(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
オプトエレクトロニクスアセンブリ（１００）において、
前記オプトエレクトロニクスアセンブリ（１００）は、基板（１０６）に面状光源（１０２，４０２，４０４，５０２，５０４，５０６）が設けられているオプトエレクトロニクス素子（１１０）を有しており、
前記面状光源（１０２，４０２，４０４，５０２，５０４，５０６）は、光（１０８，１１８）を放出するように構成されており、
前記基板（１０６）は、前記面状光源（１０２，４０２，４０４，５０２，５０４，５０６）から放出された前記光（１０８，１１８）に対して、少なくとも部分的に透過性に形成されており、
前記オプトエレクトロニクス素子（１１０）は、少なくとも１つの第１の主放出面（１１２）と、該第１の主放出面（１１２）に対向している、少なくとも１つの第２の主放出面（１１４）と、を有しており、
前記オプトエレクトロニクスアセンブリ（１００）は、更に、反射構造（１２０）を有しており、該反射構造（１２０）は、少なくとも部分的に、前記面状光源（１０２，４０２，４０４，５０２，５０４，５０６）から放出された前記光（１０８，１１８）の放射路内に配置されており、且つ、前記反射構造（１２０）に入射した前記光（１０８）の少なくとも一部を前記基板（１０６）に向かって反射することによって、前記面状光源の横方向にずらされた像を生じさせるように構成されており、
前記反射構造（１２０）及び前記オプトエレクトロニクス素子（１１０）は、相互に１ｍｍから１，０００ｍｍまでの範囲の距離（１２４）を置いて配置されている、
ことを特徴とする、オプトエレクトロニクスアセンブリ（１００）。
【請求項２】
前記面状光源（１０２，４０２，４０４，５０２，５０４，５０６）は、前記反射構造（１２０）によって反射された前記光（１１６）に対して、少なくとも部分的に透過性である、請求項１に記載のオプトエレクトロニクスアセンブリ（１００）。
【請求項３】
前記面状光源（１０２，４０２，４０４，５０２，５０４，５０６）は、片面で発光する素子として形成されている、請求項１又は２に記載のオプトエレクトロニクスアセンブリ（１００）。
【請求項４】
前記面状光源（１０２，４０２，４０４，５０２，５０４，５０６）は、少なくとも両方向に発光する素子として形成されている、請求項１又は２に記載のオプトエレクトロニクスアセンブリ（１００）。
【請求項５】
前記オプトエレクトロニクス素子（１１０）は、前記基板（１０６）に、少なくとも１つの第１の面状光源（１０２，４０２，４０４，５０２，５０４，５０６）と、少なくとも１つの第２の面状光源（１０２，４０２，４０４，５０２，５０４，５０６）と、を有しており、
前記第１の面状光源（１０２，４０２，４０４，５０２，５０４，５０６）は、第１の光を放出し、
前記第２の面状光源（１０２，４０２，４０４，５０２，５０４，５０６）は、第２の光を放出し、
前記第１の面状光源（１０２，４０２，４０４，５０２，５０４，５０６）は、前記第２の面状光源（１０２，４０２，４０４，５０２，５０４，５０６）の上において及び／又は隣において第１の距離を置いて、前記基板（１０６）に配置されている、請求項１乃至４のいずれか１項に記載のオプトエレクトロニクスアセンブリ（１００）。
【請求項６】
前記第１の光は、少なくとも１つの特性に関して、前記第２の光とは異なる、請求項５に記載のオプトエレクトロニクスアセンブリ（１００）。
【請求項７】
前記第１の面状光源（１０２，４０２，４０４，５０２，５０４，５０６）は、前記第１の光を前記第１の主放出面（１１２）へと放出するように形成されており、
前記第２の面状光源（１０２，４０２，４０４，５０２，５０４，５０６）は、前記第２の光を前記第２の主放出面（１１４）へと放出するように形成されている、請求項５又は６に記載のオプトエレクトロニクスアセンブリ（１００）。
【請求項８】
前記基板（１０６）は、入射した光に対して、部分的に反射性に形成されている、請求項１乃至７のいずれか１項に記載のオプトエレクトロニクスアセンブリ（１００）。
【請求項９】
前記反射構造（１２０）は、該反射構造（１２０）に入射した前記光（１０８）の少なくとも一部に対して、少なくとも部分的に透過性に形成されている、請求項１乃至８のいずれか１項に記載のオプトエレクトロニクスアセンブリ（１００）。
【請求項１０】
前記オプトエレクトロニクスアセンブリ（１００）は、更に、少なくとも部分的に透過性の構造（７０２）を有しており、該部分的に透過性の構造（７０２）は、前記オプトエレクトロニクスアセンブリ（１００）の像面（１３０）と、前記オプトエレクトロニクス素子（１１０）との間において、前記放出された光（１１８，１１６）の前記放射路内に配置されており、
前記部分的に透過性の構造（７０２）は、前記面状光源（１０２，４０２，４０４，５０２，５０４，５０６）及び／又は前記反射構造（１２０）から前記部分的に透過性の構造（７０２）に入射した光に対して、少なくとも部分的に透過性である、請求項１乃至９のいずれか１項に記載のオプトエレクトロニクスアセンブリ（１００）。
【請求項１１】
前記部分的に透過性の構造（７０２）は、前記面状光源（１０２，４０２，４０４，５０２，５０４，５０６）及び／又は前記反射構造（１２０）から前記部分的に透過性の構造（７０２）に入射した前記光の少なくとも一部を反射するように形成及び配置されている、請求項１０に記載のオプトエレクトロニクスアセンブリ（１００）。
【請求項１２】
前記面状光源（１０２，４０２，４０４，５０２，５０４，５０６）は、少なくとも１つの少なくとも部分的に反射性の電極（２１０，２１４）を有しており、
前記少なくとも部分的に反射性の電極（２１０，２１４）は、前記面状光源（１０２，４０２，４０４，５０２，５０４，５０６）から放出された前記光（１０８，１１８）を反射するように形成されており、
前記反射構造（１２０）は、前記少なくとも部分的に反射性の電極（２１０，２１４）及び前記少なくとも部分的に透過性の構造（７０２）を有しており、前記少なくとも部分的に透過性の構造（７０２）は、前記オプトエレクトロニクスアセンブリ（１００）の像面（１３０）と、前記オプトエレクトロニクス素子（１１０）との間において、放出された前記光（１１８，１１６）の放射路内に配置されており、
前記部分的に透過性の構造（７０２）は、前記面状光源（１０２，４０２，４０４，５０２，５０４，５０６）及び／又は前記少なくとも部分的に反射性の電極（２１０，２１４）から前記部分的に透過性の構造（７０２）に入射した光に対して少なくとも部分的に透過性であり、及び／又は、
前記部分的に透過性の構造（７０２）は、前記面状光源（１０２，４０２，４０４，５０２，５０４，５０６）及び／又は前記少なくとも部分的に反射性の電極（２１０，２１４）から前記部分的に透過性の構造（７０２）に入射した前記光の少なくとも一部を反射するように形成及び配置されており、
前記オプトエレクトロニクス素子（１１０）と前記反射構造（１２０）との間の距離は、前記オプトエレクトロニクス素子（１１０）の、前記少なくとも部分的に透過性の構造（７０２）に対する距離によって調整できる、
請求項１乃至９のいずれか１項に記載のオプトエレクトロニクスアセンブリ（１００）。
【請求項１３】
オプトエレクトロニクスアセンブリ（１００）を製造するための方法（３００）において、
該方法（３００）は、
基板（１０６）に面状光源（１０２，４０２，４０４，５０２，５０４，５０６）が設けられているオプトエレクトロニクス素子を形成するステップ（３０２）であって、
前記面状光源（１０２，４０２，４０４，５０２，５０４，５０６）を、光（１０８，１１８）を放出するように形成し、
前記基板（１０６）は、前記面状光源（１０２，４０２，４０４，５０２，５０４，５０６）から放出された前記光に対して、少なくとも部分的に透過性に形成されており、
少なくとも１つの第１の主放出面（１１２）と、該第１の主放出面（１１２）に対向している少なくとも１つの第２の主放出面（１１４）と、を有するように、前記オプトエレクトロニクス素子（１１０）を形成するステップと、
反射構造（１２０）を形成するステップ（３０４）であって、前記反射構造（１２０）に入射した前記光（１０８）の少なくとも一部を前記基板（１０６）に向かって反射して、反射された前記光（１１６）を、前記基板（１０６）を通過させて放出させることによって、前記面状光源の横方向にずらされた像を生じさせるように構成されている反射構造（１２０）を形成するステップ（３０４）と、
前記反射構造（１２０）が、少なくとも部分的に、前記面状光源（１０２，４０２，４０４，５０２，５０４，５０６）から放出された前記光（１０８，１１８）の放射路内に配置されているように、前記反射構造（１２０）を配置するステップ（３０６）と、
を備えており、
前記反射構造（１２０）及び前記オプトエレクトロニクス素子（１１０）を、相互に１ｍｍから１，０００ｍｍまでの範囲の距離（１２４）を置いて配置する、
ことを特徴とする、方法（３００）。
【請求項１４】
前記オプトエレクトロニクス素子（１１０）を形成する前記ステップ（３０４）は、面状光源（１０２）の、少なくとも１つの第１の面状光源（１０２）及び少なくとも１つの第２の面状光源（４０２，４０４）へのセグメント化を含む、請求項１３に記載の方法（３００）。
【請求項１５】
前記オプトエレクトロニクス素子（１１０）は、前記反射構造（１２０）に又は前記反射構造（１２０）上に接着剤フィルムを介して接着されている、請求項１３又は１４に記載の方法（３００）。
【請求項１６】
前記基板（１０６）は、前記反射構造（１２０）で反射された光を、前記面状光源（１０２，４０２，４０４，５０２，５０４，５０６）の隣において、前記基板（１０６）を通過させて放出させることができるように、前記面状光源（１０２，４０２，４０４，５０２，５０４，５０６）の隣に光学的に不活性な領域を有しており、これによって、横方向にずらされた、前記面状光源（１０２，４０２，４０４，５０２，５０４，５０６）の像が形成可能である、請求項１乃至１２のいずれか１項に記載のオプトエレクトロニクスアセンブリ（１００）。
【請求項１７】
前記面状光源（１０２，４０２，４０４，５０２，５０４，５０６）の隣の前記光学的に不活性な領域の割合は、５％から９０％までの範囲である、請求項１６に記載のオプトエレクトロニクスアセンブリ（１００）。
【請求項１８】
前記基板（１０６）は、前記反射構造（１２０）によって反射された前記光（１０８）に対して部分的に反射性に形成されている、請求項１乃至１２、１６、１７のいずれか１項に記載のオプトエレクトロニクスアセンブリ（１００）。
【請求項１９】
前記基板（１０６）は、部分透過性ミラーとして形成されている、請求項１乃至１２、１６乃至１８のいずれか１項に記載のオプトエレクトロニクスアセンブリ（１００）。
【請求項２０】
前記基板（１０６）は、前記面状光源（１０２，４０２，４０４，５０２，５０４，５０６）の隣に光学的に不活性な領域を有しており、これによって、前記反射構造（１２０）で反射された前記光を、前記面状光源（１０２，４０２，４０４，５０２，５０４，５０６）の隣において、前記基板（１０６）を通過させて放出させ、これによって、横方向にずらされた、前記面状光源（１０２，４０２，４０４，５０２，５０４，５０６）の像が形成可能である、請求項１３乃至１５のいずれか１項に記載の方法（３００）。
【請求項２１】
前記面状光源（１０２，４０２，４０４，５０２，５０４，５０６）の隣の前記光学的に不活性な領域の割合は、５％から９０％までの範囲である、請求項２０に記載の方法（３００）。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、オプトエレクトロニクスアセンブリ及びオプトエレクトロニクスアセンブリを製造するための方法に関する。
【０００２】
種々の用途において、例えば自動車の分野では、観察者に対して奥行き効果又は空間効果を示す平坦な面状光源が所望されている。
【０００３】
従来の面状光源は、空間効果又は奥行き効果を有していない。面状光源において空間効果を生じさせるためには、構成部材の奥行きが必要になるが、そのような奥行きは、平坦な構成部材が必要とされる多くの用途にとって、面状光源を不適切なものにする。
【０００４】
本発明の課題は、改善された奥行き効果又は空間効果を有しているオプトエレクトロニクスアセンブリを提供することである。これによって、平坦な有機発光ダイオード構造から、奥行き効果及び／又は３Ｄ効果を有している光パターン又は全般の照明を提供することができる。
【０００５】
この課題は、本発明の１つの態様によれば、オプトエレクトロニクス素子及び反射構造を有しているオプトエレクトロニクスアセンブリによって解決される。オプトエレクトロニクス素子は、基板に面状光源を有している。面状光源は、光を放出するように構成されている。基板は、面状光源から放出された光に対して、少なくとも部分的に透過性に形成されている。オプトエレクトロニクス素子は、少なくとも１つの第１の主放出面及び少なくとも１つの第２の主放出面を有している。反射構造は、少なくとも部分的に、面状光源から放出された光の放射路内に配置されており、且つ、反射構造に入射した光の少なくとも一部を基板に向かって反射して、それによって、反射された光を、基板を通過させて放出させるように構成されている。反射構造及びオプトエレクトロニクス素子は、相互に約１ｍｍから約１，０００ｍｍまでの範囲、例えば約３ｍｍから約１００ｍｍまでの範囲、例えば約５ｍｍから約７５ｍｍまでの範囲の距離を置いて配置されている。
【０００６】
第２の主放出面を、第１の主放出面に対向させることができる。基板及び反射構造は、光学キャビティを形成している。
【０００７】
基板を通過して放出された光は、面状光源から直接的に放出された光に対して横方向の距離を有している。これによって、続いて、横方向にずらされた、面状光源の像を形成することができ、それによって、像面においては、空間効果及び／又は奥行き効果が形成される。従って、反射された光のオプトエレクトロニクス素子の基板を介する放出、及び、オプトエレクトロニクス素子に対する反射構造の距離は、２次元の発光構造において３次元の効果を惹起させることができる。奥行き印象を、構造的な奥行きよりも数倍高くすることができる。
【０００８】
更に、基板は面状光源の隣に光学的に不活性な領域を有している。これによって、反射された光を、面状光源の隣において、基板を通過させて放出させることができる。面状光源からの直接的な放射の隣における面状光源の像は、オプトエレクトロニクスアセンブリの像面において、奥行き効果及び／又は空間効果を仲介する。面状光源の隣の光学的に不活性な領域の割合は、約５％から約９０％までの範囲、例えば約１０％から８０％までの範囲、例えば約２０％から約６０％までの範囲である。
【０００９】
１つの発展形態によれば、面状光源は、反射構造によって反射された光に対して、少なくとも部分的に透過性である。これによって、反射構造の構造を、面状光源を介して可視にすることができる。これによって、反射構造において表されるパターン又は反射構造において表される情報を像面において可視にすることができる。反射された光と面状光源において放出された光との重畳によって、奥行き効果を生じさせることができる。
【００１０】
１つの発展形態によれば、面状光源は、片面で発光する素子として形成されている。これによって、オプトエレクトロニクス素子の光束密度を簡単に高めることができ、例えば、面状光源がその効率に関して片面放出型へと最適化されることによって高めることができる。例えば、面状光源は高反射性の電極を有することができる。更にこれによって、アセンブリの観察時の高コントラスト及び明暗による光学効果を利用することができる。この効果は、アセンブリの考察時に更に角度に依存すると考えられる。何故ならば、傾斜によって発光面とミラー面との間の距離が変化するからである。
【００１１】
更に１つの発展形態によれば、面状光源は、少なくとも両方向に発光する素子として形成されている。これによって、単一の面状光源を用いて、及び／又は、基板の１つの面に設けられている１つ又は複数の面状光源を用いて、奥行き効果及び／又は空間効果を有しているオプトエレクトロニクスアセンブリを実現することができる。
【００１２】
１つの発展形態によれば、オプトエレクトロニクス素子は、基板に少なくとも１つの第１の面状光源及び少なくとも１つの第２の面状光源を有しており、この場合、第１の面状光源は第１の光を放出し、また、第２の面状光源は第２の光を放出する。第１の面状光源は、第２の面状光源の上において及び／又は隣において第１の距離を置いて、基板に配置されている。
【００１３】
第２の面状光源の隣において第１の距離を置いて配置されている第１の面状光源を、セグメント化された面状光源として構成することができる。このことは、オプトエレクトロニクスアセンブリにとっての新たな設計の可能性を実現し、例えば第１の面状光源及び第２の面状光源の空間効果及び／又は奥行き効果の相互作用、例えば空間的に作用する色勾配及び／又は強度勾配を実現する。更に、横方向においては、勾配が生じないセグメント化された効果も生じさせることができる。
【００１４】
第２の面状光源の上において第１の距離を置いて配置されている第１の面状光源を、背中合わせの配置構成として形成することができる。これによって、簡単に、片面で発光する面状光源を、両方向に放出を行うオプトエレクトロニクス素子において使用することができる。これによって、オプトエレクトロニクスアセンブリの製造を簡略化することができる。
【００１５】
１つの発展形態によれば、第１の光は、少なくとも１つの特性に関して、例えば色度座標、輝度、飽和及び／又はカラービニング及び／又は角度に依存する放射特性に関して、第２の光とは異なる。このことは、横方向において、オプトエレクトロニクスアセンブリの像面において、空間効果及び／又は奥行き効果に関する新たな設計の可能性を実現する。例えば、異なるカラービニングを有している、相互に並んで配置されている面状光源は、横方向の色勾配を表すことができる。択一的又は付加的に、上下に重なって配置されている面状光源では、簡単に、色勾配を空間効果又は奥行き効果において実現することができる。例えば、第１の光源は、直接的に、即ち光学的に活性に、第１の主放出面から放出される光を放出し、また、第２の光源は、反射構造によって反射され、基板を通過して放出される光を放出する。これによって、像面においては、第２の面状光源が、空間的により深い位置にある、第１の面状光源の見かけ上の像として、第１の面状光源とは異なる強度、色度座標、例えばカラービニング、及び／又は、偏光の光を有することができる。
【００１６】
第１の面状光源を、第１の光を第１の主放出面へと放出するように形成することができ、また、第２の面状光源を、第２の光を第２の主放出面へと放出するように形成することができる。これによって、簡単に、直接的に放出された光と反射されて放出された光の光学的な差異を実現することができる。つまり、直接的な放出を行う面状光源の像における光学的な差異を実現することができる。
【００１７】
更に１つの発展形態によれば、基板は、入射した光に対して、例えば反射構造によって反射された光に対して部分的に反射性に形成されており、例えば部分透過性ミラーとして形成されている。これによって、基板によって反射された光を、少なくとも部分的に反射構造に向かって反射させることができる。この光は、再び、反射構造によって基板に向かって偏向されて、部分的に基板を通過して放出される。この透過光は、１回だけ反射構造によって反射されて、基板を通過して放出された光よりも、面状光源に対して大きい距離を有している。従って、基板の反射によって、簡単に、オプトエレクトロニクスアセンブリの空間効果及び／又は奥行き効果を調整することができる。
【００１８】
１つの発展形態によれば、反射構造は、反射構造に入射した光の少なくとも一部に対して、少なくとも部分的に透過性に形成されている。例えば、反射構造は、部分透過性ミラーとして形成されている。これによって、オプトエレクトロニクスアセンブリを、簡単に、両面放出型のオプトエレクトロニクスアセンブリ及び／又は透明なオプトエレクトロニクスアセンブリとして形成することができる。
【００１９】
１つの発展形態によれば、オプトエレクトロニクスアセンブリは、更に、少なくとも部分的に透過性の構造を有している。少なくとも部分的に透過性の構造は、オプトエレクトロニクスアセンブリの像面と、オプトエレクトロニクス素子との間において、放出された光の放射路内に配置されている。部分的に透過性の構造は、面状光源及び／又は反射構造から部分的に透過性の構造に入射した光に対して少なくとも部分的に透過性である。少なくとも部分的に透過性の構造は、オプトエレクトロニクス素子のための、撓み又は引っ掻きからの機械的な保護部として機能する。部分的に透過性の構造は、例えば、オプトエレクトロニクス素子のカバーである。
【００２０】
１つの発展形態によれば、部分的に透過性の構造は、面状光源及び／又は反射構造から部分的に透過性の構造に入射した光の少なくとも一部を反射するように形成及び配置されている。部分的に透過性の構造は、例えば、部分透過性ミラー又は部分透明性ミラーとして形成されている。部分的に透過性の構造に入射した光は、基板及び／又は反射構造に向かって反射される。この光は、基板及び／又は反射構造から、再び少なくとも部分的に、少なくとも部分的に透過性の構造に向かって戻るように反射される。換言すれば、部分的に透過性の構造によって、光の一部が反射構造に向かって偏向される。この光は、再び、部分的に透過性の構造に向かって偏向されて、部分的に基板を通過して放出される。これによって、簡単に、オプトエレクトロニクスアセンブリの空間効果及び／又は奥行き効果を調整することができる。
【００２１】
１つの発展形態によれば、面状光源は、少なくとも１つの少なくとも部分的に反射性の電極を有している。少なくとも部分的に反射性の電極は、面状光源から放出された光を反射するように形成されている。少なくとも部分的に反射性の電極は、反射構造の少なくとも一部である。これによって、反射構造の簡単な形成が実現される。この場合、オプトエレクトロニクス素子と反射構造との間の距離は、オプトエレクトロニクス素子の、少なくとも部分的に透過性の構造に対する距離によって調整できるようになる。
【００２２】
上記の課題は、本発明の１つの別の態様によれば、オプトエレクトロニクスアセンブリを製造するための方法によって解決され、この方法は、基板に面状光源が設けられているオプトエレクトロニクス素子を形成するステップを備えている。面状光源は、光を放出するように形成されている。基板は、面状光源から放出された光に対して、少なくとも部分的に透過性に形成されている。オプトエレクトロニクス素子は、少なくとも１つの第１の主放出面及び少なくとも１つの第２の主放出面を有するように形成される。更に、本方法は、反射構造を形成するステップ及び反射構造を配置するステップを備えており、これらのステップは、以下のように行われる。即ち、反射構造が、少なくとも部分的に、面状光源から放出された光の放射路内に配置されており、また、反射構造が、反射構造に入射した光の少なくとも一部を基板に向かって反射することによって、反射された光が基板を通過して放出されるように構成されているように行われる。反射構造及びオプトエレクトロニクス素子は、相互に約１ｍｍから約１，０００ｍｍまでの範囲、例えば約３ｍｍから約１００ｍｍまでの範囲、例えば約５ｍｍから約７５ｍｍまでの範囲の距離を置いて配置されている。
【００２３】
第２の主放出面を、第１の主放出面に対向させることができる。反射構造を、１ｍｍから１，０００ｍｍまでの範囲の距離を置いてオプトエレクトニクス素子の上に配置することは、反射された光が面状光源の隣において可視となることを実現する。これによって、簡単に、空間効果又は奥行き効果を有している面状光源を実現することができる。
【００２４】
１つの発展形態によれば、オプトエレクトロニクス素子を形成するステップは、面状光源の、少なくとも１つの第１の面状光源及び少なくとも１つの第２の面状光源へのセグメント化を含んでおり、例えば面状光源の少なくとも１つの導電層のパターニングを含んでいる。これによって、簡単に、奥行き効果及び／又は空間効果を有している、複数の発光セグメントが設けられている面状光源を製造することができる。
【００２５】
１つの発展形態によれば、オプトエレクトロニクス素子は、反射構造に又は反射構造上に接着されている。
【００２６】
これによって、反射構造とオプトエレクトロニクス素子との間の距離を簡単に、機械的な振動に関して固定することができる。
【００２７】
本発明の複数の実施例が図面に示されており、また以下において本発明を詳細に説明する。
【図面の簡単な説明】
【００２８】
【図１】オプトエレクトロニクスアセンブリの１つの実施例の概略的な断面図を示す。
【図２】オプトエレクトロニクスアセンブリのオプトエレクトロニクス素子の１つの実施例の概略的な断面図を示す。
【図３】オプトエレクトロニクスアセンブリを製造するための方法の１つの実施例のフローチャートを示す。
【図４】オプトエレクトロニクスアセンブリのオプトエレクトロニクス素子の１つの発展形態の概略図を示す。
【図５】オプトエレクトロニクスアセンブリのオプトエレクトロニクス素子の１つの発展形態の概略図を示す。
【図６】オプトエレクトロニクスアセンブリの１つの発展形態の概略図を示す。
【図７】オプトエレクトロニクスアセンブリの１つの発展形態の概略図を示す。
【図８】オプトエレクトロニクスアセンブリの１つの発展形態の概略図を示す。
【図９】オプトエレクトロニクスアセンブリの１つの発展形態の概略図を示す。
【００２９】
以下の詳細な説明においては、添付の複数の図面を参照する。図面は本願の一部を成すものであり、また、具体的な説明を目的として、本発明を実施することができる特定の実施例が示されている。この点に関して、方向に関する用語、例えば「上方」、「下方」、「前方」、「後方」、「前に」、「後に」等は、説明する図面の向きを基準にして使用される。各実施例の構成要素は、種々異なる向きに位置決めすることができるので、上述の方向に関する用語は説明を目的として使用されるに過ぎず、何ら制限を課すものではない。本発明の保護の範囲から逸脱することなく、別の実施例を利用し、構造的又は論理的な変更を行うことができると解される。別個の記載がない限りは、本明細書において説明する種々の実施例の特徴を相互に組み合わせることができると解される。従って、以下の詳細な説明は、制限的な意味で解釈されるべきではなく、本発明の保護の範囲は添付の特許請求項の範囲によって規定される。
【００３０】
本明細書の枠内で、「結合されている」、「接続されている」並びに「連結されている」という語句は、直接的な結合及び間接的な結合、直接的な接続又は間接的な接続並びに直接的な結合又は間接的な結合を表すために使用されている。図面では、合理的な範囲において、同一の要素又は類似の要素には同一の参照符号を付している。
【００３１】
オプトエレクトロニクス素子は、１つ、２つ又はそれ以上のオプトエレクトロニクス素子を有することができる。オプションとして、オプトエレクトロニクスアセンブリもまた、１つ、２つ又はそれ以上の電子素子を有することができる。電子素子は、例えば、能動的な素子及び／又は受動的な素子を有することができる。能動的な電子素子は、例えば、計算ユニット、開ループ制御ユニット及び／又は閉ループ制御ユニット及び／又はトランジスタを有することができる。受動的な電子素子は、例えば、コンデンサ、抵抗、ダイオード又はコイルを有することができる。
【００３２】
オプトエレクトロニクス素子は、電磁放射を放出する素子又は電磁放射を吸収する素子であってよい。電磁放射を吸収する素子は、例えば、太陽電池又は光検出器であってよい。電磁放射を放出する素子は、種々の実施例において、電磁放射を放出する半導体素子であってよい、及び／又は、電磁放射を放出するダイオードとして、電磁放射を放出する有機ダイオードとして、電磁放射を放出するトランジスタとして、又は、電磁放射を放出する有機トランジスタとして形成することができる。放射は例えば、可視領域にある光、ＵＶ光及び／又は赤外線光であってよい。この関係において、電磁放射を放出する素子は、例えば発光ダイオード（light emitting diode，ＬＥＤ）として、有機発光ダイオードとして（organic light emitting diode，ＯＬＥＤ）として、発光トランジスタとして、又は、有機発光トランジスタとして形成することができる。発光素子は、種々の実施例において、集積回路の一部であってよい。更に、複数の発光素子を設けることができ、例えば共通のケーシングに収容することができる。
【００３３】
面状光源は、測光距離内では、拡散性に電磁放射を放出する平坦な面のように見え、例えば面状の有機発光ダイオード及び／又はスクリーンのように見える。オプトエレクトロニクスアセンブリの像面が測光距離外にある場合には、面状光源は点光源のように見える。１つの発展形態においては、面状光源が、特にスクリーンが第１の主放出面に対して測光距離よりも大きい距離を置いて配置されている場合には、点光源である。
【００３４】
面状光源から放出された電磁放射を、１つ又は複数の光学素子によって視準するか又は焦点合わせすることができ、その結果、指向性の放射が形成される。
【００３５】
次の構造、即ち、基板、反射構造、部分的に透過性の構造のうちの少なくとも１つが、面状光源から放出された光に対して部分的に透過性及び／又は反射性に形成されている。これによって、各構造に入射した電磁放射の一部は反射され、残りの部分は各構造を通過する。
【００３６】
上述の部分的に透過性の構造では、構造に入射した電磁放射の強度に関して、入射した電磁放射の波長、偏光及び／又は入射角に依存して、約１０％から約９５％までの範囲、例えば約２５％から約９０％までの範囲、例えば約４５％から約８５％までの範囲の割合が基板を通過する。
【００３７】
上述の部分的に反射性の構造では、構造に入射した電磁放射の強度に関して、入射した電磁放射の波長、偏光及び／又は入射角に依存して、約１０％から約９５％までの範囲、例えば約２５％から約９０％までの範囲、例えば約４５％から約８５％までの範囲の割合が構造によって反射される。
【００３８】
オプトエレクトロニクス素子の主放出面は、例えばオプトエレクトロニクス素子の放射全体の約１０％から約１００％までの範囲にある、放出された電磁放射の実質的な部分を放出する、オプトエレクトロニクス素子の面状の領域である。主放出面におけるオプトエレクトロニクス素子の領域は、光学的に活性であり、且つ、エレクトロルミネセンス層又はフォトルミネセンス層を有している。択一的に、主放出面におけるオプトエレクトロニクス素子の領域は、光学的に不活性であり、且つ、放出された電磁放射に関して半透明又は透明である。
【００３９】
反射構造又は少なくとも部分的に反射性の構造は、反射構造に入射した電磁放射を反射する。種々の発展形態においては、反射構造を、光学格子、金属製ミラー乃至ミラー、フォトニック結晶又は全反射性の界面として形成することができる。ミラー構造は、所定の波長領域及び／又は偏光の電磁放射に対して、完全に又は部分的に反射性に形成されており、例えば、部分透過性の反射構造として、例えばダイクロイックミラーとして形成されている。部分透過性の反射構造は、例えば、ビームスプリッタ及び／又はマジックミラーであってよい。部分透過性の反射構造は、例えば、衝突又は入射した電磁放射の一部を反射することができる。入射した電磁放射の残りの部分は、部分透過性の反射構造を通過する。反射構造の一方の面には、誘電性の層係を設けることができる。付加的に又は択一的に、他方の面には、反射低減性の層系が設けられている。誘電性の層係の代わりに、又はそれに加えて、高反射性のコーティングを使用することができ、例えば、非常に薄い金属コーティングを使用することができる。部分的に透過性であり、またそれと同時に部分的に反射性である構造は、例えば、ダイクロイックミラー、フォトニック結晶又はマジックミラーとして形成されている。換言すれば、上述の構造のうちの１つは、電磁放射の、例えば可視光の１つ又は複数の波長、偏光方向又は入射方向に対して、種々の透過性乃至透過率及び／又は反射係数乃至反射率を有することができる。
【００４０】
部分的に透過性の構造及び／又はオプトエレクトロニクス素子の基板は、種々の発展形態において、反射構造の上述の発展形態のうちの１つに即して形成されている。
【００４１】
図１には、オプトエレクトロニクスアセンブリの１つの実施例の概略的な断面図が示されている。
【００４２】
オプトエレクトロニクスアセンブリ１００は、オプトエレクトロニクス素子１１０及び反射構造１２０を有している。
【００４３】
オプトエレクトロニクス素子１１０は、第１の主放出面１１２及び第２の主放出面１１４を有している。第１の主放出面１１２は、第２の主放出面１１４に対向している。
【００４４】
オプトエレクトロニクス素子１１０は、基板１０６に少なくとも１つの面状光源１０２を有しており、これについては下記において更に詳細に説明する。面状光源１０２は、光を放出するように形成されており、これについては下記において更に詳細に説明する。基板１０６は、面状光源１０２から放出された光に対して少なくとも部分的に透過性に形成されている。
【００４５】
オプトエレクトロニクス素子１１０は、第１の光１１８が第１の主放出面１１２から放出され、且つ、第２の光１０８が第２の主放出面１１４から放出されるように形成されている。
【００４６】
更に、オプトエレクトロニクスアセンブリ１００は、入射した光に対する反射表面１２２又は反射層構造を備えている反射構造１２０を有している。
【００４７】
反射構造１２０は、第１の主放出面１１２及び／又は第２の主放出面１１４に対して、例えば図１において矢印１２４によって示唆されているように、所定の距離を置いて配置されている。第２の主放出面１１４と反射表面１２２との間の距離１２４によって、光学キャビティが形成される。光学キャビティにおいては、面状光源１０２によって第２の主放出面１１４から放出された光１０８の一部が案内される。
【００４８】
反射構造１２０は、オプトエレクトロニクス素子１１０に関して、面状光源１０２によって第１の主放出面１１２（例えば、図９を参照されたい）及び／又は第２の主放出面１１４から放出された光１０８が反射構造１２０に入射するように配置されている。この光１０８の少なくとも一部は、反射構造１２０において又は反射構造１２０によって、基板１０６に向かって反射されて、例えば図１において矢印１１６によって示唆されているように、基板１０６を通過して像面１３０へと放出される。
【００４９】
観察者は、オプトエレクトロニクス素子１１０によって第１の主放出面１１２から放出された光１１６，１１８を、像面１３０において認識することができる。
【００５０】
第２の主放出面１１４又は基板１０６と反射構造１２０との間の距離１２４は、反射構造１２０から放出された光１１６が、面状光源１０２から直接的に像面１３０に向かって放出された光１１８の隣で横方向にずらされて、像面１３０において可視となるように、例えば、面状光源１０２の二重像又はスメア像として可視となるように調整されている。主放出面１１２，１１４及び、オプトエレクトロニクス素子１１０と反射構造１２０との間の距離１２４によって、直接的に放出された光１１８と、反射構造１２０に入射した光１０８の反射を用いて、基板１０６を通過して放出された光１１６との間に距離が生じる。この距離によって、観察者にとっては、像面１３０においてオプトエレクトロニクスアセンブリ１００が３次元に見える。即ち、オプトエレクトロニクスアセンブリ１００の奥行き印象が生じる。従って、比較的薄い面状の光源１００としてのオプトエレクトロニクスアセンブリ１００において、観察者に対する空間効果の印象を形成することができる。このことは、オプトエレクトロニクスアセンブリ１００にとっての新たな設計のオプションを実現する。
【００５１】
換言すれば、面状光源１０２は、前述の距離１２４を置いて、基板１０６及び反射構造１２０が光学キャビティを形成するように、反射構造１２０の上に配置されている。択一的又は付加的に、光学キャビティは、面状光源１０２及び反射構造１２０を用いて形成されている。面状光源１０２と反射構造１２０との間の距離１２４は、空間効果又は奥行き効果を生じさせるために、オプトエレクトロニクスアセンブリの動作時に、面状光源１０２から放出された光を、反射構造１２０によって反射された光１１６と光学的に区別できるように設計されていることが望ましい。これによって、反射されて放出された光１１６を、直接的に放出された光１１８に対して空間的にずらして放出することができるようになり、それによって、空間効果及び／又は奥行き効果が実現される。
【００５２】
換言すれば、オプトエレクトロニクス素子１１０及び反射構造１２０を有しているオプトエレクトロニクスアセンブリ１００が提供される。オプトエレクトロニクス素子１１０は、基板１０６に面状光源１０２を有している。面状光源１０２は、光１０８，１１８を放出するように構成されている。基板１０６は、面状光源１０２から放出された光１０８，１１８に対して、少なくとも部分的に透過性に形成されている。オプトエレクトロニクス素子１１０は、少なくとも１つの第１の主放出面１１２と、この第１の主放出面１１２に対向している少なくとも１つの第２の主放出面１１４と、を有している。反射構造１２０は、少なくとも部分的に、面状光源１０２から放出された光１０８の放射路内に配置されており、且つ、反射構造１２０に入射した光１０８の少なくとも一部が基板１０６に向かって反射され、反射された光１１６が基板１０６を通過して放出されるように構成されている。反射構造１２０及びオプトエレクトロニクス素子１１０は、相互に約１ｍｍから約１，０００ｍｍまでの範囲、例えば約１ｍｍから約２００ｍｍまでの範囲、例えば約３ｍｍから約１００ｍｍまでの範囲、例えば約５ｍｍから約７５ｍｍまでの範囲の距離１２４を置いて配置されている。
【００５３】
オプトエレクトロニクス素子１１０の第１の主放出方向１１２は、反射構造１２０とは反対側に位置しており、また、オプトエレクトロニクス素子１１０の第２の主放出方向１１４は、反射構造１２０に対向している。
【００５４】
基板１０６は、ガラス担体であるか、又は、ガラス担体を有している。１つの発展形態においては、基板が反射性の層を有している。この層は、少なくとも、面状光源から放出された光に対して透過性である。従って、基板１０６を、部分的に透過性のミラーとして形成することができる。１つの発展形態においては、基板１０６が、入射光に対して、例えば反射構造１２０によって反射された光１１６に対して、部分的に反射性に形成されている。
【００５５】
例えば、基板１０６は、部分透過性ミラーとして形成されている。
【００５６】
１つの発展形態においては、反射構造１２０が、反射表面１２２を有している。反射表面１２２によって、面状光源１０２から放出されて入射した光１０８が反射される。択一的又は付加的に、反射構造１２０は、入射した光の少なくとも一部に対する反射層構造を有している。例えば、反射層構造は、フォトニック結晶として形成されている。
【００５７】
１つの発展形態においては、反射構造１２０が構造化部を有しており、例えば反射表面１２２又は反射層構造の、湾曲した、屈曲した、凹状の、凸状の、溝状の及び／又はレンズ状の構造化部を有している。例えば、反射構造は湾曲ミラーである。これによって、レンズ効果を有しているオプトエレクトロニクスアセンブリ１００を実現することができる。
【００５８】
１つの発展形態においては、反射構造１２０が、反射構造１２０に入射した光の少なくとも一部に対して、少なくとも部分的に透過性に形成されており、例えば部分透過性ミラーとして形成されている。
【００５９】
１つの発展形態においては、反射構造１２０、基板１０６及び／又は面状光源１０２は、反射された光１１６が、少なくとも１つの特性に関して、例えば色度座標、輝度、飽和及び／又はカラービニングに関して、面状光源１０２から直接的に放出された光１１８とは異なるように形成されている。反射構造１２０及び／又は基板は、このために、例えば、入射した光の波長を変える波長変換材料を有している。面状光源１０２は、例えば、両方向に発光するように形成されているか、又は、第１の面状光源と第２の面状光源の背中合わせの配置構成を有している。第１の光１１８は、背中合わせの配置構成の第１の面状光源から、又は、両方向性の面状光源の第１の面から第１の方向へと放出される。つまり、第１の光１１８は、直接的に像面１３０へと放出される。第２の光１０８は、背中合わせの配置構成の第２の面状光源から、又は、両方向性の面状光源の第２の面から第２の方向へと放出される。つまり、第２の光１０８は、反射構造１２０に向かって放出される。両方向性の面状光源又は背中合わせの配置構成を有している面状光源を、第１の光と第２の光が異なるように形成することができる。
【００６０】
図２には、オプトエレクトロニクスアセンブリ１００のオプトエレクトロニクス素子１１０の１つの実施例が概略的な断面図で示されている。オプトエレクトロニクス素子１１０は、図１に示したオプトエレクトロニクス素子１１０に十分に対応している。
【００６１】
オプトエレクトロニクス素子１１０は、ハーメチックシールされた基板１０６、活性領域２０６及び封止構造２２６を有している。
【００６２】
ハーメチックシールされた基板１０６は、支持体２０２及びバリア層２０４を有している。ハーメチックシールされた基板１０６は、電気活性領域２０６を支持しており、且つ、この電気活性領域２０６に対して有害な物質、例えば酸素及び／又は水蒸気の侵入から、電気活性領域２０６を保護する。
【００６３】
電気活性領域２０６は、第１の電極２１０、有機機能層構造２１２及び第２の電極２１４を有している。活性領域２０６は、電気活性領域２０６及び／又は光学活性領域２０６である。活性領域は、例えば、オプトエレクトロニクス素子１１０を駆動させるための電流が流れる、及び／又は、電磁放射が形成及び／又は吸収される、オプトエレクトロニクス素子１１０の領域である。
【００６４】
封止構造２２６は、第２のバリア薄層２０８、接続層２２２及びカバー２２４を有することができる。封止構造２２６は、電気活性領域２０６を取り囲んでおり、且つ、この電気活性領域２０６に対して有害な物質、例えば酸素及び／又は水蒸気の侵入から、電気活性領域２０６を保護する。
【００６５】
支持体２０２は、ガラス、石英及び／又は半導体材料を有しているか、又は、それらから形成されている。択一的又は付加的に、支持体は、プラスチックフィルム若しくは１つ又は複数のプラスチックフィルムを含むラミネートを有しているか、又は、それらから形成されている。プラスチックは、１種又は複数種のポリオレフィン（例えば高密度又は低密度を有するポリエチレン（ＰＥ）又はポリプロピレン（ＰＰ））、ポリ塩化ビニル（ＰＶＣ）、ポリスチレン（ＰＳ）、ポリエステル及び／又はポリカーボネート（ＰＣ）、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエーテルサルフォン（ＰＥＳ）及び／又はポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）である。択一的又は付加的に、支持体２０２は、金属、例えば銅、銀、金、白金、鉄、例えば金属化合物、例えば鋼を有しているか、又は、それらから形成されている。
【００６６】
支持体２０２を、電磁放射に対する導波体として形成することができ、例えば支持体２０２は、放出された電磁放射に関して透明又は半透明であってよい。
【００６７】
バリア層２０４は、活性領域２０６側及び／又は活性領域２０６側とは反対側において、支持体２０２に又は支持体２０２上に配置されている。
【００６８】
バリア層２０４は、以下の材料、即ち、酸化アルミニウム、酸化亜鉛、酸化ジルコニウム、酸化チタン、酸化ハフニウム、酸化タンタル、酸化ランタン、酸化ケイ素、窒化ケイ素、酸窒化ケイ素、酸化インジウムスズ、酸化インジウム亜鉛、アルミニウムドープされた酸化亜鉛、ポリ（ｐ−フェニレンテレフタルアミド）、ナイロン６６並びにそれらの混合物及び合金、のうちの１つを有しているか、又は、それらから形成されている。
【００６９】
バリア層２０４は、以下の方法、即ち、原子層堆積法（ＡＬＤ：Atomic Layer Deposition）、例えばプラズマアシスト原子層堆積法（ＰＥＡＬＤ：Plasma Enhanced Atomic Layer Deposition）又はプラズマレス原子層堆積法（ＰＬＡＬＤ：Plasma-less Atomic Layer Deposition）；化学気相成長法（ＣＶＤ：Chemical Vapor Deposition）、例えばプラズマアシスト気相成長法（ＰＥＣＶＤ：Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition）又はプラズマレス気相成長法（ＰＬＣＶＤ：Plasma-less Chemical Vapor Deposition）；又は択一的に、他の適切な堆積法を用いる方法、のうちの１つによって形成される。
【００７０】
バリア層２０４は、約０．１ｎｍ（原子層１つ分）から約１，０００ｎｍまでの層厚を有しており、例えば１つの構成によれば約１０ｎｍから１００ｎｍまでの層厚を有しており、例えば１つの構成によれば約４０ｎｍの層厚を有している。
【００７１】
支持体２０２が既にハーメチックシールされており、例えばガラス、金属又は金属酸化物を有しているか、又は、それらから形成されている場合には、バリア層２０４はオプションである。
【００７２】
第１の電極２１０は、アノード又はカソードとして形成されている。第１の電極２１０は、支持体２０２に及び／又はバリア層に、若しくは、支持体２０２上に及び／又はバリア層上に形成されている。
【００７３】
第１の電極２１０は、以下の導電性材料、即ち、金属、導電性透明酸化物（ＴＣＯ：transparent conductive oxide）；例えば導電性ポリマーと組み合わされており、且つ、例えばＡｇから成る、金属製のナノワイヤ及びナノ粒子から成るメッシュ；例えば導電性ポリマーと組み合わされているカーボンナノチューブから成るメッシュ；グラフェン粒子及びグラフェン層；半導体ナノワイヤから成るメッシュ；導電性ポリマー；遷移金属酸化物；及び／又はそれらの複合材料、のうちの１つを有しているか、又は、それらから形成されている。金属から形成されているか又は金属を有している第１の電極２１０は、以下の材料、即ちＡｇ，Ｐｔ，Ａｕ，Ｍｇ，Ａｌ，Ｂａ，Ｉｎ，Ｃａ，Ｓｍ又はＬｉ、並びに、それらの材料の化合物、組み合わせ又は合金、例えばＭｏ／Ａｌ／Ｍｏ；Ｃｒ／Ａｌ／Ｃｒ；Ａｇ／Ｍｇ，Ａｌ、のうちの１つを有しているか、又は、それらから形成されている。択一的又は付加的に、第１の電極２１０は、以下の材料、例えば金属酸化物：例えば酸化亜鉛、酸化スズ、酸化カドミウム、酸化チタン、酸化インジウム又は酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）、のうちの１つの透明導電性酸化物を有している。二元の金属酸素化合物、例えばＺｎＯ，ＳｎＯ2又はＩｎ2Ｏ3の他に、三元の金属酸素化合物、例えばＡｌＺｎＯ，Ｚｎ2ＳｎＯ4，ＣｄＳｎＯ3，ＺｎＳｎＯ3，ＭｇＩｎ2Ｏ4，ＧａＩｎＯ3，Ｚｎ2Ｉｎ2Ｏ5，又はＩｎ4Ｓｎ3Ｏ12又は種々の透明導電性酸化物の混合物もＴＣＯの群に属するものであり、また第１の電極２１０に使用することができる。更に、ＴＣＯは必ずしも化学量論的な組成に対応しているものではなく、更に、ｐドープ又はｎドープされていてもよい、若しくは、正孔伝導性（ｐ−ＴＣＯ）又は電子伝導性（ｎ−ＴＣＯ）であってよい。
【００７４】
第１の電極２１０は、１つの層を有しているか、若しくは、同一の材料又は異なる材料の複数の層から成る層積層体を有している。１つの発展形態においては、第１の電極２１０は、金属から成る層がＴＣＯから成る層の上に設けられるように層が組み合わされている層積層体から形成されているか、又はＴＣＯから成る層が金属から成る層の上に設けられるように層が組み合わされている層積層体から形成されている。組み合わせの１つの例は、酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）層の上に設けられている銀層（ＩＴＯ上のＡｇ）であるか、又はＩＴＯ−Ａｇ−ＩＴＯの多層である。
【００７５】
第１の電極は、１０ｎｍから５００ｎｍまでの範囲、例えば２５ｎｍ未満から２５０ｎｍまでの範囲、例えば５０ｎｍから１００ｎｍまでの範囲の層厚を有している。
【００７６】
第１の電極２１０は、第１の電気的な端子２１８と接続されており、この端子２１８には第１の電位を印加することができる。第１の電位は、素子外部のエネルギ源、例えば電流源又は電圧源から供給される。択一的に、第１の電位は導電性の支持体２０２に印加され、第１の電極２１０には支持体２０２を介して間接的に電位が供給される。第１の電位は、例えば、アース電位又は他の所定の基準電位である。
【００７７】
有機機能層構造２１２は、第１の電極２１０に又は第１の電極２１０上に形成されており、且つ、電気的に第１の電極２１０と第２の電極２１４との間に配置されている。
【００７８】
有機機能層構造２１２は、１つ、２つ又はそれ以上の数の有機機能層構造ユニット及び有機機能層構造ユニット間にある１つ、２つ又はそれ以上の数の中間層構造を有することができる。有機機能層構造２１２は、例えば、第１の有機機能層構造ユニット２１６、中間層構造２１８及び第２の有機機能層構造ユニット２２０を有することができる。
【００７９】
有機機能層構造２１２は、１つ又は複数の有機機能層構造を有しており、例えばそれぞれが同一に形成されているか又は異なるように形成されている、３個、４個、５個、６個、７個、８個、９個、１０個、又はそれどころかそれ以上の数の、例えば１５個以上の、例えば７０個の有機機能層構造を有している。
【００８０】
有機機能層構造２１２は、正孔注入層、正孔輸送層、エミッタ層、電子輸送層及び電子注入層を有している。有機機能層構造２１２の各層は、電極２１０と電極２１４との間において、動作時に電荷が第１の電極２１０から有機機能層構造ユニット２１２を通過して第２の電極２１４へと流れることができるように、またそれとは逆の順序で流れることができるように配置されており、例えば以下に説明する順序で配置されている。
【００８１】
有機機能層構造ユニット２１２には、上述の層のうちの１つ又は複数の層が設けられており、同じ層は物理的なコンタクトを有することができるか、又は、同じ層を単に電気的に相互に接続することができるか、又は、それどころか同じ層を電気的に相互に絶縁させて形成することができ、例えば相互に並べて形成することができる。上述の層の個々の層はオプションであってよい。
【００８２】
正孔注入層は、以下の材料、即ち、ＨＡＴ−ＣＮ，Ｃｕ（Ｉ）ｐＦＢｚ，ＭｏＯx，ＷＯx，ＶＯx，ＲｅＯx，Ｆ４−ＴＣＮＱ，ＮＤＰ−２，ＮＤＰ−９，ビ（ＩＩＩ）ｐＦＢｚ，Ｆ１６ＣｕＰｃ；ＮＰＢ（Ν，Ν’−ビス（ナフタレン−１−イル）−Ν，Ν’−ビス（フェニル）−ベンジジン）；ベータ−ＮＰＢ（Ν，Ν’−ビス（ナフタレン−２−イル）−Ν，Ν’−ビス（フェニル）−ベンジジン）；ＴＰＤ（Ν，Ν’−ビス（３−メチルフェニル）−Ν，Ν’−ビス（フェニル）−ベンジジン）；スピロ−ＴＰＤ（Ｎ，Ｎ’−ビス（３−メチルフェニル）−Ν，Ν’−ビス（フェニル）−ベンジジン）；スピロ−ＮＰＢ（Ν，Ν’−ビス（ナフタレン−１−イル）−Ν，Ν’−ビス（フェニル）−スピロ）；ＤＭＦＬ−ＴＰＤ（Ν，Ν’−ビス（３−メチルフェニル）−Ν，Ν’−ビス（フェニル）−９，９−ジメチル−フルオレン）；ＤＭＦＬ−ＮＰＢ（Ν，Ν’−ビス（ナフタレン−１−イル）−Ν，Ν’−ビス（フェニル）−９，９−ジメチル−フルオレン）；ＤＰＦＬ−ＴＰＤ（Ν，Ν’−ビス（３−メチルフェニル）−Ν，Ν’−ビス（フェニル）−９，９−ジフェニル−フルオレン）；ＤＰＦＬ−ＮＰＢ（Ν，Ν’−ビス（ナフタレン−１−イル）−Ν，Ν’−ビス（フェニル）−９，９−ジフェニル−フルオレン）；スピロ−ＴＡＤ（２，２’，７，７’−テトラキス（ｎ，ｎ−ジフェニルアミノ）−９，９’−スピロビフルオレン）；９，９−ビス［４−（Ｎ，Ｎ−ビス−ビフェニル−４−イル−アミノ）フェニル］−９Ｈ−フルオレン；９，９−ビス［４−（Ｎ，Ｎ−ビス−ナフタレン−２−イル−アミノ）フェニル］−９Ｈ−フルオレン；９，９−ビス［４−（Ν，Ν’−ビス−ナフタレン−２−イル−Ｎ，Ｎ’−ビス−フェニル−アミノ）−フェニル］−９Ｈ−フルオロ；Ν，Ν’−ビス（フェナントレン−９−イル）−Ν，Ν’−ビス（フェニル）−ベンジジン；２，７−ビス［Ｎ，Ｎ−ビス（９，９−スピロ−ビフルオレン−２−イル）−アミノ］−９，９−スピロ−ビフルオレン；２，２’−ビス［Ν，Ν−ビス（ビフェニル−４−イル）アミノ］９，９−スピロ−ビフルオレン；２，２’−ビス（Ｎ，Ｎ−ジ−フェニル−アミノ）９，９−スピロ−ビフルオレン；ジ−［４−（Ν，Ν−ジトリル−アミノ）−フェニル］シクロヘキサン；２，２’，７，７’−テトラ（Ｎ，Ｎ−ジ−トリル）アミノ−スピロ−ビフルオレン；及び／又はΝ，Ν，Ν’，Ν’−テトラ−ナフタレン−２−イル−ベンジジン、のうちの１つ又は複数を有しているか、又は、それらから形成されている。
【００８３】
正孔注入層は、約１０ｎｍから約１，０００ｎｍまでの範囲、例えば約３０ｎｍから約３００ｎｍまでの範囲、例えば約５０ｎｍから約２００ｎｍまでの範囲の層厚を有している。
【００８４】
正孔輸送層は、以下の材料、即ち、ＮＰＢ（Ν，Ν’−ビス（ナフタレン−１−イル）−Ν，Ν’−ビス（フェニル）−ベンジジン）；ベータ−ＮＰＢ（Ν，Ν’−ビス（ナフタレン−２−イル）−Ν，Ν’−ビス（フェニル）−ベンジジン）；ＴＰＤ（Ν，Ν’−ビス（３−メチルフェニル）−Ν，Ν’−ビス（フェニル）−ベンジジン）；スピロ−ＴＰＤ（Ｎ，Ｎ’−ビス（３−メチルフェニル）−Ν，Ν’−ビス（フェニル）−ベンジジン）；スピロ−ＮＰＢ（Ν，Ν’−ビス（ナフタレン−１−イル）−Ν，Ν’−ビス（フェニル）−スピロ）；ＤＭＦＬ−ＴＰＤ（Ν，Ν’−ビス（３−メチルフェニル）−Ν，Ν’−ビス（フェニル）−９，９−ジメチル−フルオレン）；ＤＭＦＬ−ＮＰＢ（Ν，Ν’−ビス（ナフタレン−１−イル）−Ν，Ν’−ビス（フェニル）−９，９−ジメチル−フルオレン）；ＤＰＦＬ−ＴＰＤ（Ν，Ν’−ビス（３−メチルフェニル）−Ν，Ν’−ビス（フェニル）−９，９−ジフェニル−フルオレン）；ＤＰＦＬ−ＮＰＢ（Ν，Ν’−ビス（ナフタレン−１−イル）−Ν，Ν’−ビス（フェニル）−９，９−ジフェニル−フルオレン）；スピロ−ＴＡＤ（２，２’，７，７’−テトラキス（ｎ，ｎ−ジフェニルアミノ）−９，９’−スピロビフルオレン）；９，９−ビス［４−（Ｎ，Ｎ−ビス−ビフェニル−４−イル−アミノ）フェニル］−９Ｈ−フルオレン；９，９−ビス［４−（Ｎ，Ｎ−ビス−ナフタレン−２−イル−アミノ）フェニル］−９Ｈ−フルオレン；９，９−ビス［４−（Ν，Ν’−ビス−ナフタレン−２−イル−Ｎ，Ｎ’−ビス−フェニル−アミノ）−フェニル］−９Ｈ−フルオロ；Ν，Ν’−ビス（フェナントレン−９−イル）−Ν，Ν’−ビス（フェニル）−ベンジジン；２，７−ビス［Ｎ，Ｎ−ビス（９，９−スピロ−ビフルオレン−２−イル）−アミノ］−９，９−スピロ−ビフルオレン；２，２’−ビス［Ν，Ν−ビス（ビフェニル−４−イル）アミノ］９，９−スピロ−ビフルオレン；２，２’−ビス（Ｎ，Ｎ−ジ−フェニル−アミノ）９，９−スピロ−ビフルオレン；ジ−［４−（Ν，Ν−ジトリル−アミノ）−フェニル］シクロヘキサン；２，２’，７，７’−テトラ（Ｎ，Ｎ−ジ−トリル）アミノ−スピロ−ビフルオレン；及びΝ，Ν，Ν’，Ν’−テトラ−ナフタレン−２−イル−ベンジジン、第三級アミン、カルバゾール誘導体、導電性ポリアニリン及び／又はポリエチレンジオキシチオフェン、のうちの１つ又は複数を有しているか、又は、それらから形成されている。
【００８５】
正孔輸送層は、約５ｎｍから約５０ｎｍまでの範囲、例えば約１０ｎｍから約３０ｎｍまでの範囲、例えば約２０ｎｍの層厚を有している。
【００８６】
エミッタ層は、有機ポリマー、有機オリゴマー、有機モノマー、有機の非ポリマー小分子（「small molecule」）又はそれらの材料の組み合わせを有しているか、又は、それらから形成されている。オプトエレクトロニクス素子１１０は、エミッタ層中に、以下の材料、即ち、有機化合物又は有機金属化合物、例えば、ポリフルオレン、ポリチオフェン及びポリフェニレン（例えば、２−又は２，５−置換されたポリ−ｐ−フェニレンビニレン）の誘導体、並びに、非ポリマーエミッタとしての、金属錯体、例えばイリジウム錯体、例えば、青色燐光発光ＦＩｒＰｉｃ（ビス（３，５−ジフルオロ−２−（２−ピリジル）フェニル−（２−カルボキシピリジル）−イリジウム  ＩＩＩ）、緑色燐光発光Ｉｒ（ｐｐｙ）3（トリス（２−フェニルピリジン）イリジウム  ＩＩＩ）、赤色燐光発光Ｒｕ（ｄｔｂ−ｂｐｙ）3*２（ＰＦ6）（トリス［４，４’−ジ−テルト−ブチル−（２，２’）−ビピリジン］ルテニウム（ＩＩＩ）錯体）並びに青色蛍光発光ＤＰＡＶＢｉ（４，４−ビス［４−（ジ−ｐ−トリルアミノ）スチリル］ビフェニル）、緑色蛍光発光ＴＴＰＡ（９，１０−ビス［Ｎ，Ｎ−ジ−（ｐ−トリル）−アミノ］アントラセン）及び赤色蛍光発光ＤＣＭ２（４−ジシアノメチレン）−２−メチル−６−ジュロリジル−９−エニル−４Ｈ−ピラン）、のうちの１つ又は複数を有しているか、又は、それらから形成されている。その種の非ポリマーエミッタを、例えば、熱蒸発によって堆積させることができる。更に、例えば湿化学式の方法を用いて、例えばスピンオン堆積法（スピンコーティングとも称される）を用いて堆積させることができるポリマーエミッタを使用することができる。エミッタ材料は、適切なやり方で、マトリクス材料に埋め込むことができ、例えば、工業用セラミックス又はポリマー、例えばエポキシ；又はシリコーンに埋め込むことができる。
【００８７】
エミッタ層は、単色又は多色（例えば青色及び黄色、又は、青色、緑及び赤）を放出するエミッタ材料を有している。択一的に、エミッタ層は複数の部分層を有しており、それらの部分層は相互に異なる色の光を放出する。種々の色を混合することによって、白色の色印象を有する光が放出される。択一的に、それらの層によって形成された一次放射の放射路内に発光体（変換材料）を配置し、この発光体が一次放射を少なくとも部分的に吸収して、別の波長の二次放射を放出することもでき、それによって、（まだ白色ではない）一次放射から、その一次放射と二次放射とを組み合わせることによって、白色の色印象を生じさせることができる。
【００８８】
エミッタ層は、約５ｎｍから約５０ｎｍまでの範囲、例えば約１０ｎｍから約３０ｎｍまでの範囲、例えば約２０ｎｍの層厚を有している。
【００８９】
電子輸送層は、以下の材料、即ち、ＮＥＴ−１８；２，２’，２’’−（１，３，５−ベンゼントリイル）−トリス（１−フェニル−１−Ｈ−ベンゾイミダゾール）；２−（４−ビフェニリル）−５−（４−テルト−ブチルフェニル）−１，３，４−オキサジアゾール，２，９−ジメチル−４，７−ジフェニル−１，１０−フェナントロリン（ＢＣＰ）；８−ヒドロキシキノリノラト−リチウム，４−（ナフタレン−１−イル）−３，５−ジフェニル−４Ｈ−１，２，４−トリアゾール；１，３−ビス［２−（２，２’−ビピリジン−６−イル）−１，３，４−オキサジアゾ−５−イル］ベンゼン；４，７−ジフェニル−１，１０−フェナントロリン（ＢＰｈｅｎ）；３−（４−ビフェニリル）−４−フェニル−５−テルト−ブチルフェニル−１，２，４−トリアゾール；ビス（２−メチル−８−キノリノラト）−４−（フェニルフェノラト）アルミニウム；６，６’−ビス［５−（ビフェニル−４−イル）−１，３，４−オキサジアゾ−２−イル］−２，２’−ビピリジル；２−フェニル−９，１０−ジ（ナフタレン−２−イル）−アントラセン；２，７−ビス［２−（２，２’−ビピリジン−６−イル）−１，３，４−オキサジアゾ−５−イル］−９，９−ジメチルフルオレン；１，３−ビス［２−（４−テルト−ブチルフェニル）−１，３，４−オキサジアゾ−５−イル］ベンゼン；２−（ナフタレン−２−イル）−４，７−ジフェニル−１，１０−フェナントロリン；２，９−ビス（ナフタレン−２−イル）−４，７−ジフェニル−１，１０−フェナントロリン；トリス（２，４，６−トリメチル−３−（ピリジン−３−イル）フェニル）ボラン；１−メチル−２−（４−（ナフタレン−２−イル）フェニル）−１Ｈ−イミダゾ［４，５−ｆ］［１，１０］フェナントロリン；フェニル−ジピレニルホスフィン  オキシド；ナフタレンテトラカルボン酸二無水物又はそのイミド；ペリレンテトラカルボン酸二無水物又はそのイミド；及びシラシクロペンタジエン単位を有するシロレンを基礎とする物質、のうちの１つ又は複数を有しているか、又は、それらから形成されている。
【００９０】
電子輸送層は、約５ｎｍから約５０ｎｍまでの範囲、例えば約１０ｎｍから約３０ｎｍまでの範囲、例えば約２０ｎｍの層厚を有している。
【００９１】
電子注入層は、以下の材料、即ち、ＮＤＮ−２６，ＭｇＡｇ，Ｃｓ2ＣＯ3，Ｃｓ3ＰＯ4，Ｎａ，Ｃａ，Ｋ，Ｍｇ，Ｃｓ，Ｌｉ，ＬｉＦ；２，２’，２’’−（１，３，５−ベンゼントリイル）−トリス（１−フェニル−１−Ｈ−ベンゾイミダゾール）；２−（４−ビフェニリル）−５−（４−テルト−ブチルフェニル）−１，３，４−オキサジアゾール，２，９−ジメチル−４，７−ジフェニル−１，１０−フェナントロリン（ＢＣＰ）；８−ヒドロキシキノリノラト−リチウム，４−（ナフタレン−１−イル）−３，５−ジフェニル−４Ｈ−１，２，４−トリアゾール；１，３−ビス［２−（２，２’−ビピリジン−６−イル）−１，３，４−オキサジアゾ−５−イル］ベンゼン；４，７−ジフェニル−１，１０−フェナントロリン（ＢＰｈｅｎ）；３−（４−ビフェニリル）−４−フェニル−５−テルト−ブチルフェニル−１，２，４−トリアゾール；ビス（２−メチル−８−キノリノラト）−４−（フェニルフェノラト）アルミニウム；６，６’−ビス［５−（ビフェニル−４−イル）−１，３，４−オキサジアゾ−２−イル］−２，２’−ビピリジル；２−フェニル−９，１０−ジ（ナフタレン−２−イル）−アントラセン；２，７−ビス［２−（２，２’−ビピリジン−６−イル）−１，３，４−オキサジアゾ−５−イル］−９，９−ジメチルフルオレン；１，３−ビス［２−（４−テルト−ブチルフェニル）−１，３，４−オキサジアゾ−５−イル］ベンゼン；２−（ナフタレン−２−イル）−４，７−ジフェニル−１，１０−フェナントロリン；２，９−ビス（ナフタレン−２−イル）−４，７−ジフェニル−１，１０−フェナントロリン；トリス（２，４，６−トリメチル−３−（ピリジン−３−イル）フェニル）ボラン；１−メチル−２−（４−（ナフタレン−２−イル）フェニル）−１Ｈ−イミダゾ［４，５−ｆ］［１，１０］フェナントロリン；フェニル−ジピレニルホスフィン  オキシド；ナフタレンテトラカルボン酸二無水物又はそのイミド；ペリレンテトラカルボン酸二無水物又はそのイミド；及びシラシクロペンタジエン単位を有するシロールを基礎とする物質、のうちの１つ又は複数を有しているか、又は、それらから形成されている。
【００９２】
電子注入層は、約５ｎｍから約２００ｎｍまでの範囲、例えば約２０ｎｍから約５０ｎｍまでの範囲、例えば約３０ｎｍの層厚を有している。
【００９３】
２つ又はそれ以上の有機機能層構造を有している有機機能層構造２１２では、第２の有機機能層構造ユニットを、第１の有機機能層構造ユニットの上又は隣に形成することができる。電気的には、有機機能層構造ユニットの間に、中間層構造が形成されている。
【００９４】
中間層構造は、中間電極として形成されており、例えば、第１の電極２１０の構成のうちの１つに即して形成されている。中間電極を、外部の電圧源と電気的に接続することができる。外部の電圧源は、中間電極に第３の電位を供給する。しかしながら択一的に、中間電極が浮遊電位を有する場合には、中間電極は外部の電気的な端子を有していない。
【００９５】
択一的に、中間層構造は、キャリアペア形成層構造（電荷発生層、ＣＧＬ：Charge Generation Layer）として形成されている。キャリアペア形成層構造は、１つ又は複数の電子伝導性のキャリアペア形成層及び１つ又は複数の正孔伝導性のキャリアペア形成層を有している。電子伝導性のキャリアペア形成層及び正孔伝導性のキャリアペア形成層を、それぞれ、マトリクスにおけるドーパント又は固有伝導性の材料から形成することができる。キャリアペア形成層構造は、電子伝導性のキャリアペア形成層及び正孔伝導性のキャリアペア形成層のエネルギレベルに関して、電子伝導性のキャリアペア形成層と正孔伝導性のキャリアペア形成層との境界面において、電子と正孔の分離を行えるように形成されていることが望ましい。キャリアペア形成層構造は、更に、隣接する層との間に拡散バリアを有している。
【００９６】
オプトエレクトロニクス素子１１０は、オプションとして、例えば、１つ又は複数のエミッタ層に若しくは１つ又は複数のエミッタ層上に配置されているか、又は、１つ又は複数の電子輸送層に若しくは１つ又は複数の電子輸送層上に配置されている、別の有機機能層を有している。別の有機機能層は、例えば、内部又は外部の入力結合構造／出力結合構造であってよく、それらの入力結合構造／出力結合構造は、オプトエレクトロニクス素子１１０の機能、従って効率を更に改善する。
【００９７】
第２の電極２１４は、第１の電極２１０の構成のうちの１つに即して形成されており、この場合、第１の電極２１０及び第２の電極２１４を同一に形成することもできるし、異なるように形成することもできる。第２の電極２１４は、アノードとして、即ち正孔注入電極として形成されているか、又は、カソードとして、即ち電子注入電極として形成されている。
【００９８】
第２の電極２１４は、第２の電気的な端子を有しており、この第２の電気的な端子には第２の電位を印加することができる。第２の電位は、第１の電位及び／又はオプションとしての第３の電位と同じエネルギ源から供給されるか、又はそれとは異なるエネルギ源から供給される。第２の電位は、第１の電位及び／又はオプションとしての第３の電位とは異なる。第２の電位は、例えば、第１の電位との差が約１．５Ｖから約２０Ｖまでの範囲の値、例えば約２．５Ｖから約１５Ｖまでの範囲の値、例えば約３Ｖから約１２Ｖまでの範囲の値を示すような値を有している。
【００９９】
バリア薄層２０８は、上述のバリア層２０４の構成のうちの１つに即して形成されている。
【０１００】
更に、種々の実施例においてバリア薄層２０８を完全に省略してもよいことを言及しておく。そのような構成においては、封止構造２２６が別のバリアを、例えばカバー２２４、例えばキャビティガラス封止部又は金属封止部を有しており、これによって、バリア薄層２０８がオプションとなる。
【０１０１】
更に付加的に、１つ又は複数の入力結合層／出力結合層もオプトエレクトロニクス素子１１０に形成されており、例えば、外部の出力結合フィルムが、支持体２０２に又は支持体２０２上に形成されているか（図示せず）、又は、内部の出力結合層（図示せず）がオプトエレクトロニクス素子１１０の層断面に形成されている。入力結合層／出力結合層は、マトリクスと、その内部に分散された、電磁放射に関する散乱中心とを有しており、この場合、入力結合層／出力結合層の平均屈折率は、電磁放射を放出する層の平均屈折率よりも大きいか又は小さい。更に付加的に、（例えば第２のバリア薄層２０８と組み合わされた）１つ又は複数の反射防止層を、オプトエレクトロニクス素子１１０に設けることができる。
【０１０２】
封止構造は、更に、カバー２２４及び／又は接続層２２２を有している。１つの発展形態においては、カバー２２４が接続層２２２を用いて、活性領域２０６、基板１０６及び／又はバリア薄層２０８と接続されている。例えばカバー２２４が、例えばプラズマ溶射法によって形成されるガラス製のカバー２２４が第２のバリア薄層２０８に直接的に形成される場合には、接続層２２２はオプションである。
【０１０３】
接続層２２２は、接着剤又はラッカから形成されている。１つの発展形態においては、透明な材料から成る接続層２２２が、電磁放射を散乱させる粒子、例えば光散乱性の粒子を有している。これによって、接続層２２２は散乱層として機能し、このことは、色相の歪み及び出力結合効率の改善に繋がる。光散乱性の粒子として、誘電性の散乱粒子、例えば金属酸化物、例えば酸化ケイ素（ＳｉＯ2）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、酸化ジルコニウム（ＺｒＯ2）、酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）又は酸化インジウム亜鉛（ＩＺＯ）、酸化ガリウム（Ｇａ2Ｏx）、酸化アルミニウム又は酸化チタンから成る、誘電性の散乱粒子を設けることができる。接続層２２２のマトリクスの有効屈折率とは異なる屈折率を有している限りでは、その他の粒子、例えば気泡、アクリラート又はガラス中空球体も適していると考えられる。更に、例えば、金属製のナノ粒子、金属、例えば金、銀、鉄ナノ粒子等を光散乱性の粒子として設けることができる。
【０１０４】
接続層２２２は、１μｍよりも大きい層厚、例えば数μｍの層厚を有している。
【０１０５】
１つの発展形態においては、第２の電極２１４と接続層２２２との間に、例えば約３００ｎｍから約１．５μｍまでの範囲の層厚、例えば約５００ｎｍから約１μｍまでの範囲の層厚を有している電気絶縁層（図示せず）、例えばＳｉＮが更に形成されており、これによって電気的に不安定な材料を、例えば湿化学式のプロセスの間に保護することができる。
【０１０６】
更に、オプトエレクトロニクス素子１１０は、いわゆるゲッタ層又はゲッタ構造を有することができ、例えば、横方向にパターニングされたゲッタ層（図示せず）を有することができる。ゲッタ層は、電気活性領域に対して有害な物質、例えば水蒸気及び／又は酸素を吸収及び捕捉するような材料を有しているか、又は、そのような材料から形成されている。ゲッタ層は、例えばゼオライト誘導体を有しているか、又は、ゼオライト誘導体から形成されている。ゲッタ層は、約１μｍよりも大きい層厚、例えば数μｍの層厚を有している。
【０１０７】
接続層２２２に又は接続層２２２上に、カバー２２４が形成又は配置されている。カバー２２４は、接続層２２２によって電気活性領域２０６と接続され、電気活性領域２０６を有害な物質から保護する。カバー２２４は、例えば、ガラスカバー２２４、金属フィルムカバー２２４又はシーリングされたプラスチックフィルムカバー２２４である。ガラスカバー２２４は、例えば、フリット結合（英語：glass frit bonding／glass soldering／seal glass bonding）によって、オプトエレクトロニクス素子１１０の幾何学的な縁部領域における従来のガラスはんだを用いて結合されている。
【０１０８】
１つの発展形態においては、面状光源が有機発光ダイオードとして形成されている。２つ又はそれ以上の面状光源を備えているオプトエレクトロニクスアセンブリでは、面状光源として構成されている有機発光ダイオードは、ＯＬＥＤセグメントとも称される。
【０１０９】
図３には、オプトエレクトロニクスアセンブリ１００、例えば上記において説明したオプトエレクトロニクスアセンブリを製造するための方法３００の１つの実施例のフローチャートが示されている。
【０１１０】
この方法は、光１１８，１１６を像面１３０へと放出するように構成されており、且つ、奥行き効果又は空間効果を有している、オプトエレクトロニクスアセンブリを形成するために用いられる。
【０１１１】
第１のステップ３０２においては、基板１０６に少なくとも１つの面状光源１０２が設けられているオプトエレクトロニクス素子１１０が形成される。
【０１１２】
第２のステップ３０４においては、反射構造１２０が形成される。
【０１１３】
第３のステップ３０６においては、反射構造１２０が、所定の距離１２４を置いて、少なくとも部分的にオプトエレクトロニクス素子１１０の放射路内に配置され、それによって、面状光源から放出された光は少なくとも部分的に反射表面によって反射されて、基板を通過して放出される。
【０１１４】
換言すれば、オプトエレクトロニクスアセンブリ１００を製造するための方法３００が提供される。この方法は、基板１０６に面状光源１０２が設けられているオプトエレクトロニクス素子１１０を形成するステップ３０２を備えており、この際、面状光源は、光１０８，１１８を放出するように形成され、基板１０６は、面状光源１０２から放出された光に対して少なくとも部分的に透過性に形成されており、また、オプトエレクトロニクス素子１１０は、少なくとも１つの第１の主放出面１１２と、この第１の主放出面１１２に対向している、少なくとも１つの第２の主放出面１１４と、を有するように形成される。更に、この方法３００は、反射構造１２０を形成するステップ３０４及び反射構造１２０を配置するステップ３０６を備えており、これらのステップは、以下のように行われる。即ち、反射構造１２０が、少なくとも部分的に、面状光源１０２から放出された光１０８の放射路内に配置されており、また、反射構造１２０が、反射構造１２０に入射した光１０８の少なくとも一部を基板１０６に向かって反射することによって、反射された光１１６が基板１０６を通過して放出されるように構成されているように行われる。反射構造１２０及びオプトエレクトロニクス素子１１０は、相互に約１ｍｍから約１，０００ｍｍまでの範囲、例えば約３ｍｍから約１００ｍｍまでの範囲、例えば約５ｍｍから約７５ｍｍまでの範囲の距離１２４を置いて配置される。
【０１１５】
換言すれば、基板１０６及び反射構造１２０及び／又は部分的に透過性の構造７０２が光学キャビティを形成するように、面状光源１０２は、距離１２４を置いて、反射構造１２０の上に配置される。
【０１１６】
１つの発展形態においては、オプトエレクトロニクス素子１１０を形成するステップ３０２が、面状光源１０２の、少なくとも１つの第１の面状光源１０２及び少なくとも１つの第２の面状光源４０２，４０４へのセグメント化を含んでおり、例えば面状光源１０２の少なくとも１つの導電層のパターニングを含んでいる。
【０１１７】
１つの発展形態においては、オプトエレクトロニクス素子１１０が、反射構造１２０に又は反射構造１２０上に接着される。１つの発展形態においては、オプトエレクトロニクス素子１１０と反射構造１２０との間の放射路内に接着剤フィルムが配置される。接着剤フィルムは、光学キャビティにおける光１０８の光路長を拡大する。択一的に、オプトエレクトロニクス素子１１０と反射構造１２０との間の放射路の領域は接着剤フィルムを含んでいない。この場合、オプトエレクトロニクス素子は、１つ又は複数の光学的に不活性な領域において、反射構造１２０に貼り付けられている。
【０１１８】
図２において説明した有機発光ダイオード２０６に即して形成される２つ又はそれ以上の面状光源を備えているオプトエレクトロニクス素子は、第２の電極２１４及び／又は有機機能層構造２１２のパターニングによって、２つ又はそれ以上の面状光源をセグメント化することができる、若しくは、２つ又はそれ以上の面状光源を形成することができる。
【０１１９】
１つの発展形態においては、面状光源１０２が、反射構造１２０によって反射された光１１６に対して少なくとも部分的に透過性に形成される。
【０１２０】
１つの発展形態においては、面状光源１０２が、片面で発光する素子として形成される。択一的に、面状光源１０２は、少なくとも両方向に発光する素子として形成される。
【０１２１】
１つの発展形態においては、基板１０６に少なくとも１つの第１の面状光源１０２及び少なくとも１つの第２の面状光源４０２，４０４，５０２，５０４，５０６が形成される。これについては下記において更に詳細に説明する。第１の面状光源１０２は第１の光を放出し、また、第２の面状光源４０２，４０４は第２の光を放出する。第１の面状光源１０２は、第２の面状光源４０２，４０４，５０２，５０４，５０６の上において及び／又は隣において第１の距離４０６を置いて、基板１０６に形成される。横方向の距離は、像面１３０における面状光源の区別を実現する。１つの発展形態においては、第１の面状光源１０２が基板１０６の第１の領域において、第２の面状光源４０２，４０４に対して横方向の距離４０６を有するように、且つ、基板１０６の第２の領域において、第２の面状光源４０２，４０４と物理的、電気的及び／又は光学的に接続されているように、オプトエレクトロニクス素子が形成される。例えば図４及び図５も参照されたい。
【０１２２】
１つの発展形態においては、第１の光が少なくとも１つの特性に関して、例えば、色度座標、輝度、飽和及び／又はカラービニングに関して、第２の光と異なるように、第１の面状光源１０２及び第２の面状光源４０２，４０４，５０２，５０４，５０６が形成される。例えば、図４及び図５も参照されたい。
【０１２３】
１つの発展形態においては、第１の光が第１の主放出面１１２へと放出されるように、第１の面状光源１０２が形成され、また、第２の光が第２の主放出面１１４へと放出されるように、第２の面状光源４０２，４０４，５０２，５０４，５０６が形成される。例えば、図４及び図５も参照されたい。
【０１２４】
１つの発展形態においては、第２の面状光源４０２，４０４の隣に配置されている第１の面状光源１０２を、オプトエレクトロニクスアセンブリ１００の動作時に、オプトエレクトロニクスアセンブリ１００の少なくとも１つの像面１３０において、第２のオプトエレクトロニクス素子４０２，４０４と光学的に区別できるように、第１の距離４０６が設定される。例えば、図４及び図５も参照されたい。
【０１２５】
１つの発展形態においては、基板１０６が、入射した光に対して、例えば反射構造１２０によって反射された光１１６に対して、部分的に反射性に形成され、例えば部分透過性ミラーとして形成される。
【０１２６】
１つの発展形態においては、反射表面１２２及び／又は反射層構造を備えている反射構造１２０が形成される。反射表面１２２又は反射構造によって、面状光源１０２から放出されて入射した光が反射される。１つの発展形態においては、反射表面１２２又は反射構造が構造化部を有しており、例えば、湾曲した、屈曲した、凹状の、凸状の、溝状の及び／又はレンズ状の構造化部を有している。
【０１２７】
１つの発展形態においては、反射構造１２０が、反射構造１２０に入射した光１０８の少なくとも一部に対して、少なくとも部分的に透過性に形成され、例えば部分透過性ミラーとして形成される。
【０１２８】
１つの発展形態においては更に、例えば図７に示されているように、少なくとも部分的に透過性の構造７０２が形成又は配置される。少なくとも部分的に透過性の構造７０２は、オプトエレクトロニクスアセンブリ１００の像面１３０と、オプトエレクトロニクス素子１１０との間に配置される。部分的に透過性の構造７０２は、面状光源１０２及び／又は反射構造１２０から部分的に透過性の構造７０２に入射した光に対して、少なくとも部分的に透過性であるので、入射した光１１６，１１８の一部が部分的に透過性の構造７０２を通過して放出される。例えば図７も参照されたい。
【０１２９】
１つの発展形態においては、面状光源１０２及び／又は反射構造１２０から部分的に透過性の構造７０２に向かって放出されて、この部分的に透過性の構造７０２に入射した光１１６，１１８の少なくとも一部が反射されるように、部分的に透過性の構造７０２が形成又は配置される。例えば、部分的に透過性の構造７０２は、部分透過性ミラーとして形成される。
【０１３０】
１つの発展形態においては、少なくとも１つの少なくとも部分的に反射性の電極２１０，２１４を備えている面状光源１０２が形成される。例えば図２を参照されたい。少なくとも部分的に反射性の電極２１０，２１４は、面状光源１０２から放出された光１０８，１１８を反射するように形成される。少なくとも部分的に反射性の電極２１０，２１４は、反射構造１２０の一部として形成される。
【０１３１】
１つの発展形態においては、面状光源１０２から直接的に放出された光１１８及び反射された光１０８が相互に横方向の距離４０２を有し、その結果、オプトエレクトロニクスアセンブリ１００の動作時に、奥行き効果又は空間効果が形成されるように、反射構造１２０及び／又は部分的に透過性の構造７０２がオプトエレクトロニクス素子１１０に対して配置される。
【０１３２】
１つの発展形態においては、反射された光１１６が、少なくとも１つの特性に関して、例えば色度座標、輝度、飽和及び／又はカラービニングに関して、面状光源１０２から放出されて反射構造１２０に入射した光１０８とは異なるように、反射構造１２０が形成される。１つの発展形態においては、反射構造１２０が、波長変換材料を有するように形成されるか、又は、波長変換材料から形成される。
【０１３３】
１つの発展形態においては、オプトエレクトロニクスアセンブリ１００の動作時に、面状光源１０２から放出された光１０８，１１８を、反射構造１２０によって反射された光１１６と光学的に区別できるように、例えば明確に区別できるように、面状光源１０２と反射構造１２０との間の距離１２４が設定される。
【０１３４】
図４には、例えば上述の実施例に十分に対応することができる、オプトエレクトロニクスアセンブリ１００のオプトエレクトロニクス素子１１０の１つの発展形態が示されている。
【０１３５】
オプトエレクトロニクス素子は、少なくとも１つの面状光源１０２又は複数の面状光源１０２，４０２，４０４を有している。１つ又は複数の面状光源１０２，４０２，４０４は両方向に光１０８，１１８を放出する。例えば図４に示されているように、第１の面状光源１０２、第２の面状光源４０２及び第３の面状光源４０４を用いて、光１０８，１１８が放出される。
【０１３６】
１つの発展形態においては、１つ又は複数の面状光源１０２，４０２，４０４が少なくとも部分的に透明である。換言すれば、面状光源１０２，４０２，４０４は、反射構造１２０によって反射された光１１６に対して少なくとも部分的に透過性である。
【０１３７】
換言すれば、１つの発展形態においては、オプトエレクトロニクス素子１１０が、基板１０６に少なくとも１つの第１の面状光源１０２及び少なくとも１つの第２の面状光源４０２，４０４を有しており、この場合、第１の面状光源１０２は第１の光を放出し、また、第２の面状光源４０２，４０４は第２の光を放出する。第１の面状光源１０２は、（例えば図５に示されているように）第２の面状光源４０２，４０４の上において及び／又は隣において距離４０６を置いて、基板１０６に配置されている。１つの発展形態においては、第１の光が、少なくとも１つの特性に関して、例えば色度座標、輝度、飽和及び／又はカラービニングに関して、第２の光とは異なるように、第１の面状光源１０２及び第２の面状光源４０２，４０４が形成されている。
【０１３８】
１つの発展形態においては、第１の光が第１の主放出面１１２から像面１３０に向かって放出され、また、第２の光が第２の主放出面１１４から反射構造１２０に向かって放出されるように、第１の面状光源１０２及び第２の面状光源４０２，４０４が形成されている。
【０１３９】
１つの発展形態においては、オプトエレクトロニクスアセンブリ１００の動作時に、面状光源１０２，４０２，４０４間の距離４０６が、オプトエレクトロニクスアセンブリ１００の少なくとも１つの像面１３０において光学的に可視であるように、第１の面状光源１０２及び第２の面状光源４０２，４０４が形成されている。
【０１４０】
図５には、例えば上述の実施例に十分に対応することができる、オプトエレクトロニクスアセンブリ１００のオプトエレクトロニクス素子１１０の１つの発展形態が示されている。
【０１４１】
１つの発展形態においては、オプトエレクトロニクス素子１１０が、第１の主放出面１１２へと光を放出する１つ又は複数の第１の面状光源１０２，４０２と、第２の主放出面１１４へと光を放出する１つ又は複数の第２の面状光源５０２，５０４，５０６と、を有している。例えば図５を参照されたい。換言すれば、第２の面状光源５０２，５０４，５０６は、第１の面状光源の隣に配置することができる、及び／又は、放出される各光の放出方向に関して、第１の面状光源の背面に配置することができる。換言すれば、第１の面状光源１０２は、第２の面状光源５０２，５０４，５０６に又は第２の面状光源５０２，５０４，５０６上に形成又は配置されている。例えば、第１の面状光源１０２は、第２の面状光源５０６と、直接的に物理的に接触している。択一的に、第１の面状光源１０２は、基板１０６の第１の面に形成又は配置されており、また、第２の面状光源５０６は、基板１０６の第１の面に対向している第２の面に形成及び配置されている。
【０１４２】
１つの発展形態においては、第１の面状光源１０２及び第２の面状光源５０２，５０４，５０６が相互に重畳するように又は相互に正確に重なり合うように、第１の面状光源１０２が第２の面状光源５０２，５０４，５０６の上に配置されている。換言すれば、第１の面状光源を第２の面状光源の真上に配置することができ、その結果、第１の面状光源は第２の面状光源に重畳するか、第１の面状光源及び第２の面状光源はほぼ正確に重なり合うか、又は、第２の面状光源は第１の面状光源に重畳する。これによって、不透明な面状光源では、オプトエレクトロニクスアセンブリの光学的に不活性な領域を減少させることができる。第２の面状光源は、第１の面状光源に関して正確に重なり合って配置されている場合には、ミラー光源と称され、従って、面状光源としてのＯＬＥＤでは、いわゆるミラーＯＬＥＤと称される。
【０１４３】
第１の面状光源１０２及び／又は第２の面状光源５０２，５０４，５０６を、いわゆるトップエミッタ（Top-Emitter）又はボトムエミッタ（Bottom-Emitter）として形成することができ、例えば図２の説明に即して形成することができる。換言すれば、第１の主放出面１１２から放出される光１１８は、第１の面状光源１０２，４０２，４０４から放出され、また、第２の主放出面１１４から放出される光１０８は、第２の面状光源５０２，５０４，５０６から放出される。
【０１４４】
１つの発展形態においては、オプトエレクトロニクス素子１１０が、少なくとも１つの面状光源１０２を有しており、この面状光源１０２が、反射構造１２０によって反射された光１１６に対して少なくとも部分的に透過性である。付加的に又は択一的に、面状光源１０２が、片面で発光する素子として形成されている。
【０１４５】
１つの発展形態においては、オプトエレクトロニクス素子１１０が基板１０６に少なくとも１つの第１の面状光源１０２及び少なくとも１つの第２の面状光源４０２，４０４，５０２，５０４，５０６を有している。第１の面状光源１０２は、第１の光を放出するように形成されており、また、第２の面状光源４０２，４０４，５０２，５０４，５０６は、第２の光を放出するように形成されている。第１の面状光源は、第２の面状光源４０２，５０２，５０４，５０６の上において及び／又は隣において第１の距離を置いて、基板１０６に配置されている。１つの発展形態においては、第１の光が、少なくとも１つの特性に関して、例えば、色度座標、輝度、飽和及び／又はカラービニングに関して、第２の光とは異なる。第１の面状光源１０２は、第１の光を第１の主放出面へと放出するように形成されており、また、第２の面状光源は、第２の光を第２の主放出面へと放出するように形成されている。
【０１４６】
図６には、例えば上述の実施例に十分に対応することができる、オプトエレクトロニクスアセンブリ１００の１つの発展形態が示されている。
【０１４７】
図６には、図４の説明に即したオプトエレクトロニクス素子１１０を備えているオプトエレクトロニクスアセンブリ１００が示されている。換言すれば、オプトエレクトロニクス素子１１０は、１つ又は複数の面状光源１０２，４０２，４０４を有しており、それらの面状光源１０２，４０２，４０４は少なくとも部分的に透明であり、且つ、両方向に光を放出する。半透明な基板１０６を備えているこのオプトエレクトロニクス素子１１０は、反射構造１２０の上に所定の距離を置いて配置されている。
【０１４８】
１つの発展形態においては、反射構造１２０をミラー構造として形成することができる。ミラー構造は、特により少ない粗さを有する点において反射構造１２０とは異なり、従って、入射した光の拡散性散乱は少なくなる。これによって、面状光源の非常に正確な結像が実現される。
【０１４９】
図７には、例えば上述の実施例に十分に対応することができる、オプトエレクトロニクスアセンブリ１００の１つの発展形態が概略的に示されている。
【０１５０】
１つの発展形態においては、オプトエレクトロニクスアセンブリ１００が、付加的に、少なくとも部分的に透過性の構造７０２を有している。オプトエレクトロニクス素子１１０は、反射構造１２０と部分的に透過性の構造７０２との間に配置されている。これによって、第１の主放出面１１２から放出された光１１６（図１を参照されたい），１１８の一部が、部分的に透過性の構造７０２を通過し、また、部分的に反射される。面状光源１０２によって直接的に第１の主放出面１１２から放出された光１１８は、部分的に透過性の構造７０２によって反射構造１２０に向かって偏向される。これによって、反射構造１２０に入射する光の割合を高めることができる。この光が、部分的に透過性の構造における反射によって、少なくとも部分的に、直接的に放出された光１１８に対してより大きい横方向の距離を伴って、像面１３０に向かって放出される。これによって、オプトエレクトロニクスアセンブリ１００の空間深さ又は奥行き効果を高めることができる。
【０１５１】
換言すれば、１つの発展形態においては、オプトエレクトロニクス素子１１０が少なくとも部分的に透過性の構造７０２を有している。少なくとも部分的に透過性の構造７０２は、オプトエレクトロニクスアセンブリ１００の像面１３０と、オプトエレクトロニクス素子１１０との間において、第１の主放出面１１２から放出された光１１６，１１８の放射路内に配置されている。部分的に透過性の構造７０２は、面状光源１０２及び／又は反射構造１２０から部分的に透過性の構造７０２に入射した光１１６，１１８に対して少なくとも部分的に透過性である。面状光源１０２から直接的に放出された光１１８及び反射された光１１６が相互に横方向の距離を有するように、反射構造１２０及び／又は部分的に透過性の構造７０２がオプトエレクトロニクス素子１１０に対して配置されている。これによって、オプトエレクトロニクスアセンブリ１００の動作時に、奥行き効果又は空間効果が形成される。部分的に透過性の構造７０２は、面状光源１０２及び／又は反射構造１２０から部分的に透過性の構造７０２に入射した光１１６，１１８の少なくとも一部を反射するように形成及び配置されており、例えば部分透過性ミラーとして形成されている。面状光源１０２は、基板１０６及び反射構造１２０、面状光源１０２，４０２，４０４，５０２，５０４，５０６及び／又は部分的に透過性の構造７０２が光学キャビティを形成するように、反射構造１２０の上に第２の距離１２４を置いて配置されている。面状光源１０２，４０２，４０４，５０２，５０４，５０６と反射構造１２０との間の第２の距離１２４は、オプトエレクトロニクスアセンブリ１００の動作時に、面状光源１０２，４０２，４０４，５０２，５０４，５０６から放出された光１０８，１１８を、反射構造１２０によって反射された光１２０と光学的に区別できるように設定されている。
【０１５２】
付加的に、部分的に透過性の構造７０２を、オプトエレクトロニクス素子１１０のための機械的な保護部として形成することができ、例えば、例えば図２において説明したように、封止構造２２６又はカバー２２４として形成することができる。
【０１５３】
図８には、例えば上述の実施例に十分に対応することができる、オプトエレクトロニクスアセンブリ１００の１つの発展形態が概略的に示されている。
【０１５４】
反射構造１２０は、反射表面１２２又は、入射した光の波長領域に対して少なくとも反射性である層構造を有している。これによって、面状光源から放出されて、反射構造に入射した光が反射される。換言すれば、反射構造１２０、反射層構造及び／又は反射表面は構造化されている。反射構造１２０は、反射表面１２２及び／又は反射層構造が、図８に示されている曲がった面８０２によって、湾曲部、屈曲部、マイクロ構造及び／又は粗さを有するように、形成されている。反射構造１２０の湾曲部は、凸状及び／又は凹状であってよい。マイクロ構造は、溝構造、隆起部及び／又は陥没部を有することができる。反射表面は、構造化部を有することができ、例えば、湾曲状、屈曲状、凹状、凸状、溝状及び／又はレンズ状の形態のうちの少なくとも１つを有することができる。これによって、反射構造、例えばミラー構造の形態の反射構造は、レンズ効果を有している。これによって、例えば、反射表面１２２において反射されて、基板を介して放出される電磁放射１１６の放射方向を調整することができる。
【０１５５】
１つの発展形態においては、基板１０６が実質的に、反射表面１２２及び／又は反射層構造に対して非平行に又は非面平行に配置されている。これによって、オプトエレクトロニクスアセンブリ１１０の放射特性を簡単に調整することができる。
【０１５６】
１つの発展形態においては、反射構造１２０の透過性及び／又は反射係数が光の波長及び／又は偏光に依存するように、反射構造１２０が形成されている。これによって、色選択性の反射構造１２０が実現され、例えば色選択性のミラーが実現される。このことは、像面１３０において可視である光１１６，１１８の所期の色強調を実現する。換言すれば、反射構造１２０は、色選択性又は波長選択性に形成されており、例えば、フォトニック結晶として形成されている。これによって、オプトエレクトロニクス素子から放出された光において、所期の色強調を実現することができる。換言すれば、簡単に、色度座標、輝度及び／又は飽和の所期の変化が実現される。
【０１５７】
１つの発展形態においては、反射構造１２０が部分的に透明な又は全反射性のミラーとして形成されている。
【０１５８】
図９には、例えば上述の実施例に十分に対応することができる、オプトエレクトロニクスアセンブリの１つの発展形態が概略的に示されている。
【０１５９】
オプトエレクトロニクス素子１１０は、片面で発光する、即ち、トップエミッタ又はボトムエミッタとして形成されている、１つ又は複数の面状光源１０２，４０２を有している。オプトエレクトロニクス素子１１０は、反射構造１２０に配置されている。択一的に、基板１０６の裏面に、反射構造が設けられており、例えば、金属層が基板１０６の裏面に析出されることによって、反射構造が設けられており、また、少なくとも１つの面状光源１０２，４０２，４０４が基板１０６を介して放出を行う。基板１０６の上に部分的に透過性の構造７０２が配置されている。従って、オプトエレクトロニクスアセンブリ１００においては、光１１８が少なくとも１つの面状光源１０２，４０２，４０４によって、第１の主放出面１１２から放出される。この光１１８の一部は、部分的に透過性の構造７０２において反射されて、反射構造１２０に向かって偏向される。部分的に透過性の構造７０２によって反射された光は、反射構造１２０の反射表面において反射されて、部分的に透過性の構造７０２に向かって偏向され、また部分的に、例えば図９における参照番号９０２によって示されているように、部分的に透過性の構造７０２を通過して放出される。これによって、直接的に放出された光１１８と部分的に偏向されて反射された光９０２との間に、横方向の距離が生じる。この距離によって、オプトエレクトロニクスアセンブリ１００の奥行き効果又は空間効果が実現される。この発展形態においては、オプトエレクトロニクス素子１１０と反射構造１２０との間の距離が光学距離として形成されている。光学距離は、面状光源１０２，４０２から少なくとも部分的に透過性の構造７０２までの距離によって調整される。
【０１６０】
１つの発展形態においては、反射構造１２０がオプトエレクトロニクス素子１１０の電極として形成されており、例えば、下側の第１の電極２１０として形成されている。このために、第１の電極２１０は、反射性且つ導電性の材料から形成されているか、又はその種の材料を有している。換言すれば、１つの発展形態においては、面状光源１０２が、少なくとも１つの少なくとも部分的に反射性の電極２１０，２１４を有している。少なくとも部分的に反射性の電極２１０，２１４は、面状光源１０２から放出された光１０８，１１８を反射するように形成されている。少なくとも部分的に反射性の電極２１０，２１４は、反射構造２１０の少なくとも一部である。換言すれば、反射構造１２０を、基板１０６全面にわたり蒸着される透明又は鏡面性のカソードから形成することができる。
【０１６１】
本発明は、上述の種々の実施例に限定されるものではない。例えば、オプトエレクトロニクスアセンブリは、光検出器又は太陽電池として形成されている、１つのオプトエレクトロニクス素子又は複数のオプトエレクトロニクス素子を有することができる。光検出器は、例えば、反射構造によって反射された光及び／又はアセンブリ外部の光を検出するように構成されている。更に、面状光源を点光源として形成することができるか、又は、点光源として認識することができる。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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