(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
下記式の化合物：
【化１】
0006282355.tif 000039
であって、
前記式中、
Ｒ1、及びＲ2は相互に独立して、Ｃ6〜14アリール及び５〜１４員のヘテロアリールから成る群から選択され、
Ｒ3、Ｒ4、Ｒ5、Ｒ6、Ｒ7、Ｒ8、Ｒ9、及びＲ10は相互に独立して、Ｈ及びＣ1〜30アルキルから成る群から選択され、
ここで、
Ｃ1〜30アルキルは、ハロゲン及びＣＮから成る群から独立して選択される１〜９個の置換基で置換されていてよく、
Ｃ6〜14アリールは、１〜５個のＣ1〜20アルキルによって置換されていてよく、
５〜１４員のヘテロアリールは、１〜５個のＣ1〜20アルキルによって置換されていてよい、
前記化合物。
【請求項２】
請求項１に記載の化合物であって、
Ｒ1、及びＲ2は相互に独立して、Ｃ6〜14アリール、及び５〜１４員のヘテロアリールから成る群から選択され、
Ｒ3、Ｒ4、Ｒ5、Ｒ6、Ｒ7、Ｒ8、Ｒ9、及びＲ10は相互に独立して、Ｈ、及びＣ1〜30アルキルから成る群から選択され、
ここで、
Ｃ1〜30アルキルは、１〜９個のハロゲンによって置換されていてよく、
Ｃ6〜14アリールは、１〜５個のＣ1〜20アルキルによって置換されていてよい、
前記化合物。
【請求項３】
請求項１に記載の化合物であって、
Ｒ1、及びＲ2は相互に独立して、フェニル、
【化２】
0006282355.tif 000040
から成る群から選択され、これらは、１個又は２個のＣ1〜20アルキルによって置換されていてよく、
Ｒ3、Ｒ4、Ｒ5、Ｒ6、Ｒ7、Ｒ8、Ｒ9、及びＲ10は相互に独立して、Ｈ、及びＣＦ3から成る群から選択される、
前記化合物。
【請求項４】
請求項１に記載の式１の化合物の製造方法であって、下記の工程：
ｉ）式２の化合物：
【化３】
0006282355.tif 000041
［式中、Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3、Ｒ4、Ｒ5、Ｒ6、Ｒ7、Ｒ8、Ｒ9、及びＲ10は、請求項１で定義した通りである］
を還元して、
式２’の化合物：
【化４】
0006282355.tif 000042
［式中、Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3、Ｒ4、Ｒ5、Ｒ6、Ｒ7、Ｒ8、Ｒ9、及びＲ10は、請求項１で定義した通りである］
にする工程、及び
ｉｉ）式２’の化合物を触媒としての四塩化チタンで処理して、式１の化合物を得る工程、
を有する、前記製造方法。
【請求項５】
下記式の化合物：
【化５】
0006282355.tif 000043
であって、
前記式中、
Ｒ1、及びＲ2は相互に独立して、Ｃ6〜14アリール、及び５〜１４員のヘテロアリールから成る群から選択され、
Ｒ3、Ｒ4、Ｒ5、Ｒ6、Ｒ7、Ｒ8、Ｒ9，及びＲ10は相互に独立して、Ｈ、及びＣ1〜30アルキルから成る群から選択され、
ここで、
Ｃ1〜30アルキルは、ハロゲン、及びＣＮから成る群から独立して選択される１〜９個の置換基で置換されていてよく、
Ｃ6〜14アリールは、１〜５個のＣ1〜20アルキルによって置換されていてよく、
５〜１４員のヘテロアリールは、１〜５個のＣ1〜20アルキルによって置換されていてよい、
前記化合物。
【請求項６】
請求項１から３までのいずれか１項に記載の式１の化合物を含有する、電子デバイス。
【請求項７】
前記電子デバイスが、有機電界効果トランジスタ（ＯＦＥＴ）である、請求項６に記載の電子デバイス。
【請求項８】
半導体材料としての、請求項１から３までのいずれか１項に記載の式１の化合物の使用。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
有機半導体材料は、電子デバイス、例えば有機光起電デバイス（ＯＰＶ）、有機電界効果トランジスタ（ＯＦＥＴ）、有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）、及び有機電気化学デバイス（ＥＣＤ）において使用できる。
【０００２】
効率的で長時間持続性の電子デバイス性能のためには、有機半導体材料が、周辺空気、及び光条件のもとで高い化学的安定性を示すのが望ましい。
【０００３】
さらに、有機半導体材料は、湿式加工技術（liquid processing techniques）、例えばスピンコートと両立できることが望ましい。それというのも湿式加工技術は、加工性の点から便利であり、このため有機半導体材料系電子デバイスを低コストで製造できるからである。加えて、湿式加工技術はまた、プラスチック基板とも両立できるため、これによって軽量で機械的に可撓性の有機半導体材料系電子デバイスを製造することが可能になる。
【０００４】
アセン、その他の完全に共役した環系、及びその窒素含有類似体は、電子デバイスで使用するための半導体材料として近年、かなりの注目を浴びている。
【０００５】
半導体材料としてのアセン（例えばペンタアセン、及びヘキサアセン）の製造と特性決定、並びにその潜在的な可能性は、Anthony, J. E.によって、Angew. Chem. 2008, 120, 460〜492に概観されている。 Clar, E.はChem. Ber. 1942, 75B, 1330で既に、アセンの長さが増加するにつれて、安定性と溶解性が著しく低下することを指摘している。Mondal, R.; Tonshoff, C.; Khon, D.; Neckers, D.C. Bettinger, H.F.は、J. Am. Chem. Soc. 2009, 131, 14281〜14289において、下記式のヘキサアセン：
【化１】
0006282355.tif 000002
が、溶液中で非常に不安定なことを示している。
【０００６】
Chase, D.T.; Fix, A.G.; Kang, S.J.; Rose, B.D.; Weber, C.D.; Zhong, Y.; Zakharow, L.N.; Lonergan, M.C.; Nuckolls, C.; Haley, M.M.は、J. Am. Chem. Soc. 2012, 134, 10349〜10352において、下記の完全に共役された環系：
【化２】
0006282355.tif 000003
及びこれを有機電界効果トランジスタ（ＯＦＥＴ）用の半導体材料として使用することを記載している。
【０００７】
Bunz, U.H.F.; Engelhart, J.U.; Lindner, B.D.; Schaffroth, M.はAngew. Chem. 2013, 125, 3898〜3910において、窒素含有アセン誘導体の概要を示している。Miao, S.; Appleton, A.L.; Berger, N.; Barlow, S.; Marder, S.R.; Hardcastle, K.I.; Bunz, U.H.F.は、以下の空気安定性、及び溶解性のテトラアゾ置換されたアセン誘導体：
【化３】
0006282355.tif 000004
を記載している。
【０００８】
本発明の課題は、化学的安定性、特に周辺温度、空気条件、及び光条件のもとでの化学的安定性が高く、また有機溶媒に溶解性である、完全に共役された窒素含有環系をもたらすことであった。加えて、この完全に共役された窒素含有環系は、電子デバイス、特に有機電界効果トランジスタ（ＯＦＥＴ）において半導体材料として使用するために適切であるのが望ましい。
【０００９】
この課題は請求項１に記載の化合物、請求項８に記載の電子デバイス、及び請求項１０に記載の使用によって解決される。
【００１０】
本発明の有機半導体材料は、下記式の化合物：
【化４】
0006282355.tif 000005
であって、
前記式中、
Ｒ1、及びＲ2は相互に独立して、Ｈ、Ｃ1〜30アルキル、Ｃ2〜30アルケニル、Ｃ2〜30アルキニル、Ｃ5〜8シクロアルキル、Ｃ5〜8シクロアルケニル、５〜１４員のヘテロシクロアルキル、５〜１４員のヘテロシクロアルケニル、Ｃ6〜14アリール、及び５〜１４員のヘテロアリールから成る群から選択され、
Ｒ2、Ｒ3、Ｒ4、Ｒ5、Ｒ6、Ｒ7、Ｒ8、Ｒ9、及びＲ10は相互に独立して、Ｈ、Ｃ1〜30アルキル、Ｃ2〜30アルケニル、Ｃ2〜30アルキニル、Ｃ5〜8シクロアルキル、Ｃ5〜8シクロアルケニル、５〜１４員のヘテロシクロアルキル、５〜１４員のヘテロシクロアルケニル、Ｃ6〜14アリール、５〜１４員のヘテロアリール、ハロゲン、ＣＮ、−ＳＣＮ、ＮＯ2、ＯＨ、Ｏ−Ｃ1〜30アルキル、Ｏ−Ｃ2〜30アルケニル、Ｏ−Ｃ2〜30アルキニル、Ｏ−Ｃ5〜8シクロアルキル、Ｏ−Ｃ5〜8シクロアルケニル、Ｏ−５〜１４員のヘテロシクロアルキル、Ｏ−５〜１４員のヘテロシクロアルケニル、Ｏ−Ｃ6〜14アリール、Ｏ−５〜１４員のヘテロアリール、ＳＨ、Ｓ−Ｃ1〜30アルキル、Ｓ−Ｃ2〜30アルケニル、Ｓ−Ｃ2〜30アルキニル、Ｓ−Ｃ5〜8シクロアルキル、Ｓ−Ｃ5〜8シクロアルケニル、Ｓ−５〜１４員のヘテロシクロアルキル、Ｓ−５〜１４員のヘテロシクロアルケニル、Ｓ−Ｃ6〜14アリール、Ｓ−５〜１４員のヘテロアリール、Ｃ（Ｏ）Ｈ、ＣＯ−Ｃ1〜30アルキル、ＣＯ−Ｃ2〜30アルケニル、ＣＯ−Ｃ2〜30アルキニル、ＣＯ−Ｃ5〜8シクロアルキル、ＣＯ−Ｃ5〜8シクロアルケニル、ＣＯ−５〜１４員のヘテロシクロアルキル、ＣＯ−５〜１４員のヘテロシクロアルケニル、ＣＯ−Ｃ6〜14アリール、ＣＯ−５〜１４員のヘテロアリール、ＣＯＯＨ、ＮＨ（Ｃ1〜30アルキル）、Ｎ（Ｃ1〜30アルキル）2、ＣＯＮＨ2、ＣＯＮＨ（Ｃ1〜30アルキル）、ＣＯＮ（Ｃ1〜30アルキル）2、ＳＯ2ＯＨ、ＳＯ2ＮＨ2、ＳＯ2−Ｃ1〜30アルキル、及びＳＯ2−Ｃ6〜14アリールであり、
ここで、
Ｃ1〜30アルキル、Ｃ2〜30アルケニル、及びＣ2〜30アルキニルは、Ｃ5〜6シクロアルキル、Ｃ5〜6シクロアルケニル、５〜１０員のヘテロシクロアルキル、５〜１０員のヘテロシクロアルケニル、Ｃ6〜10アリール、５〜１０員のヘテロアリール、ＯＲa、ＯＣ（Ｏ）−Ｒa、Ｃ（Ｏ）−ＯＲa、Ｃ（Ｏ）−Ｒa、ＮＲaＲb、ＮＲa［Ｃ（Ｏ）Ｒb］、Ｎ［Ｃ（Ｏ）Ｒa］［Ｃ（Ｏ）Ｒb］、ハロゲン、ＣＮ、及びＮＯ2から成る群から独立して選択される１〜９個の置換基で置換されていてよく、１個以上のＣＨ2基（ただしＣ1〜30アルキル、Ｃ2〜30アルケニル、及びＣ2〜30アルキニルの隣接ＣＨ2基、及び式（１）の化合物の核に直接結合したＣＨ2基は除く）は、Ｏ又はＳによって置き換えられていてよく、
Ｃ5〜8シクロアルキル、Ｃ5〜8シクロアルケニル、５〜１４員のヘテロシクロアルキル、及び５〜１４員のヘテロシクロアルケニルは、Ｃ1〜20アルキル、Ｃ2〜20アルケニル、Ｃ2〜20アルキニル、Ｃ6〜10アリール、５〜１０員のヘテロアリール、ＯＲa、ＯＣ（Ｏ）−Ｒa、Ｃ（Ｏ）−ＯＲa 、Ｃ（Ｏ）−Ｒa、ＮＲaＲb、ＮＲa［Ｃ（Ｏ）Ｒb］、Ｎ［Ｃ（Ｏ）Ｒa］［Ｃ（Ｏ）Ｒb］、ハロゲン、ＣＮ、及びＮＯ2から成る群から独立して選択される１〜５個の置換基によって置換されていてよく、
Ｃ6〜14アリールは、Ｃ1〜20アルキル、Ｃ2〜20アルケニル、Ｃ2〜20アルキニル、Ｃ5〜6シクロアルキル、Ｃ5〜6シクロアルケニル、５〜１０員のヘテロシクロアルキル、５〜１０員のヘテロシクロアルケニル、及び５〜１０員のヘテロアリール、ＯＲa、ＯＣ（Ｏ）−Ｒa、Ｃ（Ｏ）−ＯＲa、Ｃ（Ｏ）−Ｒa、ＮＲaＲb、ＮＲa［Ｃ（Ｏ）Ｒb］、Ｎ［Ｃ（Ｏ）Ｒa］［Ｃ（Ｏ）Ｒb］、ハロゲン、ＣＮ、及びＮＯ2から成る群から独立して選択される１〜５個の置換基によって置換されていてよく、
５〜１４員のヘテロアリールは、Ｃ1〜20アルキル、Ｃ2〜20アルケニル、Ｃ2〜20アルキニル、Ｃ5〜6シクロアルキル、Ｃ5〜6シクロアルケニル、５〜１０員のヘテロシクロアルキル、５〜１０員のヘテロシクロアルケニル、Ｃ6〜10アリール、ＯＲa、ＯＣ（Ｏ）−Ｒa、Ｃ（Ｏ）−ＯＲa、Ｃ（Ｏ）−Ｒa、ＮＲaＲb、ＮＲa［Ｃ（Ｏ）Ｒb］、Ｎ［Ｃ（Ｏ）Ｒa］［Ｃ（Ｏ）Ｒb］、ハロゲン、ＣＮ、及びＮＯ2から成る群から独立して選択される１〜５個の置換基によって置換されていてよく、
ここで、
Ｒa、及びＲbは独立して、Ｈ、Ｃ1〜20アルキル、Ｃ2〜20アルケニル、及びＣ2〜20アルキニルから成る群から選択され、
Ｃ1〜20アルキル、Ｃ2〜20アルケニル、及びＣ2〜20アルキニルは、フェニル、ＯＲc、ＯＣ（Ｏ）−Ｒc、Ｃ（Ｏ）−ＯＲc、Ｃ（Ｏ）−Ｒc、ＮＲcＲd、ＮＲc［Ｃ（Ｏ）Ｒd］、Ｎ［Ｃ（Ｏ）Ｒc］［Ｃ（Ｏ）Ｒd］、ハロゲン、ＣＮ、及びＮＯ2から成る群から選択される１〜５個の置換基によって置換されていてよく、
Ｃ5〜6シクロアルキル、Ｃ5〜6シクロアルケニル、５〜１０員のヘテロシクロアルキル、５〜１０員のヘテロシクロアルケニル、Ｃ6〜10アリール、及び５〜１０員のヘテロアリールは、Ｃ1〜10アルキル、Ｃ2〜10アルケニル、Ｃ2〜10アルキニル、ＯＲc、ＯＣ（Ｏ）−Ｒc、Ｃ（Ｏ）−ＯＲc、Ｃ（Ｏ）−Ｒc、ＮＲcＲd、ＮＲc［Ｃ（Ｏ）Ｒd］、Ｎ［Ｃ（Ｏ）Ｒc］［Ｃ（Ｏ）Ｒd］、ハロゲン、ＣＮ、及びＮＯ2から成る群から独立して選択される１〜５個の置換基によって置換されていてよく、
ここで、
Ｒc、及びＲdは独立して、Ｈ、Ｃ1〜10アルキル、Ｃ2〜10アルケニル、及びＣ2〜10アルキニルから成る群から選択され、
ここで、
Ｃ1〜10アルキル、Ｃ2〜10アルケニル、及びＣ2〜10アルキニルは、ハロゲン、ＣＮ、及びＮＯ2から成る群から選択される１〜５個の置換基によって置換されていてよい。
【００１１】
ハロゲンは、Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、及びＩであり得る。
【００１２】
Ｃ1〜10アルキル、Ｃ1〜20アルキル、及びＣ1〜30アルキルは、分枝状、又は非分枝状であり得る。Ｃ1〜10アルキルの例は、メチル、エチル、ｎ−プロピル、イソプロピル、ｎ−ブチル、ｓｅｃ−ブチル、イソブチル、ｔｅｒｔ−ブチル、ｎ−ペンチル、ネオペンチル、イソペンチル、ｎ（１−エチル）プロピル、ｎ−ヘキシル、ｎ−ヘプチル、ｎ−オクチル、ｎ−（２−エチル）ヘキシル、ｎ−ノニル、及びｎ−デシルである。Ｃ1〜20アルキルの例は、Ｃ1〜10アルキル、及びｎ−ウンデシル、ｎ−ドデシル、ｎ−ウンデシル、ｎ−ドデシル、ｎ−トリデシル、ｎ−テトラデシル、ｎ−ペンタデシル、ｎ−ヘキサデシル、ｎ−ヘプタデシル、ｎ−オクタデシル、ｎ−ノナデシル、及びｎ−イコシル（Ｃ20）である。Ｃ1〜30アルキルの例は、Ｃ1〜20アルキル、及びｎ−ドコシル（Ｃ22）、ｎ−テトラコシル（Ｃ24）、ｎ−ヘキサコシル（Ｃ26）、ｎ−オクタコシル（Ｃ28）、及びｎ−トリアコンチル（Ｃ30）である。
【００１３】
Ｃ2〜10アルケニル、Ｃ2〜20アルケニル、及びＣ2〜30アルケニルは、分枝状、又は非分枝状であり得る。Ｃ1〜20アルケニルの例は、ビニル、プロペニル、シス−２−ブテニル、トランス−２−ブテニル、３−ブテニル、シス−２−ペンテニル、トランス−２−ペンテニル、シス−３−ペンテニル、トランス−３−ペンテニル、４−ペンテニル、２−メチル−３−ブテニル、ヘキセニル、ヘプテニル、オクテニル、ノネニル、及びドセニルである。Ｃ2〜20アルケニルの例は、Ｃ2〜10アルケニル、及びリノレイル（Ｃ18）、リノレニル（Ｃ18）、オレイル（Ｃ18）、及びアラキドニル（Ｃ20）である。Ｃ2〜30アルケニルの例は、Ｃ2〜20アルケニル、及びエルシル（Ｃ22）である。
【００１４】
Ｃ2〜10アルキニル、Ｃ2〜20アルキニル、及びＣ2〜30アルケニルは、分枝状、又は非分枝状であり得る。Ｃ2〜10アルキニルの例は、エチニル、２−プロピニル、２−ブチニル、３−ブチニル、ペンチニル、ヘキシニル、ヘプチニル、オクチニル、ノニニル、及びデシニルである。Ｃ2〜20アルキニル、及びＣ2〜30アルケニルの例は、ウンデシニル、ドデシニル、ウンデシニル、ドデシニル、トリデシニル、テトラデシニル、ペンタデシニル、ヘキサデシニル、ヘプタデシニル、オクタデシニル、ノナデシニル、及びイコシニル（Ｃ20）である。
【００１５】
Ｃ6〜10アリールの例は、フェニル、ナフチル、アントラセニル、及びフェナントレニルである。
【００１６】
Ｃ6〜14アリールの例は、Ｃ6〜10アリール、及びテトラセニル、及びクリセニルである。
【００１７】
Ｃ5〜8シクロアルキルの例は、シクロペンチル、シクロヘキシル、シクロヘプチル、及びシクロオクチルである。Ｃ5〜6シクロアルキルの例は、シクロペンチル、及びシクロヘキシルである。
【００１８】
Ｃ5〜8シクロアルケニルの例は、シクロペンテニル、シクロヘキセニル、シクロヘプテニル、及びシクロオクテニルである。Ｃ5〜6シクロアルキルの例は、シクロペンテニル、及びシクロヘキセニルである。
【００１９】
５〜１０員のヘテロシクロアルキル、及び５〜１４員のヘテロシクロアルキルの例は、
【化５】
0006282355.tif 000006
であり、ここでＲ101はそれぞれの場合において、Ｃ1〜6アルキル、又はフェニルである。
【００２０】
５〜１０員のヘテロシクロアルケニル、及び５〜１４員のヘテロシクロアルケニルの例は、
【化６】
0006282355.tif 000007
であり、ここでＲ102はそれぞれの場合において、Ｃ1〜6アルキル、又はフェニルである。
【００２１】
５〜１０員のヘテロアリールの例は、
【化７−１】
0006282355.tif 000008
【化７−２】
0006282355.tif 000009
であり、ここでＲ100はそれぞれの場合において、Ｃ1〜6アルキル、又はフェニルである。
【００２２】
５〜１４員のヘテロアリールの例は、５〜１０員のヘテロアリールについて示した例、及び
【化８】
0006282355.tif 000010
であり、ここでＲ100はそれぞれの場合において、Ｃ1〜6アルキル、又はフェニルである。
【００２３】
好ましいのは、下記式の化合物である：
【化９】
0006282355.tif 000011
前記式中、
Ｒ1、及びＲ2は相互に独立して、Ｈ、Ｃ1〜30アルキル、Ｃ6〜14アリール、及び５〜１４員のヘテロアリールから成る群から選択され、
Ｒ2、Ｒ3、Ｒ4、Ｒ5、Ｒ6、Ｒ7、Ｒ8、Ｒ9、及びＲ10は相互に独立して、Ｈ、Ｃ1〜30アルキル、Ｃ6〜14アリール、５〜１４員のヘテロアリール、ハロゲン、ＣＮ、−ＳＣＮ、ＮＯ2、ＯＨ、Ｏ−Ｃ1〜30アルキル、Ｏ−Ｃ6〜14アリール、Ｏ−５〜１４員のヘテロアリール、ＳＨ、Ｓ−Ｃ1〜30アルキル、Ｓ−Ｃ6〜14アリール、Ｓ−５〜１４員のヘテロアリール、Ｃ（Ｏ）Ｈ、ＣＯ−Ｃ1〜30アルキル、ＣＯ−Ｃ6〜14アリール、ＣＯ−５〜１４員のヘテロアリール、ＣＯＯＨ、ＮＨ（Ｃ1〜30アルキル）、Ｎ（Ｃ1〜30アルキル）2、ＣＯＮＨ2、ＣＯＮＨ（Ｃ1〜30アルキル）、ＣＯＮ（Ｃ1〜30アルキル）2、ＳＯ2ＯＨ、ＳＯ2ＮＨ2、ＳＯ2−Ｃ1〜30アルキル、及びＳＯ2−Ｃ6〜14アリールから成る群から選択され、
ここで、
Ｃ1〜30アルキルは、Ｃ6〜10アリール、５〜１０員のヘテロアリール、ＯＲa、ＯＣ（Ｏ）−Ｒa、Ｃ（Ｏ）−ＯＲa、Ｃ（Ｏ）−Ｒa、ＮＲaＲb、ＮＲa［Ｃ（Ｏ）Ｒb］、Ｎ［Ｃ（Ｏ）Ｒa］［Ｃ（Ｏ）Ｒb］、ハロゲン、ＣＮ、及びＮＯ2から成る群から独立して選択される１〜９個の置換基で置換されていてよく、１個以上のＣＨ2基（ただしＣ1〜30アルキルの隣接ＣＨ2基、及び式（１）の化合物の核に直接結合したＣＨ2基は除く）は、Ｏ又はＳによって置き換えられていてよく、
Ｃ6〜14アリールは、Ｃ1〜20アルキル、５〜１０員のヘテロアリール、ＯＲa、ＯＣ（Ｏ）−Ｒa、Ｃ（Ｏ）−ＯＲa、Ｃ（Ｏ）−Ｒa、ＮＲaＲb、ＮＲa［Ｃ（Ｏ）Ｒb］、Ｎ［Ｃ（Ｏ）Ｒa］［Ｃ（Ｏ）Ｒb］、ハロゲン、ＣＮ、及びＮＯ2から成る群から独立して選択される１〜５個の置換基によって置換されていてよく、
５〜１４員のヘテロアリールは、Ｃ1〜20アルキル、Ｃ6〜10アリール、ＯＲa、ＯＣ（Ｏ）−Ｒa、Ｃ（Ｏ）−ＯＲa、Ｃ（Ｏ）−Ｒa、ＮＲaＲb、ＮＲa［Ｃ（Ｏ）Ｒb］、Ｎ［Ｃ（Ｏ）Ｒa］［Ｃ（Ｏ）Ｒb］、ハロゲン、ＣＮ、及びＮＯ2から成る群から独立して選択される１〜５個の置換基によって置換されていてよく、
ここで、
Ｒa、及びＲbは独立して、Ｈ、及びＣ1〜20アルキルから成る群から選択され、
Ｃ1〜20アルキルは、フェニル、ＯＲc、ＯＣ（Ｏ）−Ｒc、Ｃ（Ｏ）−ＯＲc、Ｃ（Ｏ）−Ｒc、ＮＲcＲd、ＮＲc［Ｃ（Ｏ）Ｒd］、Ｎ［Ｃ（Ｏ）Ｒc］［Ｃ（Ｏ）Ｒd］、ハロゲン、ＣＮ、及びＮＯ2から成る群から選択される１〜５個の置換基によって置換されていてよく、
Ｃ6〜10アリール、及び５〜１０員のヘテロアリールは、Ｃ1〜10アルキル、ＯＲc、ＯＣ（Ｏ）−Ｒc、Ｃ（Ｏ）−ＯＲc、Ｃ（Ｏ）−Ｒc、ＮＲcＲd、ＮＲc［Ｃ（Ｏ）Ｒd］、Ｎ［Ｃ（Ｏ）Ｒc］［Ｃ（Ｏ）Ｒd］、ハロゲン、ＣＮ、及びＮＯ2から成る群から独立して選択される１〜５個の置換基によって置換されていてよく、
ここで、
Ｒc、及びＲdは独立して、Ｈ、及びＣ1〜10アルキルから成る群から選択され、
ここで、
Ｃ1〜10アルキルは、ハロゲン、ＣＮ、及びＮＯ2から成る群から選択される１〜５個の置換基によって置換されていてよい。
【００２４】
より好ましいのは下記式の化合物：
【化１０】
0006282355.tif 000012
であり、
前記式中、
Ｒ1、及びＲ2は相互に独立して、Ｃ6〜14アリール、及び５〜１４員のヘテロアリールから成る群から選択され、
Ｒ2、Ｒ3、Ｒ4、Ｒ5、Ｒ6、Ｒ7、Ｒ8、Ｒ9、及びＲ10は相互に独立して、Ｈ、及びＣ1〜30アルキルから成る群から選択され、
ここで、
Ｃ1〜30アルキルは、Ｃ6〜10アリール、５〜１０員のヘテロアリール、ＯＲa、ＯＣ（Ｏ）−Ｒa、Ｃ（Ｏ）−ＯＲa、Ｃ（Ｏ）−Ｒa、ＮＲaＲb、ＮＲa［Ｃ（Ｏ）Ｒb］、Ｎ［Ｃ（Ｏ）Ｒa］［Ｃ（Ｏ）Ｒb］、ハロゲン、ＣＮ、及びＮＯ2から成る群から独立して選択される１〜９個の置換基で置換されていてよく、１個以上のＣＨ2基（ただしＣ1〜30アルキルの隣接ＣＨ2基、及び式（１）の化合物の核に直接結合したＣＨ2基は除く）は、Ｏ又はＳによって置き換えられていてよく、
Ｃ6〜14アリールは、Ｃ1〜20アルキル、５〜１０員のヘテロアリール、ＯＲa、ＯＣ（Ｏ）−Ｒa、Ｃ（Ｏ）−ＯＲa、Ｃ（Ｏ）−Ｒa、ＮＲaＲb、ＮＲa［Ｃ（Ｏ）Ｒb］、Ｎ［Ｃ（Ｏ）Ｒa］［Ｃ（Ｏ）Ｒb］、ハロゲン、ＣＮ、及びＮＯ2から成る群から独立して選択される１〜５個の置換基によって置換されていてよく、
５〜１４員のヘテロアリールは、Ｃ1〜20アルキル、Ｃ6〜10アリール、ＯＲa、ＯＣ（Ｏ）−Ｒa、Ｃ（Ｏ）−ＯＲa、Ｃ（Ｏ）−Ｒa、ＮＲaＲb、ＮＲa［Ｃ（Ｏ）Ｒb］、Ｎ［Ｃ（Ｏ）Ｒa］［Ｃ（Ｏ）Ｒb］、ハロゲン、ＣＮ、及びＮＯ2から成る群から独立して選択される１〜５個の置換基によって置換されていてよく、
ここで、
Ｒa、及びＲbは独立して、Ｈ、及びＣ1〜20アルキルから成る群から選択され、
Ｃ1〜20アルキルは、フェニル、ＯＲc、ＯＣ（Ｏ）−Ｒc、Ｃ（Ｏ）−ＯＲc、Ｃ（Ｏ）−Ｒc、ＮＲcＲd、ＮＲc［Ｃ（Ｏ）Ｒd］、Ｎ［Ｃ（Ｏ）Ｒc］［Ｃ（Ｏ）Ｒd］、ハロゲン、ＣＮ、及びＮＯ2から成る群から選択される１〜５個の置換基によって置換されていてよく、
Ｃ6〜10アリール、及び５〜１０員のヘテロアリールは、Ｃ1〜10アルキル、ＯＲc、ＯＣ（Ｏ）−Ｒc、Ｃ（Ｏ）−ＯＲc、Ｃ（Ｏ）−Ｒc、ＮＲcＲd、ＮＲc［Ｃ（Ｏ）Ｒd］、Ｎ［Ｃ（Ｏ）Ｒc］［Ｃ（Ｏ）Ｒd］、ハロゲン、ＣＮ、及びＮＯ2から成る群から独立して選択される１〜５個の置換基によって置換されていてよく、
ここで、
Ｒc、及びＲdは独立して、Ｈ、及びＣ1〜10アルキルから成る群から選択され、
ここで、
Ｃ1〜10アルキルは、ハロゲン、ＣＮ、及びＮＯ2から成る群から選択される１〜５個の置換基によって置換されていてよい。
【００２５】
さらにより好ましいのは、下記式の化合物：
【化１１】
0006282355.tif 000013
であり、
前記式中、
Ｒ1、及びＲ2は相互に独立して、Ｃ6〜14アリール、及び５〜１４員のヘテロアリールから成る群から選択され、
Ｒ2、Ｒ3、Ｒ4、Ｒ5、Ｒ6、Ｒ7、Ｒ8、Ｒ9、及びＲ10は相互に独立して、Ｈ、及びＣ1〜30アルキルから成る群から選択され、
ここで、
Ｃ1〜30アルキルは、ハロゲン、好ましくはＦから独立して選択される１〜９個の置換基によって置換されていてよく、
Ｃ6〜14アリールは、Ｃ1〜20アルキルから独立して選択される１〜５個の置換基によって置換されていてよい。
【００２６】
最も好ましいのは、下記式の化合物：
【化１２】
0006282355.tif 000014
であって、
前記式中、
Ｒ1、及びＲ2は相互に独立して、フェニル、
【化１３】
0006282355.tif 000015
から成る群から選択され、これらは、Ｃ1〜20アルキルから独立して選択される１個又は２個の置換基によって置換されていてよく、
Ｒ2、Ｒ3、Ｒ4、Ｒ5、Ｒ6、Ｒ7、Ｒ8、Ｒ9、及びＲ10は相互に独立して、Ｈ、及びＣＦ3から成る群から選択される。
【００２７】
特に好ましいのは、以下の化合物である：
【化１４−１】
0006282355.tif 000016
【化１４−２】
0006282355.tif 000017
【化１４−３】
0006282355.tif 000018
【００２８】
式１の化合物：
【化１５】
0006282355.tif 000019
を製造するための方法も、本発明の一部であり、
前記式中、
Ｒ1、及びＲ2は相互に独立して、Ｈ、Ｃ1〜30アルキル、Ｃ2〜30アルケニル、Ｃ2〜30アルキニル、Ｃ5〜8シクロアルキル、Ｃ5〜8シクロアルケニル、５〜１４員のヘテロシクロアルキル、５〜１４員のヘテロシクロアルケニル、Ｃ6〜14アリール、及び５〜１４員のヘテロアリールから成る群から選択され、
Ｒ2、Ｒ3、Ｒ4、Ｒ5、Ｒ6、Ｒ7、Ｒ8、Ｒ9、及びＲ10は相互に独立して、Ｈ、Ｃ1〜30アルキル、Ｃ2〜30アルケニル、Ｃ2〜30アルキニル、Ｃ5〜8シクロアルキル、Ｃ5〜8シクロアルケニル、５〜１４員のヘテロシクロアルキル、５〜１４員のヘテロシクロアルケニル、Ｃ6〜14アリール、５〜１４員のヘテロアリール、ハロゲン、ＣＮ、−ＳＣＮ、ＮＯ2、ＯＨ、Ｏ−Ｃ1〜30アルキル、Ｏ−Ｃ2〜30アルケニル、Ｏ−Ｃ2〜30アルキニル、Ｏ−Ｃ5〜8シクロアルキル、Ｏ−Ｃ5〜8シクロアルケニル、Ｏ−５〜１４員のヘテロシクロアルキル、Ｏ−５〜１４員のヘテロシクロアルケニル、Ｏ−Ｃ6〜14アリール、Ｏ−５〜１４員のヘテロアリール、ＳＨ、Ｓ−Ｃ1〜30アルキル、Ｓ−Ｃ2〜30アルケニル、Ｓ−Ｃ2〜30アルキニル、Ｓ−Ｃ5〜8シクロアルキル、Ｓ−Ｃ5〜8シクロアルケニル、Ｓ−５〜１４員のヘテロシクロアルキル、Ｓ−５〜１４員のヘテロシクロアルケニル、Ｓ−Ｃ6〜14アリール、Ｓ−５〜１４員のヘテロアリール、Ｃ（Ｏ）Ｈ、ＣＯ−Ｃ1〜30アルキル、ＣＯ−Ｃ2〜30アルケニル、ＣＯ−Ｃ2〜30アルキニル、ＣＯ−Ｃ5〜8シクロアルキル、ＣＯ−Ｃ5〜8シクロアルケニル、ＣＯ−５〜１４員のヘテロシクロアルキル、ＣＯ−５〜１４員のヘテロシクロアルケニル、ＣＯ−Ｃ6〜14アリール、ＣＯ−５〜１４員のヘテロアリール、ＣＯＯＨ、ＮＨ（Ｃ1〜30アルキル）、Ｎ（Ｃ1〜30アルキル）2、ＣＯＮＨ2、ＣＯＮＨ（Ｃ1〜30アルキル）、ＣＯＮ（Ｃ1〜30アルキル）2、ＳＯ2ＯＨ、ＳＯ2ＮＨ2、ＳＯ2−Ｃ1〜30アルキル、及びＳＯ2−Ｃ6〜14アリールであり、
ここで、
Ｃ1〜30アルキル、Ｃ2〜30アルケニル、及びＣ2〜30アルキニルは、Ｃ5〜6シクロアルキル、Ｃ5〜6シクロアルケニル、５〜１０員のヘテロシクロアルキル、５〜１０員のヘテロシクロアルケニル、Ｃ6〜10アリール、５〜１０員のヘテロアリール、ＯＲa、ＯＣ（Ｏ）−Ｒa、Ｃ（Ｏ）−ＯＲa、Ｃ（Ｏ）−Ｒa、ＮＲaＲb、ＮＲa［Ｃ（Ｏ）Ｒb］、Ｎ［Ｃ（Ｏ）Ｒa］［Ｃ（Ｏ）Ｒb］、ハロゲン、ＣＮ、及びＮＯ2から成る群から独立して選択される１〜９個の置換基で置換されていてよく、１個以上のＣＨ2基（ただしＣ1〜30アルキル、Ｃ2〜30アルケニル、及びＣ2〜30アルキニルの隣接ＣＨ2基、及び式（１）の化合物の核に直接結合したＣＨ2基は除く）は、Ｏ又はＳによって置き換えられていてよく、
Ｃ5〜8シクロアルキル、Ｃ5〜8シクロアルケニル、５〜１４員のヘテロシクロアルキル、及び５〜１４員のヘテロシクロアルケニルは、Ｃ1〜20アルキル、Ｃ2〜20アルケニル、Ｃ2〜20アルキニル、Ｃ6〜10アリール、５〜１０員のヘテロアリール、ＯＲa、ＯＣ（Ｏ）−Ｒa、Ｃ（Ｏ）−ＯＲa、Ｃ（Ｏ）−Ｒa、ＮＲaＲb、ＮＲa［Ｃ（Ｏ）Ｒb］、Ｎ［Ｃ（Ｏ）Ｒa］［Ｃ（Ｏ）Ｒb］、ハロゲン、ＣＮ、及びＮＯ2から成る群から独立して選択される１〜５個の置換基によって置換されていてよく、
Ｃ6〜14アリールは、Ｃ1〜20アルキル、Ｃ2〜20アルケニル、Ｃ2〜20アルキニル、Ｃ5〜6シクロアルキル、Ｃ5〜6シクロアルケニル、５〜１０員のヘテロシクロアルキル、５〜１０員のヘテロシクロアルケニル、及び５〜１０員のヘテロアリール、ＯＲa、ＯＣ（Ｏ）−Ｒa、Ｃ（Ｏ）−ＯＲa、Ｃ（Ｏ）−Ｒa、ＮＲaＲb、ＮＲa［Ｃ（Ｏ）Ｒb］、Ｎ［Ｃ（Ｏ）Ｒa］［Ｃ（Ｏ）Ｒb］、ハロゲン、ＣＮ、及びＮＯ2から成る群から独立して選択される１〜５個の置換基によって置換されていてよく、
５〜１４員のヘテロアリールは、Ｃ1〜20アルキル、Ｃ2〜20アルケニル、Ｃ2〜20アルキニル、Ｃ5〜6シクロアルキル、Ｃ5〜6シクロアルケニル、５〜１０員のヘテロシクロアルキル、５〜１０員のヘテロシクロアルケニル、及びＣ6〜10アリール、ＯＲa、ＯＣ（Ｏ）−Ｒa、Ｃ（Ｏ）−ＯＲa、Ｃ（Ｏ）−Ｒa、ＮＲaＲb、ＮＲa［Ｃ（Ｏ）Ｒb］、Ｎ［Ｃ（Ｏ）Ｒa］［Ｃ（Ｏ）Ｒb］、ハロゲン、ＣＮ、及びＮＯ2から成る群から独立して選択される１〜５個の置換基によって置換されていてよく、
ここで、
Ｒa、及びＲbは独立して、Ｈ、Ｃ1〜20アルキル、Ｃ2〜20アルケニル、及びＣ2〜20アルキニルから成る群から選択され、
Ｃ1〜20アルキル、Ｃ2〜20アルケニル、及びＣ2〜20アルキニルは、フェニル、ＯＲc、ＯＣ（Ｏ）−Ｒc、Ｃ（Ｏ）−ＯＲc、Ｃ（Ｏ）−Ｒc、ＮＲcＲd、ＮＲc［Ｃ（Ｏ）Ｒd］、Ｎ［Ｃ（Ｏ）Ｒc］［Ｃ（Ｏ）Ｒd］、ハロゲン、ＣＮ、及びＮＯ2から成る群から選択される１〜５個の置換基によって置換されていてよく、
Ｃ5〜6シクロアルキル、Ｃ5〜6シクロアルケニル、５〜１０員のヘテロシクロアルキル、５〜１０員のヘテロシクロアルケニル、Ｃ6〜10アリール、及び５〜１０員のヘテロアリールは、Ｃ1〜10アルキル、Ｃ2〜10アルケニル、Ｃ2〜10アルキニル、ＯＲc、ＯＣ（Ｏ）−Ｒc、Ｃ（Ｏ）−ＯＲc、Ｃ（Ｏ）−Ｒc、ＮＲcＲd、ＮＲc［Ｃ（Ｏ）Ｒd］、Ｎ［Ｃ（Ｏ）Ｒc］［Ｃ（Ｏ）Ｒd］、ハロゲン、ＣＮ、及びＮＯ2から成る群から独立して選択される１〜５個の置換基によって置換されていてよく、
ここで、
Ｒc、及びＲdは独立して、Ｈ、Ｃ1〜10アルキル、Ｃ2〜10アルケニル、及びＣ2〜10アルキニルから成る群から選択され、
ここで、
Ｃ1〜10アルキル、Ｃ2〜10アルケニル、及びＣ2〜10アルキニルは、ハロゲン、ＣＮ、及びＮＯ2から成る群から選択される１〜５個の置換基によって置換されていてよく、
この方法は、以下の工程ｉ）及びｉｉ）を有するものである：
ｉ）式２の化合物：
【化１６】
0006282355.tif 000020
［式中、Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3、Ｒ4、Ｒ5、Ｒ6、Ｒ7、Ｒ8、Ｒ9、及びＲ10は、式１の化合物で定義した通りである］
を還元して、
式２’の化合物：
【化１７】
0006282355.tif 000021
［式中、Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3、Ｒ4、Ｒ5、Ｒ6、Ｒ7、Ｒ8、Ｒ9、及びＲ10は、式１の化合物で定義した通りである］
にする工程、及び
ｉｉ）式２’の化合物を適切な触媒で処理して、式１の化合物を得る工程。
【００２９】
第一の工程は好ましくは、式２の化合物を適切な触媒（例えばＳｎＣｌ2）により、適切な溶媒（例えば酢酸エチル）の存在下で処理する工程を有する。好ましくは、第一の工程は高温、例えば５０〜１５０℃の温度、好ましくは６０〜１００℃の温度で実施する。
【００３０】
第二の工程の適切な触媒は好ましくは、四塩化チタンである。第二工程は好ましくは、触媒としての四塩化チタン、及び適切な塩基（例えばＤＡＢＣＯ）によって化合物２’を、適切な溶媒（例えばメシチレン）中で処理する工程を含む。第二の工程は好ましくは、高温、例えば８０〜１８０℃の温度、好ましくは１００〜１５０℃の温度で実施する。
【００３１】
式２の化合物：
【化１８】
0006282355.tif 000022
前記式中、
Ｒ1、及びＲ2は相互に独立して、Ｈ、Ｃ1〜30アルキル、Ｃ2〜30アルケニル、Ｃ2〜30アルキニル、Ｃ5〜8シクロアルキル、Ｃ5〜8シクロアルケニル、５〜１４員のヘテロシクロアルキル、５〜１４員のヘテロシクロアルケニル、Ｃ6〜14アリール、及び５〜１４員のヘテロアリールから成る群から選択され、
Ｒ2、Ｒ3、Ｒ4、Ｒ5、Ｒ6、Ｒ7、Ｒ8、Ｒ9、及びＲ10は相互に独立して、Ｈ、Ｃ1〜30アルキル、Ｃ2〜30アルケニル、Ｃ2〜30アルキニル、Ｃ5〜8シクロアルキル、Ｃ5〜8シクロアルケニル、５〜１４員のヘテロシクロアルキル、５〜１４員のヘテロシクロアルケニル、Ｃ6〜14アリール、５〜１４員のヘテロアリール、ハロゲン、ＣＮ、−ＳＣＮ、ＮＯ2、ＯＨ、Ｏ−Ｃ1〜30アルキル、Ｏ−Ｃ2〜30アルケニル、Ｏ−Ｃ2〜30アルキニル、Ｏ−Ｃ5〜8シクロアルキル、Ｏ−Ｃ5〜8シクロアルケニル、Ｏ−５〜１４員のヘテロシクロアルキル、Ｏ−５〜１４員のヘテロシクロアルケニル、Ｏ−Ｃ6〜14アリール、Ｏ−５〜１４員のヘテロアリール、ＳＨ、Ｓ−Ｃ1〜30アルキル、Ｓ−Ｃ2〜30アルケニル、Ｓ−Ｃ2〜30アルキニル、Ｓ−Ｃ5〜8シクロアルキル、Ｓ−Ｃ5〜8シクロアルケニル、Ｓ−５〜１４員のヘテロシクロアルキル、Ｓ−５〜１４員のヘテロシクロアルケニル、Ｓ−Ｃ6〜14アリール、Ｓ−５〜１４員のヘテロアリール、Ｃ（Ｏ）Ｈ、ＣＯ−Ｃ1〜30アルキル、ＣＯ−Ｃ2〜30アルケニル、ＣＯ−Ｃ2〜30アルキニル、ＣＯ−Ｃ5〜8シクロアルキル、ＣＯ−Ｃ5〜8シクロアルケニル、ＣＯ−５〜１４員のヘテロシクロアルキル、ＣＯ−５〜１４員のヘテロシクロアルケニル、ＣＯ−Ｃ6〜14アリール、ＣＯ−５〜１４員のヘテロアリール、ＣＯＯＨ、ＮＨ（Ｃ1〜30アルキル）、Ｎ（Ｃ1〜30アルキル）2、ＣＯＮＨ2、ＣＯＮＨ（Ｃ1〜30アルキル）、ＣＯＮ（Ｃ1〜30アルキル）2、ＳＯ2ＯＨ、ＳＯ2ＮＨ2、ＳＯ2−Ｃ1〜30アルキル、及びＳＯ2−Ｃ6〜14アリールであり、
ここで、
Ｃ1〜30アルキル、Ｃ2〜30アルケニル、及びＣ2〜30アルキニルは、Ｃ5〜6シクロアルキル、Ｃ5〜6シクロアルケニル、５〜１０員のヘテロシクロアルキル、５〜１０員のヘテロシクロアルケニル、Ｃ6〜10アリール、５〜１０員のヘテロアリール、ＯＲa、ＯＣ（Ｏ）−Ｒa、Ｃ（Ｏ）−ＯＲa、Ｃ（Ｏ）−Ｒa、ＮＲaＲb、ＮＲa［Ｃ（Ｏ）Ｒb］、Ｎ［Ｃ（Ｏ）Ｒa］［Ｃ（Ｏ）Ｒb］、ハロゲン、ＣＮ、及びＮＯ2から成る群から独立して選択される１〜９個の置換基で置換されていてよく、１個以上のＣＨ2基（ただしＣ1〜30アルキル、Ｃ2〜30アルケニル、及びＣ2〜30アルキニルの隣接ＣＨ2基、及び式（１）の化合物の核に直接結合したＣＨ2基は除く）は、Ｏ又はＳによって置き換えられていてよく、
Ｃ5〜8シクロアルキル、Ｃ5〜8シクロアルケニル、５〜１４員のヘテロシクロアルキル、及び５〜１４員のヘテロシクロアルケニルは、Ｃ1〜20アルキル、Ｃ2〜20アルケニル、Ｃ2〜20アルキニル、Ｃ6〜10アリール、５〜１０員のヘテロアリール、ＯＲa、ＯＣ（Ｏ）−Ｒa、Ｃ（Ｏ）−ＯＲa、Ｃ（Ｏ）−Ｒa、ＮＲaＲb、ＮＲa［Ｃ（Ｏ）Ｒb］、Ｎ［Ｃ（Ｏ）Ｒa］［Ｃ（Ｏ）Ｒb］、ハロゲン、ＣＮ、及びＮＯ2から成る群から独立して選択される１〜５個の置換基によって置換されていてよく、
Ｃ6〜14アリールは、Ｃ1〜20アルキル、Ｃ2〜20アルケニル、Ｃ2〜20アルキニル、Ｃ5〜6シクロアルキル、Ｃ5〜6シクロアルケニル、５〜１０員のヘテロシクロアルキル、５〜１０員のヘテロシクロアルケニル、及び５〜１０員のヘテロアリール、ＯＲa、ＯＣ（Ｏ）−Ｒa、Ｃ（Ｏ）−ＯＲa、Ｃ（Ｏ）−Ｒa、ＮＲaＲb、ＮＲa［Ｃ（Ｏ）Ｒb］、Ｎ［Ｃ（Ｏ）Ｒa］［Ｃ（Ｏ）Ｒb］、ハロゲン、ＣＮ、及びＮＯ2から成る群から独立して選択される１〜５個の置換基によって置換されていてよく、
５〜１４員のヘテロアリールは、Ｃ1〜20アルキル、Ｃ2〜20アルケニル、Ｃ2〜20アルキニル、Ｃ5〜6シクロアルキル、Ｃ5〜6シクロアルケニル、５〜１０員のヘテロシクロアルキル、５〜１０員のヘテロシクロアルケニル、Ｃ6〜10アリール、ＯＲa、ＯＣ（Ｏ）−Ｒa、Ｃ（Ｏ）−ＯＲa、Ｃ（Ｏ）−Ｒa、ＮＲaＲb、ＮＲa［Ｃ（Ｏ）Ｒb］、Ｎ［Ｃ（Ｏ）Ｒa］［Ｃ（Ｏ）Ｒb］、ハロゲン、ＣＮ、及びＮＯ2から成る群から独立して選択される１〜５個の置換基によって置換されていてよく、
ここで、
Ｒa、及びＲbは独立して、Ｈ、Ｃ1〜20アルキル、Ｃ2〜20アルケニル、及びＣ2〜20アルキニルから成る群から選択され、
Ｃ1〜20アルキル、Ｃ2〜20アルケニル、及びＣ2〜20アルキニルは、フェニル、ＯＲc、ＯＣ（Ｏ）−Ｒc、Ｃ（Ｏ）−ＯＲc、Ｃ（Ｏ）−Ｒc、ＮＲcＲd、ＮＲc［Ｃ（Ｏ）Ｒd］、Ｎ［Ｃ（Ｏ）Ｒc］［Ｃ（Ｏ）Ｒd］、ハロゲン、ＣＮ、及びＮＯ2から成る群から選択される１〜５個の置換基によって置換されていてよく、
Ｃ5〜6シクロアルキル、Ｃ5〜6シクロアルケニル、５〜１０員のヘテロシクロアルキル、５〜１０員のヘテロシクロアルケニル、Ｃ6〜10アリール、及び５〜１０員のヘテロアリールは、Ｃ1〜10アルキル、Ｃ2〜10アルケニル、Ｃ2〜10アルキニル、ＯＲc、ＯＣ（Ｏ）−Ｒc、Ｃ（Ｏ）−ＯＲc、Ｃ（Ｏ）−Ｒc、ＮＲcＲd、ＮＲc［Ｃ（Ｏ）Ｒd］、Ｎ［Ｃ（Ｏ）Ｒc］［Ｃ（Ｏ）Ｒd］、ハロゲン、ＣＮ、及びＮＯ2から成る群から独立して選択される１〜５個の置換基によって置換されていてよく、
ここで、
Ｒc、及びＲdは独立して、Ｈ、Ｃ1〜10アルキル、Ｃ2〜10アルケニル、及びＣ2〜10アルキニルから成る群から選択され、
ここで、
Ｃ1〜10アルキル、Ｃ2〜10アルケニル、及びＣ2〜10アルキニルは、ハロゲン、ＣＮ、及びＮＯ2から成る群から選択される１〜５個の置換基によって置換されていてよい、
は、式３の化合物：
【化１９】
0006282355.tif 000023
［式中、Ｒ1、及びＲ10は、式２の化合物で定義した通りである］
を、式４及び４’の化合物：
【化２０】
0006282355.tif 000024
［式中、Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3、Ｒ4、Ｒ5、Ｒ6、Ｒ7、Ｒ8、Ｒ9、及びＲ10は、式２の化合物で定義した通りである］
で処理することによって製造できる。
【００３２】
反応は好ましくは、塩基（例えばＫ2ＣＯ3）の存在下、及び適切な溶媒（例えばＤＭＦ）の存在下で行う。この反応は好ましくは、高温、例えば５０〜１５０℃の温度、好ましくは６０〜１００℃の温度で実施する。
【００３３】
式３の化合物は、Potrawa, T.; Langhals, H.著、Chem. Ber. 1987, 120, 1075〜1078、及びWoo, C.H.; Beaujuge, P.M.; Holcombe, T.W.; Lee, O.P.; Frechet, J.M.J.著、J. Am. Chem. Soc. 2010, 132, 15547〜15549に記載されているように製造することができる。
【００３４】
式２の中間化合物もまた、本発明の一部である：
【化２１】
0006282355.tif 000025
前記式中、
Ｒ1、及びＲ2は相互に独立して、Ｈ、Ｃ1〜30アルキル、Ｃ2〜30アルケニル、Ｃ2〜30アルキニル、Ｃ5〜8シクロアルキル、Ｃ5〜8シクロアルケニル、５〜１４員のヘテロシクロアルキル、５〜１４員のヘテロシクロアルケニル、Ｃ6〜14アリール、及び５〜１４員のヘテロアリールから成る群から選択され、
Ｒ2、Ｒ3、Ｒ4、Ｒ5、Ｒ6、Ｒ7、Ｒ8、Ｒ9、及びＲ10は相互に独立して、Ｈ、Ｃ1〜30アルキル、Ｃ2〜30アルケニル、Ｃ2〜30アルキニル、Ｃ5〜8シクロアルキル、Ｃ5〜8シクロアルケニル、５〜１４員のヘテロシクロアルキル、５〜１４員のヘテロシクロアルケニル、Ｃ6〜14アリール、５〜１４員のヘテロアリール、ハロゲン、ＣＮ、−ＳＣＮ、ＮＯ2、ＯＨ、Ｏ−Ｃ1〜30アルキル、Ｏ−Ｃ2〜30アルケニル、Ｏ−Ｃ2〜30アルキニル、Ｏ−Ｃ5〜8シクロアルキル、Ｏ−Ｃ5〜8シクロアルケニル、Ｏ−５〜１４員のヘテロシクロアルキル、Ｏ−５〜１４員のヘテロシクロアルケニル、Ｏ−Ｃ6〜14アリール、Ｏ−５〜１４員のヘテロアリール、ＳＨ、Ｓ−Ｃ1〜30アルキル、Ｓ−Ｃ2〜30アルケニル、Ｓ−Ｃ2〜30アルキニル、Ｓ−Ｃ5〜8シクロアルキル、Ｓ−Ｃ5〜8シクロアルケニル、Ｓ−５〜１４員のヘテロシクロアルキル、Ｓ−５〜１４員のヘテロシクロアルケニル、Ｓ−Ｃ6〜14アリール、Ｓ−５〜１４員のヘテロアリール、Ｃ（Ｏ）Ｈ、ＣＯ−Ｃ1〜30アルキル、ＣＯ−Ｃ2〜30アルケニル、ＣＯ−Ｃ2〜30アルキニル、ＣＯ−Ｃ5〜8シクロアルキル、ＣＯ−Ｃ5〜8シクロアルケニル、ＣＯ−５〜１４員のヘテロシクロアルキル、ＣＯ−５〜１４員のヘテロシクロアルケニル、ＣＯ−Ｃ6〜14アリール、ＣＯ−５〜１４員のヘテロアリール、ＣＯＯＨ、ＮＨ（Ｃ1〜30アルキル）、Ｎ（Ｃ1〜30アルキル）2、ＣＯＮＨ2、ＣＯＮＨ（Ｃ1〜30アルキル）、ＣＯＮ（Ｃ1〜30アルキル）2、ＳＯ2ＯＨ、ＳＯ2ＮＨ2、ＳＯ2−Ｃ1〜30アルキル、及びＳＯ2−Ｃ6〜14アリールであり、
ここで、
Ｃ1〜30アルキル、Ｃ2〜30アルケニル、及びＣ2〜30アルキニルは、Ｃ5〜6シクロアルキル、Ｃ5〜6シクロアルケニル、５〜１０員のヘテロシクロアルキル、５〜１０員のヘテロシクロアルケニル、Ｃ6〜10アリール、５〜１０員のヘテロアリール、ＯＲa、ＯＣ（Ｏ）−Ｒa、Ｃ（Ｏ）−ＯＲa、Ｃ（Ｏ）−Ｒa、ＮＲaＲb、ＮＲa［Ｃ（Ｏ）Ｒb］、Ｎ［Ｃ（Ｏ）Ｒa］［Ｃ（Ｏ）Ｒb］、ハロゲン、ＣＮ、及びＮＯ2から成る群から独立して選択される１〜９個の置換基で置換されていてよく、１個以上のＣＨ2基（ただしＣ1〜30アルキル、Ｃ2〜30アルケニル、及びＣ2〜30アルキニルの隣接ＣＨ2基、及び式（１）の化合物の核に直接結合したＣＨ2基は除く）は、Ｏ又はＳによって置き換えられていてよく、
Ｃ5〜8シクロアルキル、Ｃ5〜8シクロアルケニル、５〜１４員のヘテロシクロアルキル、及び５〜１４員のヘテロシクロアルケニルは、Ｃ1〜20アルキル、Ｃ2〜20アルケニル、Ｃ2〜20アルキニル、Ｃ6〜10アリール、５〜１０員のヘテロアリール、ＯＲa、ＯＣ（Ｏ）−Ｒa、Ｃ（Ｏ）−ＯＲa、Ｃ（Ｏ）−Ｒa、ＮＲaＲb、ＮＲa［Ｃ（Ｏ）Ｒb］、Ｎ［Ｃ（Ｏ）Ｒa］［Ｃ（Ｏ）Ｒb］、ハロゲン、ＣＮ、及びＮＯ2から成る群から独立して選択される１〜５個の置換基によって置換されていてよく、
Ｃ6〜14アリールは、Ｃ1〜20アルキル、Ｃ2〜20アルケニル、Ｃ2〜20アルキニル、Ｃ5〜6シクロアルキル、Ｃ5〜6シクロアルケニル、５〜１０員のヘテロシクロアルキル、５〜１０員のヘテロシクロアルケニル、及び５〜１０員のヘテロアリール、ＯＲa、ＯＣ（Ｏ）−Ｒa、Ｃ（Ｏ）−ＯＲa、Ｃ（Ｏ）−Ｒa、ＮＲaＲb、ＮＲa［Ｃ（Ｏ）Ｒb］、Ｎ［Ｃ（Ｏ）Ｒa］［Ｃ（Ｏ）Ｒb］、ハロゲン、ＣＮ、及びＮＯ2から成る群から独立して選択される１〜５個の置換基によって置換されていてよく、
５〜１４員のヘテロアリールは、Ｃ1〜20アルキル、Ｃ2〜20アルケニル、Ｃ2〜20アルキニル、Ｃ5〜6シクロアルキル、Ｃ5〜6シクロアルケニル、５〜１０員のヘテロシクロアルキル、５〜１０員のヘテロシクロアルケニル、Ｃ6〜10アリール、ＯＲa、ＯＣ（Ｏ）−Ｒa、Ｃ（Ｏ）−ＯＲa、Ｃ（Ｏ）−Ｒa、ＮＲaＲb、ＮＲa［Ｃ（Ｏ）Ｒb］、Ｎ［Ｃ（Ｏ）Ｒa］［Ｃ（Ｏ）Ｒb］、ハロゲン、ＣＮ、及びＮＯ2から成る群から独立して選択される１〜５個の置換基によって置換されていてよく、
ここで、
Ｒa、及びＲbは独立して、Ｈ、Ｃ1〜20アルキル、Ｃ2〜20アルケニル、及びＣ2〜20アルキニルから成る群から選択され、
Ｃ1〜20アルキル、Ｃ2〜20アルケニル、及びＣ2〜20アルキニルは、フェニル、ＯＲc、ＯＣ（Ｏ）−Ｒc、Ｃ（Ｏ）−ＯＲc、Ｃ（Ｏ）−Ｒc、ＮＲcＲd、ＮＲc［Ｃ（Ｏ）Ｒd］、Ｎ［Ｃ（Ｏ）Ｒc］［Ｃ（Ｏ）Ｒd］、ハロゲン、ＣＮ、及びＮＯ2から成る群から選択される１〜５個の置換基によって置換されていてよく、
Ｃ5〜6シクロアルキル、Ｃ5〜6シクロアルケニル、５〜１０員のヘテロシクロアルキル、５〜１０員のヘテロシクロアルケニル、Ｃ6〜10アリール、及び５〜１０員のヘテロアリールは、Ｃ1〜10アルキル、Ｃ2〜10アルケニル、Ｃ2〜10アルキニル、ＯＲc、ＯＣ（Ｏ）−Ｒc、Ｃ（Ｏ）−ＯＲc、Ｃ（Ｏ）−Ｒc、ＮＲcＲd、ＮＲc［Ｃ（Ｏ）Ｒd］、Ｎ［Ｃ（Ｏ）Ｒc］［Ｃ（Ｏ）Ｒd］、ハロゲン、ＣＮ、及びＮＯ2から成る群から独立して選択される１〜５個の置換基によって置換されていてよく、
ここで、
Ｒc、及びＲdは独立して、Ｈ、Ｃ1〜10アルキル、Ｃ2〜10アルケニル、及びＣ2〜10アルキニルから成る群から選択され、
ここで、
Ｃ1〜10アルキル、Ｃ2〜10アルケニル、及びＣ2〜10アルキニルは、ハロゲン、ＣＮ、及びＮＯ2から成る群から選択される１〜５個の置換基によって置換されていてよい。
【００３５】
式１の化合物を含有する電子デバイスもまた、本発明の一部である。電子デバイスは好ましくは、有機電界効果トランジスタ（ＯＦＥＴ）である。
【００３６】
有機電界効果トランジスタは通常、誘電層、半導体層、及び基板を有する。加えて、有機電界効果トランジスタは通常、ゲート電極、及びソース／ドレイン電極を有する。
【００３７】
半導体層は好ましくは、式１の化合物を含有する。半導体層は、厚さが５〜５００ｎｍ、好ましくは１０〜１００ｎｍ、より好ましくは２０〜５０ｎｍであり得る。
【００３８】
誘電層は、誘電材料を含有する。誘電材料は、二酸化ケイ素、又は酸化アルミニウムであってよく、或いは、有機ポリマ−、例えばポリスチレン（ＰＳ）、ポリ（メチルメタクリレート）（ＰＭＭＡ）、ポリ（４−ビニルフェノール）（ＰＶＰ）、ポリ（ビニルアルコール）（ＰＶＡ）、ベンゾシクロブテン（ＢＣＢ）、又はポリイミド（ＰＩ）であり得る。誘電層は、厚さが１０〜２０００ｎｍ、好ましくは５０〜１０００ｎｍ、より好ましくは１００〜８００ｎｍであり得る。
【００３９】
誘電層は、誘電材料に加えて、有機シラン誘導体、又は有機リン酸誘導体の自己組織化単分子層を有することができる。有機シラン誘導体の例は、オクチルトリクロロシランである。有機リン酸誘導体の例は、オクチルデシルリン酸である。誘電層中の自己組織化単分子層は通常、半導体層と接触している。
【００４０】
ソース／ドレイン電極は、あらゆる適切なソース／ドレイン材料（例えば金（Ａｕ）、又はタンタル（Ｔａ））から作製することができる。ソース／ドレイン電極は、厚さが１〜１００ｎｍ、好ましくは２０〜７０ｎｍであり得る。
【００４１】
ゲート電極は、あらゆる適切なゲート材料（例えば高ドープシリコン、アルミニウム（Ａｌ）、タングステン（Ｗ）、インジウムスズ酸化物、金（Ａｕ）、及び／又はタンタル（Ｔａ））から作製できる。ゲート電極は、厚さが１〜２００ｎｍ、好ましくは５〜１００ｎｍであり得る。
【００４２】
基板は、あらゆる適切な基板、例えばガラス、又は可撓性基板、例えばポリエーテルスルホン、ポリカーボネート、ポリスルホン、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、及びポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）であり得る。有機電界効果トランジスタの設計に応じて、ゲート電極、例えば高ドープケイ素もまた、基板として働くことがある。
【００４３】
有機電界効果トランジスタは、当業者に公知の方法で作製できる。
【００４４】
例えば、ボトムゲート型有機電界効果トランジスタは、以下のように作製できる：誘電性材料、例えばＡｌ2Ｏ3又は二酸化ケイ素を、ゲート電極（例えば高ドープシリコンウェハ：これは基板として働くこともある）上の層として、適切な堆積法、例えば原子層堆積、又は熱蒸着によって適用することができる。有機リン酸誘導体又は有機シラン誘導体の自己組織化単分子層は、誘電材料の層に適用できる。有機リン酸誘導体、又は有機シラン誘導体は例えば、溶液堆積技術を用いて、溶液から適用できる。半導体層は、式１の化合物を溶液堆積又は真空内で熱蒸着させることにより、有機リン酸誘導体又は有機シラン誘導体の自己組織化単分子層上に作製できる。ソース／ドレイン電極は、適切なソース／ドレイン材料（例えばタンタル（Ｔａ）及び／又は金（Ａｕ））を、シャドーマスクにより半導体層に堆積させることによって、作製できる。チャネルの幅（Ｗ）は通常、５０μｍであり、チャネルの長さ（Ｌ）は通常１０００μｍである。
【００４５】
半導体材料としての式１の化合物の使用もまた、本発明の一部である。
【００４６】
式１の化合物は、周辺温度、空気、及び光条件のもとで高い化学的安定性を示す。化学的安定性が高いとは、式１の化合物の化学的な変性（例えば酸化、分解、又は二量化）が、観察した時間にわたって全く、又はほとんど起こらないということである。加えて、式１の化合物は、最大数時間にわたり、最大７０℃の温度による加熱に対して安定的であり、例えば13Ｃ−ＮＭＲを測定するために必要な時間にわたって、ほとんど分解しない。
【００４７】
さらに、式１の化合物は、有機溶媒に可溶性であるため、湿式加工技術と両立できる。式１ｂの化合物は例えば、慣用の有機溶媒、例えばクロロホルム、トルエン、及びテトラヒドロフランにおいて、周辺温度で可溶性である。式１ｃ及び１ｄの化合物は、温かい有機溶媒によく溶ける。
【００４８】
さらに、式１の化合物は、電子デバイス、特に有機電界効果トランジスタ（ＯＦＥＴ）における半導体材料として、適している。
【００４９】
実施例
例１
化合物１ａの製造
【化２２】
0006282355.tif 000026
【００５０】
化合物３ａの製造
化合物３ａは、Potrawa, T.; Langhals, H.著、Chem. Ber. 1987, 120, 1075〜1078に記載されたように製造した。
【００５１】
化合物２ａの製造
ＤＰＰ３ａ（４００ｍｇ、１．３９ｍｍｏｌ）、２−フルオロ−５−トリフルオロメチルニトロベンゼン（０．７８ｍＬ、５．５６ｍｍｏｌ）、及びＫ2ＣＯ3（７７０ｍｇ、５．５６ｍｍｏｌ）をＤＭＦ（２００ｍＬ）に入れた混合物を、７０℃で２２時間撹拌し、この懸濁液は反応が完了した時に透明になった。その後、Ｋ2ＣＯ3を濾過により除去し、溶媒を減圧により除去して、粗製生成物を得た。メタノール（１０ｍＬ）を粗製生成物に加え、沈殿物を濾過し、無色になるまでメタノール（１０ｍＬ）で洗浄し、真空下で乾燥させて、化合物２ａを黄色い固体として得た（４９０ｍｇ、５３％）。
【数１】
0006282355.tif 000027
【００５２】
化合物１ａの製造
化合物２ａ（１２０ｍｇ、０．１８ｍｍｏｌ）、及びＳｎＣｌ2・２Ｈ2Ｏ（４１０ｍｇ、１．８ｍｍｏｌ）を酢酸エチル（２５ｍＬ）に入れた混合物を、７８℃で３時間、アルゴン下で加熱した。この溶液を室温に冷却した後、１０％の重炭酸ナトリウム水溶液を添加することによってｐＨをやや塩基性にし（ｐＨ７〜８）、それから酢酸エチルで抽出した。有機相を集め、硫酸マグネシウムで乾燥させ、溶媒を減圧下で除去して粗製生成物を得、これをメタノール（５ｍＬ）で洗浄し、真空下で乾燥させて所望の中間生成物のジアミンＤＰＰを得、これをさらに精製することなく、次の工程に使用した。１０分で１２０℃に加熱しながら、先の工程からの粗製ジアミンＤＰＰ（１１０ｍｇ）、及びＤＡＢＣＯ（９０ｍｇ、０．８０ｍｍｏｌ）をメシチレン（７０ｍＬ）に溶解させた。メシチレン（２ｍＬ）中の四塩化チタン（０．１４ｍＬ、１．３０ｍｍｏｌ）を反応混合物に滴加し、この溶液を１２０℃でさらに３０分間保った。この熱い反応を５０ｍＬの水に素早く滴加し、少量の酢酸エチルで抽出し、溶離液としてクロロホルムを用いて、有機相を中性の酸化アルミニウムカラムに通した。溶液を真空下で除去し、その残留物を２ｍＬのメタノールで洗浄して、純粋な化合物１ａを、赤い固体として得た（１５ｍｇ）。化合物２ａ〜１ａの２つの工程の合計収率は、１５％である。
【数２】
0006282355.tif 000028
【００５３】
例２
化合物１ｂの製造
【化２３】
0006282355.tif 000029
【００５４】
化合物３ｂの製造
化合物３ｂは、Potrawa, T.; Langhals, H.著、Chem. Ber. 1987, 120, 1075〜1078に記載されたように製造した。
【００５５】
化合物２ｂの製造
ＤＰＰ３ｂ（２００ｍｇ、０．５ｍｍｏｌ）、２−フルオロ−５−トリフルオロメチルニトロベンゼン（０．２８ｍＬ、２ｍｍｏｌ）、及びＫ2ＣＯ3（２７６ｍｇ、２ｍｍｏｌ）をＤＭＦ（１００ｍＬ）に入れた混合物を、７０℃で２４時間撹拌した。反応溶液を室温に冷却した後、Ｋ2ＣＯ3を濾過により除去し、溶媒を減圧下で除去して、粗製生成物を得た。メタノールを粗製生成物に加え、沈殿物を濾過し、無色になるまでメタノールで洗浄し、真空下で乾燥させて、化合物２ｂを赤い固体として得た（１９５ｍｇ、５０％）。
【数３】
0006282355.tif 000030
【００５６】
化合物１ｂの製造
化合物２ｂ（１１０ｍｇ、０．１４ｍｍｏｌ）、及びＳｎＣｌ2・２Ｈ2Ｏ（３２０ｍｇ、２．６ｍｍｏｌ）を酢酸エチル（２５ｍＬ）に入れた混合物を、７８℃で３時間、アルゴン下で加熱した。この溶液を室温に冷却した後、１０％の重炭酸ナトリウム水溶液を添加することによってｐＨをやや塩基性にし（ｐＨ７〜８）、それから酢酸エチルで抽出した。有機相を分離し、硫酸マグネシウムで乾燥させ、溶媒を減圧下で蒸発させて粗製生成物を得、これをメタノールで洗浄し、真空下で乾燥させて所望の生成物のジアミンＤＰＰを得、これをさらに精製することなく、次の工程で使用した。１０分で１２０℃に加熱しながら、先の工程からの粗製ジアミンＤＰＰ（１００ｍｇ）、及びＤＡＢＣＯ（１１０ｍｇ、１．０ｍｍｏｌ）をメシチレン（１００ｍＬ）に溶解させた。メシチレン（２ｍＬ）中の四塩化チタン（０．１８ｍＬ、１．６５ｍｍｏｌ）を反応混合物に滴加し、この溶液を１２０℃で約５０分間保った。反応が終わった後、熱い溶液を直ちに５０ｍＬの水に滴加し、少量の酢酸エチルで抽出した。溶離液としてクロロホルムを用いて、有機相を中性の酸化アルミニウムカラムに通し、溶媒を減圧下で除去した。その残留物をメタノール（２ｍＬ）で洗浄して、化合物１ｂを赤い固体として得た（１３ｍｇ）。２ｂ〜１ｂの２つの工程の合計収率は、１４％である。
【数４】
0006282355.tif 000031
【００５７】
例３
化合物１ｃの製造
【化２４】
0006282355.tif 000032
【００５８】
化合物３ｃの製造
化合物３ｃは、Woo, C.H.; Beaujuge, P.M.; Holcombe, T.W.; Lee, O.P.; Frechet, J.M.J.著、J. Am. Chem. Soc. 2010, 132, 15547〜15549に記載されているように製造した。
【００５９】
化合物２ｃの製造
ＤＰＰ３ｃ（４００ｍｇ、１．３３ｍｍｏｌ）、２−フルオロ−５−トリフルオロメチルニトロベンゼン（０．７５ｍＬ、５．３２ｍｍｏｌ）、及びＫ2ＣＯ3（７３６ｍｇ、５．３２ｍｍｏｌ）をＤＭＦ（５０ｍＬ）に入れた混合物を、７０℃で２４時間撹拌した。反応を室温に冷却した後、Ｋ2ＣＯ3を濾過により除去し、５ｍＬのクロロホルムで２回抽出し、集めた溶媒を減圧下で除去した。メタノールを粗製生成物に加え、沈殿物を濾過し、そして無色になるまでメタノールで洗浄し、真空下で乾燥させて、化合物２ｃを赤い固体として得た（４８９ｍｇ、５４％）。
【数５】
0006282355.tif 000033
【００６０】
化合物１ｃの製造
化合物２ｃ（１３０ｍｇ、０．２０ｍｍｏｌ）、及びＳｎＣｌ2・２Ｈ2Ｏ（３４４ｍｇ、２．６ｍｍｏｌ）を酢酸エチル（３０ｍＬ）に入れた混合物を、７０℃で３時間、アルゴン下で加熱した。この溶液を室温に冷却した後、１０％の重炭酸ナトリウム水溶液を添加することによってｐＨをやや塩基性にし（ｐＨ７〜８）、それから酢酸エチルで抽出した。有機相を分離し、硫酸マグネシウムにより乾燥させた。溶液は減圧下で除去し、残留物を真空下で乾燥させて所望の生成物ジアミンＤＰＰを得、これをさらに精製することなく、次の工程のために使用した。
【００６１】
１０分で１２５℃に加熱しながら、先の工程からの粗製生成物（１２０ｍｇ）、及びＤＡＢＣＯ（１４０ｍｇ、１．２５ｍｍｏｌ）をメシチレン（１５０ｍＬ）に溶解させた。メシチレン（２ｍＬ）中の四塩化チタン（０．１８ｍＬ、１．６３ｍｍｏｌ）を反応混合物に滴加し、この溶液を１２５℃で約６０分間保った。この熱い反応溶液を５０ｍＬの水に素早く滴加し、少量の酢酸エチルで抽出し、溶離液としてクロロホルムを用いて、有機相を中性の酸化アルミニウムカラムに通した。溶液は減圧下で除去し、その残留物をメタノールで洗浄して、純粋な１ｃを、茶褐色の固体として得た（２２ｍｇ）。２ｃ〜１ｃの２つの工程の合計収率は、２０％である。
【数６】
0006282355.tif 000034
【００６２】
例４
化合物１ｄの製造
【化２５】
0006282355.tif 000035
【００６３】
化合物３ｄの製造
化合物３ｄは、Woo, C.H.; Beaujuge, P.M.; Holcombe, T.W.; Lee, O.P.; Frechet, J.M.J.著、J. Am. Chem. Soc. 2010, 132, 15547〜15549に記載されているように製造した。
【００６４】
化合物２ｄの製造
ＤＰＰ３ｄ（４００ｍｇ、１．５ｍｍｏｌ）、２−フルオロ−５−トリフルオロメチルニトロベンゼン（０．６４ｍＬ、６．０ｍｍｏｌ）、及びＫ2ＣＯ3（８２８ｍｇ、３．０ｍｍｏｌ）をＤＭＦ（１６０ｍＬ）に入れた混合物を、７０℃で５時間撹拌した。Ｋ2ＣＯ3を濾過により除去し、溶媒を減圧下で除去した。メタノールを粗製生成物に加え、この固体を濾過し、無色になるまでメタノールで洗浄し、真空下で乾燥させて、２ｄを赤い固体として得た（５５０ｍｇ、５７％）。
【数７】
0006282355.tif 000036
【００６５】
化合物１ｄの製造
この化合物は、化合物１ｃから２ｃの合成について適用したのと同じ手順を用いて、化合物２ｄから合成した。１ｄの収率１７％。
【数８】
0006282355.tif 000037
【００６６】
例５
化合物１ａの化学的安定性の試験
化合物１ａをクロロホルム中に溶解させ（ｃ＝９．０×１０-6Ｍ）、周辺空気、及び光条件下に、室温で貯蔵した。クロロホルム中に溶解させた（ｃ＝９．０×１０-6Ｍ）化合物１ａの可視・紫外吸収スペクトルを、慣用の石英セル（光路１０ｍｍ）中に室温で０日、１日、２日、３日、及び４日貯蔵した後、Perkin-Elmer Lambda 950 spectrometerで記録した。化学変性（例えば分解）は、４日後には観察されなかった。
【００６７】
例６
半導体材料として化合物１ｃを含有するトランジスタの製造
高ドープｐ型シリコン（１００）ウェハ（０．０１〜０．０２Ω・ｃｍ）を基板Ａとして使用した。熱により成長させた厚さ１００ｎｍのＳｉＯ2層（キャパシタンス３４ｎＦ／ｃｍ2）を有する、高ドープｐ型シリコン（１００）ウェハ（０．００５〜０．０２Ω・ｃｍ）を、基板Ｂとして使用した。
【００６８】
基板Ａ上に、厚さ３０ｎｍのアルミニウム層をタングステンワイヤから熱蒸着により、Leybold UNIVEX 300真空蒸発器内で、２×１０-6ｍｂａｒの圧力で、１ｎｍ／秒の蒸着速度で堆積させた。アルミニウム層の表面を、Oxford reactive ion etcher（ＲＩＥ、酸素流量：３０ｓｃｃｍ、圧力：１０ミリトル、プラズマ出力２００Ｗ、プラズマ持続時間３０秒）において酸素プラズマに短時間さらすことによって酸化させ、それから基板をリン酸の２−プロパノール溶液（Ｃ14Ｈ29ＰＯ（ＯＨ）2［ＴＤＰＡ］の１ミリモル溶液、又はＣ7Ｆ15Ｃ11Ｈ22ＰＯ（ＯＨ）2［ＦＯＤＰＡ］の１ミリモル溶液）に含浸させ、溶液中に１時間置き、こうしてリン酸分子の自己組織化単分子層（ＳＡＭ）が、酸化アルミニウム表面に形成される。基板を溶液から取り出し、純粋な２−プロパノールですすぎ、窒素流で乾燥させ、１０分間、温度１００℃のホットプレート上に置く。基板Ａ上で誘電性のＡｌＯx／ＳＡＭゲートの合計キャパシタンスは、Ｃ14Ｈ29ＰＯ（ＯＨ）2の場合、８１０ｎＦ／ｃｍ2であり、Ｃ7Ｆ15Ｃ11Ｈ22ＰＯ（ＯＨ）2の場合、７１０ｎＦ／ｃｍ2である。
【００６９】
基板Ｂ上に厚さ８ｎｍのＡｌ2Ｏ3層を、Cambridge NanoTech Savannah（温度２５０℃の基板で８０サイクル）で原子層堆積により堆積させる。酸化アルミニウム層の表面を、Oxford reactive ion etcher（ＲＩＥ、酸素流量：３０ｓｃｃｍ、圧力：１０ミリトル、プラズマ出力２００Ｗ、プラズマ持続時間３０秒）において酸素プラズマに短時間さらすことによって活性化させ、それから基板をリン酸の２−プロパノール溶液（Ｃ14Ｈ29ＰＯ（ＯＨ）2［ＴＤＰＡ］の１ミリモル溶液、又はＣ7Ｆ15Ｃ11Ｈ22ＰＯ（ＯＨ）2［ＦＯＤＰＡ］の１ミリモル溶液）に含浸させ、溶液中に１時間置き、こうしてリン酸分子の自己組織化単分子層（ＳＡＭ）が、酸化アルミニウム表面に形成される。基板を溶液から取り出し、純粋な２−プロパノールですすぎ、窒素流で乾燥させ、１０分間、温度１００℃のホットプレート上に置く。基板Ｂ上で誘電性のＳｉＯ2／ＡｌＯx／ＳＡＭゲートの合計キャパシタンスは、３２Ｆ／ｃｍ2である（リン酸の選択に関わりなく）。
【００７０】
ＴＤＰＡで処理した基板における水の接触角は１０８°であり、ＦＯＤＰＡで処理した基板では、１１８°である。
【００７１】
厚さ３０ｎｍの化合物１ｃの膜を、真空蒸着器Leybold UNIVEX 300で熱昇華によってモリブデンボートから、２×１０-6ｍｂａｒの圧力で、蒸着速度０．３ｎｍ／秒で堆積させる。
【００７２】
ソースコンタクト部及びドレインコンタクト部のために、３０ｎｍの金を、シャドーマスクを通じて、真空蒸着器Leybold UNIVEX 300でタングステンボートから、２×１０-6ｍｂａｒの圧力で、蒸着速度０．３ｎｍ／秒で蒸着させる。トランジスタは、チャネル長さ（Ｌ）が１０〜１００μｍの範囲であり、チャネル幅（Ｗ）が５０〜１０００μｍの範囲である。
【００７３】
シリコンウェハの裏側と接触可能にするため、ウェハ（トランジスタのゲート電極としても役立つ）の裏側にスクラッチをつけ、銀のインクで被覆する。
【００７４】
例７
例６によるトランジスタの電気特性の測定
例６のトランジスタの電気特性を、半導体パラメータ分析機のMicromanipulator 6200 probe stationで、Agilent 4156Cを用いて測定する。全ての測定は空気中、室温で行う。プローブニードルを金製接触部の上部に慎重に置くことによって、プローブニードルをトランジスタのソースコンタクト部及びドレインコンタクト部に接触させる。ゲート電極は、金属基板ホルダ（測定の間、この上にウェハを置く）を通じて接触させる。
【００７５】
増幅特性曲線を得るため、ドレインソース電圧（ＶDS）を３Ｖ（基板Ａの場合）、又は４０Ｖ（基板Ｂの場合）に保つ。ゲートソース電圧ＶGSを中速で、０．０３Ｖの段階（基板Ａ）では０から３Ｖ、又は０．４Ｖの段階（基板Ｂ）では０から４０Ｖで流し、またその逆で流す。電荷担体の移動度は、飽和領域において（ＩD）1/2対ＶGSの傾きから求められる。
【００７６】
出力特性を得るため、ドレインソース電圧（ＶDS）を中速で、０．０３Ｖの段階（基板Ａ）では０から３Ｖ、又は０．４Ｖの段階（基板Ｂ）では０から４０Ｖで流し、その一方でゲートソース電圧（ＶGS）を最大８つの異なる電圧に保つ（例えば基板Ａの場合には０、０．５、１、１．５、２、２．５、３Ｖ、又は基板Ｂの場合には０、１０、２０、３０、４０Ｖ）。
【００７７】
その結果が、表１に示してある。
【表１】
0006282355.tif 000038