(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板に成長させるエピタキシャル層の裏面側から表面側に向かう厚さ方向の抵抗率分布が傾斜するように前記エピタキシャル層を成長するエピタキシャルウェーハの製造方法において、
前記エピタキシャル層を成長する際に供給するドーパントガスの濃度を連続的に減少させながら供給する第１供給工程と、
前記第１供給工程後に前記第１供給工程の終了時点での前記ドーパントガスの濃度で前記ドーパントガスを供給する第２供給工程と、
を備え、
前記抵抗率分布が傾斜するように成長する前記エピタキシャル層の成長時間が予め設定され、
前記成長時間の間、前記第１及び第２供給工程で前記ドーパントガスを供給し、
前記第１供給工程を行う第１時間と前記第２供給工程を行う第２時間を加算した時間が前記成長時間となり、かつ、前記第１及び第２時間の組み合わせが異なる前記第１及び第２時間の複数のペアを設定する設定工程と、
前記第１及び第２供給工程以外は同様の条件にして前記複数のペア毎に前記エピタキシャル層を成長する第１成長工程と、
前記第１成長工程で成長した複数の前記エピタキシャル層の前記抵抗率分布を測定する測定工程と、
前記測定工程で測定した複数の前記抵抗率分布と目標とする前記抵抗率分布に基づき前記第１及び第２時間を調節する調節工程と、
を備えることを特徴とするエピタキシャルウェーハの製造方法。
【請求項２】
前記調節工程で調節した前記第１及び第２時間を用いて前記第１及び第２供給工程をして前記エピタキシャル層を成長する第２成長工程を有する請求項１に記載のエピタキシャルウェーハの製造方法。
【請求項３】
前記第１供給工程の開始時点の前記ドーパントガスの濃度に対応する前記エピタキシャル層の抵抗率を第１抵抗率とし、
前記第１供給工程の終了時点の前記ドーパントガスの濃度に対応する前記エピタキシャル層の抵抗率を前記第１抵抗率より大きい第２抵抗率とし、
前記第２抵抗率を前記第１抵抗率で除法した値が１０を超える請求項１又は２に記載のエピタキシャルウェーハの製造方法。
【請求項４】
前記ドーパントガスを希釈する希釈ガスの流量又は前記ドーパントガスの流量の少なくとも一方を連続的に変化させ、前記ドーパントガスの濃度を連続的に減少させる請求項１ないし３のいずれか１項に記載のエピタキシャルウェーハの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、エピタキシャルウェーハの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
例えば、シリコンエピタキシャルウェーハは、水素雰囲気中でシランガスを原料としてシリコン単結晶基板の主表面上にシリコンエピタキシャル層を気相成長して製造される。
【０００３】
このようなエピタキシャル層の抵抗率を調節する場合には、気相成長をする際に反応炉内にドーパントガスを供給する。供給するドーパントガスの種類としては、エピタキシャル層に付与する導電型（Ｐ型又はＮ型）に応じて選択される。例えば、導電型がＰ型ならばＢ２Ｈ６ガス等、Ｎ型ならばＰＨ３ガス等がドーパントガスとして反応炉内に供給される。
【０００４】
ドーパントガスを供給して抵抗率を調整したエピタキシャル層としては、エピタキシャル層の抵抗率をエピタキシャル層の厚さ方向（深さ方向）に調整したものが存在する。例えば、特許文献１〜３には、基板に成長したエピタキシャル層の裏面側（基板側）から表面側に向かう厚さ方向の抵抗率分布が傾斜する（抵抗率が次第に増加する）エピタキシャル層が開示される。
【０００５】
このように抵抗率分布が傾斜したエピタキシャル層は、例えば、気相成長中に反応炉内に供給するドーパントガスの濃度を連続的に変化させて製膜する。ドーパントガスの濃度を連続的に変化させることで、エピタキシャル層に取り込まれるドーパントガスの濃度がエピタキシャル層の厚さ方向で変化し、厚さ方向においてエピタキシャル層の抵抗率分布が傾斜する。例えば、抵抗率分布をエピタキシャル層の裏面側から表面側に向けて増加するように傾斜させる場合は、ドーパントガスの濃度を高濃度側から低濃度側に向けて連続的に変化させて供給することになる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２００７−０８１０４５号公報
【特許文献２】特開２０１０−００３７３５号公報
【特許文献３】特開２０１３−０８０９６５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかし、ドーパントガスの濃度を高濃度側から低濃度側に向けて連続的に変化させてエピタキシャル層を成長すると、高濃度側のドーパントガスから先に反応炉内に供給される。よって、成長させるエピタキシャル層の周囲には、後から供給するドーパントガスより高濃度のドーパントガスが残留する。そのため、残留したドーパントガスより濃度の低いドーパントガスが反応炉内に供給されると、意図した濃度より高い濃度でドーパントガスがエピタキシャル層に取り込まれる。その結果、エピタキシャル層の厚さ方向の抵抗率分布が残留するドーパントガスの影響を受け、目標とする抵抗率分布から乖離してしまう。
【０００８】
本発明の課題は、先に供給したドーパントガスの影響を抑制することが可能なエピタキシャルウェーハの製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段及び発明の効果】
【０００９】
本発明のエピタキシャルウェーハの製造方法は、
基板に成長させるエピタキシャル層の裏面側から表面側に向かう厚さ方向の抵抗率分布が傾斜するようにエピタキシャル層を成長するエピタキシャルウェーハの製造方法において、
エピタキシャル層を成長する際に供給するドーパントガスの濃度を連続的に減少させながら供給する第１供給工程と、
第１供給工程後に第１供給工程の終了時点でのドーパントガスの濃度でドーパントガスを供給する第２供給工程と、
を備えることを特徴とする。
【００１０】
ドーパントガスの濃度を連続的に減少させながら供給する第１供給工程では、高濃度側のドーパントガスから先に供給する。よって、成長させるエピタキシャル層の周囲には、後から供給するドーパントガスより高濃度のドーパントガスが残留する。そのため、濃度が連続的に減少するようにドーパントガスを供給すると、意図した濃度より高濃度のドーパントガスがエピタキシャル層に取り込まれる。よって、第１供給工程では供給するドーパントガスより高濃度のドーパントガスがエピタキシャル層に取り込まれる。そこで、第１供給工程後に第１供給工程の終了時点における一定の濃度のドーパントガスを引き続き供給する第２供給工程を行い、成長させるエピタキシャル層の周囲に第１供給工程の終了時点における濃度のドーパントガスを残留させ、第１供給工程の終了時点における濃度のドーパントガスを第２供給工程終了時のエピタキシャル層に取り込ませることが可能となる。その結果、先に供給したドーパントガスの影響を抑制して所定の傾斜した抵抗率分布を持つエピタキシャルウェーハを製造することが可能となる。
【００１１】
本発明者は、上記のようなドーパントガスの供給方法に到達するまでにエピタキシャル層の周囲に残留するドーパントガスの影響を緩和するべく、ドーパントガスの供給方法について試行錯誤した。その中で、本発明者はドーパントガスの供給方法を工夫することで、エピタキシャル層の周囲に残留するドーパントの影響を相殺できるとの事実を見出した。
【００１２】
具体的には、ドーパントガスの濃度を連続的に減少させて供給する供給時間（第１供給工程の時間）を通常より短縮する。そして、その短縮した第１供給工程の終了時点でのドーパントガスの濃度（連続的に減少させた濃度の最低濃度）で、短縮した時間の分だけドーパントガスを供給する（第２供給工程）。このようにドーパントガスの供給方法を工夫することで、エピタキシャル層の周囲に残留するドーパントの影響を相殺できる。
【００１３】
言い換えれば、抵抗率分布が傾斜するように成長するエピタキシャル層の成長時間が予め設定され、その成長時間の間、第１及び第２供給工程でドーパントガスを供給する。これにより、エピタキシャル層の周囲に残留するドーパントの影響を相殺できる。
【００１４】
本発明では、予め設定した成長時間で第１供給工程のみを実施していた従来の方法に代え、予め設定した成長時間に第１及び第２供給工程を実施する。このとき、第２供給工程をせずに第１供給工程を実施する時間を短くするのでは、成長させるエピタキシャル層の層厚が従来の層厚より薄くなるため採用できない。しかし、予め設定した成長時間に第１及び第２供給工程を実施することで、第１供給工程を短縮した時間の分だけ第２供給工程を実施でき、従来と同様の層厚を確保できる。
【００１５】
また、第１供給工程の終了時点のドーパントガスの濃度と第２供給工程で供給するドーパントガスの濃度を変えてしまってはエピタキシャル層の表面側の抵抗率が第２供給工程で供給する濃度に応じて変動してしまう。そこで、供給するガスの濃度を第１供給工程の終了時点と第２供給工程とで同じにすることで第１供給工程の終了時点のドーパントガスの濃度に対応する抵抗率をエピタキシャル層の厚さ方向の表面側に付与することが可能となる。
【００１６】
本発明の実施態様では、
第１供給工程を行う第１時間と第２供給工程を行う第２時間を加算した時間が成長時間となり、かつ、第１及び第２時間の組み合わせが異なる第１及び第２時間の複数のペアを設定する設定工程と、
第１及び第２供給工程以外は同様の条件にして複数のペア毎にエピタキシャル層を成長する第１成長工程と、
第１成長工程で成長した複数のエピタキシャル層の抵抗率分布を測定する測定工程と、
測定工程で測定した複数の抵抗率分布と目標とする抵抗率分布に基づき第１及び第２時間を調節する調節工程と、
を備える。
【００１７】
これによれば、第１時間と第２時間の組み合わせを変える以外は同様の条件にしてエピタキシャル層を成長し、成長したエピタキシャル層の厚さ方向の抵抗率分布を測定する。第１及び第２時間の組み合わせを変えて成長したエピタキシャル層では、第１及び第２時間の組み合わせにより抵抗率分布が異なってくる。それ故、例えば、測定で得られた抵抗率分布に目標とする抵抗率分布に相当するものがある場合には、その測定で得られた抵抗率分布の第１及び第２時間から目標とする抵抗率分布に必要な第１及び第２時間を把握できる。また、目標とする抵抗率分布に相当するものがない場合でも測定で得られた抵抗率分布の第１及び第２時間を目安に第１及び第２時間の調節が可能となる。
【００１８】
更に、本発明の実施態様では、
調節工程で調節した第１及び第２時間を用いて第１及び第２供給工程をしてエピタキシャル層を成長する第２成長工程を有する。
【００１９】
これによれば、目標とする抵抗率分布に相当するような抵抗率分布を有するエピタキシャル層を成長することが可能となる。
【００２０】
また、本発明は実施態様が、第１供給工程の開始時点でのドーパントガスの濃度に対応するエピタキシャル層の抵抗率を第１抵抗率とし、第１供給工程の終了時点でのドーパントガスの濃度に対応するエピタキシャル層の抵抗率を第１抵抗率より大きい第２抵抗率としたとき第２抵抗率を第１抵抗率で除法した値が１０を超えるような場合に効果的である。
【００２１】
本発明であれば、このような実施態様の場合であっても、成長させるエピタキシャル層の周囲に残留するドーパントガス（先に供給されたドーパントガス）の影響を効果的に抑制できる。また、エピタキシャル層の厚さ方向の抵抗率分布がエピタキシャル層の表面側で目標値から乖離する（目標値より低い抵抗率になる）のを抑制できる。更に供給するドーパントの濃度を調整するだけであるため、エピタキシャル層を成長させるハードウェア等に変更を加える必要がない。
【００２２】
更に、本発明の実施態様では、
ドーパントガスを希釈する希釈ガスの流量又はドーパントガスの流量の少なくとも一方を連続的に変化させ、ドーパントガスの濃度を連続的に減少させる。
【００２３】
これにより、ドーパントガスの濃度を連続的に減少させることができる。
【００２４】
なお、本明細書で「抵抗率分布が傾斜する」とは、幾何学的に傾斜する場合に限らず、統計的に傾斜する傾向を示している場合も含まれる。また、傾斜としては直線状に傾斜する場合に限らず、対数状等に傾斜する場合も含まれる。
【図面の簡単な説明】
【００２５】
【図１】本発明に使用する気相成長装置の一例を示す模式断面図。
【図２Ａ】実施例で成長させたエピタキシャル層の厚さ方向における抵抗率分布、目標プロファイル及びレシピ設定を示すグラフ。
【図２Ｂ】比較例で成長させたエピタキシャル層の厚さ方向における抵抗率分布、目標プロファイル及びレシピ設定を示すグラフ。
【発明を実施するための形態】
【００２６】
図１は本発明で使用される一例の枚葉型の気相成長装置１を示す。気相成長装置１により、例えば、成長用基板となるシリコン単結晶ウェーハ（基板Ｗ）にシリコン単結晶膜（エピタキシャル層）を気相成長させて、シリコン単結晶エピタキシャルウェーハを製造する。
【００２７】
気相成長装置１は反応炉２を備え、反応炉２の内部には、サセプタ３と、サセプタ３を支持する支持部４と、支持部４を通じてサセプタ３を駆動させる駆動部５を備える。
【００２８】
サセプタ３は円盤状に形成され、サセプタ３の表面は凹状に窪み基板Ｗが載置されるポケット部３ａを備える。サセプタ３は、ポケット部３ａに基板Ｗが載置された状態で基板Ｗを略水平に支持する。
【００２９】
支持部４はサセプタ３の裏面側からサセプタ３を略水平に支持するように図示Ｙ字状に配置される。支持部４は、鉛直方向に伸びる支柱４ａと、支柱４ａの上部から放射状に延びて先端がサセプタ３の周縁部に接続するアーム４ｂを備える。
【００３０】
支柱４ａの下部には駆動部５が接続される。駆動部５は支柱４ａを上下動及び支柱４ａを軸線Ｏ（鉛直方向）回りに回転駆動させることが可能な、駆動手段（例えばモーター）として構成される。
【００３１】
反応炉２の外部には、反応炉２の左右にガス供給管６及びガス排出管７が配置されるとともに、反応炉２の上下にランプ８が配置される。
【００３２】
ガス供給管６は反応炉２の水平方向の一端側（図示左側）に位置し、反応炉２内に各種のガスを略水平に供給する。ガス供給管６は反応炉２内に通じるガス供給口６ａから反応炉２内にガスを供給する。ガス供給管６は、気相成長時にはガス供給口６ａから反応炉２内に気相成長ガスＧを供給する。気相成長ガスＧは、シリコン単結晶膜（エピタキシャル層）の原料となる原料ガスと、原料ガスを希釈するキャリアガスと、単結晶膜に導電型を付与するドーパントガスを含む。原料ガスとしてはトリクロロシラン（ＴＣＳ）等のシラン系ガス、キャリアガスとしては水素ガス、ドーパントガスとしては、Ｂ２Ｈ６ガス又はＰＨ３ガスが気相成長中に供給される。供給されるドーパントガスは、例えば、水素等の希釈ガスにより希釈された状態で反応炉２内に供給される。
【００３３】
ガス排出管７は反応炉２の水平方向の他端側（図示右側）に位置し、反応炉２内からガス（基板Ｗを通過した気相成長ガスＧ等）を排出する。ガス排出管７は、反応炉２内に供給された気相成長ガスＧ等をガス排出口７ａから反応炉２の外に排出する。
【００３４】
また、反応炉２の上下にはランプ８が複数配置される。ランプ８は、気相成長時に反応炉２内を加熱して反応炉２内に位置する基板Ｗ等の温度を調節する熱源である。
【００３５】
反応炉２内に供給されるドーパントガス及びドーパントガスを希釈する希釈ガスの流量は、図示しない制御部で制御される。制御部は、例えば、希釈ガスの流量又はドーパントガスの流量の少なくとも一方を連続的に変化させる。これによりエピタキシャル層を成長する際に反応炉２内に供給されるドーパントガスの濃度を連続的に減少させる。例えば、制御部は、ドーパントガスの流量を次第に減少させるとともに、希釈ガスの流量を次第に増加させることで反応炉２内に供給するドーパントガスの濃度を連続的に減少させる。
【００３６】
以上のように構成された気相成長装置１によりエピタキシャルウェーハを作製する場合には、先ず反応炉２内に基板Ｗを搬入してサセプタ３上に載置する。そして、基板Ｗに気相成長ガスＧ等を導入してエピタキシャル層を成長し、エピタキシャルウェーハを製造する。成長するエピタキシャル層としては、エピタキシャル層の裏面側（基板Ｗ側）から表面側に向かう厚さ方向で次第に抵抗率が大きくなるように傾斜した抵抗率分布となるように気相成長をする。
【００３７】
本実施態様では、エピタキシャル層を成長する際に供給するドーパントガスの供給工程を従来の工程から変更し、先に供給した高濃度側のドーパントガスが後から供給する低濃度側のドーパントガスに影響を与えるのを抑制する。以下、ドーパントガスを供給する供給工程の詳細（第１供給工程及び第２供給工程）を説明する。
【００３８】
例えば、サセプタ３上の基板Ｗに対して気相成長ガスＧを供給して基板Ｗ上に所定の厚さのエピタキシャル層を成長した後、その上に傾斜した抵抗率分布のエピタキシャル層を成長させる場合を例にして説明する。なお、傾斜した抵抗率分布となるエピタキシャル層を成長する時間を成長時間Ｔとし、下記で説明する第１供給工程の時間をｔ１、第２供給工程の時間をｔ２とする（ただし、成長時間Ｔ＝ｔ１＋ｔ２）。
【００３９】
先ず、気相成長ガスＧを反応炉２内に供給して基板Ｗ上に所定の厚さのエピタキシャル層の成長が開始すると、図示しない制御部が反応炉２内に供給するドーパントガスの濃度を制御する。具体的には、制御部が反応炉２内に供給するドーパントガスの流量を連続的に減少させるとともに、ドーパントガスを希釈する希釈ガスの流量を連続的に増加させる。それにより反応炉２内に供給されるドーパントガスの濃度が直線状又は対数状に連続的に減少し、所定の濃度まで濃度を減少させながらドーパントガスを供給する（第１供給工程）。第１供給工程は、時間ｔ１実施され、ドーパントガスの濃度は、第１供給工程の開始時点の濃度ｃ１から第１供給工程の終了時点の濃度ｃ２に到達すると第１供給工程が終了する。なお、時間ｔ１は成長時間Ｔより短い（ｔ１＜Ｔ）。
【００４０】
第１供給工程が終了すると、制御部は、第１供給工程に引き続き、第１供給工程の終了時点の濃度ｃ２でドーパントガスを反応炉２内に供給する（第２供給工程）。第２供給工程は、時間ｔ２実施され、第１及び第２供給工程により成長時間Ｔが終了し、抵抗率分布が傾斜したエピタキシャル層が得られる。第２供給工程の時間ｔ２は第１供給工程の時間ｔ１より短く（ｔ２＜ｔ１）、成長時間Ｔの大部分が第１供給工程の時間ｔ１となる。
【００４１】
第１供給工程のようにドーパントガスの濃度を高濃度側から低濃度側に連続的に変化させて供給すると、成長させるエピタキシャル層の周囲には、後から供給するドーパントガスより高濃度のドーパントガスが残留する。よって、後から供給するドーパントガスより高い濃度でドーパントガスがエピタキシャル層に取り込まれ、目標とする抵抗率分布から乖離してしまう。
【００４２】
そのため、第１供給工程の終了時点では、第１供給工程の終了時点でのドーパントの濃度ｃ２より高濃度のドーパントがエピタキシャル層に取り込まれる。そこで、第１供給工程に引き続いて第２供給工程で、第１供給工程の終了時点の濃度ｃ２のドーパントガスを供給する。こうすることで、反応炉２内のエピタキシャル層の周囲に濃度ｃ２のドーパントガスを残留させ、濃度ｃ２のドーパントガスをエピタキシャル層に取り込ませることが可能となる。その結果、第１供給工程の終了時点での濃度ｃ２でドーパントガスがエピタキシャル層に取り込まれ、先に供給したドーパントガスの影響を抑制した状態でエピタキシャルウェーハを製造することができる。
【００４３】
次に、第１及び第２供給工程の時間ｔ１、ｔ２の設定方法について説明する。時間ｔ１、時間ｔ２は、傾斜した抵抗率分布のエピタキシャル層の層厚等に応じて予め設定される成長時間Ｔに応じて設定される。最初に、時間ｔ１と時間ｔ２の加算時間が成長時間Ｔであり、時間ｔ１と時間ｔ２の組み合わせが異なる時間ｔ１と時間ｔ２のペアを複数設定する（設定工程）。例えば、ペア１として、時間ｔ１が成長時間Ｔから３０秒を減算した時間、時間ｔ２が３０秒の時間と設定する。次にペア２として、時間ｔ１が成長時間Ｔから６０秒を減算した時間、時間ｔ２が６０秒の時間と設定する。ペア３として、時間ｔ１が成長時間Ｔから９０秒を減算した時間、時間ｔ２が９０秒の時間と設定する。なお、設定するペアとしては３つに限らず、３つ以上でも２つでもよい。
【００４４】
ペア１〜３の設定後は、設定したペア１〜３の条件を用い、第１及び第２供給工程以外は、同様の条件にして、気相成長装置１により別途用意した複数（３つ）の基板Ｗにエピタキシャル層を成長する（第１成長工程）。次に成長させた複数のエピタキシャル層の厚さ方向（裏面側から表面側）の抵抗率分布を広がり抵抗測定器等を用いて測定し、ペア１〜３に対応する３種類の抵抗率分布（抵抗率プロファイル）を取得する（測定工程）。そして、目標とする（狙いとする）抵抗率分布を、取得した各抵抗率分布に重ね、目標に最も近い抵抗率分布を選ぶ。選んだ抵抗率分布と目標とする抵抗率分布が一致する場合には、選んだ抵抗率分布に対応する時間ｔ１、ｔ２が、第１及び第２供給工程の時間となる。選んだ抵抗率分布と目標とする抵抗率分布が一致しない場合には、目標とする抵抗率分布に最も近い抵抗率分布の時間ｔ１、ｔ２の前後で再度複数のペアを設定する。そして、再度設定した複数のペアから再び抵抗率分布を取得して最終的な時間ｔ１、ｔ２を決定する（調節工程）。
【００４５】
このような工程を経ることで、目標とする抵抗率分布に相当する抵抗率分布のエピタキシャル層を成長できる時間ｔ１、時間ｔ２を調節することが可能となる。
【実施例】
【００４６】
以下、実施例及び比較例を挙げて本発明を具体的に説明するが、これらは本発明を限定するものではない。
【００４７】
（実施例）
実施例では、気相成長装置１を用いてシリコン単結晶基板にシリコンエピタキシャル層を気相成長した。エピタキシャル層としては、層の裏面側（基板側）から表面側に向かう厚さ方向において、層厚が２５μｍの範囲で抵抗率が０．１оｈｍ−ｃｍから１０оｈｍ−ｃｍに直線状に傾斜する抵抗率分布を有することを目標とした。この目標とする抵抗率分布をもとに第１及び第２供給工程の時間ｔ１、ｔ２を調節したところ、第１供給工程の時間ｔ１が成長時間Ｔから８０秒を減算した時間となり、第２供給工程の時間ｔ２が８０秒となった。以上の条件でシリコン単結晶基板にシリコンエピタキシャル層を気相成長し、成長したエピタキシャル層の厚さ方向の抵抗率分布を広がり抵抗測定器で測定した。
【００４８】
（比較例）
比較例では、第２供給工程を実施しない代わりに、従来通りに第１供給工程を成長時間Ｔ実施し、それ以外は実施例と同様の条件で気相成長装置１によりエピタキシャル層を成長し、厚さ方向の抵抗率分布を測定した。
【００４９】
図２Ａは実施例、図２Ｂは比較例で成長したエピタキシャル層の抵抗率分布の測定結果を示すグラフである。各グラフの目標プロファイルは目標とする抵抗率分布を示し、抵抗率は広がり抵抗測定器で測定した抵抗率を示す。各グラフのレシピ設定からはドーパントの濃度の推移の概略が分かる。例えば、図２Ａからは、深さ２５μｍ時点から深さ６μｍの前後までドーパントガスの濃度を連続的に減少させ、深さ６μｍ前後からは、同一の濃度でドーパントガスを供給していることが分かる。図２Ｂからは、深さ２５μｍ時点から深さ０μｍまでドーパントガスの濃度を連続的に減少させてドーパントガスを供給していることが分かる。なお、図２Ｂでは、目標プロファイルと設定レシピのプロットが僅かにずれているが、これは両者を明示するためのものであり、実質的には目標プロファイルと設定レシピは同一のプロットとなる。
【００５０】
図２Ａに示すように実施例の抵抗率分布では、目標の抵抗率分布とほぼ同一となるのに対し、図２Ｂに示すように比較例の抵抗率分布では、エピタキシャル層の表面側において目標とする抵抗率から乖離する。これは、エピタキシャル成長開始直後に反応炉２内に供給した高濃度のドーパントガスの影響により抵抗率が目標値から乖離したと考えられる。
【００５１】
図２Ａに示すように実施例では、目標とする抵抗率分布とほぼ同一となる抵抗率分布が得られ、先に供給した高濃度のドーパントガスの影響を抑制できた。また、第１供給工程の開始時点のドーパントガスの濃度に対応するエピタキシャル層の抵抗率が０．１оｈｍ−ｃｍであり、第１供給工程の終了時点に対応する抵抗率が１０оｈｍ−ｃｍである。そのため、第１供給工程の終了時点のドーパントガスの濃度に対応する目標の抵抗率を第１供給工程の開始時点のドーパントガスの濃度に対応する目標の抵抗率で除法した値が１０を超える。この除法した値が１０を超えると、先に供給したドーパントガスの影響を効果的に抑制できる。
【００５２】
以上、本発明の実施例を説明したが、本発明はその具体的な記載に限定されることなく、例示した構成等を技術的に矛盾のない範囲で適宜組み合わせて実施することも可能であるし、またある要素、処理を周知の形態に置き換えて実施することもできる。
【符号の説明】
【００５３】
１  気相成長装置                  ２  反応炉
３  サセプタ                      ４  支持部
５  駆動部                        ６  ガス供給管
７  ガス排出管                    ８  ランプ
【図１】
0006330718.tif 000002
【図２Ａ】
0006330718.tif 000003
【図２Ｂ】
0006330718.tif 000004