(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
原版のパターンを投影光学系を介して基板上のショット領域に転写する露光装置であって、
前記ショット領域に設けられた複数のマークのうち、第１マーク群の位置を、前記原版および前記投影光学系を介して検出する第１検出部と、
前記複数のマークのうち、前記第１マーク群とは異なる第２マーク群の位置を、前記投影光学系を介さずに検出する第２検出部と、
前記第１検出部による検出結果、前記第２検出部による検出結果、およびベースライン量に関する情報に基づいて、前記原版と前記ショット領域との位置合わせを制御する制御部と、
を含み、
前記ベースライン量は、前記第１検出部による基板上の検出位置と前記第２検出部による前記基板上の検出位置との位置関係を示し、
前記制御部は、
前記位置合わせにおいて前記第１検出部で検出された前記第１マーク群に含まれる少なくとも２つの第１マークの位置に基づいて、前記基板上における前記ショット領域の配置を示す第１情報を求め、
前記位置合わせにおいて前記第２検出部で検出された前記第２マーク群に含まれる少なくとも２つの第２マークの位置に基づいて、前記基板上における前記ショット領域の配置を示す第２情報を求め、
前記第１情報と前記第２情報とに基づいて、前記ベースライン量に関する情報を補正する、ことを特徴とする露光装置。
【請求項２】
前記制御部は、前記第１情報と前記第２情報との差分に基づいて、前記ベースライン量に関する情報を補正する、ことを特徴とする請求項１に記載の露光装置。
【請求項３】
前記制御部は、前記ベースライン量に関する情報が取得されたときからの前記差分の変動量が閾値以上であるときに前記ベースライン量に関する情報を補正する、ことを特徴とする請求項２に記載の露光装置。
【請求項４】
前記制御部は、前記差分が閾値以上であるときに前記ベースライン量に関する情報を補正する、ことを特徴とする請求項２に記載の露光装置。
【請求項５】
前記第２検出部は、互いに異なる前記第２マークを並行して検出可能な複数のスコープを含み、
前記制御部は、前記第２検出部のスコープごとに前記ベースライン量に関する情報を補正する、ことを特徴とする請求項１乃至４のうちいずれか１項に記載の露光装置。
【請求項６】
前記ベースライン量は、前記第１検出部による基板上の検出位置と前記第２検出部による基板上の検出位置との距離である、ことを特徴とする請求項１乃至５のうちいずれか１項に記載の露光装置。
【請求項７】
前記第１情報および前記第２情報はそれぞれ、各ショット領域のシフト成分、倍率成分および回転成分の少なくとも１つを示す情報を含む、ことを特徴とする請求項１乃至６のうちいずれか１項に記載の露光装置。
【請求項８】
前記制御部は、前記第１検出部と前記第２検出部とに基板上の同一のマークを検出させ、前記第１検出部で検出された当該同一のマークの位置と前記第２検出部で検出された当該同一のマークの位置との差に基づいて、前記ベースライン量に関する情報を事前に取得する、ことを特徴とする請求項１乃至７のうちいずれか１項に記載の露光装置。
【請求項９】
前記制御部は、前記第１検出部と前記第２検出部とに基板上の同一のマークを検出させ、前記第１検出部で当該同一のマークの位置を検出したときの前記基板の位置と、前記第２検出部で当該同一のマークの位置を検出したときの前記基板の位置との差に基づいて、前記ベースライン量に関する情報を事前に取得する、ことを特徴とする請求項１乃至７のうちいずれか１項に記載の露光装置。
【請求項１０】
前記制御部は、前記基板に対する前記原版のパターンの転写処理を開始する前に、前記ベースライン量に関する情報を取得する、ことを特徴とする請求項８又は９に記載の露光装置。
【請求項１１】
前記制御部は、前記基板上の複数のショット領域の各々について前記第１検出部で検出された前記少なくとも２つの第１マークの位置に基づいて前記第１情報を求め、前記複数のショット領域の各々について前記第２検出部で検出された前記少なくとも２つの第２マークの位置に基づいて前記第２情報を求める、ことを特徴とする請求項１乃至１０のうちいずれか１項に記載の露光装置。
【請求項１２】
前記第１検出部および前記第２検出部は、前記第１検出部による前記第１マークの位置の検出と前記第２検出部による前記第２マークの位置の検出とを並行して行うことができるように配置されている、ことを特徴とする請求項１乃至１１のいずれか１項に記載の露光装置。
【請求項１３】
前記第２検出部は、前記投影光学系と前記基板との間に配置されている、ことを特徴とする請求項１乃至１２のうちいずれか１項に記載の露光装置。
【請求項１４】
請求項１乃至１３のうちいずれか１項に記載の露光装置を用いて基板を露光する工程と、
前記工程で露光された前記基板を現像する工程と、
を含むことを特徴とする物品の製造方法。
【請求項１５】
原版のパターンを投影光学系を介して基板上のショット領域に転写する露光装置における露光方法であって、
前記露光装置は、
前記ショット領域に設けられた複数のマークのうち、第１マーク群の位置を、前記原版および前記投影光学系を介して検出する第１検出部と、
前記複数のマークのうち、前記第１マーク群とは異なる第２マーク群の位置を、前記投影光学系を介さずに検出する第２検出部と、を含み、
前記露光方法は、
前記第１検出部による基板上の検出位置と前記第２検出部による前記基板上の検出位置との位置関係を示すベースライン量に関する情報を取得する取得工程と、
前記第１検出部による検出結果、前記第２検出部による検出結果、およびベースライン量に関する情報に基づいて、前記原版と前記ショット領域との位置合わせを行い、前記原版のパターンを前記ショット領域に転写する転写工程と、
前記転写工程において前記第１検出部で検出された前記第１マーク群に含まれる少なくとも２つの第１マークの位置に基づいて、前記基板上における前記ショット領域の配置を示す第１情報を生成する第１生成工程と、
前記転写工程において前記第２検出部で検出された前記第２マーク群に含まれる少なくとも２つの第２マークの位置に基づいて、前記基板上における前記ショット領域の配置を示す第２情報を生成する第２生成工程と、
前記第１情報と前記第２情報とに基づいて、前記ベースライン量に関する情報を補正する補正工程と、
を含むことを特徴とする露光方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、露光装置、露光方法、および物品の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
液晶パネルや有機ＥＬパネル等のフラットパネルや、半導体デバイスの製造には、マスクなどの原版のパターンを、レジストが塗布されたガラスプレートやウェハなどの基板に転写する露光装置が用いられる。このような露光装置では、原版のパターン領域と基板上のショット領域とを高精度に位置合わせすることが重要である。
【０００３】
特許文献１には、オフアクシス方式の検出部を用いて基板上に形成された複数のマークを検出し、その検出結果およびベースライン量を用いて原版と基板との位置合わせを行う方法が提案されている。特許文献１において、ベースライン量は、投影光学系の光軸とオフアクシス方式の検出部の光軸との間の距離として定義されており、投影光学系に生じる熱の影響などによって時間の経過とともに変化しうる。そのため、特許文献１では、ベースライン量の経時的な変動を表す関数を用いて、次に露光を行う際のベースライン量を推定している。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００３−１７３９９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
特許文献１に記載されている露光装置では、関数を用いてベースライン量を推定しているに過ぎない。そのため、意図しない外乱が生じた場合に、原版と基板とを高精度に位置合わせすることが不十分になりうる。また、特許文献１には、原版と基板との位置合わせの際に、ＴＴＬ（Ｔｈｒｏｕｇｈ  Ｔｈｅ  Ｌｅｎｓ）方式の検出部とオフアクシス方式の検出部とを併用して、基板上の各ショット領域に設けられた複数のマークを検出することについては記載されていない。
【０００６】
そこで、本発明は、原版と基板とを高精度に位置合わせする上で有利な技術を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記目的を達成するために、本発明の一側面としての露光装置は、原版のパターンを投影光学系を介して基板上のショット領域に転写する露光装置であって、前記ショット領域に設けられた複数のマークのうち、第１マーク群の位置を、前記原版および前記投影光学系を介して検出する第１検出部と、前記複数のマークのうち、前記第１マーク群とは異なる第２マーク群の位置を、前記投影光学系を介さずに検出する第２検出部と、前記第１検出部による検出結果、前記第２検出部による検出結果、およびベースライン量に関する情報に基づいて、前記原版と前記ショット領域との位置合わせを制御する制御部と、を含み、前記ベースライン量は、前記第１検出部による基板上の検出位置と前記第２検出部による前記基板上の検出位置との位置関係を示し、前記制御部は、前記位置合わせにおいて前記第１検出部で検出された前記第１マーク群に含まれる少なくとも２つの第１マークの位置に基づいて、前記基板上における前記ショット領域の配置を示す第１情報を求め、前記位置合わせにおいて前記第２検出部で検出された前記第２マーク群に含まれる少なくとも２つの第２マークの位置に基づいて、前記基板上における前記ショット領域の配置を示す第２情報を求め、前記第１情報と前記第２情報とに基づいて、前記ベースライン量に関する情報を補正する、ことを特徴とする。
【０００８】
本発明の更なる目的又はその他の側面は、以下、添付図面を参照して説明される好ましい実施形態によって明らかにされるであろう。
【発明の効果】
【０００９】
本発明によれば、例えば、原版と基板とを高精度に位置合わせする上で有利な技術を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】第１実施形態の露光装置の構成を示す概略図である。
【図２】アライメント検出部とオフアクシス検出部との位置関係、原版におけるマークの位置、および基板におけるマークの位置を示す図である。
【図３】第１実施形態の露光装置における露光処理のフローチャートを示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
以下、添付図面を参照して、本発明の好適な実施の形態について説明する。なお、各図において、同一の部材ないし要素については同一の参照番号を付し、重複する説明は省略する。
【００１２】
＜第１実施形態＞
本発明の第１実施形態の露光装置１００における装置構成と位置合わせ方法について説明する。図１は、第１実施形態の露光装置１００の構成を示す概略図である。第１実施形態の露光装置１００は、原版３ａのパターンを投影光学系４を介して基板上における複数のショット領域の各々に転写するステップ・アンド・スキャン方式の露光装置である。露光装置１００は、例えば、照明光学系１と、アライメント検出部２（第１検出部）と、マスクステージ３ｂと、投影光学系４と、オフアクシス検出部９１および９２（第２検出部）と、基板ステージ５ｂと、定盤６と、制御部８とを含みうる。制御部８は、例えばＣＰＵやメモリなどを有し、露光装置１００の各部を制御する（基板５ａの露光処理を制御する）。
【００１３】
光源（不図示）から射出された光は、照明光学系１に入射し、例えばＸ方向に長い帯状または円弧状の露光領域を原版３ａ（マスク）上に形成する。原版３ａおよび基板５ａ（例えばガラスプレート）は、原版ステージ３ｂおよび基板ステージ５ｂによってそれぞれ保持されており、投影光学系４を介して光学系にほぼ共役な位置（投影光学系４の物体面および像面）に配置される。投影光学系４は、例えば、複数のミラーによって構成されたミラープロジェクション方式の投影光学系であり、所定の投影倍率（例えば１倍や１／２倍）を有し、原版３ａに形成されたパターンを基板５ａに投影する。原版ステージ３ｂおよび基板ステージ５ｂは、投影光学系４の光軸方向（Ｚ方向）に直交する方向（第１実施形態ではＹ方向）に、互いに同期しながら、投影光学系４の投影倍率に応じた速度比で走査する。これにより、原版３ａに形成されたパターンを、基板上におけるショット領域に転写することができる。そして、このような走査露光を、基板ステージ５ｂをステップ移動させながら、基板上における複数のショット領域の各々について順次繰り返すことにより、１枚の基板５ａにおける露光処理を完了することができる。
【００１４】
このように基板上の各ショット領域に原版３ａのパターンを転写する際には、パターンが形成された原版３ａの領域（パターン領域３１）と当該ショット領域とのアライメント（位置合わせ）が行われる。第１実施形態の露光装置１００は、アライメント検出部２とオフアクシス検出部９１および９２とを併用することによって各ショット領域に設けられた複数のマークの検出を行う。これにより、アライメント検出部２のみを用いて複数のマークの検出を行っていた従来の露光装置に比べて、スループットを向上させることができる。
【００１５】
アライメント検出部２は、照明光学系１と原版３ａ（原版ステージ３ｂ）との間に配置されており、少なくとも１つのアライメントスコープを含みうる。第１実施形態のアライメント検出部２は、２つのアライメントスコープ２ａおよび２ｂを含む。そして、アライメント検出部２は、基板上の各ショット領域に設けられたマークを、アライメントスコープ２ａおよび２ｂによって原版３ａに設けられたマークと投影光学系４とを介して検出する。これにより、制御部８は、アライメント検出部２による検出結果に基づいて、ショット領域に設けられたマークの原版３ａに対する位置を求めることができる。ここで、アライメント検出部２は、基板５ａを露光する際に用いられる光とは波長の異なる光（非露光光）を用いてマークを検出するように構成されるとよい。また、アライメント検出部２によって検出される基板上のマークを、以下では第１マークと称する
オフアクシス検出部９１および９２は、投影光学系４と基板５ａ（基板ステージ５ｂ）との間に配置されており、少なくとも１つのオフアクシススコープをそれぞれ含みうる。第１実施形態のオフアクシス検出部９１は、オフアクシススコープ９１ａおよび９１ｂを含み、オフアクシス検出部９２は、オフアクシススコープ９２ａおよび９２ｂを含む。そして、オフアクシス検出部９１および９２は、基板上に設けられたマークを、オフアクシススコープ９１ａ〜９２ｂによって原版３ａに設けられたマークと投影光学系４とを介さずに検出する。これにより、制御部８は、オフアクシス検出部９１および９２による検出結果とベースライン量に関する情報（ベースライン情報）とに基づいて、ショット領域に設けられたマークのアライメント検出部２に対する位置を求めることができる。ベースライン量は、アライメント検出部２とオフアクシス検出部９１または９２との位置関係を表し、例えば、アライメント検出部２による基板上の検出位置とオフアクシス検出部９１または９２による基板上の検出位置との距離を示す。ここで、オフアクシス検出部９１および９２は、基板５ａを露光する際に用いられる光とは波長の異なる光（非露光光）を用いてマークを検出するように構成されるとよい。また、オフアクシス検出部９１および９２によって検出される基板上のマークを以下では第２マークと称し、ベースライン量に関する情報をベースライン情報と称する。
【００１６】
例えば、図２に示すように、原版３ａおよび基板５ａの各ショット領域に６つのマークがそれぞれ設けられている場合を想定する。図２は、アライメント検出部２とオフアクシス検出部９１および９２との位置関係、原版３ａにおけるマークの位置、および基板５ａにおけるマークの位置を示す図である。図２（ａ）は、アライメント検出部２におけるアライメントスコープ２ａおよび２ｂと、オフアクシス検出部９１および９２におけるオフアクシススコープ９１ａ〜９２ｂとの位置関係を示す図である。図２（ｂ）は、原版上に配置されたマークの位置を示す図であり、図２（ｃ）は、基板上に配置されたマークの位置を示す図である。原版３ａは、図２（ｂ）に示すように、基板上の各ショット領域に転写するためのパターンが形成された領域（パターン領域３１）を含み、パターン領域３１に対して６つのマーク３１１〜３１６が設けられているものとする。基板５ａは、図２（ｃ）に示すように、４つのショット領域５１〜５４を含み、原版３ａに設けられた６つのマークに対応するように各ショット領域５１〜５４に対して６つのマークが設けられているものとする。ショット領域５１に対してはマーク５１１〜５１６が、ショット領域５２に対してはマーク５２１〜５２６が、ショット領域５３に対してはマーク５３１〜５３６が、およびショット領域５４に対してはマーク５４１〜５４６が設けられているものとする。また、アライメント検出部２は２つのアライメントスコープ２ａおよび２ｂを含み、オフアクシス検出部９１および９２はそれぞれ２つのオフアクシススコープ９１ａ〜９２ｂを含むものとする。そして、各アライメントスコープおよび各オフアクシススコープは、基板上における１つのショット領域に設けられた複数のマークのうち互いに異なるマークをそれぞれ並行して検出できるように配置されている。
【００１７】
この場合、アライメント検出部２における各アライメントスコープ２ａおよび２ｂは、原版上のマークと投影光学系４とを介して各ショット領域の第１マークを検出する。例えば、アライメントスコープ２ａは、ショット領域５１の第１マーク５１２を原版上のマーク３１２と投影光学系４とを介して検出する。また、アライメントスコープ２ｂは、ショット領域５１の第１マーク５１５を原版上のマーク３１５と投影光学系４とを介して検出する。これにより、制御部８は、アライメント検出部２による検出結果に基づいて、第１マーク５１２および５１５の原版３ａに対する位置を求めることができる。一方で、オフアクシス検出部９１および９２における各オフアクシススコープ９１ａ〜９２ｂは、原版上のマークと投影光学系４を介さずに各ショット領域の第２マークを検出する。例えば、オフアクシススコープ９１ａはショット領域５１のマーク５１３を、オフアクシススコープ９１ｂはショット領域５１のマーク５１６をそれぞれ検出する。また、オフアクシススコープ９２ａはショット領域５１のマーク５１１を、オフアクシススコープ９２ｂはショット領域５１のマーク５１４をそれぞれ検出する。これにより、制御部８は、オフアクシス検出部９１および９２による検出結果とベースライン情報とに基づいて、第２マークのアライメント検出部２に対する位置を求めることができる。
【００１８】
制御部８は、アライメント検出部２による検出結果から求めた第１マークの位置とオフアクシス検出部９１および９２による検出結果から求めた第２マークの位置とに基づいて原版上のパターン領域３１と基板上のショット領域とを位置合わせし走査露光を行う。このとき、制御部８は、例えば、原版上のマークとショット領域上のマークとが互いに重なり合うように走査露光を行う。走査露光においては、例えば、原版ステージ３ｂや基板ステージ５ｂの移動速度、投影光学系４の投影倍率などが制御部８によって制御されうる。この工程を各ショット領域について行うことにより、基板上に形成された複数のショット領域の各々に原版３ａのパターンを転写することができる。
【００１９】
ここで、ベースライン情報を取得する方法（ベースライン量を計測する方法）について説明する。制御部８は、アライメント検出部２とオフアクシス検出部９１および９２とに基板上の同一のマークを検出させる。そして、制御部８は、アライメント検出部２による検出結果から求められる当該同一のマークの基板上における位置と、オフアクシス検出部９１および９２による検出結果から求められる当該同一のマークの基板上における位置との差を求める。このように求められた当該差がベースライン量となるため、制御部８は、当該差によってベースライン情報を取得することができる。例えば、制御部８は、アライメント検出部２に第１マーク（マーク５１２および５１５）を検出させ、第１マークの基板上における位置を求める。また、制御部８は、基板ステージ５ｂを移動させた後、オフアクシス検出部９１に当該第１マークを検出させ、第１マークの基板上における位置を求める。この場合、アライメント検出部２による検出結果およびオフアライメント検出部９１による検出結果からそれぞれ求められた第１マークの基板上における位置の差がベースライン量となる。
【００２０】
また、制御部８は、アライメント検出部２とオフアクシス検出部９１および９２とに基板上の同一のマークを検出させた際における基板５ａの移動量（基板ステージ５ｂの移動量）をベースライン量とすることもできる。例えば、制御部８は、アライメント検出部２（アライメントスコープ２ａおよび２ｂ）の視野の中心に第１マークが配置されるように基板ステージ５ｂを制御する。そして、制御部８は、オフアクシス検出部９１（オフアクシススコープ９１ａおよび９１ｂ）の視野の中心に当該第１マークが配置されるように基板ステージ５ｂを制御する。この際における基板５ａの移動量（基板ステージ５ｂの移動量）がベースライン量となるため、制御部８は、当該移動量によってベースライン情報を取得することができる。
【００２１】
このように構成された露光装置１００では、アライメント検出部２による基板上の第１マークの検出とオフアクシス検出部９１および９２による基板上の第２マークの検出とが並行に行われる。このとき、アライメント検出部２は原版３ａのマークと投影光学系４とを介して基板上の第１マークを検出するため、制御部８は、第１マークの原版３ａに対する位置を求めることができる。一方で、オフアクシス検出部９１および９２は原版３ａのマークと投影光学系４とを介さずに基板上の第２マークを検出するが、制御部８は、ベースライン情報を用いることにより第２マークのアライメント検出部２に対する位置を求めることができる。これにより、露光装置１００は、原版上のパターン領域３１と基板上の各ショット領域とを高精度に位置合わせすることができるとともに、アライメント検出部２で基板上の全てのマークを検出する場合と比べてスループットを向上させることができる。
【００２２】
しかしながら、このような露光装置１００では、投影光学系４に生じる熱やオフアクシス検出部と投影光学系との相対位置のずれなどの影響によってベースライン量が変動することがある。このようにベースライン量の変動が生じてしまうと、オフアクシス検出部による検出結果およびベースライン情報に基づいて求められた基板上の第２マークの位置に誤差が含まれうる。その結果、原版３ａと基板５ａとの位置合わせ精度（アライメント精度）が低下してしまうこととなる。また、基板５ａに対する露光処理が終了する度に、上述の方法でベースライン量を逐次計測したのではスループットが低下してしまうため好ましくない。そこで、第１実施形態の露光装置１００は、原版３ａと基板５ａとの位置合わせにおいて得られた各ショット領域の第１マークの位置および各ショット領域の第２マークの位置から、基板上における各ショット領域の格子情報を求める。そして、露光装置１００は、各ショット領域の第１マークの位置から求められた格子情報と各ショット領域の第２マークの位置から求められた格子情報との間における格子のずれ量に基づいて、ベースライン情報を補正する。これにより、第１実施形態の露光装置１００は、第２マークのアライメント検出部２に対する位置を精度よく求めることができるため、原版３ａと基板５ａとの位置合わせを高精度に行うことができる。
【００２３】
次に、第１実施形態の露光装置１００における露光処理について、図３を参照しながら説明する。図３は、第１実施形態の露光装置１００における露光処理のフローチャートを示す図である。Ｓ１０１では、制御部８は、基板搬送部（不図示）を制御することにより基板５ａを基板ステージ５ｂ上に搭載する。Ｓ１０２では、制御部８は、露光処理を行う対象ショット領域の第１マークがアライメント検出部２によって、対象ショット領域の第２マークがオフアクシス検出部９１および９２によってそれぞれ検出されるように基板ステージ５ｂを制御する。このとき、制御部８は、基板上の第１マークに対応する原版上のマークがアライメント検出部２によって検出されるように原版ステージ３ｂを制御する。Ｓ１０３では、制御部８は、アライメント検出部２に第１マークを、オフアクシス検出部９１および９２に第２マークをそれぞれ検出させ、第１マークの原版３ａに対する位置と第２マークのアライメント検出部２に対する位置とをそれぞれ求める。Ｓ１０４では、制御部８は、Ｓ１０３において求めた第１マークの位置と第２マークの位置とに基づいて原版上のパターン領域３１と対象ショット領域とを位置合わせし、原版３ａのパターンの対象ショット領域への転写（露光処理）を行う。Ｓ１０５では、制御部８は、基板上に次に露光処理を行うショット領域（次のショット領域）があるか否かを判断する。次のショット領域がある場合はＳ１０２に進み、次のショット領域に対して露光処理を行う。一方で、次のショット領域がない場合はＳ１０６に進む。
【００２４】
Ｓ１０６では、制御部８は、ベースライン情報を新たに取得するか否か、即ち、ベースライン量を再度計測するか否かを判断する。例えば、制御部８は、ジョブの開始時における１枚目の基板に対して露光処理が行われた場合や、１つのロットにおける１枚目の基板に対して露光処理が行われた場合などに、ベースライン情報を新たに取得する。また、制御部８は、ベースライン情報を取得してから露光処理を行った基板の枚数が所定枚数に達した場合や、ベースライン情報を取得してから経過した時間が所定時間に達した場合などに、ベースライン情報を新たに取得してもよい。ベースライン情報を新たに取得する場合はＳ１０７に進み、新たに取得しない場合はＳ１０８に進む。Ｓ１０７では、制御部８は、上述の方法によってベースライン量を計測し、ベースライン情報を新たに取得する。
【００２５】
Ｓ１０８では、制御部８は、全てのショット領域に対して露光処理が行われた基板５ａにおける各ショット領域の第１マークの位置から、当該基板上における各ショット領域の格子情報を求める。Ｓ１０９では、制御部８は、全てのショット領域に対して露光処理が行われた基板における各ショット領域の第２マークの位置から、当該基板上における各ショット領域の格子情報を求める。Ｓ１０８およびＳ１０９によってそれぞれ求められる格子情報は、例えば、基板上における各ショット領域の配置（格子）を示す情報を含みうる。そして、基板上における各ショット領域の配置（格子）は、例えば、シフト成分、倍率成分および回転成分の少なくとも１つを含みうる。
【００２６】
例えば、アライメント検出部２による検出結果から求められた、各ショット領域のＸ方向における第１マークの位置をＰａｓｉｊｘ、各ショット領域のＹ方向における第１マークの位置をＰａｓｉｊｙとする。そして、各ショット領域における第１マークの位置から求められる格子β１におけるシフト成分（Ｘ方向）をＸ１、シフト成分（Ｙ方向）をＹ１、倍率成分をＭ１、回転成分をＲ１とする。ｉは基板上におけるショット領域の番号を表し、ｊは各ショット領域上におけるマークの番号を表している。このとき、各ショット領域の第１マークの位置ｄ１と格子β１との関係は、式（１）によって表される。よって、制御部８は、式（２）を用いて格子β１を求めることができる。ここで、式（１）および式（２）におけるα１は、各ショット領域のマークの目標位置を表す行列である。
【００２７】
【数１】
0006371602.tif 000002
【００２８】
【数２】
0006371602.tif 000003
【００２９】
また、オフアクシス検出部９１および９２による検出結果およびベースライン情報から求められた、各ショット領域のＸ方向における第２マークの位置をＰｏａｓｉｊｘ、各ショット領域のＹ方向における第２マークの位置をＰｏａｓｉｊｙとする。そして、各ショット領域における第２マークの位置から求められる格子β２におけるシフト成分（Ｘ方向）をＸ２、シフト成分（Ｙ方向）をＹ２、倍率成分をＭ２、回転成分をＲ２とする。このとき、各ショット領域の第２マークの位置ｄ２と格子β２との関係は、式（３）によって表される。よって、制御部８は、式（４）を用いて格子β２を求めることができる。ここで、式（３）および式（４）におけるα２は、各ショット領域のマークの目標位置を表す行列である。
【００３０】
【数３】
0006371602.tif 000004
【００３１】
【数４】
0006371602.tif 000005
【００３２】
Ｓ１１０では、制御部８は、各ショット領域の第１マークの位置から求められた格子情報と各ショット領域の第２マークの位置から求められた格子情報との間における格子のずれ量を求める。例えば、制御部８は、第１マークの位置から求められる格子β１と第２マークの位置から求められる格子β２との差を、格子のずれ量として求める。Ｓ１１１では、制御部８は、Ｓ１１０で求められた格子のずれ量を用いて、ベースライン情報を補正する。例えば、制御部８は、ベースライン情報を取得したとき（ベースライン量を計測したとき）における格子のずれ量を取得し、Ｓ１１０で求められた格子のずれ量と、ベースライン情報を取得したときにおける格子のずれ量との差を求める。このように求められた差が、ベースライン情報を取得したときから格子のずれ量が変動した量（変動量）となる。制御部８は、上述の方法で得られた変動量をベースライン情報に含まれるベースライン量に補正値として加算することによって、ベースライン情報の補正を行う。ここで、ベースライン情報を取得したときにおける格子のずれ量は、当該情報の取得が行われた基板を用いて求められうる。即ち、当該基板における各ショット領域の第１マークの位置から求められた格子情報と、各ショット領域の第２マークの位置から求められた格子情報との差が、ベースライン情報を取得したときにおける格子のずれ量となる。Ｓ１１２では、制御部８は、次に露光処理を行う基板（次の基板）があるか否かを判断する。次の基板がある場合はＳ１０１に進み、新たな基板が基板ステージ５ｂに搭載される。一方で、次の基板がない場合は終了する。
【００３３】
上述したように、第１実施形態の露光装置１００は、原版３ａと基板５ａとの位置合わせにおいて得られた各ショット領域の第１マークの位置および第２マークの位置からそれぞれ求められた格子情報に基づいて、ベースライン情報を補正する。これにより、露光装置１００は、基板５ａに対する露光処理が終了する度にベースライン量を逐次計測する必要が生じないため、スループットが低下することを抑制しつつ、原版３ａと基板５ａとを高精度に位置合わせを行うことができる。
【００３４】
ここで、制御部８は、例えば、Ｓ１１０で求められた格子のずれ量が閾値以上であったときにベースライン情報の補正を行うように構成されてもよいし、格子のずれ量についての変動量が閾値以上であったときに当該補正を行うように構成されてもよい。また、ベースライン情報は、オフアクシス検出部９１および９２におけるオフアクシススコープ９１ａ〜９２ｂごとに取得されうる。そのため、制御部８は、オフアクシススコープ９１ａ〜９２ｂごとにベースライン情報を補正してもよい。これにより、原版３ａと基板５ａとを更に高精度に位置合わせすることができる。
【００３５】
＜物品の製造方法の実施形態＞
本発明の実施形態における物品の製造方法は、例えば、半導体デバイス等の電子デバイスや微細構造を有する素子等の物品を製造するのに好適である。本実施形態の物品の製造方法は、基板に塗布された感光剤に上記の露光装置を用いて潜像パターンを形成する工程（基板を露光する工程）と、かかる工程で潜像パターンが形成された基板を現像する工程とを含む。更に、かかる製造方法は、他の周知の工程（酸化、成膜、蒸着、ドーピング、平坦化、エッチング、レジスト剥離、ダイシング、ボンディング、パッケージング等）を含む。本実施形態の物品の製造方法は、従来の方法に比べて、物品の性能・品質・生産性・生産コストの少なくとも１つにおいて有利である。
【００３６】
以上、本発明の好ましい実施形態について説明したが、本発明はこれらの実施形態に限定されないことはいうまでもなく、その要旨の範囲内で種々の変形および変更が可能である。
【符号の説明】
【００３７】
１：照明光学系、２：アライメント検出部（第１検出部）、３ａ：原版、３ｂ：原版ステージ、４：投影光学系、５ａ：基板、５ｂ：基板ステージ、８：制御部、９１および９２：オフアクシス検出部（第２検出部）、１００：露光装置
【図１】
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【図２】
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【図３】
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