流体による研磨加工では、被加工物の形状に磁性体砥粒が追従して研磨加工が行われるので、被加工物に対するダメージが比較的少ない。従って、ガラス基板の端面の研磨加工に磁性流体を保持する研磨ホイールを用いる場合、ダイヤモンド砥粒を含む研磨ホイールを用いる研磨加工と比較して、より平滑な端面が得られる。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかし、磁性流体を保持する研磨ホイールを用いる研磨加工では、一般的に、研磨ホイールを回転シャフト周りに回転させた状態で、ガラス基板の端部を磁性流体に接触させる。回転している研磨ホイールに保持される磁性流体に含まれる磁性体砥粒は、ガラス基板によって押し出されると共に、ガラス基板を押し返す。これにより、磁性体砥粒およびガラス基板は、互いに作用力を受ける。そのため、ガラス基板の端面は、磁性体砥粒から研磨圧を受けて、研磨される。しかし、磁性体砥粒がガラス基板の端部に接触している時の研磨圧は小さく、研磨加工によって平滑な端面を得るためには、ガラス基板の端部に磁性体砥粒を十分に接触させておく必要がある。従って、磁性流体を用いる研磨加工では、加工時間が長くなりやすいため、ガラス基板の研磨効率を向上させることが求められている。
【０００５】
本発明の目的は、ガラス基板の研磨効率を向上させることができるガラス基板の製造方法、および、ガラス基板の製造装置を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明に係るガラス基板の製造方法は、磁場形成部材が形成する磁場に保持された磁性体砥粒を、磁場形成部材と共に回転シャフト周りに回転させた状態で、１枚または複数枚のガラス基板の端部を磁性体砥粒に接触させて、ガラス基板の端部を加工する方法である。このガラス基板の製造方法は、準備工程と、加工工程とを備える。準備工程は、ガラス基板の一対の主表面のそれぞれに砥粒保持部材を接触させて、ガラス基板を一対の砥粒保持部材で挟む。加工工程は、一対の砥粒保持部材で挟まれたガラス基板の端部を、磁性体砥粒に接触させて、ガラス基板の端部を加工する。加工工程で加工される端部と砥粒保持部材との間には、回転シャフトの径方向外側に向かって窪んでいる凹部である砥粒保持空間が形成されている。
【０００７】
このガラス基板の製造方法は、ガラス基板の端部を、回転シャフト周りに回転する磁性体砥粒に接触させて加工する方法である。ガラス基板の端部の加工は、ガラス基板の面取りされた角部の表面を含む、ガラス基板の端面を研磨する加工である。加工されるガラス基板は、一対の砥粒保持部材で挟まれている。ガラス基板の端部と砥粒保持部材との間には、砥粒保持空間が形成されている。回転シャフト周りに回転する磁性体砥粒は、ガラス基板によって押し出されると共に、ガラス基板を押し返す。そのため、磁性体砥粒は、回転シャフトの径方向外側に、ガラス基板により押し出される。砥粒保持空間は、回転シャフトの径方向外側に向かって窪んでいる凹部であるので、砥粒保持空間の磁性体砥粒は、径方向外側に向かって押し出されても、砥粒保持空間に滞留することができる。砥粒保持空間に滞留している磁性体砥粒は、ガラス基板の主表面近傍の端面に集中的に接触することができる。一方、砥粒保持空間が存在しない場合、磁性体砥粒は、ガラス基板の主表面近傍の端面に接触しても、ガラス基板の主表面近傍の端面に集中的に接触することができない。また、ガラス基板の端面の厚み方向中央部は、もともと、磁性体砥粒が集中的に接触する領域である。従って、このガラス基板の製造方法は、ガラス基板の端面全体を均一に研磨することができるので、ガラス基板の研磨効率を向上させることができる。
【０００８】
また、本発明に係るガラス基板の製造方法では、砥粒保持部材は、ガラス基板の主表面と共に砥粒保持空間を形成する空間形成面を有することが好ましい。
【０００９】
このガラス基板の製造方法では、砥粒保持部材は、砥粒保持空間を形成することができる単一の部材である。
【００１０】
また、本発明に係るガラス基板の製造方法では、加工工程において、複数枚のガラス基板の端部が加工されることが好ましい。この場合、ガラス基板および砥粒保持部材は、交互に積層されている。
【００１１】
このガラス基板の製造方法は、複数枚のガラス基板の端面を一度に研磨することができるので、ガラス基板の研磨効率を向上させることができる。
【００１２】
また、本発明に係るガラス基板の製造方法では、砥粒保持部材は、第１保持部材と、第２保持部材とを有することが好ましい。第１保持部材は、主表面と接触し、第１形成面を有する。第２保持部材は、第１保持部材と接触し、第２形成面を有する。砥粒保持空間は、ガラス基板の主表面、第１形成面および第２形成面により形成される空間である。
【００１３】
このガラス基板の製造方法では、砥粒保持部材は、砥粒保持空間を形成することができる２つの部材から構成されている。
【００１４】
また、本発明に係るガラス基板の製造方法では、加工工程において、複数枚のガラス基板の端部が加工されることが好ましい。この場合、ガラス基板および砥粒保持部材は、交互に積層されている。また、一対のガラス基板に挟まれている砥粒保持部材は、一対の第１保持部材と、一対の第１保持部材に挟まれている第２保持部材とを有する。一対の第１保持部材に挟まれている第２保持部材は、加工工程で加工される端部を有するガラス基板である。
【００１５】
このガラス基板の製造方法では、ガラス基板と第１保持部材とが交互に積層されている。そのため、このガラス基板の製造方法は、複数枚のガラス基板の端面を一度に研磨することができるので、ガラス基板の研磨効率を向上させることができる。
【００１６】
また、本発明に係るガラス基板の製造方法では、ガラス基板は、角が面取りされた端部を有することが好ましい。
【００１７】
このガラス基板の製造方法は、角部が面取りされたガラス基板の端面全体を均一に研磨することができる。
【００１８】
本発明に係る板状物品の製造方法は、磁場形成部材が形成する磁場に保持された磁性体砥粒を、磁場形成部材と共に回転シャフト周りに回転させた状態で、１枚または複数枚の板状物品の端部を磁性体砥粒に接触させて、板状物品の端部を加工する方法である。この板状物品の製造方法は、準備工程と、加工工程とを備える。準備工程は、板状物品の一対の主表面のそれぞれに砥粒保持部材を接触させて、板状物品を一対の砥粒保持部材で挟む。加工工程は、一対の砥粒保持部材で挟まれた板状物品の端部を、磁性体砥粒に接触させて、板状物品の端部を加工する。加工工程で加工される端部と砥粒保持部材との間には、回転シャフトの径方向外側に向かって窪んでいる凹部である砥粒保持空間が形成されている。
【００１９】
本発明に係るガラス基板の製造装置は、回転シャフトと、磁場形成部材と、磁性体砥粒とを備える。磁場形成部材は、回転シャフトに連結され、回転シャフト周りに回転する。磁性体砥粒は、磁場形成部材が形成する磁場により保持される。磁性体砥粒は、磁場形成部材と共に回転シャフト周りに回転している状態で、一対の砥粒保持部材で挟まれたガラス基板の端部と接触して、ガラス基板の端部を加工する。磁性体砥粒により加工される端部と砥粒保持部材との間には、回転シャフトの径方向外側に向かって窪んでいる凹部である砥粒保持空間が形成されている。
【００２０】
このガラス基板の製造装置は、ガラス基板の端面全体を均一に研磨することができるので、ガラス基板の研磨効率を向上させることができる。
【発明の効果】
【００２１】
本発明に係るガラス基板の製造方法、および、ガラス基板の製造装置は、ガラス基板の研磨効率を向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【００２２】
【図１】第１実施形態に係るガラス基板の製造方法のフローチャートである。
【図２】熔解工程から切断工程までを行う装置の模式図である。
【図３】研磨装置の概略図である。
【図４】研磨ホイールの外観図である。
【図５】研磨ホイールの断面図である。
【図６】ガラス基板ユニットの断面図の一部である。
【図７】磁束集中空間の近傍の拡大図である。
【図８】比較例としての研磨装置を表す図である。
【図９】変形例１Ａに係るガラス基板ユニットの断面図の一部である。
【図１０】変形例１Ｂに係るガラス基板ユニットの断面図の一部である。
【図１１】第２実施形態に係るガラス基板ユニットの断面図の一部である。
【図１２】磁束集中空間の近傍の拡大図である。
【図１３】変形例２Ａに係るガラス基板ユニットの断面図の一部である。
【発明を実施するための形態】
【００２３】
＜第１実施形態＞
本発明の第１実施形態としてのガラス基板の製造方法について、図面を参照しながら説明する。本実施形態のガラス基板の製造方法は、オーバーフローダウンドロー法により製造されたガラス基板の端面を研磨する工程を含む。
【００２４】
（１）ガラス基板の製造工程の概要
最初に、ガラス基板の製造工程について説明する。ガラス基板は、液晶ディスプレイ、プラズマディスプレイおよび有機ＥＬディスプレイ等のフラットパネルディスプレイ（ＦＰＤ）用のガラス基板、タッチパネル用のガラス基板、太陽電池パネル用のガラス基板、および、保護用のガラス基板等として用いられる。ガラス基板は、例えば、０.２ｍｍ〜０.８ｍｍの厚みを有し、かつ、縦６８０ｍｍ〜２２００ｍｍおよび横８８０ｍｍ〜２５００ｍｍの寸法を有する。
【００２５】
ガラス基板１０の一例として、以下の（ａ）〜（ｊ）の組成を有するガラス基板が挙げられる。
【００２６】
（ａ）ＳｉＯ2：５０質量％〜７０質量％、
（ｂ）Ａｌ2Ｏ3：１０質量％〜２５質量％、
（ｃ）Ｂ2Ｏ3：１質量％〜１８質量％、
（ｄ）ＭｇＯ：０質量％〜１０質量％、
（ｅ）ＣａＯ：０質量％〜２０質量％、
（ｆ）ＳｒＯ：０質量％〜２０質量％、
（ｇ）ＢａＯ：０質量％〜１０質量％、
（ｈ）ＲＯ:５質量％〜２０質量％（Ｒは、Ｍｇ、Ｃａ、ＳｒおよびＢａから選択される少なくとも１種である。）、
（ｉ）Ｒ’2Ｏ:０質量％〜２．０質量％（Ｒ’は、Ｌｉ、ＮａおよびＫから選択される少なくとも１種である。）、
（ｊ）ＳｎＯ2、Ｆｅ2Ｏ3およびＣｅＯ2から選ばれる少なくとも１種の金属酸化物。
【００２７】
なお、上記の組成を有するガラスは、０．１質量％未満の範囲で、その他の微量成分の存在が許容される。
【００２８】
図１は、ガラス基板の製造工程を表すフローチャートの一例である。ガラス基板の製造工程は、主として、熔解工程（ステップＳ１）と、清澄工程（ステップＳ２）と、攪拌工程（ステップＳ３）と、成形工程（ステップＳ４）と、徐冷工程（ステップＳ５）と、切断工程（ステップＳ６）と、研削工程（ステップＳ７）と、研磨工程（ステップＳ８）とからなる。図２は、熔解工程Ｓ１から切断工程Ｓ６までを行うガラス基板製造装置１００の模式図である。ガラス基板製造装置１００は、熔解装置１０１と、清澄装置１０２と、攪拌装置１０３と、成形装置１０４と、切断装置１０５とから構成される。
【００２９】
熔解工程Ｓ１では、熔解装置１０１によって、バーナー等の加熱手段によりガラス原料が熔解され、１５００℃〜１６００℃の高温の熔融ガラス９０が生成される。ガラス原料は、所望の組成のガラスを実質的に得ることができるように調製される。ここで、「実質的に」とは、０．１質量％未満の範囲で、その他の微量成分の存在が許容されることを意味する。
【００３０】
清澄工程Ｓ２では、清澄装置１０２によって、熔解工程Ｓ１で生成された熔融ガラス９０をさらに昇温させることで、熔融ガラス９０の清澄が行われる。清澄装置１０２において、熔融ガラス９０の温度は、１６００℃〜１７５０℃、好ましくは１６５０℃〜１７００℃に上昇させられる。清澄装置１０２では、熔融ガラス９０に含まれるＯ2、ＣＯ2およびＳＯ2の微小な泡が、ガラス原料に含まれるＳｎＯ2等の清澄剤の還元により生じたＯ2を吸収して成長し、熔融ガラス９０の液面に浮上して消滅する。
【００３１】
攪拌工程Ｓ３では、攪拌装置１０３によって、清澄工程Ｓ２で清澄された熔融ガラス９０が攪拌され、化学的および熱的に均質化される。攪拌装置１０３では、熔融ガラス９０は鉛直方向に流れながら、軸回転するスターラーによって攪拌され、攪拌装置１０３の底部に設けられた流出口から下流工程に送られる。また、攪拌工程Ｓ３では、ジルコニアリッチのガラス等、熔融ガラス９０の平均的な比重と異なる比重を有するガラス成分が攪拌装置１０３から除去される。
【００３２】
成形工程Ｓ４では、成形装置１０４によって、オーバーフローダウンドロー法によって、攪拌工程Ｓ３で攪拌された熔融ガラス９０からガラスリボン９１が成形される。具体的には、成形セルの上部から溢れて分流した熔融ガラス９０が、成形セルの側壁に沿って下方へ流れ、成形セルの下端で合流することでガラスリボン９１が連続的に成形される。熔融ガラス９０は、成形工程Ｓ４に流入する前に、オーバーフローダウンドロー法による成形に適した温度、例えば、１２００℃まで冷却される。
【００３３】
徐冷工程Ｓ５では、成形装置１０４によって、成形工程Ｓ４で連続的に生成されたガラスリボン９１が、歪みおよび反りが発生しないように温度制御されながら、徐冷点以下まで徐冷される。
【００３４】
切断工程Ｓ６では、切断装置１０５によって、徐冷工程Ｓ５で室温まで徐冷されたガラスリボン９１が所定の長さごとに切断される。ガラスリボン９１を切断する際には、ガラスリボン９１にスクライブ線を形成し、スクライブ線に引っ張り応力を集中させてガラスリボン９１を割断する。スクライブ線は、一般に、ダイヤモンドカッターを用いて機械的に形成する方法、および、レーザを利用した加熱と急冷とにより初期亀裂を進行させる方法によって形成される。切断工程Ｓ６では、さらに、所定の長さごとに切断されたガラスリボン９１が、所定の寸法に切断されて、ガラス基板９２が得られる。
【００３５】
研削工程Ｓ７では、切断工程Ｓ６で得られたガラス基板９２の端面が研削されて、ガラス基板９２が面取りされる。切断工程Ｓ６で切断されたガラス基板９２の端面と主表面との間の角部には、非常に鋭いエッジが形成されている。研削工程Ｓ７では、ガラス基板９２の角部を、ダイヤモンドホイール等を用いて研削することで、角部に形成されたエッジが取り除かれる。角部の研削により面取りされたガラス基板９２の端面の断面形状は、Ｒ形状である。
【００３６】
また、研削工程Ｓ７では、ガラス基板９２の端面の加工幅が所定の範囲内となるように、ダイヤモンドホイール等を用いてガラス基板９２の端面が研削される。ダイヤモンドホイールは、例えば、粒度が♯４００であるダイヤモンド砥粒を、鉄を含む金属系の結合剤で固めたメタルボンドホイールである。端面の加工幅は、ガラス基板９２の面取りされた端面の最外端と、端面と主表面との境界との間の距離の最大値である。面取り加工時において、ガラス基板９２の端面がダイヤモンドホイール等から受ける力は、端面の最外端から、端面と主表面との境界に向かって、徐々に小さくなる。そのため、加工幅が大きすぎる場合、ガラス基板９２の端面と主表面との境界近傍の領域が十分に研削されず、端面が均一に加工されないおそれがある。一方、加工幅が小さすぎる場合、ガラス基板９２の角部に形成されたエッジが十分に除去されないおそれがある。ガラス基板９２の厚みをｔとした場合、加工幅の上記所定の範囲は、１／５０ｔ〜ｔであることが好ましく、１／２０ｔ〜１／２ｔであることがより好ましく、１／１０ｔ〜１／３ｔであることがさらに好ましい。また、研削工程Ｓ７では、ガラス基板９２の端面の算術平均粗さＲａが０．１μｍ〜０．２μｍとなるように、ガラス基板９２の端面が研削されることが好ましい。なお、研削工程Ｓ７では、ガラス基板９２の端面をメタルボンドホイールで一次研削した後に、メタルボンドホイールと比べて結合剤がより柔らかい樹脂ボンドホイールで二次研削してもよい。
【００３７】
研磨工程Ｓ８では、研削工程Ｓ７で面取りされたガラス基板９２の端面が研磨される。研削工程Ｓ７で面取りされたガラス基板９２の端面には、マイクロクラックや水平クラックと呼ばれる微小なクラックを含む層が形成されている。この層は、加工変質層または脆弱破壊層と呼ばれる。加工変質層が形成されると、ガラス基板９２の端面の破壊強度が低下する。研磨工程Ｓ８は、加工変質層を除去してガラス基板９２の端面の破壊強度を向上させるために行われる。研磨工程Ｓ８では、加工変質層の厚さが３μｍ未満となるように、ガラス基板９２の端面が研削されることが好ましい。また、研磨工程Ｓ８では、ガラス基板９２の端面の算術平均粗さＲａが１０ｎｍ以下となるように、ガラス基板９２の端面が研磨されることが好ましい。
【００３８】
研磨工程Ｓ８の後に、ガラス基板９２の洗浄工程および検査工程が行われる。最終的に、ガラス基板９２は梱包されて、ＦＰＤ製造業者等に出荷される。ＦＰＤ製造業者は、ガラス基板９２の表面にＴＦＴ等の半導体素子を形成して、ＦＰＤを製造する。
【００３９】
（２）研磨工程の詳細
次に、研磨工程Ｓ８で行われるガラス基板９２の端面９２ａの研磨処理について説明する。研磨工程Ｓ８では、ガラス基板９２の端面９２ａは、研磨装置１０によって研磨される。図３は、研磨装置１０の概略図である。研磨装置１０は、後述するガラス基板ユニット８０を搬送しながら、ガラス基板ユニット８０に含まれるガラス基板９２の一対の端面９２ａを研磨する。ガラス基板９２の端面９２ａは、ガラス基板９２の長辺に沿った端面である。
【００４０】
ガラス基板ユニット８０は、１枚のガラス基板９２と、一対の砥粒保持部材９３とから構成される。図３に示されるように、ガラス基板ユニット８０は、ガラス基板９２が一対の砥粒保持部材９３によって挟まれているユニットである。
【００４１】
研磨装置１０は、主として、搬送機構１２と研磨機構１４とを備える。搬送機構１２は、ガラス基板ユニット８０を、ガラス基板９２の長辺に沿って搬送する機構である。搬送機構１２は、ユニット固定台８２を有する。ガラス基板ユニット８０は、ユニット固定台８２の上面に固定されている。搬送機構１２は、ガラス基板ユニット８０が固定されたユニット固定台８２を所定の方向に移動させることで、ガラス基板ユニット８０を搬送する。これにより、搬送機構１２は、ガラス基板ユニット８０に含まれるガラス基板９２を、ガラス基板９２の長辺に沿って搬送することができる。
【００４２】
研磨機構１４は、ガラス基板ユニット８０に含まれるガラス基板９２の一対の端面９２ａのそれぞれと対向するように、ガラス基板ユニット８０の両側に設置される。研磨機構１４は、研磨ホイール２０を有する。研磨機構１４は、ガラス基板ユニット８０に向かって、回転している研磨ホイール２０を押し付けて、ガラス基板ユニット８０に含まれるガラス基板９２の端面９２ａを研磨する。図３において、ユニット固定台８２が移動する方向、および、研磨ホイール２０が回転する方向は、矢印で示されている。
【００４３】
（２−１）研磨ホイールの構成
次に、研磨ホイール２０の構成について説明する。以下の説明において、「搬送方向」は、ガラス基板９２の長辺方向、すなわち、ガラス基板９２の端面９２ａの長手方向であって、搬送機構１２によってガラス基板９２が搬送される方向である。「幅方向」は、ガラス基板９２の表面に沿う方向であって、搬送方向に直交する方向である。「鉛直方向」は、ガラス基板９２の表面に直交する方向である。図面において、搬送方向は「ｙ軸」で示され、幅方向は「ｘ軸」で示され、鉛直方向は「ｚ軸」で示されている。鉛直方向に直交する平面を、「水平面」と呼ぶ。ガラス基板９２の主表面は、水平面に平行である。
【００４４】
研磨ホイール２０は、ガラス基板ユニット８０に含まれるガラス基板９２の端面９２ａを研磨するために使用される。図４は、研磨ホイール２０の外観図である。図５は、回転シャフト２１の中心軸２１ａを含むｘｚ平面で研磨ホイール２０を切断した断面図である。図５には、参考として、ガラス基板ユニット８０の断面が示されている。図５に示されるように、ガラス基板ユニット８０に含まれるガラス基板９２の端面９２ａは、Ｒ形状に面取りされている。研磨ホイール２０は、主として、回転シャフト２１と、第１磁場形成部材２２と、第２磁場形成部材２３と、研磨スラリー２４とを備える。
【００４５】
（２−１−１）回転シャフト
回転シャフト２１は、研磨ホイール２０を回転させるためのシャフトである。研磨ホイール２０は、回転シャフト２１の中心軸２１ａ周りに回転する。中心軸２１ａは、鉛直方向に平行である。研磨ホイール２０の回転方向は、図３に示されるように、ガラス基板ユニット８０が搬送される方向と反対の方向にガラス基板ユニット８０を移動させようとする方向である。回転シャフト２１は、磁束が回転シャフト２１に集中しないように、ＳＵＳ３０４等の非磁性体のステンレス鋼材で成形されている。以下、回転シャフト２１の径方向、すなわち、回転シャフト２１の中心軸２１ａと直交する方向を、「径方向」と呼ぶ。また、径方向の直線上の２点に関して、中心軸２１ａからの距離が長い方の点がある側を「径方向外側」と呼び、中心軸２１ａからの距離が短い方の点がある側を「径方向内側」と呼ぶ。
【００４６】
回転シャフト２１は、回転シャフト駆動部（図示せず）に接続され、中心軸２１ａ周りに所望の回転速度で回転する。回転シャフト２１は、回転シャフト移動機構（図示せず）に接続され、ガラス基板ユニット８０に含まれるガラス基板９２の端面９２ａに対して近接および離反するように移動する。
【００４７】
（２−１−２）第１磁場形成部材
第１磁場形成部材２２は、図５に示されるように、鉛直方向に沿って形成された貫通孔を有する円柱形状の部材である。回転シャフト２１は、第１磁場形成部材２２の貫通孔を貫通する。第１磁場形成部材２２は、回転シャフト２１に固定されている。第１磁場形成部材２２は、鉛直方向に着磁され、上側がＳ極、かつ、下側がＮ極となっている、永久磁石および電磁石等の磁石である。以下、第１磁場形成部材２２の上面を、第１上部磁場形成面２２ａと呼び、第１磁場形成部材２２の下面を、第１下部磁場形成面２２ｂと呼ぶ。
【００４８】
（２−１−３）第２磁場形成部材
第２磁場形成部材２３は、図５に示されるように、鉛直方向に沿って形成された貫通孔を有する円柱形状の部材である。回転シャフト２１は、第２磁場形成部材２３の貫通孔を貫通する。第２磁場形成部材２３は、回転シャフト２１に固定されている。第２磁場形成部材２３は、鉛直方向に着磁され、上側がＳ極、かつ、下側がＮ極となっている、永久磁石および電磁石等の磁石である。以下、第２磁場形成部材２３の上面を、第２上部磁場形成面２３ａと呼び、第２磁場形成部材２３の下面を、第２下部磁場形成面２３ｂと呼ぶ。
【００４９】
第１磁場形成部材２２は、第２磁場形成部材２３と同じ寸法を有している。図５に示されるように、第１磁場形成部材２２は、第２磁場形成部材２３の鉛直方向上方に設けられている。第１磁場形成部材２２の第１下部磁場形成面２２ｂと、第２磁場形成部材２３の第２上部磁場形成面２３ａとの間は、鉛直方向において所定の距離だけ離れている。すなわち、第１下部磁場形成面２２ｂは、第２上部磁場形成面２３ａと対向している。
【００５０】
第１磁場形成部材２２および第２磁場形成部材２３は、その周囲の空間に磁場を形成する。これにより、研磨ホイール２０は、その周囲の空間に磁場を形成する。特に、第１磁場形成部材２２の第１下部磁場形成面２２ｂと、第２磁場形成部材２３の第２上部磁場形成面２３ａとの間の空間は、研磨ホイール２０が形成する磁場の流束である磁束が集中する磁束集中空間２７である。研磨ホイール２０の周囲の空間には、磁場を表す仮想の線である磁力線の閉回路である磁気回路が形成される。磁束集中空間２７は、磁気回路の一部を含む空間である。磁束集中空間２７には、第１下部磁場形成面２２ｂから第２上部磁場形成面２３ａに向かう鉛直方向の磁力線が存在する。
【００５１】
なお、第１磁場形成部材２２、および、第２磁場形成部材２３は、共に、上側がＮ極、かつ、下側がＳ極となっている磁石でもよい。すなわち、第１磁場形成部材２２および第２磁場形成部材２３は、対向する磁極が異なるように配置されていればよい。
【００５２】
（２−１−４）研磨スラリー
研磨スラリー２４は、磁性体砥粒、または、磁性体砥粒と液体との混合物である。研磨スラリー２４は、研磨ホイール２０が形成する磁場によって、磁束集中空間２７に保持される。磁束集中空間２７に保持されている研磨スラリー２４は、スラリー面２４ａを有する。スラリー面２４ａは、磁束集中空間２７を満たしている研磨スラリー２４の径方向外側の表面である。
【００５３】
磁性体砥粒は、ガラス基板９２等の脆性材料を研磨するための研磨砥粒である。磁性体砥粒は、例えば、酸化鉄およびフェライト等の磁性体の粒子により構成される。磁性体砥粒としてフェライトを用いる場合、酸化防止のための添加物が不要になり、酸化防止のための添加物の使用量が低減するので、磁性体砥粒の経時的な変質が抑制される。
【００５４】
磁性体砥粒と混合される液体は、例えば、水、炭化水素、エステル類、エーテル類およびフッ化水素である。磁性体砥粒と混合される液体は、水を主成分とし、炭化水素、エステル類、エーテル類およびフッ化水素等が添加された液体であってもよい。磁性体砥粒と混合される液体は、水が好ましい。水を用いることで、ガラス基板９２の研磨処理中における研磨スラリー２４の温度上昇を抑えることができる。
【００５５】
磁性体砥粒の凝集を抑制するために、研磨スラリー２４に、０．５ｗｔ％以下の界面活性剤が添加されてもよい。界面活性剤は、例えば、脂肪酸エステルである。また、研磨スラリー２４の組成変化を抑制するために、研磨スラリー２４に、３．０ｗｔ％未満のプロピレングリコールが添加されてもよい。
【００５６】
研磨スラリー２４の磁性体砥粒は、例えば、ＢＡＳＦ社製のカルボニル鉄粉が使用される。カルボニル鉄粉は、真球状であり、直径１μｍ〜８μｍの粒度分布を有する。研磨スラリー２４は、この磁性体砥粒に、界面活性剤、防錆剤、湿潤剤、増粘剤および水が適宜に混合されて作成される。また、研磨スラリー２４に、セリア、アルミナおよびシリカ等の非磁性スラリーをさらに混合して、研磨力の向上を図ってもよい。
【００５７】
磁性体砥粒は、最大磁束密度が１．０Ｔ以上であり、最大透磁率が３．０Ｈ／ｍ以上であることが好ましい。研磨スラリー２４に含まれる磁性体砥粒の濃度が８５％未満である場合、最大磁束密度が１．３Ｔ以上であり、最大透磁率が３．３Ｈ／ｍ以上であることが好ましく、最大磁束密度が１．６Ｔ以上であることがより好ましい。
【００５８】
（２−２）ガラス基板ユニットの構成
次に、ガラス基板ユニット８０の詳細な構成について説明する。図６は、ガラス基板ユニット８０の断面図の一部である。図６には、ガラス基板ユニット８０に含まれるガラス基板９２の端面９２ａおよび一対の主表面９２ｂが示されている。ガラス基板９２の端面９２ａは、ガラス基板９２の角部の研削によりＲ形状に面取りされた表面を含む。
【００５９】
以下、主表面９２ｂの幅方向の中心から見て端面９２ａがある方向を「幅方向外側」と呼び、端面９２ａから見て主表面９２ｂの幅方向の中心がある方向を「幅方向内側」と呼ぶ。また、図６に示されるように、主表面９２ｂと端面９２ａとの境界であるポイントをチップ９２ｃと呼び、端面９２ａの鉛直方向の中心であるポイントをトップ９２ｄと呼ぶ。端面９２ａは、鉛直方向において、一方のチップ９２ｃからトップ９２ｄを経由して他方のチップ９２ｃまで延びている。
【００６０】
ガラス基板ユニット８０において、ガラス基板９２は、一対の砥粒保持部材９３によって挟まれている。ガラス基板９２の一対の主表面９２ｂは、それぞれ、砥粒保持部材９３の主表面と接触している。砥粒保持部材９３は、ガラス基板９２に対して固定されている。砥粒保持部材９３は、非磁性体の材質から成形される板である。砥粒保持部材９３は、ガラス基板９２と同程度に研磨されにくい材質、または、ガラス基板９２よりも研磨されにくい材質から成形される。
【００６１】
砥粒保持部材９３は、空間形成面９４を有する。空間形成面９４は、主表面９２ｂと接触するポイントから幅方向外側に向かうに従って、主表面９２ｂから徐々に離れる傾斜面である。主表面９２ｂと空間形成面９４との間の角度は、例えば、４５°である。砥粒保持部材９３の空間形成面９４と、ガラス基板９２の主表面９２ｂとの間には、砥粒保持空間９５が形成されている。砥粒保持空間９５は、幅方向内側に向かって窪んでいる凹部である。幅方向の最も外側における、砥粒保持空間９５の鉛直方向の寸法は、ガラス基板９２の面取りされた角部のＲ形状の半径ｒに基づいて決定されてもよい。例えば、幅方向の最も外側における、砥粒保持空間９５の鉛直方向の寸法は、ｒ／２〜ｒの範囲内であってもよい。また、砥粒保持部材９３がガラス基板９２と接触するポイントの位置、すなわち、空間形成面９４が主表面９２ｂと接触するポイントの位置は、チップ９２ｃからトップ９２ｄまでのｘ軸方向の距離ｔに基づいて決定されてもよい。例えば、チップ９２ｃから、空間形成面９４が主表面９２ｂと接触するポイントまでのｘ軸方向の距離は、ｔ／２〜ｔの範囲内であってもよい。
【００６２】
空間形成面９４の幅方向内側の端部、すなわち、空間形成面９４と主表面９２ｂとが接触するポイントは、チップ９２ｃよりも幅方向内側に位置する。空間形成面９４の幅方向外側の端部は、チップ９２ｃよりも幅方向外側に位置する。また、空間形成面９４の幅方向外側の端部は、トップ９２ｄよりも幅方向外側に位置することはない。
【００６３】
（２−３）研磨装置の動作
研磨工程Ｓ８において、研磨装置１０が、ガラス基板ユニット８０に含まれるガラス基板９２の端面９２ａを研磨する工程について説明する。最初に、研削工程Ｓ７において面取りされたガラス基板９２を含むガラス基板ユニット８０が、搬送機構１２によって搬送される。搬送方向に沿って搬送されるガラス基板ユニット８０は、研磨機構１４の研磨ホイール２０に徐々に近付く。研磨機構１４は、一対の研磨ホイール２０の位置がガラス基板ユニット８０の幅方向の寸法に合うように、予め設置されてもよい。また、研磨機構１４は、ガラス基板ユニット８０に含まれるガラス基板９２の端面９２ａが研磨ホイール２０に十分に近付いたこと、または、端面９２ａが研磨ホイール２０に接触したことをセンサ等によって検知して、回転シャフト２１の中心軸２１ａを中心に回転している研磨ホイール２０を端面９２ａに向かって移動させてもよい。
【００６４】
図５に示されるように、ガラス基板ユニット８０は、スラリー面２４ａから研磨スラリー２４の中に挿入される。ガラス基板ユニット８０が研磨スラリー２４の中に挿入されている状態で、ガラス基板ユニット８０は、搬送機構１２によって搬送方向に搬送される。これにより、ガラス基板ユニット８０に含まれるガラス基板９２の端面９２ａが研磨スラリー２４と接触している状態で、研磨ホイール２０および端面９２ａは、搬送方向に沿って相対的に移動する。ガラス基板９２の端面９２ａは、研磨ホイール２０と共に回転している研磨スラリー２４に含まれている磁性体砥粒と衝突することによって研磨される。
【００６５】
なお、ガラス基板ユニット８０を搬送方向に移動させずに、研磨ホイール２０を搬送方向に移動させて、研磨ホイール２０と端面９２ａとを搬送方向に沿って相対的に移動させてもよい。また、ガラス基板ユニット８０および研磨ホイール２０の両方を搬送方向に移動させて、研磨ホイール２０と端面９２ａとを搬送方向に沿って相対的に移動させてもよい。
【００６６】
（３）特徴
本実施形態に係るガラス基板の製造方法は、オーバーフローダウンドロー法を用いて製造されたガラス基板９２の端面９２ａを磁性体砥粒に接触させて研磨する研磨工程Ｓ８を含む。磁性体砥粒を含む研磨スラリー２４は、研磨ホイール２０の第１磁場形成部材２２および第２磁場形成部材２３が形成する磁場により、磁束集中空間２７に保持されている。研磨装置１０によってガラス基板ユニット８０が研磨スラリー２４に挿入されると、研磨スラリー２４に含まれる磁性体砥粒は、磁束集中空間２７に保持されながら回転シャフト２１周りに回転する。ガラス基板ユニット８０に含まれるガラス基板９２の端面９２ａは、回転する磁性体砥粒と接触することで研磨される。
【００６７】
図７は、図５に示される磁束集中空間２７の近傍の拡大図である。図７には、研磨スラリー２４に含まれる磁性体砥粒９６が、模式的に円で示されている。実際には、磁性体砥粒９６は、図７に示される円よりも小さい粒子である。
【００６８】
研磨装置１０によって研磨される端面９２ａを有するガラス基板９２は、一対の砥粒保持部材９３で挟まれている。ガラス基板９２と砥粒保持部材９３との間には、砥粒保持空間９５が形成されている。磁束集中空間２７に保持されながら回転する磁性体砥粒９６は、磁束集中空間２７に挿入されたガラス基板９２の端面９２ａに対して、研磨圧を作用させる。図７には、磁性体砥粒９６による研磨圧の方向が矢印で示されている。具体的に説明すると、磁束集中空間２７の磁場により流動性が規制された磁性体砥粒９６に対して、被研磨物であるガラス基板９２が押し込まれることにより、ガラス基板９２が押し込まれる方向である径方向内側の反対方向の径方向外側の研磨圧が端面９２ａに作用する。端面９２ａは鉛直方向に沿ってＲ形状に湾曲しているので、端面９２ａにおいて、研磨圧の方向に垂直な領域には研磨圧が作用しやすく、研磨圧の方向に実質的に平行な領域には研磨圧が作用しにくい。
【００６９】
砥粒保持空間９５は、径方向外側に向かって窪んでいる凹部である。そのため、砥粒保持空間９５の磁性体砥粒９６は、研磨圧が作用しにくい領域においても局所的に砥粒保持空間９５に滞留することができる。これにより、砥粒保持空間９５の磁性体砥粒９６は、チップ９２ｃ近傍の端面９２ａに集中的に接触することができる。すなわち、磁性体砥粒９６が砥粒保持空間９５に滞留することにより、磁性体砥粒９６は、チップ９２ｃ近傍の端面９２ａを十分に研磨することができる。
【００７０】
さらに、トップ９２ｄ近傍の端面９２ａは、磁性体砥粒９６による研磨圧の方向と実質的に直交する。そのため、磁性体砥粒９６は、もともと、トップ９２ｄ近傍の端面９２ａに集中的に接触することができる。
【００７１】
従って、ガラス基板９２の端面９２ａは、チップ９２ｃからトップ９２ｄまでの領域全体において、磁性体砥粒９６と集中的に接触することができる。そのため、研磨装置１０は、ガラス基板９２の端面９２ａ全体を均一に研磨することができるので、ガラス基板９２の研磨効率を向上させることができる。
【００７２】
ここで、比較例として、ガラス基板９２が一対の砥粒保持部材９３に挟まれておらず、砥粒保持空間９５が存在しない研磨処理を行う従来の研磨装置について説明する。図８は、比較例としての図であり、図７から砥粒保持部材９３が取り除かれた研磨装置を表す図である。図８では、便宜上、図７と同じ参照符号が使用されている。図８には、図７と同様に、磁性体砥粒９６による研磨圧の方向が矢印で示されている。図８に示されるように、この研磨装置では、磁性体砥粒９６は、チップ９２ｃ近傍の端面９２ａに接触しても、磁性体砥粒による端面９２ａに作用する研磨圧が低く、チップ９２ｃ近傍の端面９２ａに集中的に接触することができない。そのため、この研磨装置では、チップ９２ｃ近傍の端面９２ａを十分に研磨するために長時間を要する。また、この研磨装置は、ガラス基板９２の端面９２ａ全体を均一に研磨することができない。
【００７３】
以上より、本実施形態のガラス基板の製造方法は、一対の砥粒保持部材９３で挟まれたガラス基板９２の端面９２ａを研磨することで、ガラス基板９２の端面９２ａ全体を均一に研磨することができ、ガラス基板９２の研磨効率を向上させることができる。  （４）変形例
以上、本実施形態のガラス基板の製造方法について説明したが、本発明は上記の実施形態に限定されず、本発明の主旨を逸脱しない範囲において、種々の改良および変更が施されてもよい。
【００７４】
（４−１）変形例１Ａ
本実施形態では、ガラス基板ユニット８０は、１枚のガラス基板９２を有する。しかし、ガラス基板ユニット８０は、複数枚のガラス基板９２を有してもよい。図９は、本変形例のガラス基板ユニット１８０の断面図の一部である。図９に示されるように、ガラス基板ユニット１８０では、ガラス基板９２および砥粒保持部材１９３が、交互に積層されている。一部の砥粒保持部材１９３は、２枚のガラス基板９２に挟まれている。２枚のガラス基板９２に挟まれている砥粒保持部材１９３は、一方のガラス基板９２の主表面９２ｂとの間に砥粒保持空間１９５を形成する空間形成面１９４と、他方のガラス基板９２の主表面９２ｂとの間に砥粒保持空間１９５を形成する空間形成面１９４とを有している。
【００７５】
本変形例では、実施形態と同様に、ガラス基板ユニット１８０は、研磨ホイール２０の磁束集中空間２７に保持されている研磨スラリー２４に挿入される。研磨スラリー２４に含まれる磁性体砥粒は、磁束集中空間２７に保持されながら回転する。ガラス基板ユニット１８０に含まれる複数枚のガラス基板９２の端面９２ａは、回転する磁性体砥粒と接触して研磨される。
【００７６】
また、ガラス基板９２および砥粒保持部材１９３が交互に積層されたガラス基板ユニット１８０を研磨スラリー２４に挿入して、ガラス基板９２の端面９２ａを加工するため、加工中にガラス基板９２が撓みにくい。そのため、本変形例のガラス基板の製造方法は、０．３ｍｍ未満の厚み、例えば、０．０５ｍｍ〜０．２ｍｍの厚みを有する薄いガラス基板９２の端面９２ａの加工に好適である。
【００７７】
従って、本変形例のガラス基板の製造方法は、複数枚のガラス基板９２の端面９２ａを一度に研磨することができるので、ガラス基板９２の研磨効率を向上させることができる。
【００７８】
（４−２）変形例１Ｂ
本実施形態では、ガラス基板ユニット８０に含まれる砥粒保持部材９３は、空間形成面９４を有する。空間形成面９４は、主表面９２ｂと接触するポイントから幅方向外側に向かうに従って、主表面９２ｂから徐々に離れる傾斜面である。砥粒保持部材９３の空間形成面９４と、ガラス基板９２の主表面９２ｂとの間には、砥粒保持空間９５が形成されている。
【００７９】
しかし、砥粒保持部材９３は、他の形状の空間形成面９４を有していてもよい。具体的には、砥粒保持部材９３は、ガラス基板９２の主表面９２ｂとの間で砥粒保持空間９５を形成することができる任意の空間形成面９４を有することができる。図１０は、本変形例のガラス基板ユニット２８０の断面図の一部である。ガラス基板ユニット２８０は、１枚のガラス基板９２が一対の砥粒保持部材２９３に挟まれているユニットである。
【００８０】
図１０に示されるように、砥粒保持部材２９３は、空間形成面２９４を有している。空間形成面２９４は、ガラス基板９２の主表面９２ｂに直交する第１形成面２９４ａと、主表面９２ｂと平行な第２形成面２９４ｂとから構成されている。砥粒保持部材２９３の空間形成面２９４と、ガラス基板９２の主表面９２ｂとの間には、砥粒保持空間２９５が形成されている。砥粒保持空間２９５は、実施形態の砥粒保持空間９５と同じ効果を有する。
【００８１】
（４−３）変形例１Ｃ
本実施形態の研磨装置１０は、研磨工程Ｓ８で行われるガラス基板９２の端面９２ａの研磨加工を行うための装置である。しかし、研磨装置１０は、研削工程Ｓ７で行われるガラス基板９２の面取り加工を行うための装置として用いられてもよい。
【００８２】
（４−４）変形例１Ｄ
本実施形態の研磨装置１０は、ガラス基板９２の端面９２ａを研磨する。しかし、研磨装置１０は、金属板およびセラミック板等の他の板状物品の端面を研磨してもよい。
＜第２実施形態＞
本発明の第２実施形態としてのガラス基板の製造方法について、図面を参照しながら説明する。第１実施形態と本実施形態との相違点は、ガラス基板ユニット８０の構成のみである。そのため、第１実施形態と共通する構成に関する説明は省略する。本実施形態で用いられる研磨装置１０は、第１実施形態の研磨装置１０と同じである。
【００８３】
（１）ガラス基板ユニットの構成
図１１は、本実施形態におけるガラス基板ユニット３８０の断面図の一部である。ガラス基板ユニット３８０では、１枚のガラス基板９２と、一対の砥粒保持部材３９３とから構成される。砥粒保持部材３９３は、１枚の第１保持部材３９３ａと、１枚の第２保持部材３９３ｂとから構成される。第１保持部材３９３ａおよび第２保持部材３９３ｂは、非磁性体の材質から成形される板である。
【００８４】
ガラス基板９２の一対の主表面９２ｂは、それぞれ、第１保持部材３９３ａの主表面と接触している。第１保持部材３９３ａの一対の主表面は、それぞれ、ガラス基板９２の主表面９２ｂ、および、第２保持部材３９３ｂの主表面と接触している。すなわち、図１１に示されるように、ガラス基板ユニット３８０は、ガラス基板９２が一対の第１保持部材３９３ａによって挟まれ、さらに、一対の第２保持部材３９３ｂによって挟まれているユニットである。また、第１保持部材３９３ａおよび第２保持部材３９３ｂは、ガラス基板９２に対して固定されている。
【００８５】
第１保持部材３９３ａは、第１形成面３９４ａを有する。第１形成面３９４ａは、第１保持部材３９３ａの端面に相当する。第２保持部材３９３ｂは、第２形成面３９４ｂを有する。第２形成面３９４ｂは、第２保持部材３９３ｂの主表面の一部に相当する。第１形成面３９４ａは、第２形成面３９４ｂと直交している。ガラス基板ユニット３８０は、砥粒保持空間３９５を有する。砥粒保持空間３９５は、ガラス基板９２の主表面９２ｂ、第１形成面３９４ａおよび第２形成面３９４ｂにより形成される空間である。砥粒保持空間３９５は、径方向外側に向かって窪んでいる凹部である。
【００８６】
第１形成面３９４ａと主表面９２ｂとが接触するポイントは、チップ９２ｃよりも幅方向内側に位置する。第２形成面３９４ｂの幅方向外側の端部は、チップ９２ｃよりも幅方向外側に位置する。また、第２形成面３９４ｂの幅方向外側の端部は、トップ９２ｄよりも幅方向外側に位置することはない。
【００８７】
（２）特徴
図１２は、第１実施形態に関する図７と同様の、磁束集中空間２７の近傍の拡大図である。図１２には、研磨スラリー２４に含まれる磁性体砥粒９６が、模式的に円で示されている。実際には、磁性体砥粒９６は、図１２に示される円よりも小さい粒子である。
【００８８】
研磨装置１０によって研磨される端面９２ａを有するガラス基板９２は、一対の砥粒保持部材３９３で挟まれている。ガラス基板９２と砥粒保持部材３９３との間には、砥粒保持空間３９５が形成されている。磁束集中空間２７に保持されながら回転する磁性体砥粒９６は、磁束集中空間２７に挿入されたガラス基板９２の端面９２ａに対して、研磨圧を作用させる。図１２には、磁性体砥粒９６による研磨圧の方向が矢印で示されている。具体的に説明すると、磁束集中空間２７の磁場により流動性が規制された磁性体砥粒９６に対して、被研磨物であるガラス基板９２が押し込まれることにより、ガラス基板９２が押し込まれる方向である径方向内側の反対方向の径方向外側の研磨圧が端面９２ａに作用する。端面９２ａは鉛直方向に沿ってＲ形状に湾曲しているので、端面９２ａにおいて、研磨圧の方向に垂直な領域には研磨圧が作用しやすく、研磨圧の方向に実質的に平行な領域には研磨圧が作用しにくい。
【００８９】
砥粒保持空間３９５は、径方向外側に向かって窪んでいる凹部である。そのため、砥粒保持空間３９５の磁性体砥粒９６は、研磨圧が作用しにくい領域においても局所的に砥粒保持空間３９５に滞留することができる。これにより、砥粒保持空間３９５の磁性体砥粒９６は、チップ９２ｃ近傍の端面９２ａに集中的に接触することができる。すなわち、磁性体砥粒９６が砥粒保持空間３９５に滞留することにより、磁性体砥粒９６は、チップ９２ｃ近傍の端面９２ａを十分に研磨することができる。
【００９０】
さらに、トップ９２ｄ近傍の端面９２ａは、磁性体砥粒９６による研磨圧の方向と実質的に直交する。そのため、磁性体砥粒９６は、もともと、トップ９２ｄ近傍の端面９２ａに集中的に接触することができる。
【００９１】
従って、ガラス基板９２の端面９２ａは、チップ９２ｃからトップ９２ｄまでの領域全体において、磁性体砥粒９６から高い研磨圧を受けて接触することができる。そのため、研磨装置１０は、ガラス基板９２の端面９２ａ全体を均一に研磨することができるので、ガラス基板９２の研磨効率を向上させることができる。
【００９２】
（３）変形例
以上、本実施形態のガラス基板の製造方法について説明したが、本発明は上記の実施形態に限定されず、本発明の主旨を逸脱しない範囲において、種々の改良および変更が施されてもよい。
【００９３】
（３−１）変形例２Ａ
本実施形態では、ガラス基板ユニット３８０は、１枚のガラス基板９２を有する。しかし、ガラス基板ユニット３８０は、複数枚のガラス基板９２を有してもよい。図１３は、本変形例のガラス基板ユニット４８０の断面図の一部である。図１３に示されるように、ガラス基板ユニット４８０では、ガラス基板９２および砥粒保持部材４９３が、交互に積層されている。図１３において、一対のガラス基板９２に挟まれている砥粒保持部材４９３は、一対の第１保持部材４９３ａと、一対の第１保持部材４９３ａに挟まれている第２保持部材４９３ｂであるガラス基板９２とから構成される。すなわち、ガラス基板ユニット４８０は、ガラス基板９２と第１保持部材４９３ａとが交互に積層されたユニットである。
【００９４】
図１３において、砥粒保持部材４９３に含まれる第２保持部材４９３ｂであるガラス基板９２の主表面９２ｂは、実施形態の第２保持部材３９３ｂの第２形成面３９４ｂと同じ効果を有する。砥粒保持部材４９３に含まれる第１保持部材４９３ａは、第１形成面４９４ａを有している。これにより、ガラス基板ユニット４８０は、積層方向に隣接する２枚のガラス基板９２の主表面９２ｂと、その間に挟まれる第１保持部材４９３ａの第１形成面４９４ａとから形成される砥粒保持空間４９５を有している。
【００９５】
本変形例では、実施形態と同様に、ガラス基板ユニット４８０は、研磨ホイール２０の磁束集中空間２７に保持されている研磨スラリー２４に挿入される。研磨スラリー２４に含まれる磁性体砥粒は、磁束集中空間２７に保持されながら回転する。ガラス基板ユニット４８０に含まれる複数枚のガラス基板９２の端面９２ａは、回転する磁性体砥粒と接触して研磨される。
【００９６】
また、ガラス基板９２および砥粒保持部材４９３が交互に積層されたガラス基板ユニット４８０を研磨スラリー２４に挿入して、ガラス基板９２の端面９２ａを加工するため、加工中にガラス基板９２が撓みにくい。そのため、本変形例のガラス基板の製造方法は、０．３ｍｍ未満の厚み、例えば、０．０５ｍｍ〜０．２ｍｍの厚みを有する薄いガラス基板９２の端面９２ａの加工に好適である。
【００９７】
従って、本変形例のガラス基板の製造方法は、複数枚のガラス基板９２の端面９２ａを一度に研磨することができるので、ガラス基板９２の研磨効率を向上させることができる。
【００９８】
（３−２）変形例２Ｂ
本実施形態では、砥粒保持部材３９３に含まれる第２保持部材３９３ｂは、非磁性体の材質から成形される板である。しかし、第２保持部材３９３ｂは、ガラス基板９２であってもよい。
【００９９】
（３−３）変形例２Ｃ
本実施形態の研磨装置１０は、研磨工程Ｓ８で行われるガラス基板９２の端面９２ａの研磨加工を行うための装置である。しかし、研磨装置１０は、研削工程Ｓ７で行われるガラス基板９２の面取り加工を行うための装置として用いられてもよい。
【０１００】
（３−４）変形例２Ｄ
本実施形態の研磨装置１０は、ガラス基板９２の端面９２ａを研磨する。しかし、研磨装置１０は、金属板およびセラミック板等の他の板状物品の端面を研磨してもよい。
【符号の説明】
【０１０１】
２１      回転シャフト
２２      第１磁場形成部材（磁場形成部材）
２３      第２磁場形成部材（磁場形成部材）
９２      ガラス基板
９２ａ    ガラス基板の端面（ガラス基板の端部）
９２ｂ    ガラス基板の主端面
９３      砥粒保持部材
９４      空間形成面
９５      砥粒保持空間
９６      磁性体砥粒
１９３    砥粒保持部材
１９４    空間形成面
１９５    砥粒保持空間
３９３    砥粒保持部材
３９３ａ  第１保持部材
３９３ｂ  第２保持部材
３９４ａ  第１形成面
３９４ｂ  第２形成面
３９５    砥粒保持空間
４９３    砥粒保持部材
４９３ａ  第１保持部材
４９３ｂ  第２保持部材（ガラス基板）
４９４ａ  第１形成面
４９５    砥粒保持空間
【先行技術文献】
【特許文献】
【０１０２】
【特許文献１】国際公開第２０１２／０６７５８７号公報
【図１】
0006342768.tif 000002
【図２】
0006342768.tif 000003
【図３】
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【図４】
0006342768.tif 000005
【図５】
0006342768.tif 000006
【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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