(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
セメントキルンの窯尻から最下段サイクロンに至るまでのセメントキルン排ガス流路より燃焼ガスの一部を冷却しながら抽気し、抽気された燃焼ガスを処理するセメント焼成装置において、
前記セメントキルン排ガス流路に穿設された燃焼ガスの抽気口の下方に、舞い上がった原料ダストが抽気口に流入することを防止する邪魔板を備え、
該邪魔板は、前記抽気口の短径をＤ１とした場合、上面視で、該抽気口が穿設された前記セメントキルン排ガス流路の内壁に沿って短径Ｄ１以上の幅を有し、該内壁からの突出長さが、該抽気口が穿設された前記セメントキルン排ガス流路の内壁に対して垂直な内壁の長さをＬとした場合、１／３Ｌ以下であることを特徴とするセメント焼成装置。
【請求項２】
前記邪魔板の上面と、前記抽気口が穿設された内壁であって該邪魔板の上方に位置する内壁とのなす角度が４５度以上９０度以下であることを特徴とする請求項１に記載のセメント焼成装置。
【請求項３】
前記抽気口の長径をＤ２とした場合、前記抽気口の中心から、１／２Ｄ２以上３／２Ｄ２以下下方の位置に、前記邪魔板の上面が前記セメントキルン排ガス流路の内壁に当接することを特徴とする請求項１又は２に記載のセメント焼成装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、セメント焼成装置に関し、特に、セメントキルンの窯尻部から燃焼ガスの一部を抽気して塩素分を除去する塩素バイパスシステムを備えたセメント焼成装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、セメント原燃料として利用されている産業廃棄物には塩素、硫黄、アルカリ等の低融点揮発成分が含まれており、それらはキルン・プレヒータ系内で循環濃縮し、窯尻部やプレヒータ下段で塩化アルカリ等の低融点化合物を生成して閉塞等の問題を引き起こす原因となっている。そこで、セメントキルンの窯尻部から燃焼ガスの一部を抽気して冷却することで、ガス状の低融点揮発成分、主にＫＣｌ成分を固化してサイクロンにて分級し、ＫＣｌ濃度が低い粗粉はキルン系に戻し、高濃度にＫＣｌが濃縮された微粉は系外に排出することで、閉塞を防止している（例えば、特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２０１４−１５９３４２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかし、上記塩素バイパスシステムにおいて、抽気ガス中に含まれる原料ダスト濃度が高いと、抽気ガスを分級して得られた微粉のＫＣｌ濃縮度が低下し、粗粉のＫＣｌ濃度が上昇して低融点揮発成分の系外排出効率が低下するという問題がある。
【０００５】
そこで、本発明は、上記従来のセメント焼成装置における問題点に鑑みてなされたものであって、塩素バイパスシステムにおける抽気ガス中の原料ダスト濃度を低減し、効率よく低融点揮発成分を除去することができるセメント焼成装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上記目的を達成するため、本発明は、セメントキルンの窯尻から最下段サイクロンに至るまでのセメントキルン排ガス流路より燃焼ガスの一部を冷却しながら抽気し、抽気された燃焼ガスを処理するセメント焼成装置において、前記セメントキルン排ガス流路に穿設された燃焼ガスの抽気口の下方に、舞い上がった原料ダストが抽気口に流入することを防止する邪魔板を備え、該邪魔板は、前記抽気口の短径をＤ１とした場合、上面視で、該抽気口が穿設された前記セメントキルン排ガス流路の内壁に沿って短径Ｄ１以上の幅を有し、該内壁からの突出長さが、該抽気口が穿設された前記セメントキルン排ガス流路の内壁に対して垂直な内壁の長さをＬとした場合、１／３Ｌ以下であることを特徴とする。
【０００７】
本発明によれば、燃焼ガスの抽気口の下方に邪魔板を備えるため、抽気ガス中の原料ダストが窯尻部で舞い上がったような場合でも、原料ダストが抽気口に流入することを防止することができ、抽気ガス中の原料ダスト濃度を低減し、効率よく低融点揮発成分を除去することができる。この効率が向上した分の抽気ガス量を低減することで、廃棄物処理量を維持したまま熱損失の低減を図ることができる。一方、抽気ガス量を維持した場合には、熱損失の低減を図ることはできないが、廃棄物の処理量を増加させることができる。
【０００９】
また、前記邪魔板の上面と、前記抽気口が穿設された内壁であって該邪魔板の上方に位置する内壁とのなす角度を４５度以上９０度以下とすることができる。
【００１０】
さらに、前記抽気口の長径をＤ２とした場合、前記抽気口の中心から、１／２Ｄ２以上３／２Ｄ２以下下方の位置に、前記邪魔板の上面が前記セメントキルン排ガス流路の内壁に当接するように構成することができる。
【発明の効果】
【００１１】
以上のように、本発明によれば、塩素バイパスシステムにおける抽気ガス中の原料ダスト濃度を低減し、効率よく低融点揮発成分を除去することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１】本発明に係るセメント焼成装置の窯尻部を示す図であって、（ａ）は正面図、（ｂ）は一部破断側面図、（ｃ）は（ｂ）のＡ−Ａ線断面図である。
【図２】本発明に係るセメント焼成装置の窯尻部におけるセメント原料粒子の流れを示す図であって、（ａ）は正面図、（ｂ）は一部破断側面図である。
【図３】従来のセメント焼成装置の窯尻部におけるセメント原料粒子の流れを示す図であって、（ａ）は正面図、（ｂ）は一部破断側面図である。
【図４】従来のセメント焼成装置において抽気ガス中に含まれる原料ダスト濃度が高くなる原因を説明するための図であって、（ａ）は正面図、（ｂ）は一部破断側面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
次に、本発明を実施するための形態について図面を参照しながら説明する。
【００１４】
図３は、従来のセメント焼成装置の窯尻部を示し、セメントキルン２には、インレットフッド６を介して上方の仮焼炉に連続するライジングダクト（セメントキルン２の窯尻から最下段サイクロンに至るまでのセメントキルン排ガス流路の一部）３が接続され、ライジングダクト３には、上方の最下段サイクロンからの原料シュート４と、燃焼ガスの一部を抽気するためのプローブ５が設けられる。ライジングダクト３には、原料シュート４からの原料の供給口４ａと、プローブ５による抽気のための抽気口５ａが穿設される。
【００１５】
この窯尻部では、原料シュート４から供給口４ａを通過してセメントキルン２にセメント原料（以下「原料」という。）Ｒが供給され、セメントキルン２内で焼成されるが、原料Ｒの一部は、窯尻部での燃焼ガス流れに乗って矢印で示す方向に流れる。
【００１６】
本発明者らは、通常状態では燃焼ガス流れに乗って仮焼炉側に流れる原料Ｒの量はそれほど多くはなく、プローブ５によって抽気される燃焼ガス中のダスト濃度は高くはないが、次に示す３つの要因によりセメント抽気ガス中の原料ダスト濃度が高くなることを見出し本発明をなすに至った。すなわち、図４に示すように、
（１）インレットフッド６の下部にコーチングＣが生成すると、原料シュート４からの原料Ｒがセメントキルン２内へ進入することが妨げられ、ライジングダクト３の内部に舞い上がり、抽気口５ａから吸引される。
（２）原料シュート４の供給口４ａからセメントキルン２の入口までの原料流路（斜面）３ｂに段差等があり、滑らかでないと、原料シュート４からの原料Ｒがライジングダクト３の内部に舞い上がり、抽気口５ａから吸引される。
（３）セメントキルン２の回転数が一定の範囲以上又は以下の場合に、原料Ｒがスムーズにセメントキルン２内に流れ込まずにライジングダクト３の内部に舞い上がり、抽気口５ａから吸引される。
【００１７】
図１は、本発明に係るセメント焼成装置の一実施の形態を示し、このセメント焼成装置１は、ライジングダクト３に穿設された、プローブ５による抽気のための抽気口５ａの下方に、上記のようにして舞い上がった原料Ｒが抽気口５ａに吸い込まれるのを抑制する邪魔板７を備える。
【００１８】
この邪魔板７は、例えば耐火物を施工して形成することができ、図１（ａ）に示すように、ライジングダクト３の内壁３ａに対する角度θを４５度以上９０度以下に設定する。また、図１（ｃ）に示すように、内壁３ａの寸法を上面視でＬ１（セメントキルン２の軸線方向の内壁の長さ）、Ｌ２（セメントキルン２の軸線方向に対して垂直方向の内壁の長さ）とした場合、邪魔板７の寸法（角度θに関わらず内壁３ａから突出した矩形状部分の寸法）は、長辺ａを楕円形の抽気口５ａの短径Ｄ１に対して短径Ｄ１以上Ｌ１以下とし、短辺ｂを（Ｌ２）／３以下に設定する。また、邪魔板７の取付高さＬ（抽気口５ａの中心から、邪魔板７の上面が内壁３ａに当接する位置までの距離）は、抽気口５ａの中心から、抽気口５ａの長径Ｄ２の１／２倍以上３／２以下下方の位置に設定する。これらの角度θや、邪魔板７の寸法ａ、ｂ及び取付高さＬは、抽気ガス中の原料ダストの抽気口５ａへの流入状況に合わせて適宜変更する。尚、プローブ５や邪魔板７の取付位置は、図１（ｃ）に限定されず、ライジングダクト３の全周囲のいずれであってもよい。
【００１９】
この邪魔板７を設けることで、図２に示すように、セメントキルン２からライジングダクト３に流入する燃焼ガスやダストの流れを抽気口５ａから離間するように変化させることができる。これにより、燃焼ガス中のダストは慣性力によって抽気口５ａから離間する方向に流れ、抽気口５ａへのダストの吸い込み量を低減することができ、抽気ガス中の原料ダスト濃度を低減することができる。
【符号の説明】
【００２０】
１  セメント焼成装置
２  セメントキルン
３  ライジングダクト
３ａ  内壁
３ｂ  原料流路
４  原料シュート
４ａ  供給口
５  プローブ
５ａ  抽気口
６  インレットフッド
７  邪魔板
【図１】
0006323874.tif 000002
【図２】
0006323874.tif 000003
【図３】
0006323874.tif 000004
【図４】
0006323874.tif 000005