(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、
前記基板上に形成された弾性波素子と、
前記基板上に形成され前記弾性波素子に電気的に接続された第１配線と、
端部が前記第１配線に固定され、前記基板上に空隙を介し形成された第２配線と、
を具備し、
前記第１配線は、
前記第１配線の端部に形成され、上方に突出し前記第２配線が固定される固定部と、
前記第１配線の端部に形成され、前記固定部に接し、前記第２配線の延伸方向から見て前記固定部の外側に形成され、上方に突出した突出部と、
を備え、
前記第１配線の端部は前記延伸方向に交差する方向に延伸し、前記固定部の前記第２配線が固定された領域の下の前記空隙側の側面と前記突出部の前記空隙側の側面とは前記交差する方向に沿って設けられ、
前記突出部は、前記第１配線の端部の一部に形成され、前記端部の残部に形成されておらず、
前記第１配線および前記第２配線は、シード層と、前記シード層上に形成されためっき層とを含み、
前記突出部の前記空隙側の側面および前記固定部の前記第２配線が固定された領域の下の前記空隙側の側面に沿って前記シード層が上方に伸び、前記突出部の形成されていない前記第１配線の端部の前記空隙側の側面においては、前記シード層は上方に伸びていないことを特徴とする弾性波デバイス。
【請求項２】
前記基板上に形成された第３配線を具備し、
前記第２配線は前記第３配線の上方に空隙を介し形成されていることを特徴とする請求項１記載の弾性波デバイス。
【請求項３】
前記第１配線は、基板上に形成された金属膜と、前記金属膜上に形成されたシード層と、前記シード層上に形成されためっき層とを含み、
前記第２配線は、前記シード層および前記めっき層を含み、前記金属膜を含まず、
前記第３配線は、前記金属膜を含み、前記シード層および前記めっき層を含まないことを特徴とする請求項２記載の弾性波デバイス。
【請求項４】
前記第２配線の上面は、前記固定部および前記突出部の上面と同じ高さを有し、前記第１配線のうち前記固定部および前記突出部以外の上面より高い請求項１から３のいずれか一項に記載の弾性波デバイス。
【請求項５】
基板上に、弾性波素子および前記弾性波素子に電気的に接続する第１配線となる領域に金属膜を形成する工程と、
前記基板上に、前記第１配線となる領域内の前記金属膜上が第１開口となり、第２配線となる領域が前記第１開口とならない第１マスク層を形成する工程と、
前記第１開口内の前記金属膜に接触し、前記第１マスク層を覆うようにシード層を形成する工程と、
前記第２配線となる領域の前記第２配線の延伸方向からみて両側に位置し前記第１マスク層の側面に形成された前記シード層が第２開口に露出するように、前記シード層上の前記第１配線となる領域および前記第２配線となる領域が前記第２開口となる第２マスク層を形成する工程と、
前記シード層から給電することにより、前記第２開口内のシード層上にめっき層を形成する工程と、
前記第１マスク層および前記第２マスク層を除去することで前記第１開口以外のシード層をリフトオフすることにより、前記第１配線の端部に形成され、上方に突出し前記第２配線が固定される固定部と、前記第１配線の端部に形成され、前記固定部に接し、前記第２配線の延伸方向から見て前記固定部の外側に形成され、上方に突出した突出部と、を備える前記第１配線を、前記第１配線の端部が前記延伸方向に交差する方向に延伸し、前記固定部の前記第２配線が固定された領域の下の空隙側の側面と前記突出部の前記空隙側の側面とが前記交差する方向に沿って設けられるように形成する工程と、
を含み、
前記第２マスク層を形成する工程は、前記第１マスク層の側面に形成された前記シード層のうち前記突出部となる領域より外側が前記第２開口に露出しないように前記第２マスク層を形成する工程を含むことを特徴とする弾性波デバイスの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、弾性波デバイスおよびその製造方法に関し、例えば基板上に空隙を介し形成された配線を有する弾性波デバイスおよびその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
弾性波デバイスは、移動体通信用のフィルタ等に用いられている。基板上に形成された弾性波素子等の素子間または素子と外部端子とを接続する配線を空隙を介し交差させることが知られている（特許文献１から４）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開１９９５−３２１４２５号公報
【特許文献２】特開２００５−１０９０６０号公報
【特許文献３】特開２００６−２７８４３１号公報
【特許文献４】特開２０１２−９９８９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
空隙を介し配線を交差させることで、配線間の寄生容量を削減できる。しかしながら、例えば基板の裏面の研削等の工程や配線のリフトオフ工程において、配線に圧力が加わると配線が破損する可能性がある。
【０００５】
本発明は、上記課題に鑑みなされたものであり、配線の強度を向上させることを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明は、基板と、前記基板上に形成された弾性波素子と、前記基板上に形成され前記弾性波素子に電気的に接続された第１配線と、端部が前記第１配線に固定され、前記基板上に空隙を介し形成された第２配線と、を具備し、前記第１配線は、前記第１配線の端部に形成され、上方に突出し前記第２配線が固定される固定部と、前記第１配線の端部に形成され、前記固定部に接し、前記第２配線の延伸方向から見て前記固定部の外側に形成され、上方に突出した突出部と、備え、前記第１配線の端部は前記延伸方向に交差する方向に延伸し、前記固定部の前記第２配線が固定された領域の下の前記空隙側の側面と前記突出部の前記空隙側の側面とは前記交差する方向に沿って設けられ、前記突出部は、前記第１配線の端部の一部に形成され、前記端部の残部に形成されておらず、前記第１配線および前記第２配線は、シード層と、前記シード層上に形成されためっき層とを含み、前記突出部の前記空隙側の側面および前記固定部の前記第２配線が固定された領域の下の前記空隙側の側面に沿って前記シード層が上方に伸び、前記突出部の形成されていない前記第１配線の端部の前記空隙側の側面においては、前記シード層は上方に伸びていないことを特徴とする弾性波デバイスである。
【００１０】
上記構成において、前記基板上に形成された第３配線を具備し、前記第２配線は前記第３配線の上方に空隙を介し形成されている構成とすることができる。
【００１１】
上記構成において、前記第１配線は、基板上に形成された金属膜と、前記金属膜上に形成されたシード層と、前記シード層上に形成されためっき層とを含み、前記第２配線は、前記シード層および前記めっき層を含み、前記金属膜を含まず、前記第３配線は、前記金属膜を含み、前記シード層および前記めっき層を含まない構成とすることができる。
【００１２】
本発明は、基板上に、弾性波素子および前記弾性波素子に電気的に接続する第１配線となる領域に金属膜を形成する工程と、前記基板上に、前記第１配線となる領域内の前記金属膜上が第１開口となり、第２配線となる領域が前記第１開口とならない第１マスク層を形成する工程と、前記第１開口内の前記金属膜に接触し、前記第１マスク層を覆うようにシード層を形成する工程と、前記第２配線となる領域の前記第２配線の延伸方向からみて両側に位置し前記第１マスク層の側面に形成された前記シード層が第２開口に露出するように、前記シード層上の前記第１配線となる領域および前記第２配線となる領域が前記第２開口となる第２マスク層を形成する工程と、前記シード層から給電することにより、前記第２開口内のシード層上にめっき層を形成する工程と、前記第１マスク層および前記第２マスク層を除去することで前記第１開口以外のシード層をリフトオフすることにより、前記第１配線の端部に形成され、上方に突出し前記第２配線が固定される固定部と、前記第１配線の端部に形成され、前記固定部に接し、前記第２配線の延伸方向から見て前記固定部の外側に形成され、上方に突出した突出部と、を備える前記第１配線を、前記第１配線の端部が前記延伸方向に交差する方向に延伸し、前記固定部の前記第２配線が固定された領域の下の空隙側の側面と前記突出部の前記空隙側の側面とが前記交差する方向に沿って設けられるように形成する工程と、を含み、前記第２マスク層を形成する工程は、前記第１マスク層の側面に形成された前記シード層のうち前記突出部となる領域より外側が前記第２開口に露出しないように前記第２マスク層を形成する工程を含むことを特徴とする弾性波デバイスの製造方法である。
【発明の効果】
【００１４】
本発明によれば、配線の強度を向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１５】
【図１】図１（ａ）は、実施例１の配線の平面図、図１（ｂ）から図１（ｅ）は、それぞれ図１（ａ）のＡ−Ａ断面図、Ｂ−Ｂ断面図、Ｃ−Ｃ断面図およびＤ−Ｄ断面図である。
【図２】図２（ａ）は、比較例１の配線の平面図、図２（ｂ）から図２（ｄ）は、それぞれ図２（ａ）のＡ−Ａ断面図、Ｂ−Ｂ断面図およびＤ−Ｄ断面図である。
【図３】図３（ａ）および図３（ｂ）は、実施例１の変形例１および２の配線の平面図である。
【図４】図４は、実施例２に係る弾性波デバイスの平面図である。
【図５】図５は、図４の領域Ａを拡大した平面図である。
【図６】図６（ａ）から図６（ｃ）は、図５のＡ−Ａ断面図である。
【図７】図７（ａ）から図７（ｃ）は、実施例２に係る弾性波デバイスの製造方法を示す断面図（その１）である。
【図８】図８（ａ）から図８（ｃ）は、実施例２に係る弾性波デバイスの製造方法を示す断面図（その２）である。
【図９】図９（ａ）から図９（ｃ）は、実施例２に係る弾性波デバイスの製造方法を示す断面図（その３）である。
【図１０】図１０（ａ）から図１０（ｃ）は、実施例２に係る弾性波デバイスの製造方法を示す断面図（その４）である。
【図１１】図１１（ａ）から図１１（ｃ）は、実施例２に係る弾性波デバイスの製造方法を示す断面図（その５）である。
【図１２】図１２（ａ）から図１２（ｃ）は、実施例２に係る弾性波デバイスの製造方法を示す断面図（その６）である。
【発明を実施するための形態】
【００１６】
以下、図面を参照し、本発明の実施例について説明する。
【実施例１】
【００１７】
図１（ａ）は、実施例１の配線の平面図、図１（ｂ）から図１（ｅ）は、それぞれ図１（ａ）のＡ−Ａ断面図、Ｂ−Ｂ断面図、Ｃ−Ｃ断面図およびＤ−Ｄ断面図である。
【００１８】
図１（ａ）から図１（ｅ）に示すように、基板１０上に、配線３０、３２および３４が形成されている。配線３２は、配線３０同士を接続し、基板１０および配線３４の上方に空隙２４を介し形成されている。配線３０は、基板１０上に形成された金属膜１２、シード層１６およびめっき層２２を有する。めっき層２２は下層１８および上層２０を有する。配線３２は、配線３０に固定されており、配線３０とシード層１６およびめっき層２２を共有している。配線３４は金属膜１２を有する。配線３０、３２および３４は、基板１０上に形成された弾性波素子間、または弾性波素子とパッドとを電気的に接続する。
【００１９】
図１（ｂ）および図１（ｅ）に示すように、配線３０の端部のうち、配線３２が固定される固定部４０は上に突出する。図１（ｃ）および図１（ｅ）に示すように、配線３０の端部のうち、上方に突出する突出部４２が固定部４０に接して設けられている。なおここで、上方、あるいは、上、と記載される方向は基板上から垂直に離れる方向である。突出部４２、固定部４０および配線３２の上面はほぼ同じ高さであり連続している。配線３０の間には空間２６が形成される。突出部４２の空間２６に露出する側面においてシード層１６は上に延伸している。図１（ｄ）および図１（ｅ）に示すように、突出部４２の外側の配線３０の端部の上面は、配線３０の中央部の上面とほぼ同じ高さであり平坦である。図１（ｄ）のように、配線３０の側面においてシード層１６がめっき層２２より空間２６に延伸している。
【００２０】
次に、比較例について説明する。図２（ａ）は、比較例１の配線の平面図、図２（ｂ）から図２（ｄ）は、それぞれ図２（ａ）のＡ−Ａ断面図、Ｂ−Ｂ断面図およびＤ−Ｄ断面図である。図２（ａ）から図２（ｄ）に示すように、比較例１では、配線３２が配線３０に接続する箇所に固定部４０が形成されている。しかし、固定部４０の両側に突出部４２は形成されていない。その他の構成は実施例１と同じであり説明を省略する。
【００２１】
実施例１および比較例１のように、配線３２は配線３４上を空隙２４を介して交差する。このため、配線３２の上面は配線３０の上面よりほぼ空隙２４の分高くなる。固定部４０においても配線３２と同様に上面が配線３０より高くなる。比較例１では、配線３２に圧力が加わると、配線３２が破損する可能性がある。例えば、配線３２をリフトオフ法により形成する場合、リフトオフ工程の超音波または高圧のジェットにより配線３２が破損する可能性がある。例えば、基板１０の背面（下面）を研削または研磨する工程では、基板１０の表面（上面）に保護テープを貼り付ける。基板１０の裏面の研削または研磨が終了した後に保護テープを剥離する。このとき、配線３２が破損する可能性がある。さらに、基板１０の背面を研削機または研削機で研削または研磨するときには、基板１０に上下方向に圧力が加わる。この圧力で配線３２が破損する可能性がある。このように、配線３２を形成した後の製造工程または実装後に配線３２が破損する可能性がある。配線３２が破損すると、弾性波デバイスの不良となり、歩留まり低下や、障害の要因となりうる。
【００２２】
実施例１によれば、突出部４２が固定部４０に接し、第２配線３２の延伸方向から見て外側に形成されるように形成されている。これにより、突出部４２が配線３２を補強するため、比較例１で説明したような配線３２の破損を抑制できる。例えば、上からの圧力に対し、突出部４２が圧力を受けるため、配線３２の破損を抑制できる。また、横からの圧力に対し、固定部４０が受けるせん断応力を突出部４２が緩和する。
【００２３】
図３（ａ）および図３（ｂ）は、実施例１の変形例１および２の配線の平面図である。図３（ａ）に示すように、突出部４２は、配線３０の端部全体に形成されていてもよい。これにより、配線３２の強度を高くすることができる。実施例２で後述するように、配線３２をリフトオフ法で形成する場合、突出部４２が多いとリフトオフが難しくなる。このような場合、突出部４２は配線３０の一部に形成されることが好ましい。また、配線３０のうち、配線３２が固定された辺に突出部４２を形成し、配線３２の他の辺には突出部４２を形成しないこともできる。
【００２４】
図３（ｂ）に示すように、配線３２が配線３０に接続する付け根において、配線３２の幅が広い幅広部４４が形成されている。幅広部４４は応力が分散するように、配線３０に向けてなだらかに幅が広くなっている。幅広部４４により、配線３２を補強することもできる。
【実施例２】
【００２５】
実施例２は、受信フィルタを弾性表面波素子で形成する例である。図４は、実施例２に係る弾性波デバイスの平面図である。基板１０は、例えば圧電基板である。基板１０上に弾性波素子７０、７２および７４が形成されている。弾性波素子７０、７２および７４は、例えば弾性表面波素子である。弾性波素子７０は、一対端共振器であり、ＩＤＴ（Interdigital Transducer）０とその両側に設けられた反射器Ｒを有する。弾性波素子７２は、ＤＭＳ（Double Mode Surface acoustic wave）フィルタであり、３つのＩＤＴ１１からＩＤＴ１３と反射器Ｒを有する。弾性波素子７４はＤＭＳフィルタであり、３つのＩＤＴ２１から２３と反射器Ｒを有する。配線３０は、弾性波素子７０から７４間、または弾性波素子７０から７４とパッド３６とを接続する。パッド３６は、アンテナ端子ＡＮＴ、受信端子Ｒｘおよびグランド端子Ｇであり、弾性波素子７０から７４を基板１０の外部と電気的に接続する。
【００２６】
アンテナ端子ＡＮＴであるパッド３６は弾性波素子７０のＩＤＴ０の一端に配線３０を介し接続されている。ＩＤＴ０の他端は弾性波素子７２のＩＤＴ１２の一端に配線３０を介し接続されている。ＩＤＴ１１および１３の一端は弾性波素子７４のＩＤＴ２１および２３の一端に配線３０および３４を介し接続されている。ＩＤＴ２２の一端は受信端子Ｒｘであるパッド３６に配線３０を介し接続されている。グランド端子Ｇは、配線３０（一部配線３２）を介し反射器ＲおよびＩＤＴ１１から２３の他端に接続されている。実施例２はＤＭＳが２段接続された受信フィルタである。
【００２７】
図５は、図４の領域Ａを拡大した平面図である。図５に示すように、ＩＤＴ２２の他端は、配線３０ｃ、配線３２、配線３０ｂおよび配線３０ａを介しグランド端子Ｇに接続されている。ＩＤＴ２２の一端は配線３０ｄを介し受信端子Ｒｘに接続されている。ＩＤＴ２３の一端は配線３０および３４を介しＩＤＴ１３の一端に接続されている。
【００２８】
図６（ａ）から図６（ｃ）は、図５のＡ−Ａ断面図である。図６（ａ）から図６（ｃ）は、線Ａ１からＡ３に沿った断面図である。図６（ａ）に示すように、配線３２は、配線３４の上方に空隙２４を介し形成されている。配線３０ｂおよび３０ｃの端部のうち配線３２が固定される箇所は上方に突出し固定部４０を形成する。図６（ｂ）に示すように、配線３２の近傍では、配線３２が形成されておらず、配線３０ｂと３０ｃとの間に空間２６が形成されている。配線３０ｂおよび３０ｃの端部には突出部４２が形成されている。図６（ｃ）に示すように、配線３２から離れると、突出部４２が形成されていない。
【００２９】
図７（ａ）から図１２（ｃ）は、実施例２に係る弾性波デバイスの製造方法を示す断面図である。図７（ａ）から図８（ｃ）は、図５のＡ１に相当する。図7（ａ）に示すように、基板１０上に金属膜１２を形成する。基板１０は、例えばタンタル酸リチウム基板またはニオブ酸リチウム基板等の圧電基板である。金属膜１２は、例えばアルミニウム膜である。金属膜１２は、例えばスパッタリング法およびエッチング法を用い形成する。金属膜１２により、ＩＤＴおよび反射器を有する弾性波素子７４が形成される。金属膜１２の膜厚は例えば１５０ｎｍから４００ｎｍである。金属膜１２は、銅膜または金膜等でもよい。金属膜１２により配線３４および他の配線の一部の層が形成される。弾性波素子７４および配線３４上に保護膜１４を形成する。保護膜１４は例えば膜厚が２０ｎｍの酸化シリコン膜である。保護膜１４は、例えばスパッタリング法およびエッチング法を用い形成する。
【００３０】
図７（ｂ）に示すように、配線を形成する領域に開口５２が形成されるように、基板１０上にマスク層５０を形成する。開口５２は、配線３０を形成する領域に形成する。マスク層５０は、例えばフォトレジストであり、フォトリソグラフィ法を用い形成する。マスク層５０の膜厚は、フォトリソグラフィ法において所望の解像度を得られるように設定し、かつ後述するシード層１６のリフトオフを行なうため２μｍ以上が好ましい。マスク層５０は、後のベークに耐えることができる程度の耐熱性を有することが好ましい。
【００３１】
図７（ｃ）に示すように、マスク層５０を覆うように、基板１０上にシード層１６を全面に形成する。シード層１６は、例えば基板１０側から膜厚が０．２μｍのチタン膜および膜厚が０．１５μｍの金膜である。シード層１６は、例えば蒸着法を用い形成する。シード層１６は、基板１０側から膜厚が０．１μｍのチタン膜および膜厚が０．３μｍの銅膜でもよい。シード層１６は、スパッタリング法を用い形成してもよいが、リフトオフ法を用いるため蒸着法を用い形成することが好ましい。シード層１６の基板１０側の膜は、金属膜１２との密着性を向上させる密着膜である。金属膜１２がアルミニウム膜のとき、密着膜は例えばチタン膜である。シード層１６の上側の膜はめっきのシードとして機能し、めっき層と同じ材料であることが好ましい。
【００３２】
図８（ａ）に示すように、配線を形成する領域に開口５６が形成されるように、シード層１６上にマスク層５４を形成する。マスク層５４は、例えば膜厚が７μｍのフォトレジスト膜である。マスク層５４は、例えばフォトレジストであり、フォトリソグラフィ法を用い形成する。マスク層５４の膜厚は、シード層１６の段差を被覆し、かつめっき層２２より厚くなるように設定する。例えば、５μｍから２０μｍである。開口５６は開口５２より小さく開口５６が開口５２に含まれるように形成する。また、開口５６は、配線３２を形成するためのマスク層５０が含まれるように形成する。
【００３３】
図８（ｂ）に示すように、開口５６にめっき層２２を形成する。めっき層２２は、基板側から下層１８、バリア層（不図示）および上層２０を含む。下層１８は例えば膜厚が３μｍの銅層である。バリア層は、例えば膜厚が０．３μｍのパラジウム層である。上層２０は、例えば膜厚が１μｍの金層である。めっき層２２は、シード層１６から電流を供給し、電解めっき法を用い形成する。下層１８は、厚膜化が可能であり、電気抵抗率が低くかつ非磁性である材料が好ましい。このため、下層１８は、銅層または金層が好ましい。下層１８の膜厚は配線３０および３２の低抵抗化のため例えば１μｍ以上が好ましい。めっき層２２上にスタッドバンプを形成する場合、上層２０は金層であることが好ましい。バリア層は、下層１８と上層２０との加熱または経時変化にともなう相互拡散を抑制する。下層１８が銅層、上層２０が金層の場合、バリア層は、膜厚が０．２μｍ程度のパラジウム層またはニッケル層が好ましい。上層２０は、無電解めっき法を用い形成することもできる。この場合、上層２０の膜厚は例えば０．４μｍである。また、バリア層および上層２０を蒸着法を用い形成することもできる。この場合、バリア層は例えば膜厚が０．２μｍのチタン層、上層２０は、膜厚が０．４μｍの金層である。
【００３４】
図８（ｃ）に示すように、マスク層５０および５４を例えば有機溶剤を用い除去する。このとき、マスク層５０および５４の間に形成されたシード層１６がリフトオフされる。シード層１６のリフトオフのため、有機溶剤を高圧で噴射してもよい。また、有機溶剤中で超音波洗浄してもよい。これにより、金属膜１２、シード層１６、めっき層２２から配線３０ａから３０ｃが形成される。配線３４の上方に、シード層１６およびめっき層２２から配線３２が形成される。その後、パッド３６にスタッドバンプ等の端子を形成する。基板１０の背面を研削又は研磨する。
【００３５】
図９（ａ）から図９（ｃ）は、図５のＡ２に相当する断面である。図１０（ａ）から図１０（ｃ）は、それぞれ図９（ａ）から図９（ｃ）の配線３２付近の拡大図である。図９（ａ）および図１０（ａ）に示すように、マスク層５４の幅Ｗ２をマスク層５０の幅Ｗ１と同じかやや小さくする。これにより、マスク層５０の側面のシード層１６が開口５６に露出する。なお、合わせ精度の観点から幅Ｗ２は幅Ｗ１より小さいことが好ましい。
【００３６】
図９（ｂ）および図１０（ｂ）に示すように、めっき層２２を形成すると、開口５６に露出したシード層１６からもめっき層２２が形成される。これにより、めっき層２２の上面が突出する。図９（ｃ）および図１０（ｃ）に示すように、リフトオフ法により、マスク層５０および５４およびシード層１６を除去する。これにより、配線３０ｂおよび３０ｃのうち空間２６側の端部に突出部４２が形成される。突出部４２の幅Ｗ３は、めっき層２２の厚さのほぼ半分となる。例えば、めっき層２２の膜厚が４μｍのとき、幅Ｗ３は約２μｍとなる。めっき層２２の膜厚と幅Ｗ３の比はめっきの条件等により適宜設定することもできる。
【００３７】
図１１（ａ）から図１１（ｃ）は、図５のＡ３に相当する断面である。図１２（ａ）から図１２（ｃ）は、それぞれ図１１（ａ）から図１１（ｃ）の配線３２付近の拡大図である。図１１（ａ）および図１２（ａ）に示すように、マスク層５４の幅Ｗ２をマスク層５０の幅Ｗ１より大きくする。これにより、マスク層５０の側面のシード層１６が開口５６に露出しない。シード層１６の側面とマスク層５４の側面の間隔Ｌ１は、例えば０．５μｍから２μｍである。間隔Ｌ１は、合わせずれ等によってもシード層１６が露出しない範囲で小さく設定することが好ましい。
【００３８】
図１１（ｂ）および図１２（ｂ）に示すように、めっき層２２を形成すると、めっき層２２は、シード層１６の側面には形成されない。これにより、めっき層２２の上面は平坦となる。図９（ｃ）および図１０（ｃ）に示すように、リフトオフ法により、マスク層５０および５４およびシード層１６を除去する。これにより、配線３０ｂおよび３０ｃの空間２６側の端部に突出部４２は形成されず、配線３０ｂおよび３０ｃの上面は平坦となる。
【００３９】
実施例２によれば、図７（ａ）のように、基板１０上に、弾性波素子７４、配線３０および配線３４となる領域に金属膜１２を形成する。図７（ｂ）のように、配線３０となる領域内の金属膜１２上が開口５２（第１開口）となり、配線３２となる領域が開口５２とならないマスク層５０（第１マスク層）を形成する。図７（ｃ）のように、開口５２内の金属膜１２に接触し、マスク層５０を覆うようにシード層１６を形成する。図８（ａ）、図９（ａ）および図１１（ａ）のように、シード層１６上に、配線３０および３２となる領域が開口５６（第２開口）となるマスク層５４（第２マスク層）を形成する。図８（ｂ）、図９（ｂ）および図１１（ｂ）のように、シード層１６から給電することにより、開口５６内のシード層１６上にめっき層２２を形成する。図８（ｃ）、図９（ｃ）および図１１（ｃ）のように、マスク層５０およびマスク層５４を除去することにより、開口５２以外のシード層１６をリフトオフする。これにより、配線３０に固定され、配線３４上に空隙２４を介し形成された配線３２を形成することができる。
【００４０】
図９（ａ）および図１０（ａ）のように、配線３２となる領域の両側（配線３２の延伸方向からみて）に位置しマスク層５０の側面にシード層１６が開口５６に露出する。これにより、図９（ｂ）および図１０（ｂ）において、露出したシード層１６にめっき層２２が成長する。よって、固定部４０に接する突出部４２を簡単な工程で形成できる。図１０（ｃ）のように、このように形成された突出部４２においては、配線３０ｂおよび３０ｃの端部の側面に沿ってシード層１６が上方に伸びる。
【００４１】
図１０（ｂ）のように、突出部４２が形成された配線３０の端部では、図１０（ｃ）のリフトオフのときに、シード層１６がリフトオフされずに残存したり、マスク層５０に有機溶剤が浸潤し難くなったりする。そこで、図１１（ａ）および図１２（ａ）のように、マスク層５４を形成するときに、マスク層５０の側面に形成されたシード層１６の一部が開口５６に露出しないようにマスク層５４を形成する。すなわち、突出部４２は、図１（ａ）のように配線３０の端部の一部に形成し、配線３０の端部の残部に形成しない。これにより、図１２（ｂ）のように、マスク層５０の側面に形成されたシード層１６をマスク層５４が覆う。よって、シード層１６の剥離が容易となる。図１２（ｃ）のように、このようにして形成された突出部４２が形成されていない配線３０の端部の側面においては、シード層１６は上方に伸びていない。
【００４２】
また、配線３０は、基板１０上に形成された金属膜１２とシード層１６とめっき層２２とを含み、配線３２は、シード層１６およびめっき層２２を含み、金属膜１２を含まず、配線３４は、金属膜１２を含み、シード層１６およびめっき層２２を含まない構造となる。
【００４３】
実施例２においては、弾性波素子として、弾性表面波デバイスを例に説明したが、弾性波素子は、弾性境界波素子、ラブ波素子、または圧電薄膜共振器素子でもよい。また、弾性波デバイスの例としてＤＭＳフィルタを用いた受信フィルタを説明したが、送信フィルタ等のフィルタでもよく、ラダー型フィルタでもよい。
【００４４】
以上、本発明の実施例について詳述したが、本発明はかかる特定の実施例に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載された本発明の要旨の範囲内において、種々の変形・変更が可能である。
【符号の説明】
【００４５】
１０      基板
１２      金属膜
１４      保護膜
１６      シード層
２２      めっき層
２４    空隙
３０、３２、３４    配線
４０      固定部
４２      突出部
７０、７２、７４  弾性波素子
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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