(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
２０〜２００℃の温度範囲における平均線熱膨張係数が２８×１０−７／℃超であり、且つ５０×１０−７／℃未満であり、板厚偏差が２μｍ以下であることを特徴とする支持ガラス基板。
【請求項２】
３０〜３８０℃の温度範囲における平均線熱膨張係数が３０×１０−７／℃超であり、且つ５０×１０−７／℃未満であり、板厚偏差が２μｍ以下であることを特徴とする支持ガラス基板。
【請求項３】
半導体パッケージの製造工程で加工される加工基板の支持に用いることを特徴とする請求項１又は２に記載の支持ガラス基板。
【請求項４】
ヤング率が７５ＧＰａ以上であることを特徴とする請求項１〜３の何れかに記載の支持ガラス基板。
【請求項５】
ガラス組成として、質量％で、ＳｉＯ２  ５０〜８０％、Ａｌ２Ｏ３  １５〜２５％、Ｂ２Ｏ３  ０〜５％、ＭｇＯ  ０〜５％、ＣａＯ  ０〜５％、ＳｒＯ  ０〜５％、ＢａＯ  ０〜５％、ＺｎＯ  ０〜５％、Ｌｉ２Ｏ＋Ｎａ２Ｏ＋Ｋ２Ｏ  １〜１５％、Ｌｉ２Ｏ  ０〜１０％、Ｎａ２Ｏ  ０〜５％、Ｋ２Ｏ  ０〜５％、ＴｉＯ２  ０〜７％、ＺｒＯ２  ０〜７％、Ｐ２Ｏ５  ０〜１０％を含有することを特徴とする請求項１〜４の何れかに記載の支持ガラス基板。
【請求項６】
ガラス組成として、質量％で、ＳｉＯ２  ５５〜７０％、Ａｌ２Ｏ３  ２０〜２５％、Ｂ２Ｏ３  ０〜３％、ＭｇＯ  ０〜３％、ＣａＯ  ０〜３％、ＳｒＯ  ０〜３％、ＢａＯ  ０〜３％、ＺｎＯ  ０〜３％、Ｌｉ２Ｏ＋Ｎａ２Ｏ＋Ｋ２Ｏ  １〜１０％、Ｌｉ２Ｏ  ０〜７％、Ｎａ２Ｏ  ０〜３％、Ｋ２Ｏ  ０〜３％、ＴｉＯ２  ０〜５％、ＺｒＯ２  ０〜５％、Ｐ２Ｏ５  ０〜５％を含有することを特徴とする請求項５に記載の支持ガラス基板。
【請求項７】
板厚が２．０ｍｍ未満であり、且つ板厚偏差が１μｍ以下であることを特徴とする請求項１〜６の何れかに記載の支持ガラス基板。
【請求項８】
少なくとも加工基板と加工基板を支持するための支持ガラス基板とを備える積層体であって、支持ガラス基板が請求項１〜７の何れかに記載の支持ガラス基板であることを特徴とする積層体。
【請求項９】
少なくとも加工基板と加工基板を支持するための支持ガラス基板とを備える積層体を用意する工程と、
加工基板に対して、加工処理を行う工程と、を有すると共に、支持ガラス基板が請求項１〜７の何れかに記載の支持ガラス基板であることを特徴とする半導体パッケージの製造方法。
【請求項１０】
加工処理が、加工基板の一方の表面に配線する工程を含むことを特徴とする請求項９に記載の半導体パッケージの製造方法。
【請求項１１】
加工処理が、加工基板の一方の表面に半田バンプを形成する工程を含むことを特徴とする請求項９又は１０に記載の半導体パッケージの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、支持ガラス基板及びこれを用いた積層体に関し、具体的には、半導体パッケージの製造工程で加工基板の支持に用いる支持ガラス基板及びこれを用いた積層体に関する。
【背景技術】
【０００２】
携帯電話、ノート型パーソナルコンピュータ、ＰＤＡ（Ｐｅｒｓｏｎａｌ  Ｄａｔａ  Ａｓｓｉｓｔａｎｃｅ）等の携帯型電子機器には、小型化及び軽量化が要求されている。これに伴い、これらの電子機器に用いられる半導体チップの実装スペースも厳しく制限されており、半導体チップの高密度な実装が課題になっている。そこで、近年では、三次元実装技術、すなわち半導体チップ同士を積層し、各半導体チップ間を配線接続することにより、半導体パッケージの高密度実装を図っている。
【０００３】
また、従来のウエハレベルパッケージ（ＷＬＰ）は、バンプをウエハの状態で形成した後、ダイシングで個片化することにより作製されている。しかし、従来のＷＬＰは、ピン数を増加させ難いことに加えて、半導体チップの裏面が露出した状態で実装されるため、半導体チップの欠け等が発生し易いという問題があった。
【０００４】
そこで、新たなＷＬＰとして、ｆａｎ  ｏｕｔ型のＷＬＰが提案されている。ｆａｎ  ｏｕｔ型のＷＬＰは、ピン数を増加させることが可能であり、また半導体チップの端部を保護することにより、半導体チップの欠け等を防止することができる。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
ｆａｎ  ｏｕｔ型のＷＬＰでは、複数の半導体チップを樹脂の封止材でモールドして、加工基板を形成した後に、加工基板の一方の表面に配線する工程、半田バンプを形成する工程等を有する。
【０００６】
これらの工程は、約２００℃の熱処理を伴うため、封止材が変形して、加工基板が寸法変化する虞がある。加工基板が寸法変化すると、加工基板の一方の表面に対して、高密度に配線することが困難になり、また半田バンプを正確に形成することも困難になる。
【０００７】
加工基板の寸法変化を抑制するために、加工基板を支持するための支持基板を用いることが有効である。しかし、支持基板を用いた場合であっても、加工基板の寸法変化が生じる場合があった。特に、加工基板内で半導体チップの割合が多く、封止材の割合が少ない場合に、加工基板の寸法変化が生じ易かった。
【０００８】
本発明は、上記事情に鑑みなされたものであり、その技術的課題は、加工基板内で半導体チップの割合が多く、封止材の割合が少ない場合に、加工基板の寸法変化を生じさせ難い支持基板及びこれを用いた積層体を創案することにより、半導体パッケージの高密度実装に寄与することである。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明者は、種々の実験を繰り返した結果、支持基板としてガラス基板を採択すると共に、このガラス基板の熱膨張係数を厳密に規制することにより、上記技術的課題を解決し得ることを見出し、本発明として、提案するものである。すなわち、本発明の支持ガラス基板は、２０〜２００℃の温度範囲における平均線熱膨張係数が２８×１０−７／℃超であり、且つ５０×１０−７／℃未満であることを特徴とする。ここで、「２０〜２００℃の温度範囲における平均線熱膨張係数」は、ディラトメーターで測定可能である。
【００１０】
ガラス基板は、表面を平滑化し易く、且つ剛性を有する。よって、支持基板としてガラス基板を用いると、加工基板を強固、且つ正確に支持することが可能になる。またガラス基板は、紫外光等の光を透過し易い。よって、支持基板としてガラス基板を用いると、接着層等を設けることにより加工基板と支持ガラス基板を容易に固定することができる。また剥離層等を設けることにより加工基板と支持ガラス基板を容易に分離することもできる。
【００１１】
また、本発明の支持ガラス基板では、２０〜２００℃の温度範囲における平均線熱膨張係数が２８×１０−７／℃超であり、且つ５０×１０−７／℃未満に規制されている。このようにすれば、加工基板内で半導体チップの割合が多く、封止材の割合が少ない場合に、加工基板と支持ガラス基板の熱膨張係数が整合し易くなる。そして、両者の熱膨張係数が整合すると、加工処理時に加工基板の寸法変化（特に、反り変形）を抑制し易くなる。結果として、加工基板の一方の表面に対して、高密度に配線することが可能になり、また半田バンプを正確に形成することも可能になる。
【００１２】
第二に、本発明の支持ガラス基板は、３０〜３８０℃の温度範囲における平均線熱膨張係数が３０×１０−７／℃超であり、且つ５０×１０−７／℃未満であることを特徴とする。ここで、「３０〜３８０℃の温度範囲における平均線熱膨張係数」は、ディラトメーターで測定可能である。
【００１３】
第三に、本発明の支持ガラス基板は、半導体パッケージの製造工程で加工基板の支持に用いることが好ましい。
【００１４】
第四に、本発明の支持ガラス基板は、ヤング率が７５ＧＰａ以上であることが好ましい。ここで、「ヤング率」は、曲げ共振法により測定した値を指す。なお、１ＧＰａは、約１０１．９Ｋｇｆ／ｍｍ２に相当する。
【００１５】
第五に、本発明の支持ガラス基板は、ガラス組成として、質量％で、ＳｉＯ２  ５０〜８０％、Ａｌ２Ｏ３  １５〜２５％、Ｂ２Ｏ３  ０〜５％、ＭｇＯ  ０〜５％、ＣａＯ  ０〜５％、ＳｒＯ  ０〜５％、ＢａＯ  ０〜５％、ＺｎＯ  ０〜５％、Ｌｉ２Ｏ＋Ｎａ２Ｏ＋Ｋ２Ｏ  １〜１５％、Ｌｉ２Ｏ  ０〜１０％、Ｎａ２Ｏ  ０〜５％、Ｋ２Ｏ  ０〜５％、ＴｉＯ２  ０〜７％、ＺｒＯ２  ０〜７％、Ｐ２Ｏ５  ０〜１０％を含有することが好ましい。このようにすれば、ヤング率を高めつつ、熱膨張係数を低下させ易くなる。ここで、「Ｌｉ２Ｏ＋Ｎａ２Ｏ＋Ｋ２Ｏ」は、Ｌｉ２Ｏ、Ｎａ２Ｏ及びＫ２Ｏの合量である。
【００１６】
第六に、本発明の支持ガラス基板は、ガラス組成として、質量％で、ＳｉＯ２  ５５〜７０％、Ａｌ２Ｏ３  ２０〜２５％、Ｂ２Ｏ３  ０〜３％、ＭｇＯ  ０〜３％、ＣａＯ  ０〜３％、ＳｒＯ  ０〜３％、ＢａＯ  ０〜３％、ＺｎＯ  ０〜３％、Ｌｉ２Ｏ＋Ｎａ２Ｏ＋Ｋ２Ｏ  １〜１０％、Ｌｉ２Ｏ  ０〜７％、Ｎａ２Ｏ  ０〜３％、Ｋ２Ｏ  ０〜３％、ＴｉＯ２  ０〜５％、ＺｒＯ２  ０〜５％、Ｐ２Ｏ５  ０〜５％を含有することが好ましい。このようにすれば、ヤング率を更に高めつつ、熱膨張係数を低下させ易くなる。
【００１７】
第七に、本発明の支持ガラス基板は、板厚が２．０ｍｍ未満であり、且つ板厚偏差が２μｍ以下であることが好ましい。
【００１８】
第八に、本発明の積層体は、少なくとも加工基板と加工基板を支持するための支持ガラス基板とを備える積層体であって、支持ガラス基板が上記の支持ガラス基板であることが好ましい。
【００１９】
第九に、本発明の半導体パッケージの製造方法は、少なくとも加工基板と加工基板を支持するための支持ガラス基板とを備える積層体を用意する工程と、加工基板に対して、加工処理を行う工程と、を有すると共に、支持ガラス基板が上記の支持ガラス基板であることが好ましい。
【００２０】
第十に、本発明の半導体パッケージの製造方法は、加工処理が、加工基板の一方の表面に配線する工程を含むことが好ましい。
【００２１】
第十一に、本発明の半導体パッケージの製造方法は、加工処理が、加工基板の一方の表面に半田バンプを形成する工程を含むことが好ましい。
【００２２】
第十二に、本発明の半導体パッケージは、上記の半導体パッケージの製造方法により作製されたことが好ましい。
【００２３】
第十三に、本発明の電子機器は、半導体パッケージを備える電子機器であって、半導体パッケージが、上記の半導体パッケージであることが好ましい。
【図面の簡単な説明】
【００２４】
【図１】本発明の積層体の一例を示す概念斜視図である。
【図２】ｆａｎ  ｏｕｔ型のＷＬＰの製造工程を示す概念断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２５】
本発明の支持ガラス基板において、２０〜２００℃の温度範囲における平均線熱膨張係数は２８×１０−７／℃超、且つ５０×１０−７／℃未満であり、好ましくは３３×１０−７／℃以上、且つ４９×１０−７／℃以下、より好ましくは３５×１０−７／℃以上、且つ４５×１０−７／℃以下、特に好ましくは３７×１０−７／℃以上、且つ４３×１０−７／℃以下である。２０〜２００℃の温度範囲における平均線熱膨張係数が上記範囲外になると、加工基板と支持ガラス基板の熱膨張係数が整合し難くなる。そして、両者の熱膨張係数が不整合になると、加工処理時に加工基板の寸法変化（特に、反り変形）が生じ易くなる。
【００２６】
３０〜３８０℃の温度範囲における平均線熱膨張係数は３０×１０−７／℃超であり、且つ５０×１０−７／℃未満であり、好ましくは３５×１０−７／℃以上、且つ４９×１０−７／℃以下、特に好ましくは３８×１０−７／℃以上、且つ４５×１０−７／℃以下である。３０〜３８０℃の温度範囲における平均線熱膨張係数が上記範囲外になると、加工基板と支持ガラス基板の熱膨張係数が整合し難くなる。そして、両者の熱膨張係数が不整合になると、加工処理時に加工基板の寸法変化（特に、反り変形）が生じ易くなる。
【００２７】
本発明の支持ガラス基板は、ガラス組成として、質量％で、ＳｉＯ２  ５０〜８０％、Ａｌ２Ｏ３  １５〜２５％、Ｂ２Ｏ３  ０〜５％、ＭｇＯ  ０〜５％、ＣａＯ  ０〜５％、ＳｒＯ  ０〜５％、ＢａＯ  ０〜５％、ＺｎＯ  ０〜５％、Ｌｉ２Ｏ＋Ｎａ２Ｏ＋Ｋ２Ｏ  １〜１５％、Ｌｉ２Ｏ  ０〜１０％、Ｎａ２Ｏ  ０〜５％、Ｋ２Ｏ  ０〜５％、ＴｉＯ２  ０〜７％、ＺｒＯ２  ０〜７％、Ｐ２Ｏ５  ０〜１０％を含有することが好ましい。上記のように各成分の含有量を限定した理由を以下に示す。なお、各成分の含有量の説明において、％表示は、特に断りがある場合を除き、質量％を表す。
【００２８】
ＳｉＯ２は、ガラスの骨格を形成する主成分である。ＳｉＯ２の含有量は、好ましくは５０〜８０％、５５〜７５％、５８〜７０％、特に６０〜６８％である。ＳｉＯ２の含有量が少な過ぎると、ヤング率、耐酸性が低下し易くなる。一方、ＳｉＯ２の含有量が多過ぎると、高温粘度が高くなり、溶融性が低下し易くなることに加えて、クリストバライト等の失透結晶が析出し易くなって、液相温度が上昇し易くなる。
【００２９】
Ａｌ２Ｏ３は、ヤング率を高める成分であると共に、分相、失透を抑制する成分である。Ａｌ２Ｏ３の含有量は、好ましくは１５〜２５％、１６〜２５％、１７〜２４％、特に１８〜２３％である。Ａｌ２Ｏ３の含有量が少な過ぎると、ヤング率が低下し易くなり、またガラスが分相、失透し易くなる。一方、Ａｌ２Ｏ３の含有量が多過ぎると、高温粘度が高くなり、溶融性、成形性が低下し易くなる。
【００３０】
Ｂ２Ｏ３は、溶融性、耐失透性を高める成分であり、また傷の付き易さを改善して、強度を高める成分であるが、その含有量が多くなると、ヤング率、耐酸性が低下し易くなる。よって、Ｂ２Ｏ３の含有量は、好ましくは０〜５％、０〜４％、０〜３％、０〜２％、０〜１％、特に０〜０．１％である。
【００３１】
ＭｇＯは、高温粘性を下げて、溶融性を高める成分であり、アルカリ土類金属酸化物の中では、ヤング率を顕著に高める成分であるが、その含有量が多くなると、耐失透性が低下し易くなる。よって、ＭｇＯの含有量は、好ましくは０〜５％、０〜４％、０〜３％、０〜２％、０〜１％、特に０〜０．１％である。
【００３２】
ＣａＯは、高温粘性を下げて、溶融性を高める成分であり、またアルカリ土類金属酸化物の中では、導入原料が比較的安価であるため、原料コストを低廉化する成分であるが、その含有量が多くなると、耐失透性が低下し易くなる。よって、ＣａＯの含有量は、好ましくは０〜５％、０〜４％、０〜３％、０〜２％、０〜１％、特に０〜０．１％である。
【００３３】
ＳｒＯは、分相を抑制し、耐失透性を高める成分であるが、その含有量が多くなると、バッチコストや熱膨張係数が上昇し易くなる。よって、ＳｒＯの含有量は、好ましくは０〜５％、０〜４％、０〜３％、０〜２％、０〜１％、特に０〜０．１％である。
【００３４】
ＢａＯは、耐失透性を高める成分であるが、その含有量が多くなると、バッチコストや熱膨張係数が上昇し易くなる。よって、ＢａＯの含有量は、好ましくは０〜５％、０〜４％、０〜３％、０〜２％、０〜１％、特に０〜０．１％である。
【００３５】
ＺｎＯは、高温粘性を下げて、溶融性を高める成分であるが、その含有量が多くなると、耐失透性が低下し易くなる。よって、ＺｎＯの含有量は、好ましくは０〜５％、０〜４％、０〜３％、０〜２％、０〜１％、特に０〜０．１％である。
【００３６】
Ｌｉ２Ｏ、Ｎａ２Ｏ及びＫ２Ｏは、高温粘性を下げて、溶融性、成形性を高める成分であるが、それらの合量が多くなると、熱膨張係数が不当に上昇したり、耐失透性が低下し易くなる。よって、Ｌｉ２Ｏ＋Ｎａ２Ｏ＋Ｋ２Ｏの含有量は、好ましくは１〜１５％、１〜１０％、２〜９％、３〜８％、特に４〜７％である。
【００３７】
Ｌｉ２Ｏは、高温粘性を下げて、溶融性、成形性を顕著に高める成分であるが、その含有量が多くなると、熱膨張係数が不当に上昇したり、耐失透性が低下し易くなる。よって、Ｌｉ２Ｏの含有量は、好ましくは０〜１０％、０．１〜９％、１〜８％、２〜７％、特に３〜６％である。
【００３８】
Ｎａ２Ｏは、高温粘性を下げて、溶融性を高める成分であるが、その含有量が多くなると、熱膨張係数が不当に上昇したり、耐失透性が低下し易くなる。よって、Ｎａ２Ｏの含有量は、好ましくは０〜５％、０〜４％、０〜３％、０〜２％、０〜１％、特に０〜０．１％である。
【００３９】
Ｋ２Ｏは、高温粘性を下げて、溶融性を高める成分であるが、その含有量が多くなると、熱膨張係数が不当に上昇したり、耐失透性が低下し易くなる。よって、Ｋ２Ｏの含有量は、好ましくは０〜５％、０〜４％、０〜３％、０〜２％、０〜１％、特に０〜０．１％である。
【００４０】
ＴｉＯ２は、高温粘性を下げて、溶融性を高める成分であると共に、ソラリゼーションを抑制する成分であるが、その含有量が多くなると、ガラスが着色し、透過率が低下し易くなる。よって、ＴｉＯ２の含有量は、好ましくは０〜１０％、０．１〜７％、０．５〜５％、特に１〜３％である。
【００４１】
ＺｒＯ２は、耐薬品性、ヤング率を改善する成分であるが、その含有量が多くなると、ガラスが失透し易くなり、また導入原料が難溶解性であるため、未溶解の結晶性異物がガラス基板に混入する虞がある。よって、ＺｒＯ２の含有量は、好ましくは０〜１０％、０．１〜７％、０．５〜５％、特に１〜３％である。
【００４２】
Ｐ２Ｏ５は、失透結晶の析出を抑制し得る成分であるが、その含有量が多くなると、ガラスが分相し易くなる。よって、Ｐ２Ｏ５の含有量は、好ましくは０〜１０％、０．１〜５％、０．５〜３％、特に１〜２％である。
【００４３】
上記成分以外にも、任意成分として、他の成分を導入してもよい。なお、上記成分以外の他の成分の含有量は、本発明の効果を的確に享受する観点から、合量で１０％以下、特に５％以下が好ましい。
【００４４】
清澄剤として、Ａｓ２Ｏ３が有効に作用するが、環境的観点で言えば、この成分を極力低減することが好ましい。Ａｓ２Ｏ３の含有量は、好ましくは１％以下、０．５％以下、特に０．１％以下であり、実質的に含有させないことが望ましい。ここで、「実質的にＡｓ２Ｏ３を含有しない」とは、ガラス組成中のＡｓ２Ｏ３の含有量が０．０５％未満の場合を指す。
【００４５】
Ｓｂ２Ｏ３は、低温域で良好な清澄作用を有する成分である。Ｓｂ２Ｏ３の含有量は、好ましくは１％以下、０．５％以下、特に０．１％以下であり、実質的に含有させないことが望ましい。ここで、「実質的にＳｂ２Ｏ３を含有しない」とは、ガラス組成中のＳｂ２Ｏ３の含有量が０．０５％未満の場合を指す。
【００４６】
ＳｎＯ２は、高温域で良好な清澄作用を有する成分であり、また高温粘性を低下させる成分である。ＳｎＯ２の含有量は、好ましくは０〜１％、０．００１〜１％、０．０１〜０．９％、特に０．０５〜０．７％である。ＳｎＯ２の含有量が多過ぎると、ＳｎＯ２の失透結晶が析出し易くなる。なお、ＳｎＯ２の含有量が少な過ぎると、上記効果を享受し難くなる。
【００４７】
Ｃｌは、ガラスの溶融を促進する成分である。ガラス組成中にＣｌを導入すれば、溶融温度の低温化、清澄作用の促進を図ることができ、結果として、溶融コストの低廉化、ガラス製造窯の長寿命化を達成し易くなる。しかし、Ｃｌの含有量が多過ぎると、ガラス製造窯周囲の金属部品を腐食させる虞がある。よって、Ｃｌの含有量は、好ましくは１％以下、０．５％以下、特に０．１％以下である。
【００４８】
更に、ガラス特性が損なわれない限り、清澄剤として、Ｆ、Ｃｌ、ＳＯ３、Ｃ、或いはＡｌ、Ｓｉ等の金属粉末を各々１％程度まで導入してもよい。また、ＣｅＯ２等も１％程度まで導入し得るが、紫外線透過率の低下に留意する必要がある。
【００４９】
Ｙ２Ｏ３、Ｎｂ２Ｏ５、Ｌａ２Ｏ３には、歪点、ヤング率等を高める働きがある。しかし、これらの成分の含有量が各々５％、特に１％より多いと、原料コスト、製品コストが高騰する虞がある。
【００５０】
本発明の支持ガラス基板は、以下の特性を有することが好ましい。
【００５１】
ヤング率は、好ましくは７５ＧＰａ以上、７６ＧＰａ以上、７７ＧＰａ以上、特に７８ＧＰａ以上である。ヤング率が低過ぎると、積層体の剛性を維持し難くなり、加工基板の変形、反り、破損が発生し易くなる。
【００５２】
１０２．５ｄＰａ・ｓにおける温度は、好ましくは１５８０℃以下、１５００℃以下、１４５０℃以下、１４００℃以下、１３５０℃以下、特に１２００〜１３００℃以下である。１０２．５ｄＰａ・ｓにおける温度が高くなると、溶融性が低下して、ガラス基板の製造コストが高騰する。ここで、「１０２．５ｄＰａ・ｓにおける温度」は、白金球引き上げ法で測定可能である。なお、１０２．５ｄＰａ・ｓにおける温度は、溶融温度に相当し、この温度が低い程、溶融性が向上する。
【００５３】
本発明のガラス基板は、ウエハ状（略真円状）が好ましく、その直径は１００ｍｍ以上５００ｍｍ以下、特に１５０ｍｍ以上４５０ｍｍ以下が好ましい。このようにすれば、半導体パッケージの製造工程に適用し易くなる。必要に応じて、それ以外の形状、例えば矩形等の形状に加工してもよい。
【００５４】
本発明の支持ガラス基板において、板厚は、好ましくは２．０ｍｍ未満、１．５ｍｍ以下、１．２ｍｍ以下、１．１ｍｍ以下、１．０ｍｍ以下、特に０．９ｍｍ以下である。板厚が薄くなる程、積層体の質量が軽くなるため、ハンドリング性が向上する。一方、板厚が薄過ぎると、支持基板自体の強度が低下して、支持基板としての機能を果たし難くなる。よって、板厚は、好ましくは０．１ｍｍ以上、０．２ｍｍ以上、０．３ｍｍ以上、０．４ｍｍ以上、０．５ｍｍ以上、０．６ｍｍ以上、特に０．７ｍｍ超である。
【００５５】
本発明の支持ガラス基板において、板厚偏差は、好ましくは２μｍ以下、１μｍ以下、特に０．１〜１μｍ未満である。また算術平均粗さＲａは、好ましくは１００ｎｍ以下、５０ｎｍ以下、２０ｎｍ以下、１０ｎｍ以下、５ｎｍ以下、２ｎｍ以下、１ｎｍ以下、特に０．５ｎｍ以下である。表面精度が高い程、加工処理の精度を高め易くなる。特に配線精度を高めることができるため、高密度の配線が可能になる。また支持ガラス基板の強度が向上して、支持ガラス基板及び積層体が破損し難くなる。更に支持ガラス基板の再利用回数を増やすことができる。なお、「算術平均粗さＲａ」は、触針式表面粗さ計又は原子間力顕微鏡（ＡＦＭ）により測定可能である。
【００５６】
本発明の支持ガラス基板は、表面を研磨されてなることが好ましい。このようにすれば、板厚偏差を２μｍ以下、１μｍ以下、特に１μｍ未満に規制し易くなる。研磨処理の方法としては、種々の方法を採用することができるが、ガラス基板の両面を一対の研磨パッドで挟み込み、ガラス基板と一対の研磨パッドを共に回転させながら、ガラス基板を研磨処理する方法が好ましい。更に一対の研磨パッドは外径が異なることが好ましく、研磨の際に間欠的にガラス基板の一部が研磨パッドから食み出すように研磨処理することが好ましい。これにより、全体板厚偏差を低減し易くなり、また反り量も低減し易くなる。なお、研磨処理において、研磨深さは特に限定されないが、研磨深さは、好ましくは５０μｍ以下、３０μｍ以下、２０μｍ以下、特に１０μｍ以下である。研磨深さが小さい程、ガラス基板の生産性が向上する。
【００５７】
本発明の支持ガラス基板は、反り量を低減する観点から、化学強化処理がなされていないことが好ましく、機械的強度の観点から、化学強化処理がなされていることが好ましい。つまり反り量を低減する観点から、表面に圧縮応力層を有しないことが好ましく、機械的強度の観点から、表面に圧縮応力層を有することが好ましい。
【００５８】
本発明の積層体は、少なくとも加工基板と加工基板を支持するための支持ガラス基板とを備える積層体であって、支持ガラス基板が上記の支持ガラス基板であることを特徴とする。ここで、本発明の積層体の技術的特徴（好適な構成、効果）は、本発明の支持ガラス基板の技術的特徴と重複する。よって、本明細書では、その重複部分について、詳細な記載を省略する。
【００５９】
本発明の積層体は、加工基板と支持ガラス基板の間に、接着層を有することが好ましい。接着層は、樹脂であることが好ましく、例えば、熱硬化性樹脂、光硬化性樹脂（特に紫外線硬化樹脂）等が好ましい。また半導体パッケージの製造工程における熱処理に耐える耐熱性を有するものが好ましい。これにより、半導体パッケージの製造工程で接着層が融解し難くなり、加工処理の精度を高めることができる。
【００６０】
本発明の積層体は、更に加工基板と支持ガラス基板の間に、より具体的には加工基板と接着層の間に、剥離層を有すること、或いは支持ガラス基板と接着層の間に、剥離層を有することが好ましい。このようにすれば、加工基板に対して、所定の加工処理を行った後に、加工基板を支持ガラス基板から剥離し易くなる。加工基板の剥離は、生産性の観点から、レーザー光等の照射光により行うことが好ましい。
【００６１】
剥離層は、レーザー光等の照射光により「層内剥離」又は「界面剥離」が生じる材料で構成される。つまり一定の強度の光を照射すると、原子又は分子における原子間又は分子間の結合力が消失又は減少して、アブレーション（ａｂｌａｔｉｏｎ）等を生じ、剥離を生じさせる材料で構成される。なお、照射光の照射により、剥離層に含まれる成分が気体となって放出されて分離に至る場合と、剥離層が光を吸収して気体になり、その蒸気が放出されて分離に至る場合とがある。
【００６２】
本発明の積層体において、支持ガラス基板は、加工基板よりも大きいことが好ましい。これにより、加工基板と支持ガラス基板を支持する際に、両者の中心位置が僅かに離間した場合でも、支持ガラス基板から加工基板の縁部が食み出し難くなる。
【００６３】
本発明の半導体パッケージの製造方法は、少なくとも加工基板と加工基板を支持するための支持ガラス基板とを備える積層体を用意する工程と、加工基板に対して、加工処理を行う工程と、を有すると共に、支持ガラス基板が上記の支持ガラス基板であることを特徴とする。ここで、本発明の半導体パッケージの製造方法の技術的特徴（好適な構成、効果）は、本発明の支持ガラス基板及び積層体の技術的特徴と重複する。よって、本明細書では、その重複部分について、詳細な記載を省略する。
【００６４】
本発明の半導体パッケージの製造方法は、少なくとも加工基板と加工基板を支持するための支持ガラス基板とを備える積層体を用意する工程を有する。少なくとも加工基板と加工基板を支持するための支持ガラス基板とを備える積層体は、上記の材料構成を有している。なお、ガラス基板の成形方法として、オーバーフローダウンドロー法、スロットダウン法、リドロー法、フロート法、ロールアウト法等を採択することもできる。
【００６５】
本発明の半導体パッケージの製造方法は、更に積層体を搬送する工程を有することが好ましい。これにより、加工処理の処理効率を高めることができる。なお、「積層体を搬送する工程」と「加工基板に対して、加工処理を行う工程」とは、別途に行う必要はなく、同時であってもよい。
【００６６】
本発明の半導体パッケージの製造方法において、加工処理は、加工基板の一方の表面に配線する処理、或いは加工基板の一方の表面に半田バンプを形成する処理が好ましい。本発明の半導体パッケージの製造方法では、これらの処理時に加工基板が寸法変化し難いため、これらの工程を適正に行うことができる。
【００６７】
加工処理として、上記以外にも、加工基板の一方の表面（通常、支持ガラス基板とは反対側の表面）を機械的に研磨する処理、加工基板の一方の表面（通常、支持ガラス基板とは反対側の表面）をドライエッチングする処理、加工基板の一方の表面（通常、支持ガラス基板とは反対側の表面）をウェットエッチングする処理の何れかであってもよい。なお、本発明の半導体パッケージの製造方法では、加工基板に反りが発生し難いと共に、積層体の剛性を維持することができる。結果として、上記加工処理を適正に行うことができる。
【００６８】
本発明の半導体パッケージは、上記の半導体パッケージの製造方法により作製されたことを特徴とする。ここで、本発明の半導体パッケージの技術的特徴（好適な構成、効果）は、本発明の支持ガラス基板、積層体及び半導体パッケージの製造方法の技術的特徴と重複する。よって、本明細書では、その重複部分について、詳細な記載を省略する。
【００６９】
本発明の電子機器は、半導体パッケージを備える電子機器であって、半導体パッケージが、上記の半導体パッケージであることを特徴とする。ここで、本発明の電子機器の技術的特徴（好適な構成、効果）は、本発明の支持ガラス基板、積層体、半導体パッケージの製造方法、半導体パッケージの技術的特徴と重複する。よって、本明細書では、その重複部分について、詳細な記載を省略する。
【００７０】
図面を参酌しながら、本発明を更に説明する。
【００７１】
図１は、本発明の積層体１の一例を示す概念斜視図である。図１では、積層体１は、支持ガラス基板１０と加工基板１１とを備えている。支持ガラス基板１０は、加工基板１１の寸法変化を防止するために、加工基板１１に貼着されている。支持ガラス基板１０と加工基板１１との間には、剥離層１２と接着層１３が配置されている。剥離層１２は、支持ガラス基板１０と接触しており、接着層１３は、加工基板１１と接触している。
【００７２】
図１から分かるように、積層体１は、支持ガラス基板１０、剥離層１２、接着層１３、加工基板１１の順に積層配置されている。支持ガラス基板１０の形状は、加工基板１１に応じて決定されるが、図１では、支持ガラス基板１０及び加工基板１１の形状は、何れも略円板形状である。剥離層１２は、非晶質シリコン（ａ−Ｓｉ）以外にも、酸化ケイ素、ケイ酸化合物、窒化ケイ素、窒化アルミ、窒化チタン等が用いられる。剥離層１２は、プラズマＣＶＤ、ゾル−ゲル法によるスピンコート等により形成される。接着層１３は、樹脂で構成されており、例えば、各種印刷法、インクジェット法、スピンコート法、ロールコート法等により塗布形成される。接着層１３は、剥離層１２により加工基板１１から支持ガラス基板１０が剥離された後、溶剤等により溶解除去される。
【００７３】
図２は、ｆａｎ  ｏｕｔ型のＷＬＰの製造工程を示す概念断面図である。図２（ａ）は、支持部材２０の一方の表面上に接着層２１を形成した状態を示している。必要に応じて、支持部材２０と接着層２１の間に剥離層を形成してもよい。次に、図２（ｂ）に示すように、接着層２１の上に複数の半導体チップ２２を貼付する。その際、半導体チップ２２のアクティブ側の面を接着層２１に接触させる。次に、図２（ｃ）に示すように、半導体チップ２２を樹脂の封止材２３でモールドする。封止材２３は、圧縮成形後の寸法変化、配線を成形する際の寸法変化が少ない材料が使用される。続いて、図２（ｄ）、（ｅ）に示すように、支持部材２０から半導体チップ２２がモールドされた加工基板２４を分離した後、接着層２５を介して、支持ガラス基板２６と接着固定させる。その際、加工基板２４の表面の内、半導体チップ２２が埋め込まれた側の表面とは反対側の表面が支持ガラス基板２６側に配置される。このようにして、積層体２７を得ることができる。なお、必要に応じて、接着層２５と支持ガラス基板２６の間に剥離層を形成してもよい。更に、得られた積層体２７を搬送した後に、図２（ｆ）に示すように、加工基板２４の半導体チップ２２が埋め込まれた側の表面に配線２８を形成した後、複数の半田バンプ２９を形成する。最後に、支持ガラス基板２６から加工基板２４を分離した後に、加工基板２４を半導体チップ２２毎に切断し、後のパッケージング工程に供される。
【実施例１】
【００７４】
以下、本発明を実施例に基づいて説明する。なお、以下の実施例は単なる例示である。本発明は、以下の実施例に何ら限定されない。
【００７５】
表１は、本発明の実施例（試料Ｎｏ．１、２）を示している。
【００７６】
【表１】
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【００７７】
まず表中のガラス組成になるように、ガラス原料を調合したガラスバッチを白金坩堝に入れ、１７００℃で４時間溶融した。ガラスバッチの溶解に際しては、白金スターラーを用いて攪拌し、均質化を行った。次いで、溶融ガラスをカーボン板上に流し出し、板状に成形した後、徐冷点より２０℃程度高い温度から、３℃／分で常温まで徐冷した。得られた各試料について、２０〜２００℃の温度範囲における平均線熱膨張係数α２０〜２００、３０〜３８０℃の温度範囲における平均線熱膨張係数α３０〜３８０、密度ρ、歪点Ｐｓ、徐冷点Ｔａ、軟化点Ｔｓ及びヤング率Ｅを評価した。
【００７８】
２０〜２００℃の温度範囲における平均線熱膨張係数α２０〜２００、３０〜３８０℃の温度範囲における平均線熱膨張係数α３０〜３８０は、ディラトメーターで測定した値である。
【００７９】
密度ρは、周知のアルキメデス法によって測定した値である。
【００８０】
歪点Ｐｓ、徐冷点Ｔａ、軟化点Ｔｓは、Ｆｉｂｅｒ  Ｅｌｏｎｇａｔｉｏｎ法（ＪＩＳ  Ｒ３１０３−２：２００１、ＩＳＯ  ７８８４−６：１９８７）によって測定した値である。
【００８１】
ヤング率Ｅは、共振法により測定した値を指す。
【００８２】
表１から明らかなように、試料Ｎｏ．１、２は、２０〜２００℃の温度範囲における平均線熱膨張係数α２０〜２００が３７×１０−７／℃〜４１×１０−７／℃、３０〜３８０℃の温度範囲における平均線熱膨張係数α３０〜３８０が４０×１０−７／℃〜４４×１０−７／℃であった。よって、試料Ｎｏ．１、２は、加工基板内で半導体チップの割合が多く、封止材の割合が少ない場合に、加工基板の支持に用いる支持ガラス基板として好適であると考えられる。
【実施例２】
【００８３】
次のようにして、［実施例２］の各試料を作製した。まず、表１に記載の試料Ｎｏ．１、２のガラス組成になるように、ガラス原料を調合した後、ガラス溶融炉に供給して１５５０〜１６５０℃で溶融し、次いで溶融ガラスをロールアウト成形装置に供給し、板厚が０．７ｍｍになるようにそれぞれ成形した。得られたガラス基板について、両表面を機械研磨して、板厚偏差を１μｍ未満に低減した。
【符号の説明】
【００８４】
１、２７  積層体
１０、２６  支持ガラス基板
１１、２４  加工基板
１２  剥離層
１３、２１、２５  接着層
２０  支持部材
２２  半導体チップ
２３  封止材
２８  配線
２９  半田バンプ
【図１】
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【図２】
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