(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
処理容器と、
複数の開口を有し、前記処理容器内をプラズマ生成室と成膜室とに仕切る仕切り板と、
前記成膜室内に設けられ、成膜対象の基板を載置するための載置台と、
前記成膜室へ成膜処理に用いられる成膜ガスを供給する第１のガス供給部と、
前記プラズマ生成室へプラズマ励起用の希ガスを供給する第２のガス供給部と、
前記プラズマ生成室において、前記第１のガス供給部によって前記成膜室へ供給されて前記仕切り板の前記複数の開口を通じて前記成膜室から流入される前記成膜ガスのプラズマ、又は前記第２のガス供給部によって供給される前記希ガスのプラズマを発生させる第１のプラズマ源と、
前記成膜室において、前記第１のガス供給部によって前記成膜室へ供給される前記成膜ガスのプラズマを発生させる第２のプラズマ源と、
前記載置台に前記基板以外の他の基板が載置された状態で、前記第１のプラズマ源及び前記第２のプラズマ源に前記成膜ガスのプラズマを発生させることで、前記プラズマ生成室及び前記成膜室に対してプリコート処理を行い、前記プリコート処理が行われた前記成膜室内の前記載置台に前記基板が載置された状態で、前記第１のプラズマ源に前記希ガスのプラズマを発生させることで、前記仕切り板の前記複数の開口を通じて前記成膜室へ供給される中性粒子を用いて、前記基板に対して成膜処理を行う制御部と
を備えることを特徴とする成膜装置。
【請求項２】
前記第１のプラズマ源は、前記プラズマ生成室へマイクロ波を放射することで、前記プラズマ生成室において、前記成膜ガスのプラズマ又は前記希ガスのプラズマを発生させ、
前記第２のプラズマ源は、前記成膜室に設けられた電極、前記仕切り板又は前記載置台に高周波電力を供給することで、前記成膜室において、前記成膜ガスのプラズマを発生させることを特徴とする請求項１に記載の成膜装置。
【請求項３】
前記第１のプラズマ源は、高周波電力が供給された場合に、前記プラズマ生成室へ誘導電界を形成することで、前記プラズマ生成室において、前記成膜ガスのプラズマ又は前記希ガスのプラズマを発生させ、
前記第２のプラズマ源は、前記成膜室に設けられた電極、前記仕切り板又は前記載置台に高周波電力を供給することで、前記成膜室において、前記成膜ガスのプラズマを発生させ、
前記成膜装置は、前記成膜室に設けられた電極、前記仕切り板又は前記載置台、及び前記第１のプラズマ源のうちいずれか一方に対して、前記第２のプラズマ源からの高周波電力を選択的に供給するスイッチをさらに備えることを特徴とする請求項１に記載の成膜装置。
【請求項４】
処理容器と、
複数の開口を有し、前記処理容器内をプラズマ生成室と成膜室とに仕切る仕切り板と、
前記成膜室内に設けられ、成膜対象の基板を載置するための載置台と、
前記成膜室へ成膜処理に用いられる成膜ガスを供給する第１のガス供給部と、
前記プラズマ生成室へプラズマ励起用の希ガスを供給する第２のガス供給部と、
前記プラズマ生成室において、前記仕切り板の前記複数の開口を通じて前記成膜室から流入される前記成膜ガスのプラズマ、又は前記第２のガス供給部によって供給される前記希ガスのプラズマを発生させる第１のプラズマ源と、
前記成膜室において、前記第１のガス供給部によって前記成膜室へ供給される前記成膜ガスのプラズマを発生させる第２のプラズマ源と
を備える成膜装置を用いた成膜方法であって、
前記載置台に前記基板以外の他の基板が載置された状態で、前記第１のプラズマ源及び前記第２のプラズマ源に前記成膜ガスのプラズマを発生させることで、前記プラズマ生成室及び前記成膜室に対してプリコート処理を行う工程と、
前記プリコート処理が行われた前記成膜室内の前記載置台に前記基板が載置された状態で、前記第１のプラズマ源に前記希ガスのプラズマを発生させることで、前記仕切り板の前記複数の開口を通じて前記成膜室へ供給される中性粒子を用いて、前記基板に対して成膜処理を行う工程と
を含むことを特徴とする成膜方法。
【請求項５】
前記プラズマ生成室及び前記成膜室に対してプリコート処理を行う工程は、前記プラズマ生成室に対してプリコート処理を行った後に、前記成膜室に対してプリコート処理を行うことを特徴とする請求項４に記載の成膜方法。
【請求項６】
前記プラズマ生成室及び前記成膜室に対してプリコート処理を行う工程は、前記成膜室に対してプリコート処理を行った後に、前記プラズマ生成室に対してプリコート処理を行うことを特徴とする請求項４に記載の成膜方法。
【請求項７】
前記プラズマ生成室及び前記成膜室に対してプリコート処理を行う工程は、前記プラズマ生成室に対してプリコート処理を行うと同時に、前記成膜室に対してプリコート処理を行うことを特徴とする請求項４に記載の成膜方法。
【請求項８】
前記プラズマ生成室及び前記成膜室に対してプリコート処理を行う工程は、２枚以上の前記基板に対して前記成膜処理が行われる度に、前記成膜室に対してプリコート処理を行うことを特徴とする請求項４〜７のいずれか一つに記載の成膜方法。
【請求項９】
前記成膜装置は、前記プラズマ生成室へクリーニングガスを供給する第３のガス供給部をさらに備え、
前記第１のプラズマ源は、前記プラズマ生成室において、前記第３のガス供給部によって前記プラズマ生成室へ供給される前記クリーニングガスのプラズマを発生させ、
前記第２のプラズマ源は、前記成膜室において、前記第３のガス供給部によって前記プラズマ生成室へ供給されて前記仕切り板の前記複数の開口を通じて前記プラズマ生成室から流入される前記クリーニングガスのプラズマを発生させ、
前記成膜方法は、前記プラズマ生成室及び前記成膜室に対してプリコート処理を行う工程の前に、前記載置台に前記他の基板が載置された状態で、前記第１のプラズマ源及び前記第２のプラズマ源に前記クリーニングガスのプラズマを発生させることで、前記プラズマ生成室及び前記成膜室に対してクリーニング処理を行う工程をさらに含むことを特徴とする請求項４〜８のいずれか一つに記載の成膜方法。
【請求項１０】
前記プラズマ生成室及び前記成膜室に対してクリーニング処理を行う工程は、前記プラズマ生成室に対してクリーニング処理を行った後に、前記成膜室に対してクリーニング処理を行うことを特徴とする請求項９に記載の成膜方法。
【請求項１１】
前記プラズマ生成室及び前記成膜室に対してクリーニング処理を行う工程は、前記成膜室に対してクリーニング処理を行った後に、前記プラズマ生成室に対してクリーニング処理を行うことを特徴とする請求項９に記載の成膜方法。
【請求項１２】
前記プラズマ生成室及び前記成膜室に対してクリーニング処理を行う工程は、前記プラズマ生成室に対してクリーニング処理を行うと同時に、前記成膜室に対してクリーニング処理を行うことを特徴とする請求項９に記載の成膜方法。
【請求項１３】
前記プラズマ生成室及び前記成膜室に対してクリーニング処理を行う工程は、２枚以上の前記基板に対して前記成膜処理が行われる度に、前記成膜室に対してクリーニング処理を行うことを特徴とする請求項９〜１２のいずれか一つに記載の成膜方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明の種々の側面及び実施形態は、成膜装置及び成膜方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来、複数の開口を有する仕切り板を処理容器に設け、仕切り板によって処理容器をプラズマ生成室と成膜室とに仕切る成膜装置がある。仕切り板は、複数の開口を通過するイオンに電子を供与してイオンを中性化する。イオンが中性化されて得られる粒子（以下「中性粒子」という）が成膜室において成膜ガスに照射されることにより、成膜ガスが励起され、成膜ガスから生成された活性種が成膜室内の載置台に載置された基板に降り注ぐ。これにより、基板上に所望の薄膜が形成される。このように中性粒子を用いて成膜処理を行う成膜装置は、「中性粒子ビーム成膜装置」と呼ばれることがある。
【０００３】
ところで、中性粒子ビーム成膜装置では、プラズマ生成室の内壁が成膜ガスのプラズマに曝されることで金属等の異物が発生するので、プラズマ生成室の耐プラズマ性を向上するために、プラズマ生成室に保護膜を形成するプリコート処理を行うことが知られている。このような技術として、例えば、プラズマ生成室にプラズマ源を設け、載置台にダミー基板が載置された状態で、プラズマ源を用いて、プラズマ生成室において、成膜ガスのプラズマを発生させることで、プラズマ生成室に対してプリコート処理を行う技術がある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００５−１５０６２２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、上述した従来技術では、成膜室で発生する異物に起因した、基板に対する汚染を抑制することまでは考慮されていない。
【０００６】
すなわち、従来技術では、プラズマ生成室に対してのみプリコート処理を行うので、成膜室に保護膜が形成され難い。このため、従来技術では、保護膜が形成されていない成膜室において、載置台に載置された基板に対して成膜処理を行う場合に、成膜ガスから生成された活性種、あるいは、仕切り板から照射される中性粒子によって成膜室の内壁が損傷し、金属等の異物が発生することがある。結果として、従来技術では、成膜室で発生する異物によって基板が汚染される恐れがある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の一側面に係る成膜装置は、処理容器と、複数の開口を有し、前記処理容器内をプラズマ生成室と成膜室とに仕切る仕切り板と、前記成膜室内に設けられ、成膜対象の基板を載置するための載置台と、前記成膜室へ成膜処理に用いられる成膜ガスを供給するガス供給部と、前記プラズマ生成室において、前記仕切り板の前記複数の開口を通じて前記成膜室から流入される前記成膜ガスのプラズマを発生させる第１のプラズマ源と、前記成膜室において、前記成膜室へ供給される前記成膜ガスのプラズマを発生させる第２のプラズマ源と、前記載置台に前記基板以外の他の基板が載置された状態で、前記第１のプラズマ源及び前記第２のプラズマ源に前記成膜ガスのプラズマを発生させることで、前記プラズマ生成室及び前記成膜室に対してプリコート処理を行い、前記プリコート処理が行われた前記成膜室内の前記載置台に前記基板が載置された状態で、前記第１のプラズマ源に前記成膜ガスのプラズマを発生させることで、前記基板に対して成膜処理を行う制御部とを備える。
【発明の効果】
【０００８】
本発明の種々の側面及び実施形態によれば、成膜室で発生する異物に起因した、基板に対する汚染を抑制することができる成膜装置及び成膜方法が実現される。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】図１は、一実施形態に係る成膜装置の構成例を示す図である。
【図２】図２は、スロット板の一例を示す平面図である。
【図３】図３は、一実施形態に係る成膜装置を用いた成膜方法の処理の流れの一例を示すフローチャートである。
【図４】図４は、一実施形態に係る成膜装置を用いた成膜方法の処理の流れの他の例を示すフローチャートである。
【図５】図５は、一実施形態に係る成膜装置の変形例１の概略を示す図である。
【図６】図６は、一実施形態に係る成膜装置の変形例２の概略を示す図である。
【図７】図７は、一実施形態に係る成膜装置の変形例３の概略を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
開示する成膜装置は、１つの実施形態において、処理容器と、複数の開口を有し、処理容器内をプラズマ生成室と成膜室とに仕切る仕切り板と、成膜室内に設けられ、成膜対象の基板を載置するための載置台と、成膜室へ成膜処理に用いられる成膜ガスを供給する第１のガス供給部と、プラズマ生成室へプラズマ励起用の希ガスを供給する第２のガス供給部と、プラズマ生成室において、第１のガス供給部によって成膜室へ供給されて仕切り板の複数の開口を通じて成膜室から流入される成膜ガスのプラズマ、又は第２のガス供給部によって供給される希ガスのプラズマを発生させる第１のプラズマ源と、成膜室において、第１のガス供給部によって成膜室へ供給される成膜ガスのプラズマを発生させる第２のプラズマ源と、載置台に基板以外の他の基板が載置された状態で、第１のプラズマ源及び第２のプラズマ源に成膜ガスのプラズマを発生させることで、プラズマ生成室及び成膜室に対してプリコート処理を行い、プリコート処理が行われた成膜室内の載置台に基板が載置された状態で、第１のプラズマ源に希ガスのプラズマを発生させることで、仕切り板の複数の開口を通じて成膜室へ供給される中性粒子を用いて、基板に対して成膜処理を行う制御部とを備える。
【００１１】
また、開示する成膜装置は、１つの実施形態において、第１のプラズマ源は、プラズマ生成室へマイクロ波を放射することで、プラズマ生成室において、成膜ガスのプラズマ又は希ガスのプラズマを発生させ、第２のプラズマ源は、成膜室に設けられた電極、仕切り板又は載置台に高周波電力を供給することで、成膜室において、成膜ガスのプラズマを発生させる。
【００１２】
また、開示する成膜装置は、１つの実施形態において、第１のプラズマ源は、高周波電力が供給された場合に、プラズマ生成室へ誘導電界を形成することで、プラズマ生成室において、成膜ガスのプラズマ又は希ガスのプラズマを発生させ、第２のプラズマ源は、成膜室に設けられた電極、仕切り板又は載置台に高周波電力を供給することで、成膜室において、成膜ガスのプラズマを発生させ、成膜装置は、成膜室に設けられた電極、仕切り板又は載置台、及び第１のプラズマ源のうちいずれか一方に対して、第２のプラズマ源からの高周波電力を選択的に供給するスイッチをさらに備える。
【００１３】
また、開示する成膜方法は、１つの実施形態において、処理容器と、複数の開口を有し、処理容器内をプラズマ生成室と成膜室とに仕切る仕切り板と、成膜室内に設けられ、成膜対象の基板を載置するための載置台と、成膜室へ成膜処理に用いられる成膜ガスを供給する第１のガス供給部と、プラズマ生成室へプラズマ励起用の希ガスを供給する第２のガス供給部と、プラズマ生成室において、仕切り板の複数の開口を通じて成膜室から流入される成膜ガスのプラズマ、又は第２のガス供給部によって供給される希ガスのプラズマを発生させる第１のプラズマ源と、成膜室において、第１のガス供給部によって成膜室へ供給される成膜ガスのプラズマを発生させる第２のプラズマ源とを備える成膜装置を用いた成膜方法であって、載置台に基板以外の他の基板が載置された状態で、第１のプラズマ源及び第２のプラズマ源に成膜ガスのプラズマを発生させることで、プラズマ生成室及び成膜室に対してプリコート処理を行う工程と、プリコート処理が行われた成膜室内の載置台に基板が載置された状態で、第１のプラズマ源に希ガスのプラズマを発生させることで、仕切り板の複数の開口を通じて成膜室へ供給される中性粒子を用いて、基板に対して成膜処理を行う工程とを含む。
【００１４】
また、開示する成膜方法は、１つの実施形態において、プラズマ生成室及び成膜室に対してプリコート処理を行う工程は、プラズマ生成室に対してプリコート処理を行った後に、成膜室に対してプリコート処理を行う。
【００１５】
また、開示する成膜方法は、１つの実施形態において、プラズマ生成室及び成膜室に対してプリコート処理を行う工程は、成膜室に対してプリコート処理を行った後に、プラズマ生成室に対してプリコート処理を行う。
【００１６】
また、開示する成膜方法は、１つの実施形態において、プラズマ生成室及び成膜室に対してプリコート処理を行う工程は、プラズマ生成室に対してプリコート処理を行うと同時に、成膜室に対してプリコート処理を行う。
【００１７】
また、開示する成膜方法は、１つの実施形態において、プラズマ生成室及び成膜室に対してプリコート処理を行う工程は、２枚以上の基板に対して成膜処理が行われる度に、成膜室に対してプリコート処理を行う。
【００１８】
また、開示する成膜方法は、１つの実施形態において、成膜装置は、プラズマ生成室へクリーニングガスを供給する第３のガス供給部をさらに備え、第１のプラズマ源は、プラズマ生成室において、第３のガス供給部によってプラズマ生成室へ供給されるクリーニングガスのプラズマを発生させ、第２のプラズマ源は、成膜室において、第３のガス供給部によってプラズマ生成室へ供給されて仕切り板の複数の開口を通じてプラズマ生成室から流入されるクリーニングガスのプラズマを発生させ、成膜方法は、プラズマ生成室及び成膜室に対してプリコート処理を行う工程の前に、載置台に他の基板が載置された状態で、第１のプラズマ源及び第２のプラズマ源にクリーニングガスのプラズマを発生させることで、プラズマ生成室及び成膜室に対してクリーニング処理を行う工程をさらに含む。
【００１９】
また、開示する成膜方法は、１つの実施形態において、プラズマ生成室及び成膜室に対してクリーニング処理を行う工程は、プラズマ生成室に対してクリーニング処理を行った後に、成膜室に対してクリーニング処理を行う。
【００２０】
また、開示する成膜方法は、１つの実施形態において、プラズマ生成室及び成膜室に対してクリーニング処理を行う工程は、成膜室に対してクリーニング処理を行った後に、プラズマ生成室に対してクリーニング処理を行う。
【００２１】
また、開示する成膜方法は、１つの実施形態において、プラズマ生成室及び成膜室に対してクリーニング処理を行う工程は、プラズマ生成室に対してクリーニング処理を行うと同時に、成膜室に対してクリーニング処理を行う。
【００２２】
また、開示する成膜方法は、１つの実施形態において、プラズマ生成室及び成膜室に対してクリーニング処理を行う工程は、２枚以上の基板に対して成膜処理が行われる度に、成膜室に対してクリーニング処理を行う。
【００２３】
以下、図面を参照して種々の実施形態について詳細に説明する。なお、各図面において同一又は相当の部分に対しては同一の符号を附すこととする。
【００２４】
図１は、一実施形態に係る成膜装置の構成例を示す図である。図１に示す成膜装置１０は、処理容器１２を備えている。処理容器１２は、軸線Ｚが延びる方向（以下、「軸線Ｚ方向」という）に延在する略筒形状の容器であり、その内部に空間を画成している。この空間は、後述する仕切り板４０によって、プラズマ生成室Ｓ１と、当該プラズマ生成室Ｓ１の下方に設けられた成膜室Ｓ２とに仕切られている。
【００２５】
一実施形態においては、処理容器１２は、第１側壁１２ａ、第２側壁１２ｂ、底部１２ｃ、及び蓋部１２ｄを含み得る。第１の側壁１２ａは、軸線Ｚ方向に延在する略筒形状を有しており、プラズマ生成室Ｓ１を画成している。
【００２６】
第１側壁１２ａには、ガスラインＰ１１及びＰ１２が形成されている。ガスラインＰ１１は、第１側壁１２ａの外面から延びて、ガスラインＰ１２に接続している。ガスラインＰ１２は、第１側壁１２ａ内において軸線Ｚ中心に略環状に延在している。ガスラインＰ１２には、プラズマ生成室Ｓ１にガスを噴射するための複数の噴射口Ｈ１が接続している。
【００２７】
また、ガスラインＰ１１には、バルブＶ１１、マスフローコントローラＭ１、及びバルブＶ１２を介してガス源Ｇ１が接続されている。ガス源Ｇ１は、プラズマ励起用の希ガスのガス源であり、一実施形態においては、Ａｒガスのガス源である。これらガス源Ｇ１、バルブＶ１１、マスフローコントローラＭ１、バルブＶ１２、ガスラインＰ１１及びＰ１２、並びに噴射口Ｈ１は、希ガス供給系を構成している。この希ガス供給系は、ガス源Ｇ１からの希ガスの流量をマスフローコントローラＭ１において制御し、流量制御した希ガスをプラズマ生成室Ｓ１に供給する。希ガス供給系は、第２のガス供給部の一例である。
【００２８】
また、ガスラインＰ１１には、バルブＶ２１、マスフローコントローラＭ２、及びバルブＶ２２を介してガス源Ｇ２が接続されている。ガス源Ｇ２は、クリーニングガスのガス源であり、クリーニングガスとして、例えば、ＮＦ３又はＳＦ６を供給する。これらガス源Ｇ２、バルブＶ２２、ガスラインＰ１１及びＰ１２、並びに噴射口Ｈ１は、クリーニングガス供給系を構成している。このクリーニングガス供給系は、ガス源Ｇ２からのクリーニングガスの流量をマスフローコントローラＭ２において制御し、流量制御したクリーニングガスをプラズマ生成室Ｓ１に供給する。クリーニングガス供給系は、第３のガス供給部の一例である。
【００２９】
また、第１側壁１２ａの上端には、蓋部１２ｄが設けられている。蓋部１２ｄには、開口が設けられており、当該開口内には、アンテナ１４が設けられている。また、アンテナ１４の直下には、プラズマ生成室Ｓ１を封止するように、誘電体窓１６が設けられている。
【００３０】
アンテナ１４は、プラズマ生成室Ｓ１へマイクロ波を放射することで、プラズマ生成室Ｓ１において、成膜ガスのプラズマ又は希ガスのプラズマを発生させる。例えば、アンテナ１４は、誘電体窓１６を介して、プラズマ生成室Ｓ１へマイクロ波を放射することで、プラズマ生成室Ｓ１において、後述の成膜ガス供給系によって成膜室Ｓ２へ供給されて仕切り板４０の複数の開口４０ｈを通じて成膜室Ｓ２から流入される成膜ガスのプラズマを発生させる。また、例えば、アンテナ１４は、誘電体窓１６を介して、プラズマ生成室Ｓ１へマイクロ波を放射することで、プラズマ生成室Ｓ１において、希ガス供給系によって供給される希ガスのプラズマを発生させる。アンテナ１４は、第１のプラズマ源の一例である。一実施形態においては、アンテナ１４は、ラジアルラインスロットアンテナである。このアンテナ１４は、誘電体板１８及びスロット板２０を含んでいる。誘電体板１８は、マイクロ波の波長を短縮させるものであり、略円盤形状を有している。誘電体板１８は、例えば、石英又はアルミナから構成される。誘電体板１８は、スロット板２０と冷却ジャケット２２の金属製の下面との間に狭持されている。アンテナ１４は、したがって、誘電体板１８、スロット板２０、及び、冷却ジャケット２２の下面によって構成され得る。
【００３１】
スロット板２０は、複数のスロット対が形成された略円盤状の金属板である。図２は、スロット板の一例を示す平面図である。スロット板２０には、複数のスロット対２０ａが形成されている。複数のスロット対２０ａは、径方向に所定の間隔で設けられており、また、周方向に所定の間隔で配置されている。複数のスロット対２０ａの各々は、二つのスロット孔２０ｂ及び２０ｃを含んでいる。スロット孔２０ｂとスロット孔２０ｃは、互いに交差又は直交する方向に延在している。
【００３２】
成膜装置１０は、更に、同軸導波管２４、マイクロ波発生器２６、チューナ２８、導波管３０、及び、モード変換器３２を備え得る。マイクロ波発生器２６は、例えば２．４５ＧＨｚの周波数のマイクロ波を発生する。マイクロ波発生器２６は、チューナ２８、導波管３０、及びモード変換器３２を介して、同軸導波管２４の上部に接続されている。同軸導波管２４は、その中心軸線である軸線Ｚに沿って延在している。同軸導波管２４は、外側導体２４ａ及び内側導体２４ｂを含んでいる。外側導体２４ａは、軸線Ｚ中心に延在する筒形状を有している。外側導体２４ａの下端は、導電性の表面を有する冷却ジャケット２２の上部に電気的に接続され得る。内側導体２４ｂは、外側導体２４ａの内側に設けられている。内側導体２４ｂは、軸線Ｚに沿って延びる略円柱形状を有している。内側導体２４ｂの下端は、アンテナ１４のスロット板２０に接続している。
【００３３】
この成膜装置１０では、マイクロ波発生器２６により発生されたマイクロ波が、同軸導波管２４を通って、誘電体板１８に伝播され、スロット板２０のスロット孔から誘電体窓１６に与えられる。
【００３４】
誘電体窓１６は、略円盤形状を有しており、例えば、石英又はアルミナから構成されている。誘電体窓１６は、スロット板２０の直下に設けられている。誘電体窓１６は、アンテナ１４から受けたマイクロ波を透過して、当該マイクロ波をプラズマ生成室Ｓ１に導入する。これにより、誘電体窓１６の直下に電界が発生し、プラズマ生成室Ｓ１においてプラズマが発生する。
【００３５】
上述した第１側壁１２ａの下方には、当該第１側壁１２ａに連続して第２側壁１２ｂが延在している。第２側壁１２ｂは、軸線Ｚ方向に延在する略円筒形状を有しており、成膜室Ｓ２を画成している。成膜室Ｓ２内には、成膜対象の基板Ｗを載置するための載置台３６が設けられている。一実施形態においては、載置台３６は、処理容器１２の底部１２ｃから軸線Ｚ方向に延在する支持体３８によって支持されている。一実施形態では、載置台３６は、加熱器又は冷却器といった温度制御機構を備えている。また、載置台３６は、静電チャックといった吸着保持機構を備え得る。
【００３６】
また、成膜室Ｓ２内には、載置台３６の上方において軸線Ｚ中心に環状に延在する管Ｐ２１が設けられている。この管Ｐ２１には、成膜室Ｓ２にガスを噴射する複数の噴射口Ｈ２が形成されている。管Ｐ２１には、第２側壁１２ｂを貫通して処理容器１２の外部まで延在する管Ｐ２２が接続している。この管Ｐ２２には、バルブＶ３１、マスフローコントローラＭ３、及びバルブＶ３２を介してガス源Ｇ３が接続している。ガス源Ｇ３は、成膜処理に用いられる成膜ガスのガス源であり、成膜ガスとして、例えばジメトキシテトラメチルジソロキサン(ＤＭＯＴＭＤＳ)等の前駆体ガスを供給する。これらガス源Ｇ３、バルブＶ３１、マスフローコントローラＭ３、バルブＶ３２、管Ｐ２１及びＰ２２、並びに噴射口Ｈ２は、成膜ガス供給系を構成している。この成膜ガス供給系は、ガス源Ｇ３からの前駆体ガスの流量をマスフローコントローラＭ３において制御し、流量制御した前駆体ガスを成膜室Ｓ２に供給する。成膜ガス供給系は、第１のガス供給部の一例である。
【００３７】
本成膜装置１０では、プラズマ生成室Ｓ１と成膜室Ｓ２との間に仕切り板４０が設けられており、この仕切り板４０によりプラズマ生成室Ｓ１と成膜室Ｓ２とが互いに分離されている。この仕切り板４０は、例えば、第１側壁１２ａによって支持される。仕切り板４０は、略円盤状の部材である。仕切り板４０は、プラズマ生成室Ｓ１と成膜室Ｓ２とを連通させる複数の開口４０ｈを有している。
【００３８】
仕切り板４０は、プラズマ生成室Ｓ１において発生した紫外線に対する遮蔽性を有する。即ち、仕切り板４０は、紫外線を透過しない材料から構成され得る。また、一実施形態においては、仕切り板４０は、プラズマ生成室Ｓ１において発生したイオンが開口４０ｈを画成する内壁面によって反射されつつ当該開口４０ｈを通過するときに、当該イオンに電子を供与する。これにより、仕切り板４０は、イオンを中性化し、中性化されたイオン、即ち中性粒子を成膜室Ｓ２に放出する。一実施形態においては、仕切り板４０は、グラファイトから構成され得る。なお、別の実施形態においては、仕切り板４０は、アルミニウム製の部材、又は、表面がアルマイト処理された又は表面にイットリア膜を設けたアルミニウム製の部材であってもよい。
【００３９】
一実施形態においては、この仕切り板４０には、バイアス電力を当該仕切り板４０に与えるためのバイアス電源ＰＧが接続されていてもよい。バイアス電源ＰＧは、高周波バイアス電力を発生する高周波電源であってもよい。或いは、バイアス電源ＰＧは、直流電源であってもよい。バイアス電源ＰＧによって仕切り板４０に電力が与えられると、プラズマ生成室Ｓ１において発生したイオンは、仕切り板４０に向けて加速される。その結果、仕切り板４０を通過する粒子の速度が高められる。
【００４０】
また、この成膜装置１０では、底部１２ｃにおいて成膜室Ｓ２に接続された排気管４８に、圧力調整器５０及び減圧ポンプ５２が接続されている。これら圧力調整器５０及び減圧ポンプ５２は、排気装置を構成している。かかる成膜装置１０では、希ガスの流量をマスフローコントローラＭ１で調整し、前駆体ガスの流量をマスフローコントローラＭ３で調整し、更に、圧力調整器５０で排気量を調整することができる。これにより、成膜装置１０は、プラズマ生成室Ｓ１及び成膜室Ｓ２の圧力を任意の圧力に設定することができる。
【００４１】
また、一実施形態においては、成膜装置１０は、電極７０と、高周波電源７２とを更に備えている。電極７０は、成膜室Ｓ２に設けられている。電極７０は、成膜室Ｓ２において、載置台３６の周囲を囲むように環状に配置されている。
【００４２】
高周波電源７２は、電極７０に電気的に接続されている。高周波電源７２は、電極７０に所定の高周波電力を供給することで、成膜ガス供給系から成膜室Ｓ２へ供給される成膜ガスを励起するための電磁波エネルギーを供給する。これにより、高周波電源７２は、成膜室Ｓ２において、成膜ガス供給系から成膜室Ｓ２へ供給される成膜ガスのプラズマを発生させる。高周波電源７２は、第２のプラズマ源の一例である。
【００４３】
図１に示すように、一実施形態においては、成膜装置１０は、制御部Ｃｎｔを更に備えている。制御部Ｃｎｔは、プログラム可能なコンピュータ装置といった制御器であり得る。制御部Ｃｎｔは、レシピに基づくプログラムに従って成膜装置１０の各部を制御し得る。例えば、制御部Ｃｎｔは、バルブＶ１１，Ｖ１２に制御信号を送出して、ガス源Ｇ１からの希ガスの供給及び供給停止を制御することができ、マスフローコントローラＭ１に制御信号を送出して、希ガスの流量を制御することができる。また、制御部Ｃｎｔは、バルブＶ２１，Ｖ２２に制御信号を送出して、ガス源Ｇ２からのクリーニングガスの供給及び供給停止を制御することができ、マスフローコントローラＭ２に制御信号を送出して、クリーニングガスの流量を制御することができる。また、制御部Ｃｎｔは、バルブＶ３１，Ｖ３２に制御信号を送出して、ガス源Ｇ３からの成膜ガスの供給及び供給停止を制御することができ、マスフローコントローラＭ３に制御信号を送出して、成膜ガスの流量を制御することができる。また、制御部Ｃｎｔは、圧力調整器５０に制御信号を送出して、排気量を制御することができる。さらに、制御部Ｃｎｔは、マイクロ波発生器２６に制御信号を送出して、マイクロ波のパワーを制御し、高周波電源７２に制御信号を送出して、高周波電力（ＲＦ電力）のパワーを制御することが可能である。また、制御部Ｃｎｔは、バイアス電源ＰＧに制御信号を送出して、仕切り板４０へのバイアス電力の供給及び供給停止、更には、バイアス電力を調整することが可能である。更には、制御部Ｃｎｔは、載置台３６の温度制御機構に制御信号を送出して、載置台３６の温度を制御することができる。
【００４４】
例えば、制御部Ｃｎｔは、後述する成膜方法を行うように成膜装置１０の各部を制御することができる。詳細な一例を挙げると、制御部Ｃｎｔは、載置台３６に基板Ｗ以外の他の基板（以下「ダミー基板」という）が載置された状態で、アンテナ１４及び高周波電源７２に成膜ガスのプラズマを発生させることで、プラズマ生成室Ｓ１及び成膜室Ｓ２に対してプリコート処理を行う。そして、制御部Ｃｎｔは、プリコート処理が行われた成膜室Ｓ２内の載置台３６に基板Ｗが載置された状態で、アンテナ１４に希ガスのプラズマを発生させることで、仕切り板４０の複数の開口４０ｈを通じて成膜室Ｓ２へ供給される中性粒子を用いて、基板Ｗに対して成膜処理を行う。ここで、プリコート処理とは、耐プラズマ性を有する保護膜を形成する処理である。また、成膜処理とは、中性粒子を用いた成膜ガスの励起によって、基板Ｗ上に所望の薄膜を形成する処理である。
【００４５】
また、例えば、制御部Ｃｎｔは、プラズマ生成室Ｓ１及び成膜室Ｓ２に対してプリコート処理を行う前に、載置台３６にダミー基板が載置された状態で、アンテナ１４及び高周波電源７２にクリーニングガスのプラズマを発生させることで、プラズマ生成室Ｓ１及び成膜室Ｓ２に対してクリーニング処理を行うこともできる。ここで、クリーニング処理とは、前回の成膜処理が行われることによって、処理容器１２の壁面等に付着した付着物を除去する処理である。
【００４６】
次に、一実施形態に係る成膜装置１０を用いた成膜方法の処理の流れの一例を説明する。図３は、一実施形態に係る成膜装置を用いた成膜方法の処理の流れの一例を示すフローチャートである。
【００４７】
図３に示すように、まず、ダミー基板が処理容器１２内に搬入され（ステップＳ１０１）、載置台３６の上に載置される。続いて、成膜装置１０は、プラズマ生成室Ｓ１に対してクリーニング処理を行う（ステップＳ１０２）。すなわち、成膜装置１０の制御部Ｃｎｔは、載置台３６にダミー基板が載置された状態で、アンテナ１４にクリーニングガスのプラズマを発生させることで、プラズマ生成室Ｓ１に対してクリーニング処理を行う。
【００４８】
より詳細な一例を挙げて説明する。制御部Ｃｎｔは、クリーニングガス供給系からプラズマ生成室Ｓ１へクリーニングガスを供給し、アンテナ１４からマイクロ波を放射することで、プラズマ生成室Ｓ１において、クリーニングガスのプラズマを発生させる。これにより、制御部Ｃｎｔは、プラズマ生成室Ｓ１に対してクリーニング処理を行う。プラズマ生成室Ｓ１に対してクリーニング処理が行われると、例えば、処理容器１２の壁面のうちプラズマ生成室Ｓ１に対応する部分に付着した付着物が除去される。
【００４９】
なお、制御部Ｃｎｔは、プラズマ生成室Ｓ１において、クリーニングガスのプラズマを発生させる場合に、添加ガスとしてプラズマ励起用の希ガスを用いても良い。この場合、制御部Ｃｎｔは、希ガス供給系からプラズマ生成室Ｓ１へ希ガスを供給する。
【００５０】
成膜装置１０は、プラズマ生成室Ｓ１に対してクリーニング処理を行った後に、成膜室Ｓ２に対してクリーニング処理を行う（ステップＳ１０３）。すなわち、成膜装置１０の制御部Ｃｎｔは、載置台３６にダミー基板が載置された状態で、高周波電源７２にクリーニングガスのプラズマを発生させることで、成膜室Ｓ２に対してクリーニング処理を行う。
【００５１】
より詳細な一例を挙げて説明する。制御部Ｃｎｔは、高周波電源７２から電極７０へ高周波電力を供給することで、成膜室Ｓ２において、仕切り板４０の複数の開口４０ｈを通じてプラズマ生成室Ｓ１から流入されるクリーニングガスのプラズマを発生させる。これにより、制御部Ｃｎｔは、成膜室Ｓ２に対してクリーニング処理を行う。成膜室Ｓ２に対してクリーニング処理が行われると、例えば、処理容器１２の壁面のうち成膜室Ｓ２に対応する部分に付着した付着物が除去される。
【００５２】
なお、制御部Ｃｎｔは、成膜室Ｓ２において、プラズマ生成室Ｓ１から流入されるクリーニングガスのプラズマを発生させる場合に、添加ガスとしてプラズマ励起用の希ガスを用いても良い。この場合、制御部Ｃｎｔは、希ガス供給系からプラズマ生成室Ｓ１へ希ガスを供給する。
【００５３】
続いて、成膜装置１０は、プラズマ生成室Ｓ１に対してプリコート処理を行う（ステップＳ１０４）。すなわち、成膜装置１０の制御部Ｃｎｔは、載置台３６にダミー基板が載置された状態で、アンテナ１４に成膜ガスのプラズマを発生させることで、プラズマ生成室Ｓ１に対してプリコート処理を行う。
【００５４】
より詳細な一例を挙げて説明する。制御部Ｃｎｔは、成膜ガス供給系から成膜室Ｓ２へ成膜ガスを供給し、アンテナ１４からマイクロ波を放射することで、プラズマ生成室Ｓ１において、仕切り板４０の複数の開口４０ｈを通じて成膜室Ｓ２から流入される成膜ガスのプラズマを発生させる。これにより、制御部Ｃｎｔは、プラズマ生成室Ｓ１に対してプリコート処理を行う。プラズマ生成室Ｓ１に対してプリコート処理が行われると、例えば、処理容器１２の壁面のうちプラズマ生成室Ｓ１に対応する部分に保護膜が形成される。
【００５５】
なお、制御部Ｃｎｔは、プラズマ生成室Ｓ１において、成膜室Ｓ２から流入される成膜ガスのプラズマを発生させる場合に、添加ガスとしてプラズマ励起用の希ガスを用いても良い。この場合、制御部Ｃｎｔは、希ガス供給系からプラズマ生成室Ｓ１へ希ガスを供給する。
【００５６】
成膜装置１０は、プラズマ生成室Ｓ１に対してプリコート処理を行った後に、成膜室Ｓ２に対してプリコート処理を行う（ステップＳ１０５）。すなわち、成膜装置１０の制御部Ｃｎｔは、載置台３６にダミー基板が載置された状態で、高周波電源７２に成膜ガスのプラズマを発生させることで、成膜室Ｓ２に対してプリコート処理を行う。
【００５７】
より詳細な一例を挙げて説明する。制御部Ｃｎｔは、高周波電源７２から電極７０へ高周波電力を供給することで、成膜室Ｓ２において、成膜ガスのプラズマを発生させる。これにより、制御部Ｃｎｔは、成膜室Ｓ２に対してプリコート処理を行う。成膜室Ｓ２に対してプリコート処理が行われると、例えば、処理容器１２の壁面のうち成膜室Ｓ２に対応する部分に保護膜が形成される。
【００５８】
なお、制御部Ｃｎｔは、成膜室Ｓ２において、成膜ガスのプラズマを発生させる場合に、添加ガスとしてプラズマ励起用の希ガスを用いても良い。この場合、制御部Ｃｎｔは、希ガス供給系からプラズマ生成室Ｓ１へ希ガスを供給する。
【００５９】
その後、ダミー基板は、載置台３６から離され、処理容器１２外へ搬出される（ステップＳ１０６）。続いて、基板Ｗが処理容器１２内に搬入され（ステップＳ１０７）、載置台３６の上に載置される。
【００６０】
続いて、成膜装置１０は、基板Ｗに対して成膜処理を行う（ステップＳ１０８）。すなわち、成膜装置１０の制御部Ｃｎｔは、プリコート処理が行われた成膜室Ｓ２内の載置台３６に基板Ｗが載置された状態で、アンテナ１４に希ガスのプラズマを発生させることで、仕切り板４０の複数の開口４０ｈを通じて成膜室Ｓ２へ供給される中性粒子を用いて、基板Ｗに対して成膜処理を行う。
【００６１】
より詳細な一例を挙げて説明する。制御部Ｃｎｔは、希ガス供給系からプラズマ生成室Ｓ１へ希ガスを供給し、成膜ガス供給系から成膜室Ｓ２へ成膜ガスを供給し、かつ、アンテナ１４からマイクロ波を放射することで、プラズマ生成室Ｓ１において、希ガスのプラズマを発生させる。プラズマ生成室Ｓ１において発生したプラズマ中のイオンが、仕切り板４０の複数の開口４０ｈを通過することで中性化され、中性粒子が仕切り板４０の複数の開口４０ｈを通じて成膜室Ｓ２へ供給される。成膜室Ｓ２へ供給される中性粒子が成膜室Ｓ２において成膜ガスに照射されることにより、成膜ガスが励起され、成膜ガスから生成された活性種が載置台３６上の基板Ｗに降り注ぐ。その結果、基板Ｗ上に所望の薄膜が形成される。このようにして、制御部Ｃｎｔは、中性粒子を用いて、基板Ｗに対して成膜処理を行う。
【００６２】
その後、基板Ｗが、載置台３６から離され、処理容器１２外へ搬出される（ステップＳ１０９）。そして、成膜装置１０は、処理を継続する場合には（ステップＳ１１０；Ｎｏ）、処理をステップＳ１０１へ戻し、処理を終了する場合には（ステップＳ１１０；Ｙｅｓ）、処理を終了する。
【００６３】
上述したように、一実施形態に係る成膜装置１０は、処理容器１２と、複数の開口４０ｈを有し、処理容器１２内をプラズマ生成室Ｓ１と成膜室Ｓ２とに仕切る仕切り板４０と、成膜室Ｓ２内に設けられ、成膜対象の基板Ｗを載置するための載置台３６とを有する。また、成膜装置１０は、成膜室Ｓ２へ成膜処理に用いられる成膜ガスを供給する成膜ガス供給系と、プラズマ生成室Ｓ１へプラズマ励起用の希ガスを供給する希ガス供給系とを有する。また、成膜装置１０は、プラズマ生成室Ｓ１において、仕切り板４０の複数の開口４０ｈを通じて成膜室Ｓ２から流入される成膜ガスのプラズマ、又は希ガス供給系によって供給される希ガスのプラズマを発生させるアンテナ１４を有する。また、成膜装置１０は、成膜室Ｓ２において、成膜ガス供給系によって成膜室Ｓ２へ供給される成膜ガスのプラズマを発生させる高周波電源７２と、制御部Ｃｎｔとを有する。ここで、制御部Ｃｎｔは、載置台３６にダミー基板が載置された状態で、アンテナ１４及び高周波電源７２に成膜ガスのプラズマを発生させることで、プラズマ生成室Ｓ１及び成膜室Ｓ２に対してプリコート処理を行う。そして、制御部Ｃｎｔは、プリコート処理が行われた成膜室Ｓ２内の載置台３６に基板Ｗが載置された状態で、アンテナ１４に希ガスのプラズマを発生させることで、仕切り板４０の複数の開口４０ｈを通じて成膜室Ｓ２へ供給される中性粒子を用いて、基板Ｗに対して成膜処理を行う。その結果、成膜室Ｓ２で発生する異物に起因した、基板Ｗに対する汚染を抑制することが可能となる。
【００６４】
ここで、プラズマ生成室に対してのみプリコート処理を行う従来の成膜装置では、成膜室において、載置台に載置された基板に対して成膜処理を行う場合に、成膜ガスから生成された活性種によって成膜室の内壁が損傷し、金属等の異物が発生することがある。すなわち、従来の成膜装置では、成膜処理を行う場合に、成膜室で発生する異物によって基板が汚染される可能性がある。これに対して、一実施形態に係る成膜装置１０では、プラズマ生成室Ｓ１及び成膜室Ｓ２に対してプリコート処理を行った上で、基板Ｗに対して成膜処理を行うので、成膜室Ｓ２の内壁の損傷が抑えられる。その結果、一実施形態によれば、成膜室Ｓ２で発生する異物に起因した、基板Ｗに対する汚染を抑制することが可能となる。
【００６５】
（その他の実施形態）
以上、図面を参照してこの発明の実施形態を説明したが、この発明は、図示した実施形態のものに限定されない。図示した実施形態に対して、種々の修正や変形を加えても良い。
【００６６】
（プリコート処理の順序）
上述した実施形態では、プラズマ生成室Ｓ１に対してプリコート処理を行った後に、成膜室Ｓ２に対してプリコート処理を行う例を説明したが、開示の技術はこれに限定されるものではない。例えば、成膜室Ｓ２に対してプリコート処理を行った後に、プラズマ生成室Ｓ１に対してプリコート処理を行っても良い。この場合、制御部Ｃｎｔは、高周波電源７２に成膜ガスのプラズマを発生させることで、成膜室Ｓ２に対してプリコート処理を行った後に、アンテナ１４に成膜ガスのプラズマを発生させることで、プラズマ生成室Ｓ１に対してプリコート処理を行う。また、例えば、プラズマ生成室Ｓ１に対してプリコート処理を行うと同時に、成膜室Ｓ２に対してプリコート処理を行っても良い。この場合、アンテナ１４に成膜ガスのプラズマを発生させることで、プラズマ生成室Ｓ１に対してプリコート処理を行うと同時に、高周波電源７２に成膜ガスのプラズマを発生させることで、成膜室Ｓ２に対してプリコート処理を行う。
【００６７】
（クリーニング処理の順序）
また、上述した実施形態では、プラズマ生成室Ｓ１に対してクリーニング処理を行った後に、成膜室Ｓ２に対してクリーニング処理を行う例を説明したが、開示の技術はこれに限定されるものではない。例えば、成膜室Ｓ２に対してクリーニング処理を行った後に、プラズマ生成室Ｓ１に対してクリーニング処理を行っても良い。この場合、制御部Ｃｎｔは、高周波電源７２にクリーニングガスのプラズマを発生させることで、成膜室Ｓ２に対してクリーニング処理を行った後に、アンテナ１４に成膜ガスのプラズマを発生させることで、プラズマ生成室Ｓ１に対してクリーニング処理を行う。また、例えば、プラズマ生成室Ｓ１に対してクリーニング処理を行うと同時に、成膜室Ｓ２に対してクリーニング処理を行っても良い。この場合、アンテナ１４にクリーニングガスのプラズマを発生させることで、プラズマ生成室Ｓ１に対してクリーニング処理を行うと同時に、高周波電源７２にクリーニングガスのプラズマを発生させることで、成膜室Ｓ２に対してクリーニング処理を行う。
【００６８】
（成膜室に対して行われるプリコート処理及びクリーニング処理の頻度）
また、上述した実施形態では、１枚の基板Ｗに対して成膜処理が行われる度に、成膜室Ｓ２に対してクリーニング処理及びプリコート処理を行う例を説明したが、開示の技術はこれに限定されるものではない。例えば、２枚以上の基板Ｗに対して成膜処理が行われる度に、成膜室Ｓ２に対してプリコート処理を行っても良い。また、例えば、２枚以上の基板Ｗに対して成膜処理が行われる度に、成膜室Ｓ２に対してクリーニング処理を行っても良い。すなわち、成膜室Ｓ２に対するプリコート処理又はクリーニング処理は、必要に応じて、省略されても良い。以下、図４を用いて、２枚の基板に対して成膜処理が行われる度に、成膜室Ｓ２に対してクリーニング処理及びプリコート処理を行う例について説明する。
【００６９】
図４は、一実施形態に係る成膜装置を用いた成膜方法の処理の流れの他の例を示すフローチャートである。図４において、ステップＳ１２１〜Ｓ１２９は、それぞれ、図３に示したステップＳ１０１〜Ｓ１０９と同様であるので、ここではその詳細な説明を省略する。
【００７０】
図４に示すように、成膜処理が行われた基板Ｗが、処理容器１２外へ搬出されると（ステップＳ１２９）、ダミー基板が処理容器１２内に搬入され（ステップＳ１３０）、載置台３６の上に載置される。続いて、成膜装置１０は、プラズマ生成室Ｓ１に対してクリーニング処理を行う（ステップＳ１３１）。すなわち、成膜装置１０の制御部Ｃｎｔは、載置台３６にダミー基板が載置された状態で、アンテナ１４にクリーニングガスのプラズマを発生させることで、プラズマ生成室Ｓ１に対してクリーニング処理を行う。なお、制御部Ｃｎｔによるクリーニング処理は、図３に示したステップＳ１０２と同様であるので、ここではその詳細な説明を省略する。
【００７１】
続いて、成膜装置１０は、プラズマ生成室Ｓ１に対してプリコート処理を行う（ステップＳ１３２）。すなわち、制御装置１０の制御部Ｃｎｔは、載置台３６にダミー基板が載置された状態で、アンテナ１４に成膜ガスのプラズマを発生させることで、プラズマ生成室Ｓ１に対してプリコート処理を行う。なお、制御部Ｃｎｔによるプリコート処理は、図３に示したステップＳ１０４と同様であるので、ここではその詳細な説明を省略する。
【００７２】
その後、ダミー基板は、載置台３６から離され、処理容器１２外へ搬出される（ステップＳ１３３）。続いて、基板Ｗが処理容器１２内に搬入され（ステップＳ１３４）、載置台３６の上に載置される。
【００７３】
続いて、成膜装置１０は、基板Ｗに対して成膜処理を行う（ステップＳ１３５）。すなわち、成膜装置１０の制御部Ｃｎｔは、プリコート処理が行われた成膜室Ｓ２内の載置台３６に基板Ｗが載置された状態で、アンテナ１４に希ガスのプラズマを発生させることで、仕切り板４０の複数の開口４０ｈを通じて成膜室Ｓ２へ供給される中性粒子を用いて、基板Ｗに対して成膜処理を行う。なお、制御部Ｃｎｔによる成膜処理は、図３に示したステップＳ１０８と同様であるので、ここではその詳細な説明を省略する。
【００７４】
その後、基板Ｗが、載置台３６から離され、処理容器１２外へ搬出される（ステップＳ１３６）。そして、成膜装置１０は、処理を継続する場合には（ステップＳ１３７；Ｎｏ）、処理をステップＳ１２１へ戻し、処理を終了する場合には（ステップＳ１３７；Ｙｅｓ）、処理を終了する。
【００７５】
このようにして、成膜装置１０は、２枚の基板Ｗに対して成膜処理が行われる度に、成膜室Ｓ２に対してクリーニング処理及びプリコート処理を行う。その結果、薄膜が形成された基板Ｗのスループットを向上することが可能となる。
【００７６】
（高周波電力の供給先）
上述した実施形態では、高周波電源７２は、成膜室Ｓ２に設けられた電極７０に高周波電力を供給することで、成膜室Ｓ２において、成膜ガスのプラズマを発生させる例を説明したが、開示の技術はこれに限定されるものではない。例えば、高周波電源７２は、仕切り板４０に高周波電力を供給しても良い。
【００７７】
図５は、一実施形態に係る成膜装置の変形例１の概略を示す図である。変形例１に係る成膜装置１０は、基本的には図１に示した成膜装置１０と同様の構成を有しており、高周波電源７２から供給される高周波電力の供給先が図１に示した成膜装置１０と異なる。したがって、図１に示した成膜装置１０と同様の構成については、説明を省略する。
【００７８】
図５に示すように、変形例１の成膜装置１０において、高周波電源７２は、仕切り板４０に電気的に接続されている。また、この場合、変形例１の成膜装置１０は、電極７０を有さない。高周波電源７２は、仕切り板４０に所定の高周波電力を供給することで、成膜ガス供給系から成膜室Ｓ２へ供給される成膜ガスを励起するための電磁波エネルギーを供給する。これにより、高周波電源７２は、成膜室Ｓ２において、成膜ガス供給系から成膜室Ｓ２へ供給される成膜ガスのプラズマを発生させる。
【００７９】
また、例えば、高周波電源７２は、載置台３６に高周波電力を供給しても良い。
【００８０】
図６は、一実施形態に係る成膜装置の変形例２の概略を示す図である。変形例２に係る成膜装置１０は、基本的には図１に示した成膜装置１０と同様の構成を有しており、高周波電源７２から供給される高周波電力の供給先が図１に示した成膜装置１０と異なる。したがって、図１に示した成膜装置１０と同様の構成については、説明を省略する。
【００８１】
図６に示すように、変形例２の成膜装置１０において、高周波電源７２は、載置台３６に電気的に接続されている。また、この場合、変形例２の成膜装置１０は、電極７０を有さない。高周波電源７２は、載置台３６に所定の高周波電力を供給することで、成膜ガス供給系から成膜室Ｓ２へ供給される成膜ガスを励起するための電磁波エネルギーを供給する。これにより、高周波電源７２は、成膜室Ｓ２において、成膜ガス供給系から成膜室Ｓ２へ供給される成膜ガスのプラズマを発生させる。
【００８２】
（ＩＣＰ）
上述した実施形態では、ラジアルラインスロットアンテナからプラズマ生成室Ｓ１へマイクロ波を放射することで、プラズマ生成室Ｓ１において、成膜ガスのプラズマを発生させる例を説明したが、開示の技術はこれに限定されるものではない。例えば、プラズマ生成室Ｓ１において、成膜ガスのプラズマを発生させる手法としては、ＩＣＰ（Inductively  Coupled  Plasma、誘導結合プラズマ）を用いる手法も考えられる。
【００８３】
図７は、一実施形態に係る成膜装置の変形例３の概略を示す図である。変形例３に係る成膜装置１０は、基本的には図１に示した成膜装置１０と同様の構成を有しており、ＩＣＰを用いる点が図１に示した成膜装置１０と異なる。したがって、図１に示した成膜装置１０と同様の構成については、説明を省略する。
【００８４】
図７に示すように、変形例３の成膜装置１０は、アンテナ１４に代えて、渦巻形状に配置されたコイルアンテナ８０を有する。また、変形例３の成膜装置１０は、スイッチ９０を更に有する。また、変形例３の成膜装置１０において、高周波電源７２は、スイッチ９０を介して載置台３６に電気的に接続されている。また、この場合、変形例３の成膜装置１０は、電極７０を有さない。
【００８５】
コイルアンテナ８０は、後述するスイッチ９０から高周波電力が供給された場合に、プラズマ生成室Ｓ１へ誘導電界を形成することで、プラズマ生成室Ｓ１において、成膜ガスのプラズマ又は希ガスのプラズマを発生させる。コイルアンテナ８０は、第１のプラズマ源の一例である。
【００８６】
高周波電源７２は、スイッチ９０を介して載置台３６に所定の高周波電力を供給することで、成膜ガス供給系から成膜室Ｓ２へ供給される成膜ガスを励起するための電磁波エネルギーを供給する。これにより、高周波電源７２は、成膜室Ｓ２において、成膜ガス供給系から成膜室Ｓ２へ供給される成膜ガスのプラズマを発生させる。高周波電源７２は、第２のプラズマ源の一例である。
【００８７】
スイッチ９０は、載置台３６及びコイルアンテナ８０のうちいずれか一方に対して、高周波電源７２からの高周波電力を選択的に供給する。スイッチ９０による高周波電力の供給先の選択は、制御部Ｃｎｔによって制御される。
【符号の説明】
【００８８】
１０  成膜装置
１２  処理容器
１４  アンテナ
３６  載置台
４０  仕切り板
４０ｈ  開口
７０  電極
７２  高周波電源
Ｇ１〜Ｇ３  ガス源
Ｓ１  プラズマ生成室
Ｓ２  成膜室
Ｗ  基板
【図１】
0006423728.tif 000002
【図２】
0006423728.tif 000003
【図３】
0006423728.tif 000004
【図４】
0006423728.tif 000005
【図５】
0006423728.tif 000006
【図６】
0006423728.tif 000007
【図７】
0006423728.tif 000008