(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
分割予定ラインを備えるウエーハの該分割予定ラインに沿ってレーザー光線を照射して内部に形成されたレーザー加工層を起点にウエーハを分割するウエーハの分割方法であって、
ウエーハの表面側又は裏面側から該分割予定ラインに沿ってレーザー光線を照射しウエーハの一方の面をアブレーション加工して該分割予定ラインに沿って面取り部を形成する面取り部形成工程と、
ウエーハの表裏の向きを該面取り部形成工程と同じにした状態で、該面取り部形成工程においてウエーハの該表面側からレーザー光線を照射する場合はウエーハの該表面側から、該面取り部形成工程においてウエーハの該裏面側からレーザー光線を照射する場合はウエーハの該裏面側から、ウエーハに対して透過性を有する波長のレーザー光線を入射させて内部に集光させた集光点を該分割予定ラインに沿って移動させレーザー加工層を形成する内部加工工程と、
ウエーハの表裏の向きを該内部加工工程と同じにした状態で、押圧部材によって該分割予定ラインに沿って該面取り部が形成された面側からウエーハを押圧し該レーザー加工層を起点にウエーハを分割する分割工程と、を備えるウエーハの分割方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ウエーハを個々のチップに分割する分割方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
ＩＣ、ＬＳＩ等のデバイスが分割予定ラインによって区画され表面に形成されたウエーハは、分割予定ラインに沿って分割することによりデバイスを有する個々のチップに分割される。
【０００３】
ウエーハを個々のチップに分割する方法として、例えばウエーハに対して透過性を有するレーザー光線をウエーハの表面側から分割予定ラインに沿って照射してウエーハの内部に改質層を形成し、該改質層が形成された分割予定ラインに沿ってレーザー光線をさらに照射して熱応力を発生させることによりウエーハを個々のチップに分割する方法がある（例えば、下記の特許文献１を参照）。
【０００４】
また、上記のようにウエーハの内部に改質層を形成した後、該改質層が形成された分割予定ラインに沿って押圧部材で外力を付与して該改質層を起点にウエーハを個々のチップに分割する方法もある（例えば、下記の特許文献２及び特許文献３を参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００５−１２３３２９号公報
【特許文献２】特開２０１２−０３８８６７号公報
【特許文献３】特開２０１２−１４６７４４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、押圧部材でウエーハを分割する場合には、ウエーハを個々のチップに個片化する際に、隣り合うチップの角部同士が接触してしまい、チップの角部に欠けが生じることがある。
【０００７】
本発明は、上記の事情にかんがみてなされたものであり、ウエーハを分割する際に、チップに欠けが発生しないようにすることを目的としている。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明は、分割予定ラインを備えるウエーハの該分割予定ラインに沿ってレーザー光線を照射して内部に形成されたレーザー加工層を起点にウエーハを分割するウエーハの分割方法であって、ウエーハの表面側又は裏面側から該分割予定ラインに沿ってレーザー光線を照射しウエーハの一方の面をアブレーション加工して該分割予定ラインに沿って面取り部を形成する面取り部形成工程と、ウエーハの表裏の向きを該面取り部形成工程と同じにした状態で、該面取り部形成工程においてウエーハの該表面側からレーザー光線を照射する場合はウエーハの該表面側から、該面取り部形成工程においてウエーハの該裏面側からレーザー光線を照射する場合はウエーハの該裏面側から、ウエーハに対して透過性を有する波長のレーザー光線を入射させて内部に集光させた集光点を該分割予定ラインに沿って移動させレーザー加工層を形成する内部加工工程と、ウエーハの表裏の向きを該内部加工工程と同じにした状態で、押圧部材によって該分割予定ラインに沿って該面取り部が形成された面側からウエーハを押圧し該レーザー加工層を起点にウエーハを分割する分割工程と、を備える。
【発明の効果】
【０００９】
本発明にかかるウエーハの分割方法は、ウエーハの一方の面にアブレーション加工して分割予定ラインに沿って面取り部を形成する面取り部形成工程と、ウエーハの内部に分割起点となるレーザー加工層を形成する内部加工工程と、押圧部材で分割予定ラインに沿って面取り部が形成された面側からウエーハを押圧してレーザー加工層を起点に分割する分割工程とを備えたため、ウエーハを分割する際に、面取り部によって隣り合うチップの角部分が接触するのを防止でき、分割後のチップに欠けを生じさせることがない。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】ウエーハの一例を示す斜視図である。
【図２】分割方法の第１例のうち内部加工工程を示す断面図である。
【図３】分割方法の第１例のうち面取り部形成工程を示す断面図である。
【図４】分割方法の第１例のうち分割工程を示す断面図である。
【図５】分割方法の第２例のうち面取り部形成工程を示す断面図である。
【図６】分割方法の第２例のうち内部加工工程を示す断面図である。
【図７】分割方法の第２例のうち分割工程を示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
図１に示すウエーハ１は、レーザー加工が施される被加工物の一例である。ウエーハ１の表面２ａには、格子状の分割予定ライン３によって区画されたそれぞれの領域にデバイス４が形成されており、表面２ａと反対側の裏面２ｂには、デバイス４が形成されていない。以下では、ウエーハ１を個々のチップに分割する分割方法について説明する。
【００１２】
１  ウエーハの分割方法の第１例
内部加工工程
図２に示すように、レーザー光線照射手段１０を用いて分割予定ライン３に沿ってレーザー光線を照射してウエーハ１の内部に分割起点となるレーザー加工層を形成する。レーザー光線照射手段１０は、図示しないレーザー光線発振部と、該レーザー光線発振部から発振されたレーザー光線を被加工物の内部の所定位置に集光させるための集光レンズ１１を備えている。また、レーザー光線照射手段１０は、例えば集光レンズ１１によって集光されるレーザー光線の集光点位置を調整する位置調整部を備えており、ウエーハ１に対するレーザー光線の集光点の位置を所望の位置に調整できる。
【００１３】
ウエーハ１に対してレーザー加工を行う前に、レーザー照射時に発生するデブリなどがウエーハ１の表面２ａに付着するのを防止するため、該表面２ａに水溶性の樹脂で形成される保護膜７を被膜しておくことが望ましい。保護膜７としては、例えば株式会社ディスコが提供する製品である保護膜「HogoMax」を使用することができる。
【００１４】
次に、ウエーハ１の裏面２ｂに粘着材５を介してテープ基材６を貼着した上で、該裏面２ｂ側を例えば加工テーブルに載置して保持させ表面２ａ側を上向きにさせる。そして、このウエーハ１をレーザー光線照射手段１０の下方に移動させる。レーザー光線照射手段１０を分割予定ライン３の上方に位置させ、集光レンズ１１によってレーザー光線の集光点Ｐ１をウエーハ１の内部に位置づけ、分割予定ライン３に沿ってウエーハ１に対して透過性を有する波長のレーザー光線ＬＢ１をウエーハ１の表面２ａ側から照射する。そして、レーザー光線照射手段１０とウエーハ１とを相対的に水平方向（ウエーハ１の面方向）に移動させることにより集光点Ｐ１を分割予定ライン３に沿って移動させ、ウエーハ１の内部にレーザー加工層８ａを形成する。ウエーハ１の全ての分割予定ライン３に沿ってレーザー光線ＬＢを照射してレーザー加工層８ａを形成したら、内部加工工程が完了する。
【００１５】
面取り部形成工程
図３に示すように、上記したレーザー光線照射手段１０によってウエーハ１の表面２ａに対してアブレーション加工を行い分割予定ライン３に沿って面取り部を形成する。レーザー光線照射手段１０は、集光レンズ１１により集光されるレーザー光線の集光点Ｐ２をウエーハ１の表面２ａの分割予定ライン３上に位置づけ、ウエーハ１に対して吸収性を有する波長のレーザー光線ＬＢ２をウエーハ１の表面２に向けて照射する。そして、レーザー光線照射手段１０とウエーハ１とを相対的に水平方向に移動させることにより集光点Ｐ２を分割予定ライン３に沿って移動させ、分割予定ライン３に沿ってアブレーション加工して面取り部９ａを形成する。
【００１６】
分割工程
図４に示すように、ウエーハ１の上方側に配設された分割ブレード２０によってウエーハ１の上方側から外力を加えてウエーハ１を分割する。分割ブレード２０は、押圧部材の一例であって、その先端部分が分割予定ライン３に沿ってライン状に形成されている。この分割ブレード２０をウエーハ１の分割予定ライン３の上方側に位置づける。次いで分割ブレード２０をウエーハ１の表面２ａに接近する方向に下降させて、分割ブレード２０の先端部分で面取り部９ａが形成された表面２ａ側を押し下げてウエーハ１を押圧する。
【００１７】
レーザー加工層８ａが押圧力に耐えられなくなると、ウエーハ１は、レーザー加工層８ａが起点となって分割予定ライン３に沿って個々のチップ３０に破断される。このとき、隣り合うチップ３０は、分割ブレード２０で押圧された部分を中心にして互いに接近するが、図４の部分拡大図に示すように、隣り合うチップ３０の角部３１，３２に面取り部９ａが形成されていることから、角部３１，３２同士が接触することはない。よって、チップ３０に欠けが発生するのを防止することができ、チップの品質が向上する。このように、全ての分割予定ライン３に沿って分割ブレード２０によりウエーハ１を押圧してデバイス４付きのチップ３０に分割する。その後、図示しない搬送手段によって各チップ３０をピックアップする。
【００１８】
２  ウエーハの分割方法の第２例
ウエーハ１を分割する方法は、上記した工程順に実施する場合に限定されるものではなく、内部加工工程を実施する前に面取り部形成工程を実施してもよい。
【００１９】
（１）面取り部形成工程
図５に示すように、レーザー光線照射手段１０ａによってウエーハ１ａの表面２ａに対してアブレーション加工を行って、分割予定ライン３に沿って面取り部を形成する。レーザー光線照射手段１０ａは、上記したレーザー光線照射手段１０と同様の構成を有している。まず、ウエーハ１ａの裏面２ｂを上向きに露出させ、表面２ａに粘着材５を介してテープ基材６を貼着した上で、該表面２ａ側を例えば加工テーブルに載置する。
【００２０】
次いで、ウエーハ１ａをレーザー光線照射手段１０ａの下方に移動させる。レーザー光線照射手段１０ａは、集光レンズ１１により集光されるレーザー光線の集光点Ｐ３をウエーハ１ａの表面２ａの分割予定ライン３上に位置づけ、ウエーハ１ａに対して透過性を有する波長のレーザー光線ＬＢ１をウエーハ１ａの裏面２ｂに向けて照射する。そして、レーザー光線照射手段１０ａとウエーハ１ａとを相対的に水平方向（ウエーハ１ａの面方向）に移動させることにより集光点Ｐ３を分割予定ライン３に沿って移動させ、分割予定ライン３に沿ってアブレーション加工して表面２ａに面取り部９ｂを形成する。
【００２１】
（２）内部加工工程
図６に示すように、レーザー光線照射手段１０ａを用いて分割予定ライン３に沿ってレーザー照射してウエーハ１ａの内部に分割起点となるレーザー加工層を形成する。レーザー光線照射手段１０ａは、集光レンズ１１によってレーザー光線の集光点Ｐ４をウエーハ１ａの分割予定ライン３の内部に位置づけ、分割予定ライン３に沿ってウエーハ１ａに対して透過性を有する波長のレーザー光線ＬＢ１をウエーハ１ａの裏面２ｂ側から照射する。レーザー光線照射手段１０ａとウエーハ１ａとを相対的に水平方向に移動させることにより集光点Ｐ４を分割予定ライン３に沿って移動させ、ウエーハ１ａの内部にレーザー加工層８ｂを形成する。ウエーハ１ａの全ての分割予定ライン３に沿ってレーザー光線ＬＢを照射してレーザー加工層８ｂを形成したら、内部加工工程が完了する。
【００２２】
分割工程
図７に示すように、ウエーハ１ａの下方側に配設された分割ブレード２０ａによって、ウエーハ１ａの下方側から外力を加えてウエーハ１ａを分割する。分割ブレード２０ａをウエーハ１ａの分割予定ライン３の下方側に位置づけ、分割ブレード２０ａをウエーハ１ａの表面２ａに接近する方向に上昇させ、分割ブレード２０ａの先端部分で面取り部９ｂが形成された表面２ａ側を押し上げてウエーハ１ａを押圧する。
【００２３】
レーザー加工層８ｂが押圧力に耐えられなくなると、ウエーハ１ａは、レーザー加工層８ｂが起点となって分割予定ライン３に沿って個々のチップ３０ａに破断される。このとき、隣り合うチップ３０ａは、分割ブレード２０で押圧された部分を中心にして互いに接近するが、部分拡大図に示すように、隣り合うチップ３０ａの角部３１，３２に面取り部９ｂが施されていることから、角部３１，３２同士が接触することはない。よって、上記したウエーハの分割方法の第１例と同様に、チップ３０ａに欠けが発生するのを防止することができ、チップの品質が向上する。このようにして全ての分割予定ライン３に沿って分割ブレード２０ａによりウエーハ１ａを押圧してデバイス４付きのチップ３０ａに分割したら、図示しない搬送手段によって各チップ３０ａをピックアップする。
【００２４】
なお、図示の例におけるレーザー加工層８ａ，８ｂは、ウエーハの内部に形成したものであるが、内部加工工程で形成するレーザー加工層は、この改質層に限定されるものではない。例えば、ウエーハ１の表面２ａから裏面２ｂに至る縦長のレーザー加工層を形成してもよい。このようなレーザー加工層を形成することにより、分割工程により形成されるチップの品質がより向上する。
【符号の説明】
【００２５】
１，１ａ：ウエーハ  ２ａ：表面  ２ｂ：裏面
３：分割予定ライン  ４：デバイス  ５：粘着材  ６：テープ基材  ７：保護膜
８ａ，８ｂ：レーザー加工層  ９ａ，９ｂ：面取り部
１０，１０ａ：レーザー光線照射手段  １１：集光レンズ
２０，２０ａ：分割ブレード
３０，３０ａ：チップ  ３１，３２：角部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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