(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
光学コンポーネント（４０）であって、
１．１  少なくとも１つの微小光学電気機械システム（ＭＯＥＭＳ）（７３）であり、
１．１．１  表側及び
１．１．２  裏側
を有する少なくとも１つの微小光学電気機械システム（ＭＯＥＭＳ）（７３）と、
１．２  少なくとも１つのプリント回路基板（５６）と、
１．３  真空気密にシールされた空洞（６４）と
を備え、
１．４  前記少なくとも１つのプリント回路基板（５６）は、前記少なくとも１つのＭＯＥＭＳ（７３）の前記裏側に配置され、
１．５  前記少なくとも１つのプリント回路基板（５６）は、前記空洞（６４）の横方向境界を形成し、
１．６  前記空洞（６４）は、前記少なくとも１つのＭＯＥＭＳ（７３）によって片側の境界が定められ、
１．７  前記空洞（６４）は、カバー（６６）によって真空気密に境界が定められる光学コンポーネント。
【請求項２】
請求項１に記載の光学コンポーネント（４０）において、前記少なくとも１つのプリント回路基板（５６）は、多層実施形態を有することを特徴とする光学コンポーネント。
【請求項３】
請求項１又は２に記載の光学コンポーネント（４０）において、前記空洞（６４）は、前記ＭＯＥＭＳ（７３）の前記裏側に直接隣接することを特徴とする光学コンポーネント。
【請求項４】
請求項１に記載の光学コンポーネント（４０）において、電気部品及び／又は冷却素子が前記空洞（６４）内に配置されることを特徴とする光学コンポーネント。
【請求項５】
請求項１に記載の光学コンポーネント（４０）において、前記空洞（６４）は、充填材によって少なくとも部分的に充填されることを特徴とする光学コンポーネント。
【請求項６】
請求項１〜５のいずれか１項に記載の光学コンポーネント（４０）において、前記プリント回路基板（５６）は、横方向接点（６７）を有し、該横方向接点（６７）は、案内特性を有することを特徴とする光学コンポーネント。
【請求項７】
請求項６に記載の光学コンポーネント（４０）において、前記横方向接点（６７）は、ビア（垂直相互接続アクセス）として具現されることを特徴とする光学コンポーネント。
【請求項８】
請求項６に記載の光学コンポーネント（４０）において、前記横方向接点（６７）は、自動調心実施形態を有することを特徴とする光学コンポーネント。
【請求項９】
請求項６〜８のいずれか１項に記載の光学コンポーネント（４０）において、ばね付勢要素が、前記横方向接点（６７）の電気的接触のために設けられることを特徴とする光学コンポーネント。
【請求項１０】
請求項１〜９のいずれか１項に記載の光学コンポーネント（４０）において、前記少なくとも１つのプリント回路基板（５６）は、ワイヤボンド接点（６３）及び／又はフリップチップ接点（７２）及び／又は他のボンド接点によって前記少なくとも１つのＭＯＥＭＳ（７３）に電気的に接続されることを特徴とする光学コンポーネント。
【請求項１１】
投影露光装置（１）の照明光学ユニット（４）のファセットミラー（１３、１４）であって、請求項１〜１０のいずれか１項に記載の少なくとも１つの光学コンポーネント（４０）を備えたファセットミラー。
【請求項１２】
投影露光装置（１）の照明光学ユニット（４）であって、請求項１〜１０のいずれか１項に記載の少なくとも１つの光学コンポーネント（４０）を備えた照明光学ユニット。
【請求項１３】
投影露光装置（１）の照明系（２）であって、
１３．１  請求項１２に記載の照明光学ユニット（４）と、
１３．２  放射源（３）と
を備えた照明系。
【請求項１４】
マイクロリソグラフィ用の投影露光装置（１）であって、
１４．１  請求項１２に記載の照明光学ユニット（４）と、
１４．２  物体視野（５）を像視野（８）に投影する投影光学ユニット（７）と
を備えたマイクロリソグラフィ用の投影露光装置。
【請求項１５】
微細構造又はナノ構造コンポーネントを製造する方法であって、
感光材料からなる層を少なくとも部分的に施される基板を用意するステップと、
結像対象構造を有するレチクルを用意するステップと、
請求項１４に記載の投影露光装置（１）を用意するステップと、
前記投影露光装置（１）を用いて、前記レチクルの少なくとも一部を前記基板の前記感光層の領域に投影するステップと
を含む方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、光学コンポーネントに関する。本発明はさらに、かかる光学コンポーネントを備えたファセットミラー及び照明光学ユニットに関する。さらに、本発明は、投影露光装置の照明系及び投影露光装置に関する。最後に、本発明は、微細構造又はナノ構造コンポーネントを製造する方法及び当該方法に従って製造されたコンポーネントに関する。
【０００２】
独国特許出願第１０  ２０１３  ２１７  １４６．３号の内容を参照により本明細書に援用する。
【背景技術】
【０００３】
微小光学電気機械システム（ＭＯＥＭＳ）として具現されたマルチミラー構成を有する光学コンポーネントが、例えば特許文献1及び特許文献２から知られている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】独国特許第１０  ２０１１  ００６  １００号明細書
【特許文献２】ＰＣＴ特許出願第ＰＣＴ／ＥＰ２０１３／０５２９２４号明細書
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
本発明の目的は、かかる光学コンポーネントの改良からなる。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
この目的は、請求項１の特徴によって達成される。本発明の核心は、裏側にプリント回路基板を有する少なくとも１つのＭＯＥＭＳを備えた光学コンポーネントの提供からなる。光学コンポーネントは、外部に対して真空気密にシールされた空洞を備える。
【０００７】
プリント回路基板は、横方向接点を有することができる。しかしながら、プリント回路基板は、横方向接点を有するだけでなくてもよい。
【０００８】
本発明の一態様によれば、ＭＯＥＭＳは、プリント回路基板を越えて横方向に突出している。特に、これは、プリント回路基板がＭＯＥＭＳよりも小さな断面を有することによって達成される。特に、プリント回路基板は、光学コンポーネントの反射区域全体よりも小さな断面を有する。特に、プリント回路基板は、ＭＯＥＭＳの個々のミラーの最小包絡面（smallest envelope）以下、特にそれ未満である断面を有する。
【０００９】
プリント回路基板は、少なくとも１つのＭＯＥＭＳよりも大きな断面を有することもできる。特に、複数のＭＯＥＭＳをプリント回路基板上に配置することが可能である。
【００１０】
特に、プリント回路基板は、シャドウキャスティング（shadow casting：影付け）原理によってＭＯＥＭＳの裏側に配置される。これは、プリント回路基板が、ＭＯＥＭＳのフットプリントの平行変位、特に直交変位によって画定される領域内に完全に延びる体積内に完全に配置されることを意味すると理解されたい。プリント回路基板のこのような実施形態は、高密度実装、すなわち隣り合った複数の光学コンポーネントの実質的に隙間のない配置と同時に、コンポーネントの裏側のプリント回路基板間でのコンポーネントの電気的接触を可能にする。特に、光学コンポーネントは、多数の対応するコンポーネントが寄せ木張り、特に碁盤目状配列を形成するよう組み立て可能である、すなわち隣り合わせで配置可能であるように具現される。
【００１１】
横方向電気接点は、光学コンポーネントの固定の改良及び／又は組立ての単純化を可能にする。特に、横方向接点は、プリント回路基板の、したがって光学コンポーネントの電気的接触に役立つ。電気接点は、接触面に対する接点力を弾発作用によって発生させる任意の要素によって実現することができる。特に、これは、ばね付勢式接点ピン及び／又は接点ばねによって実現することができる。この場合、弾性要素は、光学コンポーネント及び反対側の両方で機械的に固定することができる。横方向接触の結果として、特に、光学コンポーネントの固定方向に逆らう力をもたらすプリント回路基板の裏側における裏側接触をなくすことが可能である。さらに、ＭＯＥＭＳの接触の電気的特性を改善することが可能である。
【００１２】
横方向接点は、熱伝導、特に光学コンポーネントからの放熱に用いることもできる。この場合、特に、１つ又は複数の、特に全部の接点がコンポーネントの電気的接触及び放熱の両方に役立つことが可能である。電気的接触に用いられる接点のサブセットと、放熱に用いられる接点のサブセットとがあることも可能である。これらのサブセットは、無交差とすることができる。これらは、共通の要素を有することもできる。
【００１３】
特に、ＭＯＥＭＳは、多数の個別ミラーを有するマルチミラーアレイ（ＭＭＡ）である。特に、個別ミラーは、マイクロミラー、すなわち１ｍｍ未満の辺長を有するマイクロミラーとして具現される。特に、これは、ＥＵＶ光学系のミラー、すなわちＥＵＶ放射線を反射する反射面を有するミラーに関し得る。ＭＯＥＭＳの詳細に関しては、いずれも本願の構成要素として完全に組み込まれることが意図される独国特許第１０  ２０１１  ００６  １００号明細書及びＰＣＴ特許出願第ＰＣＴ／ＥＰ  ２０１３／０５２９２４号明細書を参照されたい。
【００１４】
特に、プリント回路基板は、ＭＯＥＭＳに接続固定される。例として、プリント回路基板は、ＭＯＥＭＳに接着結合（adhesively bonded）、溶接、ボンディング（bonded）、又ははんだ付けすることができる。これにより、光学コンポーネントの機械的安定性が改善される。
【００１５】
特に、プリント回路基板は、ＭＯＥＭＳに特に真空気密に密閉（impermeably）接続される。特に、プリント回路基板は、光学コンポーネントのハウジングの一部を形成する。この場合、接点、特に横方向接点は、ハウジングの外側に配置される。したがって、これらは外側からアクセス可能である。原理上、ハウジングの内側の接点も可能である。
【００１６】
本発明の一態様によれば、プリント回路基板はセラミック製である。特に、これは低温焼成セラミック（ＯＴＣＣ）製であり得る。他の回路基板材料、例えばＦＲ４も可能である。
【００１７】
本発明のさらに別の実施態様によれば、プリント回路基板は多層実施形態を有する。特に、これは少なくとも２個、特に少なくとも４個、特に少なくとも８個、特に少なくとも１２個、特に少なくとも１６個、特に少なくとも２０個の別個の層を有する。多数の導体トラックを各層上に配置することができる。層毎の導体トラックの数は、特に少なくとも２個、特に少なくとも５個、特に少なくとも１０個、特に少なくとも２０個、特に少なくとも５０個、特に少なくとも１００個であり得る。
【００１８】
プリント回路基板は、厚さ、すなわちＭＯＥＭＳの裏側に対して垂直な方向の範囲が、少なくとも０．５ｍｍ、特に１ｍｍ、特に少なくとも１．５ｍｍ、特に少なくとも２ｍｍである。プリント回路基板の厚さは、３ｍｍ以下、特に５ｍｍ以下、特に１０ｍｍ以下であり得る。
【００１９】
本発明のさらに別の態様によれば、少なくとも１つのプリント回路基板は、空洞の横方向境界を形成する。特に、プリント回路基板は切欠部を有する。切欠部は、プリント回路基板によって横方向に、特に周方向に境界が定められる。空洞は、さらに他のコンポーネント、特にさらに他の電気コンポーネントの配置に役立つ。したがって、特に、これは空ではなく、特に完全に空ではない。
【００２０】
本発明のさらに別の態様によれば、空洞は、少なくとも１つのＭＯＥＭＳの裏側によって片側の境界が定められる。換言すれば、空洞は、ＭＯＥＭＳの裏側に直接隣接する。このように、空洞内に配置されたコンポーネントとＭＯＥＭＳとの間の電気的接触が単純化される。コンポーネントは、ワイヤボンディング接点及び／又はフリップチップ接点によってＭＯＥＭＳに電気的に接続することができる。原理上、任意のタイプのボンディングが可能である。
【００２１】
本発明のさらに別の態様によれば、空洞は、カバーによって片側の境界が定められる。特に、これはカバーによって真空気密にシールされる。例として、カバーはセラミック又は金属製であり得る。特に、これは磁気材料又は磁化可能材料製であり得るか、又は対応の要素を有し得る。この結果として、光学コンポーネントの配置及び／又は固定を単純化することができる。カバーは、特に、支持体、例えばベースプレート上に光学コンポーネントを配置するための、機械的固定要素を有することもできる。
【００２２】
本発明のさらに別の態様によれば、空洞は、カバーによって真空気密に境界が定められる。特に、空洞は、外部に対して真空気密にシールされる。特に、空洞は、ＭＯＭＥＳ、プリント回路基板、及びカバーによって外部に対して真空気密にシールされる。特に、空洞は、片側がＭＯＥＭＳによって、ＭＯＥＭＳとは反対側がカバーによって、周方向にＭＯＥＭＳとカバーとの間の領域にあるプリント回路基板によって、外部に対して真空気密にシールされる。空洞の真空気密実施形態の結果として、その中に配置可能な電気コンポーネントの選択肢が広がる。
【００２３】
本発明のさらに別の態様によれば、部品、特に電気部品及び／又は冷却素子が空洞内に配置される。特に、部品は、コンデンサ（キャパシタンス）、コイル（インダクタンス）、センサ、電圧コントローラ、エネルギー蓄積器（電池）、能動冷却素子、特にペルチェ素子、及び集積回路から選択され得る。集積回路は、ＡＳＩＣ（特定用途向け集積回路）、例えばＦＰＧＡ（フィールドプログラマブルゲートアレイ）等のプログラマブル回路、プログラマブルプロセッサ、又はこれらのタイプの組み合わせであり得る。
【００２４】
部品は、空洞内に特にしっかりと確実に配置される。特に空洞が真空気密シールされている場合、部品が特定の真空に適した実施形態を有する必要はない。この結果として、使用可能な部品の選択肢が広がる。
【００２５】
本発明のさらに別の態様によれば、空洞には充填材が少なくとも部分的にポッティングされる。これにより、部品の配置の、特に空洞内の接触の安定性が改善される。特に、空洞内に残る全空間をポッティングすることが可能である。さらに、充填材を用いて、導入されたコンポーネント又はＭＯＥＭＳから放熱することができる。
【００２６】
本発明のさらに別の態様によれば、横方向接点はビア（垂直相互接続アクセス）として具現される。特に、これらは開放されているものとして、特にハーフビア、すなわちその長手方向範囲にわたる方向に自由にアクセス可能なビアとして具現される。これが、単純な製造を可能にする。特に、横方向接点は案内特性を有する。特に、これらは自動調心実施形態を有する。偏心案内も可能である。案内特性は、接触を単純化する。横方向接点、特にハーフビアの接触目的で、特に、ばね付勢式の接点、特にばね接点が設けられる。これらの接点は、光学コンポーネントの横方向接点にはんだ付けすることができる。これらは、特にそのばね力の結果として純粋に機械的に横方向接点に接続することもできる。ばね接点は、特に接続プリント回路基板に配置される。特に、かかるばね接点を、プリント回路基板の対向する２辺それぞれ（sides of the printed circuit board opposite one another in each case）に配置するようにすることができる。特に、光学コンポーネントのプリント回路基板の矩形の、特に正方形の実施形態の場合、ばね接点をプリント回路基板の４辺のそれぞれに配置できることが有利である。好ましくは、少なくとも２つのばね接点が、プリント回路基板の４辺のそれぞれに配置される。この結果として、ばね接点を用いて確実に安定して光学コンポーネントを配置及び／又は固定することが可能である。ばね接点の「対称」配置の結果として、ＭＯＥＭＳの固定方向にわたるばね力を補償することが可能である。片側接触の目的で、プリント回路基板のうちばね接点の反対側に、ばね力を吸収する停止部を設けることができる。片側接触の結果として、ＭＯＥＭＳの保持力が低下し、続いてこれは、ＭＯＥＭＳの熱流束及び場合によっては位置に影響を及ぼす。
【００２７】
特に、横方向接点は凹面を有する。特に、この表面は、シリンダバレル形の実施形態を有し得る。特に、これは凹状の、特に円弧状（circular arc section-shaped）の断面を有し得る。
【００２８】
本発明のさらに別の態様によれば、プリント回路基板は、ワイヤボンド接点及び／又はフリップチップ接点によって少なくとも１つのＭＯＥＭＳに電気的に接続される。特に、電気接点は、ＭＯＥＭＳの裏側に配置される。ワイヤボンド接点の場合、これらは特に、ＭＯＥＭＳの裏側において空洞の領域に、特にプリント回路基板の開口又は切欠部の領域に配置される。フリップチップ接点の場合、これらは特に、プリント回路基板とＭＯＥＭＳとの間の領域に配置される。ワイヤボンド接点及びフリップチップ接点の組み合わせ、又はさらに他のボンディング法の使用も可能である。
【００２９】
本発明のさらに他の目的は、投影露光装置の照明光学ユニットのファセットミラー、投影露光装置の照明光学ユニット、投影露光装置の照明系、及び投影露光装置を改良することである。これらの目的は、対応のアセンブリ及び／又はシステムにおける、上述の特徴及び特性を有する光学コンポーネントの使用によって達成される。その利点は、光学コンポーネントに関して記載したものから明らかである。
【００３０】
本発明のさらに他の目的は、微細構造又はナノ構造コンポーネントを製造する方法を改良すること、及びこうして製造されたコンポーネントを改良することである。
【００３１】
これらの目的は、本発明による光学コンポーネントを備えた投影露光装置を用いることによって達成される。その利点は、光学コンポーネントと共にすでに説明したものに対応する。
【００３２】
本発明のさらなる詳細及び利点は、図面を参照した複数の例示的な実施形態の説明から明らかとなるであろう。
【図面の簡単な説明】
【００３３】
【図１】照明系及び投影光学ユニットを備えたマイクロリソグラフィ用の投影露光装置の子午断面の概略図を示す。
【図２】微小光学電気機械システム（ＭＯＥＭＳ）及びプリント回路基板を備えた光学コンポーネントの実施形態の概略断面を示す。
【図３】裏側からカバーを取り外した図２に示す光学コンポーネントの図を示す。
【図４】光学コンポーネントの代替的な実施形態の図２に従った図を示す。
【図５】光学コンポーネントの代替的な実施形態の図３に従った図を示す。
【図６】光学コンポーネントのさらに別の実施形態の図２に従った図を示す。
【発明を実施するための形態】
【００３４】
最初に、投影露光装置１の基本設計を図に基づいて以下で説明する。
【００３５】
図１は、マイクロリソグラフィ用の投影露光装置１を子午断面で概略的に示す。投影露光装置１の照明系２は、放射源３のほかに、物体平面６の物体視野５の露光のための照明光学ユニット４を有する。物体視野５は、例えばｘ／ｙアスペクト比を１３／１とした矩形又は弧状の形状にすることができる。この場合、物体視野５に配置された反射レチクル（図１には図示せず）が露光され、上記レチクルは、微細構造又はナノ構造半導体コンポーネントの製造のために投影露光装置１によって投影される構造を有する。投影光学ユニット７が、物体視野５を像平面９の像視野８に結像する役割を果たす。レチクル上の構造は、図示はしていないがウエハの感光層に結像され、当該層は、像平面９の像視野８の領域に配置される。
【００３６】
レチクルホルダ（図示せず）によって保持されたレチクルと、ウエハホルダ（図示せず）によって保持されたウエハとは、投影露光装置１の動作中にｙ方向に同期走査される。投影光学ユニット７の結像スケールに応じて、レチクルをウエハに対して逆方向に走査することも可能である。
【００３７】
投影露光装置１を用いて、レチクルの少なくとも一部分を、微細構造又はナノ構造コンポーネントの、特に半導体コンポーネントの、例えばマイクロチップのリソグラフィ製造のために、ウエハの感光層の領域に結像させる。スキャナ又はステッパとしての投影露光装置１の実施形態に応じて、レチクル及びウエハを、スキャナ動作で連続的に、又はステッパ動作で段階的に、ｙ方向に時間同期して移動させる。
【００３８】
放射源３は、５ｎｍ〜３０ｎｍの範囲の使用放射線を発するＥＵＶ放射源である。これは、プラズマ源、例えばＧＤＰＰ（ガス放電生成プラズマ）源又はＬＰＰ（レーザ生成プラズマ）源とすることができる。他のＥＵＶ放射源、例えばシンクロトロン又は自由電子レーザ（ＦＥＬ）に基づくものも可能である。
【００３９】
放射源３から出るＥＵＶ放射線１０は、コレクタ１１によって集束される。対応のコレクタが、例えば欧州特許第１  ２２５  ４８１号明細書から既知である。コレクタ１１の下流で、ＥＵＶ放射線１０は、中間焦点面１２を伝播した後に多数の視野ファセット１３ａを有する視野ファセットミラー１３に入射する。視野ファセットミラー１３は、物体平面６と光学的に共役である照明光学ユニット４の平面に配置される。
【００４０】
ＥＵＶ放射線１０は、使用放射線、照明光、又は結像光とも称する。
【００４１】
視野ファセットミラー１３の下流で、ＥＵＶ放射線１０は、多数の瞳ファセット１４ａを有する瞳ファセットミラー１４によって反射される。瞳ファセットミラー１４は、照明光学ユニット７の入射瞳平面又はこれに対して光学的に共役な平面にある。視野ファセットミラー１３及び瞳ファセットミラー１４は、多数の個別ミラーから構成される。この場合、個別ミラーへの視野ファセットミラー１３の細分は、単独で物体視野５の全体を照明する視野ファセット１３ａのそれぞれが、個別ミラー１つずつによって表されるようなものであり得る。代替的に、複数のかかる個別ミラーを用いて視野ファセット１３ａの少なくとも一部又は全部を構成することが可能である。視野ファセット１３ａにそれぞれ割り当てられ、且ついずれの場合も単一の個別ミラー又は複数のこのような個別ミラーによって形成され得る瞳ファセットミラー１４の瞳ファセット１４ａの構成にも、同じことが対応して当てはまる。
【００４２】
ＥＵＶ放射線１０は、ミラー面の法線に対して測定して２５°以下の入射角で２つのファセットミラー１３、１４に当たる。したがって、ＥＵＶ放射線１０は、垂直入射動作の範囲で２つのファセットミラー１３、１４に当たる。斜入射での照射も可能である。瞳ファセットミラー１４は、投影光学ユニット７の瞳平面を構成するか又は投影光学ユニット７の瞳平面に対して光学的に共役な照明光学ユニット４の平面に配置される。瞳ファセットミラー１４と、ＥＵＶ放射線１０のビーム経路の順に示すミラー１６、１７、及び１８を有する伝達光学ユニット１５の形態の結像光学アセンブリとを用いて、視野ファセットミラー１３の視野ファセットは、相互に重畳して物体視野５に結像される。伝達光学ユニット１５の最終ミラー１８は、斜入射ミラーである。伝達光学ユニット１５は、瞳ファセットミラー１４と共に、視野ファセットミラー１３からのＥＵＶ放射線１０を物体視野５へ伝達する連続光学ユニットとも称する。照明光１０は、複数の照明チャネルを介して放射源３から物体視野５へ誘導される。これらの照明チャネルのそれぞれに、視野ファセットミラー１３の視野ファセット１３ａ及びその下流に配置された瞳ファセットミラー１４の瞳ファセット１４ａが割り当てられる。視野ファセットミラー１３及び瞳ファセットミラー１４の個別ミラーは、アクチュエータシステムによって傾斜可能とすることができ、視野ファセット１３ａへの瞳ファセット１４ａの割り当ての変化と、それに対応した照明チャネルの構成の変化とを達成することができる。これにより、物体視野５にわたる照明光１０の照明角度の分布が異なる種々の照明設定が得られる。
【００４３】
位置関係の説明を容易にするために、以下では特にグローバル直交ｘｙｚ座標系を利用する。ｘ軸は、図１において図平面に対して垂直に観察者の方へ延びる。ｙ軸は、図１において右側へ延びる。ｚ軸は、図１において上方へ延びる。
【００４４】
後続の図の中から選択した図では、ローカル直交ｘｙｚ座標系を示し、ｘ軸は、図１に示すｘ軸と平行に延び、ｙ軸は、上記ｘ軸と共に各光学素子の光学面（optical area）に延びる。
【００４５】
視野ファセットミラー１３は、マルチミラーアレイ又はマイクロミラーアレイ（ＭＭＡ）の形態で具現される。これは、使用放射線１０、すなわちＥＵＶ放射線ビームを誘導する光学コンポーネントを形成する。マルチミラーアレイ又はマイクロミラーアレイ（ＭＭＡ）は、以下において単にミラーアレイ２２とも称する。ミラーアレイ２２は、微小光学電子システム（ＭＯＥＭＳ）７３の構成要素である。ミラーアレイ２２は、行列状の配列でマトリクス状に配置された多数の個別ミラーを有する。以下において、個別ミラーは、ミラー素子２３とも称する。ミラー素子２３は、アクチュエータによって傾斜可能であるように設計される。概して、視野ファセットミラー１３は、約１００，０００個のミラー素子２３を有する。ミラー素子２３のサイズに応じて、視野ファセットミラー１３は、例えば、１，０００個、５，０００個、７，０００個、又は数十万個の、例えば５００，０００個のミラー素子２３を有することもできる。
【００４６】
スペクトルフィルタを視野ファセットミラー１３の上流に配置することができ、これは、使用放射線１０を放射源３の放射のうち投影露光に使用不可能な他の波長成分から分離する。スペクトルフィルタは図示されていない。
【００４７】
８４０Ｗのパワー及び６．５ｋＷ／ｍ２のパワー密度を有する使用放射線１０が、視野ファセットミラー１３に当たる。使用放射線１０は、異なるパワー及び／又はパワー密度を有することもできる。
【００４８】
ファセットミラー１３の個別ミラーアレイ全体は、直径５００ｍｍであり、ミラー素子２３が密集した設計である。充填度又は集積密度とも称する、ミラー素子２３による完全な視野ファセットアレイの面積被覆率は、少なくとも７０％である。視野ファセット１３ａがいずれの場合も１つのミラー素子２３のみによって表される限り、ミラー素子２３は、倍率は別として、物体視野５の形状を表す。ファセットミラー１３は、それぞれが視野ファセット１３ａを表すと共にｙ方向が約５ｍｍ及びｘ方向が約１００ｍｍの寸法を有する５００個のミラー素子２３から形成することができる。厳密に１つのミラー素子２３による各視野ファセット１３ａの実現の代替として、視野ファセット１３ａのそれぞれを、より小さなミラー素子２３の群によって形成することができる。ｙ方向に約５ｍｍ及びｘ方向に約１００ｍｍの寸法を有する視野ファセット１３ａを構成できるのは、例えば、５ｍｍ×５ｍｍの寸法を有するミラー素子２３の１×２０アレイから、０．５ｍｍ×０．５ｍｍの寸法を有するミラー素子２３の１０×２００アレイまでである。本発明によれば、ミラー素子２３の視野ファセット１３ａへの割り当てには融通性がある。特に、視野ファセット１３ａは、ミラー素子２３の適当な作動によってのみ規定される。特に、ミラー素子２３の形態は、巨視的な視野ファセットの形態とは無関係であり得る。ミラー素子２３は、照明放射線１０を反射する反射面３６を有する。特に、反射面３６は、マイクロメートル範囲の、特に１ｍｍ未満の寸法をいずれの場合も有する。したがって、ミラー素子２３は、マイクロミラーとも称する。原理上、ミラー素子２３は、より大きな実施形態を有することもできる。
【００４９】
使用光１０は、ファセットミラー１３のミラー素子２３によって瞳ファセットミラー１４へ反射される。瞳ファセットミラー１４は、約２，０００個の静的瞳ファセット１４ａを有する。瞳ファセット１４ａは、相互に並んで複数の同心リング状に配置され、最も内側のリングの瞳ファセット１４ａが扇形に作られ、それに直接隣接するリングの瞳ファセット１４ａが円環扇形（ring-sector-shaped）に作られる。瞳ファセットミラー１４ａの四分円において、１２個の瞳ファセット１４ａが、リングのそれぞれで相互に並んで存在し得る。瞳ファセット１４ａのそれぞれを、ミラーアレイ２２として具現することができる。
【００５０】
使用光１０は、瞳ファセット１４ａによって物体平面６に配置された反射レチクルへ反射される。図１に示す投影露光装置に関連して上述したように、投影光学ユニット７がそれに続く。
【００５１】
照明設定を変更する目的で、ミラー素子２３を傾斜角度で枢動させることができる。特に、ミラー素子２３は、少なくとも±５０ｍｒａｄ、特に少なくとも±８０ｍｒａｄ、特に±１００ｍｒａｄ程度の傾斜角度で枢動可能である。ここで、各傾斜位置は、少なくとも０．２ｍｒａｄ、特に少なくとも０．１ｍｒａｄ、特に少なくとも０．０５ｍｒａｄの精度で維持することができる。
【００５２】
ミラー素子２３は、使用放射線１０の波長におけるそれらの反射率を最適化するために、多層コーティングを有する。多層コーティングの温度は、投影露光装置１の動作中、４２５Ｋを超えてはならない。これは、特に熱伝導部（図示せず）を有するミラー素子２３の設計によって達成され、その詳細に関しては、独国特許第１０  ２０１１  ００６  １００号明細書を参照されたい。概略的に示すように、照明光学ユニット４のミラー素子２３は、真空排気可能チャンバ２５に収容される。真空排気可能チャンバ２５内の作動圧力は数パスカル（分圧Ｈ２）である。全てのその他の分圧は、１０−７ｍｂａｒを大幅に下回る。
【００５３】
ミラー素子２３は、基板３０に配置される。特に、シリコンウエハが基板３０として働く。特に、基板３０をシリコンウエハから形成することができ、その上にミラー素子２３のアレイ全体が配置される。
【００５４】
ミラー素子２３は、アクチュエータデバイスによって、特にアクチュエータピン３８及びアクチュエータ電極５４によって変位可能である。アクチュエータデバイスに関する詳細に関しては、独国特許第１０  ２０１１  ００６  １００号明細書を参照されたい。
【００５５】
特に基板３０における個別ミラー２３の配置及びアクチュエータによるそれらの枢動性、並びにヒンジ体及び熱伝導部の実施形態のさらなる詳細に関しては、国際公開第２０１０／０４９０７６号パンフレットを参照されたい。
【００５６】
以下において、ミラーアレイ２２を有する光学コンポーネント４０のさらなる態様及び詳細について、図２〜図６を参照して、特に図２及び図３を参照して説明する。ミラーアレイ２２に加えて、光学コンポーネント４０は担持構造４３を備える。さらに、光学コンポーネントはプリント回路基板５６を備える。
【００５７】
ミラー素子２３及び基板３０を有するミラーアレイ２２の全域が、表面法線４１に対して垂直に延びる。ミラーアレイ２２は、多数のミラー素子２３を備え、そのそれぞれが反射面３６及び少なくとも２つの変位自由度を有する。概して、ミラー素子２３は少なくとも１つの変位自由度を有する。ミラー素子２３は、３つ以上の変位自由度を有することもできる。特に、ミラー素子２３は、それぞれが少なくとも１つ、好ましくは少なくとも２つの傾斜自由度を有する。特に、ミラー素子２３は、別の並進自由度も有し得る。アクチュエータを用いて達成可能な変位は、ペアワイズ線形独立であり得る。しかしながら、これらは必ずしも線形独立でなくてもよい。例として、３つ以上の電極５４をアクチュエータピン３８の周囲の平面に等距離に配置することが可能である。
【００５８】
ミラー素子２３は、正方形の断面を有する。原理上、ミラー素子２３は、三角形、矩形、又は六角形の実施形態を有することもできる。ミラー素子２３は、寄せ木張り要素として具現化される。ミラー素子全体が、ミラーアレイ２２の反射区域全体の寄せ木張りを形成する。寄せ木張りは、特に碁盤目状配列である。ミラー素子２３は、特に密集して配置される。特に、ミラーアレイは、少なくとも０．８５、特に少なくとも０．９、特に少なくとも０．９５の充填度を有する。ここで、集積密度とも称することのある充填度は、反射区域全体、すなわち、ミラーアレイ２２の全ミラー素子２３の反射面３６の和の、アレイ２２の全域に対する比を示す。ミラー素子２３の反射面３６は、平面実施形態を有する。原理上、これは凹状又は凸状の実施形態、又は自由曲面としての実施形態を有することもできる。
【００５９】
ミラー素子２３の反射面３６には、特に、使用放射線１０の波長でのその反射率を最適化する（多層）コーティングが設けられる。特に、多層コーティングは、ＥＵＶ領域の、特に５ｎｍ〜３０ｎｍの波長を有する使用放射線１０の反射を可能にする。
【００６０】
ミラーアレイ２２は、モジュール式の実施形態を有する。特に、ミラーアレイ２２がタイル要素として具現されることにより、ミラーアレイ２２の反射区域全体の寄せ木張りを、複数のかかるタイル要素の、すなわち同一の実施形態を有する複数のミラーアレイ２２のタイル張りによって所望に応じて拡張可能であるようにする。ここで、「寄せ木張り」及び「タイル張り」という異なる用語は、ミラー素子２３による個々のミラーアレイ２２の反射区域全体の寄せ木張りと、複数のミラーアレイ２２によるマルチミラーアレイのそれとを区別するためだけに用いられる。これらはいずれも、１つの平面内の単純な一続きの領域の、隙間のない重ならない被覆を示す。反射区域全体の被覆が、この場合に完全に隙間のない状態ではなく、充填度＜１に反映されるようなものであっても、充填度が上記の値、特に少なくとも０．８５を有する場合には、以下ではやはり寄せ木張り又はタイル張りという。
【００６１】
ミラー素子２３は、基板３０によって保持される。基板３０は、表面法線４１に対して垂直な方向に延びる縁部領域４２を有する。特に、縁部領域４２は、ミラー素子２３の周りを囲むように配置される。縁部領域４２は、表面法線４１に対して垂直な方向に、５ｍｍ以下、特に３ｍｍ以下、特に１ｍｍ以下、特に０．５ｍｍ以下、特に０．３ｍｍ以下、特に０．２ｍｍ以下の幅ｂ、特に最大幅ｂを有する。したがって、ミラーアレイ２２の全域は、反射区域全体、すなわちその外縁部を越えて表面法線４１に対して垂直な方向に、５ｍｍ以下、特に３ｍｍ以下、特に１ｍｍ以下、特に０．５ｍｍ以下、特に０．３ｍｍ以下、特に０．２ｍｍ以下突出している。
【００６２】
ミラーアレイ２２の全域は、１ｍｍ×１ｍｍ〜５０ｍｍ×５０ｍｍ、特に１０ｍｍ×１０ｍｍ〜２５ｍｍ×２５ｍｍの範囲である。原理上、他の寸法も可能である。特に、これは正方形から逸脱することもできる。ミラーアレイ２２の全反射区域を超えたその全域の突出は、側部又は横方向オーバーヘッドとも称する。同じ方向の全範囲に対する横方向オーバーヘッドの比は、０．１以下、特に０．０５以下、特に０．０３以下、特に０．０２以下、特に０．０１以下である。したがって、横方向突出は、ミラーアレイ２２の反射区域全体の全範囲よりも少なくとも１桁小さい。
【００６３】
担持構造４３は、空間表面法線（space surface normal）４１の方向にミラーアレイ２２に対してオフセットして、特に隣接して配置される。担持構造４３は、ミラーアレイ２２の基板３０の断面と同一の断面を有することが好ましい。概して、担持構造４３は、基板３０よりも、したがってミラーアレイ２２の全域よりも表面法線４１に対して垂直な方向に５ｍｍ以下、特に３ｍｍ以下、特に１ｍｍ以下、特に０．５ｍｍ以下、特に０．１ｍｍ以下、特に０．０５ｍｍ以下突出し、特に全く突出しない。このような配置を、「シャドウキャスティング原理」に従った配置とも称する。これは、特に、担持構造４３が表面法線４１の方向でミラーアレイ２２の全域の平行投影内に完全に配置されることを意味すると理解される。
【００６４】
担持構造４３は、セラミック含有及び／又はケイ素含有及び／又はアルミニウム含有材料でできている。これは、ミラーアレイ２２からの放熱と同時に高い機械的安定性を可能にする。担持構造４３の材料の例は、セラミック材料、ケイ素、二酸化ケイ素、亜硝酸アルミニウム及び酸化アルミニウム、例えばＡｌ２Ｏ３セラミック材料である。特に、担持構造４３は、ウエハから製造することができる。担持構造４３は、いわゆるサーマルビアを設けた石英又はガラスウエハから製造することもできる。表面法線４１の方向に、担持構造４３は、１ｍｍ未満、特に５００μｍ未満の厚さを有する。
【００６５】
特に、担持構造４３は、微小電気機械システム（ＭＥＭＳ）として具現される。担持構造４３は、片側に開いた切欠部４４を有する。切欠部４４は、さらに他の機能構成要素を収納するために片側に開いた収納空間を形成する。切欠部４４は、ミラーアレイ２２の反対側で、表面法線４１の方向に担持構造のベース４５によって境界が定められる。横方向では、すなわち表面法線４１に対して垂直な方向では、切欠部４４は、担持構造４３の縁部領域４６によって境界が定められる。縁部領域４６は、表面法線４１に対して垂直な方向に幅ｂｃを有する。ここで、０．５×ｂ≦ｂｃ≦２×ｂが当てはまる。特に、担持構造４３の縁部領域４６は、基板３０の縁部領域４２と全く同じくらいの幅ｂ＝ｂｃであり得る。
【００６６】
担持構造４３は、この縁部領域４６のみにおいてミラーアレイ２２に機械的に接続される。シール要素６１が、担持構造４３とミラーアレイ２２との間に配置される。シール要素６１は、ミラーアレイ２２の基板３０の裏側４８の金属被覆（metallization）に組み込まれる。シール要素６１は、担持構造４３の縁部領域４６に配置されたシールリングとして具現することもできる。したがって、切欠部４４によって形成された収納空間が、少なくともコンポーネント４０の製造中に液密に、特に気密に密閉、すなわちシールされる。原理上、コンポーネント、特に電気コンポーネント、特にＡＳＩＣ５２を、収納空間に密閉式に、すなわち液密に、特に気密にシールして配置することが可能である。この目的で、ミラーアレイ２２とＡＳＩＣ５２との間の連続中間層（図示せず）が依然として必要である。
【００６７】
多数の信号線４７が、担持構造４３に組み込まれる。信号線４７は、垂直相互接続アクセス、いわゆる「ビア」として具現される。信号線４７は、ミラーアレイ２２のうち反射面３６の反対側の裏側４８に直接ボンディングされる。信号線４７には、ミラーアレイ２２の反対側、すなわち担持構造４３の裏側４９において接触素子５０がさらに設けられる。各コンポーネント４０は、３１個以上、特に５１個以上、特に７１個以上の信号線４７を有し得る。信号線４７は、特に、ミラー素子２３を変位させる変位デバイスのドライバ段に電圧を供給する役割を果たす。ドライバ段は、担持構造４３に組み込まれる。特に、これは、特定用途向け集積回路５２（ＡＳＩＣ）として具現される。コンポーネント４０は、複数のＡＳＩＣ５２を有し得る。コンポーネント４０は、少なくとも１個のＡＳＩＣ５２、特に少なくとも２個、特に少なくとも４個、特に少なくとも９個、特に少なくとも１６個、特に少なくとも２５個、特に少なくとも１００個のＡＳＩＣ５２を備える。ここで、ＡＳＩＣ５２のそれぞれが、少なくとも１つのミラー素子２３、特に多数のミラー素子２３、すなわち特に少なくとも２個、特に少なくとも４個、特に少なくとも８個のミラー素子２３に信号接続される。ミラー素子２３を変位させるアクチュエータの制御に関する詳細に関しては、国際公開第２０１０／０４９０７６号パンフレットを参照されたい。
【００６８】
ＡＳＩＣ５２への信号線４７は、担持構造４３の裏側４９から担持構造４３を通してミラーアレイ２２の裏側４８まで延び、そこからミラーアレイ２２の裏側４８に沿って延び、フリップチップ接点５３を介してＡＳＩＣ５２へと延びる。フリップチップ技術の説明は、文献「Baugruppentechnologie der Electronik-Montage」（Wolfgang Scheel編、第２版、Verlag Technik、ベルリン、１９９９年）で見ることができる。したがって、集積又はローカルドライバエレクトロニクスへの信号線は、ミラーアレイ２２の裏側４８で導かれる。ＡＳＩＣ５２で発生させたミラー素子２３の１つの変位を制御する制御電圧は、さらに別のフリップチップ接点５３を介してミラーアレイ２２の裏側４８から対応する電極５４に印加される。したがって、ＡＳＩＣ５２の１つの電気的接触の全部がＡＳＩＣ５２の同じ側にある。特に、これらは、ＡＳＩＣ５２のうちミラーアレイ２２に面する側に位置する。原理上同様に可能であるＡＳＩＣ５２の両面接触及び貫通接触（through-contacting）が、それによって回避される。信号線４７のこのような配置のさらに別の利点は、全部の信号線４７を単一の金属層でミラーアレイ２２の裏側４８に配設できることからなる。これは、製造プロセスの単純化、よって製造費の削減につながる。
【００６９】
さらに、信号線４７は、特定の信号線４７が担持構造４３のうちミラーアレイ２２に面する表側４３ａ及び／又は担持構造４３の裏側４９で結合されるように具現及び配置される。例として、ＡＳＩＣ５２の供給電圧用の信号線４７が結合される。これは、担持構造４３の領域における信号低減をもたらす。特に、担持構造４３の領域における信号低減は、少なくとも１０：１である。
【００７０】
担持構造４３の裏側４９において、担持構造４３は電気インターフェース５５を有する。特に、このインターフェース５５は、担持構造４３のうちミラーアレイ２２の反対側にある裏側４９に完全に配置される。したがって、「シャドウキャスティング原理」も信号の流れにおいて観察される。コンポーネント４０は垂直方向の集積を示す。
【００７１】
電気インターフェース５５は、担持構造４３の裏側４９に設けられた多数の接触素子５０を有する。特に、接触素子５０は２次元実施形態を有することができる。
【００７２】
その代替形態として、電気インターフェース５５の接触素子５０を、担持構造４３における一体型ピンとして具現することもできる。この場合、例えば金を充填した貫通孔として具現された担持構造４３の垂直相互接続アクセス（ビア）を、担持構造４３の裏側４９の領域で部分的に露出させる。特に、これは、ビアを囲む担持構造４３の材料の一部をエッチング除去することによって達成することができる。ビアの露出部分が、このとき接触素子５０を形成する。
【００７３】
特に、金属箔５７をＡＳＩＣ５２と担持構造４３のベース４５との間に配置することができる。その際、金属箔５７は、ＡＳＩＣ５２と担持構造４３との間のサーマルインターフェースを形成することもできる。この場合、金属箔５７を軟質の波形金属箔、すなわちいわゆるスプリングフォイルとして具現することが有利である。
【００７４】
さらに、付加的な熱伝導要素５８を、ＡＳＩＣ５２と担持構造４３のベース４５との間、特にＡＳＩＣ５２と金属箔５７との間に配置することができる。複数の熱伝導要素５８を設けることもできる。ＡＳＩＣ５２は、特に、切欠部４４内の熱伝導要素５８に少なくとも部分的に埋め込むことができる。ＡＳＩＣ５２と担持構造４３のベース４５との間のこのようなサーマルインターフェースは、コンポーネント４０を通る熱流の垂直方向の集積を改善する。ミラーアレイ２２からの、特にＡＳＩＣ５２からの熱は、この場合、担持構造４３のベース４５へ直接、すなわち実質的に表面法線４１の方向に、また担持構造４３を通して放散させることができる。
【００７５】
以下において、光学コンポーネント４０、特にプリント回路基板５６と、その配置及びＭＯＥＭＳ、特に担持構造４３及び／又はミラーアレイ２２とのその接続とのさらなる詳細を説明する。
【００７６】
プリント回路基板５６は、ミラーアレイ２２及び担持構造４３を備えたＭＯＥＭＳ７３の裏側４９に配置される。特に、プリント回路基板５６は、接着層６２によってＭＯＥＭＳ７３に接着結合される。接着層６２は、熱伝導性の実施形態を有し得る。
【００７７】
接着層６２の代わりに、プリント回路基板５６をＭＯＥＭＳ７３に接続する代替的な手段を設けることもできる。特に、プリント回路基板５６は、ＭＯＥＭＳ７３と圧力嵌め接続される。
【００７８】
特に、プリント回路基板５６は、ＭＯＥＭＳ７３に接続固定される。好ましくは、プリント回路基板５６は、ＭＯＥＭＳ７３に特に真空気密に密閉接続される。
【００７９】
ワイヤボンド接点６３によって、プリント回路基板５６は、ＭＯＥＭＳ７３に、特に接触素子５０に導電接続される。
【００８０】
プリント回路基板５６は、セラミック材料製である。特に、プリント回路基板５６は、低温焼成セラミック（ＬＴＣＣ）製である。他の材料も同様に可能である。
【００８１】
プリント回路基板５６は多層実施形態を有する。これは、少なくとも２個、特に少なくとも４個、特に少なくとも８個、特に少なくとも１２個、特に少なくとも１６個の層を含む。層のそれぞれが多数の導体トラックを含み得る。層毎の導体トラックの数は、特に少なくとも２個、特に少なくとも５個、特に少なくとも１０個、特に少なくとも２０個、特に少なくとも５０個、特に少なくとも１００個である。導体トラックの数はそれよりも大幅に多くすることもできる。原理上、これは、プリント回路基板５６の幾何学的寸法によってのみ制限される。
【００８２】
表面法線４１の方向に、プリント回路基板５６は、少なくとも０．５ｍｍの厚さｄＬを有する。特に、プリント回路基板５６の厚さｄＬは、少なくとも１ｍｍ、特に少なくとも１．５ｍｍ、特に少なくとも２ｍｍであり得る。プリント回路基板５６の厚さｄＬは、３ｍｍ以下、特に５ｍｍ以下、特に１０ｍｍ以下であり得る。
【００８３】
プリント回路基板５６は、空洞６４の横方向境界を形成する。空洞６４は、さらに他のコンポーネント、特に電子コンポーネントを収納する役割を果たす。空洞６４内の残りの空間には、充填材６５を充填することができる。特に、空洞６４内の残りの空間には、充填材６５を部分的又は完全に充填、特にポッティングすることができる。
【００８４】
空洞６４への充填材６４の充填は、ＭＯＥＭＳ７３と、特に担持構造４３及び／又はミラーアレイ２２とカバー６６との熱接触の改善につながり得る。さらに、これはボンドワイヤの機械的な安定化につながり得る。さらに、これはボンドワイヤの電気的絶縁の改善につながり得る。
【００８５】
空洞６４は、端部側が開放されている。これは、ＭＯＥＭＳ７３の、特に担持構造４３の裏側４９に直接隣接する。したがって、空洞６４は、ＭＯＥＭＳ７３によって片側の境界が定められる。
【００８６】
ＭＯＥＭＳ７３の反対側では、空洞６４はカバー６６によって境界が定められる。特に、空洞は、カバー６６によって閉鎖、特にシール、特に真空気密にシールされる。例として、金属板がカバー６６として働く。他の材料も同様に考えられる。
【００８７】
特に、カバー６６は、強磁性材料製とすることができ、且つ／又は強磁性体を有することができる。これにより、ベースプレート５９上の光学コンポーネント４０の配置が単純化される。さらに、機械的保持要素（図示せず）をカバー６６上に配置することができる。
【００８８】
プリント回路基板５６は、横方向接点６７を有する。横方向接点６７は、切開（cut-open）、特にハーフビアとして具現される。特に、横方向接点６７は自動調心実施形態を有する。特に、横方向接点６７は、凹状の、特に円弧状の断面を有する。
【００８９】
横方向接点６７は、プリント回路基板５６の相互に対向する辺に対でそれぞれ配置することができる。
【００９０】
ＭＯＥＭＳ７３は、横方向に、すなわち表面法線４１に対して垂直な方向にプリント回路基板５６を越えて突出している。突出は、１ｍｍ〜５ｃｍ程度、特に３ｍｍ〜３ｃｍ程度である。
【００９１】
接点ばね６８が、光学コンポーネント４０、特にプリント回路基板５６の横方向接点６７に接触するように設けられる。接点ばね６８はさらに、接続プリント回路基板６９に導電接続される。接点ばね６８は、光学コンポーネント４０の機械的安定化に寄与することができる。接点ばね６８は、横方向接点６７に接続固定、特に横方向接点６７に接着結合、はんだ付け、又は溶接することもできる。接続プリント回路基板６９は、光学コンポーネント４０の相互に対向する辺に対でそれぞれ配置することができる。特に、光学コンポーネントは、対で配置された接点ばね６８間に挟み込むように支持されることができる。特に、プリント回路基板５６の４辺全部に接点ばね６８と共に接続プリント回路基板６９を配置することも可能である。この結果として、コンポーネント４０の特に確実な固定が可能となる。接点ばね６８は、主にプリント回路基板５６の電気的接触に役立つ。光学コンポーネント４０の機械的固定は、特にカバー６６によってもたらされる。原理上、接点ばね６８が光学コンポーネント４０の機械的固定に寄与することも可能である。
【００９２】
接続プリント回路基板６９は、接点ばね６８と共にベースプレート５９の構成要素を形成することができる。特に、これらはベースプレート５９に機械的に接続される。
【００９３】
図２に概略的に示すように、接点ばね６８を有する接続プリント回路基板６９は、２つの光学コンポーネント４０間に配置することもできる。この場合、接続プリント回路基板６９は、表面法線４１と平行に延びる中心面に関して実質的に鏡面対称に具現することができる。特に、接続プリント回路基板６９の対向する辺毎に接点ばね６８を対で配置することができる。
【００９４】
図４及び図５は、光学コンポーネント４０のさらに別の実施形態及び接点ばね６８によるその接触を示す。図４及び図５に示す光学コンポーネント４０の主要設計は、図２及び図３に示す例示的な実施形態のものに対応し、ここではその説明を参照する。図４及び図５に示す例示的な実施形態では、ＭＯＥＭＳ７３はミラーアレイ２２を備えるにすぎない。担持構造４３は省くことができる。これは、図２及び図３による例示的な実施形態でも可能である。ミラーアレイ２２は、特に非概略的に図示される中間層７４によって、その裏側４８をシールすることができる。中間層７４は、ミラーアレイ２２の構成要素を形成する。
【００９５】
図４及び図５に示す例示的な実施形態において、電子コンポーネント７０、例えばコンデンサ、センサ、ＡＳＩＣ、電圧コントローラ、能動冷却素子、特にペルチェ素子、及び／又はさらに他のコンポーネントが、空洞６４に配置される。電子コンポーネント７０は、導電性トラック７２によって横方向接点６７の１つ又は複数に導電接続される。冷却素子（図示せず）は、ＭＯＥＭＳ及び／又は電子コンポーネントと熱伝導的に接続され、その冷却に役立つ。電子コンポーネント７０を空洞６４に配置することで、電子コンポーネント７０をＭＯＥＭＳ７３のより近くに配置することが可能となる。これは、電気的特性の改善、例えば供給抵抗の低下につながる。さらに、ＭＯＥＭＳ７３の複雑性は、電子コンポーネント７０を空洞６４に配置することによって低減することができる。
【００９６】
図６に概略的に示すように、プリント回路基板５６とＭＯＥＭＳ７３、特に担持構造４３及び／又はミラーアレイ２２との間の導電接続のために、ワイヤボンド接点の代わりにフリップチップ接点７２を設けることも可能である。フリップチップ接点７２及びワイヤボンド接点６３の組み合わせも可能である。
【００９７】
原理上、概略的に図示し上述した例示的な実施形態の個々の詳細は、所望に応じて相互に組み合わせることができる。
【００９８】
コンポーネント４０は、自立型の機能ユニットを形成する。特に、コンポーネント４０は、光学アセンブリ６５の、特に投影露光装置１の照明光学ユニット４のファセットミラー１３、１４の構成要素を形成する。原理上、アセンブリ６５は、投影露光装置１の投影光学ユニット７の構成要素でもあり得る。アセンブリ６５は、特にベースプレート５９の形態のさらに他の構成要素、例えばキャリアを有することができる。ベースプレート５９は、光学コンポーネント４０のための機械的支持要素を形成する。ベースプレート５９は、ベースプレート５９の材料に関する材料加工の可能性の範囲内で、特に金属加工の可能性の範囲内で自由に選択できるサイズ及び形状を有する。さらに、ベースプレート５９は、光学コンポーネント４０を冷却する役割を果たす。コンポーネント４０は、ベースプレート上に配置される。特に、コンポーネント４０は、ベースプレート５９上に取り付けられる。コンポーネント４０のモジュール設計の結果として、原理上は任意の数のコンポーネント４０をベースプレート５９に配置することが可能である。コンポーネント４０の数及び配置は、ベースプレート５９の寸法によってのみ制限される。概して、アセンブリ６５の光学コンポーネント４０の数は、少なくとも１個、特に少なくとも５個、特に少なくとも１６個、特に少なくとも６４個、特に少なくとも２５６個である。特に、コンポーネント４０は、ベースプレート５９上の所定の領域を実質的に隙間なく寄せ木張りするようにベースプレート５９上に配置される。コンポーネント４０は、特に密集してベースプレート５９上に配置される。隣接するコンポーネント４０同士は、ベースプレート５９上で相互から距離ｄに配置される。特に、隣接して配置されたコンポーネント４０間の距離ｄは、１ｍｍ以下、特に５００μｍ以下、特に３００μｍ以下、特に２００μｍ以下、特に１００μｍ以下、特に５０μｍ以下である。特に、２つの隣接して配置されたコンポーネント４０間の距離ｄは、個々のコンポーネント４０の横方向オーバーヘッド以下である。したがって、個々のコンポーネント４０の垂直方向の集積の結果として、コンポーネント４０をベースプレート５９上に配置することによって、実質的に任意の形状、特に任意のサイズの全ミラー区域を作製することが可能である。
【００９９】
代替的な実施形態によれば、コンポーネント４０は、個別に又は群をなして、交換可能に、特に非破壊的に交換可能にベースプレート５９上に配置される。この代替形態として、コンポーネント４０をベースプレート５９に接続固定することが可能である。例として、コンポーネント４０を、接着層（図示せず）によってベースプレート５９に接続することができる。この結果として、特に、コンポーネント４０とベースプレート５９との間の熱伝導をさらに改善することが可能である。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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