(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の辺および前記第１の辺に対向する第２の辺の各々にリードを有する２方向リード型フラットパッケージの集積回路が実装されるプリント基板であって、
前記プリント基板の半田面に設けられた、前記第１の辺のリードを半田付けするための第１のリードランド群と、
前記半田面に設けられた、前記第２の辺のリードを半田付けするための第２のリードランド群と、
前記第１のリードランド群に隣接して設けられた第１の半田引きランドと、
前記第２のリードランド群に隣接して設けられた第２の半田引きランドとを備え、
前記第１および第２のリードランド群の各々は、前記集積回路を前記プリント基板へ半田付けする際の半田フロー方向に対して斜交する第１の方向に沿って配列され、
前記半田フロー方向は、半田フロー工程における前記プリント基板の搬送方向と反対の方向であり、
前記第１および第２の半田引きランドの各々は、
前記第１および第２のリードランド群のうちの前記半田フロー方向の最下流側に位置する最終リードに隣接して設けられ、前記第１の方向に沿って区画された部位を有するように形成される第１の領域と、
前記第１の領域と連続して設けられ、前記半田フロー方向に沿った経路を形成するための部位を有するように形成される第２の領域と、
前記第２の領域から分離され、かつ、前記半田フロー方向に沿って前記第２の領域に隣接する第３の領域とを含み、
連続的に形成される前記第１および第２の領域は、
前記最終リードに対向するとともに前記最終リードと同等またはそれ以上の長さを有する第１のランド辺と、
前記第１のランド辺の前記半田フロー方向の上流側の一方端および下流側の他方端にそれぞれ続いて設けられた、前記第１の方向に沿って延在する２本の第２のランド辺と、
前記２本の第２のランド辺のうちの前記他方端に続いて設けられた第２のランド辺に続いて設けられ、前記半田フロー方向に沿って延在する第３のランド辺と、
前記２本の第２のランド辺のうちの前記一方端に続いて設けられた第２のランド辺と接続され、前記半田フロー方向に沿って延在する第４のランド辺と、
前記第３および第４のランド辺の間を接続する、前記半田フロー方向に対して交差する方向に延在する第５のランド辺とを含み、
前記第３の領域は、
前記第５のランド辺と対応する第６のランド辺を有する、プリント基板。
【請求項２】
前記第２のリードランド群は、前記第１のリードランド群よりも前記半田フロー方向の上流側に位置しており、
前記第２の半田引きランドにおける前記第３および第４のランド辺は、前記第１の半田引きランドにおける前記第３および第４のランド辺よりも短い、請求項１記載のプリント基板。
【請求項３】
前記第１および第２の半田引きランドの少なくともいずれかにおいて、前記第３の領域は、前記半田フロー方向に沿って先細りの形状を有するように形成される、請求項１記載のプリント基板。
【請求項４】
第１の辺および前記第１の辺に対向する第２の辺の各々にリードを有する２方向リード型フラットパッケージの集積回路が実装されるプリント基板であって、
前記プリント基板の半田面に設けられた、前記第１の辺のリードを半田付けするための第１のリードランド群と、
前記半田面に設けられた、前記第２の辺のリードを半田付けするための第２のリードランド群と、
前記第１のリードランド群に隣接して設けられた第１の半田引きランドと、
前記第２のリードランド群に隣接して設けられた第２の半田引きランドとを備え、
前記第１および第２のリードランド群の各々は、前記集積回路を前記プリント基板へ半田付けする際の半田フロー方向に対して斜交する第１の方向に沿って配列され、
前記半田フロー方向は、半田フロー工程における前記プリント基板の搬送方向と反対の方向であり、
前記第１および第２の半田引きランドの各々は、
前記第１および第２のリードランド群のうちの前記半田フロー方向の最下流側に位置する最終リードに隣接して設けられ、前記第１の方向に沿って区画された部位を有するように形成される第１の領域と、
前記第１の領域と連続して設けられ、前記半田フロー方向に沿った経路を形成するための部位を有するように形成される第２の領域と、
前記第２の領域から分離され、かつ、前記半田フロー方向に沿って前記第２の領域に隣接する第３の領域とを含み、
連続的に形成される前記第１および第２の領域は、
前記最終リードに対向するとともに前記最終リードと同等またはそれ以上の長さを有する第１のランド辺と、
前記第１のランド辺の前記半田フロー方向の上流側の一方端に続いて設けられ、前記第１の方向に沿って延在する第２のランド辺と、
前記第１のランド辺の他方端に続いて設けられ、前記半田フロー方向に沿って延在する第３のランド辺と、
前記第２のランド辺と接続されて前記半田フロー方向に沿って延在する第４のランド辺と、
前記第３および第４のランド辺の間を接続する、前記半田フロー方向に対して交差する方向に延在する第５のランド辺とを含み、
前記第３の領域は、
前記第５のランド辺と対応する第６のランド辺を有し、
前記第２のリードランド群は、前記第１のリードランド群よりも前記半田フロー方向の上流側に位置しており、
前記第２の半田引きランドにおける前記第３および第４のランド辺は、前記第１の半田引きランドにおける前記第３および第４のランド辺よりも短い、プリント基板。
【請求項５】
前記第１および第２の半田引きランドの少なくともいずれかにおいて、連続的に形成される前記第１および第２の領域は、前記第２および第３の領域を分離する領域を挟んで、前記第３の領域と線対称の形状の領域を含むような形状で形成される、請求項１〜４のいずれか１項に記載のプリント基板。
【請求項６】
前記第１および第２の半田引きランドの少なくともいずれかにおいて、前記第３の領域は、間隔を設けて複数個配置される、請求項１〜５のいずれか１項に記載のプリント基板。
【請求項７】
前記第１の方向は、前記半田フロー方向に対して４５度の角度を成す、請求項１〜６のいずれか１項に記載のプリント基板。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、プリント基板に関し、より特定的には、フロー方式（フローソルダリング）によって、２方向リード型フラットパッケージが半田付けされるプリント基板に関する。  
【背景技術】
【０００２】
従来より、噴流式半田槽を用いたフロー方式の半田付けによって、フラットパッケージＩＣ（Integrated  Circuit）がプリント基板に実装されている。フロー方式ではプリント基板上の部品を一括して半田付けできる一方で、ＩＣのリード間に余分な半田が滞留することにより、いわゆる半田ブリッジによる短絡が発生することが問題となる。特に、高集積化の進展に伴い、リードピッチが狭いＩＣの実装時における半田ブリッジの発生防止が重要である。
【０００３】
特開２０００−４０８６９号公報（特許文献１）、特許第５４９６１１８号公報（特許文献２）および特許第３６３３５０５号公報（特許文献３）には、リードを半田付けするための半田付ランドに隣接して、余剰の半田を吸収するための半田引きランドを設ける構成が開示されている。
【０００４】
特許文献１および２には、４方向リードフラットパッケージＩＣを半田付進行方向（フロー工程でのプリント基板の移動方向）に対して傾けて実装するプリント基板において、半田付進行方向の後方および側方のＩＣ角部に対応させて、半田引きランドを配置する構成が記載されている。
【０００５】
また、特許文献３には、４方向リードフラットパッケージＩＣを、特許文献１，２と同様に傾けて実装するプリント基板において、ＩＣ角部に配置される半田引きランドを、基板移動方向の前方側および後方側に分割するとともに、各半田引きランドが基板移動方向に沿った先細り形状を有するように構成することが記載されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２０００−４０８６９号公報
【特許文献２】特許第５４９６１１８号公報
【特許文献３】特許第３６３３５０５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
特許文献１〜３は、４方向リードフラットパッケージＩＣの実装時に半田ブリッジの発生を防止するための半田引きランドの形状を開示する。４方向リードフラットパッケージＩＣでは、ＩＣの各辺リードに対応して半田付ランドが存在するため、半田引きランドの形状に制約が大きい。具体的には、半田付けランドが非配置とされる角部にしか半田引きランドを配置することができない。
【０００８】
一方で、２方向リードフラットパッケージＩＣを実装する場合には、リードが形成されない辺に対応する領域には半田付けランドが形成されないため、より半田ブリッジの発生を効果的に防止するための構造が可能となる。すなわち、２方向リードフラットパッケージＩＣに対しては、特許文献１〜３に開示された４方向リードフラットパッケージＩＣのケースとは異なる観点から、半田引きランドの構造を検討することが必要となる。
【０００９】
この発明はこのような問題点を解決するためになされたものであって、この発明の目的は、２方向リードフラットパッケージＩＣをフロー方式によって半田付けするプリント基板において、ＩＣリード間の半田ブリッジの発生を防止することである。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
この発明のある局面では、プリント基板は、第１の辺および第１の辺に対向する第２の辺の各々にリードを有する２方向リード型フラットパッケージの集積回路が実装されるプリント基板であって、第１のリードランド群と、第２のリードランド群と、第１の半田引きランドと、第２の半田引きランドとを備える。第１のリードランド群は、プリント基板の半田面に設けられた、第１の辺のリードを半田付けするために設けられる。第２のリードランド群は、半田面に設けられた、第２の辺のリードを半田付けするために設けられる。第１の半田引きランドは、第１のリードランド群に隣接して設けられる。第２の半田引きランドは、第２のリードランド群に隣接して設けられる。第１および第２のリードランド群の各々は、集積回路をプリント基板へ半田付けする際の半田フロー方向に対して斜交する第１の方向に沿って配列される。半田フロー方向は、半田フロー工程におけるプリント基板の搬送方向と反対の方向である。第１および第２の半田引きランドの各々は、第１の領域と、第２の領域と、第３の領域とを含む。第１の領域は、第１および第２のリードランド群のうちの半田フロー方向の最下流側に位置する最終リードに隣接して設けられ、第１の方向に沿って区画された部位を有するように形成される。第２の領域は、第１の領域と連続して設けられ、半田フロー方向に沿った経路を形成するための部位を有するように形成される。第３の領域は、第２の領域から分離され、かつ、半田フロー方向に沿って第２の領域に隣接するように形成される。なお、好ましくは、第１の方向（第１および第２のリードランド群の配列方向）は、半田フロー方向に対して４５度の角度を成す。
【００１１】
上記プリント基板によれば、第１および第２の半田引きランドにおいて、第１および第２のリードランド群からの余剰半田の流れ方向（第１の方向）に沿った経路を形成する第１の領域と、余剰半田の流れを半田フロー方向に変化させるための第２の領域とを連続的に設けるとともに、さらに、半田フロー方向下流に第２の領域から分離された第３の領域を設けることができる。
【００１２】
したがって、第１および第２のリードランド群からの余剰半田を、第１および第２の半田引きランドへ積極的に導くとともに、第１および第２の半田引きランドでの余剰半田の跳ね返りを、第１および第２のリードランド群へ戻り難くすることができる。この結果、フロー工程における第１および第２のリードランド群での余剰半田を、第１および第２の半田引きランドで効果的に吸着することによって、集積回路のリードランド間に半田ブリッジが生じることを防止できる。
【００１３】
好ましくは、連続的に形成される第１および第２の領域は、第１から第５のランド辺を含んで形成され、第３の領域は、第５のランド辺と対応する第６のランド辺を有するように形成される。第１のランド辺は、最終リードに対向するとともに、最終リードと同等またはそれ以上の長さを有する。第２のランド辺は、第１のランド辺の半田フロー方向の上流側の一方端に続いて設けられ、第１の方向に沿って延在する。第３のランド辺は、第１のランド辺の他方端に続いて設けられ、半田フロー方向に沿って延在する。第４のランド辺は、第２のランド辺と接続されて半田フロー方向に沿って延在する。第５のランド辺は、第３および第４のランド辺の間を接続する、半田フロー方向に対して交差する方向に延在する。
【００１４】
このような構成とすることにより、第１から第６のランド辺によって、第１から第３の領域を有する半田引きランドを形成することができる。
【００１５】
さらに好ましくは、第２のリードランド群は、第１のリードランド群よりも半田フロー方向の上流側に位置する。第２の半田引きランドにおける第３および第４のランド辺は、第１の半田引きランドにおける第３および第４のランド辺よりも短い。
【００１６】
このような構成とすることにより、半田フロー方向の上流側の第２の半田引きランドにおいては、第２のリードランド群からの余剰半田の動的な力が大きい点を考慮して、電気的な役割を有さない半田引きランドの面積を縮小することができる。
【００１７】
好ましくは、第１および第２の半田引きランドの少なくともいずれかにおいて、第３の領域は、半田フロー方向に沿って先細りの形状を有するように形成される。
【００１８】
このような構成とすることにより、第３の領域の半田フロー方向に沿った先端に到達した余剰半田が、第１および第２領域へ向けて反対方向に戻る動的な力を軽減することができる。この結果、第３の領域による余剰半田の吸収効果を高めて、第１および／または第２の半田引きランドから第１および／または第２のリードランド群へ余剰半田が戻ることを防止できる。この結果、半田ブリッジの発生をさらに効果的に防止することができる。
【００１９】
また好ましくは、第１および第２の半田引きランドの少なくともいずれかにおいて、連続的に形成される第１および第２の領域は、第２の領域および第３の領域を分離する領域を挟んで、第３の領域と線対称の形状の領域を含むような形状を有するように形成される。
【００２０】
このような構成とすることにより、第３の領域から余剰半田が第２の領域へ戻る動的な力を軽減することによって、第３の領域による余剰半田の吸収効果を高めることができる。この結果、半田ブリッジの発生をさらに効果的に防止することができる。
【００２１】
好ましくは、第１および第２の半田引きランドの少なくともいずれかにおいて、第３の領域は、間隔を設けて複数個配置される。
【００２２】
このような構成とすることにより、第１および第２の領域から分離部を超えて第３の領域へ流入した余剰半田が、第１および第２の領域を経由して、第１および／または第２のリードランド群へ戻り難くすることができる。この結果、半田ブリッジの発生をさらに効果的に防止することができる。
【発明の効果】
【００２３】
この発明によれば、２方向リードフラットパッケージＩＣをフロー方式によって半田付けするプリント基板において、ＩＣリード間の半田ブリッジの発生を防止することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２４】
【図１】本実施の形態に従うプリント基板を示す平面図である。
【図２】プリント基板に実装されるＩＣの平面図である。
【図３】プリント基板に実装されるＩＣの正面図である。
【図４】図１に示されたプリント基板を半田付けするためのフロー工程を説明する概念図である。
【図５】実施の形態１に従う半田引きランドの形状を説明する平面図である。
【図６】図５に示された半田引きランドの拡大図である。
【図７】図６におけるＶＩＩ−ＶＩＩ断面図である。
【図８】実施の形態２に従う半田引きランドの形状を説明する平面図である。
【図９】図８に示された半田引きランドの拡大図である。
【図１０】実施の形態３に従う半田引きランドの第１の例を説明する平面図である。
【図１１】実施の形態３に従う半田引きランドの第２の例を説明する平面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２５】
以下に、本発明の実施の形態について図面を参照して詳細に説明する。なお以下では、図中の同一または相当部分には同一符号を付して、その説明は原則的に繰返さないものとする。
【００２６】
［実施の形態１］
図１は、本発明の実施の形態に従うプリント基板を示す平面図である。
【００２７】
図１を参照して、プリント基板１０は、辺１ａ〜１ｄによる矩形形状を有する。プリント基板１０には、電子部品群が装着される。電子部品群は、半田付けされることにより、予め基板上に形成された配線パターン（図示せず）と電気的に接続される。具体的には、各電子部品に設けられたリードを、プリント基板１０の表面（半田面）に形成されたランド（図示せず）と呼ばれるパッド状の電極に半田等で機械的に接合することで、リードをプリント基板と電気的に接続することができる。プリント基板１０は、半田付けによる電気的接続の確保により、装着された電子部品群が所望の電子回路群を形成するように、予め設計されている。
【００２８】
電子部品群は、集積回路（以下、ＩＣとも表記する）５０を含む。本実施の形態において、ＩＣ５０は、２方向リード型フラットパッケージＩＣにより構成される。
【００２９】
図２は、図１に示されたＩＣ５０の平面図であり、図３は、ＩＣ５０を図２のＩＩＩ方向から見た正面図である。
【００３０】
図２および図３を参照して、ＩＣ５０は、ボディ５５の第１の辺５１から複数のリード６１が突出するとともに、第２の辺５２から複数のリード６２が突出するように構成される。複数のリード６１および６２が設けられる第１の辺５１および第２の辺５２には、ボディ５５の４辺のうちの対向する２辺が用いられる。これにより、複数のリード６１および６２は、１８０度異なる方向へ向けてそれぞれ突出する。
【００３１】
また、図３に示されるように、各リード６１，６２は、鉛直方向および水平方向に屈曲された部位が設けられた、いわゆる、ガルウィング形（Ｌ字形）の構造を有することが一般的である。複数のリード６１，６２は、ＩＣ５０が他の電子部品との間で電気的コンタクトを確保するために設けられる。
【００３２】
本実施の形態によるプリント基板１０は、噴流式半田槽を用いたフロー方式の半田付けによって、ＩＣ５０を含む電子部品が実装される。
【００３３】
再び図１を参照して、プリント基板１０は、接着剤等の塗布により電子部品が半田面１１に対して接着された状態となってから、フロー工程へ送られる。この状態において、ＩＣ５０を含む電子部品の各リードは、プリント基板１０の半田面１１に予め形成されたランド（図示せず）と当接させた状態でプリント基板に仮留めされている。
【００３４】
図４は、プリント基板１０を半田付けするためのフロー工程を説明する概念図である。
図４を参照して、フロー工程において、プリント基板１０は、天地逆さまにされた状態でコンベア等に装着されて、半田槽の上を搬送される。図４は、逆さまにされたプリント基板１０を辺１ｃの方向から見た図である。
【００３５】
フロー工程では、溶融した半田を噴流させている半田槽に、プリント基板１０の片面（半田面１１）が浸漬される。この結果、仮留めされたプリント基板のランドおよび各リードに、溶融した半田が付着されることによって、自動的に半田付けが行われる。
【００３６】
フロー工程において、プリント基板１０は、図１および図４に矢印で示されたＡ方向に搬送される。すなわち、Ａ方向は、半田付けの進行方向に相当する。一方で、溶融状の半田は、プリント基板１０上の各要素に対して、図４に矢印で示されたＢ方向に流れることが理解される。Ｂ方向は、プリント基板１０が搬送されるＡ方向に対して反対（１８０度）の方向である。以下では、Ａ方向を「搬送方向」とも称し、Ｂ方向を「半田フロー方向」とも称する。
【００３７】
再び図１を参照して、ＩＣ５０は、プリント基板１０の各辺１ａ〜１ｄに対して斜めに装着される。さらに、ＩＣ５０を半田付けする際に余剰の半田を引き込むための半田引きランド１１０および１２０が、ＩＣ５０毎に設けられる。半田引きランド１１０および１２０は、余剰半田を吸い取ることを目的としたいわゆる捨てランドであり、通常、電気的な役割を有していないものである。ただし、電気的な役割を有する、すなわち、他の電子部品等と電気的に接続されたランドによって、半田引きランド１１０および１２０を形成してもよい。
【００３８】
半田引きランド１１０は、複数のリード６１間での半田ブリッジの発生を防止するために設けられ、半田引きランド１２０は、複数のリード６２間での半田ブリッジの発生を防止するために設けられる。半田引きランド１１０および１２０の構成については、後程詳細に説明する。
【００３９】
図１においても、搬送方向（Ａ方向）および半田フロー方向（Ｂ方向）が矢印で示される。リード６１が設けられる第１の辺５１およびリード６２が設けられる第２の辺５２は、Ａ方向およびＢ方向の位置関係で区別される。具体的には、搬送方向（Ａ方向）の上流側に位置する第１の辺５１は、半田フロー方向（Ｂ方向）の下流側に位置し、Ａ方向の下流側に位置する第２の辺５２は、Ｂ方向の上流側に位置している。
【００４０】
次に、図５および図６を用いて、プリント基板１０上の半田引きランド１１０，１２０の形状を詳細に説明する。
【００４１】
図５には、プリント基板１０の半田面に形成された半田引きランドを図４のＺ方向から透視した平面図が示される。
【００４２】
図５を参照して、半田フロー方向（Ｂ方向）の下流側の第１の辺５１に対応して、複数のリード６１を半田付けするためのリードランド群１０１が配置されている。同様に、半田フロー方向（Ｂ方向）の上流側の第２の辺５２に対応して、複数のリード６２を半田付けするためのリードランド群１０２が配置されている。すなわち、リードランド群１０１は「第１のリードランド群」に対応し、リードランド群１０２は「第２のリードランド群」に対応する。各リードランドには、半田を吸着するための金属箔（代表的には、銅箔）が形成される。
【００４３】
リードランド群１０１および１０２の各々は、第１の辺５１および第２の辺５２の延在方向に沿って、Ｃ方向に配列されている。リードランド群１０１および１０２の配列方向（Ｃ方向）は、半田フロー方向（Ｂ方向）に対して斜交している。好ましくは、Ｃ方向は、Ｂ方向に対して４５度の角度を成す。
【００４４】
フロー工程では、噴流によって半田が動的な力を受けているので、溶融した半田は、リードランド群１０２に対して斜め方向に流入する。さらに、リードランド群１０２からボディ５５に達した半田は、第２の辺５２に沿って、図５中の左斜め下方向へ流れる。
【００４５】
ここで、溶融した半田は、流動性を有すると共に、表面張力も備えている。そのため、ランド等に付着された半田は、球形を形成しようとする。リードピッチが狭くランド間が狭い場合には、隣り合う球形の半田同士が容易にくっついてしまい、半田ブリッジが発生する。また、溶融した半田は、熱容量の小さいランドから大きいランドへ移動し易い。さらに、半田ブリッジは、上述の動的な力を受けることにより、リードランド群１０２上を移動するので、半田の流れ方向の上流側よりも下流側に滞留することとなる。
【００４６】
したがって、リードランド群１０２のうちの、半田フロー方向（Ｂ方向）の最下流側に位置する最終リードランド１０２Ｌに隣接して、半田引きランド１２０が設けられる。
【００４７】
半田引きランド１２０は、第１のサブランド１２１および第２のサブランド１２２を有する。第１のサブランド１２１および第２のサブランド１２２の各々は、プリント基板１０上のレジストを剥離することによって形成される領域である。第２のサブランド１２２は、分離部１７０によって、第１のサブランド１２１から分離されている。
【００４８】
第１のサブランド１２１および第２のサブランド１２２の各々には、半田を吸着するための金属箔（代表的には、銅箔）が形成される。
【００４９】
図６は、半田引きランド１２０の拡大図である。
図６を参照して、リードランド群１０２において、溶融した半田は、Ｂ♯方向に沿って動的な力を受ける。Ｂ♯方向は、ランド辺１５２の延在方向（Ｃ方向）に平行であり、半田フロー方向の上流側から下流側へ向かう。Ｃ方向およびＢ♯方向は、「第１の方向」に対応する。
【００５０】
半田引きランド１２０のうちの第１のサブランド１２１は、ランド辺１５１，１５２，１５２♯，１５３〜１５５により区画される。ランド辺１５１は、最終リードランド１０２Ｌに対向する。ランド辺１５１は、リードランド群１０１の各ランドと同等またはそれ以上の長さを有する。
【００５１】
ランド辺１５２，１５２♯は、リードランド群１０１から余剰半田が動的な力を受ける方向であるＢ♯方向に沿って延在する。ランド辺１５２，１５２♯は、ランド辺１５１の両端と接続される。したがって、ランド辺１５２は、ランド辺１５１の一端（半田フロー方向上流側）に直接続いて設けられる。辺１５３は、ランド辺１５２♯を経由して、ランド辺１５１の他端（半田フロー方向下流側）に続いて設けられる。ランド辺１５３は、半田フロー方向（Ｂ方向）に沿って延在する。
【００５２】
ランド辺１５４は、ランド辺１５２と接続されて、半田フロー方向（Ｂ方向）に沿って延在する。ランド辺１５５は、ランド辺１５３およびランド辺１５４を、半田フロー方向（Ｂ方向）の下流側で接続するように形成される。したがって、ランド辺１５５は、半田フロー方向（Ｂ方向）に交差する方向に延在する。このように、ランド辺１５１、１５２，１５３，１５４および１５５は、「第１のランド辺」〜「第５のランド辺」にそれぞれ相当する。
【００５３】
これにより、第１のサブランド１２１には、最終リードランド１０２Ｌに隣接して設けられ、かつ、Ｂ♯方向（Ｃ方向）に沿って区画された部位（ランド辺１５２，１５２♯）を有する領域Ｒ１と、領域Ｒ１と連続的に設けられた領域Ｒ２とが形成される。
【００５４】
領域Ｒ１は、ランド辺１５２（１５２♯）によって、Ｂ♯方向に沿った動的な力を受ける余剰半田を、リードランド群１０２から積極的に排出するように導くことができる。領域Ｒ２は、領域Ｒ１からの余剰半田を、異なる方向、具体的には、半田フロー方向（Ｂ方向）に導くことができる。この結果、領域Ｒ２では、ランド辺１５５に到達した半田が跳ね返されても、半田がリードランド群１０２へ戻ることがない。すなわち、領域Ｒ２では、領域Ｒ１からの半田の流れ方向（Ｂ♯）を変化させるような経路を形成することにより、半田がリードランド群１０２へ戻されることを防止できる。
【００５５】
また、領域Ｒ２は、半田フロー方向（Ｂ方向）に沿った経路を形成することにより、プリント基板１０の搬送によって半田に作用する動的な力により、領域Ｒ１へ流入した半田を、効果的にリードランド群１０２から遠ざけることができる。このように、領域Ｒ１およびＲ２は、「第１の領域」および「第２の領域」にそれぞれ相当する。
【００５６】
第２のサブランド１２２は、分離部１７０によって第１のサブランド１２１とは分離される。第２のサブランド１２２は、第１のサブランド１２１のランド辺１５５と対向するランド辺１５６を有する。これにより、第２のサブランド１２２は、第１のサブランド１２１に対して、半田フロー方向（Ｂ方向）に沿って隣接する領域Ｒ３を形成するように配置される。すなわち、第２のサブランド１２２によって、半田引きランド１２０の「第３の領域」が形成される。分離部１７０は、第１のサブランド１２１および第２のサブランド１２２の間に、レジストを剥離しない領域を残すことによって形成することができる。
【００５７】
図７には、図６における模式的なＶＩＩ−ＶＩＩ断面図が示される。
図７を参照して、第１のサブランド１２１および第２のサブランド１２２の各々は、レジスト１２を剥離することにより、プリント基板１０（半田面１１）の表面よりも低くなっている。第１のサブランド１２１および第２のサブランド１２２に形成された金属箔１４により、余剰半田が吸着される。
【００５８】
この際に、余剰半田は、半田フロー方向（図６中のＢ方向）に沿って、第１のサブランド１２１から第２のサブランド１２２へ向かう方向に導かれる。第１のサブランド１２１および第２のサブランド１２２の間の分離部１７０は、レジスト１２が剥離されずに残された領域によって形成されるため、第１のサブランド１２１および第２のサブランド１２２よりも高い。このため、分離部１７０は、第１のサブランド１２１から第２のサブランド１２２へ流入した余剰半田が、第２のサブランド１２２の先端（Ｂ方向）に達して跳ね返されたときに、第１のサブランド１２１への逆流に対する障壁として作用する。このように、分離部１７０によって、第１のサブランド１２１および第２のサブランド１２２の間に凹凸を設けることによって、半田引きランド１２０へ流された余剰半田が、リードランド群１０２へ戻されることを防止できる。
【００５９】
なお、分離部１７０については、レジスト１２が剥離された領域に、金属箔が非形成とされた領域を設けることによって形成されてもよい。この場合にも、金属箔の有無によって、分離部１７０により第１のサブランド１２１および第２のサブランド１２２の間に凹凸を設けることができる。
【００６０】
再び図６を参照して、第２のサブランド１２２の先端は、半田フロー方向（Ｂ方向）に沿って、先細りの形状を有するように形成される。このようにすると、第２のサブランド１２２の先端に到達した余剰半田が、第１のサブランド１２１へ向けて反対方向に戻る動的な力を、軽減することができる。この結果、半田引きランド１２０からリードランド群１０２へ余剰半田が戻ることを防止できる。
【００６１】
再び図５を参照して、第１の辺５１に対応して設けられるリードランド群１０１に対しては、半田フロー方向（Ｂ方向）にボディ５５に当たった後の半田が供給される。この場合にも、半田は、第１の辺５１の延在方向（Ｃ方向）に沿って動的な力を受ける。
【００６２】
したがって、リードランド群１０１においても、半田は、リードランド群１０２と同様の方向に動的な力を受ける。したがって、リードランド群１０１に対しても、半田引きランド１２０と同様に、半田引きランド１１０が設けられる。半田引きランド１１０は、第１のサブランド１１１および第２のサブランド１１２を有し、第１のサブランド１１１および第２のサブランド１１２の各々には、金属箔（銅箔）が形成されている。第１のサブランド１１１および第２のサブランド１１２の間は、分離部１７０と同様に形成された、分離部１７１によって分離されている。
【００６３】
第１のサブランド１１１と、リードランド群１０１のうちの最終リードランド１０１Ｌとの配置関係は、リードランド群１０２における第１のサブランド１２１および最終リードランド１０２Ｌの位置関係と同様である。また、図６にも示されるように、第１のサブランド１１１および第２のサブランド１１２は、リードランド群１０２に対する第１のサブランド１２１および第２のサブランド１２２と同様の形状で設けることができる。
【００６４】
また、半田引きランド１２０において、第２のサブランド１２２の形状は、分離部１７０を挟んで、第１のサブランド１２１のうちの、Ｃ方向に沿った辺を有する矩形領域１２１♯を除いた領域と線対称になるような形状で設けられる。同様に、半田引きランド１１０においても、第１のサブランド１１１のうちの、Ｃ方向に沿った辺を有する矩形領域１１１♯を除いた領域と線対称になるような形状で設けられてもよい。すなわち、第１のサブランド１１１，１２１は、分離部１７０，１７１を挟んで第２のサブランド１１２，１２２と線対称の形状（ホームベース状）の領域を含むように形成される。このようにすると、第２のサブランド１１２，１２２（領域Ｒ３）による余剰半田の吸収効果を高めることができる。
【００６５】
このように、本実施の形態１によるプリント基板によれば、半田引きランド１１０，１２０において、リードランド群１０１，１０２からの余剰半田の流れ方向（Ｂ♯方向、すなわちＣ方向）に沿った経路を形成する第１の領域と、余剰半田の流れを半田フロー方向に変化させるための第２の領域とを連続的に設け（第１のサブランド１１１，１２１）、さらに、半田フロー方向下流に第２の領域から分離された第３の領域（サブランド１１２，１２２）を設けることができる。
【００６６】
これにより、リードランド群１０１，１０２からの余剰半田を半田引きランド１１０，１２０へ積極的に導くとともに、半田引きランド１１０，１２０での余剰半田の跳ね返りを、リードランド群１０１，１０２へ戻り難くすることができる。
【００６７】
したがって、フロー工程におけるリードランド群１０１，１０２での余剰半田を半田引きランド１１０，１２０で効果的に吸着することによって、ＩＣ５０のリードランド間に半田ブリッジが生じることを防止できる。
【００６８】
［実施の形態２］
実施の形態２では、半田フロー方向（Ｂ方向）の上流側の半田引きランド１２０の形状の変形例を説明する。
【００６９】
図８は、実施の形態２に従う半田引きランドの形状を説明する平面図である。図９は、図８に示された、半田引きランド１２０の拡大図である。
【００７０】
図８および図９を参照して、実施の形態２では、半田フロー方向（Ｂ方向）の上流側の半田引きランド１２０の形状が、下流側の半田引きランド１１０と異なる。なお、半田引きランド１１０は「第１の半田引きランド」に対応し、半田引きランド１２０は「第２の半田引きランド」に対応する。
【００７１】
具体的には、半田引きランド１２０では、第１のサブランド１２１の領域Ｒ２のＢ方向（半田フロー方向）に沿った長さ（ランド辺１５３，１５４のＢ方向長さ）が、半田引きランド１１０の第１のサブランド１１１よりも短くなる。さらに、図６でのランド辺１５２♯が省略される。これにより、ランド辺１５１の一端（半田フロー方向下流側）に対してランド辺１５２が図６と同様に設けられるのに対して、ランド辺１５３は、図６とは異なり、ランド辺１５１の他端（半田フロー方向下流側）に続いて直接配置される。このように、ランド辺１５２♯を省略して、ランド辺１５１〜１５５によって半田引きランド１２０を形成することも可能である。
【００７２】
Ｂ方向上流側の半田引きランド１２０では、フロー工程において、溶融した半田は、リードランド群１０２を通過してからボディ５５に到達することにより、リードランド群１０２の配列方向（Ｃ方向）に沿って、第１のサブランド１２１（領域Ｒ１）へ向かう動的な力が比較的大きい。
【００７３】
一方で、Ｂ方向下流側の半田引きランド１１０では、フロー工程において、溶融した半田は、ボディ５５を乗り越えてからリードランド群１０２に到達する。したがって、リードランド群１０１の配列方向（Ｃ方向）に沿って、第１のサブランド１１１（領域Ｒ１）へ向かう、余剰半田の動的な力は、相対的に弱くなっている。
【００７４】
したがって、上流側の半田引きランド１２０では、リードランド群１０２から流れ込む余剰半田の動的な力が相対的に大きいため、第１のサブランド１２１における領域Ｒ２の長さをそれ程確保しなくても、領域Ｒ１への余剰半田を、半田フロー方向（Ｂ方向）に隣接した第２のサブランド１２２へ導くことが可能となる。
【００７５】
一方で、下流側の半田引きランド１１０では、第１および第２のサブランド１１１，１１２は、実施の形態１と同様の形状で形成することによって、領域Ｒ２において、リードランド群１０１からの余剰半田の流れを半田フロー方向（Ｂ方向）に沿った方向に変化させる。これにより、余剰半田をサブランド１１２へ十分に導くことができる。
【００７６】
上述のように、半田引きランドは、電気的な役割を有しておらず、電気的な役割を有していないため、プリント基板上のレイアウト面からは、可能な限り小面積化することが好ましい。
【００７７】
したがって、本実施の形態２によるプリント基板によれば、リードランド群からの余剰半田を第２のサブランド（領域Ｒ３）へ導き易く、半田フロー方向（Ｂ方向）の上流側のリードランド群１０２に対応する半田引きランド１２０を小面積化することができる。
【００７８】
さらに、半田引きランド１２０では、領域Ｒ３を形成する第２のサブランド１２２の形状も、第１のサブランド１２１と対応させて変更されることが好ましい。たとえば、図８および図９に示されるように、第２のサブランド１２２は、分離部１７０を挟んで、第１のサブランド１２１に対して線対称の領域を有するような形状で形成される。これにより、第２のサブランド１２２による半田吸収効果を高めるとともに、小面積化することができる。
【００７９】
［実施の形態３］
実施の形態３では、半田引きランドの半田フロー方向（Ｂ方向）の下流側のサブランドの変形例を説明する。
【００８０】
図１０は、実施の形態３に従う半田引きランドの第１の例を説明する平面図である。
図１０を参照して、実施の形態３に従うプリント基板では、半田引きランド１１０，１２０のうちの少なくともいずれかにおいて、第１のサブランド１１１および／または１２１に対して、分離部１７０および／または１７１を挟んで、半田フロー方向（Ｂ方向）の下流側に複数個のサブランドが設けられる。
【００８１】
図１０の例では、図８（実施の形態２）と同様に第１のサブランド１１１および第２のサブランド１１２が形成されたプリント基板において、第１のサブランド１１１に対して、分離部１７１を挟んで、複数個のサブランド１１２ａ，１１２ｂが設けられる。第１のサブランド１２１に対応する第２のサブランド１２２の形状は、図８と同様であるので詳細な説明は繰り返さない。
【００８２】
複数個のサブランド１１２ａ，１１２ｂの間には、分離部１７１と同様の分離部によって分離される。したがって、分離部１７１を超えて半田フロー方向（Ｂ方向）へ流入した余剰半田が、第１のサブランド１１１を経由してリードランド群１０１へ戻り難くすることができる。
【００８３】
サブランド１１２ａ，１１２ｂの各々は、分離部１７１を超えて、第１のサブランド１１１から流入した余剰半田を、半田フロー方向（Ｂ方向）の下流側へ導くような形状、たとえば、図示するような先細りの形状で設けることができる。好ましくは、サブランド１１２ａ，１１２ｂは、同一形状で設けることが好ましい。また、サブランドの個数についても、面積の増加を考慮すると、できれば２個とすることが好ましい。
【００８４】
あるいは、サブランド１１２ａ，１１２ｂは、第１のサブランド１１１と、分離部１７１を挟んで線対称の形状で設けることも可能である。ただし、面積の増加を考慮すると、図１０のような小面積の形状で設けることが好ましい。
【００８５】
図１１は、実施の形態３に従う半田引きランドの第２の例を説明する平面図である。
図１１の例では、図５（実施の形態１）と同様に第１のサブランド１１１，１２１が形成されたプリント基板において、第１のサブランド１１１，１２１の両方に対して、分離部１７０，１７１を挟んで、複数個の第２のサブランド１１２ａ，１１２ｂおよび１２２ａ，１２２ｂが設けられる。
【００８６】
第２のサブランド１１２ａ，１１２ｂ，１２２ａ，１２２ｂの各々は、図１０のサブランド１１２ａ，１１２ｂと同様の形状で設けることができる。図１０と同様に、第２のサブランド１２２ａ，１２２ｂについても同一形状で設けることが好ましい。
【００８７】
このように実施の形態３によれば、第１のサブランド１１１，１２１から分離部１７０，１７１を超えて半田フロー方向（Ｂ方向）へ流入した余剰半田が、第１のサブランド１１１，１２１を経由してリードランド群１０１，１０２へ戻り難くすることができる。したがって、ＩＣ５０のリードランド間に半田ブリッジが生じることをさらに効果的に防止できる。
【００８８】
なお、実施の形態３は、実施の形態１および２と適宜組み合わせることができる。すなわち、実施の形態１または２に従う、第１のサブランド１１１，１２１の少なくともいずれかに対して、逐次、サブランド１１２および／または１２２を複数個（好ましくは２個）設けることが可能である。
【００８９】
今回開示された実施の形態はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は上記した説明ではなくて特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。
【符号の説明】
【００９０】
１ａ〜１ｄ  辺（プリント基板）、１０  プリント基板、１１  半田面、１２  レジスト、１４  金属箔  ５１  第１の辺（ＩＣ）、５２  第２の辺（ＩＣ）、５５  ボディ、６１，６２  リード、１０１，１０２  リードランド群、１０１Ｌ，１０２Ｌ  最終リードランド、１１０，１２０  半田引きランド、１１１，１２１  第１のサブランド、１１２，１１２ａ，１１２ｂ，１２２，１２２ａ，１２２ｂ  第２のサブランド、１５１，１５２，１５２♯，１５３，１５４，１５５，１５６  ランド辺、１７０，１７１  分離部、Ｒ１，Ｒ２  領域（第１のサブランド）、Ｒ３  領域（第２のサブランド）。
【図１】
0006421554.tif 000002
【図２】
0006421554.tif 000003
【図３】
0006421554.tif 000004
【図４】
0006421554.tif 000005
【図５】
0006421554.tif 000006
【図６】
0006421554.tif 000007
【図７】
0006421554.tif 000008
【図８】
0006421554.tif 000009
【図９】
0006421554.tif 000010
【図１０】
0006421554.tif 000011
【図１１】
0006421554.tif 000012