(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
基材フィルムと、粘着層とを含み、
前記粘着層の貯蔵弾性率が３０℃で３＊１０5〜４＊１０6Ｐａであり、
前記粘着層の貯蔵弾性率が８０℃で１．０＊１０5Ｐａ以上であり、
前記粘着層の架橋密度が８０％〜９９％であり、
前記粘着層は、−３０℃〜−５５℃のガラス転移温度を有する（メタ）アクリレート系樹脂を含むダイシングフィルム。
【請求項２】
前記粘着層は、粘着樹脂、光開始剤、および架橋剤を含む、請求項１に記載のダイシングフィルム。
【請求項３】
前記架橋剤は、イソシアネート系化合物、アジリジン系化合物、エポキシ系化合物、および金属キレート系化合物からなる群より選択された１種以上の化合物を含む、請求項２に記載のダイシングフィルム。
【請求項４】
前記粘着層は、前記粘着樹脂１００重量部対比、光開始剤０．１〜２０重量部、および架橋剤０．１〜４０重量部を含む、請求項２または３に記載のダイシングフィルム。
【請求項５】
前記基材フィルムは、ポリオレフィンフィルム、ポリエステルフィルム、ポリカーボネートフィルム、ポリ塩化ビニルフィルム、ポリテトラフルオロエチレンフィルム、ポリブテンフィルム、ポリブタジエンフィルム、塩化ビニル共重合体フィルム、エチレン−酢酸ビニル共重合体フィルム、エチレン−プロピレン共重合体フィルム、およびエチレン−アルキルアクリレート共重合体フィルムからなる群より選択された１つの高分子フィルムである、請求項１〜４のいずれか一項に記載のダイシングフィルム。
【請求項６】
前記基材フィルムは、１０μｍ〜２００μｍの厚さを有し、
前記粘着層は、５μｍ〜１００μｍの厚さを有する、請求項１〜５のいずれか一項に記載のダイシングフィルム。
【請求項７】
請求項１〜６のいずれか一項に記載のダイシングフィルムと、前記ダイシングフィルムの少なくとも一面に形成された接着層とを含む、ダイシングダイボンディングフィルム。
【請求項８】
前記接着層は、熱可塑性樹脂、エポキシ樹脂、および硬化剤を含む、請求項７に記載のダイシングダイボンディングフィルム。
【請求項９】
前記熱可塑性樹脂は、ポリイミド、ポリエーテルイミド、ポリエステルイミド、ポリアミド、ポリエーテルスルホン、ポリエーテルケトン、ポリオレフィン、ポリ塩化ビニル、フェノキシ、反応性ブタジエンアクリロニトリル共重合ゴム、および（メタ）アクリレート系樹脂からなる群より選択された１つ以上の高分子樹脂を含む、請求項８に記載のダイシングダイボンディングフィルム。
【請求項１０】
前記硬化剤は、フェノール系樹脂、アミン系硬化剤、および酸無水物系硬化剤からなる群より選択された１種以上の化合物を含む、請求項８または９に記載のダイシングダイボンディングフィルム。
【請求項１１】
前記接着層は、前記エポキシ樹脂１００重量部対比、前記熱可塑性樹脂１０〜１，０００重量部、および前記硬化剤１０〜７００重量部を含む、請求項７〜１０のいずれか一項に記載のダイシングダイボンディングフィルム。
【請求項１２】
前記接着層は、リン系化合物、ホウ素系化合物、およびリン−ホウ素系化合物、およびイミダゾール系化合物からなる群より選択された１種以上の硬化触媒をさらに含む、請求項７〜１１のいずれか一項に記載のダイシングダイボンディングフィルム。
【請求項１３】
前記接着層は、１μｍ〜３００μｍの厚さを有する、請求項７〜１２のいずれか一項に記載のダイシングダイボンディングフィルム。
【請求項１４】
請求項７〜１３のいずれか一項に記載のダイシングダイボンディングフィルムと、前記ダイシングダイボンディングフィルムの少なくとも一面に積層されたウエハとを含む半導体ウエハを完全分断または分断可能に部分処理する前処理段階と、
前記前処理した半導体ウエハの基材フィルムに紫外線を照射し、前記半導体ウエハの分断によって分離された個別チップをピックアップする段階とを含む、半導体ウエハのダイシング方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ダイシングフィルムおよびダイシングダイボンディングフィルムに関し、より詳細には、半導体パッケージング工程のダイシング過程でピックアップ性を向上させ、薄型化した半導体チップの損傷を防止することのできる、ダイシングフィルムおよび前記ダイシングフィルムを含むダイシングダイボンディングフィルム並びに前記ダイシングダイボンディングフィルムを用いた半導体ウエハのダイシング方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
一般に、半導体チップの製造工程は、ウエハに微細なパターンを形成する工程と、最終装置の規格に合うようにウエハを研磨してパッケージング（ｐａｃｋａｇｉｎｇ）する工程とを含む。パッケージング工程は、半導体チップの不良を検査するウエハ検査工程；ウエハを切断してバラのチップに分離するダイシング工程；分離されたチップを回路フィルム（ｃｉｒｃｕｉｔ  ｆｉｌｍ）またはリードフレームの搭載板に付着させるダイボンディング工程；半導体チップ上に具備されたチップパッドと回路フィルムまたはリードフレームの回路パターンとをワイヤのような電気的接続手段で連結させるワイヤボンディング工程；半導体チップの内部回路とその他の部品を保護するために封止材で外部を囲むモールディング工程；リードとリードとを連結しているダムバーを切断するトリム工程；リードを所望の形状に曲げるフォーミング工程；および完成したパッケージの不良を検査する完成品検査工程などを含む。
【０００３】
前記ダイシング工程により、複数のチップが形成された半導体ウエハから互いに分離された個別チップが製造される。広義に、ダイシング工程は、半導体ウエハの後面をグラインディング（ｇｒｉｎｄｉｎｇ）し、チップ間のダイシングラインに沿って半導体ウエハを切断することによって、互いに分離された複数の個別チップを製造する工程である。
【０００４】
一方、電子機器の小型化およびメモリ容量の増大に伴い、半導体チップを垂直に積み上げるＭＣＰ（ｍｕｌｔｉ−ｃｈｉｐ  ｐａｃｋａｇｅ）技術が最近多く利用されており、多くのチップを積み上げるために、個々のチップの厚さは薄くならなければならない。
【０００５】
このような半導体ウエハの薄型化により、接着層と粘着層との分離時に過度な力が加えられる場合、薄型化したチップの損傷があり得て、ダイシング工程におけるピックアップ性が低下する問題が存在していた。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本発明は、半導体パッケージング工程のダイシング過程でピックアップ性を向上させ、薄型化した半導体チップの損傷を防止することのできる、ダイシングフィルムおよび前記ダイシングフィルムを含むダイシングダイボンディングフィルム並びに前記ダイシングダイボンディングフィルムを用いた半導体ウエハのダイシング方法を提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本明細書では、基材フィルムと、粘着層とを含み、前記粘着層の貯蔵弾性率が３０℃で３．０＊１０5〜４．０＊１０6Ｐａであり、前記粘着層の架橋密度が８０％〜９９％である、ダイシングフィルムが提供される。
【０００８】
前記粘着層の貯蔵弾性率が８０℃で１．０＊１０5Ｐａ以上、または１．０＊１０5Ｐａ〜４．０＊１０5Ｐａであってもよい。
【０００９】
前記粘着層は、粘着樹脂、光開始剤、および架橋剤を含む。
【００１０】
前記粘着樹脂は、−２８℃〜−５８℃のガラス転移温度を有する（メタ）アクリレート系樹脂を含んでもよい。本明細書において、（メタ）アクリレートは、アクリレートおよび（メタ）クリレートを全て含む意味である。
【００１１】
前記架橋剤は、イソシアネート系化合物、アジリジン系化合物、エポキシ系化合物、および金属キレート系化合物からなる群より選択された１種以上の化合物を含んでもよい。
【００１２】
前記粘着層は、前記粘着樹脂１００重量部対比、光開始剤０．１〜２０重量部、および架橋剤０．１〜４０重量部を含んでもよい。
【００１３】
前記基材フィルムは、ポリオレフィンフィルム、ポリエステルフィルム、ポリカーボネートフィルム、ポリ塩化ビニルフィルム、ポリテトラフルオロエチレンフィルム、ポリブテンフィルム、ポリブタジエンフィルム、塩化ビニル共重合体フィルム、エチレン−酢酸ビニル共重合体フィルム、エチレン−プロピレン共重合体フィルム、およびエチレン−アルキルアクリレート共重合体フィルムからなる群より選択された１つであってもよい。
【００１４】
前記基材フィルムは、１０μｍ〜２００μｍの厚さを有し、前記粘着層は、５μｍ〜１００μｍの厚さを有してもよい。
【００１５】
また、本明細書では、前記ダイシングフィルムと、前記ダイシングフィルムの少なくとも一面に形成された接着層とを含む、ダイシングダイボンディングフィルムが提供される。
【００１６】
前記接着層は、熱可塑性樹脂、エポキシ樹脂、および硬化剤を含む。
【００１７】
前記熱可塑性樹脂は、ポリイミド、ポリエーテルイミド、ポリエステルイミド、ポリアミド、ポリエーテルスルホン、ポリエーテルケトン、ポリオレフィン、ポリ塩化ビニル、フェノキシ、反応性ブタジエンアクリロニトリル共重合ゴム、および（メタ）アクリレート系樹脂からなる群より選択された１つ以上の高分子樹脂を含んでもよい。
【００１８】
前記硬化剤は、フェノール系樹脂、アミン系硬化剤、および酸無水物系硬化剤からなる群より選択された１種以上の化合物を含んでもよい。
【００１９】
前記接着層は、前記エポキシ樹脂１００重量部対比、前記熱可塑性樹脂１０〜１，０００重量部、および前記硬化剤１０〜７００重量部を含んでもよい。
【００２０】
前記接着層は、リン系化合物、ホウ素系化合物、およびリン−ホウ素系化合物、およびイミダゾール系化合物からなる群より選択された１種以上の硬化触媒をさらに含んでもよい。
【００２１】
前記接着層は、１μｍ〜３００μｍの厚さを有してもよい。
【００２２】
さらに、本明細書では、ダイシングダイボンディングフィルムと、前記ダイシングダイボンディングフィルムの少なくとも一面に積層されたウエハとを含む半導体ウエハを完全分断または分断可能に部分処理する前処理段階と、前記前処理した半導体ウエハの基材フィルムに紫外線を照射し、前記半導体ウエハの分断によって分離された個別チップをピックアップする段階とを含む、半導体ウエハのダイシング方法が提供される。
【発明の効果】
【００２３】
本発明によれば、半導体パッケージング工程のダイシング過程でピックアップ性を向上させ、薄型化した半導体チップの損傷を防止することのできる、ダイシングフィルムおよび前記ダイシングフィルムを含むダイシングダイボンディングフィルム並びに前記ダイシングダイボンディングフィルムを用いた半導体ウエハのダイシング方法が提供される。
【００２４】
半導体ウエハの薄型化により、接着層と粘着層との分離時に過度な力が加えられる場合、薄型化したチップの損傷が発生することがあり、ピックアップ性が低下する問題が存在していたが、前記ダイシングフィルム、ダイシングダイボンディングフィルム並びに半導体ウエハのダイシング方法によれば、ピックアップ性を向上させて円滑なピックアップ工程が可能になり、薄型化した半導体チップの損傷を防止することができる。
【発明を実施するための形態】
【００２５】
以下、発明の具体的な実施形態のダイシングフィルム、ダイシングダイボンディングフィルム並びに半導体ウエハのダイシング方法に関してより詳細に説明する。
【００２６】
発明の一実施形態によれば、基材フィルムと、粘着層とを含み、前記粘着層の貯蔵弾性率が３０℃で３＊１０5〜４＊１０6Ｐａであり、前記粘着層の架橋密度が８０％〜９９％である、ダイシングフィルムが提供される。
【００２７】
本発明者らは、ピックアップ性を向上させ、薄型化した半導体チップの損傷を防止するための方法に関する研究を行い、特定の貯蔵弾性率および架橋密度を有する粘着層を含むダイシングフィルムを用いると、半導体パッケージング工程のダイシング過程でピックアップ性を向上させ、薄型化した半導体チップの損傷を防止することができるという点を、実験を通して確認し、発明を完成した。
【００２８】
従来は、ダイシングフィルムの粘着層の粘着力を低下させてピックアップ性を高める方法が試みられたが、単に粘着層の粘着力を低下させるだけでは、ピックアップ性の向上に限界があり、むしろピックアップ性が低下する結果につながったりしていた。そこで、本発明者らは、上述した特定の貯蔵弾性率および架橋密度を有する粘着層を適用して、このような問題を解決した。
【００２９】
上述のように、前記粘着層の貯蔵弾性率が３０℃で３＊１０5〜４＊１０6Ｐａであってもよい。前記粘着層の貯蔵弾性率が３０℃で３＊１０5Ｐａ未満であれば、粘着層と接着層との分離時に大きな力が必要となり、ダイシング過程で薄型化した半導体チップの損傷をもたらすことがある。さらに、前記粘着層の貯蔵弾性率が３０℃で４＊１０6Ｐａ超過であれば、粘着層の強度が上昇して、ピックアップ性が低下することがある。
【００３０】
また、前記粘着層の架橋密度が８０％〜９９％、または８５％〜９８％であってもよい。前記粘着層の架橋度が８０％未満の場合、粘着剤および接着剤の間の投錨作用（ａｎｃｈｏｒｉｎｇ）が高くなり、これらの間の分離時に必要な力が上昇して、半導体ウエハのピックアップ性が低下することがある。さらに、前記粘着層の架橋度が９９％超過であれば、前記粘着層の粘着力が大きく低下して、ダイシング工程時にチップフライング現象などが発生することがある。
【００３１】
また、前記ダイシングフィルムを用いる時、半導体ウエハのピックアップ性を高めるために、前記粘着層の貯蔵弾性率が３０℃で３＊１０5〜４＊１０6Ｐａであり、前記粘着層の貯蔵弾性率が８０℃で１．０＊１０5Ｐａ以上、または１．０＊１０5Ｐａ〜４．０＊１０6Ｐａであってもよい。
【００３２】
上述した内容を除いては前記粘着層の具体的な組成が大きく限定されるものではなく、例えば、前記粘着層は、粘着樹脂、光開始剤、および架橋剤を含む。
【００３３】
前記架橋剤は、イソシアネート系化合物、アジリジン系化合物、エポキシ系化合物、および金属キレート系化合物からなる群より選択された１種以上の化合物を含んでもよい。前記粘着層は、前記粘着樹脂１００重量部対比、架橋剤０．１〜４０重量部を含んでもよい。前記架橋剤の含有量が小さすぎると、前記粘着層の凝集力が不足することがあり、前記架橋剤の含有量が高すぎると、前記粘着層が光硬化前に粘着力を十分に確保できず、チップ飛散現象などが発生することがある。
【００３４】
前記光開始剤の具体例が限定されるものではなく、通常知られた光開始剤が用いられる。また、前記粘着層は、前記粘着樹脂１００重量部対比、光開始剤０．１〜２０重量部を含んでもよい。
【００３５】
前記基材フィルムの具体的な種類は、一般に使用される基材フィルムであれば特に限定されず、例えば、ポリオレフィンフィルム、ポリエステルフィルム、ポリカーボネートフィルム、ポリ塩化ビニルフィルム、ポリテトラフルオロエチレンフィルム、ポリブテンフィルム、ポリブタジエンフィルム、塩化ビニル共重合体フィルム、エチレン−酢酸ビニル共重合体フィルム、エチレン−プロピレン共重合体フィルム、およびエチレン−アルキルアクリレート共重合体フィルムからなる群より選択された１つの高分子フィルムであってもよい。
【００３６】
前記基材フィルムは、１０μｍ〜２００μｍの厚さを有し、前記粘着層は、５μｍ〜１００μｍの厚さを有してもよい。
【００３７】
具体的には、前記粘着樹脂は、−２８℃〜−５８℃、または−３０℃〜−５５℃のガラス転移温度を有する（メタ）アクリレート系樹脂を含んでもよい。本明細書において、（メタ）アクリレートは、アクリレートおよび（メタ）クリレートを全て含む意味である。
【００３８】
前記（メタ）アクリレート系樹脂は、例えば、（メタ）アクリル酸エステル系単量体および架橋性官能基含有単量体の共重合体であってもよい。この時、（メタ）アクリル酸エステル系単量体の例としては、アルキル（メタ）アクリレートが挙げられ、より具体的には、炭素数１〜１２のアルキル基を有する単量体として、ペンチル（メタ）アクリレート、ｎ−ブチル（メタ）アクリレート、エチル（メタ）アクリレート、メチル（メタ）アクリレート、ヘキシル（メタ）アクリレート、ｎ−オクチル（メタ）アクリレート、イソオクチル（メタ）アクリレート、２−エチルヘキシル（メタ）アクリレート、ドデシル（メタ）アクリレート、またはデシル（メタ）アクリレートの１種または２種以上の組み合わせが挙げられる。
【００３９】
前記架橋性官能基含有単量体の例としては、ヒドロキシ基含有単量体、カルボキシル基含有単量体、または窒素含有単量体の１種または２種以上の組み合わせが挙げられる。
【００４０】
前記ヒドロキシル基含有化合物の例としては、２−ヒドロキシエチル（メタ）アクリレート、２−ヒドロキシプロピル（メタ）アクリレート、４−ヒドロキシブチル（メタ）アクリレート、６−ヒドロキシヘキシル（メタ）アクリレート、８−ヒドロキシオクチル（メタ）アクリレート、２−ヒドロキシエチレングリコール（メタ）アクリレート、または２−ヒドロキシプロピレングリコール（メタ）アクリレートなどが挙げられる。
【００４１】
前記カルボキシル基含有化合物の例としては、（メタ）アクリル酸、２−（メタ）アクリロイルオキシ酢酸、３−（メタ）アクリロイルオキシプロピル酸、４−（メタ）アクリロイルオキシ酪酸、アクリル酸二重体、イタコン酸、マレイン酸、またはマレイン酸無水物などが挙げられる。
【００４２】
前記窒素含有単量体の例としては、（メタ）アクリロニトリル、Ｎ−ビニルピロリドン、またはＮ−ビニルカプロラクタムなどが挙げられる。
【００４３】
前記（メタ）アクリレート系樹脂にはさらに、相溶性などのその他の機能性向上の観点から、酢酸ビニル、スチレン、またはアクリロニトリルなどが追加的に含まれてもよい。
【００４４】
前記粘着層は、紫外線硬化型化合物をさらに含んでもよい。
【００４５】
前記紫外線硬化型化合物の種類は特に制限されず、例えば、重量平均分子量が５００〜３００，０００程度の多官能性化合物（ｅｘ．多官能性ウレタンアクリレート、多官能性アクリレート単量体、またはオリゴマーなど）が用いられる。この分野における平均的技術者は、目的の用途に応じた適切な化合物を容易に選択することができる。前記紫外線硬化型化合物の含有量は、前記粘着樹脂１００重量部に対して、１重量部〜４００重量部、好ましくは５重量部〜２００重量部であってもよい。紫外線硬化型化合物の含有量が１重量部未満であれば、硬化後の粘着力の低下が十分でなくてピックアップ性が低下する恐れがあり、４００重量部を超えると、紫外線照射前の粘着剤の凝集力が不足したり、離型フィルムなどとの剥離が容易に行われない恐れがある。
【００４６】
前記紫外線硬化粘着剤は、前記添加型紫外線硬化型化合物だけでなく、アクリル共重合体に炭素−炭素二重結合を側鎖または主鎖末端に結合された形態でも使用可能である。つまり、（メタ）アクリル系共重合体または（メタ）アクリル酸エステル系単量体および架橋性官能基含有単量体を含む主鎖の側鎖に結合された紫外線硬化型化合物を追加的に含んでもよい。
【００４７】
前記紫外線硬化型化合物の種類は、光硬化性官能基（ｅｘ．紫外線重合性炭素−炭素二重結合）を、１分子あたり１〜５個、好ましくは１または２個含み、また、前記主鎖に含まれる架橋性官能基と反応可能な官能基を有する限り特に制限されない。この時、主鎖の架橋性官能基と反応可能な官能基の例としては、イソシアネート基またはエポキシ基などが挙げられるが、これらに制限されるわけではない。
【００４８】
前記紫外線硬化型化合物の具体例には、主鎖に含まれているヒドロキシ基と反応可能な官能基を含むものとして、（メタ）アクリロイルオキシイソシアネート、（メタ）アクリロイルオキシメチルイソシアネート、２−（メタ）アクリロイルオキシエチルイソシアネート、３−（メタ）アクリロイルオキシプロピルイソシアネート、４−（メタ）アクリロイルオキシブチルイソシアネート、ｍ−プロペニル−α，α−ジメチルベンジルイソシアネート、メタクリロイルイソシアネート、またはアリルイソシアネート；ジイソシアネート化合物またはポリイソシアネート化合物を（メタ）アクリル酸２−ヒドロキシエチルと反応させて得られるアクリロイルモノイソシアネート化合物；ジイソシアネート化合物またはポリイソシアネート化合物、ポリオール化合物、および（メタ）アクリル酸２−ヒドロキシエチルを反応させて得られるアクリロイルモノイソシアネート化合物；または主鎖に含まれるカルボキシル基と反応可能な官能基を含むものとして、グリシジル（メタ）アクリレートまたはアリルグリシジルエーテルなどの１種または２種以上が挙げられるが、これらに制限されるわけではない。
【００４９】
前記紫外線硬化型化合物は、主鎖に含まれている架橋性官能基の５モル％〜９０モル％を置換して、ベース樹脂の側鎖に含まれてもよい。前記置換量が５モル％未満であれば、紫外線照射による剥離力の低下が十分でない恐れがあり、９０モル％を超えると、紫外線照射前の粘着剤の凝集力が低下する恐れがある。
【００５０】
前記粘着層は、ロジン樹脂、テルペン（ｔｅｒｐｅｎｅ）樹脂、フェノール樹脂、スチレン樹脂、脂肪族石油樹脂、芳香族石油樹脂、または脂肪族芳香族共重合石油樹脂などの粘着付与剤が適切に含まれるとよい。
【００５１】
前記粘着層を基材フィルム上に形成する方法は特に限定されず、例えば、基材フィルム上に直接本発明の粘着剤組成物を塗布して粘着層を形成する方法、または剥離性基材上にまず粘着剤組成物を塗布して粘着層を製造し、前記剥離性基材を用いて粘着層を基材フィルム上に転写する方法などが用いられる。
【００５２】
前記粘着剤組成物を塗布および乾燥する方法は特に限定されず、例えば、前記それぞれの成分を含む組成物をそのまま、または適当な有機溶剤に希釈して、コンマコーター、グラビアコーター、ダイコーター、またはリバースコーターなどの公知の手段で塗布した後、６０℃〜２００℃の温度で１０秒〜３０分間溶剤を乾燥させる方法が用いられる。また、前記過程では、粘着剤の十分な架橋反応を進行させるためのエージング（ａｇｉｎｇ）工程を追加的に行ってもよい。
【００５３】
一方、発明の他の実施形態によれば、前記ダイシングフィルムと、前記ダイシングフィルムの少なくとも一面に形成された接着層とを含む、ダイシングダイボンディングフィルムが提供される。
【００５４】
前記接着層は、熱可塑性樹脂、エポキシ樹脂、および硬化剤を含む。
【００５５】
前記熱可塑性樹脂は、ポリイミド、ポリエーテルイミド、ポリエステルイミド、ポリアミド、ポリエーテルスルホン、ポリエーテルケトン、ポリオレフィン、ポリ塩化ビニル、フェノキシ、反応性ブタジエンアクリロニトリル共重合ゴム、および（メタ）アクリレート系樹脂からなる群より選択された１つ以上の高分子樹脂を含んでもよい。
【００５６】
前記エポキシ樹脂には、この分野で公知の一般的な接着剤用エポキシ樹脂が含まれてもよく、例えば、分子内に２個以上のエポキシ基を含有し、重量平均分子量が１００〜２，０００のエポキシ樹脂が用いられる。
【００５７】
前記エポキシ樹脂は、硬化工程を通してハードな架橋構造を形成して、優れた接着性、耐熱性および機械的強度を示すことができる。より具体的には、前記エポキシ樹脂は、平均的なエポキシ当量が１００〜１，０００のエポキシ樹脂を使用することが好ましい。前記エポキシ樹脂のエポキシ当量が１００未満であれば、架橋密度が過度に高くなって、接着フィルムが全体的に硬い性質を示す恐れがあり、１，０００を超えると、耐熱性が低下する恐れがある。
【００５８】
前記エポキシ樹脂の例としては、ビスフェノールＡエポキシ樹脂またはビスフェノールＦエポキシ樹脂などの二官能性エポキシ樹脂；またはクレゾールノボラックエポキシ樹脂、フェノールノボラックエポキシ樹脂、四官能性エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂、トリフェノールメタン型エポキシ樹脂、アルキル変性トリフェノールメタン型エポキシ樹脂、ナフタレン型エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂、またはジシクロペンタジエン変性フェノール型エポキシ樹脂などの３個以上の官能基を有する多官能性エポキシ樹脂の１種または２種以上が挙げられるが、これらに制限されるわけではない。
【００５９】
また、前記エポキシ樹脂として、二官能性エポキシ樹脂および多官能性エポキシ樹脂の混合樹脂を使用することが好ましい。本明細書で使う用語『多官能性エポキシ樹脂』とは、３個以上の官能基を有するエポキシ樹脂を意味する。つまり、一般に、二官能性エポキシ樹脂は、柔軟性および高温での流れ性などには優れているものの、耐熱性および硬化速度が低下するのに対し、官能基が３個以上の多官能性エポキシ樹脂は、硬化速度が速く、高い架橋密度によって優れた耐熱性を示すものの、柔軟性および流れ性が低下する。したがって、前記２種類の樹脂を適切に混合、使用することによって、接着層の弾性率およびタック（ｔａｃｋ）特性を制御しながらも、ダイシング工程時にチップの飛散やバリの発生を抑制することができる。
【００６０】
前記接着層に含まれる硬化剤は、前記エポキシ樹脂および／または熱可塑性樹脂と反応して、架橋構造を形成できるものであれば特に制限されず、例えば、前記硬化剤は、フェノール系樹脂、アミン系硬化剤、および酸無水物系硬化剤からなる群より選択された１種以上の化合物を含んでもよい。
【００６１】
前記接着層は、前記エポキシ樹脂１００重量部対比、前記熱可塑性樹脂１０〜１，０００重量部、および前記硬化剤１０〜７００重量部を含んでもよい。
【００６２】
前記硬化触媒は、前記硬化剤の作用や前記半導体接着用樹脂組成物の硬化を促進させる役割を果たし、半導体接着フィルムなどの製造に使用されることが知られた硬化触媒を大きな制限なく使用できる。例えば、前記硬化触媒として、リン系化合物、ホウ素系化合物、およびリン−ホウ素系化合物、およびイミダゾール系化合物からなる群より選択された１種以上が用いられる。前記硬化触媒の使用量は、最終製造される接着フィルムの物性などを考慮して適切に選択することができ、例えば、前記エポキシ樹脂、（メタ）アクリレート系樹脂、およびフェノール樹脂の総和１００重量部を基準として、０．５〜１０重量部使用されてもよい。
【００６３】
前記ダイシングダイボンディングフィルムはさらに、前記接着層上に形成された離型フィルムを追加的に含んでもよい。使用可能な離型フィルムの例としては、ポリエチレンテレフタレートフィルム、ポリテトラフルオロエチレンフィルム、ポリエチレンフィルム、ポリプロピレンフィルム、ポリブテンフィルム、ポリブタジエンフィルム、塩化ビニル共重合体フィルム、またはポリイミドフィルムなどの１種または２種以上のプラスチックフィルムが挙げられる。
【００６４】
このような離型フィルムの表面は、アルキド系、シリコン系、フッ素系、不飽和エステル系、ポリオレフィン系、またはワックス系などの１種または２種以上で離型処理されていてもよく、なかでも特に、耐熱性を有するアルキド系、シリコン系、またはフッ素系などの離型剤が好ましい。
【００６５】
離型フィルムは、通常５μｍ〜５００μｍ、好ましくは１０μｍ〜２００μｍ程度の厚さに形成されてもよいが、これに制限されるわけではない。
【００６６】
上述したダイシングダイボンディングフィルムを製造する方法は特に限定されず、例えば、基材フィルム上に粘着部、接着部、および離型フィルムを順に形成する方法、またはダイシングフィルム（基材フィルム＋粘着部）およびダイボンディングフィルムまたは接着部が形成された離型フィルムを別途に製造した後、これをラミネーションさせる方法などが用いられる。
【００６７】
前記ラミネーション方法は特に限定されず、ホットロールラミネートまたは積層プレス法が用いられ、なかでも、連続工程の可能性および効率性の側面から、ホットロールラミネート法が好ましい。ホットロールラミネート法は、１０℃〜１００℃の温度、０．１Ｋｇｆ／ｃｍ2〜１０Ｋｇｆ／ｃｍ2の圧力で行われてもよいが、これに制限されるわけではない。
【００６８】
一方、発明のさらに他の実施形態によれば、前記ダイシングダイボンディングフィルムと、前記ダイシングダイボンディングフィルムの少なくとも一面に積層されたウエハとを含む半導体ウエハを完全分断または分断可能に部分処理する前処理段階と、前記前処理した半導体ウエハの基材フィルムに紫外線を照射し、前記半導体ウエハの分断によって分離された個別チップをピックアップする段階とを含む、半導体ウエハのダイシング方法が提供される。
【００６９】
前記ダイシングダイボンディングフィルムに関する内容は、上述した内容を全て含む。
【００７０】
前記ダイシング方法の細部段階に関する内容を除いて、通常知られた半導体ウエハのダイシング方法に用いられる装置、方法などを格別な制限なく使用できる。
【００７１】
前記ダイシングフィルムを含むダイシングダイボンディングフィルムを用いることによって、半導体パッケージング工程のダイシング過程でピックアップ性を向上させ、薄型化した半導体チップの損傷を防止することができる。
【００７２】
発明の具体的な実施形態を下記の実施例でより詳細に説明する。ただし、下記の実施例は発明の具体的な実施形態を例示するものに過ぎず、本発明の内容が下記の実施例によって限定されるものではない。
【００７３】
［製造例：（メタ）アクリレート系樹脂の製造］
製造例１
窒素ガスが還流し、温度調節が容易となるように冷却装置を設けた反応器に、下記表１に示した組成のように、２−エチルヘキシルアクリレート（２−ＥＨＡ）６８．５重量部、メチルアクリレート（ＭＡ）８．５重量部と、ヒドロキシエチルアクリレート（ＨＥＡ）２３重量部からなる単量体の混合物を投入した。
【００７４】
次に、前記単量体混合物１００重量部を基準として、鎖移動剤（ＣＴＡ：ｃｈａｉｎ  ｔｒａｎｓｆｅｒ  ａｇｅｎｔ）のｎ−ＤＤＭ４００ｐｍと、溶剤としてエチルアセテート（ＥＡｃ）１００重量部とを投入し、前記反応器内に酸素を除去するために窒素を注入しながら、３０℃で３０分以上十分に混合した。以降、温度は６２℃に上昇維持し、反応開始剤のＶ−６０（Ａｚｏｂｉｓｉｓｏｂｕｔｙｌｏｎｉｔｒｉｌｅ）３００ｐｐｍの濃度を投入して反応を開始させた後、６時間重合して、１次反応物を製造した。
【００７５】
前記１次反応物に、２−メタクリロイルオキシエチルイソシアネート（ＭＯＩ）２４．６重量部（１次反応物中のＨＥＡに対して８０モル％）およびＭＯＩ対比１重量％の触媒（ＤＢＴＤＬ：ｄｉｂｕｔｙｌ  ｔｉｎ  ｄｉｌａｕｒａｔｅ）を配合し、４０℃で２４時間反応させて、１次反応物中の重合体側鎖に紫外線硬化基を導入して、（メタ）アクリレート系高分子樹脂を製造した（ガラス転移温度：−３８．２℃）。
【００７６】
製造例２〜５
表１に示した組成を除いては、前記製造例１と同様の方法により、（メタ）アクリレート系高分子樹脂を製造した。
【００７７】
【表１】
0006348986.tif 000002
【００７８】
２−ＥＨＡ：２−エチルヘキシルアクリレート
ＭＡ：メチルアクリレート
ＥＨＭＡ：２−エチルヘキシルメタクリレート
ＨＥＡ：ヒドロキシエチルアクリレート
ＭＯＩ：２−メタクリロイルオキシイソシアネート
［製造例：ダイシングフィルム、ダイボンディングフィルムおよびダイシングダイボンディングフィルムの製造］
実施例１
（１）ダイボンディングフィルムの製造
高分子量アクリル樹脂（Ｔｇ２０℃、重量平均分子量８５万）９０ｇとエポキシ樹脂（ノボラック型エポキシ樹脂、軟化点９４℃）３０ｇ、エポキシ樹脂の硬化剤としてフェノール樹脂（フェノールノボラック樹脂、軟化点９４℃）２０ｇ、中温開始硬化促進剤（２−メチルイミダゾール）０．１ｇ、高温開始硬化促進剤（２−フェニル−４−メチル−イミダゾール）０．５ｇ、充填剤としてシリカ（平均粒径７５ｍｍ）２０ｇからなる組成物と、メチルエチルケトンとを撹拌混合した。
【００７９】
これを離型処理された厚さ３８ｕｍのＰＥＴに塗布し、１１０℃で３分間乾燥して、塗膜の厚さ２０ｕｍのダイボンディングフィルムを製造した。
【００８０】
（２）ダイシングフィルムの製造
前記製造例１の（メタ）アクリレート系高分子樹脂１００ｇに、ＴＤＩ系イソシアネート硬化剤７ｇ、および光開始剤（Ｉｒｇａｃｕｒｅ１８４）３ｇを混合して、粘着剤組成物を製造した。
【００８１】
前記粘着剤組成物を離型処理された厚さ３８ｕｍのＰＥＴに塗布し、１１０℃で３分間乾燥して、厚さ１０ｕｍの粘着剤層を形成した。形成された粘着剤層を、１００ｕｍのポリオレフィン基材フィルムに合紙後、エージングを経て、ダイシングフィルムを製造した。
【００８２】
また、前記離型処理された厚さ３８ｕｍのＰＥＴに形成された粘着剤層を、同一の離型処理されたＰＥＴに合紙後、エージングを経て、粘着剤の貯蔵弾性率を測定するのに使用した。
【００８３】
（３）ダイシングダイボンディングフィルムの製造
前記製造されたダイシングフィルムに、円形に切断されたダイボンディングフィルムを５ｋｇｆ／ｃｍ2の条件で合紙を通して転写した後、ダイシングダイボンディングフィルムを製造した。
【００８４】
実施例２〜５および比較例１〜４
ダイシングフィルムの製造時、下記表２に記載の（メタ）アクリレート系高分子樹脂を用いた点を除いては、実施例１と同様の方法により、ダイシングダイボンディングフィルムを製造した。
【００８５】
【表２】
0006348986.tif 000003
【００８６】
実験例
前記実施例および比較例のダイシングダイボンディングフィルムに対して下記の方法で物性を評価し、その結果を表３に示した。
【００８７】
［実験例１：粘着剤の貯蔵弾性率］
前記実施例および比較例の［ダイシングフィルムの製造］に記載されているように、離型処理されたＰＥＴフィルム（厚さ３８ｕｍ）に形成された１０ｕｍの厚さの粘着剤層を、離型処理されたＰＥＴフィルム（厚さ３８ｕｍ）に合紙後、エージングされたサンプルを用いて、粘着層を複数枚積層して、厚さ１ｍｍの粘着剤サンプルを製造した。
【００８８】
前記製造された厚さ１ｍｍの測定サンプルを、長さ１７ｍｍ、幅５ｍｍの長方形状にカッティングした後、ＤＭＡ（Ｄｙｎａｍｉｃ  Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ  Ａｎａｌｙｓｉｓ、ＴＡ  ｉｎｓｔｒｕｍｅｎｔ社）を用いて、周波数１Ｈｚ、ｐｒｅ−ｌｏａｄ  ｆｏｒｃｅ０．０１Ｎ、昇温速度１０℃／分の条件下、−３０℃から１５０℃の貯蔵弾性率を測定した。このように測定された３０℃および８０℃における粘着剤の貯蔵弾性率（Ｐａ）を表３に示した。
【００８９】
［実験例２：粘着剤の架橋密度］
前記離型処理されたＰＥＴに形成された１０ｕｍの厚さの粘着剤層を、離型処理されたＰＥＴに合紙後、エージングされたサンプルから粘着剤層だけを０．５ｇ（ａ）取って、溶剤のエチルアセテート２００ｇに１日間浸漬した。そして、前記粘着剤層の入った溶剤を、重量を測定した２００メッシュの金網（ｃ）にろ過後、８０℃で１時間乾燥後、重量（ｂ）を測定した。
【００９０】
そして、下記式により架橋密度を測定して、表３に示した。
【００９１】
架橋密度（％）＝［（乾燥後の粘着剤と金網の重量ｂ−金網の重量ｃ）／（初期重量ａ）］ｘ１００
［実験例３：粘着力の測定］
前記実施例および比較例で製造されたダイシングダイボンディングフィルムを幅２５ｍｍとなるようにカッティングした後、光量３００ｍＪ／ｃｍ2（照度７０ｍＷ／ｃｍ2）の条件の紫外線をダイシングフィルムの基材面で照射して、粘着力測定サンプルを準備した。
【００９２】
前記準備されたサンプルを、常温、１８０度の角度、速度３００ｍｍ／ｓの条件下、ダイシングからダイボンディングフィルムを剥離する力（ｇｆ／２５ｍｍ）を測定した後、その結果値を表３に示した。
【００９３】
［実験例４：ピックアップ性］
前記実施例および比較例で製造されたダイシングダイボンディングフィルムの離型フィルムを剥がした後、ダイボンディング面をミラーウエハ（８インチ、厚さ８０ｕｍ）に温度６０℃でマウンティングした後、チップの大きさが１０ｍｍｘ１０ｍｍとなるように、下記の条件でダイシングを実施した。
【００９４】
次に、ダイシングされたサンプルに、光量３００ｍＪ／ｃｍ2（照度７０ｍＷ／ｃｍ2）の条件の紫外線をダイシングフィルムの基材面で照射して、ピックアップ測定サンプルを準備した。
【００９５】
前記準備されたサンプルを、ＳＰＡ−４００（ＳＨＩＮＫＡＷＡ）を用いて、下記の条件でピックアップを施して、成功率を測定した結果を表３に示した。
【００９６】
−ダイシング条件−
機器：ＤＦＤ−６５０（ＤＩＳＣＯ）
ブレードタイプ：２７ＨＥＢＢ（ＤＩＳＣＯ）
カッティングブレード高さ（ｃｕｔ  ｄｅｐｔｈ）：８０ｕｍ
ダイシングスピード：５０ｍｍ／ｓ
ブレード回転数：４０，０００ｒｐｍ
−ピックアップ条件−
機器：ＳＰＡ−４００（ＳＨＩＮＫＡＷＡ）
エキスパンディング高さ：３ｍｍ
ニードル個数：１０個
ニードルの差込高さ（ｎｅｅｄｌｅ  ｐｉｕｎｇｅ  ｕｐ  ｈｅｉｇｈｔ）：０．２ｍｍ
ニードルの差込速度（ｎｅｅｄｌｅ  ｐｉｕｎｇｅ  ｕｐ  ｓｐｅｅｄ）：１０ｍｍ／ｓ
【００９７】
【表３】
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【００９８】
前記表３から明らかなように、実施例１〜５の粘着層は、３０℃で３．０＊１０5〜２．０＊１０6の貯蔵弾性率および８０℃で１．０＊１０5Ｐａ以上の貯蔵弾性率、および８０％〜９９％の架橋密度を有するが、これによって、接着層および粘着層の分離時に薄型化したチップに損傷が発生せず、ピックアップ性を高められることが確認された。
【００９９】
これに対し、比較例１および２の粘着層は、粘着剤の架橋密度が低すぎたり（比較例１）、３０℃における貯蔵弾性率が高すぎたり（比較例２）して、ピックアップ成功率が７０％以下になることが確認された。