(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
下記式ＡＣ〜ＯＣからなる群から選択されるコアに、
ｉ）下記式Ｅ１及びＥ２のエポキシ基から選択される少なくとも２つのエポキシ基；
ｉｉ）下記式Ａ１〜式Ａ５からなる群から選択される少なくとも１つのアルコキシシリル基；
ｉｉｉ）下記式Ａ６〜Ａ１０からなる群から選択される少なくとも１つの非反応性シリル基；及び
ｉｖ）水素
を有するエポキシ化合物。
【化１】
0006423443.tif 000164
【化２】
0006423443.tif 000165
［式Ａ１］
−ＣＲbＲc−ＣＨＲa−ＣＨ2−ＳｉＲ1Ｒ2Ｒ3
［式Ａ２］
−Ｏ−（ＣＨ2）m+2−ＳｉＲ1Ｒ2Ｒ3
［式Ａ３］
−Ｏ−ＣＯＮＨ（ＣＨ2）m−ＳｉＲ1Ｒ2Ｒ3
［式Ａ４］
−（ＣＨ2）m+2−ＳｉＲ1Ｒ2Ｒ3
［式Ａ５］
−ＣＯＮＨ（ＣＨ2）m−ＳｉＲ1Ｒ2Ｒ3
（式Ａ１中、前記Ｒa、Ｒb及びＲcは、それぞれ独立して、Ｈまたは炭素数１〜６のアル
キル基であり、前記式Ａ１〜式Ａ５中、Ｒ1〜Ｒ3のうち少なくとも１つは炭素数１〜６のアルコキシ基であり、残りは炭素数１〜１０のアルキル基であり、前記アルキル基及びアルコキシ基は、直鎖状または分岐鎖状であってもよく、環状または非環状であってもよく、Ｎ、Ｏ、Ｓ、またはＰヘテロ原子を有しても、有しなくてもよく、ｍは１〜１０の整数である。）
［式Ａ６］
−ＣＲbＲc−ＣＨＲa−ＣＨ2−ＳｉＲ4Ｒ5Ｒ6
［式Ａ７］
−Ｏ−（ＣＨ2）m+2−ＳｉＲ4Ｒ5Ｒ6
［式Ａ８］
−Ｏ−ＣＯＮＨ（ＣＨ2）m−ＳｉＲ4Ｒ5Ｒ6
［式Ａ９］
−（ＣＨ2）m+2−ＳｉＲ4Ｒ5Ｒ6
［式Ａ１０］
−ＣＯＮＨ（ＣＨ2）m−ＳｉＲ4Ｒ5Ｒ6
（前記式Ａ６中、前記Ｒa、Ｒb及びＲcは、それぞれ独立して、Ｈまたは炭素数１〜６の
アルキル基であり、前記式Ａ６〜Ａ１０中、Ｒ4〜Ｒ6は炭素数１〜２０の脂肪族、脂環族、または芳香族である非反応性基であり、前記非反応性基は、直鎖状または分岐鎖状であってもよく、環状または非環状であってもよく、Ｎ、Ｏ、Ｓ、またはＰヘテロ原子を有しても、有しなくてもよく、ｍは１〜１０の整数である。）
【化３】
0006423443.tif 000166
【化４】
0006423443.tif 000167
（前記式ＤＣ中、Ｉは−ＣＨ2−、−Ｃ（ＣＨ3）2−、−Ｃ（ＣＦ3）2−、−Ｓ−、−Ｓ
Ｏ2−、
【化５】
0006423443.tif 000168
であり、
前記式ＨＣ中、Ｊは単一結合（ｄｉｒｅｃｔ  ｌｉｎｋａｇｅ）、−ＣＨ2−または
【化６】
0006423443.tif 000169
（ＲｘはＨまたはＣ１−Ｃ３アルキル基である。）であり、
前記式ＩＣ中、Ｋは下記式１ａｃ〜１ｆｃからなる群から選択される１つであり、
【化７】
0006423443.tif 000170
前記式ＬＣ中、Ｌは
【化８】
0006423443.tif 000171
であり、
【化９】
0006423443.tif 000172
中、ＲｙはＣ1−Ｃ10の直鎖状または分岐鎖状のアルキル基であり、
前記式ＭＣ中、Ｍは−ＣＨ2−、−Ｃ（ＣＨ3）2−、−Ｃ（ＣＦ3）2−、−Ｓ−、−ＳＯ2−、または
【化１０】
0006423443.tif 000173
であり、
前記式ＩＣ中、Ｋが１ａｃ〜１ｅｃの場合、ｎは３以上の整数であり、
Ｋが１ｆｃの場合、ｎは２以上の整数であり、
前記式ＪＣ中、ｎは２以上の整数であり、
前記式ＫＣ中、ｎは０以上の整数であり、
前記式ＬＣ中、Ｌが
【化１１】
0006423443.tif 000174
の場合、ｎは３以上の整数であり、
Ｌが
【化１２】
0006423443.tif 000175
の場合、ｎは２以上の整数である。）
【請求項２】
前記式ＡＣ〜ＨＣ及びＭＣ〜ＯＣから選択される同一のコアが２以上の場合、前記式ＡＣ〜ＨＣのコアは下記連結基ＬＧ１で連結され、前記式ＭＣ〜ＯＣのコアは下記連結基ＬＧ２で連結される、請求項１に記載のエポキシ化合物。
【化１３】
0006423443.tif 000176
【化１４】
0006423443.tif 000177
【請求項３】
前記エポキシ化合物は、下記式ＡＦ〜ＯＦのうち何れか１つである、請求項１に記載のエポキシ化合物。
【化１５】
0006423443.tif 000178
【化１６】
0006423443.tif 000179
（前記式ＡＦ〜ＦＦの置換基Ａのうち少なくとも２つは下記式Ｅ１及び式Ｅ２から選択され、少なくとも１つは下記式Ａ１〜式Ａ３からなる群から選択され、少なくとも１つは前記式Ａ６〜式Ａ８からなる群から独立して選択され、残りは水素であり、
前記式ＧＦ〜ＬＦの置換基Ａのうち少なくとも２つは下記式Ｅ１であり、少なくとも１つは下記式Ａ２または式Ａ３であり、少なくとも１つは下記式Ａ７及び下記式Ａ８からなる群から独立して選択され、残りは水素であり、
前記式ＭＦ〜ＯＦの置換基Ａのうち少なくとも２つは下記式Ｅ２であり、少なくとも１つは下記式Ａ４及び下記式Ａ５から選択され、少なくとも１つは下記式Ａ９及び下記式Ａ１０からなる群から独立して選択され、残りは水素であり、
前記式ＤＦ中、Ｉは−ＣＨ2−、−Ｃ（ＣＨ3）2−、−Ｃ（ＣＦ3）2−、−Ｓ−、−ＳＯ2−、
【化１７】
0006423443.tif 000180
であり、
前記式ＨＦ中、Ｊは単一結合（ｄｉｒｅｃｔ  ｌｉｎｋａｇｅ）、−ＣＨ2−または
【化１８】
0006423443.tif 000181
（ＲｘはＨまたはＣ１−Ｃ３アルキル基である。）であり、
前記式ＩＦ中、Ｋは下記式１Ａ〜１Ｆからなる群から選択される１つであり、
【化１９】
0006423443.tif 000182
前記式ＬＦ中、Ｌは
【化２０】
0006423443.tif 000183
であり、前記
【化２１】
0006423443.tif 000184
中、ＲｙはＣ1−Ｃ10の直鎖状または分岐鎖状のアルキル基であり、
前記式ＭＦ中、Ｍは−ＣＨ2−、−Ｃ（ＣＨ3）2−、−Ｃ（ＣＦ3）2−、−Ｓ−、−ＳＯ2−、または
【化２２】
0006423443.tif 000185
であり、ＲはＨまたはＣ1−Ｃ3アルキルであり、
前記式ＩＦ中、Ｋが１Ａ〜１Ｅの場合、ｎは３以上の整数であり、
Ｋが１Ｆの場合、ｎは２以上の整数であり、
前記式ＪＦ中、ｎは２以上の整数であり、
前記式ＫＦ中、ｎは０以上の整数であり、
前記式ＬＦ中、Ｌが
【化２３】
0006423443.tif 000186
の場合、ｎは３以上の整数であり、
Ｌが
【化２４】
0006423443.tif 000187
の場合、ｎは２以上の整数であり、
前記式ＬＦ中、ｐは１または２である。
【化２５】
0006423443.tif 000188
【化２６】
0006423443.tif 000189
［式Ａ１］
−ＣＲbＲc−ＣＨＲa−ＣＨ2−ＳｉＲ1Ｒ2Ｒ3
［式Ａ２］
−Ｏ−（ＣＨ2）m+2−ＳｉＲ1Ｒ2Ｒ3
［式Ａ３］
−Ｏ−ＣＯＮＨ（ＣＨ2）m−ＳｉＲ1Ｒ2Ｒ3
［式Ａ４］
−（ＣＨ2）m+2−ＳｉＲ1Ｒ2Ｒ3
［式Ａ５］
−ＣＯＮＨ（ＣＨ2）m−ＳｉＲ1Ｒ2Ｒ3
（式Ａ１中、前記Ｒa、Ｒb及びＲcは、それぞれ独立して、Ｈまたは炭素数１〜６のアル
キル基であり、前記式Ａ１〜式Ａ５中、Ｒ1〜Ｒ3のうち少なくとも１つは炭素数１〜６のアルコキシ基であり、残りは炭素数１〜１０のアルキル基であり、前記アルキル基及びアルコキシ基は、直鎖状または分岐鎖状であってもよく、環状または非環状であってもよく、Ｎ、Ｏ、Ｓ、またはＰヘテロ原子を有しても、有しなくてもよく、ｍは１〜１０の整数である。）
［式Ａ６］
−ＣＲbＲc−ＣＨＲa−ＣＨ2−ＳｉＲ4Ｒ5Ｒ6
［式Ａ７］
−Ｏ−（ＣＨ2）m+2−ＳｉＲ4Ｒ5Ｒ6
［式Ａ８］
−Ｏ−ＣＯＮＨ（ＣＨ2）m−ＳｉＲ4Ｒ5Ｒ6
［式Ａ９］
−（ＣＨ2）m+2−ＳｉＲ4Ｒ5Ｒ6
［式Ａ１０］
−ＣＯＮＨ（ＣＨ2）m−ＳｉＲ4Ｒ5Ｒ6
（前記式Ａ６中、前記Ｒa、Ｒb及びＲcは、それぞれ独立して、Ｈまたは炭素数１〜６の
アルキル基であり、前記式Ａ６〜Ａ１０中、Ｒ4〜Ｒ6は炭素数１〜２０の脂肪族、脂環族、または芳香族である非反応性基であり、前記非反応性基は、直鎖状または分岐鎖状であってもよく、環状または非環状であってもよく、Ｎ、Ｏ、Ｓ、またはＰヘテロ原子を有しても、有しなくてもよく、ｍは１〜１０の整数である。）
【請求項４】
前記式Ａ１〜式Ａ５で表されるアルコキシシリル基においてＲ1〜Ｒ3のうち少なくとも１つは炭素数２〜４のアルコキシ基である、請求項１に記載のエポキシ化合物。
【請求項５】
前記式Ａ１〜式Ａ５で表されるアルコキシシリル基においてＲ1〜Ｒ3は何れもエトキシ基である、請求項１に記載のエポキシ化合物。
【請求項６】
前記式Ａ１〜式Ａ５で表されるアルコキシシリル基においてＲ1〜Ｒ3が何れもメトキシ基である場合、少なくとも１つのアルケニル基を含む、請求項１に記載のエポキシ化合物。
【請求項７】
請求項１から請求項６の何れか一項に記載のエポキシ化合物を含み、前記アルコキシシリル基：前記非反応性シリル基の割合は１：９９〜９９：１である、エポキシ化合物の混合物。
【請求項８】
白金触媒及び任意の溶媒の存在下で、下記式ＡＳ１〜ＯＳ１のうち何れか１つの出発物質と下記式ＡＳ５のアルコキシシラン及び下記式ＡＳ６の非反応性シランを反応させる、下記式ＡＦ〜ＯＦのうち何れか１つのエポキシ化合物の製造方法。
［式ＡＳ５］
ＨＳｉＲ1Ｒ2Ｒ3
（前記式ＡＳ５中、Ｒ1〜Ｒ3のうち少なくとも１つはＣ1−Ｃ6アルコキシ基、好ましくはエトキシ基であり、残りはＣ1−Ｃ10アルキル基であり、前記アルコキシ基及びアルキル
基は、直鎖状または分岐鎖状であってもよく、環状または非環状であってもよく、Ｎ、Ｏ、Ｓ、またはＰヘテロ原子を有しても、有しなくてもよい。）
［式ＡＳ６］
ＨＳｉＲ4Ｒ5Ｒ6
（前記式ＡＳ６中、Ｒ4〜Ｒ6は炭素数１〜２０の脂肪族、脂環族、または芳香族である非反応性基であり、前記非反応性基は、直鎖状または分岐鎖状であってもよく、環状または非環状であってもよく、Ｎ、Ｏ、Ｓ、またはＰヘテロ原子を有しても、有しなくてもよい。）
【化２７】
0006423443.tif 000190
【化２８】
0006423443.tif 000191
（前記式ＡＳ１〜ＦＳ１の多数の置換基ａ１のうち少なくとも２つは下記式Ｅ１または式Ｅ２であり、少なくとも２つは下記式Ａ１１またはＡ１２であり、残りは水素であってもよく、
前記式ＧＳ１〜ＬＳ１の置換基ａ１のうち少なくとも２つは下記式Ｅ１であり、少なくとも２つは下記式Ａ１２であり、残りは水素であってもよく、
前記式ＭＳ１〜ＯＳ１の置換基ａ１のうち少なくとも２つは前記式Ｅ２であり、残りは前記式Ａ１３であり、
前記式ＤＳ１中、Ｉは−ＣＨ2−、−Ｃ（ＣＨ3）2−、−Ｃ（ＣＦ3）2−、−Ｓ−、−Ｓ
Ｏ2−、
【化２９】
0006423443.tif 000192
であり、
前記式ＨＳ１中、Ｊは単一結合（ｄｉｒｅｃｔ  ｌｉｎｋａｇｅ）、−ＣＨ2−または
【化３０】
0006423443.tif 000193
（ＲｘはＨまたはＣ１−Ｃ３アルキル基である。）であり、
前記式ＩＳ１中、Ｋは下記式１ａ１〜１ｆ１からなる群から選択される１つであり、
【化３１】
0006423443.tif 000194
前記式ＬＳ１中、Ｌは
【化３２】
0006423443.tif 000195
であり、
【化３３】
0006423443.tif 000196
中、ＲｙはＣ1−Ｃ10の直鎖状または分岐鎖状のアルキル基であり、
前記式ＭＳ１中、Ｍは−ＣＨ2−、−Ｃ（ＣＨ3）2−、−Ｃ（ＣＦ3）2−、−Ｓ−、−Ｓ
Ｏ2−、または
【化３４】
0006423443.tif 000197
であり、ＲはＨまたはＣ1−Ｃ3アルキルであり、
前記式ＩＳ１中、Ｋが１ａ１〜１ｅ１の場合、ｎは３以上の整数であり、
Ｋが１ｆ１の場合、ｎは２以上の整数であり、
前記式ＪＳ１中、ｎは２以上の整数であり、
前記式ＫＳ１中、ｎは０以上の整数であり、
前記式ＬＳ１中、Ｌが
【化３５】
0006423443.tif 000198
の場合、ｎは３以上の整数であり、
Ｌが
【化３６】
0006423443.tif 000199
の場合、ｎは２以上の整数であり、
前記式ＬＳ１中、ｐは１または２である。
【化３７】
0006423443.tif 000200
【化３８】
0006423443.tif 000201
［式Ａ１１］
−ＣＲbＲc−ＣＲa＝ＣＨ2
［式Ａ１２］
−Ｏ−（ＣＨ2）m−ＣＨ＝ＣＨ2
［式Ａ１３］
−（ＣＨ2）m−ＣＨ＝ＣＨ2
（式Ａ１１中、前記Ｒa、Ｒb及びＲcは、それぞれ独立して、Ｈまたは炭素数１〜６のア
ルキル基であり、前記アルキル基は、直鎖状または分岐鎖状であってもよく、環状または非環状であってもよく、Ｎ、Ｏ、Ｓ、またはＰヘテロ原子を有しても、有しなくてもよく、式Ａ１２及び式Ａ１３中、ｍは１〜１０の整数である。）
【化３９】
0006423443.tif 000202
【化４０】
0006423443.tif 000203
（前記式ＡＦ〜ＦＦの置換基Ａのうち少なくとも２つは下記式Ｅ１または式Ｅ２であり、少なくとも１つは下記式Ａ１及び式Ａ２からなる群から選択され、少なくとも１つは下記式Ａ６及び式Ａ７からなる群から独立して選択され、残りは水素であり、
前記式ＧＦ〜ＬＦの置換基Ａのうち少なくとも２つは下記式Ｅ１であり、少なくとも１つは下記式Ａ２であり、少なくとも１つは下記式Ａ７であり、残りは水素であり、
前記式ＭＦ〜ＯＦの置換基Ａのうち少なくとも２つは下記式Ｅ２であり、少なくとも１つは下記式Ａ４であり、少なくとも１つは下記式Ａ９であり、残りは水素であり、
前記式ＤＦ中、Ｉは−ＣＨ2−、−Ｃ（ＣＨ3）2−、−Ｃ（ＣＦ3）2−、−Ｓ−、−ＳＯ2−、
【化４１】
0006423443.tif 000204
であり、
前記式ＨＦ中、Ｊは単一結合（ｄｉｒｅｃｔ  ｌｉｎｋａｇｅ）、−ＣＨ2−または
【化４２】
0006423443.tif 000205
（ＲｘはＨまたはＣ１−Ｃ３アルキル基である。）であり、
前記式ＩＦ中、Ｋは下記式１Ａ〜１Ｆからなる群から選択される１つであり、
【化４３】
0006423443.tif 000206
前記式ＬＦ中、Ｌは
【化４４】
0006423443.tif 000207
であり、
【化４５】
0006423443.tif 000208
中、ＲｙはＣ1−Ｃ10の直鎖状または分岐鎖状のアルキル基であり、
前記式ＭＦ中、Ｍは−ＣＨ2−、−Ｃ（ＣＨ3）2−、−Ｃ（ＣＦ3）2−、−Ｓ−、−ＳＯ2−、または
【化４６】
0006423443.tif 000209
であり、ＲはＨまたはＣ1−Ｃ3アルキルであり、
前記式ＩＦ中、Ｋが１Ａ〜１Ｅの場合、ｎは３以上の整数であり、
Ｋが１Ｆの場合、ｎは２以上の整数であり、
前記式ＪＦ中、ｎは２以上の整数であり、
前記式ＫＦ中、ｎは０以上の整数であり、
前記式ＬＦ中、Ｌが
【化４７】
0006423443.tif 000210
の場合、ｎは３以上の整数であり、
Ｌが
【化４８】
0006423443.tif 000211
の場合、ｎは２以上の整数であり、
前記式ＬＦ中、ｐは１または２である。
【化４９】
0006423443.tif 000212
【化５０】
0006423443.tif 000213
［式Ａ１］
−ＣＲbＲc−ＣＨＲa−ＣＨ2−ＳｉＲ1Ｒ2Ｒ3
［式Ａ２］
−Ｏ−（ＣＨ2）m+2−ＳｉＲ1Ｒ2Ｒ3
［式Ａ４］
−（ＣＨ2）m+2−ＳｉＲ1Ｒ2Ｒ3
（式Ａ１中、前記Ｒa、Ｒb及びＲcは、それぞれ独立して、Ｈまたは炭素数１〜６のアル
キル基であり、前記式Ａ１、式Ａ２及び式Ａ４中、Ｒ1〜Ｒ3のうち少なくとも１つは炭素数１〜６のアルコキシ基であり、残りは炭素数１〜１０のアルキル基であり、前記アルキル基及びアルコキシ基は、直鎖状または分岐鎖状であってもよく、環状または非環状であってもよく、Ｎ、Ｏ、Ｓ、またはＰヘテロ原子を有しても、有しなくてもよく、ｍは１〜１０の整数である。）
［式Ａ６］
−ＣＲbＲc−ＣＨＲa−ＣＨ2−ＳｉＲ4Ｒ5Ｒ6
［式Ａ７］
−Ｏ−（ＣＨ2）m+2−ＳｉＲ4Ｒ5Ｒ6
［式Ａ９］
−（ＣＨ2）m+2−ＳｉＲ4Ｒ5Ｒ6
（前記式Ａ６中、前記Ｒa、Ｒb及びＲcは、それぞれ独立して、Ｈまたは炭素数１〜６の
アルキル基であり、前記式Ａ６、式Ａ７、及び式Ａ９中、Ｒ4〜Ｒ6は炭素数１〜２０の脂肪族、脂環族または芳香族である非反応性基であり、前記非反応性基は、直鎖状または分岐鎖状であってもよく、環状または非環状であってもよく、Ｎ、Ｏ、ＳまたはＰヘテロ原子を有しても、有しなくてもよく、ｍは１〜１０の整数である。）
【請求項９】
任意の溶媒の存在下で、下記式ＡＳ２〜ＯＳ２のうち何れか１つの出発物質と下記式ＡＳ３のアルコキシシラン及び下記式ＡＳ４の非反応性シランを反応させる、下記式ＡＦ〜ＯＦのうち何れか１つのエポキシ化合物の製造方法。
［式ＡＳ３］
ＯＣＮ−（ＣＨ2）m−ＳｉＲ1Ｒ2Ｒ3
（前記式ＡＳ３中、Ｒ1〜Ｒ3のうち少なくとも１つはＣ1−Ｃ6アルコキシ基、好ましくはエトキシ基であり、残りはＣ1−Ｃ10アルキル基であり、前記アルコキシ基及びアルキル
基は、直鎖状または分岐鎖状であってもよく、環状または非環状であってもよく、Ｎ、Ｏ、Ｓ、またはＰヘテロ原子を有しても、有しなくてもよい。ｍは１〜１０の整数、好ましくは３〜６の整数である。）
［式ＡＳ４］
ＯＣＮ−（ＣＨ2）m−ＳｉＲ4Ｒ5Ｒ6
（前記式ＡＳ４中、Ｒ4〜Ｒ6は炭素数１〜２０の脂肪族、脂環族、または芳香族である非
反応性基であり、前記非反応性基は、直鎖状または分岐鎖状であってもよく、環状または非環状であってもよく、Ｎ、Ｏ、Ｓ、またはＰヘテロ原子を有しても、有しなくてもよい。ｍは１〜１０の整数、好ましくは３〜６の整数である。）
【化５１】
0006423443.tif 000214
【化５２】
0006423443.tif 000215
（前記式ＡＳ２〜ＦＳ２の置換基ａ２のうち少なくとも２つは下記式Ｅ２であり、少なくとも２つはヒドロキシ基であり、残りは水素及び下記式Ａ１１からなる群からそれぞれ独立して選択されてよく、
前記式ＧＳ２〜ＬＳ２の置換基ａ２のうち少なくとも２つは前記式Ｅ１であり、少なくとも２つはヒドロキシ基であり、残りは水素であってよく、
前記式ＭＳ２〜ＯＳ２の置換基ａ２のうち少なくとも２つは前記式Ｅ２であり、残りは水素であり、
前記式ＤＳ２中、Ｉは−ＣＨ2−、−Ｃ（ＣＨ3）2−、−Ｃ（ＣＦ3）2−、−Ｓ−、−Ｓ
Ｏ2−、
【化５３】
0006423443.tif 000216
であり、
前記式ＨＳ２中、Ｊは単一結合（ｄｉｒｅｃｔ  ｌｉｎｋａｇｅ）、−ＣＨ2−または
【化５４】
0006423443.tif 000217
（ＲｘはＨまたはＣ１−Ｃ３アルキル基である。）であり、
前記式ＩＳ２中、Ｋは下記式１ａ２〜１ｆ２からなる群から選択される１つであり、
【化５５】
0006423443.tif 000218
前記式ＬＳ２中、Ｌは
【化５６】
0006423443.tif 000219
であり、
【化５７】
0006423443.tif 000220
中、ＲｙはＣ1−Ｃ10の直鎖状または分岐鎖状のアルキル基であり、
前記式ＭＳ２中、Ｍは−ＣＨ2−、−Ｃ（ＣＨ3）2−、−Ｃ（ＣＦ3）2−、−Ｓ−、−Ｓ
Ｏ2−、または
【化５８】
0006423443.tif 000221
であり、ＲはＨまたはＣ1−Ｃ3アルキルであり、
前記式ＩＳ２中、Ｋが２ａ〜２ｅの場合、ｎは３以上の整数であり、
Ｋが２ｆの場合、ｎは２以上の整数であり、
前記式ＪＳ２中、ｎは２以上の整数であり、
前記式ＫＳ２中、ｎは０以上の整数であり、
前記式ＬＳ２中、Ｌが
【化５９】
0006423443.tif 000222
の場合、ｎは３以上の整数であり、
Ｌが
【化６０】
0006423443.tif 000223
の場合、ｎは２以上の整数であり、
前記式ＬＳ２中、ｐは１または２である。）
【化６１】
0006423443.tif 000224
【化６２】
0006423443.tif 000225
［式Ａ１１］
−ＣＲbＲc−ＣＲa＝ＣＨ2
（式Ａ１１中、前記Ｒa、Ｒb及びＲcは、それぞれ独立して、Ｈまたは炭素数１〜６のア
ルキル基であり、前記アルキル基は、直鎖状または分岐鎖状であってもよく、環状または非環状であってもよく、Ｎ、Ｏ、Ｓ、またはＰヘテロ原子を有しても、有しなくてもよい。）
【化６３】
0006423443.tif 000226
【化６４】
0006423443.tif 000227
（前記式ＡＦ〜ＦＦの置換基Ａのうち少なくとも２つは下記式Ｅ２であり、少なくとも１つは下記式Ａ３であり、少なくとも１つは前記式Ａ８であり、残りは水素であり、
前記式ＧＦ〜ＬＦの置換基Ａのうち少なくとも２つは下記式Ｅ１であり、少なくとも１つは下記式Ａ３であり、少なくとも１つは下記式Ａ８であり、残りは水素であり、
前記式ＭＦ〜ＯＦの置換基Ａのうち少なくとも２つは下記式Ｅ２であり、少なくとも１つは下記式Ａ５であり、少なくとも１つは下記式Ａ１０であり、残りは水素であり、
前記式ＤＦ中、Ｉは−ＣＨ2−、−Ｃ（ＣＨ3）2−、−Ｃ（ＣＦ3）2−、−Ｓ−、−ＳＯ2−、
【化６５】
0006423443.tif 000228
であり、
前記式ＨＦ中、Ｊは単一結合（ｄｉｒｅｃｔ  ｌｉｎｋａｇｅ）、−ＣＨ2−または
【化６６】
0006423443.tif 000229
（ＲｘはＨまたはＣ１−Ｃ３アルキル基である。）であり、
前記式ＩＦ中、Ｋは下記式１Ａ〜１Ｆからなる群から選択される１つであり、
【化６７】
0006423443.tif 000230
前記式ＬＦ中、Ｌは
【化６８】
0006423443.tif 000231
であり、
【化６９】
0006423443.tif 000232
中、ＲｙはＣ１−Ｃ１０の直鎖状または分岐鎖状のアルキル基であり、
前記式ＭＦ中、Ｍは−ＣＨ2−、−Ｃ（ＣＨ3）2−、−Ｃ（ＣＦ3）2−、−Ｓ−、−ＳＯ2−、または
【化７０】
0006423443.tif 000233
であり、ＲはＨまたはＣ1−Ｃ3アルキルであり、
前記式ＩＦ中、Ｋが１Ａ〜１Ｅの場合、ｎは３以上の整数であり、
Ｋが１Ｆの場合、ｎは２以上の整数であり、
前記式ＪＦ中、ｎは２以上の整数であり、
前記式ＫＦ中、ｎは０以上の整数であり、
前記式ＬＦ中、Ｌが
【化７１】
0006423443.tif 000234
の場合、ｎは３以上の整数であり、
Ｌが
【化７２】
0006423443.tif 000235
の場合、ｎは２以上の整数であり、
前記式ＬＦ中、ｐは１または２である。
【化７３】
0006423443.tif 000236
【化７４】
0006423443.tif 000237
［式Ａ３］
−Ｏ−ＣＯＮＨ（ＣＨ2）m−ＳｉＲ1Ｒ2Ｒ3
［式Ａ５］
−ＣＯＮＨ（ＣＨ2）m−ＳｉＲ1Ｒ2Ｒ3
（前記式Ａ３及び式Ａ５中、Ｒ1〜Ｒ3のうち少なくとも１つは炭素数１〜６のアルコキシ基であり、残りは炭素数１〜１０のアルキル基であり、前記アルキル基及びアルコキシ基は、直鎖状または分岐鎖状であってもよく、環状または非環状であってもよく、Ｎ、Ｏ、Ｓ、またはＰヘテロ原子を有しても、有しなくてもよく、ｍは１〜１０の整数である。）［式Ａ８］
−Ｏ−ＣＯＮＨ（ＣＨ2）m−ＳｉＲ4Ｒ5Ｒ6
［式Ａ１０］
−ＣＯＮＨ（ＣＨ2）m−ＳｉＲ4Ｒ5Ｒ6
（前記式Ａ８及びＡ１０中、Ｒ4〜Ｒ6は炭素数１〜２０の脂肪族、脂環族、または芳香族である非反応性基であり、前記非反応性基は、直鎖状または分岐鎖状であってもよく、環状または非環状であってもよく、Ｎ、Ｏ、Ｓ、またはＰヘテロ原子を有しても、有しなくてもよく、ｍは１〜１０の整数である。）
【請求項１０】
請求項１から請求項６のうち何れか一項に記載のエポキシ化合物を含むエポキシ組成物。
【請求項１１】
請求項７に記載のエポキシ混合物を含むエポキシ組成物。
【請求項１２】
無機粒子または繊維からなる群から選択される少なくとも１種の充填剤をさらに含む、請求項１０又は請求項１１に記載のエポキシ組成物。
【請求項１３】
前記組成物は、電子材料、基板、フィルム、積層板、印刷配線板、半導体装置、パッケージング材料、接着剤、塗料、複合材料、又はプリプレグに用いられる、請求項１０乃至請求項１２のうち何れか一項に記載のエポキシ組成物。
【請求項１４】
請求項１０乃至請求項１２のうち何れか一項に記載のエポキシ組成物の硬化物。
【請求項１５】
熱膨張係数が６０ｐｐｍ／℃以下である、請求項１４に記載のエポキシ組成物の硬化物。
【請求項１６】
ガラス転移温度が１００℃より高いか、ガラス転移温度を示さない、請求項１４に記載のエポキシ組成物の硬化物。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、エポキシ化合物及び充填剤（繊維及び／または無機粒子）を含む組成物の硬化物である複合体において優れた耐熱特性とともに、工程性（加工性）及び／または固有の脆性（ｉｎｈｅｒｅｎｔ  ｂｒｉｔｔｌｅｎｅｓｓ）改善の効果を有する新規のエポキシ化合物、それを含む混合物、組成物、硬化物、その製造方法、及びその用途に関する。より詳細には、本発明は、上記複合体において、優れた耐熱特性、具体的には、低い熱膨張特性と高いガラス転移温度の上昇効果（これは、ガラス転移温度を示さないＴｇレスを含む。）、難燃性及び工程性（加工性）を有し、より具体的には、粘度増加制御性を示し、別のシランカップリング剤を必要とせず、さらに、脆性が向上した新規のエポキシ化合物、それを含む混合物、組成物、硬化物、その製造方法、及びその用途に関する。
【背景技術】
【０００２】
エポキシ硬化物は、セラミック材料及び金属材料に比べて、熱膨張係数の値が数倍〜数十倍程度と非常に大きい。したがって、エポキシ材料が無機材料または金属材料とともに用いられる場合、エポキシ材料と無機材料または金属材料の互いに異なる熱膨張係数により、部品の物性及び加工性が著しく制限される。例えば、シリコンウエハとエポキシ基板が隣接して用いられる半導体パッケージング（ｐａｃｋａｇｉｎｇ）などの場合に、工程及び／または使用温度変化時の構成成分間の著しい熱膨張係数の差（ＣＴＥ−ｍｉｓｍａｔｃｈ）により、クラック、基板の反り、剥離（ｐｅｅｌｉｎｇ−ｏｆｆ）、基板の割れなどの製品不良が発生する。
【０００３】
このようなエポキシ材料の大きいＣＴＥによる材料の寸法変化（ｄｉｍｅｎｓｉｏｎａｌ
ｃｈａｎｇｅ）により、次世代半導体基板、ＰＣＢ（ｐｒｉｎｔｅｄ  ｃｉｒｃｕｉｔ
ｂｏａｒｄ）、パッケージング（ｐａｃｋａｇｉｎｇ）、ＯＴＦＴ（Ｏｒｇａｎｉｃ  Ｔｈｉｎ  Ｆｉｌｍ  Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）、フレキシブルディスプレイ基板（ｆｌｅｘｉｂｌｅ  ｄｉｓｐｌａｙ  ｓｕｂｓｔｒａｔｅ）などの技術開発が制限されている。具体的には、現在の半導体及びＰＣＢ分野では、金属／セラミック材料に比べて非常に高いＣＴＥを有するエポキシ材料のために、高集積化、高微細化、フレキシブル化、高性能化などが求められる次世代部品の設計、加工性及び信頼性の確保が困難となっている。言い換えると、部品工程（加工）温度での高分子材料の高い熱膨張特性により、部品を製造する際に、不良が発生するだけでなく、工程が制限され、部品の設計、並びに、加工性及び信頼性の確保が問題になる。したがって、電子部品の加工性及び信頼性を確保するために、エポキシ材料の改善された熱膨張特性、すなわち、寸法安定性が求められる。
【０００４】
今まで、エポキシ硬化物の熱膨張係数を減少させるためには、一般的に、（１）エポキシ化合物を無機粒子（無機フィラー）及び／またはファブリック（ｆａｂｒｉｃ）と複合化したり、（２）ＣＴＥの減少した新規のエポキシ化合物を設計する方法が用いられてきた。
【０００５】
熱膨張特性を改善するために、エポキシ化合物と充填剤として無機粒子を複合化する場合は、約２〜３０μｍの大きさのシリカ無機粒子を多量使用する際にのみ、ＣＴＥの減少効果が得られる。しかし、多量の無機粒子を充填することにより、加工性及び部品の物性が低下するという問題が伴う。すなわち、多量の無機粒子による流動性の減少及び谷間充填時におけるボイドの形成などが問題となる。また、無機粒子を添加することで、材料の粘度が急激に増加する。さらに、半導体構造の微細化により、無機粒子の大きさが減少する傾向にあるが、１μｍ以下のフィラーを使用すると、粘度増加の問題が遥かにひどくなる
。そして、平均粒径の大きい無機粒子を使用すると、樹脂と無機粒子を含む組成物の適用部位に未充填となる頻度が高くなる。一方、有機樹脂と充填剤として繊維を含む組成物を使用する場合も、ＣＴＥは大幅に減少するものの、シリコンチップなどに比べて依然として高いＣＴＥを示す。
【０００６】
上記したように、現在のエポキシ樹脂の複合化技術の限界により、次世代半導体基板及びＰＣＢなどの高集積された高性能の電子部品の製造が制限されている。したがって、従来の熱硬化性高分子複合体の高いＣＴＥ、及びそれによる耐熱特性及び加工性の不足といった問題を克服するために、改善された熱膨張特性、すなわち、低いＣＴＥと高いガラス転移温度特性のエポキシ複合体の開発が求められる。
【０００７】
そこで、本発明者は、耐熱特性、具体的には、熱膨張係数が低くガラス転移温度が高いアルコキシシリル基を有するエポキシ化合物を韓国特許出願第２０１２−９３３２０号などに出願した。しかし、上記エポキシ化合物は、反応性が非常に大きい官能基であるアルコキシシリル基のみからなっており、複合体を形成する際に、粘度が急激に増加することがある。そのため、複合体の形成時に急激な粘度増加を効果的に制御できるエポキシ化合物の開発が求められる。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
本発明の一態様によると、複合体において向上した耐熱特性を示す新規のエポキシ化合物及びそれを含む混合物が提供される。
【０００９】
本発明の他の態様によると、硬化反応の工程性（加工性）に優れた新規のエポキシ化合物及びそれを含む混合物が提供される。
【００１０】
本発明のさらに他の態様によると、複合体において改善された脆性を示す新規のエポキシ化合物及びそれを含む混合物が提供される。
【００１１】
また、本発明のさらに他の態様によると、硬化物において優れた難燃性を示す新規のエポキシ化合物及びそれを含む混合物が提供される。
【００１２】
本発明の他の態様によると、複合体において向上した耐熱特性を示す新規のエポキシ化合物の製造方法が提供される。
【００１３】
本発明のさらに他の態様によると、硬化反応の工程性（加工性）に優れた新規のエポキシ化合物の製造方法が提供される。
【００１４】
さらに、本発明のさらに他の態様によると、複合体において改善された脆性を示す新規のエポキシ化合物の製造方法が提供される。
【００１５】
本発明の他の態様によると、硬化物において優れた難燃性を示す新規のエポキシ化合物の製造方法が提供される。
【００１６】
本発明の他の態様によると、複合体において向上した耐熱特性を示す新規のエポキシ化合物を含む組成物（以下、「エポキシ組成物」という。）が提供される。
【００１７】
本発明のさらに他の態様によると、硬化反応の工程性（加工性）に優れたエポキシ組成物が提供される。
【００１８】
また、本発明のさらに他の態様によると、複合体において改善された脆性を示すエポキシ組成物が提供される。
【００１９】
本発明の他の態様によると、硬化物において優れた難燃性を示すエポキシ組成物が提供される。
【００２０】
本発明の他の態様によると、上記本発明によるエポキシ組成物の硬化物が提供される。
【００２１】
本発明の他の態様によると、上記本発明によるエポキシ組成物の用途が提供される。
【課題を解決するための手段】
【００２２】
第１態様によると、コアに、ｉ）下記式Ｅ１及びＥ２のエポキシ基から選択される少なくとも２つのエポキシ基；ｉｉ）下記式Ａ１〜式Ａ５からなる群から選択される少なくとも１つのアルコキシシリル基；及びｉｉｉ）下記式Ａ６〜Ａ１０からなる群から選択される少なくとも１つの非反応性シリル基、アルケニル基、またはこれらの組み合わせを有するエポキシ化合物が提供される。
また、第１態様のうち好ましいものの１つとして、下記式ＡＣ〜ＯＣからなる群から選択されるコアに、ｉ）下記式Ｅ１及びＥ２のエポキシ基から選択される少なくとも２つのエポキシ基；ｉｉ）下記式Ａ１〜式Ａ５からなる群から選択される少なくとも１つのアルコキシシリル基；ｉｉｉ）下記式Ａ６〜Ａ１０からなる群から選択される少なくとも１つの非反応性シリル基；及びｉｖ）水素を有するエポキシ化合物が提供される。
【００２３】
【化１】
0006423443.tif 000002
【００２４】
【化２】
0006423443.tif 000003
【００２５】
［式Ａ１］
−ＣＲｂＲｃ−ＣＨＲａ−ＣＨ２−ＳｉＲ１Ｒ２Ｒ３
【００２６】
［式Ａ２］
−Ｏ−（ＣＨ２）ｍ＋２−ＳｉＲ１Ｒ２Ｒ３
【００２７】
［式Ａ３］
−Ｏ−ＣＯＮＨ（ＣＨ２）ｍ−ＳｉＲ１Ｒ２Ｒ３
【００２８】
［式Ａ４］
−（ＣＨ２）ｍ＋２−ＳｉＲ１Ｒ２Ｒ３
【００２９】
［式Ａ５］
−ＣＯＮＨ（ＣＨ２）ｍ−ＳｉＲ１Ｒ２Ｒ３
（式Ａ１中、上記Ｒａ、Ｒｂ及びＲｃは、それぞれ独立して、Ｈまたは炭素数１〜６のアルキル基であり、上記式Ａ１〜式Ａ５中、Ｒ１〜Ｒ３のうち少なくとも１つは炭素数１〜６のアルコキシ基であり、残りは炭素数１〜１０のアルキル基であり、上記アルキル基及びアルコキシ基は、直鎖状または分岐鎖状であってもよく、環状または非環状であっても
よく、Ｎ、Ｏ、Ｓ、またはＰヘテロ原子を有しても、有しなくてもよく、ｍは１〜１０の整数である。）
【００３０】
［式Ａ６］
−ＣＲｂＲｃ−ＣＨＲａ−ＣＨ２−ＳｉＲ４Ｒ５Ｒ６
【００３１】
［式Ａ７］
−Ｏ−（ＣＨ２）ｍ＋２−ＳｉＲ４Ｒ５Ｒ６
【００３２】
［式Ａ８］
−Ｏ−ＣＯＮＨ（ＣＨ２）ｍ−ＳｉＲ４Ｒ５Ｒ６
【００３３】
［式Ａ９］
−（ＣＨ２）ｍ＋２−ＳｉＲ４Ｒ５Ｒ６
【００３４】
［式Ａ１０］
−ＣＯＮＨ（ＣＨ２）ｍ−ＳｉＲ４Ｒ５Ｒ６
（上記式Ａ６中、上記Ｒａ、Ｒｂ及びＲｃは、それぞれ独立して、Ｈまたは炭素数１〜６のアルキル基であり、上記式Ａ６〜Ａ１０中、Ｒ４〜Ｒ６は炭素数１〜２０の脂肪族、脂環族、または芳香族である非反応性基であり、上記非反応性基は、直鎖状または分岐鎖状であってもよく、環状または非環状であってもよく、Ｎ、Ｏ、Ｓ、またはＰヘテロ原子を有しても、有しなくてもよく、ｍは１〜１０の整数である。）
【化７５】
0006423443.tif 000004
【化７６】
0006423443.tif 000005
（前記式ＤＣ中、Ｉは−ＣＨ2−、−Ｃ（ＣＨ3）2−、−Ｃ（ＣＦ3）2−、−Ｓ−、−Ｓ
Ｏ2−、
【化７７】
0006423443.tif 000006
であり、
前記式ＨＣ中、Ｊは単一結合（ｄｉｒｅｃｔ  ｌｉｎｋａｇｅ）、−ＣＨ2−または
【化７８】
0006423443.tif 000007
（ＲｘはＨまたはＣ１−Ｃ３アルキル基である。）であり、
前記式ＩＣ中、Ｋは下記式１ａｃ〜１ｆｃからなる群から選択される１つであり、
【化７９】
0006423443.tif 000008
前記式ＬＣ中、Ｌは
【化８０】
0006423443.tif 000009
であり、
【化８１】
0006423443.tif 000010
中、ＲｙはＣ1−Ｃ10の直鎖状または分岐鎖状のアルキル基であり、
前記式ＭＣ中、Ｍは−ＣＨ2−、−Ｃ（ＣＨ3）2−、−Ｃ（ＣＦ3）2−、−Ｓ−、−ＳＯ2−、または
【化８２】
0006423443.tif 000011
であり、
前記式ＩＣ中、Ｋが１ａｃ〜１ｅｃの場合、ｎは３以上の整数であり、
Ｋが１ｆｃの場合、ｎは２以上の整数であり、
前記式ＪＣ中、ｎは２以上の整数であり、
前記式ＫＣ中、ｎは０以上の整数であり、
前記式ＬＣ中、Ｌが
【化８３】
0006423443.tif 000012
の場合、ｎは３以上の整数であり、
Ｌが
【化８４】
0006423443.tif 000013
の場合、ｎは２以上の整数である。）
【００３５】
第２態様によると、第１態様において、上記アルケニル基は、下記式Ａ１１〜式Ａ１３からなる群から選択される、エポキシ化合物が提供される。
【００３６】
［式Ａ１１］
−ＣＲｂＲｃ−ＣＲａ＝ＣＨ２
【００３７】
［式Ａ１２］
−Ｏ−（ＣＨ２）ｍ−ＣＨ＝ＣＨ２
【００３８】
［式Ａ１３］
−（ＣＨ２）ｍ−ＣＨ＝ＣＨ２
（式Ａ１１中、上記Ｒａ、Ｒｂ及びＲｃは、それぞれ独立して、Ｈまたは炭素数１〜６のアルキル基であり、上記アルキル基は、直鎖状または分岐鎖状であってもよく、環状または非環状であってもよく、Ｎ、Ｏ、Ｓ、またはＰヘテロ原子を有しても、有しなくてもよく、式Ａ１２及び式Ａ１３中、ｍは１〜１０の整数である。）
【００３９】
第３態様によると、第１態様において、上記コアは、下記式ＡＣ〜ＯＣからなる群から選択される、エポキシ化合物が提供される。
【００４０】
【化３】
0006423443.tif 000014
【化４】
0006423443.tif 000015
（上記式ＤＣ中、Ｉは−ＣＨ２−、−Ｃ（ＣＨ３）２−、−Ｃ（ＣＦ３）２−、−Ｓ−、−ＳＯ２−、
【化５】
0006423443.tif 000016
上記式ＨＣ中、Ｊは単一結合（ｄｉｒｅｃｔ  ｌｉｎｋａｇｅ）、−ＣＨ２−または
【化６】
0006423443.tif 000017
（ＲｘはＨまたはＣ１−Ｃ３アルキル基である。）であり、
上記式ＩＣ中、Ｋは下記式１ａｃ〜１ｆｃからなる群から選択される１つであり、
【化７】
0006423443.tif 000018
上記式ＬＣ中、Ｌは
【化８】
0006423443.tif 000019
であり、
【化９】
0006423443.tif 000020
中、ＲｙはＣ１−Ｃ１０の直鎖状または分岐鎖状のアルキル基であり、
上記式ＭＣ中、Ｍは−ＣＨ２−、−Ｃ（ＣＨ３）２−、−Ｃ（ＣＦ３）２−、−Ｓ−、−ＳＯ２−、または
【化１０】
0006423443.tif 000021
であり、
上記式ＩＣ中、Ｋが１ａｃ〜１ｅｃの場合、ｎは３以上の整数であり、
Ｋが１ｆｃの場合、ｎは２以上の整数であり、
上記式ＪＣ中、ｎは２以上の整数であり、
上記式ＫＣ中、ｎは０以上の整数であり、
上記式ＬＣ中、Ｌが
【化１１】
0006423443.tif 000022
の場合、ｎは３以上の整数であり、
Ｌが
【化１２】
0006423443.tif 000023
の場合、ｎは２以上の整数である。）
【００４１】
第４態様によると、第３態様において、上記式ＡＣ〜ＨＣ及びＭＣ〜ＯＣから選択される同一のコアが２以上の場合、上記式ＡＣ〜ＨＣのコアは下記連結基ＬＧ１で連結され、上記式ＭＣ〜ＯＣのコアは下記連結基ＬＧ２で連結される、エポキシ化合物が提供される。
【００４２】
【化１３】
0006423443.tif 000024
【００４３】
【化１４】
0006423443.tif 000025
【００４４】
第５態様によると、第１態様において、上記エポキシ化合物は、下記式ＡＦ〜ＯＦのうち
何れか１つである、エポキシ化合物が提供される。
【００４５】
【化７５】
0006423443.tif 000026
【化７６】
0006423443.tif 000027
（上記式ＡＦ〜ＦＦの置換基Ａのうち少なくとも２つは下記式Ｅ１及び式Ｅ２から選択され、少なくとも１つは下記式Ａ１〜式Ａ３からなる群から選択され、少なくとも１つは上記式Ａ６〜式Ａ８、式Ａ１１、及び式Ａ１２からなる群から独立して選択され、残りは水素であり、
上記式ＧＦ〜ＬＦの置換基Ａのうち少なくとも２つは下記式Ｅ１であり、少なくとも１つは下記式Ａ２または式Ａ３であり、少なくとも１つは下記式Ａ７、下記式Ａ８、及び下記式Ａ１２からなる群から独立して選択され、残りは水素であり、
上記式ＭＦ〜ＯＦの置換基Ａのうち少なくとも２つは下記式Ｅ２であり、少なくとも１つは下記式Ａ４及び下記式Ａ５から選択され、少なくとも１つは下記式Ａ９、下記式Ａ１０、及び下記式Ａ１３からなる群から独立して選択され、残りは水素であり、
上記式ＤＦ中、Ｉは−ＣＨ２−、−Ｃ（ＣＨ３）２−、−Ｃ（ＣＦ３）２−、−Ｓ−、−ＳＯ２−、
【化７７】
0006423443.tif 000028
であり、
上記式ＨＦ中、Ｊは単一結合（ｄｉｒｅｃｔ  ｌｉｎｋａｇｅ）、−ＣＨ２−または
【化７８】
0006423443.tif 000029
（ＲｘはＨまたはＣ１−Ｃ３アルキル基である。）であり、
上記式ＩＦ中、Ｋは下記式１Ａ〜１Ｆからなる群から選択される１つであり、
【化７９】
0006423443.tif 000030
上記式ＬＦ中、Ｌは
【化８０】
0006423443.tif 000031
であり、
上記
【化８１】
0006423443.tif 000032
中、ＲｙはＣ１−Ｃ１０の直鎖状または分岐鎖状のアルキル基であり、
上記式ＭＦ中、Ｍは−ＣＨ２−、−Ｃ（ＣＨ３）２−、−Ｃ（ＣＦ３）２−、−Ｓ−、−ＳＯ２−、または
【化８２】
0006423443.tif 000033
であり、ＲはＨまたはＣ１−Ｃ３アルキルであり、
上記式ＩＦ中、Ｋが１Ａ〜１Ｅの場合、ｎは３以上の整数であり、
Ｋが１Ｆの場合、ｎは２以上の整数であり、
上記式ＪＦ中、ｎは２以上の整数であり、
上記式ＫＦ中、ｎは０以上の整数であり、
上記式ＬＦ中、Ｌが
【化８３】
0006423443.tif 000034
の場合、ｎは３以上の整数であり、
Ｌが
【化８４】
0006423443.tif 000035
の場合、ｎは２以上の整数であり、
上記式ＬＦ中、ｐは１または２である。
【００４６】
【化２５】
0006423443.tif 000036
【００４７】
【化２６】
0006423443.tif 000037
【００４８】
［式Ａ１］
−ＣＲｂＲｃ−ＣＨＲａ−ＣＨ２−ＳｉＲ１Ｒ２Ｒ３
【００４９】
［式Ａ２］
−Ｏ−（ＣＨ２）ｍ＋２−ＳｉＲ１Ｒ２Ｒ３
【００５０】
［式Ａ３］
−Ｏ−ＣＯＮＨ（ＣＨ２）ｍ−ＳｉＲ１Ｒ２Ｒ３
【００５１】
［式Ａ４］
−（ＣＨ２）ｍ＋２−ＳｉＲ１Ｒ２Ｒ３
【００５２】
［式Ａ５］
−ＣＯＮＨ（ＣＨ２）ｍ−ＳｉＲ１Ｒ２Ｒ３
（式Ａ１中、上記Ｒａ、Ｒｂ及びＲｃは、それぞれ独立して、Ｈまたは炭素数１〜６のアルキル基であり、上記式Ａ１〜式Ａ５中、Ｒ１〜Ｒ３のうち少なくとも１つは炭素数１〜６のアルコキシ基であり、残りは炭素数１〜１０のアルキル基であり、上記アルキル基及びアルコキシ基は、直鎖状または分岐鎖状であってもよく、環状または非環状であってもよく、Ｎ、Ｏ、Ｓ、またはＰヘテロ原子を有しても、有しなくてもよく、ｍは１〜１０の整数である。）
【００５３】
［式Ａ６］
−ＣＲｂＲｃ−ＣＨＲａ−ＣＨ２−ＳｉＲ４Ｒ５Ｒ６
【００５４】
［式Ａ７］
−Ｏ−（ＣＨ２）ｍ＋２−ＳｉＲ４Ｒ５Ｒ６
【００５５】
［式Ａ８］
−Ｏ−ＣＯＮＨ（ＣＨ２）ｍ−ＳｉＲ４Ｒ５Ｒ６
【００５６】
［式Ａ９］
−（ＣＨ２）ｍ＋２−ＳｉＲ４Ｒ５Ｒ６
【００５７】
［式Ａ１０］
−ＣＯＮＨ（ＣＨ２）ｍ−ＳｉＲ４Ｒ５Ｒ６
（上記式Ａ６中、上記Ｒａ、Ｒｂ及びＲｃは、それぞれ独立して、Ｈまたは炭素数１〜６のアルキル基であり、上記式Ａ６〜Ａ１０中、Ｒ４〜Ｒ６は炭素数１〜２０の脂肪族、脂環族、または芳香族である非反応性基であり、上記非反応性基は、直鎖状または分岐鎖状であってもよく、環状または非環状であってもよく、Ｎ、Ｏ、Ｓ、またはＰヘテロ原子を有しても、有しなくてもよく、ｍは１〜１０の整数である。）
【００５８】
［式Ａ１１］
−ＣＲｂＲｃ−ＣＲａ＝ＣＨ２
【００５９】
［式Ａ１２］
−Ｏ−（ＣＨ２）ｍ−ＣＨ＝ＣＨ２
【００６０】
［式Ａ１３］
−（ＣＨ２）ｍ−ＣＨ＝ＣＨ２
（式Ａ１１中、上記Ｒａ、Ｒｂ及びＲｃは、それぞれ独立して、Ｈまたは炭素数１〜６のアルキル基であり、上記アルキル基は、直鎖状または分岐鎖状であってもよく、環状または非環状であってもよく、Ｎ、Ｏ、Ｓ、またはＰヘテロ原子を有しても、有しなくてもよく、式Ａ１２及び式Ａ１３中、ｍは１〜１０の整数である。）
【００６１】
第６態様によると、第１態様において、上記エポキシ化合物は、コアに、ｉ）下記式Ｅ１で表される少なくとも２つのエポキシ基
【化２７】
0006423443.tif 000038
ｉｉ）下記式Ａ１で表される少なくとも１つのアルコキシシリル基
［式Ａ１］
−ＣＲｂＲｃ−ＣＨＲａ−ＣＨ２−ＳｉＲ１Ｒ２Ｒ３
（式Ａ１中、上記Ｒａ、Ｒｂ及びＲｃは、それぞれ独立して、Ｈまたは炭素数１〜６のアルキル基であり、Ｒ１〜Ｒ３のうち少なくとも１つは炭素数１〜６のアルコキシ基であり、残りは炭素数１〜１０のアルキル基であり、上記アルキル基及びアルコキシ基は、直鎖状または分岐鎖状であってもよく、環状または非環状であってもよく、Ｎ、Ｏ、Ｓ、またはＰヘテロ原子を有しても、有しなくてもよく、ｍは１〜１０の整数である。）；及び
ｉｉｉ）下記式Ａ１１で表される少なくとも１つのアルケニル基
［式Ａ１１］
−ＣＲｂＲｃ−ＣＲａ＝ＣＨ２
（式Ａ１１中、上記Ｒａ、Ｒｂ及びＲｃは、それぞれ独立して、Ｈまたは炭素数１〜６のアルキル基であり、上記アルキル基は、直鎖状または分岐鎖状であってもよく、環状または非環状であってもよく、Ｎ、Ｏ、Ｓ、またはＰヘテロ原子を有しても、有しなくてもよい。）を有する、エポキシ化合物が提供される。
【００６２】
第７態様によると、第１態様において、上記式Ａ１〜式Ａ５で表されるアルコキシシリル基においてＲ１〜Ｒ３のうち少なくとも１つは炭素数２〜４のアルコキシ基である、エポキシ化合物が提供される。
【００６３】
第８態様によると、第１態様において、上記式Ａ１〜式Ａ５で表されるアルコキシシリル基においてＲ１〜Ｒ３はエトキシ基である、エポキシ化合物が提供される。
【００６４】
第９態様によると、第１態様において、上記式Ａ１〜式Ａ５で表されるアルコキシシリル基においてＲ１〜Ｒ３が何れもメトキシ基である場合、少なくとも１つのアルケニル基を含む、エポキシ化合物が提供される。
【００６５】
第１０態様によると、第１態様〜第９態様のうち何れか１つのエポキシ化合物を含み、上記エポキシ化合物が非反応性シリル基を含む場合、上記アルコキシシリル基：上記非反応性シリル基の割合は１：９９〜９９：１である、エポキシ化合物の混合物が提供される。
【００６６】
第１１態様によると、白金触媒及び任意の溶媒の存在下で、下記式ＡＳ１〜ＯＳ１のうち何れか１つの出発物質と下記式ＡＳ５のアルコキシシラン、または、上記出発物質とＡＳ５のアルコキシシラン及び下記式ＡＳ６の非反応性シランを反応させる、下記式ＡＦ〜ＯＦのうち何れか１つのエポキシ化合物の製造方法が提供される。
【００６７】
［式ＡＳ５］
ＨＳｉＲ１Ｒ２Ｒ３
（上記式ＡＳ５中、Ｒ１〜Ｒ３のうち少なくとも１つはＣ１−Ｃ６アルコキシ基、好ましくはエトキシ基であり、残りはＣ１−Ｃ１０アルキル基であり、上記アルコキシ基及びアルキル基は、直鎖状または分岐鎖状であってもよく、環状または非環状であってもよく、Ｎ、Ｏ、Ｓ、またはＰヘテロ原子を有しても、有しなくてもよい。）
【００６８】
［式ＡＳ６］
ＨＳｉＲ４Ｒ５Ｒ６
（上記式ＡＳ６中、Ｒ４〜Ｒ６は炭素数１〜２０の脂肪族、脂環族、または芳香族である非反応性基であり、上記非反応性基は、直鎖状または分岐鎖状であってもよく、環状または非環状であってもよく、Ｎ、Ｏ、Ｓ、またはＰヘテロ原子を有しても、有しなくてもよい。）
【００６９】
【化２８】
0006423443.tif 000039
【化２９】
0006423443.tif 000040
（上記式ＡＳ１〜ＦＳ１の多数の置換基ａ１のうち少なくとも２つは下記式Ｅ１または式Ｅ２であり、少なくとも２つは下記式Ａ１１またはＡ１２であり、残りは水素であってもよく、
上記式ＧＳ１〜ＬＳ１の置換基ａ１のうち少なくとも２つは下記式Ｅ１であり、少なくとも２つは下記式Ａ１２であり、残りは水素であってもよく、
上記式ＭＳ１〜ＯＳ１の置換基ａ１のうち少なくとも２つは上記式Ｅ２であり、残りは上記式Ａ１３であり、
上記式ＤＳ１中、Ｉは−ＣＨ２−、−Ｃ（ＣＨ３）２−、−Ｃ（ＣＦ３）２−、−Ｓ−、−ＳＯ２−、
【化３０】
0006423443.tif 000041
であり、
上記式ＨＳ１中、Ｊは単一結合（ｄｉｒｅｃｔ  ｌｉｎｋａｇｅ）、−ＣＨ２−または
【化３１】
0006423443.tif 000042
（ＲｘはＨまたはＣ１−Ｃ３アルキル基である。）であり、
上記式ＩＳ１中、Ｋは下記式１ａ１〜１ｆ１からなる群から選択される１つであり、
【化３２】
0006423443.tif 000043
上記式ＬＳ１中、Ｌは
【化３３】
0006423443.tif 000044
であり、
【化３４】
0006423443.tif 000045
中、ＲｙはＣ１−Ｃ１０の直鎖状または分岐鎖状のアルキル基であり、
上記式ＭＳ１中、Ｍは−ＣＨ２−、−Ｃ（ＣＨ３）２−、−Ｃ（ＣＦ３）２−、−Ｓ−、−ＳＯ２−、または
【化３５】
0006423443.tif 000046
であり、ＲはＨまたはＣ１−Ｃ３アルキルであり、
上記式ＩＳ１中、Ｋが１ａ１〜１ｅ１の場合、ｎは３以上の整数であり、
Ｋが１ｆ１の場合、ｎは２以上の整数であり、
上記式ＪＳ１中、ｎは２以上の整数であり、
上記式ＫＳ１中、ｎは０以上の整数であり、
上記式ＬＳ１中、Ｌが
【化３６】
0006423443.tif 000047
の場合、ｎは３以上の整数であり、
Ｌが
【化３７】
0006423443.tif 000048
の場合、ｎは２以上の整数であり、
上記式ＬＳ１中、ｐは１または２である。
【００７０】
【化３８】
0006423443.tif 000049
【００７１】
【化３９】
0006423443.tif 000050
【００７２】
［式Ａ１１］
−ＣＲｂＲｃ−ＣＲａ＝ＣＨ２
【００７３】
［式Ａ１２］
−Ｏ−（ＣＨ２）ｍ−ＣＨ＝ＣＨ２
【００７４】
［式Ａ１３］
−（ＣＨ２）ｍ−ＣＨ＝ＣＨ２
（式Ａ１１中、上記Ｒａ、Ｒｂ及びＲｃは、それぞれ独立して、Ｈまたは炭素数１〜６のアルキル基であり、上記アルキル基は、直鎖状または分岐鎖状であってもよく、環状または非環状であってもよく、Ｎ、Ｏ、Ｓ、またはＰヘテロ原子を有しても、有しなくてもよく、式Ａ１２及び式Ａ１３中、ｍは１〜１０の整数である。）
【００７５】
【化８５】
0006423443.tif 000051
【化８６】
0006423443.tif 000052
（上記式ＡＦ〜ＦＦの置換基Ａのうち少なくとも２つは下記式Ｅ１または式Ｅ２であり、少なくとも１つは下記式Ａ１及び式Ａ２からなる群から選択され、少なくとも１つは下記式Ａ６、式Ａ７、下記式Ａ１１、及び式Ａ１２からなる群から独立して選択され、残りは水素であり、
上記式ＧＦ〜ＬＦの置換基Ａのうち少なくとも２つは下記式Ｅ１であり、少なくとも１つは下記式Ａ２であり、少なくとも１つは下記式Ａ７及び下記式Ａ１２からなる群から独立して選択され、残りは水素であり、
上記式ＭＦ〜ＯＦの置換基Ａのうち少なくとも２つは下記式Ｅ２であり、少なくとも１つは下記式Ａ４であり、少なくとも１つは下記式Ａ９及び下記式Ａ１３からなる群から独立して選択され、残りは水素であり、
上記式ＤＦ中、Ｉは−ＣＨ２−、−Ｃ（ＣＨ３）２−、−Ｃ（ＣＦ３）２−、−Ｓ−、−ＳＯ２−、
【化８７】
0006423443.tif 000053
であり、
上記式ＨＦ中、Ｊは単一結合（ｄｉｒｅｃｔ  ｌｉｎｋａｇｅ）、−ＣＨ２−または
【化８８】
0006423443.tif 000054
（ＲｘはＨまたはＣ１−Ｃ３アルキル基である。）であり、
上記式ＩＦ中、Ｋは下記式１Ａ〜１Ｆからなる群から選択される１つであり、
【化８９】
0006423443.tif 000055
上記式ＬＦ中、Ｌは
【化９０】
0006423443.tif 000056
であり、
【化９１】
0006423443.tif 000057
中、ＲｙはＣ１−Ｃ１０の直鎖状または分岐鎖状のアルキル基であり、
上記式ＭＦ中、Ｍは−ＣＨ２−、−Ｃ（ＣＨ３）２−、−Ｃ（ＣＦ３）２−、−Ｓ−、−ＳＯ２−、または
【化９２】
0006423443.tif 000058
であり、ＲはＨまたはＣ１−Ｃ３アルキルであり、
上記式ＩＦ中、Ｋが１Ａ〜１Ｅの場合、ｎは３以上の整数であり、
Ｋが１Ｆの場合、ｎは２以上の整数であり、
上記式ＪＦ中、ｎは２以上の整数であり、
上記式ＫＦ中、ｎは０以上の整数であり、
上記式ＬＦ中、Ｌが
【化９３】
0006423443.tif 000059
の場合、ｎは３以上の整数であり、
Ｌが
【化９４】
0006423443.tif 000060
の場合、ｎは２以上の整数であり、
上記式ＬＦ中、ｐは１または２である。
【００７６】
【化５０】
0006423443.tif 000061
【００７７】
【化５１】
0006423443.tif 000062
【００７８】
［式Ａ１］
−ＣＲｂＲｃ−ＣＨＲａ−ＣＨ２−ＳｉＲ１Ｒ２Ｒ３
【００７９】
［式Ａ２］
−Ｏ−（ＣＨ２）ｍ＋２−ＳｉＲ１Ｒ２Ｒ３
【００８０】
［式Ａ４］
−（ＣＨ２）ｍ＋２−ＳｉＲ１Ｒ２Ｒ３
（式Ａ１中、上記Ｒａ、Ｒｂ及びＲｃは、それぞれ独立して、Ｈまたは炭素数１〜６のアルキル基であり、上記式Ａ１、式Ａ２及び式Ａ４中、Ｒ１〜Ｒ３のうち少なくとも１つは炭素数１〜６のアルコキシ基であり、残りは炭素数１〜１０のアルキル基であり、上記アルキル基及びアルコキシ基は、直鎖状または分岐鎖状であってもよく、環状または非環状であってもよく、Ｎ、Ｏ、Ｓ、またはＰヘテロ原子を有しても、有しなくてもよく、ｍは１〜１０の整数である。）
【００８１】
［式Ａ６］
−ＣＲｂＲｃ−ＣＨＲａ−ＣＨ２−ＳｉＲ４Ｒ５Ｒ６
【００８２】
［式Ａ７］
−Ｏ−（ＣＨ２）ｍ＋２−ＳｉＲ４Ｒ５Ｒ６
【００８３】
［式Ａ９］
−（ＣＨ２）ｍ＋２−ＳｉＲ４Ｒ５Ｒ６
（上記式Ａ６中、上記Ｒａ、Ｒｂ及びＲｃは、それぞれ独立して、Ｈまたは炭素数１〜６のアルキル基であり、上記式Ａ６、式Ａ７、及び式Ａ９中、Ｒ４〜Ｒ６は炭素数１〜２０の脂肪族、脂環族、または芳香族である非反応性基であり、上記非反応性基は、直鎖状または分岐鎖状であってもよく、環状または非環状であってもよく、Ｎ、Ｏ、Ｓ、またはＰヘテロ原子を有しても、有しなくてもよく、ｍは１〜１０の整数である。）
【００８４】
［式Ａ１１］
−ＣＲｂＲｃ−ＣＲａ＝ＣＨ２
【００８５】
［式Ａ１２］
−Ｏ−（ＣＨ２）ｍ−ＣＨ＝ＣＨ２
［式Ａ１３］
−（ＣＨ２）ｍ−ＣＨ＝ＣＨ２
（式Ａ１１中、上記Ｒａ、Ｒｂ及びＲｃは、それぞれ独立して、Ｈまたは炭素数１〜６のアルキル基であり、上記アルキル基は、直鎖状または分岐鎖状であってもよく、環状または非環状であってもよく、Ｎ、Ｏ、Ｓ、またはＰヘテロ原子を有しても、有しなくてもよく、式Ａ１２及び式Ａ１３中、ｍは１〜１０の整数である。）
【００８６】
第１２態様によると、第１１態様において、上記出発物質のアルケニル基１当量に対して上記式ＡＳ５のアルコキシシランが０．１当量〜５当量となるように、出発物質と上記式ＡＳ５のアルコキシシランを反応させるエポキシ化合物の製造方法が提供される。
【００８７】
第１３態様によると、第１１態様において、上記式ＡＳ５のアルコキシシランのＲ１〜Ｒ３が何れもメトキシである場合、上記出発物質のアルケニル基１当量に対して上記式ＡＳ５のアルコキシシランが０．１当量以上１当量未満となるように反応させるエポキシ化合物の製造方法が提供される。
【００８８】
第１４態様によると、第１態様において、任意の溶媒の存在下で、下記式ＡＳ２〜ＯＳ２のうち何れか１つの出発物質と下記式ＡＳ３のアルコキシシラン、または、上記出発物質とＡＳ３のアルコキシシラン及び下記式ＡＳ４の非反応性シランを反応させる、下記式ＡＦ〜ＯＦのうち何れか１つのエポキシ化合物の製造方法が提供される。
【００８９】
［式ＡＳ３］
ＯＣＮ−（ＣＨ２）ｍ−ＳｉＲ１Ｒ２Ｒ３
（上記式ＡＳ３中、Ｒ１〜Ｒ３のうち少なくとも１つはＣ１−Ｃ６アルコキシ基、好ましくはエトキシ基であり、残りはＣ１−Ｃ１０アルキル基であり、上記アルコキシ基及びアルキル基は、直鎖状または分岐鎖状であってもよく、環状または非環状であってもよく、Ｎ、Ｏ、Ｓ、またはＰヘテロ原子を有しても、有しなくてもよい。ｍは１〜１０の整数、好ましくは３〜６の整数である。）
【００９０】
［式ＡＳ４］
ＯＣＮ−（ＣＨ２）ｍ−ＳｉＲ４Ｒ５Ｒ６
（上記式ＡＳ４中、Ｒ４〜Ｒ６は炭素数１〜２０の脂肪族、脂環族、または芳香族である非反応性基であり、上記非反応性基は、直鎖状または分岐鎖状であってもよく、環状または非環状であってもよく、Ｎ、Ｏ、Ｓ、またはＰヘテロ原子を有しても、有しなくてもよい。ｍは１〜１０の整数、好ましくは３〜６の整数である。）
【００９１】
【化５２】
0006423443.tif 000063
【化５３】
0006423443.tif 000064
（上記式ＡＳ２〜ＦＳ２の置換基ａ２のうち少なくとも２つは下記式Ｅ２であり、少なくとも２つはヒドロキシ基であり、残りは水素及び下記式Ａ１１からなる群からそれぞれ独立して選択されてよく、
上記式ＧＳ２〜ＬＳ２の置換基ａ２のうち少なくとも２つは上記式Ｅ１であり、少なくとも２つはヒドロキシ基であり、残りは水素であってよく、
上記式ＭＳ２〜ＯＳ２の置換基ａ２のうち少なくとも２つは上記式Ｅ２であり、残りは水素であり、
上記式ＤＳ２中、Ｉは−ＣＨ２−、−Ｃ（ＣＨ３）２−、−Ｃ（ＣＦ３）２−、−Ｓ−、−ＳＯ２−、
【化５４】
0006423443.tif 000065
であり、
上記式ＨＳ２中、Ｊは単一結合（ｄｉｒｅｃｔ  ｌｉｎｋａｇｅ）、−ＣＨ２−または
【化５５】
0006423443.tif 000066
（ＲｘはＨまたはＣ１−Ｃ３アルキル基である。）であり、
上記式ＩＳ２中、Ｋは下記式１ａ２〜１ｆ２からなる群から選択される１つであり、
【化５６】
0006423443.tif 000067
上記式ＬＳ２中、Ｌは
【化５７】
0006423443.tif 000068
であり、
【化５８】
0006423443.tif 000069
中、ＲｙはＣ１−Ｃ１０の直鎖状または分岐鎖状のアルキル基であり、
上記式ＭＳ２中、Ｍは−ＣＨ２−、−Ｃ（ＣＨ３）２−、−Ｃ（ＣＦ３）２−、−Ｓ−、−ＳＯ２−、または
【化５９】
0006423443.tif 000070
であり、ＲはＨまたはＣ１−Ｃ３アルキルであり、
上記式ＩＳ２中、Ｋが２ａ〜２ｅの場合、ｎは３以上の整数であり、
Ｋが２ｆの場合、ｎは２以上の整数であり、
上記式ＪＳ２中、ｎは２以上の整数であり、
上記式ＫＳ２中、ｎは０以上の整数であり、
上記式ＬＳ２中、Ｌが
【化６０】
0006423443.tif 000071
の場合、ｎは３以上の整数であり、
Ｌが
【化６１】
0006423443.tif 000072
の場合、ｎは２以上の整数であり、
上記式ＬＳ２中、ｐは１または２である。）
【００９２】
【化６２】
0006423443.tif 000073
【００９３】
【化６３】
0006423443.tif 000074
【００９４】
［式Ａ１１］
−ＣＲｂＲｃ−ＣＲａ＝ＣＨ２
（式Ａ１１中、上記Ｒａ、Ｒｂ及びＲｃは、それぞれ独立して、Ｈまたは炭素数１〜６のアルキル基であり、上記アルキル基は、直鎖状または分岐鎖状であってもよく、環状または非環状であってもよく、Ｎ、Ｏ、Ｓ、またはＰヘテロ原子を有しても、有しなくてもよい。）
【００９５】
【化９５】
0006423443.tif 000075
【化９６】
0006423443.tif 000076
（上記式ＡＦ〜ＦＦの置換基Ａのうち少なくとも２つは下記式Ｅ２であり、少なくとも１つは下記式Ａ３であり、少なくとも１つは上記式Ａ８及び下記式Ａ１１からそれぞれ独立して選択され、残りは水素であり、
上記式ＧＦ〜ＬＦの置換基Ａのうち少なくとも２つは下記式Ｅ１であり、少なくとも１つは下記式Ａ３であり、少なくとも１つは下記式Ａ８であり、残りは水素であり、
上記式ＭＦ〜ＯＦの置換基Ａのうち少なくとも２つは下記式Ｅ２であり、少なくとも１つは下記式Ａ５であり、少なくとも１つは下記式Ａ１０であり、残りは水素であり、
上記式ＤＦ中、Ｉは−ＣＨ２−、−Ｃ（ＣＨ３）２−、−Ｃ（ＣＦ３）２−、−Ｓ−、−ＳＯ２−、
【化９７】
0006423443.tif 000077
であり、
上記式ＨＦ中、Ｊは単一結合（ｄｉｒｅｃｔ  ｌｉｎｋａｇｅ）、−ＣＨ２−または
【化９８】
0006423443.tif 000078
（ＲｘはＨまたはＣ１−Ｃ３アルキル基である。）であり、
上記式ＩＦ中、Ｋは下記式１Ａ〜１Ｆからなる群から選択される１つであり、
【化９９】
0006423443.tif 000079
上記式ＬＦ中、Ｌは
【化１００】
0006423443.tif 000080
であり、
【化１０１】
0006423443.tif 000081
中、ＲｙはＣ１−Ｃ１０の直鎖状または分岐鎖状のアルキル基であり、
上記式ＭＦ中、Ｍは−ＣＨ２−、−Ｃ（ＣＨ３）２−、−Ｃ（ＣＦ３）２−、−Ｓ−、−ＳＯ２−、または
【化１０２】
0006423443.tif 000082
であり、ＲはＨまたはＣ１−Ｃ３アルキルであり、
上記式ＩＦ中、Ｋが１Ａ〜１Ｅの場合、ｎは３以上の整数であり、
Ｋが１Ｆの場合、ｎは２以上の整数であり、
上記式ＪＦ中、ｎは２以上の整数であり、
上記式ＫＦ中、ｎは０以上の整数であり、
上記式ＬＦ中、Ｌが
【化１０３】
0006423443.tif 000083
の場合、ｎは３以上の整数であり、
Ｌが
【化１０４】
0006423443.tif 000084
の場合、ｎは２以上の整数であり、
上記式ＬＦ中、ｐは１または２である。
【００９６】
【化７４】
0006423443.tif 000085
【００９７】
【化７５】
0006423443.tif 000086
【００９８】
［式Ａ３］
−Ｏ−ＣＯＮＨ（ＣＨ２）ｍ−ＳｉＲ１Ｒ２Ｒ３
【００９９】
［式Ａ５］
−ＣＯＮＨ（ＣＨ２）ｍ−ＳｉＲ１Ｒ２Ｒ３
（上記式Ａ３及び式Ａ５中、Ｒ１〜Ｒ３のうち少なくとも１つは炭素数１〜６のアルコキシ基であり、残りは炭素数１〜１０のアルキル基であり、上記アルキル基及びアルコキシ基は、直鎖状または分岐鎖状であってもよく、環状または非環状であってもよく、Ｎ、Ｏ、Ｓ、またはＰヘテロ原子を有しても、有しなくてもよく、ｍは１〜１０の整数である。）
【０１００】
［式Ａ８］
−Ｏ−ＣＯＮＨ（ＣＨ２）ｍ−ＳｉＲ４Ｒ５Ｒ６
【０１０１】
［式Ａ１０］
−ＣＯＮＨ（ＣＨ２）ｍ−ＳｉＲ４Ｒ５Ｒ６
（上記式Ａ８及びＡ１０中、Ｒ４〜Ｒ６は炭素数１〜２０の脂肪族、脂環族、または芳香族である非反応性基であり、上記非反応性基は、直鎖状または分岐鎖状であってもよく、環状または非環状であってもよく、Ｎ、Ｏ、Ｓ、またはＰヘテロ原子を有しても、有しなくてもよく、ｍは１〜１０の整数である。）
【０１０２】
［式Ａ１１］
−ＣＲｂＲｃ−ＣＲａ＝ＣＨ２
（式Ａ１１中、上記Ｒａ、Ｒｂ及びＲｃは、それぞれ独立して、Ｈまたは炭素数１〜６のアルキル基であり、上記アルキル基は、直鎖状または分岐鎖状であってもよく、環状または非環状であってもよく、Ｎ、Ｏ、Ｓ、またはＰヘテロ原子を有しても、有しなくてもよい。）
【０１０３】
第１５態様によると、第１４態様において、上記出発物質のヒドロキシ基またはアミン基１当量に対して上記式ＡＳ３のアルコキシシランが０．１当量〜５当量となるように、出発物質と式ＡＳ３のアルコキシシランを反応させるエポキシ化合物の製造方法が提供される。
【０１０４】
第１６態様によると、第１４態様において、上記式ＡＳ３のアルコキシシランのＲ１〜Ｒ３が何れもメトキシである場合、上記出発物質のヒドロキシ基またはアミン基１当量に対
して上記式ＡＳ３のアルコキシシランが０．１当量以上１当量未満となるように反応させるエポキシ化合物の製造方法が提供される。
【０１０５】
第１７態様によると、第１態様〜第９態様のうち何れか１つのエポキシ化合物を含むエポキシ組成物が提供される。
【０１０６】
第１８態様によると、第１０態様のエポキシ混合物を含むエポキシ組成物が提供される。
【０１０７】
第１９態様によると、第１７態様〜第１８態様において、グリシジルエーテル系エポキシ化合物、グリシジル系エポキシ化合物、グリシジルアミン系エポキシ化合物、グリシジルエステル系エポキシ化合物、ゴム改質（ゴム変性）されたエポキシ化合物、脂肪族ポリグリシジル系エポキシ化合物、及び脂肪族グリシジルアミン系エポキシ化合物からなる群から選択される少なくとも１種のエポキシ化合物をさらに含むエポキシ組成物が提供される。
【０１０８】
第２０態様によると、第１９態様において、上記エポキシ化合物は、コア構造として、ビスフェノール、ビフェニル、ナフタレン、ベンゼン、チオジフェノール、フルオレン（ｆｌｕｏｒｅｎｅ）、アントラセン、イソシアヌレート、トリフェニルメタン、１，１，２，２−テトラフェニルエタン、テトラフェニルメタン、４，４’−ジアミノジフェニルメタン、アミノフェノール、脂環族、脂肪族、またはノボラックユニットを有するエポキシ組成物が提供される。
【０１０９】
第２１態様によると、第１９態様において、エポキシ化合物の総重量を基準として、上記アルコキシシリル基を有するエポキシ化合物１０〜１００ｗｔ％及びグリシジルエーテル系エポキシ化合物、グリシジル系エポキシ化合物、グリシジルアミン系エポキシ化合物、グリシジルエステル系エポキシ化合物、ゴム改質（ゴム変性）されたエポキシ化合物、脂肪族ポリグリシジル系エポキシ化合物、及び脂肪族グリシジルアミン系エポキシ化合物からなる群から選択される少なくとも１種のエポキシ化合物０ｗｔ％〜９０ｗｔ％を含むエポキシ組成物が提供される。
【０１１０】
第２２態様によると、第１７態様〜第２１態様のうち何れか１つにおいて、無機粒子または繊維からなる群から選択される少なくとも１種の充填剤をさらに含むエポキシ組成物が提供される。
【０１１１】
第２３態様によると、第２２態様において、上記無機粒子は、シリカ、ジルコニア、チタニア、アルミナ、窒化ケイ素、及び窒化アルミニウムからなる群から選択される少なくとも１種の金属酸化物、及びシルセスキオキサンからなる群から選択される少なくとも１種であるエポキシ組成物が提供される。
【０１１２】
第２４態様によると、第２２態様において、上記繊維は、Ｅガラス繊維、Ｔガラス繊維、Ｓガラス繊維、ＮＥガラス繊維、Ｈガラス繊維、及び石英からなる群から選択されるガラス繊維、及び液晶ポリエステル繊維、ポリエチレンテレフタレート繊維、全芳香族繊維、ポリベンゾオキサゾール繊維、ナイロン繊維、ポリエチレンナフタレート繊維、ポリプロピレン繊維、ポリエーテルスルホン繊維、ポリビニリデンフルオライド繊維、ポリエチレンスルフィド繊維、及びポリエーテルエーテルケトン繊維からなる群から選択される有機繊維からなる群から選択される少なくとも１種であるエポキシ組成物が提供される。
【０１１３】
第２５態様によると、第２２態様において、繊維を含む場合、無機粒子をさらに含むエポキシ組成物が提供される。
【０１１４】
第２６態様によると、第１７態様〜第２５態様のうち何れか１つのエポキシ組成物を含む電子材料が提供される。
【０１１５】
第２７態様によると、第１７態様〜第２５態様のうち何れか１つのエポキシ組成物を含む基板が提供される。
【０１１６】
第２８態様によると、第１７態様〜第２５態様のうち何れか１つのエポキシ組成物を含むフィルムが提供される。
【０１１７】
第２９態様によると、第１７態様〜第２５態様のうち何れか１つのエポキシ組成物からなる基材層上に金属層を含む積層板が提供される。
【０１１８】
第３０態様によると、第２９態様の積層板を含む印刷配線板（プリント配線板）が提供される。
【０１１９】
第３１態様によると、第３０態様の印刷配線板（プリント配線板）を含む半導体装置が提供される。
【０１２０】
第３２態様によると、第１７態様〜第２５態様のうち何れか１つのエポキシ組成物を含む半導体パッケージング材料が提供される。
【０１２１】
第３３態様によると、第３２態様の半導体パッケージング材料を含む半導体装置が提供される。
【０１２２】
第３４態様によると、第１７態様〜第２５態様のうち何れか１つのエポキシ組成物を含む接着剤が提供される。
【０１２３】
第３５態様によると、第１７態様〜第２５態様のうち何れか１つのエポキシ組成物を含む塗料が提供される。
【０１２４】
第３６態様によると、第１７態様〜第２５態様のうち何れか１つのエポキシ組成物を含む複合材料が提供される。
【０１２５】
第３７態様によると、第１７態様〜第２５態様のうち何れか１つのエポキシ組成物を含むプリプレグが提供される。
【０１２６】
第３８態様によると、第３７態様のプリプレグに金属層が配置された積層板が提供される。
【０１２７】
第３９態様によると、第１７態様〜第２５態様のうち何れか１つのエポキシ組成物の硬化物が提供される。
【０１２８】
第４０態様によると、第３９態様において、熱膨張係数が６０ｐｐｍ／℃以下であるエポキシ組成物の硬化物が提供される。
【０１２９】
第４１態様によると、第３９態様において、ガラス転移温度が１００℃より高いか、ガラス転移温度を示さないエポキシ組成物の硬化物が提供される。
【発明の効果】
【０１３０】
本発明による新規のエポキシ化合物を含むエポキシ組成物は、複合体及び／または硬化物
において、向上した耐熱特性、すなわち、エポキシ複合体のＣＴＥが減少し、ガラス転移温度の上昇効果（ガラス転移温度を示さないこと（以下、「Ｔｇレス」という。）を含む。）を示す。さらに、本発明による上記エポキシ組成物の硬化物は、アルコキシシリル基の導入により、優れた難燃性を示す。また、本発明による上記エポキシ組成物は、硬化反応時に工程性（加工性）に優れている。具体的には、硬化反応時の粘度増加を容易に制御することができる。さらに、上記エポキシ組成物の硬化物は改善された脆性を示す。
【０１３１】
さらに、本発明のエポキシ化合物を含む組成物は、エポキシ化合物による上記化学結合の効率が向上することで、従来のエポキシ組成物に一般的に配合されていたシランカップリング剤の配合を必要としない。
【図面の簡単な説明】
【０１３２】
【図１】図１（ａ）は比較合成例１を用いて製造されたガラス繊維複合体の表面を示す顕微鏡写真（倍率１００倍）であり、図１（ｂ）は合成例４を用いて製造されたガラス繊維複合体の表面を示す顕微鏡写真（倍率１００倍）である。
【図２】図２は比較合成例２を用いて製造されたガラス繊維複合体の試料形状（左）及び複合体の内部クラックを示す顕微鏡写真（右、倍率１００倍）である。
【発明を実施するための形態】
【０１３３】
本発明は、エポキシ組成物の硬化により複合体を形成する際に、改善された耐熱特性、具体的には、低いＣＴＥと高いＴｇ（Ｔｇレスを含む）及び／または硬化物において優れた難燃性を有し、さらに、硬化物の脆性が向上し、及び／または硬化反応工程特性、例えば、粘度増加制御性に優れた新規のエポキシ化合物、その製造方法、それを含むエポキシ組成物と硬化物、及びその用途を提供する。
【０１３４】
本発明において「複合体」とは、エポキシ化合物及び充填剤（繊維及び／または無機粒子）を含む組成物の硬化物のことであり、本発明において「硬化物」とは、一般的な意味としてエポキシ化合物を含む組成物の硬化物のことであって、エポキシ化合物及び硬化剤の他に、充填剤、任意のさらなる硬化剤、任意の硬化触媒、及びその他の添加剤からなる群から選択される少なくとも１種を含む、何れかのエポキシ化合物及び硬化剤を含む組成物の硬化物である。また、上記硬化物は半硬化物を含むことができる。一般的に、無機粒子及び／または繊維が補強された硬化物のみを複合体というため、硬化物は複合体よりも広い意味であるが、無機粒子及び／または繊維が補強された硬化物は複合体と同一の意味として理解されることができる。
【０１３５】
本発明による新規のエポキシ化合物は、反応性官能基（ｒｅａｃｔｉｖｅ  ｇｒｏｕｐ）と非−反応性官能基（ｎｏｎ−ｒｅａｃｔｉｖｅ  ｇｒｏｕｐ）を有する。そのため、硬化により複合体を形成する際に、エポキシ基は硬化剤と反応して硬化反応が進行し、反応性官能基は充填剤（繊維及び／または無機粒子）の表面との界面結合を形成する。これにより、極めて優れたエポキシ複合体システムの化学結合形成効率が得られ、低いＣＴＥと高いガラス転移温度の上昇効果（Ｔｇ−レス（Ｔｇ−ｌｅｓｓ）を含む。）を示す。よって、寸法安定性が向上する。さらに、別のシランカップリング剤を必要としない。また、本発明によるエポキシ化合物を含む硬化物は優れた難燃性を示す。またさらに、上記非−反応性官能基は、硬化物において、ぶら下がり部分（ｄａｎｇｌｅｄ  ｍｏｉｅｔｙ）の自由−末端（ｆｒｅｅ−ｅｎｄ）として存在し、これによって硬化工程の粘度及び／または最終硬化物の脆性が改善される。上記反応性官能基は、具体的には、アルコキシシリル基であり、上記非−反応性官能基は、例えば、アルキルシリル基である。
【０１３６】
１．エポキシ化合物
本発明の一態様による新規のエポキシ化合物は、コアに、少なくとも２つのエポキシ基；少なくとも１つのアルコキシシリル基；及び少なくとも１つの非反応性シリル基、アルケニル基、またはこれらの組み合わせを有するものであってもよい。
また、本発明の好ましい態様の１つとして、新規のエポキシ化合物は、コアに、少なくとも２つのエポキシ基；少なくとも１つのアルコキシシリル基；少なくとも１つの非反応性シリル基；及び水素を有するものである。
【０１３７】
上記エポキシ基は、下記式Ｅ１及びＥ２から独立して選択されてもよい。
【０１３８】
【化７６】
0006423443.tif 000087
【０１３９】
【化７７】
0006423443.tif 000088
【０１４０】
上記アルコキシシリル基は、下記式Ａ１〜式Ａ５からなる群から選択される少なくとも１つであってもよい。
【０１４１】
［式Ａ１］
−ＣＲｂＲｃ−ＣＨＲａ−ＣＨ２−ＳｉＲ１Ｒ２Ｒ３
【０１４２】
［式Ａ２］
−Ｏ−（ＣＨ２）ｍ＋２−ＳｉＲ１Ｒ２Ｒ３
【０１４３】
［式Ａ３］
−Ｏ−ＣＯＮＨ（ＣＨ２）ｍ−ＳｉＲ１Ｒ２Ｒ３
【０１４４】
［式Ａ４］
−（ＣＨ２）ｍ＋２−ＳｉＲ１Ｒ２Ｒ３
【０１４５】
［式Ａ５］
−ＣＯＮＨ（ＣＨ２）ｍ−ＳｉＲ１Ｒ２Ｒ３
【０１４６】
式Ａ１中、上記Ｒａ、Ｒｂ及びＲｃは、それぞれ独立して、Ｈまたは炭素数１〜６のアルキル基であり、上記式Ａ１〜式Ａ５中、Ｒ１〜Ｒ３のうち少なくとも１つは炭素数１〜６のアルコキシ基であり、残りは炭素数１〜１０のアルキル基であり、上記アルキル基及びアルコキシ基は、直鎖状または分岐鎖状であってもよく、環状または非環状であってもよく、Ｎ、Ｏ、Ｓ、またはＰヘテロ原子を有しても、有しなくてもよく、ｍは１〜１０の整数である。
【０１４７】
上記非反応性シリル基は、下記式Ａ６〜Ａ１０からなる群から選択される何れか１つであってもよい。
【０１４８】
上記アルコキシシリル基と非反応性シリル基の上記割合の範囲で、本発明で意図する複合体における耐熱特性の向上（ＣＴＥの減少及び／またはガラス転移温度の上昇）だけでなく、粘度制御性及び脆性改善の効果を示し、このような物性は上記好ましい範囲内でさらに好ましく、上記好ましい範囲は、特に、半導体パッケージングに使用される場合に適する。
【０１４９】
［式Ａ６］
−ＣＲｂＲｃ−ＣＨＲａ−ＣＨ２−ＳｉＲ４Ｒ５Ｒ６
【０１５０】
［式Ａ７］
−Ｏ−（ＣＨ２）ｍ＋２−ＳｉＲ４Ｒ５Ｒ６
【０１５１】
［式Ａ８］
−Ｏ−ＣＯＮＨ（ＣＨ２）ｍ−ＳｉＲ４Ｒ５Ｒ６
【０１５２】
［式Ａ９］
−（ＣＨ２）ｍ＋２−ＳｉＲ４Ｒ５Ｒ６
【０１５３】
［式Ａ１０］
−ＣＯＮＨ（ＣＨ２）ｍ−ＳｉＲ４Ｒ５Ｒ６
【０１５４】
上記式Ａ６中、上記Ｒａ、Ｒｂ及びＲｃは、それぞれ独立して、Ｈまたは炭素数１〜６のアルキル基であり、上記式Ａ６〜Ａ１０中、Ｒ４〜Ｒ６は炭素数１〜２０の脂肪族、脂環族、または芳香族である非反応性基であり、上記非反応性基は、直鎖状または分岐鎖状であってもよく、環状または非環状であってもよく、Ｎ、Ｏ、Ｓ、またはＰヘテロ原子を有しても、有しなくてもよく、ｍは１〜１０の整数である。
【０１５５】
一方、上記アルケニル基は、下記式Ａ１１〜式Ａ１３からなる群から選択されるものであってもよい。
【０１５６】
［式Ａ１１］
−ＣＲｂＲｃ−ＣＲａ＝ＣＨ２
【０１５７】
［式Ａ１２］
−Ｏ−（ＣＨ２）ｍ−ＣＨ＝ＣＨ２
【０１５８】
［式Ａ１３］
−（ＣＨ２）ｍ−ＣＨ＝ＣＨ２
【０１５９】
式Ａ１１中、上記Ｒａ、Ｒｂ及びＲｃは、それぞれ独立して、Ｈまたは炭素数１〜６のアルキル基であり、上記アルキル基は、直鎖状または分岐鎖状であってもよく、環状または非環状であってもよく、Ｎ、Ｏ、Ｓ、またはＰヘテロ原子を有しても、有しなくてもよく、式Ａ１２及び式Ａ１３中、ｍは１〜１０の整数である。
【０１６０】
本発明において、アルケニル基は、アルケンまたはその誘導体から１つの水素原子を除いて得られた化学基を全て含むものであって、アリル基、ブテニル基、ペンテニル基などを含んでおり、場合によって、これらと混用して用いられてもよい。
【０１６１】
上記コア構造としては、ビスフェノール、ビフェニル、ナフタレン、ベンゼン、チオジフェノール、フルオレン（ｆｌｕｏｒｅｎｅ）、テトラフェニルエタン、テトラフェニルメ
タン、ジアミノジフェニルメタン、脂環族、脂肪族、またはノボラックユニットなどが挙げられる。
【０１６２】
より具体的に、上記コアは芳香族コアであって、下記式ＡＣ〜ＯＣからなる群から選択される１種であってもよい。本発明において、コアは、下記式ＡＣ〜ＨＣ及びＭＣ〜ＯＣと同一の構造であり、さらに、ＩＣ〜ＬＣのように繰り返し単位で示した場合を含むと理解すべきである。
【０１６３】
【化７８】
0006423443.tif 000089
【化７９】
0006423443.tif 000090
【０１６４】
上記式ＤＣ中、Ｉは−ＣＨ２−、−Ｃ（ＣＨ３）２−、−Ｃ（ＣＦ３）２−、−Ｓ−、−ＳＯ２−、
【化８０】
0006423443.tif 000091
であり、
上記式ＨＣ中、Ｊは単一結合（ｄｉｒｅｃｔ  ｌｉｎｋａｇｅ）、−ＣＨ２−または
【化８１】
0006423443.tif 000092
（ＲｘはＨまたはＣ１−Ｃ３アルキル基である。）であり、
上記式ＩＣ中、Ｋは下記式１ａｃ〜１ｆｃからなる群から選択される１つであり、
【化８２】
0006423443.tif 000093
上記式ＬＣ中、Ｌは
【化８３】
0006423443.tif 000094
であり、
【化８４】
0006423443.tif 000095
中、ＲｙはＣ１−Ｃ１０の直鎖状または分岐鎖状のアルキル基である。
【０１６５】
上記式ＭＣ中、Ｍは−ＣＨ２−、−Ｃ（ＣＨ３）２−、−Ｃ（ＣＦ３）２−、−Ｓ−、−ＳＯ２−、または
【化８５】
0006423443.tif 000096
である。
【０１６６】
上記式ＩＣ中、Ｋが１ａｃ〜１ｅｃの場合、ｎは３以上の整数であり、
Ｋが１ｆｃの場合、ｎは２以上の整数であり、
上記式ＪＣ中、ｎは２以上の整数であり、
上記式ＫＣ中、ｎは０以上の整数であり、
上記式ＬＣ中、Ｌが
【化８６】
0006423443.tif 000097
の場合、ｎは３以上の整数であり、
Ｌが
【化８７】
0006423443.tif 000098
の場合、ｎは２以上の整数であり、
上記式ＩＣ〜ＬＣ中、ｎ値は最大１０００である。
【０１６７】
さらに、上記エポキシ化合物において、ＡＣ〜ＨＣ及びＭＣ〜ＯＣのコアが２以上である場合（このとき、コアは同じ種類のコアであり、本願においてコアが２以上である場合に同様に適用される。）、コアは連結基（ＬＧ）で連結されることができる。必要に応じて、１〜１，０００個のコア構造がさらに連結されてもよい。具体的には、上記式ＡＣ〜ＨＣのコアは下記式ＬＧ１の連結基で、上記式ＭＣ〜ＯＣのコアは下記式ＬＧ２の連結基で連結されることができる。
【０１６８】
【化８８】
0006423443.tif 000099
【０１６９】
【化８９】
0006423443.tif 000100
【０１７０】
具体的には、本発明の一態様による新規のエポキシ化合物は、下記式ＡＦ〜ＯＦであってもよい。
【０１７１】
【化９０】
0006423443.tif 000101
【化９１】
0006423443.tif 000102
【０１７２】
上記式ＡＦ〜ＦＦの置換基Ａのうち少なくとも２つは下記式Ｅ１及び式Ｅ２から選択され、少なくとも１つは下記式Ａ１〜式Ａ３からなる群から選択され、少なくとも１つは上記式Ａ６〜式Ａ８、式Ａ１１、及び式Ａ１２からなる群から独立して選択され、残りは水素である。
【０１７３】
上記式ＧＦ〜ＬＦの置換基Ａのうち少なくとも２つは下記式Ｅ１であり、少なくとも１つは下記式Ａ２または式Ａ３であり、少なくとも１つは下記式Ａ７、下記式Ａ８、及び下記式Ａ１２からなる群から独立して選択され、残りは水素である。
【０１７４】
上記式ＭＦ〜ＯＦの置換基Ａのうち少なくとも２つは下記式Ｅ２であり、少なくとも１つは下記式Ａ４及び下記式Ａ５から選択され、少なくとも１つは下記式Ａ９、下記式Ａ１０、及び下記式Ａ１３からなる群から独立して選択され、残りは水素である。
【０１７５】
上記式ＤＦ中、Ｉは−ＣＨ２−、−Ｃ（ＣＨ３）２−、−Ｃ（ＣＦ３）２−、−Ｓ−、−ＳＯ２−、
【化９２】
0006423443.tif 000103
であり、
上記式ＨＦ中、Ｊは単一結合（ｄｉｒｅｃｔ  ｌｉｎｋａｇｅ）、−ＣＨ２−または
【化９３】
0006423443.tif 000104
（ＲｘはＨまたはＣ１−Ｃ３アルキル基である。）であり、
上記式ＩＦ中、Ｋは下記式１Ａ〜１Ｆからなる群から選択される１つであり、
【化９４】
0006423443.tif 000105
上記式ＬＦ中、Ｌは
【化９５】
0006423443.tif 000106
であり、
【化９６】
0006423443.tif 000107
中、ＲｙはＣ１−Ｃ１０の直鎖状または分岐鎖状のアルキル基である。
【０１７６】
上記式ＭＦ中、Ｍは−ＣＨ２−、−Ｃ（ＣＨ３）２−、−Ｃ（ＣＦ３）２−、−Ｓ−、−ＳＯ２−、または
【化９７】
0006423443.tif 000108
であり、ＲはＨまたはＣ１−Ｃ３アルキルである。
【０１７７】
上記式ＩＦ中、Ｋが１Ａ〜１Ｅの場合、ｎは３以上の整数であり、
Ｋが１Ｆの場合、ｎは２以上の整数であり、
上記式ＪＦ中、ｎは２以上の整数であり、
上記式ＫＦ中、ｎは０以上の整数であり、
上記式ＬＦ中、Ｌが
【化９８】
0006423443.tif 000109
の場合、ｎは３以上の整数であり、
Ｌが
【化９９】
0006423443.tif 000110
の場合、ｎは２以上の整数であり、
上記式ＬＦ中、ｐは１または２である。上記式ＩＦ〜ＬＦ中、ｎ値は最大１０００である。
【０１７８】
【化１００】
0006423443.tif 000111
【０１７９】
【化１０１】
0006423443.tif 000112
【０１８０】
［式Ａ１］
−ＣＲｂＲｃ−ＣＨＲａ−ＣＨ２−ＳｉＲ１Ｒ２Ｒ３
【０１８１】
［式Ａ２］
−Ｏ−（ＣＨ２）ｍ＋２−ＳｉＲ１Ｒ２Ｒ３
【０１８２】
［式Ａ３］
−Ｏ−ＣＯＮＨ（ＣＨ２）ｍ−ＳｉＲ１Ｒ２Ｒ３
【０１８３】
［式Ａ４］
−（ＣＨ２）ｍ＋２−ＳｉＲ１Ｒ２Ｒ３
【０１８４】
［式Ａ５］
−ＣＯＮＨ（ＣＨ２）ｍ−ＳｉＲ１Ｒ２Ｒ３
式Ａ１中、上記Ｒａ、Ｒｂ及びＲｃは、それぞれ独立して、Ｈまたは炭素数１〜６のアルキル基であり、上記式Ａ１〜式Ａ５中、Ｒ１〜Ｒ３のうち少なくとも１つは炭素数１〜６のアルコキシ基であり、残りは炭素数１〜１０のアルキル基であり、上記アルキル基及びアルコキシ基は、直鎖状または分岐鎖状であってもよく、環状または非環状であってもよく、Ｎ、Ｏ、Ｓ、またはＰヘテロ原子を有しても、有しなくてもよく、ｍは１〜１０の整数である。
【０１８５】
［式Ａ６］
−ＣＲｂＲｃ−ＣＨＲａ−ＣＨ２−ＳｉＲ４Ｒ５Ｒ６
【０１８６】
［式Ａ７］
−Ｏ−（ＣＨ２）ｍ＋２−ＳｉＲ４Ｒ５Ｒ６
【０１８７】
［式Ａ８］
−Ｏ−ＣＯＮＨ（ＣＨ２）ｍ−ＳｉＲ４Ｒ５Ｒ６
【０１８８】
［式Ａ９］
−（ＣＨ２）ｍ＋２−ＳｉＲ４Ｒ５Ｒ６
【０１８９】
［式Ａ１０］
−ＣＯＮＨ（ＣＨ２）ｍ−ＳｉＲ４Ｒ５Ｒ６
上記式Ａ６中、上記Ｒａ、Ｒｂ及びＲｃは、それぞれ独立して、Ｈまたは炭素数１〜６のアルキル基であり、上記式Ａ６〜Ａ１０中、Ｒ４〜Ｒ６は炭素数１〜２０の脂肪族、脂環族、または芳香族である非反応性基であり、上記非反応性基は、直鎖状または分岐鎖状であってもよく、環状または非環状であってもよく、Ｎ、Ｏ、Ｓ、またはＰヘテロ原子を有しても、有しなくてもよく、ｍは１〜１０の整数である。
【０１９０】
［式Ａ１１］
−ＣＲｂＲｃ−ＣＲａ＝ＣＨ２
【０１９１】
［式Ａ１２］
−Ｏ−（ＣＨ２）ｍ−ＣＨ＝ＣＨ２
【０１９２】
［式Ａ１３］
−（ＣＨ２）ｍ−ＣＨ＝ＣＨ２
式Ａ１１中、上記Ｒａ、Ｒｂ及びＲｃは、それぞれ独立して、Ｈまたは炭素数１〜６のアルキル基であり、上記アルキル基は、直鎖状または分岐鎖状であってもよく、環状または非環状であってもよく、Ｎ、Ｏ、Ｓ、またはＰヘテロ原子を有しても、有しなくてもよく、式Ａ１２及び式Ａ１３中、ｍは１〜１０の整数である。
【０１９３】
上記エポキシ化合物は、例えば、コアに、ｉ）下記式Ｅ１で表される少なくとも２つのエポキシ基
【化１０２】
0006423443.tif 000113
ｉｉ）下記式Ａ１で表される少なくとも１つのアルコキシシリル基
［式Ａ１］
−ＣＲｂＲｃ−ＣＨＲａ−ＣＨ２−ＳｉＲ１Ｒ２Ｒ３
（式Ａ１中、上記Ｒａ、Ｒｂ及びＲｃは、それぞれ独立して、Ｈまたは炭素数１〜６のアルキル基であり、Ｒ１〜Ｒ３のうち少なくとも１つは炭素数１〜６のアルコキシ基であり、残りは炭素数１〜１０のアルキル基であり、上記アルキル基及びアルコキシ基は、直鎖状または分岐鎖状であってもよく、環状または非環状であってもよく、Ｎ、Ｏ、Ｓ、またはＰヘテロ原子を有しても、有しなくてもよく、ｍは１〜１０の整数である。）；及び
ｉｉｉ）下記式Ａ１１で表される少なくとも１つのアルケニル基
［式Ａ１１］
−ＣＲｂＲｃ−ＣＲａ＝ＣＨ２
（式Ａ１１中、上記Ｒａ、Ｒｂ及びＲｃは、それぞれ独立して、Ｈまたは炭素数１〜６のアルキル基であり、上記アルキル基は、直鎖状または分岐鎖状であってもよく、環状または非環状であってもよく、Ｎ、Ｏ、Ｓ、またはＰヘテロ原子を有しても、有しなくてもよい。）
を有する、エポキシ化合物であってもよい。
【０１９４】
上記エポキシ化合物において、上記式Ａ１〜式Ａ５で表されるアルコキシシリル基においてＲ１〜Ｒ３のうち少なくとも１つは炭素数２〜４のアルコキシ基であってもよく、好ましくは上記式Ａ１〜式Ａ５で表されるアルコキシシリル基においてＲ１〜Ｒ３はエトキシ基である。
【０１９５】
一方、上記式Ａ１〜式Ａ５で表されるアルコキシシリル基においてＲ１〜Ｒ３が何れもメトキシ基である場合、本発明のエポキシ化合物は少なくとも１つのアルケニル基を含むことが好ましい。上記アルコキシシリル基においてＲ１〜Ｒ３が何れもメトキシであり、アルケニル基を含まない場合は、メトキシシリル基の反応性が高すぎて、粘度の急激な上昇といった反応速度の制御が困難であり、硬化された試料の脆性が大きすぎて、材料としての使用が困難である。これに対して、上記アルコキシシリル基においてＲ１〜Ｒ３が何れもメトキシであって、少なくとも１つのアルケニル基を含む場合は、反応速度が制御され、硬化構造上に存在するアルケニル基により硬化された試料の脆性が改善されるという長所がある。
【０１９６】
上記本発明の一態様によると、上記の本発明の何れかの態様による新規のエポキシ化合物を含むエポキシ混合物がさらに提供される。
【０１９７】
上記新規の本発明のエポキシ化合物を含む混合物において、上記エポキシ化合物が非反応性シリル基を含む場合、アルコキシシリル基：非反応性シリル基の割合は１：９９〜９９：１割合、好ましくは５：９５〜９５：５割合であることができる。アルコキシシリル基：非反応性シリル基の割合が１：９９より小さいと、アルコキシシリル基の濃度が低すぎるため十分な物性を確保できないことがあり、アルコキシシリル基：非反応性シリル基の割合が９９：１より大きいと、非反応性シリル基の濃度が低すぎるため脆性改善が十分になされないことがある。上記新規のエポキシ化合物を含む混合物において、エポキシ基：アルコキシシリル基の割合は１０：１〜１：１０であってもよい。エポキシ基：アルコキシシリル基の割合が１：１０よりエポキシ基が小さいと、エポキシ硬化物の硬化度（ｃｒｏｓｓｌｉｎｋｉｎｇ  ｄｅｎｓｉｔｙ：架橋密度）が低くなり、物性の低下を招くことがあり、エポキシ基：アルコキシシリル基の割合が１０：１よりアルコキシシリル基が小さいと、アルコキシシリル基による耐熱特性の改善効果が少ないことがある。さらに、上記新規のエポキシ化合物を含む混合物において、アルコキシシリル基：非反応性シリル基の割合は１：９９〜９９：１割合、好ましくは５：９５〜９５：５割合であり、エポキシ基：アルコキシシリル基の割合は１０：１〜１：１０であり、例えば、１：１〜５：１であってもよい。
【０１９８】
また、上記アルコキシシリル基：非反応性シリル基の割合及び／またはエポキシ基：アルコキシシリル基の割合は、後述する本発明の何れかの態様のエポキシ組成物においても上記定義によることが好ましい。これにより、後述するエポキシ組成物に含まれるエポキシ化合物は、上記したエポキシ混合物であることができる。
【０１９９】
一方、本発明のエポキシ化合物がアルケニル基を含む場合、上記出発物質のアルケニル基１当量に対して上記式ＡＳ５のアルコキシシランが０．１当量〜５当量となるように、出発物質と上記式ＡＳ５のアルコキシシランを反応させることが好ましく、上記式ＡＳ５のアルコキシシランを上記出発物質のアルケニル基１当量に対して０．１当量未満で反応させると、アルコキシシリル基の反応速度及び最終構造におけるシリル化度が低くなりすぎるという問題があり、上記式ＡＳ５のアルコキシシランを上記出発物質のアルケニル基１当量に対して５当量を超えて反応させると、超過して投入されて未反応のアルコキシシリル基の濃度が高くなりすぎるという問題がある。
【０２００】
また、特に、上記式ＡＳ５のアルコキシシランのＲ１〜Ｒ３が何れもメトキシである場合、上記出発物質のアルケニル基１当量に対して上記式ＡＳ５のアルコキシシランが０．１当量以上１当量未満となるように反応させることが好ましい。上記上記式ＡＳ５のアルコキシシランを上記出発物質のアルケニル基１当量に対して０．１当量未満で反応させると、メトキシシリル基の反応速度及び最終構造におけるシリル化度が低くなりすぎるという
問題があり、上記式ＡＳ５のアルコキシシランを上記出発物質のアルケニル基１当量に対して５当量を超えて反応させると、最終エポキシ化合物構造におけるメトキシシリル基の濃度が高くなりすぎるという問題がある。
【０２０１】
例えば、本発明の何れかの態様による新規のエポキシ化合物は、その製造過程において、下記に詳述するように、未反応及び／または不完全な反応による、未反応の出発物質及び本発明の何れかの態様で規定したエポキシ化合物の定義に該当しない反応副産物（例えば、エポキシ基とアルコキシシリル基のみを有する化合物、エポキシ基と非反応性シリル基のみを有する化合物）が混合物状態で得られることができる。このようなエポキシ化合物の混合物全体において、アルコキシシリル基：非反応性シリル基の割合及び／またはエポキシ基：アルコキシシリル基の割合は上記範囲であってもよく、このようなエポキシ化合物の混合物はそれ自体が後述するエポキシ組成物に用いられてもよい。
【０２０２】
本明細書において「アルコキシ基」とは、−ＯＲ（Ｒはアルキル基）の１価基のことであって、これは直鎖状または分岐鎖状であってもよい。
【０２０３】
本明細書において「アルキル基」とは、１価（ｍｏｎｏｖａｌｅｎｔ）の炭化水素基のことであって、これは直鎖状または分岐鎖状であってもよい。
【０２０４】
上述または後述の式中、多数の置換基がある場合、それぞれの置換基は、それぞれ独立して選択されてもよい。例えば、上記式ＡＦ〜ＦＦの置換基Ａのうち２以上が、上記式Ａ１〜式Ａ３から選択される場合、多数のＡは、式Ａ１〜式Ａ３からそれぞれ独立してされてよく、また、何れもＡ２の場合、Ａ２のＲ１〜Ｒ３は同一でも異なってもよい。
【０２０５】
また、上記本発明の一態様によるエポキシ化合物は、それを含む組成物の複合体において、低いＣＴＥと高いガラス転移温度の上昇効果またはＴｇ−レス（ｌｅｓｓ）を示す。さらに、非反応性シリル基及びアルケニル基が追加の化学結合に参与することなく、エポキシ化合物の硬化物の架橋ネットワーク中に、ぶら下がり部分（ｄａｎｇｌｅｄ  ｍｏｉｅｔｙ）として存在し、これにより硬化工程の粘度及び／または最終硬化物の脆性が改善される。
【０２０６】
２．エポキシ化合物の製造方法
本発明の一態様による上記式ＡＦ〜ＯＦのエポキシ化合物は、次のような２つの方法で合成されることができる。
【０２０７】
すなわち、本発明のエポキシ化合物は、二重結合のヒドロシリル化による方法として、エポキシ基及びアルケニル基を有するエポキシ化合物のアルコキシシリル化及び非反応性シリル化による方法（方法１）、または、ヒドロキシ基及び／またはアミン基とイソシアネートシランカップリング剤との反応による方法として、エポキシ基とヒドロキシ基またはアミン基を有するエポキシ化合物のシリル化による方法（方法２）で合成されることができる。
【０２０８】
（１）方法１
上記したように、本発明のエポキシ化合物は、出発物質であるエポキシ基及びアルケニル基を有するエポキシ化合物のアルケニル基をアルコキシシリル化及び非反応性シリル化することで製造される。
【０２０９】
上記エポキシ基及びアルケニル基を有するエポキシ化合物を、以下では便宜上、出発物質という。出発物質は、具体的には、下記式ＡＳ１〜ＯＳ１の化合物であることができる。
【０２１０】
（出発物質１）
【化１０３】
0006423443.tif 000114
【化１０４】
0006423443.tif 000115
【０２１１】
上記式ＡＳ１〜ＦＳ１の多数の置換基ａ１のうち少なくとも２つは上記式Ｅ１または式Ｅ２であり、少なくとも２つは上記式Ａ１１またはＡ１２であり、残りは水素であってもよい。
【０２１２】
上記式ＧＳ１〜ＬＳ１の置換基ａ１のうち少なくとも２つは上記式Ｅ１であり、少なくとも２つは上記式Ａ１２であり、残りは水素であってもよい。
【０２１３】
上記式ＭＳ１〜ＯＳ１の置換基ａ１のうち少なくとも２つは上記式Ｅ２であり、残りは上記式Ａ１３である。
【０２１４】
上記式ＭＳ１〜ＯＳ１の置換基ａ１のうち少なくとも２つは上記式Ｅ２であり、残りは上記式Ａ１３である。
【０２１５】
上記式ＤＳ１中、Ｉは−ＣＨ２−、−Ｃ（ＣＨ３）２−、−Ｃ（ＣＦ３）２−、−Ｓ−、−ＳＯ２−、
【化１０５】
0006423443.tif 000116
であり、
上記式ＨＳ１中、Ｊは単一結合（ｄｉｒｅｃｔ  ｌｉｎｋａｇｅ）、−ＣＨ２−または
【化１０６】
0006423443.tif 000117
（ＲｘはＨまたはＣ１−Ｃ３アルキル基である。）であり、
上記式ＩＳ１中、Ｋは下記式１ａ１〜１ｆ１からなる群から選択される１つであり、
【化１０７】
0006423443.tif 000118
上記式ＬＳ１中、Ｌは
【化１０８】
0006423443.tif 000119
であり、
【化１０９】
0006423443.tif 000120
中、ＲｙはＣ１−Ｃ１０の直鎖状または分岐鎖状のアルキル基である。
【０２１６】
上記式ＭＳ１中、Ｍは−ＣＨ２−、−Ｃ（ＣＨ３）２−、−Ｃ（ＣＦ３）２−、−Ｓ−、−ＳＯ２−、または
【化１１０】
0006423443.tif 000121
であり、ＲはＨまたはＣ１−Ｃ３アルキルである。
【０２１７】
上記式ＩＳ１中、Ｋが１ａ１〜１ｅ１の場合、ｎは３以上の整数であり、
Ｋが１ｆ１の場合、ｎは２以上の整数であり、
上記式ＪＳ１中、ｎは２以上の整数であり、
上記式ＫＳ１中、ｎは０以上の整数であり、
上記式ＬＳ１中、Ｌが
【化１１１】
0006423443.tif 000122
の場合、ｎは３以上の整数であり、
Ｌが
【化１１２】
0006423443.tif 000123
の場合、ｎは２以上の整数であり、
上記式ＬＳ１中、ｐは１または２である。上記式ＩＳ１〜ＬＳ１中、ｎ値は最大１０００である。
【０２１８】
具体的には、白金触媒及び任意の溶媒の存在下で、上記出発物質のアルケニル基をアルコキシシリル化及び非反応性シリル化することで、本発明の一態様による少なくとも２つのエポキシ基、少なくとも１つのアルコキシシリル基及び少なくとも１つの非反応性官能基、すなわち、具体的には、非反応性シリル基及びアルケニル基を有するエポキシ化合物が得られる。
【０２１９】
出発物質とアルコキシシランは、出発物質のアルケニル基とアルコキシシランが化学量論によって当量比で反応するため、これを考慮して、上記出発物質のアルケニル基１当量に対して下記式ＡＳ５のアルコキシシランが０．１当量〜５当量となるように、出発物質と下記式ＡＳ５のアルコキシシランを反応させる。
【０２２０】
また、特に、上記式ＡＳ５のアルコキシシランのＲ１〜Ｒ３が何れもメトキシである場合、上記出発物質のアルケニル基１当量に対して上記式ＡＳ５のアルコキシシランが０．１当量以上１当量未満となるように反応させることが好ましい。上記アルコキシシランを上記範囲未満で反応させると、メトキシシリル基の反応速度及び最終構造におけるシリル化度が低くなりすぎるという問題があり、上記範囲を超えて反応させると、最終エポキシ化合物構造におけるメトキシシリル基の濃度が高くなりすぎるという問題がある。
【０２２１】
［式ＡＳ５］
ＨＳｉＲ１Ｒ２Ｒ３
（上記式ＡＳ５中、Ｒ１〜Ｒ３のうち少なくとも１つはＣ１−Ｃ６アルコキシ基、好ましくはエトキシ基であり、残りはＣ１−Ｃ１０アルキル基であり、上記アルコキシ基及びアルキル基は、直鎖状または分岐鎖状であってもよく、環状または非環状であってもよく、Ｎ、Ｏ、Ｓ、またはＰヘテロ原子を有しても、有しなくてもよい。）
【０２２２】
また、出発物質と非反応性シランは、出発物質のアルケニル基と非反応性シランが化学量論によって当量比で反応するため、これを考慮して、上記出発物質のアルケニル基１当量に対して下記式ＡＳ６の非反応性シランが０．１当量〜５当量となるように、出発物質と下記式ＡＳ６の非反応性シランを反応させる。
【０２２３】
［式ＡＳ６］
ＨＳｉＲ４Ｒ５Ｒ６
（上記式ＡＳ６中、Ｒ４〜Ｒ６は炭素数１〜２０の脂肪族、脂環族、または芳香族である非反応性基であり、上記非反応性基は、直鎖状または分岐鎖状であってもよく、環状または非環状であってもよく、Ｎ、Ｏ、Ｓ、またはＰヘテロ原子を有しても、有しなくてもよい。）
【０２２４】
上記出発物質とアルコキシシラン及び非反応性シランの反応は、（１）出発物質とアルコキシシラン及び非反応性シランを同時に反応させてもよく、また、（２）出発物質とアルコキシシランを反応させた後、元の位置から引き続き得られた反応生成物を非反応性シランと反応させてもよい。
【０２２５】
上記出発物質とアルコキシシランの反応温度及び反応時間は反応物によって異なるが、例えば、−２０℃〜１２０℃で１時間〜７２時間反応させることができる。上記反応温度及び反応時間で反応させることで、所望の反応を完了させることができる。
【０２２６】
白金触媒としては、これに限定されないが、例えば、ＰｔＯ２またはＨ２ＰｔＣｌ６（Ｃｈｌｏｒｏｐｌａｔｉｎｉｃ  ａｃｉｄ）の白金触媒が使用されもよい。白金触媒は、出発物質のアルケニル基１当量に対して１ｘ１０−４〜０．０５当量で用いることが反応効率の点で好ましい。
【０２２７】
溶媒は、必要に応じて任意に用いられることができる。例えば、別の溶媒がなくても、反応温度で反応物の粘度が反応の進行に適するのであれば、溶媒を用いなくてもよい。すなわち、反応物の混合及び撹拌が溶媒がなくても円滑に進行される程度に反応物の粘度が低いと、別の溶媒を必要とせず、これは当業者が容易に判断することができる。溶媒を用いる場合、使用可能な溶媒としては、反応物を十分に溶解することができ、反応に如何なる悪影響も与えることなく、反応後に除去しやすいものであれば、如何なる非プロトン性溶媒（ａｐｒｏｔｉｃ  ｓｏｌｖｅｎｔ）が使用されてもよい。これに限定されないが、例えば、トルエン、アセトニトリル、ＴＨＦ（ｔｅｔｒａ  ｈｙｄｒｏ  ｆｕｒａｎ）、ＭＥＫ（ｍｅｔｈｙｌ  ｅｔｈｙｌ  ｋｅｔｏｎｅ）、ＤＭＦ（ｄｉｍｅｔｈｙｌ  ｆｏｒｍａｍｉｄｅ）、ＤＭＳＯ（ｄｉｍｅｔｈｙｌ  ｓｕｌｆｏｘｉｄｅ）、メチレンクロリド（ＭＣ）などが使用できる。これら溶媒は、単独で用いられてもよく、２種以上がともに用いられてもよい。溶媒の使用量は、特に限定されず、反応物が十分に溶解され、且つ反応に好ましくない影響を与えない範囲内で、適した量及び／または濃度で用いられることができ、この技術分野における技術者であれば、これを考慮して適宜選択することができる。
【０２２８】
上記本発明による新規のエポキシ化合物の反応スキームは、次の通りである。
【０２２９】
【化１１３】
0006423443.tif 000124
【０２３０】
上記反応式から分かるように、本発明による製造方法で新規のエポキシ化合物を製造する過程において、上記反応式の括弧内に記載されているような反応副産物がともに生成する。また、未反応の出発物質が混在することもある。
【０２３１】
なお、上記出発物質は、この技術分野において知られている如何なる方法によって合成されてもよい。例えば、本出願人が出願した、韓国特許出願２０１２−９３３２０、２０１３−１１７１１、２０１３−２７３０８、２０１３−３５５４６、２０１３−７８３４７、及び２０１３−１１１４７３に開示されている方法により合成されてもよく、上記特許出願に開示されている内容は、本明細書に参照として取り込まれる。
【０２３２】
（２）方法２
上記したように、本発明のエポキシ化合物は、出発物質であるエポキシ基とヒドロキシ基またはアミン基を有するエポキシのアルケニル基をアルコキシシリル化及び非反応性シリル化することで製造される。
【０２３３】
上記エポキシ基とヒドロキシ基またはアミン基を有するエポキシ化合物である出発物質は、具体的には、下記式ＡＳ２〜ＯＳ２の化合物であることができる。
【０２３４】
【化１１４】
0006423443.tif 000125
【化１１５】
0006423443.tif 000126
【０２３５】
上記式ＡＳ２〜ＦＳ２の置換基ａ２のうち少なくとも２つは上記式Ｅ２であり、少なくとも２つはヒドロキシ基であり、残りは水素及び上記式Ａ１１からそれぞれ独立して選択されてもよい。
【０２３６】
上記式ＧＳ２〜ＬＳ２の置換基ａ２のうち少なくとも２つは上記式Ｅ１であり、少なくとも２つはヒドロキシ基であり、残りは水素であってもよい。
【０２３７】
上記式ＭＳ２〜ＯＳ２の置換基ａ２のうち少なくとも２つは上記式Ｅ２であり、残りは水素である。
【０２３８】
上記式ＤＳ２中、Ｉは−ＣＨ２−、−Ｃ（ＣＨ３）２−、−Ｃ（ＣＦ３）２−、−Ｓ−、−ＳＯ２−、
【化１１６】
0006423443.tif 000127
であり、
上記式ＨＳ２中、Ｊは単一結合（ｄｉｒｅｃｔ  ｌｉｎｋａｇｅ）、−ＣＨ２−または
【化１１７】
0006423443.tif 000128
（ＲｘはＨまたはＣ１−Ｃ３アルキル基である。）であり、
上記式ＩＳ２中、Ｋは下記式１ａ２〜１ｆ２からなる群から選択される１つであり、
【化１１８】
0006423443.tif 000129
上記式ＬＳ２中、Ｌは
【化１１９】
0006423443.tif 000130
であり、
【化１２０】
0006423443.tif 000131
中、ＲｙはＣ１−Ｃ１０の直鎖状または分岐鎖状のアルキル基である。
【０２３９】
上記式ＭＳ２中、Ｍは−ＣＨ２−、−Ｃ（ＣＨ３）２−、−Ｃ（ＣＦ３）２−、−Ｓ−、−ＳＯ２−、または
【化１２１】
0006423443.tif 000132
であり、ＲはＨまたはＣ１−Ｃ３アルキルである。
【０２４０】
上記式ＩＳ２中、Ｋが２ａ〜２ｅの場合、ｎは３以上の整数であり、
Ｋが２ｆの場合、ｎは２以上の整数であり、
上記式ＪＳ２中、ｎは２以上の整数であり、
上記式ＫＳ２中、ｎは０以上の整数であり、
上記式ＬＳ２中、Ｌが
【化１２２】
0006423443.tif 000133
の場合、ｎは３以上の整数であり、
Ｌが
【化１２３】
0006423443.tif 000134
の場合、ｎは２以上の整数であり、
上記式ＬＳ２中、ｐは１または２である。上記式ＩＳ２〜ＬＳ２中、ｎ値は最大１０００である。
【０２４１】
具体的には、任意の溶媒の存在下で、上記出発物質のヒドロキシ基またはアミン基をアルコキシシリル化及び非反応性シリル化することで、本発明の一態様による少なくとも２つのエポキシ基、少なくとも１つのアルコキシシリル基及び少なくとも１つの非反応性官能基（具体的には、非反応性シリル基及びアルケニル基）を有するエポキシ化合物が得られる。
【０２４２】
出発物質とアルコキシシランは、出発物質のヒドロキシ基またはアミン基とアルコキシシランが化学量論によって当量比で反応するため、これを考慮して、上記出発物質のヒドロキシ基またはアミン基１当量に対して下記式ＡＳ３のアルコキシシランが０．１当量〜５当量となるように、出発物質と下記式ＡＳ３のアルコキシシランを反応させる。
【０２４３】
また、特に、上記式ＡＳ３のアルコキシシランのＲ１〜Ｒ３が何れもメトキシである場合、上記出発物質のヒドロキシ基またはアミン基１当量に対して上記式ＡＳ３のアルコキシシランが０．１当量以上１当量未満となるように反応させることが好ましい。上記アルコキシシランを上記範囲未満で反応させると、メトキシシリル基の反応速度及び最終構造におけるシリル化度が低くなりすぎるという問題があり、上記範囲を超えて反応させると、最終エポキシ化合物構造におけるメトキシシリル基の濃度が高くなりすぎるという問題がある。
【０２４４】
［式ＡＳ３］
ＯＣＮ−（ＣＨ２）ｍ−ＳｉＲ１Ｒ２Ｒ３
【０２４５】
上記式ＡＳ３中、Ｒ１〜Ｒ３のうち少なくとも１つはＣ１−Ｃ６アルコキシ基、好ましくはエトキシ基であり、残りはＣ１−Ｃ１０アルキル基であり、上記アルコキシ基及びアルキル基は、直鎖状または分岐鎖状であってもよく、環状または非環状であってもよく、Ｎ、Ｏ、Ｓ、またはＰヘテロ原子を有しても、有しなくてもよい。ｍは１〜１０の整数、好ましくは３〜６の整数である。
【０２４６】
また、出発物質と非反応性シランは、出発物質のヒドロキシ基またはアミン基と非反応性シランが化学量論によって当量比で反応するため、これを考慮して、上記出発物質のヒドロキシ基やアミン基１当量に対して下記式ＡＳ４の非反応性シランが０．１当量〜５当量となるように、出発物質と下記式ＡＳ４の非反応性シランを反応させる。
【０２４７】
［式ＡＳ４］
ＯＣＮ−（ＣＨ２）ｍ−ＳｉＲ４Ｒ５Ｒ６
【０２４８】
上記式ＡＳ４中、Ｒ４〜Ｒ６は炭素数１〜２０の脂肪族、脂環族、または芳香族である非反応性基であり、上記非反応性基は、直鎖状または分岐鎖状であってもよく、環状または非環状であってもよく、Ｎ、Ｏ、Ｓ、またはＰヘテロ原子を有しても、有しなくてもよい。ｍは１〜１０の整数、好ましくは３〜６の整数である。
【０２４９】
上記出発物質とアルコキシシラン及び非反応性シランの反応は、（１）出発物質とアルコキシシラン及び非反応性シランを同時に反応させてもよく、また、（２）出発物質とアルコキシシランを反応させた後、元の位置から引き続き得られた反応生成物を非反応性シランと反応させてもよい。
【０２５０】
上記出発物質とアルコキシシランの反応温度及び反応時間は反応物によって異なるが、例えば、−２０℃〜１２０℃で１時間〜７２時間反応させることができる。上記反応温度及び反応時間で反応させることで、所望の反応を完了させることができる。
【０２５１】
本発明のエポキシ化合物の製造方法に関する上記反応は、必要に応じて、塩基の存在下で行うことができる。別の塩基を用いなくても反応が進行するが、その場合、反応速度が遅いため、塩基を用いることで反応速度を速くすることができる。使用可能な塩基の例としては、これに限定されないが、例えば、Ｋ２ＣＯ３、Ｎａ２ＣＯ３、ＫＨＣＯ３、ＮａＨＣＯ３、トリエチルアミン、ジイソプロピルエチルアミンなどが挙げられる。これら塩基は、単独で用いられてもよく、２種以上用いられてもよい。塩基は、出発物質のヒドロキシ基またはアミン基１当量に対して１当量〜５当量で用いることが反応効率の点で好ましい。
【０２５２】
一方、溶媒は、必要に応じて任意に用いられることができる。例えば、上記反応段階において、別の溶媒がなくても、反応温度で反応物の粘度が反応の進行に適するのであれば、溶媒を用いなくてもよい。すなわち、反応物の混合及び撹拌が溶媒がなくても円滑に進行される程度に反応物の粘度が低いと、別の溶媒を必要とせず、これは当業者が容易に判断することができる。溶媒を用いる場合、使用可能な溶媒としては、反応物を十分に溶解することができ、反応に如何なる悪影響も与えることなく、反応後に除去しやすいものであれば如何なる非プロトン性溶媒（ａｐｒｏｔｉｃ  ｓｏｌｖｅｎｔ）が使用されてもよい。これに限定されないが、例えば、トルエン、アセトニトリル、ＴＨＦ（ｔｅｔｒａ  ｈｙｄｒｏ  ｆｕｒａｎ）、ＭＥＫ（ｍｅｔｈｙｌ  ｅｔｈｙｌ  ｋｅｔｏｎｅ）、ＤＭＦ（ｄｉｍｅｔｈｙｌ  ｆｏｒｍａｍｉｄｅ）、ＤＭＳＯ（ｄｉｍｅｔｈｙｌ  ｓｕｌｆｏｘｉｄｅ）、メチレンクロリド（ＭＣ）などが使用できる。これら溶媒は、単独で用いられてもよく、２種以上がともに用いられてもよい。溶媒の使用量は特に限定されず、反応物が十分に溶解され、且つ反応に好ましくない影響を与えない範囲内で、適した量で用いられることができ、この技術分野における技術者であれば、これを考慮して適宜選択することができる。
【０２５３】
上記本発明による新規のエポキシ化合物の反応スキームは、次の通りである。
【０２５４】
（ａ）出発物質がヒドロキシ基を有する場合
【化１２４】
0006423443.tif 000135
【化１２５】
0006423443.tif 000136
【０２５５】
（ｂ）出発物質がアミン基を有する場合
【化１２６】
0006423443.tif 000137
【０２５６】
上記反応式から分かるように、本発明による製造方法で新規のエポキシ化合物を製造する過程において、上記反応式の括弧内に記載されているような反応副産物がともに生成する。また、未反応の出発物質が混在することもある。
【０２５７】
なお、上記出発物質は、この技術分野において知られている如何なる方法によって合成されてもよい。例えば、本出願人が出願した、韓国特許出願２０１２−９３３２０、２０１３−１１７１１、２０１３−２７３０８、２０１３−３５５４６、２０１３−７８３４７、及び２０１３−１１１４７３に開示されている方法により合成されてもよく、上記特許出願に開示されている内容は、本明細書に参照として取り込まれる。
【０２５８】
３．エポキシ組成物
本発明のさらに他の態様によると、上記本発明の何れかの態様で提供される新規のエポキシ化合物を含むエポキシ組成物が提供される。
【０２５９】
上記本発明で提供される何れかの組成物は、電子材料用、例えば、これに限定されないが、半導体基板、例えば、ＩＣ基板やビルドアップフィルム、封止材料（パッケージング材料）、印刷配線基板などの電子部品用途、接着剤、塗料、複合材料などの各種用途に用いられることができる。また、上記本発明で提供される何れかの組成物は、硬化性組成物及び／または無機材料を含む硬化性組成物であることができる。
【０２６０】
本発明の上述及び後述の何れかの態様によるエポキシ組成物には、エポキシ化合物として本発明の何れかの態様によるエポキシ化合物、具体的には、上記式ＡＦ〜ＯＦからなる群から選択される少なくとも１つの新規のエポキシ化合物を含む限り、従来この技術分野において知られている如何なる種類及び／または配合のエポキシ組成物も含まれると理解すべきであり、エポキシ組成物を構成する硬化剤、硬化促進剤（触媒）、無機材料（充填剤）（例えば、無機粒子及び／または繊維）、その他の通常のエポキシ化合物、及びその他の添加剤の種類及び配合比を限定するものではない。
【０２６１】
さらに、この技術分野において、エポキシ組成物、硬化物及び／または複合体は、これらの適用先及び／または用途に応じて、物性制御の点で多様な種類の通常のエポキシ化合物がともに使用されることができる。したがって、本発明の上述及び後述の何れかの態様によるエポキシ組成物において、上記エポキシ化合物としては、本発明の一態様による上記式ＡＦ〜ＯＦからなる群から選択される少なくとも１つの新規のエポキシ化合物（以下、「本発明のエポキシ化合物」という。）だけでなく、従来この技術分野において知られている如何なる種類のエポキシ化合物（以下、「従来のエポキシ化合物」ともいう。）がさらに含まれてもよい。
【０２６２】
上記従来のエポキシ化合物は、特に限定されるものではないが、従来この技術分野において知られている如何なるエポキシ化合物であってもよく、例えば、グリシジルエーテル系エポキシ化合物、グリシジル系エポキシ化合物、グリシジルアミン系エポキシ化合物、グリシジルエステル系エポキシ化合物、ゴム改質（ゴム変性）されたエポキシ化合物、脂肪族ポリグリシジル系エポキシ化合物、及び脂肪族グリシジルアミン系エポキシ化合物からなる群から選択される少なくとも１種であってもよい。さらに、上記従来のエポキシ化合物は、コア構造として、ビスフェノール、ビフェニル、ナフタレン、ベンゼン、チオジフェノール、フルオレン（ｆｌｕｏｒｅｎｅ）、アントラセン、イソシアヌレート、トリフェニルメタン、１，１，２，２−テトラフェニルエタン、テトラフェニルメタン、４，４’−ジアミノジフェニルメタン、アミノフェノール脂環族、脂肪族、またはノボラックユニットを有するグリシジルエーテル系エポキシ化合物、グリシジル系エポキシ化合物、グリシジルアミン系エポキシ化合物、グリシジルエステル系エポキシ化合物、ゴム改質（ゴム変性）されたエポキシ化合物、脂肪族ポリグリシジル系エポキシ化合物、及び脂肪族グリシジルアミン系エポキシ化合物からなる群から選択される少なくとも１種であってもよい。
【０２６３】
例えば、上記従来のエポキシ化合物は、コア構造として、ビスフェノール、ビフェニル、ナフタレン、フルオレン、ベンゼン、チオジフェノール、フルオレン（ｆｌｕｏｒｅｎｅ）、アントラセン、イソシアヌレート、トリフェニルメタン、１，１，２，２−テトラフェニルエタン、テトラフェニルメタン、４，４’−ジアミノジフェニルメタン、アミノフェノール、脂環族、脂肪族、またはノボラックユニットを有するグリシジルエーテル系エポキシ化合物、グリシジル系エポキシ化合物、グリシジルアミン系エポキシ化合物、グリシジルエステル系エポキシ化合物からなる群から選択される少なくとも１種であってもよい。
【０２６４】
これに限定されないが、例えば、本発明の一態様による何れかのエポキシ組成物は、エポキシ化合物の総重量を基準として、本発明のエポキシ化合物１〜１００ｗｔ％及び従来のエポキシ化合物０〜９９ｗｔ％；例えば、本発明のエポキシ化合物１０〜１００ｗｔ％及び従来のエポキシ化合物０〜９０ｗｔ％；例えば、本発明のエポキシ化合物３０〜１００ｗｔ％及び従来のエポキシ化合物０〜７０ｗｔ％、例えば、本発明のエポキシ化合物５０〜１００ｗｔ％及び従来のエポキシ化合物０〜５０ｗｔ％、例えば、本発明のエポキシ化合物１０〜１００ｗｔ％未満及び従来のエポキシ化合物０超え〜９０ｗｔ％；例えば、本発明のエポキシ化合物３０〜１００ｗｔ％未満及び従来のエポキシ化合物０超え〜７０ｗｔ％；例えば、本発明のエポキシ化合物５０〜１００ｗｔ％未満及び従来のエポキシ化合物０超え〜５０ｗｔ％を含むことができる。
【０２６５】
さらに、上述及び後述の本発明の何れかの態様のエポキシ組成物には、無機材料（充填剤）（例えば、無機粒子及び／または繊維）がさらに含まれてもよい。
【０２６６】
無機粒子としては、従来の有機樹脂の物性を補うために用いられると知られている如何なる無機粒子が用いられてもよく、これに限定されないが、シリカ（例えば、溶融シリカ及び結晶性シリカを含む。）、ジルコニア、チタニア、アルミナ、窒化ケイ素、及び窒化アルミニウムからなる群から選択される少なくとも１種の金属酸化物、及びシルセスキオキサンからなる群から選択される少なくとも１種が用いられることができる。上記無機粒子は、単独で用いられてもよく、２種以上の混合物として用いられてもよい。
【０２６７】
シリカを特に多量配合する場合には、溶融シリカを用いることが好ましい。溶融シリカとしては、破砕状や球状の何れも使用可能であるが、溶融シリカの配合量を高め、且つ成形材料の溶融粘度の上昇を抑制するためには、球状のものを用いることが好ましい。
【０２６８】
上記無機粒子としては、これに限定されないが、複合体の使用用途、具体的には、無機粒子の分散性などを考慮して、粒子サイズが０．５ｎｍ数十μｍ（例えば、５０μｍ〜１００μｍ）の無機粒子が用いられることができる。無機粒子はエポキシ化合物に分散されるため、粒子サイズによる分散性の差により、上記のサイズの無機粒子がともに用いられることが好ましい。さらに、無機粒子の配合量を高めるためには、無機粒子の粒子サイズ分布を広くして配合することが好ましい。
【０２６９】
本発明の一態様によるエポキシ組成物において、上記エポキシ化合物に対して無機粒子は、エポキシ複合体のＣＴＥの減少及び適用時に求められる適正粘度及び用途に応じて適宜添加することができるが、無機粒子の含量は、エポキシ組成物の固形分の総重量に対して（エポキシ硬化物の場合は、エポキシ硬化物の総重量を基準として）、５ｗｔ％〜９５ｗｔ％、例えば、５ｗｔ％〜９０ｗｔ％、例えば、１０ｗｔ％〜９０ｗｔ％、例えば、３０ｗｔ％〜９５ｗｔ％、例えば、３０ｗｔ％〜９０ｗｔ％、例えば、５ｗｔ％〜６０ｗｔ％、例えば、１０ｗｔ％〜５０ｗｔ％であることができる。
【０２７０】
より具体的には、一例として、エポキシ組成物が半導体封止材などに用いられる場合、これに限定されないが、ＣＴＥ値と材料加工性を考慮して、無機粒子の含量は、例えば、エポキシ組成物の固形分の総重量に対して（エポキシ硬化物の場合は、エポキシ硬化物の総重量を基準として）３０ｗｔ％〜９５ｗｔ％、例えば、３０ｗｔ％〜９０ｗｔ％であることができる。また、一例として、エポキシ組成物が半導体基板などに用いられる場合には、基板のＣＴＥ値と強度などを考慮して、無機粒子の含量は、例えば、エポキシ組成物の固形分の総重量に対して（エポキシ硬化物の場合は、エポキシ硬化物の総重量を基準として）５ｗｔ％〜８５ｗｔ％、例えば、１０ｗｔ％〜８０ｗｔ％であることができる。
【０２７１】
一方、繊維が無機材料として使用される場合は、主に繊維にエポキシ組成物を含浸する方式で複合化されるため、繊維のサイズなどは特に制限されず、この技術分野において一般的に用いられる如何なる種類及び寸法の繊維が用いられてもよい。
【０２７２】
繊維としては、これに限定されないが、従来の有機樹脂硬化物の物性を改善するために一般的に用いられる如何なる繊維が使用されてもよい。具体的には、ガラス繊維、有機繊維またはこれらの混合物が用いられることができる。また、本明細書で使用される用語「ガラス繊維」とは、ガラス繊維だけでなく、ガラス繊維織布、ガラス繊維不織布などを含む意味である。これに限定されないが、ガラス繊維の例としては、Ｅガラス繊維、Ｔガラス繊維、Ｓガラス繊維、ＮＥガラス繊維、Ｄガラス繊維、石英ガラス繊維などのガラス繊維が挙げられ、例えば、ＥまたはＴガラス繊維が挙げられる。有機繊維としては、特にこれに限定されるものではないが、液晶ポリエステル繊維、ポリエチレンテレフタレート繊維、全芳香族繊維、ポリベンゾオキサゾール繊維、ナイロン繊維、ポリエチレンナフタレート繊維、ポリプロピレン繊維、ポリエーテルスルホン繊維、ポリビニリデンフルオライド繊維、ポリエチレンスルフィド繊維、ポリエーテルエーテルケトン繊維からなる群から選択される少なくとも１種が単独で用いられてもよく、２種以上がともに用いられてもよい。
【０２７３】
本発明による何れかの態様のエポキシ組成物、例えば、ガラス繊維複合体において、繊維の含量は、硬化物の総重量を基準として、１０ｗｔ％〜９０ｗｔ％、例えば、３０ｗｔ％〜７０ｗｔ％、さらに、例えば、３５ｗｔ％〜７０ｗｔ％であることができる。したがって、レジン含量は、１０ｗｔ％〜９０ｗｔ％、例えば、３０ｗｔ％〜７０ｗｔ％、さらに、例えば、３５ｗｔ％〜７０ｗｔ％であることができる。繊維の含量が上記範囲であると、耐熱性の向上及び加工性の点で好ましい。一方、繊維を含むエポキシ組成物、硬化物などにおいて、通常、総固形分から繊維を除いた固形分部分をレジン成分（ｒｅｓｉｎ  ｃｏｎｔｅｎｔ、Ｒ／Ｃ）と称する。
【０２７４】
さらに、上記繊維を含む何れかの態様のエポキシ組成物には、必要に応じて、無機粒子がさらに含まれてもよい。このとき、無機粒子は、物性向上及び工程性（加工性）を考慮して、総レジン含量の重量を基準として、１ｗｔ％〜８０ｗｔ％範囲の量で配合されることができる。この際、使用可能な無機粒子の種類は特に限定されず、この技術分野において知られている如何なる無機粒子が用いられてもよく、例えば、上記した無機粒子の種類が用いられることができる。
【０２７５】
一方、上述及び後述の本発明の何れかの態様のエポキシ組成物には、硬化剤がさらに含まれてもよい。
【０２７６】
上記硬化剤としては、エポキシ化合物に対する硬化剤として一般的に知られている如何なる硬化剤が用いられてもよく、特にこれに限定されるものではないが、例えば、アミン、ポリフェノール、酸無水物などが用いられることができる。
【０２７７】
より具体的には、これに限定されないが、アミン硬化剤としては、脂肪族アミン、脂環族アミン、芳香族アミン、その他のアミン、及び変性ポリアミンを使用することができ、２つ以上の第一級アミン基を含むアミン化合物を使用することができる。上記アミン硬化剤の具体例としては、４，４’−ジメチルアニリン（ジアミノジフェニルメタン）（４，４’−Ｄｉｍｅｔｈｙｌａｎｉｌｉｎｅ（ｄｉａｍｉｎｏ  ｄｉｐｈｅｎｙｌ  ｍｅｔｈａｎｅ、ＤＡＭまたはＤＤＭ）、ジアミノジフェニルスルホン（ｄｉａｍｉｎｏ  ｄｉｐｈｅｎｙｌ  ｓｕｌｆｏｎｅ、ＤＤＳ）、ｍ−フェニレンジアミン（ｍ−ｐｈｅｎｙｌｅｎｅ  ｄｉａｍｉｎｅ）からなる群から選択される１種以上の芳香族アミン、ジエチレントリアミン（ｄｉｅｔｈｙｌｅｎｅ  ｔｒｉａｍｉｎｅ、ＤＥＴＡ）、ジエチレンテトラア
ミン（ｄｉｅｔｈｙｌｅｎｅ  ｔｅｔｒａｍｉｎｅ）、トリエチレンテトラアミン（ｔｒｉｅｔｈｙｌｅｎｅ  ｔｅｔｒａｍｉｎｅ、ＴＥＴＡ）、ｍ−キシレンジアミン（ｍ−ｘｙｌｅｎｅ  ｄｉａｍｉｎｅ、ＭＸＤＡ）、メタンジアミン（ｍｅｔｈａｎｅ  ｄｉａｍｉｎｅ、ＭＤＡ）、Ｎ，Ｎ’−ジエチレンジアミン（Ｎ，Ｎ’−ｄｉｅｔｈｙｌｅｎｅｄｉａｍｉｎｅ、Ｎ，Ｎ’−ＤＥＤＡ）、テトラエチレンペンタアミン（ｔｅｔｒａｅｔｈｙｌｅｎｅｐｅｎｔａａｍｉｎｅ、ＴＥＰＡ）、及びヘキサメチレンジアミン（ｈｅｘａｍｅｔｈｙｌｅｎｅｄｉａｍｉｎｅ）からなる群から選択される少なくとも１種以上の脂肪族アミン、イソホロンジアミン（ｉｓｏｐｈｏｒｏｎｅ  ｄｉａｍｉｎｅ、ＩＰＤＩ）、Ｎ−アミノエチルピペラジン（Ｎ−Ａｍｉｎｏｅｔｈｙｌ  ｐｉｐｅｒａｚｉｎｅ、ＡＥＰ）、ビス（４−アミノ３−メチルシクロヘキシル）メタン（Ｂｉｓ（４−Ａｍｉｎｏ３−Ｍｅｔｈｙｌｃｙｃｌｏｈｅｘｙｌ）Ｍｅｔｈａｎｅ、Ｌａｒｏｍｉｎｃ２６０）からなる群から選択される１種以上の脂環族アミン、ジシアンジアミド（ＤＩＣＹ）などのその他のアミン、ポリアミド系、エポキシド系などの変性アミンが挙げられる。
【０２７８】
これに限定されないが、ポリフェノール硬化剤の例としては、フェノールノボラック樹脂、クレゾールノボラック樹脂、ビスフェノールＡノボラック樹脂、キシレンノボラック樹脂、トリフェニルノボラック樹脂、ビフェニルノボラック樹脂、ジシクロペンタジエンノボラック樹脂、ナフタレンノボラック樹脂などが挙げられる。
【０２７９】
これに限定されないが、酸無水物硬化剤の例としては、ドデセニルコハク酸無水物（ｄｏｄｅｃｅｎｙｌ  ｓｕｃｃｉｎｉｃ  ａｎｈｙｄｒｉｄｅ、ＤＤＳＡ）、ポリアゼライン酸ポリ無水物（ｐｏｌｙ  ａｚｅｌａｉｃ  ｐｏｌｙ  ａｎｈｙｄｒｉｄｅ）などの脂肪族酸無水物、ヘキサヒドロフタル酸無水物（ｈｅｘａｈｙｄｒｏｐｈｔｈａｌｉｃ  ａｎｈｙｄｒｉｄｅ、ＨＨＰＡ）、メチルテトラヒドロフタル酸無水物（ｍｅｔｈｙｌ  ｔｅｔｒａｈｙｄｒｏｐｈｔｈａｌｉｃ  ａｎｈｙｄｒｉｄｅ、ＭｅＴＨＰＡ）、メチルナジック酸無水物（ｍｅｔｈｙｌｎａｄｉｃ  ａｎｈｙｄｒｉｄｅ、ＭＮＡ）などの脂環族酸無水物、トリメリット酸無水物（Ｔｒｉｍｅｌｌｉｔｉｃ  Ａｎｈｙｄｒｉｄｅ、ＴＭＡ）、ピロメリット酸二無水物（ｐｙｒｏｍｅｌｌｉｔｉｃ  ａｃｉｄ  ｄｉａｎｈｙｄｒｉｄｅ、ＰＭＤＡ）、ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物（ｂｅｎｚｏｐｈｅｎｏｎｅｔｅｔｒａｃａｒｂｏｘｙｌｉｃ  ｄｉａｎｈｙｄｒｉｄｅ、ＢＴＤＡ）などの芳香族酸無水物、テトラブロモフタル酸無水物（ｔｅｔｒａｂｒｏｍｏｐｈｔｈａｌｉｃ  ａｎｈｙｄｒｉｄｅ、ＴＢＰＡ）、クロレンド酸無水物（ｃｈｌｏｒｅｎｄｉｃ  ａｎｈｙｄｒｉｄｅ）などのハロゲン酸無水化物などが挙げられる。
【０２８０】
一般的に、硬化剤とエポキシ基の反応程度によってエポキシ複合体の硬化度を調節することができ、目的とする硬化度の範囲に応じて、エポキシ化合物のエポキシ基の濃度を基準として硬化剤の含量を調節することができる。例えば、アミン硬化剤が用いられる場合、アミン硬化剤とエポキシ基の当量反応では、エポキシ当量／アミン当量の比が０．５〜２．０となるように、さらに、例えば、０．８〜１．５となるように硬化剤の含量を調節して用いることが好ましい。
【０２８１】
アミン硬化剤の場合を例に挙げて硬化剤の配合量について説明したが、ポリフェノール硬化剤、酸無水物硬化剤、及び本明細書に別に記載していないエポキシ化合物の硬化に使用可能な如何なる硬化剤も、所望の硬化度範囲に応じて、エポキシ組成物中の総エポキシ基の濃度を基準として、エポキシ官能基と硬化剤の反応性官能基の化学反応式に従って化学量論的な量で適宜配合して使用することができ、これはこの技術分野において一般的である。
【０２８２】
また、後述するイミダゾールは、硬化促進剤として多く用いられるが、単独硬化剤として用いられてもよい。イミダゾールが硬化剤として用いられる場合は、エポキシ化合物に対
して０．１〜１０ｐｈｒの量が使用される。
【０２８３】
上述及び後述の本発明の何れかの態様のエポキシ組成物には、硬化反応を促進するために任意の硬化促進剤（硬化触媒）が必要に応じてさらに含まれてもよい。硬化促進剤（硬化触媒）としては、この技術分野においてエポキシ組成物の硬化に一般的に用いられると知られている如何なる触媒が用いられてもよく、これに限定されないが、例えば、イミダゾール、第三級アミン、第四級アンモニウム、有機酸塩、ルイス酸、リン化合物などの硬化促進剤が用いられることができる。
【０２８４】
より具体的には、例えば、ジメチルベンジルアミン、２−メチルイミダゾール（２ＭＺ）、２−ウンデシルイミダゾール、２−エチル−４−メチルイミダゾール（２Ｅ４Ｍ）、２−フェニルイミダゾール、１−（２−シアノエチル）−２−アルキルイミダゾール、２−ヘプタデシルイミダゾール（ｈｅｐｔａｄｅｃｙｌｉｍｉｄａｚｏｌｅ、２ＨＤＩ）などのイミダゾール；ベンジルジメチルアミン（ｂｅｎｚｙｌ  ｄｉｍｅｔｈｙｌ  ａｍｉｎｅ、ＢＤＭＡ）、トリスジメチルアミノメチルフェノール（ＤＭＰ−３０）、ジアザビシクロウンデセン（ＤＢＵ）、及びトリエチレンジアミンなどの第三級アミン化合物；テトラブチルアンモニウムブロミドなどの第四級アンモニウム塩；ＤＢＵの有機酸塩；トリフェニルホスフィン、リン酸エステルなどのリン系化合物、ＢＦ３−モノエチルアミン（ＢＦ３−ＭＥＡ）などのルイス酸などが挙げられるが、これに限定するものではない。これら硬化促進剤は、これらのマイクロカプセルコーティング及び錯塩形成などにより潜在化されたものを用いてもよい。これらは硬化条件によって単独で用いてもよく、２種以上を併用してもよい。
【０２８５】
上記硬化促進剤の配合量は、特に限定されず、この技術分野において一般的に用いられる量で配合して用いることができる。例えば、上記エポキシ化合物に対して０．１〜１０ｐｈｒ（ｐａｒｔｓ  ｐｅｒ  ｈｕｎｄｒｅｄ  ｒｅｓｉｎ、エポキシ化合物１００重量部当りの重量部）、例えば、０．２〜５ｐｈｒであることができる。硬化促進剤は、硬化反応促進効果及び硬化反応速度制御の点で上記含量で用いられることが好ましい。上記硬化促進剤を上記範囲の配合量で用いることにより、硬化が速く進んで、作業処理量の向上が期待できる。
【０２８６】
上記エポキシ組成物は、エポキシ組成物の物性を損なわない範囲で、エポキシ組成物の物性を調節するために通常配合される離型剤、表面処理剤、難燃剤、可塑剤、抗菌剤、レベリング剤、消泡剤、着色剤、安定剤、カップリング剤、粘度調節剤、希釈剤、ゴム、熱可塑性樹脂などのその他の添加剤が必要に応じてさらに配合されてもよい。
【０２８７】
例えば、本発明による何れかの組成物に可撓性を付与するために、本発明の何れかの態様のエポキシ組成物にゴム及び／または熱可塑性樹脂が添加されることができる。熱可塑性樹脂及びゴム−改質（変性）されたエポキシ樹脂としては、この技術分野において一般的に知られているものが使用されることができる。ゴムとしては、組成物に用いられる溶媒に溶解されず、且つ組成物に分散された状態を保持するものであれば、この技術分野において知られている如何なるゴムが使用されてもよい。これに制限されないが、ゴムの種類としては、例えば、アクリロニトリルブタジエンゴム、ブタジエンゴム、アクリルゴム、コア−シェル型ゴム粒子、架橋アクリロニトリルブタジエンゴム粒子、架橋スチレンブタジエンゴム粒子、アクリルゴム粒子などが挙げられる。これらは、単独で用いられてもよく、２種以上がともに用いられてもよい。ゴム粒子の形態を用いる場合、物性改善の点で、平均粒径は０．００５〜１μｍの範囲が好ましく、０．２〜０．６μｍの範囲がより好ましい。ゴム粒子は、エポキシ組成物の固形分の重量を基準として、物性を考慮して、例えば、０．５〜１０重量％で配合されることができる。
【０２８８】
熱可塑性樹脂としては、これに制限されないが、フェノキシ樹脂、ポリビニルアセタール樹脂、ポリイミド樹脂、ポリアミドイミド樹脂、ポリエーテルスルホン樹脂、ポリスルホン樹脂などが挙げられる。これらは、単独で用いられてもよく、２種以上がともに用いられてもよい。熱可塑性樹脂は、エポキシ組成物の固形分の重量を基準として、物性を考慮して、例えば、０．５〜６０重量％、好ましくは３〜５０重量％で配合されることができる。
【０２８９】
上記したように、本明細書で使用される用語「エポキシ組成物」は、本発明のエポキシ化合物だけでなく、必要に応じて、上記エポキシ組成物を構成する他の構成成分、例えば、任意の硬化剤、硬化促進剤（触媒）、無機材料（充填剤）（例えば、無機粒子及び／または繊維）、その他の通常のエポキシ化合物及び溶媒の他に、この技術分野において必要に応じて配合されるその他の添加剤を含み得ると理解すべきであり、したがって、通常、エポキシ組成物における溶媒は、エポキシ組成物の工程性（加工性）などを考慮して、エポキシ組成物の固形分含量及び／または粘度を適宜調節するように任意に用いられることができる。一方、本発明で使用される用語「エポキシ組成物の固形分の総重量」とは、エポキシ組成物を構成する成分から溶媒を除いた成分の総重量をいう。
【０２９０】
上記本発明の何れかの態様で提供される何れかのエポキシ組成物は、電子材料用に用いられることができる。電子材料は、これに限定されないが、例えば、半導体用基板、フィルム、プリプレグ、または本発明の組成物からなる基材層に金属層が配置された積層板、封止材料（パッケージング材料）だけでなく、印刷配線基板などの電子部品である。また、接着剤、塗料及び複合材料などの各種用途に適用されることができる。本発明のさらに他の態様によると、本発明のエポキシ化合物を含む何れかの組成物を含む、またはこれからなる電子材料が提供される。さらに、上記電子材料を含むか、これにより必須に構成されるか、または構成される半導体装置がさらに提供される。具体的には、上記半導体装置は、本発明のエポキシ化合物を含む組成物を含むか、これにより必須に構成されるか、または構成される印刷配線板（プリント配線板）を含む（例えば、半導体素子が搭載される。）半導体装置及び／または半導体パッケージング材料を含む半導体装置であることができる。また、上記本発明の何れかの態様で提供される何れかのエポキシ組成物を含むか、必須に構成されるか、または構成される硬化物、接着剤、塗料または複合材料が提供される。
【０２９１】
本発明のさらに他の態様によると、上記の本発明の何れかの態様で提供されるエポキシ組成物を含むか、必須に構成されるか、または構成される硬化物が提供される。上記本発明の何れかの態様で提供されるエポキシ組成物は、実際に適用される場合、例えば、電子材料などに適用される場合には、硬化物として用いられ、この技術分野においてエポキシ化合物と無機成分の充填剤を含む組成物の硬化物は、一般的に複合体と称される。
【０２９２】
上記の本発明の一態様で提供されるエポキシ化合物は、複合体において優れた耐熱特性及び／または硬化物において優れた難燃性を示す。
【０２９３】
具体的には、複合体は、低いＣＴＥ、例えば、１５ｐｐｍ／℃以下、例えば、１２ｐｐｍ／℃以下、例えば、１０ｐｐｍ／℃以下、例えば、８ｐｐｍ／℃以下、例えば、６ｐｐｍ／℃以下、例えば、４ｐｐｍ／℃以下のＣＴＥを示す。ＣＴＥ値は小さいほど物性に優れたものであり、ＣＴＥの下限値を特に限定するものではない。
【０２９４】
例えば、エポキシ化合物として本発明による何れかのエポキシ化合物、無機材料としてガラス繊維、例えば、Ｅ−ガラス及び／またはＴ−ガラスのガラス繊維を含み、レジン含量が３０ｗｔ％〜６０ｗｔ％（レジン含量には、無機粒子が含まれていてもよく、含まれていなくてもよい。）である複合体は、例えば、１０ｐｐｍ／℃以下、例えば、８ｐｐｍ／
℃以下、例えば、６ｐｐｍ／℃以下、例えば、４ｐｐｍ／℃以下のＣＴＥを示す。
【０２９５】
また、例えば、エポキシ化合物として本発明による何れかのエポキシ化合物、無機材料として無機粒子、例えば、シリカ粒子を６０〜８０ｗｔ％、例えば、７０〜８０ｗｔ％含む複合体は、２０ｐｐｍ／℃以下、例えば、１５ｐｐｍ／℃以下、例えば、１０ｐｐｍ／℃以下、例えば、８ｐｐｍ／℃以下、例えば、６ｐｐｍ／℃以下、例えば、４ｐｐｍ／℃以下のＣＴＥを示す。
【０２９６】
また、本発明による複合体（無機材料を含む硬化物）は、Ｔｇが１００℃より高く、例えば、１３０℃以上、さらに、例えば、２５０℃以上またはＴｇ−レスであることができる。Ｔｇ値が大きいほど物性に優れたものであり、Ｔｇの上限値を特に限定するものではない。
【０２９７】
一方、本発明によるエポキシ化合物自体の硬化物（無機材料を含有しない硬化物）は、５０ｐｐｍ／℃〜１５０ｐｐｍ／℃のＣＴＥを有する。
【０２９８】
本明細書において、範囲として示した値は、特に言及しない限り、範囲の下限値と上限値だけでなく、範囲内の何れかの下部範囲、及びその範囲に属する全ての数をそれぞれ含むことを意味する。例えば、Ｃ１〜Ｃ１０は、Ｃ１、Ｃ２、Ｃ３、Ｃ４、Ｃ５、Ｃ６、Ｃ７、Ｃ８、Ｃ９、Ｃ１０の全てを含むと理解すべきである。また、数値範囲のうち、下限値または上限値が規定されていないものは、数値が小さいほど、または大きいほど好ましいものであり、これらの限界を特に規定せず、何れかの値を含むと理解すべきである。例えば、４ｐｐｍ／℃以下のＣＴＥは、４、３．５、３、２．７、２、１．４、１、０．５ｐｐｍ／℃など、範囲内の全ての値を含むと理解すべきである。
【０２９９】
以下、実施例を挙げて本発明について詳細に説明する。下記実施例は本発明を例示するものであって、これにより本発明が限定されるものではない。
【０３００】
合成例１：エトキシシリル基及びエチルシリル基を含むビスフェノールＡ系エポキシ化合物の合成（Ｓｉ（ＯＥｔ）３：Ｓｉ（Ｅｔ）３＝３：１）
５００ｍｌのフラスコに、アリル基を有するビスフェノールＡエポキシ（構造式１）１７．１７ｇ、トリエトキシシラン１１．０１ｍｌ、トリエチルシラン６．５４ｍｌ、白金酸化物１８５ｍｇ、及びトルエン１５０ｍｌを入れて混合した後、アルゴンが充填された状態で、８５℃で２４時間撹拌した。反応後、得られた粗生成物をセライトろ過し、蒸発器を用いて溶媒を除去することで、最終エポキシを得た。得られた最終生成物のＮＭＲデータは、次の通りである。
【０３０１】
【化１２７】
0006423443.tif 000138
【０３０２】
１Ｈ  ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ３）：δ＝０．４２−０．５３（ｍ，１０Ｈ），０．８４（ｔ，Ｊ＝８．０Ｈｚ，４．５Ｈ），１．２０（ｔ，Ｊ＝７．０Ｈｚ，１３．５Ｈ），１．６０（ｓ，６Ｈ），１．６２−１．７２（ｍ，４Ｈ），２．６１（ｔ，Ｊ＝７．６Ｈｚ，４Ｈ），２．７４（ｄｄ，Ｊ＝２．６Ｈｚ，２Ｈ），２．８６（ｄｄ，Ｊ＝４．２Ｈｚ，２Ｈ），３．３０−３．３４（ｍ，２Ｈ），３．７９（ｄｔ，Ｊ＝１９．２，
５．２，１．６Ｈｚ，６Ｈ），３．９７（ｄｄ，Ｊ＝５．２Ｈｚ，２Ｈ），４．１４（ｄｄ，Ｊ＝３．２Ｈｚ，２Ｈ），６．７０（ｄ，Ｊ＝７．６Ｈｚ，２Ｈ），６．９４（ｄｄ，Ｊ＝２．８Ｈｚ，２Ｈ），６．９９（ｄ，Ｊ＝７．６Ｈｚ，２Ｈ）
【０３０３】
合成例２：エトキシシリル基、エチルシリル基及びアリル基を含むビスフェノールＡ系エポキシ化合物の合成（Ｓｉ（ＯＥｔ）３：Ｓｉ（Ｅｔ）３：ａｌｌｙｌ＝２：１：１）
５００ｍｌのフラスコに、アリル基を有するビスフェノールＡエポキシ（構造式１）１７．１７ｇ、トリエトキシシラン７．３４ｍｌ、トリエチルシラン３．２７ｍｌ、白金酸化物１８５ｍｇ、及びトルエン１５０ｍｌを入れて混合した後、アルゴンが充填された状態で、８５℃で２４時間撹拌した。反応後、得られた粗生成物をセライトろ過し、蒸発器を用いて溶媒を除去することで、最終エポキシを得た。得られた最終生成物のＮＭＲデータは、次の通りである。
【０３０４】
１Ｈ  ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ３）：δ＝０．４２−０．５３（ｍ，９Ｈ），０．８４（ｔ，Ｊ＝８．０Ｈｚ，４．５Ｈ），１．２０（ｔ，Ｊ＝７．０Ｈｚ，９Ｈ），１．６０（ｓ，６Ｈ），１．６２−１．７２（ｍ，３Ｈ），２．６１（ｔ，Ｊ＝７．６Ｈｚ，３Ｈ），２．７４（ｄｄ，Ｊ＝２．６Ｈｚ，２Ｈ），２．８６（ｄｄ，Ｊ＝４．２Ｈｚ，２Ｈ），３．３０−３．３４（ｍ，２Ｈ），３．７９（ｄｔ，Ｊ＝１９．２，５．２，１．６Ｈｚ，４Ｈ），３．９７（ｄｄ，Ｊ＝５．２Ｈｚ，２Ｈ），４．１４（ｄｄ，Ｊ＝３．２Ｈｚ，２Ｈ），４．９３−５．０１（ｍ，１Ｈ），５．８０−５．９５（ｍ，０．５Ｈ），６．５９−６．７１（ｍ，０．４Ｈ），６．８７−７．０４（ｍ，５．６Ｈ）
【０３０５】
合成例３：エトキシシリル基及びアリル基を含むビスフェノールＡ系エポキシ化合物の合成（Ｓｉ（ＯＥｔ）３：ａｌｌｙｌ＝１：１）
５００ｍｌのフラスコに、アリル基を有するビスフェノールＡエポキシ（構造式１）５．３１ｇ、トリエトキシシラン２．３３ｍｌ、白金酸化物２８ｍｇ、及びトルエン１００ｍｌを入れて混合した後、アルゴンが充填された状態で、８５℃で２４時間撹拌した。反応後、得られた粗生成物をセライトろ過し、蒸発器を用いて溶媒を除去することで、最終エポキシを得た。得られた最終生成物のＮＭＲデータは、次の通りである。
【０３０６】
１Ｈ  ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ３）：δ＝０．６４−０．６９（ｍ，２Ｈ），１．２０（ｔ，Ｊ＝７．０Ｈｚ，９Ｈ），１．６０（ｓ，６Ｈ），１．６２−１．７２（ｍ，２Ｈ），２．６１（ｔ，Ｊ＝７．６Ｈｚ，２Ｈ），２．７４（ｄｄ，Ｊ＝２．６Ｈｚ，２Ｈ），２．８６（ｄｄ，Ｊ＝４．２Ｈｚ，２Ｈ），３．３０−３．３４（ｍ，２Ｈ），３．７９（ｄｔ，Ｊ＝１９．２，５．２，１．６Ｈｚ，６Ｈ），３．９７（ｄｄ，Ｊ＝５．２Ｈｚ，２Ｈ），４．１４（ｄｄ，Ｊ＝３．２Ｈｚ，２Ｈ），４．９３−５．０１（ｍ，２Ｈ），５．８０−５．９５（ｍ，１Ｈ），６．８７−７．０４（ｍ，６Ｈ）
【０３０７】
合成例４：エトキシシリル基及びアリル基を含むビスフェノールＡ系エポキシ化合物の合成（Ｓｉ（ＯＥｔ）３：ａｌｌｙｌ＝１：１．５）
５００ｍｌのフラスコに、アリル基を有するビスフェノールＡエポキシ（構造式１）１０．６６ｇ、トリエトキシシラン３．５９ｍｌ、白金酸化物５８ｍｇ、及びトルエン１００ｍｌを入れて混合した後、アルゴンが充填された状態で、８５℃で２４時間撹拌した。反応後、得られた粗生成物をセライトろ過し、蒸発器を用いて溶媒を除去することで、最終エポキシを得た。得られた最終生成物のＮＭＲデータは、次の通りである。
【０３０８】
１Ｈ  ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ３）：δ＝０．６４−０．６９（ｍ，１．６Ｈ），１．２０（ｔ，Ｊ＝７．０Ｈｚ，７．２Ｈ），１．６０（ｓ，６Ｈ），１．６２−１．７２（ｍ，１．６Ｈ），２．６１（ｔ，Ｊ＝７．６Ｈｚ，１．６Ｈ），２．７４（ｄｄ，Ｊ＝２．６Ｈｚ，２Ｈ），２．８６（ｄｄ，Ｊ＝４．２Ｈｚ，２Ｈ），３．３０−３．３
４（ｍ，２Ｈ），３．７９（ｄｔ，Ｊ＝１９．２，５．２，１．６Ｈｚ，４．８Ｈ），３．９７（ｄｄ，Ｊ＝５．２Ｈｚ，２Ｈ），４．１４（ｄｄ，Ｊ＝３．２Ｈｚ，２Ｈ），４．９３−５．０１（ｍ，２．４Ｈ），５．８０−５．９５（ｍ，１．２Ｈ），６．８７−７．０４（ｍ，６Ｈ）
【０３０９】
合成例５：エトキシシリル基及びアリル基を含むビスフェノールＡ系エポキシ化合物の合成（Ｓｉ（ＯＥｔ）３：ａｌｌｙｌ＝１：０．６７）
５００ｍｌのフラスコに、アリル基を有するビスフェノールＡエポキシ（構造式１）７．１１ｇ、トリエトキシシラン３．９０ｍｌ、白金酸化物４５ｍｇ、及びトルエン１００ｍｌを入れて混合した後、アルゴンが充填された状態で、８５℃で２４時間撹拌した。反応後、得られた粗生成物をセライトろ過し、蒸発器を用いて溶媒を除去することで、最終エポキシを得た。得られた最終生成物のＮＭＲデータは、次の通りである。
【０３１０】
１Ｈ  ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ３）：δ＝０．６４−０．６９（ｍ，２．４Ｈ），１．２０（ｔ，Ｊ＝７．０Ｈｚ，１０．８Ｈ），１．６０（ｓ，６Ｈ），１．６２−１．７２（ｍ，２．４Ｈ），２．６１（ｔ，Ｊ＝７．６Ｈｚ，２．４Ｈ），２．７４（ｄｄ，Ｊ＝２．６Ｈｚ，２Ｈ），２．８６（ｄｄ，Ｊ＝４．２Ｈｚ，２Ｈ），３．３０−３．３４（ｍ，２Ｈ），３．７９（ｄｔ，Ｊ＝１９．２，５．２，１．６Ｈｚ，７．２Ｈ），３．９７（ｄｄ，Ｊ＝５．２Ｈｚ，２Ｈ），４．１４（ｄｄ，Ｊ＝３．２Ｈｚ，２Ｈ），４．９３−５．０１（ｍ，１．６Ｈ），５．８０−５．９５（ｍ，０．８Ｈ），６．８７−７．０４（ｍ，６Ｈ）
【０３１１】
合成例６：エトキシシリル基及びアリル基を含むビスフェノールＡ系エポキシ化合物の合成（Ｓｉ（ＯＥｔ）３：ａｌｌｙｌ＝１：０．３３）
５００ｍｌのフラスコに、アリル基を有するビスフェノールＡエポキシ（構造式１）１２．６８ｇ、トリエトキシシラン８．３４ｍｌ、白金酸化物１０２ｍｇ、及びトルエン１００ｍｌを入れて混合した後、アルゴンが充填された状態で、８５℃で２４時間撹拌した。反応後、得られた粗生成物をセライトろ過し、蒸発器を用いて溶媒を除去することで、最終エポキシを得た。得られた最終生成物のＮＭＲデータは、次の通りである。
【０３１２】
１Ｈ  ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ３）：δ＝０．６４−０．６９（ｍ，３Ｈ），１．２０（ｔ，Ｊ＝７．０Ｈｚ，１３．５Ｈ），１．６０（ｓ，６Ｈ），１．６２−１．７２（ｍ，３Ｈ），２．６１（ｔ，Ｊ＝７．６Ｈｚ，３Ｈ），２．７４（ｄｄ，Ｊ＝２．６Ｈｚ，２Ｈ），２．８６（ｄｄ，Ｊ＝４．２Ｈｚ，２Ｈ），３．３０−３．３４（ｍ，２Ｈ），３．７９（ｄｔ，Ｊ＝１９．２，５．２，１．６Ｈｚ，９Ｈ），３．９７（ｄｄ，Ｊ＝５．２Ｈｚ，２Ｈ），４．１４（ｄｄ，Ｊ＝３．２Ｈｚ，２Ｈ），４．９３−５．０１（ｍ，１Ｈ），５．８０−５．９５（ｍ，０．５Ｈ），６．８７−７．０４（ｍ，６Ｈ）
【０３１３】
合成例７：メトキシシリル基及びアリル基を含むビスフェノールＡ系エポキシ化合物の合成（Ｓｉ（ＯＭｅ）３：ａｌｌｙｌ＝１：９）
５００ｍｌのフラスコに、アリル基を有するビスフェノールＡエポキシ（構造式１）４０．０９ｇ、トリメトキシシラン２．７４ｍｌ、白金酸化物２１８ｍｇ、及びトルエン１００ｍｌを入れて混合した後、アルゴンが充填された状態で、８５℃で２４時間撹拌した。反応後、得られた粗生成物をセライトろ過し、蒸発器を用いて溶媒を除去することで、最終エポキシを得た。得られた最終生成物のＮＭＲデータは、次の通りである。
【０３１４】
１Ｈ  ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，ＤＭＳＯ）：δ＝０．５４（ｔ，Ｊ＝８．０Ｈｚ，０．４Ｈ），１．５５（ｓ，６．４Ｈ），２．４９−２．５１（ｍ，０．４Ｈ），２．７０（ｄｄ，Ｊ＝２．６Ｈｚ，２Ｈ），２．８２（ｄｄ，Ｊ＝４．２Ｈｚ，２Ｈ），３．２６−３
．３２（ｍ，５．４Ｈ），３．４２（ｓ，１．８Ｈ），３．８４（ｄｄ，Ｊ＝５．４Ｈｚ，２Ｈ），４．２６（ｄｄ，Ｊ＝３．２Ｈｚ，２Ｈ），４．９４−５．０１（ｍ，３．６Ｈ），５．８３−５．９５（ｍ，１．８Ｈ），６．８３−７．０２（ｍ，６Ｈ）
【０３１５】
合成例８：メトキシシリル基及びアリル基を含むビスフェノールＡ系エポキシ化合物の合成（Ｓｉ（ＯＭｅ）３：ａｌｌｙｌ＝１：４）
５００ｍｌのフラスコに、アリル基を有するビスフェノールＡエポキシ（構造式１）１１．１０ｇ、トリメトキシシラン１１．８６ｍｌ、白金酸化物５９ｍｇ、及びトルエン１００ｍｌを入れて混合した後、アルゴンが充填された状態で、８５℃で２４時間撹拌した。反応後、得られた粗生成物をセライトろ過し、蒸発器を用いて溶媒を除去することで、最終エポキシを得た。得られた最終生成物のＮＭＲデータは、次の通りである。
【０３１６】
１Ｈ  ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，ＤＭＳＯ）：δ＝０．５４（ｔ，Ｊ＝８．０Ｈｚ，０．８Ｈ），１．５５（ｓ，６．８Ｈ），２．４９−２．５１（ｍ，０．８Ｈ），２．７０（ｄｄ，Ｊ＝２．６Ｈｚ，２Ｈ），２．８２（ｄｄ，Ｊ＝４．２Ｈｚ，２Ｈ），３．２６−３．３２（ｍ，４．８Ｈ），３．４２（ｓ，３．６Ｈ），３．８４（ｄｄ，Ｊ＝５．４Ｈｚ，２Ｈ），４．２６（ｄｄ，Ｊ＝３．２Ｈｚ，２Ｈ），４．９４−５．０１（ｍ，３．２Ｈ），５．８３−５．９５（ｍ，１．６Ｈ），６．８３−７．０２（ｍ，６Ｈ）
【０３１７】
合成例９：エトキシシリル基、メトキシシリル基及びアリル基を含むビスフェノールＡ系エポキシ化合物の合成（Ｓｉ（ＯＥｔ）３：Ｓｉ（ＯＭｅ）３：ａｌｌｙｌ＝１：１：８）
５００ｍｌのフラスコに、アリル基を有するビスフェノールＡエポキシ（構造式１）４０．０２ｇ、トリエトキシシラン３．６８ｍｌ、トリメトキシシラン２．７３ｍｌ、白金酸化物２１８ｍｇ、及びトルエン１００ｍｌを入れて混合した後、アルゴンが充填された状態で、８５℃で２４時間撹拌した。反応後、得られた粗生成物をセライトろ過し、蒸発器を用いて溶媒を除去することで、最終エポキシを得た。得られた最終生成物のＮＭＲデータは、次の通りである。
【０３１８】
１Ｈ  ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，ＤＭＳＯ）：δ＝０．５０−０．５６（ｍ，０．８Ｈ），１．０４−１．１３（ｍ，１．８Ｈ），１．５５（ｓ，６．８Ｈ），２．４９−２．５１（ｍ，０．８Ｈ），２．７０（ｄｄ，Ｊ＝２．６Ｈｚ，２Ｈ），２．８２（ｄｄ，Ｊ＝４．２Ｈｚ，２Ｈ），３．２６−３．３２（ｍ，４．８Ｈ），３．４２（ｔ，Ｊ＝４．０Ｈｚ，１．８Ｈ），３．８４（ｄｄ，Ｊ＝５．４Ｈｚ，２Ｈ），４．２６（ｄｄ，Ｊ＝３．２Ｈｚ，２Ｈ），４．９４−５．０１（ｍ，３．２Ｈ），５．８３−５．９５（ｍ，１．６Ｈ），６．８３−７．０２（ｍ，６Ｈ）
【０３１９】
合成例１０：エトキシシリル基及びエチルシリル基を含むナフタレン系エポキシ化合物の合成（Ｓｉ（ＯＥｔ）３：Ｓｉ（Ｅｔ）３＝３：１）
５００ｍｌのフラスコに、アリル基を有するナフタレンエポキシ（構造式２）１８．６６ｇ、トリエトキシシラン１３．３２ｍｌ、トリエチルシラン８．４５ｍｌ、白金酸化物２３９ｍｇ、及びトルエン１５０ｍｌを入れて混合した後、アルゴンが充填された状態で、８５℃で２４時間撹拌した。反応後、得られた粗生成物をセライトろ過し、蒸発器を用いて溶媒を除去することで、最終エポキシを得た。得られた最終生成物のＮＭＲデータは、次の通りである。
【０３２０】
【化１２８】
0006423443.tif 000139
【０３２１】
１Ｈ  ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ３）：δ＝０．６４−０．７２（ｍ，１０Ｈ），０．８４（ｔ，Ｊ＝８．０Ｈｚ，４．５Ｈ），１．２０（ｔ，Ｊ＝７．０Ｈｚ，１３．５Ｈ），１．６２−１．７２（ｍ，４Ｈ），２．６１（ｔ，Ｊ＝７．６Ｈｚ，４Ｈ），２．７４（ｄｄ，Ｊ＝２．６Ｈｚ，２Ｈ），２．８６（ｄｄ，Ｊ＝４．２Ｈｚ，２Ｈ），３．３０−３．３４（ｍ，２Ｈ），３．７９（ｄｔ，Ｊ＝１９．２，５．２，１．６Ｈｚ，６Ｈ），３．９７（ｄｄ，Ｊ＝５．２Ｈｚ，２Ｈ），４．１４（ｄｄ，Ｊ＝３．２Ｈｚ，２Ｈ），７．２８（ｄ，Ｊ＝８．５Ｈｚ，２Ｈ），７．７５（ｄ，Ｊ＝８．５Ｈｚ，２Ｈ）
【０３２２】
合成例１１：エトキシシリル基、エチルシリル基及びアリル基を含むナフタレン系エポキシ化合物の合成（Ｓｉ（ＯＥｔ）３：Ｓｉ（Ｅｔ）３：ａｌｌｙｌ＝２：１：１）
５００ｍｌのフラスコに、アリル基を有するナフタレンエポキシ（構造式２）１８．６６ｇ、トリエトキシシラン９．５１ｍｌ、トリエチルシラン４．２３ｍｌ、白金酸化物２３９ｍｇ、及びトルエン１５０ｍｌを入れて混合した後、アルゴンが充填された状態で、８５℃で２４時間撹拌した。反応後、得られた粗生成物をセライトろ過し、蒸発器を用いて溶媒を除去することで、最終エポキシを得た。得られた最終生成物のＮＭＲデータは、次の通りである。
【０３２３】
１Ｈ  ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ３）：δ＝０．６４−０．７２（ｍ，７．５Ｈ），０．８４（ｔ，Ｊ＝８．０Ｈｚ，２．３Ｈ），１．２０（ｔ，Ｊ＝７．０Ｈｚ，９Ｈ），１．６２−１．７２（ｍ，３Ｈ），２．６１（ｔ，Ｊ＝７．６Ｈｚ，３Ｈ），２．７４（ｄｄ，Ｊ＝２．６Ｈｚ，２Ｈ），２．８６（ｄｄ，Ｊ＝４．２Ｈｚ，２Ｈ），３．３０−３．３４（ｍ，２Ｈ），３．７９（ｄｔ，Ｊ＝１９．２，５．２，１．６Ｈｚ，４．５Ｈ），３．９７（ｄｄ，Ｊ＝５．２Ｈｚ，２Ｈ），４．１４（ｄｄ，Ｊ＝３．２Ｈｚ，２Ｈ），５．０７−５．１２（ｍ，１Ｈ），５．９８−６．０８（ｍ，０．５Ｈ），７．２８（ｄ，Ｊ＝８．５Ｈｚ，２Ｈ），７．７５（ｄ，Ｊ＝８．５Ｈｚ，２Ｈ）
【０３２４】
合成例１２：エトキシシリル基及びアリル基を含むナフタレン系エポキシ化合物の合成（Ｓｉ（ＯＥｔ）３：ａｌｌｙｌ＝１：１）
５００ｍｌのフラスコに、アリル基を有するナフタレンエポキシ（構造式２）１８．３９ｇ、トリエトキシシラン９．６３ｍｌ、白金酸化物１１９ｍｇ、及びトルエン１００ｍｌを入れて混合した後、アルゴンが充填された状態で、８５℃で２４時間撹拌した。反応後、得られた粗生成物をセライトろ過し、蒸発器を用いて溶媒を除去することで、最終エポキシを得た。得られた最終生成物のＮＭＲデータは、次の通りである。
【０３２５】
１Ｈ  ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ３）：δ＝０．６４−０．６９（ｍ，２Ｈ），１．２０（ｔ，Ｊ＝７．０Ｈｚ，９Ｈ），１．６２−１．７２（ｍ，２Ｈ），２．６１（ｔ，Ｊ＝７．６Ｈｚ，２Ｈ），２．７４（ｄｄ，Ｊ＝２．６Ｈｚ，２Ｈ），２．８６（ｄｄ
，Ｊ＝４．２Ｈｚ，２Ｈ），３．３０−３．３４（ｍ，２Ｈ），３．７９（ｄｔ，Ｊ＝１９．２，５．２，１．６Ｈｚ，６Ｈ），３．９７（ｄｄ，Ｊ＝５．２Ｈｚ，２Ｈ），４．１４（ｄｄ，Ｊ＝３．２Ｈｚ，２Ｈ），５．０７−５．１２（ｍ，２Ｈ），５．９８−６．０８（ｍ，１Ｈ），７．２８−７．３５（ｍ，２Ｈ），７．７５−７．８９（ｍ，２Ｈ）
【０３２６】
合成例１３：エトキシシリル基及びアリル基を含むナフタレン系エポキシ化合物の合成（Ｓｉ（ＯＥｔ）３：ａｌｌｙｌ＝１：３）
５００ｍｌのフラスコに、アリル基を有するナフタレンエポキシ（構造式２）１０．２１ｇ、トリエトキシシラン２．６７ｍｌ、白金酸化物６６ｍｇ、及びトルエン１００ｍｌを入れて混合した後、アルゴンが充填された状態で、８５℃で２４時間撹拌した。反応後、得られた粗生成物をセライトろ過し、蒸発器を用いて溶媒を除去することで、最終エポキシを得た。得られた最終生成物のＮＭＲデータは、次の通りである。
【０３２７】
１Ｈ  ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ３）：δ＝０．６４−０．６９（ｍ，１Ｈ），１．２０（ｔ，Ｊ＝７．０Ｈｚ，４．５Ｈ），１．６２−１．７２（ｍ，１Ｈ），２．６１（ｔ，Ｊ＝７．６Ｈｚ，１Ｈ），２．７４（ｄｄ，Ｊ＝２．６Ｈｚ，２Ｈ），２．８６（ｄｄ，Ｊ＝４．２Ｈｚ，２Ｈ），３．３０−３．３４（ｍ，２Ｈ），３．７９（ｄｔ，Ｊ＝１９．２，５．２，１．６Ｈｚ，３Ｈ），３．９７（ｄｄ，Ｊ＝５．２Ｈｚ，２Ｈ），４．１４（ｄｄ，Ｊ＝３．２Ｈｚ，２Ｈ），５．０７−５．１２（ｍ，３Ｈ），５．９８−６．０８（ｍ，１．５Ｈ），７．２８−７．３５（ｍ，２Ｈ），７．７５−７．８９（ｍ，２Ｈ）
【０３２８】
合成例１４：エトキシシリル基及びアリル基を含むナフタレン系エポキシ化合物の合成（Ｓｉ（ＯＥｔ）３：ａｌｌｙｌ＝１：０．３３）
５００ｍｌのフラスコに、アリル基を有するナフタレンエポキシ（構造式２）１２．５１ｇ、トリエトキシシラン９．８２ｍｌ、白金酸化物１２１ｍｇ、及びトルエン１００ｍｌを入れて混合した後、アルゴンが充填された状態で、８５℃で２４時間撹拌した。反応後、得られた粗生成物をセライトろ過し、蒸発器を用いて溶媒を除去することで、最終エポキシを得た。得られた最終生成物のＮＭＲデータは、次の通りである。
【０３２９】
１Ｈ  ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ３）：δ＝０．６４−０．６９（ｍ，３Ｈ），１．２０（ｔ，Ｊ＝７．０Ｈｚ，１３．５Ｈ），１．６２−１．７２（ｍ，３Ｈ），２．６１（ｔ，Ｊ＝７．６Ｈｚ，３Ｈ），２．７４（ｄｄ，Ｊ＝２．６Ｈｚ，２Ｈ），２．８６（ｄｄ，Ｊ＝４．２Ｈｚ，２Ｈ），３．３０−３．３４（ｍ，２Ｈ），３．７９（ｄｔ，Ｊ＝１９．２，５．２，１．６Ｈｚ，９Ｈ），３．９７（ｄｄ，Ｊ＝５．２Ｈｚ，２Ｈ），４．１４（ｄｄ，Ｊ＝３．２Ｈｚ，２Ｈ），５．０７−５．１２（ｍ，１Ｈ），５．９８−６．０８（ｍ，０．５Ｈ），７．２８−７．３５（ｍ，２Ｈ），７．７５−７．８９（ｍ，２Ｈ）
【０３３０】
合成例１５：メトキシシリル基及びアリル基を含むナフタレン系エポキシ化合物の合成（Ｓｉ（ＯＭｅ）３：ａｌｌｙｌ＝１：９）
５００ｍｌのフラスコに、アリル基を有するナフタレンエポキシ（構造式２）１３．５２ｇ、トリメトキシシラン０．９８ｍｌ、白金酸化物８８ｍｇ、及びトルエン１００ｍｌを入れて混合した後、アルゴンが充填された状態で、８５℃で２４時間撹拌した。反応後、得られた粗生成物をセライトろ過し、蒸発器を用いて溶媒を除去することで、最終エポキシを得た。得られた最終生成物のＮＭＲデータは、次の通りである。
【０３３１】
１Ｈ  ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ３）：δ＝０．７２−０．７７（ｍ，０．４Ｈ）
，１．７３−１．８０（ｍ，０．４Ｈ），２．６１（ｔ，Ｊ＝７．６Ｈｚ，０．４Ｈ），２．７４（ｄｄ，Ｊ＝２．６Ｈｚ，２Ｈ），２．８６（ｄｄ，Ｊ＝４．２Ｈｚ，２Ｈ），３．３０−３．３４（ｍ，２Ｈ），３．５８（ｓ，１．８Ｈ），３．９７（ｄｄ，Ｊ＝５．２Ｈｚ，２Ｈ），４．１４（ｄｄ，Ｊ＝３．２Ｈｚ，２Ｈ），５．０７−５．１２（ｍ，３．６Ｈ），５．９８−６．０８（ｍ，１．８Ｈ），７．２８−７．３５（ｍ，２Ｈ），７．７５−７．８９（ｍ，２Ｈ）
【０３３２】
合成例１６：エトキシシリル基及びエチルシリル基を含むビフェニル系エポキシ化合物の合成（Ｓｉ（ＯＥｔ）３：Ｓｉ（Ｅｔ）３＝３：１）
５００ｍｌのフラスコに、アリル基を有するビフェニルエポキシ（構造式３）１４．７６ｇ、トリエトキシシラン９．３２ｍｌ、トリエチルシラン５．５４ｍｌ、白金酸化物１５６ｍｇ、及びトルエン１５０ｍｌを入れて混合した後、アルゴンが充填された状態で、８５℃で２４時間撹拌した。反応後、得られた粗生成物をセライトろ過し、蒸発器を用いて溶媒を除去することで、最終エポキシを得た。得られた最終生成物のＮＭＲデータは、次の通りである。
【０３３３】
【化１２９】
0006423443.tif 000140
【０３３４】
１Ｈ  ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ３）：δ＝０．４２−０．５３（ｍ，１０Ｈ），０．８４（ｔ，Ｊ＝８．０Ｈｚ，４．５Ｈ），１．２０（ｔ，Ｊ＝７．０Ｈｚ，１３．５Ｈ），１．６２−１．７２（ｍ，４Ｈ），２．６１（ｔ，Ｊ＝７．６Ｈｚ，４Ｈ），２．７４（ｄｄ，Ｊ＝２．６Ｈｚ，２Ｈ），２．８６（ｄｄ，Ｊ＝４．２Ｈｚ，２Ｈ），３．３０−３．３４（ｍ，２Ｈ），３．７９（ｄｔ，Ｊ＝１９．２，５．２，１．６Ｈｚ，６Ｈ），３．９７（ｄｄ，Ｊ＝５．２Ｈｚ，２Ｈ），４．１４（ｄｄ，Ｊ＝３．２Ｈｚ，２Ｈ），６．７０（ｄ，Ｊ＝７．６Ｈｚ，２Ｈ），６．９４（ｄｄ，Ｊ＝２．８Ｈｚ，２Ｈ），６．９９（ｄ，Ｊ＝７．６Ｈｚ，２Ｈ）
【０３３５】
合成例１７：エトキシシリル基、エチルシリル基及びアリル基を含むビフェニル系エポキシ化合物の合成（Ｓｉ（ＯＥｔ）３：Ｓｉ（Ｅｔ）３：ａｌｌｙｌ＝２：１：１）
【０３３６】
５００ｍｌのフラスコに、アリル基を有するビフェニルエポキシ（構造式３）１４．７６ｇ、トリエトキシシラン６．２１ｍｌ、トリエチルシラン２．７７ｍｌ、白金酸化物１５６ｍｇ、及びトルエン１５０ｍｌを入れて混合した後、アルゴンが充填された状態で、８５℃で２４時間撹拌した。反応後、得られた粗生成物をセライトろ過し、蒸発器を用いて溶媒を除去することで、最終目的物であるアルコキシシリル基とアルキルシリル基を含むビフェニルエポキシを得た。得られた最終生成物のＮＭＲデータは、次の通りである。
【０３３７】
１Ｈ  ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ３）：δ＝０．４２−０．５３（ｍ，９Ｈ），０．８４（ｔ，Ｊ＝８．０Ｈｚ，４．５Ｈ），１．２０（ｔ，Ｊ＝７．０Ｈｚ，９Ｈ），１．６２−１．７２（ｍ，３Ｈ），２．６１（ｔ，Ｊ＝７．６Ｈｚ，３Ｈ），２．７４（ｄｄ，Ｊ＝２．６Ｈｚ，２Ｈ），２．８６（ｄｄ，Ｊ＝４．２Ｈｚ，２Ｈ），３．３０−３
．３４（ｍ，２Ｈ），３．７９（ｄｔ，Ｊ＝１９．２，５．２，１．６Ｈｚ，４Ｈ），３．９７（ｄｄ，Ｊ＝５．２Ｈｚ，２Ｈ），４．１４（ｄｄ，Ｊ＝３．２Ｈｚ，２Ｈ），４．９３−５．０１（ｍ，１Ｈ），５．８０−５．９５（ｍ，０．５Ｈ），６．５９−６．７１（ｍ，０．４Ｈ），６．８７−７．０４（ｍ，５．６Ｈ）
【０３３８】
合成例１８：エトキシシリル基及びアリル基を含むビフェニル系エポキシ化合物の合成（Ｓｉ（ＯＥｔ）３：ａｌｌｙｌ＝１：１）
５００ｍｌのフラスコに、アリル基を有するビフェニルエポキシ（構造式３）３２．８４ｇ、トリエトキシシラン１６．００ｍｌ、白金酸化物１９７ｍｇ、及びトルエン１００ｍｌを入れて混合した後、アルゴンが充填された状態で、８５℃で２４時間撹拌した。反応後、得られた粗生成物をセライトろ過し、蒸発器を用いて溶媒を除去することで、最終エポキシを得た。得られた最終生成物のＮＭＲデータは、次の通りである。
【０３３９】
１Ｈ  ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ３）：δ＝０．６４−０．６９（ｍ，２Ｈ），１．２０（ｔ，Ｊ＝７．０Ｈｚ，９Ｈ），１．６２−１．７２（ｍ，２Ｈ），２．６１（ｔ，Ｊ＝７．６Ｈｚ，２Ｈ），２．７４（ｄｄ，Ｊ＝２．６Ｈｚ，２Ｈ），２．８６（ｄｄ，Ｊ＝４．２Ｈｚ，２Ｈ），３．３０−３．３４（ｍ，２Ｈ），３．７９（ｄｔ，Ｊ＝１９．２，５．２，１．６Ｈｚ，６Ｈ），３．９７（ｄｄ，Ｊ＝５．２Ｈｚ，２Ｈ），４．１４（ｄｄ，Ｊ＝３．２Ｈｚ，２Ｈ），４．９３−５．０１（ｍ，２Ｈ），５．８０−５．９５（ｍ，１Ｈ），６．８７−７．０４（ｍ，６Ｈ）
【０３４０】
合成例１９：エトキシシリル基及びアリル基を含むビフェニル系エポキシ化合物の合成（Ｓｉ（ＯＥｔ）３：ａｌｌｙｌ＝１：５）
５００ｍｌのフラスコに、アリル基を有するビフェニルエポキシ（構造式３）３５．９８ｇ、トリエトキシシラン１４．０３ｍｌ、白金酸化物２１６ｍｇ、及びトルエン１００ｍｌを入れて混合した後、アルゴンが充填された状態で、８５℃で２４時間撹拌した。反応後、得られた粗生成物をセライトろ過し、蒸発器を用いて溶媒を除去することで、最終エポキシを得た。得られた最終生成物のＮＭＲデータは、次の通りである。
【０３４１】
１Ｈ  ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ３）：δ＝０．６４−０．６９（ｍ，１．６Ｈ），１．２０（ｔ，Ｊ＝７．０Ｈｚ，７．２Ｈ），１．６２−１．７２（ｍ，１．６Ｈ），２．６１（ｔ，Ｊ＝７．６Ｈｚ，１．６Ｈ），２．７４（ｄｄ，Ｊ＝２．６Ｈｚ，２Ｈ），２．８６（ｄｄ，Ｊ＝４．２Ｈｚ，２Ｈ），３．３０−３．３４（ｍ，２Ｈ），３．７９（ｄｔ，Ｊ＝１９．２，５．２，１．６Ｈｚ，４．８Ｈ），３．９７（ｄｄ，Ｊ＝５．２Ｈｚ，２Ｈ），４．１４（ｄｄ，Ｊ＝３．２Ｈｚ，２Ｈ），４．９３−５．０１（ｍ，２．４Ｈ），５．８０−５．９５（ｍ，１．２Ｈ），６．８７−７．０４（ｍ，６Ｈ）
【０３４２】
合成例２０：エトキシシリル基及びアリル基を含むビフェニル系エポキシ化合物の合成（Ｓｉ（ＯＥｔ）３：ａｌｌｙｌ＝１：０．３３）
５００ｍｌのフラスコに、アリル基を有するビフェニルエポキシ（構造式３）８．２０ｇ、トリエトキシシラン５．９９ｍｌ、白金酸化物９８ｍｇ、及びトルエン１００ｍｌを入れて混合した後、アルゴンが充填された状態で、８５℃で２４時間撹拌した。反応後、得られた粗生成物をセライトろ過し、蒸発器を用いて溶媒を除去することで、最終エポキシを得た。得られた最終生成物のＮＭＲデータは、次の通りである。
【０３４３】
１Ｈ  ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ３）：δ＝０．６４−０．６９（ｍ，３Ｈ），１．２０（ｔ，Ｊ＝７．０Ｈｚ，１３．５Ｈ），１．６２−１．７２（ｍ，３Ｈ），２．６１（ｔ，Ｊ＝７．６Ｈｚ，３Ｈ），２．７４（ｄｄ，Ｊ＝２．６Ｈｚ，２Ｈ），２．８６（ｄｄ，Ｊ＝４．２Ｈｚ，２Ｈ），３．３０−３．３４（ｍ，２Ｈ），３．７９（ｄｔ，Ｊ＝１９．２，５．２，１．６Ｈｚ，９Ｈ），３．９７（ｄｄ，Ｊ＝５．２Ｈｚ，２Ｈ）
，４．１４（ｄｄ，Ｊ＝３．２Ｈｚ，２Ｈ），４．９３−５．０１（ｍ，１Ｈ），５．８０−５．９５（ｍ，０．５Ｈ），６．８７−７．０４（ｍ，６Ｈ）
【０３４４】
合成例２１：メトキシシリル基及びアリル基を含むビフェニル系エポキシ化合物の合成（Ｓｉ（ＯＭｅ）３：ａｌｌｙｌ＝１：９）
５００ｍｌのフラスコに、アリル基を有するビフェニルエポキシ（構造式３）１０．２６ｇ、トリメトキシシラン０．７８ｍｌ、白金酸化物６２ｍｇ、及びトルエン１００ｍｌを入れて混合した後、アルゴンが充填された状態で、８５℃で２４時間撹拌した。反応後、得られた粗生成物をセライトろ過し、蒸発器を用いて溶媒を除去することで、最終エポキシを得た。得られた最終生成物のＮＭＲデータは、次の通りである。
【０３４５】
１Ｈ  ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，ＤＭＳＯ）：δ＝０．５４（ｔ，Ｊ＝８．０Ｈｚ，０．４Ｈ），１．５５（ｍ，０．４Ｈ），２．４９−２．５１（ｍ，０．４Ｈ），２．７０（ｄｄ，Ｊ＝２．６Ｈｚ，２Ｈ），２．８２（ｄｄ，Ｊ＝４．２Ｈｚ，２Ｈ），３．２６−３．３２（ｍ，５．４Ｈ），３．４２（ｓ，１．８Ｈ），３．８４（ｄｄ，Ｊ＝５．４Ｈｚ，２Ｈ），４．２６（ｄｄ，Ｊ＝３．２Ｈｚ，２Ｈ），４．９４−５．０１（ｍ，３．６Ｈ），５．８３−５．９５（ｍ，１．８Ｈ），６．８３−７．０２（ｍ，６Ｈ）
【０３４６】
合成例２２：エトキシシリル基及びアリル基を含むベンゼン系エポキシ化合物の合成（Ｓｉ（ＯＥｔ）３：ａｌｌｙｌ＝１：３）
５００ｍｌのフラスコに、アリル基を有するベンゼン系エポキシ（構造式４）１０ｇ、トリエトキシシラン３．３６ｍｌ、白金酸化物７５ｍｇ、及びトルエン１００ｍｌを入れて混合した後、アルゴンが充填された状態で、８５℃で２４時間撹拌した。反応後、得られた粗生成物をセライトろ過し、蒸発器を用いて溶媒を除去することで、最終エポキシを得た。得られた最終生成物のＮＭＲデータは、次の通りである。
【０３４７】
【化１３０】
0006423443.tif 000141
【０３４８】
１Ｈ  ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ３）：δ＝０．６４−０．６９（ｍ，１Ｈ），１．２０（ｔ，Ｊ＝７．０Ｈｚ，４．５Ｈ），１．６２−１．７２（ｍ，１Ｈ），２．６１（ｔ，Ｊ＝７．６Ｈｚ，１Ｈ），２．７４（ｄｄ，Ｊ＝２．６Ｈｚ，２Ｈ），２．８６（ｄｄ，Ｊ＝４．２Ｈｚ，２Ｈ），３．１１−３．３５（ｍ，５Ｈ），３．７９（ｄｔ，Ｊ＝１９．２，５．２，１．６Ｈｚ，３Ｈ），３．９７（ｄｄ，Ｊ＝５．２Ｈｚ，２Ｈ），４．１４（ｄｄ，Ｊ＝３．２Ｈｚ，２Ｈ），４．９７−５．０３（ｍ，３Ｈ），５．９３−６．０３（ｍ，１．５Ｈ），６．６８（ｓ，１Ｈ），６．７２（ｓ，１Ｈ）
【０３４９】
合成例２３：エトキシシリル基及びアリル基を含むフルオレン系エポキシ化合物の合成（Ｓｉ（ＯＥｔ）３：ａｌｌｙｌ＝１：３）
５００ｍｌのフラスコに、アリル基を有するフルオレン系エポキシ（構造式５）１０ｇ、トリエトキシシラン１．８７ｍｌ、白金酸化物４２ｍｇ、及びトルエン１００ｍｌを入れて混合した後、アルゴンが充填された状態で、８５℃で２４時間撹拌した。反応後、得られた粗生成物をセライトろ過し、蒸発器を用いて溶媒を除去することで、最終エポキシを
得た。得られた最終生成物のＮＭＲデータは、次の通りである。
【０３５０】
【化１３１】
0006423443.tif 000142
【０３５１】
１Ｈ  ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ３）：δ＝０．６４−０．６９（ｍ，１Ｈ），１．２０（ｔ，Ｊ＝７．０Ｈｚ，４．５Ｈ），１．６２−１．７２（ｍ，１Ｈ），２．６１（ｔ，Ｊ＝７．６Ｈｚ，１Ｈ），２．７４（ｄｄ，Ｊ＝２．６Ｈｚ，２Ｈ），２．８６（ｄｄ，Ｊ＝４．２Ｈｚ，２Ｈ），３．１１−３．３５（ｍ，５Ｈ），３．７９（ｄｔ，Ｊ＝１９．２，５．２，１．６Ｈｚ，３Ｈ），３．９７（ｄｄ，Ｊ＝５．２Ｈｚ，２Ｈ），４．１４（ｄｄ，Ｊ＝３．２Ｈｚ，２Ｈ），４．９７−５．０３（ｍ，３Ｈ），５．９３−６．０３（ｍ，１．５Ｈ），６．７０（ｄ，Ｊ＝７．６Ｈｚ，２Ｈ），６．９４（ｄｄ，Ｊ＝２．８Ｈｚ，２Ｈ），６．９９（ｄ，Ｊ＝７．６Ｈｚ，２Ｈ），７．２２−７．３６（ｍ，６Ｈ），７．７４（ｄ，Ｊ＝７．２Ｈｚ，２Ｈ）
【０３５２】
合成例２４：エトキシシリル基及びアリル基を含むテトラフェニルメタン系エポキシ化合物の合成（Ｓｉ（ＯＥｔ）３：ａｌｌｙｌ＝１：３）
５００ｍｌのフラスコに、アリル基を有するテトラフェニルメタン系エポキシ（構造式６）１０ｇ、トリエトキシシラン１．８６ｍｌ、白金酸化物４２ｍｇ、及びトルエン１００ｍｌを入れて混合した後、アルゴンが充填された状態で、８５℃で２４時間撹拌した。反応後、得られた粗生成物をセライトろ過し、蒸発器を用いて溶媒を除去することで、最終エポキシを得た。得られた最終生成物のＮＭＲデータは、次の通りである。
【０３５３】
【化１３２】
0006423443.tif 000143
【０３５４】
１Ｈ  ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ３）：δ＝０．６４−０．６９（ｍ，１Ｈ），１．２０（ｔ，Ｊ＝７．０Ｈｚ，４．５Ｈ），１．６２−１．７２（ｍ，１Ｈ），２．６１（ｔ，Ｊ＝７．６Ｈｚ，１Ｈ），２．７４（ｄｄ，Ｊ＝２．６Ｈｚ，２Ｈ），２．８６（ｄｄ，Ｊ＝４．２Ｈｚ，２Ｈ），３．１１−３．３５（ｍ，５Ｈ），３．７９（ｄｔ，Ｊ＝１９．２，５．２，１．６Ｈｚ，３Ｈ），３．９７（ｄｄ，Ｊ＝５．２Ｈｚ，２Ｈ），４．１４（ｄｄ，Ｊ＝３．２Ｈｚ，２Ｈ），４．９７−５．０３（ｍ，３Ｈ），５．９３−６．０３（ｍ，１．５Ｈ），６．７１−６．９９（ｍ，８Ｈ），７．１４−７．２６（ｍ，６Ｈ）
【０３５５】
合成例２５：エトキシシリル基及びアリル基を含むテトラフェニルエタン系エポキシ化合物の合成（Ｓｉ（ＯＥｔ）３：ａｌｌｙｌ＝１：１）
５００ｍｌのフラスコに、アリル基を有するテトラフェニルエタン系エポキシ（構造式７）１０ｇ、トリエトキシシラン２．８０ｇ、白金酸化物７７ｍｇ、及びトルエン１００ｍｌを入れて混合した後、アルゴンが充填された状態で、８５℃で２４時間撹拌した。反応後、得られた粗生成物をセライトろ過し、蒸発器を用いて溶媒を除去することで、最終エポキシを得た。得られた最終生成物のＮＭＲデータは、次の通りである。
【０３５６】
【化１３３】
0006423443.tif 000144
【０３５７】
１Ｈ  ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，ＤＭＳＯ）：δ＝６．９８−６．８７（ｍ，８Ｈ），６．６６−  ６．５５（ｍ，８Ｈ），５．９４−５．８２（ｍ，１Ｈ），５．２８−５．１１（ｍ，２Ｈ），４．５４（ｂｒ．ｓ，２Ｈ），４．４７−４．４３（ｍ，２Ｈ），４．１１−４．０５（ｍ，２Ｈ），３．８４−３．８０（ｍ，８Ｈ），３．２９−３．２５（ｍ，４Ｈ），２．８６−２．８３（ｍ，２Ｈ），２．６９−２．６７（ｍ，２Ｈ），１．８０−１．７０（ｍ，２Ｈ），１．２２（ｔ，９Ｈ，Ｊ＝７．２Ｈｚ），０．６７−０．６０（ｍ，２Ｈ）
【０３５８】
合成例２６：エトキシシリル基及びエチルシリル基を含むテトラフェニルエタン系エポキシ化合物の合成（Ｓｉ（ＯＥｔ）３：Ｓｉ（Ｅｔ）３＝１：１）
５００ｍｌのフラスコに、ヒドロキシ基を有するテトラフェニルエタン系エポキシ（構造式８）１０ｇ、ジイソプロピルエチルアミン（ＤＩＰＥＡ）５．１０ｇ、トリエトキシシリルプロピルイソシアネート５．９ｇ、トリメチルシリルプロピルイソシアネート３．９２ｇ、及びテトラヒドロフラン（ＴＨＦ）２００ｍｌを入れて混合した後、アルゴンが充填された状態で、６０℃で１２時間撹拌した。反応後、エチルアセテート（ＥＡ）をＨ２Ｏを用いてワークアップしてから、有機層を分離し、有機層にＭｇＳＯ４を入れて、残っているＨ２Ｏを除去した後、セライトフィルターでろ過し、蒸発器を用いて溶媒を除去することで、最終エポキシを得た。得られた最終生成物のＮＭＲデータは、次の通りである。
【０３５９】
【化１３４】
0006423443.tif 000145
【０３６０】
１Ｈ  ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，ＤＭＳＯ）：δ＝７．３１−７．１１（ｍ，１２Ｈ），６．６８−６．５５（ｍ，４Ｈ），５．３２（ｔ，２Ｈ，６．０Ｈｚ），４．５４（ｓ，２Ｈ），４．０８−４．０４（ｍ，２Ｈ），３．８３−３．７７（ｍ，８Ｈ），３．３６−
３．３２（ｍ，４Ｈ），３．２５−３．２３（ｍ，２Ｈ），２．８８−２．８１（ｍ，２Ｈ），２．６７−２．６５（ｍ，２Ｈ），１．７４−１．６６（ｍ，４Ｈ），１．２４（ｔ，９Ｈ，Ｊ＝７．２Ｈｚ），０．８４−０．５８（ｍ，１９Ｈ）
【０３６１】
合成例２７：エトキシシリル基及びアリル基を含むビスナフタレン系エポキシ化合物の合成（Ｓｉ（ＯＥｔ）３：ａｌｌｙｌ＝１：１）
５００ｍｌのフラスコに、アリル基を有するビスナフタレン系エポキシ（構造式９）１０ｇ、トリエトキシシラン３．１３ｇ、白金酸化物８７ｍｇ、及びトルエン１００ｍｌを入れて混合した後、アルゴンが充填された状態で、８５℃で２４時間撹拌した。反応後、得られた粗生成物をセライトろ過し、蒸発器を用いて溶媒を除去することで、最終エポキシを得た。得られた最終生成物のＮＭＲデータは、次の通りである。
【０３６２】
【化１３５】
0006423443.tif 000146
【０３６３】
１Ｈ  ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，ＤＭＳＯ）：δ＝７．７８−７．６６（ｍ，４Ｈ），７．３４−７．２５（ｍ，４Ｈ），６．９２−６．８９（ｍ，２Ｈ），５．９６−５．８０（ｍ，１Ｈ），５．３０−５．１０（ｍ，２Ｈ），４．７５（ｓ，２Ｈ），４．４９（ｍ，２Ｈ），４．１２−４．０６（ｍ，２Ｈ），３．８４−３．７８（ｍ，８Ｈ），３．３１−３．２５（ｍ，２Ｈ），２．８９−２．８３（ｍ，４Ｈ），２．６９−２．６４（ｍ，２Ｈ），１．７５−１．７０（ｍ，２），１．２２（ｔ，９Ｈ，Ｊ＝７．２Ｈｚ），０．６７−０．６０（ｍ，２Ｈ）
【０３６４】
合成例２８：エトキシシリル基及びエチルシリル基を含むビスナフタレン系エポキシ化合物の合成（Ｓｉ（ＯＥｔ）３：Ｓｉ（Ｅｔ）３＝１：１）
５００ｍｌのフラスコに、ヒドロキシ基を有するビスナフタレン系エポキシ（構造式１０）１０ｇ、ジイソプロピルエチルアミン（ＤＩＰＥＡ）５．８２ｇ、トリエトキシシリルプロピルイソシアネート６．７ｇ、トリメチルシリルプロピルイソシアネート４．４９ｇ、及びテトラヒドロフラン（ＴＨＦ）２００ｍｌを入れて混合した後、アルゴンが充填された状態で、６０℃で１２時間撹拌した。反応後、エチルアセテート（ＥＡ）をＨ２Ｏを用いてワークアップしてから、有機層を分離し、有機層にＭｇＳＯ４を入れて、残っているＨ２Ｏを除去した後、セライトフィルターでろ過し、蒸発器を用いて溶媒を除去することで、最終エポキシを得た。得られた最終生成物のＮＭＲデータは、次の通りである。
【０３６５】
【化１３６】
0006423443.tif 000147
【０３６６】
１Ｈ  ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，ＤＭＳＯ）：δ＝７．７８−７．６６（ｍ，４Ｈ），７．３４−７．２５（ｍ，４Ｈ），６．９２−６．８９（ｍ，２Ｈ），４．７５（ｓ，２Ｈ），４．１２−４．０６（ｍ，２Ｈ），３．８４−３．７８（ｍ，８Ｈ），３．３６−３．２５（ｍ，６Ｈ），２．８９−２．８３（ｍ，２Ｈ），２．６９−２．６４（ｍ，２Ｈ），１．７５−１．７０（ｍ，４Ｈ），１．２２（ｔ，９Ｈ，Ｊ＝７．２Ｈｚ），０．８８−０．５７（ｍ，１９Ｈ）
【０３６７】
合成例２９：エトキシシリル基及びアリル基を含むフェノールノボラック系エポキシ化合物の合成（Ｓｉ（ＯＥｔ）３：ａｌｌｙｌ＝１：１）
フラスコに、アリル基を有するフェノールノボラックエポキシ（構造式１１）１０ｇ、白金酸化物９８ｍｇ、トリエトキシシラン３．５７ｇ、及びトルエン１５０ｍｌを入れて、５分間常温で撹拌した。温度を８５℃にして２４時間加熱及び撹拌した。反応後、得られた粗生成物をセライトろ過し、蒸発器を用いて溶媒を除去することで、エポキシ基：エトキシシリル基：アリル基の濃度比が１：１：１である最終エポキシを得た。得られた最終生成物のＮＭＲデータは、次の通りである。
【０３６８】
【化１３７】
0006423443.tif 000148
【０３６９】
１Ｈ  ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ３）：δ＝７．１５−６．７０（ｍ，２１．６８Ｈ），６．０４−６．００（ｍ，２．２１Ｈ），５．４１−５．２０（ｍ，４．６５Ｈ），４．４９−４．４７（ｍ，４．５８Ｈ），４．２０−３．７９（ｍ，３２．４８Ｈ），３．３３−３．２５（ｍ，２．３５Ｈ），２．７３−２．５９（ｍ，５．９９Ｈ），１．８２−１．７０（ｍ，４．４８Ｈ），１．２４−１．２０（ｍ，１８．７５Ｈ），０．８０−０．６１（ｍ，４．１６Ｈ）
【０３７０】
合成例３０：エトキシシリル基及びアリル基を含むクレゾールノボラック系エポキシ化合物の合成（Ｓｉ（ＯＥｔ）３：ａｌｌｙｌ＝１：１）
フラスコに、アリル基を有するクレゾールノボラック系エポキシ（構造式１２）１０ｇ、
白金酸化物９２ｍｇ、トリエトキシシラン４．００ｇ、及びトルエン１５０ｍｌを入れて、５分間常温で撹拌した。温度を８５℃にして２４時間加熱及び撹拌した。反応後、得られた粗生成物をセライトろ過し、蒸発器を用いて溶媒を除去することで、エポキシ基：エトキシシリル基：アリル基の濃度比が１：１：１である最終エポキシを得た。得られた最終生成物のＮＭＲデータは、次の通りである。
【０３７１】
【化１３８】
0006423443.tif 000149
【０３７２】
１Ｈ  ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，ＤＭＳＯ）：δ＝７．０２−６．８９（ｍ，１０Ｈ），６．０５−６．０１（ｍ，１．４３Ｈ），５．４３−５．２０（ｍ，３．０４Ｈ），４．５０−４．４６（ｍ，３．２８Ｈ），４．２４−３．３６（ｍ，２３．４Ｈ），３．３４−３．１９（ｍ，１．５５Ｈ），２．８４−２．５２（ｍ，３．７Ｈ），２．２４−２．１０（ｍ，１２．３Ｈ），１．８３−１．７０（ｍ，２．７４Ｈ），１．２４−１．２０（ｍ，１２．１１Ｈ），０．８０−０．６１（ｍ，２．５３Ｈ）
【０３７３】
合成例３１：エトキシシリル基及びアリル基を含むビスフェノールノボラック系エポキシ化合物の合成（Ｓｉ（ＯＥｔ）３：ａｌｌｙｌ＝１：１）
フラスコに、アリル基を有するビスフェノールノボラック系エポキシ（構造式１３）１０ｇ、白金酸化物９２ｍｇ、トリエトキシシラン４．０ｇ、及びトルエン１５０ｍｌを入れて、５分間常温で撹拌した。温度を８５℃にして２４時間加熱及び撹拌した。反応後、得られた粗生成物をセライトろ過し、蒸発器を用いて溶媒を除去することで、エポキシ基：エトキシシリル基：アリル基の濃度比が１：１：１である最終エポキシを得た。得られた最終生成物のＮＭＲデータは、次の通りである。
【０３７４】
【化１３９】
0006423443.tif 000150
【０３７５】
１Ｈ  ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，ＤＭＳＯ）：δ＝７．３２−７．２４（ｍ，１２Ｈ），６．７５−６．６５（ｍ，２０Ｈ），６．０６−６．１５（ｍ，１．７２Ｈ），５．４２−５．２２（ｍ，３．５４Ｈ），４．５１−４．４７（ｍ，３．９１Ｈ），４．２２−３．７９（ｍ，４２．１４Ｈ），３．３６−３．２８（ｍ，１５．０１Ｈ），２．７７−２．５８（ｍ，１４．５５Ｈ），１．８３−１．６９（ｍ，３．５５Ｈ），１．６２（ｍ，３２．９Ｈ），１．２７−１．２０（ｍ，１７．０４Ｈ），０．８３−０．６２（ｍ，３．１２Ｈ）
【０３７６】
合成例３２：エトキシシリル基及びアリル基を含むナフタレンノボラック系エポキシ化合物の合成（Ｓｉ（ＯＥｔ）３：ａｌｌｙｌ＝１：１）
フラスコに、アリル基を有するナフタレンノボラック系エポキシ（構造式１４）１０ｇ、白金酸化物８２ｍｇ、トリエトキシシラン３．５６ｇ、及びトルエン１５０ｍｌを入れて、５分間常温で撹拌した。温度を８５℃にして２４時間加熱及び撹拌した。反応後、得られた粗生成物をセライトろ過し、蒸発器を用いて溶媒を除去することで、エポキシ基：エトキシシリル基：アリル基の濃度比が１：１：１である最終エポキシを得た。得られた最終生成物のＮＭＲデータは、次の通りである。
【０３７７】
【化１４０】
0006423443.tif 000151
【０３７８】
１Ｈ  ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，ＤＭＳＯ）：δ＝８．０３−８．０２（ｍ，１．２７Ｈ），７．８８−７．５１（ｍ，９．９９Ｈ），７．３９−７．０２（ｍ，１０．４３Ｈ），６．５９−６．５４（ｍ，４．４１Ｈ），６．０５−６．０１（ｍ，１．１７Ｈ），５．４０−５．２０（ｍ，２．４５Ｈ），４．５０−４．４６（ｍ，２．４７Ｈ），４．４２Ｈ（ｓ，３．８４Ｈ），４．２１−３．８０（ｍ，１５．４Ｈ），３．３５−３．２５（ｍ，７．２Ｈ），２．７４−２．５９（ｍ，９．８Ｈ），１．８３−１．６９（ｍ，１．２２Ｈ），１．２５−１．２１（ｍ，５．９７Ｈ），０．８０−０．６１（ｍ，１．０９Ｈ）
【０３７９】
合成例３３：エトキシシリル基及びアリル基を含むビスアニリン系エポキシ化合物の合成（Ｓｉ（ＯＥｔ）３：ａｌｌｙｌ＝１：１）
フラスコに、アリル基を有するビスアニリン系エポキシ（構造式１５）２０ｇ、ＰｔＯ２０．１２ｇ、トリエトキシシラン９．７ｇ、及びトルエン２５０ｍｌを入れて、５分間常温で撹拌した。その後、温度を８５℃にして１２時間加熱及び撹拌した。反応後、得られた粗生成物をセライトろ過し、蒸発器を用いて溶媒を除去することで、エポキシ基：エトキシシリル基：アリル基の濃度比が２：１：１である最終エポキシを得た。得られた最終生成物のＮＭＲデータは、次の通りである。
【０３８０】
【化１４１】
0006423443.tif 000152
【０３８１】
１Ｈ  ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ３）：δ＝７．１２−７．０８（ｍ，４Ｈ），６．７７−６．７４（ｍ，４Ｈ），５．９３−５．８０（ｍ，１．０１Ｈ），５．４８−５．３０（ｍ，２．１１Ｈ），３．８４（ｑ，６．０６Ｈ，Ｊ＝６．８Ｈｚ），３．８２（ｓ，２Ｈ），３．７６−３．６２（ｍ，４．２５Ｈ），３．４９−３．４０（ｍ，１．８Ｈ），３．２２−３．１６（ｍ，３．９９Ｈ），２．８１−２．７８（ｍ，１．８Ｈ），２．６０−２．５８（ｍ，１．８Ｈ），１．８０−１．７０（ｍ，２．０１Ｈ），１．２２（ｔ，８．８２Ｈ，Ｊ＝７．２Ｈｚ），０．６７−０．６０（ｍ，１．７９Ｈ）
【０３８２】
合成例３４：エトキシシリル基及びアリル基を含むジアミン系エポキシ化合物の合成（Ｓｉ（ＯＥｔ）３：ａｌｌｙｌ＝１：１）
フラスコに、アリル基を有するジアミン系エポキシ化合物（構造式１６）１０ｇ、ＰｔＯ２０．１４ｇ、トリエトキシシラン１２．０ｇ、及びトルエン２５０ｍｌを入れて、５分間常温で撹拌した。その後、温度を８０ｏＣにして１２時間加熱及び撹拌した。反応後、得られた粗生成物をセライトろ過し、蒸発器を用いて溶媒を除去することで、エポキシ基：エトキシシリル基：アリル基の濃度比が２：１：１である最終エポキシを得た。得られた最終生成物のＮＭＲデータは、次の通りである。
【０３８３】
【化１４２】
0006423443.tif 000153
【０３８４】
１Ｈ  ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ３）：δ＝７．４１−７．０９（ｍ，４Ｈ），５．９３−５．８０（ｍ，１Ｈ），５．４４−５．２１（ｍ，２Ｈ），３．８４−３．５４（ｍ，１２Ｈ），３．２５−３．１１（ｍ，２Ｈ），２．８５−２．４２（ｍ，１０Ｈ），１．８１−１．６９（ｍ，２Ｈ），１．２２（ｔ，９Ｈ，Ｊ＝７．２Ｈｚ），０．６６−０．６０（ｍ，２Ｈ）
【０３８５】
比較合成例１：エトキシシリル基を含むビスフェノールＡ系エポキシ化合物の合成（Ｓｉ（ＯＥｔ）３：Ｓｉ（Ｅｔ）３：ａｌｌｙｌ＝１：０：０）
５００ｍｌのフラスコに、アリル基を有するビスフェノールＡエポキシ（構造式１）２６．２５ｇ、トリエトキシシラン２５．３５ｍｌ、白金酸化物２５０ｍｇ、及びトルエン２００ｍｌを入れて混合した後、アルゴンが充填された状態で、８５℃で２４時間撹拌した。反応後、得られた粗生成物をセライトろ過し、蒸発器を用いて溶媒を除去することで、最終エポキシを得た。得られた最終生成物のＮＭＲデータは、次の通りである。
【０３８６】
【化１４３】
0006423443.tif 000154
【０３８７】
１Ｈ  ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ３）：δ＝０．６４−０．６９（ｍ，４Ｈ），１．２０（ｔ，Ｊ＝７．０Ｈｚ，１８Ｈ），１．６０（ｓ，６Ｈ），１．６２−１．７２（ｍ，４Ｈ），２．６１（ｔ，Ｊ＝７．６Ｈｚ，４Ｈ），２．７４（ｄｄ，Ｊ＝２．６Ｈｚ，２Ｈ），２．８６（ｄｄ，Ｊ＝４．２Ｈｚ，２Ｈ），３．３０−３．３４（ｍ，２Ｈ），３．７９（ｄｔ，Ｊ＝１９．２，５．２，１．６Ｈｚ，１２Ｈ），３．９７（ｄｄ，Ｊ＝５．２Ｈｚ，２Ｈ），４．１４（ｄｄ，Ｊ＝３．２Ｈｚ，２Ｈ），６．７０（ｄ，Ｊ＝７．６Ｈｚ，２Ｈ），６．９４（ｄｄ，Ｊ＝２．８Ｈｚ，２Ｈ），６．９９（ｄ，Ｊ＝７．６Ｈｚ，２Ｈ）
【０３８８】
比較合成例２：メトキシシリル基を含むビスフェノールＡ系エポキシ化合物の合成（Ｓｉ（ＯＭｅ）３：Ｓｉ（Ｍｅ）３：ａｌｌｙｌ＝１：０：０）
５００ｍｌのフラスコに、アリル基を有するビスフェノールＡエポキシ（構造式１）１７．２８ｇ、トリメトキシシラン３１．３８ｍｌ、白金酸化物２７９ｍｇ、及びトルエン１５０ｍｌを入れて混合した後、アルゴンが充填された状態で、８５℃で２４時間撹拌した。反応後、得られた粗生成物をセライトろ過し、蒸発器を用いて溶媒を除去することで、最終エポキシを得た。得られた最終生成物のＮＭＲデータは、次の通りである。
【０３８９】
１Ｈ  ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ３）：δ＝０．６４−０．６９（ｍ，４Ｈ），１．６０（ｓ，６Ｈ），１．６２−１．７２（ｍ，４Ｈ），２．６１（ｔ，Ｊ＝７．６Ｈｚ，４Ｈ），２．７４（ｄｄ，Ｊ＝２．６Ｈｚ，２Ｈ），２．８６（ｄｄ，Ｊ＝４．２Ｈｚ，２Ｈ），３．３０−３．３４（ｍ，２Ｈ），３．４５（ｓ，９Ｈ），３．９７（ｄｄ，Ｊ＝５．２Ｈｚ，２Ｈ），４．１４（ｄｄ，Ｊ＝３．２Ｈｚ，２Ｈ），６．７０（ｄ，Ｊ＝７．６Ｈｚ，２Ｈ），６．９４（ｄｄ，Ｊ＝２．８Ｈｚ，２Ｈ），６．９９（ｄ，Ｊ＝７．６Ｈｚ，２Ｈ）
【０３９０】
物性評価：硬化物の製造及び耐熱特性の評価
１．エポキシ複合体の製造
（１）エポキシガラス繊維複合体（硬化物）の製造
下記表１の組成で、エポキシ化合物、シリカスラリー（固形分含量７０ｗｔ％、２−メトキシエタノール溶媒、シリカ平均サイズ１μｍ）、及びポリビニルアセタールをメチルエチルケトンに固形分含量が４０ｗｔ％となるように溶解した。この混合液を１５００ｒｐｍの速度で１時間混合した後、硬化剤を入れてさらに５０分間混合した。上記エポキシ混合物にガラス繊維（Ｎｉｔｔｏｂｏ社製、ガラス繊維織布（Ｇｌａｓｓ  ｆｉｂｅｒ  ｆａｂｒｉｃ）Ｔ−ｇｌａｓｓ）を浸漬してガラス繊維複合物を製造した。その後、上記複合物を１００℃に加熱された真空オーブンに入れて溶媒を除去した後、１２０℃に予熱されたホットプレスで、１２０℃で２時間、１８０℃で２時間、さらに、＞２００℃で２時間硬化させることで、ガラス繊維複合体フィルム（４ｍｍ×６ｍｍ×０．１ｍｍ）を得た。複合体フィルムを製造する際、プレスの圧力とレジンの粘度に応じて複合体フィルムのレジン含量を調節し、複合体フィルムにおけるレジンの含量は、下記表１に示した通りである。
【０３９１】
（２）エポキシフィラー複合体（硬化物）の製造
下記表２の組成で、エポキシ化合物、シリカスラリー（固形分含量７０ｗｔ％、２−メトキシエタノール溶媒、シリカ平均サイズ１μｍ）、及びポリビニルアセタールをメチルエチルケトンに固形分含量が４０ｗｔ％となるように溶解した。この混合液を１５００ｒｐｍの速度で１時間混合した後、硬化剤を入れてさらに５０分間混合した。上記混合物を１００℃に加熱された真空オーブンに入れて溶媒を除去した後、１２０℃に予熱されたホットプレスで、１２０℃で２時間、１８０℃で２時間、さらに、＞２００℃で２時間硬化させることで、エポキシフィラー（無機粒子）複合体（５ｍｍ×５ｍｍ×５ｍｍ）を得た。
【０３９２】
２．耐熱物性の評価
下記表１及び２の実施例で得られた硬化物の温度による寸法変化を熱−機械分析機（Ｔｈｅｒｍｏ−ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ  Ａｎａｌｙｓｉｚｅｒ）を用いて評価し、下記表に示した。エポキシガラス繊維複合フィルムの試片は４×１６×０．１（ｍｍ３）のサイズに、フィラー複合体の試片は５×５×３（ｍｍ３）のサイズに製造した。
【０３９３】
【表１】
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【０３９４】
【表２】
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【０３９５】
【表３】
0006423443.tif 000157
【０３９６】
【表４】
0006423443.tif 000158
【０３９７】
【表５】
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【０３９８】
【表６】
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＊注：上記表１及び２で用いられた化合物は、次の通りである。
（１）ＤＧＥＢＡ：ビスフェノールＡのジグリシジルエーテル（Ｄｉｇｌｙｃｉｄｙｌ  ｅｔｈｅｒ  ｏｆ  ｂｉｓｐｈｅｎｏｌ  Ａ、Ａｌｄｒｉｃｈ社製、Ｍｗ＝３７７）
（２）ＥＸＡ４７００：ビナフタレン系エポキシ（ＥＥＷ＝１６２）
【化１４４】
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（３）ＹＸ４０００Ｈ：ビフェニル系エポキシ
【化１４５】
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（４）ｐｏｌｙｄｉｓ：ゴム改質（ゴム変性）されたエポキシ（Ｓｔｒｒｕｋｔｏｌ社製）
（５）ＨＦ−１Ｍ：フェノールノボラック系硬化剤（明和化成（株）製、ＨＥＷ＝１０７）
【化１４６】
0006423443.tif 000163
（６）ＴＰＰ：トリフェニルホスフィン（Ａｌｄｒｉｃｈ社製）
（７）２Ｅ４ＭＺ：２−エチル−４−メチルイミダゾール（Ａｌｄｒｉｃｈ社製）
【０３９９】
上記表１及び２に示したように、本発明によるエポキシ化合物を用いて製造されたガラス繊維複合体及びシリカ複合体は、低いＣＴＥ値を示すだけでなく、ガラス転移温度を示さない（Ｔｇ−ｌｅｓｓ）ものであって、優れた耐熱性を有する。
【０４００】
さらに、本発明によるエポキシ化合物を用いて製造された複合体は、非反応性官能基の導入により複合体の脆性が向上した。図１に示されたように、エトキシシリル基のみを有するエポキシ化合物（比較合成例１）のガラス繊維複合体は、試料の表面にクラックが存在することが観察された。これに対して、アリル基とエトキシシリル基をともに有するエポキシ化合物（合成例４）の場合は、硬化されたガラス繊維複合体の表面にクラックがないことが観察された。
【０４０１】
メトキシシリル基のみを有するエポキシ化合物（比較合成例２）は、図２に示されたように、硬化速度が速すぎ、且つ、製造された試料が脆すぎる（ｂｒｉｔｔｌｅ）ため、試料を評価できるガラス繊維複合体を製造することができなかった。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０４０２】
【特許文献１】韓国特許出願第２０１２−９３３２０号
【特許文献２】韓国特許出願第２０１３−１１７１１号
【特許文献３】韓国特許出願第２０１３−２７３０８号
【特許文献４】韓国特許出願第２０１３−３５５４６号
【特許文献５】韓国特許出願第２０１３−７８３４７号
【特許文献６】韓国特許出願第２０１３−１１１４７３号
【図１】
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【図２】
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