(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
電子デバイスであって、
圧電性のＲＥ−ＣＯＢを含む１つの基板（ＰＳｕ）と、
前記基板（ＰＳｕ）上に配設された、ＨＦ信号と音響波との間の変換に適したデバイスパターン（ＩＤＳ，ＥＦＩ，ＲＦ）と、
を備え、
前記音響波は、１つの方向Ｘ'''に伝播可能であり、
前記方向Ｘ'''は、オイラー角（λ，μ，θ）によって決定されており、当該オイラー角は、（３０．．．６４，９８．．．１３８，１０４．．．１２４）の角度領域から選択されている、
ことを特徴とする電子デバイス。
【請求項２】
電子デバイスであって、
圧電性のＲＥ−ＣＯＢを含む１つの基板（ＰＳｕ）と、
前記基板（ＰＳｕ）上に配設された、ＨＦ信号と音響波との間の変換に適したデバイスパターン（ＩＤＳ，ＥＦＩ，ＲＦ）と、
を備え、
前記音響波は、１つの方向Ｘ'''に伝播可能であり、
前記方向Ｘ'''は、オイラー角（λ，μ，θ）によって決定されており、当該オイラー角は、（５０．．．６２，１１２．．．１１６，３２．．．４０），（６６．．．９０，１２２．．．１３８，１２．．．５０），および（６０．．．７５，１３５．．．１５５，９３．．．９７）の角度領域から選択されている、
ことを特徴とする電子デバイス。
【請求項３】
前記方向Ｘ'''は、オイラー角（６０．．．７５，１３５．．．１５５，９５）によって決定されていることを特徴とする請求項２に記載の電子デバイス。
【請求項４】
電子デバイスであって、
圧電性のＲＥ−ＣＯＢを備える１つの基板（ＰＳｕ）と、
前記基板（ＰＳｕ）上に配設された、ＨＦ信号と音響波との間の変換に適したデバイスパターン（ＩＤＳ，ＥＦＩ，ＲＦ）と、
を備え、
前記音響波は、１つの方向Ｘ'''に伝播可能であり、
前記方向Ｘ'''は、オイラー角（λ，μ，θ）によって決定されており、当該オイラー角は、（８０．．．１００，１２０．．．１７０，-１０．．．１０）の角度領域から選択されている、
ことを特徴とする電子デバイス。
【請求項５】
電子デバイスであって、
圧電性のＲＥ−ＣＯＢを含む１つの基板（ＰＳｕ）と、
前記基板（ＰＳｕ）上に配設された、ＨＦ信号と音響波との間の変換に適したデバイスパターン（ＩＤＳ，ＥＦＩ，ＲＦ）と、
を備え、
前記音響波は、１つの方向Ｘ'''に伝播可能であり、
前記方向Ｘ'''は、オイラー角（λ，μ，θ）によって決定されており、当該オイラー角は、（１５．．．９０，９５．．．１６５，９５．．．１３５），および（６０．．．７５，１３５．．．１５５，８５．．．９５）の角度領域から選択されている、
ことを特徴とする電子デバイス。
【請求項６】
圧電性の前記基板（ＰＳｕ）は、Ｎｄ−ＣＯＢを含むか、またはＮｄ−ＣＯＢから成っていることを特徴とする、請求項１乃至５のいずれか１項に記載の電子デバイス。
【請求項７】
請求項１乃至６のいずれか１項に記載の電子デバイスであって、
前記デバイスパターンは、高さｈおよび幅ｂの電極フィンガ（ＥＦＩ）を備え、
前記電極フィンガ（ＥＦＩ）は、波長Λを有する音響波が励起可能なように離間しており、
比ｈ／Λは、１％〜１５％となっており、
前記電極フィンガ（ＥＦＩ）は、Ａｌ，Ｃｕ，または他の材料を含み、
メタライジング比η＝ｂ／Λは、０．２〜０．８となっており、
前記音響波は、レイリー波および／または、水平偏向および／または垂直偏向の剪断波、および／または混合偏向波である、
ことを特徴とする電子デバイス。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、圧電結晶を有する電子音響デバイスおよび電子音響デバイス用結晶カットに関する。
【背景技術】
【０００２】
変換器パターンがＨＦ信号と音響波との間で変換を行なう、電子音響デバイスが存在する。このようなデバイスは、一般的に圧電材料およびこの変換器パターンの一部としての電極パターンを備える。このようなデバイスは、音響表面波（ＳＡＷ＝Surface Acoustic Wave）またはガイド音響体積波（ＧＢＡＷ＝Guided Bulk Acoustic Wave）で動作することができる。このようなデバイスは、１つの圧電基板を備え、この基板は一般的には結晶として入手することができる。
【０００３】
このようなデバイスは、ＨＦフィルタに使用することができ、たとえばモバイル通信機器のフロントエンド回路に使用することができる。たとえば１つのバンドパスフィルタが音響波で動作するものであると、小さなデバイスサイズで非常に急峻な通過帯域スロープが可能となる。このバンドパスフィルタは、異なる周波数バンドが狭い間隔で続いているために必要なものである。
【０００４】
問題は、中心周波数の位置およびフィルタスロープの位置が温度に依存し得ることである。圧電材料は、一般的に高い温度で膨張し、これによりフィンガー間隔で規定される半波長Λ／２は、温度上昇と共に増大する。これにより特性周波数は低い周波数にシフトする。圧電材料を有する電子音響デバイスのもう１つの一般的な問題は、電磁結合係数κ2の値（正確には絶対値｜κ2｜の値）である。一般的には、κ2には出来る限り大きな値が望ましい。
【０００５】
温度が引き起こす長さの伸長に加えて、剛性値、すなわち剛性テンソルの各値Ｃijklも変化し、こうしてもう１つの電気的特性の温度依存性が生じ得る。
【０００６】
電子音響デバイス用の１つの典型的な圧電材料は石英であり、この石英では、レイリー波が伝播可能である。この石英では、電子音響結合係数κ2は、０．１３２％にまで達し得る。
【０００７】
圧電材料として石英をベースにする電子音響デバイスはたとえば特許文献１〜５あるいは特許文献６に開示されている。
【０００８】
電子音響デバイス用のもう１つの典型的な圧電材料はタンタル酸リチウムである。タンタル酸リチウムをベースとするデバイスは、たとえば特許文献７または８に開示されている。
【０００９】
しかしながら大きな電子音響結合係数κ2および殆ど温度依存性の無い電気特性を有する完璧な圧電材料は未だ知られていない。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１０】
【特許文献１】欧州特許出願公開第０１６７９７９４Ａ２号明細書
【特許文献２】国際出願公開第２００７／０３７４５７号パンフレット
【特許文献３】米国特許出願公開第２００７／１９４６５７号明細書
【特許文献４】欧州特許出願公開第０１８１６７４４Ａ１号明細書
【特許文献５】米国特許第６９４６９３０Ｂ２号明細書
【特許文献６】欧州特許出願公開第２４０３１４１Ａ１号明細書
【特許文献７】米国特許出願公開第２００３／０１４１９４７Ａ１号明細書
【特許文献８】米国特許出願公開第２００３／０１３７３６７Ａ１号明細書
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１１】
そこで本発明の課題は、電子音響デバイスに対する新たな選択肢、および具体的には適合した材料、切り出し角およびこれに調整された電極寸法を提示することである。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
この課題は独立請求項に記載の電子音響デバイスによって解決される。従属項は本発明の有利な実施例を提示する。
【００１３】
１つの実施形態においては、１つの電子音響デバイスは、ＲＥ−ＣＯＢを有するかあるいはこれから成る１つの圧電基板を備える。ここでＲＥは、希土類（Rare Earth）の金属を表す。ＣＯＢは、カルシウムオキソボレートを意味する。この基板上にデバイスパターンが配設されている。このデバイスパターンは、ＨＦ信号と音響波との間の変換あるいはこの逆の変換に適している。ここでこの音響波は、１つの方向Ｘ’’’に伝播可能である。ここでこの方向Ｘ’’’は、オイラー角（λ，μ，θ）で決定される。これらのオイラー角（λ，μ，θ）は、以下の角度領域から選択されている。
（２０．．．９０，９５．．．１６０，１５．．．５５），
（２０．．．８５，９５．．．１６０，９５．．．１２５），
（１５．．．２５，８５．．．１００，０．．．１７５），
ここで各々の角度領域は、第１のオイラー角λに対する角度区間，第２のオイラー角μに対する角度区間、第３のオイラー角θに対する角度区間を有する。
【００１４】
ここでこれらのオイラー角（λ，μ，θ）は、以下のように規定されている。まずこの基板の結晶学的な軸である、１つの軸のセットｘ，ｙ，ｚから始まる。
【００１５】
第１の角λは、ｚ軸の回りにｘ軸およびｙ軸がどの位の大きさで回転しているかを与え、ここでｘ軸はｙ軸の方向で回転される。これに対応して新たな軸ｘ’，ｙ’，ｚ’のセットが生成され、ここでｚ＝ｚ’である。
【００１６】
さらなる回転において、このｚ’軸およびｙ’軸は、ｘ’軸の回りに角μだけ回転される。この際このｙ’軸は、ｚ’軸の方向で回転される。これに対応して新たな基本軸Ｘ’’，ｙ’’，ｚ’’のセットが生成され、ここでｘ’＝ｘ’’である。
【００１７】
３度目の回転において、このｘ’’軸およびｙ’’軸は、ｚ’’軸の回りに角θだけ回転される。ここでこのｘ’’軸はｙ’’軸の方向に回転される。こうして第３の基本軸のセットｘ’’’，ｙ’’’，ｚ’’’が生成され、ここでｚ’’＝ｚ’’’である。
【００１８】
ここで上記のｘ’’’軸およびｙ’’’軸は、上記の基板の表面に対し平行となっている。上記のｚ’’’軸は、上記の基板の表面法線となっている。上記のｘ’’’軸は、音響波の伝播方向となっている。
【００１９】
この定義は、国際標準規格ＩＥＣ６２２７６，２００５−０５，付録Ａ１に従っている。
【００２０】
図３には、元々の、すなわち結晶学的なそれぞれの方向、および回転された軸ならびにその回転方向が示されている。以上により、１つの圧電結晶がどのようにカットされなければならないか、またどの方向に音響波が進行しなければならないかが明瞭に規定され、こうして上記の伝播方向Ｘ’’’が得られる。
【００２１】
上記の波動モードが複数の物理的パラメータ、たとえば媒体中の音響波の音速、デバイスパターンを通るグラウンドレイアウト、波長等に依存することにより、適切な切り出し角および適切な伝播方向の決定は困難となっている。上記の音響波の伝播に直接影響するこれらのパラメータはさらに、たとえば圧電材料の密度、デバイスパターンの密度、デバイスパターンの幾何形状、伝播方向（特にこれは上記のオイラー角に対し殆ど無限の選択可能性がある）、および上記の電気信号の周波数位置、のような他の材料特性に依存する。これらの複数の相反する依存性は、たった１つのパラメータが変更される場合でも、１つの電子音響デバイスの知識を他の電子音響デバイスに移植することを妨げる。この結果、電音響特性の設計の際には、高度に開発されたシミュレーションツールに加え、波動伝播および信号伝播の物理的プロセスの本質的な深い理解が必要である。
【００２２】
ここで音響波としては具体的には水平剪断波（英語：ＳＨモード）が対象となる。
【００２３】
ここで上述のオイラー角は、デバイスパターンあるいは電極フィンガの高さが、伝播可能な音響波の波長の１〜４％となり得るような（１％≦ｈ／Λ≦４％）、可能な切り出し角の集合を示している。ここでメタライジング比は、０．３〜０．８、そして特に０．４〜０．６となっていてよい。具体的には０．５のメタライジング比であってよい。ここでこのメタライジング比ηは、電極フィンガの幅ｂと音響波の半波長Λ／２との比から、η＝ｂ／（Λ／２）で定義されている。
【００２４】
上述した可能なオイラー角の集合は、さらにこれらが放物線形状の温度挙動の特徴的な周波数特性を可能とすることを特徴とする。この周波数の温度依存性（ＴＣＦ＝Temperature Coefficient of Frequency＝Temperaturkoeffizient der Frequenz）は、一般的にテイラー展開で近似することができる。
Ｆ（Ｔ）＝Ｆ0［１＋ＴＣＦ1（Ｔ−Ｔ0）＋ＴＣＦ2（Ｔ−Ｔ0）2＋．．．］
ここでＦ0は基準温度Ｔ0での周波数を表す。ここで一次係数であるパラメータＴＣＦ1は、温度の逆数の次元を有し、パラメータＴＣＦ2は温度の２乗の逆数の次元［１／Ｋ2］を有し、以下これに続く。
【００２５】
放物線の温度挙動は、この一次係数ＴＣＦ1が消えるのでとりわけ有利である。ここで基準温度として放物線の鞍点が使用され、ＴＯＴ（Turn Over Temperature)とも呼ばれている。この基準温度ＴＯＴが、この部品の動作温度にある場合、とりわけ有利である。２次より高い項は、一般的に無視することができる。
【００２６】
ここでこの電子音響デバイスあるいは後述の電子音響デバイスの材料は、Ｎｄ−ＣＯＢを含みまたはこれから成っている。全部合わせると、こうして１つの圧電基板は、ＲＥＣａ4Ｏ（ＢＯ3）3の化学等量組成を備えてよい。ここで希土類金属としては、ネオジム，Ｎｄが対象となる。
【００２７】
音響波としては、レイリー波、（ＳＨ波の）偏向剪断波、または縦波表面波が対象となる。特に結晶軸からずれた角度での偏向が混合した波も可能である。
【００２８】
本発明による電子音響デバイスの１つの実施形態においては、上述のオイラー角の集合は、より狭く規定されたオイラー角（３０．．．６４，９８．．．１３８，１０４．．．１２４）に限定されていてよい。このようなオイラー角を用いて、０．８％の電子音響結合係数κ2およびＴＣＦ2≦１０ｐｐｂ／Ｋ2を得ることができる。
【００２９】
１つの代替の実施形態においては、伝播方向は、以下の角度領域から選択されたオイラー角によって決定されている。
（１５．．．９０，１００．．．１６５，１０．．．５０），
（１５．．．９０，１００．．．１６５，１２０．．．１３５），
（１５．．．３０，１００．．．１１０，−１０．．．１０），
（６０．．．７５，１３５．．．１５５，９３．．．９７），
このようなオイラー角を用いて、ＴＣＦ2≦４０ｐｐｂ／Ｋ2が得られる。ここで波長Λに規格化されたデバイスパターンの高さは６〜１０％となっていてよい。メタライジング比ηは、０．３〜０．７であってよく、たとえば０．４〜０．６であってよく、たとえば０．５であってよい。
【００３０】
本発明による電子音響デバイスの１つの実施形態においては、オイラー角の範囲は以下の区間に限定されている。
（５０．．．６２，１１２．．．１１６，３２．．．４０）
こうして０．４％の電子音響結合係数κ2およびＴＣＦ2≦１０ｐｐｂ／Ｋ2を達成することができる。
【００３１】
１つの代替の実施形態においては、オイラー角の範囲は、以下の区間に限定されている。
（６６．．．９０，１２２．．．１３８，１２．．．５０）
こうして、１％の電子音響結合係数κ2および２次温度係数｜ＴＣＦ2｜≦５０ｐｐｂ／Ｋ2（｜ＴＣＦ2｜＜５０＊１０-9／Ｋ2）を得ることができる。
【００３２】
１つの実施形態においては、オイラー角の範囲は以下の値に限定されていてよい。
（６０．．．７５，１３５．．．１５５，９５）
こうして波長Λに規格化されたデバイスパターンの高さ６％〜１０％は有利となる。ここでもメタライジング比ηは、０．３〜０．７であってよく、たとえば０．４〜０．６であってよく、たとえば０．５であってよい。
【００３３】
１つの実施形態においては、オイラー角は、以下の角度範囲から選択されている。
（８０．．．１００，１２０．．．１７０，−１０．．．１０）
こうしてデバイスパターンの規格化された高さ（ｈ／Λ）は６％〜１０％で可能となる。メタライジング比ηは、０．３〜０．７が選択されてよく、たとえば０．４〜０．６が選択されてよく、たとえば０．５が選択されてよい。こうして大きな結合係数κ2、たとえば≧０．３５％、をＴＣＦ1＜４０ｐｐｍ／Ｋで得ることができる。
【００３４】
本発明による電子音響デバイスの１つの実施形態においては、オイラー角は以下の角度範囲から選択されていてよい。
（１５．．．９０，９５．．．１６５，９５．．．１３５），
（６０．．．７５，１３５．．．１５５，８５．．．９５），
（１５．．．９０，９５．．．１６５，１０．．．５５），
こうして波長Λに規格化されたデバイスパターンの高さは１０％以下と成り得る。電極フィンガの主成分としてアルミニウムを使用する際には、規格化された高さは、０．５％〜１５％ので選択されてよい。電極フィンガの主成分として銅を使用する際には、波長Λに規格化された高さは、０．２％〜８%で選択されてよい。
【００３５】
アルミニウムあるいは銅のそれぞれの主成分の他に、この電極パターンは他の元素および特にさらなる層（複数）、たとえばチタンを含む接着媒介層および重元素を含む拡散バリヤを備えてよい。
【００３６】
１つの実施形態においては、オイラー角の角度範囲はさらに、オイラー角（１５．．．９０，９５．．．１０９，１０．．．１８）が除外されるように限定されていてよい。これはオイラー角が以下の３つの区間から選択されることと等価である。
（］６０．．．９０，９５．．．１６５，１０．．．５５），
（１５．．．６０，］１０９．．．１６５，１０．．．５５），
（１５．．．９０，９５．．．１０９，］１８．．．５５）。
【００３７】
以上によりＴＣＦ2＜１０ｐｐｂ／Ｋ2を、０．３５％≦κ2≦５％で得ることができ、これにより石英の結合係数を上回ることができる。
【００３８】
本発明による電子音響デバイスの電極フィンガ（複数）は、１つの幅ｂを有する。ここでこれらの電極フィンガは、波長Λの音響波が伝播可能であるように、互いに相対的に配置され、かた互いに離間している。ここでフィンガ中心間の距離は一般的にΛ／２となっている。スプリットフィンガ変換器およびこれと類似の変換器タイプの使用も同様に可能であり、この場合はこれに対応してフィンガ中心間の距離は、音響波長に対して半分となる。
【００３９】
上述の好ましいメタライジング比とは関係なく、本発明によるデバイスのメタライジング比η＝ｂ／Λは、少なくとも縦方向の伝播方向Ｘ’’’に沿って局所的に０．２〜０．８となっていてよい。デバイスパターンの波長Λに規格化された高さｈ/Λは、これに対応して０．０１％から１５％となっていてよい。
【００４０】
オイラー角（８５°，９０°，１５５°）に対し、レイリー波での結合係数κ2の値は１．３２％まで取り得る。剪断波では、この結合係数κ2は４％に達し得る。
【００４１】
電極パターンによって励起可能な音響波は、レイリー波および／または、水平偏向および／または垂直偏向の剪断波であり得る。しかしながらこれらの波動は、これらの波の混合形態であってもよく、また混合偏向波（gemischtpolarisierte Welle）として、個々の波動モードが異なる励起強度を有してよい。
【００４２】
ＲＥ−ＣＯＢの結晶構造は、たとえば石英より顕著に小さい対称性を有し、これより従来知られている高い対称性の材料に対して知られている角度は、ＲＥ−ＣＯＢに対してはいずれも最初から適していない。さらに、この小さな対称性は、純粋な波動モードの励起を困難とする。上述の角度は、しかしながらその小さな対称性にも関わらず、良好な電気特性を有するデバイスを可能とする。
【００４３】
このデバイスはＳＡＷデバイス，ＧＢＡＷデバイス，またはＬＳＡＷデバイス  （ＬＳＡＷ＝Leaking Surface Acoustic Wave）であってよい。
【００４４】
ここで上記のデバイスパターンは、従来の変換器，ＳＰＵＤＴ変換器（ＳＰＵＤＴ＝Single-Phase Unidirectional Transducer）またはＮＳＰＵＤＴ（Natural Single-Phase Unidirectional Transducer）であってよい。
【００４５】
このデバイスは、単結晶であってよい上記の圧電基板の他に、電極層そしてさらなる層（複数）、たとえば接着媒介層、たとえば反射層として基板における空洞部、等を備えてもよい。
【００４６】
以下に本発明の基本となる特徴を概略的な図を参照して詳細に説明する。
【図面の簡単な説明】
【００４７】
【図１】オイラー角の集合（複数）に対応して分類された一覧表および、有利に規格化された高さのデバイスパターンおよびメタライジング比を示す。
【図２】１つの電子音響変換器の主要な構成部品および音響波の伝播方向Ｘ’’’を示す。
【図３】使用されているオイラー角の定義を見易く表す図を示す。
【図４】オイラー角μおよびθに依存した電子音響結合係数κ2の計算値を示す。
【図５】計算された温度依存性を示す。
【００４８】
図１は、結晶カット用の好ましいオイラー角、すなわち電子音響デバイスにおける音響波の伝播方向を分類して表している。ここで好ましいオイラー角は、ほぼ４つのグループ（Ａ，Ｂ，Ｃ，Ｄ）に分けられる。
【００４９】
ここでグループＡは、部分集合Ａ１，Ａ２，Ａ３を含んでいる。部分集合Ａ１は、たとえば上記の第１のオイラー角に対し２０°〜９０°の値を必要とする。上記の第２のオイラー角は、９５°〜１６０°となっている。上記の第３のオイラー角は、１５°〜５５°となっている。
【００５０】
特に、部分集合Ａ２は、オイラー角（３０°．．．６４°，９８°．．．１３８°，１０４°．．．１２４°）を有する１つの下位部分集合Ａ２*を含んでいる。この下位部分集合Ａ２*においては、電子音響結合係数κ2はメタライジング比に殆ど関係なくほぼ０．８％となっている。
【００５１】
これに対応してオイラー角の集合Ｂは、部分集合Ｂ１，Ｂ２，Ｂ３，およびＢ４を含む。  ここで部分集合Ｂ１は、さらなる下位部分集合Ｂ１*およびＢ１’を含んでいる。具体的には、この下位部分集合Ｂ１’は、２次の温度係数ＴＣＦ2＜４０ｐｐｂ／Ｋ2を可能とする。
【００５２】
オイラー角の集合Ｃは、実質的に部分集合Ｃ１から成っており、この部分集合Ｃ１のオイラー角は、その第３のオイラー角が−１０°〜１０°の間で選択されていることを特徴としている。ここで上記の圧電材料の対称性は、この第３のオイラー角が１７０°〜１９０°の区間に対応するものであってもよい。
【００５３】
集合Ｄは、部分集合Ｄ１，Ｄ２，およびＤ３を含む。ここで部分集合Ｄ１は、オイラー角（１５．．．９０，９５．．．１６５，１０．．．５５）の組合せを含んでおり、これらの区間は、（１５．．．９０，９５．．．１０９，１０．．．１８）のオイラー角（λ，μ，θ）を除外している。こうして残りのオイラー角の集合は、ほぼ（］６０．．．９０，９５．．．１６５，１０．．．５５）  ＋  （１５．．．６０，］１０９．．．１６５，１０．．．５５）  ＋  （１５．．．９０，９５．．．１０９，］１８．．．５５）のオイラー角の集合であり、ここでこの第１のオイラー角の集合の場合には数値６０°が、第２のオイラー角の集合の場合には１０９°の値が、そして第３のオイラー角の集合の場合には１８°の値が理論的に除外されている。しかしながら結晶における原子の数は量子化されており、カット面はこの結晶の原子と交差するので、可能なカット角は原理的に有限であり、そしてλ，μ，θの可能な値は任意に密に隣接しては存在していない。このために、もし重要な値、λに対する６０°，μに対する１０９°，およびθに対する１８°が、それぞれ対応する部分集合Ｄ１の他の値との組み合わせが有利に選択されているか否かは、このため不明である。
【００５４】
図２は、櫛歯パターン（複数）ＩＤＳを有する１つの電子音響変換器Ｗを示し、この櫛歯パターンの両側に反射器フィンガＲＦが配置されている。ここでこれらの櫛歯パターンＩＤＳは、電極フィンガＥＦＩを備え、これの電極フィンガはそれぞれ１つのバスバーと回路接続されている。それぞれの隣接する電極フィンガには、１つのＨＦ信号が印加され得る。こうして圧電効果が利用され、上記の圧電基板ＰＳｕに１つの音響波が励起される。この逆に、この変換器パターンによって、上記の圧電基板ＰＳｕにおける１つの音響波を、１つのＨＦ信号に変換することも可能である。ここで１つのデバイスは、たとえば１つの音響経路にカップリングされている複数の変換器を備えてよい。ここで音響波の伝播方向は、Ｘ’’’で与えられる。ここで電極フィンガＥＦＩは、方向Ｙ’’’に延伸している。
【００５５】
図３は、オイラー角の定義を図で示している。ここでλは上記の第１のオイラー角を表し、この角度だけ元々のＸ軸および元々のＹ軸が元々のＺ軸の回りに回転される。続いて軸ｘ’の回りに角度μだけ回転される。最後に軸ｚ’’の回りに、最終的なＸ軸（Ｘ’’’）が回転されなければならない角度θだけ回転され、こうして元々の軸ｘ、ｙ、ｚで表される上記の結晶学的な軸に対する音響波の伝播方向が得られる。
【００５６】
図４は、８０°の一定のオイラー角λでのオイラー角μおよびθに依存する電子音響結合係数κ2の計算値を、いわゆる等高線図で示している。ここで一定の結合係数の値は、点線で表されている。ここで閉じた等高線が廻っている中心は、この結合係数の極大値または極小値を与える。
【００５７】
図５は、計算された温度係数を示す。ここでこれらの値は約−８０℃では水平の傾きを有し、すなわち傾斜が殆ど無く、これより温度Ｔ0＝−８０°の回りでの変化で放物線状の温度挙動が得られる。有利なオイラー角では、メタライジング比およびデバイスパターンの規格化された高さがこのオイラー角で、上記の放物線の温度極小値を顕著に高い温度に移動され得る。こうしてモバイル通信機器の動作での温度の上昇または低下は、通常の室温では、それぞれのフロントエンドモジュールの伝送特性に大きな影響を全くもたらすことがない。
【００５８】
本発明は、上記の概略的な実施形態例や図に限定されない。したがって、さらなる圧電材料等の部品、デバイスパターンにおける層系、温度凝縮層（Temperaturkondensationsschichten）、および応力層（Verspannungsschichten）、デバイスパターンの組成物、等を含む電子音響デバイスも同様に本発明の一部である。
【符号の説明】
【００５９】
Ａ，Ｂ，Ｃ，Ｄ  ：   オイラー角の領域
ＥＦＩ          ：   電極フィンガー
ｈ              ：   デバイスパターンあるいは電極フィンガの高さ
ＩＤＳ          ：  櫛歯パターン
ＲＦ            ：  反射器フィンガ、音響反射器
Ｗ              ：  電子音響変換器
Ｘ’’’        ：  音響波の伝播方向
Ｙ’’’        ：  上記の伝播方向に対して直角な方向であって、ここでは上記の方向Ｘ’’’およびＹ’’’は、カットされた圧電基板の表面に対し平行に向いている。
Ｚ’’’        ：  圧電基板の表面法線
η              ：  メタライジング比
θ              ：  第３のオイラー角
κ2            ：  電子音響結合係数
Λ              ：  音響波の波長
λ              ：  第１のオイラー角
μ              ：  第２のオイラー角
【図１Ａ】
0006441960.tif 000002
【図１Ｂ】
0006441960.tif 000003
【図１Ｃ】
0006441960.tif 000004
【図１Ｄ】
0006441960.tif 000005
【図２】
0006441960.tif 000006
【図３】
0006441960.tif 000007
【図４】
0006441960.tif 000008
【図５】
0006441960.tif 000009