(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板の一方の面に、配線層、絶縁層、及び保護層を積層した第１積層体に対して、前記保護層及び前記絶縁層を厚さ方向に貫通し、前記配線層に到達するビアホールを形成する工程と、
製品として残す平面視での領域の輪郭に沿って、レーザ加工、又は、超音波カッターによる切断加工によって前記保護層及び前記絶縁層の少なくとも一部を切断する工程と、
前記レーザ加工、又は、前記超音波カッターによる切断加工によって前記保護層及び前記絶縁層の少なくとも一部を切断した後に、前記基板、前記配線層、前記絶縁層、及び保護層をデスミア液に浸漬させることによってデスミア処理を行う工程と、
前記保護層を、前記基板、前記配線層、及び前記絶縁層を含む第２積層体から剥がす工程と、
前記第２積層体の前記絶縁層と、前記ビアホールの内部とに、シード層を形成する工程と、
平面視で前記ビアホールを含む領域内において、電解めっき処理で前記シード層の上に配線層を形成する工程と、
前記シード層のうち、前記配線層に覆われていない部分を除去する工程と
を含む、配線基板の製造方法。
【請求項２】
前記デスミア処理を行う工程の後に、前記保護層の上と前記ビアホールの内部とに無電解めっき層を形成する工程をさらに含み、
前記保護層を剥がす工程は、前記無電解めっき層が形成された前記保護層を、前記基板、前記配線層、及び前記絶縁層を含む第２積層体から剥がす工程であり、
前記シード層を形成する工程は、前記第２積層体の前記絶縁層と、前記ビアホールの内部に形成された前記無電解めっき層との上に、シード層を形成する工程である、請求項１記載の配線基板の製造方法。
【請求項３】
前記保護層及び前記絶縁層を切断する工程と、前記デスミア処理を行う工程との間に、さらに、前記保護層のうち、前記領域の外部に位置する部分を除去する工程を含む、請求項１又は２記載の配線基板の製造方法。
【請求項４】
前記製品として残す領域の輪郭は、切断するときの境界を表す輪郭である、請求項1乃至３のいずれか一項記載の配線基板の製造方法。
【請求項５】
前記シード層を形成する工程は、スパッタ法によって前記シード層を形成する工程である、請求項１乃至４のいずれか一項記載の配線基板の製造方法。
【請求項６】
前記超音波カッターによる切断加工は、前記保護層及び前記絶縁層の少なくとも一部に、前記超音波カッターの刃を斜めに入れることにより、前記一部を切断する工程である、請求項1乃至５のいずれか一項記載の配線基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、配線基板の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来より、下地層の上に第１配線層を形成する工程と、前記第１配線層の上に、絶縁層の上に保護層が設けられた積層体を形成する工程と、前記保護層及び前記絶縁層を加工することにより、前記第１配線層に到達するビアホールを形成する工程とを有する配線基板の製造方法がある。この配線基板の製造方法は、さらに、前記保護層をマスクにして前記ビアホール内をデスミア処理してその側面を粗化する第１の粗化処理工程と、前記保護層を除去して前記絶縁層の表面を露出させる工程と、前記ビアホールを介して前記第１配線層に接続される第２配線層を前記絶縁層の上に形成する工程とを有する（例えば、特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２０１０−０１０６３９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
ところで、従来の配線基板の製造方法では、デスミア処理において、保護層と絶縁層との間にデスミア液が入り込み、平面視で保護層の端部側が絶縁層から剥がれる場合がある。デスミア液の入り込み具合によっては、保護層が絶縁層から完全に剥離するおそれがある。
【０００５】
このように保護層が剥がれることは、絶縁層の表面の平坦性が高く、保護層と絶縁層の密着性があまり高くないことから生じ得る。特に、後に絶縁層の表面に微細配線を形成するような場合には、絶縁層の表面がある程度の平坦性を有することが必要になるため、このような問題が生じるおそれがある。
【０００６】
上述のように保護層が剥がれると、デスミア処理の後に無電解めっき層を形成した場合に、絶縁層の上で、本来保護層によって保護されて無電解めっき層が形成されないはずの部分にまで無電解めっき層が形成され、設計通りの信頼性の高い配線基板を製造できなくなるおそれがある。
【０００７】
そこで、信頼性の高い配線基板を製造できる配線基板の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明の実施の形態の配線基板の製造方法は、基板の一方の面に、配線層、絶縁層、及び保護層を積層した第１積層体に対して、前記保護層及び前記絶縁層を厚さ方向に貫通し、前記配線層に到達するビアホールを形成する工程と、製品として残す平面視での領域の輪郭に沿って、レーザ加工によって前記保護層及び前記絶縁層の少なくとも一部を切断する工程と、前記基板、前記配線層、前記絶縁層、及び保護層をデスミア液に浸漬させることによってデスミア処理を行う工程と、前記保護層を、前記基板、前記配線層、及び前記絶縁層の第２積層体から剥がす工程と、前記第２積層体の前記絶縁層と、前記ビアホールの内部とに、シード層を形成する工程と、平面視で前記ビアホールを含む領域内において、電解めっき処理で前記シード層の上に配線層を形成する工程と、前記シード層のうち、前記配線層に覆われていない部分を除去する工程とを含む。
【発明の効果】
【０００９】
信頼性の高い配線基板を製造できる配線基板の製造方法を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】実施の形態の配線基板の製造方法によって製造される配線基板１００を示す図である。
【図２】実施の形態の配線基板１００の製造工程を示す図である。
【図３】実施の形態の配線基板１００の製造工程を示す図である。
【図４】実施の形態の配線基板１００の製造工程を示す図である。
【図５】実施の形態の配線基板１００の製造工程を示す図である。
【図６】実施の形態の配線基板１００の製造工程を示す図である。
【図７】実施の形態の変形例による配線基板１００の製造工程を示す図である。
【図８】プレス成形による溝部１６１Ｄを形成する工程を示す図である。
【図９】プレス成形による溝部１６１Ｄを形成する工程を示す図である。
【図１０】プレス成形による溝部１６１Ｄを形成する工程を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
以下、本発明の配線基板の製造方法を適用した実施の形態について説明する。
【００１２】
＜実施の形態＞
図１は、実施の形態の配線基板の製造方法によって製造される配線基板１００を示す図である。図１（Ａ）は（Ｂ）のＸ−Ｘ矢視断面を示す図であり、図１（Ｂ）は平面図である。なお、以下では図１（Ａ）、（Ｂ）に示すように直交座標系であるＸＹＺ座標系を定義する。
【００１３】
配線基板１００は、コア１１０、配線層１２０、絶縁層１３０、ビア１４０、及び配線層１５０を含む。
【００１４】
コア１１０は、例えば、ガラス布基材をエポキシ樹脂に含浸させ、両面に銅箔を貼り付けたものであり、ビルドアップ基板のコアである。コア１１０は、基板の一例である。なお、ここでは一例として、コア１１０に配線層１２０及び絶縁層１３０を積層し、ビア１４０及び配線層１５０を形成する形態について説明するが、コア１１０を省略してもよいし、配線層１２０と絶縁層１３０が複数層積層された基板を用いてもよい。
【００１５】
配線層１２０は、コア１１０の一方の面（図１（Ａ）における上面）に形成される金属層である。配線層１２０は、例えば、コア１１０の上面に貼り付けられる銅箔である。ここでは配線層１２０が一枚の銅箔である形態について説明するが、配線層１２０は、平面視で所定の配線パターンにパターニングされていてもよい。
【００１６】
絶縁層１３０は、配線層１２０の上面を覆うように形成される。絶縁層１３０は、例えば、エポキシ系又はポリイミド系等の樹脂材料を加熱及び加圧することにより、熱硬化させることによって形成される。
【００１７】
絶縁層１３０には、絶縁層１３０の上面から配線層１２０の上面に到達するビアホール１３１が形成される。すなわち、ビアホール１３１は、絶縁層１３０を貫通している。図１（Ａ）には４つのビアホール１３１を示す。ビアホール１３１の内部にはビア１４０が形成される。また、絶縁層１３０の上面は、配線層１５０が形成されるため、高い平坦性を有する。
【００１８】
ビア１４０は、絶縁層１３０に形成されるビアホール１３１の内部に形成され、配線層１２０と配線層１５０とを接続する。ビア１４０は、無電解めっき層、シード層、及び電解めっき層によって配線層１５０と一体的に形成される。めっき材料としては、例えば、銅めっきを用いることができる。なお、ここでは、ビアホール１３１の内部にある部分をビア１４０と称す。
【００１９】
配線層１５０は、ビア１４０の上に形成される。配線層１５０は、無電解めっき層、シード層、及び電解めっき層の３層構造であり、ビア１４０と一体的に形成される。配線層１５０は、図１（Ｂ）に示すように、平面視では円形であり、例えば、配線基板１００の上にＬＳＩ(Large Scale Integrated circuit)チップを実装する際に、パッドとして用いることができる。図１（Ｂ）には、一例として、配線層１５０がＸＹ平面内において、４行×４列で１６個配列される形態を示す。
【００２０】
次に、図２乃至図６を用いて、実施の形態の配線基板１００の製造方法について説明する。
【００２１】
図２乃至図６は、実施の形態の配線基板１００の製造工程を示す図である。図２乃至図４及び図６の（Ａ）、（Ｃ）は、それぞれ、図２乃至図４及び図６の（Ｂ）、（Ｄ）のＸ−Ｘ矢視断面を示す。図２乃至図６の（Ｂ）、（Ｄ）は平面図である。
【００２２】
まず、図２（Ａ）、（Ｂ）に示すように、コア１１０Ａ、配線層１２０Ａ、絶縁層１３０Ａ、及び保護層１６０を積層した積層体１００Ａを用意する。積層体１００Ａは、第１積層体の一例であり、例えば、コア１１０の表面に配線層１２０を貼り付けた積層体の上に、絶縁層１３０Ａの上に保護層１６０が予め設けられた積層体を熱圧着することによって作製することができる。
【００２３】
なお、図２（Ａ）、（Ｂ）に破線で示す領域１９０は、後に切断されて配線基板１００となる箇所の輪郭を示す。領域１９０で表される輪郭の外側は、例えば、幅が１ｃｍ程度の領域である。
【００２４】
コア１１０Ａ、配線層１２０Ａ、及び絶縁層１３０Ａは、それぞれ、図１（Ａ）、（Ｂ）に示すコア１１０、配線層１２０、絶縁層１３０のように切断する前のものであり、領域１９０よりもＸ軸方向及びＹ軸方向における寸法が大きい。
【００２５】
保護層１６０は、後にデスミア処理と無電解めっき処理を行う際に、絶縁層１３０の上面のうち、最終的に配線層１５０が形成されない部分を保護するために用いるものであり、ビアホール１３１（図１（Ａ）、（Ｂ）参照）を形成する前の状態では、図２（Ａ）、（Ｂ）に示すように、一枚のシート状の部材である。
【００２６】
保護層１６０は、例えば、ＰＥＴ(Polyethyleneterephthalate)製である。ただし、保護層１６０は、ＰＥＴ製のものに限られず、デスミア処理と無電解めっき処理で処理溶液に溶解せず、かつ、図３（Ａ）、（Ｂ）を用いて後述するレーザ加工において溶融し、冷却後に絶縁層１３０との境界部分が溶着によって一体化するものであればよい。
【００２７】
次に、図２（Ａ）、（Ｂ）に示す積層体１００Ａに対して、図２（Ｃ）、（Ｄ）に示すようにビアホール１３１を形成することにより、積層体１００Ｂを作製する。図２（Ａ）、（Ｂ）に示す絶縁層１３０Ａ及び保護層１６０は、図２（Ｃ）、（Ｄ）では絶縁層１３０Ｂ及び保護層１６０Ａになっている。ビアホール１３１を形成するにあたり、保護層１６０Ａにも貫通孔が形成される。
【００２８】
ビアホール１３１の形成は、例えば、レーザ加工によって行えばよい。また、ビアホール１３１は、ドリル加工、又は、異方性ドライエッチング法によって形成してもよい。ここでは、４行×４列で１６個のビアホール１３１を形成する。ビアホール１３１は絶縁層１３０Ａを貫通し、配線層１２０に到達する。
【００２９】
次に、図２（Ｃ）、（Ｄ）に示す積層体１００Ｂの保護層１６０Ａ及び絶縁層１３０Ｂに対してレーザ加工を行うことにより、図３（Ａ）、（Ｂ）に示すように領域１９０の輪郭に沿って溝部１６１を形成する。これにより、積層体１００Ｃが作製される。
【００３０】
溝部１６１が形成されることにより、図２（Ｃ）、（Ｄ）に示す保護層１６０Ａと絶縁層１３０Ｂは、それぞれ、図３（Ａ）、（Ｂ）では保護層１６０Ｂ及び１６０Ｃと絶縁層１３０Ｃになる。
【００３１】
溝部１６１は、図３（Ａ）に示すように、保護層１６０Ｂ及び１６０Ｃを厚さ方向に貫通している。図３（Ｂ）に示すように、保護層１６０Ｂは領域１９０の内側に位置し、保護層１６０Ｃは領域１９０の外側に位置する。
【００３２】
また、溝部１６１は、絶縁層１３０Ｃを貫通して配線層１２０Ａの表面に到達している。絶縁層１３０Ｃについては領域１９０の内側と外側を区別せずに、ともに絶縁層１３０Ｃとして説明する。
【００３３】
このようにレーザ加工を行うことにより、保護層１６０Ｂと絶縁層１３０Ｃの境界部分では、両者が溶融し、冷却後には溶着する。レーザ加工は、溝部１６１の幅のレーザ加工を行うことができる照射径を有するレーザ光を領域１９０の輪郭に沿って、照射位置をずらしながら照射することによって行えばよい。
【００３４】
このように保護層１６０Ｂと絶縁層１３０Ｃとを溶着させることができるように、レーザ加工を行う際には、レーザ出力と、領域１９０の輪郭に沿ってレーザ照射を行う際のピッチを調整すればよい。レーザ照射のピッチは、隣り合うレーザ照射域が重複する部分を有するように、設定すればよい。
【００３５】
なお、この工程では、保護層１６０Ｃと絶縁層１３０Ｃの境界部分においても、両者は溶着する。
【００３６】
次に、図３（Ａ）、（Ｂ）に示す積層体１００Ｃの保護層１６０Ｃを絶縁層１３０Ｃから剥がして除去することにより、図３（Ｃ）、（Ｄ）に示す積層体１００Ｄを作製する。
【００３７】
保護層１６０Ｃと絶縁層１３０Ｃは境界部分において溶着しているが、エポキシ系又はポリイミド系等の樹脂材料で形成される絶縁層１３０Ｃよりも、ＰＥＴ製の保護層１６０Ｃの方が柔らかいため、保護層１６０Ｃを引っ張ることにより、絶縁層１３０Ｃから剥がすことができる。なお、絶縁層１３０Ｃから剥がす工程では、機械を用いて行えばよい。
【００３８】
次に、図４に示すデスミア処理用の液槽２００に処理液２０１を入れ、図３（Ｃ）、（Ｄ）に示す積層体１００Ｄを処理液２０１に浸漬する。処理液２０１としては、例えば、過マンガン酸カリウム溶液を用いる。
【００３９】
積層体１００Ｄは、例えば、図４に示すように、立てた状態で処理液２０１に入れられるため、絶縁層１３０Ｃと保護層１６０Ｂには処理液２０１の圧力等がかかるが、保護層１６０Ｂと絶縁層１３０Ｃとは溶着されているため、保護層１６０Ｂが絶縁層１３０Ｃから剥がれることを抑制できる。
【００４０】
なお、このように積層体１００Ｄを処理液２０１に浸漬するデスミア処理では、液槽２００を複数用いて、積層体１００Ｄを各液槽２００に順番に浸漬させる。これは、過マンガン酸カリウム溶液への浸漬の前後に水洗等を行うためである。
【００４１】
このため、積層体１００Ｄには矢印で示すように上下方向に繰り返し移動される。このような上下移動が繰り返されても、保護層１６０Ｂと絶縁層１３０Ｃとは溶着されているため、保護層１６０Ｂの剥離を抑制できる。
【００４２】
次に、図４に示すデスミア処理が終わった積層体１００Ｄの上面に無電解めっき処理を行うことにより、図５（Ａ）、（Ｂ）に示すように、無電解めっき層１７０を形成する。これにより、積層体１００Ｅが作製される。無電解めっき層１７０は、例えば、銅及びニッケルめっき層である。なお、図５（Ｂ）には、ビアホール１３１の位置を破線で示す。
【００４３】
ここでは、無電解めっき層１７０のうち、領域１９０の内部に位置する部分を無電解めっき層１７０Ａと称し、領域１９０の外部に位置する部分を無電解めっき層１７０Ｂと称す。
【００４４】
無電解めっき層１７０Ｂは、積層体１００Ｄを無電解めっき処理用の液槽に浸漬することによって行う。無電解めっき処理は、図４に示すデスミア処理と同様に、積層体１００Ｄを立てた状態で、無電解めっき処理液に出し入れを行うが、保護層１６０Ｂと絶縁層１３０Ｃとは溶着されているため、保護層１６０Ｂの剥離を抑制できる。
【００４５】
なお、図５（Ａ）では、説明の便宜上、溝部１６１（図３（Ｃ）参照）の内部がすべて無電解めっき層１７０Ｂで埋められているように示すが、実際には溝部１６１は無電解めっき層１７０Ｂによって埋められることはなく、溝部１６１の内壁に形成される程度である。
【００４６】
次に、図５（Ａ）、（Ｂ）に示す積層体１００Ｅから保護層１６０Ｂを剥がすことにより、図５（Ｃ）、（Ｄ）に示す積層体１００Ｆを作製する。積層体１００Ｆは、第２積層体の一例である。
【００４７】
積層体１００Ｆは、積層体１００Ｅから、保護層１６０Ｂと、無電解めっき層１７０Ａのうちの保護層１６０Ｂの上面及び側面に形成された部分とを取り除いたものである。これにより、無電解めっき層１７０Ａのうちのビアホール１３１の内部に位置する部分は、無電解めっき層１７０Ａ１として残存する。
【００４８】
このように保護層１６０Ｂを剥がす工程は、例えば、実際には無電解めっき層１７０Ｂによって埋められていない溝部１６１の内部に治具等を挿入し、無電解めっき層１７０Ａに覆われた保護層１６０Ｂに治具を引っかけて引っ張ることによって行えばよい。無電解めっき層１７０Ａはごく薄いため、このように引っ張ることによってビアホール１３１の内部に位置する無電解めっき層１７０Ａ１のみを残存させることができる。
【００４９】
以上のように保護層１６０Ｂを絶縁層１３０Ｃから剥がすことにより、図５（Ｃ）、（Ｄ）に示すように、絶縁層１３０Ｃの上面１３０Ｃ１は露出する。上面１３０Ｃ１は、デスミア処理において処理液２０１に触れていないため、粗化されることなく平坦性が保たれている。
【００５０】
次に、図５（Ｃ）、（Ｄ）に示す積層体１００Ｆの上面に、図６（Ａ）、（Ｂ）に示すようにシード層１８０を形成する。これにより、積層体１００Ｇが作製される。シード層１８０は、例えば、銅製であり、スパッタ法で形成することができる。なお、図６（Ｂ）には、ビアホール１３１の位置を破線で示す。
【００５１】
次に、図６（Ａ）、（Ｂ）に示す積層体１００Ｇにおいて、領域１９０の内部のシード層１８０の上面のうち、後に配線１５０を形成しない部分にマスクを形成した状態で、シード層１８０を利用して電解めっき処理を行って銅めっき層を形成する。そして、マスクをウェットエッチング等で除去するとともに、配線１５０によって覆われていない部分のシード層１８０をウェットエッチング等で除去することにより、配線１５０が形成する。また、このとき、ビアホール１３１の内部には、ビア１４０が完成する。
【００５２】
ビア１４０と配線１５０は、無電解めっき層（１７０）、シード層（１８０）、及び電解めっき処理で形成される銅めっき層の３層構造である。
【００５３】
そして、領域１９０の輪郭に沿って個片化を行うと、図６（Ｃ）、（Ｄ）に示すように配線基板１００が完成する。
【００５４】
以上のように、実施の形態の配線基板の製造方法では、図３（Ａ）、（Ｂ）に示すようにレーザ加工で溝部１６１を形成することによって保護層１６０Ｂと絶縁層１３０Ｃとを溶着する。
【００５５】
このため、デスミア処理において保護層１６０Ｂが絶縁層１３０Ｃから剥がれることを抑制できる。また、無電解めっき処理においても保護層１６０Ｂが絶縁層１３０Ｃから剥がれることを抑制できる。
【００５６】
従って、保護膜１６０Ｂを絶縁層１３０Ｃの上に密着させた状態で、デスミア処理と無電解めっき処理を行うことができる。
【００５７】
このため、絶縁層１３０の上面のうち、ビア１４０を形成する以外の部分を保護層１６０で保護することができ、設計通りの信頼性の高い配線基板を製造することができる。
【００５８】
また、製造工程の途中で、絶縁層１３０Ｃ上面１３０Ｃ１（図５（Ｃ）、（Ｄ）参照）は、デスミア処理において処理液２０１に触れていないため、粗化されることなく平坦性が保たれている。
【００５９】
このため、シード層１８０及び銅めっき層を平坦な面に形成することができる。
【００６０】
以上、実施の形態によれば、信頼性の高い配線基板を製造できる配線基板の製造方法を提供することができる。
【００６１】
なお、以上では、領域１９０の輪郭に沿って切断する形態について説明したが、領域１９０は、１つの配線基板１００を含む領域ではなく、複数の配線基板１００を含む領域であってもよい。この場合は、領域１９０の輪郭に沿って積層体１００Ｇを切断した後に、個片化を行えばよい。
【００６２】
また、以上では、図３（Ａ）、（Ｂ）に示す積層体１００Ｃの保護層１６０Ｃを絶縁層１３０Ｃから剥がして除去することにより、図３（Ｃ）、（Ｄ）に示す積層体１００Ｄを作製し、その後にデスミア処理を行う形態について説明した。
【００６３】
しかしながら、保護層１６０Ｃを絶縁層１３０Ｃから剥がさずにデスミア処理を行い、個片化を行う際に（図６（Ａ）、（Ｂ）から図６（Ｃ）、（Ｄ）に進行する際に）、領域１９０の外部に位置する部分を無電解めっき層１７０Ｂ、絶縁層１３０Ｃ、配線層１２０Ａ、絶縁層１１０Ａとともに、保護層１６０Ｃを除去してもよい。
【００６４】
また、ビア１４０を形成する工程と、溝部１６１を形成する工程とは、順序が逆であってもよい。
【００６５】
また、溝部１６１の深さは、絶縁層１３０を貫通する必要はなく、絶縁層１３０の途中までであってもよい。
【００６６】
また、以上では、無電解めっき層１７０を形成する形態について説明したが、本実施の形態の配線基板の製造方法は、無電解めっき層１７０を形成せずに、デスミア処理、シード層１８０の形成、及び保護層１６０の剥離を行うプロセスに適用することもできる。
【００６７】
また、図３（Ａ）、（Ｂ）に示す溝部１６１を形成する工程では、レーザ加工を行う代わりに、超音波カッターを用いてもよい。
【００６８】
図７は、実施の形態の変形例による配線基板１００の製造工程を示す図である。
【００６９】
ここでは、個片化で得られる配線基板１００（図６（Ｃ）、（Ｄ）参照）になる領域１９０よりも外側の領域に超音波カッターの刃を斜めに当てるため、図３（Ａ）、（Ｂ）に示す積層体１００Ｃ１よりも少し平面的に大きい積層体１００Ｂを用いていることとする。
【００７０】
図２（Ｃ）、（Ｄ）に示す積層体１００Ｂの保護層１６０Ａ及び絶縁層１３０Ｂに対して超音波カッターを用いて加工を行うことにより、図７（Ａ）、（Ｂ）に示すように領域１９０の輪郭に沿って溝部１６１Ｃを形成する。これにより、積層体１００Ｃ１が作製される。
【００７１】
溝部１６１Ｃが形成されることにより、図２（Ｃ）、（Ｄ）に示す保護層１６０Ａと絶縁層１３０Ｂは、それぞれ、図７（Ａ）、（Ｂ）では保護層１６０Ｂ１及び１６０Ｃ１と絶縁層１３０Ｃ１になる。
【００７２】
溝部１６１Ｃは、図７（Ａ）に示すように、保護層１６０Ｂ１及び１６０Ｃ１を厚さ方向に貫通している。図７（Ｂ）に示すように、保護層１６０Ｂ１は領域１９０の内側に位置し、保護層１６０Ｃ１は領域１９０の外側に位置する。
【００７３】
また、溝部１６１Ｃは、絶縁層１３０Ｃ１を貫通して配線層１２０Ａの表面に到達している。絶縁層１３０Ｃ１については領域１９０の内側と外側を区別せずに、ともに絶縁層１３０Ｃ１として説明する。
【００７４】
ここでは、図２（Ｃ）、（Ｄ）に示す積層体１００Ｂの保護層１６０Ａの上面における領域１９０の境界上から、領域１９０の外側に斜め下方向に超音波カッターの刃を入れる。このため、図７（Ａ）、（Ｂ）に示すように、保護層１６０Ｂ１及び絶縁層１３０Ｃ１が積層されている側では、保護層１６０Ｂ１及び絶縁層１３０Ｃ１が斜めに切除される。また、保護層１６０Ｃ１及び絶縁層１３０Ｃ１が積層されている側では、保護層１６０Ｃ１及び絶縁層１３０Ｃ１は略垂直に切除される。このため、溝部１６１Ｃの断面形状はＶ字状になる。
【００７５】
超音波カッターは、超音波で振動する刃先を保護層１６０Ａ及び絶縁層１３０Ｂ（図２（Ｃ）、（Ｄ）参照）に当てながら切断する。このため、保護層１６０Ｂ１と絶縁層１３０Ｃ１の境界部分では、両者が溶融し、冷却後には保護層１６０Ｂ１と絶縁層１３０Ｃ１がより強固に溶着する。
【００７６】
また、超音波カッターは、ビアホール１３１の形成に用いるレーザ加工用のレーザに比べると、角度を自由に設定できるため、刃先を斜めに入れることができる。このため、保護層１６０Ｂ１と絶縁層１３０Ｃ１が溶着する部分の幅がより広くなる。
【００７７】
なお、この工程では、保護層１６０Ｃ１と絶縁層１３０Ｃ１の境界部分においても、両者は溶着する。
【００７８】
以上のように、超音波カッターを用いて溝部１６１Ｃを形成すれば、保護層１６０Ｂ１と絶縁層１３０Ｃ１をより強固に溶着することができる。このため、デスミア処理において保護層１６０Ｂ１が絶縁層１３０Ｃ１から剥がれることをより効果的に抑制できる。また、無電解めっき処理においても保護層１６０Ｂ１が絶縁層１３０Ｃ１から剥がれることをより効果的に抑制できる。
【００７９】
従って、保護膜１６０Ｂ１を絶縁層１３０Ｃ１の上に密着させた状態で、デスミア処理と無電解めっき処理を行うことができる。
【００８０】
また、図３（Ａ）、（Ｂ）に示す溝部１６１を形成する工程では、レーザ加工を行う代わりに、治具を用いてプレス成形を行ってもよい。
【００８１】
図８乃至図１０は、プレス成形による溝部１６１Ｄを形成する工程を示す図である。
【００８２】
図８（Ａ）、（Ｂ）に示す積層体１００Ｂは、図２（Ｃ）、（Ｄ）に示す積層体１００Ｂと同様である。
【００８３】
まず、図８（Ａ）に示すように、積層体１００Ｂの上に板状の治具８００を用意する。治具８００は、平面視で保護層１６０Ａよりも少し小さく、領域１９０よりも少し大きい正方形の板状部材であり、下部には、超音波カッターで形成した溝部１６１Ｃ（図７参照）と同様の溝部を形成することができる突起部８０１が形成されている。
【００８４】
突起部８０１は、平面視で正方形の治具８００の四辺に沿って矩形環状をなすように形成されている。突起部８０１が治具８００の下面（Ｚ軸負方向側の面）から突出する高さ（Ｚ軸方向の長さ）は、保護層１６０Ａを貫通し、絶縁層１３０Ｂを貫通しない程度の長さに設定しておけばよい。
【００８５】
突起部８０１の外側の側面は、治具８００の板状の部分に対して垂直であり、内側の側面は、治具８００の板状の部分に対して斜めに形成されている。これは、溝部１６１Ｃ（図７参照）と同様の溝部を形成するためである。すなわち、突起部８０１の断面視の形状は三角形であり、ここでは一例として直角三角形である。なお、治具８００の下面において、突起部８０１の内側の側面が治具８００の下面から斜めに立ち上がる位置は、領域１９０に対応している。
【００８６】
このような治具８００をプレス加工機に取り付けて、図９に示すようにプレス加工を行うと、突起部８０１が保護層１６０Ａ及び絶縁層１３０Ｂを下方に押圧するため、保護層１６０Ａが突起部８０１の先端に引っ掛かった状態で外側下方に引っ張られることによって切断される。また、このときに、突起部８０１の押圧によって溝部１６１Ｄが形成されることにより、図８（Ａ）、（Ｂ）に示す保護層１６０Ａと絶縁層１３０Ｂは、それぞれ、図９では保護層１６０Ｂ２及び１６０Ｃ２と絶縁層１３０Ｃ２になる。
【００８７】
このとき、溝部１６１Ｄの内部では、保護層１６０Ｂ２の端部１６０Ｂ３が絶縁層１３０Ｃ２に食い込み、溝部１６１Ｄの内部で固定される。図１０（Ａ）、（Ｂ）には、治具８００を取り除いた状態を示す。
【００８８】
溝部１６１Ｄは、図１０（Ａ）に示すように、保護層１６０Ｂ２及び１６０Ｃ２を厚さ方向に貫通している。図１０（Ｂ）に示すように、保護層１６０Ｂ２は領域１９０の内側に位置し、保護層１６０Ｃ２と端部１６０Ｂ３は領域１９０の外側に位置する。
【００８９】
また、溝部１６１Ｄは、絶縁層１３０Ｃ２を配線層１２０Ａの表面の近くまで押しつぶしている。絶縁層１３０Ｃ２については領域１９０の内側と外側を区別せずに、ともに絶縁層１３０Ｃ２として説明する。
【００９０】
ここでは、図８（Ａ）、（Ｂ）に示す積層体１００Ｂの保護層１６０Ａの上面における領域１９０の境界上から、断面視で直角三角形の突起部８０１が下面に設けられた治具８００でプレス加工を行う。このため、図１０（Ａ）、（Ｂ）に示すように、保護層１６０Ｂ２及び絶縁層１３０Ｃ２が積層されている側では、保護層１６０Ｂ２及び絶縁層１３０Ｃ２が斜めに押し潰される。
【００９１】
また、このとき、溝部１６１Ｄの内部には、保護層１６０Ｂ２の端部１６０Ｂ３は、絶縁層１３０Ｃ２に食い込み、溝部１６１Ｄの内部で固定される。このため、溝部１６１Ｄの断面形状はＶ字状になる。
【００９２】
以上のように、治具８００を用いてプレス加工で溝部１６１Ｄを形成すれば、保護層１６０Ｂ２と絶縁層１３０Ｃ２をより強固に固着することができる。このため、デスミア処理において保護層１６０Ｂ２が絶縁層１３０Ｃ２から剥がれることをより効果的に抑制できる。また、無電解めっき処理においても保護層１６０Ｂ２が絶縁層１３０Ｃ２から剥がれることをより効果的に抑制できる。
【００９３】
従って、保護膜１６０Ｂ２を絶縁層１３０Ｃ２の上に密着させた状態で、デスミア処理と無電解めっき処理を行うことができる。
【００９４】
以上、本発明の例示的な配線基板の製造方法について説明したが、本発明は、具体的に開示された実施の形態に限定されるものではなく、特許請求の範囲から逸脱することなく、種々の変形や変更が可能である。
【符号の説明】
【００９５】
１００  配線基板
１００Ａ〜１００Ｇ  積層体
１１０、１１０Ａ  コア
１２０、１２０Ａ  配線層
１３０、１３０Ａ〜１３０Ｃ  絶縁層
１３１  ビアホール
１４０  ビア
１５０  配線層
１６０、１６０Ａ〜１６０Ｃ  保護層
１７０、１７０Ａ、１７０Ａ１、１７０Ｂ  無電解めっき層
１８０  シード層
１９０  領域
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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