(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
回路と、
前記回路に印加される電圧を示す情報を格納する格納手段と、
前記回路に供給されるクロックのクロック周波数を前記格納手段に格納された前記情報に対応する変調範囲で変調するクロック制御手段とを備えることを特徴とする情報処理装置。
【請求項２】
電圧及び前記クロックの前記クロック周波数に関する変調範囲を互いに関連付けて格納するデータテーブルを更に備えることを特徴とする請求項１記載の情報処理装置。
【請求項３】
前記クロック制御手段は、前記格納手段に格納された前記情報に対応する電圧が所定値以上の場合、前記回路に供給される前記クロックの前記クロック周波数を変調しないことを特徴とする請求項１又は２記載の情報処理装置。
【請求項４】
回路と、
前記回路に電圧を印加する電力供給手段と、
前記回路に供給されるクロックのクロック周波数を前記回路に印加される前記電圧に対応する変調範囲で変調するクロック制御手段とを備えることを特徴とする情報処理装置。
【請求項５】
前記回路に印加される前記電圧の電圧値と、前記クロックの前記クロック周波数に関する変調範囲とを互いに関連付けて格納するデータテーブルを更に備えることを特徴とする請求項４記載の情報処理装置。
【請求項６】
前記クロック制御手段は、前記回路に印加される前記電圧に対応する電圧が所定値以上の場合、前記回路に供給される前記クロックの前記クロック周波数を変調しないことを特徴とする請求項４又は５記載の情報処理装置。
【請求項７】
回路を備える情報処理装置の制御方法であって、
前記回路に印加される電圧を示す情報を格納手段に格納する格納ステップと、
前記回路に供給されるクロックのクロック周波数を前記記憶手段に記憶された前記情報に対応する変調範囲で変調する変調ステップとを有することを特徴とする制御方法。
【請求項８】
電圧及び前記クロックの前記クロック周波数に関する変調範囲を互いに関連付けて格納するデータテーブルを格納する格納ステップを更に有することを特徴とする請求項７記載の制御方法。
【請求項９】
前記変調ステップにおいて、前記格納手段に格納された前記情報に対応する電圧が所定値以上の場合、前記回路に供給される前記クロックの前記クロック周波数は変調されないことを特徴とする請求項７又は８記載の制御方法。
【請求項１０】
回路を備える情報処理装置の制御方法であって、
前記回路に電圧を印加する電力供給ステップと、
前記回路に供給されるクロックのクロック周波数を前記回路に印加される前記電圧に対応する変調範囲で変調するクロック制御ステップとを有することを特徴とする制御方法。
【請求項１１】
前記回路に供給される前記電圧の電圧値と、前記クロックの前記クロック周波数に関する変調範囲とを互いに関連付けて格納するデータテーブルを格納する格納ステップを更に有することを特徴とする請求項１０記載の制御方法。
【請求項１２】
前記クロック制御ステップにおいて、前記回路に印加される前記電圧に対応する電圧が所定値以上の場合、前記回路に供給される前記クロックの前記クロック周波数は変調されないことを特徴とする請求項１０又は１１記載の制御方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、情報処理装置及びその制御方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来より、印刷装置等の情報処理装置に半導体集積回路が搭載されているが、半導体集積回路の高速化、高密度化、及びデジタル化に伴い、半導体集積回路におけるクロック信号の高調波エネルギーが半導体集積回路の外部に放出されることによって発生する放射ノイズが増加している。放射ノイズは他の電子機器の動作を妨害することから、半導体集積回路から発生する放射ノイズを低減するために、フィルタ、筐体、又はフェライトビーズ等が半導体集積回路に適用され、また、半導体集積回路として周波数拡散回路が使用される。
【０００３】
周波数拡散回路は特定のクロック周波数に数％の許容範囲として周波数変調率を付与し、特定のクロック周波数において発生した高調波エネルギーを周波数変調率の範囲内の他の周波数帯域で分散することにより、特定のクロック周波数における放射ノイズを低減する。例えば、周波数拡散回路が１００ＭＨｚのクロック周波数に１％の周波数変調率を付与した場合、１００ＭＨｚにおいて発生した高調波エネルギーを９９〜１０１ＭＨｚの範囲内で分散することにより、１００ＭＨｚにおける放射ノイズを低減する。
【０００４】
ところで、複数の半導体集積回路が製造されたとき、各半導体集積回路の性能、例えば、クロック周波数にはばらつきが生じる。すなわち、製造された複数の半導体集積回路にはクロック周波数の高い半導体集積回路とクロック周波数の低い半導体集積回路とが存在する。これに対応して、半導体集積回路を使用するとき、半導体集積回路のクロック周波数のばらつきに基づいて半導体集積回路に印加する電圧を制御するＡＳＶ（Adaptive Supply Voltage）機能を有する半導体集積回路が知られている（例えば、特許文献１参照）。ＡＳＶ機能を有する半導体集積回路は、クロック周波数の低い半導体集積回路の使用時、当該半導体集積回路に印加する電圧を高める一方、クロック周波数の高い半導体集積回路の使用時、当該半導体集積回路に印加する電圧を低減することにより、使用時における各半導体集積回路の動作速度を一定に保つ。例えば、図７に示すように、クロック周波数が２０６ＭＨｚであるクロック周波数の高い半導体集積回路には１．００Ｖの電圧を印加し、クロック周波数が２００ＭＨｚであるクロック周波数が中程度の半導体集積回路には１．０６Ｖの電圧を印加し、クロック周波数が１９２ＭＨｚであるクロック周波数の低い半導体集積回路には１．１４Ｖの電圧を印加する。
【０００５】
ところで、半導体集積回路から生じる放射ノイズは、半導体集積回路に印加する電圧の電圧値が高いほど増加し、半導体集積回路に印加する電圧の電圧値が低いほど低減する。一方、放射ノイズは、クロック周波数に付与される周波数変調率が小さいほど増加し、周波数変調率が大きいほど低減することが知られている（図８参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２０１１‐２２７９３７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかしながら、ＡＳＶ機能を有する半導体集積回路においてクロック周波数に付与される周波数変調率は固定されているため、ＡＳＶ機能を有する半導体集積回路から発生する放射ノイズの量は当該半導体集積回路に印加される電圧によって左右される。したがって、ＡＳＶ機能によって各半導体集積回路の動作速度を一定に保つために、各半導体集積回路へ印加する電圧を変更した場合、各半導体集積回路から発生する放射ノイズの量を一定に制御できないという問題があった。
【０００８】
本発明の目的は、半導体集積回路から発生する放射ノイズの量を一定に制御することができる半導体集積回路、該半導体集積回路の制御方法、プログラム、及び情報処理装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上記目的を達成するために、本発明の情報処理装置は、回路と、前記回路に印加される電圧を示す情報を格納する格納手段と、前記回路に供給されるクロックのクロック周波数を前記格納手段に格納された前記情報に対応する変調範囲で変調するクロック制御手段とを備えることを特徴とする。
【発明の効果】
【００１０】
本発明によれば、半導体集積回路から発生する放射ノイズの量を一定に制御することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】本発明の実施の形態に係るＡＳＶ機能を有する半導体集積回路としてのＡＳＩＣのクロック周波数に基づいてＡＳＩＣに印加される電圧値を決定するテストシステムの構成を概略的に示す概念図である。
【図２】図１におけるＡＳＩＣに印加されるＡＳＶ電圧値を電圧値情報格納部に格納する格納処理の手順を示すフローチャートである。
【図３】図１におけるＡＳＩＣ及び電力供給部を備える情報処理装置としてのＭＦＰの内部構成を概略的に示すブロック図である。
【図４】図３におけるＡＳＩＣが有するクロック制御回路に周波数変調率を設定するとともに、図３における電力供給部にＡＳＶ電圧値を設定する設定処理の手順を示すフローチャートである。
【図５】図４の設定処理において参照される参照テーブルを説明するために用いられる図である。
【図６】図３におけるＡＳＩＣが有するクロック制御回路に周波数変調率が設定されるとともに、図３における電力供給部にＡＳＶ電圧値が設定されたＡＳＩＣにＡＳＶ電圧値の電圧が印加されたときの放射ノイズの挙動を概略的に示す概念図である。
【図７】従来の半導体集積回路の動作速度を一定に保つ際のクロック周波数と半導体集積回路に印加する電圧との関係を説明するために用いられる図である。
【図８】半導体集積回路に印加する電圧の電圧値、半導体集積回路のクロック周波数に付与される周波数変調率、及び半導体集積回路から放射される放射ノイズの量の関係を説明するために用いられる図である。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
以下、本発明の実施の形態について図面を参照しながら詳述する。
【００１３】
図１は、本発明の実施の形態に係るＡＳＶ機能を有する半導体集積回路としてのＡＳＩＣ１０１のクロック周波数に基づいてＡＳＩＣ１０１に印加される電圧値を決定するテストシステム１００の構成を概略的に示す概念図である。
【００１４】
図１のテストシステム１００は、ＡＳＩＣ１０１、電力供給部１０２、及びテスタ装置１０３を備え、電力供給部１０２及びテスタ装置１０３はＡＳＩＣ１０１を介して互いに接続されている。ＡＳＩＣ１０１はＣＰＵ１０４、プロセスモニタ回路１０５、電圧値情報格納部１０６、電圧値情報Ｉ/Ｆ部１０７、クロック制御回路１０８、ＬＵＴ１０９、及びサブＣＰＵ１１０を備え、電力供給部１０２は電圧制御Ｉ／Ｆ部１１１及び電圧制御部１１２を備える。プロセスモニタ回路１０５はリングオシレータ１０５ａを有する。
【００１５】
電力供給部１０２はＡＳＩＣ１０１の各構成要素に電力を供給する。また、電力供給部１０２はＡＳＩＣ１０１に印加する電圧を制御する。ＣＰＵ１０４は後述のＲＯＭ部３１０に格納されたプログラムを実行する。プロセスモニタ回路１０５はリングオシレータ１０５ａから発振されるクロック周波数を検出し、検出されたクロック周波数をモニタ信号としてテスタ装置１０３に出力する。テスタ装置１０３はプロセスモニタ回路１０５から入力されたＡＳＩＣ１０１のクロック周波数に基づいて決定されるＡＳＩＣ１０１へ印加される電圧の電圧値（以下、「ＡＳＶ電圧値」という。）の情報を電圧値情報入力信号として電圧値情報格納部１０６に出力し、電圧値情報格納部１０６はＡＳＶ電圧値の情報を格納する。電圧値情報格納部１０６に格納されたＡＳＶ電圧値の情報は電圧値情報Ｉ/Ｆ部１０７及び電圧制御Ｉ／Ｆ部１１１を経由して電圧制御部１１２に格納される。
【００１６】
サブＣＰＵ１１０はＡＳＩＣ１０１が有するＡＳＶ機能が実行される際にＡＳＩＣ１０１の各構成要素を制御する。また、サブＣＰＵ１１０は電圧値情報格納部１０６（保持手段）に格納されたＡＳＶ電圧値の情報とＬＵＴ１０９に格納される後述の参照テーブル５００（図５）とに基づいてＡＳＩＣ１０１のクロック周波数に付与される周波数変調率を決定する。決定された周波数変調率はクロック制御回路１０８に設定される。
【００１７】
図２は、図１におけるＡＳＩＣ１０１に印加されるＡＳＶ電圧値を電圧値情報格納部１０６に格納する格納処理の手順を示すフローチャートである。
【００１８】
図２において、まず、電力供給部１０２の電源がＯＮにされると（ステップＳ２０１）、サブＣＰＵ１１０はＡＳＩＣ１０１に印加される電圧が予めＡＳＩＣ１０１に設定された電圧値（以下、「基準電圧値」）に到達したか否かを判別する（ステップＳ２０２）。ステップＳ２０２の判別の結果、ＡＳＩＣ１０１に印加される電圧が基準電圧値に到達していないとき、ステップＳ２０２に戻り、ＡＳＩＣ１０１に印加される電圧が基準電圧値に到達したとき、リングオシレータ１０５ａはクロックの発振を開始し、プロセスモニタ回路１０５はリングオシレータ１０５ａから発振されるクロック周波数をモニタ信号としてテスタ装置１０３に出力する（ステップＳ２０３）。
【００１９】
次いで、テスタ装置１０３はモニタ信号を解析してＡＳＶ電圧値を決定する（ステップＳ２０４）。具体的には、図７のテーブルに示すようにクロック周波数が低いほどＡＳＶ電圧値として高い電圧値を決定する。その後、決定されたＡＳＶ電圧値の情報を電圧値情報入力信号として電圧値情報格納部１０６に出力し（ステップＳ２０５）、電圧値情報格納部１０６はＡＳＶ電圧値の情報を格納し（ステップＳ２０６）、本処理を終了する。
【００２０】
図３は、図１におけるＡＳＩＣ１０１及び電力供給部１０２を備える情報処理装置としてのＭＦＰ（Multi-Function Printer）３０１の内部構成を概略的に示すブロック図である。
【００２１】
図３のＭＦＰ３０１はＡＳＩＣ１０１、電力供給部１０２、スキャナ部３０２、スキャナＩＰ部３０３、メモリ部３０４、ボックス部３０５、プリンタＩＰ部３０６、プリンタ部３０７、フィニッシャ部３０８、表示制御部３０９、ＲＯＭ部３１０、ＲＩＰ部３１１、ＦＡＸ部３１３、ＵＳＢ−Ｄ部３１４、ＮＩＣ部３１５、ＵＳＢ−Ｈ部３１６、ＵＳＢデバイス３１７、電話回線３１８、及びネットワーク３１９を備える。
【００２２】
電力供給部１０２、スキャナＩＰ部３０３、メモリ部３０４、ボックス部３０５、プリンタＩＰ部３０６、表示制御部３０９、ＲＯＭ部３１０、ＲＩＰ部３１１、ＦＡＸ部３１３、ＵＳＢ−Ｄ部３１４、ＮＩＣ部３１５、及びＵＳＢ−Ｈ部３１６はＡＳＩＣ１０１を介して互いに接続されている。スキャナ部３０２はスキャナＩＰ部３０３に接続され、フィニッシャ部３０８はプリンタ部３０７に接続され、プリンタ部３０７はプリンタＩＰ部３０６に接続され、ＦＡＸ部３１３は電話回線３１８に接続され、ＵＳＢ−Ｄ部３１４はＵＳＢ  Ｉ／Ｆを介して外部装置に接続され、ＮＩＣ部３１５はネットワークＩ／Ｆを介してネットワーク３１９に接続され、ＵＳＢデバイス３１７はＵＳＢ  Ｉ／Ｆを介してＵＳＢ−Ｈ部３１６に接続される。
【００２３】
ＡＳＩＣ１０１はＲＯＭ部３１０に格納されたプログラムに基づいてＭＦＰ３０１の全体を制御する。スキャナ部３０２は原稿を光電変換素子で読み取り、Ａ/Ｄ変換やシェーディング補正を行ってＲＧＢデジタル画像を生成し、スキャナＩＰ部３０３は当該ＲＧＢデジタル画像に対して各種画像処理を実行する。メモリ部３０４はＡＳＩＣ１０１のメインメモリであるとともに、各種処理を実行する際のワークメモリである。また、メモリ部３０４は各種データを格納する。
【００２４】
ボックス部３０５はＭＦＰ３０１が外部装置にデータを送信し、又は外部装置からデータを受信する際に使用されるバッファ領域である。プリンタＩＰ部３０６はＡＳＩＣ１０１から出力された信号に基づいて画像データを生成し、プリンタ部３０７は当該画像データを記録紙に印刷する。フィニッシャ部３０８はプリンタ部３０７において画像データが印刷された記録紙に対して、例えば、ステープル処理等を実行する。表示制御部３０９はユーザからの指示をＡＳＩＣ１０１に送信し、又はＡＳＩＣ１０１からの指示を表示する。ＲＯＭ部３１０はＭＦＰ３０１の全体を制御するプログラムやＯＳを起動するためのブートプログラム等の各種プログラムを格納する。ＲＩＰ部３１１は画像データからビットマップイメージデータを生成する。電力供給部１０２はＭＦＰ３０１の構成要素、例えば、ＡＳＩＣ１０１に電力を供給する。ＦＡＸ部３１３は電話回線３１８を介してＦＡＸ通信を行う。
【００２５】
ＵＳＢ−Ｄ部３１４はＵＳＢ  Ｉ／Ｆを介して接続される外部装置から印刷データを受信する。ＮＩＣ部３１５はネットワーク３１９を介して画像データやパケット等の各種データを取得する。また、ＮＩＣ部３１５はＮＷ通信制御ドライバ（不図示）によって制御される。ここで、ＮＷ通信制御ドライバとはＮＩＣ部３１５がネットワーク３１９を介して各種データを取得したことを認識するとともに、取得されたデータを解析するソフトウェアである。ＵＳＢ−Ｈ部３１６はＵＳＢ  Ｉ／Ｆを介して接続されるＵＳＢデバイス３１７を制御する。ＵＳＢデバイス３１７は、例えば、タブレット端末、ＵＳＢメモリやカードリーダ等である。
【００２６】
図４は、図３におけるＡＳＩＣ１０１が有するクロック制御回路１０８に周波数変調率を設定するとともに、図３における電力供給部１０２にＡＳＶ電圧値を設定する設定処理の手順を示すフローチャートである。図４の処理はサブＣＰＵ１１０（変調手段）によって実行される。
【００２７】
図４において、まず、ＭＦＰ３０１の電源がＯＮにされると、電力供給部１０２からＡＳＩＣ１０１に電力が供給される（ステップＳ４０１）。次いで、ＡＳＩＣ１０１に印加される電圧が基準電圧値に到達したか否かを判別する（ステップＳ４０２）。
【００２８】
ステップＳ４０２の判別の結果、ＡＳＩＣ１０１に印加される電圧が基準電圧値に到達していないとき、ステップＳ４０２に戻り、ＡＳＩＣ１０１に印加される電圧が基準電圧値に到達したとき、サブＣＰＵ１１０は予め決定され且つ電圧値情報格納部１０６に格納されているＡＳＶ電圧値の情報を読み出し（ステップＳ４０３）、ＡＳＶ電圧値が基準電圧値よりも高いか否かを判別する（ステップＳ４０４）。ＡＳＶ電圧値が基準電圧値よりも低いと、当該ＡＳＶ電圧値がＡＳＩＣ１０１に印加されるときに生じる放射ノイズ（以下、「印加時放射ノイズ」という。）が許容値内に収まり、ＡＳＶ電圧値が基準電圧値よりも高いと、印加時放射ノイズが許容値を超えると考えられる。したがって、ＡＳＶ電圧値が基準電圧値よりも高い場合には印加時放射ノイズを低減する方策を実行する必要がある。本実施の形態では、これに対応して、印加時放射ノイズを低減するために周波数変調率を変更する。
【００２９】
具体的には、ステップＳ４０４の判別の結果、ＡＳＶ電圧値が基準電圧値である１．０６Ｖよりも高いとき、サブＣＰＵ１１０はＬＵＴ１０９に格納される参照テーブル５００（格納手段）を参照し（ステップＳ４０５）、ＡＳＶ電圧値と参照テーブル５００とに基づいてＡＳＶ電圧値に対応する周波数変調率をクロック制御回路１０８に設定する（ステップＳ４０６）。
【００３０】
図５に示すように、参照テーブル５００では、ＡＳＶ電圧値である各印加電圧値５０１に対して個別に各周波数変調率５０２が設定されている。すなわち、参照テーブル５００では、印加電圧値５０１の変化に対応して周波数変調率５０２が変化する。基準電圧値である１．０６Ｖ以下の各印加電圧値５０１に対しては周波数変調率５０２として一意のデフォルト値が設定されている。一方、基準電圧値である１．０６Ｖより高い各印加電圧値５０１に対しては、印加電圧値５０１が高くなると周波数変調率５０２が大きくなるように、各周波数変調率５０２が設定される。なお、デフォルト値以外の各周波数変調率５０２にはデフォルト値に加算される百分率が設定される。
【００３１】
ところで、ＡＳＩＣ１０１に印加される電圧の電圧値が高いほどＡＳＩＣ１０１から放射される放射ノイズの量は増加するが、参照テーブル５００では、上述したように、基準電圧値である１．０６Ｖより高い各印加電圧値５０１に関し、印加電圧値５０１が高くなると周波数変調率５０２が大きくなる。これにより、基準電圧値である１．０６Ｖより高いＡＳＶ電圧値がＡＳＩＣ１０１に印加されて印加時放射ノイズが悪化するおそれが生じる場合（図６（ａ）中の矢印ｄ１参照）、付与される周波数変調率を大きくして印加時放射ノイズの量を低減することができる（図６（ａ）中の矢印ｄ２参照）。すなわち、参照テーブル５００ではＡＳＶ電圧値である印加電圧値５０１及び周波数変調率５０２が印加時放射ノイズを低減するように関連付けられている。
【００３２】
なお、参照テーブル５００を用いると、基準電圧値が１．０６Ｖである場合において、基準電圧値よりも低い１．００Ｖの電圧がＡＳＶ電圧値としてＡＳＩＣ１０１に印加されたとき、印加電圧値５０１に格納される１．００Ｖに対応する周波数変調率であるデフォルト値がクロック制御回路１０８に設定される。また、基準電圧値よりも高い１．１４Ｖの電圧がＡＳＶ電圧値としてＡＳＩＣ１０１に印加されたとき、印加電圧値５０１に格納される１．１４Ｖに対応する周波数変調率であるデフォルト値に２．０％が加算された周波数変調率がクロック制御回路１０８に設定される。
【００３３】
図４に戻り、ＡＳＶ電圧値を電力供給部１０２に設定し（ステップＳ４０７）、ＡＳＩＣ１０１に印加された電圧の電圧値がＡＳＶ電圧値に到達したか否かを判別する（ステップＳ４０８）。ステップＳ４０８の判別の結果、ＡＳＩＣ１０１に印加された電圧の電圧値がＡＳＶ電圧値に到達していないとき、ステップＳ４０８に戻り、ＡＳＩＣ１０１に印加された電圧の電圧値がＡＳＶ電圧値に到達したとき、ＣＰＵ１０４を起動して（ステップＳ４０９）本処理を終了する。
【００３４】
ところで、ＡＳＶ電圧値が基準電圧値よりも低いと、印加時放射ノイズが許容値内に収まるため、必ずしも印加時放射ノイズを低減する方策を実行する必要はない。本実施の形態では、これに対応して、ＡＳＶ電圧値が基準電圧値よりも低いときには放射ノイズの量を低減する放射ノイズ低減処理を実行するか否かを判別する。
【００３５】
具体的には、ステップＳ４０４の判別の結果、ＡＳＶ電圧値が基準電圧値よりも低いとき、放射ノイズ低減処理を実行するか否かを判別する（ステップＳ４１０）。ステップＳ４１０の判別は、例えば、放射ノイズ低減処理に対するユーザの意向（許容範囲内の放射ノイズをさらに低減したいという意向等）に基づいて実行される。
【００３６】
ステップＳ４１０の判別の結果、放射ノイズ低減処理を実行しないとき、ステップＳ４０７に進み、放射ノイズ低減処理を実行するとき、放射ノイズ低減処理を周波数変調率変更処理で実行すべきか否かを判別する（ステップＳ４１１）。
【００３７】
印加時放射ノイズを低減する方策としては、周波数変調率の増加、及びＡＳＶ電圧値の減少の２つの方策が存在するが、ＡＳＶ電圧値を減少させるとＡＳＩＣ１０１の動作速度が低下するおそれがある。ところで、ＡＳＩＣ１０１の動作速度はＡＳＩＣ１０１のクロック周波数にも関連し、クロック周波数が低いとＡＳＩＣ１０１の動作速度も低下する。したがって、本実施の形態では、ＡＳＩＣ１０１のクロック周波数が低い場合、ＡＳＩＣ１０１の動作速度の低下を防止するために、印加時放射ノイズを低減する方策としてＡＳＶ電圧値の減少を行わず、周波数変調率の増加を行う。具体的には、ＡＳＩＣ１０１のクロック周波数が２００ＭＨｚよりも低い場合には、放射ノイズ低減処理を周波数変調率変更処理で実行すべきであると判別する。
【００３８】
ステップＳ４１１の判別の結果、放射ノイズ低減処理を周波数変調率変更処理で実行すべきであると判別したとき、参照テーブル５００を用いてクロック周波数が低いほど周波数変調率が大きくなるように変更し（ステップＳ４１２）、変更後の周波数変調率をクロック制御回路１０８に設定し（ステップＳ４１３）、ステップＳ４０７に進む。このとき、印加時放射ノイズは低下する（図６（ｂ）中の矢印ｄ３参照）が、ＡＳＶ電圧値は変更しないため、ＡＳＩＣ１０１の動作速度が低下することはない。
【００３９】
一方、クロック周波数が高いとＡＳＩＣ１０１の動作速度も高くなるため、ＡＳＶ電圧値を減少させてＡＳＩＣ１０１の動作速度も低下しても、低下後のＡＳＩＣ１０１の動作速度が許容範囲内に収まると考えられる。したがって、本実施の形態では、ＡＳＩＣ１０１のクロック周波数が高い場合、印加時放射ノイズを低減する方策として周波数変調率の増加を行わず、ＡＳＶ電圧値の減少を行う。具体的には、ＡＳＩＣ１０１のクロック周波数が２００ＭＨｚ（所定値）以上である場合には、放射ノイズ低減処理を周波数変調率変更処理で実行すべきでないと判別する。
【００４０】
ステップＳ４１１の判別の結果、放射ノイズ低減処理を周波数変調率変更処理で実行すべきでないと判別したとき、参照テーブル５００を用いて周波数変調率としてデフォルト値をクロック制御回路１０８に設定し（ステップＳ４１４）、クロック周波数が高いほど電力供給部１０２に設定するＡＳＶ電圧値が低くなるように変更し（ステップＳ４１５）、ステップＳ４０７に進む。このとき、印加時放射ノイズは低下するとともに、ＡＳＩＣ１０１の動作速度も低下するが（図６（ｂ）中の矢印ｄ４参照）、元々のクロック周波数が高いため、ＡＳＩＣ１０１の動作速度は許容範囲内に留まる。
【００４１】
図４の処理によれば、参照テーブル５００においてＡＳＶ電圧値及びＡＳＩＣ１０１のクロック周波数に付与される周波数変調率がＡＳＩＣ１０１から発生する放射ノイズ（印加時放射ノイズ）を低減するように関連付けられ、ＡＳＶ電圧値と参照テーブル５００とに基づいてＡＳＶ電圧値に対応する周波数変調率がクロック制御回路１０８に設定され（ステップＳ４０６）、ＡＳＶ電圧値が電力供給部１０２に設定される（ステップＳ４０７）。ここで、ＡＳＩＣ１０１に印加される電圧に応じてＡＳＩＣ１０１から放射される放射ノイズの量は変化するが、参照テーブル５００に基づいて周波数変調率がクロック制御回路１０８に設定されることにより、ＡＳＶ電圧値に対してＡＳＩＣ１０１から発生する放射ノイズを低減するように関連付けられた周波数変調率がクロック制御回路１０８に設定されることになるため、ＡＳＩＣ１０１から発生する放射ノイズの量を一定に制御することができる。
【００４２】
その結果、他のＡＳＩＣ１０１よりも大きい放射ノイズの量を発生するＡＳＩＣ１０１は存在しなくなるので、ＡＳＩＣ１０１から発生する放射ノイズを低減するためにＡＳＩＣ１０１にフィルタ、筐体、又はフェライトビーズ等を適用する必要を無くすことができ、もって、フィルタ、筐体、又はフェライトビーズ等に必要となるコストを削減することができる。
【００４３】
また、参照テーブル５００では、ＡＳＶ電圧値である印加電圧値５０１が高いほどＡＳＩＣ１０１のクロック周波数に付与される周波数変調率が大きくなるように、上記ＡＳＶ電圧値及び上記周波数変調率が関連付けられるため、ＡＳＶ電圧値が高くなってＡＳＩＣ１０１から発生する放射ノイズの量が増加する場合、ＡＳＩＣ１０１のクロック周波数に付与される周波数変調率が大きくなる。ＡＳＩＣ１０１のクロック周波数に付与される周波数変調率が大きくなるとＡＳＩＣ１０１から発生する放射ノイズの量は低減されるため、結果として、半導体集積回路から発生する放射ノイズの量が増加するのを防止することができ、もって、各ＡＳＩＣ１０１から発生する放射ノイズの量を同等にすることができる。
【００４４】
本発明は、上述の実施の形態の１以上の機能を実現するプログラムを、ネットワーク又は記憶媒体を介してシステム又は装置に供給し、そのシステム又は装置のコンピュータにおける１つ以上のプロセッサーがプログラムを読み出して実行する処理でも実現可能である。また、本発明は、１以上の機能を実現する回路（例えば、ＡＳＩＣ）によっても実現可能である。
【符号の説明】
【００４５】
１０１  ＡＳＩＣ
１０２  電力供給部
１０５  プロセスモニタ回路
１０６  電圧値情報格納部
１０８  クロック制御回路
１０９  ＬＵＴ
１１０  サブＣＰＵ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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