(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
下記組成式
１００［１−ｘ（０．９４Ｂｉ1/2Ｎａ1/2ＴｉＯ3-０．０６ＢａＴｉＯ3)-ｘＫ0.5Ｎａ0.5ＮｂＯ3］＋αＣｕＯ＋βＬｉＦ
（但し、ｘは０．１４〜０．２８であり、α、βについて、（Ｉ）αが０．４〜１．５でありβが０〜２．４であるか、あるいは、（ＩＩ）αが０〜１．５でありβが０．２〜２．４である。）
で表され、焼結密度が９３％以上である、誘電体磁器組成物。
【請求項２】
請求項１記載の誘電体磁器組成物からなる誘電体層と、銀パラジウム合金からなる内部電極層との積層体を有し、銀パラジウム合金は銀が６５〜９０ｗｔ％、残部がパラジウムの組成である、積層型の誘電体素子。
【請求項３】
４００℃における静電容量と２５℃の静電容量との差を２５℃における静電容量で除した値ΔＣ４００℃/Ｃ２５℃、−５５〜４００℃における静電容量の最大値と２５℃の静電容量との差を２５℃における静電容量で除した値ΔＣpeak/Ｃ２５℃について、ΔＣ４００℃/Ｃ２５℃が３０％以下且つΔＣpeak/Ｃ２５℃が５０％以下である、請求項２記載の誘電体素子。
【請求項４】
１５０℃、５ｋＶ／ｍｍの電界強度、１Ｖの静電容量にて測定される時定数ＲＣについて、２００〜３５０ｓｅｃである請求項３記載の誘電体素子。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は誘電体磁器組成物及びそれを有する誘電体素子に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、電子部品は様々な分野で用いられており、過酷な環境下で使用されるケースもある。たとえば、車載向けデバイスとして期待されるＳｉＣやＧａＮをベースにしたパワーデバイスの作動、あるいは自動車のエンジンルーム内のノイズ除去などに用いられる電子部品は、たとえば２００〜３５０℃という高温においても、比誘電率の温度特性が良好であることが要求される。しかしながら、コンデンサを構成する誘電体磁器組成物として多く用いられているチタン酸バリウムは、キュリー温度が１３０℃付近にあるため、１５０℃以上の温度領域では比誘電率が大きく低下してしまい、上記の要求を満足させることができないという問題があった。
【０００３】
従来、このような高温用途には、Ｐｂを含む材料が用いられてきた。例えばＰｂＴｉＯ３−ＢａＺｒＯ３で示されるような２成分系の誘電体磁器成分は、ＰｂＴｉＯ３のキュリー点が４９０℃前後であることを利用して、３００℃程度まで比誘電率の温度依存性を比較的少なくできる。また、Ｌａを添加したＰｂ（Ｚｒ０．９５Ｔｉ０．０５）Ｏ３（ＰＬＺＴ）では、上記のチタン酸バリウムとは異なる反強誘電性の性質から、比誘電率の高温におけるバイアス依存性を良好にできる。これらはチタン酸バリウムの問題に鑑みて発明されたものであるが、そのような組成に含まれるＰｂは環境負荷物質であるため、使用は好ましくない。そのため、Ｐｂを含むことなく、高温領域においても、特性が良好な材料が求められている。
【０００４】
鉛を含有しないビスマスニオブ酸系の圧電磁器組成物が周知である（例えば、特許文献１〜３）。しかし、これら特許文献には、誘電体磁器組成物について広い温度域における比誘電率の温度依存性を低減することについては開示されていない。更に言えば、特許文献２，３などの発明では、セラミックスの焼成温度が１０５０℃以上と高い。
【０００５】
鉛を含まずキュリー点の高い温度特性の良好なビスマスニオブ酸系組成物を積層型コンデンサの誘電体層の材料として考えた場合、内部電極に銀パラジウム合金を用いることが望ましい。Ｎｉ電極と異なり大気雰囲気での焼成が可能で、プロセスが簡便である。また、焼成温度が低いためコスト面でメリットがある。銀パラジウム合金（Ａｇ−Ｐｄ）電極は、銀（Ａｇ）とパラジウム（Ｐｄ）の比率（Ａｇ／Ｐｄ）によりコストや焼成温度が異なるが、コストを鑑みるとＡｇ比率は７／１０以上が望まれる。
【０００６】
ビスマスニオブ酸系のＢＮＴ-ＢＴ-ＫＮＮ（Ｂｉ1/2Ｎａ1/2ＴｉＯ3-ＢａＴｉＯ3-Ｋ0.5Ｎａ0.5ＮｂＯ3）はＰｄ電極との同時焼成について報告がある。Ａｇ系電極では、Ｎａｇａｔａらの研究によると（非特許文献１）、１０５０℃でＢＫＴ（Ｂｉ０．５Ｋ０．５ＴｉＯ３）を焼成すると、ＢｉとＡｇの反応が起きることが分かっている。このように、コストメリットのあるＡｇ−Ｐｄ電極では、ＢｉとＡｇの反応が危惧されるため、１０５０℃未満の温度での焼成が望まれる。そうすることでＡｇ／Ｐｄ＝７／３、８／２、９／１などの電極も可能となる。焼結温度を低下させるため、何らかの焼結助剤が必要である。非特許文献２では、ＢＮＴ−ＢＴ−ＫＮＮのＫＮＮ比率の増加に伴い、誘電率がブロードになることが報告されている。これは、温度変化に対する静電容量の変化率が小さいことを意味する。しかしながら、ＫＮＮ比率の増加に伴い焼結温度は高くなり、焼結体の相対密度は低くなるという課題がある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特開２００２−２２０２８０号公報
【特許文献２】特開２０１１−２３０９６２号公報
【特許文献３】特許第５５８６６２１号公報
【０００８】
【非特許文献１】Ｎａｇａｔａ  ｅｔ  ａｌ．，Ｊａｐａｎｅｓｅ  Ｊｏｕｒｎａｌ  ｏｆ  Ａｐｐｌｉｅｄ  Ｐｈｙｓｉｃｓ，５２  ０９ＫＤ０５（２０１３）
【非特許文献２】Ｄｉｔｔｍｅｒ  ｅｔ．  ａｌ．，Ｊｏｕｒｎａｌ  ｏｆ  Ａｐｐｌｉｅｄ  Ｐｈｙｓｉｃｓ，１０９，０３４１０７,  ２０１１
【非特許文献３】Ｊｏｕｒｎａｌ  ｏｆ  Ｅｕｒｏｐｅａｎ  Ｃｅｒａｍｉｃｓ  Ｓｏｃｉｅｔｙ，３１  （２０１１）２１０７−２１１７
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
ＫＮＮ比率が増加すると比誘電率の温度特性がよくなるが、その一方でセラミックスが焼け難くなり、焼結密度が低くなるという課題がある。また、Ｐｄ電極が実現可能な組成物であるが、Ｐｄはコストが高いことからＡｇ−Ｐｄ電極が望ましく、Ａｇ含有量が多いものほど安価であり望ましい（例えば、Ａｇ／Ｐｄ＝７０／３０）。しかし、Ａｇ比率が高くなると（Ａｇ／Ｐｄ＝９０／１０）、焼成温度を低減させる必要があるため、技術難易度が高くなる。さらに、非特許文献１によると、ＡｇはＢｉと反応しやすいことから、１０５０℃未満で焼成することが好適である。以上を鑑みて、本発明は、Ｐｂを含まず、低温焼成が可能な誘電体磁器組成物およびそれを有する誘電体素子の提供を目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明者らが鋭意検討した結果、本発明を完成した。
本発明の誘電体磁器組成物は下記一般式（１）で表される。
１００［１−ｘ（０．９４Ｂｉ1/2Ｎａ1/2ＴｉＯ3-０．０６ＢａＴｉＯ3)-ｘＫ0.5Ｎａ0.5ＮｂＯ3］＋αＣｕＯ＋βＬｉＦ・・・（１）
ここで、ｘは０．１４〜０．２８である。α、βについては以下の（Ｉ）又は（ＩＩ）の条件を満たす。（Ｉ）αが０．４〜１．５でありβが０〜２．４である。（ＩＩ）αが０〜１．５でありβが０．２〜２．４である。本発明の誘電体磁器組成物は焼結密度が９３％以上である。
本発明の別の形態では、上記の誘電体磁器組成物からなる誘電体層と、銀パラジウム合金からなる内部電極層との積層体を有する積層型の誘電体素子が提供される。ここで、銀パラジウム合金は銀が６５〜９０ｗｔ％、残部がパラジウムの組成である。
前記積層体は好ましくは１０５０℃未満で焼成される。前記誘電体素子における、静電容量の温度変化率ΔＣ４００℃／Ｃ２５℃は３０％以下であり、ΔＣpeak／Ｃ２５℃が５０％以下である。ΔＣ４００℃／Ｃ２５℃及びΔＣpeak／Ｃ２５℃の定義については後述する。また、前記誘電体素子における、時定数（ＲＣ定数）は好ましくは２００〜３５０ｓｅｃである。ＲＣ定数の定義についても後述する。
【発明の効果】
【００１１】
本発明によれば、環境負荷物質のＰｂやＳｂなどの重金属元素を使用することなく、１０５０℃未満の低温焼結が可能でＡｇ／Ｐｄ＝７／３電極などとの同時焼成が可能な誘電体磁器組成物が提供される。そのような誘電体磁器組成物を誘電体層として有する誘電体素子は、広範囲な温度領域（例えば、−５５〜４００℃）における比誘電率の変化率が小さい、良好な温度特性を示す。したがって、本発明の誘電体磁器組成物を有する誘電体素子は、高温領域での使用が求められる車載用途や、さらにより高温領域まで求められている、ＳｉＣやＧａＮ系のワイドバンドギャップ半導体材料を用いたパワーデバイス用の平滑用のコンデンサとして最適である。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
本発明の誘電体磁器組成物は上記一般式（１）で表される組成をもつ。
ｘはＢＮＴ−ＢＴとＫＮＮとの比率を反映する数値であり、本発明では０．１４〜０．２８である。
【００１３】
α、βはＣｕＯ及びＬｉＦの添加量をそれぞれ反映する数値である。ＣｕＯ及びＬｉＦについては少なくとも一方が含まれていればよく、ＣｕＯが含まれない場合にはαはゼロであり、ＬｉＦが含まれない場合にはβはゼロである。
【００１４】
ＬｉＦが含まれない場合（即ちβ＝０）、αの最小値は０．４以上である。ＬｉＦの有無にかかわらずαの最大値は１．５である。ＣｕＯが含まれない場合（即ちα＝０）、βの最小値は０．２以上である。ＣｕＯの有無にかかわらずβの最大値は２．４である。以上をまとめると、αとβについて以下の条件（Ｉ）又は（ＩＩ）が導出される。
条件（Ｉ）αが０．４〜１．５でありβが０〜２．４である。
条件（ＩＩ）αが０〜１．５でありβが０．２〜２．４である。
α、βが上記範囲であるようにＣｕＯ及び／又はＬｉＦを共存させることにより、焼結密度が向上する。
【００１５】
本発明の誘電体磁器組成物は、焼結密度が９３％以上である。焼結密度の測定方法は実施例の欄にて記載する。焼結密度の向上には通常は焼結温度を高くすることが挙げられるところ、本発明の誘電体磁器組成物では、例えば１０５０℃未満の焼結温度による焼結によって上述の焼結密度を達し得る点に大きな利点がある。
【００１６】
以下、製造方法を説明しつつ、本発明の誘電体磁器組成物の実施態様を挙げる。以下の製造方法はあくまで例示であり、本発明の誘電体磁器組成物の製造方法を限定する趣旨ではない。
まず、誘電体磁器組成物を作製するための出発原料として、各金属元素を含む原料粉を準備する。原料粉としては各金属元素の酸化物や炭酸塩などの粉末が挙げられ、具体的には、酸化ビスマス（Ｂｉ２Ｏ３）、炭酸ナトリウム（Ｎａ２ＣＯ３）、炭酸カリウム（Ｋ２ＣＯ３）、炭酸バリウム（ＢａＣＯ３）、酸化チタン（ＴｉＯ２）、酸化二オブ（Ｎｂ２Ｏ５）、酸化銅（ＣｕＯ）及びフッ化リチウム（ＬｉＦ）の粉末などが挙げられる。
【００１７】
これら原料粉を、最終的に目標とすべき誘電体磁器組成物（焼結体）の組成と合致するように、上記粉末原料を秤量する。次に、秤量した各原料粉末を、ボールミル等により湿式混合する。そして、湿式混合により得られた混合物を仮焼することにより仮焼物を得る。ここで、仮焼は、通常空気中で施される。また、仮焼温度は８５０〜９００℃であることが好ましく、仮焼時間は１〜８時間が好ましい。
【００１８】
得られた仮焼物を、ボールミル等で湿式粉砕した後、これを乾燥させることにより、仮焼物粉体を得る。次いで、得られた仮焼物粉体に少量のバインダ(アクリモノマー添加し、プレス成形することにより、成形体を得る。ここで、成形圧力は、粉体状態にも依るが、４〜６ｔ／ｃｍ２程度であることが好ましい。成形体の形状に特に制限はなく、例えば、平面寸法φ１２ｍｍ、厚さ１ｍｍ程度の円板状成形体とすることができる。
【００１９】
そして、得られた成形体を焼成することにより誘電体磁器組成物試料を得る。ここで、焼成は、通常空気中で施される。また、焼成温度は１０５０℃未満であり、好ましくは９６０〜１０４０℃であり、焼成時間は２〜１０時間であることが好ましい。このとき、焼結密度は９３％以上のものが得られる必要がある。
【００２０】
得られた誘電体磁器組成物試料の両面に、銀等の金属電極を形成してもよい。電極形成の方法は特に限定は無く、蒸着、焼付け、無電解めっき等が挙げられる。
【００２１】
本発明の誘電体磁器組成物は、誘電体層として誘電体素子が有していてもよく、そのような誘電体素子もまた本発明の一実施態様である。本発明の誘電体素子の一例として、積層型の誘電体素子について、その製法とともに説明する。この誘電体素子は、直方体状の積層体と、この積層体の対向する端面にそれぞれ形成された一対の端子電極とを備えている。
【００２２】
積層体は、誘電体層と内部電極層（電極層）とが交互に積層してなる素体、ならびに、この素体をその積層方向の両端面側（上下方向）から挟み込むように設けられた一対の保護層などから構成される。
【００２３】
誘電体層は、上述の誘電体磁器組成物からなる層である。誘電体層の１層当たりの厚さは、任意であり、例えば０．１〜１００μｍが挙げられる。
【００２４】
内部電極層はそれぞれ平行となるように設けられている。素体においては、内部電極層は、一方の端部が積層体における一方の端部に露出するように形成されたものと、一方の端部が積層体における他方の端部に露出するように形成されたものを、交互にそれぞれ平行に設ける。
【００２５】
内部電極層の材質としては銀パラジウム合金を用いる。本発明において、銀パラジウム合金は銀が６５〜９０ｗｔ％、残部がパラジウムである。銀の含有率が高いことによりコスト面で有利である。
【００２６】
積層体の片方の端面及び他方の端面にそれぞれ露出している内部電極層の端部と、端子電極とがそれぞれ接している。これにより、端子電極は内部電極層とそれぞれ電気的に接続される。この端子電極の材質は特に限定は無く、Ａｇ、Ａｕ、Ｃｕ等を主成分とする導電材料から構成することができる。端子電極の厚さは、用途や積層型誘電素子のサイズ等によって適宜設定され、例えば１０〜５０μｍであってもよい。
【００２７】
好ましくは、誘電体素子における、高温における容量の温度変化率ΔＣ４００℃／Ｃ２５℃は３０％以下であり、また、ΔＣpeak／Ｃ２５℃が５０％以下である。
【００２８】
温度変化率ΔＣ４００℃/Ｃ２５℃は、４００℃における静電容量と２５℃の静電容量との差を２５℃における静電容量で除した値である。温度変化率ΔＣpeak/Ｃ２５℃は、−５５〜４００℃における静電容量の最大値と２５℃の静電容量との差を２５℃における静電容量で除した値である。具体的には、４００℃における静電容量をＣ４００℃、２５℃（室温）における静電容量をＣ２５℃、−５５〜４００の測定範囲における静電容量の最大値をＣpeakとするとき、これら静電容量の測定値から、各温度変化率は以下のように算出される。
ΔＣ４００℃/Ｃ２５℃＝（Ｃ４００℃−Ｃ２５℃）／Ｃ２５℃
ΔＣpeak/Ｃ２５℃＝（Ｃpeak−Ｃ２５℃）／Ｃ２５℃
【００２９】
これらの静電容量は、上記のとおり電極を形成した誘電体素子について、ＬＣＲメーター（Hewlett Packard, 4192AあるいはE4980A, Agilent）を用いて測定する。測定周波数は１ｋＨｚ、測定温度範囲は−５５〜４００℃とする。
【００３０】
好ましくは、誘電体素子における、高温（例えば、１５０℃）における時定数ＲＣは２００〜３５０ｓｅｃである。時定数は１５０℃にて評価した。印加電圧は、電界強度が５ｋＶ／ｍｍになるように印加した。静電容量は１Ｖで測定した。
【００３１】
以上、本実施形態の誘電体磁器組成物および誘電体素子について説明したが、当該誘電体磁器組成物は、高電界を印加した時のＤＣバイアス特性が良好であるため、例えば、比較的に定格電圧が高い中高圧コンデンサに好適に用いることができる。また、本発明は上記実施形態に限定されるものではない。本発明の誘電体素子は、上述した誘電体磁器組成物からなる誘電体層と上述した組成の銀パラジウムからなる内部電極層との積層構造を有していればよく、具体的な形状、製造方法等は、従来技術を適宜参照することができる。
【実施例】
【００３２】
以下、実施例により本発明をより具体的に説明する。ただし、本発明はこれらの実施例に記載された態様に限定されるわけではない。
【００３３】
誘電体磁器組成物を作製するため、出発原料として、酸化ビスマス（Ｂｉ２Ｏ３）、炭酸ナトリウム（Ｎａ２ＣＯ３）、炭酸カリウム（Ｋ２ＣＯ３）、炭酸バリウム（ＢａＣＯ３）、酸化チタン（ＴｉＯ２）、酸化二オブ（Ｎｂ２Ｏ５）、酸化銅（ＣｕＯ）及びフッ化リチウム（ＬｉＦ）の粉末を準備した。
【００３４】
そして、本焼成後の誘電体磁器組成物（焼結体）が、上記一般式（１）を満たすものとなるように、上記粉末原料を秤量した。
【００３５】
次に、秤量した各原料粉末を、ボールミルにより湿式混合した。そして、湿式混合により得られた混合物を９００℃で３時間仮焼することにより仮焼物を得た。
【００３６】
得られた仮焼物を、ボールミルで湿式粉砕した後、これを乾燥させることにより、仮焼物粉体を得た。次いで、得られた仮焼物粉体に少量のバインダを添加し、プレス成形することにより、φ１２ｍｍ、厚さ１ｍｍの円板状成形体を得た（製造例１〜１３）。
【００３７】
そして、得られた成形体を、空気中、下記の焼成温度で、３時間焼成することにより誘電体磁器組成物試料を得た。得られた誘電体磁器組成物試料の焼結密度を測定した。焼結密度はＪＩＳ  Ｒ  １６３４：１９９８に従って測定した。
【００３８】
各試料の組成、焼結温度、焼結密度は以下のとおりであった。１０５０℃未満の焼結温度にて９３％以上の焼結密度のものが得られることが求められる。なお、製造例番号に＊を付したものは、本発明における比較例を意味する。
ｘ          α    β      焼結温度      焼結密度％
＊製造例１      ０．１０      ０    ０      １１００℃      ９４．３
＊製造例２      ０．１２      ０    ０      １１００℃      ９４．１
＊製造例３      ０．１４      ０    ０      １１００℃      ９４．５
＊製造例４      ０．１８      ０    ０      １１００℃      ９４．９
＊製造例５      ０．２４      ０    ０      １１３０℃      ９３．０
＊製造例６      ０．１２      １    ０      １０００℃      ９７．２
製造例７      ０．１４      １    ０      １０００℃      ９６．３
製造例８      ０．１８      １    ０      １０００℃      ９５．５
製造例９      ０．２４      １    ０      １０００℃      ９７．３
＊製造例１０    ０．１２      ０    １      １０４０℃      ９３．０
製造例１１    ０．１４      ０    １      １０４０℃      ９３．３
製造例１２    ０．１８      ０    １      １０４０℃      ９３．２
製造例１３    ０．２４      ０    １      １０４０℃      ９３．１
【００３９】
次に、本発明の誘電体磁器組成物を有する積層型の誘電体素子を製造した（製造例１４〜３４）。誘電体素子は、直方体状の積層体と、この積層体の対向する端面にそれぞれ形成された一対の端子電極とを備える。
【００４０】
積層体は、誘電体層を介して内部電極層（電極層）を交互に積層してなる素体と、この素体をその積層方向の両端面側（上下方向）から挟み込むように設けられた一対の保護層とから構成した。素体においては、誘電体層と内部電極層とを交互に積層した。ここで、誘電体層として、上記一般式（１）をみたす誘電体磁器組成物を用いた。
【００４１】
１層の誘電体層の厚さは８μｍにし、この製造例では１０層積層した。内部電極層は、一方の端部が積層体における一方の端部に露出するように形成されたものと、一方の端部が積層体における他方の端部に露出するように形成されたものを、交互にそれぞれ平行に設けた。この製造例では、内部電極層の材質として、銀パラジウム合金（銀が７０ｗｔ％、残部がパラジウム）を用いた。
【００４２】
積層体の両端は、上述の露出している内部電極層の端部とそれぞれ接するように端子電極を形成した。これにより、端子電極と内部電極層とが電気的に接続された。この製造例では、端子電極の材質として、銀を用いた。端子電極の厚さは１００μｍにした。
【００４３】
上述の設計となるように、積層型の誘電体素子を製造した。製造に際しては、上記仮焼物粉体を含むスラリーを調製して、そのスラリーを用いてグリーンシートを調製し、内部電極原料を含むペーストを別途調製し、そのペーストを上記グリーンシートに印刷した。印刷済みのグリーンシートを積層・圧着・カットし、所定の焼結温度にて２時間、空気中で焼成した。その後、銀ペーストを焼付けし、端子電極を形成した。このようにして誘電体素子を得た。
【００４４】
焼成温度は、以下のとおりであった。
α＝β＝０である製造例１４〜２０は１１００℃。α＝１、β＝０である製造例２１〜２７は１０００℃。α＝０、β＝１である製造例２８〜３４は１０４０℃。これらの温度で焼成することにより、製造例２０以外については、誘電体層、即ち誘電体磁器組成物は９３％以上の焼結密度を呈した。製造例２０については以降の電気特性を測定するに値する高い焼結密度には至らなかった。
【００４５】
得られた誘電体素子について、静電容量の温度変化率および時定数を測定した。
各製造例の組成、静電容量の温度変化率は以下のとおりであった。静電容量の温度変化率として、ΔＣ４００℃／Ｃ２５℃及びΔＣpeak／Ｃ２５℃を測定した。焼結温度が１０５０℃未満、温度変化率ΔＣ４００℃/Ｃ２５℃（下記ではＴ１と表す）が３０％以下、ΔＣpeak/Ｃ２５℃（下記ではＴ２と表す）が５０％以下という結果が求められる。さらに、各製造例の時定数（ＲＣ定数、単位ｓｅｃ）を測定して以下の結果を得た。Ｒ定数については２００〜３５０ｓｅｃが望まれる。
【００４６】
ｘ        α    β        Ｔ１（％）    Ｔ２（％）  ＲＣ  
＊製造例１４    ０．１０    ０    ０        ０．１      ４７．６    ２４５
＊製造例１５    ０．１２    ０    ０      −３．２      ４０．０    ２２０
＊製造例１６    ０．１４    ０    ０      −６．５      ３５．１    １９８
＊製造例１７    ０．１８    ０    ０      −９．２      ３１．３    １８１
＊製造例１８    ０．２４    ０    ０    −４８．４      ２０．０      ６３
＊製造例１９    ０．２８    ０    ０    −２０．１      １７．３      ５２
＊製造例２０    ０．３０    ０    ０    低密度のため測定不可          ４５
＊製造例２１    ０．１０    １    ０        ８．２    １２３．０    ３４０
＊製造例２２    ０．１２    １    ０        ５．７    １０９．７    ３８７
製造例２３    ０．１４    １    ０    −１０．２      ４９．２    ３４９
製造例２４    ０．１８    １    ０    −２５．０      ４５．８    ３３１
製造例２５    ０．２４    １    ０    −２７．５      ４４．９    ２８０
製造例２６    ０．２８    １    ０      −１．８      ３５．２    ２４４
＊製造例２７    ０．３０    １    ０    ２次相生成のため測定不可    ２２６
＊製造例２８    ０．１０    ０    １        ９．５    １１９．３    ３９０
＊製造例２９    ０．１２    ０    １        ６．２    １１１．９    ３４０
製造例３０    ０．１４    ０    １    −１５．６      １０．９    ３０４
製造例３１    ０．１８    ０    １    −２５．２      ２５．２    ２８９
製造例３２    ０．２４    ０    １    −２８．５      ４２．６    ２４３
製造例３３    ０．２８    ０    １      −２．３      ３３．９    ２１０
＊製造例３４    ０．３０    ０    １    ２次相生成のため測定不可    １８０