(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体積層体と、前記半導体積層体の一方の面に設けられる電極とを有する半導体発光素子を備える発光装置の製造方法であって、
複数の前記半導体発光素子が配列して形成され、かつ前記半導体発光素子を区画する境界領域において、隣接する前記半導体発光素子の前記電極同士が短絡するように設けられたウエハを準備するウエハ準備工程と、
前記半導体積層体の前記一方の面側に、前記電極が設けられた領域の一部に開口部を有する第１樹脂層を形成する第１樹脂層形成工程と、
前記第１樹脂層の開口部において露出した前記電極上に、第１金属層を形成する第１金属層形成工程と、
前記第１樹脂層上に、前記第１金属層が形成された領域及び前記境界領域にそれぞれ開口部を有する第２樹脂層を形成する第２樹脂層形成工程と、
前記第２樹脂層の開口部において露出した前記第１金属層上に、第２金属層を形成する第２金属層形成工程と、
前記境界領域上に形成された前記第１樹脂層を、前記電極が露出するように除去する第１樹脂層除去工程と、
前記ウエハを、前記境界領域に沿って前記半導体発光素子ごとに個片化する個片化工程と、を有することを特徴とする発光装置の製造方法。
【請求項２】
前記第１樹脂層除去工程は、異方性エッチングによって行うことを特徴とする請求項１に記載の発光装置の製造方法。
【請求項３】
前記第１樹脂層形成工程において形成される前記第１樹脂層のうち前記境界領域を覆う部分の最大膜厚が、前記第２樹脂層形成工程で形成される前記第２樹脂層の最小膜厚よりも薄いことを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の発光装置の製造方法。
【請求項４】
前記第１樹脂層除去工程後に、前記境界領域に露出した前記電極を除去する電極除去工程を有することを特徴とする請求項１乃至請求項３の何れか一項に記載の発光装置の製造方法。
【請求項５】
前記電極除去工程は、ウェットエッチングによって行うことを特徴とする請求項４に記載の発光装置の製造方法。
【請求項６】
前記第１金属層形成工程及び前記第２金属層形成工程において、前記第１金属層及び前記第２金属層は、ぞれぞれ電解メッキ法によって形成されることを特徴とする請求項１乃至請求項５の何れか一項に記載の発光装置の製造方法。
【請求項７】
前記第１樹脂層形成工程及び前記第２樹脂層形成工程において、前記第１樹脂層及び前記第２樹脂層は、それぞれフォトリソグラフィ法によって形成されることを特徴とする請求項１乃至請求項６の何れか一項に記載の発光装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体発光素子と内部配線を有する樹脂層とを備える発光装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
発光ダイオード等の半導体発光素子を用いた発光装置は小型化が容易で、かつ高い発光効率が得られることから広く用いられている。
半導体発光素子を用いた発光装置は、大別すると、半導体発光素子にパッド電極を設ける面が、実装基板と反対側の面であるフェイスアップ型と、実装基板と対向する面である発光素子の下面に電極を設けたフェイスダウン型の２種類がある。
【０００３】
フェイスアップ型では半導体発光素子をリード等にマウントし、半導体発光素子とリードとの間をボンディングワイヤ等により接続する。このため、実装基板に実装して同基板の表面に垂直な方から平面視した場合、ボンディングワイヤの一部が半導体発光素子よりも外側に位置する必要があり小型化に限界があった。
【０００４】
一方、フェイスダウン型（フリップチップ型）では、半導体発光素子の表面に設けたパッド電極と、実装基板上に設けた配線とを、実装基板の表面に垂直な方向から平面視した場合に半導体発光素子の大きさの範囲内に位置するバンプ又は金属ピラー等の接続手段により電気的に接続することが可能である。
これにより、発光装置のサイズ（とりわけ実装基板に垂直な方向から平面視したサイズ）を半導体発光素子のチップに近いレベルまで小型化したＣＳＰ（Chip Size Package又はChip Scale Package）を実現することができる。
【０００５】
そして、最近ではより一層の小型化を進めるため、又は発光効率をより高めるために、サファイア等の成長基板（透光性基板）を除去、又はその厚さを薄くしたフェイスダウン型の発光装置が用いられている。
【０００６】
成長基板は、その上に半導体発光素子を構成するｎ型半導体層及びｐ型半導体層を成長させるために用いる基板であって、厚さが薄く強度の低い半導体発光素子を支持することにより発光装置の強度を向上させる効果も有している。
このため、半導体発光素子を形成した後に、成長基板を除去した発光装置又は成長基板の厚さを薄くした発光装置では、例えば、特許文献１に示されるように、半導体発光素子を支持するために電極側（実装基板と対向する側）に樹脂層を設けるとともに、この樹脂層を貫くように金属ピラーや他の配線からなる内部配線を形成して、電極と外部端子とを電気的に接続するように構成している。
そして、この内部配線を含む樹脂層を有することで発光装置は十分な強度を確保することができる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特開２０１０−１４１１７６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
発光装置をＷＣＳＰ（ウエハレベルで作製されるＣＳＰ）で作製する際に、例えば、特許文献１には、樹脂層内に設けられる内部配線を電解メッキ法で形成することが記載されている。特許文献１に記載の製造方法を更に詳細に説明すると、所定の領域に内部配線を形成するために、ウエハ全面に絶縁膜を介して電解メッキの際の電流経路となるシード層を形成し、メッキ成長させない領域にフォトレジストを用いてメッキマスクを形成し、電解メッキ終了後にマスクを除去する。内部配線を多層構成とする場合は、各層ごとに、メッキマスクの形成と電解メッキとメッキマスクの除去とを繰り返し行うこととなる。そして、内部配線を形成した後で、内部配線を樹脂で被覆するように樹脂層を形成する。このように、内部配線を有する樹脂層を形成する際には、多数の工程を要するため、製造工程数の低減が望まれている。
【０００９】
なお、ウエハ状態での製造工程中は、後に切断される各発光装置の境界領域上にメッキ成長させることは、切断を容易にするためには好ましくない。このため、電解メッキを行う際に、境界領域においてシード層はメッキマスクで被覆される。すなわち、電解メッキ法で内部配線を形成する場合は、メッキマスクを形成する工程と、電解メッキ終了後に当該メッキマスクを除去する工程とが必要であり、多数の工程数を要することとなる。
そこで、本発明は、電解メッキ法で内部配線を形成するウエハレベルでの発光装置の製造方法において、製造工程数を低減することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
前記した課題を解決するために、本発明の実施形態に係る発光装置の製造方法は、半導体積層体と、前記半導体積層体の一方の面に設けられる電極とを有する半導体発光素子を備える発光装置の製造方法であって、複数の前記半導体発光素子が配列して形成され、かつ前記半導体発光素子を区画する境界領域において、隣接する前記半導体発光素子の前記電極同士が短絡するように設けられたウエハを準備するウエハ準備工程と、前記半導体積層体の前記一方の面側に、前記電極が設けられた領域の一部に開口部を有する第１樹脂層を形成する第１樹脂層形成工程と、前記第１樹脂層の開口部において露出した前記電極上に、第１金属層を形成する第１金属層形成工程と、前記第１樹脂層上に、前記第１金属層が形成された領域及び前記境界領域にそれぞれ開口部を有する第２樹脂層を形成する第２樹脂層形成工程と、前記第２樹脂層の開口部において露出した前記第１金属層上に、第２金属層を形成する第２金属層形成工程と、前記境界領域上に形成された前記第１樹脂層を、前記電極が露出するように除去する第１樹脂層除去工程と、前記ウエハを、前記境界領域に沿って前記半導体発光素子ごとに個片化する個片化工程と、を有する。
【発明の効果】
【００１１】
本発明の実施形態に係る発光装置の製造方法によれば、第１樹脂層をメッキマスクとして用い、第２樹脂層をメッキマスクを除去するためのエッチングマスクとして用いるため、これらのマスクの形成工程及び除去工程を省略でき、その結果として、製造工程数を低減することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１】本発明の実施形態に係る発光装置の構成を示す模式図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）のＩ−Ｉ線における断面図である。
【図２】本発明の実施形態に係る発光装置の構成を示す模式的斜視図である。
【図３】本発明の実施形態に係る発光装置の層構造を示す模式的平面図であり、（ａ）はｐ型半導体層及びカバー電極の配置領域を示し、（ｂ）は光反射電極の配置領域を示す。
【図４】本発明の実施形態に係る発光装置の層構造を示す模式的平面図であり、（ａ）は絶縁膜の配置領域を示し、（ｂ）はｎ側電極及びｐ側電極の配置領域を示す。
【図５】本発明の実施形態に係る発光装置の層構造を示す模式的平面図であり、（ａ）は第１樹脂層及び第１金属層の配置領域を示し、（ｂ）は第２樹脂層及び第２金属層の配置領域を示す。
【図６】本発明の実施形態に係る発光装置の製造方法の流れを示すフローチャートである。
【図７】本発明の実施形態に係る発光装置の製造工程の一部を示す模式的断面図であり、（ａ）は半導体積層体形成工程、（ｂ）は光反射電極形成工程、（ｃ）はカバー電極形成工程、（ｄ）はｎ型半導体層露出工程、（ｅ）は絶縁膜形成工程を示す。
【図８】本発明の実施形態に係る発光装置の製造工程におけるパッド電極形成工程を示す模式図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）のＩＩ−ＩＩ線における断面図である。
【図９】本発明の実施形態に係る発光装置の製造工程の一部を示す模式的断面図であり、（ａ）は第１樹脂層形成工程、（ｂ）は第１金属層形成工程、（ｃ）は第２樹脂層形成工程を示す。
【図１０】本発明の実施形態に係る発光装置の製造工程の一部を示す模式的断面図であり、（ａ）は第２金属層形成工程、（ｂ）は第１樹脂層除去工程を示す。
【図１１】本発明の実施形態に係る発光装置の製造工程におけるパッド電極分離工程を示す模式図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）のＩＩ−ＩＩ線における断面図である。
【図１２】本発明の実施形態に係る発光装置の製造工程における成長基板除去工程を示す模式的断面図である。
【図１３】本発明の実施形態の第１変形例に係る発光装置の構成を示す模式的断面図である。
【図１４】本発明の実施形態の第１変形例に係る発光装置の製造工程の一部を示す模式的断面図であり、（ａ）は第２金属層形成工程、（ｂ）は第１樹脂層除去工程を示す。
【図１５】本発明の実施形態の第２変形例に係る発光装置の構成を示す模式的断面図である。
【図１６】本発明の実施形態の第２変形例に係る発光装置の製造工程の一部を示す模式的断面図であり、（ａ）は第２金属層形成工程、（ｂ）は第１樹脂層除去工程を示す。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
以下、本発明に係る発光装置及びその製造方法の実施形態について説明する。
なお、以下の説明において参照する図面は、本発明を概略的に示したものであるため、各部材のスケールや間隔、位置関係などが誇張、あるいは、部材の一部の図示が省略されている場合がある。また、斜視図、平面図、断面図の間において、各部材のスケールや間隔が一致しない場合もある。また、以下の説明では、同一の名称及び符号については原則として同一又は同質の部材を示しており、詳細な説明を適宜省略することとする。
【００１４】
また、本発明の各実施形態に係る発光装置において、「上」、「下」、「左」及び「右」などは、状況に応じて入れ替わるものである。本明細書において、「上」、「下」などは、説明のために参照する図面において構成要素間の相対的な位置を示すものであって、特に断らない限り絶対的な位置を示すことを意図したものではない。
【００１５】
［発光装置の構成］
まず、図１〜図５を参照して、本発明の実施形態に係る発光装置の構成について説明する。
なお、図１（ｂ）に示す断面図は、図１（ａ）に示す平面図のＩ−Ｉ線における断面を模式的に示したものである。図１（ａ）に示したＩ−Ｉ線上の位置Ａ１〜Ａ６と、図１（ｂ）に矢印で示した位置Ａ１〜Ａ６とが、対応しているが、断面構造を分かりやすく示すために、図１（ｂ）の断面図における距離間隔は、図１（ａ）の平面図における距離間隔（部材の長さ）を適宜に伸長又は短縮して示しているため、両図面における距離間隔は一致していない。また、後記する他の断面図についても、特に断らない限り図１（ｂ）と同様に、図１（ａ）に示す平面図のＩ−Ｉ線に相当する断面を示すものである。
また、図３〜図５は、本実施形態に係る発光装置１００の積層構造を説明するために、層ごとに平面視での配置領域をハッチングを施して示すものである。
【００１６】
本実施形態に係る発光装置１００は、図１〜図５に示すように、外形が略正四角柱形状をしており、成長基板が除去されたＬＥＤ（発光ダイオード）構造を有する半導体発光素子１（以下、適宜に「発光素子」と呼ぶ）と、発光素子１の一方の面側に設けられた支持体２とから構成されるＣＳＰである。また、詳細は後記するが、発光装置１００は、ウエハレベルで作製されるＷＣＳＰ（ウエハレベルプロセスによるＣＳＰ）である。
【００１７】
発光素子１の一方の面側（図１（ｂ）における上面）には、ｎ側電極１３及びｐ側電極１５が設けられるとともに、第１樹脂層２１及び第２樹脂層２２が積層してなる支持体２が設けられている。また、第１樹脂層２１内と第２樹脂層２２内とには、それぞれ、内部配線として第１金属層（ｎ側第１金属層）３１ｎ及び第１金属層（ｐ側第１金属層）３１ｐと、第２金属層（ｎ側第２金属層）３２ｎ及び第２金属層（ｐ側第２金属層）３２ｐとが設けられている。第２金属層３２ｎは、第１金属層３１ｎを介してｎ側電極１３と導通しており、第２金属層３２ｐは、第１金属層３１ｐを介してｐ側電極１５と導通しており、第２樹脂層２２から露出した第２金属層３２ｎ，３２ｐの上面が、外部と電気的に接続するための実装面となっている。平面視において、第２金属層３２ｎと第２金属層３２ｐとの間は、第２樹脂層２２によって区画されている。また、第２金属層３２ｎ，３２ｐの上面は、半導体積層体１２の積層方向についての半導体積層体１２からの距離である「高さ」が、第２樹脂層２２の上面よりも高くなるように設けられている。また、発光素子１の下面側が、光取り出し面である。
【００１８】
なお、発光素子１は、半導体積層体１２を形成する際に用いる成長基板１１（図７（ａ）参照）が除去されているが、成長基板１１をそのまま又は研磨により薄肉化して有するようにしてもよい。また、成長基板１１を剥離した後の半導体積層体１２の裏面側に、又は成長基板１１の裏面側に、蛍光体を含有する蛍光体層を設けるようにしてもよい。
【００１９】
次に、発光装置１００の各部の構成について順次に詳細に説明する。
発光素子１は、平面視で略正方形をした板状の形状を有しており、一方の面側にｎ側電極１３及びｐ側電極１５を備えたフェイスダウン型のＬＥＤチップである。
【００２０】
発光素子１は、ｎ型半導体層１２ｎとｐ型半導体層１２ｐとを積層した半導体積層体１２を備えている。半導体積層体１２は、ｎ側電極１３及びｐ側電極１５間に電流を通電することにより発光するようになっており、ｎ型半導体層１２ｎとｐ型半導体層１２ｐとの間に活性層１２ａを備えることが好ましい。
【００２１】
図１及び図３（ａ）に示すように、半導体積層体１２には、ｐ型半導体層１２ｐ及び活性層１２ａが部分的に存在しない領域、すなわちｐ型半導体層１２ｐの表面から凹んでｎ型半導体層１２ｎが露出した領域（この領域を「第１露出部１２ｂ」と呼ぶ）が形成されている。発光素子１は、平面視で、円形の第１露出部１２ｂが、４個ずつ３列に合計で１２個が設けられている。第１露出部１２ｂの底面はｎ型半導体層１２ｎの露出面であり、第１露出部１２ｂの底面の一部に設けられた絶縁膜１６の開口部１６ｎを介して、ｎ型半導体層１２ｎとｎ側電極１３とが電気的に接続されている。
【００２２】
また、半導体積層体１２の外周に沿って、ｐ型半導体層１２ｐ及び活性層１２ａが存在しない領域である第２露出部１２ｃが設けられている。第２露出部１２ｃは、ウエハ状態の発光素子１の境界線４０（図７（ｄ）参照）に沿った領域である境界領域（ダイシングストリート）に設けられる。
なお、第１露出部１２ｂ及び第２露出部１２ｃは、完成した発光装置１００においては、絶縁膜１６、第１樹脂層２１及び第２樹脂層２２などによって全部又は一部が被覆されているが、便宜的に「露出部」と呼ぶ。
【００２３】
また、平面視において半導体積層体１２の外縁となる側面、すなわち、ｎ型半導体層１２ｎの外縁となる側面は、絶縁膜１６及び第１樹脂層２１の何れによっても被覆されていない。ウエハレベルプロセスによる発光装置１００の製造工程の最後の工程である個片化工程Ｓ１１４（図６参照）において半導体積層体１２が割断され、当該割断面が平面視で外縁となる側面として形成される。このため、個片化された発光装置１００において、半導体積層体１２の外縁となる側面は露出した状態となる。
【００２４】
また、図１（ｂ）、図３（ａ）及び図３（ｂ）に示すように、半導体積層体１２のｐ型半導体層１２ｐの上面の略全面には、光反射電極１４ａ及びカバー電極１４ｂが積層された全面電極１４が設けられている。すなわち、図３（ａ）において、ハッチングを施した領域が、ｐ型半導体層１２ｐ及びカバー電極１４ｂが設けられた領域である。また、光反射電極１４ａは、上面及び側面がカバー電極１４ｂで被覆されており、図３（ｂ）においてハッチングを施して示すように、平面視で、カバー電極１４ｂが配置された領域に包含される内側の領域に配置されている。
【００２５】
また、図１（ｂ）及び図４（ａ）に示すように、全面電極１４の上面及び側面、半導体積層体１２の上面及び側面（図４（ａ）において網掛けのハッチングを施した領域）には、絶縁膜１６が設けられている。絶縁膜１６は、第１露出部１２ｂの底面に開口部１６ｎを有するとともに、カバー電極１４ｂ上の一部に開口部１６ｐを有する。開口部１６ｎは、１２カ所に設けられた各第１露出部１２ｂの底面において、円形形状に設けられており、開口部１６ｐは、カバー電極１４ｂ上の１０カ所に角に丸みを帯びた矩形形状に設けられている。また、絶縁膜１６は、第２露出部１２ｃの底面にも開口部を有しているが、開口部を有さずに、ｎ型半導体層１２ｎの上面を端部まで被覆するようにしてもよい。
【００２６】
また、図１（ｂ）及び図４（ｂ）に示すように、発光素子１のｐ側のパッド電極であるｐ側電極１５が、開口部１６ｐにおいてカバー電極１４ｂと電気的に接続されるとともに、絶縁膜１６を介して、図４（ｂ）における右半分の領域のカバー電極１４ｂの上面及び第２露出部１２ｃの側面及び底面の一部に延在するように形成されている。
また、発光素子１のｎ側のパッド電極であるｎ側電極１３が、開口部１６ｎにおいてｎ型半導体層１２ｎと電気的に接続されるとともに、絶縁膜１６を介して、第１露出部１２ｂの底面及び側面、ｐ側電極１５が設けられた領域及びその近傍を除くカバー電極１４ｂの上面及び側面及び第２露出部１２ｃの側面及び底面に延在するように設けられている。
すなわち、発光素子１は、半導体積層体１２の一方の面側に、ｎ側電極１３及びｐ側電極１５の両方が設けられている。
また、このように、ｎ側電極１３又は／及びｐ側電極１５を、発光素子１の上面及び側面に広範囲に設けることにより、後記する支持体３の樹脂層３１に対して効率的に熱を伝導させる、発光装置１００の放熱性を向上させることがきる。
【００２７】
半導体積層体１２（ｎ型半導体層１２ｎ、活性層１２ａ及びｐ型半導体層１２ｐ）は、ＩｎＸＡｌＹＧａ１−Ｘ−ＹＮ（０≦Ｘ、０≦Ｙ、Ｘ＋Ｙ＜１）等が好適に用いられる。また、これらの半導体層は、それぞれ単層構造でもよいが、組成及び膜厚等の異なる層の積層構造、超格子構造等であってもよい。特に、活性層１２ａは、量子効果が生ずる薄膜を積層した単一量子井戸又は多重量子井戸構造であることが好ましい。
【００２８】
全面電極１４は、電流拡散層及び反射層としての機能を有するものであり、光反射電極１４ａとカバー電極１４ｂとを積層して構成されている。
光反射電極１４ａは、ｐ型半導体層１２ｐの上面の略全面を覆うように設けられる。また、光反射電極１４ａの上面及び側面の全体を被覆するように、カバー電極１４ｂが設けられている。光反射電極１４ａは、カバー電極１４ｂ及びカバー電極１４ｂの上面の一部に設けられたｐ側電極１５を介して供給される電流を、ｐ型半導体層１２ｐの全面に均一に拡散するための層である。また、光反射電極１４ａは良好な光反射性を有し、発光素子１が発光する光を、光取り出し面である下方向に反射する層としても機能する。
【００２９】
光反射電極１４ａは、良好な導電性と反射性とを有する金属材料を用いることができる。特に可視光領域で良好な反射性を有する金属材料としては、Ａｇ、Ａｌ又はこれらの金属を主成分とする合金を好適に用いることができる。また、光反射電極１４ａは、これらの金属材料を単層で、又は積層したものが利用できる。
【００３０】
また、カバー電極１４ｂは、光反射電極１４ａを構成する金属材料のマイグレーションを防止するためのバリア層である。特に光反射電極１４ａとして、マイグレーションを起こしやすいＡｇ又はＡｇを主成分とする合金を用いる場合には、カバー電極１４ｂを設けることが好ましい。
カバー電極１４ｂとしては、良好な導電性とバリア性とを有する金属材料を用いることができ、例えば、Ａｌ、Ｔｉ、Ｗ、Ａｕ、ＡｌＣｕ合金などを用いることができる。また、カバー電極１４ｂは、これらの金属材料を単層で、又は積層したものが利用できる。
なお、図１において、カバー電極１４ｂの平面視での配置領域を、便宜的にｐ型半導体層１２ｐの配置領域と一致するように記載しているが、カバー電極１４ｂはｐ型半導体層１２ｐよりも僅かに内側に設けられる。後記する製造工程図においても同様である。
【００３１】
ｎ側電極１３は、１２カ所に設けられた第１露出部１２ｂの底面における絶縁膜１６の開口部１６ｎで、ｎ型半導体層１２ｎと電気的に接続されている。このように広範囲に亘る箇所でｎ型半導体層１２ｎと接続することにより、ｎ側電極１３を介して供給される電流を、ｎ型半導体層１２ｎに均等に拡散できるため、発光効率を向上させることができる。
また、ｐ側電極１５は、カバー電極１４ｂの上面の１０カ所に設けられた絶縁膜１６の開口部１６ｐにおいて、カバー電極１４ｂと電気的に接続されている。
図５（ａ）に示すように、ｎ側電極１３の上面には、１０個の第１金属層３１ｎがｎ側電極１３と電気的に接続されるように設けられ、ｐ側電極１５の上面には、１０個の第１金属層３１ｐがｐ側電極１５と電気的に接続されるように設けられている。
【００３２】
ｎ側電極１３及びｐ側電極１５としては、金属材料を用いることができ、例えば、Ａｇ、Ａｌ、Ｎｉ、Ｒｈ、Ａｕ、Ｃｕ、Ｔｉ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ｍｏ、Ｃｒ、Ｗなどの単体金属又はこれらの金属を主成分とする合金などを好適に用いることができる。なお、合金を用いる場合は、例えば、ＡｌＳｉＣｕ合金（ＡＳＣ）のように、組成元素としてＳｉなどの非金属元素を含有するものであってもよい。また、ｎ側電極１３及びｐ側電極１５は、これらの金属材料を単層で、又は積層したものを利用することができる。積層構造としては、半導体積層体１２側から順に、例えば、Ｔｉ／ＡＳＣ／ＮｉやＴｉ／ＡＳＣ／Ｐｄとすることができる。
【００３３】
絶縁膜１６は、半導体積層体１２及び全面電極１４の上面及び側面を被覆する膜である。絶縁膜１６は、発光素子１の保護膜及び帯電防止膜として機能する。また、絶縁膜１６の上面の広範囲には、ｎ側電極１３及びｐ側電極１５が相補的に延在して設けられている。絶縁膜１６としては、金属酸化物や金属窒化物を用いることができ、例えば、Ｓｉ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｔａ、Ａｌからなる群より選択された少なくとも一種の酸化物又は窒化物を好適に用いることができる。また、絶縁膜１６として、屈折率の異なる２種以上の透光性誘電体を用いて積層し、ＤＢＲ（Distributed Bragg Reflector）膜を構成するようにしてもよい。
【００３４】
なお、図１に示した発光素子１は、一例を示したものであり、これに限定されるものではない。発光素子１は、ｎ側電極１３及びｐ側電極１５が半導体積層体１２の一方の面側に設けられていればよく、第１露出部１２ｂ、ｎ側電極１３及びｐ側電極１５の配置領域などは適宜に定めることができる。また、第１露出部１２ｂに代えて、又は加えて、第２露出部１２ｃでｎ型半導体層１２ｎとｎ側電極１３とが電気的に接続されるようにしてもよい。
【００３５】
支持体２は、平面視で発光素子１の外形と略同形状の、四角柱形状をしており、発光素子１のｎ側電極１３及びｐ側電極１５が設けられた面側と接合するように設けられ、成長基板１１（図７（ａ）参照）が除去された発光素子１の構造を機械的に保つための補強部材である。支持体２は、第１金属層３１ｎ，３１ｐを内部に有する第１樹脂層２１と、第２金属層３２ｎ，３２ｐを内部に有する第２樹脂層２２と、を積層して構成されている。
なお、図１に示した発光装置１００は、平面視において、支持体２が発光素子１に内包されるように構成されているが、平面視で重なるように構成されてもよく、支持体２が発光素子１を内包するように構成されてもよい。
【００３６】
第１樹脂層２１及び第２樹脂層２２からなる積層体は、発光素子１の補強部材としての母体である。第１樹脂層２１及び第２樹脂層２２は、図１に示すように、平面視で、発光素子１の外形形状とほぼ同じであり、第２樹脂層２２の外形が第１樹脂層２１の外形と一致するように形成されている。
【００３７】
第１樹脂層２１は、図１（ｂ）及び図５（ａ）に示すように、内部配線として、厚さ方向に貫通するように、１０個の第１金属層３１ｎと、１０個の第１金属層３１ｐとを有している。
また、第２樹脂層２２は、図１（ｂ）及び図５（ｂ）に示すように、内部配線として、厚さ方向に貫通するように、１個の第２金属層３２ｎと、１個の第２金属層３２ｐとを有している。第２樹脂層２２は、２つの極性の外部接続用電極である第２金属層３２ｎと第２金属層３２ｐとを区画するとともに、平面視で外縁となる領域における上面と、当該区画領域における上面とが同じ高さで形成されている。このため、発光装置１００をフェイスダウン実装する際に、発光装置１００を実装基板と良好に密着させることができるとともに、区画領域を構成する内壁によって第２金属層３２ｎ側において用いられる接着材料と第２金属層３２ｐ側において用いられる接着材料とが接触することを防止することができる。
なお、第２樹脂層２２において、第２金属層３２ｎと第２金属層３２ｐとを区画する領域の幅は、２００μｍ以上５００μｍ以下程度とすることが好ましい。
【００３８】
第１樹脂層２１及び第２樹脂層２２の樹脂材料としては、当該分野で公知のものを使用することができるが、フォトレジストとして用いられる感光性樹脂材料を用いることが好ましい。感光性樹脂材料を用いることにより、フォトリソグラフィ法によって、第１樹脂層２１及び第２樹脂層２２を容易にパターニングすることができる。
【００３９】
第１樹脂層２１及び第２樹脂層２２を合わせた厚さは、成長基板が剥離や薄肉化された発光素子１の補強部材として十分な強度を有するように下限を定めることができる。
例えば、補強部材としての観点からは第１樹脂層２１及び第２樹脂層２２を合わせた厚さが３０μｍ程度以上とすることが好ましく、９０μｍ程度以上とすることが更に好ましい。
また、第１樹脂層２１及び第２樹脂層２２における金属の体積の割合と発光素子１の発熱量とを勘案して、十分な放熱性が得られるように、第１樹脂層２１及び第２樹脂層２２を合わせた厚さの上限を定めることができ、例えば１５０μｍ程度以下が好ましく、１２０μｍ程度以下とすることが更に好ましい。
【００４０】
また、第１樹脂層２１は、後記する製造方法の第１樹脂層形成工程Ｓ１０７（図６参照）において、ウエハ状態で形成された発光素子１の境界領域を被覆するように設けられる。境界領域に形成された第１樹脂層２１は、後記する第１金属層形成工程Ｓ１０８及び第２金属層形成工程Ｓ１１０（図６参照）において、第１金属層３１ｎ，３１ｐ及び第２金属層３２ｎ，３２ｐを電解メッキ法によって形成する際に、当該境界領域においてメッキ成長させないためのメッキマスクとして用いられる。そして、境界領域に形成された第１樹脂層２１は、第２樹脂層形成工程Ｓ１０９（図６参照）で形成される第２樹脂層２２をマスクとする異方性エッチングによって除去される。このため、第１樹脂層２１の膜厚は、第２樹脂層２２の膜厚よりも薄く形成される。
なお、これらの製造工程の詳細については後記する。
【００４１】
第１金属層（ｎ側第１金属層）３１ｎは、第１樹脂層２１の内部に厚さ方向に貫通するように設けられ、発光素子１の電極であるｎ側電極１３と、外部と接続するための電極となる第２金属層３２ｎとを電気的に接続するためのｎ側の内部配線である。
本実施形態では、発光装置１００の左半分の領域におけるｎ側電極１３（図４（ｂ）参照）上に、図５（ａ）に示すように、５個ずつ２列に配列した１０個の第１金属層３１ｎ（図５（ａ）において右上がりの斜線のハッチングを施した領域）が設けられている。また、１０個の第１金属層３１ｎの上面は、図１（ｂ）及び図５（ｂ）に示すように、発光装置１００の左半分に設けられた１個の第２金属層３２ｎ（図５（ｂ）において右下がりの斜線のハッチングを施した領域）の下面と電気的に接続されている。
【００４２】
第１金属層（ｐ側第１金属層）３１ｐは、第１樹脂層２１の内部に厚さ方向に貫通するように設けられ、発光素子１の電極であるｐ側電極１５と、外部と接続するための電極となる第２金属層３２ｐとを電気的に接続するためのｐ側の内部配線である。
本実施形態では、発光装置１００の右半分の領域におけるｐ側電極１５（図４（ｂ）参照）上に、図５（ａ）に示すように、５個ずつ２列に配列した１０個の第１金属層３１ｐ（図５（ａ）において右下がりの斜線のハッチングを施した領域）が設けられている。また、１０個の第１金属層３１ｐの上面は、図１（ｂ）及び図５（ｂ）に示すように、発光装置１００の右半分に設けられた１個の第２金属層３２ｐ（図５（ｂ）において右上がりの斜線のハッチングを施した領域）の下面と電気的に接続されている。
【００４３】
第２金属層（ｎ側第２金属層）３２ｎは、第２樹脂層２２の内部に厚さ方向に貫通するように設けられ、上面が、外部と接続するための実装面となるｎ側の内部配線である。
図５（ａ）及び図５（ｂ）に示すように、本実施形態では、発光装置１００の左半分の領域に１個の第２金属層３２ｎが設けられ、第２金属層３２ｎの下面には、１０個の第１金属層３１ｎの上面が電気的に接続されている。
【００４４】
第２金属層（ｐ側第２金属層）３２ｐは、第２樹脂層２２の内部に厚さ方向に貫通するように設けられ、上面が、外部と接続するための実装面となるｐ側の内部配線である。
図５（ａ）及び図５（ｂ）に示すように、本実施形態では、発光装置１００の右半分の領域に１個の第２金属層３２ｐが設けられ、第２金属層３２ｐの下面には、１０個の第１金属層３１ｐの上面が電気的に接続されている。
【００４５】
また、図１及び図２に示した発光装置１００は、第２金属層３２ｎ，３２ｐの上面が水平（半導体積層体１２の積層方向に垂直）な平坦面となるように形成され、当該上面の全体が第２樹脂層２２の上面よりも高くなるように設けられている。
なお、第２金属層３２ｎ，３２ｐの上面は、第２樹脂層２２の上面と同じ高さか、低くなるように形成されてもよい。また、第２金属層３２ｎ，３２ｐの上面の形状は、これに限定されるものではない。第２金属層３２ｎ，３２ｐの上面は、傾斜した平坦面であってもよく、凹凸形状を有するものであってもよい。
【００４６】
また、第１金属層３１ｎ，３１ｐ及び第２金属層３２ｎ，３２ｐは、発光素子１が発生した熱を放熱するための熱伝達経路としても機能する。そのため、第１樹脂層２１及び第２樹脂層２２に対する金属の体積の比率が大きい方が好ましい。
【００４７】
第１金属層３１ｎ，３１ｐ及び第２金属層３２ｎ，３２ｐとしては、Ｃｕ、Ａｕ、Ｎｉなどの金属を好適に用いることができる。また、第１金属層３１ｎ，３１ｐ及び第２金属層３２ｎ，３２ｐを複数種類の金属を用いた積層構造としてもよい。特に、上面が実装面となる第２金属層３２ｎ，３２ｐは、腐食防止及びＡｕ−Ｓｎ共晶半田などのＡｕ合金系の接着部材を用いた実装基板との接合性を高めるために、少なくとも最上層をＡｕで形成することが好ましい。また、第２金属層３２ｎ，３２ｐの下層部がＣｕなどの、Ａｕ以外の金属で形成されている場合は、Ａｕとの密着性を高めるために、上層部をＮｉ／ＡｕやＮｉ／Ｐｄ／Ａｕのような、積層構造としてもよい。
また、接着部材としてＳｎ−ＣｕやＳｎ−Ａｇ−Ｃｕなどの半田を用いることもできる。その場合は、第２金属層３２ｎ，３２ｐの最上層を、用いる接着部材と良好な密着性が得られる材料で構成することが好ましい。
第１金属層３１ｎ，３１ｐ及び第２金属層３２ｎ，３２ｐは、電解メッキ法により形成することができる。第１金属層３１ｎ，３１ｐ及び第２金属層３２ｎ，３２ｐの形成方法の詳細については後記する。
【００４８】
［発光装置の動作］
次に、図１を参照して、発光装置１００の動作について説明する。
発光装置１００は、外部との接続用電極である第２金属層３２ｎ，３２ｐに、不図示の実装基板を介して外部電源が接続されると、第１金属層３１ｎ，３１ｐを介して、発光素子１のｎ側電極１３及びｐ側電極１５間に電流が供給される。そして、ｎ側電極１３及びｐ側電極１５間に電流が供給されると、発光素子１の活性層１２ａが発光する。
【００４９】
発光素子１の活性層１２ａが発光した光は、半導体積層体１２内を伝播して、発光素子１の下面又は側面から出射して、外部に取り出される。
なお、発光素子１内を上方向に伝播する光は、光反射電極１４ａによって反射され、発光素子１の下面から出射して、外部に取り出される。
【００５０】
［発光装置の製造方法］
次に、図６を参照して、図１に示した発光装置１００の製造方法について説明する。
図６に示すように、発光装置１００の製造方法は、半導体積層体形成工程Ｓ１０１と、光反射電極形成工程Ｓ１０２と、カバー電極形成工程Ｓ１０３と、ｎ型半導体層露出工程Ｓ１０４と、絶縁膜形成工程Ｓ１０５と、パッド電極形成工程Ｓ１０６と、第１樹脂層形成工程Ｓ１０７と、第１金属層形成工程Ｓ１０８と、第２樹脂層形成工程Ｓ１０９と、第２金属層形成工程Ｓ１１０と、第１樹脂層除去工程Ｓ１１１と、パッド電極分離工程Ｓ１１２と、成長基板除去工程Ｓ１１３と、個片化工程Ｓ１１４と、を含み、この順で各工程が行われる。
また、半導体積層体形成工程Ｓ１０１〜パッド電極形成工程Ｓ１０６が、ウエハ状態の発光素子１を準備するウエハ準備工程として含まれ、光反射電極形成工程Ｓ１０２及びカバー電極形成工程Ｓ１０３が、全面電極形成工程として含まれる。
【００５１】
以下、図７〜図１２を参照（適宜図１〜図６参照）して、各工程について詳細に説明する。なお、図７〜図１２において、各部材について、形状、サイズ、位置関係を適宜に簡略化したり、誇張したりしている場合がある。
また、ウエハレベルでの発光装置１００の製造工程において、多数の発光素子が２次元配列した状態で各工程が行われる。図７〜図１２では、多数の発光素子の配列の内で、断面図においては２個の発光素子について、平面図においては２×２＝４個の発光素子について示したものである。
また、図７〜図１２に示した断面図は、図１（ｂ）に示した断面図と同様に、図１（ａ）のＩ−Ｉ線における断面に相当し、発光素子が２個分の断面を示したものである。
【００５２】
本発明の実施形態に係る発光装置の製造方法は、まず、複数の発光素子１が一枚の成長基板１１上に配列された発光素子１を準備するウエハ準備工程を行う。ウエハ準備工程では、前記したように、半導体積層体形成工程Ｓ１０１と、光反射電極形成工程Ｓ１０２と、カバー電極形成工程Ｓ１０３と、ｎ型半導体層露出工程Ｓ１０４と、絶縁膜形成工程Ｓ１０５と、パッド電極形成工程Ｓ１０６とが含まれる。
【００５３】
まず、半導体積層体形成工程Ｓ１０１において、図７（ａ）に示すように、サファイアなどからなる成長基板１１の上面に、前記した半導体材料を用いて、ｎ型半導体層１２ｎ、活性層１２ａ及びｐ型半導体層１２ｐを順次積層して半導体積層体１２を形成する。
【００５４】
次に、光反射電極形成工程Ｓ１０２において、図７（ｂ）に示すように、光反射電極１４ａを所定の領域に形成する。光反射電極１４ａは、リフトオフ法により形成することができる。すなわち、フォトリソグラフィ法により、光反射電極１４ａを配置する領域に開口を有するレジストパターンを形成した後、ウエハ全面にスパッタリング法や蒸着法などによりＡｇなどの前記した反射性の良好な金属材料を成膜する。そして、レジストパターンを除去することにより、成膜された金属材料がパターニングされ、光反射電極１４ａが形成される。
【００５５】
次に、カバー電極形成工程Ｓ１０３において、図７（ｃ）に示すように、光反射電極１４ａの上面及び側面を被覆するように、カバー電極１４ｂを形成する。カバー電極１４ｂは、所定の金属材料を用いて、スパッタリング法や蒸着法などによりウエハ全面に金属材料を成膜した後、フォトリソグラフィ法により、カバー電極１４ｂを配置する領域に開口を有するレジストパターンを形成する。そして、当該レジストパターンをマスクとしてエッチングすることにより成膜された金属材料がパターニングされ、その後にレジストパターンを除去することでカバー電極１４ｂが形成される。
【００５６】
次に、ｎ型半導体層露出工程Ｓ１０４において、図７（ｄ）に示すように、半導体積層体１２の一部の領域について、図７（ｄ）に示すように、ｐ型半導体層１２ｐ、活性層１２ａ及びｎ型半導体層１２ｎの一部をドライエッチングにより除去して、ｎ型半導体層１２ｎが底面に露出する第１露出部１２ｂ及び第２露出部１２ｃを形成する。
なお、ドライエッチングの際のエッチングマスク（不図示）は、フォトリソグラフィ法により、カバー電極１４ｂを被覆するように形成される。このため、図７（ｄ）において、便宜的にカバー電極１４ｂの端部とｐ型半導体層１２ｐの端部（すなわち、第１露出部１２ｂ及び第２露出部１２ｃの端部）とが一致するように記載しているが、カバー電極１４ｂの側面に設けられたエッチングマスクの厚さ分だけ、ｐ型半導体層１２ｐは、カバー電極１４ｂ配置領域よりも広い範囲まで残される。
【００５７】
次に、絶縁膜形成工程Ｓ１０５において、図７（ｅ）に示すように、所定の絶縁材料を用いて、第１露出部１２ｂ及びカバー電極１４ｂの上面の一部に、それぞれ開口部１６ｎ及び開口部１６ｐを有する絶縁膜１６を形成する。また、絶縁膜１６は、境界線４０に沿った領域である第２露出部１２ｃの底面の一部についても開口するように形成される。なお、第２露出部１２ｃの底面については、開口を有さずに全面が絶縁膜１６によって被覆されるようにしてもよい。
また、絶縁膜１６は、ウエハ全面にスパッタリング法などにより絶縁膜を形成した後に、前記した所定領域に開口を有するレジストパターンを形成し、絶縁膜をエッチングすることによってパターニングすることができる。
【００５８】
次に、パッド電極形成工程（電極形成工程）Ｓ１０６において、図８に示すように、例えば、スパッタリング法などによって、絶縁膜１６上に金属層５０を形成する。なお、金属層５０は、例えば、リフトオフ法によってパターニングすることができる。
金属層５０は、発光素子１としてのパッド電極であるｎ側電極１３及びｐ側電極１５となるものである。そのため、金属層５０は、ｎ側電極１３となる領域（図８において、右下がり斜線のハッチングを施した領域）に設けられている絶縁膜１６の開口部１６ｎで、ｎ型半導体層１２ｎと接続されている。また、金属層５０は、ｐ側電極１５となる領域（図８において、右上がり斜線のハッチングを施した領域）に設けられている絶縁膜１６の開口部１６ｐで、カバー電極１４ｂと接続されている。
【００５９】
金属層５０は、境界線４０で区画された各発光素子１の領域内では、ｎ側電極１３となる領域とｐ側電極１５となる領域とが互いに接触しないように分離して形成されているが、境界線４０に沿った領域で接続され、ウエハ上に配列して形成された全ての発光素子１についての金属層５０が導通するように形成されている。
金属層５０は、後工程である第１金属層形成工程Ｓ１０８において第１金属層３１ｎ，３１ｐを電解メッキ法で形成する際のシード層として用いられるとともに、第２金属層形成工程Ｓ１１０において第２金属層３２ｎ，３２ｐを電解メッキ法で形成する際のシード層、すなわち電流経路としても用いられる。本実施形態では、パッド電極であるｎ側電極１３及びｐ側電極１５となる金属層５０が、電解メッキのシード層を兼ねるように形成されるため、製造工程を簡略化することができる。
【００６０】
次に、第１樹脂層形成工程Ｓ１０７において、図９（ａ）に示すように、金属層５０上に、フォトリソグラフィ法によって第１樹脂層２１を形成する。第１樹脂層２１は、金属層５０のｎ側電極１３となる領域上に開口部２１ｎを有し、金属層５０のｐ側電極１５となる領域上に開口部２１ｐを有するように形成される。
第１樹脂層２１は、境界領域である第２露出部１２ｃ内に設けられた金属層５０を被覆するように形成され、後工程である第１金属層形成工程Ｓ１０８及び第２金属層形成工程Ｓ１１０において、境界領域でメッキ成長させないためのメッキマスクとして用いられる。
【００６１】
なお、図９（ａ）において、素子の領域内に形成されている第１露出部１２ｂ（図７（ｄ）参照）は、第１樹脂層２１が完全に充填されている。
フォトリソグラフィ法で第１樹脂層２１を形成する場合は、まず、液状のフォトレジストが、スピンコート法やスプレー法などの塗布法によってウエハ上に一様に塗布され、更に露光・現像プロセスが行われることで、開口部２１ｎ，２１ｐが形成される。フォトレジストの塗布の際に、ウエハ表面の小さな凹部はフォトレジストが充填される。図９（ａ）では、便宜的に、第１露出部１２ｂと第２露出部１２ｃとの幅を同程度に記載しているが、第２露出部１２ｃの幅に比べて第１露出部１２ｂの幅が十分に狭いため、第１露出部１２ｂは塗布の際にフォトレジストが完全に充填され、その結果、第１露出部１２ｂ上に位置する第１樹脂層２１の表面には凹部が形成されていない状態となる。
なお、第１露出部１２ｂはフォトレジストで完全に充填される必要はなく、第１樹脂層２１の表面に凹部が形成されていてもよい。この場合は、第２樹脂層形成工程Ｓ１０９において、当該凹部が第２樹脂層２２で充填される。
【００６２】
境界領域に形成された第１樹脂層２１は、第１樹脂層除去工程Ｓ１１１において、第２樹脂層２２をマスクとする異方性エッチングによって除去される。このため、境界領域に形成される第１樹脂層２１の最大の膜厚は、第２樹脂層２２の最小の膜厚より薄くなるように形成するのが好ましい。このように構成することで、第１樹脂層除去工程Ｓ１１１におけるエッチングによって境界領域の第１樹脂層２１を除去する際に、第２樹脂層２２の膜厚にムラがあっても、第２樹脂層２２が完全に除去される領域を生じないようにすることができる。
第１樹脂層２１の膜厚は、前記したメッキマスクとして用いることができる厚さ以上であればよく、第１樹脂層除去工程Ｓ１１１で除去しやすい厚さであることが好ましい。第１樹脂層２１の膜厚としては、例えば、１０μｍ以上２０μｍ以下程度とすることができる。
【００６３】
このように、支持体２を構成する第１樹脂層２１を、第１金属層３１ｎ，３１ｐ及び第２金属層３２ｎ，３２ｐを電解メッキ法で形成されるメッキマスクとして用いるため、第１金属層形成工程Ｓ１０８及び第２金属層形成工程Ｓ１１０において用いられるメッキマスクを別途に形成する工程、及びそのメッキマスクを除去する工程を省略することができる。
【００６４】
次に、第１金属層形成工程Ｓ１０８において、図９（ｂ）に示すように、第１樹脂層２１の開口部２１ｎ，２１ｐ内に、電解メッキ法によって第１金属層３１ｎ，３１ｐを形成する。第１金属層３１ｎ，３１ｐは、前記したように、全体が導通するように形成されている金属層５０を、電解メッキの電流経路となるシード層として用い、第１樹脂層２１の開口部２１ｎ，２１ｐ内でメッキ成長させることで形成される。
また、本工程において、境界線４０に沿った領域である第２露出部１２ｃにおいて、第１樹脂層２１によって金属層５０が被覆されているため、メッキ成長はしない。これによって、境界領域に厚膜のメッキ層が形成されないため、後工程であるパッド電極分離工程Ｓ１１２において、容易に不要な金属層５０を除去することができる。
【００６５】
なお、図９（ｂ）に示した例では、第１金属層３１ｎ，３１ｐの上面が、第１樹脂層２１の上面と同じ高さに形成されているが、これに限定されるものではなく、第１金属層３１ｎ，３１ｐの上面が、第１樹脂層２１の上面よりも高く又は低くなるように形成してもよい。
【００６６】
次に、第２樹脂層形成工程Ｓ１０９において、図９（ｃ）に示すように、第１樹脂層２１上に、フォトリソグラフィ法によって第２樹脂層２２を形成する。第２樹脂層２２は、平面視において、第１金属層３１ｎが形成された領域を包含する開口部２２ｎを有し、第１金属層３１ｐが形成された領域を包含する開口部２２ｐを有するように形成される。更に、第２樹脂層２２は、境界線４０に沿った領域上に開口部２２ａを有し、各発光素子１の領域ごとに分離して形成される。
また、境界線４０に沿った領域、すなわち、完成後の発光装置１００の外縁部となる第２露出部１２ｃにおいて、第２樹脂層２２の側面が、第２露出部１２ｃの側面を被覆する第１樹脂層２１の側面と、平面視で同じ位置となるように形成される。
【００６７】
なお、図９（ｃ）において、第２樹脂層２２の厚さと、第１露出部１２ｂ及び第２露出部１２ｃの底面のｎ型半導体層１２ｎ（図９（ａ）参照）から金属層５０（図９（ａ）参照）の上面までの厚さとを、便宜的に同程度に記載しているが、後者の厚さが数μｍ程度であるのに対して、第２樹脂層２２の厚さは十分に厚く、例えば、２０μｍ程度以上である。従って、前記したように、第１露出部１２ｂ（図７（ｄ）参照）に充填される第１樹脂層２１の表面に凹部が形成される場合であっても、当該凹部は第２樹脂層２２が充填されることで埋められる。
【００６８】
次に、第２金属層形成工程Ｓ１１０において、図１０（ａ）に示すように、第２樹脂層２２の開口部２２ｎ，２２ｐ内に、電解メッキ法によって第２金属層３２ｎ，３２ｐを形成する。第２金属層３２ｎ，３２ｐは、前記したように、全体が導通するように形成されている金属層５０と第１金属層３１ｎ，３１ｐとを電解メッキのシード層、すなわち電流経路として用い、第２樹脂層２２の開口部２２ｎ，２２ｐ内でメッキ成長させることで形成される。このとき、第２金属層３２ｎ，３２ｐの上面が、第２樹脂層２２の上面と同じ高さになる状態で電解メッキを終了させる。
【００６９】
なお、第１樹脂層除去工程Ｓ１１１において、第２樹脂層２２は上面からエッチングされるため、膜厚が薄くなる。そこで、第１樹脂層除去工程Ｓ１１１後の第２樹脂層２２の膜厚を考慮して、発光装置１００が完成した際の第２樹脂層２２の上面よりも、第２金属層３２ｎ，３２ｐの上面が高く若しくは低く、又は第２金属層３２ｎ，３２ｐの上面が第２樹脂層２２の上面と同じ高さとなるように、第２金属層３２ｎ，３２ｐの膜厚を、電解メッキを行う条件によって調整するようにしてもよい。また、第２金属層３２ｎ，３２ｐの膜厚の調整に代えて、又は加えて、第２樹脂層形成工程Ｓ１０９において形成される第２樹脂層２２の膜厚を調整するようにしてもよい。
このようにして、第２樹脂層２２の上面と、第２金属層３２ｎ，３２ｐの上面との相対的な位置関係を任意に調整することができる。
【００７０】
また、第２金属層３２ｎ，３２ｐを電解メッキ法によって形成する際に、メッキ層は、第１金属層３１ｎ，３１ｐの第１樹脂層２１から露出した箇所から、等方的に成長する。このため、第１金属層３１ｎ，３１ｐの露出面が、第２樹脂層２２の開口部２２ｎ，２２ｐの底面全体に一様に配置されていない場合は、メッキ成長後の上面に凹凸形状が形成されることがある。そこで、スパッタリング法などによって、第２樹脂層２２の開口部２２ｎ，２２ｐの底面全体に金属膜を形成し、当該金属膜を電流経路として電解メッキを行うようにすることで、第２金属層３２ｎ，３２ｐの上面が、より平坦に形成されるようにしてもよい。
【００７１】
また、図１０（ａ）に示した例では、第２金属層３２ｎ，３２ｐの上面は平坦面に形成され、その全体が第２樹脂層２２の上面よりも低くなるように形成されているが、これに限定されるものではない。第２金属層３２ｎ，３２ｐの上面が、第２樹脂層２２の上面から突出したり、第２樹脂層２２の上面より低くなるように形成するようにしてもよい。また、第２金属層３２ｎ，３２ｐの上面は平坦に形成してもよいし、凹凸を有するように形成してもよい。
【００７２】
次に、第１樹脂層除去工程Ｓ１１１において、図１０（ｂ）に示すように、第２樹脂層２２をマスクとして、第１樹脂層２１をウエハ面に垂直方向に異方性エッチングする。これによって、第２樹脂層２２の開口部２２ａ内の第１樹脂層２１が除去されて、第１樹脂層２１に開口部２１ａが形成され、その結果として開口部２１ａの底面において金属層５０が露出する。
【００７３】
本工程において、異方性エッチングはウエハ全体をウエハ面に垂直方向にエッチングされるように行う。具体的には、ＲＩＥ（反応性イオンエッチング）法などのドライエッチング法を用いることができる。このとき、第２金属層３２ｎ，３２ｐに対するエッチング速度が、第１樹脂層２１及び第２樹脂層２２に対するエッチング速度に比べて十分に小さいエッチャントを用いることが好ましい。これによって、実質的に第１樹脂層２１及び第２樹脂層２２を選択的にエッチングすることができる。
また、第２樹脂層２２の上面もエッチングされるため、図１０（ｂ）に示すように、第２金属層３２ｎ，３２ｐの上部が、第２樹脂層２２から突出した状態となる。
【００７４】
このように、第１金属層形成工程Ｓ１０８及び第２金属層形成工程Ｓ１１０においてメッキマスクとして用いられた第１樹脂層２１の箇所を、第２樹脂層２２をマスクとするエッチングによって除去する。このため、メッキマスクとして用いられた箇所をエッチングで除去するために別途にマスクを形成する工程、及びそのマスクを除去する工程を行う必要がなく、製造工程を簡略化することができる。
【００７５】
次に、パッド電極分離工程（電極分離工程）Ｓ１１２において、図１１に示すように、エッチングにより、第１樹脂層２１の開口部２１ａの底面に露出した金属層５０を除去する。これによって、金属層５０は、発光装置１００ごとに分離されるとともに、各発光装置１００内においても、ｎ側電極１３となる領域とｐ側電極１５となる領域とが分離される。この工程では、第１樹脂層２１及び第２樹脂層２２を構成する樹脂材料をエッチングせずに、金属層５０を形成する金属材料を選択的にエッチングするエッチャントを用いる。特に、ウェットエッチング法は、金属層５０を選択的に除去できるため好適である。
また、エッチングによるパッド電極分離工程Ｓ１１２を行うことで、後記する個片化工程Ｓ１１４において、半導体積層体１２を割断するだけで、発光装置１００ごとに容易に個片化することができる。
【００７６】
なお、金属層５０をエッチングする際に、第２金属層３２ｎ，３２ｐの上面にマスクを設けて第２金属層３２ｎ，３２ｐがエッチングされないようにしてもよい。また、第２金属層３２ｎ，３２ｐが金属層５０に比べて十分に厚い場合は、第２金属層３２ｎ，３２ｐの厚さが金属層５０の厚さと同程度分だけ減少することを構わずに、第２金属層３２ｎ，３２ｐの上面にマスクを設けずに金属層５０のエッチングを行うようにしてもよい。
【００７７】
また、パッド電極分離工程Ｓ１１２を省略し、後記する個片化工程Ｓ１１４において、境界領域で半導体積層体１２とともに金属層５０を割段するようにしてもよい。すなわち、個片化工程Ｓ１１４を行うことによっても、金属層５０をｎ側電極１３とｐ側電極とに分離することができる。
【００７８】
次に、成長基板除去工程Ｓ１１３において、図１２に示すように、ＬＬＯ（レーザ・リフト・オフ）法やケミカルリフトオフ法などによって成長基板１１を剥離することで除去する。
なお、成長基板除去工程Ｓ１１３は必須の工程ではなく、成長基板１１を剥離しないようにしてもよい。また、成長基板１１の剥離に代えて、成長基板１１の下面側を研磨して薄肉化するようにしてもよい。
また、成長基板１１の剥離後に、半導体積層体１２の下面をウェットエッチングして凹凸形状を形成するようにしてもよい。
更にまた、成長基板１１の剥離後に、又は成長基板１１を剥離せずに、発光装置１００の光取り出し面となる下面側に、発光素子１が発光する光の波長を変換する蛍光体を含有する蛍光体層を設けるようにしてもよい。
【００７９】
次に、個片化工程Ｓ１１４において、ダイシング法やスクライビング法によって、図１２に示した境界線４０に沿ってウエハを切断することにより、発光装置１００を個片化する。個片化によって形成された半導体積層体１２の外縁となる側面は、図１（ｂ）に示すように、絶縁膜１６及び第１樹脂層２１の何れによっても被覆されず、露出している。
なお、第１樹脂層除去工程Ｓ１１１を行った後では、第１樹脂層２１及び第２樹脂層２２は、それぞれ境界線４０に沿った領域に開口部２１ａ及び開口部２２ａを有しており、発光装置１００ごとに分離されている。このため、半導体積層体１２を割断するだけで、容易に個片化することができる。
【００８０】
＜第１変形例＞
次に、図１３を参照して、前記した実施形態の第１変形例に係る発光装置について説明する。
図１３に示すように、第１変形例に係る発光装置１００Ａは、発光装置１００Ａの外縁に設けられた第２露出部１２ｃの側面において、第２樹脂層２２が第１樹脂層２１の外側を被覆するように設けられていることが、図１に示した発光装置１００と異なる。
【００８１】
発光装置１００Ａでは、第２樹脂層２２が、第１樹脂層２１の上面に加えて側面においても接するため、両者がより強固に接合され剥離し難い構造を有している。
なお、発光装置１００Ａの他の構成は、発光装置１００と同様であるから、説明は省略する。また、発光装置１００Ａの動作も発光装置１００と同様であるから、説明は省略する。
【００８２】
次に、図１４を参照して、第１変形例に係る発光装置１００Ａの製造方法について説明する。
第１変形例に係る発光装置１００Ａは、図６に示した発光装置１００の製造方法の第２樹脂層形成工程Ｓ１０９において、第１樹脂層２１上に第２樹脂層２２を形成する範囲を異なるようにすることで製造することができる。他の工程は、発光装置１００の製造方法と同様であるから、説明は適宜に省略する。
【００８３】
第１変形例における第２樹脂層形成工程Ｓ１０９では、図１４（ａ）に示すように、第２樹脂層２２が、境界線４０に沿った領域である第２露出部１２ｃにおいて、第１樹脂層２１が被覆する第２露出部１２ｃの側面の外側を更に被覆するように形成される。すなわち、第１樹脂層２１の上面から連続して、第２露出部１２ｃの側面に設けられた第１樹脂層２１を被覆するように、第２樹脂層２２が設けられる。また、第２樹脂層２２は、境界線４０に沿った領域において、開口部２２ａを有しており、当該開口部２２ａの底面には第１樹脂層２１が露出している。
【００８４】
なお、図１４（ａ）は、次工程である第２金属層形成工程Ｓ１１０を行い、第２金属層３２ｎ，３２ｐを形成した状態を示しているが、第２樹脂層２２の形状は、第２樹脂層形成工程Ｓ１０９において形成されたときと変化していない。
【００８５】
また、第１変形例における第１樹脂層除去工程Ｓ１１１では、図１４（ｂ）に示すように、第２樹脂層２２をマスクとして第１樹脂層２１をエッチングすることで、開口部２２ａの底面に露出していた第１樹脂層２１が除去される。これによって、第１樹脂層２１に開口部２１ａが形成され、開口部２１ａの底面には、金属層５０が露出する。
【００８６】
更に、発光装置１００の製造方法と同様にして、パッド電極分離工程Ｓ１１２以降の工程を行うことにより、図１３に示した発光装置１００Ａが形成される。
【００８７】
＜第２変形例＞
次に、図１５を参照して、前記した実施形態の第２変形例に係る発光装置について説明する。
図１５に示すように、第２変形例に係る発光装置１００Ｂは、第１樹脂層２１の外縁となる側面に、平面視で下部が上部よりも外側となるように段差２１ｂが設けられていることが、図１に示した発光装置１００と異なる。
【００８８】
発光装置１００Ｂでは、第１樹脂層２１の側面に段差２１ｂを有するため、発光装置１００Ｂの実装時に、溶融した半田などの接着部材が実装面となる第２金属層３２ｎ，３２ｐから第２樹脂層２２及び第１樹脂層２１の表面に沿って這い上がってきた際に、段差２１ｂで半田の更なる這い上がりを阻止することができる。このため、過剰な半田などの接着部材が、露出した半導体積層体１２の側面まで這い上がることで短絡したり、光取り出し面となる半導体積層体１２の側面や上面を汚損することを防止することができる。
【００８９】
なお、発光装置１００Ｂの他の構成は、発光装置１００と同様であるから、説明は省略する。また、発光装置１００Ｂの動作も発光装置１００と同様であるから、説明は省略する。
【００９０】
次に、図１６を参照して、第２変形例に係る発光装置１００Ｂの製造方法について説明する。
第２変形例に係る発光装置１００Ｂは、図６に示した発光装置１００の製造方法の第２樹脂層形成工程Ｓ１０９において、第１樹脂層２１上に第２樹脂層２２を形成する範囲を異なるようにすることで製造することができる。他の工程は、発光装置１００の製造方法と同様であるから、説明は適宜に省略する。
【００９１】
第２変形例における第２樹脂層形成工程Ｓ１０９では、図１６（ａ）に示すように、第２樹脂層２２の端面が、境界線４０に沿った領域である第２露出部１２ｃの側面を被覆する第１樹脂層２１の端面よりも、内側となるように形成される。また、第２樹脂層２２は、境界線４０に沿った領域において、開口部２２ａを有しており、当該開口部２２ａの底面には第１樹脂層２１が露出している。
【００９２】
なお、第２樹脂層２２の端面の位置は、第２露出部１２ｃの側面に設けられた第１樹脂層２１の膜厚の範囲内であることが好ましい。これによって、第１樹脂層除去工程Ｓ１１１において、第２樹脂層２２マスクとして第１樹脂層２１をエッチングする際に、例えば、全面電極１４（図１５参照）が設けられた領域において、ｎ側電極１３又はｐ側電極１５として残される金属層５０が露出されないようにすることができる。
【００９３】
なお、図１６（ａ）は、次工程である第２金属層形成工程Ｓ１１０を行い、第２金属層３２ｎ，３２ｐを形成した状態を示しているが、第２樹脂層２２の形状は、第２樹脂層形成工程Ｓ１０９において形成されたときと変化していない。
【００９４】
また、第２変形例における第１樹脂層除去工程Ｓ１１１では、図１６（ｂ）に示すように、第２樹脂層２２をマスクとして第１樹脂層２１をエッチングすることで、開口部２２ａの底面に露出していた第１樹脂層２１が除去される。これによって、第１樹脂層２１に開口部２１ａが形成され、開口部２１ａの底面には、金属層５０が露出する。
【００９５】
更に、発光装置１００の製造方法と同様にして、パッド電極分離工程Ｓ１１２以降の工程を行うことにより、図１５に示した発光装置１００Ｂが形成される。
【００９６】
以上、本発明に係る発光装置及びその製造方法について、発明を実施するための形態により具体的に説明したが、本発明の趣旨はこれらの記載に限定されるものではなく、特許請求の範囲の記載に基づいて広く解釈されなければならない。また、これらの記載に基づいて種々変更、改変などしたものも本発明の趣旨に含まれることはいうまでもない。
【符号の説明】
【００９７】
１      発光素子（半導体発光素子）
１１    成長基板
１２    半導体積層体
１２ｎ  ｎ型半導体層
１２ａ  活性層
１２ｐ  ｐ型半導体層
１２ｂ  第１露出部
１２ｃ  第２露出部
１３    ｎ側電極
１４    全面電極
１４ａ  光反射電極
１４ｂ  カバー電極
１５    ｐ側電極
１６    絶縁膜
２      支持体
２１    第１樹脂層
２１ａ  開口部
２１ｂ  段差
２１ｎ  開口部
２１ｐ  開口部
２２    第２樹脂層
２２ａ  開口部
２２ｎ  開口部
２２ｐ  開口部
２３    段差
３１ｎ  第１金属層（ｎ側第１金属層）
３１ｐ  第１金属層（ｐ側第１金属層）
３２ｎ  第２金属層（ｎ側第２金属層）
３２ｐ  第２金属層（ｐ側第２金属層）
４０    境界線
５０    金属層
１００，１００Ａ，１００Ｂ  発光装置
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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