(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
表面および裏面からそれぞれ突出する外部端子を有するリードと、複数の前記リードを支持する接続バーとを含む面付け領域を複数備える半導体装置用リードフレームであって、
半導体素子と接続される内部端子面が前記リードの表面または裏面に位置し、
前記リードの長手方向における前記外部端子が存在する位置は、隣接するリード間で異なり、
前記各面付け領域は、矩形であり、
前記接続バーは、前記矩形の四辺となるように位置し、前記接続バーの表面および裏面に、前記接続バーの長手方向に沿って連続する突起を有し、 
前記外部端子の端子面と前記突起の頂部とは、同一面に位置することを特徴とする半導体装置用リードフレーム。
【請求項２】
前記リードの表面から突出する外部端子と裏面から突出する外部端子とが、リードの長手方向において同じ位置に存在し、前記内部端子面は前記外部端子よりもリードの先端寄りに位置することを特徴とする請求項１に記載の半導体装置用リードフレーム。
【請求項３】
前記リードの表面から突出する外部端子と裏面から突出する外部端子とが、リードの長手方向において異なる位置に存在し、前記内部端子面が位置する前記リード面において、内部端子面は外部端子よりもリードの先端寄りに位置することを特徴とする請求項１に記載の半導体装置用リードフレーム。
【請求項４】
前記リードの表面から突出する外部端子の端子面を含む面と、前記リードの裏面から突出する外部端子の端子面を含む面との距離で規定されるリードの厚みＴは０．１０〜０．２５ｍｍの範囲にあり、外部端子の存在しない部位のリードの厚みｔは前記厚みＴの５０〜７５％の範囲であることを特徴とする請求項１乃至請求項３のいずれかに記載の半導体装置用リードフレーム。
【請求項５】
半導体装置用リードフレームを構成する素材の引っ張り強さは７２５ＭＰａ以上であることを特徴とする請求項１乃至請求項４のいずれかに記載の半導体装置用リードフレーム。
【請求項６】
請求項１乃至請求項５のいずれかに記載の半導体装置用リードフレームを準備する工程と、
前記リードの前記内部端子面と半導体素子の端子とを、接続部材を用いて接続することで、複数の前記リードの先端で囲まれた領域に前記半導体素子を搭載する工程と、
前記半導体素子が搭載された前記半導体装置用リードフレームを、前記外部端子の端子面を露出させるように樹脂部材で封止する工程と、
前記樹脂部材で封止された前記半導体装置用リードフレームの前記接続バーをダイシング切断する工程と
を含むことを特徴とする樹脂封止型半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、樹脂封止型半導体装置と、これに用いる半導体装置用のリードフレームに関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、半導体装置は、高集積化や小型化技術の進歩、電子機器の高性能化と軽薄短小化の傾向から、ＬＳＩのＡＳＩＣ(Application Specific Integrated Circuit)に代表されるように、ますます高集積化、高機能化が進んできている。このように高集積化、高機能化された半導体装置においては、外部端子（ピン）の総和の増加や更なる多端子（ピン）化が要請されている。
半導体装置における高集積化および小型化を可能とするパッケージ構造として、例えば、樹脂封止型の半導体装置が開発されてきた。樹脂封止型半導体装置のうち、四方向端子のものについては、ＱＦＪ（Quad Flat J-leaded）からＴＱＦＰ（Thin Quad Flat Package）へ開発が進み、実装面積を更に小さくするために、リードが樹脂封止体の側面から横方向に延びている端子に代えて、樹脂封止体の下面に端子を露出させたＱＦＮ（Quad Flat Non-leaded package）等の表面実装型パッケージが開発されている。さらに、ＱＦＮの多端子（ピン）化として、ダイパッドの周囲に、長さの異なるリードを交互に（千鳥状に２列）配置することにより多数のリードの配置を可能とし、かつ、ワイヤのループ高さを変えて接続するＤＲ−ＱＦＮ（Dual Raw Quad Flat Non-leaded package）が開発されている（特許文献１）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００６−１９７６７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
上記のＤＲ−ＱＦＮでは、例えば、パッケージ寸法が１２ｍｍ角で１４０ピン程度の端子数を有することが可能となり、ＬＳＩ用の樹脂封止型半導体装置に使用されてきた。しかしながら、近年、ＬＳＩの更なる多機能化が進み、より多くの端子を備えた樹脂封止型半導体装置が要望されている。
また、樹脂封止型半導体装置において、平面側への端子数増加は、基板平面方向に搭載されたＩＣへ信号を送ることが前提となっていたが、近年、表裏面に外部端子を設けた半導体装置を厚み方向に積層することにより、一度に伝送する信号で、複数のＩＣを機能させることができるようなってきた。このような厚み方向に積層するＰｏＰ（Package on Package）の薄型化、多ピン化が進めば、汎用半導体パッケージとして使用拡大が期待されている。
本発明は、上述のような実情に鑑みてなされたものであり、薄型化、多ピン化への対応が可能で信頼性が高い樹脂封止型半導体装置と、このような樹脂封止型半導体装置を可能とする半導体装置用リードフレームを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
このような目的を達成するために、本発明の半導体装置用リードフレームは、表面および裏面からそれぞれ突出する外部端子を有するリードと、複数の前記リードを支持する接続バーと、を備え、半導体素子と接続される内部端子面が前記リードの表面または裏面に位置し、前記リードの長手方向における前記外部端子が存在する位置は、隣接するリード間で異なるような構成とした。
【０００６】
本発明の他の態様として、前記リードの表面から突出する外部端子と裏面から突出する外部端子とが、リードの長手方向において同じ位置に存在し、前記内部端子面は前記外部端子よりもリードの先端寄りに位置するような構成とした。
本発明の他の態様として、前記リードの表面から突出する外部端子と裏面から突出する外部端子とが、リードの長手方向において異なる位置に存在し、前記内部端子面が位置する前記リード面において、内部端子面は外部端子よりもリードの先端寄りに位置するような構成とした。
本発明の他の態様として、前記リードの表面から突出する外部端子の端子面を含む面と、前記リードの裏面から突出する外部端子の端子面を含む面との距離で規定されるリードの厚みＴは０．１０〜０．２５ｍｍの範囲にあり、外部端子の存在しない部位のリードの厚みｔは前記厚みＴの５０〜７５％の範囲であるような構成とした。
本発明の他の態様として、半導体装置用リードフレームを構成する素材の引っ張り強さは７２５ＭＰａ以上であるような構成とした。
【０００７】
本発明の樹脂封止型半導体装置は、半導体素子と、該半導体素子の周囲に位置する複数のリードと、該リードの内部端子面と前記半導体素子とを接続する接続部材と、前記半導体素子、前記リード、前記接続部材を封止する樹脂部材と、を備え、前記リードは表面および裏面からそれぞれ突出する外部端子を有し、前記内部端子面は前記リードの表面または裏面に位置し、前記リードの長手方向における前記外部端子が存在する位置は、隣接するリード間で異なり、前記外部端子の端子面は前記樹脂部材から露出しているような構成とした。
【０００８】
本発明の他の態様として、前記リードの表面から突出する外部端子と裏面から突出する外部端子とが、リードの長手方向において同じ位置に存在し、前記内部端子面は前記外部端子よりも前記半導体素子寄りに位置するような構成とした。
本発明の他の態様として、前記リードの表面から突出する外部端子と裏面から突出する外部端子とが、リードの長手方向において異なる位置に存在し、前記内部端子面が位置する前記リード面において、内部端子面は外部端子よりも前記半導体素子寄りに位置するような構成とした。
本発明の他の態様として、前記リードの表面から突出する外部端子の端子面を含む面と、前記リードの裏面から突出する外部端子の端子面を含む面との距離で規定されるリードの厚みＴは０．１０〜０．２５ｍｍの範囲にあり、外部端子の存在しない部位のリードの厚みｔは前記厚みＴの５０〜７５％の範囲であるような構成とした。
【発明の効果】
【０００９】
本発明の半導体装置用リードフレームは、表裏面に外部端子を設けた樹脂封止型半導体装置の作製が可能であるとともに、樹脂封止型半導体装置の薄型化、多ピン化が可能である。
本発明の樹脂封止型半導体装置は、ＰｏＰ（Package on Package）における薄型化、多ピン化を可能とする。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】図１は、本発明の半導体装置用リードフレームの一実施形態を示す平面図である。
【図２】図２は、図１に示される半導体装置用リードフレームのＩ−Ｉ線における部分断面図である。
【図３】図３は、図１に示される半導体装置用リードフレームのII−II線における部分断面図である。
【図４】図４は、図１に示される半導体装置用リードフレームのリードを説明するための部分斜視図である。
【図５】図５は、本発明の半導体装置用リードフレームの他の実施形態を示す平面図である。
【図６】図６は、図５に示される半導体装置用リードフレームのIII−III線における部分断面図である。
【図７】図７は、図５に示される半導体装置用リードフレームのIV−IV線における部分断面図である。
【図８】図８は、図５に示される半導体装置用リードフレームのリードを説明するための部分斜視図である。
【図９】図９は、本発明の半導体装置用リードフレームの製造例を示す工程図である。
【図１０】図１０は、本発明の樹脂封止型半導体装置の一実施形態の一方の面を示す平面図である。
【図１１】図１１は、本発明の樹脂封止型半導体装置の一実施形態の他方の面を示す平面図である。
【図１２】図１２は、図１０、図１１に示される樹脂封止型半導体装置のＶ−Ｖ線における概略断面図である。
【図１３】図１３は、図１０、図１１に示される樹脂封止型半導体装置のVI−VI線における概略断面図である。
【図１４】図１４は、２個の樹脂封止型半導体装置を厚み方向に積層した状態を示す概略断面図であり、図１４（Ａ）は図１０、図１１に示される樹脂封止型半導体装置のＶ−Ｖ線における概略断面図、図１４（Ｂ）は図１０、図１１に示される樹脂封止型半導体装置のVI−VI線における概略断面図に対応する。
【図１５】図１５は、本発明の樹脂封止型半導体装置の他の実施形態の一方の面を示す平面図である。
【図１６】図１６は、本発明の樹脂封止型半導体装置の他の実施形態の他方の面を示す平面図である。
【図１７】図１７は、図１５、図１６に示される樹脂封止型半導体装置のVII−VII線における概略断面図である。
【図１８】図１８は、図１５、図１６に示される樹脂封止型半導体装置のVIII−VIII線における概略断面図である。
【図１９】図１９は、２個の樹脂封止型半導体装置を厚み方向に積層した状態を示す概略断面図であり、図１９（Ａ）は図１５、図１６に示される樹脂封止型半導体装置のVII−VII線における概略断面図、図１９（Ｂ）は図１５、図１６に示される樹脂封止型半導体装置のVIII−VIII線における概略断面図に対応する。
【図２０】図２０は、本発明の樹脂封止型半導体装置の他の実施形態の一方の面を示す平面図である。
【図２１】図２１は、本発明の樹脂封止型半導体装置の他の実施形態の他方の面を示す平面図である。
【図２２】図２２は、図２０、図２１に示される樹脂封止型半導体装置のIX−IX線における概略断面図である。
【図２３】図２３は、図２０、図２１に示される樹脂封止型半導体装置のＸ−Ｘ線における概略断面図である。
【図２４】図２４は、２個の樹脂封止型半導体装置を厚み方向に積層した状態を示す概略断面図であり、図２４（Ａ）は図２０、図２１に示される樹脂封止型半導体装置のIX−IX線における概略断面図、図２４（Ｂ）は図２０、図２１に示される樹脂封止型半導体装置のＸ−Ｘ線における概略断面図に対応する。
【図２５】図２５は、本発明の樹脂封止型半導体装置の他の実施形態の一方の面を示す平面図である。
【図２６】図２６は、本発明の樹脂封止型半導体装置の他の実施形態の他方の面を示す平面図である。
【図２７】図２７は、図２５、図２６に示される樹脂封止型半導体装置のXI−XI線における概略断面図である。
【図２８】図２８は、図２５、図２６に示される樹脂封止型半導体装置のXII−XII線における概略断面図である。
【図２９】図２９は、２個の樹脂封止型半導体装置を厚み方向に積層した状態を示す概略断面図であり、図２９（Ａ）は図２５、図２６に示される樹脂封止型半導体装置のXI−XI線における概略断面図、図２９（Ｂ）は図２５、図２６に示される樹脂封止型半導体装置のXII−XII線における概略断面図に対応する。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
以下、本発明の実施の形態について図面を参照して説明する。
尚、図面は模式的または概念的なものであり、各部材の寸法、部材間の大きさの比等は、必ずしも現実のものと同一とは限らず、また、同じ部材等を表す場合であっても、図面により互いの寸法や比が異なって表される場合もある。
【００１２】
［半導体装置用リードフレーム］
（リードフレームの第１の実施形態）
図１は本発明の半導体装置用リードフレームの一実施形態を示す平面図であり、図２は図１に示される半導体装置用リードフレームのＩ−Ｉ線における部分断面図であり、図３は図１に示される半導体装置用リードフレームのII−II線における部分断面図であり、図４は、図１に示される半導体装置用リードフレームのリードを説明するための部分斜視図である。
図１〜図４において、本発明の半導体装置用リードフレーム１１は、外枠部材１２と、複数のリード１３と、リードを支持する接続バー１７と、を備えている。
リード１３は、接続バー１７により支持される部位よりも先端側において、表面１３ａから突出する外部端子１４と、裏面１３ｂから突出する外部端子１５を有している。また、リード１３は、表面１３ａまたは裏面１３ｂに半導体素子と接続するための内部端子面１６を有しており、図示例では、表面１３ａに内部端子面１６を有している。尚、図１では、外部端子１４に斜線を付して示している。
【００１３】
図示例では、半導体装置用リードフレーム１１は、多面付けであり、１個の面付け領域をＡとして示している。各面付け領域Ａは矩形であり、この矩形の四辺となるように接続バー１７が位置している。そして、各面付け領域Ａにおいて、四辺の各接続バー１７からリード１３が突設され、複数のリード１３と接続バー１７とは略一平面をなし、複数のリード１３の先端１３ｃで囲まれた領域１８が各面付け領域Ａの略中央に位置している。
このようなリード１３の長手方向、すなわち接続バー１７からの突出方向における外部端子１４，１５が存在する位置は、図１および図４に示されるように、隣接するリード間で異なっている。そして、図示例では、外部端子１４に着目すると、接続バー１７の長手方向に沿って外部端子１４が互い違いに、所謂千鳥状に配置されている。また、外部端子１５も、接続バー１７の長手方向に沿って互い違いに、千鳥状に配置されている。尚、本明細書において、隣接するリードとは、矩形の四辺をなす接続バーの中で同じ接続バーから突設されているリード間で隣接することを意味する。尚、図４では、外部端子１４，１５を示すために、便宜的に隣接するリードを離間させた状態で示している。
【００１４】
図示例では、個々のリード１３において、表面１３ａから突出する外部端子１４と、裏面１３ｂから突出する外部端子１５とが、リードの長手方向において同じ位置に存在している。このため、千鳥状に配置された外部端子１４の位置と、千鳥状に配置された外部端子１５の位置とが、リード１３の表裏で一致したものとなっている。
また、リード１３の表面１３ａに位置する内部端子面１６は、同じリード１３の表面１３ａから突出する外部端子１４よりもリードの先端１３ｃ寄りに位置している。
【００１５】
（リードフレームの第２の実施形態）
図５は本発明の半導体装置用リードフレームの他の実施形態を示す平面図であり、図６は図５に示される半導体装置用リードフレームのIII−III線における部分断面図であり、図７は図５に示される半導体装置用リードフレームのIV−IV線における部分断面図であり、図８は、図５に示される半導体装置用リードフレームのリードを説明するための部分斜視図である。
図５〜図８において、本発明の半導体装置用リードフレーム２１は、外枠部材２２と、複数のリード２３と、リードを支持する接続バー２７と、を備えている。
リード２３は、接続バー２７により支持される部位よりも先端側において、表面２３ａから突出する外部端子２４と、裏面２３ｂから突出する外部端子２５を有している。また、リード２３は、表面２３ａまたは裏面２３ｂに半導体素子と接続するための内部端子面２６を有しており、図示例では、表面２３ａに内部端子面２６を有している。尚、図５では、外部端子２４に実線の斜線を付し、外部端子２５には鎖線の斜線を付して示している。
【００１６】
この例においても、半導体装置用リードフレーム２１は、多面付けであり、１個の面付け領域をＡとして示している。各面付け領域Ａは矩形であり、この矩形の四辺となるように接続バー２７が位置している。そして、各面付け領域Ａにおいて、四辺の各接続バー２７からリード２３が突設され、複数のリード２３と接続バー２７とは略一平面をなし、複数のリード２３の先端２３ｃで囲まれた領域２８が各面付け領域Ａの略中央に位置している。
このようなリード２３の長手方向、すなわち接続バー２７からの突出方向における外部端子２４，２５が存在する位置は、図５および図８に示されるように、隣接するリード間で異なっている。そして、外部端子２４に着目すると、接続バー２７の長手方向に沿って外部端子２４が互い違いに、千鳥状に配置されており、また、外部端子２５も、接続バー２７の長手方向に沿って互い違いに、千鳥状に配置されている。尚、図８では、外部端子２４，２５を示すために、便宜的に隣接するリードを離間させた状態で示している。
【００１７】
また、この例では、個々のリード２３において、表面２３ａから突出する外部端子２４と、裏面２３ｂから突出する外部端子２５とが、リードの長手方向において異なる位置に存在している。したがって、千鳥状に配置された外部端子２４の位置と、千鳥状に配置された外部端子２５の位置は、リード２３の表裏で一致しないものとなっている。
また、リード２３の表面２３ａに位置する内部端子面２６は、同じリード２３の表面２３ａから突出する外部端子２４よりもリードの先端２３ｃ寄りに位置している。また、図示例では、隣接するリード２３の一方のリード２３では、表面２３ａに位置する内部端子面２６と、裏面２３ｂに位置する外部端子２５が、リード２３の長手方向において同じ位置に存在している。
半導体装置用リードフレーム１１，２１を構成するリード１３，２３の表面１３ａ，２３ａから突出する外部端子１４，２４の端子面１４ａ，２４ａを含む面と、リード１３，２３の裏面１３ｂ，２３ｂから突出する外部端子１５，２５の端子面１５ａ，２５ａを含む面との距離で規定されるリードの厚みＴは０．１０〜０．２５ｍｍの範囲にあることが好ましい。尚、図示例では、この厚みＴは、外枠部材１２，２２の厚みと同じである。また、外部端子１４，１５、外部端子２４，２５が存在しない部位のリード１３，２３の厚みｔは、上記の厚みＴの５０〜７５％の範囲にあることが好ましい。
【００１８】
ここで、図４、図８に示されるように、本発明の半導体装置用リードフレーム１１，２１を構成する接続バー１７，２７は、外部端子１４，１５、外部端子２４，２５が存在しない部位のリード１３，２３と同じ厚みｔである。これは、後述するように、基材２０が両面からエッチング処理を施され、これによりハーフエッチングされた接続バー１７，２７と、リード１３，２３が連結した状態で形成されるためである。図示例では、接続バー１７，２７の表面、裏面は、それぞれリード１３，２３の表面１３ａ，２３ａ、裏面１３ｂ，２３ｂと同じ面をなし、接続バー１７，２７の長手方向に直角の断面形状は、長方形となっている。しかし、接続バー１７，２７は、その表面（例えば、リード１３の表面１３ａと連続する面）や裏面（例えば、リード１３の裏面１３ｂと連続する面）に、接続バーの長手方向に沿って連続した突起を備えるものであってもよい。例えば、後述するエッチング処理において、基材２０の表面を直線状に残すことにより、接続バー１７，２７の長手方向に沿って連続した突起を設けることができ、この場合、接続バー１７，２７の長手方向に直角の断面形状は十字形となり、半導体装置用リードフレーム１１，２１の強度を向上させることができる。また、このような直線状の突起を備える接続バー１７，２７は、突起の頂部が端子面１４ａ，１５ａ、端子面２４ａ，２５ａと同一の平面をなす。したがって、後述するように、外部端子１４，１５の端子面１４ａ，１５ａや、外部端子２４，２５の端子面２４ａ，２５ａが露出するように樹脂部材で封止したときに、接続バー１７，２７の表裏に位置する突起の直線状の頂部も露出することとなる。これにより、各々の半導体装置に個片化するためのダイシング切断において、突起の直線状の頂部が目印として機能し、作業をする前の位置出しが容易となる。尚、突起の形状は特に制限されるものではない。
【００１９】
このような半導体装置用リードフレーム１１，２１を構成する素材としては、例えば、銅、ニッケルやシリコンを含有したコルソン合金や、鉄などを含有した銅合金、鉄−ニッケル合金、鉄−ニッケル−クロム合金、鉄−ニッケル−カーボン合金等の導電性素材を挙げることができる。このような素材の中で、特に、引っ張り強さが７２５ＭＰａ以上、好ましくは７２５〜９００ＭＰａの範囲である素材が好適に使用できる。引っ張り強さが７２５ＭＰａ未満であると、リードの厚みＴが０．１０ｍｍであって、リードの厚みｔが厚みＴの５０％、すなわち、５０μｍである場合、リード１３，２３の強度が不十分となり変形を生じ易くなることがあり、好ましくない。半導体装置用リードフレーム１１，２１を構成する素材の引っ張り強さの上限は、上記のように９００ＭＰａが好ましいが、半導体装置用リードフレーム１１，２１に要求される導電性等を考慮して適宜設定することができる。
【００２０】
このような本発明の半導体装置用リードフレームは、リードが表裏面に外部端子を備えているので、表裏面に外部端子を設けた樹脂封止型半導体装置の作製が可能である。また、リードの長手方向における外部端子が存在する位置が、隣接するリード間で異なっているので、外部端子を千鳥状に配置することができ、これにより、リードの間隔を狭めることができ、樹脂封止型半導体装置の薄型化、多ピン化が可能である。
上述の半導体装置用リードフレームの実施形態は例示であり、本発明はこれらの実施形態に限定されるものではない。
【００２１】
次に、本発明の半導体装置用リードフレームの製造例を、上記の半導体装置用リードフレーム２１を例として説明する。
図９は、本発明の半導体装置用リードフレームの製造例を示す工程図であり、上述の半導体装置用リードフレーム２１の製造を例としたものである。この図９は、図５に示される半導体装置用リードフレームのIV−IV線における部分断面図である図７に相当するものである。
図９において、リードフレーム用の基材２０の表面２０ａにレジストパターン３１ａを形成し、基材２０の裏面２０ｂにレジストパターン３１ｂを形成する（図９（Ａ））。尚、図示例では、多面付けの１個の面付け領域をＡとして示している。
基材２０は、銅、ニッケルやシリコンを含有したコルソン合金や、鉄などを含有した銅合金、鉄−ニッケル合金、鉄−ニッケル−クロム合金、鉄−ニッケル−カーボン合金等の導電性基材を使用し、厚みは０．１０〜０．２５ｍｍの範囲で適宜設定することができる。このような基材２０に対して、予め脱脂処理、洗浄処理等を施すことが好ましい。
【００２２】
レジストパターン３１ａ，３１ｂは、感光性レジストを塗布、乾燥し、あるいは、感光性レジストフィルムをラミネートし、所望のフォトマスクを介して露光した後、現像することにより形成することができる。使用する感光性レジストは、形成したレジストパターン３１ａ，３１ｂが基材２０のエッチングにおいてエッチングマスクとして機能するように、公知の感光性レジストから適宜選択することができる。
次に、レジストパターン３１ａ，３１ｂをエッチングマスクとして、エッチング液を用いて基材２０の両面からエッチング処理を施し、外枠部材２２、リード２３、外部端子２４，２５を形成する（図９（Ｂ））。エッチング処理に用いるエッチング液は、基材２０の材質に応じて適宜選択することができ、例えば、基材２０として銅基材を使用する場合、一般に塩化第二鉄水溶液または塩化銅水溶液をエッチング液として用いることができる。このようなエッチング処理は、リード２３の厚みが所望の厚みとなった時点で停止する。リード２３の厚みは、例えば、基材２０の厚みの５０〜７５％の範囲で適宜設定することができる。
【００２３】
次いで、エッチング処理を施した基材２０からレジストパターン３１ａ，３１ｂを除去した後、リード２３の不要領域が露出するようにエッチングバリア層３５を形成する（図９（Ｃ））。エッチングバリア層３５は、上述の感光性レジストと同様の感光性レジストを用いて形成することができる。
次に、エッチングバリア層３５をエッチングマスクとして、エッチング液を用いて露出しているリード２３をエッチングして除去し、その後、エッチングバリア層３５を除去することにより、半導体装置用リードフレーム２１が得られる（図９（Ｄ））。使用するエッチング液は、上記のレジストパターン３１ａ，３１ｂをエッチングマスクとした基材２０のエッチング処理で用いたエッチング液を用いることができる。このエッチングでは、露出しているリード２３の両面からエッチングすることが好ましいが、一方の面からのエッチングであってもよい。
上述の半導体装置用リードフレームの製造例は一例であり、このような製造方法に限定されるものではない。
【００２４】
［樹脂封止型半導体装置］
（樹脂封止型半導体装置の第１の実施形態）
図１０は本発明の樹脂封止型半導体装置の一実施形態の一方の面を示す平面図であり、図１１は他方の面を示す平面図であり、図１２は図１０、図１１に示される樹脂封止型半導体装置のＶ−Ｖ線における概略断面図、図１３は図１０、図１１に示される樹脂封止型半導体装置のVI−VI線における概略断面図である。
図１０〜図１３において、本発明の樹脂封止型半導体装置５１は、表面５３ａが略一平面をなすように配置された複数のリード５３を備え、このリード５３の表面５３ａに設定された内部端子面５６と接続部材６３を介して接続するように搭載されている半導体素子６１を、リード５３の配列の略中央に備えている。各リード５３は、表面５３ａから突出する外部端子５４と、裏面５３ｂから突出する外部端子５５を有している。そして、複数のリード５３、半導体素子６１、接続部材６３が樹脂部材６５で封止され、各リード５３が有する外部端子５４，５５の端子面５４ａ，５５ａは樹脂部材６５から露出している。尚、図１０、図１１では、半導体素子６１を一点鎖線で示している。
【００２５】
図示例では、個々のリード５３の長手方向（図１２、図１３に矢印ａで示される方向）における外部端子５４，５５が存在する位置は、隣接するリード間で異なっている。このため、外部端子５４，５５は、樹脂封止型半導体装置５１の側壁面に沿って互い違いに、所謂千鳥状に配置されており、したがって、樹脂部材６５から露出している外部端子５４，５５の端子面５４ａ，５５ａは、千鳥状となっている。また、個々のリード５３において、表面５３ａから突出する外部端子５４と、裏面５３ｂから突出する外部端子５５とが、リード５３の長手方向において同じ位置に存在している。このため、千鳥状に配置された外部端子面５４ａの位置と外部端子面５５ａの位置とが、樹脂封止型半導体装置５１の表裏で一致したものとなっている。
また、図示例では、内部端子面５６は、各リード５３の装置内部方向の先端寄りの表面５３ａに設定されている。
【００２６】
樹脂封止型半導体装置５１を構成するリード５３は、表面５３ａから突出する外部端子５４の端子面５４ａと、裏面５３ｂから突出する外部端子５５の端子面５５ａとで規定される厚みＴが０．１０〜０．２５ｍｍの範囲にあることが好ましい。また、外部端子５４，５５が存在しない部位のリード５３の厚みｔは、上記の厚みＴの５０〜７５％の範囲にあることが好ましい。このようなリード５３を構成する素材としては、銅、ニッケルやシリコンを含有したコルソン合金や、鉄などを含有した銅合金、鉄−ニッケル合金、鉄−ニッケル−クロム合金、鉄−ニッケル−カーボン合金等の導電性基材を挙げることができる。
樹脂封止型半導体装置５１を構成する半導体素子６１は、特に制限はないが、複数のリード５３の内部端子面５６に、接続部材６３を介して接続するように搭載された状態で、半導体素子６１の表面６１ａが、リード５３が有する外部端子５４の端子面５４ａよりも低く、樹脂部材６５で封止可能な厚みを有するものである。尚、半導体素子６１の表面６１ａが樹脂封止型半導体装置５１から露出してもよい場合には、半導体素子６１の厚みは、その表面６１ａが外部端子５４の端子面５４ａと同一平面をなすような厚みであってもよい。
リード５３の内部端子面５６と半導体素子６１とを接続する接続部材６３は、従来からフリップチップ接続に用いられている金属、導電性樹脂を用いることができ、特に制限はない。また、樹脂部材７５は、従来から樹脂封止型半導体装置に用いられている電気絶縁性の樹脂材料を用いることができ、特に制限はない。
【００２７】
このような樹脂封止型半導体装置５１は、外部端子５４，５５が千鳥状に配置されているので、多数のリードの配置が可能である。そして、図１４に示されるような樹脂封止型半導体装置５１を厚み方向に積層するＰｏＰ（Package on Package）において、薄型化、多ピン化が可能である。樹脂封止型半導体装置５１を厚み方向に積層するＰｏＰでは、表裏を逆にして、すなわち、積層する樹脂封止型半導体装置５１の外部端子５４の端子面５４ａ同士、あるいは、外部端子５５の端子面５５ａ同士を接続するようにして積層してもよい。尚、図１４（Ａ）は、２個の樹脂封止型半導体装置５１を厚み方向に積層した状態を、図１０、図１１に示される樹脂封止型半導体装置のＶ−Ｖ線における概略断面図で示したものであり、図１４（Ｂ）は、２個の樹脂封止型半導体装置５１を厚み方向に積層した状態を、図１０、図１１に示される樹脂封止型半導体装置のVI−VI線における概略断面図で示したものである。
【００２８】
尚、このような樹脂封止型半導体装置５１は、例えば、上述の本発明の半導体装置用リードフレーム１１を使用して、以下のように製造することができる。まず、半導体装置用リードフレーム１１のリード１３（５３）の表面１３ａ（５３ａ）に設定された内部端子面１６（５６）と半導体素子６１の端子とを接続部材６３を用いたフリップチップ接続により接続して、複数のリード１３（５３）の先端１３ｃで囲まれた領域１８を覆うように半導体素子６１を搭載する。その後、半導体装置用リードフレーム１１を上金型と下金型で押さえて、半導体装置用リードフレーム１１の外部端子１４，１５（５４，５５）の端子面１４ａ，１５ａ（５４ａ，５５ａ）が露出するように樹脂部材６５で封止する。この際、リード１３（５３）の表面１３ａ（５３ａ）側の所望の部位には、事前に樹脂部材６５が配設されていてもよい。このような事前の樹脂部材６５の配設では、半導体装置用リードフレーム１１の外部端子１４の端子面１４ａ（５４ａ）が樹脂部材６５で被覆されないように、樹脂封止用ポリイミドテープを貼付してもよい。この樹脂封止用ポリイミドテープは、公知のものを使用することができる。そして、各々の半導体装置に個片化するために、半導体装置用リードフレーム１１の接続バー１７を円形のブレードによってダイシング切断することにより、樹脂封止型半導体装置５１が得られる。
【００２９】
（樹脂封止型半導体装置の第２の実施形態）
図１５は本発明の樹脂封止型半導体装置の他の実施形態の一方の面を示す平面図であり、図１６は他方の面を示す平面図であり、図１７は図１５、図１６に示される樹脂封止型半導体装置のVII−VII線における概略断面図であり、図１８は図１５、図１６に示される樹脂封止型半導体装置のVIII−VIII線における概略断面図である。
図１５〜図１８において、本発明の樹脂封止型半導体装置７１は、表面７３ａが略一平面をなすように配置された複数のリード７３を備え、このリード７３の表面７３ａに設定された内部端子面７６と接続部材８３を介して接続するように搭載されている半導体素子８１を、リード７３の配列の略中央に備えている。各リード７３は、表面７３ａから突出する外部端子７４と、裏面７３ｂから突出する外部端子７５を有している。そして、複数のリード７３、半導体素子８１、接続部材８３が樹脂部材８５で封止され、各リード７３が有する外部端子７４，７５の端子面７４ａ，７５ａは樹脂部材８５から露出している。尚、図１５、図１６では、半導体素子８１を一点鎖線で示している。
【００３０】
図示例では、個々のリード７３の長手方向（図１７、図１８に矢印ａで示される方向）における外部端子７４，７５が存在する位置は、隣接するリード間で異なっている。このため、外部端子７４，７５は、樹脂封止型半導体装置７１の側壁面に沿って互い違いに、所謂千鳥状に配置されており、したがって、樹脂部材８５から露出している外部端子７４，７５の端子面７４ａ，７５ａは、千鳥状となっている。また、個々のリード７３において、表面７３ａから突出する外部端子７４と、裏面７３ｂから突出する外部端子７５とが、リード７３の長手方向において異なる位置に存在している。このため、千鳥状に配置された外部端子面７４ａの位置と外部端子面７５ａの位置とが、樹脂封止型半導体装置７１の表裏で異なるものとなっている。
また、図示例では、内部端子面７６は、各リード７３の装置内部方向の先端寄りの表面７３ａに設定されている。
【００３１】
樹脂封止型半導体装置７１を構成するリード７３は、表面７３ａから突出する外部端子７４の端子面７４ａと、裏面７３ｂから突出する外部端子７５の端子面７５ａとで規定される厚みＴが０．１０〜０．２５ｍｍの範囲にあることが好ましい。また、外部端子７４，７５が存在しない部位のリード７３の厚みｔは、上記の厚みＴの５０〜７５％の範囲内で適宜設定することが好ましい。このようなリード７３を構成する素材は、上記の樹脂封止型半導体装置５１を構成するリード５３と同様とすることができる。
【００３２】
また、樹脂封止型半導体装置７１を構成する半導体素子８１は、特に制限はないが、複数のリード７３の内部端子面７６に、接続部材８３を介して接続するように搭載された状態で、半導体素子８１の表面８１ａが、リード７３が有する外部端子７４の端子面７４ａよりも低く、樹脂部材８５で封止可能な厚みを有するものである。尚、半導体素子８１の表面８１ａが樹脂封止型半導体装置７１から露出してもよい場合には、半導体素子８１の厚みは、その表面８１ａが外部端子７４の端子面７４ａと同一平面をなすような厚みであってもよい。
リード７３の内部端子面７６と半導体素子８１とを接続する接続部材８３、および、樹脂部材８５は、上記の樹脂封止型半導体装置５１を構成する接続部材６３、樹脂部材６５と同様とすることができる。
【００３３】
このような樹脂封止型半導体装置７１は、外部端子７４，７５が千鳥状に配置されているので、多数のリードの配置が可能である。そして、図１９に示されるような樹脂封止型半導体装置７１を厚み方向に、表裏を逆にして、すなわち、積層する樹脂封止型半導体装置７１の外部端子７５の端子面７５ａ同士を接続するようにして積層するＰｏＰにおいて、薄型化、多ピン化が可能である。樹脂封止型半導体装置７１の表裏を逆にした積層では、外部端子７４の端子面７４ａ同士を接続してもよい。尚、図１９（Ａ）は、２個の樹脂封止型半導体装置７１を厚み方向に積層した状態を、図１５、図１６に示される樹脂封止型半導体装置のVII−VII線における概略断面図で示したものであり、図１９（Ｂ）は、２個の樹脂封止型半導体装置７１を厚み方向に積層した状態を、図１５、図１６に示される樹脂封止型半導体装置のVIII−VIII線における概略断面図で示したものである。
このような樹脂封止型半導体装置７１も、例えば、上述の本発明の半導体装置用リードフレーム２１を使用し、上述の樹脂封止型半導体装置５１と同様にして製造することができる。
【００３４】
（樹脂封止型半導体装置の第３の実施形態）
図２０は本発明の樹脂封止型半導体装置の他の実施形態の一方の面を示す平面図であり、図２１は他方の面を示す平面図であり、図２２は図２０、図２１に示される樹脂封止型半導体装置のIX−IX線における概略断面図であり、図２３は図２０、図２１に示される樹脂封止型半導体装置のＸ−Ｘ線における概略断面図である。
【００３５】
図２０〜図２３において、本発明の樹脂封止型半導体装置１０１は、表面１０３ａが略一平面をなすように配置された複数のリード１０３を備え、このリード１０３の裏面１０３ｂに設定された内部端子面１０６とワイヤである接続部材１１３を介して接続された半導体素子１１１を、リード１０３の配列の略中央に備えている。各リード１０３は、表面１０３ａから突出する外部端子１０４と、裏面１０３ｂから突出する外部端子１０５を有している。そして、複数のリード１０３、半導体素子１１１、接続部材１１３が樹脂部材１１５で封止され、各リード１０３が有する外部端子１０４，１０５の端子面１０４ａ，１０５ａは樹脂部材１１５から露出している。尚、図２１では、半導体素子１１１を一点鎖線で示している。
図示例では、個々のリード１０３の長手方向（図２２、図２３に矢印ａで示される方向）における外部端子１０４，１０５が存在する位置は、隣接するリード間で異なっている。このため、外部端子１０４，１０５は、樹脂封止型半導体装置１０１の側壁面に沿って互い違いに、千鳥状に配置されており、したがって、樹脂部材１１５から露出している外部端子１０４，１０５の端子面１０４ａ，１０５ａは、千鳥状となっている。また、個々のリード１０３において、表面１０３ａから突出する外部端子１０４と、裏面１０３ｂから突出する外部端子１０５とが、リード１０３の長手方向において同じ位置に存在している。このため、千鳥状に配置された外部端子面１０４ａの位置と外部端子面１０５ａの位置とが、樹脂封止型半導体装置１０１の表裏で一致したものとなっている。
【００３６】
また、図示例では、内部端子面１０６は、各リード１０３の装置内部方向の先端寄りの裏面１０３ｂに設定されている。
樹脂封止型半導体装置１０１を構成するリード１０３は、表面１０３ａから突出する外部端子１０４の端子面１０４ａと、裏面１０３ｂから突出する外部端子１０５の端子面１０５ａとで規定される厚みＴが０．１０〜０．２５ｍｍの範囲にあることが好ましい。また、外部端子１０４，１０５が存在しない部位のリード１０３の厚みｔは、上記の厚みＴの５０〜７５％の範囲にあることが好ましい。このようなリード１０３を構成する素材は、上記の樹脂封止型半導体装置５１を構成するリード５３と同様とすることができる。
【００３７】
リード１０３の内部端子面１０６と半導体素子１１１を接続する接続部材１１３はワイヤである。樹脂封止型半導体装置１０１を構成する半導体素子１１１は特に制限はないが、ワイヤ１１３により複数のリード１０３の内部端子面１０６に接続された状態で、半導体素子１１１の表面１１１ａが、リード１０３が有する外部端子１０４の端子面１０４ａと同一平面をなすことが可能な厚みを有するものである。
樹脂封止型半導体装置１０１を構成する樹脂部材１１５は、上記の樹脂封止型半導体装置５１を構成する樹脂部材６５と同様とすることができる。
このような樹脂封止型半導体装置１０１は、外部端子１０４，１０５が千鳥状に配置されているので、多数のリードの配置が可能である。そして、図２４に示されるような樹脂封止型半導体装置１０１を厚み方向に積層するＰｏＰにおいて、薄型化、多ピン化が可能である。樹脂封止型半導体装置１０１を厚み方向に積層するＰｏＰでは、表裏を逆にして、すなわち、積層する樹脂封止型半導体装置１０１の外部端子１０４の端子面１０４ａ同士、あるいは、外部端子１０５の端子面１０５ａ同士を接続するようにして積層してもよい。尚、図２４（Ａ）は、２個の樹脂封止型半導体装置１０１を厚み方向に積層した状態を、図２０、図２１に示される樹脂封止型半導体装置のIX−IX線における概略断面図で示したものであり、図２４（Ｂ）は、２個の樹脂封止型半導体装置１０１を厚み方向に積層した状態を、図２０、図２１に示される樹脂封止型半導体装置のＸ−Ｘ線における概略断面図で示したものである。
【００３８】
上述の樹脂封止型半導体装置１０１は、例えば、上述の本発明の半導体装置用リードフレーム１１を使用して以下のように製造することができる。まず、半導体装置用リードフレーム１１を、リード１３（１０３）の裏面１３ｂ（１０３ｂ）を上にして平盤形状の下金型上に載置し、この半導体装置用リードフレーム１１を構成する複数のリード１３（１０３）の先端１３ｃで囲まれた領域１８に半導体素子１１１を載置する。この半導体素子１１１の端子とリード１３（１０３）の裏面１３ｂ（１０３ｂ）に設定された内部端子面１６（１０６）とをワイヤ１１３で接続する。その後、半導体装置用リードフレーム１１を上金型で押さえて、半導体装置用リードフレーム１１の外部端子１５（１０５）の端子面１５ａ（１０５ａ）が露出するように樹脂部材１１５で封止する。この際、リード１３（１０３）の表面１３ａ（１０３ａ）側の所望の部位には、事前に樹脂部材１１５が配設されていてもよい。このような事前の樹脂部材１１５の配設では、半導体装置用リードフレーム１１の外部端子１４（１０４）の端子面１４ａ（１０４ａ）が樹脂部材１１５で被覆されないように、樹脂封止用ポリイミドテープを貼付してもよい。この樹脂封止用ポリイミドテープは、公知のものを使用することができる。そして、各々の半導体装置に個片化するために、半導体装置用リードフレーム１１の接続バー１７を円形のブレードによってダイシング切断することにより、樹脂封止型半導体装置１０１が得られる。
【００３９】
（樹脂封止型半導体装置の第４の実施形態）
図２５は本発明の樹脂封止型半導体装置の他の実施形態の一方の面を示す平面図であり、図２６は他方の面を示す平面図であり、図２７は図２５、図２６に示される樹脂封止型半導体装置のXI−XI線における概略断面図であり、図２８は図２５、図２６に示される樹脂封止型半導体装置のXII−XII線における概略断面図である。
図２５〜図２８において、本発明の樹脂封止型半導体装置１２１は、表面１２３ａが略一平面をなすように配置された複数のリード１２３を備え、このリード１２３の裏面１２３ｂに設定された内部端子面１２６とワイヤである接続部材１３３を介して接続された半導体素子１３１を、リード１２３の配列の略中央に備えている。各リード１２３は、表面１２３ａから突出する外部端子１２４と、裏面１２３ｂから突出する外部端子１２５を有している。そして、複数のリード１２３、半導体素子１３１、接続部材１３３が樹脂部材１３５で封止され、各リード１２３が有する外部端子１２４，１２５の端子面１２４ａ，１２５ａは樹脂部材１３５から露出している。尚、図２６では、半導体素子１３１を一点鎖線で示している。
【００４０】
図示例では、個々のリード１２３の長手方向（図２７、図２８に矢印ａで示される方向）における外部端子１２４，１２５が存在する位置は、隣接するリード間で異なっている。このため、外部端子１２４，１２５は、樹脂封止型半導体装置１２１の側壁面に沿って互い違いに、千鳥状に配置されており、したがって、樹脂部材１３５から露出している外部端子１２４，１２５の端子面１２４ａ，１２５ａは、千鳥状となっている。また、個々のリード１２３において、表面１２３ａから突出する外部端子１２４と、裏面１２３ｂから突出する外部端子１２５とが、リード１２３の長手方向において異なる位置に存在している。このため、千鳥状に配置された外部端子面１２４ａの位置と外部端子面１２５ａの位置とが、樹脂封止型半導体装置１２１の表裏で異なるものとなっている。
また、図示例では、内部端子面１２６は、各リード１２３の装置内部方向の先端寄りの裏面１２３ｂに設定されている。
【００４１】
樹脂封止型半導体装置１２１を構成するリード１２３は、表面１２３ａから突出する外部端子１２４の端子面１２４ａと、裏面１２３ｂから突出する外部端子１２５の端子面１２５ａとで規定される厚みＴが０．１０〜０．２５ｍｍの範囲にあることが好ましい。また、外部端子１２４，１２５が存在しない部位のリード１２３の厚みｔは、上記の厚みＴの５０〜７５％の範囲にあることが好ましい。このようなリード１２３を構成する素材は、上記の樹脂封止型半導体装置５１を構成するリード５３と同様とすることができる。
リード１２３の内部端子面１２６と半導体素子１３１を接続する接続部材１３３はワイヤである。樹脂封止型半導体装置１２１を構成する半導体素子１３１は特に制限はないが、ワイヤ１３３により複数のリード１２３の内部端子面１２６に接続された状態で、半導体素子１３１の表面１３１ａが、リード１２３が有する外部端子１２４の端子面１２４ａと同一平面をなすことが可能な厚みを有するものである。
樹脂封止型半導体装置１２１を構成する樹脂部材１３５は、上記の樹脂封止型半導体装置５１を構成する樹脂部材６５と同様とすることができる。
【００４２】
このような樹脂封止型半導体装置１２１は、外部端子１２４，１２５が千鳥状に配置されているので、多数のリードの配置が可能である。そして、図２９に示されるような樹脂封止型半導体装置１２１を厚み方向に、表裏を逆にして、すなわち、積層する樹脂封止型半導体装置１２１の外部端子１２５の端子面１２５ａ同士を接続するようにして積層するＰｏＰにおいて、薄型化、多ピン化が可能である。樹脂封止型半導体装置１２１の表裏を逆にした積層では、外部端子１２４の端子面１２４ａ同士を接続してもよい。尚、図２９（Ａ）は、２個の樹脂封止型半導体装置１２１を厚み方向に積層した状態を、図２５、図２６に示される樹脂封止型半導体装置のXI−XI線における概略断面図で示したものであり、図２９（Ｂ）は、２個の樹脂封止型半導体装置１２１を厚み方向に積層した状態を、図２５、図２６に示される樹脂封止型半導体装置のXII−XII線における概略断面図で示したものである。
このような樹脂封止型半導体装置１２１は、例えば、上述の本発明の半導体装置用リードフレーム２１を使用し、上述の樹脂封止型半導体装置１０１と同様にして製造することができる。
【００４３】
上述の樹脂封止型半導体装置の実施形態は例示であり、本発明はこれらの実施形態に限定されるものではない。例えば、多面付けの本発明の半導体装置用リードフレーム１１の各面付け領域Ａにおいて半導体素子を搭載した後、各面付け領域Ａにおいてリードの外部端子の表面が露出するように樹脂部材で封止し、次に、外枠部材１２を切り離して、多面付けの樹脂封止型半導体装置としてもよい。
【実施例】
【００４４】
次に、具体的実施例を挙げて本発明を更に詳細に説明する。
［実施例１］
まず、リードフレーム用の基材として、厚み０．２０ｍｍの銅合金板（古河電気工業（株）製  ＥＦＴＥＣ９８Ｓ）を準備し、この基材上に感光性レジストフィルム（旭化成イーマテリアルズ（株）製  ＡＱシリーズ、厚さ０．０３８ｍｍ）をラミネートし、所望のフォトマスクを介して露光し、現像して、基材の両面にレジストパターンを形成した（図９（Ａ）参照）。
【００４５】
次に、レジストパターンをエッチングマスクとして、下記のエッチング条件のスプレーエッチングにより、基材両側からエッチング処理を施し、露出している基材の厚みが０．１０ｍｍとなったところでエッシング処理を停止した。これにより、表裏から外部端子が突出したリード、外枠部材、接続バーを形成した（図９（Ｂ）参照）。
（エッチング条件）
・エッチング液  ：  塩化第二鉄溶液
・比重          ：  ３５ボーメ（Ｂｅ）
・温度          ：  ５５℃
・スプレー圧    ：  ２ｋｇ／ｃｍ2
【００４６】
次いで、エッチング処理を施した基材からレジストパターンを除去し、その後、上記の感光性レジストフィルムをラミネートし、所望のフォトマスクを介して露光し、現像した。これにより、リードの不要領域が露出するようにエッチングバリア層を両面に形成した（図９（Ｃ）参照）。
次に、エッチングバリア層をエッチングマスクとして、上記のエッチング条件のスプレーエッチングにより、基材両側からエッチング処理を施し、露出しているリードを除去した（図９（Ｄ）参照）。その後、エッチングバリア層を除去し、洗浄した。
【００４７】
これにより、図１〜図４に示されるような半導体装置用リードフレームを作製した。この半導体装置用リードフレームは、５６面付けであり、各面付け領域におけるリード数は１４８個であった。個々のリードの表裏から突出する外部端子の存在位置は、リードの長手方向において同じであり、また、隣接するリードを対比したときに、外部端子が存在する位置は、リードの長手方向において５００μｍ相違するものであった。このようなリードから突出する外部端子の高さは５０μｍ、リードの表裏からそれぞれ突出する外部端子の端子面を含む面の距離で規定されるリードの厚みは０．２０ｍｍ、外部端子が存在しない部位のリードの厚みは０．１０ｍｍであった。
【００４８】
［実施例２］
基材の両面に形成するレジストパターンを変更した他は、実施例１と同様にして、図５〜図８に示されるような半導体装置用リードフレームを作製した。
この半導体装置用リードフレームは、５６面付けであり、各面付け領域におけるリード数は１４８個であった。個々のリードの表裏から突出する外部端子の存在位置は、リードの長手方向において異なり、その位置の違いはリードの長手方向において５００μｍであった。また、隣接するリードを対比したときに、外部端子が存在する位置は、リードの長手方向において５００μｍ相違するものであった。このようなリードから突出する外部端子の高さは５０μｍ、リードの表裏からそれぞれ突出する外部端子の端子面を含む面の距離で規定されるリードの厚みは０．２０ｍｍ、外部端子が存在しない部位のリードの厚みは０．１０ｍｍであった。
【産業上の利用可能性】
【００４９】
本発明は、樹脂封止型半導体装置の製造等において有用である。
【符号の説明】
【００５０】
１１，２１…半導体装置用リードフレーム
１３，２３…リード
１４，１５，２４，２５…外部端子
１４ａ，１５ａ，２４ａ，２５ａ…外部端子面
１６，２６…内部端子面
１７，２７…接続バー
５１，７１，１０１，１２１…樹脂封止型半導体装置
５３，７３，１０３，１２３…リード
５４，５５，７４，７５，１０４，１０５，１２４，１２５…外部端子
５４ａ，５５ａ，７４ａ，７５ａ，１０４ａ，１０５ａ，１２４ａ，１２５ａ…外部端子面
５６，７６，１０６，１２６…内部端子面
６１，８１，１１１，１３１…半導体素子
６３，８３，１１３，１３３…接続部材
６５，８５，１１５，１３５…樹脂部材
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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【図２７】
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【図２８】
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【図２９】
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