(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁性接着剤組成物中に、樹脂粒子の表面に強磁性材料からなる強磁性層が形成された磁性導電粒子が分散されてなる異方性導電接着剤において、
該磁性導電粒子は、その強磁性層の強磁性材料をキュリー温度以上に不活性ガス雰囲気中で高周波誘導加熱することにより脱磁処理されていることを特徴とする異方性導電接着剤。
【請求項２】
該磁性導電粒子の強磁性層が、ニッケル層である請求項１記載の異方性導電接着剤。
【請求項３】
該磁性導電粒子の平均粒子径が２〜３０μｍであり、ニッケル層の厚さが１０〜３００ｎｍである請求項２記載の異方性導電接着剤。
【請求項４】
請求項１記載の異方性導電接着剤の製造方法であって、以下の工程（Ａ）及び（Ｂ）：
工程（Ａ）
磁性導電粒子の強磁性層の強磁性材料を、そのキュリー温度以上に不活性ガス雰囲気中で高周波誘導加熱することにより、当該磁性導電粒子に脱磁処理を施す工程；及び
工程（Ｂ）
脱磁処理が施された磁性導電粒子を、絶縁性接着剤組成物に分散する工程
を有する製造方法。
【請求項５】
工程（Ａ）における高周波誘導加熱を、誘導加熱用コイルに挿入した非磁性管中に磁性導電粒子を不活性ガスとともに通過させながら行う請求項４記載の製造方法。
【請求項６】
誘導加熱用コイルのコイル長をＬ[ｍｍ]とし、非磁性管の内断面積をＳ[ｍｍ２]としたときに、誘導加熱用コイルへの単位体積あたりの印加電力[Ｗ／ｍｍ３]が、以下の式を満足する請求項４または５記載の製造方法。
【数１】
0006394160.tif 000004
【請求項７】
誘導加熱用コイルに流す電流の周波数が５ｋＨｚ以上である請求項４〜６のいずれかに
記載の製造方法。
【請求項８】
異方性導電接着剤がフィルムである場合に、工程（Ｂ）に続き以下の工程（Ｃ）
工程（Ｃ）
異方性導電接着剤を剥離基材の片面に塗布し、乾燥することにより異方性導電フィルムを形成する工程
を有する請求項４〜７のいずれかに記載の製造方法。
【請求項９】
第１の電子部品の端子と第２の電子部品の端子とが、請求項１〜３のいずれかに記載の異方性導電接着剤により異方性導電接続されていることを特徴とする接続構造体。
【請求項１０】
第１の電子部品の端子と第２の電子部品の端子とが接続されてなる接続構造体の製造方法であって、第１の電子部品の端子と第２の電子部品の端子との間に、請求項１〜３のいずれかに記載の異方性導電接着剤を配し、異方性導電接着剤を加熱しながら第１の電子部品を第２の電子部品に押圧することにより、端子同士を異方性導電接続することを特徴とする接続構造体の製造方法。
【請求項１１】
磁性導電粒子の脱磁処理装置であって、
誘導加熱用コイルと、
誘導加熱用コイルに電力を供給する高周波電源と、
誘導加熱用コイルに挿入され、磁性導電粒子を不活性ガスと共に通過させる非磁性管と、
非磁性管の磁性導電粒子供給側に連通した磁性導電粒子供給器と、
非磁性管の磁性導電粒子排出側に連通した磁性導電粒子回収器と、
非磁性管に不活性ガスを供給する不活性ガス供給器と
を有する脱磁処理装置。
【請求項１２】
誘導加熱用コイルのコイル長をＬ[ｍｍ]とし、非磁性管の内断面積をＳ[ｍｍ２]としたときに、誘導加熱用コイルへの単位体積あたりの印加電力[Ｗ／ｍｍ３]が、以下の式を満足する請求項１１記載の脱磁処理装置。
【数２】
0006394160.tif 000005
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、絶縁性接着剤組成物中に磁性導電粒子が分散されてなる異方性導電接着剤に関する。
【背景技術】
【０００２】
ＬＳＩ等の精密電子部品を配線に接続するための材料として、導電粒子を絶縁性接着剤組成物に分散させた異方性導電接着剤が広く使用されており、良好な導通信頼性と絶縁性とを実現する導電粒子として、樹脂粒子の表面に無電解ニッケルメッキ層を形成した樹脂コアニッケルメッキ粒子が広く使用されている（特許文献１）。
【０００３】
ところで、ニッケルは強磁性材料であるため、樹脂コアニッケルメッキ粒子が異方性導電接着剤組成物中で凝集する傾向がある。凝集した導電粒子を含有する異方性導電接着剤を用いてファインピッチの被接構造体を作製した場合、隣接する配線間でショートの発生が懸念される。そこで、樹脂コアニッケルメッキ粒子を絶縁性接着剤組成物への分散に先だって、予め脱磁しておくことが考えられる。樹脂コアニッケルメッキ粒子の脱磁に適用可能な技術として、磁性粉体を容器に収容し押圧して仮固定した上で、脱磁用磁場の中を磁界強度を減衰させながら移動させる技術（特許文献１）や、磁性粉体を磁性材料のキュリー温度以上に加熱する技術（特許文献２）等が提案されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２０１２−１８９６７号公報
【特許文献２】特開２０１３−１２７０４１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、特許文献１の技術では、脱磁処理に長時間を要するだけでなく、完全な脱磁が困難という問題があった。一方、特許文献２の技術では、短時間で完全脱磁を実現することは可能であるが、ニッケルのキュリー温度（３５４℃）以上への加熱により樹脂コアが変質するという問題があり、結局のところ樹脂コアニッケルメッキ粒子の脱磁には適用できない技術であった。従って、樹脂コアの表面に強磁性層が形成された磁性導電粒子であって、短時間で完全脱磁した凝集の生じ難い磁性導電粒子を含有する異方性導電接着剤は未だ実現されていないというのが実情であった。
【０００６】
本発明の目的は、以上の従来の技術の問題点を解決することであり、短時間で完全脱磁した凝集の生じ難い磁性導電粒子を含有させて、良好な導通信頼性と絶縁性とを実現可能な異方性導電接着剤を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明者は、樹脂粒子の表面に強磁性材料からなる強磁性層が形成された磁性導電粒子を高周波誘導加熱することにより、実質的に樹脂粒子を加熱することなく、表層の磁性材料だけをそのキュリー温度以上に加熱できることを見出し、本発明を完成させるに至った。
【０００８】
即ち、本発明は、絶縁性接着剤組成物中に、樹脂粒子の表面に強磁性材料からなる強磁性層が形成された磁性導電粒子が分散されてなる異方性導電接着剤において、
該磁性導電粒子は、その強磁性層の強磁性材料をキュリー温度以上に不活性ガス雰囲気中で高周波誘導加熱することにより脱磁処理されていることを特徴とする異方性導電接着剤を提供する。
【０００９】
また、本発明は、上述の異方性導電接着剤の製造方法であって、以下の工程（Ａ）及び（Ｂ）：
工程（Ａ）
磁性導電粒子の強磁性層の強磁性材料を、そのキュリー温度以上に不活性ガス雰囲気中で高周波誘導加熱することにより、当該磁性導電粒子に脱磁処理を施す工程；及び
工程（Ｂ）
脱磁処理が施された磁性導電粒子を、絶縁性接着剤組成物に分散する工程
を有する製造方法を提供する。
【００１０】
更に、本発明は、第１の電子部品の端子と第２の電子部品の端子とが、前述の本発明の異方性導電接着剤により異方性導電接続されていることを特徴とする接続構造体を提供する。
【００１１】
加えて、本発明は、第１の電子部品の端子と第２の電子部品の端子とが接続されてなる接続構造体の製造方法であって、第１の電子部品の端子と第２の電子部品の端子との間に、前述の発明の異方性導電接着剤を配し、異方性導電接着剤を加熱しながら第１の電子部品を第２の電子部品に押圧することにより、端子同士を異方性導電接続することを特徴とする接続構造体の製造方法を提供する。
【００１２】
また、本発明は、磁性導電粒子の脱磁処理装置であって、
誘導加熱用コイルと、
誘導加熱用コイルに電力を供給する高周波電源と、
誘導加熱用コイルに挿入され、磁性導電粒子を不活性ガスと共に通過させる非磁性管と、
非磁性管の磁性導電粒子供給側に連通した磁性導電粒子供給器と、
非磁性管の磁性導電粒子排出側に連通した磁性導電粒子回収器と、
非磁性管に不活性ガスを供給する不活性ガス供給器と
を有する脱磁処理装置を提供する。この脱磁処理装置は、樹脂粒子の表面に強磁性材料からなる強磁性層が形成された磁性導電粒子の脱磁に好ましく適用することができる。
【発明の効果】
【００１３】
本発明の異方性導電接着剤は、絶縁性接着剤組成物中に、樹脂粒子の表面に強磁性材料からなる強磁性層が形成された磁性導電粒子が分散されてなる異方性導電接着剤である。この磁性導電粒子は、強磁性層の強磁性材料をキュリー温度以上に不活性ガス雰囲気中で高周波誘導加熱することにより脱磁処理されたものである。このように脱磁処理すると、樹脂粒子を加熱することなく強磁性層の強磁性材料だけをキュリー温度以上に短時間で加熱することができる。また、磁性導電粒子の凝集も生じさせない。従って、磁性導電粒子を、その樹脂コアを変質させることなく、短時間で、実質的に完全脱磁させることができる。そしてこのような完全脱磁された磁性導電粒子を含有する異方性導電接着剤では、磁性導電粒子の凝集が防止され、良好な導通信頼性と絶縁性とを実現することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１４】
【図１】図１は脱磁処理装置の概略構成図である。
【発明を実施するための形態】
【００１５】
以下、本発明の異方性導電接着剤について詳細に説明する。なお、本発明の異方性導電接着剤の剤型としては、フィルムに限定されることなく、ペーストも含むものである。
【００１６】
「異方性導電接着剤」
本発明の異方性導電接着剤は、絶縁性接着剤組成物中に、樹脂粒子の表面に強磁性材料からなる強磁性層が形成された磁性導電粒子が分散されてなるものである。この磁性導電粒子は、その強磁性層の強磁性材料をキュリー温度以上に不活性ガス雰囲気中で高周波誘導加熱することにより脱磁処理されているものである。
【００１７】
＜磁性導電粒子＞
前述したように、磁性導電粒子は、樹脂粒子の表面に強磁性材料からなる強磁性層が形成されたものであり、その強磁性層の強磁性材料をキュリー温度以上に不活性ガス雰囲気中で高周波誘導加熱することにより脱磁処理されているものである。
【００１８】
磁性導電粒子の異方性導電接着剤中の含有量は、良好な絶縁性と導通信頼性とを実現するために、好ましくは１〜５０質量％、より好ましくは５〜３０質量％（有機溶媒等の揮発性成分以外の固形・固形化成分基準）である。
【００１９】
（樹脂粒子）
磁性導電粒子のコアとなる樹脂粒子としては、特に制限はないが、耐熱性、耐薬品性を備えた有機材料、例えば、ポリアミド、ポリグアナミン、ポリスチレン、アクリル樹脂等の熱可塑性樹脂を好ましく使用することができる。
【００２０】
このような樹脂粒子の形状としては、特に制限はなく、球状、楕円球状、鱗片状、針状等が挙げられるが、安定した異方性導電接続を実現するという観点から球状が好ましい。
【００２１】
樹脂粒子の電気抵抗式測定法による平均粒径は、異方性導電接続の際の熱押圧により良好な変形性を実現し、ファインピッチに対応し、またショートの発生を防止するために、好ましくは２〜３０μｍ、より好ましくは３〜１０μｍである。
【００２２】
（強磁性層）
樹脂粒子の表面を被覆する強磁性層を構成する強磁性材料としては、フェロ磁性体（キュリー温度）としては、Ｃｏ（１１１５℃）、Ｆｅ（７７０℃）、Ｎｉ（３５４℃）、ＭｎＢｉ（３５７℃）、ＭｎＳｂ（３１４℃）等が挙げられる。フェリ磁性体としては、ＣｒＯ２（１３０℃）、ＦｅＯＦｅ２Ｏ３（５８５℃）、ＮｉＯＦｅ２Ｏ３（５８５℃）、ＣｕＯＦｅ２Ｏ３（４５５℃）、ＭｇＯＦｅ２Ｏ３（４４０℃）、ＭｎＯＦｅ２Ｏ３（３００℃）等が挙げられる。また、永久磁石として称されているＭＫ磁石、アルニコ磁石、希土類磁石等も使用することができる。中でも、入手容易性の観点からＮｉが好ましい。これらの強磁性層の形成は、公知の真空蒸着等の物理的気相成長技術、熱ＣＶＤ等の化学的気相成長技術、無電解メッキ等の液相成長法等を適用して行うことができる。
【００２３】
強磁性層の層厚は、異方性導電接続の際の熱圧着時の破損を抑制し、異方性導電フィルムの良好な接続信頼性を確保するために、好ましくは１０〜３００ｎｍ、より好ましくは５０〜２００ｎｍである。
【００２４】
なお、強磁性層の表面に、必要に応じて金メッキ層を形成してもよく、絶縁性樹脂被膜を形成してもよい。
【００２５】
（高周波誘導加熱による脱磁処理）
以上のような磁性導電粒子としては、異方性導電接着剤中で凝集が生じないように、脱磁処理が施されたものを使用する必要がある。この脱磁処理は、強磁性層を構成する強磁性材料をキュリー温度以上に不活性ガス雰囲気中で高周波誘導加熱することにより達成される。単に抵抗加熱電気炉でキュリー温度以上に加熱することでも脱磁することもできるが、それでは磁性導電粒子の樹脂コアが熱により変質してしまう結果となるので、適用できない。
【００２６】
高周波誘導加熱による脱磁処理の具体的な方法としては、磁性導電粒子を市場で入手可能な高周波誘導加熱炉の加熱ステージに磁性導電粒子を投入し、樹脂コアの樹脂粒子が熱変性しないように強磁性材料をそのキュリー温度以上に不活性ガス雰囲気中で加熱すればよい。特に、磁性導電粒子同士の凝集を避けるためには、図１に示す構成の脱磁処理装置を使用することが好ましい。この脱磁処理装置においては、磁性導電粒子を加熱する際に、不活性ガスと共に磁性導電粒子を流動させながら高周波誘導加熱することができる。
【００２７】
（脱磁処理装置）
図１の脱磁処理装置１０は、磁性導電粒子の脱磁を行う装置であって、特に、好ましくは樹脂粒子の表面に強磁性材料からなる強磁性層が形成された磁性導電粒子の脱磁を、その強磁性層の強磁性材料をキュリー温度以上に不活性ガス雰囲気中で加熱することにより行うための装置である。この脱磁処理装置１０は、誘導加熱用コイル１と、誘導加熱用コイル１に電力を供給する高周波電源２と、誘導加熱用コイル１に挿入され、磁性導電粒子を不活性ガスと共に通過させる非磁性管３と、非磁性管３の磁性導電粒子供給側に連通した磁性導電粒子供給器４と、非磁性管３の磁性導電粒子排出側に連通した磁性導電粒子回収器５と、非磁性管３に不活性ガスを供給する不活性ガス供給器６とを有する。
【００２８】
この脱磁処理装置１０においては、まず、誘導加熱用コイル１に高周波電源２から所定の電極が供給され、磁界が形成される。次に、不活性ガス供給器６から不活性ガスが非磁性管３に供給される。供給された不活性ガスの流れと共に、磁性導電粒子供給器４から非磁性管３に磁性導電粒子が供給され、その磁性導電粒子は誘導加熱用コイル１が形成する磁界の中でキュリー温度以上に高周波誘導加熱され、脱磁される。このとき、磁性導電粒子は不活性ガスの流れの中で流動しながら加熱されるため、磁性導電粒子の凝集が大きく抑制されることになる。脱磁された磁性導電粒子は、誘導加熱用コイル１が形成する磁場から離脱し、磁性導電粒子回収器５に収容される。
【００２９】
なお、高周波の周波数は、加熱速度を考慮すると好ましくは５ｋＨｚ以上である。
【００３０】
また、高周波誘導加熱の際の電源からの出力は、誘導加熱用コイルのコイル長をＬ[ｍｍ]とし、非磁性管の内断面積をＳ[ｍｍ２]としたときに、誘導加熱用コイルへの単位体積あたりの印加電力[Ｗ／ｍｍ３]が、過度の加熱や加熱不足が生じないように、以下の式を満足することが好ましい。
【００３１】
【数１】
0006394160.tif 000002
【００３２】
＜絶縁性接着剤組成物＞
本発明の異方性導電接着剤を構成する絶縁性接着剤組成物としては、公知の異方性導電接着剤に使用されている絶縁性接着剤組成物を適用することができる。例えば、成膜性樹脂、液状エポキシ化合物、エポキシ用硬化剤及びシランカップリング剤を含有する絶縁性接着剤組成物を適用することができる。
【００３３】
成膜性樹脂としては、フェノキシ樹脂、エポキシ樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、飽和ポリエステル樹脂、ウレタン樹脂、ブタジエン樹脂、ポリイミド樹脂、ポリアミド樹脂、ポリオレフィン樹脂等を挙げることができ、これらの２種以上を併用することができる。これらの中でも、成膜性、加工性、接続信頼性の観点から、フェノキシ樹脂を好ましく使用することができる。
【００３４】
液状エポキシ化合物としては、エポキシ当量が通常１００〜４０００程度であって、分子中に２以上のエポキシ基を有するものが好ましい。例えば、ビスフェノールＡ型エポキシ化合物、フェノールノボラック型エポキシ化合物、クレゾールノボラック型エポキシ化合物、エステル型エポキシ化合物、脂環型エポキシ化合物等を好ましく使用することができる。また、これらの化合物にはモノマーやオリゴマーが含まれる。これらの２種以上を併用することができる。
【００３５】
液状エポキシ化合物の絶縁性接着剤組成物中の含有量は、少なすぎると異方性導電接続の際に異方性導電接着剤の硬化が不十分になる傾向があり、多すぎてもフィルム形成能が低下する傾向があるので、成膜性樹脂１００質量部に対し、好ましくは２０〜６０質量部、より好ましくは４０〜６０質量部である。
【００３６】
エポキシ用硬化剤としては、ポリアミン、イミダゾール等のアニオン系硬化剤やスルホニウム塩などのカチオン系硬化剤、フェノール系硬化剤等の潜在性硬化剤を挙げることができる。
【００３７】
エポキシ用硬化剤の絶縁性接着剤組成物中の含有量は、少なすぎると異方性導電接続の際に異方性導電接着剤の硬化が不十分になる傾向があり、多すぎてもフィルム形成能が低下する傾向があるので、液状エポキシ化合物１００質量部に対し、好ましくは５〜６０質量部、より好ましくは２０〜５０質量部である。
【００３８】
シランカップリング剤としては、エポキシ系シランカップリング剤、アクリル系シランカップリング剤等を挙げることができる。これらのシランカップリング剤は、主としてアルコキシシラン誘導体である。
【００３９】
シランカップリング剤の絶縁性接着剤組成物中の含有量は、少なすぎると異方性導電接続の際の異方性導電接着剤の接着性が低下する傾向があり、多すぎてもフィルム形成能が低下する傾向があるので、成膜用樹脂と液状エポキシ化合物の合計１００質量部に対し、好ましくは０．０５〜５質量部、より好ましくは０．５〜２質量部である。
【００４０】
絶縁性接着剤組成物には、必要に応じてシリカ、マイカなどの充填剤、軟化剤、促進剤、老化防止剤、着色剤（顔料、染料）、帯電防止剤、防腐剤、架橋剤、有機溶剤、イオンキャッチャー剤などを配合することができる。
【００４１】
＜異方性導電接着剤の製造＞
本発明の異方性導電接着剤は、以下の工程（Ａ）及び（Ｂ）を有する製造方法により製造することができる。以下に工程毎に説明する。
【００４２】
工程（Ａ）
まず、磁性導電粒子の強磁性層の強磁性材料を、そのキュリー温度以上に不活性ガス雰囲気中で高周波誘導加熱することにより、当該磁性導電粒子に脱磁処理を施す。脱磁処理の手法としては、公知の高周波誘導加熱による脱磁処理方法を適用することができるが、特に、図１に示す脱磁処理装置を用いる脱磁処理方法を好ましく適用することができる。図１の脱磁処理装置を使用した場合には、磁性導電粒子の凝集を大きく抑制することができる。
【００４３】
工程（Ｂ）
次に、脱磁処理が施された磁性導電粒子を、絶縁性接着剤組成物に、必要に応じて有機溶媒と共に公知の手法により分散する。これにより異方性導電接着剤が得られる。
【００４４】
絶縁性接着剤組成物は、それを構成する各成分を予め混合して調製しておいてもよく、これらの成分と磁性導電粒子、更に必要に応じて有機溶媒とを同時に混合して調製してもよい。混合の手法としては、公知の混合手法を利用することができる。
【００４５】
有機溶媒としては、公知の異方性導電接着剤、異方性導電フィルム形成用組成物に用いられているトルエンなどの溶剤を使用することができる。その使用量は、必要とする粘度等に応じて適宜決定される。
【００４６】
なお、異方性導電接着剤がフィルムである場合に、工程（Ｂ）に続き以下の工程（Ｃ）を実施することが好ましい。
【００４７】
工程（Ｃ）
フィルム形成用に必要に応じて有機溶媒を配合して粘度調整した異方性導電接着剤を、剥離基材の片面に、やはり公知の成膜方法に従って塗布し、乾燥する。これにより異方性導電フィルムを形成することができる。
【００４８】
剥離基材としては、シリコーン剥離処理したポリエチレンテレフタレートフィルムを好ましく使用することができる。塗布・乾燥の操作並びに条件については、従来の異方性導電フィルムの作製の際の塗布・乾燥の操作並びに条件を採用することができる。
【００４９】
「接続構造体」
以上説明した本発明の異方性導電接着剤、好ましくは異方性導電フィルムは、第１の電子部品の端子と第２の電子部品の端子とを異方性導電接続する際に、好ましく適用することができる。この異方性導電接続により第１の電子部品の端子と第２の電子部品の端子とが異方性導電接続されてなる接続構造体が得られる。このような接続構造体も本発明の一態様である。
【００５０】
第１の電子部品及び第２の電子部品としては、発光素子、半導体チップ、半導体モジュールなどの公知の電気素子、フレキシブルプリント配線基板、ガラス配線基板、ガラスエポキシ基板等を適用することができる。また、端子は、銅、金、アルミ、ＩＴＯなどの公知の材料から形成された配線や電極パッドあるいはバンプであってもよく、そのサイズにも特に制限はない。
【００５１】
なお、本発明の接続構造体の具体例として、ＣＯＧ（ｃｈｉｐ  ｏｎ  ｇｌａｓｓ）、ＣＯＦ（ｃｈｉｐ  ｏｎ  ｆｉｌｍ）、ＦＯＧ（ｆｉｌｍ  ｏｎ  ｇｌａｓｓ）、ＦＯＢ（ｆｉｌｍ  ｏｎ  ｂｏａｒｄ）等と称されるものを好ましく挙げることができる。
【００５２】
「接続構造体の製造方法」
以上説明した接続構造体は、第１の電子部品の端子と第２の電子部品の端子との間に、上述の異方性導電接着剤、好ましくは異方性導電フィルムを配し、異方性導電フィルムを加熱しながら第１の電子部品を第２の電子部品に押圧することにより、それらの端子同士を異方性導電接続することにより製造することができる。この場合、押圧は、金属製加圧ボンダーや弾性ボンダーなどを使用して行うことができる。加熱については、第１の電子部品又は第２の電子部品が載置されるステージに加熱手段を設けて加熱してもよく、ボンダーに加熱手段を設けて加熱してもよい。
【実施例】
【００５３】
以下、本発明を実施例により具体的に説明する。
【００５４】
参考例１（磁性導電粒子の調製）
平均粒径３μｍのジビニルベンゼン系樹脂粒子５ｇに、パラジウム触媒を浸漬法により担持させた。次いで、この樹脂粒子に対し、硫酸ニッケル六水和物、次亜リン酸ナトリウム、クエン酸ナトリウム、トリエタノールアミン及び硝酸タリウムから調製された無電解ニッケルメッキ液（ｐＨ１２、メッキ液温５０℃）を用いて無電解ニッケルメッキを行い表面に平均膜厚１００ｎｍのニッケル層を形成した後に水洗し、乾燥することにより磁性導電粒子を得た。
【００５５】
参考例２
参考例１で得られた磁性導電粒子に対し、図１の脱磁処理装置（ガラス製非磁性管の内径１０ｍｍ、コイル長Ｌ５０ｃｍ、ガス流速１００ｃｍ／秒）を用いて表１の条件で脱磁処理を行うことにより、評価用の脱磁処理した磁性導電粒子を得た（脱磁処理導電粒子Ａ〜Ｌ）。磁性導電粒子がコイルを通過する時間は、ガス流速とほぼ等しいと考えられるので、約０．５秒と推定される。
【００５６】
参考例３
参考例１で得られた磁性導電粒子に対し、図１の脱磁処理装置を使用することなく、大気中で３７０℃に設定された電気炉を用いて１５秒の加熱による脱磁処理を行うことにより、評価用の磁性導電粒子を得た（脱磁処理導電粒子Ｍ）。
【００５７】
参考例４
参考例１で得られた磁性導電粒子を、脱磁処理を施すことなく評価用の脱磁処理されていない導電粒子Ｎとして使用した。
【００５８】
対照例１
参考例１で得られた磁性導電粒子に対し、図１の脱磁処理装置を使用することなく、特開２０１２−１８９６７号公報の実施例１（脱磁速度０．５ｍｍ／ｓ、磁界強度１００Ｇ）と同様に脱磁処理を行うことにより、評価用の脱磁処理磁性導電粒子を得た（脱磁処理導電粒子Ｏ）。但し、脱磁処理時間は３時間であった。
【００５９】
実施例１〜１１，比較例１〜３、対照例１
脱磁処理導電粒子Ａ〜Ｌ（実施例１〜１１、比較例１）、脱磁処理導電粒子Ｍ（比較例２）、未脱磁処理導電粒子Ｎ（比較例３）、又は脱磁処理導電粒子Ｏ（対照例１）を用いて、評価用の異方性導電接着剤を調製した。具体的には、成膜成分としてビスフェノールＡ型フェノキシ樹脂（ＹＰ５０、新日鐵住金化学（株））４０物量部と、液状エポキシ化合物成分としてビスフェノールＡエポキシ化合物（ＥＰ８２８、三菱化学（株））１８質量部と、イミダゾール系硬化剤（ノバキュア３９４１ＨＰ、旭化成（株））４０質量部と、シランカップリング剤（Ａ−１８７、モメンティブ・パフォーマンス・マテリアルズ・ジャパン合同会社）２質量部と、磁性導電粒子１０質量部とを、トルエンで固形分が５０質量％となるように混合することにより異方性導電フィルム形成用組成物を調製した。この組成物を、剥離処理した厚さ５０μｍのポリエチレンテレフタレートフィルムに乾燥厚２５μｍとなるようにバーコータで塗布し、６０℃のオーブン中で１５分間乾燥することにより、異方性導電フィルムを作成した。
【００６０】
＜凝集状態評価＞
得られた異方性導電フィルムの片面の２００μｍ角の領域を５箇所選定し、その領域を走査型電子顕微鏡（Ｓ−４７００、（株）日立製作所）を用いて観察し、観察画像から導電粒子の最大連結個数を確認し、以下の評価基準に従って評価した。得られた結果を表１に示す。実用上、評価結果が○又は△であることが望まれる。
【００６１】
ランク  内容
○：  最大連結個数が４個未満
△：  最大連結個数が４個〜６個
×：  最大連結個数が７個以上
【００６２】
＜導通信頼性・絶縁性評価＞
得られた異方性導電フィルムを、５００ｎｍ厚のアルミ配線を有するガラス配線基板（０．７ｍｍ厚）の電極と、金バンプ（長さ８５μｍ×幅３０μｍ×高さ１５μｍ、バンプピッチ：３５μｍ、バンプ間スペース１０μｍ）が形成されたＩＣチップ（１．８ｍｍ×２０ｍｍ、０．５ｍｍ厚）のバンプとの間に配置し、フリップチップボンダーで１９０℃、４０ＭＰａで１０秒間加熱加圧することにより接続構造体を得た。
【００６３】
得られた接続構造体について、「導通信頼性」の評価のために導通抵抗値と、「絶縁性」の評価のために絶縁抵抗値とを以下に説明するように測定し評価した。また、絶縁被覆磁性導電粒子のガラス基板の電極への食い込み量を以下のように求めた。得られた結果を表１に示す。
【００６４】
（導通信頼性評価）
得られた接続構造体の導通抵抗値を、４端子法（インプット電流１ｍＡ）により測定し、以下の評価基準に従って評価した。実用上、評価結果が○又は△であることが望まれる。
【００６５】
ランク  内容
○：  接続抵抗値が１０Ω未満
△：  接続抵抗値が１０Ω以上１００未満
×：  接続抵抗値が１００Ω以上
【００６６】
（絶縁性評価）
得られた接続構造体の隣接ライン間の絶縁抵抗値を測定（印加電圧３０Ｖ）し、以下の評価基準に従って評価した。実用上、評価結果が「○」又は「△」であることが望まれる。
【００６７】
ランク  内容
○：  絶縁抵抗値が１×１０９Ω以上
△：  絶縁抵抗値が１×１０８Ω以上１×１０９Ω未満
×：  絶縁抵抗値が１×１０８Ω未満
【００６８】
（食い込み量測定）
異方性導電接着後、磁性導電粒子のガラス基板側の電極への食い込み量(ｎｍ)を、走査型電子顕微鏡（Ｓ−４７００、（株）日立製作所）を用いて観察し、観察画像から読み取った。なお、観察サンプルは実装品サンプルを断面カット処理することにより調製した。
【００６９】
＜総合評価＞
凝集状態評価、導通信頼性評価、及び絶縁性評価のすべての結果が、「○」又は「△」である場合を良好（ＯＫ）と評価し、一つでも「×」の評価結果があった場合を不良（ＮＧ）と評価した。その結果を表１に示す。
【００７０】
【表１】
0006394160.tif 000003
【００７１】
表１からわかるように、不活性雰囲気中で高周波誘導加熱処理により短時間で脱磁処理された磁性導電粒子を含有した実施例１〜１１の異方性導電接着剤の結果は、長い脱磁時間を要する従来の脱磁方法を利用した対照例１と同様に、凝集状態評価、導通信頼性評価及び絶縁性評価について、「○」又は「△」評価であり、実用上問題のない結果を示した。
【００７２】
それに対し、酸素雰囲気中で高周波誘導加熱処理により短時間で脱磁処理された磁性導電粒子を含有した比較例１の異方性導電接着剤の結果は、凝集状態評価、導通信頼性評価及び絶縁性評価について、「×」評価であった。
【００７３】
大気中で電気炉で脱磁処理された磁性導電粒子を含有した比較例２の異方性導電接着剤の結果は、凝集状態評価、導通信頼性評価及び絶縁性評価について、「×」評価であった。
【００７４】
脱磁処理されていない磁性導電粒子を含有した比較例３の異方性導電接着剤の結果は、凝集状態評価及び絶縁性評価について、「×」評価であった。
【００７５】
なお、高周波誘導加熱により脱磁処理された実施例１〜１１の磁性導電粒子については、対照例１の導電粒子に比べ、配線への食い込み量が大きくなっている。これは、高周波誘導加熱により、強磁性層の焼き入れ効果が発現したためと推測される。
【産業上の利用可能性】
【００７６】
本発明による異方性導電接着剤は、短時間で完全脱磁した凝集の生じ難い磁性導電粒子を含有するので、良好な導通信頼性と絶縁性とを実現可能である。従って、電子部品を基板へ異方性導電接続する際に有用である。
【符号の説明】
【００７７】
１  誘導加熱用コイル
２  高周波電源
３  非磁性管
４  磁性導電粒子供給器
５  磁性導電粒子回収器
６  不活性ガス供給器
１０  脱磁処理装置
【図１】
0006394160.tif 000006