(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも表面が圧電性材料で構成された圧電基板（２）と、
前記圧電基板の表面上において、前記圧電基板の表面内における一方向に延設された互いに平行な歯を有する２つの電極（３ａ、３ｂ）を、前記２つの電極それぞれの歯が交互に並ぶように対向して配置することにより構成され、入力信号が入力されると前記圧電基板の圧電効果に基づいて弾性表面波を励起させ、前記圧電基板に備えられる伝播路に伝播させる入力電極として機能すると共に、前記弾性表面波の反射波が前記伝播路を通じて戻ってくると、該反射波を検知して出力信号を発生させる出力電極としても機能する櫛形電極（３）と、
前記伝播路を挟んで前記櫛形電極と反対側に配置され、前記弾性表面波を反射して前記反射波を発生させる反射器（４）と、
前記圧電基板上を被覆すると共に前記櫛形電極を被覆する被覆膜（５、８）と、を有する弾性表面波素子であって、
前記被覆膜は、前記櫛形電極の上では平坦面とされていると共に、前記伝播路を挟んで前記櫛形電極と反対側において前記反射器の少なくとも一部を構成する突起状構造部（４ｂ、４ｃ）を備え、
前記反射器の一部として、前記圧電基板の表面のうち前記伝播路を挟んで前記櫛形電極と反対側に形成された電極構造部（４ａ）が備えられていることを特徴とする弾性表面波素子。
【請求項２】
少なくとも表面が圧電性材料で構成された圧電基板（２）と、
前記圧電基板の表面上において、前記圧電基板の表面内における一方向に延設された互いに平行な歯を有する２つの電極（３ａ、３ｂ）を、前記２つの電極それぞれの歯が交互に並ぶように対向して配置することにより構成され、入力信号が入力されると前記圧電基板の圧電効果に基づいて弾性表面波を励起させ、前記圧電基板に備えられる伝播路に伝播させる入力電極として機能すると共に、前記弾性表面波の反射波が前記伝播路を通じて戻ってくると、該反射波を検知して出力信号を発生させる出力電極としても機能する櫛形電極（３）と、
前記伝播路を挟んで前記櫛形電極と反対側に配置され、前記弾性表面波を反射して前記反射波を発生させる反射器（４）と、
前記圧電基板上を被覆すると共に前記櫛形電極を被覆する被覆膜（５、８）と、を有する弾性表面波素子であって、
前記被覆膜は、前記櫛形電極の上では平坦面とされていると共に、前記伝播路を挟んで前記櫛形電極と反対側において前記反射器の少なくとも一部を構成する突起状構造部（４ｂ、４ｃ）を備え、
前記被覆膜は、表面が平坦面のみとされた部分と、該部分の上に積み増された部分とを有して構成されていることを特徴とする弾性表面波素子。
【請求項３】
少なくとも表面が圧電性材料で構成された圧電基板（２）と、
前記圧電基板の表面上において、前記圧電基板の表面内における一方向に延設された互いに平行な歯を有する２つの電極（３ａ、３ｂ）を、前記２つの電極それぞれの歯が交互に並ぶように対向して配置することにより構成され、入力信号が入力されると前記圧電基板の圧電効果に基づいて弾性表面波を励起させ、前記圧電基板に備えられる伝播路に伝播させる入力電極として機能すると共に、前記弾性表面波の反射波が前記伝播路を通じて戻ってくると、該反射波を検知して出力信号を発生させる出力電極としても機能する櫛形電極（３）と、
前記伝播路を挟んで前記櫛形電極と反対側に配置され、前記弾性表面波を反射して前記反射波を発生させる反射器（４）と、
前記圧電基板上を被覆すると共に前記櫛形電極を被覆する被覆膜（５、８）と、を有する弾性表面波素子であって、
前記被覆膜は、前記櫛形電極の上では平坦面とされていると共に、前記伝播路を挟んで前記櫛形電極と反対側において前記反射器の少なくとも一部を構成する突起状構造部（４ｂ、４ｃ）を備え、
前記反射器は、前記圧電基板に対する法線方向および前記弾性表面波の伝播方向に対する平行面での断面形状が三角形とされていることを特徴とする弾性表面波素子。
【請求項４】
前記反射器は、前記突起状構造部として前記被覆膜の表面に形成された凸部（４ｂ、４ｃ）のみによって構成されていることを特徴とする請求項３に記載の弾性表面波素子。
【請求項５】
前記三角形は、前記圧電基板の法線方向に対して、前記伝播路側の一辺が平行、前記伝播路と反対側の一辺が傾斜した直角三角形状であることを特徴とする請求項３または４に記載の弾性表面波素子。
【請求項６】
前記反射器の一部として、前記圧電基板の表面のうち前記伝播路を挟んで前記櫛形電極と反対側に形成された電極構造部（４ａ）が備えられていることを特徴とする請求項２または３に記載の弾性表面波素子。
【請求項７】
前記弾性表面波を発生させてから前記反射波が前記櫛形電極に返ってくるまでの間を遅延時間として、
前記被覆膜は、温度変化に基づく前記遅延時間の変化を抑制する温特抑制膜（５）を含んでいることを特徴とする請求項１ないし６のいずれか１つに記載の弾性表面波素子。
【請求項８】
前記被覆膜は、前記弾性表面波素子への水分の浸入を抑制する防湿膜（８）を含んでいることを特徴とする請求項１ないし７のいずれか１つに記載の弾性表面波素子。
【請求項９】
請求項１ないし８のいずれか１つに記載の弾性表面波素子を有し、
印加された物理量に応じて前記伝播路の長さが変化することに基づいて、前記弾性表面波を発生させてから前記反射波が前記櫛形電極に返ってくるまでの間の時間間隔である遅延時間より前記物理量の検出を行うことを特徴とする物理量センサ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、弾性表面波素子およびそれを用いた物理量センサに関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来より、弾性表面波（以下、ＳＡＷ（Surface Acoustic Wave）という）素子を用いた物理量センサがある。例えば、反射遅延型のＳＡＷ素子を用いた物理量センサは、サファイア基板上に圧電薄膜を形成した基板の上に、櫛形電極（以下、ＩＤＴ（Interdigital Transducer）という）と、反射用の電極構造部とを有した構成とされる。ＩＤＴは、入力電極および出力電極を構成しており、２つの櫛形の電極を組み合わせたストライプ状の櫛形電極とされている。反射用の電極構造部は、伝播路を挟んでＩＤＴの反対側に配置され、ＩＤＴと対向配置されたストライプ状とされている。このような構成とされる物理量センサでは、ＩＤＴの各電極に入力信号を入力すると、そのときに発生させられるＳＡＷが反射用の電極構造部で反射されて反射波が発生させられ、それが再びＩＤＴに戻ってくる。これに基づいて、ＩＤＴから出力信号が出力されることで、印加された物理量を検出する。
【０００３】
すなわち、物理量に基づく歪みによって入力電極と出力電極の間、もしくは、入力電極および出力電極を構成するＩＤＴと反射用の電極構造部との間の距離が変化すると、入力電圧が発したＳＡＷが出力電極に伝わるまでに掛かる時間が変化する。このため、入力信号を入力してから出力信号が発生させられるまでの間の時間間隔である遅延時間に基づいて、発生している物理量を検出することができる。
【０００４】
ＳＡＷの速度およびＩＤＴと反射用の電極構造部との間の距離は温度の影響を受けるため、この場合の遅延時間は、物理量だけでなく、温度によっても変化する。そのため、検出精度を向上させるためには、温度による遅延時間の変化を抑制することが重要である。そこで、温度による遅延時間の変化（以下、温度特性という）を抑制するために、ＩＤＴや反射用の電極構造部をシリコン酸化膜（ＳｉＯ2）などの特性抑制膜で被覆することで、温度係数を小さくすることが行われている（非特許文献１参照）。
【０００５】
また、上記シリコン酸化膜（ＳｉＯ2）は一般に吸湿性が高く、吸湿することで特性が変動し、好適な物理量検出が行えなくなる。このため、シリコン窒化膜（ＳｉＮ）などの防湿膜で被覆することで、特性変動を抑制することが行われている。
【先行技術文献】
【非特許文献】
【０００６】
【非特許文献１】Ultrasonics Symposium (IUS), 2010 IEEE International S. Matsuda, M. Miura, T. Matsuda, M. Ueda, Y. Satoh and K. Hashimoto“ Investigation of SiO2 Film Properties for Zero  Temperature Coefficient of Frequency SAW Devices ,”Proc. IEEE Ultrason. Symp. (2010) pp. 633-636
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかしながら、ＩＤＴを特性抑制膜や防湿膜などの被覆膜で被覆する場合、温度特性の抑制効果や防湿効果を得ることが可能になるものの、被覆されることによって利得が低下するという問題が発生する。具体的には、ＩＤＴを被覆すると、ＳＡＷ素子の特性として有する電気機械結合係数が低下し、これにより利得を低下させてしまう。
【０００８】
これに対して、ＩＤＴの上において、被覆膜に形成される凹凸形状を無くすように平坦化を行うことで、電気機械結合係数の低下を抑制することができる。ところが、被覆膜の平坦化は反射率の低下を招く。つまり、被覆膜のうち反射用の電極構造部の上に形成される凹凸は反射の一要因となっており、反射用の電極構造部と共に反射器の一部を構成していることから、この部分の凹凸が無くなることによって反射率が低下する。反射遅延型のＳＡＷ素子では、反射器の反射率の低下は信号強度の低下となり、利得の低下となる。反射用の電極構造部の数を増やすことで全体としての反射強度を保つことができるが、周波数特性の先鋭化、つまりＳＡＷ素子として適用可能な周波数帯域の低下に繋がることから、単に反射用の電極構造部の数を増やすことは好ましくない。
【０００９】
本発明は上記点に鑑みて、ＳＡＷ素子を被覆膜で被覆する場合において、利得の低下を抑制することができる構造を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
上記目的を達成するため、請求項１に記載の発明では、少なくとも表面が圧電性材料で構成された圧電基板（２）と、圧電基板の表面上において、圧電基板の表面内における一方向に延設された互いに平行な歯を有する２つの電極（３ａ、３ｂ）を、２つの電極それぞれの歯が交互に並ぶように対向して配置することにより構成され、入力信号が入力されると圧電基板の圧電効果に基づいて弾性表面波を励起させ、圧電基板に備えられる伝播路に伝播させる入力電極として機能すると共に、弾性表面波の反射波が伝播路を通じて戻ってくると、該反射波を検知して出力信号を発生させる出力電極としても機能するＩＤＴ（３）と、伝播路を挟んでＩＤＴと反対側に配置され、弾性表面波を反射して反射波を発生させる反射器（４）と、圧電基板上を被覆すると共にＩＤＴを被覆する被覆膜（５、８）と、を有する弾性表面波素子であって、被覆膜は、ＩＤＴの上では平坦面とされていると共に、伝播路を挟んでＩＤＴと反対側において反射器の少なくとも一部を構成する突起状構造部（４ｂ、４ｃ）を備えていることを特徴としている。
【００１１】
このように、被覆膜のうちＩＤＴと対応する位置の表面を平坦面としていることから、ＳＡＷ素子の特性として有する電気機械結合係数の低下を抑制することが可能となる。
【００１２】
また、被覆膜のうちＩＤＴから離間した位置には反射器の一部を構成する突起状構造部を形成している。これにより、ＩＤＴから伝播路を通じて伝播されたＳＡＷが反射器で反射されるときに、凸部が反射器の一部を構成するようにでき、反射率を低下させることなくＳＡＷが反射される。したがって、被覆膜の一部を平坦化しても反射率が低下しないようにでき、信号強度の低下を抑制することが可能となって、利得の低下を抑制できる。
【００１３】
なお、上記各手段の括弧内の符号は、後述する実施形態に記載の具体的手段との対応関係の一例を示すものである。
【図面の簡単な説明】
【００１４】
【図１】本発明の第１実施形態にかかるＳＡＷ素子１を有する物理量センサの上面レイアウト図である。
【図２】図１のII−II断面図である。
【図３】図１および図２に示すＳＡＷ素子１の製造工程を示した断面図である。
【図４】図３に続くＳＡＷ素子１の製造工程を示した断面図である。
【図５】本発明の第２実施形態にかかるＳＡＷ素子１の製造工程を示した断面図である。
【図６】図５（ａ）〜（ｃ）の部分拡大図である。
【図７】本発明の第３実施形態にかかるＳＡＷ素子１を有する物理量センサの上面レイアウト図である。
【図８】本発明の第４実施形態にかかるＳＡＷ素子１を有する物理量センサの上面レイアウト図である。
【図９】本発明の第５実施形態にかかるＳＡＷ素子１を有する物理量センサの上面レイアウト図である。
【図１０】図９に示すＳＡＷ素子１の製造工程を示した断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１５】
以下、本発明の実施形態について図に基づいて説明する。なお、以下の各実施形態相互において、互いに同一もしくは均等である部分には、同一符号を付して説明を行う。
【００１６】
（第１実施形態）
本発明の第１実施形態について図１〜図４を用いて説明する。まず、本実施形態のＳＡＷ素子１の構成について説明する。ここでは、トルク検出を行うトルクセンサにＳＡＷ素子１を適用する場合を例に挙げて説明するが、ＳＡＷ素子１を圧力センサなどの他の物理量を検出するセンサとして用いることもできる。
【００１７】
ＳＡＷ素子１は、図１および図２に示すように圧電基板２の表面上にＩＤＴ３と反射器４の一部を構成する反射用の電極構造部４ａを備えた構成とされ、これらを図２に示すように温特抑制膜５によって被覆することによって構成されている。また、ＳＡＷ素子１は、外部の装置として、制御装置６に接続されており、この制御装置６によって制御されることでトルク検出を行っている。
【００１８】
圧電基板２は、ニオブ酸リチウム（ＬｉＮｂＯ3）、タンタル酸リチウム）ＬｉＴａＯ3等の圧電性材料で形成された平板状の基板である。
【００１９】
ＩＤＴ３は、入力信号に基づいてＳＡＷを発生させる入力電極に相当するものである。ＩＤＴ３は、図１に示すように、対向する２つの櫛形の電極３ａ、３ｂの各歯が互いに平行かつ交互に並ぶように配置されており、例えばアルミニウム（Ａｌ）、金（Ａｕ）、銅（Ｃｕ）などの電極材料によって構成されている。各電極３ａ、３ｂの歯は互いに平行に並べられ、本実施形態の場合は、ＩＤＴ３を構成する電極３ａ、３ｂの歯のピッチを例えばλ／２で一定としているが、各歯のピッチについては任意に設定可能である。なお、λは本実施形態において使用するＳＡＷの波長である。
【００２０】
各電極３ａ、３ｂはそれぞれ制御装置６と接続するための配線や端子に接続されており、これらを通じて制御装置６からの入力信号の入力や、制御装置６への出力信号の出力が為される。そして、制御装置６から入力信号が入力されることに基づき、ＩＤＴ３は、各電極３ａ、３ｂの間に発生する電位差および圧電基板２の圧電効果による励起によりＳＡＷを発生させ、伝播路および反射器４側に伝播させる。
【００２１】
反射器４は、ＩＤＴ３から伝播されるＳＡＷの伝播方向に対して垂直に延設された複数の突起状構造部によって構成されるもので、伝播されてきたＳＡＷを反射し、反射波を発生させてＩＤＴ３側に伝える。本実施形態では、ＩＤＴ３の電極３ａ、３ｂを構成する電極材料によって構成した電極構造部４ａと後述する温特抑制膜５の表面に形成された凸部４ｂとによって反射器４を構成している。そして、電極構造部４ａと凸部４ｂそれぞれが突起状構造部を構成した構造とされており、本実施形態では、電極構造部４ａと凸部４ｂが共に、図２に示す断面（圧電基板２の表面に対する法線方向およびＳＡＷの伝播方向に対する平行断面）が長方形とされている。また、本実施形態では、反射器４は、複数の突起状構造部が等間隔に平行に並べられ、ＩＤＴ３の各電極３ａ、３ｂの歯と対向して配置されている。各突起状構造部のピッチは、例えばＩＤＴ３を構成する電極３ａ、３ｂの歯のピッチと同じとされている。なお、電極３ａの各歯と電極３ｂの各歯の間の間隔は、上記したように、λ／２とされている。
【００２２】
温特抑制膜５は、圧電基板２の表面上において、ＩＤＴ３および反射器４を被覆するように設けられた被覆膜である。温特抑制膜５は、後述する遅延時間が温度により変化することを抑制するためのものであり、例えば、ＳｉＯ2、ＧｅＯ2、ＢｅＦ2等、ＳＡＷの伝播速度が正の温度係数を持つ材料で形成されている。例えば、温特抑制膜５の膜厚は０．３λ程度とされている。
【００２３】
温特抑制膜５の表面のうち、ＩＤＴ３の上の位置は、平坦面とされており、ＩＤＴ３から離間した位置には反射器４の一部を構成する凸部４ｂが形成されている。
【００２４】
制御装置６は、ＣＰＵ、ＲＯＭ、ＲＡＭ等からなる周知のマイクロコンピュータとその周辺回路など構成されるものであり、ＩＤＴ３に対して入力信号を入力すると共に、ＩＤＴ３の出力信号に基づいて物理量としてトルク検出を行う。具体的には、制御装置６は、ＩＤＴ３への入力信号、例えば各電極３ａ、３ｂの間にパルス状の電位差を発生させる信号を入力することで、圧電効果に基づいてＳＡＷを発生させる。これにより、反射器４から反射波が伝播され、その反射波に基づいて圧電効果によりＩＤＴ３の各電極３ａ、３ｂの間に電位差あるいは電荷が発生することから、制御装置６は、それを検出することで反射波が返って来たタイミングを検出する。そして、制御装置６は、ＳＡＷを発生させてから反射波が返って来るまでの間を遅延時間として、この遅延時間の測定を行う。印加されるトルクによってＩＤＴ３と反射器４との間の距離が変化し、この距離の変化によって遅延時間が変化することから、遅延時間を測定することで、トルクを検出することができる。
【００２５】
このような構造により、本実施形態にかかるＳＡＷ素子１が構成されている。このように構成されるＳＡＷ素子１は、例えば、車両のエンジンにおけるクランク軸近辺に配置されるトルクセンサとして用いられ、クランク軸に掛かるトルクに基づいて圧電基板２が変形することを利用して、トルク検出を行う。
【００２６】
つぎに、上記のように構成された本実施形態にかかるＳＡＷ素子１の動作について説明する。
【００２７】
まず、制御装置６がＩＤＴ３の２つの電極３ａ、３ｂに対して入力信号を入力、例えば電極３ａ、３ｂ間に電位差を発生させると、電極３ａ、３ｂを通して圧電基板２に電位差が発生する。これにより、圧電基板２のうちＩＤＴ３が形成された部分の表面において、圧電効果によるＳＡＷが発生させられる。このとき、本実施形態にかかるＳＡＷ素子１では、ＩＤＴ３の上において温特抑制膜５の表面を平坦化していることから、ＳＡＷ素子１の特性として有する電気機械結合係数の低下を抑制することが可能となる。
【００２８】
そして、ＳＡＷは圧電基板２の表面のうちＩＤＴ３と反射器４との間の伝播路を通じて伝播され、反射器４に到達する。その後、反射器４で反射されて、反射波としてＩＤＴ３に返って来る。このときの反射波についても、温特抑制膜５のうちＩＤＴ３の上に位置する部分を平坦化しつつ、反射器４側では凸部４ｂが備えられるようにしていることから、凸部４ｂが反射器４の一部を構成し、反射率を低下させることなくＳＡＷが反射されるようにできる。このような十分な反射率で生成された反射波をＩＤＴ３で検出する。具体的には、圧電基板２のうちのＩＤＴ３が形成された部分の表面が反射波によって変形し、ＩＤＴ３の電極３ａ、３ｂ間に圧電効果による電位差が発生することから、電位差の発生に基づいて反射波が戻ってきたタイミングを測定している。
【００２９】
この電位差が出力信号として制御装置６に出力され、制御装置６は、ＩＤＴ３に入力信号を入力してから、ＩＤＴ３から出力信号が出力されるまでの遅延時間を測定する。
【００３０】
ＳＡＷ素子１がこのような動作をしているときに、圧電基板２がクランク軸に加わるトルクに基づいて歪むと、ＳＡＷの伝播路の長さが変化し、ＳＡＷがＩＤＴ３から反射器４で反射してＩＤＴ３に戻ってくるまでの遅延時間が変化する。この遅延時間の測定結果に基づいて、制御装置６は、ＲＯＭ等の記憶領域に記憶された遅延時間とトルクとの関係をもとに、測定した遅延時間からトルクを検出する。
【００３１】
続いて、本実施形態にかかるＳＡＷ素子１の製造方法について、図３〜図４を参照して説明する。
【００３２】
まず、図３（ａ）に示すように圧電基板２を用意する。続いて、図３（ｂ）に示すように、圧電基板２の表面全面にレジスト１０を成膜したのち、露光・現像を経て、レジスト１０のうちＩＤＴ３や反射器４における電極構造部４ａと対応する部分を露出させる。その後、図３（ｃ）に示すように、レジスト１０の上に例えば蒸着によって電極材料１１を成膜する。これにより、レジスト１０上に加えて圧電基板２のうちレジスト１０が除去されて露出させられた部分に電極材料１１が成膜される。
【００３３】
そして、図３（ｄ）に示すようにレジスト１０を除去すると、電極材料１１のうちレジスト１０上に形成されていた部分がリフトオフによって除去され、圧電基板２の表面に形成されていた部分のみが残される。これにより、ＩＤＴ３および反射器４のうちの電極構造部４ａが構成される。
【００３４】
その後、図４（ａ）に示すように、ＩＤＴ３および反射器４における電極構造部４ａを被覆するように、圧電基板２の表面に例えばシリコン酸化膜にて構成される温特抑制膜５を形成する。例えば、ＣＶＤ（chemical vapor deposition）法やスパッタリング法によって温特抑制膜５を形成している。
【００３５】
続いて、図４（ｂ）に示すように温特抑制膜５の表面平坦化工程を行う。例えば、ＣＭＰ（Chemical Mechanical Polishing）もしくはエッチバック平坦化などによって表面平坦化工程を行っている。これにより、ＩＤＴ３や電極構造部４ａを被覆しつつ、温特抑制膜５の表面が平坦面とされる。
【００３６】
そして、図４（ｃ）に示すように温特抑制膜５の表面にレジスト１２を成膜したのち、露光・現像を経て、レジスト１２のうち反射器４における凸部４ｂと対応する部分を残す。その後、図４（ｄ）に示すように、レジスト１２をマスクとした異方性エッチング、例えばＲＩＥ（Reactive Ion Etching）を行うことで、温特抑制膜５を所定深さ除去し、凸部４ｂを形成する。
【００３７】
この後の工程については図示しないが、レジスト１２を除去したのち、温特抑制膜５に対してＩＤＴ３に繋がる配線を露出させる開口部などを形成することで、ＳＡＷ素子１が完成する。
【００３８】
以上説明したように、本実施形態のＳＡＷ素子１では、温特抑制膜５のうちＩＤＴ３と対応する位置の表面を平坦面としている。このように、ＩＤＴ３の上において温特抑制膜５の表面を平坦化していることから、ＳＡＷ素子１の特性として有する電気機械結合係数の低下を抑制することが可能となる。
【００３９】
また、温特抑制膜５のうちＩＤＴ３から離間した位置には反射器４の一部を構成する凸部４ｂを形成している。これにより、ＩＤＴ３から伝播路を通じて伝播されたＳＡＷが反射器４で反射されるときに、凸部４ｂが反射器４の一部を構成するようにでき、反射率を低下させることなくＳＡＷが反射される。したがって、温特抑制膜５の一部を平坦化しても反射率が低下しないようにでき、信号強度の低下を抑制することが可能となって、利得の低下を抑制できる。よって、ＳＡＷ素子１によるトルク検出の利得の低下を抑制することが可能となる。
【００４０】
（第２実施形態）
本発明の第２実施形態について説明する。本実施形態は、第１実施形態に対してＳＡＷ素子１の製造方法を変更したものであり、その他については第１実施形態と同様であるため、第１実施形態と異なる部分についてのみ説明する。
【００４１】
本実施形態にかかるＳＡＷ素子１の製造方法について、図５および図６を参照して説明する。なお、第１実施形態で説明したＳＡＷ素子１の製造方法のうち、図３（ａ）〜（ｄ）および図４（ａ）で示した工程については同様であるため、ここではそれ以降の各工程について説明する。
【００４２】
まず、図３（ａ）〜（ｄ）および図４（ａ）と同様の工程を行うことで、図５（ａ）に示すようなＩＤＴ３および反射器４における電極構造部４ａを温特抑制膜５で被覆した構造を得る。そして、図５（ｂ）に示すように、表面平坦化工程を行う。
【００４３】
このとき、温特抑制膜５の削り量を第１実施形態よりも多くする。図６（ａ）に示すように、図５（ａ）に示す工程で形成した温特抑制膜５には、ＩＤＴ３や電極構造部４ａのような段差部分の上に形成した部分に「す」と呼ばれる空孔５ａができるなど、膜質の悪い部分ができやすい。このような膜質の悪い部分が存在すると、ＳＡＷ素子１の耐久性に悪影響を与える可能性があるし、空孔５ａがＳＡＷにとって望まない反射源となり得る。
【００４４】
したがって、温特抑制膜５のうちの凹凸部分を平坦化しつつ、図６（ｂ）に示すように、空孔５ａとなる部分をある程度除去できる程度まで温特抑制膜５を薄肉化している。ただし、ＩＤＴ３や電極構造部４ａが露出しない程度に温特抑制膜５を残しておくのが好ましい。
【００４５】
さらに、図５（ｃ）に示すように、薄くなった温特抑制膜５を積み増す工程を行う。このようにして温特抑制膜５の積み増しを行った場合、図６（ｃ）に示すように、平坦化された状態から温特抑制膜５の積み増しを行っており、段差部分がない状態での積み増しになる。このため、空孔５ａが形成された膜質の悪い部分は継承されず、膜質を良くした状態で温特抑制膜５の積み増しを行うことが可能となる。
【００４６】
この後、図５（ｄ）、（ｅ）において図４（ｃ）、（ｄ）に示す工程を行うことで、本実施形態にかかるＳＡＷ素子１が完成する。
【００４７】
以上説明したように、本実施形態では、温特抑制膜５を一旦薄肉化してから積み増すようにしている。すなわち、温特抑制膜５のうちＩＤＴ３や電極構造部４ａのような段差部分の上に形成された膜質の悪い部分を除去してから、膜質の良いものを積み増すようにしている。空孔５ａは、段差部分を起点として発生することことから、表面に空孔５ａの一部が残っていたとしても、平坦面への積み増しであれば空孔５ａの発生を抑制することが可能となる。これにより、温特抑制膜５の膜質の向上を図ることが可能となり、温特抑制効果の向上やＳＡＷ素子１の耐久性の向上、さらには空孔５ａが望まない反射源となることを抑制できて、ＳＡＷ素子１の特性の向上を図ることが可能となる。
【００４８】
また、本実施形態のように温特抑制膜５の積み増しを行う場合、最初に形成した部分と積み増しを行う部分とを別材料としても良い。その場合、より反射率の高い材料によって積み増し部分を構成することができ、さらなる利得向上を図ることも可能となる。
【００４９】
（第３実施形態）
本発明の第３実施形態について説明する。本実施形態は、第１実施形態に対して反射器４の構成および製造方法を変更したものであり、その他については第１実施形態と同様であるため、第１実施形態と異なる部分についてのみ説明する。
【００５０】
図７に示すように、本実施形態にかかるＳＡＷ素子１では、反射器４を温特抑制膜５の表面に形成した凸部４ｂのみによって構成している。このように、反射器４について、電極構造部４ａを無くして凸部４ｂのみによって構成することもできる。ただし、このように電極構造部４ａを無くした構造とする場合、電極構造部４ａを備えている場合と比較してＳＡＷの速度が変化することから、凸部４ｂのピッチをＩＤＴ３のピッチに合わせて適宜調整すると好ましい。また、電極構造部４ａを無くして凸部４ｂのみの構成とした場合、凸部４ｂのみによってＳＡＷの反射を規定できることから、温特抑制膜５の材質もしくは構成によっては電極構造部４ａが備えられている場合よりも反射率が高くなるケースもある。
【００５１】
（第４実施形態）
本発明の第４実施形態について説明する。本実施形態も、第１実施形態に対して反射器４の構成および製造方法を変更したものであり、その他については第１実施形態と同様であるため、第１実施形態と異なる部分についてのみ説明する。
【００５２】
図８に示すように、本実施形態にかかるＳＡＷ素子１では、温特抑制膜５の上に、更に被覆膜として防湿効果などの保護機能を有するパッシベーション膜８を配置している。パッシベーション膜８は、例えばシリコン窒化膜や窒化アルミニウム、窒化チタンなどの窒化膜で構成され、素子内への水分の侵入を抑制する。例えば、パッシベーション膜８の膜厚は０．０５〜０．０８λ程度とされている。本実施形態の場合、温特抑制膜５の表面については凸部４ｂを設けずに平坦化しており、パッシベーション膜８の表面に、突起状構造部にて構成された凸部４ｃを形成してある。勿論、温特抑制膜５の表面にも凸部４ｂを残しつつ、凸部４ｂの形状が引き継がれるようにして、パッシベーション膜８の表面に凸部４ｃが形成されるようにしても良い。
【００５３】
このように、パッシベーション膜８を形成する場合にもその表面に反射器４の一部を構成する凸部４ｃを形成することで、第１実施形態と同様の効果を得ることができる。なお、本実施形態にかかるＳＡＷ素子１については、基本的には第１実施形態と同様の工程によって製造可能である。すなわち、図４（ｂ）の工程まで行った後、例えばＣＶＤ法などによってパッシベーション膜８の形成工程を行い、その後、第１実施形態で説明した図４（ｃ）、（ｄ）と同様の工程を行えば、表面に凸部４ｃが形成されたパッシベーション膜８が形成される。このような製造方法によって、本実施形態にかかるＳＡＷ素子１を製造することができる。
【００５４】
（第５実施形態）
本発明の第５実施形態について説明する。本実施形態は、第１実施形態に対して反射器４の構成および製造方法を変更したものであり、その他については第１実施形態と同様であるため、第１実施形態と異なる部分についてのみ説明する。
【００５５】
図９に示すように、本実施形態にかかるＳＡＷ素子１では、凸部４ｂの断面形状が三角形とされている。具体的には、凸部４ｂは、圧電基板２の法線方向に対して、伝播路側の一辺が平行、伝播路と反対側の一辺が傾斜した直角三角形状となるようにしている。このように、凸部４ｂを三角形とした場合にも、第１実施形態と同様の効果を得ることができる。また、凸部４ｂの形状がＳＡＷの反射率に影響を与え得るため、このような構成とすることで第１実施形態の構造とした場合よりも高い反射率を得られる可能性がある。
【００５６】
このような構造のＳＡＷ素子１の製造方法は、基本的には第１実施形態と同様であるが、凸部４ｂの形成工程が第１実施形態に対して異なったものとなる。例えば、次のようにして本実施形態にかかるＳＡＷ素子１を製造することができる。
【００５７】
まず、上記した第１実施形態の変形例に示したように、図１０（ａ）、（ｂ）に示す工程として、図４（ａ）、（ｂ）に示す工程と同様の工程を行うことで、温特抑制膜５の表面を平坦化する。
【００５８】
そして、図１０（ｃ）に示す工程として、図４（ｃ）に示す工程と同様、レジスト３０を配置した後、パターニングしてレジスト３０を凸部４ｂの形成予定位置に残す。ただし、このとき、ＩＤＴ３からのＳＡＷの伝播方向と同方向において、レジスト３０のうち各凸部４ｂと対応するそれぞれの部分での露光量を変化させる。この後、レジスト３０を現像すると、露光量の分布に対応したレジスト３０の傾斜形状が得られる。然る後にレジスト３０と温特抑制膜５をエッチングするのであるが、これらのエッチング選択比が適当な値になるような条件を用いると、上記レジスト３０の傾斜形状が温特抑制膜５に転写される。これにより、図１０（ｄ）に示すように温特抑制膜５に断面形状が三角形の凸部４ｂが形成される。
【００５９】
このような製造方法により、本実施形態にかかるＳＡＷ素子１を製造することが可能となる。
【００６０】
（他の実施形態）
例えば、上記実施形態では、圧電基板２として、全部が圧電性材料で構成されたものを例に挙げて説明したが、少なくともＳＡＷが伝播される表面が圧電性材料で構成されていれば良い。
【００６１】
また、上記各実施形態で説明したＩＤＴ３や反射器４の上面レイアウトは一例であり、他のレイアウトであっても良い。すなわち、ＩＤＴ３については発生させたＳＡＷを伝播路に向けて伝播できる構造であれば良く、反射器４についても、伝播してきたＳＡＷをＩＤＴ３側に向けて反射できる構造であれば良い。
【００６２】
また、反射器４を凸部４ｂ、４ｃ等のような突起状構造部として説明したが、被覆膜の表面に凹部を形成し、凹部と凹部の間に位置する部分によって突起状構造部を構成しても良い。
【００６３】
また、上記第４実施形態では、温特抑制膜５とパッシベーション膜８を両方共に備える場合について説明したが、被覆膜として少なくともいずれか一方が備えられていれば良く、パッシベーション膜８のみとしても良い。その場合、パッシベーション膜８の表面に反射器４の少なくとも一部、例えば凸部４ｃを構成することで、上記各実施形態と同様の効果を得ることができる。
【００６４】
また、上記実施形態では、反射器４の断面形状が長方形や三角形となる場合について説明したが、正確な長方形や三角形である必要はなく、例えば、角部が丸まっていたり、辺が直線ではなく湾曲した形状のものであっても良い。
【００６５】
また、上記実施形態では、ＳＡＷ素子１を物理量センサに適用した場合について説明したが、他のもの、例えばフィルタなどに適用することもできる。
【符号の説明】
【００６６】
１          ＳＡＷ素子
２          圧電基板
３          ＩＤＴ
４          反射器
４ａ        電極構造部
４ｂ、４ｃ  凸部
５          温特抑制膜
５ａ        空孔
６          制御装置
８          パッシベーション膜
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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