(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
コイル用導体および非磁性体層で構成されるフィルタ部と、
磁性体相を含む外装部と、を有し、
前記コイル用導体が、導電材としてＡｇを含んでおり、
前記非磁性体層が独立空隙を有する基材を有する誘電体磁器であって、
前記基材が、ガラス相を有し、
前記ガラス相は内部にＳｉＯ２リッチ粒子が分散しており、
ＮｉＣｕＺｎ系フェライトと一体化可能な線膨張係数を有することを特徴とする積層複合電子部品。
【請求項２】
前記ガラス相に含まれるＳｉの割合がＳｉＯ２換算で４０〜７０ｗｔ％である請求項１に記載の積層複合電子部品。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、誘電体組成物、誘電体磁器および積層複合電子部品に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、携帯電話、ＰＣなどの電子機器に高速シリアル伝送インターフェースが数多く採用されている。それに伴い、高いカットオフ周波数を有するコモンモードフィルタが求められている。
【０００３】
現在広く用いられているコモンモードフィルタのコイル部には、非磁性Ｃｕ−Ｚｎ系フェライト等が用いられている。しかし、現在コモンモードフィルタのコイル部に用いられている誘電体は、いずれも比誘電率が約４．２〜１５と高いために浮遊容量の影響で高周波対応に限界がある。したがって、比誘電率がさらに低い誘電体が求められている。
【０００４】
また、コモンモードフィルタ等の複合電子部品は、コイル部の誘電体（非磁性材料）と磁性材料との異材質同時焼成により形成される。そのため、コイル部の誘電体と磁性材料とで線膨張係数を一致させることが好ましい。しかし、線膨張係数は各材料に固有の値となり、その値を任意に変化させることは困難である。なお、磁性材料としては、例えばＮｉＣｕＺｎフェライトが広く用いられている。
【０００５】
特許文献１には、ガラスセラミック誘電体材料の発明が記載されている。アルカリ金属酸化物の含有比率および含有量を厳密に制限したアルカリ硼珪酸ガラスを使用することで、比誘電率と誘電損失とを低くしたガラスセラミック誘電体材料を提供している。
【０００６】
特許文献２には、誘電体磁器組成物の発明が記載されている。二種類のガラス、石英、アモルファスシリカおよびアルミナをそれぞれ所定の範囲内で含むことで、比誘電率を低く抑えながら、ＮｉＣｕＺｎフェライトと一体化同時焼成可能な誘電体磁器組成物を提供している。
【０００７】
特許文献３には、コモンモードノイズフィルタの発明が記載されている。ガラス系セラミック材料に空隙を導入することで、比誘電率を更に低下させる旨が記載されている。具体的には、ガラス系セラミック材料の原料にＣａＣＯ３などの焼成中に分解する無機発泡材を添加し、ＣＯ２などの気体を発生させることでガラス系セラミック材料中に空隙を形成している。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００８】
【特許文献１】特開２００４−２６９２６９号公報
【特許文献２】特開２０１４−１５２０５９号公報
【特許文献３】特開２０１３−６２４５９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
しかし、特許文献１に記載のガラスセラミック誘電体材料では、線膨張係数が４．８〜５．０ｐｐｍ、すなわち４８×１０−７／℃〜５０−７／℃となる。この線膨張係数はＮｉＣｕＺｎフェライトの線膨張係数（約１００×１０−７／℃）の約半分である。一般的に線膨張係数差が１０×１０−７／℃よりも大きいセラミック材料同士を接合して焼成すると、ほぼ１００％の割合でクラックを生じる。したがって、特許文献１に記載のガラスセラミック誘電体材料ではＮｉＣｕＺｎフェライトと一体化同時焼成することは困難である。
【００１０】
特許文献２に記載の誘電体磁器組成物は、線膨張係数はＮｉＣｕＺｎフェライトとほぼ一致する。したがって一体化同時焼成は可能である。しかし、比誘電率のさらなる低減が求められる。
【００１１】
特許文献３に記載のガラス系セラミック材料は、その製造に用いられるＣａＣＯ３などの無機発泡材が硼珪酸ガラスに対して焼結阻害因子として働いてしまう。また、発泡の制御は困難であるため、製品によって比誘電率にばらつきが生じてしまい、比誘電率の制御が困難である。また、電子部品化した際に内部電極周辺で発泡が生じてしまうと内部電極が変形する原因となってしまう。さらに、残渣として残るＣａＯなどの物質が比誘電率を上昇させてしまう。
【００１２】
本発明は、このような実状に鑑みてなされ、低い比誘電率を実現し、線膨張係数がＮｉＣｕＺｎフェライトに近く、絶縁抵抗も良好であり、焼結体組織が均一である誘電体磁器、焼結により当該誘電体磁器となる誘電体組成物、および、当該誘電体磁器を用いた積層複合電子部品を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
上記目的を達成するために、本願第１の観点に係る誘電体組成物は、
主成分として、ＳｉＯ２−Ｋ２Ｏ−Ｂ２Ｏ３系ガラス、ＭＯ−ＳｉＯ２−Ａｌ２Ｏ３−Ｂ２Ｏ３系ガラス（Ｍはアルカリ土類金属）および石英を含有し、
主成分全体を１００重量部として、
ＳｉＯ２−Ｋ２Ｏ−Ｂ２Ｏ３系ガラスおよびＭＯ−ＳｉＯ２−Ａｌ２Ｏ３−Ｂ２Ｏ３系ガラスの合計含有量が４８〜５４重量部であり、
ＭＯ−ＳｉＯ２−Ａｌ２Ｏ３−Ｂ２Ｏ３系ガラスの含有量が２２〜３０重量部であり、
石英の含有量が１２〜１８重量部であり、
主成分の残部がアモルファスシリカであり、
主成分１００重量部に対して、添加物としてＳｒＯ−ＳｉＯ２−Ｂ２Ｏ３系ガラスを３〜９重量部、酸化アルミニウムを１．５〜４．５重量部含有し、ＮｉＣｕＺｎ系フェライトと一体化可能な線膨張係数を有する。
【００１４】
本願第１の観点に係る誘電体組成物は、上記の構成を有することで、焼結により以下に示す誘電体磁器を得ることができる。
【００１５】
本願第１の観点に係る誘電体磁器は、上記の誘電体組成物からなり、空隙を有し、開気孔率が１５％未満である。当該誘電体磁器は、低い比誘電率を実現し、線膨張係数がＮｉＣｕＺｎフェライトに近く、絶縁抵抗も良好であり、焼結体組織が均一である。
【００１６】
本願第２の観点に係る誘電体磁器は、独立空隙を有する基材を有する誘電体磁器であって、
前記基材が、ガラス相を有し、
前記ガラス相は内部にＳｉＯ２リッチ粒子が分散しており、
ＮｉＣｕＺｎ系フェライトと一体化可能な線膨張係数を有することを特徴とする。
【００１７】
本願第２の観点に係る誘電体磁器は、上記の構成を有することにより、低い比誘電率を実現し、線膨張係数がＮｉＣｕＺｎフェライトに近く、絶縁抵抗も良好であり、焼結体組織が均一である誘電体磁器となる。
【００１８】
本願第２の観点に係る誘電体磁器は、前記ガラス相に含まれるＳｉの割合がＳｉＯ２換算で４０〜７０ｗｔ％であることが好ましい。
【００１９】
本願発明に係る積層複合電子部品は、
コイル用導体および非磁性体層で構成されるフィルタ部と、
磁性体相を含む外装部と、を有し、
前記コイル用導体が、導電材としてＡｇを含んでおり、
前記非磁性体層が本願発明に係る誘電体磁器で構成されていることを特徴とする。
【図面の簡単な説明】
【００２０】
【図１Ａ】図１Ａは、本発明の一実施形態に係る積層コモンモードフィルタの斜視図である。
【図１Ｂ】図１Ｂは、本発明の他の実施形態に係る積層コモンモードフィルタの斜視図である。
【図２Ａ】図２Ａは、図１Ａに示す積層コモンモードフィルタの積層構造を示す分解斜視図である。
【図２Ｂ】図２Ｂは、図１Ｂに示す積層コモンモードフィルタの積層構造を示す分解斜視図である。
【図２Ｃ】図２Ｃは、図１Ｂに示す積層コモンモードフィルタの他の実施形態に係る積層構造を示す分解斜視図である。
【図３】本発明の第２実施形態に係る誘電体磁器のＳＥＭ画像である。
【図４】試料４５のＳＥＭ画像である。
【図５】試料３のＳＥＭ画像である。
【発明を実施するための形態】
【００２１】
以下、本発明を、図面に示す実施形態に基づき説明する。なお、本実施形態では、誘電体組成物は焼結前の組成物を指すが、後述する焼失材は誘電体組成物には含まない。また、誘電体磁器は焼結後の磁器を指す。
【００２２】
（第１実施形態）
積層コモンモードフィルタ
図１Ａに示すように、本発明の一実施形態に係る積層複合電子部品としての積層コモンモードフィルタ１は、本体積層部１０に、外部電極２〜９が形成されている。積層コモンモードフィルタ１の形状に特に制限はないが、通常、直方体状とされる。また、その寸法にも特に制限はなく、用途に応じて適当な寸法とすればよいが、通常、２．０〜０．４ｍｍ×１．０〜０．３ｍｍ×０．７〜０．３ｍｍ程度である。まず、本実施形態に係る積層コモンモードフィルタの構造について説明する。
【００２３】
本体積層部１０は、図２Ａに示すように、本実施形態では、積層方向（Ｚ軸方向）に、下側の外装部３０と内装部２０と上側の外装部３０とが積層されている構造を有し、内装部２０では、Ｚ軸方向と垂直な平面（Ｘ−Ｙ軸平面）に２つで、Ｚ軸方向にも２つのコイルが形成してある。
【００２４】
下側と上側の外装部３０は、それぞれ同様な積層構造を有し、最外層側の磁性体層３１と、非磁性体層２６と内側磁性体層３２との積層構造を有する。これらの層３１、２６、３２は、それぞれ単一層で構成されても良いが、複数の層で構成されても良い。
【００２５】
内装部２０は、非磁性体層２１〜２５がＺ軸方向に積層されている構造を有する。これらの非磁性体層２１〜２５は、外装部３０に含まれる非磁性体層２６と同一材質の誘電体磁器で構成されていることが好ましく、その材質については後述する。ただし、これらは、必ずしも全く同一の誘電体磁器で構成する必要はなく、外装部３０と内装部２０とで、非磁性体層の種類を変えても良い。また、非磁性体層２１〜２５は、それぞれ単一層で構成されても良いが、複数の層で構成されても良い。
【００２６】
本実施形態では、各非磁性体層２１〜２５には、Ｘ軸方向に所定距離離れて、１対の芯体用スルーホールが形成してあり、それぞれのスルーホールに、Ｚ軸方向に貫通する芯体用磁性体３３および３４が埋め込まれている。これらの芯体用磁性体３３および３４は、好ましくは、外装部３０に配置してある内側磁性体層３２に接続してある。
【００２７】
各芯体用磁性体３３および３４の周囲に、コイルをそれぞれ形成するために、各非磁性体層２１〜２５には、所定パターンのコイル用導体１２〜１９が形成してあり、異なる層に位置するコイル用導体１２〜１９は、それぞれスルーホール電極４１〜４４を介して接続してある。各コイル用導体１２〜１９は、図１Ａに示す外部電極２〜９にそれぞれ接続して、芯体用磁性体３３および３４の周囲に、それぞれＺ軸方向に２つのコイルを形成するようなパターンを有している。
【００２８】
なお、図１Ａおよび図２Ａに示す実施形態では、平面方向に２つのコイルを有するコモンモードフィルタを例示したが、本発明では、コモンモードフィルタの構造は特に限定されない。たとえば図１Ｂおよび図２Ｂに示すような構造も考えられる。
【００２９】
このコモンモードフィルタ１ａでは、図１Ｂに示すように、本体積層部１０ａに、外部電極２ａ〜５ａと、ＥＳＤ（静電気放電対策）用外部電極６１および７１が形成されている。本体積層部１０ａは、図２Ｂに示すように、本実施形態では、積層方向（Ｚ軸方向）に、下側の外装部３０ａと内装部２０と上側の外装部３０とが積層されている構造を有し、内装部２０では、Ｚ軸方向と垂直な平面（Ｘ−Ｙ軸平面）には単一でＺ軸方向には２つのコイルが形成してある。
【００３０】
本実施形態では、下側の外装部３０ａと上側の外装部３０は、異なる積層構造を有し、下側の外装部３０ａでは、上側の外装部３０と異なり、所定パターンのＥＤＳ用導体層５１〜５５が、非磁性体層２６ａ、２６ｂの間に形成してある。これらの導体層５１〜５５は、コイル用導体１２ａ〜１５ａと同様な導電層で構成することができ、コイル用導体１２ａ〜１５ａは、図２Ａに示すコイル用導体１２〜１９と同様な材質で構成することができる。
【００３１】
内装部２０は、非磁性体層２１〜２５がＺ軸方向に積層されている構造を有する。これらの非磁性体層２１〜２５は、外装部３０、３０ａに含まれる非磁性体層２６、２６ａと同一材質の誘電体磁器で構成されていることが好ましく、その材質（誘電体組成物）については後述する。ただし、これらは、必ずしも全く同一の誘電体磁器で構成する必要はなく、外装部３０、３０ａと内装部２０とで、非磁性体層の種類を変えても良い。また、非磁性体層２１〜２５は、それぞれ単一層で構成されても良いが、複数の層で構成されても良い。
【００３２】
本実施形態では、各非磁性体層２１〜２５には、単一の芯体用スルーホールが形成してあり、そのスルーホールに、Ｚ軸方向に貫通する芯体用磁性体３３が埋め込まれている。この芯体用磁性体３３は、好ましくは、外装部３０に配置してある内側磁性体層３２に接続してある。
【００３３】
芯体用磁性体３３の周囲に、コイルをそれぞれ形成するために、各非磁性体層２１〜２５には、所定パターンのコイル用導体１２ａ〜１５ａが形成してあり、異なる層に位置するコイル用導体１２ａ〜１５ａは、それぞれスルーホール電極４１ａ、４３ａを介して接続してある。各コイル用導体１２ａ〜１５ａは、図１Ｂに示す外部電極２ａ〜５ａにそれぞれ接続して、芯体用磁性体３３の周囲にＺ軸方向に分離された２つのコイルを形成するようなパターンを有している。また、ＥＳＤ用導体層５１の両端が、ＥＳＤ用外部電極６１および７１に接続してある。
【００３４】
図２Ｃは、図２Ｂに示すコモンモードフィルタの変形例を示し、この本体積層部１０ｂでは、Ｚ軸方向の両側の外装部３０ｂ、３０ｃに、ＥＳＤ用導体層５１ａ〜５３ａ、５１ｂ、５４ｂ、５５ｂが形成してある。ＥＳＤ用導体層５１ａ、５１ｂの両端が、図１Ｂに示すＥＳＤ用外部電極６１および７１に接続してある。なお、図１Ａ〜図２Ｃにおいて、共通する部材には、共通する符号を付し、その説明は一部省略する。
【００３５】
単一のコイルを形成するようにＺ軸方向に隣り合う層に位置するコイル用導体に挟まれている非磁性体層２２または２４の厚みは、好ましくは５〜４０μｍ、より好ましくは８〜２５μｍ以下である。Ｚ軸方向にコイルを分離するための非磁性体層２３の厚みは、好ましくは５〜６０μｍである。
【００３６】
コイル用導体１１〜１９の厚みは、特に限定されず、非磁性体層の厚みに応じて適宜決定すればよい。
【００３７】
コイル用導体１１〜１９、ＥＳＤ用導体層５１〜５４、５１ａ〜５３ａ、５１ｂ、５４ｂ、５５ｂおよびスルーホール用導体４１〜４４、４１ａ、４３ａとしては、導電材としてＡｇを含み、たとえばＡｇ、Ａｇ合金（たとえばＡｇ−Ｐｄ合金、微量のＺｒを含むＡｇ）などを導電体とすることが好ましい。本実施形態の誘電体組成物は、低温（たとえば、９５０℃以下）での焼成が可能なので、本実施形態では、導電材として直流抵抗の低い銀を用いることができる。
【００３８】
外部電極２〜９、２ａ〜５ａ、６１、７１は特に限定されないが、銀を含む導電材が使用でき、この電極は、Ｃｕ−Ｎｉ−Ｓｎ、Ｎｉ−Ｓｎ、Ｎｉ−Ａｕ、Ｎｉ−Ａｇ等でめっきされていることが好ましい。
【００３９】
上述した非磁性体層２１〜２５、２６、２６ａ、２６ｂは、本発明の一実施形態に係る誘電体磁器で構成してある。
【００４０】
本実施形態の誘電体磁器は、誘電体組成物からなり、空隙を有する。誘電体組成物は、主成分が、ＳｉＯ２−Ｋ２Ｏ−Ｂ２Ｏ３系ガラス、ＭＯ−ＳｉＯ２−Ａｌ２Ｏ３−Ｂ２Ｏ３系ガラス（Ｍはアルカリ土類金属）、石英およびアモルファスシリカを含有し、添加物としてＳｒＯ−ＳｉＯ２−Ｂ２Ｏ３系ガラスおよび酸化アルミニウムを含有する。
【００４１】
本実施形態におけるＳｉＯ２−Ｋ２Ｏ−Ｂ２Ｏ３系ガラスとは、ＳｉＯ２−Ｋ２Ｏ−Ｂ２Ｏ３系ガラス全体を１００重量％として、ＳｉＯ２を７７〜８３重量％、Ｋ２Ｏを１．６〜２．４重量％、Ｂ２Ｏ３を１６〜２０重量％含有し、ガラス転移点が４８０〜５２０℃であるガラスを指す。ＳｉＯ２−Ｋ２Ｏ−Ｂ２Ｏ３系ガラスの比誘電率には特に制限はないが、３．８〜４．６とすることが好ましい。また、該ガラスの線膨張係数には特に制限はないが、例えば２０〜３０×１０−７／℃とすることができる。なお、該ガラスは、本発明の効果を妨げない範囲でＡｌ２Ｏ３、ＺｒＯ２を含んでいてもよく、好ましくはＡｌ２Ｏ３の含有量は０．５重量％以下、ＺｒＯ２の含有量は０．５重量％以下である。
【００４２】
本実施形態におけるＭＯ−ＳｉＯ２−Ａｌ２Ｏ３−Ｂ２Ｏ３系ガラスとは、ＭＯ−ＳｉＯ２−Ａｌ２Ｏ３−Ｂ２Ｏ３系ガラス全体を１００重量％として、ＳｉＯ２を５２〜５６重量％、Ａｌ２Ｏ３を１０〜１２重量％、ＭＯを２５．６〜３１．５重量％、Ｂ２Ｏ３を３．０〜４．５重量％含有し、ガラス転移点が６９０〜７３０℃、軟化点が７５０〜７９０℃であるガラスを指す。また、該ガラスの線膨張係数には特に制限はないが、例えば６０〜７５×１０−７／℃とすることができる。なお、該ガラスは、本発明の効果を妨げない範囲でＮａ２Ｏ、ＺｒＯ２およびＭｇＯなどを含んでいてもよい。Ｎａ２Ｏの含有量は好ましくは０．５重量％以下（０を含む）である。ＺｒＯ２の含有量は好ましくは０．５重量％以下（０を含む）である。ＭｇＯの含有量は好ましくは１．０〜２．５重量％である。
【００４３】
なお、ＭＯとは、アルカリ土類金属の酸化物であり、ＣａＯ、ＳｒＯおよびＢａＯからなる群から選択される少なくとも１種以上の金属酸化物である。また、本実施形態におけるＭＯ−ＳｉＯ２−Ａｌ２Ｏ３−Ｂ２Ｏ３系ガラスでは、ＭＯ−ＳｉＯ２−Ａｌ２Ｏ３−Ｂ２Ｏ３系ガラス全体を１００重量％として、ＣａＯを２．５〜３．５重量％、ＳｒＯを２３〜２７重量％およびＢａＯを０．１〜１．０重量％、含有することが好ましい。
【００４４】
本実施形態におけるＳｒＯ−ＳｉＯ２−Ｂ２Ｏ３系ガラスとは、ＳｒＯ−ＳｉＯ２−Ｂ２Ｏ３系ガラス全体を１００重量％として、ＳｒＯの含有量が４０〜４５重量％、ＳｉＯ２の含有量が１０〜１５重量％、Ｂ２Ｏ３の含有量が４０〜５０重量％であり、ガラス転移点が６４０〜６７０℃であるガラスを指す。また、該ガラスの線膨張係数には特に制限はないが、例えば６０〜７５×１０−７／℃とすることができる。なお、該ガラスは、本発明の効果を妨げない範囲でＢａＯ、ＺｒＯ２などを含んでいてもよく、好ましくはＢａＯの含有量は１重量％以下、ＺｒＯ２の含有量は０．３重量％以下である。
【００４５】
以下、ＳｉＯ２−Ｋ２Ｏ−Ｂ２Ｏ３系ガラスをガラス１、ＭＯ−ＳｉＯ２−Ａｌ２Ｏ３−Ｂ２Ｏ３系ガラスをガラス２、ＳｒＯ−ＳｉＯ２−Ｂ２Ｏ３系ガラスをガラス３と呼ぶことがある。
【００４６】
ガラス１の含有量とガラス２の含有量との合計は、主成分全体を１００重量部として４８〜５４重量部である。ガラス１の含有量とガラス２の含有量との合計を上記の範囲内とすることにより、十分な焼結性を維持しつつ、後述する焼失材の添加によって比誘電率を低下させることができる。ガラス１の含有量とガラス２の含有量との合計が４８重量部より少ない場合は、十分な焼結性が得られにくい傾向がある。５４重量部より多い場合は、焼結過程でガラス相の軟化が進み過ぎ、後述する焼失材の添加による比誘電率低下効果が十分に発揮されにくくなる。
【００４７】
ガラス２の含有量は、２２〜３０重量部である。ガラス２の含有量が２２重量部より少ない場合は、焼結時に液相の生成が不十分となりやすく、素体全体を液相で濡らすことが困難になり、焼結体組織が不均一になりやすい。３０重量部より多い場合は、ガラス２自体の比誘電率（約７）の高さにより、比誘電率の低い誘電体磁器が得られにくくなる。
【００４８】
石英の含有量は、１２〜１８重量部である。石英を１２〜１８重量部、含有することで、後述する分相状の焼結体組織において石英がＳｉＯ２リッチ粒子として生成し、誘電体組成物および最終的に得られる誘電体磁器の線膨張係数がＮｉＣｕＺｎフェライトの線膨張係数に近くなりやすくなる。石英の線膨張係数は１４０×１０−７／℃と高いため、石英の含有量が１２重量部より少ない場合は、線膨張係数がＮｉＣｕＺｎフェライトの線膨張係数を大きく下回りやすくなる。石英の含有量が１８重量部より多い場合は、線膨張係数がＮｉＣｕＺｎフェライトの線膨張係数を大きく上回りやすくなる。
【００４９】
主成分の残部は、アモルファスシリカのみから構成されていてもよい。なお、アモルファスシリカの線膨張係数は６×１０−７／℃である。
【００５０】
アモルファスシリカは、特に限定されず、例えば溶融法により製造された比較的低純度なアモルファスシリカや、四塩化ケイ素の熱分解などの気相法によって製造された比較的高純度なアモルファスシリカ等が挙げられる。
【００５１】
ガラス３の含有量は３〜９重量部である。また、酸化アルミニウムの含有量は１．５〜４．５重量部である。
【００５２】
前述したガラス２は酸化アルミニウム粒子が接触しなければ９５０℃程度以下では十分に焼結しにくい。一方、ガラス３はＢ２Ｏ３の含有量が４０〜５０重量％である低軟化点ガラスである。焼結時において軟化したガラス３に酸化アルミニウム粒子が接触し、拡散することで、ガラス２に対して酸化アルミニウム粒子を含む液相で十分に濡らすことが可能になる。この結果、高い焼結性が得られ、９５０℃程度以下の焼成温度でも十分な焼結が可能となる。さらに、酸化アルミニウム粒子を含む液相とガラス１、石英およびアモルファスシリカとが焼結する際に、後述する分相状の焼結体組織に変化する。この結果、後述する保形性および焼結性がさらに向上する。
【００５３】
ガラス３の含有量が３重量部より少ない場合は、焼結時に液相の生成が不十分となりやすく、素体全体を液相で濡らすことが困難になり、焼結体組織が不均一になりやすい。ガラス３の含有量が９重量部より多い場合は、焼結工程において、液相の生成が過剰となりやすく、後述する焼失材の焼失により生じた空隙をつぶすとともに、過剰に生成した液相が冷却時に固体化し、誘電体磁器がセッターに張りつくセッター貼付不良が発生しやすくなる。
【００５４】
酸化アルミニウムの含有量が１．５重量部より小さい場合には、焼結時に液相の生成が不十分となりやすく、素体全体を液相で濡らすことが困難になり、焼結体組織が不均一になりやすい。酸化アルミニウムの含有量が４．５重量部より大きい場合には、焼結過程でガラス相の軟化が進み過ぎ、後述する焼失材の添加による比誘電率低下効果が十分に発揮されにくくなる。さらに、酸化アルミニウム自体の比誘電率（約１０）の高さにより、誘電体磁器の比誘電率も高くなりやすくなる。
【００５５】
また、酸化アルミニウムの種類に特に制限はないが、微細かつ結晶性の低い酸化アルミニウム粒子を用いることが好ましく、平均粒径が２μｍ以下の酸化アルミニウムを用いることが好ましい。
【００５６】
本実施形態に係る誘電体組成物は、上記の構成を有すること、特にガラス１、石英およびアモルファスシリカの合計を７０重量部以上とすることで、誘電体組成物自体の比誘電率を５．０以下に抑制することが可能になる。
【００５７】
さらに、本実施形態に係る誘電体磁器は、ガラス２を主成分に含み、添加物としてガラス３および酸化アルミニウムを含むことで、保形性を著しく向上させることができる。保形性が向上するメカニズムは不明であるが、本発明者らは以下の通りであると考える。
【００５８】
ガラス２は添加物であるガラス３および酸化アルミニウムと反応することで、軟化および焼結を促進する。その結果、ガラス１、石英およびアモルファスシリカと、ガラス２、ガラス３および酸化アルミニウムと、が焼結過程において軟化、混合されることになる。そして、主に石英および／またはアモルファスシリカからなるＳｉＯ２リッチ粒子が誘電体磁器の組織中に生成し、ガラス相中に分散する現象が生じる。そして、ガラス相とＳｉＯ２リッチ粒子とに分相した分相状の焼結体組織が得られる。当該分相状の焼結体組織により保形性が向上すると本発明者らは考える。
【００５９】
保形性が向上することにより、後述する焼失材の添加によって焼結時に生じさせることができる空隙が潰れにくくなる。具体的には、９５０℃程度以下の焼成温度領域で焼成する場合に、焼結後の誘電体磁器において空隙が残存可能となる。最終的に得られる誘電体磁器の比誘電率は、空隙が残存することで、誘電体組成物自体の比誘電率から格段に低誘電率とすることができる。
【００６０】
積層コモンモードフィルタ１の製造方法
本実施形態の積層コモンモードフィルタは、従来の積層コモンモードフィルタと同様に、非磁性体グリーンシートおよび磁性体グリーンシートを作製し、グリーン状態の本体積層部１０、１０ａ、１０ｂを形成し、これを焼成した後、外部電極１〜９、２ａ〜５ａ、６１、７１を形成することにより製造される。以下、製造方法について具体的に説明する。
【００６１】
非磁性体グリーンシートの製造
まず、非磁性体層を構成することとなる誘電体磁器の原料、すなわち誘電体組成物の原料を準備する。
【００６２】
誘電体組成物の原料としては、ＳｉＯ２−Ｋ２Ｏ−Ｂ２Ｏ３系ガラス（ガラス１）、ＳｒＯ−ＣａＯ−ＳｉＯ２−Ａｌ２Ｏ３−Ｂ２Ｏ３系ガラス（ガラス２）、ＳｒＯ−ＳｉＯ２−Ｂ２Ｏ３系ガラス（ガラス３）、石英、アモルファスシリカおよび酸化アルミニウムを用いることができる。また、いずれも市販のものを用いることができる。
【００６３】
本実施形態では、まず、誘電体組成物の各原料を混合する。混合を行う方法としては、特に限定されないが、たとえば、原料粉末を粉体状態で乾式混合により行っても良いし、原料粉末に水や有機溶媒や分散剤などを添加し、ボールミル等を使用し、湿式混合により行っても良い。
【００６４】
湿式混合後、得られたスラリーを乾燥機にて乾燥し、誘電体組成物原料を得る。
【００６５】
さらに、誘電体組成物原料の他に焼失材を準備する。焼失材としては、市販の樹脂微粒子を用いることができる。樹脂微粒子の平均粒径には特に制限はないが、２〜５μｍが好ましい。また、樹脂微粒子は単分散であることが好ましい。
【００６６】
次に、乳鉢を用いて誘電体組成物原料および樹脂微粒子を混合する。誘電体組成物原料と樹脂微粒子との混合割合（重量割合）に特に制限はないが、誘電体組成物原料／樹脂微粒子＝８０／２０〜９０／１０とすることが好ましく、さらに好ましくは８０／２０〜８７．５／１２．５である。
【００６７】
さらに、混合粉末に有機ビヒクルを添加して非磁性体層用ペーストを作製する。
【００６８】
また、コイル用導体用ペーストは、たとえば銀などの導電材と、上記した有機ビヒクルとを混練して調製する。
【００６９】
上記した非磁性体層用ペーストおよびコイル用導体用ペーストの中の有機ビヒクルの含有量に特に制限はなく、通常の含有量、例えば、焼成前粉体１００重量％に対して、バインダーは５〜３０重量％程度、溶剤は５０〜１５０重量％程度とすればよい。また、各ペースト中には、必要に応じて各種分散剤、可塑剤等から選択される添加物が含有されていてもよい。これらの総含有量は、１０重量％以下とすることが好ましい。
【００７０】
次に、非磁性体層用ペーストをドクターブレード法などによりシート化し、非磁性体グリーンシートを形成する。
【００７１】
次に、上記にて作製した非磁性体グリーンシート上に、コイル用導体を形成する。コイル用導体の形成は、コイル用導体用ペーストをスクリーン印刷等の方法によって、非磁性体グリーンシート上に形成する。なお、コイル用導体の形成パターンは、製造するコモンモードフィルタの回路構成等に応じて適宜選択すればよい。
【００７２】
次に、非磁性体グリーンシート上のコイル用導体にスルーホールを形成する。スルーホールの形成方法としては、特に限定されないが、たとえばレーザー加工などにより行うことができる。なお、スルーホールの形成位置は、コイル用導体上であれば特に限定されない。
【００７３】
磁性体グリーンシートの製造
まず、磁性体層および芯体用磁性体を構成することとなる磁性体材料の主成分原料を塗料化して、磁性体層用ペーストを調製する。磁性体層用ペーストは、上記の磁性体層用ペーストと同様に調製すればよい。
【００７４】
主成分原料としては、酸化鉄（α−Ｆｅ２Ｏ３）、酸化銅（ＣｕＯ）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、酸化ニッケル（ＮｉＯ）、あるいは複合酸化物などを用いることができる。さらに、その他、焼成により上記した酸化物や複合酸化物となる各種化合物等を用いることができる。焼成により上記した酸化物になるものとしては、たとえば、金属単体、炭酸塩、シュウ酸塩、硝酸塩、水酸化物、ハロゲン化物、有機金属化合物等が挙げられる。また、磁性体の原料として、上記主成分以外にも必要に応じて添加物の出発原料を含有してもよい。
【００７５】
なお、誘電体材料は、磁性体層用ペーストとする前に、磁性体材料を構成する各出発原料の混合粉体を予備焼成し、その後、粉体の粉砕を行ってもよい。
【００７６】
そして、磁性体層用ペーストをドクターブレード法などによりシート化し、磁性体グリーンシートを形成する。
【００７７】
グリーンシートの積層
次に、上記にて作製した各非磁性体グリーンシートおよび磁性体グリーンシートを、順に積層し、グリーン状態の本体積層部１０を形成する。
【００７８】
本体積層部の焼成および外部電極の形成
次に、磁性体グリーンシートおよび非磁性体グリーンシートを順次積層することにより作製したグリーン状態の本体積層部を焼成する。焼成条件としては、昇温速度を好ましくは５０〜５００℃／時間、さらに好ましくは２００〜３００℃／時間、保持温度を好ましくは８４０〜９００℃、温度保持時間を好ましくは０．５〜８時間、さらに好ましくは１〜３時間、冷却速度を好ましくは５０〜５００℃／時間、さらに好ましくは２００〜３００℃／時間とする。
【００７９】
焼成後の非磁性体グリーンシート（誘電体磁器組成物）は焼成により有機ビヒクルが蒸発し、焼失材である樹脂微粒子が焼失している。この際、誘電体組成物および誘電体磁器の保形性が低いと焼失材の焼失により生じた空隙が周囲の誘電体組成物により潰れてしまい、十分な空隙を有する誘電体磁器が得られない。本実施形態に係る誘電体磁器は、上記の構成を有する誘電体組成物を用いるために、保形性が向上し、焼成によって生じた空隙が潰れず、十分な空隙を有する誘電体磁器となる。そして、当該誘電体磁器は十分な空隙を有することにより、誘電体組成物自身の比誘電率と比較して、十分に比誘電率を低下させることができる。
【００８０】
誘電体磁器が空隙を有するか否かについての判断方法には特に制限はない。例えば、誘電体磁器を破断した断面をＦＥ−ＳＥＭで観察して得たＳＥＭ画像から目視で空隙の有無を確認することができる。
【００８１】
また、誘電体磁器の焼結体組織が均一であることが好ましい。焼結体組織が均一であるとは、空隙が均一に分散していることを意味する。本実施形態では、焼結体組織の均一性はＳＥＭ画像の目視にて判断することが可能である。また、誘電体磁器の開気孔率によっても判断することができ、開気孔率が低いほど焼結体組織の均一性が高い。開気孔率が低いことにより、後述する電極焼付後のめっき時に空隙に侵入するめっき液を少なくすることができ、めっき液によるショートを防止することができる。
【００８２】
開気孔率の測定方法に特に制限はないが、ＪＩＳ−１６３４に記載の方法により実施することができる。なお、ＪＩＳ−１６３４には開気孔率が１０％以上の場合には適用しない旨が記載されているが、本実施形態では当該記載は無視する。開気孔率が１０％以上の場合でも、焼結体組織の均一性を判断する上では十分に正確な開気孔率を測定できるためである。開気孔率には特に制限はないが、１５％未満とすることが好ましい。開気孔率が１５％以上であると、後述する電気めっき時にめっき液が侵入しやすくなり、特性の低下を招く場合がある。
【００８３】
なお、本実施形態に係る誘電体組成物および誘電体磁器には、上述した成分以外に、誘電体組成物原料中の不可避的不純物元素の酸化物が数ｐｐｍ〜数百ｐｐｍ程度含まれていてもよい。
【００８４】
また、本実施形態に係る非磁性体グリーンシートの製造では、主成分原料と添加物原料とを同時に混合等した後に焼失材を添加し塗料化して非磁性体層用ペーストを調整するが、これに限定されるものではなく、必要に応じて、主成分原料のみ、または、主成分原料および添加物原料の混合物を予備焼成（仮焼き）することができ、予備焼成にて得られた粉体を焼失材と混合し粉砕して塗料化したものを非磁性体層用ペーストとすることができる。また、主成分原料、添加物原料および焼失材を全て同時に混合してもよい。
【００８５】
次に、焼成を行った本体積層部に、たとえばバレル研磨やサンドブラストなどにより端面研磨を施し、本体積層部の両側面に外部電極用ペーストを塗布・乾燥した後、焼き付けする。外部電極用ペーストは、たとえば銀などの導電材と、上記した有機ビヒクルとを混練して調製することができる。なお、このようにして形成した外部電極上には、Ｃｕ−Ｎｉ−Ｓｎ、Ｎｉ−Ｓｎ、Ｎｉ−Ａｕ、Ｎｉ−Ａｇ等で電気めっきを行うことが好ましい。
【００８６】
以上、本発明の第１実施形態について説明してきたが、本発明はこうした実施形態に何ら限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲内において種々なる態様で実施し得ることは勿論である。
【００８７】
第１実施形態では、誘電体磁器を、コモンモードフィルタのフィルタ部を構成する非磁性体層として用いている。しかし、上記の用途に特に制限されることはなく、各種電子部品の非磁性体層としても好適に用いることができる。
【００８８】
第１実施形態では、積層複合電子部品としてコモンモードフィルタを例示したが、積層複合電子部品としては、積層型フィルタに限定されない。また、第１実施形態に係る誘電体磁器を、積層複合電子部品以外、たとえば、ＬＣ複合電子部品に適用することも可能である。
【００８９】
また、第１実施形態に係る誘電体磁器は、コイル用導体および非磁性体層が積層して構成されるコイル部を有する積層セラミックコイルにおける非磁性体層に適用してもよい。この場合には、コイル用導体としてＡｇを導電体とすることが好ましい。
【００９０】
（第２実施形態）
以下、第２実施形態に係る誘電体磁器について説明する。また、第１実施形態との共通点については、説明を省略する。
【００９１】
第２実施形態に係る誘電体磁器は、独立空隙を有する基材からなる誘電体磁器であって、前記基材が、ガラス相を有し、前記ガラス相は内部にＳｉＯ２リッチ粒子が分散していることを特徴とする。
【００９２】
第２実施形態に係る誘電体磁器のＦＥ−ＳＥＭ画像を図３に示す。
【００９３】
第２実施形態における独立空隙１０１とは、誘電体磁器において外部と連結した開気孔となっておらず、周囲を基材に囲まれた空隙のことである。第２実施形態に係る誘電体磁器は、独立空隙１０１を有する基材からなることにより、比誘電率を著しく低下させることができる。また、独立空隙１０１は、外部と連結した開気孔ではないため、めっき液が侵入することがない空隙である。
【００９４】
また、第２実施形態における基材は、ガラス相１０５の他にＳｉＯ２リッチ粒子相１０３を有することに特徴がある。すなわち、ガラス相１０５は内部にＳｉＯ２リッチ粒子が分散していることに特徴がある。
【００９５】
ＦＥ−ＳＥＭ画像（図３）では、独立空隙１０１は黒色となり、ＳｉＯ２リッチ粒子相１０３が黒色に近い灰色、ガラス相１０５が白色に近い灰色となる。
【００９６】
また、ＳｉＯ２リッチ粒子相１０３は、ほぼ１００ｗｔ％（９６ｗｔ％以上）がＳｉＯ２、すなわち後述する石英および／またはアモルファスシリカからなる相である。これに対し、ガラス相１０５は、主に後述するＳｉを含むガラス等からなる。ガラス相１０５におけるＳｉの含有量を４０〜７０ｗｔ％とすることができる。Ｓｉの含有量が上記の範囲内であることにより、ガラス相自体の誘電率を低く保つ効果が得られる。なお、ＳｉＯ２リッチ粒子相１０３およびガラス相１０５におけるＳｉの含有量は、例えばＳＴＥＭ―ＥＤＸを用いて測定することができる。
【００９７】
本実施形態に係る基材が上記のガラス相１０５のみを有するのではなく、上記のガラス相１０５およびＳｉＯ２リッチ相１０３を有することで、保形性が高まる。このことにより、焼結体組織が均一となりやすく、空隙の存在による比誘電率の低下、良好な絶縁抵抗の維持、および、空隙が独立空隙であることによる開気孔率の低減を同時に達成しやすくなる。なお、開気孔率は１５％未満であることが好ましい。比誘電率は３．９以下であることが好ましい。
【００９８】
第２実施形態の誘電体磁器は、基材がガラス系セラミック材料からなり、独立空隙を含む。基材の組成には特に制限はないが、主成分が、ＳｉＯ２−Ｋ２Ｏ−Ｂ２Ｏ３系ガラス、ＭＯ−ＳｉＯ２−Ａｌ２Ｏ３−Ｂ２Ｏ３系ガラス、石英およびアモルファスシリカを含有し、添加物としてＳｒＯ−ＳｉＯ２−Ｂ２Ｏ３系ガラスおよび酸化アルミニウムを含有することが好ましい。基材の組成が上記の組成であることにより、線膨張係数をＮｉＣｕＺｎフェライトの線膨張係数に近づけやすくなる。なお、石英がＳｉＯ２リッチ粒子のうちの石英粒子発生の核となり、ガラス中のＮａ＋がＳｉＯ２リッチ粒子のうちの石英粒子を析出させやすくし、ガラス中のＡｌ２Ｏ３成分がＳｉＯ２リッチ粒子のうちの石英粒子を析出させにくくする。
【００９９】
以下、ＳｉＯ２−Ｋ２Ｏ−Ｂ２Ｏ３系ガラスをガラス１、ＭＯ−ＳｉＯ２−Ａｌ２Ｏ３−Ｂ２Ｏ３系ガラスをガラス２、ＳｒＯ−ＳｉＯ２−Ｂ２Ｏ３系ガラスをガラス３と呼ぶことがある。
【０１００】
ガラス１の含有量とガラス２の含有量との合計は、４８〜５４重量部であることが好ましい。ガラス２の含有量は、２２〜３０重量部であることが好ましい。石英の含有量は、１２〜１８重量部であることが好ましい。主成分の残部は、アモルファスシリカのみから構成されていてもよい。
【０１０１】
ガラス３の含有量は３〜９重量部であることが好ましい。また、酸化アルミニウムの含有量は１．５〜４．５重量部であることが好ましい。
【０１０２】
開気孔率の上限は特にないが、１５％未満とすることが好ましい。また、開気孔率が低い場合には、焼失材の焼失により生じた独立空隙が焼成時に過剰に液相化したガラスにつぶされている場合がある。開気孔率が低い場合には、めっき液に対する信頼性および耐湿試験の結果が良好になりやすい傾向があるものの、比誘電率が低下しにくくなる傾向がある他、焼成時に過剰に液相化したガラスが固体化するときに誘電体磁器とセッターが貼り付くセッター貼付不良が生じている場合がある。ガラスが過剰に液相化する要因としては、ガラスの組成や焼成温度などがある。
【実施例】
【０１０３】
以下、実施例により発明をより詳細に説明するが、本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。
【０１０４】
実施例１
まず、誘電体組成物を構成する主成分原料として、ＳｉＯ２−Ｋ２Ｏ−Ｂ２Ｏ３系ガラス（ガラス１；ガラス転移点５１０℃、平均粒径３．３μｍ）、ＭＯ−ＳｉＯ２−Ａｌ２Ｏ３−Ｂ２Ｏ３系ガラス（ガラス２；線膨張係数６８×１０−７／℃、軟化点７７０℃、平均粒径２．０μｍ）、石英およびアモルファスシリカを準備した。また、添加物原料として、アルミナ（Ａｌ２Ｏ３）およびＳｒＯ−ＳｉＯ２−Ｂ２Ｏ３系ガラス（ガラス３）を準備した。なお、ＳｉＯ２−Ｋ２Ｏ−Ｂ２Ｏ３系ガラス、ＭＯ−ＳｉＯ２−Ａｌ２Ｏ３−Ｂ２Ｏ３系ガラスおよびＳｒＯ−ＳｉＯ２−Ｂ２Ｏ３系ガラスとしては、市販のガラスを用いた。アルミナとしては市販の平均粒径が２μｍ以下のものを用いた。
【０１０５】
そして、上記原料を表１に示す組成となるように秤量し、ボールミルにより２４時間湿式混合した。湿式混合後、得られたスラリーを乾燥機にて乾燥し、誘電体組成物を得た。得られた誘電体組成物に焼失材として樹脂微粒子を添加し、乳鉢を用いて混合した。樹脂微粒子としては、平均粒径が３μｍで単分散である市販の架橋樹脂微粒子を用いた。樹脂微粒子の平均粒径の測定はＦＥ−ＳＥＭ観察で行った。なお、実施例１では、誘電体組成物と焼失材との重量比を８５：１５で一定とした。
【０１０６】
得られた誘電体組成物と樹脂微粒子との混合物に、アクリル樹脂系バインダーを添加して顆粒とした後、加圧成形し、１７Φディスク形状の成形体を得た。この成形体を、空気中、９００℃にて、２時間焼成して誘電体磁器を得た。得られた誘電体磁器に対し、以下の評価を行った。
【０１０７】
[比誘電率εｓ]
得られた誘電体磁器に対し、ベクトルネットワークアナライザー（Ａｇｉｌｅｎｔ  Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｉｅｓ社製  ＰＮＡ  Ｎ５２２２Ａ）を使用して、共振法により測定を行い、比誘電率（単位なし）を算出した。評価基準は、３．９以下を良好とした。結果を表１および２に示す。
【０１０８】
[絶縁抵抗ρ]
まず、電極を形成した誘電体磁器に対し、絶縁抵抗計（ＨＥＷＬＥＴＴ  ＰＡＣＫＡＲＤ社製４３２９Ａ）を使用して、２５℃においてＤＣ２５Ｖを３０秒間印加した後の抵抗値を測定した。そして、この測定値と、電極面積および厚みとから、絶縁抵抗ρ（Ω・ｍ）を算出した。本実施例では、２０個の試料について測定を行い、その平均を求めることにより評価した。評価基準は、１．０×１０８Ω・ｍ以上を良好とした。結果を表１に示す。
【０１０９】
[線膨張係数α]
得られた誘電体磁器に対し、熱膨張計（ＢＲＵＫＥＲ  ＡＸＳ社製ＴＤ５０００ＳＡ）を使用して、２５℃から７００℃までの熱膨張を測定し、熱膨張係数α（１０−７／℃）を算出した。評価基準は、９０×１０−７／℃〜１１０×１０−７／℃を良好とした。結果を表１に示す。
【０１１０】
［焼結体組織の均一性（開気孔率）］
開気孔率の測定はＪＩＳ−１６３４に記載の方法により実施した。具体的には以下に示す方法で実施した。なお、ＪＩＳ−１６３４には開気孔率が１０％以上の場合には適用しない旨が記載されているが、本実施例では当該記載を無視し、開気孔率が１０％以上の場合にもＪＩＳ−１６３４に記載の方法を適用した。
【０１１１】
得られた誘電体磁器に対し、乾燥重量を測定後、水中で脱泡処理し、水中重量および含水重量を測定した。得られた水中重量および含水重量の値を用いてアルキメデス法による比重を算出すると共に、吸水率を算出した。併せて、開気孔率を算出した。本実施例では、開気孔率１５％未満である場合に焼結体組織が均一であると評価した。以下に示す表１および表２では、焼結体組織が均一である場合を○、焼結体組織が均一ではない場合を×と評価した。
【０１１２】
［セッター貼付不良］
上記と同様にして誘電体磁器を５個焼結し、セッター貼付不良が生じたか否かを観察した。セッター貼付不良が生じなかった場合を○、１個でもセッター貼付不良が生じた場合を×とした。
【０１１３】
【表１】
0006361751.tif 000002
【０１１４】
表１に示されるように、本発明に係る誘電体磁器（試料５〜７、１３〜１５、２０〜２２、２７〜２９、２９ａおよび３４〜３６）では、比誘電率、絶縁抵抗および線膨張係数のいずれの評価においても良好であることが確認された。さらに、開気孔率が低く焼結体組織の均一性が高くセッター貼付不良が生じないことが確認された。
【０１１５】
これに対し、ガラス１とガラス２との合計重量が小さすぎる誘電体磁器（試料３）では、絶縁抵抗、線膨張係数および焼結体組織の均一性が悪化することが確認された。試料３では、焼結時における軟化量が不十分となり、ガラス相に取り込まれないフィラー粒子が多数存在していると考えられる。そして、当該フィラー粒子により焼失材の焼失で生じた空隙が立体的に連結した開気孔となり、焼結体組織の均一性等が悪化していると考える。
【０１１６】
また、本発明の組成から外れる組成を有する誘電体磁器には、比抵抗の低下、焼結体組織の均一性の悪化、セッター貼付不良、線膨張係数の許容範囲からの逸脱および／または絶縁抵抗の低下が生じる場合があることが確認された。
【０１１７】
実施例２
実施例１の試料６について、ガラス系セラミック材料の組成を一定とし、誘電体組成物（主成分＋添加物）と焼失材との重量比のみを変化させて試料４２〜４６を作成した。また、ガラス１の含有率とアモルファスシリカの含有率とを試料４５から変化させた試料４８を作成した。さらに、ガラス系セラミック材料と焼失材との比を試料４８から変化させた試料４１を作成した。結果を表２に示す。
【０１１８】
【表２】
0006361751.tif 000003
【０１１９】
表２より、誘電体組成物（主成分＋添加物）と焼失材との重量比を８０／２０〜９０／１０の範囲内で変化させても、得られた誘電体磁器（試料４３〜４６および４８）は比誘電率、絶縁抵抗および線膨張係数のいずれの評価においても良好であることが確認された。さらに、開気孔率が低く焼結体組織の均一性が高いことが確認された。
【０１２０】
誘電体組成物（主成分＋添加物）と焼失材との重量比を７５／２５とした試料４１および４２の比較例は、焼失材が多すぎるために誘電体組成物が空間に占める割合が減少している。この場合、誘電体磁器が焼成時に軟化しても誘電体粒子同士の距離が遠くなるため、開気孔となりやすくなる。したがって、焼結体組織が不均一となりやすくなる。
【０１２１】
実施例３
開気孔率が５％であり焼結体組織が均一である試料４５（実施例）、および、開気孔率が２３％であり焼結体組織が均一ではない試料３（比較例）について、ＦＥ−ＳＥＭを用いて破断面のＳＥＭ画像を観察した。試料４５のＳＥＭ画像を図４、試料３のＳＥＭ画像を図５に示す。
【０１２２】
開気孔率が低く焼結体組織が均一な図４では略球形である焼失材（樹脂微粒子）の焼失により生じた独立空隙が多数みられる。独立空隙はそのほとんどが閉気孔であり、閉気孔には端子焼付後にめっきを行うためのめっき液は実質的に侵入しないと考えられる。また、ＳＴＥＭ−ＥＤＸを用いて試料４５のガラス相のＳｉ含有量を測定したところ、４０〜７０％の範囲内であった。これに対し、開気孔率が高い図５では独立空隙が見られない。焼失材の焼失により生じた空隙同士が立体的に連結して大きな空隙になっている。当該空隙の多数が開気孔となり、そこから端子電極焼付後にめっきを行うためのめっき液が侵入する不具合が発生し、当該誘電体磁器を含むコモンモードフィルタの特性が低下すると考えられる。また、他の試料についても破断面のＳＥＭ画像を観察したところ、焼結体組織が均一な実施例の試料では独立空隙がみられたが、焼結体組織が均一ではない比較例の試料では、独立空隙がみられなかった。
【符号の説明】
【０１２３】
１…積層コモンモードフィルタ
１０、１０ａ、１０ｂ…本体積層部
１〜９、６１、７２…外部電極
１２〜１９、１２ａ〜１５ａ…コイル用導体
２０…内装部
２１〜２５…内層側非磁性体層
２６、２６ａ、２６ｂ…外層側非磁性体層
３０、３０ａ〜３０ｃ…外装部
３１、３２…磁性体層
３３、３４…芯体用磁性体
４１〜４４、４１ａ、４３ａ…スルーホール電極
５１〜５５…ＥＳＤ用導体層
１０１…独立空隙
１０３…ＳｉＯ２リッチ粒子相
１０５…ガラス相
【図１Ａ】
0006361751.tif 000004
【図１Ｂ】
0006361751.tif 000005
【図２Ａ】
0006361751.tif 000006
【図２Ｂ】
0006361751.tif 000007
【図２Ｃ】
0006361751.tif 000008
【図３】
0006361751.tif 000009
【図４】
0006361751.tif 000010
【図５】
0006361751.tif 000011