(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
結晶質シリコン材質を含有する半導体基板と、
前記半導体基板の背面に配置される第１導電型領域（first conductive region）と、
前記半導体基板の背面から前記第１導電型領域を除外した領域に配置され、前記第１導電型領域とは反対の極性を有する第２導電型領域（second conductive region）と、
前記第１導電型領域に接続される第１電極と、
前記第２導電型領域に接続される第２電極とを含み、
前記半導体基板の背面は、前記半導体基板の背面領域全体の中で端の片側にいずれか一方に長く位置する第１領域（first area）と前記第１領域を除外した残りの領域に位置する第２領域（second area ）に分かれ、
前記第１電極は、前記第１領域及び第２領域に形成されるが、前記第１領域の内の少なくとも一部の領域に第１電極の一部が露出され、
前記第２電極は、前記第２領域に位置し、前記第１電極と重畳及び離隔され、前記第２領域の内の少なくとも一部の領域に前記第２電極が露出され、
前記第１電極と前記第２電極が重畳される前記第２領域には前記第１電極と前記第２電極の間に絶縁層をさらに備え、
前記絶縁層は前記第２電極より前記第１領域の方向にさらに突出する、太陽電池。
【請求項２】
前記第１電極は、前記第１領域と第２領域に全体的に形成されるが、前記第２領域に複数の開口穴を備える第１電極層を含み、
前記第２電極は、前記第２領域に形成された前記第１電極層の複数の開口穴を介して前記第２導電型領域に接続され、前記第２領域に位置する第１電極層の上に離隔して積層された面形状に形成される第２電極層を含む、請求項１に記載の太陽電池。
【請求項３】
前記第１電極層の一部は、前記第１領域の内の少なくとも一部の領域に露出され、
前記第２電極層は、前記第２領域の内、少なくとも一部に形成される、請求項２に記載の太陽電池。
【請求項４】
前記第１電極は、前記第１電極層と前記第１導電型領域の間に位置する第１透明電極層をさらに含み、
前記第２電極は、前記第２電極層と前記第２導電型領域の間に位置する複数の第２透明電極層をさらに含む、請求項２に記載の太陽電池。
【請求項５】
前記半導体基板の平面で見たとき、前記第１電極層と前記第１透明電極層は、同一のパターンを有する、請求項４に記載の太陽電池。
【請求項６】
前記第２透明電極層は、前記第２領域に備えられた前記第１透明電極層の開口穴内に形成され、前記第２導電型領域に接続される、請求項４に記載の太陽電池。
【請求項７】
前記絶縁層が、前記半導体基板の第２領域の第１透明電極層の上に位置し、
前記絶縁層は、前記複数の第２透明電極層を露出する複数の開口部を備える、請求項４に記載の太陽電池。
【請求項８】
前記複数の第２透明電極層は、格子の形で互いに離隔して配列される、請求項４に記載の太陽電池。
【請求項９】
前記第１導電型領域は、前記第１、第２領域に全体的に形成されるが、前記第２領域に複数の開口穴を備え、
前記第２導電型領域は、前記第２領域に備えられた前記第１導電型領域の複数の開口穴内に形成される、請求項１に記載の太陽電池。
【請求項１０】
前記第１、第２導電型領域は、非晶質シリコン、単結晶シリコン、多結晶シリコンまたは金属酸化物の内、いずれか１つを含む、請求項９に記載の太陽電池。
【請求項１１】
前記絶縁層は、第２領域で互いに離隔されて積層される前記第１電極層と前記第２電極層との間の空間に位置する、請求項７に記載の太陽電池。
【請求項１２】
前記半導体基板の背面全体面と前記第１導電型領域及び前記第２導電型領域の前面との間には、前記半導体基板から生成されたキャリア（carrier）が通過するトンネル層がさらに位置する、請求項７に記載の太陽電池。
【請求項１３】
前記絶縁層の厚さは、前記トンネル層の厚さより厚い、請求項１２に記載の太陽電池。
【請求項１４】
前記第１、第２透明電極層は、透明な導電性酸化膜を含む、請求項４に記載の太陽電池。
【請求項１５】
前記第１、第２透明電極層のそれぞれの厚さは、１０ｎｍ〜１００ｎｍである、請求項４に記載の太陽電池。
【請求項１６】
前記第１、第２電極層のそれぞれの厚さは、前記第１、第２透明電極層のそれぞれの厚さより大きく、１００ｎｍ〜５μｍである、請求項４に記載の太陽電池。
【請求項１７】
前記第１導電型領域は、前記第１領域に全体的に形成され、前記第２領域にいずれかの１方向に長く形成され、
前記第２導電型領域は、前記第２領域に前記第１導電型領域と隣接して並行するように長く形成される、請求項４に記載の太陽電池。
【請求項１８】
前記第１透明電極層は、前記第１導電型領域と重畳されて接続されるが、前記第１領域に全体的に形成され、前記第２領域にいずれか１方向に長く形成され、
前記第２透明電極層は、前記第２領域で前記第２導電型領域と重畳されて接続されるが、前記第１透明電極層と離隔されて長く形成される、請求項１７に記載の太陽電池。
【請求項１９】
請求項１に記載の構造を有し、第１方向に配列される複数の太陽電池と、
前記複数の太陽電池の内、前記第１方向に隣接して配列される第１、第２太陽電池を互いに直列接続するインターコネクタとを含み、
前記インターコネクタは、一端が前記第１太陽電池の前記第１領域に露出される前記第１電極の一部に重畳されて接続され、他端が前記第２太陽電池の前記第２領域に露出される前記第２電極に重畳され、接続される太陽電池モジュール。
【請求項２０】
前記インターコネクタが前記第１太陽電池の前記第１領域と重畳される前記第１方向への長さは、前記インターコネクタが前記第２太陽電池の前記第２領域と重畳される前記第１方向への長さと互いに異なる、請求項１９に記載の太陽電池モジュール。
【請求項２１】
前記第１、第２電極のそれぞれは、互いに離隔して積層された面形状に形成される第１、第２電極層を含み、
前記インターコネクタは、前記第１方向に長く伸びている第１方向伝導体を含み、
前記第１方向伝導体の一端は、前記第１太陽電池の前記第１領域に露出された前記第１電極層に接続され、
前記第１方向伝導体の他端は、前記第２太陽電池の前記第２領域に形成された前記第２電極層に接続される、請求項１９に記載の太陽電池モジュール。
【請求項２２】
前記第１方向伝導体は複数であり、
前記複数の第１方向の伝導体のいずれか１つの第１方向伝導体の一端が前記第１太陽電池の前記第１領域と重畳される長さは、前記いずれか１つの第１方向伝導体の他端が前記第２太陽電池の前記第２領域と重畳される長さと互いに異なる、請求項１９に記載の太陽電池モジュール。
【請求項２３】
前記インターコネクタは
前記第１方向伝導体の両端に形成され、前記第１方向と交差する第２方向に長く伸びている第２方向伝導体をさらに含み、
前記第２方向伝導体は、前記第１方向伝導体と一体に形成される、請求項２２に記載の太陽電池モジュール。
【請求項２４】
前記第１方向伝導体の両端に接続された二つの前記第２方向伝導体は、同じ幅を有する、請求項２３に記載の太陽電池モジュール。
【請求項２５】
前記第１方向伝導体は一つであり、
前記第１方向伝導体の両端に接続された２つの前記第２方向伝導体の１つの幅は、他の１つの幅と異なる、請求項２３に記載の太陽電池モジュール。
【請求項２６】
前記第１、第２太陽電池のそれぞれにおいて、
前記第２電極は、前記第２領域の内、一部の領域に露出される、請求項１９に記載の太陽電池モジュール。
【請求項２７】
前記半導体基板の第２領域で前記第２電極が露出される一部の領域を除外した残りの領域は、絶縁層で覆われている、請求項２６に記載の太陽電池モジュール。
【請求項２８】
前記インターコネクタは、面形状を有し、
前記面形状のインターコネクタの一端は、前記第１、第２太陽電池の内、いずれか１つの太陽電池の前記第１領域に露出された前記第１電極層に接続され、
前記インターコネクタの他端は、他の太陽電池の前記第２領域の一部に露出された前記第２電極層の一部に接続される、請求項２７に記載の太陽電池モジュール。
【請求項２９】
前記面形状のインターコネクタにおいて、
前記第１、第２太陽電池と重畳されない領域には、複数の開口部が形成される、請求項２８に記載の太陽電池モジュール。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、太陽電池と太陽電池モジュールに関する。
【背景技術】
【０００２】
最近石油や石炭のような既存エネルギー資源の枯渇が予測されながらこれらを取り替える代替エネルギーに対する関心が高くなり。これにより、太陽エネルギーから電気エネルギーを生産する太陽電池が注目されている。
【０００３】
一般的な太陽電池は、ｐ型とｎ型のように、互いに異なる導電型（conductive type）によってｐ−ｎ接合を形成する半導体部、そして互いに異なる導電型の半導体部にそれぞれ接続された電極を備える。
【０００４】
このような太陽電池に光が入射されれば半導体部で複数の電子―正孔対が生成され、生成された電子―正孔対は電荷である電子と正孔にそれぞれ分離され、電子はｎ型の半導体部の方向に移動し正孔はｐ型の半導体部の方向に移動する。移動した電子と正孔はそれぞれｎ型の半導体部とｐ型の半導体部に接続された互いに異なる電極によって収集され、この電極を電線で接続することにより電力を得る。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
本発明の目的は、太陽電池と太陽電池モジュールを提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の太陽電池は、結晶質シリコン材質を含有する半導体基板と、半導体基板の背面に配置される第１導電型領域（first conductive region）と半導体基板の背面から第１導電型領域を除外した領域に配置され、第１導電型領域とは反対の極性を有する第２導電型領域（second conductive region）と第１導電型領域に接続される第１電極と、第２導電型領域に接続される第２電極とを含み、半導体基板の背面は、半導体基板の背面の全体の領域中で端の片側にいずれか１つの方向に長く位置する第１領域（first area）と、第１領域を除外した残りの領域に位置する第２領域（second area）に分けられ、第１電極は、第１領域及び第２領域に形成されるが、第１領域の内の少なくとも一部の領域に第１電極の一部が露出され、第２電極は、第２領域に第１電極と離隔されて形成され、第２領域の内の少なくとも一部の領域に第２電極が露出される。
【０００７】
ここで、第１電極は、第１領域と第２領域に全体的に形成されるが、第２領域に複数の開口穴を備える第１電極層を含み、第２電極は、第２領域に形成された第１電極層の複数の開口穴を介して第２導電型領域に接続され、第２領域に位置する第１電極層の上に離隔して積層された面形状に形成される第２電極層を含むことができる。
【０００８】
ここで、第１電極層の一部は、第１領域の内の少なくとも一部の領域に露出され、第２電極層は、第２領域の内、少なくとも一部に形成されることができる。
【０００９】
また、第１電極は、第１電極層と第１導電型領域の間に位置する第１透明電極層をさらに含み、第２電極は、第２電極層と第２導電型領域の間に位置する第２透明電極層をさらに含むことができる。
【００１０】
ここで、半導体基板の平面で見たとき、第１電極層と第１透明電極層は、同一のパターンを有する。
【００１１】
さらに、第２透明電極層は、第２領域に備えられた第１透明電極層の開口穴内に形成され、第２導電型領域に接続することができる。
【００１２】
また、半導体基板の第２領域で複数の第２透明電極層が露出される残りの部分には、絶縁層が位置することができる。
【００１３】
ここで、複数の第２透明電極層は、格子の形で互いに離隔して配列することができる。
【００１４】
さらに、第１導電型領域は、第１領域に全体的に形成され、第２領域に複数の開口穴を備えて形成されるが、複数の開口穴を除外した領域に全体的に形成され、第２導電型領域は、第２領域で第１導電型領域の開口穴内に形成されることができる。
【００１５】
ここで、第１、第２導電型領域は、非晶質シリコン、単結晶シリコン、多結晶シリコンまたは金属酸化物の内、いずれか１つを含むことができる。
【００１６】
また、絶縁層は、第２領域で互いに離隔されて積層される第１電極層と第２電極層との間の空間に位置することができる。
【００１７】
さらに、半導体基板の背面全体面と第１導電型領域と第２導電型領域の前面との間には、半導体基板で生成されたキャリア（carrier）が通過するトンネル層がさらに位置することができる。
【００１８】
ここで、絶縁層の厚さは、トンネル層の厚さより厚いことがある。
【００１９】
また、第1、第２透明電極層は、透明な導電性酸化膜を含むことができ、第１、第２透明電極層のそれぞれの厚さは、１０ｎｍ〜１００ｎｍの間で有り得る。
【００２０】
さらに、第１、第２電極層のそれぞれの厚さは、第１、第２透明電極層のそれぞれの厚さより大きく、１００ｎｍ〜５μｍの間で有り得る。
【００２１】
また、第１導電型領域は、第１領域に全体的に形成され、第２領域にいずれか一方向に長く形成され、第２導電型領域は、第２領域に第１導電型領域と隣接して並行するように長く形成されることができる。
【００２２】
さらに、第１透明電極層は、第１導電型領域と重畳されて接続されるが、第１領域に全体的に形成され、第２領域にいずれか一方向に長く形成され、第２透明電極は、第２領域で第２導電型領域と重畳されて接続されるが、第１透明電極層と離隔して長く形成されることができる。
【００２３】
また、本発明の一例に係る太陽電池モジュールは、前述した構造を有し、第１方向に配列される複数の太陽電池と複数の太陽電池の内、第１方向に隣接して配置される第１、第２太陽電池を互いに直列接続するインターコネクタとを含み、インターコネクタは、一端が第１太陽電池の第１領域に露出される第１電極の一部に重畳されて接続され、他端が第２太陽電池の第２領域に露出される第２電極に重畳されて接続できる。
【００２４】
ここで、インターコネクタが第１太陽電池の第１領域と重畳される第１方向への長さは、インターコネクタが第２太陽電池の第２領域と重畳される第１方向への長さと互いに異なることができる。
【００２５】
さらに、第１、第２電極のそれぞれは、互いに離隔して積層された面形状に形成される第１、第２電極層を含む場合、インターコネクタは、第１方向に長く伸びている第１方向伝導体を含み、第１方向伝導体の一端は、第１太陽電池の第１領域に露出された第１電極層に接続され、第１方向伝導体の他端は、第２太陽電池の第２領域に形成された第２電極層に接続するごとができる。
【００２６】
ここで、第１方向伝導体は複数個であり、複数個の第１方向の伝導体の内、いずれか１つの第１方向伝導体の一端が第１太陽電池の第１領域と重畳される長さは、いずれか１つの第１方向伝導体の他端が第２太陽電池の第２領域と重畳される長さと互いに異なることができる。
【００２７】
さらに、インターコネクタは、第１方向伝導体の両端に形成され、第２方向に長く伸びている第２方向伝導体をさらに含み、第２方向伝導体は、第１方向伝導体と一体に形成されることができる。
【００２８】
ここで、第１方向伝導体の両端に接続された二つの第２方向伝導体は、幅が互いに同じで有り得る。
【００２９】
また、第１方向伝導体は一つであり、第１方向伝導体の両端に接続された第２方向伝導体の内、いずれか１つの幅は、残りの一つの幅とは異なることがある。
【００３０】
また、第１、第２太陽電池のそれぞれで、第２電極は、第２電極層が省略されて、第２領域の内、一部の領域に露出されることがある。
【００３１】
ここで、半導体基板の第２領域で第２電極が露出される一部の領域を除外した残りの領域には、絶縁層が覆われていることがある。
【００３２】
さらに、インターコネクタは面形状を有し、面形状のインターコネクタの一端は、第１、第２太陽電池の内、いずれか一太陽電池の第１領域に露出された第１電極層に接続され、他端は、他の一太陽電池の第２領域の一部に露出した第２電極の一部に接続することができる。
【００３３】
このような面形状のインターコネクタにおいて、第１、第２太陽電池と重畳しない領域には、複数の開口部が形成されることができる。
【発明の効果】
【００３４】
本発明に係る太陽電池及び太陽電池モジュールは、第１、第２電極が２層構造で形成されて、第１、第２電極の抵抗損失を最小化し、面形状の第１、第２電極層を介してインターコネクタと接続できる広い面を確保して、インターコネクタの接続を容易にして、太陽電池のモジュール化工程を単純化させることができる。
【図面の簡単な説明】
【００３５】
添付した図面を参考にして本発明の実施の形態について詳細に説明する。
【図１】本発明の第１実施の形態に係る太陽電池モジュールを説明するための図である。
【図２】本発明の第１実施の形態に係る太陽電池モジュールを説明するための図である。
【図３】本発明の第１実施の形態に係る太陽電池モジュールを説明するための図である。
【図４】本発明の第１実施の形態に係る太陽電池モジュールを説明するための図である。
【図５】本発明の第１実施の形態に係る太陽電池モジュールを説明するための図である。
【図６】本発明の第１実施の形態に係る太陽電池モジュールを説明するための図である。
【図７】本発明の第１実施の形態に係る太陽電池モジュールを説明するための図である。
【図８】本発明の第１実施の形態に係る太陽電池モジュールを説明するための図である。
【図９】本発明の第１実施の形態に係る太陽電池モジュールを説明するための図である。
【図１０】図１に示された本発明の第１実施の形態の変更例を説明するための図である。
【図１１】図１に示された本発明の第１実施の形態の他の変更例を説明するための図である。
【図１２】図１に示された本発明の第１実施の形態の第３変更例を説明するための図である。
【図１３】本発明の第２の実施の形態に係る太陽電池モジュールとその変更例を説明するための図である。
【図１４】本発明の第２の実施の形態に係る太陽電池モジュールとその変更例を説明するための図である。
【図１５】本発明の第２の実施の形態に係る太陽電池モジュールとその変更例を説明するための図である。
【図１６】本発明の第２の実施の形態に係る太陽電池モジュールとその変更例を説明するための図である。
【図１７】本発明の第２の実施の形態に係る太陽電池モジュールとその変更例を説明するための図である。
【図１８】本発明の太陽電池モジュールに適用可能な太陽電池の他の一例を説明するための図である。
【図１９】本発明の太陽電池モジュールに適用可能な太陽電池の他の一例を説明するための図である。
【図２０】本発明の太陽電池モジュールに適用可能な太陽電池の他の一例を説明するための図である。
【図２１】本発明の太陽電池モジュールに適用可能な太陽電池の他の一例を説明するための図である。
【図２２】本発明の太陽電池モジュールに適用可能な太陽電池の他の一例を説明するための図である。
【図２３】本発明の太陽電池モジュールに適用可能な太陽電池の他の一例を説明するための図である。
【図２４】本発明の太陽電池モジュールに適用可能な太陽電池のまた他の一例を説明するための図である。
【図２５】本発明の太陽電池モジュールに適用可能な太陽電池のまた他の一例を説明するための図である。
【図２６】本発明の太陽電池モジュールに適用可能な太陽電池のまた他の一例を説明するための図である。
【図２７】本発明の太陽電池モジュールに適用可能な太陽電池のまた他の一例を説明するための図である。
【図２８】本発明の太陽電池モジュールに適用可能な太陽電池のまた他の一例を説明するための図である。
【図２９】本発明の太陽電池モジュールに適用可能な太陽電池のまた他の一例を説明するための図である。
【発明を実施するための形態】
【００３６】
以下では、添付した図面を参考にして本発明の実施の形態について本発明が属する技術分野において通常の知識を有する者が容易に実施できるように詳細に説明する。しかし、本発明は、さまざまな形で実現することができ、ここで説明する実施の形態に限定されない。そして図面で本発明を明確に説明するために説明と関係ない部分は省略し、明細書全体を通じて類似の部分には同様の符号を付与した。
【００３７】
図面で複数の層と領域を明確に表現するために厚さを拡大して示した。層、膜、領域、板などの部分が他の部分 “上に”あるとする時、これは他の部分“真上に”ある場合だけでなく、その中間に他の部分がある場合も含む。逆にどの部分が他の部分“真上に”あるとするときは、中間に他の部分がないことを意味する。また、どの部分が他の部分の上に“全体的”に形成されているとするときは、他の部分の全体面に形成されているものだけでなく、端の一部には形成されないことを意味する。
【００３８】
また、前面とは、直射光が入射される半導体基板の一面で有り得、背面とは、直射光が入射されないか、直射光ではなく、反射光が入射することができる半導体基板の反対面で有り得る。
【００３９】
また、以下でいずれの厚さや長さが実質的に同一であることの意味は、誤差１０％以下の場合を意味する。
【００４０】
また、以下で第１導電型領域と第２導電型領域とは、第１導電型領域と第２導電型領域は、互いに反対の極性を有する領域であり、一例として、第１導電型領域が、正孔が複数キャリアで動作するｐ型領域であれば、第２導電型領域は、電子が複数キャリアで動作するｎ型領域で有り得、これと反対に第１導電型領域がｎ型であれば、第２導電型領域はｐ型で有り得る。このような第１導電型領域と第２導電型領域の極性は、半導体基板として使用されるシリコンウエハがｎ型を有するかｐ型を有すかに応じて、その極性が決定されることができる。
【００４１】
また、以下で第１、第２電極のそれぞれに含まれるパッド部とは、互いに隣接する二つの太陽電池を、インターコネクタを用いて、互いに電気的に接続する際に、それぞれの第１、第２電極全体の部分の中でインターコネクタが電気的に接続される部分を意味する。
【００４２】
図１〜図９は、本発明の第１実施の形態に係る太陽電池モジュールを説明するための図である。
【００４３】
ここで、図１は、本発明の第１実施の形態に係る太陽電池モジュールを背面から見た様子であり、図２は、図１でＣＸ１−ＣＸ１ラインに沿った太陽電池モジュールの断面を切って示した様子である。
【００４４】
図３及び図４は、本発明の一例に係る太陽電池を説明するための図であり、図３は、第１電極１４１が露出される太陽電池の一側面の一部斜視図であり、図４の（ａ）は、太陽電池を第１方向（ｘ）に切って示した全体断面図であり、図４の（ｂ）〜図４の（ｄ）は、図４の（ａ）で（ｂ）〜（ｄ）の部分を拡大して示した図である。
【００４５】
ここで、図４の（ｂ）〜図４の（ｄ）の説明は、以下の図７以下を説明しながら、一緒に説明する。
【００４６】
図１及び図２に示すように、本発明の一例に係る太陽電池モジュールは、第１、第２太陽電池（Ｃ１、Ｃ２）とインターコネクタ３００を含む。
【００４７】
ここで、第１、第２太陽電池（Ｃ１、Ｃ２）のそれぞれは、半導体基板１１０、第１導電型領域１２１、第２導電型領域１７２、第１電極１４１及び第２電極１４２を含み、第１、第２太陽電池（Ｃ１、Ｃ２）は、図１に示すように、第１方向（ｘ）に並行するように配置されて、第１方向（ｘ）に長く伸びたインターコネクタ３００によって電気的に互に接続できる。
【００４８】
ここで、第１、第２太陽電池（Ｃ１、Ｃ２）のそれぞれに備えられた半導体基板１１０の背面は、第１領域（Ｓ１）及び第２領域１４２に分けられる。
【００４９】
ここで、第１領域（Ｓ１）は、半導体基板１１０の背面全体の領域の内、片端の端に位置し、第２領域（Ｓ２）は、半導体基板１１０の背面全体領域の内、第１領域（Ｓ１）を除外した残りの領域に位置することができる。
【００５０】
一例として、図１においては、第１領域（Ｓ１）と第２領域（Ｓ２）との間の境界線が第１方向（ｘ）と交差する第２方向（ｙ）に長く形成されるが、第１領域（Ｓ１）が半導体基板１１０の背面全体の領域の中で端の片側の領域に位置するが、第２方向（ｙ）に長く形成され、第２領域（Ｓ２）が第１領域（Ｓ１）を除外した残りの領域に位置する場合を一例として示した。
【００５１】
さらに、第１、第２太陽電池（Ｃ１、Ｃ２）のそれぞれで、第１電極１４１は、半導体基板１１０の背面全体領域のうち、第１領域（Ｓ１）及び第２領域（Ｓ２）にかけて形成されるが、第１領域（Ｓ１）の内の少なくとも一部の領域に第１電極１４１の一部が露出されることがある。
【００５２】
加えて、第２電極１４２は、半導体基板１１０の背面全体領域の内、第２領域（Ｓ２）に形成され、第２領域（Ｓ２）の内の少なくとも一部の領域に第２電極１４２の一部が露出されることがある。
【００５３】
ここで、半導体基板１１０の第１領域（Ｓ１）に露出された第１電極１４１の一部は、インターコネクタ３００が電気的に接続される第１電極パッド部としての役割をすることができ、半導体基板１１０の第２領域（Ｓ２）に露出される第２電極１４２の一部は、第２電極パッド部としての役割を行うことができる。
【００５４】
一例として、図１及び図２に示すように、第１、第２太陽電池（Ｃ１、Ｃ２）のそれぞれで、第１電極１４１は、半導体基板１１０の背面の第１、第２領域（Ｓ１、Ｓ２）の上に面形状に形成された第１電極層（図３の１４１Ｌ）を含み、第２電極１４２は、半導体基板１１０の背面で第１電極層（１４１Ｌ）と、重畳されるが、第１、２方向（ｘ、ｙ）と垂直方向である第３方向（ｚ）に離隔された面形状に形成される第２電極層（図３の１４２Ｌ）を含むことができる。
【００５５】
図１においては、第１電極パッド部としての役割を遂行するために、第１電極層（図３の１４１Ｌ）の一部が、第１領域（Ｓ１）全体的に露出されるが、第２方向（ｙ）に長く露出される場合を一例として示したが、これに必ずしも限定されるものではなく、第１電極層（図３の１４１Ｌ）の一部は、第１領域（Ｓ１）の一部のみ露出されることもあり、第２方向（ｙ）に離隔され、複数個に露出されることもあり、第１領域（Ｓ１）で第１電極層（図３の１４１Ｌ）の一部が露出しない部分には、絶縁層１９０が位置することもある。
【００５６】
さらに、第１電極層（図３の１４１Ｌ）と第２電極層（図３の１４２Ｌ）との間に第３方向（ｚ）に離隔された空間には、第１、第２電極層（図３の１４１Ｌ、１４２Ｌ）を互いに絶縁するための絶縁層１９０がさらに位置することができる。
【００５７】
ここで、第１、第２太陽電池（Ｃ１、Ｃ２）の半導体基板１１０、第１導電型領域１２１、第２導電型領域１７２、絶縁層１９０、第１電極１４１が第１導電型領域１２１に接続される構造及び第２電極１４２が第２導電型領域１７２に接続される構造のさらに具体的な説明は、図３〜図９でさらに具体的に説明する。
【００５８】
ここの図１及び図２では、第１電極１４１が第１電極層（１４１Ｌ）を含み、第２電極１４２が第２電極層（１４２Ｌ）を含む場合を一例として説明するが、太陽電池モジュールに適用されるインターコネクタ３００の形状に応じて、第１電極１４１だけが、第１電極層（１４１Ｌ）を含み、第２電極１４２は、第２電極層（１４２Ｌ）を含まないこともある。
【００５９】
このように、第１電極１４１だけが、第１電極層（１４１Ｌ）を含み、第２電極１４２は、第２電極層（１４２Ｌ）を含まない太陽電池モジュールの他の一例については、図１３以下でさらに具体的に説明する。
【００６０】
ここで、図１及び図２に示すように、第１電極１４１が第１電極層（１４１Ｌ）を含み、第２電極１４２が第２電極層（１４２Ｌ）を含む場合、第１電極層（１４１Ｌ）中で、第１領域（Ｓ１）に第２方向（ｙ）に長く露出される部分が、第１電極パッド部としての役割を果たし、半導体基板１１０の背面領域の内、第２領域（Ｓ２）に形成された第２電極層（１４２Ｌ）が第２電極パッド部としての役割を行うことができる。
【００６１】
これにより、第１電極パッド部としての役割を実行する第１電極層（１４１Ｌ）の一部は、半導体基板１１０の背面領域の内、第２方向（ｙ）と並行する片側に隣接して第２方向（ｙ）に長く露出されることができ、半導体基板１１０の背面領域の内、第２方向（ｙ）と並行する他の片側の側面では、露出されないことがある。
【００６２】
さらに、第２電極パッド部としての役割を実行する第２電極層（１４２Ｌ）の一部は、半導体基板１１０の背面領域の内、第１電極層（１４１Ｌ）が露出されない第２領域（Ｓ２）に全体的に露出されることがある。
【００６３】
このとき、図２に示すように、第２電極層（１４２Ｌ）は、第１電極層（１４１Ｌ）の上に位置する絶縁層１９０上に形成されるので、第１電極層（１４１Ｌ）と第２電極層（１４２Ｌ）は、互いに異なる層に形成され、半導体基板１１０の背面から第１電極層（１４１Ｌ）の背面までの高さは、半導体基板１１０の背面から第２電極層（１４２Ｌ）の背面までの高さと異なることがある。
【００６４】
これにより、図２に示すように、インターコネクタ３００は、第１方向（ｘ）に長く形成されるが、第２電極層（１４２Ｌ）の先端から少し曲がって第１電極層（１４１Ｌ）の第１電極パッド部に接続されることがある。
【００６５】
しかし、これとは違って、絶縁層１９０の上に第２電極層（１４２Ｌ）が形成されないか、または第２電極層（１４２Ｌ）が面の形で備えられるのではなく、特定の形態でパターニングされ、第２電極パッド部としての役割を実行することもできる。これについては後述する。
【００６６】
インターコネクタ３００は、前述した第１、第２太陽電池（Ｃ１、Ｃ２）を互いに直列に接続することができる。つまり、インターコネクタ３００は、一端が第１太陽電池（Ｃ１）の第１領域（Ｓ１）に第２方向（ｙ）に長く伸びて露出される第１電極１４１に重畳されて接続され、他端が第２太陽電池（Ｃ２）の第２領域（Ｓ２）に露出される第２電極１４２に重畳されて接続されることができる。
【００６７】
さらに具体的には、インターコネクタ３００は、第１方向（ｘ）に長く伸びている複数の第１方向伝導体（３００ｘ）を含み、複数の第１方向伝導体（３００ｘ）の一端は、第１太陽電池（Ｃ１）の第１領域（Ｓ１）に露出された第１電極層（１４１Ｌ）の第１電極パッド部に接続され、複数の第１方向伝導体（３００ｘ）の他端は、第２太陽電池（Ｃ２）の第２領域（Ｓ２）に露出された第２電極層（１４２Ｌ）の第２電極パッド部に接続されることができる。
【００６８】
このようなインターコネクタ３００は、銅（Ｃｕ）のように導電性の高いコア（core）の表面に接着性に優れたスズ（Ｓｎ）系の材質が含まれたコーティング層がコーティングされて形成されることができる。
【００６９】
このようなインターコネクタ３００は、第１太陽電池（Ｃ１）の第１電極１４１及び第２太陽電池（Ｃ２）の第２電極１４２に導電性接着剤（図示せず）を介して接続されることができる。
【００７０】
ここで、導電性接着剤は、スズ（Ｓｎ）またはスズ（Ｓｎ）を含む合金を含む金属材質で形成されることができる。
【００７１】
さらに具体的には、導電性接着剤は、（１）スズ（Ｓｎ）またはスズ（Ｓｎ）を含む合金を含むはんだ付けペースト（solder paste）の形で形成されたり、（２）エポキシにスズ（Ｓｎ）またはスズ（Ｓｎ）を含む合金が含まれたエポキシはんだ付けペースト（epoxy solder paste）または導電性ペースト（Conductive psate）の形態で形成されることができる。
【００７２】
このように、本発明に係る太陽電池モジュールは、インターコネクタ３００が、第１、第２太陽電池（Ｃ１、Ｃ２）の第１、第２領域（Ｓ１、Ｓ２）のそれぞれに露出される第１、第２電極層（１４１Ｌ、１４２Ｌ）に接続されるようにすることで、太陽電池モジュールの製造工程をさらに容易にして、太陽電池モジュールの効率をさらに向上させることができる。
【００７３】
すなわち、各太陽電池の第１、第２電極のそれぞれがいずれか１つの方向に長く伸びたフィンガー電極とフィンガー電極に交差して形成されるバスバーを備えた場合、インターコネクタ３００は、各太陽電池のバスバーに精巧にアライン（align）され、接続されるべきであるので、太陽電池モジュールの製造工程時正確なアラインメントが要求されることがある。
【００７４】
しかし、本発明の場合、インターコネクタ３００と接続される半導体基板１１０の第１、第２領域（Ｓ１、Ｓ２）が相対的に広く、このような正確なアラインメントを要求しないことがある。
【００７５】
したがって、本発明のような太陽電池モジュールの場合、正確なアラインメントを要求しないため、ＥＶＡのような充填シートにあらかじめインターコネクタ３００を形成させた状態で、複数の太陽電池をモジュール化させるラミネート工程中にインターコネクタ３００は、第１、第２太陽電池（Ｃ１、Ｃ２）の第１、第２領域（Ｓ１、Ｓ２）に露出される第１、第２電極（１４１、１４２）に接続させることができ、太陽電池モジュールの製造工程をさらに単純化させることができる。
【００７６】
さらに、各太陽電池の第１、第２電極のそれぞれがフィンガー電極とバスバーを備えた場合、インターコネクタ３００は、各太陽電池のバスバーにそれぞれ一つだけ接続され、インターコネクタ３００自体の幅が狭小し、インターコネクタ３００の直列抵抗が相対的に高く示されることがある。
【００７７】
しかし、本発明の場合、インターコネクタ３００が第１方向（ｘ）に長く伸びている複数の第１方向伝導体（３００ｘ）を含むので、インターコネクタ３００自体の抵抗を著しく下げることができ、太陽電池モジュールの短絡電流値をさらに向上させ、太陽電池モジュールの効率をさらに向上させることができる。
【００７８】
また、インターコネクタ３００が面に形成された一つの伝導体で形成されるのではなく、第１方向（ｘ）に長く伸びている複数の第１方向伝導体（３００ｘ）に分割して形成されるようにすることにより、インターコネクタ３００を、各太陽電池に接続させるテビン（tabbing）工程の熱処理工程の内、第１方向（ｘ）にインターコネクタ３００が伸縮して発生する熱膨張ストレスを最小化することができる。
【００７９】
この時、図１及び図２に示すように、インターコネクタ３００が第１太陽電池（Ｃ１）の第１領域（Ｓ１）と、重畳される第１方向（ｘ）への長さ（ＯＬ１）は、インターコネクタ３００が第２太陽電池（Ｃ２）の第２領域（Ｓ２）と重畳される第１方向（ｘ）への長さ（ＯＬ２）と互いに異なることができる。
【００８０】
すなわち、複数の第１方向伝導体（３００ｘ）の内、いずれか１つの第１方向伝導体（３００ｘ）の一端が第２太陽電池（Ｃ２）の第１領域（Ｓ１）（または第１電極層（１４１Ｌ））と重畳されて接続される長さ（ＯＬ１）は、いずれか１つの第１方向伝導体（３００ｘ）の他端が第１太陽電池（Ｃ１）の第２領域（Ｓ２）（または第２電極層（１４２Ｌ））と重畳されて接続される長さ（ＯＬ２）と異なることができる。
【００８１】
この時、インターコネクタ３００が第２太陽電池（Ｃ２）の第１領域（Ｓ１）と、重畳される長さ（ＯＬ１）は、第１太陽電池（Ｃ１）の第２領域（Ｓ２）と、重畳される長さ（ＯＬ２）の１/４０〜１/４の間で有り得る。
【００８２】
ここで、１/４０以上になるようにするのはインターコネクタ３００と、第１電極層（１４１Ｌ）との間の最小限の物理的な接着力を確保するためであり、１/４以下になるようにするのは、太陽電池の半導体基板１１０の背面全体領域の内、第１領域（Ｓ１）に第１電極層（１４１Ｌ）が露出される面積と第２領域（Ｓ２）に形成される第２電極層（１４２Ｌ）の端の位置に沿って、太陽電池の短絡電流効率が異なることがあるが、１/４以下になるようにして、太陽電池モジュールの効率が維持されることができる最小限の短絡電流の値を維持するためである。
【００８３】
これまで本発明の第１実施の形態に係る太陽電池モジュールにおいて、第１、第２太陽電池（Ｃ１、Ｃ２）の第１、第２領域（Ｓ１、Ｓ２）のそれぞれに露出される第１、第２電極層（１４１Ｌ、１４２Ｌ）と、これに接続されるインターコネクタ３００に対して説明したが、以下では、このような第１実施の形態に適用される太陽電池の具体的な一例について説明する。
【００８４】
本発明の一例に係る太陽電池は、図３及び図４の（ａ）に示すように、半導体基板１１０と半導体基板１１０の背面にトンネル層１８０、第１導電型領域１２１、第２導電型領域１７２、絶縁層１９０、第１電極１４１と第２電極１４２を備えることができる。
【００８５】
ここで、トンネル層１８０は、場合によっては省略されることもあるが、以下では、備えられた場合を一例として説明する。
【００８６】
半導体基板１１０は、第１導電型の不純物または第２導電型の不純物の内、いずれか一タイプの不純物を含有する単結晶シリコンまたは多結晶シリコンの内、少なくともいずれか一つに形成されることがある。一例として、半導体基板１１０は、単結晶シリコンウエハに形成されることがある。
【００８７】
ここで、第１導電型は、ｎ型またはｐ型導電型の内、いずれか１つで有り得る。第２導電型は、第１導電型と反対である場合を意味する。
【００８８】
例えば、第１導電型がｎ型である場合、第２導電型はｐ型で有り得、逆に、第１導電型がｐ型である場合、第２導電型はｎ型で有り得る。
【００８９】
したがって、半導体基板１１０には、ｎ型タイプの不純物またはｐ型タイプの不純物の内、いずれか一タイプの不純物がドーピングされることがある。
【００９０】
半導体基板１１０がｐ型の導電型を有する場合、ホウ素（Ｂ）、ガリウム、インジウムなどのような３価元素の不純物が半導体基板１１０にドーピング（doping）され、反対に、半導体基板１１０がｎ型の導電型を有する場合、リン（Ｐ）、ヒ素（Ａｓ）、アンチモン（Ｓｂ）などのように５価元素の不純物が半導体基板１１０にドーピングすることができる。
【００９１】
このような半導体基板１１０の前面に複数の凹凸面を有することがある。これにより、半導体基板１１０の前面から反射される光の量が減少して、半導体基板１１０の内部に入射される光の量が増加することがある。
【００９２】
トンネル層１８０は、半導体基板１１０の背面の全面と第１導電型領域１２１及び第２導電型領域１７２の前面との間に形成されることができる。
【００９３】
したがって、トンネル層１８０の前面は、半導体基板１１０の背面の全面に直接接触し、トンネル層１８０の背面は、第１、大２導電型領域（１２１、１７２）の前面に直接接触して形成されることができる。
【００９４】
このようなトンネル層１８０は、半導体基板１１０の背面に誘電体材質または半導体物質を含むことができ、このような誘電体材質または半導体物質を蒸着して形成されることができる。
【００９５】
さらに具体的には、トンネル層１８０は、ＳｉＯｘ（酸化シリコン）のような誘電体材質で形成されたり、ａ−Ｓｉ（非晶質シリコン）またはＳｉＣ（シリコンカーバイド）などのような半導体材質で形成されることができる。
【００９６】
このようなトンネル層１８０の材料の中から６００℃以上の高温工程でも耐久性が強いＳｉＣｘまたはＳｉＯｘで形成される誘電体材質で形成されることがさらに好ましいことができる。
【００９７】
しかし、この他にも、トンネル層１８０は、ＳｉＮｘ（silicon nitride）、水素添加（hydrogenerated）ＳｉＮｘ、 ＡｌＯｘ（aluｍinuｍ oxide）、ＳｉＯＮ（silicon oxynitride）または水素添加（hydrogenerated）ＳｉＯＮで形成が可能である。
【００９８】
このようなトンネル層１８０は、半導体基板１１０で生成されたキャリアを通過させ、半導体基板１１０の背面のパッシベーション機能を実行することができる。
【００９９】
このようなトンネル層１８０の厚さ（Ｔ１８０）は、半導体基板１１０で生成されたキャリアを通過させながら、半導体基板１１０のパッシベーション機能を適切に実行するために、１ｎｍ〜３ｎｍの間に形成されることができる。
【０１００】
さらに、このようなトンネル層１８０は、太陽電池を製造する際に高温の熱処理工程が行われても、半導体基板１１０の特性（例えば、キャリアライフタイム）が毀損されることを最小化することができる。
【０１０１】
このようなトンネル層１８０は、後述する第１、第２導電型領域（１２１、１７２）が非晶質シリコンが再結晶化された多結晶シリコン材質を含む場合にのみ形成されることができる。
【０１０２】
しかし、第１、第２導電型領域（１２１、１７２）が（１）半導体基板１１０に不純物が拡散されて形成されるか、または、（２）第１、第２導電型領域（１２１、１７２）が非晶質シリコン（ａ−Ｓｉ）材質や金属酸化物（Metal Oxide）を含んで形成される場合、トンネル層１８０は、省略することができる。
【０１０３】
ここで、第１、第２導電型領域（１２１、１７２）が（１）非晶質シリコンが再結晶化された多結晶シリコン材質、（２）半導体基板と同じシリコン材質または（３）非晶質シリコン材質を含んで形成される場合、第１、第２導電型領域（１２１、１７２）のそれぞれには、第１導電型の不純物または第２導電型の不純物がドーピングされることができる。
【０１０４】
しかし、第１、第２導電型領域（１２１、１７２）が、金属酸化物（Metal Oxide）を含んで形成される場合、金属酸化物（Metal Oxide）固有の フェルミ レベル(Fermi level)により、半導体基板１１０とｐ−ｎ接合を形成されることができるので、第１、第２導電型領域（１４１、１４２）が、金属酸化物（Metal Oxide）を含んで形成される場合には、第１導電型の不純物または第２導電型の不純物がドーピングされないことがある。
【０１０５】
図３においては、第１、第２導電型領域（１２１、１７２）が非晶質シリコンが再結晶化された多結晶シリコン材質を含む場合を一例として示したので、トンネル層１８０が備えられている場合を一例として説明する。
【０１０６】
第１導電型領域１２１は、半導体基板１１０の背面に配置される。一例として、このような第１導電型領域１２１は、図３及び図４の（ａ）に示すように、トンネル層１８０の背面の一部に直接接触して配置することができる。しかし、図３及び図４の（a）に示すところと異なり、トンネル層１８０がない場合は、第１導電型領域１２１は、半導体基板１１０の背面の一部に直接接触して配置されることも可能である。
【０１０７】
このような第１導電型領域１２１は、第１導電型の不純物がドーピングされることができる。したがって、もし半導体基板１１０に第１導電型の不純物がドーピングされている場合には、第１導電型領域１２１は、背面電界部としての役割を遂行することができ、これとは違って、もし半導体基板１１０に第２導電型の不純物がドーピングされる場合には、第１導電型領域１２１は、トンネル層１８０を間に置いて、半導体基板１１０とｐ−ｎ接合を形成するので、エミッタ部としての役割を遂行することができる。以下では、第１導電型領域１２１がエミッタ部である場合を一例として説明する。
【０１０８】
ここで、一例として、第１導電型領域１２１がエミッタ部で形成され、第２導電型領域１７２が背面電界部で形成される場合、外部から光が入射されたとき、半導体基板１１０内には、正孔と電子対が生成され、第１導電型領域１２１と、半導体基板１１０との間のｐ−ｎ接合によって正孔と電子対は、正孔と電子に分離され、分離された正孔は、複数の第１導電型領域１２１の方向に移動することができ、分離された電子は、後述する第２導電型領域１７２の方向に移動することができる。
【０１０９】
しかし、これとは違って第１導電型領域１２１がｎ型の導電型を有する場合、電子が第１導電型領域１２１方向に移動し、正孔は第２導電型領域１７２方向に移動することができる。
【０１１０】
第２導電型領域１７２は、半導体基板１１０の背面に配置される。一例として、このような第２導電型領域１７２は、図３及び図４の（ａ）に示すように、トンネル層１８０の背面の内、第１導電型領域１２１が接触しない残りの領域に直接接触して形成されることができる。しかし、図３及び図４の（a）に示すところと違って、トンネル層１８０がない場合は、第１導電型領域１２１は、半導体基板１１０の背面の一部に直接接触して配置されることも可能である。
【０１１１】
このような第２導電型領域１７２は、第１導電型と反対の第２導電型の不純物がドーピングされて、第１導電型領域１２１と反対の極性を有することができる。したがって、第１導電型領域１２１の第１導電型がｐ型である場合、第２導電型領域１７２の第２導電型はｎ型で有り得、このような第２導電型領域１７２の不純物ドーピング濃度は、半導体基板１１０の不純物ドーピング濃度より高いことがある。
【０１１２】
したがって、一例として、半導体基板１１０にｎ型不純物がドーピングされた場合、第２導電型領域１７２は、背面電界部としての機能を実行することができる。
【０１１３】
したがって、第２導電型領域１７２は、半導体基板１１０と第２導電型領域１７２との不純物濃度の差に起因する電位障壁によって第２導電型領域１７２の方向に電子移動を妨害する反面、第２導電型領域１７２の方向への正孔の移動を容易にすることができる。
【０１１４】
したがって、第２導電型領域１７２は、電子と正孔の再結合に損実される電荷の量を減少させ、キャリアの移動を加速化させ、第２導電型領域１７２の方向に正孔の移動量を増加させることができる。
【０１１５】
このような、第１、第２導電型領域（１２１、１７２）は、（１）単結晶シリコン材質、（２）多結晶シリコン材質または（３）非晶質シリコン材質で形成されたり、（４）金属酸化物（Metal Oxide）を含んで形成されることができる。
【０１１６】
ここで、第１、第２導電型領域（１２１、１７２）が（１）単結晶シリコン材質、（２）多結晶シリコン材質または（３）非晶質シリコン材質で形成される場合、前述したように、第１、２導電型領域（１２１、１７２）のそれぞれには、第１、第２導電型の不純物がドーピングされて、互いに反対になる極性を有することができるが、第１、第２導電型領域（１２１、１７２）が、金属酸化物（Metal Oxide）で形成される場合、第１、第２導電型の不純物がドーピングされず、金属酸化物（Metal Oxide）が有する固有のフェルミレベルにより、第１、第２導電型領域（１２１、１７２）は、互いに反対となる極性を有することができる。
【０１１７】
一例として、図３及び図４の（ａ）に示すように、本発明に係る太陽電池が、第１、第２導電型領域（１２１、１７２）は、トンネル層１８０の背面に多結晶シリコン（poly -Si）材質で形成される場合、第１、第２導電型領域（１２１、１７２）を多結晶シリコン（poly-Si）材質で形成するための熱処理工程中の半導体基板１１０の熱損傷を最小化するためにトンネル層１８０を備えることができる。
【０１１８】
このような第１、第２導電型領域（１２１、１７２）が多結晶シリコン材質を含んで形成される場合、第１、第２導電型領域（１２１、１７２）は、（１）トンネル層１８０の背面に真性多結晶シリコン層を蒸着させた後に、真性多結晶シリコン層内に第２導電型の不純物を注入させて形成されるか、（２）トンネル層１８０の背面に真性非晶質シリコン層を蒸着した後、熱処理して真性非晶質シリコン層を真性多結晶シリコン層に再結晶化しつつ、再結晶化される真性多結晶シリコン層の内に第２導電型の不純物を注入させて形成されることができる。
【０１１９】
しかし、図３及び図４の（ａ）とは異なり（１）第１、第２導電型領域（１２１、１７２）は、不純物が半導体基板に拡散され、半導体基板１１０と同じ単結晶または多結晶シリコン材質で形成されたり、（２）非晶質シリコン（ａ−Ｓｉ）材質や金属酸化物（Metal Oxide）が半導体基板１１０の背面に蒸着されて形成される場合、高温の熱処理工程が省略されるので、トンネル層１８０も省略することがある。
【０１２０】
さらに、図３、図４の（ａ）は、第１、第２導電型領域（１２１、１７２）が、互いに直接接続して形成された場合を一例として示したが、これと違って方法で第１、第２導電型領域（１２１、１７２）は、互いに離隔して形成されることも可能である。
【０１２１】
このように、第１、第２導電型領域（１２１、１７２）が互いに離隔して形成される場合、たとえ示されてはいないが、第１、第２導電型領域（１２１、１７２）との間の離隔された空間には、第１、第２導電型の不純物がドーピングされていない真性半導体層（図示せず）が形成されたり、絶縁層１９０が形成されることができる。
【０１２２】
絶縁層１９０は、図３及び図４の（a）に示すように、第１、第２導電型領域（１２１、１７２）の背面の内、第１、第２電極（１４１、１４２）が接続されない領域上と第１電極１４１と第２電極１４２との間に位置することができる。
【０１２３】
ここで、第１、第２電極（１４１、１４２）の間に位置する絶縁層１９０は、第１電極１４１と第２電極１４２との間の短絡を防止することができ、第１、第２導電型領域（１２１、１７２）の背面に形成された絶縁層１９０は、第１、第２導電型領域（１２１、１７２）の背面でデングルリングボンド（dangling bond）による欠陥を除去して、半導体基板１１０から生成されたキャリアがデングルリングボンドによって再結合されて消滅することを防止するパッシベーション役割を行うことができる。
【０１２４】
第１電極１４１は、それぞれの第１導電型領域１２１に接続されて、その第１導電型領域１２１の方向に移動したキャリア、例えば、正孔を収集することがる。
【０１２５】
第２電極１４２は、それぞれの第２導電型領域１７２に接続され、その第２導電型領域１７２の方向に移動したキャリア、例えば、電子を収集することがある。
【０１２６】
このような第１電極１４１と第２電極１４２は、図３及び図４の（a）に示すように、２層構造の面形状を有する第１、第２電極層（１４１Ｌ、１４２Ｌ）を含むことができる。
【０１２７】
さらに具体的に説明すると、図３及び図４に示すように、第１電極１４１は、半導体基板１１０の背面の第１、第２領域（Ｓ１、Ｓ２）の上に全体的に面の形で形成されるが、第２導電型領域１７２が形成された領域に開口穴を備える第１電極層（１４１Ｌ）を含むことができる。
【０１２８】
さらに、第２電極１４２は、第１電極層（１４１Ｌ）の開口穴を介して第２導電型領域１７２に接続され、半導体基板１１０の背面で第１電極層（１４１Ｌ）と重畳されるが離隔された面の形で、第２領域（Ｓ２）上に形成される第２電極層（１４２Ｌ）を含むことができる。
【０１２９】
このように、第１、第２電極（１４１、１４２）が第１電極層（１４１Ｌ）と第２電極層（１４２Ｌ）の２層構造で形成される場合、第１、第２電極（１４１、１４２）の抵抗損失を最小化し、複数の太陽電池をモジュール化するために、インターコネクタ３００を利用して、複数の太陽電池を直列接続させるテビン工程をさらに単純化させることができる。
【０１３０】
さらに具体的には、太陽電池の第１、第２電極（１４１、１４２）のそれぞれが、互いに離隔されて並行するように一つの方向に伸びているストライプの形のフィンガー電極で備えられる場合、別のフィンガー電極の先端にインターコネクタ３００と接続させるためのバスバーを備えなければならず、このような場合、第１、第２導電型領域を介して収集されるキャリアは、フィンガー電極に沿って移動した後、バスバーを通じてインターコネクタ３００に移動したが、このような場合、キャリアがフィンガー電極に沿って移動するときに直列抵抗による損失を甘受しなければした。
【０１３１】
さらに、このような面抵抗による損失を最小化するために、フィンガー電極とバスバーの厚さを３０μｍ以上に増加させなければならないし、半導体基板１１０の面積が大きくなるほど面抵抗成分がさらに増加してフィンガー電極とバスバーの厚さが２〜３倍以上大きくしなければならない問題を有していた。
【０１３２】
しかし、本発明のように、第１、第２電極（１４１、１４２）が第１電極層（１４１Ｌ）と第２電極層（１４２Ｌ）の２層構造で形成される場合、キャリアの水平方向に移動距離を最小化することができて、前述した面抵抗損失を最小化することができ、面抵抗を確保するため、第１、第２電極（１４１、１４２）の厚さを増加させる必要がなくなり、第１、第２電極（１４１、１４２）を形成する製造コストを最小化することができる。
【０１３３】
さらに、複数の太陽電池を直列接続させるテビン工程時、インターコネクタ３００を、第１、第２電極（１４１、１４２）に接続するとき、正確なアラインメントを要しないので、テビン工程をさらに単純化させることがあり、これにより製造コストをさらに減少することができ、工程の歩留まりをさらに向上させることができる。
【０１３４】
以下では、図３及び図４の（ａ）に示された太陽電池をさらに具体的に説明するために、半導体基板１１０の背面から見たとき、第１、大２導電型領域（１２１、１７２）のパターン、第１、第２透明電極層（１４１Ｃ、１４２Ｃ）のパターン、絶縁層１９０のパターン及び半導体基板１１０の背面に露出される第１、第２電極層（１４１Ｌ、１４２Ｌ）のパターンについて説明する。
【０１３５】
図５は、図３及び図４に示された太陽電池において、第１、第２導電型領域（１２１、１７２）の平面パターンの一例を説明するために、図４の（ａ）に示された太陽電池の断面でＬＶ１−ＬＶ１の断面を切断して示した図である。
【０１３６】
図３〜図５に示すように、本発明の一例に係る第１導電型領域１２１は、半導体基板１１０の背面の内、第１、第２領域（Ｓ１、Ｓ２）に全体的に形成されるが、第２領域（Ｓ２）に複数の開口穴を備えることができ、第２導電型領域１７２は、半導体基板１１０の背面の内、第２領域（Ｓ２）に形成されるが、第１導電型領域１２１の複数の開口穴内に形成されることができる。
【０１３７】
このとき、第２領域（Ｓ２）で第２導電型領域１７２は、互いに離隔した複数個で形成されることがあり、格子形態に配列することができる。
【０１３８】
この時、複数の第２導電型領域１７２のそれぞれの形状は、図５に示すように、四角形の形状で有り得るが、これとは違ってドット（dot）形状で有り得、多角形の形状、円形、楕円形の形状であることもある。
【０１３９】
このとき、第２導電型領域１７２の数や、複数の第２導電型領域１７２との間の距離は、短絡電流（Ｊｓｃ）及びフィルファクター（Ｆ.Ｆ）に応じて最適化されることがある。
【０１４０】
このような第１、第２導電型領域（１２１、１７２）の厚さは、互いに同一に形成することができ、併せて、前述したエミッタ部や背面電界部としての機能を十分に遂行しながら、製造時間を最小化するために、５ｎｍ〜１００ｎｍの間に形成されることができる。
【０１４１】
さらに、図３〜図５は、第１導電型領域１２１と第２導電型領域１７２が直接接触する場合を一例として示したが、これと違って漏れ電流を最小化するために、第１、２導電型領域（１２１、１７２）との間に離隔され、第１、第２導電型領域（１２１、１７２）との間の離隔された部分には、第1、第２導電型の不純物がドーピングされない真性半導体層（図示せず時）がさらに形成されたり、絶縁層１８０が形成されることができる。
【０１４２】
図６は、図３及び図４に示された太陽電池において、第１、第２透明電極層（１４１Ｃ、１４２Ｃ）のパターンの一例を説明するために、図４の（ａ）に示された太陽電池の断面でＬＶ２−ＬＶ２の断面を切断して示した図である。
【０１４３】
参考に、説明と理解の便宜のために、図６では、絶縁層１９０の図示は省略した。
【０１４４】
図３、図４の（a）及び図６を参照すると、第１電極１４１は、第１電極層（１４１Ｌ）と第１導電型領域１２１に間に位置する第１透明電極層（１４１Ｃ）をさらに含むことができる。
【０１４５】
この時、第１透明電極層（１４１Ｃ）は、半導体基板１１０の背面の内、第１、第２領域（Ｓ１、Ｓ２）の上に全体的に面に形成されるが、第２導電型領域１７２が形成された領域に複数の開口穴（ＯＰ１４１Ｃ）が形成されることができる。
【０１４６】
このような第１透明電極層（１４１Ｃ）の第１方向（ｘ）への長さ（Ｌ１４１Ｃ）は、半導体基板１１０または第１導電型領域１２１の第１方向（ｘ）への長さと実質的に同じで有り得る。
【０１４７】
このような第１透明電極層（１４１Ｃ）は、図５に示した第１導電型領域１２１に直接接続して形成されることができる。
【０１４８】
さらに、第２電極１４２は、第１透明電極層（１４１Ｃ）の開口穴（ＯＰ１４１Ｃ）が形成される領域と第２電極層（１４２Ｌ）と第２導電型領域１７２との間に位置する第２透明電極層（１４２Ｃ）をさらに含むことができる。
【０１４９】
このような第２透明電極層（１４２Ｃ）は、第１電極層（１４１Ｌ）や、第１透明電極層の開口穴を介して第２電極層（１４２Ｌ）を第２導電型領域１７２に接続させる機能をすることができる。
【０１５０】
このような第２透明電極層（１４２Ｃ）は、第２導電型領域１７２の幅より小さく形成されることがあり、第１透明電極層（１４１Ｃ）と離隔されて形成されることができる。
【０１５１】
このような第１透明電極層（１４１Ｃ）と第２透明電極層（１４２Ｃ）は、同じ工程により同時に形成されて、同一の厚さとなり得る。
【０１５２】
さらに、たとえ理解の便宜上、図６には、示されてはいないが、図３及び図４に示すように、第１透明電極層（１４１Ｃ）と第２透明電極層〈１４２Ｃ〉との間の離隔された空間には、絶縁層１９０が形成されることがある。これにより、絶縁層１９０は、第１透明電極層（１４１Ｃ）と第２透明電極層（１４２Ｃ）が互いに短絡しないように絶縁することがある。
【０１５３】
この時、第１、第２透明電極層（１４１Ｃ、１４２Ｃ）は、透明な導電性酸化膜で形成することができ、例えば、ＩＴＯ（indiumtin oxide）、ＩＺＯ（indiumzinc oxide）、ＺｎＯ（zinc oxide）、ＩＷＯ （indiumtungsten oxide）または水素がドーピングされたＩＯ：Ｈ（indiumoxide）の内、少なくとも１つを含んで形成されることができる。
【０１５４】
このような第１、第２透明電極層（１４１Ｃ、１４２Ｃ）のそれぞれが透明導電性酸化膜で形成され、第１、第２導電型領域（１２１、１７２）のそれぞれに直接接続される場合、（１）第１、第２透明電極層（１４１Ｃ、１４２Ｃ）のそれぞれは、第１、第２導電型領域（１２１、１７２）との接触抵抗を下げることができ、（２）第１、第２電極層（１４１Ｌ、１４２Ｌ）に含まれる銅（Ｃｕ）やアルミニウム（Ａｌ）とのような金属材質が、第１、第２導電型領域（１２１、１７２）に直接接続されていないようにして、第１、第２電極層（１４１Ｌ、１４２Ｌ）に含まれる金属材質が、第１、第２導電型領域（１２１、１７２）上に形成されるときに発生することができる（１）プラズマ損傷（plasma damage）または（２）キャリア再結合の増加と（３）第１、第２電極層（１４１Ｌ、１４２Ｌ）に含まれる金属材質のイオン拡散が拡散されることを防止することができる。
【０１５５】
特に、第１、第２導電型領域（１２１、１７２）のそれぞれが非晶質シリコン（ａ−Ｓｉ）または金属酸化物（metal oxide）を含んで形成される場合、透明導電性酸化膜を含む第１、第２透明電極層（１４１Ｃ、１４２Ｃ）を形成すると、前述したような効果により、太陽電池の効率をさらに向上させることができる。
【０１５６】
しかし、第１、第２導電型領域（１２１、１７２）のそれぞれが（１）半導体基板１１０と同じ材質で形成されたり、（２）多結晶シリコン材質を含んで形成される場合、効果の違いが大きくないので、第１、第２透明電極層（１４１Ｃ、１４２Ｃ）が省略されることもある。
【０１５７】
このように、低抵抗の確保とプラズマ損傷防止及びイオン拡散防止のために、第１、第２透明電極層（１４１Ｃ、１４２Ｃ）のそれぞれの厚さ（Ｔ１４１Ｃ、Ｔ１４２Ｃ）は１０ｎｍ〜１００ｎｍの間に形成されることがあり、互いに同じ厚さで形成されることができる。
【０１５８】
図７は、図３及び図４に示された太陽電池において、第１電極層（１４１Ｌ）及び第２補助電極（１４２Ｌ）のパターン一例を説明するために、図４の（ａ）に示された太陽電池の断面でＬＶ３−ＬＶ３の断面を切断して示した図である。
【０１５９】
図３、４の（ａ）及び図７を参照すると、第１透明電極層（１４１Ｃ）の上に半導体基板１１０の背面全体領域の上に面に形成されるが、第２導電型領域１７２が形成された領域に開口穴（ＯＰ１４１Ｌ）を備える第１電極層（１４１Ｌ）が形成されることができる。
【０１６０】
このような第１電極層（１４１Ｌ）は、前述した第１透明電極層（１４１Ｃ）と直接接続されて形成されることができる。
【０１６１】
この時、先の図４の（ｂ）に示すように、第１電極層（１４１Ｌ）は、第１母材層（１４１Ｌａ）、第１バッファ層（１４１Ｌｂ）及び第１はんだ金属層（１４１Ｌｃ）を含んで形成されることができる。
【０１６２】
ここで、第１母材層（１４１Ｌａ）は、導電性が非常に良好なＡｌまたはＣｕの内、少なくとも一つが含まれて形成されることがあり、第１バッファ層（１４１Ｌｂ）は、第１母材層（１４１Ｌａ）と第１透明電極層（１４１Ｃ）との間の境界面に形成されることがあり、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｍｏの内、少なくとも一つの材質で形成することができ、第１はんだ金属層（１４１Ｌｃ）は、第１母材層（１４１Ｌａ）の背面に形成されることができ、インターコネクタ３００との接続を容易にするために、スズ（Ｓｎ）のようにはんだ付け（soldering）可能な金属材質を含んで形成されることができる。
【０１６３】
さらに、半導体基板１１０の背面から見たとき、図７に示された第１電極層（１４１Ｌ）と図６に示された第１透明電極層（１４１Ｃ）のパターンは、互いに同一で有り得る。
【０１６４】
したがって、半導体基板１１０の背面から見たとき、第１電極層（１４１Ｌ）のパターンは、半導体基板１１０の背面全体領域の上に面に形成されるが、第２導電型領域１７２が形成された領域に開口穴（ＯＰ１４１Ｌ）を備えることができる。
【０１６５】
ここで、第１電極層（１４１Ｌ）の開口穴（ＯＰ１４１Ｌ）と第１透明電極層（１４１Ｃ）の開口穴（ＯＰ１４１Ｃ）の大きさと位置は同一で有り得る。
【０１６６】
さらに、図３、図４の（ａ）及び図７に示すように、第１電極層（１４１Ｌ）の開口穴（ＯＰ１４１Ｌ）の内部に位置する第２透明電極層（１４２Ｃ）の上には第２透明電極層（１４２Ｃ）と直接接続されて形成される第２補助電極（１４２Ｌ’）が位置することができる。
【０１６７】
このような第２補助電極（１４２Ｌ’）は、先の図４の（ｃ）に示すように、第２補助母材層（１４２Ｌ’ａ）と第２補助バッファ層（１４２Ｌ’ｂ）を含むことができる。
【０１６８】
第２補助母材層（１４２Ｌ’ａ）は、伝導性が非常に良好なＡｌまたはＣｕの内、少なくとも一つが含まれて形成されることがあり、第２補助バッファ層（１４２Ｌ’ｂ）は、第２補助母材層（１４２Ｌ’ａ）と第２透明電極層（１４２Ｃ）との間の境界面に形成されることがあり、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｍｏの内、少なくとも一つの材質で形成されることができる。
【０１６９】
図８は、図３及び図４の（a）に示された太陽電池で、絶縁層１９０のパターンの一例を説明するために、図４の（a）に示された太陽電池の断面でＬＶ４−ＬＶ４の断面を切断して示した図である。
【０１７０】
先の図７で説明したように、第１透明電極層（１４１Ｃ）の上に第１電極層（１４１Ｌ）が位置し、第２透明電極層（１４２Ｃ）の上に第２補助電極（１４２Ｌ’）が位置した状態で、図８に示すように、複数の開口穴（ＯＰ１９０）を備えた絶縁層１９０がさらに形成されることができる。これにより、半導体基板１１０の一方の端に位置する第１領域（Ｓ１）に第２方向（ｙ）に沿って長く、第１電極パッド部としての役割を実行する第１電極層（１４１Ｌ）の一部が露出され、 絶縁層１９０の開口穴（ＯＰ１９０）を介して、第２領域（Ｓ２）に位置する第２電極層（１４２Ｌ）の一部が、露出することができる。
【０１７１】
以降、絶縁層１９０上に第２電極層（１４２Ｌ）が形成されて図３及び図４に示すように、第１電極層（１４１Ｌ）と第２電極層（１４２Ｌ）との間に垂直に離隔されたスペースには、絶縁層１９０が位置することができる。
【０１７２】
このような絶縁層１９０には、図８に示すように、複数の開口穴（ＯＰ１９０）が備えることができ、このような複数の開口穴（ＯＰ１９０）を介して、第２電極１４２の第２電極層（１４２Ｌ）が第２透明電極層（１４２Ｃ）に接続できる。
【０１７３】
この時、絶縁層１９０の厚さ（Ｔ１９０）は、第１、第２電極（１４１、１４２）との間の短絡を防止するために、前述したトンネル層１８０の厚さより厚く形成することができ、一例として、５０ｎｍ〜２００ｎｍの間に形成されることができる。
【０１７４】
このような絶縁層１９０は、誘電体層に形成されることがあり、一例として、ａ−ＳｉＯｘ（非晶質シリコン酸化物）、ａ−ＳｉＮｘ（非晶質シリコン窒化物）、ａ−ＳｉＣｘ（非晶質シリコンカーバイド）、またはＡｌＯｘ（酸化アルミニウム）の内、少なくとも１つを含んで形成されることがあり、この他にも水素化されたシリコン窒化膜（ＳｉＮｘ：Ｈ）、水素化されたシリコン酸化膜（ＳｉＯｘ：Ｈ）、水素化されたシリコン窒化酸化膜（ＳｉＮｘＯｙ：Ｈ）、水素化されたシリコン酸化窒化膜（ＳｉＯｘＮｙ：Ｈ）、水素化された非晶質シリコン膜（ａ−Ｓｉ：Ｈ）の内、少なくともいずれか１つで形成されることができる。
【０１７５】
この時このような絶縁層１９０は、半導体基板１１０の背面領域の内、第１領域（Ｓ１）上に位置する第１電極層（１４１Ｌ）の一部が露出するようにするために、第２方向（ｙ）と並行する半導体基板１１０の一側面は完全に覆って、第２方向（ｙ）と並行する半導体基板１１０のもう一方の側面は、第１領域（Ｓ１）の幅だけ露出するように形成されることができる。
【０１７６】
これにより、絶縁層１９０の第１方向（ｘ）への長さ（Ｌ１９０）は、第１電極層（１４１Ｌ）の第１方向（ｘ）への長さ（Ｌ１４１Ｌ）より短く形成されることができる。
【０１７７】
これにより、第１電極層（１４１Ｌ）がインターコネクタ３００と接続されるために、第１電極パッド部としての役割を実行する第１電極層（１４１Ｌ）の一部が、第１領域（Ｓ１）に露出されることができる。
【０１７８】
図９は、図３及び図４の（ａ）に示された太陽電池において、半導体基板１１０の背面に露出される第１、第２電極層（１４１Ｌ、１４２Ｌ）のパターンの一例を説明するための図である。
【０１７９】
図３、図４の（ａ）及び図９に示すように、第２電極層（１４２Ｌ）は、第１電極層（１４１Ｌ）の開口穴（ＯＰ１４１Ｌ）内に位置する第２透明電極層（１４２Ｃ）に接続されるが、半導体基板１１０の背面領域の内、第２領域（Ｓ２）に第１電極層（１４１Ｌ）と、重畳されるが厚さ方向（ｚ）に離隔された面で形成されることができる。
【０１８０】
このとき、第２電極層（１４２Ｌ）は、第２補助電極（１４２Ｌ’）に接続されて、第２領域（Ｓ１）に全体的に形成されることができる。
【０１８１】
これにより、第２電極層（１４２Ｌ）の第１方向（ｘ）への長さ（Ｌ１４２Ｌ）は、第１電極層（１４１Ｌ）の第１方向（ｘ）への長さ（Ｌ１４１Ｌ）より短く形成されることができる。
【０１８２】
さらに、第１電極層（１４１Ｌ）が第１領域（Ｓ１）に露出された第１方向（ｘ）への長さ（Ｐ１４１Ｌ）は、第２電極層（１４２Ｌ）が第２領域（Ｓ２）に露出された第１方向（ｘ）への長さ（Ｌ１４２Ｌ）より短いことがある。
【０１８３】
さらに、第１電極層（１４１Ｌ）と第２電極層（１４２Ｌ）との間の短絡をさらに確実にするために、絶縁層１９０の一部が、第１領域（Ｓ１）と接する第２領域（Ｓ２）の終わりの部分に露出するように第２電極層（１４２Ｌ）が形成されることができる。
【０１８４】
これにより、第２電極層（１４２Ｌ）の第１方向（ｘ）への長さ（Ｌ１４２Ｌ）は、絶縁層１９０の第１方向（ｘ）への長さ（Ｌ１９０）より短く形成されることができ、第１、第２領域（Ｓ１、Ｓ２）の間に露出される絶縁層１９０の一部の幅（ＷＯ１９０）は、第１電極層（１４１Ｌ）が第１領域（Ｓ１）に露出された第１方向（ｘ）の長さ（Ｐ１４１Ｌ）より短いことがある。
【０１８５】
図４の（ａ）及び図９では、絶縁層１９０が第２電極層（１４２Ｌ）より第１領域（Ｓ１）方向にさらに突出して備えられた場合を一例として説明したが、必ずしもこれに限定されるものではなく、第１領域（Ｓ１）に隣接する絶縁層１９０の先端は、（１）第１領域（Ｓ１）に隣接する第２電極層（１４２Ｌ）の先端と同じ部分に位置するか、（２）第２電極層（１４２Ｌ）が第１電極層（１４１Ｌ）に短絡されない限り、第２電極層（１４２Ｌ）の先端が絶縁層１９０の先端よりさらに突出するように、絶縁層１９０の先端が第２電極層（１４２Ｌ）の先端よりさらに内側にアンダーカット（under cut）されて位置することもできる。
【０１８６】
第２電極層（１４２Ｌ）は、伝導性が非常に良好なＡｌまたはＣｕの内、少なくとも一つが含まれて形成されることがあり、他にもスズ（Ｓｎ）のようにはんだ付け（soldering）可能な金属材質を含んで形成されることができる。
【０１８７】
具体的には、第２電極層（１４２Ｌ）は、一例として、図４の（ｄ）に示すように、第２母材層（１４２Ｌａ）と第２はんだ金属層（１４２Ｌｃ）を含んで形成されることができる。
【０１８８】
ここで、第２母材層（１４２Ｌａ）は、絶縁層１９０の穴内では、第２補助母材層（１４２Ｌ’ａ）と電気的に接続して形成されることがあり、加えて、絶縁層１９０の上に全体的に形成されることができる。
【０１８９】
このような第２母材層（１４２Ｌａ）は、伝導性が非常に良好なＡｌまたはＣｕの内、少なくとも一つが含まれて形成されることがあり、第２はんだ金属層（１４２Ｌｃ）は、第２母材層（１４２Ｌａ）の上に形成されることができ、インターコネクタとの接続を容易にするために、スズ（Ｓｎ）のようにはんだ付け（soldering）可能な金属材質を含んで形成されることができる。
【０１９０】
ここで、第１電極層（１４１Ｌ）及び第２電極層（１４２Ｌ）は、一例として、スパッタ（sputter）方式で形成されることができる。
【０１９１】
さらに、第１電極層（１４１Ｌ）の厚さ（Ｔ１４１Ｌ）は、第１透明電極層（１４１Ｃ）の厚さ（Ｔ１４１Ｃ）より厚く形成されることがあり、一例として、第１電極層（１４１Ｌ）の厚さ（Ｔ１４１Ｌ）は１００ｎｍ〜５μｍの間で形成されることができる。
【０１９２】
また、第２電極層（１４２Ｌ）の厚さ（Ｔ１４２Ｌ）は、第２透明電極層（１４２Ｃ）の厚さ（Ｔ１４２Ｃ）より厚く形成されることがあり、一例として、第２電極層（１４２Ｌ）の厚さ（Ｔ１４２Ｌ）は１００ｎｍ〜５μｍの間で形成されることができる。
【０１９３】
しかし、これと違って、第１電極層（１４１Ｌ）は、一例として、スパッタ（sputter）方式で形成され、第２電極層（１４２Ｌ）は、特定のパターンを形成するためにスクリーンプリンティング方式で形成されることができる。このような場合、第２電極層（１４２Ｌ）の厚さは、第１電極層（１４１Ｌ）の厚さより大きく形成されることができる。これについては、図面を異にして後述する。
【０１９４】
このように、本発明の一例に係る太陽電池は、第１、第２電極（１４１、１４２）が第１電極層（１４１Ｌ）と第２電極層（１４２Ｌ）の２層構造で形成されて、第１、２電極（１４１、１４２）の面抵抗損失を最小化し、第１、第２電極層（１４１Ｌ、１４２Ｌ）を介してインターコネクタ３００と接続できる広い面を確保して、インターコネクタ３００の接続を容易にして、太陽電池のモジュール化工程を単純化させることができる。
【０１９５】
これまでは本発明の第１実施の形態に係る太陽電池モジュールにおいて、各太陽電池が、第１、第２電極層（１４１Ｌ、１４２Ｌ）を備え、インターコネクタ３００が、複数の第１方向伝導体（３００ｘ）で形成された場合だけを一例として説明したが、このような本発明の第１実施の形態において、インターコネクタ３００の形状は、図１及び図２に示されるようと異なり変更されることもある。
【０１９６】
以下では、このような第１実施の形態の変更例について説明する。
【０１９７】
図１０は、図１に示された本発明の第１実施の形態の第１変更例を説明するための図である。
【０１９８】
図１０においては、先の図１〜図９で説明した部分と重複する部分の説明は省略する。
【０１９９】
本発明の第１実施の形態の第１変更例では、図１０に示すように、インターコネクタ３００が、前述した第１方向伝導体（３００ｘ）以外に、第２方向伝導体（３００ｙ）をさらに備えることができる。
【０２００】
このような第２方向伝導体（３００ｙ）は、図１０に示すように、第１方向伝導体（３００ｘ）の両端に形成され、第２方向（ｙ）に長く伸びていることがあり、第２方向伝導体（３００ｙ）は、第１方向伝導体（３００ｘ）と一体に形成されることがある。
【０２０１】
このような第２方向伝導体（３００ｙ）は、第１太陽電池（Ｃ１）の第１領域（Ｓ１）に第２方向（ｙ）に長く露出された第１電極層（１４１Ｌ）のインターコネクタ３００の接続面積を増加させ、物理的接着力をさらに向上させることができる。
【０２０２】
さらに、第２方向伝導体（３００ｙ）は、第２太陽電池（Ｃ２）の第２領域（Ｓ２）に露出された第２電極層（１４２Ｌ）に接続されたインターコネクタ３００の第２方向（ｙ）への接続面積を増加させ、第２電極層（１４２Ｌ）のインターコネクタ３００の物理的な接着力をさらに増加させることができる。
【０２０３】
さらに、このようにインターコネクタ３００は、図１及び図２に示すように、第１方向伝導体（３００ｘ）を含むので、テビン工程時インターコネクタ３００による熱膨張ストレスを最小化することができる。
【０２０４】
このように、第１方向伝導体（３００ｘ）の両端に接続された二つの第２方向伝導体（３００ｙ）は、幅（Ｗ３００ｙ）が互いに同一であり得、第１方向（ｘ）への熱膨張ストレスを最小化しながら、インターコネクタ３００の第１、第２太陽電池（Ｃ１、Ｃ２）の接触力をさらに向上させるために、第２方向伝導体（３００ｙ）の幅（Ｗ３００ｙ）は、第１方向伝導体（３００ｘ）の幅（Ｗ３００ｘ）と同じか、さらに大きく形成されることができる。
【０２０５】
これまではインターコネクタ３００が、複数の第１方向伝導体（３００ｘ）を含む場合にのみ説明したが、これと違って第１方向伝導体（３００ｘ）が１つで形成することもある。
【０２０６】
次の図１１は、図１に示された本発明の第１実施の形態の第２変更例を説明するための図である。
【０２０７】
図１１に示すように、インターコネクタ３００に含まれる第１方向伝導体（３００ｘ）は、１つで形成されることができる。
【０２０８】
つまり、前の図１や図１０に示すようと違って、第１方向伝導体（３００ｘ）を１つだけ含むが、１つの第１方向伝導体（３００ｘ）の幅（Ｗ３００ｘ）は、第１太陽電池（Ｃ１）の第１電極層（１４１Ｌ）に接続される第２方向伝導体（３００ｙ）の幅（Ｗａ３００ｙ）より大きく、第２方向伝導体（３００ｙ）の長さ（Ｌ３００ｙ）より小さく形成されることができる。
【０２０９】
このように、一つの第１方向伝導体（３００ｘ）の幅（Ｗ３００ｘ）を小さく形成して、前述したように、インターコネクタ３００の熱膨張ストレスを減少させることも可能である。
【０２１０】
この時、図１１に示すように、第１方向伝導体（３００ｘ）の両端に接続された第２方向伝導体（３００ｙ）の内、いずれか１つの幅は、残りの一つの幅とは異なることがある。すなわち、図１１に示すように、第１太陽電池（Ｃ１）の第１電極層（１４１Ｌ）に接続される第２方向伝導体（３００ｙ）の幅（Ｗａ３００ｙ）は、第２太陽電池（Ｃ２）の第２電極層（１４２Ｌ）に接続される第２方向伝導体（３００ｙ）の幅（Ｗｂ３００ｙ）より小さく形成されることができる。
【０２１１】
次の図１２は、図１に示された本発明の第１実施の形態の第３変更例を説明するための図である。
【０２１２】
図１２に示すように、面形状の第１、第２電極層（１４１Ｌ、１４２Ｌ）を備えた太陽電池に接続されるインターコネクタ３００は、第２方向（ｙ）に長く伸びているクリップ型インターコネクタが使用されることもある。
【０２１３】
このような第２方向（ｙ）に長く伸びている形のインターコネクタ３００を使用する場合、太陽電池モジュールの製造工程をさらに容易にすることができる。
【０２１４】
これまで、本発明の第１実施の形態に係る太陽電池モジュールにおいては、第１、第２太陽電池（Ｃ１、Ｃ２）のそれぞれに第１、第２電極層（１４１Ｌ、１４２Ｌ）がすべて備えた場合だけを一例として説明したが、これとは違って第１、第２太陽電池（Ｃ１、Ｃ２）のそれぞれで第２電極層（１４２Ｌ）が省略されたりパターニングされて備えられてもできる。このような場合、第１、第２太陽電池（Ｃ１、Ｃ２）のそれぞれで、半導体基板１１０の第２領域（Ｓ２）に露出される第２電極１４２のパターンが異なりますので、インターコネクタ３００の形状もまた先の第１実施の形態で説明したところと異なることができる。
【０２１５】
図１３〜図１７は、本発明の第２の実施の形態に係る太陽電池モジュールとその変更例を説明するための図であり、図１３は、本発明の第２実施の形態に係る太陽電池モジュールを背面から見た姿であり、図１４は、本発明の第２の実施の形態に係る太陽電池モジュールに適用される太陽電池の一部斜視図を示したものであり、図１５及び図１７は、本発明の第２の実施の形態に係る太陽電池モジュールの変更例を説明するための図である。
【０２１６】
図１３〜図１７では、先の図１〜図１１で説明した部分と重複する部分の説明は省略する。
【０２１７】
具体的に、図１３〜図１７に図示された太陽電池モジュールに備えられた太陽電池において、半導体基板１１０、第１、第２導電型領域（１２１、１７２）、第１、第２透明電極層（１４１Ｃ、１４２Ｃ）、第１電極層（１４１Ｌ）及び第２補助電極（１４２Ｌ’）は、先の、図３〜図９で説明したところと同じことができ、これについては、他の部分を除外して省略する。
【０２１８】
図１３に示すように、本発明の第２の実施の形態に係る太陽電池モジュールにおいても先の第１実施の形態と同様に、第１、第２太陽電池（Ｃ１、Ｃ２）のそれぞれで、第１電極１４１は、半導体基板１１０の背面の内、第１領域（Ｓ１）に露出され、第２電極１４２は、半導体基板１１０の背面の内、第１領域（Ｓ１）を除外した残りの第２領域（Ｓ２）に露出されることがあり、併せて、第１領域（Ｓ１）は、半導体基板１１０の背面端に第１方向（ｘ）と交差する第２方向（ｙ）に長く伸びていることができる。
【０２１９】
しかし、第１実施の形態とは違って、第２実施の形態においては、第１、第２太陽電池（Ｃ１、Ｃ２）は、図１４に示すように、図３と対比したとき、第１電極１４１は、第１電極層（１４１Ｌ）を含むが、第２電極１４２は、第２電極層（１４２Ｌ）が省略されて、第２電極１４２は、第２透明電極層（１４２Ｃ）と第２の補助電極（１４２Ｌ’）だけを含むことができる。
【０２２０】
したがって、図１３に示すように、第２電極１４２の第２補助電極（１４２Ｌ’）だけが半導体基板１１０の第２領域（Ｓ２）に露出されることができる。
【０２２１】
この時、絶縁層１９０の穴を介して半導体基板１１０の第２領域（Ｓ２）に露出される第２補助電極（１４２Ｌ’）の先端は、絶縁層１９０の表面よりさらに突出することができ、インターコネクタ３００との接続をさらに容易にするために、スズ（Ｓｎ）を含む材質が第２補助電極（１４２Ｌ’）の先端に含まれて形成されることができる。
【０２２２】
このとき、第２電極１４２の第２補助電極（１４２Ｌ’）は、図１３及び図１４に示すように、複数個で有り得、半導体基板１１０の第２領域（Ｓ２）に互いに離隔して格子状に配列されることがある。
【０２２３】
ここで、第２補助電極（１４２Ｌ’）は、図１４に示すように、第１電極層（１４１Ｌ）の開口穴を介して第２導電型領域１７２に接続できる。
【０２２４】
さらに、半導体基板１１０の第２領域（Ｓ２）で第２補助電極（１４２Ｌ’）が露出される残りの部分には、絶縁層１９０が位置することができる。
【０２２５】
この時、インターコネクタ３００は、面形状を有すことができ、一端は、第１、第２太陽電池（Ｃ１、Ｃ２）のいずれか一の太陽電池の第１領域（Ｓ１）に露出された第１電極層（１４１Ｌ）に重畳されて接続され、他端は残りの太陽電池の第２領域（Ｓ２） 露出された複数の第２補助電極（１４２Ｌ’）に重畳され、接続できる。
【０２２６】
図１３においては、インターコネクタ３００が４角形の面形状を有しており、インターコネクタ３００を、各太陽電池に接続させるテビン工程中の熱膨張ストレスが相対的に大きくなることがある。
【０２２７】
したがって、このようなインターコネクタ３００の熱膨張ストレスを減少させるために、図１５及び図１６に示すように、面形状のインターコネクタ３００で、第１、第２太陽電池（Ｃ１、Ｃ２）と重畳しない領域（ＮＯＬ）には、複数の開口部（３００ａ）が形成されることができる。
【０２２８】
このような面形状のインターコネクタ３００に備えられる複数の開口部（３００ａ）は、図１５に示すように、一例として、第２方向（ｙ）に沿って互いに離隔して配列されるが、第１方向（ｘ）に長く形成されることができるか、図１６に示すように、第２方向（ｙ）に沿って長く形成されるが、複数個が第２方向（ｙ）に沿って互いに離隔して形成することもできる。
【０２２９】
加えて、図１３〜図１６でおいては、第１電極１４１は、第１電極層（１４１Ｌ）を含むが、第２電極１４２は、第２電極層（１４２Ｌ）が省略され、第２透明電極層（１４２Ｃ）と第２補助電極（１４２Ｌ’）のみを含む場合を一例として説明したが、これと違って、図１７に示すように、本発明の第２実施の形態の変更例では、第２電極層（１４２Ｌ）が省略されず、第２補助電極（１４２Ｌ’）と接続されて絶縁層１９０上にパターニングされて備えられる。
【０２３０】
すなわち、第２電極層（１４２Ｌ）は、絶縁層１９０の穴を介して露出される第２補助電極（１４２Ｌ’）と重畳され、一例として、図１７に示すように、第１方向（ｘ）に長く形成されることができる。
【０２３１】
このように、絶縁層１９０上にパターニングされて位置する第２電極層（１４２Ｌ）は、製造工程を容易にするために、スクリーン印刷方式で形成されることができる。
【０２３２】
したがって、第２電極層（１４２Ｌ）の厚さ（Ｔ１４２Ｌ）は、スパッタリング（sputtering）方式で形成される第１電極層（１４１Ｌ）の厚さよりも厚く形成されることができ、一例として、５μｍ〜１００μｍの間で形成されることある。
【０２３３】
図１７に示すように、第２電極層（１４２Ｌ）が第２補助電極（１４２Ｌ’）と重畳されて絶縁層１９０上に第１方向（ｘ）に長く形成された場合にも、先に説明した本発明の第１、第２実施の形態と、その変更例で適用されたインターコネクタ３００がそのまま適用されることができる。
【０２３４】
これまでの本発明の第１、第２実施の形態と、その変更例では、第１導電型領域１２１、第１透明電極層（１４１Ｃ）及び第１電極層（１４１Ｌ）が複数の穴を備え、半導体基板１１０の背面の全体である第１、第２領域（Ｓ１、Ｓ２）に全体的に形成されるが、半導体基板１１０の第２領域（Ｓ２）に第２導電型領域１７２、第２透明電極層（１４２Ｃ）及び第２補助電極（１４２Ｌ’）が第１導電型領域１２１、第１透明電極層（１４１Ｃ）及び第１電極層（１４１Ｌ）のそれぞれの穴内に形成され、第２電極層（１４２Ｌ）は、第２補助電極（１４２Ｌ’）と接続されて半導体基板１１０の第２領域（Ｓ２）に位置する絶縁層１９０上に全体的にまたはパターニングされて形成される場合を一例として説明した。
【０２３５】
しかし、第１、第２導電型領域、第１、第２透明電極層、絶縁層及び第１、第２電極層のパターンは、これと違うように備えることもある。以下では、このように、太陽電池の各構成部分のパターンが変更された例について説明する。
【０２３６】
図１８〜図２３は、本発明の太陽電池モジュールに適用可能な太陽電池の他の一例を説明するための図である。
【０２３７】
ここで、図１８は、他の一例に係る太陽電池の一部斜視図であり、図１９は、図１８に示された太陽電池において、第１、第２導電型領域（１２１、１７２）のパターンを説明するための平面図であり、図２０は、図１８に示された太陽電池で、第１、第２透明電極層（１４１Ｃ、１４２Ｃ）のパターンを説明するための平面図であり、図２１は、図１８に示された太陽電池で、第１電極層（１４１Ｌ）と第２補助電極（１４２Ｌ’）のパターンを説明するための平面図であり、図２２は、図１８に示された太陽電池で絶縁層１９０のパターンを説明するための平面図であり、図２３は、図１８に示された太陽電池で、第２電極層（１４２Ｌ）のパターンを説明するための平面図である。
【０２３８】
図１８〜図２３で説明する半導体基板１１０、トンネル層１８０、第１、第２導電型領域（１２１、１７２）、第１、第２透明電極層（１４１Ｃ、１４２Ｃ）、絶縁層１９０、第２補助電極（１４２Ｌ’）及び第１、第２電極層（１４１Ｌ、１４２Ｌ）のそれぞれの材質は、先の第１、第２実施の形態で説明したことと同じであるので、材質の説明は省略する。
【０２３９】
図１８に示すように、本発明の太陽電池モジュールに適用可能な太陽電池の他の一例は、半導体基板１１０、トンネル層１８０、第１、第２導電型領域（１２１、１７２） 、第１、第２透明電極層（１４１Ｃ、１４２Ｃ）、絶縁層１９０、第２補助電極（１４２Ｌ’）及び第１、第２電極層（１４１Ｌ、１４２Ｌ）を含むことができる。
【０２４０】
ここで、半導体基板１１０とトンネル層１８０は、先の第１実施の形態で説明したようと同じであるので、具体的な説明は省略する。
【０２４１】
第１、第２導電型領域（１２１、１７２）は、図１８及び図１９に示すように、半導体基板１１０の第２領域（Ｓ２）で第１方向（ｘ）に長くストライプ形態で形成され、半導体基板１１０の第１領域（Ｓ１）では、第１導電型領域１２１のみ、第２方向（ｙ）に長く形成され、第２領域（Ｓ２）に形成された複数の第１導電型領域１２１が接続できる。
【０２４２】
半導体基板１１０の第２領域（Ｓ２）で、第1、第２導電型領域（１２１、１７２）が、互いに直接接続した場合を一例として示したが、第１、第２導電型領域（１２１ 、１７２）は、空間的に互いに離隔することができ、第１、第２導電型領域（１２１、１７２）との間の離隔された空間には、真性シリコン材質が満たされるか、絶縁層１９０が満たすことができる。
【０２４３】
第１、第２透明電極層（１４１Ｃ、１４２Ｃ）のそれぞれは、図１８及び図２０に示すように、半導体基板１１０の第２領域（Ｓ２）で第１、第２導電型領域（１２１、１７２）のそれぞれの上に重畳されて、第１方向（ｘ）に長くストライプ状に形成され、第１、第２透明電極層（１４１Ｃ、１４２Ｃ）は、半導体基板１１０の第２領域（Ｓ２）で互いに離隔されることができる。
【０２４４】
さらに、図２０では示されていないが、第１、第２透明電極層（１４１Ｃ、１４２Ｃ）の間の離隔された空間には、絶縁層１９０が満たすことができる。
【０２４５】
また、半導体基板１１０の第１領域（Ｓ１）では、第１透明電極層（１４１Ｃ）のみ、第１導電型領域１２１の上に第２方向（ｙ）に長く形成されることができる。この時、半導体基板１１０の第１領域（Ｓ１）に第２方向（ｙ）に長く形成された第１透明電極層（１４１Ｃ）は、半導体基板１１０の第２領域（Ｓ２）に第１方向（ｘ）に長く形成された複数の第１透明電極層（１４１Ｃ）のそれぞれと一体に接続できる。
【０２４６】
第１電極層（１４１Ｌ）は、図１８及び図２１に示すように、第１透明電極層（１４１Ｃ）の上に重畳されて形成されるが、半導体基板１１０の第２領域（Ｓ２）は、第１方向（ｘ）に長くストライプ状に形成され、半導体基板１１０の第１領域（Ｓ１）では、第２方向（ｙ）に長く形成されるが、半導体基板１１０の第２領域（Ｓ２）に形成された第１電極層（１４１Ｌ）が一体に接続されて形成されることができる。
【０２４７】
さらに、第２補助電極（１４２Ｌ’）は、図１８に示すように、第２透明電極層（１４２Ｃ）の上に重畳されて形成されるが、図２1に示すように、半導体基板１１０の第２領域（Ｓ２）で第１電極層（１４１Ｌ）と離隔されて第１方向（ｘ）に長くストライプ状に形成されることができる。
【０２４８】
加えて、第１電極層（１４１Ｌ）と第２補助電極（１４２Ｌ’）との間の離隔された空間には、図１８に示すように、絶縁層１９０が満たすことができる。
【０２４９】
絶縁層１９０は、図１８及び図２２に示すように、半導体基板１１０の第１領域（Ｓ１）が露出され、第２領域（Ｓ２）を覆うように形成されるが、半導体基板１１０の第２領域（Ｓ２）で第２補助電極（１４２Ｌ’）が露出されるように、第２補助電極（１４２Ｌ’）を除外した第１電極層（１４１Ｌ）上に形成されることができる。
【０２５０】
さらに、第２電極層（１４２Ｌ）は、図１８及び図２３に示すように、半導体基板１１０の第２領域（Ｓ２）に位置する絶縁層１９０と第２補助電極（１４２Ｌ’）を全体的に覆うように形成されて、第２電極層（１４２Ｌ）は、半導体基板１１０の第２領域（Ｓ２）に位置する第２補助電極（１４２Ｌ’）と電気的に接続され、第１電極層（１４１Ｌ）と絶縁されることがある。
【０２５１】
ここで、第１領域（Ｓ１）に露出される第１電極層（１４１Ｌ）は、第１電極パッド部としての役割を果たし、第２領域（Ｓ２）に露出される第２電極層（１４２Ｌ）は、第２電極パッド部としての役割を行うことができる。
【０２５２】
これにより、図１８〜図２３で説明した太陽電池にも、第１、第２実施の形態と、その変更の例で説明したインターコネクタがそのまま適用されることができる。
【０２５３】
図２４〜図２９は、本発明の太陽電池モジュールに適用可能な太陽電池のまた他の一例を説明するための図である。
【０２５４】
ここで、図２４は、また他の一例に係る太陽電池の一部斜視図であり、図２５は、図２４に示された太陽電池において、第１、第２導電型領域（１２１、１７２）のパターンを説明するための平面図であり、図２６は、図２４に示された太陽電池で、第１、第２透明電極層（１４１Ｃ、１４２Ｃ）のパターンを説明するための平面図であり、図２７は、図２４に示された太陽電池で、第１電極層（１４１Ｌ）及び第２補助電極（１４２Ｌ’）のパターンを説明するための平面図であり、図２８は、図２４に示された太陽電池で絶縁層１９０のパターンを説明するための平面図であり、図２９は、図２４に示すされた太陽電池で、第２電極層（１４２Ｌ）のパターンを説明するための平面図である。
【０２５５】
図２４〜図２９で説明する半導体基板１１０、トンネル層１８０、第１、第２導電型領域（１２１、１７２）、第１、第２透明電極層（１４１Ｃ、１４２Ｃ）、絶縁層１９０、第２補助電極（１４２Ｌ’）及び第１、第２電極層（１４１Ｌ、１４２Ｌ）のそれぞれの材質は、先の第１、第２実施の形態で説明したことと同じであるので、材質の説明は省略する。
【０２５６】
第１導電型領域１２１は、図２４及び図２５に示すように、半導体基板１１０の第１、第２領域で第２方向（ｙ）に長くストライプの形で形成されるが、第２方向（ｙ）に長く伸びた第１導電型領域１２１は、第２領域（Ｓ２）で第１方向（ｘ）と並行する片端に第１方向（ｘ）に長く形成された第１導電型領域１２１と接続できる。
【０２５７】
さらに、第１領域（Ｓ１）に第２方向（ｙ）に長く伸びた第１導電型領域１２１の線幅は、第１領域（Ｓ１）の幅より大きく形成され、第２領域（Ｓ２）に第２方向（ｙ）に長く伸びた第１導電型領域１２１の線幅より大きく形成されることができる。
【０２５８】
さらに、第２導電型領域１７２は、半導体基板１１０の第２領域（Ｓ２）に第２方向（ｙ）に長くストライプの形で形成され、第１方向（ｘ）に沿って第１導電型領域１２１と交互して形成されることができる。
【０２５９】
半導体基板１１０の第２領域（Ｓ２）で、第1、第２導電型領域（１２１、１７２）が、互いに直接接続した場合を一例として示したが、第１、第２導電型領域（１２１、１７２）は、空間的に互いに離隔することができ、第１、第２導電型領域（１２１、１７２）との間の離隔された空間には、真性シリコン材質が満たされるか、絶縁層１９０が満たすことができる。
【０２６０】
第１、第２透明電極層（１４１Ｃ、１４２Ｃ）のそれぞれは、図２４及び図２６に示すように、半導体基板１１０の第１、第２領域で第１、第２導電型領域（１２１、１７２）それぞれの上に重畳されて形成されることができる。
【０２６１】
ここで、第１透明電極層（１４１Ｃ）の一部は、第２方向（ｙ）に長くストライプ状に形成されることができる。併せて、第１、第２透明電極層（１４１Ｃ、１４２Ｃ）の間の離隔された空間には、図２４に示すように、絶縁層１９０が満たすことができる。
【０２６２】
さらに、第２方向（ｙ）に長く伸びた第１透明電極層（１４１Ｃ）は、第２領域（Ｓ２）で第１方向（ｘ）と並行する片端に第１方向（ｘ）に長く形成された第１透明電極層（１４１Ｃ）と接続できる。
【０２６３】
さらに、第１領域（Ｓ１）に第２方向（ｙ）に長く伸びた第１透明電極層（１４１Ｃ）の線幅は、第１領域（Ｓ１）の幅より大きく形成され、第２領域（Ｓ２）に第２方向（ｙ）に長く伸びた第１透明電極層（１４１Ｃ）の線幅よりも大きく形成されることができる。
【０２６４】
さらに、第２透明電極層（１４２Ｃ）は、半導体基板１１０の第２領域（Ｓ２）に第２方向（ｙ）に長くストライプの形で形成され、第１方向（ｘ）に沿って、第１透明電極層（１４１Ｃ）と交互するが離隔して形成されることができる。
【０２６５】
第１電極層（１４１Ｌ）は、図２４及び図２７に示すように、第１透明電極層（１４１Ｃ）の上に重畳されて、第１、第２領域に形成されるが、第１透明電極層（１４１Ｃ）と同じパターンに形成され、第２補助電極（１４２Ｌ’）は、第２領域（Ｓ２）の第２透明電極層（１４２Ｃ）の上に重畳され、第２透明電極層（１４２Ｃ）と同じパターンで形成されることができる。
【０２６６】
加えて、第１電極層（１４１Ｌ）と第２補助電極（１４２Ｌ’）との間の離隔された空間には、図２４に示すように、絶縁層１９０が満たすことができる。
【０２６７】
絶縁層１９０は、図２４及び図２８に示すように、半導体基板１１０の第１領域（Ｓ１）が露出され、第２領域（Ｓ２）を覆うように形成されるが、半導体基板１１０の第２領域（Ｓ２）で第２補助電極（１４２Ｌ’）が露出されるように、第２補助電極（１４２Ｌ’）を除外した第１電極層（１４１Ｌ）上に形成されることができる。
【０２６８】
さらに、第２電極層（１４２Ｌ）は、図２４及び図２９に示すように、半導体基板１１０の第２領域（Ｓ２）に位置する絶縁層１９０と第２補助電極（１４２Ｌ’）を全体的に覆うように形成されて、第２電極層（１４２Ｌ）は、半導体基板１１０の第２領域（Ｓ２）に位置する第２補助電極（１４２Ｌ’）と電気的に接続され、第１電極層（１４１Ｌ）と絶縁されることがある。
【０２６９】
ここで、第１領域（Ｓ１）に露出される第１電極層（１４１Ｌ）は、第１電極パッド部としての役割を果たし、第２領域（Ｓ２）に露出される第２電極層（１４２Ｌ）は、第２電極パッド部としての役割を行うことができる。
【０２７０】
これにより、図２５〜図２９で説明した太陽電池にも、第１、第２実施の形態と、その変更例で説明したインターコネクタがそのまま適用されることができる。
【０２７１】
以上、本発明の好適な実施の形態について詳細に説明したが、本発明の権利範囲はこれに限定されるものではなく、次の請求の範囲で定義している本発明の基本的な概念を利用した当業者の様々な変形及び改良形態また、本発明の権利範囲に属するものである。
【図１】
0006272391.tif 000002
【図２】
0006272391.tif 000003
【図３】
0006272391.tif 000004
【図４】
0006272391.tif 000005
【図５】
0006272391.tif 000006
【図６】
0006272391.tif 000007
【図７】
0006272391.tif 000008
【図８】
0006272391.tif 000009
【図９】
0006272391.tif 000010
【図１０】
0006272391.tif 000011
【図１１】
0006272391.tif 000012
【図１２】
0006272391.tif 000013
【図１３】
0006272391.tif 000014
【図１４】
0006272391.tif 000015
【図１５】
0006272391.tif 000016
【図１６】
0006272391.tif 000017
【図１７】
0006272391.tif 000018
【図１８】
0006272391.tif 000019
【図１９】
0006272391.tif 000020
【図２０】
0006272391.tif 000021
【図２１】
0006272391.tif 000022
【図２２】
0006272391.tif 000023
【図２３】
0006272391.tif 000024
【図２４】
0006272391.tif 000025
【図２５】
0006272391.tif 000026
【図２６】
0006272391.tif 000027
【図２７】
0006272391.tif 000028
【図２８】
0006272391.tif 000029
【図２９】
0006272391.tif 000030