(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体装置の製造方法であって、
III族窒化物から主に成るとともにｎ型の特性を有する半導体層を、結晶成長によって形成する工程と、
前記III族窒化物に対してｎ型不純物として作用する元素とは異なる元素から主に成るスルー膜を、前記半導体層の結晶成長に連続して前記半導体層の上に成長させることによって形成する成膜工程と、
前記スルー膜の上から前記半導体層に対してｐ型不純物をイオン注入するイオン注入工程と、
前記イオン注入工程を終えた後、前記スルー膜の上に保護膜を形成する保護膜形成工程と、
前記保護膜形成工程を終えた後、前記半導体層および前記スルー膜を加熱することによって、前記ｐ型不純物がイオン注入された前記半導体層の領域をｐ型半導体領域へと活性化させる加熱工程と、
前記加熱工程を終えた後、前記半導体層から前記スルー膜を除去する除去工程と
を備える半導体装置の製造方法。
【請求項２】
前記スルー膜は、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）、窒化ガリウム（ＧａＮ）、窒化インジウム（ＩｎＮ）、窒化アルミニウムガリウム（ＡｌＧａＮ）、窒化ガリウムインジウム（ＧａＩｎＮ）、窒化アルミニウムインジウム（ＡｌＩｎＮ）、窒化アルミニウムガリウムインジウム（ＡｌＧａＩｎＮ）の少なくとも１つの非晶質成分から主に成る、請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項３】
前記成膜工程は、３００℃以上１５００℃以下の温度下で、前記スルー膜を成長させる、請求項１または請求項２に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項４】
前記成膜工程は、１０ｋＰａ以上１００ｋＰａ以下の圧力下で、前記スルー膜を成長させる、請求項１から請求項３までのいずれか一項に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項５】
前記イオン注入工程は、前記スルー膜の上から前記半導体層に対して、マグネシウム原子（Ｍｇ）およびベリリウム原子（Ｂｅ）の少なくとも一方をｐ型不純物としてイオン注入する、請求項１から請求項４までのいずれか一項に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項６】
前記イオン注入工程は、２０℃以上５００℃以下の温度下で、前記スルー膜の上から前記半導体層に対してｐ型不純物をイオン注入する、請求項１から請求項５までのいずれか一項に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項７】
前記加熱工程は、８００℃以上１５００℃以下の温度下で、前記半導体層および前記スルー膜を加熱する、請求項１から請求項６までのいずれか一項に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項８】
前記加熱工程は、１０ｋＰａ以上１００ｋＰａ以下の圧力下で、前記半導体層および前記スルー膜を加熱する、請求項１から請求項７までのいずれか一項に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項９】
請求項１から請求項８までのいずれか一項に記載の半導体装置の製造方法であって、
前記スルー膜は、前記III族窒化物に対してｎ型不純物として作用する元素とは異なる元素の窒化物から主に成り、
前記加熱工程は、アンモニア（ＮＨ3）を含有する雰囲気ガスの中で、前記半導体層および前記スルー膜を加熱する、半導体装置の製造方法。
【請求項１０】
前記加熱工程は、１分以上６０分以下の処理時間で、前記半導体層および前記スルー膜を加熱する、請求項１から請求項９までのいずれか一項に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１１】
前記除去工程は、ｐＨ１２以上の剥離液を用いて、前記半導体層から前記スルー膜を除去する、請求項１から請求項１０までのいずれか一項に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１２】
前記除去工程は、５０℃以上１２０℃以下の剥離液を用いて、前記半導体層から前記スルー膜を除去する、請求項１から請求項１１までのいずれか一項に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１３】
前記除去工程は、１分以上６０分以下の処理時間で剥離液に浸漬することによって、前記半導体層から前記スルー膜を除去する、請求項１から請求項１２までのいずれか一項に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１４】
半導体装置であって、
III族窒化物から主に成るｎ型半導体領域と、
III族窒化物から主に成るとともにｐ型不純物を含有し、前記ｎ型半導体領域に隣接するとともに前記ｎ型半導体領域へと一連に広がる表面を有するｐ型半導体領域と
を備え、
前記ｐ型半導体領域に含まれる酸素原子（Ｏ）の濃度、および、前記ｐ型半導体領域に含まれるケイ素原子（Ｓｉ）の濃度は、前記表面から前記ｐ型半導体領域の深さ方向に向かうにつれて漸減し、
前記ｐ型半導体領域に含まれる水素原子（Ｈ）の濃度は、前記表面から前記深さ方向に向かうにつれて漸増した後に漸減し、
前記ｐ型半導体領域に含まれる前記ｐ型不純物の濃度は、前記水素原子（Ｈ）の濃度が漸減し始める領域から前記深さ方向に向かうにつれて漸減する、半導体装置。
【請求項１５】
前記ｐ型半導体領域における前記水素原子（Ｈ）の濃度は、１×１０17ｃｍ-3以上である、請求項１４に記載の半導体装置。
【請求項１６】
前記ｐ型半導体領域における前記ｐ型不純物の濃度は、１×１０18ｃｍ-3以上である、請求項１４または請求項１５に記載の半導体装置。
【請求項１７】
請求項１４から請求項１６までのいずれか一項に記載の半導体装置を備える電力変換装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置およびその製造方法ならびに電力変換装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体装置（半導体デバイス、半導体素子）には、窒化ガリウム（ＧａＮ）をはじめとするIII族窒化物を用いた半導体層を備えるものが知られている。特許文献１には、III族窒化物系のｐ型半導体をイオン注入によって形成する技術が記載されている。特許文献１の技術は、半導体層に対して直接的にｐ型不純物をイオン注入することによって、イオン注入された半導体層の領域にｐ型半導体を形成する。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２０１４−４１９１７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
特許文献１の技術では、ｐ型不純物がイオン注入された半導体層の領域を熱処理によって活性化させた場合、その領域の表面モフォロジ（表面形態）が劣化する。表面モフォロジの劣化は、半導体装置のデバイス特性を低下させる要因になるとともに、その領域に再成長させた半導体層の結晶性を低下させる要因にもなる。そのため、イオン注入によって形成されるｐ型半導体領域の表面モフォロジを改善できる技術が望まれていた。
【０００５】
なお、特許文献１の技術によって表面モフォロジが劣化する原因は、III族窒化物系の半導体層の結晶構造において、イオン注入されたｐ型不純物（例えば、マグネシウム原子（Ｍｇ））が入るべきIII族原子の格子点（例えば、窒化ガリウム（ＧａＮ）におけるガリウム原子（Ｇａ）の格子点）に、半導体層の表面に付着したｎ型不純物（例えば、ケイ素原子（Ｓｉ））が入り込むことに起因すると考えられる。ｎ型不純物によってIII族原子の格子点に入れなかったｐ型不純物は、半導体層の表面に析出してドロップレット（析出物）を形成する。このｐ型不純物のドロップレットが表面モフォロジを劣化させる。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明は、上述の課題の少なくとも一部を解決し、以下の形態として実現できる。
本発明の第１の形態は、半導体装置の製造方法であって、
III族窒化物から主に成るとともにｎ型の特性を有する半導体層を、結晶成長によって形成する工程と、
前記III族窒化物に対してｎ型不純物として作用する元素とは異なる元素から主に成るスルー膜を、前記半導体層の結晶成長に連続して前記半導体層の上に成長させることによって形成する成膜工程と、
前記スルー膜の上から前記半導体層に対してｐ型不純物をイオン注入するイオン注入工程と、
前記イオン注入工程を終えた後、前記スルー膜の上に保護膜を形成する保護膜形成工程と、
前記保護膜形成工程を終えた後、前記半導体層および前記スルー膜を加熱することによって、前記ｐ型不純物がイオン注入された前記半導体層の領域をｐ型半導体領域へと活性化させる加熱工程と、
前記加熱工程を終えた後、前記半導体層から前記スルー膜を除去する除去工程と
を備える。
また、本発明は、以下の形態として実現することも可能である。
【０００７】
（１）本発明の一形態によれば、半導体装置の製造方法が提供される。この製造方法は、III族窒化物から主に成るとともにｎ型の特性を有する半導体層を、結晶成長によって形成する工程と；前記III族窒化物に対してｎ型不純物として作用する元素とは異なる元素から主に成るスルー膜を、前記半導体層の結晶成長に連続して前記半導体層の上に成長させることによって形成する成膜工程と；前記スルー膜の上から前記半導体層に対してｐ型不純物をイオン注入するイオン注入工程と；前記イオン注入工程を終えた後、前記半導体層および前記スルー膜を加熱することによって、前記ｐ型不純物がイオン注入された前記半導体層の領域をｐ型半導体領域へと活性化させる加熱工程と；前記加熱工程を終えた後、前記半導体層から前記スルー膜を除去する除去工程とを備える。この形態によれば、スルー膜によって半導体層の表面へのｎ型不純物の付着を防止できるため、半導体層の表面に付着したｎ型不純物がイオン注入工程において半導体層の中にノックオンによって拡散することを抑制できる。これによって、半導体層においてIII族原子とｐ型不純物との置換が促進されるため、ｐ型不純物が半導体層の表面に析出することを抑制できる。したがって、イオン注入によって形成されるｐ型半導体領域の表面モフォロジを改善できる。その結果、半導体装置のデバイス特性を向上させることができる。
【０００８】
（２）上述した製造方法において、前記スルー膜は、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）、窒化ガリウム（ＧａＮ）、窒化インジウム（ＩｎＮ）、窒化アルミニウムガリウム（ＡｌＧａＮ）、窒化ガリウムインジウム（ＧａＩｎＮ）、窒化アルミニウムインジウム（ＡｌＩｎＮ）、窒化アルミニウムガリウムインジウム（ＡｌＧａＩｎＮ）の少なくとも１つの非晶質成分から主に成ってもよい。この形態によれば、スルー膜を容易に実現できる。
【０００９】
（３）上述した製造方法において、前記成膜工程は、３００℃以上１５００℃以下の温度下で、前記スルー膜を成長させてもよい。この形態によれば、スルー膜を容易に形成できる。
【００１０】
（４）上述した製造方法において、前記成膜工程は、１０ｋＰａ以上１００ｋＰａ以下の圧力下で、前記スルー膜を成長させてもよい。この形態によれば、スルー膜を容易に形成できる。
【００１１】
（５）上述した製造方法において、前記イオン注入工程は、前記スルー膜の上から前記半導体層に対して、マグネシウム原子（Ｍｇ）およびベリリウム原子（Ｂｅ）の少なくとも一方をｐ型不純物としてイオン注入してもよい。この形態によれば、イオン注入によるｐ型半導体領域を容易に形成できる。
【００１２】
（６）上述した製造方法において、前記イオン注入工程は、２０℃以上５００℃以下の温度下で、前記スルー膜の上から前記半導体層に対してｐ型不純物をイオン注入してもよい。この形態によれば、ｐ型不純物を半導体層へと容易にイオン注入できる。
【００１３】
（７）上述した製造方法において、前記加熱工程は、８００℃以上１５００℃以下の温度下で、前記半導体層および前記スルー膜を加熱してもよい。この形態によれば、半導体層にイオン注入されたｐ型不純物を容易に活性化させることができる。
【００１４】
（８）上述した製造方法において、前記加熱工程は、１０ｋＰａ以上１００ｋＰａ以下の圧力下で、前記半導体層および前記スルー膜を加熱してもよい。この形態によれば、半導体層にイオン注入されたｐ型不純物を容易に活性化させることができる。
【００１５】
（９）上述した製造方法において、前記スルー膜は、前記III族窒化物に対してｎ型不純物として作用する元素とは異なる元素の窒化物から主に成り、前記加熱工程は、アンモニア（ＮＨ3）を含有する雰囲気ガスの中で、前記半導体層および前記スルー膜を加熱してもよい。この形態によれば、加熱工程において窒素成分が抜け出すことによるスルー膜の変質を、雰囲気ガスのアンモニアに含まれる窒素成分によって防止できる。
【００１６】
（１０）上述した製造方法において、前記加熱工程は、１分以上６０分以下の処理時間で、前記半導体層および前記スルー膜を加熱してもよい。この形態によれば、半導体層にイオン注入されたｐ型不純物を十分に活性化させることができる。
【００１７】
（１１）上述した製造方法において、前記除去工程は、ｐＨ１２以上の剥離液を用いて、前記半導体層から前記スルー膜を除去してもよい。この形態によれば、半導体層からスルー膜を容易に除去できる。
【００１８】
（１２）上述した製造方法において、前記除去工程は、５０℃以上１２０℃以下の剥離液を用いて、前記半導体層から前記スルー膜を除去してもよい。この形態によれば、半導体層からスルー膜を容易に除去できる。
【００１９】
（１３）上述した製造方法において、前記除去工程は、１分以上６０分以下の処理時間で剥離液に浸漬することによって、前記半導体層から前記スルー膜を除去してもよい。この形態によれば、半導体層からスルー膜を十分に除去できる。
【００２０】
（１４）上述した製造方法において、更に、前記イオン注入工程を終えた後、前記加熱工程に先立って、前記スルー膜の上に保護膜を形成してもよい。この形態によれば、加熱工程において窒素成分が抜け出すことによるスルー膜の変質を、保護膜によって防止できる。
【００２１】
（１５）本発明の一形態は、半導体装置を提供する。この半導体装置は、III族窒化物から主に成るｎ型半導体領域と；III族窒化物から主に成るとともにｐ型不純物を含有し、前記ｎ型半導体領域に隣接するとともに前記ｎ型半導体領域へと一連に広がる表面を有するｐ型半導体領域とを備え、前記ｐ型半導体領域に含まれる酸素原子（Ｏ）の濃度、および、前記ｐ型半導体領域に含まれるケイ素原子（Ｓｉ）の濃度は、前記表面から前記ｐ型半導体領域の深さ方向に向かうにつれて漸減し、前記ｐ型半導体領域に含まれる水素原子（Ｈ）の濃度は、前記表面から前記深さ方向に向かうにつれて漸増した後に漸減し、前記ｐ型半導体領域に含まれる前記ｐ型不純物の濃度は、前記水素原子（Ｈ）の濃度が漸減し始める領域から前記深さ方向に向かうにつれて漸減する。この形態によれば、ｐ型半導体領域の表面モフォロジを改善できる。その結果、半導体装置のデバイス特性を向上させることができる。
【００２２】
（１６）上述した半導体装置において、前記ｐ型半導体領域における前記水素原子（Ｈ）の濃度は、１×１０17ｃｍ-3以上であってもよい。この形態によれば、ｐ型半導体領域においてｐ型の特性を十分に確保できる。
【００２３】
（１７）上述した半導体装置において、前記ｐ型半導体領域における前記ｐ型不純物の濃度は、１×１０18ｃｍ-3以上であってもよい。この形態によれば、ｐ型半導体領域においてｐ型の特性を十分に確保できる。
【００２４】
本発明は、半導体装置およびその製造方法以外の種々の形態として実現でき、例えば、上記形態の半導体装置を備える電力変換装置、ならびに、上記形態の製造方法を実施する製造装置などの形態として実現できる。
【発明の効果】
【００２５】
本発明によれば、イオン注入によって形成されるｐ型半導体領域の表面モフォロジを改善できる。その結果、半導体装置のデバイス特性を向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【００２６】
【図１】半導体装置の製造方法を示す工程図である。
【図２】半導体装置を製造する様子を模式的に示す説明図である。
【図３】半導体装置を製造する様子を模式的に示す説明図である。
【図４】半導体装置を製造する様子を模式的に示す説明図である。
【図５】半導体装置を製造する様子を模式的に示す説明図である。
【図６】半導体装置を製造する様子を模式的に示す説明図である。
【図７】半導体装置を製造する様子を模式的に示す説明図である。
【図８】半導体装置を製造する様子を模式的に示す説明図である。
【図９】実施例の半導体領域における不純物原子の濃度分布を示すグラフである。
【図１０】比較例の半導体領域における不純物原子の濃度分布を示すグラフである。
【図１１】エピタキシャル成長によるｐ型半導体領域における不純物原子の濃度分布を示すグラフである。
【図１２】実施例のｐ型半導体領域における原子状態を模式的に示す説明図である。
【図１３】比較例においてイオン注入を施した領域における原子状態を模式的に示す説明図である。
【図１４】第２実施形態における半導体装置の構成を模式的に示す断面図である。
【図１５】第２実施形態における半導体装置の製造方法を示す工程図である。
【図１６】第３実施形態における半導体装置の構成を模式的に示す断面図である。
【図１７】第３実施形態における半導体装置の製造方法を示す工程図である。
【図１８】電力変換装置の構成を示す説明図である。
【発明を実施するための形態】
【００２７】
Ａ．第１実施形態
Ａ−１．半導体装置の製造方法
図１は、半導体装置の製造方法を示す工程図である。図２から図８は、半導体装置を製造する様子を模式的に示す説明図である。
【００２８】
図２には、相互に直交するＸＹＺ軸が図示されている。図２のＸＹＺ軸のうち、Ｘ軸は、図２の紙面左から紙面右に向かう軸である。＋Ｘ軸方向は、紙面右に向かう方向であり、−Ｘ軸方向は、紙面左に向かう方向である。図２のＸＹＺ軸のうち、Ｙ軸は、図２の紙面手前から紙面奥に向かう軸である。＋Ｙ軸方向は、紙面奥に向かう方向であり、−Ｙ軸方向は、紙面手前に向かう方向である。図２のＸＹＺ軸のうち、Ｚ軸は、図２の紙面下から紙面上に向かう軸である。＋Ｚ軸方向は、紙面上に向かう方向であり、−Ｚ軸方向は、紙面下に向かう方向である。図２のＸＹＺ軸は、他の図のＸＹＺ軸に対応する。
【００２９】
まず、製造者は、III族窒化物から主に成るとともにｎ型の特性を有する半導体層１１１を、エピタキシャル成長（結晶成長）によって基板１１０の上に形成する（工程Ｐ１１０、図２）。これによって、製造者は、製造途中にある半導体装置として、基板１１０の上に半導体層１１１が形成された半導体装置１００ａを得る。本明細書の説明において、「III族窒化物から主に成る」とは、モル分率においてIII族窒化物を９０％以上含有することを意味する。
【００３０】
本実施形態では、製造者は、基板１１０における＋Ｚ軸方向側の表面に半導体層１１１を形成する。本実施形態では、製造者は、有機金属気相成長法（ＭＯＣＶＤ：Metal Organic Chemical Vapor Deposition）によって半導体層１１１を形成する。
【００３１】
半導体装置１００ａの基板１１０は、Ｘ軸およびＹ軸に沿って広がる板状を成す半導体である。本実施形態では、基板１１０は、III族窒化物の１つである窒化ガリウム（ＧａＮ）から主に成る。本実施形態では、基板１１０は、ケイ素（Ｓｉ）をドナー元素として含有するｎ型半導体である。本実施形態では、基板１１０に含まれるケイ素（Ｓｉ）濃度の平均値は、約１×１０18ｃｍ-3である。
【００３２】
半導体装置１００ａの半導体層１１１は、III族窒化物から主に成るｎ型半導体層である。本実施形態では、半導体層１１１は、基板１１０の＋Ｚ軸方向側に位置し、Ｘ軸およびＹ軸に沿って広がる。半導体層１１１は、一連に広がる表面１１１ｓを有する。本実施形態では、表面１１１ｓは、＋Ｚ軸方向を向いた面である。本実施形態では、半導体層１１１は、III族窒化物の１つである窒化ガリウム（ＧａＮ）から主に成る。本実施形態では、半導体層１１１は、ケイ素（Ｓｉ）をドナー元素（ｎ型不純物、ｎ型ドーパント元素）として含有する。本実施形態では、半導体層１１１に含まれるケイ素（Ｓｉ）濃度の平均値は、約１×１０16ｃｍ-3である。
【００３３】
半導体層１１１を形成した後、製造者は、成膜工程を実施する（工程Ｐ１２０、図３）。成膜工程(工程Ｐ１２０)において、製造者は、ｎ型不純物とは異なる元素から主に成るスルー膜を、半導体層１１１の結晶成長に連続して半導体層１１１の上に成長させることによって形成する。これによって、製造者は、製造途中にある半導体装置として、半導体層１１１における表面１１１ｓの上にスルー膜８１０が形成された半導体装置１００ｂを得る。
【００３４】
本実施形態では、成膜工程(工程Ｐ１２０)において、製造者は、半導体層１１１の形成に続いて、半導体層１１１を形成した反応室において、有機金属気相成長法（ＭＯＣＶＤ）によってスルー膜８１０を形成する。これによって、半導体層１１１の表面１１１ｓにおける不純物汚染を防止できる。
【００３５】
本実施形態では、成膜工程(工程Ｐ１２０)において、製造者は、３００℃以上１５００℃以下の温度下で、スルー膜８１０を成長させる。これによって、スルー膜８１０を容易に形成できる。
【００３６】
本実施形態では、成膜工程(工程Ｐ１２０)において、製造者は、１０ｋＰａ以上１００ｋＰａ以下の圧力下で、スルー膜８１０を成長させる。これによって、スルー膜８１０を容易に形成できる。
【００３７】
スルー膜８１０は、半導体層１１１に対してイオン注入する際に注入される不純物濃度を調整するダミー層として機能する。本実施形態では、スルー膜８１０の厚さ（Ｚ軸方向の長さ）は、３０ｎｍ（ナノメートル）である。
【００３８】
本実施形態では、スルー膜８１０は、ｎ型不純物とは異なる元素から主に成るIII族窒化物である。スルー膜８１０は、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）、窒化ガリウム（ＧａＮ）、窒化インジウム（ＩｎＮ）、窒化アルミニウムガリウム（ＡｌＧａＮ）、窒化ガリウムインジウム（ＧａＩｎＮ）、窒化アルミニウムインジウム（ＡｌＩｎＮ）、窒化アルミニウムガリウムインジウム（ＡｌＧａＩｎＮ）の少なくとも１つの非晶質成分から主に成ることが好ましい。これによって、スルー膜８１０を容易に実現できる。本実施形態では、スルー膜８１０は、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）の非晶質成分から主に成る。
【００３９】
成膜工程（工程Ｐ１２０）を終えた後、製造者は、スルー膜８１０の上にマスク８２０を形成する（工程Ｐ１３０、図４）。これによって、製造者は、製造途中にある半導体装置として、スルー膜８１０の上にマスク８２０が形成された半導体装置１００ｃを得る。マスク８２０は、半導体層１１１に対してイオン注入を施す領域を露出させる開口部８２０ｐを有する。本実施形態では、マスク８２０は、フォトレジストから主に成る。他の実施形態では、マスク８２０は、絶縁膜（例えば、二酸化ケイ素（ＳｉＯ２）、窒化ケイ素（ＳｉＮｘ）など）であってもよい。
【００４０】
マスク８２０を形成した後（工程Ｐ１３０）、製造者は、イオン注入工程を実施する（工程Ｐ１４０、図５）。イオン注入工程（工程Ｐ１４０）において、製造者は、スルー膜８１０の上から半導体層１１１に対してｐ型不純物をイオン注入する。これによって、製造者は、製造途中にある半導体装置として、イオン注入された半導体層１１１を備える半導体装置１００ｄを得る。半導体装置１００ｄの半導体層１１１は、イオン注入の影響を受けていないｎ型半導体領域１１１ｎと、イオン注入の影響を受けたイオン注入領域１１１ｉｐとを有する。
【００４１】
イオン注入工程（工程Ｐ１４０）では、スルー膜８１０の上から半導体層１１１に対して、マグネシウム原子（Ｍｇ）およびベリリウム原子（Ｂｅ）の少なくとも一方をｐ型不純物としてイオン注入することが好ましい。これによって、イオン注入によるｐ型半導体領域１１１ｐを容易に形成できる。本実施形態では、製造者は、ｐ型不純物としてマグネシウム原子（Ｍｇ）をイオン注入する。
【００４２】
本実施形態では、イオン注入工程（工程Ｐ１４０）において、製造者は、２０℃以上５００℃以下の温度下で、スルー膜８１０の上から半導体層１１１に対してｐ型不純物をイオン注入する。これによって、ｐ型不純物を半導体層１１１へと容易にイオン注入できる。
【００４３】
イオン注入工程（工程Ｐ１４０）において、マスク８２０の開口部８２０ｐからスルー膜８１０を通過したｐ型不純物は、半導体層１１１の表面１１１ｓから内側へと注入される。これによって、半導体層１１１には、ｐ型不純物が分散するイオン注入領域１１１ｉｐが形成される。イオン注入領域１１１ｉｐにおけるｐ型不純物は、結晶格子上に並んでいない。そのため、イオン注入領域１１１ｉｐは、ｐ型の特性を有していない。
【００４４】
イオン注入工程（工程Ｐ１４０）を終えた後、製造者は、スルー膜８１０の上からマスク８２０を除去する（工程Ｐ１５０、図６）。これによって、製造者は、製造途中にある半導体装置として、半導体装置１００ｄからマスク８２０を除去した半導体装置１００ｅを得る。本実施形態では、製造者は、フォトレジストから主に成るマスク８２０を有機溶剤によって除去する。他の実施形態では、二酸化ケイ素（ＳｉＯ２）から主に成る絶縁膜をマスク８２０として用いた場合、製造者は、フッ化水素によってマスク８２０を除去してもよいし、フッ化水素アンモニウムとフッ化アンモニウムの混合水溶液によってマスク８２０を除去してもよい。
【００４５】
マスク８２０を除去した後（工程Ｐ１５０）、製造者は、加熱工程を実施する（工程Ｐ１６０、図７）。加熱工程（工程Ｐ１６０）において、製造者は、半導体層１１１およびスルー膜８１０を加熱することによって、イオン注入領域１１１ｉｐを活性化させる。これによって、イオン注入領域１１１ｉｐは、ｐ型の特性を有するｐ型半導体領域１１１ｐになり、製造者は、製造途中にある半導体装置として、ｐ型半導体領域１１１ｐを備える半導体装置１００ｆを得る。
【００４６】
本実施形態では、加熱工程（工程Ｐ１６０）において、製造者は、８００℃以上１５００℃以下の温度下で、半導体層１１１およびスルー膜８１０を加熱する。これによって、半導体層１１１にイオン注入されたｐ型不純物を容易に活性化させることができる。
【００４７】
本実施形態では、加熱工程（工程Ｐ１６０）において、製造者は、１０ｋＰａ以上１００ｋＰａ以下の圧力下で、半導体層１１１およびスルー膜８１０を加熱する。これによって、半導体層１１１にイオン注入されたｐ型不純物を容易に活性化させることができる。
【００４８】
本実施形態では、加熱工程（工程Ｐ１６０）において、製造者は、アンモニア（ＮＨ3）を含有する雰囲気ガスの中で、半導体層１１１およびスルー膜８１０を加熱する。これによって、加熱工程（工程Ｐ１６０）において窒素成分が抜け出すことによるスルー膜８１０の変質を、雰囲気ガスのアンモニア（ＮＨ3）に含まれる窒素成分によって防止できる。
【００４９】
本実施形態では、加熱工程（工程Ｐ１６０）において、製造者は、１分以上６０分以下の処理時間で、半導体層１１１およびスルー膜８１０を加熱する。これによって、半導体層１１１にイオン注入されたｐ型不純物を十分に活性化させることができる。
【００５０】
他の実施形態では、イオン注入工程（工程Ｐ１４０）を終えた後、加熱工程（工程Ｐ１６０）に先立って、スルー膜８１０の上に保護膜を形成してもよい。これによって、加熱工程（工程Ｐ１６０）において窒素成分が抜け出すことによるスルー膜８１０の変質を、保護膜によって防止できる。
【００５１】
加熱工程（工程Ｐ１６０）を終えた後、製造者は、除去工程を実施する（工程Ｐ１７０、図８）。除去工程（工程Ｐ１７０）において、製造者は、半導体層１１１からスルー膜８１０を除去する。これによって、製造者は、製造途中にある半導体装置として、ｎ型半導体領域１１１ｎおよびｐ型半導体領域１１１ｐを備える半導体装置１００ｇを得る。ｐ型半導体領域１１１ｐは、III族窒化物から主に成るとともにｐ型不純物を含有し、ｎ型半導体領域１１１ｎに隣接するとともにｎ型半導体領域１１１ｎへと一連に広がる表面１１１ｓを有する。
【００５２】
本実施形態では、除去工程（工程Ｐ１７０）において、製造者は、ｐＨ１２以上の剥離液を用いて、半導体層１１１からスルー膜８１０を除去する。これによって、半導体層１１１からスルー膜８１０を容易に除去できる。
【００５３】
本実施形態では、除去工程（工程Ｐ１７０）において、製造者は、５０℃以上１２０℃以下の剥離液を用いて、半導体層１１１からスルー膜８１０を除去する。これによって、半導体層１１１からスルー膜８１０を容易に除去できる。
【００５４】
本実施形態では、除去工程（工程Ｐ１７０）において、製造者は、１分以上６０分以下の処理時間で剥離液に浸漬することによって、半導体層１１１からスルー膜８１０を除去する。これによって、半導体層１１１からスルー膜８１０を十分に除去できる。
【００５５】
除去工程（工程Ｐ１７０）を終えた後、他の半導体層、トレンチ、リセス、絶縁膜および電極の少なくとも１つを半導体装置１００ｇに形成することによって、半導体装置が完成する。
【００５６】
Ａ−２．評価試験
試験者は、上述した実施形態の製造方法による半導体装置１００ｇを実施例として作製するとともに、上述した実施形態とは異なる製造方向による半導体装置を比較例として作製した。比較例の製造方法は、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）の非晶質成分から主に成るスルー膜８１０に代えて、二酸化ケイ素（ＳｉＯ2）から主に成るスルー膜を形成する点、並びに、イオン注入工程を終えた後であって加熱工程の前にスルー膜を除去する点を除き、上述した実施形態の製造方法と同様である。
【００５７】
試験者は、実施例におけるｐ型半導体領域１１１ｐに対してＣＶ測定を行った。そのＣＶ測定の結果によれば、ｐ型半導体領域１１１ｐにおいて１０１５〜１０１７ｃｍ−３程度のアクセプタ濃度が確認された。つまり、ｐ型半導体領域１１１ｐは、ｐ型の特性を十分に有するものであった。
【００５８】
試験者は、実施例と同様に、比較例におけるイオン注入を施した領域に対してＣＶ測定を行った。そのＣＶ測定の結果は、ｐ型の特性を示すものではなかった。
【００５９】
試験者は、実施例におけるｐ型半導体領域１１１ｐの表面１１１ｓを電子顕微鏡画像で解析した。その結果によれば、ｐ型半導体領域１１１ｐの表面１１１ｓには、直径１０〜３０ｎｍ程度のドロップレットは存在せず、表面１１１ｓの表面モフォロジは良好であった。
【００６０】
試験者は、実施例と同様に、比較例におけるイオン注入を施した領域の表面を電子顕微鏡画像で解析した。その結果によれば、イオン注入を施した領域の表面には、直径１０〜３０ｎｍ程度のドロップレットが存在し、表面モフォロジが劣化した状態であった。
【００６１】
図９は、実施例の半導体領域における不純物原子の濃度分布を示すグラフである。図９の横軸は、実施例におけるｐ型半導体領域１１１ｐの表面１１１ｓから−Ｚ軸方向（深さ方向）に向けた深さを示す。図９の縦軸は、不純物原子の濃度を示す。試験者は、実施例のｐ型半導体領域１１１ｐに対する二次イオン質量分析法（ＳＩＭＳ：Secondary Ion Mass Spectrometry）によって、図９の分析結果を得た。
【００６２】
実施例では、ｐ型半導体領域１１１ｐに含まれる酸素原子（Ｏ）の濃度は、１×１０18ｃｍ-3未満であり、表面１１１ｓから深さ方向に向かうにつれて漸減する。ｐ型半導体領域１１１ｐに含まれるケイ素原子（Ｓｉ）の濃度についても、１×１０18ｃｍ-3未満であり、表面１１１ｓから深さ方向に向かうにつれて漸減する。半導体層１１１において、酸素原子（Ｏ）およびケイ素原子（Ｓｉ）は、ｎ型不純物として作用する。
【００６３】
実施例では、ｐ型半導体領域１１１ｐに含まれる水素原子（Ｈ）の濃度は、表面１１１ｓから深さ方向に向かうにつれて漸増した後に漸減する。ｐ型半導体領域１１１ｐにおける水素原子（Ｈ）の濃度は、１×１０17ｃｍ-3以上である。
【００６４】
実施例では、ｐ型半導体領域１１１ｐに含まれるマグネシウム原子（Ｍｇ）の濃度は、水素原子（Ｈ）の濃度が漸減し始める領域Ｐ１から深さ方向に向かうにつれて漸減する。半導体層１１１において、マグネシウム原子（Ｍｇ）は、ｐ型不純物として作用する。ｐ型半導体領域１１１ｐにおけるマグネシウム原子（Ｍｇ）の濃度は、１×１０18ｃｍ-3以上である。
【００６５】
図１０は、比較例の半導体領域における不純物原子の濃度分布を示すグラフである。図１０の横軸は、比較例においてイオン注入を施した領域の表面から−Ｚ軸方向（深さ方向）に向けた深さを示す。図１０の縦軸は、不純物原子の濃度を示す。試験者は、比較例においてイオン注入を施した領域に対する二次イオン質量分析法（ＳＩＭＳ）によって、図１０の分析結果を得た。
【００６６】
比較例では、イオン注入を施した領域に含まれる酸素原子（Ｏ）の濃度は、０．２μｍ（マイクロメートル）付近の深さまで１×１０17ｃｍ-3以上であり、半導体層の表面から深さ方向に向かうにつれて漸減する。イオン注入を施した領域に含まれるケイ素原子（Ｓｉ）の濃度についても、０．２μｍ付近の深さまで１×１０17ｃｍ-3以上であり、半導体層の表面から深さ方向に向かうにつれて漸減する。
【００６７】
比較例では、イオン注入を施した領域に含まれる水素原子（Ｈ）の濃度は、０．１μｍ付近の深さまで１×１０17ｃｍ-3以上であり、半導体層の表面から深さ方向に向かうにつれて漸減する。
【００６８】
比較例では、イオン注入を施した領域に含まれるマグネシウム原子（Ｍｇ）の濃度は、０．２μｍ付近の深さから深さ方向に向かうにつれて漸減し、０．５μｍ付近の深さまで１×１０18ｃｍ-3以上である。
【００６９】
図１１は、エピタキシャル成長によるｐ型半導体領域における不純物原子の濃度分布を示すグラフである。図１１の横軸は、エピタキシャル成長によるｐ型半導体領域における表面からの深さを示す。図１１の縦軸は、不純物原子の濃度を示す。試験者は、エピタキシャル成長によるｐ型半導体領域に対する二次イオン質量分析法（ＳＩＭＳ）によって、図１１の分析結果を得た。
【００７０】
エピタキシャル成長によるｐ型半導体領域では、マグネシウム原子（Ｍｇ）の濃度は、深さ方向にわたって５×１０18ｃｍ-3程度でほぼ一定であり、水素原子（Ｈ）の濃度は、深さ方向にわたって２×１０18ｃｍ-3程度でほぼ一定である。エピタキシャル成長によるｐ型半導体領域では、酸素原子（Ｏ）およびケイ素原子（Ｓｉ）の各濃度は、０．１μｍ付近の深さまでに１×１０17ｃｍ-3以下になる。
【００７１】
図１２は、実施例のｐ型半導体領域１１１ｐにおける原子状態を模式的に示す説明図である。実施例では、半導体層１１１を構成する窒化ガリウム（ＧａＮ）において、酸素原子（Ｏ）およびケイ素原子（Ｓｉ）などのｎ型不純物が比較例より少ないため、イオン注入されたマグネシウム原子（Ｍｇ）は、加熱工程において比較例よりガリウム原子（Ｇａ）の格子点に入りやすくなると考えられる。マグネシウム原子（Ｍｇ）は、ガリウム原子（Ｇａ）の格子点に入ることによってマグネシウムイオン（Ｍｇ-）としてイオン化する。マグネシウムイオン（Ｍｇ-）は、水素イオン（Ｈ+）を引き付けるため、ｐ型半導体領域１１１ｐにおいて水素原子（Ｈ）の濃度が増加すると考えられる。
【００７２】
図１３は、比較例においてイオン注入を施した領域における原子状態を模式的に示す説明図である。比較例では、半導体層を構成する窒化ガリウム（ＧａＮ）の表面において、酸素原子（Ｏ）およびケイ素原子（Ｓｉ）などのｎ型不純物は、実施例より多いため、イオン注入時に窒化ガリウム（ＧａＮ）の表層にノックオンされる。その後、加熱工程において、酸素原子（Ｏ）およびケイ素原子（Ｓｉ）などのｎ型不純物がガリウム原子（Ｇａ）の格子点に入るため、イオン注入されたマグネシウム原子（Ｍｇ）がドロップレットとして析出すると考えられる。ガリウム原子（Ｇａ）の格子点に入ったケイ素イオン（Ｓｉ+）は、水素イオン（Ｈ+）との間に斥力を発生させるため、実施例のような水素原子（Ｈ）の濃度の増加は見られないと考えられる。
【００７３】
Ａ−３．効果
以上説明した第１実施形態によれば、スルー膜８１０によって半導体層１１１の表面１１１ｓへのｎ型不純物の付着を防止できるため、半導体層１１１の表面１１１ｓに付着したｎ型不純物がイオン注入工程（工程Ｐ１４０）において半導体層１１１の中にノックオンによって拡散することを抑制できる。これによって、半導体層１１１へのｐ型不純物の拡散が促進されるため、ｐ型不純物が半導体層１１１の表面１１１ｓに析出することを抑制できる。したがって、イオン注入によって形成されるｐ型半導体領域１１１ｐの表面モフォロジを改善できる。その結果、半導体装置のデバイス特性を向上させることができる。
【００７４】
Ｂ．第２実施形態
図１４は、第２実施形態における半導体装置２００の構成を模式的に示す断面図である。図１４には、図２と同様に相互に直交するＸＹＺ軸が図示されている。
【００７５】
本実施形態では、半導体装置２００は、窒化ガリウム（ＧａＮ）を用いて形成されたＧａＮ系の半導体装置である。本実施形態では、半導体装置２００は、縦型トレンチＭＯＳＦＥＴ（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor）である。本実施形態では、半導体装置２００は、電力制御に用いられ、パワーデバイスとも呼ばれる。
【００７６】
半導体装置２００は、基板２１０と、半導体層２１１と、ｐ型半導体層２１４と、ｎ型半導体層２１６とを備える。半導体層２１１は、ｎ型半導体領域２１１ｎと、ｐ型半導体領域２１１ｐとを含む。半導体装置２００は、これらの半導体層に形成された構造として、トレンチ２２２と、リセス２２４とを有する。半導体装置２００は、更に、絶縁膜２３０と、ゲート電極２４２と、ボディ電極２４４と、ソース電極２４６と、ドレイン電極２４８とを備える。
【００７７】
半導体装置２００の基板２１０は、第１実施形態の基板１１０と同様である。半導体装置２００の半導体層２１１は、第１実施形態の半導体層１１１と同様である。半導体層２１１の厚さ（Ｚ軸方向の長さ）は、１０μｍ以上２０μｍ以下が好ましく、本実施形態では、約１０μｍである。半導体層２１１のｎ型半導体領域２１１ｎは、第１実施形態のｎ型半導体領域１１１ｎと同様である。半導体層２１１のｐ型半導体領域２１１ｐは、第１実施形態のｐ型半導体領域１１１ｐと同様である。ｐ型半導体領域２１１ｐは、ｎ型半導体領域２１１ｎに隣接するとともにｎ型半導体領域２１１ｎへと一連に広がる表面２１１ｓを有する。ｐ型半導体領域２１１ｐは、トレンチ２２２から離れた位置に形成されている。
【００７８】
半導体装置２００のｐ型半導体層２１４は、ｐ型の特性を有する半導体である。本実施形態では、ｐ型半導体層２１４は、半導体層２１１の＋Ｚ軸方向側に位置し、Ｘ軸およびＹ軸に沿って広がる。本実施形態では、ｐ型半導体層２１４は、窒化ガリウム（ＧａＮ）から主に成る。本実施形態では、ｐ型半導体層２１４は、マグネシウム（Ｍｇ）をアクセプタ元素として含有する。本実施形態では、ｐ型半導体層２１４に含まれるマグネシウム（Ｍｇ）濃度の平均値は、約２×１０18ｃｍ-3である。ｐ型半導体層２１４の厚さ（Ｚ軸方向の長さ）は、０．５μｍ以上１．０μｍ以下が好ましく、本実施形態では、約０．７μｍである。
【００７９】
半導体装置２００のｎ型半導体層２１６は、ｎ型の特性を有する半導体である。本実施形態では、ｎ型半導体層２１６は、ｐ型半導体層２１４の＋Ｚ軸方向側に位置し、Ｘ軸およびＹ軸に沿って広がる。本実施形態では、ｎ型半導体層２１６は、窒化ガリウム（ＧａＮ）から主に成る。本実施形態では、ｎ型半導体層２１６は、ケイ素（Ｓｉ）をドナー元素として含有する。本実施形態では、ｎ型半導体層２１６に含まれるケイ素（Ｓｉ）濃度の平均値は、約３×１０18ｃｍ-3である。本実施形態では、ｎ型半導体層２１６の厚さ（Ｚ軸方向の長さ）は、約０．４μｍである。
【００８０】
半導体装置２００のトレンチ２２２は、ｎ型半導体層２１６の＋Ｚ軸方向側からｐ型半導体層２１４を貫通し半導体層２１１のｎ型半導体領域２１１ｎにまで落ち込んだ溝部である。本実施形態では、トレンチ２２２は、各半導体層に対するドライエッチングによって形成された構造である。
【００８１】
半導体装置２００のリセス２２４は、ｎ型半導体層２１６の＋Ｚ軸方向側からｐ型半導体層２１４にわたって窪んだ凹部である。本実施形態では、リセス２２４は、各半導体層に対するドライエッチングによって形成された構造である。
【００８２】
半導体装置２００の絶縁膜２３０は、トレンチ２２２の内側に形成され、電気絶縁性を有する膜である。本実施形態では、絶縁膜２３０は、トレンチ２２２の内側から外側にわたって形成されている。本実施形態では、絶縁膜２３０は、二酸化ケイ素（ＳｉＯ２）から主に成る。
【００８３】
半導体装置２００のゲート電極２４２は、絶縁膜２３０を介してトレンチ２２２の内側に形成された電極である。本実施形態では、ゲート電極２４２は、トレンチ２２２の内側に加え、トレンチ２２２の外側にわたって形成されている。本実施形態では、ゲート電極２４２は、アルミニウム（Ａｌ）から主に成る。ゲート電極２４２に電圧が印加された場合、ｐ型半導体層２１４に反転層が形成され、この反転層がチャネルとして機能することによって、ソース電極２４６とドレイン電極２４８との間に導通経路が形成される。
【００８４】
半導体装置２００のボディ電極２４４は、リセス２２４に形成され、ｐ型半導体層２１４にオーミック接触する電極である。本実施形態では、ボディ電極２４４は、パラジウム（Ｐｄ）から主に成る。
【００８５】
半導体装置２００のソース電極２４６は、ｎ型半導体層２１６にオーミック接触する電極である。本実施形態では、ソース電極２４６は、ボディ電極２４４の上からｎ型半導体層２１６の＋Ｚ軸方向側の表面にわたって形成されている。他の実施形態では、ソース電極２４６は、ボディ電極２４４から離れた部位に形成されていてもよい。本実施形態では、ソース電極２４６は、チタン（Ｔｉ）から主に成る層にアルミニウム（Ａｌ）から主に成る層を積層した電極である。
【００８６】
半導体装置２００のドレイン電極２４８は、基板２１０の−Ｚ軸方向側の表面にオーミック接触する電極である。本実施形態では、ドレイン電極２４８は、チタン（Ｔｉ）から主に成る層にアルミニウム（Ａｌ）から主に成る層を積層した電極である。
【００８７】
図１５は、第２実施形態における半導体装置２００の製造方法を示す工程図である。まず、製造者は、第１実施形態と同様に、基板２１０の上に半導体層２１１を結晶成長によって形成する（工程Ｐ２１０）。その後、製造者は、第１実施形態の成膜工程（工程Ｐ１２０）から除去工程（工程Ｐ１７０）までの工程と同様に、半導体層２１１にｐ型半導体領域２１１ｐを形成する（工程Ｐ２２０）。
【００８８】
ｐ型半導体領域２１１ｐを形成した後（工程Ｐ２２０）、製造者は、半導体層２１１の上に、ｐ型半導体層２１４を形成する（工程Ｐ２３０）。本実施形態では、製造者は、有機金属気相成長法（ＭＯＣＶＤ）によってｐ型半導体層２１４を形成する。
【００８９】
ｐ型半導体層２１４を形成した後（工程Ｐ２３０）、製造者は、ｐ型半導体層２１４の上にｎ型半導体層２１６を形成する（工程Ｐ２４０）。本実施形態では、製造者は、有機金属気相成長法（ＭＯＣＶＤ）によってｎ型半導体層２１６を形成する。
【００９０】
ｎ型半導体層２１６を形成した後（工程Ｐ２４０）、製造者は、エッチングによってトレンチ２２２およびリセス２２４を形成する（工程Ｐ２５０）。本実施形態では、製造者は、ドライエッチングによってトレンチ２２２およびリセス２２４を形成する。
【００９１】
トレンチ２２２およびリセス２２４を形成した後（工程Ｐ２５０）、製造者は、絶縁膜２３０を形成する（工程Ｐ２６０）。本実施形態では、製造者は、原子層堆積法（ＡＬＤ：Atomic Layer Deposition）によって絶縁膜２３０を形成する。
【００９２】
絶縁膜２３０を形成した後（工程Ｐ２６０）、製造者は、ゲート電極２４２、ボディ電極２４４、ソース電極２４６およびドレイン電極２４８を形成する（工程Ｐ２７０）。これらの工程を経て、半導体装置２００が完成する。
【００９３】
以上説明した第２実施形態によれば、第１実施形態と同様に、イオン注入によって形成されるｐ型半導体領域２１１ｐの表面モフォロジを改善できる。その結果、半導体装置２００のデバイス特性を向上させることができる。
【００９４】
Ｃ．第３実施形態
図１６は、第３実施形態における半導体装置３００の構成を模式的に示す断面図である。図１６には、図２と同様に相互に直交するＸＹＺ軸が図示されている。
【００９５】
本実施形態では、半導体装置３００は、窒化ガリウム（ＧａＮ）を用いて形成されたＧａＮ系の半導体装置である。本実施形態では、半導体装置３００は、縦型ショットキーバリアダイオードである。本実施形態では、半導体装置３００は、電力制御に用いられ、パワーデバイスとも呼ばれる。
【００９６】
半導体装置３００は、基板３１０と、半導体層３１１と、ショットキー電極３４３と、絶縁膜３３０と、裏面電極３４５とを備える。半導体装置３００は、半導体層３１１に形成された構造として、メサ３１１ｍを有する。
【００９７】
半導体装置３００の基板３１０は、第１実施形態の基板１１０と同様である。半導体装置３００の半導体層３１１は、第１実施形態の半導体層１１１と同様である。半導体層３１１の厚さ（Ｚ軸方向の長さ）は、１０μｍ以上２０μｍ以下が好ましく、本実施形態では、メサ３１１ｍの部分において約１０μｍである。半導体層３１１のｎ型半導体領域３１１ｎは、第１実施形態のｎ型半導体領域１１１ｎと同様である。半導体層３１１のｐ型半導体領域３１１ｐは、第１実施形態のｐ型半導体領域１１１ｐと同様である。ｐ型半導体領域３１１ｐは、メサ３１１ｍの端部を構成する。ｐ型半導体領域３１１ｐは、ｎ型半導体領域３１１ｎに隣接するとともにｎ型半導体領域３１１ｎへと一連に広がる表面３１１ｓを有する。表面３１１ｓは、メサ３１１ｍの上面である。
【００９８】
半導体装置３００のショットキー電極３４３は、導電性材料から成り、メサ３１１ｍにおける表面３１１ｓにショットキー接合されたアノード電極である。本実施形態では、ショットキー電極３４３は、ニッケル（Ｎｉ）から主に成る。本実施形態では、ショットキー電極３４３は、電子ビーム蒸着法によって形成された金属層である。
【００９９】
半導体装置３００の絶縁膜３３０は、電気絶縁性を有し、メサ３１１ｍの周囲からショットキー電極３４３の上にわたって形成された膜である。本実施形態では、絶縁膜３３０は、原子層堆積法（ＡＬＤ：Atomic Layer Deposition）による厚さ約１００ｎｍの酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）から主に成る層に、プラズマ化学気相成長法（プラズマＣＶＤ：Plasma Chemical Vapor Deposition)による厚さ約５００ｎｍの二酸化ケイ素（ＳｉＯ２）から主に成る層を積層した膜である。
【０１００】
半導体装置３００の裏面電極３４５は、導電性材料から成り、基板３１０の−Ｚ軸方向側にオーミック接合されたカソード電極である。本実施形態では、裏面電極３４５は、スパッタ法によってチタン（Ｔｉ）から主に成る層にアルミニウム−ケイ素合金（ＡｌＳｉ）から成る層を積層した電極である。
【０１０１】
図１７は、第３実施形態における半導体装置３００の製造方法を示す工程図である。まず、製造者は、第１実施形態と同様に、基板３１０の上に半導体層３１１を結晶成長によって形成する（工程Ｐ３１０）。その後、製造者は、第１実施形態の成膜工程（工程Ｐ１２０）から除去工程（工程Ｐ１７０）までの工程と同様に、半導体層３１１にｐ型半導体領域３１１ｐを形成する（工程Ｐ３２０）。
【０１０２】
ｐ型半導体領域３１１ｐを形成した後（工程Ｐ３２０）、製造者は、エッチングによってメサ３１１ｍを形成する（工程Ｐ３５０）。本実施形態では、製造者は、ドライエッチングによってメサ３１１ｍを形成する。
【０１０３】
メサ３１１ｍを形成した後（工程Ｐ３５０）、製造者は、ショットキー電極３４３および裏面電極３４５を形成する（工程Ｐ３６０）。その後、製造者は、絶縁膜３３０を形成する（工程Ｐ３７０）。これらの工程を経て、半導体装置３００が完成する。
【０１０４】
以上説明した第３実施形態によれば、第１実施形態と同様に、イオン注入によって形成されるｐ型半導体領域３１１ｐの表面モフォロジを改善できる。その結果、半導体装置３００のデバイス特性を向上させることができる。
【０１０５】
Ｄ．第４実施形態
図１８は、電力変換装置１０の構成を示す説明図である。電力変換装置１０は、交流電源Ｅから負荷Ｒに供給される電力を変換する装置である。電力変換装置１０は、交流電源Ｅの力率を改善する力率改善回路の構成部品として、制御回路２０と、トランジスタＴＲと、４つのダイオードＤ１と、コイルＬと、ダイオードＤ２と、キャパシタＣとを備える。
【０１０６】
電力変換装置１０のダイオードＤ１，Ｄ２は、第３実施形態の半導体装置３００と同様である。電力変換装置１０において、４つのダイオードＤ１は、交流電源Ｅの交流電圧を整流するダイオードブリッジＤＢを構成する。ダイオードブリッジＤＢは、直流側の端子として、正極出力端Ｔｐと、負極出力端Ｔｎとを有する。コイルＬは、ダイオードブリッジＤＢの正極出力端Ｔｐに接続されている。ダイオードＤ２のアノード側は、コイルＬを介して正極出力端Ｔｐに接続されている。ダイオードＤ２のカソード側は、キャパシタＣを介して負極出力端Ｔｎに接続されている。負荷Ｒは、キャパシタＣと並列に接続されている。
【０１０７】
電力変換装置１０のトランジスタＴＲは、ＦＥＴ（Field-Effect Transistor）であり、第２実施形態の半導体装置２００と同様である。トランジスタＴＲのソース側は、負極出力端Ｔｎに接続されている。トランジスタＴＲのドレイン側は、コイルＬを介して正極出力端Ｔｐに接続されている。トランジスタＴＲのゲート側は、制御回路２０に接続されている。電力変換装置１０の制御回路２０は、交流電源Ｅの力率が改善されるように、負荷Ｒに出力される電圧、および、ダイオードブリッジＤＢにおける電流に基づいて、トランジスタＴＲのソース−ドレイン間の電流を制御する。
【０１０８】
以上説明した第４実施形態によれば、ダイオードＤ１，Ｄ２並びにトランジスタＴＲの各デバイス特性を向上させることができる。その結果、電力変換装置１０による電力変換効率を向上させることができる。
【０１０９】
Ｅ．他の実施形態
本発明は、上述した実施形態、実施例および変形例に限られず、その趣旨を逸脱しない範囲において種々の構成で実現できる。例えば、実施形態、実施例および変形例における技術的特徴のうち、発明の概要の欄に記載した各形態における技術的特徴に対応するものは、上述の課題の一部または全部を解決するために、あるいは、上述の効果の一部または全部を達成するために、適宜、差し替えおよび組み合わせを行うことが可能である。また、本明細書中に必須なものとして説明されていない技術的特徴については、適宜、削除することが可能である。
【０１１０】
本発明が適用される半導体装置は、上述の実施形態で説明した縦型トレンチＭＯＳＦＥＴに限られず、例えば、絶縁ゲートバイポーラトランジスタ（ＩＧＢＴ：Insulated Gate Bipolar Transistor）、ＭＥＳＦＥＴ（metal-semiconductor field effect transistor）などであってもよい。本発明の構造は、終端構造に適用できる。本発明の製造方法は、ｎ型半導体層とｐ型半導体層とを相互に置き換えた構造の製造に適用できる。
【０１１１】
上述の実施形態において、基板の材質は、窒化ガリウム（ＧａＮ）に限らず、ケイ素（Ｓｉ）、サファイア（Ａｌ２Ｏ３）および炭化ケイ素（ＳｉＣ）などのいずれであってもよい。上述の実施形態において、各半導体層の材質は、窒化ガリウム（ＧａＮ）に限らず、ガリウム（Ｇａ）を含有する窒化物半導体であればよい。
【０１１２】
上述の実施形態において、ｎ型半導体層に含まれるドナー元素は、ケイ素（Ｓｉ）に限らず、ゲルマニウム（Ｇｅ）、酸素（Ｏ）などであってもよい。
【０１１３】
上述の実施形態において、ｐ型半導体層に含まれるアクセプタ元素は、マグネシウム（Ｍｇ）に限らず、亜鉛（Ｚｎ）、炭素（Ｃ）などであってもよい。
【０１１４】
上述の実施形態において、絶縁膜の材質は、電気絶縁性を有する材質であればよく、二酸化ケイ素（ＳｉＯ２）の他、窒化ケイ素（ＳｉＮｘ）、酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）、酸化ジルコニウム（ＺｒＯ２）、酸化ハフニウム（ＨｆＯ２）、酸窒化ケイ素（ＳｉＯＮ）、酸窒化アルミニウム（ＡｌＯＮ）、酸窒化ジルコニウム（ＺｒＯＮ）、酸窒化ハフニウム（ＨｆＯＮ）などの少なくとも１つであってもよい。絶縁膜は、単層であってもよいし、２層以上であってもよい。
【０１１５】
上述の実施形態において、各電極の材質は、上述の実施形態の材質に限らず、他の材質であってもよい。
【符号の説明】
【０１１６】
１０…電力変換装置
２０…制御回路
１００ａ〜１００ｇ…半導体装置
１１０…基板
１１１…半導体層
１１１ｉｐ…イオン注入領域
１１１ｎ…ｎ型半導体領域
１１１ｐ…ｐ型半導体領域
１１１ｓ…表面
２００…半導体装置
２１０…基板
２１１…半導体層
２１１ｎ…ｎ型半導体領域
２１１ｐ…ｐ型半導体領域
２１１ｓ…表面
２１４…ｐ型半導体層
２１６…ｎ型半導体層
２２２…トレンチ
２２４…リセス
２３０…絶縁膜
２４２…ゲート電極
２４４…ボディ電極
２４６…ソース電極
２４８…ドレイン電極
３００…半導体装置
３１０…基板
３１１…半導体層
３１１ｍ…メサ
３１１ｎ…ｎ型半導体領域
３１１ｐ…ｐ型半導体領域
３１１ｓ…表面
３３０…絶縁膜
３４３…ショットキー電極
３４５…裏面電極
８１０…スルー膜
８２０…マスク
８２０ｐ…開口部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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