(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
所定の振動数で振動する振動部と、
前記振動部から離間して前記振動部の周囲を囲む枠部と、
前記振動部の両主面に形成された励振電極と、
前記励振電極と接続して前記枠部まで伸びる引出電極と、を備え、
前記枠部の主面に形成される前記引出電極は、前記枠部の内側部分に設けた内側領域と、外側部分に設けた外側領域と、前記内側領域と前記外側領域との間を遮るように形成される腐食防止領域と、を有し、
前記内側領域及び前記外側領域は、クロム（Ｃｒ）層と、前記クロム（Ｃｒ）層の表面に形成されるニッケルタングステン（ＮｉＷ）層と、前記ニッケルタングステン（ＮｉＷ）層の表面に形成される金（Ａｕ）層又は銀（Ａｇ）層と、を含んで形成され、前記腐食防止領域はクロム（Ｃｒ）層、ニッケル（Ｎｉ）層、タングステン（Ｗ）層、モリブデン（Ｍｏ）層、ニッケルタングステン（ＮｉＷ）層、チタン（Ｔｉ）層、又はクロム（Ｃｒ）層とニッケルタングステン（ＮｉＷ）層との２層により形成される圧電振動片。
【請求項２】
所定の振動数で振動する振動部と、
前記振動部から離間して前記振動部の周囲を囲む枠部と、
前記振動部の両主面に形成された励振電極と、
前記励振電極と接続して前記枠部まで伸びる引出電極と、を備え、
前記枠部の主面に形成される前記引出電極は、前記枠部の外側部分に設けた外側領域と、前記枠部の内側部分に設けた腐食防止領域と、を有し、
前記外側領域はクロム（Ｃｒ）層と、前記クロム（Ｃｒ）層の表面に形成されるニッケルタングステン（ＮｉＷ）層と、前記ニッケルタングステン（ＮｉＷ）層の表面に形成される金（Ａｕ）層又は銀（Ａｇ）層と、を含んで形成され、前記腐食防止領域はクロム（Ｃｒ）層、ニッケル（Ｎｉ）層、タングステン（Ｗ）層、モリブデン（Ｍｏ）層、ニッケルタングステン（ＮｉＷ）層、チタン（Ｔｉ）層、又はクロム（Ｃｒ）層とニッケルタングステン（ＮｉＷ）層との２層により形成される圧電振動片。
【請求項３】
請求項１または請求項２に記載の圧電振動片と、
前記枠部と対向する主面の反対面に形成された実装端子と、側面に形成される切欠き部と、前記切欠き部に形成されて前記実装端子及び前記引出電極に接続する切欠き部電極と、を有し、前記枠部に接合材で接合するベースと、を備える圧電デバイス。
【請求項４】
請求項１又は請求項２に記載の圧電振動片と、
前記枠部と対向する主面の反対面に形成された実装端子と、側面に形成される切欠き部と、前記切欠き部に形成されて前記実装端子及び前記引出電極の前記外側領域に接続する切欠き部電極と、を有し、前記枠部に接合材で接合するベースと、を備える圧電デバイス。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、キャビティ内への水分の侵入が防がれた圧電振動片及び圧電デバイスに関する。
【背景技術】
【０００２】
携帯電話やパーソナルコンピュータなどの様々な電子機器には、主に周波数の選択や制御のために圧電デバイスが広く使われている。圧電デバイスは機能によって圧電振動子、圧電発振器、ＳＡＷデバイスや光学デバイス等に分類できる。そして、圧電素子に水晶を用いた水晶振動子や水晶発振器等が広く知られており、一般的に使われている。
【０００３】
ここで水晶振動子として、例えば、特許文献１では次のようなものが開示されている。まず、両主面に励振電極が形成された振動部と、振動部と接続して、当該振動部の周囲を囲む枠部がある。枠部には板状のベース及びリッドが接合してキャビティが形成され、振動部がキャビティ内に密封される。ベースの側面には切欠き部が形成され、ベースの裏面（枠部と接合する面の反対面）には実装端子が形成される。ここで、励振電極からは、枠部まで伸びるように引出電極が形成される。引出電極は、ベースの切欠き部に対向する領域まで伸びる。そして、実装端子は、切欠き部の側面に形成された電極を経由して引出電極に導通する。このような引出電極は、例えば、クロム（Ｃｒ）、ニッケルタングステン（ＮｉＷ）、及び金（Ａｕ）により形成される。また、枠部に形成される引出電極は、電気抵抗の上昇及びクリスタルインピーダンス（ＣＩ）値の上昇を抑えるために、枠部の幅いっぱいに形成される。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２０１３−０１７１６３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかし、特許文献１では、引出電極の一部が圧電デバイスの外部に露出し、ニッケルタングステン（ＮｉＷ）と金（Ａｕ）とが空気中の湿気等に触れることにより異種金属接触腐食を起こし、この腐食が引出電極を介してキャビティ側に伝わることによりキャビティ内に水分が侵入する場合があった。
【０００６】
以上のような事情に鑑みて、本発明はキャビティ内への水分の侵入が防がれた圧電デバイスの提供を目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
第１観点の圧電振動片は、所定の振動数で振動する振動部と、振動部から離間して振動部の周囲を囲む枠部と、振動部の両主面に形成された励振電極と、励振電極に接続して枠部まで伸びる引出電極と、を備える。また、枠部の主面に形成される引出電極は、枠部の内側部分に設けた内側領域と、外側部分に設けた外側領域と、内側領域と外側領域との間を遮るように形成される腐食防止領域と、を有し、内側領域及び外側領域が、クロム（Ｃｒ）層と、クロム（Ｃｒ）層の表面に形成されるニッケルタングステン（ＮｉＷ）層と、ニッケルタングステン（ＮｉＷ）層の表面に形成される金（Ａｕ）層又は銀（Ａｇ）層と、を含んで形成され、腐食防止領域がクロム（Ｃｒ）層、ニッケル（Ｎｉ）層、タングステン（Ｗ）層、モリブデン（Ｍｏ）層、ニッケルタングステン（ＮｉＷ）層、チタン（Ｔｉ）層、又はクロム（Ｃｒ）層とニッケルタングステン（ＮｉＷ）層との２層により形成される。
【０００８】
第２観点の圧電振動片は、所定の振動数で振動する振動部と、振動部から離間して振動部の周囲を囲む枠部と、振動部の両主面に形成された励振電極と、励振電極と接続して枠部まで伸びる引出電極と、を備える。また、枠部の主面に形成される引出電極は、枠部の外側部分に設けた外側領域と、枠部の内側部分に設けた腐食防止領域と、を有し、外側領域がクロム（Ｃｒ）層と、クロム（Ｃｒ）層の表面に形成されるニッケルタングステン（ＮｉＷ）層と、ニッケルタングステン（ＮｉＷ）層の表面に形成される金（Ａｕ）層又は銀（Ａｇ）層と、を含んで形成され、腐食防止領域がクロム（Ｃｒ）層、ニッケル（Ｎｉ）層、タングステン（Ｗ）層、モリブデン（Ｍｏ）層、ニッケルタングステン（ＮｉＷ）層、チタン（Ｔｉ）層、又はクロム（Ｃｒ）層とニッケルタングステン（ＮｉＷ）層との２層により形成される。
【０００９】
第３観点の圧電振動片は、所定の振動数で振動する振動部と、振動部から離間して振動部の周囲を囲む枠部と、振動部の両主面に形成された励振電極と、励振電極と接続して枠部まで伸びる引出電極と、を備える。また、枠部の主面に形成される引出電極は、枠部の内側部分に設けた内側領域と、枠部の外側部分に設けた腐食防止領域と、を有し、内側領域がクロム（Ｃｒ）層と、クロム（Ｃｒ）層の表面に形成されるニッケルタングステン（ＮｉＷ）層と、ニッケルタングステン（ＮｉＷ）層の表面に形成される金（Ａｕ）層又は銀（Ａｇ）層と、を含んで形成され、腐食防止領域がクロム（Ｃｒ）層、ニッケル（Ｎｉ）層、タングステン（Ｗ）層、モリブデン（Ｍｏ）層、ニッケルタングステン（ＮｉＷ）層、チタン（Ｔｉ）層、又はクロム（Ｃｒ）層とニッケルタングステン（ＮｉＷ）層との２層により形成される。
【００１０】
第４観点の圧電デバイスは、第１観点から第３観点に記載の圧電振動片と、枠部と対向する主面の反対面に形成された実装端子、側面に形成される切欠き部、及び切欠き部に形成されて実装端子及び引出電極に接続する切欠き部電極を有し、枠部に接合材で接合するベースと、を備える圧電デバイス。
【００１１】
第５観点の圧電デバイスは、第１観点又は第２観点に記載の圧電振動片と、枠部と対向する主面の反対面に形成された実装端子、側面に形成される切欠き部、及び切欠き部に形成されて実装端子及び引出電極の外側領域に接続する切欠き部電極、を有し、枠部に接合材で接合するベースと、を備える。
【発明の効果】
【００１２】
本発明の圧電振動片及び圧電デバイスによれば、キャビティ内への水分の侵入を防ぐことができる。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
【図１】圧電デバイス１００の分解斜視図である。
【図２】図１のＡ−Ａ断面図である。
【図３】（ａ）は、圧電振動片１２０の上面図である。  （ｂ）は、圧電振動片１２０の下面図である。
【図４】ベース１４０の下面図である。
【図５】（ａ）は、圧電デバイス１００の一部を拡大した断面図である。  （ｂ）は、図５（ａ）の点線１８１の拡大図である。
【図６】圧電デバイス１００の製造方法が示されたフローチャートである。
【図７】圧電ウエハＷ１２０の下面図である。
【図８】圧電ウエハＷ１２０への電極形成の工程が示されたフローチャートである。
【図９】（ａ）は、クロム（Ｃｒ）のブロックが形成された圧電ウエハＷ１２０の中の圧電振動片１２０の部分下面図である。  （ｂ）は、図９（ａ）のＢ−Ｂ断面図である。  （ｃ）は、金属膜が形成された圧電ウエハＷ１２０の中の圧電振動片１２０の部分下面図である。  （ｄ）は、図９（ｃ）のＣ−Ｃ断面図である。  （ｅ）は、励振電極１２８及び引出電極１３０が形成された圧電ウエハＷ１２０の中の圧電振動片１２０の部分下面図である。  （ｆ）は、図９（ｅ）のＤ−Ｄ断面図である。
【図１０】（ａ）は、ベースウエハＷ１４０の平面図である。  （ｂ）は、リッドウエハＷ１１０の平面図である。
【図１１】（ａ）は、腐食防止領域２３０Ｂが示された枠部の断面図である。  （ｂ）は、圧電デバイス２００の一部を拡大した断面図である。
【図１２】（ａ）は、腐食防止領域３３０Ｂが示された枠部１２２の断面図である。  （ｂ）は、圧電デバイス３００の一部を拡大した断面図である。
【図１３】（ａ）は、圧電振動片４２０の上面図である。  （ｂ）は、圧電振動片５２０の下面図である。
【図１４】（ａ）は、圧電振動片６２０の下面図である。  （ｂ）は、図１４（ａ）のＥ−Ｅ断面を含む圧電デバイス６００の部分断面図である。  （ｃ）は、圧電デバイス６００の一部を拡大した断面図である。
【図１５】（ａ）は、圧電振動片７２０の下面図である。  （ｂ）は、圧電デバイス７００の一部を拡大した断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１４】
以下、本発明の実施の形態を図面に基づいて詳細に説明する。なお、本発明の範囲は以下の説明において特に本発明を限定する旨の記載がない限り、これらの形態に限られるものではない。
【００１５】
（第１実施形態）
＜圧電デバイス１００の全体構成＞
図１は、圧電デバイス１００の分解斜視図である。圧電デバイス１００は、図１に示されるように、ベース１４０と、圧電振動片１２０と、リッド１１０と、が積層されることにより形成される。圧電振動片１２０には、例えばＡＴカットの水晶振動片が用いられる。ＡＴカットの水晶振動片は、主面（ＹＺ面）が結晶軸（ＸＹＺ）のＹ軸に対して、Ｘ軸を中心としてＺ軸からＹ軸方向に３５度１５分傾斜されている。以下の説明では、ＡＴカットの水晶振動片の軸方向を基準とし、傾斜された新たな軸をＹ’軸及びＺ’軸として用いる。すなわち、圧電デバイス１００において、圧電デバイス１００の長手方向をＸ軸方向、圧電デバイス１００の高さ方向をＹ’軸方向、Ｘ軸方向及びＹ’軸方向に垂直な方向をＺ’軸方向として説明する。
【００１６】
圧電振動片１２０には、中央に所定の振動数で振動する矩形状の振動部１２４が設けられる。振動部１２４の外側には、振動部１２４と離間して振動部１２４を囲む枠部１２２が設けられる。振動部１２４と枠部１２２とは、振動部１２４の−Ｘ軸側の辺から−Ｘ軸方向に伸びて枠部１２２に到達する接続部１２６によって、接続される。
【００１７】
振動部１２４の両主面である＋Ｙ’軸側の面及び−Ｙ’軸側の面には、図１に示される通り、互いに対向する励振電極１２８が形成される。また、各励振電極１２８からは、接続部１２６を介して枠部１２２に引出電極１３０が引き出されている。枠部１２２の−Ｙ’軸側の面に形成される引出電極１３０は、枠部１２２の内周側の内側領域１３０Ｃと、枠部１２２の外周側の外側領域１３０Ａと、内側領域１３０Ｃと外側領域１３０Ａとを遮るように形成される腐食防止領域１３０Ｂと、を有している。
【００１８】
ベース１４０は平板状に形成され、枠部１２２の−Ｙ’軸側の面に接合される。ベース１４０は振動部１２４に対向するように配置される。ベース１４０は、例えば、ガラス又は水晶等を基材として形成される。また、ベース１４０の−Ｘ軸側の＋Ｚ’軸側及び＋Ｘ軸側の−Ｚ’軸側の角には、ベース１４０の角が切り取られるように形成される切欠き部１４８が形成されている。ベース１４０には電極が形成されるが、図１では示されていない。ベース１４０に形成される電極に関しては、図２、図４、図５（ａ）、及び図５（ｂ）で説明される。
【００１９】
リッド１１０は平板状に形成され、枠部１２２の＋Ｙ’軸側の面に接合される。リッド１１０は振動部１２４に対向するように配置される。リッド１１０は、例えば、ガラス又は水晶等で形成される。
【００２０】
図２は、図１のＡ−Ａ断面図である。リッド１１０と枠部１２２とは、ポリイミド等の樹脂接着剤又は低融点ガラス等の非導電性の接合材１５０で接合される。また、ベース１４０と枠部１２２とに関しても、ポリイミド等の樹脂接着剤又は低融点ガラス等の非導電性の接合材１５０で接合される。こうして振動部１２４は、リッド１１０、枠部１２２、及びベース１４０で囲まれたキャビティ１０１に密閉封入される。また、振動部１２４は、圧電デバイス１００の周波数を調整するため、及び振動部１２４がリッド１１０及びベース１４０に接触しないように枠部１２２よりも薄く形成されている。
【００２１】
ベース１４０の−Ｙ’軸側の面には一対の実装端子１４２が形成される。実装端子１４２の一方はベース１４０の＋Ｘ軸側に形成され、実装端子１４２の他方はベース１４０の−Ｘ軸側に形成される。それぞれの実装端子１４２は切欠き部１４８まで伸びている。また、切欠き部１４８には切欠き部電極１４４が形成されており、実装端子１４２と引出電極１３０とを電気的に接続している。これにより、実装端子１４２は励振電極１２８に電気的に接続される。
【００２２】
図３（ａ）は、圧電振動片１２０の上面図である。振動部１２４と枠部１２２との間には圧電振動片１２０をＹ’軸方向に貫通する貫通溝１３２が形成されている。また、振動部１２４と枠部１２２とは接続部１２６を介して接続されている。振動部１２４には励振電極１２８が形成されており、励振電極１２８からは接続部１２６を介して枠部１２２に引出電極１３０が引き出されている。引出電極１３０は、貫通溝１３２の側面１３４を介して枠部１２２の−Ｙ’軸側の面に引き出されている。
【００２３】
図３（ｂ）は、圧電振動片１２０の下面図である。−Ｙ’軸側の面に形成された励振電極１２８からは、引出電極１３０が引き出されている。引出電極１３０は、−Ｙ’軸側の面の励振電極１２８から−Ｘ軸方向に伸び、接続部１２６、枠部１２２の−Ｘ軸側、及び−Ｚ’軸側の部分を通って、枠部１２２の−Ｙ’軸側の面であって、−Ｚ’軸側かつ＋Ｘ軸側の角部まで伸びる。また、＋Ｙ’軸側の面に形成された励振電極１２８から引き出される引出電極１３０は、貫通溝１３２の側面１３４を介して枠部１２２の−Ｙ’軸側の面に引き出されている。−Ｙ’軸側の面に引き出された引出電極１３０は、枠部１２２の−Ｙ’軸側の面であって、＋Ｚ’軸側かつ−Ｘ軸側の角部まで伸びる。これらの引出電極１３０は、枠部１２２の幅いっぱいに形成されている。これにより、引出電極１３０に起因する電気抵抗の上昇が抑えられており、圧電振動片１２０のクリスタルインピーダンス（ＣＩ）値の上昇が抑えられている。
【００２４】
枠部１２２の一部は、ベース１４０に接続された場合にベース１４０の切欠き部１４８に面する（図２参照）。図３（ｂ）では、枠部１２２における切欠き部１４８に面する領域である切欠き部対向領域１７０が点線で囲まれて示されている。枠部１２２における切欠き部対向領域１７０には、各引出電極１３０の外側領域１３０Ａが形成されている。
【００２５】
引出電極１３０では、内側領域１３０Ｃが励振電極１２８に電気的に接合され、外側領域１３０Ａは腐食防止領域１３０Ｂを介して内側領域１３０Ｃに電気的に接続される。また、外側領域１３０Ａは枠部１２２の外周側の辺１３１Ａに接して形成されるが枠部１２２の内周側の辺１３１Ｂには接しない。内側領域１３０Ｃは枠部１２２の内周側の辺１３１Ｂに接して形成されるが枠部１２２の外周側の辺１３１Ａには接しない。なお、引出電極１３０の外側領域１３０Ａは枠部１２２の外周側の辺１３１Ａに接し、内側領域１３０Ｃは枠部１２２の内周側の辺１３１Ｂに接して形成されるが、それぞれ外周側の辺１３１Ａ及び内周側の辺１３１Ｂから若干枠部側に後退して形成されていても良い。
【００２６】
図４は、ベース１４０の下面図である。ベース１４０は、主面が略長方形に形成されており、−Ｘ軸側の＋Ｚ’軸側及び＋Ｘ軸側の−Ｚ’軸側の角には長方形の一部が切欠かれるように切欠き部１４８が形成されている。ベース１４０の−Ｙ’軸側の面の＋Ｘ軸側及び−Ｘ軸側にはそれぞれ実装端子１４２が形成されている。また、切欠き部１４８の側面には切欠き部電極１４４が形成される。
【００２７】
＜圧電デバイス１００の電極の構成＞
図５（ａ）は、圧電デバイス１００の一部を拡大した断面図である。図５（ａ）では、図２の点線１８０で囲まれた領域が示されている。また、図５（ａ）では、圧電デバイス１００が基板１６０に載置された状態の断面図として示されている。以下に、引出電極１３０及び切欠き部電極１４４の電極の構成について説明する。
【００２８】
実装端子１４２は、ベース１４０の基材上に形成される実装端子１４２Ａと実装端子１４２Ａの表面に形成される実装端子１４２Ｂとの２層で形成される。また、切欠き部電極１４４は切欠き部電極１４４Ａと切欠き部電極１４４Ａの表面に形成される切欠き電極１４４Ｂとの２層で構成される。実装端子１４２Ａと切欠き部電極１４４Ａとが一体的に形成され、実装端子１４２Ｂと切欠き部電極１４４Ｂとが一体的に形成されている。また、切欠き部電極１４４Ａの一部が引出電極１３０の表面に接触するように形成されることにより、切欠き部電極１４４と引出電極１３０とが電気的に接続される。
【００２９】
実装端子１４２Ａ及び切欠き部電極１４４Ａは、例えばスパッタ又は蒸着などで形成される。実装端子１４２Ｂ及び切欠き部電極１４４Ｂは、例えば無電解メッキで形成される。また、実装端子１４２Ｂ及び切欠き部電極１４４Ｂは、実装端子１４２Ａ及び切欠き部電極１４４Ａより厚く形成される。これにより、実装端子１４２及び切欠き部電極１４４の全体が厚く形成されるため、実装端子１４２と切欠き部電極１４４との断線が防止され、導通が確保される。
【００３０】
圧電デバイス１００は、例えば基板１６０に実装されることにより用いられる。この場合、圧電デバイス１００の実装端子１４２は、基板１６０上に形成される基板電極１６１にハンダ１５２を介して接合され、基板電極１６１に電気的に接続される。また、図５（ａ）に示されるように、ハンダ１５２はハンダ１５２の濡れ性によって切欠き部電極１４４及び引出電極１３０にも接触する場合がある。
【００３１】
図５（ｂ）は、図５（ａ）の点線１８１の拡大図である。切欠き部電極１４４Ａは、さらに３層からなる。ベース１４０の基材に接する層である切欠き部電極１４４Ａの第１層１９３Ａは、例えばクロム（Ｃｒ）層として形成される。当該第１層１９３Ａの表面に形成される第２層１９３Ｂは、ニッケル（Ｎｉ）及びタングステン（Ｗ）の合金であるニッケルタングステン（ＮｉＷ）層として形成される。当該第２層１９３Ｂの表面に形成される第３層１９３Ｃは、金（Ａｕ）層として形成される。電極材料としては金（Ａｕ）を用いることが一般的であるが、ベース１４０の基材となる水晶には金（Ａｕ）が付着し難いため、クロム（Ｃｒ）層が金（Ａｕ）層の下地として形成される。また、クロム（Ｃｒ）は金（Ａｕ）に拡散し易く、クロム（Ｃｒ）層のクロム（Ｃｒ）が金（Ａｕ）層に拡散した場合には電極の付着強度の低下が起こるため、この様なクロム（Ｃｒ）の拡散を防止するためにクロム（Ｃｒ）層と金（Ａｕ）層との間にニッケルタングステン（ＮｉＷ）層が形成される。実装端子１４２Ａは切欠き部電極１４４Ａと一体的に形成されるため、実装端子１４２Ａも切欠き部電極１４４Ａと同様に第１層１９３Ａ、第２層１９３Ｂ、及び第３層１９３Ｃにより形成される。
【００３２】
また、切欠き部電極１４４Ｂは２層からなる。切欠き部電極１４４Ａの表面に接するように形成される層である切欠き部電極１４４Ｂの第１層１９４Ａは、例えば、ニッケル（Ｎｉ）層として形成される。当該第１層１９４Ａの表面に形成される第２層１９４Ｂは金（Ａｕ）層として形成される。そして、当該第２層１９４Ｂが切欠き部電極１４４の表面に露出する。実装端子１４２Ｂは切欠き部電極１４４Ｂと一体的に形成されるため、実装端子１４２Ｂも切欠き部電極１４４Ｂと同様に第１層１９４Ａ及び第２層１９４Ｂにより形成される。
【００３３】
圧電振動片１２０に関する電極では、腐食防止領域１３０Ｂ以外の引出電極１３０及び励振電極１２８が、圧電振動片１２０の基材の表面に形成される第１層１９１Ａと、第１層１９１Ａの表面に形成される第２層１９１Ｂと、第２層１９１Ｂの表面に形成される第３層１９１Ｃと、により構成される。これらの各層は、切欠き部電極１４４Ａと同様に、第１層１９１Ａがクロム（Ｃｒ）層、第２層１９１Ｂがニッケルタングステン（ＮｉＷ）層、第３層１９１Ｃが金（Ａｕ）層として形成される。一方、腐食防止領域１３０Ｂは、例えばクロム（Ｃｒ）層のみで形成される。腐食防止領域１３０Ｂを構成するクロム（Ｃｒ）層は、クロム（Ｃｒ）層が厚く形成されたクロム（Ｃｒ）のブロック１５４として形成されている。なお、クロム（Ｃｒ）のブロック１５４の表面にニッケルタングステン（ＮｉＷ）層が形成されていてもよい。
【００３４】
腐食防止領域１３０Ｂは、圧電振動片の製造で多用される成膜装置で容易に製造できること、及び材料費も抑えられること等の利点があるため、クロム（Ｃｒ）単層又はクロム（Ｃｒ）とニッケルタングステン（ＮｉＷ）との２層構造として形成されることが好ましい。一方、腐食防止領域１３０Ｂは、金（Ａｕ）を含まず、圧電振動片１２０の基材となる水晶との付着強度が強く、ハンダ１５２に浸食され難く、導電性を有する金属により形成されることができる。そのため、浸食防止領域１３０Ｂは、例えば、クロム（Ｃｒ）の代わりに、ニッケル（Ｎｉ）、タングステン（Ｗ）、ニッケルタングステン（ＮｉＷ）、モリブデン（Ｍｏ）、又はチタン（Ｔｉ）により形成されても良い。
【００３５】
従来の圧電デバイスでは、引出電極に異種金属接触腐食が起こり、キャビティ内に水分が侵入するという問題があった。異種金属接触腐食とは、金（Ａｕ）等のイオン化傾向が小さい金属と、ニッケルタングステン（ＮｉＷ）等のイオン化傾向が大きい金属とが互いに接触し、さらにこの接触した部分に水分が触れることにより起こる激しい腐食をいう。従来の圧電デバイスでは、図２に示される圧電デバイス１００と同様に引出電極の一部が圧電デバイス１００の外部に剥き出しになって形成され、図３（ｂ）に示されるように、引出電極１３０が枠部１２２の外周側の辺１３１Ａの全体の半分近い長さに形成されるため、引出電極が圧電デバイスの外部に接触し外気の水分に晒される面積が広くなり、金（Ａｕ）とニッケルタングステン（ＮｉＷ）との間に異種金属接触腐食が起こりやすい。このような従来の圧電デバイスで引出電極に異種金属接触腐食が起こった場合には、腐食が引出電極を介して圧電デバイスの外部からキャビティ内に伝わり、これによってキャビティ内に水分が侵入し、電気特性が劣化するという問題が起こる。
【００３６】
圧電デバイス１００では、引出電極１３０の外側領域１３０Ａが枠部１２２の内周側の辺１３１Ｂに接触していないこと、及び外側領域１３０Ａと内側領域１３０Ｃとの間を遮るように金（Ａｕ）を含まない腐食防止領域１３０Ｂが形成されることにより、外側領域１３０Ａで腐食が発生したとしても腐食防止領域１３０Ｂで遮られ、腐食がキャビティ１０１に到達してキャビティ１０１内に水分が侵入することが防がれている。
【００３７】
＜圧電デバイス１００の基板１６０への実装方法＞
圧電デバイス１００は、図５（ａ）に示されるように、基板１６０に実装されることにより用いられる。このような実装は次のようにして行われる。まず、基板電極１６１が形成された基板１６０を用意する。次に、基板電極１６１の表面にハンダ１５２のペーストを塗布する。次に、ハンダ１５２のペースト上に実装端子１４２が接触するように基板１６０に圧電デバイス１００を載置する。次に、ハンダ１５２のペーストを加熱して溶融させることにより、圧電デバイス１００が基板１６０に接合される。ハンダ１５２のペーストが加熱された際、ハンダ１５２は、図５（ａ）に示される通り、切欠き部電極１４４の表面を這い上がり、引出電極１３０の枠部１２２の切欠き部対向領域１７０における外側面に到達する。
【００３８】
ここで、ハンダは鉛（Ｐｂ）及びスズ（Ｓｎ）を主成分とした合金であり、ハンダの主成分であるスズ（Ｓｎ）は、金（Ａｕ）と合金を形成しやすい性質があることが知られている。そのため、スズ（Ｓｎ）と金（Ａｕ）とが接触した状態で加熱されると、スズ（Ｓｎ）は金（Ａｕ）を浸食していく。図５（ｂ）に示されるように、ハンダ１５２と外側領域１３０Ａの第３層１９１Ｃとが接触する場合には、ハンダ１５２が第３層１９１Ｃを構成する金（Ａｕ）を浸食して励振電極１２８の方向に進む。従来の圧電デバイスでは、このようにハンダのスズ（Ｓｎ）が引出電極に含まれる金（Ａｕ）を介して圧電振動片の励振電極に到達し、励振電極をも浸食することで圧電振動片の周波数をずらし、又は圧電振動片の発振を妨げる場合があった。
【００３９】
圧電デバイス１００では、引出電極１３０に腐食防止領域１３０Ｂが形成されることにより、ハンダ１５２が外側領域１３０Ａを浸食していっても、クロム（Ｃｒ）からなる腐食防止領域１３０Ｂに到達すると、腐食防止領域１３０Ｂで浸食が実質的に止まる。これにより、ハンダ１５２が励振電極１２８にまで到達することが防がれている。
【００４０】
＜圧電デバイス１００の製造方法＞
図６は、圧電デバイス１００の製造方法が示されたフローチャートである。以下に、図６のフローチャートを参照して圧電デバイス１００の製造方法を説明する。
【００４１】
ステップＳ１０１では、圧電ウエハＷ１２０が用意される。ステップＳ１０１で用意される圧電ウエハＷ１２０には、複数の圧電振動片１２０が形成されている。
【００４２】
図７は、圧電ウエハＷ１２０の下面図である。圧電ウエハＷ１２０には、複数の圧電振動片１２０が形成されており、互いに隣接した圧電振動片１２０の境界にはスクライブライン１７１が示されている。各圧電振動片１２０には貫通溝１３２が形成され、励振電極１２８及び引出電極１３０が形成されている。
【００４３】
ステップＳ１０１では、まず圧電材料により形成されたベアウエハが用意される。圧電デバイス１００では圧電材料として水晶が用いられるため、用意されるベアウエハは水晶のベアウエハである。次に、ベアウエハをエッチングして貫通溝１３２を形成することにより、各圧電振動片１３０が形成される領域に振動部１２４及び接続部１２６の外形を形成する。この際、振動部１２４を所定の厚さにして、圧電デバイス１００の周波数が所定の値になるように調整する。この後、圧電ウエハＷ１２０に励振電極１２８及び引出電極１３０を形成する。
【００４４】
図８は、圧電ウエハＷ１２０への電極形成の工程が示されたフローチャートである。図８のフローチャートで示される電極形成の工程はステップＳ１０１の一部として行われる。
【００４５】
図８のステップＳ２１１では、クロム（Ｃｒ）のブロック１５４が形成される。クロム（Ｃｒ）のブロック１５４は腐食防止領域１３０Ｂを構成する。
【００４６】
図９（ａ）は、クロム（Ｃｒ）のブロックが形成された圧電ウエハＷ１２０の中の圧電振動片１２０の部分下面図である。クロム（Ｃｒ）のブロック１５４は、図９（ａ）に示されるように、引出電極１３０の腐食防止領域１３０Ｂとなる領域に形成される。このようなクロム（Ｃｒ）のブロック１５４は、圧電ウエハＷ１２０の−Ｙ’軸側の表面の全面にクロム（Ｃｒ）膜をスパッタ等により形成し、クロム（Ｃｒ）膜の表面にレジストを塗布し、さらにレジスト膜の露光、現像、及びクロム（Ｃｒ）膜のエッチングを行うことにより形成される。圧電振動片１２０では−Ｙ’軸側の面のみに腐食防止領域１３０Ｂが形成されるため、これらの工程は圧電ウエハＷ１２０の−Ｙ’軸側の面のみに行われるが、後述される圧電振動片２２０（図１３（ａ）参照）では＋Ｙ’軸側の面にも腐食防止領域が形成されるため、この場合には＋Ｙ’軸側及び−Ｙ’軸側の両面同時にこれらの工程が行われる。
【００４７】
図９（ｂ）は、図９（ａ）のＢ−Ｂ断面図である。クロム（Ｃｒ）のブロック１５４の幅Ｌ１は、少なくとも１０μｍ程度あれば腐食防止領域１３０Ｂとしての機能を果たすことができる。そのため、幅Ｌ１は１０μｍ以上に形成されることが望ましい。また、ブロック１５４の高さＨ１は、外側領域１３０Ａと内側領域１３０Ｃとの間の電気抵抗を大きく上昇させない高さに形成される。また、クロム（Ｃｒ）のブロック１５４は枠部１２２の幅方向の中央付近に形成されることにより、多少マスクがずれてもブロック１５４が形成されない箇所が生じることがないようにされている。
【００４８】
図８のステップＳ２１２では、電極を構成する金属膜が形成される。ステップＳ２１２では、圧電ウエハＷ１２０の＋Ｙ’軸側及び−Ｙ’軸側の面の全面に、第１層１９１Ａ、第２層１９１Ｂ、及び第３層１９１Ｃを構成する金属膜をスパッタ等により形成する。
【００４９】
図９（ｃ）は、金属膜が形成された圧電ウエハＷ１２０の中の圧電振動片１２０の部分下面図である。ステップＳ２１２では、圧電ウエハＷ１２０の＋Ｙ’軸側及び−Ｙ’軸側の全面にクロム（Ｃｒ）のスパッタ等で第１層１９１Ａを形成し、ニッケルタングステン（ＮｉＷ）のスパッタ等で第２層１９１Ｂを形成し、金（Ａｕ）のスパッタ等で第３層１９１Ｃを形成する。これらの層は、貫通溝１３２の側面にも形成される。
【００５０】
図９（ｄ）は、図９（ｃ）のＣ−Ｃ断面図である。図９（ｄ）に示されるように、第１層１９１Ａ、第２層１９１Ｂ、及び第３層１９１Ｃは、クロム（Ｃｒ）のブロック１５４上にも形成される。
【００５１】
図８のステップＳ２１３では、励振電極及び引出電極が形成される。ステップＳ２１３では、ステップＳ２１２で形成された金属膜をエッチングにより除去することにより、励振電極１２８及び引出電極１３０を形成する。
【００５２】
図９（ｅ）は、励振電極１２８及び引出電極１３０が形成された圧電ウエハＷ１２０の中の圧電振動片１２０の部分下面図である。ステップＳ２１３では、第３層１９１Ｃの表面にレジストを塗布し、さらにレジスト膜の露光及び現像を行い、引出電極１３０及び励振電極１２８を残すように金属膜をエッチングにより除去する。これにより、図９（ｅ）に示されるような引出電極１３０及び励振電極１２８が形成される。
【００５３】
図９（ｆ）は、図９（ｅ）のＤ−Ｄ断面図である。腐食防止領域１３０Ｂの形成は、クロム（Ｃｒ）のブロック１５４上の第１層１９１Ａから第３層１９１Ｃをエッチングすることにより行うことができる。図９（ｆ）では、クロム（Ｃｒ）のブロック１５４上の第１層１９１Ａから第３層１９１Ｃがエッチングにより除去されているが、第３層１９１Ｃのみ、又は第２層１９１Ｂと第３層１９１Ｃとをエッチングして第１層１９１Ａを残しても良い。引出電極１３０の腐食は第２層１９１Ｂと第３層１９１Ｃとが接触することにより引き起こされるため、少なくとも金（Ａｕ）で構成される第３層１９１Ｃが腐食防止領域１３０Ｂに形成されないようにすることにより引出電極１３０の腐食がキャビティ１０１に伝わることを防ぐことができる。
【００５４】
ステップＳ２１３では、レジストを塗布からエッチングまでの工程を、腐食防止領域１３０Ｂと励振電極１２８及び引出電極１３０を構成しない領域とについて同時に行っても良いし、別々に行っても良い。別々に行う場合には、腐食防止領域１３０Ｂと励振電極１２８及び引出電極１３０を構成しない領域とのエッチング条件を変えることができ、クロム（Ｃｒ）のブロック１５４がエッチングされすぎることを防ぐように調整し、又は第２層１３０Ｂ及び第３層１３０Ｃをエッチングせずに残すこと等が可能である。また、腐食防止領域１３０Ｂと励振電極１２８及び引出電極１３０が形成されない領域とを同時にエッチングする場合には、製造工程を少なくすることができるため好ましい。
【００５５】
図６に戻って、ステップＳ１０２では、ベースウエハＷ１４０が用意される。ベースウエハＷ１４０には、複数のベース１４０が形成される。ステップＳ１０２は、ベースウエハＷ１４０を用意する工程である。
【００５６】
図１０（ａ）は、ベースウエハＷ１４０の平面図である。ベースウエハＷ１４０には、複数のベース１４０が形成されており、互いに隣接したベース１４０の境界にはスクライブライン１７１が示されている。ベースウエハＷ１４０は、例えば、水晶等の圧電材料又はガラス等により形成される。ステップＳ１０２では、まず圧電材料等により形成されたベアウエハが用意される。このベアウエハをエッチングすることにより、切欠き部１４８となる領域が貫通されて、切欠き部１４８が形成される。
【００５７】
ステップＳ１０３では、リッドウエハＷ１１０が用意される。リッドウエハＷ１１０には、複数のリッド１１０が形成される。ステップＳ１０３は、リッドウエハＷ１１０を用意する工程である。
【００５８】
図１０（ｂ）は、リッドウエハＷ１１０の平面図である。リッドウエハＷ１１０には、複数のリッド１１０が形成されており、互いに隣接したリッド１１０の境界にはスクライブライン１７１が示されている。リッドウエハＷ１１０は、例えば、水晶等の圧電材料又はガラス等により形成される。ステップＳ１０３では、平板状の圧電材料又はガラス等により形成されたベアウエハが用意される。
【００５９】
ステップＳ１０４では、接合材１５０により圧電ウエハＷ１２０とベースウエハＷ１４０とが接合される。ステップＳ１０４は、圧電ウエハとベースウエハとの接合工程である。ステップＳ１０４では、圧電ウエハＷ１２０の−Ｙ’軸側の面とベースウエハＷ１４０の＋Ｙ’軸側の面とが、圧電ウエハＷ１２０の各圧電振動片１２０とベースウエハＷ１４０の各ベース１４０とが対向するように接合材１５０を介して互いに接合される。
【００６０】
ステップＳ１０５では、接合材１５０により圧電ウエハＷ１２０とリッドウエハＷ１１０とが接合される。ステップＳ１０５は、圧電ウエハとリッドウエハとの接合工程である。ステップＳ１０５では、圧電ウエハＷ１２０の＋Ｙ’軸側の面とリッドウエハＷ１１０の−Ｙ’軸側の面とが、圧電ウエハＷ１２０の各圧電振動片１２０とリッドウエハＷ１１０の各リッド１１０とが対向するように接合材１５０を介して互いに接合される。これによって、積層されたウエハが形成される。
【００６１】
ステップＳ１０６では、実装端子１４２及び切欠き部電極１４４が形成される。ステップＳ１０６は、実装端子及び切欠き部電極形成工程である。当該積層されたウエハの−Ｙ’軸側の面であるベースウエハＷ１４０側の面からスパッタ又は蒸着などによって、クロム（Ｃｒ）の層、ニッケルタングステン（ＮｉＷ）の層、及び金（Ａｕ）の層が順次形成されて、図５（ａ）に示される実装端子１４２Ａ及び切欠き部電極１４４Ａが形成される。次に無電解メッキによって、実装端子１４２Ａ及び切欠き部電極１４４Ａの表面に、ニッケル（Ｎｉ）の層及び金（Ａｕ）の層が順次形成され、実装端子１４２Ｂ及び切欠き部電極１４４Ｂが形成される。
【００６２】
ステップＳ１０７では、積層されたウエハがダイシングにより切断される。ステップＳ１０７は、切断工程である。当該積層されたウエハは、スクライブライン１７１に沿ってダイシングされることにより、個片になった圧電デバイス１００が形成される。
【００６３】
（第２実施形態）
腐食防止領域は、様々な方法により様々な形状に形成することができる。以下に腐食防止領域の変形例について説明する。また、以下の実施形態において第１実施形態と同じ部分に関しては第１実施形態と同じ符号を付してその説明を省略する。
【００６４】
＜腐食防止領域２３０Ｂの構成＞
図１１（ａ）は、腐食防止領域２３０Ｂが示された枠部の断面図である。図１１（ａ）は、図９（ｆ）に示される圧電振動片１２０の断面図に相当する部分の断面図である。腐食防止領域２３０Ｂは、クロム（Ｃｒ）により形成される第１層１９１Ａのみにより形成されている。
【００６５】
腐食防止領域２３０Ｂは、図８において、ステップＳ２１１を行わずにステップＳ２１２及びステップＳ２１３を行うことにより形成することができる。ステップＳ２１２では枠部１２２に第１層１９１Ａから第３層１９１Ｃまでを形成し、ステップＳ２１３で腐食防止領域２３０Ｂに相当する領域の第３層１９１Ｃ及び第２層１９１Ｂをエッチングにより除去する。
【００６６】
図１１（ｂ）は、圧電デバイス２００の一部を拡大した断面図である。圧電デバイス２００は、圧電デバイス１００とは腐食防止領域の形状のみが異なっており、その他の形状、構成は圧電デバイス１００と同じである。図１１（ｂ）は、図５（ｂ）の圧電デバイス１００の部分断面図に相当する圧電デバイス２００の部分断面図である。
【００６７】
圧電デバイス２００では、腐食防止領域２３０Ｂに金（Ａｕ）層が形成されていないことにより、引出電極１３０の外側領域１３０Ａが水分等により腐食しても、この腐食が腐食防止領域２３０Ｂで止められるため内側領域１３０Ｃに伝わらない。また、腐食防止領域２３０Ｂに金（Ａｕ）層が形成されていないため、図１１（ｂ）に示されるようにハンダ１５２が外側領域１３０Ａの金（Ａｕ）より成る第３層１９１Ｃに接触して外側領域１３０Ａの第３層１９１Ｃを浸食したとしても、この侵食は腐食防止領域２３０Ｂで止められるため、内側領域１３０Ｃが浸食されることがない。図１１（ｂ）では、腐食防止領域２３０Ｂで第３層１９１Ｃ及び第２層１９１Ｂがエッチングにより除去されているが、第３層１９１Ｃのみが除去されていても良い。圧電デバイス２００では、ステップＳ２１１が省略されるため工程が簡略化され、製造が容易になるため好ましい。
【００６８】
＜腐食防止領域３３０Ｂの構成＞
図１２（ａ）は、腐食防止領域３３０Ｂが示された枠部１２２の断面図である。図１２（ａ）は、図９（ｆ）に示される圧電振動片１２０の断面図に相当する部分の断面図である。腐食防止領域３３０Ｂは、クロム（Ｃｒ）のブロック１５５により形成されている。
【００６９】
腐食防止領域３３０Ｂの形成は、図８において、ステップＳ２１１を行わずにステップＳ２１２及びステップＳ２１３を行い、その後、腐食防止領域３３０Ｂにクロム（Ｃｒ）のブロック１５５をスパッタ又は蒸着などで形成する。
【００７０】
図１２（ｂ）は、圧電デバイス３００の一部を拡大した断面図である。圧電デバイス３００は、圧電デバイス１００と腐食防止領域のみが異なっており、その他の形状、構成は圧電デバイス１００と同じである。図１２（ｂ）は、圧電デバイス３００の図５（ｂ）に相当する部分の断面図である。
【００７１】
圧電デバイス３００では、腐食防止領域３３０Ｂに金（Ａｕ）層が形成されていないことにより、引出電極１３０の外側領域１３０Ａが水分等により腐食しても、この腐食が腐食防止領域３３０Ｂで止められるため内側領域１３０Ｃに伝わらない。また、腐食防止領域３３０Ｂに金（Ａｕ）層が形成されていないため、図１２（ｂ）に示されるようにハンダ１５２が外側領域１３０Ａの金（Ａｕ）より成る第３層１９１Ｃに接触して外側領域１３０Ａの第３層１９１Ｃを浸食したとしても、この侵食は腐食防止領域３３０Ｂで止められるため、内側領域１３０Ｃが浸食されることがない。図１２（ｂ）では、腐食防止領域３３０Ｂで第１層１９１Ａから第３層１９１Ｃがエッチングにより除去されているが、第３層１９１Ｃのみ又は第２層１９１Ｂ及び第３層１９１Ｃが除去されていても良い。圧電デバイス３００では、腐食防止領域３３０Ｂの導通をより確実に確保することができるため好ましい。
【００７２】
（第３実施形態）
腐食防止領域は、引出電極の様々な位置に形成されることができる。以下に腐食防止領域が様々な位置に形成された腐食防止領域の変形例について説明する。また、以下の実施形態において第１実施形態と同じ部分は第１実施形態と同じ符号を付してその説明を省略する。
【００７３】
＜圧電振動片４２０の構成＞
図１３（ａ）は、圧電振動片４２０の上面図である。圧電振動片４２０では、圧電振動片１３０において、引出電極１３０の代わりに引出電極４３０が形成されている。その他の構成は圧電振動片１３０と同じである。引出電極４３０は、枠部１２２の＋Ｙ’軸側の面に形成される引出電極４３０が枠部１２２の幅全体に亘って形成されている。引出電極４３０の−Ｙ’軸側の構成は、圧電振動片１３０と同じである。
【００７４】
圧電振動片１２０では＋Ｙ’軸側の面に形成される引出電極１３０が枠部１２２の外周側の辺１３１Ａに接するように形成されないため引出電極１３０が圧電デバイス１００の外部に接せず、枠部１２２の＋Ｙ’軸側の面の引出電極１３０は腐食されない（図３（ａ）参照）。しかし、枠部１２２の＋Ｙ’軸側の引出電極が枠部１２２の外周側の辺１３１Ａに接する場合には、引出電極が圧電デバイスの外部の湿気等の水分に接触する可能性があるため、引出電極が腐食する場合がある。
【００７５】
圧電振動片４２０は、枠部１２２の＋Ｙ’軸側の面に形成される引出電極４３０が、枠部１２２の外周側の辺１３１Ａに接する外側領域４３０Ａ、枠部１２２の内周側の辺１３１Ｂに接する内側領域４３０Ｃ、及び外側領域４３０Ａと内側領域４３０Ｃとの間を遮るように形成される腐食防止領域４３０Ｂの３つの領域に分けられて形成されている。外側領域４３０Ａ及び内側領域４３０Ｃは、圧電振動片１３０の外側領域１３０Ａ及び内側領域１３０Ｃと同じ膜構成により形成される（図９（ｆ）参照）。また、腐食防止領域４３０Ｂは、腐食防止領域１３０Ｂ（図９（ｆ））、腐食防止領域２３０Ｂ（図１１（ａ））、又は腐食防止領域３３０Ｂ（図１２（ａ））と同じ構成により形成される。これにより、外側領域４３０Ａに形成される引出電極４３０が腐食してもその腐食は腐食防止領域４３０Ｂで遮られ、内側領域４３０Ｃに伝わることが防がれる。
【００７６】
＜圧電振動片５２０の構成＞
図１３（ｂ）は、圧電振動片５２０の下面図である。圧電振動片５２０では、圧電振動片１３０において、引出電極１３０の代わりに引出電極５３０が形成されている。その他の構成は圧電振動片１３０と同じである。引出電極５３０は、枠部１２２の−Ｙ’軸側の面に形成される引出電極が、枠部１２２の外周側の辺１３１Ａに接する外側領域５３０Ａ及び枠部１２２の内周側の辺１３１Ｂに接する腐食防止領域５３０Ｂにより形成されている。外側領域５３０Ａは枠部１２２の内周側の辺１３１Ｂに接せず、圧電振動片１３０の外側領域１３０Ａと同じ膜構成により形成される（図９（ｆ）参照）。また、腐食防止領域５３０Ｂは、腐食防止領域１３０Ｂ（図９（ｆ））、腐食防止領域２３０Ｂ（図１１（ａ））、又は腐食防止領域３３０Ｂ（図１２（ａ））と同じ構成により形成される。
【００７７】
圧電振動片５２０は、外側領域５３０Ａに腐食が発生しても腐食防止領域５３０Ｂが形成されていることにより貫通溝１３２側にまで腐食が伝わらず、キャビティ１０１内に腐食が伝わらないため、キャビティ１０１内に水分が侵入することを防ぐことができる。また、腐食防止領域５３０Ｂが枠部１２２の−Ｙ’軸側の面に形成される引出電極５３０の最内側に形成されるので、腐食防止領域５３０Ｂを圧電デバイス内に納めることができる。
【００７８】
＜圧電振動片６２０の構成＞
図１４（ａ）は、圧電振動片６２０の下面図である。圧電振動片６２０では、圧電振動片１３０において、引出電極１３０の代わりに引出電極６３０が形成されている。その他の構成は圧電振動片１３０と同じである。引出電極６３０は、枠部１２２の−Ｙ’軸側の面に形成される引出電極が、枠部１２２の外周側の辺１３１Ａに接する腐食防止領域６３０Ｂ及び枠部１２２の内周側の辺１３１Ｂに接する内側領域６３０Ｃにより形成されている。内側領域６３０Ｃは枠部１２２の外周側の辺１３１Ａに接せず、圧電振動片１３０の内側領域１３０Ｃと同じ膜構成により形成される（図９（ｆ）参照）。また、腐食防止領域６３０Ｂは、腐食防止領域１３０Ｂ（図９（ｆ））、腐食防止領域２３０Ｂ（図１１（ａ））、又は腐食防止領域３３０Ｂ（図１２（ａ））と同じ構成により形成される。
【００７９】
図１４（ｂ）は、図１４（ａ）のＥ−Ｅ断面を含む圧電デバイス６００の部分断面図である。圧電デバイス６００は、圧電デバイス１００において圧電振動片１２０を圧電振動片６２０に代えた以外は圧電デバイス１００と同じ構成である。図１４（ｂ）では、枠部１２２とベース１４０との接合部分の部分断面図が示されている。圧電デバイス６００では、圧電デバイス６００の外側に腐食防止領域６３０Ｂが形成されている。図１４（ｂ）に示される腐食防止領域６３０Ｂは、第１層１９１Ａ及び第２層１９１Ｂのみの構成に形成される場合が示されているが、他の構成に形成されていてもよい。図１４（ｂ）に示されるように、圧電デバイス６００では、枠部１２２とベース１４０との接合部分の圧電デバイス６００の外側の外気に接する部分が、クロム（Ｃｒ）により形成される第１層１９１Ａ、ニッケルタングステン（ＮｉＷ）により形成される第２層１９１Ｂ、及び接合材１５０により形成されており、金（Ａｕ）層を含んでいない。すなわち、圧電デバイス６００では引出電極６３０の金（Ａｕ）層が外気に接していないため、引出電極６３０が腐食することが防がれている。
【００８０】
図１４（ｃ）は、圧電デバイス６００の一部を拡大した断面図である。図１４（ｃ）は、圧電デバイス６００の図５（ｂ）に相当する部分の断面図である。図１４（ｃ）に示されるように、ベース１４０に形成される切欠き部電極１４４は腐食防止領域６３０Ｂの第２層１９１Ｂの表面に形成される。これにより、引出電極６３０の第３層１９１Ｃはハンダ１５２に接触しないため、第３層１９１Ｃがハンダ１５２に浸食されることが防がれている。
【００８１】
＜圧電振動片７２０の構成＞
図１５（ａ）は、圧電振動片７２０の下面図である。圧電振動片７２０では、圧電振動片１３０において、引出電極１３０の代わりに引出電極７３０が形成されている。その他の構成は圧電振動片１３０と同じである。引出電極７３０は、枠部１２２の−Ｙ’軸側の面に形成される部分が、枠部１２２の外周側の辺１３１Ａに接して形成される外側領域７３０Ａと、枠部１２２の内周側の辺１３１Ｂに接して形成される内側領域１３０Ｃと、外側領域７３０Ａ及び内側領域１３０Ｃの間を遮るように形成される腐食防止領域７３０Ｂと、により形成されている。外側領域７３０Ａは、さらに切欠き部電極１４４に接続される領域７３５ａと切欠き部電極１４４に接続されない領域７３５ｂとに分けることができる。腐食防止領域７３０Ｂは、外側領域７３０Ａ及び内側領域１３０Ｃの間を遮ると共に、領域７３５ａと領域７３５ｂとの間を分けるように形成されている。これにより領域７３５ａの金（Ａｕ）を含む第３層１９１Ｃにハンダ１５２が浸食したとしても内側領域１３０Ｃ及び切欠き部電極１４４に接続されない領域７３５ｂにハンダ１５２が浸食することが防がれており、ハンダ１５２が浸食する領域の拡大が防がれている。
【００８２】
図１５（ｂ）は、圧電デバイス７００の一部を拡大した断面図である。圧電デバイス７００は、圧電デバイス１００において圧電振動片１２０を圧電振動片７２０に代えた以外は圧電デバイス１００と同じである。図１５（ｂ）に示されるように、腐食防止領域７３０Ｂは切欠き部電極１４４に接続される領域７３５ａのすぐ外側に形成される。そのため、腐食が切欠き部電極１４４に接続される領域７３５ａ以外の領域に拡大することが防がれる。
【００８３】
以上、本発明の最適な実施形態について詳細に説明したが、当業者に明らかなように、本発明はその技術的範囲内において実施形態に様々な変更・変形を加えて実施することができる。また、各実施形態の特徴を様々に組み合わせて実施することができる。
【００８４】
上記の実施形態では、引出電極及び励振電極の表面の層である第３層１９１Ｃが金（Ａｕ）により形成されるが、第３層１９１Ｃには、金（Ａｕ）の代わりに銀（Ａｇ）が用いられても良い。銀（Ａｇ）が用いられた場合でも金（Ａｕ）と同様にハンダ１５２の浸食が進みやすいが、当該浸食は引出電極及び接続電極の浸食防止領域で止められる。しかし、金（Ａｕ）は圧電振動片の製造時に使用される薬品耐性に優れること、製品後の耐候性にも優れること等の利点があり、これらのことを考慮した場合には銀（Ａｇ）よりも金（Ａｕ）を用いた方が好ましい。
【００８５】
また、上記の実施形態では、振動部が矩形であったが、音叉型、楕円形、円形など他の形状であってもよい。また、圧電振動片はＡＴカットの水晶であったが、Ｚカット又はＢＴカットなどの水晶を用いてもよい。また、圧電デバイスは水晶振動子であったが、発振回路を備えたＩＣを搭載した圧電発振器であってもよい。さらに、圧電振動片は水晶で形成されたが、水晶以外の圧電材料、例えばタンタル酸リチウム、ニオブ酸リチウム又は圧電セラミックを用いてもよい。
【符号の説明】
【００８６】
１００、２００、３００、６００、７００  …  圧電デバイス
１０１  …  キャビティ
１１０  …  リッド
１２０、４２０、５２０、６２０、７２０  …  圧電振動片
１２２  …  枠部
１２４  …  振動部
１２６  …  接続部
１２８  …  励振電極
１３０、４３０、５３０、７３０  …  引出電極
１３０Ａ、４３０Ａ、５３０Ａ、７３０Ａ  …  外側領域
１３０Ｂ、２３０Ｂ、３３０Ｂ、４３０Ｂ、５３０Ｂ、６３０Ｂ、７３０Ｂ  …  腐食防止領域
１３０Ｃ、４３０Ｃ、６３０Ｃ  …  内側領域
１３１Ａ  …  枠部の外周側の辺
１３１Ｂ  …  枠部の内周側の辺
１３２  …  貫通溝
１３４  …  引出電極が引き出される貫通溝の側面
１４０  …  ベース
１４２、１４２Ａ、１４２Ｂ  …  実装端子
１４４、１４４Ａ、１４４Ｂ  …  切欠き部電極
１４８  …  切欠き部
１５０  …  接合材
１５２  …  ハンダ
１５４、１５５  …  クロム（Ｃｒ）のブロック
１６０  …  基板
１６１  …  基板電極
１７０  …  切欠き部対向領域
１７１  …  スクライブライン
１９１Ａ、１９３Ａ、１９４Ａ  …  第１層
１９１Ｂ、１９３Ｂ、１９４Ｂ  …  第２層
１９１Ｃ、１９３Ｃ  …  第３層
７３５ａ  …  切欠き部電極１４４に接続される領域
７３５ｂ  …  切欠き部電極１４４に接続されない領域
Ｗ１１０  …  リッドウエハ
Ｗ１２０  …  圧電ウエハ
Ｗ１４０  …  ベースウエハ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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