(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
入力電圧をＬＥＤストリップの作動電圧となるまで昇圧するブースト回路と、
該ＬＥＤストリップのマイナス端に電気的に接続して該ＬＥＤストリップの作動電流を調整する電流制御モジュールと、
該電流制御モジュールに第２矩形波信号を提供して該電流制御モジュールを制御し、電流調整機能を実現するとともに、該ＬＥＤストリップの作動電流に基づきルックアップテーブルを検索してフィードバック調整電圧を得るマイクロコントローラと、
該ブースト回路に第１矩形波信号を提供して該ブースト回路を制御し、昇圧機能を実現するとともに、該マイクロコントローラが検索して得たフィードバック調整電圧を受け、かつ受けたフィードバック調整電圧に基づいて該ブースト回路に提供する第１矩形波信号のデューティー比を変化させて該ＬＥＤストリップの作動電圧を変化させる昇圧駆動チップと、を含んでなり、
さらに、第１抵抗器と第２抵抗器と第３抵抗器とを含み、
該第１抵抗器の一端が該ＬＥＤストリップのプラス端に電気的に接続し、
該第２抵抗器の一端が接地に電気的に接続し、
該第３抵抗器の一端が該マイクロコントローラのフィードバック調整電圧出力端に電気的に接続し、
該第１抵抗器の他端と、該第２抵抗器の他端と、該第３抵抗器の他端とが前記昇圧駆動チップのフィードバック調整電圧入力端に電気的に接続する
ことを特徴とする液晶表示手段に用いるＬＥＤバックライト源。
【請求項２】
請求項１に記載の液晶表示手段に用いるＬＥＤバックライト源において、
前記ブースト回路が、インダクタと、第１金属酸化膜半導体トランジスタと、整流ダイオードとを含み、
該インダクタの一端が入力電圧を受けるために用いられ、該インダクタの他端が該整流ダイオードのプラス極に電気的に接続し、かつ該第１金属酸化膜半導体トランジスタのドレイン電極に電気的に接続し、
該整流ダイオードのマイナス端が該ＬＥＤストリップのプラス端に電気的に接続し、
該第１金属酸化膜半導体トランジスタのゲート電極が該昇圧駆動チップの矩形波信号出力端に電気的に接続し、かつ第１金属酸化膜半導体トランジスタのソース電極が接地に接続する
ことを特徴とする液晶表示手段に用いるＬＥＤバックライト源。
【請求項３】
請求項１に記載の液晶表示手段に用いるＬＥＤバックライト源において、
前記電流制御モジュールが、第２金属酸化膜半導体トランジスタと、第４抵抗器とを含んでなり、
該第２金属酸化膜半導体トランジスタのゲート電極が該マイクロコントローラのＬＥＤ作動電流制御端に電気的に接続し、該第２金属酸化膜半導体トランジスタのドレイン電極が該ＬＥＤストリップのマイナス端に電気的に接続し、かつ第３金属酸化膜半導体トランジスタのソース電極が該第４抵抗器の一端に電気的に接続し、
該第４抵抗器の他端が接地に電気的に接続する
ことを特徴とする液晶表示手段に用いるＬＥＤバックライト源。
【請求項４】
請求項１に記載の液晶表示手段に用いるＬＥＤバックライト源において、
前記ＬＥＤストリップが、カスケード接続する所定の数のＬＥＤを含んでなる
ことを特徴とする液晶表示手段に用いるＬＥＤバックライト源。
【請求項５】
対向して設ける液晶表示パネルとＬＥＤバックライト源とを含んでなり、
該ＬＥＤバックライト源が画素を表示するための光源を該液晶表示パネルに提供して該液晶表示パネルが画像を表示し、
該ＬＥＤバックライト源が、入力電圧をＬＥＤストリップの作動電圧となるまで昇圧するブースト回路と、
該ＬＥＤストリップのマイナス端に電気的に接続して該ＬＥＤストリップの作動電流を調整する電流制御モジュールと、
該電流制御モジュールに第２矩形波信号を提供して該電流制御モジュールを制御し、電流調整機能を実現するとともに、該ＬＥＤストリップの作動電流に基づきルックアップテーブルを検索してフィードバック調整電圧を得るマイクロコントローラと、
該ブースト回路に第１矩形波信号を提供して該ブースト回路を制御し、昇圧機能を実現するとともに、該マイクロコントローラが検索して得たフィードバック調整電圧を受け、かつ受けたフィードバック調整電圧に基づいて該ブースト回路に提供する第１矩形波信号のデューティー比を変化させて該ＬＥＤストリップの作動電圧を変化させる昇圧駆動チップと、を含んでなり、
さらに、第１抵抗器と第２抵抗器と第３抵抗器とを含み、
該第１抵抗器の一端が該ＬＥＤストリップのプラス端に電気的に接続し、
該第２抵抗器の一端が接地に電気的に接続し、
該第３抵抗器の一端が該マイクロコントローラのフィードバック調整電圧出力端に電気的に接続し、
該第１抵抗器の他端と、該第２抵抗器の他端と、該第３抵抗器の他端とが昇圧駆動チップのフィードバック調整電圧入力端に電気的に接続する
ことを特徴とする液晶表示手段。
【請求項６】
請求項５に記載の液晶表示手段において、
前記ブースト回路が、インダクタと、第１金属酸化膜半導体トランジスタと、整流ダイオードとを含み、
該インダクタの一端が入力電圧を受けるために用いられ、該インダクタの他端が該整流ダイオードのプラス極に電気的に接続し、かつ該第１金属酸化膜半導体トランジスタのドレイン電極に電気的に接続し、
該整流ダイオードのマイナス端が該ＬＥＤストリップのプラス端に電気的に接続し、
該第１金属酸化膜半導体トランジスタのゲート電極が該昇圧駆動チップの矩形波信号出力端に電気的に接続し、かつ第１金属酸化膜半導体トランジスタのソース電極が接地に接続する
ことを特徴とする液晶表示手段。
【請求項７】
請求項５に記載の液晶表示手段において、
前記電流制御モジュールが、第２金属酸化膜半導体トランジスタと、第４抵抗器とを含んでなり、
該第２金属酸化膜半導体トランジスタのゲート電極が該マイクロコントローラのＬＥＤ作動電流制御端に電気的に接続し、該第２金属酸化膜半導体トランジスタのドレイン電極が該ＬＥＤストリップのマイナス端に電気的に接続し、かつ第３金属酸化膜半導体トランジスタのソース電極が該第４抵抗器の一端に電気的に接続し、
該第４抵抗器の他端が接地に電気的に接続する
ことを特徴とする液晶表示手段。
【請求項８】
請求項５に記載の液晶表示手段に用いるＬＥＤバックライト源において、
前記ＬＥＤストリップが、カスケード接続する所定の数のＬＥＤを含んでなる
ことを特徴とする液晶表示手段に用いるＬＥＤバックライト源。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、液晶表示技術に関し、特に液晶表示手段に用いるＬＥＤバックライト源及びその液晶表示手段に関する。
【背景技術】
【０００２】
科学技術の絶え間ない発展に伴い、液晶表示手段におけるバックライト技術も弛まぬ発展を遂げてきた。従来の液晶表示手段はバックライトに冷陰極管（ＣＣＦＬ）を作用している。然しながら、ＣＣＦＬをバックライトの光源にした場合、色彩再現能力が比較的劣り、発光効率が低く、放電電圧が高く、低温条件下での電気的特性が好ましくなく、安定したグレースケールに至るまで加熱する時間が長いなどの欠点を有する。よって、目下発光ダイオード（ＬＥＤ）を光源とうるバックライトが開発されている。
【０００３】
従来のＬＥＤバックライトにおいて、ＬＥＤの順方向電流とＬＥＤのブレークオーバー電圧とは正に相関関係にある。即ち、ＬＥＤの順方向電流が大きくなるほどブレークオーバー電圧も大きくなる。ＬＥＤが点灯しうた状態でＬＥＤの順方向電流を調整するためには、ＬＥＤブレークオーバー電圧に対しても、同時に急速な調整を行う必要がある。然しながら、従来の技術では、係る調整の速度が遅く、ＬＥＤバックライトのＬＥＤに点滅現象が発生し、深刻な状況になるとＬＥＤの駆動チップにＬＥＤ短絡程の誤動作が出現する。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
この発明は、ＬＥＤストリップの作動電流を調整すると同時に、ＬＥＤストリップの作動電圧に対して急速に調整を行い、ＬＥＤストリップの点滅現象の出現を避け、同時にマイクロコントローラにＬＥＤ短絡保護の誤動作が出現することを避けることのできる、
液晶表示手段に用いるＬＥＤバックライト源及び液晶表示手段を提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
上述の従来の技術に存在する技術上の問題を解決するために、この発明による液晶表示手段に用いるＬＥＤバックライト源は入力電圧をＬＥＤストリップの作動電圧となるまで昇圧するブースト回路と、該ＬＥＤストリップのマイナス端に電気的に接続して該ＬＥＤストリップの作動電流を調整する電流制御モジュールと、該電流制御モジュールに第２矩形波信号を提供して該電流制御モジュールを制御し、電流調整機能を実現するとともに、該ＬＥＤストリップの作動電流に基づきルックアップテーブルを検索してフィードバック調整電圧を得るマイクロコントローラと、
該ブースト回路に第１矩形波信号を提供して該ブースト回路を制御し、昇圧機能を実現するとともに、該マイクロコントローラが検索して得たフィードバック調整電圧を受け、かつ受けたフィードバック調整電圧に基づいて該ブースト回路に提供する第１矩形波信号のデューティー比を変化させて該ＬＥＤストリップの作動電圧を変化させる昇圧駆動チップと、を含んでなる。
【０００６】
またこの発明による液晶表示手段は、対向して設ける液晶表示パネルとＬＥＤバックライト源とを含んでなり、該ＬＥＤバックライト源が画素を表示するための光源を該液晶表示パネルに提供して該液晶表示パネルが画像を表示し、該ＬＥＤバックライト源が、入力電圧をＬＥＤストリップの作動電圧となるまで昇圧するブースト回路と、
該ＬＥＤストリップのマイナス端に電気的に接続して該ＬＥＤストリップの作動電流を調整する電流制御モジュールと、
該電流制御モジュールに第２矩形波信号を提供して該電流制御モジュールを制御し、電流調整機能を実現するとともに、該ＬＥＤストリップの作動電流に基づきルックアップテーブルを検索してフィードバック調整電圧を得るマイクロコントローラと、
該ブースト回路に第１矩形波信号を提供して該ブースト回路を制御し、昇圧機能を実現するとともに、該マイクロコントローラが検索して得たフィードバック調整電圧を受け、かつ受けたフィードバック調整電圧に基づいて該ブースト回路に提供する第１矩形波信号のデューティー比を変化させて該ＬＥＤストリップの作動電圧を変化させる昇圧駆動チップと、を含んでなる。
【０００７】
さらに、前記ブースト回路は、インダクタと、第１金属酸化膜半導体トランジスタと、整流ダイオードとを含み、該インダクタの一端が入力電圧を受けるために用いられ、該インダクタの他端が該整流ダイオードのプラス極に電気的に接続し、かつ該第１金属酸化膜半導体トランジスタのドレイン電極に電気的に接続し、該整流ダイオードのマイナス端が該ＬＥＤストリップのプラス端に電気的に接続し、該第１金属酸化膜半導体トランジスタのゲート電極が該昇圧駆動チップの矩形波信号出力端に電気的に接続し、かつ第１金属酸化膜半導体トランジスタのソース電極が接地に接続する。
【０００８】
また、電流制御モジュールが、第２金属酸化膜半導体トランジスタと、第４抵抗器とを含んでなり、該第２金属酸化膜半導体トランジスタのゲート電極が該マイクロコントローラのＬＥＤ作動電流制御端に電気的に接続し、該第２金属酸化膜半導体トランジスタのドレイン電極が該ＬＥＤストリップのマイナス端に電気的に接続し、かつ第３金属酸化膜半導体トランジスタのソース電極が該第４抵抗器の一端に電気的に接続し、該第４抵抗器の他端が接地に電気的に接続する。
【０００９】
また、前記ＬＥＤバックライト源が、第１抵抗器と第２抵抗器と第３抵抗器とをさらに含み、該第１抵抗器の一端が該ＬＥＤストリップのプラス端に電気的に接続し、該第２抵抗器の一端が接地に電気的に接続し、該第３抵抗器の一端が該マイクロコントローラのフィードバック調整電圧出力端に電気的に接続し、該第抵抗器の他端と、該第２抵抗器の他端と、該第３抵抗器の他端とが昇圧駆動チップのフィードバック調整電圧入力端に電気的に接続する。
【００１０】
また、前記ＬＥＤストリップが、カスケード接続する所定の数のＬＥＤを含んでなる。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】この発明による液晶表示手段の構造を示した説明図である。
【図２】この発明による、液晶表示手段に用いるＬＥＤバックライトの構造を示したブロック図である。
【図３】この発明による、液晶表示手段に用いるＬＥＤバックライトの構造を示した回路図である。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
この発明の好ましい実施の形態について、図面を参照にして以下に詳述する。然しながら、この発明は多くの異なる実施の形態によって実施することができる。よって、ここで述べる具体的な実施の形態によって本発明の実施の範囲が限定されるものと解釈すべきではない。寧ろ、これら実施の形態はこの発明の原理と実際の運用を解釈するために提供されるものである。したがって、当業者であればこの発明の各種実施例を理解し、予期される特定の応用のために各種の適宜な修正を行うことができる。
【実施例】
【００１３】
図１は、この発明の実施の形態による液晶表示手段の構造を示した説明図である。
【００１４】
図１に開示するように、この発明の実施例による液晶表示手段は、相対して設ける液晶表示パネル２００とＬＥＤバックライト１００とを含んでなり、ＬＥＤバックライトモジュール１００は液晶表示パネル２００に光源を提供し、液晶表示パネル２００によって画像を表示する。
【００１５】
以下、この発明の実施例によるＬＥＤバックライト１００について詳述する。
【００１６】
図２は、この発明の実施例による、液晶表示手段に用いるＬＥＤバックライトのブロック図である。図３はこの発明による、液晶表示手段に用いるＬＥＤバックライトの構造を示した回路図である。
【００１７】
図２、３に開示するように、この発明の実施例によるＬＥＤバックライトは、ブースト回路１１０と、電流制モジュール１２０と、マイクロコントローラ（Ｍｉｃｒｏ  Ｃｏｎｔｒｏｌ  Ｕｎｉｔ、ＭＣＵと略称する）１３０と、昇圧駆動チップ（ＩＣ）１４０と、ＬＥＤストリップ１５０とを含んでなる。
【００１８】
具体的に述べると、ブースト回路１１０は、例えばインダクタンス型昇圧回路であってもよく、ＬＥＤストリップ１５０の作動に必要とする電圧に至るまで入力電圧Ｖｉｎを昇圧する。ブースト回路１１０は、インダクタ１１１と、第１金属酸化膜半導体（ＭＯＳ）トランジスタ１１２と、整流ダイオード１１３とを含む。実施例において、インダクタ１１１は一端から輸入電圧Ｖｉｎを受け、他端は整流ダイオード１１３の正極に電気的に接続するとともに、第１金属酸化膜半導体トランジスタ１１２のドレイン電極に電気的に接続する。整流ダイオード１１３は、負極がＬＥＤストリップ１５０の正極に電気的に接続し、他端のゲート電極が昇圧駆動チップ１４０の矩形波信号出力端ＤＲＶに電気的に接続する。第１金属酸化めく半導体トランジスタ１１２はソース電極が接地に電気的に接続する。ここから理解できるように、この発明の昇圧回路は図３に開示するブースト回路１１０の回路構造に限定されることなく、例えばその他適宜なタイプの昇圧回路の構造であってもよい。
【００１９】
ブースト回路１１０において、インダクタ１１１は電気エネルギーと磁場エネルギーとを転換するエネルギー転換素子である。第１金属酸化膜半導体トランジスタ１１２のゲート電極が、昇圧駆動チップ１４０の矩形波信号出力端ＤＲＶから出力する矩形波信号ＰＷＭ１の内の高レベル信号を受信すると、インダクタ１１１が電気エネルギーを磁場エネルギーに転換して保存する。第１金属酸化膜半導体トランジスタ１１２のゲート電極が、駆動チップ１４０の矩形波信号出力端ＤＲＶから出力する矩形波信号ＰＷＭ１の内の高レベル信号を受信すると、インダクタ１１１が電気エネルギーを磁場エネルギーに転換して保存する。第１金属酸化膜半導体トランジスタ１１２のゲート電極が昇圧駆動チップ１４０の矩形信号出力端ＤＲＶが提供する第１矩形波信号ＰＷＭ１の低レベル信号を受信すると、インダクタ１１１は磁場エネルギーを電気エネルギーに転換し、かつ転換した電気エネルギーと入力電圧Ｖｉｎとを重ね合わせ、整流ダイオード１１３のろ波によって直流電圧を得る。該直流電圧はＬＥＤストリップ１５０の正常な作動に必要とする作動電圧であって、ＬＥＤストリップ１５０に提供する。該直流電圧は、入力電圧Ｖｉｎとインダクタ１１１の磁場エネルギーを転換してなる電気エネルギーとを重ね合わせて形成したものであって、このため該直流電圧は入力電圧Ｖｉｎより高い。
【００２０】
ＬＥＤストリップ１５０を液晶表示手段のバックライトとする。ＬＥＤストリップ１５０は、カスケード接続する所定の数量のＬＥＤを含んでなる。ＬＥＤストリップ１５０はブースト回路１１０から正常な作動に必要とする作動電圧を受ける。ＬＥＤストリップ１５０のＬＥＤの数Ｎ（Ｎは０より大きい整数である）は、次に掲げる数１によって確定する。
【００２１】
【数１】
0006337203.tif 000002
【００２２】
前掲の式１において、Ｖｄは、それぞれのＬＥＤの正常な発光電圧であり、ＶｏｕｔはＬＥＤストリップ１５０がブースト回路１１０から受ける正常な作動に必要とする作動電圧である。
【００２３】
例えば、Ｖｄが６．５Ｖで、Ｖｏｕｔ＝４８Ｖであれば、Ｎ≦７である。
【００２４】
電流制御モジュール１２０は、ＬＥＤストリップ１５０のマイナス端に電気的に接続してＬＥＤストリップ１５０の作動電流を調整する。電流制御モジュール１２０は、第２金属酸化膜半導体トランジスタ１２１と、第４抵抗器１２２とを含む。第２金属酸化膜半導体トランジスタ１２１のゲート電極がマイクロコントローラ１３０のＬＥＤ作動電流制御端ＬＩＮに電気的に接続し、第２金属酸化膜半導体トランジスタ１２１のドレイン電極がＬＥＤストリップ１５０のマイナス端に電気的に接続し、第２金属酸化膜半導体トランジスタ１２１のソース電極が第４抵抗器１２２の一端に電気的に接続する。第４抵抗器の他端は接地に電気的に接続する。
【００２５】
第３金属酸化膜半導体トランジスタ１２１のゲート電極は、マイクロコントローラ１３０のＬＥＤ作動電流制御端ＬＩＮが提供する第２矩形波信号ＰＷＭ２を受信する。マイクロコントローラ１３０は第２矩形波信号ＰＷＭ２のデューティー比を変化させることで、ＬＥＤストリップ１５０の作動電流の大きさを増幅する。通常は。この発明の実施例液晶表示手段が正常に作動した場合、ＬＥＤストリップ１５０の作動電流は定常性を維持する。マイクロコントローラ１３０が入力したＬＥＤストリップ１５０の作動電圧に基づき、ルックアップテーブルからフィードバック調整電圧を検索する。該ルックアップテーブルはマイクロコントローラ１３０内に構築される。マイクロコントローラ１３０のフィードバック調整電圧出力端ＤＡＣは、第３抵抗器１６３を介して昇圧駆動チップ１４０のフィードバック調整電圧入力端ＦＢに電気的に接続する。昇圧駆動チップ１４０のフィードバック調整電圧入力端ＦＢに入力するフィードバック調整電圧に基づき、矩形波信号出力端ＤＲＶからブースト回路１１０に提供する第１矩形波信号ＰＷＭ１のデューティー比を変化させて、ブースト回路１１０からＬＥＤストリップ１５０に提供する作動電圧を変化させる。
【００２６】
また、第１抵抗器１６１は、一端がＬＥＤストリップ１５０のプラス端に電気的に接続し、第２抵抗器１６２は、一端が接地に電気的に接続する。第１抵抗器１６１の他端と第２抵抗器１６２の他端は昇圧駆動チップ１４０のフィードバック調整電圧入力端ＦＢに電気的に接続する。
【００２７】
ＬＥＤストリップ１５０の作動電流とマイクロコントローラ１３０のフィードバック調整電圧出力端ＤＡＣが出力するフィードバック調整電圧との関係について、以下に詳述する。
【００２８】
実施例において、ＬＥＤストリップ１５０の作動電圧とマイクロコントローラ１３０のフィードバック調整電圧出力端ＤＡＣの出力するフィードバック調整電圧との関係は、次に掲げる数２のとおりである。
【００２９】
【数２】
0006337203.tif 000003
【００３０】
前掲の式２において、ＶＬＥＤはＬＥＤストリップ１５０の作動電圧を表わす。ＶＤＡＣはマイクロコントローラ１３０のフィードバック調整電圧出力端ＤＡＣの出力するフィードバック調整電圧を表わす。ＶＦＢは昇圧駆動チップ１４０のフィードバック調整電圧入力端ＦＢに入力するフィードバック調整電圧である。Ｒ１は第１抵抗器１６１の抵抗値を表わす。Ｒ２は第２抵抗器１６２の抵抗値を表わす。Ｒ３は第３抵抗器１６３の抵抗値を表わす。
【００３１】
ＬＥＤストリップ１５０の作動電流とＬＥＤストリップの作動電圧と正比例をなし、ＬＥＤストリップ１５０の作動電圧とマイクロコントローラ１３０のフィードバック調整電圧出力端ＤＡＣの出力するフィードバック調整電圧とは反比例をなす。よって、ＬＥＤストリップ１５０の作動電流とマイクロコントローラ１３０のフィードバック調整電圧出力端ＤＡＣの出力するフィードバック調整電圧とは反比例をなす。したがって、係る反比例関係づいて、マイクロコントローラ１３０のフィードバック調整電圧出力端ＤＡＣから出力するフィードバック調整電圧のルックアップテーブルを構築する。ルックアップテーブルにおいて、ＬＥＤストリップ１５０の作動電流の一つの電流値は、マイクロコントローラ１３０のフィードバック調整電圧出力端ＤＡＣから出力するフィードバック調整電圧の一つの電圧値に対応する。
【００３２】
以上をまとめると、マイクロコントローラ１３０は、ＬＥＤストリップ１５０の作動電流に基づき、ルックアップテーブルを検索し、迅速に対応するフィールドバック調整電圧を得ることができる。よって、ブースト回路１１０からＬＥＤストリップ１５０に提供する作動電圧を迅速に変化させることができ、ここからＬＥＤストリップ１５０の作動電流を調整すると同時に、ＬＥＤストリップ１５０の作動電圧に対して迅速に調整を行い、ＬＥＤストリップを構成するＬＥＤに点滅現象が発生することを防ぐとともに、マイクロコントローラ１３０に短絡保護の誤動作の発生することを防ぐ。
【００３３】
この発明について実施例を挙げ、特定して説明したが、但し当業者であれば、この発明を理解した上で、特許請求の範囲と、及びその均等の効果有する範囲内で、この発明の精神に基づいて部分的に変化させることは可能である。
【符号の説明】
【００３４】
１００    ＬＥＤバック回路
１１０    ブースト回路
１１１    インダクタ
１１２    第１金属酸化膜半導体トランジスタ
１１３    整流ダイオード
１２０    電流制御モジュール
１２１    第二ＭＯＳ晶体管
１２２    第四抵抗器
１３０    マイクロコントローラ
１４０    昇圧駆動チップ
１５０    ＬＥＤストリップ
１６１    第１抵抗器
１６２    第２抵抗器
１６３    第３抵抗器
２００    液晶表示パネル
ＤＡＣ    フィードバック調整電圧出力端
ＤＲＶ    矩形は信号出力端
ＦＢ      フィードバック調整電圧入力端
ＬＩＮ    ＬＥＤ工作動電流制御端
ＰＷＭ１  第１矩形波信号
ＰＷＭ２  第２矩形波信号
Ｒ１      抵抗値
Ｒ２      抵抗値
Ｒ３      抵抗値
Ｖｉｎ    入力電圧
Ｖｄ      発光電圧
Ｖｏｕｔ  作動電圧
ＶＤＡＣ  フィードバック調整電圧
ＶＬＥＤ  作動電圧
ＶＦＢ    フィードバック調整電圧
ＶＬＥＤ  作動電圧
【図１】
0006337203.tif 000004
【図２】
0006337203.tif 000005
【図３】
0006337203.tif 000006