(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
対向配置されシール材を介して貼り合わされた第１基板および第２基板と、
前記第１基板と前記第２基板との間に挟持された液晶層と、を含み、
前記第１基板の表示領域に設けられた画素電極と、
前記第１基板または前記第２基板において、前記画素電極に対向して設けられた対向電極と、
前記第１基板または前記第２基板において、平面視で、前記表示領域と前記シール材との間に設けられ、第１電位が供給される第１電極と、前記第１電極と前記シール材との間に設けられ、第２電位が供給される第２電極と、前記第２電極と前記シール材との間に設けられ、第３電位が供給される第３電極と、を備え、
前記第１電位が正極性または基準電位から負極性に遷移してから、前記基準電位または正極性に遷移する前に、前記第２電位が正極性または前記基準電位から負極性に遷移し、
前記第２電位が負極性に遷移してから、前記基準電位または正極性に遷移する前に、前記第３電位が正極性または前記基準電位から負極性に遷移し、
前記第１電位が負極性または前記基準電位から正極性に遷移してから、前記基準電位または負極性に遷移する前に、前記第２電位が負極性または前記基準電位から正極性に遷移し、
前記第２電位が負極性または前記基準電位から正極性に遷移してから、前記基準電位または、負極性に遷移する前に、前記第３電位が負極性または前記基準電位から正極性に遷移するように、前記第１電極、前記第２電極、前記第３電極のそれぞれに同じ周波数の交流信号が印加され、
前記表示領域の外縁から前記シール材に向かう方向において、前記第３電極の幅は、前記第１電極および前記第２電極の幅より大きいことを特徴とする液晶装置。
【請求項２】
前記第３電極の幅は、前記第１電極の幅の１．８６倍以上であることを特徴とする請求項１に記載の液晶装置。
【請求項３】
前記第１電極、前記第２電極および前記第３電極は、前記第１基板に前記表示領域を囲んで設けられていることを特徴とする請求項１または２に記載の液晶装置。
【請求項４】
前記表示領域は角部を備えており、
前記第１電極、前記第２電極および前記第３電極は、少なくとも１つの前記角部に沿ってのみ設けられていることを特徴とする請求項１または２に記載の液晶装置。
【請求項５】
前記シール材は前記液晶層に液晶を封入する封入口を備えており、
前記第１電極、前記第２電極および前記第３電極は、前記封入口側にのみ設けられていることを特徴とする請求項１または２に記載の液晶装置。
【請求項６】
前記第１電極、前記第２電極および前記第３電極は、前記液晶層の配向方向（液晶方位）に交差する方向に沿ってのみ設けられていることを特徴とする請求項１または２に記載の液晶装置。
【請求項７】
前記第１電極、前記第２電極および前記第３電極は、前記表示領域における前記画素電極に印加される画像信号の走査方向に交差する方向に沿ってのみ設けられていることを特徴とする請求項１または２に記載の液晶装置。
【請求項８】
前記表示領域は、複数の前記画素電極を囲んで設けられたダミー画素電極を有する電子見切り部を含み、
前記電子見切り部と前記第１電極との間隔は、前記第１電極と前記第２電極との間隔より大きいことを特徴とする請求項３から７までのいずれか一項に記載の液晶装置。
【請求項９】
前記第１電極、前記第２電極および前記第３電極は、前記第１基板に設けられ、
前記対向電極は前記第２基板に設けられ、
平面視で、前記対向電極の外縁が、前記第１電極と前記表示領域の外縁との間に位置していることを特徴とする請求項１から８までのいずれか一項に記載の液晶装置。
【請求項１０】
前記第１電極、前記第２電極および前記第３電極は、前記第１基板に設けられ、
前記対向電極は、前記第２基板において、平面視で前記表示領域を含み、
前記第１電極、前記第２電極および前記第３電極と対向する領域まで設けられ、
前記基準電位が与えられることを特徴とする請求項１から９までのいずれか一項に記載の液晶装置。
【請求項１１】
前記画素電極、前記対向電極のそれぞれは、無機配向膜で覆われていることを特徴とする請求項１から１０までのいずれか一項に記載の液晶装置。
【請求項１２】
請求項１から１１までのいずれか一項に記載の液晶装置を備えたことを特徴とする電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、液晶装置、液晶装置の駆動方法、および電子機器に関する。
【背景技術】
【０００２】
液晶装置は、一対の基板の間に液晶層が挟持された液晶パネルを備えている。このような液晶装置に光が入射すると、液晶パネルを構成する液晶材料や配向膜などが、入射光により光化学反応を起こし、反応生成物としてイオン性不純物が発生することがある。また、液晶パネルの製造過程で、シール材や封止材などから液晶層に拡散するイオン性不純物もあることが知られている。特に、投写型表示装置（プロジェクター）の光変調手段（ライトバルブ）に用いられる液晶装置では、入射光の光束密度が、直視型の液晶装置に比べて高くなるので、イオン性不純物が、表示に影響を及ぼすことを抑制する必要がある。
【０００３】
イオン性不純物の表示に対する影響を抑制する手段として、例えば、特許文献１には、表示領域の外周部に３つの電極（イオントラップ電極）を配置し、１周期に相当する時間内で、互いに位相が異なる交流信号を印加する駆動方法が提案されている。
特許文献１の駆動方法によれば、３つの電極間に横方向の電界が発生し、液晶の微小な揺らぎによる流れに加えて、表示領域から表示領域の外周部に向けて、イオン性不純物を移動させる力が働く。そのため、上記３つの電極のうち、最外周の電極にイオン性不純物を効率よく集積させることができることから、イオン性不純物に起因する焼き付きなどの表示不具合を低減した液晶装置を提供できるとしている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２０１５−００１６３４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、特許文献１に記載の液晶装置において、表示領域から表示領域の外周部へ移動してくるイオン性不純物を最外周の電極に集積させると、徐々にイオン性不純物を集積させる力が低下するおそれがある。これは、最外周の電極にイオン性不純物を集積させていくと、時間の経過に伴って、イオン性不純物間の反発力が大きくなり、その結果、イオン性不純物を最外周の電極に効率よく集積させる効果が低下すると考えられる。
つまり、液晶層中に含まれるイオン性不純物の表示に対する影響を十分に抑制できるとは限らないという課題があった。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明は、上述の課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の形態または適用例として実現することが可能である。
【０００７】
［適用例］本適用例に係る液晶装置は、対向配置されシール材を介して貼り合わされた第１基板および第２基板と、前記第１基板と前記第２基板との間に挟持された液晶層と、を含み、前記第１基板の表示領域に設けられた画素電極と、前記第１基板または前記第２基板において、前記画素電極に対向して設けられた対向電極と、前記第１基板または前記第２基板において、平面視で、前記表示領域と前記シール材との間に設けられ、第１電位が供給される第１電極と、前記第１電極と前記シール材との間に設けられ、第２電位が供給される第２電極と、前記第２電極と前記シール材との間に設けられ、第３電位が供給される第３電極と、を備え、前記第１電位が正極性または基準電位から負極性に遷移してから、前記基準電位または正極性に遷移する前に、前記第２電位が正極性または前記基準電位から負極性に遷移し、前記第２電位が負極性に遷移してから、前記基準電位または正極性に遷移する前に、前記第３電位が正極性または前記基準電位から負極性に遷移し、前記第１電位が負極性または前記基準電位から正極性に遷移してから、前記基準電位または負極性に遷移する前に、前記第２電位が負極性または前記基準電位から正極性に遷移し、前記第２電位が負極性または前記基準電位から正極性に遷移してから、前記基準電位または、負極性に遷移する前に、前記第３電位が負極性または前記基準電位から正極性に遷移するように、前記第１電極、前記第２電極、前記第３電極のそれぞれに同じ周波数の交流信号が印加され、前記表示領域の外縁から前記シール材に向かう方向において、前記第３電極の幅は、前記第１電極および前記第２電極の幅より大きいことを特徴とする。
【０００８】
この構成によれば、第１電位が、基準電位から正極性と負極性とに遷移する１周期に相当する時間内において、第１電極、第２電極、第３電極の順に位相の異なる交流信号が、第１電極、第２電極、第３電極に印加される。そのため、これらの電極間に発生する電界（電気力線）の方向が、時間の経過に伴って、表示領域に近い第１電極から第２電極へ、そして、第２電極から第３電極に向って移動する。
【０００９】
従って、液晶層中にイオン性不純物が含まれている場合に、イオン性不純物は、この電界方向の移動に伴って、まず第１電極に引き寄せられ、続いて第２電極に引き寄せられ、第３電極に引き寄せられる。
このとき、最外周に配置されている第３電極の幅が、第１電極および第２電極の幅より大きいことから、第３電極にイオン性不純物を集積する力を向上させることができる。
【００１０】
つまり、液晶層中のイオン性不純物を、表示領域から表示領域の外周部に、効果的に引き寄せることが可能となり、その結果、液晶層中に含まれるイオン性不純物に起因する焼き付きなどの表示に対する影響を低減させた液晶装置を提供することができる。
【００１１】
上記適用例に係る液晶装置において、前記第３電極の幅は、前記第１電極の幅の１．８６倍以上であることが好ましい。
【００１２】
この構成によれば、第３電極にイオン性不純物を集積する力を確実に向上させることができる。
【００１３】
上記適用例に係る液晶装置において、前記第１電極、前記第２電極および前記第３電極は、前記第１基板に前記表示領域を囲んで設けられていることが好ましい。
【００１４】
この構成によれば、表示領域におけるイオン性不純物の偏在傾向によらず、イオン性不純物を表示領域から表示領域の外周部に引き寄せることができる。
【００１５】
上記適用例に係る液晶装置において、前記表示領域は角部を備えており、前記第１電極、前記第２電極および前記第３電極は、少なくとも１つの前記角部に沿って設けられているとしてもよい。
【００１６】
この構成によれば、第１電極から第３電極を配置するためのスペースを小さくすることができる。そのため、表示領域の外側に、例えば、他の回路などを配置するスペースを確保することができる。
【００１７】
上記適用例に係る液晶装置において、前記シール材は前記液晶層に液晶を封入する封入口を備えており、前記第１電極、前記第２電極および前記第３電極は、前記封入口側に設けられているとしてもよい。
【００１８】
この構成によれば、封入口から発生するイオン性不純物を、効果的に集積することができる。
【００１９】
上記適用例に係る液晶装置において、前記第１電極、前記第２電極および前記第３電極は、前記液晶層の配向方向（液晶方位）に交差する方向に沿って設けられているとしてもよい。
【００２０】
この構成によれば、液晶層の配向方向（液晶方位）に沿って移動してきたイオン性不純物を、効果的に集積することができる。
【００２１】
上記適用例に係る液晶装置において、前記第１電極、前記第２電極および前記第３電極は、前記表示領域における前記画素電極に印加される画像信号の走査方向に交差する方向に沿って設けられているとしてもよい。
【００２２】
この構成によれば、液晶層において、画像信号の走査方向に沿って移動してきたイオン性不純物を、効果的に集積することができる。
【００２３】
上記適用例に係る液晶装置において、前記表示領域は、複数の前記画素電極を囲んで設けられたダミー画素電極を有する電子見切り部を含み、前記電子見切り部と前記第１電極との間隔は、前記第１電極と前記第２電極との間隔より大きいことが好ましい。
【００２４】
この構成によれば、第１電極と電子見切り部との間に発生する横電界が、イオン性不純物の引き寄せに与える影響を小さくすることができる。
【００２５】
上記適用例に係る液晶装置において、前記第１電極、前記第２電極および前記第３電極は、前記第１基板に設けられ、前記対向電極は前記第２基板に設けられ、平面視で、前記対向電極の外縁が、前記第１電極と前記表示領域の外縁との間に位置していることが好ましい。
【００２６】
この構成によれば、第１電極、第２電極および第３電極のそれぞれと対向電極とは液晶層を介して対向していないため、第１電極、第２電極および第３電極のそれぞれと対向電極との間に電界が発生し難くなる。つまり、第１電極、第２電極および第３電極の隣り合う電極間に発生する電界によって、効果的にイオン性不純物を表示領域の外側に引き寄せることができる。
【００２７】
上記適用例に係る液晶装置において、前記第１電極、前記第２電極および前記第３電極は、前記第１基板に設けられ、前記対向電極は、前記第２基板において、平面視で前記表示領域を含み、前記第１電極、前記第２電極および前記第３電極と対向する領域まで設けられ、前記基準電位が与えられるとしてもよい。
【００２８】
この構成によれば、対向電極が、第１電極、第２電極および第３電極と対向しないように、対向電極をパターニングする必要がないので、対向電極に繋がる配線などの構成を簡略化できる。
【００２９】
上記適用例に係る液晶装置において、前記画素電極、前記対向電極のそれぞれは、無機配向膜で覆われていることを特徴とする。
【００３０】
この構成によれば、イオン性不純物を吸着しやすい無機配向膜を採用しても、イオン性不純物が表示に与える影響が抑制された液晶装置を提供できる。
【００３１】
［適用例］本適用例に係る液晶装置の駆動方法は、対向配置されシール材を介して貼り合わされた第１基板および第２基板と、前記第１基板と前記第２基板との間に挟持された液晶層と、を含み、前記第１基板の表示領域に設けられた画素電極と、前記第１基板または前記第２基板において、前記画素電極に対向して設けられた対向電極と、前記第１基板または前記第２基板において、平面視で、前記表示領域と前記シール材との間に設けられ、第１電位が供給される第１電極と、前記第１電極と前記シール材との間に設けられ、第２電位が供給される第２電極と、前記第２電極と前記シール材との間に設けられ、第３電位が供給される第３電極と、を備え、前記第１電位が正極性または基準電位から負極性に遷移してから、前記基準電位または正極性に遷移する前に、前記第２電位が正極性または前記基準電位から負極性に遷移し、前記第２電位が負極性に遷移してから、前記基準電位または正極性に遷移する前に、前記第３電位が正極性または前記基準電位から負極性に遷移し、前記第１電位が負極性または前記基準電位から正極性に遷移してから、前記基準電位または負極性に遷移する前に、前記第２電位が負極性または前記基準電位から正極性に遷移し、前記第２電位が負極性または前記基準電位から正極性に遷移してから、前記基準電位または、負極性に遷移する前に、前記第３電位が負極性または前記基準電位から正極性に遷移するように、前記第１電極、前記第２電極、前記第３電極のそれぞれに同じ周波数の交流信号を印加し、前記表示領域の外縁から前記シール材に向かう方向において、前記第３電極の幅は、前記第１電極および前記第２電極の幅より大きいことを特徴とする。
【００３２】
この方法によれば、第３電極に表示領域から表示領域外部へ移動してくるイオン性不純物を集積させる際に、第３電極の幅が、第１電極および第２電極の幅より大きいことから、第３電極に集積されたイオン性不純物間の反発力が低減されて、イオン性不純物を第３電極に効果的に集積させることができる。
【００３３】
つまり、液晶層中に含まれるイオン性不純物を表示領域から表示領域の外側に効果的に引き寄せることが可能となり、その結果、液晶層中に含まれるイオン性不純物に起因する焼き付きなどの表示に対する影響を、低減させることが可能な液晶装置の駆動方法を提供することができる。
【００３４】
上記適用例に係る液晶装置の駆動方法において、前記交流信号の周波数ｆ（Ｈｚ）は、以下の数式を満たすことを特徴とする。
ｆ≦２μＶＥ／ｎｐ2
μは液晶層中のイオン性不純物の移動度（ｍ2／Ｖ・ｓ（秒））、ＶＥは交流信号の実効電圧（Ｖ）、ｎは交流信号が与えられる電極の数、ｐは交流信号が与えられる電極の配置ピッチ（ｍ）である。
【００３５】
交流信号が与えられた電極間を移動するイオン性不純物の移動速度、つまり、移動に係わる時間は、イオン性不純物の移動度と電極間における実質的な電位差とに依存し、電極間の距離に反比例する。従って、イオン性不純物の移動速度に対応して、電極間における電界の発生のさせ方を適合させることが好ましい。
【００３６】
この方法によれば、イオン性不純物が、電極の配置ピッチに相当する距離を移動する速度（時間）に対して、交流信号の周波数ｆ（Ｈｚ）が同じ、または小さくなるので、液晶層中のイオン性不純物を表示領域から表示領域の外側に、確実に引き寄せることができる。
【００３７】
上記適用例に係る液晶装置の駆動方法において、前記第１電極、前記第２電極、前記第３電極のそれぞれに同じ波形の前記交流信号を印加することを特徴とする。
【００３８】
この方法によれば、異なる波形の交流信号を発生させる必要がないので、駆動回路の構成を簡略化できる。
【００３９】
上記適用例に係る液晶装置の駆動方法において、前記交流信号は、３値以上の電位を有することを特徴とする。
【００４０】
この方法によれば、第１電極、第２電極、第３電極のそれぞれに印加される電位を、３値以上とすることで、電極間において電界を滑らかに移動（スクロール）させることができる。
【００４１】
上記適用例に係る液晶装置の駆動方法において、前記交流信号が矩形波であることを特徴とする。
【００４２】
この方法によれば、第１電極、第２電極、第３電極の隣り合う電極間に強度が安定した電界を発生させ、イオン性不純物をより効果的に引き寄せることができる。また、例えば、正弦波のようなアナログ信号に比べて、交流信号が容易に生成できる。
【００４３】
［適用例］本適用例に係る電子機器は、上記適用例のいずれか１つに記載の液晶装置を備えたことを特徴とする。
【００４４】
［適用例］本適用例に係る電子機器は、上記適用例のいずれか１つに記載の液晶装置の駆動方法を用いて駆動される液晶装置を備えたことを特徴とする。
【００４５】
これらの適用例によれば、イオン性不純物に起因する表示不具合が改善され、優れた表示品質を有する電子機器を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００４６】
【図１】第１実施形態に係る液晶装置の構成を示す概略平面図。
【図２】図１に示す液晶装置のＨ−Ｈ’線に沿った概略断面図。
【図３】液晶装置の電気的な構成を示す等価回路図。
【図４】（ａ）液晶装置における無機配向膜の形成状態と液晶分子の配向状態とを示す概略断面図。（ｂ）液晶分子の挙動を示す概略断面図。
【図５】無機材料の斜め蒸着方向とイオン性不純物に起因する表示ムラとの関係を示す概略平面図。
【図６】表示に寄与する画素およびダミー画素の配置を示す概略平面図。
【図７】電子見切り部およびイオントラップ機構の配線図。
【図８】イオントラップ機構の第１電極、第２電極、第３電極、ダミー画素電極に印加される矩形波の交流信号の波形を示すタイミングチャート。
【図９】図６のＡ−Ａ’線に沿った液晶装置１００のイオントラップ機構の構造を示す要部断面図。
【図１０】図６のＡ−Ａ’線に沿った液晶装置１００のイオントラップ機構の構造を示す要部断面図。
【図１１】通電時間とイオン性不純物の濃度との関係を示すグラフ。
【図１２】第３電極の幅Ｌ３／第１電極の幅Ｌ１とイオン性不純物の濃度との関係を示すグラフ。
【図１３】第２実施形態に係る液晶装置の構造を示す概略断面図。
【図１４】第３実施形態に係る液晶装置の構成を示す概略断面図。
【図１５】第４実施形態に係る液晶装置の構成を示す概略断面図。
【図１６】第５実施形態に係る電子機器としての投写型表示装置の構成を示す概略平面図。
【図１７】（ａ）〜（ｅ）変形例に係るイオントラップ機構の配置を示す概略平面図。
【発明を実施するための形態】
【００４７】
以下に本発明を具体化した実施形態について、図面を参照して説明する。なお、以下の各図においては、各構成要素を図面上で認識可能な程度の大きさにして、説明を分かりやすくするため、各構成要素の尺度を実際とは異なる尺度で記載している場合がある。
【００４８】
なお、以下の形態において、例えば、「基板上に」と記載された場合、基板の上に接するように配置される場合、または、基板の上に他の構成物を介して配置される場合、または、基板の上に一部が接するように配置され、一部が他の構成物を介して配置される場合、を表すものとする。
【００４９】
（第１実施形態）
本実施形態では、薄膜トランジスター（Thin  Film  Transistor；ＴＦＴ）を画素のスイッチング素子として備えた、アクティブマトリックス型の液晶装置１００を例に挙げて説明する。この液晶装置１００は、例えば、後述する投写型表示装置（液晶プロジェクター）の光変調手段（液晶ライトバルブ）として、好適に用いることができるものである。
【００５０】
＜液晶装置の構成＞
図１は、第１実施形態に係る液晶装置１００の構成を示す概略平面図であり、図２は、図１に示す液晶装置１００のＨ−Ｈ’線に沿った概略断面図である。まず、本実施形態に係る液晶装置１００について、図１および図２を参照して説明する。
【００５１】
図１および図２に示すように、本実施形態に係る液晶装置１００は、対向配置された素子基板１０および対向基板２０と、これら一対の基板によって挟持された液晶層５０と、を有する。素子基板１０の基材１０ｓおよび対向基板２０の基材２０ｓは、それぞれ透明な、例えば、石英基板やガラス基板が用いられている。素子基板１０が本発明の第１基板に相当し、対向基板２０が本発明の第２基板に相当するものである。
【００５２】
素子基板１０は、対向基板２０より大きく、両基板は、対向基板２０の外縁に沿って配置されたシール材４０を介して、間隔をおいて貼り合わされ、その間隔に正または負の誘電異方性を有する液晶が封入されて液晶層５０が構成されている。
【００５３】
シール材４０は、例えば、熱硬化性、または紫外線硬化性のエポキシ樹脂などの接着剤が採用されている。シール材４０には、一対の基板の上記間隔を一定に保持するためのスペーサー（図示省略）が混入されている。
【００５４】
シール材４０の内側には、マトリックス状に配列した複数の画素Ｐを含む表示領域Ｅが設けられている。また、シール材４０と表示領域Ｅとの間に、表示領域Ｅを取り囲んで見切り部２１が設けられている。見切り部２１は、例えば、遮光性の金属、または金属酸化物などからなる。
【００５５】
素子基板１０には、複数の外部接続用端子１０４を配列した端子部が設けられている。この端子部に沿った第１の辺部とシール材４０との間に、データ線駆動回路１０１が設けられている。また、第１の辺部に対向する第２の辺部に沿ったシール材４０と表示領域Ｅとの間に、検査回路１０３が設けられている。
【００５６】
さらに、第１の辺部と直交し、互いに対向する第３および第４の辺部に沿ったシール材４０と表示領域Ｅとの間に、走査線駆動回路１０２が設けられている。第２の辺部のシール材４０と検査回路１０３との間に、２つの走査線駆動回路１０２を繋ぐ複数の配線１０５が設けられている。
【００５７】
これらデータ線駆動回路１０１、走査線駆動回路１０２に繋がる配線は、第１の辺部に沿って配列した複数の外部接続用端子１０４に接続されている。
【００５８】
以降、第１の辺部に沿った方向をＸ方向とし、第３の辺部に沿った方向をＹ方向として説明する。なお、検査回路１０３の配置はこれに限定されず、データ線駆動回路１０１と表示領域Ｅとの間のシール材４０の内側に沿った位置に設けてもよい。
【００５９】
図２に示すように、素子基板１０の液晶層５０側の表面には、画素Ｐごとに設けられた透光性の画素電極１５およびスイッチング素子である薄膜トランジスター３０（以降、ＴＦＴ３０とする）と、信号配線と、これらを覆う配向膜１８と、が形成されている。
【００６０】
素子基板１０は、基材１０ｓと、基材１０ｓ上に形成された画素電極１５と、ＴＦＴ３０と、信号配線（図示せず）と、配向膜１８と、を含むものである。
【００６１】
素子基板１０に対向配置される対向基板２０は、基材２０ｓと、基材２０ｓ上に形成された見切り部２１と、これを覆うように成膜された平坦化層２２と、平坦化層２２を覆い、表示領域Ｅに亘って設けられた共通電極２３と、共通電極２３を覆う配向膜２４と、を含んでいる。共通電極２３は、本発明における対向電極に相当するものである。
【００６２】
また、液晶装置１００は、ＴＦＴ３０における半導体層に光が入射して、スイッチング動作が不安定になることを防ぐ遮光構造が採用されている。具体的には、見切り部２１は、表示領域Ｅを取り囲むと共に、平面的に走査線駆動回路１０２、検査回路１０３と重なる位置に設けられている。
【００６３】
これにより、対向基板２０側からこれらの回路に入射する光を遮蔽して、これらの回路が、光によって誤動作することを防止する役目を果たしている。見切り部２１は、不必要な迷光が表示領域Ｅに入射しないように遮蔽して、表示領域Ｅの表示における高いコントラストを確保している。
【００６４】
平坦化層２２は、例えば、酸化シリコンなどの無機材料からなり、光透過性を有して見切り部２１を覆うように設けられている。このような平坦化層２２の形成方法としては、例えば、プラズマＣＶＤ法などを用いて成膜する方法が挙げられる。
【００６５】
共通電極２３は、例えば、ＩＴＯ（Indium  Tin  Oxide）などの透明導電膜からなり、平坦化層２２を覆うと共に、対向基板２０の下方側の隅に設けられた上下導通部１０６に電気的に接続されている。上下導通部１０６は、素子基板１０側の配線に電気的に接続している。
【００６６】
画素電極１５を覆う配向膜１８および共通電極２３を覆う配向膜２４は、液晶装置１００の光学設計に基づいて選定される。配向膜１８，２４は、例えば、ポリイミドなどの有機材料を成膜して、その表面をラビングすることにより、正の誘電異方性を有する液晶分子に対して、略水平配向処理が施された有機配向膜や、気相成長法を用いてＳｉＯｘ（酸化シリコン）などの無機材料を成膜して、負の誘電異方性を有する液晶分子に対して、略垂直配向させた無機配向膜が挙げられる。
【００６７】
本実施形態では、配向膜１８，２４は、酸化シリコンなどの無機材料を所定の方向から、例えば、斜め蒸着して柱状に成長させたカラムの集合体からなる。このような配向膜１８，２４に対して、負の誘電異方性を有する液晶分子は、配向膜面の法線方向に対して、カラムの傾斜方向に、３度〜５度のプレチルト角度を有して略垂直配向（ＶＡ；Vertical  Alignment）する。
【００６８】
画素電極１５と共通電極２３との間に交流電圧（駆動信号）を印加して、液晶層５０を駆動することによって、液晶分子は、画素電極１５と共通電極２３との間に発生する電界方向に傾くように挙動（振動）する。
【００６９】
このような液晶装置１００は透過型であり、電圧無印加状態で、画素Ｐの透過率が最大となるノーマリーホワイトモードや、電圧無印加状態で、画素Ｐの透過率が最小となるノーマリーブラックモードの光学設計が採用される。素子基板１０と対向基板２０とを含む、液晶パネル１１０の光の入射側と射出側とに、それぞれ偏光素子が、光学設計に応じて配置されて用いられる。
【００７０】
本実施形態では、以降、配向膜１８，２４として、先述した無機配向膜と負の誘電異方性を有する液晶とを用い、ノーマリーブラックモードの光学設計が適用された例について説明する。
【００７１】
図３は、液晶装置１００の電気的な構成を示す等価回路図である。図３を参照して、液晶装置１００の電気的な構成について説明する。液晶装置１００は、少なくとも表示領域Ｅにおいて、互いに絶縁されて直交する信号配線としての複数の走査線３ａおよび複数のデータ線６ａと、データ線６ａに沿って平行に配置された容量線３ｂと、を有する。走査線３ａが延在する方向がＸ方向であり、データ線６ａが延在する方向がＹ方向である。
【００７２】
走査線３ａ、データ線６ａおよび容量線３ｂと、これらの信号線類により区分された領域に、画素電極１５と、ＴＦＴ３０と、蓄積容量１６と、が設けられ、これらが画素Ｐの画素回路を構成している。
【００７３】
走査線３ａは、ＴＦＴ３０のゲートに電気的に接続され、データ線６ａは、ＴＦＴ３０のソースに電気的に接続されている。画素電極１５は、ＴＦＴ３０のドレインに電気的に接続されている。
【００７４】
データ線６ａは、データ線駆動回路１０１（図１、図２参照）に接続されており、データ線駆動回路１０１から供給される画像信号Ｄ１，Ｄ２，…，Ｄｎを画素Ｐに供給する。走査線３ａは、走査線駆動回路１０２（図１参照）に接続されており、走査線駆動回路１０２から供給される走査信号ＳＣ１，ＳＣ２，…，ＳＣｍを画素Ｐに供給する。
【００７５】
データ線駆動回路１０１からデータ線６ａに供給される画像信号Ｄ１〜 Ｄｎは、この順に線順次で供給してもよく、互いに隣り合う複数のデータ線６ａ同士に対して、グループごとに供給してもよい。走査線駆動回路１０２は、走査線３ａに対して、走査信号ＳＣ１〜ＳＣｍを、所定のタイミングで、パルス的に線順次で供給する。
【００７６】
液晶装置１００は、スイッチング素子であるＴＦＴ３０が、走査信号ＳＣ１〜 ＳＣｍの入力により、一定期間だけオン状態とされることで、データ線６ａから供給される画像信号Ｄ１〜 Ｄｎが、所定のタイミングで画素電極１５に書き込まれる構成となっている。
【００７７】
そして、画素電極１５を介して、液晶層５０に書き込まれた所定レベルの画像信号Ｄ１〜 Ｄｎは、画素電極１５と液晶層５０を介して、対向配置された共通電極２３との間で一定期間保持される。画像信号Ｄ１〜 Ｄｎの周波数は、例えば、６０Ｈｚである。
【００７８】
保持された画像信号Ｄ１〜 Ｄｎが、リークするのを防止するため、画素電極１５と共通電極２３との間に形成される液晶容量と並列に、蓄積容量１６が接続されている。蓄積容量１６は、ＴＦＴ３０のドレインと容量線３ｂとの間に設けられている。
【００７９】
なお、図１に示した検査回路１０３には、データ線６ａが接続されており、液晶装置１００の製造過程において、上記画像信号を検出することで、液晶装置１００の動作欠陥などを確認できる構成となっているが、図３の等価回路では、図示を省略している。
【００８０】
本実施形態に係る画素回路を駆動制御する周辺回路は、データ線駆動回路１０１、走査線駆動回路１０２、検査回路１０３を含んでいる。また、周辺回路は、上記画像信号をサンプリングして、データ線６ａに供給するサンプリング回路、データ線６ａに所定電圧レベルのプリチャージ信号を上記画像信号に先行して供給するプリチャージ回路、を含むものとしてもよい。
【００８１】
＜液晶分子の配向状態＞
次に、液晶装置１００における液晶分子ＬＣの配向状態について、図４を参照して説明する。図４（ａ）は、液晶装置１００における無機配向膜の形成状態と液晶分子ＬＣの配向状態とを示す概略断面図であり、図４（ｂ）は、液晶分子ＬＣの挙動を示す概略断面図である。
【００８２】
図４（ａ）に示すように、液晶装置１００における画素電極１５および共通電極２３の表面には、酸化シリコンを物理気相成長法の一例である真空蒸着法により、斜め蒸着して得られた、配向膜１８および配向膜２４が形成されている。具体的には、液晶層５０に面した、素子基板１０および対向基板２０の基板面の法線に対する蒸着角度θｂは、およそ４５度である。
【００８３】
このような斜め蒸着により、基板面には、酸化シリコンの結晶体が、蒸着方向に向かって柱状に成長する。この柱状結晶体を、カラム１８ａ，２４ａと呼ぶ。配向膜１８，２４は、このようなカラム１８ａ，２４ａの集合体である。
【００８４】
基板面の法線に対するカラム１８ａ，２４ａの成長方向の角度θｃは、蒸着角度θｂと必ずしも一致せず、この場合は、およそ２０度となっている。このような配向膜１８，２４の表面において、垂直配向する液晶分子ＬＣのプレチルト角θｐは、およそ３度〜５度である。
【００８５】
また、基板面の法線方向から見た液晶分子ＬＣを、傾斜させるプレチルトの方向、すなわち液晶分子ＬＣの傾斜方向は、配向膜１８，２４における斜め蒸着の平面的な蒸着方向と同じである。垂直配向処理の上記傾斜方向は、液晶装置１００の光学設計条件に基づいて適宜設定される。
【００８６】
このように、配向膜面に対して、負の誘電異方性を有する液晶分子ＬＣが、プレチルト角θｐを与えられて倒立している配向状態を略垂直配向と呼ぶ。
【００８７】
対向配置された素子基板１０、対向基板２０、並びに、これら一対の基板間に挟持された液晶層５０、を含めたものを液晶パネル１１０と呼ぶ。液晶装置１００は、液晶パネル１１０の光の入射側と射出側とに、それぞれ配置された偏光素子８１，８２が備えられている。
【００８８】
また、偏光素子８１，８２は、偏光素子８１，８２のうち、一方の透過軸または吸収軸が、Ｘ方向またはＹ方向に対して平行となるように、かつ、互いの透過軸または吸収軸が直交するように、液晶パネル１１０に対してそれぞれ配置されている。
【００８９】
本実施形態では、表示領域Ｅにおいて、偏光素子８１，８２の透過軸または吸収軸に対して、液晶分子ＬＣのプレチルトの方位角が、４５度で交差するように、略垂直配向処理が施されている。従って、図４（ｂ）に示すように、画素電極１５と共通電極２３との間に、駆動電圧を印加して、液晶層５０を駆動すると、液晶分子ＬＣが、プレチルトの傾斜方向に倒れることにより、高い透過率が得られる光学的な配置となっている。
【００９０】
液晶層５０の駆動（ＯＮ／ＯＦＦ）を繰り返すと、液晶分子ＬＣは、プレチルトの傾斜方向に倒れたり、初期の配向状態に戻ったりする挙動を繰り返す。このように、液晶分子ＬＣの挙動が起こる略垂直配向処理を、１軸の略垂直配向処理と呼ぶ。
【００９１】
液晶パネル１１０に対する光の入射方向は、図４（ａ）に示すように、対向基板２０側から入射することに限定されない。また、光の入射側または射出側に、位相差板などの光学補償素子を備える構成としてもよい。
【００９２】
＜イオン性不純物に起因する表示ムラ＞
次に、本発明が解決しようとするイオン性不純物に起因する表示ムラについて、図５を参照して説明する。図５は、無機材料の斜め蒸着方向とイオン性不純物に起因する表示ムラとの関係を示す概略平面図である。
【００９３】
カラム１８ａ，２４ａを形成する無機材料の斜め蒸着方向は、例えば、図５に示すように、素子基板１０側では、破線の矢印で示したように、右上から左下に向かって、所定の方位角度θａでＹ方向と交差する方向である。
【００９４】
素子基板１０に対して対向配置される対向基板２０側では、実線の矢印で示したように、左下から右上に向かって、所定の方位角度θａでＹ方向と交差する方向である。所定の方位角度θａは、例えば４５度である。なお、図５に示した斜め蒸着方向は、液晶パネル１１０を対向基板２０側から見たときの方向である。
【００９５】
液晶層５０を駆動することにより、液晶分子ＬＣの挙動（振動）が発生し、液晶層５０と配向膜１８，２４との界面近傍に、図５に示した破線、または実線の矢印で示した斜め蒸着方向に、液晶分子ＬＣのフロー（流れ）が発生する。仮に、液晶層５０に、極性が正または負のイオン性不純物が含まれていると、イオン性不純物は、液晶分子ＬＣのフローに沿って、表示領域Ｅの左下および右上の角部４５に向かって移動する。
【００９６】
イオン性不純物により、角部４５周辺に位置する画素Ｐにおいて、液晶層５０の絶縁抵抗が低下すると、この画素Ｐにおいて、駆動電位の低下を招き、表示ムラや通電による焼き付き現象が顕著となる。特に、配向膜１８，２４に無機配向膜を用いた場合には、無機配向膜が、イオン性不純物を吸着しやすいので、有機配向膜に比べて、表示ムラや焼き付き現象が目立ちやすい。
【００９７】
例えば、ノーマリーブラックの場合、上記角部４５周辺に位置する画素Ｐは、イオン性不純物の偏在により、駆動電位が低下して光漏れが発生し、コントラストが低下する。図５では、表示領域Ｅの角部４５周辺に位置する３つの画素Ｐに、光漏れが発生した状態を示している。
【００９８】
方位角度θａは、図５に示すように、右上がり４５度だけでなく、右下がり４５度でもよい。その場合には、表示領域Ｅの左上と右下の角部４５周辺に表示ムラが発生する。つまり、液晶層５０に駆動電圧が与えられたときの液晶分子ＬＣの方位角度θａが、液晶分子ＬＣの流動方向となる。
【００９９】
液晶層５０の厚みは、液晶パネル１１０の光学設計条件によるが、およそ１μｍ〜 ３μｍ程度であるから、液晶分子ＬＣのフローは、各配向膜１８，２４の配向膜面付近で強く発生する。よって、素子基板１０側と対向基板２０側とでは、液晶分子ＬＣの流動方向が逆になる。
【０１００】
本実施形態に係る液晶装置１００では、表示ムラや焼き付き現象を改善するため、シール材４０と表示領域Ｅとの間に、表示領域Ｅからイオン性不純物を引き出させるイオントラップ機構を設けている。以降、本実施形態に係るイオントラップ機構について、図６および図７を参照して説明する。
【０１０１】
＜イオントラップ機構＞
図６は、表示に寄与する画素Ｐおよびダミー画素ＤＰの配置を示す概略平面図であり、図７は、電子見切り部１２０およびイオントラップ機構の配線図である。
【０１０２】
図６に示すように、本実施形態に係る液晶装置１００の表示領域Ｅは、表示に寄与する複数の画素Ｐが配置された実表示領域Ｅ１と、実表示領域Ｅ１を囲んで設けられた複数のダミー画素ＤＰを有するダミー画素領域Ｅ２と、を含んでいる。
【０１０３】
額縁状にシール材４０が配置された領域とダミー画素領域Ｅ２との間に、先述した遮光性を有する見切り部２１が設けられており、見切り部２１が設けられた領域が、液晶装置１００のＯＮ・ＯＦＦに依存しない見切り領域Ｅ３となっている。
【０１０４】
ダミー画素領域Ｅ２には、Ｘ方向において、実表示領域Ｅ１を挟んで２つずつのダミー画素ＤＰが配置され、Ｙ方向において、実表示領域Ｅ１を挟んで２つずつのダミー画素ＤＰが配置されている。なお、ダミー画素領域Ｅ２におけるダミー画素ＤＰの配置数は、これに限定されるものではなく、Ｘ方向、Ｙ方向のそれぞれにおいて、実表示領域Ｅ１を挟んで、少なくとも１つずつのダミー画素ＤＰが配置されていればよい。
【０１０５】
また、ダミー画素ＤＰは、３つずつ以上でもよく、Ｘ方向、Ｙ方向に配置される数が異なっていてもよい。本実施形態では、ダミー画素ＤＰを電子見切り部として機能させていることから、複数のダミー画素ＤＰに符号１２０を与えて、電子見切り部１２０と呼ぶこともある。
【０１０６】
図７に示すように、本実施形態に係るイオントラップ機構は、表示領域Ｅを囲むように、リング状（枠状）に設けられたイオントラップ電極１３０を備えている。
イオントラップ電極１３０は、それぞれ電気的に独立した第１電極１３１、第２電極１３２、第３電極１３３の３つの電極を有しており、第１電極１３１、第２電極１３２、第３電極１３３の順に、表示領域Ｅから徐々に遠ざかるように配置されている。つまり、第３電極１３３が、最外周の電極になるように配置されている。
【０１０７】
そして、本実施形態では、表示領域Ｅの外縁から表示領域Ｅの外側（図６に示すシール材４０）に向かう方向において、第１電極１３１の幅Ｌ１は、第２電極１３２の幅Ｌ２と同じになっており、第３電極１３３の幅Ｌ３は、Ｌ１およびＬ２より大きくなっている。Ｌ１、Ｌ２、Ｌ３についての詳細は後述するため、図７では図示を省略している。
【０１０８】
イオントラップ機構は、これらの第１電極１３１、第２電極１３２、第３電極１３３（以降、まとめてイオントラップ電極１３０と記載することもある）によって、表示領域Ｅの角部４５周辺に偏在するイオン性不純物を、表示領域Ｅの外側に引き寄せている。
【０１０９】
第１電極１３１は、イオントラップ用の信号としての第１電位が供給される外部接続用端子１０４（Ｉｔ１）に電気的に接続されている。第２電極１３２は、イオントラップ用の信号としての第２電位が供給される外部接続用端子１０４（Ｉｔ２）に電気的に接続されている。第３電極１３３は、イオントラップ用の信号としての第３電位が供給される外部接続用端子１０４（Ｉｔ３）に電気的に接続されている。
【０１１０】
また、実表示領域Ｅ１の縁に沿って、実表示領域Ｅ１を囲むように配置された複数のダミー画素ＤＰは、ダミー画素電極１５ｄを有している。
【０１１１】
複数の外部接続用端子１０４のうち、Ｘ軸方向の両端側に設けられた外部接続用端子１０４のそれぞれは、上下導通部１０６に電気的に接続されている。共通電極２３は、配線２３ａを介して、同じく上下導通部１０６に電気的に接続されている。
【０１１２】
外部接続用端子１０４には、共通電位（ＬＣＣＯＭ）が与えられる。すなわち、共通電極２３には、共通電位が印加される。
【０１１３】
本実施形態では、第１電極１３１、第２電極１３２、第３電極１３３に与えられる電位が、素子基板１０上の第１電極１３１、第２電極１３２、第３電極１３３の位置によってばらつくことを低減するために、それぞれ２つの外部接続用端子１０４（Ｉｔ１，Ｉｔ２，Ｉｔ３）から電位を供給する構成としたが、これに限定されるものではない。
言い換えれば、外部接続用端子１０４（Ｉｔ１，Ｉｔ２，Ｉｔ３）は、それぞれ１つずつ配置されていてもよいし、それぞれ３つ以上配置されていてもよい。
【０１１４】
イオントラップ電極１３０における、第１電極１３１、第２電極１３２、第３電極１３３のそれぞれは、一方の端に引き回し配線が接続され、他方の端が開放された状態（オープン）でもよい。
【０１１５】
＜液晶装置の駆動方法＞
図８は、イオントラップ機構の第１電極１３１、第２電極１３２、第３電極１３３、ダミー画素電極１５ｄに印加される矩形波の交流信号の波形を示すタイミングチャートである。第１電極１３１、第２電極１３２、第３電極１３３のそれぞれに印加される具体的な交流信号の例を挙げて、液晶装置１００の駆動方法について、図８を参照して説明する。
【０１１６】
図８に示すように、本実施形態に係る液晶装置１００の駆動方法は、共通電極２３および基準電位を、例えば０Ｖとして、画素電極１５を駆動する表示期間に、ダミー画素電極１５ｄには、共通電極２３の電位と同じ電位（例えば、０Ｖ）を印加する。
【０１１７】
そして、第１電極１３１、第２電極１３２、第３電極１３３のそれぞれに、時間ｔ0から時間ｔ2までの１周期において、基準電位（０Ｖ）に対して、正極性（＋）の５Ｖと負極性（−）の−５Ｖとの間で電位が変化する、同じ波形をもつ矩形波の交流信号を印加する。
【０１１８】
なお、図８に示した矩形波は、基準電位を０Ｖとして、高電位（５Ｖ）と低電位（−５Ｖ）とに遷移するものであるが、基準電位、高電位、低電位の設定は、これに限定されるものではない。
【０１１９】
液晶装置１００の駆動方法を具体的に説明すると、第１電位が正極性または基準電位から負極性に遷移してから、基準電位または正極性に遷移する前に、第２電位が正極性または基準電位から負極性に遷移し、第２電位が負極性に遷移してから、基準電位または正極性に遷移する前に、第３電位が正極性または基準電位から負極性に遷移し、第１電位が負極性または基準電位から正極性に遷移してから、基準電位または負極性に遷移する前に、第２電位が負極性または基準電位から正極性に遷移し、第２電位が負極性または基準電位から正極性に遷移してから、基準電位または、負極性に遷移する前に、第３電位が負極性または基準電位から正極性に遷移するように、第１電極１３１、第２電極１３２、第３電極１３３のそれぞれに同じ周波数の交流信号を印加する。
【０１２０】
このとき、第２電極１３２には、第１電極１３１と位相がΔｔずれた状態の矩形波を印加し、第３電極１３３には、第２電極１３２と位相がΔｔずれた状態の矩形波を印加する。矩形波の位相差Δｔは、交流信号の１周期を電極の数ｎで除した値となる。本実施形態における電極の数は、３であるから、Δｔは１／３周期である。
【０１２１】
時間ｔ0から時間ｔ2の交流信号における１周期に相当する時間内において、第１電極１３１、第２電極１３２、第３電極１３３の電極間における電界の分布が、時間の経過に伴って、第１電極１３１から第３電極１３３へスクロール（移動）される。このような交流信号による横電界の発生のさせ方を「電界のスクロール」と呼ぶことにする。
【０１２２】
＜交流信号の周波数＞
イオン性不純物を、表示領域Ｅから表示領域Ｅの外側に配置されたイオントラップ電極１３０に、確実に引き寄せるには、隣り合うイオントラップ電極１３０間に発生させる電界のスクロールをゆっくりとしたほうがよい。つまり、イオントラップ電極１３０に印加される交流信号の周波数ｆ（Ｈｚ）は、画素Ｐを駆動する駆動信号の周波数より小さいことが好ましい。
【０１２３】
発明者は、本実施形態に係るイオントラップ電極１３０における好ましい交流信号の周波数ｆ（Ｈｚ）を以下のように導き出した。
【０１２４】
イオン性不純物の液晶層中の移動速度ｖ（ｍ／ｓ（秒））は、数式（１）に示すように、隣り合うイオントラップ電極１３０間の電界強度ｅ（Ｖ／ｍ）と、イオン性不純物の移動度μ（ｍ2／Ｖ・ｓ（秒））との積で与えられる。
つまり、ｖ＝ｅ×μ・・・（１）である。
【０１２５】
電界強度ｅ（Ｖ／ｍ）は、数式（２）で示すように、隣り合うイオントラップ電極１３０間の電位差Ｖｎを、イオントラップ電極１３０の配置ピッチｐ（ｍ）で除した値となる。
つまり、ｅ＝Ｖｎ／ｐ・・・（２）である。
【０１２６】
隣り合うイオントラップ電極１３０間の電位差Ｖｎは、交流信号における実効電圧ＶＥの２倍に相当することから、次の数式（３）が導かれる。
つまり、ｅ＝２ＶＥ／ｐ・・・（３）となる。
なお、図８に示すように、矩形波の交流信号における実効電圧ＶＥは、矩形波の基準電位に対する電位に相当し、本実施形態では５Ｖである。
【０１２７】
数式（３）を数式（１）に当てはめることにより、イオン性不純物の移動速度ｖ（ｍ／ｓ）は、数式（４）となる。
つまり、ｖ＝２μＶＥ／ｐ・・・（４）である。
【０１２８】
隣り合うイオントラップ電極１３０間を、イオン性不純物が移動する時間ｔｄは、数式（５）に示すように、イオントラップ電極１３０の配置ピッチｐを、イオン性不純物の移動速度ｖで除した値となる。
つまり、ｔｄ＝ｐ／ｖ＝ｐ2／２μＶＥ・・・（５）である。
【０１２９】
従って、好ましい周波数ｆ（Ｈｚ）は、隣り合うイオントラップ電極１３０間を、イオン性不純物が移動する時間ｔｄに合わせて、電界をスクロールさせることによって求められる。
【０１３０】
電界のスクロール時間は、交流信号の位相差Δｔに相当するので、位相差Δｔを１／ｎ周期とし、ｎをイオントラップ電極１３０の数とすると、イオントラップ電極１３０に印加される交流信号の好ましい周波数ｆ（Ｈｚ）は、次の数式（６）によって導かれる。
すなわち、ｆ＝１／ｎ／ｔｄ＝２μＶＥ／ｎｐ2・・・（６）となる。
【０１３１】
図８に示すように、隣り合うイオントラップ電極１３０に印加される交流信号の位相差Δｔを、例えば、１／３周期とすると、本実施形態の隣り合うイオントラップ電極１３０間の電位差Ｖｎは、０Ｖを基準電位として、５Ｖと−５Ｖとに遷移する矩形波の交流信号の場合には１０Ｖとなる。
【０１３２】
第１電極１３１の幅Ｌ１、および第２電極１３２の幅Ｌ２を、例えば４μｍ、イオントラップ電極１３０の配置ピッチｐを、例えば８μｍとし、イオン性不純物の移動度μを、２．２×１０-10（ｍ2／Ｖ・ｓ）すると、好ましい周波数ｆは、数式（６）によれば、およそ１２Ｈｚとなる。なお、配置ピッチｐを８μｍより小さくすると、周波数ｆは１２Ｈｚより大きくなる。
【０１３３】
イオン性不純物の移動度μの値は、例えば、A.Sawada,A.Manabe  and  S.Naemura，“A  Comparative  Study  on  the  Attributes  of  Ions  in  Nematic  and  Isotropic  Phases”,Jpn.J.Appl  Phys  Vol.40,ｐ220−ｐ224（2001）などに記載されている。
【０１３４】
また、イオン性不純物の移動速度より電界のスクロールの速度が速い場合、例えば、交流信号の周波数ｆを１２Ｈｚより大きくした場合は、イオン性不純物が、電界のスクロールに付いて行けずに、イオン性不純物を引き寄せる効果が低下するおそれがあるので、周波数ｆは、１２Ｈｚ以下であることが好ましい。
【０１３５】
一方、周波数ｆをあまりに小さくすると、イオントラップ電極１３０間に直流と同様な電位（勾配）が長時間印加される状態となって、例えば、液晶の分解や焼き付き、表示シミなどの不具合が起こるおそれがあるため好ましくない。
【０１３６】
このように、電界のスクロールに伴って、イオン性不純物を第３電極１３３に確実に引き寄せるためには、イオン性不純物の移動速度を考慮して、交流信号の周波数を決める必要がある。
【０１３７】
また、イオン性不純物を表示領域Ｅからより遠くに引き出させるには、イオントラップ電極１３０の数ｎを、３つから４つ以上に増やすことが好ましい。イオントラップ電極１３０が４つ以上の場合には、表示領域Ｅの外縁から表示領域Ｅの外側に向かう方向において、表示領域Ｅからみて最外周に配置されているイオントラップ電極の幅が、他のイオントラップ電極の幅に比べて大きくなっていることが好ましい。
【０１３８】
また、液晶装置１００の製造工程において、液晶層５０に正極性および負極性のイオン性不純物が含まれるおそれがあり、正極性のイオン性不純物のほうが、負極性のイオン性不純物に比べて、表示品質を低下させることが知られている。
【０１３９】
そのため、図８の矩形波の交流信号においては、第１電位が正極性であるｔ0からｔ1までの時間と、第１電位が負極性であるｔ1からｔ2までの時間と、が同じになっているが、同じであることに限定されない。
【０１４０】
例えば、第１電位が正極性である時間より、負極性である時間を長くした交流信号を、イオントラップ電極１３０に印加することによって、それぞれのイオントラップ電極１３０に、正極性のイオン性不純物を積極的に引き寄せることが可能となる。
【０１４１】
また、矩形波の交流信号は、例えば、０Ｖを基準電位として、５Ｖと−５Ｖの２値の電位間で振幅させてもよいが、異なる３値以上の電位を遷移するように波形を設定してもよい。
【０１４２】
このようにすれば、イオントラップ電極１３０間に発生する電界のスクロールが滑らかになるので、第１電極１３１から第２電極１３２を経て第３電極１３３まで、イオン性不純物を円滑に移動させることが可能となる。
【０１４３】
また、それぞれのイオントラップ電極１３０に印加される交流信号は、矩形波であることに限定されず、１周期の時間内において、互いに位相が異なる正弦（サイン）波や、三角波としてもよい。なお、正弦波のようなアナログ信号を生成するアナログ回路に比べて、矩形波を生成するデジタル回路の方が、回路構成を簡略化することができる。
【０１４４】
また、同じ周波数の交流信号であれば、第１電極１３１、第２電極１３２、第３電極１３３に印加される交流信号の振幅の大きさ、つまり、基準電位に対して、正極性の最大電位と負極性の最大電位とを必ずしも同じにしなくてもよい。
【０１４５】
具体的には、先述したように、第１電極１３１には、０Ｖを基準電位として、５Ｖと−５Ｖとの間で振幅する交流信号を与える。これに対して、第２電極１３２には、０Ｖを基準電位として、７．５Ｖと−７．５Ｖとの間で振幅する交流信号を与え、第３電極１３３には、０Ｖを基準電位として、１０Ｖと−１０Ｖとの間で振幅する交流信号を与えてもよい。
【０１４６】
このように、３つのイオントラップ電極１３０に印加される交流信号の振幅の大きさを、表示領域Ｅから遠ざかるほど大きくすることで、第３電極１３３に向かってイオン性不純物を効果的に引き寄せることができる。
【０１４７】
＜イオントラップ電極＞
図９および図１０は、図６のＡ−Ａ’線に沿った液晶装置１００のイオントラップ機構の構造を示す要部断面図である。
図９および図１０に示すように、液晶装置１００の素子基板１０は、基材１０ｓ上に複数の配線層１１〜 配線層１４を有している。画素Ｐの画素電極１５、ダミー画素ＤＰ（電子見切り部１２０）のダミー画素電極１５ｄ、および第１電極１３１、第２電極１３２、第３電極１３３（イオントラップ電極１３０）のそれぞれは、配線層１４上に形成されている。
【０１４８】
共通電極２３は、対向基板２０に、表示領域Ｅにおける複数の画素電極１５およびダミー画素電極１５ｄに対向するように設けられており、平面視で、共通電極２３の外縁が、第１電極１３１と表示領域Ｅの外縁との間に位置している。つまり、共通電極２３は、イオントラップ電極１３０と重ならないように配置されている。
【０１４９】
ダミー画素電極１５ｄ、イオントラップ電極１３０は、画素電極１５を形成する工程で、画素電極１５と同じ透明導電膜、例えば、ＩＴＯ膜を用いて形成されている。ダミー画素電極１５ｄの平面的な形状および大きさや配置ピッチは、画素電極１５と同じである。
【０１５０】
イオントラップ電極１３０は、Ｘ方向に等間隔で配置されている。図９および図１０には図示していないが、イオントラップ電極１３０は、Ｙ方向においても、等間隔で配置されており、下層の配線層１１〜１３に設けられた配線と接続されて、それぞれ外部接続用端子に導かれている。
【０１５１】
ダミー画素電極１５ｄは、配線層１１に設けられたＴＦＴ３０に電気的に接続されている。液晶装置１００がノーマリーブラックモードの場合、実表示領域Ｅ１の画素Ｐの表示状態に関わらず、常に、電子見切り部１２０を「ブラックモード（黒表示）」とするため、ＴＦＴ３０を介して、複数のダミー画素電極１５ｄに、例えば、ダミー画素ＤＰの透過率が変化しない程度の交流電位が印加される。
【０１５２】
ここで、イオン性不純物は、正極性（＋）を有するものと、負極性（−）を有するものと、が存在する可能性がある。従って、第１電極１３１の第１電位の極性に対応して、正極性または負極性のイオン性不純物が、第１電極１３１に引き寄せられることになる。
【０１５３】
第１電極１３１に引き寄せられたイオン性不純物を、そのまま滞留させておくと、次第にイオン性不純物が蓄積され、電子見切り部１２０や実表示領域Ｅ１の表示に影響を及ぼすおそれがあるので、第１電極１３１に引き寄せられたイオン性不純物を、逐次、第２電極１３２、さらには第３電極１３３に移動させることが好ましい。
【０１５４】
本実施形態では、上述したように、液晶装置１００の駆動中（表示期間中）は、位相の異なる交流信号が、イオントラップ電極１３０に印加されるため、隣り合うイオントラップ電極１３０間に発生する横電界（電気力線）が、電子見切り部１２０、または表示領域Ｅに近い第１電極１３１から第３電極１３３に向かう方向にスクロールする。
これによって、第１電極１３１に引き寄せられた正極性、または負極性のイオン性不純物を第３電極１３３へ移動させることができる。
【０１５５】
このように、イオントラップ電極１３０に発生する電界のスクロールによって、時間の経過に伴って、第１電極１３１から第３電極１３３へと移動させる液晶装置１００の駆動方法を、以降、「ＩＳ（Ion  Surf）駆動」と呼ぶことにする。
【０１５６】
図９に示すように、画素電極１５を駆動する表示期間では、液晶層５０に、例えば、正極性（＋）のイオン性不純物が含まれる場合、正極性のイオン性不純物は、ＩＳ駆動による液晶分子ＬＣのフローによって表示領域Ｅを移動する。フローの速度は、画素Ｐを駆動する駆動信号の周波数に依存すると考えられる。
【０１５７】
そして、イオン性不純物は、イオントラップ電極１３０が設けられた見切り領域Ｅ３に引き寄せられ、第１電極１３１側から第３電極１３３側へと、時間の経過に伴って移動する電界のスクロールによって第３電極１３３に向かって運ばれ蓄積される。
【０１５８】
一方、図１０に示すように、画素電極１５を駆動しない非表示期間では、ダミー画素電極１５ｄ上の液晶分子ＬＣは、略垂直配向状態であるため、見切り領域Ｅ３に引き寄せられた正極性のイオン性不純物は、表示領域Ｅに移動（再拡散）し難い。
【０１５９】
また、液晶層５０に負極性（−）のイオン性不純物が含まれている場合も、負極性のイオン性不純物は、表示期間にイオントラップ電極１３０における電界のスクロールに伴って、第１電極１３１から第３電極１３３に引き寄せられ、非表示期間に表示領域Ｅに移動（再拡散）し難い。
【０１６０】
本実施形態に係る対向基板２０は、液晶層５０を介して、イオントラップ電極１３０に対向する部分に、共通電極２３が設けられていない。従って、イオントラップ電極１３０と共通電極２３との間で電界が発生し難い。
【０１６１】
そのため、イオントラップ電極１３０と共通電極２３との間で発生する電界によって、イオン性不純物の移動が妨げられることなく、イオン性不純物が見切り領域Ｅ３へ引き寄せられる。
【０１６２】
次に、図１０に示すように、本実施形態のイオントラップ電極１３０では、表示領域Ｅの外縁から表示領域Ｅの外側（シール材４０）に向かう方向において、第１電極１３１の幅Ｌ１は、第２電極１３２の幅Ｌ２と同じになっており、第３電極１３３の幅Ｌ３は、幅Ｌ１および幅Ｌ２より大きくなっている。具体的には、幅Ｌ１と幅Ｌ２は、例えば、４μｍであり、幅Ｌ３は、例えば、１０μｍである。
【０１６３】
第１電極１３１、第２電極１３２、第３電極１３３の配置ピッチは、例えば、１２μｍである。つまり、第１電極１３１と第２電極１３２との間隔Ｓ１は８μｍであり、第２電極１３２と第３電極１３３との間隔Ｓ２も、間隔Ｓ１と同じであり、８μｍである。
【０１６４】
Ｘ方向において、ダミー画素電極１５ｄ（電子見切り部１２０）と第１電極１３１との間隔Ｓ３は、間隔Ｓ１（＝間隔Ｓ２）より大きくなっており、例えば、１０μｍである。
【０１６５】
一方、Ｙ方向において、ダミー画素電極１５ｄ（電子見切り部１２０）と隣り合う第１電極１３１との間隔は、第１電極１３１と第２電極１３２との間隔より大きくなっており、例えば、１０μｍである。
【０１６６】
このような構成することによって、イオン性不純物の引き寄せに係わる第１電極１３１とダミー画素電極１５ｄ（電子見切り部１２０）との間に発生する電界の影響を小さくすることができる。
【０１６７】
また、素子基板１０において、負の誘電異方性を有する液晶分子ＬＣを略垂直配向させる配向膜１８は、少なくとも画素電極１５、およびダミー画素電極１５ｄを覆うように形成されることが好ましい。
【０１６８】
また、本実施形態の場合、イオントラップ電極１３０間の電界のスクロールによってイオン性不純物を移動させることから、イオントラップ電極１３０は、配向膜１８で覆わないように形成されることが好ましい。
【０１６９】
＜イオントラップ機構の効果＞
図１１は、通電時間とイオン性不純物の濃度との関係を示すグラフであり、横軸は、通電時間［時間］を示しており、縦軸は、イオン性不純物の濃度［無次元］である。
図１２は、第３電極１３３の幅Ｌ３／第１電極１３１の幅Ｌ１とイオン性不純物の濃度との関係を示すグラフであり、横軸は、第１電極１３１の幅Ｌ１と第３電極１３３の幅Ｌ３との比であり、縦軸は、イオン性不純物の濃度［無次元］である。
【０１７０】
発明者は、本実施形態に係るイオントラップ機構の効果について、以下に説明する実験を行い、図１１および図１２の結果を得た。
【０１７１】
表示領域Ｅの外側に、表示領域Ｅを囲むように、リング状に設けられたイオントラップ電極１３０（第１電極１３１、第２電極１３２、第３電極１３３）を備えた２つのサンプルパネル（サンプルパネル１、サンプルパネル２）を用意した。
【０１７２】
サンプルパネル１は、第１電極１３１の幅Ｌ１および第２電極１３２の幅Ｌ２と第３電極１３３の幅Ｌ３とが等しくなるように作成した。
サンプルパネル２は、第３電極１３３の幅Ｌ３が、第１電極１３１の幅Ｌ１および第２電極１３２の幅Ｌ２の１０００倍と大きくなるように作成した。
【０１７３】
これら２つのサンプルパネルは、広範囲にイオントラップ機能を持たせるため、イオントラップ電極１３０の直上に共通電極２３が対向しない構造となるように、共通電極２３をパターニングした。
【０１７４】
イオントラップ電極１３０に印加する交流信号の周波数は、表示領域Ｅの周波数より極めて遅い周波数になるように、１Ｈｚとした。
【０１７５】
２つのサンプルパネルを、同時に、例えば、温度８５℃、湿度８５％の高温高湿の環境下で、５００時間放置した後、例えば、温度７０℃の高温環境下で通電するエージング試験を実施した。
【０１７６】
エージング試験を開始してから、２５時間、５０時間、１００時間が経過した時点で、２つのサンプルパネルを取り出し、それぞれの表示領域Ｅの表示を確認し、光学応答波形を測定した。その光学応答波形の振幅を解析し、２つのサンプルパネルの液晶層５０の液晶中に含まれるイオン性不純物の濃度の推移をそれぞれ計算し、グラフに示すことによって比較した。
【０１７７】
このエージング試験によって得られた結果を、以下に説明する。
図１１に示すように、エージング試験を開始してから２５時間経過した時点では、サンプルパネル１のイオン性不純物の濃度が、０．０３８となっているのに対して、サンプルパネル２のイオン性不純物の濃度は、０．０２５となっており、サンプルパネル１と比較して、２／３程度に小さくなっている。
【０１７８】
また、エージング試験を開始してから５０時間経過した時点では、サンプルパネル１のイオン性不純物の濃度が、０．０４８となっているのに対して、サンプルパネル２のイオン性不純物の濃度は、０．０２７となっている。サンプルパネル２のイオン性不純物の濃度は、２５時間経過した時点のイオン性不純物の濃度（０．０２５）からほとんど変化することなく、小さい値を保っている。
【０１７９】
さらに、エージング試験を開始してから１００時間経過した時点では、サンプルパネル１のイオン性不純物の濃度が、０．０７２となっているのに対して、サンプルパネル２のイオン性不純物の濃度は、０．０３７となっている。この値は、サンプルパネル１が２５時間経過した時点のイオン性不純物の濃度（０．０３８）と、ほとんど変化することなく、小さい値を保っている。
【０１８０】
以上、この実験の結果から、イオントラップ電極１３０において、幅Ｌ３を、幅Ｌ１および幅Ｌ２の１０００倍と大きくすることによって、液晶層５０の液晶中に含まれるイオン性不純物の濃度を、イオントラップ電極１３０で確実に低減させることができることが分かった。
【０１８１】
次に、図１２に示すように、エージング試験を開始してから１００時間経過した時点のサンプルパネル１およびサンプルパネル２において、第１電極１３１の幅Ｌ１に対する第３電極１３３の幅Ｌ３の比と、液晶層５０の液晶中に含まれるイオン性不純物の濃度と、の関係をプロットして、近似曲線を描いて、以下の近似式（７）を算出した。
つまり、Ｙ＝−０．００５ｌｎ（Ｘ）＋０．０７３１・・・（７）である。
【０１８２】
なお、液晶装置１００の表示品質に発生する不具合を低減させるためには、イオン性不純物の濃度を、０．０７以下にすればよいことが確かめられている。このことから、イオン性不純物の濃度を、０．０７以下にするためには、幅Ｌ３が、幅Ｌ１および幅Ｌ２の１．８６倍以上であることが、上記で説明した近似式（７）から求められる。
【０１８３】
つまり、幅Ｌ３が、幅Ｌ１および幅Ｌ２の１．８６倍以上とすることによって、液晶装置１００の表示品質に発生する不具合を低減することができる。
【０１８４】
図１２に示した近似曲線から、幅Ｌ３が、幅Ｌ１および幅Ｌ２に対して、１．８６倍より大きくなった場合には、イオン性不純物の濃度はさらに減少し、イオントラップ電極１３０によるイオントラップ効果は、一層高まると推定される。
【０１８５】
上記第１実施形態に係る液晶装置１００および液晶装置１００の駆動方法によれば、以下の効果が得られる。
（１）第１電位が基準電位から正極性と負極性とに遷移する１周期に相当する時間内において、位相の異なる交流信号が、第１電極１３１、第２電極１３２、第３電極１３３の順に印加される。そのため、イオントラップ電極１３０間に発生する電界（電気力線）が、時間の経過に伴って、表示領域Ｅに近い第１電極１３１から第２電極１３２へ、そして、第２電極１３２から第３電極１３３に向かってスクロールする。
これにより、イオン性不純物は、この電界のスクロールに伴って移動し、まず、第１電極１３１に引き寄せられ、続いて第２電極１３２に引き寄せられ、続いて第３電極１３３に引き寄せられる。
さらに、本実施形態では、第３電極１３３の幅Ｌ３が、第１電極１３１の幅Ｌ１および第２電極１３２の幅Ｌ２より大きいことから、幅Ｌ３が、幅Ｌ１および幅Ｌ２と同じイオントラップ電極を備えた液晶装置と比較して、第３電極１３３にイオン性不純物を集積する力を向上させることができる。
つまり、液晶層５０中のイオン性不純物を表示領域Ｅから外側に向かって効果的に引き寄せることが可能となり、その結果、液晶層５０中に含まれるイオン性不純物に起因する焼き付きなどの表示に対する影響を低減させた液晶装置１００を提供することができる。
【０１８６】
（２）イオントラップ電極１３０は、表示領域Ｅを囲んで設けられていることから、表示領域Ｅにおけるイオン性不純物の偏在傾向に影響することなく、イオン性不純物を表示領域Ｅから外側に向かって引き寄せることができる。
【０１８７】
（３）表示領域Ｅは、複数の画素電極１５を囲んで設けられたダミー画素電極１５ｄを有する電子見切り部１２０を含み、ダミー画素電極１５ｄ（電子見切り部１２０）と第１電極１３１との間隔Ｓ３は、第１電極１３１と第２電極１３２との間隔Ｓ１より大きい。
そのため、イオン性不純物の引き寄せに係わる第１電極１３１と電子見切り部１２０との間に発生する電界のスクロールの影響を低減することができる。
【０１８８】
（４）イオントラップ電極１３０は、素子基板１０に設けられ、共通電極２３は対向基板２０に設けられている。また、平面視で、共通電極２３の外縁が、第１電極１３１と表示領域Ｅの外縁との間に位置している。
そのため、イオントラップ電極１３０のそれぞれと共通電極２３とは、液晶層５０を介して対向していないことから、イオントラップ電極１３０と共通電極２３との間に電界が発生し難くなる。
つまり、イオントラップ電極１３０の隣り合う電極間に発生する電界のスクロールによって効果的にイオン性不純物を表示領域Ｅの外側に引き寄せることができる。
【０１８９】
（５）画素電極１５、共通電極２３のそれぞれは、無機配向膜で覆われていることから、イオン性不純物を吸着しやすい無機配向膜を採用しても、イオン性不純物が表示に与える影響が抑制された液晶装置１００を提供できる。
【０１９０】
（６）交流信号の周波数ｆ（Ｈｚ）は、ｆ≦２μＶＥ／ｎｐ2を満たしていることから、イオン性不純物が電極の配置ピッチに相当する距離を移動する速度（時間）に対して、交流信号の周波数ｆ（Ｈｚ）が同じ、または小さくなるので、液晶層中のイオン性不純物を表示領域Ｅから外側に確実に引き寄せることができる。
【０１９１】
（７）イオントラップ電極１３０のそれぞれに、同じ波形の交流信号を印加することから、異なる波形の交流信号を、それぞれの電極に対して発生させる必要がないので、駆動回路の構成を簡略化できる。
【０１９２】
（８）交流信号が３値以上の電位を有することから、イオントラップ電極１３０のそれぞれに、印加される電位が３値以上となるので、イオントラップ電極１３０間において、電界のスクロールを滑らかにすることができる。
【０１９３】
（９）交流信号が矩形波であることから、イオントラップ電極１３０の隣り合う電極間に、強度が安定した電界を発生させ、イオン性不純物をより効果的に引き寄せることができる。また、例えば、正弦波のようなアナログ信号に比べて、交流信号の生成が容易になる。
【０１９４】
（第２実施形態）
＜液晶装置の構成＞
次に、第２実施形態に係る液晶装置２００について、図１３を参照して説明する。図１３は、本実施形態に係る液晶装置２００の構造を示す概略断面図である。図１３は、第１実施形態における図９に対応する概略断面図である。第１実施形態の液晶装置１００と同じ構成には同じ符号を付して、詳細の説明は省略する。
【０１９５】
図１３に示すように、本実施形態に係る液晶装置２００は、第１実施形態に係る液晶装置１００と比較すると、対向基板２２０において、共通電極２３が、表示領域Ｅからイオントラップ電極１３０と対向する見切り領域Ｅ３まで設けられており、共通電極２３に基準電位が与えられているところが、第１実施形態に係る液晶装置１００と異なっている。
【０１９６】
液晶装置２００は、シール材４０を介して貼り合わされた素子基板２１０と対向基板２２０との隙間に挟持された液晶層５０を有している。
【０１９７】
素子基板２１０の配線層１４上に、画素電極１５、ダミー画素電極１５ｄ、およびイオントラップ電極１３０として、第１電極１３１、第２電極１３２、第３電極１３３がそれぞれ配置されている。
【０１９８】
イオントラップ電極１３０において、第１実施形態と同様に、第３電極１３３の幅Ｌ３は、第１電極１３１の幅Ｌ１および第２電極１３２の幅Ｌ２より長く形成されており、イオントラップ電極１３０のそれぞれに対して、同じ周波数で、１周期の時間内に互いに位相が異なる交流信号、例えば、図８に示した交流信号が印加される。
【０１９９】
このような交流信号が、イオントラップ電極１３０に対して印加されると、第１電極１３１と共通電極２３との間に、第１電極１３１の第１電位の極性に応じて、実線または破線の矢印で示した電界が発生する。さらに、第１電極１３１の場合と同様に、第２電極１３２と共通電極２３との間においても、第３電極１３３と共通電極２３との間においても、実線または破線の矢印で示した電界が発生する。
【０２００】
イオントラップ電極１３０のそれぞれに、位相が異なる交流信号が印加されることから、実線または破線の矢印で示したこれらの電界は、表示領域Ｅに近い第１電極１３１から第３電極１３３に向かう方向に、徐々にスクロールされる。
【０２０１】
以上のことから、本実施形態に係る液晶装置２００は、第１実施形態に係る液晶装置１００に比べて、液晶層５０の厚みによる電界の強さの影響を受けるものの、第１実施形態と同様に、イオントラップ電極１３０間に発生する電界のスクロールによって、表示領域Ｅの液晶層５０中のイオン性不純物を、イオントラップ電極１３０に引き寄せることができる。
【０２０２】
また、第１実施形態に係る液晶装置１００のように、共通電極２３を表示領域Ｅに対応させ、かつ、引き出し配線２３ａを設けるようにパターニングする必要がないので、共通電極２３に繋がる配線などの構成を簡略化できる。
【０２０３】
（第３実施形態）
＜液晶装置の構成＞
次に、第３実施形態に係る液晶装置３００について、図１４を参照して説明する。図１４は、本実施形態に係る液晶装置３００の構造を示す概略断面図である。図１４は、第１実施形態における図９に対応する概略断面図である。第１実施形態の液晶装置１００と同じ構成には同じ符号を付して、詳細の説明は省略する。
【０２０４】
図１４に示すように、本実施形態に係る液晶装置３００は、第１実施形態に係る液晶装置１００と比較して、対向基板３２０の液晶層５０側の面に、電極が設けられていないところが異なっている。
【０２０５】
液晶装置３００は、シール材４０を介して貼り合わされた素子基板３１０と対向基板３２０との隙間に挟持された液晶層５０を有している。
【０２０６】
素子基板３１０の配線層１４上の見切り領域Ｅ３には、イオントラップ電極３３０としての第１電極３３１、第２電極３３２、第３電極３３３がそれぞれ配置されている。
【０２０７】
イオントラップ電極３３０においても、上記実施形態と同様に、第３電極３３３の幅Ｌ３は、第１電極３３１の幅Ｌ１および第２電極３３２の幅Ｌ２より長く形成されている。
【０２０８】
さらに、液晶装置３００は、イオントラップ電極３３０より下層において、イオントラップ電極３３０と対向するように、第４電極３３４が設けられている。この第４電極３３４には、共通電位が供給される。
【０２０９】
素子基板３１０の実表示領域Ｅ１に配置された画素Ｐは、配線層１４上に設けられ、かつ、ＴＦＴ３０に接続された第１画素電極１５ａと、第１画素電極１５ａより下層に設けられ、共通電位が供給される第２画素電極１５ｂとを有している。
【０２１０】
素子基板３１０のダミー画素領域Ｅ２に配置されたダミー画素ＤＰは、配線層１４上に設けられ、かつ、ＴＦＴ３０に接続された第１ダミー画素電極１５ｅと、第１ダミー画素電極１５ｅより下層に設けられ、共通電位が供給される第２ダミー画素電極１５ｆとを有している。第１ダミー画素電極１５ｅおよび第２ダミー画素電極１５ｆは、電子見切り部１２０として機能している。
【０２１１】
図１４では図示を省略したが、第１画素電極１５ａ、第１ダミー画素電極１５ｅ、イオントラップ電極３３０、および対向基板３２０の液晶層５０に面する表面は、有機配向膜で覆われている。正の誘電異方性を有する液晶分子は、この有機配向膜に対して略水平配向している。
【０２１２】
液晶装置３００は、第１画素電極１５ａと第２画素電極１５ｂとの間に発生する電界のスクロールによって、液晶層５０における液晶分子の配向方向を変化させることにより、画素Ｐに入射した光を変調する、いわゆるＦＦＳ（Fringe  Field  Switching）方式が採用されている。
【０２１３】
上記実施形態と同様に、イオントラップ電極３３０のそれぞれに対して、同じ周波数で、１周期の時間内に互いに位相が異なる交流信号、例えば、図８に示した交流信号が印加される。
【０２１４】
このような交流信号が、イオントラップ電極３３０に対して印加されると、イオントラップ電極３３０と第４電極３３４との間に、第１電極３３１の第１電位の極性に応じて、実線または破線の矢印で示した電界が発生する。さらに、第１電極３３１の場合と同様に、第２電極３３２と第４電極３３４の間においても、第３電極３３３と第４電極３３４との間においても、実線または破線の矢印で示した電界が発生する。
【０２１５】
イオントラップ電極３３０のそれぞれに、位相が異なる交流信号が印加されることから、実線または破線の矢印で示したこれらの電界は、表示領域Ｅに近い第１電極３３１から第３電極３３３に向かう方向に、徐々にスクロールされる。
【０２１６】
以上のことから、本実施形態に係る液晶装置３００は、このイオントラップ電極３３０間に発生する電界のスクロールによって、表示領域Ｅの液晶層５０中のイオン性不純物を、イオントラップ電極３３０に引き寄せることができる。
【０２１７】
（第４実施形態）
＜液晶装置の構成＞
次に、第４実施形態に係る液晶装置４００について、図１５を参照して説明する。図１５は、本実施形態に係る液晶装置４００の構造を示す概略断面図である。図１５は、第１実施形態における図９に対応する概略断面図である。第１実施形態の液晶装置１００と同じ構成には同じ符号を付して、詳細な説明は省略する。
【０２１８】
図１５に示すように、本実施形態に係る液晶装置４００は、イオントラップ電極４３０としての第１電極４３１、第２電極４３２、第３電極４３３が、第１実施形態のように素子基板４１０側ではなく、対向基板４２０側のダミー画素領域Ｅ２とシール材４０との間の見切り領域Ｅ３に配置されているところが、第１実施形態に係る液晶装置１００と異なっている。
【０２１９】
言い換えれば、イオントラップ電極４３０が、対向基板４２０の共通電極２３と同層の、見切り領域Ｅ３に設けられている。
【０２２０】
イオントラップ電極４３０においても、上記実施形態と同様に、第３電極４３３の幅Ｌ３は、第１電極４３１の幅Ｌ１および第２電極４３２の幅Ｌ２より長く形成されている。
【０２２１】
液晶装置４００は、シール材４０を介して貼り合わされた素子基板４１０と対向基板４２０との隙間に挟持された液晶層５０を有しており、素子基板４１０の配線層１４上に、画素電極１５、ダミー画素電極１５ｄが配置されている。
【０２２２】
図１５では図示を省略したが、画素電極１５、ダミー画素電極１５ｄは、配向膜１８で覆われている。共通電極２３およびイオントラップ電極４３０は、配向膜２４で覆われている。
【０２２３】
共通電極２３、およびイオントラップ電極４３０のそれぞれは、素子基板４１０と対向基板４２０の間に設けられた上限導通部を介して、素子基板４１０の端子部に設けられた外部接続用端子に電気的に接続されている。
【０２２４】
上記実施形態と同様に、イオントラップ電極４３０のそれぞれに対して、同じ周波数で、１周期の時間内に互いに位相が異なる交流信号、例えば、図８に示した交流信号が印加される。
【０２２５】
このような交流信号が、イオントラップ電極４３０のそれぞれに対して印加されると、それぞれの電極間に、極性に応じて、実線の矢印で示した電界が発生する。
【０２２６】
イオントラップ電極４３０のそれぞれに、位相が異なる交流信号が印加されることから、実線の矢印で示したこれらの電界は、表示領域Ｅに近い第１電極４３１から第３電極４３３に向かう方向に、徐々にスクロールされる。
【０２２７】
以上のことから、本実施形態に係る液晶装置４００は、このイオントラップ電極４３０間に発生する電界のスクロールによって、表示領域Ｅの液晶層５０中のイオン性不純物を、イオントラップ電極４３０に引き寄せることができる。
【０２２８】
（第５実施形態）
＜電子機器＞
次に、第５実施形態に係る電子機器としての投写型表示装置１０００について、図１６を参照して説明する。図１６は、本実施形態に係る電子機器としての投写型表示装置１０００の構成を示す概略平面図である。
【０２２９】
図１６に示すように、本実施形態に係る電子機器としての投写型表示装置１０００は、システム光軸Ｌに沿って配置された偏光照明装置１１００と、光分離素子としての２つのダイクロイックミラー１１０４，１１０５と、３つの反射ミラー１１０６，１１０７，１１０８と、５つのリレーレンズ１２０１，１２０２，１２０３，１２０４，１２０５と、３つの光変調手段としての透過型の液晶ライトバルブ１２１０，１２２０，１２３０と、光合成素子としてのクロスダイクロイックプリズム１２０６と、投写レンズ１２０７と、を備えている。
【０２３０】
偏光照明装置１１００は、超高圧水銀灯やハロゲンランプなどの白色光源からなる光源としてのランプユニット１１０１と、インテグレーターレンズ１１０２と、偏光変換素子１１０３と、を含んで構成されている。
【０２３１】
ダイクロイックミラー１１０４は、偏光照明装置１１００から射出された偏光光束のうち、赤色光（Ｒ）を反射させ、緑色光（Ｇ）と青色光（Ｂ）とを透過させる。もう１つのダイクロイックミラー１１０５は、ダイクロイックミラー１１０４を透過した緑色光（Ｇ）を反射させ、青色光（Ｂ）を透過させる。
【０２３２】
ダイクロイックミラー１１０４で反射した赤色光（Ｒ）は、反射ミラー１１０６で反射した後にリレーレンズ１２０５を経由して、液晶ライトバルブ１２１０に入射する。
【０２３３】
ダイクロイックミラー１１０５で反射した緑色光（Ｇ）は、リレーレンズ１２０４を経由して液晶ライトバルブ１２２０に入射する。
【０２３４】
ダイクロイックミラー１１０５を透過した青色光（Ｂ）は、３つのリレーレンズ１２０１，１２０２，１２０３と２つの反射ミラー１１０７，１１０８とからなる導光系を経由して液晶ライトバルブ１２３０に入射する。
【０２３５】
液晶ライトバルブ１２１０，１２２０，１２３０は、クロスダイクロイックプリズム１２０６の色光ごとの入射面に対してそれぞれ対向配置されている。液晶ライトバルブ１２１０，１２２０，１２３０に入射した色光は、映像情報（映像信号）に基づいて変調されクロスダイクロイックプリズム１２０６に向けて射出される。
【０２３６】
このプリズムは、４つの直角プリズムが貼り合わされ、その内面に赤色光を反射する誘電体多層膜と青色光を反射する誘電体多層膜とが十字状に形成されている。これらの誘電体多層膜によって３つの色光が合成されて、カラー画像を表す光が合成される。
合成された光は、投写光学系である投写レンズ１２０７によって、スクリーン１３００上に投写され、画像が拡大されて表示される。
【０２３７】
液晶ライトバルブ１２１０は、上述したイオントラップ電極１３０，３３０，４３０（以下、代表して１３０のみを示す）を有する液晶装置１００，２００，３００，４００（以下、代表して１００のみを示す）が適用されたものである。液晶パネル１１０の色光の入射側と射出側とに、クロスニコルに配置された一対の偏光素子が、隙間を置いて配置されている。他の液晶ライトバルブ１２２０，１２３０も同様である。
【０２３８】
このような投写型表示装置１０００は、液晶ライトバルブ１２１０，１２２０，１２３０として、上記第１実施形態から第４実施形態までに説明した、イオントラップ電極１３０を含む液晶装置１００が備えられているので、液晶層中に含まれるイオン性不純物に起因する焼き付きなどの表示不具合が改善され、優れた表示品質を有することができる。
【０２３９】
本発明は、上記の実施形態に限られるものではなく、請求の範囲および明細書全体から読み取れる発明の要旨または思想に反しない範囲で適宜変更可能であり、そのような変更を伴う液晶装置、この液晶装置の駆動方法、およびこの液晶装置を適用する電子機器もまた本発明の技術的範囲に含まれるものである。上記実施形態以外にも様々な変形例が考えられる。以下、変形例を挙げて説明する。
【０２４０】
（変形例１）
上記の実施形態において、イオントラップ電極１３０は、表示領域Ｅを囲むように配置されることに限定されない。例えば、図５に示したように、イオン性不純物の偏在に起因して表示不具合が生ずる箇所が特定される場合、このような表示不具合が生ずる箇所に対応させてイオントラップ電極１３０を配置してもよい。
【０２４１】
図１７（ａ）〜図１７（ｅ）は、変形例に係るイオントラップ機構の配置を示す概略平面図である。
例えば、図１７（ａ）に示すように、上記実施形態に係る液晶装置１００において、イオントラップ機構は、表示領域Ｅの少なくとも１つの角部４５に沿って、表示領域Ｅの外側にイオントラップ電極１３０が設けられていてもよい。図１７（ａ）では、４つ全ての角部４５に、イオントラップ電極１３０が設けられている場合を示している。
【０２４２】
このような構成にすることによって、イオントラップ電極１３０を配置するためのスペースを小さくすることができる。その結果、表示領域Ｅの外側に、例えば、他の回路などを配置するスペースを確保することができる。
【０２４３】
（変形例２）
図１７（ｂ）に示すように、上記実施形態に係る液晶装置１００において、イオントラップ電極１３０は、液晶層の配向方向（液晶方位）に交差する方向に沿って、表示領域Ｅの外側に設けられていてもよい。
【０２４４】
図１７（ｂ）では、破線、または実線の矢印で示した左下から右上に向かう方向に、液晶分子ＬＣのフローが発生しているため、イオン性不純物は、液晶分子ＬＣのフローに沿って表示領域Ｅの左下、または右上に向かって移動する。
【０２４５】
このような構成にすることによって、液晶層の配向方向（液晶方位）に沿って移動してきたイオン性不純物を効果的に集積することができる。
【０２４６】
（変形例３）
図１７（ｃ）に示すように、上記実施形態に係る液晶装置１００において、イオントラップ電極１３０は、表示領域Ｅの外縁の上下（長辺側）に、Ｘ軸方向に沿って配置されていてもよい。また、イオントラップ電極１３０は、表示領域Ｅの外縁の上下どちらか一方に配置されていてもよい。
【０２４７】
特に、図１７（ｄ）に示すように、シール材４０に液晶を封入する封入口４１が、表示領域Ｅの外縁の下側に備えられている場合には、イオントラップ電極１３０は、少なくとも表示領域Ｅの外縁の下側の封入口４１側に設けられていることが好ましい。
【０２４８】
このような構成にすることによって、封入口４１から発生するイオン性不純物を効果的に集積することができる。
【０２４９】
（変形例４）
図１７（ｅ）に示すように、上記実施形態に係る液晶装置１００において、イオントラップ電極１３０は、表示領域Ｅの外縁の左右（短辺側）に、Ｙ軸方向に沿って配置されていてもよい。
【０２５０】
特に、表示領域Ｅの画素電極１５に印加される画像信号の走査方向が、例えば、Ｘ軸方向である場合には、イオントラップ電極１３０は、表示領域Ｅの外縁の左右（短辺側）に、Ｙ軸方向（画像信号の走査方向に交差する方向）に沿って、配置されていることが好ましい。
【０２５１】
このような構成にすることによって、表示領域Ｅにおいて、画像信号の走査方向に沿って移動してきたイオン性不純物を効果的に集積することができる。なお、イオントラップ電極１３０は、表示領域Ｅの外縁の左右どちらか一方に配置されていてもよい。
【０２５２】
（変形例５）
上記実施形態に係るイオントラップ電極１３０を適用可能な液晶装置１００は、ＶＡ方式、またはＦＦＳ方式に限定されず、ＩＰＳ（Ｉｎ  Plane  Switching）方式やＦＦＳ（Fringe  Field  Switching）方式、または、ＯＣＢ（Optically  Compensated  Birefringence）方式にも適用することができる。
【０２５３】
また、上記実施形態に係る液晶装置１００は、第５実施形態で説明した電子機器としての透過型の投写型表示装置１０００に限らず、反射型表示装置においても適用することができる。上記実施形態に係る液晶装置１００を反射型表示装置に適用する場合には、画素電極１５を光反射性の、例えば、Ａｌ、またはＡｌを含む合金を用いて形成してもよい。
【０２５４】
このような反射型表示装置によれば、反射型の液晶装置１００を液晶ライトバルブに用いているので、明るい画像を投写可能であると共に、イオン性不純物に起因する表示不具合が改善され、優れた表示品質を有する反射型の投写型表示装置を提供できる。
【０２５５】
（変形例６）
さらに、上記実施形態に係る液晶装置１００を適用可能な電子機器は、上記第５実施形態に係る投写型表示装置１０００に限定されない。
【０２５６】
例えば、上記実施形態に係る液晶装置１００は、投写型のＨＵＤ（ヘッドアップディスプレイ）や直視型のＨＭＤ（ヘッドマウントディスプレイ）、電子ブック、パーソナルコンピューター、デジタルスチルカメラ、液晶テレビ、ビューファインダー型またはモニター直視型のビデオレコーダー、カーナビゲーションシステム、電子手帳、ＰＯＳなどの電子機器の表示部として好適に用いることができる。
【符号の説明】
【０２５７】
１０，２１０，３１０，４１０…第１基板としての素子基板、１５…画素電極、１５ｄ…ダミー画素電極、２０，２２０，３２０，４２０…第２基板としての対向基板、２３…対向電極としての共通電極、４０…シール材、４１…封入口、４５…角部、５０…液晶層、１００，２００，３００，４００…液晶装置、１２０…電子見切り部、１３０，３３０，４３０…イオントラップ電極、１３１，３３１，４３１…第１電極、１３２，３３２，４３２…第２電極、１３３，３３３，４３３…第３電極、１０００…電子機器としての投写型表示装置、Ｅ…表示領域、Ｅ１…実表示領域、Ｅ２…ダミー画素領域、Ｅ３…見切り領域、Ｐ…画素、Ｌ１…第１電極の幅、Ｌ２…第２電極の幅、Ｌ３…第３電極の幅。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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