(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
支持基板、埋込絶縁層および活性層が積層されているＳＯＩ基板と、
前記活性層の表面に形成され、前記活性層の熱酸化膜からなる第１の絶縁膜と、
前記第１の絶縁膜の上部に形成されている第２の絶縁膜と、
前記第２の絶縁膜の上部に形成されている層間絶縁膜と、
少なくとも前記第２の絶縁膜、前記第１の絶縁膜および前記活性層を貫通し、内部に空洞を有し、前記層間絶縁膜によって上端部が閉塞されているトレンチと、
前記第１の絶縁膜に設けられ、前記トレンチと隣接し、内部に前記トレンチの内部の空洞と接する空洞を有する第１のサイドエッチング領域と、
を備える半導体装置であって、
前記第２の絶縁膜は前記第１の絶縁膜に対してエッチング選択比が高く、
前記第１の絶縁膜に設けられた前記トレンチおよび前記第１のサイドエッチング領域の開口部の幅が、前記活性層に設けられた前記トレンチの開口部の幅よりも広く、且つ、前記第２の絶縁膜に設けられた前記トレンチの開口部の幅よりも広い、
半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置に関し、特に、ＳＯＩ（Silicon On Insulator）基板と、ＳＯＩ基板上に形成された絶縁膜と、素子形成領域を分離するトレンチとを備える半導体装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体基板に形成された複数の半導体素子を電気的に分離する素子分離トレンチ（以下、「トレンチ」という）を備える半導体装置が知られている。特に、基板ウェハとして埋込絶縁層を有するＳＯＩ基板を用い、埋込絶縁層に達する深さのトレンチを形成すると、素子形成領域間が絶縁物により分離されるため、ｐｎ接合分離を用いた場合に生じる寄生容量や寄生トランジスタによる問題が低減される。
【０００３】
このような半導体装置におけるトレンチの絶縁耐圧は、トレンチの開口幅とトレンチ内部の比誘電率とに依存する。トレンチの開口幅を広くすることにより、絶縁耐圧を向上させることができるが、半導体装置が大型化するという問題がある。
【０００４】
トレンチの絶縁耐圧向上を目的として、トレンチの内部に空洞を設けた半導体装置が知られている。特許文献１には、ＳＯＩ基板と、ＳＯＩ基板の半導体層の素子分離領域に形成され、埋め込み絶縁層に達する溝とを有し、溝と溝に接する埋め込み絶縁層の一部領域が空洞となっている半導体装置が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２０１２−１４２５０５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
図４に従来のトレンチ内部に空洞を有する半導体装置の一例を示す。かかる半導体装置では、トレンチの内部にＳｉＯ２よりも比誘電率の低い空気層があることにより、トレンチにおける絶縁耐圧向上が図られている。しかしながら、かかる半導体装置のトレンチの上部では、トレンチの上端部を閉塞する層間絶縁膜によって活性層（素子形成層）間の沿面距離（図４の破線）が短くなり、絶縁耐圧が低下する問題があった。
【０００７】
その問題に対して、トレンチ内部の空洞領域を上方（配線側）に拡張することが考えられるが、その場合、その後のＣＭＰ（Chemical Mechanical Polishing、化学機械研磨）工程によってトレンチ上端部を閉塞する絶縁膜が薄層化してトレンチが開口してしまい、配線形成工程での配線材料やパターニングのためのレジスト材料等が、開口部からトレンチ内部の空洞領域に入り込むおそれがある。また、トレンチにおいて活性層の上部の領域を横方向（素子形成領域側）に拡張することが考えられるが、トレンチの上端部を閉塞する絶縁膜を形成する際にその開口部が埋まるため、横方向への拡張も困難である。
【０００８】
本発明は、かかる問題点を解決するためになされたものであり、ＳＯＩ基板を備える半導体装置であって、大型化することなく、活性層に設けられたトレンチの開口部の上端側の沿面距離が長く、トレンチにおける絶縁耐圧が更に向上した半導体装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明に係る半導体装置は、支持基板、埋込絶縁層および活性層が積層されているＳＯＩ基板と、前記活性層の表面に形成され、前記活性層の熱酸化膜からなる第１の絶縁膜と、前記第１の絶縁膜の上部に形成されている第２の絶縁膜と、前記第２の絶縁膜の上部に形成されている層間絶縁膜と、少なくとも前記第２の絶縁膜、前記第１の絶縁膜および前記活性層を貫通し、内部に空洞を有し、前記層間絶縁膜によって上端部が閉塞されているトレンチと、前記第１の絶縁膜に設けられ、前記トレンチと隣接し、内部に前記トレンチの内部の空洞と接する空洞を有する第１のサイドエッチング領域と、を備える半導体装置であって、前記第２の絶縁膜は前記第１の絶縁膜に対してエッチング選択比が高く、前記第１の絶縁膜に設けられた前記トレンチおよび前記第１のサイドエッチング領域の開口部の幅が、前記活性層に設けられた前記トレンチの開口部の幅よりも広く、且つ、前記第２の絶縁膜に設けられた前記トレンチの開口部の幅よりも広いことを特徴とする。
【発明の効果】
【００１０】
本発明に係る半導体装置によれば、トレンチにおいて、活性層に設けられたトレンチの内部の空洞を覆うように、その上部により広い空洞を形成することにより、大型化することなく、活性層に設けられたトレンチの開口部の上端側の沿面距離が長く、トレンチにおける絶縁耐圧が更に向上した半導体装置を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】本実施形態に係る半導体装置の一例を示す断面図である。
【図２】本実施形態に係る半導体装置の一例の製造工程を示す断面図である。
【図３】本実施形態に係る半導体装置の他の例の製造工程を示す断面図である。
【図４】従来の半導体装置の概略断面を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
以下、本発明を実施するための形態（以下、本実施形態という）について図面を参照しながら説明する。本実施形態に係る半導体装置１００は、図１に示す通り、支持基板１２、埋込絶縁層１４および活性層１６が積層されているＳＯＩ基板１０と、活性層１６の上部に形成されている第１の絶縁膜２０と、第１の絶縁膜２０の上部に形成されている第２の絶縁膜３０と、第２の絶縁膜３０の上部に形成されている層間絶縁膜４０と、少なくとも第２の絶縁膜３０、第１の絶縁膜２０および活性層１６を貫通し、内部に空洞を有し、層間絶縁膜４０によって上端部が閉塞されているトレンチ５０と、第１の絶縁膜２０に設けられたトレンチ５０の開口部に隣接して設けられ、内部に前記トレンチ５０の内部の空洞と接する空洞を有する第１のサイドエッチング領域５２と、を備えている。
【００１３】
半導体装置１００は、支持基板１２、埋込絶縁層１４および活性層１６が積層されているＳＯＩ基板１０を備え、ＳＯＩ基板１０の活性層１６には複数の素子（図示しない）が形成されている。半導体装置１００において、トレンチ５０は素子が形成されている領域を電気的に分離する。なお図１では、半導体装置１００の横方向に繰り返されている構成を省略している。
【００１４】
半導体装置１００は、ＳＯＩ基板１０の活性層１６の上部に形成されている第１の絶縁膜２０と、第１の絶縁膜２０の上部に形成されている第２の絶縁膜３０とを備えており、第２の絶縁膜３０は、第１の絶縁膜２０に対してエッチング選択比が高いことを特徴とする。「エッチング選択比」とは、ある部材のエッチングレートに対する他の部材のエッチングレートの比を意味し、「エッチング選択比が高い」とは、ある部材のエッチングレートに対して他の部材のエッチングレートが小さいことを意味する。第１の絶縁膜２０に対して、第２の絶縁膜３０のエッチング選択比が高いものとし、トレンチ５０の形成後に等方性エッチングを行うことにより、第１の絶縁膜２０に、トレンチ５０に隣接する第１のサイドエッチング領域５２が設けられる。
【００１５】
第１の絶縁膜２０および第２の絶縁膜３０の組合せとしては、第２の絶縁膜３０が第１の絶縁膜２０に対してエッチング選択比が高くなる組合せであれば限定されるものではないが、例えば、第１の絶縁膜２０としてＳｉＯ２膜を用い、第２の絶縁膜３０としてシリコン窒化膜（ＳｉＮ膜）、炭化シリコン膜（ＳｉＣ膜）等を用いる組合せが挙げられる。
【００１６】
半導体装置１００は、第２の絶縁膜３０の上部に形成されている層間絶縁膜４０を有する。層間絶縁膜４０は、トレンチ５０の上端部を閉塞することにより、トレンチ５０の内部に空洞領域を形成するとともに、配線材料或いはレジスト材料等がトレンチ５０内部の空洞に入り込むことを防止する。層間絶縁膜４０を形成する材料としては、例えばＳｉＯ２膜（酸化膜）等が挙げられ、絶縁に関する信頼性および後工程での熱処理に対する耐性の観点からＴＥＯＳ（Tetra Ethyl Ortho Silicate）などのＣＶＤ法（Chemical Vapor Deposition、化学気相成長法）で形成されたＳｉＯ２膜であることが好ましい。
【００１７】
トレンチ５０は、少なくとも第２の絶縁膜３０、第１の絶縁膜２０および活性層１６を貫通するように形成されている。トレンチ５０は、層間絶縁膜４０によって上端部が閉塞されることにより、内部に空洞を有する。
【００１８】
第１のサイドエッチング領域５２は、第２の絶縁膜３０を第１の絶縁膜２０に対してエッチング選択比が高いものとし、トレンチ５０を形成した後、等方性エッチングを行うことによって第１の絶縁膜２０に設けられる、トレンチ５０に隣接する領域である。半導体装置１００は、第１のサイドエッチング領域５２を備えることにより、トレンチ５０および第１のサイドエッチング領域５２によって第１の絶縁膜２０に設けられた開口部の幅Ｗ１（以下「開口幅Ｗ１」という）が、トレンチ５０によって活性層１６に設けられた開口部の幅Ｗａ（以下「開口幅Ｗａ」という）よりも広く、且つ、トレンチ５０によって第２の絶縁膜３０に設けられた開口部の幅Ｗ２（以下「開口幅Ｗ２」という）よりも広いという特徴的な構造を有するものとなる。
【００１９】
半導体装置１００においては、開口幅Ｗ２が開口幅Ｗ１より狭いため、第１の絶縁膜２０間が層間絶縁膜４０で埋められることなく、第１のサイドエッチング領域５２の内部に空洞が形成される。半導体装置１００は、第１のサイドエッチング領域５２の内部にある空洞とトレンチ５０の内部にある空洞とが接していることを特徴としており、これにより、半導体装置１００には、活性層１６に設けられたトレンチ５０の開口部の上部に、当該開口部よりも広い空洞領域が形成され、活性層１６に設けられたトレンチ５０の開口部の上端側の沿面距離が長くなり、トレンチ５０の絶縁耐圧の向上を達成することができる。
【００２０】
第２のサイドエッチング領域５４は、埋込絶縁層１４に設けられる領域であって、支持基板１２と活性層１６とに挟まれている。第２のサイドエッチング領域５４は、第１のサイドエッチング領域５２と同様に、トレンチ５０を形成した後、等方性エッチングを行うことにより形成される。半導体装置１００は、第２のサイドエッチング領域５４を備えることが好ましい。第２のサイドエッチング領域５４を備えることにより、トレンチ５０および第２のサイドエッチング領域５４によって埋込絶縁層１４に設けられた開口部の幅Ｗｂ（以下「開口幅Ｗｂ」という）が開口幅Ｗａよりも広くなる。その結果、活性層１６に設けられたトレンチ５０の開口部の下部に、当該開口部よりも広い空洞が形成され、活性層に設けられたトレンチ５０の開口部の下端側の沿面距離が長くなり、トレンチ５０の絶縁耐圧が向上するためである。
【００２１】
本実施形態の半導体装置１００における「開口幅」とは、半導体装置１００に形成されるトレンチ５０の長手方向に垂直な方向における、トレンチ５０と、場合により、第１のサイドエッチング領域５２または第２のサイドエッチング領域５４とで形成される開口部において、トレンチ５０等を介して対向する第１の絶縁膜２０等同士の間の距離を意味する。本実施形態の半導体装置１００においては、トレンチ５０の形成方法の特徴から、開口幅Ｗ１および開口幅Ｗａは上下方向でほぼ一定であるが、本実施形態の半導体装置１００は、活性層１６に設けられたトレンチ５０の開口部の上端側の沿面距離が長くなるように、トレンチ５０および第１のサイドエッチング領域５２に共通する広い空洞が形成されるものである限り、開口幅Ｗ１およびＷａがいずれも上下方向でほぼ一定である態様に限定されるものではない。
【００２２】
一方、開口幅Ｗ２は、半導体装置１００に形成されるトレンチ５０の長手方向に垂直な方向における、トレンチ５０の開口部を介して対向する第２の絶縁膜３０同士の距離の最小値によって代表される。第２の絶縁膜３０における当該最小値が開口幅Ｗ１より狭いこと、即ち、第２の絶縁膜３０が第１のサイドエッチング領域５２の上部に庇状に張り出していることにより、第１のサイドエッチング領域５２に空洞が形成されるためである。また、開口幅Ｗｂは、半導体装置１００に形成されるトレンチ５０の長手方向に垂直な方向における、トレンチ５０および第２のサイドエッチング領域５４の開口部を介して対向する埋込絶縁層１４同士の距離の最大値によって代表される。埋込絶縁層１４における当該最大値が活性層１６間の開口幅Ｗａよりも広ければ、活性層１６に設けられたトレンチ５０の開口部の下端側の沿面距離が長くなり、トレンチ５０の絶縁耐圧がより一層向上する。
【００２３】
開口幅Ｗ１および開口幅Ｗｂは、それぞれ、開口幅Ｗａよりも広く、且つ、半導体装置１００の機械的強度が保持される範囲であれば特に限定されないが、例えば、開口幅Ｗ１は開口幅Ｗａに対して２００％〜５００％であることが好ましく、開口幅Ｗｂは開口幅Ｗａに対して２００％〜５００％であることが好ましい。
【００２４】
これら開口幅Ｗ１、Ｗ２、ＷａおよびＷｂは、ドライエッチング装置、ウェットエッチング装置等を用いて半導体装置１００をトレンチ５０の長手方向と垂直な方向に切削し、表れた断面における、トレンチ５０等を介した各層間の距離を、電子顕微鏡等の公知の計測手段を用いて計測することにより、得られる。
【００２５】
半導体装置１００において、トレンチ５０は、埋込絶縁層１４を貫通して支持基板１２に達するように形成されていることが好ましい。言い換えれば、支持基板１２の一部が、トレンチ５０の内部に露出していることが好ましい。等方性エッチングによって容易に第２のサイドエッチング領域５４を形成し、開口幅Ｗ２を開口幅Ｗ１に対して広くすることができるとの利点を有するためである。
【００２６】
図示しないが、本実施形態に係る半導体装置１００は、活性層１６のトレンチ５０に囲まれた素子形成領域に素子を備え、また、層間絶縁膜４０の上部に配線や保護膜等を備える。
【００２７】
半導体装置１００の製造方法を、図２を参照しながら説明する。
【００２８】
本実施形態に係る半導体装置１００は、支持基板１２、埋込絶縁層１４および活性層１６が積層されているＳＯＩ基板１０の活性層１６の上部に第１の絶縁膜２０を形成する第１絶縁膜形成工程と；第１の絶縁膜２０の上部に第２の絶縁膜３０を形成する第２絶縁膜形成工程と；少なくとも第２の絶縁膜３０、第１の絶縁膜２０および活性層１６を貫通するトレンチ５０を形成するトレンチ形成工程と；等方性エッチングにより第１のサイドエッチング領域５２を形成するサイドエッチング工程と；層間絶縁膜を形成して、トレンチ５０の上端部を閉塞し、トレンチ５０および第１のサイドエッチング領域５２の内部に空洞を形成する層間絶縁膜形成工程と；を少なくとも有する製造方法によって、製造される。
【００２９】
図２（ａ）に示す支持基板１２、埋込絶縁層１４および活性層１６が積層されているＳＯＩ基板１０を用意する。図２（ｂ）に示すように、ＳＯＩ基板１０の活性層１６の上部に、第１の絶縁膜２０を形成し、第１の絶縁膜２０の上部に第２の絶縁膜３０を形成する。必要に応じて、第２の絶縁膜３０の上部にマスク酸化膜３２を形成する。
【００３０】
第１の絶縁膜２０は、熱酸化法等の公知の方法により形成される。上記の通り、第２の絶縁膜３０はエッチング選択比が第１の絶縁膜２０よりも高い材料を用いて形成される。第２の絶縁膜３０としてＳｉＮ膜を形成する場合、熱またはプラズマを用いたＣＶＤ法等により形成される。深いトレンチを形成する場合、レジストパターンだけではエッチングマスクに必要な厚さが確保できない場合がある。そこで必要に応じて第２の絶縁膜３０の上部にマスク酸化膜３２を形成することにより、エッチングマスクを厚くすることができる。マスク酸化膜３２は、例えばＳｉＯ２等からなり、ＣＶＤ法等の公知の方法により形成される。
【００３１】
図２（ｃ）に示すように、少なくとも、第２の絶縁膜３０、第１の絶縁膜２０および活性層１６を貫通し、埋込絶縁層１４に達するトレンチ５０を形成する。より詳しくは、第２の絶縁膜３０上に、フォトリソグラフィ法を用いて、トレンチ５０を形成する部位が開口したレジストパターン（図示せず）を形成した後、レジストパターンをエッチングマスクにして、トレンチ５０を形成する。第２の絶縁膜の上部にマスク酸化膜３２を形成する場合、レジストパターンはマスク酸化膜３２の上部に形成される。
【００３２】
トレンチ５０は、ＲＩＥ（Reactive Ion Etching）法等の異方性エッチングにより形成される。形成されるトレンチ５０は、図２（ｃ）に示すように、埋込絶縁層１４を貫通して支持基板１２に達していてもよい。
【００３３】
トレンチ形成工程は、複数回の異方性エッチングに分けて行ってもよい。複数回に分けて行う場合、例えば、上記レジストパターンをエッチングマスクにして第２の絶縁膜３０および必要に応じて形成されるマスク酸化膜３２をドライエッチング法、ウェットエッチング法等により選択的にエッチングして、開口部を形成し、次いで、レジストパターンを除去し、第２の絶縁膜３０および必要に応じて形成されるマスク酸化膜３２をハードマスクとしてドライエッチング法等により第１の絶縁膜２０および活性層１６をエッチングし、埋込絶縁層１４に達するトレンチ５０を形成してもよい。
【００３４】
図２（ｄ）に示すように、第１の絶縁膜２０におけるトレンチ５０に接する部分を等方性エッチングにより除去して、第１のサイドエッチング領域５２を形成するサイドエッチング工程を行う。このときの等方性エッチングとしては、ウエットエッチングまたはＣＤＥ（Chemical Dry Etching）法によるドライエッチングが挙げられる。サイドエッチング工程において、図２（ｄ）に示すように、埋込絶縁層１４におけるトレンチ５０に接する部分を除去して、第２のサイドエッチング領域５４を形成することができる。
【００３５】
第１の絶縁膜２０を第２の絶縁膜３０に対してエッチング選択比が低い材料で形成することにより、図１に示す第１のサイドエッチング領域５２が形成され、開口幅Ｗ１が、開口幅Ｗ２および開口幅Ｗａのそれぞれに対して広くなる。これにより、活性層１６に設けられたトレンチ５０の開口部よりも広い空洞領域が形成されて、トレンチ５０の上部における活性層１６間の沿面距離が長くなり、トレンチ５０の絶縁耐圧が更に向上する。
【００３６】
トレンチ５０の絶縁耐圧のより一層の向上のため、サイドエッチング工程において第２のサイドエッチング領域５４が形成されることによって、開口幅Ｗｂが開口幅Ｗａよりも広くなり、活性層１６に設けられたトレンチ５０の開口部よりも広い空洞領域が形成されることが好ましい。活性層１６に設けられたトレンチ５０の開口部の下端側の沿面距離が長くなり、トレンチ５０の絶縁耐圧が更に向上するためである。
【００３７】
図２（ｅ）に示すように、第２の絶縁膜３０の上部に層間絶縁膜４０を形成することにより、第２の絶縁膜３０に設けられた開口部を埋め、トレンチ５０の上端部を閉塞する層間絶縁膜形成工程を行う。
【００３８】
層間絶縁膜４０の形成は、例えば、ＣＶＤ法で行われる。層間絶縁膜４０のＣＶＤ法による形成を、必要に応じて、カバレッジ性の低い条件、具体的には、高圧力条件または高パワー条件等の条件で行うことにより、トレンチ５０および第１のサイドエッチング領域の内部にある空洞を維持しながら、トレンチ５０の上端部が閉塞される。上記の通り、層間絶縁膜４０はシラン（ＳｉＨ４）、ＴＥＯＳ（Tetra Ethyl Ortho Silicate）等を用いて形成された酸化膜（ＳｉＯ２膜）であることが好ましい。なお、層間絶縁膜４０の形成条件によって、トレンチ５０における活性層１６の側面やトレンチ５０の底面等に層間絶縁膜４０の材料が堆積するが、トレンチ５０の開口部の下端側の沿面距離への影響は小さいため、これらの堆積物が絶縁耐圧に及ぼす影響は少ない。
【００３９】
半導体装置１００は、上記の各工程に加えて、トレンチ５０に囲まれた素子形成領域に素子を形成する工程、必要に応じたＣＭＰ等による層間絶縁膜４０の平坦化工程、および、層間絶縁膜４０の上部に配線や保護膜等を形成する工程等を行うことによって、製造される。
【実施例】
【００４０】
［実施例１］
本実施形態に係る半導体装置１００の製造方法の具体例を、図２を参照しながら記載する。支持基板１２、埋込絶縁層１４および活性層１６が積層されたＳＯＩ基板１０（図２（ａ））の活性層１６表面に、熱酸化法によりＳｉＯ２からなる第１の絶縁膜２０を形成し、さらにＣＶＤ法にてＳｉＮからなる第２の絶縁膜３０と、マスク酸化膜３２とを形成する（図２（ｂ））。
【００４１】
マスク酸化膜３２の上部にフォトレジスト（図示しない）を形成後、選択的にマスク酸化膜３２および第２の絶縁膜３０をドライエッチング法やウェットエッチング法により開口する。フォトレジストを除去した後、マスク酸化膜３２および第２の絶縁膜３０をハードレジストとして、第１の絶縁膜２０、活性層１６および埋込絶縁層１４をドライエッチング法により開口する。このようにして、ＳＯＩ基板１０の支持基板１２まで到達するトレンチ５０を形成する（図２（ｃ））。
【００４２】
次いで、ウェットエッチング法またはケミカルドライエッチング法（ＣＤＥ法）等の等方性エッチングにより、第１の絶縁膜２０および埋込絶縁層１４のそれぞれにおいてトレンチ５０に隣接する部分を除去するサイドエッチングを行う（図２（ｄ））。これにより、第１のサイドエッチング領域５２および第２のサイドエッチング領域５４が形成される。ウェットエッチング法またはケミカルドライエッチング法（ＣＤＥ法）等の等方性エッチングでは、第２の絶縁膜３０であるＳｉＮ膜は、第１の絶縁膜２０であるＳｉＯ２膜に対してエッチング選択比が高いため、開口幅Ｗ２が開口幅Ｗ１より狭くなる。この工程においてマスク酸化膜３２は除去される。
【００４３】
ＣＶＤ法によって、第２の絶縁膜３０の上部に層間絶縁膜４０を形成し、トレンチ５０の上端部を閉塞した（図２（ｅ））。ＣＶＤ法による層間絶縁膜４０の形成は、シラン（ＳｉＨ４）および酸素（Ｏ２）を用いて、常圧ＣＶＤ法にて行った。これにより、トレンチ５０および第１のサイドエッチング領域５２の内部の空洞を維持したままトレンチ５０の上端部を閉塞し、本実施形態に係る半導体装置１００を製造した。
【００４４】
［実施例２］
本実施形態に係る半導体装置１００の製造方法の他の具体例を、図３を参照しながら記載する。図３に示す方法では、図３（ｃ）に示すように、トレンチ形成工程において形成されるトレンチ５０を、埋込絶縁層１４まで達するトレンチ５０とした。トレンチ形成工程の後は、実施例１と同様に、図３（ｄ）に示す第１の絶縁膜２０および埋込絶縁層１４のサイドエッチング工程と、図３（ｅ）に示す層間絶縁膜４０の形成工程を順に行い、本実施形態に係る半導体装置１００を製造した。
【００４５】
図１に示す半導体装置１００並びに図２および図３に示す半導体装置１００の製造方法を例に挙げて、本実施形態の半導体装置１００を説明したが、本実施形態の半導体装置１００はこの具体例に限定されるものではない。
【符号の説明】
【００４６】
１０  ＳＯＩ基板、１２  支持基板、１４  埋込絶縁層、１６  活性層、２０  第１の絶縁膜、３０  第２の絶縁膜、３２  マスク酸化膜、４０  層間絶縁膜、５０  トレンチ、５２  第１のサイドエッチング領域、５４  第２のサイドエッチング領域、１００  半導体装置、Ｗ１  第１の絶縁膜の開口幅、Ｗ２  第２の絶縁膜３０間の開口幅、Ｗａ  活性層間の開口幅、Ｗｂ  埋込絶縁層間の開口幅。
【図１】
0006330674.tif 000002
【図２】
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【図３】
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【図４】
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