(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板処理方法であって、
側壁及び底部を備えた凹状フィーチャを有する基板を提供するステップ、
前記凹状フィーチャ内、及び前記凹状フィーチャの開口の周りのフィールド領域上に膜を堆積させるステップであり、前記膜は、前記側壁上及び前記フィールド領域上よりも前記底部上においてより大きな膜厚で、非共形に堆積させられる、ステップ、
プラズマの不存在下での原子層エッチング（ＡＬＥ）プロセスで前記膜をエッチングするステップであり、該エッチングするステップは、前記底部上において前記膜を薄くし、前記側壁及び前記フィールド領域から前記膜を除去する、ステップ、及び
前記堆積させるステップ及び前記エッチングするステップを少なくとも一度繰り返し、前記底部上において膜厚を増大させるステップ、
を含む、方法。
【請求項２】
前記膜は、金属酸化物膜を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記ＡＬＥプロセスは、トリメチルアルミニウム（ＴＭＡ）及びＨＦの連続的ガス曝露を含む、請求項２に記載の方法。
【請求項４】
前記金属酸化物膜は、ＨｆＯ２、ＺｒＯ２、ＴｉＯ２、Ａｌ２Ｏ３及びそれらの組み合わせから成る群から選択される、請求項２に記載の方法。
【請求項５】
前記膜は、金属酸化物膜、金属窒化物膜、金属酸窒化物膜、金属ケイ酸塩膜及びそれらの組み合わせから成る群から選択される、請求項１に記載の方法。
【請求項６】
前記の繰り返しに続いて、過剰量の膜で前記凹状フィーチャを過充填するステップ、及び
平坦化プロセスで、前記フィールド領域及び過充填された前記凹状フィーチャから前記過剰量の膜を除去するステップ、
を更に含む、請求項１に記載の方法。
【請求項７】
前記底部及び前記側壁は、異なる材料を含有する、請求項１に記載の方法。
【請求項８】
前記異なる材料は、シリコン、ゲルマニウム、シリコンゲルマニウム、誘電性材料、金属及び金属含有材料から成る群から選択される、請求項７に記載の方法。
【請求項９】
前記堆積させるステップは、異なる材料上において異なる膜核生成速度を有する、請求項７に記載の方法。
【請求項１０】
前記底部及び前記側壁は、同じ材料を含有する、請求項１に記載の方法。
【請求項１１】
前記材料は、シリコン、ゲルマニウム、シリコンゲルマニウム、誘電性材料、金属及び金属含有材料から成る群から選択される、請求項１０に記載の方法。
【請求項１２】
基板処理方法であって、
凸状フィーチャを含む基板を提供するステップであり、前記凸状フィーチャのそれぞれは、側壁及び上端部を有する、ステップ、
前記凸状フィーチャ上、前記側壁上、及び前記凸状フィーチャの間の領域上に膜を堆積させるステップであり、前記膜は、前記側壁上、及び前記凸状フィーチャの間の前記領域上よりも前記上端部上においてより大きな膜厚で、非共形に堆積させられる、ステップ、
プラズマの不存在下での原子層エッチング（ＡＬＥ）プロセスで前記膜をエッチングするステップであり、該エッチングするステップは、前記上端部上において前記膜を薄くし、前記側壁、及び前記凸状フィーチャの間の前記領域から前記膜を除去する、ステップ、及び
前記堆積させるステップ及び前記エッチングするステップを少なくとも一度繰り返し、前記上端部上において膜厚を増大させるステップ、
を含む、方法。
【請求項１３】
前記膜は、金属酸化物膜を含む、請求項１２に記載の方法。
【請求項１４】
前記ＡＬＥプロセスは、トリメチルアルミニウム（ＴＭＡ）及びＨＦの連続的ガス曝露を含む、請求項１３に記載の方法。
【請求項１５】
前記金属酸化物膜は、ＨｆＯ２、ＺｒＯ２、ＴｉＯ２、Ａｌ２Ｏ３及びそれらの組み合わせから成る群から選択される、請求項１３に記載の方法。
【請求項１６】
前記膜は、金属酸化物膜、金属窒化物膜、金属酸窒化物膜、金属ケイ酸塩膜及びそれらの組み合わせから成る群から選択される、請求項１２に記載の方法。
【請求項１７】
前記上端部及び前記側壁は、異なる材料を含有する、請求項１２に記載の方法。
【請求項１８】
前記異なる材料は、シリコン、ゲルマニウム、シリコンゲルマニウム、誘電性材料、金属及び金属含有材料から成る群から選択される、請求項１７に記載の方法。
【請求項１９】
前記堆積させるステップは、異なる材料上において異なる膜核生成速度を有する、請求項１７に記載の方法。
【請求項２０】
前記上端部及び前記側壁は、同じ材料を含有する、請求項１２に記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
［関連出願の相互引用］
本出願は、２０１６年２月３日に出願された米国仮出願番号第６２／２９０，４５３号に関連し、当該仮出願に対する優先権を主張する。当該仮出願の全ての内容は、参照により本明細書に組み込まれる。
【０００２】
本発明は、半導体製造及び半導体デバイスの分野に関し、より具体的には、堆積プロセス及びエッチングプロセスを使用する凸状フィーチャ及び凹状フィーチャのための選択的膜形成の方法に関する。
【背景技術】
【０００３】
より小さなトランジスタが製造されるに従って、パターン形成されたフィーチャ（patterned  features）の臨界寸法（ＣＤ）又は解像度は、生産することの難易度がより高くなっている。極端紫外線（ＥＵＶ）導入後であってもコスト効率の高いスケーリングが継続することができるためには、自己整合パターニングがオーバーレイによるパターニングに取って代わる必要がある。変動性（ばらつき）の低減を可能にし、スケーリング及び増強されたＣＤを拡張するパターニングの選択肢、並びにプロセス制御が必要である。薄膜の選択的形成は、高度にスケーリングされた技術ノードのパターニングにおいて鍵となるステップである。
【発明の概要】
【課題を解決するための手段】
【０００４】
一つの実施形態によれば、本方法は、側壁（sidewall）及び底部（bottom  portion）を備えた凹状フィーチャ（recessed  feature）を有する基板を提供するステップ、並びに、凹状フィーチャ内、及び凹状フィーチャの開口の周りのフィールド領域上に膜を堆積させるステップであり、膜は、側壁上及びフィールド領域上よりも底部上においてより大きな膜厚で、非共形に（non-conformally）堆積させられる、ステップ、を含む。本方法は、プラズマの不存在下での原子層エッチング（ＡＬＥ）プロセスで膜をエッチングするステップであり、エッチングするステップは、底部上において膜を薄くし、側壁及びフィールド領域から膜を除去する、ステップ、並びに、堆積させるステップ及びエッチングするステップを少なくとも一度繰り返し、底部上において膜厚を増大させるステップ、を更に含む。
【０００５】
他の実施形態によれば、本方法は、凸状フィーチャ（raised  features）を含む基板を提供するステップであり、凸状フィーチャのそれぞれは、側壁及び上端部（top  portion）を有する、ステップ、並びに、凸状フィーチャ上、及び凸状フィーチャの間の領域上に膜を堆積させるステップであり、膜は、側壁上、及び凸状フィーチャの間の領域上よりも上端部上においてより大きな膜厚で、非共形に堆積させられる、ステップ、を含む。本方法は、プラズマの不存在下でのＡＬＥプロセスで膜をエッチングするステップであり、エッチングするステップは、上端部上において膜を薄くし、側壁、及び凸状フィーチャの間の領域から膜を除去する、ステップ、並びに、堆積させるステップ及びエッチングするステップを少なくとも一度繰り返し、上端部上において膜厚を増大させるステップ、を更に含む。
【図面の簡単な説明】
【０００６】
本発明及び多くのそれに付随する利点は、添付の図面に関連して考慮される場合に、以下の詳細な説明を参照することによってより良く理解されるようになり、より完全なそれらの理解が容易に得られるであろう。
【０００７】
【図１】本発明の一つの実施形態によって基板を処理するための、プロセスフロー図である。
【０００８】
【図２Ａ】本発明の一つの実施形態によって基板を処理する方法を、断面図を用いて模式的に示す。
【図２Ｂ】本発明の一つの実施形態によって基板を処理する方法を、断面図を用いて模式的に示す。
【図２Ｃ】本発明の一つの実施形態によって基板を処理する方法を、断面図を用いて模式的に示す。
【図２Ｄ】本発明の一つの実施形態によって基板を処理する方法を、断面図を用いて模式的に示す。
【図２Ｅ】本発明の一つの実施形態によって基板を処理する方法を、断面図を用いて模式的に示す。
【図２Ｆ】本発明の一つの実施形態によって基板を処理する方法を、断面図を用いて模式的に示す。
【図２Ｇ】本発明の一つの実施形態によって基板を処理する方法を、断面図を用いて模式的に示す。
【図２Ｈ】本発明の一つの実施形態によって基板を処理する方法を、断面図を用いて模式的に示す。
【０００９】
【図３】本発明の一つの実施形態によって基板を処理するための、プロセスフロー図である。
【００１０】
【図４Ａ】本発明の一つの実施形態によって基板を処理する方法を、断面図を用いて模式的に示す。
【図４Ｂ】本発明の一つの実施形態によって基板を処理する方法を、断面図を用いて模式的に示す。
【図４Ｃ】本発明の一つの実施形態によって基板を処理する方法を、断面図を用いて模式的に示す。
【図４Ｄ】本発明の一つの実施形態によって基板を処理する方法を、断面図を用いて模式的に示す。
【図４Ｅ】本発明の一つの実施形態によって基板を処理する方法を、断面図を用いて模式的に示す。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
図１は、本発明の一つの実施形態によって基板を処理するための、プロセスフロー図であり、図２Ａ−図２Ｈは、本発明の一つの実施形態によって基板を処理する方法を、断面図を用いて模式的に示す。プロセスフロー１は、ブロック１００において、側壁２０１及び底部２０３を備えた凹状フィーチャ２０４を有する基板２００を提供するステップ（providing）を含む。凹状フィーチャ２０４は、第一層２０６に形成されており、底部２０３は、第二層２０２の表面を含む。凹状フィーチャ２０４は、例えば、２００ｎｍよりも小さい、１００ｎｍよりも小さい、５０ｎｍよりも小さい、２５ｎｍよりも小さい、２０ｎｍよりも小さい又は１０ｎｍよりも小さい、幅２０７を有してもよい。他の実施例において、凹状フィーチャ２０４は、５ｎｍと１０ｎｍとの間、１０ｎｍと２０ｎｍとの間、２０ｎｍと５０ｎｍとの間、５０ｎｍと１００ｎｍとの間、１０ｎｍと２００ｎｍとの間、１０ｎｍと５０ｎｍとの間又は１０ｎｍと１００ｎｍとの間の、幅２０７を有してもよい。幅２０７は、臨界寸法（critical  dimension）（ＣＤ）とも呼ばれ得る。凹状フィーチャ２０４は、例えば、２５ｎｍ、５０ｎｍ、１００ｎｍ、２００ｎｍの深さ又は２００ｎｍよりも大きい深さを有してもよい。
【００１２】
一つの実施形態によれば、第一層２０６及び第二層２０２は、同じ材料を含有してもよく、従って、底部２０３及び側壁２０１は、同じ材料を含有してもよい。例えば、材料は、シリコン、ゲルマニウム、シリコンゲルマニウム、誘電性材料、金属及び金属含有材料から成る群から選択されてもよい。誘電性材料は、ＳｉＯ２、ＳｉＯＮ、ＳｉＮ、高誘電率（high-k）材料、低誘電率（low-k）材料及び超低誘電率（ultra-low-k）材料から成る群から選択されてもよい。一つの実施例において、高誘電率材料は、ＨｆＯ２、ＺｒＯ２、ＴｉＯ２及びＡｌ２Ｏ３から成る群から選択されてもよい。例えば、金属及び金属含有材料は、Ｃｕ、Ａｌ、Ｔａ、Ｒｕ、ＴａＮ、ＴａＣ及びＴａＣＮから成る群から選択されてもよい。
【００１３】
他の実施形態によれば、第一層２０６及び第二層２０２は、異なる材料を含有してもよく、従って、底部２０３及び側壁２０１は、異なる材料を含有してもよい。異なる材料は、シリコン、ゲルマニウム、シリコンゲルマニウム、誘電性材料、金属及び金属含有材料から成る群から選択されてもよい。誘電性材料は、ＳｉＯ２、ＳｉＯＮ、ＳｉＮ、高誘電率材料、低誘電率材料及び超低誘電率材料から成る群から選択されてもよい。一つの実施例において、高誘電率材料は、ＨｆＯ２、ＺｒＯ２、ＴｉＯ２及びＡｌ２Ｏ３から成る群から選択されてもよい。例えば、金属及び金属含有材料は、Ｃｕ、Ａｌ、Ｔａ、Ｒｕ、ＴａＮ、ＴａＣ及びＴａＣＮから成る群から選択されてもよい。
【００１４】
凹状フィーチャ２０４は、良く知られたリソグラフィプロセス及びエッチングプロセスを使用して形成されてもよい。図２Ａに示されていないが、パターン形成されたマスク層は、フィールド領域２１１上に存在して、凹状フィーチャ２０４の開口を画成してもよい。
【００１５】
プロセスフロー１は、ブロック１０２において、凹状フィーチャ２０４内、及び凹状フィーチャ２０４の開口の周りのフィールド領域２１１上に膜２０８Ａを堆積させるステップであり、膜２０８Ａは、側壁２０１上及びフィールド領域２１１上よりも底部２０３上においてより大きな膜厚で、非共形に堆積させられる、ステップ、を更に含む。これは、図２Ｂにおいて模式的に示されている。いくつかの実施形態において、膜２０８は、化学気相成長法（chemical  vapor  deposition）（ＣＶＤ）又はマイクロ波支援ＣＶＤによって堆積させられてもよい。いくつかの実施形態において、非共形な堆積は、異なる材料上における異なる膜核生成速度によって達成されてもよい。例えば、金属酸化物の核生成（nucleation）は、金属（例えば、Ｃｕ金属）上よりも誘電性材料上において速く進行し、それによって、より大きな膜厚を結果として生じさせる。一つの実施例において、膜２０８Ａは、誘電性材料、金属及び金属含有材料から成る群から選択されてもよい。例えば、膜２０８Ａの材料は、シリコン、ゲルマニウム、シリコンゲルマニウム、誘電性材料、金属及び金属含有材料から成る群から選択されてもよい。誘電性材料は、ＳｉＯ２、ＳｉＯＮ、ＳｉＮ、高誘電率材料、低誘電率材料及び超低誘電率材料から成る群から選択されてもよい。一つの実施例において、高誘電率材料は、ＨｆＯ２、ＺｒＯ２、ＴｉＯ２及びＡｌ２Ｏ３から成る群から選択されてもよい。他の実施形態によれば、膜２０８Ａは、金属酸化物膜、金属窒化物膜、金属酸窒化物膜、金属ケイ酸塩膜及びそれらの組み合わせから成る群から選択されてもよい。例えば、金属及び金属含有材料は、Ｃｕ、Ａｌ、Ｔａ、Ｒｕ、ＴａＮ、ＴａＣ及びＴａＣＮから成る群から選択されてもよい。
【００１６】
いくつかの実施形態において、底部２０３上又は側壁２０１上及びフィールド領域２１１上における膜２０８Ａの厚さは、１０ｎｍ以下、５ｎｍ以下、４ｎｍ以下、１ｎｍと２ｎｍとの間、２ｎｍと４ｎｍとの間、４ｎｍと６ｎｍとの間、６ｎｍと８ｎｍとの間、又は２ｎｍと６ｎｍとの間であってもよい。
【００１７】
プロセスフロー１は、ブロック１０４において、プラズマの不存在下でのＡＬＥプロセスで膜２０８Ａをエッチングするステップであり、エッチングするステップは、底部２０３上において膜２０８Ａを薄くし、側壁２０１及びフィールド領域２１１から膜２０８Ａを除去する、ステップ、を更に含む。これは、図２Ｃにおいて模式的に示されている。いくつかの実施形態によれば、膜２０８Ａが側壁２０１及びフィールド領域２１１から完全に除去されることは要求されない。例えば、側壁２０１及び／又はフィールド領域２１１上の膜２０８Ａの一部のみがＡＬＥプロセスによって除去されてもよい。
【００１８】
ＡＬＥは、自己制限的である連続的な複数の反応ステップを使用して材料の薄膜を除去するための技術である。基礎的なＡＬＥ構想は、反応層を形成するためのガス曝露を含む修飾（modification）ステップをもって開始し、この修飾された層のみを取り去るための除去ステップが続く。本発明の複数の実施形態は、材料の等方性の（isotropic）除去を達成するために、プラズマの不存在下でのＡＬＥ（ALE  in  the  absence  of  a  plasma）を利用する。本発明の一つの実施形態によれば、膜２０８Ａは、Ａｌ２Ｏ３（又は他の金属酸化物）を含有してもよく、ＡＬＥプロセスは、トリメチルアルミニウム（ＴＭＡ）及びＨＦの連続的ガス曝露を含んでもよい。
【００１９】
プロセスフロー１は、ブロック１０６において、堆積させるステップ及びエッチングするステップを少なくとも一度繰り返し、底部２０３上において膜厚を増大させるステップ、を更に含む。図２Ｄは、膜２０８Ａ上に堆積させられた膜２０８Ｂを模式的に示し、図２Ｅは、側壁２０１及びフィールド領域２１１から膜２０８Ｂをエッチングした後の基板２００を模式的に示す。図２Ｆは、堆積させるステップ及びエッチングするステップを更に繰り返した後の基板２００を模式的に示す。基板２００は、凹状フィーチャ２０４をほとんど満たす膜２０８Ａ‐２０８Ｊを包含する。概して、凹状フィーチャ２０４をほとんど満たすために要求される膜の数は、凹状フィーチャ２０４の深さ、各堆積サイクルにおいて堆積させられる膜の厚さ、及び各ＡＬＥサイクルにおけるエッチングの量に依存する。図２Ｇ及び図２Ｈに示される一つの実施例において、凹状フィーチャ２０４は、膜２０８Ｋで過充填することによって完全に満たされ、その後に、過剰な膜２０８Ｋを除去することによって基板２００を平坦化（planarizing）してもよい。一つの実施形態によれば、平坦化は、化学機械研磨（chemical  mechanical  polishing）（ＣＭＰ）を使用して実行されてもよい。
【００２０】
図３は、本発明の一つの実施形態によって基板を処理するための、プロセスフロー図であり、図４Ａ−図４Ｅは、本発明の一つの実施形態によって基板を処理する方法を、断面図を用いて模式的に示す。
【００２１】
プロセスフロー３は、ブロック３００において、基層４０６上に凸状フィーチャ４０２を含む基板４００を提供するステップであり、凸状フィーチャ４０２のそれぞれは、側壁４０１及び上端部４１１を有する、ステップ、を含む。基板４００は、凹状フィーチャ４０４、及び凸状フィーチャ４０２の間の領域４０３を更に含む。
【００２２】
凸状フィーチャ４０２は、例えば、２０ｎｍよりも大きい、５０ｎｍよりも大きい、１００ｎｍよりも大きい又は２００ｎｍよりも大きい、高さ４０９を有してもよい。凹状フィーチャ４０４の幅４０７は、２００ｎｍよりも小さい、１００ｎｍよりも小さい、５０ｎｍよりも小さい、２５ｎｍよりも小さい、２０ｎｍよりも小さい又は１０ｎｍよりも小さくてもよい。他の実施例において、凹状フィーチャ４０４は、５ｎｍと１０ｎｍとの間、１０ｎｍと２０ｎｍとの間、２０ｎｍと５０ｎｍとの間、５０ｎｍと１００ｎｍとの間、１０ｎｍと２００ｎｍとの間、１０ｎｍと５０ｎｍとの間又は１０ｎｍと１００ｎｍとの間の、幅４０７を有してもよい。凹状フィーチャ４０４は、例えば、２５ｎｍ、５０ｎｍ、１００ｎｍ、２００ｎｍの深さ又は２００ｎｍよりも大きい深さを有してもよい。
【００２３】
一つの実施形態によれば、凸状フィーチャ４０２及び基層４０６は、同じ材料を含有してもよく、従って、凸状フィーチャ４０２の間の領域４０３及び側壁４０１は、同じ材料を含有してもよい。例えば、材料は、シリコン、ゲルマニウム、シリコンゲルマニウム、誘電性材料、金属及び金属含有材料から成る群から選択されてもよい。誘電性材料は、ＳｉＯ２、ＳｉＯＮ、ＳｉＮ、高誘電率材料、低誘電率材料及び超低誘電率材料から成る群から選択されてもよい。一つの実施例において、高誘電率材料は、ＨｆＯ２、ＺｒＯ２、ＴｉＯ２及びＡｌ２Ｏ３から成る群から選択されてもよい。例えば、金属及び金属含有材料は、Ｃｕ、Ａｌ、Ｔａ、Ｒｕ、ＴａＮ、ＴａＣ及びＴａＣＮから成る群から選択されてもよい。
【００２４】
他の実施形態によれば、凸状フィーチャ４０２及び基層４０６は、異なる材料を含有してもよく、従って、凸状フィーチャ４０２の間の領域４０３及び側壁４０１は、異なる材料を含有してもよい。異なる材料は、シリコン、ゲルマニウム、シリコンゲルマニウム、誘電性材料、金属及び金属含有材料から成る群から選択されてもよい。誘電性材料は、ＳｉＯ２、ＳｉＯＮ、ＳｉＮ、高誘電率材料、低誘電率材料及び超低誘電率材料から成る群から選択されてもよい。一つの実施例において、高誘電率材料は、ＨｆＯ２、ＺｒＯ２、ＴｉＯ２及びＡｌ２Ｏ３から成る群から選択されてもよい。例えば、金属及び金属含有材料は、Ｃｕ、Ａｌ、Ｔａ、Ｒｕ、ＴａＮ、ＴａＣ及びＴａＣＮから成る群から選択されてもよい。
【００２５】
凸状フィーチャ４０２は、良く知られたリソグラフィプロセス及びエッチングプロセスを使用して形成されてもよい。図４Ａに示されていないが、パターン形成されたマスク層は、上端部４１１上に存在して、凹状フィーチャ４０４の開口を画成してもよい。
【００２６】
プロセスフロー３は、ブロック３０２において、凸状フィーチャ４０２上、及び凸状フィーチャ４０２の間の領域４０３上に膜４０８を堆積させるステップであり、膜４０８は、側壁４０１上、及び凸状フィーチャ４０２の間の領域４０３上よりも上端部４１１上においてより大きな膜厚で、非共形に堆積させられる、ステップ、を更に含む。これは、図４Ｂにおいて模式的に示されている。いくつかの実施形態において、膜４０８は、ＣＶＤ又は原子層堆積（atomic  layer  deposition）（ＡＬＤ）によって堆積させられてもよい。一つの実施形態において、膜４０８は、プラズマ増強（plasma-enhanced）ＣＶＤ（ＰＥＣＶＤ）によって堆積させられてもよく、ＰＥＣＶＤでは、プラズマ密度が側壁４０１上及び領域４０３上よりも上端部４１１付近においてより大きいので、非共形な堆積が達成され得る。
【００２７】
一つの実施例において、膜４０８Ａは、誘電性材料、金属及び金属含有材料から成る群から選択されてもよい。例えば、膜４０８Ａの材料は、シリコン、ゲルマニウム、シリコンゲルマニウム、誘電性材料、金属及び金属含有材料から成る群から選択されてもよい。誘電性材料は、ＳｉＯ２、ＳｉＯＮ、ＳｉＮ、高誘電率材料、低誘電率材料及び超低誘電率材料から成る群から選択されてもよい。一つの実施例において、高誘電率材料は、ＨｆＯ２、ＺｒＯ２、ＴｉＯ２及びＡｌ２Ｏ３から成る群から選択されてもよい。他の実施形態によれば、膜４０８Ａは、金属酸化物膜、金属窒化物膜、金属酸窒化物膜、金属ケイ酸塩膜及びそれらの組み合わせから成る群から選択されてもよい。例えば、金属及び金属含有材料は、Ｃｕ、Ａｌ、Ｔａ、Ｒｕ、ＴａＮ、ＴａＣ及びＴａＣＮから成る群から選択されてもよい。
【００２８】
いくつかの実施形態において、上端部４１１上又は側壁４０１上及び領域４０３上における膜４０８Ａの厚さは、１０ｎｍ以下、５ｎｍ以下、４ｎｍ以下、１ｎｍと２ｎｍとの間、２ｎｍと４ｎｍとの間、４ｎｍと６ｎｍとの間、６ｎｍと８ｎｍとの間、又は２ｎｍと６ｎｍとの間、であってもよい。
【００２９】
プロセスフロー３は、ブロック３０４において、プラズマの不存在下でのＡＬＥプロセスで膜４０８Ａをエッチングするステップであり、エッチングするステップは、上端部４１１上において膜４０８Ａを薄くし、側壁４０１、及び凸状フィーチャ４０２の間の領域４０３から膜４０８Ａを除去する、ステップ、を更に含む。これは、図４Ｃにおいて模式的に示されている。いくつかの実施形態によれば、膜４０８Ａが側壁４０１及び領域４０３から完全に除去されることは要求されない。例えば、側壁４０１及び／又は領域４０３上の膜４０８Ａの一部のみがＡＬＥプロセスによって除去されてもよい。
【００３０】
プロセスフロー３は、ブロック３０６において、堆積させるステップ及びエッチングするステップを少なくとも一度繰り返し、上端部４１１上において膜厚を増大させるステップ、を更に含む。図４Ｄは、膜４０８Ａ上に堆積させられた膜４０８Ｂを模式的に示し、図４Ｅは、ＡＬＥプロセスで側壁４０１及び領域４０３から膜４０８Ｂをエッチングした後の基板４００を模式的に示す。堆積させるステップ及びエッチングするステップは、上端部４１１上において膜厚を更に増大させるために繰り返されてもよい。
【００３１】
堆積プロセス及びエッチングプロセスを使用する凸状フィーチャ及び凹状フィーチャのための選択的膜形成に関する複数の実施形態が、説明されてきた。本発明の実施形態の前述の説明は、例示及び説明の目的のために提示されてきた。それは、網羅的であるように意図されておらず、又は本発明を開示された正確な形態に限定するように意図されていない。この説明及び続く特許請求の範囲に含まれる用語は、説明目的のみのために使用され、限定的であると解釈されるべきでない。当業者は、上記の教示に照らして多くの変更及び変形が可能であることを理解することができる。したがって、本発明の範囲は、この詳細な説明によってではなく、添付の特許請求の範囲によって限定されることが意図される。
【図１】
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【図２Ａ】
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【図２Ｂ】
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【図２Ｃ】
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【図２Ｄ】
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【図２Ｅ】
0006337165.tif 000007
【図２Ｆ】
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【図２Ｇ】
0006337165.tif 000009
【図２Ｈ】
0006337165.tif 000010
【図３】
0006337165.tif 000011
【図４Ａ】
0006337165.tif 000012
【図４Ｂ】
0006337165.tif 000013
【図４Ｃ】
0006337165.tif 000014
【図４Ｄ】
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【図４Ｅ】
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