(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁基材（１１）に配線（１２〜１５）が形成された回路基板（１０，１０ａ）と、
前記回路基板に実装され、前記配線と電気的に接続された回路素子（２１，２２）と、
前記回路素子と、前記回路基板における前記回路素子が実装された実装面とを封止しているモールド樹脂（３０，３０ａ）と、
前記回路基板の実装面に設けられるものであり、前記モールド樹脂の縁部に沿って、前記モールド樹脂の内部と外部に亘って設けられたダミー配線（４０）と、
前記ダミー配線上に設けられた保護樹脂（５０，５０ａ）と、を備えており、
前記保護樹脂は、前記モールド樹脂の内部と外部に亘って設けられており、前記モールド樹脂の外部に配置された部位が、前記回路基板に触れることなく、前記ダミー配線を覆っていることを特徴とする電子装置。
【請求項２】
前記回路基板（１０ａ）は、前記配線（１２〜１４）として、
前記モールド樹脂の内部に設けられ前記回路素子と電気的に接続された第１表層配線（１４）と、
前記絶縁基材内において前記絶縁基材を介して前記ダミー配線と交差して設けられ、前記第１表層配線と電気的に接続された内層配線（１２，１３）と、
前記モールド樹脂の外部に設けられ前記内層配線と電気的に接続された第２表層配線（１５）と、を備えていることを特徴とする請求項１に記載の電子装置。
【請求項３】
前記モールド樹脂（３０ａ）は、前記ダミー配線上に、前記ダミー配線に近づくにつれて幅が広くなった第１テーパ部（３１ａ）を含み、
前記保護樹脂（５０ａ）は、前記第１テーパ部に沿って傾斜した第２テーパ部（５１ａ）を含んでいることを特徴とする請求項１又は２に記載の電子装置。
【請求項４】
絶縁基材（１１）に配線（１２〜１５）が形成された回路基板（１０，１０ａ）と、前記回路基板に実装され前記配線と電気的に接続された回路素子（２１，２２）と、前記回路基板の前記回路素子が実装された実装面におけるモールド樹脂（３０，３０ａ）の形成領域の縁部に沿って前記形成領域の内部と外部に亘って設けられたダミー配線（４０）と、を備えた第１構造体（２００ａ）を用意する用意工程と、
前記ダミー配線上に、前記形成領域の内部と外部に亘って保護樹脂を形成する工程であり、前記保護樹脂のうち前記形成領域の外部に配置された部位が前記回路基板に触れることなく形成する保護樹脂形成工程と、
前記モールド樹脂の外形に対応したキャビティを有する成型用の金型（４００，４１０，４００ａ，４１０ａ）を、前記保護樹脂が形成された前記第１構造体における前記実装面に前記キャビティを対向させた状態で、前記モールド樹脂を成型することで、前記回路素子と、前記実装面と、前記保護樹脂の一部とを封止するモールド工程と、を備え、
前記モールド工程では、前記金型における前記保護樹脂が形成された前記第１構造体の前記実装面側を押さえる押圧部（４００，４００ａ）で、前記保護樹脂のうち前記形成領域の外部を押し潰した状態で、前記モールド樹脂の成型を行うことを特徴とする電子装置の製造方法。
【請求項５】
前記金型（４００ａ，４１０ａ）における前記押圧部（４００ａ）は、前記ダミー配線に近づくにつれて前記キャビティの開口面積が広くなるように傾斜した金型テーパ部（４０１ａ）が形成されていることを特徴とする請求項４に記載の電子装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電子部品が実装された回路基板がモールド樹脂で封止された電子装置、及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、上記のような電子装置の一例として、特許文献１に開示されたモールドパッケージがある。モールドパッケージは、回路基板の一面とモールド樹脂の端部との間に、配線を被覆する一体物としての樹脂膜（以下、保護樹脂）が設けられている。この保護樹脂は、モールド工程時に金型によって押し潰されている部位を含んでいる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２０１４−２３６１１４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
ところで、モールドパッケージは、モールド樹脂外において、保護樹脂が回路基板上と配線上とに亘って設けられている。つまり、保護樹脂は、モールド樹脂外において、配線上に配置された部位と、配線上に配置されることなく回路基板上に配置された部位とを含んでいる。このため、保護樹脂は、周辺温度の変化に伴う両部位間での伸縮量に違いが生じる。よって、保護樹脂は、両部位間での伸縮量に違いによって、応力が集中してクラックが発生するという問題がある。
【０００５】
本発明は、上記問題点に鑑みなされたものであり、保護樹脂にクラックが発生することを抑制できる電子装置、及びその製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上記目的を達成するために本発明は、
絶縁基材（１１）に配線（１２〜１５）が形成された回路基板（１０，１０ａ）と、
回路基板に実装され、配線と電気的に接続された回路素子（２１，２２）と、
回路素子と、回路基板における回路素子が実装された実装面とを封止しているモールド樹脂（３０，３０ａ）と、
回路基板の実装面に設けられるものであり、モールド樹脂の縁部に沿って、モールド樹脂の内部と外部に亘って設けられたダミー配線（４０）と、
ダミー配線上に設けられた保護樹脂（５０，５０ａ）と、を備えており、
保護樹脂は、モールド樹脂の内部と外部に亘って設けられており、モールド樹脂の外部に配置された部位が、回路基板に触れることなく、ダミー配線を覆っていることを特徴とする。
【０００７】
このように、本発明は、モールド樹脂の外部において、保護樹脂が回路基板に触れることなくダミー配線を覆っている。このため、本発明は、モールド樹脂の外部に設けられた保護樹脂において、伸縮量の違いが生じる部位を減らすことができる。よって、本発明は、保護樹脂にクラックが発生することを抑制できる。
【０００８】
また、本発明のさらなる特徴は、
絶縁基材（１１）に配線（１２〜１５）が形成された回路基板（１０，１０ａ）と、回路基板に実装され配線と電気的に接続された回路素子（２１，２２）と、回路基板の回路素子が実装された実装面におけるモールド樹脂（３０，３０ａ）の形成領域の縁部に沿って形成領域の内部と外部に亘って設けられたダミー配線と、を備えた第１構造体（２００ａ）を用意する用意工程と、
ダミー配線上に、形成領域の内部と外部に亘って保護樹脂を形成する工程であり、保護樹脂のうち形成領域の外部に配置された部位が回路基板に触れることなく形成する保護樹脂形成工程と、
モールド樹脂の外形に対応したキャビティを有する成型用の金型（４００，４１０，４００ａ，４１０ａ）を、保護樹脂が形成された構造体における実装面にキャビティを対向させた状態で、モールド樹脂を成型することで、回路素子と、実装面と、保護樹脂の一部とを封止するモールド工程と、を備え、
モールド工程では、金型における保護樹脂が形成された構造体の実装面側を押さえる押圧部（４００，４００ａ）で、保護樹脂のうち形成領域の外部を押し潰した状態で、モールド樹脂の成型を行う点にある。
【０００９】
このように、本発明は、ダミー配線上に、モールド樹脂が形成される形成領域の内部と外部に亘って保護樹脂を形成する際に、保護樹脂のうち形成領域の外部に配置された部位が回路基板に触れることなく形成する。そして、本発明は、金型における保護樹脂が形成された構造体の実装面側を押さえる押圧部で、保護樹脂のうち、モールド樹脂が形成される形成領域の外部を押し潰した状態で、モールド樹脂の成型を行う。このため、本発明は、モールド樹脂の外部に設けられた保護樹脂において、伸縮量の違いが生じる部位を減らすことができる。よって、本発明は、保護樹脂にクラックが発生しにくい電子装置を製造できる。
【００１０】
なお、特許請求の範囲、及びこの項に記載した括弧内の符号は、ひとつの態様として後述する実施形態に記載の具体的手段との対応関係を示すものであって、発明の技術的範囲を限定するものではない。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】実施形態における電子装置の概略構成を示す平面透視図である。
【図２】図１のII‐II線に沿う断面図である。
【図３】実施形態における電子装置の第１モールド前構造体の概略構成を示す断面図である。
【図４】実施形態における電子装置の第２モールド前構造体の概略構成を示す断面図である。
【図５】実施形態における電子装置の製造工程を示す断面図である。
【図６】実施形態における分割前のモールド構造体を示す平面透視図である。
【図７】変形例１における電子装置の概略構成を示す断面図である。
【図８】変形例１における電子装置の製造工程を示す断面図である。
【図９】変形例２における電子装置の概略構成を示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
以下において、図面を参照しながら、発明を実施するための複数の形態を説明する。各形態において、先行する形態で説明した事項に対応する部分には同一の参照符号を付して重複する説明を省略する場合がある。各形態において、構成の一部のみを説明している場合は、構成の他の部分については先行して説明した他の形態を参照し適用することができる。
【００１３】
本実施形態にかかる電子装置１００の構成に関して、図１，図２を用いて説明する。電子装置１００は、例えば、自動車などの車両に搭載され、車両用の各種装置を駆動するための装置として適用することができる。
【００１４】
電子装置１００は、回路基板１０と、半導体素子２１及び受動素子２２と、モールド樹脂３０と、ダミー配線４０と、保護樹脂５０とを備えて構成されている。
【００１５】
回路基板１０は、絶縁基材１１に配線が形成されたものである。回路基板１０は、一面に半導体素子２１及び受動素子２２が実装されている。よって、回路基板１０の一面は、実装面Ｓ１と言うことができる。回路基板１０は、絶縁基材１１としてエポキシ樹脂やガラスエポキシ樹脂等の樹脂を主成分として構成されたプリント基板や、絶縁基材１１としてセラミックスを主成分として構成されたセラミック基板などを採用できる。また、回路基板１０は、貫通基板やビルドアップ基板を採用できる。配線は、図示を省略しているが、例えば銅などの金属を主成分として構成されている。
【００１６】
半導体素子２１及び受動素子２２は、実装面Ｓ１に搭載されており、特許請求の範囲における回路素子に相当する。半導体素子２１及び受動素子２２は、はんだなどの導電性の接着部材を介して、回路基板１０の配線と電気的に接続されている。また、半導体素子２１は、ＭＯＳＦＥＴ、マイコン、制御素子等である。受動素子２２は、チップ抵抗、チップコンデンサ、水晶振動子等である。しかしながら、本発明はこれに限定されない。本発明は、回路基板１０の配線と電気的に接続された回路素子であれば採用できる。
【００１７】
モールド樹脂３０は、半導体素子２１及び受動素子２２と、実装面Ｓ１とを封止している。また、モールド樹脂３０は、ダミー配線４０及び保護樹脂５０上に達するように設けられている。モールド樹脂３０は、半導体素子２１及び受動素子２２と、回路基板１０の実装面Ｓ１と、保護樹脂５０の一部に密着しつつ、これらを覆っている。このように、電子装置１００は、ハーフモールド構造のモールドパッケージと言うことができる。
【００１８】
なお、モールド樹脂３０は、例えば熱硬化性エポキシ樹脂などを採用できる。また、モールド樹脂３０は、必要に応じて、エポキシ樹脂中にアルミナやシリカ等のフィラーが含有されたものであっても採用できる。このモールド樹脂３０は、後程説明するモールド工程において、トランスファーモールド法やコンプレッションモールド法等により形成される。
【００１９】
ダミー配線４０は、モールド工程時において、金型のクランプ部４００によって押圧される部位である。ダミー配線４０は、銅などの金属を主成分として形成されており、実装面Ｓ１に設けられている。ダミー配線４０は、モールド樹脂３０の縁部（言い換えると側壁）に沿って、モールド樹脂３０の内部と外部に亘って設けられている。本実施形態では、回路基板１０における対向する二辺に亘り、且つ他の対向する二辺に沿って設けられた二本のダミー配線４０を採用している。また、ダミー配線４０は、モールド樹脂３０の側壁に沿った仮想平面で囲まれた領域に配置された部位と、その領域外に設けられた部位とを備えていると言える。
【００２０】
また、本実施形態では、直方体形状のダミー配線４０を採用している。よって、ダミー配線４０は、モールド樹脂３０の内部と外部の夫々に角部が形成されている。この角部は、肩部と言い換えることもできる。
【００２１】
ダミー配線４０は、回路基板１０と半導体素子２１などの回路素子とによって構成された回路と電気的に接続されていない。また、ダミー配線４０は、回路基板１０の実装面Ｓ１に対して突出形成された導体部である。
【００２２】
保護樹脂５０は、ダミー配線４０上に設けられている。よって、本実施形態では、ダミー配線４０に沿って、回路基板１０における対向する二辺に亘って設けられた保護樹脂５０を採用している。また、保護樹脂５０は、モールド樹脂３０の内部と外部に亘って設けられており、モールド樹脂３０の外部に配置された部位が、回路基板１０に触れることなく、ダミー配線４０を覆っている。よって、保護樹脂５０は、一部がモールド樹脂３０で覆われており、残りの部分がモールド樹脂３０から露出している。また、保護樹脂５０のモールド樹脂３０から露出している部位は、ダミー配線４０上にのみ設けられている。言い換えると、保護樹脂５０は，モールド樹脂３０外におけるダミー配線４０の肩部上には形成されていない。
【００２３】
保護樹脂５０は、モールド工程時において、回路基板１０と金型のクランプ部４００との間に隙間が生じて、モールド樹脂が漏れ出すことを抑制するための樹脂である。言い換えると、保護樹脂５０は、クランプ部４００との対向面積を広くするための樹脂である。
【００２４】
なお、保護樹脂５０のモールド樹脂３０で覆われている部位は、ダミー配線４０の肩部上に形成され、回路基板１０に接していてもよい。保護樹脂５０のモールド樹脂３０で覆われている部位は、モールド樹脂３０で覆われているため、回路基板１０に接している部位と、ダミー配線４０上の部位との界面に応力が集中することを抑制できる。よって、電子装置１００は、モールド樹脂３０内において、保護樹脂５０にクラックが発生することを抑制しつつ、クランプ部４００が接触する面積を確保できる。
【００２５】
保護樹脂５０は、例えば絶縁性のソルダーレジストを採用できる。回路基板１０は、半導体素子２１などのはんだ接続部などの周辺にソルダーレジストが形成されていることがある。電子装置１００は、このソルダーレジストと保護樹脂５０とを同時に形成することができるので好ましい。しかしながら、本発明は、これに限定されない。また、保護樹脂５０は、はんだ接続部などの周辺に設けられたソルダーレジストと異なるポリイミド、アクリル樹脂、エポキシ樹脂等の樹脂であっても採用できる。
【００２６】
なお、ダミー配線４０と保護樹脂５０は、後程説明するモールド工程において、金型のクランプ部４００で押圧される部位であり、型踏み部と言うことができる。この型踏み部に関しては、本出願人による特開２０１４−２２０３０５号公報を参照されたい。また、ダミー配線４０と保護樹脂５０は、モールド樹脂３０の外郭に沿って設けられていてもよい。
【００２７】
電子装置１００は、図１に示すように、回路基板１０の一部がモールド樹脂３０から露出している。回路基板１０におけるモールド樹脂３０から露出した部位は耳部と言うことができる。よって、電子装置１００は、耳部にスルーホールが形成されていてもよい。スルーホールは、回路基板１０を厚み方向に貫通し、配線の一部である導体で覆われた貫通穴であり、電気的な接続に用いられる接続部である。
【００２８】
次に、本実施形態にかかる電子装置１００の製造方法について、図３〜図６を用いて説明する。本製造方法では、電子装置１００における回路基板１０が複数個一体に連結された多連状態の回路基板１０を用いる。そして、本製造方法では、この多連状態の回路基板１０に半導体素子２１及び受動素子２２を実装し、モールド樹脂３０の成型を行った後、モールド樹脂３０と共に回路基板１０をカットして各電子装置１００に個片化する。つまり、本製造方法は、所謂ＭＡＰ成型を採用する。しかしながら、本製造方法は、電子装置１００における一つの回路基板１０を用いた場合でも適用できる。なお、ＭＡＰは、Mold Array Packageの略称である。また、図３，図４，図６においては、個片化前の各構成要素に、個片化後の構成要素の符号を付与している。
【００２９】
まず、本製造方法は、図３に示す第１モールド前構造体２００ａを用意する用意工程を行う。第１モールド前構造体２００ａは、特許請求の範囲における第１構造体に相当する。第１モールド前構造体２００ａは、回路基板１０と、半導体素子２１及び受動素子２２と、ダミー配線４０とを備えている。
【００３０】
回路基板１０は、絶縁基材１１に配線が形成されており、三つの電子装置１００における回路基板１０が一体化された多連状態のものである。半導体素子２１及び受動素子２２は、リフローはんだ付けなどによって、回路基板１０における電子装置１００の形成領域毎に実装されている。そして、ダミー配線４０は、導体層をパターニングするなどによって、回路基板１０の実装面Ｓ１におけるモールド樹脂３０の形成領域の縁部に沿って、形成領域の内部と外部に亘って設けられている。また、ダミー配線４０は、図３に示すように、第１モールド前構造体２００ａの状態で環状に形成されている。
【００３１】
なお、図３における二点鎖線は、モールド樹脂３０の形成領域を示している。つまり、モールド工程では、この二点鎖線で挟まれた領域にモールド樹脂３０が形成される。また、図４における二点鎖線もモールド樹脂３０の形成領域を示している。
【００３２】
次に、本製造方法は、図４に示す第２モールド前構造体２００ｂを形成する保護樹脂形成工程を行う。保護樹脂形成工程は、第１モールド前構造体２００ａにおけるダミー配線４０上に、周知のソルダーレジスト形成方法などによって、モールド樹脂３０の形成領域の内部と外部に亘って保護樹脂５０を形成する。また、保護樹脂５０は、図４に示すように、第２モールド前構造体２００ｂの状態で環状に形成されている。
【００３３】
保護樹脂形成工程では、保護樹脂５０のうち形成領域の外部に配置された部位が回路基板１０に触れることなく形成する。保護樹脂形成工程では、このようにして第２モールド前構造体２００ｂを形成する。また、第２モールド前構造体２００ｂは、保護樹脂５０が形成された第１モールド前構造体２００ａである。
【００３４】
このように、本製造方法では、用意工程と保護樹脂形成工程とを行うことで、第２モールド前構造体２００ｂを製造することができる。この用意工程と保護樹脂形成工程は、後程説明するモールド工程に対して、基板製造工程と言うこともできる。つまり、本製造方法では、用意工程と保護樹脂形成工程とを纏めて基板製造工程と言うこともできる。
【００３５】
その後、本製造方法は、図５に示すモールド工程を行う。ここでは、コンプレッションモールド法を採用する。しかしながら、本発明は、トランスファーモールド法であっても採用できる。
【００３６】
モールド工程では、モールド樹脂３０の外形に対応したキャビティを有する成型用の金型４００，４１０を用いて行う。符号４００は、第２モールド前構造体２００ｂを押さえつけるクランプ部である。符号４１０は、キャビティ内に配置されたモールド樹脂３０の構成材料を圧縮する可動部である。クランプ部４００は、特許請求の範囲における押圧部に相当する。また、クランプ部４００は、第１モールド前構造体２００ａの実装面Ｓ１側を押さえる部位である。
【００３７】
そして、モールド工程では、第２モールド前構造体２００ｂにおける実装面Ｓ１にキャビティを対向させた状態で、金型４００，４１０によってモールド樹脂３０の構成材料を加熱しつつ加圧することで、モールド樹脂３０を成型する。特に、モールド工程では、クランプ部４００で、保護樹脂５０のうち形成領域の外部を押し潰した状態で、モールド樹脂３０の成型を行う。このようにして、モールド工程では、半導体素子２１及び受動素子２２と、実装面Ｓ１と、ダミー配線４０の一部と、保護樹脂５０の一部とを封止する。これによって、本製造方法は、図６に示すモールド構造体３００を製造できる。図６に示すように、モールド構造体３００は、保護樹脂５０がモールド樹脂３０の内部と外部に亘って設けられており、保護樹脂５０におけるモールド樹脂３０の外部に配置された部位が、回路基板１０に触れることなく、ダミー配線４０を覆っている。なお、本製造方法は、モールド構造体をダイシングラインＤＬに沿って切断することで、電子装置１００を製造できる。
【００３８】
このように、電子装置１００は、モールド樹脂３０の外部において、保護樹脂５０が回路基板１０に触れることなくダミー配線４０を覆っている。このため、電子装置は、モールド樹脂３０の外部に設けられた保護樹脂５０において、伸縮量の違いが生じる部位を減らすことができる。よって、電子装置１００は、保護樹脂５０にクラックが発生することを抑制できる。つまり、電子装置１００は、冷熱環境で使用されたとしても、保護樹脂５０に伸縮量の違いが生じにくくクラックの発生を抑えることができる。なお、冷熱環境とは、例えば、氷点下などの低温と、１００度を超す高温とで繰り返し変化する環境である。
【００３９】
例えば、保護樹脂は、モールド樹脂の外部において、回路基板上と表層導体上とに亘って設けられていた場合、上記のようにクラックが発生する可能性がある。この場合、電子装置は、保護樹脂にクラックが発生することによって、回路基板に応力が印加されることが考えられる。しかしながら、電子装置１００は、保護樹脂５０にクラックが発生することを抑制できるので、保護樹脂５０のクラックに伴う回路基板１０への応力の印加を抑制できる。
【００４０】
また、以上のように、本製造方法は、ダミー配線４０上に、モールド樹脂３０の形成領域の内部と外部に亘って保護樹脂５０を形成する際に、保護樹脂５０のうち形成領域の外部に配置された部位が回路基板１０に触れることなく形成する。そして、本製造方法は、クランプ部４００で、保護樹脂５０のうち、モールド樹脂３０の形成領域の外部を押し潰した状態で、モールド樹脂３０の成型を行う。このため、本製造方法は、モールド樹脂３０の外部に設けられた保護樹脂５０において伸縮量の違いが生じる部位を減らすことができる。よって、本製造方法は、保護樹脂５０におけるクラックの発生が抑制された電子装置１００を製造できる。
【００４１】
以上、本発明の好ましい実施形態について説明した。しかしながら、本発明は、上述した実施形態に何ら制限されることはなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲において、種々の変形が可能である。以下に、本発明の変形例１，２に関して説明する。上述の実施形態及び変形例１，２は、夫々単独で実施することも可能であるが、適宜組み合わせて実施することも可能である。本発明は、実施形態において示された組み合わせに限定されることなく、種々の組み合わせによって実施可能である。
【００４２】
（変形例１）
ここで、図７，図８を用いて、変形例１の電子装置１００ａ及びその製造方法に関して説明する。電子装置１００ａは、電子装置１００とモールド樹脂３０ａ及び保護樹脂５０ａの形状が異なる。
【００４３】
図７に示すように、モールド樹脂３０ａは、ダミー配線４０上に、ダミー配線４０に近づくにつれて幅が広くなった第１テーパ部３１ａを含んでいる。保護樹脂５０ａは、第１テーパ部３１ａに沿って傾斜した第２テーパ部５１ａを含んでいる。このような形状は、モールド工程を行う際に用いるクランプ部４００ａで形成される。
【００４４】
本変形例の製造方法では、図８に示すように、金型であるクランプ部４００ａと可動部４１０ａを用いる。特に、クランプ部４００ａは、ダミー配線４０に近づくにつれてキャビティの開口面積が広くなるように傾斜した金型テーパ部４０１ａが形成されている。
【００４５】
本変形例の製造方法では、このクランプ部４００ａを用いてモールド構成を行うので、金型４１０ａ，４００ａからモールド構造体を離型する際の離型性を向上できる。つまり、本変形例の製造方法では、モールド工程後に、金型４１０ａ，４００ａからモールド構造体を抜きやすい。よって、本変形例の製造方法では、金型４１０ａ，４００ａからモールド樹脂３０ａを抜く際に、電子装置１００ａに応力が印加されることを抑制できる。
【００４６】
なお、本変形例の製造方法は、電子装置１００の製造方法と同様の効果を奏することができる。また、電子装置１００ａは、電子装置１００と同様の効果を奏することができる。
【００４７】
（変形例２）
ここで、図９を用いて、変形例２の電子装置１００ｂに関して説明する。電子装置１００ｂは、電子装置１００と回路基板１０ａの構成が異なる。
【００４８】
回路基板１０ａは、配線として、第１表層配線１４と、内層パターン１２と、層間接続部１３と、第２表層配線１５とを備えている。第１表層配線１４は、モールド樹脂３０の内部に設けられ半導体素子２１や受動素子２２と電気的に接続されている。つまり、第１表層配線１４は、モールド樹脂３０で封止されている。
【００４９】
内層パターン１２と層間接続部１３とは、特許請求の範囲における内層配線に相当する。内層パターン１２は、絶縁基材１１内において、絶縁基材１１を介してダミー配線４０と交差して設けられている。内層パターン１２は、層間接続部１３と電気的及び機械的に接続されている。そして、層間接続部１３は、第１表層配線１４と電気的及び機械的に接続されており、且つ、第２表層配線１５と電気的及び機械的に接続されている。
【００５０】
第２表層配線１５は、モールド樹脂３０の外部に設けられ、層間接続部１３を介して内層パターン１２と電気的に接続されている。つまり、第２表層配線１５は、モールド樹脂３０に封止されておらず、モールド樹脂３０の外部に露出している。
【００５１】
このように、電子装置１００ｂは、モールド樹脂３０の縁部に沿ってダミー配線４０が設けられた構造であっても、半導体素子２１や受動素子２２に接続された配線をモールド樹脂３０の外部に引き出すことができる。なお、電子装置１００ｂは、電子装置１００と同様の効果を奏することができる。また、変形例２は、変形例１と組み合わせて実施することもできる。
【符号の説明】
【００５２】
１０，１０ａ  回路基板、１１  樹脂基材、１２  内層パターン、１３  層間接続部、１４，１５  表層配線、２１  半導体素子、２２  受動素子、３０，３０ａ  モールド樹脂、３１ａ  第１テーパ斜部、４０  ダミー配線、５０，５０ａ  保護樹脂、５１ａ  第２テーパ部、１００，１００ａ，１００ｂ  電子装置、２００ａ  第１モールド前構造体、２００ｂ  第２モールド前構造体、３００  モールド構造体、４００，４００ａ  クランプ部、４１０，４１０ａ  可動部、４０１ａ  金型テーパ部、Ｓ１  実装面、ＤＬ  ダイシングライン
【図１】
0006365360.tif 000002
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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