(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
シリコンの基板に、フォトレジストからなるレジスト膜を形成するレジスト膜形成工程と、
前記レジスト膜を露光する露光工程と、
前記露光工程後に前記レジスト膜を現像することにより、前記レジスト膜にノズルを形成するノズル形成工程と、
前記ノズル形成工程の後に、前記基板の前記レジスト膜と反対側の面からエッチングを行って、前記ノズルに連通する流路孔を形成する、流路形成工程と、
前記基板の前記レジスト膜と反対側の面に、前記流路孔に連通する圧力室を有し、且つ、前記圧力室に対応する圧電素子が成膜によって形成された流路部材を接合する、接合工程と、
を備えていることを特徴とする液体吐出装置の製造方法。
【請求項２】
前記ノズル形成工程の後に、前記基板に形成された前記レジスト膜に支持部材を接合する、支持部材接合工程と、
前記支持部材接合工程の後に、前記基板の前記レジスト膜と反対側の面を研磨して、前記基板の厚みを薄くする、研磨工程と、を備え
前記研磨工程の後に、前記流路形成工程を行うことを特徴とする請求項１に記載の液体吐出装置の製造方法。
【請求項３】
前記支持部材接合工程において、前記支持部材を、接着シートを用いて前記レジスト膜に接合することを特徴とする請求項２に記載の液体吐出装置の製造方法。
【請求項４】
前記ノズル形成工程の後に、前記レジスト膜に撥水膜を形成する、撥水膜形成工程と、
前記流路形成工程の後に、前記レジスト膜に前記支持部材が接合された状態で、前記撥水膜の、前記ノズルの内面に付着した部分を、酸素プラズマ処理、ＵＶオゾン処理、及び、イオンエッチングの何れか１つの方法で除去する撥水膜除去工程と、
を備えていることを特徴とする請求項２又は３に記載の液体吐出装置の製造方法。
【請求項５】
前記撥水膜形成工程において、前記撥水膜を、スプレーコートで形成することを特徴とする請求項４に記載の液体吐出装置の製造方法。
【請求項６】
前記レジスト膜形成工程の前に、前記基板の前記レジスト膜が形成される面に、シリコンの無機化合物を含む無機膜を形成する、無機膜形成工程を備えていることを特徴とする請求項４又は５の何れかに記載の液体吐出装置の製造方法。
【請求項７】
前記流路形成工程では、前記基板の前記レジスト膜と反対側の面に、フォトレジストからなるマスクを形成してから、前記基板の前記マスクで覆われていない部分をエッチングで除去して、前記流路孔を形成し、
前記流路形成工程の後に、前記フォトレジストのマスクを酸素プラズマで除去するマスク除去工程と、
前記マスク除去工程の後に、前記無機膜のうちの前記流路孔を塞いでいる部分をエッチングで除去する無機膜除去工程をさらに備え、
前記無機膜除去工程の後に、前記撥水膜除去工程を行うことを特徴とする請求項６に記載の液体吐出装置の製造方法。
【請求項８】
前記レジスト膜を所定面積毎に区画する溝を形成する溝形成工程をさらに備え、
前記ノズル形成工程において、前記溝によって区画された、前記レジスト膜の複数の部分のそれぞれに、前記ノズルを形成し、  前記ノズル形成工程の後に、前記溝の位置において、ダイシングブレードで前記基板を切断して分離することを特徴とする請求項１〜７の何れかに記載の液体吐出装置の製造方法。
【請求項９】
前記溝の幅が、７０μｍ以上２００μｍ以下であることを特徴とする請求項８に記載の液体吐出装置の製造方法。
【請求項１０】
前記レジスト膜を形成するフォトレジストは、ネガ型感光性レジストであることを特徴とする請求項１〜９の何れかに記載の液体吐出装置の製造方法。
【請求項１１】
前記レジスト膜を形成するフォトレジストは、化学増幅型レジストであることを特徴とする請求項１〜１０の何れかに記載の液体吐出装置の製造方法。
【請求項１２】
前記レジスト膜形成工程の前に、前記基板の、前記レジスト膜が形成される面に密着膜を形成する密着膜形成工程を備え、
前記レジスト膜形成工程において、前記密着膜の上に、前記密着膜よりも厚い前記レジスト膜を形成することを特徴とする請求項１〜１１の何れかに記載の液体吐出装置の製造方法。
【請求項１３】
前記密着膜は、フォトレジストで形成されていることを特徴とする請求項１２に記載の液体吐出装置の製造方法。
【請求項１４】
前記ノズル形成工程において、前記レジスト膜に、複数の前記ノズルを２００ｄｐｉ以上の小さいピッチで形成することを特徴とする請求項１〜１３の何れかに記載の液体吐出装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、液体吐出装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
特許文献１には、液体吐出装置として、ノズルからインクを吐出するインクジェットヘッドが開示されている。この特許文献１のインクジェットヘッドは、ヘッドチップを備えている。ヘッドチップは、流路形成板と、流路形成板の上面に接合された圧電アクチュエータパーツと、流路形成板の下面に接合されたシリコン製のノズルプレートを有する。ノズルプレートには、複数のノズルが形成されている。圧電アクチュエータパーツには、流路形成板に形成された流路を介して複数のノズルとそれぞれ連通する複数の圧力室が形成されている。ヘッドチップは、圧電アクチュエータパーツにおいて、各圧力室内のインクに圧力変化を生じさせることにより、各圧力室に連通するノズルからインクを吐出させる構成である。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２０１４−２０８４４７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
特許文献１のインクジェットヘッドでは、ヘッドチップのノズルプレートがシリコンで形成され、このノズルプレートは、ノズルに対応した流路が形成されている流路基板に接合されている。この場合、シリコン基板に対して、高精細な加工が可能なエッチングプロセスでノズルを形成することができるため、各ノズル及び流路の位置や形状の精度を高くすることができる。特に、ノズルの配列ピッチが小さい場合に好適である（例えば、２００ｄｐｉ以上）。しかし、このようなノズルプレートでは、高価なシリコンを複数枚使用することになり、また、高アスペクト比のノズル形状を作るための製造コストも高くなる。
【０００５】
本発明の目的は、コストを抑えつつもノズルを高い精度で形成できる、液体吐出装置の製造方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
第１の発明の液体吐出装置の製造方法は、シリコンの基板に、フォトレジストからなるレジスト膜を形成するレジスト膜形成工程と、前記レジスト膜を露光する露光工程と、前記露光工程後に前記レジスト膜を現像することにより、前記レジスト膜にノズルを形成するノズル形成工程と、前記ノズル形成工程の後に、前記基板の前記レジスト膜と反対側の面からエッチングを行って、前記ノズルに連通する流路孔を形成する、流路形成工程と、前記基板の前記レジスト膜と反対側の面に、前記流路孔に連通する圧力室を有し、且つ、前記圧力室に対応する圧電素子が成膜によって形成された流路部材を接合する、接合工程と、を備えていることを特徴とするものである。
【０００７】
本発明では、まず、シリコンの基板の上にレジスト膜を形成する。次に、レジスト膜を露光した後、レジスト膜の一部を現像液によって溶解除去することにより、レジスト膜にノズルを形成する。その後、基板にエッチングを行って、ノズルに連通する流路孔を形成する。さらに、この基板に、圧電素子が形成された流路部材を接合する。
【０００８】
本発明において、ノズルが形成されるレジスト膜を構成するフォトレジストは、シリコンと比べるとかなり安価な材料である。また、半導体プロセスにおいて一般的に行われている露光、及び、現像の工程によって、高精細なノズルのパターンを低コストで形成することができる。従って、狭小なピッチでノズルを形成する場合でも、コストを抑えつつ、各ノズルを高精度に形成することができる。
【０００９】
第２の発明の液体吐出装置の製造方法は、前記第１の発明において、前記ノズル形成工程の後に、前記基板に形成された前記レジスト膜に支持部材を接合する、支持部材接合工程と、前記支持部材接合工程の後に、前記基板の前記レジスト膜と反対側の面を研磨して、前記基板の厚みを薄くする、研磨工程と、を備え、前記研磨工程の後に、前記流路形成工程を行うことを特徴とするものである。
【００１０】
シリコンの基板を研磨して所定の厚みまで薄くしてから、基板にエッチングを行うことにより、基板に所定形状の流路孔を形成することができる。また、基板に支持部材を接合してから基板を研磨することで、研磨で薄くなった基板の剛性を、支持部材で補うことができ、その後の基板のハンドリングが容易になる。
【００１１】
第３の発明の液体吐出装置の製造方法は、前記第２の発明において、前記支持部材接合工程において、前記支持部材を、接着シートを用いて前記レジスト膜に接合することを特徴とするものである。
【００１２】
液状の接着剤を用いて支持部材を接合した場合、ノズル内に多くの接着剤が入り込んでしまい、後で除去するのが難しくなる。本発明では、接着シートで接合するため、接着剤がノズル内に入りにくくなる。
【００１３】
第４の発明の液体吐出装置の製造方法は、前記第２又は第３の発明において、前記ノズル形成工程の後に、前記レジスト膜に撥水膜を形成する、撥水膜形成工程と、前記流路形成工程の後に、前記レジスト膜に前記支持部材が接合された状態で、前記撥水膜の、前記ノズルの内面に付着した部分を、酸素プラズマ処理、ＵＶオゾン処理、及び、イオンエッチングの何れか１つの方法で除去する撥水膜除去工程と、を備えていることを特徴とするものである。
【００１４】
レジスト膜にノズルを形成した後に、レジスト膜に撥水膜を形成したときに、撥水膜を構成する膜材料の一部がノズル内に入り込んで内面に付着する。そこで、酸素プラズマ等の方法で、ノズルの内面に付着した撥水膜を除去する。また、このノズル内面の撥水膜の除去の際に、レジスト膜に接合された支持部材によってレジスト膜の表面の撥水膜が覆われているため、レジスト膜の表面の撥水膜が除去されることが防止される。
【００１５】
第５の発明の液体吐出装置の製造方法は、前記第４の発明において、前記撥水膜形成工程において、前記撥水膜を、スプレーコートで形成することを特徴とするものである。
【００１６】
撥水膜などの樹脂膜を形成する一般的な方法としてスピンコートが知られているが、スピンコートでは、ノズルの内面に入り込む膜材料の量が多くなり、後で除去するのが困難となる。本発明では、スプレーコートで撥水膜を形成するため、ノズル内に入り込む膜材料の量が少なくなり、除去が容易になる。
【００１７】
第６の発明の液体吐出装置の製造方法は、前記第４又は第５の発明において、前記レジスト膜形成工程の前に、前記基板の前記レジスト膜が形成される面に、シリコンの無機化合物を含む無機膜を形成する、無機膜形成工程を備えていることを特徴とするものである。
【００１８】
本発明では、レジスト膜を形成する前に、基板に無機膜を形成する。これにより、レジスト膜と反対側からのエッチングで基板に流路孔を形成する際に、無機膜がエッチングストッパーとして機能し、基板のエッチングの際にレジスト膜が削られることを防止できる。
【００１９】
第７の発明の液体吐出装置の製造方法は、前記第６の発明において、前記流路形成工程では、前記基板の前記レジスト膜と反対側の面に、フォトレジストからなるマスクを形成してから、前記基板の前記マスクで覆われていない部分をエッチングで除去して、前記流路孔を形成し、
前記流路形成工程の後に、前記フォトレジストのマスクを酸素プラズマで除去するマスク除去工程と、前記マスク除去工程の後に、前記無機膜のうちの前記流路孔を塞いでいる部分をエッチングで除去する無機膜除去工程をさらに備え、前記無機膜除去工程の後に、前記撥水膜除去工程を行うことを特徴とするものである。
【００２０】
本発明では、基板のレジスト膜と反対側の面に、フォトレジストのマスクを形成した上でエッチングを行って、基板に流路孔を形成する。流路孔の形成後、フォトレジストのマスクを酸素プラズマで除去する。ここで、酸素プラズマでマスクの除去を行う場合、他の部分も一緒に削られる場合があり、特に、流路孔の先のレジスト膜が削られやすい。しかし、本発明では、基板に形成された無機膜によって流路孔の先が封止されているため、酸素プラズマによるマスク除去工程でレジスト膜が削られることが防止される。その後、無機膜を除去して流路孔とノズルとを連通させた状態としてから、ノズル内に入り込んだ撥水膜の除去を行う。
【００２１】
第８の発明の液体吐出装置の製造方法は、前記第１〜第７の何れかの発明において、  前記レジスト膜を所定面積毎に区画する溝を形成する溝形成工程をさらに備え、前記ノズル形成工程において、前記溝によって区画された、前記レジスト膜の複数の部分のそれぞれに、前記ノズルを形成し、前記ノズル形成工程の後に、前記溝の位置において、ダイシングブレードで前記基板を切断して分離することを特徴とするものである。
【００２２】
本発明は、１枚の基板に、複数の液体吐出装置のノズルを形成し、その後に基板を切断して分離する場合に適用される。まず、レジスト膜に、所定面積毎に区画する溝を形成する。次に、溝によって区画される、レジスト膜の複数の部分のそれぞれにノズルを形成してから、溝の位置においてダイシングブレードで基板を切断する。この際に、レジスト膜の前記複数の部分が溝によって区画されているため、切断時にレジスト膜が基板から剥がれにくい。
【００２３】
第９の発明の液体吐出装置の製造方法は、前記第８の発明において、前記溝の幅が、７０μｍ以上２００μｍ以下であることを特徴とするものである。
【００２４】
ダイシングブレードの幅よりも溝の幅が小さいと、基板を切断するダイシングブレードにレジスト膜が巻き込まれて、レジスト膜が基板から剥がれやすくなる。一方で、溝の幅が大きすぎると、基板の研磨などの際に、レジスト膜の間で基板が撓んで割れる虞がある。そこで、溝の幅は、７０μｍ〜２００μｍであることが好ましい。
【００２５】
第１０の発明の液体吐出装置の製造方法は、前記第１〜第９の何れかの発明において、前記レジスト膜を形成するフォトレジストは、ネガ型感光性レジストであることを特徴とするものである。
【００２６】
露光工程では、露光機のマスクを通過した光がレジストに照射されてレジストが部分的に露光される。また、レジストには、露光部分が現像によって溶解されずに残るネガ型と、露光部分が現像で溶解するポジ型とがある。ここで、露光機と反対側では、露光機側と比べて光の強度が弱まるため、レジストの露光部分は、基板側において露光領域が狭まった形状となりやすい。その場合に、ポジ型のレジストでは露光部分が除去されることから、ノズルは、基板側から基板側と反対側に向かうほど孔径が広がる、末広がり形状となり、ノズル形状としては適切ではない。これに対して、ネガ型のレジストでは露光部分が残ることから、ノズルは、基板と反対側の孔径が狭まった先細り形状となる。これらの理由からネガ型を使用することが好ましい。
【００２７】
第１１の発明の液体吐出装置の製造方法は、前記第１〜第１０の何れかの発明において、前記レジスト膜を形成するフォトレジストは、化学増幅型レジストであることを特徴とするものである。
【００２８】
化学増幅型レジストは、高感度と高解像度とを兼ね備えたレジスト材料であるため、露光、現像により形成されるノズルの形状精度が高まる。
【００２９】
第１２の発明の液体吐出装置の製造方法は、前記第１〜第１１の何れかの発明において、前記レジスト膜形成工程の前に、前記基板の、前記レジスト膜が形成される面に密着膜を形成する密着膜形成工程を備え、前記レジスト膜形成工程において、前記密着膜の上に、前記密着膜よりも厚い前記レジスト膜を形成することを特徴とするものである。
【００３０】
シリコンの基板とレジスト膜との間に、レジスト膜よりも薄い密着膜が存在するため、レジスト膜の基板に対する密着性が向上する。
【００３１】
第１３の発明の液体吐出装置の製造方法は、前記第１２の発明において、前記密着膜は、フォトレジストで形成されていることを特徴とするものである。
【００３２】
密着膜も、レジスト膜と同様にフォトレジストで形成されていると、レジスト膜へのノズル形成の際に、レジスト膜のノズル形成部分の下に位置する密着膜も同時に除去することができる。
【００３３】
第１４の発明の液体吐出装置の製造方法は、前記第１〜第１３の何れかの発明において、前記ノズル形成工程において、前記レジスト膜に、複数の前記ノズルを２００ｄｐｉ以上の小さいピッチで形成することを特徴とするものである。
【００３４】
成膜法では複数の圧電素子を非常に小さいピッチで形成することができるが、それに応じて、複数のノズルも、２００ｄｐｉ以上の小さいピッチで配列する。そのため、各ノズルを高い精度で形成する必要があるが、このような場合に上記の方法は特に好適である。
【図面の簡単な説明】
【００３９】
【図１】本実施形態に係るプリンタの概略的な平面図である。
【図２】インクジェットヘッドの１つのヘッドユニットの上面図である。
【図３】図２のＡ部拡大図である。
【図４】図３のIV-IV線断面図である。
【図５】図３のV-V線断面図である。
【図６】第１流路基板となるシリコン基板と、第２流路基板となるシリコン基板とが重ねられた状態を示す図である。
【図７】ヘッドユニットの製造工程を示す図であり、（ａ）は無機膜形成工程、（ｂ）はレジスト膜形成工程、（ｃ）は露光工程、（ｄ）はノズル形成工程、（ｅ）は撥水膜形成工程をそれぞれ示す。
【図８】ヘッドユニットの製造工程を示す図であり、（ａ）は支持部材接合工程、（ｂ）は研磨工程、（ｃ）はマスク形成工程、（ｄ）は流路孔のエッチング工程をそれぞれ示す。
【図９】ヘッドユニットの製造工程を示す図であり、（ａ）はマスク除去工程、（ｂ）は無機膜除去工程、（ｃ）は撥水膜除去工程、（ｄ）は別の流路基板の接合工程、（ｅ）は支持部材の剥離工程をそれぞれ示す。
【図１０】ネガ型レジストとポジ型レジストの違いを説明する図である。
【図１１】レジスト膜が形成された基板の斜視図と、基板表面のレジスト膜の一部拡大図である。
【図１２】基板の切断工程の説明図である。
【図１３】変更形態のヘッドユニットの製造工程を示す図であり、（ａ）は無機膜形成工程、（ｂ）は密着膜形成工程、（ｃ）はレジスト膜形成工程、（ｄ）は露光工程、（ｅ）はノズル形成工程をそれぞれ示す。
【発明を実施するための形態】
【００４０】
次に、本発明の実施の形態について説明する。図１は、本実施形態に係るプリンタの概略的な平面図である。まず、図１を参照してインクジェットプリンタ１の概略構成について説明する。尚、図１に示す前後左右の各方向をプリンタの「前」「後」「左」「右」と定義する。また、紙面手前側を「上」、紙面向こう側を「下」とそれぞれ定義する。以下では、前後左右上下の各方向語を適宜使用して説明する。
【００４１】
（プリンタの概略構成）
図１に示すように、インクジェットプリンタ１は、プラテン２と、キャリッジ３と、インクジェットヘッド４と、搬送機構５と、制御装置６等を備えている。
【００４２】
プラテン２の上面には、被記録媒体である記録用紙１００が載置される。キャリッジ３は、プラテン２と対向する領域において２本のガイドレール１０，１１に沿って左右方向（以下、走査方向ともいう）に往復移動可能に構成されている。キャリッジ３には無端ベルト１４が連結され、キャリッジ駆動モータ１５によって無端ベルト１４が駆動されることで、キャリッジ３は走査方向に移動する。
【００４３】
インクジェットヘッド４は、キャリッジ３に取り付けられており、キャリッジ３とともに走査方向に移動する。インクジェットヘッド４は、走査方向に並ぶ４つのヘッドユニット１６を備えている。４つのヘッドユニット１６は、４色（ブラック、イエロー、シアン、マゼンタ）のインクカートリッジ１７が装着されるカートリッジホルダ７と、図示しないチューブによってそれぞれ接続されている。各ヘッドユニット１６は、その下面（図１の紙面向こう側の面）に形成された複数のノズル２０（図２〜図５参照）を有する。各ヘッドユニット１６のノズル２０は、インクカートリッジ１７から供給されたインクを、プラテン２に載置された記録用紙１００に向けて吐出する。
【００４４】
搬送機構５は、前後方向にプラテン２を挟むように配置された２つの搬送ローラ１８，１９を有する。搬送機構５は、２つの搬送ローラ１８，１９によって、プラテン２に載置された記録用紙１００を前方（以下、搬送方向ともいう）に搬送する。
【００４５】
制御装置６は、ＲＯＭ（Read Only Memory）、ＲＡＭ（Random Access Memory）、及び、各種制御回路を含むＡＳＩＣ（Application Specific Integrated Circuit）等を備える。  制御装置６は、ＲＯＭに格納されたプログラムに従い、ＡＳＩＣにより、記録用紙１００への印刷等の各種処理を実行する。例えば、印刷処理においては、制御装置６は、ＰＣ等の外部装置から入力された印刷指令に基づいて、インクジェットヘッド４やキャリッジ駆動モータ１５等を制御して、記録用紙１００に画像等を印刷させる。具体的には、キャリッジ３とともにインクジェットヘッド４を走査方向に移動させながらインクを吐出させるインク吐出動作と、搬送ローラ１８，１９によって記録用紙１００を搬送方向に所定量搬送する搬送動作とを、交互に行わせる。
【００４６】
（インクジェットヘッドの詳細）
次に、インクジェットヘッド４の詳細構成について説明する。図２は、インクジェットヘッド４の１つのヘッドユニット１６の上面図である。尚、インクジェットヘッド４の４つのヘッドユニット１６は、全て同じ構成であるため、そのうちの１つについて説明を行い、他のヘッドユニット１６については説明を省略する。図３は、図２のＡ部拡大図である。図４は、図３のIV-IV線断面図である。図５は、図３のV-V線断面図である。
【００４７】
図２〜図５に示すように、ヘッドユニット１６は、第１流路基板２１、第２流路基板２２、ノズル形成膜２３、圧電アクチュエータ２４、及び、リザーバ形成部材２５を備えている。尚、図２では、図面の簡素化のため、第１流路基板２１及び圧電アクチュエータ２４の上方に位置する、リザーバ形成部材２５は、二点鎖線で外形のみ示されている。
【００４８】
（第１流路基板）
第１流路基板２１は、シリコン単結晶の基板である。この第１流路基板２１には、複数の圧力室２６が形成されている。複数の圧力室２６は搬送方向に配列されて、走査方向に並ぶ２列の圧力室列を構成している。また、第１流路基板２１には、複数の圧力室２６を覆う振動膜３０が形成されている。振動膜３０は、シリコンの第１流路基板２１の表面の一部を酸化、又は、窒化することによって形成された、二酸化シリコン（ＳｉＯ2）、あるいは、窒化シリコン（ＳｉＮｘ）を含む膜である。第１流路基板２１の厚みは、例えば、１００μｍである。
【００４９】
（第２流路基板）
第２流路基板２２も、第１流路基板２１と同様に、シリコン単結晶の基板である。この第２流路基板２２には、この基板２２を貫通し、複数の圧力室２６にそれぞれ連通する複数の流路孔２７が形成されている。第２流路基板２２の下面には、シリコンの無機化合物を含む無機膜２８が形成されている。この無機膜は、例えば、シリコンの第２流路基板２２の表面の一部を酸化、又は、窒化することによって形成された、二酸化シリコン（ＳｉＯ2）、あるいは、窒化シリコン（ＳｉＮｘ）からなる膜である。尚、第２流路基板２２の厚みは、例えば、２００μｍである。また、無機膜２８の厚みは、例えば、１００ｎｍ〜１μｍである。
【００５０】
（ノズル形成膜）
ノズル形成膜２３は、第２流路基板２２の無機膜２８に配置されている。このノズル形成膜２３は、フォトレジストで形成された膜であり、その厚みは、例えば、３０〜５０μｍである。ノズル形成膜２３には、第２流路基板２２の複数の流路孔２７とそれぞれ連通する、複数のノズル２０が形成されている。後述するように、複数のノズル２０は、露光処理と現像処理によって、フォトレジストの膜を部分的に除去することによって形成される。
【００５１】
図２に示すように、複数のノズル２０は、第１流路基板２１の複数の圧力室２６と同様に搬送方向に配列され、走査方向に並ぶ２列のノズル列を構成している。各ノズル列の複数のノズル２０は、例えば、２００ｄｐｉ以上の小さな配列ピッチＰで配列されている。２列のノズル列の間では、搬送方向におけるノズル２０の位置が、各ノズル列における配列ピッチＰの半分（Ｐ／２）だけずれている。また、ノズル形成膜２３の下面には、フッ素系樹脂等の撥液性材料からなる撥液膜２９が全面的に形成されている。撥液膜２９の厚みは、例えば、１００ｎｍ程度である。
【００５２】
尚、図４に示すように、ノズル形成膜２３の外縁は、その全周にわたって、第２流路基板２２の外縁よりも、距離Ｌだけ内側に配置されている。例えば、Ｌ＝１０〜２０μｍである。この理由は、後で説明する。
【００５３】
（圧電アクチュエータ）
圧電アクチュエータ２４は、複数の圧力室２６内のインクに、それぞれノズル２０から吐出させるための吐出エネルギーを付与するものである。圧電アクチュエータ２４は、上述した振動膜３０と、この振動膜３０の上面に成膜された下部電極３１、圧電体３８、上部電極３９等を有する。図２〜図５に示すように、圧電アクチュエータ２４は、振動膜３０の上面において、２列に配列された複数の圧力室２６にそれぞれ対応して配置された複数の圧電素子３９を備えている。また、圧電アクチュエータ２４には、後述するリザーバ形成部材２５内の流路と、複数の圧力室２６とをそれぞれ連通させる、連通孔２４ａも形成されている。
【００５４】
以下、圧電素子３９の構成について説明する。振動膜３０の上面には、複数の圧力室２６に跨るように、下部電極３１が形成されている。この下部電極３１は、複数の圧電素子３９に対する共通電極である。下部電極３１の材質は特に限定はされないが、例えば、白金（Ｐｔ）で形成されている。
【００５５】
この下部電極３１の上に、２つの圧力室列にそれぞれ対応して２つの圧電体３２が配置されている。１つの圧電体３２は、搬送方向に長い矩形の平面形状を有し、対応する圧力室列を構成する複数の圧力室２６に跨るように配置されている。圧電体３２は、例えば、チタン酸鉛とジルコン酸鉛との混晶であるチタン酸ジルコン酸鉛（ＰＺＴ）を主成分とする圧電材料で構成されている。あるいは、圧電体３２は、鉛が含有されていない非鉛系の圧電材料で形成されていてもよい。
【００５６】
圧電体３２の上面には、複数の圧力室２６にそれぞれ対応した複数の上部電極３３が形成されている。上部電極３３は、例えば、白金（Ｐｔ）やイリジウム（Ｉｒ）などで形成されている。
【００５７】
以上の構成において、１つの個別電極３４と、下部電極３１の１つの圧力室２６に対向する部分、及び、圧電体３２の１つの圧力室２６と対向する部分によって、１つの圧電素子３９が構成されている。また、１つの圧電素子３９において、圧電体３２の上部電極３３と下部電極３１とに挟まれた部分を、以下、特に活性部３８と称する。
【００５８】
各圧電素子３９の上部電極３３には、配線３５が接続されている。配線３５は、アルミニウム（Ａｌ）、あるいは、金（Ａｕ）などで形成されている。配線３５は、上部電極３３から走査方向に延びている。より詳細には、図２に示すように、左側に配列されている上部電極３３に接続された配線３５は、対応する上部電極３３から左側へ延び、右側に配列された上部電極３３に接続された配線３５は、対応する上部電極３３から右側へ延びている。
【００５９】
図２〜図４に示すように、第１流路基板２１の左右両端部には、複数の駆動接点部４０が搬送方向に並べて配置されている。図２に示すように、上部電極３３から左方へ引き出された配線３５は、第１流路基板２１の左端部の駆動接点部４０と接続され、右方へ引き出された配線３５は、第１流路基板２１の右端部の駆動接点部４０と接続されている。また、第１流路基板２１の左右両端部には、共通電極である下部電極３１と、図示しない配線によって接続されたグランド接点部４１も配置されている。
【００６０】
図２に示すように、上述した圧電アクチュエータ２４の左端部の上面、及び、右端部の上面には、配線部材である２枚のＣＯＦ（Chip On Film）５０がそれぞれ接合されている。図４に示すように、各ＣＯＦ５０に形成された複数の配線５５が、複数の駆動接点部４０と、それぞれ電気的に接続されている。各ＣＯＦ５０の、駆動接点部４０との接続端部とは反対側の端部は、プリンタ１の制御装置６（図１参照）に接続されている。
【００６１】
各ＣＯＦ５０にはドライバＩＣ５１が実装されている。ドライバＩＣ５１は、制御装置６から送られてきた制御信号に基づいて、圧電アクチュエータ２４を駆動するための駆動信号を生成して出力する。ドライバＩＣ５１から出力された駆動信号は、ＣＯＦ５０の配線５５を介して駆動接点部４０に入力され、さらに、圧電アクチュエータ２４の配線３５を介して各上部電極３３に供給される。駆動信号が供給された上部電極３３の電位は、所定の駆動電位とグランド電位との間で変化する。また、ＣＯＦ５０には、グランド配線（図示省略）も形成されており、グランド配線が、圧電アクチュエータ２４のグランド接点部４１と電気的に接続される。これにより、グランド接点部４１と接続されている下部電極３１の電位は、常にグランド電位に維持される。
【００６２】
ドライバＩＣ５１から駆動信号が供給されたときの、圧電素子３９の動作について説明する。駆動信号が供給されていない状態では、上部電極３３の電位はグランド電位となっており、下部電極３１と同電位である。この状態から、ある上部電極３３に駆動信号が供給されて、上部電極３３に駆動電位が印加されると、その上部電極３３と下部電極３１との電位差により、活性部３８に、その厚み方向に平行な電界が作用する。ここで、活性部３８は、逆圧電効果により厚み方向に伸びて面方向に収縮する。この活性部３８の収縮変形に伴って、振動膜３０が圧力室２６側に凸となるように撓む。これにより、圧力室２６の容積が減少して圧力室２６内に圧力波が発生することで、圧力室２６に連通するノズル２０からインクの液滴が吐出される。
【００６３】
（リザーバ形成部材）
図４、図５に示すように、リザーバ形成部材２５は、圧電アクチュエータ２４を挟んで、第１流路基板２１と反対側（上側）に配置され、圧電アクチュエータ２４を介して、第１流路基板２１と接合されている。リザーバ形成部材２５は、例えば、第１流路基板２１や第２流路基板２２と同様に、シリコン基板であってもよいが、金属材料や合成樹脂材料で形成された部材であってもよい。
【００６４】
リザーバ形成部材２５の上半部には、圧力室２６の配列方向（図４の紙面垂直方向）に延びるリザーバ５２が形成されている。このリザーバ５２は、インクカートリッジ１７が装着されるカートリッジホルダ７（図１参照）と、図示しないチューブでそれぞれ接続されている。
【００６５】
図４に示すように、リザーバ形成部材２５の下半部には、リザーバ５２から下方に延びる複数のインク供給流路５３が形成されている。各インク供給流路５３は、圧電アクチュエータ２４の複数の連通孔２４ａを介して、第１流路基板２１の複数の圧力室２６とそれぞれ連通している。これにより、リザーバ５２から、複数のインク供給流路５３を介して、複数の圧力室２６にインクが供給される。また、リザーバ形成部材２５の下半部には、カバー部５４が形成されている。カバー部５４の内側空間には、圧電アクチュエータ２４の複数の圧電素子３９を収容する空間が形成されている。
【００６６】
次に、インクジェットヘッド４のヘッドユニット１６の製造方法について説明する。図６は、第１流路基板２１となるシリコン基板６０と、第２流路基板２２となるシリコン基板６１とが重ねられた状態を示す図である。
【００６７】
本実施形態では、１枚のシリコンの基板６０に、複数のヘッドユニット１６の圧電素子３９を成膜するとともに、複数のヘッドユニット１６の圧力室２６等の流路を形成する。一方で、別の１枚のシリコンの基板６１に、複数のヘッドユニット１６のノズル形成膜２３となるレジスト膜６２を形成するとともに、複数のヘッドユニット１６の流路孔２７を形成する。つまり、１枚の基板６０から、それぞれ圧電素子３９が成膜された、複数のヘッドユニット１６の第１流路基板２１が形成される。また、別の１枚の基板６１から、それぞれノズル形成膜２３が設けられた、複数のヘッドユニット１６の第２流路基板２２が形成される。上記工程を終えた後、図６に示すように、２枚の基板６０，６１を重ねて接合し、これら２枚の基板６１，６２をダイシングブレード６３（図１２参照）で切断することで、複数のヘッドユニット１６に分離する。
【００６８】
以下では、図７〜図９を参照し、特に、レジスト膜６２が形成される基板６１に対する工程を中心に説明する。図７（ａ）は無機膜形成工程、（ｂ）はレジスト膜形成工程、（ｃ）は露光工程、（ｄ）はノズル形成工程、（ｅ）は撥水膜形成工程をそれぞれ示す。
【００６９】
まず、図７（ａ）に示すように、この基板６１の一表面に、熱酸化処理あるいはＣＶＤ製膜等により、シリコンの無機化合物（ＳｉＯ2、ＳｉＮｘ等）を含む無機膜２８を形成する。
【００７０】
次に、図７（ｂ）に示すように、基板６１の無機膜２８の上に、スピンコート等の公知の方法で、液状のフォトレジストを塗布する。尚、フォトレジストには、ネガ型感光性レジストとポジ型感光性レジストとがあるが、ここでは、ネガ型のレジストを使用する。さらに、フォトレジストが塗布された基板６１を加熱してプリベーク処理を行い、液状のフォトレジストを硬化させる。これにより、基板の無機膜２８にレジスト膜６２を形成する。
【００７１】
次に、図７（ｃ）に示すように、露光機によってレジスト膜６２を露光する。本実施形態では、レジスト膜６２を形成するフォトレジストは、ネガ型感光性レジストである。ネガ型のレジストでは、露光された部分において現像液に対して不溶となる。つまり、現像液で現像されたときに露光部分が除去されずに残る。そこで、露光機のマスク６４は、レジスト膜６２の、ノズル２０を形成する部分を覆うように配置される。露光後、レジスト膜６２を現像することにより、図７（ｄ）に示すように、レジスト膜６２の、露光されていない部分６８を現像液で溶解除去し、ノズル２０を形成する。尚、本実施形態では、複数のノズル２０を、２００ｄｐｉ以上の小さいピッチで配列する。
【００７２】
尚、フォトレジストとしては、ネガ型とは逆に、露光部分が溶解除去されるポジ型を使用することも可能であるが、以下の理由から、ネガ型を使用することが好ましい。図１０は、ネガ型レジストとポジ型レジストの違いを説明する図である。
【００７３】
レジスト膜６２を露光したときに、露光機と反対側では、露光機側と比べて光の強度が弱まるため、レジスト膜６２の露光部分６８は、基板６１側（露光側と反対側）において露光領域が狭まった形状となりやすい。その場合に、ネガ型のレジストでは露光部分６８が残るため、図１０（ａ）に示すように、ノズル２０は、孔径が基板６１と反対側で狭まった先細り形状となる。これに対して、ポジ型のレジストでは、ネガ型とは逆に露光部分６８が除去されるため、図１０（ｂ）に示すように、ノズル２０は、基板６１と反対側の孔径が基板６１側と比べて広がった、末広がり形状となる。このようなノズル２０の形状は、インクを効率よく吐出させる観点から好ましくない。そこで、ネガ型のレジストを使用することが好ましい。
【００７４】
また、レジスト膜６２を形成するフォトレジストとして、化学増幅型レジストを用いることが好ましい。化学増幅型レジストは、高感度と高解像度とを兼ね備えたレジストである。高感度とは、弱い露光量でも溶解特性が大きく変化するということであり、高解像度とは、形状精度の高いレジストパターンを形成できるということである。化学増幅型レジストが高解像度である理由は、露光量に対する溶解度の変化が急峻であるためであり、所定の光量で露光した部分と、露光量が前記所定の光量未満の部分とで、溶解度の差が大きくなる。従って、レジスト膜６２を化学増幅型レジストで形成することで、高い形状精度でノズル２０を形成することが可能となる。
【００７５】
図１１は、レジスト膜６２が形成された基板の斜視図と、基板表面のレジスト膜６２の一部拡大図である。基板６１にレジスト膜６２を形成した後に、図１０に示すように、このレジスト膜６２に、１つのヘッドユニット１６に対応した所定面積毎に区画する溝６２ａを形成する。尚、レジスト膜６２の溝６２ａの形成は、図７（ｃ）、（ｄ）の露光、現像によるノズル２０の形成と同時に行うことができるが、ノズル２０の形成とは別の工程で行ってもよい。基板６１に対して図７（ｃ）の露光工程、図７（ｄ）の現像によるノズル形成工程を行った後、後述するように溝６２ａの位置で基板６１を切断したときに、溝６２ａによって区画されるレジスト膜６２の１つの部分６２ｘが、１つのヘッドユニット１６のノズル形成膜２３となる。予めレジスト膜６２に溝６２ａを形成する理由については後で説明する。
【００７６】
レジスト膜６２にノズル２０を形成したら、次に、図７（ｅ）に示すように、レジスト膜６２の表面に、フッ素系樹脂等の撥水材料を塗布して撥水膜２９を形成する。尚、レジスト膜６２にノズル２０を形成してから撥水膜２９を形成するため、ノズル２０内に撥水材料の一部が流入し、ノズル２０の内面の一部にも撥水膜２９が形成される。撥水膜２９の、ノズル２０の内面に付着した部分２９ａは、後の工程で除去する（図９（ｂ），（ｃ）参照）。
【００７７】
撥水膜２９を形成する方法は特に限られない。例えば、有機膜を形成する一般的な方法であるスピンコートを採用することができる。但し、スピンコートでは、ノズル２０の内面に入り込む液状の撥液材料の量が多くなり、後で除去するのが困難となる場合がある。この観点からは、スプレーコートで撥水膜２９を形成することが好ましい。スプレーコートでは、スピンコートと比べてノズル２０内に入り込む量が少なくなるため、後工程での除去が容易になる。また、スプレーコートでは、薄く、且つ、均一な厚さの撥水膜２９を形成することができる。その他、転写法により撥水膜２９を形成してもよい。
【００７８】
レジスト膜６２へのノズル２０の形成と、撥水膜２９の形成とを終えたら、次に、基板６１の研磨、及び、流路孔２７の形成工程を行う。図８（ａ）は支持部材接合工程、（ｂ）は研磨工程、（ｃ）はマスク形成工程、（ｄ）は流路孔２７のエッチング工程をそれぞれ示す。尚、図８からは、基板６１のレジスト膜６２と反対側の面からの処理が主となるため、図８以降は、図７とは、基板６１が上下逆向きの図となっている。
【００７９】
まず、図８（ａ）に示すように、基板６１に形成されたレジスト膜６２に支持部材６５を接合する。次に、図８（ｂ）に示すように、基板６１のレジスト膜６２と反対側の面を研磨して、基板６１の厚みを薄くする。基板６１となるシリコンウェハーの厚みは、一般に５００μｍ〜７００μｍ程度であるが、この研磨工程で、基板６１の厚みを、例えば２００μｍまで薄くする。このように、シリコンの基板６１を研磨して所定の厚みまで薄くしてから、後で基板６１にエッチングを行うことにより、基板６１に所定形状（所定長さ）の流路孔２７を形成することが可能となる。また、基板６１に支持部材６５を接合してから基板６１を研磨することで、研磨で薄くなった基板６１の剛性を、支持部材６５で補うことができ、その後の基板６１のハンドリングが容易になる。
【００８０】
尚、支持部材６５をレジスト膜６２に接合する際に、液状の接着剤を用いると、多くの接着剤がノズル２０内に入り込んでしまい、後で除去するのが難しくなる。そこで、支持部材６５を、接着シートでレジスト膜６２に接合することが好ましい。このように、接着シートを用いることで、接着剤がノズル２０内に入りにくくなる。また、後で、支持部材６５をレジスト膜６２から剥離するため（図９（ｅ）参照）、ＵＶ剥離タイプの接着シートなど、剥離が容易な接着剤を使用することが好ましい。
【００８１】
次に、図８（ｃ）に示すように、基板６１のレジスト膜６２と反対側の面に、フォトレジストからなるマスク６６を形成する。具体的には、フォトレジストをスピンコート等で基板６１に塗布し、これに露光処理、現像処理を行うことで、基板６１の、流路孔２７を形成する部分以外を覆うマスク６６を形成する。そして、図８（ｄ）に示すように、基板６１のマスク６６で覆われていない部分をドライエッチングで除去することにより、基板６１に流路孔２７を形成する。
【００８２】
尚、本実施形態では、レジスト膜６２を形成する前に、基板６１に無機膜２８を形成している（図７（ｂ））。これにより、図８（ｄ）のように、レジスト膜６２と反対側からのエッチングで基板６１に流路孔２７を形成する際に、無機膜２８がエッチングストッパーとして機能するため、流路孔２７のエッチングの際にレジスト膜６２が削られることを防止できる。
【００８３】
図９（ａ）はマスク除去工程、（ｂ）は無機膜除去工程、（ｃ）は撥水膜除去工程、（ｄ）は別の基板６０の接合工程、（ｅ）は支持部材６５の剥離工程をそれぞれ示す。
【００８４】
基板６１に流路孔２７を形成した後、図９（ａ）に示すように、フォトレジストのマスク６６を酸素プラズマで除去する。酸素プラズマは、強力な酸化力により、レジストなどの有機物を分解除去するのに適している。しかし、酸素プラズマで、フォトレジストのマスク６６の除去を行う場合、このマスク６６以外の部分も削られる場合がある。材料によって削られやすさは異なり、シリコンの基板６１は削られにくいが、流路孔２７の先のレジスト膜６２は削られやすい。この点、本実施形態では、基板６１に形成された無機膜２８によって流路孔２７の先が封止されているため、酸素プラズマによるマスク６６の除去の際に、レジスト膜６２が削られることが防止される。
【００８５】
マスク６６を除去した後、図９（ｂ）に示すように、流路孔２７を塞いでいる無機膜２８をドライエッチングで除去し、流路孔２７とノズル２０とを連通させる。さらに、図９（ｃ）に示すように、撥水膜２９の、ノズル２０の内面に付着した部分２９ａを除去する。撥水膜２９の除去は、酸素プラズマ処理、ＵＶオゾン処理、イオンエッチング等の方法で行うことができる。また、ノズル２０内の撥水膜２９の除去の際には、レジスト膜６２に接合された支持部材６５によってレジスト膜６２の表面の撥水膜２９が覆われている。そのため、酸素プラズマ等の方法でノズル２０内の撥水膜２９を除去したときに、レジスト膜６２の表面の撥水膜２９が一緒に除去されてしまうことが防止される。
【００８６】
以上の工程を終えたら、図９（ｄ）に示すように、別工程において、圧力室２６の形成や圧電素子３９の成膜がなされたシリコンの基板６０を、基板６１のレジスト膜６２とは反対側の面に接合する。尚、リザーバ形成部材２５がシリコン基板で形成される場合は、さらに、リザーバ形成部材２５となるシリコン基板も、基板６０の基板６１と反対側（圧電アクチュエータ２４側）に接合してもよい。基板６０，６１の接合後、図９（ｅ）に示すように、支持部材６５をレジスト膜６２から剥離する。
【００８７】
２枚の基板６０，６１の接合後、これら２枚の基板６０，６１を切断して複数のヘッドユニット１６に分離する。図１２は、基板の切断工程の説明図である。図１２に示すように、２枚の基板６０，６１をダイシングステージ６７に載せる。この状態で、上方から２枚の基板６０，６１をダイシングブレード６３で切断する。
【００８８】
ここで、基板６１の、複数のヘッドユニット１６にそれぞれ対応した複数の部分６１ｘの間でレジスト膜６２が繋がっていると、ダイシングブレード６３で基板６１を切断する際に、レジスト膜６２が基板６１から剥離する虞がある。これに対して、本実施形態では、レジスト膜６２には溝６２ａが形成され、この溝６２ａによって、レジスト膜６２は、複数のヘッドユニット１６にそれぞれ対応した複数の部分６２ｘに区画されている。そのため、基板６１の切断時にレジスト膜６２が剥離しにくい。
【００８９】
但し、ダイシングブレード６３の幅Ｗｂよりも溝６２ａの幅Ｗａが小さいと、基板６１を切断するダイシングブレード６３にレジスト膜６２が巻き込まれて、レジスト膜６２が基板６１から剥がれやすくなる。ダイシングブレード６３の幅Ｗｂは、小さいものであれば５０μｍ程度である。そこで、溝６２ａの幅Ｗａは、ダイシングブレード６３の幅Ｗｂよりも少し大きい、７０μｍ以上であることが好ましい。一方、溝６２ａの幅が大きすぎると、基板６１の研磨などの際に、溝６２ａを挟んで配置されたレジスト膜６２の２つの部分６２ｘの間で基板６１が撓んで割れる虞がある。これらを考慮して、溝６２ａの幅Ｗａは、７０μｍ〜２００μｍであることが好ましい。
【００９０】
尚、ダイシングブレード６３により溝６２ａの位置で基板６１が切断されることで、分離された各ヘッドユニット１６において、ノズル形成膜２３の外縁は、第２流路基板２２の外縁よりも距離Ｌだけ内側に配置されることになる（図４参照）。この距離Ｌが大きいと、レジスト膜６２と比べて基板６１が無駄に大きいということになり、ヘッドユニット１６のサイズを小型化する観点からは好ましくない。但し、上述したように、溝６２ａの幅Ｗａは、ダイシングブレード６３の幅Ｗｂよりも少しは大きくする必要がある。そこで、上記の距離Ｌは、１０〜２０μｍであることが好ましい。
【００９１】
以上説明したように、本実施形態では、シリコンの基板６１の上にレジスト膜６２を形成した後、このレジスト膜６２を露光、現像することによって、レジスト膜６２にノズル２０を形成する。レジスト膜６２を構成するフォトレジストは、シリコンと比べるとかなり安価な材料である。また、半導体プロセスにおいて一般的に行われている露光、及び、現像によって、高精細なノズル２０のパターンを低コストで形成することができる。従って、狭小なピッチでノズル２０を形成する場合でも、コストを抑えつつ、各ノズル２０を高精度に形成することができる。特に本実施形態では、複数の圧電素子３９を成膜によって非常に小さいピッチで形成することができるが、それに応じて、複数のノズル２０も、２００ｄｐｉ以上の小さいピッチで配列する。そのため、各ノズル２０を高い精度で形成する必要があるが、このような場合に上記の方法は特に好適である。
【００９２】
以上説明した実施形態において、ヘッドユニット１６が、本発明の「液体吐出装置」に相当する。第１流路基板２１、あるいは、分離前の基板６０が、本発明の「流路部材」に相当する。
【００９３】
次に、前記実施形態に種々の変更を加えた変更形態について説明する。但し、前記実施形態と同様の構成を有するものについては、同じ符号を付して適宜その説明を省略する。
【００９４】
１］基板６１とレジスト膜６２との密着性を高めるため、レジスト膜６２の形成前に、基板のレジスト膜６２が形成される面に、レジスト膜６２よりも薄い密着膜７０を基板６１に形成してもよい。図１３（ａ）に示すように、基板６１に無機膜２８を形成してから、図１３（ｂ）に示すように、無機膜２８の上に密着膜７０を形成する。その後、密着膜７０の上に、密着膜７０よりも厚いレジスト膜６２を形成する。シリコンの基板６１とレジスト膜６２との間に、レジスト膜６２よりも薄い密着膜７０が存在するため、レジスト膜６２の基板６１に対する密着性が向上する。尚、密着膜７０の材質は特に限定されないが、フォトレジストを好適に使用できる。密着膜７０も、レジスト膜６２と同様にフォトレジストで形成されていると、露光（図１３（ｃ））及び現像（図１３（ｄ））によってノズル２０を形成する際に、レジスト膜６２のノズル形成部分の下に位置する密着膜７０も同時に除去することができる。さらに、密着膜７０とレジスト膜６２とが、同じ種類のフォトレジストで形成されていることがさらに好ましい。
【００９５】
また、レジスト膜６２の露光及び現像と、密着膜７０の露光及び現像を、それぞれ別の工程で行ってもよい。その場合、密着膜７０の開口穴の径は、レジスト膜６２のノズル２０の径よりも大きく、且つ、第２流路基板２２の流路孔２７よりも小さいことが好ましい。これにより、流路孔２７から密着膜７０を通過してノズル２０に至るまでの間に、インクの流れが妨げられにくくなる。
【００９６】
２］前記実施形態では、図７に示すように、基板６１に無機膜２８を形成してから、その上にレジスト膜６２を形成しているが、無機膜２８の形成を省略してもよい。この場合でも、基板６１にエッチングで流路孔２７を形成する際に、エッチングを制御することで、レジスト膜６２が削られないようにすることは可能である。
【００９７】
３］撥水膜２９は、レジスト膜６２（ノズル形成膜２３）の全面に形成される必要は必ずしもなく、ノズル２０の周囲領域のみに形成されてもよい。例えば、シャドーマスクを用いるなどしてパターニングして撥水材料を塗布すればよい。このように、撥水膜２９がレジスト膜６２の一部領域にのみ形成されていると、図８（ａ）のように、支持部材６５をレジスト膜６２に接合したときの密着力が高まる。
【００９８】
４］前記実施形態では、図８（ａ）のように、基板６１に支持部材６５を接合してから、その後の研磨などの工程を行っているが、研磨後の厚みが比較的大きい場合には、支持部材６５の接合を省略することも可能である。
【００９９】
以上説明した実施形態及びその変更形態は、本発明を、記録用紙にインクを吐出して画像等を印刷するインクジェットプリンタに適用したものであるが、画像等の印刷以外の様々な用途で使用される液体吐出装置においても本発明は適用されうる。例えば、基板に導電性の液体を吐出して、基板表面に導電パターンを形成する、産業用の液体吐出装置などにも、本発明を適用することは可能である。
【符号の説明】
【０１００】
１  インクジェットプリンタ
４  インクジェットヘッド
１６  ヘッドユニット
２０  ノズル
２１  第１流路基板
２２  第２流路基板
２３  ノズル形成膜
２６  圧力室
２７  流路孔
２８  無機膜
２９  撥水膜
３９  圧電素子
６０  基板
６１  基板
６２  レジスト膜
６２ａ  溝
６５  支持部材
６６  マスク
７０  密着膜
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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