(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
圧電基板と、
前記圧電基板上に形成され、電極指を有し、弾性波を励振するＩＤＴと、
を具備し、
異方性係数が正であり、
前記ＩＤＴの電極指が交差する交差領域は、前記電極指の延伸方向の中央に設けられた中央領域と、前記延伸方向のエッジに設けられたエッジ領域と、を有し、
前記中央領域と前記エッジ領域との電極指は連続しており、
前記エッジ領域の電極指の幅方向のピッチが前記中央領域の電極指の幅方向のピッチより大きくなるように、前記中央領域の電極指に対し前記エッジ領域の電極指は傾斜しており、
前記中央領域の電極指の幅方向と前記圧電基板の結晶軸方向とのなす角度は前記エッジ領域の電極指の幅方向と前記結晶軸方向とのなす角度より小さいことを特徴とする弾性波デバイス。
【請求項２】
前記エッジ領域と前記中央領域との境界は前記エッジ領域の電極指の幅方向に平行であることを特徴とする請求項１に記載の弾性波デバイス。
【請求項３】
前記中央領域の電極指の幅方向は前記結晶軸方向と平行であることを特徴とする請求項１または２に記載の弾性波デバイス。
【請求項４】
前記中央領域の両側に設けられた前記エッジ領域の電極指の幅方向は平行であることを特徴とする請求項１から３のいずれか一項に記載の弾性波デバイス。
【請求項５】
前記ＩＤＴはバスバーを有し、前記バスバーの延伸方向は前記エッジ領域の電極指の幅方向に平行であることを特徴とする請求項１から４のいずれか一項に記載の弾性波デバイス。
【請求項６】
前記エッジ領域の電極指のデュティ比は前記中央領域の電極指のデュティ比と等しいことを特徴とする請求項１から５のいずれか一項に記載の弾性波デバイス。
【請求項７】
前記エッジ領域の電極指のデュティ比は前記中央領域の電極指のデュティ比より大きいことを特徴とする請求項１から５のいずれか一項に記載の弾性波デバイス。
【請求項８】
前記圧電基板は、回転ＹカットＸ伝搬ニオブ酸リチウム基板であり、前記結晶軸方向はＸ軸方向であることを特徴とする請求項１から７のいずれか一項に記載の弾性波デバイス。
【請求項９】
前記ＩＤＴを覆うように前記圧電基板上に形成された酸化シリコン膜を具備することを特徴とする請求項８に記載の弾性波デバイス。
【請求項１０】
圧電基板と、
前記圧電基板上に形成され、電極指を有し、弾性波を励振するＩＤＴと、
を具備し、
異方性係数が負であり、
前記ＩＤＴの電極指が交差する交差領域は、前記電極指の延伸方向の中央に設けられた中央領域と、前記中央領域の前記延伸方向の両側に設けられたエッジ領域と、を有し、
前記中央領域と前記エッジ領域との電極指は連続しており、
前記エッジ領域の電極指の幅方向のピッチが前記中央領域の電極指の幅方向のピッチより小さくなるように、前記中央領域の電極指に対し前記エッジ領域の電極指は傾斜しており、
前記中央領域の電極指の幅方向と前記圧電基板の結晶軸方向とのなす角度は前記エッジ領域の電極指の幅方向と前記結晶軸方向とのなす角度より小さく、
前記中央領域の両側に設けられた前記エッジ領域の電極指の幅方向は平行であることを特徴とする弾性波デバイス。
【請求項１１】
前記エッジ領域と前記中央領域の境界は前記中央領域の電極指の幅方向に平行であることを特徴とする請求項１０に記載の弾性波デバイス。
【請求項１２】
前記エッジ領域の電極指のデュティ比は前記中央領域の電極指のデュティ比より小さいことを特徴とする請求項１０または１１に記載の弾性波デバイス。
【請求項１３】
前記ＩＤＴを含むフィルタを具備することを特徴とする請求項１から１２のいずれか一項に記載の弾性波デバイス。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、弾性波デバイスに関し、例えばＩＤＴを有する弾性波デバイスに関する。
【背景技術】
【０００２】
スマートフォンや携帯電話等の移動体通信に用いられるフィルタやデュプレクサには、圧電基板上にＩＤＴ（Interdigital Transducer）を形成した弾性表面波デバイス等の弾性波デバイスが用いられる。ＩＤＴを有する弾性波デバイスにおいては、横モードの不要波が問題となる。特許文献１には、アポダイズ型により、横モードの不要波を抑制することが記載されている。特許文献２には、ＩＤＴの交差領域のうち中央領域に対しエッジ領域の電極指を幅広とすることで横モードの不要波を抑制することが記載されている。特許文献３には、エッジ領域の電極指に誘電体膜や金属膜を付加することで横モードの不要波を抑制することが記載されている。特許文献４から６には、ＩＤＴの交差領域内の電極指の延伸方向の一部に電極指の延伸方向が異なる領域を設けることが記載されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開平７−２２８９８号公報
【特許文献２】特開２０１１−１０１３５０号公報
【特許文献３】特開２０１２−１８６８０８号公報
【特許文献４】特開２００６−３３３０２４号公報
【特許文献５】特開平９−１６２６７９号公報
【特許文献６】特開２００６−２０３７７８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
特許文献１では、ダミー電極指が多くなるため面積効率が悪くコストアップとなる。特許文献２および３では、横モード不要波の抑制が十分でない、および／または成膜等の付加的な工程を用いることになりコストアップとなる。
【０００５】
本発明は、上記課題に鑑みなされたものであり、不要波を抑制することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明は、圧電基板と、前記圧電基板上に形成され、電極指を有し、弾性波を励振するＩＤＴと、を具備し、異方性係数が正であり、前記ＩＤＴの電極指が交差する交差領域は、前記電極指の延伸方向の中央に設けられた中央領域と、前記延伸方向のエッジに設けられたエッジ領域と、を有し、前記中央領域と前記エッジ領域との電極指は連続しており、前記エッジ領域の電極指の幅方向のピッチが前記中央領域の電極指の幅方向のピッチより大きくなるように、前記中央領域の電極指に対し前記エッジ領域の電極指は傾斜しており、前記中央領域の電極指の幅方向と前記圧電基板の結晶軸方向とのなす角度は前記エッジ領域の電極指の幅方向と前記結晶軸方向とのなす角度より小さいことを特徴とする弾性波デバイスである。
【０００７】
上記構成において、前記エッジ領域と前記中央領域との境界は前記エッジ領域の電極指の幅方向に平行である構成とすることができる。
【０００８】
上記構成において、前記中央領域の電極指の幅方向は前記結晶軸方向と平行である構成とすることができる。
【０００９】
上記構成において、前記中央領域の両側に設けられた前記エッジ領域の電極指の幅方向は平行である構成とすることができる。
【００１０】
上記構成において、前記ＩＤＴはバスバーを有し、前記バスバーの延伸方向は前記エッジ領域の電極指の幅方向に平行である構成とすることができる。
【００１１】
上記構成において、前記エッジ領域の電極指のデュティ比は前記中央領域の電極指のデュティ比と等しい構成とすることができる。
【００１２】
上記構成において、前記エッジ領域の電極指のデュティ比は前記中央領域の電極指のデュティ比より大きい構成とすることができる。
【００１３】
上記構成において、前記圧電基板は、回転ＹカットＸ伝搬ニオブ酸リチウム基板であり、前記結晶軸方向はＸ軸方向である構成とすることができる。
【００１４】
上記構成において、前記ＩＤＴを覆うように前記圧電基板上に形成された酸化シリコン膜を具備する構成とすることができる。
【００１５】
本発明は、圧電基板と、前記圧電基板上に形成され、電極指を有し、弾性波を励振するＩＤＴと、を具備し、異方性係数が負であり、前記ＩＤＴの電極指が交差する交差領域は、前記電極指の延伸方向の中央に設けられた中央領域と、前記中央領域の前記延伸方向の両側に設けられたエッジ領域と、を有し、前記中央領域と前記エッジ領域との電極指は連続しており、前記エッジ領域の電極指の幅方向のピッチが前記中央領域の電極指の幅方向のピッチより小さくなるように、前記中央領域の電極指に対し前記エッジ領域の電極指は傾斜しており、前記中央領域の電極指の幅方向と前記圧電基板の結晶軸方向とのなす角度は前記エッジ領域の電極指の幅方向と前記結晶軸方向とのなす角度より小さく、前記中央領域の両側に設けられた前記エッジ領域の電極指の幅方向は平行であることを特徴とする弾性波デバイスである。
【００１６】
上記構成において、前記エッジ領域と前記中央領域の境界は前記中央領域の電極指の幅方向に平行である構成とすることができる。
【００１７】
上記構成において、前記エッジ領域の電極指のデュティ比は前記中央領域の電極指のデュティ比より小さい構成とすることができる。
【００１８】
上記構成において、前記ＩＤＴを含むフィルタを具備する構成とすることができる。
【発明の効果】
【００１９】
本発明によれば、不要波を抑制することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２０】
【図１】図１（ａ）は、配列した電極指の平面図、図１（ｂ）は、波数の平面図、図１（ｃ）は、逆速度を示す図である。
【図２】図２（ａ）および図２（ｂ）は、横モードの不要波を抑制するためのＩＤＴ内の音速を示す図である。
【図３】図３（ａ）は、比較例１に係る共振器の平面図、図３（ｂ）は、電極指の拡大図である。
【図４】図４（ａ）は、比較例１における電極指の傾き角度θ１に対する共振周波数を示す図、図４（ｂ）は、角度θ１に対する規格化共振周波数を示す図である。
【図５】図５は、比較例２に係る共振器の平面図である。
【図６】図６（ａ）は、比較例２に係る共振器の周波数に対するアドミッタンスＹの実成分を示す図、図６（ｂ）は、比較例２に係る共振器を並列に接続したときのＳ２１を示す図である。
【図７】図７（ａ）は、実施例１に係る共振器の平面図、図７（ｂ）は、図７（ａ）のＡ−Ａ断面図である。
【図８】図８は、実施例１におけるエッジ領域の電極指の拡大図である。
【図９】図９は、比較例３に係る共振器の平面図である。
【図１０】図１０（ａ）および図１０（ｂ）は、比較例３におけるエッジ領域の電極指の拡大図である。
【図１１】図１１は、比較例４に係る共振器の平面図である。
【図１２】図１２（ａ）および図１２（ｂ）は、実施例１および比較例４に係る共振器の通過特性を示す図である。
【図１３】図１３（ａ）および図１３（ｂ）は、それぞれ実施例１の変形例１および２に係る共振器の平面図である。
【図１４】図１４（ａ）および図１４（ｂ）は、実施例１、実施例１の変形例１および比較例４に係る共振器の通過特性を示す図である。
【図１５】図１５は、比較例５に係る共振器の平面図である。
【図１６】図１６（ａ）および図１６（ｂ）は、実施例１の変形例１および比較例５に係る共振器の通過特性を示す図である。
【図１７】図１７（ａ）および図１７（ｂ）は、実施例１および実施例１の変形例１に係る共振器の平面図である。
【図１８】図１８（ａ）および図１８（ｂ）は、実施例１および実施例１の変形例１に係る別の共振器の平面図である。
【図１９】図１９（ａ）および図１９（ｂ）は、それぞれ実施例２および実施例２の変形例１に係る共振器の平面図である。
【図２０】図２０（ａ）および図２０（ｂ）は、それぞれ実施例２の変形例２および３に係る共振器の平面図である。
【図２１】図２１は、実施例３に係るフィルタの回路図である。
【図２２】図２２（ａ）および図２２（ｂ）は、それぞれ実施例３および比較例６におけるフィルタチップの平面図である。
【図２３】図２３（ａ）は、フィルタチップを多層基板に実装した断面図、図２３（ｂ）は、フィルタチップを多層基板に実装する斜視図である。
【図２４】図２４（ａ）は、実施例３および比較例６における通過特性を示す図、図２４（ｂ）は、群遅延を示す図である。
【図２５】図２５（ａ）および図２５（ｂ）は、それぞれ実施例４および比較例７のフィルタチップの平面図である。
【図２６】図２６は、実施例４および比較例７における通過特性を示す図である。
【図２７】図２７（ａ）から図２７（ｃ）は、実施例３のフィルタに含まれる共振器の例を示す平面図（その１）である。
【図２８】図２８（ａ）から図２８（ｃ）は、実施例３のフィルタに含まれる共振器の例を示す平面図（その２）である。
【発明を実施するための形態】
【００２１】
まず、異方性係数について説明する。図１（ａ）は、配列した電極指の平面図、図１（ｂ）は、波数の平面図、図１（ｃ）は、逆速度を示す図である。図１（ａ）から図１（ｃ）におけるＸ方向およびＹ方向は、異方性係数を説明するための方向であり、圧電基板のＸ軸方向およびＹ軸方向とは必ずしも対応しない。
【００２２】
図１（ａ）に示すように、圧電基板上に電極指１２がＸ方向に配列している。Ｘ方向に直交する方向をＹ方向とする。弾性波はＸ方向に伝搬する。図１（ｂ）に示すように、Ｘ方向の弾性波の波数をβｘ、Ｙ方向の弾性波の波数をβｙとする。Ｘ方向からＹ方向に角度θの方向の弾性波の波数βθが角度θに対して放物線近似できるとすると、波数βθは異方性係数γを用い次式で表される。
【数１】
0006307021.tif 000002
【００２３】
図１（ｃ）は、Ｘ方向の弾性波の位相速度ｖｘの逆速度１／ｖｘに対するＹ方向の弾性波の位相速度ｖｙの逆速度１／ｖｙを示す図である。異方性係数γが正のときの逆速度面７０は、原点からみて凸型となる。このため、γ＞０のときを凸型ともいう。異方性係数γが負のとき逆速度面７２は原点からみて凹型となる。このため、γ＜０のときを凹型ともいう。
【００２４】
異方性係数γは圧電基板１８の材料、電極指１２の材料および膜厚により定める。例えば、圧電基板１８として回転ＹカットＸ伝搬ニオブ酸リチウム基板を用いると異方性係数γは正となる。圧電基板１８として回転ＹカットＸ伝搬タンタル酸リチウム基板を用いると異方性係数γは負となる。回転ＹカットＸ伝搬タンタル酸リチウム基板を用い、電極指を重い材料とし、膜厚を大きくすると異方性係数γが正となることもある。例えば圧電基板を４２°回転ＹカットＸ伝搬タンタル酸リチウム基板とし、電極指の材料を銅とし、膜厚を大きくすると異方性係数γは正となる。
【００２５】
次に、横モードの不要波を抑制する方法を説明する。図２（ａ）および図２（ｂ）は、横モードの不要波を抑制するためのＩＤＴ内の音速を示す図である。図２（ａ）および図２（ｂ）は、それぞれ異方性係数γが正および負の場合に対応する。図２（ａ）および図２（ｂ）の左図に示すように、ＩＤＴ１０は、２つの櫛型電極１６を備えている。櫛型電極１６は電極指１２とバスバー１４を有する。複数の電極指１２がバスバー１４に接続されている。電極指１２が交差する領域が交差領域３６である。交差領域３６は中央領域３０およびエッジ領域３２を有する。交差領域３６とバスバー１４との間がギャップ領域３４である。
【００２６】
図２（ａ）の右図に示すように、異方性係数γが正のとき、交差領域３６に比べギャップ領域３４の音速を早くする。これにより、弾性波が交差領域３６内に閉じ込められる。エッジ領域３２の音速を中央領域３０より遅くする。これにより、横モードによる不要波を抑制できる。図２（ｂ）の右図に示すように、異方性係数γが負のとき、交差領域３６に比べギャップ領域３４の音速を遅くする。これにより、弾性波が交差領域３６内に閉じ込められる。エッジ領域３２の音速を中央領域３０より早くする。これにより、横モードによる不要波を抑制できる。なお、図２（ａ）および図（ｂ）内の電極指１２およびバスバー１４に、誘電体膜または金属膜が被覆されるなどにより音速が調整されることもあるが、これらは省略している。
【００２７】
中央領域３０とエッジ領域３２との音速を異ならせるため、電極指１２を傾ける方法について説明する。図３（ａ）は、比較例１に係る共振器の平面図、図３（ｂ）は、電極指の拡大図である。図３（ａ）および図３（ｂ）に示すように、横モードの不要波の影響を排除するため比較例１はアポダイズ型の共振器である。ＩＤＴ１０は、電極指１２とバスバー１４を有する櫛型電極１６を備える。ＩＤＴ１０の両側に反射器２０が設けられている。圧電基板および電極の材料等は後述する実施例１における実験と同じである。ＩＤＴ１０の対数は５５対、開口長（交差領域の長さ）は３５λ、アポダイズはＡｒｃＣｏｓ型である。電極指１２のギャップを破線で示す。バスバー１４の延伸方向をＡ方向とする。比較例１では、Ａ方向は圧電基板のＸ軸方向である。弾性波の主モードはほぼＡ方向に伝搬する。図３（ａ）のように、電極指１２の幅方向（すなわち電極指１２の延伸方向に直交する方向）は、Ａ方向に直交する方向に対し角度θ１傾いている。これは、図３（ｂ）のように、電極指１２の幅方向が、Ａ方向に直交する方向に対しθ１傾いていることに対応する。電極指１２に直交する方向（すなわち電極指１２の幅方向）をＢ方向とする。
【００２８】
Ａ方向のＩＤＴ１０のピッチＰＴａを一定でθ１を変化させた場合と、Ｂ方向のＩＤＴピッチＰＴｂを一定でθ１を変化させた場合とで、共振周波数を共振器を作成して測定した。図４（ａ）は、比較例１における電極指の傾き角度θ１に対する共振周波数を示す図、図４（ｂ）は、角度θ１に対する規格化共振周波数を示す図である。黒丸はＡ方向のピッチＰＴａが一定のときの実験結果、白丸はＢ方向のピッチＰＴｂが一定のときの実験結果である。図４（ａ）に示すように、Ｂ方向のピッチＰＴｂを一定にした場合、共振周波数ｆｒはほとんど変化しない。Ａ方向のピッチＰＴａを一定にした場合、共振周波数ｆｒは高くなる。図３（ｂ）のように、Ａ方向のピッチＰＴａを一定としてθ１を大きくするとＢ方向のピッチＰＴｂは小さくなる。これにより、共振周波数ｆｒが高くなるものと考えられる。
【００２９】
図４（ｂ）は、共振周波数ｆｒをθ１＝０のときの共振周波数ｆｒ０で規格化したｆｒ／ｆｒ０を角度θ１に対し示した図である。黒丸は、Ａ方向のピッチＰＴａが一定のときの実験結果、実線は、近似線である。点線は、Ａ方向のピッチＰＴａが一定とし角度θ１を変えたときのＢ方向のピッチＰＴｂから予想するｆｒ／ｆｒ０である。図４（ｂ）に示すように、実験結果（実線）とピッチＰＴｂからの予想（点線）はほぼ一致する。以上から、ほぼ弾性波の伝搬方向であるＡ方向の電極指１２のピッチＰＴａを一定にし、電極指１２を傾けると、Ｂ方向の電極指のピッチＰＴｂが小さくなる。これにより、共振周波数が高くなる。Ａ方向の等価的な音速は、共振周波数に対応しており、共振周波数が高くなると音速は等価的に早くなる。以上のように、電極指１２を傾けることにより音速を等価的に変更することができる。ここで、図４（ｂ）の実線と点線とに僅かにズレが生じているのは図１で説明した通りＩＤＴに対して弾性表面波が斜めに伝播するため（すなわち、β０≠βθ）である。前述の通り基板材料と電極材料の組合せが変わると異方性係数（γ）が異なるためこのズレ量も変わる。そのため材料の組合せを変えた場合は、傾きθと共振周波数の関係を新たに取得することになる。
【００３０】
次に、電極指１２の延伸方向とＳＨモードの不要波について検討する。図５は、比較例２に係る共振器の平面図である。図５に示すように、比較例２はアポダイズ型の共振器である。圧電基板および電極の材料等は後述する実施例１における実験と同じである。ＩＤＴ１０の対数は５５対、開口長は３５λ、アポダイズはＡｒｃＣｏｓ型である。バスバー１４の延伸方向であるＡ方向は圧電基板１８のＸ軸方向から角度θ２傾いている。電極指１２の延伸方向は、Ａ方向に対し直交する方向に対しθ１傾いている。θ１を５°とし、θ２を−５°から７．５°まで変更し実験した。
【００３１】
図６（ａ）は、比較例２に係る共振器の周波数に対するアドミッタンスＹの実成分を示す図、図６（ｂ）は、比較例２に係る共振器を並列に接続したときのＳ２１を示す図である。９４５ＭＨｚ近傍のピークはＳＨモードによる不要波である。図６（ａ）および図６（ｂ）に示すように、θ１＝０°およびθ２＝０°では、ほとんどＳＨモードによる不要波は生じない。θ２＝０°でθ１＝５°とすると、ＳＨ不要波が発生する。θ１＝５°でθ２＝−５°とするとＳＨモードの不要波はさらに大きくなる。θ２＝５°とすると、ＳＨモードの不要波はθ１＝０°およびθ２＝０°とほぼ同じ程度に抑制できる。このように、θ１とθ２とはほぼ同じであるときにＳＨモードの不要波が抑制される。θ１＝θ２となるのは、電極指１２の延伸方向がＸ軸方向に直交するときである。このように、ＳＨモードの不要波は、電極指１２の幅方向（Ｂ方向）とＸ軸方向とのなす角度が小さくなると小さくなる。
【００３２】
以上を踏まえ、横モードの不要波およびＳＨモードの不要波を抑制する実施例について説明する。
【実施例１】
【００３３】
実施例１は、異方性係数γが正の例である。図７（ａ）は、実施例１に係る共振器の平面図、図７（ｂ）は、図７（ａ）のＡ−Ａ断面図である。図７（ａ）に示すように、ＩＤＴ１０は、対向する櫛型電極１６を有している。櫛型電極１６は、それぞれ複数の電極指１２およびバスバー１４を有する。バスバー１４間には、電極指１２が交差する交差領域３６および交差領域３６とバスバー１４との間のギャップ領域３４が設けられている。交差領域３６には、中央領域３０およびエッジ領域３２が設けられている。中央領域３０は、交差領域３６の電極指１２の延伸方向の中央に設けられ、エッジ領域３２は、中央領域３０の両側に設けられている。中央領域３０とエッジ領域３２の電極指１２は連続している。ＩＤＴ１０は、圧電基板上に形成され弾性波を励振する。
【００３４】
Ｘ軸方向は圧電基板の上面に平行である。中央領域３０の電極指１２の延伸方向および延伸方向に直交する方向（すなわち電極指１２の幅方向）をそれぞれ方向４１および４０とする。エッジ領域３２の電極指１２の延伸方向および延伸方向に直交する方向をそれぞれ方向４３および４２とする。ギャップ領域３４の電極指１２の延伸方向および延伸方向に直交する方向をそれぞれ方向４５および４４とする。バスバー１４の延伸方向を方向４６、交差領域３６とギャップ領域３４の境界の延伸方向を方向４７、および中央領域３０とエッジ領域３２との境界の延伸方向を方向４８とする。中央領域３０の電極指１２の延伸方向４１とエッジ領域３２の電極指１２の延伸方向４３とのなす角度は角度θ１である。方向４０と４２とのなす角度も角度θ１となる。バスバー１４の延伸方向４６とＸ軸方向とのなす角度は角度θ２である。方向４７および４８は方向４６と平行である。主モードの弾性波の伝搬方向はほぼ方向４６である。ギャップ領域３４の電極指１２の延伸方向４５は方向４１と平行である。中央領域３０の電極指１２の幅方向４０は、ほぼＸ軸方向である。
【００３５】
図７（ｂ）に示すように、圧電基板１８上に金属膜２８が形成されている。金属膜２８は、電極指１２およびバスバー１４を含む。金属膜２８を覆うように誘電体膜２２が形成されている。圧電基板１８は、例えばＹカットＸ伝搬ニオブ酸リチウム基板である。金属膜２８は例えば銅膜である。誘電体膜２２は例えば酸化シリコン膜である。誘電体膜２２は、温度特性を改善するための膜である。
【００３６】
図８は、実施例１におけるエッジ領域の電極指の拡大図である。図８に示すように、実施例１では、エッジ領域３２とギャップ領域３４との境界の延伸方向４７とエッジ領域３２と中央領域３０の境界の延伸方向４８は平行である。これにより、主モードの弾性波の伝搬方向はほぼ方向４７および４８となる。中央領域３０における電極指１２の幅方向４０のピッチＰＴ１に対し、エッジ領域３２における電極指１２の幅方向４２のピッチＰＴ２は大きい。これにより、エッジ領域３２における共振周波数は中央領域３０における共振周波数より低くなる。よって、エッジ領域３２の音速は中央領域３０の音速より等価的に遅くなる。中央領域３０における方向４０の電極指１２の幅をＬ１、電極指１２の間の距離をＳ１とする。エッジ領域３２における方向４７および４８の電極指１２の幅をＬ２、電極指１２の間の距離をＳ２とする。幅Ｌ１とＬ２とは等しく、距離Ｓ１とＳ２とは等しい。よってデュティ比Ｌ１／（Ｌ１＋Ｓ１）とＬ２／（Ｌ２＋Ｓ２）は等しい。
【００３７】
図９は、比較例３に係る共振器の平面図である。図９に示すように、中央領域３０の電極指１２の延伸方向４１とエッジ領域３２の電極指１２の延伸方向４３とは角度θ１傾いている。バスバー１４の延伸方向４６はＸ軸方向と平行である。方向４０、４７、４８は、方向４６と平行であり、弾性波はほぼ方向４６に伝搬する。
【００３８】
図１０（ａ）および図１０（ｂ）は、比較例３におけるエッジ領域の電極指の拡大図である。図１０（ａ）および図１０（ｂ）に示すように、比較例３では、中央領域３０における電極指１２の幅方向４０のピッチＰＴ１に対し、エッジ領域３２における電極指１２の幅方向４２のピッチＰＴ２は小さい。これは、実施例１では、図８のように、方向４７および４８をエッジ領域３２の電極指１２の幅方向４２と平行とし、中央領域３０の電極指１２の幅方向４０を方向４２に対し傾けているのに対し、比較例３では、図１０（ａ）および図１０（ｂ）のように方向４７および４８を中央領域３０の電極指１２の幅方向４０と平行とし、エッジ領域３２の電極指１２の幅方向４２を方向４０に対し傾けているためである。
【００３９】
図１０（ａ）では、デュティ比Ｌ２／（Ｌ２＋Ｓ２）はＬ１／（Ｌ１＋Ｓ１）より大きい。図１０（ｂ）では、デュティ比Ｌ２／（Ｌ２＋Ｓ２）はＬ１／（Ｌ１＋Ｓ１）と等しい。図８および図１０（ｂ）のように、エッジ領域３２と中央領域３０とのデュティ比が等しいと、後述する図１１のような正規型の共振器の設計を流用して共振器を設計し易い。一方、エッジ領域３２と中央領域３０とのデュティ比が異なると、デュティ比が一定の正規型の共振器の設計を流用できないため設計が難しくなる。
【００４０】
図８と図１０（ａ）を比較すると、図８では、個々の電極指１２のエッジ領域３２と中央領域３０の境界４９と、エッジ領域３２と中央領域３０の境界の方向４８が一致している。このため、境界４９付近の音速を明確に定義できる。一方、図１０（ａ）では、境界４９と方向４８が平行でないため、境界４９付近で異なる音速が混在する。エッジ領域３２とギャップ領域３４の境界においても同様である。音速が明確に定義できれば、伝搬モードの制御をスカラーポテンシャル法等を用い行なえる。よって、弾性波デバイスの設計が容易になる。異なる音速が混在すると、伝搬モードの制御が複雑になり、弾性波デバイスの設計が複雑になる。
【００４１】
実施例１に係る共振器について、共振特性を実測した。実験の条件は以下である。なお、作製した共振器は、後述する図１７（ａ）のようにＩＤＴの両側に共振器を備えている。
圧電基板１８：１２７．８６°回転ＹカットＸ伝搬ＬｉＮｂＯ３基板
金属膜２８：材料  銅  膜厚  ０．０６λ
誘電体膜２２：材料  酸化シリコン  膜厚  ０．２７λ
ＩＤＴ対数：１００対
反射器本数：２０本
ＩＤＴλ：３．８４μｍ
ＩＤＴ交差領域３６幅Ｗ３０：７６．８μｍ
ＩＤＴデュティ比：５０％
反射器デュティ比：５０％
エッジ領域３２幅Ｗ３２：０．６λ
ギャップ領域３４幅Ｗ３４：２．５λ
角度θ１：８．５°
角度θ２：８．５°
なお、λは、主モードの弾性波の波長であり、ＩＤＴλに相当する。交差領域３６の幅Ｗ３６、エッジ領域３２の幅Ｗ３２およびギャップ領域３４の幅Ｗ３４は、図７（ａ）のように、方向４６から４８に直交する方向で規定している。
【００４２】
図１１は、比較例４に係る共振器の平面図である。比較例４においては、電極指１２の幅方向４０、４２および４４、バスバー１４の延伸方向４６、境界の延伸方向４７および４８は、全て平行である。θ１およびθ２は０°である。その他の構成は、実施例１と同じであり説明を省略する。
【００４３】
図１２（ａ）および図１２（ｂ）は、実施例１および比較例４に係る共振器の通過特性を示す図である。図１２（ａ）および図１２（ｂ）は、共振器をラダーフィルタのそれぞれ直列共振器および並列共振器として接続したときの通過特性（Ｓ２１の絶対値の２乗の対数のマグニチュード表示）である。図１２（ａ）に示すように、比較例４では、矢印のように、ラダーフィルタの通過帯域に相当する周波数に低次の横モードの不要波による応答がある。この応答の大きさは、２ｄＢから５ｄＢである。一方、実施例１では、横モードに起因する不要波が抑制されている。図１２（ｂ）に示すように、比較例４では、ラダーフィルタの通過帯域に相当する周波数に高次の横モードの不要波による応答がある。実施例１では、横モードの不要波は抑制されている。実施例１で横モードの不要波が抑制されるのは、実施例１では、エッジ領域３２の音速が中央領域３０の音速に比べ、約１．５％小さいためである。上記シミュレーションの条件においてシミュレーションしたところ、Ｙカット回転が１２０°から１４０°の範囲において、レイリー波の結合係数が高く、レイリー波が主要な弾性表面波となる。また、ＳＨモードのリーキー波は結合係数が低く不要波となる。
【００４４】
図１３（ａ）および図１３（ｂ）は、それぞれ実施例１の変形例１および２に係る共振器の平面図である。図１３（ａ）に示すように、実施例１の変形例１では、エッジ領域３２の電極指１２の幅が中央領域３０より大きくなっている。その他の構成は、実施例１と同じであり、説明を省略する。実施例１の変形例１では、エッジ領域３２の電極指１２が太いため、エッジ領域３２における音速を実施例１より遅くできる。
【００４５】
図１３（ｂ）に示すように、実施例１の変形例２では、ギャップ領域３４の電極指１２の幅方向４４が方向４６から４８と平行である。このように、方向４４は任意である。実施例１のギャップ領域３４の音速は実施例１の変形例２より早い。このため、弾性波を交差領域３６に閉じ込めるという観点では、実施例１の変形例２より実施例１が好ましい。
【００４６】
実施例１の変形例１について、通過特性を実測した。エッジ領域３２のデュティ比を６０％とした。その他の実験条件は実施例１と同じである。図１４（ａ）および図１４（ｂ）は、実施例１、実施例１の変形例１および比較例４に係る共振器の通過特性を示す図である。図１４（ａ）および図１４（ｂ）は、共振器をラダーフィルタのそれぞれ直列共振器および並列共振器として接続したときの通過特性である。図１４（ａ）および図１４（ｂ）に示すように、実施例１の変形例１では、実施例１に比べ横モードの不要波が抑制される。これは、実施例１の変形例１では、実施例１に比べエッジ領域３２の音速が遅いためである。
【００４７】
図１５は、比較例５に係る共振器の平面図である。図１５に示すように、比較例５においては、θ１が５°であり、θ２が０°である。このため、方向４６から４８は、Ｘ軸方向に平行である。エッジ領域３２における電極指１２の幅方向４２はＸ軸方向と平行である。中央領域３０における電極指１２の幅方向４０は、Ｘ軸方向に対し、θ１傾いている。その他の構成は、実施例１の変形例１と同じであり、説明を省略する。比較例５について通過特性を実測した。角度θ２が０°であること以外の実験条件は実施例１の変形例１と同じである。
【００４８】
図１６（ａ）および図１６（ｂ）は、実施例１の変形例１および比較例５に係る共振器の通過特性を示す図である。図１６（ａ）および図１６（ｂ）は、共振器をラダーフィルタのそれぞれ直列共振器および並列共振器として接続したときの通過特性の拡大図である。矢印はＳＨモードの不要波である。図１６（ａ）に示すように、比較例５では、ＳＨモードの不要波の大きさが１．５ｄＢであるのに対し、実施例１の変形例１では、０．４ｄＢである。図１６（ｂ）に示すように、比較例５では、ＳＨモードの不要波の大きさが０．６ｄＢであるのに対し、実施例１の変形例１では、０．２３ｄＢである。このように、実施例１の変形例１では、比較例５に比べ横モードの不要波が抑制される。これは、実施例１の変形例１では、比較例５に比べ、中央領域３０の電極指１２の幅方向がＸ軸方向に近いためである。
【００４９】
図１７（ａ）および図１７（ｂ）は、実施例１および実施例１の変形例１に係る共振器の平面図である。図１７（ａ）および図１７（ｂ）に示すように、実施例１および実施例１の変形例１に係る共振器は、ＩＤＴ１０の両側に反射器２０を備えてもよい。反射器２０では、ＩＤＴ１０と同様に、エッジ領域３２における電極指が中央領域３０に比べθ１傾斜している。反射器２０は、短絡グレーティングであり、反射器２０の電極指の両端はバスバーに接続されている。その他の構成は、それぞれ図７（ａ）および図１３（ａ）と同じであり説明を省略する。
【００５０】
図１８（ａ）および図１８（ｂ）は、実施例１および実施例１の変形例１に係る別の共振器の平面図である。図１８（ａ）および図１８（ｂ）に示すように、反射器２０の電極指は互い違いにギャップ領域３４で開放している。その他の構成はそれぞれ図１７（ａ）および図１７（ｂ）と同じであり説明を省略する。
【００５１】
実施例１およびその変形例によれば、異方性係数γが正である場合には、図８のように、エッジ領域３２の電極指１２の幅方向４２のピッチＰＴ２が中央領域３０の電極指１２の幅方向４０のピッチＰＴ１より大きくなるように、中央領域３０の電極指１２に対しエッジ領域３２の電極指１２を傾斜させる。これにより、図４（ａ）のように、エッジ領域３２の音速が中央領域３０より遅くなる。よって、図２（ａ）および図１２（ａ）および図１２（ｂ）のように、横モードの不要波を抑制できる。
【００５２】
中央領域３０の電極指１２の幅方向４０を任意とすると、ＳＨモードの不要波が増加する。弾性波デバイスの特性に主に影響するのは中央領域３０であるため、エッジ領域３２における不要波より中央領域３０における不要波を抑制した方が全体の不要波を抑制できる。そこで、中央領域３０の電極指１２の幅方向４０と圧電基板１８のＸ軸方向とのなす角度をエッジ領域３２の電極指１２の幅方向４２とＸ軸方向とのなす角度より小さくする。これにより、図６（ａ）、図６（ｂ）、図１６（ａ）および図１６（ｂ）のように、ＳＨモードの不要波を抑制できる。また、中央領域３０の電極指１２の幅方向４０をほぼＸ軸方向と平行とする。これにより、ＳＨモードの不要波をより抑制できる。
【００５３】
図８のように、エッジ領域３２のピッチＰＴ２を中央領域３０のピッチＰＴ１より大きくしようとすると、エッジ領域３２と中央領域３０との境界の方向４８はエッジ領域３２の電極指１２の幅方向４２に平行となる。
【００５４】
エッジ領域３２は中央領域３０の両側に設けられ、中央領域３０の両側に設けられたエッジ領域３２の電極指１２の幅方向４２は平行である。これにより、両側のエッジ領域３２の音速をほぼ同じにできる。よって、両側のエッジ領域３２の音速が異なる非対称構造にともなう２次歪を抑制できる。エッジ領域３２の幅方向４２のＸ軸方向からの傾きが大きくなるとエッジ領域３２におけるＳＨモードによる不要波が大きくなる。例えば、両側のエッジ領域３２の電極指１２を同じ側に傾斜させる（例えば図７（ａ）において、上下のエッジ領域３２の電極指１２を両方とも右側に傾斜させる）と、この不要波が大きくなる。両側のエッジ領域３２幅方向４２を互いに平行とすることで、このエッジ領域３２における不要波の影響を抑制できる。
【００５５】
バスバー１４の延伸方向４８はエッジ領域３２の電極指１２の幅方向４２に平行であることが好ましい。これにより、ギャップ領域３４の幅を一定にできる。
【００５６】
図７（ａ）および図８のように、エッジ領域３２の電極指１２のデュティ比は中央領域３０の電極指１２のデュティ比と等しいことが好ましい。これにより、弾性波デバイスの設計を容易にできる。
【００５７】
図１３（ａ）のように、エッジ領域３２の電極指１２のデュティ比は中央領域３０の電極指１２のデュティ比より大きいことが好ましい。これにより、図１４（ａ）および図１４（ｂ）のように、横モードの不要波をより抑制できる。
【００５８】
実施例１およびその変形例では、圧電基板１８の結晶軸方向としてＸ軸方向を例に説明した。電極指１２の幅方向が結晶軸方向から傾くと不要波は生成されやすくなる。よって、中央領域３０の電極指１２の幅方向４０と圧電基板１８の結晶軸方向とのなす角度をエッジ領域３２の電極指１２の幅方向４２と結晶軸方向とのなす角度より小さくすればよい。
【００５９】
圧電基板１８が回転ＹカットＸ伝搬ニオブ酸リチウム基板のとき、電極指１２の幅方向がＸ軸方向から傾くと不要波が生成されやすい。よって、このような圧電基板１８では、中央領域３０の電極指１２の幅方向４０をエッジ領域３２の電極指１２の幅方向４２よりＸ軸方向に近くする。
【００６０】
中央領域３０が主に弾性波デバイスの特性に寄与するため、中央領域３０の幅Ｗ３０がエッジ領域３２の幅Ｗ３２より大きいことが好ましい。幅Ｗ３０は幅Ｗ３２の２倍以上が好ましく、１０倍以上が好ましい。
【実施例２】
【００６１】
実施例２は、異方性係数γが負の例である。図１９（ａ）および図１９（ｂ）は、それぞれ実施例２および実施例２の変形例１に係る共振器の平面図である。図１９（ａ）に示すように、中央領域３０の電極指１２の幅方向４０は、方向４６から４８と平行である。これにより、図１０（ｂ）のように、エッジ領域３２の電極指１２のピッチＰＴ２は、中央領域３０のピッチＰＴ１より小さくなる。エッジ領域３２の音速は中央領域３０より早くなる。よって、横モードの不要波を抑制できる。その他の構成は実施例１と同じであり説明を省略する。
【００６２】
図１９（ｂ）に示すように、中央領域３０の電極指１２のデュティ比をエッジ領域３２より大きくする。これにより、中央領域３０の音速をより遅くできる。よって、横モードの不要波を抑制できる。ギャップ領域３４の電極指１２を太くする。これにより、ギャップ領域３４の音速を遅くできる。よって、弾性波を交差領域３６により閉じ込めることができる。その他の構成は実施例２と同じであり説明を省略する。
【００６３】
図２０（ａ）および図２０（ｂ）は、それぞれ実施例２の変形例２および３に係る共振器の平面図である。図２０（ａ）に示すように、ギャップ領域３４の電極指１２の幅方向４４は、中央領域３０の電極指１２の幅方向４０と平行である。これにより、ギャップ領域３４の音速を遅くできる。よって、弾性波を交差領域３６により閉じ込めることができる。その他の構成は実施例２と同じであり説明を省略する。
【００６４】
図２０（ｂ）に示すように、ギャップ領域３４にダミー電極指１７が形成されている。これにより、ギャップ領域３４の音速を遅くできる。よって、弾性波を交差領域３６により閉じ込めることができる。その他の構成は実施例２の変形例１と同じであり説明を省略する。
【００６５】
実施例２およびその変形例によれば、エッジ領域３２の電極指１２の幅方向４２のピッチが中央領域３０の電極指１２の幅方向４０のピッチより小さくなるように、中央領域３０の電極指１２に対しエッジ領域の電極指１２は傾斜している。これにより、エッジ領域３２の音速が中央領域３０より早くなる。よって、図２（ｂ）のように、横モードの不要波を抑制できる。中央領域３０の電極指１２の幅方向４０と圧電基板１８のＸ軸方向とのなす角度をエッジ領域３２の電極指１２の幅方向４２とＸ軸方向とのなす角度より小さい。これにより、ＳＨ波を抑制できる。中央領域３０の両側に設けられたエッジ領域３２の電極指１２の幅方向４２は平行である。これにより、不要波を抑制できる。
【００６６】
図１０（ｂ）のように、エッジ領域３２のピッチＰ２を中央領域３０のピッチＰ１より小さくしようとすると、エッジ領域３２と中央領域３０の延伸方向４８は中央領域３０の電極指１２の幅方向４０と平行となる。
【００６７】
図１９（ｂ）のように、エッジ領域３２の電極指１２のデュティ比を中央領域３０の電極指１２のデュティ比より小さくする。これにより、横モードの不要波をより抑制できる。
【００６８】
実施例１，２およびその変形例では、圧電基板１８としてＹカットＸ伝搬ニオブ酸リチウム基板を例に説明したが、圧電基板１８は、ＹカットＸ伝搬タンタル酸リチウム基板でもよい。ＹカットＸ伝搬タンタル酸リチウム基板の異方性係数γは負のため、実施例２およびその変形例を用いることが好ましい。圧電基板１８はがＹカットＸ伝搬タンタル酸リチウム基板であっても、金属膜２８が重く弾性波デバイスの異方性係数γが正のときは、実施例１およびその変形例を用いることが好ましい。
【実施例３】
【００６９】
実施例３は、実施例１から２およびその変形例に係る共振器を有するフィルタを作製した例である。図２１は、実施例３に係るフィルタの回路図である。図２１に示すように、実施例３に係るフィルタは、ラダー型フィルタである。入力端子Ｔｉｎと出力端子Ｔｏｕｔとの間に直列共振器Ｓ１からＳ４が直列に接続されている。入力端子Ｔｉｎと出力端子Ｔｏｕｔとの間に並列共振器Ｐ１からＰ３が並列に接続されている。
【００７０】
図２２（ａ）および図２２（ｂ）は、それぞれ実施例３および比較例６におけるフィルタチップの平面図である。図２２（ａ）および図２２（ｂ）に示すように、フィルタチップ５０において、圧電基板１８上に直列共振器Ｓ１からＳ４および並列共振器Ｐ１からＰ３が形成されている。共振器Ｓ１からＳ４およびＰ１からＰ３間は配線２４により電気的に接続されている。配線２４に接続されるバンプ２６が形成されている。バンプ２６は、入力端子Ｔｉｎ、出力端子Ｔｏｕｔおよびグランド端子に対応する。
【００７１】
実施例３および比較例６とも圧電基板１８は１２７．８６°回転ＹカットＸ伝搬ＬｉＮｂＯ３基板であり、共振器の金属膜２８の材料は銅、誘電体膜２２の材料は酸化シリコンである。異方性係数γは正である。
実施例３の各条件は以下である。
中央領域３０デュティ比：５０％
エッジ領域３２デュティ比：６０％
エッジ領域３２幅Ｗ３２：１．４λ
ギャップ領域３４幅Ｗ３４：２．５λ
角度θ１：５°
角度θ２：５°
比較例６の各条件は以下である。
ＩＤＴデュティ比：５０％
ギャップ領域３４幅Ｗ３４：０．５μｍ、２λの長さのダミー電極あり
角度θ１：０°
角度θ２：０°
実施例３および比較例６とも、各共振器のその他の条件を最適化している。
【００７２】
このように、実施例３および比較例６とも、中央領域３０の電極指１２の幅方向４０がＸ軸方向である。実施例３では、エッジ領域３２の電極指１２のピッチが中央領域３０より大きくなるように、電極指１２が傾斜している。比較例６では、エッジ領域３２および中央領域で電極指１２の延伸方向は同じである。
【００７３】
図２３（ａ）は、フィルタチップを多層基板に実装した断面図、図２３（ｂ）は、フィルタチップを多層基板に実装する斜視図である。多層基板６０は、セラミック層６０ａおよび６０ｂを有する。セラミック層６０ａ上、セラミック層６０ａと６０ｂとの間、およびセラミック層６０ｂ下に、それぞれ金属層６２ａから６２ｃが形成されている。金属層６２ａは、バンプが接合するパッドを含む。金属層６２ｂは配線を含む。金属層６２ｃはフットパッドを含む。セラミック層６０ａおよび６０ｂを貫通する貫通電極６４ａおよび６４ｂが形成されている。図２３（ｂ）に示すように、フィルタチップ５０は、金バンプ５２を介して金属層６２ａに接合される。金属層６２ａは、貫通電極６４ａ、金属層６２ｂおよび貫通電極６４ｂを介し金属層６２ｃに電気的に接続される。
【００７４】
図２４（ａ）は、実施例３および比較例６における通過特性を示す図、図２４（ｂ）は、群遅延を示す図である。図２４（ａ）および図２４（ｂ）に示すように、比較例６では、フィルタの通過帯域内に矢印で示す不要波の応答が観測される。実施例３では、不要波が抑制される。
【００７５】
このように、実施例１、実施例２およびその変形例に係る共振器をフィルタに用いることにより、通過帯域内の不要波を抑制でき、通過帯域内の特性を平坦にできる。
【実施例４】
【００７６】
実施例４は、実施例１から２およびその変形例に係る共振器を有するフィルタを作製した別の例である。図２５（ａ）および図２５（ｂ）は、それぞれ実施例４および比較例７のフィルタチップの平面図である。図２５（ａ）および図２５（ｂ）に示すように、フィルタチップ５０において、圧電基板１８上に直列共振器Ｓ１からＳ４および並列共振器Ｐ１からＰ３が形成されている。共振器Ｓ１からＳ４およびＰ１からＰ３間は配線２４により電気的に接続されている。実施例４の各条件は実施例３と同じである。比較例７は、θ２を０°とした以外は実施例４と同じである。実施例４および比較例７とも、各共振器のその他の条件を最適化している。
【００７７】
このように、実施例４では、中央領域３０の電極指１２の幅方向４０がＸ軸方向であるのに対し、比較例７では、エッジ領域３２の電極指１２の幅方向４２がＸ軸方向であり、中央領域３０の電極指１２の幅方向４０はＸ軸方向からθ２＝５°傾いている。
【００７８】
図２６は、実施例４および比較例７の通過特性を示す図である。図２６に示すように、比較例７では、通過帯域内に０．５ｄＢから２ｄＢの不要波の応答がある。実施例４では、不要波が抑制されている。
【００７９】
実施例３および４のように、エッジ領域３２の電極指１２の幅方向４２のピッチが中央領域３０の電極指１２の幅方向４２のピッチより大きくなるように、中央領域３０の電極指１２に対しエッジ領域３２の電極指１２を傾斜させる。中央領域３０の電極指１２の幅方向４０がエッジ領域３２の電極指１２の幅方向４２よりＸ軸方向に近くなるようにする。これにより、図２４（ａ）、図２４（ｂ）および図２６のように不要波を抑制できる。
【００８０】
実施例３および４では、フィルタの全ての共振器を実施例１の変形例１としたが、フィルタは、実施例１、２およびその変形例の少なくとも１つを含めばよい。図２７（ａ）から図２８（ｃ）は、実施例３のフィルタに含まれる共振器の例を示す平面図である。図２７（ａ）に示すように、フィルタの一部の共振器は、バスバー１４の延伸方向がＸ軸方向であり、電極指１２の延伸方向がバスバー１４の延伸方向に直交するアボダイズ型共振器でもよい。図２７（ｂ）に示すように、フィルタの一部の共振器は、バスバー１４の延伸方向がＸ軸方向であり、電極指１２の延伸方向がバスバー１４の延伸方向に直交する方向から傾斜したアボダイズ型共振器でもよい。図２７（ｃ）に示すように、フィルタの一部の共振器は、バスバー１４の延伸方向がＸ軸方向から傾斜し、電極指１２の延伸方向がバスバー１４の延伸方向に直交する方向から傾斜したアボダイズ型共振器でもよい。
【００８１】
図２８（ａ）に示すように、フィルタの一部の共振器は、バスバー１４の延伸方向がＸ軸方向であり、電極指１２の延伸方向がバスバー１４の延伸方向に直交する型共振器でもよい。図２８（ｂ）に示すように、フィルタの一部の共振器は、バスバー１４の延伸方向がＸ軸方向であり、エッジ領域３２の電極指１２の延伸方向が中央領域３０から傾斜した共振器でもよい。図２８（ｃ）に示すように、フィルタの一部の共振器は、バスバー１４の延伸方向がＸ軸方向から傾斜し、エッジ領域３２の電極指１２の延伸方向が中央領域３０から傾斜した共振器でもよい。
【００８２】
ラダー型フィルタにおける直列共振器および並列共振器の個数は任意に設定できる。また、フィルタとしてラダー型フィルタを例に説明したが多重モード型フィルタでもよい。さらに、実施例１から２およびその変形例を含むフィルタをデュプレクサの送信フィルタおよび受信フィルタの少なくとも一方に用いてもよい。さらに、実施例１から２およびその変形例を含むフィルタを通信モジュールに用いてもよい。
【００８３】
圧電基板１８上に誘電体膜２２が形成されたレイリータイプの弾性波デバイスを例に説明したが、保護膜以外の誘電体膜２２が形成されていないリーキータイプの弾性波デバイスでもよい。誘電体膜２２は１層でもよいし多層でもよい。誘電体膜が１層の弾性波デバイスには、例えばリーキータイプの弾性表面波デバイス、ラブ波デバイス、弾性境界波デバイス等が含まれる。誘電体膜２２が多層の弾性波デバイスには、例えばリーキータイプの弾性表面波デバイス、レイリータイプの弾性表面波デバイス、ラブ波デバイス、弾性境界波デバイス等が含まれる。
【００８４】
タンタル酸リチウム基板をサファイア基板に貼り付けた弾性波デバイス、または圧電基板の表面または裏面に酸化シリコン膜等の誘電体膜を被覆した弾性波デバイスは温度特性に優れる。しかしながら、新たなバルク波および／または横モードによる不要波が生じやすい。よって、これらの弾性波デバイスに実施例１から４およびその変形例を適用することが好ましい。
【００８５】
以上、本発明の実施例について詳述したが、本発明はかかる特定の実施例に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載された本発明の要旨の範囲内において、種々の変形・変更が可能である。
【符号の説明】
【００８６】
１０      ＩＤＴ
１２      電極指
１４      バスバー
１６      櫛型電極
１７      ダミー電極指
１８      圧電基板
２２      誘電体膜
２８      金属膜
３０      中央領域
３２      エッジ領域
３４      ギャップ領域
３６      交差領域
４０−４８  方向
【図１】
0006307021.tif 000003
【図２】
0006307021.tif 000004
【図３】
0006307021.tif 000005
【図４】
0006307021.tif 000006
【図５】
0006307021.tif 000007
【図６】
0006307021.tif 000008
【図７】
0006307021.tif 000009
【図８】
0006307021.tif 000010
【図９】
0006307021.tif 000011
【図１０】
0006307021.tif 000012
【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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【図２７】
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【図２８】
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