(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
支持基板と、
前記支持基板上に設けられており、圧電薄膜と前記圧電薄膜以外の層とを含む積層膜と、
前記圧電薄膜の一方面に設けられたＩＤＴ電極と、
前記ＩＤＴ電極に電気的に接続されており、かつ外部と電気的に接続される外部接続端子と、
平面視において、前記ＩＤＴ電極が設けられている領域の外側の領域内であって、かつ前記外部接続端子が接合されている部分の下方の領域において、前記積層膜が部分的に除去されており、前記積層膜が除去された領域の少なくとも一部に設けられた絶縁層と、
を備え、
前記外部接続端子は、アンダーバンプメタル層及び金属バンプの内の少なくとも一方を含み、
前記絶縁層上に、前記ＩＤＴ電極が設けられている領域を囲むように設けられており、かつ前記絶縁層と主成分が同じ材料からなる支持層と、
前記支持層により形成された開口部を封止するように前記支持層上に固定されたカバー部材と、
をさらに備える、弾性波装置。
【請求項２】
前記絶縁層が、前記積層膜が除去された領域の少なくとも一部から、前記圧電薄膜上に至るように設けられている、請求項１に記載の弾性波装置。
【請求項３】
前記ＩＤＴ電極に電気的に接続されており、前記圧電薄膜上から前記絶縁層上に至り、前記積層膜が除去された領域に位置している前記絶縁層部分上に至っている、配線電極をさらに備える、請求項２に記載の弾性波装置。
【請求項４】
前記配線電極に前記外部接続端子が接合されている、請求項３に記載の弾性波装置。
【請求項５】
前記絶縁層及び前記支持層が合成樹脂からなる、請求項１〜４のいずれか１項に記載の弾性波装置。
【請求項６】
前記絶縁層が前記圧電薄膜上から前記圧電薄膜及び前記積層膜の側面に至り、前記積層膜が除去された領域の少なくとも一部に至っている、請求項２〜５のいずれか１項に記載の弾性波装置。
【請求項７】
前記絶縁層上の前記支持基板とは反対側の面が、前記絶縁層が前記支持基板上に位置している領域から前記圧電薄膜上に位置している部分にかけて前記支持基板から遠ざかるにつれて前記圧電薄膜側に近づくように傾斜している傾斜面を有し、
前記配線電極が前記絶縁層の前記傾斜面上に位置している部分を有し、該部分が前記絶縁層の前記傾斜面に沿って傾斜している、請求項３〜６のいずれか１項に記載の弾性波装置。
【請求項８】
前記絶縁層が、前記絶縁層の前記傾斜面から前記積層膜及び前記圧電薄膜が除去された領域に至っている、請求項７に記載の弾性波装置。
【請求項９】
前記絶縁層の前記傾斜面が、前記積層膜が除去されており、かつ前記絶縁層が積層されていない前記支持基板上の領域に至っており、
前記配線電極が、前記積層膜が除去されており、かつ前記絶縁層が積層されていない前記支持基板上の領域に至っている、請求項７に記載の弾性波装置。
【請求項１０】
前記積層膜が、前記圧電薄膜を伝搬するメインモードの弾性波の音速よりも伝搬するバルク波の音速が高速である高音速膜を前記圧電薄膜以外の層として有し、前記高音速膜上に前記圧電薄膜が積層されている、請求項１〜９のいずれか１項に記載の弾性波装置。
【請求項１１】
前記積層膜が、前記圧電薄膜を伝搬するメインモードの弾性波の音速よりも伝搬するバルク波の音速が高速である高音速膜と、前記高音速膜上に積層されており、前記圧電薄膜を伝搬するメインモードの弾性波の音速よりも伝搬するバルク波の音速が低速である低音速膜とを前記圧電薄膜以外の層として有し、前記低音速膜上に前記圧電薄膜が積層されている、請求項１〜９のいずれか１項に記載の弾性波装置。
【請求項１２】
前記積層膜が、音響インピーダンスが相対的に高い高音響インピーダンス膜と、高音響インピーダンス膜に比べて音響インピーダンスが低い低音響インピーダンス膜とを有する、請求項１〜９のいずれか１項に記載の弾性波装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、支持基板上に、積層膜と圧電薄膜が積層されている弾性波装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
下記の特許文献１に記載の弾性波装置では、支持基板上に、積層膜が設けられており、この積層膜上に圧電薄膜が積層されている。上記積層膜は、高音速膜及び低音速膜を有する。低音速膜は、圧電薄膜を伝搬するバルク波の音速よりも、伝搬するバルク波の音速が低速である膜からなる。高音速膜は、圧電薄膜を伝搬する弾性波の音速よりも、伝搬するバルク波の音速が高速である膜からなる。高音速膜上に低音速膜が積層されている。上記圧電薄膜上には、ＩＤＴ電極が設けられている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】ＷＯ２０１２／０８６６３９Ａ１
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
特許文献１に記載の弾性波装置では、圧電薄膜が、ＬｉＴａＯ３などの圧電単結晶からなる。そのため、個々の弾性波装置を得るために個片化するダイシング工程において、上記圧電薄膜と積層膜とを有する積層体が切断されると、圧電薄膜の割れや欠けが生じるおそれがあった。
【０００５】
他方、上記ＩＤＴ電極が臨む中空空間を設けるために、支持層及びカバー部材を設けた場合、中空空間の密閉性を充分に高められないことがあった。そのため、充分な信頼性を得られないことがあった。
【０００６】
本発明の目的は、圧電薄膜の割れや欠けが生じ難く、かつ信頼性を効果的に高めることができる、弾性波装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明に係る弾性波装置は、支持基板と、前記支持基板上に設けられており、圧電薄膜と前記圧電薄膜以外の層とを含む積層膜と、前記圧電薄膜の一方面に設けられたＩＤＴ電極と、前記ＩＤＴ電極に電気的に接続されており、かつ外部と電気的に接続される外部接続端子と、平面視において、前記ＩＤＴ電極が設けられている領域の外側の領域内であって、かつ前記外部接続端子が接合されている部分の下方の領域において、前記積層膜が部分的に除去されており、前記積層膜が除去された領域の少なくとも一部に設けられた絶縁層とを備え、前記外部接続端子は、アンダーバンプメタル層及び金属バンプの内の少なくとも一方を含み、前記絶縁層上に、前記ＩＤＴ電極が設けられている領域を囲むように設けられており、かつ前記絶縁層と主成分が同じ材料からなる支持層と、前記支持層により形成された開口部を封止するように前記支持層上に固定されたカバー部材とをさらに備える。
【０００８】
本発明に係る弾性波装置のある特定の局面では、前記絶縁層が、前記積層膜が除去された領域の少なくとも一部から、前記圧電薄膜上に至るように設けられている。この場合には、積層膜内における界面剥離や積層膜と圧電薄膜との間の剥離が生じ難い。
【０００９】
本発明に係る弾性波装置の他の特定の局面では、前記ＩＤＴ電極に電気的に接続されており、前記圧電薄膜上から前記絶縁層上に至り、前記積層膜が除去された領域に位置している前記絶縁層部分上に至っている、配線電極がさらに備えられている。この場合には、前記積層膜が除去された領域において、配線電極に外部接続端子を接合することができる。よって、外部接続端子を接合する際に力が加わったとしても、圧電薄膜に割れや欠けが生じ難い。
【００１０】
本発明に係る弾性波装置の別の特定の局面では、前記配線電極に前記外部接続端子が接合されている。
【００１１】
本発明に係る弾性波装置のある特定の局面では、前記絶縁層及び前記支持層が合成樹脂からなる。この場合には、絶縁層と支持層との接合力が高まる。さらに、支持基板、支持層及びカバー部材により形成された中空空間の密閉性を好適に高めることができる。よって、信頼性を効果的に高めることができる。
【００１２】
本発明に係る弾性波装置の他の特定の局面では、前記絶縁層が前記圧電薄膜上から前記圧電薄膜及び前記積層膜の側面に至り、前記積層膜が除去された領域の少なくとも一部に至っている。この場合には、積層膜内における界面剥離や積層膜と圧電薄膜との間の剥離がより一層生じ難い。
【００１３】
本発明に係る弾性波装置のさらに他の特定の局面では、前記絶縁層上の前記支持基板とは反対側の面が、前記絶縁層が前記支持基板上に位置している領域から前記圧電薄膜上に位置している部分にかけて前記支持基板から遠ざかるにつれて前記圧電薄膜側に近づくように傾斜している傾斜面を有し、前記配線電極が前記絶縁層の前記傾斜面上に位置している部分を有し、該部分が前記絶縁層の前記傾斜面に沿って傾斜している。この場合には、配線電極の断線が生じ難い。
【００１４】
本発明に係る弾性波装置の別の特定の局面では、前記絶縁層が、前記絶縁層の前記傾斜面から前記積層膜及び前記圧電薄膜が除去された領域に至っている。この場合には、配線電極の断線が生じ難い。
【００１５】
本発明に係る弾性波装置のさらに別の特定の局面では、前記絶縁層の前記傾斜面が、前記積層膜が除去されており、かつ前記絶縁層が積層されていない前記支持基板上の領域に至っており、前記配線電極が、前記積層膜が除去されており、かつ前記絶縁層が積層されていない前記支持基板上の領域に至っている。この場合には、配線電極の剥離が生じ難く、かつ配線電極の断線が生じ難い。
【００１６】
本発明に係る弾性波装置のさらに別の特定の局面では、前記積層膜が、前記圧電薄膜を伝搬するメインモードの弾性波の音速よりも伝搬するバルク波の音速が高速である高音速膜を前記圧電薄膜以外の層として有し、前記高音速膜上に前記圧電薄膜が積層されている。
【００１７】
本発明に係る弾性波装置のさらに別の特定の局面では、前記積層膜が、前記圧電薄膜を伝搬するメインモードの弾性波の音速よりも伝搬するバルク波の音速が高速である高音速膜と、前記高音速膜上に積層されており、前記圧電薄膜を伝搬するメインモードの弾性波の音速よりも伝搬するバルク波の音速が低速である低音速膜とを前記圧電薄膜以外の層として有し、前記低音速膜上に前記圧電薄膜が積層されている。
【００１８】
本発明に係る弾性波装置のさらに別の特定の局面では、前記積層膜が、音響インピーダンスが相対的に高い高音響インピーダンス膜と、高音響インピーダンス膜に比べて音響インピーダンスが低い低音響インピーダンス膜とを有する。
【発明の効果】
【００１９】
本発明によれば、圧電薄膜の割れや欠けが生じ難く、かつ信頼性を効果的に高めることができる、弾性波装置を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２０】
【図１】図２中のＩ−Ｉ線に沿う部分に相当する、本発明の第１の実施形態に係る弾性波装置の断面図である。
【図２】本発明の第１の実施形態に係る弾性波装置のカバー部材を省略して示す略図的平面図である。
【図３】図２中のＩＩ−ＩＩ線に沿う部分に相当する弾性波装置の部分切り欠き拡大断面図である。
【図４】図２中のＩ−Ｉ線に沿う部分に相当する、本発明の第１の実施形態の第１の変形例に係る弾性波装置の断面図である。
【図５】（ａ）は、本発明の第１の実施形態の弾性波装置の要部を説明するための部分切り欠き拡大断面図であり、（ｂ）は（ａ）中の要部をさらに拡大して示す部分切り欠き断面図である。
【図６】図２中のＩＩ−ＩＩ線に沿う部分に相当する、第１の実施形態の第２の変形例の弾性波装置の部分切り欠き拡大断面図である。
【図７】（ａ）は、本発明の第２の実施形態の弾性波装置の要部を説明するための部分切り欠き拡大断面図であり、（ｂ）は（ａ）中の要部をさらに拡大して示す部分切り欠き断面図である。
【図８】図２中のＩ−Ｉ線に沿う部分に相当する、第３の実施形態に係る弾性波装置の断面図である。
【図９】本発明の第４の実施形態における積層膜の正面断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２１】
以下、図面を参照しつつ、本発明の具体的な実施形態を説明することにより、本発明を明らかにする。
【００２２】
なお、本明細書に記載の各実施形態は、例示的なものであり、異なる実施形態間において、構成の部分的な置換または組み合わせが可能であることを指摘しておく。
【００２３】
図１は、後述する図２中のＩ−Ｉ線に沿う部分に相当する、本発明の第１の実施形態に係る弾性波装置の断面図である。
【００２４】
弾性波装置１は、支持基板２を有する。支持基板２は、対向し合う第１，第２の主面２ａ，２ｂを有する。第１の主面２ａ上に、積層膜３が設けられている。積層膜３は、高音速膜３ａと、高音速膜３ａ上に積層された低音速膜３ｂと、低音速膜３ｂ上に積層された圧電薄膜４とを有する。積層膜３において、圧電薄膜４が最上部に位置している。高音速膜３ａは、圧電薄膜４を伝搬するメインモードの弾性波の音速よりも、伝搬するバルク波の音速が高速である膜である。低音速膜３ｂは、圧電薄膜４を伝搬するメインモードの弾性波の音速よりも、伝搬するバルク波の音速が低速である膜である。
【００２５】
なお、バルク波の音速は材料に固有の音速であり、波の進行方向すなわち縦方向に振動するＰ波と、進行方向に垂直な方向である横方向に振動するＳ波とが存在する。上記バルク波は、圧電膜、高音速膜、低音速膜のいずれにおいても伝搬する。等方性材料の場合には、Ｐ波とＳ波とが存在する。異方性材料の場合、Ｐ波と、遅いＳ波と、速いＳ波とが存在する。そして、異方性材料を用いて弾性表面波を励振した場合、２つのＳ波として、ＳＨ波とＳＶ波とが生じる。本明細書において、圧電薄膜を伝搬するメインモードの弾性波の音速とは、Ｐ波、ＳＨ波及びＳＶ波の３つのモードのうち、フィルタとしての通過帯域や、共振子としての共振特性を得るために使用しているモードを言うものとする。
【００２６】
なお、低音速膜３ｂと圧電薄膜４との間に密着層が形成されていてもよい。密着層を形成すると、低音速膜３ｂと圧電薄膜４との密着性を向上させることができる。密着層は、樹脂や金属であればよく、例えば、エポキシ樹脂やポリイミド樹脂が用いられる。
【００２７】
圧電薄膜４は、本実施形態では、ＬｉＴａＯ３からなる。もっとも、他の圧電単結晶を用いてもよい。なお、圧電薄膜４の膜厚は、ＩＤＴ電極の電極周期で定まる弾性波の波長をλとしたときに、１．５λ以下であることが好ましい。この場合には、圧電薄膜４の膜厚を１．５λ以下の範囲内で選択することにより、電気機械結合係数を容易に調整することができるからである。
【００２８】
高音速膜３ａは、上記音速関係を満たす適宜の材料からなる。このような材料としては、窒化アルミニウム、酸化アルミニウム、炭化ケイ素、窒化ケイ素、酸窒化ケイ素、ＤＬＣ、ダイヤモンドなどを挙げることができる。また、これらの材料を主成分とする混合材料を用いてもよい。
【００２９】
低音速膜３ｂは、上記バルク波音速が圧電薄膜４を伝搬するメインモードの弾性波の音速よりも低い適宜の材料からなる。このような材料としては、酸化ケイ素、ガラス、酸窒化ケイ素、酸化タンタル、酸化ケイ素にフッ素、炭素もしくはホウ素などを加えた化合物などを挙げることができる。低音速膜３ｂについても、これらの材料を主成分とする混合材料からなるものであってもよい。
【００３０】
上記高音速膜３ａ及び低音速膜３ｂが圧電薄膜４に積層されているため、特許文献１に記載のように、Ｑ値を高めることができる。
【００３１】
なお、複数の高音速膜及び複数の低音速膜が積層膜３において積層されていてもよい。さらに、積層膜３は、圧電薄膜４、高音速膜３ａ及び低音速膜３ｂ以外の他の膜、例えば上記密着層や誘電体膜などを上面、下面及び積層膜３中の任意の位置の界面において有していてもよい。
【００３２】
ところで、圧電薄膜４上には、ＩＤＴ電極５ａ〜５ｃが設けられている。ＩＤＴ電極５ａ〜５ｃは、配線電極６ａ〜６ｄにより電気的に接続されている。
【００３３】
本実施形態では、複数のＩＤＴ電極５ａ〜５ｃからなる弾性表面波共振子が相互に接続されている。それによって、帯域通過型フィルタが構成されている。なお、フィルタ回路は特に限定されるものではない。
【００３４】
上記ＩＤＴ電極５ａ〜５ｃにより励振される弾性波を拘束しないために、中空空間７が設けられている。すなわち、支持基板２上に、開口部を有する支持層８が設けられている。支持層８は、ポリイミドなどの合成樹脂からなる。
【００３５】
支持層８の開口部を封止するようにカバー部材９が設けられている。カバー部材９と、支持層８とにより、中空空間７が封止されている。
【００３６】
他方、支持層８及びカバー部材９を貫通するようにスルーホールが形成されている。このスルーホール内にアンダーバンプメタル層１０ａ，１０ｂが設けられている。アンダーバンプメタル層１０ａ，１０ｂに金属バンプ１１ａ，１１ｂが接合されている。アンダーバンプメタル層１０ａ，１０ｂ及び金属バンプ１１ａ，１１ｂは、本発明における外部接続端子を構成している。外部接続端子とは、ＩＤＴ電極に電気的に接続されており、かつ弾性波装置を外部に電気的に接続する部分である。外部接続端子は、アンダーバンプメタル層及び金属バンプの内少なくとも一方を有しておればよい。
【００３７】
上記アンダーバンプメタル層１０ａ，１０ｂ及び金属バンプ１１ａ，１１ｂは適宜の金属もしくは合金からなる。
【００３８】
アンダーバンプメタル層１０ａの下端は、配線電極６ａに接合されている。アンダーバンプメタル層１０ｂの下端は配線電極６ｄに接合されている。従って、配線電極６ａ，６ｄのアンダーバンプメタル層１０ａ，１０ｂが接合されている部分が、外部接続端子が接続される電極ランドとなる。本実施形態では、外部接続端子として、アンダーバンプメタル層１０ａ，１０ｂ及び金属バンプ１１ａ，１１ｂが設けられている。
【００３９】
他方、支持基板２上には、絶縁層１２が設けられている。この絶縁層１２上に、上記支持層８が直接設けられている。
【００４０】
ところで、本実施形態の弾性波装置１の特徴は、支持層８と絶縁層１２とが同じ材料からなることにある。これにより、支持層８と絶縁層１２との接合力が高い。よって、中空空間７の密閉性を効果的に高めることができる。加えて、支持層８と絶縁層１２との線膨張係数は同じである。それによって、熱衝撃が加わった際、支持層８と絶縁層１２との界面に応力が生じ難い。従って、信頼性を効果的に高めることができる。
【００４１】
本実施形態では、支持層８と絶縁層１２とが同じ材料からなり、かつ一体となっている。そのため、上記効果をより一層高めることができる。なお、支持層と絶縁層とは、一体ではなくともよい。この場合においても、上記効果を得ることができる。
【００４２】
支持層８と絶縁層１２との材料が同じであるため、用いる材料の種類を削減することもできる。あるいは、コストを削減することもできる。なお、支持層の材料と絶縁層の材料とは、実質的に同じであればよく、完全に同一ではなくともよい。
【００４３】
なお、支持層８と絶縁層１２との材料が同じであるとは、支持層８と絶縁層１２の材料の主成分が５０％以上同じである材料のことをいう。また、支持層８と絶縁層１２の材料の主成分が７５％以上同じであればより好ましい。また、支持層８と絶縁層１２の材料の主成分が９０％以上同じであればより好ましい。さらに、支持層８と絶縁層１２の材料の主成分が１００％同じであればより好ましい。特に、支持層８と絶縁層１２とがポリイミド等の合成樹脂である場合には、支持層８と絶縁層１２との接合力が一層高まる。
【００４４】
加えて、支持層８と絶縁層１２との線膨張係数が同じとは、支持層８と絶縁層１２との線膨張係数の差が５０％以内であることをいう。また、支持層８と絶縁層１２との線膨張係数の差が３０％以内であればより好ましい。さらに、支持層８と絶縁層１２との線膨張係数の差が１０％以内であればより好ましい。
【００４５】
図２は、上記弾性波装置１の略図的平面図である。ここでは、上述したカバー部材９を透視し、下方の電極構造が略図的に示されている。ＩＤＴ電極５ａ〜５ｃは、その設けられている領域を矩形形状の略図で示すこととする。図３は、図２中のＩＩ−ＩＩ線に沿う部分に相当する弾性波装置の部分切り欠き拡大断面図である。なお、図１は、図２のＩ−Ｉ線に沿う弾性波装置の断面図となる。
【００４６】
図３に示されているように、配線電極６ａが設けられていない部分では、支持層８と絶縁層１２との接合面積が大きい。加えて、図１に示されているように、本実施形態では、配線電極６ａ，６ｄは支持層８の外周部８ａには至っていない。よって、支持層８は、外周部８ａの全周にわたり、絶縁層１２に接合されている。従って、中空空間７の密閉性を効果的に高めることができ、弾性波装置１の信頼性を効果的に高めることができる。
【００４７】
なお、図４に示す第１の変形例の弾性波装置４１のように、配線電極４６ａ，４６ｄは、支持層８の外周部８ａに至っていてもよい。配線電極４６ａ，４６ｄが設けられていない部分においては、支持層８は絶縁層１２に接合されている。なお、第１の変形例では、支持層８と絶縁層１２とは一体ではない。この場合においても、中空空間７の密閉性を高めることができる。
【００４８】
図１に戻り、支持基板２上においては、上記積層膜３が積層されている構造が部分的に除去されている。すなわち、支持基板２の第１の主面２ａにおいて、上記積層膜３が設けられている領域の外側に、積層膜３が積層されている構造が部分的に除去された領域Ｒが設けられている。ここで、上記積層膜３が部分的に除去されている領域とは、ＩＤＴ電極５ａ〜５ｃが設けられている領域の外側の領域内であって、かつ前記外部接続端子が接合されている部分の下方の領域を少なくとも含む。
【００４９】
また、上記外部接続端子が接合されている領域とは、本実施形態では、アンダーバンプメタル層１０ａの下端の配線電極６ａに接合されている部分である。すなわち、アンダーバンプメタル層１０ａの下端面が上記接合されている部分となり、該接合されている部分を、支持基板２の第１の主面２ａに投影した領域が、上記接合されている部分の下方の領域である。
【００５０】
本実施形態のように、配線電極６ａ，６ｄは、領域Ｒに至っていることが好ましい。それによって、領域Ｒにおいて、アンダーバンプメタル層１０ａ，１０ｂ及び金属バンプ１１ａ，１１ｂを配線電極６ａ，６ｄ上に接合することができる。よって、金属バンプ１１ａ，１１ｂをアンダーバンプメタル層１０ａ，１０ｂに接合する際に力が加わったとしても、圧電薄膜４の欠けや割れが生じ難い。
【００５１】
また、個々の弾性波装置１を得るために個片化するダイシング工程においては、領域Ｒにおいてダイシングすることが好ましい。それによって、圧電薄膜４の欠けや割れが生じ難い。
【００５２】
絶縁層１２は、領域Ｒから積層膜３の側面３ｄを通り、圧電薄膜４の上面に至っていることが好ましい。ここで、本実施形態では、上記絶縁層１２の第１の主面２ａとは反対側の面は、上記領域Ｒから圧電薄膜４にかけての部分において、傾斜面１２ａを有する。この傾斜面１２ａに沿うように、配線電極６ａも傾斜面６ａ１を有する。従って、配線電極６ａにおいて、上記積層膜３が積層されている領域と、領域Ｒとの間における配線電極６ａの屈曲度が緩和されている。そのため、配線電極６ａの矢印Ｓ１で示す部分における断線が生じ難い。配線電極６ｄ側においても、同様に、矢印Ｓ２で示す部分の屈曲度が和らげられている。そのため、配線電極６ｄの断線が生じ難い。
【００５３】
これを、図５（ａ），（ｂ）を参照してより詳細に説明する。
【００５４】
図５（ａ）は、領域Ｒと積層膜３とが接する部分付近を拡大して示す部分切り欠き拡大断面図である。
【００５５】
図５（ａ）に示すように、絶縁層１２は、上記領域Ｒに位置している部分から上記圧電薄膜４上に至っている。この場合、図５（ｂ）に拡大して示すように、積層膜３の側面３ｄの上方に、絶縁層１２の傾斜面１２ａが位置している。この傾斜面１２ａは、領域Ｒの上方から、上記圧電薄膜４の上方に至るように設けられている。この傾斜面１２ａの、支持基板２の第１の主面２ａとのなす角度Ｃ１は、８０°以下であることが望ましい。それによって、上記のように、配線電極６ａの傾斜面６ａ１が第１の主面２ａとなす角度も小さくされる。それによって、配線電極６ａの傾斜面６ａ１が設けられている部分における屈曲度を和らげることができる。言い換えれば、積層膜３の側面３ｄの外側の領域Ｒにおける支持基板２の第１の主面２ａと、圧電薄膜４の上面との間の段差の影響を、絶縁層１２により和らげることが可能とされている。そのため、配線電極６ａの矢印Ｓ１で示した部分における断線が生じ難い。
【００５６】
好ましくは、絶縁層１２の内側端１２ｃにおいても、傾斜面１２ｂを設けることが望ましい。この傾斜面１２ｂの第１の主面２ａとのなす角度Ｃ２も、８０°以下であることが望ましい。それによって、傾斜面１２ｂ上方における配線電極６ａの断線も生じ難い。
【００５７】
なお、傾斜面１２ａと第１の主面２ａとのなす角度Ｃ１、及び、傾斜面１２ｂと第１の主面２ａとのなす角度Ｃ２は、６０°以下であるとより好ましい。また、傾斜面１２ａと第１の主面２ａとのなす角度Ｃ１、及び、傾斜面１２ｂと第１の主面２ａとのなす角度Ｃ２は、４５°以下であると、より一層好ましい。
【００５８】
上記のように、配線電極６ａにおいて、屈曲度を和らげることにより、熱が加わった際の断線や、配線電極６ａの形成工程における断線も生じ難い。
【００５９】
また、上記積層膜３の側面３ｄが絶縁層１２で覆われている。そのため、積層膜３内における界面剥離も生じ難い。
【００６０】
図６は、図２中のＩＩ−ＩＩ線に沿う部分に相当する、第２の変形例の弾性波装置の部分切り欠き拡大断面図である。このように、絶縁層５２は、支持層８の外側に傾斜面５２ａを有していてもよい。この場合においても、第１の実施形態と同様に、支持層８と絶縁層５２との接合力が高い。よって、信頼性を効果的に高めることができる。
【００６１】
図７（ａ）は、本発明の第２の実施形態に係る弾性波装置の要部を示す部分切り欠き拡大断面図であり、（ｂ）はその要部をさらに拡大して示す部分切り欠き断面図である。図７（ａ）及び（ｂ）は、第１の実施形態についての図５（ａ）及び（ｂ）に相当する部分の断面図である。
【００６２】
第２の実施形態の弾性波装置では、絶縁層２２が支持基板２の第１の主面２ａ上の領域Ｒから圧電薄膜４上に至るように設けられている。もっとも、第１の実施形態の弾性波装置１における絶縁層１２は、領域Ｒ上において外側に延ばされていた。これに対して、第２の実施形態では、絶縁層２２は、傾斜面２２ａの一端が支持基板２の第１の主面２ａに当接している。すなわち、傾斜面２２ａの外側には、絶縁層２２は至っていない。他方、圧電薄膜４上においては、第１の実施形態と同様に、圧電薄膜４の上面に到達する傾斜面２２ｂが設けられている。
【００６３】
図７（ｂ）に示すように、傾斜面２２ａと第１の主面２ａとのなす角度Ｃ１及び傾斜面２２ｂと第１の主面２ａとのなす角度Ｃ２は、第１の実施形態の場合と同様に８０°以下であることが望ましい。
【００６４】
なお、傾斜面２２ａと第１の主面２ａとのなす角度Ｃ１、及び、傾斜面２２ｂと第１の主面２ａとのなす角度Ｃ２は、６０°以下であるとより好ましい。また、傾斜面２２ａと第１の主面２ａとのなす角度Ｃ１、及び、傾斜面２２ｂと第１の主面２ａとのなす角度Ｃ２は、４５°以下であると、より一層好ましい。
【００６５】
このように、絶縁層２２は、圧電薄膜４の上方に位置している部分から、領域Ｒ側に向かう傾斜面２２ａで終了していてもよい。この場合においても、領域Ｒにおいて、第１の実施形態と同様に、アンダーバンプメタル層及び金属バンプを配線電極２６ａ上に接合することにより、圧電薄膜４の欠けや割れが生じ難い。また、配線電極２６ａは、やはり傾斜面２６ａ１を有するため、配線電極２６ａの断線も生じ難い。
【００６６】
加えて、配線電極２６ａと支持基板２との密着力は高い。それによって、配線電極２６ａは剥離し難い。
【００６７】
さらに、弾性波装置において、配線電極２６ａが設けられている部分以外は、第１の実施形態の弾性波装置１と同様に、支持層８と絶縁層２２とが接合している。よって、中空空間７の密閉性を高めることもできる。従って、弾性波装置の信頼性を高めることができる。
【００６８】
図８は、図２中のＩ−Ｉ線に沿う部分に相当する、第３の実施形態に係る弾性波装置の断面図である。
【００６９】
弾性波装置６１は、積層膜６３が低音速膜を有しない点で、第１の実施形態とは異なる。上記以外の点においては、弾性波装置６１は、第１の実施形態の弾性波装置１と同様の構成を有する。
【００７０】
この場合においても、第１の実施形態と同様に、圧電薄膜の割れや欠けが生じ難く、かつ信頼性を効果的に高めることができる。Ｑ値を高めることもできる。
【００７１】
図９は、本発明の第４の実施形態における積層膜の正面断面図である。第４の実施形態では、積層膜３３の構成以外においては、第１の実施形態と同様の構成を有する。
【００７２】
第４の実施形態では、積層膜３３が、相対的に音響インピーダンスが高い高音響インピーダンス膜３３ａ上に、相対的に音響インピーダンスが低い低音響インピーダンス膜３３ｂを積層した構造を有する。上記低音響インピーダンス膜３３ｂ上に圧電薄膜４が積層されている。このように、積層膜は、前述した高音速膜及び低音速膜を有するものに限らず、高音響インピーダンス膜と低音響インピーダンス膜とが積層された構造を有していてもよい。
【００７３】
また、本発明において、圧電薄膜を含む積層膜の構成は特に限定されるものではない。
【００７４】
従って、温度特性を改善するための誘電体膜を複数積層することにより積層膜が形成されていてもよい。
【符号の説明】
【００７５】
１…弾性波装置
２…支持基板
２ａ，２ｂ…第１，第２の主面
３…積層膜
３ａ…高音速膜
３ｂ…低音速膜
３ｄ…側面
４…圧電薄膜
５ａ〜５ｃ…ＩＤＴ電極
６ａ〜６ｄ…配線電極
６ａ１…傾斜面
７…中空空間
８…支持層
８ａ…外周部
９…カバー部材
１０ａ，１０ｂ…アンダーバンプメタル層
１１ａ，１１ｂ…金属バンプ
１２…絶縁層
１２ａ，１２ｂ…傾斜面
１２ｃ…内側端
２２…絶縁層
２２ａ，２２ｂ…傾斜面
２６ａ…配線電極
２６ａ１…傾斜面
３３…積層膜
３３ａ…高音響インピーダンス膜
３３ｂ…低音響インピーダンス膜
４１…弾性波装置
４６ａ，４６ｄ…配線電極
５２…絶縁層
５２ａ…傾斜面
６１…弾性波装置
６３…積層膜
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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