(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁性の樹脂からなる基材（１１，１２）と、前記基材に設けられた配線（１６ａ）とを含む樹脂基板（１０，１０ａ）と、
前記樹脂基板に実装されて前記配線と電気的に接続された回路素子（２１，２２）と、
前記回路素子を封止している封止樹脂（３０）と、を備えた電子装置であって、
前記樹脂基板は、
自身の表面に形成され前記封止樹脂で封止された金属からなる表層導体（１３，１４）と、
前記基材の内部において前記表層導体に対向配置された、前記樹脂基板の厚み方向に前記基材が収縮することを抑制するための収縮抑制部材（１８ｂ，１８ｃ）と、を含み、
前記収縮抑制部材は、前記表層導体との対向面が、前記表層導体における前記収縮抑制部材との対向面の全域と対向しており、前記厚み方向の収縮量が前記基材よりも小さく、
前記樹脂基板は、前記基材を介して前記配線が積層された多層基板であり、
前記収縮抑制部材（１８ｂ）は、前記配線の一部によって構成されていることを特徴とする電子装置。
【請求項２】
複数の前記収縮抑制部材は、前記基材を介して積層されていることを特徴とする請求項１に記載の電子装置。
【請求項３】
前記樹脂基板は、異なる層の前記配線を電気的に接続している層間接続部材（１６ｂ）が設けられており、
前記収縮抑制部材（１８ｃ）は、前記層間接続部材の一部によって構成されていることを特徴とする請求項１又は２に記載の電子装置。
【請求項４】
前記表層導体（１３）は、ワイヤ（２３）を介して前記回路素子と電気的に接続されたワイヤランドを含んでいることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか一項に記載の電子装置。
【請求項５】
前記表層導体（１４）は、前記配線を介して前記回路素子と電気的に接続された検査ランドを含んでいることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか一項に記載の電子装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、樹脂基板に実装された回路素子が封止樹脂にて封止されてなる電子装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、配線基板に実装された回路素子が封止樹脂にて封止されてなる電子装置の一例として、特許文献１に開示された技術がある。
【０００３】
特許文献１では、配線基板としてのアルミナ積層基板が用いられている。このアルミナ積層基板は、ビアと内層配線による内部配線が形成されており、表面に表層ランドであるワイヤランドが形成されている。また、アルミナ積層基板には、回路素子としての半導体素子が実装されている。そして、半導体素子及びワイヤランドは、封止樹脂で封止されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特許第３７０４８６４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
ところで、電子装置は、配線基板として、絶縁性の樹脂からなる基材と、基材に設けられた配線とを含む樹脂基板を用いることも考えられる。しかしながら、樹脂基板は、自身の厚み方向に基材が収縮する。樹脂基板を用いた電子装置は、基材の収縮によって、封止樹脂と表層ランドとが剥離してしまう可能性がある。
【０００６】
本発明は、上記問題点に鑑みなされたものであり、表層ランドと封止樹脂との剥離を抑制できる電子装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記目的を達成するために本発明は、
絶縁性の樹脂からなる基材（１１，１２）と、基材に設けられた配線（１６ａ）とを含む樹脂基板（１０）と、
樹脂基板に実装されて配線と電気的に接続された回路素子（２１，２２）と、
回路素子を封止している封止樹脂（３０）と、を備えた電子装置であって、
樹脂基板は、
自身の表面に形成され封止樹脂で封止された金属からなる表層導体（１３，１４）と、
基材の内部において表層導体に対向配置された、樹脂基板の厚み方向に基材が収縮することを抑制するための収縮抑制部材（１８，１８ａ〜１８ｃ）と、を含み、
収縮抑制部材は、表層導体との対向面が、表層導体における収縮抑制部材との対向面の全域と対向しており、厚み方向の収縮量が基材よりも小さく、
樹脂基板は、基材を介して配線が積層された多層基板であり、
収縮抑制部材（１８ｂ）は、配線の一部によって構成されていることを特徴とする。
【０００８】
このように、本発明は、樹脂基板に回路素子が実装されており、且つ、樹脂基板の表面に表層導体が形成されている。また、本発明は、回路素子と表層導体とが封止樹脂によって封止されている。
【０００９】
そして、本発明は、樹脂基板の厚み方向に基材が収縮することを抑制するための収縮抑制部材が設けられている。この収縮抑制部材は、基材の内部において表層導体に対向配置されている。また、収縮抑制部材は、樹脂基板の厚み方向に対する直交方向の広さが表層導体における直交方向の広さ以上であり、上記厚み方向の収縮量が基材よりも小さい。
【００１０】
このため、本発明は、上記厚み方向に基材が収縮した場合であっても、基材における表層導体の対向領域の収縮量を、基材における対向領域の周辺より低減できる。つまり、本発明は、厚み方向に基材が収縮することで、表層導体が基材に引っ張られることを抑制できる。よって、本発明は、表層導体と封止樹脂とが剥離することを抑制できる。
【００１１】
なお、特許請求の範囲、及びこの項に記載した括弧内の符号は、ひとつの態様として後述する実施形態に記載の具体的手段との対応関係を示すものであって、発明の技術的範囲を限定するものではない。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１】実施形態における電子装置の概略構成を示す断面図である。
【図２】実施形態における電子装置の拡大断面図である。
【図３】実施形態における電子装置の拡大平面図である。
【図４】変形例１おける電子装置の拡大断面図である。
【図５】変形例２おける電子装置の拡大断面図である。
【図６】変形例３における電子装置の拡大平面図である。
【図７】変形例４における電子装置の拡大平面図である。
【図８】変形例５おける電子装置の拡大断面図である。
【図９】変形例６における電子装置の概略構成を示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
図面を参照しながら、発明を実施するための複数の形態を説明する。各形態において、先行する形態で説明した事項に対応する部分には同一の参照符号を付して重複する説明を省略する場合がある。各形態において、構成の一部のみを説明している場合は、構成の他の部分については先行して説明した他の形態を参照し適用することができる。
【００１４】
なお、以下においては、プリント基板１０の厚み方向を単に厚み方向とも記載する。また、この厚み方向は、図１における両側矢印に沿う方向であり、Ｚ方向や、配線１６ａの積層方向と言い換えることもできる。更に、厚み方向に対する直交方向を単に直交方向とも記載する。この直交方向は、平面方向と言い換えることもできる。
【００１５】
図１に示すように、電子装置１００は、プリント基板１０、回路素子２１，２２、封止樹脂３０などを備えて構成されている。
【００１６】
プリント基板１０は、特許請求の範囲における樹脂基板に相当する。本実施形態では、一例として、ビルドアップ基板であるプリント基板１０を採用している。プリント基板１０は、コア層１１及びビルドアップ層１２と、コア層１１及びビルドアップ層１２に設けられた配線１６ａと、自身の表面に形成されたワイヤランド１３、検査ランド１４、実装ランド１５などを備えて構成されている。つまり、プリント基板１０は、複数の配線１６ａがコア層１１及びビルドアップ層１２を介して積層された多層基板である。また、プリント基板１０は、異なる層の配線１６ａを電気的に接続している層間接続部材１６ｂを備えている。更に、プリント基板１０は、収縮抑制部材１８を備えている。なお、プリント基板１０は、スルーホール１７やソルダーレジスト１９を備えていてもよい。このように、プリント基板１０は、配線基板を構成していると言うことができる。
【００１７】
コア層１１とビルドアップ層１２は、絶縁性の樹脂からなり、特許請求の範囲における基材に相当する。なお、以下においては、コア層１１とビルドアップ層１２とを区別する必要がない場合、コア層１１とビルドアップ層１２とを纏めて樹脂基材と称することもある。樹脂基材の線膨張率は３０ｐｐｍ／℃以上である。よって、一般的に、プリント基板１０のＺ方向の収縮は大きい。
【００１８】
プリント基板１０は、コア層１１の一方の表面側に、複数層のビルドアップ層１２が形成されており、コア層１１の他方の表面側に、複数層のビルドアップ層１２が形成されている。ここでは、プリント基板１０は、コア層１１の一方の表面側に二層のビルドアップ層１２、コア層１１の他方の表面側に二層のビルドアップ層１２が形成されている例を採用している。また、樹脂基材は、コア層１１の一方の表面から二層目のビルドアップ層１２の表面が回路素子２１，２２の実装面であり、コア層１１の他方の表面から二層目のビルドアップ層１２の表面が裏面である。
【００１９】
図１に示すように、コア層１１の表面及びビルドアップ層１２の表面には、配線１６ａが形成されている。配線１６ａは、導電性部材からなり、プリント基板１０に実装された回路素子２１，２２同士、及び回路素子２１，２２とスルーホール１７などとを電気的に接続するためのものである。この配線１６ａは、コア層１１の表面及びビルドアップ層１２の表面にパターニングされた金属薄膜である。なお、配線１６ａは、例えば、銅を主成分とした材料によって形成されている。
【００２０】
ビルドアップ層１２は、層間接続部材１６ｂとしてのビアが設けられている。ビアは、例えば、レーザビアなどを採用できる。一方、コア層１１は、層間接続部材１６ｂとしてのＩＶＨが設けられている。ＩＶＨは、コア層１１に設けられた貫通穴に導電性ペーストが充填（言い換えると、埋設）されたものである。この層間接続部材１６ｂは、配線１６ａと電気的に接続されている。なお、ＩＶＨは、Interstitial Via Holeの略称である。
【００２１】
また、樹脂基材には、厚み方向に樹脂基材が収縮することを抑制するための部材である収縮抑制部材１８が設けられている。この収縮抑制部材１８に関しては、後程詳しく説明する。
【００２２】
ワイヤランド１３及び検査ランド１４は、特許請求の範囲における表層導体に相当する。なお、以下においては、ワイヤランド１３と検査ランド１４とを区別する必要がない場合、ワイヤランド１３と検査ランド１４とを纏めて表層ランドと称することもある。
【００２３】
表層ランドは、樹脂基材の実装面に形成されており、且つ、封止樹脂３０によって封止されている。また、表層ランドは、樹脂基材の表面、すなわちビルドアップ層１２の表面に形成されていると言い換えることができる。また、表層ランドは、金、銅、銀、ニッケル、白金、パラジウム、スズのいずれかを主成分とした材料によって形成されている。本実施形態では、ワイヤランド１３及び検査ランド１４として金めっきランドを採用する。また、表層ランドは、上記材料が樹脂基材の表面に形成され、且つパターニングされた金属薄膜である。
【００２４】
ワイヤランド１３は、ワイヤ２３がボンディングされている。このワイヤ２３は、回路素子２１にもボンディングされている。よって、ワイヤランド１３は、回路素子２１との電気的な接続部位であり、ワイヤ２３を介して回路素子２１と電気的に接続されている。また、ワイヤランド１３は、層間接続部材１６ｂを介して、配線１６ａと電気的に接続されている。
【００２５】
このワイヤランド１３は、ワイヤ２３が接している領域、及び樹脂基材と接している領域以外が封止樹脂３０で被覆されている。つまり、ワイヤランド１３は、上記領域以外に封止樹脂３０が密着していると言うことができる。言い換えると、ワイヤランド１３は、上記領域以外が封止樹脂３０と直接接している。
【００２６】
検査ランド１４は、特許請求の範囲における検査ランドに相当する。検査ランド１４は、プリント基板１０に回路素子２１，２２が実装された回路装置の検査を行う際に電極として用いられるランドである。つまり、検査ランド１４は、検査装置の端子が電気的に接続される部位である。検査ランド１４は、層間接続部材１６ｂを介して、配線１６ａと電気的に接続されている。また、検査ランド１４は、配線１６ａ、層間接続部材１６ｂなどを介して回路素子２１，２２と電気的に接続されている。
【００２７】
この検査ランド１４は、樹脂基材と接している領域以外が封止樹脂３０で被覆されている。つまり、検査ランド１４は、上記領域以外に封止樹脂３０が密着していると言うことができる。言い換えると、検査ランド１４は、上記領域以外が封止樹脂３０と直接接している。従って、検査ランド１４を用いた検査は、封止樹脂３０が形成される前に行なうことができる。
【００２８】
なお、プリント基板１０は、表層導体として、回路素子２１，２２の実装位置を示す位置決めランドが設けられていてもよい。この位置決めランドは、検査ランド１４と同様に、樹脂基材と接している領域以外が封止樹脂３０で被覆されている。
【００２９】
実装ランド１５は、回路素子２２が実装されるランドである。実装ランド１５は、半田などの導電性接続部材を介して、回路素子２２の電極と電気的及び機械的に接続されている。つまり、実装ランド１５は、導電性接続部材で覆われており、封止樹脂３０とは接触していない。なお、実装ランド１５は、表層ランドと同一材料によって形成されている。よって、表層ランドと実装ランド１５とは、同時形成することができる。
【００３０】
スルーホール１７は、電子装置１００と、電子装置１００の外部に設けられた外部機器とを電気的に接続するための外部端子が挿入される貫通穴である。また、スルーホール１７は、樹脂基材の実装面から裏面に亘って設けられた、導電性部材で囲まれた貫通穴である。この導電性部材は、配線１６ａなどと電気的に接続されている。外部端子は、スルーホール１７内に圧入されて変形することでスルーホール１７と電気的に接続される圧入端子や、スルーホール１７内に挿入されて半田などの導電性接続部材でスルーホール１７と電気的に接続されるピン端子などである。なお、ソルダーレジスト１９は、周知技術であるため説明を省略する。
【００３１】
回路素子２１，２２は、プリント基板１０に実装されて配線１６ａなどと電気的に接続されている。本実施形態では、一例として、回路素子２１にＭＯＳＦＥＴを採用しており、回路素子２２にチップコンデンサを採用している。しかしながら、本発明は、これに限定されない。
【００３２】
封止樹脂３０は、例えば、エポキシ系樹脂などからなり、回路素子２１，２２に加えて、ワイヤランド１３、検査ランド１４を封止している。また、封止樹脂３０は、回路素子２１，２２、ワイヤランド１３、検査ランド１４を一体的に封止していると言うことができる。更に、封止樹脂３０は、樹脂基材における実装面の少なくとも一部に密着しつつ、回路素子２１，２２などを封止している。つまり、封止樹脂３０は、回路素子２１，２２、ワイヤランド１３、検査ランド１４に加えて、実装面における回路素子２１，２２、ワイヤランド１３、検査ランド１４の周辺を封止している。なお、本実施形態では、樹脂基材の厚みよりも十分に厚く封止樹脂３０が形成されている例を採用している。例えば、封止樹脂３０の厚みは、樹脂基材の厚みの４倍程度である。
【００３３】
ここで、図１〜図３を用いて、収縮抑制部材１８に関して説明する。収縮抑制部材１８は、位置やサイズなどが表層ランドと関連している。以下においては、一例として、図２，図３に示すようにワイヤランド１３を用いて説明する。しかしながら、収縮抑制部材１８は、検査ランド１４との関係も同様である。
【００３４】
収縮抑制部材１８は、樹脂基材の内部においてワイヤランド１３などの表層ランドに対向配置されており、厚み方向に樹脂基材が収縮することを抑制するための部材である。また、収縮抑制部材１８は、樹脂基材を介して表層ランドと対向配置されている。
【００３５】
本実施形態では、複数の収縮抑制部材１８が樹脂基材を介して積層された例を採用している。具体的には、収縮抑制部材１８は、コア層１１の両面、コア層１１に隣接したビルドアップ層１２の片面に形成されている。つまり、本実施形態では、収縮抑制部材１８が４層積層された例を採用している。
【００３６】
また、本実施形態では、配線１６ａ、層間接続部材１６ｂ、及び回路素子２１，２２と電気的に絶縁されており、且つ、銅を主成分とする材料によって形成された収縮抑制部材１８を採用している。収縮抑制部材１８の構成材料である銅の線膨張率は、１７ｐｐｍ／℃ある。このように、収縮抑制部材１８は、導体でできているため、内層導体と言い換えることもできる。なお、収縮抑制部材１８は、セラミックスなどの導電性を有していない材料によって形成されていてもよい。
【００３７】
収縮抑制部材１８は、図３に示すように、ワイヤランド１３との対向面が、ワイヤランド１３における収縮抑制部材１８との対向面の全域と対向しており、且つ、ワイヤランド１３における収縮抑制部材１８との対向面よりも広い。よって、ワイヤランド１３の直交面の面積をＳ１、収縮抑制部材１８の直交面の面積をＳ２として場合、Ｓ１とＳ２の関係は、Ｓ１＜Ｓ２となる。言い換えると、収縮抑制部材１８は、樹脂基材内に設けられており、且つワイヤランド１３とオーバーラップして設けられている。よって、収縮抑制部材１８は、図３に示すように、プリント基板１０を実装面側から透視図でみた場合、ワイヤランド１３から上記直交方向にはみ出して設けられている。また、収縮抑制部材１８は、樹脂基材内においてワイヤランド１３の下方に配置されており、ワイヤランド１３の対向領域における厚み方向の一部であり、且つ、対向領域における上記直交方向の全域及び周囲に一体的に設けられている、と言い換えることもできる。
【００３８】
更に、収縮抑制部材１８は、厚み方向の収縮量が樹脂基材よりも小さい。収縮量は、材料の線膨張係数と材料の厚みとの乗算によって得られる。このため、収縮抑制部材１８は、自身の線膨張係数に応じて、収縮量が樹脂基材よりも小さくなるように厚みが設定されている。ワイヤランド１３の厚みをｔ１、収縮抑制部材１８の厚みをｔ２とした場合、ｔ１とｔ２との関係は、例えばｔ２≧ｔ１／２とする。つまり、収縮抑制部材１８は、例えばワイヤランド１３の厚みの半分以上とする。
【００３９】
このように、電子装置１００は、プリント基板１０に回路素子２１，２２が実装されており、且つ、プリント基板１０の表面にワイヤランド１３や検査ランド１４が形成されている。また、電子装置１００は、回路素子２１，２２とワイヤランド１３や検査ランド１４とが封止樹脂３０によって封止されている。そして、電子装置１００は、厚み方向に樹脂基材が収縮することを抑制するための収縮抑制部材１８が設けられている。
【００４０】
このため、電子装置１００は、厚み方向に樹脂基材が収縮した場合であっても、樹脂基材におけるワイヤランド１３や検査ランド１４の対向領域の収縮量を、樹脂基材における対向領域の周辺より低減できる。つまり、電子装置１００は、厚み方向に樹脂基材が収縮することで、ワイヤランド１３や検査ランド１４が樹脂基材に引っ張られることを抑制できる。よって、電子装置１００は、表層ランドと封止樹脂３０とが剥離することを抑制できる。
【００４１】
言い換えると、電子装置１００は、収縮抑制部材１８によって、樹脂基材の厚み方向の収縮を低減できる。よって、電子装置１００は、収縮抑制部材１８の上方に設けられている表層ランドの変形量を抑えられる。このため、電子装置１００は、表層ランドと封止樹脂との密着を確保することができる。
【００４２】
本実施形態では、表層ランドとして、金めっきランドを採用している。この金めっきは、封止樹脂３０との密着性が低い。しかしながら、電子装置１００は、上記のように表層ランドと封止樹脂３０とが剥離することを抑制できる。
【００４３】
また、収縮抑制部材１８による上記効果は、冷熱サイクル試験によっても確認できた。この試験では、表層ランドのサイズが０．３ｍｍ×０．３ｍｍで、厚みが７０μｍであり、厚みが３５μｍである収縮抑制部材１８を表層ランドにオーバーラップさせて配置した電子装置１００を用いた。また、比較用の電子装置として、上記電子装置１００において、収縮抑制部材１８を表層ランドにオーバーラップさせていないものを用いた。なお、表層ランドは、金めっきであり、エポキシ系樹脂の封止樹脂３０で封止されている。そして、収縮抑制部材１８は、銅を主成分とした材料によって形成されている。上記のように、樹脂基材の線膨張率は３０ｐｐｍ／℃以上であり、銅の線膨張率は１７ｐｐｍ／℃ある。よって、この試験で用いた収縮抑制部材１８は、収縮量が樹脂基材よりも小さい。
【００４４】
そして、５０個の電子装置１００と５０個の比較用の電子装置に対して、冷熱サイクル試験を行ったところ、比較例の電子装置は、全て表層ランドと封止樹脂３０との剥離が発生した。一方、電子装置１００は、全て表層ランドと封止樹脂３０との剥離が発生しなかった。
【００４５】
なお、以下の変形例でも説明するが、収縮抑制部材１８は、表層ランドとの対向面が、表層ランドにおける収縮抑制部材１８との対向面の全域と対向しており、厚み方向の収縮量が樹脂基材よりも小さければ目的を達成できる。また、収縮抑制部材１８は、上記効果を阻害されない程度に一部切りかかれていてもよい。
【００４６】
以上、本発明の好ましい実施形態について説明した。しかしながら、本発明は、上記した実施形態に何ら制限されることはなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲において、種々の変形が可能である。以下に、本発明の変形例１〜６に関して説明する。上記実施形態及び変形例１〜６は、夫々単独で実施することも可能であるが、適宜組み合わせて実施することも可能である。本発明は、実施形態において示された組み合わせに限定されることなく、種々の組み合わせによって実施可能である。なお、以下の変形例１〜５における電子装置は、電子装置１００と構成が異なるが、便宜的に同じ符号を採用する。
【００４７】
（変形例１）
変形例１の電子装置１００は、図４に示すように、収縮抑制部材１８ａが表層ランドと同等のサイズである。つまり、変形例１の電子装置１００は、収縮抑制部材１８ａにおける表層ランドとの対向面が、表層ランドにおける収縮抑制部材１８ａとの対向面の全域と対向しており、且つ両対向面の広さが同等である。また、この収縮抑制部材１８ａは、上記実施形態と同様に、厚み方向の収縮量が樹脂基材よりも小さく、表層ランドとオーバーラップしている。
【００４８】
このような変形例１の構成であっても、上記実施形態と同様の効果を奏することができる。つまり、電子装置１００は、収縮抑制部材１８ａが厚み方向の収縮量が樹脂基材よりも小さく、表層ランドとオーバーラップしていれば目的を達成できる。
【００４９】
（変形例２）
変形例２の電子装置１００は、図５に示すように、収縮抑制部材１８ａが一部の層にのみ設けられている。ここでは、コア層１１の両面にのみ収縮抑制部材１８ａが設けられている例を採用している。この収縮抑制部材１８ａは、上記実施形態と同様に、厚み方向の収縮量が樹脂基材よりも小さく、表層ランドとオーバーラップしている。このような変形例２の構成であっても、上記実施形態と同様の効果を奏することができる。なお、変形例２の電子装置１００は、収縮抑制部材１８であっても採用できる。
【００５０】
（変形例３）
変形例３の電子装置１００は、図６に示すように、収縮抑制部材１８ａが一部の層にのみ設けられている。ここでは、ビルドアップ層１２の一面にのみ収縮抑制部材１８ａが設けられている例を採用している。この収縮抑制部材１８ａは、上記実施形態と同様に、厚み方向の収縮量が樹脂基材よりも小さく、表層ランドとオーバーラップしている。このような変形例３の構成であっても、上記実施形態と同様の効果を奏することができる。なお、変形例３の電子装置１００は、収縮抑制部材１８であっても採用できる。
【００５１】
また、電子装置１００は、図６に示すように、プリント基板１０が多層基板の場合、表層ランドの直下に収縮抑制部材１８ａが設けられていると最も効果が得られる。つまり、電子装置１００は、実装面側から二層目のビルドアップ層１２に収縮抑制部材１８ａが設けられていると最も効果が得られる。
【００５２】
（変形例４）
変形例４の電子装置１００は、図７に示すように、収縮抑制部材１８ｂが配線１６ａの一部によって構成されている。なお、変形例４の電子装置１００は、上記実装形態と同様に、多層基板のプリント基板１０を含んでいる。つまり、収縮抑制部材１８ｂは、プリント基板１０における樹脂基材の内部に設けられた配線１６ａの一部として構成されている。この収縮抑制部材１８ｂは、上記実施形態と同様に、厚み方向の収縮量が樹脂基材よりも小さく、表層ランドとオーバーラップしている。このような変形例４の構成であっても、上記実施形態と同様の効果を奏することができる。なお、収縮抑制部材１８ｂは、収縮抑制部材１８ａと同様に、自身の直交方向の広さが、表層ランドの直交方向の広さと同等であってもよい。
【００５３】
（変形例５）
変形例５の電子装置１００は、図８に示すように、収縮抑制部材１８ｃが層間接続部材の一部によって構成されている。なお、変形例５の電子装置１００は、上記実装形態と同様に、多層基板のプリント基板１０を含んでいる。この収縮抑制部材１８ｃは、上記実施形態と同様に、厚み方向の収縮量が樹脂基材よりも小さく、表層ランドとオーバーラップしている。このような変形例５の構成であっても、上記実施形態と同様の効果を奏することができる。なお、収縮抑制部材１８ｃは、収縮抑制部材１８と同様に、自身の表層ランドとの対向面の広さが、表層ランドにおける収縮抑制部材１８ｃとの対向面の広さよりも広くてもよい。
【００５４】
（変形例６）
変形例３の電子装置１１０は、図９に示すように、両面実装基板であるプリント基板１０ａを含むものである。プリント基板１０ａは、実装面側に関してはプリント基板１０と同様である。しかしながら、プリント基板１０ａは、裏面側にも回路素子２４が実装されている。このような変形例６の構成であっても、上記実施形態と同様の効果を奏することができる。なお、電子装置１１０は、変形例１〜５の夫々と組み合わせて実施することもできる。つまり、電子装置１１０は、収縮抑制部材１８ａ〜１８ｃなどであっても採用できる。
【符号の説明】
【００５５】
１０，１０ａ  プリント基板、１１  コア層、１２  ビルドアップ層、１３  ワイヤランド、１４  検査ランド、１５  実装ランド、１６ａ  配線、１６ｂ  層間接続部材、１７  スルーホール、１８，１８ａ〜１８ｃ  収縮抑制部材、２１，２２，２４  回路素子、２３  ワイヤ、３０  封止樹脂、４０  ソルダーレジスト、１００  電子装置
【図１】
0006384179.tif 000002
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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