(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板に形成された複数の電極にフラックスまたははんだペーストを塗布する工程と、
前記フラックスまたははんだペーストが塗布された各電極に、金属の核をはんだで被覆した金属核カラムの第１の接合面を載せ、はんだが溶融する温度で加熱して前記金属核カラムを前記電極に接合する工程と、
前記電極に接合された前記金属核カラムの周囲を樹脂組成物で封止する工程と、
前記金属核カラムの周囲を封止した樹脂組成物の表面を削り、前記金属核カラムの第２の接合面を露出させると共に、各前記金属核カラムの高さを揃える工程と
を有することを特徴とする金属核カラムの実装方法。
【請求項２】
前記金属核カラムの周囲が樹脂組成物で封止され、前記金属核カラムの前記第２の接合面が露出されると共に、各前記金属核カラムの高さが揃えられた前記基板を他の基板に載せ、前記金属核カラムの前記第２の接合面を前記他の基板に接合する工程を有する
ことを特徴とする請求項１に記載の金属核カラムの実装方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、金属の核をはんだで被覆した金属核カラムを基板に実装する金属核カラムの実装方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、小型情報機器の発達により、搭載される電子部品では急速な小型化が進行している。電子部品は、小型化の要求により接続端子の狭小化や実装面積の縮小化に対応するため、裏面に電極が設置されたボールグリッドアレイ（以下、「ＢＧＡ」と称する）が適用されている。
【０００３】
ＢＧＡを適用した電子部品には、例えば半導体パッケージがある。半導体パッケージでは、電極を有する半導体チップが樹脂で封止されている。半導体チップの電極には、はんだバンプが形成されている。このはんだバンプは、はんだボールを半導体チップの電極に接合することによって形成されている。ＢＧＡを適用した半導体チップは、各はんだバンプが回路基板の電極に接触するように回路基板上に置かれ、加熱により溶融したはんだバンプと電極とが接合することにより、回路基板に搭載される。
【０００４】
さて、近年の電子部品の小型化の進展につれて、電子部品のはんだ付け部位である電極も小さくなってきている。そのため、はんだで接合できる面積が小さくなり、はんだだけでの接合強度では、接合信頼性に不十分な場合もある。
【０００５】
そこで、はんだ付けによる接合を強化する部品固着手段として、はんだボールを半導体チップに１次実装し、はんだバンプが形成された半導体チップを回路基板に２次実装した後、半導体チップと回路基板との間にアンダーフィルと称す樹脂を充填することで、はんだによる接合箇所の周囲を覆うことにより、半導体チップ等を固定する技術が提案されている（例えば、特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特許第４７５７０７０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
近年の電子部品の小型化の進展につれて、実装面積の縮小化、電極ピッチの狭小化により、はんだによる接合部の微細化が進み、球状のはんだバンプに代えて、柱状の金属の核をはんだで被覆した金属核カラムが使用されるようになってきた。
【０００８】
金属核カラムを使用する場合でも、金属核カラムを半導体チップに１次実装し、金属核カラムが１次実装された半導体チップを回路基板に２次実装した後、半導体チップと回路基板との間に樹脂を充填することで、半導体チップを樹脂で固定することができる。
【０００９】
しかし、金属核カラムが１次実装された半導体チップを回路基板に２次実装する工程で、はんだが溶融する温度まで加熱されることで、１次実装で半導体チップに接合された金属核カラムが倒れる可能性があった。
【００１０】
本発明は、このような課題を解決するためになされたもので、半導体チップ等に１次実装された金属核カラムが２次実装で倒れることを抑制できるようにした金属核カラムの実装方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
上述した課題を解決するため、本発明は、基板に形成された複数の電極にフラックスまたははんだペーストを塗布する工程と、フラックスまたははんだペーストが塗布された各電極に、金属の核をはんだで被覆した金属核カラムの第１の接合面を載せ、はんだが溶融する温度で加熱して金属核カラムを電極に接合する工程と、電極に接合された金属核カラムの周囲を樹脂組成物で封止する工程と、金属核カラムの周囲を封止した樹脂組成物の表面を削り、金属核カラムの第２の接合面を露出させると共に、各金属核カラムの高さを揃える工程とを有する金属核カラムの実装方法である。
【発明の効果】
【００１２】
本発明では、１次実装で基板に接合された金属核カラムの周囲が樹脂組成物で封止されることで、２次実装ではんだが溶融する温度まで加熱されても、金属核カラムが倒れることを抑制することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
【図１】本実施の形態のＣｕ核カラムの実装方法の一例を示す工程図である。
【図２】本実施の形態のＣｕ核カラムの実装方法の一例を示す工程図である。
【図３】本実施の形態のＣｕ核カラムの一例を示す斜視図である。
【図４】本実施の形態のＣｕ核カラムの模式的な構造を示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１４】
以下、図面を参照して、本発明の金属核カラムの実装方法の実施の形態として、Ｃｕ核カラムの実装方法について説明する。
【００１５】
図１及び図２は、本実施の形態のＣｕ核カラムの実装方法の一例を示す工程図、図３は、本実施の形態のＣｕ核カラムの一例を示す斜視図、図４は、本実施の形態のＣｕ核カラムの模式的な構造を示す断面図である。
【００１６】
本実施の形態のＣｕ核カラムの実装方法は、基板にＣｕ核カラムをはんだで接合する１次実装と称す工程の後、１次実装で基板にはんだで接合されたＣｕ核カラムが、２次実装時の加熱で倒れないようにするため、１次実装後のＣｕ核カラムの周囲を樹脂組成物で封止する工程を設ける。
【００１７】
まず、本実施の形態のＣｕ核カラムの実装方法で使用されるＣｕ核カラムについて、図３及び図４を参照に説明する。
【００１８】
Ｃｕ核カラム１Ａは金属核カラムの一例で、所定の大きさを有して半導体チップを構成する基板とプリント基板等との間で間隔を確保する柱状の金属核の一例であるＣｕカラム２Ａと、Ｃｕカラム２Ａを被覆する被覆層の一例であるはんだ層３Ａとを備える。Ｃｕ核カラム１Ａが、図３に示すように円柱状である構成では、円柱の軸方向に沿った一方の端面が第１の接合面１０Ａであり、他方の接合面が第２の接合面１１Ａである。なお、本例では、Ｃｕカラム２Ａを円柱状に構成したが、これに限定されることはなく、例えば四角柱であっても良い。
【００１９】
Ｃｕカラム２Ａは、Ｃｕ単体の組成とすることもできるし、Ｃｕを主成分とする合金組成とすることもできる。Ｃｕカラム２Ａを合金により構成する場合、Ｃｕの含有量は５０質量％以上である。また、Ｃｕカラム２Ａとしては、Ｃｕ以外にも、Ｎｉ、Ａｇ、Ｂｉ、Ｐｂ、Ａｌ、Ｓｎ、Ｆｅ、Ｚｎ、Ｉｎ、Ｇｅ、Ｓｂ、Ｃｏ、Ｍｎ、Ａｕ、Ｓｉ、Ｐｔ、Ｃｒ、Ｌａ、Ｍｏ、Ｎｂ、Ｐｄ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｍｇの金属単体や合金、金属酸化物、あるいは金属混合酸化物により構成しても良い。
【００２０】
はんだ層３Ａは、合金の場合、Ｓｎを主成分とする鉛フリーはんだの合金組成であれば特に限定されない。また、はんだ層としては、Ｓｎ１００％からなるＳｎめっき被膜であってもよい。例えば、Ｓｎ、Ｓｎ−Ａｇ合金、Ｓｎ−Ｃｕ合金、Ｓｎ−Ａｇ−Ｃｕ合金、Ｓｎ−Ｉｎ合金、Ｓｎ−Ｂｉ合金、及びこれらに所定の合金元素を添加したものが挙げられる。いずれもＳｎの含有量が４０質量％以上である。添加する合金元素としては、例えばＡｇ、Ｃｕ、Ｉｎ、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｓｂ、Ｇｅ、Ｐ、Ｆｅ等がある。これらの中でも、はんだ層の合金組成は、落下衝撃特性の観点から、好ましくはＳｎ−３Ａｇ−０．５Ｃｕ合金である。またＰｂが含有されているＳｎ−Ｐｂ系のはんだを用いてもよい。Ｃｕ核カラム１Ａは、核２Ａの表面にはんだめっきを行うことではんだ層３Ａが形成される。
【００２１】
Ｃｕ核カラム１Ａは、Ｃｕカラム２Ａとはんだ層３Ａとの間に、拡散防止層が設けられていても良い。拡散防止層は、Ｎｉ及びＣｏ等から選択される１元素以上で構成され、Ｃｕカラム２Ａを構成するＣｕがはんだ層３Ａに拡散することを防止する。
【００２２】
Ｃｕカラム２Ａは、線径（直径）Ｄ２が２０〜１０００μｍであり、長さＬ２が２０〜１００００μｍであることが好ましい。
【００２３】
はんだ層３Ａの厚さは、特に制限されないが、例えば１００μｍ（片側）以下であれば十分である。一般には２０〜５０μｍであれば良い。
【００２４】
Ｃｕ核カラム１Ａは、線径（直径）Ｄ１が２２〜２０００μｍであり、長さＬ１が２２〜２００００μｍであることが好ましい。
【００２５】
次に、図１及び図２を参照して、本実施の形態のＣｕ核カラムの実装方法について説明する。図１（ａ）に示すように、半導体チップ等の第１の基板１００の電極１０１にフラックスＦを塗布する。フラックスＦを塗布する工程では、電極１０１の配置に合わせて開口が設けられた図示しないマスクを使用して、電極１０１が設けられている箇所にフラックスＦが塗布されるようにする。
【００２６】
フラックスは、例えば、有機酸と、アミンと界面活性剤、ベース剤、ハロゲン、チキソ剤及び溶剤等を適宜含有する公知のものを使用すればよい。
【００２７】
有機酸は、フラックスにおける活性剤成分として添加される。有機酸としては、グルタル酸、フェニルコハク酸、コハク酸、マロン酸、アジピン酸、アゼライン酸、グリコール酸、ジグリコール酸、チオグリコール酸、チオジグリコール酸、プロピオン酸、リンゴ酸、酒石酸、ダイマー酸、水添ダイマー酸、トリマー酸等が挙げられる。
【００２８】
アミンは、フラックスにおける活性補助成分として添加され、フラックスの濡れ広がりの速さに影響を与える。アミンとしては、例えば、イミダゾール、２−メチルイミダゾール、２−エチル−４−メチルイミダゾール、１−ベンジル−２−フェニルイミダゾール、ポリエーテルアミン、ポリオキシアルキレンアミン、ポリオキシエチレンアミン、ポリオキシプロピレンアミン、２−エチルアミノエタノール、ジエタノールアミン、トリエタノールアミン、アミノアルコール等が挙げられる。
【００２９】
ベース剤として、ポリエチレングリコール、ポリエチレングリコール−ポリプロピレングリコールコポリマー、ポリオキシエチレンアルキルエーテル、ポリオキシエチレンアルキルエステル、ポリオキシエチレン牛脂エステル等が挙げられる。
【００３０】
溶剤は、一般的に知られているグリコールエーテル系の化合物から選択される。溶剤としては、例えば、ヘキシレングリコール、ヘキシルジグリコール、１，３−ブタンジオール、オクタンジオール、アルキレンオキサイド・レゾルシン共重合物、２−エチル−１，３−ヘキサンジオール、２−エチルヘキシルジグリコール、フェニルグリコール、ブチルトリグリコール、ターピネオール等が挙げられる。
【００３１】
次に、図１（ｂ）に示すように、フラックスＦが塗布された電極１０１に、Ｃｕ核カラム１Ａの第１の接合面１０Ａを載せる。Ｃｕ核カラム１Ａを基板１００に載せる工程では、Ｃｕ核カラム１Ａが挿入される開口が設けられた図示しないマスクを使用して、電極１０１が設けられている箇所にＣｕ核カラム１Ａが所定の向きで載せられるようにする。
【００３２】
次に、図１（ｃ）に示すように、Ｃｕ核カラム１Ａが載せられた第１の基板１００を、リフロー炉を使用してはんだ層３Ａが溶融する所定の温度に加熱し、第１の基板１００の電極１０１とＣｕ核カラム１Ａをはんだで接合する。
【００３３】
Ｃｕ核カラム１Ａをはんだで電極１０１に接合した後、Ｃｕ核カラム１Ａと電極１０１の接合箇所に残ったフラックス残渣を洗浄により除去する。なお、フラックスＦが無残渣のものである場合、洗浄は行わない。
【００３４】
次に、図１（ｄ）に示すように、第１の基板１００の電極１０１に接合されたＣｕ核カラム１Ａの周囲に樹脂組成物１２を充填する。樹脂組成物１２は、加熱により硬化する熱硬化性の樹脂と、樹脂の硬化を促進する硬化剤を含む。
【００３５】
樹脂組成物が常温で液状である場合、毛細管現象を利用してＣｕ核カラム１Ａの周囲に樹脂組成物１２を充填する。樹脂組成物が常温で固形である場合、加熱により溶解させた後、圧力を加えてＣｕ核カラム１Ａの周囲に樹脂組成物１２を充填する。いずれの場合も、樹脂組成物１２の充填の後、Ｃｕ核カラム１Ａの周囲に充填された樹脂組成物１２を硬化する温度に加熱し、樹脂組成物１２を硬化させることで、Ｃｕ核カラム１Ａの周囲を樹脂組成物１２で封止して支持構造物を形成する。
【００３６】
熱硬化性の樹脂は、例えばエポキシ樹脂、シアネート樹脂等が挙げられる。エポキシ樹脂としては、例えばビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＥ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＳ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＭ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＰ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＺ型エポキシ樹脂等のビスフェノール型エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂等のノボラック型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂、キシリレン型エポキシ樹脂、ビフェニルアラルキル型エポキシ樹脂等のアリールアルキレン型エポキシ樹脂、ナフタレン型エポキシ樹脂、ビナフチル型エポキシ樹脂、アントラセン型エポキシ樹脂、フェノキシ型エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂、ノルボルネン型エポキシ樹脂、アダマンタン型エポキシ樹脂、フルオレン型エポキシ樹脂等が挙げられる。
【００３７】
シアネート樹脂は、ノボラック型シアネート樹脂、ビスフェノールＡ型シアネート樹脂、ビスフェノールＥ型シアネート樹脂、テトラメチルビスフェノールＦ型シアネート樹脂等のビスフェノール型シアネート樹脂、ナフトールアラルキル型の多価ナフトール類と、ハロゲン化シアンとの反応で得られるシアネート樹脂、ジシクロペンタジエン型シアネート樹脂、ビフェニルアルキル型シアネート樹脂等を挙げることができる。
【００３８】
エポキシ樹脂、シアネート樹脂以外に、樹脂組成物１２に含まれる樹脂としては、 フェノールノボラック樹脂、クレゾールノボラック樹脂、ビスフェノールＡノボラック樹脂等のノボラック型フェノール樹脂、未変性のレゾールフェノール樹脂、桐油、アマニ油、クルミ油等で変性した油変性レゾールフェノール樹脂等のレゾール型フェノール樹脂等のフェノール樹脂、ユリア（尿素）樹脂、メラミン樹脂等のトリアジン環を有する樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、ビスマレイミド樹脂、ポリウレタン樹脂、ジアリルフタレート樹脂、シリコーン樹脂、ベンゾオキサジン環を有する樹脂、ポリイミド樹脂、ポリアミドイミド樹脂、ベンゾシクロブテン樹脂等でも良い。
【００３９】
樹脂組成物１２に含まれる樹脂は、これらの中の１種類を単独で用いても良いし、２種類以上を併用しても良く、１種類または２種類以上と、それらのプレポリマーを併用しても良い。
【００４０】
硬化剤としては、ジシアンジアミド、有機酸ジヒドラジド、イミダゾール類、アミンアダクト系硬化剤、ビニルエーテルブロックカルボン酸、オニウム塩、ケチミン化合物、マイクロカプセル化イミダゾール、酸無水物、フェノール類などが挙げられる。酸無水物としては、無水フタル酸、無水マレイン酸、無水シトラコン酸、3,3',4,4'-ビフェニルテトラカルボン酸ニ無水物、4-メチルヘキサヒドロ無水フタル酸、ヘキサヒドロ無水フタル酸、メチルビシクロ[2.2.1]ヘプタン-2,3-ジカルボン酸無水物、ビシクロ[2.2.1]ヘプタン-2,3-ジカルボン酸無水物、1,2,3,6-テトラヒドロ無水フタル酸、3,4,5,6-テトラヒドロ無水フタル酸、エチレングリコールビスアンヒドロトリメリテート、グリセリンビス アンヒドロトリメリテートモノアセテート、テトラプロペニル無水コハク酸が挙げられる。
【００４１】
次に、図１（ｅ）に示すように、Ｃｕ核カラム１Ａの周囲に充填され硬化された樹脂組成物１２の表面１２０を削り、Ｃｕ核カラム１Ａの第２の接合面１１Ａを樹脂組成物１２から露出させると共に、各Ｃｕ核カラム１Ａの高さを揃えて第２の接合面１１Ａ及び樹脂組成物１２の表面１２０を平滑にする。なお、樹脂組成物１２の表面１２０を削る研磨加工法に関しては、シリコンウエハーのグラインド技術が展開でき、ダイヤモンドホイールを用いたグラインド技術等を本発明に適用できる。本発明に用いられる研磨加工方法は前記に限られたものではない。
【００４２】
次に、図２（ａ）に示すように、回路基板等の第２の基板１１０の電極１１１に接合層１１２を形成する。接合層１１２は、例えば、Ｓｎ１００％のはんだ、または、Ｓｎを主成分とし、Ｃｕ等を含むはんだによるはんだ層を、電極１１１に周知のめっき法によって形成し、このはんだ層にフラックスを塗布することで形成される。
【００４３】
次に、図２（ｂ）に示すように、接合層１１２が形成された電極１１１に、上述したように第１の基板１００に１次実装されたＣｕ核カラム１Ａの第２の接合面１１Ａを載せて、リフロー炉を使用して接合層１１２を構成するはんだが溶融する所定の温度に加熱し、第２の基板１１０の電極１１１とＣｕ核カラム１Ａをはんだで接合する。
【００４４】
図２（ａ）、図２（ｂ）に示すように、第１の基板１００にＣｕ核カラム１Ａをはんだで接合した１次実装の後、Ｃｕ核カラム１Ａの第２の接合面１１Ａを第２の基板１１０に載せてはんだで接合する２次実装を行う工程では、１次実装で接合されたＣｕ核カラム１Ａと第１の基板１００の電極１０１との接合箇所も加熱される。なお、２次実装では、Ｃｕ核カラム１Ａが接合された第１の基板１００が、Ｃｕ核カラム１Ａが下側となる向きとして、第２の基板１１０の上に載せられる。また、第２の基板１１０については、プリント回路基板以外にインターポーザー等の既存の基板ならばどのような物でも使用でき、さらに基板以外にも電子部品でもよい。そして２次実装時に電子部品等に積層させる方法でもよい。
【００４５】
第１の基板１００にＣｕ核カラム１Ａをはんだで接合する１次実装の後、Ｃｕ核カラム１Ａの周囲に樹脂組成物１２による支持構造物を設けずに２次実装を行うと、Ｃｕ核カラム１Ａ上部のはんだが、溶融時にＣｕ核カラム１Ａの側面に沿って下側外周部に流れて、Ｃｕ核カラム１Ａ上部のはんだ量が減ってしまい、はんだ量が減ったＣｕ核カラム１Ａ上部にて金属間化合物（ＩＭＣ）が成長してしまう。金属間化合物とはんだは接合できないので、はんだ量が少なくなり、かつ、はんだと接合しない金属間化合物が形成されてしまったＣｕ核カラム１Ａ上部では、２次実装において接合性が低下してしまう。その状態で、２次実装ではんだが溶融する温度まで加熱されることで、Ｃｕ核カラム１Ａが倒れる可能性があった。さらに、Ｃｕ核カラム１Ａ上部のはんだが溶融時に下側外周に流れた場合、はんだは重力でＣｕ核カラム１Ａ下部外周に集まり、Ｃｕ核カラム１Ａ下部外周でははんだの供給量が過多になり、狭ピッチの基板においてはＣｕ核カラム１Ａ間がはんだで接続されてしまうブリッジングの原因ともなってしまう。
【００４６】
これに対し、１次実装の後、Ｃｕ核カラム１Ａの周囲が樹脂組成物１２で封止され、Ｃｕ核カラム１Ａの周囲に支持構造物が形成されることで、２次実装ではんだが溶融する温度まで加熱されてはんだが溶融しても、樹脂組成物１２によってＣｕ核カラム１Ａが物理的に動けない状態であり、また、樹脂組成物１２によってＣｕ核カラム１Ａの周囲が封止されることで、Ｃｕ核カラム１Ａ上部のはんだが溶融時に下側外周部に流れることを防止でき、Ｃｕ核カラム１Ａが倒れたり、はんだがブリッジングすることが抑制される。
【００４７】
更に本発明については、１次実装後、さらにシリコンウエハー等の樹脂封止された基板をダイシングすることでパッケージの様に取り扱うこともできる。
【００４８】
なお、上記では第１の基板１００の電極１０１にフラックスＦを塗布した場合で説明をしたが、フラックスＦの代わりにはんだ粉末とフラックス等を混練したはんだペーストを塗布した場合でも、本発明の実装方法を適用することができる。はんだペーストに用いるはんだ粉末の組成は、はんだ層３Ａの組成と同様に特に限定されず、はんだ層３Ａに用いたはんだと同じ組成を用いてもよいし、別の組成を用いてもよい。はんだペーストに用いるフラックス等の溶剤についても、ペースト状で使用できるものならば、特に限定されない。
【００４９】
また、第２の基板１１０の電極１１１に形成する接合層１１２として、はんだ層にフラックスＦを塗布した場合で説明をしたが、電極１１１にはんだペーストを塗布して接合層１１２を形成した場合でも、上記した２次実装を行うことができる。接合層１１２を形成するはんだペーストについても、はんだペーストに用いるはんだ粉末の組成は、はんだ層３Ａの組成と同様に特に限定されず、はんだ層３Ａに用いたはんだと同じ組成を用いてもよいし、別の組成を用いてもよい。はんだペーストに用いるフラックス等の溶剤についても、ペースト状で使用できるものならば、特に限定されない。
【００５０】
更に、従来より、Ｃｕ核カラム１Ａが倒れるという課題を解決する本発明以外の方法として、はんだ層３Ａに融点の高いはんだを用いて、２次実装時においては、１次実装時に用いたはんだよりも融点の低いはんだペーストを用いてＣｕ核カラム１Ａを接合する方法も行われている。前記方法にて実装した場合、２次実装時の加熱温度は１次実装時の加熱温度よりも低い温度で済むので、２次実装時において、はんだ層３Ａがほとんど溶融することがなくなり、Ｃｕ核カラム１Ａが倒れるのを抑制することができる。
【００５１】
本発明において、１次実装の後、Ｃｕ核カラム１Ａの周囲を樹脂組成物１２で封止する上述した実装方法を適用し、Ｃｕ核カラム１Ａに被覆されたはんだ層３Ａよりも融点の低いはんだまたははんだペーストを用いて接合層１１２を形成して２次実装を行えば、より効果的に本発明の課題を解決することができる。更に、はんだまたははんだペーストに代えて、２次実装で接合層１１２として導電性接着剤を用いても良い。導電性接着剤は、Ｃｕ核カラム１Ａに被覆されたはんだ層３Ａの融点より低い温度での加熱で硬化するので、より効果的に本発明の課題を解決することができる。
【産業上の利用可能性】
【００５２】
本発明は、はんだで被覆された柱状の金属核カラムを基板に実装する工程に適用される。
【符号の説明】
【００５３】
１Ａ・・・Ｃｕ核カラム、２Ａ・・・Ｃｕカラム、３Ａ・・・はんだ層、１０Ａ・・・第１の接合面、１１Ａ・・・第２の接合面、１２・・・樹脂組成物、１００・・・第１の基板、１０１・・・電極、１１０・・・第２の基板、１１１・・・電極、１１２・・・接合層
【図１】
0006350720.tif 000002
【図２】
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【図３】
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【図４】
0006350720.tif 000005