(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
主表面が(100)のシリコンウェーハの表面にシリコン単結晶エピタキシャル層を気相成長させるエピタキシャルウェーハの製造方法であり、
主表面が(100)のシリコンウェーハの表面にシリコン単結晶エピタキシャル層を気相成長させる気相成長工程と、
前記気相成長工程後に、連続して水素雰囲気で熱処理を行う成長後熱処理工程と、
を有し、
前記成長後熱処理工程の熱処理温度が、前記気相成長工程の成長温度より低温でありかつ800℃〜1120℃の範囲であることを特徴とするシリコンエピタキシャルウェーハの製造方法。
【請求項２】
前記成長後熱処理工程の熱処理温度が、前記成長温度より、50℃以上低温であることを特徴とする請求項１記載のシリコンエピタキシャルウェーハの製造方法。
【請求項３】
前記成長温度が1050℃〜1170℃の範囲であることを特徴とする請求項１又は２記載のシリコンエピタキシャルウェーハの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、エピタキシャルウェーハの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
気相成長法により、シリコン単結晶基板の表面にエピタキシャル層を形成したシリコンエピタキシャルウェーハは、電子デバイスに広く使用されている。近年、電子デバイスの微細化によって、エピタキシャルウェーハの品質改善が重要な課題となっている。
【０００３】
エピタキシャル層には、成膜条件によって積層欠陥をはじめとする結晶欠陥が発生することがあり、エピタキシャル層成膜により発生した欠陥を総じてエピ欠陥と呼んでいる。このエピ欠陥の発生は、成膜の温度と深く関係しており、より低温ではエピ欠陥が発生しやすく、成膜条件を変更した際にエピ欠陥レベルが悪化する要因の一つとなっている。また、膜厚均一性も成膜条件の影響を受けやすく、低温で膜厚均一性は悪化する傾向がある。
【０００４】
一方で、エピタキシャル層の表面粗さに関しても成膜条件、特に温度と深く関係している。この際の表面粗さとはパーティクルカウンタで算出されるヘイズレベルを表しており、低温でヘイズレベルは低減する傾向となり、エピ欠陥や膜厚均一性とは逆の相関となっており、ヘイズを低減するためにはエピ欠陥レベル、及び膜厚均一性が悪化してしまうという課題があった。
【０００５】
従来のエピタキシャルウェーハ反応工程においては、エピタキシャル成長の反応温度は1050℃〜1170℃の範囲で行われるのが一般的であり、上記反応温度より低温ではEP欠陥の増加や膜厚均一性の悪化、高温ではスリップの発生が起こり、製造条件としては相応しくない。上記反応温度の範囲内においては、前述したように、エピ欠陥レベル、膜厚均一性と表面粗さの一つの指標であるヘイズレベルは逆の相関となっており、ヘイズレベルを低減するとエピ欠陥レベル、膜厚均一性が悪化する傾向があった。
【０００６】
特許文献１では、主表面が(110)のウェーハを用いエピタキシャル層を成膜したのち、水素雰囲気で熱処理を行うことでヘイズレベルが改善しているが、ヘイズが発生しやすい主表面が(110)のシリコンウェーハに関するものであり、水素雰囲気での熱処理を行うことで、主表面が(100)のシリコンウェーハのヘイズレベルと同等まで低減するというものである。したがって、主表面が(100)のシリコンウェーハ自体のヘイズレベルを低減できる技術ではない。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特開2012-043892号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
本発明は、上記した従来技術の問題点に鑑みなされたもので、主表面が(100)のシリコンウェーハの表面にシリコン単結晶エピタキシャル層を気相成長させるエピタキシャルウェーハの製造方法において、エピ欠陥レベル、膜厚均一性を悪化させることなく、ヘイズレベルを低減できるエピタキシャルウェーハの製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上記課題を解決するために、本発明のシリコンエピタキシャルウェーハの製造方法は、主表面が(100)のシリコンウェーハの表面にシリコン単結晶エピタキシャル層を気相成長させるエピタキシャルウェーハの製造方法であり、主表面が(100)のシリコンウェーハの表面にシリコン単結晶エピタキシャル層を気相成長させる気相成長工程と、前記気相成長工程後に、連続して水素雰囲気で熱処理を行う成長後熱処理工程と、を有し、前記成長後熱処理工程の熱処理温度が、前記気相成長工程の成長温度より低温でありかつ800℃〜1120℃の範囲であることを特徴とする。
【００１０】
前記成長後熱処理工程の熱処理温度が、前記成長温度より、50℃以上低温であるのが好ましい。
【００１１】
前記成長温度が1050℃〜1170℃の範囲であることが好ましい。
【００１２】
前記成長後熱処理工程の熱処理温度が、800℃〜1120℃の範囲であることが好ましい。
【発明の効果】
【００１３】
本発明によれば、主表面が(100)のシリコンウェーハの表面にシリコン単結晶エピタキシャル層を気相成長させるエピタキシャルウェーハの製造方法において、エピ欠陥レベル、膜厚均一性を悪化させることなく、ヘイズレベルを低減できるエピタキシャルウェーハの製造方法を提供することができるという著大な効果を有する。
【図面の簡単な説明】
【００１４】
【図１】本発明のシリコンエピタキシャルウェーハの製造方法の一つの実施の形態を示すフローチャートである。
【図２】比較例の温度プロファイルを示すグラフである。
【図３】実施例の温度プロファイルを示すグラフである。
【発明を実施するための形態】
【００１５】
図１を参照して、本発明のシリコンエピタキシャルウェーハの一つの実施の形態に係る製造方法を説明する。
【００１６】
先ず、搬送装置を用いて、気相成長装置の反応容器内に備えられたサセプタに主表面の結晶方位(100)のシリコン単結晶基板を載置する（仕込み工程、図１のステップ１０）。
【００１７】
次いで、反応容器内に水素ガスを流した状態で、シリコン単結晶エピタキシャル層を気相成長するための成長温度まで反応容器内の温度を昇温する（昇温工程、図１のステップ１２）。この成長温度は基板表面の自然酸化膜を水素で除去できる1000℃以上に設定する。
【００１８】
次に成長温度を保持したままで水素ガスのみを反応容器内に導入しウェーハ表面の自然酸化膜を除去する（ベーク工程、図１のステップ１４）。
【００１９】
次いで、反応容器内を成長温度に保持したままで、水素ガスとともに原料ガスをそれぞれ所定流量で供給し、所定膜厚となるまでエピタキシャル層を成長させる（気相成長工程、図１のステップ１６）。
【００２０】
さらに、前記気相成長工程後に、連続して水素雰囲気で成長後熱処理工程を行う（成長後熱処理工程、図１のステップ１８）。前記成長後熱処理工程の熱処理温度は、前記気相成長工程の成長温度より低温であることが好ましく、前記成長後熱処理工程の熱処理温度が、前記成長温度より、50℃以上低温であることがより好ましい。  
【００２１】
反応容器内の温度を下降させて取り出し温度までエピタキシャルウェーハを冷却する（冷却工程、図１のステップ２０）。この冷却工程では、800℃から400℃程度の間で、水素雰囲気から窒素雰囲気へと切換えられる。そして、窒素雰囲気のままで取り出し温度に至ったら気相成長装置からエピタキシャルウェーハを取り出す（取り出し工程、図１のステップ２２）。
【００２２】
その後、エピタキシャルウェーハを洗浄し、不良ウェーハを選別し、シリコンエピタキシャルウェーハを得ることができる。
【実施例】
【００２３】
以下に、本発明の実施例をあげてさらに具体的に説明するが、本発明はこれらの実施例に限定されるものではなく、本発明の技術思想から逸脱しない限り様々の変形が可能であることは勿論である。
【００２４】
枚葉式エピタキシャル成長装置において、直径300mm、主表面の面方位(100)のP型シリコン単結晶ウェーハを用いて、原料ガスとしてトリクロロシランを、キャリアガスとして水素を用い、シリコン単結晶エピタキシャル層を気相成長させた。原料ガスの供給量は10slm、キャリアガスの供給量は80slmを選択した。気相成長のみのもの（比較例）及び気相成長後に水素雰囲気での熱処理を行ったもの（実施例）で得られたエピタキシャルウェーハに対して、ヘイズレベル、エピ欠陥レベル、膜厚均一性を評価した。ヘイズレベルはパーティクルカウンタSP2のDW(Darkfield Wide)モードにて、エピ欠陥はSP2のDCO（Darkfield Composite Oblique）モード46nmupにて、膜厚均一性はFT-IRによりエピタキシャル層の膜厚を測定し、得られたエピタキシャル層膜厚の分布から最大値をTmax、最小値をTminとした場合、(Tmax - Tmin)/(Tmax + Tmin)にて算出し評価した。  
【００２５】
（比較例）
成膜条件を成長温度1170℃とし、気相成長のみ行ったエピタキシャルウェーハのエピ欠陥レベル、膜厚均一性、ヘイズレベルはそれぞれ3.0個/Wf、±0.82%、0.81ppmであった。比較例のエピタキシャル層の積層時の温度プロファイルを図２に示す。
【００２６】
（実施例）
実施例として、比較例と同様にして、成膜条件を成長温度1170℃とし、気相成長を行った後、連続して1000℃の水素雰囲気にて成長後熱処理を行ったエピタキシャルウェーハの、エピ欠陥レベル、膜厚均一性、ヘイズレベルはそれぞれ3.1個/Wf、±0.81%、0.53ppmであった。比較例と実施例の結果を表１に示すが、ヘイズレベルが実施例において低減しているのがわかる。また、実施例のエピタキシャル層の積層時及び成長後熱処理時の温度プロファイルを図３に示す。
【００２７】
【表１】
0006347330.tif 000002
【００２８】
（実験例）
枚葉式エピタキシャル成長装置において、直径300mm、主表面の面方位(100)のP型シリコン単結晶ウェーハを用いて、原料ガスとしてトリクロロシランを、キャリアガスとして水素を用い、シリコン単結晶エピタキシャル層を気相成長させた。原料ガスの供給量は10slm、キャリアガスの供給量は80slmを選択した。成膜条件を成長温度1050〜1170℃とし、気相成長のみを行った場合と、前記温度にてエピタキシャル層の積層後、水素雰囲気での成長後熱処理を700℃〜1170℃にて行った場合のヘイズレベルの結果を表２に示す。
【００２９】
【表２】
0006347330.tif 000003
【００３０】
表２からわかるように、成長温度が1050℃〜1170℃の温度域においては、成長後熱処理工程の熱処理温度が800℃以上1120℃以下、かつ成長温度より50℃以上低い場合にヘイズレベルが気相成長のみを行った場合に比較して低減しており、本発明の実施形態を用いることで、エピ欠陥レベル、膜厚均一性を悪化させることなくヘイズレベルの低減が可能である。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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