(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
互いに対向する第１及び第２の主面を持つ半導体基板の前記第１の主面にパターンを形成する工程と、
透明樹脂からなる表面保護膜を前記半導体基板の前記第１の主面に形成して前記パターンを覆う工程と、
前記表面保護膜の表面を切削加工する工程と、
切削加工された前記表面保護膜を加熱してリフローさせる工程と、
リフローさせた前記表面保護膜越しに前記パターンを認識して前記パターンを基準に前記半導体基板の前記第２の主面に写真製版を行う工程とを備えることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２】
互いに対向する第１及び第２の主面を持つ半導体基板の前記第１の主面にパターンを形成する工程と、
透明樹脂からなる第１の表面保護膜を前記半導体基板の前記第１の主面に形成して前記パターンを覆う工程と、
前記第１の表面保護膜の表面を切削加工する工程と、
切削加工された前記第１の表面保護膜上に、透明樹脂からなる第２の表面保護膜を形成する工程と、
前記第１及び第２の表面保護膜を加熱してリフローさせる工程と、
リフローさせた前記第１及び第２の表面保護膜越しに前記パターンを認識して前記パターンを基準に前記半導体基板の前記第２の主面に写真製版を行う工程とを備えることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項３】
前記第２の表面保護膜は、前記第１の表面保護膜と同じ材質からなることを特徴とする請求項２に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項４】
前記第２の表面保護膜は、前記第１の表面保護膜とは異なる材質からなり、前記第１の表面保護膜と同程度の屈折率を有することを特徴とする請求項２に記載の半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体基板の第１の主面を表面保護膜で保護しつつ、半導体基板の第２の主面に写真製版を行う半導体装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
風力発電や自動車、家庭用家電製品などの様々な電力機器向けに用いられる電力制御用途のインバータ装置には、ＩＧＢＴ（Insulated Gate Bipolar Transistor）やＭＯＳＦＥＴ（Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor）等のパワーデバイスと呼ばれる半導体装置が用いられている。これらパワーデバイスでは、一般的に、半導体基板の表面に終端構造、エミッタまたはソースを作り込んだ後、半導体基板の裏面に対して研磨による薄厚加工を行い、コレクタ又はドレインを形成している。また、更なる性能向上や低コスト化するために、裏面研磨後に裏面写真製版処理によるＰ型及びＮ型半導体層の作り込みを行っている。
【０００３】
一般的に、半導体基板に対して薄厚加工や裏面写真製版処理などの裏面加工を実施する場合、終端構造やエミッタ又はソースが作り込まれた半導体基板表面上に保護テープを貼り付けて加工することで、表面への傷や異物付着を防止している（例えば、特許文献１，２参照）。
【０００４】
また、裏面加工時の表面保護方法として、保護テープを貼り付ける方法だけでなく、樹脂部材をスピンコートにて形成する方法がある（例えば、特許文献３参照）。この場合、半導体基板表面上に作り込まれた半導体素子が高段差構造を有していると、樹脂部材で段差構造の凹凸を緩和しきれず、裏面を研削する際に半導体基板が割れてしまうことがあった。そこで、これら表面保護膜に対して切削処理を施すことで、段差構造の凹凸を平坦化し、研削時の基板割れを防止している。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００５−３１７５７０号公報
【特許文献２】特開２００６−１９６７１０号公報
【特許文献３】特開２００９−４３９３１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
切削処理にて段差構造の平坦化を行うと、保護膜の表面に微小な切削痕が生じてしまう。また、薄厚加工などの処理時に保護膜の表面に傷が入ってしまう。これら微小な凹凸は、裏面写真製版などの表面保護膜越しに半導体基板の表面に形成されたパターンを読み取る必要がある際、パターン認識率を低下させてしまう。
【０００７】
本発明は、上述のような課題を解決するためになされたもので、その目的は第２の主面に写真製版を行う際に第１の主面のパターンの認識率を向上させることができる半導体装置の製造方法を得るものである。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明に係る半導体装置の製造方法は、互いに対向する第１及び第２の主面を持つ半導体基板の前記第１の主面にパターンを形成する工程と、透明樹脂からなる表面保護膜を前記半導体基板の前記第１の主面に形成して前記パターンを覆う工程と、前記表面保護膜の表面を切削加工する工程と、切削加工された前記表面保護膜を加熱してリフローさせる工程と、リフローさせた前記表面保護膜越しに前記パターンを認識して前記パターンを基準に前記半導体基板の前記第２の主面に写真製版を行う工程とを備えることを特徴とする。
【発明の効果】
【０００９】
本発明では、切削加工された表面保護膜を加熱してリフローさせた後に半導体基板の第２の主面に写真製版を行う。これにより、第２の主面に写真製版を行う際に第１の主面のパターンの認識率を向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】本発明の実施の形態１に係る半導体装置の製造方法のフローチャートである。
【図２】本発明の実施の形態１に係る半導体装置の製造方法を示す断面図である。
【図３】本発明の実施の形態１に係る半導体装置の製造方法を示す断面図である。
【図４】本発明の実施の形態１に係る半導体装置の製造方法を示す断面図である。
【図５】本発明の実施の形態１に係る半導体装置の製造方法を示す断面図である。
【図６】本発明の実施の形態２に係る半導体装置の製造方法のフローチャートである。
【図７】本発明の実施の形態２に係る半導体装置の製造方法を示す断面図である。
【図８】本発明の実施の形態２に係る半導体装置の製造方法を示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
本発明の実施の形態に係る半導体装置の製造方法について図面を参照して説明する。同じ又は対応する構成要素には同じ符号を付し、説明の繰り返しを省略する場合がある。
【００１２】
実施の形態１．
図１は、本発明の実施の形態１に係る半導体装置の製造方法のフローチャートである。図２〜５は、本発明の実施の形態１に係る半導体装置の製造方法を示す断面図である。
【００１３】
まず、図２に示すように、互いに対向する第１及び第２の主面を持つ半導体基板１の第１の主面にパターン２を形成する（ステップＳ１）。
【００１４】
次に、図３に示すように、実質的に透明な透明樹脂からなる表面保護膜３を半導体基板１の第１の主面に形成してパターン２を覆う（ステップＳ２）。次に、第１温度まで加熱することで、溶媒を蒸発させて表面保護膜３を半硬化させる（ステップＳ３）。次に、図４に示すように、表面保護膜３の表面を切削加工して平坦化させる（ステップＳ４）。
【００１５】
次に、図５に示すように、切削加工された表面保護膜３を第２温度まで加熱してリフローかつ硬化させる（ステップＳ５）。次に、半導体基板１の第２の主面側に薄厚加工を行う。そして、リフローさせた表面保護膜３越しにパターン２を認識してパターン２を基準に半導体基板１の第２の主面に写真製版を行う（ステップＳ６）。
【００１６】
続いて、本実施の形態の効果を比較例と比較して説明する。比較例では、切削加工された表面保護膜３をリフローさせずに、第２の主面に写真製版を行う。従って、表面保護膜３の表面に切削加工により生じた切削痕が存在するため、写真製版を行う際に表面保護膜３越しにパターン２を認識することは困難である。これは切削痕が生じる位置を高精度で制御することができず、毎回同じ位置に切削痕が生じることは無いからである。
【００１７】
これに対して、本実施の形態では、切削加工された表面保護膜３を加熱してリフローさせることで切削加工により生じた切削痕を平滑化する。これにより、表面保護膜３越しにパターン２を認識しやすくなる。この結果、第２の主面に写真製版を行う際に第１の主面のパターン２の認識率を向上させることができる。
【００１８】
なお、表面保護膜３のリフローは切削加工の直後でなく、裏面写真製版の直前に実施することが好ましい。これにより、切削痕だけでなく、搬送傷もリフローによって平滑化することができる。
【００１９】
実施の形態２．
図６は、本発明の実施の形態２に係る半導体装置の製造方法のフローチャートである。図７，８は、本発明の実施の形態２に係る半導体装置の製造方法を示す断面図である。
【００２０】
まず、実施の形態１と同様にステップＳ１〜Ｓ４を実施する。次に、図７に示すように、切削加工された表面保護膜３上に、透明樹脂からなる表面保護膜４を形成する（ステップＳ７）。表面保護膜４は、表面保護膜３と同じ材質からなる。
【００２１】
次に、図８に示すように、表面保護膜３，４を第２温度まで加熱してリフローさせる（ステップＳ８）。次に、半導体基板１の第２の主面側に薄厚加工を行う。そして、リフローさせた表面保護膜３，４越しにパターン２を認識してパターン２を基準に半導体基板１の第２の主面に写真製版を行う（ステップＳ９）。
【００２２】
以上説明したように、本実施の形態では、切削加工された表面保護膜３上に表面保護膜４を形成し、表面保護膜３，４を加熱してリフローさせる。これにより、表面保護膜３，４越しにパターン２を認識しやすくなるため、実施の形態１と同様に第２の主面に写真製版を行う際に第１の主面のパターン２の認識率を向上させることができる。また、表面保護膜が厚くなるため、半導体基板１の第１の主面の保護性が向上する。
【００２３】
実施の形態３．
本実施の形態では、表面保護膜４は、表面保護膜３とは異なる材質からなるが、表面保護膜３と同程度の屈折率を有する透明樹脂である。その他は実施の形態２と同様である。この場合でも実施の形態２と同様の効果を得ることができる。
【符号の説明】
【００２４】
１  半導体基板、２  パターン、３，４  表面保護膜
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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