(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に半導体チップが実装された半導体パッケージの製造方法であって、
前記基板上に下層樹脂を塗布し、
前記基板上に塗布された前記下層樹脂の硬化を開始した後に、前記下層樹脂と前記半導体チップとの間であって前記下層樹脂が塗布された範囲内に上層樹脂を配置し、
前記下層樹脂と前記半導体チップとの間に配置した前記上層樹脂を硬化させて前記半導体チップと前記基板とを接合する接合部を形成する、
ことを特徴とする半導体パッケージの製造方法。
【請求項２】
前記下層樹脂の硬度が、該下層樹脂が完全に硬化した状態における硬度の半分以下である状態で、前記上層樹脂を前記下層樹脂上に配置し、前記上層樹脂とともに前記下層樹脂を硬化させることを特徴とする請求項１に記載の半導体パッケージの製造方法。
【請求項３】
前記下層樹脂及び前記上層樹脂としてヤング率が１ＧＰａ以下の樹脂を用いることを特徴とする請求項１又は２に記載の半導体パッケージの製造方法。
【請求項４】
基板上に半導体チップが実装された半導体パッケージの製造方法であって、
前記基板上に下層樹脂を塗布し、
前記基板上に塗布された前記下層樹脂の硬化を開始した後に、前記下層樹脂上のみに少なくとも１つの樹脂層からなる中間層樹脂部の最下層を配置し、
前記中間層樹脂部の最上層の硬化を開始した後に、前記中間層樹脂部の最上層と前記半導体チップとの間であって前記中間層樹脂部の前記最上層が配置された範囲内に上層樹脂を配置し、
前記中間層樹脂部の最上層と前記半導体チップとの間に配置した前記上層樹脂を硬化させて前記半導体チップと前記基板とを接合する接合部を形成する、
ことを特徴とする半導体パッケージの製造方法。
【請求項５】
前記中間層樹脂部の最下層と最上層とが１つの樹脂層から構成されることを特徴とする請求項４に記載の半導体パッケージの製造方法。
【請求項６】
前記中間層樹脂部は、複数の樹脂層から構成されることを特徴とする請求項４に記載の半導体パッケージの製造方法。
【請求項７】
前記下層樹脂の樹脂層、前記中間層樹脂部の少なくとも１つの樹脂層、及び前記上層樹脂の樹脂層のうち上下に隣接する２つの樹脂層を形成する際に、前記２つの樹脂層のうち下側の樹脂層の硬度が、該下側の樹脂層が完全に硬化した状態における硬度の半分以下である状態で、前記２つの樹脂層のうち上側の樹脂層を前記下側の樹脂層上に配置し、前記上側の樹脂層とともに前記下側の樹脂層を硬化させることを特徴とする請求項４から６のいずれか一項に記載の半導体パッケージの製造方法。
【請求項８】
前記下層樹脂、前記中間層樹脂部、及び前記上層樹脂としてヤング率が１ＧＰａ以下の樹脂を用いることを特徴とする請求項４から７のいずれか一項に記載の半導体パッケージの製造方法。
【請求項９】
前記接合部を前記基板上の複数の箇所に形成することを特徴とする請求項１から８のいずれか一項に記載の半導体パッケージの製造方法。
【請求項１０】
前記接合部を前記半導体チップの外縁部に対応する前記基板上の複数の箇所に形成することを特徴とする請求項９に記載の半導体パッケージの製造方法。
【請求項１１】
前記基板上の複数の箇所における前記接合部の前記下層樹脂は同一の材料から構成されることを特徴とする請求項９又は１０に記載の半導体パッケージの製造方法。
【請求項１２】
前記基板上の複数の箇所における前記接合部の前記上層樹脂は同一の材料から構成されることを特徴とする請求項９から１１のいずれか一項に記載の半導体パッケージの製造方法。
【請求項１３】
前記下層樹脂として光硬化性樹脂を用いることを特徴とする請求項１から１２のいずれか一項に記載の半導体パッケージの製造方法。
【請求項１４】
前記半導体チップは光学素子を含むことを特徴とする請求項１から１３のいずれか一項に記載の半導体パッケージの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体パッケージの製造方法に係り、特に基板に半導体チップを実装した半導体パッケージの製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
基板上にＩＣチップなどを実装して半導体パッケージを製造する際には、基板とＩＣチップとを樹脂や半田などの接合材により接合するが、基板とＩＣチップとの熱膨張率が異なる場合には、基板とＩＣチップの熱による伸縮量が異なるため、剪断方向に変位が生じ、接合材に熱応力が発生する。このような熱応力が反復的に接合材に加わることにより、熱疲労破壊、時間経過に伴うクリープ変位やクリープ破断といった不良が生じる。
【０００３】
このような熱応力による不良を抑えるために、基板から半導体チップまでの高さを大きくすることにより、剪断方向の変位を接合材に吸収させて熱応力を低減することが提案されている（例えば、特許文献１参照）。図１は、このような従来の半導体パッケージを示す模式図である。図１に示すように、基板５００上には背の高い支柱５１０が形成され、この支柱５１０上に半導体チップ５２０が載置される。半導体チップ５２０上の電極５３０と基板５００上のパッド５４０とは半田からなる接合部５５０により互いに接続されており、この接合部５５０により半導体チップ５２０と基板５００とが互いに接合されている。このような背の高い支柱５１０を基板５００上に形成することにより、接合部５５０の高さ（長さ）を大きくすることができるので、基板５００と半導体チップ５２０との間の剪断方向の変位を接合部５５０の高さにより吸収することができる。したがって、接合部５５０に生じる熱応力を低減することができる。
【０００４】
図１に示すような従来の構造では、支柱５１０は熱硬化性の絶縁材料により形成され、接合部５５０は半田により形成される。このように、支柱５１０と接合部５５０とのヤング率及び線膨張率が異なるため、支柱５１０に当接する半導体チップ５２０の縁部と接合部５５０が形成される半導体チップ５２０の中央部との間で温度変化などによる変位差が生じ、半導体チップ５２０に歪み（応力）が加わってしまう。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００１−３１３３０９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本発明は、このような従来技術の問題点に鑑みてなされたもので、基板と半導体チップとを接合する接合部に生じる熱応力の低減と半導体チップに加わる応力の低減の両方を実現することができる半導体パッケージの製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の第１の態様によれば、基板と半導体チップとを接合する接合部に生じる熱応力の低減と半導体チップに加わる応力の低減の両方を実現することができる半導体パッケージの製造方法が提供される。基板上に半導体チップが実装された半導体パッケージを製造するために、上記基板上に下層樹脂を塗布し、上記基板上に塗布された上記下層樹脂の硬化を開始した後に、上記下層樹脂と上記半導体チップとの間であって前記下層樹脂が塗布された範囲内に上層樹脂を配置し、上記下層樹脂と上記半導体チップとの間に配置した上記上層樹脂を硬化させて上記半導体チップと上記基板とを接合する接合部を形成する。
【０００８】
このような方法によれば、下層樹脂の高さを調整することにより接合部を高く形成することができ、また、下層樹脂と半導体チップとの間に配置される上層樹脂を硬化させることによって半導体チップを基板に接合することができる。したがって、このような接合部だけで、自らの高さを確保することが可能となる。これにより、基板と半導体チップとの間の剪断方向の変位差を接合部の高さにより吸収させることができ、接合部に生じる熱応力を低減することができる。また、接合部の高さを確保するために接合部のほかに他の部材を必要としないので、異なる部材間での変位差が生じず、半導体チップに加わる歪み（応力）を最小限にすることができる。
【０００９】
上記下層樹脂の硬度が、該下層樹脂が完全に硬化した状態における硬度の半分以下である状態で、上記上層樹脂を上記下層樹脂上に配置し、上記上層樹脂とともに上記下層樹脂を硬化させてもよい。このように、下層樹脂が半硬化状態にあるときに、上層樹脂を下層樹脂上に配置して下層樹脂及び上層樹脂を硬化させることにより、下層樹脂と上層樹脂との間の接着強度を高めることができる。
【００１０】
上記下層樹脂及び上記上層樹脂としてヤング率が１ＧＰａ以下の樹脂を用いることが好ましい。このようにヤング率の低い樹脂を下層樹脂及び上層樹脂として用いることで、下層樹脂及び上層樹脂が変形することにより基板と半導体チップとの変位差を吸収して半導体チップの反りを抑えることができる。
【００１１】
本発明の第２の態様によれば、基板と半導体チップとを接合する接合部に生じる熱応力の低減と半導体チップに加わる応力の低減の両方を実現することができる半導体パッケージの製造方法が提供される。基板上に半導体チップが実装された半導体パッケージを製造するために、上記基板上に下層樹脂を塗布し、上記基板上に塗布された上記下層樹脂の硬化を開始した後に、上記下層樹脂上のみに少なくとも１つの樹脂層からなる中間層樹脂部の最下層を配置する。上記中間層樹脂部の最上層の硬化を開始した後に、上記中間層樹脂の最上層と上記半導体チップとの間であって前記中間層樹脂部の前記最上層が配置された範囲内に上層樹脂を配置し、上記中間層樹脂部の最上層と上記半導体チップとの間に配置した上記上層樹脂を硬化させて上記半導体チップと上記基板とを接合する接合部を形成する。
【００１２】
このような方法によれば、下層樹脂及び中間層樹脂部の高さを調整することにより接合部を高く形成することができ、また、中間層樹脂部と半導体チップとの間に配置される上層樹脂を硬化させることによって半導体チップを基板に接合することができる。したがって、このような接合部だけで、自らの高さを確保することが可能となる。これにより、基板と半導体チップとの間の剪断方向の変位差を接合部の高さにより吸収させることができ、接合部に生じる熱応力を低減することができる。また、接合部の高さを確保するために接合部のほかに他の部材を必要としないので、異なる部材間での変位差が生じず、半導体チップに加わる歪み（応力）を最小限にすることができる。また、接合部を３層以上の樹脂の積層構造とすることで狭い領域に所望の高さの接合部を形成することが容易になる。
【００１３】
上記中間層樹脂部の最下層と最上層とを１つの樹脂層により構成してもよく、上記中間層樹脂部を複数の樹脂層により構成してもよい。また、上記下層樹脂の樹脂層、上記中間層樹脂部の少なくとも１つの樹脂層、及び上記上層樹脂の樹脂層のうちいずれか上下に隣接する２つの樹脂層を形成する際に、上記２つの樹脂層のうち下側の樹脂層の硬度が、該下側の樹脂層が完全に硬化した状態における硬度の半分以下である状態で、上記２つの樹脂層のうち上側の樹脂層を上記下側の樹脂層上に配置し、上記上側の樹脂層とともに上記下側の樹脂層を硬化させてもよい。このように、下側の樹脂層が半硬化状態にあるときに、上側の樹脂層を下側の樹脂層上に配置して下側の樹脂層及び上側の樹脂層を硬化させることにより、下側の樹脂層と上側の樹脂層との間の接着強度を高めることができる。
【００１４】
上記下層樹脂、上記中間層樹脂部、及び上記上層樹脂としてヤング率が１ＧＰａ以下の樹脂を用いることが好ましい。このようにヤング率の低い樹脂を下層樹脂、中間層樹脂部、及び上層樹脂として用いることで、下層樹脂、中間層樹脂部、及び上層樹脂が変形することにより基板と半導体チップとの変位差を吸収して半導体チップの反りを抑えることができる。
【００１５】
上述した場合において、上記接合部を上記基板上の複数の箇所に形成することが好ましい。このように複数の箇所に接合部を形成することによって、安定的に半導体チップを基板に接合することができる。また、上記接合部を上記半導体チップの外縁部に対応する上記基板上の複数の箇所に形成することが好ましい。このように接合部を半導体チップの外縁部に対応する位置に形成すれば、外縁部の複数の箇所で半導体チップを安定的に保持することができる。また、半導体チップの外縁部に接合部が形成されているので、半導体チップの中央部が基板側に引っ張られて反りが生じるようなことも起きにくい。また、温度変化などにより半導体チップが水平方向に伸縮したとしても、半導体チップの中央部の位置が変化しにくい。
【００１６】
また、上記基板上の複数の箇所における上記接合部の上記下層樹脂は同一の材料から構成されることが好ましく、上記基板上の複数の箇所における上記接合部の上記上層樹脂は同一の材料から構成されることが好ましい。このように、複数の箇所に形成される接合部を同一の材料で構成することにより、それぞれの接合部の線膨張係数を同一にして熱による伸縮量を同一にすることができるので、接合部に支持される半導体チップが反ったり傾いたりすることを抑えることができる。
【００１７】
上記下層樹脂として光硬化性樹脂を用いることができる。このように下層樹脂として光硬化性樹脂を用いた場合には、下層樹脂を基板上に塗布した後、すぐに下層樹脂を露光することにより、下層樹脂の表面を速やかに硬化させることができる。したがって、下層樹脂が基板上に濡れ広がって高さが低くなってしまう前に下層樹脂を硬化させることができる。また、下層樹脂を硬化させるために熱を加える必要がないため、温度上昇により下層樹脂の粘度が下がって下層樹脂が垂れることを防止することができる。したがって、接合部の高さを安定的に高く維持することができる。
【００１８】
上記半導体チップは光学素子を含んでいてもよい。
【発明の効果】
【００１９】
本発明によれば、基板と半導体チップとを接合する接合部に生じる熱応力の低減と半導体チップに加わる応力の低減の両方を実現することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２０】
【図１】従来の半導体パッケージを示す模式図である。
【図２】本発明の第１の実施形態における半導体パッケージを示す模式的断面図である。
【図３Ａ】図２の半導体パッケージの製造過程を示す模式的断面図である。
【図３Ｂ】図３Ａに示す状態の模式的平面図である。
【図４Ａ】図２の半導体パッケージの製造過程を示す模式的断面図である。
【図４Ｂ】図４Ａに示す状態の模式的平面図である。
【図５Ａ】図２の半導体パッケージの製造過程を示す模式的断面図である。
【図５Ｂ】図５Ａに示す状態の模式的平面図である。
【図６】本発明の第２の実施形態における半導体パッケージを示す模式的断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２１】
以下、本発明に係る半導体パッケージの製造方法の実施形態について図２から図６を参照して詳細に説明する。なお、図２から図６において、同一又は相当する構成要素には、同一の符号を付して重複した説明を省略する。
【００２２】
図２は、本実施形態における半導体パッケージ１を示す模式的断面図である。図２に示すように、この半導体パッケージ１は、基板１０と、基板１０上に実装される半導体チップ２０と、半導体チップ２０を支持し半導体チップ２０を基板１０に接合する接合部３０とを有している。この接合部３０は、高さ方向に延びる下層樹脂３１と、下層樹脂３１と半導体チップ２０との間に形成された上層樹脂３２とから構成されている。
【００２３】
このような半導体パッケージ１を製造する方法について図３Ａから図５Ｂを参照して説明する。図３Ａ、図４Ａ、及び図５Ａは、半導体パッケージ１の製造過程を示す模式的断面図であり、図３Ｂ、図４Ｂ、及び図５Ｂは、これらの断面図に対応する模式的平面図である。
【００２４】
半導体パッケージ１を製造する際には、まず、図３Ａ及び図３Ｂに示すように、基板１０を用意し、下層樹脂３１を塗布する部分を例えばＯ2プラズマ洗浄により清浄な状態にする（ステップＳ１）。そして、洗浄した基板１０上に下層樹脂３１を塗布する（ステップＳ２）。この下層樹脂３１としては、熱硬化性樹脂又は光硬化性樹脂を用いることができる。図３Ｂに示すように、本実施形態においては、基板１０上の複数箇所（図示の例では４箇所）に下層樹脂３１が塗布される。また、本実施形態では、基板１０上に実装される半導体チップ２０の外縁部に対応した位置に下層樹脂３１を塗布している（図５Ｂ参照）。
【００２５】
そして、基板１０上に塗布された下層樹脂３１を硬化させる（ステップＳ３）。下層樹脂３１が熱硬化性樹脂であれば熱を加えることにより、光硬化性樹脂であればＵＶ光などの光を照射することにより下層樹脂３１を硬化させる。この下層樹脂３１を基板１０から高く延びるように形成することにより、その後に形成される接合部３０の高さを高くすることができる。
【００２６】
このとき、下層樹脂３１として光硬化性樹脂を用いた場合には、下層樹脂３１を基板１０上に塗布した後、すぐに下層樹脂３１を露光することにより、下層樹脂３１の表面を速やかに硬化させることができる。したがって、下層樹脂３１が基板１０上に濡れ広がって高さが低くなってしまう前に下層樹脂３１を硬化させることができる。また、下層樹脂３１を硬化させるために熱を加える必要がないため、温度上昇により下層樹脂３１の粘度が下がって下層樹脂３１が垂れることを防止することができる。したがって、下層樹脂３１の高さを安定的に高く維持することが可能である。
【００２７】
そして、下層樹脂３１の硬化開始後（下層樹脂３１が完全に硬化した後、あるいは下層樹脂３１が完全に硬化する前）に、図４Ａ及び図４Ｂに示すように、下層樹脂３１上に上層樹脂３２を塗布する（ステップＳ４）。この上層樹脂３２としては、熱硬化性樹脂又は光硬化性樹脂を用いることができる。上層樹脂３２は、下層樹脂３１と同一の材料からなるものであってもよく、あるいは下層樹脂３１とは異なる材料からなるものであってもよい。
【００２８】
この状態で、図５Ａ及び図５Ｂに示すように、半導体チップ２０を上層樹脂３２の上に載置し、上層樹脂３２を下層樹脂３１と半導体チップ２０との間に配置する（ステップＳ５）。そして、この下層樹脂３１と半導体チップ２０との間の上層樹脂３２を硬化させる（ステップＳ６）。上層樹脂３２が熱硬化性樹脂であれば熱を加えることにより、光硬化性樹脂であればＵＶ光などの光を照射することにより上層樹脂３２を硬化させる。これにより、下層樹脂３１と半導体チップ２０とを接着して接合部３０を形成することができ、この接合部３０により半導体チップ２０と基板１０とが接合される。
【００２９】
なお、半導体チップ２０の上層樹脂３２が接する部分がガラスなどの樹脂硬化用の光を透過する材料から構成されている場合には、上層樹脂３２として光硬化性樹脂を用いることができるが、半導体チップ２０の上層樹脂３２が接する部分が樹脂硬化用の光を透過しない材料から構成されていると、樹脂硬化用の光を上層樹脂に照射することが難しくなる。したがって、そのような場合には、上層樹脂３２として熱硬化性樹脂を用いることが好ましい。
【００３０】
このようにして、基板１０上に半導体チップ２０が実装され、半導体パッケージ１が完成する（図２）。本実施形態における半導体パッケージ１の製造方法によれば、下層樹脂３１の高さを調整することにより接合部３０を高く形成することができ、また、下層樹脂３１と半導体チップ２０との間に配置される上層樹脂３２を硬化させることによって半導体チップ２０を基板１０に接合することができる。したがって、接合部３０を高く形成することによって、基板１０と半導体チップ２０との間の剪断方向の変位差を接合部３０の高さにより吸収させることができる。これによって、半導体チップ２０を基板１０に接合する接合部３０に生じる熱応力を低減することができる。すなわち、図１に示す従来の構造では、基板５００と半導体チップ５２０とを接合する接合部５５０の高さを確保するために接合部５５０に加えて支柱５１０が必要とされていたが、本実施形態によれば、接合部３０の高さを確保するために接合部３０のほかに他の部材を必要としない。したがって、異なる部材間での変位差が生じず、半導体チップ２０に加わる歪み（応力）を最小限にすることができる。
【００３１】
このように、本実施形態によれば、基板１０と半導体チップ２０とを接合する接合部の高さを確保して接合部に生じる熱応力を低減するために、接合部３０のほかに他の部材を必要としないので、接合部３０に生じる熱応力の低減と半導体チップ２０に加わる応力の低減とを同時に実現することができる。
【００３２】
図１に示す従来の構造では、それぞれの支柱５１０の高さにばらつきが生じると半導体チップ５２０が基板５００に対して傾いてしまう。これに対して、本実施形態では、下層樹脂３１の高さにばらつきが生じたとしても、この下層樹脂３１のばらつきは基板１０に対する半導体チップ２０の傾きに影響を与えることはなく、上層樹脂３２の塗布量や半導体チップ２０の載置角度を適切に調整することにより、基板１０に対する半導体チップ２０の傾きを調整することができる。
【００３３】
ここで、本実施形態では、図５Ｂに示すように、複数の箇所（４箇所）に接合部３０が形成されている。このように複数の箇所に接合部３０を形成することによって、より安定的に半導体チップ２０を基板１０に接合することができる。この場合において、３箇所以上に接合部３０を形成すれば安定的に半導体チップ２０を支持することができる。
【００３４】
また、本実施形態のように、接合部３０を半導体チップ２０の外縁部に対応する位置に形成すれば、外縁部の複数の箇所で半導体チップ２０を安定的に保持することができる。また、図１に示される従来の構造では、半導体チップ５２０の中央部に接合部５５０が設けられているため、接合部５５０の熱収縮により半導体チップ５２０の中央部が基板５００側に引っ張られて反りが生じてしまうが、本実施形態では、半導体チップ２０の外縁部に接合部３０が形成されているので、そのような反りが生じにくい。また、半導体チップ２０の外縁部が接合部３０により保持されるので、温度変化などにより半導体チップ２０が水平方向に伸縮したとしても、半導体チップ２０の中央部の位置が変化しにくい。したがって、位置の変化によって機能が害されるような素子（例えば光学素子など）が半導体チップ２０の中央部に配置される場合には、接合部３０を半導体チップ２０の外縁部に対応する位置に形成することが好ましい。
【００３５】
また、接合部３０を構成する下層樹脂３１は上述した複数の箇所において同一の材料から構成されていることが好ましく、また、上層樹脂３２も複数の箇所において同一の材料から構成されていることが好ましい。このように、複数の箇所に形成される接合部３０を同一の材料で構成することにより、それぞれの接合部３０の線膨張係数が同一となるため、それぞれの接合部３０の熱伸縮量を同一にすることができる。したがって、接合部３０に接合される半導体チップ２０が反ったり傾いたりすることを抑えることができる。
【００３６】
また、下層樹脂３１の硬化開始後、下層樹脂３１が完全に硬化する前に、下層樹脂３１上に上層樹脂３２を塗布して硬化させてもよい。例えば、下層樹脂３１の硬度（本明細書ではショア硬度計により測定される硬度をいう）が、下層樹脂３１が完全に硬化した状態における硬度の半分以下である状態で、上層樹脂３２を下層樹脂３１上に塗布して上層樹脂３２と下層樹脂３１とを硬化させてもよい。このように、下層樹脂３１が半硬化状態（タック性を有する状態）にあるときに、上層樹脂３２を下層樹脂３１上に塗布して下層樹脂３１及び上層樹脂３２を硬化させることにより、下層樹脂３１と上層樹脂３２との間の接着強度を高めることができる。
【００３７】
また、半導体チップ２０の歪みを最小限にするためには、下層樹脂３１及び上層樹脂３２としてヤング率の低い樹脂を使用することが好ましい。例えば、ヤング率が１ＧＰａ以下である樹脂を下層樹脂３１及び上層樹脂３２として用いることができる。下層樹脂３１及び上層樹脂３２のヤング率が高いと、基板１０が熱膨張した場合に半導体チップ２０が基板１０に引っ張られて半導体チップ２０の反りが大きくなってしまうが、このようにヤング率の低い樹脂を下層樹脂３１及び上層樹脂３２として用いることで、下層樹脂３１及び上層樹脂３２が変形することにより基板１０と半導体チップ２０との変位差を吸収して半導体チップ２０の反りを抑えることができる。
【００３８】
一方で、界面接着強度はヤング率の高い材料の方が高い傾向がある。したがって、半導体チップ２０との接着強度を高めるという観点から、上層樹脂３２についてはヤング率の高い材料を用いることとしてもよい。
【００３９】
下層樹脂３１及び上層樹脂３２の粘度は、必要とされる樹脂の塗布量や高さに応じて適宜調整することができる。樹脂の粘度が高い程、樹脂の最小塗布面積が大きくなるが、樹脂が濡れ広がりにくいため、高さを維持することができる。一方、樹脂の粘度が低い場合には、小さい領域に樹脂を塗布することができるが、樹脂が濡れ広がってしまうため、高さを維持することが難しい。したがって、高さのある接合部３０を形成する観点からは、下層樹脂３１としては粘度の高い樹脂を用いることが好ましい。なお、粘度の低い樹脂であっても、光硬化性樹脂であれば瞬時に硬化させることができるので、小さい領域に樹脂を塗布することが可能である。
【００４０】
図６は、本発明の第２の実施形態における半導体パッケージ１０１を示す模式的断面図である。本実施形態においては、第１の実施形態における基板１０に代えて、中央に凹部１１５が形成された基板１１０を用いている。この凹部１１５は、基板１１０の底部１１１とこの底部１１１から上方に延びる突出部１１２とにより規定されている。接合部３０は、この突出部１１２の上面に配置されており、凹部１１５を規定する内側面１１３の外側に位置している。また、第１の実施形態と同様に、接合部３０は、基板１１０上に実装される半導体チップ２０の外縁部に対応した位置に配置されている。このような構成によっても、上述した第１の実施形態と同様の効果を得ることができる。
【００４１】
上述した実施形態においては、接合部３０が下層樹脂３１と上層樹脂３２とから構成されていたが、下層樹脂３１と上層樹脂３２との間に１層以上の追加の樹脂層（中間層樹脂部）を形成してもよい。下層樹脂３１と上層樹脂３２の２層構造では樹脂が広がってしまい狭い領域に所望の高さの接合部３０を形成することが難しい場合であっても、このように接合部３０を３層以上の積層構造とすることで狭い領域に所望の高さの接合部３０を形成することが可能となる。
【００４２】
例えば、中間層樹脂部が単一の樹脂層により構成される場合には、下層樹脂３１上に中間層樹脂部の下面（最下層）を配置し、さらに中間層樹脂部の上面（最上層）に上層樹脂３２を配置して接合部３０を形成することができる。この場合において、上述したように、下層樹脂３１が完全に硬化する前に中間層樹脂部を下層樹脂３１上に形成し、中間層樹脂部とともに下層樹脂３１を硬化させ、この中間層樹脂部が完全に硬化する前に上層樹脂３２を中間層樹脂部に塗布し、上層樹脂３２とともに中間層樹脂部を硬化させてもよい。
【００４３】
また、下層樹脂３１と上層樹脂３２との間に複数の樹脂層からなる中間層樹脂部を形成してもよい。中間層樹脂部が複数の樹脂層により構成される場合には、下層樹脂３１上に中間層樹脂部の最下層を配置し、必要に応じて中間層樹脂部内で樹脂を積層し、最後に中間層樹脂部の最上層上に上層樹脂３２を配置して接合部３０を形成することができる。この場合において、上述の例と同様に、下層樹脂３１が完全に硬化する前に中間層樹脂部の最下層の樹脂層を下層樹脂３１上に形成し、中間層樹脂部の最下層の樹脂層とともに下層樹脂３１を硬化させ、この最下層の樹脂層が完全に硬化する前に２層目の樹脂層を最下層の樹脂上に形成し、２層目の樹脂とともに最下層の樹脂層を硬化させるといったように、下側の樹脂層が半硬化状態にあるときに、上側の樹脂層を下側の樹脂層上に配置して上側と下側の樹脂層を硬化させてもよい。換言すれば、上下に隣接する２つの樹脂層のうち下側の樹脂層の硬度が、該下側の樹脂層が完全に硬化した状態における硬度の半分以下である状態で、これら２つの樹脂層のうち上側の樹脂層を下側の樹脂層上に配置し、上側の樹脂層とともに下側の樹脂層を硬化させてもよい。
【００４４】
また、半導体チップ２０の歪みを最小限にするためには、上述した中間層樹脂部についても下層樹脂３１及び上層樹脂３２と同様にヤング率の低い樹脂、例えば、ヤング率が１ＧＰａ以下である樹脂を用いることが好ましい。さらに、この中間層樹脂部は、接合部３０が形成される複数の箇所において同一の材料から構成されていることが好ましい。
【００４５】
また、上述した実施形態では、下層樹脂３１上に上層樹脂３２を塗布し、上層樹脂３２の上に半導体チップ２０を載置した例を説明したが、半導体チップ２０の所定の箇所に上層樹脂３２を予め塗布しておき、半導体チップ２０とともに上層樹脂３２を下層樹脂３１上に配置して、上層樹脂３２を硬化させてもよい。
【００４６】
これまで本発明の好ましい実施形態について説明したが、本発明は上述の実施形態に限定されず、その技術的思想の範囲内において種々異なる形態にて実施されてよいことは言うまでもない。
【符号の説明】
【００４７】
１，１０１    半導体パッケージ
１０    基板
２０    半導体チップ
３０    接合部
３１    下層樹脂
３２    上層樹脂
１１０    基板
１１１    底部
１１２    突出部
１１３    内側面
１１５    凹部
【図１】
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【図２】
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【図３Ａ】
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【図３Ｂ】
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【図４Ａ】
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【図４Ｂ】
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【図５Ａ】
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【図５Ｂ】
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【図６】
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