(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
一部が第１電流の流れる第１電気部品（３１０）に接続され、残りが前記第１電流よりも電流量の少ない第２電流の流れる第２電気部品（３２０）に接続される、複数のバスバー（１０）と、
前記第１電流の流動によって発生する被検出磁束を電気信号に変換する第１磁電変換素子（２１）、および、前記第１磁電変換素子にて変換された前記電気信号を処理する第１処理回路（２２）を有する第１電流センサ（２０）と、
前記第２電流の流動によって発生する被検出磁束を電気信号に変換する第２磁電変換素子（３１）、および、前記第２磁電変換素子にて変換された前記電気信号を処理する第２処理回路（３２）を有する第２電流センサ（３０）と、を備える電流センサ装置であって、
複数の前記バスバーそれぞれは、前記第１電流および前記第２電流の流動方向に沿う一面（１０ａ）と前記一面の裏面（１０ｂ）それぞれに直交する厚さ方向の長さが一定で、
前記第１電気部品に接続された前記バスバーの前記一面の一部若しくは前記裏面の一部が前記第１磁電変換素子の搭載領域に設定され、
前記第２電気部品に接続された前記バスバーの前記一面の一部若しくは前記裏面の一部が前記第２磁電変換素子の搭載領域に設定され、
前記第１電気部品に接続された前記バスバーの前記搭載領域、および、前記第２電気部品に接続された前記バスバーの前記搭載領域それぞれは、前記一面から前記裏面へと貫き、且つ、前記流動方向へと延びるスリット（１１〜１３）によって第１領域と第２領域とに分けられ、
前記第１領域と前記第２領域における前記流動方向と前記厚さ方向それぞれに直交する横方向の幅の比が、前記第１電流と前記第２電流の比に等しく、
前記第１領域は前記第２領域よりも前記横方向の幅が長くなっており、
前記第１電気部品に接続された前記バスバーの前記第２領域に前記第１磁電変換素子が搭載され、前記第２電気部品に接続された前記バスバーの前記第１領域に前記第２磁電変換素子が搭載されている電流センサ装置。
【請求項２】
前記第１電流および前記第２電流それぞれの電流量が相異なって３つ以上に分流されるように、前記搭載領域に前記スリットが複数形成され、
前記搭載領域は複数の前記スリットによって３つ以上の領域に分けられ、
３つ以上の前記領域の内の２つが前記第１領域と前記第２領域である請求項１に記載の電流センサ装置。
【請求項３】
複数の前記スリットそれぞれは、前記流動方向に離れている請求項２に記載の電流センサ装置。
【請求項４】
複数の前記スリットそれぞれは、前記横方向に並んでいる請求項２に記載の電流センサ装置。
【請求項５】
前記第１電気部品はハイブリッド自動車に搭載される走行用および発電用の第１モータジェネレータ（３１０）であり、前記第２電気部品は前記ハイブリッド自動車に搭載される発電用の第２モータジェネレータ（３２０）である請求項１〜４いずれか１項に記載の電流センサ装置。
【請求項６】
前記バスバーの前記一面に、前記一面を示す刻印（１０ｃ）が形成されている請求項１〜５いずれか１項に記載の電流センサ装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、被検出電流の流れるバスバー、および、被検出電流を検出する電流センサを有する電流センサ装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
特許文献１に示されるように、バスバーを介して第１インバータ回路と接続された第１モータジェネレータ、および、バスバーを介して第２インバータ回路と接続された第２モータジェネレータを有する車両駆動システムが知られている。第１モータジェネレータはエンジンの始動とエンジンのトルクによる発電を行い、第２モータジェネレータは車両の加速と回生制動を行う。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２０１１−２３２０８６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
上記したように特許文献１の第１モータジェネレータと第２モータジェネレータは互いに用途が異なる。そのため各モータジェネレータに接続されたバスバーに流れる電流量（モータジェネレータの仕様によって定められる電流量）も互いに異なる。これらバスバーに流れる電流を検出するための電流センサユニットが各バスバーに設けられるが、上記のように電流量が異なるため、各電流センサユニットを透過する磁束の強さも異なる。そのため、電流センサユニットのホール素子によって検出された電気信号を処理する回路を、各モータジェネレータそれぞれに対して別種類用意しなくてはならなくなる。
【０００５】
これを解消するため、各モータジェネレータに接続するバスバーの幅を電流量に応じて設定し、それによって電流の流動によって生じる磁束の強さを調整することも考えられる。しかしながらこの場合、バスバーの種類が増大する、という新たな問題が生じる。
【０００６】
そこで本発明は上記問題点に鑑み、被検出電流の電流量に応じたバスバーを複数種類用意しなくとも、被検出磁束の強さを調整可能な電流センサ装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記した目的を達成するための開示された発明の１つは、一部が第１電流の流れる第１電気部品（３１０）に接続され、残りが前記第１電流よりも電流量の少ない第２電流の流れる第２電気部品（３２０）に接続される、複数のバスバー（１０）と、
前記第１電流の流動によって発生する被検出磁束を電気信号に変換する第１磁電変換素子（２１）、および、前記第１磁電変換素子にて変換された前記電気信号を処理する第１処理回路（２２）を有する第１電流センサ（２０）と、
前記第２電流の流動によって発生する被検出磁束を電気信号に変換する第２磁電変換素子（３１）、および、前記第２磁電変換素子にて変換された前記電気信号を処理する第２処理回路（３２）を有する第２電流センサ（３０）と、を備える電流センサ装置であって、
複数の前記バスバーそれぞれは、前記第１電流および前記第２電流の流動方向に沿う一面（１０ａ）と前記一面の裏面（１０ｂ）それぞれに直交する厚さ方向の長さが一定で、
前記第１電気部品に接続された前記バスバーの前記一面の一部若しくは前記裏面の一部が前記第１磁電変換素子の搭載領域に設定され、
前記第２電気部品に接続された前記バスバーの前記一面の一部若しくは前記裏面の一部が前記第２磁電変換素子の搭載領域に設定され、
前記第１電気部品に接続された前記バスバーの前記搭載領域、および、前記第２電気部品に接続された前記バスバーの前記搭載領域それぞれは、前記一面から前記裏面へと貫き、且つ、前記流動方向へと延びるスリット（１１〜１３）によって第１領域と第２領域とに分けられ、
前記第１領域と前記第２領域における前記流動方向と前記厚さ方向それぞれに直交する横方向の幅の比が、前記第１電流と前記第２電流の比に等しく、
前記第１領域は前記第２領域よりも前記横方向の幅が長くなっており、
前記第１電気部品に接続された前記バスバーの前記第２領域に前記第１磁電変換素子が搭載され、前記第２電気部品に接続された前記バスバーの前記第１領域に前記第２磁電変換素子が搭載されている。
【０００８】
このように本発明によれば、バスバー（１０）に形成されたスリット（１１〜１３）によって第１電流と第２電流が分流される。したがって第１磁電変換素子（２１）と第２磁電変換素子（３１）のバスバー（１０）への搭載位置を調整することで、第１磁電変換素子（２１）と第２磁電変換素子（３１）を透過する磁束の強さを調整することができる。例えば、被検出電流の大きい電気部品にバスバー（１０）が接続される場合、分流された複数の電流の内、電流量の少ない電流から発生する磁束が第１磁電変換素子（２１）を透過するように、バスバー（１０）に第１磁電変換素子（２１）を搭載する。これとは逆に、被検出電流の小さい電気部品にバスバー（１０）が接続される場合、分流された複数の電流の内、電流量の大きい電流から発生する磁束が第２磁電変換素子（３１）を透過するように、バスバー（１０）に第２磁電変換素子（３１）を搭載する。こうすることにより、バスバー（１０）の接続対象が代わることによって、第１磁電変換素子（２１）と第２磁電変換素子（３１）を透過する磁束の強さが大きく異なることが抑制される。この結果、第１磁電変換素子（２１）と第２磁電変換素子（３１）にて変換される電気信号の電圧レベルが大きくことなることが抑制される。したがって第１磁電変換素子（２１）と第２磁電変換素子（３１）によって変換された電気信号を処理する第１処理回路（２２）と第２処理回路（３２）を、接続対象に応じて複数種類用意しなくともよくなる。また、被検出電流の電流量に応じたバスバー（１０）も複数種類用意しなくとも良くなる。
【００１０】
上記の開示によれば、第１電気部品（３１０）に接続されたバスバー（１０）の第２領域を流れる電流と、第２電気部品（３２０）に接続されたバスバー（１０）の第１領域を流れる電流とが相等しくなる。
【００１２】
このため、第１電気部品に接続されたバスバー（１０）の第２領域に搭載された第１磁電変換素子（２１）と、第２電気部品に接続されたバスバー（１０）の第１領域に搭載された第２磁電変換素子（３１）それぞれを透過する磁束の強さを同一とすることができる。したがって各磁電変換素子（２１，３１）から出力される電気信号の電圧レベルが等しくなり、各磁電変換素子（２１，３１）の電気信号を処理する第１処理回路（２２）と第２処理回路（３２）を全く同一とすることができる。
【００１３】
なお、特許請求の範囲に記載の請求項、および、課題を解決するための手段それぞれに記載の要素に括弧付きで符号をつけている。この括弧付きの符号は実施形態に記載の各構成要素との対応関係を簡易的に示すためのものであり、実施形態に記載の要素そのものを必ずしも示しているわけではない。括弧付きの符号の記載は、いたずらに特許請求の範囲を狭めるものではない。
【図面の簡単な説明】
【００１４】
【図１】インバータ、モータジェネレータ、および、電流センサ装置の概略構成を示す回路図である。
【図２】バスバーを示す斜視図である。
【図３】スリットによる電流の分流を示す斜視図である。
【図４】電流センサ装置とバスバーに流れる電流を示す図表である。
【図５】スリットの変形例を示す上面図である。
【図６】スリットの変形例を示す上面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１５】
以下、本発明をモータジェネレータの電流の検出に適用した場合の実施形態を図に基づいて説明する。
（第１実施形態）
図１〜図４に基づいて本実施形態に係る電流センサ装置を説明する。なお図２〜図４では後述の刻印１０ｃを破線で示し、図４の（ｃ）、（ｄ）欄ではスリット１１を明りょうとするため、バスバー１０にハッチングを入れている。また以下においては互いに直交の関係にある３方向を、ｘ方向、ｙ方向、ｚ方向と示す。ｘ方向が横方向に相当し、ｚ方向が厚さ方向に相当する。
【００１６】
電流センサ装置１００を説明する前に、先ず図１に基づいてインバータ２１０，２２０とモータジェネレータ３１０，３２０を説明する。図１に示すように第１インバータ２１０と第１モータジェネレータ３１０は、３つのバスバー１０を介して電気的に接続されている。第２インバータ２２０と第２モータジェネレータ３２０は、３つのバスバー１０を介して電気的に接続されている。第１インバータ２１０は第１スイッチ２１１〜２１６を有し、第２インバータ２２０は第２スイッチ２２１〜２２６を有する。これらスイッチ２１１〜２１６，２２１〜２２６が図示しない制御装置によって開閉制御されることで、モータジェネレータ３１０，３２０と電源とがバスバー１０を介して電気的に接続される。以下においては第１モータジェネレータ３１０を第１ＭＧ３１０、第２モータジェネレータ３２０を第２ＭＧ３２０と簡略して表記する。第１ＭＧ３１０が第１電気部品に相当し、走行用および発電用のモータジェネレータに相当する。また第２ＭＧ３２０が第２電気部品に相当し、発電用のモータジェネレータに相当する。
【００１７】
ＭＧ３１０，３２０は、ハイブリッド自動車の車両駆動システムの一部を構成している。ハイブリッド自動車の動力源としてエンジンと第１ＭＧ３１０があり、発電源としてＭＧ３１０，３２０がある。エンジンは燃料を燃焼させることで動力を発生し、第１ＭＧ３１０は電力によって出力軸を回転することで動力を発生する。また、第１ＭＧ３１０は車輪の回転エネルギーによって出力軸が回転されることで発電し、第２ＭＧ３２０はエンジンの動力によって出力軸が回転されることで発電する。エンジンと第１ＭＧ３１０によって生成された動力は、図示しない動力分配機構によって車両走行と発電に分配される。
【００１８】
図示しないが、ＭＧ３１０，３２０それぞれは動力分配機構に連結される出力軸と、出力軸に固定されたロータと、を有する。またＭＧ３１０，３２０はロータの周りに設けられたステータを有し、ステータは鉄などの固定部材に図１に示すステータコイル３１１〜３１３，３２１〜３２３が巻かれて成る。ロータは永久磁石を有し、第１ＭＧ３１０のロータに回転トルクが生じるように、第１インバータ２１０によって第１ステータコイル３１１〜３１３に電流が流される。これにより出力軸がロータとともに回転し、この動力が動力分配機構に出力される。これとは異なり、車輪の回転エネルギーによって第１ＭＧ３１０の出力軸がロータとともに回転すると、その回転に伴って第１ステータコイル３１１〜３１３を貫く磁束が時間的に変化する。これにより第１ステータコイル３１１〜３１３に電流が流れ、第１ＭＧ３１０にて発電が行われる。またエンジンの動力によって第２ＭＧ３２０の出力軸がロータとともに回転すると、その回転に伴って第２ステータコイル３２１〜３２３を貫く磁束が時間的に変化する。これにより第２ステータコイル３２１〜３２３に電流が流れ、第２ＭＧ３２０にて発電が行われる。
【００１９】
上記したように第１インバータ２１０は第１スイッチ２１１〜２１６を有し、第２インバータ２２０は第２スイッチ２２１〜２２６を有する。本実施形態においてスイッチ２１１〜２１６，２２１〜２２６はそれぞれＮチャネル型ＭＯＳＦＥＴである。電源のプラス端子からマイナス端子に向かって第１Ｕ相スイッチ２１１，２１２、第１Ｖ相スイッチ２１３，２１４、および、第１Ｗ相スイッチ２１５，２１６それぞれが直列接続され、これら対を成す２つのスイッチが並列接続されている。そして第１Ｕ相スイッチ２１１，２１２の中点に第１Ｕ相ステータコイル３１１の一端がバスバー１０を介して接続されている。同様にして第１Ｖ相スイッチ２１３，２１４の中点に第１Ｖ相ステータコイル３１２の一端がバスバー１０を介して接続されている。また第１Ｗ相スイッチ２１５，２１６の中点に第１Ｗ相ステータコイル３１３の一端がバスバー１０を介して接続されている。そして第１ステータコイル３１１〜３１３それぞれの他端が互いに結線され、第１ステータコイル３１１〜３１３がＹ結線されている。
【００２０】
第２インバータ２２０と第２ＭＧ３２０は、第１インバータ２１０と第１ＭＧ３１０と同等の構成になっている。すなわち、電源のプラス端子からマイナス端子に向かって第２Ｕ相スイッチ２２１，２２２、第２Ｖ相スイッチ２２３，２２４、および、第２Ｗ相スイッチ２２５，２２６それぞれが直列接続され、これら対を成す２つのスイッチが並列接続されている。そして第２Ｕ相スイッチ２２１，２２２の中点に第２Ｕ相ステータコイル３２１の一端がバスバー１０を介して接続されている。同様にして第２Ｖ相スイッチ２２３，２２４の中点に第２Ｖ相ステータコイル３２２の一端がバスバー１０を介して接続されている。また第２Ｗ相スイッチ２２５，２２６の中点に第２Ｗ相ステータコイル３２３の一端がバスバー１０を介して接続されている。これら第２ステータコイル３２１〜３２３それぞれの他端が互いに結線され、第２ステータコイル３２１〜３２３がＹ結線されている。
【００２１】
上記したように第１インバータ２１０と第１ＭＧ３１０の構成と、第２インバータ２２０と第２ＭＧ３２０の構成とは同等になっている。しかしながら第１ＭＧ３１０と第２ＭＧ３２０とでは用途が異なる。そのため第１ＭＧ３１０と第２ＭＧ３２０それぞれに流れる電流が互いに異なる。換言すれば、第１ＭＧ３１０に接続されたバスバー１０に流れる第１電流と、第２ＭＧ３２０に接続されたバスバー１０に流れる第２電流とは電流量が互いに異なる。より具体的に言えば、第１電流の方が、第２電流よりも電流量が大きい。なお、第１電流と第２電流はもちろんＭＧ３１０，３２０の動作状態によって様々に変化する。この第１電流と第２電流それぞれの電流量は、製品（モータジェネレータ）の仕様によって定められる値に相当する。この第１電流と第２電流が、被検出電流として電流センサ装置１００で検出される。次に、電流センサ装置１００を説明する。
【００２２】
電流センサ装置１００は、上記の第１ＭＧ３１０に接続された３つのバスバー１０、および、第２ＭＧ３２０に接続された３つのバスバー１０を有する。また電流センサ装置１００は、第１ＭＧ３１０に接続された３つのバスバー１０それぞれに搭載される３つの第１電流センサ２０、および、第２ＭＧ３２０に接続された３つのバスバー１０それぞれに搭載される３つの第２電流センサ３０も有する。
【００２３】
図２および図３に示すように、バスバー１０は電流の流動方向に沿った形状を成し、その少なくとも一部がｙ方向に延びている。そしてバスバー１０は、ｚ方向の長さ（厚さ）とｘ方向の長さ（横幅）が一定である。バスバー１０は厚さに比べて横幅の長い扁平形状を成し、ｘ方向とｙ方向とによって規定されるｘ−ｙ平面に沿う２つの面１０ａ，１０ｂが他の面（側面や端面）に比べて面積が最も大きくなっている。本実施形態では一面１０ａと裏面１０ｂとの違いを明りょうとするための刻印１０ｃが一面１０ａに形成されている。
【００２４】
上記したようにバスバー１０に電流センサ２０，３０が設けられるが、その設置領域は図２および図３に一点鎖線で囲って示すように予め定められている。そしてバスバー１０の設置領域には、電流を分流するためのスリット１１が形成されている。このスリット１１は一面１０ａから裏面１０ｂへと貫通し、流動方向に沿って延びた形状を成している。本実施形態においてスリット１１はｙ方向に延びた形状を成し、設置領域の一部が、スリット１１によって第１領域と第２領域とに分けられている。したがって図３に示すように、バスバー１０を流れる電流Ｉは、スリット１１によって第１領域と第２領域とに分流される。第１領域の横幅はａ、第２領域の横幅はｂとなっている。そして横幅ａは横幅ｂよりも長くなっている。したがって第１領域に分流された第１分流電流Ｉａは、第２領域に分流された第２分流電流Ｉｂよりも電流量が大きくなっている。
【００２５】
横幅ａと横幅ｂの比は、第１電流と第２電流の比によって定められている。例えば第１電流と第２電流の比が２：１の場合、横幅ａ，ｂの比は２：１になる。第１電流を２Ｉとすると、第２電流はＩとなる。第１ＭＧ３１０に接続されたバスバー１０には第１電流２Ｉが流れるが、これはスリット１１によって分流電流Ｉａ，Ｉｂに分けられる。この場合、図４の（ｃ）欄に示すように第１分流電流Ｉａは（４／３）Ｉとなり、第２分流電流Ｉｂは（２／３）Ｉとなる。また、第２ＭＧ３２０に接続されたバスバー１０には第２電流Ｉが流れるが、これはスリット１１によって分流電流Ｉａ，Ｉｂに分けられる。この場合、図４の（ｄ）欄に示すように第１分流電流Ｉａは（２／３）Ｉとなり、第２分流電流Ｉｂは（１／３）Ｉとなる。このように第１ＭＧ３１０に接続されたバスバー１０の第２領域を流れる電流と、第２ＭＧ３２０に接続されたバスバー１０の第１領域を流れる電流とが互いに相等しくなる。したがってこれら２つの電流それぞれの流動によって発生する磁束Ｈの強さも互いに相等しくなる。
【００２６】
図４の（ａ），（ｂ）欄に示すように、第１電流センサ２０と第２電流センサ３０は第１電流と第２電流の流動によって生じる被検出磁束を電気信号に変換する磁電変換素子２１，３１を有する。これら磁電変換素子２１，３１は、上記の強さの互いに相等しい磁束Ｈが透過するように、バスバー１０に搭載される。すなわち、第１磁電変換素子２１は第１ＭＧ３１０に接続されたバスバー１０の第２領域に搭載され、第２磁電変換素子３１は第２ＭＧ３２０に接続されたバスバー１０の第１領域に搭載される。磁電変換素子２１，３１それぞれは上記の磁束Ｈを電気信号に変換する。
【００２７】
第１電流センサ２０は、第１磁電変換素子２１、第１処理回路２２、第１支持基板２３、第１モールド樹脂２４、および、第１蓋部２５を有する。第１支持基板２３の搭載面２３ａに第１磁電変換素子２１と第１処理回路２２とが搭載される。第１磁電変換素子２１と第１処理回路２２とは第１ワイヤ２６を介して互いに電気的に接続されている。第１磁電変換素子２１によって変換された、磁束の強さに応じた電気信号は、この第１ワイヤ２６を介して第１処理回路２２に出力される。第１処理回路２２は電気信号に含まれるノイズを除去するフィルタ回路や、フィルタ回路から出力された電気信号を増幅する増幅回路などを有する。この第１処理回路２２にて処理された電気信号が、図示しない車両の電子制御装置（ＥＣＵ）などに出力される。
【００２８】
図４の（ａ）欄に示すように、第１支持基板２３の搭載面２３ａの裏面２３ｂが、第１ＭＧ３１０に接続されたバスバー１０の一面１０ａに設置される。これによって第１磁電変換素子２１は第１支持基板２３を介してバスバー１０に搭載される。なお、第１磁電変換素子２１はバスバー１０の第２領域の直上に位置し、第２領域を流れる電流に応じた磁束Ｈが透過される。
【００２９】
第１モールド樹脂２４は開口部を有する箱形状を成し、その底部がバスバー１０の裏面１０ｂと側面それぞれと機械的に接続されている。インサート成形によって第１モールド樹脂２４をバスバー１０に形成した後、第１モールド樹脂２４の開口部を介して、第１磁電変換素子２１と第１処理回路２２とが搭載された第１支持基板２３をバスバー１０の一面１０ａに設置する。この際、第１支持基板２３をバスバー１０と第１モールド樹脂２４に例えば接着剤によって固定する。その後、第１モールド樹脂２４の開口部を第１蓋部２５によって閉塞する。
【００３０】
第２電流センサ３０は、第２磁電変換素子３１、第２処理回路３２、第２支持基板３３、第２モールド樹脂３４、および、第２蓋部３５を有する。第２支持基板３３の搭載面３３ａに第２磁電変換素子３１と第２処理回路３２とが搭載される。第２磁電変換素子３１と第２処理回路３２とは第２ワイヤ３６を介して互いに電気的に接続されている。第２磁電変換素子３１によって変換された、磁束の強さに応じた電気信号は、この第２ワイヤ３６を介して第２処理回路３２に出力される。
【００３１】
第２磁電変換素子３１と第１磁電変換素子２１とは全く同一の構成となっている。また第２処理回路３２も第１処理回路２２と全く同一の構成となっている。この第２処理回路３２にて処理された電気信号が、ＥＣＵなどに出力される。
【００３２】
図４の（ｂ）欄に示すように、第２支持基板３３の搭載面３３ａの裏面３３ｂが、第２ＭＧ３２０に接続されたバスバー１０の裏面１０ｂに設置される。これによって第２磁電変換素子３１は第２支持基板３３を介してバスバー１０に搭載される。なお、第２磁電変換素子３１はバスバー１０の第１領域の直上に位置し、第１領域を流れる電流に応じた磁束Ｈが透過される。
【００３３】
第２モールド樹脂３４は開口部を有する箱形状を成し、その底部がバスバー１０の一面１０ａと側面それぞれと機械的に接続されている。インサート成形によって第２モールド樹脂３４をバスバー１０に形成した後、第２モールド樹脂３４の開口部を介して、第２磁電変換素子３１と第２処理回路３２とが搭載された第２支持基板３３をバスバー１０の裏面１０ｂに設置する。この際、第２支持基板３３をバスバー１０と第２モールド樹脂３４に例えば接着剤によって固定する。その後、第２モールド樹脂３４の開口部を第２蓋部３５によって閉塞する。
【００３４】
次に、本実施形態に係る電流センサ装置１００の作用効果を説明する。上記したように、バスバー１０に形成されたスリット１１によって搭載領域が第１領域と第２領域とに分けられている。これによりバスバー１０を流れる被検出電流（第１電流と第２電流）が第１領域と第２領域とに分流される。第１領域を流れる第１分流電流と第２領域を流れる第２分流電流の比は、第１領域と第２領域の横幅の比によって定められる。そして第１領域と第２領域の横幅の比は、第１電流と第２電流の比によって定められている。
【００３５】
したがって第１ＭＧ３１０に接続されたバスバー１０の第２領域を流れる電流と、第２ＭＧ３２０に接続されたバスバー１０の第１領域を流れる電流とが互いに相等しくなる。このため、これら２つの電流それぞれの流動によって発生する磁束Ｈの強さも互いに相等しくなる。第１電流の流れる第１ＭＧ３１０に接続されたバスバー１０の第２領域に第１磁電変換素子２１が搭載され、第２電流の流れる第２ＭＧ３２０に接続されたバスバー１０の第１領域に第２磁電変換素子３１が搭載されている。これにより磁電変換素子２１，３１それぞれを強さの等しい磁束Ｈが透過する。したがって本実施形態で示したように、第１磁電変換素子２１の電気信号を処理する第１処理回路２２と、第２磁電変換素子３１の電気信号を処理する第２処理回路３２とを全く同一とすることができる。したがってバスバー１０に流れる電流に応じて処理回路２２，３２を複数種類用意しなくともよく、バスバー１０も複数種類用意しなくともよくなる。
【００３６】
本実施形態ではバスバー１０の一面１０ａに、一面１０ａであることを示す刻印１０ｃが形成されている。これによればインサート成形によってモールド樹脂２４，３４をバスバー１０に形成する際に、モールド樹脂２４，３４をインサート形成するための金型のキャビティへのバスバー１０の設置を間違えることが抑制される。
【００３７】
以上、本発明の好ましい実施形態について説明したが、本発明は上記した実施形態になんら制限されることなく、本発明の主旨を逸脱しない範囲において、種々変形して実施することが可能である。
【００３８】
（第１の変形例）
本実施形態ではバスバー１０に１つのスリット１１が形成された例を示した。しかしながら図５に示すように、バスバー１０に２つのスリット１１，１２が形成されてもよい。図５に示す変形例では、第１スリット１１と第２スリット１２とが流動方向（ｙ方向）に離れている。そして第１スリット１１によって搭載領域の一部が、横幅がａの第１領域と横幅がｂの第２領域とに分けられている。また第２スリット１２によって搭載領域の一部が、横幅がｃの第３領域と横幅がｄの第４領域とに分けられている。これら横幅ａ〜ｄは互いに異なっている。これによれば、第１電流と第２電流の比が横幅ａ，ｂの比の場合だけではなく、第１電流と第２電流の比が横幅ｃ，ｄの比の場合においても、磁電変換素子２１，３１の搭載位置を調整することで、磁電変換素子２１，３１を透過する磁束Ｈを等しくすることができる。更に言えば、第１電流と第２電流の比が横幅ａ，ｃの比、横幅ａ，ｄの比、横幅ｂ，ｃの比、横幅ｂ，ｄの比それぞれの場合においても、磁電変換素子２１，３１の搭載位置を調整することで、磁電変換素子２１，３１を透過する磁束Ｈを等しくすることができる。また、第１スリット１１と第２スリット１２とがｙ方向に離れているので、スリット１１，１２がｘ方向に並ぶ構成と比べて、第１〜第４領域それぞれの横幅が短くなることが抑制される。これにより磁電変換素子２１，３１の各領域に対する位置決めが困難となることが抑制される。
【００３９】
（第２の変形例）
バスバー１０に形成されるスリットの数としては、３つ以上を採用することができる。例えば図６に示す構成では、バスバー１０に３つのスリット１１〜１３が形成されている。そしてスリット１１〜１３ぞれぞれの流動方向（ｙ方向）の長さが互いに異なり、ｘ方向に並んでいる。第１スリット１１によって搭載領域の一部が、横幅がａの第１領域と横幅がｂの第２領域とに分けられ、第２スリット１２によって第２領域の一部が、横幅がｃの第３領域と横幅がｄの第４領域とに分けられている。また第３スリット１３によって第４領域の一部が、横幅がｅの第５領域と横幅がｆの第６領域とに分けられている。そして横幅ａ〜ｆは互いに異なり、６つの横幅ａ〜ｆの内の２つの横幅の比が、第１電流と第２電流の比に等しくなっている。したがってこの変形例の場合、第１電流と第２電流の比に応じて、６つの横幅ａ〜ｆの内の２つの横幅の領域に磁電変換素子２１，３１を選択して搭載することで、磁電変換素子２１，３１を透過する磁束Ｈを等しくすることができる。また、３つのスリット１１〜１３がｘ方向に並んでいるので、スリット１１〜１３がｙ方向に離れる構成と比べて、搭載領域の拡大を抑制することができる。
【００４０】
なお、６つの横幅ａ〜ｆの内の２つの横幅の領域の比は、第１電流と第２電流の比だけではなく、これらとは異なる第３電流と第４電流の比などに応じて決定される。このように、複数のスリットによって分けられる複数の領域の横幅の比を、複数の被検出電流の比に応じて予め決定してもよい。この横幅の比の決定は、もちろん上記の第１の変形例においても適用可能である。
【００４１】
（その他の変形例）
本実施形態ではバスバー１０がインバータ２１０，２２０とＭＧ３１０，３２０とに接続される例を示した。しかしながらバスバー１０の接続対象としては上記例に限定されず、民生の電気部品に適宜接続可能である。そしてバスバー１０に形成されるスリット１１の位置は、接続対象となる電気部品の仕様によって定められる電流に応じて予め決定される。すなわち、バスバー１０が仕様によって定められる電流の相異なる２つの電気部品に接続される場合、スリット１１によって分けられる第１領域と第２領域の横幅の比が、仕様によって定められる２つの電流の比と一致するように、バスバー１０にスリット１１が形成される。
【００４２】
本実施形態ではインサート成形によってモールド樹脂２４，３４をバスバー１０に形成した後、支持基板２３，３３（磁電変換素子２１，３１）をバスバー１０に設置する例を示した。しかしながらバスバー１０とは無関係に単独で樹脂形成したモールド樹脂２４，３４それぞれをバスバー１０に接着剤などによって固定した後、支持基板２３，３３（磁電変換素子２１，３１）をバスバー１０に設置してもよい。
【００４３】
本実施形態では第１ＭＧ３１０に接続されたバスバー１０の一面１０ａに第１支持基板２３が搭載され、第２ＭＧ３２０に接続されたバスバー１０の裏面１０ｂに第２支持基板３３が搭載された例を示した。しかしながら第１ＭＧ３１０に接続されたバスバー１０の一面１０ａに第１支持基板２３が搭載され、第２ＭＧ３２０に接続されたバスバー１０の一面１０ａに第２支持基板３３が搭載されても良い。これとは反対に、第１ＭＧ３１０に接続されたバスバー１０の裏面１０ｂに第１支持基板２３が搭載され、第２ＭＧ３２０に接続されたバスバー１０の裏面１０ｂに第２支持基板３３が搭載されても良い。支持基板２３，３３のバスバー１０への搭載面は一面１０ａ、裏面１０ｂに依存しない。ただし、磁電変換素子２１，３１のバスバー１０に対する搭載位置は、上記の第１領域および第２領域それぞれに依存する。
【００４４】
本実施形態ではバスバー１０の一面１０ａに刻印１０ｃが形成される例を示した。しかしながら刻印１０ｃは一面１０ａに形成されなくとも良い。
【００４５】
本実施形態では磁電変換素子２１，３１の具体例を述べていなかったが、自身を透過する磁束を電気信号に変換することのできるセンサ素子であれば適宜採用することができる。そのような素子としては、例えば、磁気抵抗効果素子、巨大磁気抵抗効果素子、トンネル磁気抵抗効果素子、および、ホール素子などを採用することができる。
【符号の説明】
【００４６】
１０…バスバー、１０ａ…一面、１０ｂ…裏面、１１…スリット、２０…第１電流センサ、２１…第１磁電変換素子、２２…第２磁電変換素子、３０…第２電流センサ、３１…第１処理回路、３２…第２処理回路、１００…電流センサ装置
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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