(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の主面と前記第１の主面と反対の第２の主面とを有し、前記第１の主面に垂直な厚さ方向を有する第１の脆性基板を準備する工程と、
第３の主面と前記第３の主面と反対の第４の主面とを有する第２の脆性基板を準備する工程と、
前記第１の脆性基板の前記第１の主面に刃先を押し付ける工程と、
前記押し付ける工程によって押し付けられた前記刃先を前記第１の脆性基板の前記第１の主面上で摺動させることによって前記第１の脆性基板の前記第１の主面上に塑性変形を発生させることで、溝形状を有する第１のトレンチラインを形成する工程とを備え、前記第１のトレンチラインを形成する工程は、前記第１のトレンチラインの直下において前記第１の脆性基板が前記第１のトレンチラインと交差する方向において連続的につながっている状態であるクラックレス状態が得られるように行なわれ、さらに
前記第１のトレンチラインを形成する工程の後、前記第１の脆性基板の前記第１の主面と前記第２の脆性基板の前記第３の主面とが対向するように前記第１の脆性基板および前記第２の脆性基板を互いに貼り合わせる工程を備え、前記第１の脆性基板および前記第２の脆性基板を互いに貼り合わせる工程は、前記第１の脆性基板に形成された前記第１のトレンチラインが前記第２の脆性基板に少なくとも部分的に覆われるように行なわれ、さらに
前記第１の脆性基板および前記第２の脆性基板を互いに貼り合わせる工程の後に、前記第１のトレンチラインに沿って前記厚さ方向における前記第１の脆性基板のクラックを伸展させることによって、第１のクラックラインを形成する工程を備え、前記第１のクラックラインによって前記第１のトレンチラインの直下において前記第１の脆性基板は前記第１のトレンチラインと交差する方向において連続的なつながりが断たれており、さらに
前記第１のクラックラインに沿って前記第１の脆性基板を分断する工程を備える、
脆性基板の分断方法。
【請求項２】
前記第１の脆性基板および前記第２の脆性基板を互いに貼り合わせる工程は、前記第１の脆性基板に形成された前記第１のトレンチラインが部分的に露出するように行なわれ、
前記第１のクラックラインを形成する工程は、前記第１のトレンチラインのうち露出された部分から、前記第１のトレンチラインのうち前記第２の脆性基板によって覆われた部分へと、前記第１のトレンチラインに沿ってクラックを伸展させることによって行なわれる、
請求項１に記載の脆性基板の分断方法。
【請求項３】
前記第１の脆性基板および前記第２の脆性基板を互いに貼り合わせる工程の前に、前記第２の脆性基板の前記第３の主面上に塑性変形を発生させることで、溝形状を有する第２のトレンチラインを形成する工程をさらに備える、請求項１または２に記載の脆性基板の分断方法。
【請求項４】
前記第１の脆性基板はガラスから作られている、請求項１から３のいずれか１項に記載の脆性基板の分断方法。
【請求項５】
前記第１の脆性基板を分断する工程の前に、前記第１の脆性基板の前記第２の主面と対向するように前記第１の脆性基板へ第３の脆性基板を取り付ける工程を備え、前記第２の脆性基板および前記第３の脆性基板は、前記第１の脆性基板に形成された前記第１のトレンチラインを少なくとも部分的に挟む、請求項１〜４のいずれか１項に記載の脆性基板の分断方法。
【請求項６】
前記第１の脆性基板を準備する工程において、前記第１の主面は、互いに対向する第１および第２の辺を含む縁に囲まれており、
前記刃先を押し付ける工程において、前記刃先は、突起部と、前記突起部から延びかつ凸形状を有する側部とを有し、前記刃先を押し付ける工程は前記第１の脆性基板の前記第１の主面上で前記刃先の前記突起部が前記第１の辺および前記側部の間に配置されかつ前記刃先の前記側部が前記突起部と前記第２の辺の間に配置されるように行なわれ、
前記第１のトレンチラインを形成する工程において、前記第１のトレンチラインは、前記第１および第２の辺のうち前記第１の辺に近い第１の位置と、前記第１および第２の辺のうち前記第２の辺に近い第２の位置との間で形成され、
前記第１のクラックラインを形成する工程は、前記第１のトレンチラインに沿って前記第２の位置から前記第１の位置の方へ、前記厚さ方向における前記第１の脆性基板のクラックを伸展させることによって行なわれる、
請求項１から５のいずれか１項に記載の脆性基板の分断方法。
【請求項７】
請求項１から６のいずれか１項に記載の脆性基板の分断方法を含む、表示パネルの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は脆性基板の分断方法および表示パネルの製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）パネルなどのフラットディスプレイパネルまたは太陽電池パネルなどの電気機器の製造において、ガラス基板などの脆性基板を分断することがしばしば必要となる。まず基板上にスクライブラインが形成され、次にこのスクライブラインに沿って基板が分断される。スクライブラインは、カッタを用いて基板を機械的に加工することによって形成され得る。カッタが基板上を摺動または転動することで、基板上に塑性変形によるトレンチが形成されると同時に、このトレンチの直下には垂直クラックが形成される。その後、ブレーク工程と称される応力付与がなされる。ブレーク工程によりクラックを厚さ方向に完全に進行させることで、基板が分断される。
【０００３】
国際公開第２００３／００６３９１号は、フラットディスプレイパネルの分断方法を開示している。その一例によれば、脆性基板の一の面にスクライブラインが形成される。この面上に他の脆性基板が貼り合わされる。次に、上記他の脆性基板にスクライブラインが形成される。次に、両脆性基板を撓ませることによりこれらが同時に分断される。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】国際公開第２００３／００６３９１号
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
互いに貼り合わされた２つの脆性基板において、一方の脆性基板の貼り合わせ面上に、それに沿った分断が行なわれることになるラインが配置された構造が望まれる場合があり得る。たとえば、分断位置を貼り合わせ面上において精密に位置決めしたい場合がそうである。仮に、貼り合わせ面と反対の面上にスクライブラインが形成されこのスクライブラインを用いて分断がなされるとすると、スクライブラインからクラックが厚さ方向に伸展する際の方向ばらつきに起因して、貼り合わせ面上における分断位置もばらついてしまう。
【０００６】
上記のような構造は、前述した従来技術によっても得ることができる。しかしながらこの従来技術では、クラックを伴うスクライブラインが形成された後に貼り合わせ作業が行なわれることから、クラックが厚さ方向に意図せず伸展することによって、意図していた時点より前に脆性基板が分断してしまうことがあった。
【０００７】
本発明は以上のような課題を解決するためになされたものであり、その目的は、第１の脆性基板および第２の脆性基板の貼り合わせに関連した作業中に第１の脆性基板が意図せず分断してしまうことを避けつつ、第１の脆性基板上における第２の脆性基板に覆われた部分にも、それに沿った分断が行なわれることになるラインを設けることができる、脆性基板の分断方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明の脆性基板の分断方法は次の工程を有する。
【０００９】
第１の主面と第１の主面と反対の第２の主面とを有し、第１の主面に垂直な厚さ方向を有する第１の脆性基板が準備される。第３の主面と第３の主面と反対の第４の主面とを有する第２の脆性基板が準備される。
【００１０】
第１の脆性基板の第１の主面に刃先が押し付けられる。押し付けられた刃先を第１の脆性基板の第１の主面上で摺動させることによって第１の脆性基板の第１の主面上に塑性変形を発生させることで、溝形状を有する第１のトレンチラインが形成される。第１のトレンチラインは、第１のトレンチラインの直下において第１の脆性基板が第１のトレンチラインと交差する方向において連続的につながっている状態であるクラックレス状態が得られるように形成される。
【００１１】
第１のトレンチラインが形成された後、第１の脆性基板の第１の主面と第２の脆性基板の第３の主面とが対向するように第１の脆性基板および第２の脆性基板が互いに貼り合わされる。第１の脆性基板および第２の脆性基板は、第１の脆性基板に形成された第１のトレンチラインが第２の脆性基板に少なくとも部分的に覆われるように、互いに貼り合わされる。
【００１２】
第１の脆性基板および第２の脆性基板が互いに貼り合わされた後に、第１のトレンチラインに沿って厚さ方向における第１の脆性基板のクラックを伸展させることによって、第１のクラックラインが形成される。第１のクラックラインによって第１のトレンチラインの直下において第１の脆性基板は第１のトレンチラインと交差する方向において連続的なつながりが断たれている。
【００１３】
第１のクラックラインに沿って第１の脆性基板が分断される。
【発明の効果】
【００１４】
本発明によれば、第１の脆性基板が分断される位置を規定するラインとして、その直下にクラックを有しない第１のトレンチラインが形成される。分断の直接のきっかけとして用いられることになるクラックラインは、第１のトレンチラインの形成後に形成される。これにより、第１のトレンチラインの形成後かつクラックラインの形成前の第１の脆性基板は、分断される位置が第１のトレンチラインによって規定されつつも、クラックラインが未だ形成されていないので容易に分断は生じない安定状態にある。この安定状態において、第１のトレンチライン、すなわち、脆性基板が分断される位置を規定するライン上に第２の脆性基板が配置される。その後、分断の直接のきっかけとして用いられることになるクラックラインが、第１のトレンチラインに沿ってクラックを自己整合的に伸展させることで形成される。これにより、第２の脆性基板に覆われた位置にもクラックラインを形成することができる。以上のように、第１の脆性基板および第２の脆性基板の貼り合わせに関連した作業中に第１の脆性基板が意図せず分断してしまうことを避けつつ、第１の脆性基板上における第２の脆性基板に覆われた部分にも、それに沿った分断が行なわれることになるラインを設けることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１５】
【図１】本発明の実施の形態１における表示パネルの構成を概略的に示す斜視図（Ａ）、および図１（Ａ）の線ＩＢ−ＩＢに沿う概略断面図（Ｂ）である。
【図２】図１の表示パネルの製造方法における脆性基板の分断方法を概略的に示すフロー図である。
【図３】本発明の実施の形態１における脆性基板の分断方法の第１工程を概略的に示す、線ＩＩＩＡ−ＩＩＩＡ（図４）に沿う端面図（Ａ）、第２工程を概略的に示す、線ＩＩＩＢ−ＩＩＩＢ（図５）に沿う端面図（Ｂ）、第３工程を概略的に示す、線ＩＩＩＣ−ＩＩＩＣ（図６）に沿う端面図（Ｃ）、第４工程を概略的に示す、線ＩＩＩＤ−ＩＩＩＤ（図７）に沿う端面図（Ｄ）、および第５工程を概略的に示す、線ＩＩＩＥ−ＩＩＩＥ（図８）に沿う端面図（Ｅ）である。
【図４】本発明の実施の形態１における脆性基板の分断方法の第１工程を概略的に示す平面図である。
【図５】本発明の実施の形態１における脆性基板の分断方法の第２工程を概略的に示す平面図である。
【図６】本発明の実施の形態１における脆性基板の分断方法の第３工程を概略的に示す平面図である。
【図７】本発明の実施の形態１における脆性基板の分断方法の第４工程を概略的に示す平面図である。
【図８】本発明の実施の形態１における脆性基板の分断方法の第５工程を概略的に示す平面図である。
【図９】本発明の実施の形態１における脆性基板の分断方法において形成されるトレンチラインの構成を概略的に示す端面図（Ａ）、およびクラックラインの構成を概略的に示す端面図（Ｂ）である。
【図１０】第１の比較例における脆性基板の分断方法の第１〜第４工程のそれぞれを示す端面図（Ａ）〜（Ｄ）である。
【図１１】第２の比較例における脆性基板の分断方法の第１および第２工程のそれぞれを示す端面図（Ａ）および（Ｂ）である。
【図１２】図１１（Ｂ）の破線部ＸＩＣを示す部分端面図（Ａ）、および第２の比較例における脆性基板の分断方法の第３工程を示す部分端面図（Ｂ）である。
【図１３】本発明の実施の形態２における脆性基板の分断方法の第１工程を概略的に示す、線ＸＩＩＩＡ−ＸＩＩＩＡ（図１４）に沿う端面図（Ａ）、第２工程を概略的に示す、線ＸＩＩＩＢ−ＸＩＩＩＢ（図１５）に沿う端面図（Ｂ）、第３工程を概略的に示す、線ＸＩＩＩＣ−ＸＩＩＩＣ（図１６）に沿う端面図（Ｃ）、第４工程を概略的に示す、線ＸＩＩＩＤ−ＸＩＩＩＤ（図１７）に沿う端面図（Ｄ）、および第５工程を概略的に示す、線ＸＩＩＩＥ−ＸＩＩＩＥ（図１８）に沿う端面図（Ｅ）である。
【図１４】本発明の実施の形態２における脆性基板の分断方法の第１工程を概略的に示す平面図である。
【図１５】本発明の実施の形態２における脆性基板の分断方法の第２工程を概略的に示す平面図である。
【図１６】本発明の実施の形態２における脆性基板の分断方法の第３工程を概略的に示す平面図である。
【図１７】本発明の実施の形態２における脆性基板の分断方法の第４工程を概略的に示す平面図である。
【図１８】本発明の実施の形態２における脆性基板の分断方法の第５工程を概略的に示す平面図である。
【図１９】本発明の実施の形態３における脆性基板の分断方法の第１工程を概略的に示す、線ＸＩＸＡ−ＸＩＸＡ（図２０）に沿う端面図（Ａ）、第２工程を概略的に示す、線ＸＩＸＢ−ＸＩＸＢ（図２１）に沿う端面図（Ｂ）、第３工程を概略的に示す、線ＸＩＸＣ−ＸＩＸＣ（図２２）に沿う端面図（Ｃ）、第４工程を概略的に示す、線ＸＩＸＤ−ＸＩＸＤ（図２３）に沿う端面図（Ｄ）、および第５工程を概略的に示す、線ＸＩＸＥ−ＸＩＸＥ（図２４）に沿う端面図（Ｅ）である。
【図２０】本発明の実施の形態３における脆性基板の分断方法の第１工程を概略的に示す平面図である。
【図２１】本発明の実施の形態３における脆性基板の分断方法の第２工程を概略的に示す平面図である。
【図２２】本発明の実施の形態３における脆性基板の分断方法の第３工程を概略的に示す平面図である。
【図２３】本発明の実施の形態３における脆性基板の分断方法の第４工程を概略的に示す平面図である。
【図２４】本発明の実施の形態３における脆性基板の分断方法の第５工程を概略的に示す平面図である。
【図２５】本発明の実施の形態４における表示パネルの製造方法における脆性基板の分断方法を概略的に示すフロー図である。
【図２６】本発明の実施の形態４における脆性基板の分断方法の第１工程を概略的に示す、線ＸＸＶＩＡ−ＸＸＶＩＡ（図２７）に沿う端面図（Ａ）、第２工程を概略的に示す、線ＸＸＶＩＢ−ＸＸＶＩＢ（図２８）に沿う端面図（Ｂ）、第３工程を概略的に示す、線ＸＸＶＩＣ−ＸＸＶＩＣ（図２９）に沿う端面図（Ｃ）、第４工程を概略的に示す、線ＸＸＶＩＤ−ＸＸＶＩＤ（図３０）に沿う端面図（Ｄ）、および第５工程を概略的に示す、線ＸＸＶＩＥ−ＸＸＶＩＥ（図３１）に沿う端面図（Ｅ）である。
【図２７】本発明の実施の形態４における脆性基板の分断方法の第１工程を概略的に示す平面図である。
【図２８】本発明の実施の形態４における脆性基板の分断方法の第２工程を概略的に示す平面図である。
【図２９】本発明の実施の形態４における脆性基板の分断方法の第３工程を概略的に示す平面図である。
【図３０】本発明の実施の形態４における脆性基板の分断方法の第４工程を概略的に示す平面図である。
【図３１】本発明の実施の形態４における脆性基板の分断方法の第５工程を概略的に示す平面図である。
【図３２】本発明の実施の形態４の変形例における脆性基板の分断方法を概略的に示すフロー図である。
【図３３】本発明の実施の形態４の変形例における脆性基板の分断方法の一工程を概略的に示す、線ＸＸＸＩＩＩ−ＸＸＸＩＩＩ（図３４）に沿う端面図である。
【図３４】本発明の実施の形態４における脆性基板の分断方法の一工程を概略的に示す平面図である。
【図３５】本発明の実施の形態５における表示パネルの製造方法における脆性基板の分断方法を概略的に示すフロー図である。
【図３６】本発明の実施の形態５における脆性基板の分断方法の第１工程を概略的に示す、線ＸＸＸＶＩＡ−ＸＸＸＶＩＡ（図３７）に沿う端面図（Ａ）、第２工程を概略的に示す、線ＸＸＸＶＩＢ−ＸＸＸＶＩＢ（図３８）に沿う端面図（Ｂ）、第３工程を概略的に示す、線ＸＸＸＶＩＣ−ＸＸＸＶＩＣ（図３９）に沿う端面図（Ｃ）、第４工程を概略的に示す、線ＸＸＸＶＩＤ−ＸＸＸＶＩＤ（図４０）に沿う端面図（Ｄ）、および第５工程を概略的に示す、線ＸＸＸＶＩＥ−ＸＸＸＶＩＥ（図４１）に沿う端面図（Ｅ）である。
【図３７】本発明の実施の形態５における脆性基板の分断方法の第１工程を概略的に示す平面図である。
【図３８】本発明の実施の形態５における脆性基板の分断方法の第２工程を概略的に示す平面図である。
【図３９】本発明の実施の形態５における脆性基板の分断方法の第３工程を概略的に示す平面図である。
【図４０】本発明の実施の形態５における脆性基板の分断方法の第４工程を概略的に示す平面図である。
【図４１】本発明の実施の形態５における脆性基板の分断方法の第５工程を概略的に示す平面図である。
【図４２】本発明の実施の形態５の変形例における脆性基板の分断方法を概略的に示すフロー図である。
【図４３】本発明の実施の形態５の変形例における脆性基板の分断方法の一工程を概略的に示す、線ＸＬＩＩＩ−ＸＬＩＩＩ（図４４）に沿う端面図である。
【図４４】本発明の実施の形態５における脆性基板の分断方法の一工程を概略的に示す平面図である。
【図４５】本発明の実施の形態６における表示パネルの製造方法における脆性基板の分断方法を概略的に示すフロー図である。
【図４６】本発明の実施の形態７における表示パネルの構成を概略的に示す斜視図（Ａ）、および図４６（Ａ）の線ＸＬＶＩＢ−ＸＬＶＩＢに沿う概略断面図（Ｂ）である。
【図４７】図４６の表示パネルの製造方法における脆性基板の分断方法を概略的に示すフロー図である。
【図４８】本発明の実施の形態７における脆性基板の分断方法の第１工程を概略的に示す、線ＸＬＶＩＩＩＡ−ＸＬＶＩＩＩＡ（図４９）に沿う端面図（Ａ）、第２工程を概略的に示す、線ＸＬＶＩＩＩＢ−ＸＬＶＩＩＩＢ（図５０）に沿う端面図（Ｂ）、第３工程を概略的に示す、線ＸＬＶＩＩＩＣ−ＸＬＶＩＩＩＣ（図５１）に沿う端面図（Ｃ）、および第４工程を概略的に示す、線ＸＬＶＩＩＩＤ−ＸＬＶＩＩＩＤ（図５２）に沿う端面図（Ｄ）である。
【図４９】本発明の実施の形態７における脆性基板の分断方法の第１工程を概略的に示す平面図である。
【図５０】本発明の実施の形態７における脆性基板の分断方法の第２工程を概略的に示す平面図である。
【図５１】本発明の実施の形態７における脆性基板の分断方法の第３工程を概略的に示す平面図である。
【図５２】本発明の実施の形態７における脆性基板の分断方法の第４工程を概略的に示す平面図である。
【図５３】比較例における脆性基板の分断方法の第１〜第４工程のそれぞれを示す端面図（Ａ）〜（Ｄ）である。
【図５４】本発明の実施の形態７の変形例における脆性基板の分断方法の第１〜第４工程のそれぞれを概略的に示す端面図（Ａ）〜（Ｄ）である。
【図５５】本発明の実施の形態８における表示パネルの製造方法における脆性基板の分断方法を概略的に示すフロー図である。
【図５６】本発明の実施の形態８における脆性基板の分断方法の第１〜第４工程のそれぞれを概略的に示す端面図（Ａ）〜（Ｄ）である。
【図５７】本発明の実施の形態８の変形例における表示パネルの製造方法における脆性基板の分断方法を概略的に示すフロー図である。
【図５８】本発明の実施の形態８の変形例における脆性基板の分断方法の一工程を概略的に示す端面図である。
【図５９】本発明の実施の形態９における表示パネルの製造方法における脆性基板の分断方法を概略的に示すフロー図である。
【図６０】本発明の実施の形態１０における脆性基板の分断方法に用いられる器具の構成を概略的に示す側面図（Ａ）、および、上記器具が有する刃先の構成を図６０（Ａ）の矢印ＬＸＢの視点で概略的に示す平面図（Ｂ）である。
【図６１】本発明の実施の形態１０における脆性基板の分断方法の第１および第２工程のそれぞれを概略的に示す平面図（Ａ）および（Ｂ）である。
【図６２】本発明の実施の形態１０の第１の変形例の脆性基板の分断方法の第１および第２工程のそれぞれを概略的に示す平面図（Ａ）および（Ｂ）である。
【図６３】本発明の実施の形態１０の第２の変形例の脆性基板の分断方法を概略的に示す平面図である。
【図６４】本発明の実施の形態１０の第３の変形例の脆性基板の分断方法を概略的に示す平面図である。
【図６５】本発明の実施の形態１１における脆性基板の分断方法の第１の工程を概略的に示す平面図である。
【図６６】本発明の実施の形態１１における脆性基板の分断方法の第２の工程を概略的に示す平面図である。
【図６７】本発明の実施の形態１１における脆性基板の分断方法の第３の工程を概略的に示す平面図である。
【図６８】本発明の実施の形態１１の第１の変形例の脆性基板の分断方法の第１および第２工程のそれぞれを概略的に示す平面図（Ａ）および（Ｂ）である。
【図６９】本発明の実施の形態１１の第２の変形例の脆性基板の分断方法を概略的に示す平面図である。
【図７０】本発明の実施の形態１２における脆性基板の分断方法の第１および第２工程のそれぞれを概略的に示す平面図（Ａ）および（Ｂ）である。
【図７１】本発明の実施の形態１３における脆性基板の分断方法の第１および第２工程のそれぞれを概略的に示す平面図（Ａ）および（Ｂ）である。
【図７２】本発明の実施の形態１３の変形例の脆性基板の分断方法を概略的に示す平面図である。
【図７３】本発明の実施の形態１４における脆性基板の分断方法に用いられる器具の構成を概略的に示す側面図（Ａ）、および、上記器具が有する刃先の構成を図３３（Ａ）の矢印ＬＸＸＩＩＩＢの視点で概略的に示す平面図（Ｂ）である。
【発明を実施するための形態】
【００１６】
以下、図面に基づいて本発明の実施の形態について説明する。なお、以下の図面において同一または相当する部分には同一の参照番号を付しその説明は繰返さない。
【００１７】
（実施の形態１）
本実施の形態の脆性基板の分断方法について、以下に説明する。
【００１８】
図１（Ａ）および（Ｂ）を参照して、本実施の形態のＬＣＤパネル１０１（表示パネル）は、ＣＦ（カラーフィルタ）基板１１（脆性基板）と、ＴＦＴ（薄膜トランジスタ）基板１２（脆性基板）と、シール部２１（接合部）と、液晶層２０とを有する。
【００１９】
ＣＦ基板１１は、主面として、内面ＳＦ１とその反対の外面ＳＦ２とを有する。ＣＦ基板１１は、内面ＳＦ１に垂直な厚さ方向ＤＴを有する。ＣＦ基板１１は、具体的にはガラス基板であり、カラーフィルタ、ブラックマトリックスおよび配向膜（図示せず）を有する。ＴＦＴ基板１２は、主面として、内面ＳＦ３とその反対の外面ＳＦ４とを有する。ＴＦＴ基板１２は、内面ＳＦ３に垂直な厚さ方向ＤＴを有する。ＴＦＴ基板１２は、具体的にはガラス基板であり、配線、アクティブ素子、電極および配向膜（図示せず）を有する。
【００２０】
ＣＦ基板１１およびＴＦＴ基板１２は、内面ＳＦ１およびＳＦ３が対向するように、シール部２１を介して互いに貼り合わされている。液晶層２０は、内面ＳＦ１およびＳＦ３の間のギャップ内に配置されており、シール部２１によって封止されている。ＴＦＴ基板１２の内面ＳＦ３は、液晶層２０またはシール部２１によって覆われた部分を有する。また内面ＳＦ３は、露出された端子領域ＳＦ３ｅを有してもよい。端子領域ＳＦ３ｅは、ＴＦＴ基板１２を外部配線と接続するために用い得る。
【００２１】
次にＬＣＤパネル１０１の製造方法について、以下に説明する。
【００２２】
図３（Ａ）および図４を参照して、ＣＦ基板１１が準備される（図２：ステップＳ１１）。この時点ではＣＦ基板１１は、複数の最終製品を得るために切り出される複数の領域を含む基板（マザー基板）である。次にＣＦ基板１１の内面ＳＦ１に刃先が押し付けられる（図２：ステップＳ１２）。押し付けられた刃先がＣＦ基板１１の内面ＳＦ１上で摺動させられることによってＣＦ基板１１の内面ＳＦ１上に塑性変形を発生させることで、溝形状を有するトレンチラインＴＬが形成される（図２：ステップＳ１３）。図９（Ａ）を参照して、ＣＦ基板１１のトレンチラインＴＬはクラックレス状態が得られるように形成される。クラックレス状態とは、トレンチラインＴＬの直下において、トレンチラインＴＬの延在方向（図９（Ａ）が示す断面に垂直な方向）と交差する方向ＤＣにおいて基板（図中ではＣＦ基板１１）が連続的につながっている状態のことである。クラックレス状態においては、塑性変形によるトレンチラインＴＬは形成されているものの、それに沿ったクラックは形成されていない。よって従来のブレーク工程のようにガラス基板４に単純に曲げモーメントが生じるような外力を加えても、トレンチラインＴＬに沿った分断は容易には生じない。このためクラックレス状態においてはトレンチラインＴＬに沿った分断工程は行われない。
【００２３】
図３（Ｂ）および図５を参照して、ＴＦＴ基板１２が準備される（図２：ステップＳ２１）。この時点ではＴＦＴ基板１２は、複数の最終製品を得るために切り出される複数の領域を含む基板（マザー基板）である。次にＴＦＴ基板１２の内面ＳＦ３に刃先が押し付けられる（図２：ステップＳ２２）。押し付けられた刃先がＴＦＴ基板１２の内面ＳＦ３上で摺動させられることによってＴＦＴ基板１２の内面ＳＦ３上に塑性変形を発生させることで、溝形状を有するトレンチラインＴＬが形成される（図２：ステップＳ２３）。
【００２４】
図３（Ｃ）および図６を参照して、次に、ＣＦ基板１１の内面ＳＦ１とＴＦＴ基板１２の内面ＳＦ３とが対向するようにＣＦ基板１１およびＴＦＴ基板１２が互いに貼り合わされる（図２：ステップＳ４０）。これにより、ＣＦ基板１１およびＴＦＴ基板１２の積層体が得られる。これにより、ＣＦ基板１１に形成されたトレンチラインＴＬはＴＦＴ基板１２に覆われ、ＴＦＴ基板１２に形成されたトレンチラインＴＬはＣＦ基板１１に覆われる。本実施の形態においては、ＣＦ基板１１に形成されたトレンチラインＴＬがＴＦＴ基板１２に部分的に覆われる。言い換えれば、ＣＦ基板１１の内面ＳＦ１上に形成されたトレンチラインＴＬが部分的に露出される。またＴＦＴ基板１２に形成されたトレンチラインＴＬがＣＦ基板１１に部分的に覆われる。言い換えれば、ＴＦＴ基板１２の内面ＳＦ３上に形成されたトレンチラインＴＬが部分的に露出される。
【００２５】
図３（Ｄ）および図７を参照して、次に、ＣＦ基板１１およびＴＦＴ基板１２のトレンチラインＴＬに沿ってクラックラインＣＬが形成される（図２：ステップＳ６０）。クラックラインＣＬの形成は、トレンチラインＴＬに沿って厚さ方向における基板のクラックを伸展させることによって行なわれる。
【００２６】
図９（Ｂ）を参照して、クラックラインＣＬによってトレンチラインＴＬの直下においてＣＦ基板１１はトレンチラインＴＬの延在方向（図９（Ｂ）が示す断面に垂直な方向）と交差する方向ＤＣにおいて連続的なつながりが断たれている。ここで「連続的なつながり」とは、言い換えれば、クラックによって遮られていないつながりのことである。なお、上述したように連続的なつながりが断たれている状態において、クラックラインＣＬのクラックを介して基板の部分同士が接触していてもよい。ＴＦＴ基板１２についても同様である。
【００２７】
ＣＦ基板１１のクラックラインＣＬの形成は、露出されたトレンチラインＴＬの端部においてＣＦ基板１１にトレンチラインＴＬ付近の内部応力の歪みを解放するような応力を印加することによって開始される。応力の印加は、たとえば、形成されたトレンチラインＴＬ上に再度刃先を押し付けることによる外部応力の印加、または、レーザ光の照射などによる加熱によって行ない得る。これによりＣＦ基板１１のトレンチラインＴＬのうち露出された部分から、ＴＦＴ基板１２によって覆われた部分へと、トレンチラインＴＬに沿ってクラックが伸展させられる。ＴＦＴ基板１２についても同様である。
【００２８】
さらに図３（Ｅ）および図８を参照して、ステップＳ９０（図２）として、ＣＦ基板１１のクラックラインＣＬに沿ってＣＦ基板１１が分断され、またＴＦＴ基板１２のクラックラインＣＬに沿ってＴＦＴ基板１２が分断される。すなわち、いわゆるブレーク工程が行なわれる。ブレーク工程は、たとえば、基板への外力の印加によって基板を反らすことによって行ない得る。
【００２９】
次にＣＦ基板１１およびＴＦＴ基板１２の間のギャップ内に液晶が注入されることによって、液晶層２０（図１（Ｂ））が形成される。以上により、一の積層体（図６）から複数のＬＣＤパネル１０１が得られる。
【００３０】
次に第１の比較例について、以下に説明する。
【００３１】
図１０（Ａ）および（Ｂ）を参照して、スクライブラインＳＬが形成されたＣＦ基板１１とスクライブラインＳＬが形成されたＴＦＴ基板１２とが個別に準備される。スクライブラインＳＬは、公知の典型的なスクライブ技術によって形成され得るものであり、スクライブ時に形成された垂直クラックのラインを有する。図１０（Ｃ）を参照してＣＦ基板１１およびＴＦＴ基板１２が互いに貼り合わされる。図１０（Ｄ）を参照して、スクライブラインＳＬに沿ってＣＦ基板１１およびＴＦＴ基板１２が分断される。この第１の比較例においては、垂直クラックを伴うスクライブラインＳＬが形成された後にＣＦ基板１１およびＴＦＴ基板１２が貼り合わされることから、スクライブラインＳＬのクラックが厚さ方向に意図せず伸展することによって、意図していた時点より前にＣＦ基板１１およびＴＦＴ基板１２の少なくともいずれかが分断してしまいやすい。この結果、ＬＣＤパネル１０１（図１（Ｂ））の製造工程の継続が困難となり得る。
【００３２】
これに対して本実施の形態によれば、ＣＦ基板１１が分断される位置を規定するラインとして、その直下にクラックを有しないトレンチラインＴＬ（図９（Ａ））が形成される。分断の直接のきっかけとして用いられることになるクラックラインＣＬ（図９（Ｂ））は、トレンチラインＴＬの形成後に形成される。これにより、トレンチラインＴＬの形成後かつクラックラインＣＬの形成前のＣＦ基板１１は、分断される位置がトレンチラインＴＬによって規定されつつも、クラックラインＣＬが未だ形成されていないので容易に分断は生じない安定状態（クラックレス状態）にある。この安定状態において、ＣＦ基板１１のトレンチラインＴＬ、すなわち、ＣＦ基板１１が分断される位置を規定するライン上にＴＦＴ基板１２が配置される。その後、分断の直接のきっかけとして用いられることになるクラックラインＣＬが、トレンチラインＴＬに沿ってクラックを自己整合的に伸展させることで形成される。これによりクラックラインＣＬを、ＴＦＴ基板１２に覆われた位置にも形成することができる。以上のように、ＣＦ基板１１およびＴＦＴ基板１２の貼り合わせに関連した作業中にＣＦ基板１１が意図せず分断してしまうことを避けつつ、ＣＦ基板１１上におけるＴＦＴ基板１２に覆われた部分にも、それに沿った分断が行なわれることになるラインを設けることができる。
【００３３】
また同様に、貼り合わせに関連した作業中にＴＦＴ基板１２が意図せず分断してしまうことを避けつつ、ＴＦＴ基板１２上におけるＣＦ基板１１に覆われた部分にも、それに沿った分断が行なわれることになるラインを設けることができる。
【００３４】
次に第２の比較例について、以下に説明する。
【００３５】
図１１（Ａ）および（Ｂ）を参照して、ＣＦ基板１１およびＴＦＴ基板１２が互いに貼り合わされる。次にＣＦ基板１１およびＴＦＴ基板１２のそれぞれの外面ＳＦ２およびＳＦ４にスクライブラインＳＬが形成される。次にスクライブラインＳＬに沿ってＣＦ基板１１およびＴＦＴ基板１２が分断される。
【００３６】
図１２（Ａ）を参照して、この比較例においては上述したようにスクライブラインＳＬが外面ＳＦ２およびＳＦ４上に形成される。図１２（Ｂ）を参照して、そのようなスクライブラインＳＬを用いた分断の結果、内面ＳＦ１上における分断位置に誤差Ｅ１が生じることがあり、また内面ＳＦ３上における分断位置に誤差Ｅ２が生じることがある。これは、クラックが伸展する方向（図１２（Ａ）における矢印参照）にばらつきが存在するためである。
【００３７】
これに対して本実施の形態によれば、ＣＦ基板１１が分断される位置を規定するトレンチラインＴＬが内面ＳＦ１上に形成されるので（図３（Ｃ）参照）、外面ＳＦ２に形成されたラインを用いて分断が行なわれる場合に比して、内面ＳＦ１上における分断位置の精度が高められる。
【００３８】
またＴＦＴ基板１２が分断される位置を規定するトレンチラインＴＬが内面ＳＦ３上に形成されるので（図３（Ｃ）参照）、ＴＦＴ基板１２の外面ＳＦ４に形成されたラインを用いて分断が行なわれる場合に比して、内面ＳＦ３上における分断位置の精度が高められる。この結果、内面ＳＦ１およびＳＦ３の各々、すなわちＣＦ基板１１およびＴＦＴ基板１２の貼り合わせ面、におけるＣＦ基板１１およびＴＦＴ基板１２の相対的な分断位置の精度もまた高められる。
【００３９】
なお本実施の形態におけるクラックラインＣＬの形成工程は、従来のいわゆるブレーク工程と本質的に異なっている。ブレーク工程は、既に形成されているクラックを厚さ方向にさらに伸展させるものである。一方、本実施の形態におけるクラックラインＣＬの形成工程は、トレンチラインＴＬの形成によって得られたクラックレス状態から、クラックを有する状態への変化をもたらすものである。この変化は、クラックレス状態が有する内部応力の開放によって生じると考えられる。トレンチラインＴＬの形成時の塑性変形、およびトレンチラインＴＬの形成によって生成される内部応力の大きさや方向性などの状態は、回転刃の転動が用いられる場合と、本実施の形態のように刃先の摺動が用いられる場合とでは異なると考えられ、刃先の摺動が用いられる場合には、より広いスクライブ条件においてクラックが発生しやすくなる。また内部応力の開放には何らかのきっかけが必要であり、上述したような外部からの応力印加によるトレンチラインＴＬ上のクラックの発生がそのようなきっかけとして作用すると考えられる。トレンチラインＴＬおよびクラックラインＣＬの好適な形成方法の詳細は後述される。
【００４０】
（実施の形態２）
図１３（Ａ）〜（Ｅ）のそれぞれは、本実施の形態におけるＣＦ基板１１およびＴＦＴ基板１２の分断方法の第１〜第５工程を概略的に示す断面図である。なお図１３（Ａ）〜（Ｅ）のそれぞれの断面は、線ＸＩＩＩＡ−ＸＩＩＩＡ（図１４）、線ＸＩＩＩＢ−ＸＩＩＩＢ（図１５）、線ＸＩＩＩＣ−ＸＩＩＩＣ（図１６）、線ＸＩＩＩＤ−ＸＩＩＩＤ（図１７）および線ＸＩＩＩＥ−ＸＩＩＩＥ（図１８）に沿っている。
【００４１】
本実施の形態においては、ＴＦＴ基板１２のトレンチラインＴＬが外面ＳＦ４上に形成される。これによりＴＦＴ基板１２のクラックラインＣＬも外面ＳＦ４上に形成される。
【００４２】
なお、上記以外の構成については、上述した実施の形態１の構成とほぼ同じであるため、同一または対応する要素について同一の符号を付し、その説明を繰り返さない。
【００４３】
本実施の形態によっても、実施の形態１と同様、ＣＦ基板１１およびＴＦＴ基板１２の貼り合わせに関連した作業中にＣＦ基板１１が意図せず分断してしまうことを避けつつ、ＣＦ基板１１上におけるＴＦＴ基板１２に覆われた部分にも、それに沿った分断が行なわれることになるラインを設けることができる。またＣＦ基板１１の内面ＳＦ１上における分断位置の精度が高められる。
【００４４】
また本実施の形態によれば、ＴＦＴなどが配置されることによって複雑な構成を有することが多い内面ＳＦ３の代わりに外面ＳＦ４にトレンチラインＴＬを配置することができる。これによりＴＦＴ基板１２のトレンチラインＴＬを安定的に形成することができる。
【００４５】
（実施の形態３）
図１９（Ａ）〜（Ｅ）のそれぞれは、本実施の形態におけるＣＦ基板１１およびＴＦＴ基板１２の分断方法の第１〜第５工程を概略的に示す断面図である。なお図１９（Ａ）〜（Ｅ）のそれぞれの断面は、線ＸＩＸＡ−ＸＩＸＡ（図２０）、線ＸＩＸＢ−ＸＩＸＢ（図２１）、線ＸＩＸＣ−ＸＩＸＣ（図２２）に沿う断面図（Ｃ）、線ＸＩＸＤ−ＸＩＸＤ（図２３）および線ＸＩＸＥ−ＸＩＸＥ（図２４）に沿っている。
【００４６】
本実施の形態においては、ＣＦ基板１１のトレンチラインＴＬが外面ＳＦ２上に形成される。これによりＣＦ基板１１のクラックラインＣＬも外面ＳＦ２上に形成される。
【００４７】
なお、上記以外の構成については、上述した実施の形態１の構成とほぼ同じであるため、同一または対応する要素について同一の符号を付し、その説明を繰り返さない。
【００４８】
本実施の形態によっても、実施の形態１と同様、ＣＦ基板１１およびＴＦＴ基板１２の貼り合わせに関連した作業中にＴＦＴ基板１２が意図せず分断してしまうことを避けつつ、ＴＦＴ基板１２上におけるＣＦ基板１１に覆われた部分にも、それに沿った分断が行なわれることになるラインを設けることができる。またＴＦＴ基板１２の内面ＳＦ３上における分断位置の精度が高められる。
【００４９】
また本実施の形態によれば、カラーフィルタおよびブラックマトリックスなどが配置されることによって複雑な構成を有することが多い内面ＳＦ１の代わりに外面ＳＦ２にトレンチラインＴＬを配置することができる。これによりＣＦ基板１１のトレンチラインＴＬを安定的に形成することができる。
【００５０】
（実施の形態４）
図２５は、本実施の形態におけるＬＣＤパネル１０１（図１（Ａ）および（Ｂ））の製造方法におけるＣＦ基板１１およびＴＦＴ基板１２の分断方法を概略的に示すフロー図である。なお図２６（Ａ）〜（Ｅ）のそれぞれの断面は、線ＸＸＶＩＡ−ＸＸＶＩＡ（図２７）、線ＸＸＶＩＢ−ＸＸＶＩＢ（図２８）、線ＸＸＶＩＣ−ＸＸＶＩＣ（図２９）、線ＸＸＶＩＤ−ＸＸＶＩＤ（図３０）および線ＸＸＶＩＥ−ＸＸＶＩＥ（図３１）に沿っている。
【００５１】
図２６（Ａ）および図２７を参照して、実施の形態１と同様のステップＳ１１〜Ｓ１３（図２５）により、トレンチラインＴＬが形成されたＣＦ基板１１が準備される。
【００５２】
図２６（Ｂ）および図２８を参照して、ＴＦＴ基板１２が準備される（図２５：ステップＳ２１）。ＣＦ基板１１の内面ＳＦ１とＴＦＴ基板１２の内面ＳＦ３とが対向するようにＣＦ基板１１およびＴＦＴ基板１２が互いに貼り合わされる（図２５：ステップＳ４０）。これにより、ＣＦ基板１１およびＴＦＴ基板１２の積層体が得られる。ＣＦ基板１１に形成されたトレンチラインＴＬはＴＦＴ基板１２に覆われる。本実施の形態においては、ＣＦ基板１１に形成されたトレンチラインＴＬがＴＦＴ基板１２に部分的に覆われる。言い換えれば、ＣＦ基板１１の内面ＳＦ１上に形成されたトレンチラインＴＬが部分的に露出される。
【００５３】
図２６（Ｃ）および図２９を参照して、次に、ＣＦ基板１１のトレンチラインＴＬに沿ってクラックラインＣＬが形成される（図２５：ステップＳ６１）。
【００５４】
図２６（Ｄ）および図３０を参照して、次に、ＴＦＴ基板１２の外面ＳＦ４上にスクライブラインＳＬが形成される（図２５：ステップＳ７２）。スクライブラインＳＬは、前述したように、公知の典型的なスクライブ技術によって形成され得るものであり、スクライブ時に形成された垂直クラックのラインを有する。
【００５５】
さらに図２６（Ｅ）および図３１を参照して、ステップＳ９０（図２５）として、ＣＦ基板１１のクラックラインＣＬに沿ってＣＦ基板１１が分断され、またＴＦＴ基板１２のスクライブラインＳＬに沿ってＴＦＴ基板１２が分断される。すなわち、いわゆるブレーク工程が行なわれる。ブレーク工程は、たとえば、基板への外力の印加によって基板を反らすことによって行ない得る。
【００５６】
次にＣＦ基板１１およびＴＦＴ基板１２の間のギャップ内に液晶が注入されることによって、液晶層２０（図１（Ｂ））が形成される。以上により、一の積層体（図２８）から複数のＬＣＤパネル１０１が得られる。
【００５７】
本実施の形態によっても、実施の形態１と同様、ＣＦ基板１１およびＴＦＴ基板１２の貼り合わせに関連した作業中にＣＦ基板１１が意図せず分断してしまうことを避けつつ、ＣＦ基板１１上におけるＴＦＴ基板１２に覆われた部分にも、それに沿った分断が行なわれることになるラインを設けることができる。またＣＦ基板１１の内面ＳＦ１上における分断位置の精度が高められる。
【００５８】
また本実施の形態によれば、スクライブラインＳＬが形成された時点で既に、ＣＦ基板１１およびＴＦＴ基板１２が互いに貼り合わされており、さらにＣＦ基板１１にクラックラインＣＬが形成されている。よってスクライブラインＳＬの垂直クラックが何らかの要因で伸展することによってスクライブラインＳＬに沿った分断が意図せず生じたとしても、通常、特に差し支えがない。
【００５９】
またＴＦＴ基板１２のスクライブラインＳＬは、ＴＦＴなどが配置されることによって複雑な構成を有することが多い内面ＳＦ３ではなく外面ＳＦ４に形成される。これによりスクライブラインＳＬを安定的に形成することができる。
【００６０】
図３２を参照して、本実施の形態の変形例においては、前述したステップＳ６１およびＳ７２（図２５）の順番が入れ替えられる。図３３および図３４は、ステップＳ７２にてスクライブラインＳＬが形成された時点での構成を概略的に示す。
【００６１】
（実施の形態５）
図３５は、本実施の形態におけるＬＣＤパネル１０１（図１（Ａ）および（Ｂ））の製造方法におけるＣＦ基板１１およびＴＦＴ基板１２の分断方法を概略的に示すフロー図である。なお図３６（Ａ）〜（Ｅ）のそれぞれの断面は、線ＸＸＸＶＩＡ−ＸＸＸＶＩＡ（図３７）、線ＸＸＸＶＩＢ−ＸＸＸＶＩＢ（図３８）、線ＸＸＸＶＩＣ−ＸＸＸＶＩＣ（図３９）、線ＸＸＸＶＩＤ−ＸＸＸＶＩＤ（図４０）および線ＸＸＸＶＩＥ−ＸＸＸＶＩＥ（図４１）に沿っている。
【００６２】
図３６（Ａ）および図３７を参照して、実施の形態１と同様のステップＳ２１〜Ｓ２３（図３５）により、トレンチラインＴＬが形成されたＴＦＴ基板１２が準備される。
【００６３】
図３６（Ｂ）および図３８を参照して、ＴＦＴ基板１２が準備される（図３５：ステップＳ２１）。ＣＦ基板１１の内面ＳＦ１とＴＦＴ基板１２の内面ＳＦ３とが対向するようにＣＦ基板１１およびＴＦＴ基板１２が互いに貼り合わされる（図３５：ステップＳ４０）。これにより、ＣＦ基板１１およびＴＦＴ基板１２の積層体が得られる。ＴＦＴ基板１２に形成されたトレンチラインＴＬはＣＦ基板１１に覆われる。本実施の形態においては、ＴＦＴ基板１２に形成されたトレンチラインＴＬがＣＦ基板１１に部分的に覆われる。言い換えれば、ＴＦＴ基板１２の内面ＳＦ３上に形成されたトレンチラインＴＬが部分的に露出される。
【００６４】
図３６（Ｃ）および図３９を参照して、次に、ＴＦＴ基板１２のトレンチラインＴＬに沿ってクラックラインＣＬが形成される（図３５：ステップＳ６１）。
【００６５】
図３６（Ｄ）および図４０を参照して、次に、ＣＦ基板１１の外面ＳＦ２上にスクライブラインＳＬが形成される（図３５：ステップＳ７２）。スクライブラインＳＬは、前述したように、公知の典型的なスクライブ技術によって形成され得るものであり、スクライブ時に形成された垂直クラックのラインを有する。
【００６６】
さらに図３６（Ｅ）および図４１を参照して、ステップＳ９０（図３５）として、ＴＦＴ基板１２のクラックラインＣＬに沿ってＴＦＴ基板１２が分断され、またＣＦ基板１１のスクライブラインＳＬに沿ってＣＦ基板１１が分断される。すなわち、いわゆるブレーク工程が行なわれる。ブレーク工程は、たとえば、基板への外力の印加によって基板を反らすことによって行ない得る。
【００６７】
次にＣＦ基板１１およびＴＦＴ基板１２の間のギャップ内に液晶が注入されることによって、液晶層２０（図１（Ｂ））が形成される。以上により、一の積層体（図３８）から複数のＬＣＤパネル１０１が得られる。
【００６８】
本実施の形態によっても、実施の形態１と同様、ＣＦ基板１１およびＴＦＴ基板１２の貼り合わせに関連した作業中にＴＦＴ基板１２が意図せず分断してしまうことを避けつつ、ＴＦＴ基板１２上におけるＣＦ基板１１に覆われた部分にも、それに沿った分断が行なわれることになるラインを設けることができる。またＴＦＴ基板１２の内面ＳＦ３上における分断位置の精度が高められる。
【００６９】
また本実施の形態によれば、スクライブラインＳＬが形成された時点で既に、ＣＦ基板１１およびＴＦＴ基板１２が互いに貼り合わされており、さらにＴＦＴ基板１２にクラックラインＣＬが形成されている。よってスクライブラインＳＬの垂直クラックが何らかの要因で伸展することによってスクライブラインＳＬに沿った分断が意図せず生じたとしても、通常、特に差し支えがない。
【００７０】
またＣＦ基板１１のスクライブラインＳＬは、カラーフィルタおよびブラックマトリックスなどが配置されることによって複雑な構成を有することが多い内面ＳＦ１ではなく外面ＳＦ２に形成される。これによりスクライブラインＳＬを安定的に形成することができる。
【００７１】
図４２を参照して、本実施の形態の変形例においては、前述したステップＳ６２およびＳ７１（図３５）の順番が入れ替えられる。図４３および図４４は、ステップＳ７１にてスクライブラインＳＬが形成された時点での構成を概略的に示す。
【００７２】
（実施の形態６）
図４５は、本実施の形態におけるＬＣＤパネル１０１（図１（Ａ）および（Ｂ））の製造方法におけるＣＦ基板１１およびＴＦＴ基板１２の分断方法を概略的に示すフロー図である。実施の形態２〜５と異なり本実施の形態においては、ＣＦ基板１１およびＴＦＴ基板１２のいずれかについて、分断される位置の規定が、トレンチラインＴＬの形成（ステップＳ１３またはＳ２３）と、スクライブラインＳＬの形成（ステップＳ７０）とに分けて行なわれる。この分け方は任意であり、たとえば、平面レイアウトのＸＹ直交座標において、Ｘ軸に沿ったトレンチラインＴＬと、Ｙ軸に沿ったスクライブラインＳＬとが形成される。なおステップＳ６０およびＳ７０の順序は入れ替えられてもよい。
【００７３】
なお上記以外の構成については、上述した実施の形態２〜５の構成とほぼ同じであるため、同一または対応する要素について同一の符号を付し、その説明を繰り返さない。
【００７４】
（実施の形態７）
図４６（Ａ）および（Ｂ）を参照して、本実施の形態のＬＣＤパネル１０２（表示パネル）は、ＬＣＤパネル１０１（図１（Ａ）および（Ｂ））の構成に加えてさらにガラス基板１３および接合部２２を有する。ガラス基板１３は、主面として、内面ＳＦ５とその反対の外面ＳＦ６とを有する。ガラス基板１３は、その内面ＳＦ５とＣＦ基板１１の外面ＳＦ２とが対向するように、接合部２２を介してＣＦ基板１１の外面ＳＦ２上に配置されている。これによりＴＦＴ基板１２とＣＦ基板１１とガラス基板１３とを有する積層体が構成されている。
【００７５】
次にＬＣＤパネル１０２の製造方法について、以下に説明する。
【００７６】
実施の形態１と同様に、ＣＦ基板１１（図３（Ａ））およびＴＦＴ基板１２（図３（Ｂ））が準備される。
【００７７】
図４８（Ａ）および図４９を参照して、ガラス基板１３が準備される（図４７：ステップＳ３１）。この時点ではガラス基板１３は、複数の最終製品を得るために切り出される複数の領域を含む基板（マザー基板）である。次に、ガラス基板１３の内面ＳＦ５に刃先が押し付けられる（図４７：ステップＳ３２）。押し付けられた刃先がガラス基板１３の内面ＳＦ５上で摺動させられることによってガラス基板１３の内面ＳＦ５上に塑性変形を発生させることで、溝形状を有するトレンチラインＴＬが形成される（図４７：ステップＳ３３）。
【００７８】
図４８（Ｂ）および図５０を参照して、次に、ＣＦ基板１１、ＴＦＴ基板１２およびガラス基板１２が貼り合わされる（図４７：ステップＳ４３）。この際、ＣＦ基板１１とＴＦＴ基板１２とは、図３（Ｃ）（実施の形態１）と同様の積層体を構成する。またガラス基板１３は内面ＳＦ５がＣＦ基板１１の外面ＳＦ２と対向するようにＣＦ基板１１へ取り付けられる。これにより、ＣＦ基板１１、ＴＦＴ基板１２およびガラス基板１３の積層体が得られる。
【００７９】
上述した積層によって、ガラス基板１３に形成されたトレンチラインＴＬはＣＦ基板１１に覆われる。本実施の形態においては、ガラス基板１３に形成されたトレンチラインＴＬがＣＦ基板１１に部分的に覆われる。言い換えれば、ガラス基板１３の内面ＳＦ５上に形成されたトレンチラインＴＬが部分的に露出される。
【００８０】
また上述した積層によって、ＴＦＴ基板１２およびガラス基板１３は、ＣＦ基板１１に形成されたトレンチラインＴＬを厚さ方向において挟む。本実施の形態においては、ＴＦＴ基板１２およびガラス基板１３は、ＣＦ基板１１に形成されたトレンチラインＴＬを部分的に挟む。
【００８１】
図４８（Ｃ）および図５１を参照して、次に、ＣＦ基板１１、ＴＦＴ基板１２およびガラス基板１３のトレンチラインＴＬに沿ってクラックラインＣＬが形成される（図４７：ステップＳ６３）。クラックラインＣＬの形成は、トレンチラインＴＬに沿って厚さ方向における基板のクラックを伸展させることによって行なわれる。ガラス基板１３のクラックラインＣＬの形成は、露出されたトレンチラインＴＬの端部においてガラス基板１３に応力を印加することによって開始される。応力の印加は、たとえば、形成されたトレンチラインＴＬ上に再度刃先を押し付けることによる外部応力の印加、または、レーザ光の照射などによる加熱によって行ない得る。これによりガラス基板１３のトレンチラインＴＬのうち露出された部分から、ＣＦ基板１１によって覆われた部分へと、トレンチラインＴＬに沿ってクラックが伸展させられる。ＣＦ基板１１およびＴＦＴ基板１２についても同様である。
【００８２】
さらに図４８（Ｄ）および図５２を参照して、ステップＳ９３（図４７）として、ＣＦ基板１１のクラックラインＣＬに沿ってＣＦ基板１１が分断され、ＴＦＴ基板１２のクラックラインＣＬに沿ってＴＦＴ基板１２が分断され、またガラス基板１３のクラックラインＣＬに沿ってガラス基板１３が分断される。すなわち、いわゆるブレーク工程が行なわれる。ブレーク工程は、たとえば、基板への外力の印加によって基板を反らすことによって行ない得る。
【００８３】
次にＣＦ基板１１およびＴＦＴ基板１２の間のギャップ内に液晶が注入されることによって、液晶層２０（図４６（Ｂ））が形成される。以上により、一の積層体（図５０）から複数のＬＣＤパネル１０２が得られる。
【００８４】
なお、実施の形態７の変形例として、ＣＦ基板１１へのクラックラインＣＬの形成は、ＴＦＴ基板１２またはガラス基板１３にブレーク工程が行われた後に行われてもよい。この変形例によれば、ＣＦ基板１１に形成されたトレンチラインＴＬはＴＦＴ基板１２およびガラス基板１３がブレークされた後に部分的に露出されればよく、基板の積層時にはＣＦ基板１１に形成されたトレンチラインＴＬが完全に覆われていてもよい。また、ＣＦ基板１１、ＴＦＴ基板１２およびガラス基板１３の分断の順序を変えることにより、工程を分散してラインタクトを速くすることができる。
【００８５】
次に比較例について、以下に説明する。図５３（Ａ）を参照して、スクライブラインＳＬが形成されたＣＦ基板１１が準備される。スクライブラインＳＬは、公知の典型的なスクライブ技術によって形成され得るものであり、スクライブ時に形成された垂直クラックのラインを有する。図５３（Ｂ）を参照してＣＦ基板１１、ＴＦＴ基板１２およびガラス基板１３が貼り合わされる。次にＴＦＴ基板１２およびガラス基板１３のそれぞれの外面ＳＦ４およびＳＦ６にスクライブラインＳＬが形成される。さらに図５３（Ｄ）を参照して、スクライブラインＳＬに沿って、ＣＦ基板１１、ＴＦＴ基板１２およびガラス基板１３が分断される。この比較例においてはＣＦ基板１１、ＴＦＴ基板１２およびガラス基板１３が、ＣＦ基板に垂直クラックを伴うスクライブラインＳＬが形成された後に貼り合わされることから、スクライブラインＳＬのクラックが厚さ方向に意図せず伸展することによって、ＣＦ基板１１が、意図していた時点より前に分断してしまいやすい。ＴＦＴ基板１２およびガラス基板１３に対し垂直クラックを伴うスクライブラインＳＬが形成された後に貼り合わせが行われる場合も同様に、ＣＦ基板１１、ＴＦＴ基板１２およびガラス基板１３のいずれかがが意図していた時点より前に分断してしまいやすい。この結果、ＬＣＤパネル１０２（図４６（Ｂ））の製造工程の継続が困難となり得る。
【００８６】
これに対して本実施の形態によれば、ＣＦ基板１１が分断される位置を規定するラインとして、その直下にクラックを有しないトレンチラインＴＬが形成される。分断の直接のきっかけとして用いられることになるクラックラインＣＬは、トレンチラインＴＬの形成後に形成される。これにより、トレンチラインＴＬの形成後かつクラックラインＣＬの形成前のＣＦ基板１１は、分断される位置がトレンチラインＴＬによって規定されつつも、クラックラインＣＬが未だ形成されていないので容易に分断は生じない安定状態にある。この安定状態において、ＣＦ基板１１のトレンチラインＴＬ、すなわち、ＣＦ基板１１が分断される位置を規定するライン上にＴＦＴ基板１２が配置される。その後、分断の直接のきっかけとして用いられることになるクラックラインＣＬが、トレンチラインＴＬに沿ってクラックを自己整合的に伸展させることで形成される。これによりクラックラインＣＬを、ＴＦＴ基板１２に覆われた位置にも形成することができる。以上のように、ＣＦ基板１１およびＴＦＴ基板１２の貼り合わせに関連した作業中にＣＦ基板１１が意図せず分断してしまうことを避けつつ、ＣＦ基板１１上におけるＴＦＴ基板１２に覆われた部分にも、それに沿った分断が行なわれることになるラインを設けることができる。
【００８７】
ＣＦ基板１１のうちＴＦＴ基板１２およびガラス基板１３に厚さ方向において挟まれた部分は、内面ＳＦ１および外面ＳＦ２のいずれもが露出されていないために、ＴＦＴ基板１２およびガラス基板１３を配置した後（図４８（Ｂ））に刃先を当てることができない部分である。本実施の形態によれば、このような部分であっても、事前にトレンチラインＴＬを形成しておくことによって（図４８（Ａ））、ＴＦＴ基板１２およびガラス基板１３を配置した後であってもクラックラインＣＬ（図４８（Ｃ））を形成することができる。
【００８８】
なおガラス基板１３のトレンチラインＴＬは、内面ＳＦ５の代わりに外面ＳＦ６に形成されてもよい（図５４（Ａ）〜（Ｅ）参照）。
【００８９】
（実施の形態８）
図５５は、本実施の形態におけるＬＣＤパネル１０２（図４６（Ａ）および（Ｂ））の製造方法におけるＣＦ基板１１、ＴＦＴ基板１２およびガラス基板１３の分断方法を概略的に示すフロー図である。
【００９０】
図５６（Ａ）を参照して、実施の形態１と同様のステップＳ１１〜Ｓ１３およびＳ２１〜２３（図４７）により、トレンチラインＴＬが形成されたＣＦ基板１１およびＴＦＴ基板が準備される。そしてＣＦ基板１１、ＴＦＴ基板１２およびガラス基板１３が貼り合わされる。
【００９１】
図５６（Ｂ）を参照して、次に、ＣＦ基板１１およびＴＦＴ基板１２のトレンチラインＴＬに沿ってクラックラインＣＬが形成される（図５５：ステップＳ６０）。
【００９２】
図５６（Ｃ）を参照して、次に、ガラス基板１３の外面ＳＦ６上にスクライブラインＳＬが形成される（図５５：ステップＳ７３）。スクライブラインＳＬは、前述したように、公知の典型的なスクライブ技術によって形成され得るものであり、スクライブ時に形成された垂直クラックのラインを有する。
【００９３】
さらに図５６（Ｄ）を参照して、ステップＳ９０（図２５）として、ＣＦ基板１１およびＴＦＴ基板１２のクラックラインＣＬに沿ってＣＦ基板１１およびＴＦＴ基板１２が分断され、またガラス基板１３のスクライブラインＳＬに沿ってガラス基板１３が分断される。すなわち、いわゆるブレーク工程が行なわれる。ブレーク工程は、たとえば、基板への外力の印加によって基板を反らすことによって行ない得る。
【００９４】
次にＣＦ基板１１およびＴＦＴ基板１２の間のギャップ内に液晶が注入されることによって、液晶層２０（図４６（Ｂ））が形成される。以上により、一の積層体（図５６（Ａ）〜（Ｃ））から複数のＬＣＤパネル１０２が得られる。
【００９５】
本実施の形態によっても、実施の形態７とほぼ同様の効果が得られる。なお本実施の形態によれば、スクライブラインＳＬが形成された時点で既に、ＣＦ基板１１、ＴＦＴ基板１２およびガラス基板１３が互いに貼り合わされており、さらにＣＦ基板１１およびＴＦＴ基板１２にクラックラインＣＬが形成されている。よってスクライブラインＳＬの垂直クラックが何らかの要因で伸展することによってスクライブラインＳＬに沿った分断が意図せず生じたとしても、通常、特に差し支えがない。
【００９６】
図５７を参照して、本実施の形態の変形例においては、前述したステップＳ６０およびＳ７３（図５５）の順番が入れ替えられる。図５８は、ステップＳ７３にてスクライブラインＳＬが形成された時点での構成を概略的に示す。
【００９７】
（実施の形態９）
図５９は、本実施の形態におけるＬＣＤパネル１０２（図４６（Ａ）および（Ｂ））の製造方法におけるＣＦ基板１１、ＴＦＴ基板１２およびガラス基板１３の分断方法を概略的に示すフロー図である。実施の形態７および８と異なり本実施の形態においては、ガラス基板１３について、分断される位置の規定が、トレンチラインＴＬの形成（ステップＳ３３）と、スクライブラインＳＬの形成（ステップＳ７３）とに分けて行なわれる。この分け方は任意であり、たとえば、平面レイアウトのＸＹ直交座標において、Ｘ軸に沿ったトレンチラインＴＬと、Ｙ軸に沿ったスクライブラインＳＬとが形成される。なおステップＳ６３およびＳ７３の順序は入れ替えられてもよい。
【００９８】
なお上記以外の構成については、上述した実施の形態７または８の構成とほぼ同じであるため、同一または対応する要素について同一の符号を付し、その説明を繰り返さない。
【００９９】
（実施の形態１０）
上記各実施の形態におけるトレンチラインＴＬの形成に用いられる、刃先を有するカッティング器具について、以下に説明する。
【０１００】
図６０（Ａ）および（Ｂ）は、刃先５１がＣＦ基板１１に押し付けられている様子を示す。カッティング器具５０は刃先５１およびシャンク５２を有する。刃先５１には、天面ＳＤ１（第１の面）と、天面ＳＤ１を取り囲む複数の面とが設けられている。これら複数の面は側面ＳＤ２（第２の面）および側面ＳＤ３（第３の面）を含む。天面ＳＤ１、側面ＳＤ２およびＳＤ３（第１〜第３の面）は、互いに異なる方向を向いており、かつ互いに隣り合っている。刃先５１は、天面ＳＤ１、側面ＳＤ２およびＳＤ３が合流する頂点を有し、この頂点によって刃先５１の突起部ＰＰが構成されている。また側面ＳＤ２およびＳＤ３は、刃先５１の側部ＰＳを構成する稜線をなしている。側部ＰＳは突起部ＰＰから線状に延びている。また側部ＰＳは、上述したように稜線であることから、線状に延びる凸形状を有する。
【０１０１】
刃先５１はダイヤモンドポイントであることが好ましい。すなわち刃先５１は、硬度および表面粗さを小さくすることができる点からダイヤモンドから作られていることが好ましい。より好ましくは刃先５１は単結晶ダイヤモンドから作られている。さらに好ましくは結晶学的に言って、天面ＳＤ１は｛００１｝面であり、側面ＳＤ２およびＳＤ３の各々は｛１１１｝面である。この場合、側面ＳＤ２およびＳＤ３は、異なる向きを有するものの、結晶学上、互いに等価な結晶面である。
【０１０２】
なお単結晶でないダイヤモンドが用いられてもよく、たとえば、ＣＶＤ(Chemical Vapor Deposition)法で合成された多結晶体ダイヤモンドが用いられてもよい。あるいは、微粒のグラファイトや非グラファイト状炭素から、鉄族元素などの結合材を含まずに焼結 された多結晶体ダイヤモンド粒子を鉄族元素などの結合材によって結合させた焼結ダイヤモンドが用いられてもよい。
【０１０３】
シャンク５２は軸方向ＡＸに沿って延在している。刃先５１は、天面ＳＤ１の法線方向が軸方向ＡＸにおおよそ沿うようにシャンク５２に取り付けられることが好ましい。
【０１０４】
カッティング器具５０を用いてトレンチラインＴＬ（図９（Ａ））を形成するためには、ＣＦ基板１１の内面ＳＦ１に、刃先５１の突起部ＰＰおよび側部ＰＳが、ＣＦ基板１１が有する厚さ方向ＤＴへ押し付けられる。次に側部ＰＳを内面ＳＦ１上に射影した方向におおよそ沿って、刃先５１が内面ＳＦ１上を摺動させられる。これにより内面ＳＦ１上に、垂直クラックを伴わない溝状のトレンチラインＴＬが形成される。トレンチラインＴＬはＣＦ基板１１の塑性変形によって生じるが、この際にＣＦ基板１１が若干削れてもよい。ただしこのような削れは微細な破片を生じ得ることから、なるべく少ないことが好ましい。
【０１０５】
刃先５１の摺動によって、トレンチラインＴＬおよびクラックラインＣＬが同時に形成される場合（図９（Ｂ））と、トレンチラインＴＬのみが形成される場合（図９（Ａ））とがある。クラックラインＣＬは、トレンチラインＴＬのくぼみから厚さ方向ＤＴに伸展したクラックであり、内面ＳＦ１上においては線状に延びている。後述する方法によれば、トレンチラインＴＬのみが形成された後、それに沿ってクラックラインＣＬを形成することができる。
【０１０６】
次に、ＣＦ基板１１の分断方法について特に着目して、以下に説明する。なお、図および説明を分かりやすくするために、一の方向（各平面図中、横方向）に沿った分断についてのみ説明するが、分断は、実施の形態１〜９で説明したように、複数の方向（たとえば、各平面図中、横方向および縦方向）に沿った分断が行なわれ得る。またＣＦ基板１１と他の基板との間の貼り付けについては実施の形態１〜９において説明したとおりであり、その図示を省略する。またＴＦＴ基板１２およびガラス基板１３についても同様の分断方法を適用し得る。
【０１０７】
図６１（Ａ）を参照して、ＣＦ基板１１は平坦な内面ＳＦ１を有する。内面ＳＦ１を囲む縁は、互いに対向する辺ＥＤ１（第１の辺）および辺ＥＤ２（第２の辺）を含む。図６１（Ａ）で示す例においては、縁は長方形状である。よって辺ＥＤ１およびＥＤ２は互いに平行な辺である。また図６１（Ａ）で示す例においては辺ＥＤ１およびＥＤ２は長方形の短辺である。
【０１０８】
内面ＳＦ１に刃先５１が位置Ｎ１で押し付けられる。位置Ｎ１の詳細は後述する。刃先５１の押し付けは、図６０（Ａ）を参照して、ＣＦ基板１１の内面ＳＦ１上で刃先５１の突起部ＰＰが辺ＥＤ１および側部ＰＳの間に配置されるように、かつ刃先５１の側部ＰＳが突起部ＰＰと辺ＥＤ２の間に配置されるように行なわれる。
【０１０９】
次に、内面ＳＦ１上に複数のトレンチラインＴＬ（図中では２つのライン）が形成される。トレンチラインＴＬの形成は、位置Ｎ１（第１の位置）および位置Ｎ３の間で行なわれる。位置Ｎ１およびＮ３の間には位置Ｎ２（第２の位置）が位置する。よってトレンチラインＴＬは、位置Ｎ１およびＮ２の間と、位置Ｎ２およびＮ３の間とに形成される。位置Ｎ１およびＮ３はＣＦ基板１１の内面ＳＦ１の縁から離れて位置してもよく、あるいは、その一方または両方が上面ＳＦ１の縁に位置してもよい。形成されるトレンチラインＴＬは、前者の場合はＣＦ基板１１の縁から離れており、後者の場合はガラス基板４の縁に接している。位置Ｎ１およびＮ２のうち位置Ｎ１の方が辺ＥＤ１により近く、また位置Ｎ１およびＮ２のうち位置Ｎ２の方が辺ＥＤ２により近い。なお図６１（Ａ）に示す例では、位置Ｎ１は辺ＥＤ１およびＥＤ２のうち辺ＥＤ１に近い。位置Ｎ２は辺ＥＤ１およびＥＤ２のうち辺ＥＤ２に近いが、位置Ｎ１およびＮ２の両方が辺ＥＤ１またはＥＤ２のいずれか一方の近くに位置してもよい。
【０１１０】
トレンチラインＴＬが形成される際には、本実施の形態においては、位置Ｎ１から位置Ｎ２へ刃先５１が変位させられ、さらに位置Ｎ２から位置Ｎ３へ変位させられる。すなわち、図６０（Ａ）を参照して、刃先５１が、辺ＥＤ１から辺ＥＤ２へ向かう方向である方向ＤＡへ変位させられる。方向ＤＡは、刃先５１から延びる軸方向ＡＸを内面ＳＦ１上へ射影した方向に対応している。この場合、刃先５１はシャンク５２によって内面ＳＦ１上を引き摺られる。
【０１１１】
次に、実施の形態１で説明したクラックレス状態（図９（Ａ））が所望の時間に渡って維持される。その間に、実施の形態１〜９で説明したように、ＣＦ基板１１と他の基板（図示せず）との貼り付けが行なわれる。
【０１１２】
図６１（Ｂ）を参照して、トレンチラインＴＬが形成された後に、トレンチラインＴＬに沿って位置Ｎ２から位置Ｎ１の方へ（図中、破線矢印参照）、厚さ方向ＤＴにおけるＣＦ基板１１のクラックを伸展させることによってクラックラインＣＬが形成される。クラックラインＣＬの形成は、アシストラインＡＬおよびトレンチラインＴＬが位置Ｎ２で互いに交差することによって開始される。この目的で、トレンチラインＴＬを形成した後にアシストラインＡＬが形成される。アシストラインＡＬは、厚さ方向ＤＴにおけるクラックを伴う通常のスクライブラインである。アシストラインＡＬの形成方法は、特に限定されないが、図６１（Ｂ）に示すように、内面ＳＦ１の縁を基点として形成されてもよい。
【０１１３】
なお位置Ｎ２から位置Ｎ１への方向に比して、位置Ｎ２から位置Ｎ３への方向へは、クラックラインＣＬが形成されにくい。つまりクラックラインＣＬの伸展のしやすさには方向依存性が存在する。よってクラックラインＣＬが位置Ｎ１およびＮ２の間には形成され位置Ｎ２およびＮ３の間には形成されないという現象が生じ得る。本実施の形態は位置Ｎ１およびＮ２間に沿ったＣＦ基板１１の分断を目的としており、位置Ｎ２およびＮ３間に沿ったＣＦ基板１１の分離は目的としていない。よって位置Ｎ１およびＮ２間でクラックラインＣＬが形成されることが必要である一方で、位置Ｎ２およびＮ３間でのクラックラインＣＬの形成されにくさは問題とはならない。
【０１１４】
次に、クラックラインＣＬに沿ってＣＦ基板１１が分断される。具体的にはブレーク工程が行なわれる。なおクラックラインＣＬがその形成時に厚さ方向ＤＴに完全に進行した場合は、クラックラインＣＬの形成とＣＦ基板１１の分断とが同時に生じ得る。この場合、ブレーク工程を省略し得る。
【０１１５】
以上によりＣＦ基板１１の分断が行なわれる。
【０１１６】
次に、上記分断方法の第１〜第３の変形例について、以下に説明する。
【０１１７】
図６２（Ａ）を参照して、第１の変形例は、アシストラインＡＬとトレンチラインＴＬとの交差が、クラックラインＣＬ（図６１（Ｂ））の形成開始のきっかけとして不十分な場合に関するものである。図６２（Ｂ）を参照して、ＣＦ基板１１へ、曲げモーメントなどを発生させる外力を加えることでアシストラインＡＬに沿って厚さ方向ＤＴにおけるクラックが伸展し、その結果、ＣＦ基板１１が分離される。これによりクラックラインＣＬの形成が開始される。なお、図６２（Ａ）においてはアシストラインＡＬがＣＦ基板１１の内面ＳＦ１上に形成されるが、ＣＦ基板１１を分離するためのアシストラインＡＬはＣＦ基板１１の下面ＳＦ２上に形成されてもよい。この場合、アシストラインＡＬおよびトレンチラインＴＬは、平面レイアウト上、位置Ｎ２で互いに交差するが、互いに直接接触はしない。この場合には、第1の実施の形態と異なり、ＣＦ基板１１のトレンチラインＴＬの端部が露出している必要がない。
【０１１８】
また第１の変形例においては、ガラス基板４の分離によりトレンチラインＴＬ付近の内部応力の歪みが解放され、それによりクラックラインＣＬの形成が開始される。したがってアシストラインＡＬ自身が、トレンチラインＴＬに応力を加えることで形成されたクラックラインＣＬであってもよい。
【０１１９】
図６３を参照して、第２の変形例においては、ＣＦ基板１１の内面ＳＦ１に刃先５１が位置Ｎ３で押し付けられる。トレンチラインＴＬが形成される際には、本変形例においては、位置Ｎ３から位置Ｎ２へ刃先５１が変位させられ、さらに位置Ｎ２から位置Ｎ１へ変位させられる。すなわち、図６０を参照して、刃先５１が、辺ＥＤ２から辺ＥＤ１へ向かう方向である方向ＤＢへ変位させられる。方向ＤＢは、刃先５１から延びる軸方向ＡＸを内面ＳＦ１上へ射影した方向と反対方向に対応している。この場合、刃先５１はシャンク５２によって内面ＳＦ１上を押し進められる。
【０１２０】
図６４を参照して、第３の変形例においては、トレンチラインＴＬが形成される際に、刃先５１はＣＦ基板１１の内面ＳＦ１に位置Ｎ１に比して位置Ｎ２でより大きな力で押し付けられる。具体的には、位置Ｎ４を位置Ｎ１およびＮ２の間の位置として、トレンチラインＴＬの形成が位置Ｎ４に至った時点で、刃先５１の荷重が高められる。言い換えれば、トレンチラインＴＬの荷重が、位置Ｎ１に比して、トレンチラインＴＬの終端部である位置Ｎ４およびＮ３の間で高められる。これにより、終端部以外での荷重を軽減しつつ、位置Ｎ２からのクラックラインＣＬの形成を誘起されやすくすることができる。
【０１２１】
本実施の形態によれば、トレンチラインＴＬからクラックラインＣＬを、より確実に形成することができる。
【０１２２】
また、後述する実施の形態１１と異なり本実施の形態においては、トレンチラインＴＬが形成された時点（図６１（Ａ））ではアシストラインＡＬは未だ形成されていない。よってクラックレス状態を、アシストラインＡＬからの影響なく、より安定的に維持することができる。なお、クラックレス状態の安定性が問題とならない場合は、アシストラインＡＬが形成されていない図６１（Ａ）の状態の代わりに、アシストラインＡＬが形成された図６２（Ａ）の状態でクラックレス状態が維持されてもよい。
【０１２３】
（実施の形態１１）
本実施の形態における脆性基板の分断方法について、図６５〜図６７を用いつつ、以下に説明する。
【０１２４】
図６５を参照して、本実施の形態においてはアシストラインＡＬがトレンチラインＴＬの形成前に形成される。アシストラインＡＬの形成方法自体は、図６１（Ｂ）（実施の形態１０）と同様である。
【０１２５】
図６６を参照して、次に、内面ＳＦ１に刃先５１が押し付けられ、そしてトレンチラインＴＬが形成される。トレンチラインＴＬの形成方法自体は、図６１（Ａ）（実施の形態１０）と同様である。アシストラインＡＬおよびトレンチラインＴＬは位置Ｎ２で互いに交差する。次に、実施の形態１〜９で説明したように、ＣＦ基板１１と他の基板（図示せず）との貼り付けが行なわれる。
【０１２６】
図６７を参照して、次に、ＣＦ基板１１へ曲げモーメントなどを発生させる外力を加える通常のブレーク工程によってアシストラインＡＬに沿ってＣＦ基板１１が分離される。これにより、クラックラインＣＬ（図９（Ｂ））の形成が開始される（図中、破線矢印参照）。なお、図６５においてはアシストラインＡＬがＣＦ基板１１の内面ＳＦ１上に形成されるが、ＣＦ基板１１を分離するためのアシストラインＡＬはＣＦ基板１１の下面ＳＦ２上に形成されてもよい。この場合、アシストラインＡＬおよびトレンチラインＴＬは、平面レイアウト上、位置Ｎ２で互いに交差するが、互いに直接接触はしない。
【０１２７】
なお、上記以外の構成については、上述した実施の形態１０の構成とほぼ同じである。
【０１２８】
図６８（Ａ）を参照して、第１の変形例においては、ＣＦ基板１１を分離するためのアシストラインＡＬはＣＦ基板１１の下面ＳＦ２上に形成される。図６３（実施の形態１０）と同様に、トレンチラインＴＬの形成が位置Ｎ３から位置Ｎ１へ行なわれる。図６８（Ｂ）を参照して、ＣＦ基板１１へ応力を加えることでアシストラインＡＬに沿ってＣＦ基板１１が分離される。これによりクラックラインＣＬの形成が開始される（図中、破線矢印参照）。
【０１２９】
図６９を参照して、第２の変形例においては、トレンチラインＴＬが形成される際に、刃先５１はＣＦ基板１１の内面ＳＦ１に位置Ｎ１に比して位置Ｎ２でより大きな力で押し付けられる。具体的には、位置Ｎ４を位置Ｎ１およびＮ２の間の位置として、トレンチラインＴＬの形成が位置Ｎ４に至った時点で、刃先５１の荷重が高められる。言い換えれば、トレンチラインＴＬの荷重が、位置Ｎ１に比して、トレンチラインＴＬの終端部である位置Ｎ４およびＮ３の間で高められる。これにより、終端部以外での荷重を軽減しつつ、位置Ｎ２からのクラックラインＣＬの形成を誘起されやすくすることができる。
【０１３０】
（実施の形態１２）
図７０（Ａ）を参照して、本実施の形態における脆性基板の分断方法においては、位置Ｎ１から位置Ｎ２を経由して辺ＥＤ２へ達するトレンチラインＴＬが形成される。次に、実施の形態１で説明したクラックレス状態（図９（Ａ））が所望の時間に渡って維持される。その間に、実施の形態１〜９で説明したように、ＣＦ基板１１と他の基板（図示せず）との貼り付けが行なわれる。
【０１３１】
図７０（Ｂ）を参照して、次に位置Ｎ２と辺ＥＤ２との間に、トレンチラインＴＬ付近の内部応力の歪みを解放させるような応力が加えられる。これによりトレンチラインＴＬに沿ったクラックラインの形成が誘起される。
【０１３２】
応力の印加として具体的には、内面ＳＦ１上において位置Ｎ２と辺ＥＤ２との間（図中、破線および辺ＥＤ２の間の領域）で、押し付けられた刃先５１が摺動させられる。この摺動は辺ＥＤ２に達するまで行なわれる。刃先５１は好ましくは最初に形成されたトレンチラインＴＬの軌道に交差するように、より好ましくは最初に形成されたトレンチラインＴＬの軌道に重なるように摺動される。この再度の摺動の長さは、たとえば０．５ｍｍ程度である。
【０１３３】
変形例として、位置Ｎ２と辺ＥＤ２との間に応力を加えるために、上述した刃先５１の再度の摺動に代えて、内面ＳＦ１上において位置Ｎ２と辺ＥＤ２との間にレーザ光が照射されてもよい。これにより生じた熱応力によっても、トレンチラインＴＬ付近の内部応力の歪みが解放され、それによりクラックラインの形成開始を誘起することができる。
【０１３４】
なお、上記以外の構成については、上述した実施の形態１０の構成とほぼ同じである。
【０１３５】
（実施の形態１３）
図７１（Ａ）を参照して、本実施の形態における脆性基板の分断方法においては、位置Ｎ１から位置Ｎ２へ、そしてさらに位置Ｎ３へ刃先５１を変位させることによって、内面ＳＦ１の縁から離れたトレンチラインＴＬが形成される。トレンチラインＴＬの形成方法自体は図６１（Ａ）（実施の形態１０）とほぼ同様である。
【０１３６】
次に、実施の形態１で説明したクラックレス状態（図９（Ａ））が所望の時間に渡って維持される。その間に、実施の形態１〜９で説明したように、ＣＦ基板１１と他の基板（図示せず）との貼り付けが行なわれる。
【０１３７】
図７１（Ｂ）を参照して、図７０（Ｂ）（実施の形態１２またはその変形例）と同様の応力印加が行なわれる。これによりトレンチラインＴＬに沿ったクラックラインの形成が誘起される。
【０１３８】
図７２を参照して、図７１（Ａ）の工程の変形例として、トレンチラインＴＬの形成において、刃先５１が位置Ｎ３から位置Ｎ２へそして位置Ｎ２から位置Ｎ１へ変位させられてもよい。
【０１３９】
なお、上記以外の構成については、上述した実施の形態１０の構成とほぼ同じである。
【０１４０】
（実施の形態１４）
図７３（Ａ）および（Ｂ）を参照して、上記各実施の形態において、刃先５１（図６０（Ａ）および（Ｂ））に代わり、刃先５１ｖが用いられてもよい。刃先５１ｖは、頂点と、円錐面ＳＣとを有する円錐形状を有する。刃先５１ｖの突起部ＰＰｖは頂点で構成されている。刃先の側部ＰＳｖは頂点から円錐面ＳＣ上に延びる仮想線（図７３（Ｂ）における破線）に沿って構成されている。これにより側部ＰＳｖは、線状に延びる凸形状を有する。
【０１４１】
なお上記実施の形態１０〜１４においてはガラス基板の縁の第１および第２の辺が長方形の短辺であるが、第１および第２の辺は長方形の長辺であってもよい。また縁の形状は長方形に限定されるものではなく、たとえば正方形であってもよい。また第１および第２の辺は直線状のものに限定されるものではなく曲線状であってもよい。また上記各実施の形態においては基板の主面が平坦であるが、基板の主面は湾曲していてもよい。
【０１４２】
また上記各実施の形態において、複数の表示パネルを得るために、まず、脆性基板を有する一の積層体が複数の部分に分断され、次に各部分がさらに分断されることによって複数の表示パネルが得られてもよい。たとえば、上記積層体がまず長方形状の部分へ分断され、次にその長辺が分割されるようにこの長方形状の部分がさらに分断されることによって複数の表示パネルが得られてもよい。
【０１４３】
また上述した脆性基板の分断方法は、表示パネルの製造方法以外の用途に用いられてもよい。また上述した分断方法に特に適した脆性基板としてガラス基板が用いられるが、脆性基板はガラス基板に限定されるものではない。脆性基板は、ガラス以外に、たとえば、セラミックス、シリコン、化合物半導体、サファイア、または石英から作られ得る。
【０１４４】
また上述した脆性基板の分断方法においては、ガラス基板にカラーフィルタ、ブラックマトリックスおよび配向膜を設けたＣＦ基板１１と、ガラス基板に配線、アクティブ素子、電極および配向膜を設けたＴＦＴ基板１２とに対してトレンチラインが形成されるが、ガラス基板にトレンチラインが形成された後に、ガラス基板に対してＣＦ基板１１やＴＦＴ基板１２としての構成を設けるための加工を行い、それに続いて積層工程を行ってもよい。
【０１４５】
本発明は、その発明の範囲内において、各実施の形態を自由に組み合わせたり、各実施の形態を適宜、変形、省略することが可能である。
【符号の説明】
【０１４６】
４  ガラス基板（脆性基板）
１１  ＣＦ基板
１２  ＴＦＴ基板
１３  ガラス基板
２０  液晶層
２１  シール部
２２  接合部
５１，５１ｖ  刃先
１０１，１０２  ＬＣＤパネル（表示パネル）
ＡＬ  アシストライン
ＣＬ  クラックライン
ＥＤ１  辺（第１の辺）
ＥＤ２  辺（第２の辺）
Ｎ１  位置（第１の位置）
Ｎ２  位置（第２の位置）
ＳＦ１，ＳＦ３，ＳＦ５  内面（主面）
ＳＦ２，ＳＦ４，ＳＦ６  外面（主面）
ＳＬ  スクライブライン
ＴＬ  トレンチライン
ＰＰ，ＰＰｖ  突起部
ＰＳ，ＰＳｖ  側部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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【図２７】
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【図２８】
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【図２９】
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【図３０】
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【図３１】
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【図３２】
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【図３３】
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【図３４】
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【図３５】
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【図３６】
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【図３７】
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【図３８】
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【図３９】
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【図４０】
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【図４１】
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【図４２】
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【図４３】
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【図４４】
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【図４５】
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【図４６】
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【図４７】
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【図４８】
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【図４９】
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【図５０】
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【図５１】
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【図５２】
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【図５３】
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【図５４】
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【図５５】
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【図５６】
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【図５７】
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【図５８】
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【図５９】
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【図６０】
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【図６１】
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【図６２】
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【図６３】
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【図６４】
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【図６５】
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【図６６】
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【図６７】
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【図６８】
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【図６９】
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【図７０】
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【図７１】
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【図７２】
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【図７３】
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