(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板の主面に設けられている半導体回路と、
前記半導体基板の前記主面側に配置され、導電性の薄膜を有する薄膜回路素子と、を備え、
前記薄膜回路素子はインダクタンス回路を含み、
平面視で、前記半導体基板および前記インダクタンス回路はそれぞれ矩形形状であるとともに、前記インダクタンス回路の辺が前記半導体基板の辺に対して斜めになるように配置されており、
前記半導体回路は、平面視で、前記薄膜回路素子と前記半導体基板の外周部との間に設けられていることを特徴とする半導体回路素子。
【請求項２】
前記主面および前記半導体回路と重なるように設けられている第１の絶縁膜を備え、
前記薄膜回路素子は、前記第１の絶縁膜の前記主面および前記半導体回路の少なくとも一方と接する面の反対面に設けられていることを特徴とする請求項１に記載の半導体回路素子。
【請求項３】
平面視で、前記半導体回路と重なるとともに前記薄膜回路素子と重ならない位置であり、かつ前記第１の絶縁膜上に配置されている外部接続端子を有することを特徴とする請求項２に記載の半導体回路素子。
【請求項４】
少なくとも前記薄膜回路素子を覆う第２の絶縁膜を有し、
平面視で、前記半導体回路と重なるとともに前記薄膜回路素子と重ならない位置であり、かつ前記第２の絶縁膜上に配置されている外部接続端子を有することを特徴とする請求項２に記載の半導体回路素子。
【請求項５】
平面視で、前記薄膜回路素子と前記半導体基板の第１の隅部との間に配置されている第１の外部接続端子と、
平面視で、前記薄膜回路素子と前記半導体基板の第２の隅部との間に配置されている第２の外部接続端子と、
平面視で、前記薄膜回路素子と前記半導体基板の第３の隅部との間に配置されている第３の外部接続端子と、
平面視で、前記薄膜回路素子と前記半導体基板の第４の隅部との間に配置されている第４の外部接続端子と、を備えることを特徴とする請求項１または請求項２に記載の半導体回路素子。
【請求項６】
前記半導体回路は、静電容量素子を含むことを特徴とする請求項１ないし請求項５のいずれか一項に記載の半導体回路素子。
【請求項７】
前記半導体回路は、前記インダクタンス回路に電気的に接続されている抵抗回路を含んでいることを特徴とする請求項１ないし請求項６のいずれか一項に記載の半導体回路素子。
【請求項８】
前記抵抗回路は、抵抗値が可変に制御可能であることを特徴とする請求項７に記載の半導体回路素子。
【請求項９】
請求項１ないし請求項８のいずれか一項に記載の半導体回路素子を備えていることを特徴とする電子機器。
【請求項１０】
請求項１ないし請求項８のいずれか一項に記載の半導体回路素子を備えていることを特徴とする移動体。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体回路素子、その半導体回路素子を用いた電子機器、および移動体に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、半導体基板に設けられている集積回路（半導体回路）と、該半導体基板上に設けられている絶縁層と、該絶縁層上に設けられているインダクタンス素子とを備えた半導体装置が開示されている（例えば、特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００９−２６７２１２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、上述した特許文献１における半導体装置では、集積回路（半導体回路）とインダクタンス素子（インダクタンス回路）とが平面視で重なって配置された構成となっている。このような構成では、例えば、集積回路（半導体回路）が可変容量素子を含む発振回路である場合において、可変容量素子とインダクタンス素子との電磁的な結合により、インダクタンス素子のインダクタンスが変化する、または可変容量素子の静電容量値等が変化し、これにより発振回路から出力される発振周波数が変動してしまう虞を有していた。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明は、上述の課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の形態または適用例として実現することが可能である。
【０００６】
［適用例１］本適用例に係る半導体回路素子は、半導体基板の主面に設けられている半導体回路と、前記半導体基板の前記主面側に配置され、導電性の薄膜を有する薄膜回路素子と、を備え、前記半導体回路は、平面視で、前記薄膜回路素子と前記半導体基板の外周部との間に設けられていることを特徴とする。
【０００７】
本適用例によれば、半導体回路は、平面視で、薄膜回路素子と半導体基板の外周部との間に配置されているため、半導体回路と薄膜回路素子とは平面視で重ならないので、半導体回路と薄膜回路素子との電磁的な結合が低減する。また、半導体回路は、平面視で、薄膜回路素子と半導体基板の外周部との間、換言すると、半導体回路は、平面視で、薄膜回路素子の外側に配置されている。このため、例えば、薄膜回路素子が磁界を発生させる素子である場合には、一般的に、薄膜回路素子の内側での磁束密度よりも外側での磁界密度の方が小さくなるため、半導体回路を薄膜回路素子の外側に配置することで、半導体回路と薄膜回路素子との電磁的な結合が低減する。これにより、半導体回路と薄膜回路素子の電磁的な結合に起因する薄膜回路素子の特性値の変動を減少させることができる。したがって、例えば、薄膜回路素子が発振回路の発振ループ中に使用される回路である場合には、薄膜回路素子の特性値の変動によって生じる発振周波数の変動を低減することができる。
【０００８】
［適用例２］上記適用例に記載の半導体回路素子において、前記主面および前記半導体回路と重なるように設けられている第１の絶縁膜を備え、前記薄膜回路素子は、前記第１の絶縁膜の前記主面および前記半導体回路の少なくとも一方と接する面の反対面に設けられていることが好ましい。
【０００９】
本適用例によれば、半導体回路と薄膜回路素子とが、第１の絶縁膜を介して設けられているため、半導体回路と薄膜回路素子との間の、例えば短絡などの電気的絶縁不良を減少させることができる。
【００１０】
［適用例３］上記適用例に記載の半導体回路素子において、平面視で、前記半導体回路と重なるとともに前記薄膜回路素子と重ならない位置であり、かつ前記第１の絶縁膜上に配置されている外部接続端子を有することが好ましい。
【００１１】
本適用例によれば、平面視で重なって配置された外部接続端子を半導体回路のシールド電極として使用することができるため、外部からのノイズが半導体回路に影響することを抑制することができ、例えば、本適用例の回路を発振回路の発振ループ中に使用される回路として用いる場合には、外部からのノイズが発振周波数のノイズになる虞を低減することができる。また、外部接続端子が薄膜回路素子と重ならない位置に配置されているため、薄膜回路素子と半導体回路との電磁的な結合を抑制することができ、薄膜回路素子または半導体回路に用いられる素子値の変動を小さくすることができる。これにより、例えば、発振回路の発振周波数の変動を低減することができる。
【００１２】
［適用例４］上記適用例に記載の半導体回路素子において、少なくとも前記薄膜回路素子を覆う第２の絶縁膜を有し、平面視で、前記半導体回路と重なるとともに前記薄膜回路素子と重ならない位置であり、かつ前記第２の絶縁膜上に配置されている外部接続端子を有することが好ましい。
【００１３】
本適用例によれば、第２の絶縁膜により薄膜回路素子と外部接続端子との電気的短絡を防止するとともに、外部接続端子を半導体回路のシールド電極として使用することができるため、外部からのノイズが半導体回路に影響することを抑制することができ、例えば、本適用例の回路を発振回路の発振ループ中に使用されるとして用いる場合には、外部からのノイズが発振周波数のノイズになる虞を低減することができる。また、外部接続端子が薄膜回路素子と重ならない位置に配置されているため、薄膜回路素子と半導体回路との電磁的な結合を抑制することができ、薄膜回路素子または半導体回路に用いられる素子値の変動を小さくすることができる。これにより、例えば、発振回路の発振周波数の変動を低減することができる。
【００１４】
［適用例５］上記適用例に記載の半導体回路素子において、前記半導体回路は、静電容量素子を含み、前記薄膜回路素子は、インダクタンス回路を含んでいることが好ましい。
【００１５】
本適用例によれば、半導体回路は、静電容量素子を含み、薄膜回路素子は、インダクタンス回路を含み、それらを含む発振回路の発振ループ中に使用される発振用回路を構成することができる。このような発振用回路において、伸長コイルとしてインダクタンス回路が用いられた場合、インダクタンス回路と静電容量素子とが電磁的に結合してしまうと、例えば、インダクタンス回路と静電容量素子との間に浮遊容量が発生してインダクタンス回路のインダクタンス値や静電容量素子の静電容量値が変動してしまい、発振周波数が変動する虞がある。本構成を用いることで、電磁的な結合を低減できるので、インダクタンス回路のインダクタンス値や静電容量素子の静電容量値の変動を低減することができ、例えば、発振回路の発振周波数変動を低減することができる。
【００１６】
［適用例６］上記適用例に記載の半導体回路素子において、前記インダクタンス回路は、平面視で、渦巻き状に配置された配線であることが好ましい。
【００１７】
本適用例によれば、半導体回路が、平面視でインダクタンス回路が形成された領域の外部に配置される構成となる。インダクタンス回路の渦巻き状のパターン内部は、渦巻き状のパターン外部（インダクタンス回路と半導体基板の外周部との間の領域）と比較すると磁束密度が高い状態となる。したがって、平面視で、渦巻き状のパターン内部に半導体回路が配置されていると、インダクタンス回路と半導体回路との電磁的な結合が大きくなり、インダクタンス値の変動が大きくなる虞がある。本構成を用いることで、電磁的な結合を低減できるので、インダクタンス回路の特性値の変動を低減することができ、例えば、発振回路の発振周波数の変動を低減することができる。
【００１８】
［適用例７］上記適用例に記載の半導体回路素子において、前記半導体回路は、前記インダクタンス回路に電気的に接続されている抵抗回路を含んでいることが好ましい。
【００１９】
本適用例によれば、インダクタンス回路に電気的に接続されている抵抗回路を用いて、インダクタンス回路の特性、特にＱ値を調整することができるため、例えば、発振回路の起動時にインダクタンス回路に起因する異常発振を低減することができる。
【００２０】
［適用例８］上記適用例に記載の半導体回路素子において、前記抵抗回路は、抵抗値が可変に制御可能であることが好ましい。
【００２１】
本適用例によれば、インダクタンス回路に電気的接続されている抵抗回路の抵抗値を可変に制御することで、インダクタンス回路のＱ値を、例えば発振周波数または使用する振動子の等価回路定数値等が変わるごとに調整することができる。このため、発振周波数または使用する振動子の等価回路定数値等が変わっても異常発振を起こさないように調整することが可能になる。
【００２２】
［適用例９］本適用例に係る電子機器は、上記適用例のいずれか一例に記載の半導体回路素子を備えていることを特徴とする。
【００２３】
本適用例によれば、半導体回路と薄膜回路素子の電磁的な結合に起因する半導体回路の特性値または薄膜回路素子の特性値の変動を減少させた半導体回路素子を備えているため、安定した特性を維持することが可能な電子機器を提供することができる。
【００２４】
［適用例１０］本適用例に係る移動体は、上記適用例のいずれか一例に記載の半導体回路素子を備えていることを特徴とする。
【００２５】
本適用例によれば、半導体回路と薄膜回路素子の電磁的な結合に起因する半導体回路の特性値または薄膜回路素子の特性値の変動を減少させた半導体回路素子を備えているため、安定した特性を維持することが可能な移動体を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２６】
【図１】第１実施形態に係る半導体回路素子を示し、図１（ａ）は平面図、図１（ｂ）は図１（ａ）のＡ−Ａ断面図。
【図２】半導体回路素子に設けられている半導体回路の一例を示す回路構成図。
【図３】第２実施形態に係る半導体回路素子を示し、図３（ａ）は平面図、図３（ｂ）は図３（ａ）のＢ−Ｂ断面図。
【図４】第３実施形態に係る半導体回路素子を示し、図３（ａ）のＢ−Ｂ断面に相当する断面図。
【図５】電子機器の一例としてのモバイル型のパーソナルコンピューターの構成を示す斜視図。
【図６】電子機器の一例としての携帯電話機の構成を示す斜視図。
【図７】電子機器の一例としてのデジタルスチールカメラの構成を示す斜視図。
【図８】移動体の一例としての自動車の構成を示す斜視図。
【発明を実施するための形態】
【００２７】
以下、本発明の好適な実施形態について、添付図面を参照しつつ説明する。なお、添付図面では、説明の便宜上、形状、縮尺などを実際と異ならせて表現している箇所がある。
【００２８】
［半導体回路素子］
＜第１実施形態＞
図１および図２を用い、本発明の第１実施形に係る半導体回路素子について説明する。本説明では、半導体回路として圧電振動片や表面弾性波振動片などを発振させる発振回路の発振ループ中に接続される発振用回路を少なくとも備えた半導体回路素子を例示して説明する。図１は、第１実施形態に係る半導体回路素子を示し、図１（ａ）は平面図であり、図１（ｂ）は図１（ａ）のＡ−Ａ断面図である。なお、図１（ａ）では、図面の見易さを向上させるため、図１（ｂ）に示すソルダーレジスト２４を省略している。図２は、半導体回路素子に設けられている半導体回路の一例を示す回路構成図である。
【００２９】
図１に示すように、第１実施形態に係る半導体回路素子１００は、矩形形状をなした半導体基板１０の主面１０ａに設けられている半導体回路３０と、インダクタンス回路１３を含む薄膜回路素子４０と、を有している。さらに、半導体回路素子１００は、半導体基板１０の主面１０ａに設けられている第１の絶縁膜１１と、主面１０ａと反対側の第１の絶縁膜１１上に設けられている外部接続端子２０，２１，２２，２３と、を有している。なお、主面１０ａ上や絶縁部１２上には、半導体回路３０、薄膜回路素子４０などを電気的に接続する配線が設けられているが、図１では省略している。
半導体基板１０には、主面１０ａ側の表層部分に絶縁部１２が設けられている。本実施形態では、絶縁部１２の表面を含む半導体基板１０の一面を主面１０ａとしている。
【００３０】
半導体回路３０は、平面視で、インダクタンス回路１３（薄膜回路素子４０）と半導体基板１０の外周部１０ｂとの間に設けられている。換言すれば、半導体回路３０は、平面視で、インダクタンス回路１３（薄膜回路素子４０）と重ならない位置に配置されている。
【００３１】
半導体回路３０は、例えば抵抗回路２６、静電容量素子２７（可変容量素子）、抵抗素子３４（図２参照）、静電容量素子３５（図２参照）などを含み、半導体基板１０の主面１０ａ側に設けられている。これらの抵抗回路２６、静電容量素子２７（可変容量素子）、抵抗素子３４、静電容量素子３５、およびインダクタンス回路は、図示しない配線により必要に応じてそれぞれの回路と接続されている。抵抗回路２６は、抵抗値を可変でき、入力される制御信号に基づいて、抵抗値を可変に制御され、少なくともインダクタンス回路１３の特性を調整する機能を有している。静電容量素子２７は、例えば可変容量ダイオード（バラクター、バリキャップなどとも呼ばれる）が用いられている。
なお、本実施形態において、発振用回路３２は、図２に示すように抵抗回路２６や静電容量素子２７（半導体回路３０）、およびインダクタンス回路１３（薄膜回路素子４０）を含んで構成されており、例えば圧電振動片や弾性表面波素子などの振動素子３３と接続されている。なお、振動素子３３は、圧電振動片や弾性表面波素子以外にも、ＭＥＭＳ振動片等を用いることができる。また、振動素子３３の材料としては、ＡＴカット、Ｚカット、ＢＴカット、ＳＣカット等の水晶や、タンタル酸リチウム、ニオブ酸リチウム等の圧電単結晶や、ジルコン酸チタン酸鉛等の圧電セラミックス等の圧電材料、又はシリコン半導体等を用いてもよい。さらに、振動素子３３の形状は、特に限定されず、二脚音叉、Ｈ型音叉、三脚音叉、くし歯型、直交型、角柱型等の形状であってもよい。振動素子３３の励振手段としては、圧電効果によるものを用いてもよいし、クーロン力による静電駆動を用いてもよい。
【００３２】
この構成によれば、インダクタンス回路１３の特性、特にＱ値を抵抗回路２６で調整することで、発振用回路３２を含む発振回路の起動時においてインダクタンス回路１３に起因する異常発振を低減することができる。また、入力される制御信号に基づいて、抵抗回路２６の抵抗値が可変に制御されることにより、インダクタンス回路１３のＱ値を、例えば発振周波数または使用する振動子（振動素子３３）の等価回路定数値等が変わるごとに調整することができる。このため、抵抗回路２６の抵抗値を可変に制御することで、発振周波数または使用する振動子（振動素子３３）の等価回路定数値等が変わっても異常発振を起こさないように調整することが可能になる。
【００３３】
外部接続端子２０，２１，２２，２３は、半導体基板１０の四隅の内側に一つずつ設けられている。外部接続端子２０，２１，２２，２３は、導電性を有したおおむね半球状体であり、例えば半田ボールを用いて形成されている。そして、外部接続端子２０，２１，２２，２３は、平面視で、半導体回路３０と少なくとも一部が重なるとともに、薄膜回路素子４０（インダクタンス回路１３）と重ならない位置に配置されている。なお、外部接続端子２０，２１，２２，２３は、上記のはんだボールを用いて形成する以外にも、金、銀、銅、ニッケル等の金属を単層または前記金属を複合して多層にめっきして形成したり、はんだ等の金属をスクリーン印刷した後に加熱溶融させて形成したりしてもよい。
【００３４】
このように外部接続端子２０，２１，２２，２３を配置することにより、外部接続端子２０，２１，２２，２３を半導体回路３０のシールド電極として使用することができるため、外部からのノイズが半導体回路３０に影響することを抑制することができる。例えば、半導体回路３０を発振用回路３２として用いる場合には、外部からのノイズが発振周波数のノイズになる虞を低減することができる。また、外部接続端子２０，２１，２２，２３が薄膜回路素子４０（インダクタンス回路１３）と重ならない位置、換言すれば半導体回路３０が、平面視で薄膜回路素子４０（インダクタンス回路１３）が形成された領域の外部に配置される構成となる。これにより、インダクタンス回路１３と半導体回路３０との距離を離すことができるため、両者間の電磁的な結合を抑制することができる。これにより、薄膜回路素子４０（インダクタンス回路１３）のインダクタンス値の変動を小さくすることができる。これにより、例えば、発振回路の発振周波数の変動を低減することができる。
【００３５】
なお、外部接続端子２０，２１，２２，２３の配置は、上述に限られるものではなく、例えば一か所に複数の外部接続端子がまとまって設けられている配置であってもよいし、全ての隅（四隅）に対応して配置されていなくてもよい。
【００３６】
また、半導体回路３０は、外部接続端子２０，２１，２２，２３が含まれる近傍領域２５と、平面視で、重なるように設けられていてもよい。このような半導体回路３０および外部接続端子２０，２１，２２，２３の配置であっても、外部接続端子２０，２１，２２，２３を半導体回路３０のシールド電極として使用することができる。なお、前述した外部接続端子２０，２１，２２，２３と同様に、外部接続端子２０，２１，２２，２３それぞれの下に配置されているランド電極１９，２８，２９も、半導体回路３０のシールド電極として機能するため、外部からのノイズが半導体回路３０に影響することを抑制することができる。
【００３７】
貫通電極１４，１８は、第１の絶縁膜１１を貫通し、第１の絶縁膜１１の表面（半導体基板１０の主面１０ａ側の面）と裏面（主面１０ａ側の面と反対側の面）との間の電気的接続をとっている。すなわち、半導体基板１０の主面１０ａに設けられている半導体回路３０やインダクタンス回路１３などと、主面１０ａと反対側の第１の絶縁膜１１上に設けられている外部接続端子２０，２１，２２，２３などとが、貫通電極１４，１８や半導体基板１０の主面１０ａ側に設けられているランド電極１７などを介して電気的に接続されている。
【００３８】
薄膜回路素子４０は、平面形状が角形の螺旋状に形成されたインダクタンス回路１３を含み、半導体基板１０の主面１０ａ側に設けられている絶縁部１２上に設けられている。インダクタンス回路１３は、導電性を有する薄膜で構成され、薄膜材料として、例えば銅（Ｃｕ）、金（Ａｕ）、銀（Ａｇ）、ニッケル（Ｎｉ）の単層、または前記金属を複合した多層膜等を用いて形成された薄膜によって構成されている。
【００３９】
螺旋状に形成されたインダクタンス回路１３は、その一端が外部接続端子２３を介して図示しない、例えば振動子（振動素子３３）に接続されている。インダクタンス回路１３と外部接続端子２３との間は、ランド電極１７、ランド電極１７と接続されている貫通電極１８、および貫通電極１８と接続されて第１の絶縁膜１１上に設けられているランド電極２９によって電気的に接続されている。また、インダクタンス回路１３の他端は、第１引出配線１３ａを介して貫通電極１４に接続されている。そして、貫通電極１４は、第１の絶縁膜１１上に設けられている第２引出配線１５，１６およびランド電極２８を介して外部接続端子２０と接続され、図示しない振動子（振動素子３３）や発振回路などに接続されている。すなわち、螺旋状に形成されたインダクタンス回路１３の両端は、外部接続端子２０，２３を介して図示しない発振回路の発振ループ中に接続されている。
【００４０】
インダクタンス回路１３の螺旋状のパターンを平面視で見たときの内側は、螺旋状のパターンの外側部分（インダクタンス回路１３と半導体基板１０の外周部１０ｂとの間の領域）と比較すると磁束密度が高い状態となる。したがって、平面視で、螺旋状のパターン内側に半導体回路３０が配置されていると、インダクタンス回路１３と半導体回路３０との電磁的な結合が大きくなり、インダクタンス値の変動が大きくなったり半導体回路３０の特性変動が大きくなったりする虞がある。本構成を用いることで、インダクタンス回路１３と半導体回路３０との電磁的な結合を低減できるので、インダクタンス回路１３の特性値の変動を低減したり、半導体回路３０の特性変動を低減したりすることができ、例えば、発振回路の発振周波数の変動を低減することができる。
【００４１】
なお、発振回路において、伸長コイルとしてインダクタンス回路１３（インダクタンス素子）が用いられた場合、インダクタンス回路１３と静電容量素子２７とが電磁的に結合してしまうと、例えば、インダクタンス回路１３と静電容量素子２７との間に浮遊容量が発生してインダクタンス回路１３（インダクタンス素子）のインダクタンス値が変動してしまい、発振周波数が変動する虞がある。
第１実施形態に係る半導体回路素子１００によれば、静電容量素子２７を含む半導体回路３０と、インダクタンス回路１３を含む薄膜回路素子４０と、を含む発振用回路３２を構成している。上記構成を用いることで、上述のように半導体回路３０と薄膜回路素子４０との電磁的な結合を低減できるので、インダクタンス回路１３のインダクタンス値の変動を低減することができ、例えば、発振用回路３２を含む発振回路における発振周波数変動を低減することができる。
【００４２】
＜第２実施形態＞
図３を用い、本発明の第２実施形に係る半導体回路素子について説明する。なお、第２実施形態の半導体回路素子は、第１実施形態と同様な発振用回路を少なくとも備えた半導体回路素子を例示して説明する。図３は、第２実施形態に係る半導体回路素子を示し、図３（ａ）は平面図であり、図３（ｂ）は図３（ａ）のＢ−Ｂ断面図である。なお、図３（ａ）では、図面の見易さを向上させるため、図３（ｂ）に示すソルダーレジスト２４を省略している。また、前述の第１実施形態と同様な構成については同符号を付しており、その説明を省略することがある。
【００４３】
第２実施形態に係る半導体回路素子２００は、前述の第１実施形態に係る半導体回路素子１００と、インダクタンス回路１３を含む薄膜回路素子４０の設けられている位置が異なる。以下の第２実施形態に係る半導体回路素子２００の説明では、このインダクタンス回路１３を含む薄膜回路素子４０に関わる部分を中心に説明する。
【００４４】
図３に示すように、第２実施形態に係る半導体回路素子２００は、矩形形状をなした半導体基板１０の主面１０ａに設けられている半導体回路３０と、主面１０ａに設けられている第１の絶縁膜１１の半導体基板１０と接する面の反対側の面である反対面（上面）１１ａに設けられているインダクタンス回路１３を含む薄膜回路素子４０と、を有している。さらに、半導体回路素子２００には、第１の絶縁膜１１の反対面（上面）１１ａに、外部接続端子２０，２１，２２，２３などが設けられているが、第１実施形態と同様であるので説明を省略する。なお、主面１０ａ上や絶縁部１２上には、半導体回路３０を構成する素子やランドの間を電気的に接続する配線が設けられているが、図３では省略している。
また、半導体基板１０には、主面１０ａ側の表層部分に絶縁部１２が設けられている。本実施形態では、絶縁部１２の表面を含む半導体基板１０の一面を主面１０ａとしている。
【００４５】
半導体回路３０の構成（例えば抵抗回路２６、静電容量素子２７、インダクタンス回路１３、抵抗素子３４、静電容量素子３５など）、外部接続端子２０，２１，２２，２３の構成、および貫通電極１４，１８の構成は、第１実施形態と同様であるので、その説明を省略する。
【００４６】
薄膜回路素子４０は、平面形状が角形の螺旋状に形成されたインダクタンス回路１３を含み、第１の絶縁膜１１の半導体基板１０と接する面の反対面１１ａ上に設けられている。インダクタンス回路１３は、導電性を有する薄膜で構成され、薄膜材料として、例えば銅（Ｃｕ）、金（Ａｕ）、銀（Ａｇ）、ニッケル（Ｎｉ）の単層、または前記金属を複合した多層膜等を用いて形成された薄膜によって構成されている。
【００４７】
螺旋状に形成されたインダクタンス回路１３は、その一端が第１の絶縁膜１１の反対面１１ａ上に設けられているランド電極２９に接続され、外部接続端子２３を介して図示しない、例えば振動子（振動素子３３）に接続されている。また、インダクタンス回路１３の他端は、第１引出配線１３ｂを介して貫通電極１４に接続されている。そして、貫通電極１４は、絶縁部１２上に設けられている第２引出配線１５ａに接続され、第２引出配線１５ａから延接された第３引出配線１６ａを介して貫通電極１８に接続されている。
【００４８】
貫通電極１８は、第１の絶縁膜１１の反対面１１ａ上に設けられているランド電極２８を介して、外部接続端子２０と接続され、図示しない振動子（振動素子３３）や発振回路などに接続されている。すなわち、螺旋状に形成されたインダクタンス回路１３の両端は、外部接続端子２０，２３を介して図示しない発振回路の発振ループ中に接続されている。
【００４９】
第２実施形態に係る半導体回路素子２００によれば、第１実施形態において説明した効果に加えて、以下に述べる効果を有している。
第２実施形態の半導体回路素子２００によれば、半導体回路３０とインダクタンス回路１３（薄膜回路素子４０）とが、第１の絶縁膜１１を介して設けられていることにより、半導体回路３０とインダクタンス回路１３（薄膜回路素子４０）との間の、例えば短絡などの電気的絶縁不良を減少させることができる。
【００５０】
＜第３実施形態＞
図４を用い、本発明の第３実施形に係る半導体回路素子について説明する。なお、第３実施形態の半導体回路素子は、第１実施形態と同様な発振用回路を少なくとも備えた半導体回路素子を例示して説明する。図４は、第３実施形態に係る半導体回路素子を示し、図３（ａ）のＢ−Ｂ断面に相当する断面図である。なお、前述の第１実施形態と同様な構成については同符号を付しており、その説明を省略することがある。
【００５１】
第３実施形態に係る半導体回路素子３００は、前述の第２実施形態に係る半導体回路素子２００と、外部接続端子２０，２１，２２，２３の設けられている位置が異なる。以下の第３実施形態に係る半導体回路素子３００の説明では、外部接続端子２０，２１，２２，２３の設けられている位置に関わる部分を中心に説明する。
【００５２】
図４に示すように、第３実施形態に係る半導体回路素子３００は、図示しないが矩形形状をなした半導体基板１０の主面１０ａに設けられている半導体回路３０と、主面１０ａに設けられている第１の絶縁膜１１の半導体基板１０と接する面の反対面（上面）１１ａに設けられているインダクタンス回路１３を含む薄膜回路素子４０と、を有している。さらに、半導体回路素子３００は、第１の絶縁膜１１の半導体基板１０と接する面の反対面（上面）１１ａ上に、インダクタンス回路１３を含む薄膜回路素子４０を覆うように設けられている第２の絶縁膜５０を有している。また、半導体回路素子３００は、第２の絶縁膜５０の第１の絶縁膜１１と接する面と反対側の面である上面５０ａに設けられた外部接続端子２０，２１，２２，２３を有している。
【００５３】
なお、第１実施形態と同様に、主面１０ａ上や絶縁部１２上には、半導体回路３０を構成する素子やランドの間を電気的に接続する配線が設けられているが、図４では省略している。
また、半導体基板１０には、主面１０ａ側の表層部分に絶縁部１２が設けられている。本実施形態では、絶縁部１２の表面を含む半導体基板１０の一面を主面１０ａとしている。
【００５４】
半導体回路３０の構成（例えば抵抗回路２６、静電容量素子２７、インダクタンス回路１３、抵抗素子３４など）、および貫通電極１４，１８の構成は、第１実施形態と同様であるので、その説明を省略する。
【００５５】
外部接続端子２０，２１は、第２の絶縁膜５０の上面５０ａに設けられているランド電極５２，５４に接続されている。ランド電極５２，５４は、第２の絶縁膜５０を、その表面（半導体基板１０の主面１０ａ側の面）と裏面（主面１０ａ側の面と反対側の面）との方向に貫通する第２の貫通電極５１，５３に接続されている。
【００５６】
外部接続端子２１と接続されているランド電極５２は、第２の貫通電極５１と接続され、第１の絶縁膜１１上に設けられているランド電極１９、第１の絶縁膜１１に設けられている貫通電極１８などを介して半導体回路３０に接続されている。また、外部接続端子２０と接続されているランド電極５４は、第２の貫通電極５３と接続され、第２の貫通電極５３を介して第１の絶縁膜１１の反対面（上面）１１ａ上に設けられているランド電極２８に接続されている。
【００５７】
ランド電極２８は、第１の絶縁膜１１を貫通する貫通電極１４、絶縁部１２上に設けられている第３引出配線１６ａ、第２引出配線１５ａ、第１の絶縁膜１１を貫通する貫通電極１４、反対面（上面）１１ａ上に設けられている第１引出配線１３ｂなどを介してインダクタンス回路１３に接続されている。すなわち、外部接続端子２０は、インダクタンス回路１３の一方の端に電気的に接続されている。
【００５８】
なお、他の外部接続端子２２，２３についても同様の構成をなしているが説明を省略する。
また、第１実施形態と同様に、外部接続端子２０，２１，２２，２３は、平面視で、半導体回路３０と重なるとともにインダクタンス回路１３（薄膜回路素子４０）と重ならない位置に配置されている。
【００５９】
第３実施形態に係る半導体回路素子３００によれば、第２の絶縁膜５０によりインダクタンス回路１３（薄膜回路素子４０）と外部接続端子２０，２１，２２，２３との電気的短絡を防止するとともに、外部接続端子２０，２１，２２，２３を半導体回路３０のシールド電極として使用することができるため、外部からのノイズが半導体回路３０に影響することを抑制することができ、例えば、発振回路として用いる場合には、外部からのノイズが発振周波数のノイズになる虞を低減することができる。
【００６０】
［電子機器］
次いで、本発明の一実施形態に係る半導体回路素子１００，２００，３００を適用した電子機器について、図５〜図７に基づき、詳細に説明する。なお、説明では、半導体回路素子１００を適用した例を示している。
【００６１】
図５は、本発明の一実施形態に係る半導体回路素子１００を備える電子機器としてのモバイル型（又はノート型）のパーソナルコンピューターの構成の概略を示す斜視図である。この図において、パーソナルコンピューター１１００は、キーボード１１０２を備えた本体部１１０４と、表示部１１０８を備えた表示ユニット１１０６とにより構成され、表示ユニット１１０６は、本体部１１０４に対しヒンジ構造部を介して回動可能に支持されている。このようなパーソナルコンピューター１１００には、角速度を検出する機能を備えた半導体回路素子１００が内蔵されている。
【００６２】
図６は、本発明の一実施形態に係る半導体回路素子１００を備える電子機器としての携帯電話機（ＰＨＳも含む）の構成の概略を示す斜視図である。この図において、携帯電話機１２００は、複数の操作ボタン１２０２、受話口１２０４および送話口１２０６を備え、操作ボタン１２０２と受話口１２０４との間には、表示部１２０８が配置されている。このような携帯電話機１２００には、半導体回路素子１００が内蔵されている。
【００６３】
図７は、本発明の一実施形態に係る半導体回路素子１００を備える電子機器としてのデジタルスチールカメラの構成の概略を示す斜視図である。なお、この図には、外部機器との接続についても簡易的に示されている。ここで、従来のフィルムカメラは、被写体の光像により銀塩写真フィルムを感光するのに対し、デジタルスチールカメラ１３００は、被写体の光像をＣＣＤ（Charge Coupled Device）等の撮像素子により光電変換して撮像信号（画像信号）を生成する。
【００６４】
デジタルスチールカメラ１３００におけるケース（ボディー）１３０２の背面には、表示部１３１０が設けられ、ＣＣＤによる撮像信号に基づいて表示を行う構成になっており、表示部１３１０は、被写体を電子画像として表示するファインダーとして機能する。また、ケース１３０２の正面側（図中裏面側）には、光学レンズ（撮像光学系）やＣＣＤ等を含む受光ユニット１３０４が設けられている。
【００６５】
撮影者が表示部１３１０に表示された被写体像を確認し、シャッターボタン１３０６を押下すると、その時点におけるＣＣＤの撮像信号が、メモリー１３０８に転送、格納される。また、このデジタルスチールカメラ１３００においては、ケース１３０２の側面に、ビデオ信号出力端子１３１２と、データ通信用の入出力端子１３１４とが設けられている。そして、図示されるように、ビデオ信号出力端子１３１２にはテレビモニター１４３０が、データ通信用の入出力端子１３１４にはパーソナルコンピューター１４４０が、それぞれ必要に応じて接続される。さらに、所定の操作により、メモリー１３０８に格納された撮像信号が、テレビモニター１４３０や、パーソナルコンピューター１４４０に出力される構成になっている。このようなデジタルスチールカメラ１３００には、半導体回路素子１００が内蔵されている。
【００６６】
なお、本発明の一実施形態に係る半導体回路素子１００は、図５のパーソナルコンピューター（モバイル型パーソナルコンピューター）、図６の携帯電話機、図７のデジタルスチールカメラの他にも、以下のような電子機器に適用することができる。半導体回路素子１００は、例えば、インクジェット式吐出装置（例えばインクジェットプリンター）、ラップトップ型パーソナルコンピューター、タブレット型パーソナルコンピューター、ルーターやスイッチなどのストレージエリアネットワーク機器、ローカルエリアネットワーク機器、移動体端末基地局用機器、テレビ、ビデオカメラ、ビデオレコーダー、カーナビゲーション装置、リアルタイムクロック装置、ページャー、電子手帳（通信機能付も含む）、電子辞書、電卓、電子ゲーム機器、ワードプロセッサー、ワークステーション、テレビ電話、防犯用テレビモニター、電子双眼鏡、ＰＯＳ端末、医療機器（例えば電子体温計、血圧計、血糖計、心電図計測装置、超音波診断装置、電子内視鏡）、魚群探知機、各種測定機器、計器類（例えば、車両、航空機、船舶の計器類）、フライトシミュレーター、ヘッドマウントディスプレイ、モーショントレース、モーショントラッキング、モーションコントローラー、ＰＤＲ（歩行者位置方位計測）等の電子機器に適用することができる。
【００６７】
［移動体］
図８は移動体の一例としての自動車を概略的に示す斜視図である。自動車５０６には本発明に係る半導体回路素子１００が搭載されている。例えば、同図に示すように、移動体としての自動車５０６には、半導体回路素子１００を内蔵してタイヤ５０９などを制御する電子制御ユニット５０８が車体５０７に搭載されている。また、半導体回路素子１００は、他にもキーレスエントリー、イモビライザー、カーナビゲーションシステム、カーエアコン、アンチロックブレーキシステム（ＡＢＳ）、エアバック、タイヤ・プレッシャー・モニタリング・システム（ＴＰＭＳ：Tire Pressure Monitoring System）、エンジンコントロール、ブレーキシステム、ハイブリッド自動車や電気自動車の電池モニター、車体姿勢制御システム、等の電子制御ユニット（ＥＣＵ：electronic control unit）に広く適用できる。
【符号の説明】
【００６８】
１０…半導体基板、１０ａ…半導体基板の主面、１０ｂ…半導体基板の外周部、１１…第１の絶縁膜、１１ａ…第１の絶縁膜の反対面、１２…絶縁部、１３…インダクタンス回路、１３ａ，１３ｂ…第１引出配線、１４…貫通電極、１５，１５ａ，１６…第２引出配線、１６ａ…第３引出配線、１７…ランド電極、１８…貫通電極、１９…ランド電極、２０，２１，２２，２３…外部接続端子、２４…ソルダーレジスト、２５…近傍領域、２６…抵抗回路、２７…静電容量素子、２８，２９…ランド電極、３０…半導体回路、３１…、３２…発振用回路、３３…振動素子、３４…抵抗素子、４０…薄膜回路素子、５０…第２の絶縁膜、５１，５３…第２の貫通電極、５２，５４…ランド電極、１００…第１実施形態に係る半導体回路素子、２００…第２実施形態に係る半導体回路素子、３００…第３実施形態に係る半導体回路素子、５０６…移動体としての自動車、１１００…電子機器としてのモバイル型のパーソナルコンピューター、１２００…電子機器としての携帯電話機、１３００…電子機器としてのデジタルスチールカメラ。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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