(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
シリコン基板上にGaN材料を成長させる方法であって、
(100)表面方位または10度までのオフセットを伴う(100)表面方位を有する単結晶シリコン基板を提供するステップと、
エピツイスト技術を用いて、(110)結晶方位および立方結晶構造を有する希土類酸化物を含む単結晶応力管理層を前記シリコン基板上にエピタキシャルに成長させるステップと、
前記応力管理層の希土類酸化物よりもGaNの格子面間隔により近い格子面間隔を有する希土類酸化物を含む単結晶バッファ層を、前記応力管理層上にエピタキシャルに成長させるステップと、
前記バッファ層の表面に(11-20)結晶方位および(0001)結晶方位のいずれか１つを有する単結晶GaN材料の層をエピタキシャルに成長させるステップとを含む、方法。
【請求項２】
前記単結晶応力管理層は、単結晶酸化ガドリニウム(Gd2O3)を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記単結晶バッファ層は、単結晶酸化エルビウム(Er2O3)を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
シリコン基板上にGaN材料を成長させる方法であって、
(100)表面方位または10度以内オフセットされた(100)表面方位を有する単結晶シリコン基板を提供するステップと、
エピツイスト技術を用いて、立方結晶構造の(110)結晶方位を有する単結晶酸化カドリニウム(Gd2O3)であって、前記シリコン基板の表面と実質的に結晶格子整合する単結晶酸化ガドリニウム(Gd2O3)を含む単結晶応力管理層を前記シリコン基板上にエピタキシャルに成長させるステップと、
前記応力管理層上に、前記応力管理層の希土類酸化物よりGaNの格子面間隔により近い格子面間隔を有する単結晶酸化エルビウム(Er2O3)を含む単結晶バッファ層をエピタキシャルに成長させるステップと、
前記バッファの表面上に(11-20)結晶方位または(0001)結晶方位のいずれか１つを有する単結晶GaN半導体材料の層をエピタキシャルに成長させるステップとを含む、方法。
【請求項５】
シリコン基板に成長したGaN半導体材料であって、
(100)表面方位または10度までオフセットされた(100)表面方位を有する単結晶シリコン基板と、
前記シリコン基板上に配置され、(110)結晶方位および立方結晶構造を有する希土類酸化物を含む単結晶応力管理層と、
前記応力管理層上に配置されて、(110)結晶方位を有する希土類酸化物を含む単結晶バッファと、
前記バッファの表面上に置かれて、(11-20)結晶方位または(0001)結晶方位のいずれか１つを有する単結晶GaN材料の層と、を含むGaN半導体材料。
【請求項６】
前記単結晶応力管理層は、単結晶酸化ガドリニウム(Gd2O3)を含む、請求項５に記載の、シリコン基板上に成長したGaN半導体物質。
【請求項７】
前記単結晶バッファ層は、単結晶酸化エルビウム(Er2O3)を含む、請求項５に記載の、シリコン基板上に成長したGaN半導体物質。
【請求項８】
シリコン基板上に成長したGaN半導体材料であって、
(100)方位または10度までオフセットされた(100)方位を有する単結晶シリコン基板と、
前記シリコン基板上に配置された単結晶応力管理層であって、(110)結晶方位を有しシリコン基板の表面と実質的に結晶格子整合する立方結晶構造の単結晶酸化ガドリニウム(Gd2O3)を含む単結晶応力管理層と、
前記応力管理層上に配置されて、(110)結晶方位を有する単結晶酸化エルビウム(Er2O3)を含む単結晶バッファと、
前記バッファの表面に配置されて、(11-20)結晶方位または(0001)結晶方位のいずれか１つを有する単結晶GaN半導体材料の層とを含む、シリコン基板上に成長したGaN半導体材料。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、一般にシリコン(100)上へのGaN材料の成長に関し、より詳しくはシリコン基板とGaN層との間にエピツイスト(epi-twist)技術により形成されたバッファの作製に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
半導体産業において、シリコン(100)配向基板が、その高キャリア移動度のため、広く用いられる。GaN電子回路とシリコン電子回路との統合化を簡単にするために、シリコン(100)基板上にGaNの成長ができれば有利である。しかしシリコン基板上でGaNを成長させることは、シリコンとGaNの間に大きい結晶格子不整合があり(-16.9%)、熱不整合があること(53%)が主な理由で、困難であることが知られている。このため、１または複数のある種のバッファ層が通常、シリコン基板の上に形成され、GaN材料は該バッファ層上に成長される。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】米国特許第8,106,381号明細書
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
通常、従来技術に係るバッファ層は、形成するのが複雑かつ高価であるか、または結晶格子不整合のためGaN内の応力を減少させるには不十分であった。
【０００５】
従って、従来技術に固有の、前述した欠点および他の欠点を克服することが、大いに望まれている。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の所望の目的および態様は、(100)表面方位または10度までオフセットされた(100)表面方位の単結晶シリコン基板を提供し、エピツイスト技術を利用してシリコン基板上に単結晶の応力管理層(stress managing layer)をエピタキシャルに成長させる、シリコン基板上にGaN材料を成長させる方法によって達成される。
【０００７】
単結晶の応力管理層は、(110)結晶方位および立方結晶構造を有する希土類酸化物を含む。本方法は、応力管理層上に単結晶バッファ層をエピタキシャルに成長させることをさらに含む。単結晶バッファ層は、応力管理層の希土類酸化物よりも、GaNの格子面間隔に近い格子面間隔を有する希土類酸化物を含む。 (11-20)結晶方位または(0001)結晶方位のいずれかを有するGaN材料が、前記バッファの表面でエピタキシャルに成長する。
【０００８】
本発明の所望の目的および態様は、シリコン基板上で成長したGaN半導体物質によって、さらに実現される。この製品は、(100)表面方位または１０度までオフセットされた(100)表面方位を有する単結晶シリコン基板を含み、シリコン基板上に配置された単結晶管理層を含む。単結晶応力管理層は、(110)結晶方位および立方結晶構造を有する希土類酸化物を含む。単結晶バッファが応力管理層上に配置され、それは(110)結晶方位の希土類酸化物を含む。単結晶GaN材料の層が前記バッファの表面に配置されて、それは(11-20)結晶方位または(0001)結晶方位のいずれかを有する。
【０００９】
本発明の前述のおよび更なる、ならびにより特定の目的および利点は、図面を参照した以下の本発明の好ましい実施例についての詳細な説明から当業者にとって明らかになる。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】本発明によってシリコン(100)基板上にGaN材料を成長させる方法を例示する簡略層線図である。
【図２】GaN六角形の(11-20)方位を示した図面である。
【図３】図１に示された成長した構造のＸ線回折２θ−ω走査を示す。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
簡略な層線図である図１を参照する。同図には、本発明に従ってシリコン基板10上にGaN材料を成長させる処理におけるいくつかの工程が表わされている。基板10は一般に知られ、半導体産業において用いられる標準かつ周知の単結晶ウェーハまたはその部分であってもよいことが理解されよう。また、「基板」という用語は、単に支持物を指し、他の材料（例えば酸化物等）からなるベース層に配置されたシリコン含有材料の層であってもよい。この明細書において単結晶基板とは、(100)シリコンまたは10度までオフセットされた軸配向のシリコン(100)に制限されることが理解されよう。シリコン(100)基板は、0度と10度との間に公称値を有する任意の配向のさまざまなミスカットをも含んでいてもよい。オフセットすなわち軸から離れた配向の有無にかかわらず、基板10の(100)配向が好適であるが、軸から離れたシリコン(100)はその上にドメインのない酸化被膜が成長するのを助ける。
【００１２】
シリコンは立方結晶方位を有する。そして、多くの他のIII-N材料、例えばGaNは六角形(hexagonal)の結晶方位を有する。立方晶の上にエピタキシャルに成長する六方晶は通常、広い格子不整合および大きな転位密度または結晶欠陥を発生させる。これは、装置設計にとって材料の有用性を制限する。さらに、不整合およびそれに因る転位密度もしくは欠陥のため、GaNの層の厚みは厳格に制限される。これは層の厚みがより大きくなるにつれて欠陥が広がるからである。このように、２つの材料の異なる結晶が格子整合することが困難であるか不可能であるという理由で、単結晶シリコン基板上へ単結晶GaNを成長させることは困難である。
【００１３】
本発明において、図１で図示したように、単結晶希土類酸化物の応力管理層12が、シリコン基板10にエピタキシャル成長している。この層12は、好ましくはシリコンの格子面間隔に近い結晶格子面間隔を有する希土類酸化物を含む。さまざまな希土類酸化物は、ごくわずかな応力でシリコンと実質的に整合する結晶格子面間隔を有する。例えば、Gd2O3は10.81Åの結晶格子面間隔(a)を有し、Er2O3は10.55Åの結晶格子面間隔(a)を有し、Nd2O3は11.08Åの結晶格子面間隔(a)を有し、シリコンは10.86Åの２倍の間隔(2a)を有する。また、結晶間隔を望ましいレベルにしてその後に堆積される層の応力をオフセットするのに望ましい張力もしくは圧縮圧力を発生するために、二つ以上の希有土類材料が、１つまたは複数の層に混ぜ合わされることもある。このように、本願明細書において、REOのaとSiの2aとは、「実質的に結晶学的な整合(substantial crystallographic match)」として定義される。さらに、REOの単一層または複数層の結晶格子面間隔は、構成成分の組成を変化させることによって、変えることができる。
【００１４】
応力管理層12は、「エピツイスト(epi-twist)」という名の技術を使用して、基板10にエピタキシャルに成長する。エピツイスト技術の付加的なおよびより詳細な特定の情報は、例えば、2012年1月31日に発行された”Semiconductor Structures with Rare-Earths”と題する、共同で所有される（出願人の譲受人により所有される）特許文献１において入手でき、それは参照により本明細書に組み込まれる。特許文献１においては、SOIおよびGOI構造の形成のために当該技術が使用されている。
【００１５】
エピツイスト技術を用いて、層12の希土類酸化物材料はシリコンと同様の立方結晶構造を保持するが、その方向は表面で(110)方位に変化する。この例では、(110)方向に変化する好適な希土類酸化物としてGd2O3があげられ、シリコン基板10との実質的に結晶学的な整合を提供する。ガドリニウムが好適な希有土類材料である一方、ガドリニウムより大きい原子番号を有し立方の形に結晶する任意の希有土類材料も採用することができる。単結晶酸化ガドリニウム(Gd2O3)は、好ましくはMBEによって、シリコン基板10にエピタキシャルに成長するが、その代わりに有機金属化学気相成長法(MOCVD)、または使用される特定のアプリケーションおよび付加的な成長技術に応じた他の任意の技術を用いて成長させることもできる。
【００１６】
希土類酸化物のバッファ層14は、好ましくはMBEによって、応力管理層12の表面にエピタキシャルに成長するが、その代わりに有機金属化学気相成長法もしくは他の任意の技術によっても成長させることができる。バッファ層14は層12の上にエピタキシャル成長するので応力管理層12と同様(110)結晶方位を有するが、GaNの間隔とより密接に整合する結晶間隔を有する。この具体例において、バッファ層14は単結晶酸化ガドリニウム(Gd2O3)の結晶間隔よりわずかに小さい結晶距離を有する単結晶酸化エルビウム(Er2O3)を含み、それはその上に続く層のいかなる応力も低減させ、実質的に変形のない層を成長させることができる。
【００１７】
単結晶GaN層16は、好ましくはMBEによって、バッファ層14上にエピタキシャルに成長するが、その代わりに有機金属化学気相成長法または他の任意の技術によっても成長させてもよい。GaN層16は、図２にて図示したように、(11-20)結晶方位を有する。この(11-20)方位は、図示する側から見て（プリズムの端から観察して）六角プリズムを表す。シリコン(110) に直接成長したときに、GaNやAlNが有するように、GaN層16は(0001)結晶方位を有するが、より少ない応力で成長し、従って転位密度は減少することが理解されよう。
【００１８】
図３は、図１において示した成長した構造のＸ線回折２θ−ω走査を表し、図１に図示される構造の、シリコン、酸化ガドリニウム、酸化エルビウムおよび窒化ガリウムの各強度ピークが示されている。
【００１９】
このように、シリコン(100)基板上にGaNを成長させる新規な方法が開示された。本新規な方法は、電子装置およびフォトニック装置用に好適な形式のGaNを提供し、作製が容易である。さらに、GaN層は、減少した転位密度を有する。シリコン(100)基板上に成長するGaNにより実現される大きな利点は、GaN電子デバイスがシリコンCMOS回路に都合よく内蔵されることができるということである。また、(11-20)方向において、成長するGaN層は、自発分極を低下させ、GaNフォトニック装置の効果を増加させる。
【００２０】
本願明細書において、例示の目的で選ばれた実施の形態に対して、当業者であれば容易になし得るさまざまな変更と改良を加えることができる。かかる改良および変更は、本発明の精神から逸脱しない範囲において、添付の特許請求の範囲の公正な解釈によって、本発明に含まれる。
【００２１】
当業者が本発明を理解して実施できるように明確かつ簡潔な言葉で本発明を十分に説明したが、本発明は以下のように請求される。
【図１】
0006375376.tif 000002
【図２】
0006375376.tif 000003
【図３】
0006375376.tif 000004