(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
同一の基板上で一方向に配列して形成された同一構造からなり、前記基板上に設けられた第１半導体層と、前記第１半導体層上に前記第１半導体層の一部が露出するよう設けられた第２半導体層と、を有する３つ以上の半導体ユニットと、
前記３つ以上の半導体ユニットのうち一端の半導体ユニットが備える前記第２半導体層上において該第２半導体層から絶縁されるように形成された第１端子と、
前記３つ以上の半導体ユニットのうち他端の半導体ユニットが備える前記第２半導体層上において該第２半導体層から絶縁されるように形成された第２端子と、
前記３つ以上の半導体ユニットの各第２半導体層上において該各第２半導体層から絶縁されるよう前記３つ以上の半導体ユニットにまたがって形成された前記第１端子に接続される共通部分と、該共通部分から延伸して該各第２半導体層にそれぞれ導通するよう形成された複数の個別部分と、を有する第１配線と、
前記３つ以上の半導体ユニットの各第２半導体層上において該各第２半導体層から絶縁されるよう前記３つ以上の半導体ユニットにまたがって形成された前記第２端子に接続される共通部分と、該共通部分から延伸して該各第２半導体層から露出する各第１半導体層にそれぞれ導通するよう形成された複数の個別部分と、を有する第２配線と、
を備え、
前記第１配線の半導体ユニット間における各抵抗値は、前記第１端子から離れるに従って大きくなり、
前記第２配線の半導体ユニット間における各抵抗値は、前記第２端子から離れるに従って大きくなる、
ことを特徴とする半導体発光素子。
【請求項２】
同一の基板上で一方向に配列して形成された同一構造からなり、前記基板上に設けられた第１半導体層と前記第１半導体層上に前記第１半導体層の一部が露出するよう設けられた第２半導体層とを有する複数の半導体積層体を各々が備え、各々における前記複数の半導体積層体は、前記第１半導体層と前記第２半導体層とを接続する第３配線により直列接続されている３つ以上の半導体ユニットと、
前記３つ以上の半導体ユニットのうち一端の半導体ユニットが備える前記第３配線により直列接続された複数の半導体積層体のうちの一端となる半導体積層体が有する第２半導体層上において、該第２半導体層から絶縁されるよう形成された第１端子と、
前記３つ以上の半導体ユニットのうち他端の半導体ユニットが備える前記第３配線により直列接続された複数の半導体積層体のうちの他端となる半導体積層体が有する第２半導体層上において、該第２半導体層から絶縁されるよう形成された第２端子と、
前記第３配線により直列接続された複数の半導体積層体のうちの一端となる各半導体積層体が有する各第２半導体層上において該各第２半導体層から絶縁されるよう前記３つ以上の半導体ユニットにまたがって形成された前記第１端子に接続される共通部分と、該共通部分から延伸して該各第２半導体層にそれぞれ導通するよう形成された複数の個別部分と、を有する第１配線と、
前記第３配線により直列接続された複数の半導体積層体のうちの他端となる各半導体積層体が有する各第２半導体層上において該各第２半導体層から絶縁されるよう前記３つ以上の半導体ユニットにまたがって形成された前記第２端子に接続される共通部分と、該共通部分から延伸して該各第２半導体層から露出する各第１半導体層にそれぞれ導通するよう形成された複数の個別部分と、を有する第２配線と、
を備え、
前記第１配線の半導体ユニット間における各抵抗値は、前記第１端子から離れるに従って大きくなり、
前記第２配線の半導体ユニット間における各抵抗値は、前記第２端子から離れるに従って大きくなる、
ことを特徴とする半導体発光素子。
【請求項３】
前記第１端子と前記第２端子は対角位置に形成されることを特徴とする請求項１または２に記載の半導体発光素子。
【請求項４】
同一の基板上で一方向に配列して形成された同一構造からなり、前記基板上に設けられた第１半導体層と、前記第１半導体層上に前記第１半導体層の一部が露出するよう設けられた第２半導体層と、を有する３つ以上の半導体ユニットと、
前記３つ以上の半導体ユニットのうち一端の半導体ユニットが備える前記第２半導体層上において該第２半導体層から絶縁されるように形成された第１端子及び第２端子と、
前記３つ以上の半導体ユニットの各第２半導体層上において該各第２半導体層から絶縁されるよう前記３つ以上の半導体ユニットにまたがって形成された前記第１端子に接続される共通部分と、該共通部分から延伸して該各第２半導体層にそれぞれ導通するよう形成された複数の個別部分と、を有する第１配線と、
前記３つ以上の半導体ユニットの各第２半導体層上において該各第２半導体層から絶縁されるよう前記３つ以上の半導体ユニットにまたがって形成された前記第２端子に接続される共通部分と、該共通部分から延伸して該各第２半導体層にそれぞれ導通するよう形成された複数の個別部分と、を有する第２配線と、
前記３つ以上の半導体ユニットのうち他端の半導体ユニットに形成された第３端子と、
前記３つ以上の半導体ユニットにまたがって形成された前記第３端子に接続される共通部分と、該共通部分から延伸して前記３つ以上の半導体ユニットの各第２半導体層から露出する各第１半導体層にそれぞれ導通するよう形成された複数の個別部分と、を有する第３配線と、
を備え、
前記第１配線の半導体ユニット間における各抵抗値は、前記第１端子から離れるに従って大きくなり、
前記第２配線の半導体ユニット間における各抵抗値は、前記第２端子から離れるに従って大きくなる、
ことを特徴とする半導体発光素子。
【請求項５】
同一の基板上で一方向に配列して形成された同一構造からなり、前記基板上に設けられた第１半導体層と、前記第１半導体層上に前記第１半導体層の一部が露出するよう設けられた第２半導体層と、を有する３つ以上の半導体ユニットと、
前記３つ以上の半導体ユニットのうち他端の半導体ユニットが備える前記第２半導体層上において該第２半導体層から絶縁されるように形成された第１端子及び第２端子と、
前記３つ以上の半導体ユニットの各第２半導体層上において該各第２半導体層から絶縁されるよう前記３つ以上の半導体ユニットにまたがって形成された前記第１端子に接続される共通部分と、該共通部分から延伸して該各第２半導体層から露出する各第１半導体層にそれぞれ導通するよう形成された複数の個別部分と、を有する第１配線と、
前記３つ以上の半導体ユニットの各第２半導体層上において該各第２半導体層から絶縁されるよう前記３つ以上の半導体ユニットにまたがって形成された前記第２端子に接続される共通部分と、該共通部分から延伸して該各第２半導体層から露出する各第１半導体層にそれぞれ導通するよう形成された複数の個別部分と、を有する第２配線と、
前記３つ以上の半導体ユニットのうち一端の半導体ユニットに形成された第３端子と、
前記３つ以上の半導体ユニットにまたがって形成された前記第３端子に接続される共通部分と、該共通部分から延伸して前記３つ以上の半導体ユニットの各第２半導体層にそれぞれ導通するよう形成された複数の個別部分と、を有する第３配線と、
を備え、
前記第１配線の半導体ユニット間における各抵抗値は、前記第１端子から離れるに従って大きくなり、
前記第２配線の半導体ユニット間における各抵抗値は、前記第２端子から離れるに従って大きくなる、
ことを特徴とする半導体発光素子。
【請求項６】
上面視において、前記第１端子と前記第３端子の距離と、前記第２端子と前記第３端子との距離と、は実質的に等しいことを特徴とする請求項４または５に記載の発光素子。
【請求項７】
前記第１配線の半導体ユニット間における各抵抗値と前記第２配線の半導体ユニット間における各抵抗値とは、各半導体ユニットを流れる電流が均一になる値であることを特徴とする請求項１から６のいずれか１項に記載の半導体発光素子。
【請求項８】
前記第１配線の幅及び／又は厚みは前記第１端子から離れるに従って小さくなることを特徴とする請求項１から７のいずれか１項に記載の半導体発光素子。
【請求項９】
前記第２配線の幅及び／又は厚みは前記第２端子から離れるに従って小さくなることを特徴とする請求項１から８のいずれか１項に記載の半導体発光素子。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
半導体発光素子に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、複数の発光ダイオード（半導体ユニット）を等マトリックス方式で基材上に作製し、金属蒸着の方式により接続リードライン（配線）を蒸着し、マトリックス発光ダイオード単体（半導体発光素子）を形成する発明が提案された（特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】実用新案登録第３１１７２８１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、上記従来の半導体発光素子では、複数の半導体ユニット間で輝度に偏りが生じるというという問題があった。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
上記の課題は、次の手段により解決される。
【０００６】
同一の基板上で一方向に配列して形成された同一構造からなる３つ以上の半導体ユニットと、前記３つ以上の半導体ユニットのうち一端の半導体ユニットに形成された第１端子と、前記３つ以上の半導体ユニットのうち他端の半導体ユニットに形成された第２端子と、前記第１端子が形成された半導体ユニットと他の半導体ユニットとが接続されるよう前記３つ以上の半導体ユニットにまたがって形成された第１配線と、前記第２端子が形成された半導体ユニットと他の半導体ユニットとが接続されるよう前記３つ以上の半導体ユニットにまたがって形成された第２配線と、を備え、前記第１配線の半導体ユニット間における各抵抗値は、前記第１端子から離れるに従って大きくなり、前記第２配線の半導体ユニット間における各抵抗値は、前記第２端子から離れるに従って大きくなる、ことを特徴とする半導体発光素子。
【発明の効果】
【０００７】
上記の半導体発光素子によれば、複数の半導体ユニット間における輝度の偏りを軽減することができる。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
【図１Ａ】実施形態１に係る半導体発光素子の模式的平面図である。
【図１Ｂ】図１Ａ中のＡ−Ａ断面図である。
【図１Ｃ】図１Ａ中のＢ−Ｂ断面図である。
【図１Ｄ】図１Ａ中のＣ−Ｃ断面図である。
【図１Ｅ】実施形態１に係る半導体発光素子の等価回路図である。
【図２Ａ】実施形態２に係る半導体発光素子の模式的平面図である。
【図２Ｂ】図２Ａ中のＡ−Ａ断面図である。
【図２Ｃ】図２Ａ中のＢ−Ｂ断面図である。
【図２Ｄ】図２Ａ中のＤ−Ｄ断面図である。
【図２Ｅ】実施形態２に係る半導体発光素子の等価回路図である。
【図３Ａ】実施形態３に係る半導体発光素子の模式的平面図である。
【図３Ｂ】図３Ａ中のＡ−Ａ断面図である。
【図３Ｃ】図３Ａ中のＢ−Ｂ断面図である。
【図３Ｄ】図３Ａ中のＥ−Ｅ断面図である。
【図３Ｅ】実施形態３に係る半導体発光素子の等価回路図である。
【図４Ａ】実施形態４に係る半導体発光素子の模式的平面図である。
【図４Ｂ】図４Ａ中のＡ−Ａ断面図である。
【図４Ｃ】図４Ａ中のＢ−Ｂ断面図である。
【図４Ｄ】図４Ａ中のＦ−Ｆ断面図である。
【図４Ｅ】実施形態４に係る半導体発光素子の等価回路図である。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
［実施形態１に係る半導体発光素子］
図１Ａは実施形態１に係る半導体発光素子の模式的平面図であり、図１Ｂは図１Ａ中のＡ−Ａ断面図であり、図１Ｃは図１Ａ中のＢ−Ｂ断面図であり、図１Ｄは図１Ａ中のＣ−Ｃ断面図であり、図１Ｅは実施形態１に係る半導体発光素子の等価回路図である。以下、図１Ａ〜１Ｅを参照しつつ、実施形態１に係る半導体発光素子１について説明する。
【００１０】
実施形態１に係る半導体発光素子１は、同一の基板１０上で一方向に配列して形成された同一構造からなる３つ以上の半導体ユニット２１、２２、２３と、３つ以上の半導体ユニット２１、２２、２３のうち一端の半導体ユニット２１に形成された第１端子３１と、３つ以上の半導体ユニット２１、２２、２３のうち他端の半導体ユニット２３に形成された第２端子３２と、第１端子３１が形成された半導体ユニット２１と他の半導体ユニット２２、２３とが接続されるよう３つ以上の半導体ユニット２１、２２、２３にまたがって形成された第１配線４１と、第２端子３２が形成された半導体ユニット２３と他の半導体ユニット２１、２２とが接続されるよう３つ以上の半導体ユニット２１、２２、２３にまたがって形成された第２配線４２と、を備え、第１配線４１の半導体ユニット間における各抵抗値Ｒ１１、Ｒ１２は、第１端子３１から離れるに従って大きくなり、第２配線４２の半導体ユニット間における各抵抗値Ｒ２１、Ｒ２２は、第２端子３２から離れるに従って大きくなる半導体発光素子である。以下、順に説明する。
【００１１】
（３つ以上の半導体ユニット２１、２２、２３）
３つ以上の半導体ユニット２１、２２、２３は、同一の基板１０上で一方向に配列して形成されている。３つ以上の半導体ユニット２１、２２、２３は同一構造からなる。各半導体ユニット２１、２２、２３は、例えば図１に示すように、基板１０上に設けられた第１半導体層Ｌ１と、第１半導体層Ｌ１上に第１半導体層Ｌ１の一部が露出するよう設けられた第２半導体層Ｌ２と、を有している。ここで、基板１０には、例えば、サファイアやスピネル（ＭｇＡｌ２Ｏ４）などの絶縁性基板１０を用いることができる。また、第１半導体層Ｌ１及び第２半導体層Ｌ２には、半導体発光素子に適した材料を用いることが好ましく、例えば、ＩｎＸＡｌＹＧａ１−Ｘ−ＹＮ（０≦Ｘ、０≦Ｙ、Ｘ＋Ｙ＜１）等の半導体を用いることが好ましい。第１半導体層Ｌ１と第２半導体層Ｌ２との間には活性層ＡＬ（発光層）が含まれていてもよく、この場合、活性層ＡＬ（発光層）には量子効果が生ずる薄膜を積層した単一量子井戸や多重量子井戸構造などを用いることができる。第２半導体層Ｌ２上には透光性電極６０などの電極を設けることができる。なお、本実施形態では、半導体発光素子１が３つの半導体ユニットを備える場合について説明するが、半導体発光素子１は４つ以上の半導体ユニットを備えることもできる。
【００１２】
（第１端子３１、第２端子３２）
第１端子３１は３つ以上の半導体ユニット２１、２２、２３のうち一端の半導体ユニット２１に形成され、第２端子３２は３つ以上の半導体ユニット２１、２２、２３のうち他端の半導体ユニット２３に形成される。第１端子３１と第２端子３２は対角位置に形成される。
【００１３】
第１端子３１や第２端子３２には、例えば、Ａｇ、Ａｌ、Ｎｉ、Ｒｈ、Ａｕ、Ｃｕ、Ｔｉ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ｍｏ、Ｃｒ、Ｗなどの単体金属又はこれらの金属を主成分とする合金などを用いることができ、さらに、これらの金属材料を単層で、又は積層したものを利用することができる。なお、合金を用いる場合は、例えば、ＡｌＳｉＣｕ合金のように、組成元素としてＳｉなどの非金属元素を含有するものであってもよい。また、第１端子３１や第２端子３２はスパッタ法や電解メッキなどの方法により形成することができ、エッチングによるパターン形成法やリフトオフによるパターン形成法などの当該分野で公知の方法によって形状を整形することができる。
【００１４】
第１端子３１や第２端子３２を第２半導体層Ｌ２上において設けることにより、第１端子３１が設けられる半導体ユニット２１や第２端子３２が設けられる半導体ユニット２３において第２半導体層Ｌ２を除去して第１半導体層Ｌ１を露出させ、この上に第１端子３１や第２端子３２を設ける場合とは異なり、第１端子３１及び第２端子３２が設けられる半導体ユニット２１、２３の第２半導体層Ｌ２の形状と、第１端子３１及び第２端子３２が設けられない半導体ユニット２２の第２半導体層Ｌ２の形状と、を同一にして、３つ以上の半導体ユニット２１、２２、２３における各発光面積を同一にすることが可能となる。なお、第１端子３１及び第２端子３２は、例えば絶縁層７０を用いることにより第２半導体層Ｌ２から絶縁することができる。
【００１５】
（第１配線４１、第２配線４２）
第１配線４１は第１端子３１が形成された半導体ユニット２１と他の半導体ユニット２２、２３とが接続されるよう３つ以上の半導体ユニット２１、２２、２３にまたがって形成される。第２配線４２は第２端子３２が形成された半導体ユニット２３と他の半導体ユニット２１、２２とが接続されるよう３つ以上の半導体ユニット２１、２２、２３にまたがって形成される。第１配線４１や第２配線４２は、例えば、第１端子３１や第２配線４２と同じ材料により構成することができる。なお、第１配線４１及び第２配線４２の上には、例えば、保護膜８０が形成される。
【００１６】
第１配線４１は、３つ以上の半導体ユニット２１、２２、２３の各第２半導体層Ｌ２上において該各第２半導体層Ｌ２から絶縁されるよう形成された共通部分４１ａと、共通部分４１ａから延伸して各第２半導体層Ｌ２にそれぞれ導通するよう形成された複数の個別部分４１ｂと、を有することが好ましい。また、第２配線４２は、３つ以上の半導体ユニット２１、２２、２３の各第２半導体層Ｌ２上において各第２半導体層Ｌ２から絶縁されるよう形成された共通部分４２ａと、共通部分４２ａから延伸して各第２半導体層Ｌ２から露出する各第１半導体層Ｌ１にそれぞれ導通するよう形成された複数の個別部分４２ｂと、を有することが好ましい。このようにすれば、各半導体ユニット２１、２２、２３に同じ形状の個別部分４１ｂ、４２ｂを最小限の面積で配置することができるため、第１配線４１及び第２配線４２の各抵抗値Ｒ１１、Ｒ１２、Ｒ２１、Ｒ２２を共通部分４１ａ、４２ａの抵抗値にほぼ等しいとみなして、共通部分４１ａ、４２ａの形状や面積などの違いにより設定することが可能になる。
【００１７】
（抵抗値）
第１配線４１の半導体ユニット間における各抵抗値Ｒ１１、Ｒ１２は、第１端子３１から離れるに従って大きくなり、第２配線４２の半導体ユニット間における各抵抗値Ｒ２１、Ｒ２２は、第２端子３２から離れるに従って大きくなる。このようにすれば、各半導体ユニット２１、２２、２３を流れる電流が均一になるよう、第１配線４１の半導体ユニット間における各抵抗値Ｒ１１、Ｒ１２と第２配線４２の半導体ユニット間における各抵抗値Ｒ２１、Ｒ２２とを設定することが可能となる。なお、本実施形態では、Ｒ１１：Ｒ２１＝１：２、Ｒ１２：Ｒ２２＝２：１となるよう、第１配線４１と第２配線４２との半導体ユニット間における各抵抗値（共通部分４１ａ、４２ａと個別部分４１ｂ、４２ｂを形成する場合は共通部分４１ａ、４２ａの半導体ユニット間における各抵抗値）が設定されるものとする。
【００１８】
第１配線４１の幅及び／又は厚みは、第１端子３１から離れるに従って小さくなることが好ましい。このようにすれば、簡単に、第１配線４１の半導体ユニット間における各抵抗値Ｒ１１、Ｒ１２を第１端子３１から離れるに従って大きくすることができる（本実施形態ではＲ１１＜Ｒ１２）。また、大きな電流が流れやすい第１端子３１に近い側において第１配線４１の幅や厚みが大きくなるため、第１配線４１の焼損を抑制するという効果を得ることもできる。なお、本実施形態では、図１Ａに示すように、半導体ユニット２１と半導体ユニット２２とにまたがって形成される第１配線４１（具体的には第１配線４１の共通部分４１ａ）の幅が半導体ユニット２２と半導体ユニット２３とにまたがって形成される第１配線４１（具体的には第１配線４１の共通部分４１ａ）の幅よりも大きくなるよう第１配線４１（具体的には第１配線４１の共通部分４１ａ）の幅を段階的に形成し、これにより、第１配線４１の幅が第１端子３１から離れるに従って小さくなるようにし、もって、第１配線４１の半導体ユニット間における各抵抗値Ｒ１１、Ｒ１２が第１端子３１から離れるに従って大きくなる（すなわちＲ１１＜Ｒ１２になる）ようにする。ただし、これは一例であり、本実施形態においては、半導体ユニット２１と半導体ユニット２２とにまたがって形成される第１配線４１（具体的には第１配線４１の共通部分４１ａ）の厚み（あるいは幅と厚みの双方）が半導体ユニット２２と半導体ユニット２３とにまたがって形成される第１配線４１（具体的には第１配線４１の共通部分４１ａ）の厚み（あるいは幅と厚みの双方）よりも大きくなるよう第１配線４１（具体的には第１配線４１の共通部分４１ａ）の厚み（あるいは幅と厚みの双方）を段階的に形成し、これにより、第１配線４１の厚み（あるいは幅と厚みの双方）が第１端子３１から離れるに従って小さくなるようにし、もって、第１配線４１の半導体ユニット間における各抵抗値Ｒ１１、Ｒ１２が第１端子３１から離れるに従って大きくなる（すなわちＲ１１＜Ｒ１２になる）ようにしてもよい。
【００１９】
同様に、第２配線４２の幅及び／又は厚みは、第２端子３２から離れるに従って小さくなることが好ましい。このようにすれば、簡単に、第２配線４２の半導体ユニット間における各抵抗値Ｒ２１、Ｒ２２を第２端子３２から離れるに従って大きくすることができる（本実施形態ではＲ２１＞Ｒ２２）。また、大きな電流が流れやすい第２端子３２に近い側において第２配線４２の幅や厚みが大きくなるため、第２配線４２の焼損を抑制するという効果を得ることもできる。なお、本実施形態では、図１Ａに示すように、半導体ユニット２３と半導体ユニット２２とにまたがって形成される第２配線４２（具体的には第２配線４２の共通部分４２ａ）の幅が半導体ユニット２２と半導体ユニット２１とにまたがって形成される第２配線４２（具体的には第２配線４２の共通部分４２ａ）の幅よりも大きくなるよう第２配線４２（具体的には第２配線４２の共通部分４２ａ）の幅を段階的に形成し、これにより、第２配線４２の幅が第２端子３２から離れるに従って小さくなるようにし、もって、第２配線４２の半導体ユニット間における各抵抗値Ｒ２１、Ｒ２２が第２端子３１から離れるに従って大きくなる（すなわちＲ２１＞Ｒ２２になる）ようにする。ただし、これは一例であり、本実施形態においては、半導体ユニット２３と半導体ユニット２２とにまたがって形成される第２配線４２（具体的には第２配線４２の共通部分４２ａ）の厚み（あるいは幅と厚みの双方）が半導体ユニット２２と半導体ユニット２１とにまたがって形成される第２配線４２（具体的には第２配線４２の共通部分４２ａ）の厚み（あるいは幅と厚みの双方）よりも大きくなるよう第２配線４２（具体的には第２配線４２の共通部分４２ａ）の厚み（あるいは幅と厚みの双方）を段階的に形成し、これにより、第２配線４２の厚み（あるいは幅と厚みの双方）が第２端子３２から離れるに従って小さくなるようにし、もって、第２配線４２の半導体ユニット間における各抵抗値Ｒ２１、Ｒ２２が第２端子３１から離れるに従って大きくなる（すなわちＲ２１＞Ｒ２２になる）ようにしてもよい。
【００２０】
なお、第１配線４１及び第２配線４２の幅及び／又は厚みについて、「離れるに従って大きく（又は小さく）なる」とは、図１Ａのような段階的に大きく（又は小さく）なることに限られず、連続的に大きく（又は小さく）なることを含む。
【００２１】
以上説明したように、実施形態１に係る半導体発光素子１では、第１配線４１の半導体ユニット間における各抵抗値Ｒ１１、Ｒ１２を第１端子３１から離れるに従って大きくするとともに、第２配線４２の半導体ユニット間における各抵抗値Ｒ２１、Ｒ２２を第２端子３２から離れるに従って大きくしたので、同じ大きさの電流を流した場合に同じ輝度で発光する同一構造の半導体ユニット２１、２２、２３の各々に対して、同じ大きさの電流を流すことができる。したがって、実施形態１に係る半導体発光素子１によれば、複数の半導体ユニット２１、２２、２３間における輝度の偏りを軽減される。
【００２２】
［実施形態２に係る半導体発光素子］
図２Ａは実施形態２に係る半導体発光素子の模式的平面図であり、図２Ｂは図２Ａ中のＡ−Ａ断面図であり、図２Ｃは図２Ａ中のＢ−Ｂ断面図であり、図２Ｄは図２Ａ中のＤ−Ｄ断面図であり、図２Ｅは実施形態２に係る半導体発光素子の等価回路図である。以下、図２Ａ〜２Ｄを参照しつつ、実施形態２に係る半導体発光素子について説明する。
【００２３】
実施形態２に係る半導体発光素子では、３つ以上の半導体ユニット２１、２２、２３が、基板１０上に設けられた第１半導体層Ｌ１と第１半導体層Ｌ１上に第１半導体層Ｌ１の一部が露出するよう設けられた第２半導体層Ｌ２とを有する複数の半導体積層体５０を有する。複数の半導体積層体５０は、第１半導体層Ｌ１と第２半導体層Ｌ２とを接続する第３配線４３により３つ以上の半導体ユニット２１、２２、２３の各々において直列接続されている。また、第１端子３１は、第３配線４３により直列接続された複数の半導体積層体５０のうちの一端となる半導体積層体５０が有する第２半導体層Ｌ２上において第２半導体層Ｌ２から絶縁されるよう形成されている。第２端子３２は、第３配線４３により直列接続された複数の半導体積層体５０のうちの他端となる半導体積層体５０が有する第２半導体層Ｌ２上において第２半導体層Ｌ２から絶縁されるよう形成されている。さらに、第１配線４１は、第３配線４３により直列接続された複数の半導体積層体５０のうちの一端となる各半導体積層体５０が有する各第２半導体層Ｌ２上において各第２半導体層Ｌ２から絶縁されるよう形成された共通部分４１ａと、共通部分４１ａから延伸して各第２半導体層Ｌ２にそれぞれ導通するよう形成された複数の個別部分４１ｂと、を有する。第２配線４２は、第３配線４３により直列接続された複数の半導体積層体５０のうちの他端となる各半導体積層体５０が有する各第２半導体層Ｌ２上において各第２半導体層Ｌ２から絶縁されるよう形成された共通部分４２ａと、共通部分４２ａから延伸して該各第２半導体層Ｌ２から露出する各第１半導体層Ｌ１にそれぞれ導通するよう形成された複数の個別部分４２ｂと、を有する。第１端子３１と第２端子３２は対角位置に形成される。実施形態２に係る半導体発光素子によれば、１つの半導体ユニットに対してまとめて電流が流れるのではなく、１つの半導体ユニットよりも狭い領域である個々の半導体積層体５０に電流がそれぞれ流れるようになるため、より一層、第１配線４１及び第２配線４２の個別部分４１ｂ、４２ｂから均一に電流が広がるようになり、複数の半導体ユニット間における輝度の偏りが軽減される。なお、第３配線４３には、例えば、第１端子３１、第２端子３２、第１配線４１、第２配線４２と同じ材料を用いることができる。
【００２４】
［実施形態３、４に係る半導体発光素子］
図３Ａは実施形態３に係る半導体発光素子の模式的平面図であり、図３Ｂは図３Ａ中のＡ−Ａ断面図であり、図３Ｃは図３Ａ中のＢ−Ｂ断面図であり、図３Ｄは図３Ａ中のＥ−Ｅ断面図であり、図３Ｅは実施形態３に係る半導体発光素子の等価回路図である。また、図４Ａは実施形態４に係る半導体発光素子の模式的平面図であり、図４Ｂは図４Ａ中のＡ−Ａ断面図であり、図４Ｃは図４Ａ中のＢ−Ｂ断面図であり、図４Ｄは図４Ａ中のＦ−Ｆ断面図であり、図４Ｅは実施形態４に係る半導体発光素子の等価回路図である。以下、図３Ａ〜３Ｅ及び図４Ａ〜４Ｅを参照しつつ、実施形態３、４に係る半導体発光素子について説明する。
【００２５】
実施形態３、４に係る半導体発光素子は、第３配線４３上に第３端子３３を備えている点で、第３端子３３を備えていない実施形態１、２に係る半導体発光素子と相違する。また、実施形態３、４に係る半導体発光素子は、第１端子３１と第３端子３３が対角位置に形成され、第２端子３２と第３端子３３が対角位置に形成される点で、第１端子３１と第２端子３２が対角位置に形成される実施形態１、２に係る半導体発光素子と相違する。実施形態３、４に係る半導体発光素子によっても、実施形態１、２に係る半導体発光素子と同様に、複数の半導体ユニット間における輝度の偏りが軽減される。
【００２６】
以上、実施形態について説明したが、これらの説明は一例に関するものであり、特許請求の範囲に記載された構成を何ら限定するものではない。
【符号の説明】
【００２７】
１      半導体発光素子
１０    基板
２１    半導体ユニット
２２    半導体ユニット
２３    半導体ユニット
３１    第１端子
３２    第２端子
３３    第３端子
４１    第１配線
４１ａ  共通部分
４１ｂ  個別部分
４２    第２配線
４２ａ  共通部分
４２ｂ  個別部分
４３    第３配線
Ｒ１１、Ｒ１２  第１配線の半導体ユニット間における各抵抗値
Ｒ２１、Ｒ２２  第２配線の半導体ユニット間における各抵抗値
５０    半導体積層体
６０    透光性電極
７０    絶縁層
８０    保護膜
Ｌ１    第１半導体層
Ｌ２    第２半導体層
ＡＬ    活性層
【図１Ａ】
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【図１Ｂ】
0006384175.tif 000003
【図１Ｃ】
0006384175.tif 000004
【図１Ｄ】
0006384175.tif 000005
【図１Ｅ】
0006384175.tif 000006
【図２Ａ】
0006384175.tif 000007
【図２Ｂ】
0006384175.tif 000008
【図２Ｃ】
0006384175.tif 000009
【図２Ｄ】
0006384175.tif 000010
【図２Ｅ】
0006384175.tif 000011
【図３Ａ】
0006384175.tif 000012
【図３Ｂ】
0006384175.tif 000013
【図３Ｃ】
0006384175.tif 000014
【図３Ｄ】
0006384175.tif 000015
【図３Ｅ】
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【図４Ａ】
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【図４Ｂ】
0006384175.tif 000018
【図４Ｃ】
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【図４Ｄ】
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【図４Ｅ】
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