(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
所定の回転軸線を囲うように配置される複数のミラー面を有するポリゴンミラーの製造方法であって、
イオンを出射するイオン衝撃装置によって、前記複数のミラー面に対応した複数のミラー対応面を有する樹脂製の基材のうち少なくとも前記ミラー対応面に対してイオン衝撃による表面処理を容器内で行う第１工程と、
前記第１工程の後、前記容器内の環境を前記第１工程とは異なる環境に変更し、反射膜形成装置から反射膜を形成する原子を出射するスパッタ法によって、前記基材のうち少なくとも前記ミラー対応面に反射膜を前記容器内で形成する第２工程と、を備え、
前記第１工程および前記第２工程において、前記基材を支持する自転ステージによって、前記基材を前記回転軸線を中心に自転させるとともに、回転軸を中心に回転し、外周部で前記自転ステージを支持する公転ステージによって、前記基材を公転させ、
前記イオン衝撃装置および前記反射膜形成装置は、前記公転ステージの外側であって、かつ、前記公転ステージの回転方向において異なる位置に配置されることを特徴とするポリゴンミラーの製造方法。
【請求項２】
前記基材は、前記回転軸線を中心とする貫通孔を有し、
前記自転ステージは、前記貫通孔を貫通する支持軸を備えることを特徴とする請求項１に記載のポリゴンミラーの製造方法。
【請求項３】
前記公転ステージの前記自転ステージよりも中心側には、前記反射膜形成装置から出射される原子を遮蔽するシャッタ部材が設けられていることを特徴とする請求項１または請求項２に記載のポリゴンミラーの製造方法。
【請求項４】
前記第１工程において、前記イオン衝撃は高周波プラズマによって行うことを特徴とする請求項１から請求項３のいずれか１項に記載のポリゴンミラーの製造方法。
【請求項５】
前記第２工程の後、前記反射膜上に誘電体の保護膜を形成する第３工程を備えたことを特徴とする請求項１から請求項４のうちいずれか１項に記載のポリゴンミラーの製造方法。
【請求項６】
前記保護膜は、二酸化ケイ素であることを特徴とする請求項５に記載のポリゴンミラーの製造方法。
【請求項７】
前記保護膜の厚さは、３５ｎｍ以上２３５ｎｍ以下であることを特徴とする請求項５または請求項６に記載のポリゴンミラーの製造方法。
【請求項８】
前記第２工程において、前記基材と前記反射膜との密着性を高めるための密着層を前記ミラー対応面上に形成した後、当該密着層上に前記反射膜を形成し、
前記密着層の厚さは、前記保護膜の厚さ以下であることを特徴とする請求項５から請求項７のいずれか１項に記載のポリゴンミラーの製造方法。
【請求項９】
前記密着層は、二酸化ケイ素であることを特徴とする請求項８に記載のポリゴンミラーの製造方法。
【請求項１０】
前記基材は、環状オレフィン系樹脂から形成されることを特徴とする請求項１から請求項９のいずれか１項に記載のポリゴンミラーの製造方法。
【請求項１１】
前記基材は、ヤング率が２５００ＭＰａ以上であることを特徴とする請求項１０に記載のポリゴンミラーの製造方法。
【請求項１２】
前記基材は、ポアソン比が０．３４以上０．３８以下であることを特徴とする請求項１０または請求項１１に記載のポリゴンミラーの製造方法。
【請求項１３】
前記反射膜は、アルミニウムを主成分とすることを特徴とする請求項１から請求項１２のいずれか１項に記載のポリゴンミラーの製造方法。
【請求項１４】
前記反射膜の厚さは、４５ｎｍ以上１０５ｎｍ以下であることを特徴とする請求項１から請求項１３のいずれか１項に記載のポリゴンミラーの製造方法。
【請求項１５】
少なくとも前記第１工程および前記第２工程において、前記基材を前記回転軸線方向に複数並べて、複数の基材に対し、同時に表面処理および反射膜の形成を行うことを特徴とする請求項１から請求項１４のいずれか１項に記載のポリゴンミラーの製造方法。
【請求項１６】
前記回転軸線方向に並んだ複数の前記ミラー対応面の間に間隔を空けることを特徴とする請求項１５に記載のポリゴンミラーの製造方法。
【請求項１７】
前記基材は、前記回転軸線方向に突出する突出部を有することを特徴とする請求項１６に記載のポリゴンミラーの製造方法。
【請求項１８】
前記基材は、前記回転軸線方向の一方側と他方側で前記複数のミラー対応面を繋ぐ第１端面および第２端面とを有し、
前記第２工程において、前記反射膜を、前記第１端面の外周部、前記ミラー対応面および前記第２端面の外周部にわたった範囲にのみ形成することを特徴とする請求項１に記載のポリゴンミラーの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、複数のミラー面を有するポリゴンミラーと、その製造方法と、ポリゴンミラーを備えた画像形成装置とに関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、樹脂で成形されるポリゴンミラーの基材と、この基材の表面に形成される金属等の反射膜とを有するポリゴンミラーが知られている（特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開平５−３２３２２４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、従来のようなポリゴンミラーでは、ポリゴンミラーにモータの熱や遠心力が加わると、樹脂製の基材が変形して、基材から反射膜が剥がれる可能性があった。
【０００５】
そこで、本発明は、樹脂製のポリゴンミラーの基材から反射膜が剥がれるのを抑えることを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
前記課題を解決するため、本発明に係るポリゴンミラーの製造方法は、所定の回転軸線を囲うように配置される複数のミラー面を有するポリゴンミラーの製造方法であって、前記複数のミラー面に対応した複数のミラー対応面を有する樹脂製の基材のうち少なくとも前記ミラー対応面に対してイオン衝撃による表面処理を行う第１工程と、前記第１工程の後、前記基材のうち少なくとも前記ミラー対応面に反射膜を形成する第２工程と、を備える。
【０００７】
これによれば、反射膜を形成する前に、イオン衝撃により基材のミラー対応面を分子レベルで粗面にすることができるので、反射膜と基材の密着性を上げることができる。そのため、ポリゴンミラーにモータの熱や遠心力が加わった場合であっても、基材から反射膜が剥がれるのを抑えることができる。
【０００８】
また、前記第１工程において、前記イオン衝撃は高周波プラズマによって行ってもよい。
【０００９】
また、前記第２工程において、スパッタ法により前記反射膜を形成してもよい。
【００１０】
これによれば、反射膜と基材の密着性を上げることができる。
【００１１】
また、前記第２工程の後、前記反射膜上に誘電体の保護膜を形成する第３工程を行ってもよい。
【００１２】
これによれば、反射膜の酸化や反射膜に傷がつくのを、保護膜によって抑制することができる。
【００１３】
なお、前記保護膜は、例えば二酸化ケイ素であってもよい。
【００１４】
また、前記保護膜の厚さは、３５ｎｍ以上２３５ｎｍ以下であってもよい。
【００１５】
このように保護膜の厚さを３５ｎｍ以上とすることで、反射膜の酸化等を抑えることができる。また、保護膜の厚さを２３５ｎｍ以下とすることで、保護膜の形成前後のミラー対応面の変形量を、λ／２以下とすることができる。ここで、λは、ポリゴンミラーで反射する光の波長であり、例えば７８８ｎｍである。
【００１６】
また、前記第２工程において、前記基材と前記反射膜との密着性を高めるための密着層を前記ミラー対応面上に形成した後、当該密着層上に前記反射膜を形成してもよい。
【００１７】
これによれば、例えば蒸着によって反射膜を形成する場合に、密着層によって基材と反射膜との密着性を上げることができる。
【００１８】
なお、前記密着層は、例えば二酸化ケイ素であってもよい。
【００１９】
これによれば、例えば反射膜上に二酸化ケイ素の保護膜を形成する場合には、保護膜と同じ材料で密着層を形成することができるので、製造装置内の同一のターゲットを利用でき、生産性を向上させることができる。
【００２０】
また、前記密着層の厚さは、前記保護膜の厚さ以下であってもよい。
【００２１】
また、前記基材は、環状オレフィン系樹脂から形成されていてもよい。
【００２２】
これによれば、例えばＰＭＭＡ（Polymethyl Methacrylate）等から形成した基材と比べ、基材と反射膜との密着性を高めることができる。
【００２３】
また、前記基材は、ヤング率が２５００ＭＰａ以上であってもよい。
【００２４】
これによれば、ポリゴンミラーの回転時におけるポリゴンミラーの変形を抑えることができる
【００２５】
また、前記基材は、ポアソン比が０．３４以上０．３８以下であってもよい。
【００２６】
また、前記反射膜は、アルミニウムを主成分としてもよい。
【００２７】
また、前記反射膜の厚さは、４５ｎｍ以上１０５ｎｍ以下であってもよい。
【００２８】
このように反射膜の厚さを４５ｎｍ以上とすることで、反射膜を光が透過することを抑えることができる。また、反射膜の厚さを１０５ｎｍ以下とすることで、反射膜の形成時間を短くすることができる。
【００２９】
また、少なくとも前記第１工程および前記第２工程において、前記基材を前記回転軸線方向に複数並べて、複数の基材に対し、同時に表面処理および反射膜の形成を行ってもよい。
【００３０】
これによれば、複数の基材をまとめて処理することができるので、生産性を向上させることができる。
【００３１】
また、前記回転軸線方向に並んだ複数の前記ミラー対応面の間に間隔を空けてもよい。
【００３２】
これによれば、反射膜等を基材の各端面に回り込ませることができるので、反射膜等がミラー対応面から剥がれるのを抑えることができる。
【００３３】
また、前記基材は、前記回転軸線方向に突出する突出部を有していてもよい。
【００３４】
これによれば、基材の突出部が隣接する基材に接触するように複数の基材を並べるだけで、複数のミラー対応面の間に間隔を形成することができるので、例えば各基材の間にスペーサ等を別途挿入して間隔を空けるのと比較して生産性を向上させることができる。
【００３５】
また、本発明に係るポリゴンミラーは、所定の回転軸線を囲うように配置される複数のミラー対応面と、前記回転軸線方向の一方側と他方側で前記複数のミラー対応面を繋ぐ第１端面および第２端面とを有する基材と、前記複数のミラー対応面に設けられる反射膜とを備える。
前記反射膜は、前記第１端面、前記ミラー対応面および前記第２端面にわたって形成されている。
【００３６】
これによれば、反射膜が第１端面、ミラー対応面および第２端面にわたって形成されているので、反射膜と基材の密着性を上げることができる。なお、例えばミラー対応面のみに反射膜を形成する場合には、ミラー対応面と第１端面または第２端面との境界部分に位置する反射膜の端縁が剥離しやすいが、前述した構成によれば、このような剥離を抑制することができる。
【００３７】
また、前記反射膜は、前記第１端面において外周部のみに設けられ、前記第２端面において外周部のみに設けられていてもよい。
【００３８】
これによれば、反射膜を第１端面および第２端面の全面に形成する形態に比べ、ポリゴンミラーの生産性を向上できる。
【００３９】
また、本発明に係る画像形成装置は、複数のミラー面に対応した複数のミラー対応面を有する樹脂製の基材のうち少なくとも前記ミラー対応面に対してイオン衝撃による表面処理を行う第１工程と、前記第１工程の後、前記基材のうち少なくとも前記ミラー対応面に反射膜を形成する第２工程とを備える製造方法によって製造されたポリゴンミラーを備える。
【００４０】
これによれば、ポリゴンミラーにモータの熱や遠心力が加わった場合であっても、樹脂製の基材から反射膜が剥がれるのを抑えることができる。
【発明の効果】
【００４１】
本発明によれば、樹脂製のポリゴンモータの基材から反射膜が剥がれるのを抑えることができる。
【図面の簡単な説明】
【００４２】
【図１】一実施形態に係るレーザプリンタの断面図である。
【図２】スキャナの平面図である。
【図３】ポリゴンミラーを示す断面図（ａ）と、反射膜および保護膜を拡大して示す拡大図（ｂ）である。
【図４】金型で基材を成形する工程を示す断面図である。
【図５】スパッタ装置を自公転装置の回転軸に直交する平面で切った断面図である。
【図６】スパッタ装置を回転軸に沿った平面で切った断面図（ａ）と、上下に並べた基材を拡大して示す図（ｂ）である。
【図７】ミラー対応面と反射膜との間に密着層を設けた変形例を示す断面図である。
【図８】実施例１における実験結果を示す図である。
【図９】実施例２における実験結果を示す図である。
【図１０】実施例３における実験結果を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００４３】
次に、本発明の一実施形態について、適宜図面を参照しながら詳細に説明する。なお、以下の説明においては、まず、本発明の一実施形態に係る画像形成装置の一例としてのレーザプリンタ１の全体構成を説明した後、本発明の特徴部分を詳細に説明する。
【００４４】
以下の説明において、方向は、レーザプリンタ１使用時のユーザを基準にした方向で説明する。すなわち、図１において、紙面に向かって左側を「前側」、紙面に向かって右側を「後側」とし、紙面に向かって奥側を「左側」、紙面に向かって手前側を「右側」とする。また、紙面に向かって上下方向を「上下方向」とする。
【００４５】
図１に示すように、レーザプリンタ１は、本体筐体２と、フィーダ部３と、スキャナ４と、プロセスカートリッジ５と、定着装置８とを主に備えている。
【００４６】
本体筐体２は、本体筐体２に対して回動可能なフロントカバー２３を備えている。このフロントカバー２３を前側に開いて差込口２１Ｂを開放することで、差込口２１Ｂから本体筐体２に用紙３３を挿入可能となっている。
【００４７】
フィーダ部３は、本体筐体２の下部に位置し、用紙３３を載置するための給紙トレイ３１と、給紙トレイ３１上の用紙３３を給紙する給紙機構３２とを備えている。
【００４８】
給紙トレイ３１は、本体筐体２の下部に配置される載置台３１Ａと、前述したフロントカバー２３とによって構成されている。給紙機構３２は、給紙ローラ３２Ａと、分離ローラ３２Ｂと、分離パッド３２Ｃとを主に備えている。
【００４９】
フィーダ部３では、給紙トレイ３１上に載置された用紙３３は、給紙ローラ３２Ａにより送り出され、分離ローラ３２Ｂと分離パッド３２Ｃとの間で１枚ずつに分離され、プロセスカートリッジ５に向けて搬送される。
【００５０】
スキャナ４は、本体筐体２内の前側に設けられており、レーザ光を、後述する感光ドラム６１の表面上に走査する。スキャナ４の構成の詳細は後述する。
【００５１】
プロセスカートリッジ５は、本体筐体２の後側中央部付近に位置しており、給紙機構３２の上方に設けられている。プロセスカートリッジ５は、本体筐体２に回動可能に設けられたトップカバー２４を開いたときに形成される開口２１Ａを通して本体筐体２に対して上側前方に向かって着脱可能な構成となっており、ドラムユニット６と、現像カートリッジ７とを備えている。
【００５２】
ドラムユニット６は、感光ドラム６１、帯電器６２および転写ローラ６３を備えている。現像カートリッジ７は、現像ローラ７１および供給ローラ７２を備えている。
【００５３】
現像カートリッジ７内では、トナー収容室内に収容されているトナーが、供給ローラ７２により現像ローラ７１に供給され、摩擦帯電されて、現像ローラ７１上に担持される。ドラムユニット６内では、回転する感光ドラム６１の表面が、帯電器６２により一様に帯電された後、スキャナ４からのレーザ光の高速走査により露光される。これにより、感光ドラム６１の表面に画像データに基づく静電潜像が形成される。
【００５４】
次いで、この静電潜像に現像カートリッジ７からのトナーが供給され、感光ドラム６１の表面上にトナー像が形成される。その後、感光ドラム６１と転写ローラ６３の間で用紙３３が搬送されることで、感光ドラム６１の表面に担持されているトナー像が用紙３３上に転写される。
【００５５】
定着装置８は、本体筐体２の上部後方に位置し、プロセスカートリッジ５の上方に配置されている。定着装置８は、主に、加熱ローラ８１と、加圧ローラ８２とを備えている。
【００５６】
そして、このように構成される定着装置８では、用紙３３上に転写されたトナーを、用紙３３が加熱ローラ８１と加圧ローラ８２との間を通過する間に熱定着している。なお、定着装置８で熱定着された用紙３３は、定着装置８の下流側に配設される排出ローラ９に搬送され、この排出ローラ９からトップカバー２４上に排出される。
【００５７】
図１および図２に示すように、スキャナ４は、半導体レーザ４１、カップリングレンズ４２、開口絞り４３、シリンドリカルレンズ４４、光偏向装置１００、走査レンズ４５などを備えている。なお、半導体レーザ４１およびカップリングレンズ４２は、光束を出射する光源であり、これらの各素子は、筐体４Ａに支持されている。半導体レーザ４１から出射されるレーザ光は、鎖線で示すように、カップリングレンズ４２、開口絞り４３、シリンドリカルレンズ４４、光偏向装置１００、走査レンズ４５の順に通過して感光ドラム６１に結像される。
【００５８】
図２に示すように、半導体レーザ４１は、拡散するレーザ光を発する装置である。半導体レーザ４１の発光素子は、図示しない制御装置により、感光ドラム６１の表面に露光すべき画像に対応して明滅される。
【００５９】
カップリングレンズ４２は、半導体レーザ４１から出射されたレーザ光を光束に変換するレンズである。開口絞り４３は、カップリングレンズ４２により光束に変換されたレーザ光の径を規定する。シリンドリカルレンズ４４は、開口絞り４３を通過したレーザ光を後述するポリゴンミラー１１０上において副走査方向（図２の紙面に垂直な方向）に結像させるレンズである。
【００６０】
図１に示すように、光偏向装置１００は、シリンドリカルレンズ４４を通過したレーザ光を主走査方向に偏向するためのポリゴンミラー１１０と、当該ポリゴンミラー１１０を回転させるためのモータ１２０と、ポリゴンミラー１１０をモータ１２０に取り付けるための押圧部材１３０とを備えている。ポリゴンミラー１１０の詳細については後述する。
【００６１】
図２に示すように、走査レンズ４５は、ポリゴンミラー１１０に反射されることで偏向された光束を感光ドラム６１の表面に結像させるレンズである。また、走査レンズ４５は、ポリゴンミラー１１０で等角速度で偏向された光を、感光ドラム６１の表面上に等速で走査するようなｆθ特性を有している。
【００６２】
次に、ポリゴンミラー１１０の詳細について説明する。なお、以下の説明において、方向は、図３に示す方向で説明する。
【００６３】
図３（ａ），（ｂ）に示すように、ポリゴンミラー１１０は、所定の回転軸線ＳＬを囲うように配置される４つのミラー面Ｍ１〜Ｍ４（図２参照）を有するポリゴンミラーであり、主に、樹脂製の基材１１０Ａと、基材１１０Ａの一部（後述するミラー対応面１１１Ａ）に形成された反射膜Ｃ１および保護膜Ｃ２とを備えている。
【００６４】
基材１１０Ａは、環状オレフィン系樹脂からなり、ヤング率が２５００ＭＰａ以上３５００ＭＰａ以下で、ポアソン比が０．３４以上０．３８以下となっている。基材１１０Ａは、４つのミラー面Ｍ１〜Ｍ４に対応した４つのミラー対応面１１１Ａを有する本体部１１１と、本体部１１１から下側（回転軸線ＳＬの方向）に向けて突出する突出部１１２と、本体部１１１から上側（回転軸線ＳＬの方向）に向けて突出する第２突出部１１３とを一体に有している。
【００６５】
本体部１１１は、略正方形の底面を有する角柱形状をなしており、主に、４つのミラー対応面１１１Ａと、各ミラー対応面１１１Ａの上端を繋ぐ第１端面１１１Ｂと、各ミラー対応面１１１Ａの下端を繋ぐ第２端面１１１Ｃとを有している。そして、各ミラー対応面１１１Ａ上に反射膜Ｃ１が形成され、反射膜Ｃ１上に保護膜Ｃ２が形成されることで、反射膜Ｃ１または保護膜Ｃ２の表面がミラー面Ｍ１となっている。
【００６６】
反射膜Ｃ１および保護膜Ｃ２は、第１端面１１１Ｂ、ミラー対応面１１１Ａおよび第２端面１１１Ｃにわたって形成されている。詳しくは、反射膜Ｃ１および保護膜Ｃ２は、第１端面１１１Ｂおよび第２端面１１１Ｃの全体には形成されておらず、第１端面１１１Ｂおよび第２端面１１１Ｃにおいて外周部のみに形成されている。ここで、外周部とは、第１端面１１１Ｂまたは第２端面１１１Ｃにおける回転軸線ＳＬから径方向に離れた位置から第１端面１１１Ｂまたは第２端面１１１Ｃの周縁までの領域をいう。
【００６７】
反射膜Ｃ１は、アルミニウムを主成分とする材料からなっている。具体的に、反射膜Ｃ１の材料は、例えば、Ａｌ、Ａｌ−２％Ｓｉ、Ａｌ−Ｎｄ、Ａｌ−Ｃｕ−Ｓｉなどとすることができる。また、反射膜Ｃ１の厚さは、４５ｎｍ以上１０５ｎｍ以下の値に設定されている。
【００６８】
保護膜Ｃ２は、誘電体である二酸化ケイ素からなっている。なお、保護膜Ｃ２の材料は、誘電体であればよく、例えば、フッ化マグネシウム、酸化アルミニウム、酸化イットリウム、酸化ハフニウム、酸化ジルコニウム、酸化タンタル、酸化チタンなどであってもよい。また、保護膜Ｃ２の厚さは、３５ｎｍ以上２３５ｎｍ以下の値に設定されている。
【００６９】
本体部１１１の中心には、モータ１２０の回転軸を通すための貫通孔１１１Ｄが上下方向に貫通するように形成されている。貫通孔１１１Ｄの内周面Ｄ１は、円筒面であり、この内周面Ｄ１には、当該内周面Ｄ１から径方向内側に向けて突出する環状のリブ１１４が一体に形成されている。
【００７０】
リブ１１４の下側には、リブ１１４の内側面１１４Ａと内周面Ｄ１とを滑らかに接続するための傾斜部１１５が一体に形成されている。詳しくは、傾斜部１１５は、リブ１１４の内側面１１４Ａから内周面Ｄ１まで延び、軸線方向に対して傾斜する傾斜面を有している。
【００７１】
突出部１１２は、回転軸線ＳＬを中心とする環状に形成されており、本体部１１１の第２端面１１１Ｃから突出している。突出部１１２は、貫通孔１１１Ｄの周囲（縁）に設けられ、その内側の面１１２Ｂが、貫通孔１１１Ｄの内周面Ｄ１と面一（径方向で同じ位置）となるように形成されている。また、突出部１１２の径方向における厚さＴ１は、本体部１１１の厚さＴ２よりも小さくなっている。
【００７２】
第２突出部１１３は、本体部１１１の第１端面１１１Ｂから突出し、回転軸線ＳＬを中心とする環状に形成されている。詳しくは、第２突出部１１３は、貫通孔１１１Ｄの周囲に設けられ、その内側の面１１３Ｂが、貫通孔１１１Ｄの内周面Ｄ１と径方向で略同じ位置となるように形成されている。また、第２突出部１１３の径方向の厚さＴ３は、突出部１１２の厚さＴ１よりも大きく、かつ、本体部１１１の厚さＴ２よりも小さくなっている。
【００７３】
次に、ポリゴンミラー１１０の製造方法について詳細に説明する。
図４に示すように、まず、ポリゴンミラー１１０の基材１１０Ａの表面形状を象った成型面を有する金型２００内に樹脂を注入することによって、基材１１０Ａを成形する（成形工程）。その後、図５および図６に示すようなスパッタ装置３００を用いて、基材１１０Ａのミラー対応面１１１Ａに反射膜Ｃ１および保護膜Ｃ２を形成する（スパッタリング工程）。なお、このスパッタリング工程を詳細に説明する前に、以下にスパッタ装置３００の構造を説明する。
【００７４】
スパッタ装置３００は、自公転装置３１０と、真空チャンバ３２０と、環境変更装置３３０と、イオン衝撃装置３４０と、反射膜形成装置３５０と、保護膜形成装置３６０とを備えている。
【００７５】
自公転装置３１０は、複数の基材１１０Ａを自転および公転させるための装置であり、主に、円板状の公転ステージ３１１と、公転ステージ３１１の外周部の上で回転可能に支持される複数の円板状の自転ステージ３１２と、各自転ステージ３１２の中心に固定される支持軸３１３とを備えている。支持軸３１３は、複数の基材１１０Ａの貫通孔１１１Ｄを貫通して各基材１１０Ａを支持する棒状の部材であり、リブ１１４の内側面１１４Ａと略同じ径で形成されている。これによって、各基材１１０Ａは中心が支持軸３１３と揃った状態で自転ステージ３１２に搭載される。
【００７６】
なお、支持軸３１３で支持された複数の基材１１０Ａは、それぞれのミラー対応面１１１Ａの向きが揃うように（上下に並ぶ複数のミラー対応面１１１Ａが略同一平面上に位置するように）、セットするのが望ましい。これによれば、反射膜Ｃ１や保護膜Ｃ２の各端面１１１Ｂ，１１１Ｃへの回り込み量を略均一にすることができる。また、このように上下に並ぶ複数のミラー対応面１１１Ａの向きを揃えることで、成膜を蒸着によって行う場合には、蒸着を良好に行うことができる。
【００７７】
なお、上下に並ぶ複数のミラー対応面１１１Ａの向きを揃える方法としては、例えばロボットによりミラー対応面１１１Ａの角度を測定して自転ステージ３１２に搭載する方法や、支持軸３１３とリブ１１４の内側面１１４Ａとにミラー対応面１１１Ａの角度を揃えるための係合部を設けるなどの方法が挙げられる。
【００７８】
自転ステージ３１２は、複数の基材１１０Ａを支持するステージであり、図示しない駆動源および駆動機構によって、支持軸３１３の軸線を中心にして回転するようになっている。公転ステージ３１１は、その中心部に回転軸３１１Ａを有しており、図示しない駆動源および駆動機構によって、回転軸３１１Ａを中心に回転するように構成されている。ここで、公転ステージ３１１の駆動源および駆動機構からギヤ等を介して自転ステージ３１２の駆動を行うよう構成することができる。
【００７９】
また、公転ステージ３１１上における各自転ステージ３１２よりも中心側には、反射膜形成装置３５０から出射される原子が保護膜形成装置３６０に付着したり、保護膜形成装置３６０から出射される原子が反射膜形成装置３５０に付着するのを抑えるための、円筒状のシャッタ部材３１４が設けられている。
【００８０】
真空チャンバ３２０は、中空の円柱状に形成されており、その内部に自公転装置３１０を収容し、その側壁には、環境変更装置３３０、イオン衝撃装置３４０、反射膜形成装置３５０および保護膜形成装置３６０が設けられている。詳しくは、環境変更装置３３０、イオン衝撃装置３４０、反射膜形成装置３５０および保護膜形成装置３６０は、公転ステージ３１１の回転方向において、環境変更装置３３０を基準にして、環境変更装置３３０、保護膜形成装置３６０、イオン衝撃装置３４０、反射膜形成装置３５０の順で並ぶように配置されている。
【００８１】
環境変更装置３３０は、真空チャンバ３２０内の環境を変更するための装置であり、イオン衝撃装置３４０、反射膜形成装置３５０および保護膜形成装置３６０の作動時に必要なガスを真空チャンバ３２０内に供給する機能と、真空チャンバ３２０内のガスを排気して真空チャンバ３２０内を真空状態とする機能を有している。
【００８２】
イオン衝撃装置３４０は、複数の基材１１０Ａの各ミラー対応面１１１Ａに対してイオン衝撃による表面処理を行うための装置であり、環境変更装置３３０に対して真空チャンバ３２０の径方向に対向している。イオン衝撃装置３４０は、環境変更装置３３０によって真空中に導入されたエッチングガスに電磁波などを与えてエッチングガスをプラズマ化するためのイオンソース３４１と、イオンソース３４１に電力を供給するとともに、自公転装置３１０（例えばシャッタ部材３１４）に高周波電圧を印加するイオンソース用電源３４２とを備えている。
【００８３】
このイオン衝撃装置３４０では、イオンソース３４１から各基材１１０Ａに向けてイオンが出射され、このイオンによってイオンエッチング（イオン衝撃）されることで各基材１１０Ａの各ミラー対応面１１１Ａに分子レベルの微細な凹凸が形成される。
【００８４】
反射膜形成装置３５０は、イオン衝撃により表面処理が行われた各ミラー対応面１１１Ａに反射膜Ｃ１を形成するための装置であり、真空チャンバ３２０の側壁における環境変更装置３３０とイオン衝撃装置３４０の間に設けられている。反射膜形成装置３５０は、アルミニウムからなる第１ターゲット３５１と、環境変更装置３３０によって真空中に導入されたアルゴンガス（希ガス）に高電圧をかけてイオン化させる直流電源３５２とを備えている。
【００８５】
この反射膜形成装置３５０では、直流電源３５２によってイオン化されたアルゴンガスが第１ターゲット３５１に衝突することで、第１ターゲット３５１の表面の原子がはじき飛ばされて、各基材１１０Ａに向けて飛び、各ミラー対応面１１１Ａに積層されることで、各ミラー対応面１１１Ａ上にアルミニウムを主成分とする反射膜Ｃ１が形成される。
【００８６】
保護膜形成装置３６０は、反射膜Ｃ１上に保護膜Ｃ２を形成するための装置であり、反射膜形成装置３５０に対して真空チャンバ３２０の径方向に対向している。保護膜形成装置３６０は、二酸化ケイ素からなる第２ターゲット３６１と、環境変更装置３３０によって真空中に導入されたアルゴンガスに高電圧をかけてイオン化させるＲＦ電源３６２（高周波電源）とを備えている。なお、ＲＦ電源３６２の周波数は、例えば１３．５６ＭＨｚとすることができる。
【００８７】
この保護膜形成装置３６０では、ＲＦ電源３６２によってイオン化されたアルゴンガスが第２ターゲット３６１に衝突することで、第２ターゲット３６１の表面の原子がはじき飛ばされて、各基材１１０Ａに向けて飛び、各ミラー対応面１１１Ａ上の反射膜Ｃ１に積層されることで、各反射膜Ｃ１上に二酸化ケイ素からなる保護膜Ｃ２が形成される。
【００８８】
次に、スパッタリング工程を詳細に説明する。
スパッタリング工程においては、まず、支持軸３１３を基材１１０Ａの貫通孔１１１Ｄに通すようにして各基材１１０Ａを各自転ステージ３１２上に上下方向（回転軸線ＳＬの方向）に順次積み上げていく。この際、各基材１１０Ａの下側に設けた突出部１１２が、下側に隣接する基材１１０Ａの第２突出部１１３または自転ステージ３１２で支持されることで、隣接する２つの基材１１０Ａの各４つのミラー対応面１１１Ａの間または最も下側の基材１１０Ａの４つのミラー対応面１１１Ａと自転ステージ３１２との間に間隔が空く。つまり、上下に並ぶ各ミラー対応面１１１Ａの上下に、空間が形成されるようになっている。
【００８９】
なお、本実施形態では、自転ステージ３１２の上面が平面であるため、最も下側の基材１１０Ａのミラー対応面１１１Ａと自転ステージ３１２との間隔が、隣接する２つの基材１１０Ａの各ミラー対応面１１１Ａ間の間隔よりも小さいが、本発明はこれに限定されるものではない。例えば、自転ステージ３１２の上面に、基材１１０Ａの第２突出部１１３と同じ高さの突出部を設けることで、すべての間隔が同じになるように設定してもよい。なお、間隔は、０．１ｍｍ以上に設定するのがよく、好ましくは、０．３ｍｍ以上、より好ましくは、０．６ｍｍ以上に設定するのがよい。
【００９０】
その後、環境変更装置３３０によって真空チャンバ３２０内を真空にした後、真空チャンバ３２０内にエッチングガスを導入する。その後、自公転装置３１０を作動させることで、各基材１１０Ａを、公転ステージ３１１の回転軸３１１Ａを中心にして公転させるとともに、支持軸３１３を中心にして自転させる。その後、イオン衝撃装置３４０を作動させることで、イオンソース３４１から各基材１１０Ａの各ミラー対応面１１１Ａに向けてイオンを出射して、複数の基材１１０Ａに対して同時に表面処理を行い、各ミラー対応面１１１Ａに分子レベルの微細な凹凸を形成する（第１工程）。
【００９１】
第１工程の後は、イオン衝撃装置３４０を停止させ、環境変更装置３３０によって真空チャンバ３２０内を真空にした後、真空チャンバ３２０内にアルゴンガスを導入する。その後、反射膜形成装置３５０を作動させることで、第１ターゲット３５１から各基材１１０Ａの各ミラー対応面１１１Ａに向けてアルミニウムの原子を出射して、複数の基材１１０Ａに対して同時にスパッタリングを行って、各ミラー対応面１１１Ａ上にアルミニウムを主成分とする反射膜Ｃ１を形成する（第２工程）。この際、第１ターゲット３５１から出射されたアルミニウムの原子が、各基材１１０Ａの間を通り抜けたとしても、シャッタ部材３１４によって原子が保護膜形成装置３６０に到達することが抑えられる。
【００９２】
また、上下に並ぶミラー対応面１１１Ａの上下に空間が形成されているので、ミラー対応面１１１Ａに対してアルミニウムの原子が出射されると、図３（ｂ）に示すように、原子はミラー対応面１１１Ａから第１端面１１１Ｂおよび第２端面１１１Ｃに回り込んで、各端面１１１Ｂ，１１１Ｃにも付着する。これにより、反射膜Ｃ１が、第１端面１１１Ｂの外周部、ミラー対応面１１１Ａおよび第２端面１１１Ｃの外周部にわたって形成される。
【００９３】
その後、反射膜形成装置３５０を停止させ、第２工程と同じアルゴンガスの環境下で、保護膜形成装置３６０を作動させることで、第２ターゲット３６１から二酸化ケイ素の原子を出射して、複数の基材１１０Ａに対して同時にスパッタリングを行って、各ミラー対応面１１１Ａの反射膜Ｃ１上に二酸化ケイ素からなる保護膜Ｃ２を形成する（第３工程）。この際、第２ターゲット３６１から出射された二酸化ケイ素の原子が、各基材１１０Ａの間を通り抜けたとしても、シャッタ部材３１４によって原子が反射膜形成装置３５０に到達することが抑えられる。
【００９４】
また、上下に並ぶミラー対応面１１１Ａの上下に空間が形成されているので、反射膜Ｃ１に対して二酸化ケイ素の原子が出射されると、図３（ｂ）に示すように、原子は反射膜Ｃ１を上側、左右方向外側および下側から覆うように付着する。これにより、ポリゴンミラー１１０が完成する。
【００９５】
以上によれば、本実施形態において以下のような効果を得ることができる。
反射膜Ｃ１を形成する前に、イオン衝撃により基材１１０Ａのミラー対応面１１１Ａを分子レベルで粗面にするので、反射膜Ｃ１と基材１１０Ａの密着性を上げることができる。そのため、ポリゴンミラー１１０にモータ１２０の熱や遠心力が加わった場合であっても、基材１１０Ａから反射膜Ｃ１が剥がれるのを抑えることができる。
【００９６】
スパッタ法により反射膜Ｃ１を形成したので、例えば蒸着により反射膜を形成する方法に比べ、反射膜Ｃ１と基材１１０Ａの密着性を上げることができる。
【００９７】
反射膜Ｃ１の上に保護膜Ｃ２を形成したので、反射膜Ｃ１の酸化や反射膜Ｃ１に傷がつくのを、保護膜Ｃ２によって抑制することができる。
【００９８】
保護膜Ｃ２の厚さを３５ｎｍ以上としたので、反射膜Ｃ１の酸化等を良好に抑えることができる。また、保護膜Ｃ２の厚さを２３５ｎｍ以下としたので、後述するように、保護膜Ｃ２の形成前後のミラー対応面１１１Ａの変形量を、λ／２以下とすることができる。ここで、λは、ポリゴンミラー１１０で反射する光の波長であり、例えば７８８ｎｍである。
【００９９】
基材１１０Ａを環状オレフィン系樹脂で形成したので、例えばＰＭＭＡ（Polymethyl Methacrylate）等で形成した基材と比べ、基材１１０Ａと反射膜Ｃ１との密着性を高めることができる。
【０１００】
基材１１０Ａのヤング率を２５００ＭＰａ以上としたので、ポリゴンミラー１１０の回転時におけるポリゴンミラー１１０の変形を抑えることができる。
【０１０１】
反射膜Ｃ１をアルミニウムを主成分とする材料で形成したので、レーザプリンタ１の感光ドラム６１を露光するのに必要な領域(近赤外)での反射率を高くすることができる、つまり従来の一般的なアルミニウム製のポリゴンミラーと同等の反射特性とすることができる。また、アルミニウムを主成分とする反射膜Ｃ１を樹脂製の基材１１０Ａ上に形成したので、従来の一般的なアルミニウム製のポリゴンミラーと比べ、材料費を安価にすることができる。
【０１０２】
反射膜Ｃ１の厚さを４５ｎｍ以上としたので、反射膜Ｃ１を光が透過することを抑えることができる。また、反射膜Ｃ１の厚さを１０５ｎｍ以下としたので、反射膜Ｃ１の形成時間を短くすることができる。
【０１０３】
基材１１０Ａを上下方向に複数並べて、複数の基材１１０Ａに対し、同時に表面処理およびスパッタリング処理を行ったので、複数の基材１１０Ａをまとめて処理することができ、生産性を向上させることができる。
【０１０４】
上下方向に並んだ複数のミラー対応面１１１Ａの上下に空間を形成することで、反射膜Ｃ１および保護膜Ｃ２を基材１１０Ａの各端面１１１Ｂ，１１１Ｃに回り込ませることができるので、反射膜Ｃ１および保護膜Ｃ２がミラー対応面１１１Ａから剥がれるのを抑えることができる。
【０１０５】
基材１１０Ａに上下方向に突出する突出部１１２，１１３を設けたので、基材１１０Ａの突出部１１２，１１３が隣接する基材１１０Ａに接触するように複数の基材１１０Ａを並べるだけで、上下に並ぶ複数のミラー対応面１１１Ａの上下に空間を形成することができる。そのため、例えば各基材の間または基材と自転ステージとの間にスペーサ等を別途挿入して空間を形成するのと比較して生産性を向上させることができる。
【０１０６】
反射膜Ｃ１を、第１端面１１１Ｂ、ミラー対応面１１１Ａおよび第２端面１１１Ｃにわたって形成したので、反射膜Ｃ１と基材１１０Ａの密着性を上げることができる。なお、例えばミラー対応面のみに反射膜を形成する場合には、ミラー対応面と第１端面または第２端面との境界部分に位置する反射膜の端縁が剥離しやすいが、前述した構成によれば、このような剥離を抑制することができる。
【０１０７】
反射膜Ｃ１が、各端面１１１Ｂ，１１１Ｃにおける外周部のみに設けられているので、例えば反射膜を第１端面および第２端面の全面に形成する形態に比べ、ポリゴンミラー１１０の生産性を向上させることができる。詳しくは、反射膜を第１端面および第２端面の全面に形成する形態では、第１端面、第２端面がターゲットに向くように基材を再配置しなければならないが、前記実施形態では、このような作業を省くことができる。
【０１０８】
第１工程から第３工程を、１つのスパッタ装置３００内で行うので、例えば各工程ごとに装置を設け、工程が変わるたびに基材を装置に対して着脱させるような方法に比べ、生産性を向上させることができる。
【０１０９】
第２工程と第３工程とを同じ環境下（アルゴンガス雰囲気中）で行うので、例えば第２工程と第３工程をそれぞれ別の環境下で行う形態に比べ、生産性を向上させることができる。
【０１１０】
なお、本発明は前記実施形態に限定されることなく、以下に例示するように様々な形態で利用できる。以下の説明においては、前記実施形態と略同様の構造となる部材には同一の符号を付し、その説明は省略する。
【０１１１】
前記実施形態では、ミラー対応面１１１Ａに反射膜Ｃ１と保護膜Ｃ２を形成したが、本発明はこれに限定されず、例えば図７に示すように、ミラー対応面１１１Ａ（基材１１０Ａ）と反射膜Ｃ１との間に、基材１１０Ａと反射膜Ｃ１との密着性を高めるための密着層Ｃ３を設けてもよい。つまり、第２工程において、密着層Ｃ３をミラー対応面１１１Ａ上に形成した後、当該密着層Ｃ３上に反射膜Ｃ１を形成してもよい。
【０１１２】
これによれば、例えば蒸着によって反射膜Ｃ１を形成する場合に、密着層Ｃ３によって基材１１０Ａと反射膜Ｃ１との密着性を上げることができる。
【０１１３】
なお、密着層Ｃ３の材料は、例えば二酸化ケイ素とすることができる。これによれば、前記実施形態のように反射膜Ｃ１上に二酸化ケイ素の保護膜Ｃ２を形成する場合には、保護膜Ｃ２と同じ材料で密着層Ｃ３を形成することができるので、製造装置内の同一のターゲット（第２ターゲット３６１）を利用でき、生産性を向上させることができる。
【０１１４】
なお、密着層Ｃ３の厚さは、保護膜Ｃ２の厚さ以下であってもよい。
【０１１５】
前記実施形態では、イオン衝撃を高周波プラズマによって行ったが、本発明はこれに限定されず、その他の方法によってイオン衝撃を行ってもよい。
【０１１６】
前記実施形態では、スパッタ法により反射膜Ｃ１および保護膜Ｃ２を形成したが、本発明はこれに限定されず、例えば蒸着によって反射膜や保護膜を形成してもよい。
【０１１７】
前記実施形態では、反射膜Ｃ１および保護膜Ｃ２を、第１端面１１１Ｂの外周部、ミラー対応面１１１Ａおよび第２端面１１１Ｃの外周部にわたって形成したが、本発明はこれに限定されず、反射膜および保護膜を、基材の表面全体にわたって形成してもよい。なお、この場合には、イオン衝撃による表面処理を基材の表面全体に行ってもよい。
【０１１８】
なお、反射膜Ｃ１、保護膜Ｃ２、密着層Ｃ３、基材１１０Ａの材料は、前述したような材料に限らず、適宜変更可能である。
【０１１９】
前記実施形態では、ポリゴンミラー１１０を略正方形状の底面を有する角柱形状としたが、本発明はこれに限定されず、ポリゴンミラーは、例えば正五角形や正六角形などの多角形状の底面を有する角柱形状であってもよい。
【０１２０】
前記実施形態では、レーザプリンタ１に本発明を適用したが、本発明はこれに限定されず、その他の画像形成装置、例えば複写機や複合機などに本発明を適用してもよい。
【実施例】
【０１２１】
以下に、前記した実施形態についての実施例１〜４を説明する。
［実施例１］
実施例１における実験では、第１工程から第３工程を前記実施形態と同様の設備（芝浦メカトロニクス社製のスパッタ装置）を用いて行った。実験の各種条件は、以下の通りである。
【０１２２】
＜第１工程の条件＞
・基材の材料：環状オレフィン系樹脂
・エッチングガス：アルゴンガス
・エッチングガスの流量：２５ｓｃｃｍ（４１．６７５×１０−８ｍ３／ｓ）
・イオンソース用電源の電力：１００Ｗ
・プラズマ時間（表面処理にかかる時間）：３０秒
・基材の公転速度：２０ｒｐｍ
・基材の自転速度：６０ｒｐｍ
【０１２３】
＜第２工程の条件＞
・背圧（真空チャンバ内を真空に引くときの到達圧力）：５．０×１０−３Ｐａ
・使用する希ガス：アルゴンガス
・希ガスの流量：２５ｓｃｃｍ（４１．６７５×１０−８ｍ３／ｓ）
・直流電源の電力：２００Ｗ
・基材の公転速度：２０ｒｐｍ
・基材の自転速度：６０ｒｐｍ
・成膜中のガス圧：０．１Ｐａ
・反射膜の材料：アルミニウム（Ａｌ）
・反射膜の厚さ：５０ｎｍ
【０１２４】
＜第３工程の条件＞
・背圧：５．０×１０−３Ｐａ
・使用する希ガス：アルゴンガス
・希ガスの流量：２５ｓｃｃｍ（４１．６７５×１０−８ｍ３／ｓ）
・ＲＦ電源の電力：５００Ｗ
・基材の公転速度：２０ｒｐｍ
・基材の自転速度：６０ｒｐｍ
・成膜中のガス圧：０．１Ｐａ
・保護膜の材料：二酸化ケイ素（ＳｉＯ２）
・保護膜の厚さ：７０ｎｍ
【０１２５】
以上のような条件で、第１工程から第３工程を行うことで実施例１に係るポリゴンミラーを製造し、第１工程を行わずに第２工程および第３工程を行うことで比較例に係るポリゴンミラーを製造した。そして、実施例１および比較例に係るポリゴンミラーに対して、以下に示す恒温恒湿放置試験、熱衝撃試験、低温放置試験および高温放置試験をそれぞれ行った。
【０１２６】
＜恒温恒湿放置試験＞
温度が６０±３℃で、湿度が９０±５％ＲＨの環境下に、実施例１および比較例に係るポリゴンミラーを１週間放置した後、テープテスト（ミラー面に粘着テープを張り付けて引き剥がすテスト）により反射膜の剥離状況を調べた。
【０１２７】
＜熱衝撃試験＞
実施例１および比較例に係るポリゴンミラーを収容した容器内の温度を１時間置きに−４０℃と７０℃とに切り替え、この動作を１０回繰り返し行った後、テープテストにより反射膜の剥離状況を調べた。
【０１２８】
＜低温放置試験＞
温度が−４０℃の環境下に、実施例１および比較例に係るポリゴンミラーを１週間放置した後、テープテストにより反射膜の剥離状況を調べた。
【０１２９】
＜高温放置試験＞
温度が７０℃の環境下に、実施例１および比較例に係るポリゴンミラーを１週間放置した後、テープテストにより反射膜の剥離状況を調べた。
【０１３０】
各試験による実験結果は、図８の通りである。各実験により、実施例１に係るポリゴンミラーでは、すべての試験において、反射膜が粘着テープに付着しないことが確認された（ＯＫ）。また、比較例に係るポリゴンミラーでは、恒温恒湿放置試験と熱衝撃試験とにおいて、反射膜が粘着テープに付着して剥がれたことが確認され（ＮＧ）、低温放置試験と高温放置試験とにおいて、反射膜が粘着テープに付着しないことが確認された（ＯＫ）。以上により、実施例１に係るポリゴンミラーでは、ミラー対応面と反射膜とが良好に密着していることが確認された。
【０１３１】
なお、この実施例１では、前述した実験の他、第１工程（イオンエッチング）の前後において、ミラー対応面の濡れ性を確認する実験も行った。その結果、イオンエッチングされていないミラー対応面では、接触角度（ミラー対応面と水滴の表面とのなす角度）が８０°以上であるのに対し、イオンエッチングされたミラー対応面では、接触角度が４０°以下に減少したことが確認された。つまり、比較例における反射膜形成前のミラー対応面よりも、実施例１における反射膜形成前のミラー対応面の方が、濡れ性が高い（密着性が高い）ことが確認された。
【０１３２】
［実施例２］
実施例２では、ミラー対応面への反射膜の成膜前後におけるミラー対応面の変形量を調べた。詳しくは、ミラー対応面の面形状をフィゾー干渉計により測定し、実施例１と同条件で第１工程を行った。その後、実施例１と同条件で第２工程を行った後、反射膜の表面の面形状をフィゾー干渉計により測定した。そして、反射膜の成膜前のミラー対応面の面形状と反射膜の表面の面形状との差を、成膜前後の変形量として算出した。また、実施例２では、反射膜の厚さを５０ｎｍから１００ｎｍに変更した実験も行った。
【０１３３】
これらの実験による実験結果は、図９の通りである。各実験により、反射膜の厚さが５０ｎｍ、１００ｎｍのいずれの場合であっても、４つのミラー対応面（横軸に１，２，３，４で示す）の成膜前後の変形量を０．１λ未満に抑えることができることが確認された。ここで、λは、７８８ｎｍである。
【０１３４】
［実施例３］
実施例３では、保護膜の成膜前後におけるミラー対応面の変形量を調べた。詳しくは、ミラー対応面の面形状をフィゾー干渉計により測定し、実施例１と同条件および同様の方法で第３工程を行った後、保護膜の表面の面形状をフィゾー干渉計により測定した。そして、保護膜の成膜前のミラー対応面の面形状と保護膜の表面の面形状との差を、成膜前後の変形量として算出した。また、実施例３では、保護膜の厚さを７０ｎｍから３０ｎｍ、４０ｎｍ、５０ｎｍ、６０ｎｍ、１１０ｎｍ、１４０ｎｍ、１５０ｎｍ、２３５ｎｍのそれぞれに変更した実験も行った。
【０１３５】
これらの実験による実験結果は、図１０の通りである。なお、図１０における測定結果の点から上下に延びる線は、バラツキの範囲、詳しくは３σ（σ：標準偏差）の範囲を示す。ここでσは、４つのミラー対応面の変形量から算出した。各実験により、保護膜（ＳｉＯ２膜）の厚さが２３５ｎｍ以下である場合に、成膜前後の変形量を０．５λ以下に抑えることができることが確認された。ここで、λは、７８８ｎｍである。
【０１３６】
［実施例４］
実施例４では、密着層の有無による基板と反射膜との密着性を調べる実験を行った。なお、この実験では、実施例１と同条件で第１工程を行った後、第２工程から第３工程（密着層、反射膜および保護膜の形成）を蒸着により行った。具体的には、以下の通りである。
【０１３７】
＜第２工程の条件＞
（１）密着層形成工程
・密着層の材料・厚さ：二酸化ケイ素（ＳｉＯ２）５０ｎｍ
・背圧：５．０×１０−５Ｐａ
・成膜時間：５ｍｉｎ
・電子ビーム電流：１００ｍＡ
（２）反射膜形成工程
・反射膜の材料・厚さ：アルミニウム（Ａｌ）・５０ｎｍ
・背圧：５．０×１０−５Ｐａ
・成膜時間：５ｍｉｎ
・電子ビーム電流：８０ｍＡ
【０１３８】
＜第３工程の条件＞
・保護膜の材料・厚さ：二酸化ケイ素（ＳｉＯ２）・７０ｎｍ
・背圧：５．０×１０−５Ｐａ
・成膜時間：１０ｍｉｎ
・電子ビーム電流：１００ｍＡ
【０１３９】
以上のような条件で、第１工程から第３工程を行うことで実施例４に係る密着層有りのポリゴンミラーを製造し、第２行程中における密着層形成工程を行わないことで比較例に係る密着層無しのポリゴンミラーを製造した。そして、実施例４および比較例にかかるポリゴンミラーに対してテープテストを行った。
【０１４０】
この結果、密着層を有する実施例４では、テープテストをしても反射膜が剥がれないことが確認され、密着層を有さない比較例では、テープテストにより反射膜が剥がれたことが確認された。そのため、蒸着により反射膜を形成する場合には、密着層を設けた方が、反射膜をミラー対応面に良好に密着させることができることが確認された。
【符号の説明】
【０１４１】
１１０  ポリゴンミラー
１１０Ａ  基材
１１１Ａ  ミラー対応面
Ｃ１    反射膜
Ｃ２    保護膜
Ｃ３    密着層
Ｍ１    ミラー面
ＳＬ    回転軸線
【図１】
0006269372.tif 000002
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
0006269372.tif 000008
【図８】
0006269372.tif 000009
【図９】
0006269372.tif 000010
【図１０】
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