(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
−基板アダプタ（３５´、３５´´、３５´´´）を有する少なくとも１つの半導体素子（１０´、１０´´、１０´´´）を製造するための方法であって、
−導電金属素子（１２）を構築するステップと、
−接触材（１１）を半導体素子（１０）の第１の側面（１３）上に塗布するステップであって、前記半導体素子（１０）が搬送素子（２０）上に第２の側面（１４）で配置されるステップと、
−前記構築された金属素子（１２）の第１の側面（２１）と前記接触材（１１）でコーティングされた前記半導体素子（１０）の前記第１の側面（１３）とが互いに対向して配置されるように、前記構築された金属素子（１２）および前記半導体素子（１０）を位置決めするステップと、
−前記構築された金属素子（１２）を、前記接触材（１１）でコーティングされた前記半導体素子（１０）に接合するステップとを含み、
前記塗布された接触材（１１）および前記接合された金属素子（１２）を有する前記半導体素子（１０）は、前記搬送素子（２０）から取り外され、別の接触材（２５）でコーティングされたキャリア（３０）に適用され、前記半導体素子（１０）の前記第２の側面（１４）が、前記別の接触材（２５）でコーティングされた前記キャリア（３０）と接触することを特徴とする、方法。
【請求項２】
前記半導体素子（１０）および前記接触材（１１）に接合される前記構築された金属素子（１２）をさらに処理するために細分化するステップであって、前記搬送素子（２０）、前記細分された金属素子（１２´、１２´´、１２´´´）によって形成される前記基板アダプタ（３５´、３５´´、３５´´´）、および前記接触材（１１）が、互いに離れて固定されるステップによって特徴づけられる、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記搬送素子（２０）が、フィルムフレームおよび／またはウェハフレームであることを特徴とする、請求項１または２に記載の方法。  
【請求項４】
少なくとも１つの基板アダプタ（３５´、３５´´、３５´´´）を有する少なくとも１つの細分化された半導体素子（１０´、１０´´、１０´´´）が、前記搬送素子（２０）から取り外されて、別の接触材（２５）でコーティングされるキャリア（３０）に適用され、前記少なくとも１つの細分化された半導体素子（１０´、１０´´、１０´´´）の前記第２の側面（１４）が、別の接触材（２５）でコーティングされた前記キャリア（３０）と接触することを特徴とする、請求項１から３のいずれか一項に記載の方法。
【請求項５】
好ましくは、前記半導体素子（１０）と前記接触材（１１）とに共に接合される前記構築された金属素子（１２）を細分化する前記ステップの前に、前記構築された金属素子（１２）の第２の側面（２２）に保護フィルム（４０）を適用することを特徴とする、請求項２から４のいずれか一項に記載の方法。
【請求項６】
前記搬送素子（２０）および／または前記キャリア（３０）がフィルムであり、接続された接触材（１１、２５）または金属素子（１２）または半導体素子（１０）への接着性が、前記接触材（１１、２５）および／または前記金属素子（１２）および／または前記半導体素子（１０）の間の接続の接着性よりも低いことを特徴とする、請求項１から５のいずれか一項に記載の方法。
【請求項７】
前記搬送素子（２０）および／または前記キャリア（３０）がフィルムであり、接続された接触材（１１、２５）または金属素子（１２）または半導体素子（１０）への接着性が、前記接触材（１１、２５）および／または前記金属素子（１２）および／または前記半導体素子（１０）の間の接続の接着性よりも低いことを特徴とする、請求項４または請求項５に記載の方法。
【請求項８】
前記搬送素子（２０）と前記少なくとも１つの半導体素子（１０、１０´、１０´´、１０´´´）との間、および／または前記キャリア（３０）と前記他の接触材（２５）との間の接着性は、前記少なくとも１つの半導体素子（１０、１０´、１０´´、１０´´´）と前記接触材（１１）との間、または前記他の接触材（２５）と前記少なくとも１つの半導体素子（１０、１０´、１０´´、１０´´´）との間の接着性よりも低く、前記少なくとも１つの半導体素子（１０、１０´、１０´´、１０´´´）が前記搬送素子（２０）から取り外された場合、前記接触材（１１）が前記金属素子（１２´、１２´´、１２´´´）に接着し、および／または前記少なくとも１つの半導体素子（１０´、１０´´、１０´´´）が前記キャリア（３０）から取り外された場合、前記他の接触材（２５）が前記半導体素子（１０´、１０´´、１０´´´）に接着することを特徴とする、請求項６または請求項７に記載の方法。
【請求項９】
前記半導体素子（１０）の前記第１の側面（１３）に前記接触材（１１）を塗布する前記ステップおよび／または前記キャリア（３０）の１つの側面（３１）に前記他の接触材（２５）を塗布する前記ステップは、前記構築された金属素子（１２）の前記構造に、および／または前記半導体素子（１０）の前記構造に正確に合う、所定の構造で実現されることを特徴とする、請求項１または請求項４に記載の方法。
【請求項１０】
前記金属素子（１２）を前記半導体素子（１０）に接合する前記ステップの間、スタンプが、６０℃から１３０℃、特に７０℃から１１０℃、特に８０℃から１００℃の温度で、前記金属素子（１２）の第２の側面（２２）で動作することを特徴とする、請求項１から９のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１１】
前記接合処理の間、カウンタホルダおよび／またはカウンタスタンプが、前記半導体素子（１０）の前記第２の側面（１４）で、および／または前記搬送素子（２０）で、および／または前記キャリア（３０）で動作することを特徴とする、請求項１０に記載の方法。
【請求項１２】
前記半導体素子（１０）に接合されて、任意選択的に、任意のまたは前記保護フィルム（４０）でコーティングされる前記構築された金属素子（１２）が、好ましくは、ソーイング、レーザ切断、パンチング、エッチング、またはウォータージェット切断によって細分化されることを特徴とする、請求項５に記載の方法。
【請求項１３】
請求項１から１２のいずれか一項により製造される、基板アダプタ（３５´、３５´´、３５´´´）を有する半導体素子（１０´、１０´´、１０´´´）。
【請求項１４】
請求項１３に記載の基板アダプタ（３５´、３５´´、３５´´´）を半導体素子（１０´、１０´´、１０´´´）に接触させるための方法であって、
−前記半導体素子（１０´、１０´´、１０´´´）と、前記接合された接触材（１３）を伴う前記金属素子（１２´、１２´´、１２´´´）を備える前記基板アダプタ（３５´、３５´´、３５´´´）を、前記キャリア（３０）または搬送素子（２０）から取り外すステップと、
−基板アダプタ（３５´、３５´´、３５´´´）を有する前記半導体素子（１０´、１０´´、１０´´´）と、特に回路基板、ＤＣＢ基板、ＰＣＢ基板、リードフレーム、またはセラミック回路基板の電子部品のためのキャリア基板とを、任意選択的に別の接触材（２５）でコーティングされた、前記半導体素子（１０´、１０´´、１０´´´）の前記第２の側面（１４）および電子部品のための前記キャリア基板が互いに対向するように、互いに位置決めするステップと、
−前記基板アダプタ（３５´、３５´´、３５´´´）を有する前記半導体素子（１０´、１０´´、１０´´´）を、熱および／または圧力を印加することによって、電子部品のための前記キャリア基板上に取り付けるステップと、
−前記金属素子（１２´、１２´´、１２´´´）の第２の側面（２２）を、接触要素、特に、ボンディングワイヤ、ボンディングストリップ、またはクリップで接触させるステップとを含む、方法。
【請求項１５】
請求項６から１２のいずれか一項に記載の方法で製造された基板アダプタ（３５´、３５´´、３５´´´）を半導体素子（１０´、１０´´、１０´´´）と接触させるために、前記金属素子（１２´、１２´´、１２´´´）の前記第２の側面（２２）を接触要素と接触させる前記ステップの前に、前記保護フィルム（４０）を取り外し、前記金属素子（１２´、１２´´、１２´´´）の前記第２の側面（２２）を露出させることを特徴とする、請求項１４に記載の方法。
【請求項１６】
前記半導体素子（１０´、１０´´、１０´´´）が、電子部品のための前記キャリア基板に焼結される、および／またはハンダ付けされる、および／または接着されることを特徴とする、請求項１４または１５に記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板アダプタを有する半導体素子を製造する方法に関する。さらに、本発明は、そのような方法で製造される基板アダプタを有する半導体素子に関し、また半導体素子と基板アダプタとを接触させる方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
パワー・エレクトロニクス・モジュールにおける要求、例えば、その伝導率およびサービス寿命に関する要求の増加は、パワー半導体を互いに、またはパワー・エレクトロニクス・モジュール内の他の端子と接触させるためのＣｕボンドワイヤを使用することを必要とする。現在使用されているチップメタライゼーションの主な方法は、アルミニウムコーティングまたはアルミニウムメタライゼーションであり、接触処理において、およびデバイスの後の使用において問題を引き起こす。
【０００３】
例えば、そのようなメタライゼーション方法は、動作中のパワー・エレクトロニクス・モジュールにおいて後に故障を引き起こす可能性がある。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
システムのサービス寿命を延ばすために、いわゆる、フレックス回路基板を使用するなどの、さまざまな手法が存在する。しかしながら、そのようなフレックス回路基板と関連する欠点も存在する。というのも、フレックス回路基板は従来のワイヤボンド処理を使用して接触させることができず、既存の製造能力を、もはや使用することができないためである。
【０００５】
半導体素子を接触させるために現在知られている手順は、まず、金属素子を接触材でコーティングし、これを、下流の方法ステップで最終顧客の施設内で半導体デバイスに接続する。しかしながら、そのような方法は、非常にコストがかかる。
【０００６】
本発明の目的は、特に、製造された半導体デバイス、特に、パワー半導体デバイスの信頼性に関し、改善案を提供することである。さらに、最もコストのかからない方式で実行することができる方法を説明する。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明によると、基板アダプタを有する少なくとも１つの半導体素子を製造するための方法に関し、この目的は、請求項１のプリアンブルの特徴を有する方法によって実現され、請求項１３の発明の主題によって基板アダプタを有する半導体素子に関して、さらに請求項１４の特徴を有する方法によって半導体素子を基板アダプタと接触させるための方法に関して、実現される。
【０００８】
基板アダプタを有する半導体素子を製造するための本発明に係る方法の、または半導体素子を基板アダプタと接触させるための本発明に係る方法の、有利で簡便な構成は、従属請求項で説明する。
【０００９】
基板アダプタを有する少なくとも１つの半導体素子を製造するための本発明に係る方法は、
−導電金属素子を構築するステップと、
−半導体素子の第１の側面に接触材を塗布するステップであって、当該半導体素子が搬送素子上に第２の側面で配置されるステップと、
−構築された金属素子の第１の側面と接触材でコーティングされた半導体素子の第１の側面とが互いに対向配置されるように、当該構築された金属素子および半導体素子の位置決めをするステップと、
−構築された金属素子を、接触材でコーティングされた半導体素子に接合するステップとを含む。
【００１０】
導電金属素子は、例えば、銅フィルムとすることができる。導電金属素子は、純銅または銅合金からなることができる。この点に関して、金属素子は、ＣｕＮｉ、ＣｕＳｎ、ＣｕＦｅ、ＣｕＮｉＳｚ、ＣｕＡｇ、ＣｕＷ、またはＣｕＭｏからなると考えられる。金属素子は、純銀からなるとも考えられる。
【００１１】
導電金属素子の構築は、構造物を導電金属素子に組み込むことに関し、その構造物は、導電金属素子の片側および２つ以上の側面に組み込むことができる。導電金属素子の構築は、取得される、半導体素子の形状、基板アダプタを有する半導体素子の形状に影響されることが好ましい。例えば、互いに離れて配置された同様の形状または合致する形状を、導電金属素子に組み込むことが可能である。
【００１２】
半導体素子の第１の側面に塗布される接触材は、焼結性材料、例えば、焼結材とすることができる。接触材は、焼結ペーストおよび／または焼結フォイルとすることができ、焼結材および／または焼結ペーストおよび／または焼結フォイルは、例えば、銀および／または銀化合物を含むことができる。
【００１３】
本発明のさらなる実施形態において、接触材は、ハンダおよび／または導電接着剤とすることができる。
【００１４】
接触材を半導体素子の第１の側面に塗布することは、噴霧、噴射、スクリーン印刷、ステンシル印刷によって、または間接印刷によって、行うことができる。
【００１５】
したがって、接触材でコーティングされた半導体素子および構築された導電金属素子は、まず、互いに別々に処理される２つの要素の形式であり、互いに対して後に位置決めされる。構築された金属素子は、当該金属素子の第１の側面と接触材でコーティングされた半導体素子の第１の側面とが互いに対向配置されるように、半導体素子に対して位置決めされる。金属素子の第１の側面と接触材でコーティングされた半導体素子の側面とが、互いに向かい合う。
【００１６】
構築された金属素子を半導体素子に対して好ましく正確に位置決めした後、次いで、当該構築された金属素子は、接触材でコーティングされた半導体素子に接合される。
【００１７】
本発明に係る方法の特徴は、基板アダプタが、半導体素子に直接組み立てられることである。したがって、さらなる接合ステップを必要としない。したがって、半導体素子は、処理過程の非常に初期の段階で基板アダプタをすでに備え、後に構成要素を取り付ける際の手間が減る。基板アダプタは、初期段階で、大量に、半導体素子に適用される。このことは、下流工程で個別に取り付ける処理を用いる方法に比べて、コストがかからない方法である。
【００１８】
本発明に係る方法は、半導体素子と接触材とに接合された、構築された金属素子を、さらなる処理のために細分化することを可能にすることを提供し、搬送素子、細分化された金属素子および接触材によって形成された基板アダプタが、互いから離れて固定される。個々の基板アダプタは、分割されずに保持される搬送素子により、互いに所定の位置に保持される。したがって、基板アダプタは、互いに一定の距離で、搬送素子上に互いに隣接して配置される。個々の基板アダプタ間の距離は、例えば、搬送処理の間、変化せずに保持される。
【００１９】
搬送素子は、フィルムフレームおよび／またはウェハフレームとすることができる。
【００２０】
塗布された接触材および接合された金属素子を有する半導体素子は、搬送素子から取り外され、別の接触材でコーティングされたキャリアに適用され、当該半導体素子の第２の側面が、別の接触材でコーティングされたキャリアと接触することをさらに提供することができる。その場合、接触材および金属素子を有する半導体素子の構造は、搬送素子から完全に持ち上げられ、キャリア上に配置することができ、異なる接触材でコーティングされる。キャリア上のかかる構造は、互いに接合することができる。
【００２１】
本発明に係る方法の別の設計では、少なくとも１つの基板アダプタを有する少なくとも１つの細分半導体素子は、搬送素子から取り外され、別の接触材でコーティングされたキャリア上に配置することができ、少なくとも１つの細分半導体素子の第２の側面は、別の接触材でコーティングされたキャリアと接触する。したがって、本発明のこの実施形態において、細分基板アダプタ半導体素子構造を、搬送素子から取り外し、別の接触材でコーティングされたキャリア上に当該構造を配置することが可能である。この場合も、かかる構造をキャリアに接合することが可能である。
【００２２】
任意選択的に、構築された金属素子の第１の側面を、第１のコーティング系でコーティングし、および／または構築された金属素子の第２の側面を、第２のコーティング系でコーティングすることを提供することができ、ここで、構築された金属素子の第１の側面および／または第２の側面のコーティングは、当該構築された金属素子を半導体素子に対して位置決めする前に行うことが好ましい。金属素子の第１の側面および／または第２の側面のオプションのコーティングは、例えば、亜鉛メッキで実行することができる。第１のコーティング系および第２のコーティング系は、異なる金属、特に、ニッケル、銀、および／または金が好ましい。
【００２３】
さらに、保護フィルムを、好ましくは、半導体素子および接触材に接合された、構築された金属素子を細分する前に、当該構築された金属素子の第２の側面に適用することを提供することができる。保護フィルムは、構築された金属素子の第２の側面を、損傷および／または異物混入および／または意図しない電気的接触から保護する。
【００２４】
搬送素子および／またはキャリアは、フィルムとすることができ、接続された接触材または金属素子または半導体素子への接着性は、接触材および／または金属素子および／または半導体素子の間の接続の接着性より低い。言い換えると、フォイルの接着性は、互いに接合された構造の他のすべての要素または材料の接着性よりも低い。
【００２５】
さらなる開発において、搬送素子と少なくとも１つの半導体素子との間、および／またはキャリアと他の接触材との間の接着性は、少なくとも１つの半導体素子と接触材との間、または他の接触材と少なくとも１つの半導体素子との間の接着性よりも低く、少なくとも１つの半導体素子が搬送素子から取り外された場合、接触材は金属素子に接着し、および／または少なくとも１つの半導体素子がキャリアから取り外された場合、他の接触材が半導体素子に接着すると考えられる。この接続では、搬送素子および／またはキャリアとしてフィルムを使用すること、および所望の取り外しの前にＵＶ光をこれに照射することが考えられ、接続された接触材または金属素子または半導体素子へのフォイルの接着力または接着性が低減する。
【００２６】
半導体素子の第１の側面への接触材の塗布および／またはキャリアの１つの側面への他の接触材の塗布は、構築された金属素子の構造に、および／または半導体素子の構造に正確に合う、所定の構造で実現することができる。本発明のさらなる実施形態において、半導体素子に塗布される接触材および／またはキャリアに塗布される他の接触材は、構築された金属素子が半導体素子に接合されるか、またはキャリアが半導体素子に接合される前に、予め乾燥されることを提供することができる。
【００２７】
金属素子を半導体素子に接合する間、特に、６０℃から１３０℃、特に、８０℃から１１０℃、特に８０℃から１００℃の温度で、当該金属素子の第２の側面でスタンプを動作させることができる。接合処理の間、スタンプを加熱することが可能である。本発明の代替実施形態において、特定の値の範囲で上昇した温度を、構造全体に印加して、互いに接合することが考えられる。
【００２８】
接合処理の間、カウンタホルダおよび／またはカウンタスタンプが、半導体素子の第２の側面で、および／または搬送手段で、および／またはキャリアで動作することができる。金属素子が半導体素子に接合されている間、５ＭＰａ未満の、例えば、特に、２ＭＰａ未満の、特に、１ＭＰａ未満の力が、金属素子の第２の側面に印加される。
【００２９】
本発明に係る方法の一部として、半導体素子に接合されて、任意選択的に、保護フィルムでコーティングされた、構築された金属素子は、好ましくは、ソーイングまたはレーザ切断またはパンチングまたはエッチングまたはウォータージェット切断によって細分化される。細分化の結果、複数の基板アダプタを有する複数の半導体素子の構造が、キャリア上に、および／または搬送手段上に製造される。
【００３０】
二次態様では、本発明は、基板アダプタを有する半導体素子に関し、基板アダプタを有する半導体素子は、何らかの方法、または本発明に係る方法で製造される。基板アダプタは、少なくとも１つの金属素子部分および少なくとも１つの接触材部分を備える。さらに、基板アダプタはまた、少なくとも１つの保護フィルム部分を備えることが可能である。
【００３１】
任意選択的に、各半導体素子を伴うこれらの部分は、キャリア上に、および／または搬送手段上に配置することができる。さらなる二次態様では、本発明は、半導体素子を基板アダプタと接触させるための方法に関する。本発明に係る接触方法は、
−半導体素子と、接合された接触材を伴う金属素子を備える基板アダプタとを、基板または搬送素子から取り外すステップと、
−基板アダプタを有する半導体素子および電子部品のためのキャリア基板を、任意選択的に異なる接触材でコーティングされた半導体素子の第２の側面と電子部品のためのキャリア基板とが互いに向き合うように、互いに位置決めするステップと、
−基板アダプタを有する半導体素子を、熱および／または圧力を印加することによって、電子部品のためのキャリア基板に取り付けるステップと、
−金属素子の第２の側面を接触要素で、特に、ボンディングワイヤまたはボンディングストリップまたはクリップで接触させるステップとを含む。
【００３２】
電子部品のためのキャリア基板は、例えば、回路基板またはＤＣＢ基板またはＰＣＢ基板またはリードフレームまたはセラミックプリント回路基板とすることができる。
【００３３】
本発明に係る方法を用いると、接触要素、特に、ボンディングワイヤまたはボンディングストリップまたはクリップは、純銅または銅合金からなるとさらに考えられる。この点に関して、金属素子は、ＣｕＮｉ、ＣｕＳｎ、ＣｕＦｅ、ＣｕＮｉＳｚ、ＣｕＡｇ、ＣｕＷ、またはＣｕＭｏからなると考えられる。金属素子は、純銀からなるとも考えられる。
【００３４】
さらに発展させると、金属素子の第２の側面を接触要素と接触させる前に、金属素子の第２の側面から保護フィルムを取り除き、その結果、第２の側面を露出させることが考えられる。
【００３５】
さらに、電子部品のための半導体素子が、キャリア基板に焼結される、および／またはハンダ付けされる、および／または接着されることを提供することができる。電子部品のためのキャリア基板は、例えば、回路基板またはＢＣＢ基板またはＰＣＢ基板またはリードフレームまたはセラミックプリント回路基板とすることができる。
【００３６】
基板アダプタを有する半導体素子を製造するために本発明に係る方法を使用すると、接触材と共に、顧客または生産もしくは処理ラインに渡すことができる半導体素子を提供する。半導体素子、または複数の半導体素子と、そこに配置された基板アダプタとを有する構造は、フィルムフレーム上に設けることができる。この種の提供フォーマットでは、以下の処理または方法ステップでフィルムフレームから直接取り外すことができ、電子部品のためのキャリア基板上に焼結することができる。このことは、ピックアンドプレース技術と同様である。これは、基板アダプタと共に半導体素子を、ロボティクスまたは把持装置または吸着装置によってキャリアまたはフィルムフレームから取り外すことができ、電子部品のための対応するキャリア基板に搬送することができることを意味する。これにより、より高速な製造処理および搬送手段の改善などの、経済的利点を実現することが可能となる。
【００３７】
さらに、すでに説明したピックアンドプレース方法を用いることによって、少なくとも１つの半導体素子を、独立して、フレキシブルに、複雑な環境でも使用することができる。さらに、後処理会社にすでに存在するピックアンドプレース機を使用することができる。
【００３８】
以下において、本発明に係る方法の例示的な実施形態が、３つの概略図に基づいて説明されるが、これらは本発明の範囲を制限するものではない。
【図面の簡単な説明】
【００３９】
【図１】本発明に係る方法の第１の実施形態により製造される、基板アダプタを有する半導体素子の模式断面図である。
【図２】細分化ステップを示す図１の模式断面図である。
【図３】本発明に係る方法の別の実施形態により製造される、基板アダプタを有する半導体素子の断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００４０】
以下において、同一の参照番号は、同一か、または機能的に同等の部分に対して使用される。
【００４１】
図１は、第１の側面２１および第２の側面２２を有する導電金属素子１２を示す。導電金属素子１２は、構築され、すなわち、図示した例における金属素子１２は、分離点１５によって互いに分離された２つの部分を備える。
【００４２】
半導体素子１０もまた示され、接触材１１が、半導体素子１０の第１の側面１３上に塗布される。半導体素子１０は、搬送素子２０上に第２の側面１４で配置される。この場合に示される構築された導電金属素子１２は、銅フィルムである。さらに、金属素子は、銅合金または銀から製造されると考えられる。接触材１１は、この場合、焼結ペーストである。
【００４３】
接触材１１は、例えば、スクリーン印刷またはステンシル印刷、またはブレードによるスクラッピング、または噴霧または噴射または間接印刷によって、半導体素子１０の第１の側面１３に塗布される。接触材１１は、構築された金属素子１２の構造に正確に一致する、所定の構造を有する半導体素子１０の第１の側面１３に塗布される。図示した例において、金属素子１２が分離点１５を有する位置で、接触材１１もまた、分離点１６を有する。
【００４４】
構築された導電金属素子１２および接触材１１でコーティングされた半導体素子１０は、第１の方法ステップで互いに分離された構成要素である。これに続いて、前記構築された金属素子１２の第１の側面２１と接触材１１でコーティングされた半導体素子１０の第１の側面１３とが互いに対向して配置されるように、当該構築された金属素子１２および半導体素子１０を位置決めする。これに続いて、構築された金属素子１２は、接合されるか、または接触材１１でコーティングされた半導体素子１０とともに接合される。
【００４５】
搬送素子２０は、例えば、フィルムであり、接続された半導体素子１０への接着性は、図１において適用される材料および要素の接着性よりも低い。すなわち、搬送素子２０および半導体素子１０の間の接着性は、半導体素子と、接触材１１と、金属素子２０との間の接着性よりも低い。
【００４６】
保護フィルム４０が、金属素子１２の第２の側面２２に適用される。接触材１１が、構築手法で半導体素子１０に塗布される。接触材１１は、分離点を有する。
【００４７】
金属素子１２を半導体素子１０と接合する間、スタンプが、金属素子１２の第２の側面２２で、したがって、保護フィルム４０上で動作する。ここで、接合処理は、６０℃から１３０℃の温度で実行される。接合処理の間、カウンタホルダおよび／またはカウンタスタンプ（図示せず）は、搬送手段２０で動作する。
【００４８】
図２は、後続の方法ステップを示す。点線で示した位置で、半導体素子１０および接触材１１に接合された、構築された金属素子１２は、細分化されて、搬送素子２０、細分化された金属素子１２´、１２´´、１２´´´および接触材１１によって形成される基板アダプタ３５´、３５´´、および３５´´´が、互いに離れて固定されるようさらに処理される。したがって、基板アダプタ３５´、３５´´、および３５´´´は、位置に関して互いに離れた規定の距離で固定される。
【００４９】
半導体素子１０に接合されて保護フィルム４０でコーティングされる金属素子１２の細分化は、好ましくは、ソーイングまたはレーザ切断またはパンチングまたはエッチングまたはウォータージェット切断により実現される。基板アダプタ３５´、３５´´、および３５´´´の間の距離は、図１に示すように、接触材１１の分離点１６の幅に対応する。
【００５０】
金属素子１２が半導体素子１０に接合されている間、５ＭＰａ未満の、例えば、特に、２ＭＰａ未満の、特に、１ＭＰａ未満の力が、金属素子１２の第２の側面２２に印加される。
【００５１】
図３に示すように、半導体素子１０´上に設置される基板アダプタ３５´および半導体素子１０´´上に設置される基板アダプタ３５´´および３５´´を有する２つの別々の半導体素子１０´および１０´´は、搬送素子２０から取り出され、別の接触材２５でコーティングされたキャリア３０に適用される。半導体素子１０´および１０´´のそれぞれの第２の側面１４は、別の接触材２５でコーティングされたキャリア３０と接触する。他の接触材２５は、銀系焼結ペーストともすることができる。他の接触材２５は、噴霧、噴射、ブレードによるスクラッピングによって、ディスペンサ、スクリーン印刷、ステンシル印刷により、または間接印刷によって、キャリアに塗布することができる。
【００５２】
キャリア３０はフィルムであり、キャリア３０と他の接触材２５との間の接着性は、他の接触材２５と半導体素子１０´、１０´´、および１０´´´との間の接着性よりも小さい。したがって、半導体素子１０´、１０´´、および１０´´´をキャリア３０から取り外す際、他の接触材２５は、半導体素子１０´、１０´´、および１０´´´に接着したままとすることが可能である。他の接触材２５はまた、規定の構造でキャリア３０に塗布される。
【００５３】
前述の説明、および請求項、図面、ならびに例示的実施形態で開示される本発明の特徴は、個別に、およびさまざまな実施形態における本発明の実装態様に対して任意の所望の組み合わせで有意なものとすることができる。
【符号の説明】
【００５４】
１０、１０´、１０´´、１０´´´  半導体素子
１１  接触材
１２  金属素子
１３  半導体素子の第１の側面
１４  半導体素子の第２の側面
１５  分離点
１６  分離点
２０  搬送素子
２１  金属素子の第１の側面
２２  金属素子の第２の側面
２５  追加の接触材
３０  キャリア
３５´、３５´´、３５´´´  基板アダプタ
４０、４０´、４０´´、４０´´´  保護フィルム
【図１】
0006267176.tif 000002
【図２】
0006267176.tif 000003
【図３】
0006267176.tif 000004