(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の面と第２の面を有する基板の前記第２の面側に膜を形成し、
前記基板を切断予定領域に沿って切断し、
前記切断予定領域に沿って前記膜を切断し、
前記基板の切断により形成された第１の切断部又は前記膜の切断により形成された第２の切断部に、二酸化炭素を含む粒子を、前記膜の表面でのスポット径がφ３ｍｍ以上φ１０ｍｍ以下となるように噴射し、前記第１の切断部又は前記第２の切断部を加工するデバイスの製造方法。
【請求項２】
第１の面と第２の面を有する基板の前記第２の面側に膜を形成し、
前記基板を切断予定領域に沿って切断し、
前記切断予定領域に沿って前記膜を切断し、
前記基板の切断により形成された第１の切断部及び前記膜の切断により形成された第２の切断部に、前記基板の前記第１の面又は前記第２の面に貼り付けられた樹脂シートをエキスパンドさせることにより前記第１の切断部及び前記第２の切断部の幅を広げながら二酸化炭素を含む粒子を噴射し、前記第１の切断部又は前記第２の切断部を加工するデバイスの製造方法。
【請求項３】
前記膜は金属膜又は樹脂膜である請求項１又は請求項２記載のデバイスの製造方法。
【請求項４】
前記基板は半導体基板である請求項１乃至請求項３いずれか一項記載のデバイスの製造方法。
【請求項５】
前記粒子を噴射することにより、前記第１の切断部又は前記第２の切断部のバリ又はデブリを除去する請求項１乃至請求項４いずれか一項記載のデバイスの製造方法。
【請求項６】
前記第１の面又は前記第２の面に対し９０度未満の角度で傾斜した方向に前記粒子を噴射する請求項１乃至請求項５いずれか一項記載のデバイスの製造方法。
【請求項７】
前記基板の切断と、前記膜の切断を、前記第１の面側からブレードダイシングにより同時に行う請求項１乃至請求項６いずれか一項記載のデバイスの製造方法。
【請求項８】
前記基板の切断又は前記膜の切断を、レーザ光の照射より行う請求項１乃至請求項６いずれか一項記載のデバイスの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明の実施形態は、デバイスの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
ウェハ等の半導体基板上に形成された複数の半導体素子は、半導体基板に設けられたダイシング領域に沿ってダイシングすることによって、複数の半導体チップに分割される。半導体基板の一方の面に、半導体素子の電極となる金属膜や、ダイボンディングフィルム等の樹脂膜が形成されている場合、ダイシングの際にダイシング領域の金属膜や樹脂膜も切断する必要がある。
【０００３】
半導体基板、金属膜、又は樹脂膜を切断する方法として、ブレードダイシングにより切断する方法がある。この方法の場合、半導体基板、金属膜、又は樹脂膜の切断部にバリ等の形状異常が生じやすい。また、別の方法として、例えば、レーザ光の照射により切断する方法がある。この方法の場合、半導体基板、金属膜、又は樹脂膜の切断部にデブリ等の形状異常が生じやすい。バリやデブリ等の形状異常が生ずると、半導体チップが外観検査不良と判定されたり、ベッドと半導体チップの接合不良が生じたりすることで製品歩留りが低下するため問題となる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００８−１４１１３５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
本発明が解決しようとする課題は、基板、又は基板上に形成される膜を加工する際の形状異常の抑制を可能にするデバイスの製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
実施形態のデバイスの製造方法は、第１の面と第２の面を有する基板の前記第２の面側に膜を形成し、前記基板を切断予定領域に沿って切断し、前記切断予定領域に沿って前記膜を切断し、前記基板の切断により形成された第１の切断部又は前記膜の切断により形成された第２の切断部に、二酸化炭素を含む粒子を、前記膜の表面でのスポット径がφ３ｍｍ以上φ１０ｍｍ以下となるように噴射し、前記第１の切断部又は前記第２の切断部を加工する。
【図面の簡単な説明】
【０００７】
【図１】第１の実施形態のデバイスの製造方法を示す模式工程断面図。
【図２】第２の実施形態のデバイスの製造方法を示す模式工程断面図。
【図３】第３の実施形態のデバイスの製造方法を示す模式工程断面図。
【図４】第４の実施形態のデバイスの製造方法を示す模式工程断面図。
【図５】第５の実施形態のデバイスの製造方法を示す模式工程断面図。
【図６】第６の実施形態のデバイスの製造方法を示す模式工程断面図。
【図７】第７の実施形態のデバイスの製造方法を示す模式工程断面図。
【図８】第８の実施形態のデバイスの製造方法を示す模式工程断面図。
【図９】第９の実施形態のデバイスの製造方法を示す模式工程断面図。
【図１０】第１０の実施形態のデバイスの製造方法を示す模式工程断面図。
【図１１】第１１の実施形態のデバイスの製造方法を示す模式工程断面図。
【図１２】第１２の実施形態のデバイスの製造方法を示す模式工程断面図。
【発明を実施するための形態】
【０００８】
本明細書中、「バリ（ｂｕｒｒ）」とは被加工物の加工の際に、被加工物の加工面や表面に生ずる不要な突起を意味する。また、本明細書中、「デブリ（ｄｅｂｒｉｓ）」とは、被加工物のレーザ光の照射による加工の際に、蒸発又は溶融した被加工物が、被加工物の加工面や表面で再凝固することによって生ずる形状異常を意味する。
【０００９】
以下、図面を参照しつつ本発明の実施形態を説明する。なお、以下の説明では、同一の部材等には同一の符号を付し、一度説明した部材等については適宜その説明を省略する。
【００１０】
（第１の実施形態）
本実施形態のデバイスの製造方法は、第１の面と第２の面を有する基板の第２の面側に膜を形成し、基板を切断予定領域に沿って切断し、切断予定領域に沿って膜を切断し、基板の切断により形成された第１の切断部又は膜の切断により形成された第２の切断部に粒子を噴射し、第１の切断部又は第２の切断部を加工する。
【００１１】
以下、製造するデバイスが、両面に金属電極を備えるシリコン（Ｓｉ）を用いた縦型のパワーＭＯＳＦＥＴ（Ｍｅｔａｌ  Ｏｘｉｄｅ  Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ  Ｆｉｅｌｄ  Ｅｆｆｅｃｔ  Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）である場合を例に説明する。この場合、基板が半導体基板となる。また、膜が金属膜となる。また、噴射する粒子が、二酸化炭素を含む粒子である場合を例に説明する。なお、二酸化炭素を含む粒子（以下、単に二酸化炭素粒子とも記述する）とは、二酸化炭素を主成分とする粒子である。二酸化炭素に加え、例えば、不可避的な不純物が含有されていても構わない。
【００１２】
図１は、本実施形態のデバイスの製造方法を示す模式工程断面図である。
【００１３】
まず、第１の面（以下、表面とも称する）と第２の面（以下、裏面とも称する）を備えるシリコン基板（基板）１０の表面側に縦型のＭＯＳＦＥＴ（半導体素子）のベース領域、ソース領域、ゲート絶縁膜、ゲート電極、ソース電極等のパターンを形成する。その後、シリコン基板１０の最上層に保護膜を形成する。保護膜は、例えば、ポリイミド等の樹脂膜、シリコン窒化膜やシリコン酸化膜等の無機絶縁膜である。表面側に設けられたダイシング領域の表面には、シリコン基板１０が露出していることが望ましい。
【００１４】
次に、シリコン基板１０の表面側に支持基板（支持体）１２を貼りあわせる（図１（ａ））。支持基板１２は、例えば、石英ガラスである。
【００１５】
次に、シリコン基板１０の裏面側を研削により除去し、シリコン基板１０を薄膜化する。その後、シリコン基板１０の裏面側に金属膜１４を形成する（図１（ｂ））。金属膜１４は裏面の略全面に設けられる。
【００１６】
金属膜１４は、ＭＯＳＦＥＴのドレイン電極である。金属膜１４は、例えば、異種の金属の積層膜である。金属膜１４は、例えば、シリコン基板１０の裏面側から、アルミニウム／チタン／ニッケル／金の積層膜である。金属膜１４は、例えば、スパッタ法により形成される。金属膜１４の膜厚は、例えば、０．５μｍ以上１．０μｍ以下である。
【００１７】
次に、シリコン基板１０の裏面側に樹脂シート１６を貼りつける。樹脂シート１６は、いわゆる、ダイシングシートである。樹脂シート１６は、例えば、金属のフレーム１８に固定されている。樹脂シート１６は、金属膜１４の表面に接着される。その後、シリコン基板１０から支持基板１２を剥離する（図１（ｃ））。
【００１８】
次に、シリコン基板１０の表面側に設けられたダイシング領域に沿って、シリコン基板１０及び金属膜１４を同時に切断する（図１（ｄ））。ここで、ダイシング領域とは、複数の半導体素子をダイシングにより複数の半導体チップに分割するための所定の幅を備える切断予定領域である。ダイシング領域は、シリコン基板１０の表面側に設けられる。ダイシング領域は、ダイシングストリートとも称される。ダイシング領域には、半導体素子のパターンは形成されない。ダイシング領域は、例えば、シリコン基板１０表面側に、半導体素子を区切るように格子状に設けられる。
【００１９】
シリコン基板１０及び金属膜１４は、表面側から、ブレードダイシングにより同時に切断する。シリコン基板１０及び金属膜１４は、回転するブレードを用いて切断される。
【００２０】
次に、シリコン基板１０の表面側に樹脂シート２２を貼りつける。樹脂シート２２は、いわゆる、ダイシングシートである。樹脂シート２２は、例えば、金属のフレーム２４に固定されている。樹脂シート２２は、表面側の保護膜や金属電極の表面に接着される。その後、裏面側の樹脂シート１６を剥離する（図１（ｅ））。
【００２１】
次に、シリコン基板１０の裏面側（第２の面側）から金属膜１４に二酸化炭素粒子を噴射する（図１（ｆ））。二酸化炭素粒子を噴射することにより、シリコン基板１０の切断により形成された第１の切断部２１、又は、金属膜１４の切断により形成された第２の切断部２３を加工する。第１の切断部２１は、切断されたシリコン基板１０の切断面や、切断面近傍のシリコン基板１０の表面である。第２の切断部２３は、切断された金属膜１４の切断面や、切断面近傍の金属膜１４の表面である。
【００２２】
第１の切断部２１や第２の切断部２３の加工とは、具体的には、第１の切断部２１や第２の切断部２３に、ブレードダイシングにより生じたバリの除去である。バリは、二酸化炭素粒子により削ぎ落とされることで除去される。
【００２３】
二酸化炭素粒子は、固体状態の二酸化炭素である。二酸化炭素粒子は、いわゆるドライアイスである。二酸化炭素粒子の形状は、例えば、ペレット状、粉末状、球状、又は、不定形状である。
【００２４】
二酸化炭素粒子は、例えば、液化炭酸ガスを断熱膨張させることにより生成される。生成された二酸化炭素粒子は、例えば、窒素ガスとともにノズルから噴射され、金属膜１４に吹き付けられる。二酸化炭素粒子の平均粒径が１０μｍ以上２００μｍ以下であることが望ましい。二酸化炭素粒子の平均粒径は、例えば、ノズルから噴射される二酸化炭素粒子を高速カメラで撮像し、撮像した画像内の粒子を測長することで求めることが可能である。
【００２５】
二酸化炭素粒子の平均粒径が、第１の切断部２１又は第２の切断部２３の幅よりも小さいことが望ましい。第１の切断部２１又は第２の切断部２３の切断面に、二酸化炭素粒子が衝突しやすくなり、バリの除去効果が向上するためである。
【００２６】
また、二酸化炭素粒子が金属膜１４に吹き付けられる際の金属膜１４表面でのスポット径は、例えば、φ３ｍｍ以上φ１０ｍｍ以下であることが望ましい。
【００２７】
二酸化炭素粒子を吹き付けて、バリを除去する際に、樹脂シート２２をエキスパンドさせて、第１の切断部２１及び第２の切断部２３の幅を広げることが望ましい。第１の切断部２１及び第２の切断部２３の幅が広がることにより、第１の切断部２１又は第２の切断部２３の切断面に、二酸化炭素粒子が衝突しやすくなり、バリの除去効果が向上するためである。
【００２８】
二酸化炭素粒子を吹き付けて、バリを除去する際に、図１（ｆ）に示すように、樹脂シート２２の領域をマスク２６で覆うことが望ましい。樹脂シート２２の領域をマスク２６で覆うことで、例えば、樹脂シート２２が、二酸化炭素粒子による衝撃でフレーム２４から剥がれることを抑制できる。マスク２６は、例えば、金属である。
【００２９】
その後、シリコン基板１０の表面側の樹脂シート２２を剥離することにより、分割された複数のＭＯＳＦＥＴが得られる。
【００３０】
以下、本実施形態のデバイスの製造方法の作用及び効果について説明する。
【００３１】
縦型のＭＯＳＦＥＴのように、シリコン基板１０の裏面側にも金属膜１４が形成される場合、ダイシングの際にダイシング領域の裏面側の金属膜１４も切断する必要がある。例えば、ブレードダイシングにより半導体基板１０と、金属膜１４とを表面側から同時に除去する場合、ダイシング領域のシリコン基板１０の切断面が凹凸形状になり、いわゆるバリが発生する。また、ダイシング領域の金属膜１４が裏面側に捲れあがり、いわゆるバリが発生する。
【００３２】
シリコン基板１０のバリが発生すると、例えば、半導体チップが外観検査不良となり製品化できない恐れがある。また、バリの部分で、半導体チップの強度が低下する恐れがある。
【００３３】
また、金属膜１４のバリが発生すると、例えば、半導体チップが外観検査不良となり製品化できない恐れがある。また、例えば、半導体チップと金属のベッドとをはんだ等の接合材により接合する際に、バリの部分で密着性が悪くなることで、接合不良が生じる恐れがある。
【００３４】
本実施形態では、ダイシング領域に沿ってシリコン基板１０及び金属膜１４を切断したした後、裏面側から二酸化炭素粒子を吹き付ける。二酸化炭素粒子により、シリコン基板１０又は金属膜１４のバリが除去される。
【００３５】
シリコン基板１０及び金属膜１４のバリの除去は、主に二酸化炭素粒子の物理的衝撃により生じているものと考えられる。加えて、バリが低温の二酸化炭素粒子により急冷されること、及び、バリに衝突した二酸化炭素が気化膨張する力が加わることにより、物理衝撃によるバリの除去効果を促進するものと考えられる。
【００３６】
本実施形態において、二酸化炭素粒子を噴射する際に、金属膜１４の表面（第２の面）に対し９０度未満の角度で傾斜した方向に二酸化炭素粒子を噴射することが望ましい。二酸化炭素粒子を金属膜１４の表面（第２の面）に対し９０度未満の角度で傾斜した方向に噴射することで、シリコン基板１０及び金属膜１４の切断面に粒子が衝突しやすくなる。したがって、バリの除去効率が向上する。
【００３７】
以上、本実施形態によれば、基板又は基板上に形成される膜を加工する際の形状異常の抑制を可能にするデバイスの製造方法を提供することが可能となる。
【００３８】
（第２の実施形態）
本実施形態のデバイスの製造方法は、基板の第２の面側ではなく、基板の第１の面側から粒子を基板に噴射する点以外は、第１の実施形態と同様である。したがって、第１の実施形態と重複する内容については一部記述を省略する。
【００３９】
以下、製造するデバイスが、両面に金属電極を備えるシリコン（Ｓｉ）を用いた縦型のパワーＭＯＳＦＥＴである場合を例に説明する。また、噴射する粒子が、二酸化炭素を含む粒子である場合を例に説明する。
【００４０】
図２は、本実施形態のデバイスの製造方法を示す模式工程断面図である。
【００４１】
まず、第１の面（以下、表面とも称する）と第２の面（以下、裏面とも称する）を備えるシリコン基板（基板）１０の表面側に縦型のＭＯＳＦＥＴ（半導体素子）のベース領域、ソース領域、ゲート絶縁膜、ゲート電極、ソース電極等のパターンを形成する。その後、シリコン基板１０の最上層に保護膜を形成する。
【００４２】
次に、シリコン基板１０の表面側に支持基板（支持体）１２を貼りあわせる（図２（ａ））。支持基板１２は、例えば、石英ガラスである。
【００４３】
次に、シリコン基板１０の裏面側を研削により除去し、シリコン基板１０を薄膜化する。その後、シリコン基板１０の裏面側に金属膜１４を形成する（図２（ｂ））。金属膜１４は裏面の略全面に設けられる。
【００４４】
金属膜１４は、ＭＯＳＦＥＴのドレイン電極である。金属膜１４は、例えば、異種の金属の積層膜である。金属膜１４は、例えば、シリコン基板１０の裏面側から、アルミニウム／チタン／ニッケル／金の積層膜である。金属膜１４は、例えば、スパッタ法により形成される。金属膜１４の膜厚は、例えば、０．５μｍ以上１．０μｍ以下である。
【００４５】
次に、シリコン基板１０の裏面側に樹脂シート１６を貼りつける。樹脂シート１６は、いわゆる、ダイシングシートである。樹脂シート１６は、例えば、金属のフレーム１８に固定されている。樹脂シート１６は、金属膜１４の表面に接着される。その後、シリコン基板１０から支持基板１２を剥離する（図２（ｃ））。
【００４６】
次に、シリコン基板１０の表面側に設けられたダイシング領域（切断予定領域）に沿ってシリコン基板１０及び金属膜１４を同時に切断する（図２（ｄ））。
【００４７】
シリコン基板１０及び金属膜１４は、シリコン基板１０の表面側（第１の面側）から、ブレードダイシングにより同時に切断する。シリコン基板１０及び金属膜１４は、回転するブレードを用いて切断される。
【００４８】
次に、シリコン基板１０の表面側（第１の面側）からシリコン基板１０に二酸化炭素粒子を噴射する（図２（ｅ））。二酸化炭素粒子を噴射することにより、シリコン基板１０の切断により形成された第１の切断部２１、又は、金属膜１４の切断により形成された第２の切断部２３を加工する。
【００４９】
第１の切断部２１や第２の切断部２３の加工とは、具体的には、第１の切断部２１や第２の切断部２３に、ブレードダイシングにより生じたバリの除去である。バリは、二酸化炭素粒子により削ぎ落とされることで除去される。
【００５０】
二酸化炭素粒子を吹き付けて、バリを除去する際に、樹脂シート１６をエキスパンドさせて、第１の切断部２１及び第２の切断部２３の幅を広げることが望ましい。第１の切断部２１及び第２の切断部２３の幅が広がることにより、第１の切断部２１又は第２の切断部２３の切断面に、二酸化炭素粒子が衝突しやすくなり、バリの除去効果が向上するためである。
【００５１】
その後、シリコン基板１０の表面側の樹脂シート１６を剥離することにより、分割された複数のＭＯＳＦＥＴが得られる。
【００５２】
以上、本実施形態によれば、基板又は基板上に形成される膜を加工する際の形状異常の抑制を可能にするデバイスの製造方法を提供することが可能となる。
【００５３】
（第３の実施形態）
本実施形態のデバイスの製造方法は、基板の切断と膜の切断を、第１の面側からレーザ光の照射により同時に行う点以外は、第１の実施形態と同様である。したがって、第１の実施形態と重複する内容については一部記述を省略する。
【００５４】
以下、製造するデバイスが、両面に金属電極を備えるシリコン（Ｓｉ）を用いた縦型のパワーＭＯＳＦＥＴである場合を例に説明する。また、噴射する粒子が、二酸化炭素を含む粒子である場合を例に説明する。
【００５５】
図３は、本実施形態のデバイスの製造方法を示す模式工程断面図である。
【００５６】
まず、第１の面（以下、表面とも称する）と第２の面（以下、裏面とも称する）を備えるシリコン基板（基板）１０の表面側に縦型のＭＯＳＦＥＴ（半導体素子）のベース領域、ソース領域、ゲート絶縁膜、ゲート電極、ソース電極等のパターンを形成する。その後、シリコン基板１０の最上層に保護膜を形成する。
【００５７】
次に、シリコン基板１０の表面側に支持基板（支持体）１２を貼りあわせる（図３（ａ））。支持基板１２は、例えば、石英ガラスである。
【００５８】
次に、シリコン基板１０の裏面側を研削により除去し、シリコン基板１０を薄膜化する。その後、シリコン基板１０の裏面側に金属膜１４を形成する（図３（ｂ））。金属膜１４は裏面の略全面に設けられる。
【００５９】
金属膜１４は、ＭＯＳＦＥＴのドレイン電極である。金属膜１４は、例えば、異種の金属の積層膜である。金属膜１４は、例えば、シリコン基板１０の裏面側から、アルミニウム／チタン／ニッケル／金の積層膜である。金属膜１４は、例えば、スパッタ法により形成される。金属膜１４の膜厚は、例えば、０．５μｍ以上１．０μｍ以下である。
【００６０】
次に、シリコン基板１０の裏面側に樹脂シート１６を貼りつける。樹脂シート１６は、いわゆる、ダイシングシートである。樹脂シート１６は、例えば、金属のフレーム１８に固定されている。樹脂シート１６は、金属膜１４の表面に接着される。その後、シリコン基板１０から支持基板１２を剥離する（図３（ｃ））。
【００６１】
次に、シリコン基板１０の表面側に設けられたダイシング領域（切断予定領域）に沿ってシリコン基板１０及び金属膜１４を同時に切断する（図３（ｄ））。
【００６２】
シリコン基板１０及び金属膜１４は、シリコン基板１０の表面側（第１の面側）から、レーザ光の照射により同時に切断する。
【００６３】
次に、シリコン基板１０の表面側に樹脂シート２２を貼りつける。樹脂シート２２は、いわゆる、ダイシングシートである。樹脂シート２２は、例えば、金属のフレーム２４に固定されている。樹脂シート２２は、表面側の保護膜や金属電極の表面に接着される。その後、裏面側の樹脂シート１６を剥離する（図３（ｅ））。
【００６４】
次に、シリコン基板１０の裏面側（第２の面側）から金属膜１４に二酸化炭素粒子を噴射する（図３（ｆ））。二酸化炭素粒子を噴射することにより、シリコン基板１０の切断により形成された第１の切断部２１、又は、金属膜１４の切断により形成された第２の切断部２３を加工する。
【００６５】
第１の切断部２１や第２の切断部２３の加工とは、具体的には、第１の切断部２１や第２の切断部２３に、レーザ光の照射により生じたデブリの除去である。デブリは、二酸化炭素粒子により削ぎ落とされることで除去される。
【００６６】
二酸化炭素粒子を吹き付けて、デブリを除去する際に、樹脂シート２２をエキスパンドさせて、第１の切断部２１及び第２の切断部２３の幅を広げることが望ましい。第１の切断部２１及び第２の切断部２３の幅が広がることにより、第１の切断部２１又は第２の切断部２３の切断面に、二酸化炭素粒子が衝突しやすくなり、デブリの除去効果が向上するためである。
【００６７】
その後、シリコン基板１０の裏面側の樹脂シート２２を剥離することにより、分割された複数のＭＯＳＦＥＴが得られる。
【００６８】
以上、本実施形態によれば、基板又は基板上に形成される膜を加工する際の形状異常の抑制を可能にするデバイスの製造方法を提供することが可能となる。
【００６９】
（第４の実施形態）
本実施形態のデバイスの製造方法は、基板の切断と膜の切断を、第２の面側からレーザ光の照射により同時に行う点で、第２の実施形態と異なっている。第２の実施形態と重複する内容については一部記述を省略する。
【００７０】
以下、製造するデバイスが、両面に金属電極を備えるシリコン（Ｓｉ）を用いた縦型のパワーＭＯＳＦＥＴである場合を例に説明する。また、噴射する粒子が、二酸化炭素を含む粒子である場合を例に説明する。
【００７１】
図４は、本実施形態のデバイスの製造方法を示す模式工程断面図である。
【００７２】
まず、第１の面（以下、表面とも称する）と第２の面（以下、裏面とも称する）を備えるシリコン基板（基板）１０の表面側に縦型のＭＯＳＦＥＴ（半導体素子）のベース領域、ソース領域、ゲート絶縁膜、ゲート電極、ソース電極等のパターンを形成する。その後、シリコン基板１０の最上層に保護膜を形成する。
【００７３】
次に、シリコン基板１０の表面側に支持基板（支持体）１２を貼りあわせる（図４（ａ））。支持基板１２は、例えば、石英ガラスである。
【００７４】
次に、シリコン基板１０の裏面側を研削により除去し、シリコン基板１０を薄膜化する。その後、シリコン基板１０の裏面側に金属膜１４を形成する（図４（ｂ））。金属膜１４は裏面の略全面に設けられる。その後、シリコン基板１０から支持基板１２を剥離する。
【００７５】
金属膜１４は、ＭＯＳＦＥＴのドレイン電極である。金属膜１４は、例えば、異種の金属の積層膜である。金属膜１４は、例えば、シリコン基板１０の裏面側から、アルミニウム／チタン／ニッケル／金の積層膜である。金属膜１４は、例えば、スパッタ法により形成される。金属膜１４の膜厚は、例えば、０．５μｍ以上１．０μｍ以下である。
【００７６】
次に、シリコン基板１０の表面側に樹脂シート１６を貼りつける。樹脂シート１６は、いわゆる、ダイシングシートである。樹脂シート１６は、例えば、金属のフレーム１８に固定されている。樹脂シート１６は、シリコン基板１０の表面に接着される（図４（ｃ））。
【００７７】
次に、シリコン基板１０の表面側に設けられたダイシング領域（切断予定領域）に沿って、シリコン基板１０の裏面側から、シリコン基板１０及び金属膜１４を同時に切断する（図４（ｄ））。
【００７８】
シリコン基板１０及び金属膜１４は、シリコン基板１０の裏面側（第２の面側）から、レーザ光の照射により同時に切断する。
【００７９】
次に、シリコン基板１０の裏面側（第２の面側）からシリコン基板１０に二酸化炭素粒子を噴射する（図４（ｅ））。二酸化炭素粒子を噴射することにより、シリコン基板１０の切断により形成された第１の切断部２１、又は、金属膜１４の切断により形成された第２の切断部２３を加工する。
【００８０】
第１の切断部２１や第２の切断部２３の加工とは、具体的には、第１の切断部２１や第２の切断部２３に、レーザ光の照射により生じたデブリの除去である。デブリは、二酸化炭素粒子により削ぎ落とされることで除去される。
【００８１】
二酸化炭素粒子を吹き付けて、デブリを除去する際に、樹脂シート１６をエキスパンドさせて、第１の切断部２１及び第２の切断部２３の幅を広げることが望ましい。第１の切断部２１及び第２の切断部２３の幅が広がることにより、第１の切断部２１又は第２の切断部２３の切断面に、二酸化炭素粒子が衝突しやすくなり、デブリの除去効果が向上するためである。
【００８２】
その後、シリコン基板１０の表面側の樹脂シート１６を剥離することにより、分割された複数のＭＯＳＦＥＴが得られる。
【００８３】
以上、本実施形態によれば、基板又は基板上に形成される膜を加工する際の形状異常の抑制を可能にするデバイスの製造方法を提供することが可能となる。
【００８４】
（第５の実施形態）
本実施形態のデバイスの製造方法は、膜の切断を、第２の面側からレーザ光の照射により行い、基板の切断を第２の面側からブレードダイシングにより行う点で、第４の実施形態と異なっている。第４の実施形態と重複する内容については一部記述を省略する。
【００８５】
以下、製造するデバイスが、両面に金属電極を備えるシリコン（Ｓｉ）を用いた縦型のパワーＭＯＳＦＥＴである場合を例に説明する。また、噴射する粒子が、二酸化炭素を含む粒子である場合を例に説明する。
【００８６】
図５は、本実施形態のデバイスの製造方法を示す模式工程断面図である。
【００８７】
まず、第１の面（以下、表面とも称する）と第２の面（以下、裏面とも称する）を備えるシリコン基板（基板）１０の表面側に縦型のＭＯＳＦＥＴ（半導体素子）のベース領域、ソース領域、ゲート絶縁膜、ゲート電極、ソース電極等のパターンを形成する。その後、シリコン基板１０の最上層に保護膜を形成する。
【００８８】
次に、シリコン基板１０の表面側に支持基板（支持体）１２を貼りあわせる（図５（ａ））。支持基板１２は、例えば、石英ガラスである。
【００８９】
次に、シリコン基板１０の裏面側を研削により除去し、シリコン基板１０を薄膜化する。その後、シリコン基板１０の裏面側に金属膜１４を形成する（図５（ｂ））。金属膜１４は裏面の略全面に設けられる。その後、シリコン基板１０から支持基板１２を剥離する。
【００９０】
金属膜１４は、ＭＯＳＦＥＴのドレイン電極である。金属膜１４は、例えば、異種の金属の積層膜である。金属膜１４は、例えば、シリコン基板１０の裏面側から、アルミニウム／チタン／ニッケル／金の積層膜である。金属膜１４は、例えば、スパッタ法により形成される。金属膜１４の膜厚は、例えば、０．５μｍ以上１．０μｍ以下である。
【００９１】
次に、シリコン基板１０の表面側（第１の面側）に樹脂シート１６を貼りつける。樹脂シート１６は、いわゆる、ダイシングシートである。樹脂シート１６は、例えば、金属のフレーム１８に固定されている。樹脂シート１６は、シリコン基板１０の表面に接着される（図５（ｃ））。
【００９２】
次に、シリコン基板１０の表面側に設けられたダイシング領域（切断予定領域）に沿って金属膜１４を切断する（図５（ｄ））。金属膜１４は、シリコン基板１０の裏面側（第２の面側）から、レーザ光の照射により切断する。
【００９３】
次に、ダイシング領域に沿ってシリコン基板１０を切断する（図５（ｅ））。シリコン基板１０は、シリコン基板１０の裏面側（第２の面側）から、ブレードダイシングにより切断する。
【００９４】
次に、シリコン基板１０の裏面側（第２の面側）からシリコン基板１０に二酸化炭素粒子を噴射する（図５（ｆ））。二酸化炭素粒子を噴射することにより、シリコン基板１０の切断により形成された第１の切断部２１、又は、金属膜１４の切断により形成された第２の切断部２３を加工する。
【００９５】
第１の切断部２１の加工とは、具体的には、第１の切断部２１に、ブレードダイシングにより生じたバリの除去である。バリは、二酸化炭素粒子により削ぎ落とされることで除去される。また、第２の切断部２３の加工とは、具体的には、第２の切断部２３に、レーザ光の照射により生じたデブリの除去である。デブリは、二酸化炭素粒子により削ぎ落とされることで除去される。
【００９６】
金属膜１４を切断する際の切断幅は、シリコン基板１０を切断する際の切断幅よりも広くすることが、加工マージンを向上させる観点から望ましい。
【００９７】
二酸化炭素粒子を吹き付けて、バリやデブリを除去する際に、樹脂シート１６をエキスパンドさせて、第１の切断部２１及び第２の切断部２３の幅を広げることが望ましい。第１の切断部２１及び第２の切断部２３の幅が広がることにより、第１の切断部２１又は第２の切断部２３の切断面に、二酸化炭素粒子が衝突しやすくなり、バリやデブリの除去効果が向上するためである。
【００９８】
その後、シリコン基板１０の表面側の樹脂シート１６を剥離することにより、分割された複数のＭＯＳＦＥＴが得られる。
【００９９】
以上、本実施形態によれば、基板又は基板上に形成される膜を加工する際の形状異常の抑制を可能にするデバイスの製造方法を提供することが可能となる。
【０１００】
（第６の実施形態）
本実施形態のデバイスの製造方法は、粒子の噴射を基板の切断の前に行う点で、第５の実施形態と異なっている。第５の実施形態と重複する内容については一部記述を省略する。
【０１０１】
以下、製造するデバイスが、両面に金属電極を備えるシリコン（Ｓｉ）を用いた縦型のパワーＭＯＳＦＥＴである場合を例に説明する。また、噴射する粒子が、二酸化炭素を含む粒子である場合を例に説明する。
【０１０２】
図６は、本実施形態のデバイスの製造方法を示す模式工程断面図である。
【０１０３】
まず、第１の面（以下、表面とも称する）と第２の面（以下、裏面とも称する）を備えるシリコン基板（基板）１０の表面側に縦型のＭＯＳＦＥＴ（半導体素子）のベース領域、ソース領域、ゲート絶縁膜、ゲート電極、ソース電極等のパターンを形成する。その後、シリコン基板１０の最上層に保護膜を形成する。
【０１０４】
次に、シリコン基板１０の表面側に支持基板（支持体）１２を貼りあわせる（図６（ａ））。支持基板１２は、例えば、石英ガラスである。
【０１０５】
次に、シリコン基板１０の裏面側を研削により除去し、シリコン基板１０を薄膜化する。その後、シリコン基板１０の裏面側に金属膜１４を形成する（図６（ｂ））。金属膜１４は裏面の略全面に設けられる。その後、シリコン基板１０から支持基板１２を剥離する。
【０１０６】
金属膜１４は、ＭＯＳＦＥＴのドレイン電極である。金属膜１４は、例えば、異種の金属の積層膜である。金属膜１４は、例えば、シリコン基板１０の裏面側から、アルミニウム／チタン／ニッケル／金の積層膜である。金属膜１４は、例えば、スパッタ法により形成される。金属膜１４の膜厚は、例えば、０．５μｍ以上１．０μｍ以下である。
【０１０７】
次に、シリコン基板１０の表面側（第１の面側）に樹脂シート１６を貼りつける。樹脂シート１６は、いわゆる、ダイシングシートである。樹脂シート１６は、例えば、金属のフレーム１８に固定されている。樹脂シート１６は、シリコン基板１０の表面に接着される（図６（ｃ））。
【０１０８】
次に、シリコン基板１０の表面側に設けられたダイシング領域（切断予定領域）に沿って金属膜１４を切断する（図６（ｄ））。金属膜１４は、シリコン基板１０の裏面側（第２の面側）から、レーザ光の照射により切断する。
【０１０９】
次に、シリコン基板１０の裏面側（第２の面側）からシリコン基板１０に二酸化炭素粒子を噴射する（図６（ｅ））。二酸化炭素粒子を噴射することにより、金属膜１４の切断により形成された第２の切断部２３を加工する。
【０１１０】
第２の切断部２３の加工とは、具体的には、第２の切断部２３に、レーザ光の照射により生じたデブリの除去である。デブリは、二酸化炭素粒子により削ぎ落とされることで除去される。
【０１１１】
次に、ダイシング領域に沿ってシリコン基板１０を切断する（図６（ｆ））。シリコン基板１０は、シリコン基板１０の裏面側（第２の面側）から、ブレードダイシングにより切断する。
【０１１２】
金属膜１４を切断する際の切断幅は、シリコン基板１０を切断する際の切断幅よりも広くすることが、加工マージンを向上させる観点から望ましい。
【０１１３】
その後、シリコン基板１０の表面側の樹脂シート１６を剥離することにより、分割された複数のＭＯＳＦＥＴが得られる。
【０１１４】
以上、本実施形態によれば、基板又は基板上に形成される膜を加工する際の形状異常の抑制を可能にするデバイスの製造方法を提供することが可能となる。
【０１１５】
（第７の実施形態）
本実施形態のデバイスの製造方法は、基板の切断を、第１の面側からプラズマダイシングにより行い、膜の切断を、第２の面側からレーザ光の照射により行う点で、第１の実施形態と異なっている。第１の実施形態と重複する内容については一部記述を省略する。
【０１１６】
以下、製造するデバイスが、両面に金属電極を備えるシリコン（Ｓｉ）を用いた縦型のパワーＭＯＳＦＥＴである場合を例に説明する。また、噴射する粒子が、二酸化炭素を含む粒子である場合を例に説明する。
【０１１７】
図７は、本実施形態のデバイスの製造方法を示す模式工程断面図である。
【０１１８】
まず、第１の面（以下、表面とも称する）と第２の面（以下、裏面とも称する）を備えるシリコン基板（基板）１０の表面側に縦型のＭＯＳＦＥＴ（半導体素子）のベース領域、ソース領域、ゲート絶縁膜、ゲート電極、ソース電極等のパターンを形成する。その後、シリコン基板１０の最上層に保護膜を形成する。
【０１１９】
次に、シリコン基板１０の表面側に支持基板（支持体）１２を貼りあわせる（図７（ａ））。支持基板１２は、例えば、石英ガラスである。
【０１２０】
次に、シリコン基板１０の裏面側を研削により除去し、シリコン基板１０を薄膜化する。その後、シリコン基板１０の裏面側に金属膜１４を形成する（図７（ｂ））。金属膜１４は裏面の略全面に設けられる。
【０１２１】
金属膜１４は、ＭＯＳＦＥＴのドレイン電極である。金属膜１４は、例えば、異種の金属の積層膜である。金属膜１４は、例えば、シリコン基板１０の裏面側から、アルミニウム／チタン／ニッケル／金の積層膜である。金属膜１４は、例えば、スパッタ法により形成される。金属膜１４の膜厚は、例えば、０．５μｍ以上１．０μｍ以下である。
【０１２２】
次に、シリコン基板１０の裏面側に樹脂シート１６を貼りつける。樹脂シート１６は、いわゆる、ダイシングシートである。樹脂シート１６は、例えば、金属のフレーム１８に固定されている。樹脂シート１６は、金属膜１４の表面に接着される。その後、シリコン基板１０から支持基板１２を剥離する（図７（ｃ））。
【０１２３】
次に、シリコン基板１０の表面側に設けられたダイシング領域（切断予定領域）に沿って、裏面側の金属膜１４が露出するように表面側からシリコン基板１０を切断する（図７（ｄ））。
【０１２４】
シリコン基板１０は、プラズマエッチングにより切断する。プロズマエッチングは、例えば、Ｆ系ラジカルを用いた等方性エッチングステップ、ＣＦ４系ラジカル用いた保護膜形成ステップ、Ｆ系イオンを用いた異方性エッチングを繰り返す、いわゆるボッシュプロセスである。
【０１２５】
次に、シリコン基板１０の表面側に樹脂シート２２を貼りつける。樹脂シート２２は、いわゆる、ダイシングシートである。樹脂シート２２は、例えば、金属のフレーム２４に固定されている。樹脂シート２２は、表面側の保護膜や金属電極の表面に接着される。その後、裏面側の樹脂シート１６を剥離する（図７（ｅ））。
【０１２６】
次に、シリコン基板１０の表面側に設けられたダイシング領域（切断予定領域）に沿って金属膜１４を切断する（図７（ｆ））。金属膜１４は、シリコン基板１０の裏面側（第２の面側）から、レーザ光の照射により切断する。
【０１２７】
次に、シリコン基板１０の裏面側（第２の面側）から金属膜１４に二酸化炭素粒子を噴射する（図７（ｇ））。二酸化炭素粒子を噴射することにより、シリコン基板１０の切断により形成された第１の切断部２１、又は、金属膜１４の切断により形成された第２の切断部２３を加工する。
【０１２８】
第１の切断部２１の加工とは、具体的には、第１の切断部２１に、プラズマエッチングにより生じたバリの除去である。また、第２の切断部２３の加工とは、具体的には、第２の切断部２３に、レーザ光の照射により生じたデブリの除去である。バリやデブリは、二酸化炭素粒子により削ぎ落とされることで除去される。
【０１２９】
二酸化炭素粒子を吹き付けて、バリやデブリを除去する際に、樹脂シート２２をエキスパンドさせて、第１の切断部２１及び第２の切断部２３の幅を広げることが望ましい。第１の切断部２１及び第２の切断部２３の幅が広がることにより、第１の切断部２１又は第２の切断部２３の切断面に、二酸化炭素粒子が衝突しやすくなり、バリやデブリの除去効果が向上するためである。
【０１３０】
その後、シリコン基板１０の表面側の樹脂シート２２を剥離することにより、分割された複数のＭＯＳＦＥＴが得られる。
【０１３１】
以上、本実施形態によれば、基板又は基板上に形成される膜を加工する際の形状異常の抑制を可能にするデバイスの製造方法を提供することが可能となる。
【０１３２】
（第８の実施形態）
本実施形態のデバイスの製造方法は、基板の切断を、第１の面側からプラズマダイシングにより行い、膜の切断を、第２の面側から粒子の噴射により行い、その後、粒子の噴射により第１の切断部及び第２の切断部の加工を行う点で、第１の実施形態と異なっている。第１の実施形態と重複する内容については一部記述を省略する。
【０１３３】
以下、製造するデバイスが、両面に金属電極を備えるシリコン（Ｓｉ）を用いた縦型のパワーＭＯＳＦＥＴである場合を例に説明する。また、噴射する粒子が、二酸化炭素を含む粒子である場合を例に説明する。
【０１３４】
図８は、本実施形態のデバイスの製造方法を示す模式工程断面図である。
【０１３５】
まず、第１の面（以下、表面とも称する）と第２の面（以下、裏面とも称する）を備えるシリコン基板（基板）１０の表面側に縦型のＭＯＳＦＥＴ（半導体素子）のベース領域、ソース領域、ゲート絶縁膜、ゲート電極、ソース電極等のパターンを形成する。その後、シリコン基板１０の最上層に保護膜を形成する。
【０１３６】
次に、シリコン基板１０の表面側に支持基板（支持体）１２を貼りあわせる（図８（ａ））。支持基板１２は、例えば、石英ガラスである。
【０１３７】
次に、シリコン基板１０の裏面側を研削により除去し、シリコン基板１０を薄膜化する。その後、シリコン基板１０の裏面側に金属膜１４を形成する（図８（ｂ））。金属膜１４は裏面の略全面に設けられる。
【０１３８】
金属膜１４は、ＭＯＳＦＥＴのドレイン電極である。金属膜１４は、例えば、異種の金属の積層膜である。金属膜１４は、例えば、シリコン基板１０の裏面側から、アルミニウム／チタン／ニッケル／金の積層膜である。金属膜１４は、例えば、スパッタ法により形成される。金属膜１４の膜厚は、例えば、０．５μｍ以上１．０μｍ以下である。
【０１３９】
次に、シリコン基板１０の裏面側に樹脂シート１６を貼りつける。樹脂シート１６は、いわゆる、ダイシングシートである。樹脂シート１６は、例えば、金属のフレーム１８に固定されている。樹脂シート１６は、金属膜１４の表面に接着される。その後、シリコン基板１０から支持基板１２を剥離する（図８（ｃ））。
【０１４０】
次に、シリコン基板１０の表面側に設けられたダイシング領域（切断予定領域）に沿って、裏面側の金属膜１４が露出するように表面側からシリコン基板１０を切断する（図８（ｄ））。
【０１４１】
シリコン基板１０は、プラズマエッチングにより切断する。プロズマエッチングは、例えば、Ｆ系ラジカルを用いた等方性エッチングステップ、ＣＦ４系ラジカル用いた保護膜形成ステップ、Ｆ系イオンを用いた異方性エッチングを繰り返す、いわゆるボッシュプロセスである。
【０１４２】
次に、シリコン基板１０の表面側に樹脂シート２２を貼りつける。樹脂シート２２は、いわゆる、ダイシングシートである。樹脂シート２２は、例えば、金属のフレーム２４に固定されている。樹脂シート２２は、表面側の保護膜や金属電極の表面に接着される。その後、裏面側の樹脂シート１６を剥離する（図８（ｅ））。
【０１４３】
次に、シリコン基板１０の裏面側から金属膜１４に二酸化炭素粒子を噴射する（図８（ｆ））。二酸化炭素粒子は、例えば、金属膜１４の表面（第２の面）に対し、垂直に噴射される。
【０１４４】
二酸化炭素粒子を噴射することにより、シリコン基板１０が切断された箇所の裏面側の金属膜１４を切断する。金属膜１４は二酸化炭素粒子により物理的に空洞部に削ぎ落とされることで切断される。
【０１４５】
二酸化炭素粒子は、固体状態の二酸化炭素である。二酸化炭素粒子は、いわゆるドライアイスである。二酸化炭素粒子の形状は、例えば、ペレット状、粉末状、球状、又は、不定形状である。
【０１４６】
二酸化炭素粒子は、例えば、液化炭酸ガスを断熱膨張させることにより生成される。生成された二酸化炭素粒子は、例えば、窒素ガスとともにノズルから噴射され、金属膜１４に吹き付けられる。二酸化炭素粒子の平均粒径が１０μｍ以上２００μｍ以下であることが望ましい。二酸化炭素粒子の平均粒径は、例えば、ノズルから噴射される二酸化炭素粒子を高速カメラで撮像し、撮像した画像内の粒子を測長することで求めることが可能である。
【０１４７】
また、二酸化炭素粒子が金属膜１４に吹き付けられる際の金属膜１４表面でのスポット径は、例えば、φ３ｍｍ以上φ１０ｍｍ以下であることが望ましい。
【０１４８】
二酸化炭素粒子を吹き付けて、金属膜１４を除去する際に、図８（ｆ）に示すように、樹脂シート２２の領域をマスク２６で覆うことが望ましい。樹脂シート２２の領域をマスク２６で覆うことで、例えば、樹脂シート２２が、二酸化炭素粒子による衝撃でフレーム２４から剥がれることを抑制できる。マスク２６は、例えば、金属である。
【０１４９】
次に、シリコン基板１０の裏面側（第２の面側）から金属膜１４に二酸化炭素粒子を噴射する（図８（ｇ））。二酸化炭素粒子を噴射することにより、シリコン基板１０の切断により形成された第１の切断部２１、又は、金属膜１４の切断により形成された第２の切断部２３を加工する。
【０１５０】
第１の切断部２１の加工とは、具体的には、第１の切断部２１に、プラズマエッチングにより生じたバリの除去である。また、第２の切断部２３の加工とは、具体的には、第２の切断部２３のバリの除去である。バリは、二酸化炭素粒子により削ぎ落とされることで除去される。
【０１５１】
二酸化炭素粒子は、金属膜１４の表面（第２の面）に対し９０度未満の角度で傾斜した方向に噴射する。二酸化炭素粒子を金属膜１４の表面（第２の面）に対し９０度未満の角度で傾斜した方向に噴射することで、シリコン基板１０及び金属膜１４の切断面に粒子が衝突しやすくなる。したがって、バリの除去効率が向上する。
【０１５２】
二酸化炭素粒子を吹き付けて、バリを除去する際に、樹脂シート２２をエキスパンドさせて、第１の切断部２１及び第２の切断部２３の幅を広げることが望ましい。第１の切断部２１及び第２の切断部２３の幅が広がることにより、第１の切断部２１又は第２の切断部２３の切断面に、二酸化炭素粒子が衝突しやすくなり、バリの除去効果が向上するためである。
【０１５３】
その後、シリコン基板１０の表面側の樹脂シート２２を剥離することにより、分割された複数のＭＯＳＦＥＴが得られる。
【０１５４】
以上、本実施形態によれば、基板又は基板上に形成される膜を加工する際の形状異常の抑制を可能にするデバイスの製造方法を提供することが可能となる。
【０１５５】
（第９の実施形態）
本実施形態のデバイスの製造方法は、基板の切断を、基板が残存するように行い、膜及び残存する基板の切断を、第２の面側から粒子の噴射により行い、その後、粒子の噴射により第１の切断部及び第２の切断部の加工を行う点で、第１の実施形態と異なっている。第１の実施形態と重複する内容については一部記述を省略する。
【０１５６】
以下、製造するデバイスが、両面に金属電極を備えるシリコン（Ｓｉ）を用いた縦型のパワーＭＯＳＦＥＴである場合を例に説明する。また、噴射する粒子が、二酸化炭素を含む粒子である場合を例に説明する。
【０１５７】
図９は、本実施形態のデバイスの製造方法を示す模式工程断面図である。
【０１５８】
まず、第１の面（以下、表面とも称する）と第２の面（以下、裏面とも称する）を備えるシリコン基板（基板）１０の表面側に縦型のＭＯＳＦＥＴ（半導体素子）のベース領域、ソース領域、ゲート絶縁膜、ゲート電極、ソース電極等のパターンを形成する。その後、シリコン基板１０の最上層に保護膜を形成する。
【０１５９】
次に、シリコン基板１０の表面側に支持基板（支持体）１２を貼りあわせる（図９（ａ））。支持基板１２は、例えば、石英ガラスである。
【０１６０】
次に、シリコン基板１０の裏面側を研削により除去し、シリコン基板１０を薄膜化する。その後、シリコン基板１０の裏面側に金属膜１４を形成する（図９（ｂ））。金属膜１４は裏面の略全面に設けられる。
【０１６１】
金属膜１４は、ＭＯＳＦＥＴのドレイン電極である。金属膜１４は、例えば、異種の金属の積層膜である。金属膜１４は、例えば、シリコン基板１０の裏面側から、アルミニウム／チタン／ニッケル／金の積層膜である。金属膜１４は、例えば、スパッタ法により形成される。金属膜１４の膜厚は、例えば、０．５μｍ以上１．０μｍ以下である。
【０１６２】
次に、シリコン基板１０の裏面側に樹脂シート１６を貼りつける。樹脂シート１６は、いわゆる、ダイシングシートである。樹脂シート１６は、例えば、金属のフレーム１８に固定されている。樹脂シート１６は、金属膜１４の表面に接着される。その後、シリコン基板１０から支持基板１２を剥離する（図９（ｃ））。
【０１６３】
次に、シリコン基板１０の表面側に設けられたダイシング領域（切断予定領域）に沿って、裏面側のシリコン基板１０が一部残存するように溝２０を形成する（図９（ｄ））。溝２０の裏面側の半導体基板を２０μｍ以下、より望ましくは１０μｍ以下残存させる。
【０１６４】
溝２０は、例えば、ブレードダイシングにより形成する。溝２０は、例えば、プラズマエッチングにより形成することも可能である。
【０１６５】
次に、シリコン基板１０の表面側に樹脂シート２２を貼りつける。樹脂シート２２は、いわゆる、ダイシングシートである。樹脂シート２２は、例えば、金属のフレーム２４に固定されている。樹脂シート２２は、表面側の保護膜や金属電極の表面に接着される。その後、裏面側の樹脂シート１６を剥離する（図９（ｅ））。
【０１６６】
次に、シリコン基板１０の裏面側から金属膜１４に二酸化炭素粒子を噴射する（図９（ｆ））。二酸化炭素粒子は、例えば、金属膜１４の表面（第２の面）に対し、垂直に噴射される。
【０１６７】
二酸化炭素粒子を噴射することにより、溝２０が形成された箇所の裏面側の金属膜１４及び残存するシリコン基板１０を切断する。金属膜１４及びシリコン基板１０は二酸化炭素粒子により物理的に空洞部である溝２０に削ぎ落とされることで切断される。
【０１６８】
次に、シリコン基板１０の裏面側（第２の面側）から金属膜１４に二酸化炭素粒子を噴射する（図９（ｇ））。二酸化炭素粒子を噴射することにより、シリコン基板１０の切断により形成された第１の切断部２１、又は、金属膜１４の切断により形成された第２の切断部２３を加工する。
【０１６９】
第１の切断部２１や第２の切断部２３の加工とは、具体的には、第１の切断部２１に、ブレードダイシングにより生じたバリの除である。また、第２の切断部２３のバリの除去である。バリは、二酸化炭素粒子により削ぎ落とされることで除去される。
【０１７０】
二酸化炭素粒子は、金属膜１４の表面（第２の面）に対し９０度未満の角度で傾斜した方向に噴射する。二酸化炭素粒子を金属膜１４の表面（第２の面）に対し９０度未満の角度で傾斜した方向に噴射することで、シリコン基板１０及び金属膜１４の切断面に粒子が衝突しやすくなる。したがって、バリの除去効率が向上する。
【０１７１】
二酸化炭素粒子を吹き付けて、バリを除去する際に、樹脂シート２２をエキスパンドさせて、第１の切断部２１及び第２の切断部２３の幅を広げることが望ましい。第１の切断部２１及び第２の切断部２３の幅が広がることにより、第１の切断部２１又は第２の切断部２３の切断面に、二酸化炭素粒子が衝突しやすくなり、バリの除去効果が向上するためである。
【０１７２】
その後、シリコン基板１０の表面側の樹脂シート２２を剥離することにより、分割された複数のＭＯＳＦＥＴが得られる。
【０１７３】
以上、本実施形態によれば、基板又は基板上に形成される膜を加工する際の形状異常の抑制を可能にするデバイスの製造方法を提供することが可能となる。
【０１７４】
（第１０の実施形態）
本実施形態のデバイスの製造方法は、基板の切断を膜が露出するように行い、第１の面側から粒子の噴射により第１の切断部の加工を行った後に、第２の面側から粒子の噴射を行い、膜を切断する点で、第１の実施形態と異なっている。第１の実施形態と重複する内容については一部記述を省略する。
【０１７５】
以下、製造するデバイスが、両面に金属電極を備えるシリコン（Ｓｉ）を用いた縦型のパワーＭＯＳＦＥＴである場合を例に説明する。また、噴射する粒子が、二酸化炭素を含む粒子である場合を例に説明する。
【０１７６】
図１０は、本実施形態のデバイスの製造方法を示す模式工程断面図である。
【０１７７】
まず、第１の面（以下、表面とも称する）と第２の面（以下、裏面とも称する）を備えるシリコン基板（基板）１０の表面側に縦型のＭＯＳＦＥＴ（半導体素子）のベース領域、ソース領域、ゲート絶縁膜、ゲート電極、ソース電極等のパターンを形成する。その後、シリコン基板１０の最上層に保護膜を形成する。
【０１７８】
次に、シリコン基板１０の表面側に支持基板（支持体）１２を貼りあわせる（図１０（ａ））。支持基板１２は、例えば、石英ガラスである。
【０１７９】
次に、シリコン基板１０の裏面側を研削により除去し、シリコン基板１０を薄膜化する。その後、シリコン基板１０の裏面側に金属膜１４を形成する（図１０（ｂ））。金属膜１４は裏面の略全面に設けられる。
【０１８０】
金属膜１４は、ＭＯＳＦＥＴのドレイン電極である。金属膜１４は、例えば、異種の金属の積層膜である。金属膜１４は、例えば、シリコン基板１０の裏面側から、アルミニウム／チタン／ニッケル／金の積層膜である。金属膜１４は、例えば、スパッタ法により形成される。金属膜１４の膜厚は、例えば、０．５μｍ以上１．０μｍ以下である。
【０１８１】
次に、シリコン基板１０の裏面側に樹脂シート１６を貼りつける。樹脂シート１６は、いわゆる、ダイシングシートである。樹脂シート１６は、例えば、金属のフレーム１８に固定されている。樹脂シート１６は、金属膜１４の表面に接着される。その後、シリコン基板１０から支持基板１２を剥離する（図１０（ｃ））。
【０１８２】
次に、シリコン基板１０の表面側に設けられたダイシング領域（切断予定領域）に沿って、裏面側の金属膜１４が露出するように表面側からシリコン基板１０を切断する（図１０（ｄ））。
【０１８３】
シリコン基板１０は、例えば、ブレードダイシングにより切断する。シリコン基板１０は、例えば、プラズマエッチングにより切断することも可能である。
【０１８４】
次に、シリコン基板１０の表面側からシリコン基板１０に二酸化炭素粒子を噴射する（図１０（ｅ））。二酸化炭素粒子を噴射することにより、シリコン基板１０の切断により形成された第１の切断部２１を加工する。
【０１８５】
第１の切断部２１の加工とは、具体的には、第１の切断部２１に、ブレードダイシングにより生じたバリの除去である。バリは、二酸化炭素粒子により削ぎ落とされることで除去される。
【０１８６】
二酸化炭素粒子は、シリコン基板１０の表面（第１の面）に対し９０度未満の角度で傾斜した方向に噴射する。二酸化炭素粒子をシリコン基板１０の表面（第１の面）に対し９０度未満の角度で傾斜した方向に噴射することで、シリコン基板１０の切断面に粒子が衝突しやすくなる。したがって、バリの除去効率が向上する。
【０１８７】
次に、シリコン基板１０の表面側に樹脂シート２２を貼りつける。樹脂シート２２は、いわゆる、ダイシングシートである。樹脂シート２２は、例えば、金属のフレーム２４に固定されている。樹脂シート２２は、表面側の保護膜や金属電極の表面に接着される。その後、裏面側の樹脂シート１６を剥離する（図１０（ｆ））。
【０１８８】
次に、シリコン基板１０の裏面側から金属膜１４に二酸化炭素粒子を噴射する（図１０（ｇ））。二酸化炭素粒子は、例えば、金属膜１４の表面（第２の面）に対し、垂直に噴射される。
【０１８９】
二酸化炭素粒子を噴射することにより、第１の切断部２１が形成された箇所の裏面側の金属膜１４を切断する。金属膜１４は二酸化炭素粒子により物理的に空洞部に削ぎ落とされることで切断される。
【０１９０】
その後、シリコン基板１０の表面側の樹脂シート２２を剥離することにより、分割された複数のＭＯＳＦＥＴが得られる。
【０１９１】
以上、本実施形態によれば、基板又は基板上に形成される膜を加工する際の形状異常の抑制を可能にするデバイスの製造方法を提供することが可能となる。
【０１９２】
（第１１の実施形態）
本実施形態のデバイスの製造方法は、基板１０の第２の面側に金属膜ではなく、樹脂膜を備える半導体デバイスを製造する点で、第１の実施形態と異なっている。以下、第１の実施形態と重複する内容については、記述を省略する。
【０１９３】
以下、製造するデバイスが、裏面側に樹脂膜を備えるシリコン（Ｓｉ）を用いた半導体メモリである場合を例に説明する。
【０１９４】
図１１は、本実施形態のデバイスの製造方法を示す模式工程断面図である。
【０１９５】
まず、第１の面（以下、表面とも称する）と第２の面（以下、裏面とも称する）を備えるシリコン基板（基板）１０の表面側に半導体メモリ（半導体素子）のメモリトランジスタ、周辺回路、電源電極、接地電極、Ｉ／Ｏ電極等のパターンを形成する。その後、シリコン基板１０の最上層に保護膜を形成する。保護膜は、例えば、ポリイミド等の樹脂膜、シリコン窒化膜やシリコン酸化膜等の無機絶縁膜である。
【０１９６】
次に、シリコン基板１０の表面側に支持基板（支持体）１２を貼りあわせる（図１１（ａ））。支持基板１２は、例えば、石英ガラスである。
【０１９７】
次に、シリコン基板１０の裏面側を研削により除去し、シリコン基板１０を薄膜化する。その後、シリコン基板１０の裏面側に樹脂膜３０を形成する（図１１（ｂ））。樹脂膜３０は裏面の略全面に設けられる。
【０１９８】
樹脂膜３０は、例えば、分割後の半導体チップを基板にボンディングするためのＤＡＦ（Ｄｉｅ  Ａｔｔａｃｈ  Ｆｉｌｍ）である。樹脂膜３０の膜厚は、例えば、１０μｍ以上２００μｍ以下である。
【０１９９】
次に、シリコン基板１０の裏面側に樹脂シート１６を貼りつける。樹脂シート１６は、いわゆる、ダイシングシートである。樹脂シート１６は、例えば、金属のフレーム１８に固定されている。樹脂シート１６は、樹脂膜３０表面に接着される。その後、シリコン基板１０から支持基板１２を剥離する（図１１（ｃ））。
【０２００】
次に、シリコン基板１０の表面側に設けられたダイシング領域に沿ってシリコン基板１０及び樹脂膜３０を同時に切断する（図１１（ｄ））。ここで、ダイシング領域とは、複数の半導体素子をダイシングにより複数の半導体チップに分割するための所定の幅を備える切断予定領域であり、シリコン基板１０の表面側に設けられる。ダイシング領域は、ダイシングストリートとも称される。ダイシング領域には、半導体素子のパターンは形成されない。ダイシング領域は、例えば、シリコン基板１０表面側に、半導体素子を区切るように格子状に設けられる。
【０２０１】
シリコン基板１０及び樹脂膜３０は、表面側から、ブレードダイシングにより同時に切断する。シリコン基板１０及び樹脂膜３０は、回転するブレードを用いて切断される。
【０２０２】
次に、シリコン基板１０の表面側に樹脂シート２２を貼りつける。樹脂シート２２は、いわゆる、ダイシングシートである。樹脂シート２２は、例えば、金属のフレーム２４に固定されている。樹脂シート２２は、表面側の保護膜や金属電極の表面に接着される。その後、裏面側の樹脂シート１６を剥離する（図１１（ｅ））。
【０２０３】
次に、シリコン基板１０の裏面側（第２の面側）から樹脂膜３０に二酸化炭素粒子を噴射する（図１１（ｆ））。二酸化炭素粒子を噴射することにより、シリコン基板１０の切断により形成された第１の切断部２１、又は、樹脂膜３０の切断により形成された第２の切断部２３を加工する。
【０２０４】
第１の切断部２１や第２の切断部２３の加工とは、具体的には、第１の切断部２１や第２の切断部２３に、ブレードダイシングにより生じたバリの除去である。バリは、二酸化炭素粒子により削ぎ落とされることで除去される。
【０２０５】
二酸化炭素粒子は、固体状態の二酸化炭素である。二酸化炭素粒子は、いわゆるドライアイスである。二酸化炭素粒子の形状は、例えば、ペレット状、粉末状、球状、又は、不定形状である。
【０２０６】
二酸化炭素粒子は、例えば、液化炭酸ガスを断熱膨張させることにより生成される。生成された二酸化炭素粒子は、例えば、窒素ガスとともにノズルから噴射され、金属膜１４に吹き付けられる。二酸化炭素粒子の平均粒径が１０μｍ以上２００μｍ以下であることが望ましい。二酸化炭素粒子の平均粒径は、例えば、ノズルから噴射される二酸化炭素粒子を高速カメラで撮像し、撮像した画像内の粒子を測長することで求めることが可能である。
【０２０７】
また、二酸化炭素粒子が金属膜１４に吹き付けられる際の樹脂膜３０表面でのスポット径は、例えば、φ３ｍｍ以上φ１０ｍｍ以下であることが望ましい。
【０２０８】
二酸化炭素粒子を吹き付けて、バリを除去する際に、樹脂シート２２をエキスパンドさせて、第１の切断部２１及び第２の切断部２３の幅を広げることが望ましい。第１の切断部２１及び第２の切断部２３の幅が広がることにより、第１の切断部２１又は第２の切断部２３の切断面に、二酸化炭素粒子が衝突しやすくなり、バリの除去効果が向上するためである。
【０２０９】
二酸化炭素粒子を吹き付けて、バリを除去する際に、図１１（ｆ）に示すように、樹脂シート２２の領域をマスク２６で覆うことが望ましい。樹脂シート２２の領域をマスク２６で覆うことで、例えば、樹脂シート２２が、二酸化炭素粒子による衝撃でフレーム２４から剥がれることを抑制できる。マスク２６は、例えば、金属である。
【０２１０】
その後、シリコン基板１０の表面側の樹脂シート２２を剥離することにより、分割された複数の半導体メモリが得られる。
【０２１１】
以上、本実施形態によれば、基板又は基板上に形成される膜を加工する際の形状異常の抑制を可能にするデバイスの製造方法を提供することが可能となる。
【０２１２】
（第１２の実施形態）
本実施形態のデバイスの製造方法は、基板の第２の面側に金属膜ではなく、樹脂膜を備える半導体デバイスを製造する点で、第２の実施形態と異なっている。以下、第２の実施形態と重複する内容については、記述を省略する。
【０２１３】
以下、製造するデバイスが、裏面側に樹脂膜を備えるシリコン（Ｓｉ）を用いた半導体メモリである場合を例に説明する。
【０２１４】
図１２は、本実施形態のデバイスの製造方法を示す模式工程断面図である。
【０２１５】
まず、第１の面（以下、表面とも称する）と第２の面（以下、裏面とも称する）を備えるシリコン基板（基板）１０の表面側に半導体メモリ（半導体素子）のメモリトランジスタ、周辺回路、電源電極、接地電極、Ｉ／Ｏ電極等のパターンを形成する。その後、シリコン基板１０の最上層に保護膜を形成する。保護膜は、例えば、ポリイミド等の樹脂膜、シリコン窒化膜やシリコン酸化膜等の無機絶縁膜である。
【０２１６】
次に、シリコン基板１０の表面側に支持基板（支持体）１２を貼りあわせる（図１２（ａ））。支持基板１２は、例えば、石英ガラスである。
【０２１７】
次に、シリコン基板１０の裏面側を研削により除去し、シリコン基板１０を薄膜化する。その後、シリコン基板１０の裏面側に樹脂膜３０を形成する（図１２（ｂ））。樹脂膜３０は裏面の略全面に設けられる。
【０２１８】
樹脂膜３０は、例えば、分割後の半導体チップを基板にボンディングするためのＤＡＦ（Ｄｉｅ  Ａｔｔａｃｈ  Ｆｉｌｍ）である。樹脂膜３０の膜厚は、例えば、１０μｍ以上２００μｍ以下である。
【０２１９】
次に、シリコン基板１０の裏面側に樹脂シート１６を貼りつける。樹脂シート１６は、いわゆる、ダイシングシートである。樹脂シート１６は、例えば、金属のフレーム１８に固定されている。樹脂シート１６は、樹脂膜３０表面に接着される。その後、シリコン基板１０から支持基板１２を剥離する（図１２（ｃ））。
【０２２０】
次に、シリコン基板１０の表面側に設けられたダイシング領域（切断予定領域）に沿ってシリコン基板１０及び樹脂膜３０を同時に切断する（図１２（ｄ））。ここで、ダイシング領域とは、複数の半導体素子をダイシングにより複数の半導体チップに分割するための所定の幅を備える切断予定領域であり、シリコン基板１０の表面側に設けられる。ダイシング領域は、ダイシングストリートとも称される。ダイシング領域には、半導体素子のパターンは形成されない。ダイシング領域は、例えば、シリコン基板１０表面側に、半導体素子を区切るように格子状に設けられる。
【０２２１】
シリコン基板１０及び樹脂膜３０は、表面側から、ブレードダイシングにより同時に切断する。シリコン基板１０及び樹脂膜３０は、回転するブレードを用いて切断される。
【０２２２】
次に、シリコン基板１０の表面側（第１の面側）からシリコン基板１０に二酸化炭素粒子を噴射する（図１２（ｅ））。二酸化炭素粒子を噴射することにより、シリコン基板１０の切断により形成された第１の切断部２１、又は、樹脂膜３０の切断により形成された第２の切断部２３を加工する。
【０２２３】
第１の切断部２１や第２の切断部２３の加工とは、具体的には、第１の切断部２１や第２の切断部２３に、ブレードダイシングにより生じたバリの除去である。バリは、二酸化炭素粒子により削ぎ落とされることで除去される。
【０２２４】
二酸化炭素粒子を吹き付けて、バリを除去する際に、樹脂シート１６をエキスパンドさせて、第１の切断部２１及び第２の切断部２３の幅を広げることが望ましい。第１の切断部２１及び第２の切断部２３の幅が広がることにより、第１の切断部２１又は第２の切断部２３の切断面に、二酸化炭素粒子が衝突しやすくなり、バリの除去効果が向上するためである。
【０２２５】
その後、シリコン基板１０の表面側の樹脂シート１６を剥離することにより、分割された複数の半導体メモリが得られる。
【０２２６】
以上、本実施形態によれば、基板又は基板上に形成される膜を加工する際の形状異常の抑制を可能にするデバイスの製造方法を提供することが可能となる。
【０２２７】
なお、第１乃至第１２の実施形態では、半導体素子が、縦型のＭＯＳＦＥＴ、半導体メモリである場合を例に説明したが、半導体素子は縦型のＭＯＳＦＥＴ、半導体メモリに限定されるものではない。
【０２２８】
また、第１乃至第１２の実施形態では、ＭＯＳＦＥＴ、半導体メモリの製造に用いる場合を例に説明したが、本発明をＩＧＢＴ（Ｉｎｓｕｌａｔｅｄ  Ｇａｔｅ  Ｂｉｐｏｌａｒ  Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）、小信号系デバイス、ＭＥＭＳ（Ｍｉｃｒｏ  Ｅｌｅｃｔｒｏ  Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ  Ｓｙｓｔｅｍｓ）の製造に適用することも可能である。
【０２２９】
また、第１乃至第１２の実施形態では、基板として、半導体基板を例に説明したが、半導体基板以外の基板、例えば、セラミック基板、ガラス基板、サファイア基板等、その他の基板に本発明を適用することが可能である。
【０２３０】
また、第１乃至第１２の実施形態では、二酸化炭素粒子を金属膜又は樹脂膜に噴射する場合を、一例として説明したが、ノズルからの噴射時には固体で、常温等の基板が置かれた雰囲気中では気化するその他の粒子を適用することも可能である。例えば、窒素粒子やアルゴン粒子を適用することも可能である。
【０２３１】
また、第１乃至第１２の実施形態では、第２の面側に形成される膜として、金属膜及び樹脂膜を例に説明したが、例えば、窒化膜や酸化膜等の無機絶縁膜等、その他の膜を適用することも可能である。
【０２３２】
本発明のいくつかの実施形態及び実施例を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。例えば、一実施形態の構成要素を他の実施形態の構成要素と置き換え又は変更してもよい。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。
【符号の説明】
【０２３３】
１０      シリコン基板（基板）
１４      金属膜（膜）
２１      第１の切断部
２２      樹脂シート
２３      第２の切断部
３０      樹脂膜（膜）
【図１】
0006305355.tif 000002
【図２】
0006305355.tif 000003
【図３】
0006305355.tif 000004
【図４】
0006305355.tif 000005
【図５】
0006305355.tif 000006
【図６】
0006305355.tif 000007
【図７】
0006305355.tif 000008
【図８】
0006305355.tif 000009
【図９】
0006305355.tif 000010
【図１０】
0006305355.tif 000011
【図１１】
0006305355.tif 000012
【図１２】
0006305355.tif 000013