(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
黒化層を備えるタッチパネル用導電性基板の作製に用いるスパッタリング用合金ターゲットであって、
モリブデンを２原子％以上２６原子％未満、かつニッケルを２０原子％以上８０原子％未満の割合で含有し、残部が銅で構成され、モリブデンがニッケルに固溶している銅―ニッケル−モリブデン熔解合金であるスパッタリング用合金ターゲット。
【請求項２】
モリブデンとニッケルの物質量比が２：９８以上２６：７４以下である請求項１に記載のスパッタリング用合金ターゲット。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、スパッタリング用合金ターゲットに関する。
【背景技術】
【０００２】
高分子フィルム上に透明導電膜としてＩＴＯ（酸化インジウム−スズ）膜を形成したタッチパネル用の透明導電性フィルムが従来から用いられている。（特許文献１参照）
【０００３】
ところで、近年タッチパネルを備えたディスプレイの大画面化が進んでおり、これに対応してタッチパネル用の透明導電性フィルム等の導電性基板についても大面積化が求められている。しかし、ＩＴＯは電気抵抗値が高いため、導電性基板の大面積化に対応できないという問題があった。
【０００４】
このため、例えば特許文献２、３に開示されているようにＩＴＯ膜にかえて導電性が優れている銅等の金属箔を用いることが検討されている。しかし、例えば配線層に銅を用いた場合、銅は金属光沢を有しているため、反射によりディスプレイの視認性が低下するという問題がある。
【０００５】
そこで、上記の導電性と視認性の両特性の改善を実現するために、銅等の金属箔により構成される配線層と共に、黒色の材料により構成される黒化層を形成した導電性基板が検討されている。
【０００６】
しかしながら、配線パターンを有する導電性基板とするためには、配線層と黒化層とを形成した後に、配線層と黒化層とをエッチングして所望のパターンを形成する必要があるが、エッチング液に対する反応性が配線層と黒化層とで大きく異なるという問題があった。すなわち、配線層と黒化層とを同時にエッチングしようとすると、いずれかの層が目的の形状にエッチングできないという問題であった。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特開２００３−１５１３５８号公報
【特許文献２】特開２０１１−０１８１９４号公報
【特許文献３】特開２０１３−０６９２６１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
上記従来技術の種々の問題に鑑み、本発明の一側面では銅層と同時にエッチング処理を行うことができる黒化層を形成するためのスパッタリング用合金ターゲットを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上記課題を解決するため本発明の一側面では、
黒化層を備えるタッチパネル用導電性基板の作製に用いるスパッタリング用合金ターゲットであって、
モリブデンを２原子％以上２６原子％未満、かつニッケルを２０原子％以上８０原子％未満の割合で含有し、残部が銅で構成され、モリブデンがニッケルに固溶している銅―ニッケル−モリブデン熔解合金であるスパッタリング用合金ターゲットを提供する。
【発明の効果】
【００１０】
本発明の一側面によれば、銅層と同時にエッチング処理を行うことができる黒化層を形成するためのスパッタリング用合金ターゲットを提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】本発明の実施形態に係る導電性基板の断面図。
【図２】本発明の実施形態に係る導電性基板の断面図。
【図３】本発明の実施形態に係るメッシュ状の配線を備えた導電性基板の上面図。
【図４】図３のＡ−Ａ´線における断面図。
【図５】実施例で作製したスパッタリング用合金ターゲットの構成説明図。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
（スパッタリング用合金ターゲット）
以下、本発明のスパッタリング用合金ターゲットの一構成例について説明する。
【００１３】
本実施形態のスパッタリング用合金ターゲットは、黒化層を備えるタッチパネル用導電性基板の作製に用いる、スパッタリング用合金ターゲットに関する。そして、本実施形態のスパッタリング用合金ターゲットは、モリブデンを２原子％以上２６原子％未満、かつニッケルを２０原子％以上８０原子％未満の割合で含有し、残部を銅で構成することができ、熔解法により作製することができる。
【００１４】
配線層として用いる銅層表面での光の反射を抑制するために設けられた黒化層であって、銅層と同時にエッチングできる黒化層について本発明の発明者らは鋭意検討を行った。その結果、銅層と同時にエッチングできる黒化層として、銅、ニッケル、及びモリブデンを同時に含有する酸化膜や酸窒化膜を用いることができることを見出した。そして、係る銅、ニッケル、及びモリブデンを同時に含有する酸化膜や、酸窒化膜はスパッタリング法で作製できる。
【００１５】
スパッタリング法で使用されるターゲットとしては、主として熔解合金または焼結体が使われる。特に熔解合金は密度が高く均一であるため、スパッタリング用ターゲットとして有用である。
【００１６】
ところが銅とモリブデンは固溶しないため、上記黒化層を形成するのに適した合金組成を有し、熔解法により作製した銅、ニッケル、及びモリブデンを含有するスパッタリング用合金ターゲットは知られていなかった。そこで、本発明の発明者らはさらに検討を行い、本発明を完成させた。
【００１７】
ここでまず、本実施形態のスパッタリング用合金ターゲットとする、銅−ニッケル−モリブデン熔解合金の組成について説明する。
【００１８】
銅−ニッケル−モリブデン熔解合金のモリブデンの含有割合は２原子％以上２６原子％未満とすることが好ましく、２．５原子％以上１６原子％未満とすることがより好ましい。
【００１９】
これは、モリブデンの含有割合が２原子％未満ではタッチパネル用導電性基板を構成する黒化層として要求される光学特性を制御することが困難な場合があり、好ましくないからである。
【００２０】
また、モリブデンの含有割合が２６原子％以上の場合、銅−ニッケル−モリブデン熔解合金の作製のため金属原料を熔解した後、冷却中に目的としない金属間化合物が析出したり、熔融した液相がＭｏリッチ相と銅リッチ相に分離し、組成が不均一な合金となる場合がある。組成が不均一な合金をターゲットとして用いて黒化層をスパッタ成膜した場合、黒化層は均一な組成の膜とならず、タッチパネル用の黒化層として優れた光学特性とならないため好ましくない。
【００２１】
なお、モリブデンの含有割合を１６原子％未満とすることで、銅−ニッケル−モリブデン熔解合金の組成がより安定し、例えば１０００℃程度で熱間圧延を行っても化合物層が析出しないためより好ましい。
【００２２】
次に、銅−ニッケル−モリブデン熔解合金のニッケルの含有割合は２０原子％以上８０原子％未満が好ましい。
【００２３】
これは、ニッケルの含有割合が２０原子％未満の場合、これを使用してスパッタ成膜して得られる黒化層の耐湿性が悪くなる場合があり好ましくないからである。
【００２４】
また、ニッケルの含有割合を８０原子％以上とするとエッチング性が悪くなるので好ましくない。
【００２５】
銅−ニッケル−モリブデン熔解合金のモリブデン、ニッケル以外の残部は銅で構成することができる。
【００２６】
本実施形態のスパッタリング用合金ターゲットとする、銅−ニッケル−モリブデン熔解合金に含まれるモリブデンと、ニッケルとの物質量比は特に限定されるものではないが、モリブデンとニッケルの物質量比は２：９８以上２６：７４以下であることが好ましい。
【００２７】
すなわち、本実施形態のスパッタリング用合金ターゲットとする、銅−ニッケル−モリブデン熔解合金に含まれるモリブデンと、ニッケルとのうち、モリブデンの割合は、２原子％以上２６原子％以下であることが好ましい。
【００２８】
これは、銅−ニッケル−モリブデン熔解合金に含まれるモリブデンと、ニッケルとのうち、モリブデンの割合が２原子％未満の場合、タッチパネル用導電性基板を構成する黒化層として要求される光学特性を制御することが困難な場合があるからである。また、銅−ニッケル−モリブデン熔解合金に含まれるモリブデンと、ニッケルとのうち、モリブデンの割合が２６原子％を超えると、銅−ニッケル−モリブデン熔解合金の組成が不均一になる場合があるためである。
【００２９】
本実施形態のスパッタリング用合金ターゲットは熔解法により作製することができる。熔解法とは、スパッタリング用合金ターゲットを構成する、銅、ニッケル、及びモリブデンを熔解させ、合金とする方法である。
【００３０】
ただし、既述の様に銅とモリブデンとは熔解することが難しく固溶しない。このため、本実施形態のスパッタリング用合金ターゲットは、ニッケルにモリブデンを固溶させた合金を作製し、その合金と銅とを熔解させることで作製することが好ましい。
【００３１】
このため、本実施形態のスパッタリング用合金ターゲットにおいては、モリブデンがニッケルに固溶していることが好ましい。
（スパッタリング用合金ターゲットの製造方法）
次に、本実施形態のスパッタリング用合金ターゲットの製造方法の一構成例について説明する。
【００３２】
なお、銅とモリブデンとは熔解することが難しく固溶しない。このため、本発明の発明者らが検討したところによると、ニッケルにモリブデンを固溶させた合金を作製し、その合金と銅とを熔解させることで銅−ニッケル−モリブデン熔解合金を作製することが好ましい。具体的には例えば以下の手順により作製することができる。
【００３３】
まず、出発原料を準備する原料準備工程を実施できる。
【００３４】
出発原料として、構成成分である銅、ニッケル、モリブデンを準備し、スパッタリング用合金ターゲットの目的組成にあわせてそれぞれを秤量することができる。
【００３５】
例えば、４６Ｃｕ−４６Ｎｉ−８Ｍｏの熔解合金ターゲットを作製する場合には、まずニッケルを４６原子％（４２．３質量％）、銅を４６原子％（４５．７質量％）、モリブデンを８原子％（１２．０質量％）になるように秤量する。
【００３６】
次に、ニッケルとモリブデンとを真空雰囲気下、熔解させ、ニッケル−モリブデン合金を形成する、ニッケル−モリブデン合金形成工程を実施できる。
【００３７】
ニッケル−モリブデン合金形成工程では、原料準備工程で秤量したニッケルとモリブデンとを坩堝、例えばアルミナ坩堝に入れて真空雰囲気下、加熱して熔解し、ニッケル−モリブデン合金を形成できる。
【００３８】
ニッケル−モリブデン合金形成工程では、例えば真空熔解炉を用いて加熱することができる。
【００３９】
ニッケル−モリブデン合金形成工程で加熱する温度は特に限定されるものではなく、形成するニッケル−モリブデン合金の組成に応じて、モリブデンがニッケルに固溶できるように温度を選択することが好ましい。例えば４６Ｃｕ−４６Ｎｉ−８Ｍｏの熔解合金を形成するためのニッケル−モリブデン合金を形成する場合には、１５５０℃以上に加熱することが好ましい。
【００４０】
なお、モリブデンとニッケルとの相図から、１３１５℃ではモリブデンをニッケルに２６原子％まで固溶させることが可能である。また、ＮｉとＭｏとの金属間化合物であるＮｉ４Ｍｏが析出する８７５℃ではモリブデンが１６原子％まで、室温ではモリブデンが１３原子％までニッケルにモリブデンを固溶させることが可能であることが分かる。このように相図と、形成する合金の組成に基づいてニッケル−モリブデン合金形成工程の加熱温度を選択することが好ましい。
【００４１】
次に、ニッケル−モリブデン合金形成工程で形成した熔解した状態のニッケル−モリブデン合金に銅を添加し、銅−ニッケル−モリブデン熔解合金を形成する銅−ニッケル−モリブデン合金形成工程を実施できる。
【００４２】
ニッケル−モリブデン合金形成工程でニッケル−モリブデン合金を熔解した状態で形成した後、そのまま温度を一定時間、例えば５分以上２０分以下保持して完全に溶解したことを確認してから、銅−ニッケル−モリブデン合金形成工程を開始することが好ましい。
【００４３】
銅−ニッケル−モリブデン合金形成工程ではまず、ニッケル−モリブデン合金形成工程でニッケル−モリブデン合金を熔解させ、真空雰囲気に保たれた炉内に、不活性ガスを入れて真空度が５０Ｐａ以上１０００Ｐａ以下になるように調整することが好ましい。この際用いる不活性ガスとしては特に限定されるものではないが、例えばアルゴンガスや、ヘリウムガス等を用いることができる。
【００４４】
炉内に不活性ガスを導入後、原料準備工程で準備した銅を、熔解したニッケル−モリブデン合金が入った坩堝に数回に分けて投入して、銅を熔解させることで、所望の合金組成の銅−ニッケル−モリブデン熔解合金を作製することができる。なお、ニッケル−モリブデン合金形成工程での温度が銅の融点に満たない場合には、銅の融点以上まで加熱してから銅の投入を実施することが好ましい。
【００４５】
次に、真空下で加熱する真空加熱工程を実施することができる。
【００４６】
銅−ニッケル−モリブデン合金形成工程で銅を添加し、銅が熔解した後、真空加熱工程を実施することができる。真空加熱工程では、再び炉内の真空引きを行って合金融体の脱ガスを行い、脱ガス後、再度真空中で加熱して、均一な銅−ニッケル−モリブデン熔解合金を得ることができる。脱ガス後の加熱条件は特に限定されるものではないが、例えば１５５０℃以上の温度で、１０分間以上加熱、保持することが好ましい。
【００４７】
次にインゴット形成工程と、ターゲット加工工程を実施できる。
【００４８】
真空加熱工程後、熔解した状態の銅−ニッケル−モリブデン合金を鋳型に流し込んでインゴットとするインゴット形成工程を実施できる。鋳型としては特に限定されるものではなく、銅−ニッケル−モリブデン合金と反応せず、熔解した状態の銅−ニッケル−モリブデン合金の温度に対して耐熱性を有する材料により構成されていれば良い。例えばカーボン製の鋳型を用いることができる。
【００４９】
インゴット形成工程は、銅−ニッケル−モリブデン合金の酸化を抑制するため、不活性ガス雰囲気下で実施することが好ましい。
【００５０】
インゴット形成工程後、室温まで冷却し、ターゲット加工するターゲット加工工程を実施することで本実施形態のスパッタリング用合金ターゲットを得ることができる。
【００５１】
以上に説明したスパッタリング用合金ターゲット、スパッタリング合金用ターゲットの製造方法により得られるスパッタリング用合金ターゲットを用いることで、銅層と同時にエッチング処理を行うことができる黒化層を形成することができる。
（導電性基板）
本実施形態のスパッタリング用合金ターゲットを使用して製造することのできる導電性基板の一構成例について説明する。
【００５２】
本実施形態のスパッタリング用合金ターゲットを用いることで、同時にエッチング処理を行うことができる銅層と、黒化層と、を備えたタッチパネル用導電性基板を好適に作製することができる。
【００５３】
本実施形態のタッチパネル用導電性基板は、透明基材と、透明基材の少なくとも一方の面側に形成された銅層と、透明基材の少なくとも一方の面側に形成され、酸素、銅、ニッケル及びモリブデンを含有し、酸素を５原子％以上６０原子％以下含有する黒化層（以下、単に「黒化層」とも記載する）とを備えた構成とすることができる。
【００５４】
これまで、タッチパネル用導電性基板として、種々の構成の導電性基板が検討されてきた。その中で、導電性基板の配線層として銅層を用いることも検討されているが、銅層は金属光沢を有するため、透明基材上に銅層をエッチングした配線を形成したのみでは銅層が光を反射する。このため、例えばタッチパネル用の導電性基板として用いた場合、ディスプレイの視認性が低下するという問題があった。
【００５５】
このため、黒化層を設ける方法が検討されてきたが、黒化層がエッチング液に対する反応性を十分に有していない場合があり、銅層と黒化層とを同時に所望の形状にエッチングすることは困難であった。
【００５６】
そこで、本発明の発明者らが検討を行ったところ、酸素、銅、ニッケル及びモリブデンを含有する層は黒色であるため黒化層として使用でき、さらに、エッチング液に対して十分な反応性を示すため、銅層と同時にエッチング処理を行えることを見出した。
【００５７】
そして、既述の本実施形態のスパッタリング用合金ターゲットを使用することで、配線層の銅層と同時にエッチングでき、安価にパターニングできる酸素、銅、ニッケル及びモリブデンを含有する黒化層を成膜できることを見出した。さらに、本実施形態のスパッタリング用合金ターゲットを用いて黒化層を成膜した場合、タッチパネル用として要求される良好な光学特性（例えば反射率、明度（Ｌ＊）、色度（ａ＊、ｂ＊））を有する黒化層が得られることも見出した。
【００５８】
以下に、本実施形態の導電性基板に含まれる各層について説明する。
【００５９】
透明基材としては特に限定されるものではなく、可視光を透過する絶縁体フィルムや、ガラス基板等を好ましく用いることができる。
【００６０】
可視光を透過する絶縁体フィルムとしては例えば、ポリアミド系フィルム、ポリエチレンテレフタレート系フィルム、ポリエチレンナフタレート系フィルム、シクロオレフィン系フィルム等の樹脂フィルム、ポリカーボネート系フィルム等を好ましく用いることができる。
【００６１】
透明基材の厚さについては特に限定されず、導電性基板とした場合に要求される強度や静電容量、光の透過率等に応じて任意に選択することができる。
【００６２】
次に銅層について説明する。
【００６３】
銅層についても特に限定されないが、光の透過率を低減させないため、銅層と透明基材との間、または、黒化層との間に接着剤を配置しないことが好ましい。すなわち銅層は、他の部材の上面に直接形成されていることが好ましい。
【００６４】
他の部材の上面に銅層を直接形成するため、銅層は銅薄膜層を有することが好ましい。また、銅層は銅薄膜層と銅めっき層とを有していてもよい。
【００６５】
例えば透明基材または黒化層上に、乾式めっき法により銅薄膜層を形成し該銅薄膜層を銅層とすることができる。これにより、透明基材または黒化層上に接着剤を介さずに直接銅層を形成できる。
【００６６】
銅薄膜層の形成に用いる乾式めっき法としては、特に限定されるものではなく、例えば、真空蒸着法、スパッタリング法、又はイオンプレーティング法等を用いることができる。特に、銅薄膜層の形成に用いる乾式めっき法としては、膜厚の制御が容易であることから、スパッタリング法を用いることがより好ましい。
【００６７】
また、銅層の膜厚が厚い場合には、該銅薄膜層を給電層として、湿式めっき法により銅めっき層を形成することにより、銅薄膜層と銅めっき層とを有する銅層とすることもできる。銅層が銅薄膜層と銅めっき層とを有することにより、この場合も透明基材または黒化層上に接着剤を介さずに直接銅層を形成できる。
【００６８】
銅層の厚さは特に限定されるものではなく、銅層を配線として用いた場合に、該配線に供給する電流の大きさや配線幅等に応じて任意に選択することができる。特に十分に電流を供給できるように銅層は厚さが１００ｎｍ以上であることが好ましく、１５０ｎｍ以上とすることがより好ましい。銅層の厚さの上限値は特に限定されないが、銅層が厚くなると、配線を形成するためにエッチングを行う際にエッチングに時間を要するためサイドエッチが生じ、エッチングの途中でレジストが剥離する等の問題を生じ易くなる。このため、銅層の厚さは３μｍ以下であることが好ましく、７００ｎｍ以下であることがより好ましい。
【００６９】
なお、銅層が上述のように銅薄膜層と、銅めっき層を有する場合には、銅薄膜層の厚さと、銅めっき層の厚さとの合計が上記範囲であることが好ましい。
【００７０】
次に黒化層について説明する。
【００７１】
黒化層は本実施形態のスパッタリング用合金ターゲットを用い、チャンバー内に反応性ガスとして酸素を供給しながらスパッタリング法により成膜することができる。また、反応性ガスとして酸素と窒素との混合ガスを用いることもでき、この場合は、チャンバー内に酸素と、窒素とを供給しながらスパッタリング法により成膜することができる。
【００７２】
スパッタリング時にチャンバー内に供給するガス中の酸素の含有割合は特に限定されないが、酸素の含有割合が５体積％以上４５体積％以下であるガスをチャンバーに供給しながら、黒化層を成膜することが好ましい。
【００７３】
これは、チャンバー内へ供給するガス中の酸素の含有割合を４５体積％以下とすることにより、黒化層のエッチング液に対する反応性を特に高めることができるからである。このため、銅層と共に黒化層のエッチングを行う際、銅層と、黒化層とを容易に所望のパターンとすることができ好ましい。さらに、光学特性の反射率、明度（Ｌ＊）、色度（ａ＊、ｂ＊）のいずれも黒化層として良好となり好ましい。
【００７４】
特に色度（ａ＊、ｂ＊）を黒化層として特に良好とする観点からは、チャンバー内へ供給するガス中の酸素の供給割合は４２体積％以下とすることがより好ましい。
【００７５】
また、スパッタリング時にチャンバー内へ供給するガス中の酸素の含有割合を５体積％以上とすることにより、成膜した黒化層の色を、銅層表面での光の反射を抑制するのに特に適した色とすることができ、好ましい。
【００７６】
上述の様に反応性ガスとして、酸素と窒素との混合ガスを用いることもできる。反応性ガスとして酸素と窒素との混合ガスを用いることで、黒化層のエッチング性を特に高めることができる。反応性ガスとして、酸素と窒素との混合ガスを用いる場合、酸素と窒素の比は体積比で１：４以上５：５以下が望ましい。すなわち、酸素と窒素との混合ガス中の酸素の割合が２０体積％以上５０体積％以下であることが好ましい。
【００７７】
なお、スパッタリングを行う際、チャンバー内に供給するガスは、酸素、または酸素と窒素との混合ガス以外の残部については不活性ガスとすることが好ましい。酸素、または酸素と窒素との混合ガス以外の残部については例えばアルゴン、キセノン、ネオン、ヘリウムから選択された１種類以上のガスを用いることが好ましい。
【００７８】
成膜した黒化層は、酸素、銅、ニッケル、及びモリブデンを含有することができる。黒化層に含まれる銅とニッケルとモリブデンとの含有量の合計、すなわち金属元素の含有量の合計を１００原子％とした場合に、モリブデンの含有量が２原子％以上７０％原子以下であることが好ましい。
【００７９】
これは、黒化層に含まれる金属元素中のモリブデンの含有量を２原子％以上とすることで、黒化層表面での光の反射率を特に低下させることができるためである。そして、黒化層に含まれる金属元素中のモリブデンの含有量を７０原子％以下とすることで、黒化層が高いエッチング性を示し、所望のパターンを有する導電性基板を容易に作製することができるためである。
【００８０】
なお、既述の本実施形態のスパッタリング用合金ターゲットを用いて黒化層を成膜することで、黒化層に含まれる金属元素中のモリブデンの含有量を容易に上記範囲とすることができる。
【００８１】
また、黒化層中に含まれる酸素は、黒化層に含まれる成分のうち、５原子％以上６０原子％以下であることが好ましく、２０原子％以上５５原子％以下であることがより好ましい。
【００８２】
これは、黒化層中に酸素が５原子％以上含まれていることにより黒化層が半透明になることで光の干渉効果により十分な黒色とすることができ、光の反射を特に抑制できるためである。また黒化層中の酸素の含有量が６０原子％より多くなると黒化層のエッチング性が低下する場合があり、また黒化層のシート抵抗が高くなるため、６０原子％以下であることが好ましい。
【００８３】
黒化層の厚さは特に限定されるものではないが、例えば２０ｎｍ以上であることが好ましく、２５ｎｍ以上とすることがより好ましい。黒化層は、上述のように黒色をしており、銅層による光の反射を抑制する黒化層として機能するが、黒化層の厚さが薄い場合には、十分な黒色が得られず銅層による光の反射を十分に抑制することができない場合がある。これに対して、黒化層の厚さを上記範囲とすることにより、銅層の反射をより抑制できるため好ましい。
【００８４】
黒化層の厚さの上限値は特に限定されるものではないが、黒化層の厚さを厚くすると、光学特性の反射率、明度（Ｌ＊）、色度（ａ＊、ｂ＊）が黒化層としては劣る特性となる場合があり、好ましくない。このため、黒化層の厚さは４５ｎｍ以下とすることが好ましく、４０ｎｍ以下とすることがより好ましい。
【００８５】
次に、本実施形態の導電性基板の構成例について説明する。
【００８６】
上述のように、本実施形態の導電性基板は透明基材と、銅層と、黒化層と、を備えている。この際、銅層と、黒化層と、を透明基材上に配置する際の積層の順番は特に限定されるものではない。また、銅層と、黒化層と、はそれぞれ複数層形成することもできる。なお、銅層表面での光の反射の抑制のため、銅層の表面のうち光の反射を特に抑制したい面に黒化層が配置されていることが好ましい。また、銅層は黒化層に挟まれた構造を有していることがより好ましい。
【００８７】
具体的な構成例について、図１、図２を用いて以下に説明する。図１、図２は、本実施形態の導電性基板の、透明基材、銅層、黒化層の積層方向と平行な面における断面図の例を示している。
【００８８】
例えば、図１（ａ）に示した導電性基板１０Ａのように、透明基材１１の一方の面１１ａ側に銅層１２と、黒化層１３と、を一層ずつその順に積層することができる。また、図１（ｂ）に示した導電性基板１０Ｂのように、透明基材１１の一方の面１１ａ側と、もう一方の面（他方の面）１１ｂ側と、にそれぞれ銅層１２Ａ、１２Ｂと、黒化層１３Ａ、１３Ｂと、を一層ずつその順に積層することができる。なお、銅層１２（１２Ａ、１２Ｂ）、及び、黒化層１３（１３Ａ、１３Ｂ）を積層する順は、図１（ａ）、（ｂ）の例に限定されず、透明基材１１側から黒化層１３（１３Ａ、１３Ｂ）、銅層１２（１２Ａ、１２Ｂ）の順に積層することもできる。
【００８９】
また、例えば黒化層を透明基材１１の一方の面１１ａ側に複数層設けた構成とすることもできる。例えば図２（ａ）に示した導電性基板２０Ａのように、透明基材１１の一方の面１１ａ側に、第１の黒化層１３１と、銅層１２と、第２の黒化層１３２と、をその順に積層することができる。
【００９０】
この場合も透明基材１１の両面に銅層、第１の黒化層、第２の黒化層を積層した構成とすることができる。具体的には図２（ｂ）に示した導電性基板２０Ｂのように、透明基材１１の一方の面１１ａ側と、もう一方の面（他方の面）１１ｂ側と、にそれぞれ第１の黒化層１３１Ａ、１３１Ｂと、銅層１２Ａ、１２Ｂと、第２の黒化層１３２Ａ、１３２Ｂと、をその順に積層できる。
【００９１】
なお、図１（ｂ）、図２（ｂ）において、透明基材の両面に銅層と、黒化層と、を積層した場合において、透明基材１１を対称面として透明基材１１の上下に積層した層が対称になるように配置した例を示したが、係る形態に限定されるものではない。例えば、図２（ｂ）において、透明基材１１の一方の面１１ａ側の構成を図１（ａ）の構成と同様に、銅層１２と、黒化層１３と、をその順に積層した形態とし、透明基材１１の上下に積層した層を非対称な構成としてもよい。
【００９２】
ここまで、本実施形態の導電性基板について説明してきたが、本実施形態の導電性基板においては、透明基材上に銅層と、黒化層と、を設けているため、銅層による光の反射を抑制することができる。
【００９３】
本実施形態の導電性基板の光の反射の程度については特に限定されないが、例えば本実施形態の導電性基板は、波長５５０ｎｍの光に対する反射率は３０％以下であることが好ましく、２０％以下であることがより好ましく、１０％以下であることが特に好ましい。
【００９４】
また波長３５０ｎｍ以上７８０ｎｍ以下の範囲の光に対する反射率の平均値である可視光平均反射率は３０％以下であることが好ましく、２０％以下であることがより好ましく、１０％以下であることが特に好ましい。
【００９５】
これは波長５５０ｎｍの光に対する反射率、および可視光平均反射率の少なくとも一方が３０％以下の場合、例えばタッチパネル用の導電性基板として用いた場合でもディスプレイの視認性の低下をほとんど引き起こさないためである。ディスプレイの視認性の低下を特に抑制する観点から、波長５５０ｎｍの光に対する反射率、及び可視光平均反射率は、共に３０％以下であることがより好ましい。
【００９６】
反射率の測定は、黒化層に光を照射するようにして行うことができる。すなわち、導電性基板に含まれる銅層及び黒化層のうち、黒化層側から測定を行うことができる。
【００９７】
具体的には例えば図１（ａ）のように透明基材１１の一方の面１１ａに銅層１２、黒化層１３の順に積層した場合、黒化層１３に光を照射できるように、図中の表面Ａに対して光を照射するようにして測定できる。
【００９８】
また、図１（ａ）の場合と銅層１２と黒化層１３との配置を換え、透明基材１１の一方の面１１ａに黒化層１３、銅層１２の順に積層した場合、透明基材１１を除いて黒化層１３が最表面に位置する側である、透明基材１１の面１１ｂ側から光を照射して反射率を測定できる。
【００９９】
なお、後述のように導電性基板は銅層及び黒化層をエッチングすることにより配線を形成できるが、上記反射率は導電性基板のうち透明基材を除いた場合に最表面に配置されている黒化層の、光が入射する側の表面における反射率を示している。このため、エッチング処理前、または、エッチング処理を行った後であれば、銅層及び黒化層が残存している部分での測定値が上記範囲を満たしていることが好ましい。
【０１００】
また、測定した反射率から、明度（Ｌ＊）、色度（ａ＊、ｂ＊）を算出することができる。明度（Ｌ＊）、及び色度（ａ＊、ｂ＊）については特に限定されないが、明度（Ｌ＊）は６０以下であることが好ましく、５５以下であることがより好ましい。また、色度（ａ＊、ｂ＊）は少なくとも一方が０未満、すなわち負であることが好ましく、ａ＊、ｂ＊共に０未満であることがより好ましい。
【０１０１】
これは明度（Ｌ＊）が６０以下の場合暗い色調となるために、光の反射を特に抑制できるからである。また、色度（ａ＊、ｂ＊）の少なくとも一方が０未満の場合に、黒化層は光の反射を抑制するのに特に適した色となるためである。
【０１０２】
本実施形態の導電性基板は上述のように例えばタッチパネル用の導電性基板として好ましく用いることができる。この場合導電性基板はメッシュ状の配線を備えた構成とすることができる。
【０１０３】
メッシュ状の配線を備えた導電性基板は、ここまで説明した本実施形態の導電性基板の銅層及び黒化層をエッチングすることにより得ることができる。
【０１０４】
例えば、二層の配線によりメッシュ状の配線とすることができる。具体的な構成例を図３に示す。図３はメッシュ状の配線を備えた導電性基板３０を銅層、黒化層の積層方向の上面側から見た図を示している。図３に示した導電性基板３０は、透明基材１１と、図中Ｙ軸方向に平行な複数の配線３１ＡとＸ軸方向に平行な配線３１Ｂとを有している。なお、配線３１Ａ、３１Ｂは銅層をエッチングして形成されており、該配線３１Ａ、３１Ｂの上面および／または下面には図示しない黒化層が形成されている。また、黒化層は配線３１Ａ、３１Ｂと同じ形状にエッチングされている。
【０１０５】
透明基材１１と配線３１Ａ、３１Ｂとの配置は特に限定されない。透明基材１１と配線との配置の構成例を図４（ａ）、（ｂ）に示す。図４（ａ）、（ｂ）は図３のＡ−Ａ´線での断面図に当たる。
【０１０６】
まず、図４（ａ）に示したように、透明基材１１の上下面にそれぞれ配線３１Ａ、３１Ｂが配置されていてもよい。なお、この場合、配線３１Ａの上面、及び配線３１Ｂの下面にはそれぞれ、配線と同じ形状にエッチングされた黒化層３２Ａ、３２Ｂが配置されている。
【０１０７】
また、図４（ｂ）に示したように、１組の透明基材１１Ａ、１１Ｂを用い、一方の透明基材１１Ａを挟んで上下面に配線３１Ａ、３１Ｂを配置し、かつ、一方の配線３１Ｂは透明基材１１Ａと透明基材１１Ｂとの間に配置されてもよい。この場合も、配線３１Ａ、３１Ｂの上面には配線と同じ形状にエッチングされた黒化層３２Ａ、３２Ｂが配置されている。なお、既述のように、黒化層と、銅層との配置は限定されるものではない。このため、図４（ａ）、（ｂ）いずれの場合でも黒化層３２Ａ、３２Ｂと配線３１Ａ、３１Ｂの配置は上下を逆にすることもできる。また、例えば黒化層を複数層設けることもできる。
【０１０８】
ただし、黒化層は銅層表面のうち光の反射を特に抑制したい面に配置されていることが好ましい。このため、図４（ｂ）に示した導電性基板において、例えば、図中下面側からの光の反射を抑制する必要がある場合には、黒化層３２Ａ、３２Ｂの位置と、配線３１Ａ、３１Ｂの位置とをそれぞれ逆にすることが好ましい。また、黒化層３２Ａ、３２Ｂに加えて、配線３１Ａと透明基材１１Ａとの間、および／または配線３１Ｂと透明基材１１Ｂとの間に黒化層をさらに設けてもよい。
【０１０９】
図３及び図４（ａ）に示したメッシュ状の配線を有する導電性基板は例えば、図１（ｂ）、図２（ｂ）のように透明基材１１の両面に銅層１２Ａ、１２Ｂと、黒化層１３Ａ、１３Ｂ（１３１Ａ、１３２Ａ、１３１Ｂ、１３２Ｂ）と、を備えた導電性基板から形成できる。
【０１１０】
図１（ｂ）の導電性基板を用いて形成した場合を例に説明すると、まず、透明基材１１の一方の面１１ａ側の銅層１２Ａ及び黒化層１３Ａを、図１（ｂ）中Ｙ軸方向に平行な複数の線状のパターンが、Ｘ軸方向に沿って所定の間隔をあけて配置されるようにエッチングを行う。図１（ｂ）中のＸ軸方向とは、図１（ｂ）中の各層の幅方向と平行な方向を意味している。また、図１（ｂ）中のＹ軸方向とは、紙面と垂直な方向を意味している。
【０１１１】
そして、透明基材１１のもう一方の面１１ｂ側の銅層１２Ｂ及び黒化層１３Ｂを図１（ｂ）中Ｘ軸方向と平行な複数の線状のパターンが、Ｙ軸方向に沿って所定の間隔をあけて配置されるようにエッチングを行う。
【０１１２】
以上の操作により図３、図４（ａ）に示したメッシュ状の配線を有する導電性基板を形成することができる。なお、透明基材１１の両面のエッチングは同時に行うこともできる。すなわち、銅層１２Ａ、１２Ｂ、黒化層１３Ａ、１３Ｂのエッチングは同時に行ってもよい。
【０１１３】
なお、銅層、及び黒化層を所望の形状にエッチングする方法は特に限定されない。例えば以下の手順によりエッチングを行うことができる。まず、エッチングにより除去する部分に対応した開口部を有するレジストを、導電性基板の最表面に形成する。図１（ｂ）に示した導電性基板の場合、導電性基板に配置した黒化層１３Ａ、１３Ｂの露出した面Ａ、面Ｂ上にレジストを形成することができる。なお、エッチングにより除去する部分に対応した開口部を有するレジストの形成方法は特に限定されないが、例えばフォトリソグラフィー法により形成することができる。
【０１１４】
次いで、レジスト上面からエッチング液を供給することにより、銅層１２Ａ、１２Ｂ、黒化層１３Ａ、１３Ｂのエッチングを実施することができる。
【０１１５】
黒化層は銅層とほぼ同様のエッチング液への反応性を示すことから、エッチングを行う際に用いるエッチング液は特に限定されるものではなく、一般的に銅層のエッチングに用いられるエッチング液を好ましく用いることができる。エッチング液としては例えば、塩化第二鉄と、塩酸と、の混合水溶液をより好ましく用いることができる。エッチング液中の塩化第二鉄と、塩酸との含有量は特に限定されるものではないが例えば、塩化第二鉄を５質量％以上５０質量％以下の割合で含むことが好ましく、１０質量％以上３０質量％以下の割合で含むことがより好ましい。また、エッチング液は例えば、塩酸を１質量％以上５０質量％以下の割合で含むことが好ましく、１質量％以上２０質量％以下の割合で含むことがより好ましい。なお、残部については水とすることができる。
【０１１６】
エッチング液は室温で用いることもできるが、反応性を高めるため加温していることが好ましく、例えば４０℃以上５０℃以下に加熱して用いることが好ましい。
【０１１７】
図３に示したメッシュ状の配線を有する導電性基板は、図１（ａ）または図２（ａ）に示した導電性基板を２枚用いることにより形成することもできる。図１（ａ）の導電性基板を用いた場合を例に説明すると、図１（ａ）に示した導電性基板２枚についてそれぞれ、銅層１２及び黒化層１３を、Ｘ軸方向と平行な複数の線状のパターンが所定の間隔をあけて配置されるようにエッチングを行う。そして、上記エッチング処理により各導電性基板に形成した線状のパターンが互いに交差するように向きをあわせて２枚の導電性基板を貼り合せることによりメッシュ状の配線を備えた導電性基板とすることができる。２枚の導電性基板を貼り合せる際に貼り合せる面は特に限定されるものではなく、図４（ｂ）のように銅層１２等が積層された図１（ａ）における面Ａと、銅層１２等が積層されていない図１（ａ）における面１１ｂとを貼り合せてもよい。
【０１１８】
なお、黒化層は銅層表面のうち光の反射を特に抑制したい面に配置されていることが好ましい。このため、図４（ｂ）に示した導電性基板において、図中下面側からの光の反射を抑制する必要がある場合には、黒化層３２Ａ、３２Ｂの位置と、配線３１Ａ、３１Ｂの位置とをそれぞれ逆に配置することが好ましい。また、黒化層３２Ａ、３２Ｂに加えて、配線３１Ａと透明基材１１Ａとの間、および／または配線３１Ｂと透明基材１１Ｂとの間に黒化層をさらに設けてもよい。
【０１１９】
また、例えば透明基材１１の銅層１２等が積層されていない図１（ａ）における面１１ｂ同士を貼り合せて断面が図４（ａ）に示した構造となるように貼り合せてもよい。
【０１２０】
なお、図３、図４に示したメッシュ状の配線を有する導電性基板における配線の幅や、配線間の距離は特に限定されるものではなく、例えば、配線に流す電流量等に応じて選択することができる。
【０１２１】
また、図３、図４においては、直線形状の配線を組み合わせてメッシュ状の配線（配線パターン）を形成した例を示しているが、係る形態に限定されるものではなく、配線パターンを構成する配線は任意の形状とすることができる。例えばディスプレイの画像との間でモアレ（干渉縞）が発生しないようメッシュ状の配線パターンを構成する配線の形状をそれぞれ、ぎざぎざに屈曲した線（ジグザグ直線）等の各種形状にすることもできる。
【０１２２】
このように２層の配線から構成されるメッシュ状の配線を有する導電性基板は、例えば投影型静電容量方式のタッチパネル用の導電性基板として好ましく用いることができる。
【０１２３】
本実施形態の導電性基板においては、本実施形態のスパッタリング用ターゲットを用いて黒化層を形成することができる。このため、銅層と黒化層とがエッチング液に対してほぼ同じ反応性を示すことから、同時にエッチング処理を行うことができ、容易に所望の配線を形成することができる。また、黒化層は黒色であるため、銅層による光の反射を抑制することができ、例えばタッチパネル用の導電性基板とした場合に、視認性の低下を抑制することができる。
【実施例】
【０１２４】
以下に具体的な実施例、比較例を挙げて説明するが、本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。
［実施例１］
実施例１では、以下の手順により合金の組成が４６Ｃｕ−４６Ｎｉ−８Ｍｏであるスパッタリング用合金ターゲットを熔解法により作製した。
【０１２５】
原料準備工程として、出発原料である構成成分の銅、ニッケル、モリブデンを準備した。
【０１２６】
まず、金属ニッケルを４６原子％（５０７０ｇ、４２．３質量％）、金属銅を４６原子％（５４９０ｇ、４５．７質量％）と金属モリブデンを８原子％（１４４１ｇ、１２質量％）になるように秤量した。なお、金属ニッケル、金属銅、金属モリブデンはいずれもボタン状鋳塊および板を用いた。
【０１２７】
次いで、ニッケル−モリブデン合金形成工程を実施した。
【０１２８】
原料準備工程で準備した金属ニッケルと金属モリブデンとをアルミナ坩堝に充填し、真空熔解炉（富士電波工業製）に設置した。そして、真空熔解炉内を真空にして１５５０℃まで加熱した。なお、加熱温度である１５５０℃は、目的とするニッケル−モリブデン合金の組成を確実に形成できるよう、相図から予め求めておいた。
【０１２９】
次に、銅−ニッケル−モリブデン合金形成工程を実施した。
【０１３０】
銅−ニッケル−モリブデン合金形成工程は、ニッケル−モリブデン合金形成工程で１５５０℃に到達後、１５５０℃で１０分間保持して完全に溶解したことを確認した後に実施した。
【０１３１】
銅−ニッケル−モリブデン合金形成工程を開始するに当たってまず、ニッケル−モリブデン合金形成工程でニッケル−モリブデン合金を熔解させ、真空雰囲気に保たれた真空熔解炉内にＡｒガスを入れて真空度が５００Ｐａになるように調整した。
【０１３２】
そして、その後、坩堝内に原料準備工程で用意した金属銅５４９０ｇを、熔解したニッケル−モリブデン合金が入った坩堝に４回に分けて投入した。
【０１３３】
次に、真空加熱工程を実施した。
【０１３４】
真空加熱工程ではまず、銅−ニッケル−モリブデン合金形成工程で、坩堝内に金属銅を投入して、銅が熔解した後、真空熔解炉内の真空引きを行って合金融体の脱ガスを行った。そして、脱ガス後、真空中で再度加熱して１５５０℃以上１６５０℃以下で１０分間保持した。
【０１３５】
真空加熱工程の後、インゴット形成工程を実施した。
【０１３６】
インゴット形成工程では、カーボン製の鋳型（１５０×５０×１５０ｍｍ）に、真空加熱工程を実施した、熔解した状態の銅−ニッケル−モリブデン合金を、アルゴンガス雰囲気中で流し込んでインゴット（１５０×５０×１１０ｍｍ）を作製した。
【０１３７】
インゴット形成工程後、得られた銅−ニッケル−モリブデン合金のインゴットを室温まで冷却し、インゴットの表面をマイクロビッカース（松澤製機製  型式：ＤＭＨ−１）で硬さを測定した。インゴットの表面の任意の５点測定し平均硬さは１７０Ｈｖであることが確認できた。
【０１３８】
また、得られたインゴットについて、ＳＥＭ-ＥＤＳ（ＳＥＭ：日本電子株式会社製  型式：ＪＳＭ−７００１Ｆ、ＥＤＳ：サーモフィッシャーサイエンティフィック株式会社製  型式：検出器  ＵｌｔｒａＤｒｙ  解析システム  ＮＯＲＡＮ  Ｓｙｓｔｅｍ  ７）の分析を行ったところ、モリブデンはニッケル中に固溶していることが確認できた。
【０１３９】
次に、得られたインゴットを用いてスパッタリング用合金ターゲットに加工する、ターゲット加工工程を実施した。
【０１４０】
得られたインゴットから１１０×６０×５０ｍｍの板を切り出して、熱間（１０００℃）で圧延を行って１１０×１５０×２２ｍｍに圧延した板を作製した。圧延パスは５回、加熱を繰り返して行った。
【０１４１】
圧延した板から直径７５ｍｍ厚み６ｍｍの円盤を切り出した。そして、円盤の表面を研削して平面を出してスパッタリング用合金ターゲットを得た。
【０１４２】
得られたスパッタリング用合金ターゲットは、スパッタリング装置に装着できるように銅製のバッキングプレートにＩｎ（インジウム）の蝋剤を用いてボンディングしてターゲットとした。
【０１４３】
従って、図５に示した構造のターゲットが得られた。図５（ａ）は、作製したスパッタリング用合金ターゲットの、スパッタリング用合金ターゲット側の面から見た上面図を示している。図５（ｂ）はＡ−Ａ線での断面図を示している。
【０１４４】
図５（ａ）に示した様に、バッキングプレート５１上にスパッタリング用合金ターゲット５２が略同心円状に配置されている。そして、図５（ｂ）に示すようにバッキングプレート５１と、スパッタリング用合金ターゲット５２との間にはインジウムの蝋剤によるボンディング層５３が設けられている。
（導電性基板の作製）
作製したスパッタリング用合金ターゲットの性能を評価するため、黒化層を含む導電性基板を作製した。ＰＥＴ基板（ポリエチレンテレフタレート基板）上に、銅層と、酸素、銅、ニッケル及びモリブデンを含有する黒化層とを形成した導電性基板の試料を作製した。すなわち、図１（ａ）に示した導電性基板と同様の断面構造を有する導電性基板を作製した。
【０１４５】
まず、縦６ｃｍ、横６ｃｍ、厚さ０．０５ｍｍのポリエチレンテレフタレート樹脂（ＰＥＴ、商品名「ルミラーＵ４８」、東レ株式会社製）製の透明基材１１を準備した。
【０１４６】
次に、直流スパッタリング法により透明基材１１の一方の面上に銅薄膜層である銅層１２を膜厚が２５０ｎｍとなるように成膜した。
【０１４７】
次に銅層１２の透明基材１１と対向する面とは反対側の面に黒化層１３を成膜した。黒化層１３の成膜はスパッタリング装置（アルバック株式会社製  型式：ＳＩＨ−４５０）を用いて行った。
【０１４８】
スパッタリングの具体的な条件について以下に説明する。
【０１４９】
ターゲットとして、本実施例で作製したニッケルを４６原子％と、銅を４６原子％と、モリブデンを８原子％とを含有するスパッタリング用合金ターゲットを含むターゲットを用いた。
【０１５０】
スパッタリングを実施する前にチャンバー内を真空にし、その後、チャンバー内には酸素ガスとアルゴンガスとを供給しながらスパッタリングを行った。
【０１５１】
チャンバー内を真空とした時のチャンバー内の到達真空度は１．５×１０−４Ｐａとした。
【０１５２】
また、真空到達後、酸素ガスと、アルゴンガスとを供給する際の、酸素ガスと、アルゴンガスとの供給流量は、それぞれ６ｓｃｃｍと１４ｓｃｃｍとし、合計で２０ｓｃｃｍになるように供給しながらスパッタリングを行った。すなわち、チャンバー内に供給するガス中の酸素の含有割合は３０体積％とした。
【０１５３】
そして、スパッタリングに印可するＤＣパワー２００Ｗとし、膜厚が３０ｎｍとなるように黒化層を成膜し、導電性基板を作製した（試料１）。
【０１５４】
また、銅層まで同様にして作製した後、膜厚が３５ｎｍとなるようにスパッタ時間を変更した点以外は、試料１と同様にして導電性基板を作製した（試料２）。
（導電性基板の評価）
（１）黒化層の評価
得られた導電性基板の黒化層の光学特性を評価した。
【０１５５】
反射率の測定は、紫外可視分光光度計（株式会社日立ハイテクノロジーズ社製  型式：Ｕ−４０００）に反射率測定ユニットを設置して行った。
【０１５６】
測定に供した導電性基板は既述の様に断面形状が図１（ａ）と同様の構造を有している。そこで、作製した導電性基板の銅層及び黒化層を形成した側の図１（ａ）における表面Ａに対して、入射角1２°、受光角1２°として、波長３５０ｎｍ以上７８０ｎｍ以下の範囲の光を照射した際の反射率を測定した。なお、測定に際しては波長３５０ｎｍ以上７８０ｎｍ以上の範囲で、波長を１ｎｍごとに変化させた光を照射し、各波長についての反射率を測定した。
【０１５７】
そして、波長が３５０ｎｍ以上７８０ｎｍ以下の範囲の光に対する反射率の平均値を可視光平均反射率とした。また、波長が５５０ｎｍの光に対する反射率の測定値を波長５５０ｎｍの光に対する反射率とした。
【０１５８】
なお、測定の際にはＰＥＴフィルムの反りを矯正するためガラス基板上に試料を載置しクランプで固定して、黒化層側から光を照射して測定した。
【０１５９】
測定した反射率から、ＪＩＳ  Ｚ８７８１−４:２０１３に準拠した色彩計算プログラムを用いて、光源Ａ、視野２度の条件でＣＩＥ  １９７６（Ｌ＊，ａ＊，ｂ＊）色空間上の座標を計算した。
【０１６０】
測定結果を表１に示す。表１から試料１、試料２の黒化層は共に、明度（Ｌ＊）は４０以下と低いことが確認できた。また、試料１、試料２の黒化層は共に色度（ａ*、ｂ*）の値が負となっており、黒化層は青黒い膜であることも確認できた。これらの結果から、試料１、試料２で形成した黒化層は、タッチパネル用の黒化層として十分使用可能であることが確認できた。
【０１６１】
【表１】
0006443220.tif 000002
（２）溶解性試験
次いで、黒化層の溶解性試験を行った。
【０１６２】
溶解性試験の実施に当たっては、溶解性試験用の試料を準備した。
【０１６３】
導電性基板を作製した時と同じＰＥＴフィルム上に、銅層を設けずに、黒化層のみを形成した点、及び黒化層の膜厚を変えた点以外は導電性基板の試料１の場合と同様にして、溶解性試験用の試料を作製した。
【０１６４】
なお、溶解性試験用の試料において、黒化層は膜厚を３００ｎｍとしており、導電性基板の試料１を作製した場合と、膜厚以外は同じスパッタリング条件としている。
【０１６５】
溶解性試験は、エッチング液に、上記溶解性試験用試料を浸漬し、黒化層が完全に熔解するまでの時間により評価した。エッチング液としては、塩化第二鉄１０重量％と、塩酸１０重量％と、残部が水からなり、液温が２０℃の水溶液を用いた。
【０１６６】
なお、溶解性試験の評価を規定するため、溶解性試験用試料を作製した時と同じＰＥＴフィルムの一方の面上の全面に、厚さ３００ｎｍの銅層を形成した試料を同じエッチング液に浸漬する予備実験を行った。この場合、銅層は１０秒以内に溶解することが確認できた。このため、黒化層が１分以内に溶解した場合には、黒化層が、銅層と同等のエッチング性を有しているといえ、銅層と同時にエッチング処理を行うことができる黒化層を形成できているといえる。
【０１６７】
そして、上記溶解性試験用試料について、溶解性試験を行った結果、黒化層は１分以内に全量溶解し、良好なエッチング性を有していることが確認できた。
【０１６８】
以上の結果から、本実施例で作製したスパッタリング用合金ターゲットを用いて成膜した黒化層は、エッチング液に対して十分な反応性を示すことが確認できた。このため導電性基板として、銅層と黒化層とを積層して成膜した場合に、銅層と黒化層とを同時にエッチング処理できることが確認できた。
【符号の説明】
【０１６９】
５２  スパッタリング用合金ターゲット
【図１】
0006443220.tif 000003
【図２】
0006443220.tif 000004
【図３】
0006443220.tif 000005
【図４】
0006443220.tif 000006
【図５】
0006443220.tif 000007