(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
パッケージ装置において、
互いに背向する第１表面と第２表面を具えた第１導線層と、
該第１導線層の該第１表面の上に設置される第１導電柱層と、
該第１導線層と該第１導電柱層が嵌設される誘電材料層と、
該第１導電柱層と該誘電材料層の上に設置される第２導線層と、
該第２導線層の上に設置される第２導電柱層と、
該第２導線層と該第２導電柱層が嵌設される第１モールディング化合物層と、
を含み、
該第１モールディング化合物層と該誘電材料層とが使用する材料は異なることを特徴とする、パッケージ装置。
【請求項２】
請求項１記載のパッケージ装置において、該第１導線層の該第１表面は該誘電材料層より高くなく、該第２導電柱層は該第１モールディング化合物層より高くないことを特徴とする、パッケージ装置。
【請求項３】
請求項２記載のパッケージ装置において、該誘電材料層は完全に該第１導線層の側壁を被覆し、該第１モールディング化合物層は完全に該第２導電柱層の側壁を被覆することを特徴とする、パッケージ装置。
【請求項４】
請求項１記載のパッケージ装置において、該第１導線層の該第１表面は該誘電材料層より高くなく、該第２導電柱層は該第１モールディング化合物層より高いことを特徴とする、パッケージ装置。
【請求項５】
請求項４記載のパッケージ装置において、該誘電材料層は完全に該第１導線層の側壁を被覆し、該第１モールディング化合物層は部分的に該第２導電柱層の側壁を被覆することを特徴とする、パッケージ装置。
【請求項６】
請求項１記載のパッケージ装置において、ソルダーマスク層をさらに含み、該ソルダーマスク層は該第１導線層の該第２表面と該誘電材料層の上に設置され、並びに一部の該第１導線層と該誘電材料層を露出させることを特徴とする、パッケージ装置。
【請求項７】
請求項１記載のパッケージ装置において、該第１導電柱層はさらに第１導電層、第２導電層、第３導電層を含み、該第１導電層は一つの導電柱層とされて該第１導線層の上に設置され、該第２導電層は一つの導線層とされて該第１導電層の上に設置され、該第３導電層は一つの導電柱層とされて、該第２導電層と該第２導線層の間に設置されることを特徴とする、パッケージ装置。
【請求項８】
請求項１記載のパッケージ装置において、該第２導線層の線幅は該第２導電柱層の柱幅より大きくないことを特徴とする、パッケージ装置。
【請求項９】
請求項１記載のパッケージ装置において、該第２導線層の線幅は該第２導電柱層の柱幅より大きいことを特徴とする、パッケージ装置。
【請求項１０】
請求項１記載のパッケージ装置において、さらに、
該第１導線層の該第２表面上に設置されて該第１導線層に電気的に接続される第１外接装置と、
第２モールディング化合物層であって、該第１外接装置と該第１導線層の該第２表面上に設置され、そのうち、該第１外接装置が該第２モールディング化合物層内に嵌設される、上記第２モールディング化合物層と、
該第２導電柱層の上に設置される複数の第１導電装置と、
該複数の第１導電装置の上に設置されて該複数の第１導電装置に電気的に接続される第２外接装置と、
を含むことを特徴とする、パッケージ装置。
【請求項１１】
請求項１記載のパッケージ装置において、さらに、
該第１導線層の該第２表面上に設置されて該第１導線層に電気的に接続される第３外接装置と、
該第１導線層の該第２表面上に設置されて該第１導線層に電気的に接続される第４外接装置と、
第３モールディング化合物層であって、該第３外接装置、該第４外接装置と該第１導線層の該第２表面上に設置され、該第３外接装置と該第４外接装置は該第３モールディング化合物層内に嵌設される、上記第３モールディング化合物層と、
該第２導電柱層の上に設置される複数の第２導電装置と、
該複数の第２導電装置の上に設置され並びに該複数の該第２導電装置に電気的に接続される第５外接装置と、
を含むことを特徴とする、パッケージ装置。
【請求項１２】
請求項１記載のパッケージ装置において、さらに、
該第１導線層の該第２表面上に設置されて該第１導線層に電気的に接続される第６外接装置と、
該第６外接装置の上に設置されて該第６外接装置に電気的に接続される第７外接装置と、
第４モールディング化合物層であって、該第６外接装置、該第７外接装置と該第１導線層の該第２表面上に設置され、該第６外接装置と該第７外接装置は該第４モールディング化合物層内に嵌設される、上記第４モールディング化合物層と、
該第２導電柱層の上に設置される複数の第３導電装置と、
該複数の第３導電装置の上に設置され並びに該複数の該第３導電装置に電気的に接続される第８外接装置と、
を含むことを特徴とする、パッケージ装置。
【請求項１３】
請求項１記載のパッケージ装置において、該誘電材料層は熱硬化型材料或いは感光型材料で形成されることを特徴とする、パッケージ装置。
【請求項１４】
請求項１記載のパッケージ装置において、該誘電材料層は樹脂、窒化シリコン、或いは酸化シリコンで形成されることを特徴とする、パッケージ装置。
【請求項１５】
請求項１記載のパッケージ装置において、該第１導線層と該第２導電柱層は少なくとも一つの線路或いは少なくとも一つのチップキャリアを含むことを特徴とする、パッケージ装置。
【請求項１６】
請求項１０記載のパッケージ装置において、該第１外接装置と該第２外接装置は、主動装置、従動装置、半導体チップ、フレキシブル回路板、或いはプリント回路板とされることを特徴とする、パッケージ装置。
【請求項１７】
請求項１記載のパッケージ装置において、該第１モールディング化合物層はチップパッケージ用のモールディング化合物で形成され、それはノボリック樹脂、エポキシ樹脂、シリコン樹脂のいずれかを含むことを特徴とする、パッケージ装置。
【請求項１８】
パッケージ装置の製造方法において、
互いに対向する第１表面と第２表面を有する金属載置板を提供する工程、
第１導線層を該金属載置板の該第１表面の上に形成する工程、
第１導電柱層を該第１導線層の上に形成する工程、
誘電材料層を該第１導線層、該第１導電柱層を被覆し、並びに該金属載置板の該第１表面上に位置するように形成し、該第１導線層と該第１導電柱層は該誘電材料層内に嵌設する工程、
該第１導電柱層を露出させる工程、
第２導線層を該第１導電柱層と該誘電材料層の上に形成する工程、
第２導電柱層を該第２導線層の上に形成する工程、
第１モールド化合物層形成して該第２導線層、該第２導電柱層を被覆し並びに該誘電材料層の上に位置させ、そのうち、該第２導線層と該第２導電柱層は該第１モールド化合物層内に嵌設する工程、
該第２導電柱層を露出させる工程、
該金属載置板を除去する工程、
を含み、
該第１モールド化合物層と該誘電材料層とが使用する材料は異なることを特徴とする、パッケージ装置の製造方法。
【請求項１９】
請求項１８記載のパッケージ装置の製造方法において、さらに、
第１外接装置を該第１導線層の該第２表面上に設置し並びに該第１導線層と電気的に接続する工程、
第２モールディング化合物層を、該第１外接装置を被覆し並びに該第１導線層の該第２表面上に位置するように形成し、該第１外接装置を該第２モールディング化合物層内に嵌設する工程、
複数の第１導電装置を該第２導電柱層の上に設置する工程、
第２外接装置を該複数の第１導電装置の上に設置し並びに該複数の第１導電装置と電気的に接続する工程、
を含むことを特徴とする、パッケージ装置の製造方法。
【請求項２０】
請求項１８記載のパッケージ装置の製造方法において、該第１モールディング化合物層を形成する工程は、
樹脂と粉状の二酸化シリコンを含有するモールディング化合物を提供する工程、
該モールディング化合物を加熱して液状となす工程、
該液状の該モールディング化合物を該金属載置板の該第１表面上に注入し、該モールディング化合物に高温高圧下で該第２導線層、該第２導電柱層を被覆させ並びに該誘電材料層の上に位置させる工程、及び、
該モールディング化合物を硬化させ、該モールディング化合物に該第１モールディング化合物層を形成させる工程、
を含むことを特徴とする、パッケージ装置の製造方法。
【請求項２１】
請求項１９記載のパッケージ装置の製造方法において、該第１外接装置と該第２外接装置は主動装置、従動装置、半導体チップ、フレキシブル回路板、或いはプリント回路板とされることを特徴とする、パッケージ装置の製造方法。
【請求項２２】
請求項１８記載のパッケージ装置の製造方法において、該誘電材料層は熱硬化型材料で形成することを特徴とする、パッケージ装置の製造方法。
【請求項２３】
請求項１８記載のパッケージ装置の製造方法において、該誘電材料層は樹脂、窒化シリコン、或いは酸化シリコンで形成されることを特徴とする、パッケージ装置の製造方法。
【請求項２４】
請求項１８記載のパッケージ装置の製造方法において、該第１導線層と該第２導電柱層は少なくとも一つの線路或いは少なくとも一つのチップキャリアを含むことを特徴とする、パッケージ装置の製造方法。
【請求項２５】
パッケージ装置において、
互いに背向する第１表面と第２表面を具えた第１導線層と、
該第１導線層が嵌設される誘電材料層と、
該第１導線層と該誘電材料層の上に設置され、並びに該第１導線層に接続される第２導線層と、
該第２導線層の上に設置される第１導電柱層と、
該第２導線層と該第１導電柱層が嵌設される第１モールディング化合物層と、
を含み、
該第１モールディング化合物層と該誘電材料層とが使用する材料は異なることを特徴とする、パッケージ装置。
【請求項２６】
請求項２５記載のパッケージ装置において、該第１導線層の該第１表面は該誘電材料層より高くなく、該第１導電柱層は該第１モールディング化合物層より高くないことを特徴とする、パッケージ装置。
【請求項２７】
請求項２６記載のパッケージ装置において、該誘電材料層は完全に該第１導線層の側壁を被覆し、該第１モールディング化合物層は完全に該第１導電柱層の側壁を被覆することを特徴とする、パッケージ装置。
【請求項２８】
請求項２５記載のパッケージ装置において、該第１導線層の該第１表面は該誘電材料層より高くなく、該第１導電柱層は該第１モールディング化合物層より高いことを特徴とする、パッケージ装置。
【請求項２９】
請求項２８記載のパッケージ装置において、該誘電材料層は完全に該第１導線層の側壁を被覆し、該第１モールディング化合物層は部分的に該第１導電柱層の側壁を被覆することを特徴とする、パッケージ装置。
【請求項３０】
請求項２５記載のパッケージ装置において、ソルダーマスク層をさらに含み、該ソルダーマスク層は該第１導線層の該第２表面と該誘電材料層の上に設置され、並びに一部の該第１導線層と該誘電材料層を露出させることを特徴とする、パッケージ装置。
【請求項３１】
請求項２５記載のパッケージ装置において、該第２導線層の線幅は該第１導電柱層の柱幅より大きくないことを特徴とする、パッケージ装置。
【請求項３２】
請求項２５記載のパッケージ装置において、該第２導線層の線幅は該第１導電柱層の柱幅より大きいことを特徴とする、パッケージ装置。
【請求項３３】
請求項２５記載のパッケージ装置において、さらに、
該第１導線層の該第２表面上に設置されて該第１導線層に電気的に接続される第１外接装置と、
第２モールディング化合物層であって、該第１外接装置と該第１導線層の該第２表面上に設置され、そのうち、該第１外接装置が該第２モールディング化合物層内に嵌設される、上記第２モールディング化合物層と、
該第１導電柱層の上に設置される複数の第１導電装置と、
該複数の第１導電装置の上に設置されて該複数の第１導電装置に電気的に接続される第２外接装置と、
を含むことを特徴とする、パッケージ装置。
【請求項３４】
請求項２５記載のパッケージ装置において、さらに、
該第１導線層の該第２表面上に設置されて該第１導線層に電気的に接続される第３外接装置と、
該第１導線層の該第２表面上に設置されて該第１導線層に電気的に接続される第４外接装置と、
第３モールディング化合物層であって、該第３外接装置、該第４外接装置と該第１導線層の該第２表面上に設置され、該第３外接装置と該第４外接装置は該第３モールディング化合物層内に嵌設される、上記第３モールディング化合物層と、
該第１導電柱層の上に設置される複数の第２導電装置と、
該複数の第２導電装置の上に設置され並びに該複数の該第２導電装置に電気的に接続される第５外接装置と、
を含むことを特徴とする、パッケージ装置。
【請求項３５】
請求項２５記載のパッケージ装置において、さらに、
該第１導線層の該第２表面上に設置されて該第１導線層に電気的に接続される第６外接装置と、
該第６外接装置の上に設置されて該第６外接装置に電気的に接続される第７外接装置と、
第４モールディング化合物層であって、該第６外接装置、該第７外接装置と該第１導線層の該第２表面上に設置され、該第６外接装置と該第７外接装置は該第４モールディング化合物層内に嵌設される、上記第４モールディング化合物層と、
該第１導電柱層の上に設置される複数の第３導電装置と、
該複数の第３導電装置の上に設置され並びに該複数の該第３導電装置に電気的に接続される第８外接装置と、
を含むことを特徴とする、パッケージ装置。
【請求項３６】
請求項２５記載のパッケージ装置において、該誘電材料層は熱硬化型材料或いは感光型材料で形成されることを特徴とする、パッケージ装置。
【請求項３７】
請求項２５記載のパッケージ装置において、該誘電材料層は樹脂、窒化シリコン、或いは酸化シリコンで形成されることを特徴とする、パッケージ装置。
【請求項３８】
請求項２５記載のパッケージ装置において、該第１導線層と該第１導電柱層は少なくとも一つの線路或いは少なくとも一つのチップキャリアを含むことを特徴とする、パッケージ装置。
【請求項３９】
請求項３３記載のパッケージ装置において、該第１外接装置と該第２外接装置は、主動装置、従動装置、半導体チップ、フレキシブル回路板、或いはプリント回路板とされることを特徴とする、パッケージ装置。
【請求項４０】
請求項２５記載のパッケージ装置において、該第１モールディング化合物層はチップパッケージ用のモールディング化合物で形成され、それはノボリック樹脂、エポキシ樹脂、シリコン樹脂のいずれかを含むことを特徴とする、パッケージ装置。
【請求項４１】
パッケージ装置の製造方法において、
互いに対向する第１表面と第２表面を有する金属載置板を提供する工程、
第１導線層を該金属載置板の該第１表面の上に形成する工程、
誘電材料層を形成して該第１導線層を被覆し並びに該金属載置板の該第１表面上に位置させ、該第１導線層を該誘電材料層内に嵌設する工程、
該第１導線層を露出させる工程、
第２導線層を該第１導線層と該誘電材料層の上に形成する工程、
第１導電柱層を該第２導線層の上に形成する工程、
第１モールディング化合物層を形成して該第２導線層と該第１導電柱層を被覆し並びに該誘電材料層の上に位置させ、該第２導線層と該第１導電柱層を該第１モールディング化合物層内に嵌設する工程、
該第１導電柱層を露出させる工程、及び、
該金属載置板を除去する工程、
を含み、
該第１モールディング化合物層と該誘電材料層とが使用する材料は異なることを特徴とする、パッケージ装置の製造方法。
【請求項４２】
請求項４１記載のパッケージ装置の製造方法において、さらに、
第１外接装置を該第１導線層の一つの表面上に設置し並びに該第１導線層と電気的に接続する工程、
第２モールディング化合物層を、該第１外接装置を被覆し並びに該第１導線層の該表面上に位置するように形成し、該第１外接装置を該第２モールディング化合物層内に嵌設する工程、
複数の第１導電装置を該第１導電柱層の上に設置する工程、
第２外接装置を該複数の第１導電装置の上に設置し並びに該複数の第１導電装置と電気的に接続する工程、
を含むことを特徴とする、パッケージ装置の製造方法。
【請求項４３】
請求項４１記載のパッケージ装置の製造方法において、該第１モールディング化合物層を形成する工程は、
樹脂と粉状の二酸化シリコンを含有するモールディング化合物を提供する工程、
該モールディング化合物を加熱して液状となす工程、
該液状の該モールディング化合物を該金属載置板の該第１表面上に注入し、該モールディング化合物に高温高圧下で該第２導線層、該第１導電柱層と該誘電材料層上を被覆させる工程、及び、
該モールディング化合物を硬化させ、該モールディング化合物に該第１モールディング化合物層を形成させる工程、
を含むことを特徴とする、パッケージ装置の製造方法。
【請求項４４】
請求項４２記載のパッケージ装置の製造方法において、該第１外接装置と該第２外接装置は主動装置、従動装置、半導体チップ、フレキシブル回路板、或いはプリント回路板とされることを特徴とする、パッケージ装置の製造方法。
【請求項４５】
請求項４１記載のパッケージ装置の製造方法において、該誘電材料層は感光型材料で形成することを特徴とする、パッケージ装置の製造方法。
【請求項４６】
請求項４１記載のパッケージ装置の製造方法において、該誘電材料層は樹脂、窒化シリコン、或いは酸化シリコンで形成されることを特徴とする、パッケージ装置の製造方法。
【請求項４７】
請求項４１記載のパッケージ装置の製造方法において、該第１導線層と該第１導電柱層は少なくとも一つの線路或いは少なくとも一つのチップキャリアを含むことを特徴とする、パッケージ装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は一種のパッケージ装置及びその製造方法に係り、特に一種の半導体パッケージ装置及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
新世代の電子製品においては、不断に軽量薄型化及びコンパクト化が追求されるのみならず、製品が多機能と高性能を有することが要求され、このため、集積回路(IntegratedＣircuit,IＣ)は、有限なエリア中により多くの電子装置を収容することで、高密度とマイクロ化の要求を達成し、そのために電子産業が新型パッケージ技術を開発し、電子装置を基板中に嵌め込み、大幅にパッケージ体積を縮小し、また、電子装置と基板の接続経路を短縮し、このほかさらに、ビルドアップ技術(Ｂuild-Up)を利用して、配線面積を増加し、これにより軽量薄型化及びコンパクト化、及び多機能の潮流、趨勢にマッチする。
【０００３】
集積回路のパッケージ技術は、ハイレベルの技術が要求される中、ほとんどのチップはフリップチップ(Flip Ｃhip,FＣ)を採用して形成され、特に、一種のチップスケールパッケージ(Ｃhip Scale Package,ＣSP)が現在集積回路基板のパッケージ方式の主流の製品であり、スマートフォン、タブレットＰＣ、ノートブック型コンピュータ等、高周波高速下で動作する必要があり、また、軽量薄型でコンパクトな集積回路パッケージを必要とする製品に応用されている。パッケージ用の載置基板に関しては、細い線路ピッチ、高密度、薄型化、低コスト化及び高い電気特性に向けて発展している。
【０００４】
周知のコアレス基板(Ｃoreless Substrate)技術は、伝統的な基板の、ビスマレイミドトリアジン樹脂（Ｂismaleimide Triazine Resin,ＢT）基板或いはFR-5基板をコアとして使用しなければならないという制限から抜け出し、それにより基板材料コストの縮減、基板の使用層数の低減或いは基板のI/O密度のアップを達成する。周知のコアレス基板は、モールド相互接続基板(Molded Interconnection Substrate, MIS)と埋め込みパターンめっき(Enbedded Pattern Plating,EPP)の二種類に大きく分けられる。
【０００５】
図１は周知のモールド化合物基板構造表示図である。それは、モールド相互接続基板のコアレス基板構造とされる。モールド化合物基板構造10は、第１導電柱層100、金属層110、第２導電柱層120、モールド化合物層(Mold Ｃompound Layer)130、誘電材料層(Dielectric Material Layer)140、第３導電柱層150、及びソルダーマスク層160を含む。第１導電柱層100は互いに背向する上表面と下表面を有し、金属層110は第１導電柱層の下表面に設置され、第２導電柱層120は第１導電柱層100の上表面に設置される。モールド化合物層130は第１導電柱層100と第２導電柱層120の一部領域内に設置される。誘電材料層140はモールド化合物層130の上に設置され、第３導電柱層150は第２導電柱層120、誘電材料層140の上に設置され、ソルダーマスク層160は誘電材料層140と第３導電柱層150の上に設置される。
【０００６】
しかし、上述の周知のモールド化合物基板構造は、以下のような欠点を有している。すなわち、（1）細い線路設計は、誘電材料層140を使用することでモールド化合物層130と各導電柱層の間の結合力を増加する必要があるが、このために製造工程が複雑化し且つコストがアップする。（2）ソルダーマスク層160が誘電材料層140と第３導電柱層150の上に設置されるとき、またすなわち、ボールグリッドアレイ（Ｂall Grid Ａrray,ＢGＡ)パッケージ工程中、ボールグリッドアレイ開口の解析度が低くなり、ソルダーマスク層160の膜厚の均一性が不良となり、これらはいずれも厳重に後続のパッケージ工程の信頼度に影響を与える。
【０００７】
図２は周知の埋め込みパターンめっきパッケージ構造とされ、それはコアレス基板構造とされる。埋め込みパターンめっきパッケージ構造20は、第１導電柱層200、第２導電柱層210、誘電材料層（Dielectric Material Layer)220、第３導電柱層230、第１ソルダーマスク層240、第２ソルダーマスク層250、第１電極層260、及び第２電極層270を含む。第１導電柱層200は互いに背向する上表面と下表面を有し、第２導電柱層210は第１導電柱層200の上表面上に設置される。誘電材料層220は第１導電柱層200と第２導電柱層210の一部領域内に設置される。第３導電柱層230は第２導電柱層210と誘電材料層220の上に設置され、第１ソルダーマスク層240は第１導電柱層200と誘電材料層220の上に設置され、第２ソルダーマスク層250は第３導電柱層230と誘電材料層220の上に設置される。第１電極層260は第１導電柱層200の下表面に設置され、第２電極層270は第３導電柱層230の上に設置される。
【０００８】
上述の周知の埋め込みパターンめっきパッケージ構造は、以下の欠点を有している。すなわち、第１ソルダーマスク層240が第１導電柱層200と誘電材料層220の上に設置され、及び第２ソルダーマスク層250が第３導電柱層230と誘電材料層220の上に設置されるとき、すなわち、ボールグリッドアレイ（Ｂall Grid Ａrray,ＢGＡ)パッケージ工程中、ボールグリッドアレイ開口の解析度が低くなり、及び、第１ソルダーマスク層240と第２ソルダーマスク層250の膜厚の均一性が不良となり、これらはいずれも厳重に後続のパッケージ工程の信頼度に影響を与える。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
本発明は一種のパッケージ装置及びその製造方法を提供し、それは、直接誘電材料層を使用してビルドアップ技術による配線フローを実行することで、周知のモールド化合物基板構造の第１モールド化合物層の代わりとし、周知の細い線路設計が、誘電材料層を使用して第１モールド化合物層と各導電層の間の結合力を増す必要があるために、工程の複雑化と製造コストアップをもたらした欠点を改善する。
【００１０】
本発明は一種のパッケージ装置及びその製造方法を提供し、それは、直接第１モールド化合物層を、周知のモールド化合物基板構造或いは埋め込みパターンめっきパッケージ構造のソルダーマスク層の代わりとして使用し、ゆえに、さらにソルダーマスク層を使用する工程を省き、周知のボールグリッドアレイ（Ｂall Grid Ａrray,ＢGＡ)パッケージ工程中、ボールグリッドアレイ開口の解析度が低くなり、及び、ソルダーマスク層の膜厚の均一性が不良となる欠点が、厳重に後続のパッケージ工程の信頼度に影響を与える問題を改善する。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本発明のある実施例において、一種のパッケージ装置が提出され、それは、第１導線層、第１導電柱層、誘電材料層、第２導線層、第２導電柱層及び第１モールド化合物層を含む。第１導線層は互いに背向する第１表面と第２表面を具えている。第１導電柱層は第１導線層の第１表面の上に設置される。第１導線層と第１導電柱層は誘電材料層内に嵌め込まれる。第２導線層は第１導電柱層と誘電材料層の上に設置される。第２導電柱層は第２導線層の上に設置され、第２導線層と第２導電柱層は第１モールド化合物層内に嵌め込まれる。
【００１２】
本発明のある実施例において、一種のパッケージ装置が提出され、そのうち、第１導線層の第１表面が、誘電材料層より高いか、それより低いか或いは同一平面とされ、それはさらに組合せ可能な技術特徴の違いは、第２導電柱層が第１モールド化合物層より高いか、それより低いか或いは同一平面とされることにある。
【００１３】
本発明のある実施例において、一種のパッケージ装置が提出され、誘電材料層は完全に或いは部分的に第１導線層の側壁を被覆し、第１モールド化合物層は完全に或いは部分的に第２導電柱層の側壁を被覆する。
【００１４】
本発明のある実施例において、一種のパッケージ装置の製造方法が提出され、そのステップは、互いに対向する第１表面と第２表面を有する金属載置板を提供する工程、第１導線層を該金属載置板の該第１表面の上に形成する工程、第１導電柱層を該第１導線層の上に形成する工程、誘電材料層を該第１導線層、該第１導電柱層を被覆し、並びに該金属載置板の該第１表面上に位置するように形成し、そのうち該第１導線層と該第１導電柱層は該誘電材料層内に嵌設する工程、該第１導電柱層を露出させる工程、第２導線層を該第１導電柱層と該誘電材料層の上に形成する工程、第２導電柱層を該第２導線層の上に形成する工程、第１モールド化合物層形成して該第２導線層、該第２導電柱層を被覆し並びに該誘電材料層の上に位置させ、そのうち、該第２導線層と該第２導電柱層は該第１モールド化合物層内に嵌設する工程、該第２導電柱層を露出させる工程、該金属載置板を除去する工程、を含む。
【００１５】
本発明の別の実施例において、一種のパッケージ装置の製造方法が提出され、そのステップは、互いに対向する第１表面と第２表面を有する金属載置板を提供する工程、第１導線層を該金属載置板の該第１表面の上に形成する工程、誘電材料層を、該第１導線層を被覆し並びに該金属載置板の第１表面に位置するように形成し、そのうち該第１導線層は該誘電材料層内に嵌設する工程、第１導線層を露出させる工程、第１導電柱層を第１導線層と誘電材料層の上に形成する工程、第２導線層を第１導電柱層の上に形成する工程、第１モールド化合物層を形成して第１導電柱層、第２導線層を被覆し並びに誘電材料層の上に位置させ、そのうち第１導電柱層と第２導線層は該第１モールド化合物層内に嵌設する工程、第２導線層を露出させる工程、金属載置板を除去する工程、を含む。
【発明の効果】
【００１６】
本発明のパッケージ装置及びその製造方法は、誘電材料層を使用してビルドアップ技術による配線フローを実行して周知のモールド化合物基板構造の第1モールド化合物層の代わりとし、及び、第1モールド化合物層を以て、周知のモールド化合物基板構造或いは埋め込みパターンめっきパッケージ構造のソルダーマスク層の代わりとし、それは以下の長所を有する。
（１）周知の細い線路設計がさらに誘電材料層を使用して第1モールド化合物層と各導線層の間の結合力を増加する必要があるために形成される工程の複雑化と製造コストアップの欠点を改善できる。
（２）さらにソルダーマスク層を使用する工程を省略でき、ゆえに周知のボールグリッドアレイ開口の解析度が低く、ソルダーマスク層の膜厚の均一度が不良である欠点を改善し、これにより後半パッケージ工程の信頼度をアップできる。
【図面の簡単な説明】
【００１７】
【図１】周知のモールド化合物基板構造の表示図である。
【図２】周知の埋め込みパターンめっきパッケージ構造の表示図である。
【図３Ａ】本発明の第１実施例のパッケージ装置の表示図である。
【図３Ｂ】本発明の第２実施例のパッケージ装置の表示図である。
【図３Ｃ】本発明の第３実施例のパッケージ装置の表示図である。
【図３Ｄ】本発明の第４実施例のパッケージ装置の表示図である。
【図３Ｅ】本発明の第５実施例のパッケージ装置の表示図である。
【図３Ｆ】本発明の第６実施例のパッケージ装置の表示図である。
【図３Ｇ】本発明の第７実施例のパッケージ装置の表示図である。
【図３Ｈ】本発明の第８実施例のパッケージ装置の表示図である。
【図４Ａ】本発明の第９実施例のパッケージ装置の表示図である。
【図４Ｂ】本発明の第１0実施例のパッケージ装置の表示図である。
【図４Ｃ】本発明の第１1実施例のパッケージ装置の表示図である。
【図４Ｄ】本発明の第１2実施例のパッケージ装置の表示図である。
【図４Ｅ】本発明の第１3実施例のパッケージ装置の表示図である。
【図４Ｆ】本発明の第１4実施例のパッケージ装置の表示図である。
【図４Ｇ】本発明の第１5実施例のパッケージ装置の表示図である。
【図４Ｈ】本発明の第１6実施例のパッケージ装置の表示図である。
【図５Ａ】本発明の第１7実施例のパッケージ装置の表示図である。
【図５Ｂ】本発明の第１8実施例のパッケージ装置の表示図である。
【図５Ｃ】本発明の第１9実施例のパッケージ装置の表示図である。
【図５Ｄ】本発明の第２0実施例のパッケージ装置の表示図である。
【図５Ｅ】本発明の第２1実施例のパッケージ装置の表示図である。
【図５Ｆ】本発明の第２2実施例のパッケージ装置の表示図である。
【図５Ｇ】本発明の第２3実施例のパッケージ装置の表示図である。
【図５Ｈ】本発明の第２4実施例のパッケージ装置の表示図である。
【図６Ａ】本発明の第２5実施例のパッケージ装置の表示図である。
【図６Ｂ】本発明の第２6実施例のパッケージ装置の表示図である。
【図６Ｃ】本発明の第２7実施例のパッケージ装置の表示図である。
【図６Ｄ】本発明の第２8実施例のパッケージ装置の表示図である。
【図６Ｅ】本発明の第２9実施例のパッケージ装置の表示図である。
【図６Ｆ】本発明の第３0実施例のパッケージ装置の表示図である。
【図６Ｇ】本発明の第３1実施例のパッケージ装置の表示図である。
【図６Ｈ】本発明の第３2実施例のパッケージ装置の表示図である。
【図７Ａ】本発明の第３3実施例のパッケージ装置の表示図である。
【図７Ｂ】本発明の第３4実施例のパッケージ装置の表示図である。
【図７Ｃ】本発明の第３5実施例のパッケージ装置の表示図である。
【図７Ｄ】本発明の第３6実施例のパッケージ装置の表示図である。
【図７Ｅ】本発明の第３7実施例のパッケージ装置の表示図である。
【図７Ｆ】本発明の第３8実施例のパッケージ装置の表示図である。
【図７Ｇ】本発明の第３9実施例のパッケージ装置の表示図である。
【図７Ｈ】本発明の第４0実施例のパッケージ装置の表示図である。
【図８Ａ】本発明の第４1実施例のパッケージ装置の表示図である。
【図８Ｂ】本発明の第４2実施例のパッケージ装置の表示図である。
【図８Ｃ】本発明の第４3実施例のパッケージ装置の表示図である。
【図８Ｄ】本発明の第４4実施例のパッケージ装置の表示図である。
【図８Ｅ】本発明の第４5実施例のパッケージ装置の表示図である。
【図８Ｆ】本発明の第４6実施例のパッケージ装置の表示図である。
【図８Ｇ】本発明の第４7実施例のパッケージ装置の表示図である。
【図８Ｈ】本発明の第４8実施例のパッケージ装置の表示図である。
【図９】本発明の第１実施例の後半パッケージ装置の表示図である。
【図１０】本発明の第１実施例のパッケージ装置の製造方法のフローチャートである。
【図１１Ａ】本発明の第１実施例のパッケージ装置の製造表示図である。
【図１１Ｂ】本発明の第１実施例のパッケージ装置の製造表示図である。
【図１１Ｃ】本発明の第１実施例のパッケージ装置の製造表示図である。
【図１１Ｄ】本発明の第１実施例のパッケージ装置の製造表示図である。
【図１１Ｅ】本発明の第１実施例のパッケージ装置の製造表示図である。
【図１１Ｆ】本発明の第１実施例のパッケージ装置の製造表示図である。
【図１１Ｇ】本発明の第１実施例のパッケージ装置の製造表示図である。
【図１１Ｈ】本発明の第１実施例のパッケージ装置の製造表示図である。
【図１１Ｉ】本発明の第１実施例のパッケージ装置の製造表示図である。
【図１１Ｊ】本発明の第１実施例のパッケージ装置の製造表示図である。
【図１１Ｋ】本発明の第１実施例のパッケージ装置の製造表示図である。
【図１１Ｌ】本発明の第１実施例のパッケージ装置の製造表示図である。
【図１１Ｍ】本発明の第１実施例のパッケージ装置の製造表示図である。
【図１１Ｎ】本発明の第１実施例のパッケージ装置の製造表示図である。
【図１２Ａ】本発明の第１実施例の別の後半パッケージ装置の表示図である。
【図１２Ｂ】本発明の第１実施例のまた別のパッケージ装置の表示図である。
【図１３Ａ】本発明の第１０実施例の後半パッケージ装置の表示図である。
【図１３Ｂ】本発明の第２８実施例の後半パッケージ装置の表示図である。
【図１４】本発明の第４９実施例のパッケージ装置の表示図である。
【図１５】本発明の第４９実施例の後半パッケージ装置の表示図である。
【図１６】本発明の第４9実施例のパッケージ装置の製造フローチャートである。
【図１７Ａ】本発明の第４9実施例のパッケージ装置の製造表示図である。
【図１７Ｂ】本発明の第４９実施例のパッケージ装置の製造表示図である。
【図１７Ｃ】本発明の第４９実施例のパッケージ装置の製造表示図である。
【図１７Ｄ】本発明の第４９実施例のパッケージ装置の製造表示図である。
【図１７Ｅ】本発明の第４９実施例のパッケージ装置の製造表示図である。
【図１７Ｆ】本発明の第４９実施例のパッケージ装置の製造表示図である。
【図１７Ｇ】本発明の第４９実施例のパッケージ装置の製造表示図である。
【図１７Ｈ】本発明の第４９実施例のパッケージ装置の製造表示図である。
【図１７Ｉ】本発明の第４９実施例のパッケージ装置の製造表示図である。
【図１７Ｊ】本発明の第４９実施例のパッケージ装置の製造表示図である。
【図１７Ｋ】本発明の第４９実施例のパッケージ装置の製造表示図である。
【図１７Ｌ】本発明の第４９実施例のパッケージ装置の製造表示図である。
【図１７Ｍ】本発明の第４９実施例のパッケージ装置の製造表示図である。
【発明を実施するための形態】
【００１８】
図３Ａは本発明の第１実施例のパッケージ装置の表示図である。パッケージ装置30Ａは、第１導線層300、第１導電柱層310、誘電材料層320、第２導線層330、第２導電柱層340及び第１モールド化合物層350を含む。第１導線層300は互いに背向する第１表面302と第２表面304を具え、ある実施例中、第１導線層300はパターン化導線層とされ得て、それは少なくとも一つの線路或いは少なくとも一つのチップキャリアを含み、第１導電柱層310は第１導線層300の第１表面302の上に設置され、そのうち、第１導線層300、第１導電柱層310は誘電材料層320内に嵌設される。このほか、誘電材料層320は熱硬化型材料或いは感光型材料で形成され、その成分は、樹脂、窒化シリコン、或いは酸化シリコンとされ得るが、これに限定されるわけではない。
第２導線層330は第１導電柱層310と誘電材料層320の上に設置され、第２導電柱層340は第２導線層330の上に設置され、ある実施例において、第２導電柱層340はパターン化導線層とされ、それは少なくとも一つの線路、或いは少なくとも一つのチップキャリアを含む。本実施例では、第２導電柱層340はボールグリッドアレイ電極層とされる。そのうち、第２導線層330と第２導電柱層340は第１モールド化合物層350内に嵌設される。このほか、第１モールド化合物層350はノボラック樹脂(Novolac-Ｂased Resin)、エポキシ樹脂（ Epoxy-Ｂased Resin)、シリコン樹脂(Silicone-Ｂased Resin)或いはその他の適当なモールド化合物とされ得るが、これに限定されるわけではない。
【００１９】
そのうち、第１導線層330の第２表面304は誘電材料層320より高いか高くなく、第２導電柱層340は第１モールド化合物層350より高いか高くなく、本実施例では、第１導線層300の第２表面304は誘電材料層320と同一表面とされ、第２導電柱層の第１表面342は第１モールド化合物層350と同一平面とされるが、これに限定されるわけではない。
【００２０】
ここで特に説明を要することは、本発明は直接誘電材料層を使用してビルドアップ技術による配線フローを行うことで、周知のモールド化合物基板構造の第１モールド化合物層の代わりとなし、それは周知の細い線路設計が、さらに誘電材料層を使用することで第１モールド化合物層と各導線層の間の結合力を増加する必要があるために、工程の複雑化とコストアップを招いた欠点を改善できる、ということである。
【００２１】
ある実施例において、第２導線層330の線幅は第２導電柱層340の柱幅より大きくても、大きくなくてもよい。本実施例では、第２導線層330の線幅は第２導電柱層340の柱幅より大きいが、これに限定されるわけではない。
【００２２】
しかし、本発明の第２導線層330の線幅が第２導電柱層340の柱幅より小さいとき、後端パッケージのソルダーマスク設計(Solder Mask Design，SMD）中で、なおもソルダーマスクアラインメント(Solder Mask Ａlignment)の正確度の偏差を考慮して、第２導線層330の線幅設計を、第２導電柱層340の柱幅より大きくする必要がないため、ゆえに、本実施例の構造は、パッケージ設計を整理する自由度を増加する。このほか、本発明はまた、直接第１モールド化合物層を使用して周知のモールド化合物基板構造或いは埋め込みパターンめっきパッケージ構造のソルダーマスク層の代わりとしているため、さらにソルダーマスク層の工程を使用する必要がなく、周知のボールグリッドアレイ開口の解析度が低くソルダーマスク層の膜厚の均一性が不良である欠点を改善し、それにより、後半のパッケージ工程の信頼度をアップする。
【００２３】
図３Ｂは本発明の第２実施例のパッケージ装置の表示図である。パッケージ装置30Ｂは基本的に、本発明の第１実施例のパッケージ装置30Ａの構造に類似する。そのうち、パッケージ装置30Ｂの第１導線層300の第２表面304は誘電材料層320と同一平面とされ、その違いは、第２導電柱層340の第１表面342が第１モールド化合物層350より低いことにあるが、これに限定されるわけではない。
【００２４】
図３Ｃは本発明の第３実施例のパッケージ装置の表示図である。パッケージ装置30Ｃは基本的に、本発明の第１実施例のパッケージ装置30Ａの構造に類似する。そのうち、パッケージ装置30Ｃの第１導線層300の第２表面304は、誘電材料層320と同一表面であり、その違いは、第２導電柱層340の第１表面342が第１モールド化合物層350より高いことにあるが、これに限定されるわけではない。
【００２５】
図３Ｄは本発明の第４実施例のパッケージ装置の表示図である。パッケージ装置30Dは基本的に、本発明の第１実施例のパッケージ装置30Ａの構造に類似する。そのうち、パッケージ装置30Dの第１導線層300の第２表面304は、誘電材料層320と同一表面であり、その違いは、第２導電柱層340の第１表面342が第１モールド化合物層350より低く、並びに第１モールド化合物層350が完全に第２導電柱層340の側壁を被覆していることであるが、これに限定されるわけではない。
【００２６】
図３Ｅは本発明の第５実施例のパッケージ装置の表示図である。パッケージ装置30Eは基本的に、本発明の第４実施例のパッケージ装置30Dの構造に類似する。そのうち、パッケージ装置30Eの第１導線層300の第２表面304は、誘電材料層320と同一表面であり、その違いは、第２導電柱層340の第１表面342が第１モールド化合物層350と同一表面であり、並びに第１モールド化合物層350が完全に第２導電柱層340の側壁を被覆していることであるが、これに限定されるわけではない。
【００２７】
図３Ｆは本発明の第６実施例のパッケージ装置の表示図である。パッケージ装置30Fは基本的に、本発明の第４実施例のパッケージ装置30Dの構造に類似する。そのうち、パッケージ装置30Fの第１導線層300の第２表面304は、誘電材料層320と同一表面であり、その違いは、第２導電柱層340の第１表面342が第１モールド化合物層350より高く、並びに第１モールド化合物層350が部分的に第２導電柱層340の側壁を被覆していることであるが、これに限定されるわけではない。
【００２８】
図３Ｇは本発明の第７実施例のパッケージ装置の表示図である。パッケージ装置30Gは上述の本発明の第１実施例のパッケージ装置30Ａがさらにソルダーマスク層360を含み、ソルダーマスク層360は第１導線層300の第１表面304と誘電材料層320の上に設置され、並びに一部の第１導線層300と誘電材料層320のパッケージ領域が露出されているが、これに限定されるわけではない。ここで特に説明を要することは、本発明は一種のノンソルダーマスク設計(Non Solder Mask Design,NSMD)とされ、それは僅かに一部の第１導線層300と誘電材料層320のパッケージ領域を露出させ、その他の未露出の領域は、いずれもソルダーマスク層360により被覆、保護されている。
【００２９】
図３Ｈは本発明の第８実施例のパッケージ装置の表示図である。パッケージ装置30Hは、第１導線層300Ａ、第１導電柱層310Ａ、第２導線層310Ｂ、第２導電柱層310Ｃ、誘電材料層320Ａ、第３導線層330Ａ、第３導電柱層340Ａ及び第１モールド化合物層350Ａを含む。第１導線層300Ａは互いに背向する第１表面302Ａと第２表面304Ａを具え、ある実施例において、第１導線層300Ａはパターン化導線層とされ、それは少なくとも一つの線路或いは少なくとも一つのチップキャリアを含む。第１導電柱層310Ａは第１導線層300Ａの第１表面302Ａの上に設置され、第２導線層310Ｂは第１導電柱層310Ａの上に設置され、第２導電柱層310Ｃは第２導線層310Ｂの上に設置され、そのうち、第１導線層300Ａ、第１導電柱層310Ａ、第２導線層310Ｂ、及び第２導電柱層310Ｃは誘電材料層320内に嵌設される。このほか、誘電材料層320Ａは熱硬化型材料或いは感光型材料で形成され、その成分は、樹脂、窒化シリコン、或いは酸化シリコンとされ得るが、これに限定されるわけではない。
【００３０】
第３導線層330Ａは第２導電柱層310Ｃと誘電材料層320Ａの上に設置され、第３導電柱層340Ａは第３導線層330Ａの上に設置され、ある実施例において、第３導電柱層340Ａはパターン化導線層とされ、それは少なくとも一つの線路、或いは少なくとも一つのチップキャリアを含み、本実施例では、第３導電柱層340Ａはボールグリッドアレイ電極層とされる。そのうち、第３導線層330Ａと第３導電柱層340Ａは第１モールド化合物層350Ａ内に嵌設される。このほか、第１モールド化合物層350Ａはチップパッケージ用のモールド化合物(Molding Ｃompound)材料とされ、第１モールド化合物層350Ａは、ノボリック樹脂、エポキシ樹脂、シリコン樹脂或いはその他の適当なモールド化合物で形成されるが、これに限定されるわけではない。
【００３１】
パッケージ装置30Hは基本的に、本発明の第１実施例のパッケージ装置30Ａの構造に類似する。その違いは、パッケージ装置30Hは第１導電柱層310Ａ、第２導線層310Ｂと第２導電柱層310Ｃを以てパッケージ装置30Ａの第１導電柱層310の代わりとしていることであるが、これに限定されるわけではない。
【００３２】
図４Ａは本発明の第９実施例のパッケージ装置の表示図である。パッケージ装置40Ａは基本的に本発明の第１実施例のパッケージ装置30Ａの構造に類似する。その違いは、パッケージ装置40Ａの第１導線層300の第２表面304が誘電材料層320より低く、ただし、第２導電柱層340の第１表面342は依然として第１モールド化合物層350と同一平面であることであるが、これに限定されるわけではない。
【００３３】
図４Ｂは本発明の第１0実施例のパッケージ装置の表示図である。パッケージ装置40Ｂは基本的に、本発明の第９実施例のパッケージ装置40Ａの構造に類似する。そのうち、パッケージ装置40Ｂの第１導線層300の第２表面304は誘電材料層320より低く、その違いは、第２導電柱層340の第１表面342が第１モールド化合物層350より低いことであるが、これに限定されるわけではない。
【００３４】
図４Ｃは本発明の第１1実施のパッケージ装置の表示図である。パッケージ装置40Ｃは基本的に、本発明の第９実施例 のパッケージ装置40Ａの構造に類似する。そのうち、パッケージ装置40Ｃの第１導線層300の第２表面304は誘電材料層320より低く、その違いは、第２導電柱層340の第１表面342が第１モールド化合物層350より高いことであるが、これに限定されるわけではない。
【００３５】
図４Ｄは本発明の第１2実施例のパッケージ装置の表示図である。パッケージ装置40Dは基本的に、本発明の第９実施例 のパッケージ装置40Ａの構造に類似する。そのうち、パッケージ装置40Dの第１導線層300の第２表面304は誘電材料層320より低く、その違いは、第２導電柱層340の第１表面342が第１モールド化合物層350より低く、並びに第１モールド化合物層350が完全に第２導電柱層340の側壁を被覆していることであるが、これに限定されるわけではない。
【００３６】
図４Ｅは本発明の第１3実施例のパッケージ装置の表示図である。パッケージ装置40Eは基本的に、本発明の第１2実施例 のパッケージ装置40Dの構造に類似する。そのうち、パッケージ装置40Eの第１導線層300の第２表面304は誘電材料層320より低く、その違いは、第２導電柱層340の第１表面342が第１モールド化合物層350と同一平面であり、並びに第１モールド化合物層350が完全に第２導電柱層340の側壁を被覆していることであるが、これに限定されるわけではない。
【００３７】
図４Ｆは本発明の第１4実施例のパッケージ装置の表示図である。パッケージ装置40Fは基本的に、本発明の第１2実施例 のパッケージ装置40Dの構造に類似する。そのうち、パッケージ装置40Fの第１導線層300の第２表面304は誘電材料層320より低く、その違いは、第２導電柱層340の第１表面342が第１モールド化合物層350より高く、並びに第１モールド化合物層350が部分的に第２導電柱層340の側壁を被覆していることであるが、これに限定されるわけではない。
【００３８】
図４Ｇは本発明の第１5実施例のパッケージ装置の表示図である。パッケージ装置40Gは本発明の第９実施例 のパッケージ装置40Ａの構造に、さらにソルダーマスク層360が加えられ、該ソルダーマスク層360は第１導線層300の第２表面304と誘電材料層320上に設置され、並びに一部の第１導線層300と誘電材料層320のパッケージ領域が露出させられるが、これに限定されるわけではない。ここで特に説明を要することは、本発明は一種のノンソルダーマスク設計(Non Solder Mask Design,NSMD)であり、それは一部の第１導線層300と誘電材料層320のパッケージ領域だけを露出させ、その他の未露出の領域はいずれもソルダーマスク層360により被覆、保護される。
【００３９】
図４Ｈは本発明の第１6実施例のパッケージ装置の表示図である。パッケージ装置40Hは、第１導線層300Ａ、第１導電柱層310Ａ、第２導線層310Ｂと第２導電柱層310Ｃ、誘電材料層320Ａ、第３導線層330Ａ、第３導電柱層340Ａ及び第１モールド化合物層350Ａを含む。第１導線層300Ａは互いに背向する第１表面302Ａと第２表面304Ａを具え、ある実施例において、第１導線層300Ａはパターン化導線層とされ、それは少なくとも一つの線路或いは少なくとも一つのチップキャリアを含む。第１導電柱層310Ａは第１導線層300Ａの第１表面302Ａの上に設置され、第２導線層310Ｂは第１導電柱層310Ａの上に設置され、第２導電柱層310Ｃは第２導線層310Ｂの上に設置され、そのうち、第１導線層300Ａ、第１導電柱層310Ａ、第２導線層310Ｂと第２導電柱層310Ｃは誘電材料層320Ａ内に嵌設される。このほか、誘電材料層320Ａは熱硬化型材料或いは感光型材料で形成され得て、その成分は、樹脂、窒化シリコン、酸化シリコンとされ得るが、これに限定されるわけではない。
【００４０】
第３導線層330Ａは第２導電柱層310Ｃと誘電材料層320Ａの上に設置され、第３導電柱層340Ａは第３導線層330Ａの上に設置され、ある実施例において、第３導電柱層340Ａはパターン化導線層とされ、それは少なくとも一つの線路或いは少なくとも一つのチップキャリアを含み、本実施例中、第３導電柱層340Ａはボールグリッドアレイ電極層とされる。そのうち、第３導線層330Ａと第３導電柱層340Ａは第１モールド化合物層350Ａ内に嵌設される。このほか、第１モールド化合物層350Ａはチップパッケージ用のモールド化合物(Mold Ｃompound)材料で形成され、第１モールド化合物層350Ａはノボリック樹脂、エポキシ樹脂、シリコン樹脂或いはその他の適当なモールド化合物を含むが、これに限定されるわけではない。
【００４１】
図５Ａは本発明の第１7実施例のパッケージ装置の表示図である。パッケージ装置50Ａは基本的に、本発明の第１実施例のパッケージ装置30Ａの構造に類似する。その違いは、パッケージ装置50Ａの第１導線層300の第２表面304が誘電材料層320より高いが、ただし第２導電柱層340の第１表面342は依然として第１モールド化合物層350と同一平面であることにあり、しかしこれに限定されるわけではない。
【００４２】
図５Ｂは本発明の第１８実施例のパッケージ装置の表示図である。パッケージ装置50Ｂは基本的に、本発明の第１７実施例のパッケージ装置50Ａの構造に類似する。そのうち、パッケージ装置50Ｂの第１導線層300の第２表面304は誘電材料層320より高く、その違いは、第２導電柱層340の第１表面342が第１モールド化合物層350より低いことであるが、これに限定されるわけではない。
【００４３】
図５Ｃは本発明の第１９実施例のパッケージ装置の表示図である。パッケージ装置50Ｃは基本的に、本発明の第１７実施例のパッケージ装置50Ａの構造に類似する。そのうち、パッケージ装置50Ｃの第１導線層300の第２表面304は誘電材料層320より高く、その違いは、第２導電柱層340の第１表面342が第１モールド化合物層350より高いことであるが、これに限定されるわけではない。
【００４４】
図５Ｄは本発明の第２０実施例のパッケージ装置の表示図である。パッケージ装置50Ｄは基本的に、本発明の第１７実施例のパッケージ装置50Ａの構造に類似する。そのうち、パッケージ装置50Ｄの第１導線層300の第２表面304は誘電材料層320より高く、その違いは、第２導電柱層340の第１表面342が第１モールド化合物層350より低く、並びに第１モールド化合物層350が完全に第２導電柱層340の側壁を被覆することであるが、これに限定されるわけではない。
【００４５】
図５Ｅは本発明の第２１実施例のパッケージ装置の表示図である。パッケージ装置50Ｅは基本的に、本発明の第２０実施例のパッケージ装置50Ｄの構造に類似する。そのうち、パッケージ装置50Ｅの第１導線層300の第２表面304は誘電材料層320より高く、その違いは、第２導電柱層340の第１表面342が第１モールド化合物層350と同一平面であり、並びに第１モールド化合物層350が完全に第２導電柱層340の側壁を被覆することであるが、これに限定されるわけではない。
【００４６】
図５Ｆは本発明の第２２実施例のパッケージ装置の表示図である。パッケージ装置50Ｆは基本的に、本発明の第２０実施例のパッケージ装置50Ｄの構造に類似する。そのうち、パッケージ装置50Ｆの第１導線層300の第２表面304は誘電材料層320より高く、その違いは、第２導電柱層340の第１表面342が第１モールド化合物層350より高く、並びに第１モールド化合物層350が部分的に第２導電柱層340の側壁を被覆することであるが、これに限定されるわけではない。
【００４７】
図５Ｇは本発明の第２３実施例のパッケージ装置の表示図である。パッケージ装置50Ｇは上述の本発明の第１７実施例のパッケージ装置50Ａにソルダーマスク層360が加えられたもので、該ソルダーマスク層360は第１導線層300の第２表面304と誘電材料層320の上に設置され、並びに一部の第１導線層300と誘電材料層320のパッケージ領域が露出させられるが、これに限定されるわけではない。ここで特に説明を要することは、本発明は一種のノンソルダーマスク設計(Non Solder Mask Design,NSMD)であり、それは一部の第１導線層300と誘電材料層320のパッケージ領域だけを露出させ、その他の未露出の領域はいずれもソルダーマスク層360により被覆、保護される。
【００４８】
図５Ｈは本発明の第２４実施例のパッケージ装置の表示図である。パッケージ装置５０Ｈは、第１導線層300Ａ、第１導電柱層310Ａ、第２導線層310Ｂ、第２導電柱層310Ｃ、誘電材料層320Ａ、第３導線層330Ａ、第３導電柱層340Ａ及び第１モールド化合物層350Ａを含む。第１導線層300Ａは互いに背向する第１表面302Ａと第２表面304Ａを具え、この実施例では、第１導線層300Ａはパターン化導線層とされ、それは少なくとも一つの線路或いは少なくとも一つのチップキャリアを含む。第１導電柱層310Ａは第１導線層300Ａの第１表面302Ａの上に設置され、第２導線層310Ｂは第１導電柱層310Ａの上に設置され、第２導電柱層310Ｃは第２導線層310Ｂの上に設置され、そのうち、第１導線層300Ａ、第１導電柱層310Ａ、第２導線層310Ｂと第２導電柱層310Ｃは誘電材料層320Ａ内に嵌設される。このほか、誘電材料層320Ａは熱硬化型材料或いは感光型材料で形成され、その成分は、樹脂、窒化シリコン、或いは酸化シリコンとされ得るが、これに限定されるわけではない。
【００４９】
第３導線層330Ａは第２導電柱層310Ｃと誘電材料層320Ａの上に設置され、第３導電柱層340Ａは第３導線層330Ａの上に設置され、ある実施例において、第３導電柱層340Ａはパターン化導線層とされ得て、それは少なくとも一つの線路或いは少なくとも一つのチップキャリアを含み、本実施例では、第３導電柱層340Ａはボールグリッドアレイ電極層とされる。そのうち、第３導線層330Ａと第３導電柱層340Ａは第１モールド化合物層350Ａ内に嵌設される。このほか、第１モールド化合物層350Ａはチップパッケージ用のモールド化合物(Molding Compound)材料で形成され、第１モールド化合物層350はノボリック樹脂、エポキシ樹脂、シリコン樹脂或いはその他の適当なモールド化合物で形成されるが、これに限定されるわけではない。
【００５０】
パッケージ装置50Ｈは基本的に、本発明の第１７実施例のパッケージ装置50Ａの構造に類似する。その違いは、パッケージ装置50Ｈは第１導電柱層310Ａ、第２導線層310Ｂ及び第２導電柱層310Ｃを以て、パッケージ装置50Ａの第１導電柱層310の代わりとしていることにあるが、ただしこれに限定されるわけではない。
【００５１】
図６Ａは本発明の第２５実施例のパッケージ装置の表示図である。パッケージ装置60Ａは基本的に本発明の第１実施例のパッケージ装置30Ａの構造に類似する。その違いは、パッケージ装置60Ａの第１導線層300の第２表面304が誘電材料層320より低く、並びに誘電材料層320が完全に第１導線層300の側壁を被覆し、ただし第２導電柱層340の第１表面342は依然として第１モールド化合物層350と同一平面にあることで、ただしこれに限定されるわけではない。
【００５２】
図６Ｂは本発明の第２６実施例のパッケージ装置の表示図である。パッケージ装置60Ｂは基本的に、本発明の第２５実施例のパッケージ装置60Ａの構造に類似する。そのうち、パッケージ装置60Ｂの第１導線層300の第２表面304は誘電材料層320より低く、並びに誘電材料層320は完全に第１導線層300の側壁を被覆するが、その違いは、第２導電柱層340の第１表面342は第１モールド化合物層350より低いことにあり、しかし、これに限定されるわけではない。
【００５３】
図６Ｃは本発明の第２７実施例のパッケージ装置の表示図である。パッケージ装置60Ｃは基本的に本発明の第２５実施例のパッケージ装置60Ａの構造に類似する。そのうち、パッケージ装置60Ｃの第１導線層300の第２表面304は誘電材料層320より低く、並びに誘電材料層320は完全に第１導線層300の側壁を被覆し、その違いは、第２導電柱層340の第１表面342が第１モールド化合物層350より高いことにあるが、これに限定されるわけではない。
【００５４】
図６Ｄは本発明の第２８実施例のパッケージ装置の表示図である。パッケージ装置60Ｄは基本的に本発明の第２５実施例のパッケージ装置60Ａの構造に類似する。そのうち、パッケージ装置60Ｄの第１導線層300の第２表面304は誘電材料層320より低く、並びに誘電材料層320は第１導線層300の側壁を完全に被覆し、その違いは、第２導電柱層340の第１表面342が第１モールド化合物層350より低く、並びに第１モールド化合物層350が完全に第２導電柱層340の側壁を被覆することにあるが、これに限定されるわけではない。
【００５５】
図６Ｅは本発明の第２９実施例のパッケージ装置の表示図である。パッケージ装置60Ｅは基本的に本発明の第２８実施例のパッケージ装置60Ｄの構造に類似する。そのうち、パッケージ装置60Ｅの第１導線層300の第２表面304は誘電材料層320より低く、並びに誘電材料層320は第１導線層300の側壁を完全に被覆し、その違いは、第２導電柱層340の第１表面342が第１モールド化合物層350と同一平面とされ、並びに第１モールド化合物層350が完全に第２導電柱層340の側壁を被覆することにあるが、これに限定されるわけではない。
【００５６】
図６Ｆは本発明の第３０実施例のパッケージ装置の表示図である。パッケージ装置60Ｆは基本的に本発明の第２８実施例のパッケージ装置60Ｄの構造に類似する。そのうち、パッケージ装置60Ｆの第１導線層300の第２表面304は誘電材料層320より低く、並びに誘電材料層320は第１導線層300の側壁を完全に被覆し、その違いは、第２導電柱層340の第１表面342が第１モールド化合物層350より高く、並びに第１モールド化合物層350が部分的に第２導電柱層340の側壁を被覆することにあるが、これに限定されるわけではない。
【００５７】
図６Ｇは本発明の第３１実施例のパッケージ装置の表示図である。パッケージ装置60Ｇは本発明の第２５実施例のパッケージ装置60Ａにさらにソルダーマスク層360が加えられ、ソルダーマスク層360は第１導線層300の第２表面304と誘電材料層320上に設置され、並びに一部の第１導線層300と誘電材料層320のパッケージ領域が露出させられるが、これに限定されるわけではない。ここで特に説明を要することは、本発明は一種のノンソルダーマスク設計(Non Solder Mask Design,NSMD)であり、それは一部の第１導線層300と誘電材料層320のパッケージ領域だけを露出させ、その他の未露出の領域はいずれもソルダーマスク層360により被覆、保護される。
【００５８】
図６Ｈは本発明の第３２実施例のパッケージ装置の表示図である。パッケージ装置60Ｈは、第１導線層300Ａ、第１導電柱層310Ａ、第２導線層310Ｂと第２導電柱層310Ｃ、誘電材料層320Ａ、第３導線層330Ａ、第３導電柱層340Ａ及び第１モールド化合物層350Ａを含む。第１導線層300Ａは互いに背向する第１表面302Ａと第２表面304Ａを具え、ある実施例において、第１導線層300Ａはパターン化導線層とされ、それは少なくとも一つの線路或いは少なくとも一つのチップキャリアを含む。第１導電柱層310Ａは第１導線層300Ａの第１表面302Ａの上に設置され、第２導線層310Ｂは第１導電柱層310Ａの上に設置され、第２導電柱層310Ｃは第２導線層310Ｂの上に設置され、そのうち、第１導線層300Ａ、第１導電柱層310Ａ、第２導線層310Ｂと第２導電柱層310Ｃは誘電材料層320Ａ内に嵌設される。このほか、誘電材料層320Ａは熱硬化型材料或いは感光型材料で形成され得て、その成分は、樹脂、窒化シリコン、酸化シリコンとされ得るが、これに限定されるわけではない。
【００５９】
第３導線層330Ａは第２導電柱層310Ｃと誘電材料層320Ａの上に設置され、第３導電柱層340Ａは第３導線層330Ａの上に設置され、ある実施例において、第３導電柱層340Ａはパターン化導線層とされ、それは少なくとも一つの線路或いは少なくとも一つのチップキャリアを含み、本実施例中、第３導電柱層340Ａはボールグリッドアレイ電極層とされる。そのうち、第３導線層330Ａと第３導電柱層340Ａは第１モールド化合物層350Ａ内に嵌設される。このほか、第１モールド化合物層350Ａはチップパッケージ用のモールド化合物(Mold Ｃompound)材料で形成され、第１モールド化合物層350Ａはノボリック樹脂、エポキシ樹脂、シリコン樹脂或いはその他の適当なモールド化合物を含むが、これに限定されるわけではない。
【００６０】
パッケージ装置60Ｈは基本的に、本発明の第２５実施例のパッケージ装置60Ａの構造に類似する。その違いは、パッケージ装置60Ｈは第１導電柱層310Ａ、第２導線層310Ｂ、及び第２導電柱層310Ｃを以て、パッケージ装置60Ａの第１導電柱層310の代わりとしていることであるが、これに限定されるわけではない。
【００６１】
図７Ａは本発明の第３３実施例のパッケージ装置の表示図である。パッケージ装置70Ａは基本的に、本発明の第１実施例のパッケージ装置30Ａの構造に類似する。その違いは、パッケージ装置70Ａの第１導線層300の第２表面304が誘電材料層320と同一平面とされ、並びに誘電材料層320が完全に第１導線層300の側壁を被覆しているが、ただし、第２導電柱層340の第１表面342は依然として第１モールド化合物層350と同一平面とされたことにあるが、ただし、これに限定されるわけではない。
【００６２】
図７Ｂは本発明の第３４実施例のパッケージ装置の表示図である。パッケージ装置70Ｂは基本的に、本発明の第３３実施例のパッケージ装置70Ａの構造に類似する。そのうち、パッケージ装置70Ｂの第１導線層300の第２表面304は誘電材料層320と同一平面とされ、並びに誘電材料層320が完全に第1導線層300の側壁を被覆し、その違いは、第２導電柱層340の第１表面342が第１モールド化合物層350より低いことであるが、これに限定されるわけではない。
【００６３】
図７Ｃは本発明の第３５実施例のパッケージ装置の表示図である。パッケージ装置70Ｃは基本的に、本発明の第３３実施例のパッケージ装置70Ａの構造に類似する。そのうち、パッケージ装置70Ｃの第１導線層300の第２表面304は誘電材料層320と同一平面とされ、並びに誘電材料層320は第１導線層300の側壁を完全に被覆し、その違いは、第２導電柱層340の第１表面342が第１モールド化合物層350より高いことであるが、これに限定されるわけではない。
【００６４】
図７Ｄは本発明の第３６実施例のパッケージ装置の表示図である。パッケージ装置70Ｄは基本的に、本発明の第３３実施例のパッケージ装置70Ａの構造に類似する。そのうち、パッケージ装置70Ｄの第１導線層300の第２表面304は誘電材料層320と同一平面とされ、並びに誘電材料層320は第１導線層300の側壁を完全に被覆し、その違いは、第２導電柱層340の第１表面342が第１モールド化合物層350より低く、並びに第１モールド化合物層350が完全に第２導電柱層340の側壁を被覆することであるが、これに限定されるわけではない。
【００６５】
図７Ｅは本発明の第３７実施例のパッケージ装置の表示図である。パッケージ装置70Ｅは基本的に、本発明の第３６実施例のパッケージ装置70Ｄの構造に類似する。そのうち、パッケージ装置70Ｅの第１導線層300の第２表面304は誘電材料層320と同一平面とされ、並びに誘電材料層320は完全に第１導線層300の側壁を被覆し、その違いは、第２導電柱層340の第１表面342が第１モールド化合物層350と同一平面であり、並びに第１モールド化合物層350が完全に第２導電柱層340の側壁を被覆することであるが、これに限定されるわけではない。
【００６６】
図７Ｆは本発明の第３８実施例のパッケージ装置の表示図である。パッケージ装置70Ｆは基本的に、本発明の第３６実施例のパッケージ装置70Ｄの構造に類似する。そのうち、パッケージ装置70Ｆの第１導線層300の第２表面304は誘電材料層320と同一平面とされ、並びに誘電材料層320は完全に第１導線層300の側壁を被覆し、その違いは、第２導電柱層340の第１表面342が第１モールド化合物層350より高く、並びに第１モールド化合物層350が部分的に第２導電柱層340の側壁を被覆することであるが、これに限定されるわけではない。
【００６７】
図７Ｇは本発明の第３９実施例のパッケージ装置の表示図である。パッケージ装置70Ｇは上述の本発明の第３３実施例のパッケージ装置70Ａにソルダーマスク層360が加えられたもので、該ソルダーマスク層360は第１導線層300の第２表面304と誘電材料層320の上に設置され、並びに一部の第１導線層300と誘電材料層320のパッケージ領域が露出させられるが、これに限定されるわけではない。ここで特に説明を要することは、本発明は一種のノンソルダーマスク設計(Non Solder Mask Design,NSMD)であり、それは一部の第１導線層300と誘電材料層320のパッケージ領域だけを露出させ、その他の未露出の領域はいずれもソルダーマスク層360により被覆、保護される。
【００６８】
図７Ｈは本発明の第４０実施例のパッケージ装置の表示図である。パッケージ装置70Ｈは、第１導線層300Ａ、第１導電柱層310Ａ、第２導線層310Ｂ、第２導電柱層310Ｃ、誘電材料層320Ａ、第３導線層330Ａ、第３導電柱層340Ａ及び第１モールド化合物層350Ａを含む。第１導線層300Ａは互いに背向する第１表面302Ａと第２表面304Ａを具え、ある実施例では、第１導線層300Ａはパターン化導線層とされ、それは少なくとも一つの線路或いは少なくとも一つのチップキャリアを含む。第１導電柱層310Ａは第１導線層300Ａの第１表面302Ａの上に設置され、第２導線層310Ｂは第１導電柱層310Ａの上に設置され、第２導電柱層310Ｃは第２導線層310Ｂの上に設置され、そのうち、第１導線層300Ａ、第１導電柱層310Ａ、第２導線層310Ｂと第２導電柱層310Ｃは誘電材料層320Ａ内に嵌設される。このほか、誘電材料層320Ａは熱硬化型材料或いは感光型材料で形成され、その成分は、樹脂、窒化シリコン、或いは酸化シリコンとされ得るが、これに限定されるわけではない。
【００６９】
第３導線層330Ａは第２導電柱層310Ｃと誘電材料層320Ａの上に設置され、第３導電柱層340Ａは第３導線層330Ａの上に設置され、ある実施例において、第３導電柱層340Ａはパターン化導線層とされ得て、それは少なくとも一つの線路或いは少なくとも一つのチップキャリアを含み、本実施例では、第３導電柱層340Ａはボールグリッドアレイ電極層とされる。そのうち、第３導線層330Ａと第３導電柱層340Ａは第１モールド化合物層350Ａ内に嵌設される。このほか、第１モールド化合物層350Ａはチップパッケージ用のモールド化合物(Molding Compound)材料で形成され、第１モールド化合物層350はノボリック樹脂、エポキシ樹脂、シリコン樹脂或いはその他の適当なモールド化合物で形成されるが、これに限定されるわけではない。
【００７０】
パッケージ装置70Ｈは基本的に、本発明の第３３実施例のパッケージ装置70Ａの構造に類似する。その違いは、パッケージ装置70Ｈは第１導電柱層310Ａ、第２導線層310Ｂ及び第２導電柱層310Ｃを以て、パッケージ装置70Ａの第１導電柱層310の代わりとしていることにあるが、ただしこれに限定されるわけではない。
【００７１】
図８Ａは本発明の第４１実施例のパッケージ装置の表示図である。パッケージ装置80Ａは基本的に、本発明の第１実施例のパッケージ装置30Ａの構造に類似する。その違いは、パッケージ装置80Ａの第１導線層300の第２表面304が誘電材料層320より高く、並びに誘電材料層320が完全に第１導線層300の側壁を被覆しているが、ただし、第２導電柱層340の第１表面342は依然として第１モールド化合物層350と同一平面とされたことにあるが、ただし、これに限定されるわけではない。
【００７２】
図８Ｂは本発明の第４２実施例のパッケージ装置の表示図である。パッケージ装置80Ｂは基本的に、本発明の第４１実施例のパッケージ装置80Ａの構造に類似する。そのうち、パッケージ装置80Ｂの第１導線層300の第２表面304は誘電材料層320と同一平面より高く、並びに誘電材料層320が完全に第1導線層300の側壁を被覆し、その違いは、第２導電柱層340の第１表面342が第１モールド化合物層350より低いことであるが、これに限定されるわけではない。
【００７３】
図８Ｃは本発明の第４３実施例のパッケージ装置の表示図である。パッケージ装置80Ｃは基本的に、本発明の第４１実施例のパッケージ装置80Ａの構造に類似する。そのうち、パッケージ装置80Ｃの第１導線層300の第２表面304は誘電材料層320より高く、並びに誘電材料層320は第１導線層300の側壁を完全に被覆し、その違いは、第２導電柱層340の第１表面342が第１モールド化合物層350より高いことであるが、これに限定されるわけではない。
【００７４】
図８Ｄは本発明の第４４実施例のパッケージ装置の表示図である。パッケージ装置80Ｄは基本的に、本発明の第４１実施例のパッケージ装置80Ａの構造に類似する。そのうち、パッケージ装置80Ｄの第１導線層300の第２表面304は誘電材料層320より高く、並びに誘電材料層320は第１導線層300の側壁を完全に被覆し、その違いは、第２導電柱層340の第１表面342が第１モールド化合物層350より低く、並びに第１モールド化合物層350が完全に第２導電柱層340の側壁を被覆することであるが、これに限定されるわけではない。
【００７５】
図８Ｅは本発明の第４５実施例のパッケージ装置の表示図である。パッケージ装置80Ｅは基本的に、本発明の第４４実施例のパッケージ装置80Ｄの構造に類似する。そのうち、パッケージ装置80Ｅの第１導線層300の第２表面304は誘電材料層320より高く、並びに誘電材料層320は完全に第１導線層300の側壁を被覆し、その違いは、第２導電柱層340の第１表面342が第１モールド化合物層350と同一平面であり、並びに第１モールド化合物層350が完全に第２導電柱層340の側壁を被覆することであるが、これに限定されるわけではない。
【００７６】
図８Ｆは本発明の第４６実施例のパッケージ装置の表示図である。パッケージ装置80Ｆは基本的に、本発明の第４４実施例のパッケージ装置80Ｄの構造に類似する。そのうち、パッケージ装置80Ｆの第１導線層300の第２表面304は誘電材料層320より高く、並びに誘電材料層320は完全に第１導線層300の側壁を被覆し、その違いは、第２導電柱層340の第１表面342が第１モールド化合物層350より高く、並びに第１モールド化合物層350が部分的に第２導電柱層340の側壁を被覆することであるが、これに限定されるわけではない。
【００７７】
図８Ｇは本発明の第４７実施例のパッケージ装置の表示図である。パッケージ装置80Ｇは上述の本発明の第４１実施例のパッケージ装置80Ａにソルダーマスク層360が加えられたもので、該ソルダーマスク層360は第１導線層300の第２表面304と誘電材料層320の上に設置され、並びに一部の第１導線層300と誘電材料層320のパッケージ領域が露出させられるが、これに限定されるわけではない。ここで特に説明を要することは、本発明は一種のノンソルダーマスク設計(Non Solder Mask Design,NSMD)であり、それは一部の第１導線層300と誘電材料層320のパッケージ領域だけを露出させ、その他の未露出の領域はいずれもソルダーマスク層360により被覆、保護される。
【００７８】
図８Ｈは本発明の第４８実施例のパッケージ装置の表示図である。パッケージ装置80Ｈは、第１導線層300Ａ、第１導電柱層310Ａ、第２導線層310Ｂ、第２導電柱層310Ｃ、誘電材料層320Ａ、第３導線層330Ａ、第３導電柱層340Ａ及び第１モールド化合物層350Ａを含む。第１導線層300Ａは互いに背向する第１表面302Ａと第２表面304Ａを具え、ある実施例では、第１導線層300Ａはパターン化導線層とされ、それは少なくとも一つの線路或いは少なくとも一つのチップキャリアを含む。第１導電柱層310Ａは第１導線層300Ａの第１表面302Ａの上に設置され、第２導線層310Ｂは第１導電柱層310Ａの上に設置され、第２導電柱層310Ｃは第２導線層310Ｂの上に設置され、そのうち、第１導線層300Ａ、第１導電柱層310Ａ、第２導線層310Ｂと第２導電柱層310Ｃは誘電材料層320Ａ内に嵌設される。このほか、誘電材料層320Ａは熱硬化型材料或いは感光型材料で形成され、その成分は、樹脂、窒化シリコン、或いは酸化シリコンとされ得るが、これに限定されるわけではない。
【００７９】
第３導線層330Ａは第２導電柱層310Ｃと誘電材料層320Ａの上に設置され、第３導電柱層340Ａは第３導線層330Ａの上に設置され、ある実施例において、第３導電柱層340Ａはパターン化導線層とされ得て、それは少なくとも一つの線路或いは少なくとも一つのチップキャリアを含み、本実施例では、第３導電柱層340Ａはボールグリッドアレイ電極層とされる。そのうち、第３導線層330Ａと第３導電柱層340Ａは第１モールド化合物層350Ａ内に嵌設される。このほか、第１モールド化合物層350Ａはチップパッケージ用のモールド化合物(Molding Compound)材料で形成され、第１モールド化合物層350はノボリック樹脂、エポキシ樹脂、シリコン樹脂或いはその他の適当なモールド化合物で形成されるが、これに限定されるわけではない。
【００８０】
パッケージ装置80Ｈは基本的に、本発明の第４１実施例のパッケージ装置80Ａの構造に類似する。その違いは、パッケージ装置80Ｈは第１導電柱層310Ａ、第２導線層310Ｂ及び第２導電柱層310Ｃを以て、パッケージ装置80Ａの第１導電柱層310の代わりとしていることにあるが、ただしこれに限定されるわけではない。
【００８１】
このほか、図９は本発明の第１実施例の後半パッケージ装置表示図である。後半パッケージ装置30Ａ'は上述のパッケージ装置30Ａにさらに第１外接装置370、第２モールド化合物層380、複数の第１導電装置390及び第２外接装置400が加えられて形成される。第１外接装置370は第１導線層300の第２表面304の上に設置され並びに電気的に接続される。第２モールド化合物層380は、第１外接装置370と第１導線層300の第２表面304の上に設置され、そのうち、第１外接装置370は第２モールド化合物層370内に嵌設される。複数の第１導電装置390は第２導電柱層340の上に設置される。第２外接装置400は複数の第１導電装置390の上に設置並びに電気的に接続される。ある実施例において、第１外接装置370と第２外接装置400は主動装置、従動装置、半導体チップ、フレキシブル回路板、或いはプリント回路板とされ得るが、これに限定されるわけではない。同様に、上述のパッケージ装置30Ｂからパッケージ装置80Ｈの後半パッケージ工程もまた、パッケージ装置30Ａの後半パッケージ工程に類似し、ここでは重複して説明しない。
【００８２】
図１０は本発明の第１実施例のパッケージ装置製造方法のフローチャートであり、図１１Ａから図１１Ｎは本発明の第１実施例のパッケージ装置の製造表示図である。そのパッケージ方法のステップは以下を含む。
【００８３】
ステップＳ１１０２では、図１１Ａに示されるように、金属載置板500を提供し、それは互いに背向する第１表面502と第２表面504を具えている。
【００８４】
ステップＳ１１０４では、図１１Ｂに示されるように、第１導線層300を金属載置板500の第１表面302の上に形成する。本実施例では、第１導線層300は電気めっき(Electrolytic Plating)技術を応用して形成するが、ただし、これに限定されるわけではない。そのうち、第１導線層300はパターン化導線層とされ、それは、少なくとも一つの線路或いは少なくとも一つのチップキャリアを含み、第１導線層300の材質は金属、たとえば銅とされる。
【００８５】
ステップＳ１１０６では、図１１Ｃに示されるように、第１導電柱層310を第１導線層300の上に形成する。本実施例では、第１導電柱層310は電気めっき(Electrolytic Plating)技術を応用して形成するが、ただし、これに限定されるわけではない。そのうち、第１導電柱層310は第１導線層300の線或いはチップキャリアの上に対応するように形成され、第１導電柱層310の材料は金属、たとえば銅とされる。
【００８６】
ステップＳ１１０８では、図１１Ｄに示されるように、誘電材料層320を形成して第１導線層300と第１導電柱層310を被覆し並びに金属載置板500の第１表面502の上に位置させ、そのうち、第１導線層300と第１導電柱層310は誘電材料層320内に嵌設される。本実施例では、誘電材料層320は熱硬化型材料或いは感光型材料で形成され、その成分は、樹脂、窒化シリコン、或いは酸化シリコンとされ得るが、これに限定されるわけではない。
【００８７】
ここで特に説明を要することは、本発明は直接誘電材料層を使用してビルドアップ技術による配線フローを実行して周知のモールド化合物基板構造のモールド化合物層の代わりとしており、それは周知の細い線路設計がさらに誘電材料層を使用してモールド化合物層と各導電層との間の結合力を増加する必要があり、そのために工程が複雑化し且つ製造コストが高くなった欠点を改善することができる。
【００８８】
ステップＳ１１１０では、図１１Ｅに示されるように、第１導電柱層310を露出させる。本実施例中、第１導電柱層310の露出には、グラインド（Grinding)方式を利用して誘電材料層320の一部分を除去して、それにより第１導電柱層310を露出させる。好ましくは、これに限定されるわけではないが、第１導電柱層310の一端は誘電材料層320と事実上揃え、同一表面のようにする。別の実施例では、誘電材料層320を形成すると同時に、第１導電柱層310を露出させることで、誘電材料層320のいかなる部分も除去する必要がない。
【００８９】
ステップＳ１１１２では、図１１Ｆに示されるように、第２導線層330を第１導電柱層310と誘電材料層320の上に形成する。ある実施例において、第２導線層330は電気めっき(Electrolytic Plating)技術、無電解めっき(Electroless Plating)技術、スパッタ(Sputtering Coating)技術、或いは蒸着(Thermal Coating)技術により形成されるが、これに限定されるわけではない。そのうち、第２導線層330はパターン化導線層とされ、それは少なくとも一つの線路或いは少なくとも一つのチップキャリアを含み、並びに露出した第１導電柱層310の一端の上に対応するように形成され、第２導線層320の材質は、金属、たとえば銅とされる。
【００９０】
ステップＳ１１１４では、図１１Ｇに示されるように、第２導電柱層340を第２導線層330の上に形成する。ある実施例において、第２導電柱層340は電気めっき(Electrolytic Plating)技術、無電解めっき(Electroless Plating)技術、スパッタ(Sputtering Coating)技術、或いは蒸着(Thermal Coating)技術により形成されるが、これに限定されるわけではない。そのうち、第２導電柱層340はパターン化導線層とされ、それは少なくとも一つの線路或いは少なくとも一つのチップキャリアを含み、並びに第２導線層330の上に対応するように形成され、第２導線層330の材質は金属、たとえば銅とされる。
【００９１】
ステップＳ１１１６では、図１１Ｈに示されるように、第１モールド化合物層350を形成して第２導線層330と第２導電柱層340を被覆し並びに誘電材料層320の上に位置させ、そのうち、第２導線層330と第２導電柱層340は第１モールド化合物層350内に嵌設する。ある実施例において、第１モールド化合物層350はトランスファーモールディング(Transfer Molding)の技術を応用して、トップモールディング(Top Molding)、圧縮成形（Compression Molding)、射出成形（Injection  Molding）或いは圧空成形のパッケージ技術で形成され、第１モールド化合物層350の材料は、ノボリック樹脂、エポキシ樹脂、シリコン樹脂或いはその他の適当なモールド化合物とされ、高温と高圧の下で、液体状態で第２導線層330、第２導電柱層340を衣服し、並びに誘電材料層320の上に位置し、その硬化後に第１モールド化合物層350を形成する。第１モールド化合物層350はまた、適当な充填剤、たとえば粉状の二酸化シリコンを含んでもよい。
【００９２】
そのうち、第1モールド化合物層350を形成するステップは以下を含み得る。すなわち、モールド化合物を提供し、そのうちモールド化合物は樹脂と粉状の二酸化シリコンを含む。モールド化合物を加熱して液体状態となす。液状のモールド化合物を金属載置板500の第１表面502の上に注入し、モールド化合物に高温と高圧下で第２導線層330、第２導電柱層340を被覆させ、並びに誘電材料層320の上に位置させる。モールド化合物を硬化させ、モールド化合物に第１モールド化合物層350を形成させるが、第１モールド化合物層350の形成のステップはこれに限定されるわけではない。
【００９３】
ステップＳ１１１８では、図１１Ｉに示されるように、第２導電柱層340を露出させる。本実施例では、第２導電柱層340の露出には、グラインド方式(Grinding)を利用して第１モールド化合物層350の一部分を除去して、第２導電柱層340の第１表面342を露出させる。好ましくは、これに限定されるわけではないが、第２導電柱層340の第１表面342を第１モールド化合物層350と事実上揃えて、同一表面のようにする。別の実施例においては、第１モールド化合物層350を形成すると同時に、第２導電柱層340を露出させることで、第１モールド化合物層３５０のどの部分も除去する必要がない。
【００９４】
ステップＳ１１２０では、図１１Ｊに示されるように、金属載置板500を除去する。本実施例では、金属載置板500の除去は、エッチング工程(Etching  Process)或いは剥離工程(Debonding Process)を応用して達成するが、金属載置板500を除去する方法は物理工程、たとえば、載置板研磨を使用してもよく、ただしこれに限定されるわけではない。このほか、第１導線層300の線路とチップキャリアは直接露出してもよい。
【００９５】
ステップＳ１１２２では、図１１Ｋに示されるように、第１外接装置370を提供して第１導線層300の第２表面304上に設置並びに電気的に接続する。ある実施例において、第１外接装置370は主動装置、従動装置、半導体チップ、フレキシブル回路板、或いはプリント回路板とされ得るが、これに限定されるわけではない。
【００９６】
ステップＳ１１２４では、図１１Ｌに示されるように、第２モールド化合物層380を形成して第１外接装置370を被覆し並びに第１導線層300の第２表面304上に位置させる、そのうち、第１外接装置370は第２モールド化合物層380内に嵌設する。本実施例中、第２モールド化合物層380はトランスファーモールディング(Transfer Molding)を応用して、トップモールディング(Top Molding)のパッケージ技術で形成され、第２モールド化合物層380の材料は、ノボリック樹脂、エポキシ樹脂、シリコン樹脂或いはその他の適当なモールド化合物とされ、高温高圧下で液体状態で第１外接装置370を被覆し並びに第１導線層300の第２表面304上に位置し、その硬化後に第２モールド化合物層380を形成する。第２モールド化合物層380もまた適当な充填剤、たとえば二酸化シリコンを含み得る。別の実施例においては、射出成形(Injection  Molding)或いは圧縮成形(Compression Molding)或いは圧空成形のパッケージ技術により第２モールド化合物層380が形成される。
【００９７】
ステップＳ１１２６では、図１１Ｍに示されるように、複数の第１導電装置390が提供されて第２導電柱層340の上に設置される。そのうち、第１導電装置390の材質は、金属、たとえば銅とされ得る。本実施例中、第２導電柱層340の第１表面342もまたエッチングされて円弧形の凹面が形成され、それが第１導電装置390を固定するのに便利である効果を有するものとされるが、これに限定されるわけではない。
【００９８】
ステップＳ１１２８では、図１１Ｎに示されるように、第２外接装置400が提供され、複数の第１導電装置390の上に設置され並びに電気的に接続される。ある実施例において、第２外接装置400は主動装置、従動装置、半導体チップ、フレキシブル回路板、或いはプリント回路板とされ得るが、これに限定されるわけではない。
【００９９】
図１２Ａは本発明の第１実施例の別の後半パッケージ装置表示図である。本実施例では、上述のステップＳ１２２２の後に、さらに外接装置372が提供され、第１導線層300の第２表面304上に設置並びに電気的に接続される。その後、さらに上述の第１実施例の後半パッケージステップが実行されるが、これに限定されるわけではない。
【０１００】
図１２Ｂは本発明の第１実施例のまた別の後半パッケージ装置表示図である。本実施例では、上述のステップＳ１２２２の後に、さらに外接装置374が提供され、第１外接装置370上に設置並びに電気的に接続される。その後、さらに上述の第１実施例の後半パッケージステップが実行されるが、これに限定されるわけではない。
【０１０１】
ここで特に説明を要することは、本発明は直接第１モールド化合物層を使用して周知のモールド化合物基板構造或いは埋め込みパターンめっきパッケージ構造のソルダーマスク層の代わりとし、ゆえに、ソルダーマスク層を使用する工程ステップを省略でき、それは周知のボールグリッドアレイ開口の解析度が低くソルダーマスク層の膜厚が不均一である欠点を改善し、これにより、後半パッケージ工程の信頼度をアップする。
【０１０２】
このほか、別の実施例中、図１３Ａの本発明の第１０実施例の後半パッケージ装置表示図に示されるように、第１導線層300の第２表面304は誘電材料層320より低く、第２導電柱層340の第１表面342は第１モールド化合物層350より低く、ゆえに、第１外接装置370の導電バンプと複数の第１導電装置390がいずれも誘電材料層320と第１モールド化合物層350が形成する凹溝中に嵌入し、電気的に接続、導通し、上述の凹溝の設計は、第１外接装置の導電バンプ或いは第１導電装置の水平方向移動の現象の発生を防止でき、ゆえに、各導電柱層の間のブリッジ接続、短絡の発生を防止する。このほか、第１導線層の第２表面或いは第２導電柱層の第１表面はエッチングされて円弧形の凹面を形成し、それが第１外接装置の導電ボール或いは第１導電装置を固定するのに便利な効果を有するものとされ、これにより、ボールグリッドアレイ開口の解析度をアップする。
【０１０３】
同様に、ある実施例において、図１３Ｂに示される本発明の第２８実施例の後半パッケージ装置表示図に示されるように、第１導線層300の第２表面304が誘電材料層320より低く、並びに誘電材料層320が完全に第１導線層300の側壁を被覆し、第２導電柱層340の第１表面342は第１モールド化合物層350より低く、並びに、第１モールド化合物層350が完全に第２導電柱層340の側壁を被覆し、ゆえに、第１外接装置370の導電バンプと複数の第１導電装置390がいずれも誘電材料層320と第１モールド化合物層350の形成する凹溝中に嵌入し電気的接続、導通を形成し、上述の凹溝の設計は、第１外接装置の導電バンプ或いは第１導電装置の下向き移動の現象の発生を防止でき、ゆえに、各導電柱層の間のブリッジ接続、短絡の発生を防止する。このほか、第１導線層の第２表面或いは第２導電柱層の第１表面もまたエッチングされて円弧形の凹面を形成してもよく、それが第１外接装置の導電バンプ或いは第１導電装置を固定するのに便利な効果を有するものとされ、これにより、ボールグリッドアレイ開口の解析度をアップできる。
【０１０４】
図１４は本発明の第４９実施例のパッケージ装置の表示図である。パッケージ装置90Ａは、第１導線層300’、誘電材料層320、第２導線層310’、第１導電柱層330’、及び第１モールド化合物層350を含む。第１導線層300’は互いに背向する第１表面302’と第２表面304’を具え、ある実施例では、第１導線層300’はパターン化導線層とされ、それは少なくとも一つの線路或いは少なくとも一つのチップキャリアを含む。そのうち第１導線層層300’は誘電材料層320内に嵌設され、このほか、誘電材料層320は熱硬化型材料或いは感光型材料で形成され、その成分は、樹脂、窒化シリコン、或いは酸化シリコンとされ得るが、これに限定されるわけではない。第２導線層310’は第１導線層300’と誘電材料層320の上に設置される。第１導電柱層330’は第２導線層310’の上に設置され、ある実施例においては、第１導電柱層330’はパターン化導線層とされ、それは少なくとも一つの線路或いは少なくとも一つのチップキャリアを含み、本実施例では、第１導電柱層330’はボールグリッドアレイ電極層とされる。そのうち第２導線層310’と第１導電柱層330’は第１モールド化合物層350内に嵌設される。このほか、第１モールド化合物層350はチップパッケージ用のモールド化合物とされ、第１モールド化合物層350はノボリック樹脂、エポキシ樹脂、シリコン樹脂或いはその他の適当なモールド化合物を含むが、これに限定されるわけではない。
【０１０５】
そのうち、第１導線層300’の第２表面304’は誘電材料層320より高いか高くなく、第１導電柱層330’は第１モールド化合物層350より高いか高くなく、本実施例では、第１導線層300’の第２表面304’が誘電材料層320と同一平面とされ、第１導電柱層330’の第１表面332’が第１モールド化合物層350と同一平面とされるが、これに限定されるわけではない。同様に、本実施例のその他の変化形態もまた、上述のパッケージ装置30Ｂからパッケージ装置80Ｈのパッケージ装置に類似するが、ここでは重複した説明は行わない。
【０１０６】
ここで特に説明を要することは、本発明は直接誘電材料層を使用してビルドアップ技術による配線フローを実行して周知のモールド化合物基板構造の第１モールド化合物層の代わりとしており、それは周知の細い線路設計がさらに誘電材料層を使用してモールド化合物層と各導電層との間の結合力を増加する必要があり、そのために工程が複雑化し且つ製造コストが高くなった欠点を改善することができる。
【０１０７】
ある実施例において、第２導線層310’の線幅は第１導電柱層330’の柱幅より大きくても大きくなくてもよい。本実施例中、第２導線層310’の線幅は第１導電柱層330’の柱幅より大きいが、これに限定されるわけではない。
【０１０８】
しかし、本発明の第２導線層310’の線幅が第１導電柱層330’の柱幅より小さい時、後半パッケージのソルダーマスク層設計中、ソルダーマスクアラインメント(Solder Mask Alignment)の正確度の偏差を考慮しなくてはならず、第２導線層310’の線幅設計は、第１導電柱層330’の柱幅より大きくする必要があり、ゆえに、本実施例の構造は、パッケージ設計の整理の自由度を増加する。
【０１０９】
このほか、本発明は直接に第１モールド化合物層を使用することで、周知のモールド化合物基板構造或いは埋め込みパターンめっきパッケージ構造のソルダーマスク層の代わりとし、ゆえに、さらにソルダーマスク層を使用する工程を省略し、周知のボールグリッドアレイ開口の解析度が低くソルダーマスク層の膜厚の均一度が不良である欠点を改善し、これにより後半パッケージ工程の信頼度をアップする。
【０１１０】
このほか、図１５は本発明の第４９実施例の後半パッケージ装置の表示図である。後半パッケージ装置90Ａ’は上述のパッケージ装置90Ａにさらに第１外接装置370、第２モールド化合物層380、複数の第１導電装置390及び第２外接装置400が加えられて形成される。第１外接装置370は第１導線層300’の第２表面304’の上に設置され並びに電気的に接続される。第２モールド化合物層380は、第１外接装置370と第１導線層300’の第２表面304’上に設置され、そのうち、第１外接装置370は第２モールド化合物層380内に嵌設される。複数の複数の第１導電装置390は第１導電柱層330’上に設置される。第２外接装置400は複数の第１導電装置390の上に設置並びに電気的に接続される。ある実施例において、第１外接装置370と第２外接装置400は主動装置、従動装置、半導体チップ、フレキシブル回路板、或いはプリント回路板とされ得るが、これに限定されるわけではない。同様に、本実施例のその他の変化形態の後半パッケージもまた、パッケージ装置90Ａの後半パッケージ工程に類似し、ここでは重複して説明しない。
【０１１１】
図１６は本発明の第４９実施例のパッケージ装置製造方法のフローチャートであり、図１７Ａから図１７Ｍは本発明の第４９実施例のパッケージ装置の製造表示図である。そのパッケージ方法のステップは以下を含む。ステップＳ１７０２では、図１７Ａに示されるように、金属載置板500を提供し、それは互いに背向する第１表面502と第２表面504を具えている。
【０１１２】
ステップＳ１７０４では、図１７Ｂに示されるように、第１導線層300’を金属載置板500の第１表面302の上に形成する。本実施例では、第１導線層300’は上述の第１導線層300に類似し、このほか 第１導線層300’は電気めっき(Electrolytic Plating)技術を応用して形成するが、ただし、これに限定されるわけではない。そのうち、第１導線層300’はパターン化導線層とされ、それは、少なくとも一つの線路或いは少なくとも一つのチップキャリアを含み、第１導線層300’の材質は金属、たとえば銅とされる。
【０１１３】
ステップＳ１７０６では、図１７Ｃに示されるように、誘電材料層320を形成して第１導線層300’と金属載置板500の第１表面504を被覆する。本実施例では、誘電材料層320は感光型材料で形成され、その成分は、樹脂材料、窒化シリコン材料、或いは酸化シリコン材料とされ得るが、これに限定されるわけではない。
【０１１４】
ここで特に説明を要することは、本発明は直接誘電材料層を使用してビルドアップ技術  による配線フローを行うことで、周知のモールド化合物基板構造の第１モールド化合物層の代わりとなし、それは周知の細い線路設計が、さらに誘電材料層を使用することで第１モールド化合物層と各導線層の間の結合力を増加する必要があるために、工程の複雑化とコストアップを招いた欠点を改善できる、ということである。
【０１１５】
ステップＳ１７０８では、図１７Ｄに示されるように、第１導線層300’を露出させる。本実施例中、第１導線層300’の露出には、ホトリソグラフィー(Photolithography)とエッチング工程(Etching Process)を応用し、誘電材料層320の一部分を除去して、第１導線層300’を露出させるが、これに限定されるわけではない。
【０１１６】
ステップＳ１７１０では、図１７Ｅに示されるように、第２導線層310’を第１導線層300’と誘電材料層320の上に形成する。本実施例中、第１導線層300’は上述の第２導線層310’と第１導電柱層330の組合せに類似し、このほか、第２導線層310’は、電気めっき(Electrolytic Plating)技術、無電解めっき(Electroless Plating)技術、スパッタ(Sputtering Coating)技術、或いは蒸着(Thermal Coating)技術により形成されるが、これに限定されるわけではない。そのうち、第２導線層310’はパターン化導線層とされ、それは少なくとも一つの線路或いは少なくとも一つのチップキャリアを含み、並びに露出した第１導電柱層310の一端の上に対応するように形成され、第２導線層320の材質は、金属、たとえば銅とされる。
【０１１７】
ステップＳ１７１２では、図１７Ｆに示されるように、第１導電柱層330’を第２導線層310’の上に形成する。本実施例において、第１導電柱層330’は上述の第１実施例の図３Ａの第２導電柱層340に類似し、このほか、第１導電柱層330’は電気めっき(Electrolytic Plating)技術、無電解めっき(Electroless Plating)技術、スパッタ(Sputtering Coating)技術、或いは蒸着(Thermal Coating)技術により形成され得るが、これに限定されるわけではない。そのうち、第１導電柱層330’はパターン化導線層とされ得て、それは少なくとも一つの線路或いは少なくとも一つのチップキャリアを含み、並びに第２導線層310’の上に対応するように形成され、第１導電柱層330’の材質は金属、たとえば銅とされる。
【０１１８】
ステップＳ１７１４では、図１７Ｇに示されるように、第１モールド化合物層320を形成して第２導線層310’と第１導電柱層330’を被覆し、並びに誘電材料層320の上に配置し、そのうち、第２導線層310’と第１導電柱層330’は第１モールド化合物層320内に嵌設する。ある実施例では、第1モールド化合物層320はトランスファーモールディング(Transfer Molding)の技術を応用して、トップモールディング(Top Molding)、圧縮成形（Compression Molding)、射出成形（Injection  Molding）或いは圧空成形のパッケージ技術で形成され、第１モールド化合物層350の材料は、ノボリック樹脂、エポキシ樹脂、シリコン樹脂或いはその他の適当なモールド化合物とされ、高温と高圧の下で、液体状態で第２導線層310’、第１導電柱層330’及び誘電材料層320上を被覆し、その硬化後に第１モールド化合物層320を形成する。第１モールド化合物層350はまた、適当な充填剤、たとえば粉状の二酸化シリコンを含んでもよい。
【０１１９】
そのうち、第1モールド化合物層320を形成するステップは以下を含み得る。すなわち、モールド化合物を提供し、そのうちモールド化合物は樹脂と粉状の二酸化シリコンを含みむ。モールド化合物を加熱して液体状態となす。液状のモールド化合物を金属載置板500の第１表面502の上に注入し、モールド化合物に高温と高圧下で第２導線層310’、第１導電柱層330’及び誘電材料層320上を被覆させる。モールド化合物を硬化させ、モールド化合物に第１モールド化合物層350を形成させるが、第１モールド化合物層350の形成のステップはこれに限定されるわけではない。
【０１２０】
ステップＳ１７１６では、図１７Ｈに示されるように、第１導電柱層330’を露出させる。本実施例では、第１導電柱層330’の露出には、グラインド方式(Grinding)を利用して第１モールド化合物層350の一部分を除去して、第１導電柱層330’の第１表面332を露出させる。好ましくは、これに限定されるわけではないが、第１導電柱層330’の第１表面332第１導電柱層330’と第１モールド化合物層350とを事実上揃えて、同一表面のようにする。別の実施例においては、第１モールド化合物層350を形成すると同時に、第１導電柱層330’を露出させることで、第１モールド化合物層３５０のどの部分も除去する必要がない。
【０１２１】
ステップＳ１７１８では、図１７Ｉに示されるように、金属載置板500を除去する。本実施例では、金属載置板500の除去は、エッチング工程(Etching  Process)或いは剥離工程(Debonding Process)を応用して達成するが、金属載置板500を除去する方法は物理工程、たとえば、載置板研磨を使用してもよく、ただしこれに限定されるわけではない。このほか、第１導線層300’の線路とチップキャリアは直接露出してもよい。
【０１２２】
ステップＳ１７２０では、図１７Ｊに示されるように、第１外接装置370を提供し、第１導線層300’の第１表面302’上に設置並びに電気的に接続する。ある実施例において、第１外接装置370は主動装置、従動装置、半導体チップ、フレキシブル回路板、或いはプリント回路板とされ得るが、これに限定されるわけではない。
【０１２３】
ステップＳ１７２２では、図１７Ｋに示されるように、第２モールド化合物層380を形成して第１外接装置370を被覆し並びに第１導線層300’の第２表面302’上に位置させる、そのうち、第１外接装置370は第２モールド化合物層380内に嵌設する。本実施例中、第２モールド化合物層380はトランスファーモールディング(Transfer Molding)を応用して、トップモールディング(Top Molding)のパッケージ技術で形成され、第２モールド化合物層380の材料は、ノボリック樹脂、エポキシ樹脂、シリコン樹脂或いはその他の適当なモールド化合物とされ、高温高圧下で液体状態で第１外接装置370と第１導線層300’の第１表面302’上を被覆し、その硬化後に第２モールド化合物層380を形成する。第２モールド化合物層380もまた適当な充填剤、たとえば二酸化シリコンを含み得る。別の実施例においては、射出成形(Injection  Molding)或いは圧縮成形(Compression Molding)或いは圧空成形のパッケージ技術により第２モールド化合物層380が形成される。
【０１２４】
ステップＳ１７２４では、図１７Ｌに示されるように、複数の第１導電装置390が提供されて第１導電柱層330’上に設置される。そのうち、第１導電装置390の材質は、金属、たとえば銅とされ得る。本実施例中、第１導電柱層330’の第１表面332’もまたエッチングされて円弧形の凹面が形成され、それが第１導電装置390を固定するのに便利である効果を有するものとされるが、これに限定されるわけではない。
【０１２５】
ステップＳ１７２６では、図１７Ｍに示されるように、第２外接装置400が提供され、複数の第１導電装置390の上に設置され並びに電気的に接続される。ある実施例において、第２外接装置400は主動装置、従動装置、半導体チップ、フレキシブル回路板、或いはプリント回路板とされ得るが、これに限定されるわけではない。
【０１２６】
ここで特に説明を要することは、本発明は直接第１モールド化合物層を使用して周知のモールド化合物基板構造或いは埋め込みパターンめっきパッケージ構造のソルダーマスク層の代わりとし、ゆえに、ソルダーマスク層を使用する工程ステップを省略でき、それは周知のボールグリッドアレイ開口の解析度が低くソルダーマスク層の膜厚が不均一である欠点を改善し、これにより、後半パッケージ工程の信頼度をアップする。
【０１２７】
以上は本発明の好ましい実施例の説明に過ぎず、並びに本発明を限定するものではなく、本発明に提示の精神より逸脱せずに完成されるその他の同等の効果の修飾或いは置換は、いずれも本発明の権利請求範囲内に属する。
【符号の説明】
【０１２８】
１０  モールド化合物基板構造
１００  第１導電柱層
１１０  金属層
１２０  第２導電柱層
１３０  モールド化合物層
１４０  誘電材料層
１５０  第３導電柱層
１６０  ソルダーマスク層
２０  埋め込みパターンめっきパッケージ構造
２００  第１導電柱層
２１０  第２導電柱層
２２０  誘電材料層
２３０  第３導電柱層
２４０  第１ソルダーマスク層
２５０  第２ソルダーマスク層
２６０  第１電極層
２７０  第２電極層
３０Ａ、３０Ｂ、３０Ｃ、３０Ｄ、３０Ｅ、３０Ｆ、３０Ｇ、３０Ｈ  パッケージ装置
４０Ａ、４０Ｂ、４０Ｃ、４０Ｄ、４０Ｅ、４０Ｆ、４０Ｇ、４０Ｈ  パッケージ装置
５０Ａ、５０Ｂ、５０Ｃ、５０Ｄ、５０Ｅ、５０Ｆ、５０Ｇ、５０Ｈ  パッケージ装置
６０Ａ、６０Ｂ、６０Ｃ、６０Ｄ、６０Ｅ、６０Ｆ、６０Ｇ、６０Ｈ  パッケージ装置
７０Ａ、７０Ｂ、７０Ｃ、７０Ｄ、７０Ｅ、７０Ｆ、７０Ｇ、７０Ｈ  パッケージ装置
８０Ａ、８０Ｂ、８０Ｃ、８０Ｄ、８０Ｅ、８０Ｆ、８０Ｇ、８０Ｈ  パッケージ装置
３０Ａ'  パッケージ装置
９０Ａ、９０Ａ'  パッケージ装置
３００、３００Ａ、３００'  第１導線層
３０２、３０２Ａ、３０２'  第１表面
３０４、３０４Ａ、３０４'  第２表面
３１０  第１導電柱層
３１０'  第２導線層
３１０Ａ  第１導電柱層
３１０Ｂ  第２導線層
３１０Ｃ  第２導電柱層
３２０、３２０Ａ  誘電材料層
３３０  第２導線層
３３０'  第１導電柱層
３３０Ａ  第３導線層
３３２'  第１表面
３４０  第２導電柱層
３４０Ａ  第３導電柱層
３４２  第１表面
３５０  第１モールド化合物層
３６０  ソルダーマスク層
３７０  第１外接装置
３７２、３７４  外接装置
３８０  第２モールド化合物層
３９０  第１導電装置
４００  第２外接装置
５００  金属載置板
５０２  第１表面
５０４  第２表面
【図１】
0006348054.tif 000002
【図２】
0006348054.tif 000003
【図３Ａ】
0006348054.tif 000004
【図３Ｂ】
0006348054.tif 000005
【図３Ｃ】
0006348054.tif 000006
【図３Ｄ】
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【図３Ｅ】
0006348054.tif 000008
【図３Ｆ】
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【図３Ｇ】
0006348054.tif 000010
【図３Ｈ】
0006348054.tif 000011
【図４Ａ】
0006348054.tif 000012
【図４Ｂ】
0006348054.tif 000013
【図４Ｃ】
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【図４Ｄ】
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【図４Ｅ】
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【図４Ｆ】
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【図４Ｇ】
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【図４Ｈ】
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【図５Ａ】
0006348054.tif 000020
【図５Ｂ】
0006348054.tif 000021
【図５Ｃ】
0006348054.tif 000022
【図５Ｄ】
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【図５Ｅ】
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【図５Ｆ】
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【図５Ｇ】
0006348054.tif 000026
【図５Ｈ】
0006348054.tif 000027
【図６Ａ】
0006348054.tif 000028
【図６Ｂ】
0006348054.tif 000029
【図６Ｃ】
0006348054.tif 000030
【図６Ｄ】
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【図６Ｅ】
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【図６Ｆ】
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【図６Ｇ】
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【図６Ｈ】
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【図７Ａ】
0006348054.tif 000036
【図７Ｂ】
0006348054.tif 000037
【図７Ｃ】
0006348054.tif 000038
【図７Ｄ】
0006348054.tif 000039
【図７Ｅ】
0006348054.tif 000040
【図７Ｆ】
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【図７Ｇ】
0006348054.tif 000042
【図７Ｈ】
0006348054.tif 000043
【図８Ａ】
0006348054.tif 000044
【図８Ｂ】
0006348054.tif 000045
【図８Ｃ】
0006348054.tif 000046
【図８Ｄ】
0006348054.tif 000047
【図８Ｅ】
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【図８Ｆ】
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【図８Ｇ】
0006348054.tif 000050
【図８Ｈ】
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【図９】
0006348054.tif 000052
【図１０】
0006348054.tif 000053
【図１１Ａ】
0006348054.tif 000054
【図１１Ｂ】
0006348054.tif 000055
【図１１Ｃ】
0006348054.tif 000056
【図１１Ｄ】
0006348054.tif 000057
【図１１Ｅ】
0006348054.tif 000058
【図１１Ｆ】
0006348054.tif 000059
【図１１Ｇ】
0006348054.tif 000060
【図１１Ｈ】
0006348054.tif 000061
【図１１Ｉ】
0006348054.tif 000062
【図１１Ｊ】
0006348054.tif 000063
【図１１Ｋ】
0006348054.tif 000064
【図１１Ｌ】
0006348054.tif 000065
【図１１Ｍ】
0006348054.tif 000066
【図１１Ｎ】
0006348054.tif 000067
【図１２Ａ】
0006348054.tif 000068
【図１２Ｂ】
0006348054.tif 000069
【図１３Ａ】
0006348054.tif 000070
【図１３Ｂ】
0006348054.tif 000071
【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７Ａ】
0006348054.tif 000075
【図１７Ｂ】
0006348054.tif 000076
【図１７Ｃ】
0006348054.tif 000077
【図１７Ｄ】
0006348054.tif 000078
【図１７Ｅ】
0006348054.tif 000079
【図１７Ｆ】
0006348054.tif 000080
【図１７Ｇ】
0006348054.tif 000081
【図１７Ｈ】
0006348054.tif 000082
【図１７Ｉ】
0006348054.tif 000083
【図１７Ｊ】
0006348054.tif 000084
【図１７Ｋ】
0006348054.tif 000085
【図１７Ｌ】
0006348054.tif 000086
【図１７Ｍ】
0006348054.tif 000087