(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
光を透過可能な基板と、
前記基板の上に設けられた第１の導電部分と、前記基板の上に前記第１の導電部分に隣接するように設けられ、前記第１の導電部分よりも薄い第２の導電部分と、を有する導電層と、
前記第１の導電部分の上に設けられた発光層と、
前記第２の導電部分の上に設けられた第１の電極と、
前記発光層の上に設けられた第２の電極と、
を備え、
前記発光層は、前記第１の導電部分の上に設けられた第１のクラッド層と、前記第１のクラッド層の上に設けられた活性層と、前記活性層の上に設けられた第２のクラッド層と、を有し、
前記活性層の外周面が、前記第１のクラッド層の外周面および前記第２のクラッド層の外周面に対して内側に凹んでおり、
前記第２のクラッド層と前記第２の電極との間に設けられた電流拡散層をさらに備え、
前記第１のクラッド層の外周面が前記第１の導電部分の外周面に対して内側に凹み、かつ前記第２のクラッド層の外周面が前記電流拡散層の外周面に対して内側に凹んでいる、発光装置。
【請求項２】
前記基板が、前記第１の導電部分および前記第２の導電部分に接触する第１の面と、前記第１の面に対向する第２の面とを有し、前記第２の面に凹凸が設けられている、請求項１に記載の発光装置。
【請求項３】
前記第２の面において、前記第１の導電部分に対応する領域の表面粗さが、前記第２の導電部分に対応する領域の表面粗さよりも大きい、請求項２に記載の発光装置。
【請求項４】
前記第２の電極の平面積が、前記発光層の平面積と同等である、請求項１から３のいずれかに記載の発光装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明の実施形態は、発光装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
発光装置の一例として、裏面光出射型発光ダイオードが知られている。裏面光出射型発光ダイオードでは、アノード電極またはカソード電極の一方と発光層とが光を透過可能な基板の表面に設けられ、この発光層の上に、アノード電極またはカソード電極の他方が設けられている。発光層の光のうち、基板の裏面から出射した光が使用される。
【０００３】
裏面光出射型発光ダイオードでは、一般的に、基板が電流経路となっている。そのため、基板のキャリア濃度が電気的特性に影響を及ぼす場合がある。この影響を抑えるために、基板の表面に電流経路となる導電層を形成する方法が考えられる。しかし、この方法には、以下のような問題が起こり得る。
【０００４】
基板の裏面から出射される光には、出射エリアが互いに異なる２種類の光がある。一方の光は、発光層の下側を出射エリアとする直接光である。他方の光は、基板上に設けられた電極の下側を出射エリアとする間接光である。この間接光は、基板の裏面で反射した後、基板上に設けられた電極でさらに反射した光である。なお、間接光には、発光層の上側に出射され、この発光層の上に設けられた電極で反射され、発光層を透過して再度発光層の下側を出射エリアとする別の間接光もある。
【０００５】
上記導電層が形成されている場合、基板の裏面で反射した光が基板上に設けられた電極で反射する際、光の一部が導電層に吸収されてしまう。そのため、この間接光の光量が直接光の光量に比べて大きく低下する。その結果、光量の大きい光が発光層の下側に偏在し、光量の小さい光が基板上に設けられた電極の下側に偏在する問題が起こり得る。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２００８−１５９６２８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
本発明の実施形態は、光量の偏在を抑制することが可能な発光装置を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本実施形態によれば、光を透過可能な基板と、
前記基板の上に設けられた第１の導電部分と、前記基板の上に前記第１の導電部分に隣接するように設けられ、前記第１の導電部分よりも薄い第２の導電部分と、を有する導電層と、
前記第１の導電部分の上に設けられた発光層と、
前記第２の導電部分の上に設けられた第１の電極と、
前記発光層の上に設けられた第２の電極と、
を備える発光装置が提供される。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】（ａ）は、第１の実施形態に係る発光装置の概略的な構成を示す平面図であり、（ｂ）は、（ａ）に示す切断線Ａ−Ａに沿った断面図である。
【図２】基板のキャリア濃度と、発光装置の電気的特性との関係を示すグラフである。
【図３】第１の実施形態の変形例に係る発光装置の概略的な構成を示す断面図である。
【図４】（ａ）は、第２の実施形態に係る発光装置の概略的な構成を示す断面図であり、（ｂ）は、（ａ）に示す領域Ｒ１の拡大図である。
【図５】活性層の外周面に凹みが形成される前の状態を示す断面図である。
【図６】活性層の外周面に凹みが形成された後の状態を示す断面図である。
【図７】（ａ）は、第２の実施形態の変形例に係る発光装置の概略的な構成を示す断面図であり、（ｂ）は、（ａ）に示す領域Ｒ２の拡大図である。
【図８】第２の実施形態の別の変形例に係る発光装置の概略的な構成を示す断面図である。
【図９】（ａ）は、第３の実施形態に係る発光装置の概略的な構成を示す平面図であり、（ｂ）は、（ａ）に示す切断線Ａ−Ａに沿った断面図である。
【図１０】第３の実施形態の変形例に係る発光装置の概略的な構成を示す断面図である。
【図１１】第３の実施形態の別の変形例に係る発光装置の概略的な構成を示す断面図である。
【図１２】第３の実施形態のさらに別の変形例に係る発光装置の概略的な構成を示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
以下、図面を参照して、本発明を裏面光出射型発光ダイオードに適用した実施形態を説明する。本実施形態は、本発明を限定するものではない。
【００１１】
（第１の実施形態）
図１（ａ）は、第１の実施形態に係る発光装置の概略的な構成を示す平面図であり、図１（ｂ）は、図１（ａ）に示す切断線Ａ−Ａに沿った断面図である。図１（ａ）および図１（ｂ）に示すように、本実施形態に係る発光装置１は、基板１０と、導電層２０と、発光層１３と、第１の電極１４と、電流拡散層１５と、第２の電極１６と、を備える。
【００１２】
基板１０は、ＧａＰ（リン化ガリウム）基板等の光を透過可能な基板で構成されている。基板１０は、第１の面１０ａと、第１の面１０ａに対向する第２の面１０ｂと、を有する。第１の面１０ａには、導電層２０が設けられている。第２の面１０ｂは、光の出射面である。なお、基板１０は、導電性基板に限定されず、サファイア基板等の絶縁基板であってもよい。
【００１３】
導電層２０は、第１の導電部分１１と、第２の導電部分１２と、を有する。第１の導電部分１１および第２の導電部分１２は、エピタキシャル成長層であって、基板１０の上に設けられ、互いに隣接している。また、図１（ｂ）に示すように、第２の導電部分１２の厚さｔ２は、第１の導電部分１１の厚さｔ１よりも薄い。本実施形態では、第１の導電部分１１と第２の導電部分１２が別体となっているが、第１の導電部分１１と第２の導電部分１２が一体となって導電層２０を構成していてもよい。また、この導電層は、ＩＴＯ等の導電性半導体層や薄膜の金属膜であっても、さらにそれらの組み合わせであってもよい。
【００１４】
発光層１３は、第１の導電部分１１の上に設けられている。本実施形態では、発光層１３は、Ｐ型またはＮ型の第１のクラッド層１３ａと、活性層１３ｂと、Ｎ型またはＰ型の第２のクラッド１３ｃと、を有する。第１のクラッド層１３ａは、第１の導電部分１１の上に設けられている。活性層１３ｂは、第１のクラッド層１３ａの上に設けられている。第２のクラッド１３ｃは活性層１３ｂの上に設けられている。つまり、活性層１３ｂは、第１のクラッド層１３ａと第２のクラッド層１３ｃとの間に挟まれている。
【００１５】
第１のクラッド層１３ａと第２のクラッド層１３ｃは、活性層１３ｂよりもバンドギャップの広い材料、例えば、ＩｎＧａＡｌＰ（インジウムガリウムアルミニウムリン）や、ＧａＡｌＡｓ（ヒ化ガリウムアルミニウム）で構成されている。
【００１６】
活性層１３ｂは、ＩｎＧａＡｓ（インジウムガリウム砒素）、ＧａＡｌＡｓ、またはＧａＡｓ(ヒ化ガリウム)等の半導体層である。第１のクラッド層１３ａから活性層１３ｂにホールまたはエレクトロンが注入されるとともに、第２のクラッド層１３ｃから活性層１３ｂにエレクトロンまたはホールがキャリアとして注入されると、活性層１３ｂは赤外光を発光する。ただし、発光層１３の光は、赤外光に限定されず、他の波長帯の光であってもよい。
【００１７】
第１の電極１４は、第２の導電部分１２の上に設けられている。本実施形態では、第１の電極１４は、アノード電極である。
【００１８】
電流拡散層１５は、発光層１３の上に設けられている。電流拡散層１５は、例えば、ＩｎＡｌＧａＰやＡｌＧａＡｓ等で構成されている。この電流拡散層１５によって、発光層１３の全体に電流が均一的に供給される。
【００１９】
また、電流拡散層１５と第２の電極１６の間には、オーミック接合を良好にするために、ＧａＡｓ等で構成された薄いコンタクト層（不図示）や、直接コンタクトが取れる材料（ＡｌＧａＡｓ、ＧａＰ等）(不図示)が挿入される。
【００２０】
第２の電極１６は、電流拡散層１５の上に設けられている。本実施形態では、第２の電極１６は、カソード電極である。ただし、導電層２０の極性（Ｐ型とＮ型）が反対の場合には、第１の電極１４がカソード電極に該当し、第２の電極１６がアノード電極に該当する。
【００２１】
なお、第２の電極１６は、電流拡散層１５を介さずに発光層１３の上面に設けられていてもよい。つまり、本明細書では、「発光層１３の上に設けられた第２の電極１６」とは、第２の電極１６が電流拡散層１５を介して発光層１３の上に間接的に設けられた形態も、第２の電極１５が発光層１３の上に直接的に設けられた形態をも含む。
【００２２】
また、発光装置１が、例えば、受光素子とともにフォトカプラに用いられる場合には、第１の電極１４および第２の電極１６の各々には、ボンディングワイヤー(不図示)が接合される。また、発光装置１は、樹脂部材（不図示）によって覆われる。
【００２３】
上記のように構成された発光装置１において、第１の電極１４と第２の電極１６との間に電流が流れると、発光層１３が発光し、第１の光Ｐ１と第２の光Ｐ２とが基板１０の第２の面１０ｂから出射される。第１の光Ｐ１は、発光層１３の下側へ出射した直接光である。第２の光Ｐ２は、第２の面１０ｂで一旦反射して第１の電極１４でさらに反射した後、第１の電極１４の下側へ出射した間接光である。
【００２４】
以上説明した本実施形態によれば、基板１０の上に第２の導電部分１２が設けられている。ここで、図２を参照して、第２の導電部分１２によってもたらされる効果について説明する。
【００２５】
図２は、基板のキャリア濃度と、発光装置の電気的特性との関係を示すグラフである。図２において、横軸は、基板１０のキャリア濃度を示す。縦軸は、発光装置１の電気的特性の一つである順方向電圧ＶＦを示す。また、直線Ｌ１は、本実施形態に係る発光装置１の特性を示す。点線Ｌ２は、比較例に係る発光装置の特性を示す。
【００２６】
比較例に係る発光装置には、第２の導電部分１２が設けられていない。つまり、比較例に係る発光装置では、第１の電極１４が基板１０に接触しているので、基板１０が電流経路となる。そのため、図２の点線Ｌ２に示されるように、この発光装置では、順方向電圧ＶＦが基板１０のキャリア濃度の影響を受けやすくなっている。
【００２７】
一方、本実施形態に係る発光装置１によれば、基板１０の上に第２の導電部分１２が設けられ、第２の導電部分１２の上に第１の電極１４が設けられている。これにより、第２の導電部分１２と第１の導電部分１１が電流経路となる。そのため、図２の点線Ｌ１に示すように、本実施形態に係る発光装置１では、順方向電圧ＶＦが基板１０のキャリア濃度の影響を受けにくくなっている。なお、本実施形態では、基板１０と導電層２０のキャリア濃度に濃度差を持たせ、前者より後者の方が高い方が望ましい。また、その高濃度領域は、導電層２０の基板側に位置することが望ましい。さらに、この高濃度領域のキャリア濃度は、１Ｅ１８／ｃｍ３以上であり、より好ましくは３Ｅ１８／ｃｍ３である。
【００２８】
さらに、図１（ｂ）に示すように、本実施形態に係る発光装置１によれば、第２の導電部分１２の厚さｔ２が、第１の導電部分１１の厚さｔ１よりも薄くなっている。そのため、第２の導電部分１２の光吸収率が、第１の導電部分１１の光吸収率も小さくなる。これにより、第２の面１０ｂで反射した光が、第１の電極１４でさらに反射する際、第１の導電部分１１に比べて光の吸収量が減少する。その結果、第１の光Ｐの光量と、第２の光Ｐ２の光量との差が小さくなる。つまり、発光層１３の下側へ出射される光の光量と、第１の電極１４の下側へ出射される光の光量との差が小さくなる。よって、光量の偏在を抑制することが可能となる。
【００２９】
なお、本実施形態に係る発光装置１が、例えば、フォトカプラに用いられる場合、基板素子１０の底面が、マウント材(不図示)により受光素子に接合される。この場合、第１の光Ｐ１と第２の光Ｐ２の光量の偏在を抑制するためには、基板１０とマウント材との屈折率差が大きい、換言すると、基板１０と、反射率の高い（全反射角が大きい）マウント材料とを組み合わせることが望ましい。具体的には、屈折率３以上の基板（ＧａＰ等）、やＺｎＯなどの屈折率２以上の材料からなる基板１０と、屈折率差が０．５以上のマウント材が好ましい。このようなマウント材として、エポキシ樹脂やシリコン樹脂等を含む低屈折率の材料が挙げられる。
【００３０】
(変形例１)
以下、図３を参照して第１の実施形態の変形例について説明する。図３は、第１の実施形態の変形例に係る発光装置の概略的な構成を示す断面図である。
【００３１】
図３に示すように、本変形例に係る発光装置１ａでは、基板１０の第２の面１０ｂが、凹凸加工を施したテクスチャー構造となっている。そのため、第２の面１０ｂから出射される光をより広範囲に拡散させることが可能となる。
【００３２】
なお、本変形例では、第２の面１０ｂにおいて、領域１０ｂ１の表面粗さが、領域１０ｂ２の表面粗さよりも大きくてもよい。ここで、領域１０ｂ１は、第１の導電部分１１に対応する領域であり、領域１０ｂ２は、第２の導電部分１２に対応する領域である。また、各領域の表面粗さは、例えば、単位面積当たりの凹凸の高低差の平均値で規定することができる。
【００３３】
本変形例に係る発光装置１ａにおいても、第１の光Ｐ１と第２の光Ｐ２が基板１０の第２の面１０ｂから出射される。しかし、第２の光Ｐ２は、第２の面１０ｂと第１の電極１４で反射している。そのため、第２の光Ｐ２の光学的損失は、第１の光Ｐ１の光学的損失よりも大きい。
【００３４】
そこで、本変形例のように領域１０ｂ１の表面粗さが、領域１０ｂ２の表面粗さよりも大きければ、第２の面１０ｂで反射する光が増加し、結果的に第２の光Ｐ２の光量が増加する。これにより、第１の光Ｐ１の光量と第２の光Ｐ２の光量の差がより小さくなるので、より均一な光を基板１０の第２の面１０ｂから出射することが可能となる。
【００３５】
（第２の実施形態）
第２の実施形態について、第１の実施形態と異なる点を中心に説明する。図４（ａ）は、第２の実施形態に係る発光装置の概略的な構成を示す断面図であり、図４（ｂ）は、図４（ａ）に示す領域Ｒ１の拡大図である。以下、上述した第１の実施形態と同様の構成要素には同じ符号を付し、詳細な説明を省略する。
【００３６】
図４（ａ）および図４（ｂ）に示すように、本実施形態に係る発光装置２は、活性層１３ｂの外周面が、第１のクラッド層１３ａの外周面および第２のクラッド層１３ｃの外周面に対して内側に凹んでいる点で第１の実施形態に係る発光装置１と異なる。以下、活性層１３ｂの外周面に凹みを形成する工程について図５および図６を参照して簡単に説明する。
【００３７】
図５は、活性層１３ｂの外周面に凹みが形成される前の状態を示す断面図である。また、図６は、活性層１３ｂの外周面に凹みが形成された後の状態を示す断面図である。図５に示すように、第２のクラッド層１３ｃの上面は、不純物が添加されていない酸化物で構成されたＵＤＯ（Un Doped Oxide）３０で覆われている。この状態で、ＲＩＥ（Reactive Ion Etching）が実施され、その後ＵＤＯ３０が除去される。このとき、活性層１３ｂのエッチングレートは、第１のクラッド層１３ａおよび第２のクラッド層１３ｃのエッチングレートと異なる。その結果、図６に示すように、活性層１３ｂの外周面に凹みが形成される。また、その後、ＵＤＯ３０が除去され、コンタクトを取るために導電層２０の一部および発光層１３の一部が除去される際に、活性層１３ｂの外周面だけでなく、第１のクラッド層１３ａの外周面および第２のクラッド層１３ｃの外周面にも凹みが形成できるように、エッチング量と、時間と、それぞれの材料（コンタクト層よりもＡｌの組成が多いクラッドや活性層を選択する）を調整することもできる。
【００３８】
なお、活性層１３ｂの外周面に凹みが形成された後、第１の電極１４が、第２の導電部分１２の上に形成される。その後、ＵＤＯ３０が除去された第２のクラッド層１３ｃの上面に第２の電極１６が形成される。
【００３９】
以上説明した本実施形態によれば、第１の実施形態と同様に、第２の導電部分１２の厚さｔ２が、第１の導電部分１１の厚さｔ１よりも薄くなっている。そのため、第２の面１０ｂで反射した反射光が、第１の電極１４でさらに反射する際、光の吸収量が減少する。その結果、第１の光Ｐの光量と、第２の光Ｐ２の光量との差が小さくなるので、基板１０から出射される光の光量の偏在を抑制することが可能となる。
【００４０】
さらに、本実施形態では、樹脂部材１７によって覆われる活性層１３ｂの外周面が、第１のクラッド層１３ａの外周面および第２のクラッド層１３ｃの外周面に対して内側に凹んでいる。そのため、樹脂部材１７がこの凹みに入り込むアンカー効果によって、樹脂部材１７と発光層１３との接着力が高まる。よって、発光装置２の信頼性を向上させることが可能となる。
【００４１】
(変形例２)
以下、図７を参照して第２の実施形態の変形例について説明する。図７（ａ）は、第２の実施形態の変形例に係る発光装置の概略的な構成を示す断面図であり、図７（ｂ）は、図７（ａ）に示す領域Ｒ２の拡大図である。
【００４２】
図７（ａ）および図７（ｂ）に示すように、本変形例に係る発光装置２ａでは、第１のクラッド層１３ａの外周面が第１の導電部分１１の外周面に対して内側に凹み、かつ第２のクラッド層１３ｃの外周面が電流拡散層１５の外周面に対して内側に凹んでいる。以下、第１のクラッド層１３ａの外周面と第２のクラッド層１３ｃの外周面を凹ませる工程について簡単に説明する。
【００４３】
本変形例においても、上述した第２の実施形態と同様に、第２のクラッド層１３ｃの上面がＵＤＯ３０で覆われた状態でＲＩＥを実施する。その後、ＵＤＯ３０を除去し、コンタクトを取るために導電層２０の一部および発光層１３の一部を除去する際に、活性層１３ｂの外周面だけでなく、第１のクラッド層１３ａの外周面および第２のクラッド層１３ｃの外周面にも凹みが形成できるように、エッチング量と、時間と、それぞれの材料を調整する。
【００４４】
本変形例によれば、発光層１３の外周面において凹凸の数が増加するので、樹脂部材１７と発光層１３の接着力が強化される。よって、発光装置２の信頼性をさらに向上させることが可能となる。
【００４５】
また、図４（ｂ）や図７（ｂ）に示すように、活性層１３ｂと、第1のクラッド層１３ａと、第２のクラッド層１３ｃには、各々の外周部が第２の電極１６の外周部よりも外側になるように、凹みが形成されている。つまり、図４（ｂ）や図７に示す断面で見た場合、発光層１３の幅が第２の電極１６の幅よりも広くなっている。これによって、リフトオフを用いて電極形成する際のプロセスが安定し、歩留まりが安定する。
【００４６】
（変形例３）
以下、図８を参照して第２の実施形態の別の変形例について説明する。図７（ａ）は、第２の実施形態の別の変形例に係る発光装置の概略的な構成を示す断面図である。
【００４７】
図８に示すように、本変形例に係る発光装置２ｂでは、図３に示す発光装置１ａと同様に、基板１０の第２の面１０ｂが、凹凸加工を施したテクスチャー構造となっている。よって、本変形例によれば、発光装置２の信頼性を向上させることに加えて、第２の面１０ｂから出射される光をより広範囲に拡散することも可能となる。
【００４８】
（第３の実施形態）
第３の実施形態について、第１の実施形態と異なる点を中心に説明する。図９（ａ）は、第３の実施形態に係る発光装置の概略的な構成を示す平面図であり、図９（ｂ）は、図９（ａ）に示す切断線Ａ−Ａに沿った断面図である。以下、上述した第１の実施形態と同様の構成要素には同じ符号を付し、詳細な説明を省略する。
【００４９】
図９（ａ）に示すように、本実施形態に係る発光装置３は、第２の電極１６の平面積が発光層１３の平面積と同等である点が第１の実施形態に係る発光装置１と異なる。
【００５０】
図９（ｂ）に示すように、発光層１３の光は、第１の光Ｐ１と第２の光Ｐ２のように発光層１３の下側へ出射される光だけでなく、第３の光Ｐ３のように発光層１３の上側へ出射される光も含む。例えば、発光装置３が、受光素子とともにフォトカプラに使用される場合、この受光素子は、第１の光Ｐ１および第２の光Ｐ２を受光するように第２の面１０ｂに対向配置される。そのため、第３の光Ｐ３はこのままでは利用できない光となるため、利用できる最適な形態にする必要がある。そこで、本実施形態では、第２の電極１６の平面積を発光層１３の平面積と同等にすることによって、第３の光Ｐ３の大部分は、第２の電極１６で反射した第４の光Ｐ４として第２の面１０ｂから出射される。
【００５１】
以上説明した本実施形態によれば、第１の実施形態と同様に、第２の導電部分１２の厚さｔ２が、第１の導電部分１１の厚さｔ１よりも薄くなっている。そのため、第２の面１０ｂで反射した反射光が、第１の電極１４でさらに反射する際、光の吸収量が減少する。その結果、第１の光Ｐの光量と、第２の光Ｐ２の光量との差が小さくなるので、基板１０から出射される光の光量の偏在を抑制することが可能となる。
【００５２】
特に、本実施形態では、第２の電極１６の平面積が、発光層１３の平面積と同等になっている。そのため、発光層１３の上側へ出射される第３の光Ｐ３を遮光することが可能となる。また、第３の光Ｐ３の大部分が、第２の電極１６で反射した第４の光Ｐ４として第２の面１０ｂから出射されるので、第２の面１０ｂから出射される光が増加する。よって光の利用効率が向上する。さらに、第２の電極１６が金等の熱伝導率の高い金属部材で構成されている場合には、発光層１３の熱が放熱されやすくなる。
【００５３】
本実施形態において、発光層１３の上側へ出射される第３の光Ｐ３の遮光という観点によれば、第２の電極１６の平面積は、発光層１３の平面積と同じ、換言すると発光層１３の平面積の１００％であることが望ましい。しかし、第２の電極１６の平面積が発光層１３の平面積の１００％に近づくにつれて、第２の電極１６の製造歩留りが低下することが想定される。また、第２の電極１６の平面積が発光層１３の平面積の１００％から離れるにつれて、第３の光Ｐ３の遮光効果が低減することが想定される。したがって、第２の電極１６の平面積は、発光層１３の平面積の８０％〜９０％の範囲内であることが望ましい。より好ましくは、第２の電極１６の平面積は、発光層１３の平面積の８５％前後であることが望ましい。
【００５４】
(変形例４)
以下、図１０を参照して第３の実施形態の変形例について説明する。図１０は、第３の実施形態の変形例に係る発光装置の概略的な構成を示す断面図である。
【００５５】
図１０に示すように、本変形例に係る発光装置３ａは、電流拡散層１５の代わりに電流拡散層１５ａを備える。電流拡散層１５ａは、電流拡散層１５と同様に、ＩｎＡｌＧａＰ等で構成され、その厚さは、導電層１１の厚さよりも薄い。本実施形態では、電流拡散層１５ａの厚さは、導電層１１の厚さの約１／４である。
【００５６】
上述した第３の実施形態に係る発光装置３では、第２の電極１６の平面積が発光層１３の平面積と同等である。そのため、発光層１３内における電流の拡散が改善されるので、厚い電流拡散層１５の必要性は乏しくなる。
【００５７】
そこで、本変形例では、電流拡散層１５よりも薄い電流拡散層１５ａが用いられている。これにより、光学的特性と放熱特性を向上させることに加えて、装置を薄型化することも可能となる。
【００５８】
(変形例５)
以下、図１１を参照して第３の実施形態の別の変形例について説明する。図１１は、第３の実施形態の別の変形例に係る発光装置の概略的な構成を示す断面図である。
【００５９】
図１１に示すように、本変形例に係る発光装置３ｂでは、図３に示す発光装置１ａと同様に、基板１０の第２の面１０ｂが、凹凸加工を施したテクスチャー構造となっている。よって、本変形例によれば、光学的特性と放熱特性を向上させることに加えて、第２の面１０ｂから出射される光をより広範囲に拡散することも可能となる。
【００６０】
(変形例６)
以下、図１２を参照して第３の実施形態のさらに別の変形例について説明する。図１２は、第３の実施形態の別の変形例に係る発光装置の概略的な構成を示す断面図である。
【００６１】
図１２に示すように、本変形例に係る発光装置３ｃでは、図４に示す発光装置２と同様に、活性層１３ｂの外周面が、第１のクラッド層１３ａの外周面および第２のクラッド層１３ｃの外周面に対して内側に凹んでいる。これにより、樹脂部材１７と発光層１３との接着力が高まる。この凹みは、上述したように、エッチング量と、時間と、それぞれの材料（コンタクト層よりもＡｌの組成が多い活性層を選択する）を調整することにより形成される。
【００６２】
よって、本変形例によれば、光学的特性と放熱特性を向上させることに加えて、発光装置２の信頼性を向上させることも可能となる。
【００６３】
本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれると同様に、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれるものである。
【符号の説明】
【００６４】
１〜３，１ａ〜３ｃ  発光装置、１０  基板、１１  第１の導電部分、１２  第２の導電部分、１３  発光層、１３ａ  第１のクラッド層、１３ｂ  活性層、１３ｃ  第２のクラッド層、１４  第１の電極、１５  電流拡散層、１６  第２の電極、２０  導電層
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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