(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
ファイバレーザ装置から出射されたレーザ光を被加工物に照射して該被加工物を加工する方法であって、
前記ファイバレーザ装置の励起光源に、所定の立ち上がり時間で所定の電流値まで立ち上がる電流を供給し、
前記所定の立ち上がり時間を調整して前記励起光源の起動時に発生するジャイアントパルスのピークパワーを制御し、
前記調整された所定の立ち上がり時間の間前記電流を前記励起光源に供給することにより、前記ピークパワーが制御されたジャイアントパルスを前記被加工物に照射して該被加工物の温度を上げてレーザ光の吸収率を上昇させ、
前記ジャイアントパルスの発生後に、前記所定の電流値の電流を前記励起光源に供給することにより、定常出力のレーザ光を前記被加工物に照射して該被加工物を加工する、
ことを特徴とする被加工物の加工方法。
【請求項２】
前記ジャイアントパルスのピークパワーの制御は、前記励起光源を複数回起動させる際に前記ジャイアントパルスのピークパワーを略一定に維持するように前記電流を制御することにより行うことを特徴とする請求項１に記載の被加工物の加工方法。
【請求項３】
前記ジャイアントパルスのピークパワーの制御は、前記電流の前記所定の立ち上がり時間を調整することに加えて前記電流のオフ時間を調整することにより行うことを特徴とする請求項２に記載の被加工物の加工方法。
【請求項４】
レーザ光を増幅可能な増幅用光ファイバと、
前記増幅用光ファイバに励起光を供給する励起光源と、
前記レーザ光を発振させる光共振器と、
前記光共振器により発振させたレーザ光を被加工物に向かって出射して該被加工物を加工するレーザ出射部と、
前記励起光源に、所定の立ち上がり時間で所定の電流値まで立ち上がる電流を供給するとともに、前記所定の立ち上がり時間を調整して前記励起光源の起動時に発生するジャイアントパルスのピークパワーを制御する制御部と、
を備え、
前記調整された所定の立ち上がり時間の間前記電流を前記励起光源に供給することにより、前記ピークパワーが制御されたジャイアントパルスを前記レーザ出射部から前記被加工物に照射して該被加工物の温度を上げてレーザ光の吸収率を上昇させるとともに、前記ジャイアントパルスの発生後に、前記所定の電流値の電流を前記励起光源に供給することにより、定常出力のレーザ光を前記被加工物に照射して該被加工物を加工するように構成された
ことを特徴とするファイバレーザ装置。
【請求項５】
前記制御部は、前記励起光源を複数回起動させる際に前記ジャイアントパルスのピークパワーを略一定に維持するように前記電流を制御することを特徴とする請求項４に記載のファイバレーザ装置。
【請求項６】
前記制御部は、前記電流の前記所定の立ち上がり時間に加えて前記電流のオフ時間を制御することを特徴とする請求項４又は５に記載のファイバレーザ装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ファイバレーザ装置に係り、特にファイバレーザ装置から出射されたレーザ光を被加工物に照射して該被加工物を加工する方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
レーザを用いた加工においては被加工物に対するレーザの入熱量が重要な要素である。一般的なレーザ加工では、被加工物への入熱量が十分に得られるパワーまでレーザの出力を上げて加工を行うか、あるいは加工速度を遅くして被加工物の単位面積当たりの入熱量を上げて加工を行っている。
【０００３】
このようなレーザを用いた加工では、低出力で多種多様の加工ができることが望まれているが、上述したレーザの出力を上げて加工を行う方法では低出力化を達成することができない。また、高い出力のレーザ光を得るためには、出力に比例して高いパワーの励起光源が必要になるため、消費電力が増加し、また装置が大型化してしまうという問題がある。一方、加工速度を遅くして被加工物の単位面積当たりの入熱量を上げて加工を行う場合には、生産性が悪化してしまうという問題がある。
【０００４】
さらに、被加工物として一般的である金属は、波長が８００ｎｍ〜１０６０ｎｍのレーザ光に対して高い反射率を有しているため、このような波長のレーザ光を用いて室温で金属の加工を行った場合には、金属のレーザ吸収率が低いために、加工するために十分な熱量を効率よく金属に与えることができない。
【０００５】
ところで、ファイバレーザ装置においては、励起光源を起動した直後からファイバレーザの定常出力前にかけて光ファイバの励起状態が過渡的に高まり、尖頭値の高いジャイアントパルスと呼ばれるサージパルスが発生する現象が知られている。このようなジャイアントパルスは、光ファイバのコアや端面、励起光源などを損傷させる可能性があるため、従来からジャイアントパルスの発生を抑制する方法が種々考えられている（例えば、特許文献１，２参照）。しかしながら、このようなジャイアントパルスをレーザ加工に積極的に利用しようという試みはこれまでなされていなかった。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２０１２−１２９４２３号公報
【特許文献２】特開２００７−１４２３８０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
本発明は、このような従来技術の問題点に鑑みてなされたもので、低出力のファイバレーザ装置を用いて生産性を低下させることなく安価に効率よく被加工物を加工することができる方法を提供することを第１の目的とする。
【０００８】
また、本発明は、低出力を維持しつつ生産性を低下させる安価に効率よく被加工物を加工することができるファイバレーザ装置を提供することを第２の目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明の第１の態様によれば、ファイバレーザ装置から出射されたレーザ光を被加工物に照射して該被加工物を加工する方法が提供される。この被加工物の加工方法では、上記ファイバレーザ装置の励起光源に、所定の立ち上がり時間で所定の電流値まで立ち上がる電流を供給し、上記所定の立ち上がり時間を調整して上記励起光源の起動時に発生するジャイアントパルスのピークパワーを制御し、上記調整された所定の立ち上がり時間の間上記電流を上記励起光源に供給することにより、上記ピークパワーが制御されたジャイアントパルスを上記被加工物に照射して該被加工物の温度を上げてレーザ光の吸収率を上昇させ、上記ジャイアントパルスの発生後に、上記所定の電流値の電流を上記励起光源に供給することにより、定常出力のレーザ光を上記被加工物に照射して該被加工物を加工する。
【００１０】
ここで、上記励起光源を複数回起動させる際に上記ジャイアントパルスのピークパワーを略一定に維持するように上記励起光源に供給する電流を制御することにより上記ジャイアントパルスのピークパワーを制御することが好ましい。より具体的には、上記励起光源に供給する電流の立ち上がり時間とオフ時間を調整することにより上記ジャイアントパルスのピークパワーを制御することが好ましい。
【００１１】
本発明の第２の態様によれば、低出力を維持しつつ生産性を低下させる安価に効率よく被加工物を加工することができるファイバレーザ装置が提供される。このファイバレーザ装置は、レーザ光を増幅可能な増幅用光ファイバと、上記増幅用光ファイバに励起光を供給する励起光源と、上記レーザ光を発振させる光共振器と、上記光共振器により発振させたレーザ光を被加工物に向かって出射して該被加工物を加工するレーザ出射部と、上記励起光源に、所定の立ち上がり時間で所定の電流値まで立ち上がる電流を供給するとともに、上記所定の立ち上がり時間を調整して上記励起光源の起動時に発生するジャイアントパルスのピークパワーを制御する制御部とを備えている。上記ファイバレーザ装置は、上記調整された所定の立ち上がり時間の間上記電流を前記励起光源に供給することにより、上記ピークパワーが制御されたジャイアントパルスを上記レーザ出射部から上記被加工物に照射して該被加工物の温度を上げてレーザ光の吸収率を上昇させるとともに、上記ジャイアントパルスの発生後に、上記所定の電流値の電流を上記励起光源に供給することにより、定常出力のレーザ光を上記被加工物に照射して該被加工物を加工するように構成されている。
【００１２】
ここで、上記制御部は、上記励起光源を複数回起動させる際に上記ジャイアントパルスのピークパワーを略一定に維持するように上記励起光源に供給する電流を制御することが好ましい。また、上記励起光源に供給する電流の立ち上がり時間とオフ時間を制御することが好ましい。
【発明の効果】
【００１３】
本発明によれば、ファイバレーザ装置の励起光源の起動時に発生するジャイアントパルスのピークパワーを適切に制御し、このピークパワーが制御されたジャイアントパルスを被加工物に照射することにより、被加工物の温度を上昇させて被加工物のレーザ吸収率を上げることができる。したがって、その後に出力される低い定常パワーで被加工物の加工を継続することができる。このように、ファイバレーザ装置の定常パワーを低く維持することができるので、ファイバレーザ装置を安価に構成できるとともに、その消費電力を低減することができる。また、ジャイアントパルスのピークパワーを適切に制御しているので、ジャイアントパルスのピークパワーが大きくなりすぎて光共振器などの破壊が生じるのを防止することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１４】
【図１】本発明の一実施形態におけるファイバレーザ装置を模式的に示す図である。
【図２】本発明の一実施形態における励起光源に供給する電流の立ち上がり時間とオフ時間の定義を説明する図である。
【図３】励起光源に供給する電流の立ち上がり時間と発生するジャイアントパルスのピークパワーとの関係を示すグラフである。
【図４】励起光源に供給する電流のオフ時間と発生するジャイアントパルスのピークパワーとの関係を示すグラフである。
【図５】励起光源のパワーと出力レーザ光のパワーとの関係を示すグラフである。
【図６】励起光源に供給する電流のオフ時間と立ち上がり時間と発生するジャイアントパルスのピークパワーとの関係を示すグラフである。
【発明を実施するための形態】
【００１５】
以下、本発明に係るファイバレーザ装置の実施形態について図１から図６を参照して詳細に説明する。なお、図１から図６において、同一又は相当する構成要素には、同一の符号を付して重複した説明を省略する。
【００１６】
図１は、本発明の一実施形態におけるファイバレーザ装置１００を模式的に示す図である。図１に示すように、本実施形態におけるファイバレーザ装置１００は、例えばＹｂ（イッテルビウム）などの希土類元素が添加された増幅用光ファイバ１０と、増幅用光ファイバ１０の第１の端部１０Ａ側に接続された高反射ファイバブラッググレーティング（Fiber Bragg Grating（ＦＢＧ））１２と、増幅用光ファイバ１０の第２の端部１０Ｂ側に接続された低反射ＦＢＧ１４と、増幅用光ファイバ１０の第１の端部１０Ａから増幅用光ファイバ１０に励起光を導入する複数の励起光源２０Ａと、複数の励起光源２０Ａからの励起光を合波するコンバイナ２２Ａと、増幅用光ファイバ１０の第２の端部１０Ｂから増幅用光ファイバ１０に励起光を導入する複数の励起光源２０Ｂと、複数の励起光源２０Ｂからの励起光を合波するコンバイナ２２Ｂと、増幅用光ファイバ１０からの出力レーザ光（レーザ発振光）を例えば被加工物に向けて出射するレーザ出射部３０とを備えている。
【００１７】
励起光源２０Ａ，２０Ｂとしては、例えば、波長９１５ｎｍの高出力マルチモード半導体レーザ（ＬＤ）を用いることができる。励起光源２０Ａからの励起光は、コンバイナ２２Ａにより合波され、高反射ＦＢＧ１２側から増幅用光ファイバ１０に導入される。同様に、励起光源２０Ｂからの励起光は、コンバイナ２２Ｂにより合波され、低反射ＦＢＧ１４側から増幅用光ファイバ１０に導入される。増幅用光ファイバ１０は、内部クラッドと、内部クラッドの屈折率よりも低い外部クラッドとを備えたダブルクラッド構造を有することが好ましい。コンバイナ２２Ｂには、レーザ出射部３０まで延びるシングルクラッドの光ファイバ（デリバリファイバ）３２が接続されている。
【００１８】
ここで、高反射ＦＢＧ１２及び低反射ＦＢＧ１４は、レーザ光の波長に対応した波長の光を反射するように構成されており、所定の共振条件を満たすように配置されており、増幅用光ファイバ１０、高反射ＦＢＧ１２、及び低反射ＦＢＧ１４により、増幅用光ファイバ１０に生じたレーザ光を発振させる光共振器１６が構成されている。高反射ＦＢＧ１２の反射率は９０％〜１００％であることが好ましく、低反射ＦＢＧ１４の反射率は３０％以下であることが好ましい。
【００１９】
このような構成において、励起光源２０Ａ，２０Ｂから例えば９１５ｎｍの波長の励起光を増幅用光ファイバ１０に導入すると、増幅用光ファイバ１０のＹｂが励起され、１０００ｎｍ帯の波長の放出光を発する。このＹｂ放出光は、所定の共振条件を満たすように配置された高反射ＦＢＧ１２及び低反射ＦＢＧ１４により１０００ｎｍ帯の波長でレーザ発振する。光共振器１６内で生じたレーザ光は、その一部が低反射ＦＢＧ１４で反射して増幅用光ファイバ１０に戻るが、そのほとんどが低反射ＦＢＧ１４を透過して光ファイバ３２を通ってレーザ出射部３０から出力レーザ光として被加工物に照射される。
【００２０】
このような出力レーザ光を被加工物に照射して被加工物の加工を行う場合、上述したように、出力レーザ光のパワーをなるべく低く維持しつつ、被加工物の単位面積当たりの入熱量を加工に必要な量だけ確保し、かつ加工速度を増加させることが望まれる。本発明者は、金属のレーザ吸収率には温度依存性があることに着目し、この金属の温度依存性とジャイアントパルスとを利用することによりこれらを同時に実現できることを見出した。すなわち、金属の温度が高くなると、結晶中のフォノンによって電子が散乱され電気伝導度が低下するため、レーザ光が吸収されやすくなる。さらに金属の温度が上昇すると、表面酸化や溶融、キーホール形成が生じ、よりレーザ光が吸収されやすくなる。したがって、加工の初期段階で高パワーのレーザ光で金属の温度を上昇させ、表面酸化や溶融、キーホール形成を生じさせれば、レーザ光の吸収率が上昇するので、その後の加工に必要なレーザ光の出力を低くすることができる。加工の初期段階で金属の温度を上昇させるためには、ファイバレーザ装置の定常出力前に発生する尖頭値の高いジャイアントパルスを利用することができる。本発明者は、ファイバレーザ装置の定常出力前に発生するジャイアントパルスを被加工物に照射して被加工物の温度を上昇させ、キーホール形成などによりレーザ光の吸収率を上げておき、その後は比較的低い定常出力のレーザ光で被加工物の加工を行うことができることを見出した。
【００２１】
ここで、ジャイアントパルスの発生原理について説明する。励起光源２０Ａ，２０Ｂは、停止状態から連続発振に至るまでに所定の立上り時間を必要とし、励起光源２０Ａ，２０Ｂを起動した直後は励起光源２０Ａ，２０Ｂのパワーが低い。このときの増幅用光ファイバ１０のＹｂ原子は基底状態にあるため、励起光源２０Ａ，２０Ｂから励起光が供給される位置の近傍では励起光の大きな吸収が生じる。このため、励起光が供給される位置の近傍だけが励起状態となり、Ｙｂ原子が励起されていない領域は励起光に対して吸収体となる。Ｙｂ原子が励起されて誘導放出が生じる領域では、発生した自然放出光が誘導放出により増幅されるが、光共振器１６内で増幅された誘導放出光の一部は、増幅用光ファイバ１０中で後方に散乱される。この後方散乱光は、増幅用光ファイバ１０内の励起された領域を戻りながら増幅される。この増幅された誘導放出光の一部は、増幅用光ファイバ１０中で再度後方に散乱される。このような散乱と増幅を繰り返すことで、寄生発振による尖頭値の高いジャイアントパルスが発生する。なお、散乱されなかった光は光共振器１６を伝搬するが、増幅用光ファイバ１０内で吸収体として作用する領域が大きいため、光共振器１６における損失の方が利得を上回り、光共振器１６ではレーザ発振が生じない。
【００２２】
上述したジャイアントパルスの発生後、励起光源２０Ａ，２０Ｂのパワーがさらに増加して所定値を超えると、増幅用光ファイバ１０のＹｂ原子の反転分布状態が光共振器１６全体にわたって形成される。これにより、光共振器１６全体としての利得が、上述した散乱による寄生的な共振の利得より大きくなるため、寄生発振が生じず、光共振器１６による連続発振に至る。
【００２３】
ジャイアントパルスはこのような原理により生ずるため、励起光源２０Ａ，２０Ｂの起動時における増幅用光ファイバ１０中のＹｂ原子の励起状態の分布を制御すれば、ジャイアントパルスのピークパワーを制御することができる。この励起光源２０Ａ，２０Ｂの起動時における増幅用光ファイバ１０中のＹｂ原子の励起状態の分布は、励起光源２０Ａ，２０Ｂに供給する電流の立ち上がり時間とこの電流のオフ時間とを調整することにより制御することが可能である。
【００２４】
図２は、励起光源２０Ａ，２０Ｂに供給する電流のタイミングチャートである。本実施形態においては、図２に示すように、励起光源２０Ａ，２０Ｂに供給する電流の立ち上がり時間ＴRを電流が振幅の１０％から９０％になるまでの時間として定義し、オフ時間ＴOFFを電流が振幅の１０％に下がってから再度１０％に上がるまでの時間として定義する。
【００２５】
励起光源２０Ａ，２０Ｂに供給する電流の立ち上がり時間ＴRを調整することにより、ジャイアントパルス発生時における励起光が供給される位置近傍のＹｂ原子の励起状態を制御することができる。この結果、ジャイアントパルスのピークパワーを制御することができる。例えば、励起光源２０Ａ，２０Ｂに供給する電流の立ち上がり時間ＴRを長くすると、ジャイアントパルス発生時におけるＹｂ原子の励起の程度が小さくなるため、尖頭値の低いジャイアントパルスを得ることができる。
【００２６】
図３は、上述したファイバレーザ装置１００において励起光源２０Ａ，２０Ｂに供給する電流の立ち上がり時間ＴRを変化させた場合のジャイアントパルスのピークパワーの変化を示すグラフである。図３に示す例では、ファイバレーザ装置１００の定常出力は２００Ｗで固定した。図３のグラフで示されるように、励起光源２０Ａ，２０Ｂに供給する電流の立ち上がり時間ＴRを短くすればジャイアントパルスのピークパワーを大きくでき、立ち上がり時間ＴRを長くすればジャイアントパルスのピークパワーを小さくできることがわかる。このように、励起光源２０Ａ，２０Ｂに供給する電流の立ち上がり時間ＴRを調整することによりジャイアントパルスのピークパワーを制御することができる。
【００２７】
また、励起光源２０Ａ，２０Ｂに供給する電流のオフ時間ＴOFFを調整することにより、増幅用光ファイバ１０全体におけるＹｂ原子の励起状態を制御することができ、この結果、ジャイアントパルスのピークパワーを制御することができる。例えば、オフ時間ＴOFFを長くすると、増幅用光ファイバ１０中で励起されていないＹｂ原子が多くなり、吸収体として作用する領域が多くなる。このような状態で、励起光源２０Ａ，２０Ｂを起動すると、尖頭値の高いジャイアントパルスを得ることができる。一方、オフ時間ＴOFFを短くすると、励起光源２０Ａ，２０Ｂの起動時に増幅用光ファイバ１０中で吸収体として作用するＹｂ原子が少なくなり、尖頭値の低いジャイアントパルスを得ることができる。
【００２８】
図４は、ファイバレーザ装置１００において励起光源２０Ａ，２０Ｂに供給する電流のオフ時間ＴOFFを変化させた場合のジャイアントパルスのピークパワーの変化を示すグラフである。図４において、●は電流の立ち上がり時間ＴRを１０μ秒とした場合、▲は６０μ秒とした場合を示している。図４のグラフで示されるように、励起光源２０Ａ，２０Ｂに供給する電流のオフ時間ＴOFFを長くすればジャイアントパルスのピークパワーを大きくでき、オフ時間ＴOFFを短くすればジャイアントパルスのピークパワーを小さくできることがわかる。このように、励起光源２０Ａ，２０Ｂに供給する電流のオフ時間ＴOFFを調整することによりジャイアントパルスのピークパワーを制御することができる。
【００２９】
このように、励起光源２０Ａ，２０Ｂに供給する電流の立ち上がり時間ＴRとオフ時間ＴOFFとを調整することにより、ジャイアントパルスのピークパワーを制御することができる。したがって、ジャイアントパルスのピークパワーを適切に制御すれば、加工の初期段階でジャイアントパルスを被加工物に照射することによって被加工物に表面酸化や溶融、キーホール形成を生じさせることができる。このジャイアントパルスの照射によって被加工物の温度を上昇させることでレーザ光の吸収率を上げることができる。ジャイアントパルスの照射によりレーザ光の吸収率が上がった後は、ファイバレーザ装置１００が定常状態となり、低い定常出力のレーザ光でも被加工物の加工を継続して行うことが可能となる。
【００３０】
図１に示すように、本実施形態におけるファイバレーザ装置１００は、励起光源２０Ａ，２０Ｂに供給される電流の立ち上がり時間ＴRとオフ時間ＴOFFとを制御してジャイアントパルスのピークパワーを制御する制御部６０を備えている。この制御部６０により励起光源２０Ａ，２０Ｂに供給される電流の立ち上がり時間ＴRとオフ時間ＴOFFとを適切に制御することで、ファイバレーザ装置１００が定常出力に至る前に発生する尖頭値の高いジャイアントパルスのピークパワーを制御することができる。そして、このピークパワーが制御されたジャイアントパルスを被加工物に照射することで被加工物の温度を上昇させて被加工物のレーザ吸収率を上げることができる。したがって、その後に出力される低い定常パワーで被加工物の加工を継続することができる。このように、本実施形態によれば、ファイバレーザ装置１００の定常パワーを低く維持することができるので、ファイバレーザ装置１００を安価に構成できるとともに、その消費電力を低減することができる。また、ジャイアントパルスのピークパワーを適切に制御しているので、ジャイアントパルスのピークパワーが大きくなりすぎて光共振器１６などの破壊が生じるのを防止することができる。
【００３１】
上述した立ち上がり時間ＴRとオフ時間ＴOFFは、被加工物のキーホール形成に必要とされるパワー（ジャイアントパルスのピークパワー）、キーホール形成後に被加工物の溶融を維持するのに必要なパワー（定常出力）、及びレーザ光のパルス幅と繰り返し周波数から決定することができる。例えば、被加工物である金属の表面が溶融してキーホールが形成されるのに必要なパワーが６００Ｗであり、その後金属の溶融を維持するのに必要なパワーが２００Ｗ、レーザ光のパルス幅が１８０μ秒、繰り返し周波数が５ｋＨｚである場合、ピークパワーが６００Ｗのジャイアントパルスを得るためには、定常出力を２００Ｗ、図３から立ち上がり時間ＴRを１０μ秒、図４からオフ時間ＴOFFを２０μ秒とすればよいことがわかる。図５は、この加工条件における励起光源２０Ａ，２０Ｂのパワーとファイバレーザ装置１００の出力レーザ光のパワーとの関係を示すグラフである。図５に示すように、ジャイアントパルスのピークパワーは６００Ｗに達し、定常出力は２００Ｗとなっており、好適な加工条件が得られていることがわかる。
【００３２】
また、上述したジャイアントパルスは、励起光源２０Ａ，２０Ｂを起動するたびに発生するが、励起光源２０Ａ，２０Ｂに供給する電流のオフ時間ＴOFFは、被加工物に対する加工の仕方によってその都度変わることがある。そのような場合であっても、上述したように励起光源２０Ａ，２０Ｂに供給する電流の立ち上がり時間ＴRとオフ時間ＴOFFとを調整することにより、これらのジャイアントパルスのピークパワーが略一定になるように制御することも可能である。
【００３３】
図６は、励起光源２０Ａ，２０Ｂに供給する電流のオフ時間ＴOFFと立ち上がり時間ＴRと発生するジャイアントパルスのピークパワーとの関係を示すグラフである。例えば、図６に示すように、ジャイアントパルスのピークパワーとして６５０Ｗ〜７００Ｗのピークパワーが必要であるとすると、オフ時間ＴOFFが３０μ秒から４０μ秒に変化した場合には、立ち上がり時間ＴRを２０μ秒（点Ａ）から２７μ秒（点Ｂ）程度に増やすことで、ジャイアントパルスのピークパワーを６５０Ｗ〜７００Ｗの範囲に維持することができる。
【００３４】
上述した実施形態では、高反射ＦＢＧ１２側と低反射ＦＢＧ１４側の双方に励起光源２０Ａ，２０Ｂとコンバイナ２２Ａ，２２Ｂが設けられており、双方向励起型のファイバレーザ装置となっているが、高反射ＦＢＧ１２側と低反射ＦＢＧ１４側のいずれか一方にのみ励起光源とコンバイナを設置することとしてもよい。
【００３５】
これまで本発明の好ましい実施形態について説明したが、本発明は上述の実施形態に限定されず、その技術的思想の範囲内において種々異なる形態にて実施されてよいことは言うまでもない。
【符号の説明】
【００３６】
１０      増幅用光ファイバ
１０Ａ    第１の端部
１０Ｂ    第２の端部
１２      高反射ＦＢＧ
１４      低反射ＦＢＧ
１６      光共振器
２０Ａ，２０Ｂ    励起光源
２２Ａ，２２Ｂ    コンバイナ
３０      レーザ出射部
３２      光ファイバ
６０      制御部
１００      ファイバレーザ装置
【図１】
0006347676.tif 000002
【図２】
0006347676.tif 000003
【図３】
0006347676.tif 000004
【図４】
0006347676.tif 000005
【図５】
0006347676.tif 000006
【図６】
0006347676.tif 000007