(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に形成されたメサ状の光導波路を含んで構成されるマッハツェンダ変調器と、
前記メサ状の光導波路上に設けられた樹脂部と、
前記マッハツェンダ変調器のアームに接続された進行波型電極と、
前記進行波型電極が接続された終端抵抗と、を備え、
前記終端抵抗は、前記基板上において、前記樹脂部の下に配置されている、変調器。
【請求項２】
前記終端抵抗の上には、樹脂が設けられている、請求項１記載の変調器。
【請求項３】
前記進行波型電極は、前記樹脂部に形成された開口を介して前記終端抵抗と接続されており、
前記開口の前記基板の上面に対する角度は、７０°以下である、請求項１または２記載の変調器。
【請求項４】
前記終端抵抗の厚みは、前記樹脂部の表面の段差よりも大きい、請求項１〜３のいずれか一項に記載の変調器。
【請求項５】
基板上に、メサ状の光導波路を含んで構成されるマッハツェンダ変調器を形成する工程と、
前記基板上に、樹脂を介さないで終端抵抗を形成する工程と、
前記マッハツェンダ変調器のアームおよび前記終端抵抗に進行波型電極を接続する工程と、を含む変調器の製造方法。
【請求項６】
前記基板上に絶縁膜を形成し、
前記絶縁膜に対してウェットエッチングを施し、
前記ウェットエッチングを施した後の前記絶縁膜上に前記終端抵抗を形成する、請求項５記載の変調器の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、変調器およびその製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
部分回折格子型レーザとマッハツェンダ変調器とがモノリシック集積された素子に、終端抵抗がモノリシック集積された光デバイスが開示されている（例えば、非特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【非特許文献】
【０００３】
【非特許文献１】“40-Gb/s Series-Push-Pull Mach-Zehnder Transmitter on a Dual-Quantum-Well Integration Platform”, Anna Tauke-Pedretti et al. IEEE PHOTONICS TECHNOLOGY LETTERS, VOL. 18, NO. 18, SEPTEMBER 15, 2006
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、非特許文献１に係る技術では、ＢＣＢの上に終端抵抗が形成されている。ＢＣＢの膜厚にはばらつきが生じやすいため、終端抵抗の特性にもばらつきが生じるおそれがある。
【０００５】
そこで、終端抵抗の特性のばらつきを抑制することができる変調器およびその製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明に係る変調器は、基板上に形成されたメサ状の光導波路を含んで構成されるマッハツェンダ変調器と、前記メサ状の光導波路上に設けられた樹脂部と、前記マッハツェンダ変調器のアームに接続された進行波型電極と、前記進行波型電極が接続された終端抵抗と、を備え、前記終端抵抗は、前記基板上において、前記樹脂部の下に配置されている、変調器である。
【０００７】
本発明に係る変調器の製造方法は、基板上に、メサ状の光導波路を含んで構成されるマッハツェンダ変調器を形成する工程と、前記基板上に、樹脂を介さないで終端抵抗を形成する工程と、前記マッハツェンダ変調器のアームおよび前記終端抵抗に進行波型電極を接続する工程と、を含む変調器の製造方法である。
【発明の効果】
【０００８】
上記発明によれば、終端抵抗の特性のばらつきを抑制することができる。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】比較例に係る変調器の模式的な上面図である。
【図２】実施例に係る変調器の模式的な上面図である。
【図３】図２のＡ−Ａ線断面図である。
【図４】（ａ）および（ｂ）は、製造工程を表す断面図である。
【図５】（ａ）〜（ｃ）は、製造工程を表す断面図である。
【図６】（ａ）および（ｂ）は、製造工程を表す断面図である。
【図７】（ａ）および（ｂ）は、製造工程を表す断面図である。
【図８】（ａ）および（ｂ）は、製造工程を表す断面図である。
【図９】（ａ）および（ｂ）は、製造工程を表す断面図である。
【図１０】（ａ）および（ｂ）は、製造工程を表す断面図である。
【図１１】（ａ）および（ｂ）は、製造工程を表す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
[本願発明の実施形態の説明]
最初に本願発明の実施形態の内容を列記して説明する。
【００１１】
本願発明は、（１）基板上に形成されたメサ状の光導波路を含んで構成されるマッハツェンダ変調器と、前記メサ状の光導波路上に設けられた樹脂部と、前記マッハツェンダ変調器のアームに接続された進行波型電極と、前記進行波型電極が接続された終端抵抗と、を備え、前記終端抵抗は、前記基板上において、前記樹脂部の下に配置されている、変調器である。終端抵抗が基板上において、樹脂部下に配置されていることから、終端抵抗の特性のばらつきを抑制することができる。
（２）前記終端抵抗の上には、樹脂が設けられていることが好ましい。上が空気の場合と比較して、終端抵抗が保護され、放熱性が高まるからである。
（３）前記進行波型電極は、前記樹脂部に形成された開口を介して前記終端抵抗と接続されており、前記開口の前記基板の上面に対する角度は、７０°以下であることが好ましい。高周波特性の劣化が抑制されるからである。
（４）前記終端抵抗の厚みは、前記樹脂部の表面の算術平均粗さＲａ以下であることが好ましい。終端抵抗の特性ばらつき抑制の効果が大きくなるからである。
他の本願発明は、（５）基板上に、メサ状の光導波路を含んで構成されるマッハツェンダ変調器を形成する工程と、前記基板上に、樹脂を介さないで終端抵抗を形成する工程と、前記マッハツェンダ変調器のアームおよび前記終端抵抗に進行波型電極を接続する工程と、を含む変調器の製造方法である。終端抵抗が基板上において、樹脂部下に形成されることから、終端抵抗の特性のばらつきを抑制することができる。
（６）前記基板上に絶縁膜を形成し、前記絶縁膜に対してウェットエッチングを施し、前記ウェットエッチングを施した後の前記絶縁膜上に前記終端抵抗を形成することが好ましい。ドライエッチングと比較して、エッチング後の残渣物を抑制できるからである。
【００１２】
［本願発明の実施形態の詳細］
本発明の実施形態に係る変調器およびその製造方法の具体例を、以下に図面を参照しつつ説明する。なお、本発明はこれらの例示に限定されるものではなく、特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。
【００１３】
実施例の説明に先立って、比較例について説明する。図１は、比較例に係る変調器１の模式的な上面図である。図１で例示するように、変調器１は、基板１０上に、メサ状の光導波路の経路を組み合わせて構成されたマッハツェンダ変調器が設けられ、当該マッハツェンダ変調器の上を樹脂部が覆い、当該樹脂部上に配線パターンが設けられたチップである。配線パターンは、樹脂部に形成された開口を介してマッハツェンダ変調器に接続されている。図１においては、上面から見た場合の配線パターンに加え、樹脂部を透過して基板１０およびマッハツェンダ変調器が描かれている。
【００１４】
マッハツェンダ変調器は、基板１０上に、入力導波路２１から入力された光を分岐する光カプラ２２と、分岐された光を伝搬させる２本の変調導波路（アーム）２３ａ，２３ｂと、変調導波路２３ａ，２３ｂを伝搬した光を合波させる光カプラ２４と、光カプラ２４からの出力光を外部へと導く出力導波路２５と、を含む。
【００１５】
配線パターンは、進行波型電極３１ａ，３１ｂ、グランド電極３２、および位相調整電極３３ａ，３３ｂを含む。進行波型電極３１ａは、変調導波路２３ａ上に接続されている。図１の例では、進行波型電極３１ａは、互いに離間する複数の電極を介して変調導波路２３ａに接続されている。進行波型電極３１ｂは、変調導波路２３ｂ上に接続されている。図１の例では、進行波型電極３１ｂは、互いに離間する複数の電極を介して変調導波路２３ｂに接続されている。樹脂部上において、進行波型電極３１ａと進行波型電極３１ｂとの間には、グランド電極３２が設けられている。進行波型電極３１ａ，３１ｂおよびグランド電極３２の第１端は、変調導波路２３ａ，２３ｂと平行な一方のチップ側面（第１側面）まで延びている。進行波型電極３１ａ，３１ｂおよびグランド電極３２の第２端は、変調導波路２３ａ，２３ｂと平行な他方のチップ側面（第２側面）まで延びている。
【００１６】
進行波型電極３１ａの第１端には、外部の高周波電源４０ａから高周波の電気信号が入力される。進行波型電極３１ｂの第１端には、外部の高周波電源４０ｂから高周波の電気信号が入力される。進行波型電極３１ａの第２端は、外部の終端抵抗５０ａの第１端に接続されている。進行波型電極３１ｂの第２端は、外部の終端抵抗５０ｂの第１端に接続されている。終端抵抗５０ａの第２端および終端抵抗５０ｂの第２端は、互いに接続され、キャパシタ６０を介して接地されるとともに、グランド電極３２の第２端に接続されている。
【００１７】
進行波型電極３１ａ，３１ｂに高周波の電気信号が供給されると、グランド電極３２との間で高周波の電気信号が流れる。それにより、変調導波路２３ａ，２３ｂの屈折率が変化し、変調導波路２３ａ，２３ｂを通過する光の位相が変化する。それにより、出力導波路２５から出力される光がオン・オフし、変調信号が得られる。
【００１８】
変調導波路２３ａ上には、進行波型電極３１ａと離間して位相調整電極３３ａが接続されている。変調導波路２３ｂ上には、進行波型電極３１ｂと離間して位相調整電極３３ｂが接続されている。位相調整電極３３ａから変調導波路２３ａには、外部から直流信号が供給される。それにより、変調導波路２３ａを伝搬する光の位相が調整される。位相調整電極３３ｂから変調導波路２３ｂには、外部から直流信号が供給される。それにより、変調導波路２３ｂを伝搬する光の位相が調整される。
【００１９】
比較例に係る変調器１においては、終端抵抗５０ａ，５０ｂがチップの外部に配置されている。そのため、進行波型電極３１ａ，３１ｂは、ワイヤを介して終端抵抗５０ａ，５０ｂに接続される。この場合、ワイヤ部分において高周波の電気信号に劣化が生じる。そこで、非特許文献１のように、樹脂部上に終端抵抗５０ａ，５０ｂを配置することで、モノリシック集積することが考えられる。しかしながら、樹脂部は、スピンコート法などで形成されるため、膜厚がばらつきやすい。特に、メサ状の光導波路上の凹凸近傍においては、樹脂部の表面形状が不均一になりやすい。そのため、終端抵抗の特性にばらつきが生じるおそれがある。そこで、以下の実施形態においては、終端抵抗の特性のばらつきを抑制することができる変調器およびその製造方法について説明する。
【００２０】
（実施形態）
図２は、実施形態に係る変調器１００の模式的な上面図である。以下、図１の変調器１と異なる点について説明する。なお、変調器１と同じ構成については、同じ符号を付すことによって説明を省略する。図２で例示するように、変調器１００においては、終端抵抗５０ａ，５０ｂが、樹脂部の下であって、基板１０上において絶縁膜を介して配置されている。また、進行波型電極３１ａの代わりに進行波型電極３４ａが設けられ、進行波型電極３１ｂの代わりに進行波型電極３４ｂが設けられ、グランド電極３２の代わりにグランド電極３５が設けられ、接続電極５６が新たに設けられている。以下、この構成の詳細について説明する。
【００２１】
図３は、図２のＡ−Ａ線断面図である。図３で例示するように、変調導波路２３ｂは、基板１０上に、下クラッド層１１、コア層１２、上クラッド層１３およびコンタクト層１４が、この順にメサ状に積層された構成を有する。基板１０は、例えば、半絶縁性のＩｎＰ基板である。下クラッド層１１は、例えば、ｎ型のＩｎＰである。コア層１２は、例えば、ノンドープのＡｌＧａＩｎＡｓ井戸層とＡｌＧａＩｎＡｓバリア層とが多層積層されたＭＱＷである。上クラッド層１３は、例えば、ｐ型のＩｎＰである。コンタクト層１４は、例えば、ｐ型のＧａＩｎＡｓ層である。
【００２２】
変調導波路２３ｂの上面および側面は、第１絶縁膜４１によって覆われている。第１絶縁膜４１上には、第１樹脂層４２、第２絶縁膜４３、第２樹脂層４４、第３絶縁膜４５がこの順に積層されている。第１絶縁膜４１は、例えば、ＳｉＯ２などである。第１樹脂層４２は、例えば、ＢＣＢ（ベンゾシクロブテン）などの樹脂である。第２絶縁膜４３は、例えば、ＳｉＯ２などである。第２樹脂層４４は、ＢＣＢなどの樹脂である。第３絶縁膜４５は、例えば、ＳｉＯ２などである。なお、第１絶縁膜４１は、基板１０上において、マッハツェンダ変調器の各光導波路が設けられていない領域を覆っている。
【００２３】
終端抵抗５０ｂは、第１絶縁膜４１上の、マッハツェンダ変調器の各光導波路が設けられていない領域において、第１絶縁膜４１と接して設けられている。すなわち、終端抵抗５０ｂは、基板１０上において、樹脂部の下であって絶縁膜を介して配置されている。終端抵抗５０ｂは、例えば、薄膜のＮｉＣｒＳｉなどである。終端抵抗５０ｂの上面は、第２樹脂層４４によって覆われている。
【００２４】
本実施例においては、進行波型電極３４ｂの第１端は、チップの第１側面まで延びており、第２端は、樹脂部の開口を介して終端抵抗５０ｂの第１端に接続されている。図３で例示するように、進行波型電極３４ｂは、例えば、ＴｉＷ層５１の上にＡｕ層５２が積層された構成を有する。進行波型電極３４ｂの第２端は、Ｔｉ／Ｐｔ／Ａｕ層５３上にＴｉＷ層５４およびＡｕ層５５がこの順に積層された接続部を介して、終端抵抗５０ｂの第１端に接続されている。終端抵抗５０ｂの第２端は、当該接続部と同じ積層構成の接続部を介して接続電極５６に接続されている。接続電極５６は、例えば、ＴｉＷ層５７の上にＡｕ層５８が積層された構成を有する。
【００２５】
終端抵抗５０ａも、終端抵抗５０ｂと同様に、第１絶縁膜４１上において、マッハツェンダ変調器の各光導波路が設けられていない領域において、第１絶縁膜４１と接して設けられている。終端抵抗５０ａの第１端は、終端抵抗５０ｂと同様の構成により、進行波型電極３４ｂと同様の構成を有する進行波型電極３４ａの第２端に接続されている。終端抵抗５０ａの第２端は、終端抵抗５０ａと同様の構成により、接続電極５６に接続されている。接続電極５６は、外部のキャパシタ６０を介して接地される。
【００２６】
本実施例においては、終端抵抗５０ａ，５０ｂが、基板１０上において、樹脂部の下に配置されている。すなわち、膜厚のばらつきの大きい樹脂部の上ではなく、樹脂部上面よりも平坦性の高い基板１０の上に終端抵抗５０ａ，５０ｂが形成されている。それにより、終端抵抗５０ａ，５０ｂの寸法精度（抵抗値の精度）を確保することができる。その結果、終端抵抗５０ａ，５０ｂの特性のばらつきを抑制することができる。なお、本実施例においては、第１絶縁膜４１を介して終端抵抗５０ａ，５０ｂが配置されているが、第１絶縁膜４１が平坦性の高い基板１０上に薄く形成され、第１絶縁膜４１の上面の平坦性が樹脂部上面よりも高くなるため、終端抵抗５０ａ，５０ｂの特性のばらつきを抑制することができる。
【００２７】
特に、終端抵抗５０ａ，５０ｂの厚みが樹脂部の上面の凹凸の段差よりも小さい場合に終端抵抗５０ａ，５０ｂが樹脂部上に配置されると、終端抵抗５０ａ，５０ｂの特性のばらつきが大きくなる。樹脂部の上面の段差は、上面の最も高い場所と低い場所の高さの差のことであり、例えば触針式の表面粗さ計を用いて測定することができる。このような場合に、基板１０上において、樹脂部下に終端抵抗５０ａ，５０ｂを配置することによって、終端抵抗５０ａ，５０ｂの特性ばらつきの抑制効果が大きくなる。また、終端抵抗５０ａ，５０ｂのシート面積が大きい場合に終端抵抗５０ａ，５０ｂが樹脂部上に配置されると、終端抵抗５０ａ，５０ｂの特性のばらつきが大きくなる。例えば、終端抵抗５０ａ，５０ｂのシート面積が２５００ｍｍ２以上のような場合である。このような場合に、基板１０上において、樹脂部下に終端抵抗５０ａ，５０ｂを配置することによって、終端抵抗５０ａ，５０ｂの特性ばらつきの抑制効果が大きくなる。例えば厚さ４５ｎｍで５０Ωの抵抗値が得られるように設計された抵抗を、表面の凹凸の段差が８０ｎｍの場所に作製したとき、複数作製した抵抗のうち抵抗値が最大のものは１５０Ω程度であった。表面の凹凸の段差が８ｎｍ程度と平坦な場所に作製したとき、抵抗値のばらつきは±１０％以下であった。
【００２８】
また、終端抵抗５０ａ，５０ｂの上に第２樹脂層４４が設けられていることによって、終端抵抗５０ａ，５０ｂを保護することができる。また、この場合、終端抵抗５０ａ，５０ｂの上面が空気に接している場合と比較して、放熱性が良好となる。
【００２９】
また、図２で例示するように、終端抵抗５０ａ，５０ｂの長手方向は、基板１０上において変調導波路２３ａ，２３ｂが延びる方向と垂直をなす。この構成では、終端抵抗５０ａ，５０ｂと差動グランドとして機能する接続電極５６とを最短で接続することができる。また、この構成を実現するために、進行波型電極３４ａ，３４ｂは、樹脂部上において、変調導波路２３ａ，２３ｂと離れる方向に非直角に傾斜して延びたうえで、終端抵抗５０ａ，５０ｂに接続されている。このように非直角に傾斜して延びることによって、高周波信号の劣化を抑制することができる。
【００３０】
また、図３で例示するように、終端抵抗５０ａ，５０ｂ上の樹脂部に形成された開口が基板１０の上面となす角度は、７０°以下であることが好ましい。高周波特性の劣化が抑制されるからである。
【００３１】
続いて、変調器１００の終端抵抗５０ａ，５０ｂ近傍の製造方法について説明する。まず、基板１０上に、下クラッド層１１、コア層１２、上クラッド層１３およびコンタクト層１４を有機金属気相成長法（ＯＭＶＰＥ）等の結晶成長によりエピタキシャル成長させる。その後、レジストパターンを転写することによって、光導波路のメサを形成する。
【００３２】
次に、メサ保護膜として機能する第１絶縁膜４１として、ＣＶＤ法によりＳｉＯ２を３００ｎｍ程度堆積し、第１樹脂層４２として、ベンゾシクロブテン（ＢＣＢ）をスピンコート法により塗布する。次に、フォトリソグラフィにより第１樹脂層４２上にレジストパターン６１を形成した後、それをエッチングマスクとして用いて、ＣＦ４／Ｏ２−ＲＩＥにより、終端抵抗５０ａ，５０ｂが形成される領域の第１樹脂層４２の除去を行う。それにより、図４（ａ）で例示するように、終端抵抗５０ａ，５０ｂが形成される領域において、第１樹脂層４２に開口が形成される。開口の形成後、レジストパターン６１を有機溶媒により除去する。次に、図４（ｂ）で例示するように、第１樹脂層４２の上および図４（ａ）の開口に第２絶縁膜４３を成膜する。第２絶縁膜４３がＳｉＯ２である場合には、スパッタ、ＣＶＤ法などを用いる。第２絶縁膜４３がＳｉＯＮである場合には、ＣＶＤ法などを用いる。
【００３３】
次に、図５（ａ）で例示するように、第１樹脂層４２の開口の第２絶縁膜４３上に、フォトリソグラフィにより終端抵抗５０ａ，５０ｂのパターン（レジストパターン６２）を形成する。その際、導波路部分に金属が堆積されないように、厚膜レジストを用いることが望ましい（例えば、レジスト厚＞３μｍ）。次に、図５（ｂ）で例示するように、ＢＨＦによりリフトオフのための庇形状を形成する。具体的には、第２絶縁膜４３よりも開口の中心側に向かってレジストパターン６２が突出するような形状を形成する。レジストパターン６２の開口部に露出した第２絶縁膜４３が除去され第１絶縁膜４１が露出したときにエッチングを終了する。レジストパターン６２に対するサイドエッチングを利用することと、第１絶縁膜４１の表面平滑性を考慮して、エッチング堆積物が生じるドライエッチングではなく、ウェットエッチングを用いることが望ましい。第１絶縁膜４１にＣＶＤ法で形成されたＳｉＯ２を用い、第２絶縁膜４３にスパッタ法で形成されたＳｉＯ２またはＣＶＤ法で形成されたＳｉＯＮを用いると、第２絶縁膜４３の方が第１絶縁膜４１よりもＢＨＦによって速くエッチングされる。これにより、第１絶縁膜４１がほとんどエッチングされないで、第２絶縁膜４３のサイドエッチング量を大きくすることができ、リフトオフに好適な庇形状を得ることができる。その後、図５（ｃ）で例示するように、金属スパッタにより終端抵抗５０ａ，５０ｂの成分（例えばＮｉＣｒＳｉ）の薄膜６３を形成する。薄膜６３のうち、第１絶縁膜４１上の領域が終端抵抗５０ａ，５０ｂとして機能する。その後、有機溶媒によりリフトオフを行う。
【００３４】
次に、図６（ａ）および図６（ｂ）で例示するように、終端抵抗５０ａ，５０ｂのコンタクト配線として機能するＴｉ／Ｐｔ／Ａｕ層５３を、フォトリソグラフィによるパターニング、電極蒸着およびリフトオフにより作製する。次に、図７（ｂ）で例示するように、Ｔｉ／Ｐｔ／Ａｕ層５３上に、ＴｉＷ層５４をスパッタ等により堆積し、ＴｉＷ層５４上にメッキによりＡｕ層５５を成膜する。なお、図７（ａ）で例示するように、ＴｉＷ層５４およびＡｕ層５５を形成する工程と同一工程により、コンタクト層１４上のＴｉ／Ｐｔ／Ａｕ層６４上にＴｉＷ層６５およびＡｕ層６６を形成することにより、工程を簡素化することができる。なお、Ｔｉ／Ｐｔ／Ａｕ層６４、ＴｉＷ層６５およびＡｕ層６６は、進行波型電極３４ａ，３４ｂとコンタクト層１４とを接続する接続部、または位相調整電極３３ａ，３３ｂとコンタクト層１４とを接続する接続部として機能する。なお、図７（ａ）は、図２のＢ−Ｂ線断面に相当する。また、変調導波路間の下クラッド層１１上に形成されているＴｉ／Ｐｔ／Ａｕ層６４は、グランド電極３５の一部として機能する。
【００３５】
次に、図８（ａ）および図８（ｂ）で例示するように、第２樹脂層４４をスピンコート法などにより塗布した後、ＣＶＤ、スパッタ法などにより、第３絶縁膜４５を３００ｎｍ程度成膜する。次に、フォトリソグラフィにより第３絶縁膜４５上にレジストパターンを形成した後、それをエッチングマスクとして用いて、図９（ａ）および図９（ｂ）で例示するように、ＣＦ４／Ｏ２−ＲＩＥにより、第２樹脂層４４および第３絶縁膜４５に、進行波型電極３４ａ，３４ｂの部分および終端抵抗５０ａ，５０ｂの部分に開口を形成する。なお、開口を形成する際に、Ａｕ層５５がエッチングストップとして機能する。その後、レジストパターンを有機溶媒により除去する。図１０（ａ）は、終端抵抗５０ｂ付近における開口形成前の断面図である。図１０（ｂ）は、終端抵抗５０ｂ付近における開口形成後の断面図である。
【００３６】
次に、図１１（ａ）および図１１（ｂ）で例示するように、電極金属のドライエッチングの際、保護層となるレジストパターンをフォトリソグラフィにより形成した後、ビルドアップ配線となるＴｉＷ層５１，５７をスパッタにより堆積する。さらに、フォトリソグラフィによりレジストパターニングを行い、Ａｕ層５２，５８を形成する（保護レジストの無い領域にＡｕメッキパターンを形成する）。続いて、ＳＦ６−ＲＩＥにより、Ａｕメッキが形成されていない領域のスパッタＴｉＷ層をエッチングにより除去し、保護レジストをＯ２アッシングにより除去する。それにより、進行波型電極３４ａ，３４ｂ、グランド電極３５、および接続電極５６が完成する。
【００３７】
以上の工程により、変調器１００が完成する。本実施例に係る変調器１００の製造方法によれば、比較的平坦性の高い基板１０上に形成された第１絶縁膜４１の上に、終端抵抗５０ａ，５０ｂが形成される。この場合、膜厚にばらつきが生じやすい樹脂部上に終端抵抗５０ａ，５０ｂを形成せずに済む。それにより、終端抵抗５０ａ，５０ｂの寸法精度（抵抗値の精度）を確保することができる。その結果、終端抵抗５０ａ，５０ｂの特性のばらつきを抑制することができる。
【符号の説明】
【００３８】
１  変調器
１０  基板
１１  下クラッド層
１２  コア層
１３  上クラッド層
１４  コンタクト層
２１  入力導波路
２２  光カプラ
２３ａ，２３ｂ  変調導波路
２４  光カプラ
２５  出力導波路
３１ａ，３１ｂ  進行波型電極
３２  グランド電極
３３ａ，３３ｂ  位相調整電極
３４ａ，３４ｂ  進行波型電極
３５  グランド電極
４０ａ，４０ｂ  高周波電源
４１  第１絶縁膜
４２  第１樹脂層
４３  第２絶縁膜
４４  第２樹脂層
４５  第３絶縁膜
５０ａ，５０ｂ  終端抵抗
５１  ＴｉＷ層
５２  Ａｕ層
５３  Ｔｉ／Ｐｔ／Ａｕ層
５４  ＴｉＷ層
５５  Ａｕ層
５６  接続電極
５７  ＴｉＷ層
５８  Ａｕ層
６０  キャパシタ
６１  レジストパターン
６２  レジストパターン
６３  薄膜
６４  Ｔｉ／Ｐｔ／Ａｕ層
６５  ＴｉＷ層
６６  Ａｕ層
６７  ＴｉＷ層
６８  Ａｕ層
１００  変調器
【図１】
0006330548.tif 000002
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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