(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
磁性体を複数のメッシュに分割するメッシュ分割により得られる各要素の磁化ベクトルと各要素に隣接する要素の磁化ベクトルとを用いて各要素と各要素に隣接する要素との中間地点における磁化ベクトルである中間磁化を算出する中間磁化算出部と、
前記中間磁化算出部により算出された中間磁化を用いて有効磁界を算出する有効磁界算出部と、
前記有効磁界算出部により算出された有効磁界に基づいて単位時間後における各要素の磁化ベクトルを算出する磁化算出部と、
を有することを特徴とする磁化解析装置。
【請求項２】
前記有効磁界算出部は、前記中間磁化を用いて交換結合磁界および異方性磁界を算出することによって有効磁界を算出することを特徴とする請求項１記載の磁化解析装置。
【請求項３】
前記中間磁化算出部は、大きさが１である中間磁化を算出することを特徴とする請求項１又は２記載の磁化解析装置。
【請求項４】
前記中間磁化算出部は、２次元の場合に異方性磁界の算出用に２つの中間磁化を算出し、
前記有効磁界算出部は、２つの中間磁化を用いて異方性磁界を算出することを特徴とする請求項２記載の磁化解析装置。
【請求項５】
コンピュータが、
磁性体を複数のメッシュに分割するメッシュ分割により得られる各要素の磁化ベクトルと各要素に隣接する要素の磁化ベクトルとを用いて各要素と各要素に隣接する要素との中間地点における磁化ベクトルである中間磁化を算出し、
前記中間磁化を算出する処理によって算出された中間磁化を用いて有効磁界を算出し、
前記有効磁界を算出する処理によって算出された有効磁界に基づいて単位時間後における各要素の磁化ベクトルを算出する
処理を実行することを特徴とする磁化解析方法。
【請求項６】
コンピュータに、
磁性体を複数のメッシュに分割するメッシュ分割により得られる各要素の磁化ベクトルと各要素に隣接する要素の磁化ベクトルとを用いて各要素と各要素に隣接する要素との中間地点における磁化ベクトルである中間磁化を算出し、
前記中間磁化を算出する処理によって算出された中間磁化を用いて有効磁界を算出し、
前記有効磁界を算出する処理によって算出された有効磁界に基づいて単位時間後における各要素の磁化ベクトルを算出する
処理を実行させることを特徴とする磁化解析プログラム。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、磁化解析装置、磁化解析方法および磁化解析プログラムに関する。
【背景技術】
【０００２】
磁性体の磁化挙動を解析する技術として、磁性体を小さな磁石の集合としてモデル化し、磁区状態を数値シミュレーションするマイクロマグネティックシミュレーションが知られている。マイクロマグネティックシミュレーションは、ＨＤＤ（Hard  Disk  Drive）の磁気ヘッドやＭＲＡＭ（Magnetoresistive  Random  Access  Memory）等のミクロな磁性デバイス、および永久磁石や電磁鋼板といった磁性材料の磁区状態を解析するために用いられる。
【０００３】
図１３は、マイクロ磁化による磁性体のモデル化を説明するための図である。ここで、マイクロ磁化とは、個々の小さな磁石のことである。図１３に示すように、マイクロマグネティックシミュレーションでは、マイクロ磁化９１毎に磁化ベクトル９２が計算される。
【０００４】
マイクロマグネティックシミュレーションでは、計算精度を保証するために、隣接するメッシュの磁化ベクトルの成す角が磁化方向がほぼ連続とみなされるような小さな角になるようにメッシュサイズが調整される。また、メッシュサイズは交換結合長より小さい必要があり、特に磁気異方性の大きな永久磁石の磁区解析においては、交換結合長が１ｎｍ（ナノメートル）程度まで小さくなる。ここで、交換結合長とは、交換結合が発生する結晶粒の径である。
【０００５】
一方、永久磁石の組織構造を元に計算を行う際、永久磁石は数μｍ（マイクロメートル）の結晶粒サイズをもつため、１ｎｍ程度のメッシュサイズではメッシュ数が増大してしまう。メッシュサイズを大きくすると、計算に必要な自由度が小さくなるため、計算時間の短縮化が可能となるが、隣接する磁化ベクトルの成す角が大きくなるため計算精度が著しく悪化し、安易にメッシュサイズを増加すると計算精度は保証されない。
【０００６】
そこで、隣接し合う要素（メッシュ）の中心に配置される２つの磁化ベクトルの間の回転角を、当該２つの磁化ベクトルに直交する回転軸を基準として補間し、交換結合磁界を算出する従来技術がある。
【０００７】
また、有限要素法による磁場解析により算出される磁界を固定値として解析対象の各要素に作用する有効磁界を算出し、算出した有効磁界を用いて各要素内で磁化ベクトルを算出することで、磁性体の特性解析のスピードの向上を図る従来技術がある。
【０００８】
また、磁性体全体を解析領域と非解析領域に分割し、代表領域を用いて非解析領域を粗視化すことで、解析領域中の磁化が非解析領域中の磁化から受ける反磁場の計算時間と計算資源を短縮する従来技術がある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００９】
【特許文献１】特開２０１２−３３１１６号公報
【特許文献２】特開２０１３−１３１０７２号公報
【特許文献３】特開２０１３−１９６４６２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
マイクロマグネティックシミュレーションには、メッシュサイズを大きくすると計算精度が悪化するという問題がある。このため、計算精度が悪くなるメッシュサイズでも精度良くシミュレーションできる技術が重要となる。
【００１１】
本発明は、１つの側面では、マイクロマグネティックシミュレーションの計算精度を向上させることを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
本願の開示する磁化解析装置は、１つの態様において、中間磁化算出部と有効磁界算出部と磁化算出部とを有する。前記中間磁化算出部は、磁性体を複数のメッシュに分割するメッシュ分割により得られる各要素の磁化ベクトルと各要素に隣接する要素の磁化ベクトルとを用いて各要素と各要素に隣接する要素との中間地点における磁化ベクトルである中間磁化を算出する。前記有効磁界算出部は、前記中間磁化算出部により算出された中間磁化を用いて有効磁界を算出する。前記磁化算出部は、前記有効磁界算出部により算出された有効磁界に基づいて単位時間後における各要素の磁化ベクトルを算出する。
【発明の効果】
【００１３】
１実施態様によれば、マイクロマグネティックシミュレーションの計算精度を向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１４】
【図１】図１は、実施例に係る磁化解析装置の構成を示す機能ブロック図である。
【図２】図２は、１次元の場合の磁化配置を示す図である。
【図３】図３は、１次元の場合の中間磁化の配置を示す図である。
【図４】図４は、２次元分布の離散化された要素および磁化の概念図である。
【図５】図５は、隣接要素重心距離ベクトルおよび隣接要素との共有辺における法線ベクトルを説明するための図である。
【図６】図６は、交換結合磁界の中間磁化を説明するための図である。
【図７】図７は、異方性磁界の中間磁化を説明するための図である。
【図８】図８は、実施例に係る磁化解析処理のフローを示すフローチャートである。
【図９】図９は、中間磁化利用処理のフローを示すフローチャートである。
【図１０】図１０は、磁壁ピン止め磁界計算用モデルを示す図である
【図１１】図１１は、ピン止め磁界のメッシュサイズ依存性を示す図である。
【図１２】図１２は、磁化解析プログラムを実行するコンピュータの一例を示す図である。
【図１３】図１３は、マイクロ磁化による磁性体のモデル化を説明するための図である。
【発明を実施するための形態】
【００１５】
以下に、本願の開示する磁化解析装置、磁化解析方法および磁化解析プログラムの実施例を図面に基づいて詳細に説明する。なお、磁化解析装置は、マイクロマグネティックシミュレーションを行う装置であり、磁化ベクトルを一定の時間ステップ毎に所定の時間分計算して表示する。また、本発明は、実施例により限定されるものではなく、磁化解析に広く適用可能である。
【実施例】
【００１６】
［磁化解析装置の構成］
図１は、実施例に係る磁化解析装置の構成を示す機能ブロック図である。図１に示すように、磁化解析装置１は、入力部２と、表示部３と、記憶部４と、制御部５とを有する。
【００１７】
入力部２は、解析を行うユーザが各種の情報や指示を磁化解析装置１に入力するための入力装置である。例えば、入力部２は、キーボード、マウス、タッチパネルに対応する。表示部３は、各種の情報を表示する表示装置である。例えば、表示部３は、ディスプレイに対応する。
【００１８】
記憶部４は、例えば、ＲＡＭ（Random  Access  Memory）、フラッシュメモリ（Flash  Memory）などの半導体メモリ素子、または、ハードディスク、光ディスクなどの記憶装置である。記憶部４は、メッシュデータ４１と、計算条件データ４２と、結果データ４３とを記憶する。
【００１９】
メッシュデータ４１は、解析対象となる磁性体の領域を有限要素法や有限差分法により有限個に分割された複数の要素からなるデータである。要素とは、解析対象となる領域を分割した最小単位の領域であり、複数の節点によって構成される。
【００２０】
計算条件データ４２は、磁化解析の計算条件に関するデータである。計算条件データ４２には、例えば、有限要素法や有限差分法で扱うメッシュの個々の要素の数や、時間ステップの値が含まれる。
【００２１】
結果データ４３は、磁化解析すなわちマイクロマグネティックシミュレーションの結果を示すデータである。結果データ４３には、時間ステップ毎の各要素の磁化ベクトルの計算値が所定の時間分含まれる。
【００２２】
制御部５は、ＣＰＵ（Central  Processing  Unit）などの電子回路に対応する。そして、制御部５は、各種の処理手順を規定したプログラムや制御データを格納するための内部メモリを有し、これらによって種々の処理を実行する。例えば、制御部５は、磁化解析処理を実行する。磁化解析処理は、記憶部４からメッシュデータ４１および計算条件データ４２を読み込んで計算を開始する。そして、磁化解析処理は、計算の過程で、メッシュデータ４１の各要素に磁化ベクトルを配置し、配置した磁化ベクトルを場のデータとして記憶部４に保存する。
【００２３】
制御部５は、有効磁界計算部６と、磁化計算部７と、結果出力部８とを有する。有効磁界計算部６は、時間ステップ毎に各要素の有効磁界を計算する。磁化計算部７は、有効磁界計算部６により計算された有効磁界から時間ステップ毎に各要素の磁化ベクトルを計算し、計算結果を結果データ４２として記憶部４に格納する。結果出力部８は、結果データ４２を用いて所定の時間分の磁化ベクトルを表示部３に出力する。
【００２４】
ここで、磁化ベクトルおよび有効磁界の計算方法について説明する。マイクロ磁化の運動を支配する方程式（支配方程式）は式（１）であり、ＬＬＧ（Landau-Lifshitz-Gilbert）方程式と呼ばれる。
【数１】
0006384189.tif 000002
【００２５】
ここで、「→」が上に付されたｍ、γ、αおよび「→」が上に付されたＨeffは、それぞれ磁化ベクトル、磁気回転比、摩擦係数および有効磁界である。「→」はベクトルであることを示す。以降、ベクトルを示す「→」は式中でのみ使用し、他の個所では省略する。「×」は外積を示す。
【００２６】
有効磁界Ｈeffは、式（２）のように複数の磁界ベクトルの合成である。マイクロ磁化が受ける磁界は、外部磁界Ｈout、反磁界Ｈdemag、異方性磁界Ｈanおよび交換結合磁界Ｈexである。反磁界Ｈdemag、異方性磁界Ｈanおよび交換結合磁界Ｈexは、それぞれ式（３）、式（４）および式（５）で計算される。
【数２】
0006384189.tif 000003
【数３】
0006384189.tif 000004
【数４】
0006384189.tif 000005
【数５】
0006384189.tif 000006
【００２７】
ここで、φは静磁ポテンシャル、Ｍsは飽和磁化、Ｋuは磁気異方性定数、ｕaniは磁気異方性ベクトルである。Ａは交換結合定数である。交換結合磁界Ｈexは、本来隣接する原子間に作用する力である。原子間距離より大きいサイズで複数のメッシュに分割するメッシュ分割を用いて生成された解析モデルを用いて、計算精度を維持した解析を行うためには、隣接する磁化ベクトルの角度変化がある程度小さくなるようにメッシュ分割する必要がある。
【００２８】
図１に戻って、有効磁界計算部６は、外部磁界計算部９と、反磁界計算部１０と、中間磁化利用部１１とを有する。外部磁界計算部９は、時間ステップ毎に外部磁界Ｈoutを計算する。反磁界計算部１０は、時間ステップ毎に反磁界Ｈdemagを計算する。
【００２９】
中間磁化利用部１１は、中間磁化を用いて異方性磁界Ｈanおよび交換結合磁界Ｈexを計算する。ここで、中間磁化とは、隣接する磁化の中間地点に配置される仮想的な磁化である。中間磁化の磁化ベクトルの大きさは１である。図２は、１次元の場合の磁化配置を示す図であり、図３は、１次元の場合の中間磁化の配置を示す図である。
【００３０】
図２に示すように、磁化は空間的に離散化された状態であるとする。図２では、座標ｘｎ(ｉ)から座標ｘｎ(ｉ＋１)までの範囲の磁化を磁化ベクトルｍ(ｉ)とし、その区間の中心位置ｘ(ｉ)にｍ(ｉ)が配置される。通常の１次元の有限体積法では、以下の式（６）および式（７）により交換結合磁界Ｈexおよび異方性磁界Ｈanが計算される。
【数６】
0006384189.tif 000007
【数７】
0006384189.tif 000008
【００３１】
これに対して、中間磁化利用部１１は、図３に示すように中間磁化を配置する。例えば、中間磁化利用部１１は、ｘ(ｉ−１)とｘ(ｉ)との中間地点ｘｎ(ｉ)に中間磁化ｍ'(ｉ−１／２)を配置し、ｘ(ｉ)とｘ(ｉ＋１)との中間地点ｘｎ(ｉ＋１)に中間磁化ｍ'(ｉ＋１／２)を配置する。式（８）は中間磁化を示し、式（９）は中間磁化の位置座標を示す。
【数８】
0006384189.tif 000009
【数９】
0006384189.tif 000010
【００３２】
そして、中間磁化利用部１１は、中間磁化を用いて式（１０）により交換結合磁界Ｈexを計算し、式（１１）〜式（１３）により異方性磁界Ｈanを計算する。
【数１０】
0006384189.tif 000011
【数１１】
0006384189.tif 000012
【数１２】
0006384189.tif 000013
【数１３】
0006384189.tif 000014
【００３３】
図４は、２次元分布の離散化された要素および磁化の概念図である。図４に示すように、磁化は空間的に離散化された状態であるとする。図４では、２次元空間を三角形要素で分割して各三角形要素ｉ上の磁化をｍ(ｉ)とし、各要素上の重心にｍ(ｉ)が配置される。通常の２次元の有限体積法では、以下の式（１４）および式（１５）により交換結合磁界Ｈexおよび異方性磁界Ｈanが計算される。
【数１４】
0006384189.tif 000015
【数１５】
0006384189.tif 000016
【００３４】
ここで、Ｖiは三角形要素ｉの面積であり、Ｓijは、要素ｉと隣接要素ｊとの共有辺の長さである。また、ｌ(ｉ，ｊ)、ｎ(ｉ，ｊ)は、それぞれ隣接要素重心距離ベクトルおよび隣接要素との共有辺における法線ベクトルである。
【００３５】
図５は、隣接要素重心距離ベクトルおよび隣接要素との共有辺における法線ベクトルを説明するための図である。図５に示すように、隣接要素重心距離ベクトルｌ(ｉ，ｊ)は、要素ｉの重心ｇiから要素ｊの重心ｇjへ向かうベクトルである。また、隣接要素との共有辺における法線ベクトルｎ(ｉ，ｊ)は、隣接要素との共有辺ｓから共有辺ｓに垂直で要素ｊの重心ｇjへ向かうベクトルである。すなわち、隣接要素重心距離ベクトルおよび隣接要素との共有辺における法線ベクトルは隣接要素に向かう方向を向く。
【００３６】
これに対して、中間磁化利用部１１は、中間磁化ｍ'(ｉ，ｊ)を用いて交換結合磁界および異方性磁界を計算する。図６は、交換結合磁界の中間磁化を説明するための図である。また、式（１６）は中間磁化ｍ'(ｉ，ｊ)を示し、式（１７）は交換結合磁界Ｈexを示す。
【数１６】
0006384189.tif 000017
【数１７】
0006384189.tif 000018
【００３７】
ここで、ｌo(ｉ，ｊ)は、図６に示すように、隣接要素ベクトルに平行で、共有辺との交点までを結び、隣接要素へ向かうベクトルである。
【００３８】
図７は、異方性磁界の中間磁化を説明するための図である。Ｖijは隣接要素と重心から決まる一定の面積である。また、式（１８）は２つの中間磁化ｍ'(ｉ，ｊ)およびｍ'(ｊ，ｉ)を示し、式（１９）〜式（２２）は異方性磁界Ｈanを示す。中間磁化利用部１１は、異方性磁界を計算する場合、異方性磁界は要素体積当たりのエネルギーの微分として定式化されるため、図７に示すように要素ｉをＶijに３分割した上で、それぞれの要素に対応する中間磁化を用いて異方性磁界Ｈanを計算する。
【数１８】
0006384189.tif 000019
【数１９】
0006384189.tif 000020
【数２０】
0006384189.tif 000021
【数２１】
0006384189.tif 000022
【数２２】
0006384189.tif 000023
【００３９】
図１に戻って、中間磁化利用部１１は、中間磁化計算部２１と、交換結合磁界計算部２２と、異方性磁界計算部２３とを有する。中間磁化計算部２１は、中間磁化を計算する。交換結合磁界計算部２２は、中間磁化計算部２１により計算された中間磁化を用いて交換結合磁界を計算する。異方性磁界計算部２３は、中間磁化計算部２１により計算された中間磁化を用いて異方性磁界を計算する。
【００４０】
［磁化解析処理のフローチャート］
次に、実施例に係る磁化解析処理のフローについて説明する。図８は、実施例に係る磁化解析処理のフローを示すフローチャートである。図８に示すように、磁化解析装置１は、まず、磁化解析に必要な初期化を行う（ステップＳ１）。
【００４１】
そして、磁化解析装置１は、時間ステップ毎に所定の時間分、ステップＳ２とステップＳ９で挟まれた処理を全ての磁化ベクトルｍ(ｉ)に対して繰り返し実行する。すなわち、有効磁界計算部６が有効磁界を初期化する（ステップＳ３）。そして、外部磁界計算部９が外部磁界を計算し（ステップＳ４）、有効磁界に追加する。そして、反磁界計算部１０が反磁界を計算し（ステップＳ５）、有効磁界に追加する。そして、中間磁化利用部１１が、交換結合磁界および異方性磁界を計算して有効磁界に追加する中間磁化利用処理を行う（ステップＳ６）。そして、磁化計算部７が、有効磁界を用いて磁化ベクトルの時間微分を計算し（ステップＳ７）、磁化ベクトルの時間微分を用いて磁化ベクトルを更新する（ステップＳ８）。
【００４２】
そして、所定の時間分の繰り返しが完了すると、結果出力部８が、計算結果を表示する（ステップＳ１０）。すなわち、結果出力部８は、磁化ベクトルのシミュレーション結果を表示部３に表示する。
【００４３】
図９は、中間磁化利用処理のフローを示すフローチャートである。図９に示すように、中間磁化利用部１１は、ステップＳ２１とステップＳ２９で挟まれる処理を要素ｉに対する処理として、ｉを変えながら全ての要素に対して行う。
【００４４】
各要素ｉに対して、中間磁化利用部１１は、磁化ベクトルｍ(ｉ)を計算する（ステップＳ２２）。そして、中間磁化利用部１１は、要素ｉと隣接する各隣接要素ｊに対して、ステップＳ２３とステップＳ２７で挟まれる処理を行う。
【００４５】
各隣接要素ｊに対して、中間磁化計算部２１が、要素ｊとの中間磁化を計算する（ステップＳ２４）。そして、交換結合磁界計算部２２が、要素ｉｊ間すなわち要素ｉと要素ｊの間の交換結合磁界を計算して要素ｉの交換結合磁界に追加する（ステップＳ２５）。そして、異方性磁界計算部２３が、要素ｉｊ間の異方性磁界を計算して要素ｉの異方性磁界に追加する（ステップＳ２６）。
【００４６】
そして、全ての隣接要素ｊに対する処理が完了すると、中間磁化利用部１１は、要素ｉの交換結合磁界および異方性磁界をｍ(ｉ)の有効磁界に追加する（ステップＳ２８）。そして、中間磁化利用部１１は、全ての要素ｉに対して有効磁界を計算すると処理を終了する。
【００４７】
このように、中間磁化利用部１１が、中間磁化を用いて交換結合磁界および異方性磁界を計算することで、磁化ベクトルの計算精度を向上することができる。
【００４８】
[実施例の効果]
次に、実施例の効果を示すために、磁気異方性が大きい材料における磁壁のピン止め磁界のメッシュサイズ依存性について説明する。ここで、ピン止め磁界Ｈpinとは、Ａ相、Ｂ相およびＣ相の３相からなる磁性体に対して外部磁界を印加し、Ｂ相付近の磁壁がＡ相に排出される時の外部磁界である。
【００４９】
図１０は、磁壁ピン止め磁界計算用モデルを示す図である。図１０に示すように、このモデルは、Ａ相、Ｂ相およびＣ相の３相からなる。Ｂ相の大きさは１２ｎｍである。Ａ相、Ｂ相およびＣ相では磁性材料の磁気特性を表すパラメータＭs、Ｋu、Ａのうち少なくとも１つが異なる。このような磁気特性の空間的な不均一性がある場合、磁壁のピン止めが起こる。
【００５０】
図１１は、ピン止め磁界のメッシュサイズ依存性を示す図である。図１１において縦軸はＨpin／Ｈkであり、横軸はメッシュ間隔である。ここで、Ｈkは異方性磁界（２Ｋu／Ｍs）である。図１１に示すように、従来方法（２）では、メッシュ間隔が増加すると、ピン止め磁界が数値誤差により増加する。一方、実施例の中間磁化を用いた場合（３）は、メッシュ間隔を２ｎｍ程度まで広げてもピン止め磁界が理論解（１）とほぼ同じとなり、非常に良い精度でピン止め磁界が計算可能である。これにより、同一性能の磁化解析装置において、より広範囲のマイクロ磁化計算が可能である。
【００５１】
上述してきたように、実施例では、中間磁化計算部２１が隣接する要素間の中間地点の磁化ベクトルを中間磁化として計算し、交換結合磁界計算部２２および異方性磁界計算部２３が中間磁化を用いてそれぞれ交換結合磁界および異方性磁界を計算する。また、中間磁化計算部２１は、中間磁化の磁化ベクトルの大きさを１とする。したがって、磁化解析装置１は、交換結合磁界および異方性磁界を精度良く計算することができ、有効磁界を精度良く計算することができる。このため、磁化解析装置１は、磁化ベクトルを精度良く計算することができ、マイクロマグネティックシミュレーションの計算精度を向上することができる。
【００５２】
なお、メッシュサイズを半分にしてシミュレーションを行うと、磁化解析装置は、各次元で２倍の情報を記憶する必要がある。一方、中間磁化を用いる場合には、磁化解析装置は、磁化ベクトルを計算する要素に関連する情報だけを記憶すればよく、メッシュサイズを半分にする場合と比較して少ないメモリ量でシミュレーションを行うことができる。
【００５３】
また、上記実施例で説明した各種の処理は、予め用意されたプログラムをパーソナルコンピュータやワークステーションなどのコンピュータで実行することによって実現することができる。そこで、以下では、図１に示した磁化解析装置１と同様の機能を実現する磁化解析プログラムを実行するコンピュータの一例を説明する。図１２は、磁化解析プログラムを実行するコンピュータの一例を示す図である。
【００５４】
図１２に示すように、コンピュータ２００は、各種演算処理を実行するＣＰＵ２０３と、ユーザからのデータの入力を受け付ける入力装置２１５と、表示装置２０９を制御する表示制御部２０７とを有する。また、コンピュータ２００は、記憶媒体からプログラムなどを読取るドライブ装置２１３と、ネットワークを介して他のコンピュータとの間でデータの授受を行う通信制御部２１７とを有する。また、コンピュータ２００は、各種情報を一時記憶するメモリ２０１と、ＨＤＤ２０５を有する。そして、メモリ２０１、ＣＰＵ２０３、ＨＤＤ２０５、表示制御部２０７、ドライブ装置２１３、入力装置２１５、通信制御部２１７は、バス２１９で接続されている。
【００５５】
ドライブ装置２１３は、例えばリムーバブルディスク２１１用の装置である。ＨＤＤ２０５は、磁化解析プログラム２０５ａおよび磁化解析関連情報２０５ｂを記憶する。
【００５６】
ＣＰＵ２０３は、磁化解析プログラム２０５ａを読み出して、メモリ２０１に展開し、プロセスとして実行する。磁化解析関連情報２０５ｂは、メッシュデータ４１、計算条件データ４２および結果データ４３に対応する。そして、例えばリムーバブルディスク２１１が、磁化解析プログラム２０５ａなどの各情報を記憶する。
【００５７】
なお、磁化解析プログラム２０５ａについては、必ずしも最初からＨＤＤ２０５に記憶させておかなくても良い。例えば、コンピュータ２００に挿入されるフレキシブルディスク（ＦＤ）、ＣＤ−ＲＯＭ、ＤＶＤディスク、光磁気ディスク、ＩＣカードなどの「可搬用の物理媒体」に当該プログラムを記憶させておく。そして、コンピュータ２００がこれらから磁化解析プログラム２０５ａを読み出して実行するようにしても良い。
【００５８】
また、本実施例では、中間磁化を用いて交換結合磁界および異方性磁界を算出する場合について説明したが、本発明はこれに限定されるものではなく、例えば交換結合磁界または異方性磁界だけを中間磁化を用いて算出する場合にも同様に適用することができる。
【符号の説明】
【００５９】
１    磁化解析装置
２    入力部
３    表示部
４    記憶部
５    制御部
６    有効磁界計算部
７    磁化計算部
８    結果出力部
９    外部磁界計算部
１０    反磁界計算部
１１    中間磁化利用部
２１    中間磁化計算部
２２    交換結合磁界計算部
２３    異方性磁界計算部
４１    メッシュデータ
４２    計算条件データ
４３    結果データ
９１    マイクロ磁化
９２    磁化ベクトル
２００    コンピュータ
２０１    メモリ
２０３    ＣＰＵ
２０５    ＨＤＤ
２０５ａ    磁化解析プログラム
２０５ｂ    磁化解析関連情報
２０７    表示制御部
２０９    表示装置
２１１    リムーバブルディスク
２１３    ドライブ装置
２１５    入力装置
２１７    通信制御部
２１９    バス
【図１】
0006384189.tif 000024
【図２】
0006384189.tif 000025
【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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