(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の可撓性基板と第２の可撓性基板を有し、
前記第１の可撓性基板上に第１の接着層を有し、
前記第１の接着層上にバッファ層を有し、
前記バッファ層上に素子層及び第２のシール材を有し、
前記バッファ層及び素子層上に第２の接着層を有し、
前記第２の接着層上及び前記第２のシール材上にカラーフィルター層を有し、
前記カラーフィルター層上に第３の接着層を有し、
前記第３の接着層上に前記第２の可撓性基板を有し、
前記第２の可撓性基板上にフレキシブルプリント回路基板を有し、
前記第２の可撓性基板には開口が設けられ、
前記フレキシブルプリント回路基板は、前記開口内の異方性導電膜を介して前記素子層と電気的に接続され、
前記素子層は表示領域を有し、
前記第２のシール材は前記表示領域を囲むように一続きに設けられ、
前記表示領域は、第１のシール材によって囲まれ、
前記第２のシール材は、前記第１のシール材により囲まれ、
前記第１のシール材は、前記バッファ層の側面と接し、
前記第１のシール材は、前記第１の可撓性基板の側面と接し、
前記第１のシール材は、前記第２の可撓性基板の側面と接することを特徴とする表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、物、方法、または、製造方法に関する。本発明は、例えば、半導体装置、表示
装置、発光装置、または、それらの製造方法に関する。特に、本発明は、例えば、酸化物
半導体を有する半導体装置、表示装置、または、発光装置に関する。または、本発明は、
画像を表示するための表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、携帯電話機、スマートフォン、パーソナルコンピュータ、タブレット端末、携帯型
ゲーム機器、携帯型音楽プレーヤなど様々な携帯型の電子機器の普及が進んでいる。
【０００３】
表示部には、代表的には発光素子を備える発光装置、液晶表示装置、電気泳動方式や電子
粉流体方式などにより表示を行う電子ペーパなどを適用することができる。
【０００４】
例えば発光素子においては、エレクトロルミネッセンス（Ｅｌｅｃｔｒｏｌｕｍｉｎｅｓ
ｃｅｎｃｅ：ＥＬ）を利用した発光素子の研究開発が盛んに行われている。これら発光素
子の基本的な構成は、一対の電極間に発光性の物質を含む層を挟んだものである。この素
子に電圧を印加することにより、発光性の物質からの発光が得られる。
【０００５】
上述の発光素子は自発光型であるため、これを用いた発光装置は、視認性に優れ、バック
ライトが不要であり、消費電力が少ない等の利点を有する。さらに、薄型軽量に作製でき
、応答速度が高いなどの利点も有する。
【０００６】
また、薄型軽量化に加えて、可撓性や耐衝撃性の向上を目的に、上述の発光素子を有する
発光装置に可撓性を有する基板（以下、可撓性基板という。）を採用することが検討され
ている。
【０００７】
一方で、表示装置における表示素子を駆動するためのトランジスタとして、絶縁表面を有
する基板上に形成された半導体薄膜を用いたトランジスタが広く用いられている。このよ
うなトランジスタに適用可能な半導体薄膜としてシリコン系半導体材料が広く知られてい
るが、近年酸化物半導体が注目されている。
【０００８】
酸化物半導体として、例えば酸化亜鉛（ＺｎＯ）を用いるトランジスタや、ＩｎＧａＯ３
（ＺｎＯ）ｍを用いるトランジスタが挙げられる。チャネル形成領域に酸化物半導体膜を
用いてトランジスタなどのスイッチング素子を形成し、アクティブマトリクス型の表示装
置を作製する技術も進められている。
【０００９】
例えば、特許文献１及び特許文献２では、酸化物半導体をチャネル形成領域に用いたトラ
ンジスタを、表示素子の制御に用いた表示装置が記載されている。酸化物半導体をチャネ
ル形成領域に用いたトランジスタは、広く普及している非晶質シリコンを用いたトランジ
スタよりも電界効果移動度が高く、多結晶シリコンを用いたトランジスタよりも高いスル
ープットや低コストで作製が可能であり、またトランジスタのオフリークが極めて低く、
スイッチング特性が良好である等の多くの利点を有する。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１０】
【特許文献１】特開２００７−１２３８６１号公報
【特許文献２】特開２００７−１６５８６１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１１】
しかしながら、従来の表示装置においては表示装置の長期信頼性という点で、必ずしも十
分な信頼性が確保されていないという問題があった。すなわち、従来の表示装置では、一
組の基板の間に表示領域を設け、さらに該表示領域を囲むように基板間にシール材を設け
て基板を貼り合わせることで、表示素子を封止している。しかし、封止領域の内部へ外部
から水等の水分が侵入した場合、表示素子や表示素子を駆動するためのトランジスタの特
性が悪化し、素子の破壊や動作不良が生じるおそれがある。
【００１２】
特に、一組の基板に可撓性基板を用いた場合には、１回又は複数回にわたる基板の湾曲に
より、封止性能が劣化して、より信頼性を損ねるおそれがある。
【００１３】
また、携帯型の電子機器等では、表示部の大面積化が求められている。一般に表示装置は
、表示領域と周辺領域（額縁ともいう）を有し、周辺領域は面積が小さいことが好ましい
。周辺領域の面積が大きくなると、表示領域の基板面積に対する占有面積が小さくなるた
め、結果として表示装置における表示部分が小さくなってしまう。
【００１４】
そこで、本発明の一態様において、表示装置が有する表示素子の信頼性を向上させた表示
装置を提供することを課題の一とする。
【００１５】
あるいは、本発明の一態様において、表示装置が有するトランジスタの信頼性を向上させ
た表示装置を提供することを課題の一とする。
【００１６】
あるいは、本発明の一態様において、表示装置における周辺領域の面積の増大を抑制した
表示装置を提供することを課題の一とする。
【００１７】
あるいは、本発明の一態様において、表示装置が有する表示素子の信頼性を向上させた表
示装置の作製方法を提供することを課題の一とする。
【００１８】
あるいは、本発明の一態様において、表示装置が有するトランジスタの信頼性を向上させ
た表示装置の作製方法を提供することを課題の一とする。
【００１９】
あるいは、本発明の一態様において、表示装置における周辺領域の面積の増大を抑制した
表示装置の作製方法を提供することを課題の一とする。
【００２０】
または、本発明の一態様は、オフ電流の低い半導体装置などを提供することを課題とする
。または、本発明の一態様は、消費電力の低い半導体装置などを提供することを課題とす
る。または、本発明の一態様は、目に優しい表示装置などを提供することを課題とする。
または、本発明の一態様は、透明な半導体層を用いた半導体装置などを提供することを課
題とする。または、本発明の一態様は、信頼性の高い半導体層を用いた半導体装置などを
提供することを課題とする。
【００２１】
なお、本発明の一態様では、上記に掲げる課題のうち、少なくとも一つを解決すればよい
。
【課題を解決するための手段】
【００２２】
そこで、本発明の一態様は、可撓性を有する一組の基板の間に表示素子を含む表示領域を
有し、表示領域は、一続きの第１の部材によって囲まれ、第１のシール材は、一続きの第
２の部材によって囲まれ、第２のシール材は、一組の基板間、及び一組の基板の少なくと
も一方の基板の側面に設けられている表示装置である。
【００２３】
ここで、第２のシール材とは、表示素子やトランジスタに対して不純物となる物質（水な
ど）が、外部から侵入することを防止又は抑制する機能を少なくとも有するものをいう。
なお、第２のシール材に別の機能を付加してもよい。例えば、構造を強化する機能、接着
性を強化する機能、耐衝撃性を強化する機能などを第２のシール材が有していてもよい。
【００２４】
また、本明細書において「可撓性を有する基板」又は「可撓性基板」とは、基板の資質と
して湾曲することが可能な基板のことをいう。従って、製造した表示装置が湾曲を有した
一定の形態で固定されたものであって、これに用いられる基板は「可撓性を有する基板」
又は「可撓性基板」から除外されるものではない。
【００２５】
また、本明細書においてシール材又はそれを構成する部材が「一続き」であるとは、シー
ル材又はそれを構成する部材が閉ループを形成するように連続していることであり、これ
により外部の汚染物質の侵入を防止又は抑制する機能を発現することを趣旨とする。従っ
て、シール材又はそれを構成する部材の形成段階において、これらを断続的に又は部分的
に形成しても最終的に「一続き」となればよく、シール材又はそれを構成する部材が分か
れるような形状であっても、全体として「一続き」の部分を有していればよい。
【００２６】
また、本発明の一態様は、可撓性を有する第１の基板上に、表示領域を囲んで一続きの第
１のシール材を形成し、第１の基板上に、第１のシール材を介して可撓性を有する第２の
基板を貼り合わせ、第１の基板と第２の基板の間隙、及び第１の基板と第２の基板の少な
くとも一方の基板の側面に、第１のシール材を囲んで一続きの第２のシール材を形成する
表示装置の作製方法である。
【発明の効果】
【００２７】
本発明の一態様により、表示装置が有する表示素子の信頼性を向上させた表示装置を提供
することができる。
【００２８】
また本発明の一態様により、表示装置が有するトランジスタの信頼性を向上させた表示装
置を提供することができる。
【００２９】
また本発明の一態様により、表示装置における周辺領域の面積の増大を抑制した表示装置
を提供することができる。
【００３０】
また本発明の一態様により、表示装置が有する表示素子の信頼性を向上させた表示装置の
作製方法を提供することができる。
【００３１】
また本発明の一態様により、表示装置が有するトランジスタの信頼性を向上させた表示装
置の作製方法を提供することができる。
【００３２】
また本発明の一態様により、表示装置における周辺領域の面積の増大を抑制した表示装置
の作製方法を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００３３】
【図１】表示装置の一態様を示す斜視図及び平面図。
【図２】表示装置の一態様を示す断面図。
【図３】表示装置の一態様を示す断面図。
【図４】表示装置の作製方法の一例を示す図。
【図５】表示装置の作製方法の一例を示す図。
【図６】表示装置の一態様を示す斜視図及び平面図。
【図７】表示装置の一態様を示す断面図。
【図８】表示装置の一態様を示す断面図。
【図９】表示装置の作製方法の一例を示す図。
【図１０】表示装置の作製方法の一例を示す図。
【図１１】表示装置の作製方法の一例を示す図。
【図１２】表示装置の一態様を示す断面図。
【図１３】表示装置の一態様を示す断面図。
【図１４】表示装置の発光素子を説明する図。
【図１５】電子機器を示す図。
【図１６】電子機器を示す図。
【発明を実施するための形態】
【００３４】
以下、実施の形態について図面を参照しながら説明する。ただし、実施の形態は多くの異
なる態様で実施することが可能であり、趣旨及びその範囲から逸脱することなくその形態
及び詳細を様々に変更し得ることは当業者であれば容易に理解される。従って、本発明は
、以下の実施の形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。
【００３５】
なお、本明細書で説明する各図において、各構成の大きさ、膜の厚さ、又は領域は、明瞭
化のために誇張されている場合がある。よって、必ずしもそのスケールに限定されない。
【００３６】
なお、本明細書等において、第１、第２等として付される序数詞は、便宜上用いるもので
あり、工程順又は積層順を示すものではない。また、本明細書等において発明を特定する
ための事項として固有の名称を示すものではない。
【００３７】
本明細書において、「平行」とは、二つの直線が−１０°以上１０°以下の角度で配置さ
れている状態をいう。従って、−５°以上５°以下の場合も含まれる。また、「垂直」と
は、二つの直線が８０°以上１００°以下の角度で配置されている状態をいう。従って、
８５°以上９５°以下の場合も含まれる。
【００３８】
また、本明細書において、結晶が三方晶または菱面体晶である場合、六方晶系として表す
。
【００３９】
（実施の形態１）
本実施の形態では、本発明に係る表示装置の一形態を、図１乃至図３を用いて説明する。
【００４０】
図１（Ａ）は、本発明に係る表示装置の一形態を鳥瞰した斜視図である。表示装置１００
は、可撓性基板１０１と、可撓性基板１０１に対向して設けられた可撓性基板１０２と、
可撓性基板１０１に電気的に接続されたＦＰＣ（フレキシブルプリント回路基板）１０８
を有する。可撓性基板１０１と可撓性基板１０２とはシール材（図示せず）により接着さ
れ、さらにその側面に該シール材とは異なるシール材１０６が設けられている。
【００４１】
図１（Ａ）に示すように、本発明に係る表示装置は、対向する一組の基板にそれぞれ可撓
性を有する基板を用いている。このため、表示装置１００全体が可撓性（フレキシビリテ
ィ）を有する。従って、本発明に係る表示装置は、図１（Ａ）に示すように表示装置が上
に凸になるように湾曲することができ、また図示しないが、下に凸となるように、あるい
は波状となるように湾曲させることができ、さらに表示装置を捻った形状とすることもで
きる。このため、本発明に係る表示装置を、電子機器等の曲面形状を有する表示部に適用
することができる。
【００４２】
図１（Ｂ）は、本発明に係る表示装置の上面図である。図１（Ｂ）においては、表示装置
は湾曲していない状態を示している。図１（Ｂ）に示すように、本発明に係る表示装置１
００は、可撓性基板１０１と、可撓性基板１０１上に対向して設けられた可撓性基板１０
２と、可撓性基板１０１に電気的に接続されたＦＰＣ１０８とを有する。本実施の形態に
係る表示装置が有する可撓性基板１０１には、ＦＰＣ１０８を接続するための領域が必要
である。このため、可撓性基板１０１が有する四辺のうち少なくとも１辺には、可撓性基
板１０２と対向しないオフセット領域を有する。すなわち、可撓性基板１０２は、可撓性
基板１０１よりも面積が小さい。
【００４３】
表示装置１００は、表示領域１０３を有する。表示領域１０３には表示素子が設けられ、
一続きのシール材１０５によって囲まれている。またシール材１０５は、可撓性基板１０
１と、これに対向する可撓性基板１０２とを接着している。
【００４４】
図１に示す表示装置１００においては、シール材１０５で囲まれた領域に走査線駆動回路
１０４ａ、１０４ｂが表示領域１０３を挟んで設けられている。一方、信号線駆動回路は
、ＩＣチップ１０７に形成され、ＣＯＦ（チップオンフィルム）技術を用いて可撓性基板
１０１のオフセット領域に設けられている。また、外部信号の入力や電力の供給を行うた
め可撓性基板１０１のオフセット領域における外部入力端子１０９に、ＦＰＣ１０８が電
気的に接続している。しかし、本発明に係る表示装置においてはこのような構成に限られ
ず、走査線駆動回路及び信号線駆動回路の双方をそれぞれＩＣチップに形成して可撓性基
板１０１に配置してもよく、あるいは走査線駆動回路及び信号線駆動回路の双方を可撓性
基板１０１上に一体形成してもよい。
【００４５】
ここで、表示装置１００の側面には、シール材１０５とは異なるシール材１０６が設けら
れている。具体的には、シール材１０６は、表示装置１００においてＦＰＣ１０８が接続
する１辺（オフセット領域が設けられた辺）では可撓性基板１０２の側面及び可撓性基板
１０１の上面に設けられており、その他の３辺（オフセット領域が設けられていない辺）
では可撓性基板１０１の側面及び可撓性基板１０２の側面に、全体として閉ループを形成
するように一続きに設けられている。
【００４６】
このように、表示装置１００において、シール材１０５及びシール材１０６により表示領
域１０３を囲む二重の封止構造を形成することで、表示領域１０３に水や水分等の侵入を
防止又は抑制することが可能になり、可撓性を有する表示装置１００の信頼性を向上させ
ることができる。
【００４７】
次に、図２及び図３を用いて、本発明の態様の一に係る表示装置１００の封止構造につい
て詳説する。図２（Ａ）乃至（Ｃ）及び図３は、それぞれ異なる封止構造をとる表示装置
であり、いずれも図１（Ｂ）の表示装置１００の上面図に示すＡ−Ａ’の箇所の断面を示
す。
【００４８】
図２（Ａ）は、表示装置１００の封止構造の一例を示す表示装置１００ａの断面図である
。可撓性基板１０１上に、可撓性基板１０１に対向して可撓性基板１０２が設けられてい
る。可撓性基板１０１と可撓性基板１０２とはシール材１０５によって貼り合わされてい
る。可撓性基板１０１上には絶縁層１１０が設けられ、絶縁層１１０上に素子層１１１が
設けられている。従って、可撓性基板１０１は素子基板とよぶこともできる。
【００４９】
絶縁層１１０は、素子層１１１の下地膜として機能するもので、素子層１１１を形成する
ための平坦性の確保や、素子層１１１と可撓性基板１０１との絶縁分離、可撓性基板１０
１から素子層１１１への汚染物質の侵入防止等、種々の機能を持たせることができる。
【００５０】
素子層１１１は、表示領域１０３に画像を表示するための表示素子や、表示素子を駆動す
るための素子を少なくとも含む層である。表示素子とは例えば有機ＥＬを用いた発光素子
であり、表示素子を駆動するための素子とは例えばチャネル形成領域に半導体膜を用いた
トランジスタである。また、これらを電気的に接続する配線層や、外部からの信号を伝達
するための配線層、絶縁分離するための絶縁層、その他走査線駆動回路等を素子層１１１
に含んでいてもよい。
【００５１】
なお、図中では素子層１１１は、シール材１０５に囲まれた領域内に設けられているが、
素子層１１１を構成する全ての要素がシール材１０５内のみに設けられている必要はなく
、例えば表示素子を駆動するための素子の形成に用いられる絶縁層がそのままシール材１
０５の外部へ延在していてもよく、該素子に接続する配線層がそのままシール材１０５の
外部へ延在していてもよい。すなわち、シール材の素子層１１１が含む表示素子及び表示
素子を駆動するための素子が少なくともシール材１０５の内部にのみ設けられていればよ
い。
【００５２】
表示素子としては、有機ＥＬを用いた発光素子を用いることができる。図２（Ａ）では、
発光素子を表示素子として用いることで、発光素子からの光を上方に射出させる上方射出
型（トップエミッション型）の表示装置とすることができる。
【００５３】
一方、可撓性基板１０１に対向して設けられた可撓性基板１０２上（図においては可撓性
基板１０２の下）には、カラーフィルタ層１１２が設けられている。カラーフィルタ層１
１２は、例えば、赤色（Ｒ）、緑色（Ｇ）、青色（Ｂ）の３色それぞれのカラーフィルタ
、遮光層（ブラックマトリクス）、オーバーコート層等により構成される。ただし、これ
らの構成は表示装置１００の表示方式等に応じて適宜付加、削除することができる。例え
ば、表示装置１００が素子層１１１に発光素子を有する発光装置である場合において、Ｒ
ＧＢそれぞれの光を発光する発光素子がそれぞれ設けられている場合には、カラーフィル
タを用いない構成としてもよい。また、可撓性基板１０１が透明又は半透明な部材を用い
た場合には、下方へ発光素子の光を照射する下方射出方式の発光装置とすることができ、
この場合にはカラーフィルタ層１１２は不要となる。
【００５４】
図２（Ａ）に示すように、可撓性基板１０２は可撓性基板１０１よりも面積が小さく、可
撓性基板１０１が可撓性基板１０２と対向せずに露出する部分を有する。これを本明細書
ではオフセット領域とよぶ。このオフセット領域に、外部信号の入力や電力の供給を行う
ためのＦＰＣ１０８が電気的に接続されている。図示しないが、ＦＰＣ１０８は外部入力
端子において、異方性導電膜１１３を介して、シール材１０５内部に設けられた素子層１
１１と電気的に接続する。
【００５５】
異方性導電膜１１３は、熱硬化性、又は熱硬化性及び光硬化性の樹脂に導電性粒子を混ぜ
合わせたペースト状又はシート状の材料を硬化させたものである。光照射や熱圧着によっ
て異方性の導電性を示す材料となる。異方性導電膜１１３に用いられる導電性粒子として
は、例えば球状の有機樹脂をＡｕやＮｉ、Ｃｏ等の薄膜状の金属で被覆した粒子を用いる
ことができる。
【００５６】
シール材１０５は、上述したような可撓性基板１０１と可撓性基板１０２とを接着する機
能を有するとともに、シール材１０５により囲まれた領域内部へ、表示素子や表示素子を
駆動するための素子に対して不純物となる水等の汚染物質の侵入を防止又は抑制する機能
を有する。従って、シール材１０５は、表示領域１０３を囲んで一続きに形成されている
ことが好ましい。さらに、可撓性基板１０１と可撓性基板１０２との基板間隔を保持する
機能を有していてもよく、また表示装置１００ａに加わる衝撃や応力を緩和する機能を有
していてもよい。
【００５７】
シール材１０５としては、例えばエポキシ樹脂、アクリル樹脂、ウレタン樹脂などの樹脂
材料を用いることができる。これらの樹脂材料には、熱硬化型、光硬化型又はその両方の
いずれを用いてもよい。また、シール材１０５として、アクリル系樹脂とエポキシ系樹脂
とを混合するような、異なる種類の樹脂を混合した樹脂を用いてもよい。これらの樹脂に
、ＵＶ開始剤、熱硬化剤、カップリング剤など適宜混合して用いる。また、シール材１０
５はフィラーを含んでいてもよい。フィラーには、シリカ等の無機絶縁物からなる球体又
は円柱体等を用いることができる。フィラーを混入させることで、シール材１０５の粘度
や強度を調整することができる。また、フィラーの大きさを適切に設計することで、可撓
性基板１０１及び可撓性基板１０２の間隔を一定に保持させる機能を具備させることがで
きる。
【００５８】
また、シール材１０５としては、上記の樹脂の他に、低融点ガラスを含むフリットガラス
（ガラスフリットを用いたガラス材料）を用いることができる。シール材１０５としてフ
リットガラスを用いた場合、樹脂を用いた場合に比べて高い気密性を得ることができる。
【００５９】
このように、シール材１０５を配置することで、表示領域１０３を外部から遮断して、水
分等の汚染物質の表示領域１０３への侵入を防止又は抑制することができる。また、これ
に加えて、可撓性基板１０１と可撓性基板１０２とを接着して、表示装置の強度を向上さ
せることができる。従って、信頼性の高い可撓性を有する表示装置を作製することができ
る。
【００６０】
シール材１０６は、部材１０６ａと部材１０６ｂとにより構成される。シール材１０６は
、シール材１０５を囲むようにシール材１０５の外側に設けられており、可撓性基板１０
１と可撓性基板１０２とシール材１０５とで形成される基板間の間隙部分と、可撓性基板
１０１と可撓性基板１０２との側面に接して設けられている。ただし、表示装置１００ａ
のオフセット領域のある辺においては、シール材１０６は、該間隙部分と、可撓性基板１
０２の側面及び可撓性基板１０１の上面に接して設けられている。
【００６１】
シール材１０６は、表示素子やトランジスタに対して不純物となる物質（水など）が、外
部から侵入することを防止又は抑制する機能を少なくとも有するものである。なお、シー
ル材１０６は、その他の機能を有していてもよい。例えば、構造を強化する機能、接着性
を強化する機能、耐衝撃性を強化する機能などがあげられる。
【００６２】
以上に示したシール材１０５及びシール材１０６は、透湿度が低いほど好ましい。
【００６３】
ここで、透湿度とは、１日当たりに単位面積（１ｍ２）のフィルム等の材料を透過する水
の質量（単位ｇ／ｍ２・ｄａｙ）を表したものである。透湿度を低くすることにより、外
部からの水や水分等の不純物の侵入を防止又は抑制することができる。
【００６４】
上記透湿度は、ＭＯＣＯＮ法やカップ法と呼ばれる透湿性試験により算出することができ
る。ＭＯＣＯＮ法とは、測定対象となる材料を透過する水蒸気を、赤外線センサを用いて
測定する方法である。また、カップ法は、測定対象となる材料を透過した水蒸気を、カッ
プに入っている吸湿剤に吸水させ、吸水した吸湿剤の重量変化から透湿度を測定する方法
である。
【００６５】
透湿度としては、例えば発光装置用途に市販されているシール材では、１００μｍの膜厚
とした場合に１６ｇ／ｍ２・ｄａｙである。また、ガラスフリットを用いて形成されたガ
ラス層をシール材として用いる場合には、０．０１ｇ／ｍ２・ｄａｙ以下である。従って
、本願発明に係る封止構造を用いることで、表示装置の上記透湿度を上記に記載した透湿
度以下とすることができる。
【００６６】
シール材１０６には、種々の材料及び構造を適用することができる。以下、具体的なシー
ル材１０６の例について、図２（Ａ）乃至図２（Ｃ）、及び図３を用いて説明する。
【００６７】
図２（Ａ）に示す表示装置１００ａにおいては、シール材１０６は、最外周に設けられた
部材１０６ｂと、該部材１０６ｂと基板との間に設けられた部材１０６ａとにより構成さ
れる。
【００６８】
部材１０６ｂは、例えば金属材料又はプラスチック材料等を適用することができ、金属材
料としては、例えばアルミニウム、ステンレス鋼（ＳＵＳ）、鉛、ニッケルなどを含む材
料を適用できる。このような材料は樹脂材料に比べて透湿度が低いため、部材１０６ｂを
設けることで表示装置の信頼性を向上させることができる。
【００６９】
また、部材１０６ｂとしてはんだを用いてもよい。はんだは、Ｓｎ−Ｐｂ系、Ｐｂ−Ｓｎ
−Ｓｂ系、Ｓｎ−Ｓｂ系、Ｓｎ−Ｐｂ−Ｂｉ系、Ｓｎ−Ｃｕ系、Ｓｎ−Ｐｂ−Ｃｕ系、Ｓ
ｎ−Ｉｎ系、Ｓｎ−Ａｇ系、Ｓｎ−Ｐｂ−Ａｇ系、Ｐｂ−Ａｇ系、Ｓｎ−Ｚｎ系等の成分
の材料を用いることができる。特にＰｂは人体又は環境に有害であるため、無鉛はんだを
使用することが好ましい。このとき、はんだの融点は、部材１０６ａの融点よりも低いこ
とが好ましい。
【００７０】
部材１０６ａは、可撓性基板１０１の側面及び可撓性基板１０２の側面と、部材１０６ｂ
との間に位置し、表示領域１０３を封止する機能を有する他、これら可撓性基板１０１、
１０２と部材１０６ｂとを接着させる機能を有していてもよい。
【００７１】
部材１０６ａとしては、例えばエポキシ樹脂、アクリル樹脂、ウレタン樹脂などの樹脂材
料を用いることができる。これらの樹脂材料には、熱硬化型、光硬化型又はその両方のい
ずれを用いてもよい。また、部材１０６ａとして、アクリル系樹脂とエポキシ系樹脂とを
混合するような、異なる種類の樹脂を混合した樹脂を用いてもよい。これらの樹脂に、Ｕ
Ｖ開始剤、熱硬化剤、カップリング剤など適宜混合して用いる。
【００７２】
また、部材１０６ａとして、上記の樹脂の他に、上述したフリットガラスを用いることが
できる。
【００７３】
なお、部材１０６ｂに適用可能な材料を用いて部材１０６ａを構成してもよい。このとき
、必ずしも部材１０６ｂを設けなくてもよい。
【００７４】
図２（Ａ）において、部材１０６ａ及び部材１０６ｂは、可撓性基板１０１及び可撓性基
板１０２の側面の一部に設けられているが、該側面の全面に設けられていてもよく、また
可撓性基板１０１と可撓性基板１０２とが対向する面と反対の面（すなわち、素子層１１
１やカラーフィルタ層１１２が設けられていない面）の一部にわたって設けられていても
よい。
【００７５】
部材１０６ｂ及び部材１０６ａの幅は、１ｍｍ以下、好ましくは０．５ｍｍ以下であるこ
とが好ましい。
【００７６】
このように、表示装置１００ａにおいては、素子層により形成された表示領域を、シール
材１０５とシール材１０６とで二重に囲むことにより外部からの汚染物質の侵入を防止又
は抑制することができる。このため、表示装置１００ａの長期にわたる十分な信頼性を確
保することが可能になる。
【００７７】
図２（Ｂ）に示す表示装置１００ｂは、上述の表示装置１００ａに対し、シール材１０６
を単一の部材１０６ｃのみで構成した点において異なる。従って、表示装置１００ｂの他
の構成については、表示装置１００ａと同様である。
【００７８】
部材１０６ｃには、例えばエポキシ樹脂、アクリル樹脂、ウレタン樹脂などの樹脂材料を
用いることができる。これらの樹脂材料には、熱硬化型、光硬化型又はその両方のいずれ
を用いてもよい。また、部材１０６ｃとして、アクリル系樹脂とエポキシ系樹脂とを混合
するような、異なる種類の樹脂を混合した樹脂を用いてもよい。これらの樹脂に、ＵＶ開
始剤、熱硬化剤、カップリング剤など適宜混合して用いる。
【００７９】
また、部材１０６ｃとしてはんだを用いてもよい。はんだは、Ｓｎ−Ｐｂ系、Ｐｂ−Ｓｎ
−Ｓｂ系、Ｓｎ−Ｓｂ系、Ｓｎ−Ｐｂ−Ｂｉ系、Ｓｎ−Ｃｕ系、Ｓｎ−Ｐｂ−Ｃｕ系、Ｓ
ｎ−Ｉｎ系、Ｓｎ−Ａｇ系、Ｓｎ−Ｐｂ−Ａｇ系、Ｐｂ−Ａｇ系、Ｓｎ−Ｚｎ系等の成分
の材料を用いることができる。特にＰｂは人体又は環境に有害であるため、無鉛はんだを
使うことが好ましい。このとき、はんだの融点は、シール材１０５の融点よりも低いこと
が好ましい。
【００８０】
また、部材１０６ｃとして、上記の樹脂やはんだの他に、上述したフリットガラスを用い
ることができる。
【００８１】
図２（Ｃ）に示す表示装置１００ｃは、上述の表示装置１００ｂと同様に、シール材１０
６を単一の部材１０６ｄで構成した表示装置であるが、部材１０６ｄを可撓性基板１０１
及び可撓性基板１０２の側面に加えて、可撓性基板１０１と可撓性基板１０２とが対向す
る面と反対の面（すなわち、素子層１１１やカラーフィルタ層１１２が設けられていない
面）の一部にわたって設けられている。また、オフセット領域においては、ＦＰＣ１０８
の一部や異方性導電膜１１３を覆うように、部材１０６ｄが設けられている。
【００８２】
このような構造とすることで、基板と部材１０６ｄとの接触面積を増加させて、封止性を
高めることができる。また、基板端部や基板の角部を部材１０６ｄで覆うことにより、物
理的な衝撃から基板を保護することができる。
【００８３】
特に、可撓性基板を用いた本発明に係る表示装置においては、表示装置が極めて薄型であ
るため、基板側面の全体を被覆することが、表示領域１０３の封止及び表示装置１００ｃ
の保護の点で好ましい。
【００８４】
図３に示す表示装置１００ｄは、部材１０６ｆ、１０６ｇ及び１０６ｅにより構成される
シール材１０６により封止された表示装置である。部材１０６ｆ及び部材１０６ｇは、そ
れぞれ底蓋と上蓋として機能し、部材１０６ｅはそれら部材１０６ｆ及び部材１０６ｇと
基板との間隙を埋める接着層としての機能を有する。
【００８５】
可撓性基板１０１と可撓性基板１０２とで挟持された構造体は、部材１０６ｆ及び部材１
０６ｇからなる箱に内封されるため、基板側面が十分に封止され、表示装置１００ｄの信
頼性が向上する。
【００８６】
部材１０６ｆ及び部材１０６ｇには、透湿度が低く、かつ可撓性を有する材料を用いるこ
とができる。部材１０６ｆ及び部材１０６ｇとしては、例えば金属材料やプラスチック材
料、弾性を有する合成ゴム等を適用することができ、金属材料としては、例えばアルミニ
ウム、ステンレス鋼（ＳＵＳ）、鉛、ニッケルなどを含む材料を薄く延ばして用いること
ができる。
【００８７】
本実施の形態に示す構成、方法などは、他の実施の形態に示す構成、方法などと適宜組み
合わせて用いることができる。
【００８８】
（実施の形態２）
本実施の形態では、本発明に係る表示装置の作製方法の一例として、実施の形態１で示し
た表示装置１００ａの作製方法を、図４及び図５を用いて説明する。
【００８９】
まず、図４（Ａ）に示すように、可撓性基板１０１上に、絶縁層１１０を介して素子層１
１１を形成する。
【００９０】
可撓性基板１０１は、例えば可撓性を有する金属基材を用いることができる。当該基材と
しては金属元素を含む材料で構成され、厚さが薄い基材（シート又はフィルムなど）を用
いることができ、具体的にはチタンなどの金属シート又は金属フィルム、若しくはステン
レス鋼などの合金シート又は合金フィルムを用いることができる。中でも、比較的安価で
入手しやすいステンレス鋼のシート又はフィルムとすることが好ましい。
【００９１】
また、金属基材の他、耐熱性を有する樹脂基材を用いてもよい。樹脂基材としては、可撓
性を有する基板を用いることができ、例えば、ポリエチレンテレフタレート樹脂、ポリエ
チレンナフタレート樹脂、ポリアクリロニトリル樹脂、ポリイミド樹脂、ポリメチルメタ
クリレート樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポリエーテルスルフォン樹脂、ポリアミド樹脂
、シクロオレフィン樹脂、ポリスチレン樹脂、ポリアミドイミド樹脂、ポリ塩化ビニル樹
脂、環状非晶ポリオレフィン（ＣＯＰ）などを好適に用いることができる。また、可撓性
基板１０１は、熱膨張係数が３０ｐｐｍ／Ｋ以下、さらに好ましくは１０ｐｐｍ／Ｋ以下
がよい。また、可撓性基板１０１にはあらかじめ窒化シリコンや酸化窒化シリコン等の窒
素と珪素を含む膜や窒化アルミニウム等の窒素とアルミニウムを含む膜のような透水性の
低い保護膜を成膜しておいても良い。なお、可撓性基板１０１として繊維体に有機樹脂が
含浸された構造物（所謂、プリプレグとも言う）を用いてもよい。
【００９２】
本実施の形態において、シール材にフリットガラスを用いる場合、レーザー照射を行うた
め、可撓性基板１０１には樹脂材料に比べて耐熱性を有する金属基材を用いることが好ま
しい。
【００９３】
絶縁層１１０は、スパッタリング法やＣＶＤ法により成膜することができる。絶縁層１１
０としては無機絶縁膜で形成されていることが好ましく、例えば、酸化絶縁膜、窒化絶縁
膜、酸化窒化絶縁膜及び窒化酸化絶縁膜から選択される絶縁膜の単層構造又は多層構造と
すればよい。なお、「窒化酸化」とは、その組成として、酸素よりも窒素の含有量が多い
ことをいい、「酸化窒化」とは、その組成として、窒素よりも酸素の含有量が多いことを
いう。
【００９４】
絶縁層１１０は、素子層１１１の下地膜として機能するもので、素子層１１１を形成する
ための平坦性の確保や、素子層１１１と可撓性基板１０１との絶縁分離、可撓性基板１０
１から素子層１１１への汚染物質の侵入防止等、種々の機能を持たせることができる。
【００９５】
またシール材１０５にフリットガラスを用いる場合、一般に、酸化珪素を含む基材（板状
、シート状、又はフィルム状のガラス基板、若しくは酸化シリコン膜など）との密着性と
比較した場合、フリットガラスは金属元素を含む材料の基材（例えば、金属板、金属シー
ト又は金属フィルムなど）との密着性に乏しいとされるが、酸化珪素膜等の絶縁層１１０
を形成することで十分な密着性を確保することができる。
【００９６】
素子層１１１は、少なくとも発光素子等の表示素子と、該表示素子を駆動するトランジス
タ等の素子とを含む層である。素子層１１１については後述する。
【００９７】
素子層１１１に含まれ、走査線駆動回路１０４ａ、１０４ｂ等と電気的に接続する配線は
、素子層１１１に含まれる表示素子を駆動する素子と電気的に接続されている。当該配線
は当該表示素子を駆動する素子を構成する導電層を用いて形成してもよく、当該表示素子
を駆動する素子とは別に設ける導電層で形成してもよい。
【００９８】
次に、図４（Ｂ）に示すように、表示領域１０３を囲むようにシール材１０５を設ける。
【００９９】
シール材１０５に例えばエポキシ樹脂、アクリル樹脂、ウレタン樹脂などの樹脂材料を用
いる場合、例えばスクリーン印刷装置、インクジェット装置、又はディスペンス装置など
を用いて、閉ループ状に一続きのシールパターンを形成する。なお、シールパターンを、
矩形状、円形状、楕円形状、又は多角形状にしてもよい。
【０１００】
シール材１０５にフリットガラスを用いて形成する場合、例えばディスペンス装置や印刷
装置を用いて、ガラス粉末と接着性を有する有機樹脂を混合したフリットペーストを、絶
縁層１１０上に、表示領域１０３を囲んで一続きに形成する。その後熱処理を行い、該フ
リットペースト中の有機物を除去し、該フリットペーストを硬化させることによりシール
材１０５を形成する。
【０１０１】
また、フリットガラスに用いられるガラス粉末としては、例えば酸化マグネシウム、酸化
カルシウム、酸化バリウム、酸化リチウム、酸化ナトリウム、酸化カリウム、酸化ホウ素
、酸化バナジウム、酸化亜鉛、酸化テルル、酸化アルミニウム、二酸化シリコン、酸化鉛
、酸化スズ、酸化リン、酸化ルテニウム、酸化ロジウム、酸化鉄、酸化銅、酸化チタン、
酸化タングステン、酸化ビスマス、酸化アンチモン、ホウ酸鉛ガラス、リン酸スズガラス
、バナジン酸塩ガラス、及びホウケイ酸ガラスのうち、一つ又は複数を含む材料を適用で
きる。
【０１０２】
この後、図示しないがフリットガラスに、可撓性基板１０１の上面方向から第１のレーザ
ー光を照射して焼成し、フリットガラス中のガラス粉末成分を結合させる。
【０１０３】
第１のレーザー光は、フリットガラスを加熱することができれば特に限定はなく、様々な
レーザー光源を用いることができる。例えば、エキシマレーザーに代表される気体レーザ
ー、ＹＡＧレーザーに代表される固体レーザーを光源として用いることができる。固体レ
ーザーは、気体レーザーよりも小型であり量産性に優れているため、レーザー光の波長と
しては、赤外光域であることが好ましく、波長７８０ｎｍから２０００ｎｍが適用される
。例えば、波長８１０ｎｍ又は波長９４０ｎｍのレーザー光は有機樹脂に吸収されにくく
、加熱されにくいため、後述する部材１０６ａの位置をフリットガラスにできる限り近づ
けて形成することができる。そして、表示領域１０３の端部をフリットガラスにできる限
り近づけて形成できることから、表示装置１００を狭額縁化、及び高精細化することがで
きる。なお、レーザー光において、ビーム形状は特に限定はなく、矩形状、線状、又は円
状などとすることができる。
【０１０４】
次に、図４（Ｃ）に示すように、可撓性基板１０１に対向するように可撓性基板１０２を
貼り合わせる。
【０１０５】
可撓性基板１０２には、例えば強度が高く、光透光性を有する可撓性の薄板ガラスを用い
ることができる。
【０１０６】
可撓性基板１０２にはあらかじめカラーフィルタ層１１２を設けておく。
【０１０７】
位置合わせして可撓性基板１０１上に可撓性基板１０２を配置した後、シール材１０５を
硬化させて、可撓性基板１０１と可撓性基板１０２を接着する。
【０１０８】
シール材１０５にエポキシ樹脂、アクリル樹脂、ウレタン樹脂等の樹脂材料を用いる場合
には、紫外線硬化型であれば紫外光１２０を照射し、熱硬化型であれば加熱して硬化させ
る。
【０１０９】
一方、シール材１０５がフリットガラスを用いる場合には、透光性を有する可撓性基板１
０２を介して、第２のレーザー照射によりフリットペースト中の有機物を除去し、該フリ
ットペーストを硬化させてもよい。第２のレーザー照射は、第１のレーザー照射と同様の
レーザー光を用いることができる。
【０１１０】
次に、シール材１０５の外周にシール材１０６を設ける。本実施の形態においては、シー
ル材１０６は、部材１０６ａと部材１０６ｂにより構成される。
【０１１１】
まず、図４（Ｄ）において、シール材１０５を用いて可撓性基板１０１及び可撓性基板１
０２を貼り合わせた構造体の側面を、部材１０６ａを用いて封止する。
【０１１２】
部材１０６ａは、ディスペンス装置等を用いて、可撓性基板１０１及び可撓性基板１０２
の側面、可撓性基板１０１及び可撓性基板１０２の基板間、オフセット領域においては可
撓性基板１０２の側面、可撓性基板１０１及び可撓性基板１０２の基板間、可撓性基板１
０１の上面に形成する。
【０１１３】
部材１０６ａとしては、例えばエポキシ樹脂、アクリル樹脂、ウレタン樹脂などの樹脂材
料を用いることができる。これらの樹脂材料には、熱硬化型、光硬化型又はその両方のい
ずれを用いてもよい。また、部材１０６ａとして、アクリル系樹脂とエポキシ系樹脂とを
混合するような、異なる種類の樹脂を混合した樹脂を用いてもよい。これらの樹脂に、Ｕ
Ｖ開始剤、熱硬化剤、カップリング剤など適宜混合して用いる。また、部材１０６ａとし
て、上述したフリットガラスを用いることができる。これらの材料を用いて可撓性基板１
０１及び可撓性基板１０２の側面等に部材１０６ａを配置する場合、例えばディスペンス
装置を用いることができる。可撓性基板１０２の外周に沿って、樹脂材料やフリットペー
ストを滴下する。
【０１１４】
フリットガラスを部材１０６ａとして用いる場合には、ディスペンス装置等により滴下し
た後に、レーザー光を照射して仮焼成する。
【０１１５】
また部材１０６ａは、これらの材料に限定されず、例えばガラスリボンなどを可撓性基板
の周縁に沿って貼り、その後熱処理を行い、可撓性基板１０１及び可撓性基板１０２との
間隙等を閉塞させて、部材１０６ａを形成してもよい。
【０１１６】
次に、図５（Ａ）において、ペースト状の部材１０６ａの外側に、部材１０６ａと接して
部材１０６ｂを設ける。部材１０６ｂとしては、例えば金属材料又はプラスチック材料等
を適用することができ、金属材料としては、例えばアルミニウム、ステンレス鋼（ＳＵＳ
）、鉛、ニッケルなどを含む材料を適用できる。
【０１１７】
また、部材１０６ｂとしてはんだを用いてもよい。はんだは、Ｓｎ−Ｐｂ系、Ｐｂ−Ｓｎ
−Ｓｂ系、Ｓｎ−Ｓｂ系、Ｓｎ−Ｐｂ−Ｂｉ系、Ｓｎ−Ｃｕ系、Ｓｎ−Ｐｂ−Ｃｕ系、Ｓ
ｎ−Ｉｎ系、Ｓｎ−Ａｇ系、Ｓｎ−Ｐｂ−Ａｇ系、Ｐｂ−Ａｇ系、Ｓｎ−Ｚｎ系等の成分
の材料を用いることができる。特にＰｂは人体又は環境に有害であるため、無鉛はんだを
使うことが好ましい。このとき、はんだの融点は、部材１０６ａの融点よりも低いことが
好ましい。
【０１１８】
また、部材１０６ｂとしてはんだを用いる場合、例えば、加熱された工具（はんだこて）
の先端部分から超音波を発振させながら、該工具によりはんだを部材１０６ａに付けるこ
とにより部材１０６ｂを形成してもよい。超音波により空洞現象が起こり、例えば部材１
０６ａに形成される被膜を除去しつつ、部材１０６ｂを形成できるため、部材１０６ａと
部材１０６ｂとの密着性を高めることができる。
【０１１９】
次に、図５（Ｂ）において、部材１０６ａを硬化させて、シール材１０６による封止構造
を形成する。
【０１２０】
部材１０６ａがエポキシ樹脂、アクリル樹脂などの樹脂材料を用いる場合には、紫外線硬
化型であれば紫外光を照射し、熱硬化型であれば加熱して硬化させる。
【０１２１】
一方、部材１０６ａにフリットガラスを用いる場合には、図５（Ｂ）に示すように、部材
１０６ｂを介して、第２のレーザー照射によりフリットペースト中の有機物を除去し、該
フリットペーストを硬化させる。第２のレーザー照射は、可撓性基板１０１及び可撓性基
板１０２の側面方向から照射させる。例えば、可撓性基板１０１及び可撓性基板１０２の
積層体を水平方向に回転させながら、該積層体と水平方向からレーザー光１２１を照射す
る。また、第２のレーザー照射は、第１のレーザー照射と同様のレーザー光を用いること
ができる。
【０１２２】
なお、部材１０６ｂにはんだを用いる場合には、部材１０６ａに用いるフリットペースト
をあらかじめ第２のレーザー光を照射して硬化させておくとよい。
【０１２３】
次に、図５（Ｃ）において、オフセット領域にＦＰＣ１０８を接続する。接続は、異方性
導電膜１１３を用いて可撓性基板１０１上に設けられた外部入力端子と電気的に接続する
。
【０１２４】
以上のようにして、シール材１０５及びシール材１０６を用いた表示領域１０３の二重の
封止構造を形成することができる。
【０１２５】
このような封止構造を形成することで、外部から水等の汚染物質が表示領域１０３に侵入
することを困難にすることができ、表示装置１００ａの信頼性を向上させることができる
。
【０１２６】
本実施の形態に示す構成、方法などは、他の実施の形態に示す構成、方法などと適宜組み
合わせて用いることができる。
【０１２７】
（実施の形態３）
本実施の形態では、実施の形態１で示した表示装置とは異なる本発明に係る表示装置の一
形態を、図６乃至図８を用いて説明する。
【０１２８】
図６（Ａ）は、本発明に係る表示装置の一形態を鳥瞰した斜視図である。表示装置２００
は、実施の形態１で説明した表示装置１００に対して、可撓性基板２０１と可撓性基板２
０２が概略同形であり、オフセット領域を有していない点において異なる。
【０１２９】
可撓性基板２０１と、可撓性基板２０１に対向して設けられた可撓性基板２０２と、可撓
性基板２０１に電気的に接続されたＦＰＣ（フレキシブルプリント回路基板）２０８を有
する。可撓性基板２０１とＦＰＣ２０８とは、後述するが可撓性基板２０２に設けられた
開口を介して電気的に接続されている。可撓性基板２０１と可撓性基板２０２とはシール
材（図示せず）により接着され、さらにその側面に該シール材とは異なるシール材２０６
が設けられている。
【０１３０】
図６（Ａ）に示すように、本発明に係る表示装置は、対向する一組の基板にそれぞれ可撓
性を有する基板を用いている。このため、表示装置２００全体が可撓性（フレキシビリテ
ィ）を有する。図６（Ａ）では表示装置が上に凸になるように湾曲しているが、下に凸と
なるように、あるいは波状や表示装置を捻った形状とすることもできる。このため、本発
明に係る表示装置を、電子機器等の曲面形状を有する表示部に適用することができる。
【０１３１】
図６（Ｂ）は、本発明の一態様に係る表示装置の上面図である。図６（Ｂ）においては、
表示装置は湾曲していない状態を示している。図６（Ｂ）に示すように、本発明に係る表
示装置２００は、可撓性基板２０１と、可撓性基板２０１上に対向して設けられた可撓性
基板２０２と、可撓性基板２０１に電気的に接続されたＦＰＣ２０８とを有する。
【０１３２】
ＦＰＣ２０８は可撓性基板２０２に設けられた開口を介して可撓性基板２０１と接続する
。このため、実施の形態１で示した表示装置１００とは異なり、表示装置２００では、可
撓性基板２０１と可撓性基板２０２のそれぞれの側面が概略同一平面上に位置する。
【０１３３】
本発明に係る表示装置の一態様においては、可撓性基板２０１上に走査線駆動回路２０４
ａ、走査線駆動回路２０４ｂが表示領域２０３を挟んで設けられている。一方、信号線駆
動回路は、ＩＣチップ２０７に形成され、ＦＰＣ２０８上に設けられている。ＦＰＣ２０
８は可撓性基板２０２に設けられた開口を介して可撓性基板２０１上に設けられた外部入
力端子２０９と電気的に接続する。しかし、本発明に係る表示装置においてはこのような
構成に限らず、走査線駆動回路及び信号線駆動回路の双方をそれぞれＩＣチップに形成し
てＦＰＣ２０８上に設けてもよく、走査線駆動回路及び信号線駆動回路の双方を可撓性基
板２０１上に一体形成してもよい。
【０１３４】
表示装置２００は上述した構造であるため、表示装置１００に比べ、比較的容易に基板側
面にシール材２０６を設けることができる。なお、図６（Ｂ）においては、シール材は基
板の側面のみに配置し、基板間には配置していないが、シール材２０６と異なるシール材
を、基板間に別途配置してもよい。
【０１３５】
このように、表示装置２００において、シール材２０６により表示領域２０３を囲む封止
構造を基板側面に形成することで、表示領域２０３に水や水分等の侵入を防止又は抑制す
ることが可能になり、表示装置２００の信頼性を向上させることができる。また、基板側
面にのみシール材を設けた場合には、表示領域２０３の周辺領域の占有面積を縮小するこ
とができるため、狭額縁である表示装置を作製することができる。
【０１３６】
次に、図７及び図８を用いて、本発明の態様の一に係る表示装置２００の封止構造につい
て詳説する。図７（Ａ）乃至（Ｃ）及び図８は、それぞれ異なる封止構造をとる表示装置
であり、いずれも図６（Ｂ）の表示装置２００の上面図に示すＢ−Ｂ’の箇所の断面を示
す。
【０１３７】
図７（Ａ）は、表示装置２００の封止構造の一例を示す表示装置２００ａの断面図である
。可撓性基板２０１上に、可撓性基板２０１に対向して可撓性基板２０２が設けられてい
る。
【０１３８】
可撓性基板２０１と可撓性基板２０２との間には、素子層２１６、カラーフィルタ層２１
８が設けられている。これらの層を可撓性基板上に形成するために、本実施の形態に係る
表示装置２００においては、ガラス基板や石英基板といった基材上に薄膜トランジスタな
どの半導体素子を作製した後、当該基材から半導体素子を分離して、他の基材（例えば可
撓性基板）へと半導体素子を転置する技術を用いる。
【０１３９】
後に詳説するが、上述の転置技術を用いるために、可撓性基板２０１上には被剥離層２１
５、２１９及び接着層２１４、２１７、２２０が設けられている。
【０１４０】
被剥離層２１５、２１９は、表示素子や表示素子を駆動する素子等を有する素子層２１６
や、カラーフィルタ、遮光膜、オーバーコート膜等を有するカラーフィルタ層２１８を形
成する際に用いる基材から分離するために必要な層であり、該基材上の剥離層から素子層
２１６やカラーフィルタ層２１８を分離する際のバッファ層（緩衝層）として機能する層
である。被剥離層２１５、２１９は、窒素を含む絶縁膜で形成することが好ましく、例え
ば、窒化シリコン、酸化窒化シリコン、及び窒化酸化シリコンなどを単層構造又は多層構
造で形成することができる。
【０１４１】
また、接着層２１４、２１７、２２０は、分離した素子層２１６やカラーフィルタ層２１
８どうし、又はこれらと可撓性基板とを貼り合わせるための層である。接着層２１４、２
１７、２２０としては、紫外線硬化型接着剤などの光硬化型の接着剤、反応硬化型接着剤
、熱硬化型接着剤、または嫌気型接着剤を用いることができる。例えば、エポキシ樹脂、
アクリル樹脂、ウレタン樹脂、イミド樹脂、シリコーン樹脂、フェノール樹脂等を用いる
ことができる。また、接着剤に光の波長以下の大きさの乾燥剤（ゼオライト等）や、屈折
率の大きいフィラー（酸化チタンや、ジルコニウム等）を混合することにより、表示素子
に発光素子を用いた場合には信頼性が向上し、又は発光素子からの光取り出し効率が向上
するため好適である。
【０１４２】
図７（Ａ）に示す表示装置２００ａにおいては、可撓性基板２０１、接着層２１４、被剥
離層２１５、素子層２１６、接着層２１７、カラーフィルタ層２１８、被剥離層２１９、
接着層２２０、可撓性基板２０２の順に積層されている。
【０１４３】
ここで、接着層２１７、カラーフィルタ層２１８、被剥離層２１９からなる積層体は、可
撓性基板２０１、接着層２１４、被剥離層２１５、素子層２１６からなる積層体よりも面
積が小さい。すなわち表示部の端部において、素子層２１６が、接着層２１７、カラーフ
ィルタ層２１８、被剥離層２１９からなる積層体に対して露出する部分（オフセット領域
）を有する。このオフセット領域において、該領域上の接着層２２０及び可撓性基板２０
２の一部を除去して開口を設け、該開口を介して素子層２１６とＦＰＣ２０８とが電気的
に接続されている。
【０１４４】
該開口内には異方性導電膜２１３が設けられている。従って、素子層２１６に設けられた
外部入力端子とＦＰＣ２０８とは、異方性導電膜２１３を介して電気的に接続される。
【０１４５】
表示装置２００ａにおいては、表示装置２００ａの側面に部材２０６ａが設けられ、部材
２０６ａで表示領域を囲むことにより封止構造を形成している。
【０１４６】
部材２０６ａには、例えばエポキシ樹脂、アクリル樹脂、ウレタン樹脂などの樹脂材料を
用いることができる。これらの樹脂材料には、熱硬化型、光硬化型又はその両方のいずれ
を用いてもよい。また、部材２０６ａとして、アクリル系樹脂とエポキシ系樹脂とを混合
するような、異なる種類の樹脂を混合した樹脂を用いてもよい。これらの樹脂に、ＵＶ開
始剤、熱硬化剤、カップリング剤など適宜混合して用いる。
【０１４７】
また、部材２０６ａとしてはんだを用いてもよい。はんだは、Ｓｎ−Ｐｂ系、Ｐｂ−Ｓｎ
−Ｓｂ系、Ｓｎ−Ｓｂ系、Ｓｎ−Ｐｂ−Ｂｉ系、Ｓｎ−Ｃｕ系、Ｓｎ−Ｐｂ−Ｃｕ系、Ｓ
ｎ−Ｉｎ系、Ｓｎ−Ａｇ系、Ｓｎ−Ｐｂ−Ａｇ系、Ｐｂ−Ａｇ系、Ｓｎ−Ｚｎ系等の成分
の材料を用いることができる。特にＰｂは人体又は環境に有害であるため、無鉛はんだを
使うことが好ましい。このとき、はんだの融点は、可撓性基板２０１、２０２や接着層の
融点よりも低いことが好ましい。また、可撓性基板２０１、２０２や接着層に用いる材料
を、はんだの融点に対して耐熱性のある材料を用いてもよい。
【０１４８】
図７（Ｂ）に示す表示装置２００ｂは、上述した表示装置２００ａに比べ、シール材とし
て機能する部材２０６ｂを可撓性基板の上面又は底面の一部にわたって設けた表示装置で
ある。また、ＦＰＣ２０８と素子層２１６とが電気的に接続する部分にも部材２０６ｂが
設けられている。
【０１４９】
部材２０６ｂをこのように配置することにより、さらに封止性能を向上させ、さらに表示
装置２００ｂの信頼性を向上させることができる。
【０１５０】
部材２０６ｂには、部材２０６ａで用いた材料を用いることができる。
【０１５１】
図７（Ｃ）に示す表示装置２００ｃは、図７（Ａ）で説明した表示装置２００ａの構造に
対して、さらにシール材２０５が可撓性基板２０１と可撓性基板２０２の間に設けられた
表示装置である。シール材２０５は表示領域２０３を囲むように一続きに形成されている
。図７（Ｃ）においては、シール材２０５は被剥離層２１５上に設けられ、被剥離層２１
５とカラーフィルタ層２１８と接している。しかし、積層構造はこれに限られず、シール
材２０５は素子層２１６が有する絶縁層上に設けられていてもよく、また被剥離層２１９
等の他の層や基板、基材と接していてもよい。
【０１５２】
シール材２０５の部材には、例えばエポキシ樹脂、アクリル樹脂、ウレタン樹脂などの樹
脂材料を用いることができる。これらの樹脂材料には、熱硬化型、光硬化型又はその両方
のいずれを用いてもよい。また、シール材２０５として、アクリル系樹脂とエポキシ系樹
脂とを混合するような、異なる種類の樹脂を混合した樹脂を用いてもよい。これらの樹脂
に、ＵＶ開始剤、熱硬化剤、カップリング剤など適宜混合して用いる。
【０１５３】
シール材２０５は、その外側において他のシール材である部材２０６ａにより囲まれる。
このように表示領域２０３をシール材２０５及び部材２０６ａを用いて二重に封止するこ
とにより、表示装置２００ｃの信頼性を向上させることができる。
【０１５４】
図８に示す表示装置２００ｄは、図７（Ａ）に示した表示装置２００ａを、部材２０６ｄ
、部材２０６ｅ及び部材２０６ｃにより構成されるシール材２０６により封止された表示
装置である。部材２０６ｄ及び部材２０６ｅは、それぞれ底蓋と上蓋として機能し、部材
２０６ｃはそれら部材２０６ｄ及び部材２０６ｅと基板との間隙を埋める接着層としての
機能を有する。
【０１５５】
可撓性基板２０１と可撓性基板２０２とで挟持された構造体は、部材２０６ｄ及び部材２
０６ｅからなる箱に内封されるため、基板側面が十分に封止され、表示装置２００ｄの信
頼性が向上する。
【０１５６】
部材２０６ｄ及び部材２０６ｅには、透湿度が低く、かつ可撓性を有する材料を用いるこ
とができる。部材２０６ｄ及び部材２０６ｅとしては、例えば金属材料やプラスチック材
料、弾性を有する合成ゴム等を適用することができ、金属材料としては、例えばアルミニ
ウム、ステンレス鋼（ＳＵＳ）、鉛、ニッケルなどを含む材料を薄く延ばして用いること
ができる。
【０１５７】
本実施の形態に示す構成、方法などは、他の実施の形態に示す構成、方法などと適宜組み
合わせて用いることができる。
【０１５８】
（実施の形態４）
本実施の形態では、本発明に係る表示装置の作製方法の一例として、実施の形態３で示し
た表示装置２００ａの作製方法の一例を、図９乃至図１１を用いて説明する。
【０１５９】
まず、支持基板２３０に素子層２１６等を形成する工程（素子基板を作製する工程）を説
明する。
【０１６０】
まず、支持基板２３０上に、下地層２３１、剥離層２３２、被剥離層２１５を順に形成す
る（図９（Ａ）参照）。
【０１６１】
支持基板２３０は、本実施の形態の処理温度に耐えることができ、可撓性を有していない
基材を用いることが好ましい。例えば、ガラス基板、石英基板、サファイア基板、セラミ
ック基板、金属基板などを用いることができる。
【０１６２】
ガラス基板としては、後の加熱処理の温度が高い場合には、歪み点が７３０℃以上のもの
を用いるとよい。また、ガラス基板には、例えば、アルミノシリケートガラス、アルミノ
ホウケイ酸ガラス、バリウムホウケイ酸ガラスなどのガラス材料が用いられている。ガラ
ス基板は、あらかじめ熱処理を行い、基板を収縮させておくとよい。例えば、該熱処理と
して、６５０℃の加熱を２回行うとよい。
【０１６３】
このように、可撓性を有していない基材である支持基板２３０に素子層２１６等を形成す
ることで、表示装置２００の作製工程において形成過程における積層体のハンドリングが
容易になり、表示装置２００を歩留まりよく作製することができる。
【０１６４】
下地層２３１は、支持基板２３０としてガラス基板等の不純物を含有する基材を用いる場
合に、ガラス基板等からの汚染を防止できるので、より好ましい。
【０１６５】
下地層２３１としては、酸化シリコン膜、酸化窒化シリコン膜、窒化シリコン膜、窒化酸
化シリコン膜などの絶縁層を用いることができる。
【０１６６】
下地層２３１は、上記した絶縁膜をプラズマＣＶＤ法、熱ＣＶＤ法などの化学気相成長法
、又はスパッタリング法などの物理気相成長法を用いて形成する。なお、下地層２３１は
、これらの方法に限らず塗布法又は印刷法などで形成してもよい。
【０１６７】
剥離層２３２は、タングステン、モリブデン、チタン、タンタル、ニオブ、ニッケル、コ
バルト、ジルコニウム、ルテニウム、ロジウム、パラジウム、オスミウム、イリジウム、
シリコンから選択された元素、又は前記元素を含む合金材料、又は前記元素を含む化合物
材料からなり、単層構造又は多層構造の層である。シリコンを含む層の結晶構造は、非晶
質、微結晶、多結晶のいずれの場合でもよい。
【０１６８】
剥離層２３２が単層構造の場合、好ましくは、タングステン層、モリブデン層、又はタン
グステンとモリブデンの混合物を含む層を形成する。又は、タングステンの酸化物若しく
は酸化窒化物を含む層、モリブデンの酸化物若しくは酸化窒化物を含む層、又はタングス
テンとモリブデンの混合物の酸化物若しくは酸化窒化物を含む層を形成する。なお、タン
グステンとモリブデンの混合物とは、例えば、タングステンとモリブデンの合金に相当す
る。
【０１６９】
剥離層２３２は、スパッタリング法やプラズマＣＶＤ法、塗布法、印刷法等により形成す
ることができる。なお、塗布法はスピンコーティング法、液滴吐出法、ディスペンス法を
含む。
【０１７０】
被剥離層２１５は、窒素を含む絶縁膜で形成することが好ましく、例えば、窒化シリコン
、酸化窒化シリコン、及び窒化酸化シリコンなどを単層構造又は多層構造で形成すること
ができる。被剥離層２１５は、上記した物理気相成長法、上記した化学気相成長法、塗布
法、又は印刷法などを用いて形成することが可能であり、例えば、プラズマＣＶＤ法によ
って成膜温度を２５０℃以上４００℃以下として形成することで、緻密で非常に透水性の
低い膜とすることができる。なお、被剥離層２１５の厚さは１０ｎｍ以上３０００ｎｍ以
下、さらには２００ｎｍ以上１５００ｎｍ以下が好ましい。
【０１７１】
次に、熱処理を行い、剥離層２３２の全部又は一部を改質する。すなわち、熱処理を加え
ることで、剥離層２３２の全部又は一部を酸化や窒化して、酸化絶縁膜、酸化窒化絶縁膜
又は窒化酸化絶縁膜を形成する。例えば、剥離層２３２として、タングステンを含む層を
形成し、加熱処理によって酸化物で形成される絶縁層を形成して、タングステン層と絶縁
層との界面にタングステンの酸化物を含む層を形成することができる。熱処理の温度は用
いる基板によって異なるが、例えば４５０℃以上７００℃以下の範囲の温度で行う。また
、剥離層２３２として形成したタングステンを含む層の表面を、熱酸化処理、酸素プラズ
マ処理、オゾン水等の酸化力の強い溶液での処理等を行って、被剥離層２１５であるタン
グステンの酸化物を含む層を形成してもよい。またプラズマ処理や加熱処理は、酸素、窒
素、亜酸化窒素単独、あるいは前記ガスとその他のガスとの混合気体雰囲気下で行っても
よい。
【０１７２】
その後、被剥離層２１５上に表示素子や表示素子を駆動する素子を含む素子層２１６を形
成する（図９（Ｂ）参照）。
【０１７３】
表示素子としては例えば有機ＥＬを用いた発光素子が挙げられ、表示素子を駆動する素子
としては、チャネル形成領域に半導体膜を用いたトランジスタが挙げられる。該トランジ
スタは公知のトランジスタの作製方法を用いて形成することができる。なお、外部入力端
子２０９は、トランジスタの作製工程を利用して形成してもよいし、該トランジスタの作
製工程を利用せずに別途形成してもよい。
【０１７４】
表示素子の一例とした発光素子は、一対の電極間に発光性の物質を含む層を形成する。具
体的には、当該発光性の物質を含む層は、第１電極層及び第２電極層の間に形成する。発
光素子の構造及び材料等については後述する。
【０１７５】
また、水や酸素などの不純物を透過させない無機絶縁膜で当該発光素子を覆うことにより
、発光素子が露出しないため発光素子及び表示装置２００の信頼性を向上させることがで
きる。当該無機絶縁膜としては、酸化絶縁膜、窒化絶縁膜、酸化窒化絶縁膜、窒化酸化絶
縁膜などを用いることができる。具体的には、シリコンやアルミニウムを含む絶縁膜を用
いることができる。
【０１７６】
次に、支持基板２３５にカラーフィルタ層２１８等を形成する工程（対向基板を作製する
工程）を説明する。
【０１７７】
支持基板２３０とは異なる支持基板２３５上に、下地層２３６、剥離層２３７、被剥離層
２１９を順に形成する。
【０１７８】
支持基板２３５は、支持基板２３０と同様の基材を用いることができる。また、下地層２
３６、剥離層２３７、被剥離層２１９は、下地層２３１、剥離層２３２、被剥離層２１５
と同様にして形成することができる。
【０１７９】
次に、熱処理によって剥離層２３７の全部又は一部を改質する。この熱処理は上述した剥
離層２３２の熱処理と同様の処理を行えばよく、熱処理に代わって剥離層２３７の表面を
改質する他の処理を行ってもよい。
【０１８０】
その後、被剥離層２１９上にカラーフィルタ層２１８を形成する。
【０１８１】
カラーフィルタ層２１８は、例えばカラーフィルタ、遮光層（ブラックマトリクス）、オ
ーバーコート層を有する。
【０１８２】
遮光層は、公知の材料を用いて、印刷法、塗布法、フォトリソグラフィ技術を用いたエッ
チング方法などでそれぞれ所望の位置に形成する。
【０１８３】
その後、離間して設けられている遮光層の間にカラーフィルタを形成する。カラーフィル
タは、公知の材料を用いて、印刷法、塗布法、フォトリソグラフィ技術を用いたエッチン
グ方法などでそれぞれ所望の位置に形成する。
【０１８４】
カラーフィルタ及び遮光層を覆うオーバーコート層を設ける場合は、公知の材料を用いて
物理気相成長法、化学気相成長法、塗布法、又は印刷法などを用いて形成すればよい。オ
ーバーコート層は、カラーフィルタ層に含まれる水分や不純物成分が素子層２１６中の表
示素子へ拡散することを防ぐため、設けることが好ましい。オーバーコート層を設けない
場合には、オーバーコート層を形成する工程数を削減することができる。
【０１８５】
以上のようにしてそれぞれ形成された、素子層２１６を有する支持基板２３０と、カラー
フィルタ層２１８を有する支持基板２３５とを、間に接着層２１７を介して貼り合わせる
（図９（Ｃ）参照）。接着層２１７には、例えばエポキシ樹脂等の上述した材料を用いれ
ばよい。
【０１８６】
ここで、外部入力端子を形成するオフセット領域を確保するため、カラーフィルタ層２１
８を有する支持基板２３５よりも素子層２１６を有する支持基板２３０の方の基板面積を
大きく作製する。このため、接着層２１７は、基板面積の小さいカラーフィルタ層２１８
を有する支持基板２３５側にあらかじめ設けることが好ましい。
【０１８７】
その後、支持基板２３５に形成された剥離層２３７と被剥離層２１９との間で剥離（分離
）を行う（図９（Ｄ）参照）。
【０１８８】
剥離方法としては、機械的な力を加えること（人間の手や治具で引き剥がす処理や、ロー
ラーを回転させながら分離する処理等）を用いて行えばよい。また、密着性の弱い部分、
又は密着性の弱い部分に形成した溝に液体を滴下し、剥離層２３７と被剥離層２１９の界
面に液体を浸透させての被剥離層２１９から剥離層２３７を剥離してもよい。このとき、
超音波などの振動を加えながら剥離することが好ましい。また、密着性の弱い部分、又は
密着性の弱い部分に形成した溝にＮＦ３、ＢｒＦ３、ＣｌＦ３等のフッ化ガスを導入し、
剥離層２３７をフッ化ガスでエッチングし除去して、被剥離層２１９から剥離層２３７を
剥離する方法を用いてもよい。
【０１８９】
その他の剥離方法としては、剥離層２３７をタングステンで形成した場合は、アンモニア
水と過酸化水素水の混合溶液により剥離層をエッチングしながら剥離を行うことができる
。
【０１９０】
該剥離は、被剥離層２１９と剥離層２３７との界面、又は剥離層２３７中において行われ
る。このため、剥離後の素子層２１６やカラーフィルタ層２１８を有する基板には、被剥
離層２１９又は被剥離層２１９と剥離層２３７の一部が残留する。
【０１９１】
次に、上記剥離により露出した面上に、接着層２２０を介して可撓性基板２０２を貼り合
わせる（図１０（Ａ）参照）。
【０１９２】
可撓性基板２０２としては、可撓性及び可視光に対する透光性を有する基板を用いること
ができ、例えば、ポリエチレンテレフタレート樹脂、ポリエチレンナフタレート樹脂、ポ
リアクリロニトリル樹脂、ポリイミド樹脂、ポリメチルメタクリレート樹脂、ポリカーボ
ネート樹脂、ポリエーテルスルフォン樹脂、ポリアミド樹脂、シクロオレフィン樹脂、ポ
リスチレン樹脂、ポリアミドイミド樹脂、ポリ塩化ビニル樹脂、環状非晶ポリオレフィン
（ＣＯＰ）などを好適に用いることができる。また、可撓性基板２０２は、熱膨張係数が
３０ｐｐｍ／Ｋ以下、さらに好ましくは１０ｐｐｍ／Ｋ以下がよい。また、可撓性基板２
０２にはあらかじめ窒化シリコンや酸化窒化シリコン等の窒素と珪素を含む膜や窒化アル
ミニウム等の窒素とアルミニウムを含む膜のような透水性の低い保護膜を成膜しておいて
も良い。なお、可撓性基板２０２として繊維体に有機樹脂が含浸された構造物（所謂、プ
リプレグとも言う）を用いてもよい。
【０１９３】
可撓性基板２０２の材料中に繊維体が含まれている場合、繊維体は有機化合物または無機
化合物の高強度繊維を用いる。高強度繊維とは、具体的には引張弾性率またはヤング率の
高い繊維のことを言い、代表例としては、ポリビニルアルコール系繊維、ポリエステル系
繊維、ポリアミド系繊維、ポリエチレン系繊維、アラミド系繊維、ポリパラフェニレンベ
ンゾビスオキサゾール繊維、ガラス繊維、または炭素繊維が挙げられる。ガラス繊維とし
ては、Ｅガラス、Ｓガラス、Ｄガラス、Ｑガラス等を用いたガラス繊維が挙げられる。こ
れらは、織布または不織布の状態で用い、この繊維体に有機樹脂を含浸させ、有機樹脂を
硬化させた構造物を可撓性基板２０２として用いても良い。可撓性基板２０２として繊維
体と有機樹脂からなる構造物を用いると、曲げや局所的押圧による破損に対する信頼性が
向上するため好ましい。
【０１９４】
この後、可撓性基板２０２を含む、素子層２１６やカラーフィルタ層２１８を有する積層
体と、支持基板２３０とを分離する（図１０（Ｂ）参照）。剥離は、支持基板２３０と吸
着ステージとが接するように、吸着ステージ上に設置し、素子層２１６やカラーフィルタ
層２１８を有する積層体に引っ張り応力を印加しながら剥離を行う。これにより、被剥離
層２１５と剥離層２３２との界面、または剥離層２３２中において剥離が進行する。
【０１９５】
この際、剥離が生じる部分に水等の液体を付与すると、毛細管現象により該液体が剥離部
分に侵入して、剥離プロセスを促進させることができる。
【０１９６】
これにより、剥離後の素子層２１６やカラーフィルタ層２１８を有する積層体には、被剥
離層２１５又は被剥離層２１５と剥離層２３２の一部が残留する。
【０１９７】
次に、接着層２１４を間に挟んで、素子層２１６やカラーフィルタ層２１８を有する剥離
後の積層体と、可撓性基板２０１とを貼り合わせる（図１０（Ｃ）参照）。可撓性基板２
０１は、上述した可撓性基板２０２と同様の材料を用いることができる。
【０１９８】
これにより、可撓性基板２０１及び可撓性基板２０２により挟持された素子層２１６やカ
ラーフィルタ層２１８を有する積層体が形成される。
【０１９９】
次に、積層体の側面にシール材として機能する部材２０６ａを配置する（図１１（Ａ）参
照）。
【０２００】
部材２０６ａには、先の実施の形態で説明した材料を用いることができる。
【０２０１】
例えば部材２０６ａには、エポキシ樹脂、アクリル樹脂などの樹脂材料を用いることがで
きる。これらの樹脂材料には、熱硬化型、光硬化型又はその両方のいずれを用いてもよい
。また、部材２０６ａとして、アクリル系樹脂とエポキシ系樹脂とを混合するような、異
なる種類の樹脂を混合した樹脂を用いてもよい。これらの樹脂に、ＵＶ開始剤、熱硬化剤
、カップリング剤など適宜混合して用いる。
【０２０２】
また、部材２０６ａとしてはんだを用いてもよい。はんだは、Ｓｎ−Ｐｂ系、Ｐｂ−Ｓｎ
−Ｓｂ系、Ｓｎ−Ｓｂ系、Ｓｎ−Ｐｂ−Ｂｉ系、Ｓｎ−Ｃｕ系、Ｓｎ−Ｐｂ−Ｃｕ系、Ｓ
ｎ−Ｉｎ系、Ｓｎ−Ａｇ系、Ｓｎ−Ｐｂ−Ａｇ系、Ｐｂ−Ａｇ系、Ｓｎ−Ｚｎ系等の成分
の材料を用いることができる。特にＰｂは人体又は環境に有害であるため、無鉛はんだを
使うことが好ましい。このとき、はんだの融点は、部材１０６ａの融点よりも低いことが
好ましい。
【０２０３】
これにより、表示装置２００の信頼性を向上させることができる。
【０２０４】
次に、素子層２１６とＦＰＣ２０８とを電気的に接続するための開口２４０を形成する。
【０２０５】
まず、ＦＰＣ２０８を電気的に接続するための素子層２１６における外部入力端子が形成
された領域（図示せず）を囲むように、可撓性基板２０２及び接着層２２０に切り込みを
いれる。切り込みの形成は、鋭利な刃物等の工具やレーザー光の照射によって行えばよい
。工具により切り込みを行う場合にはその加圧の程度、レーザー光を照射する場合にはそ
の強度を適宜調整して、素子層２１６等が損壊されないように行う。また、工具とレーザ
ー光の照射を組み合わせて、切り込みの作製を行ってもよい。
【０２０６】
次に、切り込みを入れた外部入力端子を囲む領域における可撓性基板２０２を、積層体と
概略直交する方向に引っ張ることで、当該領域における可撓性基板２０２及び接着層２２
０を剥離することができる。接着層２２０と外部入力端子となる導電層との界面は密着性
が低いため、外部入力端子を容易に露出させることができる（図１１（Ｂ）参照）。以上
により、可撓性基板２０２及び接着層２２０の一部に開口２４０を形成することができる
。
【０２０７】
次に、上記の方法により形成した開口２４０の内部に、異方性導電膜２１３を設ける。異
方性導電膜２１３上にＦＰＣ２０８を設けて熱圧着することで、素子層２１６に電源の供
給や外部信号の入力が可能な電気的経路が確立する（図１１（Ｃ）参照）。
【０２０８】
以上の方法により、側面にシール構造を有することで、信頼性の高い可撓性を有する表示
装置２００を作製することができる。
【０２０９】
本実施の形態に示す構成、方法などは、他の実施の形態に示す構成、方法などと適宜組み
合わせて用いることができる。
【０２１０】
（実施の形態５）
本実施の形態では、本発明の表示装置の一態様について、実施の形態１で説明した表示装
置１００ａの構造を用いた可撓性を有する発光装置について、図１２を用いて説明する。
【０２１１】
図１２は、図２（Ａ）に示した表示装置１００ａの断面図を発光装置に適用した場合とし
て、より詳細に描いた断面模式図の一部である。なお、図１２は発光装置の封止領域内に
設けられている表示領域３００の一部のみを示している。
【０２１２】
なお、図示しないが、本実施の形態に係る発光装置は、走査線駆動回路をシール材３２３
の内側に有していてもよい。発光装置が走査線駆動回路を有する場合、表示領域３００と
同様に、素子層に走査線駆動回路を形成することができる。可撓性基板３０２に設けられ
た絶縁層３０３上に、複数のｎチャネル型のトランジスタを組み合わせたＮＭＯＳ回路を
形成することができる。なお、走査線駆動回路はＮＭＯＳ回路に限られず、ｎチャネル型
のトランジスタとｐチャネル型のトランジスタを組み合わせた種々のＣＭＯＳ回路や、ｐ
チャネル型のトランジスタで構成されるＰＭＯＳ回路などを有する構成としてもよい。な
お、信号線駆動回路を可撓性基板３０２上に一体として設ける場合についても同様である
。
【０２１３】
図１２には、表示領域３００の一例として画素の一部の断面構造を示している。画素は、
スイッチング用のトランジスタや電流制御用のトランジスタを含むが、ここでは発光素子
３１３と電気的に接続する電流制御用のトランジスタ３０４、３０５を示す。電流制御用
のトランジスタ３０４、３０５のソース電極層又はドレイン電極層３０９ｂは、発光素子
３１３が有する第１電極層３１４と電気的に接続されている。また、第１電極層３１４の
端部を覆う隔壁３１５が設けられている。
【０２１４】
なお、表示領域３００や、図示しない走査線駆動回路、信号線駆動回路、保護回路等その
他の回路を構成するトランジスタの構造は特に限定されない。例えばスタガ型のトランジ
スタとしてもよいし、逆スタガ型のトランジスタとしてもよい。また、トップゲート型又
はボトムゲート型のトランジスタのいずれのトランジスタ構造としてもよい。また、図１
２ではチャネルエッチ型の構造のトランジスタを示しているが、チャネル保護膜を用いた
チャネル保護型のトランジスタとしてもよい。また、トランジスタのチャネル形成領域に
用いる半導体材料としては、例えばシリコンやゲルマニウムなどの半導体材料を用いても
よいし、インジウム、ガリウム、及び亜鉛のうち少なくともひとつを含む酸化物半導体を
用いてもよい。特に、酸化物半導体は、電界効果移動度が高く、またトランジスタのオフ
時のリークが極めて低い等の多くの利点を有する点で、その使用が好ましい。酸化物半導
体については、他の実施の形態で詳説する。また、トランジスタに用いる半導体の結晶性
についても特に限定されず、非結晶半導体、又は結晶性を有する半導体（微結晶半導体、
多結晶半導体、単結晶半導体、又は一部に結晶領域を有する半導体）のいずれを用いても
よい。
【０２１５】
図１２に示すトランジスタは、一例としてボトムゲート型のトランジスタである。ゲート
電極層３０６上にゲート絶縁層３０７を有し、ゲート絶縁層３０７上にチャネル形成領域
を含む半導体層３０８を有する。半導体層３０８上には、ソース電極層又はドレイン電極
層３０９ａ、３０９ｂが設けられ、これらを覆って絶縁層３１１が設けられている。
【０２１６】
ゲート電極層３０６、ソース電極層又はドレイン電極層３０９ａ、３０９ｂとしては、例
えばモリブデン、チタン、クロム、タンタル、マグネシウム、銀、タングステン、アルミ
ニウム、銅、ネオジム、又はスカンジウムなどの金属材料を含む層を適用できる。また、
これらは単層であっても２層以上の積層であってもよい。
【０２１７】
ゲート絶縁層３０７や絶縁層３１１としては、例えば酸化シリコン、窒化シリコン、酸化
窒化シリコン、窒化酸化シリコン、酸化アルミニウム、窒化アルミニウム、酸化窒化アル
ミニウム、窒化酸化アルミニウム、又は酸化ハフニウムなどの材料を含む層を適用できる
。例えば、ゲート絶縁層３０７としては、窒化シリコン層及び酸化窒化シリコン層の積層
を適用できる。このとき、上記窒化シリコン層を、組成の異なる複数の窒化シリコン層の
積層としてもよい。
【０２１８】
なお、半導体層３０８に酸化物半導体を用いる場合には、酸化物半導体を酸素が過飽和の
状態とするため、酸化物半導体層に接する絶縁層（ゲート絶縁層３０７や絶縁層３１１）
は、過剰酸素を含むことが好ましい。
【０２１９】
過剰酸素を含む絶縁層は、プラズマＣＶＤ法やスパッタリング法における成膜条件を適宜
設定して膜中に酸素を多く含ませた酸化シリコン膜や、酸化窒化シリコン膜を用いる。ま
た、イオン注入法やイオンドーピング法やプラズマ処理によって酸素を添加してもよい。
【０２２０】
さらに過剰酸素を含む絶縁層の外側に配置されるように、酸化物半導体層の酸素の放出を
抑えるブロッキング層（ＡｌＯｘなど）をゲート絶縁層３０７や絶縁層３１１として設け
ると好ましい。
【０２２１】
過剰酸素を含む絶縁層又はブロッキング層で酸化物半導体層を包み込むことで、酸化物半
導体層において化学量論比組成とほぼ一致するような状態、または化学量論的組成より酸
素が多い過飽和の状態とすることができる。
【０２２２】
絶縁層３１１上には絶縁層３１２が設けられている。絶縁層３１２は、例えばアクリル等
の有機樹脂で形成され、トランジスタ上に発光素子３１３を形成するための平坦面を形成
している。また、絶縁層３１２を設けることで、絶縁層３１２より上方に設けられる導電
層と絶縁層３１２より下方に設けられる導電層とにより形成される寄生容量を低減するこ
とができる。
【０２２３】
一方、絶縁層３１２にアクリル等の有機樹脂を用いた場合には、絶縁層３１２中に水素や
水等の汚染物質が含有されるおそれがある。このため、絶縁層３１２を用いなくてもよく
、表示素子や表示素子を駆動する素子の直上の絶縁層３１２を除去するなど、必要に応じ
て適宜、絶縁層３１２の形成を行うとよい。
【０２２４】
発光素子３１３は、一対の電極である第１電極層３１４及び第２電極層３１７、並びに発
光性の物質を含む層であるＥＬ層３１６によって構成されている。発光素子３１３は、画
素回路、走査線駆動回路等を構成するトランジスタ上に設けられる層間絶縁層上に設ける
ことができる（図１２参照）。なお、発光素子３１３の構造及び材料等については、後の
実施の形態で説明する。
【０２２５】
また、発光素子３１３と重畳してカラーフィルタ３２０が設けられている。そして、遮光
層３２１は隔壁３１５に重畳し、且つカラーフィルタ３２０に端部を覆われて設けられて
いる。さらに、遮光層３２１及びカラーフィルタ３２０を覆ってオーバーコート層３１９
が設けられている。
【０２２６】
第１電極層３１４及び第２電極層３１７に用いる導電性材料として、光射出側に設ける電
極には、ＥＬ層３１６からの発光に対して透光性を有する材料を用い、光射出側とは反対
側に設ける電極には、当該発光に対して反射性を有する材料を用いる。
【０２２７】
本構成例では、第１電極層３１４に反射性を有する材料を用い、第２電極層３１７に透光
性を有する材料を用いる。したがって、ＥＬ層３１６からの発光は、可撓性基板３２２か
ら射出される。
【０２２８】
なお、必要であれば、可撓性基板３２２に偏光板、又は円偏光板（楕円偏光板を含む）、
位相差板（λ／４板、λ／２板）などの光学フィルムを適宜設けてもよい。また、偏光板
又は円偏光板に反射防止膜を設けてもよい。例えば、表面の凹凸により反射光を拡散し、
映り込みを低減できるアンチグレア処理を施すことができる。
【０２２９】
光射出側の電極（第２電極層３１７）に用いることのできる透光性を有する材料としては
、酸化インジウム、酸化インジウム酸化スズ、酸化インジウム酸化亜鉛、酸化亜鉛、ガリ
ウムを添加した酸化亜鉛、グラフェンなどを用いることができる。また、上記導電層とし
て、金、銀、白金、マグネシウム、ニッケル、タングステン、クロム、モリブデン、鉄、
コバルト、銅、パラジウム、又はチタンなどの金属材料や、これらを含む合金を用いるこ
とができる。又は、これら金属材料の窒化物（例えば、窒化チタン）などを用いても良い
。なお、金属材料（又はその窒化物）を用いる場合には、透光性を有する程度に薄くすれ
ばよい。また、上記材料の積層膜を導電層として用いることができる。例えば、銀とマグ
ネシウムの合金と酸化インジウム酸化スズの積層膜などを用いると、導電性を高めること
ができるためこのましい。
【０２３０】
なお、光射出側の電極として用いる上述の導電性酸化物をスパッタリング法により形成す
ることができる。導電性酸化物膜は、アルゴン及び酸素を含む雰囲気下で成膜すると、光
透過性を向上させることができる。
【０２３１】
また、上面射出型の場合、ＥＬ層３１６上に成膜される導電性酸化物膜を、酸素濃度が低
減されたアルゴンを含む雰囲気下で成膜した第１の導電性酸化物膜と、アルゴン及び酸素
を含む雰囲気下で成膜した第２の導電性酸化物膜との積層膜とすると、ＥＬ層３１６への
成膜ダメージを低減させることができるため好ましい。ここで第１の導電性酸化物膜を成
膜する際のアルゴンガスの純度が高いことが好ましく、例えば露点が−７０℃以下、好ま
しくは−１００℃以下のアルゴンガスを用いることが好ましい。
【０２３２】
光射出側とは反対側の電極（第１電極層３１４）に用いることのできる反射性を有する材
料としては、アルミニウム、金、白金、銀、ニッケル、タングステン、クロム、モリブデ
ン、鉄、コバルト、銅、又はパラジウム等の金属、又はこれらを含む合金を用いることが
できる。またこれら金属材料を含む金属又は合金にランタンやネオジム、ゲルマニウムな
どを添加してもよい。そのほか、アルミニウムとチタンの合金、アルミニウムとニッケル
の合金、アルミニウムとネオジムの合金などのアルミニウムを含む合金（アルミニウム合
金）や、銀と銅の合金、銀とマグネシウムの合金などの銀を含む合金を用いることもでき
る。銀と銅の合金は耐熱性が高いため好ましい。さらに、アルミニウム合金膜に接する金
属膜、又は金属酸化物膜を積層することで、アルミニウム合金膜の酸化を抑制することが
できる。該金属膜、金属酸化物膜の材料としては、チタン、酸化チタンなどが挙げられる
。また、上記透光性を有する材料を含む膜と金属材料を含む膜とを積層しても良い。例え
ば、銀と酸化インジウム酸化スズの積層膜、銀とマグネシウムの合金と酸化インジウム酸
化スズの積層膜などを用いることができる。
【０２３３】
隔壁３１５は、第１電極層３１４の端部を覆って設けられている。そして、隔壁３１５の
上層に形成される第２電極層３１７の被覆性を良好なものとするため、隔壁３１５の上端
部又は下端部に曲率半径（０．２μｍ〜３μｍ）を有する曲面を持たせるのが好ましい。
隔壁３１５の側面は当該曲面を有した傾斜面を有することが好ましい。また、隔壁３１５
の材料としては、ネガ型の感光性樹脂、あるいはポジ型の感光性樹脂などの有機化合物や
、酸化シリコン、酸窒化シリコン等の無機化合物を用いることができる。
【０２３４】
表示領域３００や走査線駆動回路等への電源の供給、又は外部信号の入力には導電層３１
０からなる配線を用いて行う。導電層３１０は、周辺領域３０１を介して可撓性基板３０
２の端部に延在する。可撓性基板３０２の端部（すなわち、外部入力端子）において、絶
縁層３１１に開口が設けられ、該開口部内に露出した導電層３１０は、異方性導電膜３２
６等の導電部材を介してＦＰＣ３２７と電気的に接続する。
【０２３５】
ここで、周辺領域３０１は、シール材３２３によって囲まれている。図１２の発光装置の
例においては、シール材３２３は、絶縁層３１１及び可撓性基板３２２と直接接している
が、シール材３２３が接する層、基板、基材についてはこれに限られず、発光装置の構成
において種々の構成をとることができる。また、図１２の発光装置の例においては、表示
領域３００中に設けた絶縁層３１２は周辺領域３０１においては除去されている。
【０２３６】
シール材３２３は、先の実施の形態で説明した材料を用いることができ、先の実施の形態
で説明した作製方法により作製することができる。
【０２３７】
また、シール材３２３と可撓性基板３０２との間には、導電層３２８が設けられている。
導電層３２８を設けることで、外部入力端子を有する辺のシール材下の構造と類似の構造
を形成することができ、これによってシール材３２３を形成する際の条件を揃え、基板内
での作製のバラツキを低減することが可能となる。
【０２３８】
なお、シール材３２３により囲まれた空間３１８内は、発光素子３１３やトランジスタ３
０４、３０５の信頼性を確保するために、真空、又は窒素ガスやアルゴンガス等の不活性
ガスで充填されていることが好ましい。
【０２３９】
また、可撓性基板３０２と可撓性基板３２２との間隙、及び可撓性基板３０２と可撓性基
板３２２の側面には、シール材３２９が設けられている。ただし、ＦＰＣ３２７を接続す
るためのオフセット領域が設けられた辺においては、可撓性基板３０２と可撓性基板３２
２との間隙、可撓性基板３２２の側面、及び絶縁層３１１の上面にシール材３２９が設け
られている。
【０２４０】
シール材３２９は、内側に位置する部材３２４と、部材３２４の外側に設けられた部材３
２５とにより構成される。それぞれ先の実施の形態で説明した材料及び作製方法を用いて
作製することができる。
【０２４１】
このように発光装置において、表示領域３００をシール材３２３及びシール材３２９を用
いて二重に封止することにより、外部から発光素子３１３やトランジスタ３０４、３０５
の半導体層の特性を害する水分等の侵入を防止又は抑制することができる。
【０２４２】
以上より、薄く軽量であり可撓性及び耐衝撃性に加えて、信頼性に優れた発光装置を作製
することができる。また、薄く軽量であり可撓性及び耐衝撃性に加えて、気密性の高い発
光装置を作製することができる。
【０２４３】
本実施の形態に示す構成、方法などは、他の実施の形態に示す構成、方法などと適宜組み
合わせて用いることができる。
【０２４４】
（実施の形態６）
本実施の形態では、本発明の表示装置の一態様について、実施の形態５で説明した発光装
置とは異なる構造の発光装置について、図１３を用いて説明する。本実施の形態で説明す
る発光装置は、実施の形態３で説明した表示装置２００ａの構造を用いた可撓性を有する
発光装置である。
【０２４５】
図１３は、図７（Ａ）に示した表示装置２００ａの断面図を発光装置に適用した場合とし
て、より詳細に描いた断面模式図の一部である。なお、図１３は発光装置の封止領域内に
設けられている表示領域４００の一部のみを示している。
【０２４６】
なお、図示しないが本実施の形態に係る発光装置は、実施の形態５で説明した発光装置と
同様に走査線駆動回路や信号線駆動回路を有していてもよい。
【０２４７】
本実施の形態に係る発光装置は、実施の形態４で説明した作製方法を用いて作製すること
ができる。従って、該発光装置は剥離工程等を用いて形成されるため、可撓性基板４０２
上に、接着層４０３、被剥離層４０５、下地層４０６を有する。同様に、これに対向する
可撓性基板４３０上（図においては下）に、接着層４２９、被剥離層４２７、下地層４２
６を有する。また、素子層とカラーフィルタ層とは、接着層４２２により貼り合わされて
いる。これらの層は、実施の形態４で示した材料、作製方法を用いて作製することができ
る。
【０２４８】
本実施の形態に係る発光装置においては、図１３に示すように、周辺領域４０１内に保護
回路が設けられている。保護回路は、表示領域４００に用いるトランジスタと同様のトラ
ンジスタ４０９で構成することができる。
【０２４９】
保護回路を外部入力端子と表示領域４００との間に設けることにより、外部入力端子等に
誤って印加される過大な電圧から、表示領域４００中のトランジスタ４０７、４０８等を
保護することができる。
【０２５０】
なお、保護回路を構成するトランジスタ４０９上には、発光素子４１７の有する第１電極
層と同一工程で形成された導電層４３５を形成してもよい。導電層４３５は、トランジス
タ４０９が有する半導体層に重畳して設けることで、トランジスタのバックゲートとして
の機能を有する。例えば、Ｎチャネル型トランジスタの場合、上記バックゲートとソース
の間の電圧を負電圧にしてもよい。これにより、トランジスタの閾値電圧を正方向にシフ
トさせることができる。また、上記バックゲートを例えば０Ｖ等の定電位に固定させても
よい。
【０２５１】
バックゲートとしての機能を有する導電層の形成は、保護回路に限らず、走査線駆動回路
や信号線駆動回路、画素回路においても用いることができる。
【０２５２】
図１３には、表示領域４００の一例として画素の一部の断面構造を示している。画素は、
スイッチング用のトランジスタや電流制御用のトランジスタを含むが、ここでは発光素子
４１７と電気的に接続する電流制御用のトランジスタ４０７、４０８を示す。電流制御用
のトランジスタ４０７、４０８のソース電極層又はドレイン電極層４１３ｂは、発光素子
４１７が有する第１電極層４１８と電気的に接続されている。また、第１電極層４１８の
端部を覆う隔壁４１９が設けられている。
【０２５３】
なお、表示領域４００や、図示しない走査線駆動回路、信号線駆動回路、その他の回路を
構成するトランジスタの構造は特に限定されない。例えばスタガ型のトランジスタとして
もよいし、逆スタガ型のトランジスタとしてもよい。また、トップゲート型又はボトムゲ
ート型のトランジスタのいずれのトランジスタ構造としてもよい。また、トランジスタの
チャネル形成領域に用いる半導体材料としては、例えばシリコンやゲルマニウムなどの半
導体材料を用いてもよいし、インジウム、ガリウム、及び亜鉛のうち少なくともひとつを
含む酸化物半導体を用いてもよい。特に、酸化物半導体は、電界効果移動度が高く、また
トランジスタのオフ時のリークが極めて低い等の多くの利点を有する点で、その使用が好
ましい。酸化物半導体については、他の実施の形態で詳説する。また、トランジスタに用
いる半導体の結晶性についても特に限定されず、非結晶半導体、又は結晶性を有する半導
体（微結晶半導体、多結晶半導体、単結晶半導体、又は一部に結晶領域を有する半導体）
のいずれを用いてもよい。
【０２５４】
図１３に示すトランジスタは、一例としてボトムゲート型のトランジスタである。ゲート
電極層４１０上にゲート絶縁層４１１を有し、ゲート絶縁層４１１上にチャネル形成領域
を含む半導体層４１２を有する。半導体層４１２上には、ソース電極層又はドレイン電極
層４１３ａ、４１３ｂが設けられ、これらを覆って絶縁層４１５が設けられている。
【０２５５】
ゲート電極層４１０、ソース電極層又はドレイン電極層４１３ａ、４１３ｂとしては、例
えばモリブデン、チタン、クロム、タンタル、マグネシウム、銀、タングステン、アルミ
ニウム、銅、ネオジム、又はスカンジウムなどの金属材料を含む層を適用できる。また、
これらは単層であっても２層以上の積層であってもよい。
【０２５６】
ゲート絶縁層４１１や絶縁層４１５としては、例えば酸化シリコン、窒化シリコン、酸化
窒化シリコン、窒化酸化シリコン、酸化アルミニウム、窒化アルミニウム、酸化窒化アル
ミニウム、窒化酸化アルミニウム、又は酸化ハフニウムなどの材料を含む層を適用できる
。例えば、ゲート絶縁層４１１としては、窒化シリコン層及び酸化窒化シリコン層の積層
を適用できる。このとき、上記窒化シリコン層を、組成の異なる複数の窒化シリコン層の
積層としてもよい。
【０２５７】
なお、半導体層４１２に酸化物半導体を用いる場合には、酸化物半導体を酸素が過飽和の
状態とするため、酸化物半導体層に接する絶縁層（ゲート絶縁層４１１や絶縁層４１５）
は、過剰酸素を含むことが好ましい。
【０２５８】
過剰酸素を含む絶縁層は、プラズマＣＶＤ法やスパッタリング法における成膜条件を適宜
設定して膜中に酸素を多く含ませた酸化シリコン膜や、酸化窒化シリコン膜を用いる。ま
た、イオン注入法やイオンドーピング法やプラズマ処理によって酸素を添加してもよい。
【０２５９】
さらに過剰酸素を含む絶縁層の外側に配置されるように、酸化物半導体層の酸素の放出を
抑えるブロッキング層（ＡｌＯｘなど）をゲート絶縁層４１１や絶縁層４１５として設け
ると好ましい。
【０２６０】
過剰酸素を含む絶縁層又はブロッキング層で酸化物半導体層を包み込むことで、酸化物半
導体層において化学量論比組成とほぼ一致するような状態、または化学量論的組成より酸
素が多い過飽和の状態とすることができる。
【０２６１】
絶縁層４１５上には絶縁層４１６が設けられている。絶縁層４１６は、例えばアクリル等
の有機樹脂で形成され、トランジスタ上に発光素子４１７を形成するための平坦面を形成
している。また、絶縁層４１６を設けることで、絶縁層４１６より上方に設けられる導電
層と絶縁層４１６より下方に設けられる導電層とにより形成される寄生容量を低減するこ
とができる。
【０２６２】
一方、絶縁層４１６にアクリル等の有機樹脂を用いた場合には、絶縁層４１６中に水素や
水等の汚染物質が含有されるおそれがある。このため、絶縁層４１６を用いなくてもよく
、表示素子や表示素子を駆動する素子の直上の絶縁層４１６を除去するなど、必要に応じ
て適宜、絶縁層４１６の形成を行うとよい。
【０２６３】
発光素子４１７は、一対の電極である第１電極層４１８及び第２電極層４２１、並びに発
光性の物質を含む層であるＥＬ層４２０によって構成されている。発光素子４１７は、画
素回路、走査線駆動回路等を構成するトランジスタ上に設けられる層間絶縁層上に設ける
ことができる（図１３参照）。なお、発光素子４１７の構造及び材料等については、後の
実施の形態で説明する。
【０２６４】
また、発光素子４１７と重畳してカラーフィルタ４２４が設けられている。そして、遮光
層４２５は隔壁４１９に重畳し、且つカラーフィルタ４２４に端部を覆われて設けられて
いる。さらに、遮光層４２５及びカラーフィルタ４２４は、オーバーコート層４２３に覆
われている。
【０２６５】
第１電極層４１８及び第２電極層４２１に用いる導線性材料として、光射出側に設ける電
極には、ＥＬ層４２０からの発光に対して透光性を有する材料を用い、光射出側とは反対
側に設ける電極には、当該発光に対して反射性を有する材料を用いる。
【０２６６】
本構成例では、第１電極層４１８に反射性を有する材料を用い、第２電極層４２１に透光
性を有する材料を用いる。したがって、ＥＬ層４２０からの発光は、可撓性基板４３０か
ら射出される。
【０２６７】
光射出側の電極（第２電極層４２１）に用いることのできる透光性を有する材料としては
、酸化インジウム、酸化インジウム酸化スズ、酸化インジウム酸化亜鉛、酸化亜鉛、ガリ
ウムを添加した酸化亜鉛、グラフェンなどを用いることができる。また、上記導電層とし
て、金、銀、白金、マグネシウム、ニッケル、タングステン、クロム、モリブデン、鉄、
コバルト、銅、パラジウム、又はチタンなどの金属材料や、これらを含む合金を用いるこ
とができる。又は、これら金属材料の窒化物（例えば、窒化チタン）などを用いても良い
。なお、金属材料（又はその窒化物）を用いる場合には、透光性を有する程度に薄くすれ
ばよい。また、上記材料の積層膜を導電層として用いることができる。例えば、銀とマグ
ネシウムの合金と酸化インジウム酸化スズの積層膜などを用いると、導電性を高めること
ができるため好ましい。
【０２６８】
なお、光射出側の電極として用いる上述の導電性酸化物をスパッタリング法により形成す
ることができる。導電性酸化物膜は、アルゴン及び酸素を含む雰囲気下で成膜すると、光
透過性を向上させることができる。
【０２６９】
また、上面射出型の場合、ＥＬ層４２０上に成膜される導電性酸化物膜を、酸素濃度が低
減されたアルゴンを含む雰囲気下で成膜した第１の導電性酸化物膜と、アルゴン及び酸素
を含む雰囲気下で成膜した第２の導電性酸化物膜との積層膜とすると、ＥＬ層４２０への
成膜ダメージを低減させることができるため好ましい。ここで第１の導電性酸化物膜を成
膜する際のアルゴンガスの純度が高いことが好ましく、例えば露点が−７０℃以下、好ま
しくは−１００℃以下のアルゴンガスを用いることが好ましい。
【０２７０】
光射出側とは反対側の電極（第１電極層４１８）に用いることのできる反射性を有する材
料としては、アルミニウム、金、白金、銀、ニッケル、タングステン、クロム、モリブデ
ン、鉄、コバルト、銅、又はパラジウム等の金属、又はこれらを含む合金を用いることが
できる。またこれら金属材料を含む金属又は合金にランタンやネオジム、ゲルマニウムな
どを添加してもよい。そのほか、アルミニウムとチタンの合金、アルミニウムとニッケル
の合金、アルミニウムとネオジムの合金などのアルミニウムを含む合金（アルミニウム合
金）や、銀と銅の合金、銀とマグネシウムの合金などの銀を含む合金を用いることもでき
る。銀と銅の合金は耐熱性が高いため好ましい。さらに、アルミニウム合金膜に接する金
属膜、又は金属酸化物膜を積層することで、アルミニウム合金膜の酸化を抑制することが
できる。該金属膜、金属酸化物膜の材料としては、チタン、酸化チタンなどが挙げられる
。また、上記透光性を有する材料を含む膜と金属材料を含む膜とを積層しても良い。例え
ば、銀と酸化インジウム酸化スズの積層膜、銀とマグネシウムの合金と酸化インジウム酸
化スズの積層膜などを用いることができる。
【０２７１】
隔壁４１９は、第１電極層４１８の端部を覆って設けられている。そして、隔壁４１９の
上層に形成される第２電極層４２１の被覆性を良好なものとするため、隔壁４１９の上端
部又は下端部に曲率半径（０．２μｍ〜３μｍ）を有する曲面を持たせるのが好ましい。
隔壁４１９の側面は当該曲面を有した傾斜面を有することが好ましい。また、隔壁４１９
の材料としては、ネガ型の感光性樹脂、あるいはポジ型の感光性樹脂などの有機化合物や
、酸化シリコン、酸窒化シリコン等の無機化合物を用いることができる。
【０２７２】
表示領域４００や走査線駆動回路等への電源の供給、又は外部信号の入力には導電層４１
４からなる配線を用いて行う。導電層４１４は、周辺領域４０１を介して可撓性基板４０
２の端部に延在する（図示せず）。可撓性基板４０２の端部（すなわち、外部入力端子）
において、絶縁層４１５に開口が設けられ、該開口部内に露出した導電層４１４は、異方
性導電膜４３１等の導電部材を介してＦＰＣ４３３と電気的に接続する。
【０２７３】
ここで、可撓性基板４０２と可撓性基板４３０の側面には、シール材として機能する部材
４３４が設けられている。部材４３４は、先の実施の形態で説明した材料及び作製方法を
用いて作製することができる。
【０２７４】
このように発光装置において、表示領域４００を、部材４３４を用いて封止することによ
り、外部から発光素子４１７やトランジスタ４０７、４０８、４０９の半導体層の特性を
害する水分等の侵入を防止又は抑制することができる。
【０２７５】
以上より、薄く軽量であり可撓性及び耐衝撃性に加えて、信頼性に優れた発光装置を作製
することができる。また、薄く軽量であり可撓性及び耐衝撃性に加えて、気密性の高い発
光装置を作製することができる。
【０２７６】
本実施の形態に示す構成、方法などは、他の実施の形態に示す構成、方法などと適宜組み
合わせて用いることができる。
【０２７７】
（実施の形態７）
本実施の形態では、表示装置の表示素子を駆動する素子にトランジスタを用いた場合にお
いて、該トランジスタのチャネル形成領域に用いることのできる酸化物半導体について詳
述する。
【０２７８】
トランジスタのチャネル形成領域に用いる酸化物半導体としては、少なくともインジウム
（Ｉｎ）または亜鉛（Ｚｎ）を含むことが好ましい。特にＩｎ及びＺｎを含むことが好ま
しい。また、それらに加えて、酸素を強く結びつけるスタビライザーを有することが好ま
しい。スタビライザーとしては、ガリウム（Ｇａ）、スズ（Ｓｎ）、ジルコニウム（Ｚｒ
）、ハフニウム（Ｈｆ）及びアルミニウム（Ａｌ）の少なくともいずれかを有すればよい
。
【０２７９】
また、他のスタビライザーとして、ランタノイドである、ランタン（Ｌａ）、セリウム（
Ｃｅ）、プラセオジム（Ｐｒ）、ネオジム（Ｎｄ）、サマリウム（Ｓｍ）、ユウロピウム
（Ｅｕ）、ガドリニウム（Ｇｄ）、テルビウム（Ｔｂ）、ジスプロシウム（Ｄｙ）、ホル
ミウム（Ｈｏ）、エルビウム（Ｅｒ）、ツリウム（Ｔｍ）、イッテルビウム（Ｙｂ）、ル
テチウム（Ｌｕ）のいずれか一種または複数種を有してもよい。
【０２８０】
例えば、四元系金属の酸化物であるＩｎ−Ｓｎ−Ｇａ−Ｚｎ系酸化物や、三元系金属の酸
化物であるＩｎ−Ｇａ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｓｎ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｚｒ−Ｚｎ系
酸化物、Ｉｎ−Ａｌ−Ｚｎ系酸化物、Ｓｎ−Ｇａ−Ｚｎ系酸化物、Ａｌ−Ｇａ−Ｚｎ系酸
化物、Ｓｎ−Ａｌ−Ｚｎ系酸化物や、Ｉｎ−Ｈｆ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｌａ−Ｚｎ系酸
化物、Ｉｎ−Ｃｅ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｐｒ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｎｄ−Ｚｎ系酸化
物、Ｉｎ−Ｓｍ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｅｕ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｇｄ−Ｚｎ系酸化物
、Ｉｎ−Ｔｂ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｄｙ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｈｏ−Ｚｎ系酸化物、
Ｉｎ−Ｅｒ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｔｍ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｙｂ−Ｚｎ系酸化物、Ｉ
ｎ−Ｌｕ−Ｚｎ系酸化物や、二元系金属の酸化物であるＩｎ−Ｚｎ系酸化物、Ｓｎ−Ｚｎ
系酸化物、Ａｌ−Ｚｎ系酸化物、Ｚｎ−Ｍｇ系酸化物、Ｓｎ−Ｍｇ系酸化物、Ｉｎ−Ｍｇ
系酸化物や、Ｉｎ−Ｇａ系酸化物、一元系金属の酸化物であるＩｎ系酸化物、Ｓｎ系酸化
物、Ｚｎ系酸化物などを用いることができる。
【０２８１】
なお、ここで、例えば、Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ系酸化物とは、Ｉｎ、Ｇａ及びＺｎを主成分と
して有する酸化物という意味であり、Ｉｎ、Ｇａ及びＺｎの比率は問わない。
【０２８２】
また、酸化物半導体として、ＩｎＭＯ３（ＺｎＯ）ｍ（ｍ＞０）で表記される材料を用い
てもよい。なお、Ｍは、Ｇａ、Ｆｅ、Ｍｎ及びＣｏから選ばれた一の金属元素または複数
の金属元素を示す。また、酸化物半導体として、Ｉｎ２ＳｎＯ５（ＺｎＯ）ｎ（ｎ＞０）
で表記される材料を用いてもよい。
【０２８３】
例えば、Ｉｎ：Ｇａ：Ｚｎ＝３：１：２、Ｉｎ：Ｇａ：Ｚｎ＝１：１：１またはＩｎ：Ｇ
ａ：Ｚｎ＝２：２：１の原子数比のＩｎ−Ｇａ−Ｚｎ系酸化物やその組成の近傍の酸化物
を用いることができる。または、Ｉｎ：Ｓｎ：Ｚｎ＝１：１：１、Ｉｎ：Ｓｎ：Ｚｎ＝２
：１：３またはＩｎ：Ｓｎ：Ｚｎ＝２：１：５の原子数比のＩｎ−Ｓｎ−Ｚｎ系酸化物や
その組成の近傍の酸化物を用いるとよい。
【０２８４】
なお、例えば、Ｉｎ、Ｇａ、Ｚｎの原子数比がＩｎ：Ｇａ：Ｚｎ＝ａ：ｂ：ｃ（ａ＋ｂ＋
ｃ＝１）である酸化物の組成が、原子数比がＩｎ：Ｇａ：Ｚｎ＝Ａ：Ｂ：Ｃ（Ａ＋Ｂ＋Ｃ
＝１）の酸化物の組成の近傍であるとは、ａ、ｂ、ｃが、式（１）を満たすことをいう。
【０２８５】
（ａ―Ａ）２＋（ｂ―Ｂ）２＋（ｃ―Ｃ）２≦ｒ２      （１）
（ｒ２は（ａ―Ａ）２＋（ｂ―Ｂ）２＋（ｃ―Ｃ）２以上）
【０２８６】
式（１）中に記載のｒとしては、例えば、０．０５とすればよい。他の酸化物でも同様で
ある。
【０２８７】
しかし、これらに限られず、必要とする半導体特性（電界効果移動度、閾値電圧等）に応
じて適切な組成のものを用いればよい。また、必要とする半導体特性を得るために、キャ
リア濃度や不純物濃度、欠陥密度、金属元素と酸素の原子数比、原子間距離、密度等を適
切なものとすることが好ましい。
【０２８８】
また、酸化物半導体をチャネル形成領域に用いたトランジスタは、酸化物半導体を高純度
化することにより、オフ電流（ここでは、オフ状態のとき、例えばソース電位を基準とし
たときのゲート電位との電位差がしきい値電圧以下のときのドレイン電流とする）を十分
に低くすることができる。例えば酸化物半導体の高純度化は、加熱成膜により水素や水酸
基を酸化物半導体中に含ませないようにし、または成膜後の加熱により膜中から除去する
ことで、実現できる。高純度化されることにより、チャネル領域にＩｎ−Ｇａ−Ｚｎ系酸
化物を用いたトランジスタで、チャネル幅あたりのオフ電流を１×１０−２４Ａ／μｍ（
１ｙＡ／μｍ）から１×１０−２２Ａ／μｍ（１００ｙＡ／μｍ）程度とすることが可能
である。
【０２８９】
以下では、酸化物半導体膜の構造について説明する。
【０２９０】
酸化物半導体膜は、単結晶酸化物半導体膜と非単結晶酸化物半導体膜とに大別される。非
単結晶酸化物半導体膜とは、非晶質酸化物半導体膜、微結晶酸化物半導体膜、多結晶酸化
物半導体膜、ＣＡＡＣ−ＯＳ（Ｃ  Ａｘｉｓ  Ａｌｉｇｎｅｄ  Ｃｒｙｓｔａｌｌｉｎｅ
Ｏｘｉｄｅ  Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ）膜などをいう。
【０２９１】
非晶質酸化物半導体膜は、膜中における原子配列が不規則であり、結晶成分を有さない酸
化物半導体膜である。微小領域においても結晶部を有さず、膜全体が完全な非晶質構造の
酸化物半導体膜が典型である。
【０２９２】
微結晶酸化物半導体膜は、例えば、１ｎｍ以上１０ｎｍ未満の大きさの微結晶（ナノ結晶
ともいう。）を含む。従って、微結晶酸化物半導体膜は、非晶質酸化物半導体膜よりも原
子配列の規則性が高い。そのため、微結晶酸化物半導体膜は、非晶質酸化物半導体膜より
も欠陥準位密度が低いという特徴がある。
【０２９３】
ＣＡＡＣ−ＯＳ膜は、複数の結晶部を有する酸化物半導体膜の一つであり、ほとんどの結
晶部は、一辺が１００ｎｍ未満の立方体内に収まる大きさである。従って、ＣＡＡＣ−Ｏ
Ｓ膜に含まれる結晶部は、一辺が１０ｎｍ未満、５ｎｍ未満または３ｎｍ未満の立方体内
に収まる大きさの場合も含まれる。ＣＡＡＣ−ＯＳ膜は、微結晶酸化物半導体膜よりも欠
陥準位密度が低いという特徴がある。以下、ＣＡＡＣ−ＯＳ膜について詳細な説明を行う
。
【０２９４】
ＣＡＡＣ−ＯＳ膜を透過型電子顕微鏡（ＴＥＭ：Ｔｒａｎｓｍｉｓｓｉｏｎ  Ｅｌｅｃｔ
ｒｏｎ  Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ）によって観察すると、結晶部同士の明確な境界、即ち結
晶粒界（グレインバウンダリーともいう。）を確認することができない。そのため、ＣＡ
ＡＣ−ＯＳ膜は、結晶粒界に起因する電子移動度の低下が起こりにくいといえる。
【０２９５】
ＣＡＡＣ−ＯＳ膜を、試料面と概略平行な方向からＴＥＭによって観察（断面ＴＥＭ観察
）すると、結晶部において、金属原子が層状に配列していることを確認できる。金属原子
の各層は、ＣＡＡＣ−ＯＳ膜の膜を形成する面（被形成面ともいう。）または上面の凹凸
を反映した形状であり、ＣＡＡＣ−ＯＳ膜の被形成面または上面と平行に配列する。
【０２９６】
一方、ＣＡＡＣ−ＯＳ膜を、試料面と概略垂直な方向からＴＥＭによって観察（平面ＴＥ
Ｍ観察）すると、結晶部において、金属原子が三角形状または六角形状に配列しているこ
とを確認できる。しかしながら、異なる結晶部間で、金属原子の配列に規則性は見られな
い。
【０２９７】
断面ＴＥＭ観察および平面ＴＥＭ観察より、ＣＡＡＣ−ＯＳ膜の結晶部は配向性を有して
いることがわかる。
【０２９８】
ＣＡＡＣ−ＯＳ膜に対し、Ｘ線回折（ＸＲＤ：Ｘ−Ｒａｙ  Ｄｉｆｆｒａｃｔｉｏｎ）装
置を用いて構造解析を行うと、例えばＩｎＧａＺｎＯ４の結晶を有するＣＡＡＣ−ＯＳ膜
のｏｕｔ−ｏｆ−ｐｌａｎｅ法による解析では、回折角（２θ）が３１°近傍にピークが
現れる場合がある。このピークは、ＩｎＧａＺｎＯ４の結晶の（００９）面に帰属される
ことから、ＣＡＡＣ−ＯＳ膜の結晶がｃ軸配向性を有し、ｃ軸が被形成面または上面に概
略垂直な方向を向いていることが確認できる。
【０２９９】
一方、ＣＡＡＣ−ＯＳ膜に対し、ｃ軸に概略垂直な方向からＸ線を入射させるｉｎ−ｐｌ
ａｎｅ法による解析では、２θが５６°近傍にピークが現れる場合がある。このピークは
、ＩｎＧａＺｎＯ４の結晶の（１１０）面に帰属される。ＩｎＧａＺｎＯ４の単結晶酸化
物半導体膜であれば、２θを５６°近傍に固定し、試料面の法線ベクトルを軸（φ軸）と
して試料を回転させながら分析（φスキャン）を行うと、（１１０）面と等価な結晶面に
帰属されるピークが６本観察される。これに対し、ＣＡＡＣ−ＯＳ膜の場合は、２θを５
６°近傍に固定してφスキャンした場合でも、明瞭なピークが現れない。
【０３００】
以上のことから、ＣＡＡＣ−ＯＳ膜では、異なる結晶部間ではａ軸およびｂ軸の配向は不
規則であるが、ｃ軸配向性を有し、かつｃ軸が被形成面または上面の法線ベクトルに平行
な方向を向いていることがわかる。従って、前述の断面ＴＥＭ観察で確認された層状に配
列した金属原子の各層は、結晶のａｂ面に平行な面である。
【０３０１】
なお、結晶部は、ＣＡＡＣ−ＯＳ膜を成膜した際、または加熱処理などの結晶化処理を行
った際に形成される。上述したように、結晶のｃ軸は、ＣＡＡＣ−ＯＳ膜の被形成面また
は上面の法線ベクトルに平行な方向に配向する。従って、例えば、ＣＡＡＣ−ＯＳ膜の形
状をエッチングなどによって変化させた場合、結晶のｃ軸がＣＡＡＣ−ＯＳ膜の被形成面
または上面の法線ベクトルと平行にならないこともある。
【０３０２】
また、ＣＡＡＣ−ＯＳ膜中の結晶化度が均一でなくてもよい。例えば、ＣＡＡＣ−ＯＳ膜
の結晶部が、ＣＡＡＣ−ＯＳ膜の上面近傍からの結晶成長によって形成される場合、上面
近傍の領域は、被形成面近傍の領域よりも結晶化度が高くなることがある。また、ＣＡＡ
Ｃ−ＯＳ膜に不純物を添加する場合、不純物が添加された領域の結晶化度が変化し、部分
的に結晶化度の異なる領域が形成されることもある。
【０３０３】
なお、ＩｎＧａＺｎＯ４の結晶を有するＣＡＡＣ−ＯＳ膜のｏｕｔ−ｏｆ−ｐｌａｎｅ法
による解析では、２θが３１°近傍のピークの他に、２θが３６°近傍にもピークが現れ
る場合がある。２θが３６°近傍のピークは、ＣＡＡＣ−ＯＳ膜中の一部に、ｃ軸配向性
を有さない結晶が含まれることを示している。ＣＡＡＣ−ＯＳ膜は、２θが３１°近傍に
ピークを示し、２θが３６°近傍にピークを示さないことが好ましい。
【０３０４】
ＣＡＡＣ−ＯＳ膜を用いたトランジスタは、可視光や紫外光の照射による電気特性の変動
が小さい。よって、当該トランジスタは、信頼性が高い。
【０３０５】
なお、酸化物半導体膜は、例えば、非晶質酸化物半導体膜、微結晶酸化物半導体膜、ＣＡ
ＡＣ−ＯＳ膜のうち、二種以上を有する積層膜であってもよい。
【０３０６】
本実施の形態に示す構成、方法などは、他の実施の形態に示す構成、方法などと適宜組み
合わせて用いることができる。
【０３０７】
（実施の形態８）
本実施の形態は、先の実施の形態で説明した表示装置に含まれる発光素子３１３、発光素
子４１７に適用可能な発光素子の一例について図１４を用いて説明する。
【０３０８】
図１４（Ａ）に示す発光素子は、一対の電極（第１電極層８４０３、第２電極層８４０７
）間に発光領域を含むＥＬ層８４５０が挟まれた構造を有する。第１電極層８４０３及び
第２電極層８４０７は先の実施の形態で説明した発光装置の第１電極層３１４、４１８及
び第２電極層３１７、４２１として適用することができる。
【０３０９】
また、ＥＬ層８４５０は、少なくとも発光層を含んで形成されていればよく、発光層以外
の機能層を含む積層構造であっても良い。発光層以外の機能層としては、正孔注入性の高
い物質、正孔輸送性の高い物質、電子輸送性の高い物質、電子注入性の高い物質、バイポ
ーラ性（電子及び正孔の輸送性の高い物質）の物質等を含む層を用いることができる。具
体的には、正孔注入層、正孔輸送層、電子輸送層、電子注入層等の機能層を適宜組み合わ
せて用いることができる。
【０３１０】
図１４（Ａ）に示す発光素子８４００は、第１電極層８４０３と第２電極層８４０７との
間に生じた電位差により電流が流れ、ＥＬ層８４５０において正孔と電子とが再結合し、
発光するものである。つまりＥＬ層８４５０に発光領域が形成されるような構成となって
いる。
【０３１１】
なお、ＥＬ層８４５０は図１４（Ｂ）のように第１電極層８４０３と第２電極層８４０７
との間に複数積層されていても良い。ｎ（ｎは２以上の自然数）層の積層構造を有する場
合には、ｍ（ｍは自然数、ｍは１以上ｎ−１以下）番目のＥＬ層と、（ｍ＋１）番目のＥ
Ｌ層との間には、それぞれ電荷発生層８４５０ａを設けることが好ましい。
【０３１２】
電荷発生層８４５０ａは、有機化合物と金属酸化物の複合材料、金属酸化物、有機化合物
とアルカリ金属、アルカリ土類金属、又はこれらの化合物との複合材料の他、これらを適
宜組み合わせて形成することができる。有機化合物と金属酸化物の複合材料としては、例
えば、有機化合物と酸化バナジウムや酸化モリブデンや酸化タングステン等の金属酸化物
を含む。有機化合物としては、芳香族アミン化合物、カルバゾール誘導体、芳香族炭化水
素、高分子化合物（オリゴマー、デンドリマー、ポリマー等）など、種々の化合物を用い
ることができる。なお、有機化合物としては、正孔輸送性有機化合物として正孔移動度が
１０−６ｃｍ２／Ｖｓ以上であるものを適用することが好ましい。ただし、電子よりも正
孔の輸送性の高い物質であれば、これら以外のものを用いてもよい。なお、電荷発生層８
４５０ａに用いるこれらの材料は、キャリア注入性、キャリア輸送性に優れているため、
図１４に示した発光素子の低電流駆動、及び低電圧駆動を実現することができる。
【０３１３】
なお、電荷発生層８４５０ａは、有機化合物と金属酸化物の複合材料と他の材料とを組み
合わせて形成してもよい。例えば、有機化合物と金属酸化物の複合材料を含む層と、電子
供与性物質の中から選ばれた一の化合物と電子輸送性の高い化合物とを含む層とを組み合
わせて形成してもよい。また、有機化合物と金属酸化物の複合材料を含む層と、透明導電
膜とを組み合わせて形成してもよい。
【０３１４】
このような構成を有する発光素子は、エネルギーの移動や消光などの問題が起こり難く、
材料の選択の幅が広がることで高い発光効率と長い寿命とを併せ持つ発光素子とすること
が容易である。また、一方の発光層で燐光発光、他方で蛍光発光を得ることも容易である
。
【０３１５】
なお、電荷発生層８４５０ａとは、第１電極層８４０３と第２電極層８４０７に電圧を印
加したときに、電荷発生層８４５０ａに接して形成される一方のＥＬ層８４５０に対して
正孔を注入する機能を有し、他方のＥＬ層８４５０に電子を注入する機能を有する。
【０３１６】
図１４（Ｂ）に示す発光素子８４００は、ＥＬ層８４５０に用いる発光物質の種類を変え
ることにより様々な発光色を得ることができる。また、発光物質として発光色の異なる複
数の発光物質を用いることにより、ブロードなスペクトルの発光や白色発光を得ることも
できる。
【０３１７】
図１４（Ｂ）に示す発光素子を用いて、白色発光を得る場合、複数のＥＬ層の組み合わせ
としては、赤、青及び緑色の光を含んで白色に発光する構成であればよく、例えば、青色
の蛍光材料を発光物質として含む第１の発光層と、緑色と赤色の燐光材料を発光物質とし
て含む第２の発光層を有する構成が挙げられる。また、赤色の発光を示す第１の発光層と
、緑色の発光を示す第２の発光層と、青色の発光を示す第３の発光層とを有する構成とす
ることもできる。又は、補色の関係にある光を発する発光層を有する構成であっても白色
発光が得られる。発光層が２層積層された積層型素子において、第１の発光層から得られ
る発光の発光色と第２の発光層から得られる発光の発光色を補色の関係にする場合、補色
の関係としては、青色と黄色、あるいは青緑色と赤色などが挙げられる。
【０３１８】
なお、上述した積層型素子の構成において、積層される発光層の間に電荷発生層を配置す
ることにより、電流密度を低く保ったまま、高輝度領域での長寿命素子を実現することが
できる。また、電極材料の抵抗による電圧降下を小さくできるので、大面積での均一発光
が可能となる。
【０３１９】
本実施の形態に示す構成、方法などは、他の実施の形態に示す構成、方法などと適宜組み
合わせて用いることができる。
【０３２０】
（実施の形態９）
フレキシブルな形状を備える表示装置を適用した電子機器として、例えば、テレビジョン
装置（テレビ、又はテレビジョン受信機ともいう）、コンピュータ用などのモニタ、デジ
タルカメラ、デジタルビデオカメラ、デジタルフォトフレーム、携帯電話機（携帯電話、
携帯電話装置ともいう）、携帯型ゲーム機、携帯情報端末、音響再生装置、パチンコ機な
どの大型ゲーム機などが挙げられる。
【０３２１】
また、照明装置や表示装置を、家屋やビルの内壁または外壁や、自動車の内装または外装
の曲面に沿って組み込むことも可能である。
【０３２２】
本実施の形態では、本発明の一態様の表示装置が適用された電子機器や照明装置の例につ
いて、図１５及び図１６を用いて説明する。
【０３２３】
図１５（Ａ）は、携帯電話機の一例を示している。携帯電話機９４００は、筐体９４０１
に組み込まれた表示部９４０２の他、操作ボタン９４０３、外部接続ポート９４０４、ス
ピーカ９４０５、マイク９４０６などを備えている。なお、携帯電話機９４００は、本発
明の一態様に係る表示装置を表示部９４０２に用いることにより作製される。
【０３２４】
図１５（Ａ）に示す携帯電話機９４００は、表示部９４０２を指やペンなどで触れること
で情報を入力することができるように、抵抗膜方式や静電容量方式、表面弾性波方式、赤
外線方式等のタッチスクリーンが設けられている。また、電話をかける、あるいは文字を
入力するなどのあらゆる操作は、表示部９４０２を指などで触れることにより行うことが
できる。
【０３２５】
また操作ボタン９４０３の操作により、電源のＯＮ、ＯＦＦや、表示部９４０２に表示さ
れる画像の種類を切り替えることができる。例えば、メール作成画面から、メインメニュ
ー画面に切り替えることができる。
【０３２６】
表示部９４０２には、本発明の一態様に係る表示装置が組み込まれているため、湾曲した
表示部を備え、且つ信頼性の高い携帯電話機とすることができる。
【０３２７】
図１５（Ｂ）は、スマートフォン等の多用途に対応可能な多機能の携帯型情報端末の一例
を示している。携帯型情報端末９４１０は、筐体９４１１に組み込まれた表示部９４１２
の他、操作ボタン９４１３、スピーカ９４１４、マイク９４１５、その他図示しないステ
レオヘッドフォンジャック、メモリカード挿入口、カメラ、ＵＳＢコネクタなどの外部接
続ポート等を備えている。なお、携帯型情報端末９４１０は、本発明の一態様に係る表示
装置を表示部９４１２に用いることにより作製される。
【０３２８】
図１５（Ｂ）に示す携帯型情報端末９４１０は、表示部９４１２を指やペンなどで触れる
ことで情報を入力することができるように、抵抗膜方式や静電容量方式等のタッチスクリ
ーンが設けられている。また、電話をかける、あるいは文字を入力するなどのあらゆる操
作は、表示部９４１２を指などで触れることにより行うことができる。
【０３２９】
また操作ボタン９４１３の操作により、電源のＯＮ、ＯＦＦや、表示部９４１２に表示さ
れる画像の種類を切り替えることができる。例えば、メール作成画面から、メインメニュ
ー画面に切り替えることができる。
【０３３０】
表示部９４１２には、本発明の一態様に係る表示装置が組み込まれているため、湾曲した
表示部を備え、且つ信頼性の高い携帯型情報端末とすることができる。
【０３３１】
図１５（Ｃ）は、リストバンド型の表示装置の一例を示している。携帯表示装置９５００
は、筐体９５０１、表示部９５０２、操作ボタン９５０３、及び送受信装置９５０４を備
える。
【０３３２】
携帯表示装置９５００は、送受信装置９５０４によって映像信号を受信可能で、受信した
映像を表示部９５０２に表示することができる。また、音声信号を他の受信機器に送信す
ることもできる。
【０３３３】
また、操作ボタン９５０３によって、電源のＯＮ、ＯＦＦ動作や表示する映像の切り替え
、または音声のボリュームの調整などを行うことができる。
【０３３４】
ここで、表示部９５０２には、本発明の一態様の表示装置が組み込まれている。したがっ
て、湾曲した表示部を備え、且つ信頼性の高い携帯表示装置とすることができる。
【０３３５】
図１６（Ａ）〜図１６（Ｃ）は、照明装置の一例を示している。照明装置９２００、照明
装置９２１０、照明装置９２２０はそれぞれ、操作スイッチ９２０３を備える台部９２０
１と、台部９２０１に支持される発光部を有する。
【０３３６】
図１６（Ａ）に示す照明装置９２００は、波状の発光面を有する発光部９２０２を備える
。したがってデザイン性の高い照明装置となっている。
【０３３７】
図１６（Ｂ）に示す照明装置９２１０の備える発光部９２１２は、凸状に湾曲した２つの
発光部が対称的に配置された構成となっている。したがって照明装置９２１０を中心に全
方位を照らすことができる。
【０３３８】
図１６（Ｃ）に示す照明装置９２２０は、凹状に湾曲した発光部９２２２を備える。した
がって、発光部９２２２からの発光を、照明装置９２２０の前面に集光するため、特定の
範囲を明るく照らす場合に適している。
【０３３９】
また、照明装置９２００、照明装置９２１０及び照明装置９２２０の備える各々の発光部
はフレキシブル性を有しているため、当該発光部を可塑性の部材や可動なフレームなどで
固定し、用途に合わせて発光部の発光面を自在に湾曲可能な構成としてもよい。
【０３４０】
ここで、発光部９２０２、発光部９２１２及び発光部９２２２には、表示素子として発光
素子を用いた本発明の一態様の表示装置が組み込まれている。したがって、湾曲した発光
部を備え、且つ信頼性の高い照明装置とすることができる。
【０３４１】
以上のように、本実施の一態様である表示装置を適用することで、薄く軽量であり、可撓
性及び耐衝撃性に加えて信頼性に優れた電子機器及び照明装置を提供することができる。
【０３４２】
本実施の形態に示す構成、方法などは、他の実施の形態に示す構成、方法などと適宜組み
合わせて用いることができる。
【符号の説明】
【０３４３】
１００    表示装置
１００ａ    表示装置
１００ｂ    表示装置
１００ｃ    表示装置
１００ｄ    表示装置
１０１    可撓性基板
１０２    可撓性基板
１０３    表示領域
１０４ａ    走査線駆動回路
１０４ｂ    走査線駆動回路
１０５    シール材
１０６    シール材
１０６ａ    部材
１０６ｂ    部材
１０６ｃ    部材
１０６ｄ    部材
１０６ｅ    部材
１０６ｆ    部材
１０６ｇ    部材
１０７    ＩＣチップ
１０８    ＦＰＣ
１０９    外部入力端子
１１０    絶縁層
１１１    素子層
１１２    カラーフィルタ層
１１３    異方性導電膜
１２０    紫外光
１２１    レーザー光
２００    表示装置
２００ａ    表示装置
２００ｂ    表示装置
２００ｃ    表示装置
２００ｄ    表示装置
２０１    可撓性基板
２０２    可撓性基板
２０３    表示領域
２０４ａ    走査線駆動回路
２０４ｂ    走査線駆動回路
２０５    シール材
２０６    シール材
２０６ａ    部材
２０６ｂ    部材
２０６ｃ    部材
２０６ｄ    部材
２０６ｅ    部材
２０７    ＩＣチップ
２０８    ＦＰＣ
２０９    外部入力端子
２１３    異方性導電膜
２１４    接着層
２１５    被剥離層
２１６    素子層
２１７    接着層
２１８    カラーフィルタ層
２１９    被剥離層
２２０    接着層
２３０    支持基板
２３１    下地層
２３２    剥離層
２３５    支持基板
２３６    下地層
２３７    剥離層
２４０    開口
３００    表示領域
３０１    周辺領域
３０２    可撓性基板
３０３    絶縁層
３０４    トランジスタ
３０５    トランジスタ
３０６    ゲート電極層
３０７    ゲート絶縁層
３０８    半導体層
３０９ａ    ソース電極層又はドレイン電極層
３０９ｂ    ソース電極層又はドレイン電極層
３１０    導電層
３１１    絶縁層
３１２    絶縁層
３１３    発光素子
３１４    第１電極層
３１５    隔壁
３１６    ＥＬ層
３１７    第２電極層
３１８    空間
３１９    オーバーコート層
３２０    カラーフィルタ
３２１    遮光層
３２２    可撓性基板
３２３    シール材
３２４    部材
３２５    部材
３２６    異方性導電膜
３２７    ＦＰＣ
３２８    導電層
３２９    シール材
４００    表示領域
４０１    周辺領域
４０２    可撓性基板
４０３    接着層
４０５    被剥離層
４０６    下地層
４０７    トランジスタ
４０８    トランジスタ
４０９    トランジスタ
４１０    ゲート電極層
４１１    ゲート絶縁層
４１２    半導体層
４１３ａ    ソース電極層又はドレイン電極層
４１３ｂ    ソース電極層又はドレイン電極層
４１４    導電層
４１５    絶縁層
４１６    絶縁層
４１７    発光素子
４１８    第１電極層
４１９    隔壁
４２０    ＥＬ層
４２１    第２電極層
４２２    接着層
４２３    オーバーコート層
４２４    カラーフィルタ
４２５    遮光層
４２６    下地層
４２７    被剥離層
４２９    接着層
４３０    可撓性基板
４３１    異方性導電膜
４３３    ＦＰＣ
４３４    部材
４３５    導電層
８４００    発光素子
８４０３    第１電極層
８４０７    第２電極層
８４５０    ＥＬ層
８４５０ａ    電荷発生層
９２００    照明装置
９２０１    台部
９２０２    発光部
９２０３    操作スイッチ
９２１０    照明装置
９２１２    発光部
９２２０    照明装置
９２２２    発光部
９４００    携帯電話機
９４０１    筐体
９４０２    表示部
９４０３    操作ボタン
９４０４    外部接続ポート
９４０５    スピーカ
９４０６    マイク
９４１０    携帯型情報端末
９４１１    筐体
９４１２    表示部
９４１３    操作ボタン
９４１４    スピーカ
９４１５    マイク
９５００    表示装置
９５０１    筐体
９５０２    表示部
９５０３    操作ボタン
９５０４    送受信装置
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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