(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
ホウ素化アレーンを形成する方法であって、
１〜４つの置換基を含む置換アレーン環を含む基質であって、前記アレーン環が、ＣＨ活性化に電子的に有利な第１の位置において置換されておらず、かつＣＨ活性化に立体的に有利な第２の位置において置換されていない、基質を用意するステップ、ならびに
第１のホウ素化アレーンおよび場合により第２のホウ素化アレーンを形成するのに有効な条件下で、前記基質を、イリジウム前駆錯体、少なくとも１つの窒素ヘテロ原子を含む電子不足二座配位子、およびホウ素化試薬に接触させるステップを含み、
前記電子不足二座配位子が、式ＩＶａによって定義される化合物
【化１】
0006434522.tif 000138
（式中、ｎは、０、１、２または３であり、Ｒ１０は、出現毎に独立して、水素、ハロゲン、ニトリル基、ニトロ基、Ｃ１〜Ｃ６アルキル基またはＣ１〜Ｃ６ペルフルオロアルキル基であるが、但し、Ｒ１０の少なくとも１つが、ハロゲン、ニトリル基、ニトロ基、およびＣ１〜Ｃ６ペルフルオロアルキル基から選択されることを条件とする）を含み、
前記第１のホウ素化アレーンが、１〜４つの置換基、および前記第１の位置にボロン酸またはボロン酸誘導体を含む、置換アレーン環を含み、
前記第２のホウ素化アレーンが、形成される場合、１〜４つの置換基、および前記第２の位置にボロン酸またはボロン酸誘導体を含む、置換アレーン環を含み、
前記第１のホウ素化アレーンと前記第２のホウ素化アレーンとのモル比が、ＧＣ−ＦＩＤにより決定すると、少なくとも１：１である、ホウ素化アレーンを形成する方法。
【請求項２】
前記アレーン環が、１〜３つの置換基を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記アレーン環が、−Ｆおよび−ＣＦ３からなる群から選択される電子吸引基により置換されている、請求項１から２のいずれかに記載の方法。
【請求項４】
前記基質が、−Ｆおよび−ＣＦ３からなる群から選択される電子吸引基により置換されているフェニル環であって、前記電子吸引基に対しオルト位で置換されておらず、かつ前記電子吸引基に対しメタ位で置換されていない、フェニル環を含み、
前記第１のホウ素化アレーンが、−Ｆおよび−ＣＦ３からなる群から選択される電子吸引基、ならびに前記電子吸引基に対しオルト位でボロン酸またはボロン酸誘導体により置換されているフェニル環を含み、
前記第２のホウ素化アレーンが、形成される場合、−Ｆおよび−ＣＦ３からなる群から選択される電子吸引基、ならびに前記電子吸引基に対しメタ位でボロン酸またはボロン酸誘導体により置換されているフェニル環を含む、請求項１から３のいずれかに記載の方法。
【請求項５】
前記基質が、２−，４−二置換ピリジン環、２−，６−二置換ピリジン環、２−，４−，６−三置換ピリジン環、および２−置換ピリジン環からなる群から選択されるピリジン環を含む、請求項１から３のいずれかに記載の方法。
【請求項６】
ホウ素化アレーンを形成する方法であって、
電子吸引基および指向型メタル化基から選択される部分により置換されている芳香族環を含む基質であって、前記芳香族環が、前記部分に対しオルト位で置換されておらず、かつ前記部分に対しメタ位で置換されていない、基質を用意するステップ、ならびに
第１のホウ素化アレーンおよび第２のホウ素化アレーンを形成するのに有効な条件下で、前記基質を、イリジウム前駆錯体、単座ピリジン配位子およびホウ素化試薬に接触させるステップを含み、
前記第１のホウ素化アレーンが、電子吸引基および指向型メタル化基から選択される部分、ならびに前記部分に対しオルト位でボロン酸またはボロン酸誘導体により置換されている芳香族環を含み、
第２のホウ素化アレーンが、電子吸引基および指向型メタル化基から選択される部分、ならびに前記部分に対しメタ位でボロン酸またはボロン酸誘導体により置換されている芳香族環を含み、
前記第１のホウ素化アレーンと前記第２のホウ素化アレーンとのモル比が、ＧＣ−ＦＩＤにより決定すると、少なくとも１：１である、ホウ素化アレーンを形成する方法。
【請求項７】
前記部分が、−Ｆおよび−ＣＦ３からなる群から選択される電子吸引基である、請求項６に記載の方法。
【請求項８】
前記基質が、式Ｉによって定義される化合物
【化２】
0006434522.tif 000139
（式中、
Ｘは、ＦまたはＣＦ３であり、
Ｒ１は、水素、ハロゲン、−ＯＲ４、−ＮＲ５Ｒ６、−Ｃ（＝Ｏ）Ｒ７、ニトリル基、Ｃ１〜Ｃ６アルキル基またはＣ１〜Ｃ６ハロアルキル基であり、
Ｒ２は、水素、ハロゲン、−ＯＲ４、−ＮＲ５Ｒ６、−Ｃ（＝Ｏ）Ｒ７、ニトリル基、Ｃ１〜Ｃ６アルキル基またはＣ１〜Ｃ６ハロアルキル基であり、
Ｒ３は、水素、ハロゲン、−ＯＲ４、−ＮＲ５Ｒ６、−Ｃ（＝Ｏ）Ｒ７、ニトリル基、Ｃ１〜Ｃ６アルキル基またはＣ１〜Ｃ６ハロアルキル基であり、
Ｒ４、Ｒ５およびＲ６の各々は、出現毎に個別に、水素またはＣ１〜Ｃ６アルキル基であり、
Ｒ７は、出現毎に個別に、水素、−ＯＲ４、−ＮＲ５Ｒ６またはＣ１〜Ｃ６アルキル基である）を含み、
前記第１のホウ素化アレーンが、式ＩＩによって定義される化合物
【化３】
0006434522.tif 000140
（式中、
Ｘ、Ｒ１、Ｒ２およびＲ３は、上記の通りであり、Ｙは、ボロン酸またはボロン酸誘導体である）を含み、
前記第２のホウ素化アレーンが、形成される場合、式ＩＩＩによって定義される化合物
【化４】
0006434522.tif 000141
（式中、
Ｘ、Ｒ１、Ｒ２およびＲ３は、上記の通りであり、Ｙは、ボロン酸またはボロン酸誘導体である）を含む、請求項１から４、６、または７のいずれかに記載の方法。
【請求項９】
前記基質が、１−クロロ−３−フルオロ−２−置換ベンゼンを含む、請求項１から４または６から８のいずれかに記載の方法。
【請求項１０】
前記基質が１−クロロ−３−フルオロ−２−メトキシベンゼンを含み、かつ前記第１のホウ素化アレーンが、（４−クロロ−２−フルオロ−３−メトキシフェニル）ボロン酸または（４−クロロ−２−フルオロ−３−メトキシフェニル）−ボロン酸誘導体を含む、請求項１から４または６から９のいずれかに記載の方法。
【請求項１１】
前記イリジウム前駆錯体が、Ｉｒ（Ｉ）−シクロオクタジエン前駆錯体、Ｉｒ（Ｉ）−シクロオクテン前駆錯体、Ｉｒ（Ｉ）−メシチレン前駆錯体、Ｉｒ（Ｉ）−ホスフィン前駆錯体、Ｉｒ（Ｉ）−１，２，３，４，５−メチルシクロペンタジエニル前駆錯体、およびそれらの組合せからなる群から選択される、イリジウム錯体を含む、請求項１から１０のいずれかに記載の方法。
【請求項１２】
前記基質、第１のホウ素化アレーン、および、第２のホウ素化アレーンが、形成される場合、−Ｃｌおよび−Ｂｒからなる群から選択される置換基を含む、請求項１から１１のいずれかに記載の方法。
【請求項１３】
前記基質が、以下の式により定義される化合物
【化５】
0006434522.tif 000142
（式中、
Ｘは、電子吸引基または指向型メタル化基から選択される部分であり、
Ｒ１は、水素、ハロゲン、−ＯＲ４、−ＮＲ５Ｒ６、−Ｃ（＝Ｏ）Ｒ７、ニトリル基、Ｃ１〜Ｃ６アルキル基またはＣ１〜Ｃ６ハロアルキル基であり、
Ｒ２は、水素、ハロゲン、−ＯＲ４、−ＮＲ５Ｒ６、−Ｃ（＝Ｏ）Ｒ７、ニトリル基、Ｃ１〜Ｃ６アルキル基またはＣ１〜Ｃ６ハロアルキル基であり、
Ｒ３は、−Ｃｌおよび−Ｂｒであり、
Ｒ４、Ｒ５およびＲ６の各々は、出現毎に個別に、水素またはＣ１〜Ｃ６アルキル基であり、
Ｒ７は、出現毎に個別に、水素、−ＯＲ４、−ＮＲ５Ｒ６またはＣ１〜Ｃ６アルキル基である）を含み、
前記第１のホウ素化アレーンが、以下の式によって定義される化合物
【化６】
0006434522.tif 000143
（式中、
Ｘ、Ｒ１、Ｒ２およびＲ３は、上記の通りであり、Ｙは、ボロン酸またはボロン酸誘導体である）を含み、
前記第２のホウ素化アレーンが、形成される場合、以下の式によって定義される化合物
【化７】
0006434522.tif 000144
（式中、
Ｘ、Ｒ１、Ｒ２およびＲ３は、上記の通りであり、Ｙは、ボロン酸またはボロン酸誘導体である）を含み、
前記第１のホウ素化アレーンと前記第２のホウ素化アレーンとのモル比が、ＧＣ−ＦＩＤにより決定すると、少なくとも２５：１である、請求項１から１２のいずれかに記載の方法。
【請求項１４】
前記第１のホウ素化アレーンを還元的に脱ハロゲン化して、脱ハロゲン化されたホウ素化アレーンを得るステップをさらに含む、請求項１２から１３のいずれかに記載の方法。
【請求項１５】
前記第１のホウ素化アレーンまたは前記脱ハロゲン化されたホウ素化アレーンを、ハロゲン化アリール、偽ハロゲン化アリール、ハロゲン化ビニルおよび偽ハロゲン化ビニルからなる群から選択される反応体、ならびに遷移金属触媒に接触させ、前記第１のホウ素化アレーンまたは前記脱ハロゲン化されたホウ素化アレーンと前記反応体とをクロスカップリングするステップをさらに含む、請求項１から１４のいずれかに記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本出願は一般に、ホウ素化アレーンを形成する方法、およびその使用方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
アリールボロン酸およびアリールボロン酸エステルは、有機化学における用途の広い試薬である。特に、アリールボロン酸およびアリールボロン酸エステルは、Ｓｕｚｕｋｉ型クロスカップリング反応などの、様々なクロスカップリング反応に関与することができ、このカップリング反応は、以下に一般に例示される通り、炭素−炭素結合を形成することができる。
【０００３】
【化１】
0006434522.tif 000002
【０００４】
結果として、アリールボロン酸エステルおよびアリールボロン酸は、しばしば、医薬品および農業化学品を含む、高度に官能基化されている有機化合物の合成における鍵となる中間体となる。置換アリールボロン酸および置換アリールボロン酸エステルを調製する位置選択的な方法を含む、アリールボロン酸およびアリールボロン酸エステルを調製するための改善方法は、医薬品および農業化学品を含む、重要なクラスの有機化合物の合成を改善する可能性をもたらす。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
金属触媒によるＣ−Ｈ活性化−ホウ素化は、芳香族前駆体から、単一ステップでアリールボロン酸およびアリールボロン酸エステルを調製するために使用することができる。金属触媒によるＣ−Ｈ活性化−ホウ素化は、代替的なホウ素化方法よりも多くの利点をもたらす。例えば、金属触媒によるＣ−Ｈ活性化−ホウ素化は、ホウ素化するためにＣ−Ｈ位を活性化するための古典的なリチウム−水素交換反応を使用する場合に通常、必要とされる極めて低い反応温度を必要としない。
【０００６】
電子吸引基により置換されているアレーンであって、電子吸引基のオルト位において置換されておらず、かつ電子吸引基に対しメタ位で置換されていないアレーンの場合、アレーンのイリジウム触媒によるＣ−Ｈ活性化−ホウ素化は、通常、立体効果によって支配される。例えば、１−クロロ−３−フルオロ−２−置換ベンゼンの場合、イリジウム触媒によるＣ−Ｈ活性化−ホウ素化は、電子的に有利なベンゼン環の４位におけるホウ素化（電子吸引性のフルオロ置換基のオルトとなる。「電子的生成物（electronic product）」と呼ばれる）とは反対に、立体的に有利なベンゼン環の５位におけるホウ素化（電子吸引性のフルオロ置換基のメタとなる。「立体的生成物（steric product）」と呼ばれる）が有利であることが予期される。
【０００７】
【化２】
0006434522.tif 000003
【０００８】
ある種のイリジウム触媒系は、１−クロロ−３−フルオロ−２−置換ベンゼンを含めた、電子吸引基により置換されているアレーンのホウ素化を、フルオロ置換基に対しオルト位で効率よく触媒することができる（すなわち、上記のイリジウム鎖触媒系は、電子的生成物の形成を効率よく触媒することができる）ことが意外なことに発見された。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明は以下を提供する。
［１］ホウ素化アレーンを形成する方法であって、
１〜４つの置換基を含む置換アレーン環を含む基質であって、上記アレーン環が、ＣＨ活性化に電子的に有利な第１の位置において置換されておらず、かつＣＨ活性化に立体的に有利な第２の位置において置換されていない、基質を用意するステップ、ならびに
第１のホウ素化アレーンおよび場合により第２のホウ素化アレーンを形成するのに有効な条件下で、上記基質を、イリジウム前駆錯体、単座配位子および二座配位子から選択される配位子、ならびにホウ素化試薬に接触させるステップを含み、
上記第１のホウ素化アレーンが、１〜４つの置換基、および上記第１の位置にボロン酸またはボロン酸誘導体を含む、置換アレーン環を含み、
上記第２のホウ素化アレーンが、形成される場合、１〜４つの置換基、および上記第２の位置にボロン酸またはボロン酸誘導体を含む、置換アレーン環を含み、
上記第１のホウ素化アレーンと上記第２のホウ素化アレーンとのモル比が、ＧＣ−ＦＩＤにより決定すると、少なくとも１：１である、
ホウ素化アレーンを形成する方法。
［２］上記アレーン環が、１〜３つの置換基を含む、上記［１］に記載の方法。
［３］上記アレーン環が、−Ｆおよび−ＣＦ３からなる群から選択される電子吸引基により置換されている、上記［１］から［２］のいずれかに記載の方法。
［４］上記基質が、−Ｆおよび−ＣＦ３からなる群から選択される電子吸引基により置換されているフェニル環であって、上記電子吸引基に対しオルト位で置換されておらず、かつ上記電子吸引基に対しメタ位で置換されていない、フェニル環を含み、
上記第１のホウ素化アレーンが、−Ｆおよび−ＣＦ３からなる群から選択される電子吸引基、ならびに上記電子吸引基に対しオルト位でボロン酸またはボロン酸誘導体により置換されているフェニル環を含み、
上記第２のホウ素化アレーンが、形成される場合、−Ｆおよび−ＣＦ３からなる群から選択される電子吸引基、ならびに上記電子吸引基に対しメタ位でボロン酸またはボロン酸誘導体により置換されているフェニル環を含む、
上記［１］から［３］のいずれかに記載の方法。
［５］上記基質が、２−，４−二置換ピリジン環、２−，６−二置換ピリジン環、２−，４−，６−三置換ピリジン環、および２−置換ピリジン環からなる群から選択されるピリジン環を含む、上記［１］から［３］のいずれかに記載の方法。
［６］上記配位子が、電子不足二座配位子を含む、上記［１］から［５］のいずれかに記載の方法。
［７］上記二座配位子が、１つまたは複数の電子吸引性置換基により置換されている、２，２’−ビピリジンを含む、上記［６］に記載の方法。
［８］上記二座配位子が、式ＩＶａ、式ＩＶｂまたは式ＩＶｃによって定義される化合物
【化１】
0006434522.tif 000004
（式中、ｎは、０、１、２または３であり、Ｒ１０は、出現毎に独立して、水素、ハロゲン、ニトリル基、ニトロ基、Ｃ１〜Ｃ６アルキル基またはＣ１〜Ｃ６ペルフルオロアルキル基であるが、但し、上記二座配位子が式ＩＶａまたは式ＩＶｂにより定義される化合物を含む場合、Ｒ１０の１つまたは複数が水素ではないことを条件とする）
を含む、上記［６］から［７］のいずれかに記載の方法。
［９］上記配位子が、単座ピリジン配位子を含む、上記［１］から［５］のいずれかに記載の方法。
［１０］ホウ素化アレーンを形成する方法であって、
電子吸引基および指向型メタル化基から選択される部分により置換されている芳香族環を含む基質であって、上記芳香族環が、上記部分に対しオルト位で置換されていない、基質を用意するステップ、ならびに
第１のホウ素化アレーンを形成するのに有効な条件下で、上記基質を、イリジウム前駆錯体、単座配位子およびホウ素化試薬に接触させるステップを含み、
上記第１のホウ素化アレーンが、電子吸引基および指向型メタル化基から選択される部分、ならびに上記部分に対しオルト位でボロン酸またはボロン酸誘導体により置換されている芳香族環を含む、ホウ素化アレーンを形成する方法。
［１１］上記芳香族環が、上記部分に対しオルト位で置換されておらず、かつ上記部分に対しメタ位で置換されていない、上記［１０］に記載の方法。
［１２］上記第１のホウ素化アレーンおよび第２のホウ素化アレーンを形成するのに有効な条件下、上記基質を、イリジウム前駆錯体、単座配位子およびホウ素化試薬に接触させるステップであって、
上記第２のホウ素化アレーンが、電子吸引基および指向型メタル化基から選択される部分、ならびに上記部分に対しメタ位でボロン酸またはボロン酸誘導体により置換されている芳香族環を含み、
上記第１のホウ素化アレーンと上記第２のホウ素化アレーンとのモル比が、ＧＣ−ＦＩＤにより決定すると、少なくとも１：１である、ステップ
を含む、上記［１１］に記載の方法。
［１３］上記部分が、−Ｆおよび−ＣＦ３からなる群から選択される電子吸引基である、上記［１０］から［１２］のいずれかに記載の方法。
［１４］上記基質が、式Ｉによって定義される化合物
【化２】
0006434522.tif 000005
（式中、
Ｘは、ＦまたはＣＦ３であり、
Ｒ１は、水素、ハロゲン、−ＯＲ４、−ＮＲ５Ｒ６、−Ｃ（＝Ｏ）Ｒ７、ニトリル基、Ｃ１〜Ｃ６アルキル基またはＣ１〜Ｃ６ハロアルキル基であり、
Ｒ２は、水素、ハロゲン、−ＯＲ４、−ＮＲ５Ｒ６、−Ｃ（＝Ｏ）Ｒ７、ニトリル基、Ｃ１〜Ｃ６アルキル基またはＣ１〜Ｃ６ハロアルキル基であり、
Ｒ３は、水素、ハロゲン、−ＯＲ４、−ＮＲ５Ｒ６、−Ｃ（＝Ｏ）Ｒ７、ニトリル基、Ｃ１〜Ｃ６アルキル基またはＣ１〜Ｃ６ハロアルキル基であり、
Ｒ４、Ｒ５およびＲ６の各々は、出現毎に個別に、水素またはＣ１〜Ｃ６アルキル基であり、
Ｒ７は、出現毎に個別に、水素、−ＯＲ４、−ＮＲ５Ｒ６またはＣ１〜Ｃ６アルキル基である）
を含み、
上記第１のホウ素化アレーンが、式ＩＩによって定義される化合物
【化３】
0006434522.tif 000006
（式中、
Ｘ、Ｒ１、Ｒ２およびＲ３は、上記の通りであり、Ｙは、ボロン酸またはボロン酸誘導体である）
を含み、
上記第２のホウ素化アレーンが、形成される場合、式ＩＩＩによって定義される化合物
【化４】
0006434522.tif 000007
（式中、
Ｘ、Ｒ１、Ｒ２およびＲ３は、上記の通りであり、Ｙは、ボロン酸またはボロン酸誘導体である）
を含む、
上記［１］から［４］または［６］から［１３］のいずれかに記載の方法。
［１５］上記基質が、１−クロロ−３−フルオロ−２−置換ベンゼンを含む、上記［１］から［４］または［６］から［１４］のいずれかに記載の方法。
［１６］上記基質が１−クロロ−３−フルオロ−２−メトキシベンゼンを含み、かつ上記第１のホウ素化アレーンが、（４−クロロ−２−フルオロ−３−メトキシフェニル）ボロン酸または（４−クロロ−２−フルオロ−３−メトキシフェニル）−ボロン酸誘導体を含む、上記［１］から［４］または［６］から［１５］のいずれかに記載の方法。
［１７］上記イリジウム前駆錯体が、Ｉｒ（Ｉ）−シクロオクタジエン前駆錯体、Ｉｒ（Ｉ）−シクロオクテン前駆錯体、Ｉｒ（Ｉ）−メシチレン前駆錯体、Ｉｒ（Ｉ）−ホスフィン前駆錯体、Ｉｒ（Ｉ）−１，２，３，４，５−メチルシクロペンタジエニル前駆錯体、およびそれらの組合せからなる群から選択される、イリジウム錯体を含む、上記［１］から［１６］のいずれかに記載の方法。
［１８］上記基質、第１のホウ素化アレーン、および、第２のホウ素化アレーンが、形成される場合、−Ｃｌおよび−Ｂｒからなる群から選択される置換基を含む、上記［１］から［１７］のいずれかに記載の方法。
［１９］上記基質が、以下の式により定義される化合物
【化５】
0006434522.tif 000008
（式中、
Ｘは、電子吸引基または指向型メタル化基から選択される部分であり、
Ｒ１は、水素、ハロゲン、−ＯＲ４、−ＮＲ５Ｒ６、−Ｃ（＝Ｏ）Ｒ７、ニトリル基、Ｃ１〜Ｃ６アルキル基またはＣ１〜Ｃ６ハロアルキル基であり、
Ｒ２は、水素、ハロゲン、−ＯＲ４、−ＮＲ５Ｒ６、−Ｃ（＝Ｏ）Ｒ７、ニトリル基、Ｃ１〜Ｃ６アルキル基またはＣ１〜Ｃ６ハロアルキル基であり、
Ｒ３は、−Ｃｌおよび−Ｂｒであり、
Ｒ４、Ｒ５およびＲ６の各々は、出現毎に個別に、水素またはＣ１〜Ｃ６アルキル基であり、
Ｒ７は、出現毎に個別に、水素、−ＯＲ４、−ＮＲ５Ｒ６またはＣ１〜Ｃ６アルキル基である）
を含み、
上記第１のホウ素化アレーンが、以下の式によって定義される化合物
【化６】
0006434522.tif 000009
（式中、
Ｘ、Ｒ１、Ｒ２およびＲ３は、上記の通りであり、Ｙは、ボロン酸またはボロン酸誘導体である）
を含み、
上記第２のホウ素化アレーンが、形成される場合、以下の式によって定義される化合物
【化７】
0006434522.tif 000010
（式中、
Ｘ、Ｒ１、Ｒ２およびＲ３は、上記の通りであり、Ｙは、ボロン酸またはボロン酸誘導体である）
を含み、
上記第１のホウ素化アレーンと上記第２のホウ素化アレーンとのモル比が、ＧＣ−ＦＩＤにより決定すると、少なくとも２５：１である、
上記［１］から［１８］のいずれかに記載の方法。
［２０］上記第１のホウ素化アレーンを還元的に脱ハロゲン化して、脱ハロゲン化されたホウ素化アレーンを得るステップをさらに含む、上記［１８］から［１９］のいずれかに記載の方法。
［２１］上記第１のホウ素化アレーンまたは上記脱ハロゲン化されたホウ素化アレーンを、ハロゲン化アリール、偽ハロゲン化アリール、ハロゲン化ビニルおよび偽ハロゲン化ビニルからなる群から選択される反応体、ならびに遷移金属触媒に接触させ、上記第１のホウ素化アレーンまたは上記脱ハロゲン化されたホウ素化アレーンと上記反応体とをクロスカップリングするステップをさらに含む、上記［１］から［２０］のいずれかに記載の方法。
したがって、ホウ素化アレーンを調製する方法が提供される。一部の実施形態では、ホウ素化アレーンは、−Ｆおよび−ＣＦ３からなる群から選択される電子吸引基、ならびに電子吸引基に対しオルト位でボロン酸またはボロン酸誘導体により置換されているフェニル環を含むことができる。ホウ素化アレーンを形成する方法は、第１のホウ素化アレーンおよび場合により第２のホウ素化アレーンを形成するのに有効な条件下で、適切な基質を、イリジウム前駆錯体、単座配位子および二座配位子から選択される配位子、ならびにホウ素化試薬に接触させるステップを含むことができる。第１のホウ素化アレーンと第２のホウ素化アレーンとのモル比は、ガスクロマトグラフィー（例えば、水素炎イオン化検出器を備えたガスクロマトグラフ；ＧＣ−ＦＩＤ）を使用して決定すると、少なくとも１：１となり得る。
【００１０】
ホウ素化アレーンの調製用基質は、−Ｆおよび−ＣＦ３からなる群から選択される電子吸引基により置換されているフェニル環であって、電子吸引基に対しオルト位で置換されておらず、かつ電子吸引基に対しメタ位で置換されていないフェニル環を含むことができる。第１のホウ素化アレーンは、−Ｆおよび−ＣＦ３からなる群から選択される電子吸引基、ならびにこの電子吸引基に対しオルト位でボロン酸またはボロン酸誘導体により置換されているフェニル環を含むことができる。第２のホウ素化アレーンは、−Ｆおよび−ＣＦ３からなる群から選択される電子吸引基、ならびにこの電子吸引基に対しメタ位でボロン酸またはボロン酸誘導体により置換されているフェニル環を含むことができる。
【００１１】
例えば、一部の実施形態では、本基質は、式Ｉによって定義される化合物
【００１２】
【化３】
0006434522.tif 000011
（式中、
Ｘは、ＦまたはＣＦ３であり、
Ｒ１は、水素、ハロゲン、−ＯＲ４、−ＮＲ５Ｒ６、−Ｃ（＝Ｏ）Ｒ７、ニトリル基、Ｃ１〜Ｃ６アルキル基またはＣ１〜Ｃ６ハロアルキル基であり、
Ｒ２は、水素、ハロゲン、−ＯＲ４、−ＮＲ５Ｒ６、−Ｃ（＝Ｏ）Ｒ７、ニトリル基、Ｃ１〜Ｃ６アルキル基またはＣ１〜Ｃ６ハロアルキル基であり、
Ｒ３は、水素、ハロゲン、−ＯＲ４、−ＮＲ５Ｒ６、−Ｃ（＝Ｏ）Ｒ７、ニトリル基、Ｃ１〜Ｃ６アルキル基またはＣ１〜Ｃ６ハロアルキル基であり、
Ｒ４、Ｒ５およびＲ６の各々は、出現毎に個別に、水素またはＣ１〜Ｃ６アルキル基であり、
Ｒ７は、出現毎に個別に、水素、−ＯＲ４、−ＮＲ５Ｒ６またはＣ１〜Ｃ６アルキル基である）
を含むことができる。
【００１３】
これらの実施形態では、第１のホウ素化アレーンは、式ＩＩによって定義される化合物
【００１４】
【化４】
0006434522.tif 000012
（式中、Ｘ、Ｒ１、Ｒ２およびＲ３は、上記の通りであり、Ｙは、ボロン酸またはボロン酸誘導体である）を含むことができ、および第２のホウ素化アレーンは、式ＩＩＩによって定義される化合物
【００１５】
【化５】
0006434522.tif 000013
（式中、Ｘ、Ｒ１、Ｒ２およびＲ３は、上記の通りであり、Ｙは、ボロン酸またはボロン酸誘導体である）
を含むことができる。
【００１６】
ある種の実施形態では、本基質は、１−クロロ−３−フルオロ−２−メトキシベンゼンを含むことができ、その構造は以下に示されている。
【００１７】
【化６】
0006434522.tif 000014
【００１８】
これらの実施形態の一部では、１−クロロ−３−フルオロ−２−メトキシベンゼンから形成される第１のホウ素化アレーンは、（４−クロロ−２−フルオロ−３−メトキシフェニル）ボロン酸または（４−クロロ−２−フルオロ−３−メトキシフェニル）ボロン酸誘導体（例えば、２−（４−クロロ−２−フルオロ−３−メトキシフェニル）−４，４，５，５−テトラメチル−１，３，２−ジオキサボロランなどの（４−クロロ−２−フルオロ−３−メトキシフェニル）ボロン酸エステル）を含むことができる。
【００１９】
一部の実施形態では、配位子は、単座配位子（例えば、ピリジン配位子）とすることができる。一部の実施形態では、このピリジン配位子は、以下の式によって定義される化合物
【００２０】
【化７】
0006434522.tif 000015
（式中、Ａは、出現毎に独立して、水素、ハロゲン、−ＯＲ１３、−ＮＲ１４Ｒ１５、−Ｃ（＝Ｏ）Ｒ１６、−ＯＣ（＝Ｏ）Ｒ１６、ニトリル基、Ｃ１〜Ｃ６アルキル基、Ｃ１〜Ｃ６ハロアルキル基およびＣ１〜Ｃ６アミノアルキル基であり、Ｒ１３、Ｒ１４およびＲ１５の各々は、出現毎に個別に、水素、Ｃ１〜Ｃ６アルキル基またはアリール基であり、Ｒ１６は、出現毎に個別に、水素、−ＯＲ１３、−ＮＲ１４Ｒ１５、Ｃ１〜Ｃ６アルキル基またはアリール基であるが、但し、Ａの１つまたは複数が水素ではないことを条件とする）
とすることができる。
【００２１】
ある種の実施形態では、このピリジン配位子は、以下の式によって定義される化合物
【００２２】
【化８】
0006434522.tif 000016
（式中、Ａは、出現毎に独立して、水素、ハロゲン、−ＯＲ１３、−ＮＲ１４Ｒ１５、−Ｃ（＝Ｏ）Ｒ１６、−ＯＣ（＝Ｏ）Ｒ１６、ニトリル基、Ｃ１〜Ｃ６アルキル基、Ｃ１〜Ｃ６ハロアルキル基およびＣ１〜Ｃ６アミノアルキル基であり、Ｒ１３、Ｒ１４およびＲ１５の各々は、出現毎に個別に、水素、Ｃ１〜Ｃ６アルキル基またはアリール基であり、Ｒ１６は、出現毎に個別に、水素、−ＯＲ１３、−ＮＲ１４Ｒ１５、Ｃ１〜Ｃ６アルキル基またはアリール基であるが、但し、Ａの１つまたは複数が水素ではないことを条件とする）
とすることができる。
【００２３】
一部の実施形態では、配位子は、二座配位子とすることができる。二座配位子は、電子不足二座配位子とすることができる。例えば、一部の実施形態では、二座配位子は、１つまたは複数の電子吸引性置換基により置換されている２，２’−ビピリジン（例えば、１つまたは複数のトリフルオロメチル基により置換されている２，２’−ビピリジン）を含むことができる。ある種の実施形態では、二座配位子は、式ＩＶａ、式ＩＶｂまたは式ＩＶｃによって定義される化合物
【００２４】
【化９】
0006434522.tif 000017
（式中、ｎは、０、１、２または３であり、Ｒ１０は、出現毎に独立して、水素、ハロゲン、ニトリル基、ニトロ基、Ｃ１〜Ｃ６アルキル基またはＣ１〜Ｃ６ペルフルオロアルキル基であるが、但し、二座配位子が式ＩＶａまたは式ＩＶｂにより定義される化合物を含む場合、Ｒ１０の１つまたは複数は水素ではないことを条件とする）
を含むことができる。
【００２５】
同様に、電子吸引基および指向型メタル化基（directed metalating group）から選択される部分によって置換されている芳香族環であって、この部分に対しオルト位で置換されていない芳香族環を含む基質から、ホウ素化アレーンを形成する方法も提供される。本方法は、第１のホウ素化アレーン（すなわち、電子吸引基および指向型メタル化基から選択される部分、ならびにこの部分に対しオルト位でボロン酸またはボロン酸誘導体によって置換されている芳香族環）を形成するのに有効な条件下、上記の基質を、イリジウム前駆錯体、単座配位子およびホウ素化試薬に接触させるステップを含むことができる。
【００２６】
ある種の実施形態では、本芳香族環は、上記の部分に対しオルト位で置換され得ず、かつ上記の部分に対しメタ位で置換され得ない。これらの実施形態では、本方法は、第１のホウ素化アレーンおよび第２のホウ素化アレーンを形成するのに有効な条件下、上記の基質を、イリジウム前駆錯体、単座配位子およびホウ素化試薬に接触させるステップであって、該第２のホウ素化アレーンが、電子吸引基および指向型メタル化基から選択される部分、ならびにこの部分に対しメタ位でボロン酸またはボロン酸誘導体により置換されている芳香族環を含む、ステップを含むことができる。一部の実施形態では、第１のホウ素化アレーンと第２のホウ素化アレーンとのモル比は、ＧＣ−ＦＩＤにより決定すると、少なくとも１：１である。
【００２７】
基質は、置換アリール化合物、６員の置換複素芳香族化合物、５員の置換複素芳香族化合物またはそれらの組合せとすることができる。一部の場合、上記の部分は、−Ｆおよび−ＣＦ３からなる群から選択される電子吸引基とすることができる。一部の場合、上記の部分は、指向型メタル化基とすることができる。ある種の実施形態では、この指向型メタル化基は、−ＯＲ１３、−ＮＲ１４Ｒ１５、−Ｃ（＝Ｏ）Ｒ１６、−ＯＣ（＝Ｏ）Ｒ１６、ニトリル基、−ＳＯ２Ｒ１６、−ＳＯＲ１６またはＣ１〜Ｃ６アミノアルキル基からなる群から選択することができ、Ｒ１３、Ｒ１４およびＲ１５の各々は、出現毎に個別に、水素、Ｃ１〜Ｃ６アルキル基またはアリール基であり、Ｒ１６は、出現毎に個別に、水素、−ＯＲ１３、−ＮＲ１４Ｒ１５、Ｃ１〜Ｃ６アルキル基またはアリール基である。
【００２８】
一部の実施形態では、単座配位子は単座ピリジン配位子とすることができる。一部の実施形態では、このピリジン配位子は、以下の式によって定義される化合物
【００２９】
【化１０】
0006434522.tif 000018
（式中、Ａは、出現毎に独立して、水素、ハロゲン、−ＯＲ１３、−ＮＲ１４Ｒ１５、−Ｃ（＝Ｏ）Ｒ１６、−ＯＣ（＝Ｏ）Ｒ１６、ニトリル基、Ｃ１〜Ｃ６アルキル基、Ｃ１〜Ｃ６ハロアルキル基およびＣ１〜Ｃ６アミノアルキル基であり、Ｒ１３、Ｒ１４およびＲ１５の各々は、出現毎に個別に、水素、Ｃ１〜Ｃ６アルキル基またはアリール基であり、Ｒ１６は、出現毎に個別に、水素、−ＯＲ１３、−ＮＲ１４Ｒ１５、Ｃ１〜Ｃ６アルキル基またはアリール基であるが、但し、Ａの１つまたは複数が水素ではないことを条件とする）
とすることができる。
【００３０】
ある種の実施形態では、このピリジン配位子は、以下の式によって定義される化合物
【００３１】
【化１１】
0006434522.tif 000019
（式中、Ａは、出現毎に独立して、水素、ハロゲン、−ＯＲ１３、−ＮＲ１４Ｒ１５、−Ｃ（＝Ｏ）Ｒ１６、−ＯＣ（＝Ｏ）Ｒ１６、ニトリル基、Ｃ１〜Ｃ６アルキル基、Ｃ１〜Ｃ６ハロアルキル基およびＣ１〜Ｃ６アミノアルキル基であり、Ｒ１３、Ｒ１４およびＲ１５の各々は、出現毎に個別に、水素、Ｃ１〜Ｃ６アルキル基またはアリール基であり、Ｒ１６は、出現毎に個別に、水素、−ＯＲ１３、−ＮＲ１４Ｒ１５、Ｃ１〜Ｃ６アルキル基またはアリール基であるが、但し、Ａの１つまたは複数が水素ではないことを条件とする）
とすることができる。
【００３２】
同様に、１〜４つの置換基（例えば、１〜３つの置換基）を含む置換アレーン環を含む基質からホウ素化アレーンを形成する方法であって、該アレーン環が、ＣＨ活性化に電子的に有利な第１の位置において置換されておらず、かつＣＨ活性化に立体的に有利な第２の位置において置換されていない、方法も提供される。これらの実施形態では、方法は、第１のホウ素化アレーンおよび場合により第２のホウ素化アレーンを形成するのに有効な条件下で、基質を、イリジウム前駆錯体、単座配位子および二座配位子から選択される配位子、ならびにホウ素化試薬に接触させるステップを含むことができる。第１のホウ素化アレーンは、１〜４つの置換基（例えば、１〜３つの置換基）、および第１の位置にボロン酸またはボロン酸誘導体を含む、置換アレーン環を含むことができる。第２のホウ素化アレーンは、形成される場合、１〜４つの置換基（例えば、１〜３つの置換基）、および第２の位置にボロン酸またはボロン酸誘導体を含む、置換アレーン環を含むことができる。第１のホウ素化アレーンと第２のホウ素化アレーンとのモル比は、ＧＣ−ＦＩＤにより決定すると、少なくとも１：１となり得る。
【００３３】
一部の場合、アレーン環は、フェニル環を含むことができる。例えば、一部の実施形態では、本基質は、式Ｉによって定義される化合物
【００３４】
【化１２】
0006434522.tif 000020
（式中、
Ｘは、ＦまたはＣＦ３であり、
Ｒ１は、水素、ハロゲン、−ＯＲ４、−ＮＲ５Ｒ６、−Ｃ（＝Ｏ）Ｒ７、ニトリル基、Ｃ１〜Ｃ６アルキル基またはＣ１〜Ｃ６ハロアルキル基であり、
Ｒ２は、水素、ハロゲン、−ＯＲ４、−ＮＲ５Ｒ６、−Ｃ（＝Ｏ）Ｒ７、ニトリル基、Ｃ１〜Ｃ６アルキル基またはＣ１〜Ｃ６ハロアルキル基であり、
Ｒ３は、水素、ハロゲン、−ＯＲ４、−ＮＲ５Ｒ６、−Ｃ（＝Ｏ）Ｒ７、ニトリル基、Ｃ１〜Ｃ６アルキル基またはＣ１〜Ｃ６ハロアルキル基であり、
Ｒ４、Ｒ５およびＲ６の各々は、出現毎に個別に、水素またはＣ１〜Ｃ６アルキル基であり、
Ｒ７は、出現毎に個別に、水素、−ＯＲ４、−ＮＲ５Ｒ６またはＣ１〜Ｃ６アルキル基である）
を含むことができる。
【００３５】
これらの実施形態では、第１のホウ素化アレーンは、式ＩＩによって定義される化合物
【００３６】
【化１３】
0006434522.tif 000021
（式中、Ｘ、Ｒ１、Ｒ２およびＲ３は、上記の通りであり、Ｙは、ボロン酸またはボロン酸誘導体である）を含むことができ、および第２のホウ素化アレーンは、式ＩＩＩによって定義される化合物
【００３７】
【化１４】
0006434522.tif 000022
（式中、Ｘ、Ｒ１、Ｒ２およびＲ３は、上記の通りであり、Ｙは、ボロン酸またはボロン酸誘導体である）
を含むことができる。
【００３８】
ある種の実施形態では、本基質は、１−クロロ−３−フルオロ−２−メトキシベンゼンを含むことができ、その構造は以下に示されている。
【００３９】
【化１５】
0006434522.tif 000023
【００４０】
これらの実施形態の一部では、１−クロロ−３−フルオロ−２−メトキシベンゼンから形成される第１のホウ素化アレーンは、（４−クロロ−２−フルオロ−３−メトキシフェニル）ボロン酸または（４−クロロ−２−フルオロ−３−メトキシフェニル）ボロン酸誘導体（例えば、２−（４−クロロ−２−フルオロ−３−メトキシフェニル）−４，４，５，５−テトラメチル−１，３，２−ジオキサボロランなどの（４−クロロ−２−フルオロ−３−メトキシフェニル）ボロン酸エステル）を含むことができる。
【００４１】
一部の場合、このアレーン環は、ピリジン環を含むことができる。ある種の場合、このピリジン環は、２−置換ピリジン環を含むことができる。ある種の場合、このピリジン環は、２，４−二置換ピリジン環、２，６−二置換ピリジン環または２，４，６−三置換ピリジン環を含むことができる。アレーン環上に存在している１〜３つの置換基は、ハロゲン、−ＯＲ１３、−ＮＲ１４Ｒ１５、−Ｃ（＝Ｏ）Ｒ１６、−ＯＣ（＝Ｏ）Ｒ１６、ニトリル基、Ｃ１〜Ｃ６アルキル基、Ｃ１〜Ｃ６ハロアルキル基およびＣ１〜Ｃ６アミノアルキル基から個別に選択することができ、Ｒ１３、Ｒ１４およびＲ１５の各々は、出現毎に個別に、水素、Ｃ１〜Ｃ６アルキル基またはアリール基であり、Ｒ１６は、出現毎に個別に、水素、−ＯＲ１３、−ＮＲ１４Ｒ１５、Ｃ１〜Ｃ６アルキル基またはアリール基である。ある種の場合、このアレーン環は、−Ｆおよび−ＣＦ３からなる群から選択される、電子吸引基を含む。
【００４２】
一部の実施形態では、配位子は、単座配位子（例えば、ピリジン配位子）とすることができる。一部の実施形態では、このピリジン配位子は、以下の式によって定義される化合物
【００４３】
【化１６】
0006434522.tif 000024
（式中、Ａは、出現毎に独立して、水素、ハロゲン、−ＯＲ１３、−ＮＲ１４Ｒ１５、−Ｃ（＝Ｏ）Ｒ１６、−ＯＣ（＝Ｏ）Ｒ１６、ニトリル基、Ｃ１〜Ｃ６アルキル基、Ｃ１〜Ｃ６ハロアルキル基およびＣ１〜Ｃ６アミノアルキル基であり、Ｒ１３、Ｒ１４およびＲ１５の各々は、出現毎に個別に、水素、Ｃ１〜Ｃ６アルキル基またはアリール基であり、Ｒ１６は、出現毎に個別に、水素、−ＯＲ１３、−ＮＲ１４Ｒ１５、Ｃ１〜Ｃ６アルキル基またはアリール基であるが、但し、Ａの１つまたは複数が水素ではないことを条件とする）
とすることができる。
【００４４】
ある種の実施形態では、このピリジン配位子は、以下の式によって定義される化合物
【００４５】
【化１７】
0006434522.tif 000025
（式中、Ａは、出現毎に独立して、水素、ハロゲン、−ＯＲ１３、−ＮＲ１４Ｒ１５、−Ｃ（＝Ｏ）Ｒ１６、−ＯＣ（＝Ｏ）Ｒ１６、ニトリル基、Ｃ１〜Ｃ６アルキル基、Ｃ１〜Ｃ６ハロアルキル基およびＣ１〜Ｃ６アミノアルキル基であり、Ｒ１３、Ｒ１４およびＲ１５の各々は、出現毎に個別に、水素、Ｃ１〜Ｃ６アルキル基またはアリール基であり、Ｒ１６は、出現毎に個別に、水素、−ＯＲ１３、−ＮＲ１４Ｒ１５、Ｃ１〜Ｃ６アルキル基またはアリール基であるが、但し、Ａの１つまたは複数が水素ではないことを条件とする）
とすることができる。
【００４６】
一部の実施形態では、配位子は、二座配位子とすることができる。二座配位子は、電子不足二座配位子とすることができる。例えば、一部の実施形態では、二座配位子は、１つまたは複数の電子吸引性置換基により置換されている２，２’−ビピリジン（例えば、１つまたは複数のトリフルオロメチル基により置換されている２，２’−ビピリジン）を含むことができる。ある種の実施形態では、二座配位子は、式ＩＶａ、式ＩＶｂまたは式ＩＶｃによって定義される化合物
【００４７】
【化１８】
0006434522.tif 000026
（式中、ｎは、０、１、２または３であり、Ｒ１０は、出現毎に独立して、水素、ハロゲン、ニトリル基、ニトロ基、Ｃ１〜Ｃ６アルキル基またはＣ１〜Ｃ６ペルフルオロアルキル基であるが、但し、二座配位子が式ＩＶａまたは式ＩＶｂにより定義される化合物を含む場合、Ｒ１０の１つまたは複数は水素ではないことを条件とする）
を含むことができる。
【００４８】
同様に、電子的ホウ素化生成物をもっぱら形成する方法を含む、基質の位置選択的ホウ素化方法も提供される。一部の実施形態では、位置選択的ホウ素化方法は、タンデムホウ素化／脱ハロゲン化を含むことができる。例えば、アレーンの位置選択的ホウ素化方法は、第１のホウ素化アレーンおよび場合により第２のホウ素化アレーンを形成するのに有効な条件下で、適切な基質を、イリジウム前駆錯体、単座配位子および二座配位子から選択される配位子、ならびにホウ素化試薬に接触させるステップであって、第１のホウ素化アレーンと第２のホウ素化アレーンとのモル比が、ＧＣ−ＦＩＤを使用して決定すると、少なくとも２５：１である、ステップを含むことができる。この基質は、例えば、−Ｆおよび−ＣＦ３からなる群から選択される電子吸引基により置換されており、電子吸引基に対するオルト位で置換されていないフェニル環であって、かつ電子吸引基（例えば、電子吸引基に対しパラ置換基となるＣｌまたはＢｒ）に対し普通なら立体的に有利なメタ位におけるイリジウム触媒の立体的攻撃を妨害するよう配置されている犠牲的部分（sacrificial moiety）（例えば、ＣｌまたはＢｒなどのハロゲン）をさらに含む、フェニル環を含むことができる。結果として、イリジウム触媒によるアレーンのＣ−Ｈ活性化−ホウ素化は、オルトホウ素化された電子的生成物（すなわち、第１のホウ素化アレーン）をもっぱら生成する。
【００４９】
方法はさらに、第１のホウ素化アレーンを還元的に脱ハロゲン化して、脱ハロゲン化されたホウ素化アレーンを得るステップを含むことができる。この第１のホウ素化アレーンは、任意の適切な合成方法を使用して還元的に脱ハロゲン化され得る。例えば、第１のホウ素化アレーンを還元的に脱ハロゲン化する方法は、第１のホウ素化アレーンを還元的に脱ハロゲン化するのに有効な条件下で、第１のホウ素化アレーンを、ポリメチルヒドロシロキサン（ＰＭＨＳ）、塩基（例えば、フッ化カリウム（ＫＦ）、またはフッ化テトラｎ−ブチルアンモニウム（ＴＢＡＦ）などのテトラアルキルアンモニウム塩）、および金属触媒（例えば、酢酸パラジウム（ＩＩ））に接触させるステップを含むことができる。金属触媒は、ＰＭＨＳからのヒドリドを受け取り、次いで、第１のホウ素化アレーンの還元的脱ハロゲン化に関与することができる、様々な金属触媒を含むことができる。適切な金属触媒は、第１のホウ素化アレーンの特定名（identity）（例えば、水素化脱ハロゲン化されるハロゲンの特定名）を含めた、いくつかの要因を鑑みて選択され得る。例えば、金属触媒は、パラジウム（Ｐｄ）、スズ（Ｓｎ）、チタン（Ｔｉ）、亜鉛（Ｚｎ）または銅（Ｃｕ）を含むことができる。ある種の実施形態では、金属触媒は、酢酸パラジウム（ＩＩ）（Ｐｄ（ＯＡｃ）２）などのパラジウム（ＩＩ）触媒またはテトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（０）（Ｐｄ（Ｐｈ３Ｐ）４）などのパラジウム（０）触媒を含むことができる。
【００５０】
ある種の実施形態では、第１のホウ素化アレーンを還元的に脱ハロゲン化する方法は、第１のホウ素化アレーンを還元的に脱ハロゲン化するのに有効な条件下で、第１のホウ素化アレーンを、ギ酸塩および遷移金属触媒に接触させるステップを含むことができる。ギ酸塩は、ギ酸アンモニウムなどの任意の適切なギ酸塩とすることができる。遷移金属触媒は、炭素担持パラジウムなどのパラジウム（０）触媒を含むことができる。ある種の実施形態では、上記のホウ素化および脱ハロゲン化は、ワンポット合成方法を使用して行うことができる。
【００５１】
本明細書に記載されている方法を使用して調製されるホウ素化アレーンは、Ｓｕｚｕｋｉ型クロスカップリング反応などのクロスカップリング反応を含む、追加的な化学反応に利用することができる。一部の実施形態では、本明細書に記載されている方法はさらに、第１のホウ素化アレーンまたは脱ハロゲン化されたホウ素化アレーンを、ハロゲン化アリール、偽ハロゲン化アリール、ハロゲン化ビニルおよび偽ハロゲン化ビニルからなる群から選択される反応体、ならびに遷移金属触媒に接触させ、上記の反応体と上記の第１のホウ素化アレーンまたは脱ハロゲン化されたホウ素化アレーンとをクロスカップリングするステップを含むことができる。
【００５２】
同様に、１−クロロ−３−フルオロ−２−置換ベンゼンを含めた、電子吸引基により置換されているアレーンのホウ素化を、フルオロ置換基に対するオルト位で触媒することができるイリジウム錯体触媒も提供される。イリジウム錯体触媒は、イリジウム前駆錯体、単座または二座配位子、およびホウ素化試薬を組み合わせることにより形成することができる。
【発明を実施するための形態】
【００５３】
定義
本明細書において使用される用語は、特に明記しない限り、当技術分野においてそれらの慣用的な意味を有することになろう。本明細書に記載されている式の可変基（variable）の定義において言及されている有機部分は、ハロゲンという用語のように、個々の基の個々のメンバーの列挙したものをまとめた用語である。接頭語Ｃｎ〜Ｃｍは、各場合において、その基における可能な炭素原子数を示す。
【００５４】
用語「アルキル」とは、本明細書で使用する場合、１〜６個の炭素原子を有するものを含む、飽和の直鎖状、分岐状、環式、第一級、第二級または第三級の炭化水素を指す。一部の実施形態では、アルキル基には、Ｃ１、Ｃ１〜Ｃ２、Ｃ１〜Ｃ３、Ｃ１〜Ｃ４、Ｃ１〜Ｃ５またはＣ１〜Ｃ６アルキル基が含まれよう。Ｃ１〜Ｃ６アルキル基の例には、以下に限定されないが、メチル、エチル、プロピル、１−メチルエチル、ブチル、１−メチルプロピル、２−メチルプロピル、１，１−ジメチルエチル、ペンチル、１−メチルブチル、２−メチルブチル、３−メチルブチル、２，２−ジメチルプロピル、１−エチルプロピル、ヘキシル、１，１−ジメチルプロピル、１，２−ジメチルプロピル、１−メチルペンチル、２−メチルペンチル、３−メチルペンチル、４−メチルペンチル、１，１−ジメチルブチル、１，２−ジメチルブチル、１，３−ジメチルブチル、２，２−ジメチルブチル、２，３−ジメチルブチル、３，３−ジメチルブチル、１−エチルブチル、２−エチルブチル、１，１，２−トリメチルプロピル、１，２，２−トリメチルプロピル、１−エチル−１−メチルプロピル、１−エチル−２−メチルプロピル、およびそれらの異性体が含まれる。Ｃ１〜Ｃ４−アルキル基には、例えば、メチル、エチル、プロピル、１−メチルエチル、ブチル、１−メチルプロピル、２−メチルプロピルおよび１，１−ジメチルエチルが含まれ得る。
【００５５】
アルキルにより包含される、環式アルキル基または「シクロアルキル」基には、３〜６個の炭素原子を含む、単環または縮合多環を有するものが含まれる。一部の実施形態では、シクロアルキル基には、Ｃ４〜Ｃ６またはＣ３〜Ｃ４環式アルキル基が含まれる。シクロアルキル基の非限定例には、シクロプロピル、シクロブチル、シクロペンチルおよびシクロヘキシル基が含まれる。
【００５６】
アルキル基は置換され得ないか、またはアルキル、ハロ、ハロアルキル、ヒドロキシル、カルボキシル、アシル、アシルオキシ、アミノ、アルキル−またはジアルキルアミノ、アミド、ニトロ、シアノ、アジド、チオール、または本明細書に記載されている合成方法を妨げない他の任意の実施可能な官能基（無保護であるか、または必要に応じて、当業者に公知の、例えば、参照により本明細書に組み込まれている、Greene, et al., Protective Groups in Organic Synthesis, John Wiley and Sons, Fourth Edition, 2007において教示されている通りに、保護されているかのいずれかである）などの１つまたは複数の部分により置換され得る。
【００５７】
用語「ハロアルキル」とは、本明細書で使用する場合、１個または複数のハロゲン原子により置換されている、上で定義されているアルキル基を指す。例えば、Ｃ１〜Ｃ４−ハロアルキルには、以下に限定されないが、クロロメチル、ブロモメチル、ジクロロメチル、トリクロロメチル、フルオロメチル、ジフルオロメチル、トリフルオロメチル、クロロフルオロメチル、ジクロロフルオロメチル、クロロジフルオロメチル、１−クロロエチル、１−ブロモエチル、１−フルオロエチル、２−フルオロエチル、２，２−ジフルオロエチル、２，２，２−トリフルオロエチル、２−クロロ−２−フルオロエチル、２−クロロ−２，２−ジフルオロエチル、２，２−ジクロロ−２−フルオロエチル、２，２，２−トリクロロエチル、ペンタフルオロエチルなどが含まれる。
【００５８】
Ｒがアルキルである−ＯＲとしても定義される用語「アルコキシ」とは、−Ｏ−アルキルを指し、アルキルは、上で定義されている通りである。同様に、用語ハロアルコキシは、−Ｏ−ハロアルキルを指すために使用することができ、ハロアルキルは、上で定義されている通りである。一部の実施形態では、アルコキシ基は、１〜６個の炭素原子を含むことができる。Ｃ１〜Ｃ６−アルコキシ基の例には、以下に限定されないが、メトキシ、エトキシ、Ｃ２Ｈ５−ＣＨ２Ｏ−、（ＣＨ３）２ＣＨＯ−、ｎ−ブトキシ、Ｃ２Ｈ５−ＣＨ（ＣＨ３）Ｏ−、（ＣＨ３）２ＣＨ−ＣＨ２Ｏ−、（ＣＨ３）３ＣＯ−、ｎ−ペントキシ、１−メチルブトキシ、２−メチルブトキシ、３−メチルブトキシ、１，１−ジメチルプロポキシ、１，２−ジメチルプロポキシ、２，２−ジメチル−プロポキシ、１−エチルプロポキシ、ｎ−ヘキソキシ、１−メチルペントキシ、２−メチルペントキシ、３−メチルペントキシ、４−メチルペントキシ、１，１−ジメチルブトキシ、１，２−ジメチルブトキシ、１，３−ジメチルブトキシ、２，２−ジメチルブトキシ、２，３−ジメチルブトキシ、３，３−ジメチルブトキシ、１−エチルブトキシ、２−エチルブトキシ、１，１，２−トリメチルプロポキシ、１，２，２−トリメチルプロポキシ、１−エチル−１−メチルプロポキシおよび１−エチル−２−メチルプロポキシが含まれる。
【００５９】
用語「アルキルアミノ」および「ジアルキルアミノ」とは、アルキル−ＮＨ−および（アルキル）２Ｎ−を指し、アルキルは上で定義されている通りである。同様に、用語ハロアルキルアミノおよびハロジアルキルアミノとは、ハロアルキル−ＮＨ−および（ハロアルキル）２−ＮＨ−を指し、ハロアルキルは上で定義されている通りである。用語「アミノアルキル」とは、１つのアミノ基により置換されている、上で定義されているアルキル基を指す。
【００６０】
用語「アルキルカルボニル」、「アルコキシカルボニル」、「アルキルアミノカルボニル」および「ジアルキルアミノカルボニル」とは、−Ｃ（＝Ｏ）−アルキル、−Ｃ（Ｏ）−アルコキシ、−Ｃ（Ｏ）−アルキルアミノおよび−Ｃ（Ｏ）−ジアルキルアミノを指し、アルキル、アルコキシ、アルキルアミノおよびジアルキルアミノは、上で定義されている通りである。
【００６１】
用語「ボロン酸」とは、本明細書で使用する場合、−Ｂ（ＯＨ）２部分を指す。用語ボロン酸誘導体とは、１個または複数の原子、官能基または部分構造が存在するかまたは存在しない点で、ボロン酸とは異なるホウ素含有部分であって、少なくとも理論的にボロン酸から、ある化学的または物理的過程によって形成されるものと想像することができる、ホウ素含有部分を指す。ボロン酸誘導体の例には、ボロネート、ボロネートエステルまたはボロン酸エステル（boronic ester）とも呼ばれるボロン酸エステル、１，３，２−ジアザボロリジル基などの環式アミノボランを含むアミノボラン、およびボロン酸無水物が含まれる。用語ボロン酸エステルとは、−Ｂ（ＯＲ）２（Ｒは上で定義されているアルキル基である）などのエステル化されているボロン酸部分、および−Ｂ（ＯＲ）２により表される環式ボロン酸部分（２つのＲ置換基は、場合により、１個または複数の追加のヘテロ原子（例えば、Ｎ、Ｏ、Ｓ、またはそれらの組合せ）を含むＣ２〜Ｃ６環式部分を形成するように一緒に連結されており、場合により１つまたは複数の置換基によりさらに置換されているかつ／または１つまたは複数のさらなるカルボシクリル基または複素カルボシクリル基と縮合している（少なくとも１つの結合を共有している））を指す。環式ボロン酸エステルの例には、以下に限定されないが、ピナンジオールボロン酸エステル、ピナコールボロン酸エステル、１，２−エタンジオールボロン酸エステル、１，３−プロパンジオールボロン酸エステル、１，２−プロパンジオールボロン酸エステル、２，３−ブタンジオールボロン酸エステル、１，１，２，２−テトラメチルエタンジオールボロン酸エステル、１，２−ジイソプロピルエタンジオールボロン酸エステル、５，６−デカンジオールボロン酸エステル、１，２−ジシクロヘキシルエタンジオールボロン酸エステル、ビシクロヘキシル−１，１’−ジオールボロン酸エステル、ジエタノールアミンボロン酸エステルおよび１，２−ジフェニル−１，２−エタンジオールボロン酸エステルが含まれる。
【００６２】
用語「ハロゲン」とは、フッ素、塩素、臭素およびヨウ素の原子を指す。接頭語のハロ−（例えば、用語ハロアルキルによって例示される）とは、単一置換からパーハロ置換（例えば、クロロメチル（−ＣＨ２Ｃｌ）、ジクロロメチル（−ＣＨＣｌ２）、トリクロロメチル（−ＣＣｌ３）としてのメチルによって例示される）までのすべてのハロゲン置換度を指す。
【００６３】
用語「アレーン」とは、本明細書では一般に、芳香族環、または一緒に縮合している多環芳香族を指すために使用される。アレーンの例には、例えば、ベンゼン、ナフタレン、アントラセンなどが含まれる。用語アレーンには、複素アレーン（すなわち、芳香族環中の１個または複数の炭素原子が、Ｏ、ＮまたはＳなどのヘテロ原子により置き換えられている、芳香族化合物）も含まれる。複素アレーンの例には、例えば、ピリジン、フラン、インドール、ベンゾイミダゾール、チオフェン、ベンゾチアゾールなどが含まれる。
【００６４】
方法
ホウ素化アレーンを調製する方法が提供される。ホウ素化アレーンは、−Ｆおよび−ＣＦ３からなる群から選択される電子吸引基、ならびに電子吸引基に対しオルト位でボロン酸またはボロン酸誘導体により置換されているフェニル環を含むことができる。ホウ素化アレーンを形成する方法は、第１のホウ素化アレーンおよび場合により第２のホウ素化アレーンを形成するのに有効な条件下で、適切な基質を、イリジウム前駆錯体、単座配位子および二座配位子から選択される配位子、ならびにホウ素化試薬に接触させるステップを含むことができる。第１のホウ素化アレーンと第２のホウ素化アレーンとのモル比は、ガスクロマトグラフィー（例えば、水素炎イオン化検出器を備えたガスクロマトグラフ；ＧＣ−ＦＩＤ）を使用して決定すると、少なくとも１：１となり得る。
【００６５】
ホウ素化アレーンの調製用基質は、−Ｆおよび−ＣＦ３からなる群から選択される電子吸引基により置換されているフェニル環であって、電子吸引基に対しオルト位で置換されておらず、かつ電子吸引基に対しメタ位で置換されていないフェニル環を含むことができる。フェニル環は、ハロゲン（例えば、Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉ）、ヒドロキシ基、アルコキシ基、アミノ基（例えば、第一級アミン、アルキルアミンまたはジアルキルアミン）、カルボン酸、アルキルカルボニル基、アルコキシカルボニル基、アルキルアミノカルボニル基、ジアルキルアミノカルボニル基、ニトリル基、アルキル基（例えば、Ｃ１〜Ｃ６アルキル基またはＣ１〜Ｃ４アルキル基）、ハロアルキル基（例えば、Ｃ１〜Ｃ６ハロアルキル基またはＣ１〜Ｃ４ハロアルキル基）、またはそれらの組合せなどの１つまたは複数の追加の置換基をさらに含むことができる。一部の実施形態では、基質は、ヒドロシリル基、−ＣＯ２Ｍｅ基、−ＣＯ２ｔＢｕ基、−ＣＯＮＭｅ２基、−ＳＯ３Ｍｅ基または−ＣＨ（Ｏ（ＣＨ２）３Ｏ）基などのイリジウム金属中心に配位する置換基は含まない。
【００６６】
第１のホウ素化アレーンは、−Ｆおよび−ＣＦ３からなる群から選択される電子吸引基、ならびにこの電子吸引基に対しオルト位でボロン酸またはボロン酸誘導体により置換されているフェニル環を含むことができる。第２のホウ素化アレーンは、−Ｆおよび−ＣＦ３からなる群から選択される電子吸引基、ならびにこの電子吸引基に対しメタ位でボロン酸またはボロン酸誘導体により置換されているフェニル環を含むことができる。第１のホウ素化アレーンおよび第２のホウ素化アレーンのフェニル環は、ハロゲン（例えば、Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉ）、ヒドロキシ基、アルコキシ基、アミノ基（例えば、第一級アミン、アルキルアミンまたはジアルキルアミン）、カルボン酸、アルキルカルボニル基、アルコキシカルボニル基、アルキルアミノカルボニル基、ジアルキルアミノカルボニル基、ニトリル基、アルキル基（例えば、Ｃ１〜Ｃ６アルキル基またはＣ１〜Ｃ４アルキル基）、ハロアルキル基（例えば、Ｃ１〜Ｃ６ハロアルキル基またはＣ１〜Ｃ４ハロアルキル基）またはそれらの組合せなどの、置換基がそれから形成される基質上に存在している、１つまたは複数の追加の置換基をさらに含むことができる。
【００６７】
例えば、一部の実施形態では、本基質は、式Ｉによって定義される化合物
【００６８】
【化１９】
0006434522.tif 000027
（式中、
Ｘは、ＦまたはＣＦ３であり、
Ｒ１は、水素、ハロゲン、−ＯＲ４、−ＮＲ５Ｒ６、−Ｃ（＝Ｏ）Ｒ７、ニトリル基、Ｃ１〜Ｃ６アルキル基またはＣ１〜Ｃ６ハロアルキル基であり、
Ｒ２は、水素、ハロゲン、−ＯＲ４、−ＮＲ５Ｒ６、−Ｃ（＝Ｏ）Ｒ７、ニトリル基、Ｃ１〜Ｃ６アルキル基またはＣ１〜Ｃ６ハロアルキル基であり、
Ｒ３は、水素、ハロゲン、−ＯＲ４、−ＮＲ５Ｒ６、−Ｃ（＝Ｏ）Ｒ７、ニトリル基、Ｃ１〜Ｃ６アルキル基またはＣ１〜Ｃ６ハロアルキル基であり、
Ｒ４、Ｒ５およびＲ６の各々は、出現毎に個別に、水素またはＣ１〜Ｃ６アルキル基であり、
Ｒ７は、出現毎に個別に、水素、−ＯＲ４、−ＮＲ５Ｒ６またはＣ１〜Ｃ６アルキル基である）
を含むことができる。
【００６９】
これらの実施形態では、第１のホウ素化アレーンは、式ＩＩによって定義される化合物
【００７０】
【化２０】
0006434522.tif 000028
（式中、Ｘ、Ｒ１、Ｒ２およびＲ３は、上記の通りであり、Ｙは、ボロン酸またはボロン酸誘導体である）を含むことができ、および第２のホウ素化アレーンは、式ＩＩＩによって定義される化合物
【００７１】
【化２１】
0006434522.tif 000029
（式中、Ｘ、Ｒ１、Ｒ２およびＲ３は、上記の通りであり、Ｙは、ボロン酸またはボロン酸誘導体である）
を含むことができる。
【００７２】
Ｙは、ボロン酸部分（−Ｂ（ＯＨ）２）とすることができる。Ｙは、ボロン酸エステル、アミノボランまたはボロン酸無水物などの、ボロン酸誘導体とすることもできる。一部の実施形態では、Ｙは、式−Ｂ（ＯＲ１２）２によって定義される、ボロン酸エステルとすることができ、各Ｒ１２は独立して、上で定義されているアルキル基（例えば、Ｃ１〜Ｃ６アルキル基）である。
【００７３】
他の実施形態では、Ｙは、式−Ｂ（ＯＲ１２）２によって定義される、環式ボロン酸エステルとすることができ、２つのＲ１２基は、それらが結合している原子と一緒になって、Ｃ２〜Ｃ６環式部分を形成する。Ｃ２〜Ｃ６環式部分は、場合により、（例えば、１つまたは複数のＣ１〜Ｃ６アルキル基により）置換され得る。Ｃ２〜Ｃ６環式部分は、場合により、１つまたは複数のカルボシクリル基または複素カルボシクリル基と縮合され得る（少なくとも１つの結合を共有している）。例えば、Ｙは、ピナンジオールボロン酸エステル、ピナコールボロン酸エステル、１，２−エタンジオールボロン酸エステル、１，３−プロパンジオールボロン酸エステル、１，２−プロパンジオールボロン酸エステル、２，３−ブタンジオールボロン酸エステル、１，１，２，２−テトラメチルエタンジオールボロン酸エステル、１，２−ジイソプロピルエタンジオールボロン酸エステル、５，６−デカンジオールボロン酸エステル、１，２−ジシクロヘキシルエタンジオールボロン酸エステル、ビシクロヘキシル−１，１’−ジオールボロン酸エステル、ジエタノールアミンボロン酸エステルまたは１，２−ジフェニル−１，２−エタンジオールボロン酸エステルとすることができる。ある種の実施形態では、Ｙは、以下の部分の１つから選択される。
【００７４】
【化２２】
0006434522.tif 000030
【００７５】
一部の実施形態では、基質は式Ｉによって定義される化合物（式中、Ｒ２はハロゲンである）を含むことができる。ある種の場合、Ｒ２はクロロ基とすることができる。一部の実施形態では、基質は、Ｒ１位において置換されている式Ｉの化合物を含むことができる（例えば、Ｒ１は、ハロゲン、−ＯＲ４、−ＮＲ５Ｒ６、−Ｃ（＝Ｏ）Ｒ７、ニトリル基、Ｃ１〜Ｃ６アルキル基またはＣ１〜Ｃ６ハロアルキル基とすることができる）。ある種の実施形態では、基質は、１−クロロ−３−フルオロ−２−置換ベンゼン、１−クロロ−３−トリフルオロメチル−２−置換ベンゼン、１−ブロモ−３−フルオロ−２−置換ベンゼン、または１−ブロモ−３−トリフルオロメチル−２−置換ベンゼンを含むことができ、これらのベンゼン環の２位は、ハロゲン、−ＯＲ４、−ＮＲ５Ｒ６、−Ｃ（＝Ｏ）Ｒ７、ニトリル基、Ｃ１〜Ｃ６アルキル基またはＣ１〜Ｃ６ハロアルキル基によって置換されている。
【００７６】
ある種の実施形態では、基質は、１−クロロ−３−フルオロ−２−メトキシベンゼンを含むことができ、その構造は以下に示されている。
【００７７】
【化２３】
0006434522.tif 000031
【００７８】
これらの実施形態の一部では、１−クロロ−３−フルオロ−２−メトキシベンゼンから形成される第１のホウ素化アレーンは、２−（４−クロロ−２−フルオロ−３−メトキシフェニル）−４，４，５，５−テトラメチル−１，３，２−ジオキサボロランなどの（４−クロロ−２−フルオロ−３−メトキシフェニル）ボロン酸または（４−クロロ−２−フルオロ−３−メトキシフェニル）ボロン酸エステルを含むことができ、２−（４−クロロ−２−フルオロ−３−メトキシフェニル）−４，４，５，５−テトラメチル−１，３，２−ジオキサボロランの構造は、以下に示されている。
【００７９】
【化２４】
0006434522.tif 000032
【００８０】
他の実施形態では、本基質は、式Ｉによって定義される化合物
【００８１】
【化２５】
0006434522.tif 000033
（式中、
Ｘは、ＦまたはＣＦ３であり、
Ｒ１は、水素、ハロゲン、−ＯＲ４、−ＮＲ５Ｒ６、−Ｃ（＝Ｏ）Ｒ７、ニトリル基、Ｃ１〜Ｃ６アルキル基またはＣ１〜Ｃ６ハロアルキル基であり、
Ｒ２は、水素、ハロゲン、−ＯＲ４、−ＮＲ５Ｒ６、−Ｃ（＝Ｏ）Ｒ７、ニトリル基、Ｃ１〜Ｃ６アルキル基またはＣ１〜Ｃ６ハロアルキル基であり、
Ｒ３は、水素、ハロゲン、−ＯＲ４、−ＮＲ５Ｒ６、−Ｃ（＝Ｏ）Ｒ７、ニトリル基、Ｃ１〜Ｃ６アルキル基またはＣ１〜Ｃ６ハロアルキル基であり、
Ｒ４、Ｒ５およびＲ６の各々は、出現毎に個別に、水素またはＣ１〜Ｃ６アルキル基であり、
Ｒ７は、出現毎に個別に、水素、−ＯＲ４、−ＮＲ５Ｒ６またはＣ１〜Ｃ６アルキル基である）
を含むことができる。
【００８２】
これらの実施形態では、第１のホウ素化アレーンは、式ＩＩａによって定義される化合物
【００８３】
【化２６】
0006434522.tif 000034
（式中、Ｘ、Ｒ１、Ｒ２およびＲ３は、上記の通りであり、Ｙは、上記のボロン酸またはボロン酸誘導体である）を含むことができ、および、第２のホウ素化アレーンは、式ＩＩＩａによって定義される化合物
【００８４】
【化２７】
0006434522.tif 000035
（式中、Ｘ、Ｒ１、Ｒ２およびＲ３は、上記の通りであり、Ｙは、上記のボロン酸またはボロン酸誘導体である）
を含むことができる。
【００８５】
上記の通り、基質は、−Ｆおよび−ＣＦ３からなる群から選択される電子吸引基により置換されているフェニル基であって、電子吸引基に対しオルト位で置換されておらず、かつ電子吸引基に対しメタ位で置換されていない、フェニル環を含むことができる。本明細書において提供される方法は、第２のホウ素化アレーンを形成するよう、電子吸引基に対しメタ位で基質がホウ素化（「立体的生成物」と呼ばれる、立体的に有利な反応生成物）されるよりも、第１のホウ素化アレーンを形成するよう、電子吸引基に対しオルト位で基質がホウ素化（「電子的生成物」と呼ばれる、電子的に有利な反応生成物）されるのが有利となり得る。
【００８６】
第１のホウ素化アレーンと第２のホウ素化アレーンとのモル比は、ガスクロマトグラフィー（例えば、水素炎イオン化検出器を備えたガスクロマトグラフ；ＧＣ−ＦＩＤ）および／または１９Ｆ核磁気共鳴（ＮＭＲ）分光法を含む、当技術分野で公知の標準的方法を使用して決定することができる。第１のホウ素化アレーンと第２のホウ素化アレーンとのモル比は、ＧＣ−ＦＩＤを使用して決定すると、少なくとも１：１（例えば、少なくとも１．１：１、少なくとも１．２：１、少なくとも１．３：１、少なくとも１．４：１、少なくとも１．５：１、少なくとも１．６：１、少なくとも１．７：１、少なくとも１．８：１、少なくとも１．９：１、少なくとも２．０：１、少なくとも２．１：１、少なくとも２．２：１、少なくとも２．３：１、少なくとも２．４：１、少なくとも２．５：１、少なくとも２．６：１、少なくとも２．７：１、少なくとも２．８：１、少なくとも２．９：１、少なくとも３．０：１、少なくとも３．１：１、少なくとも３．２：１、少なくとも３．３：１、少なくとも３．４：１、少なくとも３．５：１、少なくとも３．６：１、少なくとも３．７：１、少なくとも３．８：１、少なくとも３．９：１、少なくとも４．０：１、少なくとも４．１：１、少なくとも４．２：１、少なくとも４．３：１、少なくとも４．４：１、少なくとも４．５：１、少なくとも４．６：１、少なくとも４．７：１、少なくとも４．８：１、少なくとも４．９：１、少なくとも５：１、少なくとも５．５：１、少なくとも６：１、少なくとも６．５：１、少なくとも７：１、少なくとも７．５：１、少なくとも８：１、少なくとも８．５：１、少なくとも９：１、少なくとも９．５：１、少なくとも１０：１、少なくとも１５：１、または少なくとも２０：１）となり得る。一部の実施形態では、第１のホウ素化アレーンと第２のホウ素化アレーンとのモル比は、ＧＣ−ＦＩＤを使用して決定すると、２５：１以下（例えば、２０：１以下、１５：１以下、１０：１以下、９．５：１以下、９：１以下、８．５：１以下、８：１以下、７．５：１以下、７：１以下、６．５：１以下、６：１以下、５．５：１以下、５：１以下、４．９：１以下、４．８：１以下、４．７：１以下、４．６：１以下、４．５：１以下、４．４：１以下、４．３：１以下、４．２：１以下、４．１：１以下、４：１以下、３．９：１以下、３．８：１以下、３．７：１以下、３．６：１以下、３．５：１以下、３．４：１以下、３．３：１以下、３．２：１以下、３．１：１以下、３：１以下、２．９：１以下、２．８：１以下、２．７：１以下、２．６：１以下、２．５：１以下、２．４：１以下、２．３：１以下、２．２：１以下、２．１：１以下、２：１以下、１．９：１以下、１．８：１以下、１．７：１以下、１．６：１以下、１．５：１以下、１．４：１以下、１．３：１以下、１．２：１以下、または１．１：１以下）である。
【００８７】
第１のホウ素化アレーンと第２のホウ素化アレーンとのモル比は、ＧＣ−ＦＩＤを使用して決定すると、上記の最小値のいずれかから上記の最大値のいずれかまでの範囲とすることができる。例えば、第１のホウ素化アレーンと第２のホウ素化アレーンとのモル比は、ＧＣ−ＦＩＤを使用して決定すると、１：１〜２５：１（例えば、１．５：１〜２５：１、３：１〜２５：１、１：１〜１０：１、１．５：１〜１０：１または３：１〜１０：１）の範囲とすることができる。
【００８８】
基質の第１のホウ素化アレーンおよび第２のホウ素化アレーンへの転化率は、基質の反応性、配位子の特定名、およびホウ素化試薬の特定名を含めた、いくつかの要因に応じて変わり得る。一部の実施形態では、基質の第１のホウ素化アレーンおよび第２のホウ素化アレーンへの転化率は、少なくとも３０％（例えば、少なくとも３５％、少なくとも４０％、少なくとも４５％、少なくとも５０％、少なくとも５５％、少なくとも６０％、少なくとも６５％、少なくとも７０％、少なくとも７５％、少なくとも８０％、少なくとも８５％、少なくとも９０％または少なくとも９５％）となり得る。
【００８９】
同様に、電子吸引基および指向型メタル化基から選択される部分によって置換されている芳香族環であって、この部分に対しオルト位で置換されていない芳香族環を含む基質から、ホウ素化アレーンを形成する方法も提供される。本方法は、第１のホウ素化アレーンを形成するのに有効な条件下、上記の基質を、イリジウム前駆錯体、単座配位子およびホウ素化試薬に接触させるステップを含むことができる。第１のホウ素化アレーンは、電子吸引基および指向型メタル化基から選択される部分、ならびにこの部分に対しオルト位でボロン酸またはボロン酸誘導体により置換されている芳香族環を含むことができる。
【００９０】
ある種の実施形態では、本芳香族環は、上記の部分に対しオルト位で置換され得ず、かつ上記の部分に対しメタ位で置換され得ない。これらの実施形態では、本方法は、第１のホウ素化アレーンおよび第２のホウ素化アレーンを形成するのに有効な条件下、上記の基質を、イリジウム前駆錯体、単座配位子およびホウ素化試薬に接触させるステップを含むことができる。該第２のホウ素化アレーンは、電子吸引基および指向型メタル化基から選択される部分、ならびにこの部分に対しメタ位でボロン酸またはボロン酸誘導体により置換されている芳香族環を含むことができる。一部の実施形態では、第１のホウ素化アレーンと第２のホウ素化アレーンとのモル比は、ＧＣ−ＦＩＤにより決定すると、少なくとも１：１である。
【００９１】
基質は、置換アリール化合物、６員の置換複素芳香族化合物、５員の置換複素芳香族化合物またはそれらの組合せとすることができる。一部の実施形態では、本基質は、上記のものなどのフェニル環を含むことができる。一部の実施形態では、本基質はピリジン環を含むことができる。
【００９２】
上記の通り、芳香族環は、電子吸引基および指向型メタル化基から選択される部分により置換され得る。一部の場合、上記の部分は、電子吸引基とすることができる。ある種の実施形態では、上記の部分は、−Ｆおよび−ＣＦ３からなる群から選択される電子吸引基とすることができる。
【００９３】
一部の場合、上記の部分は、指向型メタル化基とすることができる。指向型メタル化基は、当技術分野で公知である。例えばWhisler, M. C., et al., Angew. Chem., Int. Ed. 2004, 43, 2206-2225を参照されたい。ある種の実施形態では、この指向型メタル化基は、−ＯＲ１３、−ＮＲ１４Ｒ１５、−Ｃ（＝Ｏ）Ｒ１６、−ＯＣ（＝Ｏ）Ｒ１６、ニトリル基、−ＳＯ２Ｒ１６、−ＳＯＲ１６またはＣ１〜Ｃ６アミノアルキル基からなる群から選択することができ、Ｒ１３、Ｒ１４およびＲ１５の各々は、出現毎に個別に、水素、Ｃ１〜Ｃ６アルキル基またはアリール基であり、Ｒ１６は、出現毎に個別に、水素、−ＯＲ１３、−ＮＲ１４Ｒ１５、Ｃ１〜Ｃ６アルキル基またはアリール基である。
【００９４】
これらの方法では、第１のホウ素化アレーンと第２のホウ素化アレーンとのモル比は、ＧＣ−ＦＩＤを使用して決定すると、少なくとも１：１（例えば、少なくとも１．１：１、少なくとも１．２：１、少なくとも１．３：１、少なくとも１．４：１、少なくとも１．５：１、少なくとも１．６：１、少なくとも１．７：１、少なくとも１．８：１、少なくとも１．９：１、少なくとも２．０：１、少なくとも２．１：１、少なくとも２．２：１、少なくとも２．３：１、少なくとも２．４：１、少なくとも２．５：１、少なくとも２．６：１、少なくとも２．７：１、少なくとも２．８：１、少なくとも２．９：１、少なくとも３．０：１、少なくとも３．１：１、少なくとも３．２：１、少なくとも３．３：１、少なくとも３．４：１、少なくとも３．５：１、少なくとも３．６：１、少なくとも３．７：１、少なくとも３．８：１、少なくとも３．９：１、少なくとも４．０：１、少なくとも４．１：１、少なくとも４．２：１、少なくとも４．３：１、少なくとも４．４：１、少なくとも４．５：１、少なくとも４．６：１、少なくとも４．７：１、少なくとも４．８：１、少なくとも４．９：１、少なくとも５：１、少なくとも５．５：１、少なくとも６：１、少なくとも６．５：１、少なくとも７：１、少なくとも７．５：１、少なくとも８：１、少なくとも８．５：１、少なくとも９：１、少なくとも９．５：１、少なくとも１０：１、少なくとも１５：１、または少なくとも２０：１）となり得る。一部の実施形態では、第１のホウ素化アレーンと第２のホウ素化アレーンとのモル比は、ＧＣ−ＦＩＤを使用して決定すると、２５：１以下（例えば、２０：１以下、１５：１以下、１０：１以下、９．５：１以下、９：１以下、８．５：１以下、８：１以下、７．５：１以下、７：１以下、６．５：１以下、６：１以下、５．５：１以下、５：１以下、４．９：１以下、４．８：１以下、４．７：１以下、４．６：１以下、４．５：１以下、４．４：１以下、４．３：１以下、４．２：１以下、４．１：１以下、４：１以下、３．９：１以下、３．８：１以下、３．７：１以下、３．６：１以下、３．５：１以下、３．４：１以下、３．３：１以下、３．２：１以下、３．１：１以下、３：１以下、２．９：１以下、２．８：１以下、２．７：１以下、２．６：１以下、２．５：１以下、２．４：１以下、２．３：１以下、２．２：１以下、２．１：１以下、２：１以下、１．９：１以下、１．８：１以下、１．７：１以下、１．６：１以下、１．５：１以下、１．４：１以下、１．３：１以下、１．２：１以下、または１．１：１以下）である。
【００９５】
第１のホウ素化アレーンと第２のホウ素化アレーンとのモル比は、ＧＣ−ＦＩＤを使用して決定すると、上記の最小値のいずれかから上記の最大値のいずれかまでの範囲とすることができる。例えば、第１のホウ素化アレーンと第２のホウ素化アレーンとのモル比は、ＧＣ−ＦＩＤを使用して決定すると、１：１〜２５：１（例えば、１．５：１〜２５：１、３：１〜２５：１、１：１〜１０：１、１．５：１〜１０：１または３：１〜１０：１）の範囲とすることができる。
【００９６】
基質の第１のホウ素化アレーンおよび第２のホウ素化アレーンへの転化率は、基質の反応性、配位子の特定名、およびホウ素化試薬の種類特定名を含めた、いくつかの要因に応じて変わり得る。一部の実施形態では、基質の第１のホウ素化アレーンおよび第２のホウ素化アレーンへの転化率は、少なくとも３０％（例えば、少なくとも３５％、少なくとも４０％、少なくとも４５％、少なくとも５０％、少なくとも５５％、少なくとも６０％、少なくとも６５％、少なくとも７０％、少なくとも７５％、少なくとも８０％、少なくとも８５％、少なくとも９０％または少なくとも９５％）となり得る。
【００９７】
同様に、１〜４つの置換基（例えば、１〜３つの置換基）を含む置換アレーン環を含む基質からホウ素化アレーンを形成する方法であって、該アレーン環が、ＣＨ活性化に電子的に有利な第１の位置において置換されておらず、かつＣＨ活性化に立体的に有利な第２の位置において置換されていない、方法も提供される。これらの実施形態では、方法は、第１のホウ素化アレーンおよび場合により第２のホウ素化アレーンを形成するのに有効な条件下で、基質を、イリジウム前駆錯体、単座配位子および二座配位子から選択される配位子、ならびにホウ素化試薬に接触させるステップを含むことができる。第１のホウ素化アレーンは、１〜４つの置換基（例えば、１〜３つの置換基）、および第１の位置にボロン酸またはボロン酸誘導体を含む、置換アレーン環を含むことができる。第２のホウ素化アレーンは、形成される場合、１〜４つの置換基（例えば、１〜３つの置換基）、および第２の位置にボロン酸またはボロン酸誘導体を含む、置換アレーン環を含むことができる。第１のホウ素化アレーンと第２のホウ素化アレーンとのモル比は、ＧＣ−ＦＩＤにより決定すると、少なくとも１：１となり得る。
【００９８】
一部の場合、アレーン環は、上記のものなどのフェニル環を含むことができる。一部の場合、このアレーン環は、ピリジン環を含むことができる。ある種の場合、このピリジン環は、２−置換ピリジン環を含むことができる。ある種の場合、このピリジン環は、２，４−二置換ピリジン環、２，６−二置換ピリジン環または２，４，６−三置換ピリジン環を含むことができる。アレーン環上に存在している１〜４つの置換基（例えば、１〜３つの置換基）は、ハロゲン、−ＯＲ１３、−ＮＲ１４Ｒ１５、−Ｃ（＝Ｏ）Ｒ１６、−ＯＣ（＝Ｏ）Ｒ１６、ニトリル基、Ｃ１〜Ｃ６アルキル基、Ｃ１〜Ｃ６ハロアルキル基およびＣ１〜Ｃ６アミノアルキル基から個別に選択することができ、Ｒ１３、Ｒ１４およびＲ１５の各々は、出現毎に個別に、水素、Ｃ１〜Ｃ６アルキル基またはアリール基であり、Ｒ１６は、出現毎に個別に、水素、−ＯＲ１３、−ＮＲ１４Ｒ１５、Ｃ１〜Ｃ６アルキル基またはアリール基である。ある種の場合、このアレーン環は、−Ｆおよび−ＣＦ３からなる群から選択される、電子吸引基を含む。
【００９９】
これらの方法では、第１のホウ素化アレーンと第２のホウ素化アレーンとのモル比は、ＧＣ−ＦＩＤを使用して決定すると、少なくとも１：１（例えば、少なくとも１．１：１、少なくとも１．２：１、少なくとも１．３：１、少なくとも１．４：１、少なくとも１．５：１、少なくとも１．６：１、少なくとも１．７：１、少なくとも１．８：１、少なくとも１．９：１、少なくとも２．０：１、少なくとも２．１：１、少なくとも２．２：１、少なくとも２．３：１、少なくとも２．４：１、少なくとも２．５：１、少なくとも２．６：１、少なくとも２．７：１、少なくとも２．８：１、少なくとも２．９：１、少なくとも３．０：１、少なくとも３．１：１、少なくとも３．２：１、少なくとも３．３：１、少なくとも３．４：１、少なくとも３．５：１、少なくとも３．６：１、少なくとも３．７：１、少なくとも３．８：１、少なくとも３．９：１、少なくとも４．０：１、少なくとも４．１：１、少なくとも４．２：１、少なくとも４．３：１、少なくとも４．４：１、少なくとも４．５：１、少なくとも４．６：１、少なくとも４．７：１、少なくとも４．８：１、少なくとも４．９：１、少なくとも５：１、少なくとも５．５：１、少なくとも６：１、少なくとも６．５：１、少なくとも７：１、少なくとも７．５：１、少なくとも８：１、少なくとも８．５：１、少なくとも９：１、少なくとも９．５：１、少なくとも１０：１、少なくとも１５：１、または少なくとも２０：１）となり得る。一部の実施形態では、第１のホウ素化アレーンと第２のホウ素化アレーンとのモル比は、ＧＣ−ＦＩＤを使用して決定すると、２５：１以下（例えば、２０：１以下、１５：１以下、１０：１以下、９．５：１以下、９：１以下、８．５：１以下、８：１以下、７．５：１以下、７：１以下、６．５：１以下、６：１以下、５．５：１以下、５：１以下、４．９：１以下、４．８：１以下、４．７：１以下、４．６：１以下、４．５：１以下、４．４：１以下、４．３：１以下、４．２：１以下、４．１：１以下、４：１以下、３．９：１以下、３．８：１以下、３．７：１以下、３．６：１以下、３．５：１以下、３．４：１以下、３．３：１以下、３．２：１以下、３．１：１以下、３：１以下、２．９：１以下、２．８：１以下、２．７：１以下、２．６：１以下、２．５：１以下、２．４：１以下、２．３：１以下、２．２：１以下、２．１：１以下、２：１以下、１．９：１以下、１．８：１以下、１．７：１以下、１．６：１以下、１．５：１以下、１．４：１以下、１．３：１以下、１．２：１以下、または１．１：１以下）である。
【０１００】
第１のホウ素化アレーンと第２のホウ素化アレーンとのモル比は、ＧＣ−ＦＩＤを使用して決定すると、上記の最小値のいずれかから上記の最大値のいずれかまでの範囲とすることができる。例えば、第１のホウ素化アレーンと第２のホウ素化アレーンとのモル比は、ＧＣ−ＦＩＤを使用して決定すると、１：１〜２５：１（例えば、１．５：１〜２５：１、３：１〜２５：１、１：１〜１０：１、１．５：１〜１０：１または３：１〜１０：１）の範囲とすることができる。
【０１０１】
基質の第１のホウ素化アレーンおよび第２のホウ素化アレーンへの転化率は、基質の反応性、配位子の特定名、およびホウ素化試薬の特定名を含めた、いくつかの要因に応じて変わり得る。一部の実施形態では、基質の第１のホウ素化アレーンおよび第２のホウ素化アレーンへの転化率は、少なくとも３０％（例えば、少なくとも３５％、少なくとも４０％、少なくとも４５％、少なくとも５０％、少なくとも５５％、少なくとも６０％、少なくとも６５％、少なくとも７０％、少なくとも７５％、少なくとも８０％、少なくとも８５％、少なくとも９０％または少なくとも９５％）となり得る。
【０１０２】
上記のホウ素化アレーンを形成する方法は、反応させる基質を、イリジウム前駆錯体、配位子およびホウ素化試薬に接触させるステップを含むことができる。基質は、イリジウム前駆錯体、配位子およびホウ素化試薬の反応により形成される触媒的に活性なイリジウム錯体を触媒として有効な量で組み合わせて、上記の基質およびホウ素化試薬が存在するよう、任意の適切な方法で、イリジウム前駆錯体、配位子およびホウ素化試薬と接触され得る。例えば、基質は、単一の反応容器または溶液中、基質、イリジウム前駆錯体、配位子およびホウ素化試薬を任意の順序または方法で組み合わせることにより（例えば、基質、イリジウム前駆錯体、配位子およびホウ素化試薬を、逐次または同時に反応容器に加えることにより）、イリジウム前駆錯体、配位子およびホウ素化試薬に接触され得る。したがって、基質をイリジウム前駆錯体、配位子およびホウ素化試薬に接触させるステップは、イリジウム前駆錯体、配位子およびホウ素化試薬、またはイリジウム前駆錯体および配位子を組み合わせて触媒的な活性なイリジウム錯体を形成させ、続いて基質および／またはホウ素化試薬と組み合わせることによる方法を包含し得る。
【０１０３】
イリジウム前駆錯体は、配位子およびホウ素化試薬と反応して、触媒的に活性なイリジウム錯体を形成することができる、任意のイリジウム錯体とすることができる。イリジウム前駆錯体は、水素を除く３つ以上の置換基がイリジウムに結合している、イリジウム錯体を含むことができる。適切なイリジウム前駆錯体は、シクロオクテン（ｃｏｅ）、メシチレン（ＭｅｓＨ）、シクロオクタジエン（ｃｏｄ）、１，２，３，４，５−メチルシクロペンタジエニル（ＣＰ＊）、インデニル（Ｉｎｄ）またはホスフィン、および場合により、ハロゲン、−ＯＭｅ、−ＯＨ、−ＯＡｃまたは−ＯＰｈなどの単座配位子を含めた、１つまたは複数の追加の配位子などの、１つまたは複数の有機配位子を含むことができ、これらは、イリジウム先駆錯体と配位子および／またはホウ素化試薬とを組み合わせると容易に置き換わり得る。適切なイリジウム前駆錯体は、それらの全体が参照により本明細書に組み込まれている、Ｓｍｉｔｈへの米国特許第６，８７８，８３０号、およびＳｍｉｔｈらへの米国特許第７，５１４，５６３号において記載されているイリジウム触媒を含むことができる。
【０１０４】
例として、イリジウム前駆錯体は、Ｉｒ（Ｉ）−シクロオクタジエン前駆錯体を含むことができる。適切なＩｒ（Ｉ）−シクロオクタジエン前駆錯体は、当技術分野で公知であり、［Ｉｒ（ＯＭｅ）ｃｏｄ］２、［Ｉｒ（Ｃｌ）ｃｏｄ］２、［Ｉｒ（ｃｏｄ）２］ＢＦ４、［Ｉｒ（ＯＨ）ｃｏｄ］２、［Ｉｒ（ＯＰｈ）ｃｏｄ］２、［Ｉｒ（ＯＡｃ）ｃｏｄ］２、（Ｉｎｄ）Ｉｒ（ｃｏｄ）、Ｉｒ（ａｃａｃ）ｃｏｄ、（ｄｔｂｐｙ）Ｉｒ（ＢＰｉｎ）３（ｃｏｄ）、（ｔｍｐ）Ｉｒ（ＢＰｉｎ）３（ｃｏｄ）およびそれらの組合せを含む。一部の実施形態では、イリジウム前駆錯体は［Ｉｒ（ＯＭｅ）ｃｏｄ］２を含むことができる。イリジウム前駆錯体はまた、［Ｉｒ（ＯＭｅ）ｃｏｅ］２、［Ｉｒ（Ｃｌ）ｃｏｅ］２、［Ｉｒ（ｃｏｅ）２］ＢＦ４、［Ｉｒ（ＯＨ）ｃｏｅ］２、［Ｉｒ（ＯＰｈ）ｃｏｅ］２、［Ｉｒ（ＯＡｃ）ｃｏｅ］２、（Ｉｎｄ）Ｉｒ（ｃｏｅ）、Ｉｒ（ａｃａｃ）ｃｏｅ、（ｄｔｂｐｙ）Ｉｒ（ＢＰｉｎ）３（ｃｏｅ）、（ｔｍｐ）Ｉｒ（ＢＰｉｎ）３（ｃｏｅ）、［ＩｒＣｌ（ｃｏｅ）２］２およびそれらの組合せなどのＩｒ（Ｉ）−シクロオクテン前駆錯体も含むことができる。イリジウム前駆錯体はまた、Ｉｒ（Ｉ）−メシチレン前駆錯体を含むことができる。例示的なＩｒ（Ｉ）−メシチレン前駆錯体は、（ＭｅｓＨ）Ｉｒ（ＢＰｉｎ）（Ｂ（ＯＲ１１）２）および（ＭｅｓＨ）Ｉｒ（ＢＰｉｎ）３を含むことができ、ＢＰｉｎはピナコールボランであり、Ｒ１１は、水素、線状または分岐状Ｃ１〜Ｃ８アルキル基、アリール基、またはＣ３〜Ｃ８シクロアルキル基である。イリジウム前駆錯体はまた、Ｉｒ（Ｉ）−ホスフィン前駆錯体を含むことができる。例示的なＩｒ（Ｉ）−ホスフィン前駆錯体は、（ｄｐｐｂｚ）Ｉｒ（ＢＰｉｎ）３、（Ｉｎｄ）Ｉｒ（ｄｐｐｅ）、（ＰＭｅ３）２ＩｒＨ５、（（Ｒ１１）３Ｐ）２ＩｒＨ５、（（Ｒ１１）３Ｐ）３Ｉｒ（Ｂ（ＯＲ１１）２）３、（Ｒ１１）２Ｐ）２Ｉｒ（ＢＰｉｎ）３、（（（Ｒ１１）２Ｐ）３Ｉｒ（（Ｒ１１Ｏ）２Ｂ）３）２、（（Ｒ１１）３Ｐ）４Ｉｒ（ＢＰｉｎ）、（（Ｒ１１）３Ｐ）２ＩｒＨｘ（Ｂ（ＯＲ１１）２）５−ｘおよびそれらの組合せを含み、ｘは、０〜４の間の整数であり、ｄｐｐｂｚは、１，２−ビス（ジフェニルホスフィノ）ベンゼンであり、ＢＰｉｎはピナコールボランであり、Ｒ１１は水素、線状または分岐状Ｃ１〜Ｃ８アルキル基、アリール基、またはＣ３〜Ｃ８シクロアルキル基である。イリジウム前駆錯体はまた、Ｉｒ（Ｉ）−１，２，３，４，５−メチルシクロペンタジエニル前駆錯体を含むことができる。例示的なＩｒ（Ｉ）−１，２，３，４，５−メチルシクロペンタジエニル前駆錯体には、（Ｃｐ＊）Ｉｒ（Ｈ）２（Ｍｅ３Ｐ）、（Ｃｐ＊）Ｉｒ（Ｈ）（ＢＰｉｎ）（Ｍｅ３Ｐ）、（ＣＰ＊）Ｉｒ（Ｈ）（Ｃ６Ｈ５）（Ｍｅ３Ｐ）およびそれらの組合せが含まれる。
【０１０５】
方法は、基質を触媒として有効な量のイリジウム前駆錯体に接触させるステップを含むことができる。一部の場合、基質は、ホウ素化反応において存在している基質のモル数に対して０．５モルパーセント（ｍｏｌ％）〜５．０ｍｏｌ％のイリジウム前駆錯体（例えば、１．０ｍｏｌ％〜３．０ｍｏｌ％）に接触され得る。
【０１０６】
一部の実施形態では、配位子は、二座配位子とすることができる。二座配位子は、イリジウム中心にキレートを形成するように構成される２個以上のヘテロ原子（例えば、窒素原子）を含む、二座配位子を含むことができる。適切な二座配位子は、イリジウム前駆錯体の性質、基質の特定名、ホウ素化反応の所望の位置選択性、および基質の第１のホウ素化アレーンおよび第２のホウ素化アレーンへの所望の転化率を含めた、いくつかの要因を鑑みて選択することができる。例えば、一部の場合、電子不足二座配位子を選択することにより、第１のホウ素化アレーンと第２のホウ素化アレーンとのより高いモル比が有利となり得る。同様に、一部の場合、立体的に低いかさ高さを有する二座配位子を選択することにより、第１のホウ素化アレーンと第２のホウ素化アレーンとのより高いモル比が有利となり得る。
【０１０７】
適切な二座配位子には、イリジウム中心にキレートを形成するよう構成される、１つまたは複数の複素環式環内に２個以上のヘテロ原子（例えば、窒素原子）を含む、複素環式二座配位子が含まれる。複素環式二座配位子の例には、ビピリジンおよびフェナントロリンに基づく配位子が含まれる。
【０１０８】
一部の実施形態では、二座配位子は、電子不足二座配位子を含むことができる。電子不足二座配位子は、例えば、１つまたは複数の電子吸引性部分により置換されている、複素環式二座配位子を含むことができる。電子吸引性部分の例には、ハロゲン（例えば、ＦおよびＣｌ）、ニトリル、ニトロ基、ハロアルキル基（例えば、−ＣＦ３などのペルフルオロ化ハロアルキル基）、およびそれらの組合せが含まれる。一部の実施形態では、電子不足二座配位子は、１つまたは複数の電子吸引性置換基により置換されている、ビピリジンに基づく配位子（２，２’−ビピリジン）またはフェナントロリンに基づく配位子（例えば、フェナントロリン）を含むことができる。
【０１０９】
ある種の実施形態では、配位子は、式ＩＶａ、式ＩＶｂまたは式ＩＶｃによって定義される化合物
【０１１０】
【化２８】
0006434522.tif 000036
（式中、ｎは、０、１、２または３であり、Ｒ１０は、出現毎に独立して、水素、ハロゲン、ニトリル基、ニトロ基またはＣ１〜Ｃ６ペルフルオロアルキル基であるが、但し、二座配位子が式ＩＶａまたは式ＩＶｂにより定義される化合物を含む場合、Ｒ１０の１つまたは複数が水素ではないことを条件とする）を含むことができる。一部の場合、二座配位子が式ＩＶａ、式ＩＶｂまたは式ＩＶｃによって定義される化合物を含む場合、Ｒ１０の１つまたは複数は、水素ではない。ある種の実施形態では、１つまたは複数のＲ１０は、−Ｆおよび−ＣＦ３から選択される。
【０１１１】
一部の実施形態では、二座配位子は、以下の配位子の１種または複数から選択され得る。
【０１１２】
【化２９】
0006434522.tif 000037
【０１１３】
ある種の実施形態では、二座配位子は、４，４’−ビス（トリフルオロメチル）−２，２’−ビピリジン（ｂｔｆｂｐｙ）、４，４’，５，５’−テトラキス（トリフルオロメチル）−２，２’−ビピリジン（ｔｔｆｂｐｙ）および４，４’，５，５’−テトラヒドロ−２，２’−ビオキサゾール（ｂｏｘ）から選択することができる。
【０１１４】
一部の実施形態では、配位子は、単座配位子とすることができる。単座配位子は、イリジウム中心にキレートを形成するように構成される単一のヘテロ原子（例えば、窒素原子）を含む、単座配位子を含むことができる。適切な単座配位子は、イリジウム前駆錯体の性質、基質の特定名、ホウ素化反応の所望の位置選択性、および基質の第１のホウ素化アレーンおよび第２のホウ素化アレーンへの所望の転化率を含めた、いくつかの要因を鑑みて選択することができる。例えば、一部の場合、電子が不足している単座配位子を選択することにより、第１のホウ素化アレーンと第２のホウ素化アレーンとのより高いモル比が有利となり得る。同様に、一部の場合、立体的障害のある単座配位子（例えば、該単座配位子の環において、ヘテロ原子に対し隣接位で置換基を有する）を選択することにより、第１のホウ素化アレーンと第２のホウ素化アレーンとのより高いモル比が有利となり得る。
【０１１５】
一部の実施形態では、単座配位子は、ピリジン配位子を含むことができる。一部の場合、ピリジン配位子は、１〜３つの置換基を含むことができる。ある種の場合、このピリジン配位子は、２−置換ピリジン環を含むことができる。ある種の場合、このピリジン配位子は、２，４−二置換ピリジン配位子、２，６−二置換ピリジン配位子または２，４，６−三置換ピリジン配位子を含むことができる。ピリジン配位子上に存在している１〜３つの置換基は、ハロゲン、−ＯＲ１３、−ＮＲ１４Ｒ１５、−Ｃ（＝Ｏ）Ｒ１６、−ＯＣ（＝Ｏ）Ｒ１６、ニトリル基、Ｃ１〜Ｃ６アルキル基、Ｃ１〜Ｃ６ハロアルキル基およびＣ１〜Ｃ６アミノアルキル基から個別に選択することができ、Ｒ１３、Ｒ１４およびＲ１５の各々は、出現毎に個別に、水素、Ｃ１〜Ｃ６アルキル基またはアリール基であり、Ｒ１６は、出現毎に個別に、水素、−ＯＲ１３、−ＮＲ１４Ｒ１５、Ｃ１〜Ｃ６アルキル基またはアリール基である。ある種の場合、ピリジン配位子は、−Ｆおよび−ＣＦ３からなる群から選択される電子吸引性置換基を含むことができる。
【０１１６】
一部の実施形態では、このピリジン配位子は、以下の式によって定義される化合物
【０１１７】
【化３０】
0006434522.tif 000038
（式中、Ａは、出現毎に独立して、水素、ハロゲン、−ＯＲ１３、−ＮＲ１４Ｒ１５、−Ｃ（＝Ｏ）Ｒ１６、−ＯＣ（＝Ｏ）Ｒ１６、ニトリル基、Ｃ１〜Ｃ６アルキル基、Ｃ１〜Ｃ６ハロアルキル基およびＣ１〜Ｃ６アミノアルキル基であり、Ｒ１３、Ｒ１４およびＲ１５の各々は、出現毎に個別に、水素、Ｃ１〜Ｃ６アルキル基またはアリール基であり、Ｒ１６は、出現毎に個別に、水素、−ＯＲ１３、−ＮＲ１４Ｒ１５、Ｃ１〜Ｃ６アルキル基またはアリール基であるが、但し、Ａの１つまたは複数が水素ではないことを条件とする）
を含むことができる。
【０１１８】
一部の実施形態では、このピリジン配位子は、以下の式によって定義される化合物
【０１１９】
【化３１】
0006434522.tif 000039
（式中、Ａは、出現毎に独立して、水素、ハロゲン、−ＯＲ１３、−ＮＲ１４Ｒ１５、−Ｃ（＝Ｏ）Ｒ１６、−ＯＣ（＝Ｏ）Ｒ１６、ニトリル基、Ｃ１〜Ｃ６アルキル基、Ｃ１〜Ｃ６ハロアルキル基およびＣ１〜Ｃ６アミノアルキル基であり、Ｒ１３、Ｒ１４およびＲ１５の各々は、出現毎に個別に、水素、Ｃ１〜Ｃ６アルキル基またはアリール基であり、Ｒ１６は、出現毎に個別に、水素、−ＯＲ１３、−ＮＲ１４Ｒ１５、Ｃ１〜Ｃ６アルキル基またはアリール基であるが、但し、Ａの１つまたは複数が水素ではないことを条件とする）
を含むことができる。
【０１２０】
一部の実施形態では、ピリジン配位子は、以下の式によって定義される化合物
【０１２１】
【化３２】
0006434522.tif 000040
（式中、
Ａは、出現毎に独立して、水素、ハロゲン、−ＯＲ１３、−ＮＲ１４Ｒ１５、−Ｃ（＝Ｏ）Ｒ１６、−ＯＣ（＝Ｏ）Ｒ１６、ニトリル基、Ｃ１〜Ｃ６アルキル基、Ｃ１〜Ｃ６ハロアルキル基およびＣ１〜Ｃ６アミノアルキル基であり、Ｒ１３、Ｒ１４およびＲ１５の各々は、出現毎に個別に、水素、Ｃ１〜Ｃ６アルキル基またはアリール基であり、Ｒ１６は、出現毎に個別に、水素、−ＯＲ１３、−ＮＲ１４Ｒ１５、Ｃ１〜Ｃ６アルキル基またはアリール基であり、
Ｚ１は、ハロゲン、−ＯＲ１３、−ＮＲ１４Ｒ１５、−Ｃ（＝Ｏ）Ｒ１６、−ＯＣ（＝Ｏ）Ｒ１６、ニトリル基、Ｃ１〜Ｃ６アルキル基、Ｃ１〜Ｃ６ハロアルキル基およびＣ１〜Ｃ６アミノアルキル基であり、Ｒ１３、Ｒ１４およびＲ１５の各々は、出現毎に個別に、水素、Ｃ１〜Ｃ６アルキル基またはアリール基であり、Ｒ１６は、出現毎に個別に、水素、−ＯＲ１３、−ＮＲ１４Ｒ１５、Ｃ１〜Ｃ６アルキル基またはアリール基である）
を含むことができる。
【０１２２】
ある種の実施形態では、Ｚ１は、−Ｆ、−Ｃｌ、−ＣＦ３、−Ｍｅ、−ＯＭｅ、−ＣＨ２ＮＨ２、−ＮＨＭｅ、−ＮＭｅ２、−ＮＰｈ２、フェニル、イソプロピル、ｔｅｒｔ−ブチルまたは−ＣＯＣＨ３である。
【０１２３】
一部の実施形態では、ピリジン配位子は、以下の式によって定義される化合物
【０１２４】
【化３３】
0006434522.tif 000041
（式中、
Ａは、水素、ハロゲン、−ＯＲ１３、−ＮＲ１４Ｒ１５、−Ｃ（＝Ｏ）Ｒ１６、−ＯＣ（＝Ｏ）Ｒ１６、ニトリル基、Ｃ１〜Ｃ６アルキル基、Ｃ１〜Ｃ６ハロアルキル基およびＣ１〜Ｃ６アミノアルキル基であり、Ｒ１３、Ｒ１４およびＲ１５の各々は、出現毎に個別に、水素、Ｃ１〜Ｃ６アルキル基またはアリール基であり、Ｒ１６は、出現毎に個別に、水素、−ＯＲ１３、−ＮＲ１４Ｒ１５、Ｃ１〜Ｃ６アルキル基またはアリール基であり、
Ｚ１は、出現毎に個別に、ハロゲン、−ＯＲ１３、−ＮＲ１４Ｒ１５、−Ｃ（＝Ｏ）Ｒ１６、−ＯＣ（＝Ｏ）Ｒ１６、ニトリル基、Ｃ１〜Ｃ６アルキル基、Ｃ１〜Ｃ６ハロアルキル基およびＣ１〜Ｃ６アミノアルキル基であり、Ｒ１３、Ｒ１４およびＲ１５の各々は、出現毎に個別に、水素、Ｃ１〜Ｃ６アルキル基またはアリール基であり、Ｒ１６は、出現毎に個別に、水素、−ＯＲ１３、−ＮＲ１４Ｒ１５、Ｃ１〜Ｃ６アルキル基またはアリール基である）
を含むことができる。
【０１２５】
ある種の実施形態では、Ｚ１は、出現毎に個別に、−Ｆ、−Ｃｌ、−ＣＦ３、−Ｍｅ、−ＯＭｅ、−ＣＨ２ＮＨ２、−ＮＨＭｅ、−ＮＭｅ２、−ＮＰｈ２、フェニル、イソプロピル、ｔｅｒｔ−ブチルまたは−ＣＯＣＨ３である。
【０１２６】
一部の実施形態では、ピリジン配位子は、以下の式によって定義される化合物
【０１２７】
【化３４】
0006434522.tif 000042
（式中、
Ａは、出現毎に独立して、水素、ハロゲン、−ＯＲ１３、−ＮＲ１４Ｒ１５、−Ｃ（＝Ｏ）Ｒ１６、−ＯＣ（＝Ｏ）Ｒ１６、ニトリル基、Ｃ１〜Ｃ６アルキル基、Ｃ１〜Ｃ６ハロアルキル基およびＣ１〜Ｃ６アミノアルキル基であり、Ｒ１３、Ｒ１４およびＲ１５の各々は、出現毎に個別に、水素、Ｃ１〜Ｃ６アルキル基またはアリール基であり、Ｒ１６は、出現毎に個別に、水素、−ＯＲ１３、−ＮＲ１４Ｒ１５、Ｃ１〜Ｃ６アルキル基またはアリール基であり、
Ｚ１は、ハロゲン、−ＯＲ１３、−ＮＲ１４Ｒ１５、−Ｃ（＝Ｏ）Ｒ１６、−ＯＣ（＝Ｏ）Ｒ１６、ニトリル基、Ｃ１〜Ｃ６アルキル基、Ｃ１〜Ｃ６ハロアルキル基およびＣ１〜Ｃ６アミノアルキル基であり、Ｒ１３、Ｒ１４およびＲ１５の各々は、出現毎に個別に、水素、Ｃ１〜Ｃ６アルキル基またはアリール基であり、Ｒ１６は、出現毎に個別に、水素、−ＯＲ１３、−ＮＲ１４Ｒ１５、Ｃ１〜Ｃ６アルキル基またはアリール基である）
を含むことができる。
【０１２８】
ある種の実施形態では、Ｚ１は、−Ｆ、−Ｃｌ、−ＣＦ３、−Ｍｅ、−ＯＭｅ、−ＣＨ２ＮＨ２、−ＮＨＭｅ、−ＮＭｅ２、−ＮＰｈ２、フェニル、イソプロピル、ｔｅｒｔ−ブチルまたは−ＣＯＣＨ３である。
【０１２９】
一部の実施形態では、ピリジン配位子は、以下の式によって定義される化合物
【０１３０】
【化３５】
0006434522.tif 000043
（式中、
Ｚ１は、出現毎に独立して、ハロゲン、−ＯＲ１３、−ＮＲ１４Ｒ１５、−Ｃ（＝Ｏ）Ｒ１６、−ＯＣ（＝Ｏ）Ｒ１６、ニトリル基、Ｃ１〜Ｃ６アルキル基、Ｃ１〜Ｃ６ハロアルキル基およびＣ１〜Ｃ６アミノアルキル基であり、Ｒ１３、Ｒ１４およびＲ１５の各々は、出現毎に個別に、水素、Ｃ１〜Ｃ６アルキル基またはアリール基であり、Ｒ１６は、出現毎に個別に、水素、−ＯＲ１３、−ＮＲ１４Ｒ１５、Ｃ１〜Ｃ６アルキル基またはアリール基である）
を含むことができる。
【０１３１】
ある種の実施形態では、Ｚ１は、出現毎に独立して、−Ｆ、−Ｃｌ、−ＣＦ３、−Ｍｅ、−ＯＭｅ、−ＣＨ２ＮＨ２、−ＮＨＭｅ、−ＮＭｅ２、−ＮＰｈ２、フェニル、イソプロピル、ｔｅｒｔ−ブチルまたは−ＣＯＣＨ３である。
【０１３２】
一部の実施形態では、配位子は、ホウ素化反応において存在するイリジウム１モルあたり０．５モル当量の配位子からホウ素化反応において存在するイリジウム１モルあたり５モル当量の配位子（例えば、ホウ素化反応において存在するイリジウム１モルあたり１モル当量の配位子からホウ素化反応において存在するイリジウム１モルあたり３モル当量の配位子）の範囲の量で、ホウ素化反応に存在し得る。
【０１３３】
ホウ素化試薬は、ホウ素化試薬として当技術分野で公知の、適切な任意のＨＢまたはＢ−Ｂ有機化合物とすることができる。好適なホウ素化試薬は、得られたホウ素化アレーンの反応性に関する考察を含む、様々な要因を鑑みて選択することができる。例示的なホウ素化試薬には、以下に示されるＨＢまたはＢ−Ｂ有機化合物が含まれる。
【０１３４】
【化３６】
0006434522.tif 000044
【０１３５】
一部の実施形態では、ホウ素化試薬は、ピナコールボラン（ＨＢＰｉｎ）、カテコールボラン、ビス（ネオペンチルグリコラト）ジボロン、ビス（ピナコラト）ジボロン（Ｂ２ｐｉｎ２）、ビス（ヘキシレングリコラト）ジボロン、およびビス（カテコラト）ジボロンから選択される。ある種の実施形態では、ホウ素化試薬は、ピナコールボラン（ＨＢＰｉｎ）またはビス（ピナコラト）ジボロン（Ｂ２ｐｉｎ２）である。
【０１３６】
ホウ素化試薬は、任意の適切な量で、ホウ素化反応に組み込むことができる。例えば、一部の実施形態では、ホウ素化試薬は、ホウ素化反応において存在する基質１モルあたり１モル当量のホウ素化試薬からホウ素化反応において存在する基質１モルあたり５モル当量のホウ素化試薬（例えば、ホウ素化反応において存在する基質１モルあたり１モル当量のホウ素化試薬からホウ素化反応において存在する基質１モルあたり３モル当量のホウ素化試薬）の範囲の量で、ホウ素化反応に存在し得る。
【０１３７】
一部の実施形態では、本明細書において提供される方法は、基質の位置選択的ホウ素化を提供することができる。上記の通り、本基質は、−Ｆおよび−ＣＦ３からなる群から選択される電子吸引基により置換されているフェニル環であって、電子吸引基に対しオルト位で置換されておらず、かつ電子吸引基に対しメタ位で置換されていないフェニル環などの、１〜４つの置換基（例えば、１〜３つの置換基）を含む、置換アレーン環を含むことができる。位置選択的ホウ素化方法とは、電子吸引基に対しオルト位で基質のホウ素化をもたらして、第１のホウ素化アレーン（電子的生成物）を形成することができる一方、電子吸引基に対しメタ位で、基質の有意な量のホウ素化をもたらして第２のホウ素化アレーン（立体的生成物）を形成することがない、ホウ素化方法のことである。ホウ素化方法は、この方法により形成される第１のホウ素化アレーンと第２のホウ素化アレーンとのモル比が、ＧＣ−ＦＩＤを使用して決定した場合、少なくとも２５：１（例えば、少なくとも５０：１、少なくとも７５：１または少なくとも１００：１）である場合、立体選択的であると言うことができる。一部の実施形態では、位置選択的ホウ素化方法により、検出可能な量の第２のホウ素化アレーン（立体的生成物）は生じ得ない。こうした位置選択的方法は、電子的ホウ素化生成物（第１のホウ素化アレーン）をもっぱら形成するものとして記載することができる。
【０１３８】
一部の実施形態では、位置選択的ホウ素化方法は、タンデムホウ素化／脱ハロゲン化を含むことができる。例えば、アレーンの位置選択的ホウ素化方法は、第１のホウ素化アレーンおよび場合により第２のホウ素化アレーンを形成するのに有効な条件下で、適切な基質を、イリジウム前駆錯体、単座配位子および二座配位子から選択される配位子、ならびにホウ素化試薬に接触させるステップであって、第１のホウ素化アレーンと第２のホウ素化アレーンとのモル比が、ＧＣ−ＦＩＤを使用して決定すると、少なくとも２５：１である、ステップを含むことができる。
【０１３９】
この基質は、例えば、−Ｆおよび−ＣＦ３からなる群から選択される電子吸引基により置換されており、電子吸引基に対しオルト位で置換されていないフェニル環であって、かつ電子吸引基（例えば、電子吸引基のパラ置換基となるＣｌまたはＢｒ）に対して普通なら立体的に有利なメタ位におけるイリジウム触媒の攻撃を立体的に妨害するよう配置されている犠牲的部分（例えば、ＣｌまたはＢｒなどのハロゲン）をさらに含む、フェニル環を含むことができる。結果として、イリジウム触媒によるアレーンのＣ−Ｈ活性化−ホウ素化は、オルトホウ素化された電子的生成物（すなわち、第１のホウ素化アレーン）をもっぱら生成する。
【０１４０】
例えば、一部の実施形態では、本基質は、式Ｉによって定義される化合物
【０１４１】
【化３７】
0006434522.tif 000045
（式中、
Ｘは、ＦまたはＣＦ３であり、
Ｒ１は、水素、ハロゲン、−ＯＲ４、−ＮＲ５Ｒ６、−Ｃ（＝Ｏ）Ｒ７、ニトリル基、Ｃ１〜Ｃ６アルキル基またはＣ１〜Ｃ６ハロアルキル基であり、
Ｒ２は、水素、ハロゲン、−ＯＲ４、−ＮＲ５Ｒ６、−Ｃ（＝Ｏ）Ｒ７、ニトリル基、Ｃ１〜Ｃ６アルキル基またはＣ１〜Ｃ６ハロアルキル基であり、
Ｒ３は、ＣｌまたはＢｒであり、
Ｒ４、Ｒ５およびＲ６の各々は、出現毎に個別に、水素またはＣ１〜Ｃ６アルキル基であり、
Ｒ７は、出現毎に個別に、水素、−ＯＲ４、−ＮＲ５Ｒ６またはＣ１〜Ｃ６アルキル基である）
を含むことができる。
【０１４２】
これらの実施形態では、第１のホウ素化アレーンは、式ＩＩによって定義される化合物
【０１４３】
【化３８】
0006434522.tif 000046
（式中、Ｘ、Ｒ１、Ｒ２およびＲ３は、上記の通りであり、Ｙは、ボロン酸またはボロン酸誘導体である）
を含むことができる。
【０１４４】
方法はさらに、第１のホウ素化アレーンを還元的に脱ハロゲン化して、脱ハロゲン化されたホウ素化アレーンを得るステップを含むことができる。脱ハロゲン化されたホウ素化アレーンは、式ＩＩｂによって定義される化合物
【０１４５】
【化３９】
0006434522.tif 000047
（式中、Ｘ、Ｒ１、Ｒ２およびＹは、上記の通りである）
を含むことができる。
【０１４６】
この第１のホウ素化アレーンは、任意の適切な合成方法を使用して還元的に脱ハロゲン化され得る。例えば、第１のホウ素化アレーンを還元的に脱ハロゲン化する方法は、第１のホウ素化アレーンを還元的に脱ハロゲン化するのに有効な条件下で、第１のホウ素化アレーンを、ポリメチルヒドロシロキサン（ＰＭＨＳ）、塩基、および金属触媒に接触させるステップを含むことができる。適切な塩基には、ＫＦおよび、ＴＢＡＦなどのテトラアルキルアンモニウム塩が含まれる。金属触媒は、ＰＭＨＳからのヒドリドを受け取り、次いで、第１のホウ素化アレーンの還元的脱ハロゲン化に関与することができる、様々な金属触媒を含むことができる。適切な金属触媒は、第１のホウ素化アレーンの特定名（例えば、水素化脱ハロゲン化されるハロゲンの特定名）を含めた、いくつかの要因を鑑みて選択され得る。例えば、金属触媒は、Ｐｄ、Ｓｎ、Ｔｉ、ＺｎまたはＣｕを含むことができる。ある種の実施形態では、金属触媒は、酢酸パラジウム（ＩＩ）（Ｐｄ（ＯＡｃ）２）などのパラジウム（ＩＩ）触媒またはテトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（０）（Ｐｄ（Ｐｈ３Ｐ）４）などのパラジウム（０）触媒を含むことができる。
【０１４７】
ある種の実施形態では、第１のホウ素化アレーンを還元的に脱ハロゲン化する方法は、第１のホウ素化アレーンを還元的に脱ハロゲン化するのに有効な条件下で、第１のホウ素化アレーンを、ギ酸塩および遷移金属触媒に接触させるステップを含むことができる。ギ酸塩は、任意の適切なギ酸塩とすることができる。ギ酸塩の例には、例えば、ギ酸ナトリウム（ＮａＨＣ（Ｏ）Ｏ）、ギ酸カリウム（ＫＨＣ（Ｏ）Ｏ）、ギ酸アンモニウム（ＮＨ４ＨＣ（Ｏ）Ｏ）、ギ酸カルシウム（Ｃａ（ＨＣ（Ｏ）Ｏ）２）およびそれらの組合せが含まれる。ある種の場合、ギ酸塩は、ギ酸アンモニウムとすることができる。遷移金属触媒は、炭素担持パラジウムなどのパラジウム（０）触媒を含むことができる。ある種の実施形態では、上記のホウ素化および脱ハロゲン化は、（例えば、単一の反応容器中で逐次的など、中間体ボリレート（borylate）を精製または単離することなしに）ワンポット合成方法を使用して、行うことができる。
【０１４８】
本明細書に記載されている方法を使用して調製されるホウ素化アレーンは、Ｓｕｚｕｋｉ型クロスカップリング反応などのクロスカップリング反応を含む、追加的な化学反応に利用することができる。Ｓｕｚｕｋｉ型クロスカップリング反応は、当技術分野で公知であり、塩基および適切な触媒の存在下で、有機ハロゲン化物と有機ホウ素とをクロスカップリングするために使用することができる。例えば、Miyaura, N. and Suzuki, A. Chem. Rev. 1995, 95, 2457、Stanforth, S. P. Tetrahedron 1998, 54, 263、Lipshutz, et al., Synthesis 2005, 2989およびLipshutz, et al., Org. Lett. 2008, 10, 4279を参照されたい。有機ハロゲン化物は、ハロゲン化アリールもしくは偽ハロゲン化アリール、またはハロゲン化ビニルまたは偽ハロゲン化ビニルなどの、不飽和ハロゲン化物または偽ハロゲン化物（例えば、トリフレート（ＯＴｆ））とすることができる。
【０１４９】
一部の実施形態では、本明細書に記載されている方法はさらに、第１のホウ素化アレーンまたは脱ハロゲン化されたホウ素化アレーンを、ハロゲン化アリール、偽ハロゲン化アリール、ハロゲン化ビニルおよび偽ハロゲン化ビニルからなる群から選択される反応体、ならびに遷移金属触媒に接触させ、上記の反応体と上記の第１のホウ素化アレーンまたは脱ハロゲン化されたホウ素化アレーンとをクロスカップリングするステップを含むことができる。例として、（４−クロロ−２−フルオロ−３−置換）ボロン酸エステルは、４−アセトアミド−３，６−ジクロロピコリン酸メチルとのクロスカップリング反応を受けて、６−（４−クロロ−２−フルオロ−３−置換−フェニル）−４−アミノピコリネートを生成または形成することができる。別の例では、（４−クロロ−２−フルオロ−３−置換）ボロン酸エステルは、６−アセトアミド−２−クロロピリミジン−４−カルボン酸メチルまたはその未保護類似体である６−アミノ−２−クロロピリミジン−４−カルボン酸とのクロスカップリング反応を受けることができる。
【０１５０】
Ｓｕｚｕｋｉクロスカップリング反応は、パラジウム触媒、配位子、および塩基の存在下で行うことができる。少なくとも一部の実施形態では、パラジウム触媒は、酢酸パラジウム（ＩＩ）（Ｐｄ（ＯＡｃ）２）であり、塩基は水性炭酸カリウム（Ｋ２ＣＯ３）であり、配位子はトリフェニルホスフィン（ＰＰｈ３）である。クロスカップリング反応は、メチルイソブチルケトン（ＭＩＢＫ）、アセトニトリル（ＭｅＣＮ）、酢酸エチル（ＥｔＯＡｃ）、水またはそれらの組合せなどの溶媒中で行うことができる。
【０１５１】
同様に、１−クロロ−３−フルオロ−２−置換ベンゼンを含めた、電子吸引基により置換されているアレーンのホウ素化を、フルオロ置換基に対しオルト位で触媒することができるイリジウム錯体触媒も提供される（すなわち、このイリジウム錯体触媒は、電子的生成物の形成を効率よく触媒することができる）。イリジウム錯体触媒は、イリジウム前駆錯体、二座配位子およびホウ素化試薬を組み合わせることにより形成することができる。一部の場合、イリジウム錯体触媒は、本明細書に記載されている方法を実施している間に、基質の存在下で、インシチュで形成される。イリジウム錯体触媒はまた、イリジウム前駆錯体を二座配位子およびホウ素化試薬に接触させることにより形成することもできる。このイリジウム錯体触媒は、一旦形成すると、続いて、基質および／またはホウ素化試薬と組み合わされて、ホウ素化基質を与えることができる。
【０１５２】
一部の実施形態では、イリジウム錯体触媒は、以下の構造
（Ｌ）Ｉｒ（Ｂ）３（Ｚ２）
（式中、
Ｂは−Ｂ（ＯＲ）２であり、Ｒは、出現毎に独立して、Ｃ１〜Ｃ６アルキル基であるか、または２つのＲ基が、それらが結合している原子と一緒になって、１つまたは複数のＣ１〜Ｃ６アルキル基により場合により置換されているＣ２〜Ｃ６環式部分であって、１つまたは複数のカルボシクリル基または複素カルボシクリル基と場合により縮合しているＣ２〜Ｃ６環式部分を形成し、
Ｚ２は、１，５−シクロオクタジエン、シクロオクテンまたはメシチレンであり、
Ｌは、以下に含まれる配位子
【０１５３】
【化４０】
0006434522.tif 000048
の１つから選択される二座配位子である）
によって定義することができる。
【０１５４】
これらの実施形態の一部では、イリジウム錯体触媒は、以下に含まれる配位子の１つから選択される二座配位子を含むことができる。
【０１５５】
【化４１】
0006434522.tif 000049
【０１５６】
一部の実施形態では、各Ｂは、以下に含まれる、ホウ素含有部分の１つから独立して選択される。
【０１５７】
【化４２】
0006434522.tif 000050
【０１５８】
ある種の実施形態では、Ｂの１つまたは複数はピナコールボランを表す。一部の場合、各Ｂは、ピナコールボランを表す。
【０１５９】
ある種の実施形態では、イリジウム錯体触媒は、以下の構造
（Ｌ）Ｉｒ（Ｂ）３（Ｚ２）
（式中、
Ｂは−Ｂ（ＯＲ）２であり、Ｒは、出現毎に独立して、Ｃ１〜Ｃ６アルキル基であるか、または２つのＲ基が、それらが結合している原子と一緒になって、１つまたは複数のＣ１〜Ｃ６アルキル基により場合により置換されているＣ２〜Ｃ６環式部分であって、１つまたは複数のカルボシクリル基または複素カルボシクリル基と場合により縮合しているＣ２〜Ｃ６環式部分を形成し、
Ｚ２は、１，５−シクロオクタジエン、シクロオクテンまたはメシチレンであり、
Ｌは、式ＩＶａ、式ＩＶｂまたは式ＩＶｃによって定義される二座配位子
【０１６０】
【化４３】
0006434522.tif 000051
（式中、ｎは、０、１、２または３であり、Ｒ１０は、出現毎に独立して、水素、ハロゲン、ニトリル基、ニトロ基、Ｃ１〜Ｃ６アルキル基またはＣ１〜Ｃ６ペルフルオロアルキル基であるが、但し、二座配位子が式ＩＶａまたは式ＩＶｂにより定義される化合物を含む場合、Ｒ１０の１つまたは複数が水素ではないことを条件とする）
によって定義することができる。
【０１６１】
これらの実施形態の一部では、イリジウム錯体触媒は、以下に含まれる配位子の１つから選択される二座配位子を含むことができる。
【０１６２】
【化４４】
0006434522.tif 000052
【０１６３】
一部の実施形態では、各Ｂは、以下に含まれる、ホウ素含有部分の１つから独立して選択される。
【０１６４】
【化４５】
0006434522.tif 000053
【０１６５】
ある種の実施形態では、Ｂの１つまたは複数はピナコールボランを表す。一部の場合、各Ｂは、ピナコールボランを表す。
【０１６６】
実施形態の例
本開示の具体的な実施形態は、以下に提示されている。
【０１６７】
１．−Ｆおよび−ＣＦ３からなる群から選択される電子吸引基により置換されているフェニル環を含む基質を用意するステップであって、このフェニル環が、電子吸引基に対しオルト位で置換されておらず、かつ電子吸引基に対しメタ位で置換されていない、ステップ、および
第１のホウ素化アレーンおよび場合により第２のホウ素化アレーンを形成するのに有効な条件下で、上記の基質を、イリジウム前駆錯体、単座配位子および二座配位子から選択される配位子、ならびにホウ素化試薬に接触させるステップであって、
第１のホウ素化アレーンが、−Ｆおよび−ＣＦ３からなる群から選択される電子吸引基、ならびにこの電子吸引基に対しオルト位でボロン酸またはボロン酸誘導体により置換されているフェニル環を含み、
第２のホウ素化アレーンが、形成される場合、−Ｆおよび−ＣＦ３からなる群から選択される電子吸引基、ならびにこの電子吸引基に対しメタ位でボロン酸またはボロン酸誘導体により置換されているフェニル環を含み、
第１のホウ素化アレーンと第２のホウ素化アレーンとのモル比が、ＧＣ−ＦＩＤにより決定すると、少なくとも１：１である、ステップ
を含む、ホウ素化アレーンを形成する方法。
【０１６８】
２．上記の基質が、式Ｉによって定義される化合物
【０１６９】
【化４６】
0006434522.tif 000054
（式中、
Ｘは、ＦまたはＣＦ３であり、
Ｒ１は、水素、ハロゲン、−ＯＲ４、−ＮＲ５Ｒ６、−Ｃ（＝Ｏ）Ｒ７、ニトリル基、Ｃ１〜Ｃ６アルキル基またはＣ１〜Ｃ６ハロアルキル基であり、
Ｒ２は、水素、ハロゲン、−ＯＲ４、−ＮＲ５Ｒ６、−Ｃ（＝Ｏ）Ｒ７、ニトリル基、Ｃ１〜Ｃ６アルキル基またはＣ１〜Ｃ６ハロアルキル基であり、
Ｒ３は、水素、ハロゲン、−ＯＲ４、−ＮＲ５Ｒ６、−Ｃ（＝Ｏ）Ｒ７、ニトリル基、Ｃ１〜Ｃ６アルキル基またはＣ１〜Ｃ６ハロアルキル基であり、
Ｒ４、Ｒ５およびＲ６の各々は、出現毎に個別に、水素またはＣ１〜Ｃ６アルキル基であり、
Ｒ７は、出現毎に個別に、水素、−ＯＲ４、−ＮＲ５Ｒ６またはＣ１〜Ｃ６アルキル基である）
を含み、
上記の第１のホウ素化アレーンが、式ＩＩによって定義される化合物
【０１７０】
【化４７】
0006434522.tif 000055
（式中、
Ｘ、Ｒ１、Ｒ２およびＲ３は、上記の通りであり、Ｙは、ボロン酸またはボロン酸誘導体である）
を含み、
上記の第２のホウ素化アレーンが、形成される場合、式ＩＩＩによって定義される化合物
【０１７１】
【化４８】
0006434522.tif 000056
（式中、
Ｘ、Ｒ１、Ｒ２およびＲ３は、上記の通りであり、Ｙは、ボロン酸またはボロン酸誘導体である）
を含む、
実施形態１に記載の方法。
【０１７２】
３．第１のホウ素化アレーンが、電子吸引基に対しオルト位に、以下：
【０１７３】
【化４９】
0006434522.tif 000057
の１つから選択されるボロン酸誘導体を含む、実施形態１または２に記載の方法。
【０１７４】
４．基質が、１−クロロ−３−フルオロ−２−置換ベンゼンを含む、実施形態１から３のいずれかに記載の方法。
【０１７５】
５．基質が、１−クロロ−３−フルオロ−２−メトキシベンゼンを含む、実施形態１から４のいずれかに記載の方法。
【０１７６】
６．第１のホウ素化アレーンが、（４−クロロ−２−フルオロ−３−メトキシフェニル）ボロン酸または（４−クロロ−２−フルオロ−３−メトキシフェニル）ボロン酸誘導体を含む、実施形態１から５のいずれかに記載の方法。
【０１７７】
７．第１のホウ素化アレーンと第２のホウ素化アレーンとのモル比が、少なくとも３：１である、実施形態１から６のいずれかに記載の方法。
【０１７８】
８．第１のホウ素化アレーンおよび第２のホウ素化アレーンへの転化率が、少なくとも３０％である、実施形態１から７のいずれかに記載の方法。
【０１７９】
９．第１のホウ素化アレーンおよび第２のホウ素化アレーンへの転化率が、少なくとも５０％である、実施形態１から８のいずれかに記載の方法。
【０１８０】
１０．イリジウム前駆錯体が、Ｉｒ（Ｉ）−シクロオクタジエン前駆錯体を含む、実施形態１から９のいずれかに記載の方法。
【０１８１】
１１．Ｉｒ（Ｉ）−シクロオクタジエン前駆錯体が、［Ｉｒ（ＯＭｅ）ｃｏｄ］２、［Ｉｒ（Ｃｌ）ｃｏｄ］２、［Ｉｒ（ｃｏｄ）２］ＢＦ４、［Ｉｒ（ＯＨ）ｃｏｄ］２、［Ｉｒ（ＯＰｈ）ｃｏｄ］２、［Ｉｒ（ＯＡｃ）ｃｏｄ］２、（Ｉｎｄ）Ｉｒ（ｃｏｄ）、Ｉｒ（ａｃａｃ）ｃｏｄ、（ｄｔｂｐｙ）Ｉｒ（ＢＰｉｎ）３（ｃｏｄ）、（ｔｍｐ）Ｉｒ（ＢＰｉｎ）３（ｃｏｄ）、およびそれらの組合せからなる群から選択される、実施形態１０に記載の方法。
【０１８２】
１２．イリジウム前駆錯体が、Ｉｒ（Ｉ）−シクロオクテン前駆錯体を含む、実施形態１から９のいずれか１つに記載の方法。
【０１８３】
１３．Ｉｒ（Ｉ）−シクロオクテン前駆錯体が、［Ｉｒ（ＯＭｅ）ｃｏｅ］２、［Ｉｒ（Ｃｌ）ｃｏｅ］２、［Ｉｒ（ｃｏｅ）２］ＢＦ４、［Ｉｒ（ＯＨ）ｃｏｅ］２、［Ｉｒ（ＯＰｈ）ｃｏｅ］２、［Ｉｒ（ＯＡｃ）ｃｏｅ］２、（Ｉｎｄ）Ｉｒ（ｃｏｅ）、Ｉｒ（ａｃａｃ）ｃｏｅ、（ｄｔｂｐｙ）Ｉｒ（ＢＰｉｎ）３（ｃｏｅ）、（ｔｍｐ）Ｉｒ（ＢＰｉｎ）３（ｃｏｅ）、［ＩｒＣｌ（ｃｏｅ）２］２およびそれらの組合せからなる群から選択される、実施形態１２に記載の方法。
【０１８４】
１４．イリジウム前駆錯体が、Ｉｒ（Ｉ）−メシチレン前駆錯体を含む、実施形態１から９のいずれか１つに記載の方法。
【０１８５】
１５．Ｉｒ（Ｉ）−メシチレン前駆錯体が、（ＭｅｓＨ）Ｉｒ（ＢＰｉｎ）（Ｂ（ＯＲ１１）２）、（ＭｅｓＨ）Ｉｒ（ＢＰｉｎ）３およびそれらの組合せからなる群から選択され、ＢＰｉｎがピナコールボランであり、Ｒ１１が水素、線状または分岐状Ｃ１〜Ｃ８アルキル基、アリール基、またはＣ３〜Ｃ８シクロアルキル基である、実施形態１４に記載の方法。
【０１８６】
１６．イリジウム前駆錯体が、Ｉｒ（Ｉ）−ホスフィン前駆錯体を含む、実施形態１から９のいずれか１つに記載の方法。
【０１８７】
１７．Ｉｒ（Ｉ）−ホスフィン前駆錯体が、（ｄｐｐｂｚ）Ｉｒ（ＢＰｉｎ）３、（Ｉｎｄ）Ｉｒ（ｄｐｐｅ）、（ＰＭｅ３）２ＩｒＨ５、（（Ｒ１１）３Ｐ）２ＩｒＨ５、（（Ｒ１１）３Ｐ）３Ｉｒ（Ｂ（ＯＲ１１）２）３、（（Ｒ１１）２Ｐ）２Ｉｒ（ＢＰｉｎ）３、（（（Ｒ１１）２Ｐ）３Ｉｒ（（Ｒ１１Ｏ）２Ｂ）３）２、（（Ｒ１１）３Ｐ）４Ｉｒ（ＢＰｉｎ）、（（Ｒ１１）３Ｐ）２ＩｒＨｘ（Ｂ（ＯＲ１１）２）５−ｘおよびそれらの組合せからなる群から選択され、ｘは、０〜４の間の整数であり、ｄｐｐｂｚは、１，２−ビス（ジフェニルホスフィノ）ベンゼンであり、ＢＰｉｎはピナコールボランであり、Ｒ１１は水素、線状または分岐状Ｃ１〜Ｃ８アルキル基、アリール基、またはＣ３〜Ｃ８シクロアルキル基である、実施形態１６に記載の方法。
【０１８８】
１８．イリジウム前駆錯体が、Ｉｒ（Ｉ）−１，２，３，４，５−メチルシクロペンタジエニル前駆錯体を含む、実施形態１から９のいずれか１つに記載の方法。
【０１８９】
１９．Ｉｒ（Ｉ）−１，２，３，４，５−メチルシクロペンタジエニル前駆錯体が、（Ｃｐ＊）Ｉｒ（Ｈ）２（Ｍｅ３Ｐ）、（Ｃｐ＊）Ｉｒ（Ｈ）（ＢＰｉｎ）（Ｍｅ３Ｐ）、（Ｃｐ＊）Ｉｒ（Ｈ）（Ｃ６Ｈ５）（Ｍｅ３Ｐ）およびそれらの組合せからなる群から選択される、実施形態１８に記載の方法。
【０１９０】
２０．配位子が二座配位子を含む、実施形態１から１９のいずれかに記載の方法。
【０１９１】
２１．二座配位子が電子不足二座配位子を含む、実施形態２０に記載の方法。
【０１９２】
２２．二座配位子が、１つまたは複数の電子吸引性置換基により置換されている、２，２’−ビピリジンを含む、実施形態２０または２１に記載の方法。
【０１９３】
２３．二座配位子が、１つまたは複数のトリフルオロメチル基により置換されている、２，２’−ビピリジンを含む、実施形態２０から２２のいずれかに記載の方法。
【０１９４】
２４．二座配位子が、式ＩＶａ、式ＩＶｂまたは式ＩＶｃによって定義される化合物
【０１９５】
【化５０】
0006434522.tif 000058
（式中、ｎは、０、１、２または３であり、Ｒ１０は、出現毎に独立して、水素、ハロゲン、ニトリル基、ニトロ基、Ｃ１〜Ｃ６アルキル基またはＣ１〜Ｃ６ペルフルオロアルキル基であるが、但し、二座配位子が式ＩＶａまたは式ＩＶｂにより定義される化合物を含む場合、Ｒ１０の１つまたは複数が水素ではないことを条件とする）
を含む、実施形態２０から２３のいずれかに記載の方法。
【０１９６】
２５．Ｒ１０の１つまたは複数が、−Ｆおよび−ＣＦ３から選択される、実施形態２４に記載の方法。
【０１９７】
２６．二座配位子が、以下：
【０１９８】
【化５１】
0006434522.tif 000059
の１つまたは複数から選択される、実施形態２０から２５のいずれかに記載の方法。
【０１９９】
２７．配位子が、単座配位子を含む、実施形態１から１９のいずれかに記載の方法。
【０２００】
２８．単座配位子が、ピリジン配位子を含む、実施形態２７に記載の方法。
【０２０１】
２９．ピリジン配位子が、以下の式により定義されるピリジン
【０２０２】
【化５２】
0006434522.tif 000060
（式中、Ａは、出現毎に独立して、水素、ハロゲン、−ＯＲ１３、−ＮＲ１４Ｒ１５、−Ｃ（＝Ｏ）Ｒ１６、−ＯＣ（＝Ｏ）Ｒ１６、ニトリル基、Ｃ１〜Ｃ６アルキル基、Ｃ１〜Ｃ６ハロアルキル基およびＣ１〜Ｃ６アミノアルキル基であり、Ｒ１３、Ｒ１４およびＲ１５の各々は、出現毎に個別に、水素、Ｃ１〜Ｃ６アルキル基またはアリール基であり、Ｒ１６は、出現毎に個別に、水素、−ＯＲ１３、−ＮＲ１４Ｒ１５、Ｃ１〜Ｃ６アルキル基またはアリール基であるが、
但し、Ａの１つまたは複数が水素ではないことを条件とする）
を含む、実施形態２８に記載の方法。
【０２０３】
３０．ピリジン配位子が、以下の式により定義されるピリジン
【０２０４】
【化５３】
0006434522.tif 000061
（式中、Ａは、出現毎に独立して、水素、ハロゲン、−ＯＲ１３、−ＮＲ１４Ｒ１５、−Ｃ（＝Ｏ）Ｒ１６、−ＯＣ（＝Ｏ）Ｒ１６、ニトリル基、Ｃ１〜Ｃ６アルキル基、Ｃ１〜Ｃ６ハロアルキル基およびＣ１〜Ｃ６アミノアルキル基であり、Ｒ１３、Ｒ１４およびＲ１５の各々は、出現毎に個別に、水素、Ｃ１〜Ｃ６アルキル基またはアリール基であり、Ｒ１６は、出現毎に個別に、水素、−ＯＲ１３、−ＮＲ１４Ｒ１５、Ｃ１〜Ｃ６アルキル基またはアリール基であるが、
但し、Ａの１つまたは複数が水素ではないことを条件とする）
を含む、実施形態２８または２９に記載の方法。
【０２０５】
３１．ピリジン配位子が、以下の式により定義されるピリジン
【０２０６】
【化５４】
0006434522.tif 000062
（式中、Ａは、出現毎に独立して、水素、ハロゲン、−ＯＲ１３、−ＮＲ１４Ｒ１５、−Ｃ（＝Ｏ）Ｒ１６、−ＯＣ（＝Ｏ）Ｒ１６、ニトリル基、Ｃ１〜Ｃ６アルキル基、Ｃ１〜Ｃ６ハロアルキル基およびＣ１〜Ｃ６アミノアルキル基であり、Ｒ１３、Ｒ１４およびＲ１５の各々は、出現毎に個別に、水素、Ｃ１〜Ｃ６アルキル基またはアリール基であり、Ｒ１６は、出現毎に個別に、水素、−ＯＲ１３、−ＮＲ１４Ｒ１５、Ｃ１〜Ｃ６アルキル基またはアリール基であり、
Ｚ１は、ハロゲン、−ＯＲ１３、−ＮＲ１４Ｒ１５、−Ｃ（＝Ｏ）Ｒ１６、−ＯＣ（＝Ｏ）Ｒ１６、ニトリル基、Ｃ１〜Ｃ６アルキル基、Ｃ１〜Ｃ６ハロアルキル基およびＣ１〜Ｃ６アミノアルキル基であり、Ｒ１３、Ｒ１４およびＲ１５の各々は、出現毎に個別に、水素、Ｃ１〜Ｃ６アルキル基またはアリール基であり、Ｒ１６は、出現毎に個別に、水素、−ＯＲ１３、−ＮＲ１４Ｒ１５、Ｃ１〜Ｃ６アルキル基またはアリール基である）
を含む、実施形態２８から３０のいずれかに記載の方法。
【０２０７】
３２．ピリジン配位子が、以下の式により定義されるピリジン
【０２０８】
【化５５】
0006434522.tif 000063
（式中、Ａは、水素、ハロゲン、−ＯＲ１３、−ＮＲ１４Ｒ１５、−Ｃ（＝Ｏ）Ｒ１６、−ＯＣ（＝Ｏ）Ｒ１６、ニトリル基、Ｃ１〜Ｃ６アルキル基、Ｃ１〜Ｃ６ハロアルキル基およびＣ１〜Ｃ６アミノアルキル基であり、Ｒ１３、Ｒ１４およびＲ１５の各々は、出現毎に個別に、水素、Ｃ１〜Ｃ６アルキル基またはアリール基であり、Ｒ１６は、出現毎に個別に、水素、−ＯＲ１３、−ＮＲ１４Ｒ１５、Ｃ１〜Ｃ６アルキル基またはアリール基であり、
Ｚ１は、出現毎に独立して、ハロゲン、−ＯＲ１３、−ＮＲ１４Ｒ１５、−Ｃ（＝Ｏ）Ｒ１６、−ＯＣ（＝Ｏ）Ｒ１６、ニトリル基、Ｃ１〜Ｃ６アルキル基、Ｃ１〜Ｃ６ハロアルキル基およびＣ１〜Ｃ６アミノアルキル基であり、Ｒ１３、Ｒ１４およびＲ１５の各々は、出現毎に個別に、水素、Ｃ１〜Ｃ６アルキル基またはアリール基であり、Ｒ１６は、出現毎に個別に、水素、−ＯＲ１３、−ＮＲ１４Ｒ１５、Ｃ１〜Ｃ６アルキル基またはアリール基である）
を含む、実施形態２８から３１のいずれかに記載の方法。
【０２０９】
３３．ピリジン配位子が、以下の式により定義されるピリジン
【０２１０】
【化５６】
0006434522.tif 000064
（式中、Ａは、出現毎に独立して、水素、ハロゲン、−ＯＲ１３、−ＮＲ１４Ｒ１５、−Ｃ（＝Ｏ）Ｒ１６、−ＯＣ（＝Ｏ）Ｒ１６、ニトリル基、Ｃ１〜Ｃ６アルキル基、Ｃ１〜Ｃ６ハロアルキル基およびＣ１〜Ｃ６アミノアルキル基であり、Ｒ１３、Ｒ１４およびＲ１５の各々は、出現毎に個別に、水素、Ｃ１〜Ｃ６アルキル基またはアリール基であり、Ｒ１６は、出現毎に個別に、水素、−ＯＲ１３、−ＮＲ１４Ｒ１５、Ｃ１〜Ｃ６アルキル基またはアリール基であり、
Ｚ１は、ハロゲン、−ＯＲ１３、−ＮＲ１４Ｒ１５、−Ｃ（＝Ｏ）Ｒ１６、−ＯＣ（＝Ｏ）Ｒ１６、ニトリル基、Ｃ１〜Ｃ６アルキル基、Ｃ１〜Ｃ６ハロアルキル基およびＣ１〜Ｃ６アミノアルキル基であり、Ｒ１３、Ｒ１４およびＲ１５の各々は、出現毎に個別に、水素、Ｃ１〜Ｃ６アルキル基またはアリール基であり、Ｒ１６は、出現毎に個別に、水素、−ＯＲ１３、−ＮＲ１４Ｒ１５、Ｃ１〜Ｃ６アルキル基またはアリール基である）
を含む、実施形態２８から３０のいずれかに記載の方法。
【０２１１】
３４．ピリジン配位子が、以下の式により定義されるピリジン
【０２１２】
【化５７】
0006434522.tif 000065
（式中、Ｚ１は、出現毎に独立して、ハロゲン、−ＯＲ１３、−ＮＲ１４Ｒ１５、−Ｃ（＝Ｏ）Ｒ１６、−ＯＣ（＝Ｏ）Ｒ１６、ニトリル基、Ｃ１〜Ｃ６アルキル基、Ｃ１〜Ｃ６ハロアルキル基およびＣ１〜Ｃ６アミノアルキル基であり、Ｒ１３、Ｒ１４およびＲ１５の各々は、出現毎に個別に、水素、Ｃ１〜Ｃ６アルキル基またはアリール基であり、Ｒ１６は、出現毎に個別に、水素、−ＯＲ１３、−ＮＲ１４Ｒ１５、Ｃ１〜Ｃ６アルキル基またはアリール基である）
を含む、実施形態２８または２９に記載の方法。
【０２１３】
３５．Ｚ１が、出現毎に独立して、−Ｆ、−Ｃｌ、−ＣＦ３、−Ｍｅ、−ＯＭｅ、−ＣＨ２ＮＨ２、−ＮＨＭｅ、−ＮＭｅ２、−ＮＰｈ２、フェニル、イソプロピル、ｔｅｒｔ−ブチル、または−ＣＯＣＨ３である、実施形態２９から３４のいずれかに記載の方法。
【０２１４】
３６．ホウ素化試薬が、以下：
【０２１５】
【化５８】
0006434522.tif 000066
の１つまたは複数から選択される、実施形態１から３５のいずれかに記載の方法。
【０２１６】
３７．基質、第１のホウ素化アレーン、および第２のホウ素化アレーンが、形成される場合、−Ｃｌおよび−Ｂｒからなる群から選択される置換基をさらに含む、実施形態１から３６のいずれかに記載の方法。
【０２１７】
３８．基質が、式Ｉによって定義される化合物を含み、Ｒ３が、−Ｃｌおよび−Ｂｒからなる群から選択され、かつ第１のホウ素化アレーンが式ＩＩによって定義される化合物を含み、Ｒ３が、−Ｃｌおよび−Ｂｒからなる群から選択され、
第１のホウ素化アレーンと第２のホウ素化アレーンとのモル比が、ＧＣ−ＦＩＤにより決定すると、少なくとも２５：１である、
実施形態３７に記載の方法。
【０２１８】
３９．第１のホウ素化アレーンを還元的に脱ハロゲン化して、脱ハロゲン化されたホウ素化アレーンを得るステップをさらに含む、実施形態３８に記載の方法。
【０２１９】
４０．第１のホウ素化アレーンを還元的に脱ハロゲン化するステップが、第１のホウ素化アレーンを還元的に脱ハロゲン化するのに有効な条件下で、第１のホウ素化アレーンを、ポリメチルヒドロシロキサン（ＰＭＨＳ）および遷移金属触媒に接触させるステップを含む、実施形態３９に記載の方法。
【０２２０】
４１．遷移金属触媒が、酢酸パラジウム（ＩＩ）を含む、実施形態４０に記載の方法。
【０２２１】
４２．第１のホウ素化アレーンを還元的に脱ハロゲン化するステップが、第１のホウ素化アレーンを還元的に脱ハロゲン化するのに有効な条件下で、第１のホウ素化アレーンをギ酸塩および遷移金属触媒に接触させるステップを含む、実施形態３９に記載の方法。
【０２２２】
４３．遷移金属触媒が、炭素担持パラジウムを含む、実施形態４２に記載の方法。
【０２２３】
４４．ギ酸塩が、ギ酸アンモニウムを含む、実施形態４２または４３に記載の方法。
【０２２４】
４５．ワンポット合成方法を使用して、第１のホウ素化アレーンが形成され、かつ還元的に脱ハロゲン化されて、脱ハロゲン化されたホウ素化アレーンが形成される、実施形態３９から４４のいずれかに記載の方法。
【０２２５】
４６．上記の第１のホウ素化アレーンまたは上記の脱ハロゲン化されたホウ素化アレーンを、ハロゲン化アリール、偽ハロゲン化アリール、ハロゲン化ビニルおよび偽ハロゲン化ビニルからなる群から選択される反応体、ならびに遷移金属触媒に接触させ、上記の第１のホウ素化アレーンまたは上記の脱ハロゲン化されたホウ素化アレーンと上記の反応体とをクロスカップリングするステップをさらに含む、実施形態１から４５のいずれかに記載の方法。
【０２２６】
４７．以下の構造
（Ｌ）Ｉｒ（Ｂ）３（Ｚ２）
（式中、
Ｂは−Ｂ（ＯＲ）２であり、Ｒは、出現毎に独立して、Ｃ１〜Ｃ６アルキル基であるか、または２つのＲ基が、それらが結合している原子と一緒になって、１つまたは複数のＣ１〜Ｃ６アルキル基により場合により置換されているＣ２〜Ｃ６環式部分であって、１つまたは複数のカルボシクリル基または複素カルボシクリル基と場合により縮合しているＣ２〜Ｃ６環式部分を形成し、
Ｚ２は、１，５−シクロオクタジエン、シクロオクテンまたはメシチレンであり、
Ｌは、以下：
【０２２７】
【化５９】
0006434522.tif 000067
から選択される二座配位子である）
によって定義される、イリジウム錯体。
【０２２８】
４８．以下の構造
（Ｌ）Ｉｒ（Ｂ）３（Ｚ２）
（式中、
Ｂは−Ｂ（ＯＲ）２であり、Ｒは、出現毎に独立して、Ｃ１〜Ｃ６アルキル基であるか、または２つのＲ基が、それらが結合している原子と一緒になって、１つまたは複数のＣ１〜Ｃ６アルキル基により場合により置換されているＣ２〜Ｃ６環式部分であって、１つまたは複数のカルボシクリル基または複素カルボシクリル基と場合により縮合しているＣ２〜Ｃ６環式部分を形成し、
Ｚ２は、１，５−シクロオクタジエン、シクロオクテンまたはメシチレンであり、
Ｌは、式ＩＶａ、式ＩＶｂまたは式ＩＶｃによって定義される化合物を含む二座配位子
【０２２９】
【化６０】
0006434522.tif 000068
（式中、ｎは、０、１、２または３であり、Ｒ１０は、出現毎に独立して、水素、ハロゲン、ニトリル基、ニトロ基、Ｃ１〜Ｃ６アルキル基またはＣ１〜Ｃ６ペルフルオロアルキル基であるが、但し、二座配位子が式ＩＶａまたは式ＩＶｂにより定義される化合物を含む場合、Ｒ１０の１つまたは複数が水素ではないことを条件とする）
を含む）
により定義される、イリジウム錯体。
【０２３０】
４９．Ｌが、以下：
【０２３１】
【化６１】
0006434522.tif 000069
の１つまたは複数から選択される、実施形態４８に記載の錯体。
【０２３２】
５０．各Ｂが、以下：
【０２３３】
【化６２】
0006434522.tif 000070
の１つから選択される、実施形態４７から４９のいずれかに記載の錯体。
【０２３４】
５１．Ｂが、ピナコールボランである、実施形態４７から５０のいずれかに記載の方法。
【０２３５】
５２．電子吸引基および指向型メタル化基から選択される部分により置換されている芳香族環を含む芳香族基質であって、芳香族環が上記の部分に対しオルト位で置換されていない、芳香族基質を用意するステップ、および
第１のホウ素化アレーンを形成するのに有効な条件下で、上記の芳香族基質を、イリジウム前駆錯体、単座配位子およびホウ素化試薬に接触させるステップであって、
第１のホウ素化アレーンが、電子吸引基および指向型メタル化基から選択される部分、ならびにこの部分に対しオルト位でボロン酸またはボロン酸誘導体により置換されている芳香族環を含む、ステップ
を含む、ホウ素化アレーンを形成する方法。
【０２３６】
５３．上記の芳香族環が、上記の部分に対しオルト位で置換されておらず、かつ上記の部分に対しメタ位で置換されていない、実施形態５２に記載の方法。
【０２３７】
５４．上記の第１のホウ素化アレーンおよび第２のホウ素化アレーンを形成するのに有効な条件下、上記の芳香族基質を、イリジウム前駆錯体、単座配位子およびホウ素化試薬に接触させるステップであって、
上記の第２のホウ素化アレーンが、電子吸引基および指向型メタル化基から選択される部分、ならびに上記の部分に対しメタ位でボロン酸またはボロン酸誘導体により置換されている芳香族環を含み、
上記の第１のホウ素化アレーンと上記の第２のホウ素化アレーンとのモル比が、ＧＣ−ＦＩＤにより決定すると、少なくとも１：１である、ステップ
を含む、実施形態５３に記載の方法。
【０２３８】
５５．上記の部分が、−Ｆおよび−ＣＦ３からなる群から選択される電子吸引基である、実施形態５２から５４のいずれかに記載の方法。
【０２３９】
５６．部分が、−ＯＲ１３、−ＮＲ１４Ｒ１５、−Ｃ（＝Ｏ）Ｒ１６、−ＯＣ（＝Ｏ）Ｒ１６、ニトリル基、−ＳＯ２Ｒ１６、−ＳＯＲ１６またはＣ１〜Ｃ６アミノアルキル基からなる群から選択される、指向型メタル化基であり、
Ｒ１３、Ｒ１４およびＲ１５の各々が、出現毎に個別に、水素、Ｃ１〜Ｃ６アルキル基またはアリール基であり、Ｒ１６が、出現毎に個別に、水素、−ＯＲ１３、−ＮＲ１４Ｒ１５、Ｃ１〜Ｃ６アルキル基またはアリール基である、
実施形態５２から５４のいずれかに記載の方法。
【０２４０】
５７．芳香族基質が、置換アリール化合物、６員の置換複素芳香族化合物、５員の置換複素芳香族化合物およびそれらの組合せからなる群から選択される、実施形態５２から５６のいずれかに記載の方法。
【０２４１】
５８．芳香族基質が、以下の式により定義される化合物
【０２４２】
【化６３】
0006434522.tif 000071
（式中、
Ｘは、電子吸引基または指向型メタル化基から選択される部分であり、
Ｒ１は、水素、ハロゲン、−ＯＲ４、−ＮＲ５Ｒ６、−Ｃ（＝Ｏ）Ｒ７、ニトリル基、Ｃ１〜Ｃ６アルキル基またはＣ１〜Ｃ６ハロアルキル基であり、
Ｒ２は、水素、ハロゲン、−ＯＲ４、−ＮＲ５Ｒ６、−Ｃ（＝Ｏ）Ｒ７、ニトリル基、Ｃ１〜Ｃ６アルキル基またはＣ１〜Ｃ６ハロアルキル基であり、
Ｒ３は、水素、ハロゲン、−ＯＲ４、−ＮＲ５Ｒ６、−Ｃ（＝Ｏ）Ｒ７、ニトリル基、Ｃ１〜Ｃ６アルキル基またはＣ１〜Ｃ６ハロアルキル基であり、
Ｒ４、Ｒ５およびＲ６の各々は、出現毎に個別に、水素またはＣ１〜Ｃ６アルキル基であり、
Ｒ７は、出現毎に個別に、水素、−ＯＲ４、−ＮＲ５Ｒ６またはＣ１〜Ｃ６アルキル基である）
を含み、
第１のホウ素化アレーンが、以下の式によって定義される化合物
【０２４３】
【化６４】
0006434522.tif 000072
（式中、
Ｘ、Ｒ１、Ｒ２およびＲ３は、上記の通りであり、Ｙは、ボロン酸またはボロン酸誘導体である）
を含み、
第２のホウ素化アレーンが、形成される場合、以下の式によって定義される化合物
【０２４４】
【化６５】
0006434522.tif 000073
（式中、
Ｘ、Ｒ１、Ｒ２およびＲ３は、上記の通りであり、Ｙは、ボロン酸またはボロン酸誘導体である）
を含む、
実施形態５４から５７のいずれかに記載の方法。
【０２４５】
５９．第１のホウ素化アレーンが、部分に対しオルト位に、以下：
【０２４６】
【化６６】
0006434522.tif 000074
の１つから選択されるボロン酸誘導体を含む、実施形態５２から５８のいずれかに記載の方法。
【０２４７】
６０．芳香族基質が、１−クロロ−３−フルオロ−２−置換ベンゼンを含む、実施形態５２から５９のいずれかに記載の方法。
【０２４８】
６１．芳香族基質が、１−クロロ−３−フルオロ−２−メトキシベンゼンを含む、実施形態５２から６０のいずれかに記載の方法。
【０２４９】
６２．第１のホウ素化アレーンが、（４−クロロ−２−フルオロ−３−メトキシフェニル）ボロン酸または（４−クロロ−２−フルオロ−３−メトキシフェニル）ボロン酸誘導体を含む、実施形態５２から６１のいずれかに記載の方法。
【０２５０】
６３．第１のホウ素化アレーンと第２のホウ素化アレーンとのモル比が、少なくとも３：１である、実施形態５４から６２のいずれかに記載の方法。
【０２５１】
６４．第１のホウ素化アレーンおよび第２のホウ素化アレーンへの転化率が、少なくとも３０％である、実施形態５４から６３のいずれかに記載の方法。
【０２５２】
６５．第１のホウ素化アレーンおよび第２のホウ素化アレーンへの転化率が、少なくとも５０％である、実施形態５４から６４のいずれかに記載の方法。
【０２５３】
６６．イリジウム前駆錯体が、Ｉｒ（Ｉ）−シクロオクタジエン前駆錯体を含む、実施形態５２から６５のいずれかに記載の方法。
【０２５４】
６７．Ｉｒ（Ｉ）−シクロオクタジエン前駆錯体が、［Ｉｒ（ＯＭｅ）ｃｏｄ］２、［Ｉｒ（Ｃｌ）ｃｏｄ］２、［Ｉｒ（ｃｏｄ）２］ＢＦ４、［Ｉｒ（ＯＨ）ｃｏｄ］２、［Ｉｒ（ＯＰｈ）ｃｏｄ］２、［Ｉｒ（ＯＡｃ）ｃｏｄ］２、（Ｉｎｄ）Ｉｒ（ｃｏｄ）、Ｉｒ（ａｃａｃ）ｃｏｄ、（ｄｔｂｐｙ）Ｉｒ（ＢＰｉｎ）３（ｃｏｄ）、（ｔｍｐ）Ｉｒ（ＢＰｉｎ）３（ｃｏｄ）、およびそれらの組合せからなる群から選択される、実施形態６６に記載の方法。
【０２５５】
６８．イリジウム前駆錯体が、Ｉｒ（Ｉ）−シクロオクテン前駆錯体を含む、実施形態５２から６５のいずれか１つに記載の方法。
【０２５６】
６９．Ｉｒ（Ｉ）−シクロオクテン前駆錯体が、［Ｉｒ（ＯＭｅ）ｃｏｅ］２、［Ｉｒ（Ｃｌ）ｃｏｅ］２、［Ｉｒ（ｃｏｅ）２］ＢＦ４、［Ｉｒ（ＯＨ）ｃｏｅ］２、［Ｉｒ（ＯＰｈ）ｃｏｅ］２、［Ｉｒ（ＯＡｃ）ｃｏｅ］２、（Ｉｎｄ）Ｉｒ（ｃｏｅ）、Ｉｒ（ａｃａｃ）ｃｏｅ、（ｄｔｂｐｙ）Ｉｒ（ＢＰｉｎ）３（ｃｏｅ）、（ｔｍｐ）Ｉｒ（ＢＰｉｎ）３（ｃｏｅ）、［ＩｒＣｌ（ｃｏｅ）２］２およびそれらの組合せからなる群から選択される、実施形態６８に記載の方法。
【０２５７】
７０．イリジウム前駆錯体が、Ｉｒ（Ｉ）−メシチレン前駆錯体を含む、実施形態５２から６５のいずれか１つに記載の方法。
【０２５８】
７１．Ｉｒ（Ｉ）−メシチレン前駆錯体が、（ＭｅｓＨ）Ｉｒ（ＢＰｉｎ）（Ｂ（ＯＲ１１）２）、（ＭｅｓＨ）Ｉｒ（ＢＰｉｎ）３およびそれらの組合せからなる群から選択され、ＢＰｉｎがピナコールボランであり、Ｒ１１が水素、線状または分岐状Ｃ１〜Ｃ８アルキル基、アリール基、またはＣ３〜Ｃ８シクロアルキル基である、実施形態７０に記載の方法。
【０２５９】
７２．イリジウム前駆錯体が、Ｉｒ（Ｉ）−ホスフィン前駆錯体を含む、実施形態５２から６５のいずれか１つに記載の方法。
【０２６０】
７３．Ｉｒ（Ｉ）−ホスフィン前駆錯体が、（ｄｐｐｂｚ）Ｉｒ（ＢＰｉｎ）３、（Ｉｎｄ）Ｉｒ（ｄｐｐｅ）、（ＰＭｅ３）２ＩｒＨ５、（（Ｒ１１）３Ｐ）２ＩｒＨ５、（（Ｒ１１）３Ｐ）３Ｉｒ（Ｂ（ＯＲ１１）２）３、（Ｒ１１）２Ｐ）２Ｉｒ（ＢＰｉｎ）３、（（（Ｒ１１）２Ｐ）３Ｉｒ（（Ｒ１１Ｏ）２Ｂ）３）２、（（Ｒ１１）３Ｐ）４Ｉｒ（ＢＰｉｎ）、（（Ｒ１１）３Ｐ）２ＩｒＨｘ（Ｂ（ＯＲ１１）２）５−ｘおよびそれらの組合せからなる群から選択され、ｘは、０〜４の間の整数であり、ｄｐｐｂｚは、１，２−ビス（ジフェニルホスフィノ）ベンゼンであり、ＢＰｉｎはピナコールボランであり、Ｒ１１は水素、線状または分岐状Ｃ１〜Ｃ８アルキル基、アリール基、またはＣ３〜Ｃ８シクロアルキル基である、実施形態７２に記載の方法。
【０２６１】
７４．イリジウム前駆錯体が、Ｉｒ（Ｉ）−１，２，３，４，５−メチルシクロペンタジエニル前駆錯体を含む、実施形態５２から６５のいずれか１つに記載の方法。
【０２６２】
７５．Ｉｒ（Ｉ）−１，２，３，４，５−メチルシクロペンタジエニル前駆錯体が、（Ｃｐ＊）Ｉｒ（Ｈ）２（Ｍｅ３Ｐ）、（Ｃｐ＊）Ｉｒ（Ｈ）（ＢＰｉｎ）（Ｍｅ３Ｐ）、（Ｃｐ＊）Ｉｒ（Ｈ）（Ｃ６Ｈ５）（Ｍｅ３Ｐ）およびそれらの組合せからなる群から選択される、実施形態７４に記載の方法。
【０２６３】
７６．単座ピリジン配位子が、以下の式により定義される化合物
【０２６４】
【化６７】
0006434522.tif 000075
（式中、Ａは、出現毎に独立して、水素、ハロゲン、−ＯＲ１３、−ＮＲ１４Ｒ１５、−Ｃ（＝Ｏ）Ｒ１６、−ＯＣ（＝Ｏ）Ｒ１６、ニトリル基、Ｃ１〜Ｃ６アルキル基、Ｃ１〜Ｃ６ハロアルキル基およびＣ１〜Ｃ６アミノアルキル基であり、Ｒ１３、Ｒ１４およびＲ１５の各々は、出現毎に個別に、水素、Ｃ１〜Ｃ６アルキル基またはアリール基であり、Ｒ１６は、出現毎に個別に、水素、−ＯＲ１３、−ＮＲ１４Ｒ１５、Ｃ１〜Ｃ６アルキル基またはアリール基であるが、
但し、Ａの１つまたは複数が水素ではないことを条件とする）
を含む、実施形態５２から７５のいずれかに記載の方法。
【０２６５】
７７．単座ピリジン配位子が、以下の式により定義されるピリジン
【０２６６】
【化６８】
0006434522.tif 000076
（式中、Ａは、出現毎に独立して、水素、ハロゲン、−ＯＲ１３、−ＮＲ１４Ｒ１５、−Ｃ（＝Ｏ）Ｒ１６、−ＯＣ（＝Ｏ）Ｒ１６、ニトリル基、Ｃ１〜Ｃ６アルキル基、Ｃ１〜Ｃ６ハロアルキル基およびＣ１〜Ｃ６アミノアルキル基であり、Ｒ１３、Ｒ１４およびＲ１５の各々は、出現毎に個別に、水素、Ｃ１〜Ｃ６アルキル基またはアリール基であり、Ｒ１６は、出現毎に個別に、水素、−ＯＲ１３、−ＮＲ１４Ｒ１５、Ｃ１〜Ｃ６アルキル基またはアリール基であるが、
但し、Ａの１つまたは複数が水素ではないことを条件とする）
を含む、実施形態７６に記載の方法。
【０２６７】
７８．単座ピリジン配位子が、以下の式により定義されるピリジン
【０２６８】
【化６９】
0006434522.tif 000077
（式中、Ａは、出現毎に独立して、水素、ハロゲン、−ＯＲ１３、−ＮＲ１４Ｒ１５、−Ｃ（＝Ｏ）Ｒ１６、−ＯＣ（＝Ｏ）Ｒ１６、ニトリル基、Ｃ１〜Ｃ６アルキル基、Ｃ１〜Ｃ６ハロアルキル基およびＣ１〜Ｃ６アミノアルキル基であり、Ｒ１３、Ｒ１４およびＲ１５の各々は、出現毎に個別に、水素、Ｃ１〜Ｃ６アルキル基またはアリール基であり、Ｒ１６は、出現毎に個別に、水素、−ＯＲ１３、−ＮＲ１４Ｒ１５、Ｃ１〜Ｃ６アルキル基またはアリール基であり、
Ｚ１は、ハロゲン、−ＯＲ１３、−ＮＲ１４Ｒ１５、−Ｃ（＝Ｏ）Ｒ１６、−ＯＣ（＝Ｏ）Ｒ１６、ニトリル基、Ｃ１〜Ｃ６アルキル基、Ｃ１〜Ｃ６ハロアルキル基およびＣ１〜Ｃ６アミノアルキル基であり、Ｒ１３、Ｒ１４およびＲ１５の各々は、出現毎に個別に、水素、Ｃ１〜Ｃ６アルキル基またはアリール基であり、Ｒ１６は、出現毎に個別に、水素、−ＯＲ１３、−ＮＲ１４Ｒ１５、Ｃ１〜Ｃ６アルキル基またはアリール基である）
を含む、実施形態７６または７７に記載の方法。
【０２６９】
７９．単座ピリジン配位子が、以下の式により定義されるピリジン
【０２７０】
【化７０】
0006434522.tif 000078
（式中、Ａは、水素、ハロゲン、−ＯＲ１３、−ＮＲ１４Ｒ１５、−Ｃ（＝Ｏ）Ｒ１６、−ＯＣ（＝Ｏ）Ｒ１６、ニトリル基、Ｃ１〜Ｃ６アルキル基、Ｃ１〜Ｃ６ハロアルキル基およびＣ１〜Ｃ６アミノアルキル基であり、Ｒ１３、Ｒ１４およびＲ１５の各々は、出現毎に個別に、水素、Ｃ１〜Ｃ６アルキル基またはアリール基であり、Ｒ１６は、出現毎に個別に、水素、−ＯＲ１３、−ＮＲ１４Ｒ１５、Ｃ１〜Ｃ６アルキル基またはアリール基であり、
Ｚ１は、出現毎に独立して、ハロゲン、−ＯＲ１３、−ＮＲ１４Ｒ１５、−Ｃ（＝Ｏ）Ｒ１６、−ＯＣ（＝Ｏ）Ｒ１６、ニトリル基、Ｃ１〜Ｃ６アルキル基、Ｃ１〜Ｃ６ハロアルキル基およびＣ１〜Ｃ６アミノアルキル基であり、Ｒ１３、Ｒ１４およびＲ１５の各々は、出現毎に個別に、水素、Ｃ１〜Ｃ６アルキル基またはアリール基であり、Ｒ１６は、出現毎に個別に、水素、−ＯＲ１３、−ＮＲ１４Ｒ１５、Ｃ１〜Ｃ６アルキル基またはアリール基である）
を含む、実施形態７６から７８のいずれかに記載の方法。
【０２７１】
８０．単座ピリジン配位子が、以下の式により定義されるピリジン
【０２７２】
【化７１】
0006434522.tif 000079
（式中、Ａは、出現毎に独立して、水素、ハロゲン、−ＯＲ１３、−ＮＲ１４Ｒ１５、−Ｃ（＝Ｏ）Ｒ１６、−ＯＣ（＝Ｏ）Ｒ１６、ニトリル基、Ｃ１〜Ｃ６アルキル基、Ｃ１〜Ｃ６ハロアルキル基およびＣ１〜Ｃ６アミノアルキル基であり、Ｒ１３、Ｒ１４およびＲ１５の各々は、出現毎に個別に、水素、Ｃ１〜Ｃ６アルキル基またはアリール基であり、Ｒ１６は、出現毎に個別に、水素、−ＯＲ１３、−ＮＲ１４Ｒ１５、Ｃ１〜Ｃ６アルキル基またはアリール基であり、
Ｚ１は、ハロゲン、−ＯＲ１３、−ＮＲ１４Ｒ１５、−Ｃ（＝Ｏ）Ｒ１６、−ＯＣ（＝Ｏ）Ｒ１６、ニトリル基、Ｃ１〜Ｃ６アルキル基、Ｃ１〜Ｃ６ハロアルキル基およびＣ１〜Ｃ６アミノアルキル基であり、Ｒ１３、Ｒ１４およびＲ１５の各々は、出現毎に個別に、水素、Ｃ１〜Ｃ６アルキル基またはアリール基であり、Ｒ１６は、出現毎に個別に、水素、−ＯＲ１３、−ＮＲ１４Ｒ１５、Ｃ１〜Ｃ６アルキル基またはアリール基である）
を含む、実施形態７６または７７に記載の方法。
【０２７３】
８１．単座ピリジン配位子が、以下の式により定義されるピリジン
【０２７４】
【化７２】
0006434522.tif 000080
（式中、Ｚ１は、出現毎に独立して、ハロゲン、−ＯＲ１３、−ＮＲ１４Ｒ１５、−Ｃ（＝Ｏ）Ｒ１６、−ＯＣ（＝Ｏ）Ｒ１６、ニトリル基、Ｃ１〜Ｃ６アルキル基、Ｃ１〜Ｃ６ハロアルキル基およびＣ１〜Ｃ６アミノアルキル基であり、Ｒ１３、Ｒ１４およびＲ１５の各々は、出現毎に個別に、水素、Ｃ１〜Ｃ６アルキル基またはアリール基であり、Ｒ１６は、出現毎に個別に、水素、−ＯＲ１３、−ＮＲ１４Ｒ１５、Ｃ１〜Ｃ６アルキル基またはアリール基である）
を含む、実施形態７６に記載の方法。
【０２７５】
８２．Ｚ１が、出現毎に独立して、−Ｆ、−Ｃｌ、−ＣＦ３、−Ｍｅ、−ＯＭｅ、−ＣＨ２ＮＨ２、−ＮＨＭｅ、−ＮＭｅ２、−ＮＰｈ２、フェニル、イソプロピル、ｔｅｒｔ−ブチル、または−ＣＯＣＨ３である、実施形態７８から８１のいずれかに記載の方法。
【０２７６】
８３．ホウ素化試薬が、以下：
【０２７７】
【化７３】
0006434522.tif 000081
の１つまたは複数から選択される、実施形態５２から８２のいずれかに記載の方法。
【０２７８】
８４．芳香族基質、第１のホウ素化アレーン、および第２のホウ素化アレーンが、形成される場合、−Ｃｌおよび−Ｂｒからなる群から選択される置換基をさらに含む、実施形態５２から８３のいずれかに記載の方法。
【０２７９】
８５．上記の芳香族基質が、以下の式により定義される化合物
【０２８０】
【化７４】
0006434522.tif 000082
（式中、
Ｘは、電子吸引基または指向型メタル化基から選択される部分であり、
Ｒ１は、水素、ハロゲン、−ＯＲ４、−ＮＲ５Ｒ６、−Ｃ（＝Ｏ）Ｒ７、ニトリル基、Ｃ１〜Ｃ６アルキル基またはＣ１〜Ｃ６ハロアルキル基であり、
Ｒ２は、水素、ハロゲン、−ＯＲ４、−ＮＲ５Ｒ６、−Ｃ（＝Ｏ）Ｒ７、ニトリル基、Ｃ１〜Ｃ６アルキル基またはＣ１〜Ｃ６ハロアルキル基であり、
Ｒ３は、−Ｃｌおよび−Ｂｒであり、
Ｒ４、Ｒ５およびＲ６の各々は、出現毎に個別に、水素またはＣ１〜Ｃ６アルキル基であり、
Ｒ７は、出現毎に個別に、水素、−ＯＲ４、−ＮＲ５Ｒ６またはＣ１〜Ｃ６アルキル基である）
を含み、
上記の第１のホウ素化アレーンが、以下の式によって定義される化合物
【０２８１】
【化７５】
0006434522.tif 000083
（式中、
Ｘ、Ｒ１、Ｒ２およびＲ３は、上記の通りであり、Ｙは、ボロン酸またはボロン酸誘導体である）
を含み、
上記の第２のホウ素化アレーンが、形成される場合、以下の式によって定義される化合物
【０２８２】
【化７６】
0006434522.tif 000084
（式中、
Ｘ、Ｒ１、Ｒ２およびＲ３は、上記の通りであり、Ｙは、ボロン酸またはボロン酸誘導体である）
を含み、
上記の第１のホウ素化アレーンと上記の第２のホウ素化アレーンとのモル比が、ＧＣ−ＦＩＤにより決定すると、少なくとも２５：１である、
実施形態５８から８４のいずれかに記載の方法。
【０２８３】
８６．第１のホウ素化アレーンを還元的に脱ハロゲン化して、脱ハロゲン化されたホウ素化アレーンを得るステップをさらに含む、実施形態８５に記載の方法。
【０２８４】
８７．第１のホウ素化アレーンを還元的に脱ハロゲン化するステップが、第１のホウ素化アレーンを還元的に脱ハロゲン化するのに有効な条件下で、第１のホウ素化アレーンを、ポリメチルヒドロシロキサン（ＰＭＨＳ）および遷移金属触媒に接触させるステップを含む、実施形態８６に記載の方法。
【０２８５】
８８．遷移金属触媒が、酢酸パラジウム（ＩＩ）を含む、実施形態８７に記載の方法。
【０２８６】
８９．第１のホウ素化アレーンを還元的に脱ハロゲン化するステップが、第１のホウ素化アレーンを還元的に脱ハロゲン化するのに有効な条件下で、第１のホウ素化アレーンをギ酸塩および遷移金属触媒に接触させるステップを含む、実施形態８６に記載の方法。
【０２８７】
９０．遷移金属触媒が、炭素担持パラジウムを含む、実施形態８９に記載の方法。
【０２８８】
９１．ギ酸塩が、ギ酸アンモニウムを含む、実施形態８９または９０に記載の方法。
【０２８９】
９２．ワンポット合成方法を使用して、第１のホウ素化アレーンが形成され、かつ還元的に脱ハロゲン化されて、脱ハロゲン化されたホウ素化アレーンが形成される、実施形態８６から９１のいずれかに記載の方法。
【０２９０】
９３．上記の第１のホウ素化アレーンまたは上記の脱ハロゲン化されたホウ素化アレーンを、ハロゲン化アリール、偽ハロゲン化アリール、ハロゲン化ビニルおよび偽ハロゲン化ビニルからなる群から選択される反応体、ならびに遷移金属触媒に接触させ、上記の第１のホウ素化アレーンまたは上記の脱ハロゲン化されたホウ素化アレーンと上記の反応体とをクロスカップリングするステップをさらに含む、実施形態５２から９２のいずれかに記載の方法。
【０２９１】
９４．１〜３つの置換基を含む置換アレーン環を含む基質であって、上記のアレーン環が、ＣＨ活性化に電子的に有利な第１の位置において置換されておらず、かつＣＨ活性化に立体的に有利な第２の位置において置換されていない、基質を用意するステップ、および
第１のホウ素化アレーンおよび場合により第２のホウ素化アレーンを形成するのに有効な条件下で、上記の基質を、イリジウム前駆錯体、単座配位子および二座配位子から選択される配位子、ならびにホウ素化試薬に接触させるステップであって、
上記の第１のホウ素化アレーンが、１〜３つの置換基、および上記の第１の位置にボロン酸またはボロン酸誘導体を含む、置換アレーン環を含み、
上記の第２のホウ素化アレーンが、形成される場合、１〜３つの置換基、および上記の第２の位置にボロン酸またはボロン酸誘導体を含む、置換アレーン環を含み、
上記の第１のホウ素化アレーンと上記の第２のホウ素化アレーンとのモル比が、ＧＣ−ＦＩＤにより決定すると、少なくとも１：１である、ステップ
を含む、ホウ素化アレーンを形成する方法。
【０２９２】
９５．アレーン環がフェニル環を含む、実施形態９４に記載の方法。
【０２９３】
９６．アレーン環がピリジン環を含む、実施形態９４に記載の方法。
【０２９４】
９７．ピリジン環が、２，４−二置換ピリジン環を含む、実施形態９６に記載の方法。
【０２９５】
９８．ピリジン環が、２，６−二置換ピリジン環を含む、実施形態９６に記載の方法。
【０２９６】
９９．ピリジン環が、２，４，６−三置換ピリジン環を含む、実施形態９６に記載の方法。
【０２９７】
１００．ピリジン環が、２−置換ピリジン環を含む、実施形態９６に記載の方法。
【０２９８】
１０１．１〜３つの置換基が、ハロゲン、−ＯＲ１３、−ＮＲ１４Ｒ１５、−Ｃ（＝Ｏ）Ｒ１６、−ＯＣ（＝Ｏ）Ｒ１６、ニトリル基、Ｃ１〜Ｃ６アルキル基、Ｃ１〜Ｃ６ハロアルキル基およびＣ１〜Ｃ６アミノアルキル基から個別に選択され、
Ｒ１３、Ｒ１４およびＲ１５の各々が、出現毎に個別に、水素、Ｃ１〜Ｃ６アルキル基、またはアリール基であり、Ｒ１６が、出現毎に個別に、水素、−ＯＲ１３、−ＮＲ１１６Ｒ１５、Ｃ１〜Ｃ６アルキル基またはアリール基である、
実施形態９４から１００のいずれかに記載の方法。
【０２９９】
１０２．アレーン環が、−Ｆおよび−ＣＦ３からなる群から選択される電子吸引基を含む、実施形態９４から１００のいずれかに記載の方法。
【０３００】
１０３．第１のホウ素化アレーンが、上記の電子吸引基に対しオルト位に、以下
【０３０１】
【化７７】
0006434522.tif 000085
の１つから選択されるボロン酸誘導体を含む、実施形態９４から１０２のいずれかに記載の方法。
【０３０２】
１０４．第１のホウ素化アレーンと第２のホウ素化アレーンとのモル比が、少なくとも３：１である、実施形態９４から１０３のいずれかに記載の方法。
【０３０３】
１０５．第１のホウ素化アレーンおよび第２のホウ素化アレーンへの転化率が、少なくとも３０％である、実施形態９４から１０４のいずれかに記載の方法。
【０３０４】
１０６．第１のホウ素化アレーンおよび第２のホウ素化アレーンへの転化率が、少なくとも５０％である、実施形態９４から１０５のいずれかに記載の方法。
【０３０５】
１０７．イリジウム前駆錯体が、Ｉｒ（Ｉ）−シクロオクタジエン前駆錯体を含む、実施形態９４から１０６のいずれかに記載の方法。
【０３０６】
１０８．Ｉｒ（Ｉ）−シクロオクタジエン前駆錯体が、［Ｉｒ（ＯＭｅ）ｃｏｄ］２、［Ｉｒ（Ｃｌ）ｃｏｄ］２、［Ｉｒ（ｃｏｄ）２］ＢＦ４、［Ｉｒ（ＯＨ）ｃｏｄ］２、［Ｉｒ（ＯＰｈ）ｃｏｄ］２、［Ｉｒ（ＯＡｃ）ｃｏｄ］２、（Ｉｎｄ）Ｉｒ（ｃｏｄ）、Ｉｒ（ａｃａｃ）ｃｏｄ、（ｄｔｂｐｙ）Ｉｒ（ＢＰｉｎ）３（ｃｏｄ）、（ｔｍｐ）Ｉｒ（ＢＰｉｎ）３（ｃｏｄ）、およびそれらの組合せからなる群から選択される、実施形態１０７に記載の方法。
【０３０７】
１０９．イリジウム前駆錯体が、Ｉｒ（Ｉ）−シクロオクテン前駆錯体を含む、実施形態９４から１０６のいずれか１つに記載の方法。
【０３０８】
１１０．Ｉｒ（Ｉ）−シクロオクテン前駆錯体が、［Ｉｒ（ＯＭｅ）ｃｏｅ］２、［Ｉｒ（Ｃｌ）ｃｏｅ］２、［Ｉｒ（ｃｏｅ）２］ＢＦ４、［Ｉｒ（ＯＨ）ｃｏｅ］２、［Ｉｒ（ＯＰｈ）ｃｏｅ］２、［Ｉｒ（ＯＡｃ）ｃｏｅ］２、（Ｉｎｄ）Ｉｒ（ｃｏｅ）、Ｉｒ（ａｃａｃ）ｃｏｅ、（ｄｔｂｐｙ）Ｉｒ（ＢＰｉｎ）３（ｃｏｅ）、（ｔｍｐ）Ｉｒ（ＢＰｉｎ）３（ｃｏｅ）、［ＩｒＣｌ（ｃｏｅ）２］２およびそれらの組合せからなる群から選択される、実施形態１０９に記載の方法。
【０３０９】
１１１．イリジウム前駆錯体が、Ｉｒ（Ｉ）−メシチレン前駆錯体を含む、実施形態９４から１０６のいずれか１つに記載の方法。
【０３１０】
１１２．Ｉｒ（Ｉ）−メシチレン前駆錯体が、（ＭｅｓＨ）Ｉｒ（ＢＰｉｎ）（Ｂ（ＯＲ１１）２）、（ＭｅｓＨ）Ｉｒ（ＢＰｉｎ）３およびそれらの組合せからなる群から選択され、ＢＰｉｎがピナコールボランであり、Ｒ１１が水素、線状または分岐状Ｃ１〜Ｃ８アルキル基、アリール基、またはＣ３〜Ｃ８シクロアルキル基である、実施形態１１１に記載の方法。
【０３１１】
１１３．イリジウム前駆錯体が、Ｉｒ（Ｉ）−ホスフィン前駆錯体を含む、実施形態９４から１０６のいずれかに記載の方法。
【０３１２】
１１４．Ｉｒ（Ｉ）−ホスフィン前駆錯体が、（ｄｐｐｂｚ）Ｉｒ（ＢＰｉｎ）３、（Ｉｎｄ）Ｉｒ（ｄｐｐｅ）、（ＰＭｅ３）２ＩｒＨ５、（（Ｒ１１）３Ｐ）２ＩｒＨ５、（（Ｒ１１）３Ｐ）３Ｉｒ（Ｂ（ＯＲ１１）２）３、（Ｒ１１）２Ｐ）２Ｉｒ（ＢＰｉｎ）３、（（（Ｒ１１）２Ｐ）３Ｉｒ（（Ｒ１１Ｏ）２Ｂ）３）２、（（Ｒ１１）３Ｐ）４Ｉｒ（ＢＰｉｎ）、（（Ｒ１１）３Ｐ）２ＩｒＨｘ（Ｂ（ＯＲ１１）２）５−ｘおよびそれらの組合せからなる群から選択され、ｘは、０〜４の間の整数であり、ｄｐｐｂｚは、１，２−ビス（ジフェニルホスフィノ）ベンゼンであり、ＢＰｉｎはピナコールボランであり、Ｒ１１は水素、線状または分岐状Ｃ１〜Ｃ８アルキル基、アリール基、またはＣ３〜Ｃ８シクロアルキル基である、実施形態１１３に記載の方法。
【０３１３】
１１５．イリジウム前駆錯体が、Ｉｒ（Ｉ）−１，２，３，４，５−メチルシクロペンタジエニル前駆錯体を含む、実施形態９４から１０６のいずれかに記載の方法。
【０３１４】
１１６．Ｉｒ（Ｉ）−１，２，３，４，５−メチルシクロペンタジエニル前駆錯体が、（Ｃｐ＊）Ｉｒ（Ｈ）２（Ｍｅ３Ｐ）、（Ｃｐ＊）Ｉｒ（Ｈ）（ＢＰｉｎ）（Ｍｅ３Ｐ）、（Ｃｐ＊）Ｉｒ（Ｈ）（Ｃ６Ｈ５）（Ｍｅ３Ｐ）およびそれらの組合せからなる群から選択される、実施形態１１５に記載の方法。
【０３１５】
１１７．配位子が二座配位子を含む、実施形態９４から１０６のいずれかに記載の方法。
【０３１６】
１１８．二座配位子が電子不足二座配位子を含む、実施形態１１７に記載の方法。
【０３１７】
１１９．二座配位子が、１つまたは複数の電子吸引性置換基により置換されている、２，２’−ビピリジンを含む、実施形態１１７または１１８に記載の方法。
【０３１８】
１２０．二座配位子が、１つまたは複数のトリフルオロメチル基により置換されている、２，２’−ビピリジンを含む、実施形態１１７から１１９のいずれかに記載の方法。
【０３１９】
１２１．二座配位子が、式ＩＶａ、式ＩＶｂまたは式ＩＶｃによって定義される化合物
【０３２０】
【化７８】
0006434522.tif 000086
（式中、ｎは、０、１、２または３であり、Ｒ１０は、出現毎に独立して、水素、ハロゲン、ニトリル基、ニトロ基、Ｃ１〜Ｃ６アルキル基またはＣ１〜Ｃ６ペルフルオロアルキル基であるが、但し、二座配位子が式ＩＶａまたは式ＩＶｂにより定義される化合物を含む場合、Ｒ１０の１つまたは複数が水素ではないことを条件とする）
を含む、実施形態１１７から１２０のいずれかに記載の方法。
【０３２１】
１２２．Ｒ１０の１つまたは複数が、−Ｆおよび−ＣＦ３から選択される、実施形態１２１に記載の方法。
【０３２２】
１２３．二座配位子が、以下：
【０３２３】
【化７９】
0006434522.tif 000087
の１つまたは複数から選択される、実施形態１１７から１２２のいずれかに記載の方法。
【０３２４】
１２４．配位子が、単座配位子を含む、実施形態９４から１０６のいずれかに記載の方法。
【０３２５】
１２５．単座配位子が、ピリジン配位子を含む、実施形態１２４に記載の方法。
【０３２６】
１２６．ピリジン配位子が、以下の式により定義されるピリジン
【０３２７】
【化８０】
0006434522.tif 000088
（式中、Ａは、出現毎に独立して、水素、ハロゲン、−ＯＲ１３、−ＮＲ１４Ｒ１５、−Ｃ（＝Ｏ）Ｒ１６、−ＯＣ（＝Ｏ）Ｒ１６、ニトリル基、Ｃ１〜Ｃ６アルキル基、Ｃ１〜Ｃ６ハロアルキル基およびＣ１〜Ｃ６アミノアルキル基であり、Ｒ１３、Ｒ１４およびＲ１５の各々は、出現毎に個別に、水素、Ｃ１〜Ｃ６アルキル基またはアリール基であり、Ｒ１６は、出現毎に個別に、水素、−ＯＲ１３、−ＮＲ１４Ｒ１５、Ｃ１〜Ｃ６アルキル基またはアリール基であるが、
但し、Ａの１つまたは複数が水素ではないことを条件とする）
を含む、実施形態１２５に記載の方法。
【０３２８】
１２７．ピリジン配位子が、以下の式により定義されるピリジン
【０３２９】
【化８１】
0006434522.tif 000089
（式中、Ａは、出現毎に独立して、水素、ハロゲン、−ＯＲ１３、−ＮＲ１４Ｒ１５、−Ｃ（＝Ｏ）Ｒ１６、−ＯＣ（＝Ｏ）Ｒ１６、ニトリル基、Ｃ１〜Ｃ６アルキル基、Ｃ１〜Ｃ６ハロアルキル基およびＣ１〜Ｃ６アミノアルキル基であり、Ｒ１３、Ｒ１４およびＲ１５の各々は、出現毎に個別に、水素、Ｃ１〜Ｃ６アルキル基またはアリール基であり、Ｒ１６は、出現毎に個別に、水素、−ＯＲ１３、−ＮＲ１４Ｒ１５、Ｃ１〜Ｃ６アルキル基またはアリール基であるが、
但し、Ａの１つまたは複数が水素ではないことを条件とする）
を含む、実施形態１２５または１２６に記載の方法。
【０３３０】
１２８．ピリジン配位子が、以下の式により定義されるピリジン
【０３３１】
【化８２】
0006434522.tif 000090
（式中、Ａは、出現毎に独立して、水素、ハロゲン、−ＯＲ１３、−ＮＲ１４Ｒ１５、−Ｃ（＝Ｏ）Ｒ１６、−ＯＣ（＝Ｏ）Ｒ１６、ニトリル基、Ｃ１〜Ｃ６アルキル基、Ｃ１〜Ｃ６ハロアルキル基およびＣ１〜Ｃ６アミノアルキル基であり、Ｒ１３、Ｒ１４およびＲ１５の各々は、出現毎に個別に、水素、Ｃ１〜Ｃ６アルキル基またはアリール基であり、Ｒ１６は、出現毎に個別に、水素、−ＯＲ１３、−ＮＲ１４Ｒ１５、Ｃ１〜Ｃ６アルキル基またはアリール基であり、
Ｚ１は、ハロゲン、−ＯＲ１３、−ＮＲ１４Ｒ１５、−Ｃ（＝Ｏ）Ｒ１６、−ＯＣ（＝Ｏ）Ｒ１６、ニトリル基、Ｃ１〜Ｃ６アルキル基、Ｃ１〜Ｃ６ハロアルキル基およびＣ１〜Ｃ６アミノアルキル基であり、Ｒ１３、Ｒ１４およびＲ１５の各々は、出現毎に個別に、水素、Ｃ１〜Ｃ６アルキル基またはアリール基であり、Ｒ１６は、出現毎に個別に、水素、−ＯＲ１３、−ＮＲ１４Ｒ１５、Ｃ１〜Ｃ６アルキル基またはアリール基である）
を含む、実施形態１２５から１２７のいずれかに記載の方法。
【０３３２】
１２９．ピリジン配位子が、以下の式により定義されるピリジン
【０３３３】
【化８３】
0006434522.tif 000091
（式中、Ａは、水素、ハロゲン、−ＯＲ１３、−ＮＲ１４Ｒ１５、−Ｃ（＝Ｏ）Ｒ１６、−ＯＣ（＝Ｏ）Ｒ１６、ニトリル基、Ｃ１〜Ｃ６アルキル基、Ｃ１〜Ｃ６ハロアルキル基およびＣ１〜Ｃ６アミノアルキル基であり、Ｒ１３、Ｒ１４およびＲ１５の各々は、出現毎に個別に、水素、Ｃ１〜Ｃ６アルキル基またはアリール基であり、Ｒ１６は、出現毎に個別に、水素、−ＯＲ１３、−ＮＲ１４Ｒ１５、Ｃ１〜Ｃ６アルキル基またはアリール基であり、
Ｚ１は、出現毎に独立して、ハロゲン、−ＯＲ１３、−ＮＲ１４Ｒ１５、−Ｃ（＝Ｏ）Ｒ１６、−ＯＣ（＝Ｏ）Ｒ１６、ニトリル基、Ｃ１〜Ｃ６アルキル基、Ｃ１〜Ｃ６ハロアルキル基およびＣ１〜Ｃ６アミノアルキル基であり、Ｒ１３、Ｒ１４およびＲ１５の各々は、出現毎に個別に、水素、Ｃ１〜Ｃ６アルキル基またはアリール基であり、Ｒ１６は、出現毎に個別に、水素、−ＯＲ１３、−ＮＲ１４Ｒ１５、Ｃ１〜Ｃ６アルキル基またはアリール基である）
を含む、実施形態１２５から１２８のいずれかに記載の方法。
【０３３４】
１３０．ピリジン配位子が、以下の式により定義されるピリジン
【０３３５】
【化８４】
0006434522.tif 000092
（式中、Ａは、出現毎に独立して、水素、ハロゲン、−ＯＲ１３、−ＮＲ１４Ｒ１５、−Ｃ（＝Ｏ）Ｒ１６、−ＯＣ（＝Ｏ）Ｒ１６、ニトリル基、Ｃ１〜Ｃ６アルキル基、Ｃ１〜Ｃ６ハロアルキル基およびＣ１〜Ｃ６アミノアルキル基であり、Ｒ１３、Ｒ１４およびＲ１５の各々は、出現毎に個別に、水素、Ｃ１〜Ｃ６アルキル基またはアリール基であり、Ｒ１６は、出現毎に個別に、水素、−ＯＲ１３、−ＮＲ１４Ｒ１５、Ｃ１〜Ｃ６アルキル基またはアリール基であり、
Ｚ１は、ハロゲン、−ＯＲ１３、−ＮＲ１４Ｒ１５、−Ｃ（＝Ｏ）Ｒ１６、−ＯＣ（＝Ｏ）Ｒ１６、ニトリル基、Ｃ１〜Ｃ６アルキル基、Ｃ１〜Ｃ６ハロアルキル基およびＣ１〜Ｃ６アミノアルキル基であり、Ｒ１３、Ｒ１４およびＲ１５の各々は、出現毎に個別に、水素、Ｃ１〜Ｃ６アルキル基またはアリール基であり、Ｒ１６は、出現毎に個別に、水素、−ＯＲ１３、−ＮＲ１４Ｒ１５、Ｃ１〜Ｃ６アルキル基またはアリール基である）
を含む、実施形態１２５から１２７のいずれかに記載の方法。
【０３３６】
１３１．ピリジン配位子が、以下の式により定義されるピリジン
【０３３７】
【化８５】
0006434522.tif 000093
（式中、Ｚ１は、出現毎に独立して、ハロゲン、−ＯＲ１３、−ＮＲ１４Ｒ１５、−Ｃ（＝Ｏ）Ｒ１６、−ＯＣ（＝Ｏ）Ｒ１６、ニトリル基、Ｃ１〜Ｃ６アルキル基、Ｃ１〜Ｃ６ハロアルキル基およびＣ１〜Ｃ６アミノアルキル基であり、Ｒ１３、Ｒ１４およびＲ１５の各々は、出現毎に個別に、水素、Ｃ１〜Ｃ６アルキル基またはアリール基であり、Ｒ１６は、出現毎に個別に、水素、−ＯＲ１３、−ＮＲ１４Ｒ１５、Ｃ１〜Ｃ６アルキル基またはアリール基である）
を含む、実施形態１２５または１２６に記載の方法。
【０３３８】
１３２．Ｚ１が、出現毎に独立して、−Ｆ、−Ｃｌ、−ＣＦ３、−Ｍｅ、−ＯＭｅ、−ＣＨ２ＮＨ２、−ＮＨＭｅ、−ＮＭｅ２、−ＮＰｈ２、フェニル、イソプロピル、ｔｅｒｔ−ブチル、または−ＣＯＣＨ３である、実施形態１２８から１３１のいずれかに記載の方法。
【０３３９】
１３３．ホウ素化試薬が、以下：
【０３４０】
【化８６】
0006434522.tif 000094
の１つまたは複数から選択される、実施形態９４から１３２のいずれかに記載の方法。
【０３４１】
１３４．置換アレーン環、第１のホウ素化アレーン、および、形成される場合、第２のホウ素化アレーンが、−Ｃｌおよび−Ｂｒからなる群から選択される置換基を含む、実施形態９４から１３３のいずれかに記載の方法。
【０３４２】
１３５．第１のホウ素化アレーンを還元的に脱ハロゲン化して、脱ハロゲン化されたホウ素化アレーンを得るステップをさらに含む、実施形態１３４に記載の方法。
【０３４３】
１３６．第１のホウ素化アレーンを還元的に脱ハロゲン化するステップが、第１のホウ素化アレーンを還元的に脱ハロゲン化するのに有効な条件下で、第１のホウ素化アレーンを、ポリメチルヒドロシロキサン（ＰＭＨＳ）および遷移金属触媒に接触させるステップを含む、実施形態１３５に記載の方法。
【０３４４】
１３７．遷移金属触媒が、酢酸パラジウム（ＩＩ）を含む、実施形態１３６に記載の方法。
【０３４５】
１３８．第１のホウ素化アレーンを還元的に脱ハロゲン化するステップが、第１のホウ素化アレーンを還元的に脱ハロゲン化するのに有効な条件下で、第１のホウ素化アレーンをギ酸塩および遷移金属触媒に接触させるステップを含む、実施形態１３５に記載の方法。
【０３４６】
１３９．遷移金属触媒が、炭素担持パラジウムを含む、実施形態１３８に記載の方法。
【０３４７】
１４０．ギ酸塩が、ギ酸アンモニウムを含む、実施形態１３８または１３９に記載の方法。
【０３４８】
１４１．ワンポット合成方法を使用して、第１のホウ素化アレーンが形成され、かつ還元的に脱ハロゲン化されて、脱ハロゲン化されたホウ素化アレーンが形成される、実施形態１３５から１４０のいずれかに記載の方法。
【０３４９】
１４２．上記の第１のホウ素化アレーンまたは上記の脱ハロゲン化されたホウ素化アレーンを、ハロゲン化アリール、偽ハロゲン化アリール、ハロゲン化ビニルおよび偽ハロゲン化ビニルからなる群から選択される反応体、ならびに遷移金属触媒に接触させ、上記の第１のホウ素化アレーンまたは上記の脱ハロゲン化されたホウ素化アレーンと上記の反応体とをクロスカップリングするステップをさらに含む、実施形態９４から１４１のいずれかに記載の方法。
【０３５０】
非限定的例示として、本開示のある種の実施形態の例が以下に示される。
【実施例】
【０３５１】
材料および方法
別段の指定がない限り、反応は、窒素雰囲気下、磁気撹拌および１Ｈ  ＮＭＲ分光法によりモニタリングしながら、オーブンにより乾燥したガラス器具中で実施した。テトラヒドロフラン（ＴＨＦ）は、窒素下、ナトリウム／ベンゾフェノンから新しく蒸留した。酢酸パラジウム（ＩＩ）（Ｐｄ（ＯＡｃ）２）は、Ｓｔｒｅｍ  Ｃｈｅｍｉｃａｌｓ、Ｉｎｃ．（Ｎｅｗｂｕｒｙｐｏｒｔ、ＭＡ）から購入し、Ａ．Ｃ．Ｓ．グレードの無水フッ化カリウム（ＫＦ）およびポリメチルヒドロシロキサン（ＰＭＨＳ）は、Ｓｉｇｍａ  Ａｌｄｒｉｃｈ（Ｓｔ．Ｌｏｕｉｓ、ＭＯ）から購入した。フラッシュまたはカラムクロマトグラフィーは、Ｓｉｌｉｃｙｃｌｅ（Ｑｕｅｂｅｃ  Ｃｉｔｙ、カナダ）から購入したシリカゲル（２３０〜４００メッシュ）を用いて実施した。１Ｈ  ＮＭＲ、１３Ｃ  ＮＭＲ、１９Ｆおよび１１Ｂ  ＮＭＲスペクトルは、ＶｎｍｒＪ３．２Ａを実行する、７６００ＡＳ  ９６サンプルオートサンプラーを装備したＡｇｉｌｅｎｔ  ＤｉｒｅｃｔＤｒｉｖｅ２  ５００ＭＨｚ  ＮＭＲ分光計（１Ｈ  ＮＭＲは５００ＭＨｚ、１３Ｃ  ＮＭＲは１２５ＭＨｚ、１９Ｆ  ＮＭＲは４７０ＭＨｚ、および１１Ｂ  ＮＭＲは１６０ＭＨｚ）を使用して記録した。融点は、Ｔｈｏｍａｓ−Ｈｏｏｖｅｒキャピラリー融点装置で測定した。正確な質量分析は、Ｍｉｃｈｉｇａｎ  Ｓｔａｔｅ  Ｕｎｉｖｅｒｓｉｔｙの質量分析サービスセンターのＷａｔｅｒｓ  ＧＣＴ  Ｐｒｅｍｉｅｒガスクロマトグラフ／タイム−オブ−フライト質量分析計を使用して記録した。生成物は、ポジティブモードにおいて運転した電子イオン化源を使用してイオン化した。
【実施例１】
【０３５２】
１−クロロ−３−フルオロ−２−置換ベンゼンのホウ素化
１−クロロ−３−フルオロ−２−置換ベンゼンは、除草剤を含む様々な重要な化合物のための重要な合成用ビルディングブロックである。１−クロロ−３−フルオロ−２−置換ベンゼンのホウ素化を、フルオロ置換基に対しメタ位（「立体的生成物」と呼ばれる、立体的に有利な反応生成物）とは反対に、フルオロ置換基に対しオルト位（「電子的生成物」と呼ばれる、電子的に有利な反応生成物）において好ましくは触媒する、イリジウム触媒の能力を検討した。
【０３５３】
１−クロロ−３−フルオロ−２−置換ベンゼンのホウ素化の一般手順
以下のスキームは、代表的な１−クロロ−３−フルオロ−２−置換ベンゼンのホウ素化に使用した反応条件を例示している。
【０３５４】
【化８７】
0006434522.tif 000095
【０３５５】
窒素雰囲気のグローブボックス中、２０ミリリットル（ｍＬ）のバイアル中に、ビス（ピナコラト）ジボロン（Ｂ２Ｐｉｎ２；２５４ミリグラム（ｍｇ）、１．０ミリモル（ｍｍｏｌ））を秤量し、ＴＨＦ（２ｍＬ）に溶解した。得られた溶液を１０ｍＬのメスフラスコに移した。バイアルをＴＨＦ（３×１ｍＬ）により洗浄し、得られた溶液を上記のメスフラスコに移した。ＴＨＦを用いて、このメスフラスコ中の溶液を１０ｍＬの印まで希釈し、Ｂ２Ｐｉｎ２の０．１０モル濃度（Ｍ）の保存溶液を得た。ビス（１，５−シクロオクタジエン）ジ−μ−メトキシジイリジウム（Ｉ）（［Ｉｒ（ＯＭｅ）ｃｏｄ］２；３３．１ｍｇ、０．０５０ｍｍｏｌ）を２０ｍＬバイアルに秤量し、ＴＨＦ（２ｍＬ）に溶解した。得られた溶液を１０ｍＬのメスフラスコに移した。バイアルをＴＨＦ（３×１ｍＬ）により洗浄し、得られた溶液を上記のメスフラスコに移した。ＴＨＦを用いて、メスフラスコ中の溶液を１０ｍＬの印まで希釈し、［Ｉｒ（ＯＭｅ）ｃｏｄ］２の０．００５０Ｍの保存溶液を得た。配位子（０．１０ｍｍｏｌ）を２０ｍＬのバイアルに秤量し、ＴＨＦ（２ｍＬ）に溶解した。得られた溶液を１０ｍＬのメスフラスコに移した。バイアルをＴＨＦ（３×１ｍＬ）により洗浄し、得られた溶液を上記のメスフラスコに移した。ＴＨＦを用いて、メスフラスコ中の溶液を１０ｍＬの印まで希釈し、配位子の０．０１０Ｍの保存溶液を得た。
【０３５６】
Ｊ−Ｙｏｕｎｇ  ＮＭＲチューブに、［Ｉｒ（ＯＭｅ）ｃｏｄ］２（２００マイクロリットル（μＬ）、０．００１ｍｍｏｌ）の０．００５０Ｍ保存溶液、Ｂ２Ｐｉｎ２（１．０ｍＬ、０．１ｍｍｏｌ）の０．１０Ｍ保存溶液、および配位子（２００μＬ、０．００２ｍｍｏｌ）の０．０１０Ｍ保存溶液を投入した。このチューブに基質（１．０ｍｍｏｌ）を加えた。Ｊ−Ｙｏｕｎｇ  ＮＭＲチューブに栓をし、十分に振盪してこの液体を混合し、グローブボックスから取り出して、８０℃の油浴中で加熱した。反応の進行は、時々、油浴からチューブを取り出して、１９Ｆおよび１１Ｂ  ＮＭＲスペクトルを得ることによりモニタリングした。反応が完了したと判断した後、揮発物をロータリーエバポレーションによって除去した。次に、残渣をクーゲルロール蒸留により精製すると、ホウ素化生成物の位置化学混合物が得られた。立体的生成物と電子的生成物との比は、１９Ｆ  ＮＭＲ分光法およびＧＣ−ＦＩＤによって決定した。
【０３５７】
２−クロロ−６−フルオロトルエンのホウ素化
２−クロロ−６−フルオロトルエンは、上記の一般手順を使用し、配位子としてジ（ピリジン−２−イル）メタンを使用してホウ素化した。この反応を９６時間、実施すると、７６：２４の比の２−（３−クロロ−５−フルオロ−４−メチルフェニル）−４，４，５，５−テトラメチル−１，３，２−ジオキサボロラン（立体的生成物）および２−（４−クロロ−２−フルオロ−３−メチルフェニル）−４，４，５，５−テトラメチル−１，３，２−ジオキサボロラン（電子的生成物）が、白色固体（４９．３ｍｇ、ホウ素基準で９１％）として得られた。
【０３５８】
２−（３−クロロ−５−フルオロ−４−メチルフェニル）−４，４，５，５−テトラメチル−１，３，２−ジオキサボロラン（主要）：1H NMR (500 MHz, アセトン-d6) δ 7.51 (s, 1H), 7.30 (d, J = 9.3 Hz, 1H), 2.31 (d, J = 2.5 Hz, 3H), 1.34 (s, 12H); 19F NMR (470 MHz, アセトン-d6) δ-115.0 (dt, J = 9.3, 2.5 Hz); 13C NMR (125 MHz, アセトン-d6) δ 162.3 (d, J = 247.0 Hz), 136.5 (d, J = 4.8 Hz), 132.0 (d, J = 2.9 Hz), 128.4 (d, J = 20.0 Hz), 120.2, (d, J = 21.9 Hz), 85.3, 25.2, 12.2 (d, J = 4.3 Hz).
【０３５９】
２−（４−クロロ−２−フルオロ−３−メチルフェニル）−４，４，５，５−テトラメチル−１，３，２−ジオキサボロラン（少量）：1H NMR (500 MHz, アセトン-d6) δ 7.51 (m, 1H), 7.23 (d, J = 8.3 Hz, 1H), 2.23 (d, J = 2.5 Hz, 3H), 1.34 (s, 12H); 19F NMR (470 MHz, アセトン-d6) δ-102.4 (m); 13C NMR (125 MHz, アセトン-d6) δ 166.9 (d, J = 252.7 Hz), 136.9 (d, J = 6.7 Hz), 135.8 (d, J = 9.5 Hz), 126.0 (d, J = 3.8 Hz), 125.0 (d, J = 21.0 Hz), 84.8, 25.2, 11.8 (d, J = 4.8 Hz).
【０３６０】
２−クロロ−６−フルオロ−Ｎ，Ｎ−ジメチルアニリンのホウ素化
２−クロロ−６−フルオロ−Ｎ，Ｎ−ジメチルアニリンを、上記の一般手順を使用し、配位子として４，４’−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−２，２’−ビピリジンを使用してホウ素化した。この反応を６時間、実施すると、６９：３１の比の２−クロロ−６−フルオロ−Ｎ，Ｎ−ジメチル−４−（４，４，５，５−テトラメチル−１，３，２−ジオキサボロラン−２−イル）アニリン（立体的生成物）および６−クロロ−２−フルオロ−Ｎ，Ｎ−ジメチル−３−（４，４，５，５−テトラメチル−１，３，２−ジオキサボロラン−２−イル）アニリン（電子的生成物）が、無色油状物（５３．８ｍｇ、ホウ素基準で９０％）として得られた。
【０３６１】
２−クロロ−６−フルオロ−Ｎ，Ｎ−ジメチル−４−（４，４，５，５−テトラメチル−１，３，２−ジオキサボロラン−２−イル）アニリン（主要）：1H NMR (500 MHz, CDCl3) δ 7.51 (s, 1H), 7.28 (d, J = 12.2 Hz, 1H), 2.83 (d, J = 2.5 Hz, 6H), 1.26 (s, 12H); 19F NMR (470 MHz, CDCl3) δ -120.2 (d, J = 11.6 Hz).
【０３６２】
６−クロロ−２−フルオロ−Ｎ，Ｎ−ジメチル−３−（４，４，５，５−テトラメチル−１，３，２−ジオキサボロラン−２−イル）アニリン（少量）：1H NMR (500 MHz, CDCl3) δ 7.31 (dd, J = 7.8, 5.9 Hz, 1H), 7.08 (d, J = 7.8 Hz, 1H), 2.79 (d, J = 2.5 Hz, 6H), 1.30 (s, 12H); 19F NMR (470 MHz, CDCl3) δ -108.4 (br).
【０３６３】
混合物：13C NMR (125 MHz, CDCl3) δ 165.4 (d, J = 255.6 Hz), 159.7 (d, J = 250.8 Hz), 140.4 (d, J = 12.4 Hz), 137.7 (d, J = 16.2 Hz), 137.0 (d, J = 7.6 Hz), 132.0 (d, J = 2.9 Hz), 131.9, 131.8 (d, J = 10.5 Hz), 125.3 (d, J = 3.8 Hz), 121.0 (d, J = 20.0 Hz), 84.1, 83.9, 43.4 (d, J = 4.5 Hz), 43.2 (d, J = 4.8 Hz), 24.7.
【０３６４】
１−クロロ−２−エトキシ−３−フルオロベンゼンのホウ素化
１−クロロ−２−エトキシ−３−フルオロベンゼンを、上記の一般手順を使用し、配位子として４，４’−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−２，２’−ビピリジンを使用してホウ素化した。この反応を１２時間、実施すると、６４：３６の比の２−（３−クロロ−４−エトキシ−５−フルオロフェニル）−４，４，５，５−テトラメチル−１，３，２−ジオキサボロラン（立体的生成物）および２−（４−クロロ−３−エトキシ−２−フルオロフェニル）−４，４，５，５−テトラメチル−１，３，２−ジオキサボロラン（電子的生成物）が、無色油状物（５３．５ｍｇ、ホウ素基準で８９％）として得られた。
【０３６５】
２−（３−クロロ−４−エトキシ−５−フルオロフェニル）−４，４，５，５−テトラメチル−１，３，２−ジオキサボロラン（主要）：1H NMR (500 MHz, アセトン-d6) δ 7.52 (s, 1H), 7.37 (m, 1H), 4.22 (q, J = 6.9 Hz, 2H), 1.38 (t, J = 6.9 Hz, 3H, 別の異性体と重複), 1.33 (s, 12H); 19F NMR (470 MHz, アセトン-d6) δ -129.3 (d, J = 10.0 Hz).
【０３６６】
２−（４−クロロ−３−エトキシ−２−フルオロフェニル）−４，４，５，５−テトラメチル−１，３，２−ジオキサボロラン（少量）：1H NMR (500 MHz, アセトン-d6) δ 7.37 (m, 1H), 7.24 (dd, J = 8.3, 1.4 Hz, 1H), 4.14 (q, J = 6.9 Hz, 2H), 1.38 (t, J = 6.9 Hz, 3H), 1.34 (s, 12H); 19F NMR (470 MHz, アセトン-d6) δ -117.9 (d, J = 5.0 Hz).
【０３６７】
混合物：13C NMR (125 MHz, アセトン-d6) δ 161.5 (d, J = 254.2 Hz), 156.8 (d, J = 248.9 Hz), 146.7 (d, J = 13.9 Hz), 144.3 (d, J = 15.7 Hz), 132.8 (d, J = 3.8 Hz), 132.4 (d, J = 3.1 Hz), 131.6 (d, J = 9.1 Hz), 126.1 (d, J = 3.6 Hz), 121.7 (d, J = 18.1 Hz), 85.3, 84.9, 70.9 (d, J = 5.1 Hz), 70.8 (d, J = 4.3 Hz), 25.2, 25.0, 15.9, 15.9.
【０３６８】
１，２−ジクロロ−３−フルオロベンゼンのホウ素化
１，２−ジクロロ−３−フルオロベンゼンを、上記の一般手順を使用し、配位子として４，４’−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−２，２’−ビピリジンを使用してホウ素化した。この反応を６時間、実施すると、６０：４０の比の２−（３，４−ジクロロ−５−フルオロフェニル）−４，４，５，５−テトラメチル−１，３，２−ジオキサボロラン（立体的生成物）および２−（３，４−ジクロロ−２−フルオロフェニル）−４，４，５，５−テトラメチル−１，３，２−ジオキサボロラン（電子的生成物）が、白色固体（５４．５ｍｇ、ホウ素基準で９４％）として得られた。
【０３６９】
２−（３，４−ジクロロ−５−フルオロフェニル）−４，４，５，５−テトラメチル−１，３，２−ジオキサボロラン（主要）：1H NMR (500 MHz, CD3CN) δ 7.53 (s, 1H), 7.34 (dd, J = 8.8, 1.5 Hz, 1H), 1.28 (s, 12H); 19F NMR (470 MHz, CD3CN) δ -120.0 (d, J = 8.3 Hz); 13C NMR (125 MHz, CD3CN) δ159.4 (d, J = 250.8 Hz), 134.3, 132.2 (d J = 2.9 Hz), 123.8 (d, J = 20.0 Hz), 120.8 (d, J = 20.0 Hz), 85.7, 25.2.
【０３７０】
２−（３，４−ジクロロ−２−フルオロフェニル）−４，４，５，５−テトラメチル−１，３，２−ジオキサボロラン（少量）：1H NMR (500 MHz, CD3CN) δ 7.48 (dd, J = 7.8, 5.9 Hz, 1H), 7.25 (dd, J = 7.8, 1.0 Hz, 1H), 1.30 (s, 12H); 19F NMR (470 MHz, CD3CN) δ -100.7 (d, J = 5.0 Hz); 13C NMR (125.72 MHz, CD3CN) δ 163.4 (d, J = 254.6 Hz), 137.5, 135.5 (d, J = 9.5 Hz), 126.6 (d, J = 3.8 Hz), 121.1 (d, J = 21.9 Hz), 85.4, 25.2.
【０３７１】
１−クロロ−２，３−ジフルオロベンゼンのホウ素化
１−クロロ−２，３−ジフルオロベンゼンを、上記の一般手順を使用し、配位子として４，４’−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−２，２’−ビピリジンを使用してホウ素化した。この反応を１２時間、実施すると、５５：４５の比の２−（３−クロロ−４，５−ジフルオロフェニル）−４，４，５，５−テトラメチル−１，３，２−ジオキサボロラン（立体的生成物）および２−（４−クロロ−２，３−ジフルオロフェニル）−４，４，５，５−テトラメチル−１，３，２−ジオキサボロラン（電子的生成物）が、白色固体（５０．５ｍｇ、ホウ素基準で９２％）として得られた。
【０３７２】
２−（３−クロロ−４，５−ジフルオロフェニル）−４，４，５，５−テトラメチル−１，３，２−ジオキサボロラン（主要）：1H NMR (500 MHz, CDCl3) δ 7.58 (dt, J = 6.9, 1.5 Hz, 1H), 7.46 (m, 1H), 1.31 (s, 12H); 19F NMR (470 MHz, CD3CN) δ -134.5 (m, 1F), -135.9 (dd, J = 21.6, 10.0 Hz, 1F).
【０３７３】
２−（４−クロロ−２，３−ジフルオロフェニル）−４，４，５，５−テトラメチル−１，３，２−ジオキサボロラン（少量）：1H NMR (500 MHz, CDCl3) δ 7.38 (m, 1H), 7.13 (m, 1H), 1.33 (s, 12H); 19F NMR (470 MHz, CD3CN) δ -125.5 (dd, J = 21.6, 5.0 Hz, 1F), -139.9 (dd, J = 20.7, 5.8 Hz, 1F).
【０３７４】
混合物：13C NMR (125 MHz, CDCl3) δ 155.0 (dd, J = 255.7, 11.6 Hz), 150.7 (dd, J = 251.9, 12.0 Hz), 149.0 (dd, J = 254.5, 14.7 Hz), 147.1 (dd, J = 251.3, 16.5 Hz), 131.8 (d, J = 3.3 Hz), 130.6 (dd, J = 8.1, 5.2 Hz), 125.6 (dd, J = 14.4, 1.8 Hz), 125.1, (dd, J = 3.7, 1.5 Hz), 122.3 (d, J = 14.3 Hz), 121.5 (d, J = 15.7 Hz), 84.6, 84.4, 24.8, 24.8.
【０３７５】
１−クロロ−２−エトキシ−３−フルオロベンゼンのホウ素化
以下のスキームは、１−クロロ−２−エトキシ−３−フルオロベンゼンのホウ素化に使用した反応方法を例示している。
【０３７６】
【化８８】
0006434522.tif 000096
【０３７７】
窒素雰囲気のグローブボックス中、［Ｉｒ（ＯＭｅ）ｃｏｄ］２（３３．１ｍｇ、０．０５ｍｍｏｌ）を２０ｍＬのバイアルに入れた。固体がＮ−メチルピロリジン−２−オン（ＮＭＰ；１ｍＬ）に部分的に溶解し、１０ｍＬのメスフラスコに移した。バイアル中に残った残渣をＮＭＰ（４×１ｍＬ）により処理し、得られた溶液を上記のメスフラスコに移した。次に、この混合物を１０ｍＬの印までＮＭＰにより希釈し、０．００５Ｍの［Ｉｒ（ＯＭｅ）ｃｏｄ］２保存溶液にした。４，４’，５，５’−テトラヒドロ−２，２’−ビオキサゾール（ｂｏｘ；１４．０ｍｇ、０．１ｍｍｏｌ）を２０ｍＬのバイアルに入れた。固体がＮＮＭＰ（１ｍＬ）に部分的に溶解し、１０ｍＬのメスフラスコに移した。バイアル中に残った残渣をＮＭＰ（４×１ｍＬ）により処理し、得られた溶液を上記のメスフラスコに移した。この混合物を１０ｍＬの印までＮＭＰにより希釈し、０．０１Ｍのｂｏｘ保存溶液にした。
【０３７８】
マイクロ撹拌子を備えた、Ｂ２Ｐｉｎ２（２５４ｍｇ、１．０ｍｍｏｌ）を含有する２０ｍＬのガラス製バイアルに、［Ｉｒ（ＯＭｅ）ｃｏｄ］２保存溶液（２．０ｍＬ、０．０１ｍｍｏｌの［Ｉｒ（ＯＭｅ）ｃｏｄ］２）およびｂｏｘ保存溶液（２．０ｍＬ、０．０２ｍｍｏｌのｂｏｘ）を加えた。この混合物を３０分間（ｍｉｎ）、撹拌した。１−クロロ−２−エトキシ−３−フルオロベンゼン（７５０μＬ、５ｍｍｏｌ）を加えた。この反応物を室温（ｒｔ）で２４時間（ｈ）、撹拌した。ガスクロマトグラフ−質量分光法（ＧＣ−ＭＳ）分析により、Ｂ２Ｐｉｎ２が完全に消費したことが示された。ＧＣ−ＦＩＤにより、電子的生成物：立体的生成物が６５：３５の比であることが示された。この粗製反応混合物を水（２０ｍＬ）と撹拌し、ジエチルエーテル（Ｅｔ２Ｏ；３×５ｍＬ）により抽出した。エーテル相を硫酸マグネシウム（ＭｇＳＯ４）により脱水してろ過し、溶媒を減圧下で除去した。残渣をクーゲルロール蒸留（２ｍｍＨｇ）により精製した。第１のフラクション（室温）は、原料の１−クロロ−２−エトキシ−３−フルオロベンゼンであり、無色油状物（４１１ｍｇが得られた。基質基準で４７％）として単離された。第２のフラクション（約１００℃）は、２−（４−クロロ−３−エトキシ−２−フルオロフェニル）−４，４，５，５−テトラメチル−１，３，２−ジオキサボロランと２−（３−クロロ−４−エトキシ−５−フルオロフェニル）−４，４，５，５−テトラメチル−１，３，２−ジオキサボロラン（１９Ｆ  ＮＭＲによる電子的生成物：立体的生成物の比は６６：３４、ＧＣ−ＦＩＤによる電子的生成物：立体的生成物の比は６６：３４）との混合物を、無色油状物（１５２ｍｇ、ホウ素基準で２５．３％）として含有した。
【０３７９】
２−（３−クロロ−４−エトキシ−５−フルオロフェニル）−４，４，５，５−テトラメチル−１，３，２−ジオキサボロラン（少量）：1H NMR (500 MHz, アセトン-d6) δ 7.52 (s, 1H), 7.37 (m, 1H, 別の異性体と重複), 4.22 (q, J = 6.9 Hz, 2H), 1.38 (t, J = 6.9 Hz, 3H, 別の異性体と重複), 1.33 (s, 12H, 別の異性体と重複); 19F NMR (470 MHz, アセトン-d6) δ -129.3 (d, J = 10.0 Hz).
【０３８０】
２−（４−クロロ−３−エトキシ−２−フルオロフェニル）−４，４，５，５−テトラメチル−１，３，２−ジオキサボロラン（主要）：1H NMR (500 MHz, アセトン-d6) δ 7.37 (m, 1H, 別の異性体と重複), 7.24 (dd, J = 8.3, 1.4 Hz, 1H), 4.14 (q, J = 6.9 Hz, 2H), 1.38 (t, J = 6.9 Hz, 3H, 別の異性体と重複), 1.34 (s, 12H, 別の異性体と重複); 19F NMR (470 MHz, アセトン-d6) δ -117.9 (d, J = 5.0 Hz).
【０３８１】
混合物：13C NMR (125 MHz, アセトン-d6) δ 161.5 (d, J = 254.2 Hz), 156.8 (d, J = 248.9 Hz), 146.7 (d, J = 13.9 Hz), 144.3 (d, J = 15.7 Hz), 132.8 (d, J = 3.8 Hz), 132.4 (d, J = 3.1 Hz), 131.6 (d, J = 9.1 Hz), 126.1 (d, J = 3.6 Hz), 121.7 (d, J = 18.1 Hz), 85.3, 84.9, 70.9 (d, J = 5.1 Hz), 70.8 (d, J = 4.3 Hz), 25.2, 25.0, 15.9, 15.9.
【０３８２】
様々な条件下での、１，２−ジクロロ−３−フルオロベンゼンおよび２−クロロ−６−フルオロトルエンのホウ素化
上記のホウ素化方法をさらに評価するために、様々な配位子を使用し、上記の一般的方法を使用して、１，２−ジクロロ−３−フルオロベンゼンおよび２−クロロ−６−フルオロトルエンをホウ素化した。以下のスキームは、１，２−ジクロロ−３−フルオロベンゼンおよび２−クロロ−６−フルオロトルエンのホウ素化に使用した反応方法を例示している。
【０３８３】
【化８９】
0006434522.tif 000097
【０３８４】
これらの試験の結果を表１にまとめている。表１に示されている通り、ホウ素化反応において、４，４’，５，５’−テトラヒドロ−２，２’−ビオキサゾール（ｂｏｘ）などの電子不足配位子を使用することにより、電子的生成物が有利になり得た。ホウ素化反応の分析により、ホウ素化反応において、立体的なかさ高さがより小さな配位子を使用することにより、電子的生成物が有利になり得ることも示唆された。
【０３８５】
【表１】
0006434522.tif 000098
【０３８６】
２−クロロ−６−フルオロベンゾニトリルのホウ素化
以下のスキームは、２−クロロ−６−フルオロベンゾニトリルのホウ素化に使用した反応方法を例示している。
【０３８７】
【化９０】
0006434522.tif 000099
【０３８８】
窒素雰囲気のグローブボックス中、撹拌子を含有する２０ｍＬのバイアル中で、Ｂ２Ｐｉｎ２（１２７ｍｇ、０．５ｍｍｏｌ）および［Ｉｒ（ＯＭｅ）ｃｏｄ］２（３．３ｍｇ、０．００５ｍｍｏｌ）をＨｕｎｉｇ塩基（２ｍＬ）に溶解した。４，４’−ビス（トリフルオロメチル）−２，２’−ビピリジン（ｂｔｆｂｐｙ；２．９ｍｇ、０．０１ｍｍｏｌ）を加えた。得られた溶液を室温で１時間、撹拌した。２−クロロ−６−フルオロベンゾニトリル（７７．５ｍｇ、０．５ｍｍｏｌ）を加えた。この反応物を室温で２４時間、撹拌した。ＧＣ−ＭＳにより、基質は残存していないこと、および２つの一ホウ素化生成物が形成していることが示された。揮発物は、ロータリーエバポレーションにより除去した。この残渣を水（１０ｍＬ）およびＥｔ２Ｏ（２ｍＬ）と撹拌した。エーテル相を分離し、水相をＥｔ２Ｏ（約２×２ｍＬ）により抽出した。合わせたエーテル溶液をＭｇＳＯ４で脱水し、溶媒をロータリーエバポレーションにより除去した。
【０３８９】
この残渣をクーゲルロール蒸留により精製すると、２−クロロ−６−フルオロ−４−（４，４，５，５−テトラメチル−１，３，２−ジオキサボロラン−２−イル）ベンゾニトリル（立体的生成物）および６−クロロ−２−フルオロ−３−（４，４，５，５−テトラメチル−１，３，２−ジオキサボロラン−２−イル）ベンゾニトリル（電子的生成物）からなる、ホウ素化生成物の位置化学混合物が４１：５９の比で、白色固体（１０５．１ｍｇ、アレーン基準で７４％）として得られた。
【０３９０】
２−クロロ−６−フルオロ−４−（４，４，５，５−テトラメチル−１，３，２−ジオキサボロラン−２−イル）ベンゾニトリル（少量）：1H NMR (500 MHz, CDCl3) δ 7.67 (s, 1H), 7.47 (d, J = 8.3 Hz, 1H), 1.32 (s, 12H); 19F NMR (470 MHz, CD3CN) δ -104.2 (d, J = 7.8 Hz).
【０３９１】
６−クロロ−２−フルオロ−３−（４，４，５，５−テトラメチル−１，３，２−ジオキサボロラン−２−イル）ベンゾニトリル（主要）：1H NMR (500 MHz, CDCl3) δ 7.86 (dd, J = 8.3, 6.4 Hz, 1H), 7.31 (d, J = 8.3 Hz, 1H), 1.31 (s, 12H); 19F NMR (470 MHz, CD3CN) δ-92.2 (d, J = 4.2 Hz).
【０３９２】
混合物：13C NMR (125 MHz, CDCl3) δ 167.8 (d, J = 266.8 Hz), 163.1 (d, J = 263.0 Hz), 141.4 (d, J = 10.3 Hz), 140.6 (d, J = 2.1 Hz), 137.2, 131.1 (d, J = 3.3 Hz), 125.2 (d, J = 3.6 Hz), 119.7 (d, J = 18.1 Hz), 111.3 (d, J = 2.1 Hz), 104.9 (d, J = 18.1 Hz), 103.1 (d, J = 20.3 Hz), 85.1, 84.7, 24.8, 24.7.
【０３９３】
ハイ−スループット基質／配位子スクリーニング
上記のホウ素化反応の分析により、ホウ素化反応において、４，４’−ビス（トリフルオロメチル）−２，２’−ビピリジン（ｂｔｆｂｐｙ）、４，４’，５，５’−テトラキス（トリフルオロメチル）−２，２’−ビピリジン（ｔｔｆｂｐｙ）、または４，４’，５，５’−テトラヒドロ−２，２’−ビオキサゾール（ｂｏｘ）などの電子不足配位子を使用することにより、電子的生成物が有利になり得ることが示唆された。上記のホウ素化反応の分析により、ホウ素化反応において、立体的なかさ高さがより小さな配位子を使用することにより、電子的生成物が有利になり得ることも示唆された。
【０３９４】
ハイ−スループットスクリーニングアッセイを使用して、２種の電子不足ビピリジン配位子（すなわち、電子吸引性置換基を含有する２種のビピリジン）をさらに評価した。以下のスキームは、ハイ−スループットスクリーニングアッセイにおいて、基質／配位子のペアを評価するために使用したホウ素化反応条件を例示している。
【０３９５】
【化９１】
0006434522.tif 000100
【０３９６】
窒素雰囲気のグローブボックス中、Ｂ２Ｐｉｎ２（４２３．３ｍｇ、１．６７ｍｍｏｌ）、［Ｉｒ（ＯＭｅ）ｃｏｄ］２（１１．１ｍｇ、０．０１６７ｍｍｏｌ）、および配位子（ｂｔｆｂｐｙ（９．７ｍｇ、０．０３３２ｍｍｏｌ）またはｔｔｆｂｐｙ（１４．３ｍｇ、０．０３３２ｍｍｏｌ））を２０ｍＬのバイアルに入れた。固体がＨｕｎｉｇ塩基（１ｍＬ）に部分的に溶解し、１０ｍＬのメスフラスコに移した。バイアル中に残った残渣をＨｕｎｉｇ塩基（４×１ｍＬ）により処理し、得られた溶液を上記のメスフラスコに移した。この混合物を１０ｍＬの印までＨｕｎｉｇ塩基により希釈した。このフラスコにマイクロ撹拌子を加え、この混合物を室温で１時間、撹拌し、Ｂ２Ｐｉｎ２／Ｉｒ／配位子の保存溶液を得た。マイクロ撹拌子を備え、基質（２位において、−ＣＨ３、−ＮＭｅ２、−ＯＥｔ、−Ｃｌ、−Ｆまたは−ＣＮにより置換されている、１−クロロ−３−フルオロ−２−置換ベンゼン、０．１ｍｍｏｌ）を含有する７００μＬのガラス製バイアルに、Ｂ２Ｐｉｎ２／Ｉｒ／配位子の保存溶液（３００μＬ、５０．０μｍｏｌのＢ２Ｐｉｎ２、０．５０μｍｏｌの［Ｉｒ（ＯＭｅ）ｃｏｄ］２、１．０μｍｏｌの配位子）を加えた。この方法で調製した各バイアルを、２４ウェルのハイ−スループットスクリーニングブロックに入れた。このブロックを密閉し、グローブボックスから取り出して、磁気撹拌しながら、６０℃で１２時間、加熱プレート上で加熱した。この時点で、試料アリコートを各バイアルから抜き取り、転化率および立体／電子的生成物の比を、１９Ｆ  ＮＭＲ分光法およびＧＣ−ＦＩＤにより決定した。
【０３９７】
ハイ−スループットスクリーニングの結果を表２に示している。大部分の場合に、１−クロロ−３−フルオロ−２−置換ベンゼンのフルオロ置換基に対しオルトでのホウ素化（電子的に有利な反応生成物）が有利であった。
【０３９８】
【表２】
0006434522.tif 000101
【実施例２】
【０３９９】
１−クロロ−３−フルオロ−２−置換ベンゼンのタンデムホウ素化／Ｓｕｚｕｋｉカップリング
ホウ素化アレーンは、有用な合成中間体となり得る。例えば、ホウ素化アレーンは、Ｓｕｚｕｋｉ型クロスカップリング反応などの様々なクロスカップリング反応に関与して、幅広い範囲の高度に官能基化された有機化合物を入手することができる。したがって、本明細書に記載されているホウ素化方法とその後のＳｕｚｕｋｉクロスカップリングとの適合性を検討した。
【０４００】
１，２−ジクロロ−３−フルオロベンゼンのタンデムＣ−Ｈ活性化／ホウ素化およびＳｕｚｕｋｉカップリング
【０４０１】
【化９２】
0006434522.tif 000102
【０４０２】
窒素のグローブボックス中、２０ｍＬのバイアル中で、Ｂ２Ｐｉｎ２（２５４ｍｇ、１．０ｍｍｏｌ）、［Ｉｒ（ＯＭｅ）ｃｏｄ］２（６．６ｍｇ、０．０１０ｍｍｏｌ、０．０２ｍｍｏｌのＩｒ）、ｂｔｆｂｐｙ（６．３ｍｇ、０．０２０ｍｍｏｌ）および１，２−ジクロロ−３−フルオロベンゼン（１１７μＬ、１．０ｍｍｏｌ）をＴＨＦ（２ｍＬ）に溶解し、６０℃で１２時間、撹拌した。粗製反応混合物の１９Ｆ  ＮＭＲ分析により、６７：３３の比の生成物に９３％で転化したことが示された。溶媒をロータリーエバポレーションにより除去した。クーゲルロール蒸留（０．２ｍｍＨｇ、１５０℃）により、２−（３，４−ジクロロ−２−フルオロフェニル）−４，４，５，５−テトラメチル−１，３，２−ジオキサボロランおよび２−（３，４−ジクロロ−５−フルオロフェニル）−４，４，５，５−テトラメチル−１，３，２−ジオキサボロランの固体の混合物が得られた（２５６ｍｇ、８８％、６７：３３の比）。
【０４０３】
撹拌子を有するスクリューキャップ付きチューブに、４−ヨード安息香酸メチル（２２８ｍｇ、０．８７ｍｍｏｌ）、Ｋ２ＣＯ３（２１８ｍｇ、１．５８ｍｍｏｌ）およびビス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（ＩＩ）ジクロリド（Ｐｄ（ＰＰｈ３）２Ｃｌ２；５．５ｍｇ、０．００８ｍｍｏｌ）を秤量した。水（１．６ｍＬ）を加えてＫ２ＣＯ３を溶解し、ＴＨＦ（６．４ｍＬ）中の２−（３，４−ジクロロ−２−フルオロフェニル）−４，４，５，５−テトラメチル−１，３，２−ジオキサボロランおよび２−（３，４−ジクロロ−５−フルオロフェニル）−４，４，５，５−テトラメチル−１，３，２−ジオキサボロラン（合わせて、２３２ｍｇ、０．８０ｍｍｏｌ、６７：３３）からなる混合物の溶液をスクリューキャップ付きチューブに加えた。この二相の混合物にアルゴンを３０分間、スパージングし、このチューブに栓をして６０℃の油浴中で加熱した。４時間後、ＧＣ−ＭＳ分析により、少量のヨウ素の存在、原料のボロン酸エステルが存在しないこと、およびＳｕｚｕｋｉカップリング生成物の重なりピークが示された。粗製反応混合物の１９Ｆ  ＮＭＲ分析により、１％の未同定ピークを含む、６８：３２の比の２つのＳｕｚｕｋｉ生成物が示された。
【０４０４】
粗製反応混合物を塩基性アルミナの短いプラグによりろ過し、このプラグをＥｔＯＡｃにより洗浄した。溶媒をロータリーエバポレーションにより除去した。ヘキサンとＥｔ２Ｏ（５０：１）との混合物を用いるシリカゲルカラム上で残渣を精製すると、３つのフラクション、すなわち３’，４’−ジクロロ−５’−フルオロ−［１，１’−ビフェニル］−４−カルボン酸メチル（８３．７ｍｇ、３３％）、３’，４’−ジクロロ−２’−フルオロ−［１，１’−ビフェニル］−４−カルボン酸メチル（４３．６ｍｇ、１７％）、および混合フラクション（５６．３ｍｇ、１５％、７％、６７：３３）が得られた。
【０４０５】
３’，４’−ジクロロ−２’−フルオロ−［１，１’−ビフェニル］−４−カルボン酸メチルを白色固体（５２．２ｍｇ、原料のアレーンから１７．４％）として単離した。ｍｐ１５０〜１５２℃；1H NMR (500 MHz, CDCl3) δ 8.10 (AABB, 実測J = 8.5 Hz, 2H), 7.56 (AABBの二重線, 実測J = 8.5, 1.7 Hz, 2H), 7.34 (m, ddに分割されている, 結合定数J = 8.5, 1.5 Hz, 1H), 7.28 (t, ddに分割されている, 結合定数J = 8.6, 7.3 Hz, 1 H), 3.93 (s, 3H); 19F NMR (470 MHz, CDCl3) δ -112.9 (dd, dqに分割されている, J = 7.5, 1.6 Hz); 13C NMR (126 MHz, CDCl3) δ 166.6, 155.8 (d, J = 253.2 Hz), 138.6 (d, J = 1.9Hz), 133.7, 129.9, 129.9, 128.8 (d, J = 3.1 Hz), 128.4 (d, J = 4.1 Hz), 127.8 (d, J = 14.1 Hz), 125.6 (d, J = 4.3 Hz), 121.7 (d, J = 20.7 Hz), 52.3.
【０４０６】
３’，４’−ジクロロ−５’−フルオロ−［１，１’−ビフェニル］−４−カルボン酸メチルを白色固体（８７．６ｍｇ、原料のアレーンから２９．３％）として単離した。ｍｐ１３４〜１３６℃；1H NMR (500 MHz, CDCl3) δ 8.09 (AABB, 実測J = 8.5 Hz, 2H), 7.57 (AABBの二重線, 実測J = 8.5, 2H), 7.50 (t, J = 1.9 Hz, 1H), 7.30 (dd, J = 9.4, 2.0 Hz, 1H), 3.93 (s, 3H); 19F NMR (470 MHz, CDCl3) δ -109.2 (dd, J = 9.5, 1.6 Hz); 13C NMR (126 MHz, CDCl3) δ 166.5, 159.0 (d, J = 251.1 Hz), 142.0 (d, J = 2.4 Hz), 140.2 (d, J = 8.3 Hz), 134.6 (d, J = 1.4 Hz), 130.4, 130.2, 126.8, 124.3 (d, J = 3.1 Hz), 120.4 (d, J = 19.8 Hz), 113.5 (d, J = 22.7 Hz), 52.3.
【０４０７】
１−クロロ−２，３−ジフルオロベンゼンのタンデムＣ−Ｈ活性化／ホウ素化およびＳｕｚｕｋｉカップリング
【０４０８】
【化９３】
0006434522.tif 000103
【０４０９】
窒素のグローブボックス中、撹拌子を有するシュレンクフラスコ中で、Ｂ２Ｐｉｎ２（１２７ｍｇ、０．５ｍｍｏｌ）、［Ｉｒ（ＯＭｅ）ｃｏｄ］２（６．６ｍｇ、０．０１ｍｍｏｌ）およびｔｔｆｂｐｙ（８．５ｍｇ、０．０２ｍｍｏｌ）をＨｕｎｉｇ塩基（２．０ｍＬ）に溶解し、この混合物を室温で１時間、撹拌した。１−クロロ−２，３−ジフルオロベンゼン（９３μＬ、１．０ｍｍｏｌ）を加えた。シュレンクフラスコをグローブボックスから取り出して、アルゴン雰囲気下に置き、６０℃の油浴中で６時間、加熱した。粗製反応混合物の１９Ｆ  ＮＭＲ分析により、出発材料の転化率が８５％、および８２：１８の比の２つの生成物であることが示された。溶媒をロータリーエバポレーションにより除去した。クーゲルロール蒸留（０．２ｍｍＨｇ、１５０℃）により、２−（４−クロロ−２，３−ジフルオロフェニル）−４，４，５，５−テトラメチル−１，３，２−ジオキサボロランおよび２−（３−クロロ−４，５−ジフルオロフェニル）−４，４，５，５−テトラメチル−１，３，２−ジオキサボロランの混合物が、無色油状物として得られ、これを冷却すると固化した（２１７ｍｇ、７９％、８２：１８の比）。
【０４１０】
撹拌子を有するスクリューキャップ付きチューブに、４−ヨード安息香酸メチル（２２８ｍｇ、０．８７ｍｍｏｌ）、Ｋ２ＣＯ３（２１８ｍｇ、１．５８ｍｍｏｌ）およびＰｄ（ＰＰｈ３）２Ｃｌ２（５．５ｍｇ、０．００８ｍｍｏｌ）を秤量した。水（１．６ｍＬ）を加えてＫ２ＣＯ３を溶解し、ＴＨＦ（６．４ｍＬ）中の２−（４−クロロ−２，３−ジフルオロフェニル）−４，４，５，５−テトラメチル−１，３，２−ジオキサボロランおよび２−（３−クロロ−４，５−ジフルオロフェニル）−４，４，５，５−テトラメチル−１，３，２−ジオキサボロランからなる混合物溶液をスクリューキャップ付きチューブに加えた。この二相の混合物にアルゴンを３０分間、スパージングし、このチューブに栓をして６０℃の油浴中で加熱した。４時間後、ＧＣ−ＭＳ分析により、少量のヨウ素の存在、原料のボロン酸エステルが存在しないこと、およびＳｕｚｕｋｉカップリング生成物の重なりピークが示された。粗製反応混合物の１９Ｆ  ＮＭＲ分析により、主要なＳｕｚｕｋｉ生成物であるボロン酸エステルが７２％、少量のＳｕｚｕｋｉ生成物であるボロン酸エステルが１３％（８５：１５の比）、および未同定ピークが１５％であることが示された。
【０４１１】
粗製反応混合物を塩基性アルミナの短いプラグによりろ過し、このプラグをＥｔＯＡｃにより洗浄した。溶媒をロータリーエバポレーションにより除去した。ヘキサンとＥｔ２Ｏ（２０：１）との混合物を用いるシリカゲルカラム上で残渣を精製すると、３’−クロロ−４’，５’−ジフルオロ−［１，１’−ビフェニル］−４−カルボン酸メチルおよび４’−クロロ−２’，３’−ジフルオロ−［１，１’−ビフェニル］−４−カルボン酸メチルの混合物が得られた。
【０４１２】
３’−クロロ−４’，５’−ジフルオロ−［１，１’−ビフェニル］−４−カルボン酸メチルを白色固体（２１ｍｇ、１−クロロ−２，３−ジフルオロベンゼン基準で７％）として単離した。ｍｐ１０４℃；1H NMR (500 MHz, CDCl3) δ 8.09 (AA’BB’, J = 8.6, 2H), 7.55 (AA’BB’, J = 8.6 Hz, 2H), 7.41 (dt, J = 5.9, 2.0 Hz, 1H), 7.31 (ddd, J = 10.5, 6.6, 2.2 Hz, 1H), 3.93 (s, 3H); 19F NMR (470 MHz, CDCl3) δ -137.5 (ddd, J = 20.7, 10.7, 2.1 Hz, 1F), -139.2 (dt, J = 20.8, 6.2 Hz, 1F); 13C NMR (126 MHz, CDCl3) δ 166.6, 151.1 (dd, J = 251.8, 13.4 Hz), 146.0 (dd, J = 251.8, 15.3 Hz), 142.2, 136.8 (dd, J = 7.6, 4.8 Hz), 130.3, 129.9, 126.9, 124.2 (d, J = 2.9 Hz), 123.2 (dd, J = 14.3, 1.9 Hz), 114.6 (d, J = 18.1 Hz), 52.3.
【０４１３】
４’−クロロ−２’，３’−ジフルオロ−［１，１’−ビフェニル］−４−カルボン酸メチルを白色固体（１１７ｍｇ、１−クロロ−２，３−ジフルオロベンゼン基準で４１％）として単離した。ｍｐ１０１℃；1H NMR (500 MHz, DMSO-d6) δ 8.08 (AA’BB’, J = 8.8, 2H), 7.74 (AA’BB’の二重線, J = 8.8, 1.6 Hz, 2H), 7.57 (ddd, J = 8.7, 6.9, 2.0 Hz, 1H), 7.47 (ddd, J = 8.7, 7.3, 2.0 Hz, 1H), 3.89 (s, 3H); 19F NMR (470 MHz, CDCl3) δ -137.5 (ddd, J = 20.5, 6.4, 2.1 Hz, 1F), -139.0 (ddq, J = 20.4, 7.0, 1.7 Hz, 1F); 13C NMR (126 MHz, CDCl3) δ 166.6, 148.5 (dd, J = 253.7, 13.4 Hz) 147.7 (dd, J = 251.8, 15.3 Hz) 138.3, 130.0, 129.9, 128.8 (d, J = 3.8 Hz), 128.7 (d, J = 10.5 Hz), 125.2 (d, J = 4.8 Hz), 124.6 (t, J = 2.9 Hz), 122.2 (d, J = 15.3 Hz), 52.3.
【０４１４】
２−クロロ−６−フルオロベンゾニトリルのタンデムＣ−Ｈ活性化／ホウ素化およびＳｕｚｕｋｉカップリング
【０４１５】
【化９４】
0006434522.tif 000104
【０４１６】
窒素のグローブボックス中、撹拌子を有するシュレンクフラスコ中で、Ｂ２Ｐｉｎ２（１２７ｍｇ、０．５ｍｍｏｌ）、［Ｉｒ（ＯＭｅ）ｃｏｄ］２（６．６ｍｇ、０．０１ｍｍｏｌ）およびｔｔｆｂｐｙ（８．５ｍｇ、０．０２ｍｍｏｌ）をＨｕｎｉｇ塩基（２．０ｍＬ）に溶解し、この混合物を室温で１時間、撹拌した。２−クロロ−６−フルオロベンゾニトリル（１５６ｍｇ、１．０ｍｍｏｌ）を加えた。シュレンクフラスコをグローブボックスから取り出して、アルゴン雰囲気下に置き、６０℃の油浴中で６時間、加熱した。粗製反応物の１９Ｆ  ＮＭＲ分析により、出発材料の転化率が８０％、および２つの生成物が６４：３６の比であることが示された。溶媒をロータリーエバポレーションにより除去した。クーゲルロール蒸留（０．２ｍｍＨｇ、１５０℃）により、６−クロロ−２−フルオロ−３−（４，４，５，５−テトラメチル−１，３，２−ジオキサボロラン−２−イル）ベンゾニトリル、２−クロロ−６−フルオロ−４−（４，４，５，５−テトラメチル−１，３，２−ジオキサボロラン−２−イル）ベンゾニトリルおよび原料の２−クロロ−６−フルオロベンゾニトリルの混合物が、白色固体として得られた（２１３ｍｇ、６４：３２：４、ホウ素化生成物７４％）。
【０４１７】
撹拌子を有するスクリューキャップ付きチューブに、４−ヨード安息香酸メチル（２１３ｍｇ、０．８１ｍｍｏｌ）、Ｋ２ＣＯ３（２０４ｍｇ、１．４８ｍｍｏｌ）およびＰｄ（ＰＰｈ３）２Ｃｌ２（５．２ｍｇ、０．００７４ｍｍｏｌ）を秤量した。水（１．５ｍＬ）を加えてＫ２ＣＯ３を溶解し、上記の混合物のＴＨＦ（６．０ｍＬ）溶液をスクリューキャップ付きチューブに加えた。この二相の混合物にアルゴンを３０分間、スパージングし、このチューブに栓をして６０℃の油浴中で加熱した。４時間後、ＧＣ−ＭＳ分析により、ボロン酸エステルが存在しないこと、およびＳｕｚｕｋｉカップリング生成物の重なりピークが示された。粗製反応混合物の１９Ｆ  ＮＭＲ分析により、主要なＳｕｚｕｋｉ生成物であるボロン酸エステルが４６％、少量のＳｕｚｕｋｉ生成物であるボロン酸エステルが２２％（６８：３２の比）、未ホウ素化アレーンが１３％、および未同定ピークが１９％であることが示された。
【０４１８】
粗製反応混合物を塩基性アルミナの短いプラグによりろ過し、このプラグをＥｔＯＡｃにより洗浄した。溶媒をロータリーエバポレーションにより除去した。ヘキサンとＥｔＯＡｃ（５：１）との混合物を用いるシリカゲルカラム上で残渣を精製すると４’−クロロ−３’−シアノ−２’−フルオロ−［１，１’−ビフェニル］−４−カルボン酸メチル、３’−クロロ−４’−シアノ−５’−フルオロ−［１，１’−ビフェニル］−４−カルボン酸メチル、および２つの生成物の混合物と決定されたフラクションが得られた（４６ｍｇ、最初の生成物が１２％、２番目の生成物が４％）。
【０４１９】
４’−クロロ−３’−シアノ−２’−フルオロ−［１，１’−ビフェニル］−４−カルボン酸メチルを白色固体（４９ｍｇ、２−クロロ−６−フルオロベンゾニトリル基準で１７％）として単離した。ｍｐ２０９〜２１１℃；1H NMR (500 MHz, CDCl3) δ 8.14 (AA’BB’, J = 8.3, 2H), 7.62 (AA’BB’, J = 8.3 Hz, 2H), 7.56 (t, J = 1.5 Hz, 1H), 7.36 (dd, J = 9.3, 1.5 Hz, 1H), 3.94 (s, 3H); 19F NMR (470 MHz, CDCl3) δ-102.2 (dd, J = 9.5, 0.8 Hz); 13C NMR (126 MHz, CDCl3) δ 166.2, 163.9 (d, J = 262.3 Hz), 147.2 (d, J = 8.6 Hz), 141.1, 138.3 (d, J = 2.9 Hz), 131.3, 130.6, 127.2, 124.4 (d, J = 2.9 Hz), 113.3 (d, J = 20.0 Hz), 111.2, 102.4 (d, J = 18.1 Hz), 52.4.
【０４２０】
３’−クロロ−４’−シアノ−５’−フルオロ−［１，１’−ビフェニル］−４−カルボン酸メチルを白色固体（２３ｍｇ、２−クロロ−６−フルオロベンゾニトリル基準で８％）として単離した。ｍｐ１４８〜１５０℃；1H NMR (500 MHz, DMSO-d6) δ 8.18 (AA’BB’, J = 8.3, 2H), 7.63 (t, J = 8.3 Hz, 1H), 7.56 (AA’BB’のd, J = 8.3, 2.0 Hz, 2H), 7.41 (dd, J = 8.3, 1.0 Hz, 1H), 3.94 (s, 3H); 19F NMR (470 MHz, CDCl3) δ-106.6 (dt, J = 8.3, 1.7 Hz); 13C NMR (126 MHz, CDCl3) δ 166.4, 160.6 (d, J = 264.2 Hz), 137.3 (br s), 137.0 (d, J = 1.9 Hz), 135.2 (d, J = 5.7 Hz), 130.6, 130.1, 128.8 (d, J = 2.9 Hz), 127.7 (d, J = 13.4 Hz), 126.0 (d, J = 3.8 Hz), 111.2, 104.2 (d, J = 19.1 Hz), 52.4.
【０４２１】
２−クロロ−６−フルオロトルエンのタンデムＣ−Ｈ活性化／ホウ素化およびＳｕｚｕｋｉカップリング
【０４２２】
【化９５】
0006434522.tif 000105
【０４２３】
窒素のグローブボックス中、撹拌子を有するシュレンクフラスコ中で、Ｂ２Ｐｉｎ２（１２７ｍｇ、０．５ｍｍｏｌ）、［Ｉｒ（ＯＭｅ）ｃｏｄ］２（６．６ｍｇ、０．０１ｍｍｏｌ）およびｔｔｆｂｐｙ（８．５ｍｇ、０．０２ｍｍｏｌ）をＴＨＦ（２．０ｍＬ）に溶解し、室温で１時間、撹拌した。２−クロロ−６−フルオロトルエン（１３１μＬ、１．０ｍｍｏｌ）を加えた。シュレンクフラスコをグローブボックスから取り出し、アルゴン雰囲気下に置いた。この混合物を６０℃の油浴中で６時間、加熱した。粗製反応混合物の１９Ｆ  ＮＭＲ分析により、出発材料の転化率が８７％、および２つの生成物が２５：７５の比であることが示された。溶媒をロータリーエバポレーションにより除去した。クーゲルロール蒸留（０．２ｍｍＨｇ、１５０℃）により、６−クロロ−２−フルオロ−３−（４，４，５，５−テトラメチル−１，３，２−ジオキサボロラン−２−イル）トルエンおよび２−クロロ−６−フルオロ−４−（４，４，５，５−テトラメチル−１，３，２−ジオキサボロラン−２−イル）トルエンの混合物が、白色固体として得られた（２２２ｍｇ、８２％、２６：７４）。
【０４２４】
撹拌子を有するスクリューキャップ付きチューブに、４−ヨード安息香酸メチル（２３６ｍｇ、０．９０ｍｍｏｌ）、Ｋ２ＣＯ３（４０７ｍｇ、１．６２ｍｍｏｌ）およびＰｄ（ＰＰｈ３）２Ｃｌ２（５．８ｍｇ、０．００８２ｍｍｏｌ）を秤量した。水（２．０ｍＬ）を加えてＫ２ＣＯ３を溶解し、上記の混合物のＴＨＦ（８．０ｍＬ）溶液をスクリューキャップ付きチューブに加えた。この二相の混合物にアルゴンを３０分間、スパージングし、このチューブに栓をして６０℃の油浴中で加熱した。４時間後、ＧＣ−ＭＳ分析により、ボロン酸エステルが存在しないこと、およびＳｕｚｕｋｉカップリング生成物の重なりピークが示された。粗製反応混合物の１９Ｆ  ＮＭＲ分析により、電子的に有利なＳｕｚｕｋｉ生成物であるボロン酸エステルが１６％、立体的に有利なＳｕｚｕｋｉ生成物であるボロン酸エステルが７１％（１８：８２の比）、および未同定ピークが１３％であることが示された。
【０４２５】
粗製反応混合物を塩基性アルミナの短いプラグによりろ過し、このプラグをＥｔＯＡｃにより洗浄した。溶媒をロータリーエバポレーションにより除去した。ヘキサンとＥｔＯＡｃ（５：１）との混合物を用いるシリカゲルカラム上で、残渣を精製した。しかし、２つの生成物が１つのフラクションとして溶出した。３’−クロロ−５’−フルオロ−４’−メチル−［１，１’−ビフェニル］−４−カルボン酸メチルと４’−クロロ−２’−フルオロ−３’−メチル−［１，１’−ビフェニル］−４−カルボン酸メチルとの混合物が白色固体（１６４ｍｇ、基質基準で５９％、１４：８６）として単離された。
【０４２６】
３’−クロロ−５’−フルオロ−４’−メチル−［１，１’−ビフェニル］−４−カルボン酸メチルおよび４’−クロロ−２’−フルオロ−３’−メチル−［１，１’−ビフェニル］−４−カルボン酸メチルの混合物：1H NMR (500 MHz, CDCl3) δ 8.08 (d, J = 8.3 Hz, 2H, ２つの生成物が重複), 7.58 (d, J = 8.3 Hz, 2H, 立体支配生成物), 7.56 (d, J = 8.3 Hz, 2H, 電子支配生成物), 7.42 (s, 1H, 立体支配生成物), 7.22-7.18 (m, 重複), 3.92 (s, 3H、２つの生成物が重複), 2.36 (d, J = 2.0 Hz, 3H, 電子支配生成物), 2.33 (d, J = 2.0 Hz, 3H, 立体支配生成物); 13C NMR (126 MHz, CDCl3) δ 166.7, 166.6, 161.5 (d, J = 247.0 Hz), 158.0 (d, J = 249.9 Hz), 142.9 (d, J = 2.9 Hz), 139.8, 139.4 (d, J = 9. Hz), 136.0 (d, J = 7.6 Hz), 135.2 (d, J = 5.7 Hz), 130.2, 129.6, 129.6, 129.3, 128.8 (d, J = 2.9 Hz), 127.8 (d, J = 3.8 Hz), 126.7, 126.3 (d, J = 14.3 Hz), 124.8 (d, J = 3.8 Hz), 124.6 (d, J = 20.0 Hz), 123.7 (d, J = 19.1 Hz), 123.2 (d, J = 3.8 Hz), 112.2 (d, J = 24.8 Hz), 52.1, 12.5 (d, J = 5.7 Hz), 11.7 (d, J = 3.8 Hz); 19F NMR (470 MHz, CDCl3) δ -112.3 (d, J = 10.0 Hz, 立体支配生成物), -116.4 (m, 電子支配生成物).
【０４２７】
３，５−ビス（トリフルオロメチル）安息香酸２−クロロ−６−フルオロフェニルのタンデムＣ−Ｈ活性化／ホウ素化およびＳｕｚｕｋｉカップリング
【０４２８】
【化９６】
0006434522.tif 000106
【０４２９】
窒素のグローブボックス中、［Ｉｒ（ＯＭｅ）ｃｏｄ］２（６．６ｍｇ、０．０１ｍｍｏｌ）およびＢ２Ｐｉｎ２（２５４ｍｇ、１．０ｍｍｏｌ）をシュレンクフラスコに加えた。このフラスコにＨｕｎｉｇ塩基（１．０ｍＬ）を加えた。ｔｔｆｂｐｙ（８．５ｍｇ、０．０２ｍｍｏｌ）のＨｕｎｉｇ塩基（１．０ｍＬ）の溶液を加えた。得られた混合物を１時間、室温で撹拌した。シュレンクフラスコにＨｕｎｉｇ塩基（１．０ｍＬ）中の基質（３８６ｍｇ、１．０ｍｍｏｌ）を加え、これをグローブボックスから取り出し、コンデンサを取り付け、アルゴン雰囲気下に置いた。この反応混合物を室温で１８時間、撹拌した。１５時間時で採取したＮＭＲ試料の分析により、ホウ素化の形跡またはＡｒ−Ｆ副生成物の形成は示されなかった。この反応混合物を６０℃の油浴中で２４時間、加熱した。この時点において、ＮＭＲ分光分析により、反応は５９％の転化率で進行し、１７：８３のモル比の立体的ホウ素化生成物と電子的ホウ素化生成物が得られたことが示された。次に、揮発物をロータリーエバポレーションにより除去した。この反応残渣をＥｔ２Ｏに溶解し、水により洗浄した。有機層をＭｇＳＯ４で脱水してろ過し、蒸発させた。
【０４３０】
６−クロロ−２−フルオロ−３−（４，４，５，５−テトラメチル−１，３，２−ジオキサボロラン−２−イル）フェニル３，５−ビス（トリフルオロメチル）ベンゾエート（主要）：1H NMR (500 MHz, CDCl3) δ 8.64 (s, 2H), 8.15 (s, 1H), 7.62 (dd, J = 8.3, 5.9 Hz, 1H), 7.28 (dd, J = 8.1, 1.2 Hz, 1H), 1.34 (s, 12H); 19F NMR (500 MHz, CDCl3) δ -63.1, -115.6.
【０４３１】
２−クロロ−６−フルオロ−４−（４，４，５，５−テトラメチル−１，３，２−ジオキサボロラン−２−イル）フェニル３，５−ビス（トリフルオロメチル）ベンゾエート（少量）：1H NMR (500 MHz, CDCl3) δ 8.66 (s, 2H), 8.15 (重複したピーク, 1H), 7.72 (t, J = 1.2 Hz, 1H), 7.56 (dd, J = 9.3, 1.0 Hz, 1H), 1.34 (s, 12H); 19F NMR (500 MHz, CDCl3) δ -63.1, -126.1.
【０４３２】
次に、粗製ホウ素化生成物をＴＨＦ（２ｍＬ）に溶解し、ｐ−ヨード安息香酸メチル（１８５ｍｇ、０．７１ｍｍｏｌ）を含有するスクリューキャップ付きチューブに入れた。第三リン酸カリウム二水和物（Ｋ３ＰＯ４・２Ｈ２Ｏ；２９８ｍｇ、１．２ｍｍｏｌ）を加え、このチューブにアルゴンを５分間、パージした後、［１，１’−ビス（ジフェニルホスフィノ）フェロセン］ジクロロパラジウム（ＩＩ）（ＰｄＣｌ２・ｄｐｐｆ；１３ｍｇ、０．０１８ｍｍｏｌ）を加えた。このチューブに栓をして６０℃の油浴中で１２時間、加熱した。粗製反応混合物のＧＣ−ＭＳ分析により、ホウ素化アレーンが消費されたことが示された。次に、この粗製反応混合物を、塩基性アルミナの短いプラグに通し、Ｅｔ２Ｏにより洗浄した。ろ液をＭｇＳＯ４で脱水してろ過し、蒸発させた。ジクロロメタンにより溶出したシリカゲルカラムクロマトグラフィーにより残渣を精製すると、６−クロロ−２−フルオロ−３−（４，４，５，５−テトラメチル−１，３，２−ジオキサボロラン−２−イル）フェニル３，５−ビス（トリフルオロメチル）ベンゾエート−カップリング生成物が白色固体（７９ｍｇ、１５％（２ステップ））として得られた。
【０４３３】
メチル３’−（（３，５−ビス（トリフルオロメチル）ベンゾイル）オキシ）−４’−クロロ−２’−フルオロ−［１，１’−ビフェニル］−４−カルボキシレート：ｍｐ１５２〜１５４℃；1H NMR (500 MHz, CDCl3) δ 8.68 (br s, 2H), 8.18 (br s 1H), 8.11 (AABB, J = 8.3 Hz, 2H), 7.60 (dd, J = 8.3, 1.5 Hz, 2H), 7.41-7.36 (重複した多重線, 2H), 3.93 (s, 3H); 19F NMR (470 MHz, CDCl3) δ -63.0 (s, 6F), -129.1 (dt, J = 5.1, 1.7 Hz, 1F); 13C NMR (125 MHz, CDCl3) δ 166.6, 160.8, 152.2 (d, J = 254.6 Hz), 138.3 (d, J = 1.7 Hz), 135.8, 135.7, 132.7 (q, J = 34.3 Hz), 130.5 (q, J = 3.8 Hz), 130.1 (d, J = 24.8 Hz), 129.9, 128.9 (d, J = 3.1 Hz), 128.4 (d, J = 12.4 Hz), 128.2 (d, J = 3.6 Hz), 128.1 (d, J = 1.4 Hz), 127.6 (m), 125.6 (d, J = 4.1 Hz), 122.7 (q, J = 273.7 Hz, CF3), 52.3.
【実施例３】
【０４３４】
１−クロロ−４−フルオロ−３−置換−および１−ブロモ−４−フルオロ−３−置換ベンゼンのタンデムホウ素化／脱ハロゲン化
電子吸引基により置換されているアレーンのオルト−ホウ素化に関する戦略として、タンデムホウ素化／脱ハロゲン化も検討した。以下のスキームは、検討したタンデムホウ素化／脱ハロゲン化方法を例示している。上で議論した通り、電子吸引基により置換されているアレーンの場合、イリジウム触媒によるアレーンのＣ−Ｈ活性化−ホウ素化は、通常、立体効果によって支配される。タンデムホウ素化／脱ハロゲン化では、基質は、電子吸引基、およびこの電子吸引基に対して普通なら立体的に有利なメタ位におけるイリジウム触媒の攻撃を立体的に妨害するよう、電子吸引基に対しパラ位に配置されている犠牲的原子（例えば、ＣｌまたはＢｒなどのハロゲン）をさらに含むことができる。結果として、イリジウム触媒によるアレーンのＣ−Ｈ活性化−ホウ素化は、オルトでホウ素化された（電子的）生成物をもっぱら生成する。続く脱ハロゲン化により、所望の電子的生成物をもっぱら得ることができる。
【０４３５】
【化９７】
0006434522.tif 000107
【０４３６】
ホウ素化の一般手順
窒素雰囲気のグローブボックス中、磁気撹拌子を含有する２０ｍＬのバイアルにＢ２Ｐｉｎ２（１４０ｍｇ、０．５５ｍｍｏｌ）を秤量した。２個の個別の試験管に［Ｉｒ（ＯＭｅ）ｃｏｄ］２（６．６ｍｇ、０．０２ｍｍｏｌ）および４，４’−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−２，２’−ジピリジル配位子（５．４ｍｇ、０．０２ｍｍｏｌ）を秤量し、各々をＴＨＦ（２ｍＬ）により希釈した。Ｂ２Ｐｉｎ２を含有する２０ｍＬのバイアルに、［Ｉｒ（ＯＭｅ）ｃｏｄ］２溶液を移した。黄金色の濁りのない溶液が得られるまで、この混合物を撹拌した。配位子を含有する溶液をこのバイアルに移し、暗褐色の溶液になるまで、この混合物を撹拌した。このバイアルに基質（１ｍｍｏｌ）を加え、次に、密封した。この反応混合物を室温で２４時間、撹拌し、この後、このバイアルをグローブボックスから取り出した。１０：１ヘキサン／ＥｔＯＡｃ溶液（２×１０ｍＬ）により溶出したシリカの短いプラグに反応混合物を通した。揮発物をロータリーエバポレーションにより除去すると生成物が得られ、標準的方法を使用して、この生成物を特性決定した。
【０４３７】
水素化脱ハロゲン化の一般手順
オーブンで乾燥した丸底フラスコに、上記の方法を使用して調製したホウ素化アレーン（０．３６８ｇ、１ｍｍｏｌ）、Ｐｄ（ＯＡｃ）２（０．０１１ｇ、０．０５ｍｍｏｌ）および新しく蒸留したＴＨＦ（５ｍＬ）を投入した。セプタムを用いてこの丸底フラスコを密封し、窒素でフラッシュした。フラッシュしている間に、ＫＦ（０．１１６ｇ、２ｍｍｏｌ）の脱気した水（２ｍＬ）をシリンジにより導入した。窒素の入り口を取り去り、窒素を充填した風船をこのフラスコに取り付けた。ポリメチルヒドロシロキサン（ＰＭＨＳ；０．２４ｍＬ、４ｍｍｏｌ）をゆっくりと滴下注入した。１Ｈおよび１９Ｆ  ＮＭＲスペクトル分析により出発材料の消失が示されるまで（４時間）、この最終反応混合物を撹拌した。この反応混合物をＥｔ２Ｏにより希釈し、層を分離した。エーテル層を６０ｍＬのシリンジ中で、セライトのプラグによりろ過した。このセライトにＥｔＯＡｃでフラッシュした。次に、揮発物をロータリーエバポレーションにより除去すると生成物が得られ、標準的方法を使用してこの生成物を特性決定した。
【０４３８】
４−ブロモ−１−フルオロ−２−（トリフルオロメチル）ベンゼンのタンデムホウ素化／脱ハロゲン化
【０４３９】
【化９８】
0006434522.tif 000108
【０４４０】
上記の一般手順を使用して、４−ブロモ−１−フルオロ−２−（トリフルオロメチル）ベンゼンをホウ素化した。このホウ素化反応により、生成物が無色油状物（０．２２９ｇ、６２％）として得られた。1H NMR (500 MHz, CDCl3) δ 8.02 (dd, J = 2.5, 3.5 Hz, 1H), 7.78 (dd, J = 2.5, 6.5 Hz, 1H), 1.36 (s, 12H); 13C NMR (125 MHz, CDCl3) δ 162.9 (dd, J = 1.9, 259.7 Hz), 143.1 (d, J = 8.5 Hz), 132.8 (qd, J = 1.9, 4.7Hz), 121.7 (q, J = 270.3 Hz), 120.0 (qd, J = 33.1, 16.1, Hz), 116.3 (d, J = 3.5 Hz), 84.7, 24.8; 19F NMR (470MHz, CDCl3) δ 61.9, 106.4; 11B NMR (160 MHz, CDCl3) δ 29.3 (br s).
【０４４１】
【化９９】
0006434522.tif 000109
【０４４２】
上記の一般手順を使用して、得られたホウ素化アレーンを水素化脱ハロゲン化した。水素化脱ハロゲン化反応により、脱ハロゲン化生成物が白色固体（０．２２８ｇ、７９％）として得られた。ｍｐ７６〜７７℃；1H NMR (500 MHz, CDCl3) δ 7.93 (ddd, J = 1.5, 5.5, 7.0 Hz, 1H), 7.70 (ddd, J = 1.5, 6.0, 7.5 Hz, 1H), 7.23 (dd, J = 6.5, 8.5 Hz, 1H), 1.37 (s, 12H); 13C NMR (125 MHz, CDCl3) δ 164.0 (dd, J = 1.9, 260.3 Hz), 140.7 (d, J = 9.5 Hz), 130.8 (qd, J = 2.5, 4.7 Hz), 123.5 (d, J = 4.1 Hz), 122.7 (q, J = 271.0Hz), 118.3 (m), 84.3, 24.8; 19F NMR (470 MHz, CDCl3) δ 61.6, 104.2; 11B NMR (160 MHz, CDCl3) δ 29.8 (br s).
【０４４３】
１−ブロモ−４−フルオロ−２−（トリフルオロメチル）ベンゼンのタンデムホウ素化／脱ハロゲン化
【０４４４】
【化１００】
0006434522.tif 000110
【０４４５】
上記の一般手順を使用して、１−ブロモ−４−フルオロ−２−（トリフルオロメチル）ベンゼンを１０ｍｍｏｌスケールでホウ素化した。ホウ素化反応により、生成物が白色固体（２．６１０ｇ、７１％）として得られた。ｍｐ６６〜７７℃；1H NMR (500 MHz, CDCl3) δ 8.03 (d, J = 5.5 Hz, 1H), 7.37 (d, J = 8.5 Hz, 1H), 1.37 (s, 12H); 13C NMR (125 MHz, CDCl3) δ 165.4 (d, J = 253.1 Hz), 142.8 (d, J = 8.5 Hz), 134.0 (qd, J = 8.5, 32.2 Hz), 121.9 (q, J = 272.2 Hz), 115.6 (m), 113.8, 84.8, 24.8; 19F NMR (470 MHz, CDCl3) δ 63.5, 102.9; 11B NMR (160 MHz, CDCl3) δ 29.5 (br s).
【０４４６】
【化１０１】
0006434522.tif 000111
【０４４７】
上記の一般手順を使用して、得られたホウ素化アレーンを水素化脱ハロゲン化した。この水素化脱ハロゲン化反応により、脱ハロゲン化生成物が無色油状物（０．２３２ｇ、８０％）として得られた。1H NMR (500 MHz, CDCl3) δ 7.87 (dd, J = 6.5, 6.5 Hz, 1H), 7.40 (d, J = 8.0 Hz, 1H), 7.30 (d, J = 9.0 Hz, 1H), 1.38 (s, 12H); 13C NMR (125 MHz, CDCl3) δ 166.7 (d, J = 251.4 Hz), 137.6 (d, J = 8.5 Hz), 135.1 (m), 123.2 (q, J = 271.2 Hz), 120.3 (m), 112.3 (m), 84.8, 24.8; 19F NMR (470 MHz, CDCl3) δ 63.2, 100.6; 11B NMR (160 MHz, CDCl3) δ 30.1 (br s).
【０４４８】
４−ブロモ−１−フルオロ−２−メトキシベンゼンのタンデムホウ素化／脱ハロゲン化
【０４４９】
【化１０２】
0006434522.tif 000112
【０４５０】
上記の一般手順を使用して、４−ブロモ−１−フルオロ−２−メトキシベンゼンをホウ素化した。ホウ素化反応により、生成物が白色固体（０．２８３ｇ、８６％）として得られた。ｍｐ７９〜８０℃；1H NMR (500 MHz, CDCl3) δ 7.37 (dd, J = 2.5, 4.0 Hz, 1H), 7.14 (dd, J = 2.5, 7.5 Hz, 1H), 3.85 (s, 3H), 1.34 (s, 12H); 13C NMR (125 MHz, CDCl3) δ 155.8 (d, J = 251.2 Hz), 148.3 (d, J = 13.2 Hz), 129.4 (d, J = 7.6 Hz), 119.6 (d, J = 2.9 Hz), 116.0 (d, J = 3.7 Hz), 84.3, 56.6, 24.8; 19F NMR (470 MHz, CDCl3) δ 126.6; 11B NMR (160 MHz, CDCl3) δ 29.7 (br s).
【０４５１】
【化１０３】
0006434522.tif 000113
【０４５２】
上記の一般手順を使用して、得られたホウ素化アレーンを水素化脱ハロゲン化した（反応時間５時間）。この水素化脱ハロゲン化反応により、脱ハロゲン化生成物が無色油状物（０．２２８ｇ、９１％）として得られた。1H NMR (500 MHz, アセトン-d6) δ 7.23 (m, 2H), 7.12 (dd, J = 8.0, 7.5 Hz, 1H), 3.87 (s, 3H), 1.34 (s, 12H); 13C NMR (125 MHz, アセトン-d6) δ 156.5 (d, J = 250.4 Hz), 147.7 (d, J = 12.4 Hz), 127.0 (d, J = 6.6 Hz), 123.9 (d, J = 3.9 Hz), 116.7 (d, J = 2.9 Hz), 83.7, 55.6, 24.3; 19F NMR (470 MHz, アセトン-d6) δ 125.6; 11B NMR (160 MHz, ( アセトン-d6) δ 30.2 (br s).
【０４５３】
１−ブロモ−４−フルオロ−２−メトキシベンゼンのタンデムホウ素化／脱ハロゲン化
【０４５４】
【化１０４】
0006434522.tif 000114
【０４５５】
上記の一般手順を使用して、１−ブロモ−４−フルオロ−２−メトキシベンゼンをホウ素化した。後処理の後、白色固体（０．３１３ｇ、９５％）が得られた。ｍｐ１０４〜１０５℃；1H NMR (500 MHz, CDCl3) δ 7.89 (d, J = 6.5 Hz, 1H), 6.61 (d, J = 11.0 Hz, 1H), 3.72 (s, 3H), 1.35 (s, 12H); 13C NMR (125 MHz, CDCl3) δ 167.6 (d, J = 251.2 Hz), 159.5 (d, J = 11.4 Hz), 140.2 (d, J = 10.4 Hz), 108.3 (d, J = 22.7 Hz), 105.9 (d, J = 2.9 Hz), 83.9, 56.4, 24.8; 19F NMR (470 MHz, CDCl3) δ 100.4; 11B NMR (160 MHz, CDCl3) δ 29.5 (br s).
【０４５６】
【化１０５】
0006434522.tif 000115
【０４５７】
上記の一般手順を使用して、得られたホウ素化アレーンを水素化脱ハロゲン化した（反応時間５時間）。この水素化脱ハロゲン化反応により、脱ハロゲン化生成物が無色油状物（０．１５２ｇ、６１％）として得られた。1H NMR (500 MHz, CDCl3) δ 7.66 (dd, J = 7.5, 7.5 Hz, 1H), 6.70 (dd, J = 2.5, 8.0 Hz, 1H), 6.58 (dd, J = 2.5, 12.0 Hz, 1H), 3.83 (s, 3H), 1.36 (s, 12H); 13C NMR (125 MHz, CDCl3) δ 168.6 (d, J = 249.4 Hz), 163.9 (d, J = 11.2 Hz), 137.7 (d, J = 10.5 Hz), 109.9 (d, J = 2.9 Hz), 101.1 (d, J = 27.5 Hz), 83.6, 55.4, 24.8; 19F NMR (470 MHz, CDCl3) δ 100.5; 11B NMR (160 MHz, CDCl3) δ 29.9 (br s).
【０４５８】
４−クロロ−１−フルオロ−２−メチルベンゼンのタンデムホウ素化／脱ハロゲン化
【０４５９】
【化１０６】
0006434522.tif 000116
【０４６０】
上記の一般手順を使用して、４−クロロ−１−フルオロ−２−メチルベンゼンをホウ素化した。後処理の後、白色固体が得られた（０．１７３ｇ、６４％）。ｍｐ６４〜６５℃；1H NMR (500 MHz, CDCl3) δ 7.49 (dd, J = 3.0, 6.5 Hz, 1H), 7.22 (dd, J = 2.0, 6.5 Hz, 1H), 2.23 (d, J = 2.0 Hz, 3H), 1.34 (s, 12H); 13C NMR (125 MHz, CDCl3) δ 163.9 (d, J = 247.5 Hz), 134.2 (d, J = 5.7 Hz), 133.4 (d, J = 8.5 Hz), 128.4 (d, J = 2.9 Hz), 126.6 (d, J = 21.9 Hz), 84.1, 24.7, 14.5 (d, J = 3.9 Hz); 19F NMR (470 MHz, CDCl3) δ 109.9; 11B NMR (160 MHz, CDCl3) δ 29.8 (br s).
【０４６１】
【化１０７】
0006434522.tif 000117
【０４６２】
上記の一般手順を使用して、得られたホウ素化アレーンを水素化脱ハロゲン化した（反応時間５時間）。この水素化脱ハロゲン化反応により無色油状物（０．２１１ｇ、８９％）が得られた。1H NMR (500 MHz, CDCl3) δ 7.56 (ddd, J = 1.5, 5.0, 7.5 Hz, 1H), 7.29 (ddd, J = 1.0, 6.0, 7.0 Hz, 1H), 7.04 (dd, J = 7.5, 7.5 Hz, 1H), 2.28 (d, J = 2.5 Hz, 3H), 1.37 (s, 12H); 13C NMR (125 MHz, CDCl3) δ 165.6 (d, J = 248.4 Hz), 134.7 (d, J = 5.6 Hz), 134.1 (d, J = 8.6 Hz), 124.6 (d, J = 19.8 Hz), 123.4 (d, J = 2.9 Hz), 83.8, 24.8, 14.6; 19F NMR (470 MHz, CDCl3) δ 106.9; 11B NMR (160 MHz, CDCl3) δ 30.4 (br s).
【０４６３】
１−クロロ−４−フルオロ−２−メチルベンゼンのタンデムホウ素化／脱ハロゲン化
【０４６４】
【化１０８】
0006434522.tif 000118
【０４６５】
上記の一般手順を使用して、１−クロロ−４−フルオロ−２−メチルベンゼンをホウ素化した。後処理の後、白色固体（２．３８ｇ、８８％）が得られた。ｍｐ４８〜４９℃；1H NMR (500 MHz, CDCl3) δ 7.66 (d, J = 5.5 Hz, 1H), 6.91 (d, J = 9.5 Hz, 1H), 2.35 (s, 3H), 1.34 (s, 12H); 13C NMR (125 MHz, CDCl3) δ 165.4 (d, J = 249.4 Hz), 141.7 (d, J = 9.5 Hz), 136.5 (d, J = 8.5 Hz), 129.1 (d, J = 2.9 Hz), 117.7 (d, J = 25.6 Hz), 84.1, 24.7, 20.4 (d, J = 1.9 Hz); 19F NMR (470 MHz, CDCl3) δ 106.5; 11B NMR (160 MHz, CDCl3) δ 29.8 (br s).
【０４６６】
【化１０９】
0006434522.tif 000119
【０４６７】
上記の一般手順を使用して、得られたホウ素化アレーンを水素化脱ハロゲン化した（反応時間５時間）。この水素化脱ハロゲン化反応により白色固体（０．１８９ｇ、８０％）が得られた。ｍｐ５８〜６０℃；1H NMR (500 MHz, CDCl3) δ 7.63 (dd, J = 7.0, 7.5 Hz, 1H), 6.96 (d, J = 7.5 Hz, 1H), 6.86 (d, J = 10.5 Hz, 1H), 2.37 (s. 3H), 1.37 (s, 12H); 13C NMR (125 MHz, CDCl3) δ 167.3 (d, J = 249.4 Hz), 144.4 (d, J = 8.5 Hz), 136.6 (d, J = 8.6 Hz), 124.5 (d, J = 2.9 Hz), 115.8 (d, J = 23.7 Hz), 83.7, 24.8, 21.5; 19F NMR (470 MHz, CDCl3) δ 103.8; 11B NMR (160 MHz, CDCl3) δ 30.3 (br s).
【０４６８】
４−ブロモ−１，２−ジフルオロベンゼンのタンデムホウ素化／脱ハロゲン化
【０４６９】
【化１１０】
0006434522.tif 000120
【０４７０】
上記の一般手順を使用して、４−ブロモ−１，２−ジフルオロベンゼンをホウ素化した。後処理の後、白色固体（０．２７４ｇ、８６％）が得られた。ｍｐ４１〜４２℃；1H NMR (500 MHz, CDCl3) δ 7.57 (ddd, J = 2.0, 4.0, 5.0 Hz, 1H), 7.37 (ddd, J = 2.5, 7.0, 9.0 Hz, 1H), 1.34 (s, 12H); 13C NMR (125 MHz, CDCl3) δ 153.7 (dd, J = 11.4, 252.2 Hz), 150.3 (dd, J = 16.1, 253.2 Hz), 133.7 (dd, J = 4.0, 7.0 Hz), 123.4 (d, J = 20.0 Hz), 115.6 (dd, J = 4.0, 7.0 Hz), 84.6, 24.7; 19F NMR (470 MHz, CDCl3) δ 130.0, 134.9; 11B NMR (160 MHz, CDCl3) δ 29.3 (br s).
【０４７１】
【化１１１】
0006434522.tif 000121
【０４７２】
上記の一般手順を使用して、得られたホウ素化アレーンを水素化脱ハロゲン化した（反応時間５時間）。この水素化脱ハロゲン化反応により無色油状物（０．１５１ｇ、６３％）が得られた。1H NMR (500 MHz, CDCl3) δ 7.45 (m, 1H), 7.23 (m, 1H), 7.06 (m, 1H), 1.36 (s, 12H); 13C NMR (125 MHz, CDCl3) δ 154.6 (dd, J = 11.5, 251.5 Hz), 150.5 (dd, J = 14.3, 247.6 Hz), 131.1 (dd, J = 3.7, 6.6 Hz), 124.1(dd, J = 3.9, 5.7 Hz), 120.2 (d, J = 17.1 Hz), 84.2, 24.8; 19F NMR (470 MHz, CDCl3) δ 129.1, 139.1; 11B NMR (160 MHz, CDCl3) δ 29.8 (br s).
【０４７３】
１−ブロモ−４−フルオロ−２−メトキシベンゼンのワンポットホウ素化／脱ハロゲン化
ワンポットホウ素化／脱ハロゲン化方法も検討した。以下のスキームは、検討した１つの（one）ホウ素化／脱ハロゲン化方法を例示している。
【０４７４】
【化１１２】
0006434522.tif 000122
【０４７５】
上記の一般手順を使用して、１−ブロモ−４−フルオロ−２−メトキシベンゼンをホウ素化した。ＮＭＲ分光法により判断したところ、２４時間後にホウ素化反応が完了した。反応容器を窒素雰囲気のグローブボックスに移し、この反応溶液をオーブンで乾燥した丸底フラスコに移した。ゴム製セプタムを使用してこのフラスコを密封し、グローブボックスから取り出した。
【０４７６】
粗製反応混合物に、上記の一般的な水素化脱ハロゲン化手順（反応時間２４時間）を施した。この反応混合物をＥｔ２Ｏにより希釈し、層を分離した。エーテル層をシリカゲルのプラグによりろ過した。シリカゲルにヘキサン（２×１０ｍＬ）およびヘキサン／ＥｔＯＡｃ混合物（１０ｍＬ）でフラッシュした。溶出した溶液をロータリーエバポレーションにより濃縮した。得られた溶液を別のシリカゲルのプラグによりろ過した。プラグをヘキサン（４×１０ｍＬ）でフラッシュし、最後の微量のホウ素およびＰｄの副生成物を除去した。揮発物をロータリーエバポレーションにより除去すると、明オレンジ色油状物（０．１５９７ｇ、６３％）が得られた。1H NMR (500 MHz, CDCl3) δ 7.66 (dd, J = 7.5, 7.5 Hz, 1H), 6.70 (dd, J = 2.5, 8.0 Hz, 1H), 6.58 (dd, J = 2.5, 11.5 Hz, 1H), 3.82 (s, 3H), 1.36 (s, 12H); 13C NMR (125 MHz, CDCl3) δ 168.6 (d, J = 249.4 Hz), 163.9 (d, J = 11.4 Hz), 137.7 (d, J = 10.4 Hz), 109.9 (d, J = 2.9 Hz), 101.1 (d, J = 27.5 Hz), 83.6, 55.4, 24.8; 19F NMR (470 MHz, CDCl3) δ 100.4; 11B NMR (160 MHz, CDCl3) δ 29.9 (br s).
【実施例４】
【０４７７】
ピリジンのホウ素化
ピリジンのホウ素化の一般手順
置換ピリジンのイリジウム触媒によるホウ素化を検討した。［Ｉｒ（ＯＭｅ）ｃｏｄ］２（３．３ｍｇ、０．００５ｍｍｏｌ）およびｄｔｂｐｙ（２．７ｍｇ、０．０１ｍｍｏｌ）を含む、オーブンにより乾燥した３ｍＬのスクリューキャップ付きＷｈｅａｔｏｎ（登録商標）バイアルを、窒素を満たしたグローブボックス内に入れた。ＴＨＦ（１．０〜１．５ｍＬ）、続いてＢ２ｐｉｎ２（１２７ｍｇ、０．５ｍｍｏｌ）およびピリジン基質（０．５または１．０ｍｍｏｌ）を加えた。このバイアルに栓をして、グローブボックスの外で８０℃で１８〜２２時間、加熱した。次に、ＧＣおよび／またはＮＭＲ分析を行うため、アリコートを採取した。生成物の単離は、フラッシュカラムクロマトグラフィーにより実施した。
【０４７８】
２，６−ジクロロピリジンのホウ素化
【０４７９】
【化１１３】
0006434522.tif 000123
【０４８０】
［Ｉｒ（ＯＭｅ）ｃｏｄ］２（３．３ｍｇ、０．００５ｍｍｏｌ）およびｄｔｂｐｙ（２．７ｍｇ、０．０１ｍｍｏｌ）を含む、オーブンにより乾燥した３ｍＬのスクリューキャップ付きＷｈｅａｔｏｎ（登録商標）バイアルを、窒素を満たしたグローブボックス内に入れた。ＴＨＦ（１．５ｍＬ）、続いてＢ２ｐｉｎ２（１２７ｍｇ、０．５ｍｍｏｌ）および２，６−ジクロロピリジン（１４７ｍｇ、１．０ｍｍｏｌ）を加えた。バイアルに栓をして、グローブボックスの外で８０℃で１９時間、加熱した。反応溶媒をロータリーエバポレーター上で除去し、溶離液としてヘキサン−ＥｔＯＡｃ混合物を使用するフラッシュカラムクロマトグラフィーにより残渣を精製すると、２，６−ジクロロ−４−（４，４，５，５−テトラメチル−１，３，２−ジオキサボロラン−２−イル）ピリジンが白色固体（１６０ｍｇ、５８％）として得られた。1H NMR (300 MHz, CDCl3) δ 7.57 (s, 1H), 1.33 (s, 12H).
【０４８１】
２−メトキシピリジンのホウ素化
【０４８２】
【化１１４】
0006434522.tif 000124
【０４８３】
［Ｉｒ（ＯＭｅ）ｃｏｄ］２（３．３ｍｇ、０．００５ｍｍｏｌ）およびｄｔｂｐｙ（２．７ｍｇ、０．０１ｍｍｏｌ）を含む、オーブンにより乾燥した３ｍＬのスクリューキャップ付きＷｈｅａｔｏｎ（登録商標）バイアルを、窒素を満たしたグローブボックス内に入れた。ＴＨＦ（１．５ｍＬ）、続いてＢ２ｐｉｎ２（１２７ｍｇ、０．５ｍｍｏｌ）および２−メトキシピリジン（１０５μＬ、１．０ｍｍｏｌ）を加えた。このバイアルに栓をして、グローブボックスの外で８０℃で１９時間、加熱した。反応溶媒をロータリーエバポレーター上で除去し、溶離液としてヘキサン−ＥｔＯＡｃ混合物を使用するフラッシュカラムクロマトグラフィーにより残渣を精製すると、４−および５−Ｂｐｉｎ異性体である２−メトキシ−４−（４，４，５，５−テトラメチル−１，３，２−ジオキサボロラン−２−イル）ピリジンと２−メトキシ−５−（４，４，５，５−テトラメチル−１，３，２−ジオキサボロラン−２−イル）ピリジンとの１：１．４混合物が無色油状物（１５３ｍｇ、６７％）として得られた。1H NMR (300 MHz, CDCl3) δ 8.55 (s, 1H, Hd), 8.18 (d, J= 5.1 Hz, 1H, Ha), 7.95 (dd, J= 8.4, 1.8 Hz, 1H, He), 7.25-7.12 (m, 2H, HbおよびHc), 6.73 (d, J= 8.4 Hz, 1H, Hf), 3.99 (s, 3H, 5-Bpin異性体), 3.96 (s, 3H, 4-Bpin異性体), 1.32 (s, 12H, 4-Bpin異性体), 1.31 (s, 12H, 5-Bpin異性体).
【０４８４】
２−フルオロ−６−メチルピリジンのホウ素化
【０４８５】
【化１１５】
0006434522.tif 000125
【０４８６】
［Ｉｒ（ＯＭｅ）ｃｏｄ］２（３．３ｍｇ、０．００５ｍｍｏｌ）およびｄｔｂｐｙ（２．７ｍｇ、０．０１ｍｍｏｌ）を含む、オーブンにより乾燥した３ｍＬのスクリューキャップ付きＷｈｅａｔｏｎ（登録商標）バイアルを、窒素を満たしたグローブボックス内に入れた。ＴＨＦ（１．５ｍＬ）、続いてＢ２ｐｉｎ２（１２７ｍｇ、０．５ｍｍｏｌ）および２−フルオロ−６−メチルピリジン（１０３μＬ、１．０ｍｍｏｌ）を加えた。このバイアルに栓をして、グローブボックスの外で８０℃で１８時間、加熱した。粗製反応混合物の１９Ｆ  ＮＭＲ分析により、出発材料の転化率が７８％、および化合物の３−Ｂｐｉｎ：４−Ｂｐｉｎが１：１．８の比で形成していることが示された。反応溶媒をロータリーエバポレーター上で除去し、溶離液としてペンタン−ＥｔＯＡｃ混合物を使用するフラッシュカラムクロマトグラフィーにより残渣を精製すると、３−および４−Ｂｐｉｎ異性体である２−フルオロ−６−メチル−３−（４，４，５，５−テトラメチル−１，３，２−ジオキサボロラン−２−イル）ピリジンおよび２−フルオロ−６−メチル−４−（４，４，５，５−テトラメチル−１，３，２−ジオキサボロラン−２−イル）ピリジンとの１：３混合物が無色油状物（１７７ｍｇ、７５％）として得られた。1H NMR (500 MHz, CDCl3) δ 8.04 (dd, J = 8.1, 7.8 Hz, 1H, Ha), 7.36 (d, J = 2.3 Hz, 1H, Hc), 7.07-7.06 (s, 1H, Hd), 7.02 (dd, J = 7.8, 2.2 Hz, 1H, Hb), 2.50 (s, 3H, 3-Bpin異性体), 2.49 (s, 3H, 4-Bpin異性体), 1.34 (s, 12H, 両異性体); 19F NMR (470 MHz, CDCl3) δ -58.43 (d, J= 8.1 Hz, 3-Bpin異性体), -69.80 (4-Bpin異性体).
【０４８７】
４−アミノ−２−メチルピリジンのホウ素化
【０４８８】
【化１１６】
0006434522.tif 000126
【０４８９】
４−アミノ−２−メチルピリジン（５４ｍｇ、０．５ｍｍｏｌ）、次いでＴＨＦ（１．０ｍＬ）およびＨＢｐｉｎ（７３μＬ、０．５ｍｍｏｌ）を含む、オーブンにより乾燥した３ｍＬのスクリューキャップ付きＷｈｅａｔｏｎ（登録商標）バイアルを、窒素を満たしたグローブボックス内に入れた。ゆっくりとしたガスの発生、および白色沈殿物の形成が観察された。この反応混合物を３０分間、撹拌した。［Ｉｒ（ＯＭｅ）ｃｏｄ］２（３．３ｍｇ、０．００５ｍｍｏｌ）、ｄｔｂｐｙ（２．７ｍｇ、０．０１ｍｍｏｌ）、およびＢ２ｐｉｎ２（１２７ｍｇ、０．５ｍｍｏｌ）を加えた。試験管をＴＨＦ（０．５ｍＬ）によりすすぎ、この溶液を上記の混合物に加えた。バイアルに栓をして、グローブボックスの外で８０℃で２２時間、加熱した。この反応混合物に、メチルアルコール（ＭｅＯＨ；３ｍＬ）をゆっくりと滴下添加し、得られた溶液を室温で３時間、撹拌した。この溶媒をロータリーエバポレーションにより除去し、ＧＣおよび１Ｈ  ＮＭＲ分光法による分析により、出発材料が、４−アミノ−２−メチル−５−（４，４，５，５−テトラメチル−１，３，２−ジオキサボロラン−２−イル）ピリジンに完全に転化していることが示された。
【０４９０】
２−クロロ−４−トリフルオロメチルピリジンのホウ素化
【０４９１】
【化１１７】
0006434522.tif 000127
【０４９２】
［Ｉｒ（ＯＭｅ）ｃｏｄ］２（３．３ｍｇ、０．００５ｍｍｏｌ）およびｄｔｂｐｙ（２．７ｍｇ、０．０１ｍｍｏｌ）を含む、オーブンにより乾燥した３ｍＬのスクリューキャップ付きＷｈｅａｔｏｎ（登録商標）バイアルを、窒素を満たしたグローブボックス内に入れた。ＴＨＦ（１．０ｍＬ）、続いてＢ２ｐｉｎ２（１２７ｍｇ、０．５ｍｍｏｌ）および２−クロロ−４−トリフルオロメチルピリジン（６４μＬ、０．５ｍｍｏｌ）を加えた。このバイアルに栓をして、グローブボックスの外で８０℃で１８時間、加熱した。反応溶媒をロータリーエバポレーションにより除去した。溶離液としてペンタン−ＥｔＯＡｃ混合物を使用するフラッシュカラムクロマトグラフィーにより残渣を精製すると、２−クロロ−６−（４，４，５，５−テトラメチル−１，３，２−ジオキサボロラン−２−イル）−４−トリフルオロメチルピリジンが無色油状物として得られ、経時的に固化した（１４５ｍｇ、９４％）。1H NMR (500 MHz, CDCl3) δ 7.96 (s, 1H), 7.59 (s, 1H), 1.40 (s, 12H); 19F NMR (470 MHz, CDCl3) δ -64.75。この構造は、メタノール−ｄ４中、この化合物に［Ｉｒ（ＯＭｅ）ｃｏｄ］２（２ｍｏｌ％）を用いて８０℃で重水素化脱ホウ素化を施すことにより確認した。
【０４９３】
２−クロロ−４−フルオロピリジンのホウ素化
［Ｉｒ（ＯＭｅ）ｃｏｄ］２（３．３ｍｇ、０．００５ｍｍｏｌ）およびｄｔｂｐｙ（２．７ｍｇ、０．０１ｍｍｏｌ）を含む、オーブンにより乾燥した３ｍＬのスクリューキャップ付きＷｈｅａｔｏｎ（登録商標）バイアルを、窒素を満たしたグローブボックス内に入れた。ＴＨＦ（１．５ｍＬ）、続いてＢ２ｐｉｎ２（１２７ｍｇ、０．５ｍｍｏｌ）および２−クロロ−４−フルオロピリジン（９０μＬ、１．０ｍｍｏｌ）を加えた。このバイアルに栓をして、グローブボックスの外で８０℃で２０時間、加熱した。反応溶媒をロータリーエバポレーションにより除去した。溶離液としてペンタン−ＥｔＯＡｃ混合物を使用するフラッシュカラムクロマトグラフィーにより残渣を精製すると、２−クロロ−４−フルオロ−５−（４，４，５，５−テトラメチル−１，３，２−ジオキサボロラン−２−イル）ピリジンが無色油状物（１６５ｍｇ、６４％）として得られた。1H NMR (500 MHz, CDCl3) δ 8.67 (d, J = 8.9 Hz, 1H), 7.06 (d, J = 8.4 Hz, 1H), 1.36 (s, 12H); 19F NMR (470 MHz, CDCl3) δ -89.75- -89.85 (m)。この構造は、メタノール−ｄ４中、この化合物に［Ｉｒ（ＯＭｅ）ｃｏｄ］２（２ｍｏｌ％）を用いて８０℃で重水素化脱ホウ素化を施すことにより確認した。
【０４９４】
２−クロロ−３−フルオロピリジンのホウ素化
［Ｉｒ（ＯＭｅ）ｃｏｄ］２（３．３ｍｇ、０．００５ｍｍｏｌ）およびｄｔｂｐｙ（２．７ｍｇ、０．０１ｍｍｏｌ）を含む、オーブンにより乾燥した３ｍＬのスクリューキャップ付きＷｈｅａｔｏｎ（登録商標）バイアルを、窒素を満たしたグローブボックス内に入れた。ＴＨＦ（１．０ｍＬ）、続いてＢ２ｐｉｎ２（１２７ｍｇ、０．５ｍｍｏｌ）および２−クロロ−３−フルオロピリジン（６６ｍｇ、０．５ｍｍｏｌ）を加えた。このバイアルに栓をして、グローブボックスの外で８０℃で１８時間、加熱した。粗製反応混合物の１９Ｆ  ＮＭＲ分析により、出発材料の完全な転化、および化合物の４−Ｂｐｉｎ：５−Ｂｐｉｎ：４，６−ジＢｐｉｎが３．６：２．０：１．０の比で形成していることが示された。反応溶媒をロータリーエバポレーションにより除去した。溶離液としてペンタン−ＥｔＯＡｃ混合物を使用するフラッシュカラムクロマトグラフィーにより残渣を精製すると、４−および５−Ｂｐｉｎ異性体である２−クロロ−３−フルオロ−４−（４，４，５，５−テトラメチル−１，３，２−ジオキサボロラン−２−イル）ピリジンおよび２−クロロ−３−フルオロ−５−（４，４，５，５−テトラメチル−１，３，２−ジオキサボロラン−２−イル）ピリジンとの１：１混合物（１９Ｆ  ＮＭＲによる）が無色油状物（８２ｍｇ、３２％）として得られた。1H NMR (500 MHz, CDCl3) δ 8.52 (s, 1H, Hc), 8.22 (d, J = 4.4 Hz, 1H, Ha), 7.81 (dd, J = 8.3, 1.4 Hz, 1H, Hd), 7.54 (dd, J = 4.4, 4.4 Hz, 1H, Hb), 1.38 (s, 12H, 4-Bpinまたは5-Bpin異性体), 1.36 (s, 12H, 4-Bpinまたは5-Bpin異性体); 19F NMR (470 MHz, CDCl3) δ -109.38 (4-Bpin異性体), -120.30 (d, J = 8.3Hz, 5-Bpin異性体).
【０４９５】
３−ブロモ−５−フルオロピリジンのホウ素化
［Ｉｒ（ＯＭｅ）ｃｏｄ］２（３．３ｍｇ、０．００５ｍｍｏｌ）およびｄｔｂｐｙ（２．７ｍｇ、０．０１ｍｍｏｌ）を含む、オーブンにより乾燥した３ｍＬのスクリューキャップ付きＷｈｅａｔｏｎ（登録商標）バイアルを、窒素を満たしたグローブボックス内に入れた。ＴＨＦ（１．０ｍＬ）、続いてＢ２ｐｉｎ２（１２７ｍｇ、０．５ｍｍｏｌ）および３−ブロモ−５−フルオロピリジン（８８ｍｇ、０．５ｍｍｏｌ）を加えた。このバイアルに栓をして、グローブボックスの外で８０℃で２２時間、加熱した。１９Ｆ  ＮＭＲ分光法によって、粗製反応混合物から１６％の転化率が検出された。
【実施例５】
【０４９６】
単座のピリジン配位子を使用する、指向型Ｃ−Ｈ活性化によるホウ素化
指向性基により置換されているアレーンを含む、アレーンのホウ素化における、配位子の可能性としての単座ピリジンを検討した。アレーンのホウ素化反応において提案されている中間体に基づいた評価を行うため、ピリジンを選択した。イリジウム触媒および二座配位子の存在下での非指向型ホウ素化の間、金属中心は二座のピリジン配位子によって配位されており、こうして、基質が結合してＣ−Ｈ活性化のステップを受けるための開放した配位部位が１つ残される。ピリジン配位子などの単座配位子が使用される場合、金属中心にさらに空の配位部位が利用可能となる。以下に示されている通り、基質が金属中心に結合することができる基を有する場合、この基へのオルトＣ−Ｈ結合の活性化が起こり得る。
【０４９７】
【化１１８】
0006434522.tif 000128
【０４９８】
以下のスキームにおいて、適度に好適なモノピリジン配位子により、中間体４よりも１４電子中間体である３の方が有利となり、こうして、指向型ホウ素化が可能になると仮説をたてた。特に、電子が不足しているかまたは立体障害のあるピリジンが候補となる可能性が高いと考えられる。
【０４９９】
【化１１９】
0006434522.tif 000129
【０５００】
まず、カルボニル含有基質に関してピリジン配位子を評価した。アセトフェノンをモデル基質として選んだ。アセトフェノンのホウ素化に関するピリジン配位子のスクリーニングを、ＴＨＦ中、１ｍｏｌ％［Ｉｒ（ＯＭｅ）ｃｏｄ］２、２ｍｏｌ％ピリジン配位子、Ｂ２ｐｉｎ２１当量（ｅｑｕｉｖ）、およびケトン２当量を使用し、８０℃で行った（表３）。
【０５０１】
【表３】
0006434522.tif 000130
【０５０２】
ピリジン環上の置換基の位置は、反応結果における重要な役割を果たした。良好な転化率と優れた位置選択性の両方をもたらす最良の配位子は、３，５−ジ（トリフルオロメチル）ピリジンであった（表３、エントリー１）。残念なことに、このピリジン配位子の価格は２５０ｍｇあたり＄４９と高価である。ホウ素化反応は、アルドール縮合の副生成物が形成した。ピリジンの２位にＣＦ３基を導入すると反応が減速し、位置選択性が低下した（表３のエントリー１と２とを比較されたい）。しかし、４位にＣＦ３基が配置されると転化率が改善され、位置選択性が中程度となった（表３のエントリー２と３とを比較されたい）。２位におけるフッ素またはメトキシなどのより小さな置換基により、−ＣＦ３基と比べて、優れた転化率がもたらされるが、選択性はかなり低いものであった。興味深いことに、ピリジンの２位および６位に置換基を配置すると、位置選択性がかなり向上した。置換基の立体的なかさ高さによって、転化率は影響を受けた（表３のエントリー６、７および８を比較されたい）。過剰のホウ素試薬により、反応結果は劇的に改善された。アルドール縮合生成物は検出されず、オルトホウ素化生成物だけが観察された。
【０５０３】
次に、予備的な適用範囲の検討をケトンについて実施した。様々なアルキルおよびアリールケトンが首尾よくホウ素化された。支持配位子として２−メトキシピリジンを使用して実施した、イリジウム触媒によるシクロプロピルフェニルケトンのホウ素化により、オルトホウ素化生成物が５０％収率で得られた。３，５−ジフルオロアセトフェノンのホウ素化は、４−トリフルオロピリジンを配位子として使用すると、円滑に進行した。１６：１の比のオルト：パラホウ素化生成物を伴って、４７％の転化率がＧＣにより検出された。収率は最適化されておらず、ｄｔｂｐｙを配位子として使用した場合、両フッ素置換基の間の４位にホウ素化が起こることに留意すべきである。
【０５０４】
【化１２０】
0006434522.tif 000131
【０５０５】
他のカルボニル含有基質を使用して、配位子の最適化検討を行った。３，５−ジ（トリフルオロメチル）ピリジンを配位子として使用した場合、安息香酸メチルは、許容できるオルト選択性（ｏ／（ｍ＋ｐ）＝１１．７：１）および良好な転化率を与えた。２−ＣＦ３および４−ＣＦ３置換ピリジンは、位置選択性に乏しかった。興味深いことに、２−メトキシピリジンを使用すると、非常に良好なオルト選択性（ｏ／（ｍ＋ｐ）＝１０．４：１）が得られた。Ａｌｄｒｉｃｈにおける２−メトキシピリジンの価格は、２５グラムあたり＄２９．７０であり、配位子として非常に魅力的な選択肢になる。比較すると、二座配位子ｄｔｂｐｙを使用すると、安息香酸メチルは、メタおよびパラ位においてもっぱらホウ素化され、オルトホウ素化生成物は検出されなかった。さらに、２−メトキシピリジンを支持配位子として使用した場合、Ｎ，Ｎ−ジメチルベンズアミドは良好な転化率および優れたオルト選択性を実現した。他の単座のピリジン配位子では、ベンズアミドのホウ素化は起こらないか、または低い転化率が得られた。これらの結果より、ある種の二座および単座のピリジン配位子を使用すると、反応結果に明確な差異があることが示唆される。
【０５０６】
指向性基が存在しない場合、単座のピリジン配位子はやはり、フッ素のオルトホウ素化の選択性を改善し得ると仮説をたてた。この仮説を評価するために、２−メトキシピリジンを使用する３−フルオロトルエンのホウ素化を検討し、２−（アミノメチル）ピリジンおよびｄｔｂｐｙを使用して実施したホウ素化と比較した。表４に示されている通り、配位子として２−メトキシピリジンを使用すると、優れた結果が得られた。異性体の比は４．７：１に改善され、フッ素置換基のオルトホウ素化が優先した。比較すると、二座のｄｔｂｐｙを配位子として使用すると、１；１の異性体比が検出された。
【０５０７】
【表４】
0006434522.tif 000132
【０５０８】
この一式の配位子をやはり、１−クロロ−２，３−ジフルオロベンゼンのホウ素化において調査した。２−（アミノメチル）ピリジンを配位子として使用すると、良好な転化率および良好な選択性が得られ、フッ素置換基のオルトホウ素化が有利となった（表５）。同じ配位子を使用した場合、溶媒をＴＨＦからヘキサンに変更すると、選択性がわずかに改善された。この配位子は市販されている（Ａｌｄｒｉｃｈ、２５グラムあたり＄６０．９）。さらに、２−メトキシピリジン配位子を使用した場合、３．３：１の比のホウ素化生成物が検出された。他のモノおよびジホウ素化生成物が観察され、この基質の総転化率は、１９Ｆ  ＮＭＲ分析により決定すると、８５％であった。興味深いことに、上記の両方の配位子が、ｂｔｆｂｐｙビピリジン配位子よりも優れており、後者の配位子は、ＴＨＦ中で２．５：１の比のホウ素化生成物を与えた（表５）。このビピリジン配位子は市販されていない。しかし、２−クロロ−４−（トリフルオロメチル）ピリジン（Ｏａｋｗｏｏｄ  Ｃｈｅｍｉｃａｌ、２５グラムあたり＄１１０）から１ステップ合成で調製することができる。
【０５０９】
【表５】
0006434522.tif 000133
【０５１０】
重要なことに、以下のスキームにまとめられている通り、これらの方法は、他のホウ素化反応を、代替の配位子を利用して補うものである。
【０５１１】
【化１２１】
0006434522.tif 000134
【０５１２】
実験方法
アセトフェノンのホウ素化の一般手順
窒素を満たしたグローブボックス中、３ｍＬのＷｈｅａｔｏｎ（登録商標）バイアルに、［Ｉｒ（ＯＭｅ）ｃｏｄ］２（３．３ｍｇ、０．００５ｍｍｏｌ、１ｍｏｌ％）およびＢ２ｐｉｎ２（１２７ｍｇ、０．５ｍｍｏｌ）、続いてＴＨＦ（１．５ｍＬ）を投入した。得られた溶液に、アセトフェノン（１１６μＬ、１．０ｍｍｏｌ）およびピリジン配位子（０．０１ｍｍｏｌ、２ｍｏｌ％）を加えた。このバイアルに栓をして、グローブボックスから取り出した。この反応混合物を８０℃で１５時間、加熱した。この反応混合物を室温まで冷却し、空気に開放してＧＣ分析のために試料を採取した。この結果を上の表３に示している。総転化率とは、アセトフェノンの総転化率に相当する。
【０５１３】
３−フルオロトルエンのホウ素化における、配位子検討の一般手順
窒素を満たしたグローブボックス中、３ｍＬのＷｈｅａｔｏｎ（登録商標）バイアルに、［Ｉｒ（ＯＭｅ）ｃｏｄ］２（３．３ｍｇ、０．００５ｍｍｏｌ、１ｍｏｌ％）、Ｂ２ｐｉｎ２（１２７ｍｇ、０．５ｍｍｏｌ）およびｄｔｂｐｙ（２．７ｍｇ、０．０１ｍｍｏｌ、２ｍｏｌ％）、続いてヘキサン（１．５ｍＬ）を投入した。２−（アミノメチル）ピリジン（１．０μＬ、０．０１ｍｍｏｌ、２ｍｏｌ％）の場合、これは最後に加えた。得られた溶液に、３−フルオロトルエン（１１１μＬ、１．０ｍｍｏｌ）を加えた。このバイアルに栓をして、グローブボックスから取り出した。この反応混合物を７０℃で１５時間、加熱した。反応混合物を室温まで冷却し、空気に開放してＧＣ分析のために試料を採取した。この結果を上の表４に示している。
【０５１４】
２−メトキシピリジンを配位子として使用した場合、代替手順を用いた。窒素を満たしたグローブボックス中、３ｍＬのＷｈｅａｔｏｎ（登録商標）バイアルに、［Ｉｒ（ＯＭｅ）ｃｏｄ］２（６．６ｍｇ、０．０１ｍｍｏｌ、１ｍｏｌ％）およびＢ２ｐｉｎ２（２５４ｍｇ、１．０ｍｍｏｌ）、続いてＴＨＦ（１．５ｍＬ）を投入した。得られた溶液に、３−フルオロトルエン（１１１μＬ、１．０ｍｍｏｌ）、次いで２−メトキシピリジン（２．１μＬ、０．０２ｍｍｏｌ、２ｍｏｌ％）を加えた。このバイアルに栓をして、グローブボックスから取り出した。この反応混合物を８０℃で２４時間、加熱した。この反応混合物を室温まで冷却し、空気に開放してＮＭＲ分析のために試料を採取した。
【０５１５】
１−クロロ−２，３−ジフルオロベンゼンのホウ素化の一般手順
窒素を満たしたグローブボックス中、３ｍＬのＷｈｅａｔｏｎ（登録商標）バイアルに、［Ｉｒ（ＯＭｅ）ｃｏｄ］２（３．３ｍｇ、０．００５ｍｍｏｌ、１ｍｏｌ％）およびＢ２ｐｉｎ２（１２７ｍｇ、０．５ｍｍｏｌ）を投入した。試験管に１−クロロ−２，３−ジフルオロベンゼン（１４８ｍｇ、１．０ｍｍｏｌ）を秤量し、適切な溶媒（１．５ｍＬ）を有する反応用バイアルに移した。次に、この反応混合物に２−（アミノメチル）ピリジン（１．０μＬ、０．０１ｍｍｏｌ、２ｍｏｌ％）を加えた。このバイアルに栓をして、グローブボックスから取り出した。この反応混合物を５０℃で１６時間、加熱した。反応混合物を室温まで冷却し、空気に開放してＧＣおよびＮＭＲ分析のために試料を採取した。この結果を上の表５に示している。
【０５１６】
シクロプロピルフェニルケトンのホウ素化
窒素を満たしたグローブボックス中、３ｍＬのＷｈｅａｔｏｎ（登録商標）バイアルに、［Ｉｒ（ＯＭｅ）ｃｏｄ］２（６．６ｍｇ、０．０１ｍｍｏｌ、１ｍｏｌ％）およびＢ２ｐｉｎ２（２５４ｍｇ、１．０ｍｍｏｌ）、続いてＴＨＦ（１．５ｍＬ）を投入した。得られた溶液に、シクロプロピルフェニルケトン（１３８μＬ、１．０ｍｍｏｌ）および２−メトキシピリジン（２．１μＬ、０．０１ｍｍｏｌ、２ｍｏｌ％）を加えた。このバイアルに栓をして、グローブボックスから取り出した。この反応混合物を８０℃で１６時間、加熱した。溶媒をロータリーエバポレーションにより濃縮し、溶離液としてＥｔＯＡｃ−ペンタンを使用するフラッシュクロマトグラフィーによって油状残渣を精製した。シクロプロピル（２−（４，４，５，５−テトラメチル−１，３，２−ジオキサボロラン−２−イル）フェニル）ケトンが白色固体（５３％）として得られた。1H NMR (500 MHz, CDCl3) δ 7.97 (d, J = 7.6 Hz, 1H), 7.54-7.50 (m, 2H), 7.47-7.42 (m, 1H), 2.67-2.61 (m, 1H), 1.40 (s, 12H), 1.31-1.27 (m, 2H), 1.09-1.04 (m, 2H); 13C NMR (125 MHz, CDCl3) δ 202.4, 141.9, 132.5, 132.2, 129.0, 127.6, 83.8, 25.1, 16.7, 12.4; 11B NMR (160 MHz, CDCl3) δ 30.8.
【０５１７】
３’，５’−ジフルオロアセトフェノンのホウ素化
窒素を満たしたグローブボックス中、３ｍＬのＷｈｅａｔｏｎ（登録商標）バイアルに、［Ｉｒ（ＯＭｅ）ｃｏｄ］２（３．３ｍｇ、０．００５ｍｍｏｌ、１ｍｏｌ％）およびＢ２ｐｉｎ２（１２７ｍｇ、０．５ｍｍｏｌ）、続いてＴＨＦ（１．５ｍＬ）を投入した。得られた溶液に、３’，５’−ジフルオロアセトフェノン（１５６ｍｇ、１．０ｍｍｏｌ）および４−トリフルオロメチルピリジン（１．１μＬ、０．０１ｍｍｏｌ、２ｍｏｌ％）を加えた。このバイアルに栓をして、グローブボックスから取り出した。この反応混合物を８０℃で１９時間、加熱した。溶媒をロータリーエバポレーションにより濃縮し、溶離液としてＥｔ２Ｏ−ペンタンの混合物を使用するフラッシュクロマトグラフィーによって油状残渣を精製した。ペンタンから再結晶すると、１−アセチル−３，５−ジフルオロ−２−（４，４，５，５−テトラメチル−１，３，２−ジオキサボロラン−２−イル）ベンゼンが白色結晶（３４％）として得られた。1H NMR (300 MHz, CDCl3) δ 7.33 (ddd, J = 8.4, 2.1, 0.4 Hz, 1H), 6.96 (ddd, J = 8.5, 8.0, 2.1 Hz, 1H), 2.56 (s, 3H), 1.42 (s, 12H); 19F NMR (283 MHz, CDCl3) δ -101.18, -108.04.
【０５１８】
Ｎ，Ｎ−ジメチルベンズアミドのホウ素化
窒素を満たしたグローブボックス中、３ｍＬのＷｈｅａｔｏｎ（登録商標）バイアルに、［Ｉｒ（ＯＭｅ）ｃｏｄ］２（３．３ｍｇ、０．００５ｍｍｏｌ、０．５ｍｏｌ％）、Ｎ，Ｎ−ジメチルベンズアミド（１４９ｍｇ、１．０ｍｍｏｌ）およびＢ２ｐｉｎ２（２５４ｍｇ、１．０ｍｍｏｌ）、続いてＴＨＦ（１．５ｍＬ）を投入した。得られた溶液に、２−メトキシピリジン（１．１μＬ、０．０１ｍｍｏｌ、１ｍｏｌ％）を加えた。このバイアルに栓をして、グローブボックスから取り出した。得られた混合物を１１０℃で１７時間、加熱した。この反応混合物を室温まで冷却し、空気に開放してＧＣおよびＮＭＲ分析のために試料を採取した。ＧＣ分析により、オルトホウ素化生成物への転化率は８４％であり、他のホウ素化異性体はわずか微量であった。反応混合物の１Ｈ−ＮＭＲスペクトルにおける共鳴は、文献で見いだされる、オルトホウ素化ベンズアミドのそれに一致する。
【０５１９】
安息香酸メチルのホウ素化を使用する、さらなる配位子のスクリーニング
窒素を満たしたグローブボックス中、３ｍＬのＷｈｅａｔｏｎ（登録商標）バイアルに、［Ｉｒ（ＯＭｅ）ｃｏｄ］２（３．３ｍｇ、０．００５ｍｍｏｌ、１ｍｏｌ％）およびＢ２ｐｉｎ２（１２７ｍｇ、０．５ｍｍｏｌ）を投入した。このバイアルにＴＨＦ（１．５ｍＬ）、続いて安息香酸メチル（１２４μＬ、１．０ｍｍｏｌ）を加えた。適切なピリジン配位子（０．０１ｍｍｏｌ、２ｍｏｌ％）を加えた。ｄｔｂｐｙを配位子として使用した場合、これをバイアル中で秤量した後、溶媒を加えた。このバイアルに栓をして、グローブボックスから取り出した。この反応混合物を８０℃で１８時間、加熱した。反応混合物を室温まで冷却し、ＧＣ分析のために試料を採取した。この結果を表６に示している。
【０５２０】
【表６】
0006434522.tif 000135
【実施例６】
【０５２１】
Ｐｄ／Ｃおよびギ酸アンモニウムを使用するワンポットホウ素化および水素化脱ハロゲン化
電子吸引基により置換されているアレーンのオルト−ホウ素化に関する戦略として、タンデムホウ素化／脱ハロゲン化を上で検討した。上で議論した通り、電子吸引基により置換されているアレーンの場合、イリジウム触媒によるアレーンのＣ−Ｈ活性化−ホウ素化は、通常、立体効果によって支配される。上記のタンデムホウ素化／脱ハロゲン化方法では、基質は、電子吸引基、およびこの電子吸引基に対して普通なら立体的に有利なメタ位におけるイリジウム触媒の攻撃を妨害するよう、電子吸引基のパラ位に配置されている犠牲的原子（例えば、ＣｌまたはＢｒなどのハロゲン）をさらに含むことができる。結果として、イリジウム触媒によるアレーンのＣ−Ｈ活性化−ホウ素化は、オルトホウ素化された（電子的）生成物をもっぱら生成する。続く脱ハロゲン化により、所望の電子的生成物をもっぱら得ることができる。
【０５２２】
上で検討したタンデムホウ素化−水素化脱ハロゲン化方法は、２つの個別の反応を含み、各生成物を単離し、次のステップに持ち込んだ。水素化脱ハロゲン化方法は、Ｐｄ（ＯＡｃ）２、水素化脱ハロゲン化試薬としてポリメチルヒドロシロキサン（ＰＭＨＳ）およびフッ化カリウム（ＫＦ）を使用した。この反応もワンポットで行うことができ、この場合、Ｃ−Ｈ活性化ホウ素化反応を行い、次に、Ｐｄ（ＯＡｃ）２、ＰＭＨＳおよびＫＦを加えて、水素化脱ハロゲン化反応を実施すると、所望の生成物が優れた収率で得られた。
【０５２３】
炭素担持パラジウム（Ｐｄ／Ｃ）、および水素化脱ハロゲン化試薬としてギ酸アンモニウムを使用する、ワンポットホウ素化−水素化脱ハロゲン化方法の改善を検討した。この方法は、普通なら、入手するのが困難なホウ素化された分子を調製するために使用することができる。この方法により、いくつかの利益率の高い農業化学分子のための鍵となる中間体である、高度に官能基化されたホウ素化分子を入手するための極低温条件の必要性が回避される。この方法により、こうしたホウ素化分子を入手するための慣用的なＬｉ−Ｈ交換反応を使用して形成される潜在的に反応性の高い中間体が、やはり排除される。
【０５２４】
実用的な観点から、ワンポット方法により、中間体の単離、精製の時間がなくなり、廃棄物および溶媒の使用量が制御される。さらに、Ｃ−Ｈ活性化および水素化脱ハロゲン化における官能基許容性は、本方法の合成的利便性を拡張し、これにより、より広範なホウ素化アレーンの入手が潜在的に可能になる。
【０５２５】
結果
ワンポットホウ素化−水素化脱ハロゲン化方法の一般的な合成方法は、以下に含まれる。
【０５２６】
【化１２２】
0006434522.tif 000136
【０５２７】
上のスキームにおいて詳述されている一般的なホウ素化手順は、１ｍｍｏｌの原料のアレーン（表７におけるエントリー１〜６から選択される）で実施し、反応は、ＮＭＲ分光法により判断すると、２４時間後に完了した。反応容器を窒素雰囲気のグローブボックスから取り出し、この反応溶液をオーブンで乾燥した丸底フラスコに移した。このフラスコに還流コンデンサを連結し、ここに窒素を５分間、パージした。上のスキームにおいて詳述されている一般的な水素化脱ハロゲン化手順（Ｐｄ／Ｃおよびギ酸アンモニウムを使用）を、室温で、２４時間、行った。揮発物をロータリーエバポレーションにより除去すると、反応生成物が得られた。次に、この反応生成物をＮＭＲ分光法により特性決定した。これらの結果を以下の表７に示す。
【０５２８】
【表７】
0006434522.tif 000137
【０５２９】
添付の特許請求の範囲の組成物および方法は、本明細書に記載されている具体的な組成物および方法によって範囲が限定されることはなく、これらの具体的な組成物および方法は、特許請求の範囲のいくつかの態様の例示として意図されている。機能的に等価物となる、いかなる組成物および方法も、特許請求の範囲内に収まることが意図されている。本明細書において示され、かつ記載されているものに加え、組成物および方法の様々な修正が、添付の特許請求の範囲内に収まることが意図されている。さらに、ある種の代表的な組成物および方法ステップしか本明細書において開示されていないが、該組成物および方法ステップの別の組合せも、具体的に列挙されていない場合でさえも、添付の特許請求の範囲内に収まることがやはり意図される。したがって、ステップ、要素、構成成分または構成物の組合せが本明細書において明確に明記されているか、またはそれほど明確ではないが、ステップ、要素、構成成分、構成物の他の組合せが、明確に述べられていない場合でさえも包含されている。
【０５３０】
用語「含んでいる（comprising）」およびその派生語は、本明細書で使用する場合、用語「含んでいる（including）」およびその派生語と同義的に使用され、オープンな非限定用語である。「含んでいる（comprising）」および「含んでいる（including）」という用語は、本明細書では、様々な実施形態を記載するために使用されているが、「から本質的になる（consisting essentially of）」および「からなる（consisting of）」は、「含んでいる（comprising）」および「含んでいる（including）」の代わりに使用されて、本発明の一層、具体的な実施形態を提示することができ、やはり開示もされている。明記されている以外に、本明細書および特許請求の範囲において使用されている、形状、寸法などを表す数字のすべてが少なくとも理解されるべきであり、特許請求の範囲に対する等価物の原理の適用を限定しようとしているものと理解すべきではなく、有効桁数および通常の四捨五入手順に照らし合わせて解釈すべきである。
【０５３１】
特に定義されていない限り、本明細書において使用されているすべての技術用語および科学用語は、開示されている発明が属する分野における当業者により一般に理解されるものと同じ意味を有する。本明細書において列挙されている刊行物、およびそのために刊行物が引用されている資料は、参照により具体的に組み込まれている。