(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
反応槽内でニッケル混合硫化物に対して塩素ガスにより塩素浸出処理を施し、金属成分を浸出させた塩素浸出液を得る塩素浸出工程と、
前記塩素浸出処理により得られた塩素浸出液中に含まれる銅を固定化して、セメンテーション終液とセメンテーション残渣とを得るセメンテーション工程と、
前記セメンテーション終液に対して浄液処理を施した後、電解処理により電気ニッケルと塩素ガスとを生成する電解工程と、を有する電気ニッケルの製造プロセスにおける前記塩素浸出工程での浸出制御システムであって、
前記反応槽内に塩素ガスを供給する塩素ガス供給部と、
前記反応層内に原料である前記ニッケル混合硫化物を供給する原料供給部と、
前記セメンテーション工程にて得られたセメンテーション残渣を前記反応槽内に添加するセメンテーション残渣添加部と、を備え、
前記反応槽は複数設けられており、
前記塩素ガス供給部では、前記塩素浸出工程における複数の前記反応槽へ吹き込むそれぞれの塩素ガス吹き込み量を合算して塩素ガスの総流量を算出し、
前記原料供給部では、前記塩素ガス供給部にて算出された塩素ガスの総流量に基づいて、一の反応槽において塩素浸出処理を施すニッケル混合硫化物の処理量を決定し、該反応槽内に該処理量のニッケル混合硫化物を供給し、
前記セメンテーション残渣添加部では、前記反応槽中における酸化還元電位の測定結果に基づいて、該反応槽へのセメンテーション残渣の添加量を決定し、該反応槽内に該添加量のセメンテーション残渣を添加する
ことを特徴とする浸出制御システム。
【請求項２】
前記セメンテーション残渣添加部では、前記反応槽中における酸化還元電位の測定結果と共に、前記原料供給部にて決定されたニッケル混合硫化物の処理量に基づいて、該反応槽へのセメンテーション残渣の添加量を決定し、該反応槽内に該添加量のセメンテーション残渣を添加することを特徴とする請求項１に記載の浸出制御システム。
【請求項３】
複数設けられた反応槽内でニッケル混合硫化物に対して塩素ガスにより塩素浸出処理を施し、金属成分を浸出させた塩素浸出液を得る塩素浸出工程と、
前記塩素浸出処理により得られた塩素浸出液中に含まれる銅を固定化して、セメンテーション終液とセメンテーション残渣とを得るセメンテーション工程と、
前記セメンテーション終液に対して浄液処理を施した後、電解処理により電気ニッケルと塩素ガスとを生成する電解工程と、を有する電気ニッケルの製造プロセスにおける前記塩素浸出工程での浸出制御方法であって、
前記塩素浸出工程における複数の前記反応槽へ吹き込むそれぞれの塩素ガス吹き込み量を合算して塩素ガスの総流量を算出する第１工程と、
算出された塩素ガスの総流量に基づいて、一の反応槽において塩素浸出処理を施すニッケル混合硫化物の処理量を決定する第２工程と、
決定したニッケル混合硫化物の処理量に基づいて、前記反応槽内に該処理量のニッケル混合硫化物を供給する第３工程と、
前記反応槽中の酸化還元電位を測定する第４工程と、
測定した酸化還元電位に基づいて、前記セメンテーション工程にて得られたセメンテーション残渣の添加量を決定し、前記反応槽に該添加量のセメンテーション残渣を添加する第５工程と、
を有することを特徴とする浸出制御方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、浸出制御システム及び浸出制御方法に関し、より詳しくは、原料であるニッケル混合硫化物に対して塩素ガスにより塩素浸出処理を施し、得られる塩素浸出液（塩化ニッケル溶液）から電解採取法により電気ニッケルを製造する電気ニッケル製造プロセスにおける塩素浸出工程での浸出制御システム及び浸出制御方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来より、電気ニッケルを製造する方法として、塩素浸出法により電気ニッケル製造プロセスが採用されている。具体的には、乾式製錬から産出されたニッケルマット及び低品位ラテライト鉱石等から硫酸浸出によって産出されたニッケル（Ｎｉ）、コバルト（Ｃｏ）等の混合物であるニッケル混合硫化物（ミックスサルファイド（ＭＳ））を原料として、原料中に含有するニッケル、コバルト、銅（Ｃｕ）等の金属の大部分を塩素浸出し（塩素浸出工程（ＣＰ工程））、塩素浸出して得られた溶液（塩化ニッケル溶液）から金属不純物等を除去した後に、電解工程における電解採取によって電気ニッケルを製造するというものである（例えば特許文献１及び２）。なお、その電解工程においては、アノード側から塩素ガスが発生し、その塩素ガスが塩素浸出工程に移送されて金属の塩素浸出処理に用いられる。
【０００３】
原料とするニッケル混合硫化物には、ニッケル、銅が特に多く含まれており、上述した塩素浸出工程における処理により塩素浸出反応が生じて、Ｎｉ、Ｃｕを主体とする高濃度の塩化物溶液を得ることができる。
【０００４】
一方、その塩素浸出工程では、ニッケル混合硫化物のスラリー（ＭＳスラリー）の他に、塩素浸出により得られた塩化ニッケル溶液中の銅を固定化するセメンテーション工程（ＣＭ工程）からの残渣（セメンテーション残渣（ＣＭＲ））のスラリーが同時に添加され、ＭＳスラリーとＣＭＲスラリーとの２種類の原料に対して塩素浸出処理が行われる。セメンテーション残渣中には、固定化したＣｕが多く含まれているため、これが液中に溶けるとＣｕイオンとなり、塩素浸出において塩素の吸収と金属の酸化を行うキャリアーとして働くようになる。このことから、ニッケル混合硫化物とセメンテーション残渣とを一緒に添加して反応させることで、ニッケル等の金属浸出を効率的に進めることができる。
【０００５】
このような塩素浸出工程における反応により生成した高濃度溶液、すなわち塩化ニッケル溶液は、浸出残渣を分離するための濾過処理を経て、再びセメンテーション工程に送られることになり、したがって図８の概念図に示すように、塩素浸出工程とセメンテーション工程との系内を循環する。なお、塩素浸出工程にて生成し固液分離された液（塩化ニッケル溶液）を「ＣＰＬ」と記す。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２００９−４６７３６号公報
【特許文献２】特許第４９２４７５４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
さて、上述した塩素浸出工程では、Ｎｉ等の金属の浸出反応の状態を常時監視し、一定の浸出率を維持することが重要となる。そして、この浸出率を維持して管理する重要な媒体が塩素浸出反応時における酸化還元電位（ＯＲＰ）である。金属を効果的に浸出させるには、その環境としてＯＲＰをある一定の領域に維持することが重要なポイントとなり、実際に槽（塩素浸出反応槽（ＣＰ槽））内のＯＲＰを常時監視して、そのＯＲＰをある一定の領域範囲内に維持することによって、安定した浸出率を確保することができる。
【０００８】
塩素浸出工程における塩素浸出反応では、ＯＲＰはＣｕイオン濃度との関係により最適値が決定する。したがって、ＯＲＰを一定の領域範囲内に維持することは、反応液中のＣｕイオン濃度が安定していることを意味する。しかしながら逆に、反応液中のＣｕ濃度が変動してしまうとＯＲＰが最適領域から外れた値を示すことになり、そしてこのことは、浸出率が低下していることを示している。
【０００９】
ここで、図９に、従来の塩素浸出工程における塩素浸出処理のシステム構成図を示す。図９の構成図に示すように、従来では、塩素浸出反応槽（Ｎｏ．０Ａ−ＣＰ槽）に供給する塩素ガス吹込み流量、原料であるニッケル混合硫化物（ＭＳ）の添加量を、それぞれ独立に制御している。そして、通常、Ｃｕイオン濃度の変動に伴ってＣＰ槽中の溶液のＯＲＰが変動した場合、塩素浸出反応に際して添加するセメンテーション残渣（ＣＭＲ）の添加量を調整することで、ＯＲＰを最適値へ修正している。しかしながら、調整のために添加するセメンテーション残渣自体にも、当然に固定化したＣｕが含まれているため、一時的にＯＲＰを最適領域に回復させたとしても、その後この溶液は系内を循環するため（図８参照）、その循環によりやがては系内全体のＣｕイオン濃度が変動してしまう。
【００１０】
Ｃｕ濃度が低下すると、上述したように金属の浸出反応効率の低下につながり、その場合には、系内のＣｕ濃度を調整するために原料のニッケル混合硫化物の添加量を減少させなければならない。しかしながら、原料のニッケル混合硫化物の添加量を減らすことは、当然に処理量を減少させることになり、電気ニッケルの生産効率が著しく低下する。
【００１１】
本発明は、このような実情に鑑みてなされたものであり、塩素浸出工程での塩素浸出処理において、ＯＲＰの変動を抑えて最適領域範囲に安定的に維持させることができ、原料からのニッケル浸出率を安定化させることができる方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
本発明者らは、上述した課題を解決するために鋭意検討を重ねた。その結果、反応槽に吹き込まれる塩素ガス吹き込み量に基づいて、塩素浸出工程Ｓ１全体において処理するＭＳ量と反応槽にて処理するＭＳ量とを決定し、そしてこれにより生じた浸出反応に伴うＯＲＰ変動の見合いでＣＭＲ添加量を決定し添加することにより、塩素浸出反応時におけるＯＲＰを最適な領域範囲に安定的に維持できることを見出し、本発明を完成するに至った。すなわち、本発明は、以下のものを提供する。
【００１３】
（１）本発明の第１の発明は、反応槽内でニッケル混合硫化物に対して塩素ガスにより塩素浸出処理を施し、金属成分を浸出させた塩素浸出液を得る塩素浸出工程と、前記塩素浸出処理により得られた塩素浸出液中に含まれる銅を固定化して、セメンテーション終液とセメンテーション残渣とを得るセメンテーション工程と、前記セメンテーション終液に対して浄液処理を施した後、電解処理により電気ニッケルと塩素ガスとを生成する電解工程と、を有する電気ニッケルの製造プロセスにおける前記塩素浸出工程での浸出制御システムであって、前記反応槽内に塩素ガスを供給する塩素ガス供給部と、前記反応層内に原料である前記ニッケル混合硫化物を供給する原料供給部と、前記セメンテーション工程にて得られたセメンテーション残渣を前記反応槽内に添加するセメンテーション残渣添加部と、を備え、前記塩素ガス供給部では、前記塩素浸出工程における前記反応槽への塩素ガス吹き込み量を算出し、前記原料供給部では、前記塩素ガス供給部にて算出された塩素ガス吹き込み量に基づいて、塩素浸出処理を施すニッケル混合硫化物の処理量を決定し、前記反応槽内に該処理量のニッケル混合硫化物を供給し、前記セメンテーション残渣添加部では、前記反応槽中における酸化還元電位の測定結果に基づいて、該反応槽へのセメンテーション残渣の添加量を決定し、該反応槽内に該添加量のセメンテーション残渣を添加することを特徴とする浸出制御システムである。
【００１４】
（２）本発明の第２の発明は、上述した第１の発明において、前記反応槽は複数設けられており、前記塩素ガス供給部では、前記複数の反応槽へ吹き込むそれぞれの塩素ガス吹き込み量を合算して塩素ガスの総流量を算出し、前記原料供給部では、前記塩素ガス供給部にて算出された塩素ガスの総流量に基づいて、一の反応槽において塩素浸出処理を施すニッケル混合硫化物の処理量を決定し、該反応槽内に該処理量のニッケル混合硫化物を供給することを特徴とする浸出制御システムである。
【００１５】
（３）本発明の第３の発明は、上述した第１又は第２の発明において、前記セメンテーション残渣添加部では、前記反応槽中における酸化還元電位の測定結果と共に、前記原料供給部にて決定されたニッケル混合硫化物の処理量に基づいて、該反応槽へのセメンテーション残渣の添加量を決定し、該反応槽内に該添加量のセメンテーション残渣を添加することを特徴とする浸出制御システムである。
【００１６】
（４）本発明の第４の発明は、反応槽内でニッケル混合硫化物に対して塩素ガスにより塩素浸出処理を施し、金属成分を浸出させた塩素浸出液を得る塩素浸出工程と、前記塩素浸出処理により得られた塩素浸出液中に含まれる銅を固定化して、セメンテーション終液とセメンテーション残渣とを得るセメンテーション工程と、前記セメンテーション終液に対して浄液処理を施した後、電解処理により電気ニッケルと塩素ガスとを生成する電解工程と、を有する電気ニッケルの製造プロセスにおける前記塩素浸出工程での浸出制御方法であって、前記塩素浸出工程における反応槽への塩素ガス吹き込み量を算出する第１工程と、算出された塩素ガス吹き込み量に基づいて、浸出処理を施すニッケル混合硫化物の処理量を決定する第２工程と、決定したニッケル混合硫化物の処理量に基づいて、前記反応槽に該処理量のニッケル混合硫化物を供給する第３工程と、前記反応槽中の酸化還元電位を測定する第４工程と、測定した酸化還元電位に基づいて、前記セメンテーション工程にて得られたセメンテーション残渣の添加量を決定し、前記反応槽に該添加量のセメンテーション残渣を添加する第５工程と、を有することを特徴とする浸出制御方法である。
【発明の効果】
【００１７】
本発明によれば、塩素浸出工程での塩素浸出処理において、ＯＲＰの変動を抑えて最適領域範囲に安定的に維持させることができる。これにより、ニッケル混合硫化物等の原料からのニッケル浸出率を安定化させることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１８】
【図１】電気ニッケル製造プロセスの工程図である。
【図２】Ｎｏ．０Ａ槽、Ｎｏ．０Ｂ槽、Ｎｏ．１〜３槽の、計５槽の反応槽で塩素浸出処理を行う場合を例としたときの構成図である。
【図３】第１の実施形態に係る塩素浸出工程での浸出制御システムの構成図である。
【図４】第２の実施形態に係る塩素浸出工程での浸出制御システムの構成図である。
【図５】第１の実施形態に係る浸出制御方法の流れを示すフローチャートである。
【図６】塩素浸出工程において塩素浸出処理を行ったときのＯＲＰ測定結果を示すグラフ図であり、（Ａ）は第１の実施形態に係る浸出制御システム構成に基づいて浸出処理を行ったときのＯＲＰ測定結果を示すものであり、（Ｂ）は従来のシステム構成に基づいて浸出処理を行ったときのＯＲＰ測定結果を示すものである。
【図７】第２の実施形態に係る浸出制御方法の流れを示すフローチャートである。
【図８】塩素浸出工程とセメンテーション工程と間における塩化ニッケル溶液の系内を循環する説明するための概念図である。
【図９】従来の塩素浸出工程での浸出処理のシステム構成図である。
【発明を実施するための形態】
【００１９】
以下、本発明の具体的な実施形態（以下、「本実施の形態」という）について、図面を参照しながら以下の順序で詳細に説明する。なお、本発明は、以下の実施形態に限定されるものではなく、本発明の要旨を変更しない範囲で種々の変更が可能である。
１．電気ニッケル製造プロセス
２．塩素浸出工程における浸出制御システム
２−１．第１の実施形態
２−２．第２の実施形態
３．塩素浸出工程における浸出制御方法
３−１．第１の実施形態
３−２．第２の実施形態
【００２０】
≪１．電気ニッケル製造プロセス≫
本実施の形態に係る浸出制御システム及び浸出制御方法は、原料であるニッケル混合硫化物に対して塩素ガスにより塩素浸出処理を施し、得られる塩素浸出液（塩化ニッケル溶液）から電解採取法により電気ニッケルを製造する電気ニッケル製造プロセスにおける塩素浸出工程での浸出制御システム及び浸出制御方法である。
【００２１】
先ず、この塩素浸出工程における浸出制御システム及び浸出制御方法の説明に先立ち、塩素浸出工程を有する電気ニッケル製造プロセスについて説明する。
【００２２】
図１は、電気ニッケル製造プロセスの工程図である。この工程図に示すように、電気ニッケルの製造プロセスは、反応槽内においてニッケル混合硫化物に対して塩素ガスにより塩素浸出処理を施す塩素浸出工程Ｓ１と、得られた塩素浸出液に含まれる銅を固定化するセメンテーション工程Ｓ２と、得られたセメンテーション終液に対して浄液処理を施す浄液工程Ｓ３と、浄液後の溶液から電解処理により電気ニッケルを得る電解工程Ｓ４とを有する。以下、各工程について具体的に説明する。
【００２３】
［塩素浸出工程］
塩素浸出工程Ｓ１では、例えばニッケル酸化鉱の湿式製錬処理により得られたニッケル混合硫化物（ＭＳ）を原料とし、塩素ガスによってニッケルや銅等の金属成分を酸化浸出し、塩素浸出液（含銅塩化ニッケル溶液）を生成する。
【００２４】
塩素浸出工程Ｓ１における塩素浸出では、後述する電解工程Ｓ４で回収された塩素ガスが塩素浸出反応槽に供給され、その塩素ガスによりニッケル混合硫化物中のニッケル等の金属成分の浸出処理が行われ、塩素浸出液としての塩化ニッケル溶液（含銅塩化ニッケル溶液）が生成する。なお、原料のニッケル混合硫化物は、例えば電解工程Ｓ４にて得られる塩化ニッケル溶液によってレパルプされスラリー化したものを用いることができる。
【００２５】
例えば、塩素浸出工程Ｓ１では、下記（１）〜（３）式に示す反応が生じる。
Ｃｌ２＋２Ｃｕ＋→２Ｃｌ−＋２Ｃｕ２＋  ・・・（１）
ＮｉＳ＋２Ｃｕ２＋→Ｎｉ２＋＋Ｓ０＋２Ｃｕ＋  ・・・（２）
Ｃｕ２Ｓ＋２Ｃｕ２＋→４Ｃｕ＋＋Ｓ  ・・・（３）
【００２６】
この反応式に示すように、塩素浸出工程Ｓ１では、原料としてのニッケル混合硫化物のスラリーが塩素浸出反応槽に送液されると、そのニッケル混合硫化物中に含まれる硫化ニッケル及び硫化銅等の金属成分が、塩素ガスにより酸化された２価銅イオンによって酸化浸出され、塩素浸出液としての塩化ニッケル溶液を生成する。塩素浸出工程Ｓ１では、後述するセメンテーション工程Ｓ２において生成したセメンテーション残渣（ＣＭＲ）も再び塩素浸出反応槽に移送され、ニッケル混合硫化物と共に処理される。なお、セメンテーション残渣には、固定化された銅の硫化物や未反応のニッケル等が含まれている。
【００２７】
上述のような塩素ガスによる塩素浸出処理により、生成した塩素浸出液は後述するセメンテーション工程Ｓ２に送液されて溶液中の銅が固定除去される。一方で、塩素浸出工程Ｓ１では、硫黄を主成分とした塩素浸出残渣が固相として残存する。なお、その塩素浸出残渣中の硫黄は製品として回収される。
【００２８】
ここで、塩素浸出工程Ｓ１における塩素浸出反応は、特に限定されないが、複数の反応槽（塩素浸出反応槽（ＣＰ槽））を用いて行うことができる。図２は、Ｎｏ．０Ａ槽、Ｎｏ．０Ｂ槽、Ｎｏ．１〜Ｎｏ．３槽の、計５槽の反応槽を用いて塩素浸出処理を行う場合を例としたときの構成図である。なお、ＣＰ槽は、このような５槽からなるものに限られず、１槽であっても、またその他の複数槽からなるものであってもよい。
【００２９】
より具体的に説明すると、図２に示すように塩素浸出反応を、Ｎｏ．０Ａ槽、Ｎｏ．０Ｂ槽、Ｎｏ．１〜Ｎｏ．３槽の、計５槽で行う場合、先ず、原料のニッケル混合硫化物（ＭＳ）は、Ｎｏ．０Ａ槽とＮｏ．０Ｂ槽に供給される。Ｎｏ．０Ａ槽とＮｏ．０Ｂ槽とは並列に構成されており、両槽からＮｏ．１槽へはオーバーフローにより処理溶液が送液され、さらに、Ｎｏ．１槽からＮｏ．２槽へ、Ｎｏ．２槽からＮｏ．３槽へは、順次オーバーフローにより送液される構成となっている。浸出反応に必要な塩素ガスは、これら５槽の反応槽全てに吹き込まれるようになっており、各反応槽内においてＮｉ等の金属が浸出される。
【００３０】
［セメンテーション工程］
セメンテーション工程Ｓ２では、塩素浸出工程Ｓ１にて生成した塩素浸出液である塩化ニッケル溶液（含銅塩化ニッケル溶液）が送液され、その塩化ニッケル溶液中の銅を固定化して除去する。具体的に、セメンテーション工程Ｓ２では、塩化ニッケル溶液に対して、例えば乾式製錬から産出されたニッケルマットを原料とし、粉砕処理して後工程の電解工程Ｓ４にて生成した塩化ニッケル溶液によってレパルプしたスラリーを添加する。また、セメンテーション工程Ｓ２では、塩素浸出工程Ｓ１にて副産物として生成した硫黄を主成分とする塩素浸出残渣が添加される。
【００３１】
例えば、セメンテーション工程Ｓ２では、下記（４）〜（７）式に示す反応が生じる。
Ｎｉ＋Ｃｕ２＋→Ｎｉ２＋＋Ｃｕ＋  ・・・（４）
Ｎｉ３Ｓ２＋２Ｃｕ２＋→Ｎｉ２＋＋２ＮｉＳ＋２Ｃｕ＋  ・・・（５）
Ｎｉ＋２Ｃｕ＋＋Ｓ→Ｎｉ２＋＋Ｃｕ２Ｓ  ・・・（６）
Ｎｉ３Ｓ２＋＋２Ｃｕ＋＋Ｓ→Ｎｉ２＋＋２ＮｉＳ＋Ｃｕ２Ｓ  ・・・（７）
【００３２】
この反応式に示すように、セメンテーション工程Ｓ２では、塩化ニッケル溶液中の２価銅イオンをニッケルマット中のニッケルメタルや亜硫化ニッケルの還元力でもって１価銅イオンに還元し、１価の銅イオンを塩素浸出残渣中の硫黄によって硫化銅として固定することによって、塩化ニッケル溶液中の銅を除去する。
【００３３】
セメンテーション工程Ｓ２では、銅が固定除去された溶液中のニッケルは２価のニッケルイオンとなり、その溶液はセメンテーション終液として次工程の浄液工程Ｓ３に送液される。一方、固定化され固相に残存した銅の硫化物や未反応のニッケルは、セメンテーション残渣となり、再び塩素浸出工程Ｓ１に送られる。なお、ニッケルマット中のコバルト及び銅についてもニッケルと同様の反応により、未反応物はセメンテーション残渣として塩素浸出工程Ｓ１に送られ、金属イオンはセメンテーション終液として浄液工程Ｓ３に送られる。
【００３４】
このセメンテーション工程Ｓ２は、例えば、第１のセメンテーション工程Ｓ２Ａと、第２のセメンテーション工程Ｓ２Ｂとに分けるようにしてもよい。具体的には、第１のセメンテーション工程Ｓ２Ａにおいて、塩素浸出工程Ｓ１から送液された塩化ニッケル溶液に対して、ニッケル混合硫化物（ＭＳ）を添加し、そのニッケル混合硫化物の還元力でもって２価銅イオンを１価銅イオンに還元する。次に、第２のセメンテーション工程Ｓ２Ｂにおいて、生成したスラリーに対し、ニッケルマット及び塩素浸出残渣を添加して、ニッケルマットによって硫黄源である塩素浸出残渣と共に１価銅イオンを硫化銅等の硫化物として固定化し、塩化ニッケル溶液中の銅を除去する。このように２段階で銅のセメンテーション処理を行うようにすることで、系内に循環する銅に対して、所定のニッケルマット量でもってより効率的に脱銅処理を行うことができ、塩化ニッケル溶液からより確実に銅を除去することができる。
【００３５】
［浄液工程］
浄液工程Ｓ３では、セメンテーション工程Ｓ２からセメンテーション終液が送液され、例えば酸化中和法等の浄液処理によってセメンテーション終液中に含まれる、鉄、コバルト、銅等のニッケル以外の不純物を除去する。例えば、浄液工程Ｓ３には、主な工程として、脱鉄工程と、脱コバルト工程と、脱鉛工程と、脱亜鉛工程とがある。
【００３６】
より具体的に、浄液工程Ｓ３におけるこれらの処理工程においては、セメンテーション終液であるニッケル浸出液から不純物を除去する方法として、例えば酸化剤としての塩素ガスとアルカリ剤としての炭酸塩とを用いる酸化中和法を用いることができる。酸化中和法は、コバルトや鉄等の重金属が高次の酸化イオンになると、低いｐＨ領域で水酸化物になりやすい性質を利用したものであり、湿式製錬の浄液工程をはじめ、重金属を含む排水処理等に汎用されている方法である。なお、酸化中和法に用いられる薬剤に関し、酸化剤としては、塩素ガスの他に次亜塩素酸、酸素、空気等を用いることができ、アルカリ剤としては、炭酸塩の他に苛性ソーダ等の水酸化物、アンモニア等を用いることができる。
【００３７】
例えば、浄液工程Ｓ３では、下記（８）式に示す反応により不純物を除去する。
２Ｍ２＋＋Ｃｌ２＋３ＮｉＣＯ３＋３Ｈ２Ｏ→
２Ｍ（ＯＨ）３＋３Ｎｉ２＋＋２Ｃｌ−＋３ＣＯ２  ・・・（８）
（但し、Ｍは、コバルト又は鉄である）
【００３８】
この反応式に示すように、浄液工程Ｓ３では、塩素ガスを用いてニッケル浸出液から、対象とする不純物の水酸化物沈殿を形成し、不純物を除去した塩化ニッケル溶液を得る。
【００３９】
［電解工程］
電解工程Ｓ４では、浄液工程Ｓ３を経て得られた塩化ニッケル溶液を用いて、電解採取法によって電気ニッケルを製造する。電解工程Ｓ４においては、カソード側では、塩化ニッケル溶液中のニッケルイオンがメタルとして析出し、電気ニッケルが生成される。一方、アノード側では、塩化ニッケル溶液中の塩素イオンが塩素ガスとして発生し、塩素浸出工程Ｓ１等において用いられる。
【００４０】
具体的に、電解工程Ｓ５では、カソード及びアノードにおいて、それぞれ下記（９）及び（１０）に示す反応が生じる。
（カソード側）
Ｎｉ２＋＋２ｅ−→Ｎｉ０  ・・・（９）
（アノード側）
２Ｃｌ−→Ｃｌ２＋２ｅ−  ・・・（１０）
【００４１】
カソード側では（９）式に示すように、塩化ニッケル溶液中のニッケルイオンがメタル（電気ニッケル）として析出する。一方で、アノード側では（１０）式に示すように、塩化ニッケル溶液中の塩素イオンが塩素ガスとして発生する。発生した塩素ガスは、例えば回収塩素ガスとして塩素浸出工程Ｓ１に送られて用いられる。
【００４２】
≪２．塩素浸出工程における浸出制御システム≫
＜２−１．第１の実施形態＞
図３は、第１の実施形態に係る、上述した塩素浸出工程Ｓ１における塩素浸出反応槽での浸出制御システムの構成図である。なお、本実施の形態においては、塩素浸出工程Ｓ１における塩素浸出反応を、Ｎｏ．０Ａ槽、Ｎｏ．０Ｂ槽、Ｎｏ．１〜Ｎｏ．３槽の、計５槽の反応槽で行う場合を例に挙げ（図２参照）、図３は、その中でもＮｏ．０Ａ槽における浸出制御システム構成図であり、この構成図を基にＮｏ．０Ａ槽の浸出制御について具体的に説明する。
【００４３】
図３に示すように、塩素浸出反応槽１１における浸出制御システムでは、塩素ガスによる金属の浸出を行う反応槽（Ｎｏ．０Ａ槽）１１に対して、浸出に要する塩素ガスを供給する塩素ガス供給部１２と、浸出処理対象となる原料のニッケル混合硫化物（ＭＳ）を供給するＭＳ供給部１３と、セメンテーション残渣（ＣＭＲ）を添加するＣＭＲ添加部１４とが構成されている。
【００４４】
［塩素浸出反応槽（Ｎｏ．０Ａ槽）］
塩素浸出反応槽１１は、原料となるニッケル混合硫化物（ＭＳ）のスラリーを収容し、塩素ガスによってＭＳ中に含まれるＮｉ等の金属を浸出させる浸出反応を生じさせる反応槽である。この反応槽１１には、ＭＳスラリーと共に上述したセメンテーション工程Ｓ２にて生成したセメンテーション残渣（ＣＭＲ）のスラリーも適宜原料として供給され、攪拌機構１１ａによってこれらスラリーが攪拌されながら、吹き込まれる塩素ガスと反応して金属成分が浸出し、金属成分が浸出した塩素浸出液（塩化ニッケル溶液）が生成する。
【００４５】
塩素浸出反応槽１１では、上述したような原料中に含まれるＮｉ等の金属を塩素ガスにより浸出させるために、反応槽１１中に、塩素ガスを供給するための塩素ガス供給配管５２が設けられている。また、主な原料であるＭＳを供給するためのＭＳ供給配管５３と、ＣＭＲを添加するためのＣＭＲ添加配管５４とが設けられている。詳しくは後述するように、本実施の形態においては、塩素ガスの吹き込み量に基づいて当該反応槽１１にて処理するＭＳ処理量が決定され、さらにＯＲＰの見合いでＣＭＲ添加量が決定されて、それぞれが供給配管５２，５３，５４から反応槽１１中に装入される。
【００４６】
また、塩素浸出反応槽１１には、その反応槽中の処理溶液の酸化還元電位（ＯＲＰ）を測定するためのＯＲＰ測定部１５が設けられている。このＯＲＰ測定部１５において、浸出反応時におけるＯＲＰが測定され、時間経過に伴うＯＲＰの変動が検知される。
【００４７】
なお、詳しくは後述するが、測定したＯＲＰ値に関する信号はＣＭＲ添加部１４に送信され、ＣＭＲ添加部１４ではその受信信号に基づいてＣＭＲ添加量を制御する。
【００４８】
［塩素ガス供給部］
塩素ガス供給部１２は、塩素浸出反応槽１１におけるＭＳ等の原料中に含まれる金属成分の浸出反応に必要な塩素ガスを供給する。ここで、この塩素ガス供給部１２から供給される塩素ガスとしては、電気ニッケルの製造プロセスにおける電解工程Ｓ４にてアノード側から発生した塩素ガスを回収して用いられる。したがって、電解工程Ｓ４から回収した塩素ガス量等に基づいて、塩素ガス供給部１２から供給可能な塩素ガス量（塩素ガス吹き込み量）が決定される。
【００４９】
塩素ガス供給部１２には、塩素浸出反応槽（Ｎｏ．０Ａ槽）１１に対する塩素ガス吹き込み量を検知する塩素ガス検知部２１と、検知した吹き込み量を認識して後述する合計流量算出部１６に通知するとともに、その塩素浸出反応槽（Ｎｏ．０Ａ槽）１１への塩素ガスの吹き込みを指示する指示制御部２２と、吹き込みのＯＮ／ＯＦＦをコントロールするバイパス弁２３とが設けられている。なお、バイパス弁２３は、塩素ガス供給配管５２と連結されており、所定の吹き込み量の塩素ガスが塩素浸出反応槽１１に供給される。
【００５０】
また、塩素ガス供給部１２には、Ｎｏ．０Ａ槽の塩素浸出反応槽１１以外の４つの反応槽における塩素ガス吹き込み量を検知して、塩素浸出反応槽（Ｎｏ．０Ａ槽）１１における塩素ガス吹き込み量と、その他全ての反応槽における塩素ガス流量との合算値を算出する合計流量算出部１６が接続されている。
【００５１】
ここで、合計流量算出部１６では、上述したようにＮｏ．０Ａ槽、Ｎｏ．０Ｂ槽、Ｎｏ．１〜Ｎｏ．３槽の計５槽のそれぞれの反応槽に吹き込まれる塩素ガス吹き込み量に関する信号が送られ、計５槽の反応槽に吹き込まれる塩素ガスの総流量が算出される。算出された塩素ガスの吹き込み総流量は、後述するＭＳ供給部１３に通知され、その通知された塩素ガスの吹き込み量に基づいてＭＳ供給部１３にて各反応槽にて処理するＭＳ処理量が決定される。このように、本実施の形態においては、塩素ガスの吹き込み量とＭＳ処理量の決定とがそれぞれ独立に決定制御されるのではなく、吹き込まれる塩素ガス量に基づいて、塩素浸出工程Ｓ１全体において処理するＭＳ量が決定されるようになっている。なお、塩素ガス吹き込み量に基づくＭＳ処理量の決定の流れについては、後で詳述する。
【００５２】
［ＭＳ供給部］
ＭＳ供給部１３は、塩素浸出反応槽１１において浸出処理する、原料としてのニッケル混合硫化物（ＭＳ）を供給する。ここで、供給するニッケル混合硫化物は、上述したように、Ｎｉ、Ｃｕが特に多く含まれており、このＭＳに対して塩素ガスを作用させる塩素浸出反応によって、Ｎｉ、Ｃｕを主体とする高濃度の塩化物溶液が得られる。なお、ＭＳ供給部１３では、一般的には、例えば電解工程Ｓ４にて得られる塩化ニッケル溶液によってＭＳをレパルプ処理してスラリー化したものを塩素浸出反応槽１１に供給する。
【００５３】
ＭＳ供給部１３には、塩素浸出反応槽（Ｎｏ．０Ａ槽）１１に対するＭＳ供給量、換言するとＭＳ処理量を検知するＭＳ量検知部３１と、塩素ガス供給部１２に接続した合計流量算出部１６からの塩素浸出工程Ｓ１全体における塩素ガス吹き込み総流量に基づいてＭＳ処理量（塩素浸出反応槽１１に供給するＭＳ供給量）を決定し供給指示する指示制御部３２と、供給のＯＮ／ＯＦＦをコントロールするバイパス弁３３とが設けられている。なお、バイパス弁３３は、ＭＳ供給配管５３と連結されており、指示制御部３２から指示制御された供給量のＭＳが塩素浸出反応槽１１に供給されるようになっている。
【００５４】
具体的に、指示制御部３２では、合計流量算出部１６から塩素浸出工程Ｓ１全体における塩素ガス吹き込み総流量に関する信号が送られ受信すると、その塩素ガス吹き込み総流量に基づいて塩素浸出工程Ｓ１全体におけるＭＳ処理量（全ＭＳ処理量）を決定し、その全ＭＳ処理量から各反応槽ごとのＭＳ処理量を決定する。このとき、各反応槽ごとのＭＳ処理量（図３では塩素浸出反応槽１１でのＭＳ処理量）は、全ＭＳ処理量と、塩素ガス吹き込み総流量に対する塩素浸出反応槽（Ｎｏ．０Ａ槽）１１に供給された塩素ガス量（塩素ガス検知部２１にて検知された量）の割合とに基づいて、その全ＭＳ処理量から分配されて決定される。
【００５５】
そして、決定したＭＳ処理量に関する通知が、指示制御部３２からＭＳ量検知部３１及びバイパス弁３３に送られ、決定した所定量のＭＳが塩素浸出反応槽１１に供給される。このように、本実施の形態においては、吹き込まれる塩素ガス吹き込み量に基づいて、各反応槽におけるＭＳ量が決定されて、反応槽１１に供給されるようになっている。
【００５６】
なお、ＭＳ供給部１３においては、塩素浸出反応槽１１にて測定されたＯＲＰ値をも加味して、反応槽１１に供給するＭＳ処理量を決定してもよい。
【００５７】
［ＣＭＲ添加部］
ＣＭＲ添加部１４は、塩素浸出反応槽１１に対して所定量のセメンテーション残渣（ＣＭＲ）を供給する。ここで、供給するセメンテーション残渣は、上述した電気ニッケルの製造プロセスにおけるセメンテーション工程Ｓ２で得られる生成物であり、塩素浸出液である含銅塩化ニッケル溶液に含まれる銅を固定化する反応で生成した固形沈殿物である。セメンテーション残渣には、固定化された銅と未反応物のニッケルが含まれており、このセメンテーション残渣のスラリーを塩素浸出工程Ｓ１に送液する。
【００５８】
ＣＭＲ添加部１４には、塩素浸出反応槽（Ｎｏ．０Ａ槽）１１に対するＣＭＲ添加量を検知するＣＭＲ量検知部４１と、塩素浸出反応槽１１にて測定したＯＲＰ値に基づいてＣＭＲ添加量を決定し添加指示する指示制御部４２と、添加のＯＮ／ＯＦＦをコントロールするバイパス弁４３とが設けられている。なお、バイパス弁４３は、ＣＭＲ添加配管５４と連結されており、指示制御部４２から指示制御された添加量のＣＭＲが塩素浸出反応槽１１に添加されるようになっている。
【００５９】
ここで、塩素浸出工程Ｓ１における塩素浸出反応の浸出率を一定に維持するためには、金属を浸出させる環境として酸化還元電位（ＯＲＰ）を一定の領域に維持することが重要となる。浸出環境としてのＯＲＰは、原料固有の最適領域があることが知られており、具体的に、主たる原料であるニッケル混合硫化物の浸出反応における最適領域としては、４７０ｍＶ〜４７０ｍＶの範囲である。なお、このＯＲＰ値は、反応槽内における液温が１１０℃、ｐＨが−１、基準電極がＡｇ／ＡｇＣｌの条件としたときのものである。
【００６０】
上述したように、ＯＲＰはＣｕイオン濃度との関係により最適値が決定され、したがってＯＲＰを一定の領域範囲内に維持することは、反応液中のＣｕイオン濃度が安定していることを意味し、逆に、反応液中のＣｕ濃度が変動してしまうとＯＲＰが最適領域から外れた値を示すことになり、このことは浸出率が低下していることを示す。Ｃｕイオン濃度の変動に伴って反応槽中のＯＲＰが変動した場合、ＣＭＲの添加量を調整することで、ＯＲＰを最適値へ修正することができる。
【００６１】
本実施の形態においても、ＣＭＲ添加部１４では、指示制御部４２が塩素浸出反応槽１１にて測定されたＯＲＰ値（経時的なＯＲＰ値の変動）に関する信号を受信すると、そのＯＲＰ値に基づいてＣＭＲ添加量を決定し供給指示する。そして、決定したＣＭＲ添加量に関する通知が、指示制御部４２からＣＭＲ量検知部４１及びバイパス弁４３に送られ、決定した所定量のＣＭＲが塩素浸出反応槽１１に供給される。
【００６２】
従来の技術においても、Ｃｕイオン濃度の変動に伴って塩素浸出反応槽中の溶液のＯＲＰが変動した場合には、ＣＭＲの添加量を調整することでＯＲＰを最適値へ修正するようにしていた。ところが、ＣＭＲの添加により一時的にＯＲＰを最適領域に回復させたとしても、溶液の系内循環により（図８参照）、やがては系内全体のＣｕイオン濃度が再び変動し、ＯＲＰが最適領域から外れてしまい、安定化させることは困難であった。
【００６３】
これに対して、本実施の形態に係るＯＲＰ制御システムでは、上述したように、塩素ガスの吹き込み量とＭＳ処理量の決定とがそれぞれ独立に制御されるのではなく、吹き込まれる塩素ガス吹き込み量に基づいて、塩素浸出工程Ｓ１全体において処理するＭＳ量を決定するようになっており、そしてこれにより生じた浸出反応に伴うＯＲＰ変動の見合いでＣＭＲ添加量を決定し添加するようにしている。このような構成によれば、ＯＲＰを最適な領域範囲に安定的に維持することができ、所望とする浸出率に一定に維持することができる。
【００６４】
＜２−２．第２の実施形態＞
図４は、第２の実施形態に係る、上述した塩素浸出工程Ｓ１における塩素浸出反応槽での浸出制御システムの構成図である。なお、この第２の実施形態においても、塩素浸出工程Ｓ１における塩素浸出反応を、Ｎｏ．０Ａ槽、Ｎｏ．０Ｂ槽、Ｎｏ．１〜Ｎｏ．３槽の、計５槽の反応槽で行う場合を例に挙げ（図２参照）、図４は、その中でもＮｏ．０Ａ槽の浸出制御システムの構成図である。
【００６５】
図４に示すように、第２の実施形態に係る浸出制御システムでは、上述した第１の実施形態に係る浸出制御システム（図３参照）と比較して、ＣＭＲ添加部１４からのＣＭＲの添加に関して、塩素浸出反応槽１１にて測定したＯＲＰ値に基づいてＣＭＲ添加部１４からのＣＭＲ添加量を決定するだけでなく、塩素浸出反応槽１１に供給するＭＳの供給量（ＭＳ処理量）とのバランス（ＭＳ供給量とＣＭＲ添加量との比率）についても参照して、そのＣＭＲ添加量を決定する制御を行う点で異なる。
【００６６】
具体的には、ＣＭＲを添加するＣＭＲ添加部１４において、指示制御部４２では、第１の実施形態の態様と同様にして塩素浸出反応槽１１にて測定されたＯＲＰ値（経時的なＯＲＰ値の変動）に関する信号を受信するとともに、ＭＳ供給部１３の指示制御部３２にて決定したＭＳ供給量（塩素浸出反応槽１１におけるＭＳ処理量）に関する信号が送られて受信されるようになっている。なお、それぞれの信号の受信制御は、スイッチ制御部６１により行われ、塩素浸出反応槽１１からのＯＲＰ値に関する信号、及び、ＭＳ供給部１３の指示制御部３２からのＭＳ供給量に関する信号がＣＭＲ添加部１４の指示制御部４２に確実に送られるようになっている。
【００６７】
このように、塩素浸出反応槽１１にて測定されたＯＲＰ値だけではなく、塩素浸出反応槽１１に供給されたＭＳ供給量にも基づいて、ＣＭＲ添加部１４からのＣＭＲ添加量を決定する。このことにより、処理するＭＳ量と供給されるＣＭＲ中のＣｕとの添加バランスをも考慮して制御を行うことができ、より一層に安定的にＯＲＰを最適な領域範囲に維持することができ、所望とする浸出率に一定に維持することが可能となる。
【００６８】
なお、図４に示す制御システム構成図においては、図３に示す制御システムと同じ構成については同じ符号を付し、ここでの詳細な説明は省略する。
【００６９】
≪３．塩素浸出工程における浸出制御方法≫
＜３−１．第１の実施形態＞
次に、図３に示した浸出制御システム構成に基づく、塩素浸出工程Ｓ１における浸出制御方法の流れについて説明する。図５は、第１の実施形態に係る浸出制御方法の流れを示すフローチャートである。
【００７０】
塩素浸出反応槽１１における塩素浸出に用いられる塩素ガスとしては、電気ニッケルの製造プロセスにおける電解工程Ｓ４にてアノード側から得られた塩素ガスが用いられる。したがって、先ず、ステップＳ１０１において、電解工程Ｓ４から回収した塩素ガス量に基づいて、塩素浸出反応槽（Ｎｏ．０Ａ槽）１１に供給される塩素ガス量を検知する。この塩素ガス量の検知は、塩素ガス供給部１２における塩素ガス検知部２１にて行われる。
【００７１】
次に、ステップＳ１０２において、塩素浸出反応槽（Ｎｏ．０Ａ槽）１１に供給される塩素ガス量と、他の反応槽（Ｎｏ．０Ｂ槽、Ｎｏ．１〜Ｎｏ．３槽）に供給される塩素ガス量とを合算し、塩素浸出工程Ｓ１全体の塩素ガス吹き込み総流量を算出する。この塩素ガス吹き込み総流量の算出は、合計流量算出部１６にて行われる。
【００７２】
次に、ステップＳ１０３において、算出された塩素ガス吹き込み総流量に基づいて、塩素浸出工程Ｓ１全体におけるＭＳ処理量（全ＭＳ処理量）を決定する。続いて、ステップＳ１０４において、決定した塩素浸出工程Ｓ１全体における全ＭＳ処理量から、各反応槽ごとのＭＳ処理量を決定する。ここでは、塩素浸出反応槽１１でのＭＳ処理量を決定する。なお、ステップＳ１０３及びステップＳ１０４における、全ＭＳ処理量の決定及び各反応槽ごとのＭＳ処理量の決定は、ＭＳ供給部１３の指示制御部３２にて行われる。
【００７３】
次に、ステップＳ１０５において、決定したＭＳ処理量が指示制御部３２から指示制御されて塩素浸出反応槽１１にその量のＭＳが供給される。一方で、ステップＳ１０６において、塩素ガス供給部１２からは、塩素ガスが塩素浸出反応槽１１に吹き込まれる。
【００７４】
次に、ステップＳ１０７において、塩素浸出反応槽１１中のＯＲＰ値を測定する。ここでのＯＲＰ値の測定は、経時的なＯＲＰ変動を確認できるように所定の時間ごとに連続的に行うことが好ましい。
【００７５】
次に、ステップＳ１０８において、測定したＯＲＰ値（経時的なＯＲＰ値の変動）に基づいて、ＣＭＲ添加量を決定する。このＯＲＰ値に基づくＣＭＲ添加量の決定は、ＣＭＲ添加部１４における指示制御部４２にて行われる。
【００７６】
そして、ステップＳ１０９において、決定したＣＭＲ添加量が指示制御部４２から指示制御されて、塩素浸出反応槽１１にその量のＣＭＲが添加される。
【００７７】
以上のように、本実施の形態に係るＯＲＰ制御方法では、吹き込まれる塩素ガス吹き込み量に基づいて、塩素浸出工程Ｓ１全体において処理するＭＳ量と各反応槽にて処理するＭＳ量とを決定するようになっており、そしてこれにより生じた浸出反応に伴うＯＲＰ変動の見合いでＣＭＲ添加量を決定し添加するようにしている。このような構成によれば、ＯＲＰを最適な領域範囲に安定的に維持することができ、所望とする浸出率に一定に維持して、浸出効率を向上させることができる。
【００７８】
具体的に、図６（Ａ）に、本実施の形態に係る浸出制御システム構成に基づき塩素浸出工程Ｓ１において塩素浸出処理を行ったときのＯＲＰ測定結果を示す。なお、このグラフは、横軸を時間（１日の経過時間）としてＯＲＰ値の変動を示すものである。この図６（Ａ）のグラフ図から、本実施の形態に係る浸出制御システム及び浸出制御方法によって、反応槽１１におけるＯＲＰ値を４５８ｍＶ〜４６２ｍＶのわずか４ｍｖ程度の範囲に的確に制御できていることが明確に分かる。このように、この浸出制御システム及び浸出制御方法によれば、ニッケル混合硫化物を浸出させるのに最適な範囲に安定的にＯＲＰを制御することができ、このことにより、その原料からのＮｉ等の金属の浸出率を安定化させることができる。
【００７９】
これに対して、図６（Ｂ）は、従来のように、塩素ガスの吹き込みと、ＭＳ処理量の決定とをそれぞれ独立に制御する構成（図９参照）により行われた塩素浸出反応でのＯＲＰ測定結果を示すものである。この図６（Ｂ）に示すように、従来の構成では、ＯＲＰ値が極めて大きく変動（変動幅：２０ｍＶ以上）していることが分かり、原料からのＮｉ等の金属の浸出率を安定化させることができないことが予想される。
【００８０】
＜３−２．第２の実施形態＞
図７は、図４に示した第２の実施形態に係る制御システム構成に基づく、塩素浸出工程Ｓ１における浸出制御方法の流れについて説明するためのフローチャートである。上述したように、この第２の実施形態に係る制御システム（図４参照）では、ＣＭＲ添加部１４からのＣＭＲの添加に関して、塩素浸出反応槽１１にて測定したＯＲＰ値に基づいてＣＭＲ添加量を決定するだけでなく、塩素浸出反応槽１１に供給するＭＳの供給量（ＭＳ処理量）とのバランス（ＭＳ供給量とＣＭＲ添加量との比率）についても参照してそのＣＭＲ添加量を決定する制御を行う点で異なる。
【００８１】
先ず、ステップＳ１０１において、電解工程Ｓ４から回収した塩素ガス量に基づいて、塩素浸出反応槽（Ｎｏ．０Ａ槽）１１に供給される塩素ガス量を検知する（塩素ガス検知部２１）。
【００８２】
次に、ステップＳ１０２において、塩素浸出反応槽（Ｎｏ．０Ａ槽）１１に供給される塩素ガス量と、他の反応槽（Ｎｏ．０Ｂ槽、Ｎｏ．１〜Ｎｏ．３槽）に供給される塩素ガス量を合算し、塩素浸出工程Ｓ１全体の塩素ガス吹き込み総流量を算出する（合計流量算出部１６）。
【００８３】
次に、ステップＳ１０３において、算出された塩素ガス吹き込み総流量に基づいて、塩素浸出工程Ｓ１全体におけるＭＳ処理量（全ＭＳ処理量）を決定し、続いて、ステップＳ１０４において、決定した塩素浸出工程Ｓ１全体における全ＭＳ処理量から、各反応槽ごとのＭＳ処理量（ここでは、塩素浸出反応槽１１でのＭＳ処理量）を決定する（ＭＳ供給部１３における指示制御部３２）。
【００８４】
次に、ステップＳ１０５において、決定したＭＳ処理量が指示制御部３２から指示制御されて塩素浸出反応槽１１にＭＳが供給される。一方で、ステップＳ１０６において、塩素ガス供給部１２からは、塩素ガスが塩素浸出反応槽１１に吹き込まれる。
【００８５】
次に、ステップＳ１０７において、塩素浸出反応槽１１中のＯＲＰ値を測定する。
【００８６】
次に、ステップＳ１０８において、この第２の実施形態では、測定したＯＲＰ値（経時的なＯＲＰ値の変動）に基づいてＣＭＲ添加量を制御し、一方で、ステップＳ１０９において、ステップＳ１０４にて決定されたＭＳ処理量（塩素浸出反応槽１１でのＭＳ処理量）が通知され、供給されるＭＳ量の観点からＭＳ供給量とＣＭＲ添加量との比率を考慮してＣＭＲ添加量を制御する。
【００８７】
そして、ステップＳ１１０において、ステップＳ１０８及びステップＳ１０９におけるＣＭＲ添加量の制御に基づいて、ＣＭＲ添加部１４における指示制御部４２がＣＭＲ添加量を決定し、塩素浸出反応槽１１にその量のＣＭＲを添加する。
【符号の説明】
【００８８】
１１      塩素浸出反応槽（反応槽）
１２      塩素ガス供給部
１３      ＭＳ供給部
１４      ＣＭＲ添加部
１５      ＯＲＰ測定部
１６      合計流量算出部
２１      塩素ガス検知部
２２      指示制御部
２３      バイパス弁
３１      ＭＳ量検知部
３２      指示制御部
３３      バイパス弁
４１      ＣＭＲ量検知部
４２      指示制御部
４３      バイパス弁
５２      塩素ガス供給配管
５３      ＭＳ供給配管
５４      ＣＭＲ添加配管
６１      スイッチ制御部
【図１】
0006375937.tif 000002
【図２】
0006375937.tif 000003
【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
0006375937.tif 000007
【図７】
0006375937.tif 000008
【図８】
0006375937.tif 000009
【図９】
0006375937.tif 000010