(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
常温常圧では液相の原料を気化した状態で被供給装置へ供給する原料気化供給装置であって、
前記液相の原料を収容する原料容器と、
前記原料容器に収容された原料を加熱するための加熱器と、
前記加熱器によって気化された原料を前記原料容器から被供給装置へ供給するための供給ラインと、
前記原料容器の内部を減圧するための減圧器と、
前記減圧器を備える減圧ラインと、
を備え、
前記減圧ラインは、前記供給ラインとは別に設けられており、
前記減圧ラインの前記原料容器内の気体を吸入する吸入口の近傍には、前記加熱器からの熱を遮る断熱部が設けられていることを特徴とする原料気化供給装置。
【請求項２】
前記減圧ラインには、前記減圧ラインを冷却する冷却器が設けられていることを特徴とする請求項１に記載の原料気化供給装置。
【請求項３】
前記原料容器の内部は、前記減圧器によって、大気圧よりも低く、かつ、前記被供給装置の内部よりも高い圧力に減圧されていることを特徴とする請求項１または２に記載の原料気化供給装置。
【請求項４】
常温常圧では液相の原料を気化した状態で被供給装置へ供給する原料気化供給方法であって、
前記液相の原料を収容した原料容器の内部の圧力を、減圧ラインを介して減圧する減圧工程と、
前記減圧工程で減圧された圧力における前記原料の沸点よりも高い温度に前記原料を加熱器によって加熱する加熱工程と、
前記減圧ラインとは別に設けられた供給ラインを介して、前記加熱工程で気化された原料を前記被供給装置へ供給する供給工程と、
を有し、
前記減圧ラインの前記原料容器内の気体を吸入する吸入口の近傍に設けた断熱部によって、前記加熱器からの熱を遮ることを特徴とする原料気化供給方法。
【請求項５】
前記減圧ラインに吸引される原料の少なくとも一部を回収する回収工程をさらに含むことを特徴とする請求項４に記載の原料気化供給方法。
【請求項６】
前記減圧工程において、前記原料容器の内部を、大気圧よりも低く、かつ、前記被供給装置の内部よりも高い圧力に減圧することを特徴とする請求項４または５に記載の原料気化供給方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、原料気化供給装置および原料気化供給方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、液体原料を気化し、当該気化した原料を化学反応させる製造工程が知られている。例えば、光ファイバの製造工程では、四塩化ケイ素（ＳｉＣｌ４）や四塩化ゲルマニウム（ＧｅＣｌ４）などの液体原料を気化し、当該気化した原料をバーナで火炎加水分解反応させてガラス微粒子を生成する工程が行われている。
【０００３】
上記ガラス微粒子を生成する工程では、常温常圧にて液相である原料をバーナ等の被供給装置に供給するために、原料を収容している原料容器を加熱して原料を気化することが行われている。また、原料容器にて気化した原料を気相の状態のまま被供給装置まで供給するため、原料容器から原料の被供給装置までの配管および装置等を加熱および温度管理をすることも行われている。原料容器から被供給装置までの供給ラインの一部でも沸点を下回ると、原料の気相状態を維持することができないからである。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００４−１６１５５５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、設備の大型化に伴い、原料容器から被供給装置までの供給ラインの全長を適正に高温維持することが困難となりつつある。そこで、気化容器から被供給装置までの間に減圧ポンプを設け、気化容器を減圧することで原料が気化する温度を下げる試みが提案されている（特許文献１参照）。しかしながら、気化容器から被供給装置までの間に装置を追加することで、新たな問題を生じる場合がある。例えば、気化容器から被供給装置までの間にポンプ等の装置を追加すると、当該装置によって原料が汚染されてしまう場合がある。また、気化原料の気流に影響する装置を設けることで、その箇所で局所的に原料が凝集する可能性が高まり、原料の沸点よりも過大に供給ラインを加熱する必要が生じる場合がある。
【０００６】
本発明は、上記に鑑みてなされたものであって、その目的は、原料の標準沸点との比較において過大に供給ラインを加熱することなく、かつ、原料の汚染も少ない原料気化供給装置および原料気化供給方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上述した課題を解決し、目的を達成するために、本発明の一態様に係る原料気化供給装置は、常温常圧では液相の原料を気化した状態で被供給装置へ供給する原料気化供給装置であって、前記液相の原料を収容する原料容器と、前記原料容器に収容された原料を加熱するための加熱器と、前記加熱器によって気化された原料を前記原料容器から被供給装置へ供給するための供給ラインと、前記原料容器の内部を減圧するための減圧器と、前記減圧器を備える減圧ラインと、を備え、前記減圧ラインは、前記供給ラインとは別に設けられていることを特徴とする。
【０００８】
また、本発明の一態様に係る原料気化供給装置は、前記減圧ラインの前記原料容器内の気体を吸入する吸入口の近傍には、前記加熱器からの熱を遮る断熱部が設けられていることを特徴とする。
【０００９】
また、本発明の一態様に係る原料気化供給装置は、前記減圧ラインには、前記減圧ラインを冷却する冷却器が設けられていることを特徴とする。
【００１０】
また、本発明の一態様に係る原料気化供給装置は、前記原料容器の内部は、前記減圧器によって、大気圧よりも低く、かつ、前記被供給装置の内部よりも高い圧力に減圧されていることを特徴とする。
【００１１】
また、本発明の一態様に係る原料気化供給方法は、常温常圧では液相の原料を気化した状態で被供給装置へ供給する原料気化供給方法であって、前記液相の原料を収容した原料容器の内部の圧力を、減圧ラインを介して減圧する減圧工程と、前記減圧工程で減圧された圧力における前記原料の沸点よりも高い温度に前記原料を加熱する加熱工程と、前記減圧ラインとは別に設けられた供給ラインを介して、前記加熱工程で気化された原料を前記被供給装置へ供給する供給工程と、を有することを特徴とする。
【００１２】
また、本発明の一態様に係る原料気化供給方法は、前記減圧ラインに吸引される原料の少なくとも一部を回収する回収工程をさらに含むことを特徴とする。
【００１３】
また、本発明の一態様に係る原料気化供給方法は、前記減圧工程において、前記原料容器の内部を、大気圧よりも低く、かつ、前記被供給装置の内部よりも高い圧力に減圧することを特徴とする。
【発明の効果】
【００１４】
本発明に係る原料気化供給装置および原料気化供給方法は、原料の標準沸点との比較において過大に供給ラインを加熱することなく、かつ、原料の汚染も少ないという効果を奏する。
【図面の簡単な説明】
【００１５】
【図１】図１は、本発明の実施形態に係る原料気化供給装置および原料気化供給方法を適用する製造設備の構成例を概略的に示した図である。
【図２】図２は、第１実施形態に係る原料気化供給装置の概略構成を示す図である。
【図３】図３は、第２実施形態に係る原料気化供給装置の概略構成を示す図である。
【図４】図４は、四塩化ケイ素の蒸気圧に関するグラフを示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１６】
以下、添付図面を参照しながら、本発明の実施形態に係る原料気化供給装置および原料気化供給方法を詳細に説明する。なお、以下に説明する実施形態により本発明が限定されるものではない。また、図面は模式的なものであり、各要素の寸法の関係、各要素の比率などは、現実と異なる場合があることに留意する必要がある。図面の相互間においても、互いの寸法の関係や比率が異なる部分が含まれている場合がある。
【００１７】
図１は、本発明の実施形態に係る原料気化供給装置および原料気化供給方法を適用する製造設備の構成例を概略的に示した図である。図１に示すように、製造設備１００は、原料気化供給装置１０と、マスフローコントローラ２０と、被供給装置３０と、ガス浄化装置４０とを備えている。製造設備１００は、原料気化供給装置１０が備える原料容器１１に収容された常温常圧では液相の原料を、供給ライン１２を介して気化した状態で被供給装置３０へ供給するための設備である。なお、図１に示される製造設備１００の構成例は、光ファイバの製造工程の一部である、スートと呼ばれる多孔質母材の製造を行う設備を想定したものであるが、本発明の実施形態に係る原料気化供給装置および原料気化供給方法を適用する製造設備は、本構成の設備に限定されるものではない。
【００１８】
図１に記載されている原料気化供給装置１０の構成は、原料気化供給装置１０の構成のうち基本的な構成のみであり、細部については後により詳細な図面を参照しながら説明する。図１に示すように、原料気化供給装置１０は、常温常圧では液相の原料を収容するための原料容器１１と、気化された原料を原料容器１１から被供給装置３０へ供給するための供給ライン１２と、原料容器１１の内部を減圧するための減圧器１４と、減圧器１４を備える減圧ライン１３と、を備えている。また、原料容器１１には、原料を加熱するための第１の加熱器５１が設けられており、減圧ライン１３は、供給ライン１２とは別に設けられている。
【００１９】
原料容器１１は、気化した原料が漏出しないように密閉性が高いものであり、減圧器１４による減圧に耐え得る程度の強度を有したものである。原料容器１１に収容される原料は、原料気化供給装置１０を適用する製造設備に依存して適切に選択することができるが、例えばスートの製造設備に適用する場合、四塩化ケイ素や四塩化ゲルマニウムやオクタメチルシクロテトラシロキサン等が想定される。原料として四塩化ケイ素や四塩化ゲルマニウムを用いる場合は、原料容器１１に設けられた第１の加熱器５１は、１００℃程度まで原料を加熱することができるヒータを用いることが好ましく、オクタメチルシクロテトラシロキサンを用いる場合は、２００℃程度まで原料を加熱することができるヒータを用いることが好ましい。また、原料容器１１は、０．１気圧程度まで減圧できる強度を有することが好ましい。
【００２０】
供給ライン１２は、気化された原料を被供給装置３０へ供給するためのラインであり、マスフローコントローラ２０と原料容器１１から被供給装置３０までを適切に高温維持するための第２の加熱器５２とが設けられている。なお、供給ライン１２は、第２の加熱器５２によって加熱されるだけではなく、供給ライン１２からの熱が放出されないように、断熱材によって供給ライン１２を保護するように構成することが好ましい。また、第２の加熱器５２は、供給ライン１２のみならずマスフローコントローラ２０も加熱し、マスフローコントローラ２０にて原料の凝集が発生しないようにマスフローコントローラ２０を適切に高温維持する。
【００２１】
製造設備１００の用途によっては、被供給装置３０には、原料気化供給装置１０から供給される原料のみならず、別途の原料気化供給装置から供給される原料や、アルゴン等の希釈ガスや、燃焼を支援する燃焼ガスや、製造するガラス母材に添加するドーパント等も供給され得る。供給ライン１２は、これら供給装置からの供給を合流するための合流点を適宜備えるものとする。
【００２２】
減圧ライン１３は、原料容器１１の内部を減圧するための減圧器１４へ通じている。減圧器１４は、たとえば真空ポンプであり、減圧ライン１３を介して原料容器１１の内部の気体を吸引することで原料容器１１の内部を大気圧よりも低い圧力に減圧する。結果、原料容器１１の内部で気化した原料も減圧ライン１３に吸引されることになるが、後に例示するような構成により、減圧ライン１３に吸引される原料の少なくとも一部を回収することで、減圧ライン１３から排出される原料を低減するように構成されている。
【００２３】
マスフローコントローラ２０は、供給ライン１２の途中に設けられた、供給ライン１２を流れる原料の質量流量を制御するための制御装置である。マスフローコントローラ２０は、質量流量を測定する質量流量計と、質量流量計の測定結果に基づいて開度が自動的に調節される電磁弁とを備えている。質量流量計や弁の種類によって各種のマスフローコントローラが存在するが、供給ライン１２を流れる原料の種類や当該原料を用いる用途によって適正に選択して用いることができる。
【００２４】
被供給装置３０は、たとえば反応容器であり、光ファイバの製造に用いるスートの製造設備に適用する場合、この反応容器内で四塩化ケイ素や四塩化ゲルマニウムなどの原料をバーナで火炎加水分解反応させてガラス微粒子を生成し、生成されたガラス微粒子を堆積させてスートＰを形成する。被供給装置３０は、供給ライン１２を介して原料が供給されるバーナ３１を備えている。
【００２５】
被供給装置３０には、吸引ポンプ４１を介してガス浄化装置４０が接続されている。ガス浄化装置４０は、いわゆるスクラバと呼ばれる装置であり、被供給装置３０の内部に浮遊するガラス微粒子を回収し、被供給装置３０の内部を浄化するためのものである。バーナ３１で生成されたガラス微粒子は、必ずしもすべてがスートＰに堆積されない。したがって、スートＰに堆積されなかったガラス微粒子を被供給装置３０から排除する必要がある。
【００２６】
吸引ポンプ４１は、被供給装置３０の内部を浮遊するガラス微粒子を吸引して、ガラス微粒子をガラス微粒子へ送るという機能のみならず、被供給装置３０の内部の圧力を減圧する機能を担っている。具体的には、吸引ポンプ４１は、被供給装置３０の内部の圧力を原料容器１１の内部よりも低い圧力へ減圧している。このように、被供給装置３０の内部の圧力を原料容器１１の内部よりも低い圧力とすることで、供給ライン１２におけるマスフローコントローラ２０の入側よりも出側の圧力が低く、マスフローコントローラ２０が安定して機能するための圧力差を確保している。なお、上記は吸引ポンプ４１を主体として減圧の条件を記載したが、減圧器１４を主体として減圧の条件を記載すれば、原料容器１１の内部の圧力を被供給装置３０の内部よりも高い圧力に減圧することになる。
【００２７】
先述のように、減圧器１４は、原料容器１１の内部を大気圧よりも低い圧力に減圧する。さらに、減圧器１４は、原料容器１１の内部を被供給装置３０の内部よりも高い圧力に減圧する。したがって、大気圧をＰ０とし、原料容器１１の内部の圧力をＰ１とし、被供給装置３０の内部をＰ２としたときに、減圧器１４は、下記関係式を満たすように、原料容器１１の内部を減圧することが好ましいことになる。
Ｐ２＜Ｐ１＜Ｐ０
【００２８】
（第１実施形態）
図２は、第１実施形態に係る原料気化供給装置１０ａの概略構成を示す図である。図２に示すように、原料気化供給装置１０ａは、常温常圧では液相の原料を収容するための原料容器１１と、気化された原料を被供給装置３０へ供給するための供給ライン１２と、原料容器１１の内部を減圧するための減圧器１４へ通じる減圧ライン１３と、を備えている。また、原料容器１１には、原料を加熱するための第１の加熱器５１が設けられている。
【００２９】
減圧器１４は、原料容器１１の内部の圧力を、減圧ライン１３を介して減圧し、第１の加熱器５１は、減圧器１４によって減圧された圧力における原料の沸点よりも高い温度に原料を加熱する。すると、液相の原料ＳＬは、気化して気相の原料ＳＶに相転移し、原料容器１１の上方に貯まることになる。供給ライン１２の吸入口１２ａは、原料容器１１内の気体を吸入し得るように原料容器１１の上方に設けられており、気化された原料を被供給装置３０へ供給することとなる。
【００３０】
さらに、第１実施形態に係る原料気化供給装置１０ａでは、減圧ライン１３の吸入口１３ａの近傍には、第１の加熱器５１からの熱を遮る断熱部１５が設けられている。減圧ライン１３の吸入口１３ａの近傍では、断熱部１５が第１の加熱器５１からの熱を遮ることによって、気相の原料ＳＶが沸点より低い温度に冷やされ、減圧ライン１３の吸入口１３ａの近傍に原料が凝集する。そして、この凝集して液相の原料ＳＬを還流ライン１６によって回収する。
【００３１】
このように、減圧ライン１３の吸入口１３ａの近傍に設けられた断熱部１５は、減圧ライン１３に吸引される原料の少なくとも一部を回収することができる。なお、断熱部１５によって第１の加熱器５１からの熱が遮断される領域において、減圧ライン１３をラビリンス状に配置するなど経路長を長くすることによって、減圧ライン１３に吸引される原料の回収率を向上することも可能である。
【００３２】
（第２実施形態）
図３は、第２実施形態に係る原料気化供給装置１０ｂの概略構成を示す図である。図３に示すように、原料気化供給装置１０ｂは、常温常圧では液相の原料を収容するための原料容器１１と、気化された原料を被供給装置３０へ供給するための供給ライン１２と、原料容器１１の内部を減圧するための減圧器１４へ通じる減圧ライン１３と、を備えている。また、原料容器１１には、原料を加熱するための第１の加熱器５１が設けられている。
【００３３】
減圧器１４は、原料容器１１の内部の圧力を、減圧ライン１３を介して減圧し、第１の加熱器５１は、減圧器１４によって減圧された圧力における原料の沸点よりも高い温度に原料を加熱する。すると、液相の原料ＳＬは、気化して気相の原料ＳＶに相転移し、原料容器１１の上方に貯まることになる。供給ライン１２の吸入口１２ａは、原料容器１１内の気体を吸入し得るように原料容器１１の上方に設けられており、気化された原料を被供給装置３０へ供給することとなる。
【００３４】
さらに、第２実施形態に係る原料気化供給装置１０ｂでは、減圧ライン１３の吸入口１３ａと減圧器１４との間には、減圧ライン１３を強制的に冷却する冷却器１７が設けられている。冷却器１７は、例えば流入口１７ａと排出口１７ｂとを備え、流入口１７ａから排出口１７ｂへ冷媒を循環させることによって減圧ライン１３を強制的に冷却する。冷媒によって強制的に冷却された減圧ライン１３中の気相の原料ＳＶは、沸点より低い温度に冷やされ冷却器１７中に凝集する。この凝集して液相の原料ＳＬを還流ライン１７ｃによって回収する。このように、減圧ライン１３の吸入口１３ａと減圧器１４との間に設けられた冷却器１７は、減圧ライン１３に吸引される原料の少なくとも一部を回収することができる。
【００３５】
なお、第２実施形態に係る原料気化供給装置１０ｂでは、減圧ライン１３の吸入口１３ａと減圧器１４との間に冷却器１７を設けたが、減圧器１４と冷却器１７を入れ替え、減圧器１４を減圧ライン１３の吸入口１３ａと冷却器１７との間に設けてもよい。この場合、還流ライン１７ｃに精製装置を設けることが好ましい。
【００３６】
（第１実施例）
次に、上記説明した実施形態に係る原料気化供給装置を用いた実施例の説明をする。
【００３７】
第１実施例は、第１実施形態に係る原料気化供給装置１０ａを用いて四塩化ケイ素を被供給装置３０に供給した場合の実施例である。
【００３８】
図４は、四塩化ケイ素の蒸気圧に関するグラフを示す図である。図４に示されるグラフは、横軸を四塩化ケイ素の温度（℃）とし、縦軸を四塩化ケイ素の蒸気圧（ｋＰａ）とし、四塩化ケイ素の温度と蒸気圧の関係を示している。図４に示されるグラフから読み取れるように、四塩化ケイ素は、蒸気圧が大気圧（＝１０１．３２５ｋＰａ）に等しくなる温度（標準沸点）が５７．６℃である。したがって、従来型の原料気化供給装置を用いた場合、例えば、第１の加熱器５１を６０℃に設定し、第２の加熱器５２を７０℃に設定する必要があった。
【００３９】
一方、第１実施形態に係る原料気化供給装置１０ａを用いて四塩化ケイ素を被供給装置３０に供給した場合、原料容器１１の内部の圧力Ｐ１を８０ｋＰａに減圧し、被供給装置３０の内部の圧力Ｐ２を６０ｋＰａに減圧することができる。結果、第１の加熱器５１を５５℃に設定し、第２の加熱器５２を６０℃に設定しても、原料気化供給装置１０ａから被供給装置３０までの供給ライン１２の全長において原料の凝集が発生することなく、適正に設備を運転することが可能となった。すなわち、第１実施形態に係る原料気化供給装置１０ａを用いて四塩化ケイ素を被供給装置３０に供給した場合、原料の標準沸点との比較において過大に供給ライン１２を加熱することなく、エネルギーコストを抑えることができることが示された。また、第１実施形態に係る原料気化供給装置１０ａを用いて四塩化ケイ素を被供給装置３０に供給した場合、供給ライン１２の途中に不要な装置を追加する必要がないので、原料の汚染も少なく抑えられている。
【００４０】
（第２実施例）
第２実施例は、第２実施形態に係る原料気化供給装置１０ｂを用いて四塩化ケイ素を被供給装置３０に供給した場合の実施例である。第１実施例で説明したように、従来型の原料気化供給装置を用いた場合、例えば、第１の加熱器５１を６０℃に設定し、第２の加熱器５２を７０℃に設定する必要があった。
【００４１】
一方、第２実施形態に係る原料気化供給装置１０ｂを用いて四塩化ケイ素を被供給装置３０に供給した場合、原料容器１１の内部の圧力Ｐ１を４０ｋＰａに減圧し、被供給装置３０の内部の圧力Ｐ２を２０ｋＰａに減圧することができる。結果、第１の加熱器５１を４５℃に設定し、第２の加熱器５２を５０℃に設定しても、原料気化供給装置１０ｂから被供給装置３０までの供給ライン１２の全長において原料の凝集が発生することなく、適正に設備を運転することが可能となった。すなわち、第２実施形態に係る原料気化供給装置１０ａを用いて四塩化ケイ素を被供給装置３０に供給した場合、第１実施形態に係る原料気化供給装置１０ａよりもさらに、エネルギーコストを抑えることができることが示された。
【００４２】
（第３実施例）
第３実施例は、第２実施形態に係る原料気化供給装置１０ｂを用いて四塩化ゲルマニウムを被供給装置３０に供給した場合の実施例である。
【００４３】
四塩化ゲルマニウムの温度と蒸気圧の関係を示す図４と同様のグラフから、四塩化ゲルマニウムの蒸気圧が大気圧（＝１０１．３２５ｋＰａ）に等しくなる温度（標準沸点）は８４℃であることがわかる。したがって、従来型の原料気化供給装置を用いた場合、例えば、第１の加熱器５１を８５℃に設定し、第２の加熱器５２を９０℃に設定する必要があった。
【００４４】
一方、第２実施形態に係る原料気化供給装置１０ａを用いて四塩化ケイ素を被供給装置３０に供給した場合、原料容器１１の内部の圧力Ｐ１を４０ｋＰａに減圧し、被供給装置３０の内部の圧力Ｐ２を２０ｋＰａに減圧することができる。結果、第１の加熱器５１を６０℃に設定し、第２の加熱器５２を６５℃に設定しても、原料気化供給装置１０ａから被供給装置３０までの供給ライン１２の全長において原料の凝集が発生することなく、適正に設備を運転することが可能となった。すなわち、第２実施形態に係る原料気化供給装置１０ｂは、四塩化ケイ素よりも標準沸点が高い四塩化ゲルマニウムにおいても、原料の沸点に対して過大に供給ライン１２を加熱することなく、エネルギーコストを抑えることができることが示された。
【００４５】
（第４実施例）
第４実施例は、第１実施形態に係る原料気化供給装置１０ａを用いてオクタメチルシクロテトラシロキサンを被供給装置３０に供給した場合の実施例である。
【００４６】
オクタメチルシクロテトラシロキサンの温度と蒸気圧の関係を示す図４と同様のグラフから、オクタメチルシクロテトラシロキサンの蒸気圧が大気圧（＝１０１．３２５ｋＰａ）に等しくなる温度（標準沸点）は１７５℃であることがわかる。したがって、従来型の原料気化供給装置を用いた場合、例えば、第１の加熱器５１を１８０℃に設定し、第２の加熱器５２を２００℃に設定する必要があった。
【００４７】
一方、第１実施形態に係る原料気化供給装置１０ａを用いてオクタメチルシクロテトラシロキサンを被供給装置３０に供給した場合、原料容器１１の内部の圧力Ｐ１を１０ｋＰａに減圧し、被供給装置３０の内部の圧力Ｐ２を９ｋＰａに減圧することができる。結果、第１の加熱器５１を１２０℃に設定し、第２の加熱器５２を１３０℃に設定しても、原料気化供給装置１０ａから被供給装置３０までの供給ライン１２の全長において原料の凝集が発生することなく、適正に設備を運転することが可能となった。すなわち、第１実施形態に係る原料気化供給装置１０ａは、すなわち、第２実施形態に係る原料気化供給装置１０ｂは、四塩化ゲルマニウムよりもさらに標準沸点が高いオクタメチルシクロテトラシロキサンにおいても、原料の標準沸点との比較において過大に供給ライン１２を加熱することなく、エネルギーコストを抑えることができることが示された。
【００４８】
以上、本発明の実施形態について具体的に説明したが、本発明は、上述の実施形態に限定されるものではなく、本発明の技術的思想に基づく各種の変形が可能である。例えば、上述の実施形態では、光ファイバの製造工程の一部であるスートの製造設備を想定し、これに用いられる四塩化ケイ素や四塩化ゲルマニウムやオクタメチルシクロテトラシロキサンを原料の例として本発明の実施形態の説明を行ったが、常温常圧では液相の原料を気化した状態で被供給装置へ供給する用途一般においても同様の効果を得ることが可能である。また、上述の実施形態において挙げた数値はあくまでも例に過ぎず、必要に応じてこれと異なる数値を用いてもよい。また、上述した各構成要素を適宜組み合わせて構成したものも本発明に含まれる。さらなる効果や変形例は、当業者によって容易に導き出すことができる。
【符号の説明】
【００４９】
１００  製造設備
１０，１０ａ，１０ｂ  原料気化供給装置
１１  原料容器
１２  供給ライン
１２ａ  供給ラインの吸入口
１３  減圧ライン
１３ａ  減圧ラインの吸入口
１４  減圧器
１５  断熱部
１６，１７ｃ  還流ライン
１７  冷却器
１７ａ  流入口
１７ｂ  排出口
２０  マスフローコントローラ
３０  被供給装置
４０  ガス浄化装置
４１  吸引ポンプ
５１  第１の加熱器
５２  第２の加熱器
【図１】
0006382175.tif 000002
【図２】
0006382175.tif 000003
【図３】
0006382175.tif 000004
【図４】
0006382175.tif 000005