(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
回路が形成された回路部材同士を電気的に接続する際に用いられる接着シートであって、
接着フィルムと、該接着フィルムに接合された下地フィルムとを有し、
前記下地フィルムは、前記接着フィルム側から積層された第１の層と第２の層とを備える積層体からなり、
前記第１の層の弾性率は、前記第２の層の弾性率よりも低く、
前記接着フィルムは、（Ｃ）フラックス活性を有する化合物を含有し、
前記（Ｃ）フラックス活性を有する化合物は、カルボキシル基もしくはフェノール性水酸基のいずれか、または、カルボキシル基およびフェノール性水酸基の両方を備える化合物であることを特徴とする接着シート。
【請求項２】
前記接着フィルムは、（Ｃ）フラックス活性を有する化合物に加え、さらに（Ａ）重量平均分子量が３００より大きく１５００より小さいフェノール系硬化剤と、（Ｂ）２５℃で液状であるエポキシ樹脂と、（Ｄ）重量平均分子量が１万より大きく１００万より小さい成膜性樹脂とを含有する請求項１に記載の接着シート。
【請求項３】
前記第１の層は、２５℃での弾性率が５０００ＭＰａ以下である請求項１または２に記載の接着シート。
【請求項４】
前記第２の層は、２５℃での弾性率が１００００ＭＰａ以下である請求項１ないし３のいずれかに記載の接着シート。
【請求項５】
前記第１の層は、その平均厚さが５μｍ以上、２００μｍ以下である請求項１ないし４のいずれかに記載の接着シート。
【請求項６】
前記第２の層は、その平均厚さが５μｍ以上、２００μｍ以下である請求項１ないし５のいずれかに記載の接着シート。
【請求項７】
前記接着フィルムは、さらに、硬化促進剤を含むものである請求項１ないし６のいずれかに記載の接着シート。
【請求項８】
前記接着フィルムは、さらに、シランカップリング剤を含むものである請求項１ないし
７のいずれかに記載の接着シート。
【請求項９】
前記接着フィルムは、さらに、無機充填材を含む請求項１ないし８のいずれかに記載の接着シート。
【請求項１０】
請求項１ないし９のいずれかに記載の接着シートが備える前記接着フィルムの硬化物を有することを特徴とする電子部品。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、接着シートおよび電子部品に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年の電子機器の高機能化および軽薄短小化の要求に伴い、これらの電子機器に使用される半導体パッケージも、従来にも増して、小型化かつ多ピン化が進んできている。
【０００３】
これら電子部品の電気的な接続を得るためには、半田接合が用いられている。この半田接合としては、例えば半導体チップ同士の導通接合部、フリップチップで搭載したパッケージのような半導体チップと回路基板間との導通接合部、回路基板同士の導通接合部等が挙げられる。この半田接合部には、電気的な接続強度および機械的な接続強度を確保するために、一般的にアンダーフィル材と呼ばれる封止樹脂が注入されている（アンダーフィル封止）。
【０００４】
この半田接合部よって生じた空隙（ギャップ）を液状封止樹脂（アンダーフィル材）で補強する場合、半田接合後に液状封止樹脂（アンダーフィル材）を供給し、これを硬化することによって半田接合部を補強している。しかしながら、電子部品の薄化、小型化に伴い、半田接合部は狭ピッチ化／狭ギャップ化しているため、半田接合後に液状封止樹脂（アンダーフィル材）を供給してもギャップ間に液状封止樹脂（アンダーフィル材）が行き渡らなく、完全に充填することが困難になるという問題が生じている。
【０００５】
このような問題に対して、フラックス機能を有する接着フィルムを介して、半田接合と接着とを一括で行う方法が提案されている（例えば、特許文献１参照。）。
【０００６】
かかる方法では、回路基板上に半導体チップを搭載する場合、まず、フラックス機能を有する接着フィルムが下地フィルム上に積層された接着シートと、複数の個別回路が設けられたウエハとを用意し、この接着シートを、接着フィルムが個別回路と対向するようにして配置した後、接着シートをウエハに対してラミネートする。
【０００７】
ここで、半導体チップおよび回路基板がそれぞれ備える端子同士の間に形成された間隙内に、接着シートに由来する封止樹脂を高い充填率で充填するには、上述したウエハに対する接着シートのラミネートの際に、ウエハの個別回路が備える端子間の間隙内に接着フィルムを高充填率に充填しておく必要がある。
【０００８】
しかしながら、図４（ａ）に示すように、下地フィルム１０２として弾性率が高いものを備える接着シート１００を用いて、接着シート１００をウエハ２００に対してラミネートすると、以下のような問題が生じる。
【０００９】
すなわち、この場合、下地フィルム１０２の弾性率が高いことから、下地フィルム１０２のコシが強く、これに起因して、接着シート１００をラミネートした際に、図４（ｂ）に示すように、接着フィルム１０１が、ウエハ２００の個別回路が備える端子２０１に対応して形成された半田バンプ２０２の形状に追従する。そのため、この状態で、接着シート１００をラミネートした後、下地フィルム１０２を取り除くと、図４（ｃ）に示すように、接着フィルム１０１を、均一な膜厚（高さ）でウエハ２００に転写させることができないことに起因して、端子２０１同士の間に形成された間隙２０３内に、接着フィルム１０１を均一に充填させることができなかったり、半田バンプ２０２に接着フィルム１０１が残存してしまうという問題があった。
【００１０】
また、かかる問題点を考慮して、下地フィルム１０２として弾性率が低いものを備える接着シート１００を用いることが考えられる。しかしながら、この場合では、接着シート１００をウエハ２００に対してラミネートする際に、下地フィルム１０２のコシが弱いことに起因して、下地フィルム１０２にシワが生じ、接着フィルム１０１をウエハ２００に対して均一に接着させることができないという問題がある。
【００１１】
なお、このような問題は、フラックス機能を有する接着フィルムに代えて、熱硬化性樹脂を含む樹脂組成物で構成される接着フィルムを備える接着シートについても同様に生じている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１２】
【特許文献１】特開２０１１−０１４７１７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１３】
本発明の目的は、接着シートが備える接着フィルムを、回路部材が備える端子同士の間に形成された間隙内に均一な厚さで、かつ端子が備える半田バンプの先端を突出させて充填することができる接着シートおよびかかる接着シートが備える接着フィルムの硬化物を有する電子部品を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１４】
このような目的は、下記（１）〜（１１）に記載の本発明により達成される。
（１）回路が形成された回路部材同士を電気的に接続する際に用いられる接着シートであって、
接着フィルムと、該接着フィルムに接合された下地フィルムとを有し、
前記下地フィルムは、前記接着フィルム側から積層された第１の層と第２の層とを備える積層体からなり、
前記第１の層の弾性率は、前記第２の層の弾性率よりも低いことを特徴とする接着シート。
（２）前記接着フィルムは、フラックス機能を有するものである上記（１）に記載の接着シート。
（３）前記第１の層は、２５℃での弾性率が５０００ＭＰａ以下である上記（１）または（２）に記載の接着シート。
（４）前記第２の層は、２５℃での弾性率が１００００ＭＰａ以下である上記（１）ないし（３）のいずれかに記載の接着シート。
（５）前記第１の層は、その平均厚さが５μｍ以上、２００μｍ以下である上記（１）ないし（４）のいずれかに記載の接着シート。
（６）前記第２の層は、その平均厚さが５μｍ以上、２００μｍ以下である上記（１）ないし（５）のいずれかに記載の接着シート。
（７）前記接着フィルムは、（Ａ）重量平均分子量が３００〜１５００であるフェノール系硬化剤と、（Ｂ）２５℃で液状であるエポキシ樹脂と、（Ｃ）フラックス活性を有する化合物と、（Ｄ）重量平均分子量が１万〜１００万である成膜性樹脂とを含有する上記（１）ないし（６）のいずれかに記載の接着シート。
（８）前記接着フィルムは、さらに、硬化促進剤を含むものである上記（１）ないし（７）のいずれかに記載の接着シート。
（９）前記接着フィルムは、さらに、シランカップリング剤を含むものである上記（１）ないし（８）のいずれかに記載の接着シート。
（１０）前記接着フィルムは、さらに、無機充填材を含む上記（１）ないし（９）のいず
れかに記載の接着シート。
（１１）上記（１）ないし（１０）のいずれかに記載の接着シートが備える前記接着フィルムの硬化物を有することを特徴とする電子部品。
【発明の効果】
【００１５】
本発明によれば、接着シートが備える接着フィルムを、回路部材が備える端子同士の間に形成された間隙内に均一な厚さで充填することができる。さらに、端子が備える半田バンプの先端を突出させて、間隙内に選択的に接着フィルムを充填することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１６】
【図１】本発明の接着シートの実施形態を示す縦断面図である。
【図２】本発明の接着シートを用いて、回路基板上に半導体チップを搭載する方法を説明するための斜視図である。
【図３】本発明の接着シートを用いて、ウエハ上に接着シートをラミネートした状態を説明するための縦断面図である。
【図４】下地フィルムとして弾性率が高いものを備える接着シートを用いて、ウエハ上に接着シートをラミネートした状態を説明するための縦断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１７】
以下、本発明の接着シートおよび電子部品を添付図面に示す好適実施形態に基づいて詳細に説明する。
【００１８】
＜接着シート＞
図１は、本発明の接着シートの実施形態を示す縦断面図である。なお、以下の説明では、図１中の上側を「上」、下側を「下」と言う。
【００１９】
接着シート１０は、回路が形成された回路部材同士を電気的に接続する際に用いられるものであり、フラックス機能を有する接着フィルム１と、この接着フィルム１に接合された下地フィルム２とを有し、下地フィルム２は、接着フィルム１側から積層された第１の層２１と第２の層２２とを備える積層体からなり、第１の層２１の弾性率は、第２の層の弾性率２２よりも低くなっている。
【００２０】
なお、以下では、電気的に接続すべき回路部材として、半導体チップと回路基板とを用意し、半導体チップが備える端子と、回路基板が備える回路が有する端子とを電気的に接続する場合を一例に説明する。
【００２１】
以下、接着シート１０を構成する接着フィルム１および下地フィルム２について順次説明する。
＜＜接着フィルム１＞＞
接着フィルム１は、半導体チップと回路基板との間に形成される空隙に充填される封止樹脂として機能するともに、接着フィルム１の加熱時には、回路基板が備える端子および半導体チップが備える端子の少なくとも一方に対応するように設けられた半田バンプが溶融した際に、半田バンプの表面に形成された酸化膜を還元させて、溶融状態の半田バンプの濡れ性を向上させる機能を有するものである。
【００２２】
この接着フィルム１は、フラックス機能を有するものであれば、いかなる構成材料で構成されていてもよいが、例えば、（Ａ）重量平均分子量が３００〜１５００であるフェノール系硬化剤（以下、化合物（Ａ）とも記載する。）と、（Ｂ）２５℃で液状であるエポキシ樹脂と（以下、化合物（Ｂ）とも記載する。）、（Ｃ）フラックス活性を有する化合物（以下、化合物（Ｃ）とも記載する。）と、（Ｄ）重量平均分子量が１万〜１００万で
ある成膜性樹脂（以下、化合物（Ｄ）とも記載する。）とを含有するものであるのが好ましい。かかる構成材料で構成することにより、接着フィルム１に、フラックス機能を確実に付与することができる。
（Ａ）重量平均分子量が３００〜１５００であるフェノール系硬化剤
重量平均分子量が３００〜１５００であるフェノール系硬化剤（前記化合物（Ａ））としては、特に限定されず、例えば、フェノールノボラック樹脂、クレゾールノボラック樹脂、ビスフェノールＡ型ノボラック樹脂、ビスフェノールＦ型ノボラック樹脂、ビスフェノールＡＦ型ノボラック樹脂等が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。中でも、フェノールノボラッック樹脂、クレゾールノボラック樹脂を用いるのが好ましい。これにより、接着フィルム１の硬化物のガラス転移温度を効果的に高めることができ、アウトガスとなるフェノール系ノボラック樹脂の量を低減することができる。
【００２３】
接着フィルム１中における前記化合物（Ａ）の含有量は、特に限定されるわけではないが、３〜３０重量％であるのが好ましく、５〜２５重量％であるのがより好ましい。化合物（Ａ）の含有量を上記範囲とすることで、接着フィルム１に、上述したような機能をより確実に付与することができる。さらに、接着フィルム１を半導体チップに貼り合わせた際に、半導体チップが備える配線回路等によって形成される凹凸（ギャップ）内に接着フィルム１をより効果的に充填することができるようになる。また、接着フィルム１の硬化物のガラス転移温度を効果的に高めることができる。
【００２４】
前記化合物（Ａ）の重量平均分子量は、特に限定されないが、３００〜１５００であることが好ましく、４００〜１４００であることが特に好ましい。これにより、接着フィルム１を硬化させる際のアウトガス量が増大し、半導体チップおよび回路基板の支持体の表面を汚染してしまうことをより効果的に防止することができる。また、これにより、接着フィルム１の柔軟性と屈曲性をより効果的に確保することができる。なお、化合物（Ａ）の重量平均分子量は、例えば、ＧＰＣ（ゲル浸透クロマトグラム）により測定することができる。
（Ｂ）２５℃で液状であるエポキシ樹脂
接着フィルム１が（Ｂ）２５℃で液状であるエポキシ樹脂（前記化合物（Ｂ））を含むことにより、上述したような接着フィルム１をより容易に得ることができ、さらに、下地フィルム２の剥離性をより適切なものとすることができる。
【００２５】
また、半導体チップおよび回路基板に対する接着性を特に優れたものとすることができる。さらに、これにより、接着フィルム１に柔軟性および屈曲性を付与することができるため、ハンドリング性に優れた接着フィルム１を得ることができる。
【００２６】
前記化合物（Ｂ）としては、特に限定されないが、例えば、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、グリシジルアミン型エポキシ樹脂、グリシジルエステル型エポキシ樹脂等が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。これらの中でも、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂が好ましい。また、２５℃で固形のエポキシ樹脂を１種または２種以上と併用してもよい。これにより、上述したような関係を満足する接着フィルム１をより容易に得ることができるとともに、接着フィルム１の、半導体チップおよび回路基板の支持体に対する密着性の向上、さらに、接着フィルム１の硬化後の機械特性の向上が図られる。
【００２７】
また、前記化合物（Ｂ）としては、２５℃における粘度が、好ましくは５００〜５０，０００ｍＰａ・ｓであるもの、より好ましくは８００〜４０，０００ｍＰａ・ｓであるものが用いられる。２５℃における粘度を上記下限値以上とすることで、接着フィルム１の
タック性が強くなり、ハンドリング性が低下することが防止される。また、２５℃における粘度を上記上限値以下とすることで、接着フィルム１の柔軟性と屈曲性を確保することができる。さらに、このような粘度のエポキシ樹脂を用いることにより、上述したような接着フィルム１をより容易に得ることができ、下地フィルム２の剥離性をより好適なものとすることができるとともに、半導体チップおよび回路基板に対する接着性を特に優れたものとすることができる。
【００２８】
また、前記化合物（Ｂ）の含有量は、特に限定されないが、１０〜８０重量％であるのが好ましく、１５〜７５重量％であるのがより好ましい。これにより、接着フィルム１の柔軟性と屈曲性をより効果的に発現させることができる。また、これにより、接着フィルム１のタック力が強くなり、ハンドリング性が低下することをより効果的に防止することができる。
（Ｃ）フラックス活性を有する化合物
また、接着フィルム１が（Ｃ）フラックス活性を有する化合物（前記化合物（Ｃ））を含むことにより、回路基板が備える端子および半導体チップが備える端子の少なくとも一方に対応するように設けられた半田バンプの表面に形成された酸化膜を除去すること、また、場合によっては、回路基板および半導体チップが備える端子の表面に形成された酸化膜を除去することができる。その結果、端子同士を確実に半田接合することができるため、半導体チップが回路基板上に優れた接続信頼性をもって電気的に接続される。
【００２９】
前記化合物（Ｃ）としては、半田表面（半田バンプの表面）の酸化膜を除去する働きがあれば、特に限定されるものではないが、カルボキシル基もしくはフェノール性水酸基のいずれか、または、カルボキシル基およびフェノール水酸基の両方を備える化合物が好ましい。
【００３０】
前記化合物（Ｃ）の配合量は、１〜３０重量％であるのが好ましく、３〜２０重量％であるのがより好ましい。化合物（Ｃ）の配合量が、上記範囲であることにより、フラックス活性を向上させることができるとともに、接着フィルム１を硬化させた際に、未反応の化合物（Ａ）、化合物（Ｂ）および化合物（Ｃ）の残存率を低下させることができるため、耐マイグレーション性を向上させることができる。
【００３１】
また、エポキシ樹脂の硬化剤として作用する化合物の中には、（Ｃ）フラックス活性を有する化合物が存在する（以下、このような化合物を、フラックス活性を有する硬化剤とも記載する。）。例えば、エポキシ樹脂の硬化剤として作用する、脂肪族ジカルボン酸、芳香族ジカルボン酸等は、フラックス作用も有している。本発明では、このような、フラックス活性を有する化合物としても作用し、エポキシ樹脂の硬化剤としても作用するようなフラックス活性を有する硬化剤が、より好適に用いられる。
【００３２】
なお、カルボキシル基を備える（Ｃ）フラックス活性を有する化合物とは、分子中にカルボキシル基が１つ以上存在するものをいい、液状であっても固体であってもよい。
【００３３】
また、フェノール性水酸基を備える（Ｃ）フラックス活性を有する化合物とは、分子中にフェノール性水酸基が１つ以上存在するものをいい、液状であっても固体であってもよい。
【００３４】
さらに、カルボキシル基およびフェノール性水酸基を備える（Ｃ）フラックス活性を有する化合物とは、分子中にカルボキシル基およびフェノール性水酸基がそれぞれ１つ以上存在するものをいい、液状であっても固体であってもよい。
【００３５】
これらのうち、カルボキシル基を備える（Ｃ）フラックス活性を有する化合物としては
、脂肪族酸無水物、脂環式酸無水物、芳香族酸無水物、脂肪族カルボン酸、芳香族カルボン酸等が挙げられる。
【００３６】
前記カルボキシル基を備える（Ｃ）フラックス活性を有する化合物に係る脂肪族酸無水物としては、無水コハク酸、ポリアジピン酸無水物、ポリアゼライン酸無水物、ポリセバシン酸無水物等が挙げられる。
【００３７】
前記カルボキシル基を備える（Ｃ）フラックス活性を有する化合物に係る脂環式酸無水物としては、メチルテトラヒドロ無水フタル酸、メチルヘキサヒドロ無水フタル酸、無水メチルハイミック酸、ヘキサヒドロ無水フタル酸、テトラヒドロ無水フタル酸、トリアルキルテトラヒドロ無水フタル酸、メチルシクロヘキセンジカルボン酸無水物等が挙げられる。
【００３８】
前記カルボキシル基を備える（Ｃ）フラックス活性を有する化合物芳香族酸無水物としては、無水フタル酸、無水トリメリット酸、無水ピロメリット酸、ベンゾフェノンテトラカルボン酸無水物、エチレングリコールビストリメリテート、グリセロールトリストリメリテート等が挙げられる。
【００３９】
前記カルボキシル基を備える（Ｃ）フラックス活性を有する化合物に係る脂肪族カルボン酸としては、例えば、下記一般式（２）で示される化合物や、蟻酸、酢酸、プロピオン酸、酪酸、吉草酸、ピバル酸カプロン酸、カプリル酸、ラウリン酸、ミリスチン酸、パルミチン酸、ステアリン酸、アクリル酸、メタクリル酸、クロトン酸、オレイン酸、フマル酸、マレイン酸、シュウ酸、マロン酸、琥珀酸等が挙げられる。
【００４０】
ＨＯＯＣ−（ＣＨ2）n−ＣＯＯＨ      ・・・      （２）
（式（２）中、ｎは、１以上２０以下の整数を表す。）
前記カルボキシル基を備える（Ｃ）フラックス活性を有する化合物に係る芳香族カルボン酸としては、安息香酸、フタル酸、イソフタル酸、テレフタル酸、ヘミメリット酸、トリメリット酸、トリメシン酸、メロファン酸、プレーニト酸、ピロメリット酸、メリット酸、キシリル酸、ヘメリト酸、メシチレン酸、プレーニチル酸、トルイル酸、ケイ皮酸、サリチル酸、２，３−ジヒドロキシ安息香酸、２，４−ジヒドロキシ安息香酸、ゲンチジン酸（２，５−ジヒドロキシ安息香酸）、２，６−ジヒドロキシ安息香酸、３，５−ジヒドロキシ安息香酸、浸食子酸（３，４，５−トリヒドロキシ安息香酸）、１，４−ジヒドロキシ−２−ナフトエ酸、３，５−ジヒドロキシ−２−ナフトエ酸等のナフトエ酸誘導体、フェノールフタリン、ジフェノール酸等が挙げられる。
【００４１】
これらの前記カルボキシル基を備える（Ｃ）フラックス活性を有する化合物のうち、（Ｃ）フラックス活性を有する化合物が有する活性度、接着フィルム１の硬化時におけるアウトガスの発生量、および硬化後の接着フィルム１の弾性率やガラス転移温度等のバランスが良い点で、前記一般式（２）で示される化合物が好ましい。そして、前記一般式（１）で示される化合物のうち、式（２）中のｎが３〜１０である化合物が、硬化後の接着フィルム１における弾性率が増加するのを抑制することができるとともに、半導体チップ、基板等の支持体と被着体の接着性を向上させることができる点で、特に好ましい。
【００４２】
前記一般式（２）で示される化合物のうち、式（２）中のｎが３〜１０である化合物としては、例えば、ｎ＝３のグルタル酸（ＨＯＯＣ−（ＣＨ2）3−ＣＯＯＨ）、ｎ＝４のアジピン酸（ＨＯＯＣ−（ＣＨ2）4−ＣＯＯＨ）、ｎ＝５のピメリン酸（ＨＯＯＣ−（ＣＨ2）5−ＣＯＯＨ）、ｎ＝８のセバシン酸（ＨＯＯＣ−（ＣＨ2）8−ＣＯＯＨ）およびｎ＝１０のＨＯＯＣ−（ＣＨ2）10−ＣＯＯＨ−等が挙げられる。
【００４３】
さらに、前記フェノール性水酸基を備える（Ｃ）フラックス活性を有する化合物としては、フェノール類が挙げられ、具体的には、例えば、フェノール、ｏ−クレゾール、２，６−キシレノール、ｐ−クレゾール、ｍ−クレゾール、ｏ−エチルフェノール、２，４−キシレノール、２，５キシレノール、ｍ−エチルフェノール、２，３−キシレノール、メジトール、３，５−キシレノール、ｐ−ターシャリブチルフェノール、カテコール、ｐ−ターシャリアミルフェノール、レゾルシノール、ｐ−オクチルフェノール、ｐ−フェニルフェノール、ビスフェノールＡ、ビスフェノールＦ、ビスフェノールＡＦ、ビフェノール、ジアリルビスフェノールＦ、ジアリルビスフェノールＡ、トリスフェノール、テトラキスフェノール等のフェノール性水酸基を含有するモノマー類等が挙げられる。
【００４４】
上述したようなカルボキシル基またはフェノール水酸基のいずれか、あるいは、カルボキシル基およびフェノール水酸基の両方を備える化合物は、エポキシ樹脂（Ｂ）との反応で三次元的に取り込まれる。
【００４５】
そのため、硬化後のエポキシ樹脂の三次元的なネットワークの形成を向上させるという観点からは、（Ｃ）フラックス活性を有する化合物としては、フラックス作用を有しかつエポキシ樹脂の硬化剤として作用するフラックス活性を有する硬化剤を用いるのが好ましい。
【００４６】
フラックス活性を有する硬化剤としては、例えば、１分子中に、エポキシ樹脂に付加することができる２つ以上のフェノール性水酸基と、フラックス作用（還元作用）を示す芳香族に直接結合した１つ以上のカルボキシル基とを備える化合物が挙げられる。このようなフラックス活性を有する硬化剤としては、例えば、２，３−ジヒドロキシ安息香酸、２，４−ジヒドロキシ安息香酸、ゲンチジン酸（２，５−ジヒドロキシ安息香酸）、２，６−ジヒドロキシ安息香酸、３，４−ジヒドロキシ安息香酸、没食子酸（３，４，５−トリヒドロキシ安息香酸）等の安息香酸誘導体；１，４−ジヒドロキシ−２−ナフトエ酸、３，５−ジヒドロキシ−２−ナフトエ酸、３，７−ジヒドロキシ−２−ナフトエ酸等のナフトエ酸誘導体；フェノールフタリン；およびジフェノール酸等が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。
【００４７】
これらの中でも、２，３−ジヒドロキシ安息香酸、ゲンチジン酸、フェノールフタリンを用いるのが好ましい。これらの化合物は、半田表面の酸化膜を除去する効果とエポキシ樹脂との反応性に優れる点から、フラックス活性を有する硬化剤として好ましく用いられる。
【００４８】
また、接着フィルム１中、フラックス活性を有する硬化剤の配合量は、１〜３０重量％であるのが好ましく、３〜２０重量％であるのがより好ましい。接着フィルム１中のフラックス活性を有する硬化剤の配合量が、上記範囲であることにより、接着フィルム１のフラックス活性を向上させることができるとともに、接着フィルム１中に、エポキシ樹脂と未反応のフラックス活性を有する硬化剤が残存するのが的確に抑制または防止される。なお、未反応のフラックス活性を有する硬化剤の残存率が高くなると、マイグレーションが発生し易くなるという不具合が生じる。
【００４９】
また、前記化合物（Ｂ）と前記化合物（Ｃ）の配合比（（Ｂ）／（Ｃ））は、特に限定されないが、０．５〜１２．０であることが好ましく、２．０〜１０．０であることがより好ましい。（（Ｂ）／（Ｃ））を上記下限値以上とすることで、接着フィルム１を硬化させる際に、未反応の前記化合物（Ｃ）の残存量を低減することができるため、耐マイグレーション性の向上を図ることができる。また、上記上限値以下とすることで、接着フィルム１を硬化させる際に、未反応の前記化合物（Ｂ）の残存量を低減することができるため、耐マイグレーション性の向上を図ることができる。
（Ｄ）重量平均分子量が１万〜１００万である成膜性樹脂
また、接着フィルム１が接着フィルム１の成膜性を向上させる（Ｄ）重量平均分子量が１万〜１００万である成膜性樹脂を含むことにより、フィルム状態にするのが容易となる。また、接着フィルム１の機械的特性にも優れる。
【００５０】
前記化合物（Ｄ）としては、例えば、（メタ）アクリル系樹脂、フェノキシ樹脂、ポリエステル樹脂、ポリウレタン樹脂、ポリイミド樹脂、シロキサン変性ポリイミド樹脂、ポリブタジエン、ポリプロピレン、スチレン−ブタジエン−スチレン共重合体、スチレン−エチレン−ブチレン−スチレン共重合体、ポリアセタール樹脂、ポリビニルブチラール樹脂、ポリビニルアセタール樹脂、ブチルゴム、クロロプレンゴム、ポリアミド樹脂、アクリロニトリル−ブタジエン共重合体、アクリロニトリル−ブタジエン−アクリル酸共重合体、アクリロニトリル−ブタジエン−スチレン共重合体、ポリ酢酸ビニル、ナイロン等を挙げることができる。これらは、１種で用いても、２種以上を併用してもよい。中でも、化合物（Ｄ）としては、（メタ）アクリル系樹脂、フェノキシ樹脂およびポリイミド樹脂からなる群から選択される少なくとも１種を用いるのが好ましい。
【００５１】
前記化合物（Ｄ）の重量平均分子量は、１万〜１００万であればよいが、２万〜１００万であるのが好ましく、３万〜９０万であるのがより好ましい。重量平均分子量が前記範囲であると、接着フィルム１の成膜性をより向上させることができる。
【００５２】
また、前記化合物（Ｄ）の含有量は、特に限定されないが、接着フィルム１中で１〜５０重量％であるのが好ましく、２〜４０重量％であるのがより好ましく、３〜３５重量％であるのがさらに好ましい。含有量が前記範囲内であると、接着フィルム１の流動性を抑制することができ、接着フィルム１の取り扱いが容易になる。
（Ｅ）その他の化合物
また、接着フィルム１は、硬化促進剤をさらに含んでもよい。
【００５３】
硬化促進剤は前記化合物（Ａ）の種類等に応じて適宜選択することができる。硬化促進剤としては、例えば、融点が１５０℃以上のイミダゾール化合物を使用することができる。使用される硬化促進剤の融点が１５０℃以上であると、接着フィルム１の硬化が完了する前に、半田バンプを構成する半田成分が、回路基板および半導体チップが備える端子の表面により確実に移動することができ、端子（電極）同士間の電気的接続をより良好なものとすることができる。
【００５４】
融点が１５０℃以上のイミダゾール化合物としては、例えば、２−フェニル−４−メチルイミダゾール、２−フェニルヒドロキシイミダゾール、２−フェニル−４−メチルヒドロキシイミダゾール等が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。
【００５５】
接着フィルム１中の前記硬化促進剤の含有量は、特に限定されないが、０．００５〜１０重量％であるのが好ましく、０．０１〜５重量％であるのがより好ましい。これにより、硬化促進剤としての機能をさらに効果的に発揮させて、接着フィルム１の硬化性を向上させることができる。また、半田バンプを構成する半田成分の溶融温度における接着フィルム１の溶融粘度が高くなりすぎず、良好な半田接合構造が得られる。また、接着フィルム１の保存性をさらに向上させることができる。
【００５６】
なお、これらの硬化促進剤は、１種で用いてもよいし、２種以上を併用してもよい。
【００５７】
さらに、前記接着フィルム１は、シランカップリング剤を含んでもよい。
【００５８】
シランカップリング剤を含むことにより、半導体チップおよび回路基板に対する接着フィルム１の密着性を高めることができる。
【００５９】
シランカップリング剤としては、特に限定されないが、例えば、エポキシシランカップリング剤、芳香族含有アミノシランカップリング剤等が挙げられる。これらは１種で用いてもよいし、２種以上を併用してもよい。
【００６０】
シランカップリング剤の配合量は、適宜選択すればよいが、前記樹脂組成物全体に対して、好ましくは０．０１〜１０重量％であり、より好ましくは０．０５〜５重量％であり、さらに好ましくは０．１〜２重量％に設定される。
【００６１】
また、接着フィルム１は、無機充填材を含んでもよい。
【００６２】
これにより、接着フィルム１の線膨張係数を低下させることができ、その結果、接着フィルム１の信頼性が向上することとなる。また、タック力をより容易に調節することが可能となり、下地フィルム２の剥離性をより好適なものとすることができるとともに、回路基板および半導体チップに対する接着性を特に優れたものとすることができる。
【００６３】
無機充填材としては、例えば、銀、酸化チタン、シリカ、マイカ等を挙げることができるが、これらの中でもシリカが好ましい。また、シリカフィラーの形状としては、破砕シリカと球状シリカがあるが、球状シリカが好ましい。
【００６４】
また、無機充填材の平均粒径は、特に限定されないが、０．０１μｍ以上、２０μｍ以下であるのが好ましく、０．０５μｍ以上、５μｍ以下であるのがより好ましい。上記範囲とすることで、接着フィルム１内での無機充填材（フィラー）の凝集を抑制し、外観を向上させることができる。
【００６５】
さらに、無機充填材の含有量は、特に限定されないが、前記樹脂組成物全体に対して０．１〜８０重量％であるのが好ましく、２０〜７０重量％であるのがより好ましい。上記範囲とすることで、硬化後の接着フィルム１と半導体チップおよび回路基板との間の線膨張係数差が小さくなり、熱衝撃の際に発生する応力を低減させることができるため、半導体チップおよび回路基板の剥離をさらに確実に抑制することができる。さらに、硬化後の接着フィルム１の弾性率が高くなりすぎるのを抑制することができるため、半導体チップと回路基板との接合体の信頼性が向上する。
【００６６】
かかる構成の接着フィルム１は、上述したような接着フィルム１に含まれる各成分（樹脂成分）を、溶媒中に混合して得られたワニスを、下地フィルム２上に塗布し、その後、所定の温度で、実質的に溶媒を含まない程度にまで乾燥させることにより得ることができる。
【００６７】
なお、ここで用いられる溶媒としては、使用される成分に対し不活性なものであれば特に限定されないが、例えば、アセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、ＤＩＢＫ  （ジイソブチルケトン）、シクロヘキサノン、ＤＡＡ（ジアセトンアルコール）等のケトン類、ベンゼン、キシレン、トルエン等の芳香族炭化水素類、メチルアルコール、エチルアルコール、イソプロピルアルコール、ｎ−ブチルアルコール等のアルコール類、メチルセロソルブ、エチルセロソルブ、ブチルセロソルブ、メチルセロソルブアセテート、エチルセロソルブアセテート等のセロソルブ系、ＮＭＰ（Ｎ−メチル−２−ピロリドン）、ＴＨＦ（テトラヒドロフラン）、ＤＭＦ（ジメチルホルムアミド）、ＤＢＥ（ニ塩基酸エステル）、ＥＥＰ（３−エトキシプロピオン酸エチル）、ＤＭＣ（ジメチルカーボネート）等が挙げられ、これらを単独、または混合溶媒として用いることができる。な
お、溶媒の使用量は、溶媒に混合した成分の固形分が１０〜６０重量％となる範囲であることが好ましい。
【００６８】
なお、接着フィルム１の厚さは、特に限定されないが、１〜３００μｍであることが好ましく、５〜２００μｍであることがより好ましい。厚さが前記範囲内であると、半導体チップと回路基板との間に形成される間隙に樹脂成分を十分に充填することができ、樹脂成分の硬化後の機械的接着強度を十分に確保することができる。
＜＜下地フィルム２＞＞
下地フィルム２は、後述するように、半導体チップを回路基板上に搭載する場合、複数の個別回路が設けられたウエハ２００に、接着シート１０（接着フィルム１）をラミネートする際に、接着フィルム１の下地層（支持層）として機能するものである。
【００６９】
この下地フィルム２は、本発明では、接着フィルム１側から積層された第１の層２１と第２の層２２とを備える積層体からなり、第１の層２１の弾性率は、第２の層２２の弾性率よりも低くなっている。
【００７０】
かかる構成とすることにより、ウエハ２００に、接着シート１０（接着フィルム１）をラミネートする際に、ウエハ２００が備える端子２０１同士の間に形成された間隙２０３内に均一な厚さで、かつ端子２０１が備える半田バンプ２０２の先端を突出させて、接着フィルム１を充填することができるが、かかる理由については後に詳述する。
【００７１】
第１の層２１および第２の層２２の構成材料としては、それぞれ、例えば、ビニル系樹脂（ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデン、ポリビニルアルコール、ポリビニルブチラール、ポリビニルアセタール等）、ポリエチレン、エチレン系共重合体（エチレン・酢酸ビニル共重合体、エチレン・ビニルアルコール共重合体等）、ポリプロピレン、ポリスチレン、スチレン系共重合体（スチレン・アクリルニトリル共重合体、スチレン・ブタジエン・アクリルニトリル共重合体、スチレン・イソプレンの混合物等）、ポリアセタール、アクリル系樹脂（ポリメチルメタクリレート、ポリアクリロニトリル等）、アクリル系共重合体（メタクリル・スチレン共重合体等）、酢酸セルロース、ポリカーボネート、ポリエステル系樹脂（ポリエチレンテレフタレート、ポリトリメチレンテレフタレート、ポリブチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、ポリブチレンナフタレート等）、ポリエステル系共重合体（シクロヘキサンジメタノール・ポリエチレンテレフタレート共重合体等）、ポリアミド（ナイロン）、芳香族ポリアミド（アラミド）、ポリウレタン、フッ素系樹脂（三フッ化塩化エチレン、四フッ化エチレン、四フッ化エチレン・六フッ化プロピレン共重合体、四フッ化エチレン・パーフルオロアルコキシエチレン共重合体、四フッ化エチレン・エチレン共重合体、フッ化ビニリデン等）、ポリメチルペンテン、シクロオレフィンポリマー、ポリエーテルサルフォン、ポリアリレート、ポリイミド、ポリブタジエン、ポリフェニレンサルファイド、ポリエーテルエーテルケトン、ポリエーテルイミド等の樹脂材料が挙げられ、第１の層２１の弾性率が第２の層２２の弾性率よりも低くなるように、これらのうちの１種または２種以上の混合物にして第１の層２１および第２の層２２を形成してもよい。
【００７２】
なお、接着シート１０は、上述したように、フラックス機能を有する接着フィルム１０を備えるものの他、接着フィルム１０として、熱硬化性樹脂を含む樹脂組成物で構成されるものを有するものであってもよい。
【００７３】
以下、熱硬化性樹脂を含む樹脂組成物について、詳述する。
（ａ）熱硬化性樹脂
熱硬化性樹脂は、樹脂組成物の主成分として含まれるものである。
【００７４】
このような熱硬化性樹脂としては、特に限定されないが、例えば、エポキシ樹脂、フェノキシ樹脂、シリコーン樹脂、オキセタン樹脂、フェノール樹脂、（メタ）アクリレート樹脂、ポリエステル樹脂（不飽和ポリエステル樹脂）、ジアリルフタレート樹脂、マレイミド樹脂、ポリイミド樹脂（ポリイミド前駆体樹脂）、ビスマレイミド−トリアジン樹脂等が挙げられる。特に、エポキシ樹脂、（メタ）アクリレート樹脂、フェノキシ樹脂、ポリエステル樹脂、ポリイミド樹脂、シリコーン樹脂、マレイミド樹脂、ビスマレイミド−トリアジン樹脂等が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。中でも、硬化性と保存性、硬化物の耐熱性、耐湿性、耐薬品性に優れるという観点からエポキシ樹脂が好ましい。
【００７５】
前記エポキシ樹脂としては、２５℃で液状および２５℃で固形のいずれのエポキシ樹脂も使用することができる。
【００７６】
また、２５℃で液状のエポキシ樹脂と２５℃で固形状のエポキシ樹脂とを併用することも可能である。樹脂組成物が２５℃で液状の場合には、２５℃で液状のエポキシ樹脂を用いることが好ましく、樹脂組成物が２５℃でフィルム状の場合には、液状および固形状のいずれのエポキシ樹脂も使用することが可能であり、また、フィルム形成性樹脂を併用することが好ましい。
【００７７】
２５℃で液状のエポキシ樹脂としては、特に限定されないが、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂等が挙げられる。また、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂とビスフェノールＦ型エポキシ樹脂とを併用してもよい。
【００７８】
２５℃で固形状のエポキシ樹脂としては、特に限定されないが、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＳ型エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、グリシジルアミン型エポキシ樹脂、グリシジルエステル型エポキシ樹脂、３官能エポキシ樹脂、４官能エポキシ樹脂等が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。中でも、固形３官能エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂等が好ましい。
【００７９】
室温で固形状のエポキシ樹脂の軟化点は、４０〜１２０℃であることが好ましく、５０〜１１０℃であることがより好ましく、６０〜１００℃であることが特に好ましい。前記軟化点が前記範囲内にあると、タック性を抑えることができ、容易に取り扱うことが可能となる。
【００８０】
熱硬化性樹脂の含有量は、樹脂組成物の全重量に対して、５重量％以上が好ましく、１０重量％以上がより好ましく、１５重量％以上がさらに好ましく、２０重量％以上が特に好ましい。また、９０重量％以下が好ましく、８５重量％以下がより好ましく、８０重量％以下がさらに好ましく、７５重量％以下がさらにより好ましく、６５重量％以下がなお好ましく、５５重量％以下が特に好ましい。
【００８１】
熱硬化性樹脂の含有量が前記範囲内にあると端子間の電気的接続強度および機械的接着強度を十分に確保することができる。
（ｂ）フィルム形成性樹脂
また、熱硬化性樹脂は、前記熱硬化性樹脂とフィルム形成性樹脂成分とを併用することが好ましい。これにより、２５℃において、接着フィルム１０を確実にフィルム状をなすものとすることができる。
【００８２】
このようなフィルム形成性樹脂としては、溶媒に可溶であり、単独で製膜性を有するものであれば特に限定されるものではない。
【００８３】
フィルム形成性樹脂は、熱可塑性樹脂または熱硬化性樹脂のいずれのものも使用することができ、また、これらを併用することもできる。
【００８４】
具体的なフィルム形成性樹脂としては、例えば、（メタ）アクリル系樹脂、フェノキシ樹脂、ポリエステル樹脂、ポリウレタン樹脂、ポリイミド樹脂、ポリアミドイミド樹脂、シロキサン変性ポリイミド樹脂、ポリブタジエン樹脂、ポリプロピレン樹脂、スチレン−ブタジエン−スチレン共重合体、スチレン−エチレン−ブチレン−スチレン共重合体、ポリアセタール樹脂、ポリビニルブチラール樹脂、ポリビニルアセタール樹脂、ブチルゴム、クロロプレンゴム、ポリアミド樹脂、アクリロニトリル−ブタジエン共重合体、アクリロニトリル−ブタジエン−アクリル酸共重合体、アクリロニトリル−ブタジエン−スチレン共重合体、ポリ酢酸ビニル、ナイロン等が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。中でも、（メタ）アクリル系樹脂、フェノキシ樹脂、ポリエステル樹脂、ポリアミド樹脂およびポリイミド樹脂が好ましい。
【００８５】
なお、本明細書において、「（メタ）アクリル系樹脂」とは、（メタ）アクリル酸およびその誘導体の重合体、または（メタ）アクリル酸およびその誘導体と他の単量体との共重合体を意味する。ここで、「（メタ）アクリル酸」等と表記するときは、「アクリル酸またはメタクリル酸」等を意味する。
【００８６】
（メタ）アクリル系樹脂としては、例えば、ポリアクリル酸、ポリメタクリル酸、ポリアクリル酸メチル、ポリアクリル酸エチル、ポリアクリル酸ブチル、ポリアクリル酸−２−エチルヘキシル等のポリアクリル酸エステル、ポリメタクリル酸メチル、ポリメタクリル酸エチル、ポリメタクリル酸ブチル等のポリメタクリル酸エステル、ポリアクリロニトリル、ポリメタクリロニトリル、ポリアクリルアミド、アクリル酸ブチル−アクリル酸エチル−アクリロニトリル共重合体、アクリロニトリル−ブタジエン共重合体、アクリロニトリル−ブタジエン−アクリル酸共重合体、アクリロニトリル−ブタジエン−スチレン共重合体、アクリロニトリル−スチレン共重合体、メタクリル酸メチル−スチレン共重合体、メタクリル酸メチル−アクリロニトリル共重合体、メタクリル酸メチル−α−メチルスチレン共重合体、アクリル酸ブチル−アクリル酸エチル−アクリロニトリル−２−ヒドロキシエチルメタクリレート−メタクリル酸共重合体、アクリル酸ブチル−アクリル酸エチル−アクリロニトリル−２−ヒドロキシエチルメタクリレート−アクリル酸共重合体、アクリル酸ブチル−アクリロニトリル−２−ヒドロキシエチルメタクリレート共重合体、アクリル酸ブチル−アクリロニトリル−アクリル酸共重合体、アクリル酸ブチル−アクリル酸エチル−アクリロニトリル共重合体、アクリル酸エチル−アクリロニトリル−Ｎ，Ｎ−ジメチルアクリルアミド共重合体等が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。中でも、アクリル酸ブチル−アクリル酸エチル−アクリロニトリル共重合体、アクリル酸エチル−アクリロニトリル−Ｎ，Ｎ−ジメチルアクリルアミドが好ましい。
【００８７】
樹脂組成物において、前記フィルム形成性樹脂の含有量は、使用する樹脂組成物の形態に応じて適宜設定することができる。
【００８８】
フィルム形成性樹脂の含有量は、例えば、樹脂組成物の全重量に対して、３重量％以上であることが好ましく、１０重量％以上であることがより好ましく、１５重量％以上であることが特に好ましい。また、５０重量％以下であることが好ましく、４５重量％以下であることがより好ましく、４０重量％以下であることが特に好ましい。フィルム形成性樹脂の含有量が前記範囲内にあると溶融前の樹脂組成物の流動性を抑制することができ、樹脂組成物を容易に取り扱うことが可能となる。
（ｃ）硬化促進剤
さらに、熱硬化性樹脂は、硬化促進剤を含むものであることが好ましい。硬化促進剤を添加することによって、ウエハ２００に接着シート１００をラミネートした後に、接着シート１０に含まれる樹脂組成物を容易に硬化することができる。
【００８９】
このような硬化促進剤としては、特に限定されないが、例えば、イミダゾール、２−メチルイミダゾール、２−ウンデシルイミダゾール、２−ヘプタデシルイミダゾール、１，２−ジメチルイミダゾール、２−エチル−４−メチルイミダゾール、２−フェニルイミダゾール、２−フェニル−４−メチルイミダゾール、１−ベンジル−２−フェニルイミダゾール、１−ベンジル−２−メチルイミダゾール、１−シアノエチル−２−メチルイミダゾール、１−シアノエチル−２−エチル−４−メチルイミダゾール、１−シアノエチル−２−ウンデシルイミダゾール、１−シアノエチル−２−フェニルイミダゾール、１−シアノエチル−２−ウンデシルイミダゾリウムトリメリテイト、１−シアノエチル−２−フェニルイミダゾリウムトリメリテイト、２，４−ジアミノ−６−［２’−メチルイミダゾリル（１’）］−エチル−ｓ−トリアジン、２，４−ジアミノ−６−［２’−ウンデシルイミダゾリル（１’）］−エチル−ｓ−トリアジン、２，４−ジアミノ−６−［２’−エチル−４−メチルイミダゾリル（１’）］−エチル−ｓ−トリアジン、２，４−ジアミノ−６−［２’−メチルイミダゾリル（１’）］−エチル−ｓ−トリアジンのイソシアヌル酸付加物、２−フェニルイミダゾールのイソシアヌル酸付加物、２−メチルイミダゾールのイソシアヌル酸付加物、２−フェニル−４，５−ジヒドロキシジメチルイミダゾール等が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。
【００９０】
硬化促進剤の含有量は、使用する硬化促進剤の種類に応じて適宜設定することができる。
【００９１】
例えば、イミダゾール化合物を使用する場合には、イミダゾール化合物の含有量は、樹脂組成物の全重量に対して、０．００１重量％以上が好ましく、０．００３重量％以上がより好ましく、０．００５重量％以上が特に好ましい。また、１．０重量％以下が好ましく、０．７重量％以下がより好ましく、０．５重量％以下が特に好ましい。イミダゾール化合物の含有量が前記下限未満になると硬化促進剤としての作用が十分に発揮されず、樹脂組成物を十分に硬化できない場合がある。他方、イミダゾール化合物の含有量が前記上限を超えると、樹脂組成物の保存安定性が低下するおそれがある。
（ｄ）充填材
さらに、熱硬化性樹脂は、充填材を含んでも良い。これにより、樹脂組成物の線膨張係数を低下させること、また、樹脂組成物の最低溶融粘度を調整することが容易となる。
【００９２】
前記充填材としては、例えば、銀、酸化チタン、シリカ、マイカ等を挙げることができるが、これらの中でもシリカが好ましい。また、シリカフィラーの形状としては、破砕シリカと球状シリカ等があるが、球状シリカが好ましい。
【００９３】
前記充填材の平均粒径は、特に限定されないが、０．０１μｍ以上、２０μｍ以下が好ましく、０．１μｍ以上、５μｍ以下が特に好ましい。上記範囲とすることで、樹脂組成物内で充填材の凝集を抑制し、外観を向上させることができる。
【００９４】
前記充填材の含有量は、特に限定されないが、前記樹脂組成物中０．１〜８０重量％が好ましく、特に０．５〜７５重量％が好ましく、１〜７０重量％が特に好ましい。充填材の含有量を上記下限値以上とするで、硬化後の樹脂組成物と被接着物との間の線膨張係数差が小さくなり、熱衝撃の際に発生する応力を低減させることができるため、被接着物の剥離をさらに確実に抑制することができる。また、充填材の含有量を上記上限値以下とすることで、硬化後の樹脂組成物の弾性率が高くなりすぎるのを抑制することができる。
（ｅ）その他の添加剤
また、熱硬化性樹脂には、硬化剤（フラックスとして作用するものを除く）、シランカップリング剤、可塑剤、安定剤、粘着付与剤、滑剤、酸化防止剤、無機フィラー、帯電防止剤や顔料等の添加剤がさらに含まれていてもよい。
【００９５】
フラックス機能を有する化合物以外の硬化剤としては、フェノール類、アミン類、チオール類等が挙げられる。このような硬化剤は、熱硬化性樹脂の種類等に応じて適宜選択することができる。例えば、熱硬化性樹脂としてエポキシ樹脂を使用する場合には、エポキシ樹脂との良好な反応性、硬化時の低寸法変化および硬化後の適切な物性（例えば、耐熱性、耐湿性等）が得られる点で硬化剤としてフェノール類を用いることが好ましく、硬化性樹脂成分の硬化後の物性が優れている点で２官能以上のフェノール類がより好ましい。
【００９６】
このようなフェノール類としては、例えば、ビスフェノールＡ、テトラメチルビスフェノールＡ、ジアリルビスフェノールＡ、ビフェノール、ビスフェノールＦ、ジアリルビスフェノールＦ、トリスフェノール、テトラキスフェノール、フェノールノボラック樹脂、クレゾールノボラック樹脂等が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。中でも、溶融粘度、エポキシ樹脂との反応性が良好であり、硬化後の物性が優れている点でフェノールノボラック樹脂およびクレゾールノボラック樹脂が好ましい。
【００９７】
樹脂組成物において、前記硬化剤の配合量は、使用する熱硬化性樹脂や硬化剤の種類によって適宜選択することができる。例えば、フェノールノボラック樹脂を使用する場合、その配合量は、樹脂組成物の全重量に対して、１重量％以上であることが好ましく、３重量％以上であることがより好ましく、５重量％以上であることが特に好ましく、また、５０重量部％以下であることが好ましく、４０重量％以下であることがより好ましく、３０重量％以下であることが特に好ましい。フェノールノボラック樹脂の配合量が前記下限未満になると熱硬化性樹脂が十分に硬化しない傾向にあり、他方、前記上限を超えると未反応のフェノールノボラック樹脂が残存してイオンマイグレーションが発生しやすい傾向にある。
【００９８】
また、熱硬化性樹脂としてエポキシ樹脂を用いた場合には、フェノールノボラック樹脂の配合量はエポキシ樹脂に対する当量比で規定してもよい。例えば、エポキシ樹脂に対するフェノールノボラック樹脂の当量比は０．５〜１．２であることが好ましく、０．６〜１．１であることがより好ましく、０．７〜０．９８であることが特に好ましい。前記当量比が前記下限未満になると、エポキシ樹脂の硬化後の耐熱性、耐湿性が低下しやすい傾向にあり、他方、前記上限を超えると未反応のフェノールノボラック樹脂が残存し、イオンマイグレーションが発生しやすい傾向にある。
【００９９】
前記シランカップリング剤としては、例えば、エポキシシランカップリング剤、芳香族含有アミノシランカップリング剤等が挙げられる。このようなシランカップリング剤を添加することにより、ウエハ２００と樹脂組成物との密着性を高めることができる。
【０１００】
また、このようなシランカップリング剤は１種単独で用いてもよいし、２種以上を併用してもよい。
【０１０１】
樹脂組成物において、前記シランカップリング剤の配合量は、熱硬化性樹脂等の種類に応じて適宜選択することができ、例えば、樹脂組成物の全重量に対して、０．０１重量％以上であることが好ましく、０．０５重量％以上であることがより好ましく、０．１重量％以上であることが特に好ましく、また、２重量％以下であることが好ましく、１．５重量％以下であることがより好ましく、１重量％以下であることが特に好ましい。
【０１０２】
以上のような接着シート１０を用いて、回路基板上に半導体チップが搭載されるが、かかる搭載方法について、以下で説明する。
＜回路基板上への半導体チップの搭載方法＞
図２は、本発明の接着シートを用いて、回路基板上に半導体チップを搭載する方法を説明するための斜視図、図３は、本発明の接着シートを用いて、ウエハ上に接着シートをラミネートした状態を説明するための縦断面図である。
［１］まず、接着シート１０と、複数の個別回路２１０が設けられたウエハ２００と
を用意し、この接着シート１０を、接着フィルム１が個別回路２１０と対向するようにして配置した後、接着シート１０をウエハ２００に対してラミネートする（図２（ａ）参照。）。
【０１０３】
なお、本実施形態では、個別回路２１０が備える端子２０１には、予め、各端子２０１に対応して、それぞれ、半田バンプ２０２が形成されている。
【０１０４】
ラミネート条件は、接着シート１０の貼り付け温度Ｔが６０〜１５０℃、接着フィルムに掛ける圧力Ｐが０．２〜１．０ＭＰａであるのが好ましい。
【０１０５】
また、ラミネートは、雰囲気圧１００ｋＰａ以下の減圧下で行うのが好ましく、雰囲気圧８０ｋＰａ以下の減圧下で行うのがより好ましい。
【０１０６】
ここで、前述したように、弾性率が高い下地フィルム１０２を備える接着シート１００を用いて、ウエハ２００に対して接着シート１００をラミネートすると、接着フィルム１０１を、均一な膜厚（高さ）でウエハ２００に転写することができないことに起因して、端子２０１同士の間に形成された間隙２０３内に、接着フィルム１０１を均一に充填させることができなかったり、半田バンプ２０２に接着フィルム１０１が残存してしまうという問題がある（図４参照。）。
【０１０７】
これに対して、接着シート１０では、下地フィルム２が、第１の層２１と第２の層２２とを備える積層体からなり、接着フィルム１と接する第１の層２１の弾性率が、第２の層２２の弾性率よりも低くなっている。そのため、図３（ａ）に示すように、接着シート１０をラミネートした際に、第１の層２１のコシが弱いことに起因して、接着フィルム１が間隙２０３の形状に対応して埋入する（図３（ｂ）参照。）。その結果、本工程の後、次工程［２］において接着シート１０から下地フィルム２を剥離した際には、接着フィルム１から半田バンプ２０２を突出（頭出し）させた状態で、間隙２０３内に接着フィルム１が均一な厚さで充填されることとなる（図３（ｃ）参照。）。
【０１０８】
さらに、第１の層２１の接着フィルム１と反対側の面には、第１の層２１の弾性率よりも高い第２の層２２が設けられている。そのため、図３（ａ）に示すように、接着シート１０をウエハ２００に対してラミネートする際に、この第１の層２１が接着フィルム１に対する支持体（支持フィルム）として機能することから、接着シート１０にシワが生じることなく接着シート１０をラミネートすることができる。その結果、ウエハ２００に存在する複数の間隙２０３に対して、接着フィルム１を均一に充填することができる。
【０１０９】
第１の層２１の弾性率と、第２の層２２の弾性率との関係は、第１の層２１の弾性率の方が低ければよいが、第１の層２１の弾性率をＡ［ＭＰａ］とし、第２の層２２の弾性率をＢ［ＭＰａ］としたとき、Ａ／Ｂが０．０００１以上、０．９以下なる関係を満足するのが好ましく、０．００１以上、０．１以下なる関係を満足するのがより好ましい。これにより、第１の層２１はコシが弱く、かつ第２の層２２はコシが強いものとなるため、間隙２０３に対して、接着フィルム１を均一に、かつ高充填率に充填することができるようになる。
【０１１０】
第１の層２１の弾性率は、具体的には、２５℃での弾性率が５０００ＭＰａ以下であるのが好ましく、２５℃での弾性率が４０００ＭＰａ以下であるのがより好ましく、３０００ＭＰａ以下であるのがさらに好ましい。これにより、第１の層２１は十分にコシが弱いものとなり、ラミネートの際に、間隙２０３内に接着フィルム１をより高充填率に充填することができる。
【０１１１】
また、第２の層２２の弾性率は、２５℃での弾性率が１００００ＭＰａ以下であるのが好ましく、２５℃での弾性率が８０００ＭＰａ以下であるのがより好ましく、６０００ＭＰａ以下であるのがさらに好ましい。これにより、第２の層２２は十分にコシが強いものとなり、ラミネートの際に、接着フィルム１の支持体として機能するため、複数の間隙２０３内に接着フィルム１をより均一に充填することができる。
【０１１２】
なお、各層２１、２２の弾性率（引張弾性率）は、引っ張り試験機を用いて、ＡＳＴＭＤ８８２に準拠して測定（引っ張り速度３００ｍｍ／ｍｉｎ）して求められた引張弾性率である。
【０１１３】
さらに、第１の層２１の平均厚さは、５μｍ以上、２００μｍ以下であるのが好ましく、１０μｍ以上、８０μｍ以下であるのがより好ましい。これにより、第１の層２１を設けることにより得られる効果をより顕著に発揮させることができ、ラミネートの際に、間隙２０３内に接着フィルム１をより高充填率に充填することができる。
【０１１４】
また、第２の層２２の平均厚さは、５μｍ以上、２００μｍ以下であるのが好ましく、１０μｍ以上、８０μｍ以下であるのがより好ましい。これにより、第２の層２２を設けることにより得られる効果をより顕著に発揮させることができ、ラミネートの際に、複数の間隙２０３に対して接着フィルム１をより均一に充填することができる。
［２］次に、接着シート１０から下地フィルム２を剥離して、個別回路２１０側に接
着フィルム１が接合されたウエハ２００を得る（図２（ｂ）参照。）。
［３］次に、接着フィルム１が接合されたウエハ２００を、ダイシングソー６００を
用いて、個別回路２１０毎に個片化することにより、接着フィルム１が接合された半導体チップ３００を得る（図２（ｃ）参照。）。
［４］次に、個別回路４１０を備える回路基板４００を用意し、前工程［３］で得ら
れた半導体チップ３００を、フリップチップボンダー５００を用いて、回路基板４００が備える個別回路４１０の端子と、半導体チップ３００が備える回路基板の端子２０１とが半田バンプ２０２を介して対向するように位置合わせを行い、回路基板４００上に載置する（図２（ｄ）参照。）。
［５］次に、フリップチップボンダー５００を用いて、回路基板４００と半導体チッ
プ３００とをこの状態で、加圧・加熱した後、冷却する（図２（ｅ）参照。）。
【０１１５】
これにより、フラックス機能を有する接着フィルム１の作用により、半田バンプ２０２の表面に形成された酸化膜が除去されつつ、半田バンプ２０２が溶融した後、固化することとなるため、個別回路２１０の端子２０１と、個別回路４１０の端子とが半田接合されて、端子接合が形成される。
【０１１６】
この際、本発明では、半田バンプ２０２の先端が突出した状態で接着フィルム１が形成されているため、形成された端子接合内に接着フィルム１が残存（いわゆる、樹脂噛み）し、これに起因して、端子接合の電気的な接続性を損ねてしまうのを確実に防止することができる。
【０１１７】
さらに、隣接する端子接合同士間に形成された空隙には接着フィルム１に由来する封止
樹脂が充填される。この空隙に対する封止樹脂の充填では、前記工程［１］において、各間隙２０３に対して接着フィルム１が均一な厚さ（高さ）で充填されているため、端子接合同士間に形成された複数の空隙に対して、高充填率に封止樹脂を充填することができる。
［６］次に、接着フィルム１の構成材料に熱硬化性樹脂が含まれる場合、回路基板４
００と半導体チップ３００とを再度、加熱する（図２（ｆ）参照。）。
【０１１８】
これにより、空隙に充填された封止樹脂を確実に硬化させる。
【０１１９】
以上のようにして回路基板４００上に半導体チップ３００が搭載される。
【０１２０】
なお、本実施形態では、接着シートを用いて電気的に接続する回路部材として、半導体チップと回路基板とを用いる場合について説明したが、かかる場合に限定されず、例えば、これらの回路部材は、半導体チップとウエハとの組み合わせ、ウエハとウエハとの組み合わせ、半導体チップと半導体チップとの組み合わせ、および回路基板と回路基板との組み合わせ等であってもよい。
【０１２１】
以上、本発明の接着シートおよび電子部品について説明したが、本発明は、これらに限定されるものではない。
【０１２２】
例えば、本発明の接着シートの各部の構成は、同様の機能を発揮し得る任意のものと置換することができ、あるいは、任意の構成のものを付加することもできる。
【実施例】
【０１２３】
（実施例１）
＜下地フィルムの製造＞
第１の最外層２１を構成する樹脂として低密度ポリエチレン樹脂（日本ポリエチレン株式会社製、商品名「ノバテックＬＬ  ＵＦ２４０」）を、第２の最外層２２を構成する樹脂としてナイロン樹脂（宇部興産株式会社製、商品名「ＵＢＥナイロン  １０２２Ｂ」）を準備した。
【０１２４】
上記第１の最外層２１と第２の最外層２２とを、フィードブロックおよびダイを用いて共押出しして、接着フィルムを転写する側の表面をコロナ処理することによって下地フィルム（１）を作製した。
【０１２５】
得られた下地フィルム（１）の全体の厚みは、１００μｍであり、第１の最外層２１の厚みは３０μｍ、第２の最外層２２の厚みは７０μｍであった。
＜接着フィルムの製造＞
フェノールアラルキル樹脂（三井化学株式会社製、商品名「ＸＬＣ−４Ｌ」）１０．２０質量部と、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂（ＤＩＣ株式会社製、商品名「ＥＰＩＣＬＯＮ ８４０−Ｓ」）２２．００質量部と、フラックス機能を有する化合物であるトリメ
リット酸（東京化成工業株式会社製）８．２０質量部と、成膜性樹脂としてフェノキシ樹脂（新日鐵化学株式会社製、商品名「ＦＸ−２８０Ｓ」）９．３０質量部と、硬化促進剤として２−フェニル−４−メチルイミダゾール（四国化成工業株式会社製、商品名「２Ｐ４ＭＺ」）０．０５質量部と、シランカップリング剤として３−メタクリロキシプロピルトリエトキシシラン（信越化学工業株式会社製、商品名「ＫＢＥ−５０３」）０．２５質量部と、シリカフィラー（株式会社アドマテックス製、商品名「ＳＣ１０５０」）５０．００質量部とを、メチルエチルケトンに溶解、分散し、固形分濃度５０％の接着フィルム用樹脂ワニスを調製した。
＜基材付き接着フィルムの製造＞
上記で得られた接着フィルム用樹脂ワニスを、基材ポリエステルフィルム（ベースフィルム、帝人デュポンフィルム株式会社製、商品名「ピューレックスＡ５３」）に厚さ５０μｍとなるように塗布して、１００℃、５分間乾燥して、厚さ２５μｍの接着フィルムが形成された基材付き接着フィルムを得た。
＜基材付き接着シートの製造＞
上記で得られた下地フィルムと、基材付き接着フィルムとを、第１の最外層２１と接着フィルムとが接するように、７０℃のロール式ラミネーターで貼り合わせることにより接着フィルムを下地フィルムに転写し、基材付き接着シートを得た。
（実施例２）
＜下地フィルムの製造＞
第１の最外層２１を構成する樹脂として低密度ポリエチレン樹脂（日本ポリエチレン株式会社製、商品名「ノバテックＬＬ  ＵＦ２４０」）を、第２の最外層２２を構成する樹脂としてポリプロピレン樹脂（日本ポリプロ株式会社製、商品名「ノバテックＰＰ  ＦＬ０３Ｈ」）を準備した。
【０１２６】
上記第１の最外層２１と第２の最外層２２とを、フィードブロックおよびダイを用いて共押出しして、接着フィルムを転写する側の表面をコロナ処理することによって下地フィルム（２）を作製した。
【０１２７】
得られた下地フィルム（２）の全体の厚みは、１００μｍであり、第１の最外層２１の厚みは３０μｍ、第２の最外層２２の厚みは７０μｍであった。
＜接着フィルムの製造＞
実施例１と同様にして、固形分濃度５０質量％の接着フィルム用樹脂ワニスを調製した。
＜基材付き接着フィルムの製造＞
実施例１と同様にして、厚さ２５μｍの接着フィルムが形成された基材付き接着フィルムを得た。
＜基材付き接着シートの製造＞
上記で得られた下地フィルムと、基材付き接着フィルムとを、第１の最外層２１と接着フィルムが接するように、７０℃のロール式ラミネーターで貼り合わせることにより接着フィルムを下地フィルムに転写し、基材付き接着シートを得た。
（実施例３）
＜下地フィルムの製造＞
第１の最外層２１を構成する樹脂としてナイロン樹脂（宇部興産株式会社製、商品名「ＵＢＥナイロン  １０２２Ｂ」）を、第２の最外層２２を構成する樹脂としてエチレン・ビニルアルコール共重合樹脂（日本合成化学工業株式会社製、商品名「ソアノールＡＴ４４０３」）を準備した。
【０１２８】
上記第１の最外層２１と第２の最外層２２とを、フィードブロックおよびダイを用いて共押出しして、下地フィルム（３）を作製した。
【０１２９】
得られた下地フィルム（３）の全体の厚みは、１００μｍであり、第１の最外層２１の厚みは３０μｍ、第２の最外層２２の厚みは７０μｍであった。
＜接着フィルムの製造＞
実施例１と同様にして、固形分濃度５０質量％の接着フィルム用樹脂ワニスを調製した。
＜基材付き接着フィルムの製造＞
実施例１と同様にして、厚さ２５μｍの接着フィルムが形成された基材付き接着フィルムを得た。
＜基材付き接着シートの製造＞
上記で得られた下地フィルムと、基材付き接着フィルムとを、第１の最外層２１と接着フィルムが接するように、７０℃のロール式ラミネーターで貼り合わせることにより接着フィルムを下地フィルムに転写し、基材付き接着シートを得た。
（比較例１）
＜下地フィルムの製造＞
下地フィルム（４）として、ポリイミドフィルム（宇部興産株式会社製、商品名「ユーピレックス−Ｓ７５（厚み７５μｍ）」を用いた。
＜接着フィルムの製造＞
実施例１と同様にして、固形分濃度５０質量％の接着フィルム用樹脂ワニスを調製した。
＜基材付き接着フィルムの製造＞
実施例１と同様にして、厚さ２５μｍの接着フィルムが形成された基材付き接着フィルムを得た。
＜基材付き接着シートの製造＞
上記で得られた下地フィルムと、基材付き接着フィルムとを、下地フィルムと接着フィルムとが接するように、７０℃のロール式ラミネーターで貼り合わせることにより接着フィルムを下地フィルムに転写し、基材付き接着シートを得た。
（比較例２）
＜下地フィルムの製造＞
下地フィルム（５）として、低密度ポリエチレン樹脂（日本ポリエチレン株式会社製、商品名「ノバテックＬＤ  ＬＦ４４１ＭＤ」）を用いて厚み１２０μｍのフィルムを成形し、接着フィルムを転写する側の表面をコロナ処理することによって下地フィルム（５）を作製した。
＜接着フィルムの製造＞
実施例１と同様にして、固形分濃度５０質量％の接着フィルム用樹脂ワニスを調製した。
＜基材付き接着フィルムの製造＞
実施例１と同様にして、厚さ２５μｍの接着フィルムが形成された基材付き接着フィルムを得た。
＜基材付き接着シートの製造＞
上記で得られた下地フィルムと、基材付き接着フィルムとを、下地フィルムと接着フィルムとが接するように、７０℃のロール式ラミネーターで貼り合わせることにより接着フィルムを下地フィルムに転写し、基材付き接着シートを得た。
（物性評価）
上記実施例、比較例で得られた下地フィルムならびに接着シートについて、以下の手法により各項目の評価を行った。評価結果を表１に示す。
【０１３０】
【表１】
0006337417.tif 000002
＜２５℃での弾性率＞
実施例における下地フィルムの第１の最外層と第２の最外層、比較例における下地フィルムについて、３０ｍｍ×５ｍｍの短冊状に切り出して試料を作製し、２５℃での弾性率を、引っ張り試験機（ＴＡインスツルメント株式会社製、動的粘弾性測定装置ＲＳ３Ａ）を用いて、ＡＳＴＭ  Ｄ６３８に準拠して測定した。
＜２５℃での引張試験における伸び率＞
実施例における下地フィルムの第１の最外層と第２の最外層、比較例における下地フィルムについて、ＡＳＴＭ Ｄ６３８に準拠して得られたダンベル試験片を、引張試験機（
株式会社オリエンテック製、ＲＴＡ−１００）を用いて、ＡＳＴＭ  Ｄ６３８に準拠して測定した。
＜平均厚さ＞
実施例における下地フィルムの第１の最外層と第２の最外層、比較例における下地フィルムについて、１１０ｍｍ×１１０ｍｍに切り出すことによって試料を作製し、触針式膜厚計（株式会社ミツトヨ製、ミューチェッカＭ−４１３）を用いて１０ｍｍ間隔で厚みを１００箇所測定し、平均厚みを算出した。
＜６０℃における溶融粘度＞
実施例ならびに比較例で得られた接着フィルムを積層することによって、厚み１００μｍの測定用サンプルを作製し、粘弾性測定装置（サーモフィッシャーサイエンティフィック社製「ＭＡＲＳ」）を用いて、パラレルプレート２０ｍｍφ、ギャップ０．０５ｍｍ、周波数０．１Ｈｚ、昇温速度１０℃／分の条件にて測定し、６０℃における溶融粘度を測定した。
＜下地フィルムと接着フィルムとの界面での２５℃における剥離強度＞
実施例における下地フィルムの第１の最外層と接着フィルムとの剥離強度、比較例にお
ける下地フィルムと接着フィルムとの剥離強度について、ステンレス（ＳＵＳ３０４製）板に長さ２００ｍｍ、幅２５ｍｍの両面テープを貼り、実施例または比較例の接着シートを両面テープのステンレス板と反対側の面と接着フィルム面とが接するように貼ることによって試料を作製した。得られた試料の下地フィルムを、引張試験機（株式会社オリエンテック製、ＲＴＣ−１２５０Ａ）を用いて、２５℃において１８０度の角度で剥離させ、下地フィルムと接着フィルムとの界面での２５℃における剥離強度を測定した。
＜半導体チップ上のバンプ間の接着フィルムの充填性＞
実施例及び比較例において得られた接着シートをラミネートした後の半導体チップ上のバンプ間の接着フィルムの充填性について、以下の手順で評価した。
【０１３１】
半導体チップとして、サイズ５ｍｍ×５ｍｍ、厚さ０．１５ｍｍのものを用い、これに、接着シートの接着フィルム側を積層し、真空加圧式ラミネーターを用いて、温度１００℃でラミネートし、接着フィルムをラミネートした半導体チップを得て、これを測定試料とした。
【０１３２】
半導体チップ上のバンプ間の接着フィルムの充填性は、半導体チップ上の凹凸部（バンプの周囲）のボイドまたは空隙の有無を金属顕微鏡で観察することによって評価した。
【０１３３】
評価結果を示す記号の意味は、下記の通りである。
○：凹凸部の周辺にボイドまたは空隙が観察されなかった。
×：凹凸部の周辺にボイドまたは空隙が観察された。
＜半導体チップ上のバンプの突出性＞
実施例及び比較例において得られた接着シートをラミネートした後の、半導体チップ上のバンプの先端部分の接着フィルム層からの突出性について、以下の手順で評価した。
【０１３４】
上記＜半導体チップ上のバンプ間の接着フィルムの充填性＞の評価で用いた接着フィルムをラミネートした半導体チップを試料とし、各実施例および各比較例において、半導体チップ上のバンプの先端部分の接着フィルム層からの突出性を、３Ｄ測定レーザー顕微鏡（オリンパス株式会社製、ＬＸＴ  ＯＬＳ４０００）を用い、バンプの先端部がバンプの先端部の周囲の接着フィルムの埋め込み部より１μｍ以上突出しているか否かによって評価した。
【０１３５】
評価結果を示す記号の意味は、下記の通りである。
◎：全てのバンプの先端部が周囲の接着フィルムの埋め込み部よりも１μｍ以上突出している。
○：一部のバンプの先端部が周囲の接着フィルムの埋め込み部よりも１μｍ以上突出していない。
×：全てのバンプの先端部が周囲の接着フィルムの埋め込み部よりも１μｍ以上突出していない。
＜樹脂噛みの有無＞
半田バンプ（Ｓｎ―３．５Ａｇ、融点２２１℃）を有する半導体チップ１（サイズ５ｍｍ×５ｍｍ、厚さ０．１５ｍｍ）に、実施例または比較例で得られた接着シートの接着フィルムを真空ロールラミネーターで１００℃でラミネートして、接着フィルム付きの半導体チップ１を得た。
【０１３６】
次に、最表面が金層、その下層にニッケル層が形成された銅電極を有する半導体チップ２（サイズ７ｍｍ×７ｍｍ、厚さ０．１５ｍｍ）の電極部と、上記半導体チップ１の半田バンプとが当接するように位置合わせを行いながら半導体チップ１と半導体チップ２とをフリップチップボンダー（澁谷工業株式会社製）を用いて１００℃、３０秒間で仮圧着した。次いで、フリップチップボンダー（澁谷工業株式会社製）を用いて２３５℃、３０秒
間加熱して、半田バンプを溶融させて半田接続を行った。さらに、１８０℃、６０分間加熱して、接着フィルムを硬化させて、半導体チップ１と、半導体チップ２とが接着フィルムの硬化物で接着された半導体装置を得た。
【０１３７】
この半導体装置を断面研磨することによって、半田接続部の２０カ所を電子顕微鏡で観察し、半田接続部に接着フィルムを構成成分である樹脂成分の噛み込みの有無を評価した。
【０１３８】
評価結果を示す記号の意味は、下記の通りである。
◎：半田接続部の断面において、バンプの幅に対して１０％以下の長さの樹脂の噛み込みのある半田接続部が５カ所以下である。
○：半田接続部の断面において、バンプの幅に対して１０％以下の長さの樹脂の噛み込みのある半田接続部が６カ所以上１０カ所以下である。
×：半田接続部の断面において、バンプの幅に対して１０％以下の長さの樹脂の噛み込みのある半田接続部が１１カ所以上である。
【０１３９】
上記評価の結果、実施例１〜３はいずれも、下地フィルムを構成する第１の最外層の弾性率が第２の最外層の弾性率よりも低いものであり、半導体チップ上のバンプ間の接着フィルムの充填性、半導体チップ上のバンプの突出性に優れ、樹脂噛みの有無においても良好な結果が得られた。
【０１４０】
一方、比較例１は弾性率の高い下地フィルムを単層で用いたものであるが、半導体チップ上のバンプ間の接着フィルムの充填性、半導体チップ上のバンプの突出性に劣り、樹脂噛みの有無においても樹脂噛みのある半田接続部が１１カ所以上存在し接続性に劣るという結果となった。
【０１４１】
また、比較例２は弾性率の低い下地フィルムを単層で用いたものであるが、半導体チップ上のバンプ間の接着フィルムの充填性、半導体チップ上のバンプの突出性に劣り、樹脂噛みの有無においても樹脂噛みのある半田接続部が１１カ所以上存在し接続性に劣るという結果となった。
【符号の説明】
【０１４２】
１０、１００    接着シート
１、１０１      接着フィルム
２、１０２      下地フィルム
２１            第１の層
２２            第２の層
２００          ウエハ
２０１          端子
２０２          半田バンプ
２０３          間隙
２１０、４１０  個別回路
３００          半導体チップ
４００          回路基板
５００          フリップチップボンダー
６００          ダイシングソー
【図１】
0006337417.tif 000003
【図２】
0006337417.tif 000004
【図３】
0006337417.tif 000005
【図４】
0006337417.tif 000006