(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
入力端子と、
出力端子と、
前記入力端子と前記出力端子との間に接続されたハイパスフィルタと、
前記入力端子と前記出力端子との間において、前記ハイパスフィルタと直列に接続されたローパスフィルタとを備え、
前記ハイパスフィルタが、前記入力端子と前記出力端子とを結ぶ信号ラインに設けられており、共振周波数及び反共振周波数を有する第１の音響共振子と、前記信号ラインとグラウンド電位との間に接続された第１のインダクタと、前記第１のインダクタと直列に接続されており、前記第１のインダクタと共に第１のＬＣ共振回路を構成している第１の容量素子と、
を有し、
前記ローパスフィルタが、前記信号ラインに設けられた第２のインダクタと、前記第２のインダクタに並列に接続されており、前記第２のインダクタと共に第２のＬＣ共振回路を構成している第２の容量素子と、前記信号ラインと前記グラウンド電位との間に接続されており、共振周波数及び反共振周波数を有する第２の音響共振子とを有し、第１の通過帯域の低域側に、前記第１の音響共振子の反共振周波数による第１の減衰域が設けられ、前記第１の通過帯域の高域側に、前記第２の音響共振子の共振周波数による第２の減衰域が設けられており、
前記第１の減衰域よりも低周波数側に、前記第１のＬＣ共振回路の共振周波数による第３の減衰域が設けられており、
前記第２の減衰域よりも高域側に、前記第２のＬＣ共振回路の共振周波数による第４の減衰域が設けられており、
前記第１の減衰域と前記第３の減衰域との間に第２の通過帯域が設けられており、
前記第１の音響共振子が、ＬｉＮｂＯ３からなる圧電体層と、該圧電体層の一面に設けられたＩＤＴ電極とを有する弾性表面波共振子であり、
前記弾性表面波共振子のＳＨ波の高調波によるスプリアスが、前記第２の減衰域に位置している、フィルタ装置。
【請求項２】
前記第２の減衰域と前記第４の減衰域との間に第３の通過帯域が設けられている、請求項１に記載のフィルタ装置。
【請求項３】
入力端子と、
出力端子と、
前記入力端子と前記出力端子との間に接続されたハイパスフィルタと、
前記入力端子と前記出力端子との間において、前記ハイパスフィルタと直列に接続されたローパスフィルタとを備え、
前記ハイパスフィルタが、前記入力端子と前記出力端子とを結ぶ信号ラインに設けられており、共振周波数及び反共振周波数を有する第１の音響共振子と、前記信号ラインとグラウンド電位との間に接続された第１のインダクタと、前記第１のインダクタと直列に接続されており、前記第１のインダクタと共に第１のＬＣ共振回路を構成している第１の容量素子と、
を有し、
前記ローパスフィルタが、前記信号ラインに設けられた第２のインダクタと、前記第２のインダクタに並列に接続されており、前記第２のインダクタと共に第２のＬＣ共振回路を構成している第２の容量素子と、前記信号ラインと前記グラウンド電位との間に接続されており、共振周波数及び反共振周波数を有する第２の音響共振子とを有し、第１の通過帯域の低域側に、前記第１の音響共振子の反共振周波数による第１の減衰域が設けられ、前記第１の通過帯域の高域側に、前記第２の音響共振子の共振周波数による第２の減衰域が設けられており、
前記第１の減衰域よりも低周波数側に、前記第１のＬＣ共振回路の共振周波数による第３の減衰域が設けられており、
前記第２の減衰域よりも高域側に、前記第２のＬＣ共振回路の共振周波数による第４の減衰域が設けられており、
前記第２の減衰域と前記第４の減衰域との間に第３の通過帯域が設けられており、
前記第１の音響共振子が、ＬｉＮｂＯ３からなる圧電体層と、該圧電体層の一面に設けられたＩＤＴ電極とを有する弾性表面波共振子であり、
前記弾性表面波共振子のＳＨ波の高調波によるスプリアスが、前記第２の減衰域に位置している、フィルタ装置。
【請求項４】
前記第２の音響共振子が、弾性波共振子である、請求項１〜３のいずれか１項に記載のフィルタ装置。
【請求項５】
前記第２の音響共振子が、ＬｉＴａＯ３からなる圧電体層と、該圧電体層の一方面に設けられたＩＤＴ電極とを有する弾性表面波共振子である、請求項４に記載のフィルタ装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、通過帯域と複数の減衰帯域とを有するフィルタ装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
下記の特許文献１に記載のフィルタ装置では、ＬＣフィルタに、ＳＡＷ共振子が組み合わされている。ＳＡＷ共振子によりトラップが設けられている。
【０００３】
他方、下記の特許文献２には、圧電体層にＬｉＮｂＯ３を用いた弾性表面波装置が開示されている。圧電体層にＬｉＮｂＯ３を用いた弾性表面波装置では、ＳＨ波の高次モードがスプリアスとなって通過帯域内に現れる旨が記載されている。そのため、損失が大きくなることが指摘されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２０１２−２５７０５０号公報
【特許文献２】ＷＯ２００７／０９７１８６  Ａ１
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
例えば、特許文献１に記載のように、ＳＡＷ共振子を用いて２つの周波数帯域でトラップを設ける必要がある場合には、トラップ回路をカスケード接続しなければならなかった。そのため、損失が大きくなり、かつフィルタ装置の寸法が大きくなりがちであった。
【０００６】
他方、特許文献２に記載のように、従来、ＳＨ波の高次モードは、損失を増大させるスプリアスとなることが知られていた。そのため、ＳＨ波の高次モードは抑制されるべきと考えられていた。
【０００７】
本発明の目的は、集中定数素子と、音響共振器とを組み合わせたフィルタ装置であって、回路構成の簡略化、フィルタ装置の小型化及び低損失化を図り得るフィルタ装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明に係るフィルタ装置では、入力端子と、出力端子と、前記入力端子と前記出力端子との間に接続されたハイパスフィルタと、前記入力端子と前記出力端子との間において、前記ハイパスフィルタと直列に接続されたローパスフィルタとを備え、前記ハイパスフィルタが、前記入力端子と前記出力端子とを結ぶ信号ラインに設けられており、共振周波数及び反共振周波数を有する第１の音響共振子と、前記信号ラインとグラウンド電位との間に接続された第１のインダクタと、前記第１のインダクタと直列に接続されており、前記第１のインダクタと共に第１のＬＣ共振回路を構成している第１の容量素子と、を有し、前記ローパスフィルタが、前記信号ラインに設けられた第２のインダクタと、前記第２のインダクタに並列に接続されており、前記第２のインダクタと共に第２のＬＣ共振回路を構成している第２の容量素子と、前記信号ラインと前記グラウンド電位との間に接続されており、共振周波数及び反共振周波数を有する第２の音響共振子とを有し、通過帯域の低域側に、前記第１の音響共振子の反共振周波数による第１の減衰域が設けられ、通過帯域の高域側に、前記第２の音響共振子の共振周波数による第２の減衰域が設けられており、前記第１の減衰域よりも低周波数側に、前記第１のＬＣ共振回路の共振周波数による第３の減衰域が設けられており、前記第２の減衰域よりも高域側に、前記第２のＬＣ共振回路の共振周波数による第４の減衰域が設けられている。
【０００９】
本発明に係るフィルタ装置のある特定の局面では、前記第１の減衰域と前記第３の減衰域との間に第２の通過帯域が設けられている。この場合には、第１の通過帯域に加えて、第２の通過帯域を有するフィルタ装置を提供することができる。
【００１０】
本発明に係るフィルタ装置の他の特定の局面では、前記第２の減衰域と前記第４の減衰域との間に第３の通過帯域が設けられている。この場合には、さらに第３の通過帯域を有するフィルタ装置を提供することができる。
【００１１】
本発明に係るフィルタ装置の別の特定の局面では、前記第１の音響共振子が、弾性波共振子である。
【００１２】
本発明に係るフィルタ装置の他の特定の局面では、前記第１の音響共振子が、ＬｉＮｂＯ３からなる圧電体層と、該圧電体層の一面に設けられたＩＤＴ電極とを有する弾性表面波共振子である。この場合には、反共振周波数により高周波数側のロスを低減（容量のＱが高いため）することができる。
【００１３】
本発明に係るフィルタ装置の他の特定の局面では、前記弾性波共振子のＳＨ波による応答が前記第１の減衰域に位置している。この場合には、第１の音響共振子で構成されるトラップにおける減衰量を効果的に高めることができる。また、減衰帯域の幅を広げることが可能となる。さらに、回路数や共振子を増大させることなく減衰量を大きくすることができる。
【００１４】
本発明に係るフィルタ装置の別の特定の局面では、前記弾性波共振子のＳＨ波の高調波によるスプリアスが、前記第２の減衰域に位置している。この場合には、ＳＨ波の高調波によるスプリアスを利用して第２の減衰域の減衰量をより効果的に大きくすることができる。すなわち、不必要であったＳＨ波の高調波を利用して、第２の減衰域の減衰特性の改善を図ることが可能である。
【００１５】
本発明に係るフィルタ装置の他の特定の局面では、前記第２の音響共振子が、弾性波共振子である。
【００１６】
本発明に係るフィルタ装置の別の特定の局面では、前記第２の音響共振子が、ＬｉＴａＯ３からなる圧電体層と、該圧電体層の一方面に設けられたＩＤＴ電極とを有する弾性表面波共振子である。この場合には、ＬｉＴａＯ３はＬｉＮｂＯ３よりも安価であるため、コストを低減することができる。また、ＬｉＴａＯ３を用いた弾性表面波共振子では、共振周波数よりも低域側において不要波が生じ難く、損失も小さい。従って、安定な容量特性を利用することができる。よって、より一層の低損失化を図ることができる。
【発明の効果】
【００１７】
本発明によれば、４つの減衰域を有するフィルタ装置において、低損失化、小型化及び回路構成の簡略化を図ることが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００１８】
【図１】本発明の第１の実施形態に係るフィルタ装置の回路図である。
【図２】本発明の第１の実施形態のフィルタ装置のフィルタ特性を示す図である。
【図３】第１の音響共振子としてのＬｉＮｂＯ３からなる圧電体層を有する弾性表面波共振子の略図的正面断面図である。
【図４】第２の音響共振子としてのＬｉＴａＯ３からなる圧電体層を有する弾性表面波共振子の略図的正面断面図である。
【図５】本発明の第１の実施形態において、第１の音響共振子としてのＬｉＮｂＯ３からなる圧電体層を有する弾性表面波共振子のインピーダンス−周波数特性を示す図である。
【図６】本発明の第１の実施形態において、第２の音響共振子としてのＬｉＴａＯ３からなる圧電体層を有する弾性表面波共振子のインピーダンス−周波数特性を示す図である。
【図７】第１の実施形態のフィルタ特性において、第１，第２の音響共振子の共振周波数または反共振周波数と、減衰域との関係を示す図である。
【図８】本発明の第２の実施形態に係るフィルタ装置の回路図である。
【図９】本発明の第３の実施形態に係るフィルタ装置のフィルタ特性を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１９】
以下、図面を参照しつつ、本発明の具体的な実施形態を説明することにより、本発明を明らかにする。
【００２０】
なお、本明細書に記載の各実施形態は、例示的なものであり、異なる実施形態間において、構成の部分的な置換または組み合わせが可能であることを指摘しておく。
【００２１】
図１は、本発明の第１の実施形態に係るフィルタ装置の回路図である。
【００２２】
フィルタ装置１は、入力端子２と出力端子３とを有する。入力端子２と出力端子３との間には、ハイパスフィルタ４と、ローパスフィルタ５とが直列に接続されている。
【００２３】
ハイパスフィルタ４は、入力端子２と出力端子３とを結ぶ信号ラインに設けられた第１の音響共振子１１ａ，１１ｂ，１１ｃを有する。第１の音響共振子１１ａ，１１ｂ，１１ｃは、共振周波数及び反共振周波数を有する音響共振子である。本実施形態では、第１の音響共振子１１ａ，１１ｂ，１１ｃは、弾性表面波共振子からなる。
【００２４】
ハイパスフィルタ４においては、第１の音響共振子１１ａと第１の音響共振子１１ｂとの間の接続点と、グラウンド電位との間に、第１のインダクタ１２ａが接続されている。第１のインダクタ１２ａに直列に第１の容量素子１３ａが接続されている。第１の音響共振子１１ｂと第１の音響共振子１１ｃとの間の接続点と、グラウンド電位との間にも、第１のインダクタ１２ｂ及び第１の容量素子１３ｂが接続されている。
【００２５】
他方、ローパスフィルタ５は、信号ラインに設けられた第２のインダクタ２１ａ，２１ｂを有する。第２のインダクタ２１ａ，２１ｂに並列に、第２の容量素子２２ａ，２２ｂが接続されている。
【００２６】
他方、ローパスフィルタ５においては、信号ラインとグラウンド電位との間に第２の音響共振子２３ａ〜２３ｃが設けられている。より具体的には、第２のインダクタ２１ａの入力端側と、グラウンド電位との間に、第２の音響共振子２３ａが接続されている。第２のインダクタ２１ａと第２のインダクタ２１ｂとの間の接続点と、グラウンド電位との間に、第２の音響共振子２３ｂが接続されている。第２のインダクタ２１ｂの出力端と、グラウンド電位との間に、第２の音響共振子２３ｃが接続されている。第２の音響共振子２３ａ〜２３ｃは、共振周波数及び反共振周波数を有する音響共振子であり、本実施形態では弾性表面波共振子からなる。
【００２７】
図２は、第１の実施形態のフィルタ装置１のフィルタ特性を示す図である。図２に示すように、第１〜第４の減衰域ｆ１〜ｆ４が設けられている。すなわち、通過帯域Ｐの低域側に、第１の減衰域ｆ１が設けられており、通過帯域Ｐの高域側に第２の減衰域ｆ２が設けられている。さらに、第１の減衰域ｆ１よりも低周波数側に、第３の減衰域ｆ３が設けられている。第２の減衰域ｆ２よりも高域側に、第４の減衰域ｆ４が設けられている。フィルタ装置１の特徴は、第１〜第４の減衰域ｆ１〜ｆ４が上記回路構成により設けられていることにある。
【００２８】
より具体的には、第１の音響共振子１１ａ〜１１ｃの反共振周波数が、第１の減衰域ｆ１に位置しており、それによって、第１の減衰域ｆ１における減衰量が確保されている。
【００２９】
他方、第２の音響共振子２３ａ〜２３ｃの共振周波数が、第２の減衰域ｆ２に位置している。すなわち、第２の音響共振子２３ａ〜２３ｃにより、第２の減衰域ｆ２における減衰量が十分大きくされている。
【００３０】
他方、第１のインダクタ１２ａ，１２ｂと、第１の容量素子１３ａ，１３ｂとで構成されるＬＣ共振回路の共振周波数が第３の減衰域ｆ３に位置している。
【００３１】
また、第２のインダクタ２１ａ，２１ｂと、第２の容量素子２２ａ，２２ｂとを有するＬＣ共振回路の共振周波数が、第４の減衰域ｆ４に位置している。それによって、第１の減衰域ｆ１と第２の減衰域ｆ２の間に通過帯域が形成されており、かつ上記第１〜第４の減衰域ｆ１〜ｆ４が形成されている。
【００３２】
さらに、本実施形態では、第１の音響共振子１１ａ〜１１ｃにおけるＳＨ波の高次モードを利用して、第２の減衰域ｆ２の減衰量がより一層高められている。これを、以下においてより詳細に説明する。
【００３３】
図３は、第１の音響共振子１１ａの略図的正面断面図である。第１の音響共振子１１ａは、圧電体層３１と、圧電体層３１の片面に設けられたＩＤＴ電極３２とを有する。圧電体層３１は、ＬｉＮｂＯ３からなる。特に図示はしないが、ＩＤＴ電極３２の弾性表面波伝搬方向両側に反射器が設けられている。それによって、入力と出力とをそれぞれ１つ有する弾性表面波共振子が構成されている。ＩＤＴ電極３２を覆うようにＳｉＯ２膜３３が設けられている。このＳｉＯ２膜３３によって、ＩＤＴ電極３２が保護されている。
【００３４】
第１の音響共振子１１ｂ，１１ｃも第１の音響共振子１１ａと同様に構成されている。
【００３５】
図５は、この第１の音響共振子１１ａのインピーダンス−周波数特性を示す図である。ＬｉＮｂＯ３からなる圧電体層３１を有するため、矢印Ａで示すＳＨ波の基本モードの応答に加え、矢印Ｂで示すＳＨ波の高次モードによる応答が現れていることがわかる。ＳｉＯ２膜３３の膜厚を変えることにより、矢印ＢのＳＨ波の高次モードの周波数はシフトする。
【００３６】
第１の音響共振子１１ａの基本モードの反共振周波数のインピーダンス値を利用して、前述した第１の減衰域ｆ１が設けられている。他方、矢印Ｂで示すＳＨ波の高次モードは、従来、弾性波フィルタでは、特許文献２に記載のようにスプリアスとなるため、その抑制が図られていた。
【００３７】
これに対して、本実施形態では、上記矢印Ｂで示すＳＨ波の高次モードが、第２の減衰域ｆ２に位置している。そのため、第２の音響共振子２３ａ〜２３ｃの共振周波数における第２の音響共振子２３ａ〜２３ｃのインピーダンスによる弾性波フィルタの減衰量だけでなく、第１の音響共振子１１ａ，１１ｂ，１１ｃのＳＨ波の高次モードの応答によっても、弾性波フィルタの減衰量が大きくされている。
【００３８】
ＳＨ波の高次モードを利用することにより減衰量の拡大を図ることができるので、回路の次数や共振器の数を増やすことなく、減衰量を大きくすることができる。よって、小型化及び低損失化を進めることができる。
【００３９】
なお、第１の音響共振子１１ａ〜１１ｃにおける周波数特性の調整は、ＩＤＴ電極の材料及び膜厚で調整することができる。すなわち、ＳＨ波の基本モードと高次モードとの周波数間隔についても、ＩＤＴ電極の材料や膜厚で調整することができる。さらに、圧電体層３１上に、ＳｉＯ２などの誘電体層を形成し、その誘電体層の膜厚によっても、高次モードのレベルの大きさ等を調整することができる。具体的には、誘電体層を厚くすれば、高次モードのレベルを高めることができる。よって、図５に示したように、第１，第２の減衰域ｆ１，ｆ２に、それぞれ、ＳＨ波の基本モード及び高次モードを位置させることができる。
【００４０】
図４は、第２の音響共振子２３ａを示す略図的正面断面図である。第２の音響共振子２３ｂ，２３ｃは第２の音響共振子２３ａと同様に構成されている。
【００４１】
図４に示すように、圧電体層３４上に、ＩＤＴ電極３５が形成されている。圧電体層３４はＬｉＴａＯ３からなる。ＩＤＴ電極３５を覆うようにＳｉＯ２膜３６が設けられている。
【００４２】
ＬｉＴａＯ３を圧電体層として用いた第２の音響共振子２３ａのインピーダンス−周波数特性を図６に示す。図６から明らかなように、ＬｉＴａＯ３を圧電体層として用いた第２の音響共振子２３ａでは、ＳＨ波の基本モードの応答が現れるが、高次モードによる応答は観察されないことがわかる。この第２の音響共振子２３ａの共振周波数が、前述したように第２の減衰域ｆ２を構成している。
【００４３】
第１，第２の音響共振子１１ａ〜１１ｃ，２３ａ〜２３ｃのインピーダンス−周波数特性と、上記フィルタ特性との関係を、図７を参照して説明する。
【００４４】
図７のＤ−Ｅは、図５のＤ−Ｅで示す周波数域に相当する。すなわち、Ｄは反共振周波数における周波数位置を示す。ＥはＳＨ波の高次モードにおける反共振周波数の周波数位置を示す。
【００４５】
他方、図７のＦは、図６のＦの周波数位置を示す。すなわち、Ｆは、第２の音響共振子２３ａの共振周波数の周波数位置を示す。
【００４６】
図７から明らかなように、第１の音響共振子１１ａ〜１１ｃにより、第１の減衰域ｆ１が形成される。第２の減衰域ｆ２は、第２の音響共振子２３ａの共振周波数のインピーダンスと、図５に示した第１の音響共振子１１ａのＳＨ波の高次モードの反共振周波数のインピーダンスとにより実現される。
【００４７】
よって、本実施形態のフィルタ装置１では、例えば、ミドルバンドセルラー帯（１７１０〜２１７０ＭＨｚ）を通過帯域とする携帯電話機用のフィルタとして好適に用いられる。セルラーバンドのセルラー帯のすぐ低域側には、ＧＰＳ帯（１５５９〜１６０８ＭＨｚ）が位置し、すぐ高域側にはＩＳＭ２．４ＧＨｚ帯（２４００〜２４８３ＭＨｚ）が存在する。ＧＰＳ帯よりも低い周波数域に、ローバンドセルラー帯（６９９〜９６０ＭＨｚ）が存在し、ＩＳＭ２．４ＧＨｚ帯よりも高域側に、ＷＬＡＮ（ＩＥＥＥ８０２．１１ａ）の通信帯域（５１５０〜５８５０ＭＨｚ）が存在する。フィルタ装置１によれば、第１の減衰域ｆ１及び第２の減衰域ｆ２により、ＧＰＳ帯のトラップ及びＩＳＭ２．４ＧＨｚ帯の信号を減衰させるトラップを形成することができる。また、上記第３の減衰域ｆ３及び第４の減衰域ｆ４により、上記ローバンドセルラー帯及びＷＬＡＮ帯を減衰域とすることができる。
【００４８】
図８は、第２の実施形態のフィルタ装置４１を示す回路図である。フィルタ装置４１では、ハイパスフィルタ４において、第１の容量素子１３ａ，１３ｂに代えて音響共振子４２ａ，４２ｂが用いられている。また、ローパスフィルタ５においては、第２の容量素子２２ａ，２２ｂに代えて、音響共振子４３ａ，４３ｂが用いられている。第２の実施形態のフィルタ装置４１のその他の構成は第１の実施形態のフィルタ装置１と同様である。従って、同一部分については、同一の参照番号を付することにより、第１の実施形態の説明を援用することとする。
【００４９】
音響共振子４２ａ，４２ｂは、共振周波数と反共振周波数とを有する音響共振子であり、音響共振子４２ａ，４２ｂは、共振周波数及び反共振周波数以外の周波数帯域における音響共振子４２ａ，４２ｂが有する容量により、第１の容量素子として用いられている。この音響共振子４２ａ，４２ｂの容量と第１のインダクタ１２ａ，１２ｂとによる第１のＬＣ共振の共振周波数により、第３の減衰域ｆ３が構成されている。また、音響共振子４２ａ，４２ｂの共振周波数は、第２の音響共振子２３ａ〜２３ｃと同様に、第２の減衰域ｆ２に位置している。従って、第２の減衰域ｆ２における減衰量をより一層大きくすることができる。
【００５０】
同様に、第２の容量素子としての音響共振子４３ａ，４３ｂの反共振周波数は、第１の音響共振子１１ａ〜１１ｃと同様に、第１の減衰域に位置している。従って、第１の減衰域ｆ１における減衰量をより一層大きくすることが可能とされている。
【００５１】
音響共振子４３ａ，４３ｂの容量と、第２のインダクタ２１ａ，２１ｂとのＬＣ共振子の共振周波数が、第４の減衰域ｆ４に位置している。
【００５２】
フィルタ装置４１のように第１，第２の容量素子を、共振周波数と反共振周波数とを有する音響共振子で構成してもよい。それによって、上記のように、減衰域の減衰量の拡大をより一層図ることができる。もっとも、素子構造の簡略化を果たすには、第１，第２の容量素子は、共振子でなく、コンデンサにより構成することが望ましい。
【００５３】
なお、フィルタ装置１では、第１の音響共振子１１ａ〜１１ｃがＬｉＮｂＯ３基板を用いて、第２の音響共振子２３ａ〜２３ｃがＬｉＴａＯ３を用いて構成されていた。しかし、本発明は、この組み合わせに限定されるものではない。すなわち、第２の音響共振子２３ａ〜２３ｃにおいて、ＳＨ波の高次モードが現れることを許容すれば、第２の音響共振子２３ａ〜２３ｃも、ＬｉＮｂＯ３を用いて構成してもよい。その場合には、第１の音響共振子１１ａ〜１１ｃと第２の音響共振子２３ａ〜２３ｃとＬｉＮｂＯ３基板を用いて構成することができる。
【００５４】
また、第１の音響共振子１１ａ〜１１ｃをＬｉＴａＯ３からなる圧電体層を用いて形成してもよい。その場合には、ＳＨ波による減衰量の拡大を図ることはできない。もっとも、第１の音響共振子１１ａ〜１１ｃと、第２の音響共振子２３ａ〜２３ｃを、全ての音響共振子を単一の圧電体層を用いて構成することができる。
【００５５】
圧電体層の材料にＬｉＴａＯ３を用いた場合、圧電体層の材料にＬｉＮｂＯ３を用いた場合に比べて安価であるため、フィルタ装置のコストの低減を図ることができる。また、ＬｉＴａＯ３からなる圧電体層に設けられる第１の音響共振子１１ａ〜１１ｃの共振周波数よりも低域側においては、不要波が生じ難い。従って、比較的安定な容量特性を有するため、フィルタ装置１の低損失化を図ることができる。
【００５６】
なお、第１及び第２の実施形態では、第１の音響共振子１１ａ〜１１ｃ及び第２の音響共振子２３ａ〜２３ｃを用いたが、第１，第２の音響共振子の数は特に限定されない。同様に、第１のインダクタ１２ａ，１２ｂ、第１の容量素子１３ａ，１３ｂ、第２のインダクタ２１ａ，２１ｂ及び第２の容量素子２２ａ，２２ｂの数についても特に限定されない。
【００５７】
なお、第１の音響共振子１１ａ〜１１ｃ及び第２の音響共振子２３ａ〜２３ｃとして、弾性表面波共振子以外の弾性波共振子を用いてもよい。例えば、弾性境界波共振子を用いてもよい。また、シリコンウェハ等の担体の一部に圧電体層が薄膜形成された圧電薄膜を伝搬するバルク波を利用した圧電薄膜共振子を用いてもよい。さらに、単板型あるいは積層型の圧電共振子のような様々な圧電共振子を用いてもよい。
【００５８】
また、フィルタ装置１では、１つの通過帯域と、４つの減衰域ｆ１〜ｆ４が形成されていたが、図９に示す第３の実施形態としてのフィルタ装置のフィルタ特性のように、第１〜第３の通過帯域Ｐ１〜Ｐ３を設けてもよい。すなわち、第１の減衰域ｆ１と第３の減衰域ｆ３との間に第２の通過帯域Ｐ２を設け、第１の減衰域ｆ１と第２の減衰域ｆ２との間に第１の通過帯域Ｐ１を配置してもよい。さらに、第２の減衰域ｆ２の高域側に第３の通過帯域Ｐ３を設けてもよい。
【符号の説明】
【００５９】
１…フィルタ装置
２…入力端子
３…出力端子
４…ハイパスフィルタ
５…ローパスフィルタ
１１ａ〜１１ｃ…第１の音響共振子
１２ａ，１２ｂ…第１のインダクタ
１３ａ，１３ｂ…第１の容量素子
２１ａ，２１ｂ…第２のインダクタ
２２ａ，２２ｂ…第２の容量素子
２３ａ〜２３ｃ…第２の音響共振子
３１…圧電体層
３２…ＩＤＴ電極
３３…ＳｉＯ２膜
３４…圧電体層
３５…ＩＤＴ電極
３６…ＳｉＯ２膜
４１…フィルタ装置
４２ａ，４２ｂ，４３ａ，４３ｂ…音響共振子
ｆ１〜ｆ４…第１〜第４の減衰域
Ｐ１〜Ｐ３…第１〜第３の通過帯域
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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