(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
真空チャンバのビューポートのためのプロテクタであって、増幅光ビームの波長を有する放射線と前記増幅光ビームによってイオン化された時にＥＵＶ光を生成するターゲット材料の発光スペクトルに含まれる波長を有する放射線とを吸収しかつ可視光又は近赤外光の１つ又はそれよりも多くを透過する基板材料と、前記基板材料上に形成され前記増幅光ビームの前記波長を有する放射線を反射する層と、を含む、プロテクタと、
前記層が前記真空チャンバの内部に向く状態で、前記プロテクタを保持するマウントと、を備える、アセンブリ。
【請求項２】
前記基板材料は、ガラス薄膜を含む、請求項１に記載のアセンブリ。
【請求項３】
前記増幅光ビームは、約１０．６μｍの波長を有する、請求項１に記載のアセンブリ。
【請求項４】
前記層は、可視放射線又は近赤外線の１つ又はそれよりも多くを透過する、請求項１に記載のアセンブリ。
【請求項５】
前記層は、８４５ｎｍから８６５ｎｍまでの波長を有する放射線のみを透過する、請求項４に記載のアセンブリ。
【請求項６】
前記層は、８００ｎｍから８４０ｎｍまでの波長を有する放射線のみを透過する、請求項４に記載のアセンブリ。
【請求項７】
前記層は、１０５０ｎｍから１０９０ｎｍまでの波長を有する放射線のみを透過する、請求項４に記載のアセンブリ。
【請求項８】
前記マウントは、前記プロテクタを受け入れて取り囲むホルダを含み、
前記ホルダは、前記ビューポートによって定められる開口に嵌合する、請求項１に記載のアセンブリ。
【請求項９】
前記マウントは、前記プロテクタを前記ホルダ内に固定するロッキング要素を更に含む、請求項８に記載のアセンブリ。
【請求項１０】
前記ホルダ及び前記ロッキング要素は、リング形状である、請求項８に記載のアセンブリ。
【請求項１１】
前記ロッキング要素及び前記ホルダは、対応するネジ山を有し、
前記ロッキング要素は、前記プロテクタを前記ホルダ内に固定するために前記ホルダ内に螺合する、請求項１０に記載のアセンブリ。
【請求項１２】
前記ビューポートの少なくとも一部分が、前記マウントの少なくとも一部分である、請求項１に記載のアセンブリ。
【請求項１３】
前記層は、前記増幅光ビームによってイオン化された時にＥＵＶ光を生成するターゲット材料の発光スペクトルに含まれる波長を有する前記放射線を反射する、請求項１に記載のアセンブリ。
【請求項１４】
前記発光スペクトルに含まれる前記波長及び前記増幅光ビームの前記波長は、異なっている、請求項１３に記載のアセンブリ。
【請求項１５】
増幅光ビームを受け入れる真空チャンバであって、前記真空チャンバの内部への開口部を定める側壁を含む、真空チャンバと、
前記真空チャンバに結合されたビューポートと、
前記増幅光ビームの波長と前記増幅光ビームによってイオン化された時にＥＵＶ光を生成するターゲット材料の発光スペクトルに含まれる波長とを有する放射線を吸収しかつ可視光又は近赤外光の１つ又はそれよりも多くを透過する基板材料と、前記基板材料上に形成され前記増幅光ビームの前記波長を有する放射線を反射する層と、を含み、前記ビューポートに結合されて前記真空チャンバの前記内部への前記開口部に向くプロテクタと、
を備える、極紫外（ＥＵＶ）光源。
【請求項１６】
前記プロテクタを前記ビューポートに結合するマウントを更に含む、請求項１５に記載の光源。
【請求項１７】
前記基板は、ガラス薄膜を含む、請求項１５に記載の光源。
【請求項１８】
前記ビューポートは、開口を定めるリング形状ディスクを含み、
前記プロテクタは、前記プロテクタの前記層が前記真空チャンバの前記内部を向きかつ前記プロテクタの中心が該開口の中心に対応するように前記プロテクタを前記ビューポートに配置することによって、前記ビューポートに結合される、請求項１５に記載の光源。
【請求項１９】
前記ビューポートと前記真空チャンバの間に置かれる標準銅ガスケットを更に含む、請求項１８に記載の光源。
【請求項２０】
前記層は、可視放射線又は近赤外線の１つ又はそれよりも多くを透過する、請求項１８に記載の光源。
【請求項２１】
極紫外（ＥＵＶ）光源のビューポートを保護する方法であって、増幅光ビームの波長を有する放射線と前記増幅光ビームによってイオン化された時にＥＵＶ光を生成するターゲット材料の発光スペクトルに含まれる波長を有する放射線とを吸収して可視光又は近赤外光を透過する基板と、前記基板上にあり、前記増幅光ビームの波長を有する放射線を反射する層と、を含むプロテクタを、窓材料とフランジとを含むビューポートに装着することと、
前記ビューポートと、真空チャンバによって定められる開口部に結合されたバルブアセンブリと、の間にガスケットを配置することと、
前記ビューポートと前記真空チャンバの内部との間に真空シールを生成することと、
を含む、方法。
【請求項２２】
前記増幅光ビームの波長は、約１０．６μｍである、請求項２１に記載の方法。
【請求項２３】
ビューポート内のホルダに前記プロテクタを配置することを更に含み、
前記ビューポートに前記プロテクタを装着することは、前記ビューポートに前記ホルダを配置することを含む、請求項２１に記載の方法。
【請求項２４】
極紫外（ＥＵＶ）光源のためのマウントであって、
プロテクタを受け入れ、かつ、標準ガスケットを用いて真空チャンバに対して密封されるビューポートに配置されたホルダであって、長手軸を定めかつ前記長手軸上に中心がある通路を定める側壁を含む、ホルダと、
開口を定めかつ前記ホルダの内部面に接続する外部面を有するロッキング要素と、を備え、
前記ロッキング要素を前記ホルダに接続することが、前記プロテクタを、前記プロテクタが前記長手軸に沿って実質的に妨げられることなく前記ホルダ内に固定し、
前記プロテクタは、増幅光ビームの波長を有する放射線と前記増幅光ビームによってイオン化された時にＥＵＶ光を生成するターゲット材料の発光スペクトルに含まれる波長を有する放射線とを吸収しかつ可視光又は近赤外光の１つ又はそれよりも多くを透過する基板材料であって、前記可視光又は前記近赤外光が前記真空チャンバの内部を画像化又は観測するのに用いられる、基板材料と、前記基板材料上に形成され前記増幅光ビームの前記波長を有する放射線を反射する層と、を含む、マウント。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明の開示の主題は、極紫外（ＥＵＶ）光源のためのビューポートプロテクタに関する。
【背景技術】
【０００２】
極紫外（「ＥＵＶ」）光、例えば、約５０ｎｍ又はそれ未満の波長（時には軟Ｘ線とも呼ばれる）を有し、かつ約１３ｎｍの波長の光を含む電磁放射線は、基板、例えば、シリコンウェーハに極めて小さい特徴部を生成するフォトリソグラフィ処理に使用することができる。
【０００３】
ＥＵＶ光を生成する方法は、以下に限定されるものではないが、輝線がＥＵＶ範囲にある元素、例えば、キセノン、リチウム、又は錫を有する材料をプラズマ状態に変換する段階を含む。レーザ生成プラズマ（「ＬＰＰ」）と呼ばれることが多い１つのそのような方法では、所要のプラズマは、例えば、材料の液滴、流れ、又はクラスターの形態のターゲット材料を駆動レーザと呼ぶことができる増幅された光ビームで照射することによって生成することができる。この処理に関して、プラズマは、典型的に、密封容器、例えば、真空チャンバ内で生成され、様々なタイプの測定機器を使用してモニタされる。
【発明の概要】
【課題を解決するための手段】
【０００４】
１つの一般的な態様において、アセンブリは、真空チャンバのビューポートのためのプロテクタを含む。プロテクタは、増幅光ビームの波長を有する放射線と、増幅光ビームによってイオン化された時にＥＵＶ光を生成するターゲット材料の発光スペクトルに含まれる波長を有する放射線とを吸収する基板材料を含む。基板材料は、可視光又は近赤外光の１つ又はそれよりも多くを透過する。プロテクタはまた、基板材料上に形成された層を含み、この層は、増幅光ビームの波長を有する放射線を反射する。アセンブリはまた、層を真空チャンバの内部に向けてプロテクタを保持するマウントを含む。
【０００５】
実施は、以下の特徴の１つ又はそれよりも多くを含むことができる。基板材料は、ガラス薄膜とすることができる。増幅光ビームは、約１０．６μｍの波長を有することができる。層は、可視光又は近赤外線の１つ又はそれよりも多くを透過することができる。一部の実施では、層は、８４５ｎｍ〜８６５ｎｍ、８００ｎｍ〜８４０ｎｍ、又は１０５０ｎｍ〜１０９０ｎｍのスペクトル帯域に波長を有する放射線のみを透過する。マウントは、プロテクタを受け入れて取り囲むホルダを含むことができ、ホルダは、ビューポートによって定められる開口に嵌合することができる。マウントは、プロテクタをホルダ内に固定するロッキング要素を更に含むことができる。ホルダ及びロッキング要素は、リング形状とすることができる。ロッキング要素及びホルダは、対応するネジ山を有することができ、ロッキング要素は、プロテクタをホルダ内に固定するためにホルダに螺合することができる。ビューポートの少なくとも一部分は、マウントの少なくとも一部分とすることができる。層は、増幅光ビームによってイオン化された時にＥＵＶ光を生成するターゲット材料の発光スペクトルに含まれる波長を有する放射線を反射することができる。発光スペクトルに含まれる波長及び増幅光ビームの波長は、異なることができる。
【０００６】
別の一般的な態様において、極紫外（ＥＵＶ）光源は、増幅光ビームを受け入れる真空チャンバと、真空チャンバに結合されたビューポートと、ビューポートに結合され、かつ真空チャンバの内部への開口部に向くプロテクタとを含む。真空チャンバは、真空チャンバの内部への開口部を定める側壁を含む。プロテクタは、基板材料を含み、これは、増幅光ビームの波長と増幅光ビームによってイオン化された時にＥＵＶ光を生成するターゲット材料の発光スペクトルに含まれる波長とを有する放射線を吸収し、かつ可視光又は近赤外光の１つ又はそれよりも多くを透過する。プロテクタはまた、基板材料上に形成された層を含む。層は、増幅光ビームの波長を有する放射線を反射する。
【０００７】
実施は、以下の特徴の１つ又はそれよりも多くを含むことができる。マウントは、ビューポートにプロテクタを結合するように構成することができる。基板は、ガラス薄膜とすることができる。ビューポートは、開口を定めるリング形状ディスクを含むことができ、プロテクタは、プロテクタの層が真空チャンバの内部を向き、かつプロテクタの中心が開口の中心に対応するようにプロテクタをビューポートに置くことにより、ビューポートに結合することができる。マウントは、ビューポートと真空チャンバの間に置くように構成された標準的な銅ガスケットを含むことができる。層は、可視光又は近赤外線の１つ又はそれよりも多くを透過することができる。
【０００８】
別の一般的な態様において、極紫外（ＥＵＶ）光源のビューポートを保護する方法は、プロテクタをビューポートに装着する段階を含み、プロテクタは、第１のスペクトル帯域の放射線を吸収して第２のスペクトル帯域の放射線を透過する基板と、第１のスペクトル帯域内の放射線を反射する基板上の層とを含み、ビューポートは、窓材料とフランジを含む。ガスケットは、ビューポートと真空チャンバによって定められる開口部に結合されたバルブアセンブリとの間に置かれ、真空シールが、ビューポートと真空チャンバの内部との間に生成される。
【０００９】
実施は、以下の特徴の１つ又はそれよりも多くを含むことができる。第１のスペクトル帯域は、１０．６μｍを含むことができる。プロテクタは、ビューポート内のホルダに置くことができ、プロテクタをビューポートに装着する段階は、ホルダをビューポートに置く段階を含むことができる。
【００１０】
別の一般的な態様において、極紫外（ＥＵＶ）光源のマウントは、ホルダを含み、これは、プロテクタを受け入れ、かつ標準ガスケットを用いて真空チャンバに対して密封されるように構成されたビューポートに置かれる。ホルダは、長手軸を定め、かつ長手軸上に中心がある通路を定める側壁を含む。マウントはまた、ロッキング要素を有し、これは、開口を定め、かつホルダの内部面と接続する外部面を有し、ロッキング要素をホルダに接続することは、プロテクタが長手軸に沿って実質的に塞がれない状態でプロテクタをホルダ内に固定する。
【００１１】
上述の技術のうちのいずれの実施も、ビューポートアセンブリと、ビューポートプロテクタと、ビューポートプロテクタを保持するためのマウントと、ビューポートプロテクタを有するビューポートを含む真空チャンバと、既存のビューポートにビューポートプロテクタを換装するための装置、システム、キット、又は方法を含むことができる。１つ又はそれよりも多くの実施の詳細を添付図面及び以下の説明に示す。他の特徴は、説明及び図から及び特許請求の範囲から明らかであろう。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１】レーザ生成プラズマ極紫外（ＥＵＶ）光源のブロック図である。
【図２Ａ】ＥＵＶ光源のための例示的真空チャンバの側面図である。
【図２Ｂ】図２Ａの真空チャンバと共に使用される例示的観測アセンブリの側面図である。
【図２Ｃ】例示的ビューポートプロテクタの斜視図である。
【図２Ｄ】線２Ｄ〜２Ｄに沿って切り取った図２Ｂの観測アセンブリの断面図である。
【図２Ｅ】線２Ｅ〜２Ｅに沿って切り取った図２Ａの真空チャンバの断面図である。
【図３Ａ】例示的ビューポートアセンブリの分解斜視図である。
【図３Ｂ】図３Ａのビューポートアセンブリの斜視図である。
【図３Ｃ】真空チャンバと共に使用される図３Ａ及び図３Ｂのビューポートアセンブリの側面図である。
【図３Ｄ】図３Ａのビューポートアセンブリの上面図である。
【図３Ｅ】線３Ｄ〜３Ｄに沿って切り取った図３Ｄのビューポートアセンブリの側面断面図である。
【図４Ａ】別の例示的ビューポートアセンブリの分解斜視図である。
【図４Ｂ】図４Ａのビューポートアセンブリの斜視図である。
【図４Ｃ】真空チャンバと共に使用される図４Ａ及び図４Ｂのビューポートアセンブリの側面図である。
【図５】ビューポートを保護するための例示的処理である。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
極紫外（ＥＵＶ）光源のビューポートの放射加熱を防止するか又は最小にするためのプロテクタを開示する。ビューポートは、真空容器の壁によって定められる開口部に対して位置決めされた観測機構であり、ビューポートは、真空容器の内部を見ることができる窓材料を含む。光源の作動中に、窓材料は、真空容器の内側にある光によって放射加熱される可能性がある。例えば、窓材料は、真空容器の内側にある光の一部を吸収することによって加熱される可能性がある。窓材料の加熱は、窓が割れ、及び／又は熱レンズ作用を受ける原因になる可能性がある。
【００１４】
プロテクタは、プロテクタが、窓材料を加熱することができる光を真空チャンバ内に反射して戻すように、真空チャンバの内部に対して位置決めされる。これに代えて又はこれに加えて、プロテクタは、窓材料の加熱を防止又は低減するために、窓材料を加熱することができる光の一部又は全部を吸収することができる。窓材料を加熱することができる光は、窓材料によって吸収される波長を有する光を含むことができる。窓材料を加熱することができる光を真空チャンバの内部に反射することにより、及び／又は光が窓材料に到達する前に窓材料を加熱することができる光を吸収することにより、プロテクタは、窓材料の放射加熱を防止するか又は実質的に低減する。プロテクタは、窓材料及びガラス薄膜を放射加熱することができる光を反射するコーティングを有するガラス薄膜とすることができる。
【００１５】
ＥＵＶ光は、輝線をＥＵＶ範囲に有する錫のようなターゲット材料をプラズマ状態へ変換することによって生成することができる。１つの例示的技術では、ターゲット材料は、真空チャンバ内でターゲット材料を増幅光ビームで照射することによってプラズマ状態に変換される。プラズマ状態への変換により、放射線が、ターゲット材料の発光スペクトルで放出される。ＥＵＶ光に加えて、発光スペクトルは、深紫外線（ＤＵＶ）光、可視光、近赤外線（ＮＩＲ）光、及び中間波長赤外線（ＭＷＩＲ）光を含むことができる。更に、増幅光ビームとターゲット材料の間の相互作用は、増幅光ビームを散乱させ、かつ反射する。散乱及び反射した増幅光ビームは、入射光と呼ばれる。入射光はまた、変換されたプラズマから射出される光を含むことができる。
【００１６】
プロテクタがない場合に、入射光、特に反射した増幅光ビーム及びプラズマ発光から生成された赤外線の光の一部は、窓材料によって吸収され、従って、ビューポート窓材料を加熱する可能性がある。加熱は、窓材料上に熱勾配を引き起こし、割れ及び／又は熱レンズ作用に至る可能性がある。窓材料の割れは、真空シールを破壊することによってシステムの故障を引き起こす可能性がある。熱レンズ作用は、ビューポートを通して真空チャンバの内部を画像化する測定モジュールによって収集された画像を歪ませる可能性がある。測定モジュールからの画像は、ターゲット材料液滴の流れのステアリングのようなシステム診断に使用されるので、歪んだ画像は、システム性能を低減する可能性がある。
【００１７】
以下でより詳細に説明するように、プロテクタは、ビューポート窓材料の加熱を低減又は排除し、従って、ＥＵＶ光源の性能が改善する。更に、プロテクタはまた、増幅光ビームがより高い負荷サイクルで作動することを可能にすることにより、生成されるＥＵＶ光の量を増大させることを補助することができる。負荷サイクルの増大は、より多くのＥＵＶ光を生成するが、より多くの入射光も生成し、これは、ビューポート窓材料の加熱の増大に至る可能性がある。すなわち、プロテクタはまた、光源が、より多くのＥＵＶ光を生成し、同時にシステム故障又は性能劣化の可能性を低減することを可能にすることができる。
【００１８】
ビューポートプロテクタのより詳細な説明を行う前に、最初にＬＰＰ  ＥＵＶ光源の構成要素を説明する。
【００１９】
図１を参照すると、ＬＰＰ  ＥＵＶ光源１００は、ビーム経路に沿ってターゲット位置１０５に向けて進む増幅光ビーム１１０でターゲット混合物１１４をターゲット位置１０５で照射することによって形成される。照射部位とも呼ばれるターゲット位置１０５は、真空チャンバ１３０の内部１０７内である。増幅光ビーム１１０がターゲット混合物１１４に当たった時に、輝線をＥＵＶ範囲に有する元素を有するターゲット混合物１１４内のターゲット材料は、プラズマ状態に変換される。生成されたプラズマは、ターゲット混合物１４内のターゲット材料の組成に依存する特定の特性を有する。これらの特性は、プラズマによって生成されるＥＵＶ光の波長及びプラズマから放出されるデブリのタイプ及び量を含むことができる。
【００２０】
光源１００はまた、ターゲット混合物１１４を液滴、液体流れ、固体粒子又はクラスター、液滴内に含まれる固体粒子、又は液体流れ内に含まれる固体粒子の形態で送出、制御、かつ誘導するターゲット材料送出システム１２５を含む。ターゲット混合物１１４は、例えば、水、錫、リチウム、キセノン、又はプラズマ状態に変換された時にＥＵＶ範囲の輝線を有するあらゆる材料のようなターゲット材料を含む。例えば、元素錫は、純粋な錫（Ｓｎ）として、錫化合物、例えば、ＳｎＢｒ4、ＳｎＢｒ2、ＳｎＨ4として、錫合金、例えば、錫ガリウム合金、錫インジウム合金、錫インジウムガリウム合金、又はこれらの合金のあらゆる組合せとして使用することができる。ターゲット混合物１１４はまた、非ターゲット粒子のような不純物を含む可能性がある。従って、不純物がない状況では、ターゲット混合物１１４は、ターゲット材料のみから構成される。ターゲット材料１１４は、ターゲット材料送出システム１２５によってチャンバ１３０の内部１０７へ、かつターゲット位置１０５に送出される。
【００２１】
光源１００は、レーザシステム１１５の１つ又は複数の利得媒体の反転分布に起因して増幅光ビームを生成する駆動レーザシステム１１５を含む。光源１００は、レーザシステム１１５とターゲット位置１０５の間にビーム送出システムを含み、ビーム送出システムは、ビーム搬送システム１２０とフォーカスアセンブリ１２２を含む。ビーム搬送システム１２０は、増幅光ビーム１１０をレーザシステム１１５から受け入れ、増幅光ビーム１１０を必要に応じてステアリング及び修正し、増幅光ビーム１１０をフォーカスアセンブリ１２２に出力する。フォーカスアセンブリ１２２は、増幅光ビーム１１０を受け入れてビーム１１０をターゲット領域１０５にフォーカスさせる。
【００２２】
一部の実施では、レーザシステム１１５は、１つ又はそれよりも多くの主パルス、及び一部の場合に１つ又はそれよりも多くのプレパルスを送出する１つ又はそれよりも多くの光増幅器、レーザ、及び／又はランプを含むことができる。各光増幅器は、望ましい波長を高い利得で光学的に増幅することができる利得媒体と、励起源と、内部光学系とを含む。光増幅器は、レーザミラー、又はレーザ空洞を形成する他のフィードバックデバイスを有する場合もあればそうでない場合もある。従って、レーザシステム１１５は、たとえレーザ空洞がない場合でさえも、レーザ増幅器の利得媒体内の反転分布に起因して増幅光ビーム１１０を生成する。更に、レーザシステム１１５は、十分なフィードバックをレーザシステム１１５に与えるレーザ空洞がある場合のコヒーレントレーザビームである増幅光ビーム１１０を生成することができる。「増幅光ビーム」という用語は、単に増幅されるが必ずしもコヒーレントレーザ発振であるというわけではないレーザシステム１１５からの光、及び増幅されてコヒーレントレーザ発振でもあるレーザシステム１１５からの光のうちの１つ又はそれよりも多くを包含する。
【００２３】
レーザシステム１１５内の光増幅器は、ＣＯ2を含む充填ガスを利得媒体として含むことができ、かつ光を約９１００〜約１１０００ｎｍの波長、特に、約１０６００ｎｍで１０００よりも大きいか又はそれに等しい利得で増幅することができる。レーザシステム１１５に使用される適切な増幅器及びレーザは、パルスレーザデバイス、例えば、比較的高電力、例えば、１０ｋＷ又はそれよりも高く、高いパルス繰返し数、例えば、５０ｋＨｚ又はそれよりも高いもので作動し、放射線を例えばＤＣ又はＲＦ励起によって約９３００ｎｍ又は約１０６００ｎｍで生成するパルスガス放電ＣＯ2レーザデバイスを含むことができる。レーザシステム１１５内の光増幅器はまた、より高い電力でレーザシステム１１５を作動させる時に使用することができる水のような冷却システムを含むことができる。
【００２４】
光源１００は、増幅光ビーム１１０が通過してターゲット位置１０５に到達することを可能にする開口１４０を有するコレクターミラー１３５を含む。コレクターミラー１３５は、例えば、ターゲット位置１０５に１次フォーカスと、ＥＵＶ光を光源１００から出力することができ、かつ例えば集積回路リソグラフィツール（図示せず）に入力することができる中間位置１４５に２次フォーカス（中間フォーカスとも呼ばれる）とを有する楕円体ミラーとすることができる。光源１００はまた、増幅光ビーム１１０がターゲット位置１０５に到達することを可能にし、同時にフォーカスアセンブリ１２２及び／又はビーム搬送システム１２０に入るプラズマによって生成されたデブリの量を低減するために、コレクターミラー１３５からターゲット位置１０５に向けてテーパ付きである開放端中空円錐シュラウド１５０（例えば、ガス円錐）を含むことができる。この目的のために、ターゲット位置１０５に向けて誘導されるガス流をシュラウド内に与えることができる。
【００２５】
光源１００はまた、液滴位置検出フィードバックシステム１５６と、レーザ制御システム１５７と、ビーム制御システム１５８とに接続される主コントローラ１５５を含むことができる。光源１００は、例えば、ターゲット位置１０５に対する液滴の位置を示す出力を供給し、例えば液滴単位又は平均で液滴誤差をそこから計算することができる液滴位置及び軌道を計算することができる液滴位置検出フィードバックシステム１５６にこの出力を送出する１つ又はそれよりも多くのターゲット又は液滴撮像器１６０を含むことができる。従って、液滴位置検出フィードバックシステム１５６は、液滴位置偏差を主コントローラ１５５への入力として供給する。従って、主コントローラ１５５は、レーザ位置、方向、及びタイミング補正信号を例えばレーザ制御システム１５７に供給することができ、この信号は、例えば、チャンバ１３０内のビームフォーカスの位置３６７及び／又は集束力を変えるために増幅光ビーム位置及びビーム搬送システム１２０の形状を制御するようにレーザタイミング回路及び／又はビーム制御システム１５８を制御するのに使用することができる。
【００２６】
ターゲット材料送出システム１２５は、ターゲット材料送出制御システム１２６を含み、ターゲット材料送出制御システム１２６は、例えば、望ましいターゲット位置１０５に到達する液滴における誤差を補正するように送出機構１２７によって放出されるような液滴の放出点を修正するように主コントローラ１５５からの信号に応答して作動可能である。
【００２７】
これに加えて、光源１００は、以下に限定されるものではないが、パルスエネルギ、波長の関数としてエネルギ分布、波長の特定の帯域内のエネルギ、波長の特定の帯域外のエネルギ、及びＥＵＶ強度及び／又は平均電力の角度分布を含む１つ又はそれよりも多くのＥＵＶ光パラメータを測定する光源検出器１６５を含むことができる。光源検出器１６５は、主コントローラ１５５によって使用されるフィードバック信号を生成する。フィードバック信号は、例えば、有効かつ効率的なＥＵＶ光生成に関して正しい位置及び時間に液滴を適正に捕捉するレーザパルスのタイミング及びフォーカスのようなパラメータの誤差を示すことができる。
【００２８】
光源１００はまた、光源１００の様々な区画を位置合わせするか、又は増幅光ビーム１１０をターゲット位置１０５にステアリングしやすくするのに使用することができるガイドレーザ１７５を含むことができる。ガイドレーザ１７５に関連して、光源１００は、ガイドレーザ１７５及び増幅光ビーム１１０からの光の一部をサンプリングするためにフォーカスアセンブリ１２２内に置かれる測定システム１２４を含む。他の実施では、測定システム１２４は、ビーム搬送システム１２０内に置かれる。測定システム１２４は、光の部分集合をサンプリング又は向け直す光学要素を含むことができ、そのような光学要素は、ガイドレーザビーム及び増幅光ビーム１１０の電力に耐えることができるあらゆる材料から製造される。ビーム解析システムは、測定システム１２４及び主コントローラ１５５から形成されるが、その理由は、主コントローラ１５５が、ガイドレーザ１７５からのサンプリングされた光を解析し、この情報を使用してビーム制御システム１５８を通してフォーカスアセンブリ１２２内の構成要素を調節するからである。
【００２９】
従って、要約すると、光源１００は、増幅光ビーム１１０を生成し、増幅光ビーム１１０は、ターゲット混合物１１４内のターゲット材料をＥＵＶ範囲の光を射出するプラズマに変換するために、ターゲット混合物１１４をターゲット位置１０５で照射するようにビーム経路に沿って誘導される。増幅光ビーム１１０は、レーザシステム１１５の設計及び特性に基づいて決定される特定の波長（光源波長とも呼ばれる）で作動する。これに加えて、増幅光ビーム１１０は、ターゲット材料がコヒーレントなレーザ光を生成するのに十分なフィードバックをレーザシステム１１５内に送出する時、又は駆動レーザシステム１１５がレーザ空洞を形成するのに適切な光学的フィードバックを含む場合はレーザビームとすることができる。
【００３０】
図２Ａは、例示的真空チャンバ２００の側面図を示している。真空チャンバ２００は、図１に関して上述した真空チャンバ１３０と類似のものとすることができる。真空チャンバ２００は、真空容器２０５を含む。使用中に、真空容器２０５は、真空容器の内部空間２１０が真空として維持されるように密封される。
【００３１】
真空容器２０５の内部２１０は、観測アセンブリ２５０でモニタ及び／又は観測される。観測アセンブリ２５０は、バルブアセンブリ２５２と、ビューポートアセンブリ２５５と、測定モジュール２５８とを含む。観測アセンブリ２５０は、真空容器２０５の外部から内部２１０までの通路を形成する側壁２０８を通る開口部２０９に装着される。使用中に、バルブアセンブリ２５２及びビューポートアセンブリ２５５は、測定モジュール２５８が内部２１０を観測することを可能にするように互いに結合され、かつ測定モジュール２５８と位置合わせされる。バルブアセンブリ２５２は、ゲートバルブ２５３を含み、ゲートバルブ２５３は、閉じられた時に、内部２１０内の真空を妨害することなく交換又は洗浄することができるようにビューポートアセンブリ２５５をバルブアセンブリ２５２から除去することを可能にする。
【００３２】
図２Ｂは、真空容器２０５に結合された観測アセンブリ２５０の側面断面図を示している。観測結果アセンブリ２５０は、ビューポートアセンブリ２５５を含む。観測アセンブリ２５０はまた、ビューポートアセンブリ２５５を保持するホルダ２６０を含むことができる。ビューポートアセンブリ２５５は、ビューポート２５６とビューポートプロテクタ２５４とを含む（図２Ｃ）。ビューポート２５６は、真空容器２０５の内部を見るように位置決めされた観測窓である。ビューポート２５６は、可視光及び近赤外光のような観測及び／又はモニタリングに使用される波長を透過する窓材料２７０を含む（図２Ｄ）。窓材料２７０は、例えば、ＰＹＲＥＸ、溶融二酸化シリコン、石英、ガラス、又はサファイアとすることができる。ビューポート２５６はまた、フランジ又はスリーブ２７２を含み、フランジ又はスリーブ２７２は、窓材料２７０を保持し、かつビューポート２５６をバルブアセンブリ２５２上の対応する接続部に結合することを可能にする。
【００３３】
図２Ｃは、ビューポートプロテクタ２５４の斜視図を示している。ビューポートプロテクタ２５４は、層２６２と基板２６４を含む。基板２６４は、例えば、硼珪酸、ガラス、又は石英で製造することができる。基板２６４は、ガラス薄膜とすることができる。使用時に、ビューポートプロテクタ２５４は、層２６２が内部２１０に向くように位置決めされる。
【００３４】
以下に説明するように、層２６２は、極紫外光、深紫外光、中間波長赤外光及び／又は長波長赤外光のような放射加熱を引き起こすことができる光を低減するか又は光が窓材料２７０に到達するのを防止し、かつ可視光及び近赤外光のような内部２１０を画像化及び／又は観測するのに使用される光を透過する。例えば、層２６２は、極紫外光、中間波長赤外光、及び／又は長波長赤外光を真空容器２０５に反射し、かつ深紫外光を吸収することができる。
【００３５】
図２Ｄは、図２Ｂの線２Ｄ〜２Ｄ行に沿った観測アセンブリ２５０の断面図を示している。図２Ｄに示すように、バルブアセンブリ２５２は、光が真空容器２０５の内部２１０を出入りすることを可能にする開口２６８を定める。ビューポートプロテクタ２５４及びビューポート２５６をバルブアセンブリ２５２に結合し、ビューポートプロテクタ２５４及び窓材料２７０を開口２６８と位置合わせすると、真空容器２０５の内部２１０の観測を可能にする透明開口が与えられる。ビューポートプロテクタ２５４は、窓材料２７０を放射加熱することができる光からビューポート２５６の窓材料２７０を保護するように働く。
【００３６】
図２Ａを再び参照すると、真空チャンバ２００は、コレクターミラー１３５と送出機構１２７を含み、これらの両方は、図１に関して先に説明している。増幅光ビーム１１０は、真空容器２０５に入り、コレクターミラー１３５の開口１４０を通過してターゲット位置２１２に到達する。増幅光ビーム１１０は、液滴２１３の流れになっている送出機構１２７から射出されるターゲット材料の液滴を照射する。増幅光ビーム１１０は、液滴をターゲット位置２１２で照射して射出光２１８を生成する。射出光２１８は、ＥＵＶ光を含むターゲット材料の輝線に対応する波長を有する光を含む。また、射出光２１８は、深紫外（ＤＵＶ）光、可視光、近赤外線（ＮＩＲ）光、中間波長赤外線（ＭＷＩＲ）光、及び／又は長波長赤外線（ＬＷＩＲ）光を含むことができる。ＥＵＶ光は、例えば、５ｎｍ、５ｎｍ〜２０ｎｍ、１０ｎｍ〜１２０ｎｍ、又は５０ｎｍ未満の波長を有する光を含むことができる。ＤＵＶ光は、約１２０ｎｍ〜２００ｎｍの波長を有する光を含むことができ、可視光は、３９０ｎｍ〜７５０ｎｍの波長を有する光を含むことができ、ＮＩＲ光は、約７５０ｎｍ〜２５００ｎｍの波長を有する光を含むことができる。
【００３７】
これに加えて、ターゲット材料液滴が光１１０の増幅ビームで照射された時に、液滴は、増幅光ビーム１１０を散乱させ、及び／又はビームを反射光１１９として反射する。反射光１１９は、増幅光ビーム１１０と同じ波長を有する。射出光１１８及び反射光１１９は、入射光と総称される。
【００３８】
図２Ｂ及び図２Ｄも参照すると、液滴が照射された後に、入射光は、ターゲット位置２１２から外向き半径方向にコレクターミラー１３５及び容器２０５の内壁２１７の方向に伝播する。入射光の光線２２２は、観測アセンブリ２５０に到達する。光線２２２は、開口２６８を通って真空容器２０５を出て層２６２に入射する。層２６２は、光線２２２の放射加熱成分２２３の一部又は全部を真空容器の内部２１０へ反射する。層２６２は、内部２１０を画像化及び／又は観測する測定モジュール２５８によって使用される観測成分２２４を透過する。
【００３９】
放射加熱成分２２３は、窓材料２７０によって吸収される波長を有する放射線を含むことができる。例えば、放射加熱成分２２３は、ＥＵＶ光、ＤＵＶ光、ＭＷＩＲ光、及び／又はＬＷＩＲ光を含むことができる。観測成分２２４は、可視光及び／又はＮＩＲ光を含むことができる。層２６２は、放射加熱成分２２３の全部又は実質的に全部を反射又は吸収して窓材料２７０を放射加熱から保護し、一方、観測成分２２４を透過する。例えば、層２６２は、増幅光ビームと同じである波長を有する光を反射し、一方、可視光又はＮＩＲ光に対応する波長を有する光を透過することができる。層２６２はまた、ＤＵＶ光を吸収し、窓材料２７０に入射するＤＵＶ光の量を最小にするか又はＤＵＶ光が窓材料２７０に到達するのを防止することができる。
【００４０】
層２６２によって透過された光（観測成分２２４）は、基板２６４に入る。基板２６４のスペクトル特性に基づいて、観測成分２２４内の光の全て又は一部は、ビューポート２５６の窓材料２７０に透過される。窓材料２７０は、熱伝導性であり、高い熱負荷及び／又は可変熱負荷に露出された時に熱勾配が発生する可能性がある。
【００４１】
例えば、窓材料２７０（及び真空容器２０５内及び真空容器に結合された他の構成要素）は、パルスレーザが増幅光ビーム１１０として使用された時に可変及び／又は高い熱負荷が発生する可能性がある。一部の実施では、増幅光ビーム１１０は、１０％、５０％、又は６０％の負荷サイクルを有するパルスＣＯ2レーザビームであり、すなわち、レーザビーム１１０は、それぞれ、時間の１０％、５０％、又は６０％にわたって真空チャンバ２０５に存在する。他の実施では、パルスＣＯ2光線は、レーザビーム１１０が少なくともシステム作動の９０％中に真空チャンバに存在するように９０〜１００％の負荷サイクルを有することができる。別の実施では、増幅光ビーム１１０は、結果的に真空容器２０５において約１５ｋＷの入射光が発生する３０ｋＷレーザとすることができる。
【００４２】
従って、真空容器２０５内及び真空容器２０５に結合された構成要素は、増幅光ビーム１１０の負荷サイクルに応じて可変量の放射加熱が発生する可能性があり、負荷サイクルが高いほど、対応する熱負荷の量が高い（かつ構成要素への熱応力が大きい）。しかし、レーザビーム１１０の負荷サイクルが増加する時にＥＵＶ光の量も増加するので、負荷サイクルを増大させることが望ましいとすることができる。レーザビーム１１０の負荷サイクルが約５０％よりも大きい時に引き起こされる追加の加熱は、窓材料２７０が割れ（容器２０５上の真空シールの破壊）、及び／又は熱レンズ作用の発生（測定モジュール２５８によって生成される画像の破壊）の原因になる可能性がある。上述したように、ビューポートプロテクタ２５４は、窓材料２７０の放射加熱を低減又は排除することができる。従って、ビューポートプロテクタ２５４をビューポート２５６と真空容器２０５の内部２１０との間に置くと、システムがより高い負荷サイクルでより効率的かつ確実に作動することを可能にすることができ、従って、スキャナシステムに対して確実かつ安全に生成することができるＥＵＶ光の量が増大する。
【００４３】
層２６２の透過、吸収、及び反射特性は、この用途に合うように変えることができる。例えば、ビューポートプロテクタ２５４は、ラインレーザモジュール（図示せず）によって生成される８２０ｎｍ光を感知するカメラ（図示せず）を含む測定モジュールと共に使用することができる。ラインレーザモジュールは、光カーテンをターゲット材料液滴の予想された経路に真空チャンバの内部２１０で生成し、光カーテンは、ターゲット材料液滴が光カーテンを通過する時に乱される。光カーテンを画像化することにより、カメラは、ターゲット材料液滴が増幅光ビーム１１０に対して正確に位置決めされたか否かを決定するのに使用することができるデータを生成する。この実施では、層２６２は、カメラが感知する波長に等しいか又はそれに近い波長を有する光を透過するだけである。層２６２は、約８００〜８４０ｎｍの波長を有する光を透過し、一方、放射加熱を引き起こす光（光の増幅ビームの１０．６μｍのような）を反射し、かつカメラによって使用されないか又は同じく放射加熱を引き起こすことができる他の波長の光を反射又は吸収することができる。
【００４４】
別の実施では、ビューポートプロテクタ２５４は、測定モジュール２５８が１０７０ｎｍの波長を有する光に感応するカメラを含む時に測定モジュール２５８と共に使用することができる。この実施では、測定モジュール２５８は、１０７０ｎｍで光カーテンを生成するファイバレーザ（図示せず）を含む。光カーテンは、ターゲット材料液滴の予想された経路に位置決めされる。光を１０７０ｎｍで感知することにより、測定モジュール２５８は、ターゲット材料液滴の存在及び位置を示すデータを生成することができる。この実施では、層２６２は、カメラによって感知された波長に等しいか又はそれに近い波長を有する光を透過する。例えば、層２６２は、１０５０〜１０９０ｎｍの波長を有する光を透過することができる。
【００４５】
ビューポートプロテクタ２５４は、あらゆる測定モジュールと共に使用することができる。層２６２は、測定モジュールによって使用されるスペクトル帯域又は特定の波長に基づいて、かつ基板２６４及びビューポート窓材料２７０の放射加熱を引き起こす光を反射及び／又は吸収するように調節することができる。例えば、層２６２は、８５５〜８７５ｎｍの波長を有する光を透過することができる。
【００４６】
図２Ａ〜図２Ｄに説明する実施では、単一測定モジュール２５８が真空容器２０５に結合されるように示されている。しかし、複数の測定モジュールを真空容器２０５に結合することができる。図２Ｅは、線２Ｅ〜２Ｅに沿って切り取った図２Ａの真空チャンバ２０５の断面図である。測定モジュール２５８に加えて、測定モジュール２８０、２８２、２８４、及び２８６も真空容器２０５に結合され、かつ内部２１０を観測及び／又はモニタするように位置決めされている。測定モジュール２５８、２８０、２８２、２８４、及び２８６は、同じか又は異なる機能を有することができる。測定モジュール２８０、２８２、２８４、及び２８６の各々は、バルブアセンブリ２５２と類似のものであるバルブアセンブリで真空容器に結合され、モジュール２８０、２８２、２８４及び２８６の各々は、ビューポートプロテクタ２５４を有することができる。いずれの個々のビューポートプロテクタ内の層も、特定の測定モジュールの機能に対して適切であるような波長を反射、吸収、及び透過する。
【００４７】
図２Ａ〜図２Ｅの実施では、ビューポートプロテクタ２５４は、ビューポートアセンブリ２５５内に含まれる。しかし、ビューポートプロテクタ２５４は、以下に説明するビューポートアセンブリ３００及び４００のような層２６２が真空容器の内部に向き、かつビューポート窓材料２７０から離れる方向に向くビューポートプロテクタ２５４を保持することができるあらゆるビューポートアセンブリと共に使用することができる。
【００４８】
図３Ａ、図３Ｂ、図３Ｄ、及び図３Ｅは、別の例示的ビューポートアセンブリ３００の様々な図を示している。図３Ａは、ビューポートアセンブリ３００の分解斜視図を示し、図３Ｂは、ビューポートアセンブリ３００の斜視図を示し、図３Ｄは、ビューポートアセンブリ３００の上面図を示し、図３Ｅは、組み立てられたビューポートアセンブリ３００の側断面を示している。図３Ｃは、真空容器２０５と測定モジュール２５８とに結合されたビューポートアセンブリ３００を示している。
【００４９】
図３Ａを参照すると、ビューポートアセンブリ３００は、ビューポート３０５と、ホルダ３１０と、ビューポートプロテクタ３１５と、ロッキング要素３２０とを含む。ビューポート３０５は、窓材料３０８によって覆われる開口３０７を定めるフランジ３０６を含む。窓材料３０８は、真空チャンバの内部を観測するのに使用される光を透過する。例えば、窓材料３０７は、ＰＹＲＥＸ、溶融二酸化シリコン、石英、ガラス、又はサファイアとすることができる。
【００５０】
ビューポートアセンブリ３００はまた、ホルダ３１０を含み、ホルダ３１０は、開口３１１を定めるリング形状ホルダとすることができる。ビューポートアセンブリ３００はまた、ビューポートプロテクタ３１５を含む。ビューポートプロテクタ３１５は、層３１６と基板３１７を含む。ビューポートプロテクタ３１５は、図２Ａ〜図２Ｅに関して説明したビューポートプロテクタ２５４と同じか又は類似のものとすることができる。ビューポートアセンブリ３００はまた、ロッキング要素３２０を含む。ロッキング要素３２０は、外側面３２１と内側面３２２を有する。
【００５１】
図３Ｂを参照すると、ビューポートアセンブリ３００の斜視図が示されている。ビューポートアセンブリ３００を構成するために、ホルダ３１０は、ビューポート３０５の開口３０７内に受け入れられ、ホルダ３１０の開口３１１は、ビューポートプロテクタ３１５を受け入れる。ロッキング要素３２０は、ビューポートプロテクタ３１５の上方でホルダ３１０の開口３１１に嵌合し、ロッキング要素３２０の外側面３２１は、ビューポートプロテクタ３１５をホルダ３１０内に固定するためにホルダ３１０の内側面３１２と接触する。ロッキング要素３２０は、ホルダ３１０の内側面３１２上に形成されたネジ山３１３に噛み合う外側面３２１上のネジ山を有することができる。ビューポートプロテクタ３１５は、層３１６がビューポートアセンブリ３００の上部側面３２５に向くように位置決めされる。
【００５２】
図３Ｃを参照すると、ビューポートアセンブリ３００は、ガスケット３３０によってバルブアセンブリ２５２に接続される。ビューポートアセンブリ３００が真空容器に結合された時に、上部側面３２５は、層３１６が真空容器２０５の内部を向くように位置決めされる。層３１６をこのように向けると、窓材料３０８（図３Ａ）が放射加熱から保護される。測定モジュール２５８は、装着ブラケット３３５でビューポートアセンブリ３００に接続される。
【００５３】
一部の実施では、ガスケット３３０は、標準的な銅ガスケットであり、ビューポートアセンブリ３００は、カリフォルニア所在のＭＤＣ  Ｖａｃｕｕｍ  Ｐｒｏｄｕｃｔｓ  ＬＬＣから販売されているような標準的な銅ガスケットでバルブアセンブリ（バルブアセンブリ２５２のような）に対して密封することができる。特殊ガスケットの代わりの標準銅ガスケットの使用により、ビューポートアセンブリ３００は、真空容器の内部を見るより大きい透明開口を有することになる。透明開口が大きいほど、真空容器から多くの光が測定モジュールに到達することを可能にし、従って、真空容器の内部のモニタ及び画像化の改善をもたらすことができる。更に、密封ガスケットは典型的にはビューポートアセンブリ３００がバルブアセンブリ２５２から除去される度に交換される消耗品であるので、標準ガスケットを使用して、ビューポートアセンブリ３００のより低いコストをもたらすことができる。
【００５４】
図３Ｄを参照すると、ビューポートアセンブリ３００の上面図が示されている。ロッキング要素３２０は、ビューポートプロテクタ３１５上に置かれた唯一の構成要素であり、開口を定めるリング形状ガスケット（図示せず）は、ビューポートアセンブリ３００を密封するためにビューポートプロテクタ３１５の下に置かれる。ビューポートプロテクタ３１５は、ホルダ３１０内に受け入れられてロッキング要素３２０でホルダ３１０内に固定されるので、ビューポートプロテクタ３１５の周縁３１８のみが、ビューポートアセンブリ３００の他の構成要素によって不明瞭にされる。従って、ビューポートアセンブリ３００は、真空容器の内部を観測することができる透明開口３４０を定める。ビューポートアセンブリ３００を測定モジュール２５８に保持する装着ブラケット３３５は、透明開口３４０の直径と少なくとも同じ程度の大きい直径を有する開口（図示せず）を定める。
【００５５】
図３Ｅは、ビューポートアセンブリ３００の側断面を示している。図示のように、組み込まれた時に、ビューポートアセンブリ３００の構成要素は、ビューポート３０５のフランジ３０６内に収まる。従って、ビューポートプロテクタ３１５は、ビューポートアセンブリ３００内に置かれ、かつ密封のための標準銅ガスケットを用いて真空容器上の既存のビューポートに装着することができる。
【００５６】
図４Ａを参照すると、別の例示的ビューポートアセンブリ４００の分解斜視図が示されている。図４Ｂは、ビューポートアセンブリ４００の斜視図を示している。図４Ｃは、真空容器２０５と測定モジュール２５８とに結合されたビューポートアセンブリ４００を示している。ビューポートアセンブリ３００と比較すると、ビューポートアセンブリ４００は、特殊ガスケットを使用し、かつロッキング要素又はビューポートプロテクタ３１５のための別々のホルダを含まない。
【００５７】
図４Ａを参照すると、ビューポートアセンブリ４００は、ビューポート４０５と、ビューポートプロテクタ４１０と、ガスケット４１５とを含む。ビューポート４０５は、窓材料４０８によって覆われる開口４０７を定めるフランジ４０６を含む。窓材料４０８は、真空チャンバの内部を観測するのに使用される光を透過する。窓材料４０８は、ＰＹＲＥＸ、溶融二酸化シリコン、石英、ガラス、又はサファイアとすることができる。フランジ４０６はまた、接続孔４０９を定める。
【００５８】
ビューポートプロテクタ４１０は、層４１１と基板４１２を含む。ビューポートプロテクタ４１０は、図２Ａ〜図２Ｅに関して説明したビューポートプロテクタ２５４と同じか又は類似のものとすることができる。ガスケット４１５は、開口４１６及び接続孔４１７を定める。
【００５９】
図４Ｂは、ビューポートアセンブリ４００の斜視図を示している。アセンブリ４００を構成するために、ビューポートプロテクタ４１５は、開口４０７内に受け入れられる。ガスケット４１５は、ビューポートプロテクタ４１０上かつフランジ４０６上に置かれる。ガスケット４１５は、フランジ４０６内にビューポートプロテクタ４１０に固定し、ビューポートアセンブリ４００をバルブアセンブリ２５２に対して密封する。従って、ビューポートアセンブリ４００は、ビューポートプロテクタ４１０をビューポート４０５に固定する別々のホルダを含まない。ガスケット４１５の接続孔４１７は、ネジ又は他の留め具で接続孔４０９に接続される。
【００６０】
図４Ｃを参照すると、ビューポートアセンブリ４００は、ガスケット４１５をバルブアセンブリ２５２に接続することによってバルブアセンブリ２５２に接続される。ビューポートアセンブリ４００がバルブアセンブリ２５２に結合された時に、ビューポートアセンブリは、層４１１が真空容器２０５の内部を向くように位置決めされる。層４１１をこのように向けると、窓材料４０８が放射加熱から保護される。測定モジュール２５８は、装着ブラケット４２０でビューポートアセンブリ４００に接続される。
【００６１】
図５は、極紫外（ＥＵＶ）光源のビューポートを保護する例示的処理５００を示している。処理５００は、ビューポートプロテクタ４５４、３１５、及び４１５のいずれか及びビューポートアセンブリ２５５、３００、及び４００のいずれかを用いて実行することができる。
【００６２】
プロテクタをビューポート（５０５）に装着する。プロテクタは、ビューポートプロテクタ４５４、３１５、及び４１０のいずれかとすることができる。プロテクタは、第１のスペクトル帯域の放射線を吸収し、かつ第２のスペクトル帯域の放射線を透過する基板を含む。プロテクタはまた、第１のスペクトル帯域の放射線を反射する層を含む。この層がない場合に、基板は、第１のスペクトル帯域の放射線を吸収し、これは、基板が加熱する原因になる可能性があり、割れ又は熱レンズ作用が発生する。この層は、第１のスペクトル帯域の放射線を反射する。従って、層が放射線源と基板の間に位置決めされた時に、層は、放射線が基板によって吸収されないように、第１のスペクトル帯域の放射線を反射して基板から遠ざけることによって基板を加熱から保護する。更に、基板及び層は、可視領域及び近赤外線（ＮＩＲ）スペクトル領域の波長を有する光を透過することができる。
【００６３】
例えば、基板は、増幅光ビーム１１０の波長と同じである波長を有する光を吸収することができ、層は、この放射線を反射して基板を保護することができる。従って、この実施のプロテクタは、増幅光ビーム１１０の波長と同じである波長を有する光を反射し、可視光又はＮＩＲ光に対応する波長を有する光を透過する。そうすることにより、プロテクタは、ビューポート越しの観測を可能にし、同じく一方でビューポートを熱損傷から保護する。
【００６４】
別の実施では、基板はまた、ＤＵＶ光、ＥＵＶ光、及び他の紫外光のようなターゲット材料液滴がプラズマに変換された時に生成される光の一部を吸収することができる（かつこの一部によって加熱される可能性がある）。この実施では、層は、ＤＵＶ光を吸収し、かつＥＵＶ及び他の紫外光を反射して、基板がこれらの波長の放射線を吸収することによって加熱されることから保護されるように構成される。
【００６５】
ビューポートは、ビューポート２５６、３０５、及び４０５のいずれかとすることができる。一部の実施では、第１のスペクトル帯域は、１０．６μｍを含む。一部の実施では、プロテクタをビューポートに装着する段階は、最初に、プロテクタをホルダ（図３Ａのホルダ３１０のような）に取り付けて、その後に、プロテクタを有するホルダをビューポートによって定められる開口に装着する段階を含む。
【００６６】
ガスケットが、ビューポートと真空チャンバによって定められる開口部に結合されたバルブアセンブリとの間に置かれる（５１０）。バルブアセンブリは、バルブアセンブリ２５２とすることができる。ガスケットは、ビューポートをバルブアセンブリに対して密封するのに使用される標準銅ガスケット又はあらゆる他のガスケットとすることができる。ガスケットは、図４Ａ〜図４Ｃに関して説明したガスケット４１５のような特殊ガスケットとすることができる。真空シールが、ビューポートと真空チャンバの内部との間に生成される（５１５）。
【００６７】
他の実施も、以下の特許請求の範囲内である。例えば、ビューポートプロテクタ２５４、３１５、及び４１５と、ビューポートアセンブリ２５５、３００、及び４００内の様々な開口とは、円形形状を有すると示されている。しかし、これらの品目は、他の形状を有することができる。層２６２、３１６、及び４１１は、窓材料を加熱することができる放射線が窓材料上に入射しないように、ビューポートの窓材料を加熱することができる放射線を反射及び／又は吸収することによってビューポートの窓材料を保護することができる。
【符号の説明】
【００６８】
２００  真空チャンバ
２１２  ターゲット位置
２１３  液滴
２５０  観測アセンブリ
２５５  ビューポートアセンブリ
【図１】
0006388869.tif 000002
【図２Ａ】
0006388869.tif 000003
【図２Ｂ】
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【図２Ｃ】
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【図２Ｄ】
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【図２Ｅ】
0006388869.tif 000007
【図３Ａ】
0006388869.tif 000008
【図３Ｂ】
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【図３Ｃ】
0006388869.tif 000010
【図３Ｄ】
0006388869.tif 000011
【図３Ｅ】
0006388869.tif 000012
【図４Ａ】
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【図４Ｂ】
0006388869.tif 000014
【図４Ｃ】
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【図５】
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