(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体装置の製造方法であって、
ＳｉＣ基板の表面に保護膜を形成する工程と、
前記保護膜が形成された前記ＳｉＣ基板を熱処理する工程と、
前記熱処理において前記ＳｉＣ基板の裏面に形成されたカーボンリッチ層を除去する工程と、
前記カーボンリッチ層が除去された前記裏面に反り調整膜を形成する工程、
を有し、
前記反り調整膜を形成する前に前記ＳｉＣ基板が反りを有しており、前記反り調整膜を形成した後に前記ＳｉＣ基板の反りが緩和される製造方法。
【請求項２】
前記反り調整膜を形成する前記工程では、前記裏面に絶縁膜を堆積させる請求項１の製造方法。
【請求項３】
前記絶縁膜が、ＴＥＯＳ膜である請求項２の製造方法。
【請求項４】
前記カーボンリッチ層を除去する前記工程では、ステージに前記ＳｉＣ基板を載置し、前記ステージに電圧を印加しないで前記カーボンリッチ層に対してプラズマを用いたドライエッチングを行う請求項１〜３のいずれか一項の製造方法。
【請求項５】
前記ドライエッチングにおいて、酸素ガスとフッ素化合物ガスの混合ガスを用いることを特徴とする請求項４の製造方法。
【請求項６】
前記保護膜を形成するより前に、前記ＳｉＣ基板に不純物を注入する工程をさらに有する請求項１〜５のいずれか一項の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本明細書が開示する技術は、半導体装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
特許文献１に、ＳｉＣ基板の表面と裏面に保護膜を形成し、その後にＳｉＣ基板を熱処理する技術が開示されている。この方法によれば、熱処理時に、保護膜によってＳｉＣ基板からＳｉが昇華することが抑制される。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２０１１−３５２５７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
近年では、半導体装置の低損失化のために、厚みが薄いＳｉＣ基板が用いられるようになっている。厚みが薄いＳｉＣ基板を用いる場合には、製造工程中においてＳｉＣ基板中の応力のバランスがくずれて、ＳｉＣ基板に反りが生じる場合がある。このようなＳｉＣ基板の反りを緩和するために、ＳｉＣ基板の裏面に反り調整膜を形成する場合がある。反り調整膜を形成することで、反り調整膜の形成前に比べて、ＳｉＣ基板の反りを緩和することができる。このため、平坦性の高いＳｉＣ基板に対して加工を行うことができる。
【０００５】
特許文献１の技術のように裏面に保護膜を形成し、熱処理後に保護膜を除去する場合は、保護膜を除去した後に裏面に反り調整膜を形成することができる。しかしながら、この場合には、裏面への保護膜の形成、熱処理、裏面からの保護膜の除去、及び、裏面への反り調整膜の形成という４つの工程を経てＳｉＣ基板の裏面に反り調整膜が形成される。工程数が多く、製造効率が悪いという問題がある。
【０００６】
他方、裏面に保護膜を形成しないと、熱処理時にＳｉＣ基板の裏面からＳｉが昇華し、裏面にカーボンリッチ層ができる。カーボンリッチ層上に反り調整膜を形成すると、反り調整膜がカーボンリッチ層と共にＳｉＣ基板から剥離し易くなる。このため、その後の工程において、反り調整膜がカーボンリッチ層と共にＳｉＣ基板から剥がれ落ちる。剥がれ落ちた膜がパーティクルとなるため、この方法では、高品質の半導体装置を製造することができない。したがって、本明細書では、高品質の半導体装置を効率的に製造することが可能な製造方法を提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本明細書が開示する半導体装置の製造方法は、ＳｉＣ基板の表面に保護膜を形成する工程と、前記保護膜が形成された前記ＳｉＣ基板を熱処理する工程と、前記熱処理において前記ＳｉＣ基板の裏面に形成されたカーボンリッチ層を除去する工程と、前記カーボンリッチ層が除去された前記裏面に反り調整膜を形成する工程を有している。前記反り調整膜を形成する前に前記ＳｉＣ基板が反りを有しており、前記反り調整膜を形成した後に前記ＳｉＣ基板の反りが緩和される。
【０００８】
この製造方法では、カーボンリッチ層が除去されたＳｉＣ基板の裏面に反り調整膜を形成する。したがって、反り調整膜がＳｉＣ基板に強く接合し、反り調整膜がＳｉＣ基板から剥離することを防止することができる。したがって、パーティクルの発生を抑制することが可能であり、高品質の半導体装置を製造することができる。また、この製造方法では、熱処理工程と、カーボンリッチ層を除去する工程と、ＳｉＣ基板の裏面に反り調整膜を形成する工程という３つの工程で反り調整膜を形成することができる。すなわち、少ない工程数で反り調整膜を形成することができる。このように、本明細書の製造方法によれば、高品質の半導体装置を効率的に製造することができる。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】ＳｉＣ基板１２の縦断面図。
【図２】半導体装置の製造工程を示すフローチャート。
【図３】保護膜１４が形成されたＳｉＣ基板１２の縦断面図。
【図４】熱処理工程後のＳｉＣ基板１２の縦断面図。
【図５】保護膜１４が除去されたＳｉＣ基板１２の縦断面図。
【図６】プラズマエッチング装置６０の説明図。
【図７】カーボンリッチ層１６が除去された後に、表面１２ａが凸となるように反ったＳｉＣ基板１２の縦断面図。
【図８】反り調整膜１８が形成されたＳｉＣ基板１２の縦断面図。
【図９】プラズマエッチング装置８０の説明図。
【図１０】カーボンリッチ層１６が除去された後に、表面１２ａが凹となるように反ったＳｉＣ基板１２の縦断面図。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
本実施形態の製造方法では、図１に示すＳｉＣ基板１２から半導体装置を製造する。製造される半導体装置は、例えば、ＭＯＳＦＥＴやダイオードである。なお、ＳｉＣ基板１２には、予め薄板化加工が施されている。このため、ＳｉＣ基板１２の厚みは薄い。この製造方法では、図２に示すフローチャートに従って各工程が実施される。
【００１１】
（イオン注入工程）
最初に、工程Ｓ２において、イオン注入が実施される。イオン注入工程Ｓ２では、ＳｉＣ基板１２の表面１２ａに、ｎ型不純物及びｐ型不純物を注入する。イオン注入は、注入範囲及び注入深さを選択しながら、繰り返し実行される。
【００１２】
（保護膜形成工程）
次に、工程Ｓ４において、図３に示すようにＳｉＣ基板１２の表面１２ａに保護膜１４を形成する。ここでは、カーボンのスパッタリングによって保護膜１４を形成する。保護膜１４は、ＳｉＣ基板１２の表面１２ａの全域に形成される。
【００１３】
（熱処理工程）
次に、工程Ｓ６において、炉内に保護膜１４付きのＳｉＣ基板１２を設置し、ＳｉＣ基板１２を熱処理する。ここでは、ＳｉＣ基板１２を１７００℃以上の温度に加熱する。イオン注入工程Ｓ２でＳｉＣ基板１２に注入されたｎ型不純物及びｐ型不純物が、熱処理によって活性化する。このため、ＳｉＣ基板１２内にｎ型半導体領域とｐ型半導体領域が形成される。また、熱処理によって、ＳｉＣ基板１２の裏面１２ｂからＳｉが昇華する。このため、図４に示すように、裏面１２ｂにＳｉよりもＣの濃度が高いカーボンリッチ層１６が形成される。他方、ＳｉＣ基板１２の表面１２ａは保護膜１４によって覆われている。このため、保護膜１４によって、ＳｉＣ基板１２の表面１２ａからはＳｉが昇華することが抑制される。したがって、ＳｉＣ基板１２の表面１２ａにはカーボンリッチ層は形成されない。
【００１４】
（保護膜除去工程）
次に、工程Ｓ８において、保護膜１４を除去する。より詳細には、まず、保護膜１４に対してアッシングを行い、保護膜１４をＳｉＣ基板１２から剥離させる。次に、ＳｉＣ基板１２の表面１２ａに対してＳＰＭ洗浄を行い、表面１２ａから保護膜１４の残渣を除去する。これによって、図５に示すように、ＳｉＣ基板１２の表面１２ａを露出させる。
【００１５】
（カーボンリッチ層除去工程）
次に、工程Ｓ１０において、カーボンリッチ層１６を除去する。ここでは、ドライエッチングによってカーボンリッチ層１６を除去する。
【００１６】
図６は、カーボンリッチ層除去工程Ｓ１０において使用するプラズマエッチング装置６０を示している。プラズマエッチング装置６０は、ガス供給管６２、プラズマ発生室６４、マイクロ波発生器６６、チャンバ６８、シャワープレート７０、ステージ７２及び排気管７４を有している。ガス供給管６２は、チャンバ６８の外部からチャンバ６８の内部まで延びている。ガス供給管６２の上流端には、エッチングガスが供給される。プラズマ発生室６４は、ガス供給管６２の途中に介装されている。マイクロ波発生器６６は、プラズマ発生室６４の周囲に配置されており、プラズマ発生室６４内にマイクロ波を照射する。シャワープレート７０は、チャンバ６８内に設置されており、ガス供給管６２の下流端に接続されている。ステージ７２は、チャンバ６８内のシャワープレート７０の下部の位置に設置されている。ステージ７２は、他の配線に接続されておらず、ステージ７２には外部からの電位が印加されない。すなわち、ステージ７２は、電位的にフローティングしている。排気管７４は、ステージ７２の下部でチャンバ６８に接続されている。
【００１７】
カーボンリッチ層除去工程Ｓ１０では、最初に、図６に示すようにステージ７２上にＳｉＣ基板１２を載置する。ここでは、ＳｉＣ基板１２の表面１２ａをステージ７２に接触させ、カーボンリッチ層１６の表面をシャワープレート７０に対向させる。また、チャンバ６８内を２００℃以上の温度に加熱する。次に、ガス供給管６２の上流端にエッチングガスを供給するとともに、マイクロ波発生器６６によってプラズマ発生室６４内にマイクロ波を照射する。なお、ここでは、エッチングガスとして、酸素ガス（Ｏ２）とフッ素化合物ガス（例えば、ＣＦ４やＳＦ６）の混合ガスを使用する。特に、本実施形態では、混合ガス中におけるフッ素化合物ガスの割合が３〜１０％であり、残りが酸素ガスである混合ガスを使用する。ガス供給管６２の上流端に供給されたエッチングガスは、プラズマ発生室６４内に流入する。エッチングガスは、プラズマ発生室６４内でマイクロ波の照射を受ける。これによって、エッチングガスがプラズマ化する。プラズマ化したエッチングガスは、ガス供給管６２内を下流側へ流れて、シャワープレート７０からチャンバ６８内に流入する。シャワープレート７０からチャンバ６８内に流入したエッチングガスは、カーボンリッチ層１６の表面に沿って流れ、その後、排気管７４からチャンバ６８の外部に排出される。カーボンリッチ層１６の表面に沿って流れるエッチングガスは、カーボンリッチ層１６と反応し、カーボンリッチ層１６を化学的に分解する。これによって、カーボンリッチ層１６がエッチングされる。カーボンリッチ層除去工程Ｓ１０では、カーボンリッチ層１６全体が除去される。
【００１８】
エッチングガスとして、酸素ガスとフッ素化合物ガスの混合ガスを使用することで、カーボンリッチ層１６を高いエッチングレートでエッチングすることができる。このため、比較的短時間でカーボンリッチ層除去工程Ｓ１０を完了することができる。
【００１９】
なお、仮にステージ７２に低電位が印加されていると、ステージ７２上の空間に電位差が生じる。すると、帯電しているエッチングガスがステージ７２に向かって加速されて、エッチングガスがカーボンリッチ層１６に高速で衝突する。エッチングガスがカーボンリッチ層１６に高速で衝突すると、カーボンリッチ層１６の除去後のＳｉＣ基板１２の裏面１２ｂが荒れた状態となる。これに対して、本実施形態では、ステージ７２の電位がフローティングしているので、電位差によるエッチングガスの加速が起きない。このため、カーボンリッチ層１６の除去後に、ＳｉＣ基板１２の裏面１２ｂが滑らかとなる。
【００２０】
上述したイオン注入工程Ｓ２からカーボンリッチ層除去工程Ｓ１０までのプロセスを実行すると、ＳｉＣ基板１２の内部における応力分布が変化する。より詳細には、表面１２ａ側における応力と裏面１２ｂ側における応力とが不均衡となる。このため、図３〜５には示されていないが、工程Ｓ２〜Ｓ１０を実施する過程でＳｉＣ基板１２に反りが生じる。したがって、カーボンリッチ層除去工程Ｓ１０の実施後に、図７に示すように、ＳｉＣ基板１２が反った状態となる。本実施形態では、表面１２ａが凸となるようにＳｉＣ基板１２が反る。
【００２１】
（反り調整膜形成工程）
次に、工程Ｓ１２において、図８に示すように、ＳｉＣ基板１２の裏面１２ｂに反り調整膜１８を形成する。より詳細には、ＳｉＣ基板１２の裏面１２ｂに、ＴＥＯＳ（Tetraethyl orthosilicate）を原料とする常圧プラズマＣＶＤによってシリコン酸化膜（すなわち、絶縁膜）を成長（堆積）させる。なお、この方法によって形成されるシリコン酸化膜は、Ｐ−ＴＥＯＳ膜と呼ばれる。反り調整膜１８（すなわち、Ｐ−ＴＥＯＳ膜）をＳｉＣ基板１２の裏面１２ｂに成長させると、反り調整膜１８に圧縮応力が生じる。このため、反り調整膜１８を形成すると、図８に示すように、ＳｉＣ基板１２の反りが緩和される。本実施形態では、ＳｉＣ基板１２の反りが略解消し、ＳｉＣ基板１２が略平坦となる。
【００２２】
（表面側加工工程）
次に、工程Ｓ１４において、ＳｉＣ基板１２の表面１２ａ側に対する加工を行う。表面側加工工程Ｓ１４では、ＳｉＣ基板１２の表面１２ａに、電極、絶縁膜等の半導体装置に必要な構造を形成する。
【００２３】
例えば、表面側加工工程Ｓ１４において、ＳｉＣ基板１２の表面１２ａを部分的にエッチングして、トレンチを形成する場合がある。ＳｉＣ基板１２が反っていると、エッチング時にトレンチの形状異常が生じる場合がある。これに対し、本実施形態では、ＳｉＣ基板１２が平坦化されているので、エッチング時に高精度でトレンチを形成することができる。このように、反り調整膜形成工程Ｓ１２においてＳｉＣ基板１２が平坦化されているので、表面側加工工程Ｓ１４ではＳｉＣ基板１２に対して精度良く加工を行うことができる。
【００２４】
また、表面側加工工程Ｓ１４においてＳｉＣ基板１２をエッチングする場合（例えば、トレンチを形成する場合等）において、ＳｉＣ基板１２の裏面１２ｂが荒れていると、エッチング時にＳｉＣ基板１２の裏面１２ｂがステージに密着しない。このため、エッチング時にＳｉＣ基板１２の面内温度分布が不均一となり、エッチング精度が悪化する場合がある。しかしながら、本実施形態では、カーボンリッチ層１６の除去後に裏面１２ｂが滑らかとなるため、このような問題が生じない。このため、高精度でエッチングを行うことができる。
【００２５】
このように、表面側加工工程において、高精度でＳｉＣ基板１２を加工することができる。
【００２６】
また、反り調整膜１８は、ＳｉＣ基板１２の裏面１２ｂに直接接合されているので、反り調整膜１８は強固に裏面１２ｂに接合されている。このため、表面側加工工程Ｓ１４において、反り調整膜１８がＳｉＣ基板１２から剥がれ落ちることを防止することができる。すなわち、仮に、カーボンリッチ層１６を除去せずにカーボンリッチ層１６上に反り調整膜１８を形成すると、カーボンリッチ層１６が脆いので、反り調整膜１８がカーボンリッチ層１６と共にＳｉＣ基板１２から容易に剥離する。表面側加工工程Ｓ１４においてこれらが剥離すると、剥離した反り調整膜１８とカーボンリッチ層１６がパーティクルとなり、表面側加工工程Ｓ１４において不具合を生じさせる。これに対し、本実施形態の製造方法では、カーボンリッチ層１６を除去した後に反り調整膜１８を形成するので、反り調整膜１８は強固に裏面１２ｂに接合される。したがって、本実施形態の方法によれば、表面側加工工程Ｓ１４において反り調整膜１８がＳｉＣ基板１２から剥離することが防止される。このため、高品質で半導体装置を製造することができる。
【００２７】
（裏面側加工工程）
次に、工程Ｓ１６において、ＳｉＣ基板１２の裏面１２ｂに対する加工を行う。裏面側加工工程Ｓ１６では、反り調整膜１８を除去し、その後に裏面１２ｂに対して加工を行う。その後、ＳｉＣ基板１２をダイシングする。以上の工程によって、半導体装置が完成する。
【００２８】
以上に説明したように、本実施形態の製造方法によれば、反り調整膜１８がＳｉＣ基板１２から剥離することを防止することができる。このため、高品質の半導体装置を製造することができる。
【００２９】
また、本実施形態の製造方法では、熱処理工程Ｓ６においてＳｉＣ基板１２の裏面１２ｂにカーボンリッチ層１６が形成されることを許容する。そして、カーボンリッチ層除去工程Ｓ１０においてカーボンリッチ層１６を除去し、その後に反り調整膜形成工程Ｓ１２を行うことでＳｉＣ基板１２に強固に接続された反り調整膜１８を形成する。この方法において反り調整膜１８を形成するために必要な工程は、熱処理工程Ｓ６、カーボンリッチ層除去工程Ｓ１０及び反り調整膜形成工程Ｓ１２の３つの工程である。つまり、この方法によれば、３つの工程で剥離し難い反り調整膜１８を形成することができる。同様に剥離し難い反り調整膜１８を形成する方法として、熱処理工程において裏面１２ｂにカーボンリッチ層が形成形成されることを防止する方法が考えられる。この方法では、熱処理工程の前に裏面１２ｂに保護膜を形成する。したがって、その後の熱処理においてＳｉＣ基板１２の裏面１２ｂにカーボンリッチ層１６が形成されることが防止される。次に、裏面１２ｂの保護膜を除去する。その後、保護膜が除去された裏面１２ｂに反り調整膜１８を形成する。この方法でも剥離し難い反り調整膜１８を形成することができる。しかしながら、この方法において反り調整膜１８を形成するために必要な工程は、裏面１２ｂの保護膜形成工程、熱処理工程、裏面１２ｂの保護膜除去工程及び反り調整膜形成工程の４つである。これに対し、本実施形態の製造方法では、上記の通り、３つの工程で剥離し難い反り調整膜１８を形成することができる。すなわち、本実施形態の製造方法によれば、効率的に半導体装置を製造することができる。
【００３０】
以上、本実施形態の半導体装置の製造方法について説明した。なお、上記の実施形態では、カーボンリッチ層除去工程Ｓ１０において、図６のプラズマエッチング装置６０を使用した。しかしながら、カーボンリッチ層除去工程Ｓ１０において、図９に示すプラズマエッチング装置８０を用いることもできる。プラズマエッチング装置８０は、ガス供給管８２、チャンバ８４、シャワープレート８６、ステージ８８、排気管９０及び高周波電源９２を有している。ガス供給管８２は、チャンバ８４の外部からチャンバ８４の内部まで延びている。ガス供給管８２の上流端には、エッチングガスが供給される。シャワープレート８６は、チャンバ８４内に設置されており、ガス供給管８２の下流端に接続されている。シャワープレート８６は、金属により構成されており、プラズマを発生させる電極を兼ねている。高周波電源９２は、シャワープレート８６に接続されており、シャワープレート８６に高周波電圧を印加する。ステージ８８は、シャワープレート８６の下部に設置されている。ステージ８８は、他の配線に接続されておらず、ステージ８８には外部からの電位が印加されない。すなわち、ステージ８８は、電位的にフローティングしている。排気管９０は、ステージ８８の下部でチャンバ８４に接続されている。
【００３１】
図９のプラズマエッチング装置８０を使用する場合は、カーボンリッチ層１６の表面がシャワープレート７０と対向するようにＳｉＣ基板１２をステージ８８上に載置する。また、チャンバ６８内を２００℃以上の温度に加熱する。次に、ガス供給管８２の上流端にエッチングガスを供給するとともに、高周波電源９２によってシャワープレート７０に高周波電圧を印加する。なお、ここでは、図６のプラズマエッチング装置６０と同様のエッチングガスを使用することができる。ガス供給管８２の上流端に供給されたエッチングガスは、シャワープレート８６からチャンバ８４内に流入する。また、シャワープレート７０に高周波電圧を印加すると、チャンバ８４内にマイクロ波が発生する。このため、チャンバ８４内に流入したエッチングガスは、マイクロ波の照射を受けて、プラズマ化する。プラズマ化したエッチングガスは、カーボンリッチ層１６の表面に沿って流れ、その後、排気管９０からチャンバ６８の外部に排出される。カーボンリッチ層１６の表面に沿って流れるエッチングガスは、カーボンリッチ層１６と反応し、カーボンリッチ層１６を化学的に分解する。これによって、カーボンリッチ層１６がエッチングされる。これによって、カーボンリッチ層１６が除去される。
【００３２】
なお、プラズマエッチング装置８０を用いる場合でも、エッチングガスとして、酸素ガスとフッ素化合物ガスの混合ガスを使用するので、高いエッチングレートでカーボンリッチ層１６をエッチングすることができる。また、プラズマエッチング装置８０を用いる場合でも、ステージ８８がフローティングしているので、カーボンリッチ層１６の除去後に、ＳｉＣ基板１２の裏面１２ｂが滑らかとなる。
【００３３】
なお、図９のプラズマエッチング装置８０では、チャンバ８４内でプラズマを発生させるため、ＳｉＣ基板１２にプラズマによるダメージが生じる場合がある。このようなダメージが問題となる場合には、図６のプラズマエッチング装置８０（すなわち、チャンバよりも上流側でプラズマを発生させる装置）の方が好ましい。
【００３４】
なお、上述した実施形態では、カーボンリッチ層除去工程Ｓ１０の実施後に、図７に示すようにＳｉＣ基板１２が表面１２ａが凸となるように反っていた。しかしながら、ＳｉＣ基板１２の特性やＳｉＣ基板１２に対する処理が異なる場合には、図１０に示すように、表面１２ａが凹となるようにＳｉＣ基板１２が反る場合がある。この場合には、反り調整膜形成工程Ｓ１２において、ＳｉＣ基板１２の裏面１２ｂに、引っ張り応力を生じさせる反り調整膜１８を形成することができる。引っ張り応力を生じさせる反り調整膜１８を形成することで、ＳｉＣ基板１２の反りを緩和することができる。引っ張り応力を生じさせる反り調整膜１８としては、例えば、ＬＰ−ＴＥＯＳ膜、ＮＳＧ、ＢＰＳＧ等が挙げられる。ＬＰ−ＴＥＯＳ膜は、ＴＥＯＳを原料とする減圧ＣＶＤにより形成されるシリコン酸化膜である。ＮＳＧ（None-doped Silicate Glass）膜は、リンやボロン等の不純物を含まないシリコン酸化膜である。ＢＰＳＧ（Boro-phospho silicate glass）膜は、リンとボロンをドーピングしたシリコン酸化膜である。
【００３５】
なお、上述した実施形態では、熱処理工程Ｓ６の直後に保護膜除去工程Ｓ８を実施した。しかしながら、保護膜１４は、熱処理工程Ｓ６よりも後であればいつ除去してもよい。
【００３６】
また、上述した実施形態では、ステージをフローティング状態としてドライエッチングを行うことで、カーボンリッチ層１６をエッチングした。この方法によれば、上記のようにエッチング後のＳｉＣ基板１２の裏面１２ｂが滑らかとなる。カーボンリッチ層のエッチング後に裏面を滑らかにする方法として、ＳｉＣ基板の裏面を酸化させて犠牲酸化膜を形成し、その後、カーボンリッチ層と犠牲酸化膜を、フッ酸を用いたウェットエッチングにより除去する方法がある。しかしながら、この方法では、カーボンリッチ層を除去するために、犠牲酸化工程とウェットエッチング工程という２つの工程が必要となる。これに対して、本実施形態の方法では、ドライエッチングのみでカーボンリッチ層１６を除去することができる。
【００３７】
本明細書が開示する技術要素について、以下に列記する。なお、以下の各技術要素は、それぞれ独立して有用なものである。
【００３８】
本明細書が開示する一例の構成では、反り調整膜を形成する工程では、ＳｉＣ基板の裏面に絶縁膜を堆積させる。前記絶縁膜は、ＴＥＯＳ膜であってもよい。
【００３９】
本明細書が開示する一例の構成では、カーボンリッチ層を除去する工程では、ステージにＳｉＣ基板を載置し、ステージに電圧を印加しないでカーボンリッチ層に対してプラズマを用いたドライエッチングを行う。
【００４０】
この方法によれば、カーボンリッチ層を除去した後に、ＳｉＣ基板の表面が滑らかとなる。
【００４１】
本明細書が開示する一例の構成では、ドライエッチングにおいて、酸素ガスとフッ素化合物ガスの混合ガスを用いる。
【００４２】
この方法によれば、効率的にカーボンリッチ層をエッチングすることができる。
【００４３】
本明細書が開示する一例の構成では、保護膜を形成するより前に、ＳｉＣ基板に不純物を注入する工程をさらに有する。
【００４４】
この方法によれば、ＳｉＣ基板に注入された不純物を熱処理時に活性化させることができる。
【００４５】
以上、実施形態について詳細に説明したが、これらは例示にすぎず、特許請求の範囲を限定するものではない。特許請求の範囲に記載の技術には、以上に例示した具体例をさまざまに変形、変更したものが含まれる。
本明細書または図面に説明した技術要素は、単独あるいは各種の組み合わせによって技術有用性を発揮するものであり、出願時請求項記載の組み合わせに限定されるものではない。また、本明細書または図面に例示した技術は複数目的を同時に達成するものであり、そのうちの１つの目的を達成すること自体で技術有用性を持つものである。
【符号の説明】
【００４６】
１２    ：ＳｉＣ基板
１４    ：保護膜
１６    ：カーボンリッチ層
１８    ：反り調整膜
６０    ：プラズマエッチング装置
８０    ：プラズマエッチング装置
【図１】
0006348430.tif 000002
【図２】
0006348430.tif 000003
【図３】
0006348430.tif 000004
【図４】
0006348430.tif 000005
【図５】
0006348430.tif 000006
【図６】
0006348430.tif 000007
【図７】
0006348430.tif 000008
【図８】
0006348430.tif 000009
【図９】
0006348430.tif 000010
【図１０】
0006348430.tif 000011