(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
共振器幅方向に平行な第１ライン及び共振器長方向に平行な第２ラインに沿って半導体ウエハを分割することにより、複数の半導体レーザ素子を得る製造方法であって、
前記半導体ウエハを準備する工程と、
前記半導体ウエハの一方の主面側に、前記第２ラインに沿って延びる溝部を形成すると共に、前記溝部の底面に前記第２ラインに沿って第１凹凸パターンを形成する工程と、
前記第１凹凸パターンの少なくとも一部を保護膜で被覆することにより前記第２ラインに沿った第２凹凸パターンを形成する工程と、
前記半導体ウエハを、前記第１ラインに沿って分割すると共に、前記半導体ウエハの他方の主面側を起点とし前記第２ラインに沿って第２凹凸パターン上を分割する工程と、を有し、
前記第２凹凸パターンを形成する工程において、
前記第２凹凸パターンは、上面と、前記上面よりも低い位置にある底面とを有し、
前記第２凹凸パターンの底面の前記第２ラインに沿う方向の長さは、前記第２凹凸パターンの底面から前記半導体ウエハの一方の主面側の表面までの高さよりも小さく、
前記第２凹凸パターンの上面の前記第２ラインに沿う方向の長さは、前記第２凹凸パターンの上面から前記半導体ウエハの一方の主面側の表面までの高さよりも小さいものとすることを特徴とする半導体レーザ素子の製造方法。
【請求項２】
前記第２凹凸パターンは、前記第１凹凸パターンの全域を前記保護膜で被覆することにより形成することを特徴とする請求項１に記載の半導体レーザ素子の製造方法。
【請求項３】
前記第２凹凸パターンは、前記第１凹凸パターンの上面又は底面を前記保護膜で被覆することにより形成することを特徴とする請求項１に記載の半導体レーザ素子の製造方法。
【請求項４】
前記第２凹凸パターンは、前記第１凹凸パターンの底面にレジストを形成し、第１凹凸パターン全域に前記保護膜を形成し、リフトオフによって前記レジスト及び前記レジスト上に形成された前記保護膜を除去することで形成する請求項３に記載の半導体レーザ素子の製造方法。
【請求項５】
共振器幅方向に平行な第１ライン及び共振器長方向に平行な第２ラインに沿って半導体ウエハを分割することにより、複数の半導体レーザ素子を得る製造方法であって、
前記半導体ウエハを準備する工程と、
前記半導体ウエハの一方の主面側に、前記第２ラインに沿って延びる溝部を形成する工程と、
前記溝部の底面に保護膜を形成する工程と、
前記溝部の底面において、前記第２ラインに沿って前記保護膜の一部を除去することにより凹凸パターンを形成する工程と、
前記半導体ウエハを、前記第１ラインに沿って分割すると共に、前記半導体ウエハの他方の主面側を起点とし前記第２ラインに沿って前記凹凸パターン上を分割する工程と、を有し、
前記凹凸パターンを形成する工程において、
前記凹凸パターンは、上面と、前記上面よりも低い位置にある底面とを有し、
前記凹凸パターンの底面の第２ラインに沿う方向の長さは、前記凹凸パターンの底面から前記半導体ウエハの一方の主面側の表面までの高さよりも小さく、
前記凹凸パターンの上面の第２ラインに沿う方向の長さは、前記凹凸パターンの上面から前記半導体ウエハの一方の主面側の表面までの高さよりも小さいものとすることを特徴とする半導体レーザ素子の製造方法。
【請求項６】
前記凹凸パターンを形成する工程は、エッチングによって行われることを特徴とする請求項５に記載の半導体レーザ素子の製造方法。
【請求項７】
前記基板は、ＧａＮ基板であることを特徴とする請求項１〜６にいずれか１項に記載の半導体レーザ素子の製造方法。
【請求項８】
請求項１〜７に記載の半導体レーザ素子の製造方法で得られる半導体レーザ素子を支持部材に実装する工程を有し、
前記半導体レーザ素子の前記溝部の片割れである段差部が形成される側を前記支持部材に接着部材を介して固定することを特徴とする半導体レーザ装置の製造方法。
【請求項９】
共振器を有する半導体構造を有する半導体レーザ素子であって、
前記半導体構造における前記共振器幅方向の端部に、前記共振器長に沿って延びる段差部と、前記段差部の底面において前記共振器長方向に延びる第１凹凸パターンと、が設けられ、
前記第１凹凸パターンの上面、底面又は全域に配置された保護膜により第２凹凸パターンが設けられており、
前記第２凹凸パターンは、上面と、前記上面よりも低い位置にある底面とを有し、
前記第２凹凸パターンの底面の前記共振器長方向に延びる方向の長さは、前記第２凹凸パターンの底面から前記半導体構造の一方の主面側の表面までの高さよりも小さく、
前記第２凹凸パターンの上面の前記共振器長方向に延びる方向の長さは、前記第２凹凸パターンの上面から前記半導体構造の一方の主面側の表面までの高さよりも小さいことを特徴とする半導体レーザ素子。  
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体レーザ素子及びその製造方法、並びに半導体レーザ装置の製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
半導体ウエハを分割する従来技術として、特許文献１には、基板の下面に、ストライプ電極と平行する方向に延びる溝を形成し、溝に沿って刃を当て力を加えることで半導体ウエハを分割することが開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
特開平１０−７０３３５
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
このような分割方法の場合、半導体ウエハの分断は、基板の下面に形成された溝を起点にして裂けが始まり、基板の下面から半導体構造の上面に向かって裂けが進行する。そして、半導体構造の上面側で半導体ウエハが完全に分断される。半導体ウエハが完全に分断される際、半導体ウエハが完全に分断される個所でストライプ電極と平行な方向に沿って半導体構造が欠けることによってバリが発生する場合がある。このようなバリは、一方の端部のみが半導体構造と繋がり、残りの部分が半導体構造から切り離れた状態となっている。バリの長さが所定以上であると、例えば、半導体ウエハの分割によって得られた半導体レーザ素子における半導体構造の上面側が支持部材と対面し、半導体レーザ素子が支持部材の表面に設けられた金属膜に接着部材を介して固定する半導体レーザ装置を作製すると、金属膜や接着部材にバリが接触し、短絡する恐れがある。このような短絡が発生すると半導体レーザ装置の信頼性の低下を招いてしまう。
【０００５】
本発明は、上記課題を解決するためになされたものであり、短絡の発生を抑制し信頼性の高い半導体レーザ素子の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の一態様に係る半導体レーザ素子の製造方法は、共振器幅方向に平行な第１ライン及び共振器長方向に平行な第２ラインに沿って半導体ウエハを分割することにより、複数の半導体レーザ素子を得る製造方法であって、半導体ウエハを準備する工程と、半導体ウエハの一方の主面側に、第２ラインに沿って延びる溝部を形成すると共に、溝部の底面に第２ラインに沿って第１凹凸パターンを形成する工程と、第１凹凸パターンの少なくとも一部に保護膜を被覆することにより第２ラインに沿った第２凹凸パターンを形成する工程と、半導体ウエハを、第１ラインに沿って分割すると共に、半導体ウエハの他方の主面側を起点とし第２ラインに沿って分割する工程と、を有する。
【０００７】
本発明の一態様に係る半導体レーザ素子の製造方法は、共振器幅方向に平行な第１ライン及び共振器長方向に平行な第２ラインに沿って半導体ウエハを分割することにより、複数の半導体レーザ素子を得る製造方法であって、半導体ウエハを準備する工程と、半導体ウエハの一方の主面側に、第２ラインに沿って延びる溝部を形成する工程と、溝部の底面に保護膜を形成する工程と、溝部の底面において第２ラインに沿って保護膜の一部を除去することにより凹凸パターンを形成する工程と、半導体ウエハを、第１ラインに沿って分割すると共に、半導体ウエハの他方の主面側を起点とし第２ラインに沿って分割する工程と、を有する。
【０００８】
本発明の一態様に係る半導体レーザ素子は、共振器を有する半導体構造を有する。そして、半導体構造における共振器幅方向の端部に、共振器長に沿って延びる段差部と、段差部の底面において共振器長方向に延びる第１凹凸パターンと、が設けられ、第１凹凸パターンの上面、底面又は全域に保護膜が形成されることにより第２凹凸パターンが設けられている。
【発明の効果】
【０００９】
本発明によれば、バリによる短絡の可能性が低減され、信頼性が高められた半導体レーザ素子を製造することができる。また、バリによる短絡の可能性が低減され、信頼性が高められた半導体レーザ素子を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】第１実施形態に係る半導体レーザ素子の製造方法を説明するための図であり、図１（ａ）は平面図であり、図１（ｂ）は図１（ａ）のＡ−Ａ線の断面を示す断面図である。
【図２】第１実施形態に係る半導体レーザ素子の製造方法を説明するための図であり、図２（ａ）は平面図であり、図２（ｂ）は図２（ａ）のＡ−Ａ線の断面を示す断面図である。
【図３】第１実施形態に係る半導体レーザ素子の製造方法を説明するための図であり、図３（ａ）は平面図であり、図３（ｂ）は図３（ａ）のＡ−Ａ線の断面を示す断面図であり、図３（ｃ）は図３（ａ）のＢ−Ｂ線の断面を示す断面図である。
【図４】第１実施形態に係る半導体レーザ素子の製造方法を説明するための図であり、図４（ａ）は平面図であり、図４（ｂ）は図４（ａ）のＡ−Ａ線の断面を示す断面図であり、図４（ｃ）は図４（ａ）のＢ−Ｂ線の断面を示す断面図である。
【図５】第１実施形態に係る半導体レーザ素子の製造方法を説明するための図であり、図５（ａ）は平面図であり、図５（ｂ）は図５（ａ）のＡ−Ａ線の断面を示す断面図であり、図５（ｃ）は図５（ａ）のＢ−Ｂ線の断面を示す断面図である。
【図６】第１実施形態に係る半導体レーザ素子の製造方法を説明するための図であり、図６（ａ）は平面図であり、図６（ｂ）は図６（ａ）のＡ−Ａ線の断面を示す断面図であり、図６（ｃ）は図６（ａ）のＢ−Ｂ線の断面を示す断面図であり、図６（ｄ）は図６（ｃ）の拡大図である。
【図７】第１実施形態に係る半導体レーザ素子の製造方法を説明するための平面図である。
【図８】第１実施形態に係る半導体レーザ素子の製造方法を説明するための図であり、図８（ａ）は平面図であり、図８（ｂ）は図８（ａ）のＡ−Ａ線の断面を示す断面図であり、図８（ｃ）は図８（ａ）のＢ−Ｂ線の断面を示す断面図である。
【図９】第１実施形態に係る半導体レーザ素子の製造方法を説明するための図であり、図９（ａ）は平面図であり、図９（ｂ）は図９（ａ）のＡ−Ａ線の断面を示す断面図である。
【図１０】第１実施形態に係る半導体レーザ素子を斜めから見た斜視図である。
【図１１】第１実施形態に係る半導体レーザ装置の製造方法を説明するための図であり、半導体レーザ装置を共振器端面側の側面から見た側面図である。
【図１２】第２実施形態に係る半導体レーザ素子の製造方法を説明するための図であり、図１２（ａ）は平面図であり、図１２（ｂ）は図１２（ａ）のＡ−Ａ線の断面を示す断面図であり、図１２（ｃ）は図１２（ａ）のＢ−Ｂ線の断面を示す断面図である。
【図１３】第２実施形態に係る半導体レーザ素子の製造方法を説明するための図であり、図１３（ａ）は平面図であり、図１３（ｂ）は図１３（ａ）のＡ−Ａ線の断面を示す断面図であり、図１３（ｃ）は図１３（ａ）のＢ−Ｂ線の断面を示す断面図である。
【図１４】第２実施形態に係る半導体レーザ素子の製造方法を説明するための図であり、図１４（ａ）は平面図であり、図１４（ｂ）は図１４（ａ）のＡ−Ａ線の断面を示す断面図であり、図１４（ｃ）は図１４（ａ）のＢ−Ｂ線の断面を示す断面図であり、図１４（ｄ）は図１４（ｃ）の拡大図である。
【図１５】第３実施形態に係る半導体レーザ素子の製造方法を説明するための図であり、図１５（ａ）は平面図であり、図１５（ｂ）は図１５（ａ）のＡ−Ａ線の断面を示す断面図であり、図１５（ｃ）は図１５（ａ）のＢ−Ｂ線の断面を示す断面図である。
【図１６】第３実施形態に係る半導体レーザ素子の製造方法を説明するための図であり、図１６（ａ）は平面図であり、図１６（ｂ）は図１６（ａ）のＡ−Ａ線の断面を示す断面図であり、図１６（ｃ）は図１６（ａ）のＢ−Ｂ線の断面を示す断面図である。
【図１７】第３実施形態に係る半導体レーザ素子の製造方法を説明するための図であり、図１７（ａ）は平面図であり、図１７（ｂ）は図１７（ａ）のＡ−Ａ線の断面を示す断面図であり、図１７（ｃ）は図１７（ａ）のＢ−Ｂ線の断面を示す断面図であり、図１７（ｄ）は図１７（ｃ）の拡大図である。
【図１８】第４実施形態に係る半導体レーザ素子の製造方法を説明するための図であり、図１８（ａ）は平面図であり、図１８（ｂ）は図１８（ａ）のＡ−Ａ線の断面を示す断面図であり、図１８（ｃ）は図１８（ａ）のＢ−Ｂ線の断面を示す断面図である。
【図１９】第４実施形態に係る半導体レーザ素子の製造方法を説明するための図であり、図１９（ａ）は平面図であり、図１９（ｂ）は図１９（ａ）のＡ−Ａ線の断面を示す断面図であり、図１９（ｃ）は図１９（ａ）のＢ−Ｂ線の断面を示す断面図である。
【図２０】第４実施形態に係る半導体レーザ素子の製造方法を説明するための図であり、図２０（ａ）は平面図であり、図２０（ｂ）は図２０（ａ）のＡ−Ａ線の断面を示す断面図であり、図２０（ｃ）は図２０（ａ）のＢ−Ｂ線の断面を示す断面図である。
【図２１】第４実施形態に係る半導体レーザ素子の製造方法を説明するための図であり、図２１（ａ）は平面図であり、図２１（ｂ）は図２１（ａ）のＡ−Ａ線の断面を示す断面図であり、図２１（ｃ）は図２１（ａ）のＢ−Ｂ線の断面を示す断面図である。
【図２２】第４実施形態に係る半導体レーザ素子の製造方法を説明するための図であり、図２２（ａ）は平面図であり、図２２（ｂ）は図２２（ａ）のＢ−Ｂ線の断面を示す断面図であり、図２２（ｃ）は図２２（ａ）のＢ−Ｂ線の断面を示す断面図であり、図２２（ｄ）は、図２２（ｃ）の拡大図である。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
以下、図面を参照しながら、本実施形態に係る半導体レーザ素子及びその製造方法について説明する。ただし、以下に示す形態は、本発明の技術思想を具体化するためのものであって、本発明を以下のものに特定しない。各図面が示す部材のサイズや位置関係等は、説明を明確にするため誇張していることがある。さらに以下の説明において、同一の名称、符号については、原則として同一もしくは同質の部材を示しており、詳細説明を適宜省略する。また、理解を容易にするために、平面図においてもハッチングを使用する場合がある。
【００１２】
［第１実施形態］
第１実施形態に係る半導体レーザ素子１０００の製造方法について、図１〜図９を参照して説明する。第１実施形態に係る方法によって得られた半導体レーザ素子１０００について、図１０を参照して説明する。また、第１実施形態に係る半導体レーザ装置１００００の製造方法について、図１１を参照して説明する。
【００１３】
第１実施形態に係る半導体レーザ素子１０００の製造方法は、共振器２６幅方向に平行な第１ライン７５及び共振器２６長方向に平行な第２ライン７６に沿って半導体ウエハ１００を分割することにより複数の半導体レーザ素子１０００を得る製造方法であって、半導体ウエハ１００を準備する工程と、半導体ウエハ１００の一方の主面１００ａ側に第２ライン７６に沿って延びる溝部２５を形成すると共に溝部２５の底面に第２ライン７６に沿って第１凹凸パターン３０を形成する工程と、第１凹凸パターン３０の少なくとも一部に保護膜４０を被覆することにより第２ライン７６に沿った第２凹凸パターン５０を形成する工程と、半導体ウエハ１００を、第１ライン７５に沿って分割すると共に、半導体ウエハ１００の他方の主面１００ｂ側を起点とし第２ライン７６に沿って分割する工程と、を有する。
【００１４】
半導体ウエハ１００を第２ライン７６に沿って分割すると、半導体ウエハ１００が半導体ウエハ１００の他方の主面１００ｂ側から一方の主面１００ａ側に向かって割断されていき、半導体ウエハ１００の一方の主面１００ａ側に位置する溝部２５の底面で完全に分断される。溝部２５の底面及び保護膜４０の上面が平坦であると、半導体ウエハ１００が完全に分断される際に、完全に分断される箇所において半導体構造２０及び保護膜４０が部分的に欠けることで細長いバリが発生してしまう。そこで、本実施形態に係る半導体レーザ素子１０００の製造方法では、完全に分断される箇所に、第１凹凸パターン３０及び第２凹凸パターン５０を形成する。これにより、バリが発生しても第２凹凸パターン５０の上面５０ａ及び／又は底面５０ｂの長さで分断されるため、バリの長さが短くなるように制御することができる。バリの長さを短く制御できることで、例えば、半導体ウエハの分割によって得られた半導体レーザ素子における半導体構造の上面側（リッジ部が形成された側）が支持部材と対面し、半導体レーザ素子が支持部材の表面に設けられた金属膜に導電性材料からなる接着部材を介して固定する半導体レーザ装置を作製しても、金属膜や接着部材にバリが接触せず、短絡する可能性が低減する。このように短絡の発生を低減すると半導体レーザ装置の信頼性が向上する。
【００１５】
以下、本実施形態に係る半導体レーザ素子１０００の製造方法の各工程について説明する。
【００１６】
（半導体ウエハ１００を準備する工程）
本実施形態に係る半導体ウエハ１００は、図１に示すように、基板１０上に、ｎ側半導体層２１、活性層２２及びｐ側半導体層２３を基板１０側から順に形成した半導体構造２０が配置されたものを用いる。図１（ａ）は平面図であり、図１（ｂ）は図１（ａ）のＡ−Ａ線の断面を示す断面図である。本実施形態では、基板１０はＧａＮ基板、半導体構造２０の各層はＩｎｘＡｌｙＧａ１−ｘ−ｙＮ（０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１、０≦ｘ＋ｙ≦１）を用いる。また、ｎ側半導体層２１は、Ｓｉ等のｎ型不純物を含有するｎ型窒化物半導体層を有することができ、ｐ側半導体層２３は、Ｍｇ等のｐ型不純物を含有するｐ型窒化物半導体層を有することができる。
【００１７】
半導体構造２０及び基板１０は劈開可能な材料が好ましい。これにより、半導体ウエハ１００を劈開することで劈開面が形成されるため、その劈開面を半導体レーザ素子の共振器端面として用いることができる。基板１０が導電性材料である場合、分割時にバリによる短絡が発生する可能性が高くなるため、本発明に係る半導体レーザ素子の製造方法はバリによる短絡抑制対策として有効となる。
【００１８】
なお、ｎ側半導体層２１が基板１０を兼ねても良い。また、基板１０の材料をｎ側半導体層２１の材料と同じにすることもできる。
【００１９】
（溝部２５及び第１凹凸パターン３０を形成する工程）
図２〜図５に示すように、半導体ウエハ１００の一方の主面１００ａ側に、第２ライン７６に沿って延びる溝部２５を形成すると共に、溝部２５の底面に第２ライン７６に沿って第１凹凸パターン３０を形成する。図２（ａ）は平面図であり、図２（ｂ）は図２（ａ）のＡ−Ａ線の断面を示す断面図である。図３（ａ）は平面図であり、図３（ｂ）は図３（ａ）のＡ−Ａ線の断面を示す断面図であり、図３（ｃ）は図３（ａ）のＢ−Ｂ線の断面を示す断面図である。図４（ａ）は平面図であり、図４（ｂ）は図４（ａ）のＡ−Ａ線の断面を示す断面図であり、図４（ｃ）は図４（ａ）のＢ−Ｂ線の断面を示す断面図である。図５（ａ）は平面図であり、図５（ｂ）は図５（ａ）のＡ−Ａ線の断面を示す断面図であり、図５（ｃ）は図５（ａ）のＢ−Ｂ線の断面を示す断面図である。なお、図３〜図５においてＢ−Ｂ線は第２ライン７６と一致する。
【００２０】
溝部２５及び第１凹凸パターン３０を形成する工程の一例を以下に説明する。溝部３０を形成する工程としては、まず、半導体ウエハ１００の一方の主面１００ａの全域にマスク（例えば、ＳｉＯ２）を形成し、後に溝部となる領域のマスクを除去する。そして、残存するマスクをエッチング用マスクとして利用し、半導体ウエハ１００をｎ側半導体層２１が露出するまでエッチングした後、マスクを除去する。これにより、図２に示すように、第２ライン７６に沿って延びた溝部２５を形成することができる。
【００２１】
溝部２５を形成した後、第１凹凸パターン３０を形成する。第１凹凸パターン３０を形成する工程の一例を図３〜図５を用いて説明する。まず、図３に示すように、フォトリソグラフィー法によって、後にリッジ部２４となる領域及び後に第１凹凸パターン３０の上面３０ａとなる領域にマスク８１（例えば、ＳｉＯ２）を形成する。リッジ部２４は第２ライン７６と同じ方向に沿って長いストライプ状の凸部である。次に、図４に示すように、マスク８１をエッチング用マスクとし、エッチングにより半導体構造２０の一部を除去することによって半導体構造２０のｐ側半導体層２３の表面にリッジ部２４を形成し、溝部２５の底面に溝部２５の底面より高い突出部位を形成する。そして、図５に示すように、リッジ部２４上及び第１凹凸パターン３０の上面３０ａに存在するマスク８１を除去することで溝部２５の底面に第２ライン７６に沿った第１凹凸パターン３０を形成する。リッジ部２４を設けた領域が共振器となる。なお、第１凹凸パターン３０の上面３０ａのマスク８１は除去せず残しておいても良い。
【００２２】
＜溝部２５＞
溝部２５の形成によって、半導体ウエハ１００の厚みが小さくなるため第２ライン７６に沿う方向の分割精度を向上させることができることに加えて、後述する半導体レーザ装置１００００を作製した際、本実施形態においてバリが発生する箇所となる溝部２５の底面を金属膜３０００及び接着部材４０００から離間させることができ、バリが金属膜３０００及び／又は接着部材４０００に接触し、短絡する可能性を低減することができる。
【００２３】
溝部２５の深さは、その底面にｎ側半導体層２１が露出する深さでも良いし、基板１０が露出する深さでも良い。ただし、基板１０が露出するまで深くすると、溝部２５をエッチングによって形成する場合ではエッチング時間が増えてしまうことで生産性が低下するため、ｎ側半導体層２１が露出するまでエッチングし、基板１０が露出する前に止める方が良い。溝部２５の深さの数値としては、０．５μｍ〜５μｍが好ましく、より好ましくは１μｍ〜３．５μｍが良い。なお、溝部２５の深さとは、リッジ部２４を除くｐ側半導体層２３の上面から溝部２５の底面までの深さを指す。また、溝部２５の共振器幅方向の幅は、５０μｍ〜６００μｍが好ましい。これにより、第１ライン７５及び第２ライン７６に沿う分割を良好にできる。
【００２４】
溝部２５を形成する方法としては、例えば、ドライエッチング、ウェットエッチングが挙げられる。
【００２５】
＜第１凹凸パターン３０＞
第１凹凸パターン３０は、図５（ｂ）に示すように溝部２５の底面から上方に突出する突出部の上面に一致する“上面３０ａ”と、図５（ｃ）に示すように上面３０ａよりも低い（溝部２５の底面と同じ高さの）“底面３０ｂ”とが第２ライン７６に沿って繰り返し並んだパターンである。
【００２６】
第１凹凸パターン３０は、図５（ａ）に示すように、溝部２５の底面全体に連続して形成されるのが好ましい。これにより、バリが溝部２５の底面の何れかの箇所で発生しても、所望の長さより短いバリに制御することができる。
【００２７】
第１凹凸パターン３０の上面３０ａ及び底面３０ｂの第２ライン７６に沿う方向の長さは、共に０．５μｍ以上５μｍ以下が好ましく、より好ましくは１μｍ以上３μｍ以下が良い。また、第１凹凸パターン３０の上面３０ａの第２ライン７６に沿う方向と直交する方向の長さは、例えば、共に３μｍ以上１０μｍ以下とすることができる。この範囲であれば、半導体ウエハ１００が第２ライン７６に沿って完全に分割される際に、その分断箇所が第１凹凸パターン３０の領域から逸れることを抑制することができる。また、第１凹凸パターン３０の上面３０ａと底面３０ｂとの高低差は、例えば、０．２μｍ以上０．５μｍ以下とすることができる。この範囲であれば、分割時に発生するバリが分断されやすくなる。
【００２８】
第１凹凸パターン３０の上面３０ａと底面３０ｂを繋ぐ面は、図５（ｃ）に示すように、底面３０ｂに対して垂直であることに限定されず、テーパー状又は逆テーパー状にすることもできる。
【００２９】
第１凹凸パターン３０は、上面３０ａ及び底面３０ｂを有さないギザギザ形状のパターンを含んでも良い。
【００３０】
なお、第１凹凸パターン３０は、上述したパターンに限定されず、溝部２５の底面に第２ライン７６に沿って周期的に窪み部を形成することで、溝部２５の底面と同じ高さの“上面”と溝部２５の底面より低い位置にある“底面”が第２ライン７６に沿って繰り返し並んだパターンでも良いし、溝部２５の底面を基準にして、溝部２５の底面より上方に突出した突出部位及び溝部２５の底面から窪んだ窪み部の両方を有するパターンでも良い。
【００３１】
なお、上述した溝部２５及び第１凹凸パターン３０を形成する工程の説明では、溝部２５を形成した後、リッジ部２４と第１凹凸パターン３０を同時に形成しているが、この順に限定されない。すなわち、リッジ部２４と第１凹凸パターン３０を同時に形成した後、第１凹凸パターン３０が形成された領域に溝部２５を形成することもできる。このように、第１凹凸パターン３０を形成した後に溝部２５を形成しても、第１凹凸パターン３０の形は維持され、溝部２５の底面には第１凹凸パターン２５が残存する。また、リッジ部２４、溝部２５及び第１凹凸パターン３０をそれぞれ独立して形成することもできる。この場合、形成順はいずれの順番でも良い。
【００３２】
（第２凹凸パターン５０を形成する工程）
第１実施形態に係る第２凹凸パターン５０は、図６に示すように、第１凹凸パターン３０の全域を保護膜４０で被覆することにより形成する。図６（ａ）は平面図であり、図６（ｂ）は図６（ａ）のＡ−Ａ線の断面を示す断面図であり、図６（ｃ）は図６（ａ）のＢ−Ｂ線の断面を示す断面図であり、図６（ｄ）は図６（ｃ）の拡大図である。なお、図６においてＢ−Ｂ線は第２ライン７６と一致する。第１実施形態に係る方法によって形成される第２凹凸パターン５０は、後述する第２〜第３実施形態に係る方法によって形成される第２凹凸パターン（５１、５２）よりも少ない手順で第２凹凸パターンを形成することができる。第２凹凸パターン５０は、図６（ｄ）に示すように、第１凹凸パターン３０上（つまり、上面３０ａ及び底面３０ｂの上面）に形成された保護膜４０の形状によって規定され、“上面５０ａ”及び上面５０ａより低い位置にある“底面５０ｂ”が第２ライン７６に沿う方向に繰り返し並んだパターンである。ここで、「第１凹凸パターン３０の全域に保護膜４０が被覆される」とは、図６（ｄ）に示すように保護膜４０が第１凹凸パターン３０の上面３０ａ、底面３０ｂ及び上面３０ａと底面３０ｂを繋ぐ面に形成されることでも良く、保護膜４０が第１凹凸パターン３０における上面３０ａ及び底面３０ｂに形成され、上面３０ａと底面３０ｂとを繋ぐ面には形成されていない場合を含んでも良い。
【００３３】
第２凹凸パターン５０は、後述する分割開始溝８３のような分割を開始させるためではなく、半導体ウエハ１００が最後に分断される側に形成しておくことで、半導体ウエハ１００が完全に分断される際に発生するバリの長さを制御するために形成されるものである。
【００３４】
第１凹凸パターン３０上に保護膜４０を形成し第２凹凸パターン５０を形成することにより、第２ライン５０上において半導体構造２０及び保護膜４０のそれぞれの表面に凹凸が形成されるため、分割によって発生するバリの長さを短くすることができる。また、第１パターン３０上に保護膜４０が形成されていないと、半導体ウエハ１００の分割時に発生するバリは半導体構造２０の材料（導電可能な材料）のみで構成されるが、本実施形態のように、第１凹凸パターン３０上に絶縁性の保護膜４０を形成することにより、バリの表面の一部が保護膜４０で構成される。これにより、バリにおける保護膜で構成された部分が別の導電性材料（例えば、金属膜３０００又は接着部材４０００）に接触した場合は短絡を防止することができる。
【００３５】
第２凹凸パターン５０は、上面５０ａと、上面５０ａよりも低い位置にある底面５０ｂを有する。第２凹凸パターン５０の底面５０ｂの第２ライン７６に沿う方向の長さ（図６（ｄ）に示す「Ｌ１」）は、第２凹凸パターン５０の底面５０ｂから半導体ウエハ１００の一方の主面１００ａ側の表面（リッジ部２４の上面）までの高さ（図６（ｂ）に示す「Ｈ１」）よりも小さく、第２凹凸パターン５０の上面５０ａの第２ライン７６に沿う方向の長さ（図６（ｄ）に示す「Ｌ２」）は、第２凹凸パターン５０の上面５０ａから半導体ウエハ１００の一方の主面１００ａ側の表面（リッジ部２４の上面）までの高さ（図６（ｂ）に示す「Ｈ２」）よりも小さいのが好ましい。これにより、半導体ウエハ１００の分割時に第２凹凸パターン５０の底面５０ｂでバリが生じた場合、バリの長さは第２凹凸パターン５０の底面５０ｂの第２ライン７６に沿う方向の長さより短くなるよう制御されているため、バリの先端がリッジ部２４の上面に到達するのを抑制することができる。また、半導体ウエハ１００の分割時に第２凹凸パターン５０の上面５０ａバリが生じた場合、バリの長さは第２凹凸パターン５０の上面５０ａの第２ライン７６に沿う方向の長さより短くなるように制御されているため、バリの先端がリッジ部２４の上面の到達するのを抑制することができる。バリがリッジ部２４の上面を超える長さであると、例えば、後述する図１０に示す半導体レーザ装置１００００を作製した際、バリによって半導体レーザ素子１０００と金属層３０００又は接着部材４０００とが短絡する恐れがあるが、上記したように、大小関係であれば、バリがリッジ部２４を超えないような長さに制御できるため、短絡が起こる可能性を低減することができる。具体的には、第２凹凸パターン５０の底面５０ｂ及び上面５０ａの第２ライン７６に沿う方向の長さは、ともに０．５μｍ以上５μｍ以下が好ましく、より好ましくは１μｍ以上３μｍ以下が良い。
【００３６】
第２凹凸パターン５０を形成するための保護膜４０を形成する方法は限定されないが、スパッタ又は蒸着のような指向性を有する手法が好ましい。これにより、第１凹凸パターン３０の上面３０ａ及び底面３０ｂに形成される保護膜４０の厚みと、第１凹凸パターン３０の上面３０ａと底面３０ｂを繋ぐ面に形成される保護膜４０の厚みとに差を生じさせることができるため、半導体ウエハ１００を第２ライン７６に沿う方向に分割する際に発生するバリは保護膜４０が薄い箇所（第１凹凸パターン３０の上面３０ａと底面３０ｂを繋ぐ面に形成される保護膜４０）で途切れやすくなり、バリの長さを短く制御することができる。
【００３７】
第１凹凸パターン３０の底面３０ｂに形成される保護膜４０の厚みは、第１凹凸パターン３０における底面３０ｂから上面３０ａまでの高さより小さいことが好ましい。これにより、分割時に発生するバリを良好に分断することができる。本実施形態では、保護膜４０の厚みは、０．２μｍとした。
【００３８】
なお、保護膜４０は、第１凹凸パターン３０上だけでなく、リッジ部２４の一部を除く半導体構造２０の上面全域に形成されても良い。これにより、半導体構造２０におけるｎ側半導体層２１（又は基板１０）とｐ側半導体層２３との間で短絡が発生しないようにすることができる。
【００３９】
なお、第２凹凸パターン５０を形成する工程の後、電極を形成する工程を有しても良い。電極は、例えば、リッジ部２４上にｐ側電極を形成し、基板１０の下面（半導体ウエハ１０の他方の主面１００ｂ）にｎ側電極を形成することができる。
【００４０】
（半導体ウエハ１００を分割する工程）
図７〜図９に示すように、半導体ウエハ１００を、第１ライン７５に沿って分割すると共に、半導体ウエハ１００の他方の主面１００ｂ側を起点とし第２ライン７６に沿って分割する。図７は平面図である。図８（ａ）は平面図であり、図８（ｂ）は図８（ａ）のＡ−Ａ線の断面を示す断面図であり、図８（ｃ）は図８（ａ）のＢ−Ｂ線の断面を示す断面図である。なお、図８において、Ｂ−Ｂ線は第２ライン７６と一致する。図９（ａ）は平面図であり、図９（ｂ）は図９（ａ）のＡ−Ａ線の断面を示す断面図である。まず、図７に示すように、先に第１ライン７５に沿う分割を行うことで劈開面が形成されたレーザバーを形成する。次に、図８に示すように、第２ライン７６に沿う分割を行う。そして、図９に示すように、レーザバーの分割によって複数の半導体レーザ素子１０００を得る。本実施形態では、半導体レーザ素子１０００における共振器長方向の長さは１．２ｍｍ、共振器幅方向の長さは０．１５ｍｍとした。このような分割の順番であれば、レーザバーは第１ライン７５に沿う方向に半導体レーザ素子１０００が複数並んだ構成であるため、レーザバーの劈開面に誘電体膜を形成すると、複数の半導体レーザ素子１０００の誘電体膜形成を一度の処理で行うことができ、生産性が向上する。なお、半導体ウエハ１００の分割は、第２ライン７６に沿って分割した後、第１ライン７５に沿って分割することもできる。
【００４１】
本実施形態に係る第２ライン７６に沿う分割は、図８に示すように、基板１０の下面側から裂けが始まり、その裂けが上方（半導体構造２０側）に進行し（図８（ｂ）及び図８（ｃ）中に記載する矢印方向）、第２凹凸パターン５０の箇所でレーザバーが完全に分断される。このような分割が可能となる手法として、例えば、図８（ｂ）及び（ｃ）で示すように予め基板１０の下面に裂けが始まる分割開始溝８３を形成しておき、第２凹凸パターン５０に第２ライン７６に沿って刃状治具８６を当てる手法、若しくは、円形ローラーを第２ライン７６に沿う方向に転がす手法が挙げられる。
【００４２】
分割開始溝８３を形成する場合は、可能な限り第２ライン７６全体に形成しておくのが良い。分割開始溝８３が存在しない領域が存在すると、第２ライン７６に沿う分割が第２ラインに沿う方向から逸れてしまうため、分割開始溝８３を連続して形成しておくことで、第２ライン７６に沿う方向の分割が第２ライン７６から逸れることを抑制することができる。
【００４３】
（半導体レーザ素子１０００）
第１実施形態に係る製造方法で得られる半導体レーザ素子１０００は、図１０に示すように、共振器を有する半導体構造２０を有し、半導体構造２０における共振器幅方向の端部に、共振器長に沿って延びる段差部２７（すなわち、溝部２５の片割れである段差部）と、段差部２７の底面において共振器長方向に延びる第１凹凸パターン３０と、が設けられ、第１凹凸パターン３０の上面３０ａ、底面３０ｂ又は全域に保護膜４０が形成されることにより第２凹凸パターン５０が設けられている。図１０は、半導体レーザ素子１０００を斜めから見た斜視図である。
【００４４】
なお、図１０では、半導体構造２０の共振器幅方向の両側面には、第１凹凸パターン３０の上面３０ａ全域に保護膜４０が設けられているが、これに限定されない。すなわち、第１凹凸パターン３０の上面３０ａ又は底面３０ｂのいずれか一方のみに保護膜４０が形成されても良い。
【００４５】
また、例えば、図１０に示すように、リッジ部２４の上面にｐ側電極９１及びｐパッド電極９２、基板１０の下面にｎ側電極９３が形成されている。
【００４６】
（半導体レーザ素子１０００を支持部材２０００に実装する工程）
半導体ウエハ１００を第１ライン７５及び第２ライン７６に沿って分割して得られた半導体レーザ素子１０００を支持部材２０００に実装する。例えば、半導体レーザ素子１０００の段差部２７が形成された側を支持部材２０００に接着部材４０００を介して固定することによって半導体レーザ装置１００００を作製することができる。半導体レーザ装置１００００は、図１１に示すように、半導体レーザ素子１０００の段差部２７が形成された側が支持部材２０００と対面しており、半導体レーザ素子１０００のｐパッド電極９２が、支持部材２０００（例えば、ＡｌＮからなる基体）の上面に形成された金属膜３０００（例えば、支持部材２０００側からＴｉ、Ｐｔ、Ａｕの順に積層した多層膜）に接着部材４０００（例えば、ＡｎＳｎ等の導電性材料）を介して接着されている。このような半導体レーザ装置１００００であれば、半導体レーザ素子１０００の駆動時に半導体構造２０内で発生する熱を支持部材２０００に効率よく逃がすことができる。図１１は、半導体レーザ装置１０００を共振器端面側の側面から見た側面図である。
【００４７】
［第２実施形態］
第２実施形態に係る半導体レーザ素子の製造方法を以下に説明する。第２実施形態は、第２凹凸パターン５１を形成する工程が第１実施形態と異なるもので、第２実施形態に係る第２凹凸パターンを形成する工程について、図１２〜図１４を参照して説明する。なお、第２実施形態は、第２凹凸パターンを形成する工程以外は、実質的に第１実施形態で説明したものと同様である。各部材のサイズや材料等は第１実施形態で説明したものと同様のものを用いることができる。
【００４８】
第２実施形態に係る半導体レーザ素子の製造方法は、まず、半導体ウエハ１００の一方の主面１００ａ側に、第２ライン７６に沿って延びる溝部２５を形成すると共に、溝部２５の底面に第２ライン７６に沿って第１凹凸パターン３０を形成する。溝部２５及び第１凹凸パターン３０の形成は第１実施形態で説明した方法と同様の方法を用いることができる。その後、第２凹凸パターン５１を形成する。第２凹凸パターン５１を形成する工程の一例としては、図１２に示すように、まず、フォトリソグラフィー法を用いて第１凹凸パターン３０の底面３０ｂにレジスト８２を形成する。図１２（ａ）は平面図であり、図１２（ｂ）は図１２（ａ）のＡ−Ａ線の断面を示す断面図であり、図１２（ｃ）は図１２（ａ）のＢ−Ｂ線の断面を示す断面図である。なお、図１２においてＢ−Ｂ線は第２ライン７６と一致する。次に、第１凹凸パターン３０の全域に保護膜４０（例えば、ＳｉＯ２）を形成する。本実施形態では、図１３に示すように、半導体ウエハ１００の一方の主面１００ａ全域に保護膜４０を形成する。図１３（ａ）は平面図であり、図１３（ｂ）は図１３（ａ）のＡ−Ａ線の断面を示す断面図であり、図１３（ｃ）は図１３（ａ）のＢ−Ｂ線の断面を示す断面図である。なお、図１３においてＢ−Ｂ線は第２ライン７６と一致する。次に、レジスト８２をリフトオフすることで、レジスト８２とレジスト８２上に形成された保護膜４０とを除去し、これにより、図１４に示すように、第２凹凸パターン５１を形成することができる。図１４（ａ）は平面図であり、図１４（ｂ）は図１４（ａ）のＡ−Ａ線の断面を示す断面図であり、図１４（ｃ）は図１４（ａ）のＢ−Ｂ線の断面を示す断面図であり、図１４（ｄ）は図１４（ｃ）の拡大図である。図１４においてＢ−Ｂ線は第２ライン７６と一致する。なお、半導体ウエハ１００の一方の主面１００ａ全域に保護膜４０を形成する前に、リッジ部２４の上面にもレジスト８２を形成しておくことで、第２凹凸パターン５１をリフトオフによって形成した際に、リッジ部２４の上面を開口させることができる。第２凹凸パターン５１を形成した後、第１実施形態と同様の方法で、第１ラインに沿って分割すると共に、半導体ウエハの他方の主面側を起点とし第２ラインに沿って分割することで、第２実施形態に係る半導体レーザ素子が得られる。
【００４９】
第２凹凸パターン５１は、図１４（ｄ）に示すように、第１凹凸パターン３０の上面３０ａに保護膜４０が被覆されることにより形成される。すなわち、第２凹凸パターン５１は、第１凹凸パターン３０の上面３０ａに形成された保護膜４０の上面と合致する“上面５１ａ”と、上面５１ａより低い位置にあり且つ第１凹凸パターン３０の底面３０ｂと合致する“底面５１ｂ”とで規定され、上面５１ａと底面５１ｂが第２ライン７６に沿って繰り返し並んだものである。
【００５０】
第２実施形態に係る半導体レーザ素子の製造方法では、完全に分断される箇所に、第１凹凸パターン３０及び第２凹凸パターン５１を形成する。これにより、バリが発生しても第２凹凸パターン５１の上面５１ａ及び／又は底面５１ｂの長さで分断されるため、バリの長さが短くなるように制御することができる。
【００５１】
第２凹凸パターン５１を形成する工程は、上記以外の方法でも良い。すなわち、第１凹凸パターン形成後、まず、第１凹凸パターンの全域に保護膜（例えば、ＳｉＯ２）を形成し、第１凹凸パターンの上面に形成された保護膜の上面にレジストを形成する。このとき、第１凹凸パターンの底面に形成された保護膜の上面にレジストは形成されていない。次に、第１凹凸パターンの上面の上方に形成されたレジストをエッチング用マスクとし、第１凹凸パターンの底面に形成される保護膜をエッチングする。そして、レジストを除去することで、第２凹凸パターン５１を形成することができる。
【００５２】
［第３実施形態］
第３実施形態に係る半導体レーザ素子の製造方法を以下に説明する。第３実施形態は、第２凹凸パターン５２を形成する工程が第１実施形態及び第２実施形態と異なるもので、第３実施形態に係る第２凹凸パターンを形成する工程について、図１５〜図１７を参照して説明する。なお、第３実施形態は、第２凹凸パターンを形成する工程以外は、実質的に第１実施形態と同様である。各部材のサイズや材料等は第１実施形態で説明したものと同様のものを用いることができる。
【００５３】
第３実施形態に係る半導体レーザ素子の製造方法は、まず、半導体ウエハ１００の一方の主面１００ａ側に、第２ライン７６に沿って延びる溝部２５を形成すると共に、溝部２５の底面に第２ライン７６に沿って第１凹凸パターン３０を形成する。溝部２５及び第１凹凸パターン３０の形成は第１実施形態で説明した方法と同様の方法を用いることができる。その後、第２凹凸パターン５２を形成する。第２凹凸パターン５２を形成する工程の一例としては、まず、図１５に示すように、フォトリソグラフィー法を用いて第１凹凸パターン３０の上面３０ａにレジスト８２を形成する。図１５（ａ）は平面図であり、図１５（ｂ）は図１５（ａ）のＡ−Ａ線の断面を示す断面図であり、図１５（ｃ）は図１５（ａ）のＢ−Ｂ線の断面を示す断面図である。なお、図１５においてＢ−Ｂ線は第２ライン７６と一致する。次に、図１６に示すように、半導体ウエハ１００の上面全域に保護膜４０（例えば、ＳｉＯ２）を形成する。図１６（ａ）は平面図であり、図１６（ｂ）は図１６（ａ）のＡ−Ａ線の断面を示す断面図であり、図１６（ｃ）は図１６（ａ）のＢ−Ｂ線の断面を示す断面図である。なお、図１６においてＢ−Ｂ線は第２ライン７６と一致する。次に、レジスト８２をリフトオフすることで、レジスト８２とレジスト８２上に存在する保護膜４０とを除去し、これにより、図１７に示すように、第２凹凸パターン５２を形成することができる。図１７（ａ）は平面図であり、図１７（ｂ）は図１７（ａ）のＡ−Ａ線の断面を示す断面図であり、図１７（ｃ）は図１７（ａ）のＢ−Ｂ線の断面を示す断面図であり、図１７（ｄ）は図１７（ｃ）の拡大図である。なお、図１７においてＢ−Ｂ線は第２ライン７６と一致する。なお、半導体ウエハ１００の一方の主面１００ａ全域に保護膜４０を形成する前に、リッジ部２４の上面にもレジスト８２を形成しておくことで、第２凹凸パターン５２をリフトオフによって形成した際に、リッジ部２４の上面を開口させることができる。第２凹凸パターン５２を形成した後、第１実施形態と同様の方法で、第１ラインに沿って分割すると共に、半導体ウエハの他方の主面側を起点とし第２ラインに沿って分割することで、第３実施形態に係る半導体レーザ素子が得られる。
【００５４】
第２凹凸パターン５２は、図１７（ｄ）に示すように、第１凹凸パターン３０の底面３０ｂに保護膜４０が被覆されることにより形成される。すなわち、第２凹凸パターン５２は、第１凹凸パターン３０の上面３０ａと合致する“上面５２ａ”と、上面５２ａより低い位置にある保護膜４０の上面と合致する“底面５２ｂ”とで規定され、上面５２ａと底面５２ｂが第２ライン７６に沿って繰り返し並んだものである。
【００５５】
第３実施形態に係る半導体レーザ素子の製造方法では、完全に分断される箇所に、第１凹凸パターン３０及び第２凹凸パターン５２を形成する。これにより、バリが発生しても第２凹凸パターン５２の上面５２ａ及び／又は底面５２ｂの長さで分断されるため、バリの長さが短くなるように制御することができる。
【００５６】
第２凹凸パターン５２を形成する工程は、上記以外の方法でも良い。すなわち、第１凹凸パターン３０形成後、まず、第１凹凸パターン３０の全域に保護膜を形成し、第１凹凸パターンの底面に形成された保護膜の上面にマスク（例えば、ＳｉＯ２）を形成する。次に、保護膜上に形成されたマスクをエッチング用マスクとして、第１凹凸パターンの上面に形成される保護膜をエッチングする。そして、マスクを除去することで、第２凹凸パターンを形成することができる。
【００５７】
［第４実施形態］
第４実施形態に係る半導体レーザ素子の製造方法について、図１８〜図２２を参照して説明する。実施形態１と共通する部材については、サイズや材料等は第１実施形態で説明したものと同様のものを用いることができる。
【００５８】
第４実施形態に係る半導体レーザ素子の製造方法は、共振器２６幅方向に平行な第１ライン７５及び共振器２６長方向に平行な第２ライン７６に沿って半導体ウエハ１００を分割することにより、複数の半導体レーザ素子を得る製造方法であって、半導体ウエハ１００を準備する工程と、半導体ウエハ１００の一方の主面１００ａ側に、第２ライン７６に沿って延びる溝部２５を形成する工程と、溝部２５の底面に保護膜４０を形成する工程と、溝部２５の底面において、第２ライン７６に沿って保護膜４０の一部を除去することにより凹凸パターン６０を形成する工程と、半導体ウエハ１００を、第１ライン７５に沿って分割すると共に、半導体ウエハ１００の他方の主面１００ｂ側を起点とし第２ライン７６に沿って分割する工程と、を有する。
【００５９】
第４実施形態に係る半導体レーザ素子の製造方法は、図１８に示すように、半導体ウエハ１００の一方の主面１００ａ側に、第２ライン７６に沿って延びる溝部２５を形成する。図１８（ａ）は平面図であり、図１８（ｂ）は、図１８（ａ）のＡ−Ａ線の断面を示す断面図であり、図１８（ｃ）は図１８（ａ）のＢ−Ｂ線の断面を示す断面図である。なお、図１８においてＢ−Ｂ線は第２ライン７６と一致する。溝部２５を形成する方法は、第１実施形態で記載した方法を用いることができる。その後、凹凸パターン６０を形成する。凹凸パターン６０を形成する工程の一例としては、まず、図１９に示すように、溝部２５の底面に保護膜４０（例えば、ＳｉＯ２）を形成する。図１９（ａ）は平面図であり、図１９（ｂ）は、図１９（ａ）のＡ−Ａ線の断面を示す断面図であり、図１９（ｃ）は図１９（ａ）のＢ−Ｂ線の断面を示す断面図である。なお、図１９においてＢ−Ｂ線は第２ライン７６と一致する。次に、フォトリソグラフィー法を用いて、図２０に示すように、少なくとも、後に凹凸パターン６０の上面６０ａとなる領域にレジスト８２をパターン状を形成する。図２０（ａ）は平面図であり、図２０（ｂ）は、図２０（ａ）のＡ−Ａ線の断面を示す断面図であり、図２０（ｃ）は図２０（ａ）のＢ−Ｂ線の断面を示す断面図である。なお、図２０においてＢ−Ｂ線は第２ライン７６と一致する。次に、図２１に示すように、レジスト８２をエッチング用マスクとし、レジスト８２に被覆されていない保護膜４０をエッチングする。図２１（ａ）は平面図であり、図２１（ｂ）は、図２１（ａ）のＡ−Ａ線の断面を示す断面図であり、図２１（ｃ）は図２１（ａ）のＢ−Ｂ線の断面を示す断面図である。なお、図２１においてＢ−Ｂ線は第２ライン７６と一致する。最後に、レジスト８２を除去し、残存する保護膜４０をエッチング用マスクとし半導体構造２０をエッチングすることで、図２２に示すように、凹凸パターン６０を形成する。図２２（ａ）は平面図であり、図２２（ｂ）は、図２２（ａ）のＡ−Ａ線の断面を示す断面図であり、図２２（ｃ）は図２２（ａ）のＢ−Ｂ線の断面を示す断面図であり、図２２（ｄ）は図２２（ｃ）の拡大図である。なお、図２２においてＢ−Ｂ線は第２ライン７６と一致する。半導体構造２０をエッチングする前にリッジ部２４がエッチングされないようにリッジ部２４の上面にエッチング用マスクを形成しても良い。凹凸パターン６０を形成した後、第１実施形態と同様の方法で、第１ラインに沿って分割すると共に、半導体ウエハの他方の主面側を起点とし第２ラインに沿って分割することで、第４実施形態に係る半導体レーザ素子が得られる。
【００６０】
第４実施形態に係る半導体レーザ素子の製造方法では、完全に分断される箇所に、凹凸パターン６０を形成する。これにより、バリが発生しても凹凸パターン６０の上面６０ａ及び／又は底面６０ｂの長さで分断されるため、バリの長さが短くなるように制御することができる。また、第２実施形態に係る方法に比べて、凹凸パターン６０の加工精度が良くなるので、分割時に発生するバリの長さをより確実に抑制することができる。
【００６１】
凹凸パターン６０は、図２２（ｄ）に示すように、保護膜４０の上面と合致する“上面６０ａ”と、上面６０ａよりも低い位置にあり、半導体構造２０のｎ側半導体層２１の表面と一致する“底面６０ｂ”とで規定される。凹凸パターン６０は、第２実施形態の第２凹凸パターン５１と同じ構成であるが、形成する方法が異なる。
【００６２】
凹凸パターン６０は、上面６０ａと上面６０ａよりも低い位置にある底面６０ｂを有する。凹凸パターン６０の底面６０ｂの第２ライン７６に沿う方向の長さ（図２２（ｄ）で示す「Ｌ３」）は、凹凸パターン６０の底面６０ｂから半導体ウエハ１００の一方の主面１００ａ側の表面（リッジ部２４の上面）までの高さ（図２２（ｂ）で示す「Ｈ３」）よりも小さく、且つ、凹凸パターン６０の上面６０ａの第２ライン７６に沿う方向の長さ（図２２（ｄ）で示す「Ｌ４」）は、凹凸パターン６０の上面６０ａから半導体ウエハ１００の一方の主面１００ａ側の表面（リッジ部２４の上面）までの高さ（図２２（ｂ）で示す「Ｈ４」）よりも小さいのが好ましい。
【００６３】
凹凸パターン６０を形成する工程は、エッチングによって行われるのが好ましい。これにより、凹凸パターン６０における第２ライン７６方向の長さを精度良く制御することでき、バリによる短絡が発生する可能性を低減させることができる。
【００６４】
本発明の実施形態は、半導体ウエハ１００を第２ライン７６に沿う分割を行う前の段階で、半導体ウエハ１００における分割の起点となる側と反対側に、第２ライン７６に沿う第２凹凸パターン（５０、５１、５２）又は凹凸パターン６０が形成されていれば良く、第１〜第４実施形態に記述した方法以外の方法でも良い。
【符号の説明】
【００６５】
１００・・・半導体ウエハ
１００ａ・・・一方の主面
１００ｂ・・・他方の主面
１０・・・基板
２０・・・半導体構造
２１・・・ｎ側半導体層
２２・・・活性層
２３・・・ｐ側半導体層
２４・・・リッジ部
２５・・・溝部
２６・・・共振器
２７・・・段差部
３０・・・第１凹凸パターン
３０ａ・・・上面
３０ｂ・・・底面
４０・・・保護膜
５０、５１、５２・・・第２凹凸パターン
５０ａ、５１ａ、５２ａ・・・上面
５０ｂ、５１ｂ、５２ｂ・・・底面
６０・・・凹凸パターン
６０ａ・・・上面
６０ｂ・・・底面
７５・・・第１ライン
７６・・・第２ライン
８１・・・マスク
８２・・・レジスト
８３・・・分割開始溝
８６・・・刃状治具
９１・・・ｐ側電極
９２・・・ｐパッド電極
９３・・・ｎ側電極
１０００・・・半導体レーザ素子
２０００・・・支持部材
３０００・・・金属膜
４０００・・・接着部材
１００００・・・半導体レーザ装置
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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