(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板と、
前記半導体基板の上に形成された絶縁層と、
前記絶縁層を貫いて前記半導体基板内に延在するトレンチであって、前記トレンチは第１のＩＩＩ−Ｖ族半導体材料を含むトレンチ材料を含むトレンチと、
前記絶縁層の上に直接、前記トレンチと隣接して形成されたチャネル構造であって、前記チャネル構造は、前記トレンチ材料の欠陥密度より低い欠陥密度を有する第２のＩＩＩ−Ｖ族半導体材料を含むチャネル材料で形成される、チャネル構造と、
前記チャネル構造の両側に形成されたソース及びドレインであって、前記ソースは、前記トレンチ材料の上に形成される、ソース及びドレインと、
前記チャネル構造の上方に形成されたゲート電極と、
を備え、
前記ドレインは、前記絶縁層の上に直接形成される、
半導体トランジスタ構造。
【請求項２】
半導体基板と、
前記半導体基板の上に形成された絶縁層と、
前記絶縁層を貫いて前記半導体基板内に延在する複数のトレンチであって、前記複数のトレンチは第１のＩＩＩ−Ｖ属半導体材料を含むトレンチ材料を含む複数のトレンチと、
前記絶縁層の上に直接、前記複数のトレンチと隣接して形成された複数のチャネル構造であって、前記複数のチャネル構造は、前記トレンチ材料の欠陥密度より低い欠陥密度を有する第２のＩＩＩ−Ｖ属半導体材料を含むチャネル材料で形成される、複数のチャネル構造と、
前記複数のチャネル構造の両側に形成された複数のソース及びドレインと、
前記複数のチャネル構造の上方に形成された複数のゲート電極と、
を備え、
前記トレンチ材料の上には、前記複数のソース及びドレインのうち、ソース及びドレインのいずれかが形成され、
前記半導体基板の上面視で、前記複数のトレンチのうち、隣り合う２つのトレンチの中央には、前記複数のソース及びドレインのうち、ソース及びドレインのいずれかが形成される、
半導体トランジスタ構造。
【請求項３】
前記半導体基板の上面視で、前記ドレインと一方の側で隣り合う前記ソースとの間に、前記複数のチャネル構造のうちの一のチャネル構造が設けられ、前記ドレインと他方の側で隣り合う前記ソースとの間に、前記複数のチャネル構造のうちの他のチャネル構造が設けられる、
請求項２に記載の半導体トランジスタ構造。
【請求項４】
半導体基板と、
前記半導体基板の上に形成された絶縁層と、
前記絶縁層を貫いて前記半導体基板内に延在する複数のトレンチであって、前記複数のトレンチは第１のＩＩＩ−Ｖ属半導体材料を含むトレンチ材料を含む複数のトレンチと、
前記絶縁層の上に直接、前記複数のトレンチの各々と隣接して形成された複数のチャネル構造であって、前記複数のチャネル構造は、前記トレンチ材料の欠陥密度より低い欠陥密度を有する第２のＩＩＩ−Ｖ属半導体材料を含むチャネル材料で形成される、チャネル構造と、
前記複数のチャネル構造の両側に形成された複数のソース及びドレインと、
を備え、
前記トレンチ材料の上には、前記複数のソース及びドレインのうち、ソース及びドレインのいずれかが形成され、
前記半導体基板の上面視で、前記複数のトレンチのうち、隣り合う２つのトレンチの中央に、前記複数のチャネル構造が形成されない、
半導体トランジスタ構造。
【請求項５】
前記複数のソース及びドレインのうち、ソース及びドレインのいずれかは、前記半導体基板の上面視で、前記複数のトレンチのうち、隣り合う２つのトレンチの中央に形成され、
前記半導体基板の上面視で、前記複数のソース及びドレインのうち、ソース及びドレインのいずれかの一方の側に、前記複数のチャネル構造のうちの一のチャネル構造が設けられ、前記複数のソース及びドレインのうち、ソース及びドレインのいずれかの他方の側に、前記複数のチャネル構造のうちの他のチャネル構造が設けられる、
請求項４に記載の半導体トランジスタ構造。
【請求項６】
前記トレンチ材料及び前記チャネル材料は、窒化ガリウムを含む、
請求項１から５のいずれか一項に記載の半導体トランジスタ構造。
【請求項７】
前記チャネル材料は、１Ｅ９ｃｍ−２より低い欠陥密度を有する、
請求項１から６のいずれか一項に記載の半導体トランジスタ構造。
【請求項８】
前記トレンチ材料は、１Ｅ９ｃｍ−２より高い欠陥密度を有する、
請求項１から７の何れか一項に記載の半導体トランジスタ構造。
【請求項９】
前記ソースは、前記トレンチ材料の上に形成され、前記ドレインは、前記絶縁層の上に形成される、
請求項１から８の何れか一項に記載の半導体トランジスタ構造。
【請求項１０】
前記ソースは、前記半導体基板と熱的に連結される、
請求項９に記載の半導体トランジスタ構造。
【請求項１１】
前記ソース及び前記ドレインは、窒化インジウムガリウムを含む、
請求項１から１０の何れか一項に記載の半導体トランジスタ構造。
【請求項１２】
前記窒化インジウムガリウムは、５Ｅ１９ｃｍ−３より高いＮ＋ドーピング濃度を有する、
請求項１１に記載の半導体トランジスタ構造。
【請求項１３】
前記半導体基板はシリコンを含み、前記トレンチ材料及び前記チャネル構造はＧａＮを含み、前記ソース及び前記ドレインはＩｎＧａＮを含む、
請求項１から１２の何れか一項に記載の半導体トランジスタ構造。
【請求項１４】
半導体基板上にパターニングされた絶縁層を形成する段階であって、パターニングされた前記絶縁層は、前記半導体基板の被覆されていない部分を露出させる、形成する段階と、
前記半導体基板の被覆されていない前記部分において、前記半導体基板に複数のトレンチを形成する段階と、
半導体材料がパターニングされた前記絶縁層上に横方向にオーバーフローして、ブランケット層を形成するように、前記複数のトレンチ内に前記半導体材料を成長させる段階であって、前記複数のトレンチのうち隣り合う２つのトレンチからそれぞれ成長した前記半導体材料のそれぞれの側面が一体化したシームを形成し、前記半導体材料はＩＩＩ−Ｖ族半導体材料を含む、成長させる段階と、
チャネル構造及びトレンチ材料が残るように、前記ブランケット層の前記シームを含む一部分をエッチング除去する段階であって、前記チャネル構造は、前記トレンチ材料より低欠陥密度を有する、エッチング除去する段階と、
前記チャネル構造の両側にソース及びドレインを形成する段階であって、
前記トレンチ材料上に、前記ソース及び前記ドレインのいずれかを形成し、前記シームをエッチング除去した前記絶縁層上に直接、前記ソース及び前記ドレインのいずれかを形成する段階と、
前記チャネル構造の上にゲート電極を形成する段階と、
を備える、
半導体トランジスタ構造形成方法。
【請求項１５】
半導体基板上にパターニングされた絶縁層を形成する段階であって、パターニングされた前記絶縁層は、前記半導体基板の被覆されていない部分を露出させる、形成する段階と、
前記半導体基板の被覆されていない前記部分において、前記半導体基板にトレンチを形成する段階と、
半導体材料がパターニングされた前記絶縁層上に横方向にオーバーフローして、ブランケット層を形成するように、前記トレンチ内に前記半導体材料を成長させる段階であって隣り合う２つの前記トレンチからそれぞれ成長した前記半導体材料のそれぞれの側面が一体化したシームを形成し、前記半導体材料はＩＩＩ−Ｖ族半導体材料を含む、成長させる段階と、
チャネル構造及びトレンチ材料が残るように、前記ブランケット層の前記シームを含む一部分をエッチング除去する段階であって、前記チャネル構造は、前記トレンチ材料より低欠陥密度を有する、エッチング除去する段階と、
前記チャネル構造の一方の側に、前記チャネル構造および前記トレンチ材料を核形成表面としてソース及びドレインの一方を形成し、前記チャネル構造の他方の側の前記絶縁層上に、前記チャネル構造を核形成表面としてソース及びドレインの他方を形成する段階と、
前記チャネル構造の上にゲート電極を形成する段階と、
を備える、
半導体トランジスタ構造形成方法。
【請求項１６】
前記ブランケット層は、隣接する横方向にオーバーフローする材料と一体化する前記半導体材料によって形成される、
請求項１４又は１５に記載の半導体トランジスタ構造形成方法。
【請求項１７】
前記半導体基板にトレンチを形成する前記段階は、前記半導体基板の被覆されていない前記部分の選択エッチングである、
請求項１４から１６のいずれか一項に記載の半導体トランジスタ構造形成方法。
【請求項１８】
ＩＩＩ−Ｖ族半導体材料を含む前記半導体材料は、窒化ガリウムである、
請求項１４から１７の何れか一項に記載の半導体トランジスタ構造形成方法。
【請求項１９】
前記ブランケット層の前記一部分は、前記チャネル構造の欠陥密度より高い欠陥密度を有する欠陥部分である、
請求項１４から１８の何れか一項に記載の半導体トランジスタ構造形成方法。
【請求項２０】
前記欠陥部分は、１Ｅ９ｃｍ−２より高い欠陥密度を含む、
請求項１９に記載の半導体トランジスタ構造形成方法。
【請求項２１】
前記チャネル構造の前記欠陥密度は、１Ｅ９ｃｍ−２より低い、
請求項１９に記載の半導体トランジスタ構造形成方法。
【請求項２２】
前記ソース及び前記ドレインは、エピタキシャル成長によって形成される、
請求項１４から２１の何れか一項に記載の半導体トランジスタ構造形成方法。
【請求項２３】
前記エピタキシャル成長は、窒化インジウムガリウム構造を形成する、
請求項２２に記載の半導体トランジスタ構造形成方法。
【請求項２４】
半導体基板と、
前記半導体基板上に形成された金属酸化物半導体トランジスタと、
前記半導体基板上に前記金属酸化物半導体トランジスタと隣接して形成された広バンドギャップ半導体トランジスタと、
を備え、
前記広バンドギャップ半導体トランジスタは、請求項１から１３のいずれか一項に記載の半導体トランジスタ構造を有する、
システムオンチップ。
【請求項２５】
前記トレンチ材料及び前記チャネル材料は、窒化ガリウムを含む、
請求項２４に記載のシステムオンチップ。
【請求項２６】
前記チャネル材料は、１Ｅ９ｃｍ−２より低い欠陥密度を有する、
請求項２４又は２５に記載のシステムオンチップ。
【請求項２７】
前記トレンチ材料は、１Ｅ９ｃｍ−２より高い欠陥密度を有する、
請求項２４から２６の何れか一項に記載のシステムオンチップ。
【請求項２８】
前記ソースは、前記トレンチ材料の上に形成され、前記ドレインは、前記絶縁層の上に形成される、
請求項２４から２７の何れか一項に記載のシステムオンチップ。
【請求項２９】
前記ソースは、前記半導体基板と熱的に連結される、
請求項２４から２８の何れか一項に記載のシステムオンチップ。
【請求項３０】
前記ソース及び前記ドレインは、窒化インジウムガリウムを含む、
請求項２４から２９の何れか一項に記載のシステムオンチップ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明の複数の実施形態は、概して、半導体基板上の広バンドギャップトランジスタ及びその製造方法に関する。より具体的には、本発明の複数の実施形態は、シリコン基板上の窒化ガリウムトランジスタ及びその製造方法に関係する。
【背景技術】
【０００２】
電力管理（ＰＭ）及び無線周波数（ＲＦ）増幅は、スマートフォン、タブレット、及びラップトップ／ノートブックなどの現代の複数のモバイルコンピューティングプラットフォームの動作において実行される、重要なデバイスプロセスである。複数のシステムオンチップ製品に含まれ、これらの動作を実行するよう設計された、電力管理集積回路（ＰＭＩＣ）や無線周波数集積回路（ＲＦＩＣ）などの集積回路（ＩＣ）は、高電圧及び高電界に耐え得るトランジスタを必要とする。出力フィルタ回路及び駆動回路において、ＤＣ／ＤＣ変換の高電圧スイッチングを実行するＰＭＩＣやＲＦＩＣにかかる典型的な電圧は、例えば、通常のリチウムバッテリによって出力される電圧と同程度の３．７Ｖにもなり得る。しかしながら、こうした高電圧における動作にシリコントランジスタを用いることは、シリコンの低バンドギャップ（すなわち、１．１２ｅＶ）に起因して、難しいことがわかる。例えば、シリコン系ＰＭＩＣ中のシリコントランジスタが３．７Ｖの電圧に耐えるためには、トランジスタの寸法は数十ミリメートルの大きさになる必要があるであろう。代替案では、ＰＭＩＣ中の複数のシリコントランジスタは直列に形成され得る。しかしながら、そのような構成は、著しい電力損失及び高抵抗を生じさせ、バッテリの寿命低下問題及び冷却の問題の原因となる。結果として、現在の解決策は、より広いバンドギャップを持つ代わりの複数の半導体材料を利用する。そのような１つの材料が、窒化ガリウム（ＧａＮ）である。
【０００３】
ＧａＮは、限定されないが、トランジスタ、発光ダイオード（ＬＥＤ）、及び高電力集積回路を含む複数のマイクロ電子デバイスに関連した、その有益な特性のために広く調査された広バンドギャップ（すなわち、３．４ｅＶ）半導体材料である。ＧａＮは、シリコンの格子定数よりも小さい格子定数を持つウルツ鉱型結晶構造を有し、シリコンの電子移動度と同様の約１３００ｃｍ２（ｖ・ｓ）−１という電子移動度を有する。
【０００４】
現在では、ＧａＮは、非ＧａＮ基板上に強引にヘテロエピタキシャル成長させられる（例えば、非ＧａＮ基板上にエピタキシャルのＧａＮを直接成長させる）。非固有基板上にＧａＮを強引に成長させることで、基板とエピタキシャル層との間に、これらの格子構造及び／又は格子定数の差によって引き起こされる大幅な格子不整合がもたらされる。非ＧａＮ基板とＧａＮエピタキシャル層との間の格子不整合は、ＧａＮエピタキシャル層と非ＧａＮ基板との間の境界面からあらゆる方向に、貫通転位欠陥を増殖させる。
【０００５】
これらの欠陥量を減少させることを目指して、従来の解決策では、非固有基板（例えば、シリコン、サファイア、又は炭化ケイ素）上にＧａＮの厚いバッファ層（例えば、１μｍより厚い）を成長させ、多数の貫通転位が、成長途中のどこかで発生するのを止めることを期待した。しかしながら、数ミクロンのバッファＧａＮを成長させても、それによるＧａＮの欠陥密度は、２Ｅ７ｃｍ−２より低い欠陥密度を実現できない。さらに、バッファ層は、バッファ層の上に形成されたＧａＮトランジスタと、シリコン基板上に形成された相補型金属酸化物半導体（ＣＭＯＳ）などの他のトランジスタとの間に大きな高低差を生み出す。結果として、この高低差によって、同一の基板平面上のシリコンＣＭＯＳトランジスタと一体化させるために、シリコン基板上のＧａＮトランジスタを直接的に異種統合させることが妨げられる。
【図面の簡単な説明】
【０００６】
【図１】本発明の一実施形態に従い、シリコン基板上のシリコン系のｆｉｎＦＥＴトランジスタと一体化させた広バンドギャップトランジスタの等角図を示す。
【図２Ａ】本発明の一実施形態に従い、シリコン基板上のシリコン系のｆｉｎＦＥＴトランジスタと一体化させた広バンドギャップトランジスタを形成する方法の等角図を示す。
【図２Ｂ】本発明の一実施形態に従い、シリコン基板上のシリコン系のｆｉｎＦＥＴトランジスタと一体化させた広バンドギャップトランジスタを形成する方法の等角図を示す。
【図２Ｃ】本発明の一実施形態に従い、シリコン基板上のシリコン系のｆｉｎＦＥＴトランジスタと一体化させた広バンドギャップトランジスタを形成する方法の等角図を示す。
【図２Ｄ】本発明の一実施形態に従い、シリコン基板上のシリコン系のｆｉｎＦＥＴトランジスタと一体化させた広バンドギャップトランジスタを形成する方法の等角図を示す。
【図２Ｅ】本発明の一実施形態に従い、シリコン基板上のシリコン系のｆｉｎＦＥＴトランジスタと一体化させた広バンドギャップトランジスタを形成する方法の等角図を示す。
【図２Ｆ】本発明の一実施形態に従い、シリコン基板上のシリコン系のｆｉｎＦＥＴトランジスタと一体化させた広バンドギャップトランジスタを形成する方法の等角図を示す。
【図２Ｇ】本発明の一実施形態に従い、シリコン基板上のシリコン系のｆｉｎＦＥＴトランジスタと一体化させた広バンドギャップトランジスタを形成する方法の等角図を示す。
【図２Ｈ】本発明の一実施形態に従い、シリコン基板上のシリコン系のｆｉｎＦＥＴトランジスタと一体化させた広バンドギャップトランジスタを形成する方法の等角図を示す。
【図２Ｉ】本発明の一実施形態に従い、シリコン基板上のシリコン系のｆｉｎＦＥＴトランジスタと一体化させた広バンドギャップトランジスタを形成する方法の等角図を示す。
【図２Ｊ】本発明の一実施形態に従い、シリコン基板上のシリコン系のｆｉｎＦＥＴトランジスタと一体化させた広バンドギャップトランジスタを形成する方法の等角図を示す。
【図２Ｋ】本発明の一実施形態に従い、シリコン基板上のシリコン系のｆｉｎＦＥＴトランジスタと一体化させた広バンドギャップトランジスタを形成する方法の等角図を示す。
【図３】本発明の１つの実施例を用いて実装されたコンピューティングシステムを示す。
【発明を実施するための形態】
【０００７】
非固有半導体基板上に形成された広バンドギャップトランジスタ、及びその製造方法が開示される。本発明の複数の実施形態は、本発明の深い理解を提供すべく、複数の具体的詳細について説明される。当業者の一人であれば、本発明の複数の実施形態は、これらの具体的詳細なしに実施され得ることを理解するであろう。他の複数の例において、周知の複数の半導体プロセス及び装置は、本発明の複数の実施形態を不必要に不明瞭にしないように、具体的詳細について説明されていない。さらに、複数の図に示された様々な実施形態は、例示的に表現されたものであり、必ずしも正確な縮尺率で描かれてはいない。
【０００８】
本発明の複数の実施形態は、半導体基板上に形成された広バンドギャップトランジスタに関する。広バンドギャップトランジスタは、横方向エピタキシャル過成長（ＬＥＯ）によって、隣接するトレンチから形成される。広バンドギャップトランジスタのためのチャネル構造を形成すべくＬＥＯを用いることにより、厚いバッファ層の必要性が除外される。複数の実施形態において、広バンドギャップトランジスタは、単結晶シリコン基板の同一のウェーハ面上で、シリコントランジスタと一体化され得る。
【０００９】
本発明の１つの実施形態において、単結晶シリコン基板が提供される。シリコン基板は、表面の二酸化ケイ素絶縁層を含む。チャネル構造が、シリコン基板の表面の二酸化ケイ素絶縁層の上に直接形成される。チャネル構造は、広バンドギャップ半導体材料から構成される。ゲート電極、ゲート誘電体、及び任意の複数のゲートスペーサは、チャネル構造の上に形成される。チャネル構造に直接隣接して配置されるのは、ソース及びドレインである。ソース及びドレインは、チャネル構造の両側に配置される。ソースの直下にあるのは、シリコン基板の上面から二酸化ケイ素絶縁層を貫き、シリコン基板内に延在するトレンチである。従って、チャネル構造は、トレンチと隣接する。トレンチは、欠陥のある広バンドギャップ半導体材料から構成されたトレンチ材料を含む。トレンチ材料及びチャネル構造は、同一の半導体材料から構成される。しかしながら、チャネル構造は、トレンチ材料より著しく欠陥が少ない。トレンチ材料は、ソースと熱的に連結されるので、直接のヒートシンクを基板に提供する。チャネル構造を二酸化ケイ素絶縁層の上に直接形成することで、広バンドギャップトランジスタを同一の半導体基板上のトランジスタと一体化させることが可能となる。
【００１０】
図１は、本発明の一実施形態に従い、シリコン半導体基板１０２上のｆｉｎＦＥＴトランジスタと一体化させた広バンドギャップトランジスタの等角図を示す。複数の第１コンタクト（例えば、ソースコンタクト及びドレインコンタクト）及び層間誘電体など、広バンドギャップトランジスタ及びｆｉｎＦＥＴデバイスの複数の部分は、明確さを目的として示されてはいない。図１の領域Ａの説明図は、半導体基板１０２上に形成された広バンドギャップトランジスタを示す。さらに、図１の領域Ｂの説明図は、広バンドギャップトランジスタと同一のウェーハ面の半導体基板１０２上に形成されたｆｉｎＦＥＴトランジスタを示す。図１に示されるように、広バンドギャップトランジスタ及びｆｉｎＦＥＴトランジスタは、互いに一体化させられている。即ち、広バンドギャップトランジスタ及びｆｉｎＦＥＴトランジスタは、同一のウェーハ面内に隣り合わせに形成されている。２つの構造間の点線は、広バンドギャップトランジスタがｆｉｎＦＥＴトランジスタと隣接しているか、ｆｉｎＦＥＴトランジスタから離れているかに関わらず、ｆｉｎＦＥＴトランジスタが広バンドギャップトランジスタと同一のウェーハ面上に形成されていることを示す。
【００１１】
半導体基板１０２は、バルク単結晶シリコン基板など、半導体デバイス製造用の任意の好適な基板から構成され得る。半導体基板１０２は、半導体基板１０２の上面に形成された誘電体層１０４を含む。このため、誘電体層１０４は、半導体基板１０２を電気的に分離する。二酸化ケイ素などの任意の好適な誘電体材料が、誘電体層１０４を形成するのに使用され得る。
【００１２】
図１の領域Ａに図示されるように、チャネル構造１０６は、シリコン基板１０２の誘電体層１０４上に配置される。チャネル構造１０６は、広バンドギャップ半導体材料から構成される。いくつかの実施形態において、チャネル構造１０６は、２．０ｅＶより大きいバンドギャップを持つ半導体材料から構成される。他の複数の実施形態において、チャネル構造は、ＩＩＩ−Ｖ族材料から構成される。１つの特定の実施形態において、チャネル構造１０６は、ＧａＮから構成される。誘電体層１０４は、チャネル構造１０６をシリコン基板１０２から電気的に分離する。チャネル構造１０６を基板１０２から電気的に分離することで、トランジスタ本体のリーク及び寄生容量が有利に低減される。さらに、誘電体層１０４を伴ったシリコン基板１０２を用いることで、高価なシリコン・オン・インシュレータ（ＳＯＩ）基板の必要性が有利に除外される。
【００１３】
チャネル構造１０６は、その結晶構造内に少量の欠陥を有し得る。チャネル構造１０６の結晶構造内の複数の欠陥は、広バンドギャップトランジスタが動作する際に、チャネル抵抗を増大させる。増大したチャネル抵抗は、トランジスタに非効率的な動作をさせる原因となる。このため、低欠陥密度のチャネル構造１０６が所望される。１つの特定の実施形態において、チャネル構造１０６の欠陥密度は、横方向エピタキシャル過成長（ＬＥＯ）の使用に起因して、１Ｅ９ｃｍ−２より低い。代替的な一実施形態において、チャネル構造１０６の欠陥密度は、２Ｅ７ｃｍ−２より低い。
【００１４】
チャネル構造１０６の両側に直接隣接して配置されているのは、ソース１０８及びドレイン１１０である。ソース１０８及びドレイン１１０は、チャネル構造１０６からエピタキシャルに成長させられ得る、任意の好適な半導体材料から構成される。例えば、好適な半導体材料は、チャネル構造１０６の合金である。一実施形態において、ソース領域１０８及びドレイン領域１１０は、チャネル構造１０６よりバンドギャップが狭い材料から構成される。このため、ソース１０８及びドレイン１１０と、第１コンタクトとの間の接触抵抗は、最小化され得る。１つの特定の実施形態において、チャネル構造１０６はＧａＮから構成され、ソース１０８及びドレイン１１０は、窒化インジウムガリウム（ＩｎＧａＮ）から構成される。窒化インジウムは、０．９ｅＶのバンドギャップを有する。従って、インジウムがＧａＮと合金化されると、それによるＩｎＧａＮの全体の有効バンドギャップは、３．４ｅＶより小さい。さらに、ＩｎＧａＮはＧａＮの合金なので、ＩｎＧａＮは、チャネル構造１０６からエピタキシャルに成長させられ得る。
【００１５】
いくつかの実施形態において、ドレイン１１０は、誘電体層１０４の上面１０５の上に直接形成される。従って、ソース１０８は、トレンチ１０７内に形成されたトレンチ材料１１５の上面１２３の上に直接形成される。このため、トレンチ材料１１５は、チャネル構造１０６とも隣接する。ソース１０８をトレンチ材料１１５の上面１２３の上に直接形成することで、ソース１０８は基板１０２と熱的に連結される。ソース１０８と基板１０２との間の熱的な連結は、直接のヒートシンクを基板１０２に有利に提供する。いくつかの実施形態において、ソース１０８は、トレンチ材料１１５の上に形成されるが、他の複数の実施形態は、ドレイン１１０が基板１０２と熱的に連結されるように、ソース１０８及びドレイン１１０の位置を交換し得る。
【００１６】
複数の実施形態において、トレンチ材料１１５は、チャネル構造１０６と同一の半導体材料から構成される。例えば、チャネル構造１０６及びトレンチ材料１１５は両方とも、ＧａＮなどのＩＩＩ−Ｖ族材料を含む。チャネル構造１０６及びトレンチ材料１１５は、同一の半導体材料から構成され得て、チャネル構造１０６内の貫通転位欠陥１１７の量は、トレンチ材料１１５内の貫通転位欠陥１１７の量より著しく少ない。例えば、チャネル構造１０６及びトレンチ材料１１５は、両方ともＧａＮから構成され得るが、チャネル構造１０６が１Ｅ９ｃｍ−２より低い欠陥密度を有するのに対して、トレンチ材料１１５は、１Ｅ９ｃｍ−２より高い欠陥密度を有する。チャネル構造１０６が、トレンチ材料１１５より低い欠陥密度を有するのは、チャネル構造１０６内に欠陥が存在すると、トランジスタの効率性及び信頼性が減少し得るからである。トレンチ材料１１５は、チャネル構造１０６より著しく多くの欠陥を有し得る。典型的なトランジスタ動作条件の下では、基板１０２及びソース１０８は等電位である。従って、トレンチ１１５及びソース１０８も等電位である。従って、電流はトレンチ材料１１５を通って流れることはない。このため、トレンチ材料１１５中の高欠陥密度の貫通転位１１７は、トランジスタ動作にほとんど影響を及ぼし得ない。他の複数の実施形態において、トレンチ材料１１５は、チャネル構造１０６とは異なる半導体材料から構成される。例えば、チャネル構造１０６はＧａＮから構成され得て、トレンチ材料１１５はＩｎＧａＮから構成され得る。
【００１７】
トレンチ材料１１５は、シリコン基板１０２の上面１０３の上に形成され得る。任意の好適なエピタキシャル成長プロセスによって、シリコン基板１０２の上面１０３の上にトレンチ材料１１５が形成され得る。いくつかの実施形態において、シリコン基板１０２の上面１０３は、トレンチ材料１１５のエピタキシャル成長を促進するための変形表面であり得る。例として、限定目的ではないが、シリコン基板１０２の上面１０３は、Ｖ溝形状を有するように変形させられ得る。Ｖ溝形状は、全体に＜１００＞配向のシリコン基板内に＜１１１＞面を露出させ、最下点で一点に集まる変形上面１０３を有する。平坦な表面形状と比較すると、Ｖ溝形状は、エピタキシャル成長中に、より良好な結晶整合を可能とする向きに、上面１０３において、シリコン立方晶系結晶を配置する。
【００１８】
ゲート電極１１２は、チャネル構造１０６の上に形成する。いくつかの実施形態において、ゲート電極１１２は、ポリシリコンゲート電極である。他の複数の実施形態において、ゲート電極１１２はメタルゲート電極である。誘電体層１１３は、ゲート電極１１２とチャネル構造１０６との間に配置される。さらに、一対のゲートスペーサ１１４が、ゲート電極１１２の両側に任意で形成され得る。
【００１９】
図１の領域Ｂに図示されるように、ｆｉｎＦＥＴトランジスタなどの半導体デバイスは、広バンドギャップトランジスタと同一のウェーハ面上に形成され得る。ｆｉｎＦＥＴトランジスタは、シリコン系トランジスタであり得る。ｆｉｎＦＥＴトランジスタは、基板１０２上に形成される。基板１０２は、シリコン基板１０２を電気的に分離すべく、シリコン基板１０２の上面１０５に配置された誘電体層１０４を含む。フィン１０１は、フィン１０１の上面１４３並びに半導体側壁１４４及び１４５の部分を露出させるべく、シリコン基板１０２から誘電体層１０４を貫いて延在する。ゲート電極１４０は、フィン１０１の３つの露出面を包み込む。ゲート誘電体１４２は、フィン１０１とゲート電極１４０との間に配置される。
【００２０】
本発明の特定の複数の実施形態は、図２Ａ−２Ｋについて説明された、複数のプロセスに従って製造され得る。図２Ａ−２Ｄは、複数のプロセスが実行されるに従って、広バンドギャップトランジスタ領域Ａ及びｆｉｎＦＥＴトランジスタ領域Ｂを示す。図２Ｅ−２Ｋは、複数のプロセスが継続して実行されるに従って、広バンドギャップトランジスタ領域Ａだけを示す。
【００２１】
図２Ａにおいて、パターニングされたフォトレジストマスク２２６を伴った半導体基板２０２が提供される。半導体基板２０２は、半導体デバイス製造に好適な材料から構成され得る。１つの実施形態において、半導体基板２０２は単結晶半導体基板である。また、半導体基板２０２は、限定されないが、シリコン（Ｓｉ）、サファイア（Ａｌ２Ｏ３）、炭化ケイ素（ＳｉＣ）、ガリウムヒ素（ＧａＡｓ）、ガリウムリン（ＧａＰ）であり得る。１つの特定の実施形態において、基板は、全体に＜１００＞に配向された単結晶シリコン基板である。フォトレジストマスク２２６は、半導体基板２０２上にパターニングされ、半導体基板２０２の被覆されていない複数の部分がエッチング除去されることを可能にし得る。フォトレジストマスク２２６に加えて、半導体基板２０２をエッチング除去する間のレジストマスク劣化を改善すべく、介在するハードマスクが最初にパターニングされてもよい。一実施形態において、フォトレジストマスク２２６は、ｆｉｎＦＥＴトランジスタ領域Ｂにおいてパターニングされ、複数のｆｉｎＦＥＴトランジスタのための複数のフィンが形成される位置を画定する。別の実施形態において、フォトレジストマスク２２６は、広バンドギャップトランジスタ領域Ａにおいてパターニングされ、複数のトレンチが形成される位置、及び広バンドギャップ半導体材料がその後に成長させられる位置を画定する。
【００２２】
次に、図２Ｂにおいて、半導体基板２０２の被覆されていない複数の部分をエッチング除去することによって、複数のフィン２０１が形成される。底面２２７は、複数のフィン２０１の間にある。各フィン２０１は、上面２４３並びに第１の半導体側壁２４４及び第２の半導体側壁２４５を有する。複数のフィン２０１Ａ及び複数の底面２２７Ａは、広バンドギャップトランジスタ領域Ａに形成され、複数のフィン２０１Ｂ及び複数の底面２２７Ｂは、ｆｉｎＦＥＴトランジスタ領域Ｂに形成される。図２Ｂには、３つのフィン２０１が示されているが、本発明のさらなる複数の実施形態に従って、さらに多くのフィン２０１が形成され得ることが留意される。複数のフィン２０１は実質的に矩形であってよいが、他の複数の実施形態は、そのように限定されない。複数のフィン２０１は、Ｃｌ２系の混合プロセスガスを用いたプラズマエッチングプロセスなどの、任意の好適な異方性エッチングプロセスによって形成され得る。フォトレジストマスク２２６は、複数のフィン２０１を形成する間に除去され得る。いくつかの実施形態において、複数のフィン２０１Ａ及び２０１Ｂは、１回のエッチングプロセスで同時に形成される。このため、複数のフィン２０１Ａ及び２０１Ｂは、  形状及び寸法の両方において、互いに実質的に類似し得る。複数の代替的実施形態において、複数のフィン２０１Ａ及び２０１Ｂは、少なくとも２つの異なるエッチングプロセスで別個に形成される。このため、複数の底面２２７Ａは、広バンドギャップトランジスタデバイスの高さを相殺すべく、複数の底面２２７Ｂよりも深くなり得る。
【００２３】
次に、図２Ｃに示されるように、シャロートレンチ分離（ＳＴＩ）層２０４が、複数のフィン２０１の両側に配置された底面２２７の上に形成される。ＳＴＩ層２０４は、二酸化ケイ素など、任意の好適な誘電体材料であり得る。ＳＴＩ層２０４を形成すべく、１回の堆積プロセスによって、誘電材料が、広バンドギャップトランジスタ領域Ａ及びｆｉｎＦＥＴ領域Ｂに、同時にブランケット堆積させられ得る。限定されないが、化学気相成長（ＣＶＤ）、プラズマ支援化学気相成長（ＰＥＣＶＤ）などの任意の周知の堆積プロセスによって、誘電材料がブランケット堆積させられ得る。誘電材料をブランケット堆積させた後に、誘電材料は平坦化され、その後にＳＴＩ層２０４を形成すべくリセスされる。化学機械研磨（ＣＭＰ）プロセスなどの任意の好適な平坦化プロセスが、誘電材料を平坦化するのに使用され得て、ＨＦウェットエッチングプロセスなどの任意の好適なエッチングプロセスが、ＳＴＩ層２０４を形成すべく、誘電材料をリセスするのに使用され得る。ＳＴＩ層２０４を形成した後に、半導体側壁２４４及び２４５の一部だけが露出する。ＳＴＩ層２０４は、ゲート電極を基板から分離し、また個々のトランジスタ間の分離を提供するのに使用され得る分離層を提供する。
【００２４】
次に、図２Ｄにおいて、広バンドギャップトランジスタ領域Ａの複数のフィン２０１Ａは、ＳＴＩ層２０４に対して選択的にエッチングされる。シリコンをエッチングするが、実質的に二酸化ケイ素をエッチングしない任意の好適なエッチングプロセスが、複数のフィン２０１Ａを除去するのに使用され得る。複数のトレンチ２０７は、選択的エッチングプロセスを実行した後に、半導体基板２０２内に形成する。複数のトレンチ２０７は、ＳＴＩ層２０４を貫き、半導体基板２０２内に延在して、半導体基板２０２の上面２０３を露出させる。図２Ｄに図示されるように、付加的なエッチングプロセスによって、半導体基板２０２の変形上面２０３が形成され得る。変形上面２０３は、任意の典型的な結晶エッチングプロセスによって形成されるＶ溝形状を含み得る。１つの実施形態において、変形上面２０３は、限定されないが、水酸化カリウム（ＫＯＨ）、水酸化テトラメチルアンモニウム（ＴＭＡＨ）などの活性溶液を用いた、ウェットエッチングプロセスによって形成される。  
【００２５】
いくつかの実施形態は、広バンドギャップ領域ＡにＳＴＩ層２０４を形成するのに複数のフィン２０１Ａを使用するが、複数の代替的実施形態は、代わりに、堆積、研磨、及びエッチング技術を使用し得る。例えば、誘電材料が最初に、半導体基板２０２の上にブランケット堆積させられ得る。その後、堆積させられた誘電材料は、誘電体層を形成すべく平坦化され得る。その後、トレンチ２０７が形成されるべき誘電体層の複数の部分が、半導体基板２０２を現すべくエッチングされ得る。結果として、パターニングされたＳＴＩ層２０４が形成される。パターニングされた誘電体層を形成する任意の他の方法が、本発明の複数の実施形態によって想定され得ることは理解されるべきである。
【００２６】
広バンドギャップトランジスタ領域Ａの複数のフィン２０１Ａは選択的にエッチング除去されるが、ｆｉｎＦＥＴトランジスタ領域Ｂの複数のフィン２０１Ｂは、ｆｉｎＦＥＴトランジスタ構造の一部として残り得る。１つの実施形態において、ｆｉｎＦＥＴトランジスタは、ＣＭＯＳ回路の一部である。ゲート誘電体２４２は、フィン２０１Ｂの複数の露出面の部分の上に配置される。ゲート電極２４０は、ゲート誘電体２４２の上に直接形成される。このため、ゲート誘電体２４２は、ゲート電極２４０とフィン２０１Ｂとの間に配置される。任意の周知の堆積及びエッチングプロセスが、ゲート誘電体２４２及びゲート電極２４０を形成するのに使用され得る。図２Ｄに完成構造として示されるが、領域ＢのｆｉｎＦＥＴトランジスタは、領域Ａに広バンドギャップトランジスタを形成する前、形成する間、又は形成した後のプロセスによって形成され得る。複数のｆｉｎＦＥＴトランジスタを形成するための任意の周知の複数のプロセスが、領域ＢにｆｉｎＦＥＴトランジスタを形成するのに使用され得る。
【００２７】
次に、図２Ｅにおいて、気相エピタキシャル成長（ＶＰＥ）、分子線エピタキシャル成長（ＭＢＥ）、又は化学気相成長（ＣＶＤ）などの任意の好適なエピタキシャル成長プロセスによって、半導体基板２０２の上面２０３から、半導体材料２１６がエピタキシャルに成長させられる。一実施形態において、半導体材料２１６は、広バンドギャップ材料（例えば、２．０ｅＶより大きいバンドギャップを持つ任意の材料）、ＩＩＩ−Ｖ族材料、又は非固有基板上にエピタキシャル成長する間にその結晶構造中に転位欠陥及び積層欠陥に悩まされる任意の材料から構成される。１つの実施形態において、半導体材料２１６はＧａＮである。１つの特定の実施形態において、半導体材料２１６はＧａＮであり、非固有基板２０２はシリコンである。
【００２８】
最初に半導体材料２１６は、トレンチ２０７の限られた境界内にエピタキシャルに成長し、トレンチ材料２１５を形成する。従って、半導体材料２１６は横方向に成長することはできない。このため、半導体材料２１６は、トレンチ２０７内で実質的に鉛直に（すなわち、＜０００１＞方向に）成長する。エピタキシャル成長中に、複数の貫通転位欠陥２１７が半導体材料２１６中に形成され得る。これらの欠陥は、半導体材料２１６と非固有基板２０２との間の格子不整合によって引き起こされる。非固有基板は、非固有基板からエピタキシャルに成長させられた半導体材料と、不整合格子構造及び／又は不整合格子定数を有する任意の基板である。複数の貫通転位欠陥２１７は、半導体基板２０２の上面２０３から生じ、半導体材料２１６の中を通って、主に鉛直方向に増殖する。水平方向及び斜め方向に増殖する複数の貫通転位欠陥は、トレンチ２０７の側壁２０９で終端させられる。このため、水平方向及び斜め方向に増殖する貫通転位欠陥が、半導体基板２０２の上面２０５の上方に継続して増殖することは非常に少ない。むしろ、鉛直に増殖する欠陥だけが、上面２０５の上方に継続して増殖する。複数の実施形態において、トレンチ材料２１５の欠陥密度は１Ｅ９ｃｍ−２より高い。
【００２９】
基板２０２の上面２０３の変形Ｖ溝形状は、半導体材料２１６のエピタキシャル成長を促進する。平坦な＜１００＞表面形状と比較すると、Ｖ溝形状は、エピタキシャル成長中に、ＧａＮウルツ鉱型結晶とより良好な結晶整合を可能とする向きに、上面２０３において、シリコン立方晶系結晶を配置する。より良好な結晶整合は、２つの結晶構造の間の格子不整合による複数の悪影響を有利に低減させる。１つの実施形態において、Ｖ溝形状は格子不整合を、平坦な＜１００＞表面形状に成長させた場合に見られる４１％から１７％に減少させる。
【００３０】
半導体材料２１６がＳＴＩ層２０４の上面２０５の上方に成長する場合、半導体材料２１６は横方向に（すなわち、＜１００＞方向に）上面２０５の上に、横方向エピタキシャル過成長（ＬＥＯ）によって成長する。横方向に成長した半導体材料２０６は、貫通転位欠陥２１７が非常に少なくなり得る。その理由は、水平方向及び斜め方向に増殖する欠陥２１７の大部分は、トレンチ２０７の側壁２０９ですでに終端しているからである。このため、ＳＴＩ層２０４の上面２０５の上に配置され横方向に成長した半導体材料２０６は、欠陥が著しく少ない（「欠陥のない」）実質的に高品質な材料である。１つの実施形態において、欠陥のない横方向に成長した半導体材料２０６の欠陥密度は、１Ｅ９ｃｍ−２より低い。代替的な一実施形態において、欠陥のない横方向に成長した半導体材料２０６の欠陥密度は、２Ｅ７ｃｍ−２より低い。
【００３１】
横方向に成長した半導体材料２０６は、そのＬＥＯの一時点において、上面２０５の上に距離２１８だけ延在する。横方向に成長した半導体材料２０６がＬＥＯを継続するにつれて、隣接する半導体材料の複数の側面２１９が一体化して半導体材料２１６及び２０６のブランケット層を形成するまで、複数の側面２１９は＜１００＞方向に拡大し、隣接する横方向に成長した半導体材料２０６に向かって延在する。
【００３２】
図２Ｆを参照すると、隣接する半導体材料の２つ側面２１９が一体化する地点に、シーム２２４が形成される。隣接する横方向にオーバーフローする材料からシーム２２４に加わる圧力は、シーム２２４の周りの部分２２２に形成された複数の欠陥をもたらす。このため、半導体材料２１６及び２０６のブランケット層は、欠陥部分２２１及び２２２と欠陥のない部分２２０とを含む。いくつかの実施形態において、欠陥部分２２１及び２２２の半導体材料２１６の欠陥密度は、１Ｅ９ｃｍ−２より高いが、欠陥のない部分２２０の欠陥のない半導体材料２０６の欠陥密度は、１Ｅ９ｃｍ−２より低い。従って、欠陥のない半導体２０６は、トレンチ材料２１５より著しく低い欠陥密度を有する。半導体材料２１６及び２０６のブランケット層を形成した後に、半導体材料２１６及び２０６のブランケット層は続いて平坦化される。必要に応じて、ＣＭＰなどの任意の好適な平坦化プロセスが、半導体材料２１６及び２０６のブランケット層を平坦化すべく実行され得る。
【００３３】
図２Ｇに示されるように、半導体材料２１６及び２０６のブランケット層の上に直接、絶縁層２２８が形成される。絶縁層２２８は、二酸化ケイ素などの任意の好適な誘電体から構成され得る。任意の周知の堆積技術が、絶縁層２２８を形成するのに使用され得る。絶縁層２２８は、半導体材料２１６及び２０６のブランケット層の上面を、続くプロセス条件にさらすことから分離する。
【００３４】
次に、図２Ｈに図示されるように、部分２２１及び２２２内の半導体材料２１６及び２０６のブランケット層の欠陥部分がエッチングされて、チャネル構造２０６と、トレンチ材料２１５を含むトレンチ２０７とを形成する。結果として、ＳＴＩ層２０４の上面２０５、チャネル構造２０６の複数の側面２１１、及びトレンチ材料２１５の上面２２３が露出される。トレンチ材料２１５の上面２２３、及びチャネル構造２０６の複数の側面２１１は、続く半導体材料のエピタキシャル成長のための核形成表面を提供し得る。いくつかの実施形態において、トレンチ材料２１５の上面２２３は、図２Ｈに図示されるように、ＳＴＩ層２０４の上面２０５と実質的に同一平面上にある。しかしながら、複数の代替的実施形態において、トレンチ材料２１５の上面２２３は、ＳＴＩ層２０４の上面２０５と実質的に同一平面上にない。このため、トレンチ材料２１５の上面２２３は、ＳＴＩ層２０４の上面２０５より低くも、高くもなり得る。一実施形態において、トレンチ材料２１５の上面２２３がＳＴＩ層２０４の上面２０５より高い場合に、トレンチ材料２１５はチャネル構造２０６に直接隣接する。代替的な一実施形態において、トレンチ材料２１５の上面２２３がＳＴＩ層２０４の上面２０５より低い場合、トレンチ２０７は、トレンチ材料２１５とは異なる半導体材料を含む。例えば、ＧａＮから構成されたトレンチ材料２１５は、トレンチ２０７からエッチングされ、その後、ＩｎＧａＮで充填され得る。いかなる場合でも、トレンチ２０７内の半導体材料は、半導体材料のエピタキシャル成長のための核形成表面を提供する。任意の好適なマスキング及びエッチングプロセスが、ブランケット層２１６の複数の欠陥部分を除去するのに使用され得る。１つの実施形態において、Ｃｌ２プラズマを使用するドライエッチングプロセスが、ブランケット層２１６及び２０６の欠陥部分を除去するのに使用される。
【００３５】
その後、図２Ｉに示されるように、ソース２０８及びドレイン２１０のための半導体材料が、ブランケット層２１６及び２０６に形成された複数の開口部内にエピタキシャルに成長させられる。このため、ソース２０８及びドレイン２１０は、チャネル構造２０６に対して自己整合され得る。露出された、トレンチ材料２１５の上面２２３及びチャネル構造２０６の複数の側面２１１は、ソース２０８及びドレイン２１０がエピタキシャルに成長し得る核形成表面として機能を果たす。さらに、絶縁層２２８は、半導体材料のエピタキシャル成長が、チャネル構造２０６の上部に生じないようにする。このため、ソース２０８及びドレイン２１０は、チャネル構造２０６の両側に形成する。ドレイン２１０は、ＳＴＩ層２０４の上面２０５の上に直接配置され得て、ソース２０８は、ソース・イン・トレンチ構造を形成すべく、トレンチ材料２１５の上面２２３の上に直接形成され得る。トレンチ材料２１５の上のソース２０８の核形成は、トレンチ材料２１５を介して、ソース２０８を基板２０２と熱的に連結し得る。ソース２０８と基板２０２との間の直接の熱伝達は、直接のヒートシンクを基板２０２に提供し、トランジスタ動作中の熱の散逸を有利に向上させる。いくつかの実施形態において、ソース２０８はトレンチ材料２１５の上に形成するが、複数の代替的実施形態は、ソース２０８及びドレイン２１０の位置を逆にし得る。
【００３６】
ソース２０８及びドレイン２１０は、チャネル構造２０６とは異なる半導体材料から構成され得る。これらの半導体材料は異なり得るが、ソース２０８及びドレイン２１０の格子構造は、エピタキシャル成長が可能であるように、チャネル構造２０６と類似し得る。一実施形態において、第１コンタクト（不図示）との接触抵抗を最小化すべく、ソース２０８及びドレイン２１０は、全体の有効バンドギャップがチャネル構造２０６より狭い半導体材料から構成され得る。本発明の一実施形態において、チャネル構造２０６はＧａＮから構成され、ソース２０８及びドレイン２１０は、ＩｎＧａＮなどのＧａＮ合金から構成される。ソース２０８及びドレイン２１０は、ＶＰＥ、ＭＢＥ、及びＣＶＤなどの任意の周知のエピタキシャル成長技術によって形成され得る。
【００３７】
一実施形態によると、ソース２０８及びドレイン２１０を形成するのに使用される、より狭いバンドギャップの半導体材料は、より導電性の高い元素の量を増大させることによって取得される。例えば、一実施形態において、ソース２０８及びイドレイン２１０のためのＩｎＧａＮ合金を形成すべく、ＩｎＮがＧａＮと合金化される。ＩｎＮは０．９ｅＶのバンドギャップを有するので、ＩｎＧａＮ合金中のＩｎの量を増大させるにつれて、ＩｎＧａＮの全体の有効バンドギャップは減少する。特定の一実施形態において、Ｉｎの濃度は、ＩｎＧａＮの全体の有効バンドギャップが１．５ｅＶから３．２ｅＶに及ぶようになっている。さらに、ＩｎＧａＮの結晶構造は、ＧａＮに類似している。このため、ＩｎＧａＮ合金は、ＧａＮを含むチャネル構造２０６の複数の側面２１１からエピタキシャルに成長するとともに、第１コンタクト（不図示）との接触抵抗を最小化するために狭いバンドギャップを維持し得る。また、ソース２０８及びドレイン２１０は、これらの全体の有効バンドギャップをさらに低減させるべく、高濃度にドープされたＮ＋半導体材料から構成され得る。高濃度にドープされたＮ＋半導体材料を形成すべく、シリコンなどの任意の好適なＮ＋ドーパントが、ソース２０８及びドレイン２１０のエピタキシャル成長中に導入され得る。５Ｅ１９ｃｍ−３をはるかに超える濃度にシリコンのドーパントを増大させると、ソース２０８及びドレイン２１０を形成するプロセスは、エピタキシャル成長というよりはブランケット堆積により近くなることが理解されるべきである。このため、当業者は、Ｎ＋ドーパント濃度を最大化するとともに、ソース２０８及びドレイン２１０のエピタキシャル成長を維持すべく、ドーパント濃度を調整し得る。１つの実施形態において、高濃度にドープされたＮ＋半導体材料のドーピング濃度は、５Ｅ１９ｃｍ−３もの高濃度になる。代替的な一実施形態において、高濃度にドープされたＮ＋半導体材料のドーピング濃度は、４０Ω／□から５０Ω／□のシート抵抗を持つ半導体材料をもたらす。
【００３８】
チャネル構造２０６と異なり、ソース２０８及びドレイン２１０は、単に電流フローのノードとして働くに過ぎない。このため、ソース２０８及びドレイン２１０は、チャネル構造２０６と同じ程度の低欠陥密度を必要としなくてもよい。複数の実施形態において、ソース２０８及びドレイン２１０は、１Ｅ９ｃｍ−２より高い欠陥密度を有する。
【００３９】
次に、図２Ｊに示されるように、ゲート誘電体２１３及びゲート電極２１２を含むゲートスタックが、チャネル構造２０６の上に形成される。二酸化ケイ素などの任意の好適な材料が、ゲート誘電体２１３を形成するのに使用され得る。一実施形態において、絶縁層２２８が、ゲート誘電体２１３として使用される。複数の代替的実施形態において、誘電体層２２８は除去されて、ゲート誘電体２１３が形成される。ゲート電極２１２は、ポリシリコンなどの任意の好適な材料から構成される。ゲート電極２１２及びゲート誘電体２１３は、当分野において周知の任意の堆積及びエッチング技術によって形成され得る。
【００４０】
その後、図２Ｋにおいて、複数のゲートスペーサ２１４が、ゲートスタック２１２及び２１３の両側に形成され得る。複数のゲートスペーサ２１４は、二酸化ケイ素、窒化ケイ素、又は炭化ケイ素などの任意の好適なスペーサ材料から構成され得る。さらに、任意の好適なスペーサエッチングプロセスが、ゲートスペーサ２１４を形成するのに使用され得る。
【００４１】
図３は、本発明の１つの実施例を用いて実装されたコンピューティングシステム３００を示す。コンピューティングデバイス３００は、ボード３０２を収容する。ボード３０２は、限定されないが、プロセッサ３０４及び少なくとも１つの通信チップ３０６を含む、複数の構成要素を含んでよい。プロセッサ３０４は、ボード３０２に物理的且つ電気的に連結される。いくつかの実施例において、少なくとも１つの通信チップ３０６も、ボード３０２に物理的且つ電気的に連結される。さらなる複数の実施例において、通信チップ３０６はプロセッサ３０４の一部である。
【００４２】
その複数の用途に応じて、コンピューティングデバイス３００は、ボード３０２に物理的且つ電気的に連結されても、されなくてもよい他の複数の構成要素を含んでよい。これらの他の構成要素は、限定されないが、揮発性メモリ（例えば、ＤＲＡＭ）、不揮発性メモリ（例えば、ＲＯＭ）、フラッシュメモリ、グラフィックプロセッサ、デジタル信号プロセッサ、暗号プロセッサ、チップセット、アンテナ、ディスプレイ、タッチスクリーンディスプレイ、タッチスクリーンコントローラ、バッテリ、オーディオコーデック、ビデオコーデック、電力増幅器、全地球測位システム（ＧＰＳ）デバイス、コンパス、加速度計、ジャイロスコープ、スピーカ、カメラ、及び大容量記憶デバイス（ハードディスクドライブ、コンパクトディスク（ＣＤ）、デジタル多目的ディスク（ＤＶＤ）等）を含む。
【００４３】
通信チップ３０６は、コンピューティングデバイス３００との間でデータを伝送するための無線通信を可能にする。「無線」という用語及びその複数の派生語は、非固体媒体を介し、変調電磁放射線を使用することによって、データ通信を行い得る複数の回路、複数のデバイス、複数のシステム、複数の方法、複数の技術、複数の通信、複数のチャネルなどを説明するのに使用されてもよい。この用語は、複数の関連デバイスは何ら有線を含ないことを暗示してはいないが、いくつかの実施形態においては、含まないかもしれない。通信チップ３０６は、限定されないが、Ｗｉ−Ｆｉ（ＩＥＥＥ８０２．１１ファミリー）、ＷｉＭＡＸ（ＩＥＥＥ８０２．１６ファミリー）、ＩＥＥＥ８０２．２０、ロングタームエボリューション（ＬＴＥ）、Ｅｖ−ＤＯ、ＨＳＰＡ＋、ＨＳＤＰＡ＋、ＨＳＵＰＡ＋、ＥＤＧＥ、ＧＳＭ（登録商標）、ＧＰＲＳ、ＣＤＭＡ、ＴＤＭＡ、ＤＥＣＴ、Ｂｌｕｅｔｏｏｔｈ（登録商標）、それらの派生物、並びに、３Ｇ、４Ｇ、５Ｇ及び以降に指定された任意の他の無線プロトコルを含む、複数の無線規格又は無線プロトコルのいずれかを実装してよい。コンピューティングデバイス３００は、複数の通信チップ３０６を含んでよい。例えば、第１通信チップ３０６は、Ｗｉ−Ｆｉ（登録商標）及びＢｌｕｅｔｏｏｔｈ（登録商標）などの複数の近距離無線通信に専用化されてよく、第２通信チップ３０６は、ＧＰＳ、ＥＤＧＥ、ＧＰＲＳ、ＣＤＭＡ、ＷｉＭＡＸ（登録商標）、ＬＴＥ、Ｅｖ−ＤＯ及びその他などの複数の長距離無線通信に専用化されてもよい。
【００４４】
コンピューティングデバイス３００のプロセッサ３０４は、プロセッサ３０４内にパッケージ化された集積回路ダイを含む。本発明のいくつかの実施例において、プロセッサの集積回路ダイは、本発明の複数の実施例に従って形成される、非固有半導体基板上に形成された複数の広バンドギャップトランジスタなどの１又は複数のデバイスを含む。「プロセッサ」という用語は、複数のレジスタ及び／又はメモリからの電子データを処理して、その電子データを複数のレジスタ及び／又はメモリに格納され得る他の電子データに変換する、任意のデバイス又はデバイスの一部を指してもよい。
【００４５】
通信チップ３０６は、通信チップ３０６内にパッケージ化された集積回路ダイも含む。本発明の別の実施例に従うと、通信チップの集積回路ダイは、複数のフード層を伴った複数のエアギャップ相互接続など、本発明の複数の実施例に従って形成される１又は複数のデバイスを含む。
【００４６】
さらなる複数の実施例において、コンピューティングデバイス３００内に収納された別の構成要素は、複数のフード層を伴った複数のエアギャップ相互接続など、本発明の複数の実施例に従って形成される１又は複数のデバイスを含む集積回路ダイを含んでよい。
【００４７】
様々な実施例において、コンピューティングデバイス３００は、ラップトップ、ネットブック、ノートブック、ウルトラブック、スマートフォン、タブレット、携帯情報端末（ＰＤＡ）、ウルトラモバイルＰＣ、携帯電話、デスクトップコンピュータ、サーバ、プリンタ、スキャナ、モニタ、セットトップボックス、エンターテイメントコントロールユニット、デジタルカメラ、携帯音楽プレイヤ、又はデジタルビデオレコーダであってよい。さらなる複数の実施例において、コンピューティングデバイス３００は、データを処理する任意の他の電子デバイスであってよい。
【００４８】
一実施形態において、半導体トランジスタ構造は、半導体基板と、シリコン基板の上に形成された絶縁層と、絶縁層を貫いてシリコン基板内に延在するトレンチであって、第１のＩＩＩ−Ｖ族半導体材料を含むトレンチ材料を含むトレンチと、絶縁層の上に直接、トレンチと隣接して形成されたチャネル構造であって、トレンチ材料の欠陥密度より低い欠陥密度を有する第２のＩＩＩ−Ｖ族半導体材料を含むチャネル材料で形成される、チャネル構造と、チャネル構造の両側に形成されたソース及びドレインであって、ソースはトレンチ材料の上に形成される、ソース及びドレインと、チャネル構造の上方に形成されたゲート電極と、を備える。別の実施形態において、トレンチ材料及びチャネル材料は、窒化ガリウムを含む。さらに別の実施形態において、チャネル材料は、１Ｅ９ｃｍ−２より低い欠陥密度を有する。代替的な一実施形態において、トレンチ材料は、１Ｅ９ｃｍ−２より高い欠陥密度を有する。別の実施形態において、ソースはトレンチ材料の上に形成され、ドレインは絶縁層の上に形成される。さらに別の実施形態において、ソースは、トレンチ材料と熱的に連結される。代替的な一実施形態において、ソースは、シリコン基板と熱的に連結される。１つの実施形態において、ソース及びドレインは、窒化インジウムガリウムを含む。１つの他の実施形態において、窒化インジウムガリウムは、５Ｅ１９ｃｍ−３より高いＮ＋ドーピング濃度を有する。さらに別の実施形態において、半導体基板はシリコンを含み、トレンチ材料及びチャネル構造はＧａＮを含み、ソース及びドレインはＩｎＧａＮを含む。
【００４９】
１つの実施形態において、半導体トランジスタ構造を形成する方法は、半導体基板上にパターニングされた絶縁層を形成する段階であって、パターニングされた絶縁層は半導体基板の被覆されていない部分を露出させる、形成する段階と、半導体基板の被覆されていない部分において、半導体基板にトレンチを形成する段階と、半導体材料がパターニングされた絶縁層上に横方向にオーバーフローして、ブランケット層を形成するように、トレンチ内に半導体材料を成長させる段階であって、半導体材料はＩＩＩ−Ｖ族半導体材料を含む、成長させる段階と、チャネル構造及びトレンチ材料が残るように、ブランケット層の一部分をエッチング除去する段階であって、チャネル構造は、トレンチ材料より低欠陥密度を有する、エッチング除去する段階と、チャネル構造の両側にソース及びドレインを形成する段階と、チャネル構造の上にゲート電極を形成する段階と、を備える。代替的な一実施形態において、隣接した横方向にオーバーフローする材料と一体化させられた材料によって、ブランケット層が形成される。別の実施形態において、半導体基板にトレンチを形成する段階は、半導体基板の被覆されていない部分の選択エッチングである。さらに別の実施形態では、ＩＩＩ−Ｖ族半導体材料を含む材料は、窒化ガリウムである。１つの実施形態において、ブランケット層の一部は、チャネル構造の欠陥密度より高い欠陥密度を有する欠陥部分である。１つの他の実施形態において、欠陥部分は、１Ｅ９ｃｍ−２より高い欠陥密度を含む。代替的な一実施形態において、チャネル構造の欠陥密度は、１Ｅ９ｃｍ−２より低い。別の実施形態において、トレンチ材料は、１Ｅ９ｃｍ−２より高い欠陥密度を有する。さらに別の実施形態において、ソース及びドレインは、エピタキシャル成長によって形成される。１つの実施形態において、エピタキシャル成長は、窒化インジウムガリウム構造を形成する。１つの他の実施形態において、窒化インジウムガリウム構造は、５Ｅ１９ｃｍ−３より高いＮ＋ドーピング濃度で形成される。
【００５０】
一実施形態において、システムオンチップは、半導体基板と、半導体基板上に形成された金属酸化物半導体トランジスタと、半導体基板上に金属酸化物半導体トランジスタと隣接して形成された広バンドギャップ半導体トランジスタと、を備え、広バンドギャップ半導体トランジスタは、半導体基板の上に形成された絶縁層と、絶縁層を貫いて形成され、半導体基板内に延在するトレンチであって、ＩＩＩ−Ｖ族半導体材料を含むトレンチ材料で充填される、トレンチと、絶縁層の上に直接、トレンチと隣接して形成されたチャネル構造であって、トレンチ材料の欠陥密度より低い欠陥密度を有するＩＩＩ−Ｖ族半導体材料を含むチャネル材料で形成される、チャネル構造と、チャネル構造の両側に形成されたソース及びドレインと、チャネル構造の上に形成されたゲート電極と、を有する。代替的な一実施形態において、トレンチ材料及びチャネル材料は、窒化ガリウムを含む。別の実施形態において、チャネル材料は、１Ｅ９ｃｍ−２より低い欠陥密度を有する。さらに別の実施形態において、トレンチ材料は、１Ｅ９ｃｍ−２より高い欠陥密度を有する。１つの実施形態において、ソースはトレンチ材料の上に形成され、ドレインは絶縁層の上に形成される。１つの他の実施形態において、ソースは、トレンチ材料と熱的に連結される。異なる一実施形態において、ソースは、半導体基板と熱的に連結される。別の実施形態において、ソース及びドレインは窒化インジウムガリウムを含む。さらに別の実施形態において、窒化インジウムガリウムは、５Ｅ１９ｃｍ−３より高いＮ＋ドーピング濃度を有する。
【００５１】
本発明の様々な態様を利用する際に、上記の複数の実施形態の複数の組み合わせ又は複数の変形が、非固有半導体基板上に広バンドギャップトランジスタを形成するために可能であることが、当業者には明らかになるであろう。本発明の複数の実施形態は、複数の構造的特徴及び／又は複数の方法論的作用に特有の言語で説明されたが、添付された特許請求の範囲で定められた本発明は、説明された複数の具体的な特徴又は作用に必ずしも限定されないことが理解されるべきである。むしろ、開示された複数の具体的な特徴及び作用は、本発明の複数の実施形態を例示するのに有用な、特許請求された発明の特に適切な複数の実施例と理解されるべきである。
（項目１）
半導体基板と、
前記半導体基板の上に形成された絶縁層と、
前記絶縁層を貫いて前記半導体基板内に延在するトレンチであって、前記トレンチは第１のＩＩＩ−Ｖ族半導体材料を含むトレンチ材料を含むトレンチと、
前記絶縁層の上に直接、前記トレンチと隣接して形成されたチャネル構造であって、前記チャネル構造は、前記トレンチ材料の欠陥密度より低い欠陥密度を有する第２のＩＩＩ−Ｖ族半導体材料を含むチャネル材料で形成される、チャネル構造と、
前記チャネル構造の両側に形成されたソース及びドレインであって、前記ソースは、前記トレンチ材料の上に形成される、ソース及びドレインと、
前記チャネル構造の上方に形成されたゲート電極と、
を備える、
半導体トランジスタ構造。
（項目２）
前記トレンチ材料及び前記チャネル材料は、窒化ガリウムを含む、
請求項１に記載の半導体トランジスタ構造。
（項目３）
前記チャネル材料は、１Ｅ９ｃｍ−２より低い欠陥密度を有する、
請求項１又２に記載の半導体トランジスタ構造。
（項目４）
前記トレンチ材料は、１Ｅ９ｃｍ−２より高い欠陥密度を有する、
請求項１から３の何れか一項に記載の半導体トランジスタ構造。
（項目５）
前記ソースは、前記トレンチ材料の上に形成され、前記ドレインは、前記絶縁層の上に形成される、
請求項１から４の何れか一項に記載の半導体トランジスタ構造。
（項目６）
前記ソースは、前記半導体基板と熱的に連結される、
請求項５に記載の半導体トランジスタ構造。
（項目７）
前記ソース及び前記ドレインは、窒化インジウムガリウムを含む、
請求項１から６の何れか一項に記載の半導体トランジスタ構造。
（項目８）
前記窒化インジウムガリウムは、５Ｅ１９ｃｍ−３より高いＮ＋ドーピング濃度を有する、
請求項７に記載の半導体トランジスタ構造。
（項目９）
前記半導体基板はシリコンを含み、前記トレンチ材料及び前記チャネル構造はＧａＮを含み、前記ソース及び前記ドレインはＩｎＧａＮを含む、
請求項１から８の何れか一項に記載の半導体トランジスタ構造。
（項目１０）
半導体基板上にパターニングされた絶縁層を形成する段階であって、パターニングされた前記絶縁層は、前記半導体基板の被覆されていない部分を露出させる、形成する段階と、
前記半導体基板の被覆されていない前記部分において、前記半導体基板にトレンチを形成する段階と、
半導体材料がパターニングされた前記絶縁層上に横方向にオーバーフローして、ブランケット層を形成するように、前記トレンチ内に前記半導体材料を成長させる段階であって、前記半導体材料はＩＩＩ−Ｖ族半導体材料を含む、成長させる段階と、
チャネル構造及びトレンチ材料が残るように、前記ブランケット層の一部分をエッチング除去する段階であって、前記チャネル構造は、前記トレンチ材料より低欠陥密度を有する、エッチング除去する段階と、
前記チャネル構造の両側にソース及びドレインを形成する段階と、
前記チャネル構造の上にゲート電極を形成する段階と、
を備える、
半導体トランジスタ構造形成方法。
（項目１１）
前記ブランケット層は、隣接する横方向にオーバーフローする材料と一体化する前記半導体材料によって形成される、
請求項１０に記載の半導体トランジスタ構造形成方法。
（項目１２）
前記半導体基板にトレンチを形成する前記段階は、前記半導体基板の被覆されていない前記部分の選択エッチングである、
請求項１０又は１１に記載の半導体トランジスタ構造形成方法。
（項目１３）
ＩＩＩ−Ｖ族半導体材料を含む前記半導体材料は、窒化ガリウムである、
請求項１０から１２の何れか一項に記載の半導体トランジスタ構造形成方法。
（項目１４）
前記ブランケット層の前記一部分は、前記チャネル構造の欠陥密度より高い欠陥密度を有する欠陥部分である、
請求項１０から１３の何れか一項に記載の半導体トランジスタ構造形成方法。
（項目１５）
前記欠陥部分は、１Ｅ９ｃｍ−２より高い欠陥密度を含む、
請求項１４に記載の半導体トランジスタ構造形成方法。
（項目１６）
前記チャネル構造の前記欠陥密度は、１Ｅ９ｃｍ−２より低い、
請求項１４に記載の半導体トランジスタ構造形成方法。
（項目１７）
前記ソース及び前記ドレインは、エピタキシャル成長によって形成される、
請求項１０から１６の何れか一項に記載の半導体トランジスタ構造形成方法。
（項目１８）
前記エピタキシャル成長は、窒化インジウムガリウム構造を形成する、
請求項１７に記載の半導体トランジスタ構造形成方法。
（項目１９）
半導体基板と、
前記半導体基板上に形成された金属酸化物半導体トランジスタと、
前記半導体基板上に前記金属酸化物半導体トランジスタと隣接して形成された広バンドギャップ半導体トランジスタと、
を備え、
前記広バンドギャップ半導体トランジスタは、
前記半導体基板の上に形成された絶縁層と、
前記絶縁層を貫いて形成され、前記半導体基板内に延在するトレンチであって、前記トレンチは、ＩＩＩ−Ｖ族半導体材料を含むトレンチ材料で充填される、トレンチと、
前記絶縁層の上に直接、前記トレンチと隣接して形成されたチャネル構造であって、前記チャネル構造は、前記トレンチ材料の欠陥密度より低い欠陥密度を有するＩＩＩ−Ｖ族半導体材料を含むチャネル材料で形成される、チャネル構造と、
前記チャネル構造の両側に形成されたソース及びドレインと、
前記チャネル構造の上に形成されたゲート電極と、
を有する、
システムオンチップ。
（項目２０）
前記トレンチ材料及び前記チャネル材料は、窒化ガリウムを含む、
請求項１９に記載のシステムオンチップ。
（項目２１）
前記チャネル材料は、１Ｅ９ｃｍ−２より低い欠陥密度を有する、
請求項１９又は２０に記載のシステムオンチップ。
（項目２２）
前記トレンチ材料は、１Ｅ９ｃｍ−２より高い欠陥密度を有する、
請求項１９から２１の何れか一項に記載のシステムオンチップ。
（項目２３）
前記ソースは、前記トレンチ材料の上に形成され、前記ドレインは、前記絶縁層の上に形成される、
請求項１９から２２の何れか一項に記載のシステムオンチップ。
（項目２４）
前記ソースは、前記半導体基板と熱的に連結される、
請求項１９から２３の何れか一項に記載のシステムオンチップ。
（項目２５）
前記ソース及び前記ドレインは、窒化インジウムガリウムを含む、
請求項１９から２４の何れか一項に記載のシステムオンチップ。
【図１】
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【図２Ａ】
0006315852.tif 000003
【図２Ｂ】
0006315852.tif 000004
【図２Ｃ】
0006315852.tif 000005
【図２Ｄ】
0006315852.tif 000006
【図２Ｅ】
0006315852.tif 000007
【図２Ｆ】
0006315852.tif 000008
【図２Ｇ】
0006315852.tif 000009
【図２Ｈ】
0006315852.tif 000010
【図２Ｉ】
0006315852.tif 000011
【図２Ｊ】
0006315852.tif 000012
【図２Ｋ】
0006315852.tif 000013
【図３】
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