(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
ディスプレイ基板（１０１）に設置されたアクティブマトリクス有機ＥＬディスプレイのタッチ構造であって、
相互誘導する送信構造（１０）と受信構造（２０）を含み、前記送信構造（１０）は、さらに第１の封止薄膜（１０４）、第１のパターン化電極（１０５）及び第２の封止薄膜（１０６）を含み、前記第１の封止薄膜（１０４）がディスプレイ基板（１０１）に位置する有機ＥＬ装置（１０３）に形成され、前記第１のパターン化電極（１０５）が前記第１の封止薄膜（１０４）に形成され、前記第１のパターン化電極（１０５）に第２の封止薄膜（１０６）が形成され、前記受信構造（２０）は、さらに可撓性ポリマー箔（１０９）を含み、前記可撓性ポリマー箔（１０９）に第２のパターン化電極（１０８）が成形され、前記第２の封止薄膜（１０６）が前記可撓性ポリマー箔（１０９）と接着され、前記第１のパターン化電極（１０５）が前記第２のパターン化電極（１０８）と対向して設置され、
前記第１の封止薄膜（１０４）は、少なくとも一層の無機薄膜の層を含む多層の薄膜の層からなり、
前記第２の封止薄膜（１０６）は、少なくとも一層の有機薄膜の層を含む多層の薄膜の層からなる
ことを特徴とするアクティブマトリクス有機ＥＬディスプレイのタッチ構造。
【請求項２】
前記送信構造（１０）における第１のパターン化電極（１０５）と前記受信構造（２０）における前記第２のパターン化電極（１０８）は、いずれもストライプパターンであり、前記第１のパターン化電極（１０５）と第２のパターン化電極（１０８）は、位置が重なる相補的パターンを形成することを特徴とする請求項１に記載のアクティブマトリクス有機ＥＬディスプレイのタッチ構造。
【請求項３】
前記第１のパターン化電極（１０５）におけるストライプパターンと前記第２のパターン化電極（１０８）におけるストライプパターンは、互いに垂直に設置されることを特徴とする請求項２に記載のアクティブマトリクス有機ＥＬディスプレイのタッチ構造。
【請求項４】
前記第１の封止薄膜（１０４）は、さらに一層又は多層の有機薄膜を含むことを特徴とする請求項１から３の何れか１に記載のアクティブマトリクス有機ＥＬディスプレイのタッチ構造。
【請求項５】
前記第１のパターン化電極（１０５）と第２のパターン化電極（１０８）は、膜厚が５〜１０００ｎｍであることを特徴とする請求項１から３の何れか１に記載のアクティブマトリクス有機ＥＬディスプレイのタッチ構造。
【請求項６】
前記第１の封止薄膜と第２の封止薄膜は、厚さが５０〜５０００ｎｍであることを特徴とする請求項４に記載のアクティブマトリクス有機ＥＬディスプレイのタッチ構造。
【請求項７】
前記ディスプレイ基板（１０１）は、ガラス基板又は可撓性ポリマー基板であることを特徴とする請求項１に記載のアクティブマトリクス有機ＥＬディスプレイのタッチ構造。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、表示パネル及びタッチの技術分野に関し、具体的には、アクティブマトリクス有機ＥＬディスプレイ（ＡＭＯＬＥＤ）のタッチ構造に関し、ハイブリッド式（ｈｙｂｒｉｄ）タッチ構造である。
【背景技術】
【０００２】
タッチは中小型パネルに必要な機能となっており、市場が大きい。パネルメーカーは、製品の付加価値を高め、タッチ技術を握るために、主にｉｎ‐ｃｅｌｌ及びｏｎ‐ｃｅｌｌ技術を含む内蔵型タッチ技術を次々と開発し、ｉｎ‐ｃｅｌｌ技術とは、タッチパネル機能を液晶画素に埋め込む方法を指すが、ｏｎ‐ｃｅｌｌ技術とは、タッチパネル機能をカラーフィルター基板と偏光板の間に埋め込む方法を指す。可撓性アクティブマトリクス有機ＥＬディスプレイ（ＡＭＯＬＥＤ）に対して、封止薄膜の存在により、ｏｎ‐ｃｅｌｌ技術が非常に難しくなり、封止薄膜に従来のタッチ構造を形成するために複数回のフォトリソグラフィーを必要とし、封止薄膜下のＯＬＥＤデバイスに対する悪影響が顕著である。ＯＬＥＤデバイスが液晶表示デバイスと大きく違うので、ｉｎ‐ｃｅｌｌ技術をＯＬＥＤデバイスに実現しにくい。従って、柔軟性表示を兼ねるアクティブマトリクス有機ＥＬディスプレイ（ＡＭＯＬＥＤ）のタッチ方式を提供する必要があり、封止薄膜に対する悪影響をできるだけ低減する。
【発明の概要】
【０００３】
本発明は、従来の技術の問題を解決し、複数回のフォトリソグラフィーの封止薄膜に対する悪影響を低減し、プロセス難度を低減するために、アクティブマトリクス有機ＥＬディスプレイのタッチ構造を提供する。
【０００４】
前記技術手段は以下のとおりである。
ディスプレイ基板に設置されたアクティブマトリクス有機ＥＬディスプレイのタッチ構造であって、前記タッチ構造は相互誘導する送信構造と受信構造を含み、前記送信構造は、さらに第１の封止薄膜、第１のパターン化電極及び第２の封止薄膜を含み、前記第１の封止薄膜がディスプレイ基板に位置する有機ＥＬ装置に形成され、前記第１のパターン化電極が前記第１の封止薄膜に形成され、前記第１のパターン化電極に第２の封止薄膜が形成され、前記受信構造は、さらに可撓性ポリマー箔を含み、前記可撓性ポリマー箔に第２のパターン化電極が成形され、前記第２の封止薄膜が前記可撓性ポリマー箔と接着され、前記第１のパターン化電極が前記第２のパターン化電極と対向して設置され、前記第１の封止薄膜は、少なくとも一層の無機薄膜の層を含む多層の薄膜の層からなり、前記第２の封止薄膜は、少なくとも一層の有機薄膜の層を含む多層の薄膜の層からなる。
【０００５】
前記送信構造における第１のパターン化電極と前記受信構造における前記第２のパターン化電極は、いずれもストライプパターンであり、前記第１のパターン化電極と第２のパターン化電極は、位置が重なる相補的パターンを形成する。
【０００６】
さらに、前記第１のパターン化電極におけるストライプパターンと前記第２のパターン化電極におけるストライプパターンは、互いに垂直に設置される。
さらに好ましくは、前記第１の封止薄膜は、さらに一層又は多層の有機薄膜を含む。
【０００７】
前記第１のパターン化電極と第２のパターン化電極は、膜厚が５〜１０００ｎｍである。
前記第１の封止薄膜と第２の封止薄膜は、厚さが５０〜５０００ｎｍである。
前記ディスプレイ基板は、ガラス基板又は可撓性ポリマー基板である。
【０００８】
本発明の技術手段は、以下の有益な効果を有する。
（１）本発明は、第１の封止薄膜と可撓性ポリマー箔にそれぞれ第１のパターン化電極と第２のパターン化電極を形成し、低コストのナノ銀又はグラフェンで製造することができ、さらにコストを低減し、同時に柔軟性タッチを兼ねている。
（２）本発明における受信構造は、可撓性ポリマー箔に形成され、その材料は、ポリエチレングリコールテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、ポリエーテルスルホン、ポリイミド、ポリ−ｐ−キシレンなどであるが、これらに限定されず、ポリマー箔に静電容量方式タッチセンサの第２のパターン化電極が形成され、第２のパターン化電極の材料、形成方式及び選択範囲は、いずれも第１のパターン化電極と同じであり、第２のパターン化電極は、デバイスではなく可撓性ポリマー箔に直接形成されるため、製造プロセスの難度を大幅に低減する。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
以下、本発明の実施例における技術手段をより明瞭に説明するために、実施例の記述に必要な図面を簡単に説明し、明らかに、以下で記述した図面は本発明のいくつかの実施例のみであり、当業者にとって、創造的労働をしない前提で、これらの図面に応じて他の図面を得ることができる。
【図１】本発明に係るアクティブマトリクス有機ＥＬディスプレイのタッチ構造の断面図である。
【図２】本発明の１つの実施例に係るＡＭＯＬＥＤタッチ構造の断面図である。  符号の説明
【００１０】
１０      送信構造
１０１    ディスプレイ基板
１０２    薄膜トランジスタアレイ
１０３    有機ＥＬ装置
１０４    第１の封止薄膜
１０５    第１のパターン化電極
１０６    第２の封止薄膜
１０７    接着剤
１０８    第２のパターン化電極
１０９    ポリマー箔
２０      受信構造
【発明を実施するための形態】
【００１１】
本発明の目的、技術手段および利点をより明らかにするために、以下、図面を参照しながら、本発明の実施形態をさらに詳細に説明する。
【００１２】
図１に示すように、本発明は、アクティブマトリクス有機ＥＬディスプレイのタッチ構造を提供し、送信構造１０及び受信構造２０を含み、送信構造１０は、さらに第１の封止薄膜１０４、第１のパターン化電極１０５及び第２の封止薄膜１０６を含み、第１の封止薄膜１０４がディスプレイ基板１０１に位置する有機ＥＬ装置１０３に形成され、第１のパターン化電極１０５が第１の封止薄膜１０４に形成され、第１のパターン化電極１０５に第２の封止薄膜１０６が形成され、受信構造２０は、さらに可撓性ポリマー箔１０９を含み、可撓性ポリマー箔１０９に第２のパターン化電極１０８が成形され、第２の封止薄膜１０６が接着剤１０７で可撓性ポリマー箔１０９と接着され、第１のパターン化電極１０５が第２のパターン化電極１０８と対向して設置される。
【００１３】
以下、タッチ構造の製造過程を具体的に説明する。
（一）、タッチ構造における送信構造１０の製造
Ａ、ディスプレイ基板１０１を選択し、ディスプレイ基板１０１はガラス基板であってもよく、可撓性ポリマー基板であってもよい。
Ｂ、ディスプレイ基板１０１に薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）アレイ１０２を形成し、この技術は当業者に周知され、技術ルートは、低温ポリシリコン（ＬＴＰＳ）、イグゾー（ＩＧＺＯ）又は有機薄膜トランジスタ（ＯＴＦＴ）などであり、画素の発光を制御するために用いられる。
Ｃ、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）アレイ１０２に有機ＥＬ装置（ＯＬＥＤ）１０３を形成する。薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）アレイ１０２と有機ＥＬ装置（ＯＬＥＤ）１０３の形成方式は、この技術分野で慣用の方法であり、ここで限定されない。
【００１４】
Ｄ、有機ＥＬ装置（ＯＬＥＤ）１０３に一層又は多層の第１の封止薄膜１０４を形成し、水と酸素ガスを遮断する役割を果たし、第１の封止薄膜１０４は、少なくとも一層の無機薄膜を含み、その材料は、酸化アルミニウム、酸化シリコン、窒化シリコン、二酸化チタン、酸化ジルコニウム、非晶質炭素、酸化マグネシウムのうちの１つ又はいくつかの混合物であるが、これらに限定されず、その形成方式は、原子層堆積、スパッタリング、化学気相成長などであるが、これらに限定されない。１０４は、一層又は多層の有機薄膜を含んでもよく、その材料は、ポリアクリレート、ポリ尿素、ポリイミド、ポリ−ｐ−キシレンなどであるが、これらに限定されず、形成方法は、有機化学気相成長、インクジェット印刷、フラッシュ蒸発、有機蒸着、スピンコーティングなどであるが、これらに限定されない。
Ｅ、第１の封止薄膜１０４に静電容量方式タッチセンサの第１のパターン化電極１０５を形成し、その材料は透明導電性薄膜材料であり、酸化インジウムスズ、アルミドープ酸化亜鉛、フッ素ドープ酸化亜鉛、銀ナノワイヤ、カーボンナノチューブ、グラフェン、導電性ポリマーのうちの１つ又はいくつかであるが、これらに限定されず、そのパターン化方式は、フォトリソグラフィー、インクジェット印刷、メタルマスク、スクリーン印刷などであるが、これらに限定されず、材料に従って、膜厚が５〜１０００ｎｍである。
Ｆ、第１のパターン化電極１０５に第２の封止薄膜１０６を形成し、その材料及び方法の選択は第１の封止薄膜１０４と同じであり、第１の封止薄膜と第２の封止膜厚が５０〜５０００ｎｍであり、それによりタッチ構造における送信構造１０を製造した。
【００１５】
（二）、タッチ構造における受信構造２０の製造
１０９は可撓性ポリマー箔であり、その材料は、ポリエチレングリコールテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、ポリエーテルスルホン、ポリイミド、ポリ−ｐ−キシレンなどであるが、これらに限定されず、可撓性ポリマー箔１０９に静電容量方式タッチセンサの第２のパターン化電極１０８を形成し、好ましくは、第２のパターン化電極１０８におけるストライプパターンと第１のパターン化電極１０５におけるストライプパターンは互いに垂直に設置され、その材料、形成方式及び選択範囲は、いずれも第１のパターン化電極１０５と同じであり、デバイスではなく可撓性ポリマー箔１０９に直接形成されるため、製造プロセスの難度を大幅に低減する。
【００１６】
最後に、接着剤１０７で送信構造１０における第２の封止薄膜１０６の片面と受信構造２０における第２のパターン化電極１０８の片面を接着することにより、第２のパターン化電極１０８と第１のパターン化電極１０５は位置が重なり、タッチセンサとする相補的パターンになる。
【００１７】
実施例１
図２に示すように、ディスプレイ基板１０１は可撓性ポリマー基板であり、その材質がポリイミドである。可撓性ポリマー基板に低温ポリシリコン薄膜トランジスタアレイを形成し、その後にこれらのアレイに対応する頂部電極に有機ＥＬ装置１０３を形成する。第１の封止薄膜１０４は、交互に形成された２対の窒化シリコンとポリアクリラート薄膜で構成され、窒化シリコンは、プラズマ化学気相堆積法で製造され、ポリアクリラートは、インクジェット印刷−ＵＶ硬化法で形成される。第１の封止薄膜１０４にタッチセンサの第１のパターン化電極１０５を形成し、ストライプ状を呈し、その材料が酸化インジウムスズであり、マグネトロンスパッタリング法で製造され、膜厚が２５ｎｍであり、メタルマスクでパターンを形成する。第１のパターン化電極１０５の上に第２の封止薄膜１０６を形成し、交互に形成された２対のポリアクリラートと窒化シリコン薄膜で構成され、窒化シリコンは、プラズマ化学気相堆積法で製造され、ポリアクリラートは、インクジェット印刷−ＵＶ硬化法で形成される。以上、ディスプレイの第１の部分である送信構造１０を形成する。
【００１８】
ディスプレイの第２の部分である受信構造２０は、可撓性ポリマー箔１０９と第２のパターン化電極１０８で構成され、可撓性ポリマー箔１０９がポリエチレングリコールテレフタレートであり、可撓性ポリマー箔１０９にマグネトロンスパッタリング法で第２のパターン化電極１０８を形成し、その材質が酸化インジウムスズであり、膜厚が３０ｎｍであり、パターン化の方式はフォトリソグラフィーである。最後に、送信構造１０における第２の封止薄膜１０６の片面と受信構造２０における第２のパターン化電極１０８の片面を対向させて、接着剤１０７で送信構造１０と受信構造２０を接着する。
【００１９】
上述した本発明の実施例の番号は、記述のためのものに過ぎず、実施例の優劣を代表しない。
以上、本発明の好ましい実施例に過ぎず、本発明を限定するものではなく、本発明の主旨及び原則内でのすべての修正、同等置換、改善などは、いずれも本発明の保護範囲に含まれるべきである。
【図１】
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【図２】
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