(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体装置であって、
半導体素子と、
前記半導体素子に接合されたヒートシンクと、
前記ヒートシンクに接合されたリードフレームと、
前記ヒートシンクの表面から前記リードフレームの表面に跨って形成されているとともに、両者の境界部分を覆っているめっき膜と、
前記ヒートシンクのうちの前記半導体素子が接合された面と反対側の面に貼り付けられた絶縁板、
を有しており、
前記リードフレームに、凹形状と凸形状の少なくとも一方を有する第１嵌合部が形成されており、
前記ヒートシンクに、前記第１嵌合部と嵌合している第２嵌合部が形成されている、
半導体装置。
【請求項２】
前記境界部分の一部に凹部が形成されており、
前記めっき膜を構成するめっき金属が、前記凹部に充填されている、
請求項１の半導体装置。
【請求項３】
半導体装置の製造方法であって、
ヒートシンクに絶縁板を貼り付ける工程と、
前記絶縁板を貼り付けた後に、前記ヒートシンクとリードフレームを接触させた状態で、前記ヒートシンクの表面から前記リードフレームの表面に跨る範囲に、両者の境界部分を覆うめっき膜を形成することによって、前記リードフレームを前記ヒートシンクに接合する工程と、
前記ヒートシンクに半導体素子を接合する工程、
を有する製造方法。
【請求項４】
前記リードフレームに、凹形状と凸形状の少なくとも一方を有する第１嵌合部が形成されており、
前記ヒートシンクに、前記第１嵌合部と嵌合可能な第２嵌合部が形成されており、
前記第１嵌合部に前記第２嵌合部を嵌合させた状態で、前記めっき膜を形成する、
請求項３の製造方法。
【請求項５】
前記ヒートシンクと前記リードフレームを接触させた状態において、前記境界部分の一部に凹部が形成され、
前記めっき膜を形成する工程において、前記めっき膜を構成する金属が前記凹部内に充填される、
請求項３又は４の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本明細書で開示する技術は、半導体装置とその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
特許文献１に、半導体素子と、半導体素子に接合された導電路を兼用するヒートシンクと、ヒートシンクと一体に形成されているリードフレームを樹脂で封止した半導体装置が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２０１１−１９９１１０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
導電性のヒートシンクのうちの半導体素子が接合される側と反対側の面には絶縁板が貼り付けられる。絶縁板の貼り付けの際には、高温の熱が加えられる。その際の熱によって、ヒートシンクと一体に形成されているリードフレームが熱によって変形するおそれがある。
【０００５】
リードフレームとヒートシンクを別体に形成しておき、ヒートシンクに絶縁板を貼り付けた後にリードフレームをヒートシンクにレーザ溶接で接合させる手法も考えられる。しかしながら、この場合も、レーザ溶接の際に熱が加わると、リードフレームが変形してしまうおそれがある。
【０００６】
本明細書では、製造の過程でリードフレームが熱によって変形することを抑制できる構造の半導体装置と、その製造方法を開示する。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本明細書が開示する半導体装置は、半導体素子と、半導体素子に接合されたヒートシンクと、ヒートシンクに接合されたリードフレームと、ヒートシンクの表面からリードフレームの表面に跨って形成されているとともに、両者の境界部分を覆っているめっき膜と、ヒートシンクのうちの半導体素子が接合された面と反対側の面に貼り付けられた絶縁板を有する。
【０００８】
この構成による半導体装置を製造する場合、ヒートシンクに絶縁板を貼り付け、その後にヒートシンクにリードフレームを接触させた状態でめっき処理を行ってめっき膜を形成する。ヒートシンクの表面からリードフレームの表面に跨る範囲に、両者の境界部分を覆うめっき膜を形成すると、めっき膜によってリードフレームがヒートシンクに対して固定される。この結果、リードフレームとヒートシンクが接合される。上記の通り、この構成によると、半導体装置の製造過程において、リードフレームに熱を加えることが避けられる。そのため、上記の半導体装置によると、製造の過程でリードフレームが熱によって変形することを抑制することができる。
【０００９】
本明細書が開示する半導体装置の製造方法は、ヒートシンクに絶縁板を貼り付ける工程と、絶縁板を貼り付けた後に、ヒートシンクとリードフレームを接触させた状態で、ヒートシンクの表面からリードフレームの表面に跨る範囲に、両者の境界部分を覆うめっき膜を形成することによって、リードフレームをヒートシンクに接合する工程と、ヒートシンクに半導体素子を接合する工程を有する。
【００１０】
この製造方法によると、上記の構成を備える半導体装置を製造することができる。上記の通り、この製造方法によると、半導体装置の製造過程において、リードフレームに熱を加えることが避けられる。そのため、上記の製造方法によると、製造の過程でリードフレームが熱によって変形することを抑制することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】半導体装置の構成を示す断面説明図。
【図２】半導体装置の製造工程（１）を示す断面説明図。
【図３】半導体装置の製造工程（２）を示す断面説明図。
【図４】半導体装置の製造工程（３）を示す断面説明図。
【図５】図４の一部分の拡大図。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
（実施例）
図１に示す実施例の半導体装置１０は、半導体素子１２と、第１ヒートシンク１４と、第１リードフレーム１６と、絶縁板１８と、放熱板２０と、スペーサ板２２と、第２ヒートシンク２４と、これらを接続する層３２、３４、３６、４０、４２と、第２リードフレーム２６と、ワイヤ２８と、これらを封止する封止樹脂３０を備える。第１ヒートシンク１４、第１リードフレーム１６、絶縁板１８、及び、放熱板２０の表面は、相互に接触している部分を除いて、めっき膜７０で被覆されている。ただし、絶縁板１８の表面はめっき膜７０で被覆されていない。第１リードフレーム１６の一方の端部（即ち図１の左側の端部）と、第２リードフレーム２６の一方の端部（即ち図１の右側の端部）は封止樹脂３０の外側に突出している。また、第２ヒートシンク２４の上面（即ち図１の上側の面）と、放熱板２０の下面（即ち図１の下側の面）は、封止樹脂３０の表面に露出している。なお、以下では、図１の上側の面のことを「上面」と呼び、下側の面のことを「下面」と呼ぶ場合がある。また、本明細書でいうヒートシンクは、伝熱路を構成する部材をいい、同時に導電路を構成する部材を兼用することがある。本実施例では、ヒートシンクが導電路を構成する部材を兼用している。また、本明細書では、二つの部材が機械的に固定され、電気的に接続することを「接合」と呼ぶ場合がある。
【００１３】
半導体素子１２は、電力用のスイッチング素子である。本実施例では、半導体素子１２に縦型のＩＧＢＴ（Insulated Gate Bipolar Transistor）を用いている。半導体素子１２は、Ｓｉ、ＳｉＣ、ＧａＮ等により形成することができる。半導体素子１２は、上面にエミッタ電極とゲート電極パッド（図示省略）を備え、下面にコレクタ電極（図示省略）を備えている。
【００１４】
第１ヒートシンク１４は、板状の導電性部材である。第１ヒートシンク１４は、例えばＣｕ又はＡｌによって形成することができる。第１ヒートシンク１４の上面は、はんだ層３２を介して半導体素子１２の下面のコレクタ電極（図示省略）に接続されている。第１ヒートシンク１４は、半導体素子１２が発生する熱を伝熱する伝熱材としての機能を果たし、同時に、コレクタ電極に至る導電路の一部を構成する。また、第１ヒートシンク１４の上面には、嵌合凹部１４ａが形成されている。さらに、第１ヒートシンク１４の上面のうち、図１の左側の端縁には、切り欠き部１４ｂが形成されている。
【００１５】
第１リードフレーム１６は、第１ヒートシンク１４と同じ材料で形成されている板状の導電性部材である。第１リードフレーム１６の厚さ（即ち図１の上下方向の長さ）は、第１ヒートシンク１４の厚さより薄い。第１リードフレーム１６は、一端側（即ち図１の右側）が第１ヒートシンク１４の上面に搭載された状態でめっきすることによって、第１ヒートシンク１４に機械的に固定され、電気的に接続されている。第１リードフレーム１６の図１の右側の端部の近傍の下面には、嵌合凸部１６ａが形成されている。嵌合凸部１６ａは、上記の第１ヒートシンク１４の嵌合凹部１４ａと嵌合することができる。また、第１リードフレーム１６の下面には、切り欠き部１６ｂが形成されている。切り欠き部１６ｂは、嵌合凹部１４ａに嵌合凸部１６ａを嵌合させたときに、切り欠き部１４ｂに向かい合う位置に形成されている。切り欠き部１４ｂと切り欠き部１６ｂが向かい合うことによって、第１リードフレーム１６と第１ヒートシンク１４の境界部分の一部に、凹部５０（後述の図５参照）が形成される。凹部５０内には、めっき膜７０のアンカー部７２が形成されている。
【００１６】
絶縁板１８は、板状の非導電性部材である。絶縁板１８は、例えばセラミックによって形成することができる。絶縁板１８は、電気抵抗は高いものの、熱抵抗は低く、伝熱性が高い。絶縁板１８の上面は、金属層３４を介して第１ヒートシンク１４の下面に貼り付けられている。金属層３４は、Ａｇろう材が固化したことによって形成される層である。変形例では、ろう材としてＡｌろう材が用いられてもよい。
【００１７】
放熱板２０は、板状の導電性部材である。放熱板２０は、例えばＣｕ又はＡｌによって形成することができる。放熱板２０の上面は、金属層３６を介して絶縁板１８の下面に接合されている。金属層３６は、金属層３４と同様に、Ａｇろう材が固化したことによって形成される層である。変形例では、ろう材としてＡｌろう材が用いられてもよい。放熱板２０は、半導体素子１２が発生する熱を放熱する機能を果たす。
【００１８】
めっき膜７０は、上記の通り、第１ヒートシンク１４、第１リードフレーム１６、絶縁板１８、及び、放熱板２０の表面のうち、相互に接触している部分を除く部分を被覆している。ただし、絶縁板１８の表面には、めっき膜７０が形成されていない。めっき膜７０は、Ｎｉめっき（例えば無電解ニッケルめっき）によって形成される。なお、絶縁板１８にはめっき膜が形成されていないため、放熱板２０と第１ヒートシンク１４は電気的に絶縁されている。図１に示すように、封止樹脂３０と第１ヒートシンク１４の間、封止樹脂３０と第１リードフレーム１６の間、及び、封止樹脂３０と放熱板２０の間にはめっき膜７０が存在している。めっき膜７０は、切り欠き部１４ｂ、１６ｂを組み合わせることで形成される凹部５０（後述の図５参照）内に形成されるアンカー部７２を有している。アンカー部７２を有することで、めっき膜７０による第１ヒートシンク１４と第１リードフレーム１６との固定が強固になる。第１ヒートシンク１４と第１リードフレーム１６は、めっき膜７０によって機械的に固定され、封止樹脂３０によって機械的に固定されている。それ以外の固定手段は採用されていない。
【００１９】
スペーサ板２２は、板状の導電性部材である。スペーサ板２２は、例えばＣｕによって形成することができる。スペーサ板２２の下面は、はんだ層４０を介して半導体素子１２の上面のエミッタ電極（図示省略）に接続されている。スペーサ板２２は、半導体素子１２が発生する熱を伝熱する伝熱材としての機能を果たし、同時に、エミッタ電極に至る導電路をも構成する。
【００２０】
第２ヒートシンク２４は、第１ヒートシンク１４と同じ材料で形成されている板状の導電性部材である。第２ヒートシンク２４の下面は、はんだ層４２を介してスペーサ板２２の上面に接続されている。第２ヒートシンク２４は、半導体素子１２が発生する熱を放熱する放熱材としての機能を果たし、同時に、エミッタ電極に至る導電路をも構成する。第２ヒートシンク２４の下面には、図示しない位置において、エミッタ電極に至る導電路を構成するリードフレームが接合されている。そのリードフレームのうちの第２ヒートシンク２４と接合されている側と反対側の端部は、封止樹脂３０の外側に突出している。
【００２１】
第２リードフレーム２６も、第１ヒートシンク１４と同じ材料で形成されている板状の導電性部材である。第２リードフレーム２６の厚さは、第１ヒートシンク１４及び第２ヒートシンク２４の厚さよりも薄い。第２リードフレーム２６は、半導体素子１２、第１ヒートシンク１４、第１リードフレーム１６、絶縁板１８、放熱板２０、スペーサ板２２、及び、第２ヒートシンク２４から離れた位置に設けられている。
【００２２】
ワイヤ２８は、半導体素子１２の上面のゲート電極パッド（図示省略）と第２リードフレーム２６とを電気的に接続している。ワイヤ２８は、線状の導電性部材であって、例えばＣｕによって形成することができる。ワイヤ２８は、一端が半導体素子１２のゲート電極パッドにボンディングされ、他端が第２リードフレーム２６の上面にボンディングされている。
【００２３】
封止樹脂３０は、半導体素子１２、第１ヒートシンク１４、第１リードフレーム１６、絶縁板１８、放熱板２０、スペーサ板２２、第２ヒートシンク２４、第２リードフレーム２６、及び、ワイヤ２８を封止する部材である。封止樹脂３０は、シリカが混入されたエポキシ樹脂である。
【００２４】
上記の通り、本実施例の半導体装置１０では、放熱板２０は、絶縁板１８によって、半導体素子１２のコレクタ電極と電気的に絶縁されている。そのため、放熱板２０の下面に冷却器を配置する際には、放熱板２０と冷却器の間に絶縁部材を介在させる必要がない。一方、本実施例の半導体装置１０では、第２ヒートシンク２４は、半導体素子１２のエミッタ電極と電気的に絶縁されていない。そのため、第２ヒートシンク２４の上面に冷却器を配置する際には、第２ヒートシンク２４と冷却器の間に絶縁部材を介在させる。
【００２５】
次いで、図２〜図４を参照して、本実施例の半導体装置１０の製造方法について説明する。まず、第１ヒートシンク１４を準備し、その下面にＡｇろう材によって絶縁板１８をろう付けする。この時点では、第１ヒートシンク１４の上面には、第１リードフレーム１６、半導体素子１２、スペーサ板２２、ワイヤ２８は取り付けられていない。高温のＡｇろう材が冷却されて固化することによって金属層３４が形成され、第１ヒートシンク１４の下面に絶縁板が貼り付けられる。
【００２６】
次いで、絶縁板１８の下面にＡｇろう材によって放熱板２０をろう付けする。図２に示すように、高温のＡｇろう材が冷却されて固化することによって金属層３６が形成され、絶縁板１８の下面に放熱板２０が貼り付けられる。
【００２７】
次いで、図３に示すように、第１ヒートシンク１４の上面に、第１リードフレーム１６を搭載させる。即ち、第１ヒートシンク１４と第１リードフレーム１６を接触させる。この際、第１リードフレーム１６の嵌合凸部１６ａを、第１ヒートシンク１４の嵌合凹部１４ａに嵌合させる。これにより、第１ヒートシンク１４に接触させた第１リードフレーム１６が位置決めされる。また、切り欠き部１４ｂ、１６ｂが向かい合うことによって、第１リードフレーム１６と第１ヒートシンク１４の境界部分に凹部５０が形成される。
【００２８】
次いで、第１リードフレーム１６と第１ヒートシンク１４を接触させた状態を保持したまま、第１ヒートシンク１４、第１リードフレーム１６、絶縁板１８、及び、放熱板２０を組み合わせたアッシーに対して無電解ニッケルめっき処理を行う。これにより、図４に示すように、第１ヒートシンク１４、第１リードフレーム１６、絶縁板１８、及び、放熱板２０の表面が、相互に接触している部分を除いて、めっき膜７０で被覆される。ただし、非導電部材である絶縁板１８にはめっき膜７０は形成されない。絶縁板１８の表面ではめっき液中の金属イオンとの間で酸化還元反応が起こらないためである。めっき膜７０が形成されることにより、第１ヒートシンク１４と第１リードフレーム１６とが電気的に接続された状態で機械的に固定される。
【００２９】
この際、図５に示すように、凹部５０内にめっき金属が侵入し、複数の方向からめっき膜が成長することによって、凹部５０内にアンカー部７２が形成される。アンカー部７２を有することで、めっき膜７０による第１ヒートシンク１４と第１リードフレーム１６との固定が強固になる。
【００３０】
めっき処理の終了後、第１ヒートシンク１４の上面にはんだ層３２を介して半導体素子１２の下面のコレクタ電極を接続する。次いで、半導体素子１２の上面のエミッタ電極にはんだ層４０を介してスペーサ板２２を接合する。次いで、スペーサ板２２の上面にはんだ層４２を介して第２ヒートシンク２４を接合する。なお、はんだ層３２、４０、４２の形成の際には熱が加わるが、その際の加熱温度はろう付けに比べて低く、第１リードフレーム１６が変形することはない。さらに、半導体素子１２の上面のゲート電極パッドと第２リードフレーム２６の上面とをワイヤ２８で接続する。その後、樹脂を用いてモールド処理を行い、封止樹脂３０によって各部材を封止する。以上の各処理を行うことにより、図１の半導体装置１０が完成する。
【００３１】
以上、本実施例の半導体装置１０とその製造方法について説明した。上記の通り、半導体装置１０の製造過程では、第１ヒートシンク１４に絶縁板１８を貼り付けた後で、第１ヒートシンク１４の上面に第１リードフレーム１６の一端側を接触させ、その状態を保持してめっき処理を行ってめっき膜７０を形成する。めっき膜７０が形成されることにより、第１ヒートシンク１４と第１リードフレーム１６とが電気的に接続された状態で固定される。上記の通り、第１ヒートシンク１４に絶縁板１８を貼り付ける時点では、第１ヒートシンク１４には第１リードフレーム１６が接合されていない。また、第１ヒートシンク１４と第１リードフレーム１６の接合は、めっき処理によって行われる。即ち、本実施例の半導体装置１０の製造過程において、第１リードフレーム１６に熱を加えることが避けられる。そのため、本実施例の半導体装置１０によると、製造の過程で第１リードフレーム１６が熱によって変形することを抑制することができる。
【００３２】
また、本実施例では、第１ヒートシンク１４の上面に第１リードフレーム１６を搭載する際には、嵌合凸部１６ａを嵌合凹部１４ａに嵌合させることにより、第１リードフレーム１６を位置決めすることができる。第１ヒートシンク１４と第１リードフレーム１６を位置決めした状態でめっき処理を行うことができる。また、リベットやねじ止めによってリードフレームとヒートシンクとを所定位置に保持する場合と比較して、第１ヒートシンク１４と第１リードフレーム１６が変形し難くなる。また、めっき処理によって第１リードフレーム１６が第１ヒートシンク１４に固定された後も、嵌合凸部１６ａと嵌合凹部１４ａとが嵌合していることにより、第１リードフレーム１６と第１ヒートシンク１４の接合が強固となり、第１リードフレーム１６の位置ずれを抑制することもできる。
【００３３】
また、本実施例では、めっき膜７０はアンカー部７２を有する。アンカー部７２を有することで、めっき膜７０による第１ヒートシンク１４と第１リードフレーム１６との固定がより強固になる。
【００３４】
以下、本実施例と請求項の記載との対応関係を説明する。第１ヒートシンク１４が「ヒートシンク」の一例であり、第１リードフレーム１６が「リードフレーム」の一例である。嵌合凸部１６ａが「第１嵌合部」の一例であり、嵌合凹部１４ａが「第２嵌合部」の一例である。
【００３５】
以上、本明細書に開示の技術の具体例を詳細に説明したが、これらは例示に過ぎず、特許請求の範囲を限定するものではない。特許請求の範囲に記載の技術には、以上に例示した具体例を様々に変形、変更したものが含まれる。例えば、以下の変形例を採用してもよい。
【００３６】
（変形例１）上記の実施例では、第１ヒートシンク１４が嵌合凹部１４ａを有し、第１リードフレーム１６が嵌合凹部１４ａに嵌合可能な嵌合凸部１６ａを有している。これに限られず、第１リードフレーム１６と第１ヒートシンク１４とが互いに嵌合可能な２つの嵌合部を有していれば、両者の嵌合構造は任意とすることができる。
【００３７】
（変形例２）上記の実施例では、半導体素子１２がＩＧＢＴである場合について説明した。他の例では、半導体素子１２は、ＭＯＳＦＥＴ等、他のスイッチング素子であってもよい。
【００３８】
（変形例３）上記の実施例では、めっき処理は無電解ニッケルめっきによって行っているが、これに限らず、他のめっき方法（例えば電解ニッケルめっき等）を用いてもよい。
【００３９】
（変形例４）上記の実施例では、めっき膜７０は、第１ヒートシンク１４、第１リードフレーム１６、絶縁板１８、及び、放熱板２０の表面を、相互に接触している部分を除いて被覆している。ただし、めっき膜７０は、絶縁板１８の表面は被覆していない。上記の例に限られず、めっき膜７０は、少なくとも、第１ヒートシンク１４と第１リードフレーム１６の境界部分の少なくとも一部を覆うように形成されていれば、どの範囲に形成されていてもよい。ただし、この変形例でも、めっき膜７０は、絶縁板１８の表面は被覆しないように形成される。
【００４０】
（変形例５）上記の実施例では、封止樹脂３０の表面に露出する第２ヒートシンク２４は、半導体素子１２のエミッタ電極と電気的に絶縁されていない。これに限られず、第１ヒートシンク１４の下面側と同様に、第２ヒートシンク２４の上面に絶縁板を貼り付け、その絶縁板の上面に放熱板（以下、上側放熱板と呼ぶ）を貼り付け、上側放熱板の上面を封止樹脂３０の表面に露出させるようにしてもよい。この場合、上側放熱板はエミッタ電極と電気的に絶縁される。この変形例によると、上側放熱板の上面に冷却器を配置する際にも、放熱板２０の下面に冷却器を配置する場合と同様に、上側放熱板と冷却器の間に絶縁部材を介在させる必要がない。
【００４１】
（変形例６）第１ヒートシンク１４と絶縁板１８の貼り付けは、ろう付けに限られず、他の高温の熱加工（例えば焼結等）によって行ってもよい。
【００４２】
本明細書が開示する技術について、以下に説明する。なお、以下に説明する技術事項は、それぞれ独立して有用なものである。
【００４３】
上記の半導体装置において、リードフレームに、凹形状と凸形状の少なくとも一方を有する第１嵌合部が形成されており、ヒートシンクに、第１嵌合部と嵌合している第２嵌合部が形成されていることが好ましい。
【００４４】
この構成によると、第１嵌合部と第２嵌合部を嵌合させることにより、リードフレームが位置決めされる。リベットやねじ止めによってリードフレームとヒートシンクを所定位置に保持する構成と比較して、ヒートシンクやリードフレームが変形し難くなる。
【００４５】
上記の半導体装置において、リードフレームとヒートシンクの境界部分の一部に凹部が形成されており、めっき膜を構成するめっき金属が、凹部に充填されていることが好ましい。
【００４６】
この構成によると、凹部に充填されためっき金属がアンカー部を形成することによって、リードフレームとヒートシンクを強固に接合させることができる。
【００４７】
上記の半導体装置の製造方法において、リードフレームに、凹形状と凸形状の少なくとも一方を有する第１嵌合部が形成されることが好ましい。ヒートシンクに、前記第１嵌合部と嵌合可能な第２嵌合部が形成されていることが好ましい。第１嵌合部に第２嵌合部を嵌合させた状態で、めっき膜を形成することが好ましい。
【００４８】
この方法によると、第１嵌合部と第２嵌合部を嵌合させることにより、リードフレームが位置決めされる。リードフレームとヒートシンクを位置決めした状態でめっき工程を実施することができる。
【００４９】
上記の半導体装置の製造方法において、ヒートシンクとリードフレームを接触させた状態において、リードフレームとヒートシンクの境界部分の一部に凹部が形成され、めっき膜を形成する工程において、めっき膜を構成する金属が凹部内に充填されることが好ましい。
【００５０】
この方法によると、凹部に充填されためっき金属がアンカー部を形成することによって、リードフレームとヒートシンクを強固に接合させることができる。
【００５１】
本明細書又は図面に説明した技術要素は、単独であるいは各種の組合せによって技術的有用性を発揮するものであり、出願時請求項記載の組合せに限定されるものではない。また、本明細書又は図面に例示した技術は複数目的を同時に達成するものであり、そのうちの一つの目的を達成すること自体で技術的有用性を持つものである。
以下は、出願当初の特許請求の範囲に記載の要素である。
［項目１］
半導体装置であって、
半導体素子と、
前記半導体素子に接合されたヒートシンクと、
前記ヒートシンクに接合されたリードフレームと、
前記ヒートシンクの表面から前記リードフレームの表面に跨って形成されているとともに、両者の境界部分を覆っているめっき膜と、
前記ヒートシンクのうちの前記半導体素子が接合された面と反対側の面に貼り付けられた絶縁板、
を有する半導体装置。
［項目２］
前記リードフレームに、凹形状と凸形状の少なくとも一方を有する第１嵌合部が形成されており、
前記ヒートシンクに、前記第１嵌合部と嵌合している第２嵌合部が形成されている、
項目１の半導体装置。
［項目３］
前記境界部分の一部に凹部が形成されており、
前記めっき膜を構成するめっき金属が、前記凹部に充填されている、
項目１又は２の半導体装置。
［項目４］
半導体装置の製造方法であって、
ヒートシンクに絶縁板を貼り付ける工程と、
前記絶縁板を貼り付けた後に、前記ヒートシンクとリードフレームを接触させた状態で、前記ヒートシンクの表面から前記リードフレームの表面に跨る範囲に、両者の境界部分を覆うめっき膜を形成することによって、前記リードフレームを前記ヒートシンクに接合する工程と、
前記ヒートシンクに半導体素子を接合する工程、
を有する製造方法。
［項目５］
前記リードフレームに、凹形状と凸形状の少なくとも一方を有する第１嵌合部が形成されており、
前記ヒートシンクに、前記第１嵌合部と嵌合可能な第２嵌合部が形成されており、
前記第１嵌合部に前記第２嵌合部を嵌合させた状態で、前記めっき膜を形成する、
項目４の製造方法。
［項目６］
前記ヒートシンクと前記リードフレームを接触させた状態において、前記境界部分の一部に凹部が形成され、
前記めっき膜を形成する工程において、前記めっき膜を構成する金属が前記凹部内に充填される、
項目４又は５の製造方法。
【符号の説明】
【００５２】
１０：半導体装置
１２：半導体素子
１４：第１ヒートシンク
１４ａ：嵌合凹部
１４ｂ：切り欠き部
１６：第１リードフレーム
１６ａ：嵌合凸部
１６ｂ：切り欠き部
１８：絶縁板
２０：放熱板
２２：スペーサ板
２４：第２ヒートシンク
２６：第２リードフレーム
２８：ワイヤ
３０：封止樹脂
３２：はんだ層
３４：金属層
３６：金属層
４０：はんだ層
４２：はんだ層
５０：空間
７０：めっき膜
７２：アンカー部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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