(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
圧電基板と、
前記圧電基板の主面に設けられ、弾性表面波を励振するＩＤＴ電極と、
前記主面のうち前記ＩＤＴ電極が設けられた領域を除く領域上に立設され、前記ＩＤＴ電極の高さよりも高い支持層と、
前記支持層上に配置され、中空空間を介して前記ＩＤＴ電極を覆うカバー層とを備え、
前記支持層は、
前記主面のうち、前記ＩＤＴ電極が設けられた領域の周囲に立設された外周枠支持層と、
前記主面のうち、前記外周枠支持層で囲まれた領域に立設され、前記圧電基板を平面視したときに、前記主面に平行な第１の向きに直線状に延在し、かつ、前記主面に平行で前記第１の向きと直交する第２の向きに並ぶ複数の仕切り支持層とを含み、
前記複数の仕切り支持層には、前記複数の仕切り支持層の並びにおいて隣接し、かつ、以下の特徴を有する第１仕切り支持層及び第２仕切り支持層が含まれ、
前記特徴は、前記圧電基板を平面視した状態で前記第１仕切り支持層及び前記第２仕切り支持層の前記第１の向きにおける端部を一端とし、前記第１の向きと反対側の端部を他端としたときに、前記第１仕切り支持層の一端から前記一端に最も近い前記外周枠支持層までの距離が前記第１仕切り支持層の他端から前記他端に最も近い前記外周枠支持層までの距離よりも小さく、かつ、前記第２仕切り支持層の一端から前記一端に最も近い前記外周枠支持層までの距離が前記第２仕切り支持層の他端から前記他端に最も近い前記外周枠支持層までの距離よりも大きいことである
弾性表面波装置。
【請求項２】
前記第１仕切り支持層及び前記第２仕切り支持層は、前記第２の向きに見たときに、重なる領域を有する
請求項１記載の弾性表面波装置。
【請求項３】
前記重なる領域の前記第１の向きにおける長さは、３０μｍ以下である
請求項２記載の弾性表面波装置。
【請求項４】
前記第１仕切り支持層及び前記第２仕切り支持層は、前記第２の向きに見たときに、前記第１の向きに、所定の距離だけ離されている
請求項１記載の弾性表面波装置。
【請求項５】
前記所定の距離は、３０μｍ以下である
請求項４記載の弾性表面波装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、弾性表面波装置に関し、特に、ＷＬＰ（Ｗａｆｅｒ  Ｌｅｖｅｌ  Ｐａｃｋａｇｅ）構造の弾性表面波装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
弾性表面波装置は、移動体通信端末のＲＦ及びＩＦ段等の無線部における帯域通過フィルタとして用いられる。近年、携帯電話、スマートフォン等の携帯情報端末における無線部のモジュール化が進んでおり、小形化と低背化が求められている。そのために、弾性表面波装置のパッケージング技術も改良され、弾性表面波装置のチップそのものをパッケージに利用するＷＬＰが提案されている。弾性表面波装置では、圧電基板上にＩＤＴ（Ｉｎｔｅｒ  Ｄｉｇｉｔａｌ  Ｔｒａｎｓｄｕｃｅｒ）電極を形成し、ＩＤＴ電極の上方に中空空間を確保した状態でパッケージングされるが、ＷＬＰタイプの弾性表面波装置では、圧電基板そのものが中空空間を形成するためのパッケージングに利用される。
【０００３】
また、携帯電話、スマートフォン等の携帯情報端末における無線部のモジュール化では、外部からの応力や湿気から守るために樹脂モールドタイプのモジュール化が求められている。モジュール全体を樹脂モールド（例えば、トランスファーモールド）する際には、樹脂モールドされる個々の部品には大きな圧力がかかり、中空空間を有する弾性表面波装置では、大きな圧力に耐える工夫（耐モールド性あるいは耐圧）と、モールド樹脂の侵入に耐える工夫（ラミネート性あるいは封止性）とが求められる。
【０００４】
従来、弾性表面波装置の耐モールド性とラミネート性を確保する技術として、中空空間にスペーサとしての仕切り支持層（内部支持層）を設ける技術が提案されている（例えば、特許文献１参照）。特許文献１では、中空空間の中央部に、中空空間を形成する圧電基板とカバー層との間に立設される樹脂からなる仕切り支持層を設けることで、耐モールド性を確保している。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特許第５１４１８５２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
ここで、耐モールド性をより増強するために、中空空間において、圧電基板を平面視したときに横方向及び縦方向に延在する仕切り支持層を設けることが考えられる。図７は、参考例に係る弾性表面波装置の中空空間のレイアウト図（圧電基板を平面視したときの図）である。ここでは、ＩＤＴ電極（図示せず）が形成された圧電基板１１、圧電基板１１の周囲を覆う外周枠支持層２０ａ〜２０ｄ、中空空間を仕切るように配置された仕切り支持層２２ａ〜２２ｃ、及び、柱状電極１７ａ〜１７ｈが示されている。仕切り支持層２２ａ〜２２ｃは、圧電基板１１上の、ＩＤＴ電極が形成されていない領域に立設され、外周枠支持層２０ａ〜２０ｄとともに、中空空間の天井となるカバー層（図示せず）を支持している。ここで、仕切り支持層２２ｃは、圧電基板１１を平面視したときに、中空空間を縦方向及び横方向に仕切るように延在するクランク形状に形成されている。これによって、全ての仕切り支持層２２ａ〜２２ｃが一方向にだけ延在する場合に比べ、カバー層に対する補強強度が増し、耐モールド性が増強され得る。
【０００７】
しかしながら、本図に示されるようなクランク形状の仕切り支持層２２ｃを設けたのでは、外周枠支持層２０ａ〜２０ｄ及び仕切り支持層２２ａ〜２２ｃの上に樹脂製のカバー層を貼り付けた際に、仕切り支持層２２ｃのクランク部と接する箇所において、カバー層にしわ寄りが生じ、仕切り支持層２２ｃがカバー層に突き刺さり、仕切り支持層２２ｃのクランク部と接するカバー層につぶれが発生してしまう。例えば、ロール状に巻かれたカバー層を延ばしながら仕切り支持層２２ａ、仕切り支持層２２ｂ、仕切り支持層２２ｃの順に貼り付けていく際に、カバー層を仕切り支持層２２ｃに貼り付けたときに、カバー層にしわ寄りが生じ、つぶれが発生してしまう。その結果、カバー層に、局所的に薄い箇所や破れが発生し、耐モールド性とラミネート性が確保されない、あるいはしわ寄りがＩＤＴ電極や配線電極に接触し、信頼性が確保されないという問題が生じる。
【０００８】
そこで、本発明は、このような問題点に鑑みてなされたものであり、従来よりも耐モールド性、ラミネート性、及び信頼性が確保されたＷＬＰタイプの弾性表面波装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上記目的を達成するために、本発明の一形態に係る弾性表面波装置は、圧電基板と、前記圧電基板の主面に設けられ、弾性表面波を励振するＩＤＴ電極と、前記主面のうち前記ＩＤＴ電極が設けられた領域を除く領域上に立設され、前記ＩＤＴ電極の高さよりも高い支持層と、前記支持層上に配置され、中空空間を介して前記ＩＤＴ電極を覆うカバー層とを備え、前記支持層は、前記主面のうち、前記ＩＤＴ電極が設けられた領域の周囲に立設された外周枠支持層と、前記主面のうち、前記外周枠支持層で囲まれた領域に立設され、前記圧電基板を平面視したときに、前記主面に平行な第１の向きに直線状に延在し、かつ、前記主面に平行で前記第１の向きと直交する第２の向きに並ぶ複数の仕切り支持層とを含み、前記複数の仕切り支持層には、前記複数の仕切り支持層の並びにおいて隣接し、かつ、以下の特徴を有する第１仕切り支持層及び第２仕切り支持層が含まれ、前記特徴は、前記圧電基板を平面視した状態で前記第１仕切り支持層及び前記第２仕切り支持層の前記第１の向きにおける端部を一端とし、前記第１の向きと反対側の端部を他端としたときに、前記第１仕切り支持層の一端から前記一端に最も近い前記外周枠支持層までの距離が前記第１仕切り支持層の他端から前記他端に最も近い前記外周枠支持層までの距離よりも小さく、かつ、前記第２仕切り支持層の一端から前記一端に最も近い前記外周枠支持層までの距離が前記第２仕切り支持層の他端から前記他端に最も近い前記外周枠支持層までの距離よりも大きいことである。
【００１０】
これにより、仕切り支持層は、圧電基板を平面視したときに、上述した参考例に係るクランク形状の仕切り支持層からクランク部の縦部分（第２の方向に延在する部分）だけを除去した構造（第１仕切り支持層及び第２仕切り支持層）を有する。これにより、クランク形状の仕切り支持層がもっていた耐モールド性を略維持した状態で、かつ、複数の仕切り支持層が、いずれも、同一の方向（第１の方向）に延在することとなる。よって、外周枠支持層及び仕切り支持層の上に樹脂製等のカバー層を貼り付けた際に、カバー層にしわ寄りが生じて仕切り支持層のいずれかがカバー層に突き刺さってしまうという不具合が抑制される。その結果、カバー層に局所的に薄い箇所が発生してしまうことが抑制され、カバー層がもつ均一な厚みを維持した状態で、外周枠支持層及び仕切り支持層の上にカバー層が貼り付けられ、耐モールド性、ラミネート性、及び信頼性が確保される。さらに、参考例に係るクランク形状の仕切り支持層からクランク部の縦部分（第２の方向に延在する部分）が除去されているので、その分だけ、圧電基板上に設けるＩＤＴ電極の領域（電極設計エリア）が広くなる。
【００１１】
また、第１仕切り支持層及び第２仕切り支持層は、圧電基板を平面視したときに、中空空間を２分するように長く延在するのではなく、より短くて済むので、圧電基板上に設けるＩＤＴ電極の領域を狭めてしまうことが抑制される。
【００１２】
ここで、前記第１仕切り支持層及び前記第２仕切り支持層は、前記第２の向きに見たときに、重なる領域を有してもよい。例えば、前記重なる領域の前記第１の向きにおける長さは、３０μｍ以下であってもよい。
【００１３】
これにより、第１仕切り支持層及び第２仕切り支持層は、第２の向きに見たときに、重なる領域を有するので、重なる領域を有さない場合に比べ、より耐モールド性が増す。
【００１４】
また、前記第１仕切り支持層及び前記第２仕切り支持層は、前記第２の向きに見たときに、前記第１の向きに、所定の距離だけ離されていてもよい。例えば、前記所定の距離は、３０μｍ以下であってもよい。
【００１５】
これにより、第１仕切り支持層及び第２仕切り支持層は、第２の向きに見たときに、所定の距離だけ離されているので、第１仕切り支持層及び第２仕切り支持層が離れていない場合に比べ、圧電基板上に設けるＩＤＴ電極の領域がより広く確保される。
【発明の効果】
【００１６】
本発明によれば、従来よりも耐モールド性、ラミネート性、及び信頼性が確保されたＷＬＰタイプの弾性表面波装置を提供することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００１７】
【図１】実施の形態における弾性表面波装置の外観図である。
【図２Ａ】図１におけるIIＡ−IIＡ線を含む面で切断して得られる弾性表面波装置の断面図である。
【図２Ｂ】図１におけるIIＢ−IIＢ線を含む面で切断して得られる弾性表面波装置の断面図である。
【図３】図１に示される弾性表面波装置の中空空間のレイアウト図である。
【図４】実施の形態における弾性表面波装置の製造工程を示す図である。
【図５】実施の形態における弾性表面波装置が有する第１仕切り支持層及び第２仕切り支持層の位置関係の例を示す図である。
【図６】実施の形態の変形例に係る弾性表面波装置の断面図である。
【図７】参考例に係る弾性表面波装置の中空空間のレイアウト図である。
【発明を実施するための形態】
【００１８】
以下、本発明の実施の形態について、図面を用いて詳細に説明する。なお、以下で説明する実施の形態は、いずれも本発明の好ましい一具体例を示すものである。以下の実施の形態で示される数値、形状、材料、構成要素、構成要素の配置位置及び接続形態、ステップ、ステップの順序等は、一例であり、本発明を限定する主旨ではない。また、以下の実施の形態における構成要素のうち、本発明の最上位概念を示す独立請求項に記載されていない構成要素については、より好ましい形態を構成する任意の構成要素として説明される。
【００１９】
図１は、本実施の形態における弾性表面波装置１０の外観図である。なお、本図に示されるように、本図に向かって右方向を第１の向き（Ｘ軸の正方向）、第１の向きと直交し手前に向かう方向を第２の向き（Ｙ軸の正方向）とする。
【００２０】
弾性表面波装置１０は、ＷＬＰタイプのＳＡＷデバイスであり、例えば、送信フィルタ、受信フィルタ、又は、デュプレクサ等である。弾性表面波装置１０は、内部に、圧電基板１１と、圧電基板１１の周囲に立設された外周枠支持層２０と、外周枠支持層２０の上に配置されたカバー層１６とによって包囲された中空空間を有し、圧電基板１１を平面視したときに、全体として、Ｘ軸方向とＹ軸方向で規定される矩形形状を有する。また、カバー層１６から上方に露出するように半田バンプ１８ａ〜１８ｈが設けられている。弾性表面波装置１０は、通常、図１に示される上下方向を逆さまにした状態で、半田バンプ１８ａ〜１８ｈを介して、実装基板（図示せず）に半田づけされる。
【００２１】
図２Ａは、図１におけるIIＡ−IIＡ線を含む面で切断して得られる弾性表面波装置１０の断面図である。図２Ｂは、図１におけるIIＢ−IIＢ線を含む面で切断して得られる弾性表面波装置１０の断面図である。
【００２２】
弾性表面波装置１０は、圧電基板１１、ＩＤＴ電極１２、配線パターン１２ａ、端子電極１３、配線電極１４、保護膜１５、カバー層１６、柱状電極１７、半田バンプ１８、外周枠支持層２０、及び、仕切り支持層２１を有する。
【００２３】
圧電基板１１は、弾性表面波装置１０の基板を構成する圧電体であり、例えば、タンタル酸リチウム（ＬｉＴａＯ３）、ニオブ酸リチウム（ＬｉＮｂＯ３）、水晶などの圧電単結晶又は圧電セラミックスから構成される。
【００２４】
ＩＤＴ電極１２は、圧電基板１１の主面（上面）に設けられ、弾性表面波を励振する櫛形電極であり、例えば、Ｔｉ、Ａｌ、Ｃｕ、Ａｕ、Ｐｔ、Ａｇ、Ｐｄ、Ｎｉ等の金属又は合金、あるいは、それら金属又は合金の積層体から構成される。
【００２５】
配線パターン１２ａは、複数のＩＤＴ電極１２を接続したり、ＩＤＴ電極１２と端子電極１３とを接続したりする導体パターンであり、例えば、ＩＤＴ電極１２と同様の材料で構成される。
【００２６】
端子電極１３は、ＩＤＴ電極１２と接続され、圧電基板１１の主面における周囲に設けられる電極であり、例えば、ＩＤＴ電極１２と同様の材料で構成される。
【００２７】
配線電極１４は、端子電極１３の上に設けられ、ＩＤＴ電極１２と弾性表面波装置１０の外部とを接続する配線経路の一部を構成する電極であり、例えば、ＩＤＴ電極１２と同様の材料で構成される。
【００２８】
保護膜１５は、ＩＤＴ電極１２を保護するために覆う層であり、例えば、酸化珪素、窒化珪素等の誘電体から構成される。
【００２９】
外周枠支持層２０は、圧電基板１１の主面のうちＩＤＴ電極１２が設けられた領域を除く領域上に立設され、ＩＤＴ電極１２の高さよりも高い支持層の一つであり、ＩＤＴ電極１２が設けられた領域の周囲に立設された支持層であり、例えば、ポリイミド、エポキシ、ベンゾシクロブテン（Ｂｅｎｚｏｃｙｃｌｏｂｕｔｅｎｅ：ＢＣＢ）、ポリベンゾオキサゾール（Ｐｏｌｙｂｅｎｚｏｘａｚｏｌｅ：ＰＢＯ）、金属及び酸化珪素の少なくとも一つを含む材料から構成される。なお、本実施の形態では、外周枠支持層２０は、保護膜１５の上に立設されているが、圧電基板１１上に直接、立設されてもよいし、圧電基板１１上に形成された配線パターン１２ａ上に立設されてもよい。
【００３０】
仕切り支持層２１は、圧電基板１１の主面のうちＩＤＴ電極１２が設けられた領域を除く領域上に立設され、ＩＤＴ電極１２の高さよりも高い支持層の一つであり、外周枠支持層２０で囲まれた領域に立設された支持層であり、例えば、外周枠支持層２０と同様の材料で構成される。なお、本実施の形態では、仕切り支持層２１は、配線パターン１２ａを覆う保護膜１５の上に立設されているが、保護膜１５を介することなく、配線パターン１２ａ上に直接、立設されてもよいし、圧電基板１１上に直接、立設されてもよい。
【００３１】
カバー層１６は、支持層（外周枠支持層２０及び仕切り支持層２１）の上に配置され、中空空間１９を介してＩＤＴ電極１２を覆う層であり、例えば、エポキシ、ウレタン、フェノール、ポリエステル、ＢＣＢ及びＰＢＯの少なくとも一つを含む材料から構成される下層と、ポリイミド、エポキシ、ＢＣＢ、ＰＢＯ、珪素、酸化珪素、ＬｉＴａＯ３、ＬｉＮｂＯ３の少なくとも一つを含む材料から構成される上層とを含む積層構造を有する。
【００３２】
柱状電極１７は、配線電極１４と外部とを接続する配線経路の一部を構成し、外周枠支持層２０及びカバー層１６を貫通するように形成された電極であり、例えば、ＩＤＴ電極１２と同様の材料で構成される。
【００３３】
半田バンプ１８は、この弾性表面波装置１０を実装基板（図示せず）に半田付けするのに用いられる突起した接続電極であり、例えば、ＩＤＴ電極１２と同様の材料あるいは半田で構成される。
【００３４】
図３は、図１に示される弾性表面波装置１０の中空空間１９のレイアウト図である。ここでは、見易くするために、ＩＤＴ電極１２等の図示は省略され、ＩＤＴ電極１２が形成された圧電基板１１、圧電基板１１の周囲を覆う外周枠支持層２０ａ〜２０ｄ、中空空間を仕切るように配置された仕切り支持層２１ａ〜２１ｇ、及び、柱状電極１７ａ〜１７ｈだけが図示されている。
【００３５】
外周枠支持層２０ａ〜２０ｄは、図１に示された外周枠支持層２０を構成している要素であり、圧電基板１１の主面のうち、ＩＤＴ電極１２が設けられた領域の周囲を矩形形状に囲んでいる。なお、圧電基板１１の主面のうち、図中の３つの破線枠で囲まれた領域１１ａ〜１１ｃは、それぞれ、弾性表面波装置１０がデュプレクサである場合における受信フィルタ、受信フィルタと送信フィルタとの間に位置する中間領域、送信フィルタに対応する。
【００３６】
仕切り支持層２１ａ〜２１ｇは、図２Ｂに示された仕切り支持層２１に対応する具体例であり、圧電基板１１の主面のうち、外周枠支持層２０で囲まれた領域に立設され、圧電基板１１を平面視したときに、圧電基板の主面に平行な第１の向き（Ｘ軸の正方向）に直線状に延在し、かつ、圧電基板１１の主面に平行で第１の向き（Ｘ軸の正方向）と直交する第２の向き（Ｙ軸の正方向）に並ぶ複数の仕切り支持層である。言い換えると、仕切り支持層２１ａ〜２１ｇは、いずれも、第１の向き（Ｘ軸の正方向）に直線状に延在する。つまり、仕切り支持層２１ａ〜２１ｇとして、互いに平行する仕切り支持層だけが配置されている。
【００３７】
ただし、仕切り支持層２１ａ〜２１ｇの並びにおいて隣接するもの同士のＹ軸方向における間隔、及び、仕切り支持層２１ａ〜２１ｇそれぞれのＹ軸方向における幅については、均一ではない。例えば、仕切り支持層２１ａ〜２１ｇにおける隣接する２つの仕切り支持層の間隔のうち、仕切り支持層２１ｃと仕切り支持層２１ｄとの間隔が最も広く、第１仕切り支持層２１ｆと第２仕切り支持層２１ｇとの間隔が最も狭い。また、仕切り支持層２１ａ〜２１ｇの幅については、仕切り支持層２１ａ及び仕切り支持層２１ｄの幅が同一で最も大きく、仕切り支持層２１ｂ、仕切り支持層２１ｃ、第１仕切り支持層２１ｆ及び第２仕切り支持層２１ｇの幅が同一で最も小さい。これは、ＩＤＴ電極１２が設けられていない領域の大きさ及び位置による制約や、耐モールドとしての補強強度を中空空間においてできるだけ均一に分散させるため等を考慮して決定される。
【００３８】
なお、本実施の形態では、仕切り支持層２１ａ〜２１ｇは、いずれも、外周枠支持層２０ａ〜２０ｄに達しない（接触しない）ように配置されている。これは、中空空間１９を一つの空間にしておくことで、内圧を均一化させるためである。
【００３９】
ここで、特徴的なことは、これら複数の仕切り支持層２１ａ〜２１ｇには、複数の仕切り支持層２１ａ〜２１ｇの並びにおいて隣接し、かつ、以下の特徴を有する第１仕切り支持層２１ｆ及び第２仕切り支持層２１ｇが含まれることである。
【００４０】
その特徴は、圧電基板１１を平面視した状態で第１仕切り支持層２１ｆ及び第２仕切り支持層２１ｇの第１の向き（Ｘ軸の正方向）における端部を一端とし、第１の向きと反対側（Ｘ軸の負方向）の端部を他端としたときに、次の２つの関係が成り立つことである。
（１）第１仕切り支持層２１ｆの一端２１ｆｒから一端２１ｆｒに最も近い外周枠支持層２０ｄまでの距離が第１仕切り支持層２１ｆの他端２１ｆｌから他端２１ｆｌに最も近い外周枠支持層２０ｂまでの距離よりも小さく、かつ、
（２）第２仕切り支持層２１ｇの一端２１ｇｒから一端２１ｇｒに最も近い外周枠支持層２０ｄまでの距離が第２仕切り支持層２１ｇの他端２１ｇｌから他端２１ｇｌに最も近い外周枠支持層２０ｂまでの距離よりも大きい。
【００４１】
上記２つの関係は、第１仕切り支持層２１ｆ及び第２仕切り支持層２１ｇが、上述した参考例に係るクランク形状の仕切り支持層２２ｃからクランク部の縦部分（Ｙ軸方向に延在する部分）だけを除去した構造を有する（オフセット配置されている）ことを意味する。これにより、クランク形状の仕切り支持層２２ｃがもっていた耐モールド性を略維持した状態で、かつ、複数の仕切り支持層２１ａ〜２１ｇが、いずれも、同一の方向（第１の方向）に延在することとなる。よって、外周枠支持層２０ａ〜２０ｄ及び仕切り支持層２１ａ〜２１ｇの上に樹脂製等のカバー層１６を貼り付けた際に、カバー層１６にしわ寄りが生じて仕切り支持層のいずれかがカバー層１６に突き刺さってしまうという不具合の発生が抑制される。その結果、カバー層１６に局所的に薄い箇所が発生してしまうことが抑制され、カバー層１６がもつ均一な厚みを維持した状態で、外周枠支持層２０ａ〜２０ｄ及び仕切り支持層２１ａ〜２１ｇの上にカバー層１６が貼り付けられ、耐モールド性、ラミネート性、及び信頼性が確保される。さらに、参考例に係るクランク形状の仕切り支持層２２ｃからクランク部の縦部分（第２の方向に延在する部分）が除去されているので、その分だけ、圧電基板１１上に設けるＩＤＴ電極１２の領域（電極設計エリア）が広くなる。
【００４２】
また、第１仕切り支持層２１ｆ及び第２仕切り支持層２１ｇは、圧電基板１１を平面視したときに、中空空間１９を２分するように長く延在するのではなく、より短くて済む（本実施の形態では、中空空間１９のＸ軸方向における長さの約半分の長さで済む）ので、圧電基板１１上に設けるＩＤＴ電極１２の領域を狭めてしまうことが抑制される。
【００４３】
図４は、本実施の形態における弾性表面波装置１０の製造工程を示す図である。
【００４４】
まず、図４の（ａ）に示されるように、圧電基板１１の主面に、フォトリソグラフィ技術を用いて、真空蒸着法により、ＩＤＴ電極１２、配線パターン１２ａ及び端子電極１３を形成した後に、同様の方法により、端子電極１３上に配線電極１４を形成し、その後、フォトリソグラフィ技術を用いて、スパッタリング等により、圧電基板１１の主面、ＩＤＴ電極１２及び配線パターン１２ａを覆う保護膜１５を形成する。
【００４５】
次に、図４の（ｂ）に示されるように、フォトリソグラフィ技術を用いて、圧電基板１１の主面のうちＩＤＴ電極１２が設けられた領域を除く領域上に立設されるように、支持層（外周枠支持層２０及び仕切り支持層２１）を成膜する。このとき、支持層の高さがＩＤＴ電極１２の高さよりも高くなるまで成膜する。
【００４６】
次に、図４の（ｃ）に示されるように、ロール状に巻かれたカバー層１６を支持層（外周枠支持層２０及び仕切り支持層２１）の上に貼り付けて圧着する。例えば、図３に示された構造の場合には、第２の向き（Ｙ軸の正方向）に、外周枠支持層２０ａ、仕切り支持層２１ａ、仕切り支持層２１ｂ、仕切り支持層２１ｃ、仕切り支持層２１ｄ、第１仕切り支持層２１ｆ、第２仕切り支持層２１ｇ、仕切り支持層２１ｅ、外周枠支持層２０ｃにカバー層１６が接するように、カバー層１６を貼り付けて圧着していく。ここで、カバー層１６を第１仕切り支持層２１ｆ及び第１仕切り支持層２１ｇに貼り付ける際に、第１仕切り支持層２１ｆ及び第１仕切り支持層２１ｇは、参考例に係るクランク形状の仕切り支持層２２ｃからクランク部の縦部分（Ｙ軸方向に延在する部分）だけを除去した構造を有する（オフセット配置されている）ので、カバー層１６にしわ寄りが生じて仕切り支持層のいずれかがカバー層に突き刺さってしまうという不具合の発生が抑制される。
【００４７】
次に、図４の（ｄ）に示されるように、レーザー照射等により、カバー層１６及び外周枠支持層２０の一部を除去することでスルーホール１７ｉを形成し、配線電極１４を露出させる。
【００４８】
次に、図４の（ｅ）に示されるように、電解めっき等により、スルーホール１７ｉを充填する柱状電極１７を形成する。
【００４９】
最後に、図４の（ｆ）に示されるように、圧着等により、柱状電極１７の上に、半田バンプ１８を接合する。
【００５０】
なお、以上の工程は、複数の弾性表面波装置１０を同時に製造するために、圧電基板の母材上で行われ、最後に、ダイシングカット等によって、個々の弾性表面波装置１０に分離される。
【００５１】
このような工程によって、本実施の形態におけるＷＬＰタイプの弾性表面波装置１０が製造される。
【００５２】
以上のように製造された本実施の形態における弾性表面波装置１０は、次の特徴を有する。つまり、弾性表面波装置１０は、圧電基板１１と、圧電基板１１の主面に設けられ、弾性表面波を励振するＩＤＴ電極１２と、圧電基板１１の主面のうちＩＤＴ電極１２が設けられた領域を除く領域上に立設されＩＤＴ電極１２の高さよりも高い支持層（外周枠支持層２０及び仕切り支持層２１）と、支持層上に配置され中空空間１９を介してＩＤＴ電極１２を覆うカバー層１６とを備える。そして、支持層は、圧電基板１１の主面のうちＩＤＴ電極１２が設けられた領域の周囲に立設された外周枠支持層２０ａ〜２０ｄと、圧電基板１１の主面のうち外周枠支持層２０ａ〜２０ｄで囲まれた領域に立設され、圧電基板１１を平面視したときに圧電基板１１の主面に平行な第１の向き（Ｘ軸の正方向）に直線状に延在しかつ圧電基板１１の主面に平行で第１の向き（Ｘ軸の正方向）と直交する第２の向き（Ｙ軸の正方向）に並ぶ複数の仕切り支持層２１ａ〜２１ｇとを含む。複数の仕切り支持層２１ａ〜２１ｇには、複数の仕切り支持層２１ａ〜２１ｇの並びにおいて隣接し、かつ、以下の特徴を有する第１仕切り支持層２１ｆ及び第２仕切り支持層２１ｇが含まれる。その特徴は、圧電基板１１を平面視した状態で第１仕切り支持層２１ｆ及び第２仕切り支持層２１ｇの第１の向き（Ｘ軸の正方向）における端部を一端とし、第１の向き（Ｘ軸の正方向）と反対側の端部を他端としたときに、（１）第１仕切り支持層２１ｆの一端２１ｆｒから一端２１ｆｒに最も近い外周枠支持層２０ｄまでの距離が第１仕切り支持層２１ｆの他端２１ｆｌから他端２１ｆｌに最も近い外周枠支持層２０ｂまでの距離よりも小さく、かつ、（２）第２仕切り支持層２１ｇの一端２１ｇｒから一端２１ｇｒに最も近い外周枠支持層２０ｄまでの距離が第２仕切り支持層２１ｇの他端２１ｇｌから他端２１ｇｌに最も近い外周枠支持層２０ｂまでの距離よりも大きいことである。
【００５３】
これにより、第１仕切り支持層２１ｆ及び第１仕切り支持層２１ｇは、参考例に係るクランク形状の仕切り支持層２２ｃからクランク部の縦部分（Ｙ軸方向に延在する部分）だけを除去した構造を有する（オフセット配置されている）ので、クランク形状の仕切り支持層がもっていた耐モールド性を略維持した状態で、かつ、複数の仕切り支持層２１ａ〜２１ｇが、いずれも、同一の方向（第１の方向）に延在することとなる。よって、外周枠支持層２０ａ〜２０ｄ及び仕切り支持層２１ａ〜２１ｇの上に樹脂製等のカバー層１６を貼り付けた際に、カバー層１６にしわ寄りが生じて仕切り支持層のいずれかがカバー層１６に突き刺さってしまうという不具合が抑制される。その結果、カバー層１６に局所的に薄い箇所が発生してしまうことが抑制され、カバー層１６がもつ均一な厚みを維持した状態で、外周枠支持層２０ａ〜２０ｄ及び仕切り支持層２１ａ〜２１ｇの上にカバー層１６が貼り付けられ、トランスファーモールド等の樹脂モールドにおける耐モールド性、ラミネート性、及び信頼性が確保される。さらに、参考例に係るクランク形状の仕切り支持層２２ｃからクランク部の縦部分（第２の方向に延在する部分）が除去されているので、その分だけ、圧電基板１１上に設けるＩＤＴ電極１２の領域（電極設計エリア）が広くなる。
【００５４】
また、第１仕切り支持層２１ｆ及び第２仕切り支持層２１ｇは、圧電基板１１を平面視したときに、中空空間１９を２分するように長く延在するのではなく、より短くて済む（本実施の形態では、中空空間１９のＸ軸方向における長さの約半分の長さで済む）ので、圧電基板１１上に設けるＩＤＴ電極１２の領域を狭めてしまうことが抑制される。
【００５５】
なお、図３に示されるレイアウトでは、第２の向き（Ｙ軸の正方向）に見たときに、第１仕切り支持層２１ｆの他端２１ｆｌと、第２仕切り支持層２１ｇの一端２１ｇｒとが、Ｘ軸方向における同じ位置まで延びていたが、第１仕切り支持層２１ｆ及び第２仕切り支持層２１ｇの第１の向き（Ｘ軸の正方向）における位置関係は、これに限られない。
【００５６】
図５は、本実施の形態における弾性表面波装置１０が有する第１仕切り支持層２１ｆ及び第２仕切り支持層２１ｇの位置関係の例を示す図である。
【００５７】
図５の（ａ）では、第１仕切り支持層２１ｆ及び第２仕切り支持層２１ｇは、第２の向き（Ｙ軸の正方向）に見たときに、Ｘ軸方向に重なる領域を有する。これにより、第１仕切り支持層２１ｆ及び第２仕切り支持層２１ｇは、第２の向き（Ｙ軸の正方向）に見たときに、Ｘ軸方向に重なる領域を有するので、重なる領域を有さない場合に比べ、より耐モールド性が増す。
【００５８】
なお、重なる領域の第１の向き（Ｘ軸の正方向）における長さ（重なり幅）は、３０μｍ以下であるのが好ましい。重なる領域が大きすぎる場合には、圧電基板１１上に設けるＩＤＴ電極１２の領域を狭めてしまうからである。
【００５９】
また、図５の（ｂ）では、第１仕切り支持層２１ｆ及び第２仕切り支持層２１ｇは、第２の向き（Ｙ軸の正方向）に見たときに、第１仕切り支持層２１ｆの他端２１ｆｌと、第２仕切り支持層２１ｇの一端２１ｇｒとがＸ軸方向の同じ位置まで延びている。このレイアウトは、図３に示されるものと同じである。
【００６０】
また、図５の（ｃ）では、第１仕切り支持層２１ｆ及び第２仕切り支持層２１ｇは、第２の向き（Ｙ軸の正方向）に見たときに、第１の向き（Ｘ軸の正方向）に、所定の距離だけ離れている。これにより、第１仕切り支持層２１ｆ及び第２仕切り支持層２１ｇは、第２の向き（Ｙ軸の正方向）に見たときに、Ｘ軸方向に所定の距離だけ離されているので、第１仕切り支持層２１ｆ及び第２仕切り支持層２１ｇが離れていない場合に比べ、圧電基板１１上に設けるＩＤＴ電極１２の領域がより広く確保される。
【００６１】
なお、所定の距離は、３０μｍ以下であるのが好ましい。所定の距離が大きすぎる場合には、耐モールド性が確保されなくなってしまうからである。
【００６２】
なお、本発明に係る弾性表面波装置として、実施の形態で説明した構造に限られず、露出した柱状電極１７を有する弾性表面波装置であってもよい。図６は、本実施の形態の変形例に係る弾性表面波装置１０ａの断面図である。この弾性表面波装置１０ａでは、柱状電極１７が露出し、柱状電極１７上には半田バンプが設けられていない。このような構造を有する弾性表面波装置１０ａであっても、上記実施の形態と同様の第１仕切り支持層２１ｆ及び第２仕切り支持層２１ｇを設けることで、上記実施の形態と同様の効果が得られる。また、このような構造を有する弾性表面波装置１０ａであれば、柱状電極１７の露出部には外周枠支持層２０及びカバー層１６が設けられないため、弾性表面波装置１０ａの小型化が可能となる。また、柱状電極１７上に半田バンプが設けられないため、弾性表面波装置１０ａのさらなる低背化が可能となる。さらに、弾性表面波装置１０ａを実装する場合に、柱状電極１７の上面だけでなく側面をも介して実装基板などに接続できるため、実装強度を向上させることができる。
【００６３】
以上、本発明に係る弾性表面波装置について、実施の形態及び変形例に基づいて説明したが、本発明は、これらの実施の形態及び変形例に限定されない。本発明の主旨を逸脱しない限り、当業者が思いつく各種変形を実施の形態及び変形例に施したものや、実施の形態及び変形例における一部の構成要素を組み合わせて構築される別の形態も、本発明の範囲内に含まれる。
【００６４】
例えば、上記実施の形態等では、図３に示されるように、上記特徴（１）及び（２）をもつ第１仕切り支持層２１ｆ及び第２仕切り支持層２１ｇは、弾性表面波装置内に１対だけ設けられたが、２対以上設けられてもよい。
【００６５】
また、上記実施の形態等では、第２の向き（Ｙ軸の正方向）に、第１仕切り支持層２１ｆ、第２仕切り支持層２１ｇの順に並んでいたが、逆の順（第２仕切り支持層２１ｇ、第１仕切り支持層２１ｆ）に並んでいてもよい。
【００６６】
また、上記実施の形態等では、第１仕切り支持層２１ｆ及び第２仕切り支持層２１ｇは、送信フィルタが形成される領域１１ｃに配置されたが、この位置に限定されることなく、受信フィルタが形成される領域１１ａ、あるいは、中間領域に対応する領域１１ｂに配置されてもよい。
【００６７】
また、上記実施の形態等では、第１仕切り支持層２１ｆ及び第２仕切り支持層２１ｇは、外周枠支持層２０から中空空間１９のＸ軸方向における略中央まで延在していたが、このような配置に限定されない。第１仕切り支持層２１ｆ及び第２仕切り支持層２１ｇが、中空空間１９のＸ軸方向における中央よりも外周枠支持層２０に近い位置（例えば、中空空間１９のＸ軸方向の大きさの略１／４だけ外周枠支持層２０から離れた位置）まで延在してもよい。
【００６８】
また、上記実施の形態等では、仕切り支持層２１ａ〜２１ｇは、いずれも、外周枠支持層２０ａ〜２０ｄに達しない（接触しない）ように配置されていたが、これに限定されない。仕切り支持層２１ａ〜２１ｇの少なくとも一つの一端及び／又は他端が外周枠支持層２０ａ〜２０ｄに達して（接触して）いてもよい。
【００６９】
また、上記実施の形態等では、図３において、弾性表面波装置１０がデュプレクサである場合における仕切り支持層２１ａ〜２１ｇのレイアウトが示されたが、弾性表面波装置１０は、デュプレクサに限定されず、ＷＬＰタイプのＳＡＷデバイスであれば、任意のタイプのフィルタであってもよい。
【産業上の利用可能性】
【００７０】
本発明は、ＷＬＰタイプの弾性表面波装置として、特に、耐モールド性、ラミネート性、及び信頼性に優れた弾性表面波装置として、例えば、携帯情報端末における無線モジュールを構成する弾性表面波装置として、利用できる。
【符号の説明】
【００７１】
１０、１０ａ  弾性表面波装置
１１  圧電基板
１２  ＩＤＴ電極
１２ａ  配線パターン
１３  端子電極
１４  配線電極
１５  保護膜
１６  カバー層
１７、１７ａ〜１７ｈ  柱状電極
１７ｉ  スルーホール
１８、１８ａ〜１８ｈ  半田バンプ
１９  中空空間
２０、２０ａ〜２０ｄ  外周枠支持層
２１、２１ａ〜２１ｅ  仕切り支持層
２１ｆ  仕切り支持層（第１仕切り支持層）
２１ｇ  仕切り支持層（第２仕切り支持層）
２２ａ〜２１ｃ  仕切り支持層
【図１】
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【図２Ａ】
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【図２Ｂ】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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