(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁層と、前記絶縁層から露出するパッドとを備えた配線基板と、
絶縁基材と、前記絶縁基材に埋め込まれた電子部品と、柱状の接続端子とを備え、前記接続端子が前記配線基板のパッドに接続された電子部品モジュールと、
前記電子部品モジュールの下面全体と前記配線基板と間に形成された封止樹脂と
を有し、
前記封止樹脂のフィラーの含有率は、前記配線基板の絶縁層及び前記電子部品モジュールの絶縁基材の各フィラーの含有率よりも高いことを特徴とする電子部品装置。
【請求項２】
前記電子部品モジュールの絶縁基材のフィラーの含有率は、前記配線基板の絶縁層のフィラーの含有率よりも高いことを特徴とする請求項１に記載の電子部品装置。
【請求項３】
前記電子部品モジュールの絶縁基材は非感光性樹脂から形成され、前記配線基板の絶縁層は感光性樹脂から形成されることを特徴とする請求項１又は２に記載の電子部品装置。
【請求項４】
前記電子部品モジュールの絶縁基材は、第１絶縁層と、前記第１絶縁層の上に配置された第２絶縁層とを備え、前記電子部品は前記第１絶縁層に埋め込まれており、
前記電子部品の外側領域の前記第１絶縁層に形成された開口部と、
前記開口部から前記第１絶縁層の上に形成され、前記開口部に埋め込まれた柱状導体を含む配線層とを有し、
前記柱状導体の下面と、前記電子部品の下面に前記接続端子が配置されていることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか一項に記載の電子部品装置。
【請求項５】
絶縁層と、前記絶縁層から露出するパッドとを備えた配線基板を用意する工程と、
絶縁基材と、前記絶縁基材に埋め込まれた電子部品と、柱状の接続端子とを備えた電子部品モジュールを用意する工程と、
前記配線基板の上に封止用樹脂材を形成し、前記封止用樹脂材を介して前記電子部品モジュールの接続端子を前記配線基板のパッドに接続し、前記電子部品モジュールの下面全体と前記配線基板の間に封止樹脂を充填するする工程と
を有し、
前記封止樹脂のフィラーの含有率は、前記配線基板の絶縁層及び前記電子部品モジュールの絶縁基材の各フィラーの含有率よりも高いことを特徴とする電子部品装置の製造方法。
【請求項６】
絶縁層と、前記絶縁層から露出するパッドとを備えた配線基板を用意する工程と、
絶縁基材と、前記絶縁基材に埋め込まれた電子部品と、柱状の接続端子とを備えた電子部品モジュールを用意する工程と、
前記電子部品モジュールの接続端子を前記配線基板のパッドに接続する工程と、
前記電子部品モジュールの下面全体と前記配線基板の間に封止樹脂を充填する工程と
を有し、
前記封止樹脂のフィラーの含有率は、前記配線基板の絶縁層及び前記電子部品モジュールの絶縁基材の各フィラーの含有率よりも高いことを特徴とする電子部品装置の製造方法。
【請求項７】
電子部品モジュールを用意する工程は、
支持板の上に、前記電子部品の電極を下側に向けて、前記電子部品を仮接着する工程と、
前記支持板の上に、前記電子部品を埋め込むと共に、前記電子部品の外側領域に開口部が配置された絶縁層を形成する工程と、
前記開口部内から前記絶縁層の上に、前記開口部に埋め込まれた柱状導体を含む配線層を形成する工程と、
前記支持板を除去する工程と、
前記電子部品の電極と、前記配線層の柱状導体とに前記接続端子を形成する工程とを含むことを特徴とする請求項５又は６に記載の電子部品装置の製造方法。
【請求項８】
前記電子部品モジュールの絶縁基材のフィラーの含有率は、前記配線基板の絶縁層のフィラーの含有率よりも高いことを特徴とする請求項５乃至７のいずれか一項に記載の電子部品装置の製造方法。
【請求項９】
前記電子部品モジュールの絶縁基材は非感光性樹脂から形成され、前記配線基板の絶縁層は感光性樹脂から形成されることを特徴とする請求項５乃至７のいずれか一項に記載の電子部品装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電子部品装置及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、各種の電子機器に使用される電子部品装置がある。そのような電子部品装置の一例では、配線基板の上に半導体チップがフリップチップ接続され、半導体チップが絶縁層で封止されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２０１０−１４７１５３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
後述する予備的事項の欄で説明するように、電子部品装置の製造方法では、配線基板の上に半導体チップをフリップチップ接続した後に、半導体チップを埋め込む絶縁層を形成する工程がある。
【０００５】
絶縁層を形成する工程では、配線基板のコア基板を軸にして上下側で非対称になった状態で配線基板の全体が加熱処理される。このため、熱応力によって配線基板に反りが発生し、半導体チップの接続の十分な信頼性が得られない課題がある。
【０００６】
配線基板の上に電子部品が搭載され、電子部品が絶縁層で埋め込まれた電子部品装置及びその製造方法において、配線基板の反りの発生を防止することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
以下の開示の一観点によれば、絶縁層と、前記絶縁層から露出するパッドとを備えた配線基板と、絶縁基材と、前記絶縁基材に埋め込まれた電子部品と、柱状の接続端子とを備え、前記接続端子が前記配線基板のパッドに接続された電子部品モジュールと、前記電子部品モジュールの下面全体と前記配線基板と間に形成された封止樹脂とを有し、前記封止樹脂のフィラーの含有率は、前記配線基板の絶縁層及び前記電子部品モジュールの絶縁基材の各フィラーの含有率よりも高い電子部品装置が提供される。
【０００８】
また、その開示のその他の観点によれば、絶縁層と、前記絶縁層から露出するパッドとを備えた配線基板を用意する工程と、絶縁基材と、前記絶縁基材に埋め込まれた電子部品と、柱状の接続端子とを備えた電子部品モジュールを用意する工程と、前記電子部品モジュールの接続端子を前記配線基板のパッドに接続する工程と、前記電子部品モジュールの下面全体と前記配線基板の間に封止樹脂を充填する工程とを有し、前記封止樹脂のフィラーの含有率は、前記配線基板の絶縁層及び前記電子部品モジュールの絶縁基材の各フィラーの含有率よりも高い電子部品装置の製造方法が提供される。
【発明の効果】
【０００９】
以下の開示によれば、電子部品装置の製造方法では、絶縁基材に電子部品が埋め込まれた電子部品モジュールの接続端子を配線基板のパッドに接続している。このため、配線基板の上に電子部品を埋め込む絶縁層を直接形成する工程がなくなるため、配線基板に反りが発生することが回避される。
【００１０】
また、電子部品装置では、電子部品モジュールの下面全体と配線基板との間に封止樹脂が充填される。そして、封止樹脂のフィラーの含有率は、配線基板の絶縁層及び電子部品モジュールの絶縁基材の各フィラーの含有率よりも高く設定される。
【００１１】
これにより、配線基板の絶縁層と電子部品モジュールの絶縁基材と封止樹脂との間で熱膨張率が異なる場合であっても、配線基板の絶縁層と電子部品モジュールの絶縁基材とは封止樹脂で分離される。このため、３種類の絶縁体が接触する箇所がなくなるため、クラックが発生しくにい構造となる。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１】図１は予備的事項に係る電子部品装置の製造方法を示す断面図（その１）である。
【図２】図２は予備的事項に係る電子部品装置の製造方法を示す断面図（その２）である。
【図３】図３は予備的事項に係る電子部品装置の製造方法を示す断面図（その３）である。
【図４】図４は予備的事項に係る電子部品装置の製造方法を示す断面図（その４）である。
【図５】図５は予備的事項に係る電子部品装置の製造方法を示す断面図（その５）である。
【図６】図６は予備的事項に係る電子部品装置の製造方法を示す断面図（その６）である。
【図７】図７は第１実施形態の電子部品装置の製造方法を示す断面図（その１）である。
【図８】図８（ａ）〜（ｃ）は第１実施形態の電子部品装置の製造方法を示す断面図（その２）である。
【図９】図９（ａ）及び（ｂ）は第１実施形態の電子部品装置の製造方法を示す断面図（その３）である。
【図１０】図１０（ａ）及び（ｂ）は第１実施形態の電子部品装置の製造方法を示す断面図（その４）である。
【図１１】図１１（ａ）及び（ｂ）は第１実施形態の電子部品装置の製造方法を示す断面図（その５）である。
【図１２】図１２（ａ）及び（ｂ）は第１実施形態の電子部品装置の製造方法を示す断面図（その６）である。
【図１３】図１３は第１実施形態の電子部品装置の製造方法を示す断面図（その７）である。
【図１４】図１４は第１実施形態の電子部品装置の製造方法を示す断面図（その８）である。
【図１５】図１５は第１実施形態の電子部品装置を示す断面図である。
【図１６】図１６は第１実施形態の変形例の電子部品装置の製造方法を示す断面図である。
【図１７】図１７は第２実施形態の電子部品装置の製造方法を示す断面図（その１）である。
【図１８】図１８は第２実施形態の電子部品装置の製造方法を示す断面図（その２）である。
【図１９】図１９は第２実施形態の電子部品装置を示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
以下、実施の形態について、添付の図面を参照して説明する。
【００１４】
実施形態を説明する前に、基礎となる予備的事項について説明する。図１〜図６は予備的事項に係る電子部品装置の製造方法の課題を説明するための図である。予備的事項の電子部品装置の製造方法は、発明者の個人的な検討内容であり、公知技術ではない。
【００１５】
予備的事項の電子部品装置の製造方法では、まず、図１に示すような配線基板１００を用意する。配線基板１００は、厚み方向の中央部にコア基板１１０を備えている。コア基板１１０の上面側には、４層の上側多層配線層２００が形成されており、最上に上側多層配線層２００のパッドＰが配置されている。
【００１６】
また、コア基板１１０の下面側には、４層の下側多層配線層３００が形成されている。コア基板１１０にはスルーホールＴＨが形成されており、スルーホールＴＨの側壁にスルーホールめっき層１２０が形成されている。スルーホールＴＨの残りの孔には樹脂体Ｒが充填されている。
【００１７】
上側多層配線層２００と下側多層配線層３００とは、スルーホールめっき層１２０を介して相互接続されている。
【００１８】
次いで、図２に示すように、２つの半導体チップ４００を用意する。半導体チップ４００は下面に端子４２０を備えている。そして、半導体チップ４００の端子４２０をはんだ（不図示）を介して配線基板１００のパッドＰにフリップチップ接続する。
【００１９】
このようにして、２つの半導体チップ４００が横方向に並んで搭載される。その後に、半導体チップ４００の下側にアンダーフィル樹脂４４０が充填される。
【００２０】
配線基板１００は多面取り用の大型基板であり、複数の部品搭載領域Ａが画定されている。図２では、一つの部品搭載領域Ａが部分的に示されている。
【００２１】
続いて、配線基板１００及び半導体チップ４００の上に感光性の樹脂フィルム（不図示）を貼付し、フォトリソグラフィに基づいて露光・現像を行った後に、１５０℃〜２００℃の温度で加熱処理して硬化させる。
【００２２】
これにより、図３に示すように、半導体チップ４００の横方向に配置された配線基板１００のパッドＰの上に第１ビアホールＶＨ１が設けられた第１絶縁層５００が形成される。２つの半導体チップ４００が第１絶縁層５００の中に埋め込まれた状態となる。
【００２３】
第１絶縁層５００は、複数の部品搭載領域Ａを含む大型の配線基板１００の上面側の全体にブランケット状に形成される。
【００２４】
このとき、配線基板１００の上面側のみに第１絶縁層５００が形成されるため、コア基板１１０を軸として上下側で非対称の構造となる。この状態で、配線基板１００及び半導体チップ４００の全体が加熱されるため、半導体チップ４００（シリコン）と配線基板１００との熱膨張率の差に基づいて熱応力が発生する。
【００２５】
このため、熱応力の影響により配線基板１００に反りが発生する課題がある。
【００２６】
配線基板１００に反りが発生すると、配線基板１００と半導体チップ４００との接続不良が発生しやすくなり、製造歩留りが低下する。
【００２７】
また、配線基板１００に発生する反りをできるだけ抑制するためには、第１絶縁層５００の熱膨張率を調整するなどして反りが発生しにくい材料に限定する必要があるため、第１絶縁層５００の材料の選択の自由度が狭くなる。
【００２８】
このため、第１絶縁層５００の絶縁性などの特性が満足せずに多層配線の十分な信頼性が得られなかったり、製造コストが上昇する課題が残る。
【００２９】
次いで、図４に示すように、第1絶縁層５００の上に、第１ビアホールＶＨ１の側壁のめっき層を介して配線基板１００のパッドＰに接続される第１再配線層６００を形成する。
【００３０】
続いて、図５に示すように、前述した図３の第1絶縁層５００の形成方法と同様な方法により、第１再配線層６００の接続部上に第２ビアホールＶＨ２が設けられた第２絶縁層５２０を形成する。第２絶縁層５２０を形成する際にも、コア基板１１０を軸にして上下側で非対称となった状態で加熱処理されるため、配線基板１００にさらに反りが発生する。
【００３１】
次いで、図６に示すように、第２絶縁層５２０の上に、第２ビアホールＶＨ２内のビア導体を介して第１再配線層６００に接続される第２再配線層６２０を形成する。さらに、第２再配線層６２０の接続部上に開口部５４０ａが設けられたソルダレジスト層５４０を形成する。
【００３２】
以上のように、予備的事項の電子部品装置の製造方法では、半導体チップ４００を埋め込む第１絶縁層５００を形成する際に、配線基板１００に反りが発生しやすく、製造歩留りが低下する課題がある。
【００３３】
以下に説明する実施形態の電子部品装置及びその製造方法では、前述した課題を解決することができる。
【００３４】
（第1実施形態）
図７〜図１４は第１実施形態の電子部品装置の製造方法を示す図、図１５は第1実施形態の電子部品装置を示す図である。
【００３５】
以下、電子部品装置の製造方法を説明しながら、電子部品装置の構造について説明する。
【００３６】
第1実施形態の電子部品装置の製造方法では、図７に示すように、まず、電子部品装置に使用される多層構造の配線基板５を用意する。配線基板５は、厚み方向の中央部にコア基板１０を備えている。コア基板１０には厚み方向に貫通するスルーホールＴＨが形成されており、スルーホールＴＨの内壁にスルーホールめっき層１２が形成されている。スルーホールＴＨの残りの孔には樹脂体Ｒが充填されている。コア基板１０はガラスエポキシ樹脂などの絶縁材料から形成される。
【００３７】
また、コア基板１０の両面側には第１配線層２１がそれぞれ形成されている。両面側の第１配線層２１はスルーホールめっき層１２を介して相互接続されている。
【００３８】
コア基板１０のスルーホールＴＨはドリルなどによって形成される。また、コア基板１０に形成されるスルーホールめっき層１２及び第１配線層２１は、めっき法及びフォトリソグラフィなどを使用して形成される。
【００３９】
また、コア基板１０の両面側には第１配線層２１の接続部上に第１ビアホールＶＨ１が配置された第１絶縁層３１がそれぞれ形成されている。第１絶縁層３１は、エポキシ樹脂又はポリイミド樹脂などの絶縁樹脂から形成される。第１ビアホールＶＨ１はレーザによって形成される。
【００４０】
さらに、両面側の第１絶縁層３１の上には第１ビアホールＶＨ１内のビア導体を介して第１配線層２１に接続される第２配線層２２がそれぞれ形成されている。また、両面側の第１絶縁層３１の上には第２配線層２２の接続部上に第２ビアホールＶＨ２が配置された第２絶縁層３２がそれぞれ形成されている。
【００４１】
また同様に、両面側の第２絶縁層３２の上には第２ビアホールＶＨ２内のビア導体を介して第２配線層２２に接続される第３配線層２３がそれぞれ形成されている。
【００４２】
さらに同様に、両面側の第２絶縁層３２の上には第３配線層２３の接続部上に第３ビアホールＶＨ３が配置された第３絶縁層３３がそれぞれ形成されている。
【００４３】
また同様に、両面側の第３絶縁層３３の上には第３ビアホールＶＨ３内のビア導体を介して第３配線層２３に接続される第４配線層２４がそれぞれ形成されている。
【００４４】
コア基板１０の下面側の第３絶縁層３３の上に第４配線層２４の接続部上に開口部１４ａが設けられたソルダレジスト層１４が形成されている。
【００４５】
また、コア基板１０の上面側の第３絶縁層３３の上に第４配線層２４の接続部上に開口部３４ａが設けられた第４絶縁層３４が形成されている。そして、第４絶縁層３４の開口部３４ａにパッドＰが形成されている。
【００４６】
このようにして、絶縁層と、絶縁層から露出するパッドを備えた多層構造の配線基板５を用意する。図７の例では、コア基板１０の両面側に４層の多層配線層が形成されているが、多層配線層の積層数は任意に設定することができる。
【００４７】
また、コア基板を有さないコアレスタイプの配線基板を使用してもよい。コアレスタイプの配線基板は、仮基板の上に剥離できる状態で多層配線層を形成した後に、仮基板を剥離することによって製造される。
【００４８】
本実施形態の配線基板５は多面取り用の大型基板であり、配線基板５の上に複数の部品搭載領域Ａが画定されている。図７では、配線基板５の一つの部品搭載領域Ａが部分的に示されている。
【００４９】
次に、図７の配線基板５のパッドＰに接続される電子部品モジュールの製造方法について説明する。図7の配線基板５に電子部品モジュールが接続されて電子部品装置が構築される。
【００５０】
図８（ａ）に示すように、まず、仮基板として機能する支持板８を用意する。支持板８は、基材１６とその上に接着された粘着テープ１８とにより形成される。基材１６として、銅などからなる金属箔、ＰＥＴフィルム、又は、ガラスエポキシ樹脂基板などが使用される。
【００５１】
次いで、図８（ｂ）に示すように、一方の面に電極５２を備えた半導体チップ５０を２つ用意する。半導体チップ５０は、その厚みが１００μｍ〜５０μｍに薄型化されている。そして、半導体チップ５０の電極５２を下側に向けた状態で、半導体チップ５０を支持板８の粘着テープ１８に仮接着する。
【００５２】
２つの半導体チップ５０が横方向に並んで搭載される。２つの半導体チップ５０は、例えば、ロジックＩＣとメモリーＩＣである。
【００５３】
続いて、図８（ｃ）に示すように、支持板８及び半導体チップ５０の上に非感光性の樹脂フィルムを貼付し、加熱処理を行うことにより、第１絶縁層６１を形成する。第１絶縁層６１は、エポキシ樹脂又はポリイミド樹脂などの絶縁樹脂から形成される。
【００５４】
半導体チップ５０の厚みが１００μｍの場合は、第１絶縁層６１の厚みは２００μｍ程度に設定され、半導体チップ５０が第１絶縁層６１の中に埋め込まれる。第１絶縁層６１は上面の全体にわたって平坦な状態で形成される。
【００５５】
続いて、図９（ａ）に示すように、第１絶縁層６１をレーザで加工することにより、開口部６１ａを形成する。第１絶縁層６１の開口部６１ａは半導体チップ５０の外側領域に配置される。第1絶縁層６１の開口部６１ａの直径は、例えば、１００μｍ程度である。
【００５６】
さらに、過マンガン酸法などによって第１絶縁層６１の開口部６１ａ内をデスミア処理することにより、樹脂スミアを除去してクリーニングする。
【００５７】
あるいは、厚みが５０μｍ程度以下の極薄型の半導体チップ５０を使用し、第１絶縁層６１の薄膜化が可能な場合は、感光性樹脂を使用し、フォトリソグラフィに基づいて露光・現像を行うことにより、開口部６１ａを備えた第１絶縁層６１を形成してもよい。
【００５８】
本実施形態の半導体チップ５０を埋め込む第1絶縁層６１は、前述した予備的事項の図３の半導体チップ４００を埋め込む第1絶縁層５００に相当する。本実施形態では、支持板８に仮接着された半導体チップ４００の上に、加熱処理を伴って第１絶縁層６１を形成している。
【００５９】
このように、予備的事項と違って、図７の配線基板５に第１絶縁層６１を直接形成しないため、配線基板５に反りが発生することが回避される。また、配線基板５に反りが発生することを考慮する必要がないため、第１絶縁層６１の樹脂材料の選定の自由度が広くなる。
【００６０】
よって、多層配線の特性に適した第１絶縁層６１を使用できるため、十分な信頼性が得られると共に、低コスト化を図ることも可能である。
【００６１】
次いで、図９（ｂ）に示すように、第１絶縁層６１の開口部６１ａから第１絶縁層６１の上に第１配線層７１を形成する。第１配線層７１は、第１絶縁層６１の開口部６１ａに埋め込まれた柱状導体７１ａと、柱状導体７１ａに繋がって第１絶縁層６１の上に配置される配線部７１ｂを含んで形成される。第１配線層７１の厚みは、例えば、１０μｍ〜３０μｍである。
【００６２】
第１配線層７１は、例えば、セミアディティブ法によって形成される。詳しく説明すると、第１絶縁層６１の上及びその開口部６１ａ内に、無電解めっき又はスパッタ法により銅などからなるシード層（不図示）を形成する。
【００６３】
続いて、第１配線層７１が配置される部分に開口部が設けられためっきレジスト層（不図示）をシード層の上に形成する。
【００６４】
さらに、シード層をめっき給電経路に利用する電解めっきにより、めっきレジスト層の開口部に銅などからなる金属めっき層（不図示）を形成した後に、めっきレジスト層を除去する。
【００６５】
その後に、金属めっき層をマスクにしてシード層をウェットエッチングにより除去する。
【００６６】
以上により、シード層と金属めっき層から形成される第１配線層７１が得られる。
【００６７】
次いで、図１０（ａ）に示すように、第１絶縁層６１及び第１配線層７１の上に感光性樹脂層６２ｘを形成し、フォトリソグラフィに基づいて露光・現像を行う。これにより、図１０（ｂ）に示すように、第１配線層７１の接続部上にビアホールＶＨが配置された第２絶縁層６２が形成される。感光性樹脂層の形成は、エポキシ樹脂又はポリイミド樹脂などの樹脂フィルムを貼付してもよいし、液状樹脂を塗布してもよい。
【００６８】
例えば、第２絶縁層６２の厚みは１０μｍ〜３０μｍであり、ビアホールＶＨの直径は３０μｍ程度である。
【００６９】
続いて、図１１（ａ）に示すように、前述した図９（ｂ）の第1配線層７１の形成方法と同様な方法により、第２絶縁層６２の上に、ビアホールＶＨ内のビア導体を介して第１配線層７１に接続される第２配線層７２を形成する。第２配線層７２の厚みは、例えば、５μｍ〜１０μｍである。
【００７０】
その後に、図１１（ｂ）に示すように、第２配線層７２の接続部上に開口部６３ａが設けられたソルダレジスト層６３を形成する。このようにして、支持板８の上に電子部材６ｘを形成する。
【００７１】
続いて、図１２（ａ）に示すように支持板８の粘着テープ１８と電子部材６ｘとの界面から剥離することにより、電子部材６ｘから支持板８を分離して除去する。これにより、電子部材６ｘの下面に、半導体チップ５０の電極５２、第1配線層７１の柱状導体７１ａ、及び第1絶縁層６１の各下面が露出した状態となる。
【００７２】
次いで、図１２（ｂ）に示すように、図１２（ａ）の電子部材６ｘを上下反転させる。さらに、半導体チップ５０の電極５２、及び第１配線層７１の柱状導体７１ａの上に接続端子８０及びはんだ８２を形成する。
【００７３】
接続端子８０及びはんだ８２は、例えば、セミアディティブ法によって形成される。詳しく説明すると、半導体チップ５０、第1配線層７１の柱状導体７１ａ、及び第1絶縁層６１の上に、無電解めっき又はスパッタ法により銅などからなるシード層（不図示）を形成する。
【００７４】
続いて、接続端子８０が配置される部分にホール状の開口部が設けられためっきレジスト層（不図示）をシード層の上に形成する。
【００７５】
さらに、シード層をめっき給電経路に利用する電解めっきにより、めっきレジスト層の開口部に銅などの金属ポストからなる接続端子８０及びはんだ８２を形成した後に、めっきレジスト層を除去する。
【００７６】
その後に、接続端子８０及びはんだ８２をマスクにしてシード層をウェットエッチングにより除去する。
【００７７】
これより、シード層と金属ポストとからなる接続端子８０及びはんだ８２が得られる。接続端子８０の直径は２０μｍ〜３０μｍであり、はんだ８２を除く接続端子８０の高さは２０μｍ〜４０μｍである。
【００７８】
以上により、図１２（ｂ）に示すように、第１実施形態の電子部品モジュール６が製造される。図１３では、図１２（ｂ）の電子部品モジュール６が上下反転した状態で示されている。
【００７９】
図１３に示すように、第1実施形態の電子部品装置で使用される電子部品モジュール６は、第１絶縁層６１とその上に配置された第２絶縁層６２とにより絶縁基材７が形成される。絶縁基材７の第１絶縁層６１に２つの半導体チップ５０が埋め込まれている。半導体チップ５０の電極５２が下側を向いた状態で、２つの半導体チップ５０が横方向に並んで配置されている。
【００８０】
また、半導体チップ５０は側面Ｓ１及び背面Ｓ２が第１絶縁層６１に埋め込まれ、電極５２が配置された素子形成面Ｓ３が第１絶縁層６１から露出している。
【００８１】
半導体チップ５０の外側領域の第１絶縁層６１には、上面から下面まで貫通する開口部６１ａが形成されている。第１絶縁層６１の開口部６１ａから第１絶縁層６１の上面に第１配線層７１が形成されている。
【００８２】
第１配線層７１は、第１絶縁層６１の開口部６１ａに埋め込まれた柱状導体７１ａと、柱状導体７１ａに繋がって第１絶縁層６１の上面に延在する配線部７１ｂとを備えて形成される。
【００８３】
また、第１絶縁層６１の上には、第１配線層７１の接続部上にビアホールＶＨが配置された第２絶縁層６２が形成されている。また、第２絶縁層６２の上にはビアホールＶＨ内のビア導体を介して第１配線層７１に接続される第２配線層７２が形成されている。
【００８４】
さらに、第２絶縁層６２の上には、第２配線層７２の接続部上に開口部６３ａが設けられたソルダレジスト層６３が形成されている。
【００８５】
絶縁基材７の下面側に注目すると、第１絶縁層６１の下面と、半導体チップ５０の下面（素子形成面Ｓ３）と、第１配線層７１の柱状導体７１ａの下面とは、同じ高さ位置に配置され、各下面は面一になっている。
【００８６】
これは、前述した製造方法で説明したように、支持板８の同一面の上に、半導体チップ５０、第１絶縁層６１及び第１配線層７１の柱状導体７１ａが配置され、最終的に支持板８が除去されるためである。
【００８７】
さらに、半導体チップ５０の電極５２及び第１配線層７１の柱状導体７１ａの各下面に柱状の接続端子８０が形成され、その先端にはんだ８２が設けられている。
【００８８】
以上のようにして、前述した図７の配線基板５と、図１３の電子部品モジュール６とを用意する。
【００８９】
前述した予備的事項では、配線基板の上に半導体チップを搭載し、配線基板の全面に絶縁層を形成して半導体チップを埋め込んでいる。これに対して、本実施形態では、配線基板５と、電子部品モジュール６とを別の生産ラインで平行して製造することができる。
【００９０】
このため、加熱処理を伴って配線基板５の上面側の全体に絶縁層を形成する工程がないため、配線基板５に反りが発生することが回避される。
【００９１】
また、配線基板５と電子部品モジュール６との間で製造工程を分割化できるため、配線基板の上に各要素を作り込む方法よりも、製造歩留りを向上させることができる。
【００９２】
次に、前述した図７の配線基板５に図１３の電子部品モジュール６を接続して電子部品装置を製造する方法について説明する。本実施形態では、封止用樹脂材を介して電子部品モジュール６を接続する先封止技術を使用する。
【００９３】
図１４に示すように、前述した図７の配線基板５を用意し、配線基板５の上に封止用樹脂材８４ａを配置する。封止用樹脂材８４ａとしては、エポキシ樹脂などが使用され、半硬化状態（Ｂステージ）の樹脂フィルムを配置してもよいし、あるいは液状樹脂を塗布してもよい。
【００９４】
図１４の例では、配線基板５の各部品搭載領域Ａ（図７）に各封止用樹脂材８４ａを分割して配置しているが、配線基板５上の全体に封止用樹脂材８４ａを配置してもよい。
【００９５】
続いて、同じく図１４に示すように、前述した図１３の電子部品モジュール６を用意する。配線基板５の各部品搭載領域Ａ（図７）の面積は、電子部品モジュール６のサイズに対応している。
【００９６】
そして、同じく図１４に示すように、加熱手段４２を備えたボンディングツール４０に電子部品モジュール６の上面を吸着させる。ボンディングツール４０の加熱手段４２は、発熱抵抗体又は赤外線ランプなどから形成される。
【００９７】
そして、図１４及び図１５に示すように、電子部品モジュール６の接続端子８０を配線基板５上の封止用樹脂材８４ａに押し込む。これにより、電子部品モジュール６の接続端子８０の先端のはんだ８２を配線基板５のパッドＰに圧接する。図１５では、ボンディングツール４０が省略されている。
【００９８】
配線基板５のパッドＰは、電子部品モジュール６の接続端子８０に対応するように配列されている。
【００９９】
さらに、ボンディングツール４０の加熱手段４２（図１４）によってリフロー加熱することにより、電子部品モジュール６の接続端子８０の先端のはんだ８２を溶融させて、電子部品モジュール６の接続端子８０をはんだ６４によって配線基板５のパッドＰにフリップチップ接続する。
【０１００】
はんだ８２としては、例えば、錫／銀系はんだ、又は錫／銀／銅系はんだなどの鉛フリーはんだが使用され、リフロー温度は２６０℃程度に設定される。
【０１０１】
リフロー加熱する際に、半硬化状態の封止用樹脂材８４ａが同時に硬化し、電子部品モジュール６の下側に硬化した封止樹脂８４が充填される。封止樹脂８４はアンダーフィル樹脂とも呼ばれる。
【０１０２】
これにより、図１５に示すように、本実施形態の電子部品装置１が製造される。多面取り用の配線基板５の各部品搭載領域Ａ（図７）が得られるように、配線基板５が切断されて個々の電子部品装置１が得られる。
【０１０３】
電子部品モジュール６を配線基板５に接続する際には、ボンディングツール４０の加熱手段４２によって電子部品モジュール６を介して配線基板５の一部の領域が加熱されるだけである。
【０１０４】
また、電子部品モジュール６を配線基板５に接続するので、配線基板５の上に半導体チップ５０を埋め込む絶縁層の形成する必要がなく、配線基板５に反りが発生する工程がなくなる。
【０１０５】
よって、配線基板５には大きな熱応力は発生しないため、配線基板５に反りが発生することが防止される。このため、電子部品モジュール６が配線基板５の各部品搭載領域Ａ（図７）に信頼性よく接続される。
【０１０６】
このようにして、半導体チップ５０が絶縁基材７に埋め込まれた状態の電子部品モジュール６を配線基板５に接続するので、配線基板５に反りが発生することが防止され、電子部品装置１を歩留りよく製造することができる。
【０１０７】
図１５に示すよう、第１実施形態の電子部品装置１は、前述した図７の配線基板５のパッドＰに図１４の電子部品モジュール６の接続端子８０がはんだ８２を介して接続されている。
【０１０８】
配線基板５のパッドＰは、電子部品モジュール６内の半導体チップ５０に接続されると共に、第１、第２配線層７１，７２に電気的に接続されている。また、電子部品モジュール６と配線基板５との間に封止樹脂８４が充填されている。
【０１０９】
封止樹脂８４は半導体チップ５０の下側だけではなく、電子部品モジュール６の下面全体に形成されている。
【０１１０】
図１６には、第１実施形態の変形例の電子部品装置の製造方法が示されている。前述した図１４及び図１５では、先封止技術を使用して、電子部品モジュール６の下側に封止樹脂８４を充填している。
【０１１１】
図１６の変形例のように、電子部品モジュール６の接続端子８０を配線基板５のパッドＰに封止用樹脂材を介さずに接続した後に、電子部品モジュール６の下側の隙間にアンダーフィル樹脂を充填して封止樹脂を形成してもよい。
【０１１２】
この場合も、図１５の電子部品装置１と同一の構造が得られ、半導体チップ５０の下側だけではなく、電子部品モジュール６の下面全体に封止樹脂が充填される。
【０１１３】
前述した形態では、電子部品モジュール６に内蔵される電子部品として、半導体チップ５０を例示した。この他に、キャパシタ素子、インダクタ素子、又は抵抗素子などの各種の電子部品を単体で又は組み合わせて使用することができる。
【０１１４】
（第２実施形態）
図１７及び図１８は第２実施形態の電子部品装置の製造方法を示す図、図１９は第２実施形態の電子部品装置を示す図である。
【０１１５】
図１７に示すように、第２実施形態の電子部品装置で使用される配線基板５ａは、前述した第1実施形態の図７の配線基板５の上に微細配線部ＭＷが追加で形成される。
【０１１６】
図１７の部分拡大断面図を加えて参照すると、第２実施形態で使用される配線基板５ａは、上面側の第４配線層２４の下のビア導体ＶＣ及びその横方向の第３絶縁層３３の各上面がＣＭＰによる研磨によって平坦化されている。
【０１１７】
そして、平坦化されたビア導体ＶＣ及び第３絶縁層３３の上に微細配線部ＭＷが形成されている。微細配線部ＭＷは、第４配線層２４、第５配線層２５、及び第６配線層２６を備えて形成される。
【０１１８】
第３絶縁層３３の上面は平坦化されているため、微細パターンを形成する際にフォトリソグラフィの焦点深度が低下するとしても、基板内で精度よく微細なレジスト層をパターン化することができる。
【０１１９】
このため、第３絶縁層３３の上に、セミアディティブ法によって、ライン（幅）：スペース（間隔）が例えば２μｍ：２μｍの微細な第４配線層２４を形成することができる。
【０１２０】
これに対して、配線基板５ａの第１〜第３配線層２１，２２，２３は、下地の凹凸の影響を受けるため、ライン（幅）：スペース（間隔）は例えば２０μｍ：２０μｍ以上に設定される。
【０１２１】
また、第３絶縁層３３の上には第４配線層２４の接続部上に第４ビアホールＶＨ４が配置された第４絶縁層３４が形成されている。また、第４絶縁層３４の上には第４ビアホールＶＨ４内のビア導体を介して第４配線層２４に接続される第５配線層２５が形成されている。
【０１２２】
さらに同様に、第４絶縁層３４の上には、第５配線層２５の接続部上に第５ビアホールＶＨ５が配置された第５絶縁層３５が形成されている。
【０１２３】
また同様に、第５絶縁層３５の上に、第５ビアホールＶＨ５内のビア導体を介して第５配線層２５に接続される第６配線層２６が形成されている。
【０１２４】
第５絶縁層３５の上には、第５配線層２５の接続部上に開口部３６ａが配置された第６絶縁層３６が形成されている。第６絶縁層３６の開口部３６ａにパッドＰが配置されている。
【０１２５】
第５、第６配線層２５，２６においても、上記した第４配線層２４と同様な微細配線として形成される。
【０１２６】
また、第４〜第６絶縁層３４，３５，３６は、感光性樹脂層をフォトリグラフィに基づいて、露光・現像することにより形成される。第４、第５ビアホールＶＨ４，ＶＨ５の直径は、例えば２０μｍ程度である。
【０１２７】
これに対して、配線基板５ａの第１〜第３絶縁層３１，３２，３３は、非感光性樹脂から形成される。第１〜第３ビアホールＶＨ１，ＶＨ２，ＶＨ３はレーザで形成され、それらの直径は、例えば５０μｍ程度に設定される。
【０１２８】
次いで、図１８に示すように、前述した第１実施形態の図１３と同一の電子部品モジュール６を用意する。続いて、図１８及び図１９に示すように、第１実施形態の図１４及び図１５の工程と同様に、まず、配線基板５ａの上に封止用樹脂材８４ａを配置する。続いて、ボンディングツール（不図示）に吸着させた電子部品モジュール６の接続端子８０を封止用樹脂材８４ａを介して配線基板５ａのパッドＰに当接させる。
【０１２９】
さらに、ボンディングツールでリフロー加熱することにより、電子部品モジュール６の接続端子８０を配線基板５ａのパッドＰにはんだ８２を介して接続する。これにより、配線基板５ａと電子部品モジュール６との間に封止樹脂８４が形成される。
【０１３０】
これにより、第２実施形態の電子部品装置１ａが製造される。
【０１３１】
以上のように、図１９に示すように、第２実施形態の電子部品装置１ａでは、前述した図１７の微細配線部ＭＷを備えた配線基板５ａのパッドＰに図１３の電子部品モジュール６の接続端子８０がはんだ８２を介して接続されている。電子部品モジュール６と配線基板５ａとの間に封止樹脂８４が充填されている。
【０１３２】
第1実施形態と同様に、封止樹脂８４は半導体チップ５０の下側だけではなく、電子部品モジュール６の下面全体に形成されている。
【０１３３】
このため、配線基板５ａの微細配線部ＭＷの第４〜第６絶縁層３４，３５，３６と、電子部品モジュール６の第１絶縁層６１とは、それらが直接接触する領域は存在せずに全体が封止樹脂８４で完全に分離される。
【０１３４】
微細配線部ＭＷの第４〜第６絶縁層３４，３５，３６は、微細なビアホールを形成するため薄膜の感光性樹脂層から形成され、低膨張率化及び粗化性の向上などの目的でフィラーを多少混合する場合がある。
【０１３５】
このような観点から、微細配線部ＭＷの第４〜第６絶縁層３４，３５，３６のフィラーの含有率は、０％〜１０％、例えば５％に設定される。感光性樹脂層では、フィラーが多すぎると、露光時の透過性が妨げられるため、フィラーの含有率は低く抑えられる。
【０１３６】
フィラーとしては、シリカ、アルミナ、窒化ホウ素、又は窒化アルミニウムなどからなる粉末が使用される。
【０１３７】
また、電子部品モジュール６と配線基板５ａとの間に充填された封止樹脂８４は、半導体チップ５０と配線基板５ａとの間の熱膨張率の差を吸収させるために形成される。このため、封止樹脂８４のフィラーの含有率は、５０％〜７０％、例えば６０％に設定される。
【０１３８】
また、電子部品モジュール６の半導体チップ５０を封止する第1絶縁層６１は、レーザでビアが形成される非感光性樹脂から形成され、低膨張率化及び粗化性の向上などの目的でフィラーを多少混合する場合がある。
【０１３９】
このような観点から、電子部品モジュール６の第１絶縁層６１のフィラーの含有率は、０％〜４０％、例えば３０％に設定される。電子部品モジュール６の第１絶縁層６１はレーザでビアホールを形成するため、感光性樹脂よりもフィラーの含有率を高く設定することができる。
【０１４０】
以上のように、本実施形態の電子部品装置１ａでは、電子部品モジュール６の下面全体に封止樹脂８４を配置している。さらに、封止樹脂８４のフィラーの含有率は配線基板５ａの第４〜第６絶縁層３４，３５，３６のフィラーの含有率よりも高く設定される。
【０１４１】
さらに、封止樹脂８４のフィラーの含有率は電子部品モジュール６の半導体チップ５０を埋め込む第１絶縁層６１のフィラーの含有率よりも高く設定される。
【０１４２】
また、電子部品モジュール６の半導体チップ５０を埋め込む第１絶縁層６１のフィラーの含有率は、配線基板５ａの第４〜第６絶縁層３４，３５，３６のフィラーの含有率よりも高く設定される。
【０１４３】
以上により、配線基板５ａの第４〜第６絶縁層３４，３５，３６と、電子部品モジュール６の第１絶縁層６１との間で、フィラーの含有率の差によって熱膨張率が異なる場合であっても、それらが直接接触することはなく、封止樹脂８４で完全に分離される。
【０１４４】
本実施形態と違って、前述した予備的事項の図６のように、半導体チップ５０の下側のみに封止樹脂を形成する構造では、熱膨張率の異なる３種類の絶縁層が接触する箇所が生じることになる。熱膨張率の異なる３種類の絶縁層は、配線基板５ａの第６絶縁層３６、電子部品モジュール６の第１絶縁層６１、及び封止樹脂８４である。
【０１４５】
このため、熱応力が発生すると、３種類の絶縁層が接触する箇所からクラックが発生するおそれがある。
【０１４６】
しかし、本実施形態では、配線基板５ａの第６絶縁層３６と、電子部品モジュール６の第１絶縁層６１とが封止樹脂８４で分離されるため、熱膨張率の異なる３種類の絶縁層が接触する箇所がなくなる。
【０１４７】
このため、絶縁層にクラックが発生しにくい構造となり、配線基板５ａと電子部品モジュール６との接続の信頼性を向上させることができる。
【０１４８】
このように、電子部品装置の配線基板の反りの発生を防止できると共に、電子部品装置の電気的な信頼性を確保することができる。
【符号の説明】
【０１４９】
１，１ａ…電子部品装置、５，５ａ…配線基板、６…電子部品モジュール、６ｘ…電子部材、７…絶縁基材、８…支持板、１０…コア基板、１２…スルーホールめっき層、１４，６３…ソルダレジスト層、１４ａ，６１ａ，６３ａ…開口部、１６…基材、１８…粘着テープ、２１，７１…第１配線層、２２，７２…第２配線層、２３…第３配線層、２４…第４配線層、３１，６１…第１絶縁層、３２，６２…第２絶縁層、３３…第３絶縁層、３４…第４絶縁層、３５…第５絶縁層、３６…第６絶縁層、４０…ボンディングツール、４２…加熱手段、５０…半導体チップ、５２…電極、７１ａ…柱状導体、７１ｂ…配線部、８０…接続端子、８２…はんだ、８４…封止樹脂、８４ａ…封止用樹脂材、Ａ…部品搭載領域、ＭＷ…微細配線部、Ｐ…パッド、Ｒ…樹脂体、Ｓ１…側面、Ｓ２…背面、Ｓ３…素子形成面、ＴＨ…スルーホール、ＶＨ，ＶＨ１，ＶＨ２，ＶＨ３，ＶＨ４，ＶＨ５…ビアホール。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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