(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
被加工物を保持する被加工物保持手段と、該被加工物保持手段に保持された被加工物をレーザー加工するレーザー光線照射機構と、を具備するレーザー加工装置であって、
該レーザー光線照射機構は、パルスレーザー光線を発振するパルスレーザー光線発振器と、該パルスレーザー光線発振器から発振されたレーザー光線を集光して該被加工物保持手段に保持された被加工物に照射する集光器と、該パルスレーザー光線発振器と該集光器との間に配設され該パルスレーザー光線発振器から発振されたパルスレーザー光線を分散させる複数のミラーが回転軸に対して同心状に配設されたポリゴンミラーと、該パルスレーザー光線発振器と該ポリゴンミラーとの間に配設され、隣接するミラーの角部にパルスレーザー光線が照射されないようにパルスレーザー光線を誘導する誘導手段と、を具備している、
ことを特徴とするレーザー加工装置。
【請求項２】
該誘導手段は、該パルスレーザー光線発振器から発振されたパルスレーザー光線を第１の経路と第２の経路に選択的に導く光学的スイッチング素子と、該第１の経路と該第２の経路に導かれたパルスレーザー光線を該ポリゴンミラーが配設された第３の経路に導くビームスプリッターと、該ポリゴンミラーの回転位置を検出する回転位置検出手段と、該回転位置検出手段からの検出信号に基づいて該ポリゴンミラーのミラーとミラーの角部にパルスレーザー光線が照射されないように該光学的スイッチング素子を制御する制御手段とから構成されており、
第１の経路と第２の経路は、第１の経路に導かれたパルスレーザー光線と該第２の経路に導かれたパルスレーザー光線を該ビームスプリッターが僅かな間隔を持って分岐するように位置付けられている、請求項１記載のレーザー加工装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、被加工物保持手段に保持された半導体ウエーハ等の被加工物にレーザー加工を施すレーザー加工装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体デバイス製造工程においては、略円板形状である半導体ウエーハの表面に格子状に配列された分割予定ラインによって複数の領域が区画され、この区画された領域にＩＣ、ＬＳＩ等のデバイスを形成する。そして、半導体ウエーハを分割予定ラインに沿って切断することによりデバイスが形成された領域を分割して個々の半導体デバイスを製造している。
【０００３】
近時においては、ＩＣ、ＬＳＩ等の半導体チップの処理能力を向上するために、シリコン等の基板の表面にＳｉＯＦ、ＢＳＧ（ＳｉＯＢ）等の無機物系の膜やポリイミド系、パリレン系等のポリマー膜である有機物系の膜からなる低誘電率絶縁体被膜（Ｌｏｗ−ｋ膜）が積層された機能層によって半導体デバイスを形成せしめた形態の半導体ウエーハが実用化されている。
【０００４】
このような半導体ウエーハの分割予定ラインに沿った分割は、通常、ダイサーと呼ばれている切削装置によって行われている。この切削装置は、被加工物である半導体ウエーハを保持するチャックテーブルと、該チャックテーブルに保持された半導体ウエーハを切削するための切削手段と、チャックテーブルと切削手段とを相対的に移動せしめる移動手段とを具備している。切削手段は、高速回転せしめられる回転スピンドルと該スピンドルに装着された切削ブレードを含んでいる。切削ブレードは円盤状の基台と該基台の側面外周部に装着された環状の切れ刃からなっており、切れ刃は例えば粒径３μｍ程度のダイヤモンド砥粒を電鋳によって固定して形成されている。
【０００５】
しかるに、上述したＬｏｗ−ｋ膜は、切削ブレードによってに切削することが困難である。即ち、Ｌｏｗ−ｋ膜は雲母のように非常に脆いことから、切削ブレードにより分割予定ラインに沿って切削すると、Ｌｏｗ−ｋ膜が剥離し、この剥離が回路にまで達しデバイスに致命的な損傷を与えるという問題がある。
【０００６】
上記問題を解消するために、半導体ウエーハに形成された分割予定ラインの幅方向における両側に分割予定ラインに沿ってレーザー光線を照射し、分割予定ラインに沿って２条のレーザー加工溝を形成してＬｏｗ−ｋ膜からなる積層体を分断し、この２条のレーザー加工溝の外側間に切削ブレードを位置付けて切削ブレードと半導体ウエーハを相対移動することにより、半導体ウエーハを分割予定ラインに沿って切断するウエーハの分割方法が下記特許文献１に開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特開２００５−６４２３１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
しかるに、レーザー光線を分割予定ラインに沿って照射してアブレーション加工することによりＬｏｗ−ｋ膜からなる積層体を除去してレーザー加工溝を形成すると、積層体の飛散した溶融物がレーザー加工溝に埋め戻り、十分な幅のレーザー加工溝を形成するにはレーザー光線を分割予定ラインに沿って複数回照射しなければならず生産性が悪いという問題がある。
また、ウエーハに対して吸収性を有する波長のレーザー光線を分割予定ラインに沿って照射してアブレーション加工することにより分割溝を形成してウエーハを個々のデバイスに分割する技術においても溶融物が分割溝に埋め戻り、分割に必要な分割溝を形成するにはレーザー光線を分割予定ラインに沿って複数回照射しなければならず生産性が悪いという問題がある。
【０００９】
本発明は上記事実に鑑みてなされたものであり、その主たる技術課題は、レーザー光線を重複して照射できアブレーション加工を効率的に実施することができるレーザー加工装置を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
上記主たる技術課題を解決するため、本発明によれば、被加工物を保持する被加工物保持手段と、該被加工物保持手段に保持された被加工物をレーザー加工するレーザー光線照射機構と、を具備するレーザー加工装置であって、
該レーザー光線照射機構は、パルスレーザー光線を発振するパルスレーザー光線発振器と、該パルスレーザー光線発振器から発振されたレーザー光線を集光して該被加工物保持手段に保持された被加工物に照射する集光器と、該パルスレーザー光線発振器と該集光器との間に配設され該パルスレーザー光線発振器から発振されたパルスレーザー光線を分散させる複数のミラーが回転軸に対して同心状に配設されたポリゴンミラーと、該パルスレーザー光線発振器と該ポリゴンミラーとの間に配設され、隣接するミラーの角部にパルスレーザー光線が照射されないようにパルスレーザー光線を誘導する誘導手段と、を具備している、
ことを特徴とするレーザー加工装置が提供される。
【００１１】
上記誘導手段は、パルスレーザー光線発振器から発振されたパルスレーザー光線を第１の経路と第２の経路に選択的に導く光学的スイッチング素子と、該第１の経路と該第２の経路に導かれたパルスレーザー光線を該ポリゴンミラーが配設された第３の経路に導くビームスプリッターと、該ポリゴンミラーの回転位置を検出する回転位置検出手段と、該回転位置検出手段からの検出信号に基づいて該ポリゴンミラーのミラーとミラーの角部にパルスレーザー光線が照射されないように該光学的スイッチング素子を制御する制御手段とから構成されており、
第１の経路と第２の経路は、第１の経路に導かれたパルスレーザー光線と該第２の経路に導かれたパルスレーザー光線を該ビームスプリッターが僅かな間隔を持って分岐するように位置付けられている。
【発明の効果】
【００１２】
本発明によるレーザー加工装置においては、被加工物保持手段に保持された被加工物をレーザー加工するレーザー光線照射機構は、パルスレーザー光線を発振するパルスレーザー光線発振器と、該パルスレーザー光線発振器から発振されたレーザー光線を集光して該被加工物保持手段に保持された被加工物に照射する集光器と、パルスレーザー光線発振器と集光器との間に配設されパルスレーザー光線発振器から発振されたパルスレーザー光線を分散させる複数のミラーが回転軸に対して同心状に配設されたポリゴンミラーと、パルスレーザー光線発振器とポリゴンミラーとの間に配設され、隣接するミラーの角部にパルスレーザー光線が照射されないようにパルスレーザー光線を誘導する誘導手段とを具備しているので、回転するポリゴンミラーのミラーとミラーの角部にパルスレーザー光線が当たることがないため、ポリゴンミラーのミラーとミラーの角部にパルスレーザー光線が当たることによって発生するパルスレーザー光線の散乱が防止される。従って、ポリゴンミラーのミラーとミラーの角部にパルスレーザー光線が当たることにより散乱して所定の加工領域に照射することができず加工損失が生ずるとともに、パルスレーザー光線の散乱により被加工物の品質を低下させるという問題を解消することができる。
また、本発明によるレーザー加工装置のレーザー光線照射機構は、パルスレーザー光線の複数パルスが被加工物保持手段に保持された被加工物に繰り返し照射されるので、重複してアブレーション加工するため溶融物の埋め戻りが防止でき、被加工物保持手段を加工送りすることにより被加工物としてのＬｏｗ−ｋ膜や基板等に効率よく所望の幅のレーザー加工溝を形成することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
【図１】本発明に従って構成されたレーザー加工装置の斜視図。
【図２】図１に示すレーザー加工装置に装備されるレーザー光線照射機構のブロック構成図。
【図３】図２に示すレーザー光線照射機構のパルスレーザー光線発振器から発振されたパルスレーザー光線が被加工物に照射されるパルスの状態を示す説明図。
【発明を実施するための形態】
【００１４】
以下、本発明に従って構成されたレーザー加工装置の好適な実施形態について、添付図面を参照して詳細に説明する。
【００１５】
図１には、本発明に従って構成されたレーザー加工装置の斜視図が示されている。図１に示すレーザー加工装置は、静止基台２と、該静止基台２に矢印Ｘで示す加工送り方向（Ｘ軸方向）に移動可能に配設され被加工物を保持するチャックテーブル機構３と、静止基台２上に配設されたレーザー光線照射手段としてのレーザー光線照射ユニット４とを具備している。
【００１６】
上記チャックテーブル機構３は、静止基台２上にＸ軸方向に沿って平行に配設された一対の案内レール３１、３１と、該案内レール３１、３１上にＸ軸方向に移動可能に配設された第１の滑動ブロック３２と、該第１の滑動ブロック３２上にＸ軸方向と直交する矢印Yで示すY軸方向に移動可能に配設された第２の滑動ブロック３３と、該第２の滑動ブロック３３上に円筒部材３４によって支持されたカバーテーブル３５と、被加工物保持手段としてのチャックテーブル３６を具備している。このチャックテーブル３６は多孔性材料から形成された吸着チャック３６１を具備しており、吸着チャック３６１の上面である保持面上に被加工物である例えば円形状の半導体ウエーハを図示しない吸引手段によって保持するようになっている。このように構成されたチャックテーブル３６は、円筒部材３４内に配設された図示しないパルスモータによって回転せしめられる。なお、チャックテーブル３６には、半導体ウエーハ等の被加工物を保護テープを介して支持する環状のフレームを固定するためのクランプ３６２が配設されている。
【００１７】
上記第１の滑動ブロック３２は、その下面に上記一対の案内レール３１、３１と嵌合する一対の被案内溝３２１、３２１が設けられているとともに、その上面にY軸方向に沿って平行に形成された一対の案内レール３２２、３２２が設けられている。このように構成された第１の滑動ブロック３２は、被案内溝３２１、３２１が一対の案内レール３１、３１に嵌合することにより、一対の案内レール３１、３１に沿ってＸ軸方向に移動可能に構成される。図示の実施形態におけるチャックテーブル機構３は、第１の滑動ブロック３２を一対の案内レール３１、３１に沿ってＸ軸方向に移動させるためのＸ軸方向移動手段３７を具備している。Ｘ軸方向移動手段３７は、上記一対の案内レール３１と３１の間に平行に配設された雄ネジロッド３７１と、該雄ネジロッド３７１を回転駆動するためのパルスモータ３７２等の駆動源を含んでいる。雄ネジロッド３７１は、その一端が上記静止基台２に固定された軸受ブロック３７３に回転自在に支持されており、その他端が上記パルスモータ３７２の出力軸に伝動連結されている。なお、雄ネジロッド３７１は、第１の滑動ブロック３２の中央部下面に突出して設けられた図示しない雌ネジブロックに形成された貫通雌ネジ穴に螺合されている。従って、パルスモータ３７２によって雄ネジロッド３７１を正転および逆転駆動することにより、第１の滑動ブロック３２は案内レール３１、３１に沿ってＸ軸方向に移動せしめられる。
【００１８】
上記第２の滑動ブロック３３は、その下面に上記第１の滑動ブロック３２の上面に設けられた一対の案内レール３２２、３２２と嵌合する一対の被案内溝３３１、３３１が設けられており、この被案内溝３３１、３３１を一対の案内レール３２２、３２２に嵌合することにより、Y軸方向に移動可能に構成される。図示の実施形態におけるチャックテーブル機構３は、第２の滑動ブロック３３を第１の滑動ブロック３２に設けられた一対の案内レール３２２、３２２に沿ってY軸方向に移動させるためのY軸方向移動手段３８を具備している。Y軸方向移動手段３８は、上記一対の案内レール３２２と３２２の間に平行に配設された雄ネジロッド３８１と、該雄ネジロッド３８１を回転駆動するためのパルスモータ３８２等の駆動源を含んでいる。雄ネジロッド３８１は、その一端が上記第１の滑動ブロック３２の上面に固定された軸受ブロック３８３に回転自在に支持されており、その他端が上記パルスモータ３８２の出力軸に伝動連結されている。なお、雄ネジロッド３８１は、第２の滑動ブロック３３の中央部下面に突出して設けられた図示しない雌ネジブロックに形成された貫通雌ネジ穴に螺合されている。従って、パルスモータ３８２によって雄ネジロッド３８１を正転および逆転駆動することにより、第２の滑動ブロック３３は案内レール３２２、３２２に沿ってY軸方向に移動せしめられる。
【００１９】
上記レーザー光線照射ユニット４は、上記静止基台２上に配設された支持部材４１と、該支持部材４１によって支持され実質上水平に延出するケーシング４２と、該ケーシング４２に配設されたレーザー光線照射機構５と、ケーシング４２の前端部に配設されレーザー加工すべき加工領域を検出する撮像手段６を具備している。なお、撮像手段６は、被加工物を照明する照明手段と、該照明手段によって照明された領域を捕らえる光学系と、該光学系によって捕らえられた像を撮像する撮像素子（ＣＣＤ）等を備えている。
【００２０】
上記レーザー光線照射機構５について、図２および図３を参照して説明する。
レーザー光線照射機構５は、パルスレーザー光線発振器５１と、該パルスレーザー光線発振器５１から発振されたパルスレーザー光線の出力を調整する出力調整手段５２と、該出力調整手段５２によって出力が調整されたパルスレーザー光線を集光してチャックテーブル３６に保持された被加工物に照射する集光器５３と、出力調整手段５２と集光器５３との間に配設されパルスレーザー光線発振器５１から発振され出力調整手段５２によって出力が調整されたパルスレーザー光線を分散させる複数のミラーが回転軸に対して同心状に配設されたポリゴンミラー５４と、パルスレーザー光線発振器５１とポリゴンミラー５４との間に配設され隣接するミラーの角部にパルスレーザー光線が照射されないようにパルスレーザー光線を誘導する誘導手段５５を具備している。
【００２１】
パルスレーザー光線発振器５１は、図示の実施形態においては波長が３５５nmのパルスレーザー光線LBを発振する。上記集光器５３は、上記パルスレーザー光線発振器５１から発振され出力調整手段５２によって出力が調整されたパルスレーザー光線を集光するfθレンズ５３１を具備している。なお、上記パルスレーザー光線発振器５１および出力調整手段５２は、制御手段７によって制御される。
【００２２】
上記ポリゴンミラー５４は、複数のミラー５４１が回転軸５４２に対して同心状に配設されており、スキャンモータ５４３によって図２において矢印Aで示す方向に回転せしめられるようになっている。なお、図示の実施形態のおいては、ポリゴンミラー５４のミラー５４１は、正８角形外周面に装着されている。このように構成されたポリゴンミラー５４のスキャンモータ５４３は、制御手段７によって制御される。
【００２３】
上記誘導手段５５は、パルスレーザー光線発振器５１から発振されたパルスレーザー光線LBを第１の経路５５１aと第２の経路５５１bに選択的に導く光学的スイッチング素子５５２と、第１の経路５５１aと第２の経路５５１bに導かれたパルスレーザー光線をポリゴンミラー５４が配設された第３の経路５５１cに導くビームスプリッター５５３を具備している。光学的スイッチング素子５５２は音響光学素子（AOD）やEOD等からなり、電圧信号が印加されない状態においてはパルスレーザー光線発振器５１から発振されたパルスレーザー光線LBを第１の経路５５１aに導き、所定の電圧信号が印加されるとパルスレーザー光線発振器５１から発振されたパルスレーザー光線LBを第２の経路５５１bに導くようになっており、制御手段７によって制御される。
【００２４】
上記第１の経路５５１aには、光学的スイッチング素子５５２によって第１の経路５５１aに導かれた第１のパルスレーザー光線LB１をビームスプリッター５５３に向けて方向変換する方向変換ミラー５５４aと、該方向変換ミラー５５４aによって方向変換された第１のパルスレーザー光線LB１をビームスプリッター５５３に対してＰ偏光に偏光する１／２波長板５５５aが配設されている。また、第２の経路５５１bには、光学的スイッチング素子５５２によって第２の経路５５１bに導かれた第２のパルスレーザー光線LB2を方向変換する方向変換ミラー５５４bと、該方向変換ミラー５５４bによって方向変換された第２のパルスレーザー光線LB2をビームスプリッター５５３に対してS偏光に偏光する１／２波長板５５５bと、該１／２波長板５５５bによってS偏光に偏光された第２のパルスレーザー光線LB2をビームスプリッター５５３に導く方向変換ミラー５５６bが配設されている。
【００２５】
上記ビームスプリッター５５３は、Ｐ偏光に偏光された第１のパルスレーザー光線LB１を通過させて第３の経路５５１cに導き、S偏光に偏光された第２のパルスレーザー光線LB2を反射して第３の経路５５１cに導くようになっている。なお、図示の実施形態においては、S偏光に偏光された第２のパルスレーザー光線LB2はＰ偏光に偏光された第１のパルスレーザー光線LB１の光軸と所定の間隔(L)をもってビームスプリッター５５３に入射されるように構成されている。従って、第１のパルスレーザー光線LB１と第２のパルスレーザー光線LB2は、ビームスプリッター５５３によって所定の間隔(L)をもって第３の経路５５１cに分岐される。第３の経路５５１cに分岐された第１のパルスレーザー光線LB１と第２のパルスレーザー光線LB2は、方向変換ミラー５５７を介して上記ポリゴンスミラー５４の第１の位置５４aと第２の位置５４ｂにそれぞれ導かれる。
【００２６】
図２を参照して説明を続けると、誘導手段５５はポリゴンミラー５４の回転位置を検出する回転位置検出手段５５８を備えている。図示の実施形態における回転位置検出手段５５８は、発光素子５５８aと、該発光素子５５８aが発光しポリゴンミラー５４のミラー５４１で反射した光を受光する受光素子５５８ｂとからなっている。なお、受光素子５５８ｂは、ポリゴンミラー５４のミラー５４１とミラー５４１の角部５４１aより僅かに回転方向(A)前側の位置(B)で反射した光を受光するように位置付けられており、受光信号を制御手段７に送る。
【００２７】
図示の実施形態におけるレーザー加工装置は以上のように構成されており、以下上記レーザー光線照射機構５によるパルスレーザー光線の照射形態について説明する。例えば、ポリゴンミラー５４の回転速度が５００回転／秒とすると、ポリゴンミラー５４は８面のミラー５４１を備えているので、１ミラー５４１当たりの移動時間は１／４０００秒となる。一方、パルスレーザー光線発振器５１から発振されるパルスレーザー光線LBの繰り返し周波数が４０kHzとすると、ポリゴンミラー５４の１ミラー５４１当たりに照射されるパルスレーザー光線は１０パルスとなる。
【００２８】
図２に示すようにパルスレーザー光線発振器５１から発振され出力調整手段５２によって出力が調整されたパルスレーザー光線LBは、誘導手段５５を構成する光学的スイッチング素子５５２に導かれる。光学的スイッチング素子５５２に電圧信号が印加されていないと、パルスレーザー光線発振器５１から発振されたパルスレーザー光線LBは第１の経路５５１aに導かれる。第１の経路５５１aに導かれた第１のパルスレーザー光線LB１は、方向変換ミラー５５４aを介して１／２波長板５５５aを通過することにより、ビームスプリッター５５３に対してＰ偏光に偏光される。従って、Ｐ偏光に偏光された第１のパルスレーザー光線LB１は、ビームスプリッター５５３を通過して第３の経路５５１cに導かれる。第３の経路５５１cに導かれた第１のパルスレーザー光線LB１は、方向変換ミラー５５７を介して上記ポリゴンミラー５４の第１の位置５４aに導かれる。ポリゴンミラー５４は矢印Aで示す方向に所定の回転速度（図示の実施形態においては５００回転／秒）で回転しているので、パルスレーザー光線の１０パルス（LB−１〜LB−１０）をY軸方向に沿ってfθレンズ５３１に導く。このようにしてfθレンズ５３１に導かれたパルスレーザー光線の１０パルス（LB−１〜LB−１０）は、それぞれfθレンズ５３１によって集光されて、チャックテーブル３６に保持された被加工物Wに図３で示すようにY軸方向に沿って照射される。従って、Y軸方向に例えば５０μmの範囲で１０パルス（LB−１〜LB−１０）照射することにより、幅が５０μmのレーザー加工を施すことができる。
【００２９】
上述したように、光学的スイッチング素子５５２によって第１の経路５５１aに導かれた第１のパルスレーザー光線LB１によってレーザー加工を実施している際に、ポリゴンミラー５４のミラー５４１とミラー５４１の角部５４１aにパルスレーザー光線が当たる場合があり、この場合にはパルスレーザー光線が散乱して所定の加工領域に照射することができず加工損出が生ずるとともに、パルスレーザー光線の散乱により被加工物の品質を低下させるという問題がある。
【００３０】
図示の実施形態においては、ポリゴンミラー５４のミラー５４１とミラー５４１の角部５４１aより僅かに回転方向(A)前側の位置を検出する回転位置検出手段５５８を備えており、第１のパルスレーザー光線LB１の入光位置であるポリゴンミラー５４の第１の位置５４aにミラー５４１とミラー５４１の角部５４１aより僅かに回転方向(A)前側の位置(B)が達したら、発光素子５５８aが発光しミラー５４１によって反射した光を受光素子５５８ｂが受光して受光信号を制御手段７に送る。受光素子５５８ｂから受光信号を入力した制御手段７は、光学的スイッチング素子５５２に電圧信号を印加する。この結果、パルスレーザー光線発振器５１から発振されたパルスレーザー光線LBは第２の経路５５１bに導かれる。第２の経路５５１bに導かれた第２のパルスレーザー光線LB2は、方向変換ミラー５５４bを介して１／２波長板５５５bを通過することにより、ビームスプリッター５５３に対してS偏光に偏光される。従って、S偏光に偏光された第２のパルスレーザー光線LB2は、方向変換ミラー５５６bを介して上述したようにビームスプリッター５５３によって分岐されて第３の経路５５１cに導かれる。第３の経路５５１cに導かれ第２のパルスレーザー光線LB2は、方向変換ミラー５５７を介して上記ポリゴンミラー５４の第２の位置５４bに導かれる。このようにしてポリゴンスミラー５４の第２の位置５４bに導かれた第２のパルスレーザー光線LB2は、回転するポリゴンミラー５４のミラー５４１とミラー５４１の角部５４１aを超えて次のミラー５４１に導かれる。従って、パルスレーザー光線がポリゴンミラー５４のミラー５４１とミラー５４１の角部５４１aに当たることはない。
【００３１】
上述したように第２のパルスレーザー光線LB2の１パルスをポリゴンミラー５４の第２の位置５４bに導いたならば、制御手段７は光学的スイッチング素子５５２への電圧信号の印加を停止する。この結果、上述したようにパルスレーザー光線発振器５１から発振されたパルスレーザー光線LBは第１の経路５５１aに導かれ、第１の経路５５１aに導かれた第１のパルスレーザー光線LB１が上記ポリゴンミラー５４の第１の位置５４aに導かれる。このとき、ポリゴンミラー５４は矢印(A)で示す方向に例えば５００回転／秒の回転速度で回転しているので、第１のパルスレーザー光線LB１は上記第２のパルスレーザー光線LB2の１パルスが導かれたミラー５４１と同じミラーに導かれることになる。このように、回転位置検出手段５５８の受光素子５５８ｂからの受光信号に基づいて制御手段７が光学的スイッチング素子５５２への電圧信号の印加の停止と印加を交互に実施することにより、パルスレーザー光線がポリゴンミラー５４のミラー５４１とミラー５４１の角部５４１aに当たることなく各ミラー５４１にそれぞれ１０パルス（LB−１〜LB−１０）導くことができる。
【００３２】
以上のように図示の実施形態におけるレーザー光線照射機構５においては、回転するポリゴンミラー５４のミラー５４１とミラー５４１の角部５４１aにパルスレーザー光線が当たることがないので、ポリゴンミラー５４のミラー５４１とミラー５４１の角部５４１aにパルスレーザー光線が当たることによって発生するパルスレーザー光線の散乱が防止される。従って、ポリゴンミラー５４のミラー５４１とミラー５４１の角部５４１aにパルスレーザー光線が当たることにより散乱して所定の加工領域に照射することができず加工損失が生ずるとともに、パルスレーザー光線の散乱により被加工物の品質を低下させるという問題を解消することができる。
また、図示の実施形態におけるレーザー光線照射機構５においては、パルスレーザー光線の１０パルス（LB−１〜LB−１０）がチャックテーブル３６に保持された被加工物Wに繰り返し照射されるので、チャックテーブル３６をX軸方向に加工送りすることにより、Y軸方向に重複してアブレーション加工するため、溶融物の埋め戻りを防止して被加工物としてのＬｏｗ−ｋ膜や基板等に効率よく所望の幅のレーザー加工溝を形成することができる。
【符号の説明】
【００３３】
２：静止基台
３：チャックテーブル機構
３６：チャックテーブル
３７：X軸方向移動手段
３８：Y軸方向移動手段
４：レーザー光線照射ユニット
５：レーザー光線照射機構
５１：パルスレーザー光線発振器
５２:出力調整手段
５３：集光器
５４：ポリゴンミラー
５５：誘導手段
５５２：光学的スイッチング素子
５５３：ビームスプリッター
５５８：回転位置検出手段
６：撮像手段
７：制御手段
【図１】
0006434360.tif 000002
【図２】
0006434360.tif 000003
【図３】
0006434360.tif 000004