(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の基板および第２の基板の各表面に設けられた絶縁層の表面に開口を形成する開口形成工程と、
前記開口に金属を埋め込んで電極を形成する電極形成工程と、
前記絶縁層の表面を活性化する活性化工程と、
前記第１の基板側の前記電極の表面を炭酸水によって洗浄することにより、前記第１の基板側の前記電極の表面から酸化膜を除去する洗浄工程と、
前記第１の基板側の前記絶縁層と前記第２の基板側の前記絶縁層とを貼合して、前記第１の基板側の前記電極と前記第２の基板側の前記電極とを接続する接続工程と
を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２】
前記第２の基板側の前記電極の表面を前記炭酸水によって洗浄することにより、前記第２の基板側の前記電極の表面から酸化膜を除去する洗浄工程
をさらに含むことを特徴とする請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項３】
前記電極が形成された前記絶縁層の表面全体に前記炭酸水を供給することによって、前記電極の表面を洗浄する
ことを特徴とする請求項１または請求項２に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項４】
前記炭酸水は、
ｐＨが３．８〜６．０である
ことを特徴とする請求項１〜３のいずれか一つに記載の半導体装置の製造方法。
【請求項５】
前記活性化工程によって活性化された前記絶縁層の表面を前記洗浄工程によって親水化する
ことを特徴とする請求項１〜４のいずれか一つに記載の半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本実施形態は、半導体装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、半導体チップを多段に積層することによって占有面積の低減を可能とした半導体装置がある。かかる半導体装置は、例えば、半導体素子や集積回路が形成された基板を多段に貼合し、半導体チップ単位にダイシングすることによって製造される。
【０００３】
貼合される各基板の表面には、絶縁層が設けられ、各絶縁層の表面の対応する位置には、基板が貼合されることによって接続される複数の電極が設けられる。しかしながら、電極の表面には、自然酸化によって金属の酸化膜が形成される場合がある。かかる場合、基板同士を貼合すると、電極の接合部分に接合不良が発生することがある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００７−１４２３３５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
一つの実施形態は、基板の貼合によって接続される電極の接合部分に接続不良が発生することを抑制することができる半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
一つの実施形態によれば、半導体装置の製造方法は、第１の基板および第２の基板の各表面に設けられた絶縁層の表面に開口を形成する工程を含む。前記開口に金属を埋め込んで電極を形成する工程を含む。前記絶縁層の表面を活性化する工程を含む。前記第１の基板側の前記電極の表面を炭酸水によって洗浄する工程を含む。前記第１の基板側の前記絶縁層と前記第２の基板側の前記絶縁層とを貼合して、前記第１の基板側の前記電極と前記第２の基板側の前記電極とを接続する工程を含む。
【図面の簡単な説明】
【０００７】
【図１】実施形態に係る電極の形成工程を示す説明図。
【図２】実施形態に係る電極の形成工程を示す説明図。
【図３】実施形態に係る活性化工程を示す説明図。
【図４】実施形態に係る洗浄装置の説明図。
【図５】銅に関するプールベ図。
【図６】実施形態に係る洗浄工程を示す説明図。
【図７】実施形態に係る基板の貼合工程を示す説明図。
【図８】実施形態に係る基板の直接接合のしくみを示す説明図。
【図９】実施形態に係る基板の直接接合のしくみを示す説明図。
【発明を実施するための形態】
【０００８】
以下に添付図面を参照して、実施形態に係る半導体装置の製造方法を詳細に説明する。なお、この実施形態により本発明が限定されるものではない。以下では、ロジック回路が形成された第１の基板と、イメージセンサが形成された第２の基板とを貼合する所謂Wafer  on  Waferを例に挙げて説明するが、本実施形態に係る半導体装置の製造方法は、Chip  on  WaferやChip  on  Chipにも採用することができる。なお、第１の基板や第２の基板に形成される回路は、ロジック回路やイメージセンサに限らず、任意の半導体集積回路であってもよい。
【０００９】
まず、図１および図２を参照し、基板の表面に設けられる絶縁層に電極を形成する製造工程について説明する。図１および図２は、実施形態に係る電極の形成工程を示す説明図である。なお、第１の基板側の絶縁層に電極を形成する工程と、第１の基板に貼合する第２の基板側の絶縁層に電極を形成する工程とは同様である。
【００１０】
このため、ここでは、第１の基板側の絶縁層に電極を形成する工程について説明し、第２の基板側の絶縁層に電極を形成する工程については、詳細な説明を省略する。図１および図２には、表面に絶縁層が形成された第１の基板における電極の形成位置近傍部分の断面を模式的に示している。
【００１１】
図１の（ａ）に示すように、第１の基板１０の表面には、例えば、酸化シリコンによって形成された絶縁層１１が形成されている。ここで、第１の基板１０は、例えば、シリコンウェハなどの半導体基板である。第１の基板１０の内部には、既にロジック回路（図示略）が作り込まれている。また、絶縁層１１の内部には、ロジック回路に接続された配線が既に作り込まれている。
【００１２】
かかる第１の基板１０に電極を形成する場合には、図１の（ｂ）に示すように、絶縁層１１の表面にレジスト１２を塗布し、フォトリソグラフィ技術を用いてレジスト１２をパターニングすることによって、電極の形成位置上のレジスト１２を選択的に除去する。
【００１３】
続いて、図１の（ｃ）に示すように、パターニングしたレジスト１２をマスクとして使用し、例えば、ＲＩＥ（Reactive  Ion  Etching）などの異方性エッチングを行うことによって、絶縁層１１の表面に開口１３を形成する。ここでは、ロジック回路に接続された配線にまで達する深さの開口１３を形成する。
【００１４】
続いて、レジスト１２を除去した後、開口１３が形成された絶縁層１１の表面に、例えば、ＰＶＤ（Physical  Vapor  Deposition）によってバリアメタルやシードメタル(図示を省略する)を形成した後に、電解メッキによって銅を析出させて開口１３を埋め、図２の（ａ）に示す金属層１４を形成する。なお、金属層１４の形成は、ＣＶＤ（Chemical  Vapor  Deposition）によって形成してもよい。また、金属層１４の材料は、銅以外の金属であってもよい。
【００１５】
その後、例えば、ＣＭＰ（Chemical  Mechanical  Polishing）によって、金属層１４の表面を研磨して絶縁層１１の表面上の金属層１４やバリアメタルやシードメタル（図示を省略）を除去する。これにより、図２の（ｂ）に示すように、開口１３に埋め込まれ、表面が絶縁層１１の表面と面一となった電極１５が形成される。また、第１の基板１０に貼合する第２の基板にも、第１の基板１０と同様の製造工程によって電極を形成する。
【００１６】
こうして電極１５が形成された第１の基板１０や第２の基板は、貼合されるまでの間、ＦＯＵＰ（Front  Opening  Unified  Pod）と呼ばれる密閉容器に収納されて保管される。なお、第１の基板１０や第２の基板を保管する場合には、ＦＯＵＰの内部に、例えば、窒素などの酸化抑制ガスをパージすることによって、電極１５の自然酸化を抑制する。
【００１７】
ただし、保管期間が長期化した場合や、第１の基板１０や第２の基板をＦＯＵＰから取り出した後に時間が経過した場合には、図２の（ｃ）に示すように、自然酸化によって電極１５の表面に金属の酸化膜１６が形成される。かかる酸化膜１６は、第１の基板１０と第２の基板とを貼合した場合に、電極同士の接合不良や接合抵抗が増大する原因となる。
【００１８】
酸化膜１６を除去する方法としては、例えば、フッ化水素や塩酸によって酸化膜１６をウェットエッチングして除去する方法が一般的である。しかし、フッ化水素によるウェットエッチングを行った場合、絶縁層１１の表面が粗化してしまうため、第１の基板１０と第２の基板との貼合強度が低下することがある。
【００１９】
そこで、本実施形態では、炭酸水によって電極１５の表面を洗浄することにより、絶縁層１１表面の粗化を抑制しつつ、電極１５表面から酸化膜１６を除去する。また、第２の基板側の電極についても、同様にして電極の表面から酸化膜１６を除去する。かかる洗浄工程の詳細については、図４〜図６を参照して後述する。
【００２０】
次に、図３を参照し、電極１５が形成された絶縁層１１の表面を活性化する処理について説明する。図３は、実施形態に係る活性化工程を示す説明図である。ここで、第１の基板１０側の絶縁層１１表面を活性化する工程および第２の基板側の絶縁層表面を活性化する工程は同様である。このため、ここでは、第１の基板１０側の絶縁層１１表面を活性化する工程について説明し、第２の基板側の絶縁層表面を活性化する処理については、詳細な説明を省略する。
【００２１】
絶縁層１１表面を活性化する処理は、図３（ａ）および（ｂ）に示す活性化装置２１によって行う。活性化装置２１は、図３の（ａ）および（ｂ）に示すように、チャンバ２２、ステージ２３、アンテナコイル２４、ブロッキングコンデンサ２５、および高周波電源２６，２７を備える。
【００２２】
なお、ここでは図示を省略したが、活性化装置２１は、チャンバ２２内へ反応性ガスを供給するガス供給部と、チャンバ２２内部の雰囲気をチャンバ２２の外部へ排気する排気部とを備える。
【００２３】
チャンバ２２は、絶縁層１１に対して表面の活性化処理を行う処理室である。かかるチャンバ２２は、グランドに接続され、内部にステージ２３が設けられる。ステージ２３は、載置される処理対象基板（ここでは、第１の基板１０）を吸着保持するテーブルである。
【００２４】
ステージ２３は、ブロッキングコンデンサ２５および高周波電源２６を介してグランドに接続される。アンテナコイル２４は、チャンバ２２の天板上に設けられる平面視渦巻き状のコイルである。アンテナコイル２４は、高周波電源２７を介してグランドに接続される。
【００２５】
絶縁層１１を活性化する場合、図３の（ａ）に示すように、絶縁層１１を上にした状態で第１の基板１０をステージ２３上に載置し、ステージ２３によって第１の基板１０を吸着保持させる。そして、活性化装置２１は、チャンバ２２の内部へ、例えば、窒素系の反応性ガスを導入する。
【００２６】
その後、活性化装置２１は、チャンバ２２内部を略真空にした状態で、高周波電源２７からアンテナコイル２４へ高周波電圧を印加すると共に、高周波電源２６からステージ２３へ高周波電圧を印加する。
【００２７】
これにより、活性化装置２１では、図３の（ｂ）に示すように、チャンバ２２内の反応性ガスがプラズマ化する。そして、プラズマ中の電子は、アンテナコイル２４に面するチャンバ２２の天井、およびステージ２３へ引き寄せられる。
【００２８】
ここで、チャンバ２２の天井に引き寄せられる電子は、チャンバ２２がグランドに接続されているためグランドへ流れる。このため、チャンバ２２の天井の電位は一定となる。一方、ブロッキングコンデンサ２５は、直流電流を遮断するので、引き寄せる電子を蓄積して上部電極が負に帯電する。
【００２９】
これにより、プラズマ中の陽イオンは、負に帯電したブロッキングコンデンサ２５へ引き寄せられ、図３の（ｂ）に矢印で示すように、絶縁層１１へ衝突して絶縁層１１の表面にダングリングボンドを生じさせることによって、絶縁層１１の表面を活性化させる。なお、第２の基板側の絶縁層についても、同様にして絶縁層１１の表面を活性化する。
【００３０】
このように、第１の基板１０側の絶縁層１１の表面および第２の基板側の絶縁層の表面の双方を活性化させることによって、接着剤を使用せずに、第１の基板１０側の絶縁層１１の表面および第２の基板側の絶縁層とを強固に直接貼合することができる。かかる直接貼合の詳細については、図８および図９を参照して後述する。
【００３１】
次に、図４〜図６を参照し、絶縁層１１表面の活性化後に行う洗浄処理について説明する。図４は、実施形態に係る洗浄装置の説明図であり、図５は、銅に関するプールベ図である。なお、銅に関するプールベ図は、水中における銅の存在領域を電極（銅）電位とｐＨの2次元座標上に図示したものである。また、図６は、実施形態に係る洗浄工程を示す説明図である。
【００３２】
ここで、第１の基板１０を洗浄する工程および第２の基板を洗浄する工程は同様である。このため、ここでは、第１の基板１０を洗浄する工程について説明し、第２の基板を洗浄する処理については、詳細な説明を省略する。
【００３３】
図４に示すように、洗浄装置３１は、ターンテーブル３２と、駆動部３３と、洗浄液供給部３４と、配管３５と、吐出部３６とを備える。ターンテーブル３２は、載置される基板（ここでは、第１の基板１０）を吸着保持する。駆動部３３は、ターンテーブル３２を回転駆動する。洗浄液供給部３４は、配管３５を介して吐出部３６へ洗浄液を供給する。吐出部３６は、図４に点線矢印で示すように、ターンテーブル３２の中心へ向けて洗浄液を吐出する。
【００３４】
かかる洗浄装置３１は、洗浄液として炭酸水を使用することによって、絶縁層１１の表面を粗化させることなく、電極１５表面の酸化膜１６を除去することを可能としている。具体的には、図５に示すように、酸化銅（Ｃｕ２Ｏ）が表面に形成された銅をｐＨ２〜６（酸性）の液体に浸漬させると、酸化銅（Ｃｕ２Ｏ）は銅（Ｃｕ）となり、理論上酸化銅（Ｃｕ２Ｏ）が存在しない状態となる。また、本実施形態では、液体に電圧を印加していないが、電圧をマイナスに印加した場合はより酸化銅（Ｃｕ２Ｏ）の除去性が向上する。
【００３５】
このことから、電極１５の表面に形成された銅の酸化膜１６を酸性の洗浄液によって洗浄すると、次式（１）の還元反応が起こる。
Ｃｕ２Ｏ＋２Ｈ＋＋２ｅ−→２Ｃｕ＋＋Ｈ２Ｏ＋２ｅ−・・・・・（１）
このように、銅の酸化膜１６は、還元されて銅イオンとなり、銅イオンは、電子と再結合して銅となって洗浄除去される。ただし、洗浄液のｐＨが２〜３（強酸）だと、絶縁層１１の表面が洗浄液によって粗化されて、前述したように、第１の基板１０と第２の基板との貼合強度が低下する恐れがある。
【００３６】
そこで、本実施形態では、電極１５の表面に形成された銅の酸化膜１６をｐＨが３．８〜６、好ましくはｐＨが４．５の炭酸水によって洗浄する。具体的には、図６（ａ）に示すように、洗浄工程では、第１の基板１０を回転させながら、吐出部３６から絶縁層１１表面の中心へ向けて炭酸水３７を吐出する。
【００３７】
絶縁層１１へ供給される炭酸水３７は、第１の基板１０の遠心力によって、絶縁層１１表面の中心から周縁部へ向けて広がり、絶縁層１１の表面全体に供給される。これにより、洗浄装置３１は、図６の（ｂ）に示すように、絶縁層１１における電極１５の形成位置を問わず、電極１５表面の酸化膜１６を除去することができ、しかも、絶縁層１１の表面を粗化させることがない。
【００３８】
なお、電極１５は、酸化膜１６が除去されることで、表面が絶縁層１１の表面からごくわずか後退するが、第１の基板１０と第２の基板が貼合された後に行われる後述の熱処理による熱膨張によって、第２の基板の電極と接続される。
【００３９】
また、洗浄装置３１は、洗浄液として炭酸水３７を使用するので、例えば、超純水を洗浄液として使用する一般的な洗浄装置に比べて、絶縁層１１の表面にパーティクルが付着することを抑制することができる。
【００４０】
具体的には、回転している第１の基板１０上の絶縁層１１へ洗浄液を供給した場合、絶縁層１１の表面は、洗浄液との摩擦によって静電気が発生してチャージされる。ここで、超純水は、比抵抗が１８ＭΩ・ｃｍと非常に大きい。このため、超純水で洗浄した場合には、チャージされた絶縁層１１が放電されないので、静電気によってパーティクルが絶縁層１１へ付着することがある。
【００４１】
これに対して、例えば、ｐＨが３．８〜６の炭酸水３７は、比抵抗が０．０２〜１．９ＭΩ・ｃｍと超純水に比べて非常に小さい。このため、洗浄装置３１では、洗浄水としてｐＨが３．８〜６、好ましくはｐＨが４．５、比抵抗が０．０２〜１．９ＭΩ・ｃｍ、好ましくは、比抵抗が０．１ＭΩ・ｃｍの炭酸水３７を洗浄液として使用する。
【００４２】
これにより、洗浄装置３１では、洗浄中に絶縁層１１の表面に静電気が発生しても、静電気を比抵抗が非常に小さな炭酸水３７を介して放電させることができるので、絶縁層１１の表面にパーティクルが付着することを抑制することができる。
【００４３】
また、洗浄装置３１は、洗浄時間が１秒間未満の場合、洗浄液の吐出量が制御できない。また、洗浄装置３１は、洗浄時間が１２０秒間を超えると、処理のスループットが低下する恐れがある。そこで、洗浄装置３１は、一枚の基板に対して、１秒間〜１２０秒間、好ましくは６０秒間継続して炭酸水３７による洗浄を行う。
【００４４】
これにより、洗浄装置３１は、一定のスループットを維持しつつ、十分に酸化膜１６の除去を行うことができる。なお、洗浄装置３１は、第２の基板についても、第１の基板１０と同様の洗浄処理を行う。
【００４５】
次に、図７を参照し、基板の貼合工程について説明する。図７は、実施形態に係る基板の貼合工程を示す説明図である。なお、図７には、基板を貼合する貼合装置４１が備える構成要素のうち、基板の貼合に必要な構成要素を選択的に図示している。
【００４６】
基板の貼合工程は、図７に示す貼合装置４１によって行う。具体的には、貼合装置４１は、ステージ４２と、支持体４３と、加圧子４４とを備える。ステージ４２は、第１の基板１０を吸着保持する。支持体４３は、水平方向に進退自在に構成され、第２の基板５０を支持する。加圧子４４は、昇降自在に構成され、第２の基板５０を押圧する。
【００４７】
かかる貼合装置４１によって、第１の基板１０と第２の基板５０とを貼合する場合には、図７（ａ）に示すように、まず、第１の基板１０を絶縁層１１が上となるようにしてステージ４２に載置して、ステージ４２によって保持させる。
【００４８】
続いて、既にイメージセンサが作り込まれた第２の基板５０を絶縁層５１が下となるようにして、絶縁層５１表面（ここでは、下面）の周縁部を支持体４３によって支持させる。このとき、例えば、第１の基板１０および第２の基板５０のオリエンテーションフラットやノッチの位置を合わせることによって、第１の基板１０側の電極１５と、第２の基板５０側の電極との上下位置を合わせる。
【００４９】
また、第１の基板１０と第２の基板５０のパターンの位置を合せることによって、第１の基板１０側の電極１５と、第２の基板５０側の電極との上下位置を合せても良く、その場合、第２の基板５０の反りを矯正するため、貼合装置４１の支持体４３は、第２の基板５０を吸着保持するようなステージ形状が望ましい。
【００５０】
その後、図７の（ｂ）に示すように、加圧子４４を降下させ、加圧子４４によって第２の基板５０の上面中央位置を押圧する。これにより、第２の基板５０が湾曲して、第２の基板５０側の絶縁層５１の表面中央と、第１の基板１０側の絶縁層１１の表面中央とが接合する。
【００５１】
続いて、図７の（ｃ）に示すように、支持体４３を後退させることによって、第２の基板５０の支持を解除する。これにより、第２の基板５０側の絶縁層５１と、第１の基板１０側の絶縁層１１との接合が中央から周縁部へ広がる。
【００５２】
その後、最終的には、図７の（ｄ）に示すように、第２の基板５０側の絶縁層５１表面全体と、第１の基板１０側の絶縁層１１の表面全体とが接合する。そして、加圧子４４を上昇させ、熱処理を施すことによって、絶縁層１１，５１同士の接合強度を高めて第１の基板１０と、第２の基板５０との貼合が完了する。このときの熱処理によって、第１の基板１０側の電極および第２の基板５０側の電極が熱膨張によって接続される。
【００５３】
次に、図８および図９を参照し、貼合された第１の基板１０および第２の基板５０に熱処理を施すことによって、絶縁層１１，５１同士の接合強度が高まる仕組みについて説明する。図８および図９は、実施形態に係る基板の直接接合のしくみを示す説明図である。
【００５４】
前述したように、図３に示す活性化装置２１によって、絶縁層１１，５１の表面を活性化すると、図８の（ａ）に示すように、絶縁層１１，５１表面のシリコン（Ｓｉ）には、ダングリングボンドが生じる。その後、図４に示す洗浄装置３１によって、絶縁層１１，５１の表面を炭酸水３７によって洗浄すると、図８の（ｂ）に示すように、絶縁層１１，５１表面におけるシリコンのダングリングボンドにＯＨ基が付着する。
【００５５】
そして、ＯＨ基が表面付着した絶縁層１１，５１の表面同士を接合すると、図８の（ｃ）に示すように、絶縁層１１側のＯＨ基と、絶縁層５１側のＯＨ基とが水素結合する。かかる水素結合は、分子間力による結合である。この状態では、絶縁層１１，５１の接合力が不十分である。
【００５６】
このため、水素結合によって接合されている第１の基板１０および第２の基板５０に対して熱処理を施す。これにより、図９の（ａ）に示すように、絶縁層１１，５１間から水（Ｈ２Ｏ）が蒸発し、最終的に、図９の（ｂ）に示すように、絶縁層１１，５１表面のシリコン（Ｓｉ）は、酸素（Ｏ）を介して共有結合によって結合される。これにより、第１の基板１０と第２の基板５０とは、接着剤を用いなくても、強固な共有結合によって直接接合される。
【００５７】
その後、貼合された第１の基板１０および第２の基板５０をチップ単位にダイシングすることによって、チップが２段に積層された半導体装置を製造する。こうして製造された半導体装置は、製造途中の洗浄工程において、絶縁層１１側の電極１５の表面および絶縁層５１側の電極の表面に形成された酸化膜１６が除去されているため、電極同士の接続不良および接続抵抗の上昇を抑制することができる。しかも、洗浄工程では、絶縁層１１，５１の表面を粗化させることがないため、絶縁層１１，５１同士の貼合不良や剥離などといった不具合の発生を抑制することができる。
【００５８】
上述したように、実施形態に係る半導体装置の製造方法では、第１の基板表面および第２の基板表面に設けられる絶縁層に、ダマシン法によって電極を形成した後、絶縁層の表面をプラズマ処理により活性化させる。
【００５９】
その後、電極および絶縁層の表面を炭酸水によって洗浄して、第１の基板側の絶縁層と、第２の基板側の絶縁層とを貼合することによって、第１の基板側の電極と第２の基板側の電極とを接続する。
【００６０】
実施形態に係る半導体装置の製造方法によれば、第１の基板および第２の基板を貼合する前に、絶縁層の表面を粗化することなく、電極の表面から金属の酸化膜を除去することができる。したがって、実施形態に係る半導体装置の製造方法によれば、基板の貼合によって接続される電極の接合部分に接続不良が発生することを抑制することができる。
【００６１】
なお、上記した実施形態では、第１の基板および第２の基板の双方を炭酸水によって洗浄する場合を例に挙げたが、いずれか一方の基板を炭酸水によって洗浄してもよい。貼合する一対の基板のいずれか一方を炭酸水によって洗浄して貼合し、製造した半導体装置によれば、一対の基板の双方とも炭酸水による洗浄を行わずに貼合して製造される半導体装置に比べて、電極の接続抵抗を低減することができる。
【００６２】
また、上記した実施形態では、枚葉式の洗浄装置を用いて基板の洗浄を行う場合について説明したが、複数枚の基板を一度に炭酸水へ浸漬して洗浄する洗浄装置を用いても良い。これにより、単位時間に洗浄可能な基板の枚数を増大させることができる。
【００６３】
また、上記した実施形態では、絶縁層の表面および電極の表面を炭酸水によって洗浄したが、少なくとも電極の表面を炭酸水により洗浄し、電極が形成されていない部分については、純水による洗浄をおこなってもよい。これにより、炭酸水の使用量を低減することができる。
【００６４】
また、本実施形態では、２枚の基板を貼合する場合を例に挙げたが、本実施形態は、３枚以上の基板を貼合する半導体装置の製造方法にも適用可能である。３枚以上の基板を貼合する場合には、各基板の表裏両面に設けられる絶縁層に電極を形成し、各絶縁層の表面を活性化処理した後、表裏両側の絶縁層を炭酸水によって洗浄してから基板同士を貼合する。これにより、３枚以上の基板を貼合する場合であっても、貼合によって接続される電極間に接続不良が発生することを抑制することができる。
【００６５】
本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。
【符号の説明】
【００６６】
１０  第１の基板、１１  絶縁層、１２  レジスト、１３  開口、１４  金属層、１５  電極、１６  酸化膜、２１  活性化装置、２２  チャンバ、２３  ステージ、２４  アンテナコイル、２５  ブロッキングコンデンサ、２６，２７  高周波電源、３１  洗浄装置、３２  ターンテーブル、３３  駆動部、３４  洗浄液供給部、３５  配管、３６  吐出部、３７  炭酸水、４１  貼合装置、４２  ステージ、４３  支持体、４４  加圧子、５０  第２の基板、５１  絶縁層
【図１】
0006313189.tif 000002
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
0006313189.tif 000009
【図９】
0006313189.tif 000010