(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の絶縁基材層が積層されてなる積層絶縁体と、
前記積層絶縁体の内部に、前記絶縁基材層に沿って伝送方向に延伸して配置される複数の信号導体と、
前記信号導体を、積層方向から前記絶縁基材層を介して挟みこむ複数のグランド導体と、を備える伝送線路であり、
前記伝送線路は、積層方向と直交する面に沿って曲がっている少なくとも１つの湾曲部を有し、
前記複数の信号導体は、積層方向からみて伝送方向と直交する方向に離隔され、前記湾曲部において内側に配置される第一信号導体及び外側に配置される第二信号導体を含み、
前記第一信号導体を挟みこむグランド導体の間隔が、前記第二信号導体を挟みこむグランド導体の間隔よりも狭い、伝送線路。
【請求項２】
複数の湾曲部を有し、前記第一信号導体は、最も曲率半径の小さい湾曲部において内側に配置される、請求項１に記載の伝送線路。
【請求項３】
積層方向からみて前記第一信号導体と重なりを有して配置される少なくとも１つの第三信号導体を更に備え、
前記第一信号導体及び第三信号導体の間にグランド導体が配置され、
前記第三信号導体の数が、前記第二信号導体と積層方向で重なる信号導体の数よりも多い、請求項１又は請求項２に記載の伝送線路。
【請求項４】
前記第三信号導体を挟みこむグランド導体を備え、
前記第三信号導体を挟みこむグランド導体の間隔が、前記第二信号導体を挟みこむグランド導体の間隔よりも小さい、請求項３に記載の伝送線路。
【請求項５】
前記第二信号導体が、前記第一信号導体を挟みこむグランド導体と同じ絶縁基材層上に配置されている、請求項１から請求項４のいずれかに記載の伝送線路。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、伝送線路に関する。
【背景技術】
【０００２】
電子機器において高周波信号等を伝送する伝送線路として、幅方向に複数の信号線が配置されたフラットケーブルが注目されている。例えば国際公開第２０１４／１１５６０７号には、平板状の誘電体素体、誘電体素体に内蔵され伝送方向に沿って延伸する信号導体、基準グランド導体、補助グランド導体及び厚み方向接続導体を備える伝送線路が開示され、複数の高周波信号間のアイソレーションを高く確保して伝送可能で、小型且つ薄型に形成できるとされている。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
使用される電子機器の小型化に伴って湾曲部を有する伝送線路が求められている。特に曲率半径の小さい湾曲部を有する伝送線路では、湾曲部の内側に配置される信号線から生じる電磁界が、湾曲部において同一信号線上の異なる位置間で電磁界結合して伝送損失等の特性劣化を引き起こす場合があった。【０００４】
本発明は、湾曲部を有する伝送線路であって、湾曲部の内側に配置される信号線における伝送損失が抑制される伝送線路を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明の一実施形態は、複数の絶縁基材層が積層されてなる積層絶縁体と、前記積層絶縁体の内部に、前記絶縁基材層に沿って伝送方向に延伸して配置される複数の信号導体と、前記信号導体を、積層方向から前記絶縁基材層を介して挟みこむ複数のグランド導体と、を備える伝送線路であり、前記伝送線路は、積層方向と直交する面に沿って曲がっている少なくとも１つの湾曲部を有し、前記複数の信号導体は、積層方向からみて伝送方向と直交する方向に離隔され、前記湾曲部において内側に配置される第一信号導体及び外側に配置される第二信号導体を含み、前記第一信号導体を挟みこむグランド導体の間隔が、前記第二信号導体を挟みこむグランド導体の間隔よりも狭い伝送線路である。
【発明の効果】
【０００６】
本発明によれば、湾曲部を有する伝送線路であって、湾曲部の内側に配置される信号線における伝送損失が抑制される伝送線路を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【０００７】
【図１】本実施形態に係る伝送線路を積層方向から見た概略透過平面図の一例である。
【図２】本実施形態に係る伝送線路の概略断面図の一例である。
【図３】本実施形態に係る伝送線路の製造方法を説明する概略図である。
【図４】本実施形態に係る伝送線路の製造方法を説明する概略断面図である。
【図５】本実施形態に係る伝送線路を積層方向から見た概略透過平面図の別例である。
【図６】本実施形態に係る伝送線路の概略断面図の別の一例である。
【図７】本実施形態に係る伝送線路の概略断面図の他の一例である。
【発明を実施するための形態】
【０００８】
本実施形態の伝送線路は、複数の絶縁基材層が積層されてなる積層絶縁体と、前記積層絶縁体の内部に、前記絶縁基材層に沿って伝送方向に延伸して配置される複数の信号導体と、前記信号導体を、積層方向から前記絶縁基材層を介して挟みこむ複数のグランド導体とを備える伝送線路である。前記伝送線路は、積層方向と直交する面に沿って曲がっている少なくとも１つの湾曲部を有する。前記複数の信号導体は、積層方向からみて伝送方向と直交する伝送線路の幅方向に離隔されて配置される。前記複数の信号導体は、前記湾曲部において内側に配置される第一信号導体及び外側に配置される第二信号導体を含んでいる。そして、前記第一信号導体を挟みこむグランド導体の最小の間隔が、前記第二信号導体を挟みこむグランド導体の最小の間隔よりも狭いことを特徴とする。
【０００９】
上記構成により、湾曲部において内側に配置される第一信号導体の湾曲部における電磁界結合が抑制されるため、伝送損失を抑制することができる。
【００１０】
伝送線路は、複数の湾曲部を有していてもよく、前記第一信号導体は、最も曲率半径の小さい湾曲部において内側に配置される。これにより、伝送損失が最も大きくなる部分での伝送損失が抑制され、伝送線路全体としての伝送特性が向上する。
【００１１】
伝送線路は、積層方向からみて前記第一信号導体と重なりを有して配置される少なくとも１つの第三信号導体を更に備えていてもよい。前記第三信号導体は、前記第一信号導体と積層方向に離隔されて配置され、前記第一信号導体及び第三信号導体の間にはグランド導体が配置される。前記第三信号導体の数は、前記第二信号導体と積層方向で重なる信号導体の数よりも多くてもよい。これにより、湾曲部において内側に配置される第一信号導体及び第三信号導体における電磁界結合を抑制しつつ伝送線路の厚みを薄くすることができる。
【００１２】
伝送線路は、前記第三信号導体を挟みこむグランド導体を備えていてもよい。更に前記湾曲部において、少なくとも１つの前記第三信号導体を挟みこむグランド導体の間隔が、少なくとも１つの前記第二信号導体を挟みこむグランド導体の間隔よりも狭くなっていてもよい。これにより、湾曲部の内側に配置される信号導体における電磁界結合をより効果的に抑制しつつ、信号導体間の電磁界結合がより効果的に抑制され、信号導体間のクロストークが抑制される。
【００１３】
伝送線路は、前記第二信号導体が、前記第一信号導体を挟みこむグランド導体と同じ絶縁基材層上に配置されていてもよい。これにより、第一信号導体と第二信号導体間の電磁界結合がより効果的に抑制され、信号導体間のクロストークが抑制される。さらに、伝送線路を構成する信号導体が形成される絶縁基材層の積層数を少なくすることができ、製造工程の簡略化が可能になる。
【００１４】
以下、本発明の実施形態を図面に基づいて説明する。ただし、以下に示す実施形態は、本発明の技術思想を具体化するための、伝送線路を例示するものであって、本発明は、伝送線路を以下のものに限定しない。なお特許請求の範囲に示される部材を、実施形態の部材に限定するものでは決してない。特に実施形態に記載されている構成部品の寸法、材質、形状、その相対的配置等は特に特定的な記載がない限りは、本発明の範囲をそれのみに限定する趣旨ではなく、単なる説明例にすぎない。なお、各図中には同一箇所に同一符号を付している。要点の説明または理解の容易性を考慮して、便宜上実施形態を分けて示すが、異なる実施形態で示した構成の部分的な置換または組み合わせが可能である。第２の実施例以降では第１の実施例と共通の事柄についての記述を省略し、異なる点についてのみ説明する。特に、同様の構成による同様の作用効果については実施形態毎には逐次言及しない。
【００１５】
第一実施形態
図１は、第一実施形態に係る伝送線路１０を絶縁基材層の積層方向から見た透過平面図の一例である。図１では、簡略化のためグランド導体の図示は省略している。伝送線路１０は絶縁基材層の積層方向と直交する面に沿って伝送方向が曲がっている湾曲部１３を有する。また基板と接続される第一接続端部１８Ａ及び第二接続端部１８Ｂとを有している。伝送線路１０では、第一接続端部１８Ａと第二接続端部１８Ｂとの間で、それぞれ第一信号導体１２Ａと第二信号導体１２Ｂとを介して信号が伝送される。第一接続端部１８Ａ及び第二接続端部１８Ｂには、例えば第一信号導体１２Ａと第二信号導体１２Ｂに対応してコネクタが設けられ、それぞれ基板と接続される。
【００１６】
絶縁基材層が積層されてなる積層絶縁体１１の内部には第一信号導体１２Ａと第二信号導体１２Ｂが配置され、それぞれ伝送方向に沿って延伸している。また第一信号導体１２Ａと第二信号導体１２Ｂとは、伝送方向と直交する伝送線路１０の幅方向に離隔され、湾曲部１３において第一信号導体１２Ａは、第二信号導体１２Ｂよりも内側に配置されている。湾曲部１３を有する伝送線路１０では、湾曲部１３の前後において第一信号導体１２Ａ間の距離が近接するため、第一接続端部１８Ａから湾曲部１３までの第一信号導体１２Ａから生じる電磁界と、湾曲部１３から第二接続端部１８Ｂまでの第一信号導体１２Ａから生じる電磁界とが湾曲部１３の近傍で相互作用し得る状態となっている。本実施形態の伝送線路１０では、湾曲部１３において最も内側に配置される第一信号導体１２Ａを挟み込むグランド導体間の距離が狭くなっていることで、第一信号導体１２Ａで伝送される信号に由来する電磁界の広がりが抑制されるため、湾曲部１３において発生し得る第一信号導体１２Ａの電磁界結合を抑制することができる。これにより、湾曲部１３における伝送特性の劣化を抑制できる。
【００１７】
図１では、第一信号導体１２Ａよりも第二信号導体１２Ｂの方が幅広に形成されている。これにより、両者のグランド導体間隔が異なっていても、インピーダンスの整合をとることが容易に可能となる。また図１では、２本の信号導体のみが配置されているが、３本以上の信号導体が幅方向に離隔されて配置されていてもよい。その場合、湾曲部１３において最も内側の位置に配置される信号導体が第一信号導体１２Ａとなる。
【００１８】
図２は、第一実施形態に係る伝送線路１０の断面図であって、伝送方向と直交する面における断面図である。図２では、積層絶縁体１１の内部に第一信号導体１２Ａと第二信号導体１２Ｂとが、伝送線路１０の幅方向に離隔して配置されている。第一信号導体１２Ａと第二信号導体１２Ｂとは、積層絶縁体１１の積層方向において同一位置に配置されている。そして第一信号導体１２Ａが配置される側が湾曲部において内側になる。
【００１９】
第一信号導体１２Ａは、グランド導体１５Ｃとグランド導体１５Ｂとの間に絶縁基材層を介しては挟み込まれている。また第二信号導体１２Ｂは、グランド導体１５Ｃとグランド導体１５Ａとの間に絶縁基材層を介しては挟み込まれている。第一信号導体１２Ａを挟み込むグランド導体１５Ｃと１５Ｂとの間隔は、第二信号導体１２Ｂを挟み込むグランド導体１５Ｃと１５Ａとの間隔よりも狭くなっている。グランド導体１５Ａ、１５Ｂ及び１５Ｃはそれぞれ、積層絶縁体の積層方向から見て、第一信号導体１２Ａ及び第二信号導体１２Ｂを被覆して伝送方向に沿って形成されている。またグランド導体１５Ａとグランド導体１５Ｂとは、絶縁基材層を貫通する層間接続導体１６を介して接続されている。層間接続導体１６は、グランド導体１５Ａ及び１５Ｂの間に少なくとも１カ所で部分的に形成されていればよく、グランド導体１５Ａ及び１５Ｂの伝送方向に沿って複数カ所に形成されていてもよい。また層間接続導体１６に代えてスルーホールで接続されてもよい。グランド導体１５Ｃは、伝送線路１０の幅方向の全幅には形成されず、グランド導体１５Ｃの側面は伝送線路１０の側面に露出していない。更に図２では、グランド導体１５Ａ及び１５Ｃを被覆する保護層１７が、伝送線路１０の上面と下面の両方に形成されている。図２では、グランド導体１５Ａ及び１５Ｃは接続されていないが、層間接続導体、スルーホール又は積層絶縁体１１の外部に配置される導体を介して接続されていてもよい。
【００２０】
図２では、第一信号導体１２Ａよりも第二信号導体１２Ｂの方が幅広に形成されている。一般に、伝送線路１０は特性インピーダンスが５０Ωで設計される。第一信号導体１２Ａとグランド導体１５Ｃ及びグランド導体１５Ｂとで形成される第一伝送線路部と、第二信号導体１２Ｂとグランド導体１５Ｃ及びグランド導体１５Ａとで形成される第二伝送線路部の両者の特性インピーダンスを、第二信号導体１２Ｂの線幅を広くすることで同じ５０Ωに揃えることができるようになる。線幅の広い第二信号導体１２Ｂを通過する信号では、第一信号導体１２Ａを通過する信号よりも導体損が低減される。そのため、例えば、第一伝送線路部にセルラーで用いられる６００ＭＨｚから９００ＭＨｚ帯や２ＧＨｚ帯の信号が割り当てられている場合、第二伝送線路部には、例えばＷｉＦｉで用いられる５ＧＨｚ帯の信号を割り当てることが望ましい。すなわち、伝送損失の影響が大きい高周波数帯の信号を信号導体の線幅が広い伝送線路部に割り当てることが望ましい。なお、信号導体の線幅を広くすることに代えて信号導体を厚く形成することで特性インピーダンスを調整することもできる。例えば、第二信号導体１２Ｂを第一信号導体１２Ａよりも肉厚に形成してインピーダンスの整合をとることも可能である。しかしながら、第二信号導体１２Ｂを幅広に形成してインピーダンス整合をとる方が、伝送線路１０の製造工程を簡略化することができる。
【００２１】
図３は、伝送線路１０の形成方法の一例を示す概略断面図である。図３に示すように複数のグランド導体と、複数の絶縁基材層と、複数の信号導体とを積層し、例えば加熱プレスを用いて積層方向に加熱加圧することで一体化された伝送線路が形成される。図３では、グランド導体１５Ｃを絶縁基材層１４Ｃと対向する面とは反対側の面上に有する絶縁基材層１４Ｄと、絶縁基材層１４Ｂと対向する面上に第一信号導体１２Ａ及び第二信号導体１２Ｂが形成される絶縁基材層１４Ｃと、グランド導体１５Ｂを絶縁基材層１４Ｃと対向する面とは反対側の面上に有する絶縁基材層１４Ｂと、グランド導体１５Ａを絶縁基材層１４Ｂと対向する面とは反対側の面上に有する絶縁基材層１４Ａとがこの順に積層される。絶縁基材層１４Ａは、グランド導体１５Ａと接続され絶縁基材層１４Ａを貫通して、グランド導体１５Ａが配置される面とは反対側の面に露出する層間接続導体１６を有している。図示はされていないが、異なる断面において絶縁基材層１４Ｂ、１４Ｃ及び１４Ｄにも層間接続導体を形成し、グランド導体１５Ａ、グランド導体１５Ｂ及びグランド導体１５Ｃを接続することで、伝送線路全体としてのグランドをより安定化させることができる。絶縁基材層１４Ａから１４Ｄは、例えば、液晶ポリマー（ＬＣＰ）等の熱可塑性樹脂から形成される。グランド導体１５Ａから１５Ｃ、第一信号導体１２Ａ及び第二信号導体１２Ｂは、例えば、絶縁基材層の片方の全面に銅箔が貼り付けられた片面銅張基材の銅箔を所望の形状にパターニング処理して形成される。層間接続導体１６は、例えば、片面銅張基材の銅箔が張られていない面側からレーザービームを照射する等の方法を用いて貫通孔を形成し、貫通孔に導電性ペーストを充填することで、絶縁基材層の厚み方向に形成することができる。所望の形状にグランド導体又は信号導体が設けられた絶縁基材層１４Ａから１４Ｄを積層方向に、例えば加熱プレスで加熱加圧することで、図４に示すような導体と一体化された積層絶縁体が得られる。そして、得られた積層絶縁体の上面と下面の両面に、図２に示すような保護層１７を形成することで伝送線路１０が形成される。
【００２２】
図３では、第一信号導体１２Ａ及び第二信号導体１２Ｂは絶縁基材層１４Ｃ上に配置されるが、グランド導体を有する絶縁基材層１４Ｂ又は１４Ｄのグランド導体が形成されていない面に配置されてもよい。その場合、片面銅張基材の代わりに両面銅張基材を用いて所望の形状にグランド導体及び信号導体をパターニング処理して形成すればよい。
【００２３】
第二実施形態
図５は、第二実施形態に係る伝送線路２０を絶縁基材層の積層方向から見た透過平面図の一例である。第二実施形態の伝送線路２０は、曲率半径が異なる第一湾曲部２３Ａ及び第二湾曲部２３Ｂの２つの湾曲部を有すること以外は、第一実施形態の伝送線路１０と同様に構成される。
【００２４】
図５では、簡略化のためグランド導体の図示は省略している。伝送線路２０は絶縁基材層の積層方向と直交する面に沿って伝送方向が曲がっている第一湾曲部２３Ａ及び第二湾曲部２３Ｂを有し、基板と接続される第一接続端部２８Ａ及び第二接続端部２８Ｂとを有している。伝送線路２０では、第一接続端部２８Ａと第二接続端部２８Ｂとの間で、それぞれ第一信号導体２２Ａと第二信号導体２２Ｂとを介して信号が伝送される。
【００２５】
図５では、第一湾曲部２３Ａの曲率半径の方が第二湾曲部２３Ｂの曲率半径よりも小さくなっている。第一信号導体２２Ａは、曲率半径の小さい第一湾曲部２３Ａにおいて最も内側に位置している。そして、第一信号導体２２Ａを挟み込むグランド導体の間隔の方が、第二信号導体２２Ｂを挟み込むグランド導体の間隔よりも狭くなっている。伝送線路２０の伝送方向と直交する面における断面図は、図２と同様である。図５では、２つの湾曲部が設けられるが３つ以上の湾曲部が設けられてもよい。その場合、最も曲率半径の小さい湾曲部において最も内側に配置される信号導体が第一信号導体２２Ａとなる。
【００２６】
第三実施形態
図６は、第三実施形態に係る伝送線路３０の伝送方向と直交する面における断面図である。第三実施形態の伝送線路３０は、第二信号導体３２Ｂが第一信号導体３２Ａを挟み込むグランド導体３５Ｂと同じ絶縁基材層上に配置されること以外は、第一実施形態の伝送線路１０又は第二実施形態の伝送経路２０と同様に構成される。
【００２７】
図６では、積層絶縁体３１の内部に第一信号導体３２Ａと第二信号導体３２Ｂとが、伝送線路３０の幅方向に離隔され、且つ伝送線路３０の厚み方向に離隔して配置されている。そして第二信号導体３２Ｂは、第一信号導体３２Ａを挟み込むグランド導体３５Ｂ及び３５Ｃのうち、第二信号導体３２Ｂを挟み込むグランド導体３５Ｃとは異なるグランド導体３５Ｂと同じ絶縁基材層上に配置されている。すなわち、第二信号導体３２Ｂはグランド導体３５Ｂと積層絶縁体３１の積層方向において同一位置に配置されている。これにより、第一信号導体１２Ａと第二信号導体１２Ｂの間の電磁界結合がより効果的に抑制され、信号導体間のクロストークが抑制される。
【００２８】
伝送線路３０では、第一信号導体３２Ａは湾曲部の最も内側に配置され、グランド導体３５Ｃとグランド導体３５Ｂとの間に絶縁基材層を介しては挟み込まれている。また第二信号導体３２Ｂは、グランド導体３５Ｃとグランド導体３５Ａとの間に絶縁基材層を介しては挟み込まれている。第一信号導体３２Ａを挟み込むグランド導体３５Ｃと３５Ｂとの間隔は、第二信号導体３２Ｂを挟み込むグランド導体３５Ｃと３５Ａとの間隔よりも狭くなっている。グランド導体３５Ａ、３５Ｂ及び３５Ｃは、それぞれ第一信号導体３２Ａ及び第二信号導体３２Ｂを厚み方向で被覆して伝送方向に沿って形成されている。またグランド導体３５Ａとグランド導体３５Ｂとは、絶縁基材層を貫通する層間接続導体３６を介して接続されている。また図６では、グランド導体３５Ａ及び３５Ｃを被覆する保護層３７が、伝送線路の積層面の両方の上に形成されている。図６では、第二信号導体３２Ｂ及びグランド導体３５Ａの間隔と、第二信号導体３２Ｂ及びグランド導体３５Ｃの間隔とが異なっているが、同一間隔に構成されていてもよい。
【００２９】
第四実施形態
図７は、第四実施形態に係る伝送線路４０の伝送方向と直交する面における断面図である。第四実施形態の伝送線路４０は、積層方向からみて第一信号導体４２Ａと重なりを有し、伝送方向に延伸して配置される第三信号導体４２Ｃを備え、第一信号導体４２Ａと第三信号導体４２Ｃの間にグランド導体４５Ｂが配置されていることと、グランド導体４５Ａ、グランド導体４５Ｂ及びグランド導体４５Ｃが層間接続導体４６で接続されていること以外は、第一実施形態の伝送線路１０又は第二実施形態の伝送経路２０と同様に構成される。
【００３０】
伝送線路４０では、曲率半径が最小の湾曲部の内側に位置する側に、第一信号導体４２Ａに加えて第三信号導体４２Ｃが、積層絶縁体の積層方向で重なりを有して配置され、第一信号導体４２Ａと第二信号導体４２Ｃとの間にグランド導体４５Ｂが配置されている。また第一信号導体４２Ａから、伝送線路４０の幅方向に離隔されて第二信号導体４２Ｂが配置され、第一信号導体４２Ａを挟み込むグランド導体４５Ａ及び４５Ｂの間隔の方が、第二信号導体４２Ｂを挟み込むグランド導体４５Ａ及び４５Ｃの間隔よりも狭くなっている。また第三信号導体４２Ｃを挟み込むグランド導体４５Ｂ及び４５Ｃの間隔の方が、第二信号導体４２Ｂを挟み込むグランド導体４５Ａ及び４５Ｃの間隔よりも狭くなっている。第二信号導体４２Ｂは、第一信号導体４２Ａから伝送線路４０の厚み方向に離隔され、グランド導体４５Ｂと同じ絶縁基材層上に配置されている。
【００３１】
伝送線路４０では、第一信号導体４２Ａは、グランド導体４５Ａとグランド導体４５Ｂとの間に絶縁基材層を介しては挟み込まれている。第二信号導体４２Ｂは、グランド導体４５Ｃとグランド導体４５Ａとの間に絶縁基材層を介しては挟み込まれている。第三信号導体４２Ｃは、グランド導体４５Ｂとグランド導体４５Ｃとの間に絶縁基材層を介しては挟み込まれている。第一信号導体４２Ａを挟み込むグランド導体４５Ａ及び４５Ｂの間隔は、第二信号導体４２Ｂを挟み込むグランド導体４５Ｃ及び４５Ａの間隔よりも狭くなっている。グランド導体４５Ａ、４５Ｂ及び４５Ｃは、それぞれ第一信号導体４２Ａ、第二信号導体４２Ｂ及び第三信号導体４２Ｃを厚み方向で被覆して伝送方向に沿って形成されている。またグランド導体４５Ａ、４５Ｂ及び４５Ｃは、絶縁基材層を貫通する層間接続導体４６を介して接続されている。さらに図７では、グランド導体４５Ａ及び４５Ｃを被覆する保護層４７が、伝送線路の積層面の両方の上に形成されている。
【００３２】
湾曲部の内側に位置する側に、外側よりも多くの信号導体を積層して配置し、積層される信号導体間にグランド導体を配置することで、信号導体間における電磁界結合を抑制して特性の劣化を抑制しつつ、全体の厚みを抑制しながらより多くの信号導体を有する伝送線路を構成することができる。
【００３３】
図７では、第一信号導体４２Ａと第三信号導体４２Ｃとは同一幅で形成されているが、異なる幅で形成されていてもよい。また第一信号導体４２Ａと第三信号導体４２Ｃとは、積層絶縁体４１の積層方向で少なくとも部分的に重なりを有していればよい。第三信号導体４２Ｃの配置数は１つに限定されず、複数配置されていてもよい。これらの場合、幅方向の中心線が湾曲部の最も内側に位置する信号導体が第一信号導体４２Ａとなる。また第二信号導体４２Ｂの配置数は１つに限定されず、複数の第二信号導体４２Ｂが積層方向で少なくとも部分的に重なりを有して配置されていてもよい。複数の第二信号導体４２Ｂが配置される場合、第三信号導体４２Ｃの配置数は、第二信号導体４２Ｂの配置数以上とする。図７では、第一信号導体４２Ａを挟み込むグランド導体４５Ａ及び４５Ｂの間隔と、第三信号導体４２Ｃを挟み込むグランド導体４５Ｂ及び４５Ｃの間隔とは同一に形成されているが、異なる間隔に形成されていてもよい。また第二信号導体４２Ｂは、グランド導体４５Ｂと同じ絶縁基材層上に配置されているが、異なる絶縁基材層上に配置されていてもよい。
【００３４】
本実施形態に係る伝送線路において、第一信号導体及び第三信号導体並びに第二信号導体の用途は特に限定されないが、例えば、第二信号導体は第一信号導体及び第三信号導体よりも幅広に形成できるため、より低損失を求められる信号伝送、例えばより高周波帯の信号伝送に好適である。一方、第一信号導体及び第三信号導体は狭い間隔のグランド導体に挟まれているため、アイソレーションがより求められる信号伝送、例えばより低周波帯の信号伝送に好適である。
【００３５】
日本国特許出願２０１７−００７６４１号（出願日：２０１７年１月１９日）の開示はその全体が参照により本明細書に取り込まれる。本明細書に記載された全ての文献、特許出願、及び技術規格は、個々の文献、特許出願、及び技術規格が参照により取り込まれることが具体的かつ個々に記された場合と同程度に、本明細書に参照により取り込まれる。
【要約】
湾曲部を有する伝送線路であって、湾曲部の内側に配置される信号線における伝送損失が抑制される伝送線路を提供する。伝送線路は、複数の絶縁基材層が積層されてなる積層絶縁体と、前記積層絶縁体の内部に、前記絶縁基材層に沿って伝送方向に延伸して配置される複数の信号導体と、前記信号導体を、積層方向から前記絶縁基材層を介して挟みこむ複数のグランド導体とを備える。前記伝送線路は、積層方向と直交する面に沿って曲がっている少なくとも１つの湾曲部を有する。前記複数の信号導体は、積層方向からみて伝送方向と直交する方向に離隔されて配置される。前記複数の信号導体は、前記湾曲部において内側に配置される第一信号導体及び外側に配置される第二信号導体を含む。そして前記第一信号導体を挟みこむグランド導体の間隔が、前記第二信号導体を挟みこむグランド導体の間隔よりも狭い。【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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