(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
ポリマーが吸着した銀微粒子が水性媒体中に分散した銀微粒子分散物であって、
前記ポリマーが、下記式（１Ａ）で表される（メタ）アクリル酸エステル構成成分ＭＡと、下記式（２Ａ）で表される（メタ）アクリル酸エステル構成成分ＭＨとを有する銀微粒子分散物。
【化１】
0006361059.tif 000013
式（１Ａ）中、Ｒ１１は水素原子又はメチル基を表す。Ｌ１１は、単結合、又は、炭素数１〜１２のアルキレン基、エチレンオキシ基以外のアルキレンオキシ基、カルボニルオキシ基及びオキシカルボニル基からなる群より選択される１種の基、若しくは２種以上の基を組み合わせてなる連結基を表す。Ｒ１２は水素原子、炭素数１〜２０のアルキル基又はフェニル基を表す。ｎ１は、２以上の整数を表す。
式（２Ａ）中、Ｒ２１は水素原子又はメチル基を表す。Ｌ２１は、炭素数１〜１２のアルキレン基、カルボニルオキシ基及びオキシカルボニル基からなる群より選択される１種の基、若しくは２種以上の基を組み合わせてなる連結基を表す。Ｒ２２は、炭素数１〜２０のアルキル基、炭素数１〜６のアルキルオキシ基、水酸基、アルキルカルボニルオキシ基、アルキルオキシカルボニル基、アリールカルボニルオキシ基、アリールオキシカルボニル基、ハロゲン原子、アミノ基、又はカルバモイル基を表す。ｎ２は、０〜４の整数を表す。
【請求項２】
前記Ｌ１１が、単結合である請求項１に記載の銀微粒子分散物。
【請求項３】
前記銀微粒子の平均粒径が、１０〜２００ｎｍである請求項１又は２に記載の銀微粒子分散物。
【請求項４】
前記ポリマーの重量平均分子量が、２０００〜１０００００である請求項１〜３のいずれか１項に記載の銀微粒子分散物。
【請求項５】
請求項１〜４のいずれか１項に記載の銀微粒子分散物を用いたインク組成物。
【請求項６】
インクジェット印刷に用いる、請求項５に記載のインク組成物。
【請求項７】
銀電極の形成に用いる、請求項５又は６に記載のインク組成物。
【請求項８】
請求項１〜４のいずれか１項に記載の銀微粒子分散物又は請求項５〜７のいずれか１項に記載のインク組成物を用いて形成した銀電極。
【請求項９】
請求項８に記載の銀電極を有する薄膜トランジスタ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、銀微粒子分散物、インク組成物、銀電極、及び薄膜トランジスタに関する。
【背景技術】
【０００２】
電子部品の導体配線や電極（以下「導体配線等」という）を形成する材料として銀微粒子が広く用いられている。銀微粒子を水性媒体中に分散させたもの（銀微粒子分散物）を基材上に塗布し、これを焼き付け（焼結）、必要によりエッチング処理を施すことにより、所望の形状の導体配線等を形成することができる。
上記銀微粒子分散物を基材上に塗布する方法として、各種印刷法、スピンコート法、ディスペンサーを用いた方法等が知られている。銀微粒子分散物を印刷法により塗布する場合には、銀微粒子分散物をインクとして用い、このインクを基板等に塗布する。なかでも、微細なパターンを精度良く形成することができ、工程が簡素でインクを無駄なく使用できることから、インクジェット印刷法の利用が広がっている。
【０００３】
導体配線等を形成可能な銀微粒子分散物として、例えば、特許文献１には、フェノール化合物の酸化重合物及び／又はその酸化体を表面に少なくとも有した金属微粒子が溶媒に分散した金属コロイド液が記載されている。
また、特許文献２には、ビニルエーテル系繰り返し単位と、ヒドロキシスチレン系繰り返し単位とをアーム部に有する星型ポリマーに金属ナノ粒子を担持してなる金属ナノ粒子複合体と、水性媒体とを含有する金属ナノ粒子分散液が記載されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特許第４９３２６６２号公報
【特許文献２】国際公開第２０１２／１０２２８６号
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
近年、電子部品の小型化、高機能化により、導体配線等には導電性のさらなる向上が求められている。しかし、従来の銀微粒子分散物により形成した導体配線等の導電性（体積抵抗率）は十分ではない。
また、電子部品のなかでも特に薄膜トランジスタにおいては、電極サイズの微小化に伴い、ソース電極とドレイン電極の距離も狭小しており、イオンマイグレーション（以下、単に「マイグレーション」ともいう。）による電極間の導通が生じやすくなっている。そのため、銀微粒子分散物には、導体配線等におけるマイグレーションも抑えることが求められる。
【０００６】
本発明は、導電性に優れた導体配線等を形成でき、また、形成した導体配線等においてマイグレーションをも効果的に抑えることができ、好ましくは印刷適性にも優れたインク組成物を調製できる、銀微粒子分散物を提供することを課題とする。
また、本発明は、この銀微粒子分散物を用いたインク組成物、この銀微粒子分散物又はインク組成物を用いた銀電極、及びこの銀電極を有する薄膜トランジスタを提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明者らは、上記課題に鑑み鋭意検討を重ねた。その結果、ポリアルキレンオキシ基を含む有機基を持つ（メタ）アクリル酸エステル構成成分と、フェノール性水酸基を含む有機基を持つ（メタ）アクリル酸エステル構成成分とを有するポリマーを水性媒体中で銀微粒子と共存させることにより、このポリマーが銀微粒子の分散剤として機能（銀微粒子に吸着）して、銀微粒子を水性媒体に分散させることができ、しかも、高い導電性を有し、マイグレーションも生じにくい導体配線等を形成できることを見出した。さらに、この銀微粒子分散物を用いて薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）の電極を形成した際には良好なキャリア移動度を示し、ＴＦＴの電極として十分に機能することを見出した。
本発明はこれらの知見に基づきさらに検討を重ね、完成されるに至ったものである。
【０００８】
本発明の上記課題は、以下の手段によって達成された。
〔１〕
ポリマーが吸着した銀微粒子が水性媒体中に分散した銀微粒子分散物であって、
ポリマーが、下記式（１Ａ）で表される（メタ）アクリル酸エステル構成成分ＭＡと、下記式（２Ａ）で表される（メタ）アクリル酸エステル構成成分ＭＨとを有する銀微粒子分散物。
【００１１】
【化２】
0006361059.tif 000002
【００１２】
式（１Ａ）中、Ｒ１１は水素原子又はメチル基を表す。Ｌ１１は、単結合、又は、炭素数１〜１２のアルキレン基、エチレンオキシ基以外のアルキレンオキシ基、カルボニルオキシ基及びオキシカルボニル基からなる群より選択される１種の基、若しくは２種以上の基を組み合わせてなる連結基を表す。Ｒ１２は水素原子、炭素数１〜２０のアルキル基又はフェニル基を表す。ｎ１は、２以上の整数を表す。
式（２Ａ）中、Ｒ２１は水素原子又はメチル基を表す。Ｌ２１は、炭素数１〜１２のアルキレン基、カルボニルオキシ基及びオキシカルボニル基からなる群より選択される１種の基、若しくは２種以上の基を組み合わせてなる連結基を表す。Ｒ２２は、炭素数１〜２０のアルキル基、炭素数１〜６のアルキルオキシ基、水酸基、アルキルカルボニルオキシ基、アルキルオキシカルボニル基、アリールカルボニルオキシ基、アリールオキシカルボニル基、ハロゲン原子、アミノ基、又はカルバモイル基を表す。ｎ２は、０〜４の整数を表す。
〔２〕
Ｌ１１が、単結合である〔２〕に記載の銀微粒子分散物。
〔３〕
銀微粒子の平均粒径が、１０〜２００ｎｍである〔１〕又は〔２〕に記載の銀微粒子分散物。
〔４〕
ポリマーの重量平均分子量が、２０００〜１０００００である〔１〕〜〔３〕のいずれか１つに記載の銀微粒子分散物。
〔５〕
〔１〕〜〔４〕のいずれか１つに記載の銀微粒子分散物を用いたインク組成物。
〔６〕
インクジェット印刷に用いる、〔５〕に記載のインク組成物。
〔７〕
銀電極の形成に用いる、〔５〕又は〔６〕に記載のインク組成物。
〔８〕
〔１〕〜〔４〕のいずれか１つに記載の銀微粒子分散物又は〔５〕〜〔７〕のいずれか１つに記載のインク組成物を用いて形成した銀電極。
〔９〕
〔８〕に記載の銀電極を有する薄膜トランジスタ。
【００１３】
本発明において、分散とは、特に限定されるものではないが、銀微粒子が微粒子状になって水性媒体中に一様に散在している状態をいう。
本明細書において、特に断りがない限り、特定の符号で表示された置換基、連結基等（以下、置換基等という）が複数あるとき、あるいは複数の置換基等を同時に規定するときには、それぞれの置換基等は互いに同一でも異なっていてもよい。このことは、置換基等の数の規定についても同様である。
また、各置換基の例として説明される各基の「基」は無置換の形態及び置換基を有する形態のいずれも包含する意味に用いる。例えば、「アルキル基」は置換基を有してもよいアルキル基を意味する。
さらに、「化合物」という語を末尾に付して呼ぶとき、又は、化合物を特定の名称ないし化学式で示すときには、特に断りがない限り、化合物そのものに加え、その塩、錯体、イオンを含む意味に用いる。
【００１４】
本明細書において、「（メタ）アクリル酸」とは、アクリル酸及びメタクリル酸のいずれか一方、又は、両者を含む意味に用いる。このことは、「（メタ）アクリル酸エステル」及び「（メタ）アクリレート」についても同様である。
本明細書において、「〜」を用いて表される数値範囲は、「〜」前後に記載される数値を下限値及び上限値として含む範囲を意味する。
【発明の効果】
【００１５】
本発明の銀微粒子分散物及びインク組成物は、銀微粒子が分散しており、導電性に優れた導体配線等を形成することができる。また、この銀微粒子分散物及びインク組成物を用いて形成された導体配線等はマイグレーションの発生も効果的に抑えられる。さらに、本発明の銀微粒子分散物は、好ましくは、印刷適性にも優れたインク組成物とすることができる。
本発明の銀電極は、導電性が高く、しかもマイグレーションの発生も効果的に抑えられ、例えばＴＦＴの電極として好適に用いることができる。さらに、本発明の薄膜トランジスタは本発明の銀電極を有してなり、銀電極のマイグレーションが抑えられて電極間の絶縁信頼性に優れるとともに優れたキャリア移動度を示す。
【図面の簡単な説明】
【００１６】
【図１】本発明の薄膜トランジスタの好ましい形態を模式的に示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１７】
［銀微粒子分散物］
本発明の銀微粒子分散物の好ましい実施形態について説明する。
本発明の銀微粒子分散物は、銀微粒子と、上記式（１）及び（２）で表される２種の（メタ）アクリル酸エステル構成成分を少なくとも有するポリマーと、水性媒体と含有する。本発明の銀微粒子分散物中において、銀微粒子は、その少なくとも一部が上記ポリマーに覆われ、このポリマーが吸着している。これにより、銀微粒子は水性媒体中に分散している。本発明において、吸着は、物理吸着と化学吸着との両方を包含する。
本発明の銀微粒子分散物は、さらに、界面活性剤、乾燥防止剤、浸透促進剤、防腐剤、消泡剤、粘度調整剤、ｐＨ調製剤、キレート剤、銀以外の金属粒子等の各種添加剤を含有してもよい。
本発明の銀微粒子分散物は、各成分等が均質に混じり合った組成物の形態であることが好ましいが、吸着状態等により各成分等が不均質に混じり合った形態であってもよい。
【００１８】
＜銀微粒子＞
本発明に用いる銀微粒子は、適宜に調製された銀微粒子でもよく、水性媒体中で合成（還元）されたものでもよい。
本発明の銀微粒子分散物中において、銀微粒子の平均粒径（二次粒径）は、銀微粒子が水性媒体中に安定的に分散できれば、特に制限はない。例えば、平均粒径は、１０〜２００ｎｍであることが好ましく、１０〜１００ｎｍがより好ましく、２０〜９０ｎｍがさらに好ましく、３０〜８０ｎｍであることが特に好ましい。銀微粒子の平均粒径を上記好ましい範囲内とすることにより、分散安定性が高く、膜、配線又は電極等を形成した際に十分に低い体積抵抗率とすることができる。
【００１９】
銀微粒子の平均粒径は、濃厚系粒径アナライザーＦＰＡＲ−１０００（製品名、大塚電子社製）を用いて測定される。具体的には、上記装置（ＦＰＡＲ−１０００）を用いて、銀微粒子分散物中の銀微粒子の粒径を動的光散乱法により、標準測定条件、温度２５℃で測定し、キュムラント解析により求めた、キュムラント平均粒径である。
また、銀微粒子分散組成物中の銀微粒子の粒径分布に関しては、特に制限はなく、広い粒径分布又は単分散性の粒径分布のいずれであってもよい。
【００２０】
本発明の銀微粒子分散物に含有される銀微粒子は、常法により調製することができる。
例えば、硝酸銀（Ｉ）（ＡｇＮＯ３）やメタンスルホン酸銀（ＣＨ３ＳＯ３Ａｇ）等の銀化合物と、本発明に用いるポリマーとを水中に溶解し、還元剤を添加し、撹拌しながら一定時間、銀イオンを還元することにより銀微粒子を調製できる。この方法においては、銀微粒子の調製とともに銀微粒子分散物を得ることができる。
【００２１】
上記還元剤は、水溶性であれば特に制限はなく、従来公知の還元剤を用いることができる。なかでも、粒径が小さな銀微粒子を得ることができ、しかも、導電性の向上（体積抵抗率の低下）とマイグレーションの効果的な抑止の観点から、還元剤として、アルコール（好ましくはメタノール、エタノール、２−プロパノール、エチレングリコール、トリメチロールプロパン、又は３−アミノ−１−プロパノール）、ヒドロキシ基を有しないアミン（好ましくは、ヒドラジン、又はフェニルヒドラジン）、アスコルビン酸、ホルムアルデヒド、ヒドロキシルアミン（好ましくはＮ，Ｎ−ジエチルヒドロキシルアミン）、糖類等を用いることが好ましい。
【００２２】
銀微粒子を水性媒体中で合成する場合、銀微粒子の平均粒径は、使用する銀化合物、分散剤、還元剤の種類と配合比、さらに撹拌速度、温度、時間等により、上記範囲に設定することができる。
【００２３】
本発明の銀微粒子分散物中の、銀微粒子の含有率は、本発明の銀微粒子分散物全量の５〜９０質量％であるのが好ましく、１０〜８０質量％であるのがより好ましく、２０〜７０質量％であるのがさらに好ましく、２０〜６０質量％であるのが特に好ましく、２０〜５０質量％であるのが最も好ましい。上記の範囲内であれば、十分な厚みと導電性とを有する導体配線や導電膜を形成でき、また、各種の印刷方法や塗布方法用として適した流動性の銀微粒子分散組成物を得ることができる。
銀微粒子分散物中の銀微粒子の濃度は、必要により、純水による希釈又は限外ろ過等による濃縮により、所定の範囲に設定できる。
【００２４】
＜ポリマー＞
本発明の銀微粒子分散物は、下記式（１）で表される（メタ）アクリル酸エステル構成成分と、下記式（２）で表される（メタ）アクリル酸エステル構成成分とを有するポリマーを含有する（以下、本発明に用いるポリマーということがある）。
【００２５】
【化３】
0006361059.tif 000003
【００２６】
式（１）及び式（２）において、Ｒ１及びＲ２は、各々独立に、水素原子又はメチル基を表す。Ａ１はポリアルキレンオキシ基を有する有機基である。Ａ２はフェノール性水酸基を有する有機基である。
【００２７】
本発明に用いるポリマーは、（メタ）アクリル酸エステル構成成分からなる（鎖状の）ポリ（メタ）アクリル酸エステルの主鎖がポリアルキレンオキシ基を含む有機基Ａ１、及び、フェノール性水酸基を含む有機基Ａ２を有する。
本発明に用いるポリマーは、銀微粒子の分散剤として作用し、銀微粒子分散物に上記の優れた特性又は物性を付与することができる。
その作用のメカニズムはまだ定かではないが次のように推定される。すなわち、本発明のポリマーは、ポリ（メタ）アクリル酸エステルの主鎖を有しており、式（１）で表される（メタ）アクリル酸エステル構成成分が粒径を小さく維持して銀微粒子の分散性を高める。さらに、式（２）で表される（メタ）アクリル酸エステル構成成分が銀微粒子の酸化を防止し、又は高度に疎水化させる。さらに、本発明に用いるポリマーは、本発明の銀微粒子分散物又はインク組成物の焼結時に分解又は焼失しやすい。このような本発明のポリマーが有機的に銀微粒子に作用することにより、銀微粒子同士、及び銀微粒子同士が融着したグレイン同士を確実堅固に融着させることができると考えられる。
【００２８】
Ｒ１及びＲ２は、それぞれ、水素原子又はメチルを表し、メチルが好ましい。
有機基Ａ１は、ポリアルキレンオキシ基を含む有機基であればよい。ポリアルキレンオキシ基の両端部それぞれの炭素原子又は酸素原子に結合する原子又は基は、上記式（１）中のカルボニルオキシ基の酸素原子と、この酸素原子以外のものとである。この酸素原子以外のものは、特に限定されない。例えば、水素原子、アルキル基又はアリール基が好適に挙げられる。アルキル基は後述するＲ２２の、炭素数１〜２０のアルキル基と同義であり、好ましいものも同じである。例えば、メチル、エチル、ステアリルが挙げられる。
また、有機基Ａ２は、フェノール性水酸基を含む有機基（好ましくは１価の有機基）であり、Ａ１とは異なる有機基であればよい。このような有機基として、例えば、ヒドロキシフェニル基を含む有機基が挙げられる。
【００２９】
式（１）で表される（メタ）アクリル酸エステル構成成分は、下記式（１Ａ）で表される（メタ）アクリル酸エステル構成成分ＭＡが好ましい。また、式（２）で表される（メタ）アクリル酸エステル構成成分は、下記式（２Ａ）で表される（メタ）アクリル酸エステル構成成分ＭＨが好ましい。
本発明に用いるポリマーは、下記式（１Ａ）で表される（メタ）アクリル酸エステル構成成分ＭＡと下記式（２Ａ）で表される（メタ）アクリル酸エステル構成成分ＭＨとを有することが好ましい。このポリマーは、有機基Ａ１及び有機基Ａ２をいずれも好ましい基にしたものである。本発明の銀微粒子分散物が本発明に用いる好ましいポリマーを含有していると、この銀微粒子分散物における、銀微粒子の分散状態の安定性（分散安定性ということがある）が向上する。また、この銀微粒子分散物で形成した導体配線等に低い体積抵抗率を付与でき、しかもマイグレーションを効果的に抑制できる。
【００３０】
【化４】
0006361059.tif 000004
【００３１】
式（１Ａ）において、Ｒ１１は水素原子又はメチルを表し、メチルが好ましい。
Ｒ１２は、水素原子、炭素数１〜２０のアルキル基又はフェニルを表す。Ｒ１２のアルキル基は、Ｒ２２のアルキル基と同義であり、好ましいもの同じである。アルキル基としては、例えば、メチル、エチル、ｔ−ブチル、ステアリルが挙げられる。Ｒ１２は、メチル、エチル又はフェニルが好ましく、メチルがより好ましい。
ｎ１は、２以上の整数を表し、好ましくは２〜１００であり、より好ましくは２〜５０であり、さらに好ましくは４〜２５である。ｎ１が上記範囲にあると、銀微粒子の分散安定性が良好となる。
【００３２】
Ｌ１１は、単結合、又は、炭素数１〜１２のアルキレン基、アルキレンオキシ基（エチレンオキシ基を除く）、カルボニルオキシ基及びオキシカルボニル基からなる群より選択される１種の基、若しくは、この群より選択される２種以上の基を組み合わせてなる連結基を表す。
アルキレン基は、炭素数が１〜１２であり、好ましくは炭素数が１〜６、より好ましくは炭素数が１〜４、さらに好ましくは炭素数が１又は２である。アルキレン基は、直鎖状でも分岐状でもよい。
アルキレンオキシ基は、エチレンオキシ基以外であればよく、アルキレンオキシ基中のアルキレン部分の炭素数が、好ましくは３〜２０であり、より好ましくは３〜１２であり、さらに好ましくは３〜８である。アルキレンオキシ基中のアルキレン部分は直鎖状でも分岐状でもよい。
Ｌ１１が上記組み合わせてなる連結基である場合、組み合わされる基の数も、総炭素数も、２以上の基が連結する順番も特に限定されない。
Ｌ１１は、単結合であることが、入手しやすい点で、好ましい。
【００３３】
上記式（１）で表される（メタ）アクリル酸エステル構成成分の好ましい具体例としては、実施例で用いた各ポリマーが有する構成成分が挙げられるが、本発明はこれらに限定されない。また、式（１）で表される（メタ）アクリル酸エステル構成成分の好ましい具体例として、実施例で用いた各ポリマーとして示したが、式（２）で表される（メタ）アクリル酸エステル構成成分との組み合わせはこれらのポリマーが有する構成成分の組み合わせに限定されない。
【００３４】
式（２Ａ）において、Ｒ２１は水素原子又はメチルを表し、メチルが好ましい。
Ｒ２２は、炭素数１〜２０のアルキル基、炭素数１〜６のアルキルオキシ基、水酸基、アルキルカルボニルオキシ基、アルキルオキシカルボニル基、アリールカルボニルオキシ基、アリールオキシカルボニル基、ハロゲン原子、アミノ基、又はカルバモイル基（−ＣＯＮＨ２）を表す。
アルキル基は、炭素数が１〜２０であり、好ましくは１〜１２であり、より好ましくは１〜８である。アルキル基は、直鎖状でも分岐状でもよい。アルキル基としては、例えば、メチル、エチル、ｔ−ブチルが挙げられる。
アルキルオキシ基は、炭素数が１〜６であり、好ましくは１〜４であり、より好ましくは１〜３である。アルキルオキシ基中のアルキル部分は、直鎖状でも分岐状でもよい。アルキルオキシ基としては、例えば、メトキシ、エトキシ、ブトキシが挙げられる。
アルキルカルボニルオキシ基及びアルキルオキシカルボニル基は、それぞれ、特に限定されない。これらの基が有するアルキル部分は、Ｒ２２がとり得る上記アルキル基と同義であり、好ましいものも同じである。
アリールカルボニルオキシ基及びアリールオキシカルボニル基は、それぞれ、特に限定されない。これらの基が有するアリール部分としては、フェニル、ナフチル、アントラセニルが挙げられる。
ハロゲン原子は、好ましくは、フッ素原子、塩素原子又は臭素原子が挙げられる。
アミノ基は、無置換アミノ基（−ＮＨ２）の他に、モノ若しくはジ−アルキルアノミ基、モノ若しくはジ−アリールアミノ基、アルキルアリールアミノ基を包含する。アミノ基は、特に限定されない。
Ｒ２２は、アルキル基、アルキルオキシ基、水酸基、ハロゲン原子又はアミノ基であることが好ましく、アルキル基、アルキルオキシ基又は水酸基であることがより好ましく、メチル、ｔ−ブチル、メトキシ又は水酸基であることがさらに好ましい。
Ｒ２２の結合位置は、式（２Ａ）中のベンゼン環を構成するいずれの環構成炭素原子でもよい。好ましくはＬ２１に結合する環構成炭素原子に対してメタ位（３位又は５位）の環構成炭素原子に結合する。
ｎ２は、０〜４の整数を表し、０〜２の整数であることが好ましく、１又は２であることがより好ましい。ｎ２が２〜４の整数であるとき、２〜４個のＲ２２は同一でも異なっていてもよい。
【００３５】
Ｌ２１は、単結合、又は、炭素数１〜１２のアルキレン基、アルキレンオキシ基、カルボニルオキシ基及びオキシカルボニル基からなる群より選択される１種の基、若しくは、この群より選択される２種以上の基を組み合わせてなる連結基を表す。
【００３６】
炭素数１〜１２のアルキレン基は、Ｌ１１の炭素数１〜１２のアルキレン基と同義であり、好ましいものも同じである。
アルキレンオキシ基は、エチレンオキシ基を含むこと以外はＬ１１のアルキレンオキシ基と同義であり、好ましいものもエチレンオキシ基を含むこと以外は同じである。
【００３７】
Ｌ２１が上記組み合わせてなる連結基である場合、組み合わされる基の数も、総炭素数も、２以上の基が連結する順番も特に限定されない。組み合わせてなる連結基の総炭素数は、例えば、２〜１００が好ましく、２〜５０であるのがより好ましい。
組み合わせてなる連結基は、好ましくは、アルキレン基−カルボニルオキシ基又はオキシカルボニル基−、アルキレン基−カルボニルオキシ基又はオキシカルボニル基−アルキレン基−、又はポリアルキレンオキシ基（アルキレンオキシ基の結合数は好ましくは２〜５０個）である。組み合わせてなる連結基において、アルキレン基は、炭素数が２〜４であることが好ましい。
【００３８】
Ｌ２１は、単結合、アルキレン基、アルキレン基−オキシカルボニル基−、アルキレン基−カルボニルオキシ基−、アルキレン基−オキシカルボニル基−アルキレン基−、又は２〜５０個のアルキレンオキシ基であることが好ましい。ここで、アルキレン基は、炭素数が２〜４であることが好ましい。
【００３９】
式（２Ａ）において、フェノール性水酸基（Ｒ２２を除く）は、Ｌ２１に結合する環構成炭素原子に対してパラ位（４位）の環構成炭素原子に結合していることが好ましい。
【００４０】
上記式（２）で表される（メタ）アクリル酸エステル構成成分の好ましい具体例として、実施例で用いた各ポリマーが有する構成成分が挙げられる。また、下記に示す各ポリマーが有する構成成分も挙げられる。
本発明において、式（２）で表される（メタ）アクリル酸エステル構成成分はこれらに限定されない。また、式（２）で表される（メタ）アクリル酸エステル構成成分の好ましい具体例として、実施例で用いた各ポリマー及び下記に示す各ポリマーとして示したが、式（１）で表される（メタ）アクリル酸エステル構成成分との組み合わせはこれらのポリマーが有する構成成分の組み合わせに限定されない。
本明細書において、ｗｔ％は質量％を意味する。
【００４１】
【化５】
0006361059.tif 000005
【００４２】
本発明に用いるポリマーは、式（１）で表される（メタ）アクリル酸エステル構成成分及び式（２）で表される（メタ）アクリル酸エステル構成成分の他に、他の構成成分を有してもよい。他の構成成分としては、式（１）で表される（メタ）アクリル酸エステル構成成分及び式（２）で表される（メタ）アクリル酸エステル構成成分のいずれとも異なる構造の、ビニルモノマー、特に（メタ）アクリル酸エステル構成成分が好ましい。このような構成成分となる（メタ）アクリル酸エステルとしては、例えば、炭素数１〜２０のアルキル（メタ）アクリル酸エステル、（メタ）アクリロイロキシエチルフタレート、（メタ）アクリロイロキシエチル−２−ヒドロキシエチルフタレート、２−（メタ）アクリロイロキシエチルヘキサヒドロフタレート、２−エチルヘキシル（メタ）アクリレート、２−ヒドロキシブチル（メタ）アクリレート、２−ヒドロキシエチル（メタ）アクリレート、ベンジル（メタ）アクリレート、４−ヒドロキシブチル（メタ）アクリレート、ブチル（メタ）アクリレート、カプロラクトン（メタ）アクリレート、シクロヘキシル（メタ）アクリレート、ジシクロペンタニル（メタ）アクリレート、ジシクロペンテニルオキシエチル（メタ）アクリレート、ジメチルアミノエチル（メタ）アクリレート、ジプロピレングリコール（メタ）アクリレート、イソボルニル（メタ）アクリレート、ネオペンチルグリコールベンゾエート（メタ）アクリレート、オクタフルオロペンチル（メタ）アクリレート、フェノキシエチル（メタ）アクリレート、テトラヒドロフルフリル（メタ）アクリレート、ｔ−ブチル（メタ）アクリレート、ｔ−ブチルシクロヘキシル（メタ）アクリレート、トリデシル（メタ）アクリレート等が挙げられる。
なかでも、ジメチルアミノエチル（メタ）アクリレート、ジプロピレングリコール（メタ）アクリレート、イソボルニル（メタ）アクリレート、ラウロキシポリエチレングリコール（メタ）アクリレート、ネオペンチルグリコールベンゾエート（メタ）アクリレート、オクタフルオロペンチル（メタ）アクリレート、フェノキシエチル（メタ）アクリレート、テトラヒドロフルフリル（メタ）アクリレートから選ばれるモノマーに由来する構成成分が好ましい。
【００４３】
本発明に用いるポリマーにおいて、上記式（１）で表される（メタ）アクリル酸エステル構成成分の含有率は、５〜９５質量％であることが好ましく、１０〜９０質量％であることがより好ましく、２０〜９０質量％であることがさらに好ましく、５０〜９０質量％であることが特に好ましい。
また、上記式（２）で表される（メタ）アクリル酸エステル構成成分の含有率は、５〜９５質量％であることが好ましく、１０〜９０質量％であることがより好ましく、１０〜８０質量％であることがさらに好ましく、１０〜５０質量％であることが特に好ましい。
他の構成成分の含有率は、３０質量％以下が好ましく、２０質量％以下がより好ましく、０〜１５質量％がさらに好ましく、０〜１０質量％が特に好ましい。
上記式（１）で表される（メタ）アクリル酸エステル構成成分の含有率、上記式（２）で表される（メタ）アクリル酸エステル構成成分の含有率及び他の構成成分の含有率は合計で１００質量％である。
【００４４】
本発明に用いるポリマーは、上記の式（１）及び式（２）で表される構成成分を有していれば、ランダムポリマーでもブロックポリマーでもよいが、ランダムポリマーであることが好ましい。
本発明に用いるポリマーは、直鎖ポリマーでも分岐ポリマーでもよいが、直鎖ポリマーであることが好ましい。
【００４５】
本発明に用いるポリマーの酸価は、分散性をより高める観点から、０．０１〜１５ｍｍｏｌ／ｇであることが好ましく、０．１〜１０ｍｍｏｌ／ｇであることがより好ましい。
本発明に記載の分散剤の酸価は、ＪＩＳ  Ｋ  ００７０に準拠して測定し、１ｍｍｏｌ／ｇ＝５６．１ｍｇＫＯＨ／ｇとして換算することで算出できる。
【００４６】
本発明に用いるポリマーの重量平均分子量Ｍｗは、銀微粒子の分散性をより高める観点から、２０００〜１０００００であることが好ましく、３０００〜５００００であることがより好ましく、５０００〜３００００であることがさらに好ましい。
本発明に用いるポリマーは、上記（メタ）アクリル酸エステル構成成分を有している。これにより、上記特性を有し、小さな重量平均分子量Ｍｗであっても、銀微粒子の分散性を高めることができる。また、分散速度の向上及び銀微粒子分散物の低粘度化もでき、印刷特性が優れたものとなる。
【００４７】
本明細書において、重量平均分子量Ｍｗは、ゲル透過クロマトグラフィー（ＧＰＣ）で測定される。ＧＰＣは、ＨＬＣ−８２２０ＧＰＣ（東ソー社製）を用い、カラムとして、ＴＳＫｇｅＬ  Ｓｕｐｅｒ  ＨＺＭ−Ｈ、ＴＳＫｇｅＬ  Ｓｕｐｅｒ  ＨＺ４０００、ＴＳＫｇｅＬ  Ｓｕｐｅｒ  ＨＺ２０００（東ソー社製、４．６ｍｍＩＤ×１５ｃｍ）の３本を直列に接続し、溶離液としてＴＨＦ（テトラヒドロフラン）を用いて、測定できる。
測定条件としては、試料濃度を０．３５質量％、流速を０．３５ｍＬ／ｍｉｎ、サンプル注入量を１０μＬ、測定温度を４０℃とし、ＩＲ検出器を用いて行う。
検量線は、東ソー社製「標準試料ＴＳＫ  ｓｔａｎｄａｒｄ，ｐｏｌｙｓｔｙｒｅｎｅ」：「Ｆ−４０」、「Ｆ−２０」、「Ｆ−４」、「Ｆ−１」、「Ａ−５０００」、「Ａ−２５００」、「Ａ−１０００」、「ｎ−プロピルベンゼン」の８サンプルから作製する。
【００４８】
本発明に用いるポリマーは、２０℃において水に対する溶解度が５質量％以上であるものが好ましく、１０質量％以上であるものがより好ましい。
【００４９】
本発明に用いるポリマーは、式（１）で表される（メタ）アクリル酸エステル構成成分と、式（２）で表される（メタ）アクリル酸エステル構成成分と、所望により、他の構成成分とを、通常の共重合方法に基づいて、共重合することにより、製造できる。
【００５０】
本発明の銀微粒子分散物において、銀微粒子と本発明に用いるポリマーとの含有率の比は、銀微粒子が水性媒体（ａ）中に安定的に分散できれば特に制限はない。含有率の比は、銀微粒子の含有率：本発明に用いるポリマーの含有率が、質量比で、１００：１〜１００：２０であることが好ましく、１００：２〜１００：１０であることがより好ましく、１００：３〜１００：７が特に好ましい。この範囲内であれば、分散安定性が高く、銀微粒子分散物を焼結してなる導体配線等の体積抵抗率が十分に小さいものとなる、これは、ポリマー量が上記範囲内であると、焼結によりポリマーが残存しにくく、銀微粒子同士が融着するためと考えられる。
【００５１】
＜水性媒体＞
本発明の銀微粒子分散物に用いる水性媒体（以下、水性媒体（ａ）ということもある）は、水、又は、水と水溶性有機溶媒との混合液である。
【００５２】
水としては、例えば、蒸留水、イオン交換水、純水、超純水等が挙げられる。
水性媒体に含有されうる上記水溶性有機溶媒は、２０℃において水に対する溶解度が５質量％以上であるものが好ましい。この水溶性有機溶媒として、例えば、アルコール化合物、ケトン化合物、エーテル化合物、アミド化合物、ニトリル化合物、スルホン化合物が挙げられる。水溶性有機溶媒は１種又は２種以上を用いることができる。
【００５３】
これらのうちアルコール化合物としては、例えば、エタノール、イソプロパノール、ｎ−ブタノール、ｔ−ブタノール、イソブタノール、ジアセトンアルコール、ジエチレングリコール、エチレングリコール、ジプロピレングリコール、プロピレングリコール、グリセリンが挙げられる。
また、ケトン化合物としては、例えば、アセトン、メチルエチルケトン、ジエチルケトン、メチルイソブチルケトンが挙げられる。
エーテル化合物としては、例えば、ジブチルエーテル、テトラヒドロフラン、ジオキサンが挙げられる。
アミド化合物としては、例えば、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジエチルホルムアミドが挙げられる。
ニトリル化合物としては、例えば、アセトニトリルが挙げられる。
スルホン化合物としては、例えば、ジメチルスルホキシド、ジメチルスルホン、スルホランが挙げられる。
【００５４】
本発明の銀微粒子分散物中の水性媒体の含有率は、特に限定されない。好ましくは、銀微粒子、本発明に用いるポリマー及び上記添加剤の含有率との合計が１００質量％となる量、すなわち残部である。
また、銀微粒子分散物に含まれる水性媒体中、水の含有率は３０質量％以上が好ましく、５０〜１００質量％がより好ましく、７０〜１００質量％がさらに好ましく、８０〜１００質量％が特に好ましい。
【００５５】
＜銀微粒子分散物の物性＞
本発明の銀微粒子分散物の粘度は、銀微粒子の含有率にもよるが、通常は、１〜１００ｍＰａ・ｓであることが好ましく、５〜５０ｍＰａ・ｓであることがより好ましい。銀微粒子分散物の粘度は、ＴＶ−２２型粘度計（東機産業社製）を用い、２５℃で測定したものである。
【００５６】
本発明の銀微粒子分散物のｐＨは、分散安定性の観点から、２５℃においてｐＨ４〜１０が好ましく、ｐＨ５〜９がより好ましく、ｐＨ６〜８がさらに好ましい。
【００５７】
［インク組成物］
本発明のインク組成物は、本発明の銀微粒子分散物そのものでもよい。また、本発明の銀微粒子分散物を原料として用いて調製されるものであってもよい。より詳細には、少なくとも本発明の銀微粒子分散物と、水性媒体（以下、水性媒体（ｂ）という。）とを混合することにより、本発明のインク組成物を調製してもよい。また、場合によっては本発明の銀微粒子分散物を濃縮して本発明のインク組成物とすることもできる。水性媒体（ｂ）は水性媒体（ａ）と同義であり、好ましい範囲も同じである。
本発明のインク組成物には、必要に応じて、界面活性剤、乾燥防止剤（膨潤剤）、着色防止剤、浸透促進剤、紫外線吸収剤、防腐剤、消泡剤、粘度調整剤、ｐＨ調製剤等の添加剤を混合してもよい。混合方法に特に制限はなく、通常用いられる混合方法を適宜に選択し、本発明のインク組成物を得ることができる。上記添加剤のうち本発明の銀微粒子分散物にも含有してもよいものは、本発明の銀微粒子分散物の調製時、又は本発明のインク組成物の調製時の少なくとも一方で混合される。
【００５８】
本発明のインク組成物中の、銀微粒子の濃度は、体積抵抗率の観点から、本発明のインク組成物全量の１５〜８０質量％であることが好ましく、２０〜６０質量％であることがより好ましい。
また、本発明のインク組成物中に分散している銀微粒子の粒径は、１０〜２００ｎｍであることが好ましく、１０〜１００ｎｍであることがより好ましい。インク組成物中の銀微粒子の粒径は、上述した、銀微粒子分散物中の銀微粒子の平均粒径の測定方法と同じ方法で測定される値とする。
【００５９】
上記インク組成物が含有しうる上記界面活性剤は、例えば表面張力調整剤として用いることができる。
上記界面活性剤としては、分子内に親水部と疎水部を合わせ持つ構造を有する化合物等を有効に使用することができ、アニオン性界面活性剤、カチオン性界面活性剤、両性界面活性剤、ノニオン性界面活性剤、ベタイン系界面活性剤のいずれも使用することができる。
【００６０】
本発明においては、インクジェットに用いる場合、インクの打滴干渉抑制の観点から、ノニオン性界面活性剤が好ましく、なかでもアセチレングリコール誘導体（アセチレングリコール系界面活性剤）がより好ましい。
上記アセチレングリコール系界面活性剤としては、例えば、２，４，７，９−テトラメチル−５−デシン−４，７−ジオール及び２，４，７，９−テトラメチル−５−デシン−４，７−ジオールのアルキレンオキシド付加物等を挙げることができ、これから選ばれる少なくとも１種であることが好ましい。これらの化合物の市販品としては例えば、日信化学工業社のオルフィンＥ１０１０などのＥシリーズを挙げることができる。
【００６１】
上記界面活性剤は、インクジェット方式によりインク組成物の吐出を良好に行う観点から、インク組成物の表面張力を２０〜６０ｍＮ／ｍに調整できる範囲の量で含有させるのが好ましく、より好ましくはインク組成物の表面張力を２０〜４５ｍＮ／ｍ、さらに好ましくは２５〜４０ｍＮ／ｍに調整できる範囲の量で含有させる。
表面張力は、自動表面張力計：ＣＢＶＰ−Ｚ又はＤＹ−３００（いずれも、商品名、協和界面科学社製）を用い、２５℃の条件下で測定される。
【００６２】
本発明のインク組成物が界面活性剤を含む場合、界面活性剤の含有率は特に限定されないが、インク組成物中、０．１質量％以上が好ましく、より好ましくは０．１〜１０質量％であり、さらに好ましくは０．２〜３質量％である。
【００６３】
本発明のインク組成物の粘度には特に限定はないが、２５℃での粘度が、１．２ｍＰａ・ｓ以上１５．０ｍＰａ・ｓ以下であることが好ましく、より好ましくは２ｍＰａ・ｓ以上１３ｍＰａ・ｓ未満であり、さらに好ましくは２．５ｍＰａ・ｓ以上１０ｍＰａ・ｓ未満である。インク組成物の粘度は、上記本発明の銀微粒子分散物の粘度測定方法により測定することができる。
【００６４】
本発明のインク組成物のｐＨは、分散安定性の観点から、２５℃においてｐＨ６〜１１が好ましく、ｐＨ７〜１０がより好ましく、ｐＨ７〜９がさらに好ましい。
【００６５】
本発明のインク組成物は、これを基材上に塗布し、通常は焼結することにより、導体配線、導電膜、銀電極などを形成することができる。本発明のインク組成物の塗布方法に特に制限はなく、公知のインク付与方法を用いることができる。例えば、スクリーン印刷法、ディップコーティング法、スプレー塗布法、スピンコーティング法、インクジェット法、ディスペンサーを用いた方法等の塗布法が挙げられる。なかでも、記録装置のコンパクト化と高速記録性の観点から、インク組成物をインクジェット方式によって塗布することが好ましい。
【００６６】
インクジェット方式には、特に制限はなく、公知の方式、例えば、静電誘引力を利用してインクを吐出させる電荷制御方式、ピエゾ素子の振動圧力を利用するドロップオンデマンド方式（圧力パルス方式）、電気信号を音響ビームに変えインクに照射して放射圧を利用してインクを吐出させる音響インクジェット方式、インクを加熱して気泡を形成し、生じた圧力を利用するサーマルインクジェット方式等のいずれであってもよい。
また、インクジェット方式で用いるインクジェットヘッドは、オンデマンド方式でもコンティニュアス方式でも構わない。さらに上記インクジェット方式により記録を行う際に使用するインクノズル等についても特に制限はなく、目的に応じて、適宜選択することができる。
【００６７】
インク付与工程をインクジェット方式で実施する場合、高精細なパターンを形成する観点から、インクジェット方式により吐出されるインク組成物の液滴量が１．５〜３．０ｐＬであることが好ましく、１．５〜２．５ｐＬであることより好ましい。吐出されるインク組成物の液滴量は、吐出条件を適宜に調整して調節することができる。
【００６８】
［銀電極］
本発明の銀電極は、銀配線、銀膜等であってもよい。
本発明の銀電極は、本発明の銀微粒子分散物又はインク組成物を用いて形成される。
より詳細には、上述した微粒子分散組成物又はインク組成物を基板上に塗布して、加熱処理を施す（焼結する）ことにより銀電極を形成することができる。上記加熱処理を施すことにより、銀微粒子同士が互いに融着してグレインを形成し、さらにグレイン同士が接着又は融着して銀層を形成すると考えられる。このとき、本発明のポリマーは上記のように分解（解重合）又は焼失される。また、本発明のポリマーの（メタ）アクリル酸エステル構成成分それぞれがいずれも銀微粒子に作用する。これにより、導電性が高く、しかもマイグレーションの発生も効果的に抑制された銀電極が形成されると考えられる。
【００６９】
上記加熱処理の温度は、１２０℃〜２５０℃が好ましく、１５０℃〜２００℃がより好ましい。加熱時間は、１分〜２時間が好ましく、５分〜１時間がより好ましい。加熱処理の温度と加熱時間を上記好ましい範囲内とすることにより、銀微粒子が十分に焼結され、所望の導電性が得られやすい。加熱処理は、酸素の存在雰囲気下、行うことが好ましい。
本発明の銀電極が有する導電性は、体積抵抗率で、好ましくは２×１０−６〜２×１０−４Ωｃｍであり、特に好ましくは２×１０−６〜５×１０−５Ωｃｍである。
【００７０】
［薄膜トランジスタ］
本発明のＴＦＴは、本発明の銀電極を有する。本発明のＴＦＴにおいて、本発明の銀電極は、ゲート電極、ソース電極及びドレイン電極の少なくとも１つとして用いられている。
本発明の薄膜トランジスタ（以下、単に「本発明のＴＦＴ」という。）の好ましい形態を以下に説明するが、本発明のＴＦＴはこれらの形態に限定されるものではなく、ソース電極及びドレイン電極の少なくともいずれか一方が、本発明の銀微粒子分散物ないしインク組成物を用いて形成されていれば特に制限はない。
【００７１】
本発明のＴＦＴは、基板上に、ゲート電極と、半導体層と、上記ゲート電極と上記半導体層との間に設けられたゲート絶縁層と、上記半導体層に接して設けられ、上記半導体を介して連結されたソース電極及びドレイン電極とを有する。ゲート電極に電圧が印加されると、ソース電極−ドレイン電極間の半導体層と隣接する層との界面に電流の流路（チャネル）が形成される。すなわち、ゲート電極に印加される入力電圧に応じて、ソース電極とドレイン電極との間を流れる電流が制御される。
【００７２】
本発明のＴＦＴの好ましい形態を図面に基づいて説明する。各図面に示されるＴＦＴは、本発明の理解を容易にするための模式図であり、各部材のサイズないし相対的な大小関係等は説明の便宜上大小を変えている場合があり、実際の関係をそのまま示すものではない。また、本発明で規定する事項以外はこれらの図面に示された外形、形状に限定されるものでもない。例えば、図１（Ａ）及び（Ｂ）において、ゲート電極は必ずしも基板のすべてを覆っている必要はなく、基板の中央部分に設けられた形態も、本発明のＴＦＴの形態として好ましい。
図１（Ａ）〜（Ｄ）は、各々、本発明のＴＦＴの代表的な好ましい形態を模式的に表わす縦断面図である。図１（Ａ）〜（Ｄ）において、１は半導体層、２はゲート絶縁層、３はソース電極、４はドレイン電極、５はゲート電極、６は基板を示す。
また、図１（Ａ）は、ボトムゲート−ボトムコンタクト型、図１（Ｂ）は、ボトムゲート−トップコンタクト型、図１（Ｃ）はトップゲート−ボトムコンタクト型、図１（Ｄ）はトップゲート−トップコンタクト型のＴＦＴを示している。本発明のＴＦＴには上記４つの形態のすべてが包含される。図示を省略するが、各ＴＦＴの図面最上部（基板６に対して反対側）には、オーバーコート層が形成されている場合もある。
【００７３】
＜基板＞
基板は、ＴＦＴ及びその上に作製される表示パネル等を支持できるものであればよい。基板は、表面に絶縁性があり、シート状で、表面が平坦であれば特に限定されない。
【００７４】
基板の材料として、無機材料を用いてもよい。無機材料からなる基板として、例えば、ソーダライムガラス、石英ガラス等の各種ガラス基板や、表面に絶縁膜が形成された各種ガラス基板、表面に絶縁膜が形成された石英基板、表面に絶縁膜が形成されたシリコン基板、サファイヤ基板、ステンレス鋼、アルミニウム、ニッケル等の各種合金や各種金属からなる金属基板、金属箔、紙等を挙げることができる。
基板がステンレスシート、アルミ箔、銅箔又はシリコンウェハ等の導電性あるいは半導体性の材料で形成されている場合、通常は、表面に絶縁性の高分子材料あるいは金属酸化物等を塗布又は積層して用いられる。
【００７５】
また、基板の材料として、有機材料を用いてもよい。例えば、ポリメチルメタクリレート（ポリメタクリル酸メチル、ＰＭＭＡ）やポリビニルアルコール（ＰＶＡ）、ポリビニルフェノール（ＰＶＰ）、ポリエーテルスルホン（ＰＥＳ）、ポリイミド、ポリアミド、ポリアセタール、ポリカーボネート（ＰＣ）、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）、ポリエチルエーテルケトン、ポリオレフィン、ポリシクロオレフィンに例示される有機ポリマーから構成された可撓性を有するプラスチック基板（プラスチックフィルム、プラスチックシートともいう）を挙げることができる。また雲母で形成したものも挙げることができる。
【００７６】
基板の厚みは、１０ｍｍ以下であるのが好ましく、２ｍｍ以下であるのがさらに好ましく、１ｍｍ以下であるのが特に好ましい。また、一方で、０．０１ｍｍ以上であるのが好ましく、０．０５ｍｍ以上であるのがさらに好ましい。
【００７７】
＜ゲート電極＞
ゲート電極は、ＴＦＴのゲート電極として用いられている従来公知の電極を用いることができる。また本発明の銀微粒子分散物ないしインク組成物を用いて形成することもできる。
ゲート電極を構成する導電性材料（電極材料ともいう）としては、特に限定されない。例えば、白金、金、銀、アルミニウム、クロム、ニッケル、銅、モリブデン、チタン、マグネシウム、カルシウム、バリウム、ナトリウム、パラジウム、鉄、マンガン等の金属；ＩｎＯ２、ＳｎＯ２、インジウム錫酸化物（ＩＴＯ）、フッ素ドープ酸化錫（ＦＴＯ）、アルミニウムドープ酸化亜鉛（ＡＺＯ）、ガリウムドープ酸化亜鉛（ＧＺＯ）等の導電性金属酸化物；ポリアニリン、ポリピロール、ポリチオフェン、ポリアセチレン、ポリ（３，４−エチレンジオキシチオフェン）／ポリスチレンスルホン酸（ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ）等の導電性高分子；塩酸、硫酸、スルホン酸等の酸、ＰＦ６、ＡｓＦ５、ＦｅＣｌ３等のルイス酸、ヨウ素等のハロゲン原子、ナトリウム、カリウム等の金属原子等のドーパントを添加した上記導電性高分子、並びに、カーボンブラック、グラファイト粉、金属微粒子等を分散した導電性の複合材料等が挙げられる。これらの材料は、１種のみを用いても、２種以上を任意の組み合わせ及び比率で併用してもよい。
【００７８】
ゲート電極の形成方法に制限はない。例えば、真空蒸着法等の物理蒸着法（ＰＶＤ法）、化学蒸着法（ＣＶＤ法）、スパッタ法、印刷法（塗布法）、転写法、ゾルゲル法、メッキ法等により形成された膜を、必要に応じて所望の形状にパターニングする方法が挙げられる。
また、ゲート電極を塗布法により形成することもできる。塗布法では、上記材料の溶液、ペースト又は分散液を調製、塗布し、乾燥、焼結、光硬化又はエージング等により、膜を形成し、又は直接電極を形成できる。
また、インクジェット印刷、スクリーン印刷、（反転）オフセット印刷、凸版印刷、凹版印刷、平版印刷、熱転写印刷、マイクロコンタクトプリンティング法等は、所望のパターニングが可能であり、工程の簡素化、コスト低減、高速化の点で好ましい。
スピンコート法、ダイコート法、マイクログラビアコート法、ディップコート法を採用する場合も、下記フォトリソグラフィー法等と組み合わせてパターニングすることができる。
【００７９】
ゲート電極の厚みは、任意であるが、１ｎｍ以上が好ましく、１０ｎｍ以上が特に好ましい。また、５００ｎｍ以下が好ましく、２００ｎｍ以下が特に好ましい。
【００８０】
＜ゲート絶縁層＞
ゲート絶縁層は、絶縁性を有する層であれば特に限定されず、単層であってもよいし、多層であってもよい。
ゲート絶縁層は、絶縁性の材料で形成されるのが好ましく、絶縁性の材料として、例えば、有機高分子、無機酸化物等が好ましく挙げられる。
有機高分子及び無機酸化物等は、絶縁性を有するものであれば特に限定されず、薄膜、例えば厚み１μｍ以下の薄膜を形成できるものが好ましい。
有機高分子及び無機酸化物は、ぞれぞれ、１種を用いても、２種以上を併用してもよく、また、有機高分子と無機酸化物を併用してもよい。
【００８１】
有機高分子としては、特に限定されるものではないが、例えば、ポリビニルフェノール、ポリスチレン（ＰＳ）、ポリメチルメタクリレートに代表されるポリ（メタ）アクリレート、ポリビニルアルコール、ポリ塩化ビニル（ＰＶＣ）、ポリフッ化ビニリデン（ＰＶＤＦ）、ポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）、ＣＹＴＯＰ（登録商標）に代表される環状フルオロアルキルポリマー、ポリシクロオレフィン、ポリエステル、ポリエーテルスルホン、ポリエーテルケトン、ポリイミド、エポキシ樹脂、ポリジメチルシロキサン（ＰＤＭＳ）に代表されるポリオルガノシロキサン、ポリシルセスキオキサン又はブタジエンゴム等が挙げられる。また、上記の他にも、フェノール樹脂、ノボラック樹脂、シンナメート樹脂、アクリル樹脂、ポリパラキシリレン樹脂等の熱硬化性樹脂も挙げられる。
【００８２】
上記無機酸化物としては、特に限定されるものではないが、例えば、酸化ケイ素、窒化ケイ素（ＳｉＮＹ）、酸化ハフニウム、酸化チタン、酸化タンタル、酸化アルミニウム、酸化ニオブ、酸化ジルコニウム、酸化銅、酸化ニッケル等の酸化物、また、ＳｒＴｉＯ３、ＣａＴｉＯ３、ＢａＴｉＯ３、ＭｇＴｉＯ３、ＳｒＮｂ２Ｏ６のようなペロブスカイト、あるいはこれらの複合酸化物又は混合物等が挙げられる。ここで、酸化ケイ素としては、酸化シリコン（ＳｉＯＸ）の他に、ＢＰＳＧ（Ｂｏｒｏｎ  Ｐｈｏｓｐｈｏｒｕｓ  Ｓｉｌｉｃｏｎ  Ｇｌａｓｓ）、ＰＳＧ（Ｐｈｏｓｐｈｏｒｕｓ  Ｓｉｌｉｃｏｎ  Ｇｌａｓｓ）、ＢＳＧ（Ｂｏｒｏｎ  Ｓｉｌｉｃｏｎ  Ｇｌａｓｓ）、ＡｓＳＧ（Ａｓがドープされたシリカガラス）、ＰｂＳＧ（Ｌｅａｄ  Ｓｉｌｉｃｏｎ  Ｇｌａｓｓ）、酸化窒化シリコン（ＳｉＯＮ）、ＳＯＧ（スピンオングラス）、低誘電率ＳｉＯ２系材料（例えば、ポリアリールエーテル、シクロパーフルオロカーボンポリマー及びベンゾシクロブテン、環状フッ素樹脂、ポリテトラフルオロエチレン、フッ化アリールエーテル、フッ化ポリイミド、アモルファスカーボン、有機ＳＯＧ）を含む。
【００８３】
ゲート絶縁層を無機酸化物で形成する方法としては、例えば、真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング又はＣＶＤ法等の真空成膜法を用いることができ、また成膜中に任意のガスを用いたプラズマやイオン銃、ラジカル銃等でアシストを行ってもよい。
【００８４】
＜半導体層＞
半導体層は、半導体性を示し、キャリアを蓄積可能な層である。半導体層には従来公知の有機又は無機の半導体化合物を広く用いることができる。
【００８５】
有機半導体としては、特に限定されず、有機ポリマー及びその誘導体、低分子化合物等が挙げられる。
本発明において、低分子化合物は、有機ポリマー及びその誘導体以外の化合物を意味する。すなわち、繰り返し単位を有さない化合物をいう。低分子化合物は、このような化合物である限り、分子量は特に限定されるものではない。
【００８６】
低分子化合物としては、例えば、縮合多環芳香族化合物が挙げられる。例えば、ナフタセン、ペンタセン（２，３，６，７−ジベンゾアントラセン）、ヘキサセン、ヘプタセン、ジベンゾペンタセン、テトラベンゾペンタセン等のアセン、アントラジチオフェン、ピレン、ベンゾピレン、ジベンゾピレン、クリセン、ペリレン、コロネン、テリレン、オバレン、クオテリレン、サーカムアントラセン、及び、これらの炭素原子の一部をＮ、Ｓ、Ｏ等の原子で置換した誘導体又は上記炭素原子に結合している少なくとも１つの水素原子をカルボニル基等の官能基で置換した誘導体（ペリキサンテノキサンテン及びその誘導体を含むジオキサアンタントレン系化合物、トリフェノジオキサジン、トリフェノジチアジン、ヘキサセン−６，１５−キノン等）、並びに、上記水素原子を他の官能基で置換した誘導体を挙げることができる。
【００８７】
また、銅フタロシアニンで代表される金属フタロシアニン、テトラチアペンタレン及びその誘導体、ナフタレン−１，４，５，８−テトラカルボン酸ジイミド、Ｎ，Ｎ’−ビス（４−トリフルオロメチルベンジル）ナフタレン−１，４，５，８−テトラカルボン酸ジイミド、Ｎ，Ｎ’−ビス（１Ｈ，１Ｈ−ペルフルオロオクチル）、Ｎ，Ｎ’−ビス（１Ｈ，１Ｈ−ペルフルオロブチル）、Ｎ，Ｎ’−ジオクチルナフタレン−１，４，５，８−テトラカルボン酸ジイミド誘導体、ナフタレン−２，３，６，７−テトラカルボン酸ジイミド等のナフタレンテトラカルボン酸ジイミド、アントラセン−２，３，６，７−テトラカルボン酸ジイミド等のアントラセンテトラカルボン酸ジイミド等の縮合環テトラカルボン酸ジイミド、Ｃ６０、Ｃ７０、Ｃ７６、Ｃ７８、Ｃ８４等のフラーレン及びこれらの誘導体、ＳＷＮＴ（Ｓｉｎｇｌｅ−ｗａｌｌ  ｎａｎｏｔｕｂｅｓ）等のカーボンナノチューブ、メロシアニン色素、ヘミシアニン色素等の色素とこれらの誘導体等を挙げることもできる。
【００８８】
さらに、ポリアントラセン、トリフェニレン、キナクリドンを挙げることができる。
【００８９】
また、低分子化合物としては、例えば、４，４’−ビフェニルジチオール（ＢＰＤＴ）、４，４’−ジイソシアノビフェニル、４，４’−ジイソシアノ−ｐ−テルフェニル、２，５−ビス（５’−チオアセチル−２’−チオフェニル）チオフェン、２，５−ビス（５’−チオアセトキシル−２’−チオフェニル）チオフェン、４，４’−ジイソシアノフェニル、ベンジジン（ビフェニル−４，４’−ジアミン）、テトラシアノキノジメタン（ＴＣＮＱ）、テトラチアフルバレン（ＴＴＦ）及びその誘導体、テトラチアフルバレン（ＴＴＦ）−ＴＣＮＱ錯体、ビスエチレンテトラチアフルバレン（ＢＥＤＴＴＴＦ）−過塩素酸錯体、ＢＥＤＴＴＴＦ−ヨウ素錯体、ＴＣＮＱ−ヨウ素錯体に代表される電荷移動錯体、ビフェニル−４，４’−ジカルボン酸、１，４−ジ（４−チオフェニルアセチリニル）−２−エチルベンゼン、１，４−ジ（４−イソシアノフェニルアセチリニル）−２−エチルベンゼン、１，４−ジ（４−チオフェニルエチニル）−２−エチルベンゼン、２，２”−ジヒドロキシ−１，１’：４’，１”−テルフェニル、４，４’−ビフェニルジエタナール、４，４’−ビフェニルジオール、４，４’−ビフェニルジイソシアネート、１，４−ジアセチニルベンゼン、ジエチルビフェニル−４，４’−ジカルボキシレート、ベンゾ［１，２−ｃ；３，４−ｃ’；５，６−ｃ”］トリス［１，２］ジチオール−１，４，７−トリチオン、α−セキシチオフェン、テトラチアテトラセン、テトラセレノテトラセン、テトラテルルテトラセン、ポリ（３−アルキルチオフェン）、ポリ（３−チオフェン−β−エタンスルホン酸）、ポリ（Ｎ−アルキルピロール）ポリ（３−アルキルピロール）、ポリ（３，４−ジアルキルピロール）、ポリ（２，２’−チエニルピロール）、ポリ（ジベンゾチオフェンスルフィド）を例示することができる。
【００９０】
半導体層を形成する無機半導体材料としては、特に限定されないが、その好ましい例として酸化物半導体が挙げられる。
酸化物半導体としては、金属酸化物からなるものであれば特に限定されない。酸化物半導体からなる半導体層は、酸化物半導体前駆体、すなわち熱酸化等の変換処理によって金属酸化物からなる半導体材料に変換される材料を用いて形成するのが好ましい。
酸化物半導体は特に限定されるものではないが、例えば、酸化インジウムガリウム亜鉛、酸化インジウムガリウム、酸化インジウムスズ亜鉛、酸化ガリウム亜鉛、酸化インジウムスズ、酸化インジウム亜鉛、酸化スズ亜鉛、酸化亜鉛、酸化スズ、例えば、ＩｎＧａＺｎＯｘ、ＩｎＧａＯｘ、ＩｎＳｎＺｎＯｘ、ＧａＺｎＯｘ、ＩｎＳｎＯｘ、ＩｎＺｎＯｘ、ＳｎＺｎＯｘ（いずれもｘ＞０）、ＺｎＯ、ＳｎＯ２が挙げられる。
【００９１】
上記酸化物半導体前駆体としては、例えば、金属の硝酸塩、金属のハロゲン化物、アルコキシドが挙げられる。上記酸化物半導体前駆体が含有する金属は、例えば、Ｌｉ、Ｂｅ、Ｂ、Ｎａ、Ｍｇ、Ａｌ、Ｓｉ、Ｋ、Ｃａ、Ｓｃ、Ｔｉ、Ｖ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｇａ、Ｇｅ、Ｒｂ、Ｓｒ、Ｙ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｃｄ、Ｉｎ、Ｉｒ、Ｓｎ、Ｓｂ、Ｃｓ、Ｂａ、Ｌａ、Ｈｆ、Ｔａ、Ｗ、Ｔｌ、Ｐｂ、Ｂｉ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｐｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂ、Ｌｕからなる群から選ばれる少なくとも１種が挙げられる。
酸化物半導体前駆体の具体例としては、例えば、硝酸インジウム、硝酸亜鉛、硝酸ガリウム、硝酸スズ、硝酸アルミニウム、塩化インジウム、塩化亜鉛、塩化スズ（２価）、塩化スズ（４価）、塩化ガリウム、塩化アルミニウム、トリ−ｉ−プロポキシインジウム、ジエトキシ亜鉛、ビス（ジピバロイルメタナト）亜鉛、テトラエトキシスズ、テトラ−ｉ−プロポキシスズ、トリ−ｉ−プロポキシガリウム、トリ−ｉ−プロポキシアルミニウムが挙げられる。
【００９２】
＜ソース電極、ドレイン電極＞
本発明のＴＦＴにおいて、ソース電極及びドレイン電極は、本発明の銀微粒子分散物ないしインク組成物を用いて形成されていることが好ましい。ソース電極及びドレイン電極が本発明の銀微粒子分散物ないしインク組成物を用いて形成されていない場合は、従来公知のソース電極、ドレイン電極を採用することできる。例えば、上記ゲート電極で説明した導電性材料等を用いることができる。
ソース電極及びドレイン電極は、それぞれ、上記ゲート電極の形成方法と同様の方法により形成することができる。
【実施例】
【００９３】
以下に実施例に基づき、本発明についてさらに詳細に説明するが、本発明はこれに限定されない。
【００９４】
［合成例］
以下に示すポリマーＡ−１〜Ａ−３１を以下のようにして合成した。
各ポリマーの構成成分とともに、構成成分の含有率ａ及びｂ並びに重量平均分子量Ｍｗを併せて、示す。
【００９５】
【化６】
0006361059.tif 000006
【００９６】
【化７】
0006361059.tif 000007
【００９７】
まず、式（２）で表される（メタ）アクリル酸エステル構成成分となる（メタ）アクリル酸エステルＭＨ−１〜ＭＨ−１７を下記のようにして合成した。
＜（メタ）アクリル酸エステルＭＨ−１の合成＞
反応容器に、３−（３，５−ジメトキシ−４−ヒドロキシフェニル）プロピオン酸（３．２５ｇ、１４．４ｍｍｏｌ）、ジクロロメタン（２０ｍＬ）、アクリル酸２−ヒドロキシエチル（１．６７ｇ、１４．４ｍｍｏｌ）、テトラヒドロフラン（１０ｍＬ）、１−エチル−３−（３−ジメチルアミノプロピル）カルボジイミド塩酸塩（２．７５ｇ、１４．４ｍｍｏｌ）、及び４−ジメチルアミノピリジン（０．１０ｇ、０．７２ｍｍｏｌ）を、この順で、入れた。
得られた反応溶液を室温（２５℃）で３時間攪拌した後、反応溶液に１Ｎ塩酸（５０ｍＬ）を加え、酢酸エチル１００ｍＬで抽出した。有機相を飽和食塩水で洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥した。固形分をろ別した後、ろ液を減圧濃縮した。得られた濃縮物をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（移動相：ヘキサン／酢酸エチル＝８／１）にて精製し、（メタ）アクリル酸エステルＭＨ−１を３．２ｇ得た（収率６８％）。
【００９８】
＜（メタ）アクリル酸エステルＭＨ−２〜ＭＨ−１７の合成＞
ＭＨ−１の合成において、３−（３，５−ジメトキシ−４−ヒドロキシフェニル）プロピオン酸及びアクリル酸２−ヒドロキシエチルに代えて表１に記載された化合物１及び化合物２を、表１に記載の使用量で用いた以外はＭＨ−１の合成と同様にして、（メタ）アクリル酸エステルＭＨ−２〜ＭＨ−１７をそれぞれ合成した。
【００９９】
【表１】
0006361059.tif 000008
【０１００】
次に、合成した各（メタ）アクリル酸エステルＭＨと、式（１）で表される（メタ）アクリル酸エステル構成成分となる（メタ）アクリル酸エステルＭＡとを用いて、上記ポリマーＡ−１〜Ａ−３１をそれぞれ合成した。
各例において、（メタ）アクリル酸エステルＭＡとして、ブレンマーＡＭＥ−１０００、ＰＭＥ−１０００、ＡＭＥ−４０００、ＰＭＥ−４０００、ＰＳＥ−１３００、ＡＥ−４００、ＰＥ−４００又は１０ＰＰＢ−５００Ｂ（いずれも商品名、日油社製）を使用した。
なお、表２において、ブレンマーＡＭＥ−１０００、ＰＭＥ−１０００、ＡＭＥ−４０００、ＰＭＥ−４０００、ＰＳＥ−１３００、ＡＥ−４００、ＰＥ−４００又は１０ＰＰＢ−５００Ｂを、単に、ＡＭＥ−１０００、ＰＭＥ−１０００、ＡＭＥ−４０００、ＰＭＥ−４０００、ＰＳＥ−１３００、ＡＥ−４００、ＰＥ−４００又は１０ＰＰＢ−５００Ｂと表記する。
【０１０１】
＜ポリマーＡ−１の合成＞
１００ｍＬの三口フラスコに、ブレンマーＡＭＥ−１０００（９．０ｇ）、アクリル酸エステルＭＨ−１（１．０ｇ）及びトルエン２０．０ｇを入れ、窒素気流下、８０℃まで加熱した。得られた反応液に、アゾビスイソブチロニトリル（和光純薬工業社製）０．４９ｇ及びトルエン１．０ｇ（アゾビスイソブチロニトリル０．４９ｇとトルエン１．０ｇの溶液）を加え、８０℃で１６時間攪拌した。反応終了後、反応液を室温まで冷却し、トルエン１８．０ｇで希釈した。反応物をヘキサンで再沈した後、分取クロマトグラフィーで分子量分画分取を行い、ポリマーＡ−１を９．２ｇ得た。
ポリマーＡ−１の重量平均分子量Ｍｗは、ポリマーＡ−１のＴＨＦ溶液を用いて、上記方法及び条件により、測定した。
【０１０２】
＜ポリマーＡ−２〜Ａ−３１の合成＞
上記ポリマーＡ−１の合成において、ブレンマーＡＭＥ−１０００及びアクリル酸エステルＭＨ−１に代えて表２に記載の（メタ）アクリル酸エステルＭＡと（メタ）アクリル酸エステルＭＨを用いて、（メタ）アクリル酸エステルＭＡと（メタ）アクリル酸エステルＭＨの使用量を適宜変更した以外はポリマーＡ−１の合成と同様にして、ポリマーＡ−２〜Ａ−１２、Ａ−１５、Ａ−１６、Ａ−２０〜Ａ−２９をそれぞれ合成した。
また、上記ポリマーＡ−１の合成において、ブレンマーＡＭＥ−１０００及びアクリル酸エステルＭＨ−１に代えて、表２に記載の（メタ）アクリル酸エステルＭＡ、（メタ）アクリル酸エステルＭＨ及び（メタ）アクリル酸エステルＭ３（和光純薬社製）を、質量比８０：１０：１０の割合で、用いた以外はポリマーＡ−１の合成と同様にして、ポリマーＡ−１３及びＡ−１４をそれぞれ合成した。
さらに、上記ポリマーＡ−１の合成において、ブレンマーＡＭＥ−１０００及びアクリル酸エステルＭＨ−１に代えて表２に記載された（メタ）アクリル酸エステルＭＡ及び（メタ）アクリル酸エステルＭＨを用いて、アゾビスイソブチロニトリルの使用量を適宜変更した以外は、ポリマーＡ−１の合成と同様にして、ポリマーＡ−１７〜Ａ−１９をそれぞれ合成した。
また、上記ポリマーＡ−１の合成において、ブレンマーＡＭＥ−１０００及びアクリル酸エステルＭＨ−１に代えて、表２に記載の（メタ）アクリル酸エステルＭＡ、（メタ）アクリル酸エステルＭＨ及び（メタ）アクリル酸エステルＭ３を、質量比６０：１０：３０の割合で、用いた以外はポリマーＡ−１の合成と同様にして、ポリマーＡ−３０及びＡ−３１をそれぞれ合成した。
【０１０３】
【表２】
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【０１０４】
比較のために、下記ポリマーＢ−１〜Ｂ−４を使用した。
ポリマーＢ−１及びＢ−４については、構成成分とともに、構成成分の含有率及び重量平均分子量Ｍｗを併せて、示す。各ポリマーの重量平均分子量Ｍｗは、ポリマーＡ−１と同様にして、測定した。
【０１０５】
（ポリマーＢ−１）
下記構成成分を有するポリマーＢ−１を、上記ポリマーＡ−１の合成において、（メタ）アクリル酸エステルＭＨ−１をメタクリル酸２−（ジメチルアミノ）エチル（和光純薬社製）に変更した以外はポリマーＡ−１と同様にして、合成した。
【０１０６】
【化８】
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【０１０７】
（ポリマー（重合酸化物）Ｂ−２の合成）
重合酸化物Ｂ−２を、特許文献１（特許第４９３２６６２号公報）の実施例１に基づいて、合成した。具体的には、イオン交換水４３５２ｍＬにピロガロール１３５ｍｍｏｌを溶解し、水酸化ナトリウム水溶液を加えてｐＨを１０．３に調整し、大気中で４０分間攪拌して、ピロガロールの酸化重合物（Ｂ−２）の溶液を得た。
【０１０８】
（ポリマーＢ−３）
ポリマーＢ−３として、重量平均分子量３０００のポリビニルフェノール（ＰＶＰ３０００）を使用した。
【０１０９】
（ポリマーＢ−４）
下記構造を分岐鎖に有する星型ポリマーＢ−４を、特許文献２（国際公開第２０１２／１０２２８６号）の合成例１に準じて、合成した。
【０１１０】
【化９】
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【０１１１】
実施例１及び比較例１
［銀微粒子分散物の調製］
以下のようにして銀微粒子分散物Ａ−１〜Ａ−３１をそれぞれ調製した。
すなわち、分散剤としてポリマーＡ−１（７．３６ｇ）を水（１００ｍＬ）に溶解させた溶液ａを調製した。また、硝酸銀５０．００ｇ（２９４．３ｍｍｏｌ）を水（２００ｍＬ）に溶解させた溶液ｂを調製した。調製した溶液ａと溶液ｂとを全量混合し、攪拌した。得られた混合液に、８５質量％Ｎ，Ｎ−ジエチルヒドロキシルアミン水溶液（７８．７１ｇ、Ｎ，Ｎ−ジエチルヒドロキシルアミンとして７５０．５ｍｍｏｌ）と、ポリマーＡ−１（７．３６ｇ）を水（１００ｍＬ）に溶解させた溶液とをそれぞれ室温で８．６ｍＬ／ｍｉｎの速度で滴下した。滴下完了後、１時間攪拌した。こうして硝酸銀（銀イオン）を還元した。得られた懸濁液を、限外ろ過ユニット（ザルトリウス  ステディム社製ビバフロー５０（商品名）、分画分子量：１５万、ユニット数：４個）に通し、さらに限外ろ過ユニットから約１０Ｌの滲出液が出るまで精製水を通過させて、精製した。精製水の供給を止め、濃縮し、３０ｇの銀微粒子分散物Ａ−１を得た。
この銀微粒子分散物Ａ−１中の固形分濃度は５０質量％であった。また、固形分中の銀微粒子の含有率を、示差熱熱重量同時測定（ＴＧ−ＤＴＡ）により、測定器ＴＧＡ−１（商品名、メトラー社製）を用いて、測定したところ、９５．０質量％であった。これより含有率の比（銀微粒子の含有率：ポリマーＡ−１の含有率）は１００：５．２６であった。
【０１１２】
銀微粒子分散物Ａ−１の調製において、ポリマーＡ−１を表３に示したポリマーに変更した以外は銀微粒子分散物Ａ−１の調製と同様にして、銀微粒子分散物Ａ−２〜Ａ−３１及びＢ−１〜Ｂ−４を調製した。各銀微粒子分散物の固形分中の銀微粒子の含有率が９５質量％になるまで精製を行い、固形分濃度を５０質量％に調整を行った。
ピロガロールの酸化重合物（Ｂ−２）の溶液の使用量は固形分換算値とした。
このようにして調製した銀微粒子分散物Ａ−１〜銀微粒子分散物Ａ−３１は、いずれも、粘度が８ｍＰａ・ｓであり、ｐＨが７であった。
【０１１３】
［評価］
試験１：銀微粒子の平均粒径の測定
上記銀微粒子分散物を各々イオン交換水にて、銀微粒子濃度が５質量％となるように希釈し、濃厚系粒径アナライザーＦＰＡＲ−１０００（商品名、大塚電子社製）を用いて、上記測定条件にて測定を行い、キュムラント平均粒径を求めた。その結果を表３に示す。平均粒径が１００ｎｍ以下であると、銀微粒子の分散性が優れる。
【０１１４】
試験２：体積抵抗率の測定
導電性の指標として、上記銀微粒子分散物で成膜した銀膜の体積抵抗率を測定した。その結果を表３に示す。
清浄な５０ｍｍ角のガラス基板（商品名イーグルＸＧ、コーニング社製）に銀微粒子分散物を各々スピンコート法（５００ｒｐｍ、３０秒）にて塗布し、オーブンにて２００℃、２時間加熱して、銀膜を製膜した。
得られた銀膜について、触針式膜厚計：商品名、ＤｅｋａｔａｋＸＴ、ブルカー社製）により求めた平均膜厚は３２０ｎｍであった。
また、ロレスタＧＰ  ＭＣＰ−Ｔ６１０型（商品名、三菱マテリアル社製）にて体積抵抗率を測定した。体積抵抗率は、５×１０−５Ωｃｍ以下であることが好ましく、２×１０−４Ωｃｍ以下であれば、ＴＦＴ用銀電極として使用可能なレベルである。２×１０−４Ωｃｍを超える場合は不合格である。
【０１１５】
試験３：インクジェットインクの適性試験
インク組成物Ａ−１の調製
１ｇの銀微粒子分散組成物Ａ−１に、２−プロパノール０．２ｇ、界面活性剤としてオルフィンＥ１００４（商品名、日信化学工業社製）０．０１ｇを添加し、銀濃度が３０質量％となるようにイオン交換水を添加して、インクジェット印刷用のインク組成物Ａ−１を調製した。
得られたインク組成物Ａ−１の表面張力を、２５℃で、自動表面張力計（商品名ＤＹ−３００、協和界面化学社製）を用いて測定したところ、３０ｍＮ／ｍであった。
【０１１６】
インク組成物Ａ−２〜Ａ−３１、Ｂ−１〜Ｂ−４の調製
インク組成物Ａ−１の調製において、銀微粒子分散物Ａ−１に代えて銀微粒子分散物Ａ−２〜Ａ−３１及びＢ−１〜Ｂ−４それぞれを用いた以外はインク組成物Ａ−１の調製と同様にして、インクジェット印刷用のインク組成物Ａ−２〜Ａ−３１及びＢ−１〜Ｂ−４をそれぞれ調製した。
各インク組成物の表面張力を、界面活性剤オルフィンＥ１００４の使用量を０．０１ｇ〜０．０３ｇの範囲内で変更することにより、３０ｍＮ／ｍに調整した。
【０１１７】
調製した各インク組成物のインク特性を次のようにして評価した。
インクジェットプリンタ（ＤＭＰ−３０００、富士フイルム社製）のカートリッジに各インク組成物をそれぞれ充填し、２５℃、５０ＲＨ％で、ガラス基板（商品名：イーグルＸＧ、コーニング社製）上へ、打滴間隔が３０μｍ、インク打滴量１０ｐＬとなるようにして、ライン幅５０μｍ、ライン間隔２００μｍのライン画像を１０分間描画した。印刷物の状態を観察して、ラインの抜けから連続吐出安定性を下記評価基準で評価した。また、ラインの曲がりの発生を下記評価基準で評価した。
−  連続吐出安定性の評価基準  −
Ａ：抜けがほとんどなく、本試験において問題ないレベルであった。
Ｂ：抜けがみられ、本試験において限界レベルであった。
Ｃ：抜けが多く、本試験において問題になるレベルであった。
−  打滴位置の評価基準  −
Ａ：曲がりがなかった
Ｂ：曲がりがみられ、本試験において限界レベルであった。
Ｃ：曲がりが多く、本試験において問題になるレベルであった。
【０１１８】
試験４：絶縁信頼性の評価
インク組成物のマイグレーション発生を抑制する特性を、インク組成物で作製した銀配線の絶縁信頼性により、評価した。
ＦＲ−４グレードのガラスエポキシ基板ＮＩＫＡＰＬＥＸ（商品名、ニッカン工業社製）に層間絶縁材料ＡＢＦ−ＧＸ１３（味の素ファインテクノ社製）をラミネートした基板を作製した。この基板上に、調製したインク組成物Ｂ−１を焼結後の膜厚が２００ｎｍになるようにスプレーコーターＳＴＳ−２００（商品名、ワイディーメカトロソリューションズ社製）を用いてスプレーコーティング法により塗布した。その後、塗布したインク組成物Ｂ−１を、オーブンを用いて焼結し（２１０℃、１時間）、基板上に銀膜を形成した。形成された銀膜をフォトリソグラフィー法によりラインアンドスペース（Ｌ／Ｓ）＝５０／５０μｍの櫛形にエッチングし、櫛形状の銀配線を形成した。このとき、ドライフィルムレジストにはフォテックＨ−７０２５（商品名、日立化成社製）、銀エッチング液にはアグリップ９４０（商品名、メルテックス社製）を用いた。さらに、得られた銀配線上にＣｙｔｏｐ（登録商標）  ＣＴＬ１０７ＭＫ（商品名、旭硝子社製、アモルファスフッ素樹脂）を乾燥後の膜厚が１μｍになるようにスピンコートした。その後オーブンで１４０℃、２０分間乾燥させ、封止層を形成して、絶縁信頼性評価基準用の配線基板を作製した。
【０１１９】
得られた配線基板について、相対湿度８５％、温度８５℃、圧力１．０ａｔｍ、電圧６０Ｖの条件で寿命試験（使用装置：ＥＨＳ−２２１ＭＤ、エスペック社製）を行った。具体的には、上記環境下で、櫛形状の隣り合った歯同士の銀配線（銀配線間距離１００μｍ）に上記電圧を印加し続けた。そして、マイグレーションによって銀配線間が短絡するまでの短絡発生時間（銀配線間の抵抗値が１×１０５Ωになるまでの時間ＴＡ１）を測定した。
【０１２０】
上記寿命試験において、インク組成物Ｂ−１で作製した銀配線に代えて上記インク組成物Ａ−１〜Ａ〜３１及びＢ−２〜Ｂ−４の各インク組成物で作製した銀配線を用いた以外は上記寿命試験と同様にして、各銀配線の寿命試験を行い、短絡発生時間Ｔを測定した。
【０１２１】
各インク組成物で作製した配線基板それぞれの絶縁信頼性を、インク組成物Ｂ−１で作製した銀配線の短絡発生時間ＴＡ１を基準として、短絡発生時間ＴＡ１に対する各短絡発生時間Ｔにより、下記評価基準で相対評価した。
結果を下記表３に示す。本発明の試験において、絶縁信頼性の評価は、Ａ〜Ｃであることが好ましく、Ａ又はＢであることがより好ましく、Ａであることがさらに好ましい。
【０１２２】
−  評価基準  −
Ａ：各短絡発生時間ＴがＴＡ１の５倍以上
Ｂ：時間ＴがＴＡ１の２倍以上５倍未満
Ｃ：時間ＴがＴＡ１より長くＴＡ１の２倍未満
Ｄ：時間ＴがＴＡ１より短い
【０１２３】
【表３】
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【０１２４】
表３の結果から以下のことがわかる。
本発明のポリマーＡ−１〜Ａ−３１を用いた銀微粒子分散物は、いずれも、平均粒径が小さく、銀微粒子の分散性に優れていることがわかる。また、体積抵抗率も小さく、導電性に優れた銀膜（導体配線）を形成することができた。さらに、上記銀微粒子分散物で形成した銀配線は、いずれも、短絡発生時間が長く絶縁信頼性も高かったことから、これらの銀微粒子分散物を用いるとマイグレーションの発生も効果的に抑えた導体配線等を形成できる。しかも、上記銀微粒子分散物を用いて調製したインク組成物は、いずれも、インク特性として、連続吐出安定性及び打滴位置のずれ試験の結果も優れており、印刷適性が高いものであった。
これに対して、比較のためのポリマーＢ−１〜Ｂ−４を用いた銀微粒子分散物は、体積抵抗率、絶縁信頼性及び印刷適性の少なくともいずれか１つが十分ではなかった。
【０１２５】
試験５：移動度の評価
上記で調製したインク組成物で作製した電極を備えた、図１（Ａ）に示されるＴＦＴ（ボトムゲート−ボトムコンタクト型）を製造した。このＴＦＴの電界効果移動度を測定することにより、インク組成物のマイグレーション発生防止効果を確認した。
【０１２６】
（ＴＦＴの製造）
ガラス基板（イーグルＸＧ、コーニング社製）６上に、ゲート電極５となるアルミニウムを蒸着した（厚み：５０ｎｍ）。その上にゲート絶縁膜形成用組成物（ポリビニルフェノール／メラミン＝１質量部／１質量部のＰＧＭＥＡ（プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート）溶液（固形分濃度：２質量％））をスピンコートし、その後、１５０℃で６０分間ベークを行い、膜厚４００ｎｍのゲート絶縁層２を形成した。その上に、インク組成物Ａ−１をインクジェット装置ＤＭＰ−２８３１（富士フイルムダイマティクス社製）を用いて、ソース電極３及びドレイン電極のパターンに、印刷した。塗布したインク組成物Ａ−１を、オーブンにて１８０℃、３０分ベークを行い、焼結して、ソース電極３及びドレイン電極４（チャネル長４０μｍ、チャネル幅２００μｍ）を形成した。ソース電極３及びドレイン電極４が形成された絶縁層２上に、２，８−ジフルオロ−５，１１−ビス（トリエチルシリルエチニル）アントラジチオフェン（ＡＬＤＲＩＣＨ社製）のトルエン溶液をスピンコートし、１４０℃で１５分間ベークを行い、厚み１００ｎｍの半導体層１を形成した。その上にＣｙｔｏｐ（登録商標）  ＣＴＬ−１０７ＭＫ（旭硝子社製）をスピンコートし、１４０℃で２０分間ベークを行い、厚み２μｍの封止層（最上層、図１において図示しない。）を形成した。このようにして、図１（Ａ）に示されるＴＦＴ（ボトムゲート−ボトムコンタクト型）を５サンプル製造した。
【０１２７】
上記ＴＦＴの製造において、上記インク組成物Ａ−１に代えて上記インク組成物Ａ−２〜Ａ−３１をそれぞれ用いた以外は、上記ＴＦＴの製造と同様にして、各ＴＦＴを５サンプルずつ製造した。
【０１２８】
得られたＴＦＴの電界効果移動度（［ｃｍ２／Ｖ・ｓｅｃ］）を算出した。
すなわち、ＴＦＴの電極それぞれと、半導体パラメータアナライザ（４１５５Ｃ、Ａｇｉｌｅｎｔ  Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｉｅｓ社製）に接続されたマニュアルプローバの各端子とを接続して、電界効果トランジスタ（ＦＥＴ）の評価を行った。具体的には、ドレイン電流−ゲート電圧（Ｉｄ−Ｖｇ）特性を測定することにより電界効果移動度（［ｃｍ２／Ｖ・ｓｅｃ］）を算出した。同様にして、同一のインク組成物を用いて製造した５サンプルすべてのＴＦＴについて、電界効果移動度を算出した。
その結果、すべてのＴＦＴにおいて電界効果移動度が０．１〜１．０の範囲内となり、ＴＦＴとして十分機能することがわかった。
【符号の説明】
【０１２９】
１  半導体層
２  ゲート絶縁層
３  ソース電極
４  ドレイン電極
５  ゲート電極
６  基板
【図１】
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