(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の遅延干渉計と、
前記第１の遅延干渉計に縦続接続された第２の遅延干渉計及び第３の遅延干渉計と、
を有し、
前記第１の遅延干渉計は、
第１の光カプラ及び第２の光カプラと、
前記第１の光カプラと前記第２の光カプラとの間に設けられた第１の導波路と、
前記第１の光カプラと前記第２の光カプラとの間に設けられ、前記第１の導波路よりも長い第２の導波路と、
前記第１の導波路に結合されたリング導波路と、
前記リング導波路の装荷に伴う位相ずれに相当する長さを持つ位相シフタと、
を有し、
前記第１の導波路の長さと前記第２の導波路の長さとの差は、チャネル間隔に対応する長さの差から、前記リング導波路の装荷に伴う位相ずれに相当する長さずれていることを特徴とする光素子。
【請求項２】
前記第２の遅延干渉計及び前記第３の遅延干渉計は、それぞれ、互いに縦続接続された２個の遅延干渉計を有し、
前記２個の遅延干渉計における遅延量は、それぞれ、前記第１の遅延干渉計における遅延量の０．５倍及び１倍であることを特徴とする請求項１に記載の光素子。
【請求項３】
前記第１の導波路及び前記リング導波路のリング共振器は、前記第１の導波路の長さと前記第２の導波路の長さとの差から求まる透過スペクトルに関してアンチレゾナンス条件を満たすことを特徴とする請求項１又は２に記載の光素子。
【請求項４】
波長が相違する複数の光を発する光源部と、
前記光を変調する変調部と、
前記光を合波する請求項１乃至３のいずれか１項に記載の光素子と、
を有することを特徴とする光送信装置。
【請求項５】
波長が相違する複数の光を分波する請求項１乃至３のいずれか１項に記載の光素子と、
前記光素子により分波された光を受光する受光部と、
を有することを特徴とする光受信装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、光素子、光送信装置及び光受信装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
光通信及び光インターコネクトに波長合分波素子等の光素子が用いられる。そして、近年、大容量インターコネクトに向けた有望な技術として、シリコン（Ｓｉ）フォトニクスが注目を集めており、Ｓｉチップ内での波長多重（ＷＤＭ：wavelength division multiplexing）による、光配線の１本当りの伝送容量の向上が期待されている。Ｓｉチップ内でＷＤＭ光信号の送受信には、ＷＤＭ光信号を合波する合波器及びＷＤＭ光信号を分波する分波器として、例えばＳｉ細線導波路型波長合分波器が用いられる。このような合分波器の一例に遅延干渉型素子があり、種々の遅延干渉型素子についての検討が行われている。
【０００３】
例えば、一対の光カプラ間の導波路に結合するリング導波路を装荷することにより、合分波スペクトルの平坦性が向上することが報告されている。しかしながら、リング導波路を用いたとしても、従来の遅延干渉型素子では、温度制御を行わずに十分な平坦性を得ることは困難である。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２０１３−１８６３５８号公報
【特許文献２】特開２０１３−２０５６２６号公報
【非特許文献】
【０００５】
【非特許文献１】D. W. Kim, A. Barkai, R. Jones, N. Elek, H. Nguyen, and A. Liu, "Silicon-on-insulator eight-channel optical multiplexer based on a cascade of asymmetric Mach-Zehnder interferometers," Optics Letters 33(5), 530-532 (2008)
【非特許文献２】F. Horst, "Silicon integrated waveguide devices for filtering and wavelength demultiplexing," in Proceedings of 2011 Optical Fiber Communication Conference, OWJ3
【非特許文献３】J. Song, Q. Fang, S. H. Tao, M. B. Yu, G. Q. Lo, and D. L. Kwong, "Passive ring-assisted Mach-Zehnder  interleaver on silicon-on-insulator," Optics Express 16(12), 8359-8365 (2008)
【非特許文献４】S. -H. Jeong, S. Tanaka, T. Akiyama, S. Sekiguchi, Y. Tanaka, and K. Morito, "Flat-topped and low loss silicon-nanowire-type optical MUX/DeMUX employing multi-stage microring resonator assisted delayed Mach-Zehnder interferometers," Optics Express 20(23), 26000-26011 (2012)
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本発明の目的は、簡易な制御で良好な平坦性のスペクトルを得ることができる光素子、光送信装置及び光受信装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
光素子の一態様には、第１の遅延干渉計と、前記第１の遅延干渉計に縦続接続された第２の遅延干渉計及び第３の遅延干渉計と、が含まれる。前記第１の遅延干渉計には、第１の光カプラ及び第２の光カプラと、前記第１の光カプラと前記第２の光カプラとの間に設けられた第１の導波路と、前記第１の光カプラと前記第２の光カプラとの間に設けられ、前記第１の導波路よりも長い第２の導波路と、前記第１の導波路に結合されたリング導波路と、前記リング導波路の装荷に伴う位相ずれに相当する長さを持つ位相シフタと、が含まれる。前記第１の導波路の長さと前記第２の導波路の長さとの差は、チャネル間隔に対応する長さの差から、前記リング導波路の装荷に伴う位相ずれに相当する長さずれている。
【０００８】
光送信装置の一態様には、波長が相違する複数の光を発する光源部と、前記光を変調する変調部と、前記光を合波する上記の光素子と、が含まれる。
【０００９】
光受信装置の一態様には、波長が相違する複数の光を分波する上記の光素子と、前記光素子により分波された光を受光する受光部と、が含まれる。
【発明の効果】
【００１０】
上記の光素子等によれば、導波路の長さが適切に設定されているため、簡易な制御で良好な平坦性のスペクトルを得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】参考例に係る遅延干渉型素子の要素を示す図である。
【図２】第１の実施形態に係る光素子の構成を示す図である。
【図３】導波路の断面構造を示す図である。
【図４】第１の実施形態及び参考例のスペクトル特性を示す図である。
【図５】第２の実施形態に係る光素子の構成を示す図である。
【図６】第３の実施形態に係る光素子の構成を示す図である。
【図７】第４の実施形態に係る光送信装置の構成を示す図である。
【図８】第５の実施形態に係る光送信装置の構成を示す図である。
【図９】第６の実施形態に係る光受信装置の構成を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
本願発明者は、従来の遅延干渉型素子では、温度制御を行わずに平坦性の高い合分波スペクトルを得ることが困難な原因について鋭意検討を行った。この結果、従来の遅延干渉型素子には、リング導波路の装荷に付随した位相ずれが生じていることが判明した。
【００１３】
図１は、参考例に係る遅延干渉型素子の要素を示す図である。図１に示す遅延干渉型素子では、図１に示すように、光を分波する光カプラ７に２つの導波路１及び導波路２が接続され、導波路１にリング導波路３が結合され、導波路２に遅延部６が設けられ、遅延部６の分、導波路２の光路長が導波路１の光路長よりも長い。この光路長の差は、要求されるチャネル間隔に応じて定められる。また、リング導波路３の構造はチャネル間隔及び光路長の差等に応じて定められる。そして、遅延部６の存在により導波路２を伝搬する光信号に生じたΔφDの位相遅延がそのまま保持されて光信号が光カプラに入力されるものとして設計が行われている。
【００１４】
しかしながら、本願発明者が鋭意検討を行った結果、導波路１を伝搬する光信号のリング導波路３との結合領域４前後での位相差Δφ1が、導波路２を伝搬する光信号の結合領域４に対応する領域５前後での位相差Δφ2とは一致しないことが判明した。つまり、結合領域４を伝搬した光信号とその対応領域５を伝搬した光信号との間には、φDの位相遅延や製造誤差に伴う位相遅延の他にリング導波路３の装荷に伴う位相ずれ（Δφ1−Δφ2）が含まれていることが判明した。本願発明者が準備した試料では、例えば、結合領域４における導波路１とリング導波路３との間隔、結合領域４の長さ、リング導波路３の湾曲部の曲率半径、及び相対位相差（位相ずれの大きさ）の間に、表１に示す関係があった。この試料における導波路はＳｉ細線導波路であり、導波路の幅は４４０ｎｍである。
【００１５】
【表１】
0006388502.tif 000002
【００１６】
このように、結合領域４における間隔が小さくなるほど位相ずれが大きくなることが、本願発明者により初めて明らかにされた。結合領域４が長くなるほど位相ずれが大きくなることも、本願発明者により初めて明らかにされた。位相ずれの大きさがリング導波路３の曲率半径並びに導波路１及びリング導波路３の幅に依存することも、本願発明者により初めて明らかにされた。そして、位相ずれの大きさは有限の値を示し、固定値ではない。つまり、これまで着目されてきていないものの、リング導波路３が導波路１を伝搬する光信号の位相に影響を及ぼしていることが明らかになった。従来の遅延干渉型素子では、このような位相ずれの影響が考慮されていないため、製造誤差がない場合でも、所望の特性が得られないのである。また、位相ずれの大きさは、結合領域４のモード分布を偶モード及び奇モードに分解し、これらモードと遅延導波路のモードとの間の差分で考えることができる。
【００１７】
本願発明者が上記の新たな知見に基づき更に鋭意検討を行った結果、リング導波路を備える遅延干渉計に、当該リング導波路の装荷に伴う位相ずれを相殺する位相シフタを設けることにより、合分波スペクトルの平坦性が向上することが見出された。
【００１８】
以下、実施形態について添付の図面を参照しながら具体的に説明する。
【００１９】
（第１の実施形態）
先ず、第１の実施形態について説明する。第１の実施形態は、波長分波器の一例である。図２は、第１の実施形態に係る光素子の構成を示す図である。
【００２０】
第１の実施形態に係る光素子１００には、図２に示すように、遅延干渉計１１０が含まれている。遅延干渉計１１０には、光カプラ１１４及び光カプラ１１５が含まれ、光カプラ１１４及び光カプラ１１５間に導波路１１１及び導波路１１２が接続されている。導波路１１２は導波路１１１よりも長い。遅延干渉計１１０には、更に、導波路１１１に結合されたリング導波路１１３が設けられている。導波路１１１には位相シフタ１１６が含まれている。
【００２１】
光カプラ１１５に、遅延干渉計１２０及び遅延干渉計１３０が接続されている。遅延干渉計１２０には、光カプラ１２４、光カプラ１２５及び光カプラ１２６が含まれ、光カプラ１２４及び光カプラ１２５間に導波路１２１及び導波路１２２が接続され、光カプラ１２５及び光カプラ１２６間に導波路１２７及び導波路１２８が接続されている。遅延干渉計１３０には、光カプラ１３４、光カプラ１３５及び光カプラ１３６が含まれ、光カプラ１３４及び光カプラ１３５間に導波路１３１及び導波路１３２が接続され、光カプラ１３５及び光カプラ１３６間に導波路１３７及び導波路１３８が接続されている。導波路１２２は導波路１２１よりも差ΔＬ2長く、導波路１２８は導波路１２７よりも差ΔＬ1長い。差ΔＬ1は差ΔＬ2の２倍である。導波路１３２は導波路１３１よりも、差ΔＬ2から１．０πラジアン相当の長さを減じて得られる長さ長く、導波路１３８は導波路１３７よりも、差ΔＬ1から０．５πラジアン相当の長さを減じて得られる長さ長い。導波路１１２は導波路１１１よりも、差ΔＬ1から位相シフタ１１６の長さΔＬPSを減じて得られる長さΔＬTotal（ΔＬTotal＝ΔＬ1−ΔＬPS）長い。
【００２２】
このように、遅延干渉計１２０及び遅延干渉計１３０は遅延マッハ・ツェンダ干渉計（ＤＭＺＩ：delayed Mach-Zehnder interferometer）の構造を備えており、遅延干渉計１１０は、マイクロリング導波路を装荷した遅延マッハ・ツェンダ干渉計（Ｍ−ＤＭＺＩ）の構造を備えている。
【００２３】
光カプラ１１４、光カプラ１１５、光カプラ１２４、光カプラ１２５、光カプラ１２６、光カプラ１３４、光カプラ１３５及び光カプラ１３６は、例えば、方向性結合器又はＭＭＩ（multimode interference）カプラである。導波路１１１、導波路１１２、リング導波路１１３、導波路１２１、導波路１２２、導波路１２７、導波路１２８、導波路１３１、導波路１３２、導波路１３７及び導波路１３８には、例えば図３（ａ）に示す断面構造のＳｉ細線導波路が用いられる。
【００２４】
図３（ａ）に示すチャネル構造では、Ｓｉ基板１１上に、Ｓｉ酸化物の埋め込み酸化層１２、Ｓｉ層１３及びＳｉ酸化層１４が設けられている。Ｓｉ層１３の厚さは２２０ｎｍであり、幅は４４０ｎｍである。このようなチャネル構造は、例えば、次のようにして形成することができる。先ず、Ｓｉ基板、Ｓｉ酸化物の層及びＳｉ層を備えたＳＯＩ基板を準備する。次いで、光露光又は電子ビーム露光等によって導波路又は光カプラを構成する部分を覆うフォトマスクを形成する。その後、フォトマスクを用いてＳｉ層のドライエッチングを行うことにより、所定のパターン形状のＳｉ層１３を形成する。ドライエッチングとしては、例えば反応性イオンエッチングを行う。続いて、Ｓｉ酸化層１４を蒸着法等により形成する。このようにして、Ｓｉ基板１１、埋め込み酸化層１２、Ｓｉ層１３及びＳｉ酸化層１４を備えたチャネル構造が得られる。なお、図３（ｂ）に示すようなリブ導波路構造を採用してもよい。この場合、Ｓｉ層１３に代えて、５０ｎｍ程度のスラブ高を有するＳｉ層１５が用いられる。
【００２５】
次に、差ΔＬ1及び位相シフタ１１６の長さについて説明する。差ΔＬ1は（１）式で表される。
ΔＬ1＝（λDMZI×ｍ）／ＮEq・・・（１）
【００２６】
λDMZI、ｍ及びＮEqは、それぞれ遅延干渉計１１０の遅延干渉部における中心波長、回折次数並びに導波路１１１及び導波路１１２の実効屈折率である。遅延干渉部には、導波路１１２、及び導波路１１１の位相シフタ１１６を除く部分が含まれる。また、リング導波路１１３及び導波路１１１を含むマイクロリング共振器（ＭＲＲ：micro-ring resonator）の中心波長λMRRは（２）式で表される。つまり、本実施形態では、アンチレゾナンス条件（非共振条件）が成り立つ。また、本実施形態では、マイクロリング共振器の光結合率κMRRは、例えば約８５％である。
λMRR＝λDMZI−０．５×Δν・・・（２）
【００２７】
Δνはチャネル間隔である。従って、チャネル間隔Δν及び中心波長λMRRから中心波長λDMZIを求めることができ、中心波長λDMZI、回折次数ｍ及び実行屈折率ＮEqから差ΔＬ1を求めることができる。そして、長さΔＬTotalから差ΔＬ1を減じて得られる値が長さΔＬPSである。
【００２８】
なお、チャネル間隔Δνは（３）式で表される。
Δν＝λDMZI2／（２×ＮGr×ΔＬ1）・・・（３）
【００２９】
本実施形態では、例えば、チャネル間隔Δνが８００ＧＨｚであり、導波路１１１及び導波路１１２が図３（ａ）又は（ｂ）に示す構造を備えている。従って、差ΔＬ1は約４４μｍであり、差ΔＬ2は約２２μｍである。更に、本実施形態では、導波路１１１、導波路１１２及びリング導波路１１３の幅が４４０ｎｍ、導波路１１１とリング導波路１１３との間隔が０．２μｍ、導波路１１１及びリング導波路１１３の結合領域の長さが１５μｍであり、位相シフタ１１６の長さΔＬPSが０．２６μｍである。導波路１１１及び導波路１１２が図３（ａ）又は（ｂ）に示す構造を備えている場合、０．２６μｍの光路長は０．７９ラジアンの位相差に相当するため、表１から明らかなように、リング導波路１１３の装荷に伴う相対位相差（位相ずれの大きさ）が相殺される。
【００３０】
また、導波路１１１及び導波路１１２が図３（ａ）又は（ｂ）に示す構造を備えている場合、０．５πラジアン、１．０πラジアンに相当する光路長は、それぞれ０．１６μｍ、０．３２μｍである。従って、導波路１２２と導波路１２１との光路長の差は約２２μｍ、導波路１２８と導波路１２７との光路長の差は約４４μｍ、導波路１３２と導波路１３１との光路長の差は約２１．８４μｍ、導波路１３８と導波路１３７との光路長の差は約４３．６８μｍである。
【００３１】
このような光素子１００によれば、遅延干渉計１１０に、適切な位相シフタ１１６が含まれているため、リング導波路１１３の装荷に伴う位相ずれが相殺される。このため、従来は着目されていない位相ずれが解消し、温度制御等の煩雑な制御を行わずとも、所望のチャネル間隔を確保しながら、優れた平坦性の光合波スペクトルを得ることができ、優れたサイドバンドのロールオフ特性を得ることができる。また、リング導波路１１３の作用により、小型サイズで低クロストークを確保することができる。
【００３２】
図４は、第１の実施形態及び参考例のスペクトル特性を示す図である。図４（ａ）が参考例のスペクトル特性を示し、図４（ｂ）が第１の実施形態のスペクトル特性を示す。これらは、製造誤差が生じていないと仮定したシミュレーションの結果を示す。参考例は、位相シフタ１１６が設けられていないことを除き、第１の実施形態と同様の構成を備える。図４に示すように、参考例では、製造誤差が生じていないとしても良好な平坦性を得ることは困難である。このため、従来、温度制御等の煩雑な制御が行われている。これに対し、第１の実施形態によれば、優れた平坦性の光合波スペクトルを得ることができ、優れたサイドバンドのロールオフ特性を得ることができる。図４中の４種の曲線は、それぞれ１チャネルの透過率を示している。
【００３３】
（第２の実施形態）
次に、第２の実施形態について説明する。第２の実施形態は、波長分波器の一例である。図５は、第２の実施形態に係る光素子の構成を示す図である。
【００３４】
第１の実施形態では、上記のように、位相シフタ１１６が導波路１１１に含まれているのに対し、第２の実施形態では、位相シフタ１１６が設けられず、位相シフタ２１６が導波路１１２に含まれている。位相シフタ２１６の長さは−０．２６μｍである。他の構成は第１の実施形態と同様である。
【００３５】
第２の実施形態では、位相シフタ２１６が設けられているため、導波路１１２の長さが第１の実施形態のそれよりも０．２６μｍ短く、位相シフタ１１６が設けられていないため、導波路１１１の長さが第１の実施形態のそれよりも０．２６μｍ短い。従って、第１の実施形態と同様に、導波路１１２は導波路１１１よりも長さΔＬTotal長い。このため、第１の実施形態と同様の効果を得ることができる。
【００３６】
（第３の実施形態）
次に、第３の実施形態について説明する。第３の実施形態は、波長分波器の一例である。図６は、第３の実施形態に係る光素子の構成を示す図である。
【００３７】
第１の実施形態では、上記のように、位相シフタ１１６が導波路１１１に含まれているのに対し、第３の実施形態では、位相シフタ１１６が設けられず、位相シフタ３１６が導波路１１１に含まれ、位相シフタ３１７が導波路１１２に含まれている。位相シフタ３１６の長さは０．１３μｍであり、位相シフタ３１７の長さは−０．１３μｍである。他の構成は第１の実施形態と同様である。
【００３８】
第３の実施形態では、位相シフタ３１７が設けられているため、導波路１１２の長さが第１の実施形態のそれよりも０．１３μｍ短く、位相シフタ１１６に代わって位相シフタ３１６が設けられている、導波路１１１の長さが第１の実施形態のそれよりも０．１３μｍ短い。従って、第１の実施形態と同様に、導波路１１２は導波路１１１よりも長さΔＬTotal長い。このため、第１の実施形態と同様の効果を得ることができる。
【００３９】
第２の実施形態及び第３の実施形態から明らかなように、リング導波路の装荷に伴う位相ずれを抑制する位相シフタは、リング導波路が結合する導波路に設けられていてもよく、もう一方の導波路に設けられていてもよく、両導波路に設けられていてもよい。位相シフタが設けられる位置ではなく、位相シフタに伴う２つの導波路間の光路長の差が重要である。
【００４０】
図２、図５及び図６には、それぞれ光素子１００、光素子２００及び光素子３００が波長分波器として用いられる構成が図示されているが、光素子１００、光素子２００及び光素子３００を波長合波器として用いてもよい。
【００４１】
（第４の実施形態）
次に、第４の実施形態について説明する。第４の実施形態は、光送信装置の一例である。図７は、第４の実施形態に係る光送信装置の構成を示す図である。
【００４２】
第４の実施形態に係る光送信装置４００には、図７に示すように、光源部４１０、光変調部４２０及び第１の実施形態に係る光素子１００が含まれている。光源部４１０に発振波長が相違する４つのレーザ４１１〜４１４が含まれ、光変調部４２０に４つのマッハ・ツェンダ変調器４２１〜４２４が含まれている。レーザ４１１〜４１４は、ＣＷ（continuous wave）光を発する。マッハ・ツェンダ変調器４２１〜４２４は入力された光信号を変調する。マッハ・ツェンダ変調器４２１〜４２４は、それぞれレーザ４１１〜４１４に接続されている。マッハ・ツェンダ変調器４２１及び４２２が光カプラ１２６に接続され、マッハ・ツェンダ変調器４２３及び４２４が光カプラ１３６に接続されている。
【００４３】
この光送信装置４００では、光信号が光変調部４２０により個別に変調される。そして、光素子１００が波長合波器として機能し、光カプラ１２６に入力された変調後の光信号及び光カプラ１３６に入力された変調後の光信号が光素子１００にて合波され、合波後の光信号が光カプラ１１４から出力される。光素子１００が優れたスペクトル平坦性を示すため、光素子１００に入力してくる光信号に波長ずれが生じていても、温度変動により光素子１００に動作波長シフトが生じても、低損失が保持され、波長多重（ＷＤＭ）信号の光送信を行うことができる。
【００４４】
（第５の実施形態）
次に、第５の実施形態について説明する。第５の実施形態は、光送信装置の一例である。図８は、第５の実施形態に係る光送信装置の構成を示す図である。
【００４５】
第５の実施形態に係る光送信装置５００には、図８に示すように、光源部４１０、第１の実施形態に係る光素子１００及び光変調部５２０が含まれている。レーザ４１１及び４１２が光カプラ１２６に接続され、レーザ４１３及び４１４が光カプラ１３６に接続されている。光変調部５２０に４つのリング変調器５２１〜５２４が含まれている。リング変調器５２１〜５２４は光カプラ１１４に縦続に接続されている。
【００４６】
この光送信装置５００では、光カプラ１２６に入力された変調前の光信号及び光カプラ１３６に入力された変調前の光信号が光素子１００にて合波され、合波後の光信号が光カプラ１１４から出力される。そして、合波後の光信号が光変調部５２０により一括して変調される。この光送信装置５００によっても光送信装置４００と同様の効果を得ることができる。
【００４７】
（第６の実施形態）
次に、第６の実施形態について説明する。第６の実施形態は、光受信装置の一例である。図９は、第６の実施形態に係る光受信装置の構成を示す図である。
【００４８】
第６の実施形態に係る光受信装置６００には、図９に示すように、第１の実施形態に係る光素子１００及び受光部６１０が含まれている。受光部６１０に４つのフォトダイオード６１１〜６１４が含まれている。フォトダイオード６１１及び６１２が光カプラ１２６に接続され、フォトダイオード６１３及び６１４が光カプラ１３６に接続されている。
【００４９】
この光受信装置６００では、波長多重の光信号（ＷＤＭ信号）が光カプラ１１４に入力され、光素子１００にて波長毎に４種類の光信号に分波されて光カプラ１２６及び１３６から出力される。そして、光カプラ１２６及び１３６から出力された４波長の光信号が受光部６１０により検波される。光素子１００が優れたスペクトル平坦性及び低クロストーク性を示すため、光素子１００に入力してくる光信号に波長ずれが生じていても、温度変動により光素子１００に動作波長シフトが生じても、低損失及び低クロストークが保持される。従って、受光部６１０による検波の際の光リンクにおけるパワーペナルティを抑制することができる。
【００５０】
第４〜第６の実施形態において、光素子１００に代えて光素子２００又は３００を用いてもよい。
【００５１】
以下、本発明の諸態様を付記としてまとめて記載する。
【００５２】
（付記１）
第１の遅延干渉計と、
前記第１の遅延干渉計に縦続接続された第２の遅延干渉計及び第３の遅延干渉計と、
を有し、
前記第１の遅延干渉計は、
第１の光カプラ及び第２の光カプラと、
前記第１の光カプラと前記第２の光カプラとの間に設けられた第１の導波路と、
前記第１の光カプラと前記第２の光カプラとの間に設けられ、前記第１の導波路よりも長い第２の導波路と、
前記第１の導波路に結合されたリング導波路と、
を有し、
前記第１の導波路の長さと前記第２の導波路の長さとの差は、チャネル間隔に対応する長さの差から、前記リング導波路の装荷に伴う位相ずれに相当する長さずれていることを特徴とする光素子。
【００５３】
（付記２）
前記第２の遅延干渉計及び前記第３の遅延干渉計は、それぞれ、互いに縦続接続された２個の遅延干渉計を有し、
前記２個の遅延干渉計における遅延量は、それぞれ、前記第１の遅延干渉計における遅延量の０．５倍及び１倍であることを特徴とする付記１に記載の光素子。
【００５４】
（付記３）
前記第１の導波路及び前記リング導波路のリング共振器は、前記第１の導波路の長さと前記第２の導波路の長さとの差から求まる透過スペクトルに関してアンチレゾナンス条件を満たすことを特徴とする付記１又は２に記載の光素子。
【００５５】
（付記４）
波長が相違する複数の光を発する光源部と、
前記複数の光を変調する変調部と、
前記複数の光を合波する付記１乃至３のいずれか１項に記載の光素子と、
を有することを特徴とする光送信装置。
【００５６】
（付記５）
前記光素子は、前記変調部による変調が行われた光を合波することを特徴とする付記４に記載の光送信装置。
【００５７】
（付記６）
前記変調部は、前記光素子による合波が行われた光を変調することを特徴とする付記４に記載の光送信装置。
【００５８】
（付記７）
波長が相違する複数の光を分波する付記１乃至３のいずれか１項に記載の光素子と、
前記光素子により分波された光を受光する受光部と、
を有することを特徴とする光受信装置。
【符号の説明】
【００５９】
１００、２００、３００：光素子
１１０、１２０、１３０：遅延干渉計
１１１、１１２：導波路
１１３：リング導波路
１１４、１１５：光カプラ
１１６、２１６、３１６、３１７：位相シフタ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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