(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
溶接点に向けてレーザー光を照射し，その照射箇所に接合対象部材を接合する接合部を形成するレーザー溶接装置において，
レーザー光を出射する出射器と，
前記出射器より出射されたレーザー光を入射光とし，前記入射光の入射点から前記照射箇所へ放射光を放射する回折光学素子と，
前記入射点の位置を変更する入射点変更部と，
前記出射器および前記入射点変更部を制御するコントローラーとを有し，
前記回折光学素子は，隣接して設けられた第１の領域と第２の領域とを有し，
前記第１の領域は，前記入射光のパワー密度分布形状とは異なる第１のパワー密度分布形状を持つ前記放射光を放射する回折格子が形成された領域であり，
前記第２の領域は，前記回折格子が形成されておらず，前記第１のパワー密度分布形状とは異なる第２のパワー密度分布形状を持つ前記放射光を放射する領域であり，
前記コントローラーは，
前記出射器によるレーザー光の出射中に，前記入射点変更部により，前記入射点内の少なくとも１点が，前記第１の領域と前記第２の領域との境界を横切るように移動させる接合制御を行うものであることを特徴とするレーザー溶接装置。
【請求項２】
請求項１に記載のレーザー溶接装置において，
前記第１の領域は，前記第１のパワー密度分布形状におけるパワー密度が最も高い箇所を，前記第２のパワー密度分布形状におけるパワー密度が最も高い箇所である中央領域とは異なる外縁領域内とする放射光を放射する領域であることを特徴とするレーザー溶接装置。
【請求項３】
溶接点に向けてレーザー光を照射し，その照射箇所に接合対象部材を接合する接合部を形成するレーザー溶接装置において，
レーザー光を出射する出射器と，
前記出射器より出射されたレーザー光を入射光とし，前記入射光の入射点から前記照射箇所へ放射光を放射する回折光学素子と，
前記入射点の位置を変更する入射点変更部と，
前記出射器および前記入射点変更部を制御するコントローラーとを有し，
前記回折光学素子は，隣接して設けられた第１の領域と第２の領域とを有し，
前記第１の領域は，前記入射光のパワー密度分布形状とは異なる第１のパワー密度分布形状を持つ前記放射光を放射する回折格子が形成された領域であり，
前記第２の領域は，前記第１の領域の表面形状とは異なる表面形状を有し，前記第１のパワー密度分布形状とは異なる第２のパワー密度分布形状を持つ前記放射光を放射する領域であり，
前記コントローラーは，
前記出射器によるレーザー光の出射中に，前記入射点変更部により，前記入射点内の少なくとも１点が，前記第１の領域と前記第２の領域との境界を横切るように移動させる接合制御を行うものであり，
前記第１の領域は，前記第１のパワー密度分布形状におけるパワー密度が最も高い箇所を，前記第２のパワー密度分布形状におけるパワー密度が最も高い箇所である中央領域とは異なる外縁領域内とする放射光を放射する領域であることを特徴とするレーザー溶接装置。
【請求項４】
請求項２または請求項３に記載のレーザー溶接装置において，
前記コントローラーは，前記接合制御では，
前記照射箇所の前記溶接点が前記中央領域内に位置するようにしつつ，
前記出射器によるレーザー光の出射を開始してから予め定めた初期時間の経過後には，前記初期時間の経過前よりも，前記入射点変更部により，前記入射点の位置を，前記第２の領域側とし，
前記出射器によるレーザー光の出射中に，前記照射箇所を接合対象部材に対して移動させないものであることを特徴とするレーザー溶接装置。
【請求項５】
請求項２または請求項３に記載のレーザー溶接装置において，
前記照射箇所と接合対象部材との少なくとも一方を他方に対して移動させる移動部を有し，
前記コントローラーは，前記接合制御では，
前記移動部により，前記照射箇所を，複数の前記溶接点が連続してなる溶接線が，前記中央領域内を通るように移動させる走査制御を行うものであることを特徴とするレーザー溶接装置。
【請求項６】
請求項５に記載のレーザー溶接装置において，
前記コントローラーは，前記接合制御では，
前記出射器によるレーザー光の出射を開始してから予め定めた初期時間の経過後には，前記初期時間の経過前よりも，前記入射点変更部により，前記入射点の位置を，前記第２の領域側とするものであることを特徴とするレーザー溶接装置。
【請求項７】
請求項５または請求項６に記載のレーザー溶接装置において，
前記第２の領域は，
前記中央領域に，前記放射光によって中央スポットを形成する領域であり，
前記第１の領域は，
前記外縁領域に，前記放射光によって前記中央スポットとともに三角形の頂点をなすスポットである第１の外縁スポットおよび第２の外縁スポットを形成する領域であり，
前記コントローラーは，前記走査制御では，
前記溶接線上の前記溶接点に，前記第１の外縁スポットと前記第２の外縁スポットとの間，前記中央スポットをこの順で通過させるものであることを特徴とするレーザー溶接装置。
【請求項８】
請求項５または請求項６に記載のレーザー溶接装置において，
前記第２の領域は，
前記中央領域に，前記放射光によって中央スポットを形成する領域であり，
前記第１の領域は，
前記外縁領域に，前記放射光によって前記中央スポットを囲う四角形の頂点をなす４つの外縁スポットを形成する領域であり，
前記コントローラーは，前記走査制御では，
前記溶接線上の前記溶接点に，前記外縁スポットのうちの隣り合う２つの第１の外縁スポットと第２の外縁スポットとの間，前記中央スポット，前記第１の外縁スポットおよび前記第２の外縁スポット以外の前記外縁スポットである第３の外縁スポットと第４の外縁スポットとの間をこの順で通過させるものであることを特徴とするレーザー溶接装置。
【請求項９】
請求項５または請求項６に記載のレーザー溶接装置において，
前記第２の領域は，
前記中央領域に，前記放射光によって中央スポットを形成する領域であり，
前記第１の領域は，
前記外縁領域に，前記放射光によって第１の外縁スポット，および，前記第１の外縁スポットとは異なる位置の第２の外縁スポットを形成する領域であり，
前記コントローラーは，前記走査制御では，
前記中央スポットを，前記溶接線に沿って移動させ，
前記第１の外縁スポットを，前記溶接線と平行に設けられた軌道である第１の外縁軌道に沿って，前記中央スポットの前方を移動させ，
前記第２の外縁スポットを，前記溶接線と平行に設けられた軌道である第２の外縁軌道に沿って，前記中央スポットの後方を移動させるものであることを特徴とするレーザー溶接装置。
【請求項１０】
請求項５から請求項９までのいずれかに記載のレーザー溶接装置において，
前記コントローラーは，
前記接合制御を行う前に，レーザー光を前記溶接線上の一部の仮付け箇所に照射し，前記仮付け箇所に仮付け部を形成する仮付け制御を行うとともに，
前記仮付け制御では，前記入射点変更部により，前記入射点の位置を，前記第１の領域内とさせるものであることを特徴とするレーザー溶接装置。
【請求項１１】
請求項５から請求項１０までのいずれかに記載のレーザー溶接装置において，
接合対象部材同士を突き合わせてなる前記溶接線上の前記溶接点について隙間を検出して出力する隙間出力部を有し，
前記コントローラーは，前記接合制御では，
前記溶接点について前記隙間出力部が出力した隙間が予め定めた隙間閾値以上であるときには，前記隙間閾値未満であるときよりも，前記入射点変更部により，前記入射点の位置を，前記第１の領域側とするレーザー制御を行うものであることを特徴とするレーザー溶接装置。
【請求項１２】
請求項５から請求項１１までのいずれかに記載のレーザー溶接装置において，
前記コントローラーは，前記溶接線が全体として長方形であるときには，
前記走査制御を，前記溶接線の長辺に位置する前記溶接点を開始位置として開始するものであるとともに，
その開始後，前記溶接線に沿って一周，前記開始位置まで前記走査制御を行うものであることを特徴とするレーザー溶接装置。
【請求項１３】
請求項１から請求項１２までのいずれかに記載のレーザー溶接装置において，
前記出射器が，
レーザー光の出射中に，出射するレーザー光の出力値であるレーザー出力値を調整できるものであることを特徴とするレーザー溶接装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は，レーザー溶接装置に関する。より詳細には，回折光学素子（ＤＯＥ）に入射後，放射されたレーザー光によりレーザー溶接を行うレーザー溶接装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来より，複数の部材を接合して１つの溶接構造体を製造するため，レーザー光を用いたレーザー溶接が行われている。このようなレーザー溶接により接合が行われている製品として，例えば，電池がある。電池は，一般的に，ケースの内部に，正負の電極板よりなる電極体を収容してなるものである。そして，このような電池の製造工程では，電極体をケース本体の開口部よりその内部に収容した後，ケース本体の開口部を封口板で塞ぎ，レーザー溶接によって接合する接合工程が行われることがある。接合工程では，ケース本体の開口部と封口板の側面とが対面している箇所の溶接線に沿って，レーザー溶接が行われる。
【０００３】
例えば，特許文献１には，ケース本体と封口板との間の溶接線に沿って，パワー密度の低い低密度レーザー光と，低密度レーザー光よりもパワー密度の高い高密度レーザー光とを照射し，ケース本体と封口板とを接合する技術が記載されている。特許文献１には，低密度レーザー光を，ケース本体と封口板との両方に広く照射しつつ，高密度レーザー光を，高密度レーザー光のスポットが低密度レーザー光のスポットの内部に位置するように照射している。また，このような低密度レーザー光と高密度レーザー光とは，１つのレーザー光をＤＯＥによってビーム成形することにより実現できるとされている。そして，低密度レーザー光によってある程度，温度を上昇させた後に，高密度レーザー光を照射することができるとしている。これにより，高密度レーザー光の照射される箇所の温度が急に上昇してしまうことを防止し，溶接箇所の突沸等を防止することができるとしている。また，高密度レーザー光が照射された箇所には，その後，低密度レーザー光が照射される。これにより高密度レーザー光の照射された箇所の温度が急に低下してしまうことを防止し，クラックなどの発生を抑制できるとしている。よって，溶接欠陥の発生を抑制できると記載されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２０１３−２２０４６２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
ところで，レーザー溶接では，接合対象箇所の状態や，目標とする接合部を短時間で形成するために，よりフレキシブルな制御を行えることが好ましい。
【０００６】
本発明は，前記した従来の技術が有する問題点の解決を目的としてなされたものである。すなわちその課題とするところは，よりフレキシブルな制御でレーザー溶接を行うことのできるレーザー溶接装置を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
この課題の解決を目的としてなされた本発明の一態様に係るレーザー溶接装置は，溶接点に向けてレーザー光を照射し，その照射箇所に接合対象部材を接合する接合部を形成するレーザー溶接装置であって，レーザー光を出射する出射器と，出射器より出射されたレーザー光を入射光とし，入射光の入射点から照射箇所へ放射光を放射する回折光学素子と，入射点の位置を変更する入射点変更部と，出射器および入射点変更部を制御するコントローラーとを有し，回折光学素子は，隣接して設けられた第１の領域と第２の領域とを有し，第１の領域は，入射光のパワー密度分布形状とは異なる第１のパワー密度分布形状を持つ放射光を放射する回折格子が形成された領域であり，第２の領域は，回折格子が形成されておらず，第１のパワー密度分布形状とは異なる第２のパワー密度分布形状を持つ放射光を放射する領域であり，コントローラーは，出射器によるレーザー光の出射中に，入射点変更部により，入射点内の少なくとも１点が，第１の領域と第２の領域との境界を横切るように移動させる接合制御を行うものであることを特徴とするレーザー溶接装置である。
【０００８】
本発明に係るレーザー溶接装置は，レーザー光の出射中に，照射箇所に形成される照射パターンを，異なるパワー密度分布形状のものに切り替えることができる。また，レーザー光の出力等を変えることなく，照射箇所の任意の位置のパワー密度を，任意の高さとすることが可能となる。これにより，よりフレキシブルな制御でレーザー溶接を行いつつ，接合部を短時間で形成することが可能となる。さらに，第２の領域が回折格子が形成されていない領域であることで，異なるパワー密度分布形状の照射パターンを形成することのできる回折光学素子を，回折格子を形成する領域を小さなものとし，安価なものとすることができる。さらに，回折格子が形成されていない領域では，出射器より出射された回折光学素子への入射光を，パワー密度分布形状を変えることなく照射箇所へと照射できるため，その箇所でのパワー密度を最も高いものとすることができる。
【０００９】
また，上記に記載のレーザー溶接装置において，第１の領域は，第１のパワー密度分布形状におけるパワー密度が最も高い箇所を，第２のパワー密度分布形状におけるパワー密度が最も高い箇所である中央領域とは異なる外縁領域内とする放射光を放射する領域であることが好ましい。外縁領域の溶融量が中央領域の溶融量よりも多くなる照射パターンと，中央領域の溶融量が外縁領域の溶融量よりも多くなる照射パターンとを使い分けることができるからである。
【００１０】
また本発明の他の態様に係るレーザー溶接装置は，溶接点に向けてレーザー光を照射し，その照射箇所に接合対象部材を接合する接合部を形成するレーザー溶接装置であって，レーザー光を出射する出射器と，出射器より出射されたレーザー光を入射光とし，入射光の入射点から照射箇所へ放射光を放射する回折光学素子と，入射点の位置を変更する入射点変更部と，出射器および入射点変更部を制御するコントローラーとを有し，回折光学素子は，隣接して設けられた第１の領域と第２の領域とを有し，第１の領域は，入射光のパワー密度分布形状とは異なる第１のパワー密度分布形状を持つ放射光を放射する回折格子が形成された領域であり，第２の領域は，第１の領域の表面形状とは異なる表面形状を有し，第１のパワー密度分布形状とは異なる第２のパワー密度分布形状を持つ放射光を放射する領域であり，コントローラーは，出射器によるレーザー光の出射中に，入射点変更部により，入射点内の少なくとも１点が，第１の領域と第２の領域との境界を横切るように移動させる接合制御を行うものであり，第１の領域は，第１のパワー密度分布形状におけるパワー密度が最も高い箇所を，第２のパワー密度分布形状におけるパワー密度が最も高い箇所である中央領域とは異なる外縁領域内とする放射光を放射する領域であることを特徴とするレーザー溶接装置である。本発明に係るレーザー溶接装置は，外縁領域の溶融量が中央領域の溶融量よりも多くなる照射パターンと，中央領域の溶融量が外縁領域の溶融量よりも多くなる照射パターンとを使い分けることができる。
【００１１】
また，上記に記載のレーザー溶接装置において，コントローラーは，接合制御では，照射箇所の溶接点が中央領域内に位置するようにしつつ，出射器によるレーザー光の出射を開始してから予め定めた初期時間の経過後には，初期時間の経過前よりも，入射点変更部により，入射点の位置を，第２の領域側とし，出射器によるレーザー光の出射中に，照射箇所を接合対象部材に対して移動させないものであることが好ましい。スポット溶接において，接合対象部材の溶接点の隙間を通り，接合対象部材のレーザー照射側とは反対側に位置している部材にレーザー光が照射されてしまうというレーザー抜けによる不良発生を抑制できるからである。
【００１２】
また，上記に記載のレーザー溶接装置において，照射箇所と接合対象部材との少なくとも一方を他方に対して移動させる移動部を有し，コントローラーは，接合制御では，移動部により，照射箇所を，複数の溶接点が連続してなる溶接線が，中央領域内を通るように移動させる走査制御を行うものであることが好ましい。溶接線に沿ったレーザー溶接において，溶接線上の任意の照射箇所に，異なるパワー密度分布形状の照射パターンを形成できるからである。
【００１３】
また，上記に記載のレーザー溶接装置において，コントローラーは，接合制御では，出射器によるレーザー光の出射を開始してから予め定めた初期時間の経過後には，初期時間の経過前よりも，入射点変更部により，入射点の位置を，第２の領域側とするものであることが好ましい。接合制御の開始時には溶融部が形成されていないため，開始位置の接合対象部材の溶接点の位置には隙間が存在する可能性が高い。そして，その開始位置の隙間のレーザー抜けによって不良が発生してしまうことを抑制できるからである。
【００１４】
また，上記に記載のレーザー溶接装置において，第２の領域は，中央領域に，放射光によって中央スポットを形成する領域であり，第１の領域は，外縁領域に，放射光によって中央スポットとともに三角形の頂点をなすスポットである第１の外縁スポットおよび第２の外縁スポットを形成する領域であり，コントローラーは，走査制御では，溶接線上の溶接点に，第１の外縁スポットと第２の外縁スポットとの間，中央スポットをこの順で通過させるものであることが好ましい。第１の外縁スポットおよび第２の外縁スポットにより溶融部を形成し，その溶融部によって中央スポットの前方の隙間を確実に塞ぎつつ，走査制御を行うことができるからである。これにより，走査制御におけるレーザー抜けを抑制することができるからである。
【００１５】
また，上記に記載のレーザー溶接装置において，第２の領域は，中央領域に，放射光によって中央スポットを形成する領域であり，第１の領域は，外縁領域に，放射光によって中央スポットを囲う四角形の頂点をなす４つの外縁スポットを形成する領域であり，コントローラーは，走査制御では，溶接線上の溶接点に，外縁スポットのうちの隣り合う２つの第１の外縁スポットと第２の外縁スポットとの間，中央スポット，第１の外縁スポットおよび第２の外縁スポット以外の外縁スポットである第３の外縁スポットと第４の外縁スポットとの間をこの順で通過させるものであることが好ましい。第１の外縁スポットおよび第２の外縁スポットにより溶融部を形成し，その溶融部によって中央スポットの前方の隙間を確実に塞ぎつつ，走査制御を行うことができるからである。これにより，走査制御におけるレーザー抜けを抑制することができるからである。さらには，第３の外縁スポットおよび第４の外縁スポットにより，中央スポットの通過によって形成されている溶融部の温度が急激に低下してしまうことを抑制できる。これにより，溶融部の温度の急激な低下により発生するクラックなどを抑制することができるからである。
【００１６】
また，上記に記載のレーザー溶接装置において，第２の領域は，中央領域に，放射光によって中央スポットを形成する領域であり，第１の領域は，外縁領域に，放射光によって第１の外縁スポット，および，第１の外縁スポットとは異なる位置の第２の外縁スポットを形成する領域であり，コントローラーは，走査制御では，中央スポットを，溶接線に沿って移動させ，第１の外縁スポットを，溶接線と平行に設けられた軌道である第１の外縁軌道に沿って，中央スポットの前方を移動させ，第２の外縁スポットを，溶接線と平行に設けられた軌道である第２の外縁軌道に沿って，中央スポットの後方を移動させるものであることが好ましい。第１の外縁スポットにより溶融部を形成し，その溶融部によって中央スポットの前方の隙間を確実に塞ぎつつ，走査制御を行うことができるからである。これにより，走査制御におけるレーザー抜けを抑制することができるからである。さらには，第２の外縁スポットにより，中央スポットの通過によって形成されている溶融部の温度が急激に低下してしまうことを抑制できる。これにより，溶融部の温度の急激な低下により発生するクラックなどを抑制することができるからである。
【００１７】
また，上記に記載のレーザー溶接装置において，コントローラーは，接合制御を行う前に，レーザー光を溶接線上の一部の仮付け箇所に照射し，仮付け箇所に仮付け部を形成する仮付け制御を行うとともに，仮付け制御では，入射点変更部により，入射点の位置を，第１の領域内とさせるものであることが好ましい。仮付け部の形成により接合制御中における接合対象部材のズレなどを抑制し，接合制御によって適切な接合部を形成できるからである。また，仮付け部の形成についても，接合部を形成するレーザー溶接装置を用いつつ，レーザー抜けによって不良が発生してしまうことを抑制できるからである。
【００１８】
また，上記に記載のレーザー溶接装置において，接合対象部材同士を突き合わせてなる溶接線上の溶接点について隙間を検出して出力する隙間出力部を有し，コントローラーは，接合制御では，溶接点について隙間出力部が出力した隙間が予め定めた隙間閾値以上であるときには，隙間閾値未満であるときよりも，入射点変更部により，入射点の位置を，第１の領域側とするレーザー制御を行うものであることが好ましい。隙間が大きいときほど，外縁領域におけるパワー密度を高く，中央領域におけるパワー密度を低くすることにより，接合部を適切に形成できる傾向にある。一方，隙間が小さいときほど，中央領域におけるパワー密度を高く，外縁領域におけるパワー密度を低くすることにより，接合部を適切に形成できる傾向にある。すなわち，隙間の大きさに応じたパワー密度分布形状の照射パターンを用いて，接合部を適切に形成することができるからである。
【００１９】
また，上記に記載のレーザー溶接装置において，コントローラーは，溶接線が全体として長方形であるときには，走査制御を，溶接線の長辺に位置する溶接点を開始位置として開始するものであるとともに，その開始後，溶接線に沿って一周，開始位置まで走査制御を行うものであることが好ましい。溶接線の短辺に位置する溶接点から接合部を形成するよりも，溶接線の長辺に位置する溶接点から接合部を形成する方が，接合対象部材の変形が小さくなる傾向にある。これにより，接合対象部材の変形を抑制しつつ，接合部を適切に形成することができるからである。
【００２０】
また，上記に記載のレーザー溶接装置において，出射器が，レーザー光の出射中に，出射するレーザー光の出力値であるレーザー出力値を調整できるものであることが好ましい。照射パターンにおけるパワー密度の最高値および最低値をも調整しつつ，レーザー溶接を行うことができるからである。
【発明の効果】
【００２１】
本発明によれば，よりフレキシブルな制御でレーザー溶接を行うことのできるレーザー溶接装置が提供されている。
【図面の簡単な説明】
【００２２】
【図１】第１の形態に係る電池の斜視図である。
【図２】第１の形態に係る溶接装置の概略構成図である。
【図３】第１の形態に係る溶接装置によるレーザー光の走査方法を説明するための図である。
【図４】回折光学素子およびスライド部の平面図である。
【図５】入射点が回折光学素子の形成領域内にある状態において形成される照射パターンを示す図である。
【図６】入射点が回折光学素子の形成領域と非形成領域との境界にかかっている状態において形成される照射パターンを示す図である。
【図７】入射点が回折光学素子の非形成領域内にある状態において形成される照射パターンを示す図である。
【図８】スライド部のスライド位置と，照射パターンにおけるパワー密度の割合との関係を示す図である。
【図９】スライド位置が，入射点が回折光学素子の形成領域内となるスライド位置をとっているときの照射パターンのパワー密度の割合を示す図である。
【図１０】スライド位置が，入射点が回折光学素子の形成領域と非形成領域との境界にかかるスライド位置をとっているときの照射パターンのパワー密度の割合を示す図である。
【図１１】第１の形態に係る接合制御におけるレーザー光の走査制御について説明するための電池の平面図である。
【図１２】接合制御の開始位置付近における電池の部分平面図である。
【図１３】接合制御が行われる前の直線区間における断面図である。
【図１４】接合制御が行われる前の屈曲区間における断面図である。
【図１５】実施例および比較例において形成された接合部の深さを示す図である。
【図１６】実施形態とは異なる，１つのスポットのみによって仮付け部を形成する場合を説明するための図である。
【図１７】第３の形態の隙間検出工程におけるレーザー変位計による隙間の測定状態を示す図である。
【図１８】レーザー変位計による隙間の測定結果を示す図である。
【図１９】中央スポットのパワー密度の割合と接合部の深さとの関係を，隙間の大きさごとに示す図である。
【図２０】隙間の大きさと，適切な接合部を形成することができる中央スポットのパワー密度の割合との関係を示す図である。
【図２１】隙間スライド位置テーブルを示す図である。
【図２２】第４の形態に係る溶接装置の概略構成図である。
【図２３】第４の形態に係る溶接装置の平面図である。
【図２４】第４の形態に係る接合制御におけるレーザー光の走査制御について説明するための電池の平面図である。
【図２５】変形例に係る照射パターンを示す図である。
【図２６】図２５とは異なる変形例に係る照射パターンを示す図である。
【図２７】図２６の変形例に係る照射パターンによりレーザー溶接を行う例について説明するための図である。
【図２８】図２５，図２６とは異なる変形例に係る照射パターンを示す図である
【図２９】図２８の変形例に係る照射パターンによりレーザー溶接を行う例について説明するための図である。
【図３０】回折光学素子の変形例について説明するための図である。
【発明を実施するための形態】
【００２３】
以下，本発明を具体化した最良の形態について，図面を参照しつつ詳細に説明する。
【００２４】
［第１の形態］
図１に，本形態に係るレーザー溶接の接合対象である電池１の外観における斜視図を示す。電池１は，図１に示すように，外形が扁平形状のものである。電池１は，図１に示すように，正極端子４０および負極端子５０を有している。そして，電池１は，正極端子４０および負極端子５０を介して充放電を行うことができる二次電池である。電池１としては，リチウムイオン二次電池や，ニッケル水素電池などが例示される。
【００２５】
また，電池１は，ケース本体１０を有している。ケース本体１０の内部には，充放電を行うため，正負の電極板よりなる電極体や電解液などが収容されている。ケース本体１０の上部には，内部に電極体などを収容するための開口部１１が形成されている。ケース本体１０の開口部１１は，図１においては，封口板２０により塞がれている。本形態において，ケース本体１０および封口板２０の材質はともに，アルミニウムである。
【００２６】
正極端子４０および負極端子５０は，封口板２０に設けられている。また，封口板２０には，電解液を内部に注入するための注液口を封止している注液口封止部材６０が設けられている。注液口封止部材６０は，注液口より電解液をケース本体１０の内部に注入した後に取り付けられたものである。
【００２７】
さらに，本形態の電池１において，ケース本体１０と封口板２０とは，レーザー溶接により接合されている。具体的には，ケース本体１０と封口板２０とは，ケース本体１０の開口部１１内に封口板２０をはめ込み，ケース本体１０と封口板２０との間の溶接線に沿ってレーザー光を照射するレーザー溶接を行うことで接合されている。
【００２８】
また，レーザー溶接により，ケース本体１０と封口板２０との溶接線上には一周，接合部３０が形成されている。すなわち，図１に示す電池１の外観図においては，説明のため，ケース本体１０の開口部１１（内壁面１３）と封口板２０の側面２１とを符号を付して示している。しかし，実際には，ケース本体１０の開口部１１（内壁面１３）と封口板２０の側面２１とは，これらの付近が溶融して混ざり合って形成された接合部３０となっていることにより，電池１の外側には存在していない。
【００２９】
次に，図２により，本形態のレーザー溶接を行うための溶接装置１００について説明する。図２は，レーザー光Ｌを電池１に照射する溶接装置１００の概略構成図である。図２に示すように，溶接装置１００は，レーザー発振器１１０，コリメートレンズ１２０，回折光学素子（ＤＯＥ：Ｄｉｆｆｒａｃｔｉｖｅ  Ｏｐｔｉｃａｌ  Ｅｌｅｍｅｎｔ）１３０，ガルバノスキャナ１５０，Ｆθレンズ１６０，保護レンズ１７０を有している。
【００３０】
レーザー発振器１１０は，レーザー光を発生させ，発生したレーザー光を出射することのできる出射器である。レーザー発振器１１０より出射されたレーザー光の光路には，コリメートレンズ１２０，回折光学素子１３０，ガルバノスキャナ１５０，Ｆθレンズ１６０，保護レンズ１７０が，この順で設けられている。そして，溶接装置１００は，保護レンズ１７０の下面よりレーザー光を電池１に向けて投射することのできるものである。
【００３１】
コリメートレンズ１２０は，レーザー発振器１１０より出射され，光ファイバー１１１を通じて入射したレーザー光を平行状態に調整することのできるものである。回折光学素子１３０は，レーザー光の照射パターンを調整することのできるものである。具体的には，回折光学素子１３０は，入射したレーザー光を，その入射したときとは異なるパワー密度分布形状を持つレーザー光として放射することのできるものである。図２には，回折光学素子１３０に入射する前のレーザー光を，入射光Ｌｉとして示している。そして，電池１に照射されるレーザー光Ｌは，入射光Ｌｉが回折光学素子１３０の入射点より放射された放射光である。
【００３２】
また，回折光学素子１３０は，スライド部１４０に取り付けられている。スライド部１４０は，回折光学素子１３０を，入射光Ｌｉに対して移動させるスライド移動を行うことのできるものである。回折光学素子１３０およびスライド部１４０については，後に詳述する。
【００３３】
ガルバノスキャナ１５０は，一対の反射鏡（ガルバノミラー）１５１，１５２を有している。反射鏡１５１，１５２はそれぞれ，モーターによって回転されることで角度が調整されるものである。また，Ｆθレンズ１６０は，レーザー光の走査速度が一定になるように補正するためのものである。
【００３４】
そして，ガルバノスキャナ１５０は，反射鏡１５１，１５２の回転により，レーザー光Ｌを定めた位置に正確に照射することのできるものである。つまり，ガルバノスキャナ１５０は，反射鏡１５１，１５２の回転により，任意の溶接点に向けてレーザー光Ｌを照射することができる。あるいは，複数の溶接点が連続形成された溶接線のレーザー光Ｌによる走査を，高速で行うことのできる走査部である。そして，本形態の溶接装置１００は，図３に示すように，反射鏡１５１，１５２の回転により，電池１の接合部３０の形成箇所（溶接線）に沿って一周，レーザー光Ｌを照射することができる。
【００３５】
また，溶接装置１００は，各部を制御するため，制御部１８０を有している。制御部１８０は，レーザー発振器１１０によるレーザー光の出射を制御することができる。また，制御部１８０は，スライド部１４０によるスライド移動を制御することができる。さらに，制御部１８０は，ガルバノスキャナ１５０によるレーザー光Ｌの走査を制御することができる。
【００３６】
図４に，溶接装置１００の回折光学素子１３０およびスライド部１４０の平面図を示している。図４において，入射光Ｌｉは，奥行き方向の手前より，回折光学素子１３０に入射している。また，図４には，入射光Ｌｉが入射した入射点ＬＰを示している。本形態において，入射点ＬＰは，０次元の点ではなく，ある程度の面積をもつものである。
【００３７】
また，図４に示すように，回折光学素子１３０は，形成領域１３１と非形成領域１３２とを有している。形成領域１３１は，回折光学素子１３０の中央に設けられた，外形が正方形の領域である。非形成領域１３２は，正方形の形成領域１３１を囲う，形成領域１３１の周囲の領域である。このため，回折光学素子１３０において，形成領域１３１と非形成領域１３２とは，図４に示すように隣接している。また，形成領域１３１の外形の４辺に沿って形成されている形成領域１３１と非形成領域１３２との境界のうちの１辺を，図４に境界１３３として示している。さらに，回折光学素子１３０は，形成領域１３１および非形成領域１３２においてともに，レーザー光を通過させることのできる材質により構成されている。このような回折光学素子１３０の材質として，例えば，石英ガラスを用いることができる。
【００３８】
回折光学素子１３０の形成領域１３１は，回折格子が形成されている領域である。このため，形成領域１３１は，入射光Ｌｉが入射しているとき，その入射光Ｌｉを入射点ＬＰから放射させ，照射箇所にレーザー光の回折による干渉縞によって照射パターンを形成することができる。
【００３９】
一方，本形態の回折光学素子１３０において，非形成領域１３２は，回折格子が形成されていない領域である。このため，非形成領域１３２は，入射光Ｌｉが入射しているとき，その入射光Ｌｉを入射点ＬＰに透過させ，照射箇所に照射パターンを形成することができる。なお，本形態においては，入射点ＬＰが非形成領域１３２内に存在する場合にも，その入射点ＬＰを透過したレーザー光は，入射点ＬＰから放射された放射光である。
【００４０】
スライド部１４０は，図４に示すように，可動部１４１と固定部１４２とを有している。可動部１４１は，固定されている固定部１４２に対してスライド移動を行うことができる。本形態のスライド部１４０は，可動部１４１が，回折光学素子１３０の面内において移動することができるものである。
【００４１】
また，図４に示すように，可動部１４１には，回折光学素子１３０が固定されている。よって，スライド部１４０は，回折光学素子１３０を，その面内でスライド移動させることができる。そして，本形態のスライド部１４０は，スライド移動により，図４に実線で示すスライド位置Ａから二点鎖線で示すスライド位置Ｄまでの範囲内でスライド移動を行うことができる。これにより，本形態のスライド部１４０は，回折光学素子１３０上の入射点ＬＰの位置を，移動させることができるものである。
【００４２】
図４に実線で示すスライド位置Ａは，入射光Ｌｉの入射点ＬＰが，回折光学素子１３０の形成領域１３１内の中央に位置している状態である。つまり，スライド位置Ａでは，入射光Ｌｉが，回折光学素子１３０の形成領域１３１のみに入射している。なお，例えば，スライド位置Ａからスライド位置Ｄまでのスライド移動を行う間において，入射点ＬＰ内の少なくとも一点が形成領域１３１からはみ出るまでは，入射光Ｌｉは，回折光学素子１３０の形成領域１３１のみに入射している。
【００４３】
一方，二点鎖線で示すスライド位置Ｄにおいては，入射光Ｌｉの入射点ＬＰが，回折光学素子１３０の非形成領域１３２内に位置している状態である。つまり，スライド位置Ｄでは，入射光Ｌｉが，回折光学素子１３０の非形成領域１３２のみに入射している。なお，例えば，スライド位置Ａからスライド位置Ｄまでスライド移動を行う間において，入射点ＬＰの全体が形成領域１３１よりはみ出した後には，入射光Ｌｉは，回折光学素子１３０の非形成領域１３２のみに入射している。
【００４４】
なお，スライド部１４０は，スライド位置Ａからスライド位置Ｄまでの間において，入射光Ｌｉが，回折光学素子１３０の形成領域１３１と非形成領域１３２とにともに入射した状態をとることもできる。例えば，スライド位置Ａからスライド位置Ｄまでのスライド移動において，入射点ＬＰ内の少なくとも１点が形成領域１３１よりはみ出てから入射点ＬＰが非形成領域１３２内に収まるまでの間，入射光Ｌｉは，形成領域１３１と非形成領域１３２とに入射している。つまり，入射点ＬＰが形成領域１３１と非形成領域１３２との境界１３３にかかっている状態では，入射光Ｌｉは，形成領域１３１と非形成領域１３２との双方に入射している。
【００４５】
図５，図６，図７には，入射光Ｌｉが回折光学素子１３０に入射することにより形成される照射パターンＰを示している。図５，図６，図７に示す照射パターンＰはいずれも，入射点ＬＰから放射されたレーザー光Ｌにより，レーザー光Ｌの照射箇所であるケース本体１０および封口板２０の上面に形成されるものである。
【００４６】
具体的に，図５には，入射点ＬＰが形成領域１３１内にある状態のときに形成されるレーザー光Ｌの照射パターンＰを示している。図５に示すように，入射点ＬＰが形成領域１３１内にある状態のときに形成される照射パターンＰは，斜線ハッチングにより示す外縁スポット群ＳＧを有している。外縁スポット群ＳＧは，８つの外縁スポットＳ１１，Ｓ１２，Ｓ２１，Ｓ２２，Ｓ３１，Ｓ３２，Ｓ４１，Ｓ４２により構成されている。外縁スポット群ＳＧはすべて，照射パターンＰにおける中央領域Ａ１の周囲の外縁領域Ａ２内に位置している。また，図５に示すように，入射点ＬＰが形成領域１３１内にある状態のときの照射パターンＰは，中央領域Ａ１内には，スポットが形成されていない。つまり，本形態の回折光学素子１３０の形成領域１３１は，入射光Ｌｉが入射したときに，パワー密度の最も高い箇所が外縁領域Ａ２内に位置するように放射光を放射する領域である。
【００４７】
図６には，入射点ＬＰが形成領域１３１と非形成領域１３２との境界１３３にかかっている状態のときに形成されるレーザー光Ｌの照射パターンＰを示している。図６に示すように，入射点ＬＰが境界１３３にかかっている状態のときに形成される照射パターンＰは，斜線ハッチングにより示す外縁スポット群ＳＧと，ドットハッチングにより示す中央スポットＳ０とにより構成されている。中央スポットＳ０は，照射パターンＰにおける中央領域Ａ１内に位置している。
【００４８】
図７には，入射点ＬＰが非形成領域１３２内にある状態のときに形成されるレーザー光Ｌの照射パターンＰを示している。図７に示すように，入射点ＬＰが非形成領域１３２内にある状態のときに形成される照射パターンＰは，ドットハッチングにより示す中央スポットＳ０により構成されている。また，図７に示すように，入射点ＬＰが非形成領域１３２内にある状態のときの照射パターンＰは，外縁領域Ａ２内には，スポットが形成されていない。そして，本形態において，中央領域Ａ１は，中央スポットＳ０が形成されている箇所としている。このため，本形態において，本形態の回折光学素子１３０の非形成領域１３２は，入射光Ｌｉが入射したときに，中央スポットＳ０がパワー密度の最も高い箇所となるように放射光を放射する領域である。
【００４９】
そして，斜線ハッチングにより示す外縁スポット群ＳＧは，回折光学素子１３０の形成領域１３１に入射した入射光Ｌｉにより形成されたものである。つまり，外縁スポット群ＳＧは，入射光Ｌｉが形成領域１３１において放射されたレーザー光Ｌにより形成されたものである。すなわち，本形態の回折光学素子１３０の形成領域１３１には，入射光Ｌｉを回折させた干渉縞により，外縁領域Ａ２に外縁スポット群ＳＧが形成されるような回折格子が形成されている。
【００５０】
また，形成領域１３１は，入射点ＬＰの位置に関わらず，形成領域１３１へ入射した入射光Ｌｉの１次以上の回折光によって外縁スポット群ＳＧの各スポットが形成されるように回折格子が形成されている。すなわち，入射点ＬＰが形成領域１３１の中央に位置しているときにも，入射点ＬＰが形成領域１３１の端部付近に位置しているときにも，その形成領域１３１内の入射点ＬＰから放射されたレーザー光Ｌによって外縁スポット群ＳＧの各スポットが形成される。
【００５１】
一方，ドットハッチングにより示す中央スポットＳ０は，回折光学素子１３０の非形成領域１３２に入射した入射光Ｌｉが，入射点ＬＰにおいて非形成領域１３２を透過したレーザー光Ｌ（０次光）により形成されたものである。
【００５２】
また，図５および図６に示すように，照射パターンＰにおける外縁スポット群ＳＧは，中央領域Ａ１に位置する中央スポットＳ０を中心として放射状に配置されている。具体的に，外縁スポット群ＳＧの外縁スポットＳ１１，Ｓ１２は，中央スポットＳ０の右上に配置されている。外縁スポットＳ２１，Ｓ２２は，中央スポットＳ０の右下に配置されている。外縁スポットＳ３１，Ｓ３２は，中央スポットＳ０の左下に配置されている。外縁スポットＳ４１，Ｓ４２は，中央スポットＳ０の左上に配置されている。
【００５３】
さらに，右上の外縁スポットＳ１１，Ｓ１２と，左上の外縁スポットＳ４１，Ｓ４２とは，それぞれの一方同士が中央スポットＳ０とともに，これらを頂点とする三角形が形成される位置関係で配置されている。また，右上の外縁スポットＳ１１，Ｓ１２と，右下の外縁スポットＳ２１，Ｓ２２とは，それぞれの一方同士が中央スポットＳ０とともに，これらを頂点とする三角形が形成される位置関係で配置されている。また，右下の外縁スポットＳ２１，Ｓ２２と，左下の外縁スポットＳ３１，Ｓ３２とは，それぞれの一方同士が中央スポットＳ０とともに，これらを頂点とする三角形が形成される位置関係で配置されている。また，左下の外縁スポットＳ３１，Ｓ３２と，左上の外縁スポットＳ４１，Ｓ４２とは，それぞれの一方同士が中央スポットＳ０とともに，これらを頂点とする三角形が形成される位置関係で配置されている。具体的には，例えば，外縁スポットＳ１１と，外縁スポットＳ４１とは，中央スポットＳ０とともに三角形の頂点をなす配置で設けられている。
【００５４】
加えて，右上の外縁スポットＳ１１，Ｓ１２と，右下の外縁スポットＳ２１，Ｓ２２と，左下の外縁スポットＳ３１，Ｓ３２と，左上の外縁スポットＳ４１，Ｓ４２とは，それぞれの一方ずつを頂点とした四角形が形成される位置関係で配置されている。そしてさらに，外縁スポット群ＳＧは，その四角形により，中央スポットＳ０を囲う配置とされている。
【００５５】
また，外縁スポット群ＳＧの左側の外縁スポットＳ３１，Ｓ３２，Ｓ４１，Ｓ４２と，右側の外縁スポットＳ１１，Ｓ１２，Ｓ２１，Ｓ２２との間には，隙間が設けられている。さらに，外縁スポット群ＳＧの上側の外縁スポットＳ１１，Ｓ１２，Ｓ４１，Ｓ４２と，下側の外縁スポットＳ２１，Ｓ２２，Ｓ３１，Ｓ３２との間にも，隙間が設けられている。これら外縁スポット群ＳＧにおける左側と右側との隙間，および，上側と下側との隙間はともに，後述する溶接線における隙間以上の間隔とされている。
【００５６】
なお，照射パターンＰにおける中央スポットＳ０および外縁スポット群ＳＧの各スポットはいずれも，０次元の点ではなく，ある程度の面積をもつものである。また，本形態では，外縁スポット群ＳＧの各スポットはいずれも，中央スポットＳ０と同じ面積のものである。つまり，外縁スポット群ＳＧの各スポットの面積の合計は，中央スポットＳ０の面積の８倍である。
【００５７】
そして，本形態のスライド部１４０は，スライド移動により，照射パターンＰを，図５，図６，図７のそれぞれに示すように切り替えることができる。すなわち，スライド部１４０は，回折光学素子１３０上の入射光Ｌｉの入射点ＬＰを異なる位置とし，照射パターンＰにおける外縁スポット群ＳＧおよび中央スポットＳ０をそれぞれ，形成された状態または形成されていない状態とすることができる。これにより，照射パターンＰを異なるものとすることができる。
【００５８】
また，図８は，スライド部１４０のスライド位置と，パワー密度との関係を示したグラフ図である。図８の横軸には，スライド部１４０のスライド位置を示している。また，図８の縦軸には，パワー密度の割合を示している。
【００５９】
さらに，図８には，外縁スポット群ＳＧのパワー密度の割合のグラフを実線により，中央スポットＳ０のパワー密度の割合のグラフを破線により示している。なお，実線で示す外縁スポット群ＳＧのパワー密度の割合のグラフについては，外縁スポット群ＳＧを構成する８個のスポットのうちの１つのスポットについてのパワー密度の割合を示している。
【００６０】
また，図８に示すように，横軸における左端を，スライド部１４０が，スライド位置Ａに位置しているときとしている。一方，横軸における右端を，スライド部１４０が，スライド位置Ｄに位置しているときとしている。さらに，横軸に示すスライド位置Ｂは，入射点ＬＰが形成領域１３１内に位置している状態と，入射点ＬＰが境界１３３にかかっている状態との境目にスライド部１４０が位置しているときである。
【００６１】
すなわち，スライド位置Ｂより左側の入射点ＬＰが形成領域１３１内に位置している状態の範囲内においては，図５に示す照射パターンＰが形成される。また，スライド位置Ｂより右側の入射点ＬＰが境界１３３にかかっている状態の範囲内においては，図６に示す照射パターンＰが形成される。つまり，図８の入射点ＬＰが境界１３３にかかっている状態の範囲内におけるスライド位置Ｃでは，図６に示す照射パターンＰが形成される。さらに，入射点ＬＰが非形成領域１３２内に位置している状態であるスライド位置Ｄにおいては，図７に示す照射パターンＰが形成される。
【００６２】
図８のグラフに示すように，外縁スポット群ＳＧのパワー密度は，スライド位置Ａからスライド位置Ｂまでの範囲内において，最大である。スライド位置Ａからスライド位置Ｂまでの範囲内では，どのスライド位置にスライド部１４０が位置していても，入射光Ｌｉが，回折光学素子１３０の形成領域１３１のみに入射しているからである。また，スライド位置Ａからスライド位置Ｂまでの範囲内において，外縁スポット群ＳＧの１つのスポットのパワー密度の割合は，外縁スポット群ＳＧが８個のスポットから構成されているため，約１２．５％である。
【００６３】
また，外縁スポット群ＳＧのパワー密度は，スライド位置Ｂからスライド位置Ｄにかけて低下し，スライド位置Ｄでは０となっている。スライド位置Ｄに近づくほど，入射点ＬＰと形成領域１３１とが重なる領域の面積が小さくなるからである。これにより，形成領域１３１内に入射する入射光Ｌｉの割合が小さくなるからである。また，スライド位置Ｄでは，入射点ＬＰのすべてが回折光学素子１３０の形成領域１３１外に位置しており，入射光Ｌｉが形成領域１３１内に入射していないからである。
【００６４】
一方，中央スポットＳ０のパワー密度は，スライド位置Ａからスライド位置Ｂまでの範囲内において，０である。スライド位置Ａからスライド位置Ｂまでの範囲内では，入射点ＬＰのすべてが回折光学素子１３０の非形成領域１３２外に位置しており，入射光Ｌｉが非形成領域１３２内に入射していないからである。そして，中央スポットＳ０のパワー密度は，スライド位置Ｂからスライド位置Ｄにかけて上昇し，スライド位置Ｄで最大の１００％となっている。スライド位置Ｄに近づくほど，入射点ＬＰと非形成領域１３２とが重なる領域の面積が大きくなるからである。これにより，非形成領域１３２に入射する入射光Ｌｉの割合が高くなるからである。また，スライド位置Ｄでは，入射点ＬＰのすべてが回折光学素子１３０の非形成領域１３２内に位置しており，入射光Ｌｉが非形成領域１３２のみに入射しているからである。
【００６５】
そして，図８からわかるように，本形態の溶接装置１００は，スライド部１４０のスライド移動により，照射パターンＰにおける外縁スポット群ＳＧのパワー密度と中央スポットＳ０のパワー密度との割合を制御することができる。これにより，溶接装置１００は，照射パターンＰにおけるパワー密度分布形状を異なるものとすることができる。
【００６６】
具体的に，例えば，図９には，スライド部１４０がスライド位置Ａに位置しているときの照射パターンＰの各スポットにおけるパワー密度の割合を示している。図９に示すように，外縁スポット群ＳＧの各スポットにおけるパワー密度の割合はそれぞれ，前述したように，外縁スポット群ＳＧが８個のスポットから構成されていることにより，約１２．５％である。また，図９から，スライド位置Ａに係る照射パターンＰには，中央スポットＳ０が表れていないことがわかる。つまり，中央スポットＳ０の位置におけるパワー密度が０％であることがわかる。
【００６７】
一方，図１０には，スライド部１４０がスライド位置Ｃに位置しているときの照射パターンＰの各スポットにおけるパワー密度の割合を示している。図１０に示すように，スライド位置Ｃでは，図９に示すスライド位置Ａとは異なり，中央スポットＳ０が表れている。また，中央スポットＳ０のパワー密度の割合は，最もパワー密度が高いものとなっている。なお，スライド位置Ｃでは，スライド位置Ａのときよりも，外縁スポット群ＳＧにおける各スポットのパワー密度の割合が低下している。これは，スライド位置Ｃでは，スライド位置Ａのときよりも，入射点ＬＰと形成領域１３１とが重なる領域の面積が小さくなっていることにより，形成領域１３１に入射する入射光Ｌｉの割合が低くなっているからである。
【００６８】
そして，図９と図１０では，パワー密度分布形状が異なることがわかる。具体的に，図９に示すスライド位置Ａに係る照射パターンＰのパワー密度分布形状は，中央スポットＳ０におけるパワー密度が０％であり，外縁スポット群ＳＧの各スポットにおけるパワー密度が約１２．５％であるものである。これに対し，スライド位置Ｃに係る照射パターンＰのパワー密度分布形状は，中央スポットＳ０におけるパワー密度が約１４％であり，外縁スポット群ＳＧの各スポットにおけるパワー密度が約１０．７５％であるものである。
【００６９】
よって，スライド部１４０がスライド移動によってスライド位置Ａからスライド位置Ｃへと移動したとき，照射パターンＰのパワー密度分布形状は異なるものとなる。また反対に，スライド部１４０がスライド移動によってスライド位置Ｃからスライド位置Ａへと移動したときにも，照射パターンＰのパワー密度分布形状は異なるものとなる。すなわち，本形態の溶接装置１００は，レーザー光Ｌの照射中に，スライド部１４０のスライド移動により，照射パターンＰのパワー密度分布形状を異なるものとすることができる。
【００７０】
なお，照射パターンＰのパワー密度分布形状が異なるものとなる場合は，スライド部１４０のスライド移動により，入射点ＬＰが形成領域１３１内に位置する状態と，入射点ＬＰが境界１３３にかかっている状態との一方から他方へ変更されたときに限らない。つまり，スライド部１４０によるスライド移動を，入射点ＬＰが境界１３３にかかっている状態の範囲内で行ったときにも，照射パターンＰのパワー密度分布形状は異なるものとなる。すなわち，入射点ＬＰの位置を，入射点ＬＰが境界１３３にかかっている状態の範囲内で変更させたときには，照射パターンＰの各スポットの配置は変わらないものの，パワー密度分布形状については異なるものとすることができる。つまり，本形態の溶接装置１００は，スライド部１４０により，入射点ＬＰ内の少なくとも１点が回折光学素子１３０の境界１３３を横切るように移動させることで，照射パターンＰのパワー密度分布形状を異なるものとすることができる。これにより，本形態の溶接装置１００は，照射パターンＰのパワー密度分布形状を，フレキシブルに制御できるものである。
【００７１】
そして，本形態では，上記の溶接装置１００を用いて，接合工程を行うことにより電池１に接合部３０（図１）を形成する。また，溶接装置１００の制御部１８０は，接合工程では，レーザー発振器１１０にレーザー光を出射させる接合制御を行う。また，本形態の制御部１８０は，接合制御中に，スライド部１４０にスライド移動を行わせる。さらに，本形態の制御部１８０は，接合制御では，ガルバノスキャナ１５０に，レーザー光を，溶接線に沿って走査させる走査制御をも行う。
【００７２】
図１１は，接合工程前における電池１の平面図である。図１１に示す電池１では，接合部３０（図１）は，まだ，形成されていない。図１１は，ケース本体１０の開口部１１に封口板２０が挿入された状態である。このため，ケース本体１０の開口部１１の内壁面１３と封口板２０の側面２１とが対面している状態である。そして，本形態の接合工程では，ケース本体１０の内壁面１３と封口板２０の側面２１とが対面してなる対面箇所７０の溶接線８０に沿ってレーザー溶接を行う。
【００７３】
なお，図１１に示すように，接合工程前の対面箇所７０には，ケース本体１０の開口部１１の内壁面１３と封口板２０の側面２１との間に隙間Ｇが存在している。この隙間Ｇは，ケース本体１０の開口部１１に封口板２０を円滑に挿入するためのものである。
【００７４】
また，図１１に示すように，扁平形状の電池１は，左右方向であるＸ軸方向を長手方向とし，上下方向であるＹ軸方向を短手方向とするものである。このため，溶接線８０は，Ｘ軸方向を長手方向とし，Ｙ軸方向を短手方向とする，全体として長方形をしているものである。また，溶接線８０には，ともにＸ軸方向に平行に延びる直線区間である長手区間Ｘ１，Ｘ２がある。さらに，溶接線８０には，ともにＹ軸方向に平行に延びる直線区間である短手区間Ｙ１，Ｙ２がある。加えて，溶接線８０には，上記の直線区間の間を繋ぐ屈曲区間Ｒ１，Ｒ２，Ｒ３，Ｒ４がある。
【００７５】
そして，本形態の接合工程では，溶接装置１００を用い，短手区間Ｙ１上に示す開始位置Ｔから時計回りに一周，溶接線８０をレーザー光によって走査するレーザー溶接により行う。そのため，制御部１８０は，レーザー発振器１１０にレーザー光を出射させる接合制御を行い，その接合制御において，ガルバノスキャナ１５０に溶接線８０に沿ってレーザー光を走査させる走査制御を行う。なお，開始位置Ｔは，溶接線８０上に複数連なる溶接点のうちの１つである。
【００７６】
制御部１８０は，走査制御では，ガルバノスキャナ１５０に短手区間Ｙ１に沿って開始位置ＴからＹ軸の正方向の向きである矢印ＹＷ１の向きにレーザー光を走査させる正短手走査制御を行う。また，走査制御では，ガルバノスキャナ１５０に長手区間Ｘ１に沿ってＸ軸の正方向の向きである矢印ＸＷ１の向きにレーザー光を走査させる正長手走査制御を行う。さらに，走査制御では，ガルバノスキャナ１５０に短手区間Ｙ２に沿ってＹ軸の負方向の向きである矢印ＹＷ２の向きにレーザー光を走査させる負短手走査制御を行う。加えて，走査制御では，ガルバノスキャナ１５０に長手区間Ｘ２に沿ってＸ軸の負方向の向きである矢印ＸＷ２の向きにレーザー光を走査させる負長手走査制御を行う。
【００７７】
なお，上記の最初の正短手走査制御においては，短手区間Ｙ１のうちの開始位置Ｔよりも長手区間Ｘ２側にレーザー光が照射されていない。このため，走査制御では，負長手走査制御の後，短手区間Ｙ１のうちの開始位置Ｔよりも長手区間Ｘ２側にレーザー光を照射するため，再度，その区間に矢印ＹＷ１の向きにレーザー光を走査させる正短手走査制御を行う。
【００７８】
また，制御部１８０は，正短手走査制御，正長手走査制御，負短手走査制御，負長手走査制御，正短手走査制御の各間に，ガルバノスキャナ１５０に屈曲区間Ｒ１，Ｒ２，Ｒ３，Ｒ４に沿ってそれぞれレーザー光を走査させる第１から第４までの屈曲走査制御を行う。すなわち，本形態の制御部１８０は，走査制御では，正短手走査制御，第１屈曲走査制御，正長手走査制御，第２屈曲走査制御，負短手走査制御，第３屈曲走査制御，負長手走査制御，第４屈曲走査制御，正短手走査制御を，この順で行う。
【００７９】
なお，走査制御の終了位置付近は，開始位置Ｔ付近と適度にラップさせておくことが好ましい。ケース本体１０と封口板２０とを，溶接線８０に沿って切れ目なく接合することができるからである。そのため，２回目の正短手走査制御では，開始位置Ｔに到達した後にも引き続き，ガルバノスキャナ１５０に適度にレーザー光の走査を行わせることが好ましい。
【００８０】
また，本形態の接合制御においては，レーザー光の照射パターンＰとして，図５および図６のものを用いる。また，図５および図６にはそれぞれ，Ｘ軸およびＹ軸を示している。そして，本形態の溶接装置１００は，図５および図６に示す照射パターンＰを，図１１に示す電池１と，Ｘ軸およびＹ軸が合わさる回転位置で照射する。すなわち，溶接装置１００は，電池１と照射パターンＰとの回転位置が各走査制御においていずれも同じ回転位置となるようにレーザー光の照射を行う。さらに具体的には，図５に示す照射パターンＰを用いるときには，スライド部１４０にスライド位置Ａをとらせる。また，図６に示す照射パターンＰを用いるときには，スライド部１４０にスライド位置Ｃをとらせる。また，本形態では，いずれの照射パターンＰが形成されている場合にも，照射パターンＰの中央領域Ａ１の中心に，溶接線８０が通るようにする。
【００８１】
図１２は，電池１の開始位置Ｔ付近の部分の平面図である。また，図１２には，溶接線８０に沿って照射されるレーザー光の，各位置での照射パターンＰを示している。すなわち，まず，接合制御を開始する開始位置Ｔにおいて，制御部１８０は，スライド部１４０にスライド位置Ａをとらせ，開始位置Ｔに外縁スポット群ＳＧのみの照射パターンＰを形成する。
【００８２】
そして，図１２に示すように，開始位置Ｔにおける外縁スポット群ＳＧは，ケース本体１０上および封口板２０上に形成されている。具体的には，開始位置Ｔにおける外縁スポット群ＳＧの外縁スポットＳ３１，Ｓ３２，Ｓ４１，Ｓ４２はケース本体１０上に，外縁スポットＳ１１，Ｓ１２，Ｓ２１，Ｓ２２は封口板２０上にそれぞれ形成されている。
【００８３】
また，本形態の制御部１８０は，接合制御の開始後，予め定めた初期時間が経過するまで，スライド部１４０にスライド位置Ａをとらせ，初期時間が経過したときに，スライド部１４０にスライド位置Ｃまで移動するスライド移動を行わせる。すなわち，初期時間の経過後には，初期時間の経過前よりも，回折光学素子１３０上の入射点ＬＰの位置を，非形成領域１３２側とする。換言すれば，初期時間の経過後には，初期時間の経過前よりも，入射点ＬＰのうち，回折光学素子１３０の形成領域１３１にかかっている面積を小さくする。これにより，初期時間が経過するまで開始位置Ｔの位置にスライド位置Ａに係る照射パターンＰを照射し，初期時間の経過後，スライド位置Ｃに係る照射パターンＰを照射する。また，制御部１８０は，スライド部１４０のスライド移動を，レーザー発振器１１０によるレーザー光の出射を停止することなく行う。これにより，本形態の溶接装置１００は，短時間で照射パターンＰのパワー密度分布形状の変更を行うことができ，レーザー溶接に要する時間を短縮することができる。
【００８４】
さらに，制御部１８０は，初期時間が経過したときに，スライド部１４０にスライド位置Ａからスライド位置Ｃへのスライド移動を行わせるとともに，ガルバノスキャナ１５０によりレーザー光の走査を開始させる。すなわち，正短手走査制御を開始する。そして，図１２に示すように，開始位置Ｔよりも矢印ＹＷ１の向きに進んだ短手区間Ｙ１の終点付近に示す照射パターンＰでは，外縁スポット群ＳＧに加え，中央スポットＳ０が形成されている。また，中央スポットＳ０は，溶接線８０上に形成されている。
【００８５】
また，接合制御では，スライド部１４０にスライド位置Ｃをとらせつつ，前述の正短手走査制御，第１屈曲走査制御，正長手走査制御，第２屈曲走査制御，負短手走査制御，第３屈曲走査制御，負長手走査制御，第４屈曲走査制御，正短手走査制御をこの順で行う。これにより，接合工程では，溶接線８０に沿って一周，レーザー溶接を行うことができる。
【００８６】
ここで，図１３には，短手区間Ｙ１，Ｙ２および長手区間Ｘ１，Ｘ２における断面図を示している。図１３からわかるように，隙間Ｇが存在している状態で，その隙間Ｇにレーザー光Ｌが照射された場合には，レーザー光Ｌが隙間Ｇを通過してしまうレーザー抜けが生じてしまうおそれがある。そして，レーザー抜けが生じた場合には，ケース本体１０の内部に収容されている電極体などが損傷してしまうおそれがある。
【００８７】
そこで，本形態では，まず，開始位置Ｔにおいて，スライド部１４０にスライド位置Ａをとらせた状態で，接合制御を開始している。前述したように，スライド位置Ａにおいては，ケース本体１０上および封口板２０上にレーザー光が照射され，溶接線８０上に存在する隙間Ｇの位置にレーザー光が照射されることはない。よって，スライド部１４０にスライド位置Ａをとらせている初期時間が経過するまで，照射パターンＰに係るレーザー光のレーザー抜けが生じることがないようにされている。
【００８８】
また，本形態において，初期時間は，外縁スポット群ＳＧにより形成された溶融部が隙間Ｇに到達し，その溶融部によって隙間Ｇが塞がれる程度の時間としている。この初期時間については，予め実験などを行うことにより，定めておくことができる。
【００８９】
よって，初期時間の経過後，スライド部１４０にスライド位置Ｃをとらせ，中央スポットＳ０が溶接線８０上に形成されるときには，その中央スポットＳ０の位置に溶融部が存在していることで隙間Ｇがなくなっている。すなわち，初期時間が経過した後，スライド部１４０にスライド位置Ｃをとらせたときにも，照射パターンＰに係るレーザー光のレーザー抜けが生じることがないようにされている。
【００９０】
また，初期時間の経過後の正短手走査制御では，溶接線８０上の溶接点に，中央スポットＳ０とともに三角形の頂点をなす第１，第２外縁スポットの間，中央スポットＳ０をこの順で通過させている。具体的には，正短手走査制御では，溶接線８０上の溶接点に，まず，第１外縁スポットである外縁スポットＳ１１，Ｓ１２と，第２外縁スポットである外縁スポットＳ４１，Ｓ４２との間を通過させている。そして，外縁スポットＳ１１，Ｓ１２と，外縁スポットＳ４１，Ｓ４２との間が通過した溶接線８０上の溶接点に，中央スポットＳ０が通過するようにしている。つまり，正短手走査制御を行う際には，その矢印ＹＷ１の向きの走査方向における中央スポットＳ０よりも前方の位置に，外縁スポットＳ１１，Ｓ１２，Ｓ４１，Ｓ４２が形成されている。さらに，外縁スポットＳ４１，Ｓ４２は中央スポットＳ０の前方におけるケース本体１０上に，外縁スポットＳ１１，Ｓ１２は中央スポットＳ０の前方における封口板２０上にそれぞれ形成されている。
【００９１】
これにより，正短手走査制御では，外縁スポットＳ４１，Ｓ４２により中央スポットＳ０の前方におけるケース本体１０を溶融させるとともに，外縁スポットＳ１１，Ｓ１２により中央スポットＳ０の前方における封口板２０を溶融させることができる。よって，正短手走査制御では，中央スポットＳ０の前方の隙間Ｇを塞ぎつつ，レーザー光の走査を行うことができる。よって，初期時間の経過後の正短手走査制御においても，照射パターンＰに係るレーザー光のレーザー抜けが生じることがないようにされている。
【００９２】
また，その他の直線区間における走査制御である正長手走査制御，負短手走査制御，負長手走査制御においても，上記の正短手走査制御と同様である。すなわち，例えば，正長手走査制御では，溶接線８０上の溶接点に，まず，中央スポットＳ０とともに三角形の頂点をなす第１外縁スポットである外縁スポットＳ１１，Ｓ１２と，第２外縁スポットである外縁スポットＳ２１，Ｓ２２との間を通過させている。そして，外縁スポットＳ１１，Ｓ１２と，外縁スポットＳ２１，Ｓ２２との間を通過した溶接線８０上の溶接点に，中央スポットＳ０が通過するようにしている。つまり，正長手走査制御でも，レーザー光の走査方向について，中央スポットＳ０の前方の位置に，外縁スポットＳ１１，Ｓ１２，Ｓ２１，Ｓ２２が形成される。さらに，正長手走査制御では，外縁スポットＳ１１，Ｓ１２がケース本体１０上に，外縁スポットＳ２１，Ｓ２２が封口板２０上に形成される。これにより，いずれの直線区間においても，照射パターンＰに係るレーザー光のレーザー抜けが生じることがないようにされている。
【００９３】
さらに，本形態の正短手走査制御では，溶接線８０上の溶接点に，まず，中央スポットＳ０を囲う四角形の頂点をなす外縁スポットのうちの隣り合う２つの第１，第２外縁スポットの間を通過させている。次に，第１，第２外縁スポットの間が通過した溶接線８０上の溶接点に，中央スポットＳ０を通過させている。続いて，中央スポットＳ０が通過した溶接線８０上の溶接点に，四角形の頂点をなす外縁スポットのうちの第１，第２外縁スポット以外の第３，第４外縁スポットの間を通過させている。具体的には，正短手走査制御では，溶接線８０上の溶接点に，まず，第１外縁スポットである外縁スポットＳ１１，Ｓ１２と，第２外縁スポットである外縁スポットＳ４１，Ｓ４２との間を通過させている。次に，外縁スポットＳ１１，Ｓ１２と，外縁スポットＳ４１，Ｓ４２との間が通過した溶接線８０上の溶接点に，中央スポットＳ０を通過させている。続いて，中央スポットＳ０が通過した溶接線８０上の溶接点に，第３外縁スポットである外縁スポットＳ２１，Ｓ２２と，第４外縁スポットである外縁スポットＳ３１，Ｓ３２との間を通過させている。つまり，正短手走査制御を行う際には，中央スポットＳ０よりも前方の位置に外縁スポットＳ１１，Ｓ１２，Ｓ４１，Ｓ４２が，中央スポットＳ０よりも後方の位置に外縁スポットＳ２１，Ｓ２２，Ｓ３１，Ｓ３２が形成されている。さらに，外縁スポットＳ３１，Ｓ３２は中央スポットＳ０の後方におけるケース本体１０上に，外縁スポットＳ２１，Ｓ２２は中央スポットＳ０の後方における封口板２０上にそれぞれ形成されている。
【００９４】
これにより，正短手走査制御では，外縁スポットＳ３１，Ｓ３２により中央スポットＳ０の後方におけるケース本体１０の温度が急激に低下してしまうことを抑制することができる。また，外縁スポットＳ２１，Ｓ２２により中央スポットＳ０の後方における封口板２０の温度が急激に低下してしまうことを抑制することができる。よって，正短手走査制御では，中央スポットＳ０が通過して形成された溶融部の急激な温度低下を抑制することにより，クラックなどの発生を抑制しつつレーザー光の走査を行うことができる。すなわち，中央スポットＳ０の前方の外縁スポットによってレーザー抜けを抑制するとともに，中央スポットＳ０の後方の外縁スポットによってクラックなどの発生を抑制することができる。
【００９５】
また，その他の直線区間における走査制御である正長手走査制御，負短手走査制御，負長手走査制御においても，上記の正短手走査制御と同様である。すなわち，例えば，正長手走査制御では，溶接線８０上の溶接点に，まず，第１外縁スポットである外縁スポットＳ１１，Ｓ１２と，第２外縁スポットである外縁スポットＳ２１，Ｓ２２との間を通過させている。そして，外縁スポットＳ１１，Ｓ１２と，外縁スポットＳ２１，Ｓ２２との間が通過した溶接線８０上の溶接点に，中央スポットＳ０を通過させている。続いて，中央スポットＳ０が通過した溶接線８０上の溶接点に，第３外縁スポットである外縁スポットＳ３１，Ｓ３２と，第４外縁スポットである外縁スポットＳ４１，Ｓ４２との間を通過させている。つまり，中央スポットＳ０よりも前方の位置に外縁スポットＳ１１，Ｓ１２，Ｓ２１，Ｓ２２が，中央スポットＳ０よりも後方の位置に外縁スポットＳ３１，Ｓ３２，Ｓ４１，Ｓ４２が形成されている。さらに，外縁スポットＳ４１，Ｓ４２は中央スポットＳ０の後方におけるケース本体１０上に，外縁スポットＳ３１，Ｓ３２は中央スポットＳ０の後方における封口板２０上にそれぞれ形成されている。これにより，いずれの直線区間においても，照射パターンＰに係るレーザー光のレーザー抜けを抑制するとともに，溶融部の急激な温度低下の抑制によってクラックなどが生じることがないようにされている。
【００９６】
また，本形態の正短手走査制御，正長手走査制御，負短手走査制御，負長手走査制御では，前述したように，スライド部１４０にスライド位置Ｃをとらせていることにより，接合部３０を形成する溶接線８０上に高いパワー密度のレーザー光を照射することができる。そして，短時間で深さの深い溶融部を形成することができる。よって，正短手走査制御，正長手走査制御，負短手走査制御，負長手走査制御では，レーザー光の走査速度を速くすることができる。よって，本形態では，レーザー抜けによる不良の発生を抑制しつつ，接合工程におけるレーザー溶接を短時間で行うことができる。
【００９７】
なお，図１２に示すように，屈曲区間Ｒ１では，レーザー光の走査方向における先頭に位置する外縁スポット群ＳＧの外縁スポットＳ１２が，隙間Ｇを横切ることとなる。そこで，屈曲区間Ｒ１では，図１４の断面図に示すように，ケース本体１０の開口部１１の内壁面１３よりも下側に，内壁面１３よりも内側に向けて出っ張っている支持面１２が設けられている。支持面１２は，ケース本体１０の開口部１１内にはめ込まれた封口板２０の内面２２を受けるための面である。
【００９８】
このため，屈曲区間Ｒ１では，外縁スポット群ＳＧの外縁スポットＳ１２に係るレーザー光Ｌが隙間Ｇに進入したとしても，その進入したレーザー光Ｌがケース本体１０の支持面１２に照射されることとなる。これにより，本形態では，屈曲区間Ｒ１においても，照射パターンＰに係るレーザー光のレーザー抜けが生じることがないようにされている。
【００９９】
この点，屈曲区間Ｒ１以外の屈曲区間Ｒ２，Ｒ３，Ｒ４についても同様である。すなわち，屈曲区間Ｒ２，Ｒ３，Ｒ４についても，レーザー光の走査方向における先頭に位置する外縁スポット群ＳＧのスポットが，隙間Ｇを横切ることとなる。よって，屈曲区間Ｒ２，Ｒ３，Ｒ４についても，図１４の断面図に示すように，ケース本体１０の開口部１１の内壁面１３よりも下側に，内壁面１３よりも内側に向けて出っ張っている支持面１２が設けられている。これにより，屈曲区間Ｒ２，Ｒ３，Ｒ４においても，照射パターンＰに係るレーザー光のレーザー抜けが生じることがないようにされている。
【０１００】
なお，上記では，接合制御を開始してから初期時間が経過するまでレーザー光の走査を行っておらず，初期時間の経過後にレーザー光の走査を開始している。しかし，初期時間が経過する前にレーザー光の走査を開始することも可能である。
【０１０１】
ただし，スライド部１４０にスライド位置Ａをとらせているときには，溶接線８０上に中央スポットＳ０が形成されないため，スライド部１４０にスライド位置Ｃをとらせているときよりも，十分な深さの溶融部を形成するために長い時間を要する傾向にある。このため，初期時間が経過する前にレーザー光の走査を開始する場合には，その初期時間の経過前のレーザー光の走査速度を，初期時間の経過後よりも，遅くすることが好ましい。
【０１０２】
一方，初期時間が経過し，スライド部１４０にスライド位置Ｃまでスライド移動させた後には，その前よりも，レーザー光の走査速度を速くすることが好ましい。接合制御を短時間で行うことができるからである。すなわち，溶接装置１００では，接合制御を短時間で行うため，スライド部１４０にスライド位置Ｃをとらせている間は，スライド位置Ａをとらせている間よりも，レーザー光の走査速度を速くすることが好ましい。
【０１０３】
さらに，レーザー光の走査を開始した後にスライド部１４０にスライド位置Ａからスライド位置Ｃまでスライド移動させる場合には，一旦，スライド移動前にレーザー光の走査を停止し，スライド移動後にレーザー光の走査を再開させてもよい。しかし，レーザー光を走査しつつスライド部１４０にスライド位置Ａからスライド位置Ｃまでスライド移動させることが好ましい。レーザー光の走査を停止することで，その停止している時間分，接合制御に要する時間が長くなる。よって，レーザー光を走査しつつ入射点ＬＰの変更を行うことで，接合制御に要する時間を短くすることができるからである。
【０１０４】
また，本形態では，直線区間におけるケース本体１０のどの箇所にも，図１４の断面図に示すような支持面１２を設けておく必要がない。このため，本形態では，ケース本体１０として，直線区間に支持面１２のような出っ張りのない単純な形状のものを用いることができる。そして，例えば，ケース本体１０を金型を用いて成形する場合には，その金型を安価に製作することができる。
【０１０５】
また，溶接線８０上に支持面１２が設けられた箇所と支持面１２が設けられていない箇所とが存在する場合，その支持面１２が設けられた箇所と支持面１２が設けられていない箇所とに，接合部３０が均一に形成されないことがある。支持面１２が設けられた箇所と支持面１２が設けられていない箇所とでは，熱容量が異なったものとなるからである。すなわち，本形態では，直線区間である長手区間Ｘ１，Ｘ２および短手区間Ｙ１，Ｙ２に，接合部３０を均一に形成することができる。
【０１０６】
また，封口板２０の上面には，図１３および図１４に二点鎖線で示すように，溝２３を形成しておくことが好ましい。また，溝２３は，封口板２０の上面に，側面２１に沿って一周，形成しておくことが好ましい。接合制御において照射されたレーザー光によって封口板２０に与えられた熱量が，封口板２０の内側へと伝達してしまうことを抑制することができるからである。すなわち，レーザー光によって封口板２０の側面２１の付近を適切に加熱し，溶融させることができるからである。
【０１０７】
また，上記においては，接合制御を開始し，初期時間が経過するまで，スライド部１４０にスライド位置Ａをとらせている。しかし，初期時間を経過するまでのスライド部１４０には，スライド位置Ａに限らず，入射点ＬＰが形成領域１３１内に位置している状態となるスライド位置をとらせておけばよい。入射点ＬＰが形成領域１３１内に位置している状態では，照射されるレーザー光の照射パターンＰのパワー密度分布形状が，スライド部１４０がスライド位置Ａをとっているときのものと同じだからである。
【０１０８】
また，上記においては，初期時間の経過後，スライド部１４０にスライド位置Ｃをとらせている。しかし，初期時間を経過後のスライド部１４０には，スライド位置Ｃに限らず，入射点ＬＰが境界１３３にかかっている状態の範囲内のスライド位置をとらせておけばよい。すなわち，形成される照射パターンＰにおけるパワー密度分布形状が，スライド位置Ｃよりも好ましいスライド位置がある場合には，当然，そのスライド位置をとらせることが好ましい。
【０１０９】
また，接合制御は，ケース本体１０を固定した状態で実行することが好ましい。ケース本体１０を固定しておくことで，溶接線８０に沿って正確に，レーザー光を走査することができるからである。また，ケース本体１０の固定は，ケース本体１０の外側の側面を，図１１におけるＸ軸方向およびＹ軸方向より挟み込むことで行うことができる。
【０１１０】
さらに本形態の溶接装置１００では，回折光学素子１３０として，形成領域１３１と非形成領域１３２とを有するものを用いている。そして，入射点ＬＰが形成領域１３１内に位置する状態と，入射点ＬＰが境界１３３にかかっている状態とにより，それぞれ異なるパワー密度分布形状の照射パターンＰを形成している。つまり，本形態では，複数の異なるパワー密度分布形状の照射パターンＰを形成することのできる回折光学素子１３０を，回折格子を形成する領域を小さなものとしつつ実現している。これにより，回折光学素子１３０を，安価なものとすることができている。
【０１１１】
また，スライド部１４０がスライド位置Ａをとっているときには，中央領域Ａ１の中央スポットＳ０よりも，外縁領域Ａ２の外縁スポット群ＳＧに，パワー密度の高い放射光を放射することができる。スライド部１４０がスライド位置Ｃをとっているときには，照射箇所における外縁領域Ａ２の外縁スポット群ＳＧよりも，中央領域Ａ１の中央スポットＳ０に，パワー密度の高い放射光を放射することができる。つまり，スライド部１４０にスライド位置Ａをとらせることにより，外縁領域Ａ２における溶融量を多くすることができている。一方，スライド部１４０にスライド位置Ｃをとらせることにより，中央領域Ａ１における溶融量を多くすることができている。すなわち，本形態では，中央領域Ａ１における溶融量を多くするときと，外縁領域Ａ２における溶融量を多くするときとを使い分けつつ，レーザー溶接を行うことができている。
【０１１２】
また，本発明者は，以下の実験を行うことにより，本形態に係る溶接装置１００による接合制御の効果の確認を行った。本実験では，本形態に係る実施例と，本形態とは異なる比較例１，２とを行った。
【０１１３】
すなわち，実施例および比較例１，２ではいずれも，上記の電池１における短手区間Ｙ１についてそれぞれ異なる接合制御を行うことによりレーザー溶接を行った。実施例は，接合制御を，初期時間を経過するまではスライド部１４０にスライド位置Ａをとらせ，初期時間の経過後にはスライド部１４０にスライド位置Ｃをとらせることにより実施した。すなわち，実施例では，接合制御を，スライド部１４０により，入射点ＬＰ内の少なくとも一点が，境界１３３を横切るように移動させつつ実施した。また，実施例の接合制御においては，初期時間が経過するまではレーザー光の走査を行わず，初期時間の経過後，レーザー光の走査を開始した。
【０１１４】
一方，比較例１は，接合制御を，その開始から終了まで，スライド部１４０にスライド位置Ａをとらせて実施した。また，比較例２は，接合制御を，その開始から終了まで，スライド部１４０にスライド位置Ｃをとらせて実施した。すなわち，比較例１，２ではともに，接合制御を，スライド部１４０にスライド移動を行わせず，入射点ＬＰを回折光学素子１３０に対して固定しつつ実施した。なお，比較例１，２においても，実施例と同様に，初期時間が経過するまではレーザー光の走査を行わず，初期時間の経過後，レーザー光の走査を開始した。
【０１１５】
図１５に，本実験の結果を示している。図１５において，横軸は，短手区間Ｙ１の位置を示している。横軸における右側の位置ほど，レーザー光の走査方向における下流側である。横軸には，接合制御の開始した開始位置Ｔを示している。また，縦軸は，レーザー光の照射により形成された接合部の深さを示している。接合部の深さは，実施例および比較例１，２の各接合制御の実施後，それぞれ形成された接合部の断面観察を行うことにより取得したものである。
【０１１６】
そして，図１５に示すように，実施例では，接合制御を実施した短手区間Ｙ１の全域において，比較例１，２のいずれよりも，深さが深い接合部が形成されていることがわかる。すなわち，実施例では，まず，接合制御が開始されたときの初期時間において，外縁スポット群ＳＧによって溶接線８０の周辺部を十分な深さまで溶融できているからである。そして，初期時間の経過後にレーザー光の走査を行う間には，高いパワー密度の中央スポットＳ０を接合部の形成箇所である溶接線８０上に形成させつつ，レーザー光の走査を行ったからである。
【０１１７】
また，実施例では，前述したように，初期時間の経過前にはスライド部１４０にスライド位置Ａをとらせていることにより，隙間Ｇの位置にレーザー光が照射されていない。このため，初期時間の経過前に隙間Ｇにおけるレーザー抜けが抑制されていた。また，前述したように，初期時間の経過後においては，中央スポットＳ０の走査方向における前方に，外縁スポット群ＳＧによって溶融部を形成させている。よって，実施例では，初期時間の経過後においても，隙間Ｇにおけるレーザー抜けが抑制されていた。
【０１１８】
これに対し，比較例１において形成された接合部は，短手区間Ｙ１の全域において，実施例の接合部の深さの半分程度の浅いものであることがわかる。比較例１では，接合部の形成箇所である溶接線８０上にレーザー光が照射されていないからである。なお，比較例１では，接合制御の開始から終了までスライド部１４０にスライド位置Ａをとらせている。このため，比較例１においては，隙間Ｇにおけるレーザー抜けが抑制されていた。
【０１１９】
また，比較例２では，開始位置Ｔの付近において，接合部の深さが浅いものである。これは，接合制御の開始時からスライド部１４０にスライド位置Ｃをとらせているため，外縁スポット群ＳＧにおけるパワー密度が低く，溶接線８０の周辺部を十分に溶融させることができていないからである。なお，比較例２では，レーザー光の走査とともに徐々に接合部の深さが深くなり，その後，ほぼ一定の深さの接合部が形成されている。そして，その箇所については，実施例ほどではないものの，ある程度の深さであることがわかる。しかし，比較例２においては，接合制御の開始時にも，スライド部１４０にスライド位置Ｃをとらせている。このため，比較例２では，接合制御の開始時から，隙間Ｇにおけるレーザー抜けが発生してしまった。
【０１２０】
よって，本実験において，本形態に係る実施例により，レーザー抜けを適切に抑制できることが確認された。また，本形態に係る実施例では，その接合制御を行った短手区間Ｙ１の全域において，比較例１，２のいずれよりも，深さの深い接合部が形成された。このため，本実験において，本形態に係る実施例では，比較例１，２のいずれよりも，レーザー光の走査速度を速くしつつ，目標とする深さを有する接合部を形成できることが確認された。
【０１２１】
以上詳細に説明したように，本形態では，ケース本体１０と封口板２０とを接合する接合工程を，溶接装置１００を用いて行う。溶接装置１００は，回折光学素子１３０とスライド部１４０とを有している。回折光学素子１３０は，隣接して設けられた形成領域１３１と非形成領域１３２とを有している。また，スライド部１４０は，回折光学素子１３０への入射光Ｌｉの入射点ＬＰの位置を変更することで，照射パターンＰにおけるパワー密度分布形状を異なるものとすることができる。このように，フレキシブルな制御でレーザー溶接を行うことができる。そして，溶接装置１００の制御部１８０は，レーザー発振器１１０にレーザー光を出射させている間に，スライド部１４０にスライド位置Ａからスライド位置Ｃまでのスライド移動を行わせる。すなわち，レーザー発振器１１０にレーザー光を出射させている間に，スライド部１４０により，入射点ＬＰ内の少なくとも１点が，境界１３３を横切るように移動させる。これにより，不良の発生を抑制しつつ，接合部を短時間で形成することができる。
【０１２２】
［第２の形態］
次に，第２の形態について説明する。本形態では，第１の形態と異なり，接合工程前に，溶接線上に，予め仮付け部を形成する仮付け工程を行う。接合対象である電池については，第１の形態と同様である。そして，本形態は，次の手順で行われる。
１．仮付け工程
２．接合工程
【０１２３】
まず，「１．仮付け工程」より説明する。本工程は，上記のように「２．接合工程」に先立って行われる。本工程は，図１１に示すケース本体１０の開口部１１に封口板２０が挿入された状態で行われる。また，本工程では，溶接線８０上の一部にレーザー光を照射し，その照射箇所を溶融させて仮付け部を形成する。本形態では，図１１に仮付け箇所Ｋで示す合計８か所について，仮付け部を形成する。そして，仮付け部が形成された仮付け箇所Ｋにおいて，ケース本体１０と封口板２０とを部分的に接合する。
【０１２４】
また，本工程においても，上記で説明した溶接装置１００を用いる。そして，本工程では，溶接装置１００の制御部１８０に仮付け制御を行わせる。制御部１８０は，仮付け制御においても，レーザー発振器１１０にレーザー光を出射させる。また，制御部１８０は，仮付け制御では，仮付け箇所Ｋにレーザー光が照射されるように，ガルバノスキャナ１５０の制御を行う。なお，制御部１８０は，本形態の仮付け制御では，レーザー光の照射中にガルバノスキャナ１５０によるレーザー光の走査を行わない。ただし，溶接線８０よりも短い範囲で，仮付け箇所Ｋの付近を溶接線８０に沿って，レーザー光の走査を行うこととしてもよい。
【０１２５】
さらに，本形態の制御部１８０は，仮付け制御では，スライド部１４０にスライド位置Ａをとらせる。すなわち，本形態においては，仮付け制御の実行中に，スライド部１４０がスライド移動を行うことはない。
【０１２６】
また，仮付け制御において形成される照射パターンＰは，スライド部１４０がスライド位置Ａをとっていることにより，図５に示す外縁スポット群ＳＧのみを有するものである。よって，仮付け制御において，仮付け箇所Ｋに中央スポットＳ０が形成されることはない。すなわち，仮付け制御において，照射パターンＰに係るレーザー光のレーザー抜けが生じることがないようにされている。
【０１２７】
そして，「１．仮付け工程」の後，「２．接合工程」を行う。本形態においても，「２．接合工程」については，第１の形態と同様に行う。すなわち，溶接装置１００を用い，溶接線８０に沿って一周，レーザー溶接を行う接合制御により実施する。すなわち，本形態の接合工程についても，レーザー抜けなどによる不良の発生を抑制しつつ，レーザー溶接を短時間で行うことができる。
【０１２８】
ここで，接合制御では，前述したように，レーザー光による溶接線８０の走査を一周，行わせる。例えば，封口板２０が薄く，強度が低いものである場合などには，仮付け工程を行わずに接合工程を行ったときに，レーザー光を溶接線８０に沿って走査させている間に，封口板２０が変形してしまうことがある。この封口板２０の変形は，レーザー光の照射に伴う部分的な温度の上昇や，形成された接合部３０によって封口板２０が引っ張られてしまうことなどによるものである。
【０１２９】
例えば，封口板２０が変形してしまった場合，まだ接合部３０が形成されていない対面箇所７０の位置では，ケース本体１０の開口部１１の内壁面１３から，封口板２０の側面２１が離れてしまうこととなる。また，ケース本体１０の開口部１１の内壁面１３から封口板２０の側面２１が離れることにより，内壁面１３と側面２１とのズレが生じてしまった箇所では，レーザー光の照射によって適切に溶融部が形成されず，その箇所に接合不良が生じてしまうおそれがある。
【０１３０】
そこで，本形態では，接合工程前に仮付け工程を行い，ケース本体１０と封口板２０とを部分的に接合している。そして，接合工程においてレーザー光が溶接線８０に沿って一周，走査する間の，ケース本体１０の開口部１１の内壁面１３と封口板２０の側面２１とのズレを抑制している。これにより，接合工程において，溶接線８０に沿って一周，環状の接合部３０が適切に形成することができるようにされている。
【０１３１】
なお，図１１には，合計で８か所の仮付け箇所Ｋを示している。しかし，仮付け箇所Ｋの位置や個数については任意である。ただし，本形態のような長手区間Ｘ１，Ｘ２がある場合には，接合制御が開始される開始位置Ｔから遠い箇所において，ケース本体１０の開口部１１の内壁面１３と封口板２０の側面２１とのズレが生じやすい傾向にある。よって，仮付け箇所Ｋは，長手区間Ｘ１，Ｘ２に複数，設けておくことが好ましい。
【０１３２】
また，本形態では，接合工程に加え，仮付け工程についても，溶接装置１００を用いて行うことができる。つまり，仮付け工程および接合工程を，１つの溶接装置１００にそれぞれ仮付け制御および接合制御を実行させることで行うことができる。溶接装置１００がフレキシブルな制御でレーザー溶接を行うことができるからである。そして，仮付け工程を行うための装置を別に設ける必要はない。
【０１３３】
また，例えば，図１６の平面図に示すように，中央スポットＳ０のみを有する照射パターンＰＨを用いて仮付け工程を行う場合には，照射パターンＰＨに係るレーザー光を，その照射の開始時に仮付け箇所Ｋに照射することはできない。レーザー光の照射の開始時には，仮付け箇所Ｋに隙間Ｇが存在しているためである。
【０１３４】
このため，照射パターンＰＨを用いる場合，図１６に二点鎖線で示すように，まず，レーザー光の照射の開始時には，例えば封口板２０上に照射パターンＰＨを形成させなければならない。そして，封口板２０が溶融し，その溶融部が隙間Ｇを塞いだ後，照射パターンＰＨを仮付け箇所Ｋへと移動させ，ケース本体１０の仮付け箇所Ｋの付近についても溶融させなければならない。しかし，この場合には，封口板２０の溶融部が隙間Ｇを塞ぐまでケース本体１０の仮付け箇所Ｋの付近を溶融させることができず，仮付け工程に長時間を要してしまうこととなる。
【０１３５】
これに対し，本形態の溶接装置１００の仮付け制御により行う仮付け工程では，レーザー光を，その照射の開始時に仮付け箇所Ｋに向けて照射することができる。仮付け制御で用いる図５に示す照射パターンＰは，外縁スポット群ＳＧのみからなるものであり，仮付け箇所Ｋに向けて照射したとしても，レーザー抜けが生じないからである。そして，仮付け箇所Ｋに形成された照射パターンＰにより，ケース本体１０と封口板２０との仮付け箇所Ｋの付近を，レーザー光の照射の開始時から溶融させることができる。よって，本形態では，仮付け工程を短時間で行うことができる。
【０１３６】
また，図１６に示すように，中央スポットＳ０のみからなる照射パターンＰＨを用いて仮付け工程を行う場合，仮付け箇所Ｋの付近については，溝２３を形成しておくことができず，溝２３が形成されていない区間Ｈを設けておく必要がある。照射パターンＰＨを用いて仮付け工程を行う場合には，前述したように，レーザー光の照射の開始時に照射パターンＰＨを封口板２０上に形成して溶融させ，その溶融部によって隙間Ｇを塞がなければならない。このため，区間Ｈに溝２３が形成されていた場合には，照射パターンＰＨによって溶融する封口板２０の溶融部の量が少なくなってしまい，その溶融部によって仮付け箇所Ｋの隙間Ｇが塞がれるまでに長い時間がかかってしまうからである。また，少ない量の溶融部によっては，仮付け箇所Ｋの隙間Ｇを適切に塞ぐことができないこともあるからである。
【０１３７】
さらに，溝２３が形成されていない区間Ｈを設けた場合には，接合制御時に，接合部３０を均一に形成できないことがある。あるいは，その区間Ｈに対応する箇所で接合不良が生じてしまうおそれがある。区間Ｈでは，溝２３が形成されているその他の区間と，熱容量が異なっているからである。
【０１３８】
これに対し，本形態の溶接装置１００の仮付け制御により行う仮付け工程では，レーザー光を，その照射の開始時より仮付け箇所Ｋに向けて照射することができるため，溝２３が形成されていない区間Ｈを設けておく必要がない。このため，封口板２０に一周，溝２３を形成しておくことができる。よって，接合不良が抑制されているとともに，接合不良を生じさせずに接合部３０を均一に形成することができる。
【０１３９】
また，仮付け制御についても，ケース本体１０を固定した状態で行うことが好ましい。本形態においては，仮付け制御の実行前にケース本体１０を挟み込みにより固定し，接合制御の実行後，その固定を解除すればよい。一度の挟み込みで仮付け工程と接合工程とを行うことができるからである。
【０１４０】
また，上記においては，仮付け制御において，スライド部１４０にスライド位置Ａをとらせることとしている。しかし，仮付け制御におけるスライド部１４０には，スライド位置Ａに限らず，入射点ＬＰが形成領域１３１内に位置する状態の範囲内のスライド位置をとらせておけばよい。入射点ＬＰが形成領域１３１内に位置する状態では，照射されるレーザー光の照射パターンＰのパワー密度分布形状が，スライド部１４０にスライド位置Ａをとらせているときと同じだからである。
【０１４１】
以上詳細に説明したように，本形態では，接合工程に加え，仮付け工程を行う。仮付け工程においても溶接装置１００を用い，溶接装置１００に仮付け制御を実行させることにより仮付け工程を行う。溶接装置１００は，仮付け制御では，スライド部１４０にスライド位置Ａをとらせつつ仮付け箇所Ｋにレーザー光を照射し，仮付け部を形成する。このため，仮付け制御においてレーザー抜けが生じることはない。さらに，仮付け制御に要する時間を，短いものとすることができる。また，仮付け工程の後，第１の形態と同様の接合工程を，溶接装置１００の制御部１８０に接合制御を行わせることにより行う。よって，接合制御における不良の発生を抑制でき，接合制御によって品質の高い接合部３０を形成することができる。
【０１４２】
［第３の形態］
次に，第３の形態について説明する。本形態では，上記の形態と異なり，接合工程前に，溶接線上におけるケース本体の開口部の内壁面と封口板の側面との隙間の大きさを検出する隙間検出工程を行う。なお，接合工程での接合対象である電池については，第１の形態と同様である。そして，本形態は，次の手順で行われる。
１．仮付け工程
２．隙間検出工程
３．接合工程
【０１４３】
本形態においても，「１．仮付け工程」および「３．接合工程」については，溶接装置１００を用いる。そして，溶接装置１００に「１．仮付け工程」では仮付け制御を実行させ，「３．接合工程」では接合制御を実行させる。さらに，本形態においても，「１．仮付け工程」については，第２の形態と同様である。ただし，本形態では，「３．接合工程」で実行される接合制御が上記の形態と異なる。本形態の「３．接合工程」については後に詳述する。
【０１４４】
また本形態では，「３．接合工程」の前に「２．隙間検出工程」を行う。よって，まず，「２．隙間検出工程」について説明する。本工程は，図１７に示すレーザー変位計１９０を用いて行う。レーザー変位計１９０は，上記の形態の溶接装置１００に取り付けられているものである。つまり，本形態の溶接装置１００は，上記の形態において説明した構成に加えて，レーザー変位計１９０を有している。なお，図１７に示す電池１は，まだ，接合部が形成されていない状態である。ただし，仮付け部については形成されている。
【０１４５】
そして，図１７に示すように，レーザー変位計１９０により，電池１についての測定を行う。レーザー変位計１９０による測定箇所は，ケース本体１０および封口板２０の上面のうち，長手方向における中央である。
【０１４６】
図１８に，レーザー変位計１９０による電池１についての測定結果を示している。図１８の横軸に測定位置を，縦軸に高さを示している。図１８に示すように，測定結果には，ケース本体１０および封口板２０の上面における高さが表れている。また，ケース本体１０と封口板２０との間には，ケース本体１０および封口板２０の上面よりも高さの低い箇所が表れている。
【０１４７】
よって，この高さの低いケース本体１０と封口板２０との間の箇所を，それぞれ隙間Ｇ１，Ｇ２として検出することができる。なお，隙間Ｇ１は長手区間Ｘ１の中央における隙間Ｇであり，隙間Ｇ２は長手区間Ｘ２の中央における隙間Ｇである。このため，検出された隙間Ｇ１，Ｇ２の位置はそれぞれ，溶接線８０上の，長手区間Ｘ１，Ｘ２の中央に位置する溶接点についてのものである。また，図１８に示す測定結果より，その隙間Ｇ１，Ｇ２の大きさを検出することができる。
【０１４８】
そして，「３．接合工程」における溶接装置１００の制御部１８０は，まず，接合制御を開始する前に，検出された隙間Ｇ１，Ｇ２の大きさを取得する。そして，本形態の溶接装置１００の制御部１８０は，取得した隙間Ｇ１，Ｇ２に応じて接合制御を行う。具体的には，本形態の制御部１８０は，接合制御において，スライド部１４０のスライド位置を，取得した隙間Ｇ１，Ｇ２に応じて異なるものとするレーザー制御を行う。
【０１４９】
ここで，隙間Ｇの大きさと，適切な接合部を形成することができるスライド位置との間には相関がある。このことについて説明する。図１９には，中央スポットＳ０のパワー密度の割合と形成される接合部の深さとの関係を示したグラフを示している。図１９の横軸に中央スポットＳ０のパワー密度の割合を，縦軸に接合部の深さを示している。横軸における左側の端は，スライド部１４０がスライド位置Ａに近いスライド位置をとっているときの中央スポットＳ０のパワー密度の割合を示している。そして，横軸における右側ほど，スライド部１４０がスライド位置Ｄに近いスライド位置をとっているときの中央スポットＳ０のパワー密度の割合を示している。
【０１５０】
また，図１９には，隙間Ｇの大きさが１０μｍのときのグラフを実線により，隙間Ｇの大きさが５０μｍのときのグラフを破線により示している。これらのグラフは，溶接線８０上に各大きさの隙間Ｇを設けて配置したケース本体１０と封口板２０とを，スライド部１４０に異なるスライド位置をとらせつつレーザー光を一定時間，照射することで接合し，形成された接合部の断面観察により得たものである。
【０１５１】
図１９に示すように，隙間Ｇが１０μｍであるときには，中央スポットＳ０のパワー密度の割合が高いほど，深さの深い接合部を形成できることがわかる。すなわち，隙間Ｇが１０μｍであるときには，スライド部１４０をスライド位置Ｄに近いスライド位置としたときほど，深さの深い接合部を形成できる傾向にあることがわかる。
【０１５２】
一方，隙間Ｇが５０μｍであるときには，中央スポットＳ０のパワー密度の割合が低いほど，深さの深い接合部を形成できることがわかる。すなわち，隙間Ｇが５０μｍであるときには，スライド部１４０をスライド位置Ａに近いスライド位置としたときほど，深さの深い接合部を形成できる傾向にあることがわかる。
【０１５３】
また，図１９には，接合部の深さＤＴを示している。深さＤＴは，ケース本体１０と封口板２０とを適切に接合するために必要な接合部の深さである。すなわち，隙間Ｇが１０μｍであるとき，適切な接合部を形成するためには，中央スポットＳ０のパワー密度の割合が横軸に示す割合ＰＴ２以上となるように照射パターンＰを形成することが好ましいことがわかる。よって，隙間Ｇが１０μｍであるときに適切な接合部を形成できる中央スポットＳ０のパワー密度の割合を，割合ＰＴ２以上の割合に定めることができる。
【０１５４】
一方，隙間Ｇが５０μｍであるとき，適切な接合部を形成するためには，中央スポットＳ０のパワー密度の割合が横軸に示す割合ＰＴ１以下となるように照射パターンＰを形成することが好ましいことがわかる。よって，隙間Ｇが５０μｍであるときに適切な接合部を形成できる中央スポットＳ０のパワー密度の割合を，割合ＰＴ１以下の割合に定めることができる。
【０１５５】
また，隙間Ｇの大きさを異なるものとしつつ各大きさの隙間Ｇについて図１９と同様にグラフを取得することで，各大きさの隙間Ｇのそれぞれについて，適切な接合部を形成できる中央スポットＳ０のパワー密度の割合を定めることができる。
【０１５６】
図２０に，隙間Ｇと中央スポットＳ０のパワー密度の割合との関係を示したグラフを示す。図２０は，上記のようにして，各大きさの隙間Ｇのそれぞれについて，適切な接合部を形成できる中央スポットＳ０のパワー密度の割合を定めて作成したものである。
【０１５７】
図２０に示すように，接合部を適切に形成することができる中央スポットＳ０のパワー密度の割合は，隙間Ｇが大きいときほど，低いことがわかる。このことから，隙間Ｇが大きいときほど，スライド部１４０に，スライド位置Ａに近いスライド位置をとらせることが好ましいことがわかる。つまり，隙間Ｇが大きいときほど，入射点ＬＰの位置を，形成領域１３１側とすることが好ましいことがわかる。換言すれば，隙間Ｇが大きいときほど，入射点ＬＰのうち，回折光学素子１３０の形成領域１３１にかかっている面積を大きくすることが好ましいことがわかる。この関係を隙間スライド位置関係とする。
【０１５８】
そして，本形態の制御部１８０は，レーザー制御では，上記の隙間スライド位置関係に基づいてスライド部１４０を制御する。そのため，本形態の制御部１８０は，図２に二点鎖線で示すように，記憶部１８１を有しているとともに，記憶部１８１に，図２１に示す隙間スライド位置テーブルを記憶している。
【０１５９】
図２１に示す隙間スライド位置テーブルは，前述した隙間スライド位置関係に基づいて作成したものである。すなわち，図２１に示す隙間スライド位置テーブルは，隙間Ｇが大きいときほど，スライド部１４０のスライド位置が，スライド位置Ａに近くなるように作成したものである。
【０１６０】
なお，図２１に示す隙間スライド位置テーブルは，隙間Ｇが横軸に示す隙間ＧＴ１以下であるときには，スライド位置Ｃ１となるように作成されている。スライド部１４０がスライド位置Ｄをとっているときには，照射パターンＰが中央スポットＳ０のみで構成されるため，隙間Ｇが小さい場合であってもレーザー抜けが生じるおそれがある。よって，隙間Ｇが隙間ＧＴ１以下である場合には，スライド部１４０にスライド位置Ｃ１をとらせ，外縁スポット群ＳＧによって形成される溶融部により，中央スポットＳ０の前方の隙間Ｇが塞がれるようにしている。
【０１６１】
また，図２１に示す隙間スライド位置テーブルは，隙間Ｇが横軸に示す隙間ＧＴ２以上であるときには，スライド位置Ａとなるように作成されている。前述したように，入射点ＬＰが形成領域１３１内に位置する範囲内であるスライド位置Ａからスライド位置Ｂまでの間においては，入射光Ｌｉが回折光学素子１３０の形成領域１３１にのみ入射する。よって，スライド部１４０のスライド位置を，入射点ＬＰが形成領域１３１内に位置する範囲内で変更したとしても，照射されるレーザー光の照射パターンＰが同じだからである。
【０１６２】
そして，本形態の接合工程において，制御部１８０は，接合制御の実行前に，隙間検出工程で検出された隙間Ｇ１，Ｇ２を取得する。ただし，本形態において検出された隙間Ｇ１，Ｇ２は，長手区間Ｘ１，Ｘ２についてのものである。このため，接合制御において，長手区間Ｘ１，Ｘ２以外の短手区間Ｙ１，Ｙ２および屈曲区間Ｒ１，Ｒ２，Ｒ３，Ｒ４については，第１の形態と同様に行う。このため，本形態における接合制御においても，長手区間Ｘ１，Ｘ２についてレーザー制御を行う以外は，上記の形態と同様である。
【０１６３】
すなわち，本形態においても，制御部１８０は，接合制御の開始時には，スライド部１４０にスライド位置Ａをとらせ，図１２に示すように開始位置Ｔに外縁スポット群ＳＧのみを形成する。そして，初期時間の経過後，スライド部１４０にスライド位置Ａからスライド位置Ｃまでのスライド移動を行わせ，短手区間Ｙ１にレーザー光を走査する正短手走査制御を開始する。また，正短手走査制御に続いて，屈曲区間Ｒ１にレーザー光を走査する第１屈曲走査制御を行う。
【０１６４】
そして，第１屈曲走査制御の終了時に，制御部１８０は，レーザー制御を行う。具体的に，レーザー制御では，スライド位置Ｃから隙間Ｇ１に対応するスライド位置まで，スライド部１４０にスライド移動を行わせる。このため，制御部１８０は，第１屈曲走査制御の終了前までに，隙間Ｇ１により隙間スライド位置テーブル（図２１）を参照して隙間Ｇ１に対応するスライド位置を定めておく。
【０１６５】
そして，レーザー制御によりスライド部１４０に隙間Ｇ１に対応するスライド位置をとらせつつ，正長手走査制御によって長手区間Ｘ１にレーザー光を走査させる。これにより，長手区間Ｘ１に，適切な接合部３０を形成することができる。レーザー制御により，照射パターンＰの中央スポットＳ０のパワー密度を，隙間Ｇ１の大きさの箇所に適切な接合部が形成されるパワー密度としつつ，正長手走査制御を行うことができるからである。なお，隙間Ｇ１により隙間スライド位置テーブルを参照して定めたスライド位置がスライド位置Ｃである場合には，当然，レーザー制御において，スライド部１４０にスライド移動を行わせる必要はない。
【０１６６】
また，正長手走査制御の終了時には，制御部１８０は，スライド部１４０にスライド位置Ｃまでスライド移動を行わせる。さらに，スライド部１４０にスライド位置Ｃをとらせつつ，屈曲区間Ｒ２，短手区間Ｙ２，屈曲区間Ｒ３にそれぞれレーザー光を走査する第２屈曲走査制御，負短手走査制御，第３屈曲走査制御を行う。
【０１６７】
また，第３屈曲走査制御の終了時に，制御部１８０は，レーザー制御を行う。つまり，第３屈曲走査制御の終了時に，スライド位置Ｃから隙間Ｇ２に対応するスライド位置まで，スライド部１４０にスライド移動を行わせる。このため，制御部１８０は，第３屈曲走査制御の終了前までに，隙間Ｇ２により隙間スライド位置テーブルを参照して隙間Ｇ２に対応するスライド位置を定めておく。そして，レーザー制御により，スライド部１４０に隙間Ｇ２に対応するスライド位置をとらせつつ，負長手走査制御によって長手区間Ｘ２にレーザー光を走査させる。これにより，長手区間Ｘ２についても，長手区間Ｘ１と同様に，適切な接合部３０を形成することができる。
【０１６８】
さらに，負長手走査制御の終了時には，制御部１８０は，スライド部１４０にスライド位置Ｃまでスライド移動を行わせる。さらに，スライド部１４０にスライド位置Ｃをとらせつつ，屈曲区間Ｒ４，短手区間Ｙ１にそれぞれレーザー光を走査する第４屈曲走査制御，正短手走査制御を行う。そして，開始位置Ｔまで一周，走査制御が行われたとき，接合制御を終了する。
【０１６９】
すなわち，本形態の溶接装置１００は，溶接線８０上の長手区間Ｘ１，Ｘ２における中央の溶接点についてそれぞれ，隙間Ｇ１，Ｇ２を検出して出力するレーザー変位計１９０を有している。制御部１８０は，レーザー制御において，レーザー変位計１９０が出力した隙間Ｇ１，Ｇ２により隙間スライド位置テーブル（図２１）を参照してスライド位置を決定する。具体的に，スライド位置は，隙間Ｇ１，Ｇ２について，隙間スライド位置テーブルの横軸に設けられた隙間の大きさについての複数の隙間閾値以上，未満について判定し，その隙間Ｇ１，Ｇ２の属する隙間閾値の範囲内に対応したものに決定される。例えば，図２１に示すように，隙間Ｇ１が隙間閾値ＧＴ３以上，隙間閾値ＧＴ４未満であるとき，その隙間閾値ＧＴ３以上，隙間閾値ＧＴ４未満の範囲内に対応するスライド位置Ｅに決定される。スライド位置Ｅは，例えば，隙間閾値ＧＴ３未満であるときに対応するスライド位置Ｃよりも，中央スポットＳ０のパワー密度が低く，外縁スポット群ＳＧのパワー密度が高いパワー密度分布形状のものである。また，スライド位置Ｅは，例えば，隙間閾値ＧＴ４以上であるときに対応するスライド位置Ａよりも，中央スポットＳ０のパワー密度が高く，外縁スポット群ＳＧのパワー密度が低いパワー密度分布形状のものである。つまり，本形態の制御部１８０は，レーザー制御では，隙間Ｇが予め定めた隙間閾値以上であるときには，隙間閾値未満であるときよりも，入射点ＬＰの位置を，中央スポットＳ０のパワー密度が低く，外縁スポット群ＳＧのパワー密度が高くなるようにする。すなわち，レーザー制御では，隙間Ｇが予め定めた隙間閾値以上であるときには，隙間閾値未満であるときよりも，スライド部１４０により，入射点ＬＰの位置を形成領域１３１側とする。これにより，隙間Ｇが予め定めた隙間閾値以上であるときには，隙間閾値未満であるときよりも，入射点ＬＰが回折光学素子１３０の形成領域１３１にかかっている面積を大きくする。
【０１７０】
また逆に，制御部１８０は，レーザー制御では，隙間Ｇが予め定めた隙間閾値未満であるときには，隙間閾値以上であるときよりも，入射点ＬＰの位置を，中央スポットＳ０のパワー密度が高く，外縁スポット群ＳＧのパワー密度が低くなるようにする。すなわち，レーザー制御では，隙間Ｇが予め定めた隙間閾値未満であるときには，隙間閾値以上であるときよりも，スライド部１４０により，入射点ＬＰの位置を非形成領域１３２側とする。これにより，隙間Ｇが予め定めた隙間閾値未満であるときには，隙間閾値以上であるときよりも，入射点ＬＰが回折光学素子１３０の形成領域１３１にかかっている面積を小さくする。このように，溶接装置１００に隙間Ｇの大きさに応じたフレキシブルな制御でレーザー溶接を行わせる。
【０１７１】
なお，本形態において，上記では，長手区間Ｘ１，Ｘ２についてのみ，レーザー制御を行っている。しかし，その他の短手区間Ｙ１，Ｙ２についても同様に，レーザー制御を行うこともできる。短手区間Ｙ１，Ｙ２についてもレーザー制御を行うことで，短手区間Ｙ１，Ｙ２にも隙間Ｇの大きさに応じたパワー密度分布形状の照射パターンＰにより，適切な接合部３０を形成することができる。また，短手区間Ｙ１，Ｙ２についてもレーザー制御を行う場合，隙間検出工程において，短手区間Ｙ１，Ｙ２についても隙間Ｇの大きさを検出しておけばよい。
【０１７２】
また，本形態において，上記では，隙間検出工程において，長手区間Ｘ１，Ｘ２の中央における隙間Ｇを検出している。しかし，隙間検出工程における隙間Ｇの検出位置は，中央に限定されるものではない。ただし，長手区間Ｘ１，Ｘ２における隙間Ｇは，その中央において最も変動しやすいものである。よって，長手区間Ｘ１，Ｘ２の１か所について隙間Ｇを検出する場合には，本形態のようにその中央を検出位置とすることが好ましい。
【０１７３】
また，本形態において，仮付け工程は，必須の工程ではない。すなわち，隙間検出工程と接合工程とのみを行っても良い。また，本形態では，仮付け工程の後，隙間検出工程を行っている。しかし，この順序は逆であっても良い。ただし，仮付け工程後においては，ケース本体１０と封口板２０とが仮付け部によって固定されているため，隙間Ｇの大きさが変わってしまうことがない。一方，仮付け部が形成される前には，ケース本体１０と封口板２０とが固定されていないことにより，隙間Ｇが変化してしまうことあがる。すなわち，仮付け工程前に隙間検出工程を行った場合，隙間検出工程で検出した隙間Ｇの大きさと，接合工程時の隙間Ｇの大きさとが異なる大きさであることがある。よって，仮付け工程の後，隙間検出工程を行うことにより，仮付け工程後の固定された隙間Ｇについて隙間検出工程を行うことができる。このため，仮付け工程の後，隙間検出工程を行う本形態では，より適切な接合部３０を形成することができる。
【０１７４】
また，本形態では，隙間検出工程を，レーザー変位計１９０を用いて行っている。しかし，隙間検出工程は，当然，レーザー変位計１９０に限らず，その他の計測機器を用いた方法によって行うこともできる。具体的には，例えば，視覚装置を用いることで隙間検出工程を行うことも可能である。
【０１７５】
また，本形態では，レーザー制御を，図２１に示す隙間スライド位置テーブルに基づいて行っている。しかし，例えば，中央スポットＳ０におけるパワー密度の割合にそれほど精度が求められないような場合には，取得した隙間Ｇの大きさに基づいて，例えば，スライド部１４０にスライド位置Ａまたはスライド位置Ｃのどちらかをとらせることとしてもよい。すなわち，レーザー制御では，スライド部１４０に，取得した隙間Ｇの大きさが予め定めた隙間閾値以上であるときにはスライド位置Ａをとらせ，取得した隙間Ｇの大きさが隙間閾値未満であるときにはスライド位置Ｃをとらせてもよい。この場合の隙間閾値としては，例えば，図２１の隙間スライド位置テーブルの横軸に示す隙間ＧＴ２の値を用いることができる。
【０１７６】
また，本形態では，上記のように，レーザー制御を，スライド部１４０のスライド移動によって，入射点ＬＰの位置を回折光学素子１３０上で移動させることによってのみ行っている。しかし，レーザー制御では，スライド部１４０によるスライド移動に加え，レーザー発振器１１０から出射されるレーザー光の出力値であるレーザー出力値を変化させてもよい。
【０１７７】
レーザー制御をスライド部１４０のスライド位置の変更とレーザー発振器１１０のレーザー出力値の制御とによって行う場合にも，隙間Ｇの大きさごとに，適切な接合部３０を形成することができるスライド位置およびレーザー出力値を予め取得しておけばよい。さらに，隙間Ｇの大きさに対するスライド位置およびレーザー出力値の関係についてレーザーテーブルを作成し，そのレーザーテーブルを制御部１８０の記憶部１８１に記憶させておけばよい。そして，レーザー制御では，隙間検出工程により取得した隙間Ｇの大きさによってレーザーテーブルを参照し，その隙間Ｇの大きさに適したスライド位置およびレーザー出力値を定めて接合工程を行うことができる。
【０１７８】
このように，レーザー制御を，レーザー発振器１１０のレーザー出力値を変化させて行うことで，照射パターンＰにおける各スポットのパワー密度を全体的に上昇または低下させることができる。すなわち，よりフレキシブルな制御でレーザー溶接を行うことができる。そして，例えば，レーザー出力値を高めることにより，さらに短時間で接合制御を行うことも可能となる。さらに，レーザー出力値を上昇または低下させることにより，形成される接合部の深さについても，容易に調整することができるようになる。このため，レーザーテーブルにおける隙間Ｇの大きさとスライド位置との関係は，必ずしも，上記の隙間スライド位置関係を満たすものとする必要はない。
【０１７９】
以上詳細に説明したように，本形態では，接合工程の前に，溶接線８０上におけるケース本体１０と封口板２０との隙間Ｇを検出する隙間検出工程を行う。隙間検出工程では，レーザー変位計１９０によって隙間Ｇを検出する。そして，接合工程において，溶接装置１００の制御部１８０は，スライド部１４０に，隙間Ｇの大きさに応じたスライド位置をとらせるレーザー制御を行いつつ接合制御を行う。
【０１８０】
［第４の形態］
次に，第４の形態について説明する。本形態でも，第３の形態と同様，溶接線上におけるケース本体の開口部の内壁面と封口板の側面との隙間の大きさを検出する隙間検出工程を行う。ただし，接合工程に先立って隙間検出工程を行う第３の形態とは異なり，本形態では，隙間検出工程を行いつつ，接合工程についても行う。
【０１８１】
図２２に，本形態に係る溶接装置２００を示す。溶接装置２００は，第１の形態に係る溶接装置１００と同じ，レーザー発振器１１０，コリメートレンズ１２０，回折光学素子１３０，制御部１８０を有している。なお，本形態の溶接装置２００は，レーザー光の光路における回折光学素子１３０よりも下流に，集光レンズ２７０を有している。さらに，本形態の制御部１８０についても，図２２に二点鎖線で示すように記憶部１８１を有しているとともに，記憶部１８１に，図２１に示す隙間スライド位置テーブルを記憶している。そして，溶接装置２００が上記の形態の溶接装置１００と大きく異なる点は，ガルバノスキャナ１５０を有していないこと，および，側面にレーザー変位計２９０を有していることである。
【０１８２】
図２３は，溶接装置２００の平面図である。図２３に示すように，溶接装置２００のレーザー変位計２９０は，溶接装置２００により形成される照射パターンＰの中央スポットＳ０を中心として回転移動することができる。具体的に，レーザー変位計２９０は，実線で示す第１位置２９１から，二点鎖線で示す第２位置２９２，第３位置２９３，第４位置２９４へと回転によって移動することができる。
【０１８３】
また，本形態において，溶接装置２００は，ロボットアームの先端に取り付けられており，電池１に対して移動することのできるものである。すなわち，本形態の溶接装置２００の制御部１８０は，走査制御の実行時には，第１の形態とは異なり，照射パターンＰを溶接装置２００ごと，溶接線８０に沿って移動させることのできるものである。すなわち，本形態の制御部１８０は，ロボットアームによる移動により，正短手走査制御，第１屈曲走査制御，正長手走査制御，第２屈曲走査制御，負短手走査制御，第３屈曲走査制御，負長手走査制御，第４屈曲走査制御，正短手走査制御を，この順で行う。
【０１８４】
また，本形態の制御部１８０は，正短手走査制御では，図２３に示すＹ軸の正方向の向きに短手区間Ｙ１に沿ってレーザー光を走査させる。また，正長手走査制御では，図２３に示すＸ軸の正方向の向きに長手区間Ｘ１に沿ってレーザー光を走査させる。また，負短手走査制御では，図２３に示すＹ軸の負方向の向きに短手区間Ｙ２に沿ってレーザー光を走査させる。また，負長手走査制御では，図２３に示すＸ軸の負方向の向きに長手区間Ｘ２に沿ってレーザー光を走査させる。
【０１８５】
また，本形態の制御部１８０は，正短手走査制御，正長手走査制御，負短手走査制御，負長手走査制御において，レーザー変位計２９０の回転位置を制御する。具体的には，正短手走査制御中には，レーザー変位計２９０の回転位置を第１位置２９１とする。正長手走査制御中には，レーザー変位計２９０の回転位置を第２位置２９２とする。負短手走査制御中には，レーザー変位計２９０の回転位置を第３位置２９３とする。負長手走査制御中には，レーザー変位計２９０の回転位置を第４位置２９４とする。
【０１８６】
さらに，本形態の制御部１８０は，正短手走査制御，正長手走査制御，負短手走査制御，負長手走査制御のそれぞれにおいて，レーザー変位計２９０による隙間Ｇの大きさの検出を連続して行う。すなわち，正短手走査制御，正長手走査制御，負短手走査制御，負長手走査制御のそれぞれにおいて，常に，照射パターンＰの前方の隙間Ｇの大きさの検出を行う。なお，レーザー変位計２９０による隙間Ｇの大きさの検出は，予め定めた一定の間隔で行う。このため，レーザー変位計２９０による隙間Ｇの大きさの検出は，溶接線８０上の複数の溶接点について行われる。
【０１８７】
そして，本形態の制御部１８０は，照射パターンＰの前方の隙間Ｇを検出しつつ，その検出された隙間Ｇの大きさに基づいて，レーザー制御を行う。レーザー制御の内容については，第３の形態において説明したものと同じである。すなわち，レーザー制御では，隙間スライド位置テーブルに基づいて，スライド部１４０のスライド位置を制御する。
【０１８８】
よって，本形態では，直線区間である長手区間Ｘ１，Ｘ２，短手区間Ｙ１，Ｙ２の全域において，レーザー制御を行いつつ接合制御を行うことができる。すなわち，フレキシブルな制御でレーザー溶接を行うことができる。これにより，本形態の溶接装置２００は，直線区間である長手区間Ｘ１，Ｘ２，短手区間Ｙ１，Ｙ２の全域において，適切な接合部３０を形成することができる。直線区間の途中で隙間Ｇが変化している場合であっても，スライド部１４０の位置を，変化した隙間Ｇの大きさに対応したスライド位置にしつつレーザー溶接を行うことができるからである。
【０１８９】
以上詳細に説明したように，本形態では，溶接線８０上におけるケース本体１０と封口板２０との隙間Ｇを検出する隙間検出工程を行いつつ接合工程を行う。溶接装置２００は，照射パターンＰの前方の隙間Ｇを検出するとともに，スライド部１４０に隙間Ｇの大きさに応じたスライド位置をとらせるレーザー制御を行いつつ接合制御を行う。
【０１９０】
［第５の形態］
次に，第５の形態について説明する。本形態でも，溶接装置の構成などは，第２の形態と同様である。また，本形態でも，第２の形態と同様，仮付け工程を行う。ただし，短手区間より接合制御および走査制御を開始する第２の形態とは異なり，本形態では，長手区間より接合制御および走査制御を開始する。
【０１９１】
本形態について，図２４により説明する。図２４は，図１１と同様，電池１の平面図である。ただし，図２４は，図１１と，開始位置Ｔおよび仮付け箇所Ｋの配置が異なる。具体的に，本形態では，開始位置Ｔの位置を，図２４に示すように，長手区間Ｘ１としている。また，本形態では，仮付け箇所Ｋの数を，図２４に示すように，図１１の８か所よりも少ない６か所としている。
【０１９２】
そして，本形態においても，第２の形態と同様，仮付け工程，接合工程をこの順で行う。すなわち，まず，仮付け工程を行う。本形態の仮付け工程においても，仮付け箇所Ｋの数が第２の形態よりも少ないこと以外は，第２の形態と同様に，溶接装置１００の仮付け制御により行う。
【０１９３】
続いて，本形態の接合工程では，溶接装置１００を用い，長手区間Ｘ１上に示す開始位置Ｔから時計回りに一周，溶接線８０をレーザー光によって走査するレーザー溶接により行う。また，本形態においても，接合制御では，ガルバノスキャナ１５０に溶接線８０に沿ってレーザー光を走査させる走査制御を行う。
【０１９４】
すなわち，本形態の制御部１８０は，走査制御を，正長手走査制御より開始する。なお，最初の正長手走査制御においては，長手区間Ｘ１のうちの開始位置Ｔよりも短手区間Ｙ１側にレーザー光が照射されない。このため，走査制御では，正短手走査制御の後，長手区間Ｘ１のうちの開始位置Ｔよりも短手区間Ｙ１側にレーザー光を照射するため，再度，その区間に矢印ＸＷ１の向きにレーザー光を走査させる正長手走査制御を行う。すなわち，本形態の制御部１８０は，走査制御では，正長手走査制御，第２屈曲走査制御，負短手走査制御，第３屈曲走査制御，負長手走査制御，第４屈曲走査制御，正短手走査制御，第１屈曲走査制御，正長手走査制御を，この順で行う。
【０１９５】
なお，本形態においても，制御部１８０は，接合制御の開始後，初期時間が経過するまで，スライド部１４０にスライド位置Ａをとらせ，初期時間の経過後，スライド部１４０にスライド位置Ｃまでスライド移動を行わせる。これにより，本形態においても，開始位置Ｔの付近において，レーザー抜けが生じないようにしている。また，本形態においても，スライド部１４０によるスライド移動を，レーザー発振器１１０によるレーザー光の出射を停止することなく行わせる。これにより，本形態においても，短時間で照射パターンＰのパワー密度分布形状の変更を行うことができ，レーザー溶接に係る時間を短縮することができる。
【０１９６】
そして，本形態の接合制御は，開始位置Ｔより開始されていることにより，第２の形態よりも，封口板２０の変形を小さなものとすることができる。すなわち，短手区間Ｙ１に開始位置Ｔを設けた第２の形態では，例えば，開始位置Ｔに接合部が形成されたときに，短手区間Ｙ２におけるケース本体１０の開口部１１の内壁面１３と封口板２０の側面２１とのズレが大きなものとなってしまうことがある。短手区間Ｙ２は，開始位置Ｔの対角に位置しているために開始位置Ｔからの距離が遠く，例えば，開始位置Ｔ付近の封口板２０の変形が生じたときに，その開始位置Ｔ付近の変形が，対角の短手区間Ｙ２においては大きな変位となってしまうからである。
【０１９７】
これに対し，本形態では，開始位置Ｔを長手区間Ｘ１としているため，溶接線８０のどの箇所についても，開始位置Ｔからの距離が，第２の形態よりも近いものである。よって，本形態では，長手区間Ｘ１の開始位置Ｔ付近で接合部の形成に伴う変形が生じたときにも，その開始位置Ｔ付近の変形により，溶接線８０上に，ケース本体１０の開口部１１の内壁面１３と封口板２０の側面２１とのズレが大きな箇所が発生しない。よって，本形態では，第２の形態よりも，溶接線８０上に接合部を適切に形成することができる。
【０１９８】
さらに，本形態では，接合制御におけるケース本体１０と封口板２０とのズレが抑制されていることにより，仮付け制御における仮付け箇所Ｋの数を少なくすることができている。仮付け部は，接合制御におけるケース本体１０と封口板２０とのズレを抑制するためのものであり，そのズレが小さなものであるほど，少なくすることができるからである。よって，本形態では，仮付け制御を短時間で完了させることができる。仮付け箇所Ｋが少ないからである。
【０１９９】
以上詳細に説明したように，本形態では，接合工程の接合制御および走査制御を，長手区間Ｘ１に位置する開始位置Ｔより開始する。このため，接合工程における不良の発生をより抑制することができる。また，仮付け工程における仮付け箇所Ｋの数を少なくすることができる。このため，仮付け工程を，より短時間で行うことができる。
【０２００】
［変形例］
次に，上記の実施形態の変形例について説明する。まず，照射パターンの変形例について説明する。図２５に，照射パターンの変形例１，２を示している。図２５には，変形例１，２のそれぞれについて，上段に，入射点ＬＰが回折光学素子１３０の形成領域１３１内に位置する状態のときに形成される照射パターンを示している。また，中段に，入射点ＬＰが回折光学素子１３０の非形成領域１３２内に位置する状態のときに形成される照射パターンを示している。さらに，下段に，入射点ＬＰが回折光学素子１３０の形成領域１３１と非形成領域１３２との境界１３３にかかっている状態のときに形成される照射パターンを示している。図２５に示すように，変形例１，２はともに，入射点ＬＰが回折光学素子１３０の形成領域１３１内に位置する状態のときに形成される照射パターンが，上記の実施形態と異なるものである。一方，入射点ＬＰが回折光学素子１３０の非形成領域１３２内に位置する状態のときには，変形例１，２においてともに，上記の実施形態と同様，中央領域Ａ１に中央スポットＳ０を有する照射パターンである。
【０２０１】
具体的に，図２５の変形例１の上段に示す照射パターンは，外縁スポット群ＳＧの数が，図５に示す照射パターンＰよりも少ないものである。そして，変形例１では，回折光学素子１３０の形成領域１３１を，図２５の上段に示す外縁スポット群ＳＧの各スポットに係る放射光が放射される回折格子が形成されたものとしておけばよい。また，図２５の変形例１の下段に示す照射パターンは，外縁スポット群ＳＧと，中央スポットＳ０とがともに表れたものとなっている。よって，変形例１についても，上記の実施形態と同様，レーザー溶接において，回折光学素子１３０上の入射点ＬＰの位置を変更することにより，それぞれ異なるパワー密度分布形状の照射パターンを形成することができる。
【０２０２】
また，図２５の変形例２の上段に示す照射パターンは，図５に示す照射パターンＰの外縁スポット群ＳＧに加え，中央スポットＳ０についても形成されているものである。そして，変形例２では，回折光学素子１３０の形成領域１３１を，図２５の上段に示す外縁スポット群ＳＧの各スポットと中央スポットＳ０とに係る放射光が放射される回折格子が形成されたものとしておけばよい。また，変形例２については，図２５に示すように、各スポットの数や配置が，上段の照射パターンと，下段の照射パターンとで同じである。しかし，変形例２の下段の照射パターンは，上段の照射パターンとは異なり，その中央スポットＳ０のパワー密度が，外縁スポット群ＳＧよりも高いものである。よって，変形例２についても，上記の実施形態と同様，レーザー溶接において，回折光学素子上の入射点ＬＰの位置を変更することにより，それぞれ異なるパワー密度分布形状の照射パターンを形成することができる。
【０２０３】
また，図２５の変形例１，２の照射パターンには，上記の実施形態に係る図５，図６，図７と同様，Ｘ軸およびＹ軸を付している。そして，変形例１，２の照射パターンを用いたレーザー溶接においても，上記の実施形態に係る図５，図６，図７に示す照射パターンＰを用いた場合と同様に行うことができる。これにより，フレキシブルな制御でレーザー溶接を行うことができる。
【０２０４】
次いで，図２５とは異なる照射パターンの変形例について図２６により説明する。図２６には，変形例３〜６のそれぞれについて，上段に，入射点ＬＰが回折光学素子１３０の形成領域１３１内に位置する状態のときに形成される照射パターンを示している。また，中段に，入射点ＬＰが回折光学素子１３０の非形成領域１３２内に位置する状態のときに形成される照射パターンを示している。さらに，下段に，入射点ＬＰが回折光学素子１３０の形成領域１３１と非形成領域１３２との境界１３３にかかっている状態のときに形成される照射パターンを示している。図２６に示すように，変形例３〜６はいずれも，入射点ＬＰが回折光学素子１３０の形成領域１３１内に位置する状態のときに形成される照射パターンが，上記の実施形態と異なるものである。一方，入射点ＬＰが回折光学素子１３０の非形成領域１３２内に位置する状態のときには，変形例３〜６においていずれも，上記の実施形態と同様，中央領域Ａ１に中央スポットＳ０を有する照射パターンである。
【０２０５】
具体的に，図２６の変形例３の上段に示す照射パターンは，図５に示す照射パターンＰの外縁スポットＳ１１，Ｓ１２，Ｓ４１，Ｓ４２に相当する外縁スポット群ＳＧを有するものである。また，図２６の変形例４，５の上段に示す照射パターンは，ともに外縁スポット群ＳＧの数が変形例３よりも少なくされているとともに，それぞれに配置の異なるものである。図２６の変形例６の上段に示す照射パターンは，外縁スポット群ＳＧの数については変形例３と同じであるが，その配置が異なるものである。
【０２０６】
また，変形例３〜６のいずれについても，図２６の下段に示す照射パターンは，上段に示す外縁スポット群ＳＧと，中段に示す中央スポットＳ０とがともに表れたものとなっている。よって，変形例３〜６についても，上記の実施形態と同様，レーザー溶接において，回折光学素子１３０上の入射点ＬＰの位置を変更することにより，それぞれ異なるパワー密度分布形状の照射パターンを形成することができる。すなわち，フレキシブルな制御でレーザー溶接を行うことができる。また，変形例３〜６ではそれぞれ，回折光学素子１３０の形成領域１３１を，図２６の上段に示す外縁スポット群ＳＧの各スポットに係る放射光が放射される回折格子が形成されたものとしておけばよい。
【０２０７】
また，変形例３〜６の照射パターンを用いたレーザー溶接において走査制御を行う場合には，図２６において，それぞれの照射パターンに付している矢印Ｚを走査の向きとすればよい。例えば，変形例４の照射パターンを用いたレーザー溶接において走査制御を行う場合，図２７に示すようにすればよい。
【０２０８】
図２７には，２つの接合対象部材９１，９２を互いの接合予定面９３，９４同士で突合わせてなる対面箇所９０の溶接線９５が直線である場合を示している。また，図２７には，変形例４に係る照射パターンＰ４を示している。照射パターンＰ４は，中央スポットＳ０と，中央スポットＳ０とともに三角形の頂点をなす第１外縁スポットＳ５１および第２外縁スポットＳ５２よりなる外縁スポット群ＳＧとによって構成されたものである。
【０２０９】
図２７では，左端が接合制御および走査制御の開始位置であり，レーザー光の走査方向は，矢印Ｚにより示すように右向きである。このため，図２７に示すように，照射パターンＰ４を用いた場合の走査制御では，溶接線９５上の溶接点に，第１外縁スポットＳ５１と第２外縁スポットＳ５２との間，中央スポットＳ０をこの順で通過させている。
【０２１０】
これにより，照射パターンＰ４を用いた場合の走査制御では，その矢印Ｚの向きの走査方向における中央スポットＳ０よりも前方の位置に，第１外縁スポットＳ５１，第２外縁スポットＳ５２が形成されている。さらに，第１外縁スポットＳ５１は中央スポットＳ０の前方における接合対象部材９１上に，第２外縁スポットＳ５２は中央スポットＳ０の前方における接合対象部材９２上にそれぞれ形成されている。
【０２１１】
そして，図２７では，接合制御の開始後，第１外縁スポットＳ５１，第２外縁スポットＳ５２により形成された溶融部によって中央スポットＳ０前方の隙間が塞がれる初期時間が経過するまで，入射点ＬＰが形成領域１３１内に位置する状態とすればよい。そして，初期時間の経過後，レーザー光を照射したまま入射点ＬＰの位置を変更させ，入射点ＬＰの位置を，形成領域１３１と非形成領域１３２との境界１３３にかかる位置とすればよい。さらに，入射点ＬＰの位置を変更するとともに，走査制御を開始すればよい。これにより，レーザー抜けが生じないようにして不良の発生を抑制しつつ，短時間で２つの接合対象部材９１，９２を溶接線９５に沿って接合することができる。
【０２１２】
次いで，図２５，２６とは異なる照射パターンの変形例について図２８により説明する。図２８には，変形例７〜９のそれぞれについて，上段に，入射点ＬＰが回折光学素子１３０の形成領域１３１内に位置する状態のときに形成される照射パターンを示している。また，中段に，入射点ＬＰが回折光学素子１３０の非形成領域１３２内に位置する状態のときに形成される照射パターンを示している。さらに，下段に，入射点ＬＰが回折光学素子１３０の形成領域１３１と非形成領域１３２との境界１３３にかかっている状態のときに形成される照射パターンを示している。図２８に示すように，変形例７，９はともに，入射点ＬＰが回折光学素子１３０の形成領域１３１内に位置する状態のときに形成される照射パターンが，上記の実施形態および変形例１〜６と異なるものである。なお，変形例８については，照射パターンにおける外縁スポット群ＳＧの面積や配置が，上記の変形例３と同じものである。ただし，変形例８は，図２８に示すように，変形例３と走査方向の矢印Ｚの向きが異なるものである。なお，変形例７〜９のいずれにおいても，入射点ＬＰが回折光学素子１３０の非形成領域１３２内に位置する状態のときには，上記の実施形態と同様，中央領域Ａ１に中央スポットＳ０を有する照射パターンである。
【０２１３】
具体的に，図２８の変形例７の上段に示す照射パターンは，図５に示す照射パターンＰの外縁スポットＳ１１，Ｓ１２，Ｓ３１，Ｓ３２に相当する外縁スポット群ＳＧを有するものである。また，図２８の変形例８の上段に示す照射パターンは，図５に示す照射パターンＰの外縁スポットＳ１１，Ｓ１２，Ｓ２１，Ｓ２２に相当する外縁スポット群ＳＧを有するものである。図２８の変形例９の上段に示す照射パターンは，外縁スポット群ＳＧの数が変形例７よりも少なくされているとともに，配置の異なるものである。
【０２１４】
なお，変形例８は，上記の変形例３とは異なる回転位置で示されているだけであり，その外縁スポット群ＳＧの面積や配置が変形例３と同じである。このため，変形例３と変形例８との照射パターンについて，中央スポットＳ０および外縁スポット群ＳＧのそれぞれのパワー密度の割合が同じである場合，パワー密度分布形状は同じである。
【０２１５】
また，変形例７〜９においても，図２８の下段に示す照射パターンは，上段に示す外縁スポット群ＳＧと，中段に示す中央スポットＳ０とがともに表れたものとなっている。よって，変形例７〜９についても，上記の実施形態と同様，レーザー溶接において，回折光学素子１３０上の入射点ＬＰの位置を変更することにより，それぞれ異なるパワー密度分布形状の照射パターンを形成することができる。すなわち，フレキシブルな制御でレーザー溶接を行うことができる。また，変形例７〜９ではそれぞれ，回折光学素子１３０の形成領域１３１を，図２８の上段に示す外縁スポット群ＳＧの各スポットに係る放射光が放射される回折格子が形成されたものとしておけばよい。
【０２１６】
また，変形例７〜９の照射パターンを用いたレーザー溶接において走査制御を行う場合には，図２８において，それぞれの照射パターンに付している矢印Ｚを走査の向きとすればよい。例えば，変形例９の照射パターンを用いたレーザー溶接において走査制御を行う場合，図２９に示すようにすればよい。
【０２１７】
図２９には，２つの接合対象部材９１，９２を互いの接合予定面９３，９４同士で突合わせてなる対面箇所９０の溶接線９５が直線区間である場合を示している。また，図２９には，変形例９に係る照射パターンＰ９を示している。照射パターンＰ９は，中央スポットＳ０と，異なる位置の第１外縁スポットＳ６１および第２外縁スポットＳ６２よりなる外縁スポット群ＳＧとによって構成されたものである。
【０２１８】
図２９では，左端が接合制御および走査制御の開始位置であり，レーザー光の走査方向は，矢印Ｚにより示すように右向きである。そして，図２９に示すように，照射パターンＰ９を用いた場合の走査制御では，中央スポットＳ０を，溶接線９５に沿って移動させればよい。さらに，走査制御では，第１外縁スポットＳ６１を，溶接線９５と平行に設けられた第１軌道９６に沿って，中央スポットＳ０の前方を移動させればよい。加えて，走査制御では，第２外縁スポットＳ６２を，溶接線９５と平行に設けられた第２軌道９７に沿って，中央スポットＳ０の後方を移動させればよい。
【０２１９】
これにより，照射パターンＰ９を用いた場合の走査制御では，その矢印Ｚの向きの走査方向における中央スポットＳ０よりも前方の位置に，第１外縁スポットＳ６１が形成されている。さらに，矢印Ｚの向きの走査方向における中央スポットＳ０よりも後方の位置に，第２外縁スポットＳ６２が形成されている。さらに，第１外縁スポットＳ６１は中央スポットＳ０の前方における接合対象部材９２上に，第２外縁スポットＳ６２は中央スポットＳ０の後方における接合対象部材９１上にそれぞれ形成されている。
【０２２０】
そして，図２９においては，接合制御の開始時には，第１外縁スポットＳ６１により形成された溶融部によって中央スポットＳ０の前方の隙間が塞がれる初期時間が経過するまで，入射点ＬＰが回折光学素子１３０の形成領域１３１内に位置する状態とすればよい。そして，初期時間の経過後，レーザー光を照射したまま入射点ＬＰの位置の変更を行い，入射点ＬＰの位置を，形成領域１３１と非形成領域１３２との境界１３３にかかる位置とすればよい。さらに，入射点ＬＰの位置を変更するとともに，走査制御を開始すればよい。これにより，レーザー抜けが生じないようにして不良の発生を抑制しつつ，短時間で２つの接合対象部材９１，９２を溶接線９５に沿って接合することができる。
【０２２１】
さらには，照射パターンＰ９を用いた図２９の走査制御では，第２外縁スポットＳ６２により，中央スポットＳ０が通過して形成された溶融部の急激な温度低下を抑制することができる。これにより，クラックなどの発生を抑制しつつレーザー溶接を行うことができる。
【０２２２】
また，変形例３〜９の照射パターンにより電池１の溶接線８０のような矩形形状のレーザー溶接を行う場合，上記の実施形態とは異なり，電池１と照射パターンＰとの回転位置を異なるものとしつつ，走査制御を行えばよい。具体的には，変形例３〜９の照射パターンにより電池１のレーザー溶接を行う場合には，溶接線８０に矢印Ｚの向きが沿うように照射パターンを回転させつつ，レーザー光の走査を行えばよい。そのため，例えば，回折光学素子１３０を電池１に対して回転させればよい。また例えば，電池１を回折光学素子１３０に対して回転させることとしてもよい。
【０２２３】
続いて，回折光学素子の変形例について説明する。上記の実施形態では，中央に回折格子が形成された形成領域１３１を，その外側に回折格子が形成されていない非形成領域１３２を設けてなる回折光学素子１３０を用いた例について説明している。しかし，例えば，図３０に示すように，ともに回折格子が形成された第１形成領域２３１と，第２形成領域２３２とを有する回折光学素子２３０を用いても良い。
【０２２４】
そして，回折光学素子２３０を用いて図５，図６，図７の照射パターンＰを形成する場合には，第１形成領域２３１に，入射光Ｌｉの入射点ＬＰより，図５の外縁スポット群ＳＧに係る放射光を放射する回折格子を形成しておけばよい。また，第２形成領域２３２には，入射光Ｌｉの入射点ＬＰより図７の中央スポットＳ０に係る放射光を放射する回折格子を形成しておけばよい。
【０２２５】
そして，スライド部を図３０に示すスライド位置Ａとすることで，入射点ＬＰが回折光学素子２３０の第１形成領域２３１内に位置する状態とし，図５に示す照射パターンＰを形成することができる。また，スライド部を図３０に示すスライド位置Ｄとすることで，入射点ＬＰが回折光学素子２３０の第２形成領域２３２内に位置する状態とし，図７に示す照射パターンＰを形成することができる。さらに，スライド部を図３０に示すスライド位置Ｆとすることで，入射点ＬＰが回折光学素子２３０の第１形成領域２３１と第２形成領域２３２との境界２３３にかかる状態とし，図６に示す照射パターンＰを形成することができる。
【０２２６】
すなわち，回折光学素子１３０に替えて回折光学素子２３０を用いた場合にも，回折光学素子１３０を用いた場合と同様，複数の異なるパワー密度分布形状の照射パターンＰを形成することができる。
【０２２７】
また，本実施の形態は単なる例示にすぎず，本発明を何ら限定するものではない。従って本発明は当然に，その要旨を逸脱しない範囲内で種々の改良，変形が可能である。例えば，接合対象部材を互いの接合予定面同士で突合わせてなる対面箇所の溶接点に点状の接合部を形成するスポット溶接においては，レーザー光の走査を行う必要はない。すなわち，例えば，接合制御における溶接点へのレーザー光の照射を，スライド部１４０にスライド位置Ａをとらせて開始し，初期時間の経過後，スライド部１４０にスライド位置Ａからスライド位置Ｃまでのスライド移動を行わせればよい。このときには，照射パターンＰにおける中央領域Ａ１内に溶接点が位置するようにしておけばよい。これにより，接合制御が開始されてから初期時間が経過するまでは，外縁スポット群ＳＧにより，隙間のレーザー抜けを抑制して不良の発生を抑制することができるからである。また，初期時間が経過し，隙間が塞がれた後には，中央スポットＳ０により，溶接点に十分な深さを有する点状の接合部を，短時間で形成することができるからである。
【０２２８】
また例えば，溶接線に沿って行うレーザー光の走査は，接合対象部材を，レーザー光に対して移動させることによっても行うことができる。さらに，レーザー光と接合対象部材とをともに相対的に移動させることにより，レーザー光による溶接線の走査を行うことも可能である。
【０２２９】
また例えば，上記の形態では，スライド部１４０のスライド移動により，回折光学素子上の入射光の入射点の位置を変更している。しかし，スライド部１４０以外の構成を用いて，回折光学素子上の入射光の入射点の位置を変更させてもよい。例えば，入射光の光軸と異なる位置に，入射光の光軸と平行に設けた回転軸の軸周りに回折光学素子を回転させる回転部を用いることができる。そして，その回転部の回転によっても回折光学素子上の入射光の入射点の位置を変更することができる。あるいは，回折光学素子上の入射光の入射点の位置を，入射光を回折光学素子に対して移動させることにより変更してもよい。この場合，レーザー光の光路における回折光学素子よりも上流に位置している光ファイバーを移動させることが考えられる。また，レーザー光の光路における回折光学素子よりも上流に，レーザー光の光路に対する角度を変更できる反射鏡を設け，その反射鏡の角度変更によって回折光学素子上の入射光の入射点の位置の変更を行うことも可能である。さらには，回折光学素子とレーザー光の光路とをともに，相対的に移動させることにより，回折光学素子上の入射光の入射点の位置を変更することも可能である。ただし，上記の実施形態のように，回折光学素子をスライド移動させるスライド部を用いることにより，溶接装置を簡素な構成のものとすることができる。
【０２３０】
また例えば，上記の形態では，回折光学素子上の入射光の入射点の位置を，形成領域１３１内に位置する状態と，境界１３３にかかった状態との間で変更する場合について説明している。しかし，例えば，回折光学素子上の入射光の入射点の位置を，境界１３３にかかった状態の範囲内で変更してもよい。このような場合であっても，回折光学素子上の入射光の入射点の変更により，照射パターンのパワー密度分布形状を異なるものとすることができるからである。
【０２３１】
また，上記の実施形態のうち，レーザー発振器のレーザー出力値を変化させている例について説明している実施形態は，第３の形態だけである。しかし，当然，第３の形態以外において，パワー密度分布形状をより好ましいものとすることができる場合等には，レーザー発振器のレーザー出力値を変化させてもよい。
【０２３２】
また，上記の実施形態はいずれも，透過したレーザー光を放射する回折格子が形成された透過型の回折光学素子を用いた例について具体的に説明したものである。しかし，本発明は，透過型の回折光学素子に限らず，反射したレーザー光を放射する回折格子が形成された反射型の回折光学素子を用いる場合についても適用することができる。
【０２３３】
また，上記の実施形態ではいずれも，照射パターンを構成するスポットとして円形状のものを図示して説明している。しかし，照射パターンは，三角形などの多角形，楕円形状など，円形状以外の形状のスポットにより構成されているものであってもよい。
【０２３４】
また，上記の実施形態では，ともにアルミニウムよりなるケース本体および封口板を接合対象部材として用いた場合の例について具体的に説明している。しかし，アルミニウム同士に限らず，レーザー溶接により接合できる材質同士の組み合わせであれば，本発明を適用することが可能である。また本発明は，当然，電池以外の接合対象部材のレーザー溶接にも適用することができる。
【符号の説明】
【０２３５】
１  電池
１０  ケース本体
２０  封口板
３０  接合部
８０  溶接線
１００  溶接装置
１１０  レーザー発振器
１３０  回折光学素子
１３１  形成領域
１３２  非形成領域
１４０  スライド部
１８０  制御部
Ａ，Ｂ，Ｃ，Ｄ  スライド位置
Ｌｉ  入射光
Ｌ  レーザー光
ＬＰ  入射点
Ｐ  照射パターン
Ｓ０  中央スポット
ＳＧ  外縁スポット群
Ｓ１１，Ｓ１２，Ｓ２１，Ｓ２２，Ｓ３１，Ｓ３２，Ｓ４１，Ｓ４２  外縁スポット
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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【図２７】
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【図２８】
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【図２９】
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【図３０】
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