(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
ポリイミドフィルム上に金属層が積層されているフレキシブル配線基板に用いる、前記ポリイミドフィルムの良否判定方法であって、
前記ポリイミドフィルムが、芳香族ジアミンと３，３’−４，４’−ジフェニルテトラカルボン酸二無水物とからなるイミド結合を含み、前記ポリイミドフィルムの熱膨張係数が３ｐｐｍ／Ｋ以上７ｐｐｍ／Ｋ以下であり、
前記ポリイミドフィルムは、その平面内で直交するＭＤ方向とＴＤ方向とを有しており、
前記ポリイミドフィルムは、前記平面内における配向を測定し、その最大値である最大配向を示す面内の分子の配向角度が、前記ポリイミドフィルムのＴＤ方向から−１０度以上１０度以下であり、
前記ポリイミドフィルムは、下記で定義される表裏の表面配向度比が１．０未満であるポリイミドフィルムの良否判定方法。
表裏の表面配向度比：ポリイミドフィルムにおける金属層の積層面（Ａ）と、非積層面（Ｂ）とで、それぞれのポリイミドフィルム表面の表面配向を複屈折を利用した光学的評価により測定し、それぞれの表面における配向の平面内分布を楕円換算して楕円率（楕円率＝楕円長軸に相当する最大配向／楕円短軸に相当する最小配向）を算出し、表裏両面における楕円率の比である、楕円率（Ｂ）／楕円率（Ａ）を表裏の表面配向度比とする。
【請求項２】
請求項１に記載の良否判定方法を経てスクリーニングされたポリイミドフィルムと、前記ポリイミドフィルムの一方の表面に下地金属層と、銅層と、を積層する工程と、を含む銅張積層板の製造方法。
【請求項３】
請求項２に記載の製造方法により製造された銅張積層板に配線加工を施す工程を含むフレキシブル配線板の製造方法。
【請求項４】
前記配線加工が、サブトラクティブ法又はセミアディティブ法により行う請求項３に記載のフレキシブル配線板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、チップ・オン・フィルム（ＣＯＦ：Ｃｈｉｐ  Ｏｎ  Ｆｉｌｍ）やフレキシブルプリント配線板（ＦＰＣ：Ｆｌｅｘｉｂｌｅ  Ｐｒｉｎｔｅｄ  Ｃｉｒｃｕｉｔ）等に使用されるポリイミドフィルムの良否判定方法並びにそのポリイミドフィルムを用いた銅張積層板（ＦＣＣＬ：Ｆｌｅｘｉｂｌｅ  Ｃｏｐｐｅｒ  Ｃｌａｄ  Ｌａｍｉｎａｔｅ）及びフレキシブル配線板の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
フレキシブル配線板は、その自在に屈曲できる性質を活かしてハードディスクの読み書きヘッドやプリンターヘッド等の電子機器の可動部の屈曲を要する配線部分、携帯電話等小型電子機器や液晶ディスプレイ装置内のわずかな隙間を通す配線部分等電子部品や光学部品、包装材料等に広く産業界で用いられている。使用するフレキシブル配線板は、一般的に銅層とポリイミドフィルム等の樹脂フィルムとからなる積層構造のフレキシブルな銅張積層板に対して、サブトラクティブ法やセミアディティブ法等を用いて配線加工することで作製されている。
【０００３】
この配線加工法の一つであるサブトラクティブ法とは、銅張積層板の銅層をエッチング処理して配線以外の不要部分を除去する方法である。具体的には、銅張積層板の銅層の表面にフォトレジスト層を成膜した後、このフォトレジスト層にパターニング処理を施すことにより導体配線として残したい部分以外の銅層の表面を露出させ、この銅層の露出部分を、銅を溶かすエッチング液を用いて選択的に除去することで導体配線を形成し、その後水洗するものである。その後、必要に応じて配線に錫めっき等を施し、錫めっき後、必要な個所にソルダーレジストを塗布し硬化させてソルダーレジスト膜を形成しフレキシブル配線板が完成する。完成したフレキシブル配線板には半導体素子等の電子部品が実装されて回路装置となる。
【０００４】
このように、フレキシブル配線板を製造する過程で、ソルダーレジスト法による硬化等により、熱が銅張積層板に付加されることになる。ここで、銅張積層板は、銅層と樹脂フィルムの積層体であり、銅層も樹脂フィルムも熱や配線加工を起因とする膨張・収縮が起こる。また、銅層と樹脂フィルムとでは、その材質が異なるため、膨張・収縮には差がある。そのため、これら膨張・収縮差に起因する反り・ネジレ挙動が問題となっている。
【０００５】
加えて、一般的には、フレキシブル配線板では樹脂フィルムの厚みの方が厚い。また、配線加工後のフレキシブル配線板の表面は、銅は選択的に除去されているため、樹脂フィルムの占める面積は、銅の占める面積よりも大きい。そのため、相対的に金属膜層よりも樹脂フィルムの膨張・収縮の影響が大きく、樹脂フィルム自体の示す反り・ネジレ、そして、樹脂フィルム加熱後のそれら因子は、上に述べた銅層と樹脂層の膨張・収縮差に起因する反り・ネジレよりも主要な不具合の要因である。
【０００６】
この反り・ネジレの原因は、樹脂フィルムに用いられるポリイミドフィルムの製造工程中の、延伸や高温での焼成によるもので、これらの工程を経た樹脂フィルムは、樹脂フィルム幅方向で分子鎖の配向や歪による内部応力が生じ、その結果、反り・ネジレとなって表れている。
【０００７】
樹脂フィルムの反りやネジレは、フレキシブル配線板の配線ピッチの微細化によりフレキシブル配線板と半導体素子等の電子部品とを接続する際の配線パターンとの位置合わせに係わり、半導体素子の多ピン化の進展に従い要求される精度に対応することが厳しくなってきている。
【０００８】
そこで、特許文献１では銅張積層板の原料であるポリイミドフィルムについて、ネジレが少なくなるような樹脂フィルムの製造方法が提案されている。しかしながら、特許文献１のポリイミドフィルムは４５度と１３５度の配向の強さを指標にしているだけであり、ネジレと関係する配向の角度については触れていない。また、反り・ネジレは配向の角度だけでなく、表裏の差も影響し、更に、銅張積層板に加工したときには銅の内部応力と樹脂フィルムの内部応力の差によってネジレが増幅されるため、この管理範囲では不十分である。近年求められる配線の幅は１０〜１５μｍ程度となっており、反り・ネジレが発生しないフレキシブル配線板が強く要求されるためである。
【０００９】
また、特に液晶ディスプレイ等の電子機器において、これらの大型化や薄型化により、フレキシブル配線板が引き回す配線長さが増大する傾向もある。この配線長さの増大により、電子機器の組み立て工程においては、フレキシブル配線板上の電極と他のフレキシブル配線板上にはない電極とを接続する際に、フレキシブル配線板の反りやネジレに伴う電極同士の位置合わせ時間が増加し、電子機器組み立て工程の生産性低下が問題となってきた。
【００１０】
これらの時代背景も要因となり、近年求められる配線幅のスペックに対応するためには、銅張積層板のロット毎にパラメータを調整しなければならない。そのようなロットごとのパラメータの調整は、工程の調整の手間、調整時の原料ロス、製品の品質バラツキの悪化、歩留まり低下等様々な悪影響を及ぼす。そのため、反り・ネジレを検討していないフレキシブル配線板を近年の小型電子機器に使用した場合には、その歩留りが低下し、生産性の悪いフレキシブル配線板となってしまうという問題がある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１１】
【特許文献１】特開２０１４−０９３３１７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１２】
本発明は、ポリイミドフィルムの良否判定方法において、反り・ネジレが小さく、そのため、その歩留りが高く、生産性の高いフレキシブル配線板を製造することのできるポリイミドフィルムの良否判定方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
本発明者らは、フレキシブル配線板の製造工程の一つである銅張積層板製造工程において、銅張積層板の原料として用いる樹脂フィルムであるポリイミドフィルムについて、鋭意検討をした。その結果、銅張積層板に用いられているポリイミドフィルムの配向を所定の装置で評価し、配向を所定範囲に制限したポリイミドフィルムを銅張積層板の樹脂フィルムとして用いてフレキシブル配線板を製造することで、フレキシブル配線板の反り・ネジレが小さいことを発見した。そのため、ポリイミドフィルムの配向を用いたポリイミドフィルムの良否判定方法によって製造されたポリイミドフィルムは、その歩留りが高く、生産性の高い銅張積層板及びフレキシブル配線板が製造できることを見出し、本発明を完成するに至った。
【００１４】
すなわち、本発明の第一は、  ポリイミドフィルム上に金属層が積層されているフレキシブル配線基板に用いる、前記ポリイミドフィルムの良否判定方法であって、前記ポリイミドフィルムが、芳香族ジアミンと３，３’−４，４’−ジフェニルテトラカルボン酸二無水物とからなるイミド結合を含み、前記ポリイミドフィルムの熱膨張係数が３ｐｐｍ／Ｋ以上７ｐｐｍ／Ｋ以下であり、前記ポリイミドフィルムは、その平面内で直交するＭＤ方向とＴＤ方向とを有しており、前記ポリイミドフィルムは、前記平面内における配向を測定し、その最大値である最大配向を示す面内の分子の配向角度が、前記ポリイミドフィルムのＴＤ方向から−１０度以上１０度以下であり、前記ポリイミドフィルムは、下記で定義される表裏の表面配向度比が１．０未満であるポリイミドフィルムの良否判定方法。
表裏の表面配向度比：ポリイミドフィルムにおける金属層の積層面（Ａ）と、非積層面（Ｂ）とで、それぞれのポリイミドフィルム表面の表面配向を測定し、それぞれの表面における配向の平面内分布を楕円換算して楕円率（楕円率＝楕円長軸に相当する最大配向／楕円短軸に相当する最小配向）を算出し、表裏両面における楕円率の比である、楕円率（Ｂ）／楕円率（Ａ）を表裏の表面配向度比とする。
【００１５】
本発明の第二は、前記配向の測定を、複屈折を利用した光学的評価により行う第一の発明に記載のポリイミドフィルムの良否判定方法である。
【００１６】
本発明の第三は、第一又は第二の発明に記載の良否判定方法を経てスクリーニングされたポリイミドフィルムと、前記ポリイミドフィルムの一方の表面に下地金属層と、銅層と、を積層する工程と、を含む銅張積層板の製造方法である。
【００１７】
本発明の第四は、第三の発明に記載の製造方法により製造された銅張積層板に配線加工を施す工程を含むフレキシブル配線板の製造方法である。
【００１８】
本発明の第五は、前記配線加工が、サブトラクティブ法又はセミアディティブ法により行う第四の発明に記載のフレキシブル配線板の製造方法である。
【発明の効果】
【００１９】
本発明の良否判定方法により、良判定となったポリイミドフィルムを用いた銅張積層板及び銅張積層板を用いたフレキシブル配線板は、反り・ネジレが抑制されることから、電子機器の組み立て工程において、位置合わせが容易となり、その歩留りが高く、生産性の向上を可能とする。
【図面の簡単な説明】
【００２０】
【図１】本発明の銅張積層板の模式的な断面図である。
【図２】本発明の乾式めっきの一実施形態であるロール・ツー・ロールスパッタリング装置の一具体例の正面図である。
【図３】本発明の湿式めっきの一実施形態であるロール・ツー・ロール電気めっき装置の一具体例の正面図である。
【図４】本発明の銅張積層板の反り・ネジレ評価時の模式図である。
【発明を実施するための形態】
【００２１】
以下、本発明の実施形態について説明する。本発明に係るポリイミドフィルムの良否判定方法は、ポリイミドフィルムとして、面内における配向の最大値である最大配向を示す面内の分子の配向角度が、ポリイミドフィルムのＴＤ方向から−１０度以上１０度以下であり、かつ、表裏の分子配向の比である表面配向度比が１．０未満とするポリイミドフィルムの良否判定方法である。また、本発明に係るフレキシブル配線板の製造方法は、良否判定方法を経てスクリーニングされたポリイミドフィルムを用いる製造方法であって、図１に示すように、樹脂フィルムの一方の面側に銅を積層するフレキシブル銅張積層板形成工程と、銅をエッチングして銅配線を形成する工程を含むフレキシブル配線板の製造方法である。
【００２２】
（１）銅張積層板
まず、フレキシブル配線板の製造の前提となる銅張積層板について説明する。フレキシブル配線板の製造に用いられる銅張積層板は、接着剤を用いて電解銅箔や圧延銅箔をベース層である絶縁性の樹脂フィルムに接着した「銅箔／接着剤層／樹脂フィルム」からなる３層構造の銅張積層板（以下、３層銅張積層板とも称する。）と、銅層若しくは銅箔と樹脂フィルムとが直接接合した「銅層若しくは銅箔／樹脂フィルム」からなる構造の銅張積層板（以下、銅張積層板とも称する。）とに分類することができる。
【００２３】
本発明の対象とする銅張積層板は、更に次の３種類に大別することができる。即ち、樹脂フィルムの表面に下地金属層と銅層を順次めっきして形成した銅張積層板（通称メタライジング基板）、銅箔に樹脂フィルムのワニスを塗って絶縁層を形成した銅張積層板（通称キャスト基板）、及び銅箔に樹脂フィルムをラミネートした銅張積層板（通称ラミネート基板）の３種類である。
【００２４】
これらのうち、メタライジング基板は銅層の薄膜化が可能であり、且つ樹脂フィルムと銅層や下地金属層との界面の平滑性が高いため、キャスト基板やラミネート基板あるいは３層銅張積層板と比較して配線ピッチの微細化に適している。
【００２５】
一方、キャスト基板やラミネート基板あるいは３層銅張積層板では、樹脂フィルム等と銅箔の界面のアンカー効果による密着性を向上のため、銅箔の表面うち樹脂フィルム側の表面粗さを粗くしているので、樹脂フィルムと銅箔の界面の平滑性は望めない。そのため、本発明に係る銅張積層板は、銅張積層板で、メタライジング基板を用いることが望ましい。
【００２６】
（２）メタライジング基板
次に、本発明の一実施形態であるメタライジング基板について説明する。図１はメタライジング基板（銅張積層板６）の一例を示す模式断面図である。
ポリイミドフィルムを用いた樹脂フィルム１の少なくとも片面に、樹脂フィルム１側から順に下地金属層２、銅薄膜層３、及び銅電気めっき層４が積層され、銅層５は銅薄膜層３と銅電気めっき層４とから構成されている。
【００２７】
下地金属層２は、主として蒸着法やスパッタリング法等の乾式めっき法によって樹脂フィルム１の表面に形成される。ここで、下地金属層２は樹脂フィルム１と銅層５との密着性や耐熱性等の信頼性を確保するものである。従って、下地金属層２の材質は、ニッケル、クロム、又はこれらを主成分とする合金の何れか１種とするのが好ましい。特に、密着強度や配線作製時のエッチングしやすさを考慮すると、ニッケル・クロム合金が適している。
【００２８】
下地金属層２に用いるニッケル・クロム合金は、その組成が、クロムを１５質量％以上２２質量％以下とするのが望ましく、これにより優れた耐食性や耐マイグレーション性が得られる。このうち、２０質量％クロムのニッケル・クロム合金はニクロム合金として流通しており、マグネトロンスパッタリング法のスパッタリングターゲットとして容易に入手可能である。また、ニッケル又はクロムを含む合金には、クロム、バナジウム、チタン、モリブデン、コバルト等を添加しても良い。更に、クロム濃度の異なる複数のニッケル・クロム合金の薄膜を積層して、ニッケル・クロム合金に関して濃度勾配を有する下地金属層を成膜しても良い。
【００２９】
下地金属層２の膜厚は、３〜５０ｎｍが望ましい。この下地金属層２の膜厚が３ｎｍ未満では、ポリイミドフィルムからなる樹脂フィルム１と銅層５との密着性を保てず、耐食性や耐マイグレーション性で劣るおそれがある。一方、下地金属層２の膜厚が５０ｎｍを超えると、サブトラクティブ法やセミアディティブ法で配線加工する際に下地金属層２の十分な除去が困難な場合が生じる。このように下地金属層２の除去が不十分な場合は、配線間のマイグレーション等の不具合が懸念される。
【００３０】
銅薄膜層３は、下地金属層２同様に、主として真空蒸着法、スパッタリング法やイオンプレーティング等の乾式めっき法によって下地金属層２の表面に形成される。銅薄膜層３は、主に銅で構成され、その膜厚は、１０ｎｍ以上１μｍ以下が望ましい。銅薄膜層３の膜厚が１０ｎｍ未満では、後述する銅電気めっき層４を電気めっき法で成膜する際の導電性の確保が困難になり、電気めっきの際の外観不良に繋がる。銅薄膜層３の膜厚が１μｍを超えても銅張積層板の品質上の問題は生じないが、生産性が低下する問題を生じることから１μｍ以下が望ましい。
【００３１】
銅電気めっき層４と銅薄膜層３を合わせた銅層５の膜厚は１２μｍ以下が望ましい。銅層５の膜厚が１２μｍを超えると配線ピッチ５０μｍ以下のフレキシブル配線板への化学エッチング配線加工（サブトラクティブ法等の配線加工）が困難となる。また、銅層５の膜厚は、薄くなるほどフレキシブル配線板としての導電性は低下することになるが、この膜厚を５μｍ以上とすれば十分な導電性を有したフレキシブル配線板となる。
【００３２】
樹脂フィルム１に使用するポリイミドフィルムは、芳香族ポリイミドフィルムを用いる。ポリイミドフィルムの特性は、芳香族ジアミンと芳香族酸無水物とによるイミド化合物により支配されるので、本発明に係るフレキシブル配線板の製造方法では、ポリイミドフィルムが、芳香族ジアミンと３，３‘−４，４−ジフェニルテトラカルボン酸二無水物からなるイミド化合物を含有する。なお、芳香族ジアミンには、パラフェニレンジアミン等のジアミノベンゼンが挙げられる。このようなイミド結合をもつポリイミドフィルムには例えば、「ユーピレックス（登録商標  宇部興産株式会社製）」が知られている。「ユーピレックス（登録商標）」フィルムは市場で容易に入手することができる。
【００３３】
また、ポリイミドフィルムは、延伸によってＴＤの熱膨張係数が３ｐｐｍ／Ｋ以上７ｐｐｍ／Ｋ以下であるポリイミドフィルムとする。熱膨張係数がこのような範囲であることで、フレキシブル配線板の反り・ネジレを抑制することができる。なお、本明細書における熱膨張係数とは、５０℃から２００℃の範囲内で５℃／ｍｉｎの速度で昇温したときの熱膨張係数を意味する。
【００３４】
ポリイミドフィルムの厚みは、柔軟性とフィルムとして形状が保てる厚みであればよく、厚み１０μｍ〜５０μｍが望ましい。
【００３５】
（３）メタライジング基板の製造方法
次に、本発明の一実施形態であるメタライジング基板の製造方法について説明する。メタライジング基板の製造方法の一例としては、以下に示す（ａ）〜（ｃ）の３工程を経て製造される。
【００３６】
（ａ）脱水工程：樹脂フィルムとして用いるポリイミドフィルムに対して脱水処理を行う。
（ｂ）乾式めっき工程：脱水処理したポリイミドフィルムの少なくとも一方の表面にスパッタリング法等の乾式めっき法で下地金属層を成膜し、下地金属層の表面に乾式めっき法で銅薄膜層を成膜する。
（ｃ）湿式めっき工程：下地金属層と銅薄膜層が成膜された銅薄膜層付樹脂フィルムの銅薄膜層の表面に、硫酸銅水溶液中で電気めっき法等の湿式めっき法で銅電気めっきを成膜する。
【００３７】
以下、メタライジング基板の製造方法について詳しく説明する。
【００３８】
（ａ）脱水工程
メタライジング基板に用いられるポリイミドフィルムは、後述の乾式めっきを施す前に脱水することが好ましい。この脱水が不十分であると、下地金属層に水分が取り込まれて酸化してしまい、サブトラクティブ法を用いたフレキシブル配線板を作製する時に、十分な化学エッチング処理を行うことができない。
【００３９】
このため、配線の縁や配線間に下地金属層が溶け残り、エッチング残渣と呼ばれる金属成分が残存することに起因して、得られるフレキシブル配線板の絶縁信頼性が低下するといった問題がある。
【００４０】
ポリイミドフィルムはロール状に巻回されているので、ロール・ツー・ロールでポリイミドフィルムを搬送しながら連続的に脱水処理を行う。脱水処理の方法は特に限定されないが、ヒーター等の加熱装置を用いて大気中若しくは減圧雰囲気下で加熱する方法、減圧雰囲気下でプラズマ処理又はイオンビーム処理をする方法等、公知の方法を用いればよい。
これらの方法を用いて、ポリイミドフィルムにシワが発生しないように脱水処理を行う。
【００４１】
（ｂ）乾式めっき工程
ポリイミドフィルムに下地金属層や銅薄膜層を成膜するには、例えば図２に示すロール・ツー・ロールスパッタリング装置を用いればよい。なお、乾式めっき方法はこのスパッタリングに限定されることはなく、真空蒸着、イオンプレーティング等を用いてもかまわない。
【００４２】
この図２に示すロール・ツー・ロールスパッタリング装置１０は、直方体状のチャンバー１２内にその構成要素のほとんどを収納した構造になっている。チャンバー１２の形状は図２の直方体形状に限られるものではなく、１０−４Ｐａ〜１Ｐａ程度の減圧状態を維持できるのであれば円筒形状等の他の形状でもよい。
【００４３】
このチャンバー１２内に、ポリイミドフィルムからなる樹脂フィルムＦ１が引き出される巻出ロール１３、樹脂フィルムＦ１の搬送に追従して回転するフリーロール１１、樹脂フィルムＦ１を外周面に巻き付けて冷却するキャンロール１４、マグネトロンカソード式のスパッタリングカソード１５、キャンロール１４に隣接して設けられた前フィードロール１６ａ及び後フィードロール１６ｂ、張力センサーを備えたテンションロール１７ａ、１７ｂ、下地金属層及び銅薄膜層が成膜された樹脂フィルムＦ２をロール状に巻き取る巻取ロール１８が設けられている。
【００４４】
これらのうち、巻出ロール１３、キャンロール１４、前フィードロール１６ａ、及び巻取ロール１８には回転駆動手段であるサーボモータが備わっている。更に巻出ロール１３及び巻取ロール１８の各々は、パウダークラッチ等によるトルク制御によって搬送中の樹脂フィルムの張力バランスを保っている。フリーロール１１ａ、１１ｂ、キャンロール１４、及びテンションロール１７ａ、１７ｂは、外周面が硬質クロムめっきで仕上げられている。
【００４５】
キャンロール１４の内部にはチャンバー１２の外部から供給される冷媒や温媒が循環しており、キャンロール１４の外周面を略一定の温度に調整することができる。このキャンロール１４の外周面に対向してスパッタリングカソード１５ａ〜１５ｄが配置されている。キャンロール１４の外周面の幅方向におけるスパッタリングカソード１５ａ〜１５ｄの寸法は、樹脂フィルムＦ１の幅よりも大きいのが好ましい。
【００４６】
（ｃ）湿式めっき工程
上記乾式めっき法で銅薄膜層が成膜された銅薄膜層付樹脂フィルムＦ２は、次に湿式めっき法により銅電気めっき層の成膜が行われる。湿式めっき法を行う装置としては、例えば硫酸銅等のめっき浴中にて不溶性アノードを用いて電気めっきを行う装置を挙げることができる。なお、使用する銅めっき浴の組成は、通常用いられるプリント配線板用のハイスロー硫酸銅めっき浴でも良い。
【００４７】
図３には、かかる電気めっき装置の一具体例として、ロール・ツー・ロール電気めっき装置２０（以下電気めっき装置２０とも称する。）が示されている。この電気めっき装置２０は、下地金属層と銅薄膜層を成膜して得られた銅薄膜層付樹脂フィルムＦ２をロール・ツー・ロールで連続的に搬送することで電気めっき槽２１内のめっき液２８への浸漬状態と非浸漬状態とを繰り返し、めっき液２８に浸漬している間に電気めっきにより金属薄膜の表面に銅電気めっき層を成膜するものである。これにより所定の膜厚の銅層が形成された銅張積層板Ｓを作製することができる。なお、銅薄膜層付樹脂フィルムＦ２の搬送速度は、数ｍ〜数十ｍ／分の範囲が好ましい。
【００４８】
具体的に説明すると、銅薄膜層付樹脂フィルムＦ２は、巻出ロール２２から巻き出され、給電ロール２６ａを経て、電気めっき槽２１内のめっき液２８に浸漬される。めっき液２８内に入った銅薄膜層付樹脂フィルムＦ２は、反転ロール２３により搬送方向が反転された後、めっき液面２８ａより上に引き上げられる。
反転ロール２３での反転の直前及び直後の搬送経路を走行する銅薄膜層付樹脂フィルムＦ２に対向する位置にはそれぞれアノード２４ａ及びアノード２４ｂが設けられている。各アノードは給電ロールとの間で電圧が印加されるようになっており、例えば給電ロール２６ａ、アノード２４ａ、めっき液、銅薄膜層付樹脂フィルムＦ２及び電源により電気めっき回路が構成される。
これにより銅薄膜層付樹脂フィルムＦ２の表面に電気めっき処理が施される。
【００４９】
即ち、１１個の給電ロール２６ａ〜２６ｋ及び１０個の反転ロール２３により銅薄膜層付樹脂フィルムＦ２にはめっき液２８への浸漬状態と非浸漬状態とが複数回（図３では合計１０回）繰り返され、これにより銅薄膜層付樹脂フィルムＦ２の銅薄膜層上に徐々に銅層が成膜され、銅張積層板Ｓを形成していく。最終の反転ロール２３で搬送方向が反転せしめられた銅張積層板Ｓは給電ロール２６ｋを経た後、巻取ロール２９に巻き取られる。なお、各アノードを構成する不溶性アノードには導電性セラミックで表面をコーティングした公知のものを使用することができる。
【００５０】
電気めっき槽２１の外部には、めっき液２８に銅イオンを供給する機構が設けられている。このめっき液２８への銅イオンの供給は、酸化銅水溶液、水酸化銅水溶液、炭酸銅水溶液等で供給するのが好ましい。あるいは、めっき液中に微量の鉄イオンを添加して、無酸素銅ボールを溶解して銅イオンを供給する方法でもよい。
【００５１】
電気めっき中における電流密度は、アノード２４ａから搬送方向下流に進むにつれて電流密度を段階的に上昇させ、アノード２４ｑから２４ｔで最大の電流密度となるようにするのが好ましい。
このように電流密度を上昇させることで、銅層の変色を防ぐことができる。また、銅層の膜厚が薄い場合に電流密度が高いと銅層の変色が起こりやすいため、めっき中の電流密度は０.１〜８Ａ／ｄｍ２が望ましい。この電流密度が８Ａ／ｄｍ２より高くなると銅電気めっき層の外観不良が発生するおそれがある。
【００５２】
上記説明したように銅電気めっき層が成膜されて、銅張積層板のメタライジング基板が得られる。得られたメタライジング基板は、配線加工に適した幅にスリッターで裁断される。
【００５３】
（４）フレキシブル配線板の製造方法
次に、本発明に係るフレキシブル配線板の製造方法を詳細に説明する。先ず、配線ピッチが微細化されたフレキシブル配線板の配線加工方法としては、サブトラクティブ法として以下のものが知られている。
【００５４】
配線加工に適した幅に裁断されたメタライジング基板は、その銅層の表面にフォトレジスト膜が形成され、このフォトレジスト膜を露光、現像して所望のパターンを形成する。次に、形成されたフォトレジストパターンをマスクとして、露出した銅層をエッチングして、フォトレジストパターンと略相似形状の銅層と下地金属層からなる配線パターンを形成する。次いでフォトレジスト層をアルカリ溶液等により剥離除去する。フォトレジスト層を剥離除去後に、必要に応じて、錫めっきを施し、ソルダーレジスト膜が形成されてフレキシブル配線板が作製される。
【００５５】
フォトレジスト膜を形成するフォトレジスト膜形成工程は、液状のフォトレジストをスクリーン印刷等公知の塗布方法で銅層表面に塗布され、塗布後、加熱乾燥される。
この液状フォトレジストの加熱乾燥の際に、銅張積層板も熱が加わり熱処理が行われる。
その液状フォトレジストの乾燥条件は、温度１００℃〜１５０℃の範囲で、乾燥時間は５分以上である。
【００５６】
なお、フォトレジスト膜はドライフィルムタイプのフォトレジスト（ドライフィルム）を銅層の表面にラミネートしてもよい。ドライフィルムレジストをラミネートする場合は公知のラミネート方法で、温度１００℃〜１５０℃で数秒以上加圧密着される。瞬間的ではあるが、ドライフィルムレジストのラミネートでも銅張積層板には加熱される熱処理が行われる。
【００５７】
フォトレジスト膜形成工程の次は露光工程である。銅張積層板の銅層の表面に形成されたフォトレジスト膜は、露光工程においては、銅層に配線パターンを形成するために、所定パターンからなるフォトマスクを介して紫外線をフォトレジストに照射し、露光部を形成する。
【００５８】
露光工程の次は現像工程である。露光されたフォトレジストは、現像工程においては、露光領域を現像液で溶解除去し、開口部を有するフォトレジストパターンが形成される。
現像工程は、現像液に、例えば、温度３０℃〜５０℃とした炭酸ナトリウム水溶液やトリエタノールアミン水溶液等のアルカリ溶液を用い、現像液をシャワー噴射して行う。
【００５９】
現像工程の次は化学エッチング工程である。フォトレジストパターンが形成された後、この化学エッチング工程で、銅張積層板は配線パターンに加工される。エッチング液は銅層や下地金属層（以降あわせて金属膜層とも称する）がエッチングできる組成が望ましい。
【００６０】
使用するエッチング液としては、例えば、塩化第二銅水溶液や塩化第二鉄水溶液が用いられる。その処理条件としては、例えば、温度が４０〜５０℃、シャワー圧力が０．１〜０．７ＭＰａ、処理時間が２０〜１２０秒という条件でエッチング液を噴射してエッチング処理が行われる。このとき、下地金属層も同時にエッチング除去される。また、必要に応じて過マンガン酸塩水溶液等の下地金属層除去剤をシャワー噴射して下地金属層除去工程を加えてもよい。
【００６１】
この化学エッチング工程を経て配線パターンが形成されると、フォトレジストパターンはフォトレジスト剥離工程で剥離される。フォトレジスト剥離工程においては、水酸化ナトリウム水溶液等のアルカリ溶液で、フォトレジストパターンが溶解除去される。
【００６２】
フォトレジスト除去工程の後、水洗による薬液除去の後、エアーナイフ等の液切により乾燥される。化学エッチング工程とフォトレジスト剥離工程は連続して行われる。
【００６３】
以降必要に応じて、錫めっき工程とソルダーレジスト膜形成工程が行われる。錫めっき工程においては、化学エッチング工程により形成された銅層の配線の表面上に、公知の無電解錫めっき法で、錫めっき層が形成される。錫めっき工程の後水洗による薬液除去の後、エアーナイフ等の液切により乾燥される。乾燥後は次工程のソルダーレジスト膜形成工程へ移る。
【００６４】
ソルダーレジスト膜形成工程は、スクリーン印刷により、所定パターンのソルダーレジストを配線パターン上に印刷する。ソルダーレジストには、ポリイミド系（日立化成工業株式会社製：ＳＮ−９０００）やウレタン系（日本ポリテック株式会社製：ＮＰＲ−３３００）のものが使用可能であり、いずれも加熱により硬化するソルダーレジストである。
【００６５】
ソルダーレジスト印刷の後、ソルダーレジストは加熱硬化される。
ソルダーレジストの加熱硬化条件は、温度１００℃〜１５０℃の範囲に加熱される。ソルダーレジスト加熱硬化でも、銅張積層板には、熱処理が施されることになる。
【００６６】
以上の工程を経て、フレキシブル配線板の製品として完成する。そして、必要に応じて電子部品の実装しやすい大きさに裁断される。
【００６７】
（５）ポリイミドフィルムの良否判定方法
次に、本発明の一実施形態であるポリイミドフィルムの良否判定方法について説明する。上記実施形態の銅張積層板やフレキシブル配線板に用いることのできるポリイミドフィルムは、（Ｉ）平面内における配向を測定し、その最大値である最大配向を示す面内の分子の配向角度が、ポリイミドフィルムのＴＤ方向から−１０度以上１０度以下であり、かつ、（ＩＩ）表裏の表面配向度比が１．０未満とする。なお、本明細書において配向とは、例えば、光学的評価における屈折率等のようにフィルム面内の分子鎖の並びを表すパラメータを意味する。分子鎖が一定方向に配列したポリイミドフィルムをこのような範囲とすることで、当該ポリイミドフィルムを用いた銅張積層板やフレキシブル配線板の反り・ネジレを小さいものとすることができる。
【００６８】
なお、表裏の表面配向度比とは、ポリイミドフィルムの金属層の積層面（Ａ）と、非積層面（Ｂ）とで、それぞれのポリイミドフィルム表面の表面配向を測定し、それぞれの表面における配向の平面内分布を楕円換算して楕円率（楕円率＝楕円長軸に相当する最大配向／楕円短軸に相当する最小配向）を算出し、表裏両面における楕円率の比である、楕円率（Ｂ）／楕円率（Ａ）を表裏の表面配向度比とする。
【００６９】
（Ｉ）ポリイミドフィルムの平面内の分子の配向角度の測定方法
ポリイミドフィルムの平面内の分子の配向角度の測定方法では、まず、ポリイミドフィルムの平面内における配向を測定する。ポリイミドフィルムの配向の測定方法は、直接的に分子配向を評価するＸ線回折法、赤外分光法、レーザーラマン分光法の他、偏光測定、複屈折等の光学的評価、誘電率等の電気的測定、熱膨張率測定等の熱的測定、引張試験等の力学的測定、超音波による配向評価等間接的に分子配向を評価する方法等を用いることができる。後述するように、表裏の表面配向度比を求める必要性の観点から、赤外分光法や複屈折を利用した光学的評価を用いて配向を求めるのが好ましく、中でも測定精度の観点から複屈折を利用した光学的評価を用いることが最も好ましい。
【００７０】
複屈折を利用した光学的評価とは、例えば分光エリプソメトリーによる光学的評価を挙げることができる。分光エリプソメトリーとは、試料表面に一定角度の直線偏光を照射し、試料表面又はバルクで相互作用した反射光の楕円偏光の振幅比と位相差から屈折率等の光学定数を評価する方法である。配向が大きい場合には測定される屈折率は大きくなる。そして、面内の測定角度を一定間隔で変更して試料平面の全方向（３６０度）の屈折率（配向）を測定することで試料面内の分子鎖の並びを評価することができる。
【００７１】
分光エリプソメトリーにより、ポリイミドフィルム表面の屈折率（配向）を測定する場合には、照射角度はポリイミドフィルム表面の法線方向を０度としたときの７０度〜８０度程度の角度で行うのが好ましい。７０度〜８０度程度であれば、直線偏光がポリイミドフィルム表面を主として相互作用するからである。また、ポリイミドフィルム表面に照射する偏光の波長は可視領域（４００ｎｍ〜７００ｎｍ程度）で測定するのが好ましい。分光エリプソメトリーは、例えばジェー・エー・ウーラム製ＶＡＳＥやセミラボ製ＳＥ２０００等を使用することで測定することができる。
【００７２】
分光エリプソメトリーで分子の配向を測定する場合において、ポリイミドフィルムのバルクを測定する際には、照射角度はポリイミドフィルム表面の法線方向を０度としたときの４０度〜７０度程度の角度とし直線偏光をポリイミドフィルム内部に透過させ、バルク状態で測定することができる。
【００７３】
本発明のポリイミドフィルムの良否判定方法は、上記のいずれかの方法によりポリイミドフィルムの平面内の全方向の配向を測定し、その最大値である最大配向を求める。最大配向を求める方法は特に限定されるわけではないが、例えば、フィルムの平面内を所定の角度（例えば１０度〜３０度）毎に、ポリイミドフィルムの面内の全方向（３６０度）の配向を測定し、配向の平面内分布を楕円換算する。そして当該楕円換算された楕円の長軸から最大配向を求めることができる。
【００７４】
本発明のポリイミドフィルムの良否判定方法は、ポリイミドフィルムの最大配向を求め、最大配向を示す面内の分子の配向角度と、ポリイミドフィルムのＴＤ方向（Ｔｒａｎｓｖｅｒｓｅ  Ｄｉｒｅｃｔｉｏｎ）との角度の差が−１０度以上１０度以下を良否判定基準とする。このような範囲であれば、当該ポリイミドフィルムを用いた銅張積層板やフレキシブル配線板の反り・ネジレを小さいものとすることができる。なお、ＴＤ方向とは、ポリイミドフィルムの流れ方向に対し垂直をなす方向を意味し、ＭＤ方向（Ｍａｃｈｉｎｅ  Ｄｉｒｅｃｔｉｏｎ）とは、ＴＤ方向と直交する方向であり、ポリイミドフィルムの流れ方向（巻取り方向）を意味する。
【００７５】
（ＩＩ）表裏の表面配向度比の算出方法
ポリイミドフィルムの良否判定方法における表裏の表面配向度比の算出方法では、まず、上述のようにポリイミドフィルムの金属層の積層面（Ａ）と、非積層面（Ｂ）とで、それぞれのポリイミドフィルム表面の表面配向を測定する。表面配向は、上述と同様の複屈折を利用した光学的評価方法等を用いることにより測定することができる。そして、それぞれの表面における配向の平面内分布を楕円換算して楕円率（楕円長軸に相当する最大配向／楕円短軸に相当する最小配向）を求める。金属層の積層面（Ａ）と、非積層面（Ｂ）の楕円率をそれぞれ算出し、表裏両面における楕円率の比である、楕円率（Ｂ）／楕円率（Ａ）を算出する。楕円率（Ｂ）／楕円率（Ａ）が１．０未満を良否判定基準とする。このような範囲であれば、当該ポリイミドフィルムを用いた銅張積層板やフレキシブル配線板の反り・ネジレを小さいものとすることができる。
【００７６】
（６）フレキシブル配線板
本発明の一実施形態であるメタライジング基板ではポリイミドフィルムの厚みの方が厚く、配線加工後のフレキシブル配線板では金属の占める面積のほうがフィルムの面積より小さい等、相対的に金属膜層よりもポリイミドフィルムの影響が大きい。更に、上記で述べたように、フレキシブル配線板加工時に加熱工程があり、ポリイミドフィルムは加熱されると反り・ネジレが顕著になる傾向がある。これを抑制するためにもポリイミドフィルムの良否判定方法を行い、所定の管理範囲内に限定することが効果的である。そのため、上記のポリイミドフィルムの良否判定方法を経てスクリーニングされたポリイミドフィルムを用いて製造された銅張積層板ならば、メタライジング基板及びそれを用いたフレキシブル配線板の反り・ネジレを抑制できる。
【００７７】
なおポリイミドフィルムの反り・ネジレ特性は分子鎖の剛直性や熱的特性に起因し、これらの性質は、分子鎖を構成する芳香族酸無水物と芳香族ジアミンとによるイミド化合物により支配されるので、良否判定方法の所定の数値範囲は、芳香族ジアミンと３，３‘−４，４−ジフェニルテトラカルボン酸二無水物からなるイミド化合物を含有し、かつ、延伸によってＴＤの熱膨張係数が３ｐｐｍ／Ｋ以上７ｐｐｍ／Ｋ以下であるポリイミドフィルム特有のものであり、異なる種類のイミド化合物の場合には、上記両寸法変化率の範囲内の値を示したとしても、反り・ネジレを抑制できる効果が得られないこともある。なお、本明細書における熱膨張係数とは、５０℃から２００℃の範囲内で５℃／ｍｉｎの速度で昇温したときの熱膨張係数を意味する。
【００７８】
その異なる種類のイミド化合物の例としては、４，４’−ジアミノジフェニルエーテルとピロメリット酸二無水物とからなるイミド化合物がある。このイミド化合物を含有しているポリイミドフィルムとしては、カプトン（登録商標  東レ・デュポン株式会社製）が知られていており、市場で容易に入手することができる。
【００７９】
メタライジング基板は、サブトラクティブ法にてフレキシブル配線板に加工されるとして以上説明してきたが、本発明で好ましい範囲とした銅電気めっき層の厚みを１〜２μｍとしたメタライジング基板を、セミアディティブ法にてフレキシブル配線板に加工したとしても、反り・ネジレを抑制する効果は十分に発揮され、特に妨げるものではない。
【実施例】
【００８０】
以下、本発明のフレキシブル配線板の製造方法を実施例にもとづいて更に詳細に説明する。なお、本発明はかかる実施例に限定されるものではない。
【００８１】
（実施例１）
＜銅張積層板の製造＞
樹脂フィルムに低ＣＴＥ（線膨張係数）グレードであるポリイミドフィルム（厚さ：３５μｍ  宇部興産社製：ユーピレックス３５ＳＧＡ−Ｖ１）の一方の面側に銅をスパッタリングと電気めっきを用いて８μｍ積層させ、銅張積層板のサンプルを作成した。なお、ポリイミドフィルムは、芳香族ジアミンと３，３’−４，４’−ジフェニルテトラカルボン酸二無水物とからなるイミド結合を含むものであって、ポリイミドフィルムの熱膨張係数が３ｐｐｍ／Ｋ以上７ｐｐｍ／Ｋ以下（５０℃から２００℃の範囲内で５℃／ｍｉｎの速度で昇温したときの熱膨張係数）である。
【００８２】
ポリイミドフィルムは、セミラボ製ＳＥ２０００を使用し、ポリイミドフィルムに直線偏光を照射し、その反射光によって屈折率を求めた。測定はポリイミドフィルムの平面内において、３０度ずつの間隔で３６０度に渡って測定した。また、直線偏光の入射角は、フィルム表面の法線方向を０度としたときの６５度と７０度の２点の角度（バルク）で測定した。直線偏光の波長は４００ｎｍ〜７００ｎｍであった。当該測定された屈折率のうち、波長４８６ｎｍの屈折率を配向として、２点の平均の平面内分布を楕円換算して楕円の長軸から最大配向を求めた。当該ポリイミドフィルムの最大配向を示す面内の分子の配向角度とＴＤ方向との差（表１中、配向角（度）と表記）は５度であった。
【００８３】
また、金属層の積層面と、非積層面の、それぞれのポリイミドフィルム表面の表面配向度比（表１中、配向の表裏差と表記）を測定した。照射角度をフィルム表面の法線方向を０度としたときの８０度と７５度とした以外は上記同様に屈折率を配向として、ポリイミドフィルム表面及び裏面の平面内分布を楕円換算して、楕円率（楕円長軸に相当する最大配向／楕円短軸に相当する最小配向）をそれぞれ求めた。当該ポリイミドフィルムの表面配向度比（表１中、配向の表裏差と表記）は、非積層面（Ｂ）／金属層の積層面（Ａ）で０．８であった。
【００８４】
上記ポリイミドフィルムを真空度０．０１〜０．１Ｐａに保持されたチャンバー内で１５０℃、１分間の加熱処理を行った。なお、このポリイミドフィルムは積層表面未処理である。
【００８５】
引き続き、クロムを２０質量％含有するニッケル−クロム合金ターゲット、及び銅ターゲットを用い、ポリイミドフィルム表面に厚さ２０ｎｍのニッケル−クロム合金層、及び厚さ１００ｎｍの銅層を形成した。
【００８６】
その後、硫酸を１８０ｇ／Ｌ、硫酸銅を８０ｇ／Ｌ、塩素イオンを５０ｍｇ／Ｌ、及び銅めっき被膜の平滑性等を確保する目的で有機添加剤を所定量添加しためっき液を使用し、種々のめっき条件で厚さ８μｍまで電気めっき法によって銅被膜を形成した。
【００８７】
以上により、本発明の実施例に係る金属化ポリイミドフィルム基板として、ポリイミドフィルム３８μｍ上に、ニッケル、クロム、銅から構成されるスパッタ金属薄膜２０ｎｍ、銅薄膜のスパッタ１００ｎｍ、銅めっき被膜８μｍの構成の銅張積層体を得た。
【００８８】
＜環境変化試験＞
上記銅張積層体サンプルについて、加熱処理を行った。
【００８９】
銅張積層板を１０ｃｍ角に切り出し、２３℃、５０ＲＨ％で３日以上放置した後、キーエンス製デジタル寸法測定器（ＬＳ−７０３０）を用いて図４のように４つの角の高さを測定した。また、加熱試験は室温での測定の後、１５０℃、３０分の条件下で処理し、その後、２３℃、５０ＲＨ％で２４時間放置したものを同様に測定した。
【００９０】
実施例１のポリイミドフィルム（厚さ：３５μｍ  宇部興産社製：ユーピレックス３５ＳＧＡ−Ｖ１）同様のポリイミドフィルムであって、延伸の程度、温度、取り位置を適宜変更して実施例２及び比較例１〜６のポリイミドフィルムを用意した。なお、ポリイミドフィルムは、芳香族ジアミンと３，３’−４，４’−ジフェニルテトラカルボン酸二無水物とからなるイミド結合を含むものであって、ポリイミドフィルムの熱膨張係数が３〜７ｐｐｍ／Ｋ（５０℃から２００℃の範囲内で５℃／ｍｉｎの速度で昇温したときの熱膨張係数）である。
【００９１】
（実施例２）
実施例１同様にポリイミドフィルムの最大配向を示す面内の分子の配向角度とＴＤ方向との差（表１中、配向角（度）と表記）及び表面配向度比（表１中、配向の表裏差と表記）を測定した。当該最大配向を示す面内の分子の配向角度とＴＤ方向との差が８度、表面配向度比は、非積層面（Ｂ）／金属層の積層面（Ａ）で０．９であるポリイミドフィルムを用いたこと以外は実施例１と同様に銅張積層体サンプルを作成し、環境変化試験を行った。
【００９２】
（比較例１）
実施例１同様にポリイミドフィルムの最大配向を示す面内の分子の配向角度とＴＤ方向との差（表１中、配向角（度）と表記）及び表面配向度比（表１中、配向の表裏差と表記）を測定した。当該最大配向を示す面内の分子の配向角度とＴＤ方向との差が１２度、表面配向度比は、非積層面（Ｂ）／金属層の積層面（Ａ）で０．８であるポリイミドフィルムを用いたこと以外は実施例１と同様に銅張積層体サンプルを作成し、環境変化試験を行った。
【００９３】
（比較例２）
実施例１同様にポリイミドフィルムの最大配向を示す面内の分子の配向角度とＴＤ方向との差（表１中、配向角（度）と表記）及び表面配向度比（表１中、配向の表裏差と表記）を測定した。当該最大配向を示す面内の分子の配向角度とＴＤ方向との差が１５度、表面配向度比は、非積層面（Ｂ）／金属層の積層面（Ａ）で０．９であるポリイミドフィルムを用いたこと以外は実施例１と同様に銅張積層体サンプルを作成し、環境変化試験を行った。
【００９４】
（比較例３）
実施例１同様にポリイミドフィルムの最大配向を示す面内の分子の配向角度とＴＤ方向との差（表１中、配向角（度）と表記）及び表面配向度比（表１中、配向の表裏差と表記）を測定した。当該最大配向を示す面内の分子の配向角度とＴＤ方向との差が６度、表面配向度比は、非積層面（Ｂ）／金属層の積層面（Ａ）で１．０であるポリイミドフィルムを用いたこと以外は実施例１と同様に銅張積層体サンプルを作成し、環境変化試験を行った。
【００９５】
（比較例４）
実施例１同様にポリイミドフィルムの最大配向を示す面内の分子の配向角度とＴＤ方向との差（表１中、配向角（度）と表記）及び表面配向度比（表１中、配向の表裏差と表記）を測定した。当該最大配向を示す面内の分子の配向角度とＴＤ方向との差が９度、表面配向度比は、非積層面（Ｂ）／金属層の積層面（Ａ）で１．０であるポリイミドフィルムを用いたこと以外は実施例１と同様に銅張積層体サンプルを作成し、環境変化試験を行った。
【００９６】
（比較例５）
実施例１同様にポリイミドフィルムの最大配向を示す面内の分子の配向角度とＴＤ方向との差（表１中、配向角（度）と表記）及び表面配向度比（表１中、配向の表裏差と表記）を測定した。当該最大配向を示す面内の分子の配向角度とＴＤ方向との差が１６度、表面配向度比は、非積層面（Ｂ）／金属層の積層面（Ａ）で１．０であるポリイミドフィルムを用いたこと以外は実施例１と同様に銅張積層体サンプルを作成し、環境変化試験を行った。
【００９７】
（比較例６）
実施例１同様にポリイミドフィルムの最大配向を示す面内の分子の配向角度とＴＤ方向との差（表１中、配向角（度）と表記）及び表面配向度比（表１中、配向の表裏差と表記）を測定した。当該最大配向を示す面内の分子の配向角度とＴＤ方向との差が１３度、表面配向度比は、非積層面（Ｂ）／金属層の積層面（Ａ）で１．１であるポリイミドフィルムを用いたこと以外は実施例１と同様に銅張積層体サンプルを作成し、環境変化試験を行った。
【００９８】
（反り・ネジレ試験結果）
結果を表１に示した。具体的には、めっき後加熱処理前及び、加熱処理後の各サンプルの反り・ネジレをそれぞれ求めた。反りは図４のように、４つの角の高さの平均値、ネジレは対角線の高さの平均値を算出し、２つの対角線の平均値の差の絶対値をネジレの大きさとした。つまり、この値が小さいほどネジレは小さいことを示し、この値が０であればネジレが無いことを示す。反り・ネジレの値はそれぞれ、実施例１を基準とし、割り算した値を示す。
【００９９】
【表１】
0006361550.tif 000002
【０１００】
このことから、最大配向を示す面内の分子の配向角度とＴＤ方向との差（表１中、配向角（度）と表記）が−１０度以上１０度以下であって、表裏の表面配向度比（表１中、配向の表裏差と表記）が１．０未満のポリイミドフィルムを用いた実施例に係る銅張積層板は、加熱処理前（表１中、「初期」と表記）及び加熱処理後（表１中「加熱後」と表記）の反り・ネジレの影響が小さいことが分かる。そのため、本発明のポリイミドフィルムの良否判定方法は、銅張積層板の製造工程でのハンドリング強度を向上させた状態で製造することを可能にしつつ、反り・ネジレは小さくなる。そのため、本発明に係るポリイミドフィルムの良否判定方法は、その歩留りが高く、極めて生産性の高い銅張積層板を製造することのできる判定方法であることが分かる。
【０１０１】
一方、比較例の最大配向を示す面内の分子の配向角度と表裏の表面配向度比が範囲外のフィルムを積層させた銅張積層板は、加熱処理前及び加熱処理後の反り・ネジレは、実施例のものと比較して大きい値を示している。そのため、最大配向を示す面内の分子の配向角度と表裏の表面配向度比が範囲外のポリイミドフィルムを用いた場合には、フレキシブル配線板の寸法が大きく変化することが分かる。
【０１０２】
このことから、最大配向を示す面内の分子の配向角度と表裏の表面配向度比を管理していないポリイミドフィルムを用いてフレキシブル配線板を製造した場合には、フレキシブル配線板の反り・ネジレのばらつきが大きくなることが推認できる。そのため、最大配向を示す面内の分子の配向角度と表裏の表面配向度比が上記の範囲内のポリイミドフィルムを用いた製造方法と比較すると、最大配向を示す面内の分子の配向角度と表裏の表面配向度比を管理していないポリイミドフィルムを用いた製造方法は反り・ネジレのばらつきが大きくなると考えられるため、生産性の低い製造方法であることが分かる。
【符号の説明】
【０１０３】
Ｆ１      樹脂フィルム
Ｆ２      銅薄膜層付樹脂フィルム
Ｓ        銅張積層板
１        樹脂フィルム
２        下地金属層
３        銅薄膜層
４        銅電気めっき層
５        銅層
６        銅張積層板
１０      ロール・ツー・ロールスパッタリング装置
１１ａ、１１ｂ      フリーロール
１２      チャンバー
１３      巻出ロール
１４      キャンロール
１５ａ〜１５ｄ      スパッタリングカソード
１６ａ    前フィードロール
１６ｂ    後フィードロール
１７ａ、１７ｂ      テンションロール
１８      巻取ロール
２０      ロール・ツー・ロール電気めっき装置
２１      電気めっき槽
２２      巻出ロール
２３    反転ロール
２４ａ〜２４ｔ    アノード
２６ａ〜２６ｋ    給電ロール
２８      めっき液
２８ａ    めっき液面
２９      巻取ロール
３０      反り・ネジレ測定サンプル
３１〜３４  高さ測定箇所
３５      反り高さ
【図１】
0006361550.tif 000003
【図２】
0006361550.tif 000004
【図３】
0006361550.tif 000005
【図４】
0006361550.tif 000006