(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
両面研磨装置の上下定盤に貼付された研磨布のドレッシングを行う立ち上げ工程と、インサート材を介して保持孔にウェーハを保持したキャリアを前記研磨布が貼付された上下定盤の間に挟み込み、前記キャリアを自転及び公転させて、前記ウェーハの両面を同時に研磨する両面研磨工程とを含むウェーハの両面研磨方法であって、
前記研磨布として、ショアＡ硬度が８５以上９５以下の発泡ポリウレタンパッドを用い、
少なくとも１回以上の前記両面研磨工程を行った後の前記研磨布を、＃５０から＃１００のダイヤモンド砥粒が備えられたドレスプレートを用いて、ドライ環境下で研削して薄膜化する研磨布薄膜化工程を行ってから、再び前記立ち上げ工程及び前記両面研磨工程を行うことを特徴とするウェーハの両面研磨方法。
【請求項２】
前記研磨布薄膜化工程において、
前記研磨布の厚みが５０μｍ以上減少するように研削して薄膜化することを特徴とする請求項１に記載のウェーハの両面研磨方法。
【請求項３】
前記両面研磨工程後の前記ウェーハの外周部の平坦度を測定する測定工程を行い、該測定された平坦度が管理値を超えたときに、前記研磨布薄膜化工程を行うことを特徴とする請求項１又は請求項２に記載のウェーハの両面研磨方法。
【請求項４】
前記測定工程において測定するウェーハの外周部の平坦度を、ＥＳＦＱＲｍａｘとすることを特徴とする請求項３に記載のウェーハの両面研磨方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ウェーハの両面研磨方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、シリコンウェーハ等の半導体ウェーハの製造では、インゴットをスライスしてウェーハを得た後、このウェーハに対して面取り、ラッピング、エッチング等の各工程が順次なされ、次いで少なくともウェーハの一主面を鏡面化する研磨が施される。研磨工程では、ウェーハの片面を研磨する片面研磨装置及びウェーハの両面を同時に研磨する両面研磨装置が用いられる。
【０００３】
両面研磨装置としては、通常、不織布などからなる研磨布（研磨パッド）が貼付された上定盤と下定盤を具備し、中心部にはサンギヤが、外周部にはインターナルギヤがそれぞれ配置された遊星歯車構造を有するいわゆる４ｗａｙ方式のものが用いられている。このような両面研磨装置において、キャリアに単数又は複数形成されたウェーハ保持孔の内部にウェーハを挿入・保持する。
【０００４】
このようなウェーハの両面研磨工程で使用しているキャリアは金属製のものが主流である。このため、ウェーハの周縁部を金属製のキャリアによるダメージから保護するために、例えば、樹脂製のインサート材がキャリアの保持孔の内周部に沿って取り付けられている（例えば、特許文献１参照）。
【０００５】
そして、上定盤側からスラリーをウェーハに供給し、上下定盤を回転させながら研磨布をウェーハの表裏両面に押し付けるとともに、キャリアをサンギヤとインターナルギヤとの間で自転公転させることで各ウェーハの両面が同時に研磨される。
【０００６】
ところで、両面研磨装置で同じ研磨布を用いて研磨を続けていくと、両面研磨後のウェーハ形状が次第に変化してしまうという問題がある。これは主に研磨布のライフに起因しており、研磨布の圧縮率の変化や目詰まり等が影響し、使用頻度が増えるにつれ、ウェーハの外周部（エッジ部）が過剰に研磨されていわゆる外周ダレが生じ易くなる。そこで、これを防ぐため研磨布表面のドレッシングが行われている。
【０００７】
両面研磨装置に用いられる研磨布のドレッシングは、一般的に、ウェーハの研磨に使用するものと同じキャリア又はドレッシング専用キャリアの保持孔にドレスプレート（ドレッサー）をセットし、これを上定盤と下定盤との間に挟んで通常の研磨と同じように装置を稼動させることにより行われる。あるいは、ドレッシングとして、ドレスプレートをアームで保持し、研磨布上を移動させることにより行われる。
【０００８】
また、ウェーハの外周部のエッジ形状に影響を与える要因として、キャリアのインサート材の厚みがある。キャリアを研磨で使い込んでいくと、樹脂素材等のインサート材は徐々に摩耗する。すると、インサート材の直下の部分で、両面研磨の際に研磨布を十分には押し圧することができなくなる。すなわち、リテーナー効果が低減して、インサート材付近の研磨布がよれてウェーハの外周部を余分に削ってしまい、外周部のダレが発生してしまう。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００９】
【特許文献１】特開２０１１−２５３２２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
そのため、現状ではインサート材が摩耗し、ウェーハの外周部のエッジ形状が悪化してしまったら、インサート材を新しいものに取り替えることで対応している。そのため、インサート材を長時間使用し続けるのは難しいという問題があった。
【００１１】
本発明は前述のような問題に鑑みてなされたもので、両面研磨後のウェーハの外周部の平坦度の悪化に伴いインサート材を従来のようにすぐに交換するのではなく、使用し続けることができるウェーハの両面研磨方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
上記目的を達成するために、本発明によれば、両面研磨装置の上下定盤に貼付された研磨布のドレッシングを行う立ち上げ工程と、インサート材を介して保持孔にウェーハを保持したキャリアを前記研磨布が貼付された上下定盤の間に挟み込み、前記キャリアを自転及び公転させて、前記ウェーハの両面を同時に研磨する両面研磨工程とを含むウェーハの両面研磨方法であって、
前記研磨布として、ショアＡ硬度が８５以上９５以下の発泡ポリウレタンパッドを用い、
少なくとも１回以上の前記両面研磨工程を行った後の前記研磨布を、＃５０から＃１００のダイヤモンド砥粒が備えられたドレスプレートを用いて、ドライ環境下で研削して薄膜化する研磨布薄膜化工程を行ってから、再び前記立ち上げ工程及び前記両面研磨工程を行うことを特徴とするウェーハの両面研磨方法を提供する。
【００１３】
このようすれば、研磨布薄膜化工程によって、研磨布の見かけ上の硬度を向上させることができるので、インサート材の摩耗に伴う、リテーナー効果の低減、さらには両面研磨後のウェーハの外周部の平坦度の悪化を抑制することができる。従って、インサート材を新しいものに取り替えることなく、より長時間使用し続ける（すなわち、寿命を延ばす）ことができる。
【００１４】
このとき、前記研磨布薄膜化工程において、
前記研磨布の厚みが５０μｍ以上減少するように研削して薄膜化することが好ましい。
【００１５】
このようにすれば、研磨布の見かけ上の硬度をより確実に向上することができるため、インサート材の摩耗に伴う、ウェーハの外周部の平坦度の悪化をより確実に抑制することができる。
【００１６】
またこのとき、前記両面研磨工程後の前記ウェーハの外周部の平坦度を測定する測定工程を行い、該測定された平坦度が管理値を超えたときに、前記研磨布薄膜化工程を行うことが好ましい。
【００１７】
このようにすれば、両面研磨後のウェーハの平坦度を管理値の範囲内としつつ、インサート材の寿命を延ばすことができる。
【００１８】
またこのとき、前記測定工程において測定するウェーハの外周部の平坦度を、ＥＳＦＱＲｍａｘとすることができる。
【００１９】
このように、測定するウェーハの外周部の平坦度の指標として、具体的には、ＥＳＦＱＲｍａｘを用いることができる。
【発明の効果】
【００２０】
本発明のウェーハの両面研磨方法であれば、研磨布薄膜化工程によって、研磨布の見かけ上の硬度を向上させることができるので、インサート材の摩耗に伴う、リテーナー効果の低減、さらには両面研磨後のウェーハの外周部の平坦度の悪化を抑制することができる。従って、インサート材を新しいものに取り替えることなく、より長時間使用し続けることができる。
【図面の簡単な説明】
【００２１】
【図１】本発明のウェーハの両面研磨方法の一例を示した工程図である。
【図２】本発明のウェーハの両面研磨方法で用いることができる両面研磨装置を示した概略図である。
【図３】両面研磨装置において用いるキャリアの一例を示した概略図である。
【図４】ウェーハにおけるＥＳＦＱＲを説明するための概略図である。
【図５】図４に示した矩形領域の一個を拡大した概略図である。
【図６】比較例におけるウェーハの両面研磨方法を示した工程図である。
【図７】実施例及び比較例における両面研磨後のウェーハのＥＳＦＱＲｍａｘと、キャリアの使用時間との関係を示したグラフである。
【発明を実施するための形態】
【００２２】
以下、本発明について実施の形態を説明するが、本発明はこれに限定されるものではない。
上述したように、現状ではインサート材が摩耗し、ウェーハの外周部のエッジ形状が悪化してしまったら、インサート材を新しいものに取り替えることで対応しているため、インサート材を長時間使用しにくく、寿命が短いという問題があった。
【００２３】
そこで、本発明者らはこのような問題を解決すべく鋭意検討を重ねた。その結果、研磨布として、ショアＡ硬度が８５以上９５以下の発泡ポリウレタンパッドを用い、少なくとも１回以上の両面研磨工程を行った後の研磨布を、＃５０から＃１００のダイヤモンド砥粒が備えられたドレスプレートを用いて、ドライ環境下で研削して薄膜化する研磨布薄膜化工程を行ってから、再び立ち上げ工程及び両面研磨工程を行えば良いことを見出した。
【００２４】
これにより、研磨布薄膜化工程によって、研磨布の見かけ上の硬度を向上させることができるので、インサート材の摩耗に伴う、リテーナー効果の低減、さらには両面研磨後のウェーハの外周部の平坦度の悪化を抑制することができ、インサート材を新しいものに取り替えることなく、より長時間使用し続けることができることを発見した。そして、これらを実施するための最良の形態について精査し、本発明を完成させた。
【００２５】
まず、本発明のウェーハの両面研磨方法で用いることができる両面研磨装置及びキャリアについて、図２、図３を参照して説明する。
図２に示すように、両面研磨装置１は、上定盤２、下定盤３、ウェーハＷを保持するためのキャリア４を備えている。上定盤２と下定盤３は上下に相対向して設けられており、各定盤２、３には、それぞれ研磨布５が貼付されている。
【００２６】
図３に示すように、キャリア４には、ウェーハＷを保持するための保持孔６が形成されている。この保持孔６の内周に沿って、リング状のインサート材７が配置されている。キャリア４は、金属を母材とし、インサート材７は樹脂製のものとすることができる。インサート材７により保持するウェーハＷの面取り部を保護することができる。
【００２７】
また、図２に示すように両面研磨装置１の中心部にはサンギヤ８が、周縁部にはインターナルギヤ９が設けられている。インサート材７を介して保持孔６にウェーハＷを保持したキャリア４は、両面研磨時には上定盤２と下定盤３の間に挟まれる。
【００２８】
また、サンギヤ８及びインターナルギヤ９の各歯部にはキャリア４の外周歯が噛合している。これにより、上定盤２及び下定盤３が不図示の駆動源によって回転されるのに伴い、キャリア４は自転しつつサンギヤ８の周りを公転する。このとき、キャリア４の保持孔６で保持されたウェーハＷは、上下の研磨布５により両面を同時に研磨される。ウェーハＷの研磨時には、ノズル１０からスラリー１１が供給される。スラリー１１は、例えばシリカ砥粒を含むアルカリ性水溶液を用いることができる。
【００２９】
このような、上定盤、下定盤、サンギヤ、インターナルギヤの各駆動部を有する４ｗａｙ式の両面研磨装置を用いることができる。
【００３０】
以下、本発明のウェーハの両面研磨方法について、図２に示した両面研磨装置１を用いた場合について説明する。
【００３１】
（立ち上げ工程：図１のＳＰ１）
まず、両面研磨装置１の上下定盤２、３に貼付された研磨布５のドレッシングを行う。立ち上げ工程におけるドレッシングは、研磨布５の表面状態のリフレッシュが目的である。より具体的には、研磨能力を安定かつ向上させるために、研磨布５の表面を毛羽立てるような目立てを行うことが目的である。
【００３２】
本発明では、研磨布５として、ショアＡ硬度が８５以上９５以下の発泡ポリウレタンパッドを用いる。
【００３３】
研磨布５のショアＡ硬度が９５より高いと、両面研磨中にウェーハＷが傷ついてしまう。逆に、用いる研磨布５のショアＡ硬度が８５より低いと、後述する研磨布薄膜化工程による高硬度化の効果が得られなくなってしまう。
【００３４】
なお、ショアＡ硬度は、ＪＩＳ  Ｋ  ６２５３などで標準化されている規格で、デュロメータタイプＡで求められた値である。
【００３５】
研磨布５のドレッシングは、例えば、ウェーハＷの研磨に使用するものと同じキャリア４又はドレッシング専用キャリアの保持孔にドレスプレート（ドレッサー）をセットし、これを上定盤と下定盤との間に挟んで通常の研磨と同じように装置を稼動させることにより行うことができる。また、ドレスプレートをアームで保持し、研磨布５上を移動させることにより行うこともできる。
【００３６】
（両面研磨工程：図１のＳＰ２）
インサート材７を介して保持孔６にウェーハＷを保持したキャリア４を研磨布５が貼付された上下定盤２、３の間に挟み込む。そして、キャリア４を自転及び公転させて、ノズル１０からスラリー１１を供給しつつウェーハＷの両面を同時に研磨する。両面研磨工程は少なくとも１回以上行う。
【００３７】
（測定工程：図１のＳＰ３）
両面研磨工程後の、ウェーハＷの外周部の平坦度の測定を行う工程を行うことができる。
【００３８】
そして、図１のＳＰ４に示すように、測定された平坦度が管理値を超えたときに、後述の研磨布薄膜化工程（ＳＰ５）を行うとすることができる。一方、測定された平坦度が管理値以下の場合は、再び立ち上げ工程（ＳＰ１）に戻るとすることができる。なお、研磨布薄膜化工程（ＳＰ５）は、このタイミングに限定されるわけではなく、両面研磨工程後、次の研磨のための立ち上げ工程の前であればよく、求められるウェーハの品質等によって適宜決定することができる。
【００３９】
このようにすれば、両面研磨後のウェーハの平坦度を管理値の範囲内としつつ、インサート材の寿命を延ばすことができる。
【００４０】
ここで、平坦度の管理値とは、例えば、規格上限以下の所望の値とすることができる。具体的には、例えば、規格上限の０．９倍の値を平坦度の管理値とすることができる。
このようにすれば、両面研磨後のウェーハの平坦度を、規格の範囲内としつつ、インサート材の寿命を延ばすことができる。
【００４１】
なお、測定工程（ＳＰ３）において測定するウェーハＷの外周部の平坦度としては、ＥＳＦＱＲｍａｘとすることができる。
このように、測定するウェーハの外周部の平坦度の指標として、具体的には、ＥＳＦＱＲｍａｘを用いることができる。
【００４２】
ＥＳＦＱＲ（Ｅｄｇｅ  Ｓｉｔｅ  Ｆｒｏｎｔ  ｌｅａｓｔ  ｓＱｕａｒｅｓ  Ｒａｎｇｅ）とは、外周部の平坦度を示すフラットネス指標であり、エッジ（外周部）でのＳＦＱＲ（Ｓｉｔｅ  Ｆｒｏｎｔ  ｌｅａｓｔ  ｓＱｕａｒｅｓ  Ｒａｎｇｅ）に相当するものである。ＳＦＱＲとは、ウェーハ表面上に任意の寸法のセルを決め、このセル表面について最小２乗法にて算出した面を基準面としたときの、この基準面からの正および負の偏差の範囲と定義される。
【００４３】
ここで、ＥＳＦＱＲのセルの取り方の一例を図４、図５を参照して説明する。図４は半導体ウェーハの上面図を示し、その外周部が矩形領域１２（セル）で分割されているところが示されている。例えば、ウェーハＷの円周方向で７２個に分割することができる。
【００４４】
図５は、図４における矩形領域１２の一個を拡大した図であり、図５中に示されるように、矩形領域１２は外周端から直径方向に伸びる直線Ｌ２（例えば、３５ｍｍ）と、ウェーハ外周部の周方向（例えば、５°）に相当する弧Ｌ１により囲まれており、外周端から直径方向にＬ３（例えば、２ｍｍ）の外周除外領域（Ｅｄｇｅ  Ｅｘｃｌｕｓｉｏｎ：Ｅ．Ｅ．）は含まれない。すなわち、ＥＳＦＱＲとは、この矩形領域１２（セル）のＳＦＱＲ値（領域内最小二乗面からの正及び負の偏差の範囲）である。そして、ＥＳＦＱＲｍａｘの値は所与のウェーハ上の各サイト中のＥＳＦＱＲの最大値を表す。
【００４５】
（研磨布薄膜化工程：図１のＳＰ５）
少なくとも１回以上の両面研磨工程（ＳＰ２）を行った後の研磨布５を、＃５０から＃１００のダイヤモンド砥粒が備えられたドレスプレートを用いて、ドライ環境下で研削して薄膜化する。このようなドレスプレート及びドライ環境下で研磨布５を研削することにより、効率よく研磨布５の薄膜化を行うことができる。なお、＃１００より大きい番手のドレスプレートだと、研削速度が低下し研磨布５を薄膜にするのに時間がかかりすぎる。また、＃５０より小さい番手だと、研磨布５の表面が荒れすぎてウェーハの表面粗さが悪化してしまう。
このように、研磨布薄膜化工程における目的は、研磨布５の厚みの調節を行うことにある。
【００４６】
ここで、研磨布薄膜化工程において、上定盤２で加える荷重は、１００ｇｆ／ｃｍ２（＝９８００Ｐａ）から１５０ｇｆ／ｃｍ２（＝１４７００Ｐａ）とすることができる。
【００４７】
研磨布薄膜化工程において、研磨布５の厚みが５０μｍ以上減少するように研削して薄膜化することが好ましい。
【００４８】
このようにすれば、研磨布５の見かけ上の硬度をより確実に向上することができるため、インサート材７の摩耗に伴う、リテーナー効果の低減をより効果的に防止でき、ウェーハＷの外周部の平坦度の悪化をより確実に抑制することができる。
【００４９】
そして、研磨布薄膜化工程（ＳＰ５）後には、再び立ち上げ工程（ＳＰ１）及び両面研磨工程（ＳＰ２）を行い、これを繰り返す。
【００５０】
なお、例えば、研磨布薄膜化工程を行い、その直後の両面研磨後の測定工程で算出された平坦度が管理値を超えた場合には、もう研磨布５の薄膜化が有効ではないと判断し、インサート材７を新品に交換することができる。従来法では、管理値を超えた時点ですぐにインサート材を交換していたが、本発明ではすぐに交換せずに研磨布薄膜化工程を行い、連続して測定値が悪くなるまでインサート材を使用し続けることができる。そのため、両面研磨後のウェーハの平坦度を、管理値の範囲内としつつ、インサート材の寿命を延ばすことができる。
【００５１】
以上説明したような、本発明のウェーハの両面研磨方法であれば、研磨布薄膜化工程によって、研磨布５の見かけ上の硬度を向上させることができるので、インサート材７の摩耗に伴う、ウェーハＷの外周部の平坦度の悪化を抑制することができるし、インサート材７の寿命を延ばすこともできる。
【実施例】
【００５２】
以下、本発明の実施例及び比較例を示して本発明をより具体的に説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。
【００５３】
（実施例）
図２に示すような、両面研磨装置１として、不二越機械工業株式会社製のＤＳＰ−２０Ｂを用いて、本発明のウェーハの両面研磨方法を実施した。上下定盤２、３に貼付する研磨布５は、ショアＡ硬度９１の発泡ポリウレタンパッドを用いた。
【００５４】
まず、立ち上げ工程で、研磨布５のドレッシングを行った。ドレッシングには、＃１５０のダイヤ砥粒が電着されたドレスプレートを用いた。ドレッシング時の荷重は、５０ｇｆ／ｃｍ２（＝４９００Ｐａ）に設定した。ドレッシング時は、水を４．０Ｌ／ｍｉｎで流しドレッシングを行う時間は、５分とした。
【００５５】
次に、両面研磨工程で、ウェーハＷの両面研磨を行った。ウェーハＷを保持するキャリア４として、基板（母材）がチタンで、インサート材７がガラス繊維にエポキシ樹脂を含浸したＦＲＰのものを用いた。スラリー１１はシリカ砥粒含有（平均粒径３５ｎｍ、濃度２．０ｗｔ％（質量％））のＫＯＨベース（ｐＨ１１．０）のものを用いた。両面研磨時の加工荷重は、１５０ｇｆ／ｃｍ２（＝１４７００Ｐａ）に設定した。各駆動部の回転速度は、上定盤２を１３．４ｒｐｍ、下定盤３を３５ｒｐｍ、サンギヤ８を２５ｒｐｍ、インターナルギヤ９を７ｒｐｍに設定した。
【００５６】
上記の条件で、直径３００ｍｍのＰ型シリコン単結晶のウェーハＷの両面研磨を行った。両面研磨は、１回につき５枚のウェーハＷの両面研磨を行い、これを連続して１０回行った。
【００５７】
次に、測定工程で、両面研磨工程後のウェーハＷの外周部の平坦度を測定した。平坦度の測定は、ＫＬＡ−Ｔｅｎｃｏｒ株式会社製のＷａｆｅｒＳｉｇｈｔを用いて行った。ＥＳＦＱＲｍａｘの算出はＭ４９  ｍｏｄｅのゾーン長さ（図５のＬ３）を３５ｍｍ、７２Ｓｅｃｔｏｒｓ、外周除外領域（Ｅ．Ｅ．）は、２ｍｍで行った。
【００５８】
測定するウェーハＷとしては、両面研磨工程での１０回目のウェーハＷ５枚分とした。これらのウェーハＷのＥＳＦＱＲｍａｘをそれぞれ測定し、平均値を算出した。
【００５９】
測定工程で算出されたＥＳＦＱＲｍａｘが管理値を超えるまで、上記の立ち上げ工程及び両面研磨工程を繰り返し実施した。そして、測定工程で算出されたＥＳＦＱＲｍａｘが管理値を超えた場合に、下記の研磨布薄膜化工程を行った。ＥＳＦＱＲｍａｘの管理値は、規格上限の０．９倍と設定した。
【００６０】
研磨布の薄膜化を実施する前に、研磨布を１時間自然乾燥した。そして、両面研磨後の研磨布５を、＃６０のダイヤ砥粒が電着されたドレスプレートを用いて、ドライ環境下で研削して薄膜化する研磨布薄膜化工程を行った。
【００６１】
研磨布の薄膜化を行う際の荷重は、１００ｇｆ／ｃｍ２（＝９８００Ｐａ）に設定した。ドレス時間は、６０分とした。この時の研磨布を研削した取り代を測定した。すなわち、研磨布の研削前後に採取したパッド小片の厚みをマイクロメーターで測定して厚み変化を測定したところ、７５μｍであった。
【００６２】
研磨布薄膜化工程後は、再び上記の立ち上げ工程、両面研磨工程及び測定工程を繰り返し実施した。そして、研磨布薄膜化工程を行った直後の両面研磨工程で両面研磨されたウェーハのＥＳＦＱＲｍａｘが管理値を超えた場合に、もう研磨布５の薄膜化が有効ではないと判断し、インサート材７を新品に交換した。
【００６３】
（比較例）
実施例と同様の装置を用いて、図６に示す従来法による工程図に従って、ウェーハの両面研磨を実施した。まず、実施例と同様にして立ち上げ工程（ＳＰ１０１）、両面研磨工程（ＳＰ１０２）、測定工程（ＳＰ１０３）を行った。そして、測定工程（ＳＰ１０３）で算出されたＥＳＦＱＲｍａｘが管理値を最初に超えるまで、上記の立ち上げ工程及び両面研磨工程を繰り返し実施した（ＳＰ１０４）。ＥＳＦＱＲｍａｘの管理値は、実施例と同様に、規格上限の０．９倍と設定した。
【００６４】
そして、測定工程で算出されたＥＳＦＱＲｍａｘが管理値を最初に超えた時点までの総研磨時間を比較例におけるインサート材の寿命とした。なお、この管理値を最初に超えるタイミングは、実施例及び比較例で同じであった。
【００６５】
図７に実施例における両面研磨後のウェーハのＥＳＦＱＲｍａｘと、キャリアの使用時間との関係を示す。図７に示したように、管理値を初めて超えたのは５プロット目であった。前述したように、比較例も同様に５プロット目でこの値を超えた。比較例では、この５プロット目で終了し、インサート材の寿命とした（この比較例のインサート材の寿命を１とした）。一方、本発明実施の実施例では、研磨布薄膜化工程（ＳＰ５）を行うことで、インサート材を使用し続けることができ、１２プロット目まで使用することができた。
【００６６】
その結果、図７に示すように実施例では、比較例に比べてインサート材の寿命は２．５倍にまで伸びた。
【００６７】
なお、本発明は、上記実施形態に限定されるものではない。上記実施形態は例示であり、本発明の特許請求の範囲に記載された技術的思想と実質的に同一な構成を有し、同様な作用効果を奏するものは、いかなるものであっても本発明の技術的範囲に包含される。
【符号の説明】
【００６８】
１…両面研磨装置、  ２…上定盤、  ３…下定盤、  ４…キャリア、  ５…研磨布、
６…保持孔、  ７…インサート材、  ８…サンギヤ、  ９…インターナルギヤ、
１０…ノズル、  １１…スラリー、  １２…矩形領域、  Ｗ…ウェーハ。
【図１】
0006330735.tif 000002
【図２】
0006330735.tif 000003
【図３】
0006330735.tif 000004
【図４】
0006330735.tif 000005
【図５】
0006330735.tif 000006
【図６】
0006330735.tif 000007
【図７】
0006330735.tif 000008