(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
回転可能な回転プレートと、
前記回転プレートに設けられ、基板の下面周縁部を支持する支持部材と、
前記支持部材によって支持された基板の上面に処理液を供給する供給部と
を備え、
前記支持部材は、
前記基板の周方向に沿って延在し、前記基板の下面周縁部に接触する接触部と、
前記接触部よりも前記基板の径方向外側に前記接触部から連続して位置し、前記接触部よりも低く形成された外周部と
を備えることを特徴とする液処理装置。
【請求項２】
前記外周部は、
前記接触部よりも低い位置に形成された平坦部と、
前記接触部と前記平坦部とを連接し、傾斜面を有する連接部と
を備えることを特徴とする請求項１に記載の液処理装置。
【請求項３】
前記支持部材は、
前記接触部よりも高い位置から前記基板の中心に向かって下り傾斜する傾斜面を有するガイドピンを備えること
を特徴とする請求項２に記載の液処理装置。
【請求項４】
前記支持部材は、
前記連接部と前記ガイドピンとの間に隙間を有すること
を特徴とする請求項３に記載の液処理装置。
【請求項５】
前記外周部の上面は、親水性を有し、
前記接触部の上面は、疎水性を有すること
を特徴とする請求項１〜４のいずれか一つに記載の液処理装置。
【請求項６】
前記平坦部の上面は、親水性を有し、
前記接触部および前記連接部の上面は、疎水性を有すること
を特徴とする請求項２〜４のいずれか一つに記載の液処理装置。
【請求項７】
前記支持部材は、
前記接触部よりも前記基板の径方向内側に位置し、前記接触部よりも低く形成された内周部
を備え、
前記内周部は、
前記基板の中心に向かって下り傾斜する傾斜面を有すること
を特徴とする請求項１〜６のいずれか一つに記載の液処理装置。
【請求項８】
前記支持部材は、
内部に加熱部を備えること
を特徴とする請求項１〜７のいずれか一つに記載の液処理装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
開示の実施形態は、液処理装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、半導体ウェハやガラス基板等の基板に対して液処理を行う液処理装置として、枚葉式の液処理装置が知られている。枚葉式の液処理装置は、たとえば、基板の外周部を保持して回転する基板保持部と、基板保持部に保持される基板に対して処理液を供給する供給部とを備える。
【０００３】
このような液処理装置においては、ウェハの上面に供給された処理液の下面への回り込みを低減することが望まれている。
【０００４】
ここで、特許文献１には、ウェハの中心に向かって傾斜し、かつ、ウェハの周方向に沿って延在する傾斜面を有する支持部材を備えた液処理装置が記載されている。ウェハは、支持部材の傾斜面に支持され、ウェハの周縁部と支持部材の傾斜面とがウェハの周方向に沿って接することで、ウェハの下面への処理液の回り込みが抑制される。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２０１３−５８６０７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、上述した従来技術では、支持部材の傾斜面とウェハとの間に処理液が残存しやすいことが、ウェハの下面への処理液の回り込みの原因になることがあった。
【０００７】
実施形態の一態様は、基板下面への処理液の回り込みを抑制することができる液処理装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
実施形態の一態様に係る液処理装置は、回転プレートと、支持部材と、供給部とを備える。回転プレートは、回転可能である。支持部材は、回転プレートに設けられ、基板の下面周縁部を支持する。供給部は、支持部材によって支持された基板の上面に処理液を供給する。また、支持部材は、接触部と、外周部とを備える。接触部は、基板の周方向に沿って延在し、基板の下面周縁部に接触する。外周部は、接触部よりも基板の径方向外側に接触部から連続して位置し、接触部よりも低く形成される。
【発明の効果】
【０００９】
実施形態の一態様によれば、基板下面への処理液の回り込みを抑制することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】図１は、本実施形態に係る基板処理システムの概略構成を示す図である。
【図２】図２は、処理ユニットの構成を説明するための図である。
【図３】図３は、把持機構の動作説明図である。
【図４】図４は、把持機構の動作説明図である。
【図５】図５は、支持部材の配置を説明するための図である。
【図６】図６は、支持部材の構成を説明するための図である。
【図７】図７は、支持部材の構成を説明するための図である。
【図８】図８は、従来における支持部材の構成を説明するための図である。
【図９】図９は、図７におけるＡ−Ａ線に沿った一部断面図である。
【図１０】図１０は、図７におけるＢ−Ｂ線に沿った一部断面図である。
【図１１】図１１は、第１の変形例に係る支持部材の構成を説明するための図である。
【図１２】図１２は、第２の変形例に係る支持部材の構成を説明するための図である。
【図１３】図１３は、第３の変形例に係る支持部材の構成を説明するための図である。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
以下、添付図面を参照して、本願の開示する液処理装置の実施形態を詳細に説明する。なお、以下に示す実施形態によりこの発明が限定されるものではない。
【００１２】
図１は、本実施形態に係る基板処理システムの概略構成を示す図である。以下では、位置関係を明確にするために、互いに直交するＸ軸、Ｙ軸およびＺ軸を規定し、Ｚ軸正方向を鉛直上向き方向とする。
【００１３】
図１に示すように、基板処理システム１は、搬入出ステーション２と、処理ステーション３とを備える。搬入出ステーション２と処理ステーション３とは隣接して設けられる。
【００１４】
搬入出ステーション２は、キャリア載置部１１と、搬送部１２とを備える。キャリア載置部１１には、複数枚の基板、本実施形態では半導体ウェハ（以下ウェハＷ）を水平状態で収容する複数のキャリアＣが載置される。
【００１５】
搬送部１２は、キャリア載置部１１に隣接して設けられ、内部に基板搬送装置１３と、受渡部１４とを備える。基板搬送装置１３は、ウェハＷを保持するウェハ保持機構を備える。また、基板搬送装置１３は、水平方向および鉛直方向への移動ならびに鉛直軸を中心とする旋回が可能であり、ウェハ保持機構を用いてキャリアＣと受渡部１４との間でウェハＷの搬送を行う。
【００１６】
処理ステーション３は、搬送部１２に隣接して設けられる。処理ステーション３は、搬送部１５と、複数の処理ユニット１６とを備える。複数の処理ユニット１６は、搬送部１５の両側に並べて設けられる。
【００１７】
搬送部１５は、内部に基板搬送装置１７を備える。基板搬送装置１７は、ウェハＷを保持するウェハ保持機構を備える。また、基板搬送装置１７は、水平方向および鉛直方向への移動ならびに鉛直軸を中心とする旋回が可能であり、ウェハ保持機構を用いて受渡部１４と処理ユニット１６との間でウェハＷの搬送を行う。
【００１８】
処理ユニット１６は、基板搬送装置１７によって搬送されるウェハＷに対して所定の基板処理を行う。
【００１９】
また、基板処理システム１は、制御装置４を備える。制御装置４は、たとえばコンピュータであり、制御部１８と記憶部１９とを備える。記憶部１９には、基板処理システム１において実行される各種の処理を制御するプログラムが格納される。制御部１８は、記憶部１９に記憶されたプログラムを読み出して実行することによって基板処理システム１の動作を制御する。
【００２０】
なお、かかるプログラムは、コンピュータによって読み取り可能な記憶媒体に記録されていたものであって、その記憶媒体から制御装置４の記憶部１９にインストールされたものであってもよい。コンピュータによって読み取り可能な記憶媒体としては、たとえばハードディスク（ＨＤ）、フレキシブルディスク（ＦＤ）、コンパクトディスク（ＣＤ）、マグネットオプティカルディスク（ＭＯ）、メモリカードなどがある。
【００２１】
上記のように構成された基板処理システム１では、まず、搬入出ステーション２の基板搬送装置１３が、キャリア載置部１１に載置されたキャリアＣからウェハＷを取り出し、取り出したウェハＷを受渡部１４に載置する。受渡部１４に載置されたウェハＷは、処理ステーション３の基板搬送装置１７によって受渡部１４から取り出されて、処理ユニット１６へ搬入される。
【００２２】
処理ユニット１６へ搬入されたウェハＷは、処理ユニット１６によって処理された後、基板搬送装置１７によって処理ユニット１６から搬出されて、受渡部１４に載置される。そして、受渡部１４に載置された処理済のウェハＷは、基板搬送装置１３によってキャリア載置部１１のキャリアＣへ戻される。
【００２３】
次に、処理ユニット１６の構成について図２を参照して説明する。図２は、処理ユニット１６の構成を説明するための図である。
【００２４】
図２に示すように、処理ユニット１６は、ほぼ方形の筐体２１と、筐体２１内のほぼ中央部に設けられ、上面が開口する略円筒形状のカップ部２２と、カップ部２２の内側に配置され、ウェハＷを保持するとともに回転することができるウェハ保持回転部２３と、ウェハ保持回転部２３に保持されるウェハＷに対して処理液を供給するとともにウェハＷの上面に接してウェハＷの上面を洗浄するブラシ２４とを備える。
【００２５】
筐体２１には、基板搬送装置１７（図１参照）によりウェハＷを筐体２１に搬入出するための搬送口２１ａが形成されている。搬送口２１ａには、図示しないシャッタが設けられ、搬入出時にはシャッタが開き、処理時にはシャッタは閉じ搬送口２１ａは閉じられている。
【００２６】
カップ部２２は、図示しない昇降機構により、筐体２１内において図２中に破線で示す上方位置と、実線で示す下方位置との間で上下動可能である。ウェハＷの搬入出時には、カップ部２２は下方位置に位置することにより、ウェハＷの搬入出を干渉することがなく、ウェハＷの処理時には、カップ部２２は上方位置に位置することにより、ウェハＷに対して供給される処理液を受け、図示しないドレインから処理液を排出する。
【００２７】
ウェハ保持回転部２３は、筐体２１の下方に配置されるモータＭに接続されて回転する回転シャフト２３Ｓと、下面のほぼ中央部において回転シャフト２３Ｓに取り付けられる回転プレート２３Ｐとを有している。
【００２８】
回転シャフト２３Ｓには、その中央部を貫通する導管２３Ｃが形成されている。導管２３Ｃは、バルブ等の流量調整機構２５を介してＮ２ガス供給源２６に接続される。ウェハ保持回転部２３の回転プレート２３Ｐと、ウェハ保持回転部２３により保持されるウェハＷとの間には空間が形成されており、導管２３Ｃを通ったＮ２ガスは、導管２３Ｃの上端からこの空間へ流れ出て、外周に向かって流れる。ウェハ保持回転部２３およびウェハＷが回転すると、回転プレート２３ＰとウェハＷとの間の空間がウェハＷ上方の空間よりも陰圧になる。そうすると、ウェハＷの中心部が撓んで、ウェハＷの上面の平坦性が悪化し、液処理の均一性もまた悪化するおそれがある。しかし、その空間にＮ２ガスを供給しているため、ウェハＷの中心部の撓みを抑制することが可能となる。また、回転プレート２３ＰとウェハＷとの間の空間からＮ２ガスが吹き出すため、ウェハＷの上面に供給される処理液が下面に付着するのを低減する効果が得られる。
【００２９】
ブラシ２４は、水平面内で回動可能で上下動可能なアーム２４Ａにより支持されている。アーム２４Ａ内には、ウェハＷに対して供給される処理液が流れる導管２４Ｃが形成されている。アーム２４Ａが回動し下降し、ブラシ２４がウェハＷの上面に接すると同時に（又は僅かに前に）、所定の処理液供給源からの処理液（例えば脱イオン水）が、導管２４Ｃ内を流れて、ブラシ２４の基端に設けられた開口２４ＢからウェハＷの上面に供給される。これにより、ブラシ２４はウェハＷの上面に接することにより、ウェハＷの上面を洗浄するとともに、ブラシ２４により除去されたパーティクルや残留物等を処理液により洗い流すことができる。
【００３０】
なお、ここでは、処理ユニット１６がブラシ２４を備えることとしたが、処理ユニット１６は、ウェハＷの上面に処理液を吐出するノズルを備えていてもよい。
【００３１】
回転プレート２３Ｐは、略円板形状を有する部材である。回転プレート２３Ｐの下部周縁には、ウェハＷの周縁部を押さえることによりウェハＷを把持する複数（図２では２つのみを図示）の把持機構２３Ｇが設けられる。
【００３２】
各把持機構２３Ｇは、回動軸２３Ｔにより回動可能なレバー部材２３Ｌと、レバー部材２３Ｌが矢印ｄ１で示す方向に回動することによってウェハＷの周縁部に接触可能な把持部２３Ａとを有している。各レバー部材２３Ｌの遠端部の下方には、レバー部材２３Ｌの遠端部を上下動させるロッド部材４３が設けられている。ロッド部材４３はアーム４２に取り付けられ、アーム４２は昇降機構４１により上下動する。
【００３３】
ここで、把持機構２３Ｇの動作について図３および図４を参照して説明する。図３および図４は、把持機構２３Ｇの動作説明図である。なお、図３は、把持機構２３ＧによりウェハＷを把持する前の様子を示しており、図４は、把持機構２３ＧによりウェハＷが把持された後の様子を示している。
【００３４】
図３に示すように、ウェハＷを把持する前において、アーム４２は、昇降機構４１（図２参照）によって上方に移動しており、ロッド部材４３が把持機構２３Ｇのレバー部材２３Ｌの遠端を上方へ押し上げている。このため、レバー部材２３Ｌの他端（回動軸２３Ｔにより支持される端部）に設けられた把持部２３Ａは外方に傾いている。
【００３５】
一方、図４に示すように、アーム４２が下方に移動すると、レバー部材２３Ｌは、回転プレート２３Ｐの下面に設けられた付勢部材２３Ｂと自重とにより、回動軸２３Ｔを中心に回動する。これに伴って把持部２３ＡがウェハＷの周縁部に押しつけられる。３つの把持機構２３Ｇの把持部２３ＡがウェハＷの周縁部を押しつけることにより、ウェハＷが把持される。この状態で、モータＭ（図２参照）が回転すると、回転プレート２３Ｐと、これに取り付けられた把持機構２３Ｇとが回転し、回転プレート２３Ｐ上で把持機構２３Ｇに把持されたウェハＷが回転する。
【００３６】
上記のように構成された処理ユニット１６は、ウェハＷの上面に供給された処理液の下面への回り込みを抑制するための支持部材をさらに備える。以下では、かかる支持部材の構成について具体的に説明する。
【００３７】
図５は、支持部材の配置を説明するための図である。また、図６および図７は、支持部材５０の構成を説明するための図である。なお、図５には、処理ユニット１６を上方から見た場合における回転プレート２３Ｐ、把持機構２３Ｇおよび支持部材５０を模式的に示している。また、図６および図７は、支持部材５０の斜視図および平面図である。
【００３８】
図５に示すように、回転プレート２３Ｐの上面外周部には、ウェハＷの周方向に沿って延在する複数の支持部材５０が設けられている。本実施形態において支持部材５０は、３つの把持機構２３Ｇの両側にそれぞれ１つずつ、合計６つ設けられる。具体的には、回転プレート２３Ｐの外周部には、ウェハＷよりも外方に延在する複数の延在部２７が形成されており、各支持部材５０は、かかる延在部２７に載置されるとともに、例えばネジなどによって延在部２７に取り付けられる。
【００３９】
なお、図５に示すように、回転プレート２３Ｐの外周縁部には、複数（ここでは、３つ）の切欠部Ｃ１が形成されている。切欠部Ｃ１は、基板搬送装置１７（図１参照）に設けられた図示しないウェハ保持爪に対応して設けられ、ウェハ保持爪が回転プレート２３Ｐを上下に通り抜けるのを許容する。また、回転プレート２３Ｐの中央部には、Ｎ２ガスを吐出するための吐出口２８が形成されている。
【００４０】
図６および図７に示すように、支持部材５０は、接触部５１と、外周部５２と、内周部５３と、ガイドピン６０とを備える。
【００４１】
接触部５１は、ウェハＷの下面周縁部に接触する部位であり、ウェハＷの周方向に沿って延在する。
【００４２】
ウェハＷは、下面外周部が支持部材５０の接触部５１に接することにより支持部材５０に支持される。このとき、ウェハＷの下面周縁部と支持部材５０の接触部５１とがウェハＷの周方向に沿って接することで、ウェハＷの上面に供給された処理液がウェハＷの下面側へ回り込むことを抑制することができる。なお、ウェハＷは、支持部材５０に支持された後、把持機構２３Ｇによって把持される。
【００４３】
外周部５２は、接触部５１よりもウェハＷの径方向外側に接触部５１から連続して位置する部位であり、接触部５１よりも低く形成される。かかる外周部５２は、平坦部５４と、接触部５１と平坦部５４との間に位置してこれらを連接する連接部５５とを有する。
【００４４】
内周部５３は、接触部５１よりもウェハＷの径方向内側に位置する部位であり、接触部５１よりも低く形成される。かかる内周部５３の上面は、ウェハＷの中心に向かって下り傾斜する傾斜面となっている。
【００４５】
ガイドピン６０は、外周部５２における平坦部５４上に設けられる。ガイドピン６０の上面は、接触部５１に支持されたウェハＷよりも高く、かかる上面には、ウェハＷの中心に向かって下り傾斜する傾斜面６１が形成されている。基板搬送装置１７（図１参照）から支持部材５０へウェハＷが載置される際にウェハＷの周縁部が傾斜面６１に接すると、ウェハＷの周縁部が傾斜面６１を滑り落ちるように案内されてウェハＷが移動する。これにより、ウェハＷが位置決めされて支持部材５０の接触部５１に支持される。
【００４６】
図８は、従来における支持部材の構成を説明するための図である。また、図９は、図７におけるＡ−Ａ線に沿った一部断面図であり、図１０は、図７におけるＢ−Ｂ線に沿った一部断面図である。
【００４７】
図８に示すように、従来の支持部材５０Ｘは、傾斜面５０ＸａにウェハＷを支持する。このため、支持部材５０Ｘの傾斜面５０ＸａとウェハＷとの間に処理液Ｌが残存しやすく、残存した処理液Ｌがたとえば毛細管現象等によってウェハＷの下面へ回り込むおそれがあった（図８の矢印ｄ２参照）。
【００４８】
これに対し、本実施形態に係る支持部材５０は、図９に示すように、ウェハＷの下面周縁部に接触する接触部５１よりも外周側が、接触部５１より低く形成される。言い換えれば、接触部５１は、支持部材５０の構造のなかで最も高い位置にある。このため、従来の支持部材５０Ｘのように、傾斜面５０ＸａとウェハＷとの間に処理液Ｌが溜まることがない。したがって、従来の支持部材５０Ｘと比較して、処理液ＬのウェハＷ下面への回り込みを抑制することができる。
【００４９】
また、図９に示すように、外周部５２における連接部５５は、接触部５１と連接する部分に、外側に膨らんだ曲面状の傾斜面５５１を有する。かかる形状とすることにより、たとえば、連接部５５を接触部５１と同一高さで水平に延在させた場合と比較して、連接部５５とウェハＷとの間に処理液を溜まりにくくすることができる。また、連接部５５の傾斜面５５１がたとえば平面状に形成される場合と比較して、ウェハＷの下面周縁部を損傷させにくくすることができる。なお、連接部５５の平坦部５４側には、垂直面５５２が形成されている。
【００５０】
ここでは、外周部５２における平坦部５４の上面５４１が、水平面であるものとするが、平坦部５４の上面は、ウェハＷの径方向外側に向かって下り傾斜する傾斜面であってもよい。平坦部５４の上面を傾斜面とすることで、ウェハＷの上面から落下した処理液を支持部材５０から効率よく排出することができる。
【００５１】
また、支持部材５０における内周部５３の上面５３１は傾斜面となっている。このため、たとえば、内周部５３の上面５３１を水平面とした場合と比較して、ウェハＷの径方向における支持部材５０とウェハＷとの接触幅を小さく抑えることができる。これにより、ウェハＷの下面がデバイス面である場合であっても、かかるデバイス面に支持部材５０が接触しにくいため、デバイス面を損傷させにくい。また、導管２３Ｃ（図２参照）から供給されるＮ２ガスを接触部５１の近傍まで効率よく行き渡らせることができる。
【００５２】
また、図１０に示すように、支持部材５０は、連接部５５とガイドピン６０との間に隙間Ｄを有する。このため、ガイドピン６０と連接部５５との間に処理液が溜まりにくく、ウェハＷの下面周縁部への処理液の回り込みがさらに抑制される。
【００５３】
なお、支持部材５０の下部には、回転プレート２３Ｐの延在部２７（図５参照）に支持部材５０を取り付けるための複数の取付部５６が設けられる。取付部５６は、略円筒形状の部位であり、たとえば、支持部材５０の中央部と両端部とにそれぞれ設けられる。取付部５６は、回転プレート２３Ｐの延在部２７に設けられた図示しない取付穴に挿通される。また、取付部５６には、支持部材５０を延在部２７にネジ止めするためのネジ穴５６１が形成される。
【００５４】
上述したように、本実施形態に係る処理ユニット１６（「液処理装置」の一例に相当）は、回転プレート２３Ｐと、支持部材５０と、ブラシ２４（「供給部」の一例に相当）とを備える。回転プレート２３Ｐは、回転可能である。支持部材５０は、回転プレート２３Ｐに設けられ、ウェハＷの下面周縁部を支持する。ブラシ２４は、支持部材５０によって支持されたウェハＷの上面に処理液を供給する。また、支持部材５０は、接触部５１と、外周部５２とを備える。接触部５１は、ウェハＷの周方向に沿って延在し、ウェハＷの下面周縁部に接触する。外周部５２は、接触部５１よりもウェハＷの径方向外側に接触部から連続して位置し、接触部５１よりも低く形成される。
【００５５】
したがって、本実施形態に係る処理ユニット１６によれば、ウェハＷの下面への処理液の回り込みを抑制することができる。
【００５６】
ところで、支持部材５０の上面は、疎水化処理または親水化処理が施されてもよい。かかる場合の変形例について図１１および図１２を参照して説明する。図１１は、第１の変形例に係る支持部材の構成を説明するための図であり、図１２は、第２の変形例に係る支持部材の構成を説明するための図である。
【００５７】
図１１に示すように、第１の変形例に係る支持部材５０Ａは、外周部５２の上面、すなわち、平坦部５４の上面５４１Ａ、連接部５５の傾斜面５５１Ａおよび垂直面５５２Ａが親水性を有し、接触部５１の上面および内周部５３の上面５３１Ａが疎水性を有する。
【００５８】
このように、接触部５１の上面および内周部５３の上面５３１Ａを疎水性とすることで、接触部５１に処理液が残存しにくくなり、ウェハＷの下面への処理液の回り込みが抑制される。また、外周部５２の上面を親水性とすることで、支持部材５０Ａから処理液を効率よく排出することができるため、これによっても、ウェハＷの下面への処理液の回り込みを抑制することができる。
【００５９】
接触部５１の上面および内周部５３の上面５３１Ａは、たとえば、疎水性のコーティング剤によりコーティングしたり、疎水性のテープを貼ったりすることによって疎水化することができる。同様に、外周部５２の上面も、親水性のコーティング剤によりコーティングしたり、親水性のテープを貼ったりすることによって親水化することができる。
【００６０】
なお、疎水化の方法は上記に限らず、例えば、接触部５１の上面および内周部５３の上面５３１Ａを研摩加工したり、プラズマ処理による表面改質を施したりすることにより実現しても良い。また、親水化の方法も、外周部５２に細かい凹凸を設ける加工を行ったり、プラズマ処理による表面改質を施したりすることにより実現しても良い。
【００６１】
図１２に示すように、第２の変形例に係る支持部材５０Ｂは、平坦部５４の上面５４１Ｂが親水性を有し、接触部５１の上面、連接部５５の傾斜面５５１Ｂおよび垂直面５５２Ｂ並びに内周部５３の上面５３１Ｂが疎水性を有する。
【００６２】
このように、連接部５５も疎水性とすることで、連接部５５にも処理液が残存しにくくなるため、ウェハＷの下面への処理液の回り込みをさらに抑制することができる。
【００６３】
なお、支持部材５０Ｂは、連接部５５のうち傾斜面５５１Ｂを疎水性とし、垂直面５５２Ｂを親水性としてもよい。これにより、傾斜面５５１Ｂを処理液が固まりとして転げ落ち易くなりかつ垂直面５５２Ｂにたどり着いた処理液は下方向へと流れ落ち易くなる。
【００６４】
ところで、処理液の残存を上記実施形態以上に防止したければ、支持部材は、内部に加熱部を備えるようにしていてもよい。かかる場合の変形例について図１３を参照して説明する。図１３は、第３の変形例に係る支持部材の構成を説明するための図である。
【００６５】
図１３に示すように、支持部材５０Ｃは、接触部５１周辺（たとえば、内周部５３における接触部５１側の端部）に加熱部７０を備える。加熱部７０は、たとえば電熱線を含んで構成され、支持部材５０Ｃと、支持部材５０Ｃの上面に形成されるコーティング層との間に設けられる。コーティング層は、たとえば上述した疎水面などである。
【００６６】
加熱部７０への電源供給は、レバー部材２３Ｌおよびロッド部材４３（図２参照）等を介して行われる。たとえば、レバー部材２３Ｌの下面と、ロッド部材４３の上面とに、それぞれ電源供給用の端子を設ける。図４に示すように、ウェハＷが把持部２３Ａに把持された状態においては、レバー部材２３Ｌとロッド部材４３とが離れているため、加熱部７０には電力が供給されず、接触部５１周辺は加熱されない。
【００６７】
一方、図３に示すように、把持部２３ＡによるウェハＷの把持が解除されると、レバー部材２３Ｌの下面に設けられた端子と、ロッド部材４３の上面に設けられた端子とが接触し、図示しない電源からロッド部材４３の端子および把持部２３Ａの端子を介して加熱部７０へ電力が供給される。これにより、接触部５１周辺が加熱される。
【００６８】
このように、支持部材５０Ｃによれば、把持部２３ＡによるウェハＷの把持を解除した後、すなわち、液処理が終了した後に、加熱部７０を用いて接触部５１周辺を加熱することで、液処理後において、ウェハＷの下面周縁部に処理液が残存していたとしても、かかる処理液を加熱により除去することができる。したがって、ウェハＷの下面への処理液の回り込みをさらに抑制することができる。
【００６９】
なお、ここでは、加熱部７０が接触部５１周辺に設けられる場合の例を示したが、加熱部７０は、接触部５１から離れた位置に設けられてもよい。
【００７０】
さらなる効果や変形例は、当業者によって容易に導き出すことができる。このため、本発明のより広範な態様は、以上のように表しかつ記述した特定の詳細および代表的な実施形態に限定されるものではない。したがって、添付の特許請求の範囲およびその均等物によって定義される総括的な発明の概念の精神または範囲から逸脱することなく、様々な変更が可能である。
【符号の説明】
【００７１】
Ｗ  ウェハ
１６  処理ユニット
２３  ウェハ保持回転部
２３Ａ  把持部
２３Ｐ  回転プレート
５０  支持部材
５１  接触部
５２  外周部
５３  内周部
５４  平坦部
５５  連接部
６０  ガイドピン
６１  傾斜面
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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