(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
主幹と、前記主幹から分岐する複数の分岐路とを備えた少なくとも一つのブスバーと、
前記複数の分岐路に設けられた複数の磁気センサと、
前記複数の分岐路に流れる分岐電流の測定値をそれぞれ算出する算出部と
を有し、
前記算出部は、一の前記ブスバーにおける一の前記分岐路に設けられた前記磁気センサによる前記分岐電流の測定値を、前記一のブスバーの前記主幹において前記一の分岐路との分岐部分から下流側に流れる主幹電流の電流値と、前記一のブスバーにおいて前記一の分岐路の隣から順に並んだ他の複数の前記分岐路に設けられた前記磁気センサの検出値とに基づいて補正する
ことを特徴とする電流測定装置。
【請求項２】
前記算出部は、前記主幹の前記分岐部から下流側に流れる前記主幹電流の電流値を、前記分岐部分よりも下流側に位置する前記分岐路に設けられた前記磁気センサの検出値に基づいて取得する
ことを特徴とする請求項１に記載の電流測定装置。
【請求項３】
前記一のブスバーにおける前記他の複数の分岐路は、
前記一の分岐路の上流側に並んだ所定数以下の分岐路と、
前記一の分岐路の下流側に並んだ所定数以下の分岐路とを含む
ことを特徴とする請求項２に記載の電流測定装置。
【請求項４】
前記算出部は、
前記一のブスバーの前記主幹において前記一の分岐路との分岐部分から下流側に流れる前記主幹電流の電流値に比例した第１補正成分と、
前記一のブスバーにおける前記他の複数の分岐路に設けられた前記磁気センサの検出値に比例した複数の第２補正成分と
を合算した補正値に基づいて前記測定値の補正を行う
ことを特徴とする請求項２又は３に記載の電流測定装置。
【請求項５】
前記算出部は、前記一のブスバーにおける前記一の分岐路に設けられた前記磁気センサによる前記分岐電流の測定値を、
前記一のブスバーの前記主幹において前記一の分岐路との分岐部分から下流側に流れる前記主幹電流の電流値と、
前記一のブスバーにおける前記他の複数の分岐路に設けられた前記磁気センサの検出値と、
前記一のブスバーに隣接するブスバーの前記主幹において前記一の分岐路に最も近接する分岐路との分岐部分から下流側に流れる前記主幹電流の電流値と、
前記隣接するブスバーにおいて前記最も近接する分岐路を含んで順に並んだ複数の前記分岐路に設けられた前記磁気センサの検出値とに基づいて補正する
ことを特徴とする請求項２に記載の電流測定装置。
【請求項６】
前記一のブスバーにおける前記他の複数の分岐路は、
前記一の分岐路の上流側に並んだ所定数以下の分岐路と、
前記一の分岐路の下流側に並んだ所定数以下の分岐路とを含み、
前記隣接するブスバーにおける前記複数の分岐路は、
前記最も近接する分岐路と、
前記最も近接する分岐路の上流側に並んだ所定数以下の分岐路と、
前記最も近接する分岐路の下流側に並んだ所定数以下の分岐路とを含む
ことを特徴とする請求項５に記載の電流測定装置。
【請求項７】
前記算出部は、
前記一のブスバーの前記主幹において前記一の分岐路との分岐部分から下流側に流れる前記主幹電流の電流値に比例した第１補正成分と、
前記一のブスバーにおける前記他の複数の分岐路に設けられた前記磁気センサの検出値に比例した複数の第２補正成分と、
前記隣接するブスバーの前記主幹において前記最も近接する分岐路との分岐部分から下流側に流れる前記主幹電流の電流値に比例した第３補正成分と、
前記隣接するブスバーにおいて前記最も近接する分岐路を含んで順に並んだ前記複数の分岐路に設けられた前記磁気センサの検出値に比例した複数の第４補正成分と
を合算した補正値に基づいて前記測定値の補正を行う
ことを特徴とする請求項５又は６に記載の電流測定装置。
【請求項８】
前記算出部は、前記一のブスバーにおける前記他の複数の分岐路に設けられた前記磁気センサの検出値と、前記一のブスバーの前記主幹において前記一の分岐路との分岐部分から下流側に流れる前記主幹電流の電流値の自乗との積に比例した複数の第５補正成分を更に合算した前記補正値に基づいて、前記測定値の補正を行う
ことを特徴とする請求項４又は７に記載の電流測定装置。
【請求項９】
前記算出部は、前記一のブスバーにおける前記他の複数の分岐路に設けられた前記磁気センサの検出値と、前記一のブスバーの前記主幹において前記一の分岐路との分岐部分から下流側に流れる前記主幹電流の電流値との積に比例した複数の第６補正成分を更に合算した前記補正値に基づいて、前記測定値の補正を行う
ことを特徴とする請求項８に記載の電流測定装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、磁気センサを用いて電流を測定する電流測定装置に係り、特に、ブスバーに設けられた複数の分岐路に流れる電流を測定する電流測定装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
磁気を利用して電流を検出するセンサとして、例えばカレントトランスやホール素子、ＧＭＲ素子などの磁気センサが知られている。磁気センサは、検出対象の電流の周囲に生じる磁場の強さに基づいて電流の大きさを検出するため、検出対象の電流と無関係な磁場が存在すると、検出結果に誤差を生じる。特に、近接して配置された複数の電流路の電流を磁気センサによって検出する場合、検出対象とは異なる電流の磁場が誤差の原因になり易いため、検出結果の補正が必要となる。
【０００３】
下記の特許文献には、複数の被測定導体に流れる電流を複数の磁電変換素子により測定し、各磁電変換素子の電流測定値をニューラルネットワークにより補正する電流検出器が記載されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００１−８３１８８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
上記特許文献１に記載される発明では、電流測定値の補正にニューラルネットワークが用いられているため、正確な補正を行うためには高い計算能力が必要となる。また、ニューラルネットワークの学習が適切に行われていない場合（過学習など）、入力パターンに応じて大きな補正誤差を生じることがある。
【０００６】
本発明はかかる事情に鑑みてなされたものであり、その目的は、磁気センサを用いて得られた複数の電流路の電流測定値を、簡易な構成で精度よく補正できる電流測定装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明に係る電流測定装置は、主幹と、前記主幹から分岐する複数の分岐路とを備えた少なくとも一つのブスバーと、前記複数の分岐路に設けられた複数の磁気センサと、前記複数の分岐路に流れる分岐電流の測定値をそれぞれ算出する算出部とを有する。前記算出部は、一の前記ブスバーにおける一の前記分岐路に設けられた前記磁気センサによる前記分岐電流の測定値を、前記一のブスバーの前記主幹において前記一の分岐路との分岐部分から下流側に流れる主幹電流の電流値と、前記一のブスバーにおいて前記一の分岐路の隣から順に並んだ他の複数の前記分岐路に設けられた前記磁気センサの検出値とに基づいて補正する。
上記の構成によれば、前記一のブスバーにおける前記一の分岐路に設けられた前記磁気センサの比較的近くを流れており、且つ当該磁気センサにおいて検出され易い磁場を発生する電流（主幹電流，分岐電流）に基づいて、当該磁気センサによる分岐電流の測定値が補正される。そのため、簡易な構成で精度の高い電流測定値が得られる。
【０００８】
好適に、前記算出部は、前記主幹の前記分岐部から下流側に流れる前記主幹電流の電流値を、前記分岐部分よりも下流側に位置する前記分岐路に設けられた前記磁気センサの検出値に基づいて取得してよい。
上記の構成によれば、前記主幹電流を測定するための電流センサを別途設けなくてもよいため、構成が簡易になる。
【０００９】
好適に、前記一のブスバーにおける前記他の複数の分岐路は、前記一の分岐路の上流側に並んだ所定数以下の分岐路と、前記一の分岐路の下流側に並んだ所定数以下の分岐路とを含んでよい。
【００１０】
好適に、前記算出部は、前記一のブスバーの前記主幹において前記一の分岐路との分岐部分から下流側に流れる前記主幹電流の電流値に比例した第１補正成分と、前記一のブスバーにおける前記他の複数の分岐路に設けられた前記磁気センサの検出値に比例した複数の第２補正成分とを合算した補正値に基づいて前記測定値の補正を行ってよい。
【００１１】
また、前記算出部は、前記一のブスバーにおける前記一の分岐路に設けられた前記磁気センサによる前記分岐電流の測定値を、前記一のブスバーの前記主幹において前記一の分岐路との分岐部分から下流側に流れる前記主幹電流の電流値と、前記一のブスバーにおける前記他の複数の分岐路に設けられた前記磁気センサの検出値と、前記一のブスバーに隣接するブスバーの前記主幹において前記一の分岐路に最も近接する分岐路との分岐部分から下流側に流れる前記主幹電流の電流値と、前記隣接するブスバーにおいて前記最も近接する分岐路を含んで順に並んだ複数の前記分岐路に設けられた前記磁気センサの検出値とに基づいて補正してもよい。
上記の構成によれば、前記一のブスバーに流れる電流（主幹電流，分岐電流）だけでなく、前記一のブスバーに隣接したブスバーにおいて前記一の分岐路に設けられた磁気センサの比較的近くを流れる主幹電流及び分岐電流の影響も加味して当該磁気センサによる分岐電流の測定値の補正が行われるため、より精度の高い電流測定値が得られる。
【００１２】
好適に、前記一のブスバーにおける前記他の複数の分岐路は、前記一の分岐路の上流側に並んだ所定数以下の分岐路と、前記一の分岐路の下流側に並んだ所定数以下の分岐路とを含んでよく、前記隣接するブスバーにおける前記複数の分岐路は、前記最も近接する分岐路と、前記最も近接する分岐路の上流側に並んだ所定数以下の分岐路と、前記最も近接する分岐路の下流側に並んだ所定数以下の分岐路とを含んでよい。
【００１３】
好適に、前記算出部は、前記一のブスバーの前記主幹において前記一の分岐路との分岐部分から下流側に流れる前記主幹電流の電流値に比例した第１補正成分と、前記一のブスバーにおける前記他の複数の分岐路に設けられた前記磁気センサの検出値に比例した複数の第２補正成分と、前記隣接するブスバーの前記主幹において前記最も近接する分岐路との分岐部分から下流側に流れる前記主幹電流の電流値に比例した第３補正成分と、前記隣接するブスバーにおいて前記最も近接する分岐路を含んで順に並んだ前記複数の分岐路に設けられた前記磁気センサの検出値に比例した複数の第４補正成分と合算した補正値に基づいて前記測定値の補正を行ってよい。
【００１４】
また、前記算出部は、前記一のブスバーにおける前記他の複数の分岐路に設けられた前記磁気センサの検出値と、前記一のブスバーの前記主幹において前記一の分岐路との分岐部分から下流側に流れる前記主幹電流の電流値の自乗との積に比例した複数の第５補正成分を更に合算した前記補正値に基づいて、前記測定値の補正を行ってよい。
この場合、前記算出部は、前記一のブスバーにおける前記他の複数の分岐路に設けられた前記磁気センサの検出値と、前記一のブスバーの前記主幹において前記一の分岐路との分岐部分から下流側に流れる前記主幹電流の電流値との積に比例した複数の第６補正成分を更に合算した前記補正値に基づいて、前記測定値の補正を行ってよい。
上記の構成によれば、前記磁気センサの非線形性に起因した誤差が補正されるため、より精度の高い電流測定値が得られる。
【発明の効果】
【００１５】
本発明によれば、磁気センサを用いて得られた複数の電流路の電流測定値を、簡易な構成で精度よく補正できる。
【図面の簡単な説明】
【００１６】
【図１】本発明の実施形態に係る電流測定装置の構成の一例を示す図である。
【図２】図１に示す電流測定装置におけるブスバーと磁気センサの具体的な形状及び配置の一例を示す図である。
【図３】磁気センサの構成の一例を示す図である。
【図４】主幹補正成分の算出に用いられる主幹電流と補正係数を図解した第１の図である。
【図５】主幹補正成分の算出に用いられる主幹電流と補正係数を図解した第２の図である。
【図６】分岐補正成分の算出に用いられる分岐電流と補正係数を図解した第１の図である。
【図７】分岐補正成分の算出に用いられる分岐電流と補正係数を図解した第２の図である。
【図８】分岐電流の測定誤差に、主幹電流と非測定対象の分岐電流とに応じて非線形に変化する成分が含まれることを示す図である。
【図９】残存誤差補正成分の算出に用いられる分岐電流の検出値と補正係数を図解した第１の図である。
【図１０】残存誤差補正成分の算出に用いられる分岐電流の検出値と補正係数を図解した第２の図である。
【図１１】主幹補正成分の補正係数が登録されたデータテーブルの例を示す図である。
【図１２】分岐補正成分の補正係数が登録されたデータテーブルの例を示す図である。
【図１３】残存誤差補正成分の補正係数が登録されたデータテーブルの例を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１７】
図１は、本発明の実施形態に係る電流測定装置の構成の一例を示す図である。図１に示す電流測定装置は、単相３線式の分電盤において各配電先に流れる電流を測定する装置であり、ブスバー１０Ｙ，１０Ｚ，１０Ｎと、磁気センサＳＹ１〜ＳＹ８，ＳＺ１〜ＳＺ８と、算出部２０を有する。
【００１８】
ブスバー１０Ｙと１０Ｚは、対地電圧がかかった単相３線式の電源ラインにそれぞれ接続され、ブスバー１０Ｎは接地ラインに接続される。ブスバー１０Ｙとブスバー１０Ｎの間に電源電圧ＶＬ１が印加され、ブスバー１０Ｚとブスバー１０Ｎの間に電源電圧ＶＬ２が印加される。
【００１９】
ブスバー１０Ｙは、主幹ＴＹと、主幹ＴＹから分岐する８本の分岐路ＢＹ１〜ＢＹ８を有する。また、ブスバー１０Ｚは、主幹ＴＺと、主幹ＴＺから分岐する８本の分岐路ＢＹ１〜ＢＹ８を有する。
【００２０】
図２は、図１に示す電流測定装置における要部であるブスバー（１０Ｙ，１０Ｚ，１０Ｎ）と磁気センサ（ＳＹ１〜ＳＹ８，ＳＺ１〜ＳＺ８）の具体的な形状及び配置の一例を示す図である。
図２の例において、ブスバー１０Ｎと、ブスバー１０Ｙの主幹ＴＹと、ブスバー１０Ｚの主幹ＴＺは、それぞれ直線状に細長く延びた板状の導体（銅板等）であり、互いに平行に隣接して配置される。ブスバー１０Ｎとブスバー１０Ｚの主幹ＴＺとの間に、ブスバー１０Ｙの主幹ＴＹが位置する。
【００２１】
また、図２の例において、分岐路ＢＹ１〜ＢＹ８は、主幹ＴＹの延伸方向に沿って等間隔に並ぶ。分岐路ＢＺ１〜ＢＺ８は、主幹ＴＺの延伸方向に沿って等間隔に並んでおり、その間隔は分岐路ＢＹ１〜ＢＹ８の間隔と同じである。
【００２２】
分岐路ＢＹ１〜ＢＹ８及び分岐路ＢＺ１〜ＢＺ８は、サフィックスの番号が大きくなるほど主幹（ＴＹ，ＴＺ）の「下流側」に位置する。ここで、主幹における「上流側」と「下流側」の違いは、分岐路との分岐部分を挟んだ２つの位置において主幹に流れる電流の大小関係により決定される。すなわち、主幹の２つの位置において電流の大きい方が「上流側」、電流の小さい方が「下流側」となる。
【００２３】
図1に示すとおり主幹ＴＹにおける分岐路ＢＹｎ（ｎは１から８までの整数を示す。）との分岐部分は、主幹ＴＺにおける同一番号の分岐路ＢＺｎとの分岐部分に最も近接する。
【００２４】
分岐路ＢＹ１〜ＢＹ８は、主幹ＴＹの延伸方向に対してそれぞれ垂直に延びている。分岐路ＢＺ１〜ＢＺ８は、主幹ＴＺの延伸方向に対してそれぞれ垂直に延びている。また、分岐路ＢＹ１〜ＢＹ８及び分岐路ＢＺ１〜ＢＺ８は、同一の平面に対して平行に延びている。
【００２５】
分岐路ＢＹ１〜ＢＹ８と分岐路ＢＺ１〜ＢＺ８とでは、主幹（ＴＹ，ＴＺ）に対する延伸方向が逆になっている。図２において、分岐路ＢＹ１〜ＢＹ８は主幹ＴＹに対して手前から奥の方向に延びており、分岐路ＢＺ１〜ＢＺ８は主幹ＴＺに対して奥から手前の方向に延びている(図1参照)。これにより、ブスバー１０Ｙ及びブスバー１０Ｚの一方のブスバーの分岐路に装着された磁気センサが、他方のブスバーの分岐路に対して物理的に干渉しなくなるため、２つのブスバー（１０Ｙ，１０Ｚ）の間隔を狭めることができる。
【００２６】
磁気センサＳＹｎは、分岐路ＢＹｎに近接して設けられており、分岐路ＢＹｎに流れる分岐電流ＩＢＹｎの検出値Ｙｎを出力する。磁気センサＳＺｎは、分岐路ＢＺｎに近接して設けられており、分岐路ＢＺｎに流れる分岐電流ＩＢＺｎの検出値Ｚｎを出力する。
【００２７】
図３は、磁気センサ（ＳＹｎ，ＳＺｎ）の構成の一例を示す図である。
図３に示す磁気センサ（ＳＹｎ，ＳＺｎ）は、回路基板３１上に配置された複数の磁電変換素子３０（ＧＭＲ素子等の磁気抵抗効果素子やホール素子など）を有する。各磁電変換素子３０は、分岐路ＢＹｎの中心を対称の中心とする点対称に配置されている。好ましくは、主幹ＴＹに対する延伸方向及び分岐路ＢＹｎに対する延伸方向の双方に直交する直線と平行な対称軸を有する線対称に配置されている。更に好ましくは、磁電変換素子３０が４つ以上で、主幹ＴＹに対する延伸方向と平行な対称軸を有する線対称に配置されている。回路基板３１は、全体として長方形の形状を有しており、その長方形における一つの短辺に、矩形の切り欠きが形成される。矩形の切り欠きにおいて対向する２つの縁に沿って、４つの磁電変換素子３０がそれぞれ配置される。回路基板３１に形成される矩形の切り欠きの中央には、分岐路（ＢＹｎ，ＢＺｎ）が位置する。
【００２８】
磁気センサＳＹ１〜ＳＹ８及びＳＺ１〜ＳＺ８において出力される各検出値は、不図示の配線を通じて算出部２０に入力される。
【００２９】
算出部２０は、磁気センサＳＹ１〜ＳＹ８及びＳＺ１〜ＳＺ８から出力される検出値（Ｙ１〜Ｙ８，Ｚ１〜Ｚ８）に基づいて、分岐路ＢＹ１〜ＢＹ８及びＢＺ１〜ＢＺ８に流れる分岐電流の測定値（ＤＹ１〜ＤＹ８，ＤＺ１〜ＤＺ８）をそれぞれ算出する。
【００３０】
算出部２０は、記憶装置に格納されるプログラムの命令コードに従って処理を行うコンピュータや、特定の機能を実現するロジック回路を含んで構成される。算出部２０の処理は、その全てをコンピュータにおいてプログラムに基づいて実現してもよいし、その一部若しくは全部を専用のロジック回路で実現してもよい。
【００３１】
磁気センサＳＹｎの検出値Ｙｎが示す分岐路ＢＹｎの分岐電流ＩＢＹｎの測定値には、測定対象の分岐電流ＩＢＹｎ以外の電流により発生する磁場の影響による誤差成分が多く含まれている。磁気センサＳＺｎの検出値Ｚｎが示す分岐路ＢＺｎの分岐電流ＩＢＺｎの測定値についても同様である。従って、算出部２０は、実際に各分岐路ＢＹｎ及びＢＺｎに流れる電流の値ＩＢＹｎ及びＩＢＺｎを精度良く決定する為に、各磁気センサ（ＳＹｎ，ＳＺｎ）の検出値（Ｙｎ，Ｚｎ）が示す分岐電流（ＩＢＹｎ，ＩＢＺｎ）の測定値に対して、誤差成分を除去するための補正を行う。
【００３２】
算出部２０は、分岐路ＢＹｎに流れる分岐電流ＩＢＹｎの測定値ＤＹｎ及び分岐路ＢＺｎに流れる分岐電流ＩＢＺｎの測定値ＤＺｎを、それぞれ次の式により算出する。
【００３３】
【数１】
0006421046.tif 000002
【００３４】
式（１−１）における「ＲＹｎ」は、ブスバー１０Ｙの分岐路ＢＹｎに設けられた磁気センサＳＹｎの検出値Ｙｎが示す分岐電流ＩＢＹｎの測定値の誤差を除去するための補正値を示す。また、式（１−２）における「ＲＺｎ」は、ブスバー１０Ｚの分岐路ＢＺｎに設けられた磁気センサＳＺｎの検出値Ｚｎが示す分岐電流ＩＢＺｎの測定値の誤差を除去するための補正値を示す。
補正値ＲＹｎ，ＲＺｎは、それぞれ次の式で表わされる。
【００３５】
【数２】
0006421046.tif 000003
【００３６】
式（２−１）で表わされる補正値ＲＹｎは、性質の異なる３つの補正成分（主幹補正成分ＫＹｎ，分岐補正成分ＬＹｎ，残存誤差補正成分ＭＹｎ）を足し合わせたものである。同様に、式（２−２）で表わされる補正値ＲＺｎは、性質の異なる３つの補正成分（主幹補正成分ＫＺｎ，分岐補正成分ＬＺｎ，残存誤差補正成分ＭＺｎ）を足し合わせたものである。
以下、それぞれの補正成分について詳しく説明する。
【００３７】
［主幹補正成分ＫＹｎ，ＫＺｎ（主幹電流の磁場による誤差）］
主幹補正成分（ＫＹｎ，ＫＺｎ）は、測定対象の分岐電流（ＩＢＹｎ，ＩＢＺｎ）が流れる分岐路（ＢＹｎ，ＢＺｎ）に近い位置の主幹（ＴＹ，ＴＺ）に流れる主幹電流（ＩＴＹｎ，ＩＴＺｎ）の磁場に起因した磁気センサ（ＳＹｎ，ＳＺｎ）の測定誤差を補正するものである。
【００３８】
まず、磁気センサＳＹｎの測定誤差を補正する主幹補正成分ＫＹｎについて説明する。図４は、主幹補正成分ＫＹｎの算出に用いられる主幹電流（ＩＴＹｎ，ＩＴＺｎ）と補正係数（αＴ（ｎ），βＴ（ｎ））を図解した図である。
【００３９】
主幹電流ＩＴＹｎは、ブスバー１０Ｙの主幹ＴＹにおいて分岐路ＢＹｎとの分岐部分から下流側に流れる電流を示す。また、主幹電流ＩＴＺｎは、ブスバー１０Ｙに隣接するブスバー１０Ｚの主幹ＴＺにおいて分岐路ＢＹｎに最も近接する分岐路ＢＺｎとの分岐部分から下流側に流れる電流を示す。すなわち、主幹電流ＩＴＹｎ，ＩＴＺｎは、各ブスバー（１０Ｙ，１０Ｚ）の主幹（ＴＹ，ＴＺ）において磁気センサＳＹｎから比較的近い位置に流れる電流であり、磁気センサＳＹｎの測定値に影響を与える。
【００４０】
主幹補正成分ＫＹｎは、この主幹電流ＩＴＹｎ，ＩＴＺｎを用いて次式のように表わされる。
【００４１】
【数３】
0006421046.tif 000004
【００４２】
式（３）における「αＴ（ｎ）」及び「βＴ（ｎ）」は、それぞれ一定の値を持つ補正係数である。これらの補正係数は、補正対象の分岐電流が流れる分岐路毎に決められており、例えば実測定やシミュレーションの結果に基づいて取得される。
【００４３】
式（３）の右辺第１項「αＴ（ｎ）×ＩＴＹｎ」は、本発明の「第１補正成分」の一例である。また、右辺第２項「βＴ（ｎ）×ＩＴＺｎ」は、本発明の「第３補正成分」の一例である。
【００４４】
式（３）に示すように、主幹補正成分ＫＹｎは、ブスバー１０Ｙの主幹電流ＩＴＹｎに比例した成分（「αＴ（ｎ）×ＩＴＹｎ」，第１補正成分）と、ブスバー１０Ｙに隣接するブスバー１０Ｚの主幹電流ＩＴＺｎに比例した成分（「βＴ（ｎ）×ＩＴＺｎ」，第３補正成分）とを足し合わせたものである。
以上が、主幹補正成分ＫＹｎの説明である。
【００４５】
次に、磁気センサＳＺｎの測定誤差を補正する主幹補正成分ＫＺｎについて説明する。図５は、主幹補正成分ＫＺｎの算出に用いられる主幹電流（ＩＴＹｎ，ＩＴＺｎ）と補正係数（γＴ（ｎ），ηＴ（ｎ））を図解した図である。
【００４６】
図５に示す主幹電流ＩＴＹｎ，ＩＴＺｎは、図４に示す同一符号の電流と同じである。主幹電流ＩＴＹｎ，ＩＴＺｎは、各ブスバー（１０Ｙ，１０Ｚ）の主幹（ＴＹ，ＴＺ）において磁気センサＳＺｎから比較的近い位置に流れる電流であり、磁気センサＳＺｎの測定値に影響を与える。
【００４７】
主幹補正成分ＫＺｎは、この主幹電流ＩＴＹｎ，ＩＴＺｎを用いて次式のように表わされる。
【００４８】
【数４】
0006421046.tif 000005
【００４９】
式（４）における「γＴ（ｎ）」及び「ηＴ（ｎ）」は、それぞれ一定の値を持つ補正係数である。これらの補正係数は、補正対象の分岐電流が流れる分岐路毎に決められており、例えば実測定やシミュレーションの結果に基づいて取得される。
【００５０】
式（４）の右辺第１項「γＴ（ｎ）×ＩＴＹｎ」は、本発明の「第３補正成分」の一例である。また、右辺第２項「ηＴ（ｎ）×ＩＴＺｎ」は、本発明の「第１補正成分」の一例である。
【００５１】
式（４）に示すように、主幹補正成分ＫＺｎは、ブスバー１０Ｚの主幹電流ＩＴＺｎに比例した成分（「ηＴ（ｎ）×ＩＴＺｎ」，第１補正成分）と、ブスバー１０Ｚに隣接するブスバー１０Ｙの主幹電流ＩＴＹｎに比例した成分（「γＴ（ｎ）×ＩＴＹｎ」，第３補正成分）とを足し合わせたものである。
以上が、主幹補正成分ＫＺｎの説明である。
【００５２】
次に、主幹電流ＩＴＹｎ，ＩＴＺｎの取得方法について説明する。
主幹電流ＩＴＹｎは、主幹ＴＹにおける分岐路ＢＹｎとの分岐部分から下流側に流れる電流であり、分岐路ＢＹｎとの分岐部分より下流側に位置する分岐路（ＢＹｎ＋１，ＢＹｎ＋２，…）に流れる分岐電流（ＩＢＹｎ＋１，ＩＢＹｎ＋２，…）の総和に等しい。従って、主幹電流ＩＴＹｎは、下流側の分岐路（ＢＹｎ＋１，ＢＹｎ＋２，…）に設けられた磁気センサ（ＳＹｎ＋１，ＳＹｎ＋２，…）の検出値（Ｙｎ＋１，Ｙｎ＋２，…）の総和として近似的に算出できる。主幹電流ＩＴＺｎも同様であり、下流側の分岐路（ＢＺｎ＋１，ＢＺｎ＋２，…）に設けられた磁気センサ（ＳＺｎ＋１，ＳＺｎ＋２，…）の検出値（Ｚｎ＋１，Ｚｎ＋２，…）の総和として近似的に算出できる。
【００５３】
算出部２０において主幹補正成分ＫＹｎ，ＫＺｎの算出に用いられる主幹電流ＩＴＹｎ，ＩＴＺｎの近似値は、次式のように表わされる。
【００５４】
【数５】
0006421046.tif 000006
【００５５】
なお、主幹ＴＹ，ＴＺの分岐路ＢＹ８，ＢＺ８より下流側には分岐路が存在せず、当該下流側へ電流は流れないため、主幹電流ＩＴＹ８，ＩＴＺ８はゼロとなる。
【００５６】
［分岐補正成分ＬＹｎ，ＬＺｎ（分岐電流の磁場による誤差）］
分岐補正成分（ＬＹｎ，ＬＺｎ）は、測定対象と異なる他の分岐電流の磁場に起因した磁気センサ（ＳＹｎ，ＳＺｎ）の測定誤差を補正するものである。
【００５７】
まず、磁気センサＳＹｎの測定誤差を補正する分岐補正成分ＬＹｎについて説明する。図６は、分岐補正成分ＬＹｎの算出に用いられる分岐電流の検出値（Ｙｎ−３〜Ｙｎ−１，Ｙｎ＋１〜Ｙｎ＋３，Ｚｎ−３〜Ｚｎ＋３）と補正係数（α−３（ｎ）〜α−１（ｎ），α＋１（ｎ）〜α＋３（ｎ），β−３（ｎ）〜β＋３（ｎ））を図解した図である。
【００５８】
分岐電流の検出値Ｙｎ−１〜Ｙｎ−３は、磁気センサＳＹｎの測定対象の分岐電流ＩＢＹｎが流れる分岐路ＢＹｎの上流側に並んだ３つの分岐路ＢＹｎ−１〜ＢＹｎ−３に設けられた磁気センサＳＹｎ−１〜ＳＹｎ−３の検出値である。ただし、「ｎ」が３以下の場合、分岐路ＢＹｎの上流側に並ぶ分岐路の数は２以下となるため、３つの検出値Ｙｎ−１〜Ｙｎ−３のうち上流側の１以上の検出値は存在しない。
【００５９】
分岐電流の検出値Ｙｎ＋１〜Ｙｎ＋３は、磁気センサＳＹｎの測定対象の分岐電流ＩＢＹｎが流れる分岐路ＢＹｎの下流側に並んだ３つの分岐路ＢＹｎ＋１〜ＢＹｎ＋３に設けられた磁気センサＳＹｎ＋１〜ＳＹｎ＋３の検出値である。ただし、「ｎ」が６以上の場合、分岐路ＢＹｎの下流側に並ぶ分岐路の数は２以下となるため、３つの検出値Ｙｎ＋１〜Ｙｎ＋３のうち下流側の１以上の検出値は存在しない。
【００６０】
分岐電流の検出値Ｚｎは、磁気センサＳＹｎの測定対象の分岐電流ＩＢＹｎが流れる分岐路ＢＹｎに最も近接するブスバー１０Ｚの分岐路ＢＺｎに設けられた磁気センサＳＺｎの検出値である。
【００６１】
分岐電流の検出値Ｚｎ−１〜Ｚｎ−３は、分岐路ＢＹｎに最も近接する分岐路ＢＺｎの上流側に並んだ３つの分岐路ＢＺｎ−１〜ＢＺｎ−３に設けられた磁気センサＳＺｎ−１〜ＳＺｎ−３の検出値である。ただし、「ｎ」が３以下の場合、分岐路ＢＺｎの上流側に並ぶ分岐路の数は２以下となるため、３つの検出値Ｚｎ−１〜Ｚｎ−３のうち上流側の１以上の検出値は存在しない。
【００６２】
分岐電流の検出値Ｚｎ＋１〜Ｚｎ＋３は、分岐路ＢＹｎに最も近接する分岐路ＢＺｎの下流側に並んだ３つの分岐路ＢＺｎ＋１〜ＢＺｎ＋３に設けられた磁気センサＳＺｎ＋１〜ＳＺｎ＋３の検出値である。ただし、「ｎ」が６以上の場合、分岐路ＢＺｎの下流側に並ぶ分岐路の数は２以下となるため、３つの検出値Ｚｎ＋１〜Ｚｎ＋３のうち下流側の１以上の検出値は存在しない。
【００６３】
分岐補正成分ＬＹｎは、これらの分岐電流の検出値（Ｙｎ−３〜Ｙｎ−１，Ｙｎ＋１〜Ｙｎ＋３，Ｚｎ−３〜Ｚｎ＋３）を用いて次式のように表わされる。
【００６４】
【数６】
0006421046.tif 000007
【００６５】
式（６）における「α−３（ｎ）」〜「α−１（ｎ）」，「α＋１（ｎ）」〜「α＋３（ｎ）」及び「β−３（ｎ）」〜「β＋３（ｎ）」は、それぞれ一定の値を持つ補正係数である。これらの補正係数は、補正対象の分岐電流が流れる分岐路毎に決められており、例えば実測定やシミュレーションの結果に基づいて取得される。式（６）において「ｎ」が３以下の場合や６以上の場合、存在しない分岐電流の検出値に対応する項はゼロとみなされる。
【００６６】
式（６）の右辺第１項「α−１（ｎ）×Ｙｎ−１」から第６項「α＋３（ｎ）×Ｙｎ＋３」までの各項は、本発明の「第２補正成分」の一例である。また、右辺第７項「β−１（ｎ）×Ｚｎ−１」から第１３項「β０（ｎ）×Ｚｎ」までの各項は、本発明の「第４補正成分」の一例である。
【００６７】
式（６）に示すように、分岐補正成分ＬＹｎは、測定対象の分岐電流ＩＢＹｎが流れる分岐路ＢＹｎの近くに存在する他の分岐路に流れる分岐電流に比例した補正成分（式（６）の右辺の各項）を足し合わせたものである。
以上が、分岐補正成分ＬＹｎの説明である。
【００６８】
次に、磁気センサＳＺｎの測定誤差を補正する分岐補正成分ＬＺｎについて説明する。図７は、分岐補正成分ＬＺｎの算出に用いられる分岐電流の検出値（Ｚｎ−３〜Ｚｎ−１，Ｚｎ＋１〜Ｚｎ＋３，Ｙｎ−３〜Ｙｎ＋３）と補正係数（η−３（ｎ）〜η−１（ｎ），η＋１（ｎ）〜η＋３（ｎ），γ−３（ｎ）〜γ＋３（ｎ））を図解した図である。
【００６９】
分岐電流の検出値Ｚｎ−１〜Ｚｎ−３及びＺｎ＋１〜Ｚｎ＋３は、磁気センサＳＺｎの測定対象の分岐電流ＩＢＺｎが流れる分岐路ＢＺｎの上流側と下流側の分岐路に設けられた磁気センサの検出値であり、図６に示す同一符号の電流と同じである。「ｎ」が３以下の場合、３つの検出値Ｚｎ−１〜Ｚｎ−３のうち上流側の１以上の検出値は存在しない。また、「ｎ」が６以上の場合、３つの検出値Ｚｎ＋１〜Ｚｎ＋３のうち下流側の１以上の検出値は存在しない。
【００７０】
分岐電流の検出値Ｚｎは、磁気センサＳＺｎの測定対象の分岐電流ＩＢＺｎが流れる分岐路ＢＺｎに最も近接するブスバー１０Ｙの分岐路ＢＹｎに設けられた磁気センサＳＹｎの検出値である。
【００７１】
分岐電流の検出値Ｙｎ−１〜Ｙｎ−３及びＹｎ＋１〜Ｙｎ＋３は、分岐路ＢＺｎに最も近接した分岐路ＢＹｎの上流側と下流側の分岐路に設けられた磁気センサの検出値であり、図６に示す同一符号の電流と同じである。「ｎ」が３以下の場合、３つの検出値Ｙｎ−１〜Ｙｎ−３のうち上流側の１以上の検出値は存在しない。また、「ｎ」が６以上の場合、３つの検出値Ｙｎ＋１〜Ｙｎ＋３のうち下流側の１以上の検出値は存在しない。
【００７２】
分岐補正成分ＬＺｎは、これらの分岐電流の検出値（Ｚｎ−３〜Ｚｎ−１，Ｚｎ＋１〜Ｚｎ＋３，Ｙｎ−３〜Ｙｎ＋３）を用いて次式のように表わされる。
【００７３】
【数７】
0006421046.tif 000008
【００７４】
式（７）における「η−３（ｎ）」〜「η−１（ｎ）」，「η＋１（ｎ）」〜「η＋３（ｎ）」及び「γ−３（ｎ）」〜「γ＋３（ｎ）」は、それぞれ一定の値を持つ補正係数である。これらの補正係数は、補正対象の分岐電流が流れる分岐路毎に決められており、例えば実測定やシミュレーションの結果に基づいて取得される。式（７）において「ｎ」が３以下の場合や６以上の場合、存在しない分岐電流の検出値に対応する項はゼロとみなされる。
【００７５】
式（７）の右辺第８項「η−１（ｎ）×Ｚｎ−１」から第１３項「η＋３（ｎ）×Ｚｎ＋３」までの各項は、本発明の「第２補正成分」の一例である。また、右辺第１項「γ−１（ｎ）×Ｙｎ−１」から第７項「γ０（ｎ）×Ｙｎ」までの各項は、本発明の「第４補正成分」の一例である
【００７６】
式（７）に示すように、分岐補正成分ＬＺｎは、測定対象の分岐電流ＩＢＺｎが流れる分岐路ＢＺｎの近くに存在する他の分岐路に流れる分岐電流に比例した補正成分（式（７）の右辺の各項）を足し合わせたものである。
以上が、分岐補正成分ＬＺｎの説明である。
【００７７】
［残存誤差補正成分ＭＹｎ，ＭＺｎ（磁気センサの非線形性に起因する誤差）］
残存誤差補正成分（ＭＹｎ，ＭＺｎ）は、上述した主幹補正成分（ＫＹｎ，ＫＺｎ）や分岐補正成分（ＬＹｎ，ＺＹｎ）では除去できない磁気センサの非線形性に起因する測定誤差を補正するものである。
【００７８】
図８は、分岐電流の測定誤差に、主幹電流と非測定対象の分岐電流とに応じて非線形に変化する成分が含まれることを示す図である。
図８のグラフにおける横軸は、測定対象の分岐電流が流れる分岐路との分岐部分から下流側に流れる主幹電流を示す。例えば、測定対象の分岐電流を「ＩＢＹｎ」とすると、横軸の主幹電流は「ＩＴＹｎ」である。
図８のグラフにおける縦軸は、分岐電流の測定結果に含まれる誤差を示す。この誤差は、上述した主幹補正成分（ＫＹｎ，ＫＺｎ）及び分岐補正成分（ＬＹｎ，ＺＹｎ）によって磁気センサの検出値を補正した後に残存する誤差であり、具体的には、磁気センサの検出値を上述した主幹補正値及び分岐補正値によって補正して得られる測定値と、実際の電流値との差を示す。
【００７９】
主幹補正成分（ＫＹｎ，ＫＺｎ）及び分岐補正成分（ＬＹｎ，ＺＹｎ）によって除去できない残存誤差は、図８に示すように、主幹電流ＩＴＹｎに応じて非線形に変化する。この残存誤差は、主幹補正値ＫＹｎを変数とする２次関数として近似可能である。
【００８０】
また図８に示すように、残存誤差の変化の曲線は、非測定対象の分岐電流が大きくなるほど急峻になる。このことから、残存誤差の近似式を表わす２次関数の係数（特に２次の項の係数）には、非測定対象の分岐電流に比例した値を用いることができる。
【００８１】
上述した非線形の特性を持つ磁気センサの残存誤差は、主として、磁場に対する磁気センサの出力の応答特性が磁場の増大に伴って線形性を保てなくなる（非線形性を示す）ことに起因する。
【００８２】
ここでは、まず、磁気センサＳＹｎの残存誤差補正成分ＭＹｎについて説明する。図９は、残存誤差補正成分ＭＹｎの算出に用いられる分岐電流の検出値（Ｙｎ−３〜Ｙｎ−１，Ｙｎ＋１〜Ｙｎ＋３）と補正係数（Ａ−３〜Ａ−１，Ａ１〜Ａ３，Ｂ−３〜Ｂ−１，Ｂ１〜Ｂ３）を図解した図である。
【００８３】
分岐電流の検出値Ｙｎ−１〜Ｙｎ−３及びＹｎ＋１〜Ｙｎ＋３は、磁気センサＳＹｎの測定対象の分岐電流ＩＢＹｎが流れる分岐路ＢＹｎの上流側と下流側の分岐路に設けられた磁気センサの検出値であり、図６，図７に示す同一符号の電流と同じである。「ｎ」が３以下の場合、３つの検出値Ｙｎ−１〜Ｙｎ−３のうち上流側の１以上の検出値は存在しない。また、「ｎ」が６以上の場合、３つの検出値Ｙｎ＋１〜Ｙｎ＋３のうち下流側の１以上の検出値は存在しない。
【００８４】
残存誤差補正成分ＭＹｎは、これらの分岐電流の検出値（Ｙｎ−１〜Ｙｎ−３，Ｙｎ＋１〜Ｙｎ＋３）と主幹電流ＩＴＹｎを用いて次式のように表わされる。
【００８５】
【数８】
0006421046.tif 000009
【００８６】
式（８）における「Ａ−３」〜「Ａ−１」，「Ａ１」〜「Ａ３」，「Ｂ−３」〜「Ｂ−１」，「Ｂ１」〜「Ｂ３」は、それぞれ一定の値を持つ補正係数である。これらの補正係数は、補正対象の分岐電流が流れる分岐路からみた上流側若しくは下流側の分岐路の相対位置毎に決められており、例えば実測定やシミュレーションの結果に基づいて取得される。式（８）において「ｎ」が３以下の場合や６以上の場合、存在しない分岐電流の検出値に対応する項はゼロとみなされる。主幹電流ＩＴＹｎは、例えば式（５−１）により、下流側の分岐電流の検出値を足し合わせた値として取得される。
【００８７】
式（８）の右辺における主幹電流ＩＴＹｎの２次の項（奇数番目の項）は、本発明の「第５補正成分」の一例である。また、右辺における主幹電流ＩＴＹｎの１次の項（偶数番目の項）は、本発明の「第６補正成分」の一例である。
【００８８】
式（８）に示すように、残存誤差補正成分ＭＹｎは、分岐電流に比例した係数を持った２つの項（１次と２次の項）からなり、主幹電流ＩＴＹｎの２次関数を複数含んでいる。すなわち、式（８）の右辺における第１項と第２項、第３項と第４項、第５項と第６項、第７項と第８項、第９項と第１０項、並びに、第１１項と第１２項は、それぞれ主幹電流ＩＴＹｎの１次の項（第６補正成分）と２次の項（第５補正成分）とからなる２次関数である。残存誤差補正成分ＭＹｎは、これらの２次関数を足し合わせた結果として得られる。個々の２次関数は、磁気センサの非線形性に起因した誤差成分を示しており、図８において示すように主幹電流や分岐電流が増大するほど非線形的に大きくなる。
以上が、残存誤差補正成分ＭＹｎの説明である。
【００８９】
次に、磁気センサＳＺｎの残存誤差補正成分ＭＺｎについて説明する。図１０は、残存誤差補正成分ＭＺｎの算出に用いられる分岐電流の検出値（Ｚｎ−３〜Ｚｎ−１，Ｚｎ＋１〜Ｚｎ＋３）と補正係数（Ｃｎ−３〜Ｃｎ−１，Ｃｎ＋１〜Ｃｎ＋３，Ｄｎ−３〜Ｄｎ−１，Ｄｎ＋１〜Ｄｎ＋３）を図解した図である。
【００９０】
分岐電流の検出値Ｚｎ−１〜Ｚｎ−３及びＺｎ＋１〜Ｚｎ＋３は、磁気センサＳＺｎの測定対象の分岐電流ＩＢＺｎが流れる分岐路ＢＺｎの上流側と下流側の分岐路に設けられた磁気センサの検出値であり、図６，図７に示す同一符号の電流と同じである。「ｎ」が３以下の場合、３つの検出値Ｚｎ−１〜Ｚｎ−３のうち上流側の１以上の検出値は存在しない。また、「ｎ」が６以上の場合、３つの検出値Ｚｎ＋１〜Ｚｎ＋３のうち下流側の１以上の検出値は存在しない。
【００９１】
残存誤差補正成分ＭＺｎは、これらの分岐電流の検出値（Ｚｎ−１〜Ｚｎ−３，Ｚｎ＋１〜Ｚｎ＋３）と主幹電流ＩＴＺｎを用いて次式のように表わされる。
【００９２】
【数９】
0006421046.tif 000010
【００９３】
式（９）における「Ｃ−３」〜「Ｃ−１」，「Ｃ１」〜「Ｃ３」，「Ｄ−３」〜「Ｄ−１」，「Ｄ１」〜「Ｄ３」は、それぞれ一定の値を持つ補正係数である。これらの補正係数は、補正対象の分岐電流が流れる分岐路からみた上流側若しくは下流側の分岐路の相対位置毎に決められており、例えば実測定やシミュレーションの結果に基づいて取得される。式（９）において「ｎ」が３以下の場合や６以上の場合、存在しない分岐電流の検出値に対応する項はゼロとみなされる。主幹電流ＩＴＺｎは、例えば式（５−２）により、下流側の分岐電流の検出値を足し合わせた値として取得される。
【００９４】
式（９）の右辺における主幹電流ＩＴＺｎの２次の項（奇数番目の項）は、本発明の「第５補正成分」の一例である。また、右辺における主幹電流ＩＴＺｎの１次の項（偶数番目の項）は、本発明の「第６補正成分」の一例である。
【００９５】
式（９）に示すように、残存誤差補正成分ＭＺｎは、既に説明した残存誤差補正成分ＭＹｎと同様に、分岐電流に比例した係数を持った２つの項（１次と２次の項）からなり、主幹電流ＩＴＺｎの２次関数を複数含んでいる。残存誤差補正成分ＭＺｎは、これらの２次関数を足し合わせた結果として得られる。
以上が、残存誤差補正成分ＭＺｎの説明である。
【００９６】
次に、上述した構成を有する電流検出装置の動作を説明する。
磁気センサ（ＳＹｎ，ＳＺｎ）は、分岐路に流れる分岐電流の磁場に応じた検出値（Ｙｎ，Ｚｎ）をそれぞれ出力する。算出部２０は、例えばアナログ−デジタル変換器を備えており、各磁気センサから出力されるアナログの検出値をそれぞれデジタルデータに変換して内部の記憶装置に格納する。算出部２０は、記憶装置に格納した各磁気センサの検出値（Ｙｎ，Ｚｎ）と、記憶装置のデータテーブルに予め登録された補正係数（図１１〜図１３）とに基づいて、各分岐路に流れる分岐電流の測定値（ＤＹｎ，ＤＺｎ）を算出する。
【００９７】
図１１は、主幹補正成分（ＫＹｎ，ＫＺｎ）の補正係数が登録されたデータテーブルの例を示す図である。図１１に示すデータテーブルには、算出部２０において算出する測定値（ＤＹｎ，ＤＺｎ）毎に、ブスバー１０Ｙの主幹電流（ＩＴＹｎ）に乗ぜられる補正係数（αＴ（ｎ），βＴ（ｎ））と、ブスバー１０Ｚの主幹電流（ＩＴＺｎ）に乗ぜられる補正係数（γＴ（ｎ），ηＴ（ｎ））とが登録される。
算出部２０は、データテーブルに登録される上記の補正係数を用いて、式（３），式（４）により主幹補正成分（ＫＹｎ，ＫＺｎ）を求める。
【００９８】
図１２は、分岐補正成分（ＬＹｎ，ＬＺｎ）の補正係数が登録されたデータテーブルの例を示す図である。図１２に示すデータテーブルには、算出部２０において算出する測定値（ＤＹｎ，ＤＺｎ）毎に、ブスバー１０Ｙの分岐電流の検出値（Ｙｎ）に乗ぜられる補正係数（α−３（ｎ）〜α−１（ｎ），α＋１（ｎ）〜α＋３（ｎ），γ−３（ｎ）〜γ＋３（ｎ））と、ブスバー１０Ｚの分岐電流の検出値（Ｚｎ）に乗ぜられる補正係数（β−３（ｎ）〜β−１（ｎ），η＋１（ｎ）〜η＋３（ｎ），η−３（ｎ）〜η＋３（ｎ））とが登録される。
算出部２０は、データテーブルに登録される上記の補正係数を用いて、式（６），式（７）により分岐補正成分（ＬＹｎ，ＬＺｎ）を求める。
【００９９】
図１３は、残存誤差補正成分（ＭＹｎ，ＭＺｎ）の補正係数が登録されたデータテーブルの例を示す図である。図１３に示すデータテーブルには、測定対象の分岐電流が流れる分岐路から見た上流側若しくは下流側の分岐路の相対位置毎に、主幹電流の２次の項に乗ぜられる補正係数（Ａ−３〜Ａ３，Ｃ−３〜Ｃ３）と、主幹電流の１次の項に乗ぜられる補正係数（Ｂ−３〜Ｂ３，Ｄ−３〜Ｄ３）とが登録されている。
算出部２０は、データテーブルに登録される上記の補正係数を用いて、式（８），式（９）により残存誤差補正成分（ＭＹｎ，ＭＺｎ）を求める。
【０１００】
算出部２０は、主幹補正成分（ＫＹｎ，ＫＺｎ）、分岐補正成分（ＬＹｎ，ＬＺｎ）、及び、残存誤差補正成分（ＭＹｎ，ＭＺｎ）の和として表わされる補正値（ＲＹｎ，ＲＺｎ）を、分岐電流の検出値（Ｙｎ，Ｚｎ）から減算し、その減算結果を分岐電流の測定値（ＤＹｎ，ＤＺｎ）として取得する。
【０１０１】
以上説明したように、本実施形態に係る電流測定装置によれば、ブスバー１０Ｙの分岐路ＢＹｎに設けられた磁気センサＳＹｎによる分岐電流ＩＢＹｎの測定値（検出値Ｙｎ）が、ブスバー１０Ｙの主幹ＴＹにおいて分岐路ＢＹｎとの分岐部分から下流側に流れる主幹電流ＩＴＹｎの電流値と、ブスバー１０Ｙにおいて分岐路ＢＹｎの隣から順に並んだ他の複数の分岐路（ＢＹｎ−３〜ＢＹｎ−１，ＢＹｎ＋１〜ＢＹｎ＋３）に設けられた磁気センサの検出値（Ｙｎ−３〜Ｙｎ−１，Ｙｎ＋１〜Ｙｎ＋３）とに基づいて補正される。
磁気センサＳＹｎの比較的近くを流れる主幹電流（ＩＴＹｎ）や分岐電流（ＩＢＹｎ−３〜ＩＢＹｎ−１，ＩＢＹｎ＋１〜ＩＢＹｎ＋３）の磁場は、磁気センサＳＹｎにおいて検出され易く、分岐電流ＩＢＹｎの測定値の誤差になり易い。本実施形態によれば、分岐電流ＩＢＹｎの測定値の誤差になり易い周囲の電流（主幹電流，分岐電流）に基づいて当該測定値の補正が行われるため、簡易な構成でありながら精度の高い電流測定値を得ることができる。
【０１０２】
また、本実施形態に係る電流測定装置によれば、分岐電流ＩＢＹｎが流れるブスバー１０Ｙの電流（主幹電流，分岐電流）だけでなく、ブスバー１０Ｙに隣接するブスバー１０Ｚの主幹ＴＺにおいて分岐路ＢＹｎに最も近接する分岐路ＢＺｎとの分岐部分から下流側に流れる主幹電流ＩＴＺｎの電流値と、隣接するブスバー１０Ｚにおいて分岐路ＢＺｎを含んで順に並んだ複数の分岐路（ＢＺｎ−３〜ＢＺｎ＋３）に設けられた磁気センサの検出値（Ｚｎ−３〜Ｚｎ＋３）とに基づいて、分岐電流ＩＢＹｎの測定値の補正が行われる。
これにより、隣接したブスバー１０Ｚにおいて磁気センサＳＹｎの比較的近くを流れる主幹電流（ＩＴＺｎ）や分岐電流（ＩＢＹｎ−３〜ＩＢＹｎ−１，ＩＢＹｎ＋１〜ＩＢＹｎ＋３）の影響も加味して分岐電流ＩＢＹｎの測定値の補正が行われるため、より精度の高い電流測定値を得ることができる。
【０１０３】
更に、本実施形態に係る電流測定装置によれば、分岐電流ＩＢＹｎの測定値を補正するための補正値ＲＹｎに、残留誤差補正成分ＭＹｎが加算されている。この残留誤差補正成分ＭＹｎは、主幹電流ＩＴＹｎの２次関数を複数足し合わせたものである。２次関数における各項（１次の項，２次の項）の係数は、分岐路ＢＹｎの隣から順に並んだ複数の分岐路（ＢＹｎ−３〜ＢＹｎ−１，ＢＹｎ＋１〜ＢＹｎ＋３）に設けられた磁気センサの検出値（Ｙｎ−３〜Ｙｎ−１，Ｙｎ＋１〜Ｙｎ＋３）に比例した値を持つ。
これにより、主幹電流や分岐電流が増大するほど非線形的に大きくなる傾向を持つ磁気センサの非線形性に起因した誤差を補正できるため、より精度の高い電流測定値を得ることができる。
【０１０４】
しかも、本実施形態に係る電流測定装置によれば、主幹ＴＹにおける分岐路ＢＹｎとの分岐部から下流側に流れる主幹電流ＩＴＹｎの電流値を取得する場合に、当該分岐部分よりも下流側に位置する分岐路（ＢＹｎ＋１，ＢＹｎ＋２，…）に設けられた磁気センサの検出値（Ｙｎ＋１，Ｙｎ＋２，…）が用いられる。これにより、主幹電流ＩＴＹｎを測定するための電流センサを別途設けなくてもよいため、構成を簡易化できる。
【０１０５】
なお、本発明は上述した実施形態にのみ限定されるものではなく、種々のバリエーションを含んでいる。
【０１０６】
上述した実施形態におけるブスバーや分岐路の形状、数、配置などは一例であり、任意に変更可能である。また、磁気センサの構成は図３の例に限定されるものではなく、分岐路の形状や配置などに合わせて任意に変更可能である。
【０１０７】
上述の実施形態では単相３線式の分電盤に本発明が適用された例を挙げたが、本発明はこの例に限定されるものではなく、例えば三層３線式などの様々な配電方式の分電盤にも適用可能である。また本発明は、分電盤に限らず、各種の電機機器や機械、乗り物などにおいて複数の電流路の電流を測定する装置に広く適用可能である。
【符号の説明】
【０１０８】
１０Ｙ，１０Ｚ…ブスバー、２０…算出部、３０…磁電変換素子、ＳＹ１〜ＳＹ８，ＳＺ１〜ＳＺ８…磁気センサ、ＴＹ，ＴＺ…主幹、ＢＹ１〜ＢＹ８，ＢＺ１〜ＢＺ８…分岐路、ＩＢＹ１〜ＩＢＹ８，ＩＢＺ１〜ＩＢＺ８…分岐電流、ＩＴＹ１〜ＩＴＹ８，ＩＴＺ１〜ＩＴＺ８…主幹電流、Ｙ１〜Ｙ８，Ｚ１〜Ｚ８…磁気センサの検出値、ＤＹ１〜ＤＹ８，ＤＺ１〜ＤＺ８…分岐電流の測定値。
【図１】
0006421046.tif 000011
【図２】
0006421046.tif 000012
【図３】
0006421046.tif 000013
【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
0006421046.tif 000017
【図８】
0006421046.tif 000018
【図９】
0006421046.tif 000019
【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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