(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
多層基板に設けられたアンテナ放射素子であって、
信号ビアと、
前記信号ビアを囲む複数の接地ビアと、
前記信号ビアの一端に接続された放射パッドと、
前記信号ビアの他端に接続されたフィードパッドと、
前記信号ビアと前記接地ビアとの間に設けられた人工物質と、
を備え、
前記多層基板は、誘電体により絶縁された複数の導体層を有する。
【請求項２】
前記人工物質は、
前記信号ビアに接続され、絶縁スリットにより前記接地ビアから絶縁された導体板と、
前記接地ビアに接続され、クリアランスホールにより前記信号ビアから絶縁された導体板と、
により形成される請求項１に記載のアンテナ放射素子。
【請求項３】
前記人工物質は、前記多層基板の表面に対して垂直な方向に実効比誘電率の変化を有する請求項１または２に記載のアンテナ放射素子。
【請求項４】
前記実効比誘電率の変化は、前記信号ビアに接続され、異なる導体層に設けられた前記導体板の大きさの変化により得られる請求項３に記載のアンテナ放射素子。
【請求項５】
前記実効比誘電率の変化は、前記信号ビアに接続された前記導体板および異なる導体層に設けられた前記クリアランスホールの大きさの変化により得られる請求項３に記載のアンテナ放射素子。
【請求項６】
多層基板に設けられた複数のアンテナ放射素子を備え、
前記アンテナ放射素子は、
信号ビアと、
前記信号ビアを囲む複数の接地ビアと、
前記信号ビアの一端に接続された放射パッドと、
前記信号ビアの他端に接続されたフィードパッドと、
前記信号ビアと前記接地ビアとの間に設けられた人工物質と
を備え、
前記多層基板は、誘電体により絶縁された複数の導体層を有するスパースアレイアンテナ。
【請求項７】
多層基板に設けられたアンテナ放射素子の製造方法であって、
信号ビアを設けるステップと、
前記信号ビアを囲む複数の接地ビアを設けるステップと、
前記信号ビアの一端に放射パッドを接続するステップと、
前記信号ビアの他端にフィードパッドを接続するステップと、
前記信号ビアと前記接地ビアとの間に人工物質を設けるステップと、
を含み、
前記多層基板は、誘電体により絶縁された複数の導体層を有する。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、アンテナ放射素子、スパースアレイアンテナおよびアンテナ放射素子の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
多層基板に形成された特定のアンテナ放射素子に基づくレーダー検知システムのコンパクトなスパースアレイアンテナは、広い周波数帯域で動作し、高い比誘電率の人工物質（メタマテリアル）を用いることにより大きさが大幅に縮小されている。
【０００３】
レーダーシステムの電気的性能を改善させる方法として、高利得アンテナを用いることができる。特に、そのような問題は、信号反射率の低い表面下の物体または隠れた物体のリモートセンシングにおいて重要である。また、このような物体のレーダーイメージングを行うためにも、アンテナは、広い周波数帯域で動作しなければならない。しかしながら、レーダーシステムで使用されている（位相アンテナまたはスパースアレイアンテナのような）典型的な広帯域アンテナは、特に、低ギガヘルツ周波数帯域において、寸法が大きく、その用途が大幅に制限される。
【０００４】
したがって、コンパクトである結果、広い適用領域を有する軽量レーダーシステムに用いることができるアンテナシステムを開発することが重要である。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
本発明の目的は、上述の課題を解決する技術を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上記目的を達成するため、本発明に係る多層基板に設けられたアンテナ放射素子は、
信号ビアと、
前記信号ビアを囲む複数の接地ビアと、
前記信号ビアの一端に接続された放射パッドと、
前記信号ビアの他端に接続されたフィードパッドと、
前記信号ビアと前記接地ビアとの間に設けられた人工物質と、
を備え、
前記多層基板は、誘電体により絶縁された複数の導体層を有する。
【０００７】
上記目的を達成するため、本発明に係るスパースアレイアンテナは、
多層基板に設けられた複数のアンテナ放射素子を備え、
前記アンテナ放射素子は、
信号ビアと、
前記信号ビアを囲む複数の接地ビアと、
前記信号ビアの一端に接続された放射パッドと、
前記信号ビアの他端に接続されたフィードパッドと、
前記信号ビアと前記接地ビアとの間に設けられた人工物質と、
を有し、
前記多層基板は、誘電体により絶縁された複数の導体層を有する。
【発明の効果】
【０００８】
本発明によれば、コンパクトなアンテナ放射素子の開発によりコンパクトな配列アンテナを提供することができ、また、コンパクトなアンテナ放射素子のスパース配列を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１Ａ】本発明の第１実施形態に係るスパースアレイアンテナのアンテナ放射素子の上面図である。
【図１Ｂ】図１Ａに示したスパースアレイアンテナのアンテナ放射素子のＡ−Ａ線垂直断面図である。
【図１Ｃ】図１Ｂに示した１Ｌ３導体層のアンテナ放射素子の水平断面図である。
【図１Ｄ】図１Ｂに示した１Ｌ５導体層のアンテナ放射素子の水平断面図である。
【図１Ｅ】図１Ｂに示した１Ｌ７導体層のアンテナ放射素子の水平断面図である。
【図１Ｆ】図１Ｂに示した１Ｌ２，１Ｌ４，１Ｌ６導体層のアンテナ放射素子の水平断面図である。
【図１Ｇ】図１Ｂに示したアンテナ放射素子の底面図である。
【図１Ｈ】図１Ｂに示したアンテナ放射素子の垂直断面図であり、信号ビアと接地ビアとの間の構造が、導体層の従属物として実効比誘電率εeff1，εeff2またはεeff3を有する対応する均質媒体により置き換えらえている。
【図１Ｉ】図１Ｂに示したアンテナ放射素子の垂直断面図である。
【図２Ａ】本発明の第２実施形態に係るスパースアレイアンテナのアンテナ放射素子の上面図である。
【図２Ｂ】図２Ａに示したスパースアレイアンテナのアンテナ放射素子のＡ−Ａ線垂直断面図である。
【図２Ｃ】図２Ｂに示した２Ｌ３導体層のアンテナ放射素子の水平断面図である。
【図２Ｄ】図２Ｂに示した２Ｌ５導体層のアンテナ放射素子の水平断面図である。
【図２Ｅ】図２Ｂに示した２Ｌ７導体層のアンテナ放射素子の水平断面図である。
【図２Ｆ】図２Ｂに示した２Ｌ２，２Ｌ４，２Ｌ６導体層のアンテナ放射素子の水平断面図である。
【図２Ｇ】図２Ｂに示したアンテナ放射素子の底面図である。
【図３Ａ】本発明の第３実施形態に係るスパースアレイアンテナのアンテナ放射素子の上面図である。
【図３Ｂ】図３Ａに示したスパースアレイアンテナのアンテナ放射素子のＡ−Ａ線垂直断面図である。
【図３Ｃ】図３Ｂに示した３Ｌ３導体層のアンテナ放射素子の水平断面図である。
【図３Ｄ】図３Ｂに示した３Ｌ５導体層のアンテナ放射素子の水平断面図である。
【図３Ｅ】図３Ｂに示した３Ｌ７導体層のアンテナ放射素子の水平断面図である。
【図３Ｆ】図３Ｂに示した３Ｌ９導体層のアンテナ放射素子の水平断面図である。
【図３Ｇ】図３Ｂに示した３Ｌ２，３Ｌ４，３Ｌ６，３Ｌ８導体層のアンテナ放射素子の水平断面図である。
【図３Ｈ】図３Ｂに示したアンテナ放射素子の底面図である。
【図３Ｉ】図３Ｂに示したアンテナ放射素子の垂直断面図であり、信号ビアと接地ビアとの間の構造が、導体層の従属物として実効比誘電率εeff1，εeff2，εeff3またはeff4を有する対応する均質媒体により置き換えられている。
【図４Ａ】本発明の第４実施形態に係るスパースアレイアンテナのアンテナ放射素子の上面図である。
【図４Ｂ】図４Ａに示したスパースアレイアンテナのアンテナ放射素子のＡ−Ａ線垂直断面図である。
【図４Ｃ】図４Ｂに示した４Ｌ２導体層のアンテナ放射素子の水平断面図である。
【図４Ｄ】図４Ｂに示した４Ｌ３導体層のアンテナ放射素子の水平断面図である。
【図４Ｅ】図４Ｂに示した４Ｌ４導体層のアンテナ放射素子の水平断面図である。
【図４Ｆ】図４Ｂに示した４Ｌ５導体層のアンテナ放射素子の水平断面図である。
【図４Ｇ】図４Ｂに示した４Ｌ６導体層のアンテナ放射素子の水平断面図である。
【図４Ｈ】図４Ｂに示した４Ｌ７導体層のアンテナ放射素子の水平断面図である。
【図４Ｉ】図４Ｂに示したアンテナ放射素子の底面図である。
【図５】図１Ａ乃至図１Ｉに示したアンテナ放射素子によるリターンロスのシミュレーション結果を示すグラフである。
【図６】スパースアレイアンテナを形成するためのアンテナ放射素子（９個）の配置の一例を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
以下に、本発明を実施するための形態について、図面を参照して、例示的に詳しく説明記載する。ただし、以下の実施の形態に記載されている、構成、数値、処理の流れ、機能要素などは一例に過ぎず、その変形や変更は自由であって、本発明の技術範囲を以下の記載に限定する趣旨のものではない。
【００１１】
［第１実施形態］
以下、添付図面を参照して本実施形態に係る多層基板に配置されたスパースアレイアンテナのコンパクトなアンテナ放射素子のいくつかのタイプについて詳細に説明する。しかしながら、以下の説明は、添付の特許請求の範囲を狭く解釈するものとみなすべきではない。
【００１２】
図１Ａ乃至図１Ｉには、本実施形態に係る多層基板に配置されたアンテナ放射素子１１１が示されている。この多層基板には、複数の導体層１Ｌ１乃至導体層１Ｌ８が設けられている。８個の導体層１Ｌ１乃至導体層１Ｌ８は、誘電体１０９により絶縁されている。
【００１３】
これら８個の導体層基板は、多層基板および複数の導体層の一例に過ぎず、充填材および他の基板パラメータは、用途に応じて変えることができる。
【００１４】
本実施形態では、アンテナ放射素子１１１は、信号ビア（信号ビアホール、信号スルーホール）１０１と、信号ビア１０１を囲んで接地板（グラウンド・プレーン）１０８に接続された接地ビア（グラウンドビア、グラウンドビアホール、グラウンドスルーホール）１０２と、を有する。このようなアンテナ放射素子１１１は、漏れ損失が低く、その結果、スパースアレイアンテナを形成する隣接アンテナ放射素子と弱く結合する。アンテナ放射素子１１１は、信号ビア１０１と接地ビア１０２との間に形成される人工物質（メタマテリアル）の実効比誘電率が高いので、コンパクトな大きさ（寸法）である。この人工物質は、信号ビア１０１に接続された導体板１０３と、接地ビア１０２に接続された接地導体板１０８と、により得られる。導体板１０３は、絶縁スリット１０５により接地導体板１０８と隔離されており、接地導体板１０８は、クリアランスホール１０４により信号ビア１０１と絶縁されている。放射パッド１０６は、信号ビア１０１の一端に接続され、信号ビア１０１の他端はフィードパッド１０７に接続されている。放射パッド１０６は、絶縁スリット１０５により導体層１Ｌ１に設けられた接地導体板１０８と隔離されている。フィードパッド１０７は、絶縁スリット１１０により導体層１Ｌ８に設けられた接地導体板１０８と隔離されている。
【００１５】
人工物質の識別ポイントは、垂直方向、すなわち、多層基板の表面に対して垂直な方向の実効比誘電率の変動性である。図１Ｈには、信号ビア１０１と接地ビア１０２との間の人工物質の物理モデルが示されている。この人工物質は、導体板１０３、絶縁スリット１０５およびクリアランスホール１０４の大きさ（寸法）にそれぞれ依存する実効比誘電率εeff1，εeff2またはεeff3によって特徴づけられる。つまり、εeff1は、ｄ1，ｌ1，ｒ1（図１Ｉ参照）の関数であり、εeff1＝ｆ（ｄ1，ｌ1，ｒ1）である。同様に、εeff2＝ｆ（ｄ2，ｌ2，ｒ2）であり、εeff3＝ｆ（ｄ3，ｌ3，ｒ3）である。アンテナ放射素子１１１の広帯域動作を実現するために、導体板の大きさは、ｌ1＞ｌ2＞ｌ3であり、その結果として、εeff1＞εeff2＞εeff3である。この条件により、アンテナ放射素子１１１の動作帯域が広くなる。本実施形態のアンテナ放射素子１１１においては、接地ビアは四角形状であり。また、導体板１０３も四角形状である。
【００１６】
本実施形態によれば、コンパクトなアンテナ放射素子の開発と、アンテナ放射素子のスパース配列と、によりコンパクトな配列アンテナが提供される。提案されたアンテナ放射素子は、接地ビアに囲まれた信号ビアにより形成される。そのような素子のコンパクトさは、信号ビアと接地ビアとの間に配置され、アンテナ放射素子を形成する高い実効誘電率の人工物質（メタマテリアル）により提供さる。アンテナ放射素子の広帯域動作は、垂直方向（基板表面に対して垂直）に可変な実効誘電率を有する人工物質の開発により達成される。
【００１７】
提案されたアンテナ放射素子は、接地ビアにより囲まれた信号ビアにより形成される。そのような素子のコンパクトさは、信号ビアと接地ビアとの間に配置され、アンテナ放射素子を形成する人工物質（メタマテリアル）により提供される。アンテナ放射素子の広帯域動作は、垂直方向（基板表面に対して垂直）に可変な実効誘電率を有する人工物質の開発により達成される。
【００１８】
［第２実施形態］
図２Ａ乃至図２Ｇには、本実施形態に係る多層基板に設けられたアンテナ放射素子が示されている。多層基板には、複数の導体層２Ｌ１乃至導体層２Ｌ８が設けられている。８個の導体層２Ｌ１乃至導体層２Ｌ８は、誘電体２０９により絶縁されている。本実施形態においては、アンテナ放射素子２１１は、信号ビア２０１と、信号ビア２０１に囲まれ、接地導体板２０８に接続された接地ビア２０２と、を有する。アンテナ放射素子２１１では、信号ビア２０１と接地ビア２０２との間に、実効比誘電率の高い人工物質が形成される。この人工物質は、信号ビア２０１に接続された導体板２０３と、接地ビア２０２に接続された接地導体板２０８と、により得られる。導体板２０３は、絶縁スリット２０５により接地導体板２０８から分離され、接地導体板２０８は、クリアランスホール２０４により信号ビア２０１から分離されている。放射パッド２０６は、信号ビア２０１の一端に接続され、信号ビア２０１の他端には、フィードパッド２０７が接続される。放射パッド２０６は、絶縁スリット２０５により、導体層２Ｌ１に設けられた接地導体板２０８から分離されている。フィードパッド２０７は、絶縁スリット２１０により、導体層２Ｌ８に設けられた接地導体板２０８から分離されている。本実施形態において、人工物質の垂直方向の実効比誘電率の変化は、導体層２Ｌ３および導体層２Ｌ５に設けられた導体板２０３の波形（コルゲーション）２１２により、また、導体層２Ｌ７に設けられた導体板２０３の滑らかな形状を用いることにより達成される。波形２１２の深さｈ1および深さｈ2は、垂直方向の実効比誘電率の変化を得るために、導体層２Ｌ３および導体層２Ｌ５において異なっている。
【００１９】
接地ビアの配置、導体板の形状、および多層基板における導体層の数は、アンテナ放射素子の要求される性能を得るために変更可能であることに留意すべきである。
【００２０】
［第３実施形態］
図３Ａ乃至図３Ｉには、本実施形態に係る多層基板に設けられたアンテナ放射素子が示されている。多層基板には、複数の導体層３Ｌ１乃至導体層３Ｌ１０が設けられている。１０個の導体層３Ｌ１乃至導体層３Ｌ１０は、誘電体３０９により絶縁されている。本実施形態においては、アンテナ放射素子３１１は、信号ビア３０１と、信号ビア３０１を囲み、接地導体板３０８に接続された接地ビア３０２と、を有する。アンテナ放射素子３１１では、信号ビア３０１と接地ビア３０２との間に、実効比誘電率の高い人工物質が形成される。この人工物質は、信号ビア３０１に接続された導体板３０３と、接地ビア３０２に接続された接地導体板３０８と、により得られる。導体板３０３は、絶縁スリット３０５により接地導体板３０８から分離され、接地導体板３０８は、クリアランスホール３０４により信号ビア３０１から分離されている。放射パッド３０６は、信号ビア３０１の一端に接続され、信号ビア３０１の他端は、フィードパッド３０７に接続されている。放射パッド３０６は、絶縁スリット３０５により、導体層３Ｌ１に設けられた接地導体板３０８から分離されている。フィードパッド３０７は、絶縁スリット３１０により、導体層３Ｌ１０に設けられた接地導体板３０８から分離されている。
【００２１】
本実施形態において、垂直方向の人工物質の実効比誘電率の変化は、導体板３０３の大きさの変化により達成される。さらに、フィードパッド３０７と放射パッド３０６との間のより良好な整合を得るために、導体板の大きさは、εeff1＜εeff2およびεeff2＞εeff3＞εeff4となるように選択される（図３Ｉ参照）。本実施形態に係るアンテナ放射素子３１１においては、接地ビアは円形である。導体板３０３も円形形状をしている。
【００２２】
［第４実施形態］
図４Ａ乃至図４Ｉには、本実施形態に係る多層基板に設けられたアンテナ放射素子が示されている。多層基板には、複数の導体層４Ｌ１乃至導体層４Ｌ８が設けられている。８個の導体層４Ｌ１乃至導体層４Ｌ８は、誘電体４０９により絶縁されている。本実施形態においては、アンテナ放射素子４１１は、信号ビア４０１と、信号ビア４０１を囲み、接地導体板４０８に接続された接地ビア４０２と、を有する。アンテナ放射素子４１１では、信号ビア４０１と接地ビア４０２との間に、実効比誘電率の高い人工物質が形成される。識別ポイントとして、この人工物質は、信号ビア４０１に接続された導体板４０３によってのみ得られる。導体板４０３は、絶縁スリット４０５により、接地導体板４０８から分離されている。放射パッド４０６は、信号ビア４０１の一端に接続され、信号ビア４０１の他端はフィードパッド４０７と接続される。放射パッド４０６は、絶縁スリット４０５により、導体層４Ｌ１に設けられた接地導体板４０８から分離されている。フィードパッド４０７は、絶縁スリット４１０により、導体層４Ｌ８に設けられた接地導体板４０８から分離されている。本実施形態に係るアンテナン放射素子においては、接地ビアは楕円形である。また、導体板４０３も楕円形状である。
【００２３】
図５には、図１Ａ乃至図１Ｉに示した構造のアンテナ放射素子のリターンロスのシミュレーションデータが示されている。このアンテナ放射素子の（接地ビアにより制限される）横方向の大きさは、５ｍｍ×５ｍｍであり、８個の銅導体層は、ＦＲ−４（Flame Retardant - 4）材料により絶縁され、基板の厚みは２ｍｍである。得られたシミュレーションデータから次のように、開発されたアンテナ放射素子は、−１０ｄＢのリターンロスレベルで約６ＧＨｚの帯域幅を有する。よって、開発されたアンテナ放射素子は、コンパクトであり、広い帯域幅を有する。
【００２４】
提示されたアンテナ放射素子の実施形態に基づいて、異なるタイプのスパースアレイアンテナを設計することができる。
【００２５】
図６には、スパースアレイアンテナに対して提案されたアンテナ放射素子の配列が提示されている。このスパースアレイアンテナは、放射ビームの断面にほぼ四角形形状を提供できる９個の放射素子を有する。この配置においては、アンテナ放射素子１は、仮想四角形の中心に配置され、アンテナ放射素子２，３，４，５は、仮想四角形の頂点に配置される。このような配置とすることにより、スパースアレイアンテナからの放射ビームは要求された形状となる。さらに、アンテナ放射素子６，７，８，９は、スパースアレイアンテナの利得を向上させる働きをする。提示されたスパースアレイアンテナの各アンテナ放射素子は十分に絶縁されているので、サイドローブレベルを低くすることができることに留意する。
【００２６】
［他の実施形態］
以上、実施形態を参照して本願発明を説明したが、本願発明は上記実施形態に限定されるものではない。本願発明の構成や詳細には、本願発明のスコープ内で当業者が理解し得る様々な変更をすることができる。また、それぞれの実施形態に含まれる別々の特徴を如何様に組み合わせたシステム又は装置も、本発明の範疇に含まれる。
【００２７】
［実施形態の他の表現］
上記の実施形態の一部または全部は、以下の付記のようにも記載されうるが、以下には限られない。
（付記１）
多層基板に設けられたアンテナ放射素子であって、
信号ビアと、
前記信号ビアを囲む複数の接地ビアと、
前記信号ビアの一端に接続された放射パッドと、
前記信号ビアの他端に接続されたフィードパッドと、
前記信号ビアと前記接地ビアとの間に設けられた人工物質と、
を備え、
前記多層基板は、誘電体により絶縁された複数の導体層を有する。
（付記２）
前記人工物質は、
前記信号ビアに接続され、絶縁スリットにより前記接地ビアから絶縁された導体板と、
前記接地ビアに接続され、クリアランスホールにより前記信号ビアから絶縁された導体板と、
により形成される付記１に記載のアンテナ放射素子。
（付記３）
前記人工物質は、前記多層基板の表面に対して垂直な方向に実効比誘電率の変化を有する付記１または２に記載のアンテナ放射素子。
（付記４）
前記実効比誘電率の変化は、前記信号ビアに接続され、異なる導体層に設けられた前記導体板の大きさの変化により得られる付記３に記載のアンテナ放射素子。
（付記５）
前記実効比誘電率の変化は、前記信号ビアに接続された前記導体板および異なる導体層に設けられた前記クリアランスホールの大きさの変化により得られる付記３に記載のアンテナ放射素子。
（付記６）
多層基板に設けられた複数のアンテナ放射素子を備え、
前記アンテナ放射素子は、
信号ビアと、
前記信号ビアを囲む複数の接地ビアと、
前記信号ビアの一端に接続された放射パッドと、
前記信号ビアの他端に接続されたフィードパッドと、
前記信号ビアと前記接地ビアとの間に設けられた人工物質と
を備え、
前記多層基板は、誘電体により絶縁された複数の導体層を有するスパースアレイアンテナ。
（付記７）
多層基板に設けられたアンテナ放射素子の製造方法であって、
信号ビアを設けるステップと、
前記信号ビアを囲む複数の接地ビアを設けるステップと、
前記信号ビアの一端に放射パッドを接続するステップと、
前記信号ビアの他端にフィードパッドを接続するステップと、
前記信号ビアと前記接地ビアとの間に人工物質を設けるステップと、
を含み、
前記多層基板は、誘電体により絶縁された複数の導体層を有する。
【図１Ａ】
0006361950.tif 000002
【図１Ｂ】
0006361950.tif 000003
【図１Ｃ】
0006361950.tif 000004
【図１Ｄ】
0006361950.tif 000005
【図１Ｅ】
0006361950.tif 000006
【図１Ｆ】
0006361950.tif 000007
【図１Ｇ】
0006361950.tif 000008
【図１Ｈ】
0006361950.tif 000009
【図１Ｉ】
0006361950.tif 000010
【図２Ａ】
0006361950.tif 000011
【図２Ｂ】
0006361950.tif 000012
【図２Ｃ】
0006361950.tif 000013
【図２Ｄ】
0006361950.tif 000014
【図２Ｅ】
0006361950.tif 000015
【図２Ｆ】
0006361950.tif 000016
【図２Ｇ】
0006361950.tif 000017
【図３Ａ】
0006361950.tif 000018
【図３Ｂ】
0006361950.tif 000019
【図３Ｃ】
0006361950.tif 000020
【図３Ｄ】
0006361950.tif 000021
【図３Ｅ】
0006361950.tif 000022
【図３Ｆ】
0006361950.tif 000023
【図３Ｇ】
0006361950.tif 000024
【図３Ｈ】
0006361950.tif 000025
【図３Ｉ】
0006361950.tif 000026
【図４Ａ】
0006361950.tif 000027
【図４Ｂ】
0006361950.tif 000028
【図４Ｃ】
0006361950.tif 000029
【図４Ｄ】
0006361950.tif 000030
【図４Ｅ】
0006361950.tif 000031
【図４Ｆ】
0006361950.tif 000032
【図４Ｇ】
0006361950.tif 000033
【図４Ｈ】
0006361950.tif 000034
【図４Ｉ】
0006361950.tif 000035
【図５】
0006361950.tif 000036
【図６】
0006361950.tif 000037