(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
（Ａ）ギ酸銅、
（Ｂ）ガラス転移温度（Ｔｇ）が５０℃以下である重合体、および
（Ｃ）アミン化合物
を含むことを特徴とする銅膜形成用組成物。
【請求項２】
前記（Ｂ）重合体のＴｇが、−７０℃〜２５℃の範囲にあることを特徴とする請求項１に記載の銅膜形成用組成物。
【請求項３】
前記（Ｂ）重合体が、重量平均分子量が３０００００以下の（メタ）アクリル化合物、エラストマーおよびエラストマーの水素添加物よりなる群から選ばれる少なくとも１種であることを特徴とする請求項１または２に記載の銅膜形成用組成物。
【請求項４】
前記エラストマーが、天然ゴム、スチレンエラストマー、オレフィンエラストマー、ウレタンエラストマー、ポリエステルエラストマー、アクリルエラストマー、ポリアミドエラストマー、シリコーンエラストマー、クロロスルホン化ポリエチレン、フッ素ゴムおよび多硫化エラストマーよりなる群から選ばれる少なくとも１種であることを特徴とする請求項３に記載の銅膜形成用組成物。
【請求項５】
前記（Ｃ）アミン化合物が、下記一般式（１）、下記一般式（２）および下記一般式（３）のうちの少なくとも１つで表されることを特徴とする請求項１から４のいずれか１項に記載の銅膜形成用組成物。
【化１】
0006323189.tif 000011
（一般式（１）中、Ｒ１、Ｒ２は、それぞれ独立に水素原子、炭素数１〜１８のアルキル基、または、炭素数３〜１８の脂環式炭化水素基を示す。Ｒ３は、単結合、メチレン基、炭素数２から１２のアルキレン基、または、フェニレン基を示す。Ｒ４は、水素原子、炭素数１〜１８のアルキル基、炭素数３〜１８の脂環式炭化水素基、アミノ基、ジメチルアミノ基、または、ジエチルアミノ基を示す。）
【化２】
0006323189.tif 000012
（一般式（２）中、Ｒ５、Ｒ６は、それぞれ独立に水素原子、炭素数１〜１８のアルキル基、または、炭素数３〜１８の脂環式炭化水素基を示す。Ｒ７は、メチレン基、炭素数２〜１２のアルキレン基、または、フェニレン基を示す。Ｒ８は、炭素数１〜１８のアルキル基、または、炭素数３〜１８の脂環式炭化水素基を示す。但し、Ｒ５およびＲ６が水素原子の場合、Ｒ８はメチル基およびエチル基以外を示す。）
【化３】
0006323189.tif 000013
（一般式（３）中、Ｒ９、Ｒ１０は、それぞれ独立に水素原子、炭素数１〜１８のアルキル基、または、炭素数３〜１８の脂環式炭化水素基を示す。Ｒ１１は、メチレン基、炭素数２〜１２のアルキレン基、または、フェニレン基を示す。Ｒ１２、Ｒ１３は、それぞれ独立に、炭素数１〜１８のアルキル基、または、炭素数３〜１８の脂環式炭化水素基を示す。）
【請求項６】
請求項１から５のいずれか１項に記載の銅膜形成用組成物を用いて塗膜を形成し、２５０℃以下の大気下または非酸化性雰囲気下において前記塗膜を加熱する工程を有することを特徴とする銅膜形成方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、銅膜形成用組成物、銅膜形成方法、銅膜、配線基板および電子機器に関する。
【背景技術】
【０００２】
配線基板は、プリント配線基板等とも称され、電子機器の分野において、電子部品を固定して配線するための主要な部品となっている。この配線基板は、パターニングされた金属膜が基板上に形成され、配線、めっき給電膜、電極および端子等を構成している。電子機器の分野において、プリント配線基板と同様に、パターニングされた金属膜を基板上に形成して有し、それらを配線等として用いるものとしては、センサー、コンデンサ、演算素子、タッチパネル、液晶表示素子および有機ＥＬ素子等がある。
【０００３】
配線基板やタッチパネル等を製造するにあたり、基板上に金属膜である配線等のパターンを形成する方法としては、例えば、フォトリソグラフィ技術を利用する方法が知られている。この方法では、まず均質なベタ状の金属膜を基板上に形成する。金属膜の形成方法としては、メッキ法が好適に用いられる。また、蒸着法やスパッタリング法等の利用も可能である。そして、形成された金属膜の上にレジスト液を塗布してレジスト層を形成する。次に、このレジスト層を、フォトマスクを用いて紫外線照射し、その後、現像することによりレジスト層のパターニングを行う。次いで、レジスト層で被覆されていない金属膜をエッチングして除去し、さらに残存するレジスト部分を剥離することでパターニングされた金属膜を得る。フォトリソグラフィ技術を利用する方法は、形成される配線パターンの線幅をサブミクロンオーダーにすることも可能とされ、有効な金属膜のパターンの形成方法となる。
【０００４】
こうしたフォトリソグラフィ技術を利用する方法においては、上述したようにパターニングされる金属膜の形成に、メッキ法が好適に用いられるが、メッキ法においては、通常、スパッタリング法によるシード層の形成とメッキ処理が必要となる。スパッタリング法は、真空中で行う必要があるので、装置や操作上の制約が大きい。また、処理に長時間を要して製造効率が低い。そして、メッキ処理は、メッキ液の廃液処理が環境上大きな問題となる。
同様に、金属膜の形成に蒸着法やスパッタリング法等を用いる場合においても、真空中で金属膜の形成を行う必要があるので、装置や操作上の制約が大きく、処理に長時間を要して効率良く金属膜を形成することができない。
【０００５】
そこで、装置等および環境上の制約が少なく、短時間で簡便に低抵抗の金属膜を形成できる金属膜の形成技術が求められている。そして、その金属膜の形成技術は、基板上に一様なベタ状の金属膜を形成することが可能な技術であるとともに、パターニングされた金属膜を直接に形成することも可能な技術であることが好ましい。
【０００６】
近年、有機溶剤等に金属微粒子を分散させて得られた分散体を用い、パターニングされた金属膜を直接描画する技術が注目されている。例えば、金属微粒子の分散体を用い、インクジェット印刷法や、スクリーン印刷法により所望のパターンを形成する。金属微粒子の平均粒子径が数ｎｍ〜数１０ｎｍ程度である場合、バルクの金属よりも融点が降下し、３００℃程度の比較的低温の加熱で粒子同士の融着が起こる。上述の技術はこうした現象を利用し、金属微粒子を比較的低温で焼結させてパターニングされた金属膜を得る技術である。
【０００７】
このような金属膜を形成するための分散組成物としては、金属微粒子に貴金属微粒子である銀ナノ粒子等を含有するものが知られている。
【０００８】
また、金属微粒子に代えて、金属の原料に金属塩等を用いる方法が、新たな金属膜の形成技術として注目されている。例えば、入手の容易な銅塩と還元剤とを組み合わせて組成物を調製し、この組成物を用いて銅膜を形成する方法が知られている。
【０００９】
具体的には、特許文献１および特許文献２に開示される技術では、原料となるギ酸銅とアミンとを組み合わせ、微粒径銅粒子の製造を実現する。そして、製造された微粒径銅粒子を分散してインクを調製する。次いで、その微粒径銅粒子を含むインクを塗布し、塗膜をアルゴン雰囲気下、３００℃で焼成し、ライン状の銅配線を形成している。
【００１０】
また、特許文献３では、銅膜形成を、銅塩とアミンを組み合わせた組成物により実現している。特許文献４では、銅膜形成を、ギ酸銅とアミンを組み合わせた組成物により実現している。特許文献５では、ギ酸銅とアルカノールアミンを組み合わせた組成物により実現している。
【００１１】
そして、特許文献６および特許文献７では、銅膜形成を、貴金属微粒子、銅塩、還元剤、およびモノアミンを含有する組成物により実現している。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１２】
【特許文献１】特開２００８−１３４６６号公報
【特許文献２】特開２００８−３１１０４号公報
【特許文献３】特開２００４−１６２１１０号公報
【特許文献４】特開２００５−２４７１号公報
【特許文献５】特開２０１０−２４２１１８号公報
【特許文献６】特開２０１１−３４７４９号公報
【特許文献７】特開２０１１−３４７５０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１３】
以上のように、例えば、配線基板やタッチパネル等の提供に好適となるように、低抵抗の金属膜を短時間で簡便に形成できる金属膜の形成技術が求められている。そして、その金属膜の形成技術は、基板上の一面に一様な金属膜を形成することができる技術であるとともに、所望の形状にパターニングされた金属膜を直接に形成することも可能な技術であることが好ましい。そのため、上述したように、金属微粒子や金属塩を含有する組成物等について、検討が盛んに行われている。しかしながら、それぞれの技術が解決すべき課題を有している。
【００１４】
具体的には、金属微粒子を含む組成物を用いて金属膜を形成する技術の場合、簡便な比較的低温での焼結によって金属微粒子を完全に融合させることは困難であった。そのため、焼結後に得られる金属膜において、バルク金属と比較した場合の電気抵抗特性、すなわち、低抵抗化を実現できないという問題があった。
【００１５】
加えて、上述した銀ナノ粒子等を含有する分散組成物を用いる技術の場合、銀がエレクトロマイグレーション（ｅｌｅｃｔｒｏｍｉｇｒａｔｉｏｎ）を起こしやすいという問題を有する。また、銀は貴金属であり、入手の容易な銅等に比べて高価な材料となる。そのため、銀ナノ粒子自体が高価であって金属膜の形成工程の高コスト化を招くといった問題がある。尚、エレクトロマイグレーションとは、電界の影響で、金属成分（例えば、配線や電極に使用した銀等の金属。）が非金属媒体（例えば、絶縁物、特に基板等。）の上や中を横切って移動する現象である。
【００１６】
そこで、金属微粒子に代えて、上述したように、原料として金属塩等を用いて金属膜を形成する技術が注目されている。特に、入手が容易でエレクトロマイグレーションの懸念の少ない銅塩等の銅化合物を原料に用いる技術が期待されている。しかしながら、こうした入手が容易な銅塩を原料に用いる方法も、簡便な低温での加熱によって低抵抗の銅膜を形成することは困難であった。
【００１７】
例えば、上述した特許文献１および特許文献２には、ギ酸銅とアミンとを用いた銅配線の形成が記載されているが、形成された銅配線がどの程度の低抵抗化を実現しているか記載されていない。
【００１８】
また、上述した特許文献３では、銅塩とアミンを組み合わせた組成物による銅膜の形成が記載されるが、形成される銅膜が、低抵抗であるか否かは記載されていない。同様に、特許文献４では、ギ酸銅とアミンを組み合わせた組成物による銅膜の形成が記載されるが、形成される銅膜が、低抵抗であるか否かは記載されていない。
【００１９】
また、特許文献６および特許文献７では、貴金属微粒子と銅塩とを組み合わせ、さらに還元剤およびモノアミンを含有する組成物により銅膜の形成を実現するが、高価な貴金属微粒子または貴金属化合物を必須の成分としており、原料コストの上昇を招いて、高い生産性で簡便に銅膜を形成することはできない。
【００２０】
さらに別の問題として、上述した金属微粒子を用いた分散組成物の技術や、金属塩を用いた組成物の技術においては、基板上に金属膜を形成するにあたり、金属膜と基板との間で十分な密着性が得られないことがあった。
【００２１】
例えば、タッチパネルの場合、使用者のタッチ操作によって基板上の金属膜が押圧され、また、基板に変形が生じることがある。そのため、配線等のパターンを形成する金属膜は、そのような外部からの影響によって剥離が生じないように、基板との高い密着性が求められる。
【００２２】
特に、タッチパネルは、ガラス基板の他、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ：Ｐｏｌｙｅｔｈｙｌｅｎｅｔｅｒｅｐｈｔｈａｌａｔｅ）フィルム等の樹脂基板上、または、その樹脂基板上に形成されたＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ  Ｔｉｎ  Ｏｘｉｄｅ（酸化インジウムスズ））膜等の透明導電膜上に、金属膜である配線等のパターンを設ける場合がある。その場合、金属膜は、高信頼性のタッチパネルを提供できるように、ガラス基板の他、ＰＥＴフィルム等の樹脂基板やＩＴＯ膜等の透明導電膜との間で優れた密着性が求められる。
【００２３】
しかしながら、上述した従来技術による金属膜においては、基板との密着性の向上が難しい。例えば、銅膜の場合、ガラス基板やＰＥＴフィルム等の樹脂基板やＩＴＯ膜等の透明導電膜との間で、優れた密着性を実現するのは難しかった。したがって、タッチパネルは、パターニングされた金属膜を配線等として有する場合、使用者のタッチ操作に対する優れた検知能力と、それを持続させるための信頼性を両立させることが難しかった。
【００２４】
以上のように、例えば、配線基板やタッチパネルの提供に好適となるように、組成物を用いた金属膜の形成技術は、金属膜の低抵抗化と、基板との密着性の向上が求められている。しかしながら、従来の技術では、それらを両立して実現するのは困難であった。
【００２５】
そのため、低抵抗かつ基板との密着性に優れた金属膜を、従来に比べて低温となる加熱によって形成できる金属膜の形成技術が求められている。すなわち、低抵抗で基板との密着性に優れた銅膜が求められ、それを形成することができる銅膜形成方法が求められている。
【００２６】
そして、その銅膜形成方法に好適となる銅膜形成用組成物が求められている。
【００２７】
本発明は、以上の知見に基づいてなされたものである。すなわち、本発明の目的は、低抵抗で基板との密着性に優れた銅膜を形成することができる銅膜形成用組成物を提供することにある。
【００２８】
また、本発明の目的は、低抵抗で基板との密着性に優れた銅膜を形成する銅膜形成方法を提供することにある。
【００２９】
また、本発明の目的は、低抵抗で基板との密着性に優れた銅膜を提供することにある。
【００３０】
また、本発明の目的は、低抵抗で基板との密着性に優れた銅膜を有する配線基板を提供することにある。
【００３１】
さらに、本発明の目的は、低抵抗で基板との密着性に優れた銅膜を有する電子機器を提供することにある。
【００３２】
本発明の他の目的および利点は、以下の記載から明らかとなるであろう。
【課題を解決するための手段】
【００３３】
本発明の第１の態様は、
（Ａ）銅塩、
（Ｂ）ガラス転移温度（Ｔｇ）が５０℃以下である重合体、および
（Ｃ）アミン化合物
を含むことを特徴とする銅膜形成用組成物に関する。
【００３４】
本発明の第１の態様において、
（Ａ）銅塩が、酢酸銅、トリフルオロ酢酸銅、プロピオン酸銅、酪酸銅、イソ酪酸銅、２−メチル酪酸銅、ピバリン酸銅、ギ酸銅、ヒドロキシ酢酸銅、グリオキシル酸銅、シュウ酸銅、アセチルアセトナト銅、１，１，１−トリフルオロアセチルアセトナト銅および１，１，１，５，５，５−ヘキサフルオロアセチルアセトナト銅からなる群より選ばれる少なくとも１種を含むことが好ましい。
【００３５】
本発明の第１の態様において、（Ｂ）重合体のＴｇが、−７０℃以上２５℃以下、すなわち、−７０℃〜２５℃の範囲にあることが好ましい。
【００３６】
本発明の第１の態様において、前記（Ｂ）重合体が、重量平均分子量が３０００００以下の（メタ）アクリル化合物、エラストマーおよびエラストマーの水素添加物よりなる群から選ばれる少なくとも１種であることが好ましい。
【００３７】
本発明の第１の態様において、前記エラストマーが、天然ゴム、スチレンエラストマー、オレフィンエラストマー、ウレタンエラストマー、ポリエステルエラストマー、アクリルエラストマー、ポリアミドエラストマー、シリコーンエラストマー、クロロスルホン化ポリエチレン、フッ素ゴムおよび多硫化エラストマーよりなる群から選ばれる少なくとも１種であることが好ましい。また、前記エラストマーの水素添加物は、それらエラストマーの水素添加物からなる群から選ばれる少なくとも１種であることが好ましい。ここで、エラストマーの水素添加物とは、エラストマーの共役二重結合構造の全てまたは一部に水素添加し、共役二重結合構造の全てまたは一部を単結合構造にした化合物をいう。
【００３８】
本発明の第１の態様において、前記（Ｃ）アミン化合物が、下記一般式（１）、下記一般式（２）および下記一般式（３）のうちの少なくとも１つで表されることが好ましい。
【００３９】
【化１】
0006323189.tif 000002
（一般式（１）中、Ｒ１、Ｒ２は、それぞれ独立に水素原子、炭素数１〜１８のアルキル基、または、炭素数３〜１８の脂環式炭化水素基を示す。Ｒ３は、単結合、メチレン基、炭素数２から１２のアルキレン基、または、フェニレン基を示す。Ｒ４は、水素原子、炭素数１〜１８のアルキル基、炭素数３〜１８の脂環式炭化水素基、アミノ基、ジメチルアミノ基、または、ジエチルアミノ基を示す。）
【００４０】
【化２】
0006323189.tif 000003
（一般式（２）中、Ｒ５、Ｒ６は、それぞれ独立に水素原子、炭素数１〜１８のアルキル基、または、炭素数３〜１８の脂環式炭化水素基を示す。Ｒ７は、メチレン基、炭素数２〜１２のアルキレン基、または、フェニレン基を示す。Ｒ８は、炭素数１〜１８のアルキル基、または、炭素数３〜１８の脂環式炭化水素基を示す。但し、Ｒ５およびＲ６が水素原子の場合、Ｒ８はメチル基およびエチル基以外を示す。）
【００４１】
【化３】
0006323189.tif 000004
（一般式（３）中、Ｒ９、Ｒ１０は、それぞれ独立に水素原子、炭素数１〜１８のアルキル基、または、炭素数３〜１８の脂環式炭化水素基を示す。Ｒ１１は、メチレン基、炭素数２〜１２のアルキレン基、または、フェニレン基を示す。Ｒ１２、Ｒ１３は、それぞれ独立に、炭素数１〜１８のアルキル基、または、炭素数３〜１８の脂環式炭化水素基を示す。）
【００４２】
本発明の第２の態様は、本発明の第１の態様の銅膜形成用組成物を用いて塗膜を形成し、２５０℃以下の大気下または非酸化性雰囲気下においてその塗膜を加熱する工程を有することを特徴とする銅膜形成方法に関する。
【００４３】
本発明の第３の態様は、本発明の第１の態様の銅膜形成用組成物を用いて形成されることを特徴とする銅膜に関する。
【００４４】
本発明の第４の態様は、本発明の第３の態様の銅膜を有することを特徴とする配線基板。
【００４５】
本発明の第５の態様は、本発明の第３の態様の銅膜を有することを特徴とする電子機器。
【発明の効果】
【００４６】
本発明の第１の態様によれば、低抵抗で基板との密着性に優れた銅膜を形成する銅膜形成用組成物が提供される。
【００４７】
本発明の第２の態様によれば、低抵抗で基板との密着性に優れた銅膜を形成する銅膜形成方法が提供される。
【００４８】
本発明の第３の態様によれば、低抵抗で基板との密着性に優れた銅膜が提供される。
【００４９】
本発明の第４の態様によれば、低抵抗で基板との密着性に優れた銅膜を有する配線基板が提供される。
【００５０】
本発明の第５の態様によれば、低抵抗で基板との密着性に優れた銅膜を有する電子機器が提供される。
【図面の簡単な説明】
【００５１】
【図１】本発明の実施形態のタッチパネルを示す平面図である。
【図２】図１のＢ−Ｂ’線に沿う断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００５２】
本発明では、銅膜の原料として、（Ａ）成分の銅塩（以下、（Ａ）銅塩ともいう。）を用い、（Ｂ）成分のガラス転移温度（Ｔｇ）が５０℃以下である重合体（以下、（Ｂ）重合体ともいう。）、および、（Ｃ）成分のアミン化合物（以下、（Ｃ）アミン化合物ともいう）とともに銅膜形成用組成物を調製する。そして、本発明では、その銅膜形成用組成物を用い、例えば、基板上に塗布して塗膜を形成する。次いで、その塗膜を、従来技術と比較して低温となる温度で加熱して、低抵抗かつ基板との密着性に優れた銅膜を形成する。
【００５３】
このとき、本発明の銅膜形成用組成物の塗膜に対する加熱は、従来技術において多用されてきた水素ガスを必須とはせず、大気下、或いは、窒素ガス、アルゴンガスまたはヘリウムガス等を利用した非酸化性雰囲気下で加熱を行って、基板との密着性を有する低抵抗の銅膜を形成することができる。すなわち、本発明の銅膜形成用組成物は、大気下等の酸化性雰囲気であっても、加熱によって低抵抗の銅膜を形成することができる。また、大気下等の酸化性雰囲気を除く雰囲気環境を非酸化性雰囲気と定義すれば、本発明の銅膜形成用組成物は、非酸化性雰囲気下でも、加熱によって、所望とする抵抗特性の銅膜を形成することができる。したがって、本発明の銅膜形成用組成物は、銅膜形成時の加熱工程で爆発の危険がある水素ガスをあえて使用することはなく、安全で簡便な加熱工程によって銅膜を形成することができる。
【００５４】
そして、本発明の銅膜形成用組成物は、基板上に一様なベタ状の銅膜を形成可能であるとともに、適当な塗布法と組み合わせることにより、配線や電極や端子等となる、パターニングされた銅膜を直接に基板上に形成することも可能である。したがって、本発明において、「銅膜」とは、銅からなるベタ状の膜とともに、パターニングされた銅膜を含む概念である。すなわち、銅配線や銅電極等のパターンについても本発明の「銅膜」の中に含まれる。同様に、「膜」についても、パターンを含む概念として使用されることがある。
【００５５】
また、本発明において、「配線基板」は、上述した、所謂プリント配線基板として知られた配線基板のみに限られるわけではない。本発明において、「配線基板」には、パターニングされた金属膜が基板上に形成されて、配線、電極および端子等を構成している基板が全て含まれる。例えば、本発明において、「配線基板」には、上述したプリント配線基板の他に、タッチパネルや、液晶表示素子や、有機ＥＬ素子等を構成するための基板が含まれる。すなわち、それらを構成するための基板であって、パターニングされた金属膜が基板上に形成されて、配線、電極および端子等を構成している基板が含まれる。
【００５６】
尚、以下の本発明の説明においては、配線基板の有する配線、電極および端子等と称される導電性の電気的導通部材を、便宜上、配線と総称する。
【００５７】
次に、本発明の実施形態の銅膜形成用組成物について、より詳しく説明する。その後、本発明の実施形態の銅膜形成用組成物の調製と、本発明の実施形態の銅膜形成用組成物を用いた本発明の実施形態の銅膜形成方法について説明する。
【００５８】
＜銅膜形成用組成物＞
本発明の実施形態の銅膜形成用組成物は、銅膜の原料として（Ａ）銅塩を含み、さらに、（Ｂ）ガラス転移温度（Ｔｇ）が５０℃以下である重合体、および（Ｃ）アミン化合物を含む組成物であり、還元反応型の銅膜形成用組成物である。
【００５９】
また、本発明の実施形態の銅膜形成用組成物は、上記各成分に加え、溶剤を含有することができる。さらに、本実施形態の銅膜形成用組成物は、上記各成分に加え、金属微粒子の他、その他任意成分を含有することができる。そして、本実施形態の銅膜形成用組成物は、公知の多様な塗布法によるパターニングされた塗膜の形成が可能であり、またその塗膜は、加熱されて銅膜を形成することができる。
【００６０】
このとき、本発明の実施形態の銅膜形成用組成物は、上述した組成を有することにより、適当な基板上に塗布されて塗膜を形成した後、大気下、または、例えば、窒素ガス等の非酸化性雰囲気下での加熱により、基板上に本発明の実施形態の銅膜を形成することができる。そして、加熱の温度としては、従来技術に比べて低温となる２５０℃以下とすることが可能であり、さらに低い２００℃以下とすることも可能である。
【００６１】
したがって、本発明の実施形態の銅膜形成用組成物では、特に水素ガス等の還元性ガスを利用した還元性雰囲気を形成する必要はなく、簡便で安全な状態での比較的低温の加熱によって優れた抵抗特性の銅膜を形成することができる。
【００６２】
以下、本実施形態の銅膜形成用組成物の各成分について説明する。
【００６３】
［（Ａ）銅塩］
本発明の実施形態の銅膜形成用組成物に含有される（Ａ）銅塩としては、銅イオンを含有する化合物であればよく、特に限定するものではないが、例えば、銅イオンと、無機アニオン種および有機アニオン種のうちの少なくとも一方とからなる銅塩が挙げられる。
【００６４】
これらの中でも、溶解度の面から、銅カルボン酸塩、および、銅とアセチルアセトン誘導体との錯塩からなる群より選ばれる１種または２種以上を用いることが好ましい。
【００６５】
上述の銅カルボン酸塩としては、例えば、酢酸銅、トリフルオロ酢酸銅、プロピオン酸銅、酪酸銅、イソ酪酸銅、２−メチル酪酸銅、２−エチル酪酸銅、吉草酸銅、イソ吉草酸銅、ピバリン酸銅、ヘキサン酸銅、ヘプタン酸銅、オクタン酸銅、２−エチルヘキサン酸銅、ノナン酸銅等の脂式カルボン酸との銅塩、マロン酸銅、コハク酸銅、マレイン酸銅等のジカルボン酸との銅塩、安息香酸銅、サリチル酸銅等の芳香族カルボン酸との銅塩、ギ酸銅、ヒドロキシ酢酸銅、グリオキシル酸銅、乳酸銅、シュウ酸銅、酒石酸銅、リンゴ酸銅、クエン酸銅等の還元力を有するカルボン酸との銅塩等が好適なものとして挙げられる。
【００６６】
また、上述した銅とアセチルアセトン誘導体との錯塩としては、例えば、アセチルアセトナト銅、１，１，１−トリメチルアセチルアセトナト銅、１，１，１，５，５，５−ヘキサメチルアセチルアセトナト銅、１，１，１−トリフルオロアセチルアセトナト銅、および、１，１，１，５，５，５−ヘキサフルオロアセチルアセトナト銅等が好適なものとして挙げられる。
【００６７】
これらの中でも、溶解性および低抵抗の銅膜を形成する観点から、酢酸銅、トリフルオロ酢酸銅、プロピオン酸銅、酪酸銅、イソ酪酸銅、２−メチル酪酸銅、ピバリン酸銅、ギ酸銅、ヒドロキシ酢酸銅、グリオキシル酸銅、シュウ酸銅、アセチルアセトナト銅、１，１，１−トリフルオロアセチルアセトナト銅および１，１，１，５，５，５−ヘキサフルオロアセチルアセトナト銅がより好ましい。
【００６８】
本発明の実施形態の銅膜形成用組成物において、上記以外の銅塩を（Ａ）成分として使用しても差し支えないが、入手が困難であったり、高価であったりするため、高い生産効率を実現するという観点からは不利な場合がある。また、（Ａ）銅塩としては、市販のものでも、公知の方法により合成したものでも良く、さらには、銅イオンを含む化合物と、無機アニオン種および有機アニオン種のうちの少なくとも一方とを混合することにより、系中で形成させたものでも何ら差し支えなく使用することができ、特に限定されない。
【００６９】
また、（Ａ）銅塩として還元力を有するカルボン酸との銅塩を用いた場合、対アニオンである還元力を有するカルボン酸が還元剤として作用するため、別途、還元剤を加えなくても差し支えない。
【００７０】
本発明の実施形態の銅膜形成用組成物において、（Ａ）銅塩の純度については特に限定されないが、あまりにも低純度であると銅膜を形成した際に、導電性（抵抗特性）に悪影響を与えるおそれがある。したがって、（Ａ）銅塩の純度は９０％以上が好ましく、９５％以上がさらに好ましい。
【００７１】
本実施形態の銅膜形成用組成物中の（Ａ）銅塩の含有量としては、本実施形態の銅膜形成用組成物が含有する全成分の１００質量％に対し、１質量％〜７０質量％が好ましく、５質量％〜５０質量％がより好ましい。（Ａ）銅塩の含有量を１質量％〜７０質量％とすることによって、優れた導電性を有する銅膜を形成できる。銅化合物の含有量を５質量％〜５０質量％とすることによって、より低い抵抗値の銅膜を形成することができる。
【００７２】
［（Ｂ）ガラス転移温度（Ｔｇ）が５０℃以下である重合体］
（Ｂ）ガラス転移温度（Ｔｇ）が５０℃以下である重合体（（Ｂ）重合体）としては、重量平均分子量が３０００００以下の（メタ）アクリル化合物（以下、（Ｂ１）成分ともいう。）、エラストマー（以下、（Ｂ２）成分ともいう。）およびエラストマーの水素添加物（以下、（Ｂ３）成分ともいう。）を挙げることができる。すなわち、（Ｂ）重合体は、重量平均分子量が３０００００以下の（メタ）アクリル化合物（Ｂ１）、エラストマー（Ｂ２）およびエラストマーの水素添加物（Ｂ３）よりなる群から選ばれる少なくとも１種であることが好ましい。
【００７３】
尚、本発明において、ガラス転移温度（Ｔｇ）は、示差走査熱量測定（ＤＳＣ）を用い、１０℃／分の温度勾配で昇温し測定して得られた値である。
【００７４】
上述の（Ｂ１）成分である重量平均分子量が３０００００以下の（メタ）アクリル化合物は、（ｂ１）エチレン性不飽和カルボン酸および／またはエチレン性不飽和カルボン酸無水物（以下、これらをまとめて「不飽和カルボン酸系単量体（ｂ１）」ともいう。）、および、（ｂ２）他のエチレン性不飽和化合物（以下、単に「他の単量体（ｂ２）」ともいう。）を溶媒中で、重合開始剤の存在下にラジカル重合することによって製造することができる。
【００７５】
不飽和カルボン酸系単量体（ｂ１）としては、例えば、アクリル酸、メタクリル酸、クロトン酸、２−メタクリロイロキシエチルコハク酸、２−メタクリロイロキシエチルヘキサヒドロフタル酸などのモノカルボン酸類；マレイン酸、フマル酸、シトラコン酸、メサコン酸、イタコン酸などのジカルボン酸類；上記ジカルボン酸の無水物類等を挙げることができる。
【００７６】
これらの不飽和カルボン酸系単量体（ｂ１）のうち、共重合反応性、得られる重合体のアルカリ水溶液に対する溶解性および入手が容易である点から、アクリル酸、メタクリル酸、無水マレイン酸、２−メタクリロイロキシエチルヘキサヒドロフタル酸等が好ましい。
【００７７】
（Ｂ１）成分の製造において、不飽和カルボン酸系単量体（ｂ１）は、単独でまたは２種以上を混合して使用することができる。
【００７８】
そして、（Ｂ１）成分において、不飽和カルボン酸系単量体（ｂ１）に由来する繰り返し単位の含有率は、好ましくは５重量％〜５０重量％、より好ましくは１０重量％〜４０重量％、さらに好ましくは１５重量％〜３０重量％である。この場合、不飽和カルボン酸系単量体（ｂ１）に由来する繰り返し単位の含有率が上記の範囲であると、（Ｂ）重合体は、形成される銅膜において、抵抗特性と基板への密着性とを両立させるためのより有効な成分となる。
【００７９】
上述した他の単量体（ｂ２）としては、（メタ）アクリル酸アルキルエステル類、（メタ）アクリル酸脂環式エステル類、（メタ）アクリル酸のアリールエステル、ジカルボン酸ジアルキルエステル類、（メタ）アクリル酸エポキシアルキルエステル類；ジカルボニルイミド誘導体類；共役ジエン系化合物、ビニル芳香族化合物等を挙げることができる。
【００８０】
これらの他の単量体（ｂ２）のうち、共重合反応性および得られる重合体のアルカリ水溶液に対する溶解性の点から、アクリル酸２−メチルシクロヘキシル、メタクリル酸ヒドロキシエチル、メタクリル酸トリシクロ［５．２．１．０２，６］デカン−８−イル、スチレン、メタクリル酸グリシジル、３−（メタクリロイルオキシメチル）−３−エチルオキセタン、メタクリル酸テトラヒドロフルフリル、１，３−ブタジエン、フェニルマレイミド、シクロヘキシルマレイミド等が好ましい。
【００８１】
（Ｂ１）成分の製造において、他の単量体（ｂ２）は、単独でまたは２種類以上を混合して使用することができる。
【００８２】
そして、（Ｂ１）成分において、他の単量体（ｂ２）から誘導される繰り返し単位の含有率は、好ましくは５０重量％〜９５重量％、より好ましくは６０重量％〜９０重量％、さらに好ましくは７０重量％〜８５重量％である。この場合、他の単量体（ｂ２）に由来する繰り返し単位の含有率が上記の範囲であると、（Ｂ）重合体は、形成される銅膜において、抵抗特性と基板への密着性とを両立させるためのより有効な成分となる。
【００８３】
（Ｂ１）成分の製造に用いられる溶媒としては、例えば、アルコール、エーテル、グリコールエーテル、エチレングリコールアルキルエーテルアセテート、ジエチレングリコール、ジプロピレングリコール、プロピレングリコールモノアルキルエーテル、プロピレングリコールアルキルエーテルアセテート、プロピレングリコールアルキルエーテルプロピオネート、芳香族炭化水素、ケトン、エステル等を挙げることができる。
【００８４】
上述の溶媒のうち、エチレングリコールアルキルエーテルアセテート、ジエチレングリコール、ジプロピレングリコール、プロピレングリコールモノアルキルエーテル、プロピレングリコールアルキルエーテルアセテートが好ましく、中でも、ジエチレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールエチルメチルエーテル、ジプロピレングリコールジメチルエーテル、ジプロピレングリコールエチルメチルエーテル、プロピレングリコールメチルエーテル、プロピレングリコールメチルエーテルアセテート、酢酸３−メトキシブチルが特に好ましい。
【００８５】
上記溶媒は、単独でまたは２種以上を混合して使用することができる。
【００８６】
また、上記ラジカル重合に用いられる重合開始剤としては、特に限定されるものではなく、例えば、２，２’−アゾビスイソブチロニトリル、２，２’−アゾビス−（２，４−ジメチルバレロニトリル）、２，２’−アゾビス−（４−メトキシ−２，４−ジメチルバレロニトリル）、４，４’−アゾビス（４―シアノバレリアン酸）、ジメチル２，２’−アゾビス（２−メチルプロピオネート）、２，２’−アゾビス（４−メトキシ−２，４−ジメチルバレロニトリル）等のアゾ化合物；ベンゾイルペルオキシド、ラウロイルペルオキシド、ｔ−ブチルペルオキシピバレート、１，１−ビス（ｔ−ブチルペルオキシ）シクロヘキサン等の有機過酸化物；過酸化水素等を挙げることができる。また、重合開始剤として過酸化物を用いる場合には、それと還元剤とを併用して、レドックス型開始剤としてもよい。
【００８７】
これらの重合開始剤は、単独でまたは２種以上を混合して使用することができる。
【００８８】
さらに、（Ｂ１）成分中のカルボキシル基にエポキシ基を有する（メタ）アクリル酸エステルを反応させて、重合体中に（メタ）アクリロイルオキシ基を導入することも可能である。
【００８９】
重合体中のカルボキシル基とエポキシ基を有する（メタ）アクリル酸エステル等の不飽和化合物との反応においては、必要に応じて適当な触媒の存在下において、好ましくは重合禁止剤を含む重合体の溶液に、エポキシ基を有する不飽和化合物を投入し、加温下で所定時間攪拌する。上記触媒としては、例えば、テトラブチルアンモニウムブロミド等が挙げられる。上記重合禁止剤としては、例えば、ｐ−メトキシフェノール等が挙げられる。そして、反応温度は、７０℃〜１００℃が好ましい。反応時間は、８時間〜１２時間が好ましい。
【００９０】
その場合、（メタ）アクリロイルオキシ基を有する構成単位の含有量は、（Ｂ１）成分全成分のうちの１０ｍｏｌ％〜７０ｍｏｌ％であることが好ましく、２０ｍｏｌ％〜５０ｍｏｌ％であることがより好ましい。
【００９１】
（Ｂ１）成分において、（メタ）アクリロイルオキシ基を有する構成単位の含有量が上記の範囲であると、（Ｂ）重合体は、形成される銅膜において、抵抗特性と基板への密着性とを両立させるためのより有効な成分となる。
【００９２】
次に、上述の（Ｂ２）成分であるエラストマーとしては、具体的に、スチレンエラストマー、オレフィンエラストマー、ニトリルゴム（ポリ（アクリロニトリル−ｃｏ−ブタジエン））、エチレン−プロピレンゴム（ポリ（エチレン−ｃｏ−プロピレン））、アクリルエラストマー、エピクロロヒドリンゴム、シリコーンエラストマー、フッ素ゴム、ウレタンエラストマー（ウレタンゴム）、クロロスルホン化ポリエチレン、ポリエステルエラストマーおよびポリアミドエラストマー、天然ゴムおよび多硫化エラストマー等を挙げることができる。
【００９３】
上述のスチレンエラストマーとしては、例えば、スチレン／ブタジエンランダムコポリマー、スチレン／ブタジエン／スチレンブロックコポリマー、スチレン／イソプレンランダムコポリマー、スチレン／イソプレンブロックコポリマー、スチレン／イソプレン／スチレンブロックコポリマー、スチレン／エチレン／ブチレン／スチレンブロックコポリマー、スチレン／エチレン／プロピレン／スチレンブロックコポリマーおよびスチレン／ブタジエン／メタクリレートブロックポリマーが挙げられる。スチレンエラストマーは、スチレンとともに、または、スチレンに代えて、α−メチルスチレン、３−メチルスチレン、４−プロピルスチレンおよび４−シクロヘキシルスチレン等のスチレン誘導体のモノマー単位を含んでいてもよい。
【００９４】
商業的に入手可能なスチレンエラストマーとしては、タフプレン（登録商標）、ソルプレンＴ、アサプレン（登録商標）Ｔ、タフテック（登録商標）（以上、旭化成工業社製）、エラストマーＡＲ（アロン化成社製）、クレイトン（登録商標）Ｇ、カリフレックス（登録商標）（以上、シェルジャパン社製）、ＪＳＲ−ＴＲ、ＴＳＲ−ＳＩＳ、ダイナロン（登録商標）（以上、ＪＳＲ社製）、デンカＳＴＲ（電気化学社製）、クインタック（登録商標）（日本ゼオン社製）、ＴＰＥ−ＳＢシリーズ（住友化学社製）、ラバロン（登録商標）（三菱化学社製）、セプトン（登録商標）、ハイブラー（登録商標）（以上、クラレ社製）、スミフレックス（登録商標）（住友ベークライト社製）、レオストマー（登録商標）、アクティマー（登録商標）（以上、理研ビニル工業社製）およびパラロイド（登録商標）ＥＸＬシリーズ（ロームアンドハース社製）がある。
【００９５】
上述のオレフィンエラストマーは、エチレン、プロピレン、１−ブテン、１−ヘキセンおよび４−メチル−ペンテン等の炭素数２〜２０のα−オレフィンの共重合体である。オレフィンエラストマーの具体例としては、エチレン−プロピレン共重合体（ＥＰＲ）、エチレン／プロピレン／ジエン共重合体（ＥＰＤＭ）が挙げられる。オレフィンエラストマーは、ジシクロペンタジエン、１，４−ヘキサジエン、シクロオクタンジエン、メチレンノルボルネン、エチリデンノルボルネン、ブタジエンおよびイソプレンのような炭素数２〜２０のジエン類とα−オレフィンとの共重合、エポキシ化ポリブタジエン、または、ブタジエン−アクリロニトリル共重合体にメタクリル酸を共重合したカルボキシ変性ＮＢＲであってもよい。オレフィンエラストマーの他の例としては、エチレン−α−オレフィン共重合体ゴム、エチレン−α−オレフィン−ジエン共重合体ゴム、プロピレン−α−オレフィンィン共重合体ゴム、イソプレンゴム（ポリイソプレン）、ブタジエンゴム（ポリブタジエン）、クロロプレンゴム（ポリクロロプレン）およびブチルゴム（ポリ（ブチレン−ｃｏ−ブタジエン））がある。
【００９６】
商業的に入手可能なオレフィンエラストマーとしては、ミラストマー（登録商標）（三井石油化学社製）、ＥＸＡＣＴ（登録商標）（エクソン化学社製）、ＥＮＧＡＧＥ（登録商標）（ダウケミカル社製）、Ｎｉｐｏｌ（登録商標）シリーズ（日本ゼオン社製）、水添スチレン−ブタジエンラバーＤＹＮＡＢＯＮＨＳＢＲ（ＪＳＲ社製）、ブタジエン−アクリロニトリル共重合体ＮＢＲシリーズ（ＪＳＲ社製）、架橋点を有する両末端カルボキシル基変性ブタジエン−アクリロニトリル共重合体のＸＥＲシリーズ（ＪＳＲ社製）、ポリブタジエンを部分的にエポキシ化したエポキシ化ポリブダジエンのＢＦ−１０００（日本曹達社製）、および液状ブタジエン−アクリロニトリル共重合体ＨＹＣＡＲ（登録商標）シリーズ（宇部興産社製）が挙げられる。
【００９７】
上述のアクリルエラストマーは、エチルアクリレート、ブチルアクリレート、メトキシエチルアクリレートおよびエトキシエチルアクリレート等のアクリル酸エステルと、グリシジルメタクリレートおよびアリルグリシジルエーテル等のエポキシ基を有する単量体並びに／またはアクリロニトリルおよびエチレン等のビニル系単量体とを共重合して得られる。アクリルエラストマーには、アクリルゴム（ポリ（アクリル酸エステル−ｃｏ−クロロエチルビニルエーテル）およびポリ（アクリル酸エステル−ｃｏ−アクリロニトリル）がある。より具体的には、アクリロニトリル−ブチルアクリレート共重合体、アクリロニトリル／ブチルアクリレート／エチルアクリレート共重合体およびアクリロニトリル／ブチルアクリレート／グリシジルメタクリレート共重合体が挙げられる。
【００９８】
上述のシリコーンエラストマーは、オルガノポリシロキサンを主成分として含むエラストマーであり、ポリジメチルシロキサン系、ポリメチルフェニルシロキサン系、およびポリジフェニルシロキサン系に分けられる。オルガノポリシロキサンの一部がビニル基、アルコキシ基等で変性されていてもよい。シリコーンエラストマーの具体例としては、シリコーンゴム（ポリ（ジメチルシロキサン）およびポリ（ジメチルシロキサン−ｃｏ−メチルビニルシロキサン））が挙げられる。
【００９９】
商業的に入手可能なシリコーンエラストマーとしては、ＫＥシリーズ（信越化学社製）、ＳＥシリーズ、ＣＹシリーズおよびＳＨシリーズ（以上、東レダウコーニングシリコーン社製）がある。
【０１００】
上述のウレタンエラストマーは、低分子（短鎖）ジオールおよびジイソシアネートから生成するハードセグメントと、高分子（長鎖）ジオールおよびジイソシアネートから生成するソフトセグメントとを有する。高分子（長鎖）ジオールとしては、例えば、ポリプロピレングリコール、ポリテトラメチレンオキサイド、ポリ（１，４−ブチレンアジペート）、ポリ（エチレン−１，４−ブチレンアジペート）、ポリカプロラクトン、ポリ（１，６−ヘキシレンカーボネート）およびポリ（１，６−へキシレン−ネオペンチレンアジペート）が挙げられる。高分子（長鎖）ジオールの数平均分子量は、５００〜１００００であることが好ましい。低分子（短鎖）ジオールとしては、例えば、エチレングリコール、プロピレングリコール、１，４−ブタンジオールおよびビスフェノールＡが挙げられる。短鎖ジオールの数平均分子量は４８〜５００であることが好ましい。
【０１０１】
商業的に入手可能なウレタンエラストマーとしては、ＰＡＮＤＥＸ（登録商標）Ｔ−２１８５、Ｔ−２９８３Ｎ（以上、大日本インキ化学工業社製）、シラクトランＥ７９０およびヒタロイド（登録商標）シリーズ（日立化成工業製）がある。
【０１０２】
上述のポリエステルエラストマーは、ハードセグメントおよびソフトセグメントを有するエラストマーであり、ジカルボン酸またはその誘導体とジオール化合物またはその誘導体とを重縮合して得られる。ジカルボン酸の具体例としては、テレフタル酸、イソフタル酸およびナフタレンジカルボン酸等の芳香族ジカルボン酸、アジピン酸、セバシン酸、ドデカンジカルボン酸等の炭素数２〜２０の脂肪族ジカルボン酸、並びに、シクロヘキサンジカルボン酸等の脂環式ジカルボン酸が挙げられる。芳香族ジカルボン酸の芳香環の水素原子はメチル基、エチル基およびフェニル基等で置換されていてもよい。これらの化合物は１種または２種以上を用いることができる。ジオール化合物の具体例としては、エチレングリコール、１，３−プロパンジオール、１，４−ブタンジオール、１，６−ヘキサンジオール、１，１０−デカンジオールおよび１，４−シクロヘキサンジオール等の脂肪族ジオールまたは脂環ジオール、ビスフェノールＡ、ビス−（４−ヒドロキシフェニル）−メタン、ビス−（４−ヒドロキシ−３−メチルフェニル）−プロパン、およびレゾルシンが挙げられる。これらの化合物は１種または２種以上を用いることができる。芳香族ポリエステル（例えば、ポリブチレンテレフタレート）部分をハードセグメントとして有し、脂肪族ポリエステル（例えば、ポリテトラメチレングリコール）部分をソフトセグメントとして有するマルチブロック共重合体を用いることができる。
【０１０３】
上述のポリエステルエラストマーは、ハードセグメントおよびソフトセグメントの種類、比率、並びに分子量の違い等により様々なグレードのものがある。商業的に入手可能なポリエステルエラストマーとしては、ハイトレル（登録商標）（デュポン−東レ社製）、ペルプレン（登録商標）（東洋紡績社製）およびエスペル（登録商標）（日立化成工業社製）がある。
【０１０４】
上述のポリアミドエラストマーは、ポリアミドからなるハードセグメントと、ポリエーテルまたはポリエステルからなるソフトセグメントとを有する。ポリアミドエラストマーは、ポリエーテルブロックアミド型とポリエーテルエステルブロックアミド型の２種類に大別される。ポリアミドとしては、ポリアミド６、ポリアミド１１およびポリアミド１２が挙げられる。ポリエーテルとしては、ポリオキシエチレン、ポリオキシプロピレンおよびポリテトラメチレングリコールが挙げられる。
【０１０５】
商業的に入手可能なポリアミドエラストマーとしては、ＵＢＥポリアミドエラストマー（宇部興産社製）、ダイアミド（登録商標）（ダイセルヒュルス社製）、ＰＥＢＡＸ（登録商標）（東レ社製）、グリロン（登録商標）ＥＬＹ（エムスジャパン社製）、ノバミッド（登録商標）（三菱化学社製）およびグリラックス（登録商標）（東洋紡績社製）がある。
【０１０６】
上記のエラストマーの他、ゴム変性したエポキシ樹脂をゴム状エラストマーとして用いることができる。ゴム変性したエポキシ樹脂は、例えば、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、サリチルアルデヒド型エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、またはクレゾールノボラック型エポキシ樹脂等の一部または全部のエポキシ基を、両末端カルボン酸変性型ブタジエン−アクリルニトリルゴム、および末端アミノ変性シリコーンゴム等で変性することによって得られる。
【０１０７】
（Ｂ２）成分であるエラストマーは、微粒子状エラストマー（以下、「エラストマー微粒子」ともいう。）であってもよい。エラストマー微粒子は、本実施形態の銅膜形成用組成物中において微粒子状態で分散する。エラストマー微粒子は非相溶系での相分離による海島構造における島を形成するエラストマーや、いわゆるミクロドメインを形成するエラストマーを含んでいてもよい。
【０１０８】
エラストマー微粒子は不飽和重合性基を２個以上有する架橋性モノマーと、エラストマー微粒子のＴｇが５０℃以下となるように選択される１種以上のその他のモノマーを共重合したもの（いわゆる架橋微粒子）が好ましい。その他のモノマーは、重合性基以外の官能基、例えば、カルボキシル基、エポキシ基、アミノ基、イソシアナト基、水酸基等の官能基を有していてもよい。
【０１０９】
架橋性モノマーの例としては、ジビニルベンゼン、ジアリルフタレート、エチレングリコールジ（メタ）アクリレート、プロピレングリコールジ（メタ）アクリレート、トリメチロールプロパントリ（メタ）アクリレート、ペンタエリスリトールトリ（メタ）アクリレート、ポリエチレングリコールジ（メタ）アクリレート、およびポリプロピレングリコールジ（メタ）アクリレートが挙げられる。これらの中でもジビニルベンゼンが好ましい。
【０１１０】
エラストマー微粒子を製造する際、共重合に用いる全モノマーに対して１重量％〜２０重量％の範囲、より好ましくは２重量％〜１０重量％の範囲の量の架橋性モノマーが用いられる。
【０１１１】
その他のモノマーの例としては、ブタジエン、イソプレン、ジメチルブタジエン、クロロプレン及び１，３−ペンタジエン等のジエン化合物、（メタ）アクリロニトリル、α−クロロアクリロニトリル、α−クロロメチルアクリロニトリル、α−メトキシアクリロニトリル、α−エトキシアクリロニトリル、クロトン酸ニトリル、ケイ皮酸ニトリル、イタコン酸ジニトリル、マレイン酸ジニトリルおよびフマル酸ジニトリル等の不飽和ニトリル化合物類、（メタ）アクリルアミド、Ｎ，Ｎ’−メチレンビス（メタ）アクリルアミド、Ｎ，Ｎ’−エチレンビス（メタ）アクリルアミド、Ｎ，Ｎ’−ヘキサメチレンビス（メタ）アクリルアミド、Ｎ−ヒドロキシメチル（メタ）アクリルアミド、Ｎ−（２−ヒドロキシエチル）（メタ）アクリルアミド、Ｎ，Ｎ−ビス（２−ヒドロキシエチル）（メタ）アクリルアミド、クロトン酸アミドおよびケイ皮酸アミド等の不飽和アミド類、（メタ）アクリル酸メチル、（メタ）アクリル酸エチル、（メタ）アクリル酸プロピル、（メタ）アクリル酸ブチル、（メタ）アクリル酸ヘキシル、（メタ）アクリル酸ラウリル、ポリエチレングリコール（メタ）アクリレートおよびポリプロピレングリコール（メタ）アクリレート等の（メタ）アクリル酸エステル類、スチレン、α−メチルスチレン、ｏ−メトキシスチレン、ｐ−ヒドロキシスチレンおよびｐ−イソプロペニルフェノール等の芳香族ビニル化合物、ビスフェノールＡのジグリシジルエーテルおよびグリコールのジグリシジルエーテル等と（メタ）アクリル酸およびヒドロキシアルキル（メタ）アクリレート等との反応によって得られるエポキシ（メタ）アクリレート、ヒドロキシアルキル（メタ）アクリレートとポリイソシアナートとの反応によって得られるウレタン（メタ）アクリレート類、グリシジル（メタ）アクリレートおよび（メタ）アリルグリシジルエーテル等のエポキシ基含有不飽和化合物、（メタ）アクリル酸、イタコン酸、コハク酸−β−（メタ）アクリロキシエチル、マレイン酸−β−（メタ）アクリロキシエチル、フタル酸−β−（メタ）アクリロキシエチルおよびヘキサヒドロフタル酸−β−（メタ）アクリロキシエチルなどの不飽和酸化合物、ジメチルアミノ（メタ）アクリレートおよびジエチルアミノ（メタ）アクリレート等のアミノ基含有不飽和化合物、（メタ）アクリルアミドおよびジメチル（メタ）アクリルアミド等のアミド基含有不飽和化合物、並びに、ヒドロキシエチル（メタ）アクリレート、ヒドロキシプロピル（メタ）アクリレートおよびヒドロキシブチル（メタ）アクリレート等の水酸基含有不飽和化合物を例示することができる。
【０１１２】
これらの中でも、ブタジエン、イソプレン、（メタ）アクリロニトリル、（メタ）アクリル酸アルキルエステル類、スチレン、ｐ−ヒドロキシスチレン、ｐ−イソプロペニルフェノール、グリシジル（メタ）アクリレート、（メタ）アクリル酸およびヒドロキシアルキル（メタ）アクリレート類が特に好ましく用いられる。
【０１１３】
その他のモノマーとして、少なくとも１種のジエン化合物、具体的にはブタジエンを用いることが好ましい。このようなジエン化合物は、共重合に用いる全モノマーに対して２０重量％〜８０重量％、好ましくは３０重量％〜７０重量％の量で用いられることが望ましい。ジエン化合物が全モノマーに対して上記のような量で共重合されていると、軟らかい微粒子が形成される。これにより、（Ｂ）重合体は、形成される銅膜において、抵抗特性と基板への密着を両立させるためのより有効な成分となる。
【０１１４】
エラストマー微粒子の平均粒子径は、通常３０ｎｍ〜５００ｎｍ程度である。エラストマー微粒子の平均粒子径は、好ましくは４０ｎｍ〜２００ｎｍ、より好ましくは５０ｎｍ〜１２０ｎｍである。
【０１１５】
エラストマー微粒子の粒径コントロール方法は、特に限定されるものではないが、乳化重合によりエラストマー微粒子を合成する場合、使用する乳化剤の量により、乳化重合中のミセルの数を制御し、粒径をコントロールする方法が例示できる。
【０１１６】
以上挙げたエラストマーのうち、炭素−炭素二重結合を有するエラストマーを用いてフェノール樹脂を変性すると、可塑化フェノール樹脂の靭性や柔軟性に優れるため、より好ましい。具体的には、天然ゴム、イソプレンゴム（ポリイソプレン）、ブタジエンゴム（ポリブタジエン）、クロロプレンゴム（ポリクロロプレン）、ブチルゴム（ポリ（ブチレン−ｃｏ−ブタジエン））、スチレン−ブタジエンゴム（ポリ（スチレン−ｃｏ−ブタジエン））、ニトリルゴム（ポリ（アクリロニトリル−ｃｏ−ブタジエン））、ポリ（ジメチルシロキサン−ｃｏ−メチルビニルシロキサン））、スチレン／ブタジエン／スチレンブロックコポリマー、スチレン／イソプレン／スチレンブロックコポリマー、スチレン／ブタジエン／メタクリレートブロックポリマー、ジシクロペンタジエン、１，４−ヘキサジエン、シクロオクタンジエン、メチレンノルボルネン、エチリデンノルボルネン、ブタジエン、イソプレン等の炭素数２〜２０のジエン類とα−オレフィンとの共重合体、ブタジエン−アクリロニトリル共重合体にメタクリル酸を共重合したカルボキシ変性ＮＢＲ、エチレン−α−オレフィン−ジエン共重合体ゴム、水添スチレン−ブタジエンラバー（ＤＹＮＡＢＯＮＨＳＢＲ（ＪＳＲ社製））およびゴム変性したエポキシ樹脂から選ばれるエラストマーであって炭素−炭素二重結合を有するものが好ましい。これらエラストマーは１種を単独でまたは２種以上を組み合わせて用いられる。
【０１１７】
さらに、本発明の実施形態の銅膜形成用組成物は、（Ｂ）重合体として、エラストマーの水素添加物（（Ｂ３）成分）を含有することができる。そして、好ましいエラストマーの水素添加物（Ｂ３）としては、上記（Ｂ２）成分であるエラストマーに水素添加して得られたエラストマーの水素添加物を挙げることができる。
【０１１８】
本実施形態の銅膜形成用組成物に含有される（Ｂ）重合体は、以上で説明した（Ｂ１）成分および（Ｂ２）成分よりなる群から選ばれる少なくとも１種であって、上述したように、ガラス転移温度（Ｔｇ）が５０℃以下の比較的柔らかな重合体である。（Ｂ）重合体は、本実施形態の銅膜形成用組成物の塗膜が基板上で加熱される際に、流動性の液体となって塗膜中に形成された金属銅の粒子（以下、単に、銅粒子ともいう。）の移動を容易なものとし、銅粒子同士の融着を促進することができる。さらに、（Ｂ）重合体は、基板に形成された銅膜中に少なくとも一部が残留し、基板と銅膜との界面に隙間が形成されることを抑制して、基板と銅膜との密着性を高めることができる。そのため、（Ｂ）重合体は、形成される銅膜において、抵抗特性と基板への密着性とを両立させるための成分となる。
【０１１９】
したがって、（Ｂ）重合体は、基板上に形成される本発明の実施形態の銅膜の抵抗特性と基板への密着性とを両立させるという観点から、Ｔｇが、−７０℃〜２５℃の範囲にある重合体であることがより好ましい。
尚、本発明において、ガラス転移温度（Ｔｇ）は、示差走査熱量測定（ＤＳＣ）を用い、１０℃／分の温度勾配で昇温し測定して得られた値である。
【０１２０】
本実施形態の銅膜形成用組成物中の（Ｂ）重合体の含有量としては、本実施形態の銅膜形成用組成物が含有する全成分の１００質量％に対し、０．００１質量％〜２０質量％であり、好ましくは０．００５質量％〜１０質量％、さらに好ましくは０．０１質量％〜８質量％である。（Ｂ）重合体の含有量を上述の範囲とすることによって、低抵抗で基板への密着性に優れた銅膜を形成することができる。
【０１２１】
［（Ｃ）アミン化合物］
本実施形態の銅膜形成用組成物が含有する（Ｃ）アミン化合物は、下記一般式（１）、下記一般式（２）および下記一般式（３）のうちの少なくとも１つの一般式で表されるアミン化合物である。
【０１２２】
【化４】
0006323189.tif 000005
【０１２３】
上記一般式（１）中、Ｒ１、Ｒ２は、それぞれ独立に水素原子、炭素数１〜１８のアルキル基、または、炭素数３〜１８の脂環式炭化水素基を示す。Ｒ３は、単結合、メチレン基、炭素数２〜１２のアルキレン基、または、フェニレン基を示す。Ｒ４は、水素原子、炭素数１〜１８のアルキル基、炭素数３〜１８の脂環式炭化水素基、アミノ基、ジメチルアミノ基、または、ジエチルアミノ基を示す。
【０１２４】
【化５】
0006323189.tif 000006
【０１２５】
上記一般式（２）中、Ｒ５、Ｒ６は、それぞれ独立に水素原子、炭素数１〜１８のアルキル基、または、炭素数３〜１８の脂環式炭化水素基を示す。Ｒ７は、メチレン基、炭素数２〜１２のアルキレン基、または、フェニレン基を示す。Ｒ８は、炭素数１〜１８のアルキル基、または、炭素数３〜１８の脂環式炭化水素基を示す。但し、Ｒ５およびＲ６が水素原子の場合、Ｒ８はメチル基およびエチル基以外を示す。
【０１２６】
【化６】
0006323189.tif 000007
【０１２７】
上記一般式（３）中、Ｒ９、Ｒ１０は、それぞれ独立に水素原子、炭素数１〜１８のアルキル基、または、炭素数３〜１８の脂環式炭化水素基を示す。Ｒ１１は、メチレン基、炭素数２〜１２のアルキレン基、または、フェニレン基を示す。Ｒ１２、Ｒ１３は、それぞれ独立に、炭素数１〜１８のアルキル基、または、炭素数３〜１８の脂環式炭化水素基を示す。
【０１２８】
上記一般式（１）で表されるアミン化合物が含む基Ｒ１およびＲ２の例としては、水素原子の他、直鎖状のアルキル基として、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、ノニル基、デシル基、ウンデシル基、ドデシル基、ステアリル基等が挙げられ、分岐状のものとしてイソプロピル基、ｓｅｃ−ブチル基、イソブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、イソペンチル基、ネオペンチル基、ｔｅｒｔ−ペンチル基、１−エチルプロピル基、１，１−ジメチルプロピル基、１，２−ジメチルプロピル基、１，１，２−トリメチルプロピル基、１，２，２−トリメチルプロピル基、１，３−ジメチルブチル基、ネオペンチル基、１，５−ジメチルヘキシル基、２−エチルヘキシル基、４−ヘプチル基、２−ヘプチル基等が挙げられ、脂環式炭化水素基としては、シクロヘキシル基、シクロペンチル基が挙げられる。
【０１２９】
そして、上記一般式（１）で表されるアミン化合物が含む基Ｒ４の例としては、水素原子アミノ基、ジメチルアミノ基およびジエチルアミノ基の他、直鎖状のアルキル基として、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、ノニル基、デシル基、ウンデシル基、ドデシル基、ステアリル基等が挙げられ、分岐状のものとしてイソプロピル基、ｓｅｃ−ブチル基、イソブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、イソペンチル基、ネオペンチル基、ｔｅｒｔ−ペンチル基、１−エチルプロピル基、１，１−ジメチルプロピル基、１，２−ジメチルプロピル基、１，１，２−トリメチルプロピル基、１，２，２−トリメチルプロピル基、１，３−ジメチルブチル基、ネオペンチル基、１，５−ジメチルヘキシル基、２−エチルヘキシル基、４−ヘプチル基、２−ヘプチル基等が挙げられ、脂環式炭化水素基としては、シクロヘキシル基、シクロペンチル基が挙げられる。
【０１３０】
上記一般式（１）で表されるアミン化合物の具体的な例としては、例えば、メチルアミン、エチルアミン、プロピルアミン、ブチルアミン、ペンチルアミン、ヘキシルアミン、ヘプチルアミン、オクチルアミン、ノニルアミン、デシルアミン、ウンデシルアミン、ドデシルアミン、ステアリルアミン、イソプロピルアミン、ｓｅｃ−ブチルアミン、イソブチルアミン、ｔｅｒｔ−ブチルアミン、イソペンチルアミン、ネオペンチルアミン、ｔｅｒｔ−ペンチルアミン、１−エチルプロピルアミン、１，１−ジメチルプロピルアミン、１，２−ジメチルプロピルアミン、１，１，２−トリメチルプロピルアミン、１，２，２−トリメチルプロピルアミン、１，３−ジメチルブチルアミン、ネオペンチルアミン、１，５−ジメチルヘキシルアミン、２−エチルヘキシルアミン、４−ヘプチルアミン、２−ヘプチルアミン、シクロヘキシルアミン、シクロペンチルアミン、エチレンジアミン、Ｎ−メチルエチレンジアミン、Ｎ，Ｎ’−ジメチルエチレンジアミン、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラメチルエチレンジアミン、Ｎ−エチルエチレンジアミン、Ｎ，Ｎ’−ジエチルエチレンジアミン、１，３−プロパンジアミン、Ｎ，Ｎ’−ジメチル−１，３−プロパンジアミン、１，４−ブタンジアミン、Ｎ，Ｎ’−ジメチル−１，４−ブタンジアミン、１，５−ペンタンジアミン、Ｎ，Ｎ’−ジメチル−１，５−ペンタンジアミン、１，６−ヘキサンジアミン、Ｎ，Ｎ’−ジメチル−１，６−ヘキサンジアミン等が挙げられる。
【０１３１】
上記一般式（２）で表されるアミン化合物が含む基Ｒ５およびＲ６の例としては、水素原子の他、直鎖状のアルキル基として、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、ノニル基、デシル基、ウンデシル基、ドデシル基、ステアリル基等が挙げられ、分岐状のものとしてイソプロピル基、ｓｅｃ−ブチル基、イソブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、イソペンチル基、ネオペンチル基、ｔｅｒｔ−ペンチル基、１−エチルプロピル基、１，１−ジメチルプロピル基、１，２−ジメチルプロピル基、１，１，２−トリメチルプロピル基、１，２，２−トリメチルプロピル基、１，３−ジメチルブチル基、ネオペンチル基、１，５−ジメチルヘキシル基、２−エチルヘキシル基、４−ヘプチル基、２−ヘプチル基等が挙げられ、脂環式炭化水素基としては、シクロヘキシル基、シクロペンチル基が挙げられる。
【０１３２】
そして、上記一般式（２）で表されるアミン化合物が含む基Ｒ８の例としては、直鎖状のアルキル基として、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、ノニル基、デシル基、ウンデシル基、ドデシル基、ステアリル基等が挙げられ、分岐状のものとしてイソプロピル基、ｓｅｃ−ブチル基、イソブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、イソペンチル基、ネオペンチル基、ｔｅｒｔ−ペンチル基、１−エチルプロピル基、１，１−ジメチルプロピル基、１，２−ジメチルプロピル基、１，１，２−トリメチルプロピル基、１，２，２−トリメチルプロピル基、１，３−ジメチルブチル基、ネオペンチル基、１，５−ジメチルヘキシル基、２−エチルヘキシル基、４−ヘプチル基、２−ヘプチル基等が挙げられ、脂環式炭化水素基としては、シクロヘキシル基、シクロペンチル基が挙げられる。但し、Ｒ５およびＲ６がともに水素原子である場合、Ｒ８はメチル基およびエチル基以外である。
【０１３３】
上記一般式（２）で表されるアミン化合物の具体的な例としては、例えば、プロポキシメチルアミン、プロポキシエチルアミン、イソプロポキシプロピルアミン、プロポキシプロピルアミン、プロポキシブチルアミン、ブトキシメチルアミン、ブトキシエチルアミン、ブトキシプロピルアミン、（エチルヘキシルオキシ）プロピルアミン、イソブトキシプロピルアミン、ブトキシブチルアミン、オキシビス（エチルアミン）等が挙げられる。
【０１３４】
上記一般式（３）で表されるアミン化合物が含む基Ｒ９およびＲ１０の例としては、水素原子の他、直鎖状のアルキル基として、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、ノニル基、デシル基、ウンデシル基、ドデシル基、ステアリル基等が挙げられ、分岐状のものとしてイソプロピル基、ｓｅｃ−ブチル基、イソブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、イソペンチル基、ネオペンチル基、ｔｅｒｔ−ペンチル基、１−エチルプロピル基、１，１−ジメチルプロピル基、１，２−ジメチルプロピル基、１，１，２−トリメチルプロピル基、１，２，２−トリメチルプロピル基、１，３−ジメチルブチル基、ネオペンチル基、１，５−ジメチルヘキシル基、２−エチルヘキシル基、４−ヘプチル基、２−ヘプチル基等が挙げられ、脂環式炭化水素基としては、シクロヘキシル基、シクロペンチル基が挙げられる。
【０１３５】
そして、上記一般式（３）で表されるアミン化合物が含む基Ｒ１２およびＲ１３の例としては、直鎖状のアルキル基として、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、ノニル基、デシル基、ウンデシル基、ドデシル基、ステアリル基等が挙げられ、分岐状のものとしてイソプロピル基、ｓｅｃ−ブチル基、イソブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、イソペンチル基、ネオペンチル基、ｔｅｒｔ−ペンチル基、１−エチルプロピル基、１，１−ジメチルプロピル基、１，２−ジメチルプロピル基、１，１，２−トリメチルプロピル基、１，２，２−トリメチルプロピル基、１，３−ジメチルブチル基、ネオペンチル基、１，５−ジメチルヘキシル基、２−エチルヘキシル基、４−ヘプチル基、２−ヘプチル基等が挙げられ、脂環式炭化水素基としては、シクロヘキシル基、シクロペンチル基が挙げられる。
【０１３６】
上記一般式（３）で表されるアミン化合物の具体的な例としては、例えば、アミノアセトアルデヒドジエチルアセタール等が挙げられる。
【０１３７】
本実施の形態の銅膜形成組成物は、これらの上記一般式（１）、上記一般式（２）および上記一般式（３）の少なくとも１つの一般式で表されるアミン化合物よりなる群より選ばれる１種、または互いに相溶性のある２種以上を組み合わせて、（Ｃ）成分として用いることが好ましい。これらの（Ｃ）アミン化合物は、市販品の使用が可能であり、入手方法等については特に限定されない。
【０１３８】
（Ｃ）アミン化合物の純度については特に限定するものではないが、銅膜形成組成物が電子材料分野で使用されることを考慮し、不純な含有物を低減するように、９５％以上が好ましく、９９％以上がさらに好ましい。
【０１３９】
（Ｃ）アミン化合物の含有量としては、本実施の形態の銅膜形成組成物が含有する全成分の１００質量％に対して０．１質量％〜９９質量％が好ましく、１質量％〜９０質量％がより好ましく、２質量％〜７０質量％がさらに好ましい。アミン化合物の含有量を０．１質量％〜９９質量％とすることによって、優れた導電性を有する銅膜を形成できる。（Ｃ）アミン化合物の含有量を１質量％〜９９質量％とすることによって、より低い抵抗値の銅膜を形成することができる。２質量％〜７０質量％とすることによって、低い抵抗値の銅膜形成を達成できるとともに、生産性に優れた銅膜形成組成物を調製することができる。
【０１４０】
［溶剤］
本実施の形態の銅膜形成用組成物において、上記した（Ａ）成分〜（Ｃ）成分の他に、溶剤を成分として添加することが可能である。溶剤を添加して銅膜形成用組成物中に含有させることにより、塗布方法に対応した銅膜形成用組成物の粘度調整が容易となり、また、安定した均一な物性の銅膜を形成することが可能となる。
【０１４１】
添加する溶剤としては、銅膜形成用組成物中の各成分を溶解または分散することができるものであり、（Ａ）銅塩の反応に関与しないものであれば、特に限定するものではない。例えば、水、アルコール類、エーテル類、エステル類、脂肪族炭化水素類および芳香族炭化水素類から選ばれる１種の液体、または、相溶性のある２種以上の液体が挙げられる。
【０１４２】
溶剤の具体例について、アルコール類としては、メタノール、エタノール、ｎ−プロピルアルコール（１−プロパノール）、ｉ−プロピルアルコール、ｎ−ブチルアルコール（１−ブタノール）、ｉ−ブチルアルコール、ｓｅｃ−ブチルアルコール、ペンタノール、ヘキサノール、ヘプタノール、オクタノール、ノニルアルコール、デカノール、シクロヘキサノール、ベンジルアルコール、ターピネオール、ジヒドロターピネオール等が挙げられる。
【０１４３】
エーテル類としては、例えば、ヘキシルメチルエーテル、ジエチレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールジエチルエーテル、ジエチレングリコールメチルエチルエーテル、トリエチレングリコールジメチルエーテル、トリエチレングリコールジエチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノエチルエーテル、プロピレングリコールモノ−ｎ−プロピルエーテル、プロピレングリコールモノ−ｎ−ブチルエーテル、ジプロピレングリコールモノメチルエーテル、ジプロピレングリコールモノエチルエーテル、ジプロピレングリコールモノ−ｎ−プロピルエーテル、ジプロピレングリコールモノ−ｎ−ブチルエーテル、トリプロピレングリコールモノメチルエーテル、トリプロピレングリコールモノエチルエーテル等の（ポリ）アルキレングリコールモノアルキルエーテル類、テトラヒドロフラン、テトラヒドロピラン、１，４−ジオキサン等が挙げられる。
【０１４４】
エステル類としては、例えば、ギ酸メチル、ギ酸エチル、ギ酸ブチル、酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸ブチル、プロピオン酸メチル、プロピオン酸エチル、プロピオン酸ブチル、γ−ブチロラクトン等が挙げられる。
【０１４５】
脂肪族炭化水素類としては、例えば、ｎ−ペンタン、ｎ−ヘキサン、ｎ−ヘプタン、ｎ−オクタン、ｎ−ノナン、ｎ−デカン、ｎ−ウンデカン、ｎ−ドデカン、テトラデカン、シクロヘキサン、デカリン等が挙げられる。
【０１４６】
芳香族炭化水素類としては、例えば、ベンゼン、トルエン、キシレン、エチルベンゼン、ｎ−プロピルベンゼン、ｉ−プロピルベンゼン、ｎ−ブチルベンゼン、メシチレン、クロロベンゼン、ジクロロベンゼン等が挙げられる。
【０１４７】
これら有機溶剤のうち、特に銅膜形成用組成物の粘度の調整のし易さの観点から、エーテル類が好ましい。
【０１４８】
本実施形態の銅膜形成用組成物に含有される溶剤は任意成分であり、その含有量は本実施形態の銅膜形成用組成物の全成分の１００質量％に対して０質量％〜９５質量％の範囲であり、０質量％〜７０質量％の範囲であることが好ましく、０質量％〜５０質量％の範囲であることがより好ましい。
【０１４９】
［金属微粒子およびその他任意成分］
本実施形態の銅膜形成用組成物は、上述した（Ａ）銅塩、（Ｂ）重合体および（Ｃ）アミン化合物に加え、本発明の効果を損なわない限りにおいて、金属微粒子を含有することができる。また、本実施形態の銅膜形成用組成物は、本発明の効果を損なわない限りにおいて、その他任意成分として、ギ酸および／またはギ酸アンモニウムを含有することができ、さらに、分散剤、酸化防止剤、濃度調整剤、表面張力調整剤、粘度調整剤、塗膜形成補助剤を含有することが可能である。
【０１５０】
本実施形態の銅膜形成用組成物において含有可能な金属微粒子としては、特に限定するものではないが、例えば、金、銀、銅、白金、ルテニウム、ロジウム、オスミウムおよびパラジウムからなる群より選ばれる少なくとも１種の金属種を含有するものであることが好ましい。これらの金属種は、単体であってもその他の金属との合金であっても差し支えない。これらの金属種が単体である場合、好ましい金属微粒子としては、金微粒子、銀微粒子、銅微粒子、白金微粒子、ルテニウム微粒子、ロジウム微粒子、オスミウム微粒子およびパラジウム微粒子からなる群より選択される少なくとも１種または２種以上の組み合わせとなる。
【０１５１】
これらの中でもコスト面、入手の容易さ、および銅膜を形成する際の触媒能から、銀、銅およびパラジウムからなる群より選ばれる少なくとも１種の金属種を含有することが好ましい。これら以外の金属微粒子を使用しても差し支えないが、銅膜形成中に、銅イオンにより金属微粒子が酸化を受けたり、触媒能が低下または発現せず、銅化合物から金属銅への還元析出速度が低下するおそれがあるため、上述した金属微粒子を使用することがより好ましい。
【０１５２】
本実施形態の銅膜形成用組成物において、金属微粒子の平均粒子径は、０．００５μｍ〜５μｍの範囲であることが好ましい。金属微粒子の粒子径が０．００５μｍ未満になると、金属表面の活性が非常に高くなり、酸化反応を生じる他、溶解するおそれがある。また、５μｍを超えると、長期保存した場合に金属微粒子が沈降することがある。よって、金属微粒子の平均粒子径は、上述の範囲内であることが好ましい。
【０１５３】
本発明の実施形態において、金属微粒子の粒子径の測定方法としては、一般的な微粒子に適用される測定方法を用いることができる。例えば、透過型電子顕微鏡（ＴＥＭ）、電界放射型透過電子顕微鏡（ＦＥ−ＴＥＭ）、電界放射型走査電子顕微鏡（ＦＥ−ＳＥＭ）等を適宜使用することができる。平均粒子径の値は、上述した顕微鏡を用いて観測し、観測された視野の中から、粒子径が比較的そろっている箇所を３箇所選択し、粒径測定に最も適した倍率で撮影する。得られた各々の写真から、一番多数存在すると思われる粒子を１００個選択し、その直径をものさし等の測長機で測定し、測定倍率を除して粒子径を算出し、これらの値を算術平均することにより、求めることができる。また、標準偏差については、上述の観察時に個々の金属微粒子の粒子径と数により求めることができる。そして、変動係数は、上述した平均粒子径およびその標準偏差に基づいて、下記式により算出することができる。
【０１５４】
0006323189.tif 000008
【０１５５】
本実施形態の銅膜形成用組成物において、金属微粒子は市販のものでもよいし、公知の方法により合成したものでもよく、特に限定されない。公知の合成方法としては、例えば、スパッタリング法やガス中蒸着法等、物理的な手法で合成反応を行う気相法（乾式法）や、金属化合物溶液を表面保護剤の存在下、還元して金属微粒子を析出させる等の液相法（湿式法）等が一般的に知られている。
【０１５６】
本発明の銅膜形成用組成物において、金属微粒子の純度については特に限定するものではないが、低純度であると導電性薄膜とした際に、導電性に悪影響を与えるおそれがあるため、９５％以上が好ましく、９９％以上がより好ましい。
【０１５７】
本実施形態の銅膜形成用組成物における金属微粒子の含有量は特に制限はないが、任意の成分であり、本実施形態の銅膜形成用組成物が含有する全成分の１００質量％に対し、０質量％〜５０質量％の範囲であることが好ましく、０質量％〜２０質量％の範囲とすることがより好ましい。金属微粒子の含有量を上述の範囲とすることで、銅化合物から金属銅への還元析出速度の向上が期待できるが、金属微粒子の含有量が５０質量％を超えるように添加された場合、所望とする抵抗特性の銅膜を形成できないおそれがある。
【０１５８】
次に、本実施形態の銅膜形成用組成物は、本発明の効果を損なわない限りにおいて、その他任意成分として、ギ酸およびギ酸アンモニウムのうちの少なくとも一方（以下、便宜上、ギ酸等という。）を含有することができる。これらのギ酸等は、本実施形態の銅膜形成用組成物から銅膜を形成するに際し、還元反応を促進する効果を有し、所望とする抵抗特性の銅膜形成を促進することができる。
【０１５９】
本実施形態の銅膜形成用組成物に含有可能なギ酸およびギ酸アンモニウムは、市販品の使用が可能であり、入手方法等については特に限定はされない。
【０１６０】
本実施形態の銅膜形成用組成物に含有されるギ酸およびギ酸アンモニウムの純度については特に限定するものではない。しかし、低純度であると、導電性薄膜として銅膜を形成する際に、導電性を低下させる懸念がある。したがって、ギ酸およびギ酸アンモニウムの純度は９５％以上が好ましく、９９％以上がさらに好ましい。
【０１６１】
本実施形態の銅膜形成用組成物における、ギ酸等の含有量は特に制限はないが、それらは任意の成分であり、本実施形態の銅膜形成用組成物が含有する全成分の１００質量％に対し、０質量％〜５０質量％の範囲であることが好ましく、０質量％〜２０質量％の範囲とするのがより好ましい。その他任意成分の含有量が５０質量％を超えるように添加されても、含有量に対応するような効果は得られない。さらに、銅膜形成用組成物の単位重量当たりの金属銅の形成量が低下し、所望とする特性の銅膜を高い製造効率で形成できないおそれがある。
【０１６２】
また、本実施形態の銅膜形成用組成物は、本発明の効果を損なわない限りにおいて、その他任意成分として、上述したギ酸等以外の成分も含有することができる。本実施形態の銅膜形成用組成物において含有可能な、ギ酸等以外のその他任意成分については、所望とする特性を備え、かつ銅化合物による銅膜の形成反応を阻害しないものであれば、特に制限するものではない。例えば、上述した各成分が溶解して反応をしない有機溶剤の中から選択し、その他任意成分として含有させることも可能である。そして、その有機溶剤を添加することにより、銅膜形成用組成物を所望の濃度、表面張力、粘度となるよう調製することができる。
【０１６３】
本実施形態の銅膜形成用組成物における、ギ酸等以外のその他任意成分の含有量は特に制限はないが、それらは任意の成分であり、本実施形態の銅膜形成用組成物が含有する全成分の１００質量％に対し、０質量％〜５０質量％の範囲であることが好ましく、０質量％〜２０質量％の範囲とするのがより好ましい。その他任意成分の含有量が５０質量％を超えるように添加されても、含有量に対応するような、その他任意成分による効果は得られない。さらに、銅膜形成用組成物の単位重量当たりの金属銅の形成量が低下し、所望とする特性の銅膜を高い製造効率で形成できないおそれがある。
【０１６４】
＜銅膜形成用組成物の調製＞
［調製方法］
本実施形態の銅膜形成用組成物は、上述した（Ａ）銅塩、（Ｂ）重合体および（Ｃ）アミン化合物を混合することで、簡便に調製し、製造することができる。混合する順序は特に限定するものではない。
【０１６５】
本実施形態の銅膜形成用組成物の調製において、上述したように溶剤を添加することが可能である。溶剤の添加は、例えば、上述した（Ａ）銅塩、（Ｂ）重合体および（Ｃ）アミン化合物を混合した後に行うことができる。添加する溶剤としては、上述したように、（Ａ）銅塩、（Ｂ）重合体および（Ｃ）アミン化合物を溶解または分散するものであれば特に限定はされない。
【０１６６】
本実施形態の銅膜形成用組成物の調製において、上述した金属微粒子の他、その他任意成分として、上述したギ酸等や、分散剤、酸化防止剤、濃度調整剤、表面張力調整剤、粘度調整剤等を添加することができる。金属微粒子およびその他任意成分は、例えば、（Ａ）銅塩、（Ｂ）重合体および（Ｃ）アミン化合物を混合した後に添加することができる。そして、分散剤、酸化防止剤、濃度調整剤、表面張力調整剤、粘度調整剤等のその他任意成分は、銅化合物等の必須成分とともに用いられ、本実施形態の銅膜形成用組成物が所望の成分濃度、表面張力、粘度等を有するように調整することができる。
【０１６７】
［混合方法］
本実施形態の銅膜形成用組成物の調製における混合方法としては、特に限定するものではないが、例えば、攪拌羽による攪拌、スターラーおよび攪拌子による攪拌、沸盪器による攪拌、超音波ホモジナイザー、ビーズミル、ペイントシェーカーまたは攪拌脱泡装置等を使用した方法等が挙げられる。混合の条件としては、例えば、攪拌羽による攪拌の場合、攪拌羽の回転速度が、通常１ｒｐｍ〜４０００ｒｐｍの範囲、好ましくは１０ｒｐｍ〜２０００ｒｐｍの範囲である。
【０１６８】
＜銅膜形成方法および銅膜＞
以上で説明した本発明の実施形態の銅膜形成用組成物は、所望とする適当な基板上に塗布され、本実施形態の銅膜形成用組成物の塗膜を形成する。そして、その本実施形態の銅膜形成用組成物の塗膜が加熱されて基板上に銅膜を形成する。すなわち、本発明の実施形態の銅膜形成方法は、本発明の実施形態の銅膜形成用組成物を用い、本発明の実施形態の銅膜を形成する。その結果、本発明の実施形態の銅膜を用い、本発明の実施形態の配線基板を製造することができる。
【０１６９】
このとき、本発明の実施形態の銅膜形成方法は、本実施形態の銅膜形成用組成物を用いることで、大気下や、窒素ガス、ヘリウムガスおよびアルゴンガス等の不活性ガスを利用した非酸化性雰囲気下の加熱によって銅膜を形成することができる。すなわち、本発明の実施形態の銅膜形成方法は、水素ガス等の還元性ガスを利用した還元性雰囲気を形成する必要は特になく、簡便に、安全な状態で、銅膜形成のための加熱を行い、銅膜を形成することができる。
【０１７０】
本発明の実施形態の銅膜形成方法においては、基板上に塗布された本実施形態の銅膜形成用組成物の塗膜を加熱することによって、（Ａ）銅塩の銅イオンが還元反応して銅粒子を生成する。一方、塗膜中の（Ｂ）重合体は、加熱されて流動性の液体となる。そのため、加熱によって塗膜中で生成した銅粒子は、流動性の液体によって移動しやすくなり、融着が促進される。さらに、（Ｂ）重合体は、基板に形成された銅膜中に少なくとも一部が残留し、基板表面と銅膜との間に隙間なく入り込むことによって銅膜と基板との密着性を向上させる。その結果、本実施形態の銅膜は、低抵抗であり、かつ、優れた基板との密着性を示すことができる。
【０１７１】
したがって、本発明の実施形態の銅膜形成方法は、（１）（Ａ）銅塩、（Ｂ）重合体および（Ｃ）アミン化合物を含む本発明の実施形態の銅膜形成用組成物を用い、その塗膜を基板上に形成する工程と、（２）その基板上の塗膜を大気下または非酸化性雰囲気下において加熱する工程とを含んで構成することが好ましい。
【０１７２】
以下、本発明の実施形態の銅膜形成方法について、さらに詳しく説明する。
【０１７３】
［基板］
本発明の実施形態の銅膜形成方法において、本実施形態の銅膜形成用組成物の塗膜を形成する基板としては、公知のものを用いることができ、特に限定するものではない。
【０１７４】
基板を構成する材料としては、例えば、樹脂、紙等の有機基材、金属、金属合金、非金属、セラミックス、ガラス等の無機基材が挙げられ、より具体的には、低密度ポリエチレン樹脂、高密度ポリエチレン樹脂、ＡＢＳ樹脂（アクリロニトリル／ブタジエン／スチレン共重合合成樹脂）、アクリル樹脂、スチレン樹脂、塩化ビニル樹脂、ポリエステル樹脂（ポリエチレンテレフタレート、ポリトリメチレンテレフタレート、ポリブチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、ポリブチレンナフタレート）、ポリアセタール樹脂、セルロース誘導体等の樹脂基材、非塗工印刷用紙、微塗工印刷用紙、塗工印刷用紙（アート紙、コート紙）、特殊印刷用紙、コピー用紙（ＰＰＣ用紙）、未晒包装紙（重袋用両更クラフト紙、両更クラフト紙）、晒包装紙（晒クラフト紙、純白ロール紙）、コートボール、チップボール段ボール等の紙基材、銅、鉄、銀、金、白金、アルミ、ニッケル、チタン、タンタル、コバルト、タングステン、ルテニウム、鉛等の金属基材、ジュラルミン、ステンレス鋼等の金属合金基材、炭素、ケイ素、ガリウム、ジルコニア等の非金属基材、アルミナ、チタニア、酸化スズ、酸化イットリウム、チタン酸バリウム、チタン酸ストロンチウム、サファイア、ジルコニア、窒化ガリウム、窒化ケイ素、窒化チタン、窒化タンタル、ポリシリコン、ＩＴＯ（インジウム錫オキサイド）等のセラミックス基材、ソーダガラス、ホウケイ酸ガラス、シリカガラス、石英ガラス、カルコゲンガラス等のガラス基材が挙げられる。
【０１７５】
［塗布方法］
本発明の実施形態の銅膜形成方法における、本実施形態の銅膜形成用組成物の塗布方法としては、インクジェット印刷、グラビア印刷、フレキソ印刷、（シルク）スクリーン印刷、凸版印刷等の印刷方法が挙げられ、また、スピンコート法、スプレーコート法、バーコート法、キャスト法、ディップコート法、および、ロールコータ法等の塗布方法が挙げられる。本実施形態の銅膜形成用組成物を基板に塗布する塗布量としては、所望する銅膜の膜厚に応じて適宜調整することができる。
【０１７６】
本実施形態の銅膜形成用組成物は、上述した塗布方法への適用が可能である。そのため、本発明の実施形態の銅膜形成方法は、本実施形態の銅膜形成用組成物を用い、基板上に一様なベタ状の塗膜を形成して本実施形態の銅膜を形成することが可能である。さらに、インクジェット印刷法、グラビア印刷法、グラビアオフセット印刷法、リバースオフセット印刷法、フレキソ印刷法、（シルク）スクリーン印刷法、凸版印刷等を利用した直接描画により、所望の形状にパターニングされた塗膜を形成し、配線や電極や端子等となる、パターニングされた銅膜を直接に基板上に形成することも可能である。その結果、適当な基板上に形成された、本発明の実施形態のパターニングされた銅膜を用い、本発明の実施形態の配線基板を製造することができる。
【０１７７】
尚、その場合、選択される塗布方法に対応して、本実施形態の銅膜形成用組成物は、（Ｃ）アミン化合物や溶剤等について、その種類と量を調整し、用いる塗布方法に好適となるように銅膜形成用組成物の粘度を調整することが好ましい。
【０１７８】
［加熱条件］
本発明の実施形態の銅膜形成方法において、本実施形態の銅膜形成用組成物から銅膜を形成するための加熱は、上述したように、水素ガス等の還元性ガスを利用した還元性雰囲気を特に必要とはしない。すなわち、本発明の実施形態の銅膜形成方法において、銅膜を形成するための加熱は、大気下の他、例えば、窒素ガス、ヘリウムガスおよびアルゴンガス等の不活性ガスの利用による不活性雰囲気の非酸化性雰囲気下で行うことができる。すなわち、本実施形態の銅膜形成方法は、基板上に形成された本実施形態の銅膜形成用組成物の塗膜を大気下または非酸化性雰囲気下で加熱して、その基板上に銅膜を形成することができる。
【０１７９】
尚、本実施形態の銅膜形成方法は、基板上に形成された本実施形態の銅膜形成用組成物の塗膜を、水素ガス等の還元性ガスを利用した還元性雰囲気下で加熱して、その基板上に銅膜を形成することも可能である。
【０１８０】
本実施形態の銅膜形成方法において、加熱温度は、本実施形態の銅膜形成用組成物の銅塩が還元され、不要な有機物が分解、揮発する温度であればよく、特に限定するものではない。例えば、加熱温度は、５０℃〜３００℃の範囲が好ましく、５０℃〜２５０℃の範囲がより好ましく、５０℃〜２００℃の範囲がさらに好ましい。加熱温度が５０℃未満であると、銅塩の還元反応が完全に進行せず、また不要な有機物の残存が顕著になる場合があり、３００℃を超えると、有機材料からなる基板を利用できなくなる恐れがある。２５０℃以下であれば、有機材料からなる基板を選択して使用することが可能となる。また、２００℃以下であれば、有機材料からなる基板を含む、より多様な基板の群から所望の基板を選択して使用することができる。
【０１８１】
尚、加熱温度が２５０℃以下である場合、特に、２００℃以下である場合、従来の技術では、所謂、加熱不足による銅膜の特性低下が懸念される。しかしながら、本実施形態の銅膜形成方法は、本実施形態の銅膜形成用組成物を用いて銅膜の形成を行っており、２５０℃以下、さらには、２００℃以下の加熱条件であっても所望とする特性の銅膜、特に、所望とする優れた抵抗特性の銅膜を形成することができる。したがって、簡便さ等の観点からも、本発明の実施形態の銅膜形成方法は、上述したように、加熱温度を２５０℃以下とすることが好ましく、２００℃以下とすることがより好ましい。
【０１８２】
また、加熱時間は、（Ａ）銅塩や（Ｃ）アミン化合物等の各成分の種類や、所望する銅膜の導電性（抵抗値）を考慮して適宜選択すればよく、特に限定するものではない。そして、２００℃程度またはそれ以下の比較的低温の加熱温度を選択した場合には、加熱時間は、５分間〜１００分間程度とすることが好ましい。
【０１８３】
以上のように、本発明の実施形態の銅膜形成方法は、本実施形態の銅膜形成用組成物を用い、水素ガス等の還元性ガスを利用した還元性雰囲気を特に必要とせず、大気下の他、例えば、窒素ガス、ヘリウムガスおよびアルゴンガス等の不活性ガスを利用した非酸化性雰囲気下での低温での加熱により、簡便に、低抵抗の銅膜を形成することができる。そして、得られた基板上の本発明の実施形態の銅膜を用い、本発明の実施形態の配線基板を提供することができる。
【０１８４】
＜電子機器＞
上述した本発明の実施形態の銅膜形成方法は、本発明の実施形態の銅膜形成用組成物を用い、本発明の実施形態の銅膜を形成する。そして、本発明の実施形態の銅膜を用い、それを配線とする配線基板や、それを配線、めっき給電膜、電極あるいは端子として使用する本発明の実施形態の電子機器を提供することができる。
【０１８５】
本発明の実施形態の電子機器としては、例えば、アンテナ、センサー、コンデンサ、演算素子、タッチパネル、液晶表示素子および有機ＥＬ素子等を挙げることができる。また、入力装置として本発明の実施形態のタッチパネルを備えたタッチパネル付の電子機器を挙げることができる。
【０１８６】
以下、本発明の実施形態の電子機器として例示した本発明の実施形態のタッチパネルについて説明する。
【０１８７】
［タッチパネル］
本発明の実施形態のタッチパネルは、例えば、検知電極およびそれを引き出すための引き出し配線が設けられた基板上に、その検知電極を覆うように形成された光透過性の絶縁膜を有するタッチパネルである。このタッチパネルは、例えば、静電容量方式のタッチパネルとすることができる。
【０１８８】
尚、本発明の実施形態のタッチパネルにおいては、上述の絶縁膜を設けない構造とすることも可能である。
【０１８９】
図１は、本発明の実施形態のタッチパネルを示す平面図である。
【０１９０】
図２は、図１のＢ−Ｂ’線に沿う断面図である。
【０１９１】
図１に示すように、本実施形態のタッチパネル２１は、透明基板２２の表面に、Ｘ方向に延在する第１検知電極２３と、Ｘ方向に直交するＹ方向に延在する第２検知電極２４を有する。
【０１９２】
透明基板２２はガラス基板とすることができる。また、透明基板２２は、樹脂基板とすることもでき、その場合、ポリエチレンテレフタレートフィルム、ポリブチレンテレフタレートフィルム、ポリエチレンフィルム、ポリプロピレンフィルム、ポリエーテルスルホンフィルム、ポリカーボネートフィルム、ポリアクリルフィルム、ポリ塩化ビニルフィルム、ポリイミドフィルム、環状オレフィンの開環重合体フィルムおよびその水素添加物からなるフィルム等を用いることができる。透明基板２２の厚みとしては、ガラス基板の場合、０．１ｍｍ〜３ｍｍとすることができる。樹脂基板の場合、１０μｍ〜３０００μｍとすることができる。
【０１９３】
第１検知電極２３と第２検知電極２４は、それぞれ複数が配置される。そして、第１検知電極２３と第２検知電極２４は、タッチパネル２１の操作領域でマトリクス状に配置されている。第１検知電極２３は、操作者によるタッチ位置のＹ方向の座標を検出するために用いられる。第２検知電極２４は、操作者によるタッチ位置のＸ方向の座標を検出するために用いられる。第１検知電極２３と第２検知電極２４は、透明基板２２の同一面の同一層に設けられている。尚、第１検知電極２３および第２検知電極２４の数は図１の例に限られるものではなく、操作領域の大きさと必要とされるタッチ位置の検出精度に応じて決定されることが好ましい。すなわち、より多い数や少ない数の第１検知電極２３および第２検知電極２４を用い、タッチパネル２１を構成することができる。
【０１９４】
図１に示すように、第１検知電極２３および第２検知電極２４はそれぞれ、菱形形状の複数の電極パッド３０から構成されている。第１検知電極２３と第２検知電極２４は、第１検知電極２３の電極パッド３０がそれと隣接する第２検知電極２４の電極パッド３０と離間するように配置される。このとき、それら電極パッド３０間の隙間は、絶縁性が確保できる程度のごく小さなものとされる。
【０１９５】
そして、第１検知電極２３と第２検知電極２４とは、互いに交差する部分をできる限り小さくできるように配置される。そして、第１検知電極２３および第２検知電極２４を構成する電極パッド３０がタッチパネル２１の操作領域全体に配置されるようにする。
【０１９６】
図１に示すように、電極パッド３０は菱形形状とすることができるが、こうした形状に限られず、例えば、六角形等の多角形形状とすることができる。
【０１９７】
第１検知電極２３および第２検知電極２４はそれぞれ、タッチパネル２１の下に配置される液晶表示素子（図示されない）等のディスプレイの視認性を低下させないように、透明電極であることが好ましい。ここで、透明電極とは、可視光に対して高い透過性を備える電極である。第１検知電極２３および第２検知電極２４としては、ＩＴＯからなる電極や、酸化インジウムと酸化亜鉛からなる電極等、透明導電材料からなる電極を用いることができる。第１検知電極２３および第２検知電極２４がそれぞれＩＴＯからなる場合、十分な導電性を確保できるよう、それらの厚さを１０ｎｍ〜１００ｎｍとすることが好ましい。
【０１９８】
第１検知電極２３および第２検知電極２４の形成は、公知の方法を用いて行うことができ、例えば、ＩＴＯ等の透明導電材料からなる膜をスパッタリング法等を用いて成膜し、フォトリソグラフィ法等を利用してパターニングすることで行うことができる。
【０１９９】
図１および図２に示すように、第１検知電極２３および第２検知電極２４は、透明基板２２の同一面上に形成されており、同一層をなしている。そのため、第１検知電極２３と第２検知電極２４とは、操作領域において、複数の箇所で交差しており、交差部２８を形成している。
【０２００】
本実施形態のタッチパネル２１では、図２に示すように、交差部２８において、第１検知電極２３および第２検知電極２４のいずれか一方が他方と接触しないように分断される。すなわち、交差部２８において、第１検知電極２３は繋がっているが、図２の左右方向に伸びる第２検知電極２４は分断されて形成されている。そして、第２検知電極２４の途切れた箇所を電気的に接続させるために、ブリッジ電極３２が設けられている。ブリッジ電極３２と第１検知電極２３との間には、絶縁性物質からなる層間絶縁膜２９が設けられている。
【０２０１】
図２に示すように、交差部２８で、第１検知電極２３の上に設けられた層間絶縁膜２９は、光透過性に優れた材料から形成されている。層間絶縁膜２９は、ポリシロキサン、アクリル系樹脂、およびアクリルモノマー等を用いて印刷法で塗布し、必要な場合にパターニングを行った後、それを加熱硬化させて形成することができる。ポリシロキサンを用いて形成した場合には、層間絶縁膜２９はシリコン酸化物（ＳｉＯ２）からなる無機絶縁層となる。また、アクリル系樹脂、およびアクリルモノマーを用いた場合には、層間絶縁膜２９は樹脂からなる有機絶縁層となる。層間絶縁膜２９にＳｉＯ２を用いる場合には、例えば、マスクを用いたスパッタリング法によって、交差部２８における第１検知電極２３の上にのみＳｉＯ２膜を形成して、層間絶縁膜２９を構成することもできる。
【０２０２】
層間絶縁膜２９の上層には、ブリッジ電極３２が設けられている。ブリッジ電極３２は、上述したように、交差部２８で途切れた第２検知電極２４同士を電気的に接続する機能を果たす。ブリッジ電極３２は、ＩＴＯ等の光透過性に優れた材料によって形成されることが好ましい。ブリッジ電極３２を設けることにより、第２検知電極２４をＹ方向に電気的に接続することができる。
【０２０３】
図２に示すように、第１検知電極２３と第２検知電極２４は、上述したように、菱形の電極パッド３０を縦または横に複数並べた形状を有する。第１検知電極２３において、交差部２８に位置する接続部分は、第１検知電極２３の菱形の電極パッド３０より幅の狭い形状とされる。また、ブリッジ電極３２も、菱形の電極パッド３０より幅の狭い形状であって、短冊状に形成されている。
【０２０４】
タッチパネル２１の第１検知電極２３と第２検知電極２４の端部には、それぞれ端子（図示されない）が設けられており、その端子からそれぞれ引き出し配線３１が引き出される。引き出し配線３１は、上述した本発明の実施形態の銅膜を使用した金属配線とすることができる。同様に、端子も、本発明の実施形態の銅膜を用いて形成することができる。
【０２０５】
すなわち、タッチパネル２１の引き出し配線３１等は、上述した本発明の実施形態の銅膜形成用組成物を用い、上述した本発明の実施形態の銅膜形成方法に従って形成することができる。
【０２０６】
例えば、本発明の実施形態の銅膜形成方法で例示した塗布方法により、本実施形態の銅膜形成用組成物の塗膜を第１検知電極２３および第２検知電極２４等の形成された透明基板２２上に形成し、配線パターンを形成する。例えば、インクジェット印刷法、グラビア印刷法、グラビアオフセット印刷法、リバースオフセット印刷法、フレキソ印刷法、（シルク）スクリーン印刷法、凸版印刷等を利用した直接描画により、塗膜を形成し、配線パターンを形成することができる。
【０２０７】
そして、上述したように、大気下の他、例えば、窒素ガス、ヘリウムガスおよびアルゴンガス等の不活性ガスを利用した非酸化性雰囲気下で加熱し、引き出し配線３１等を形成することができる。
【０２０８】
尚、塗膜の加熱は、上述したように、水素ガス等の還元性ガスを利用した還元性雰囲気下でも行うことができる。
【０２０９】
引き出し配線３１は、その端部の接続端子（図示されない）を用いて、第１検知電極２３および第２検知電極２４への電圧印加やタッチ操作の位置を検出する外部の制御回路（図示されない）に電気的に接続される。
【０２１０】
図１および図２に示すように、第１検知電極２３および第２検知電極２４の配置された透明基板２２の表面には、第１検知電極２３および第２検知電極２４を覆うように、光透過性の絶縁膜２５が配置されている。
【０２１１】
絶縁膜２５は、タッチパネル２１の操作領域で、第１検知電極２３および第２検知電極２４を被覆して保護するようにパターニングされて形成される。併せて、絶縁膜２５は、第１検知電極２３および第２検知電極２４から引き出される引き出し配線３１の端部の接続端子（図示されない）が露出するようにパターニングされて形成される。
【０２１２】
絶縁膜２５の形成には、感放射線性の樹脂組成物を用いることができ、所定のパターニングを行って第１検知電極２３および第２検知電極２４上に配置することができる。
【０２１３】
タッチパネル２１は、透明基板２２の第１検知電極２３および第２検知電極２４の形成面に、例えば、アクリル系の透明接着剤からなる接着層（図示されない）を用いて透明な樹脂からなるカバーフィルム（図示されない）を設けることが可能である。
【０２１４】
以上の構成を有するタッチパネル２１は、第１検知電極２３と第２検知電極２４がマトリクス状に配置された操作領域において静電容量を計測し、操作者の指等のタッチ操作があった場合に生じる静電容量の変化から、指等の接触位置を検知することができる。そして、液晶表示素子や有機ＥＬ素子等のディスプレイの上に載置し、電子機器のディスプレイの入力装置として好適に使用することが可能である。
【０２１５】
したがって、本発明の実施形態の銅膜形成用組成物を用いて、上述した本発明の実施形態の銅膜形成方法に従って形成された本発明の実施形態の銅膜を用い、引き出し配線を構成することができる。そして、その本発明の実施形態の銅膜からなる引き出し配線を用いてタッチパネルを構成することができる。さらに、そのタッチパネルを備えた液晶表示素子や有機ＥＬ素子等の本発明の実施形態の電子機器を提供することができる。したがって、本発明の実施形態のタッチパネル付液晶表示素子等の電子機器は、本発明の実施形態の銅膜形成方法に従って形成された本発明の実施形態の銅膜を有して構成される。
【実施例】
【０２１６】
以下、実施例に基づいて本発明の実施形態をより具体的に説明する。しかし、本発明はこれらの実施例により何ら限定されるものではない。
【０２１７】
＜実施例１〜２０および比較例１〜４＞
実施例１〜実施例２０および比較例１〜比較例４では、以下に示す方法で、実施例１〜実施例２０および比較例１〜比較例４の銅膜形成用組成物を調製し、それを用いて実施例１〜実施例２０および比較例１〜比較例４の銅膜を形成した。そして、それら銅膜の評価として、抵抗特性（体積抵抗値）を評価し、さらに密着性を評価した。
【０２１８】
［銅膜形成用組成物の調製］
表１に示す種類と添加量の（Ａ）銅塩と（Ｂ）重合体と（Ｃ）アミン化合物と、必要に応じて添加される添加剤とを混合し、スターラーを使用して、室温で回転数２００ｒｐｍ、６０分間撹拌し、銅膜形成用組成物を調整した。
【０２１９】
実施例１〜実施例２０および比較例１〜比較例４の各銅膜形成用組成物の調製に用いた（Ａ）銅塩は、ギ酸銅であり、市販品を使用した。
【０２２０】
実施例１〜実施例２０および比較例１〜比較例４の各銅膜形成用組成物の調製に用いた（Ｂ）重合体は、全てエラストマーであり、表１に示す重合体種を使用した。ここで、表１に示した重合体のＧ−１０００、Ｇｌ−１０００、Ｂ−３０００およびＢｌ−３０００は日本曹達社製であり、Ｌ−ＳＢＲ−８２０、Ｌ−ＳＢＲ−８４１、ＬＩＲ−３１０およびＵＣ−２０３はクラレ社製であり、Ｐｏｌｙ  ｉｐおよびＰｏｌｙ  ｂｄは出光興産社製であり、ルーカントＨＣ−４０は三井化学社製であり、ＨＶ−１９００およびＨＶ−３００はＪＸ日鉱日石エネルギー社製であって、いずれも市販品である。
【０２２１】
実施例１〜実施例２０および比較例１〜比較例４の各銅膜形成用組成物の調製に用いた（Ｃ）アミン化合物は、全て市販品を用いた。
【０２２２】
実施例３および実施例４、並びに、比較例１および比較例４の各銅膜形成用組成物の調製に用いた添加剤のＨＰＣ  Ｍは、日本曹達社製のヒドロキシプロピルセルロースであり、市販品である。
【０２２３】
【表１】
0006323189.tif 000009
【０２２４】
［銅膜の形成］
実施例１〜実施例２０および比較例１〜比較例４の銅膜形成用組成物を用い、縦１５０ｍｍ、横１５０ｍｍの正方形状を有して、表面にＩＴＯ膜の形成されたＩＴＯ付ＰＥＴフィルムの上に、バーコーターを用いて塗布した。そして、縦５０ｍｍ、横１００ｍｍの長方形状にパターニングされ、膜厚が１００μｍである銅膜形成用組成物の塗膜を形成した。次に、ホットプレートを用い、加熱の雰囲気を窒素ガスを利用した非酸化性雰囲気（窒素雰囲気）とし、前述の塗膜の形成されたＩＴＯ付ＰＥＴフィルムを所定の温度で１０分間加熱処理した。
【０２２５】
その結果、膜厚が０．１μｍ〜２０μｍ程度の上記形状にパターニングされた薄膜として実施例１〜２０および比較例１〜４の銅膜を得た。
【０２２６】
尚、実施例１〜実施例２０および比較例１〜比較例４の銅膜形成用組成物を用いた各銅膜の形成については、加熱条件として加熱温度と加熱雰囲気を後述する表２にまとめて示した。
【０２２７】
［評価］
（体積抵抗値の測定）
実施例１〜実施例２０および比較例１〜比較例４の銅膜形成用組成物を用い、上述した銅膜の形成方法によりそれぞれ形成された実施例１〜実施例２０および比較例１〜比較例４の銅膜を用い、それらの比抵抗値（体積抵抗値）を、四探針抵抗測定機（商品名：Ｍｏｄｅｌ  ｓｉｇｍａ−５、ＮＰＳ社）を用いて測定した。測定結果は、表２にまとめて示す。
【０２２８】
【表２】
0006323189.tif 000010
【０２２９】
表２に示すように、実施例１〜実施例２０の各銅膜形成用組成物により得られた、実施例１〜実施例２０の各銅膜の体積抵抗値は、３０μΩ／ｃｍ以下であり、低い値を示した。（Ａ）銅塩および（Ｃ）アミン化合物とともに（Ｂ）重合体を含有する実施例１〜実施例２０の各銅膜形成用組成物は、低抵抗の銅膜を形成できることがわかった。
【０２３０】
（密着性の評価）
実施例１〜実施例２０および比較例１〜比較例４の銅膜形成用組成物を用い、上述した銅膜の形成方法により、基板であるＩＴＯ付ＰＥＴフィルム上に形成された実施例１〜実施例２０および比較例１〜比較例４の各銅膜を用い、基板との密着性を評価した。
【０２３１】
銅膜と基板との密着性は、３Ｍ社製の粘着テープであるＳｃｏｔｃｈ（登録商標）＃６００  Ｔａｐｅを用い、テープ剥離試験を行うことにより評価した。具体的には、上述の粘着テープを用いたテープ剥離試験により、基板であるＩＴＯ付ＰＥＴフィルム上から全部またはほとんど銅膜が剥離した場合は、不良（×）として評価した。一方、剥離が生じないか、剥離箇所が銅膜全体の半分程度以下である場合、良好（○）として評価した。評価結果は、表２にまとめて示す。
【０２３２】
表２に示すように、実施例１〜実施例２０の各銅膜は、基板との密着性に優れ、一方、比較例１〜比較例４の各銅膜は、基板との密着性が低いことがわかった。
【０２３３】
以上の評価結果から、実施例１〜実施例２０の銅膜形成用組成物を用い、上述した銅膜の形成方法によりそれぞれ形成された実施例１〜実施例２０の銅膜は、優れた抵抗特性と、優れた基板との密着性を両立することがわかった。
【０２３４】
以上、本発明の実施形態について説明したが、本発明は上記実施の形態に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲で種々変形して実施することができる。
【産業上の利用可能性】
【０２３５】
本発明の銅膜形成用組成物は、エレクトロニクス分野における回路基板の導電パターンの形成用の組成物として好適に使用できる。そして、本発明の銅膜および本発明の銅膜形成方法は、エレクトロニクス分野等における電子部品等の製造に用いることができる。例えば、本発明の銅膜および本発明の銅膜形成方法は、配線、回路基板、アンテナ、センサー、演算素子および表示素子の製造に用いることができる。さらに、本発明の銅膜形成用組成物は、導電性インクとしてスピンコート法、スプレーコート法、バーコート法、キャスト法、ディップコート法、および、ロールコータ法等の各種塗布方法およびインクジェット印刷、スクリーン印刷、フレキソ印刷、グラビアオフセット印刷、リバースオフセット印刷等の各種印刷に好適に用いることができる。
【符号の説明】
【０２３６】
２１    タッチパネル
２２    透明基板
２３    第１検知電極
２４    第２検知電極
２５    絶縁膜
２８    交差部
２９    層間絶縁膜
３０    電極パッド
３１    引き出し配線
３２    ブリッジ電極
【図１】
0006323189.tif 000014
【図２】
0006323189.tif 000015