(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
直方体状のコンデンサ本体の高さ方向一面に矩形状の第１外部電極と矩形状の第２外部電極が設けられた積層セラミックコンデンサであって、
前記コンデンサ本体は、（１）誘電体層を介して交互に配された矩形状の複数の第１内部電極層と矩形状の複数の第２内部電極層とを内包する直方体状の容量素子と、（２）前記容量素子の長さ方向一面を覆う矩形状の第１導体層と、（３）前記容量素子の長さ方向他面を覆う矩形状の第２導体層と、（４）前記第１導体層の外面を覆う矩形状の第１被覆層と、（５）前記第２導体層の外面を覆う矩形状の第２被覆層と、を備えており、
前記第１導体層には、前記複数の第１内部電極層の長さ方向一端縁それぞれが接続され、前記第２導体層には、前記複数の第２内部電極層の長さ方向他端縁それぞれが接続され、前記第１外部電極には、前記第１導体層の高さ方向一端縁が接続され、前記第２外部電極には、前記第２導体層の高さ方向一端縁が接続されている、
積層セラミックコンデンサ。
【請求項２】
前記第１導体層と前記第２導体層それぞれの厚さは、前記複数の第１内部電極層と前記複数の第２内部電極層それぞれの厚さの１〜５倍の範囲内で設定されている、
請求項１に記載の積層セラミックコンデンサ。
【請求項３】
前記第１被覆層と前記第２被覆層それぞれの厚さは、前記容量素子の前記誘電体層の厚さの１〜１０倍の範囲内で設定されている、
請求項１又は２に記載の積層セラミックコンデンサ。
【請求項４】
前記第１導体層の前記第１外部電極に接続された一端縁を除く周縁は、前記第１被覆層の前記容量素子側に延びた部分によって覆われており、
前記第２導体層の前記第２外部電極に接続された一端縁を除く周縁は、前記第２被覆層の前記容量素子側に延びた部分によって覆われている、
請求項１〜３の何れか１項に記載の積層セラミックコンデンサ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、略直方体状のコンデンサ本体の高さ方向一面に第１外部電極と第２外部電極が設けられた積層セラミックコンデンサに関する。
【背景技術】
【０００２】
後記特許文献１の図１〜図７には、前掲に関連する積層セラミックコンデンサが開示されている。この積層セラミックコンデンサは、誘電体層を介して幅方向に交互に配された略矩形状の複数の第１内部電極層と略矩形状の複数の内部電極層とを内包した略直方体状のコンデンサ本体と、コンデンサ本体の高さ方向一面に設けられた略矩形状の第１外部電極と略矩形状の第２外部電極とを備えている。各第１内部電極層はコンデンサ本体の高さ方向一面に至る略矩形状の第１引出部を有していて、各第１引出部の端縁を第１外部電極に接続されている。各第２内部電極層はコンデンサ本体の高さ方向一面に至る略矩形状の第２引出部を有していて、各第２引出部の端縁を第２外部電極に接続されている。
【０００３】
前記積層セラミックコンデンサは、各第１内部電極層と各第２内部電極層が第１外部電極及び第２外部電極と略直角となる向きで配された構造であるため、各第１引出部の長さ方向寸法（幅）は各第１内部電極層の高さ方向寸法（幅）よりも狭くなり、且つ、各第２引出部の長さ方向寸法（幅）は各第２内部電極層の高さ方向寸法（幅）よりも狭くなる。依って、前記積層セラミックコンデンサにおいて小型化と大容量化の要求に応じようとすると、第１外部電極に対する各第１引出部の接続と第２外部電極に対する各第２引出部の接続が不安定になる懸念がある。
【０００４】
即ち、前記積層セラミックコンデンサにおいて小型化と大容量化の要求に応じるには、各第１内部電極層の高さ方向寸法（幅）及び長さ方向寸法と各第２内部電極層の高さ方向寸法（幅）及び長さ方向寸法の縮小が必要となるが、とりわけ長さ方向寸法の縮小に伴って各第１引出部の長さ方向寸法（幅）と各第２引出部の長さ方向寸法（幅）が極端に狭くなってしまうため、第１外部電極に対する各第１引出部の接続と第２外部電極に対する各第２引出部の接続が不安定になり易い。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２０１４−１１６５７１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本発明の課題は、略直方体状のコンデンサ本体の高さ方向一面に第１外部電極と第２外部電極が設けられた積層セラミックコンデンサにおいて小型化と大容量化の要求に応じる場合であっても、第１外部電極に対する各第１内部電極層の接続と第２外部電極に対する各第２内部電極層の接続のそれぞれに信頼性の高い接続を実現できる積層セラミックコンデンサを提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
前記課題を解決するため、本発明に係る積層セラミックコンデンサは、略直方体状のコンデンサ本体の高さ方向一面に略矩形状の第１外部電極と略矩形状の第２外部電極が設けられた積層セラミックコンデンサであって、前記コンデンサ本体は、（１）誘電体層を介して交互に配された略矩形状の複数の第１内部電極層と略矩形状の複数の第２内部電極層とを内包する略直方体状の容量素子と、（２）前記容量素子の長さ方向一面を覆う第１導体層と、（３）前記容量素子の長さ方向他面を覆う第２導体層と、（４）前記第１導体層の外面を覆う第１被覆層と、（５）前記第２導体層の外面を覆う第２被覆層と、を備えており、前記第１導体層には、前記複数の第１内部電極層の長さ方向一端縁それぞれが前記複数の第１内部電極層それぞれの幅と同等の接続幅にて接続され、前記第２導体層には、前記複数の第２内部電極層の長さ方向他端縁それぞれが前記複数の第２内部電極層それぞれの幅と同等の接続幅にて接続され、前記第１外部電極には、前記第１導体層の高さ方向一端縁が前記第１導体層の幅と同等の接続幅にて接続され、前記第２外部電極には、前記第２導体層の高さ方向一端縁が前記第２導体層の幅と同等の接続幅にて接続されている。
【発明の効果】
【０００８】
本発明によれば、略直方体状のコンデンサ本体の高さ方向一面に第１外部電極と第２外部電極が設けられた積層セラミックコンデンサにおいて小型化と大容量化の要求に応じる場合であっても、第１外部電極に対する各第１内部電極層の接続と第２外部電極に対する各第２内部電極層の接続のそれぞれに信頼性の高い接続を実現できる積層セラミックコンデンサを提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】図１は本発明の第１実施形態に係る積層セラミックコンデンサを容量素子の第６面ｆ６側から見た図である。
【図２】図２は図１に示した積層セラミックコンデンサを容量素子の第３面ｆ３側から見た図である。
【図３】図３は図１に示した積層セラミックコンデンサを容量素子の第５面ｆ５側から見た図である。
【図４】図４は図１のＳ１−Ｓ１線に沿う断面図である。
【図５】図５は図４の部分拡大図である。
【図６】図６（Ａ）は図１に示した積層セラミックコンデンサの第１変形例を示す図１対応図、図６（Ｂ）は図６（Ａ）のＳ２−Ｓ２線に沿う断面図である。
【図７】図７（Ａ）は図１に示した積層セラミックコンデンサの第２変形例を示す図１対応図、図７（Ｂ）は図７（Ａ）のＳ３−Ｓ３線に沿う断面図である。
【図８】図８は本発明の第２実施形態に係る積層セラミックコンデンサを容量素子の第６面ｆ６側から見た図である。
【図９】図９は図８に示した積層セラミックコンデンサを容量素子の第３面ｆ３側から見た図である。
【図１０】図１０は図８に示した積層セラミックコンデンサを容量素子の第５面ｆ５側から見た図である。
【図１１】図１１は図８のＳ４−Ｓ４線に沿う断面図である。
【図１２】図１２（Ａ）は図１１の部分拡大図、図１２（Ｂ）は図１２（Ａ）と外部電極の下地膜の態様が異なる場合を示す図１２（Ａ）対応図である。
【図１３】図１３（Ａ）は図８に示した積層セラミックコンデンサの第１変形例を示す図８対応図、図１３（Ｂ）は図１３（Ａ）のＳ５−Ｓ５線に沿う断面図である。
【図１４】図１４（Ａ）は図８に示した積層セラミックコンデンサの第２変形例を示す図８対応図、図１４（Ｂ）は図１４（Ａ）のＳ６−Ｓ６線に沿う断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
《第１実施形態》
先ず、図１〜図５を用いて、本発明の第１実施形態に係る積層セラミックコンデンサの構造について説明する。この説明では、図１の左右方向を長さ方向と言い、図１の上下方向を幅方向と言い、図２の上下方向を高さ方向と言うと共に、各構成要素の長さ方向、幅方向及び高さ方向それぞれに沿う寸法を長さ、幅及び高さと言う。
【００１１】
この積層セラミックコンデンサは、略直方体状のコンデンサ本体１１０と、コンデンサ本体１１０の高さ方向一面に設けられた略矩形状の第１外部電極１２０と略矩形状の第２外部電極１３０とを備えていて、全体寸法が長さＬと幅Ｗと高さＨによって規定されている。ちなみに、図１〜５に示した積層セラミックコンデンサの長さＬと幅Ｗと高さＨは、例えば１０００μｍと５００μｍと５００μｍや、６００μｍと３００μｍと３００μｍである。なお、図１〜図５には、長さＬと幅Ｗと高さＨそれぞれが長さＬ＞幅Ｗ＝高さＨである積層セラミックコンデンサを描いているが、これら長さＬと幅Ｗと高さＨの関係は長さＬ＞幅Ｗ＞高さＨや、長さＬ＞高さＨ＞幅Ｗの他、幅Ｗ＞長さＬ＝高さＨや、幅Ｗ＞長さＬ＞高さＨや、幅Ｗ＞高さＨ＞長さＬであってもよい。
【００１２】
コンデンサ本体１１０は、容量素子１１１と、第１導体層１１２と、第２導体層１１３と、第１被覆層１１４と、第２被覆層１１５と、によって構成されている。
【００１３】
容量素子１１１は、略直方体状を成していて、長さ方向で向き合う第１面ｆ１及び第２面ｆ２と、幅方向で向き合う第３面ｆ３及び第４面ｆ４と、高さ方向で向き合う第５面ｆ５及び第６面ｆ６とを有している。また、容量素子１１１は、誘電体層（符号省略）を介して高さ方向に交互に配された略矩形状の複数の第１内部電極層１１１ａと略矩形状の複数の第２内部電極層１１１ｂを内包している。各第１内部電極層１１１ａの幅、長さ及び厚さと各第２内部電極層１１１ｂの幅、長さ及び厚さは略同じであり、各誘電体層の厚さは略同じである。ちなみに、各第１内部電極層１１１ａの厚さと各第２内部電極層１１１ｂの厚さは、例えば０．５〜２μｍの範囲内で設定されており、各誘電体層の厚さは、例えば０．５〜２μｍの範囲内で設定されている。なお、図１〜図５には、第１内部電極層１１１ａと第２内部電極層１１１ｂそれぞれを１０層ずつ描いているが、これらは図示の都合によるものであって、第１内部電極層１１１ａと第２内部電極層１１１ｂの数は１１層以上であってもよい。
【００１４】
容量素子１１１の各第１内部電極層１１１ａと各第２内部電極層１１１ｂを除く部分には、チタン酸バリウム、チタン酸ストロンチウム、チタン酸カルシウム、チタン酸マグネシウム、ジルコン酸カルシウム、チタン酸ジルコン酸カルシウム、ジルコン酸バリウム、酸化チタン等を主成分とした誘電体セラミックス、好ましくは比誘電率が１０００以上の高誘電率系誘電体セラミックスが使用できる。また、各第１内部電極層１１１ａと各第２内部電極層１１１ｂには、ニッケル、銅、パラジウム、白金、銀、金、これらの合金等を主成分した良導体が使用できる。
【００１５】
第１導体層１１２は、略矩形状を成していて、容量素子１１１の第１面ｆ１を密着状態で覆っている。第１導体層１１２の幅及び高さは、第１面ｆ１の幅及び高さと略同じである。第１導体層１１２の厚さは、コンデンサ本体１１０の長さに関与することから極力薄い方が望ましい。ちなみに、第１導体層１１２の厚さは、例えば第１内部電極層１１１ａの厚さの１〜５倍の範囲内で設定されており、好ましくは０．５〜５μｍの範囲内で設定されている。また、第１導体層１１２には、ニッケル、銅、パラジウム、白金、銀、金、これらの合金等を主成分した良導体が使用でき、好ましくは第１内部電極層１１１ａの主成分と同じ主成分の良導体が使用できる。この第１導体層１１２には、各第１内部電極層１１１ａの長さ方向一端縁が各第１内部電極層１１１ａの幅と同等の接続幅にて接続されている。なお、第１導体層１１２に対する各第１内部電極層１１１ａの長さ方向一端縁の接続幅は理想的には各第１内部電極層１１１ａの幅となるが、実際のものでは各第１内部電極層１１１ａの長さ方向一端縁の幅に各第１内部電極層１１１ａの幅の±５％程度の変動が確認できたため、ここでは敢えて「各第１内部電極層１１１ａの幅と同じ接続幅」と表現せずに「各第１内部電極層１１１ａの幅と同等の接続幅」と表現している。
【００１６】
第２導体層１１３は、略矩形状を成していて、容量素子１１１の第２面ｆ２を密着状態で覆っている。第２導体層１１３の幅及び高さは、第２面ｆ２の幅及び高さと略同じである。第２導体層１１３の厚さは、コンデンサ本体１１０の長さに関与することから極力薄い方が望ましい。ちなみに、第２導体層１１３の厚さは、例えば第２内部電極層１１１ｂの厚さの１〜５倍の範囲内で設定されており、好ましくは０．５〜５μｍの範囲内で設定されている。また、第２導体層１１３には、ニッケル、銅、パラジウム、白金、銀、金、これらの合金等を主成分した良導体が使用でき、好ましくは第２内部電極層１１１ｂの主成分と同じ主成分の良導体が使用できる。この第２導体層１１３には、各第２内部電極層１１１ｂの長さ方向他端縁が各第２内部電極層１１１ｂの幅と同等の接続幅にて接続されている。なお、第２導体層１１３に対する各第２内部電極層１１１ｂの長さ方向他端縁の接続幅は理想的には各第２内部電極層１１１ｂの幅となるが、実際のものでは各第２内部電極層１１１ｂの長さ方向一端縁の幅に各第２内部電極層１１１ｂの幅の±５％程度の変動が確認できたため、ここでは敢えて「各第２内部電極層１１１ｂの幅と同じ接続幅」と表現せずに「各第２内部電極層１１１ｂの幅と同等の接続幅」と表現している。
【００１７】
第１被覆層１１４は、略矩形状を成していて、第１導体層１１２の外面を密着状態で覆っている。第１被覆層１１４の幅及び高さは、第１導体層１１２の外面の幅及び高さと略同じである。第１被覆層１１４の厚さは、コンデンサ本体１１０の長さに関与することから極力薄い方が望ましい。ちなみに、第１被覆層１１４の厚さは、例えば第１内部電極層１１１ａと第２内部電極層１１１ｂとの間に介在する誘電体層の厚さの１〜１０倍の範囲内で設定されており、好ましくは１〜１０μｍの範囲内で設定されている。また、第１被覆層１１４には、チタン酸バリウム、チタン酸ストロンチウム、チタン酸カルシウム、チタン酸マグネシウム、ジルコン酸カルシウム、チタン酸ジルコン酸カルシウム、ジルコン酸バリウム、酸化チタン等を主成分とした誘電体セラミックス、好ましくは比誘電率が１０００以上の高誘電率系誘電体セラミックス、より好ましくは容量素子１１１の第１内部電極層１１１ａと第２内部電極層１１１ｂを除く部分の主成分と同じ主成分の誘電体セラミックスが使用できる。
【００１８】
第２被覆層１１５は、略矩形状を成していて、第２導体層１１３の外面を密着状態で覆っている。第２被覆層１１５の幅及び高さは、第２導体層１１３の外面の幅及び高さと略同じである。第２被覆層１１５の厚さは、コンデンサ本体１１０の長さに関与することから極力薄い方が望ましい。ちなみに、第２被覆層１１５の厚さは、例えば第１内部電極層１１１ａと第２内部電極層１１１ｂとの間に介在する誘電体層の厚さの１〜１０倍の範囲内で設定されており、好ましくは１〜１０μｍの範囲内で設定されており、より好ましくは第１被覆層１１４の厚さと略同じある。また、第２被覆層１１５には、チタン酸バリウム、チタン酸ストロンチウム、チタン酸カルシウム、チタン酸マグネシウム、ジルコン酸カルシウム、チタン酸ジルコン酸カルシウム、ジルコン酸バリウム、酸化チタン等を主成分とした誘電体セラミックス、好ましくは比誘電率が１０００以上の高誘電率系誘電体セラミックス、より好ましくは容量素子１１１の第１内部電極層１１１ａと第２内部電極層１１１ｂを除く部分の主成分と同じ主成分の誘電体セラミックスが使用できる。
【００１９】
第１外部電極１２０は、略矩形状を成していて、コンデンサ本体１１０の高さ方向一面に相当する容量素子１１１の第５面ｆ５の第１被覆層１１４側に密着状態で設けられている。第１外部電極１２０の幅は容量素子１１１の第５面ｆ５の幅と略同じであり、長さは例えば積層セラミックコンデンサの長さＬの１／８〜１／３の範囲内で設定されており、厚さは例えば１〜１５μｍの範囲内で設定されている。また、第１外部電極１２０の長さ方向一端縁は、第１被覆層１１４の外面下まで達している。この第１外部電極１２０には、第１導体層１１２の高さ方向一端縁が第１導体層１１２の幅と同等の接続幅にて接続されている。なお、第１外部電極１２０に対する第１導体層１１２の高さ方向一端縁の接続幅は理想的には第１導体層１１２の幅となるが、実際のものでは第１導体層１１２の高さ方向一端縁の幅に第１導体層１１２の幅の±５％程度の変動が確認できたため、ここでは敢えて「第１導体層１１２の幅と同じ接続幅」と表現せずに「第１導体層１１２の幅と同等の接続幅」と表現している。
【００２０】
第２外部電極１３０は、略矩形状を成していて、コンデンサ本体１１０の高さ方向一面に相当する容量素子１１１の第５面ｆ５の第２被覆層１１５側に密着状態で設けられている。第２外部電極１３０の幅は容量素子１１１の第５面ｆ５の幅と略同じであり、長さは例えば積層セラミックコンデンサの長さＬの１／８〜１／３の範囲内で設定されており、厚さは例えば１〜１５μｍの範囲内で設定されている。また、第２外部電極１３０の長さ方向他端縁は、第２被覆層１１５の外面下まで達している。この第２外部電極１３０には、第２導体層１１３の高さ方向一端縁が第２導体層１１３の幅と同等の接続幅にて接続されている。なお、第２外部電極１３０に対する第２導体層１１３の高さ方向一端縁の接続幅は理想的には第２導体層１１３の幅となるが、実際のものでは第２導体層１１３の高さ方向一端縁の幅に第２導体層１１３の幅の±５％程度の変動が確認できたため、ここでは敢えて「第２導体層１１３の幅と同じ接続幅」と表現せずに「第２導体層１１３の幅と同等の接続幅」と表現している。
【００２１】
ここで、図５を用いて、第１外部電極１２０と第２外部電極１３０の態様について補足する。なお、図５には第１外部電極１２０のみを描いているが、第２外部電極１３０も図５と同様の態様を有している。
【００２２】
図５に示した第１外部電極１２０は、主として容量素子１１１の第５面ｆ５に密着した下地膜１２１と、下地膜１２１の外面に密着した中間膜１２２と、中間膜１２２の外面に密着した表面膜１２３とを有する３層構造である。なお、第１外部電極１２０と第２外部電極１３０は必ずしも３層構造である必要はなく、中間膜（１２２）を除外した２層構造や、中間膜（１２２）を２層以上とした多層構造や、表面膜（１２３）のみとした単層構造であってもよい。
【００２３】
３層構造の場合を例に挙げて説明すれば、下地膜（１２１）は例えば焼き付け膜からなり、この焼き付け膜には好ましくはニッケル、銅、パラジウム、白金、銀、金、これらの合金等を主成分した良導体が使用できる。中間膜（１２２）は例えばメッキ膜からなり、このメッキ膜には好ましくは白金、パラジウム、金、銅、ニッケル、これらの合金等を主成分とした良導体が使用できる。表面膜（１２３）は例えばメッキ膜からなり、このメッキ膜には好ましくは銅、スズ、パラジウム、金、亜鉛、これらの合金等を主成分とした良導体が使用できる。
【００２４】
次に、前述の積層セラミックコンデンサに適した製造方法の例を、図１〜図５に示した符号等を適宜用いて説明する。
【００２５】
製造に際しては、誘電体セラミックス粉末、有機バインダ、有機溶剤及び各種添加剤を含有したセラミックスラリーと、良導体粉末、有機バインダ、有機溶剤及び各種添加剤を含有した電極ペーストを用意する。
【００２６】
続いて、キャリアフィルムの表面にセラミックスラリーを塗工して乾燥することにより、第１シートを作製する。また、この第１シートの表面に電極ペーストを印刷して乾燥することにより、内部電極層パターン群が形成された第２シートを作製する。
【００２７】
続いて、第１シートから取り出した単位シートを所定枚数に達するまで積み重ねて熱圧着する作業を繰り返すことにより、容量素子１１１の高さ方向一方のマージン部分に対応する部位を形成する。続いて、第２シートから取り出した単位シート（内部電極層パターン群を含む）を所定枚数に達するまで積み重ねて熱圧着する作業を繰り返すことにより、容量素子１１１の第１内部電極層１１１ａ及び第２内部電極層１１１ｂが存在する部分に対応する部位を形成する。続いて、第１シートから取り出した単位シートを所定枚数に達するまで積み重ねて熱圧着する作業を繰り返すことにより、容量素子１１１の高さ方向他方のマージン部分に対応する部位を形成する。最後に、積み重ねられた全体を本熱圧着することにより、未焼成シートを作製する。
【００２８】
続いて、未焼成シートを格子状に切断することにより、容量素子１１１に対応した未焼成素子を作製する。続いて、多数の未焼成素子の向きを揃えてから、各未焼成素子の長さ方向一面に第１導体層１１２に対応した未焼成導体層と第１被覆層１１４に対応した未焼成被覆層を作製すると共に、これらを反転させてから、各未焼成素子の長さ方向他面に第２導体層１１３に対応した未焼成導体層と第２被覆層１１５に対応した未焼成被覆層を作製する。これにより、コンデンサ本体１１０に対応した未焼成本体が作製される。
【００２９】
未焼成導体層と未焼成被覆層の作製方法としては、（ｗ１）未焼成素子の長さ方向両面それぞれに導体層用ペーストを塗布、ディップ又は印刷して乾燥した後に、これに別途用意しておいた誘電体層用シートを押し付けて貼り付ける方法、（ｗ２）別途用意しておいた誘電体層用シートに導体ペーストを塗布又は印刷して乾燥したものを未焼成素子の長さ方向両面それぞれに押し付けて貼り付ける方法、（ｗ３）未焼成素子の長さ方向両面それぞれに導体層用ペーストを塗布、ディップ又は印刷して乾燥した後に、これに誘電体層用スラリーを塗布、ディップ又は印刷して乾燥する方法、が好ましく採用できる。
【００３０】
前記の導体層用ペーストには、前記電極ペーストと同じペーストの他、前記電極ペーストと良導体粉末の種類が異なるペーストや、良導体粉末と有機バインダと有機溶剤のみを含むペーストを使用できる。また、前記の誘電体層用シートには、前記セラミックスラリーと同じスラリーを塗工して乾燥したシートの他、前記セラミックスラリーと誘電体セラミック粉末の種類が異なるスラリーを塗工して乾燥したシートを使用できる。さらに、前記の誘電体層用スラリーには、前記セラミックスラリーと同じスラリーの他、前記セラミックスラリーと誘電体セラミック粉末の種類が異なるスラリーを使用できる。
【００３１】
続いて、未焼成本体をこれに含まれている誘電体セラミックス粉末と良導体粉末に応じた雰囲気下、並びに、温度プロファイルにて多数個一括で焼成（脱バインダ処理と焼成処理を含む）を行い、必要に応じて多数個一括でバレル研磨を行う。これにより、コンデンサ本体１１０が作製される。
【００３２】
続いて、多数のコンデンサ本体１１０の向きを揃えてから、各コンデンサ本体１１０の高さ方向一面に電極ペースト（前記電極ペーストと同じペースト、或いは、前記電極ペーストと良導体粉末の種類が異なる別のペースト）を塗布又は印刷して乾燥した後、焼き付け処理を行って下地膜（１２１）を形成する。続いて、下地膜（１２１）を覆う中間膜（１２２）と表面膜（１２３）をメッキ処理で形成して、第１外部電極１２０と第２外部電極１３０を作製する。
【００３３】
次に、前述の積層セラミックコンデンサによって得られる効果（効果ｅ１〜効果ｅ３）について説明する。
【００３４】
（ｅ１）コンデンサ本体１１０が、（１）誘電体層を介して交互に配された略矩形状の複数の第１内部電極層１１１ａと略矩形状の複数の第２内部電極層１１１ｂとを内包する略直方体状の容量素子１１１と、（２）容量素子１１１の長さ方向一面を覆う第１導体層１１２と、（３）容量素子１１１の長さ方向他面を覆う第２導体層１１３と、（４）第１導体層１１２の外面を覆う第１被覆層１１４と、（５）第２導体層１１３の外面を覆う第２被覆層１１５と、によって構成されている。また、第１導体層１１２には複数の第１内部電極層１１１ａの長さ方向一端縁それぞれが複数の第１内部電極層１１１ａそれぞれの幅と同等の接続幅にて接続され、第２導体層１１３には複数の第２内部電極層１１１ｂの長さ方向他端縁それぞれが複数の第２内部電極層１１１ｂそれぞれの幅と同等の接続幅にて接続され、第１外部電極１２０には第１導体層１１２の高さ方向一端縁が第１導体層１１２の幅と同等の接続幅にて接続され、前記第２外部電極１３０には第２導体層１１３の高さ方向一端縁が第２導体層１１３の幅と同等の接続幅にて接続されている。
【００３５】
即ち、コンデンサ本体１１０に、各第１内部電極層１１１ａを各々の幅を活かして第１外部電極１２０に接続する役目を果たす第１導体層１１２と、各第２内部電極層１１１ｂを各々の幅を活かして第２外部電極１３０に接続する役目を果たす第２導体層１１３が設けられているため、各第１内部電極層１１１ａの幅及び長さと各第２内部電極層１１１ｂの幅及び長さが縮小されても、第１外部電極１２０に対する各第１内部電極層１１１ａの接続と第２外部電極１３０に対する各第２内部電極層１１１ｂの接続が不安定になることを極力回避することができる。依って、略直方体状のコンデンサ本体１１０の高さ方向一面に第１外部電極１２０と第２外部電極１３０が設けられた積層セラミックコンデンサにおいて小型化と大容量化の要求に応じる場合であっても、第１外部電極１２０に対する各第１内部電極層１１１ａの接続と第２外部電極１３０に対する各第２内部電極層１１１ｂの接続のそれぞれに信頼性の高い接続を実現できる。
【００３６】
（ｅ２）コンデンサ本体１１０の第１導体層１１２と第２導体層１１３それぞれの厚さが、複数の第１内部電極層１１１ａと複数の第２内部電極層１１１ｂそれぞれの厚さの１〜５倍の範囲内で設定されているので、第１導体層１１２と第２導体層１１３それぞれの厚さによって積層セラミックコンデンサの長さＬが増加することを極力回避することができる。
【００３７】
（ｅ３）コンデンサ本体１１０の第１被覆層１１４と第２被覆層１１５それぞれの厚さが、容量素子１１１の誘電体層の厚さの１〜１０倍の範囲内で設定されているので、第１被覆層１１４と第２被覆層１１５それぞれの厚さによって積層セラミックコンデンサの長さＬが増加することを極力回避することができる。
【００３８】
次に、前述の積層セラミックコンデンサの変形例（第１変形例ｍ１〜第４変形例ｍ４）について説明する。
【００３９】
（ｍ１）図６（Ａ）及び図６（Ｂ）に示したように、第１導体層１１２の第１外部電極１２０に接続された一端縁を除く周縁を、第１被覆層１１４の容量素子１１１側に延びた部分１１４ａによって覆うと共に、第２導体層１１３の第２外部電極１３０に接続された一端縁を除く周縁を、第２被覆層１１５の容量素子１１１側に延びた部分１１５ａによって覆うようにしてもよい。このようにすれば、回路基板に実装するときに積層セラミックコンデンサが倒れても、第１導体層１１２と第２導体層１１３が回路基板の導体ラインや隣接する電子部品等に接触してショート等の問題を生じることを防げる、といった別の効果を得ることができる。
【００４０】
（ｍ２）図７（Ａ）及び図７（Ｂ）に示したように、容量素子１１１に、誘電体層（符号省略）を介して幅方向に配された略矩形状の複数の第１内部電極層１１１ａ’と略矩形状の複数の第２内部電極層１１１ｂ’を内包させるようにしてもよい。このようにすると、各第１内部電極層１１１ａ’の向きと各第２内部電極層１１１ｂ’の向きが第１外部電極１２０及び第２外部電極１３０と略直角になるが、前記同様の効果ｅ１〜効果ｅ３を得ることができる。
【００４１】
（ｍ３）先の製法例で述べた未焼成被覆層にＭｇＯ等の酸化促進剤を０．１〜１０ａｔ％程度含有させておけば、後の焼成工程で作製される第１導体層１１２の主として第１被覆層１１４との境界部分、並びに、第２導体層１１３の主として第２被覆層１１５との境界部分に金属酸化物を散在させて、この金属酸化物によって第１導体層１１２に対する第１被覆層１１４の密着性と第２導体層１１３に対する第２被覆層１１５の密着性を高めることができる。
【００４２】
（ｍ４）先の製法例で述べた未焼成導体層に容量素子１１１の第１内部電極層１１１ａと第２内部電極層１１１ｂを除く部分の主成分と同じ誘電体セラミック粉末を５〜５０ｗｔ％程度含有させておけば、容量素子１１１に対する第１導体層１１２の密着性と容量素子１１１に対する第２導体層１１３の密着性を高めることができる。
【００４３】
《第２実施形態》
先ず、図８〜図１２を用いて、本発明の第２実施形態に係る積層セラミックコンデンサの構造について説明する。なお、第２実施形態に係る積層セラミックコンデンサの容量素子２１１（第１内部電極層２１１ａ、第２内部電極層２１１ｂ及び誘電体層を含む）の構成は、第１実施形態に係る積層セラミックコンデンサの容量素子１１１（第１内部電極層１１１ａ、第２内部電極層１１１ｂ及び誘電体層を含む）の構成と同じであるため、ここでは第２実施形態に係る積層セラミックコンデンサが第１実施形態に係る積層セラミックコンデンサと構造上で相違する点を主として説明する。
【００４４】
この積層セラミックコンデンサは、略直方体状のコンデンサ本体２１０と、コンデンサ本体２１０の高さ方向一面に設けられた略矩形状の第１外部電極２２０と略矩形状の第２外部電極２３０とを備えていて、全体寸法が長さＬと幅Ｗと高さＨによって規定されている。コンデンサ本体２１０は、略直方体状の容量素子２１１と、第１導体層２１２と、第２導体層２１３と、第２被覆層２１４と、第２被覆層２１５と、によって構成されている。
【００４５】
第１導体層２１２は、略矩形状を成していて、容量素子２１１の第１面ｆ１を密着状態で覆っている。第１導体層２１２の幅及び高さは、第１面ｆ１の幅及び高さと略同じである。第１導体層２１２の厚さは、コンデンサ本体２１０の長さに関与することから極力薄い方が望ましい。ちなみに、第１導体層２１２の厚さは、例えば第１内部電極層１１１ａの厚さの１〜５倍の範囲内で設定されており、好ましくは０．５〜５μｍの範囲内で設定されている。また、第１導体層２１２には、ニッケル、銅、パラジウム、白金、銀、金、これらの合金等を主成分した良導体が使用でき、好ましくは第１内部電極層２１１ａの主成分と同じ主成分の良導体が使用できる。この第１導体層２１２には、各第１内部電極層２１１ａの長さ方向一端縁が各第１内部電極層２１１ａの幅と同等の接続幅にて接続されている。なお、第１導体層２１２に対する各第１内部電極層２１１ａの長さ方向一端縁の接続幅は理想的には各第１内部電極層２１１ａの幅となるが、実際のものでは各第１内部電極層２１１ａの長さ方向一端縁の幅に各第１内部電極層２１１ａの幅の±５％程度の変動が確認できたため、ここでは敢えて「各第１内部電極層２１１ａの幅と同じ接続幅」と表現せずに「各第１内部電極層２１１ａの幅と同等の接続幅」と表現している。
【００４６】
第２導体層２１３は、略矩形状を成していて、容量素子２１１の第２面ｆ２を密着状態で覆っている。第２導体層２１３の幅及び高さは、第２面ｆ２の幅及び高さと略同じである。第２導体層２１３の厚さは、コンデンサ本体２１０の長さに関与することから極力薄い方が望ましい。ちなみに、第２導体層２１３の厚さは、例えば第２内部電極層２１１ｂの厚さの１〜５倍の範囲内で設定されており、好ましくは０．５〜５μｍの範囲内で設定されている。また、第２導体層２１３には、ニッケル、銅、パラジウム、白金、銀、金、これらの合金等を主成分した良導体が使用でき、好ましくは第２内部電極層２１１ｂの主成分と同じ主成分の良導体が使用できる。この第２導体層２１３には、各第２内部電極層２１１ｂの長さ方向他端縁が各第２内部電極層２１１ｂの幅と同等の接続幅にて接続されている。なお、第２導体層２１３に対する各第２内部電極層２１１ｂの長さ方向他端縁の接続幅は理想的には各第２内部電極層２１１ｂの幅となるが、実際のものでは各第２内部電極層２１１ｂの長さ方向他端縁の幅に各第１内部電極層２１１ａの幅の±５％程度の変動が確認できたため、ここでは敢えて「各第２内部電極層２１１ｂの幅と同じ接続幅」と表現せずに「各第２内部電極層２１１ｂの幅と同等の接続幅」と表現している。
【００４７】
第１被覆層２１４は、略矩形状を成していて、第１導体層２１２の外面を密着状態で覆っている。第１被覆層２１４の幅は第１導体層２１２の外面の幅と略同じで、高さは第１導体層２１２の外面の高さよりも僅かに大きく、且つ、大きくなっている部分を第１外部電極２２０側に突出している。第１被覆層２１４の厚さは、コンデンサ本体２１０の長さに関与することから極力薄い方が望ましい。ちなみに、第１被覆層２１４の厚さは、例えば第１内部電極層１１１ａと第２内部電極層１１１ｂとの間に介在する誘電体層の厚さの１〜１０倍の範囲内で設定されており、好ましくは１〜１０μｍの範囲内で設定されている。また、第１被覆層２１４には、チタン酸バリウム、チタン酸ストロンチウム、チタン酸カルシウム、チタン酸マグネシウム、ジルコン酸カルシウム、チタン酸ジルコン酸カルシウム、ジルコン酸バリウム、酸化チタン等を主成分とした誘電体セラミックス、好ましくは比誘電率が１０００以上の高誘電率系誘電体セラミックス、より好ましくは容量素子２１１の第１内部電極層２１１ａと第２内部電極層２１１ｂを除く部分の主成分と同じ主成分の誘電体セラミックスが使用できる。
【００４８】
第２被覆層２１５は、略矩形状を成していて、第２導体層２１３の外面を密着状態で覆っている。第２被覆層２１５の幅は第２導体層２１３の外面の幅と略同じで、高さは第２導体層２１３の外面の高さよりも僅かに大きく、且つ、大きくなっている部分を第２外部電極２３０側に突出している。第２被覆層２１５の厚さは、コンデンサ本体２１０の長さに関与することから極力薄い方が望ましい。ちなみに、第２被覆層２１５の厚さは、例えば第１内部電極層１１１ａと第２内部電極層１１１ｂとの間に介在する誘電体層の厚さの１〜１０倍の範囲内で設定されており、好ましくは１〜１０μｍの範囲内で設定されており、より好ましくは第１被覆層２１４の厚さと略同じある。また、第２被覆層２１５には、チタン酸バリウム、チタン酸ストロンチウム、チタン酸カルシウム、チタン酸マグネシウム、ジルコン酸カルシウム、チタン酸ジルコン酸カルシウム、ジルコン酸バリウム、酸化チタン等を主成分とした誘電体セラミックス、好ましくは比誘電率が１０００以上の高誘電率系誘電体セラミックス、より好ましくは容量素子２１１の第１内部電極層２１１ａと第２内部電極層２１１ｂを除く部分の主成分と同じ主成分の誘電体セラミックスが使用できる。
【００４９】
第１外部電極２２０は、略矩形状を成していて、コンデンサ本体２１０の高さ方向一面に相当する容量素子２１１の第５面ｆ５の第１被覆層２１４側に密着状態で設けられている。第１外部電極２３０の幅は容量素子２１１の第５面ｆ５の幅と略同じであり、長さは例えば積層セラミックコンデンサの長さＬの１／８〜１／３の範囲内で設定されており、厚さは例えば１〜１５μｍの範囲内で設定されている。また、第１外部電極２２０の長さ方向一端縁は、第１被覆層２１４の内面下まで達していて、第１被覆層２１４の高さ方向一端部（第１外部電極２２０側に突出した部分）の内面に密着している。この第１外部電極２２０には、第１導体層２１２の高さ方向一端縁が第１導体層２１２の幅と同等の接続幅にて接続されている。なお、第１外部電極２２０に対する第１導体層２１２の高さ方向一端縁の接続幅は理想的には第１導体層２１２の幅となるが、実際のものでは第１導体層２１２の高さ方向一端縁の幅に第１導体層２１２の幅の±５％程度の変動が確認できたため、ここでは敢えて「第１導体層２１２の幅と同じ接続幅」と表現せずに「第１導体層２１２の幅と同等の接続幅」と表現している。
【００５０】
第２外部電極２３０は、略矩形状を成していて、コンデンサ本体２１０の高さ方向一面に相当する容量素子２１１の第５面ｆ５の第２被覆層２１５側に密着状態で設けられている。第２外部電極２３０の幅は容量素子２１１の第５面ｆ５の幅と略同じであり、長さは例えば積層セラミックコンデンサの長さＬの１／８〜１／３の範囲内で設定されており、厚さは例えば１〜１５μｍの範囲内で設定されている。また、第２外部電極２３０の長さ方向他端縁は、第２被覆層２１５の内面下まで達していて、第２被覆層２１５の高さ方向一端部（第１外部電極２３０側に突出した部分）の内面に密着している。この第２外部電極２３０には、第２導体層２１３の高さ方向一端縁が第２導体層２１３の幅と同等の接続幅にて接続されている。なお、第２外部電極２３０に対する第２導体層２１３の高さ方向一端縁の接続幅は理想的には第２導体層２１３の幅となるが、実際のものでは第２導体層２１３の高さ方向一端縁の幅に第２導体層２１３の幅の±５％程度の変動が確認できたため、ここでは敢えて「第２導体層２１３の幅と同じ接続幅」と表現せずに「第２導体層２１３の幅と同等の接続幅」と表現している。
【００５１】
ここで、図１２（Ａ）を用いて、第１外部電極２２０と第２外部電極２３０の態様について補足する。なお、図１２（Ａ）には第１外部電極２２０のみを描いているが、第２外部電極２３０も図１２（Ａ）と同様の態様を有している。
【００５２】
図１２（Ａ）に示した第１外部電極２２０は、主として容量素子２１１の第５面ｆ５に密着した下地膜２２１と、下地膜２２１の外面に密着した中間膜２２２と、中間膜２２２の外面に密着した表面膜２２３とを有する３層構造である。なお、第１外部電極２２０と第２外部電極２３０は必ずしも３層構造である必要はなく、中間膜（２２２）を除外した２層構造や、中間膜（２２２）を２層以上とした多層構造や、表面膜（２２３）のみとした単層構造であってもよい。
【００５３】
３層構造の場合を例に挙げて説明すれば、下地膜（２２１）は例えば焼き付け膜からなり、この焼き付け膜には好ましくはニッケル、銅、パラジウム、白金、銀、金、これらの合金等を主成分した良導体が使用できる。中間膜（２２２）は例えばメッキ膜からなり、このメッキ膜には好ましくは白金、パラジウム、金、銅、ニッケル、これらの合金等を主成分とした良導体が使用できる。表面膜（２２３）は例えばメッキ膜からなり、このメッキ膜には好ましくは銅、スズ、パラジウム、金、亜鉛、これらの合金等を主成分とした良導体が使用できる。
【００５４】
次に、前述の積層セラミックコンデンサに適した製造方法の例を、図８〜図１２に示した符号等を適宜用いて説明する。
【００５５】
製造に際しては、誘電体セラミックス粉末、有機バインダ、有機溶剤及び各種添加剤を含有したセラミックスラリーと、良導体粉末、有機バインダ、有機溶剤及び各種添加剤を含有した電極ペーストを用意する。
【００５６】
続いて、キャリアフィルムの表面にセラミックスラリーを塗工して乾燥することにより、第１シートを作製すると共に、この第１シートの表面に電極ペーストを印刷して乾燥することにより、内部電極層パターン群が形成された第２シートを作製する。
【００５７】
続いて、第１シートから取り出した単位シートを所定枚数に達するまで積み重ねて熱圧着する作業を繰り返すことにより、容量素子２１１の高さ方向一方のマージン部分に対応する部位を形成する。続いて、第２シートから取り出した単位シート（内部電極層パターン群を含む）を所定枚数に達するまで積み重ねて熱圧着する作業を繰り返すことにより、容量素子２１１の第１内部電極層２１１ａ及び第２内部電極層２１１ｂが存在する部分に対応する部位を形成する。続いて、第１シートから取り出した単位シートを所定枚数に達するまで積み重ねて熱圧着する作業を繰り返すことにより、容量素子２１１の高さ方向他方のマージン部分に対応する部位を形成する。最後に、積み重ねられた全体を本熱圧着することにより、未焼成シートを作製する。
【００５８】
続いて、未焼成シートを格子状に切断することにより、容量素子２１１に対応した未焼成素子を作製する。続いて、多数の未焼成素子の向きを揃えてから、各未焼成素子の長さ方向一面に第１導体層２１２に対応した未焼成導体層を作製すると共に、これらを反転させてから、各未焼成素子の長さ方向他面に第２導体層２１３に対応した未焼成導体層を作製する。続いて、未焼成導体層を作製した後の各未焼成素子の高さ方向一面に第１外部電極２２０の下地膜に対応した未焼成下地膜と第２外部電極２３０の下地膜に対応した未焼成下地膜を作製する。続いて、未焼成下地膜を作製した後の各未焼成素子の向きを揃えてから、各未焼成素子の長さ方向一面に第１被覆層２１４に対応した未焼成被覆層を作製すると共に、これらを反転させてから、各未焼成素子の長さ方向他面に第２被覆層２１５に対応した未焼成被覆層を作製する。これにより、コンデンサ本体２１０に対応し、且つ、未焼成下地膜が形成された未焼成本体が作製される。
【００５９】
未焼成導体層の作製方法としては、未焼成素子の長さ方向両面それぞれに導体層用ペーストを塗布、ディップ又は印刷して乾燥する方法が好ましく採用できる。また、未焼成下地膜の作製方法としては、未焼成素子の高さ方向一面に電極ペースト（前記電極ペーストと同じペースト、或いは、前記電極ペーストと良導体粉末の種類が異なる別のペースト）を塗布又は印刷して乾燥する方法が好ましく採用できる。さらに、未焼成被覆層の作製方法としては、別途用意しておいた誘電体層用シートを未焼成導体層及び未焼成下地膜に押し付けて貼り付ける方法や、誘電体層用スラリーを未焼成導体層及び未焼成下地膜に塗布、ディップ又は印刷して乾燥する方法が好ましく採用できる。
【００６０】
なお、前記未焼成シート作製工程において、下地膜パターン群が形成された第３シートを用い、この第３シートが下地膜パターン群が外側を向くように配置された未焼成シートを作製すれば、前記切断工程によって未焼成下地膜を有する未焼成素子を得ることができるため、このようにすれば前記の未焼成下地膜の作製を省略することも可能である。この場合、第１外部電極２２０の下地膜２２１の態様は図１２（Ｂ）に示したようになる（図示省略の第２外部電極２３０の下地膜の態様も同様である）。
【００６１】
また、図１１及び図１２には、第１外部電極２２０の長さ方向一端縁が第１被覆層２１４の高さ方向一端部によって覆い隠されているものを示し、第２外部電極２３０の長さ方向他端縁が第２被覆層２１５の高さ方向一端部によって覆い隠されているものを示してあるが、第１外部電極２２０の長さ方向一端縁に第１被覆層２１４の高さ方向一端部が及んでおり、第２外部電極２３０の長さ方向他端縁に第１被覆層２１４の高さ方向一端部が及んでいれば、第１外部電極２２０の長さ方向一端縁が第１被覆層２１４の高さ方向一端部によって覆い隠されていなくてもよく、第２外部電極２３０の長さ方向他端縁が第２被覆層２１５の高さ方向一端部によって覆い隠されていなくてもよい。即ち、第１外部電極２２０の厚さ方向外側部分と第２外部電極２３０の厚さ方向外側部分、例えば図１２に示した中間膜（２２２）及び表面膜（２２３）が露出するように、第１外部電極２２０の長さ方向一端縁が第１被覆層２１４の高さ方向一端部によって覆われていてもよいし、第２外部電極２３０の長さ方向他端縁が第２被覆層２１５の高さ方向一端部によって覆われていてもよい。
【００６２】
前記の導体層用ペーストには、前記電極ペーストと同じペーストの他、前記電極ペーストと良導体粉末の種類が異なるペーストや、良導体粉末と有機バインダと有機溶剤のみを含むペーストを使用できる。また、前記の誘電体層用シートには、前記セラミックスラリーと同じスラリーを塗工して乾燥したシートの他、前記セラミックスラリーと誘電体セラミック粉末の種類が異なるスラリーを塗工して乾燥したシートを使用できる。さらに、前記の誘電体層用スラリーには、前記セラミックスラリーと同じスラリーの他、前記セラミックスラリーと誘電体セラミック粉末の種類が異なるスラリーを使用できる。
【００６３】
続いて、未焼成下地膜を有する未焼成本体をこれに含まれている誘電体セラミックス粉末と良導体粉末に応じた雰囲気下、並びに、温度プロファイルにて多数個一括で焼成（脱バインダ処理と焼成処理を含む）を行い、必要に応じて多数個一括でバレル研磨を行う。これにより、下地膜付きのコンデンサ本体２１０が作製される。
【００６４】
続いて、各コンデンサ本体２１０の下地膜（２２１）を覆う中間膜（２２２）と表面膜（２２３）をメッキ処理で形成して、第１外部電極２２０と第２外部電極２３０を作製する。
【００６５】
次に、前述の積層セラミックコンデンサによって得られる効果（効果ｅ１１〜効果ｅ１３）について説明する。
【００６６】
（ｅ１１）コンデンサ本体２１０が、（１）誘電体層を介して交互に配された略矩形状の複数の第１内部電極層２１１ａと略矩形状の複数の第２内部電極層２１１ｂとを内包する略直方体状の容量素子２１１と、（２）容量素子２１１の長さ方向一面を覆う第１導体層２１２と、（３）容量素子２１１の長さ方向他面を覆う第２導体層２１３と、（４）第１導体層２１２の外面を覆う第１被覆層２１４と、（５）第２導体層２１３の外面を覆う第２被覆層２１５と、によって構成されている。また、第１導体層２１２には複数の第１内部電極層２１１ａの長さ方向一端縁それぞれが複数の第１内部電極層２１１ａそれぞれの幅と同等の接続幅にて接続され、第２導体層２１３には複数の第２内部電極層２１１ｂの長さ方向他端縁それぞれが複数の第２内部電極層２１１ｂそれぞれの幅と同等の接続幅にて接続され、第１外部電極２２０には第１導体層２１２の高さ方向一端縁が第１導体層２１２の幅と同等の接続幅にて接続され、第２外部電極２３０には第２導体層２１３の高さ方向一端縁が第２導体層２１３の幅と同等の接続幅にて接続されている。
【００６７】
即ち、コンデンサ本体２１０に、各第１内部電極層２１１ａを各々の幅を活かして第１外部電極２２０に接続する役目を果たす第１導体層２１２と、各第２内部電極層２１１ｂを各々の幅を活かして第２外部電極２３０に接続する役目を果たす第２導体層２１３が設けられているため、各第１内部電極層２１１ａの幅及び長さと各第２内部電極層２１１ｂの幅及び長さが縮小されても、第１外部電極２２０に対する各第１内部電極層２１１ａの接続と第２外部電極２３０に対する各第２内部電極層２１１ｂの接続が不安定になることを極力回避することができる。依って、略直方体状のコンデンサ本体２１０の高さ方向一面に第１外部電極２２０と第２外部電極２３０が設けられた積層セラミックコンデンサにおいて小型化と大容量化の要求に応じる場合であっても、第１外部電極２２０に対する各第１内部電極層２１１ａの接続と第２外部電極２３０に対する各第２内部電極層２１１ｂの接続のそれぞれに信頼性の高い接続を実現できる。
【００６８】
（ｅ１２）コンデンサ本体２１０の第１導体層２１２と第２導体層２１３それぞれの厚さが、複数の第１内部電極層２１１ａと複数の第２内部電極層２１１ｂそれぞれの厚さの１〜５倍の範囲内で設定されているので、第１導体層２１２と第２導体層２１３それぞれの厚さによって積層セラミックコンデンサの長さＬが増加することを極力回避することができる。
【００６９】
（ｅ１３）コンデンサ本体２１０の第１被覆層２１４と第２被覆層２１５それぞれの厚さが、容量素子１１１の誘電体層の厚さの１〜１０倍の範囲内で設定されているので、第１被覆層２１４と第２被覆層２１５それぞれの厚さによって積層セラミックコンデンサの長さＬが増加することを極力回避することができる。
【００７０】
次に、前述の積層セラミックコンデンサの変形例（第１変形例ｍ１１〜第４変形例ｍ１４）について説明する。
【００７１】
（ｍ１１）図１３（Ａ）及び図１３（Ｂ）に示したように、第１導体層２１２の第１外部電極２２０に接続された一端縁を除く周縁を、第１被覆層２１４の容量素子２１１側に延びた部分２１４ａによって覆うと共に、第２導体層２１３の第２外部電極２３０に接続された一端縁を除く周縁を、第２被覆層２１５の容量素子２１１側に延びた部分２１５ａによって覆うようにしてもよい。このようにすれば、回路基板に実装するときに積層セラミックコンデンサが倒れても、第１導体層２１２と第２導体層２１３が回路基板の導体ラインや隣接する電子部品等に接触してショート等の問題を生じることを防げる、といった別の効果を得ることができる。
【００７２】
（ｍ１２）図１４（Ａ）及び図１４（Ｂ）に示したように、容量素子２１１に、誘電体層（符号省略）を介して幅方向に配された略矩形状の複数の第１内部電極層２１１ａ’と略矩形状の複数の第２内部電極層２１１ｂ’を内包させるようにしてもよい。このようにすると、各第１内部電極層２１１ａ’の向きと各第２内部電極層２１１ｂ’の向きが第１外部電極２２０及び第２外部電極２３０と略直角になるが、前記同様の効果ｅ１〜効果ｅ３を得ることができる。
【００７３】
（ｍ１３）先の製法例で述べた未焼成被覆層にＭｇＯ等の酸化促進剤を０．１〜１０ａｔ％程度含有させておけば、後の焼成工程で作製される第１導体層２１２の主として第１被覆層２１４との境界部分、並びに、第２導体層２１３の主として第２被覆層２１５との境界部分に金属酸化物を散在させて、この金属酸化物によって第１導体層２１２に対する第１被覆層２１４の密着性と第２導体層２１３に対する第２被覆層２１５の密着性を高めることができる。
【００７４】
（ｍ１４）先の製法例で述べた未焼成導体層に容量素子２１１の第１内部電極層２１１ａと第２内部電極層２１１ｂを除く部分の主成分と同じ誘電体セラミック粉末を５〜５０ｗｔ％程度含有させておけば、容量素子２１１に対する第１導体層２１２の密着性と容量素子２１１に対する第２導体層２１３の密着性を高めることができる。
【符号の説明】
【００７５】
１１０…コンデンサ本体、１１１…容量素子、１１１ａ，１１１ａ’…第１内部電極層、１１１ｂ，１１１ｂ’…第２内部電極層、１１２…第１導体層、１１３…第２導体層、１１４…第１被覆層、１１４ａ…第１被覆層の延びた部分、１１５…第２被覆層、１１５ａ…第２被覆層の延びた部分、１２０…第１外部電極、１３０…第２外部電極、２１０…コンデンサ本体、２１１…容量素子、２１１ａ，２１１ａ’…第１内部電極層、２１１ｂ，２１１ｂ’…第２内部電極層、２１２…第１導体層、２１３…第２導体層、２１４…第１被覆層、２１４６ａ…第１被覆層の延びた部分、２１５…第２被覆層、２１５ａ…第２被覆層の延びた部分、２２０…第１外部電極、２３０…第２外部電極。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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