(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板を処理する処理室と、
前記処理室内に活性化された処理ガスを供給する放電室と、
前記放電室内に供給された前記処理ガスを活性化させるプラズマ源と、
前記処理室内を排気する排気系と、
前記処理ガスを一時的に貯溜する貯溜部と、前記処理ガスの供給源と前記貯留部との間に設けられる第１バルブと、前記貯留部と前記放電室との間に設けられる第２バルブとを備え、前記放電室に前記処理ガスを供給する処理ガス供給系と、
前記第１バルブを開け、前記第２バルブを閉じた状態で前記貯留部に前記処理ガスを充填させる処理と、前記第１バルブを閉じ、前記第２バルブを開けた状態で前記貯溜部に貯溜された前記処理ガスを前記放電室内に供給すると共に、前記プラズマ源により前記処理ガスを前記放電室内で活性化し、活性化された前記処理ガスを、前記放電室から前記放電室内の圧力よりも低圧の前記処理室内に供給させる処理と、を交互に繰返す様前記プラズマ源と前記排気系と前記処理ガス供給系とを制御する様構成される制御部と、
を有する基板処理装置。
【請求項２】
請求項１に記載の基板処理装置であって、
前記放電室は前記処理室の内壁に設けられ、前記処理室と前記放電室とを隔離する隔離壁を有し、前記隔離壁には複数のガス供給孔が設けられている。
【請求項３】
請求項１又は２に記載の基板処理装置であって、
前記プラズマ源は容量結合型であり、前記放電室内に設置されている。
【請求項４】
請求項１〜３のいずれか１項に記載の基板処理装置であって、
前記制御部は、前記貯留部に前記処理ガスを充填させる処理に於いて、前記貯留部の圧力が所定の圧力になる迄前記処理ガスを充填した後、前記第１バルブを閉じる様に前記処理ガス供給系を制御する様に構成される。
【請求項５】
請求項４に記載の基板処理装置であって、
前記所定の圧力は、活性化された前記処理ガスを前記処理室内に供給させる処理に於ける前記放電室内の圧力がパッシェンの法則を満たす様な圧力になる量の前記処理ガスが前記貯留部内に充填された時の圧力である。
【請求項６】
請求項１〜３のいずれか１項に記載の基板処理装置であって、
前記制御部は、前記貯留部に前記処理ガスを充填させる処理に於いて、活性化された前記処理ガスを前記処理室内に供給させる処理に於ける前記放電室内の圧力が、パッシェンの法則を満たす様な圧力となる量以上の所定の量の前記処理ガスが前記貯留部に充填される様に、前記処理ガス供給系を制御する様構成される。
【請求項７】
請求項１〜６のいずれか１項に記載の基板処理装置であって、
前記制御部は、前記排気系による前記処理室内の排気を継続しながら、前記貯留部に前記処理ガスを充填させる処理と、活性化された前記処理ガスを前記処理室内に供給させる処理とを交互に繰返す様に、前記排気系と前記処理ガス供給系とを制御する様構成される。
【請求項８】
基板を収納する処理室内に基板を収容する収容工程と、
前記処理室内を排気する排気工程と、
処理ガスの供給源と前記処理ガスを一時的に貯留する貯留部との間に設けられる第１バルブを開け、前記貯留部と放電室との間に設けられる第２バルブを閉じた状態で、前記貯留部に前記処理ガスを充填する工程と、
前記第１バルブを閉じ、前記第２バルブを開けた状態で、前記貯留部に貯留された前記処理ガスを前記放電室内に供給すると共に、前記処理ガスを前記放電室内でプラズマ励起することにより活性化し、活性化された前記処理ガスを前記放電室から前記放電室内の圧力よりも低圧の前記処理室内に供給する工程と、を有し、
前記貯留部に前記処理ガスを充填する工程と、活性化された前記処理ガスを前記処理室内に供給する工程とは交互に繰返される半導体装置の製造方法。
【請求項９】
基板処理装置の処理室内に基板を収容する収容手順と、
前記処理室内を排気する排気手順と、
処理ガスの供給源と前記処理ガスを一時的に貯留する貯留部との間に設けられる第１バルブを開け、前記貯留部と放電室との間に設けられる第２バルブを閉じた状態で、前記貯留部に前記処理ガスを充填する手順と、
前記第１バルブを閉じ、前記第２バルブを開けた状態で、前記貯留部に貯留された前記処理ガスを前記放電室内に供給すると共に、前記処理ガスを前記放電室内でプラズマ励起することにより活性化し、活性化された前記処理ガスを前記放電室から前記放電室内の圧力よりも低圧の前記処理室内に供給する手順と、を有し、
前記貯留部に前記処理ガスを充填する手順と、活性化された前記処理ガスを前記処理室内に供給する手順とが交互に繰返される手順を、コンピュータにより前記基板処理装置に実行させるプログラム。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板処理装置、半導体装置の製造方法及びプログラムに関するものである。
【背景技術】
【０００２】
ＤＲＡＭ等の半導体装置（デバイス）の製造工程の一工程として、プラズマを用いて基板上に成膜を行う基板処理工程が行われる場合がある。
【０００３】
基板処理装置により基板処理が行われる際には、プラズマにて励起された処理ガスの活性種が処理室内に供給され、基板に供給されることで基板上に成膜が行われる。
【０００４】
然し乍ら、従来の基板処理装置の場合、プラズマ励起された処理ガスを供給する際、処理室内の圧力が高くなることで、相当の割合の活性種が基板の周辺の空間を通って排気される為、基板の表面に十分な量の活性種を供給できず、基板表面を効率よく処理することができない。
【０００５】
又、基板表面に形成される集積回路上の深溝内に活性種を供給することができないという問題があった。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２００９−１８８１４３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
本発明は斯かる実情に鑑み、基板の表面に充分な量の活性種を供給し、短時間で均一に基板を処理可能な技術を提供するものである。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明の一態様によれば、基板を処理する処理室と、前記処理室内に活性化された処理ガスを供給する放電室と、前記放電室内に供給された前記処理ガスを活性化させるプラズマ源と、前記処理室内を排気する排気系と、前記処理ガスを一時的に貯溜する貯溜部を備え、前記放電室内に前記処理ガスを供給する処理ガス供給系と、前記貯溜部に貯溜された前記処理ガスを前記放電室内に間欠的に供給し、前記放電室内で活性化された前記処理ガスを、前記放電室から前記放電室内の圧力よりも低圧の前記処理室内に供給させる様前記プラズマ源と前記排気系と前記処理ガス供給系とを制御する様構成される制御部と、を有する基板処理装置が提供される。
【発明の効果】
【０００９】
本発明によれば、基板の表面に充分な量の活性種を供給し、短時間で均一に基板を処理できる。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】本発明の実施例で好適に用いられる基板処理装置の処理炉を示す概略立断面図である。
【図２】本発明の実施例で好適に用いられる基板処理装置の処理炉の一部の概略構成図であり、処理炉の一部を図１のＡ−Ａ矢視図で示す図である。
【図３】本発明の実施例の成膜処理のシーケンス図である。
【図４】ＮＨ3 ガスを供給する際の放電室内の圧力変化を示す図である。
【図５】本発明の実施例で好適に用いられる基板処理装置の処理炉の第１の変形例を示す概略平断面図である。
【図６】本発明の実施例で好適に用いられる基板処理装置の処理炉の第２の変形例を示す概略平断面図である。
【図７】本発明の実施例で好適に用いられる基板処理装置のコントローラの概略構成図であり、コントローラの制御系をブロック図で示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
以下、図面を参照しつつ本発明の実施例を説明する。
【００１２】
先ず、図１、図２に於いて、本発明の基板処理装置に使用される処理炉について説明する。
【００１３】
処理炉１は、加熱手段（加熱機構）としてのヒータ２を有している。ヒータ２は円筒形状であり、保持板としてのヒータベース（図示せず）に支持されることにより垂直に据付けられている。尚、ヒータ２は、後述する処理ガスを熱で活性化させる為の活性化機構としても機能する。
【００１４】
ヒータ２の内側には、ヒータ２と同心円状に反応容器（処理容器）を構成する反応管３が配設されている。反応管３は、例えば石英（ＳｉＯ2 ）又は炭化シリコン（ＳｉＣ）等の耐熱性材料によって、上端が閉塞し下端が開口した円筒形状に形成されている。反応管３の内部には処理室４が画成され、処理室４はウェーハ（基板）５をボート６（後述）によって水平姿勢で垂直方向に整列した状態で収容可能に構成されている。
【００１５】
処理室４内に於ける反応管３の下部には、第１ノズル７、第２ノズル８が反応管３の側壁を貫通する様に設けられている。第１ノズル７、第２ノズル８には、第１ガス供給管９、第２ガス供給管１１がそれぞれ接続されている。この様に、反応管３には２本のノズル７，８が設けられており、処理室４内へ複数種類の処理ガスを供給でき、本実施例では２種類の処理ガス（原料ガス、反応ガス）を供給することができる様に構成されている。
【００１６】
第１ガス供給管９には上流方向から順に流量制御器（流量制御部）であるマスフローコントローラ（ＭＦＣ）１２及び開閉弁であるバルブ１３が設けられている。又、第１ガス供給管９のバルブ１３よりも下流側には、第１不活性ガス供給管１４が接続されている。第１不活性ガス供給管１４には、上流方向から順にＭＦＣ１５、及びバルブ１６が設けられている。又、第１ガス供給管９の先端部には、第１ノズル７が接続されている。
【００１７】
第１ノズル７は、Ｌ字型のロングノズルとして構成され、反応管３の内壁と基板５との間の円管状の空間に、反応管３の内壁の下部より上部に沿って、基板５の配列方向上方に向って立ち上がる様に設けられている。第１ノズル７の側面には、ガスを供給するガス供給孔１７が設けられ、ガス供給孔１７は反応管３の中心を向く様に開口している。ガス供給孔１７は、反応管３の下部から上部に亘って複数設けられ、それぞれが同一の開口面積を有し、更に同一の開口ピッチで設けられている。
【００１８】
主に、第１ガス供給管９、ＭＦＣ１２、バルブ１３、第１ノズル７により第１処理ガス供給系が構成される。又、主に第１不活性ガス供給管１４、ＭＦＣ１５、バルブ１６により、第１不活性ガス供給系が構成される。
【００１９】
第２ガス供給管１１には、上流方向から順にＭＦＣ１８、第１バルブ１９、処理ガスを一時的に貯溜する為のガスタンク２１、及び第２バルブ２２が設けられ、ガスタンク２１にはガスタンク２１内の圧力を検知する圧力センサ２０が設けられている。尚、第１バルブ１９、圧力センサ２０、ガスタンク２１、第２バルブ２２により、処理ガスを一時的に貯溜する為の貯溜部が構成される。本実施例に於いては、圧力センサ２０、ガスタンク２１も貯溜部の構成としたが、圧力センサ２０、ガスタンク２１を備えていなくても、少なくとも第１バルブ１９および第２バルブ２２を備えていれば貯溜部としての構成が成立する。即ち、第１バルブ１９と第２バルブ２２との間の配管内に処理ガスを一時的に貯溜することができる為、第１バルブ１９と第２バルブ２２を備えていれば当該部分を貯溜部として機能させることができる。
【００２０】
又、第２ガス供給管１１の第２バルブ２２よりも下流側には、第２不活性ガス供給管２３が接続されている。第２不活性ガス供給管２３には、上流方向から順に、ＭＦＣ２４、及びバルブ２５が設けられている。又、第２ガス供給管１１の先端部には、第２ノズル８が接続され、第２ノズル８はガス分散空間である放電室２６に設けられている。
【００２１】
放電室２６は、反応管３の内壁と基板５との間に於ける円筒状の空間の、反応管３内壁の下部より上部に亘る部分に、基板５の配列方向に沿って設けられている。放電室２６の、基板５に隣接する壁の端部には、処理室４内に反応ガスを供給するガス供給孔２７が設けられ、ガス供給孔２７は反応管３の中心を向く様に開口している。ガス供給孔２７は、反応管３の下部から上部に亘って複数設けられ、それぞれが同一の開口面積を有し、更に同一の開口ピッチで設けられている。尚、放電室２６を構成する壁部は、処理室４内と放電室２６内とを隔離する隔離壁となっている。
【００２２】
第２ノズル８は、Ｌ字型のロングノズルとして構成され、放電室２６のガス供給孔２７が設けられた端部と反対側の端部に、反応管３の内壁の下部より上部に沿って、基板５の配列方向上方に向って立ち上がる様に設けられている。第２ノズル８の側面には、放電室２６内に処理ガスを供給するガス供給孔２８（図２参照）が設けられ、ガス供給孔２８は放電室２６の中心を向く様に開口している。ガス供給孔２８は、放電室２６のガス供給孔２７と同様に、反応管３の下部から上部に亘って複数設けられている。複数のガス供給孔２８のそれぞれの開口面積は、放電室２６内と処理室４内の差圧が大きい場合には、上流側（下部）から下流側（上部）迄、それぞれ同一の開口面積で同一の開口ピッチとするのがよい。差圧が小さい場合には、上流側から下流側に向って漸次開口面積を大きくするか、或は開口数を減らして放電室２６内と処理室４内の差圧を大きくするのがよい。
【００２３】
本実施例では、第２ノズル８のガス供給孔２８のそれぞれの開口面積や開口ピッチを、上流側から下流側にかけて上述の様に調節することで、各ガス供給孔２８から、流速の差はあるものの、流量が略同量である処理ガスを噴出させることができる。又、各ガス供給孔２８から噴出する処理ガスを、一旦放電室２６内に導入することで、放電室２６内に於いてガス供給孔２７から噴出する処理ガスの流速差を均一化させることができる。
【００２４】
即ち、第２ノズル８の各ガス供給孔２８より放電室２６内に噴出した処理ガスは、放電室２６内で処理ガスの粒子速度が緩和された後、放電室２６のガス供給孔２７より処理室４内に噴出する。これにより、第２ノズル８の各ガス供給孔２８より放電室２６内に噴出した処理ガスは、放電室２６の各ガス供給孔２７より処理室４内に噴出される際には、均一な流量と流速とを有する処理ガスとなる。
【００２５】
又、第２ガス供給管１１にガスタンク２１を設け、ガスタンク２１に一時的に処理ガスを貯溜することができるので、ガス供給孔２８から放電室２６内に高圧の処理ガスを一気に噴出させることができる。
【００２６】
主に、第２ガス供給管１１、ＭＦＣ１８、第１バルブ１９、ガスタンク２１、第２バルブ２２、第２ノズル８、放電室２６により第２処理ガス供給系が構成される。又、主に第２不活性ガス供給管２３、ＭＦＣ２４、バルブ２５により第２不活性ガス供給系が構成される。
【００２７】
第１ガス供給管９からは、第１の処理ガス（原料ガス）として例えばシリコン原料ガス、即ちシリコン（Ｓｉ）を含むガス（シリコン含有ガス）が、ＭＦＣ１２、バルブ１３、第１ノズル７を介して処理室４内に供給される。シリコン含有ガスとしては、例えばジクロロシラン（ＳｉＨ2 Ｃｌ2 、略称：ＤＣＳ）ガスを用いることができる。
【００２８】
第２ガス供給管１１からは、例えば窒素（Ｎ）を含む第２の処理ガス（反応ガス）として例えば窒素含有ガスが、ＭＦＣ１８、第１バルブ１９、ガスタンク２１、第２バルブ２２、第２ノズル８、放電室２６を介して処理室４内に供給される。窒素含有ガスとしては、例えばアンモニア（ＮＨ3 ）ガスを用いることができる。
【００２９】
不活性ガス供給管１４，２３からは、例えば窒素（Ｎ2 ）ガスが、それぞれＭＦＣ１５，２４、バルブ１６，２５、ガス供給管９，１１、ノズル７，８、放電室２６を介して処理室４内に供給される。
【００３０】
尚、例えば各ガス供給管から上述の様な各ガスを流す場合、第１処理ガス供給系によりシリコン含有ガス供給系（シラン系ガス供給系）が構成される。又、第２処理ガス供給系により窒素含有ガス供給系が構成される。更に、第１処理ガス供給系、第２処理ガス供給系により処理ガス供給系が構成される。第１処理ガスを原料ガスと称する場合、第１処理ガス供給系を原料ガス供給系と称することもできる。又、第２処理ガスを反応ガスと称する場合、第２処理ガス供給系を反応ガス供給系と称することもできる。尚、本明細書に於いて、処理ガスという言葉を用いた場合は、第１処理ガス（原料ガス）のみを含む場合、第２処理ガス（反応ガス）のみを含む場合、若しくはその両方を含む場合がある。
【００３１】
放電室２６内には、図２に示される様に、細長い構造を有する第１の電極である第１の棒状電極２９、及び第２の電極である第２の棒状電極３１が、反応管３の下部より上部に亘り基板５の積層方向に沿って配設されている。第１の棒状電極２９及び第２の棒状電極３１は、それぞれ第２ノズル８と平行に設けられている。又、第１の棒状電極２９及び第２の棒状電極３１は、それぞれ上部より下部に亘って各電極を保護する保護管である電極保護管３２により覆われることで保護されている。第１の棒状電極２９と第２の棒状電極３１のいずれか一方は、整合器３３を介して高周波電源３４に接続され、他方は基準電位であるアースに接続されている。
【００３２】
上記構成により、第１の棒状電極２９と第２の棒状電極３１との間のプラズマ生成領域３５にプラズマが生成される。主に、第１の棒状電極２９、第２の棒状電極３１、電極保護管３２、整合器３３、高周波電源３４によりプラズマ発生器（プラズマ発生部）としてのプラズマ源が構成される。尚、プラズマ源は、後述する様に、処理ガスをプラズマで活性化させる活性化機構として機能するものであり、放電室２６内に設けられた棒状電極２９，３１で構成された容量結合型となっている。
【００３３】
電極保護管３２は、第１の棒状電極２９及び第２の棒状電極３１を、それぞれ放電室２６の雰囲気と隔離した状態で放電室２６内に挿入できる構造となっている。ここで、電極保護管３２の内部は外気（大気）と同一雰囲気であると、電極保護管３２にそれぞれ挿入された第１の棒状電極２９及び第２の棒状電極３１は、ヒータ２の熱により酸化されてしまう。そこで、電極保護管３２の内部には窒素等の不活性ガスを充填或はパージし、酸素濃度を充分低く抑えて第１の棒状電極２９又は第２の棒状電極３１の酸化を防止する為の不活性ガスパージ機構が設けられている。
【００３４】
反応管３には、処理室４内の雰囲気を排気する排気管３６が設けられている。排気管３６には、処理室４内の圧力を検出する圧力検出器（圧力検出部）としての圧力センサ３７、及び圧力調整器（圧力調整部）としてのＡＰＣ（Ａｕｔｏ  Ｐｒｅｓｓｕｒｅ  Ｃｏｎｔｒｏｌｌｅｒ）バルブ３８を介して真空排気装置としての真空ポンプ３９が接続され、処理室４内の圧力が所望の圧力（真空度）となる様真空排気し得る様に構成されている。尚、ＡＰＣバルブ３８は弁を開閉して処理室４内の真空排気及び真空排気停止ができ、更に弁開度を調節して圧力調整可能となっている開閉弁である。主に、排気管３６、圧力センサ３７、ＡＰＣバルブ３８による排気系が構成される。尚、真空ポンプ３９を排気系に含めて考えても良い。
【００３５】
反応管３の下方には、反応管３の下端開口を気密に閉塞可能な炉口蓋体としてのシールキャップ４１が設けられている。シールキャップ４１は、反応管３の下端に垂直方向下側から当接される様になっている。シールキャップ４１は、例えばステンレス等の金属からなり、円盤状に形成されている。シールキャップ４１の上面には、反応管３の下端と当接するシール部材としてのＯリング４２が設けられている。又、シールキャップ４１の処理室４と反対側には、ボート６を回転させる回転機構４３が設置されている。回転機構４３の回転軸４４は、シールキャップ４１を貫通してボート６に接続されており、ボート６を回転させることで基板５を回転させる様に構成されている。シールキャップ４１は、反応管３の外部に垂直に設置された昇降機構としてのボートエレベータ４５によって垂直方向に昇降される様に構成されており、ボートエレベータ４５によりボート６を処理室４内に対し搬入搬出することが可能となっている。
【００３６】
基板支持具としてのボート６は、例えば石英や炭化珪素等の耐熱材料から形成され、複数枚の基板５を水平姿勢で且つ中心を揃えた状態で整列させて多段に支持する様に構成されている。尚、ボート６の下部には、例えば石英や炭化珪素等の耐熱材料からなる断熱部材４６が設けられており、ヒータ２からの熱がシールキャップ４１側に伝わり難くなる様に構成されている。尚、断熱部材４６は、石英や炭化珪素等の耐熱材料から形成される複数枚の断熱板と、断熱板を水平姿勢で多段に支持する断熱板ホルダとにより構成してもよい。
【００３７】
反応管３内には、温度検出器としての温度センサ４７が設置されている。温度センサ４７により検出された温度情報に基づきヒータ２への通電具合を調整することで、処理室４内の温度が所望の温度分布となる様に構成されている。温度センサ４７は、第１ノズル７、第２ノズル８と同様にＬ字型に構成されており、反応管３の内壁に沿って設けられている。
【００３８】
図７を参照すれば、制御部（制御手段）であるコントローラ４８は、ＣＰＵ（Ｃｅｎｔｒａｌ  Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ  Ｕｎｉｔ）７０、ＲＡＭ（Ｒａｎｄｏｍ  Ａｃｃｅｓｓ  Ｍｅｍｏｒｙ）７１、記憶装置７２、Ｉ／Ｏポート７３を備えたコンピュータとして構成されている。ＲＡＭ７１、記憶装置７２、Ｉ／Ｏポート７３は、内部バス７４を介して、ＣＰＵ７０とデータ交換可能な様に構成されている。コントローラ４８には、例えばタッチパネル等として構成された入出力装置７５が接続されている。
【００３９】
記憶装置７２は、例えばフラッシュメモリ、ＨＤＤ（Ｈａｒｄ  Ｄｉｓｋ  Ｄｒｉｖｅ）等から構成されている。記憶装置７２内には、基板処理装置の動作を制御する制御プログラムや、後述の一連の基板処理の手順や条件等が記載されたプロセスレシピ等が、読み出し可能に格納されている。尚、プロセスレシピは、後述の一連の基板処理に於ける各手順（各ステップ）をコントローラ４８に実行させ、所定の結果を得ることが出来る様に組み合わされたものであり、プログラムとして機能する。以下、このプロセスレシピや制御プログラム等を総称して、単にプログラムともいう。尚、本明細書に於いてプログラムという言葉を用いた場合は、プロセスレシピ単体のみを含む場合、制御プログラム単体のみを含む場合、又は、その両方を含む場合がある。又、ＲＡＭ７１は、ＣＰＵ７０によって読み出されたプログラムやデータ等が一時的に保持されるメモリ領域（ワークエリア）として構成されている。
【００４０】
Ｉ／Ｏポート７３は、バス７７を介して、上述のＭＦＣ１２，１５，１８，２４、バルブ１３，１６，２５、第１バルブ１９、第２バルブ２２、圧力センサ２０、３７、ＡＰＣバルブ３８、真空ポンプ３９、ヒータ２、温度センサ４７、回転機構４３、ボートエレベータ４５、高周波電源３４、整合器３３等に接続されている。
【００４１】
ＣＰＵ７０は、記憶装置７２から制御プログラムを読み出して実行すると共に、入出力装置７５からの操作コマンドの入力等に応じて記憶装置７２からプロセスレシピを読み出す様に構成されている。ＣＰＵ７０は、読み出したプロセスレシピの内容に沿う様に、ＭＦＣ１２，１５，１８，２４による各種ガスの流量調整動作、バルブ１３，１６，２５の開閉動作、圧力センサ２０に基づく第１バルブ１９及び第２バルブ２２の開閉動作、ＡＰＣバルブ３８の開閉及び圧力センサ３７に基づく圧力調整動作、温度センサ４７に基づくヒータ２の温度調整動作、真空ポンプ３９の起動及び停止、回転機構４３の回転速度調節動作、ボートエレベータ４５の昇降動作等の制御や、高周波電源３４の電力供給制御、整合器３３によるインピーダンス制御する様構成されている。
【００４２】
コントローラ４８は、専用のコンピュータとして構成されている場合に限らず、汎用のコンピュータとして構成されていてもよい。例えば、上述のプログラムを格納した外部記憶装置（例えば、磁気テープ、フレキシブルディスクやハードディスク等の磁気ディスク、ＣＤやＤＶＤ等の光ディスク、ＭＯ等の光磁気ディスク、ＵＳＢメモリやメモリカード等の半導体メモリ）７６を用意し、この外部記憶装置７６を用いて汎用のコンピュータにプログラムをインストールすること等により、本実施形態のコントローラ４８を構成することができる。但し、コンピュータにプログラムを供給する為の手段は、外部記憶装置７６を介して供給する場合に限らない。例えば、インターネットや専用回線等の通信手段を用い、外部記憶装置７６を介さずにプログラムを供給する様にしてもよい。記憶装置７２や外部記憶装置７６は、コンピュータ読み取り可能な記録媒体として構成される。以下、これらを総称して、単に、記録媒体ともいう。本明細書に於いて記録媒体という言葉を用いた場合は、記憶装置７２単体のみを含む場合、外部記憶装置７６単体のみを含む場合、又は、その両方を含む場合がある。
【００４３】
次に、図３に於いて、処理炉１を用いた半導体装置（デバイス）の製造工程の一工程として、基板５上に窒化膜を成膜する処理のシーケンス例について説明する。尚、以下の説明に於いて、基板処理装置を構成する各部の動作はコントローラ４８により制御されるものとする。
【００４４】
本実施例では、第１の処理ガス（原料ガス）として、シリコン含有ガスであるＤＣＳガスを用い、第２の処理ガス（反応ガス）として、窒素含有ガスであるＮＨ3 ガスを用い、基板５上にシリコン窒化膜（ＳｉＮ膜）を形成する場合について説明する。尚、本実施例では、第１処理ガス供給系によりシリコン含有ガス供給系が構成され、第２処理ガス供給系により窒素含有ガス供給系が構成される。
【００４５】
複数枚の基板５がボート６に装填（チャージ）されると、図１に示される様に、複数枚の基板５を支持したボート６は、ボートエレベータ４５によって持上げられ、処理室４内に搬入（ボートロード）される。この状態では、シールキャップ４１はＯリング４２を介して反応管３の下端をシールした状態となる。
【００４６】
次に、処理室４内が所望の圧力（真空度）となる様に真空ポンプ３９によって真空排気される。この時、処理室４内の圧力は圧力センサ３７で測定され、測定された圧力に基づきＡＰＣバルブ３８がフィードバック制御される（圧力調整）。又、処理室４内が所望の温度となる様にヒータ２によって加熱される。この時、処理室４内が所望の温度分布となる様に、温度センサ４７が検出した温度情報に基づきヒータ２への通電具合がフィードバック制御される（温度調整）。続いて、回転機構４３により、ボート６が回転されることで、基板５が回転される（基板回転）。その後、後述する７つのＳＴＥＰを順次実行する。
【００４７】
ＳＴＥＰ：０１では、ＤＣＳガスを処理室４内に供給し、基板５上にシリコン含有層を形成する。処理室４内が所望の圧力、温度となった後、ＡＰＣバルブ３８の開口度を０％(全閉)にし、処理室４内の排気を停止した状態で、第１ガス供給管９のバルブ１３を開き、第１ガス供給管９内にＤＣＳガスを流す。第１ガス供給管９内を流れるＤＣＳガスは、ＭＦＣ１２により流量調整され、第１ノズル７のガス供給孔１７から時間ｓ１迄処理室４内に供給される。
【００４８】
ＤＣＳガスの供給と並行して、バルブ２５を開き、第２不活性ガス供給管２３内にＮ2 等の不活性ガスを流す。第２不活性ガス供給管２３内を流れるＮ2 ガスは、ＭＦＣ２４により流量調整された後、第２ノズル８のガス供給孔２８から放電室２６内に供給され、ガス供給孔２７を介して処理室４内に供給される。ガス供給孔２７から処理室４内にＮ2 ガスが供給されることで、放電室２６内にＤＣＳガスが流入しない様になっており、ＤＣＳガス及びＮ2 ガスは、排気管３６より排気される。
【００４９】
この時、シリコン含有層を基板５の表面上に短時間で形成する必要がある為、処理室４の排気は停止した状態でＤＣＳを供給するのが良い。即ち、ＡＰＣバルブ３８は全閉の状態であるので、ＤＣＳの供給開始点のｓ０以降処理室４の圧力は上昇し続ける。処理室４の圧力が上昇し続ける状態を１〜３秒程度維持する。この維持時間の間に上昇させる圧力は２００Ｐａ〜２０００Ｐａの範囲が良い。このときのＤＣＳガスの供給流量は、例えば１〜２０００ｓｃｃｍ、好ましくは１０〜１０００ｓｃｃｍの範囲内の流量とする。又、この時のヒータ２の温度は、処理室４内の基板５上でＣＶＤ反応が生じる程度の温度、即ち基板５の温度が、例えば３００〜６００℃の範囲内となる様設定する。尚、基板５の温度が３００℃未満となると、基板５上にＤＣＳが吸着しにくくなり、基板５の温度が６５０℃を超えると気相反応が強くなり、均一性が悪化し易くなる。従って、基板５の温度は３００℃〜６００℃の範囲内とするのが好ましい。
【００５０】
上述の条件下で基板５に対してＤＣＳガスを供給することにより、基板５表面の集積回路上に１原子層未満から数原子層程度の厚さのシリコン含有層としてのシリコン層（Ｓｉ層）が形成される。シリコン含有層はＤＣＳの吸着層であってもよい。ここで、シリコン層とはシリコンにより構成される連続的な層の他、不連続な層やこれらが重なってできる薄膜も含む。又、ＤＣＳの吸着層とはＤＣＳ分子で構成される連続的な化学吸着層の他、不連続な化学吸着層をも含む。尚、基板５上に形成されるシリコン含有層の厚さが数原子層を超えると、後述する窒化の作用がシリコン含有層の全体に届かなくなる。又、基板５上に形成可能なシリコン含有層の最小値は１原子層未満である。よって、シリコン含有層の厚さは１原子層未満から数原子層程度とするのが好ましい。尚、ＤＣＳガスが自己分解する条件下では、基板５上にシリコンが堆積することでシリコン含有層が形成され、ＤＣＳガスが自己分解しない条件下では、基板５上にＤＣＳが化学吸着することでＤＣＳの吸着層が形成される。尚、基板５上にＤＣＳの吸着層を形成するよりも、基板５上にシリコン含有層を形成する方が、成膜レートを高くすることができて好ましい。
【００５１】
ＳＴＥＰ：０２では、処理室４内のパージを行う。基板５上にシリコン含有層が形成された後、時間ｓ１の時点でバルブ１３を閉じ、ＤＣＳガスの供給を停止すると共に、第１不活性ガス供給管１４のバルブ１６を開き、第１ノズル７のガス供給孔１７を介して処理室４内にＮ2 ガスを供給する。この時、第２不活性ガス供給管２３のバルブ２５は開いたままとし、第２ノズル８から処理室４内へのＮ2 ガスの供給を維持する。又、排気管３６のＡＰＣバルブ３８を開き、真空ポンプ３９を介して処理室４内を排気する。従って、処理室４内がＮ2 ガスによりパージされると共に、処理室４内が真空排気され、処理室４内に残留する未反応若しくはシリコン含有層形成に寄与した後のＤＣＳガスを処理室４内から排除することができる。尚、第１ノズル７、第２ノズル８からのＮ2 ガスの供給時間は、１〜５秒の範囲内とするのが望ましい。
【００５２】
シリコン含有ガスとしては、ＤＣＳガスの他、テトラクロロシラン（ＳｉＣｌ4 、略称：ＴＣＳ）ガス、ヘキサクロロジシラン（Ｓｉ2 Ｃｌ6 、略称：ＨＣＤＳ）ガス、モノシラン（ＳｉＨ4 ）ガス等の無機原料だけでなく、アミノシラン系のテトラキスジメチルアミノシラン（Ｓｉ（Ｎ（ＣＨ3 ）2 ）4 、略称：４ＤＭＡＳ）ガス、トリスジメチルアミノシラン（Ｓｉ（Ｎ（ＣＨ3 ）2 ）3 Ｈ、略称：３ＤＭＡＳ）ガス、ビスジエチルアミノシラン（Ｓｉ（Ｎ（Ｃ2 Ｈ5 ）2 ）2 Ｈ2 、略称：２ＤＥＡＳ）ガス、ビスターシャリーブチルアミノシラン（ＳｉＨ2 （ＮＨ（Ｃ4 Ｈ9 ））2 、略称：ＢＴＢＡＳ）ガス等の有機原料を用いてもよい。不活性ガスとしては、Ｎ2 ガスの他、Ａｒガス、Ｈｅガス、Ｎｅガス、Ｘｅガス等の希ガスを用いてもよい。
【００５３】
ＳＴＥＰ：０３では、処理室４内を真空引きする。第１ノズル７、第２ノズル８から、Ｎ2 ガスを所定時間（ｓ１〜ｓ２迄）処理室４内に供給した後、時間ｓ２に於いて第１不活性ガス供給管１４のバルブ１６、第２不活性ガス供給管２３のバルブ２５を閉じ、処理室４内へのガスの供給を全て停止すると共にＡＰＣバルブ３８を全開にする。処理室４内へのガス供給の停止後も、真空ポンプ３９による真空排気が継続されており、処理室４内の圧力を低圧にする。この時の圧力は、ＮＨ3 ガスの活性種を生成し始めた時点の放電室２６の圧力よりも低い圧力、即ち、後述するパッシェンの法則を満たす圧力よりも低い圧力迄減圧する。例えば、１０Ｐａ以下、好適には１Ｐａ以下の範囲内の圧力である高真空状態迄減圧する。
【００５４】
ＳＴＥＰ：０４〜ＳＴＥＰ：０６では、処理室４内へＮＨ3 ガスの活性種を供給し、シリコン含有層を改質してシリコン窒化層を形成する。ＳＴＥＰ：０５〜ＳＴＥＰ：０６（時間ｔ２〜時間ｔ４）は所定回数繰返され、処理室４内にパルス状に複数回ＮＨ3 ガスの活性種を供給する（フラッシュフロー）。
【００５５】
図４は、縦軸に圧力、横軸に時間を取った放電室２６内の圧力変化を示した図であり、図３、図４を参照してＳＴＥＰ：０４に於けるＮＨ3 ガスの放電室２６内への供給について説明する。
【００５６】
ＳＴＥＰ：０４では、棒状電極に高周波電力を印加する。処理室４内の真空排気を所定時間継続し、処理室４内を減圧した後、時間ｔ１（時間ｓ３）に於いて、高周波電源３４が整合器３３を介して第１の棒状電極２９及び第２の棒状電極３１に高周波電力を印加する。
【００５７】
ＳＴＥＰ：０５では、放電室２６内にＮＨ3 ガスを供給する。高周波電力の印加後、時間ｔ２に於いて第２バルブ２２を開くことで、予めガスタンク２１内に充填された高圧のＮＨ3 ガスが一気に放電室２６内に供給され、放電室２６内の圧力が急激に上昇する。この時、バルブ１９は閉じた状態とする。
【００５８】
ここで、ガスタンク２１内へのＮＨ3 ガスの充填はＳＴＥＰ：０１〜ＳＴＥＰ：０４の任意のタイミングで行われても良いし、ＳＴＥＰ：０１以前に行われても良い。バルブ２２を閉じた状態でバルブ１９を開けることにより、ガスタンク２１内へＮＨ3 ガスが充填される。ガスタンク２１内が後述する所定の圧力になったことを圧力センサ２０が検知すると、バルブ１９を閉じＮＨ3 ガスの充填を完了させる。
【００５９】
放電室２６内へのＮＨ3 ガスの供給を開始した後、時間ｔ３の時点で放電室２６内の圧力がパッシェンの法則を満たす圧力になる。放電室２６内の圧力がパッシェンの法則を満たすと、放電室２６内で放電が発生しプラズマ生成領域３５にプラズマが生成される。プラズマが生成されることにより、ＮＨ3 ガスの活性種が生成される。
【００６０】
放電室２６内の圧力が急激に上昇し、ＮＨ3 ガスの活性種を生成し始めた時点（時間ｔ３時点）では、処理室４内の圧力は低圧である為、プラズマ生成領域３５で生成された高密度のＮＨ3 ガスの活性種はガス供給孔２７より処理室４内に一気に供給される。この時、積層された基板５の間の圧力も放電室２６内の圧力よりも低圧となっている為、活性種は積層された基板５の間にも充分供給される。
【００６１】
従って、基板５の表面のシリコン含有層がＮＨ3 ガスの活性種により窒化されて、シリコン及び窒素を含むシリコン窒化層（ＳｉＮ層）へと改質される。又、基板５表面の集積回路の奥深い溝の中も放電室２６内の圧力よりも低圧となっている為、溝の中にも活性種が充分に供給され、カバレッジの良好なシリコン窒化層が形成される。尚、ＮＨ3 ガスの供給工程（時間ｓ３〜時間ｓ４）に於いても、真空ポンプ３９による真空排気が継続されており、未反応の活性種、シリコン含有層を窒化させた後の活性種や反応副生成物は、排気管３６より排気される。
【００６２】
プラズマが生成された後も、放電室２６内の圧力は更に上昇する様になっており、プラズマは放電室２６の圧力の変動に伴って状態を変化させつつ生成されるが、ガスタンク２１内のＮＨ3 ガスの減少、即ち放電室２６内に供給されるＮＨ3 ガス流量減少に伴って放電室２６内の圧力が低下する。
【００６３】
第２バルブ２２は、時間ｔ４の時点で閉じられ、放電室２６内へのＮＨ3 ガスの供給が停止される。放電室２６内へのＮＨ3 ガスの供給が停止された後も、時間ｔ６の時点でプラズマが消失する迄プラズマ生成領域３５でＮＨ3 ガスの活性種が生成され続ける。
【００６４】
ＳＴＥＰ：０６では、ガスタンク２１へのＮＨ3 ガスの充填を行う。ＮＨ3 ガスの供給停止後、時間ｔ５の時点で第２ガス供給管１１の第１バルブ１９を開き、ＭＦＣ１８に流量調整されたＮＨ3 ガスをガスタンク２１内に流入させる。この時、第２バルブ２２は閉じられているので、流入するＮＨ3 ガスによりガスタンク２１内の圧力が上昇する。ガスタンク２１内の圧力は、圧力センサ２０により測定されており、ガスタンク２１内の圧力が所望の圧力、例えば０．０５〜０．１ＭＰａの範囲内の圧力となる様、ＭＦＣ１８、第１バルブ１９がフィードバック制御される。ガスタンク２１内が所定の圧力迄昇圧されると、第１バルブ１９が閉じられる。
【００６５】
尚、ガスタンク２１へのＮＨ3 ガスの充填は放電室２６内へのＮＨ3 ガスの供給停止と同時に開始してもよい。即ち、第２バルブ２２を閉じるのと同時に第１バルブ１９を開けても良く、つまり、時刻ｔ４とｔ５を同じ時刻としても良い。ガスタンク２１へのＮＨ3 ガスの充填は放電室２６内へのＮＨ3 ガスの供給停止と同時にすることにより、ＮＨ3 ガスの充填に要する時間を短縮することができ、フラッシュフローの間隔を短くすることが可能となる。
【００６６】
ガスタンク２１内へ充填するＮＨ3 ガスの量は、ガスタンク２１内に充填されたＮＨ3 ガスを放電室２６内に供給した時に、放電室２６内の圧力がパッシェンの法則を満たす様な圧力になる量以上である。即ち、放電室２６内で放電が発生しプラズマ生成領域３５にプラズマが生成される圧力になる量以上である。つまり、所定の圧力とは、ガスタンク２１内に充填されたＮＨ3 ガスを放電室２６内に供給した時に、放電室２６内の圧力がパッシェンの法則を満たす様な圧力になる量以上のＮＨ3 ガスが、ガスタンク２１内に充填された時の圧力である。
【００６７】
ガスタンク２１内に所定の圧力のＮＨ3 ガスを充填した後は、再度ＳＴＥＰ：０５（時間ｔ２）に戻り、再度第２バルブ２２を開き、放電室２６内にＮＨ3 ガスを供給する。
【００６８】
上記したＳＴＥＰ：０５〜ＳＴＥＰ：０６（時間ｔ２〜時間ｔ４）を所定回数、例えば７回繰返し、処理室４内にパルス状に複数回ＮＨ3 ガスの活性種を供給することで、基板５の表面に良好な窒化膜を形成することができる。
【００６９】
尚、１回当たりのガスタンク２１内へのＮＨ3 ガスの充填、ガスタンク２１から放電室２６内へのＮＨ3 ガスの供給は、共に短時間で終了する為、ガスタンク２１から放電室２６内へのＮＨ3 ガスの供給は、供給と停止を間欠的に繰返すフラッシュフロー（フラッシュ分割供給）となる。
【００７０】
本実施例では、放電室２６内の圧力の急激な変動に伴ってプラズマのインピーダンスも急激に変動する為、整合器３３の整合定数を所要の状態で固定し、自動でインピーダンスの調整を行わない等、高周波電源３４側の整合条件が設定されている。具体的には、放電室２６内の最大圧力、又は、最大圧力よりも若干低い圧力がパッシェンの法則を満たす圧力となる様に放電圧力を設定し、高周波電源の整合条件を設定している。
【００７１】
尚、窒素含有ガスとしては、ＮＨ3 ガスをプラズマで励起したガス以外に、ジアゼン（Ｎ2 Ｈ2 ）ガス、ヒドラジン（Ｎ2 Ｈ4 ）ガス、Ｎ3 Ｈ8 ガス等の窒化水素系ガスやＮ2 ガスをプラズマで励起したガスを用いてもよく、これらのガスをＡｒガス、Ｈｅガス、Ｎｅガス、Ｘｅガス等の希ガスで希釈したガスをプラズマで励起して用いてもよい。
【００７２】
ＳＴＥＰ：０７では、ＮＨ3 ガスのフラッシュフロー後の処理室４内をパージする（時間ｓ４〜時間ｓ５）。ＮＨ3 ガスのフラッシュフローを所定回数行った後、時間ｓ４に於いて高周波電源３４からの高周波電力の印加を停止し、バルブ１６，２５を開き、第１ノズル７のガス供給孔１７、第２ノズル８のガス供給孔２８からＮ2 ガスを供給する。第１ノズル７、第２ノズル８からのＮ2 ガスの供給時間は、０〜１秒の範囲内とするのが望ましい。
【００７３】
処理室４内のパージ時に於いても、真空ポンプ３９による真空排気が継続されており、供給されたＮ2 ガスにより、放電室２６内、処理室４内に残留する未反応若しくは窒化に寄与した後のＮＨ3 ガスや反応副生成物がパージされ、処理室４内から排除される。
【００７４】
上述したＳＴＥＰ：０１〜ＳＴＥＰ：０７（時間ｓ０〜時間ｓ５）を１サイクルとして、サイクルを少なくとも１回以上行うことで、基板５上に所望の膜厚のシリコン及び窒素を含む薄膜、即ちシリコン窒化膜（ＳｉＮ膜）を成膜することができる。尚、上述のサイクルは、複数回繰返すのが好ましい。尚、ＳＴＥＰ：０７は省略されても良い。ＳＴＥＰ：０７を省略することで、その分の成膜に要する時間を短縮することができる為、スループットを向上させることが可能となる。
【００７５】
所望の膜厚のシリコン窒化膜を形成する成膜処理が終了すると、Ｎ2 等の不活性ガスが処理室４内へ供給されつつ排気されることで、処理室４内が不活性ガスでパージされる（ガスパージ）。その後、処理室４内の雰囲気が不活性ガスに置換され（不活性ガス置換）、処理室４内の圧力が常圧に復帰される（大気圧復帰）。
【００７６】
その後、ボートエレベータ４５によりシールキャップ４１が降下され、反応管３の下端が開口されると共に、処理済みの基板５がボート６に支持された状態で反応管３の下端から反応管３の外部に搬出される（ボートアンロード）。その後、処理済みの基板５がボート６より取出される（ディスチャージ）。
【００７７】
本実施形態によれば、以下に示す１つ又は複数の効果が得られる。
【００７８】
（１）放電室内へ処理ガスをフラッシュフローすることにより、反応室内に高密度の処理ガスの活性種を１サイクルで大量に供給することができ、生産性を向上させることができる。
（２）放電室内に処理ガスが供給された時の圧力よりも反応室内の圧力を低くすることにより、基板間や基板上の集積回路の深い溝にも処理ガスの活性種が供給され、カバレッジを向上させることができる。
（３）放電室に供給した処理ガスが全て処理室内に供給される前にガスタンクの下流側のバルブを閉めて処理ガスの放電室への供給を停止し、ガスタンク内への処理ガスの充填を開始することで、フラッシュフローの間隔を短くすることができ、成膜に要する時間を短縮することができる。又、フラッシュフローの回数を増やすこともできる為、生産性を向上させることができる。
（４）放電室内の最大圧力、又は、最大圧力よりも若干低い圧力がパッシェンの法則を満たす圧力となる様に、高周波電源の整合条件を設定することで、処理ガスのフラッシュフローに対応した高速なプラズマの生成及び消失を繰返すことができる。
【００７９】
尚、本実施例では、シリコン含有ガス、窒素含有ガスを用いてＳｉＮ膜を形成する例について説明したが、本発明は、上述の実施例に限定されるものではない。
【００８０】
例えば、アルミニウム含有ガスと窒素含有ガスを用いてアルミニウム窒化膜（ＡｌＮ膜）を形成する場合や、チタン含有ガスと窒素含有ガスを用いてチタン窒化膜（ＴｉＮ膜）を形成する場合や、ボロン含有ガスと窒素含有ガスを用いてボロン窒化膜（ＢＮ膜）を形成する場合等にも適用することができる。又、シリコン含有ガスと酸素含有ガスを用いてシリコン酸化膜（ＳｉＯ膜）を形成する場合や、アルミニウム含有ガスと酸素含有ガスを用いてアルミニウム酸化膜（ＡｌＯ膜）を形成する場合や、チタン含有ガスと酸素含有ガスを用いてチタン酸化膜（ＴｉＯ膜）を形成する場合や、シリコン含有ガスと炭素含有ガスを用いてシリコン炭化膜（ＳｉＣ膜）を形成する場合等にも適用することができる。
【００８１】
図５は、本実施例の処理炉１の第１の変形例を示している。
【００８２】
第１の変形例では、第２ガス供給管１１の第１バルブ１９の上流側と、第２バルブ２２の下流側に、第１分岐管５１が第２ガス供給管１１と並列に接続され、第１分岐管５１には上流側から順に第３バルブ５２、ガスタンク５３、第４バルブ５４が設けられている。
【００８３】
又、第１分岐管５１の第３バルブ５２の上流側と、第４バルブ５４の下流側に、第２分岐管５５が第１分岐管５１と並列に接続され、第２分岐管５５には上流側から順に第５バルブ５６、ガスタンク５７、第６バルブ５８が設けられている。
【００８４】
従って、第２ガス供給管１１と第１分岐管５１と第２分岐管５５とがそれぞれ並列に接続されており、ガスタンク２１、ガスタンク５３、ガスタンク５７がそれぞれ並列に接続されている。
【００８５】
上記第１の変形例に於いては、ガスタンク２１から放電室２６内にＮＨ3 ガスを供給した後、ガスタンク２１に新たなＮＨ3 ガスを充填している間に、既に充填が完了しているガスタンク５３、ガスタンク５７からＮＨ3 ガスを放電室２６内に供給することができるので、充填から供給迄の待機時間を短縮し、より小刻みなフラッシュフローを行うことができ、処理能力を向上させることができる。
【００８６】
又、複数のガスタンクを同時に開とすることにより、より大量のＮＨ3 ガスを放電室２６内に供給することも可能となる。
【００８７】
又、図６は本発明の処理炉１の第２の変形例を示している。
【００８８】
本実施例及び変形例では、反応管３の内壁に沿って放電室２６を設ける場合について説明したが、図６に示される第２の変形例の様に、反応管３の外部に突出する様に放電室２６を設ける場合に於いても、本発明の実施例及び第１の変形例と同等の効果が得られるのは言う迄もない。
【００８９】
（付記）
又、本発明は以下の好ましい実施の態様を含む。
【００９０】
（付記１）
本発明の好ましい一態様によれば、
基板を処理する処理室と、
前記処理室内に活性化された処理ガスを供給する放電室と、
前記放電室内に供給された前記処理ガスを活性化させるプラズマ源と、
前記処理室内を排気する排気系と、
前記処理ガスを一時的に貯溜する貯溜部を備え、前記放電室に前記処理ガスを供給する処理ガス供給系と、
前記貯溜部に貯溜された前記処理ガスを前記放電室内に間欠的に供給し、前記放電室内で活性化された前記処理ガスを、前記放電室から前記放電室内の圧力よりも低圧の前記処理室内に供給させる様前記プラズマ源と前記排気系と前記処理ガス供給系とを制御する様構成される制御部と、
を有する基板処理装置が提供される。
【００９１】
（付記２）
付記１に記載の基板処理装置であって、好ましくは、
前記貯溜部は、上流側から順に第１のバルブと、ガスタンクと、第２のバルブとを含む。
【００９２】
（付記３）
付記１又は付記２に記載の基板処理装置であって、好ましくは、
前記放電室は前記処理室の内壁に設けられ、前記処理室と前記放電室とを隔離する隔離壁を有し、前記隔離壁には複数のガス供給孔が設けられている。
【００９３】
（付記４）
付記１〜付記３に記載の基板処理装置であって、好ましくは、
前記プラズマ源は容量結合型であり、前記放電室内に設置されている。
【００９４】
（付記５）
付記１〜付記４に記載の基板処理装置であって、好ましくは、
前記処理ガスを前記放電室内に導入されるよりも前に、前記プラズマ源の電源が投入される様前記プラズマ源と前記処理ガス供給系を制御する様構成される。
【００９５】
（付記６）
付記５に記載の基板処理装置であって、好ましくは、
前記制御部は、前記処理室内の圧力を低圧にした後に前記処理ガスを前記放電室内に導入する様に前記プラズマ源と前記排気系と前記処理ガス供給系とを制御する様構成される。
【００９６】
（付記７）
付記６に記載の基板処理装置であって、好ましくは、
前記制御部は、前記ガスタンクに溜めた前記処理ガスを一気に前記放電室内に導入し、前記放電室内の圧力を急激に上昇させて前記処理ガスをプラズマ化する様に前記プラズマ源と前記排気系と前記処理ガス供給系とを制御する様構成される。
【００９７】
（付記８）
付記７に記載の基板処理装置であって、好ましくは、
前記制御部は、前記放電室内の圧力をパッシェンの法則を満たす様な圧力となる迄上昇させる様に前記プラズマ源と前記排気系と前記処理ガス供給系とを制御する様構成される。
【００９８】
（付記９）
付記１〜８に記載の基板処理装置であって、好ましくは、
前記制御部は、前記ガスタンクが所定の圧力になる迄前記処理ガスを貯溜する様に前記処理ガス供給系を制御する様構成される。
【００９９】
（付記１０）
付記９に記載の基板処理装置であって、好ましくは、
前記所定の圧力は、前記放電室内の圧力がパッシェンの法則を満たす様な圧力になる量の前記処理ガスが前記ガスタンク内に充填された時の圧力である。
【０１００】
（付記１１）
付記１〜付記１０に記載の基板処理装置であって、好ましくは、
前記制御部は、前記プラズマ源の電源が投入された状態で、前記処理ガスを間欠的に前記放電室内に供給する様に前記プラズマ源と前記排気系と前記処理ガス供給系とを制御する様構成される。
【０１０１】
（付記１２）
付記１〜付記１１に記載の基板処理装置であって、好ましくは、
前記プラズマ源は高周波電源が印加する高周波電源を供給するラインの途中に、前記放電室内が前記処理ガスの供給により放電圧力迄上昇した後にプラズマを生じさせる様に整合定数を調整された整合器を有する。
【０１０２】
（付記１３）
付記１２に記載の基板処理装置であって、好ましくは、
前記制御部は、前記放電室内でのプラズマ発生後、前記整合器によるインピーダンス制御を停止する様に前記プラズマ源と前記排気系と前記処理ガス供給系とを制御する様構成される。
【０１０３】
（付記１４）
本発明の他の態様によれば、
基板を収納する処理室内に基板を収容する収容工程と、
前記処理室内を排気する排気工程と、
処理ガス供給系に備えられた一時的に前記処理ガスを貯溜する貯溜部から処理ガスを放電室内に間欠的に供給し、前記処理ガスを活性化させる活性化工程と、
前記放電室内で活性化された前記処理ガスを前記処理室内に供給する供給工程と、を有し、
前記供給工程では、前記放電室内で活性化された前記処理ガスを、前記放電室内の圧力よりも低圧の前記処理室内に供給させる半導体装置の製造方法、又は、基板処理方法が提供される。
【０１０４】
（付記１５）
本発明の更に他の態様によれば、
基板を収納する処理室内に基板を収納する収容手順と、
前記処理室内を排気する排気手順と、
処理ガス供給系に備えられた一時的に前記処理ガスを貯溜する貯溜部から処理ガスを放電室内に間欠的に供給し、前記処理ガスを活性化させる活性化手順と、
前記放電室内で活性化された前記処理ガスを前記処理室内に供給する供給手順と、を有し、
前記供給手順では、前記放電室内で活性化された前記処理ガスを、前記放電室内の圧力よりも低圧の前記処理室内に供給させるプログラム、又は、該プログラムを記録したコンピュータ読み取り可能な記録媒体が提供される。
【符号の説明】
【０１０５】
１              処理炉
３              反応管
４              処理室
７              第１ノズル
８              第２ノズル
１７            ガス供給孔
１９            第１バルブ
２１            ガスタンク
２２            第２バルブ
２６            放電室
３４            高周波電源
３６            排気管
【図１】
0006415215.tif 000002
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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