(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体素子が形成される第１の半導体ウェハと第２の半導体ウェハを貼り合せた後に、前記第２の半導体ウェハの表面を研削装置のチャックテーブルに固定した状態で前記第１の半導体ウェハを研削して薄膜化する工程を有する半導体装置の製造方法において、
前記第１の半導体ウェハを薄膜化する工程に先立ち、
前記第１の半導体ウェハの第１の表面の半導体層に所定の半導体素子を形成し、
所定の配線層を含む絶縁膜を前記半導体素子が形成された前記半導体層の表面に形成し、
前記第１の半導体ウェハの第１の表面に形成された前記絶縁膜が前記第２の半導体ウェハの第１の表面と接する状態で前記第１の半導体ウェハと前記第２の半導体ウェハを貼り合せ、
前記第１の半導体ウェハと前記第２の半導体ウェハを貼り合せた状態で前記第１の半導体ウェハの第１の表面と対向する前記第１の半導体ウェハの第２の表面を前記チャックテーブルに固定して、前記第２の半導体ウェハの第１の表面と対向する前記第２の半導体ウェハの第２の表面を研削し、
前記第１の半導体ウェハを薄膜化する工程に続き、前記第１の半導体ウェハと前記第２の半導体ウェハが貼り合わされた状態で、研削して薄膜化した前記第１の半導体ウェハの表面に保護膜を形成する工程を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２】
前記チャックテーブルは円錐状の載置面を有することを特徴とする請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項３】
半導体基板と前記半導体基板の表面に形成された半導体層を有する第１の半導体ウェハを用意し、
前記第１の半導体ウェハの前記半導体層に所定の半導体素子を形成し、
所定の配線層を含む絶縁膜を前記半導体素子が形成された前記半導体層の表面に形成し、
前記絶縁膜と前記半導体層が前記第１の半導体ウェハの半導体基板と第２の半導体ウェハの間に設けられた状態で、前記第１の半導体ウェハと前記第２の半導体ウェハを貼り合せ、
前記第１の半導体ウェハと前記第２の半導体ウェハを貼り合せた状態で、前記第１の半導体ウェハの半導体基板の表面を研削装置の載置面に載置して固定し、
前記第１の半導体ウェハの半導体基板の表面を前記研削装置の載置面に固定した状態で、前記第２の半導体ウェハの表面を研削し、
前記第２の半導体ウェハの表面を研削した後に、前記第２の半導体ウェハの研削された表面を前記研削装置の載置面に載置して固定し、
前記第２の半導体ウェハの研削された表面を前記研削装置の載置面に固定した状態で、前記第１の半導体ウェハの半導体基板の表面を研削して薄膜化し、
前記第１の半導体ウェハと前記第２の半導体ウェハを貼り合せた状態で、前記第１の半導体ウェハの研削された表面に保護膜を形成することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項４】
前記第１の半導体ウェハの前記半導体層に形成される半導体素子は光電変換素子を含み、前記保護膜の前記光電変換素子に対応する表面にマイクロレンズが形成されることを特徴とする請求項３に記載の半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本実施形態は、半導体装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、半導体素子が形成される半導体ウェハ（以降、デバイスウェハと言う）とデバイスウェハを支持する半導体ウェハ（以降、支持ウェハと言う）を貼り合せて、半導体装置を製造する技術が開示されている。デバイスウェハと支持ウェハが貼り合わされた状態でデバイスウェハに対する薄膜化が行われ、デバイスウェハの膜厚は所望の膜厚に調整される。
【０００３】
このデバイスウェハの薄膜化工程は、例えば、支持ウェハの表面を研削装置のチャックテーブルに固定して行われる。この為、デバイスウェハの薄膜化においては、支持ウェハの膜厚のバラツキが、そのまま、デバイスウェハの膜厚に影響を与える。デバイスウェハの膜厚のバラツキは、デバイスウェハに形成される半導体素子の特性に影響を与える。この為、支持ウェハの膜厚のバラツキの影響を軽減してデバイスウェハの薄膜化を行う事が出来る半導体装置の製造方法が望まれる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開平７−３３５５１３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
一つの実施形態は、支持ウェハの膜厚のバラツキの影響を軽減することが出来る半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
一つの実施形態によれば、半導体装置の製造方法は、半導体素子が形成される第１の半導体ウェハと第２の半導体ウェハを貼り合せた後に、前記第２の半導体ウェハの表面を研削装置のチャックテーブルに固定した状態で前記第１の半導体ウェハを研削して薄膜化する工程を有する。前記第１の半導体ウェハを薄膜化する工程に先立ち、前記第１の半導体ウェハと前記第２の半導体ウェハを貼り合せた状態で、前記第１の半導体ウェハの表面を前記チャックテーブルに固定して前記第２の半導体ウェハの表面を研削する工程を有する。
【図面の簡単な説明】
【０００７】
【図１】図１は、第１の実施形態の半導体装置の製造方法の工程を示す図である。
【図２】図２は、第１の実施形態の半導体装置の製造方法による効果を説明する為の図である。
【図３】図３は、研削装置の一つの例を示す図である。
【図４】図４は、第２の実施形態の半導体装置の製造方法の工程を示す図である。
【図５】図５は、図４に続く第２の実施形態の半導体装置の製造方法の工程を示す図である。
【図６】図６は、第３の実施形態の半導体装置の製造方法の工程を示す図である。
【図７】図７は、図６に続く第３の実施形態の半導体装置の製造方法の工程を示す図である。
【図８】図８は、第４の実施形態の半導体装置の製造方法の工程を示す図である。
【図９】図９は、図８に続く第４の実施形態の半導体装置の製造方法の工程を示す図である。
【図１０】図１０は、図９に続く第４の実施形態の半導体装置の製造方法の工程を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【０００８】
以下に添付図面を参照して、実施形態にかかる半導体装置の製造方法を詳細に説明する。なお、これらの実施形態により本発明が限定されるものではない。
【０００９】
（第１の実施形態）
図１は、第１の実施形態の半導体装置の製造方法を示す図である。デバイスウェハ１０と支持ウェハ１４が貼り合わされた半導体基板２０を用意する（図１（Ａ））。デバイスウェハ１０と支持ウェハ１４は、例えば、単結晶シリコン基板であり、それぞれ、例えば７７５μｍの膜厚を有する。デバイスウェハ１０と支持ウェハ１４の間には、酸化シリコン膜１２を有する。例えば、酸化シリコン膜１２は支持ウェハ１４の表面に形成された酸化シリコン膜である。酸化シリコン膜１２の表面に水分子を吸着さる処理を行った後に両方のウェハ（１０、１４）を重ね合せて密着させ、熱処理を行うことにより、デバイスウェハ１０と支持ウェハ１４を貼り合せることが出来る。
【００１０】
半導体基板２０のデバイスウェハ１０の表面を研削装置（図示せず）のチャックテーブル１００の載置面１０１に固定する。半導体基板２０は、チャックテーブル１００に設けられた吸着機構、例えば、バキューム吸着により研削装置のチャックテーブル１００に固定される。半導体基板２０をチャックテーブル１００に固定した状態で、砥石（図示せず）を備えたグラインダ（図示せず）を支持ウェハ１４の表面に当接させ、グラインダとチャックテーブル１００の両方を回転させて支持ウェハ１４の表面１５を研削する。すなわち、本実施形態においては、デバイスウェハ１０の薄膜化工程に先行して、支持ウェハ１４の表面を研削する。例えば、支持ウェハ１４の表面１５を１００μｍ程度研削する（図１（Ｂ））。尚、チャックテーブル１００とグラインダの両方を回転させて半導体基板２０を研削する方法は、インフィード研削と呼ばれる。
【００１１】
次に、チャックテーブル１００から半導体基板２０を取り外し、表面の領域１５が研削された支持ウェハ１４側が研削装置のチャックテーブル１００の載置面１０１に来るように、すなわち、半導体基板２０の上下を反転させてチャックテーブル１００の載置面１０１に半導体基板２０を固定する（図１（Ｃ））。
【００１２】
半導体基板２０がチャックテーブル１００に固定された状態で、砥石を備えたグラインダを半導体基板２０のデバイスウェハ１０の表面に当接させ、グラインダとチャックテーブル１００の両方を回転させてデバイスウェハ１０の表面の領域１１を研削して、例えば、１０μｍの膜厚になるまで研削する（図１（Ｄ））。この後に、必要に応じてデバイスウェハ１０の表面に鏡面加工を施し、半導体素子（図示せず）をデバイスウェハ１０に形成する。鏡面加工は、例えば、ＣＭＰ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ  Ｐｏｌｉｓｈｉｎｇ）により行う。
【００１３】
本実施形態によれば、デバイスウェハ１０の薄膜化工程に先行して、支持ウェハ１４の表面を研削する。この支持ウェハ１４の表面をデバイスウェハ１０の薄膜化工程の前に行い、表面が研削された支持ウェハ１４の表面をデバイスウェハ１０の薄膜化工程の為の基準面として使用することにより、デバイスウェハ１０の薄膜化を均一に行うことが出来る。尚、酸化シリコン膜１２に代え、支持ウェハ１４の表面にシリコン窒化膜（図示せず）を形成して、支持ウェハ１４とデバイスウェハ１０を貼り合せる構成で有っても良い。
【００１４】
図２を用いて、本実施形態の効果について説明する。例えば、図２（Ａ）に示す様に支持ウェハ１４の表面に高さａの凸部１４０が存在する場合について説明する。支持ウェハ１４とデバイスウェハ１０が貼り合わされた半導体基板２０が、研削装置のチャックテーブル１００の載置面１０１に固定される（図２（Ｂ））。デバイスウェハ１０と支持ウェハ１４の間には、例えば酸化シリコン膜が存在するが、省略している。
【００１５】
半導体基板２０をチャックテーブル１００の載置面１０１に固定した状態で、チャックテーブル１００とグラインダ（図示せず）を回転させ、支持ウェハ１４の表面の領域１５を研削する（図２（Ｃ））。この支持ウェハ１４の表面の研削により、例えば、支持ウェハ１４の表面に存在していた凸部１４０は除去され、支持ウェハ１４の表面は平坦化される。
【００１６】
次に、チャックテーブル１００から半導体基板２０を取り外し、表面が研削された支持ウェハ１４側を研削装置のチャックテーブル１００の載置面１０１に載置して固定する。すなわち、半導体基板２０の上下を反転させてチャックテーブル１００の載置面１０１に半導体基板２０を固定する（図２（Ｄ））。
【００１７】
半導体基板２０の支持ウェハ１４の表面がチャックテーブル１００に固定された状態で、砥石を備えたグラインダを半導体基板２０のデバイスウェハ１０の表面に当接させ、グラインダとチャックテーブル１００の両方を回転させてデバイスウェハ１０を所望の膜厚まで研削する（図２（Ｄ））。すなわち、デバイスウェハ１０の薄膜化工程においては、チャックテーブル１００の載置面１０１に固定される支持ウェハ１４の表面は既に平坦化され、支持ウェハ１４の膜厚のバラツキが軽減されている。従って、当初、支持ウェハ１４に膜厚のバラツキが存在していても、デバイスウェハ１０の薄膜化工程の段階では支持ウェハ１４の膜厚のバラツキが軽減されている為、均一にデバイスウェハ１０の薄膜化を行うことが出来る。砥石を備えたグラインダによる機械研削を用いることにより、例えば、化学的な研磨方法であるＣＭＰ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ  Ｐｏｌｉｓｈｉｎｇ）に比べて、短時間でデバイスウェハ１０の薄膜化を行うことが出来る。
【００１８】
当初の膜厚が７７５μｍのデバイスウェハ１０と、同じく、当初の膜厚が７７５μｍの支持ウェハ１４を貼り合せた半導体基板２０を用い、最終的にデバイスウェハ１０の厚みを１０μｍにする薄膜化を、表面研削を行った支持ウェハ１４を用いた場合と表面研削を行わない支持ウェハ１４を用いてデバイスウェハ１０の薄膜化を行った場合で比較した。その結果、支持ウェハ１４の表面の研削を行わない場合には、デバイスウェハ１０の最大膜厚と最小膜厚の差分の平均値が０．７９７５μｍであったのに対し、表面を研削して平坦化を行った後の支持ウェハ１４を用いてデバイスウェハ１０の薄膜化を行った場合には、平均値は０．４５２５μｍであった。すなわち、デバイスウェハ１０の薄膜化工程に先行して表面を研削した支持ウェハ１４を用いてデバイスウェハ１０の薄膜化を行った場合には、表面研削を行わない支持ウェハ１４を用いてデバイスウェハ１０の薄膜化を行った場合に比べて、デバイスウェハ１０の膜厚のバラツキが約５０％改善される結果が得られた。尚、デバイスウェハ１０と支持ウェハ１４の表面間に酸化シリコン膜１２が存在するＳＯＩ（Ｓｉｌｉｃｏｎ  ｏｎ  Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ）の半導体基板２０を例に説明したが、デバイスウェハ１０と支持ウェハ１４を直接貼り合せた半導体基板２０を用いてデバイスウェハ１０を薄膜化する場合にも適用することが出来る。
【００１９】
図３は、半導体基板２０の研削装置の一つの例を模式的に示す図である。図３に示す研削装置は、チャックテーブル１００を有する。チャックテーブル１００の載置面１０１に半導体基板２０が固定される。チャックテーブル１００に設けられる吸着機構、例えば、バキューム吸着機構（図示せず）により半導体基板２０は研削装置のチャックテーブル１００に固定される。
【００２０】
研削装置は、砥石４１が表面に配備されたグラインダ４０を有する。グラインダ４０の砥石４１を半導体基板２０に当接させ、チャックテーブル１００とグラインダ４０の両方を回転させて半導体基板２０の表面を研削する。すなわち、チャックテーブル１００とグラインダ４０の両方を回転させるインフィード研削装置の一つの例である。
【００２１】
チャックテーブル１００は、例えば円錐形状を有する。チャックテーブル１００の表面形状を円錐状にすることにより、グラインダ４０が半導体基板２０の表面を研削する際に、グラインダ４０と半導体基板２０の接触は線接触となる。この為、グラインダ４０による半導体基板２０に対する加圧力が高くなり、研削速度を速めることが出来る。グラインダ４０の回転軸Ｉ―Ｉとチャックテーブル１００の回転軸ＩＩ―ＩＩの間の角度θを調整することにより、半導体基板２０とグラインダ４０の接触状態を調整することが出来る。例えば、チャックテーブル１００の載置面１０１の形状、従って、半導体基板２０の表面の状態に応じてグラインダ４０の回転軸の傾きを調整することにより、半導体基板２０の研削を均一に行うことが出来る。例えば、チャックテーブル１００の載置面１０１の形状が球面状の場合には、その載置面１０１の形状に応じてグラインダ４０の回転軸を調整することによりグラインダ４０と半導体基板２０との接触状態を調整することが出来る。
【００２２】
（第２の実施形態）
図４は、第２の実施形態の半導体装置の製造方法を模式的に説明する為の図である。既述の実施形態に対応する構成要素には同一の符号を付している。本実施形態においては、中央部の膜厚が周縁部に比べてｂだけ厚い支持ウェハ１４が用いられる。支持ウェハ１４とデバイスウェハ１０が貼り合わされる。支持ウェハ１４の中央部の膜厚が厚い為、結果として、貼り合わされた半導体基板２０の中央部の厚みが厚くなる（図４（Ａ））。
【００２３】
半導体基板２０のデバイスウェハ１０側が、チャックテーブル１００の載置面１０１に固定される（図４（Ｂ））。半導体基板２０は、チャックテーブル１００の吸着機構（図示せず）によって載置面１０１に固定される。
【００２４】
半導体基板２０のデバイスウェハ１０の表面がチャックテーブル１００の載置面１０１に固定された状態で支持ウェハ１４の表面の研削を行う。チャックテーブル１００とグラインダ４０の両方を回転させるインフィード研削が行われる（図４（Ｃ））。支持ウェハ１４とデバイスウェハ１０を貼り合せた状態で、支持ウェハ１４の膜厚が均一化するように支持ウェハ１４の表面の領域１５を研削する。例えば、レーザー光を用いて膜厚を監視しながら支持ウェハ１４を研削することにより、支持ウェハ１４の膜厚を均一化することが出来る。
【００２５】
次に、半導体基板２０をチャックテーブル１００から取り外し、半導体基板２０の上下を反転させて支持ウェハ１４側をチャックテーブル１００に固定する（図５（Ａ））。すなわち、表面が研削された支持ウェハ１４の表面をチャックテーブル１００に固定し、研削により平坦化された支持ウェハ１４の表面をデバイスウェハ１０の薄膜化工程における基準面とする。
【００２６】
支持ウェハ１４の表面をチャックテーブル１００に固定した状態で、デバイスウェハ１０の薄膜化の為の研削を行う（図５（Ｂ））。研削は、チャックテーブル１００とグラインダ４０の両方を回転させて行う。例えば、当初のデバイスウェハ１０の膜厚が７７５μｍの時に、最終のデバイスウェハ１０の膜厚が１０μｍになるまで薄膜化する。
【００２７】
半導体基板２０をチャックテーブル１００から取り外す（図５（Ｃ））。研削装置から取り外された半導体基板２０には、次の工程、例えば、デバイスウェハ１０に所定の半導体素子を形成する処理が行われる。
【００２８】
本実施形態においては、デバイスウェハ１０の薄膜化工程に先だち、支持ウェハ１４の表面の研削が行われる。この支持ウェハ１４の表面の研削工程により、支持ウェハ１４の表面を平坦化して支持ウェハ１４の膜厚の均一化を図ることが出来る。膜厚の均一化された支持ウェハ１４の表面を研削装置のチャックテーブル１００の載置面１０１に固定してデバイスウェハ１０の薄膜化の為の研削工程における基準面とすることにより、デバイスウェハ１０を均一に薄膜化することが出来る。すなわち、当初の支持ウェハ１４の中央部の厚みが厚い場合であっても、デバイスウェハ１０の薄膜化工程に先立って行う支持ウェハ１４の表面の研削により支持ウェハ１４の膜厚を均一化して、デバイスウェハ１０の薄膜化工程における支持ウェハ１４として用いることが出来る。支持ウェハ１４の表面を平坦化し膜厚を予め均一化することにより、デバイスウェハ１０の膜厚を均一に薄膜化することが出来る。
【００２９】
（第３の実施形態）
図６は、第３の実施形態の半導体装置の製造方法を模式的に説明する為の図である。既述の実施形態に対応する構成要素には同一の符号を付している。本実施形態においては、中央部の膜厚が周縁部に比べてｃだけ薄い支持ウェハ１４が用いられる。支持ウェハ１４とデバイスウェハ１０が貼り合わされた半導体基板２０が用意される（図６（Ａ））。
【００３０】
半導体基板２０のデバイスウェハ１０側が、チャックテーブル１００の載置面１０１に固定される（図６（Ｂ））。半導体基板２０は、チャックテーブル１００の吸着機構（図示せず）によって載置面１０１に固定される。
【００３１】
半導体基板２０がチャックテーブル１００の載置面１０１に固定された状態で支持ウェハ１４の表面側の研削を行う。すなわち、チャックテーブル１００とグラインダ４０の両方を回転させるインフィード研削が行われる（図６（Ｃ））。支持ウェハ１４とデバイスウェハ１０を貼り合せた状態で、支持ウェハ１４の膜厚が均一化するように支持ウェハ１４の表面の領域１５を研削する。例えば、レーザー光を用いて膜厚を監視しながら研削することで、支持ウェハ１４の膜厚を均一化することが出来る。
【００３２】
次に、半導体基板２０をチャックテーブル１００から取り外し、半導体基板２０の上下を反転させて支持ウェハ１４の表面をチャックテーブル１００の載置面１０１に固定する（図７（Ａ））。すなわち、表面が研削され膜厚が均一化された支持ウェハ１４をチャックテーブル１００に固定して、支持ウェハ１４の表面をデバイスウェハ１０の薄膜化工程における基準面とする。
【００３３】
支持ウェハ１４の表面をチャックテーブル１００に固定した状態で、デバイスウェハ１０の薄膜化の為の研削を行う（図７（Ｂ））。研削は、チャックテーブル１００とグラインダ４０の両方を回転させて行う。例えば、当初のデバイスウェハ１０の膜厚が７７５μｍの時に、最終のデバイスウェハ１０の膜厚が１０μｍになるまで薄膜化する。
【００３４】
半導体基板２０をチャックテーブル１００から取り外す（図７（Ｃ））。研削装置から取り外された半導体基板２０には、次の工程、例えば、デバイスウェハ１０に所定の半導体素子を形成する処理が行われる。
【００３５】
本実施形態においては、デバイスウェハ１０の薄膜化工程に先だち、支持ウェハ１４の表面の研削が行われる。この支持ウェハ１４の表面の研削工程により、支持ウェハ１４の膜厚の均一化を図ることが出来る。膜厚の均一化された支持ウェハ１４の表面を研削装置のチャックテーブル１００の載置面１０１に固定してデバイスウェハ１０の薄膜化の為の研削工程における基準面とすることにより、デバイスウェハ１０を均一に薄膜化することが出来る。すなわち、当初の支持ウェハ１４の中央部の厚みが薄い場合であっても、デバイスウェハ１０の薄膜化工程に先立って行う支持ウェハ１４の表面の研削により、支持ウェハ１４の表面を平坦化し支持ウェハ１４の膜厚の均一化を図ることが出来る。表面が平坦化され、膜厚が均一化された支持ウェハ１４の表面をチャックテーブル１００に固定してデバイスウェハ１０の薄膜化工程における基準面とすることにより、デバイスウェハ１０の薄膜化を均一に行うことが出来る。
【００３６】
（第４の実施形態）
図８は、第４の実施形態の半導体装置の製造方法を説明する為の図である。本実施形態は、裏面照射型ＣＭＯＳイメージセンサーの製造方法の一つの実施形態を示す。
【００３７】
半導体ウェハ２００を用意する（図８（Ａ））。半導体ウェハ２００は、例えば、シリコン基板である。
【００３８】
半導体ウェハ２００上に、エピタキシャル法により半導体層３００を形成する（同図（Ｂ））。半導体層３００は、例えば、エピタキシャルシリコン層である。例えば、ＣＶＤにより、半導体層３００を形成する。
【００３９】
半導体層３００に対して、リソグラフィ工程、成膜工程、エッチング工程、イオン注入工程等のＦＥＯＬ（Ｆｒｏｎｔ  Ｅｎｄ  ｏｆ  Ｌｉｎｅ）と呼ばれる工程を繰り返すことで、例えば、光電変換素子３１０を形成する（同図（Ｃ））。光電変換素子３１０は、例えば、フォトダイオードである。
【００４０】
次に、ＢＥＯＬ（Ｂａｃｋ  Ｅｎｄ  ｏｆ  Ｌｉｎｅ）と呼ばれる工程にて電気接続の為の配線４１０が内部に形成された絶縁膜４００を形成する（同図（Ｄ））。これにより、光電変換素子３１０が形成されたデバイスウェハ２１０が構成される。絶縁膜４００の中に形成される配線４１０は、例えば、ダマシン構造のＣｕ配線で構成することが出来る。配線４１０を覆う絶縁膜４００は、例えば、ＴＥＯＳ（Ｔｅｔｒａ  Ｅｔｈｙｌ  Ｏｒｔｈｏ  Ｓｉｌｉｃａｔｅ）を原料にして形成されたシリコン酸化膜である。
【００４１】
次に、絶縁膜４００上に、支持ウェハ５００を形成する（図９（Ａ））。支持ウェハ５００は、例えば、シリコン基板である。支持ウェハ５００は、例えば、絶縁膜４００との貼り合せにより形成する。貼り合せ工程では、接合面を洗浄化する工程、接合面を活性化する工程等を行う。その後に、支持ウェハ５００を絶縁膜４００にアライメントし、加圧して貼り合せる。その後に、アニール処理を行って接合強度を向上させる。
【００４２】
支持ウェハ５００の表面５０１を研削する（同図（Ｂ））。支持ウェハ５００の表面を研削することにより、既述した通り、支持ウェハ５００の膜厚のバラツキを軽減することが出来、また、支持ウェハ５００の表面を平坦化することが出来る。
【００４３】
その後に、支持ウェハ５００と半導体ウェハ２００が貼り合わされた半導体基板の上下を反転させて、支持ウェハ５００の表面を研削装置（図示せず）のチャックテーブル（図示せず）に固定して、インフィード研削により半導体ウェハ２００を除去する（図１０（Ａ））。
【００４４】
引き続いて、半導体層３００の表面上に保護膜８００を形成する。保護膜８００は、例えばシリコン酸化膜、あるいはシリコン窒化膜で構成することが出来る。保護膜８００は、例えば、ＣＶＤにより形成される。保護膜８００上に、カラーフィルタ９００とマイクロレンズ１０００を各光電変換素子３１０に対応するように形成する（同図（Ｂ））。各光電変換素子３１０間を分離する分離層が設けられるが、省略している。
【００４５】
本実施形態の半導体装置の製造方法によれば、半導体素子である光電変換素子３１０が形成された半導体層３００の表面に形成された半導体ウェハ２００を研削して薄膜化する工程は、先行して表面の研削が行われた支持ウェハ５００の表面を基準面として行われる。支持ウェハ５００の表面の研削により、支持ウェハ５００の表面の平坦化及び支持ウェハ５００の膜厚のバラツキを軽減することができる。従って、支持ウェハ５００側をチャックテーブルに固定して行う半導体ウェハ２００の研削を均一化して行うことが出来る。これにより、半導体ウェハ２００の研削工程による半導体層３００の膜厚のバラツキを軽減することが出来る為、半導体層３００に形成された光電変換素子３１０の特性への影響が軽減される。
【００４６】
本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。
【符号の説明】
【００４７】
１０  デバイスウェハ、１４  支持ウェハ、４０  グラインダ、４１  砥石、２１０  デバイスウェハ、１００  チャックテーブル、１０１  載置面、５００  支持ウェハ。
【図１】
0006313251.tif 000002
【図２】
0006313251.tif 000003
【図３】
0006313251.tif 000004
【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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