(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
導電性を有する被加工材料の処理表面に沿ってプラズマを生成させるためのマイクロ波を供給するマイクロ波供給部と、
前記被加工材料の処理表面に沿うシース層を拡大させる負のバイアス電圧を前記被加工材料に印加する負電圧印加部と、
前記マイクロ波供給部から供給されるマイクロ波を拡大された前記シース層へ伝搬させるマイクロ波供給口と、
前記マイクロ波供給口に対して突出して配置された前記被加工材料に、前記負電圧印加部によって印加される負のバイアス電圧を印加させる負電圧印加端子部材と、
前記マイクロ波供給口側と反対側に形成されるシース層の厚みを拡大させるための電極であって、ＧＮＤに接続され、または正電圧印加部から供給される正の電圧が印加され、かつ前記突出して配置された前記被加工材料の外側の周囲に配置される補助電極と、
を備えることを特徴とする成膜装置。
【請求項２】
前記補助電極は、前記マイクロ波供給口に対して、前記被加工材料を挟む位置に設けられること
を特徴とする請求項１記載の成膜装置。
【請求項３】
前記補助電極は、前記被加工材料の突出方向に対して垂直な方向に延びること
を特徴とする請求項２記載の成膜装置。
【請求項４】
前記補助電極は、前記被加工材料との距離が長くなるほど、大きい正の電圧値が印加されること
を特徴とする請求項３記載の成膜装置。
【請求項５】
前記補助電極は、前記被加工材料との距離が長くなるほど、前記マイクロ波供給口に向かって湾曲すること
を特徴とする請求項３、または４記載の成膜装置。
【請求項６】
前記補助電極は、前記マイクロ波供給口に対する前記被加工材料の突出方向に沿って配置されること
を特徴とする請求項１に記載の成膜装置。
【請求項７】
前記補助電極は、前記マイクロ波供給口側よりも前記反対側の方が前記被加工材料との距離が短くなるように配置されること
を特徴とする請求項６記載の成膜装置。
【請求項８】
前記補助電極は、前記マイクロ波供給口側よりも前記反対側の方が、大きい値の正の電圧が印加されること
を特徴とする請求項６、または７記載の成膜装置。
【請求項９】
前記補助電極に印加される正の電圧は、前記負電圧印加部により負のバイアス電圧が印加され、かつ前記マイクロ波供給部によるマイクロ波が供給される期間の少なくとも一部に印加されること
請求項１〜８のいずれか記載の成膜装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、プラズマを用い、鋼材等の導電性を有する被加工材料の表面に皮膜を形成するための成膜装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来、鋼材などの導電性を有する被加工材料の表面に成膜処理する技術が特許文献１などにより知られている。この特許文献に開示された技術では、プラズマ生成装置が石英窓を通して石英窓から突出するように配置された処理容器内の被加工材料に向けマイクロ波を供給することにより、石英窓内面の周辺領域にプラズマが発生し、シース層がプラズマと被加工材料との境界に生成される。マイクロ波の供給中に、プラズマ生成装置が被加工材料へ負のバイアス電圧を印加する。この結果、被加工材料の表面に沿ってシース層が生成し、生成されたシース層は拡大する。供給されたマイクロ波は、このシース層に沿って伝搬し、プラズマが伸長する。この結果、原料ガスがプラズマによって分解され、被加工材料の表面が成膜処理される。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００４−４７２０７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
特許文献１に開示された技術では、被加工材料の処理表面に沿って形成されたシース層とプラズマとの界面を、表面波として伝搬するマイクロ波において、シース層の厚さが変化すると表面波に対するインピーダンスが変化するので、表面波の一部は反射される。また、シース層が薄い程、被加工材料の処理表面で発生する抵抗損失が増大する。この結果、石英窓から遠ざかるほど、プラズマ密度が減衰する。この結果、石英窓側の被加工材料への成膜の処理能力に比べて、石英窓と反対側の被加工材料への成膜の処理能力は、低下する。
【０００５】
本発明は、上述した問題を解決するためになされたものであり、マイクロ波供給口側の被加工材料への成膜の処理能力に比べて、マイクロ波供給口と反対側の被加工材料への成膜の処理能力の低下を低減する成膜装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上記目的を達成するために、請求項１記載の成膜装置は、導電性を有する被加工材料の処理表面に沿ってプラズマを生成させるためのマイクロ波を供給するマイクロ波供給部と、前記被加工材料の処理表面に沿うシース層を拡大させる負のバイアス電圧を前記被加工材料に印加する負電圧印加部と、前記マイクロ波供給部から供給されるマイクロ波を拡大された前記シース層へ伝搬させるマイクロ波供給口と、前記マイクロ波供給口に対して突出して配置された前記被加工材料に、前記負電圧印加部によって印加される負のバイアス電圧を印加させる負電圧印加端子部材と、前記マイクロ波供給口側と反対側に形成されるシース層の厚みを拡大させるための電極であって、ＧＮＤに接続され、または正電圧印加部から供給される正の電圧が印加され、かつ前記突出して配置された前記被加工材料の外側の周囲に配置される補助電極と、を備えることを特徴とする。
【０００７】
請求項１記載の成膜装置によれば、補助電極側の被加工材料の外側の周囲の電界強度が強くなる。この結果、補助電極側の被加工材料の外側の周囲に生成されるシース層は、補助電極を設けない場合に生成されるシース層より厚くなる。従って、補助電極側の被加工材料の外側の周囲に生成されるプラズマの密度の減衰が低減し、成膜処理能力の低下を低減する成膜装置を提供することができる。
【０００８】
また、前記補助電極は、前記マイクロ波供給口に対して、前記被加工材料を挟む位置に設けられてもよい。この場合、補助電極が被加工材料を挟む位置に設けられるので、マイクロ波供給口から最も遠い位置の被加工材料の外側の周囲の電界強度がより強くなる。この結果、マイクロ波供給口から最も遠い位置の被加工材料の外側の周囲に生成されるシース層は、より厚くなる。従って、マイクロ波供給口から最も遠い位置の被加工材料の外側の周囲に生成されるプラズマの密度の減衰がより低減し、成膜処理能力の低下をより低減する成膜装置を提供することができる。
【０００９】
また、前記補助電極は、前記被加工材料の突出方向に対して垂直な方向に延びてもよい。この場合、マイクロ波供給口から最も遠い位置の被加工材料の外側の周囲の電界強度がより強くなる。これにより、シース層の厚さ方向に延びた補助電極と被加工材料とで囲まれた領域に電界が集中しやすくなる。この結果、マイクロ波供給口から最も遠い位置の被加工材料の外側の周囲に生成されるシース層は、より厚くなる。従って、マイクロ波供給口から最も遠い位置の被加工材料の外側の周囲に生成されるプラズマの密度の減衰がより低減し、成膜処理能力の低下をより低減する成膜装置を提供することができる。
【００１０】
また、前記補助電極は、前記被加工材料との距離が長くなるほど、大きい正の電圧値が印加されてもよい。この場合、マイクロ波供給口から最も遠い位置の被加工材料の外側の周囲の電界強度がより強くなる。この結果、マイクロ波供給口から最も遠い位置の被加工材料の外側の周囲に生成されるシース層は、より厚くなる。従って、マイクロ波供給口から最も遠い位置の被加工材料の外側の周囲に生成されるプラズマの密度の減衰がより低減し、成膜処理能力の低下をより低減する成膜装置を提供することができる。
さらに、マイクロ波供給口から最も遠い位置の被加工材料の外側の周囲の電界強度だけでなく、最も遠い位置からマイクロ波供給口にむかう途中の位置においても、電界強度が強くなる。よって、最も遠い位置からマイクロ波供給口にむかう途中の位置の被加工材料の外側の周囲に生成されるプラズマの密度の減衰も低減し、成膜処理能力の低下をより低減する成膜装置を提供することができる。
【００１１】
また、前記補助電極は、前記被加工材料との距離が長くなるほど、前記マイクロ波供給口に向かって湾曲してもよい。この場合、マイクロ波供給口から最も遠い位置の被加工材料の外側の周囲の電界強度がより強くなる。湾曲した補助電極の端部が被加工材料に近づくため、補助電極と被加工材料とで囲まれた領域の電界強度がより大きくなる。この結果、マイクロ波供給口から最も遠い位置の被加工材料の外側の周囲に生成されるシース層は、より厚くなる。従って、マイクロ波供給口から最も遠い位置の被加工材料の外側の周囲に生成されるプラズマの密度の減衰がより低減し、成膜処理能力の低下をより低減する成膜装置を提供することができる。
【００１２】
さらに、マイクロ波供給口から最も遠い位置の被加工材料の外側の周囲の電界強度だけでなく、最も遠い位置からマイクロ波供給口にむかう途中の位置においても、電界強度が強くなる。よって、最も遠い位置からマイクロ波供給口にむかう途中の位置の被加工材料の外側の周囲に生成されるプラズマの密度の減衰も低減し、成膜処理能力の低下をより低減する成膜装置を提供することができる。
【００１３】
また、前記補助電極は、前記マイクロ波供給口に対する前記被加工材料の突出方向に沿って配置されてもよい。この場合、マイクロ波供給口から最も遠い位置の被加工材料の外側の周囲の電界強度がより強くなる。この結果、マイクロ波供給口から最も遠い位置の被加工材料の外側の周囲に生成されるシース層は、より厚くなる。従って、マイクロ波供給口から最も遠い位置の被加工材料の外側の周囲に生成されるプラズマの密度の減衰がより低減し、成膜処理能力の低下をより低減する成膜装置を提供することができる。
【００１４】
また、前記補助電極は、前記マイクロ波供給口側よりも前記反対側の方が前記被加工材料との距離が短くなるように配置されてもよい。この場合、マイクロ波供給口から最も遠い位置の被加工材料の外側の周囲の電界強度がより強くなる。この結果、マイクロ波供給口から最も遠い位置の被加工材料の外側の周囲に生成されるシース層は、より厚くなる。従って、マイクロ波供給口から最も遠い位置の被加工材料の外側の周囲に生成されるプラズマの密度の減衰がより低減し、成膜処理能力の低下をより低減する成膜装置を提供することができる。
【００１５】
また、前記補助電極は、前記マイクロ波供給口側よりも前記反対側の方が、大きい値の正の電圧が印加されてもよい。この場合、マイクロ波供給口から最も遠い位置の被加工材料の外側の周囲の電界強度がより強くなる。この結果、マイクロ波供給口から最も遠い位置の被加工材料の外側の周囲に生成されるシース層は、より厚くなる。従って、マイクロ波供給口から最も遠い位置の被加工材料の外側の周囲に生成されるプラズマの密度の減衰がより低減し、成膜処理能力の低下をより低減する成膜装置を提供することができる。
【００１６】
また、前記補助電極に印加される正の電圧は、前記負電圧印加部により負のバイアス電圧が印加され、かつ前記マイクロ波供給部によるマイクロ波が供給される期間の少なくとも一部に印加されてもよい。
【図面の簡単な説明】
【００１７】
【図１】第１実施形態の成膜装置の概略構成を示す説明図である。
【図２】第１実施形態のマイクロ波パルス、負電圧パルス、および正電圧を示す説明図である。
【図３】第１実施形態のマイクロ波供給口、被加工材料、負電圧電極、および補助電極の配置を示すＺ方向の断面図である。
【図４】補助電極が設けられない場合、補助電極に正電圧が印加された場合、および補助電極がＧＮＤ接続された場合のＺ方向の被加工材料の位置における膜厚の分布を示すグラフである。
【図５】変形例１のマイクロ波供給口、被加工材料、負電圧電極、および補助電極の配置を示すＺ方向の断面図である。
【図６】変形例２のマイクロ波供給口、被加工材料、負電圧電極、および補助電極の配置を示すＺ方向の断面図である。
【図７】第２実施形態のマイクロ波供給口、被加工材料、負電圧電極、および補助電極の配置を示すＺ方向の断面図である。
【図８】変形例３のマイクロ波供給口、被加工材料、負電圧電極、および補助電極の配置を示すＺ方向の断面図である。
【図９】変形例４のマイクロ波供給口、被加工材料、負電圧電極、および補助電極の配置を示すＺ方向の断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１８】
＜第１実施形態＞
以下、本発明の成膜装置１の第１実施形態を、図面を参照しつつ詳細に説明する。
【００１９】
図１に示すように、成膜装置１は、処理容器２、真空ポンプ３、ガス供給部５、及び制御部６等から構成されている。処理容器２は、ステンレス等の金属製であって、気密構造の処理容器である。真空ポンプ３は、圧力調整バルブ７を介して処理容器２の内部を真空排気可能なポンプである。処理容器１の内部には、成膜対象である導電性を有する被加工材料８が、マイクロ波供給口２２により支持されている。
【００２０】
被加工材料８の材質は、処理表面１０が導電性を有していれば、特に限定されるものではないが、本実施形態では低温焼戻し鋼である。ここで低温焼戻し鋼とは、ＪＩＳ  Ｇ４０５１（機械構造用炭素鋼鋼材）、Ｇ４４０１（炭素工具鋼鋼材）、Ｇ４４−４（合金工具用鋼材）、又はマルエージング鋼材などの材料である。被加工材料８は、低温焼戻し鋼以外にも、セラミック、または樹脂に導電性の材料がコーティングされているものでもよい。
【００２１】
ガス供給部５は、処理容器２の内部に成膜用の原料ガスと不活性ガスとを供給する。具体的には、Ｈｅ、Ｎｅ、Ａｒ、Ｋｒ、またはＸｅなどの不活性ガスとＣＨ４、ＣＨ２、Ｃ２Ｈ２、又はＴＭＳ（テトラメチルシラン）等の原料ガスとが供給される。本実施形態では、ＣＨ４、Ｃ２Ｈ２、及びＴＭＳの原料ガスにより被加工材料８がＤＬＣ（Ｄｉａｍｏｎｄ  Ｌｉｋｅ  Ｃａｒｂｏｎ）成膜処理されるとして説明する。
【００２２】
ガス供給部５から供給される原料ガス、および不活性ガスの流量、および圧力が制御部６を介して制御されてもよいし、作業者により制御されてもよい。原料ガスは、アルキン、アルケン、アルカン、芳香族化合物などのＣＨ結合を有する化合物、または炭素が含まれる化合物が含まれるガスであればよい。Ｈ２が原料ガスに含まれてもよい。
【００２３】
処理容器２の内部に保持された被加工材料８に対してＤＬＣ成膜処理を行うためのプラズマが発生される。このプラズマは、マイクロ波パルス制御部１１、マイクロ波発振器１２、マイクロ波電源１３、負電圧電源１５、及び負電圧パルス発生部１６により発生される。本実施形態では、特開２００４−４７２０７号公報に開示された方法（以下、「ＭＶＰ法（Ｍｉｃｒｏｗａｖｅ  ｓｈｅａｔｈ−Ｖｏｌｔａｇｅ  ｃｏｍｂｉｎａｔｉｏｎ  Ｐｌａｓｍａ法）」という。）により表面波励起プラズマが発生されるとして説明する。以降の記載では、ＭＶＰ法を説明する。
【００２４】
マイクロ波パルス制御部１１は制御部６の指示に従い、パルス信号を発振し、この発振したパルス信号をマイクロ波発振器１２へ供給する。マイクロ波発振器１２は、マイクロ波パルス制御部１１からのパルス信号に従って、マイクロ波パルスを発生する。マイクロ波電源１３は、制御部６の指示に従い、指示された出力で２．４５ＧＨｚのマイクロ波を発振するマイクロ波発振器１２へ電力を供給する。つまり、マイクロ波発振器１２は、２．４５ＧＨｚのマイクロ波をマイクロ波パルス制御部１１からのパルス信号に従って、パルス状のマイクロ波パルスで後述するアイソレータ１７に供給する。
【００２５】
マイクロ波パルスは、マイクロ波発振器１２からアイソレータ１７、チューナー１８、導波管１９、同軸導波管２１、及びマイクロ波供給口２２を経由し、被加工材料８の処理表面に供給される。同軸導波管２１は、導波管１９から図示されない同軸導波管変換器を介して突設される。マイクロ波供給口２２は、石英などのマイクロ波を透過する誘電体等の部材である。アイソレータ１７は、マイクロ波の反射波がマイクロ波発振器１２へ戻ることを防ぐものである。チューナー１８は、マイクロ波の反射波が最小になるようにチューナー１８前後のインピーダンスを整合するものである。
【００２６】
被加工材料８は、マイクロ波供給口２２に対して処理容器２の内側に向かって突出するように配置されている。例えば、被加工材料８は、マイクロ波供給口２２に形成された溝に挿入されてもよいし、被加工材料８を支持する図示しない治具がこの溝に挿入されてもよい。
【００２７】
被加工材料８の上端部には、負のバイアス電圧パルスを印加するための負電圧電極２５が、被加工材料８の上端に電気的に接続される。
【００２８】
負電圧電源１５は、制御部６の指示に従い、負電圧パルス発生部１６に負のバイアス電圧を供給する。負電圧パルス発生部１６は、負電圧電源１５から供給された負のバイアス電圧をパルス化する。このパルス化の処理は、負電圧パルス発生部１６が制御部６の指示に従い、負のバイアス電圧パルスの大きさ、周期、及び、デューティ比を制御する処理である。このパルス状の負のバイアス電圧である負のバイアス電圧パルスが、処理容器２の内部に保持された被加工材料８に負電圧電極２５を介して印加される。
【００２９】
被加工材料８が、金属基材の場合であっても、セラミック、または樹脂に導電性の材料がコーティングされた場合であっても、被加工材料８の少なくとも処理表面１０全域に負のバイアス電圧パルスが印加される。
【００３０】
発生されたマイクロ波パルス、および負のバイアス電圧パルスの少なくとも一部が同一時間に印加されるように制御されることにより表面波励起プラズマが発生される。マイクロ波は２．４５ＧＨｚに限らず、０．３ＧＨｚ〜５０ＧＨｚの周波数であればよい。また、パルス状のマイクロ波パルスが供給されたが、連続するマイクロ波が供給されてもよい。負電圧電源１５、負電圧パルス発生部１６が本発明の負電圧印加部の一例である。負電圧電極２５が本発明の負電圧印加端子部材の一例である。
【００３１】
マイクロ波制御部１１、マイクロ波発振器１２、マイクロ波電源１３、アイソレータ１７、チューナー１８、導波管１９、及び同軸導波管２１が本発明のマイクロ波供給部の一例である。尚、成膜装置１は、負電圧パルス発生部１６の代わりに、パルス状の負のバイアス電圧でなく、連続する負のバイアス電圧を印加する負電圧発生部を備えてもよい。
【００３２】
処理容器２の側壁に設けられた窓２７の外側近傍の位置に、放射温度計２９が配置されている。放射温度計２９は、制御部６に電気的に接続される。放射温度計２９は、赤外線を受信し、受信された赤外線の強度を算出する。算出した赤外線の強度から被加工材料８の表面温度を算出する。放射温度計２９は、算出した被加工材料８の温度情報を制御部６に出力する。
【００３３】
制御部６は、負電圧電源１５とマイクロ波電源１３に制御信号を出力してマイクロ波パルスの印加電力と負電圧パルスの印加電圧を制御する。制御部６は、負電圧パルス発生部１６及びマイクロ波パルス制御部１１に制御信号を出力することによって、パルス状の負のバイアス電圧パルスの印加タイミング、および供給電圧と、マイクロ波発振器１２から発生されるマイクロ波パルスの供給タイミング、及び供給電力とを制御する。
【００３４】
制御部６は、ガス供給部５に流量制御信号を出力して原料ガス及び不活性ガスの供給を制御する。制御部６は、処理容器２に取り付けられた真空計２６から入力される処理容器２内の圧力を表す圧力信号に基づいて、制御信号を圧力調整バルブ７に出力して、処理容器２内の圧力を制御する。
【００３５】
［表面波励起プラズマの説明］
通常、表面波励起プラズマを発生させる場合、ある程度以上の電子（イオン）密度におけるプラズマと、これに接する誘電体との界面に沿ってマイクロ波が供給される。供給されたマイクロ波は、この界面に電磁波のエネルギーが集中した状態で表面波として伝播される。その結果、界面に接するプラズマは高エネルギー密度の表面波によって励起され、さらに増幅される。これにより高密度プラズマが生成されて維持される。ただし、この誘電体を導電性材料に換えた場合、導電性材料は表面波の導波路としては機能せず、好ましい表面波の伝播及びプラズマ励起を生ずることはできない。
【００３６】
一方、プラズマに接する物体の表面近傍には、本質的に単一極性の荷電粒子層、いわゆるシース層が形成される。物体が、負のバイアス電圧を加えた導電性を有する被加工材料８の場合、シース層とは電子密度が低い層、すなわち、正極性であって、マイクロ波の周波数帯においてはほぼ比誘電率ε≒１の層である。このため、印加する負のバイアス電圧の絶対値を例えば−１００Ｖの絶対値より大きくすることによりシース層のシース厚さを厚くできる。すなわちシース層が拡大する。このシース層が、プラズマとプラズマに接する物体との界面に表面波を伝播させる誘電体として作用する。
【００３７】
従って、被加工材料８の一端に近接して配置されたマイクロ波供給口２２からマイクロ波が供給され、かつ被加工材料８に負のバイアス電圧が印加されると、マイクロ波はシース層とプラズマとの界面に沿って表面波として伝搬する。この結果、被加工材料８及び保持治具９の処理表面１０に沿って表面波に基づく高密度励起プラズマが発生する。この高密度励起プラズマが、上述した表面波励起プラズマである。
【００３８】
このような被加工材料８の表面の近傍での表面波励起による高密度プラズマの電子密度は１０11〜１０12ｃｍ―3に達する。このＭＶＰ法を用いたプラズマＣＶＤによりＤＬＣ成膜処理される場合は、通常のプラズマＣＶＤによりＤＬＣ成膜処理される場合よりも１０倍から１００倍大きい成膜速度３〜３０（ナノｍ／秒）が得られるので高速成膜が可能である。
【００３９】
このＭＶＰ法では、マイクロ波供給口２２に密着させて被加工材料８を配置し、被加工材料８の処理表面１０に沿ってシース層が形成される。負のバイアス電圧により拡大されたシース層に沿って、表面波として伝搬するマイクロ波によって高密度プラズマが生成される。このプラズマの密度が高いので、被加工材料８は高速成膜される。被加工材料８は、同軸導波管２１の中心導体２１Ｃと対向して配置されるので、マイクロ波が上方向に効率よく伝搬する。
【００４０】
成膜装置１は、補助電極３０、および正電圧電源４０を備える。制御部６は、正電圧電源４０に制御信号を出力することによって、連続する正の電圧の供給電圧、及びこの正の電圧の供給タイミングを制御する。正電圧電源４０は、制御部６からの制御信号に従い、補助電極３０に正の電圧を供給する。制御部６、および正電圧電源４０が本発明の正電圧印加部の一例である。図３を参照して、マイクロ波パルスの供給と、負のバイアス電圧、および正の電圧の印加との一例について説明する。尚、マイクロ波パルスの供給と、負のバイアス電圧の印加との詳細は、特開２０１４−５１７１５号公報に開示されている。
【００４１】
マイクロ波パルスの１パルス毎の供給時間Ｔｍｗは、マイクロ波パルスの周期Ｔ１、およびマイクロ波パルスのデューティ比ＤＭＷ（Ｄｕｔｙ  ｏｆ  ｍｉｃｒｏｗａｖｅ）により次式で表される。
Ｔｍｗ＝Ｔ１＊ＤＭＷ・・・（１）
負電圧パルスの１パルスごとの印加時間Ｔｄｃは、負電圧パルスの周期Ｔ２、および負電圧パルスデューティ比ＤＳＨ（ｄｕｔｙ  ｏｆ  ｓｈｅｅｔｈ）により次式で表される。
Ｔｄｃ＝Ｔ２＊ＤＳＨ・・・（２）
尚、マイクロ波パルスが供給されてから負電圧パルスが印加されてもよいし、負電圧パルスが印加されてからマイクロ波パルスが供給されてもよいし、マイクロ波パルスの供給と負電圧パルスの印加とが同時に行われてもよい。また、同様に、マイクロ波パルスの供給が終了してから、負電圧パルスの印加が終了してもよいし、負電圧パルスの印加が終了してから、マイクロ波パルスの供給が終了してもよいし、マイクロ波パルスの供給終了と、負電圧の印加終了が同時に行われてもよい。
【００４２】
正の電圧は、マイクロ波の供給、および負電圧パルスの印加が行われている期間に印加されればよい。すなわち、負電圧パルスの１パルス毎の印加時間Ｔｄｃの少なくとも一部に正の電圧が印加されればよい。図２においては、成膜期間中の全期間中に正の電圧が印加されている。負のバイアス電圧の値は、−１００Ｖ〜−１０００Ｖであればよく、正の電圧の値は、マイクロ波供給口２２側の電界強度よりも、マイクロ波供給口２２からＺ方向に離れた位置の被加工材料８の周囲の電界強度が大きくなればよく、例えば、＋１Ｖ〜＋２００Ｖであればよい。この結果、被加工材料８の上端８Ｕにおけるシース層は、より厚くなる。従って、上端８Ｕの周囲に生成されるプラズマの密度の減衰がより低減する。
【００４３】
図３を参照して、補助電極３０について詳細に説明する。補助電極３０は、金属材料から形成される。負電圧電極２５の側面に絶縁部材３１が固定される。この絶縁部材３１の側面に補助電極３０が固定される。よって、補助電極３０は、マイクロ波供給口２２から突出して配置された被加工材料８の外側の周囲に配置される。補助電極３０は、絶縁部材３１の側面から法線方向Ｎに延びる円盤である。法線方向Ｎは本実施形態において、絶縁部材３１の側面の法線の方向であり、負電圧電極２５の側面の法線の方向である。法線方向Ｎの補助電極３０の長さは、特に限定されないが、一例として２．５ｃｍである。法線方向Ｎの補助電極３０の長さは被加工材料８のＺ方向の長さに応じて、長くなるのが望ましい。本実施形態において、Ｚ方向は被加工材料８の突出方向であり、図１における上方向に一致する。また、図３に示すように、補助電極３０はマイクロ波供給口２２に対して、被加工材料８を挟む位置に設けられる。
【００４４】
補助電極３０に、正電圧電源４０からの正電圧が印加される。この正電圧の印加形状は、特に限定されないが、以下では、連続する正の電圧として説明する。すなわち、正電圧電源４０からの補助電極３０に印加される正電圧は、パルス状であってもよい。印加される正電圧がパルス状である場合、図１において、正電圧電源４０と補助電極３０との間に、正電圧パルス発生部を設ければよい。制御部６は、正電圧パルス発生部に制御信号を出力することによって、パルス状の正のバイアス電圧パルスの印加タイミング、供給電圧を制御すればよい。
【００４５】
図３に示すように、被加工材料８に負のバイアス電圧が印加されている状態において、補助電極３０に正電圧が印加されることにより、被加工材料８の上端８Ｕの周辺において、電気力線が密になる。図３、および後述する図５〜図９に示す破線が電気力線を示す。言い換えれば、被加工材料８の上端８Ｕの周辺において、電界強度が強くなる。この結果、被加工材料８に負のバイアス電圧、および補助電極３０に正電圧が印加されている状態において、マイクロ波が供給されると、生成されるシース層の法線方向Ｎの厚みは、被加工材料８の上端８Ｕにおいて厚くなる。具体的には、被加工材料８に負のバイアス電圧が印加され、マイクロ波が供給され、かつ補助電極３０に正の電圧が印加されている状態の被加工材料８の上端８Ｕの周囲におけるシース層の法線方向Ｎの厚みは、補助電極３０が成膜装置１に設けられず、被加工材料８に負のバイアス電圧が印加され、マイクロ波が供給された状態の被加工材料８の上端８Ｕの周囲におけるシース層の法線方向Ｎの厚みよりも厚い。尚、本実施形態において、シース層の厚さ方向は、法線方向Ｎである。すなわち、補助電極３０は、シース層の厚さ方向に延びる。また、図３に示すように、被加工材料８の上端８Ｕは、Ｚ方向においてマイクロ波供給口２２と反対側に位置する。
【００４６】
被加工材料８の処理表面１０に沿って形成されたシース層とプラズマとの界面を、表面波として伝搬するマイクロ波において、シース層の厚さが変化すると表面波に対するインピーダンスが変化するので、表面波の一部は反射される。また、シース層が薄い程、被加工材料８の処理表面１０で発生する抵抗損失が増大する。すなわち、マイクロ波供給口２２から遠ざかるにつれて、シース層が薄くなると表面波の振幅は小さくなる。よって、マイクロ波供給口２２から遠ざかるにつれて、表面波に基づく高密度励起プラズマのプラズマ密度が低下する。この結果、マイクロ波供給口２２から遠ざかるにつれて被加工材料８の処理表面１０に成膜される膜厚は薄くなる。また、マイクロ波供給口２２から遠ざかるにつれて、高密度励起プラズマのプラズマ密度が低下するので、被加工材料８の処理表面１０に成膜される膜の膜質も低下する可能性がある。すなわち、マイクロ波供給口２２から遠ざかるにつれて、被加工材料８の処理表面１０への処理能力が低下する。一方、第１実施形態においては、補助電極３０に正の電圧が印加されることにより、被加工材料８の上端８Ｕの周辺において、電界強度が強くなる。電界強度が大きくなると、電子が被加工材料８と反対方向（プラズマ領域の方向）により強く押しやられ、電子密度がさらに低下する。この結果、シース層が拡大され、表面波の反射、または被加工材料８の表面での損失が減少する。従って、このより拡大されたシース層とプラズマとの界面を伝搬する表面波に基づく、高密度励起プラズマのプラズマ密度の低下が低減される。この結果、マイクロ波供給口２２から遠ざかるにつれて被加工材料８の処理表面１０に成膜される膜厚が薄くなることを低減できる。また、被加工材料８の処理表面１０に成膜される膜の膜質が低下する可能性も低減できる。すなわち、マイクロ波供給口２２から遠ざかるにつれて、被加工材料８の処理表面１０への処理能力の低下を低減できる。
【００４７】
第１実施形態においては、補助電極３０に正の電圧が印加されたが、補助電極３０が、例えば、処理容器２に電気的に接続されてもよい。言い換えれば、補助電極３０は、ＧＮＤに接続されてもよい。補助電極３０が設けられない成膜装置において、負のバイアス電圧が印加された被加工材料８に向かう電気力線は、主に、ＧＮＤ接続された処理容器２から延びる。よって、被加工材料８の上端８Ｕの周囲の電気力線は疎になる。一方、補助電極３０に正の電圧が印加されず、ＧＮＤ接続されていれば、電気力線は、主に、補助電極３０から負のバイアス電圧が印加された被加工材料８に向かう。よって、被加工材料８の上端８Ｕの周囲の電気力線は密になる。すなわち、補助電極３０がＧＮＤ接続されていても、被加工材料８の上端８Ｕの周囲の電界強度は強くなる。
【００４８】
成膜装置１に補助電極３０を設けない場合、補助電極３０に正の電圧を印加した場合、および補助電極３０をＧＮＤ接続した場合について、Ｚ方向の膜厚分布の実験データを図４に示す。図４に示すグラフにおいて、横軸は、被加工材料８の下端８Ｂの位置を原点とした被加工材料８のＺ方向の位置を示す。すなわち、値が大きくなるほど、マイクロ波供給口２２から遠い位置を示す。縦軸は、被加工材料８の下端８ＢからＺ方向に２０ｍｍ離れた位置の膜厚に対する膜厚を示す。すなわち、値が大きくなるほど、膜厚分布が大きいことを示す。
【００４９】
実験の際の、条件を下記に記す。被加工材料８は、直径１０ｍｍ、および長さが１００ｍｍのＳＵＳ３０４である。補助電極３０は、直径５０ｍｍ、厚さ５ｍｍの円盤状のＳＵＳ３０４である。処理容器２に、Ａｒが２００ｓｃｃｍ、ＣＨ４が４０ｓｃｃｍ、ＴＭＳが２０ｓｃｃｍで供給され、圧力が７５Ｐａとなるよう制御された。マイクロ波パルスは、電力が０．５ｋＷ、周波数が５００Ｈｚ、デューティ比が６０％となるように制御され、負のバイアス電圧パルスは、周波数が５００Ｈｚ、電圧の値が−４００Ｖとなるように制御された。また、膜厚が測定された位置は、被加工材料８の下端８ＢからＺ方向に２０ｍｍ離れた位置、５５ｍｍ離れた位置、および９０ｍｍ離れた位置である。図４に示すグラフでは、測定データを近似曲線で結んでいる。
【００５０】
実線Ａで示されるデータは、補助電極３０が成膜装置１に設けない場合の実験データを示す。二点鎖線Ｂで示されるデータは、補助電極３０に＋２００Ｖの電圧が印加された場合の実験データである。一点鎖線Ｃで示されるデータは、補助電極３０がＧＮＤ接続された場合の実験データである。
【００５１】
実線Ａのデータが示すように、補助電極３０が成膜装置１に設けない場合、下端８Ｂから２０ｍｍ離れた位置の膜厚に対して、下端８ＢからＺ方向に５５ｍｍ離れた位置の膜厚は１９％減少する。また、下端８Ｂから２０ｍｍ離れた位置の膜厚に対して、下端８ＢからＺ方向に９０ｍｍ離れた位置の膜厚は４５％減少する。
【００５２】
二点鎖線Ｂのデータが示すように、補助電極３０に＋２００Ｖの電圧が印加された場合、下端８Ｂから２０ｍｍ離れた位置の膜厚に対して、下端８ＢからＺ方向に５５ｍｍ離れた位置の膜厚は４％減少する。また、下端８Ｂから２０ｍｍ離れた位置の膜厚に対して、下端８ＢからＺ方向に９０ｍｍ離れた位置の膜厚は１０％減少する。
【００５３】
一点鎖線Ｃのデータが示すように、補助電極３０がＧＮＤ接続された場合、下端８Ｂから２０ｍｍ離れた位置の膜厚に対して、下端８ＢからＺ方向に５５ｍｍ離れた位置の膜厚は６％減少する。また、下端８Ｂから２０ｍｍ離れた位置の膜厚に対して、下端８ＢからＺ方向に９０ｍｍ離れた位置の膜厚は１８％減少する。
【００５４】
これら実線Ａのデータ、二点鎖線Ｂのデータ、および一点鎖線Ｃのデータが示すように、補助電極３０が成膜装置１に設けられない場合に比べて、補助電極３０に＋２００Ｖの電圧が印加された場合、および補助電極３０がＧＮＤ接続された場合は、下端８Ｂ側の膜厚よりもＺ方向に離れた、すなわちマイクロ波供給口２２と反対側の膜厚の減少を低減できる。言い換えれば、被加工材料８の処理表面１０に成膜される膜の膜厚のＺ方向の膜厚分布が低減される。また、補助電極３０がＧＮＤ接続された場合に比べて、補助電極３０に＋２００Ｖの電圧が印加された場合は、下端８Ｂ側の膜厚よりもＺ方向に離れた、すなわちマイクロ波供給口２２と反対側の膜厚の減少をより低減できる。言い換えれば、被加工材料８の処理表面１０に成膜される膜の膜厚のＺ方向の膜厚分布がより低減される。
【００５５】
すなわち、実線Ａのデータ、二点鎖線Ｂのデータ、および一点鎖線Ｃのデータが示すように、被加工材料８の上端８Ｕの周囲の電界強度は、正の電圧が印加される、またはＧＮＤ接続される補助電極３０を設けることにより、下端８ＢからＺ方向に２０ｍｍ離れた位置、およびＺ方向に５５ｍｍ離れた位置に対して、上端８Ｕの周囲の電界強度が強くなる。この結果、マイクロ波供給口２２側に形成されるシース層の厚み、および被加工材料８のＺ方向の中央部に形成されるシース層の厚みに対する上端８Ｕの周囲に形成されるシース層の厚みの減少が、正の電圧が印加される、またはＧＮＤ接続される補助電極３０を設けることにより、低減したといえる。
【００５６】
＜変形例１＞
補助電極３０は、絶縁部材３１の側面から、法線方向Ｎに延びたが、これに限られない。例えば、図５に示す補助電極３０Ａは、補助電極３０Ａは、法線方向Ｎに向かうほど、マイクロ波供給口２２に向かって湾曲する。この場合、湾曲した補助電極３０の端部が被加工材料８に近づくため、補助電極３０と被加工材料８とで囲まれた領域の電界強度がより大きくなる。これにより、マイクロ波供給口２２から最も遠い位置に配置される上端８Ｕの周囲の電界強度がより強くなる。この結果、上端８Ｕの周囲に生成されるシース層は、より厚くなる。従って、上端８Ｕの周囲に生成されるプラズマの密度の減衰がより低減する。また、図５に示すように、被加工材料８の上端Ｕの周辺だけでなく、被加工材料８の中央の周辺においても電気力線が密になる。この結果、マイクロ波供給口２２側の電界強度に対して、被加工材料８のＺ方向の中央部の周囲の電界強度の減少が低減される。よって、マイクロ波供給口２２側に形成されるシース層の厚みに対する被加工材料８のＺ方向の中央部に形成されるシース層の厚みの減少が低減される。従って、法線方向Ｎに向かうほど、マイクロ波供給口２２に向かって湾曲し、かつ正の電圧が印加される、またはＧＮＤ接続される補助電極３０を設けることにより、被加工材料８の処理表面１０に成膜される膜の膜厚のＺ方向の膜厚分布がより低減される。
【００５７】
＜変形例２＞
補助電極３０は、法線方向Ｎにおいて、負電圧電極２５に近い位置と、遠い位置とで同じ値の正電圧が印加されたが、これに限られない。図６に示す補助電極３０Ｂは、第１補助電極３０Ｂ１と、第２補助電極３０Ｂ２と、第３補助電極３０Ｂ３とを備える。第１補助電極３０Ｂ１と第２補助電極３０Ｂ２との間には、絶縁部材３１Ｂ１が備えられる。第２補助電極３０Ｂ２と第３補助電極３０Ｂ３との間には、絶縁部材３１Ｂ２が備えられる。第１補助電極３０Ｂ１、第２補助電極３０Ｂ２、第３補助電極３０Ｂ３は、それぞれ外径が異なる円盤であり、中空形状を有する。第１補助電極３０Ｂ１の内周面は、絶縁部材３１に固定され、外周面は、絶縁部材３１Ｂ１に固定される。第２補助電極３０Ｂ２の内周面は、絶縁部材３１Ｂ１に固定され、外周面は、絶縁部材３１Ｂ２に固定される。第３補助電極３０Ｂ３の内周面は、絶縁部材３１Ｂ２に固定される。
【００５８】
第３補助電極３０Ｂ３に印加される正の電圧Ｖ３は、第１補助電極３０Ｂ１に印加される正の電圧Ｖ１よりも大きいのが望ましい。第２補助電極３０Ｂ２に印加される正の電圧Ｖ２は、正の電圧Ｖ１と正の電圧Ｖ３との間の値として、説明するが、正電圧Ｖ１と同じでもよいし、正電圧Ｖ３と同じでも良い。また、正電圧Ｖ２は、Ｖ１よりも小さい値でもよいし、Ｖ３より大きい値であってもよいし、ゼロでもよい。
【００５９】
図６に示すように、第３補助電極３０Ｂ３に印加される正の電圧Ｖ３が、第１補助電極３０Ｂ１に印加される正の電圧Ｖ１よりも大きい場合、マイクロ波供給口２２から最も遠い位置に配置される上端８Ｕの周囲の電界強度がより強くなる。この結果、上端８Ｕの周囲に生成されるシース層は、より厚くなる。従って、上端８Ｕの周囲に生成されるプラズマの密度の減衰がより低減する。また、被加工材料８の上端Ｕの周辺だけでなく、被加工材料８の中央の周辺においても電気力線が密になる。この結果、マイクロ波供給口２２側の電界強度に対して、被加工材料８のＺ方向の中央部の周囲の電界強度の減少が低減される。よって、マイクロ波供給口２２側に形成されるシース層の厚みに対する被加工材料８のＺ方向の中央部に形成されるシース層の厚みの減少が低減される。従って、第３補助電極３０Ｂ３に印加される正の電圧Ｖ３が、第１補助電極３０Ｂ１に印加される正の電圧Ｖ１よりも大きい補助電極３０を設けることにより、被加工材料８の処理表面１０に成膜される膜の膜厚のＺ方向の膜厚分布がより低減される。
【００６０】
＜第２実施形態＞
以下、本発明の成膜装置１の第２実施形態を、図面を参照しつつ詳細に説明する。第１実施形態において、補助電極３０は、シース層の厚さ方向、すなわち法線方向Ｎに延びたが、第２実施形態における補助電極３０Ｃは、マイクロ波供給口２２に対する被加工材料８の突出方向、すなわち、Ｚ方向に沿って配置される。以下、第１実施形態と同じ構成は、第１実施形態と同じ図番を付し、第１実施形態と異なる構成について説明する。
【００６１】
図７に示すように、補助電極３０Ｃは、被加工材料８の外側の周囲において、Ｚ方向に沿って配置される。補助電極３０Ｃは、中空の円筒形状を有する金属部材から形成される。補助電極３０Ｃは、図示しない固定部材で、マイクロ波供給口２２に対して位置が固定されている。この中空の円筒形状を有する補助電極３０Ｃの内部に、被加工材料８が挿入され、マイクロ波供給口２２に形成された溝に固定される。Ｚ方向における補助電極３０Ｃの上端３０ＣＵが、下端３０ＣＢよりも、被加工材料８との距離が短くなるよう、補助電極３０Ｃが配置されるのが望ましい。例えば、上端３０ＣＵと被加工材料８との距離は２０ｍｍ〜３０ｍｍであればよい。下端３０ＣＢと被加工材料８との距離は４０ｍｍ〜５０ｍｍであればよい。図７に示すように、正電圧が印加される、またはＧＮＤ接続され、Ｚ方向に沿って配置される補助電極３０Ｃが設けられた場合、マイクロ波供給口２２から最も遠い位置に配置される上端８Ｕの周囲の電気力線が密になる。よって、上端８Ｕの周囲の電界強度が強くなる。この結果、上端８Ｕの周囲に生成されるシース層は、厚くなる。従って、上端８Ｕの周囲に生成されるプラズマの密度の減衰が低減する。また、上端３０ＣＵが、下端３０ＣＢよりも、被加工材料８との距離が短くなるよう、補助電極３０Ｃが配置された場合、上端８Ｕの周囲の電気力線が密になる。よって、上端８Ｕの周囲の電界強度がより強くなる。この結果、上端８Ｕの周囲に生成されるシース層は、より厚くなる。従って、上端８Ｕの周囲に生成されるプラズマの密度の減衰がより低減する。
【００６２】
＜変形例３＞
図７に示す補助電極３０Ｃは、中空の円筒形状を有する１の金属部材で形成されたが、これに限られない。図８に示すように、補助電極３０Ｄは、第１補助電極３０Ｄ１、第２補助電極３０Ｄ２、および第３補助電極３０Ｄ３を備える。第１補助電極３０Ｄ１、第２補助電極３０Ｄ２、および第３補助電極３０Ｄ３は、いずれも中空の円筒形状を有する金属部材から形成される。第１補助電極３０Ｄ１、第２補助電極３０Ｄ２、および第３補助電極３０Ｄ３は、いずれも図示しない固定部材で、マイクロ波供給口２２に対して位置が固定されている。これら中空の円筒形状を有する第１補助電極３０Ｄ１、第２補助電極３０Ｄ２、および第３補助電極３０Ｄ３の内部に、被加工材料８が挿入され、マイクロ波供給口２２に形成された溝に固定される。
【００６３】
第１補助電極３０Ｄ１、第２補助電極３０Ｄ２、および第３補助電極３０Ｄ３は、被加工材料８の外側の周囲において、Ｚ方向に沿って配置され、同じ値の正電圧が印加される。第１補助電極３０Ｄ１と被加工材料８との距離は、第２補助電極３０Ｄ２と被加工材料８との距離よりも長く、第２補助電極３０Ｄ２と被加工材料８との距離は、第３補助電極３０Ｄ２と被加工材料８との距離よりも長い。例えば、第１補助電極３０Ｄ１と被加工材料８との距離は４５ｍｍ〜５０ｍｍであればよい。第２補助電極３０Ｄ２と被加工材料８との距離は３２ｍｍ〜３７ｍｍであればよい。第３補助電極３０Ｄ３と被加工材料８との距離は２０ｍｍ〜２５ｍｍであればよい。
【００６４】
図８に示すように、正電圧が印加される、またはＧＮＤ接続され、Ｚ方向に沿って配置される補助電極３０Ｄが設けられた場合、マイクロ波供給口２２から最も遠い位置に配置される上端８Ｕの周囲の電気力線が密になる。よって、上端８Ｕの周囲の電界強度が強くなる。この結果、上端８Ｕの周囲に生成されるシース層は、厚くなる。従って、上端８Ｕの周囲に生成されるプラズマの密度の減衰が低減する。また、第１補助電極３０Ｄ１と被加工材料８との距離は、第２補助電極３０Ｄ２と被加工材料８との距離よりも長く、第２補助電極３０Ｄ２と被加工材料８との距離は、第３補助電極３０Ｄ２と被加工材料８との距離よりも長いので、上端８Ｕの周囲の電気力線がより密になる。よって、上端８Ｕの周囲の電界強度がより強くなる。この結果、上端８Ｕの周囲に生成されるシース層は、より厚くなる。従って、上端８Ｕの周囲に生成されるプラズマの密度の減衰がより低減する。
【００６５】
＜変形例４＞
図８に示す補助電極３０Ｄは、被加工材料８との距離が異なる第１補助電極３０Ｄ１、第２補助電極３０Ｄ２、および第３補助電極３０Ｄ３を備えたが、これに限られない。図９に示すように、補助電極３０Ｅは、第１補助電極３０Ｅ１、第２補助電極３０Ｅ２、および第３補助電極３０Ｅ３を備える。第１補助電極３０Ｅ１、第２補助電極３０Ｅ２、および第３補助電極３０Ｅ３は、いずれも中空の円筒形状を有する金属部材から形成される。第１補助電極３０Ｅ１、第２補助電極３０Ｅ２、および第３補助電極３０Ｅ３は、いずれも図示しない固定部材で、マイクロ波供給口２２に対して位置が固定されている。これら中空の円筒形状を有する第１補助電極３０Ｅ１、第２補助電極３０Ｅ２、および第３補助電極３０Ｅ３の内部に、被加工材料８が挿入され、マイクロ波供給口２２に形成された溝に固定される。
【００６６】
第１補助電極３０Ｅ１、第２補助電極３０Ｅ２、および第３補助電極３０Ｅ３は、被加工材料８の外側の周囲において、Ｚ方向に沿って配置される。第１補助電極３０Ｅ１に印加される正の電圧Ｖ１よりも第２補助電極３０Ｅ２に印加される正の電圧Ｖ２が大きく、この正の電圧Ｖ２よりも第３補助電極３０Ｅ３に印加される正の電圧Ｖ３が大きい。例えば、正の第１電圧Ｖ１は、１Ｖ〜１０Ｖであればよい。正の第２電圧Ｖ２は、１００Ｖ〜１１０Ｖであればよい。正の第３電圧Ｖ３は、１９０Ｖ〜２００Ｖであればよい。
【００６７】
図９に示すように、第１補助電極３０Ｅ１に印加される正の電圧Ｖ１よりも第２補助電極３０Ｅ２に印加される正の電圧Ｖ２が大きく、この正の電圧Ｖ２よりも第３補助電極３０Ｅ３に印加される正の電圧Ｖ３が大きいので、上端８Ｕの周囲の電気力線がより密になる。よって、上端８Ｕの周囲の電界強度がより強くなる。この結果、上端８Ｕの周囲に生成されるシース層は、より厚くなる。従って、上端８Ｕの周囲に生成されるプラズマの密度の減衰がより低減する。
【００６８】
＜変形例５＞
第１実施形態、および第２実施形態において、負電圧電極２５は、被加工材料８の上端８Ｕに接続されていたが、これに限られない。例えば、負電圧電極２５は、被加工材料８のＺ方向における中央部に接続されてもよいし、被加工材料８の下端に接続されてもよい。第１実施形態において、補助電極３０は負電圧電極２５に対して固定されていたが、負電圧電極２５が、被加工材料８のＺ方向における中央部、または下端に接続される場合、補助電極３０は図示されない位置決め部材により、被加工材料８の上端側に固定されればよい。
【符号の説明】
【００６９】
１      成膜装置
２      処理容器
６      制御部
８      被加工材料
８Ｕ      上端
８Ｂ      下端
１０      処理表面
１１      マイクロ波パルス制御部
１２      マイクロ波発振器
１３      マイクロ波電源
１５      負電圧電源
１６      負電圧パルス発生部
１７      アイソレータ
１８      チューナー
２１      同軸導波管
２２      マイクロ波供給口
２５      負電圧電極
３０、３０Ａ、３０Ｂ、３０Ｃ、３０Ｄ、３０Ｅ      補助電極
３１      絶縁部材
【図１】
0006358020.tif 000002
【図２】
0006358020.tif 000003
【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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