(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体チップとリフレクタとを樹脂で一体化した集積体と、
前記リフレクタに対して間隔をあけて設けられたアンテナと、
前記集積体の表面に設けられ、前記半導体チップと前記アンテナとを電気的に接続する再配線線路を含む再配線層とを備え、
前記集積体は、前記リフレクタの前記アンテナ側に接し、表面が前記集積体の表面に露出し、かつ、前記樹脂とは異なる材料からなる誘電体層を備えることを特徴とする高周波モジュール。
【請求項２】
前記アンテナは、前記誘電体層の表面上に設けられていることを特徴とする、請求項１に記載の高周波モジュール。
【請求項３】
前記集積体は、前記リフレクタの前記アンテナ側から突出し、端面が前記集積体の表面に露出する突出部を備え、
前記集積体の前記リフレクタと前記突出部とによって規定される領域に前記誘電体層を備えることを特徴とする、請求項１又は２に記載の高周波モジュール。
【請求項４】
前記再配線層は、前記再配線線路としての線路導体と、樹脂層とを含み、
前記誘電体層は、前記樹脂層とは異なる材料からなることを特徴とする、請求項１〜３のいずれか１項に記載の高周波モジュール。
【請求項５】
半導体チップとリフレクタとを樹脂で一体化して集積体を形成する工程と、
前記集積体の表面に、前記半導体チップと前記リフレクタに対して間隔をあけて設けられたアンテナとを電気的に接続する再配線線路を含む再配線層を形成する工程とを含むことを特徴とする高周波モジュールの製造方法。
【請求項６】
前記集積体を形成する工程において、前記半導体チップと、前記リフレクタと、前記リフレクタと前記アンテナとの間の距離を調整する距離調整部とを、前記樹脂で一体化して前記集積体を形成し、
前記再配線層を形成する工程において、前記集積体の前記距離調整部が露出している側の表面に前記再配線層を形成することを特徴とする、請求項５に記載の高周波モジュールの製造方法。
【請求項７】
前記集積体を形成する工程の前に、前記リフレクタに誘電体層を設ける工程を含み、
前記集積体を形成する工程において、前記半導体チップと、前記誘電体層が設けられた前記リフレクタとを、前記樹脂で一体化して前記集積体を形成し、
前記再配線層を形成する工程において、前記集積体の前記誘電体層が露出している側の表面に前記再配線層を形成することを特徴とする、請求項５に記載の高周波モジュールの製造方法。
【請求項８】
前記集積体を形成する工程の前に、前記リフレクタに誘電体層を設け、前記誘電体層の表面上に前記アンテナを設ける工程を含み、
前記集積体を形成する工程において、前記半導体チップと、前記誘電体層及び前記アンテナが設けられた前記リフレクタとを、前記樹脂で一体化して前記集積体を形成し、
前記再配線層を形成する工程において、前記集積体の前記アンテナが露出している側の表面に前記再配線層を形成することを特徴とする、請求項５に記載の高周波モジュールの製造方法。
【請求項９】
前記集積体を形成する工程の前に、前記リフレクタに突出部を設ける工程を含み、
前記集積体を形成する工程において、前記半導体チップと、前記突出部が設けられた前記リフレクタとを、前記樹脂で一体化して前記集積体を形成し、
前記再配線層を形成する工程において、前記集積体の前記突出部が露出している側の表面に前記再配線層を形成することを特徴とする、請求項５に記載の高周波モジュールの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、高周波モジュール及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
例えば半導体チップとアンテナを基板に実装した高周波モジュールでは、例えばミリ波やテラヘルツ波などの高周波信号を伝送しようとすると、はんだ接合部での損失やインピーダンスミスマッチによる反射、伝送線路での損失の影響が増大する。
これは、例えばミリ波やテラヘルツ波などの高周波領域では波長が短くなるため、はんだ接合部や短い伝送線路であっても無視できなくなり、はんだ接合部での損失や反射、伝送線路での損失が伝送信号に与える影響が増大するためである。
【０００３】
この結果、半導体チップとアンテナとの間で信号品質が低下し、高周波モジュールの性能が低下してしまう。また、実装時のばらつきによる高周波特性への影響も大きくなる。
そこで、半導体チップとアンテナを接続するのにはんだ接合部を用いず、これらを幅広の短い伝送線路で低損失に接続し、モジュールの小型化を図り、高い製造安定性を実現すべく、例えばＦＯ−ＷＬＰ（Fan-out Wafer level packaging）、擬似ＳｏＣ（System on Chip）技術などのような異種デバイス集積技術を用いることが考えられる。
【０００４】
なお、異種デバイス集積技術とは、複数のデバイス（素子）を近接して配置し、樹脂で封止することで、擬似ウェハを作製し、再配線技術によってデバイス間を再配線線路で相互に接続し、ダイシングして、チップサイズに切り出して、異種デバイスを集積したモジュールを作製する技術である。この技術によれば、デバイスを近接配置可能であるため、モジュールの小型化を図ることができる。また、デバイス間の短距離での接続が可能となるため、損失を低減することが可能となる。また、はんだ接合を用いることなく、デバイス間を接続することができる。また、半導体プロセスに比べ、伝送線路（信号線）を幅広にすることができるため、デバイス間を低損失で接続することができる。また、製造ばらつきが少なく、高い製造安定性を実現することができる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００７−２３５１９９号公報
【特許文献２】特開２００５−１６７９６６号公報
【特許文献３】特開２００２−３１４３２３号公報
【特許文献４】特開２００２−７６２３７号公報
【特許文献５】実開昭６３−９５３０６号公報
【非特許文献】
【０００６】
【非特許文献１】Mahmoud Al Henawy et al., “Integrated Antennas in eWLB Packages for 77 GHz and 79 GHz Automotive Radar Sensors”, Proceedings of the 8th European Radar Conference, 12-14 October 2011, UK
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
ところで、例えば図１９に示すように、異種デバイス集積技術を用いて、半導体チップ１００（例えばＭＭＩＣ：Monolithic Microwave Integrated Circuit）を樹脂１０１で封止し、高周波信号を伝送する再配線線路１０２及びアンテナ１０３を含む再配線層１０４を設けることで、半導体チップ１００、再配線線路１０２、アンテナ１０３を一体形成する。そして、再配線層１０４側にはんだ１０５をつけて、表面上にリフレクタ１０６が設けられている基板１０７（例えばＰＣＢ）上に実装して、高周波モジュール１０８とすることが考えられる。なお、アンテナを、高周波アンテナ、ミリ波アンテナ、テラヘルツ波アンテナともいう。また、高周波モジュールを、アンテナモジュール、高周波アンテナモジュールともいう。
【０００８】
しかしながら、図１９に示すような高周波モジュールでは、半導体チップ１００、再配線線路１０２、アンテナ１０３を一体形成したものを、リフレクタ１０６が設けられている基板１０７にはんだ接合するため、アンテナ１０３とリフレクタ１０６との間の距離は、はんだ１０５の高さ（例えばはんだボール１０５のサイズ）に依存することになる。そして、はんだ１０５の高さを自由に選択することは困難であるため、アンテナ１０３とリフレクタ１０６との間の距離の設計自由度が低く、また、アンテナ効率（放射効率）を向上させるのは難しい。また、基板１０７の設計自由度も低くなる。また、微細なはんだ１０５の場合に、物理強度を確保すべく、アンダーフィル剤を充填すると、電気特性（高周波特性）が劣化してしまうおそれもある。
【０００９】
ところで、例えば図２０に示すように、異種デバイス集積技術を用いて、半導体チップ１００を樹脂１０１で封止し、高周波信号を伝送する再配線線路１０２、アンテナ１０３及びリフレクタ１０６を含む再配線層１０４を設けることで、半導体チップ１００、再配線線路１０２、アンテナ１０３、リフレクタ１０６を一体形成して、高周波モジュール１０８とすることも考えられる。
【００１０】
しかしながら、再配線層１０４を構成する樹脂層（誘電体層；絶縁層）１０９の厚さや材料を自由に選択することは困難であるため、アンテナ１０３とリフレクタ１０６との間の距離の設計自由度が低く、また、アンテナ効率を向上させるのは難しい。
そこで、アンテナとリフレクタとの間の距離の設計自由度を高くし、アンテナ効率を向上させたい。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本高周波モジュールは、半導体チップとリフレクタとを樹脂で一体化した集積体と、リフレクタに対して間隔をあけて設けられたアンテナと、集積体の表面に設けられ、半導体チップとアンテナとを電気的に接続する再配線線路を含む再配線層とを備え、集積体は、リフレクタのアンテナ側に接し、表面が集積体の表面に露出し、かつ、樹脂とは異なる材料からなる誘電体層を備える。
本高周波モジュールの製造方法は、半導体チップとリフレクタとを樹脂で一体化して集積体を形成する工程と、集積体の表面に、半導体チップとリフレクタに対して間隔をあけて設けられたアンテナとを電気的に接続する再配線線路を含む再配線層を形成する工程とを含む。
【発明の効果】
【００１２】
したがって、本高周波モジュール及びその製造方法によれば、アンテナとリフレクタとの間の距離の設計自由度を高くし、アンテナ効率を向上させることができるという利点がある。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
【図１】（Ａ）、（Ｂ）は、第１実施形態にかかる高周波モジュールの構成を示す模式図であり、（Ａ）は平面図、（Ｂ）は断面図である。
【図２】（Ａ）は、第１実施形態及び比較例の高周波モジュールに対する電磁界解析によって得られた放射効率を示す図であり、（Ｂ）は電磁界解析の対象とした第１実施形態の高周波モジュールの構成を示す模式的断面図であり、（Ｃ）は電磁界解析の対象とした比較例の高周波モジュールの構成を示す模式的断面図である。
【図３】（Ａ）、（Ｂ）は、第１実施形態にかかる高周波モジュールを構成するリフレクタブロックの作製方法を説明するための模式的断面図である。
【図４】（Ａ）〜（Ｃ）は、第１実施形態にかかる高周波モジュールを構成するリフレクタブロックの作製方法の変形例を説明するための模式的断面図である。
【図５】（Ａ）〜（Ｅ）は、第１実施形態にかかる高周波モジュールの製造方法を説明するための模式的断面図である。
【図６】（Ａ）〜（Ｃ）は、第１実施形態にかかる高周波モジュールの製造方法を説明するための模式的断面図である。
【図７】第１実施形態にかかる高周波モジュールの実装形態の一例を説明するための模式的断面図である。
【図８】第１実施形態にかかる高周波モジュールの実装形態の他の例を説明するための模式的断面図である。
【図９】第１実施形態にかかる高周波モジュールの実装形態の他の例を説明するための模式的断面図である。
【図１０】第１実施形態にかかる高周波モジュールを構成するリフレクタブロックの変形例を説明するための模式的断面図である。
【図１１】（Ａ）、（Ｂ）は、図１０に示す変形例のリフレクタブロックを用いる場合の第１実施形態にかかる高周波モジュールの製造方法を説明するための模式的断面図である。
【図１２】第２実施形態にかかる高周波モジュールの構成を示す模式的断面図である。
【図１３】第２実施形態にかかる高周波モジュールを構成するリフレクタブロックの構成を示す模式的斜視図である。
【図１４】誘電体の厚さに対してアンテナ効率がどのように変化するかをシミュレーションした結果を示す図である。
【図１５】第２実施形態にかかる高周波モジュールの実装形態の一例を説明するための模式的断面図である。
【図１６】第２実施形態にかかる高周波モジュールの実装形態の他の例を説明するための模式的断面図である。
【図１７】第２実施形態にかかる高周波モジュールの実装形態の他の例を説明するための模式的断面図である。
【図１８】（Ａ）〜（Ｄ）は、第２実施形態にかかる高周波モジュールを構成するリフレクタブロックの変形例の構成を示す模式的斜視図である。
【図１９】アンテナ及びリフレクタを備える高周波モジュールの課題を説明するための模式的断面図である。
【図２０】アンテナ及びリフレクタを備える高周波モジュールの課題を説明するための模式的断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１４】
以下、図面により、本発明の実施の形態にかかる高周波モジュール及びその製造方法について説明する。
［第１実施形態］
まず、第１実施形態にかかる高周波モジュール及びその製造方法について、図１〜図１１を参照しながら説明する。
【００１５】
本実施形態にかかる高周波モジュールは、例えばミリ波やテラヘルツ波などの高周波領域で用いられる無線送受信器、レーダ装置、通信装置などの無線機器に搭載される高周波モジュールである。
本実施形態の高周波モジュールは、図１（Ａ）、図１（Ｂ）に示すように、半導体チップ１とリフレクタ２とを樹脂３で一体化した集積体４と、リフレクタ２に対して間隔をあけて設けられたアンテナ５と、集積体４の表面に設けられ、半導体チップ１とアンテナ５とを電気的に接続する再配線線路６を含む再配線層７とを備える。
【００１６】
ここで、集積体４は、半導体チップ１とリフレクタ２とを近接させて樹脂３内に封止（樹脂封止）して一体化したものである。また、半導体チップ１は、例えばＭＭＩＣチップである。また、リフレクタ２は、例えばＣｕなどの金属（金属材料）や低抵抗Ｓｉなどの導体（金属導体；低抵抗Ｓｉ導体）からなり、導体板であっても良いし、導体フィルムであっても良いし、導体膜であっても良い。また、樹脂３は、モールド樹脂である。
【００１７】
なお、アンテナ５を、放射素子又はアンテナの放射素子ともいう。また、リフレクタ２を、反射素子又はアンテナの反射素子ともいう。この場合、アンテナ５とリフレクタ２、即ち、放射素子と反射素子を備えるものを、アンテナモジュールともいう。
本実施形態では、集積体４は、リフレクタ２のアンテナ５側に接し、表面が集積体４の表面に露出する誘電体層８（絶縁層）を備える。ここでは、集積体４は、半導体チップ１と、リフレクタ２と誘電体層８とが一体化されているブロック構造を有するリフレクタブロック９とを、近接させて樹脂封止することで、樹脂３で一体化したものとなっている。ここで、誘電体層８（絶縁層）は、誘電体材料（絶縁材料）からなる層であり、誘電体板（絶縁板）によって構成されても良いし、誘電体フィルム（絶縁フィルム）によって構成されても良いし、誘電体膜（絶縁膜）によって構成されても良い。例えば、リフレクタブロック９は、リフレクタ２としての導体上に誘電体層８が積層（装荷）されているものとすれば良い。
【００１８】
再配線層７は、上述のように構成される集積体４の表面上に、例えば擬似ＳｏＣ技術などに用いられる再配線技術を用いて設けられる。つまり、異種デバイス集積技術及び再配線技術を用いて、半導体チップ１とリフレクタ２を樹脂封止し、その上に、半導体チップ１に再配線線路６を介してアンテナ５が接続されるように、再配線線路６及びアンテナ５を含む再配線層７が設けられている。このため、半導体チップ１とアンテナ５を接続するのにはんだ接合部を用いないため、例えばミリ波、テラヘルツ波などの超高周波の高周波信号を伝送する場合であっても信号反射による波形劣化を抑制することができ、高周波特性の劣化を抑制することができる。また、半導体チップ１とアンテナ５とを幅広の短い伝送線路（再配線線路）で低損失に接続することができる。また、モジュールの小型化を図り、製造ばらつきが少なく、高い製造安定性を実現することが可能である。
【００１９】
本実施形態では、再配線線路６は、集積体４を構成する樹脂３上に形成された樹脂層（誘電体層；絶縁層）１０に設けられたビア６Ａを介して半導体チップ１に電気的に接続された線路導体６Ｂによって構成されている。なお、ここでは、再配線線路６は、線路導体６Ｂの下側に設けられたシード層６Ｃを含む。そして、この再配線線路６としての線路導体６Ｂに連なるアンテナ導体５Ａによって、アンテナ５が構成される。ここでは、再配線線路６としての線路導体６Ｂは、ビア６Ａを介して半導体チップ１に電気的に接続されており、また、アンテナ５としてのアンテナ導体５Ａに電気的に接続されている。なお、ここでは、アンテナ５は、アンテナ導体５Ａの下側に設けられたシード層５Ｂを含む。また、樹脂層１０は感光性樹脂層（例えば感光性フェノール系樹脂層）である。また、線路導体６Ｂ及びアンテナ導体５Ａは、例えば銅などの金属からなる。
【００２０】
このような構成を備える再配線線路６及びアンテナ５は、例えばセミアディティブ法を用いてめっきによって形成しても良いし、インクジェット法を用いて金属ペースト（例えば銅ペーストや銀ペースト）によって形成しても良い。但し、コスト及び実装精度を考慮すると、セミアディティブ法を用いてめっきによって形成するのが好ましい。
特に、本実施形態では、アンテナ５、即ち、アンテナ導体５Ａは、集積体４に備えられるリフレクタブロック９を構成する誘電体層８の表面上に設けられている。つまり、アンテナ５とリフレクタ２とは誘電体層８を挟んで上下両側に設けられており、誘電体層８の下側の表面にリフレクタ２が接し、誘電体層８の上側の表面にアンテナ５が接している。このように、アンテナ５の下方に、誘電体層８を挟んで、誘電体層８の厚さ分だけ間隔をあけて、リフレクタ２が設けられている。つまり、リフレクタ２の上方に、誘電体層８を挟んで、誘電体層８の厚さ分だけ間隔をあけて、アンテナ５が設けられている。
【００２１】
なお、ここでは、集積体４に備えられるリフレクタブロック９を構成する誘電体層８の表面上に直接アンテナ５を設けているが、これに限られるものではなく、アンテナ５は、再配線層７を構成する樹脂層１０を挟んで、集積体４に備えられるリフレクタブロック９を構成する誘電体層８の上方に設けられていても良い。但し、上述のように、集積体４に備えられるリフレクタブロック９を構成する誘電体層８の表面上に直接アンテナ５を設け、再配線層７を構成する樹脂層１０を挟まないようにすることで、再配線層７を構成する樹脂層１０に用いられる材料による高周波特性への影響を抑制することが可能となる。
【００２２】
このように構成し、集積体４に備えられるリフレクタブロック９を構成する誘電体層８の厚さを調整することで、リフレクタ２とアンテナ５との間の距離を調整することができるようにしている。このため、誘電体層８は、リフレクタ２とアンテナ５との間の距離を調整するためのものである。したがって、誘電体層８を、距離調整部１１ともいう。つまり、本実施形態では、集積体４は、リフレクタ２とアンテナ５との間の距離を調整する距離調整部１１を備える。そして、距離調整部１１は、リフレクタ２のアンテナ５側に設けられた誘電体層８である。
【００２３】
また、集積体４に備えられるリフレクタブロック９を構成する誘電体層８、即ち、リフレクタ２とアンテナ５の間に挟まれる誘電体層８を構成する誘電体材料には、再配線層７を構成する樹脂層１０に用いられる材料と異なる材料を用い、特に、高周波特性の良い材料、即ち、高周波領域での損失が小さい材料（低損失材料）を用いることができる。
ここで、再配線層７を構成する樹脂層１０に用いられる感光性フェノール系樹脂（比誘電率約３．５、誘電正接約０．０２）に対して、高周波特性の良い材料としては、例えば、誘電率（比誘電率）が低く、かつ、誘電正接が小さい材料であるポリフェニレンエーテル系樹脂（比誘電率約２．５、誘電正接約０．００２）、誘電正接が小さい材料である、石英フィラーを含む熱硬化性エポキシ系樹脂（比誘電率約３．６６、誘電正接約０．００９；例えばモールド樹脂に用いられる）、誘電率（比誘電率）が低い材料である、石英フィラーを含むエポキシ系樹脂（エポキシ系フィルム材料；比誘電率約３．２、誘電正接約０．０１９）などがある。このほか、高周波特性の良い材料、即ち、低誘電率材料又は低損失材料としては、例えば、ベンゾシクロブテン、液晶ポリマ、シクロオレフィンポリマ、ポリオレフィン、ポリスチレン及びポリテトラフルオロエチレンに代表されるフッ素系樹脂などがある。
【００２４】
なお、上述のような構成によれば、集積体４に備えられるリフレクタブロック９を構成する誘電体層８の厚さを厚くすることができ、アンテナ５とリフレクタ２との間の距離を大きくすることができるため、この誘電体層８に、再配線層７を構成する樹脂層１０に用いられる感光性フェノール系樹脂あるいはフェノール系樹脂を用い、その厚さを厚くすることで、アンテナ効率を向上させることもできる。
【００２５】
ここでは、リフレクタ２と誘電体層８とが一体化されているリフレクタブロック９、即ち、リフレクタ２及び誘電体層８をブロック形状に加工したリフレクタブロック９を用い、半導体チップ１に隣接して配置できるようにして、高周波特性の良い誘電体材料を、異種デバイス集積技術に適用できるようにしている。
このように構成することで、アンテナ５とリフレクタ２との間の距離の設計自由度を高くし、アンテナ効率（放射効率）を向上させることができる。これにより、アンテナ５を搭載する高周波モジュール１２において、コンパクトかつ製造バラつきの小さい異種デバイス集積技術及び再配線技術を適用する場合に、高性能なアンテナを実現することが可能となる。
【００２６】
つまり、例えば再配線層にアンテナ及びリフレクタを設ける場合（図２０参照）、ビア等を設ける必要があり、加工性等を考慮する必要があるため、再配線層を構成する樹脂層（誘電体層）の厚さや材料を自由に選択することが困難である。このため、アンテナとリフレクタとの間の距離の設計自由度が低く、また、アンテナ効率を向上させるのは難しい。
【００２７】
これに対し、上述のように構成することで、リフレクタ２とアンテナ５の間に挟まれる誘電体層８の材料の選択の幅が広がり、また、誘電体層８の厚さを調整できる範囲が広がるため、アンテナ５とリフレクタ２との間の距離の設計自由度を高くし、アンテナ効率を向上させることができる。例えば、集積体４に備えられるリフレクタブロック９を構成する誘電体層８の厚さによって、アンテナ５とリフレクタ２との間の距離を、伝送する高周波信号の波長に対してアンテナ効率が向上するように設定することが可能となる。
【００２８】
ここで、図２（Ａ）は、上述のように構成された本実施形態の高周波モジュール１２［図２（Ｂ）参照］に対する電磁界解析によって得られた放射効率（アンテナ効率）、及び、再配線層にアンテナ及びリフレクタを設けた比較例の高周波モジュール１２Ｘ［図２（Ｃ）参照］に対する電磁界解析によって得られた放射効率を示している。
なお、ここでは、本実施形態の高周波モジュール１２は、図２（Ｂ）に示すように、アンテナ５とリフレクタ２との間に設けられる誘電体層８に、比誘電率約２．５、誘電正接約０．００２のポリフェニレンエーテル系樹脂（ＰＰＥ系フィルム材料）を用い、厚さは約４０μｍとした。これに対し、比較例の高周波モジュール１２Ｘは、図２（Ｃ）に示すように、再配線層７に備えられるアンテナ５とリフレクタ２Ｘとの間に設けられる樹脂層１０に、比誘電率約３．５、誘電正接約０．０２の感光性フェノール系樹脂を用い、厚さは約１０μｍとした。また、ここでは、周波数３００ＧＨｚのテラヘルツ波帯（３００ＧＨｚ帯）での放射効率、具体的には、３００ＧＨｚ帯で共振するパッチアンテナ単体での電磁界解析によって得られた放射効率を示している。
【００２９】
本実施形態の高周波モジュール１２の放射効率（図２（Ａ）中、符号Ａ参照）は約９４％であり、比較例の高周波モジュール１２Ｘの放射効率（図２（Ａ）中、符号Ｂ参照）は約４０％であり、本実施形態の高周波モジュール１２の放射効率は、比較例の高周波モジュール１２Ｘの放射効率に対して、図２（Ａ）に示すように、約５０％程度向上した。
また、本実施形態の高周波モジュール１２において、３００ＧＨｚ動作の条件で、誘電体層８の厚さ、即ち、アンテナ５とリフレクタ２との間の距離を大きくしていったところ、誘電体層８の厚さ、即ち、アンテナ５とリフレクタ２との間の距離が約６０μｍで放射効率約９８％となり、これが最大の放射効率であった。なお、これ以上の厚さでは３００ＧＨｚでインピーダンス整合できず、動作条件を満たすことができなかった。
【００３０】
このように、本実施形態の高周波モジュール１２において、アンテナ５とリフレクタ２との間に設けられる誘電体層８に、比誘電率約２．５、誘電正接約０．００２のポリフェニレンエーテル系樹脂を用いた場合、上述の電磁界解析によって得られた放射効率によれば、３００ＧＨｚ帯、即ち、テラヘルツ波帯では、誘電体層８の厚さ、即ち、アンテナ５とリフレクタ２との間の距離は、約４０μｍ〜約６０μｍ程度とするのが好ましい。これは、約４０μｍ未満では、十分に高い放射効率が得られず、約６０μｍよりも大きいと、インピーダンス整合が取れないからである。
【００３１】
また、本実施形態の高周波モジュール１２において、アンテナ５とリフレクタ２との間に設けられる誘電体層８に、石英フィラーを含む熱硬化性エポキシ系樹脂（比誘電率約３．６６、誘電正接約０．００９）を用いたものについて、同様の電磁界解析を行ない、３００ＧＨｚ動作の条件で、誘電体層８の厚さ、即ち、アンテナ５とリフレクタ２との間の距離を大きくしていったところ、誘電体層８の厚さ、即ち、アンテナ５とリフレクタ２との間の距離が約７０μｍで放射効率約９６％となり、これが最大の放射効率であった。なお、これ以上の厚さでは３００ＧＨｚでインピーダンス整合できず、動作条件を満たすことができなかった。
【００３２】
また、本実施形態の高周波モジュール１２において、アンテナ５とリフレクタ２との間に設けられる誘電体層８に、石英フィラーを含むエポキシ系樹脂（エポキシ系フィルム材料；比誘電率約３．２、誘電正接約０．０１９）を用いたものについて、同様の電磁界解析を行ない、３００ＧＨｚ動作の条件で、誘電体層８の厚さ、即ち、アンテナ５とリフレクタ２との間の距離を大きくしていったところ、誘電体層８の厚さ、即ち、アンテナ５とリフレクタ２との間の距離が約６０μｍで放射効率約９２％となり、これが最大の放射効率であった。なお、これ以上の厚さでは３００ＧＨｚでインピーダンス整合できず、動作条件を満たすことができなかった。
【００３３】
このように、これらの電磁界解析によって得られた放射効率によれば、３００ＧＨｚ帯、即ち、テラヘルツ波帯では、誘電体層８の厚さ、即ち、アンテナ５とリフレクタ２との間の距離は、約４０μｍ〜約７０μｍ程度とするのが好ましい。これは、約４０μｍ未満では、十分に高い放射効率が得られず、約７０μｍよりも大きいと、インピーダンス整合が取れないからである。
【００３４】
次に、本実施形態にかかる高周波モジュールの製造方法について説明する。
まず、半導体チップ１とリフレクタ２とを樹脂３で一体化して集積体４を形成する（集積体を形成する工程）。
次に、集積体４の表面に、半導体チップ１とリフレクタ２に対して間隔をあけて設けられたアンテナ５とを電気的に接続する再配線線路６を含む再配線層７を形成する（再配線層を形成する工程）。
【００３５】
本実施形態では、集積体４を形成する工程の前に、リフレクタ２に誘電体層８を設ける（リフレクタ２に誘電体層８を設ける工程）。
そして、集積体４を形成する工程において、半導体チップ１と、誘電体層８が設けられたリフレクタ２とを、樹脂３で一体化して集積体４を形成する。つまり、集積体４を形成する工程において、半導体チップ１と、リフレクタ２と、リフレクタ２とアンテナ５との間の距離を調整する距離調整部１１（ここでは誘電体層８）とを、樹脂３で一体化して集積体４を形成する。
【００３６】
次いで、再配線層７を形成する工程において、集積体４の誘電体層８が露出している側の表面に、再配線線路６とアンテナ５とを含む再配線層７を形成する。つまり、再配線層７を形成する工程において、集積体４の距離調整部１１（ここでは誘電体層８）が露出している側の表面に、再配線線路６とアンテナ５とを含む再配線層７を形成する。
好ましくは、再配線層７を形成する工程において、誘電体層８の表面上にアンテナ５を形成する。
【００３７】
以下、図３〜図６を参照しながら、具体的に説明する。
なお、ここでは、ＦＯ−ＷＬＰによって高周波モジュール１２を製造する場合を例に挙げて説明する。
まず、リフレクタ２と誘電体層８とが一体化されているリフレクタブロック９、即ち、後述するように、半導体チップ１とともに樹脂封止されるリフレクタブロック９を作製する（リフレクタ２に誘電体層８を設ける工程）。
【００３８】
例えば、図３（Ａ）に示すように、例えば銅などからなる金属導体２Ｘ上に、例えばポリフェニレンエーテル系樹脂などからなる誘電体層８を装荷した後、図３（Ｂ）に示すように、例えばダイヤモンドブレードなどを用いてダイシングして所望のサイズの個片にして、金属導体２Ｘからなるリフレクタ２上に誘電体層８が装荷され、これらが一体化されているリフレクタブロック９を作製する。
【００３９】
このほか、例えば、図４（Ａ）に示すように、例えば銅などからなる金属導体（金属片）２Ｙをモールド樹脂１３で一体化したもの（擬似ウェハ）を形成し、図４（Ｂ）に示すように、これの上に任意の厚さの誘電体層８を形成し、図４（Ｃ）に示すように、ダイシングして個片化して、金属導体２Ｙからなるリフレクタ２上に誘電体層８が装荷され、これらが一体化されているリフレクタブロック９を作製するようにしても良い。
【００４０】
次に、半導体チップ１（例えばＭＭＩＣ）とリフレクタブロック９とを樹脂３で封止し、これらを一体化して、集積体４を形成する（集積体４を形成する工程）。
例えば、図５（Ａ）に示すように、支持基板１４上に、半導体チップ１と、リフレクタブロック９とを配置し、図５（Ｂ）に示すように、半導体チップ１とリフレクタブロック９とをモールド樹脂３で封止して、半導体チップ１とリフレクタブロック９とをモールド樹脂３で一体化した集積体４（擬似ウェハ；擬似チップを含む）を形成した後、この集積体４を支持基板１４から剥離する。なお、図５（Ａ）中、符号１Ｘは半導体チップ１の端子を示している。
【００４１】
次に、集積体４の表面上に、アンテナ５と再配線線路６とを含む再配線層７を形成する（再配線層７を形成する工程）。
ここでは、セミアディティブ法を用いてめっきによって再配線線路６及びアンテナ５を含む再配線層７を形成する場合を例に挙げて説明する。
例えば、図５（Ｃ）に示すように、集積体４のリフレクタブロック９を構成する誘電体層８が露出している側の表面上に、感光性樹脂を塗布し、露光、現像、硬化によって、パターニングして、半導体チップ１の端子１Ｘ上にビアホール１０Ｘを有し、リフレクタブロック９を構成する誘電体層８上に開口部１０Ｙを有する感光性樹脂層（誘電体層；絶縁層）１０を形成する。ここで、感光性樹脂としては、例えば、感光性フェノール系樹脂を用い、約１０μｍ程度の厚さになるように塗布すれば良い。この場合、例えば水酸化テトラメチルアンモニウム（ＴＭＡＨ）を用いて現像すれば良い。また、約２００℃〜約２５０℃（例えば約２００℃）でキュア（硬化）させれば良い。
【００４２】
次に、図５（Ｄ）に示すように、感光性樹脂層１０上にシード層１５を形成する。このシード層１５は、例えば、スパッタリングによって、Ｔｉ（チタン）層を、厚さ約２０ｎｍ成膜し、さらに、Ｔｉ（チタン）層上に、スパッタリングによって、Ｃｕ（銅）層を、厚さ約１００ｎｍ成膜することによって形成すれば良い。
次に、図５（Ｅ）に示すように、シード層１５上にレジストパターン１６を形成する。このレジストパターン１６は、例えば、レジストを厚さ約８μｍ塗布し、露光し、例えばＴＭＡＨ（水酸化テトラメチルアンモニウム）によって現像することによって形成すれば良い。そして、レジストパターン１６は、再配線線路６としてのビア６Ａ（ピン）及び線路導体６Ｂ、アンテナ５としてのアンテナ導体５Ａを形成する領域に開口部１６Ｘを有するものとする。
【００４３】
次に、図６（Ａ）に示すように、シード層１５を給電層として用いて、例えば電解めっきによって、導体、即ち、導電材料として、例えばＣｕ（銅）を例えば約５μｍの厚さになるように堆積（めっき）する。このようにして、半導体チップ１の端子１Ｘ上、即ち、ビアホール１０Ｘにビア６Ａを形成し、感光性樹脂層１０上に半導体チップ１とアンテナ５とを電気的に接続する伝送線路である再配線線路６としての線路導体６Ｂを形成し、リフレクタブロック９を構成する誘電体層８の表面上に例えばパッチアンテナのような形状を有するアンテナ５としてのアンテナ導体５Ａを形成する。
【００４４】
そして、図６（Ｂ）に示すように、例えばアセトン等によって、レジストパターン１６を除去した後、除去されたレジストパターン１６の下部に残存していたシード層１５を除去する。例えば、シード層１５を構成するＣｕ（銅）層は、例えば硫酸カリウムをエッチング液とするウェットエッチング等によって除去し、シード層１５を構成するＴｉ（チタン）層は、例えばＣＦ４（四フッ化炭素）とＯ２（酸素）との混合ガスを用いたドライエッチングによって除去すれば良い。これにより、ビア６Ａ、線路導体６Ｂ及びアンテナ導体５Ａの下側のみにシード層１５が残され、ビア６Ａ及び線路導体６Ｂの下側に残されたシード層１５が、再配線線路６に含まれるシード層６Ｃとなり、アンテナ導体５Ａの下側に残されたシード層１５が、アンテナ５に含まれるシード層５Ｂとなる。
【００４５】
このようにして、モールド樹脂３上に形成された感光性樹脂層１０に設けられたビア６Ａを介して半導体チップ１に電気的に接続された線路導体６Ｂ及びこれに連なるアンテナ導体５Ａによって構成される再配線線路６及びアンテナ５を含む再配線層７が形成される。
ここでは、上述の各工程はウェハ状態で行なわれるため、上述のようにして再配線線路６及びアンテナ５を含む再配線層７を形成した後、図６（Ｃ）に示すように、例えばダイヤモンドブレードを用いたダイシングによって所望のチップサイズに切り分けて個片化して、高周波モジュール１２とする。
【００４６】
ところで、上述の実施形態の高周波モジュール１２は、例えば図７に示すように、例えばＰＣＢなどの基板（実装基板）２０上に実装される。
この実装形態は、はんだ接合による基板実装である。ここでは、集積体４の裏面側、即ち、リフレクタ２が設けられている側のモールド樹脂３を取り除き、例えば感光性フェノール系樹脂などによって、基板２０に電気的に接続するためのはんだ２１（はんだボール）を設ける位置に開口部を有する絶縁膜２２を設ける。そして、リフレクタ２が基板２０上に設けられているグランド２３に電気的に接続されるように、リフレクタ２の裏面側を基板２０上に設けられているグランド２３にはんだ接合して、上述の実施形態の高周波モジュール１２を基板２０上に実装する。
【００４７】
なお、ここでは、バイアス又はグランドのために、半導体チップ１は、再配線層７に設けられた再配線線路６Ｘ、導体ピン２４、はんだ２１を介して、基板２０に電気的に接続されている。この場合、導体ピン２４は、例えばＴＭＶ（Through Mold Via）によって設ければ良い。つまり、モールド樹脂３で封止する前に、半導体チップ１の近傍に導体ピン２４を立て、半導体チップ１及びリフレクタブロック９とともにモールド樹脂３で一体化することで、導体ピン２４を設ければ良い。
【００４８】
なお、実装形態はこれに限られるものではない。
例えば図８に示すように、上述の実施形態の高周波モジュール１２を基板２０Ａ上に実装しても良い。
この実装形態は、導電性接着剤２５による基板実装である。ここでは、集積体４の裏面側、即ち、リフレクタ２が設けられている側のモールド樹脂３を取り除き、リフレクタ２が基板２０Ａ上に設けられているグランド２３Ａに電気的に接続されるように、リフレクタ２の裏面側を基板２０Ａ上に設けられているグランド２３Ａに、例えば銀ペーストなどの導電性接着剤２５によって接着して、上述の実施形態の高周波モジュール１２を基板２０Ａ上に実装する。
【００４９】
なお、ここでは、グランドのために、半導体チップ１は、再配線層７に設けられた再配線線路６Ｘ、導体ピン２４、導電性接着剤２５を介して、基板２０上に設けられているグランド２３Ａに電気的に接続されている。この場合、導体ピン２４は、例えばＴＭＶによって設ければ良い。つまり、モールド樹脂３で封止する前に、半導体チップ１の近傍に導体ピン２４を立て、半導体チップ１及びリフレクタブロック９とともにモールド樹脂３で一体化することで、導体ピン２４を設ければ良い。
【００５０】
また、例えば図９に示すように、上述の実施形態の高周波モジュール１２を基板２０上に実装しても良い。
この実装形態は、はんだ接合による基板実装であって、リフレクタ２の裏面側（リフレクタ下部）を、導体ピン２６を介して、基板２０上に設けられたグランド２３に電気的に接続するものである。ここでは、リフレクタ２の裏面側のモールド樹脂３に導体ピン２６を設け、集積体４の裏面側に、例えば感光性フェノール系樹脂などによって、基板２０に電気的に接続するためのはんだ（はんだボール）２１を設ける位置に開口部を有する絶縁膜２２を設ける。そして、リフレクタ２の裏面側が、導体ピン２６を介して、基板２０上に設けられているグランド２３に電気的に接続されるように、リフレクタ２の裏面側に設けられた導体ピン２６を基板２０上に設けられているグランド２３にはんだ接合して、上述の実施形態の高周波モジュール１２を基板２０上に実装する。
【００５１】
この場合、例えば、モールド樹脂３で封止する前に、リフレクタ２の裏面側に導体ピン２６を立て、半導体チップ１及びリフレクタブロック９とともにモールド樹脂３で一体化することで、リフレクタ２の裏面側に導体ピン２６を設ければ良い。なお、これに限られるものではなく、例えば、モールド樹脂３で封止した後に、例えばレーザビア加工等によって孔を形成し、例えばめっき等によって導体ピン２６を形成するようにしても良い。
【００５２】
なお、ここでは、バイアス又はグランドのために、半導体チップ１は、再配線層７に設けられた再配線線路６Ｘ、導体ピン２４、はんだ２１を介して、基板２０に電気的に接続されている。この場合、導体ピン２４は、例えばＴＭＶによって設ければ良い。つまり、モールド樹脂３で封止する前に、半導体チップ１の近傍に導体ピン２４を立て、半導体チップ１及びリフレクタブロック９とともにモールド樹脂３で一体化することで、導体ピン２４を設ければ良い。
【００５３】
したがって、本実施形態にかかる高周波モジュール及びその製造方法によれば、アンテナ５とリフレクタ２との間の距離の設計自由度を高くし、アンテナ効率を向上させることができるという利点がある。
なお、上述の実施形態では、高周波モジュール１２は、再配線層７が再配線線路６とアンテナ５とを含むものとし、高周波モジュール１２の製造方法は、再配線層７を形成する工程において、再配線線路６とアンテナ５とを含む再配線層７を形成するようにしているが、これに限られるものではない。
【００５４】
例えば図１１（Ｂ）に示すように、高周波モジュール１２Ｘは、集積体４Ｘ（即ち、リフレクタブロック９）が、リフレクタ２のアンテナ５側に誘電体層８（距離調整部１１）を備えるものとし、即ち、集積体４Ｘが、リフレクタ２のアンテナ５側に接し、表面が集積体４Ｘの表面に露出する誘電体層８を備えるものとし、アンテナ５（ここではアンテナ導体５Ｘ）が、誘電体層８の表面上に設けられ、再配線層７が、アンテナ５を含まず、再配線線路６を含むものとしても良い。
【００５５】
この場合、高周波モジュール１２Ｘの製造方法は、集積体４を形成する工程の前に、リフレクタ２に誘電体層８を設け、誘電体層８の表面上にアンテナ５を設ける工程を含むものとし、集積体４を形成する工程において、半導体チップ１と、誘電体層８及びアンテナ５が設けられたリフレクタ２とを、樹脂３で一体化して集積体４を形成し、再配線層７を形成する工程において、集積体４のアンテナ５が露出している側の表面に再配線層７、即ち、再配線線路６を含む再配線層７を形成するようにすれば良い。
【００５６】
この場合も、高周波モジュール１２Ｘは、半導体チップ１とリフレクタ２とを樹脂３で一体化した集積体４と、リフレクタ２に対して間隔をあけて設けられたアンテナ５と、集積体４の表面に設けられ、半導体チップ１とアンテナ５とを電気的に接続する再配線線路６を含む再配線層７とを備えることになる。また、高周波モジュール１２Ｘの製造方法は、半導体チップ１とリフレクタ２とを樹脂３で一体化して集積体４を形成する工程と、集積体４の表面に、半導体チップ１とリフレクタ２に対して間隔をあけて設けられたアンテナ５とを電気的に接続する再配線線路６を含む再配線層７を形成する工程とを含むものとなる。
【００５７】
具体的には、例えば図１０に示すように、上述の実施形態のリフレクタブロック９、即ち、導体２Ｘ，２Ｙからなるリフレクタ２上に誘電体層８が装荷され、これらが一体化されているリフレクタブロック９の誘電体層８の表面上に、あらかじめアンテナ５（ここではアンテナ導体５Ｘ）を設けておけば良い。
このようなアンテナ５が設けられたリフレクタブロック９は、上述の実施形態のように、導体２Ｘ，２Ｙからなるリフレクタ２上に誘電体層８を装荷して、これらを一体化した後、誘電体層８の表面上にアンテナ５（ここではアンテナ導体５Ｘ）を設けることによって作製することができる。
【００５８】
なお、誘電体層８の表面上にアンテナ５（ここではアンテナ導体５Ｘ）を設けた後、導体２Ｘ，２Ｙからなるリフレクタ２上に、アンテナ５が設けられた誘電体層８を装荷して、これらを一体化することによって、アンテナ５が設けられたリフレクタブロック９を作製しても良い。
ここで、誘電体層８の表面上にアンテナ５を設ける方法としては、例えば、スパッタリングによって、ＣｕとＴｉとから構成されるシード層を形成し、所望の形状を有するアンテナ５を形成しうるレジストパターンを形成した後、シード層を給電層とする電解めっきによって、導体、即ち、導電材料として、例えばＣｕ（銅）を堆積させて、誘電体層８の表面上にアンテナ５としてのアンテナ導体５Ｘを形成する方法がある。
【００５９】
そして、上述のようなアンテナ５が設けられたリフレクタブロック９を用いる場合、上述の実施形態の高周波モジュールの製造方法におけるレジストパターン１６を形成する工程［図５（Ｅ）参照］において、レジストパターン１６に代えて、図１１（Ａ）に示すように、再配線線路６としてのビア６Ａ及び線路導体６Ｂ、アンテナ５としてのアンテナ導体５Ｘ上の再配線線路６としての線路導体６Ｂが接続される領域に開口部１６ＡＸを有するレジストパターン１６Ａを形成すれば良い。これにより、図１１（Ｂ）に示すように、半導体チップ１の端子１Ｘ上にビア６Ａを形成し、感光性樹脂層１０上に半導体チップ１とアンテナ５とを電気的に接続する伝送線路である再配線線路６としての線路導体６Ｂを形成することができる。なお、ここでは、再配線線路６は、線路導体６Ｂの下側に設けられたシード層６Ｃを含む。
【００６０】
また、上述の実施形態では、集積体４に備えられるリフレクタブロック９を構成する誘電体層８を、リフレクタ２のアンテナ５側の表面の全面に設けているが、これに限られるものではなく、リフレクタのアンテナ側の表面に部分的に設けても良い。
例えば、集積体に備えられるリフレクタブロックを構成する誘電体層を、リフレクタのアンテナ側から突出し、端面が集積体の表面に露出する突出部となるように設けても良い。この場合、集積体は、リフレクタからアンテナ側へ向けて突出する突出部を備えるものとなる。つまり、集積体は、リフレクタのアンテナ側から突出し、端面が集積体の表面に露出する突出部を備えるものとなる。そして、リフレクタは、導体によって構成され、突出部は、誘電体によって構成されたものとなる。なお、突出部の具体的な構成については後述の第２実施形態と同様にすれば良い。
【００６１】
このようにして設けられた突出部、即ち、突出部として設けられた誘電体層も、リフレクタとアンテナとの間の距離を調整するためのものである。このため、突出部、即ち、突出部として設けられた誘電体層を、距離調整部ともいう。つまり、集積体は、リフレクタとアンテナとの間の距離を調整する距離調整部を備える。そして、距離調整部は、リフレクタからアンテナ側へ向けて突出する突出部である。
【００６２】
また、集積体のリフレクタと突出部とによって規定される領域は、樹脂（モールド樹脂）で埋め込まれていても良い。この場合、アンテナは、樹脂の表面上に設けられているのが好ましい。また、集積体のリフレクタと突出部とによって規定される領域は、誘電体で埋め込まれていても良い。この場合、アンテナは、誘電体の表面上に設けられているのが好ましい。また、集積体のリフレクタと突出部とによって規定される領域は、空間になっていても良い。
【００６３】
また、上述のように、集積体を、リフレクタからアンテナ側へ向けて突出する突出部を備えるものとする場合、上述の実施形態の高周波モジュールの製造方法において、集積体を形成する工程の前に、リフレクタに突出部を設ける工程を含むものとし、集積体を形成する工程において、半導体チップと、突出部が設けられたリフレクタとを、樹脂で一体化して集積体を形成し、再配線層を形成する工程において、集積体の突出部が露出している側の表面に再配線層、即ち、再配線線路及びアンテナを含む再配線層又は再配線線路を含む再配線層を形成するようにすれば良い。
【００６４】
また、上述の実施形態では、再配線線路６は、樹脂３上に形成された樹脂層１０に設けられたビア６Ａを介して半導体チップ１に電気的に接続された線路導体６Ｂによって構成されるものとし、アンテナ５は、この線路導体６Ｂに連なるアンテナ導体５Ａによって構成されるものとしているが、これに限られるものではない。例えば、再配線線路は、樹脂上に設けられた誘電体フィルム（樹脂フィルム；絶縁フィルム）に形成されたビアを介して半導体チップに電気的に接続された線路導体によって構成されるものとし、アンテナは、この線路導体に連なるアンテナ導体によって構成されるものとしても良い。このような構成を備える再配線線路及びアンテナは、例えば導体層（例えば銅箔などの金属層）を有する誘電体フィルムを集積体の樹脂上に設け、導体層をパターニングして線路導体及びアンテナ導体を形成し、誘電体フィルムにビアを形成することによって設ければ良い。例えば、金属層が接着層を介して接着されている誘電体フィルムを集積体の樹脂上に貼り付けた後に、金属層をパターニングするとともに誘電体フィルムにビアを形成することによって、再配線線路及びアンテナを設ければ良い。ここで、誘電体フィルムは、低誘電率の誘電体（低誘電率材料）又は低損失な誘電体（低損失材料）からなるものとするのが好ましい。例えば、ベンゾシクロブテン（ＢＣＢ）、液晶ポリマ、シクロオレフィンポリマ（ＣＯＰ）、ポリオレフィン、ポリフェニレンエーテル（ＰＰＥ）、ポリスチレン及びポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）に代表されるフッ素系樹脂からなる群から選ばれるいずれか１種の材料からなるものとするのが好ましい。また、金属層には、例えば銅又は銅合金を用いることができる。また、金属層は、金属箔を用いれば良い。なお、金属層を、例えばスパッタ、無電解めっき、電気めっきなどによって形成しても良い。また、接着層には、ニトロ基、カルボキシ基、シアノ基を含む化合物（例えばニトロ安息香酸、シアノ安息香酸など）などの材料を用いることができる。また、メルカプト基、アミノ基を含むシランカップリング剤、メルカプト基からなるトリアジンチオールなども用いることができる。なお、導体層のパターニングとビアの形成はいずれが先でも良い。
【００６５】
また、再配線線路及びアンテナがパターニングされている誘電体フィルムを、集積体の樹脂上に取り付けることによって、再配線線路及びアンテナを設けても良い。例えば、ビア、線路導体、アンテナ導体を有する誘電体フィルムを、集積体の樹脂上に設けることによって、再配線線路及びアンテナを設けても良い。例えば、集積体の樹脂上に、再配線線路としての線路導体及びビア、及び、アンテナとしてのアンテナ導体がパターニングされている誘電体フィルムを、接着剤で接着すれば良い。この場合、誘電体フィルムにパターニングされているビア及びその近傍領域を接着するのに導電性接着剤を用い、それ以外の領域を接着するのに低誘電・低損失接着剤を用いるのが好ましい。但し、コスト及び実装精度を考慮すると、上述の集積体の樹脂上に誘電体フィルムを取り付けた後に再配線線路をパターニングする方法によって再配線線路及びアンテナを設けるのが好ましい。
［第２実施形態］
まず、第２実施形態にかかる高周波モジュール及びその製造方法について、図１２〜図１８を参照しながら説明する。
【００６６】
本実施形態にかかる高周波モジュールは、上述の第１実施形態のものに対し、集積体の構成が異なる。
つまり、上述の第１実施形態では、集積体４を、リフレクタ２のアンテナ５側に接し、表面が集積体４の表面に露出する誘電体層８を備えるものとしている。これに対し、本実施形態では、図１２、図１３に示すように、集積体４Ａを、リフレクタ２のアンテナ５側から突出し、端面が集積体４Ａの表面に露出する突出部３０を備えるものとしている。
【００６７】
そして、上述の第１実施形態では、集積体４に備えられる、リフレクタ２とアンテナ５との間の距離を調整する距離調整部１１は、リフレクタ２のアンテナ５側に設けられた誘電体層８である。これに対し、本実施形態では、図１２、図１３に示すように、集積体４Ａに備えられる、リフレクタ２とアンテナ５との間の距離を調整する距離調整部１１は、リフレクタ２からアンテナ５側へ向けて突出する突出部３０である。
【００６８】
具体的には、本実施形態にかかる高周波モジュール１２Ａは、上述の第１実施形態のものに対し、リフレクタブロック９の構成が異なる。
つまり、上述の第１実施形態では、リフレクタブロック９を、導体からなるリフレクタ２上に誘電体層８が装荷され、これらが一体化されているものとしている。これに対し、本実施形態では、図１２、図１３に示すように、リフレクタブロック９を、底部９Ｘと枠状の側部９Ｙとを有するバスタブ状金属部材９Ａの底部９Ｘと枠状の側部９Ｙとによって規定された領域（内部）が誘電体８Ａで埋め込まれているものとしている。なお、バスタブ状金属部材９Ａは、バスタブ形状、即ち、内部をくりぬいた構造を有する金属ブロックであるため、バスタブ形状の金属ブロックともいう。また、バスタブ状金属部材９Ａに代えて、金属以外の導体からなるバスタブ状導体部材を用いても良い。
【００６９】
この場合、バスタブ状金属部材９Ａの底部９Ｘがリフレクタ２となり、枠状の側部９Ｙがリフレクタ２からアンテナ５側へ向けて突出する突出部３０、即ち、リフレクタ２のアンテナ５側から突出し、端面が集積体４Ａの表面に露出する突出部３０（距離調整部１１）となる。そして、集積体４Ａのリフレクタ２と突出部３０とによって規定される領域が、誘電体８Ａで埋め込まれていることになる。また、リフレクタ２及び突出部３０は、金属（導体）によって構成されることになる。
【００７０】
ここで、バスタブ状金属部材９Ａは例えば銅からなるものとすれば良い。また、バスタブ状金属部材９Ａの底部９Ｘと枠状の側部９Ｙとによって規定された領域に埋め込まれる誘電体８Ａには、上述の第１実施形態のリフレクタブロック９を構成している誘電体層８を構成する誘電体材料と同様のものを用いれば良い。
この場合も、上述の第１実施形態の場合と同様に、再配線線路６は、集積体４を構成する樹脂３上に形成された樹脂層１０に設けられたビア６Ａを介して半導体チップ１に電気的に接続された線路導体６Ｂによって構成されるものとすれば良い。そして、この再配線線路６としての線路導体６Ｂに連なるアンテナ導体５Ａによって、アンテナ５が構成されるようにすれば良い。
【００７１】
なお、これに限られるものではなく、例えば、再配線線路６は、樹脂３上に設けられた誘電体フィルム（樹脂フィルム；絶縁フィルム）に形成されたビアを介して半導体チップに電気的に接続された線路導体によって構成されるものとし、アンテナは、この線路導体に連なるアンテナ導体によって構成されるものとしても良い。また、再配線線路及びアンテナがパターニングされている誘電体フィルムを、集積体の樹脂上に取り付けることによって、再配線線路及びアンテナを設けても良い。
【００７２】
また、例えば、上述の第１実施形態の変形例（図１０参照）の場合と同様に、リフレクタブロック９、即ち、バスタブ状金属部材９Ａの底部９Ｘと枠状の側部９Ｙとによって規定された領域が誘電体８Ａで埋め込まれているリフレクタブロック９の誘電体８Ａの表面上に、あらかじめアンテナ５を設けておいても良い。
つまり、本実施形態では、アンテナ５は、再配線層７を構成する樹脂層１０（誘電体層；絶縁層）を挟んで、集積体４Ａに備えられるリフレクタブロック９の上方に設けられている。つまり、リフレクタブロック９は、アンテナ５の直下でモールド樹脂３に埋め込まれている。
【００７３】
これに対し、上述の第１実施形態の変形例（図１０参照）の場合と同様に、アンテナ５、即ち、アンテナ導体５Ａを、集積体４Ａに備えられるリフレクタブロック９を構成する誘電体８Ａの表面上に設けても良い。このように、集積体４Ａに備えられるリフレクタブロック９を構成する誘電体８Ａの表面上に直接アンテナ５を設け、再配線層７を構成する樹脂層１０を挟まないようにすることで、再配線層７を構成する樹脂層１０に用いられる材料による高周波特性への影響を抑制することが可能となる。
【００７４】
このように構成し、集積体４Ａに備えられるリフレクタブロック９を構成するバスタブ状金属部材９Ａの枠状の側部９Ｙ、即ち、リフレクタ２からアンテナ５側へ向けて突出する突出部３０の高さ（即ち、誘電体８Ａの厚さ）を調整することで、リフレクタ２とアンテナ５との間の距離を調整することができるようにしている。
このように構成することで、アンテナ５とリフレクタ２との間の距離の設計自由度を高くし、アンテナ効率を向上させることができる。これにより、アンテナを搭載する高周波モジュールにおいて、コンパクトかつ製造バラつきの小さい異種デバイス集積技術及び再配線技術を適用する場合に、高性能なアンテナを実現することが可能となる。
【００７５】
つまり、例えば再配線層にアンテナ及びリフレクタを設ける場合（図２０参照）、ビア等を設ける必要があり、加工性等を考慮する必要があるため、再配線層を構成する樹脂層（誘電体層）の厚さや材料を自由に選択することが困難である。このため、アンテナとリフレクタとの間の距離の設計自由度が低く、また、アンテナ効率を向上させるのは難しい。
【００７６】
これに対し、上述のように構成することで、バスタブ状金属部材９Ａの枠状の側部９Ｙ、即ち、リフレクタ２からアンテナ５側へ向けて突出する突出部３０の高さ（ここでは突出部３０の高さによってバスタブ状金属部材９Ａの内部に埋め込まれる誘電体８Ａの厚さが決まる）を調整することで、リフレクタ２とアンテナ５との間の距離を調整することができるため、調整できる範囲が広がる。また、リフレクタ２とアンテナ５の間に挟まれる誘電体８Ａの材料の選択の幅が広がる。このため、アンテナ５とリフレクタ２との間の距離の設計自由度を高くし、アンテナ効率を向上させることができる。
【００７７】
例えば、集積体４Ａに備えられるリフレクタブロック９を構成するバスタブ状金属部材９Ａの枠状の側部９Ｙ、即ち、リフレクタ２からアンテナ５側へ向けて突出する突出部３０の高さ（ここでは突出部３０の高さによってバスタブ状金属部材９Ａの内部に埋め込まれる誘電体８Ａの厚さが決まる）によって、アンテナ５とリフレクタ２との間の距離を、伝送する高周波信号の波長に対してアンテナ効率が向上するように設定することが可能となる。
【００７８】
例えば、再配線層にアンテナ及びリフレクタを設ける場合（図２０参照）、再配線層を構成する樹脂層（誘電体層）の厚さが薄く、即ち、アンテナとリフレクタとの間の距離が短く、アンテナとリフレクタとの間の結合が強くなり、電波が空間へ放射しにくくなるため、アンテナ効率が低い。しかしながら、再配線層を構成する誘電体層の厚さは約１０μｍ程度にしか厚くすることができないため、アンテナとリフレクタとの間の距離を大きくすることができない。このため、アンテナ効率を向上させ、高性能なアンテナを実現することが難しい。また、再配線層を構成する誘電体層を厚くすると、ビアが長くなり、信頼性の低下や電気的特性の低下を招くことになるため、誘電体層を厚くするのは好ましくない。
【００７９】
これに対し、上述の本実施形態のように、内部に誘電体８Ａが埋め込まれているバスタブ状金属部材９Ａをモールド樹脂３に埋め込んで集積体４Ａの内部に設けることで、アンテナ５とリフレクタ２との間の距離を大きくすることができる。これにより、アンテナ５とリフレクタ２との間の結合が弱まり、アンテナ効率（アンテナ特性）が向上し、高性能なアンテナを実現することが可能となる。
【００８０】
ここで、図１４は、誘電体の厚さに対してアンテナ効率（放射効率）がどのように変化するかをシミュレーションした結果を示している。
ここでは、周波数８０ＧＨｚのミリ波帯（８０ＧＨｚ帯）において、比誘電率約３．４、誘電正接約０．０１の誘電体を用い、アンテナ及びリフレクタとなる金属導体を銅とし、その厚さを約１０μｍとして、シミュレーションを行なった。
【００８１】
このシミュレーションの結果、図１４に示すように、誘電体の厚さ（アンテナとリフレクタとの間の距離）が約１０μｍの場合、アンテナ効率は約４．６％であり、アンテナ効率が低かった。これに対し、誘電体の厚さを厚くしていくと、アンテナ効率が高くなった。つまり、誘電体の厚さを約２０μｍとするとアンテナ効率は約１６．６％となり、誘電体の厚さを約３０μｍとするとアンテナ効率は約２７．８％となり、誘電体の厚さを約５０μｍとするとアンテナ効率は約４５．４％となり、誘電体の厚さを厚くするにつれて、アンテナ効率が高くなった。
【００８２】
このように、誘電体の厚さを厚くすればアンテナ効率を向上させることができるが、上述のように、再配線層にアンテナ及びリフレクタを設ける場合（図２０参照）、再配線層を構成する誘電体層の厚さは約１０μｍ程度にしか厚くすることができないため、アンテナ効率が低い。
これに対し、上述の本実施形態のように、内部に誘電体８Ａが埋め込まれているバスタブ状金属部材９Ａをモールド樹脂３に埋め込んで集積体４Ａの内部に設けることで、アンテナ５とリフレクタ２との間の距離を、再配線層にアンテナ及びリフレクタを設ける場合（図２０参照）よりも大きくすることができる。また、バスタブ状金属部材９Ａの内部に埋め込む誘電体８Ａは、再配線層７を構成する樹脂層（誘電体層）に用いる材料と異なり、自由に選択することができ、高周波特性の良いものを用いることができる。このため、アンテナ効率を高くすることが可能である。
【００８３】
特に、上述のシミュレーション結果を考慮すると、誘電体の厚さ、即ち、アンテナ５とリフレクタ２との間の距離は、約５０μｍ以上にすることが好ましい。
一方、上述のシミュレーション結果では、誘電体の厚さを約５０μｍに厚くした場合までしか示していないが、およそ波長の４分の１の長さに相当する厚さになるまで、誘電体の厚さが大きくなるにつれてアンテナ効率が向上する。例えば、８０ＧＨｚ帯では、比誘電率が３．４の場合、波長の４分の１の長さは約６００μｍであるため、誘電体の厚さが約６００μｍになるまで、誘電体の厚さが大きくなるにつれてアンテナ効率が向上する。しかしながら、誘電体の厚さ、即ち、アンテナとリフレクタとの間の距離が、約２００μｍよりも大きくなると、アンテナのインピーダンスが高くなり、整合回路におけるインピーダンス整合による整合損失が大きくなる。このため、誘電体の厚さ、即ち、アンテナとリフレクタとの間の距離は、約２００μｍ以下にするのが好ましい。
【００８４】
このように、８０ＧＨｚ帯では、誘電体の厚さ、即ち、アンテナとリフレクタとの間の距離は、約５０μｍ〜約２００μｍ程度とするのが好ましい。
なお、ここでは、８０ＧＨｚ帯を例に挙げて説明しているが、これに限られるものではなく、他の周波数帯であっても、同様に、およそ波長の４分の１の長さに相当する厚さになるまで、誘電体の厚さ、即ち、アンテナとリフレクタとの間の距離が大きくなるにつれてアンテナ効率が向上する。一方、誘電体の厚さ、即ち、アンテナとリフレクタとの間の距離を大きくしすぎると、アンテナへの入力インピーダンスが高くなって、アンテナと回路との間のインピーダンス整合が困難となり、整合損失が増加することになる。このため、アンテナ効率と整合損失とのバランスを考慮して、誘電体の厚さ、即ち、アンテナとリフレクタとの間の距離を最適な値に設定するのが好ましい。また、アンテナとリフレクタとの間に設けられる誘電体の誘電率が高いほど波長が短くなるため、アンテナの物理的な大きさを小さくできるメリットがある。しかしながら、誘電率が大きいほど、空気の誘電率とのギャップが大きくなるため、誘電体内における共振が強くなり、空気中へ放射されにくくなる。このため、アンテナの物理的な大きさが要求仕様上許されるのであれば、誘電率の低い誘電体を用いるのが好ましい。
【００８５】
ところで、上述の実施形態の高周波モジュール１２Ａは、例えば図１５に示すように、例えばＰＣＢなどの基板３１（実装基板）上に実装される。
この実装形態は、フェイスアップ実装であり、半導体チップ１の裏面側をグランドとし、半導体チップ１の裏面側が基板３１上に設けられているグランド３２に電気的に接続されるように、上述の実施形態の高周波モジュール１２Ａを基板３１上に実装する。
【００８６】
つまり、上述の実施形態の高周波モジュール１２Ａでは、リフレクタ２がバスタブ状金属部材９Ａの底部９Ｘによって構成され、このバスタブ状金属部材９Ａの底部９Ｘには枠状の側部９Ｙが連なっており、枠状の側部９Ｙの端面は集積体４Ａの表面に露出している。このため、図１５に示すように、バスタブ状金属部材９Ａの枠状の側部９Ｙの端面と半導体チップ１のグランド端子１Ａとを、再配線層７に備えられる再配線線路６Ｙを介して電気的に接続することができる。これにより、半導体チップ１を介して、リフレクタ２を基板３１上に設けられているグランド３２に電気的に接続することができる。このため、上述の実施形態の高周波モジュール１２Ａの基板３１上への実装の際には、半導体チップ１の裏面側が基板３１上に設けられているグランド３２に電気的に接続されるように、上述の実施形態の高周波モジュール１２Ａを例えば導電性接着剤などを介して基板３１上に実装すれば良い。
【００８７】
この場合、基板３１上に実装された高周波モジュール１２Ａの上方側にアンテナ５が位置するため、アンテナ５から放射される電波は、上方へ放射されることになる。
また、図示していないが、半導体チップ１の回路面も、基板３１上に実装された高周波モジュール１２Ａの上方側に位置するため、半導体チップ１に対する信号の入出力やバイアスの供給は、例えばボンディングワイヤで半導体チップ１と基板３１とを電気的に接続して行なうことになる。
【００８８】
なお、実装形態はこれに限られるものではない。
例えば図１６に示すように、上述の実施形態の高周波モジュール１２Ａを基板３１Ａ上に実装しても良い。
この実装形態では、集積体４Ａを構成するモールド樹脂３に導体ピン３３、３４が埋め込まれており、これらの導体ピン３３、３４、再配線線路６Ｚ、はんだバンプ３５〜３７を介して、上述の実施形態の高周波モジュール１２Ａの裏面側を基板３１Ａに電気的に接続することで、信号の入出力、バイアスの供給、グランドへの接続を行なうことになる。この場合、上述の実施形態の高周波モジュール１２Ａの製造方法に含まれる集積体４Ａを形成する工程において、再配線層７を設ける側の反対側の表面までモールド樹脂３を貫通するように導体ピン３３、３４を埋め込んでおけば良い。
【００８９】
この実装形態も、フェイスアップ実装であり、基板３１Ａ上に実装された高周波モジュール１２Ａの上方側にアンテナ５が位置するため、アンテナ５から放射される電波は、上方へ放射されることになる。
また、例えば図１７に示すように、上述の実施形態の高周波モジュール１２Ａを基板３１Ｂ上に実装しても良い。この実装形態では、再配線層７に設けられた再配線線路６ＺＡ、６ＺＢ及びはんだバンプ３８、３９を介して、上述の実施形態の高周波モジュール１２Ａの表面側を基板３１Ｂに電気的に接続することで、信号の入出力、バイアスの供給、グランドへの接続を行なうことになる。この場合、上述の実施形態の高周波モジュール１２Ａの製造方法に含まれる再配線層７を形成する工程において、信号の入出力、バイアスの供給、グランドへの接続を行なうための再配線線路６ＺＡ、６ＺＢを設けておけば良い。
【００９０】
この実装形態は、上述の実施形態の高周波モジュール１２Ａを基板３１Ｂ上にフリップチップ実装するものである。この実装形態は、フェイスダウン実装であり、基板３１Ｂ上に実装された高周波モジュール１２Ａの下方側にアンテナ５が位置するため、アンテナ５から放射される電波は、下方へ放射されることになる。このため、アンテナ５から放射される電波が基板３１Ｂに遮られるのを回避するために、アンテナ５から放射される電波の経路に開口部３１ＢＸを有する基板３１Ｂを用いる。
【００９１】
なお、その他の詳細は、上述の第１実施形態及び変形例のものと同様であるため、ここでは説明を省略する。
なお、上述の本実施形態のように、リフレクタブロック９を、バスタブ状金属部材９Ａの底部９Ｘと枠状の側部９Ｙとによって規定された領域が誘電体８Ａで埋め込まれているものとする場合、このようなリフレクタブロック９を形成する工程が、上述の第１実施形態の高周波モジュールの製造方法に含まれる集積体４を形成する工程の前に行なわれる、リフレクタ２に突出部３０を設ける工程となる。そして、半導体チップ１と、上述のようなリフレクタブロック９とを、樹脂３で一体化して集積体４Ａを形成する工程が、半導体チップ１と、突出部３０が設けられたリフレクタ２とを、樹脂３で一体化して集積体４Ａを形成する工程となる。また、集積体４Ａの上述のリフレクタブロック９の枠状の側部９Ｙの端面が露出している側の表面に再配線層７を形成する工程が、集積体４Ａの突出部３０が露出している側の表面に再配線層７を形成する工程となる。
【００９２】
したがって、本実施形態にかかる高周波モジュール及びその製造方法によれば、上述の第１実施形態及び変形例の場合と同様に、アンテナ５とリフレクタ２との間の距離の設計自由度を高くし、アンテナ効率を向上させることができるという利点がある。
なお、上述の実施形態では、リフレクタブロック９を、バスタブ状金属部材９Ａの底部９Ｘと枠状の側部９Ｙとによって規定された領域（内部）が誘電体８Ａで埋め込まれているものとしているが、これに限られるものではない。
【００９３】
例えば、リフレクタブロック９を、バスタブ状金属部材９Ａの底部９Ｘと枠状の側部９Ｙとによって規定された領域（内部）が空間になっているものとしても良い。つまり、集積体４Ａのリフレクタ２と突出部３０とによって規定される領域は、空間になっていても良い。
この場合、再配線層７を、誘電体フィルム（樹脂フィルム；絶縁フィルム）を用いたものとし、リフレクタブロック９の上方の開口部、即ち、バスタブ状金属部材９Ａの上方の開口部が、再配線層７を構成する誘電体フィルムで覆われて閉じられるようにすれば良い。このように、バスタブ状金属部材９Ａの底部９Ｘと枠状の側部９Ｙとによって規定された領域を空間とし、誘電率の低い空気が存在するようにすれば良い。
【００９４】
この場合、再配線線路６は、樹脂３上に設けられた誘電体フィルムに形成されたビアを介して半導体チップ１に電気的に接続された線路導体によって構成されるものとし、アンテナ５は、この線路導体に連なるアンテナ導体によって構成されるものとしても良いし、あるいは、再配線線路及びアンテナがパターニングされている誘電体フィルムを、集積体の樹脂上に取り付けることによって、再配線線路及びアンテナを設けても良い。
【００９５】
また、例えば、リフレクタブロック９を、バスタブ状金属部材９Ａの底部９Ｘと枠状の側部９Ｙとによって規定された領域（内部）が樹脂（モールド樹脂３）で埋め込まれているものとしても良い。つまり、集積体４Ａのリフレクタ２と突出部３０とによって規定される領域は、樹脂（モールド樹脂３）で埋め込まれていても良い。この場合、アンテナ５は、樹脂（モールド樹脂３）の表面上に設けられるようにするのが好ましい。
【００９６】
この場合、高周波モジュールの製造方法に含まれる集積体４Ａを形成する工程において、集積体４Ａを形成するために用いるモールド樹脂３が内部に流れ込むように、図１８（Ａ）に示すように、上述の実施形態のバスタブ状金属部材９Ａ（バスタブ状導体部材）の底部９Ｘや側部９Ｙに穴４０を設ければ良い。
また、上述の実施形態のバスタブ状金属部材９Ａに代えて、例えば図１８（Ｂ）に示すように、一の側面及びその反対側の側面からモールド樹脂３が流れ込むようにスリットを有し、底部９Ｘの２辺に沿って突起部９ＹＡを有する断面Ｕ字状金属部材９ＡＡ（断面Ｕ字状導体部材）を用いても良い。また、上述の実施形態のバスタブ状金属部材９Ａに代えて、例えば図１８（Ｃ）に示すように、４つの側面のそれぞれからモールド樹脂３が流れ込むようにスリットを有し、底部９Ｘの４隅に突起部９ＹＢを有する金属部材９ＡＢ（導体部材）を用いても良い。さらにモールド樹脂３が流れ込むようにすべく、図１８（Ｄ）に示すように、底部９Ｘの４隅に突起部９ＹＢを有し、底部９Ｘに穴４０を有する金属部材９ＡＣ（導体部材）としても良い。なお、これらの金属部材９Ａ、９ＡＡ、９ＡＢ、９ＡＣは、集積体４Ａを形成する工程において、底部９Ｘが上側になるように配置されて、モールド樹脂３で一体化される。この際、側部９Ｙや突起部９ＹＡ、９ＹＢによって支持されることになる。このため、モールド樹脂３で一体化する際にその位置が安定するように、側部９Ｙや突起部９ＹＡ、９ＹＢを設けるのが好ましい。
【００９７】
これらの金属部材９Ａ、９ＡＡ、９ＡＢ、９ＡＣを用いる場合も、金属部材９Ａ、９ＡＡ、９ＡＢ、９ＡＣの底部９Ｘがリフレクタ２となり、側部９Ｙや突起部９ＹＡ、９ＹＢがリフレクタ２からアンテナ５側へ向けて突出する突出部３０、即ち、リフレクタ２のアンテナ５側から突出し、端面が集積体４Ａの表面に露出する突出部３０（距離調整部１１）となる。そして、集積体４Ａのリフレクタ２と突出部３０とによって規定される領域が、樹脂（モールド樹脂３）で埋め込まれていることになる。また、リフレクタ２及び突出部３０は、金属（導体）によって構成されることになる。
【００９８】
なお、これらの金属部材９Ａ、９ＡＡ、９ＡＢ、９ＡＣを用いる場合に、集積体４Ａを形成するために用いるモールド樹脂３と異なる樹脂や誘電体を内部に流し込んで、リフレクタブロック９を構成しても良い。また、その内部を空間として残すようにしても良い。
［その他］
なお、本発明は、上述した各実施形態及び各変形例に記載した構成に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲で種々変形することが可能である。
【００９９】
以下、上述の各実施形態及び各変形例に関し、更に、付記を開示する。
（付記１）
半導体チップとリフレクタとを樹脂で一体化した集積体と、
前記リフレクタに対して間隔をあけて設けられたアンテナと、
前記集積体の表面に設けられ、前記半導体チップと前記アンテナとを電気的に接続する再配線線路を含む再配線層とを備えることを特徴とする高周波モジュール。
【０１００】
（付記２）
前記集積体は、前記リフレクタと前記アンテナとの間の距離を調整する距離調整部を備えることを特徴とする、付記１に記載の高周波モジュール。
（付記３）
前記距離調整部は、前記リフレクタの前記アンテナ側に設けられた誘電体層であることを特徴とする、付記２に記載の高周波モジュール。
【０１０１】
（付記４）
前記集積体は、前記リフレクタの前記アンテナ側に接し、表面が前記集積体の表面に露出する誘電体層を備えることを特徴とする、付記１に記載の高周波モジュール。
（付記５）
前記アンテナは、前記誘電体層の表面上に設けられていることを特徴とする、付記３又は４に記載の高周波モジュール。
【０１０２】
（付記６）
前記距離調整部は、前記リフレクタから前記アンテナ側へ向けて突出する突出部であることを特徴とする、付記２に記載の高周波モジュール。
（付記７）
前記集積体は、前記リフレクタの前記アンテナ側から突出し、端面が前記集積体の表面に露出する突出部を備えることを特徴とする、付記１に記載の高周波モジュール。
【０１０３】
（付記８）
前記リフレクタ及び前記突出部は、導体によって構成されることを特徴とする、付記６又は７に記載の高周波モジュール。
（付記９）
前記リフレクタは、導体によって構成され、
前記突出部は、誘電体によって構成されることを特徴とする、付記６又は７に記載の高周波モジュール。
【０１０４】
（付記１０）
前記集積体の前記リフレクタと前記突出部とによって規定される領域が、前記樹脂で埋め込まれていることを特徴とする、付記６〜９のいずれか１項に記載の高周波モジュール。
（付記１１）
前記アンテナは、前記樹脂の表面上に設けられていることを特徴とする、付記１０に記載の高周波モジュール。
【０１０５】
（付記１２）
前記集積体の前記リフレクタと前記突出部とによって規定される領域が、誘電体で埋め込まれていることを特徴とする、付記６〜９のいずれか１項に記載の高周波モジュール。
（付記１３）
前記アンテナは、前記誘電体の表面上に設けられていることを特徴とする、付記１２に記載の高周波モジュール。
【０１０６】
（付記１４）
前記集積体の前記リフレクタと前記突出部とによって規定される領域が、空間になっていることを特徴とする、付記６〜９のいずれか１項に記載の高周波モジュール。
（付記１５）
半導体チップとリフレクタとを樹脂で一体化して集積体を形成する工程と、
前記集積体の表面に、前記半導体チップと前記リフレクタに対して間隔をあけて設けられたアンテナとを電気的に接続する再配線線路を含む再配線層を形成する工程とを含むことを特徴とする高周波モジュールの製造方法。
【０１０７】
（付記１６）
前記集積体を形成する工程において、前記半導体チップと、前記リフレクタと、前記リフレクタと前記アンテナとの間の距離を調整する距離調整部とを、前記樹脂で一体化して前記集積体を形成し、
前記再配線層を形成する工程において、前記集積体の前記距離調整部が露出している側の表面に前記再配線層を形成することを特徴とする、付記１５に記載の高周波モジュールの製造方法。
【０１０８】
（付記１７）
前記集積体を形成する工程の前に、前記リフレクタに誘電体層を設ける工程を含み、
前記集積体を形成する工程において、前記半導体チップと、前記誘電体層が設けられた前記リフレクタとを、前記樹脂で一体化して前記集積体を形成し、
前記再配線層を形成する工程において、前記集積体の前記誘電体層が露出している側の表面に前記再配線層を形成することを特徴とする、付記１５に記載の高周波モジュールの製造方法。
【０１０９】
（付記１８）
前記再配線層を形成する工程において、前記誘電体層の表面上に前記アンテナを形成することを特徴とする、付記１７に記載の高周波モジュールの製造方法。
（付記１９）
前記集積体を形成する工程の前に、前記リフレクタに誘電体層を設け、前記誘電体層の表面上に前記アンテナを設ける工程を含み、
前記集積体を形成する工程において、前記半導体チップと、前記誘電体層及び前記アンテナが設けられた前記リフレクタとを、前記樹脂で一体化して前記集積体を形成し、
前記再配線層を形成する工程において、前記集積体の前記アンテナが露出している側の表面に前記再配線層を形成することを特徴とする、付記１５に記載の高周波モジュールの製造方法。
【０１１０】
（付記２０）
前記集積体を形成する工程の前に、前記リフレクタに突出部を設ける工程を含み、
前記集積体を形成する工程において、前記半導体チップと、前記突出部が設けられた前記リフレクタとを、前記樹脂で一体化して前記集積体を形成し、
前記再配線層を形成する工程において、前記集積体の前記突出部が露出している側の表面に前記再配線層を形成することを特徴とする、付記１５に記載の高周波モジュールの製造方法。
【符号の説明】
【０１１１】
１  半導体チップ
１Ｘ  端子
１Ａ  グランド端子
２  リフレクタ
２Ｘ、２Ｙ  金属導体
３  樹脂（モールド樹脂）
４、４Ａ、４Ｘ  集積体
５、５Ｘ  アンテナ
５Ａ  アンテナ導体
５Ｂ  シード層
６、６Ｘ、６Ｙ、６Ｚ、６ＺＡ、６ＺＢ  再配線線路
６Ａ  ビア
６Ｂ  線路導体
６Ｃ  シード層
７  再配線層
８  誘電体層（絶縁層）
８Ａ  誘電体
９  リフレクタブロック
９Ａ  バスタブ状金属部材
９ＡＡ  断面Ｕ字状金属部材（断面Ｕ字状導体部材）
９ＡＢ、９ＡＣ  金属部材（導体部材）
９Ｘ  底部
９Ｙ  側部
９ＹＡ、９ＹＢ  突起部
１０  樹脂層（誘電体層；絶縁層）
１０Ｘ  ビアホール
１１  距離調整部
１２、１２Ａ、１２Ｘ  高周波モジュール
１３  モールド樹脂
１４  支持基板
１５  シード層
１６、１６Ａ  レジストパターン
１６Ｘ、１６ＡＸ  開口部
２０、２０Ａ  基板（実装基板）
２１  はんだ
２２  絶縁膜
２３、２３Ａ  グランド
２４  導体ピン
２５  導電性接着剤
２６  導体ピン
３０  突出部
３１、３１Ａ、３１Ｂ  基板（実装基板）
３１ＢＸ  開口部
３２  グランド
３３、３４  導体ピン
３５〜３９  はんだバンプ
４０  穴
【図１】
0006314705.tif 000002
【図２】
0006314705.tif 000003
【図３】
0006314705.tif 000004
【図４】
0006314705.tif 000005
【図５】
0006314705.tif 000006
【図６】
0006314705.tif 000007
【図７】
0006314705.tif 000008
【図８】
0006314705.tif 000009
【図９】
0006314705.tif 000010
【図１０】
0006314705.tif 000011
【図１１】
0006314705.tif 000012
【図１２】
0006314705.tif 000013
【図１３】
0006314705.tif 000014
【図１４】
0006314705.tif 000015
【図１５】
0006314705.tif 000016
【図１６】
0006314705.tif 000017
【図１７】
0006314705.tif 000018
【図１８】
0006314705.tif 000019
【図１９】
0006314705.tif 000020
【図２０】
0006314705.tif 000021