(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
ガスとの接触により電気的特性が変化するガス検知層、および、該ガス検知層を加熱可能なヒータ層を有するセンサ素子と、
前記ガス検知層を加熱するために、前記ヒータ層に所定の周期で間欠的に電圧を印加して所定の温度になるように通電するヒータ制御手段と、
前記ヒータ層により加熱された前記ガス検知層の電気的特性に基づいてガスを検知するガス検知手段と、
前記ヒータ層にガス検知のための所定の温度より低い温度で通電した際の前記ガス検知層の電気的特性に基づいて、前記ガス検知層の水分蓄積を検知する水分蓄積検知手段と、
を有することを特徴とするガス検知装置。
【請求項２】
前記水分蓄積を検知する温度が、室温〜１５０℃の間に設定されていることを特徴とする請求項１記載のガス検知装置。
【請求項３】
水分蓄積回復手段をさらに有し、
前記水分蓄積検知手段が前記ガス検知層の水分蓄積を検知した場合には、前記水分蓄積回復手段が蓄積した水分を排除する回復処理を行うことを特徴とする請求項１又は２に記載のガス検知装置。
【請求項４】
前記水分蓄積回復手段が、前記ヒータ層への通電時間を前記所定の通電時間より長くするよう制御することを特徴とする請求項３記載のガス検知装置。
【請求項５】
前記水分蓄積回復手段が、前記ヒータ層への通電する周期を前記所定の周期より短くするよう制御することを特徴とする請求項３記載のガス検知装置。
【請求項６】
前記水分蓄積回復手段が、前記回復処理時だけ所定のヒータ温度より高くするよう制御することを特徴とする請求項３記載のガス検知装置。
【請求項７】
ガスとの接触により電気的特性が変化するガス検知層、および、該ガス検知層を加熱可能なヒータ層を有するセンサ素子と、
前記ガス検知層を加熱するために、前記ヒータ層に所定の周期で間欠的に電圧を印加して所定の温度になるように通電するヒータ制御手段と、
前記ヒータ層により加熱された前記ガス検知層の電気的特性に基づいてガスを検知するガス検知手段と、
前記ガス検知層の水分蓄積を検知する水分蓄積検知手段を備えるガス検知装置における水分蓄積検知方法であって、
前記水分蓄積検知手段は、前記ヒータ層にガス検知のための所定の温度より低い温度で通電した際の前記ガス検知層の電気的特性に基づいて、前記ガス検知層の水分蓄積を検知することを特徴とする水分蓄積検知方法。
【請求項８】
前記水分蓄積を検知する温度が、室温〜１５０℃の間に設定されていることを特徴とする請求項７に記載の水分蓄積検知方法。
【請求項９】
水分蓄積回復手段をさらに有し、
前記水分蓄積検知手段が前記ガス検知層の水分蓄積を検知した場合、前記水分蓄積回復手段が蓄積した水分を排除する回復処理を行うことを特徴とする請求項７又は８に記載の水分蓄積検知方法。
【請求項１０】
前記水分蓄積回復手段が、前記ヒータ層への通電時間を前記所定の通電時間より長くするよう制御することを特徴とする請求項９に記載の水分蓄積検知方法。
【請求項１１】
前記水分蓄積回復手段が、前記ヒータ層への通電する周期を前記所定の周期より短くするよう制御することを特徴とする請求項９に記載の水分蓄積検知方法。
【請求項１２】
前記水分蓄積回復手段が、前記回復処理時だけ所定のヒータ温度より高くするよう制御することを特徴とする請求項９に記載の水分蓄積検知方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ガス検知装置において、水分が蓄積したことを検知し、検知した場合には異常信号を発する技術並びに蓄積された水分を排除して回復させる技術に関する。
【背景技術】
【０００２】
最近では、電池駆動式ガス警報器向けに超省電力のメタンセンサが相当数開発されている。これらのセンサは消費電力を抑制するために、パルス加熱駆動（間欠駆動）を行っている。
【０００３】
上記超省電力のメタンセンサの一例として薄膜マイクロセンサが知られている。しかしながら薄膜マイクロセンサは、３０sec〜６０secの周期で実施されるパルス加熱駆動の加熱時間はわずか数１０〜数１００ｍｓ、より具体的には、５０〜２００ｍｓのみのパルス加熱（４００℃加熱）を行ってガス検知を行っている。非加熱時に大気中の湿度の影響でセンサ（触媒層）に水分が蓄積され、加熱時に蒸発させているが、この場合、高湿雰囲気に長時間さらされると、非加熱時間に吸着した水分が加熱した際に脱離しきらなくなってゆく。すると、加熱時の熱エネルギーが吸着水分の蒸発潜熱に利用され、経時的に加熱時の到達温度が当初想定していた温度（４００℃）よりも低くなり、ガス感度が低下してしまう。
【０００４】
ところで下記特許文献１には、ガス検知層が結露による水分の影響を受けることで電導性が増す、すなわち抵抗が低くなる、ことにより、センサが鋭敏化して誤検出してしまうことの対策として結露しているか否かを検出してセンサ出力への結露による水分の影響を無くす提案がなされている。
【０００５】
図９は、下記特許文献１に開示されているガス検知装置において用いられるセンサ素子である薄膜マイクロセンサ１の構成概要を示す断面図である。図９において薄膜ガスセンサ１は、Ｓｉ基板２と、熱絶縁支持層３と、ヒータ層４と、電気絶縁層５と、ガス検知層６とを備えて構成されている。Ｓｉ基板２には、貫通孔２ａが設けられている。熱絶縁支持層３は、熱酸化ＳｉＯ２層３ａと、ＣＶＤ−Ｓｉ３Ｎ４層３ｂと、ＣＶＤ−ＳｉＯ２層３ｃとを備えている。ガス検知層６は、接合層６ａと、感知層電極６ｂと、感知層６ｃと、選択燃焼層６ｄとを備えている。なお、Ｓｉ基板２はシリコンウェハーから構成され、ヒータ層４はガス検知層６を加熱可能に構成し、ガス検知層６は、例えば、ＣＯ（一酸化炭素）、ＣＨ４（メタン）などに対して選択的に感応した場合に電気的特性が変化するよう構成されている。
【０００６】
このような薄膜ガスセンサ１は、まずＳｉ基板２の表面および裏面に、熱酸化ＳｉＯ２層３ａが形成される。次に、熱酸化ＳｉＯ２層３ａ上に、ＣＶＤ−Ｓｉ３Ｎ４層３ｂと、ＣＶＤ−ＳｉＯ２層３ｃとが順次プラズマＣＶＤ法により形成される。さらに、ヒータ層４と、ＳｉＯ２から成る電気絶縁層５とが順次スパッタ法により形成される。
【０００７】
次に、ガス検知層６を形成するため、電気絶縁層５の上に、接合層６ａと、感知層電極６ｂと、ＳｂをドープしたＳｎＯ２から成る感知層６ｃとが順次スパッタ法により形成される。スパッタ法による成膜には、ＲＦマグネトロンスパッタリング装置が用いられる。
【０００８】
感知層６ｃを十分に覆うように、選択燃焼層６ｄをスクリーン印刷法により塗布し、その後、５００℃の温度下で１時間以上焼成が行われる。選択燃焼層６ｄは、Ａｌ２Ｏ３にＰｄを触媒として担持した焼結材から構成されている。次に、Ｓｉ基板２の裏面からエッチングによりシリコンを除去し、貫通孔２ａを形成する。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００９】
【特許文献１】ＷＯ ２０１２／１０５６３９ Ａ１
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
上述のように従来例における薄膜マイクロセンサは、３０sec〜６０secの周期で５０〜２００ｍｓのみのパルス加熱（４００℃加熱）を行ってガス検知を行っている。非加熱時に大気中の湿度の影響でセンサ（触媒層）に水分が蓄積され、加熱時に蒸発させているが、高湿中に長期間暴露される場合には、水分が飛びきらない。すると、加熱時に４００℃に加熱しても、４００℃まで上昇せずに、メタン感度が低下するという課題があった。
【００１１】
そこで本発明は、蓄積された水分の影響でセンサ検知層が結露するほどでなく、加熱時の到達温度が想定温度よりも若干低下する程度であってもセンサ出力が鈍化（ガス感度が低下）することに対処してセンサに水分が蓄積したかを検知できるようにすることを目的とするものである。また本発明は、上記で水分が蓄積されたと検知された場合には、蓄積された水分を排除する回復処理を施し、センサをより長期間使用可能にすることを目的とするものである。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
上記課題を解決するために請求項１に記載の発明は、ガスとの接触により電気的特性が変化するガス検知層、および、該ガス検知層を加熱可能なヒータ層を有するセンサ素子と、
前記ガス検知層を加熱するために、前記ヒータ層に所定の周期で間欠的に電圧を印加して所定の温度になるように通電するヒータ制御手段と、
前記ヒータ層により加熱された前記ガス検知層の電気的特性に基づいてガスを検知するガス検知手段と、
前記ヒータ層にガス検知のための所定の温度より低い温度で通電した際の前記ガス検知層の電気的特性に基づいて、前記ガス検知層の水分蓄積を検知する水分蓄積検知手段と、を有することを特徴とする。
【００１４】
また請求項２に記載の発明は、上記請求項１記載の発明において、前記水分蓄積を検知する温度が、室温〜１５０℃の間に設定されていることを特徴とする。
また請求項３に記載の発明は、上記請求項１又は２に記載の発明において、水分蓄積回復手段をさらに有し、前記水分蓄積検知手段が前記ガス検知層の水分蓄積を検知した場合には、前記水分蓄積回復手段が蓄積した水分を排除する回復処理を行うことを特徴とする。
【００１５】
また請求項４に記載の発明は、上記請求項３に記載の発明において、前記水分蓄積回復手段が、前記ヒータ層への通電時間を前記所定の通電時間より長くするよう制御することを特徴とする。
【００１６】
また請求項５に記載の発明は、上記請求項３に記載の発明において、前記水分蓄積回復手段が、前記ヒータ層への通電する周期を前記所定の周期より短くするよう制御することを特徴とする。
【００１７】
また請求項６に記載の発明は、上記請求項３に記載の発明において、前記水分蓄積回復手段が、前記回復処理時だけ所定のヒータ温度より高くするよう制御することを特徴とする。
【００１８】
上記課題を解決するために請求項７に記載の発明は、ガスとの接触により電気的特性が変化するガス検知層、および、該ガス検知層を加熱可能なヒータ層を有するセンサ素子と、
前記ガス検知層を加熱するために、前記ヒータ層に所定の周期で間欠的に電圧を印加して所定の温度になるように通電するヒータ制御手段と、
前記ヒータ層により加熱された前記ガス検知層の電気的特性に基づいてガスを検知するガス検知手段と、
前記ガス検知層の水分蓄積を検知する水分蓄積検知手段を備えるガス検知装置における水分蓄積検知方法であって、
前記水分蓄積検知手段は、前記ヒータ層にガス検知のための所定の温度より低い温度で通電した際の前記ガス検知層の電気的特性に基づいて、前記ガス検知層の水分蓄積を検知することを特徴とする。
【００１９】
また請求項８に記載の発明は、上記請求項７に記載の発明において、前記水分蓄積を検知する温度が、室温〜１５０℃の間に設定されていることを特徴とする。
また請求項９に記載の発明は、上記請求項７又は８に記載の発明において、水分蓄積回復手段をさらに有し、前記水分蓄積検知手段が前記ガス検知層の水分蓄積を検知した場合、前記水分蓄積回復手段が蓄積した水分を排除する回復処理を行うことを特徴とする。
【００２０】
また請求項１０に記載の発明は、上記請求項９に記載の発明において、前記水分蓄積回復手段が、前記ヒータ層への通電時間を前記所定の通電時間より長くするよう制御することを特徴とする。
【００２１】
また請求項１１に記載の発明は、上記請求項９に記載の発明において、前記水分蓄積回復手段が、前記ヒータ層への通電する周期を前記所定の周期より短くするよう制御することを特徴とする。
【００２２】
また請求項１２に記載の発明は、上記請求項９に記載の発明において、前記水分蓄積回復手段が、前記回復処理時だけ所定のヒータ温度より高くするよう制御することを特徴とする。
【発明の効果】
【００２３】
本発明によれば、水分蓄積によるセンサ感度低下を検知することができ、性能低下したセンサを使い続けることなく、性能低下をいち早く検知して故障による交換を促すことが可能となる。
【００２４】
また本発明によれば、水分蓄積によるセンサ感度低下を検知した場合には、蓄積された水分を排除する回復処理を行うことにより、センサをより長期間使用することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００２５】
【図１】本発明の実施の形態に係るガス検知装置の全体構成の概略を示すブロック図である。
【図２】本発明の実施形態に係るガス検知装置におけるヒータ層の温度を変えた時のガス検知層の温度変化を示す図である。
【図３】本発明の実施形態に係るガス検知装置におけるヒータ層の温度を変えた時のセンサ中の雰囲気ガスの抵抗値の変化を示す図である。
【図４】本発明の実施形態に係るガス検知装置の水分蓄積検知処理フローを示す図である。
【図５】本発明の実施形態に係るガス検知装置の変形例を示す図である。
【図６】図５に示した変形例における水分蓄積後の回復処理を説明するフローチャート（その１）である。
【図７】図５に示した変形例における水分蓄積後の回復処理を説明するフローチャート（その２）である。
【図８】図５に示した変形例における水分蓄積後の回復処理を説明するフローチャート（その３）である。
【図９】従来の薄膜マイクロセンサの構成概要を示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２６】
以下、本発明の実施の形態について、詳細に説明する。
図１は、本発明の実施の形態に係るガス検知装置の全体構成の概略を示すブロック図である。図１に示すガス検知装置には、マイコン制御回路７が設けられており、マイコン制御回路７は、ガス検知装置の全体を制御するように構成されている。ガス検知装置には、薄膜ガスセンサ１のヒータ層４に接続されたヒータ制御回路８が設けられ、ヒータ制御回路８はマイコン制御回路７に接続されている。なお薄膜ガスセンサ１の構成概要は図９に示した従来例のものと同様であるためその詳細構成については図示省略している。
【００２７】
また図１に示すガス検知装置には、マイコン制御回路７およびヒータ制御回路８に接続された電源回路９が設けられており、ガス検知装置は電源回路９からの電圧供給によって動作するように構成されている。電源回路９は、主に乾電池や充電池などの消耗電池が用いられるが、商用電源および定電圧回路を用いて構成してもよい。
【００２８】
そしてヒータ制御回路８は、電源回路９から供給される電圧が、薄膜ガスセンサ１全体を駆動するためのセンサ電圧とヒータ層４を加熱するためのヒータ電圧とに変換するように構成している。マイコン制御回路７に含まれるヒータ制御手段７ａは、ヒータ層４の温度を上げてガス検知層６を加熱するように、時間ｔ１の周期で、例えば３０sec〜６０secの周期で、時間ｔ２の間、例えば５０〜２００ｍｓの間、ヒータ層４に電圧Ｖ１を印加して加熱することを繰り返し、ヒータ層４は間欠的に通電されることになる。
【００２９】
また図１に示すガス検知装置には、薄膜ガスセンサ１のガス検知層６に接続された水分蓄積検知回路１０が設けられ、水分蓄積検知回路１０はマイコン制御回路７に接続され、薄膜ガスセンサ１、特にガス検知層６に水分が蓄積された場合、マイコン制御回路７に含まれる水分蓄積検知手段７ｂによって水分蓄積が検知される構成となっている。ここでは一例として、水分蓄積検知回路１０がガス検知層６に接続されたシャント抵抗（図示せず）を備えており、水分蓄積検知手段７ｂが前記シャント抵抗の両端電圧を測定するよう構成されている。水分蓄積検知回路１０には、シャント抵抗の両端電圧に関するアナログ信号をデジタル信号に変換して水分蓄積検知手段７ｂに送るために、Ａ／Ｄ変換回路（図示せず）が設けられている。マイコン制御回路７において、水分蓄積検知手段７ｂからヒータ制御手段７ａに水分蓄積を検知したことを伝えることができるように構成されている。
【００３０】
ここで水分蓄積検知回路１０により測定されたガス検知層６の抵抗の抵抗値をＲとした場合、ガス検知層６について所定の温度範囲（例えば室温〜１５０℃）内に設定した所定の温度Ｔ1におけるガス検知層６の抵抗の抵抗値Ｒ１と、測定された抵抗値Ｒとを比較して、下記式（１）の条件を満たすか否かによって水分蓄積の状態を判定する。
【００３１】
Ｒ＜Ｒ１・・・・・・・（式１）
すなわち、上記式（１）を満たせば、水分が蓄積状態にあると判定し、上記式（１）を満たしていなければ、水分が蓄積状態になっていないと判定する。上記における所定の抵抗値Ｒ１の設定については後述する。
【００３２】
図２は、本発明の実施形態に係るガス検知装置におけるヒータ層の温度を変えた時のガス検知層の温度変化を示す図である。また図３は、本発明の実施形態に係るガス検知装置におけるヒータ層の温度を変えた時のセンサ中の雰囲気ガスの抵抗値の変化を示す図である。
【００３３】
図２において、たとえばガス検知のための検知温度を４００℃とした場合、水分蓄積が起こっていないガス検知層６のAir中の抵抗値に対して、CH4ガス中の抵抗は約１／１０となり、CH4ガスに対する感度を発現していることが分かる。
【００３４】
一方、ガス検知層６が水分蓄積により鈍化した場合のAir中の抵抗特性は、図３に示す太実線のように変化し、低温（例えば室温〜１００℃）では水分が除去しきれず、上記した所定の抵抗Ｒ１を所定の温度範囲内（例えば室温〜１５０℃）の適当な値に設定することで、上記式１により抵抗値の大小関係を読み取ることができる。すなわち、図３に示した特性から所定の温度範囲内（例えば室温〜１５０℃）にガス検知層６の所定の抵抗値を設定することにより、上記式１で抵抗値の大小を比較して水分の影響を受けて鈍化した状態か否かを読取ることができる。
【００３５】
再び図１を参照すると、ガス検知装置には、薄膜ガスセンサ１のガス検知層６に接続されたガス検知回路１１が設けられている。ガス検知回路１１は、マイコン制御回路７に含まれる都市ガス検知手段７ｃとＣＯガス検知手段７ｄとにそれぞれ接続されている。都市ガス検知手段７ｃは、ガス検知層６の電気的特性に基づいて、都市ガスを構成するＣＨ４（メタンガス）などを検知可能に構成されている（図２、図３参照）。ＣＯガス検知手段７ｄもまた、ガス検知層６の電気的特性に基づいて、ＣＯ（一酸化炭素）を検知可能に構成されている（図２、図３参照）。ガス検知層６によりガスが検知された場合、ガス検知層６から発せられる信号はアナログ信号となっている。そのため、ガス検知回路１１には、このアナログ信号をデジタル信号に変換して、都市ガス検知手段７ｃおよびＣＯガス検知手段７ｄに送るために、Ａ／Ｄ変換回路（図示せず）が設けられている。
【００３６】
さらに図１に示すガス検知装置には、ガスを検知した場合に視覚的に警報を表示するための警報表示回路１２が設けられており、警報表示回路１２は、ランプなどの警報表示手段（図示せず）を備えている。この警報表示回路１２は、マイコン制御回路７に含まれる表示制御手段７ｅに接続されている。またガス検知装置には、ガスを検知した場合に聴覚的に警報を出力するための警報音出力回路１３が設けられており、警報音出力回路１３は、スピーカなどの警報を音声として出力する警報音出力手段（図示せず）を備えている。この警報音出力回路１３は、マイコン制御回路７に含まれる警報音制御手段７ｆに接続されている。
【００３７】
また図１に示すガス検知装置には、ガスを検知した場合に電気的な外部出力をするための外部出力回路１４が設けられており、外部出力回路１４は、外部の機器に信号などの電気的な外部出力を送出することができるように構成されている。外部出力回路１４は、マイコン制御回路７に含まれる外部出力制御手段７ｇに接続されている。
【００３８】
また図１に示すガス検知装置には、マイコン制御回路７に接続された外部記憶回路１５が設けられている。外部記憶回路１５には、水分蓄積を判定するために用いる判定値、蓄積された水分の排除の為の操作値およびガス検知に用いられる閾値および設定値、並びに、ガスを検知して警報を発したときのデータなどの履歴を記憶可能に構成されている。
【００３９】
なお、マイコン制御回路７は、マイクロコンピュータなどのＣＰＵおよびその周辺回路によって構成されている。ヒータ制御手段７ａと、水分蓄積検知手段７ｂと、都市ガス検知手段７ｃと、ＣＯガス検知手段７ｄと、表示制御手段７ｅと、警報音制御手段７ｆと、外部出力制御手段７ｇとは、ハードウェアまたはソフトウェアによって構成されている。
【００４０】
図４は、本発明の実施形態に係るガス検知装置の水分蓄積検知処理フローを示す図である。図４においては、水分の蓄積によるガス感度の低下を検知するために、定期的（たとえば１時間に１回の割合で）にセンサの温度が５０〜１００℃になる程度の通電時間ｔ2でパルス加熱駆動を行い（ステップS1）、その時のガス検知層６の抵抗値Ｒを測定（ステップS2）し、当該抵抗値Ｒと予め設定した温度（例えば１００℃）における所定の抵抗値Ｒ１とを比較し、抵抗値Ｒが所定の抵抗値Ｒ１より低い場合（ステップS3）には水分の蓄積がおこっていると判断する。そして、水分蓄積が起こっていると判断された場合（ステップS3：Yes）、警報手段に対して警報報知を行う（ステップS5）ことでセンサの異常を早期に確認させることができる。
【００４１】
図５は、本発明の実施形態に係るガス検知装置の変形例を示す図である。図５に示す本発明の実施形態に係るガス検知装置は、ヒータ制御手段７ａと水分蓄積検知手段７ｂとの間に水分蓄積回復手段７ｈを設けた点が図１に示したガス検知装置の構成と異なっている。そして図５に示す本発明の実施形態に係るガス検知装置では、図３及び図４に示した水分蓄積検知の診断手法により異常を検知し、水分蓄積を検知した後、蓄積された水分を排除する回復処理を行うための水分蓄積回復手段７ｈをマイコン制御回路７内に備えていることを除いて図１に示したガス検知装置の構成と同じであるため、その詳細な説明については省略することとする。
【００４２】
図６は、図５に示した変形例における水分蓄積後の回復処理を説明するフローチャート（その１）である。図６では、図３及び図４に示した水分蓄積検知の診断手法により異常を検知し、水分蓄積を検知した後、蓄積された水分を排除する回復処理として、水分蓄積回復手段７ｈがヒータ制御手段７ａに信号を送り、ヒータ制御手段７ａが加熱温度を一時的に、通常のパルス加熱（４００℃加熱）から＋５０℃上がるようにパルス加熱操作（ステップS11）を行って４５０℃加熱にし、ガス検知層６の抵抗を測定し（ステップS12）、蓄積した水分を飛ばす操作を実行する（ステップS13）。
【００４３】
その後、同様の水分蓄積診断（異常検知）を行い、上記操作で回復したかを確認する。回復しなければ（ステップS13：No）、回復処理を所定回数（例えば１０回）連続して実行し、回復したかを確認する（ステップS14）。所定回数連続して実行しても回復しない場合には、センサ故障と判定する（ステップS15）。
【００４４】
図７は、図５に示した変形例における水分蓄積後の回復処理を説明するフローチャート（その２）である。図７では、図３及び図４に示した水分蓄積検知の診断手法により異常を検知し、水分蓄積を検知した後、蓄積された水分を排除する回復処理として、水分蓄積回復手段７ｈがヒータ制御手段７ａに信号を送り、ヒータ制御手段７ａが加熱温度を一時的に、通常のパルス加熱（４００℃加熱）から＋１０℃上がるようにパルス加熱操作（ステップS21）を行って４１０℃加熱にし、ガス検知層６の抵抗を測定し（ステップS22）、蓄積した水分を飛ばす操作を実行する（ステップS23）。
【００４５】
その後、同様の水分蓄積診断（異常検知）を行い、上記操作で回復したかを確認する。この操作で回復せずに、その後、再度異常を検知した場合には、さらに＋１０℃上昇させることを繰り返し、所定の温度（たとえば４５０℃）まで上昇させた後に（ステップS24）、回復せずに異常が検知された場合には、センサ故障と判定する（ステップS25）。
【００４６】
図８は、図５に示した変形例における水分蓄積後の回復処理を説明するフローチャート（その３）である。図８では、図３及び図４に示した水分蓄積検知の診断手法により異常を検知し、水分蓄積を検知した後、蓄積された水分を排除する回復処理として、水分蓄積回復手段７ｈがヒータ制御手段７ａに信号を送り、ヒータ制御手段７ａが、ヒータ層４への通電時間を前記所定の通電時間より長くするよう制御するか、又は、水分蓄積回復手段７ｈが、ヒータ層４へ通電する周期を前記所定の通電周期より短くするよう制御する（ステップS31）ものである。その後の回復処理については上記した図７と同様であるのでその説明を割愛する。
【００４７】
このように、従来は、水分蓄積による性能低下を検知・診断する手法が無かったのに対して、本発明の実施形態およびその変形例によれば、水分蓄積による性能低下を検知し、性能低下があれば警報報知するとともに、蓄積された水分を排除する回復処理を行うことにより、長期間、性能安定した状態でセンサを使用し続けることが出来る。
【符号の説明】
【００４８】
１  薄膜ガスセンサ
４  ヒータ層
６  ガス検知層
７  マイコン制御回路
７ａ  ヒータ制御手段
７ｂ  水分蓄積検知手段
７ｃ  都市ガス検知手段
７ｄ  ＣＯガス検知手段
７ｅ  表示制御手段
７ｆ  警報音出力制御手段
７ｇ  外部出力制御手段
７ｈ  水分蓄積回復手段
８  ヒータ制御回路
９  電源回路
１０  水分蓄積検知回路
１１  ガス検知回路
１２  警報表示回路
１３  警報音出力回路
１４  外部出力回路
１５  記憶回路
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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