(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
支持基板と、
前記支持基板上に設けられたセンサー素子と、
導電性を有する第１層および第２層と、絶縁性を有し、前記第１層と前記第２層との間に位置する第３層と、を有し、前記支持基板の前記センサー素子側の面に接合され、前記センサー素子を封止する封止基板と、
前記封止基板の、前記支持基板と接合される面と反対側に設けられ、前記センサー素子と電気的に接続された導電部と、を備え、
前記第１層、前記第３層および前記第２層は、前記支持基板側からこの順に積層され、
前記封止基板は、前記第２層および前記第３層を貫通し、前記第１層に達する貫通孔を有し、
前記貫通孔には、前記導電部が配置されており、
前記導電部と前記第１層とは、接触していることを特徴とする物理量センサー。
【請求項２】
前記封止基板は、前記第１層を貫通するとともに、前記第２層または前記第３層を底部とし、前記センサー素子を収納する凹部を有している請求項１に記載の物理量センサー。
【請求項３】
前記導電部は、複数設けられている請求項１または２に記載の物理量センサー。
【請求項４】
前記封止基板は、複数の前記導電部を互いに絶縁する絶縁部を有している請求項３に記載の物理量センサー。
【請求項５】
請求項１ないし４のいずれか１項に記載の物理量センサーを備えることを特徴とする電子機器。
【請求項６】
請求項１ないし４のいずれか１項に記載の物理量センサーを備えることを特徴とする移動体。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、物理量センサー、電子機器および移動体に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来から、角速度や加速度等の物理量を検出する物理量センサーが知られている（例えば、特許文献１）。
【０００３】
特許文献１に記載の物理量センサーは、半導体基板と、半導体基板上に設けられ、可動電極を有する２つのセンサー素子と、可動電極に対向して設けられた固定電極と、可動電極や固定電極にそれぞれ接続される複数の配線と、配線とそれぞれ電気的に接続され、外部と電気的に接続される導電部として機能する複数のパッドと、を備えている。また、各配線および各パッドは、半導体基板上に設けられている。
【０００４】
このような物理量センサーは、一般的には、半導体基板の上面に、各センサー素子を収納する封止部材が接合されて用いられている。これにより、センサー素子を気密空間に封止することができる。
【０００５】
ところで、特許文献１に記載の物理量センサーにおいて、上記のように封止部材によって各センサー素子を封止する場合、各パッドを、半導体基板の平面視で、封止部材の外側に配置し、各配線を封止部材の外側まで引き出す必要がある。
【０００６】
この場合、パッドおよび配線の一部が封止部材の外側に位置しているため、半導体基板の大きさを十分に大きくする必要がある。その結果、物理量センサー全体として、大きくなる。このように、特許文献１に記載の物理量センサーでは、小型化を図るのが困難である。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特許第４１２９７３８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
本発明の目的は、小型化を図ることができる物理量センサー、電子機器および移動体を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
このような目的は、下記の本発明により達成される。
［適用例１］
本発明の物理量センサーは、支持基板と、
前記支持基板上に設けられたセンサー素子と、
導電性を有する第１層および第２層と、絶縁性を有し、前記第１層と前記第２層との間に位置する第３層と、を有し、前記支持基板の前記センサー素子側の面に接合され、前記センサー素子を封止する封止基板と、
前記封止基板の、前記支持基板と接合される面と反対側に設けられ、前記センサー素子と電気的に接続された導電部と、を備え、
前記第１層、前記第３層および前記第２層は、前記支持基板側からこの順に積層され、
前記封止基板は、前記第２層および前記第３層を貫通し、前記第１層に達する貫通孔を有し、
前記貫通孔には、前記導電部が配置されており、
前記導電部と前記第１層とは、接触していることを特徴とする。
【００１０】
従来は、支持基板上にセンサー素子と外部との接続端子としてのパッドが設けられている。この場合、パッドと、パッドおよびセンサー素子を接続する配線の一部とを、支持基板の平面視で、封止基板の外側に配置する必要がある。これに対し、本発明では、接続端子としての導電部が封止基板の上面（封止基板と反対側）に設けられている。このため、支持基板の上面で、かつ、封止基板の外側にパッドを設けるのを省略することができる。よって、その分、支持基板の小型化を図ることができる。従って、本発明によれば物理量センサー全体として小型化を図ることができる。
【００１５】
［適用例２］
本発明の物理量センサーでは、前記封止基板は、前記第１層を貫通するとともに、前記第２層または前記第３層を底部とし、前記センサー素子を収納する凹部を有しているのが好ましい。
【００１６】
これにより、凹部をエッチングによって形成する場合、第３層は、第１層をエッチングする際のストップ層として機能する。よって、精度よく凹部を形成することができる。
【００１７】
なお、その後に、凹部の底部の第３層を除去することにより、第２層を底部とする凹部も形成することができる。
【００２０】
［適用例３］
本発明の物理量センサーでは、前記導電部は、複数設けられているのが好ましい。
【００２１】
これにより、各導電部を、例えば、センサー素子の固定電極および可動電極に、それぞれ電気的に接続することができる。よって、各導電部を介して、固定電極および可動電極との間の静電容量を検出することができる。
【００２２】
［適用例４］
本発明の物理量センサーでは、前記封止基板は、複数の前記導電部を互いに絶縁する絶縁部を有しているのが好ましい。
これにより、導電部同士が短絡するのを防止することができる。
【００２３】
［適用例５］
本発明の電子機器は、本発明の物理量センサーを備えることを特徴とする。
これにより、信頼性の高い電子機器を得ることができる。
【００２４】
［適用例６］
本発明の移動体は、本発明の物理量センサーを備えることを特徴とする。
これにより、信頼性の高い移動体を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【００２５】
【図１】本発明の物理量センサーの第１実施形態を示す斜視図である。
【図２】図１に示す物理量センサーを示す平面図である。
【図３】図２中のＡ−Ａ線断面図である。
【図４】図３の部分拡大図（拡大断面図）である。
【図５】図２中のＢ−Ｂ線断面図である。
【図６】図５の部分拡大図（拡大断面図）である。
【図７】図１に示す封止基板の平面図（上面図）である。
【図８】図１に示す封止基板の分解斜視図である。
【図９】図１に示す物理量センサーの製造方法を説明するための断面図であって、（ａ）が用意工程を示す図、（ｂ）が第１のエッチング工程を示す図、（ｃ）が埋設工程を示す図、（ｄ）が第２のエッチング工程を示す図である。
【図１０】図１に示す物理量センサーを説明するための断面図であって、（ａ）が接合工程を示す図、（ｂ）が配置工程を示す図、（ｃ）が封止工程を示す図である。
【図１１】本発明の物理量センサーの第２実施形態を示す断面図である。
【図１２】本発明の物理量センサーを備える電子機器を適用したモバイル型（またはノート型）のパーソナルコンピューターの構成を示す斜視図である。
【図１３】本発明の物理量センサーを備える電子機器を適用した携帯電話機（ＰＨＳも含む）の構成を示す斜視図である。
【図１４】本発明の物理量センサーを備える電子機器を適用したディジタルスチルカメラの構成を示す斜視図である。
【図１５】本発明の物理量センサーを備える移動体を適用した自動車の構成を示す斜視図である。
【発明を実施するための形態】
【００２６】
以下、本発明の物理量センサー、電子機器および移動体を添付図面に示す好適な実施形態に基づいて詳細に説明する。
【００２７】
まず、本発明の物理量センサーについて説明する。
１．物理量センサー
＜第１実施形態＞
図１は、本発明の物理量センサーの第１実施形態を示す斜視図である。図２は、図１に示す物理量センサーを示す平面図である。図３は、図２中のＡ−Ａ線断面図である。図４は、図３の部分拡大図（拡大断面図）である。図５は、図２中のＢ−Ｂ線断面図である。図６は、図５の部分拡大図（拡大断面図）である。図７は、図１に示す封止基板の平面図（上面図）である。図８は、図１に示す封止基板の分解斜視図である。
【００２８】
なお、以下では、説明の便宜上、図２中の紙面手前側を「上」、紙面奥側を「下」、右側を「右」、左側を「左」と言う。また、図１〜３、５〜７では、互いに直交する３つの軸として、Ｘ軸、Ｙ軸およびＺ軸が図示されている。また、以下では、Ｘ軸に平行な方向（左右方向）を「Ｘ軸方向」、Ｙ軸に平行な方向を「Ｙ軸方向」、Ｚ軸に平行な方向（上下方向）を「Ｚ軸方向」と言う。
【００２９】
また、図８〜１０では、物理量センサーの厚さ方向を誇張して図示しており、実際の寸法とは大きく異なる。
【００３０】
図１および図７に示す物理量センサー１は、支持基板２と、この支持基板２に支持された素子片３と、導体パターン４と、素子片３および導体パターン４を覆うように設けられた封止基板５と、封止材７と、３つの導電部８を有する。
【００３１】
以下、物理量センサー１を構成する各部を順次詳細に説明する。
（支持基板）
支持基板２は、素子片３を支持する機能を有する。
【００３２】
この支持基板２は、板状をなし、その上面（一方の面）には、空洞部（凹部）２１が設けられている。この空洞部２１は、支持基板２を平面視したときに、後述する素子片３の可動部３３、可動電極部３６、３７および連結部３４、３５を包含するように形成されていて、内底を有する。このような空洞部２１は、素子片３の可動部３３、可動電極部３６、３７および連結部３４、３５が支持基板２に接触するのを防止する逃げ部を構成する。これにより、素子片３の可動部３３の変位を許容することができる。
【００３３】
なお、この逃げ部は、空洞部２１に代えて、支持基板２をその厚さ方向に貫通する開口部であってもよい。また、本実施形態では、空洞部２１の平面視形状は、四角形（具体的には長方形）をなしているが、これに限定されるものではない。
【００３４】
また、支持基板２の上面には、前述した空洞部２１の外側に、その外周に沿って、凹部２２、２３、２４が設けられている。この凹部２２、２３、２４は、底部に後述の配線４１、４２、４３がそれぞれ配置されている。
【００３５】
このような支持基板２の構成材料としては、例えば、高抵抗なシリコン材料、ガラス材料を用いるのが好ましく、特に、素子片３がシリコン材料を主材料として構成されている場合、アルカリ金属イオン（可動イオン）を含むガラス材料（例えば、パイレックスガラス（登録商標）のような硼珪酸ガラス）を用いるのが好ましい。これにより、素子片３がシリコンを主材料として構成されている場合、支持基板２と素子片３とを陽極接合することができる。
【００３６】
また、支持基板２の構成材料は、素子片３の構成材料との熱膨張係数差ができるだけ小さいのが好ましく、具体的には、支持基板２の構成材料と素子片３の構成材料との熱膨張係数差が３ｐｐｍ／℃以下であるのが好ましい。これにより、支持基板２と素子片３との接合時等に高温化にさらされても、支持基板２と素子片３との間の残留応力を低減することができる。
【００３７】
また、支持基板２の融点または軟化点（以下、単に「融点」と言う）Ｔ２は、特に限定されないが、例えば、５００℃以上１０００℃以下であるのが好ましく、６００℃以上９００℃以下であるのがより好ましい。
【００３８】
（素子片）
素子片３は、固定部３１、３２と、可動部３３と、連結部３４、３５と、可動電極部３６、３７と、固定電極部３８、３９とで構成されている。
【００３９】
このような素子片３は、例えば、加速度、角速度等の物理量の変化に応じて、可動部３３および可動電極部３６、３７が、連結部３４、３５を弾性変形させながら、Ｘ軸方向（＋Ｘ方向または−Ｘ方向）に変位する。
【００４０】
固定部３１は、支持基板２の上面の空洞部２１に対して−Ｘ方向側（図中左側）の部分に接合されている。固定部３２は、支持基板２の上面の空洞部２１に対して＋Ｘ方向側（図中右側）の部分に接合されている。また、固定部３１、３２は、平面視したときに、それぞれ、空洞部２１の外周縁を跨ぐように設けられている。
【００４１】
固定部３１、３２の間には、可動部３３が設けられている。本実施形態では、可動部３３は、Ｘ軸方向に延びる長手形状をなしている。可動部３３は、固定部３１に対して連結部３４を介して連結されるとともに、固定部３２に対して連結部３５を介して連結されている。
【００４２】
連結部３４、３５は、可動部３３を固定部３１、３２に対して変位可能に連結している。本実施形態では、連結部３４、３５は、図２にて矢印ａで示すように、Ｘ軸方向（＋Ｘ方向または−Ｘ方向）に可動部３３を変位し得るように構成されている。
【００４３】
連結部３４は、２つの梁３４１、３４２で構成されている。そして、梁３４１、３４２は、それぞれ、Ｙ軸方向に蛇行しながらＸ軸方向に延びる形状をなしている。言い換えると、梁３４１、３４２は、それぞれ、Ｙ軸方向に複数回（本実施形態では２回）折り返された形状をなしている。
【００４４】
同様に、連結部３５は、Ｙ軸方向に蛇行しながらＸ軸方向に延びる形状をなす２つの梁３５１、３５２で構成されている。
【００４５】
このように支持基板２に対してＸ軸方向に変位可能に支持された可動部３３の幅方向での一方側（＋Ｙ方向側）には、可動電極部３６が設けられ、他方側（−Ｙ方向側）には、可動電極部３７が設けられている。
【００４６】
可動電極部３６は、可動部３３から＋Ｙ方向に突出し、櫛歯状をなすように並ぶ複数の可動電極指３６１〜３６５を備えている。この可動電極指３６１、３６２、３６３、３６４、３６５は、−Ｘ方向側から＋Ｘ方向側へ、この順に並んでいる。同様に、可動電極部３７は、可動部３３から−Ｙ方向に突出し、櫛歯状をなすように並ぶ複数の可動電極指３７１〜３７５を備える。この可動電極指３７１、３７２、３７３、３７４、３７５は、−Ｘ方向側から＋Ｘ方向側へ、この順に並んでいる。
【００４７】
このように複数の可動電極指３６１〜３６５および複数の可動電極指３７１〜３７５は、それぞれ、可動部３３の変位する方向（すなわちＹ軸方向）に並んで設けられている。
【００４８】
固定電極部３８は、前述した可動電極部３６の複数の可動電極指３６１〜３６５に対して間隔を隔てて噛み合う櫛歯状をなすように並ぶ複数の固定電極指３８１〜３８８を備える。このような複数の固定電極指３８１〜３８８の可動部３３とは反対側の端部は、それぞれ、支持基板２の上面の空洞部２１に対して＋Ｙ方向側の部分に接合されている。そして、各固定電極指３８１〜３８８は、その固定された側の端を固定端とし、自由端が−Ｙ方向へ延びている。
【００４９】
この固定電極指３８１〜３８８は、−Ｘ方向側から＋Ｘ方向側へ、この順に並んでいる。そして、固定電極指３８１、３８２は、対をなし、前述した可動電極指３６１、３６２の間に、固定電極指３８３、３８４は、対をなし、可動電極指３６２、３６３の間に、固定電極指３８５、３８６は、対をなし、可動電極指３６３、３６４の間に、固定電極指３８７、３８８は、対をなし、可動電極指３６４、３６５の間に臨むように設けられている。
【００５０】
このような固定電極指３８２、３８４、３８６、３８８と、固定電極指３８１、３８３、３８５、３８７とは、支持基板２上において、互いに連結されておらず、島状に孤立している。これにより、固定電極指３８２、３８４、３８６、３８８と可動電極部３６との間の静電容量、および、固定電極指３８１、３８３、３８５、３８７と可動電極部３６との間の静電容量を別々に測定し、それらの測定結果に基づいて、高精度に物理量を検出することができる。
【００５１】
固定電極部３９は、前述した可動電極部３７の複数の可動電極指３７１〜３７５に対して間隔を隔てて噛み合う櫛歯状をなすように並ぶ複数の固定電極指３９１〜３９８を備える。このような複数の固定電極指３９１〜３９８の可動部３３とは反対側の端部は、それぞれ、支持基板２の上面の空洞部２１に対して−Ｙ方向側の部分に接合されている。そして、各固定電極指３９１〜３９８は、その固定された側の端を固定端とし、自由端が＋Ｙ方向へ延びている。
【００５２】
この固定電極指３９１、３９２、３９３、３９４、３９５、３９６、３９７、３９８は、−Ｘ方向側から＋Ｘ方向側へ、この順に並んでいる。そして、固定電極指３９１、３９２は、対をなし、前述した可動電極指３７１、３７２の間に、固定電極指３９３、３９４は、対をなし、可動電極指３７２、３７３の間に、固定電極指３９５、３９６は、対をなし、可動電極指３７３、３７４の間に、固定電極指３９７、３９８は、対をなし、可動電極指３７４、３７５の間に臨むように設けられている。
【００５３】
このような固定電極指３９２、３９４、３９６、３９８と固定電極指３９１、３９３、３９５、３９７とは、前述した固定電極部３８と同様、支持基板２上で互いに分離している。これにより、固定電極指３９２、３９４、３９６、３９８と可動電極部３７との間の静電容量、および、固定電極指３９１、３９３、３９５、３９７と可動電極部３７との間の静電容量を別々に測定し、それらの測定結果に基づいて、高精度に物理量を検出することができる。
【００５４】
このような素子片３（すなわち、固定部３１、３２、可動部３３、連結部３４、３５、複数の固定電極指３８１〜３８８、３９１〜３９８および複数の可動電極指３６１〜３６５、３７１〜３７５）は、後述する１つのシリコン基板をエッチングすることより形成されたものである。
【００５５】
また、素子片３の構成材料としては、前述したような静電容量の変化に基づく物理量の検出が可能であれば、特に限定されないが、半導体が好ましく、本実施形態では、単結晶シリコン、ポリシリコン等のシリコン材料が用いられる。
【００５６】
また、素子片３を構成するシリコン材料には、リン、ボロン等の不純物がドープされているのが好ましい。これにより、素子片３の導電性を優れたものとすることができる。
【００５７】
また、素子片３は、前述したように、支持基板２の上面に固定部３１、３２および固定電極部３８、３９が接合されることにより、支持基板２に支持されている。
【００５８】
このような素子片３と支持基板２との接合方法は、特に限定されないが、陽極接合法を用いるのが好ましい。これにより、素子片３を支持基板２に強固に接合することができる。
【００５９】
（導体パターン）
導体パターン４は、前述した支持基板２の上面（固定電極部３８、３９側の面）上に設けられている。この導体パターン４は、配線４１と、配線４２と、配線４３とを有している。
【００６０】
配線４１は、前述した支持基板２の空洞部２１の外側に設けられ、空洞部２１の外周に沿うように形成されている。そして、配線４１の−Ｘ軸側の端部は、支持基板２の−Ｘ軸側の縁部近傍に位置している。また、配線４１の−Ｘ軸側の端部は、突起４１１を介して封止基板５と電気的に接続されている。
【００６１】
このような配線４１は、素子片３の各固定電極指３８２、３８４、３８６、３８８に、導電性を有する突起４８１を介してそれぞれ電気的に接続され、各固定電極指３９２、３９４、３９６、３９８に導電性を有する突起４８２を介してそれぞれ電気的に接続されている。
【００６２】
配線４２は、配線４１の内側、かつ、支持基板２の空洞部２１の外側でその外周縁に沿って設けられている。そして、配線４２の−Ｘ軸側の端部は、支持基板２の−Ｘ軸側の縁部近傍で、かつ配線４２の一端部よりも−Ｙ軸側に位置している。また、配線４１の−Ｘ軸側の端部は、突起４２１を介して封止基板５と電気的に接続されている。
【００６３】
このような配線４２は、素子片３の各固定電極指３８１、３８３、３８５、３８７に、導電性を有する突起４７１を介してそれぞれ電気的に接続され、各固定電極指３９１、３９３、３９５、３９７に導電性を有する突起４７２を介してそれぞれ電気的に接続されている。
【００６４】
配線４３は、支持基板２上の固定部３１との接合部から引き出されている。また、配線４３の−Ｘ軸側の端部は、支持基板２の−Ｘ軸側の縁部近傍で、かつ配線４１の一端部よりも−Ｙ軸側に位置している。また、配線４１の−Ｘ軸側の端部は、突起４３１を介して封止基板５と電気的に接続されている。
【００６５】
配線４１〜４３の構成材料としては、それぞれ、導電性を有するものであれば、特に限定されず、各種電極材料を用いることができるが、例えば、ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ  Ｔｉｎ  Ｏｘｉｄｅ）、ＩＺＯ（Ｉｎｄｉｕｍ  Ｚｉｎｃ  Ｏｘｉｄｅ）、Ｉｎ３Ｏ３、ＳｎＯ２、Ｓｂ含有ＳｎＯ２、Ａｌ含有ＺｎＯ等の酸化物（透明電極材料）、Ａｕ、Ｐｔ、Ａｇ、Ｃｕ、Ａｌまたはこれらを含む合金等が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。
【００６６】
このような導体パターン４が支持基板２の上面に設けられていることにより、配線４１を介して固定電極指３８２、３８４、３８６、３８８と可動電極部３６との間の静電容量および固定電極指３９２、３９４、３９６、３９８と可動電極部３７との間の静電容量を測定するとともに、配線４２を介して固定電極指３８１、３８３、３８５、３８７と可動電極部３６との間の静電容量および固定電極指３９１、３９３、３９５、３９７と可動電極部３７との間の静電容量を測定することができる。また、本実施形態では、配線４３は、接地用の配線として機能する。
【００６７】
なお、配線４１〜４３上には、突起４７１、４７２、４８１、４８２以外の部分に、絶縁膜が設けられていてもよい。
【００６８】
（封止基板）
図１、図３〜図８に示すように、封止基板５は、素子片３を保護する機能を有する。封止基板５は、板状をなし、その一方の面（下面）に凹部５１が設けられている。この凹部５１は、素子片３の可動部３３および可動電極部３６、３７等の変位を許容するように形成されている。そして、封止基板５の下面の凹部５１よりも外側の部分は、前述した支持基板２の上面に接合されている。
【００６９】
この封止基板５は、ＳＯＩ基板であり、図３〜図８に示すように、導電性を有する導電層（第１層）５２および導電層（第２層）５３と、絶縁性を有する絶縁層（第３層）５４とを有している。また、導電層５２、絶縁層５４および導電層５３は、下側からこの順に積層されている。
【００７０】
導電層５２は、支持基板２側に位置しており、凹部５１が形成されている部分である。  また、導電層５２には、矩形の貫通孔が形成されており、該貫通孔は、絶縁層５４によって一方が塞がれて凹部５１を構成している。
【００７１】
導電層５２は、配線４１の突起４１１、配線４２の突起４２１および配線４３の突起４３１と接触している。このため、導電層５２は、配線４１、４２、４３を介して、素子片３と電気的に接続されている。
【００７２】
この導電層５２は、導電層５３および絶縁層５４のいずれよりも厚い。また、導電層５２は、素子片３の振動を許容する凹部を形成し得る程度の厚さを有している。具体的には、導電層５２の厚さは、１０μｍ以上、１００μｍ以下であるのが好ましく、３０μｍ以上、８０μｍ以下であるのがより好ましい。
【００７３】
また、導電層５３の厚さは、絶縁層５４よりも厚い。導電層５３は、後述の貫通孔５５ａ〜５５ｄの長さを十分に確保することができる程度の厚さを有している。具体的には、導電層５３の厚さは、５μｍ以上、５０μｍ以下であるのが好ましく、１５μｍ以上、４０μｍ以下であるのがより好ましい。
【００７４】
絶縁層５４は、導電層５２と導電層５３とを絶縁するものである。この絶縁層５４は、導電層５２、５３を絶縁し得る程度の厚さを有している。具体的には、絶縁層５４の厚さは、０．１μｍ以上、５μｍ以下であるのが好ましく、０．３μｍ以上、２μｍ以下であるのがより好ましい。
【００７５】
導電層５２、５４の構成材料としては、導電性を有していれば特に限定されないが、本実施形態では、導電層５２、５４は、例えば、リン、ボロン等の不純物がドープされたシリコン材料で構成されている。絶縁層５４の構成材料としては、絶縁性を有していれば特に限定されないが、本実施形態では、絶縁層５４は、ＳｉＯ２で構成されている。
【００７６】
このような構成の封止基板５は、Ｚ軸方向からみたとき、矩形をなす４つの領域５Ａ、５Ｂ、５Ｃ、５Ｄに分けられる。領域５Ａは、凹部５１を包含している領域である。領域５Ｂ〜５Ｄは、それぞれ、領域５Ａに対して−Ｘ軸側に位置している。また、領域５Ｂ〜５Ｄは、＋Ｙ軸側から−Ｙ軸方向に、この順に並んで設けられている。
【００７７】
また、図７および図８に示すように、導電層５２、５４には、領域５Ａ〜５Ｄの各境界部に、絶縁部６がそれぞれ埋設されている。この絶縁部６は、導電層５２、５４の厚さ方向の全域にわたって埋設されている。これにより、領域５Ａ〜５Ｄは、絶縁部６によって互いに仕切られることとなる。よって、領域５Ａ〜５Ｄは、互いに電気的に分離した状態となっている。
【００７８】
図５〜７に示すように、領域５Ａには、導電層５３および絶縁層５４を貫通する貫通孔５５ａが形成されている。貫通孔５５ａは、凹部５１と連通している。
【００７９】
また、貫通孔５５ａは、横断面形状が円形をなしている。貫通孔５５ａは、少なくとも導電層５３において、絶縁層５４に向って横断面積が漸減している。貫通孔５５ａの上面開口の直径Ｄ１と、貫通孔５５ａの下面開口Ｄ２との比Ｄ１／Ｄ２は、４〜１００であるのが好ましく、８〜３５であるのがより好ましい。これにより、後述するように、貫通孔５５ａに球状の封止材７ａを安定的に配置することができる。
【００８０】
貫通孔５５ａの上面開口の直径Ｄ１は、特に限定されないが、２００μｍ以上、５００μｍ以下であるのが好ましく、２５０μｍ以上、３５０μｍ以下であるのがより好ましい。一方、貫通孔５５ａの下面開口Ｄ２は、特に限定されないが、５μｍ以上、５０μｍ以下であるのが好ましく、１０μｍ以上、３０μｍ以下であるのがより好ましい。
【００８１】
この貫通孔５５ａには、導電性を有する封止材７が充填されている。これにより、凹部５１が封止される。この封止材７の構成材料としては、特に限定されず、例えば、Ａｕ−Ｇｅ系合金や、Ａｕ−Ｓｎ系合金等の金属材料や、低融点ガラス材料等を用いることができる。
【００８２】
また、領域５Ｂには、貫通孔（凹部）５５ｂが形成され、領域５Ｃには、貫通孔（凹部）５５ｃが形成され、領域５Ｄには、貫通孔（凹部）５５ｄが形成されている。
【００８３】
貫通孔５５ｂ〜５５ｄは、導電層５３および絶縁層５４を貫通し、導電層５２に達している。したがって、貫通孔５５ｂ〜５５ｄは、導電層５２を底部とする凹部で構成されていると言える。これら貫通孔５５ｂ〜５５ｄは、前述した貫通孔５５ａと同様の形状・寸法で形成されている。
【００８４】
図５〜図７に示すように、貫通孔５５ｂ〜５５ｄには、それぞれ、導電部８が設けられている。各導電部８は、導電層５２に接触している。これにより、貫通孔５５ｂの導電部８は、領域５Ｂにおいて導電層５２と電気的に接続され、貫通孔５５ｃの導電部８は、領域５Ｃにおいて導電層５２と電気的に接続され、貫通孔５５ｄの導電部８は、領域５Ｄにおいて導電層５２と電気的に接続される。よって、貫通孔５５ｂの導電部８は、配線４１と電気的に接続され、貫通孔５５ｃの導電部８は、配線４２と電気的に接続され、貫通孔５５ｄの導電部８は、配線４３と電気的に接続される。
【００８５】
また、貫通孔５５ｂにおいて、導電部８は、上面開口を介して上側に露出している。また、貫通孔５５ｃにおいて、導電部８は、上面開口を介して上側に露出している。そして、貫通孔５５ｄにおいて、導電部８は、上面開口を介して上側に露出している。
【００８６】
また、前述したように、領域５Ｂ〜５Ｄの導電部８は、互いに短絡が防止されているため、３つの導電部８は、素子片３と外部とを電気的に接続する接続端子としてそれぞれ機能する。
【００８７】
このように、本発明によれば、封止基板５の素子片３と反対側、すなわち、上面に接続端子としての導電部８を配置することができる。これにより、従来のように、支持基板２上の配線４１〜４３を封止基板５の外側まで引き出し、その端部に、素子片３と外部とを電気的に接続するための接続端子を形成するのを省略することができる。よって、その分、支持基板２を小さく（封止基板５と同じ大きさに）することができる。その結果、物理量センサー１全体として小型化を図ることができる。
【００８８】
また、貫通孔５５ｂ〜５５ｄに導電部８をそれぞれ配置することにより、封止基板５が絶縁層５４を有しているにも関わらず、封止基板５の上面側に接続端子としての導電部を露出させることができる。
【００８９】
なお、導電部８の構成材料としては、導電性を有していれば特に限定されず、例えば、Ａｕ−Ｇｅ系合金や、Ａｕ−Ｓｎ系合金等の金属材料を用いることができる。また、導電部８は、封止材７の構成材料と同じであってもよく、異なっていてもよい。導電部８と封止材７の構成材料が同じであった場合、後述の封止工程において、同じタイミングでこれらを溶融することができるという利点がある。
【００９０】
次に、物理量センサー１の製造方法について説明する。
図９は、図１に示す物理量センサーの製造方法を説明するための断面図であって、（ａ）が用意工程を示す図、（ｂ）が第１のエッチング工程を示す図、（ｃ）が埋設工程を示す図、（ｄ）が第２のエッチング工程を示す図である。図１０は、図１に示す物理量センサーを説明するための断面図であって、（ａ）が接合工程を示す図、（ｂ）が配置工程を示す図、（ｃ）が封止工程を示す図である。
【００９１】
なお、以下では、貫通孔５５ａ〜５５ｄのうち、貫通孔５５ａ、５５ｃを代表的に図示しているが、貫通孔５５ｂ、５５ｄについても同様に加工されている。
【００９２】
本製造方法は、［１］用意工程と、［２］第１のエッチング工程と、［３］第２のエッチング工程と、［４］埋設工程と、［５］接合工程と、［６］配置工程と、［７］封止工程と、を有している。
【００９３】
［１］用意工程
まず、上面に素子片３が設けられた支持基板２（図示せず）と、加工することにより封止基板５となるＳＯＩ基板５’を用意する（図９参照）。なお、素子片３は、公知の方法により支持基板２上に形成されるため、ここでは説明を省略する。
【００９４】
［２］第１のエッチング工程
次に、図９（ｂ）に示すように、エッチングによって、導電層５２に凹部５１と、絶縁部６が埋め込まれる溝６１を形成する。そして、これとともに、導電層５３に、貫通孔５５ａとなる貫通孔５５ａ’と、貫通孔５５ｂとなる貫通孔５５ｂ’と、貫通孔５５ｃとなる貫通孔５５ｃ’と、貫通孔５５ｄとなる貫通孔５５ｄ’と、絶縁部６が埋め込まれる溝６２を形成する。
【００９５】
また、上記エッチングでは、例えば、レジストマスク、金属マスク、ＳｉＯ２マスク、ＳｉＮマスク等のマスク（図示せず）によって、凹部５１、貫通孔５５ａ’〜５５ｄ’および溝６１、６２以外の部分に形成して行われる。
【００９６】
また、上記エッチングは、凹部５１、貫通孔５５ａ’〜５５ｄ’および溝６１、６２は、それぞれ、絶縁層５４に達するまで行われる。すなわち、凹部５１、貫通孔５５ａ’〜５５ｄ’および溝６１、６２は、絶縁層５４が露出するまで、各導電層５２、５３を除去して形成される。
【００９７】
上記エッチング方法としては、特に限定されず、例えば、プラズマエッチング、リアクティブイオンエッチング、ビームエッチング、光アシストエッチング等の物理的エッチング法、ウェットエッチング等の化学的エッチング法等のうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。
【００９８】
ここで、絶縁層５４は、本工程のエッチングのストップ層として機能する。これにより、凹部５１、貫通孔５５ａ〜５５ｄおよび溝６１、６２の深さを所望の深さにすることができる。よって、凹部５１、貫通孔５５ａ〜５５ｄおよび溝６１、６２の形成精度（寸法精度）を高めることができる。
【００９９】
［３］第２のエッチング工程
次に、図９（ｃ）に示すように、貫通孔５５ａ’〜５５ｄ’の底部の絶縁層５４を、エッチングにより除去する。これにより、貫通孔５５ａ〜５５ｄが形成される。このとき、第１のエッチング工程で用いたマスクが絶縁層５４と同じ材料（ＳｉＯ２）で、構成されていた場合、本工程において、絶縁層５４の除去と一括して行うことができる。さらに、第１のエッチング工程において、マスクが若干消耗することを考慮し、マスクの厚さを、絶縁層５４の厚さの１．５〜２．０倍程度とすることにより、マスクと絶縁層５４とを、同時または略同時に除去することができる。よって、［２］第１のエッチング工程および［３］第２のエッチング工程を円滑に行うことができる。
【０１００】
本工程のエッチング方法としては、特に限定されず、例えば、ＣＨＦ３を用いたドライエッチングや、フッ化水素酸水溶液を用いたウェットエッチング等が挙げられる。
【０１０１】
なお、本工程において、凹部５１の底部の絶縁層５４を除去して、導電層５３を底部とする凹部５１を形成してもよい。
【０１０２】
［４］埋設工程
次に、図９（ｄ）に示すように、溝６１、６２内に、例えば、シリコン酸化膜等の絶縁材料を埋設し、絶縁部６を形成する。これにより、領域５Ａ〜５Ｄは、互いに電気的に分離された状態となる。この埋設方法としては、例えば、ＣＶＤ法や、熱酸化法等が挙げられる。
以上の工程［１］〜［４］を経て封止基板５が得られる。
【０１０３】
［５］接合工程
次に、図１０（ａ）に示すように、上記で得られた封止基板５を、素子片３が凹部５１内に収納されるように支持基板２に接合する。封止基板５と支持基板２との接合方法としては、特に限定されず、例えば、接着剤を用いた接合方法、陽極接合法、直接接合法等を用いることができる。
【０１０４】
［６］配置工程
次に、図１０（ｂ）に示すように、貫通孔５５ａに、封止材７となる球状の封止材７ａを配置し、貫通孔５５ｂ〜５５ｄに、導電部８となる球状の導電部８ａを配置する。これら封止材７ａおよび導電部８ａの外径（最大外径）は、各貫通孔５５ａ〜５５ｄの下面開口の直径よりも大きく、かつ、貫通孔５５ａ〜５５ｄの絶縁層５４での直径よりも小さい。これにより、封止材７ａを貫通孔５５ａに配置することができるとともに、導電部８を貫通孔５５ｂ〜５５ｄ内に配置することができる（以下、この状態を「配置状態」と言う）。
【０１０５】
また、前述したように、貫通孔５５ａ〜５５ｄは、それぞれ、導電層５３において、孔径が下側にいくに従って漸減している。これにより、配置状態では、封止材７ａは、貫通孔５５ａの孔径と一致した部分でそれぞれ留まることとなる。よって、封止材７ａは、貫通孔５５ａ内をＺ軸方向に移動するのが規制されている。
【０１０６】
さらに、封止材７ａが貫通孔５５ａの孔径と一致した部分で留まることにより、封止材７ａがＸＹ平面方向に移動するのも規制することができる。これにより、封止材７ａをさらに安定的に貫通孔５５ａ内に配置することができる。
【０１０７】
このような封止材７ａの外径は、１００μｍ以上、５００μｍ以下であるのが好ましく、１５０μｍ以上、３００μｍ以下であるのがより好ましい。
なお、上記のことは、導電部８ａについても同様である。
【０１０８】
［７］封止工程
次に、封止材７ａおよび導電部８を加熱する。本実施形態では、封止材７ａおよび導電部８の加熱は、配置工程後に、支持基板２および封止基板５をチャンバー（図示せず）に配置し、該チャンバー内を加熱することにより行われる。チャンバー内の温度を封止材７ａおよび導電部８の融点以上として、各封止材７ａを溶融する。これにより、貫通孔５５ａでは、溶融により液状となった封止材７ａ（以下、この液状の封止材７ａを「封止材７ｂ」と言う）は、貫通孔５５ａの内側面に全周にわたって密着する。よって、凹部５１内と凹部５１の外側も空間とは、封止材７ｂによって分離された状態となる。すなわち、凹部５１は気密封止される。
【０１０９】
なお、本工程におけるチャンバー内の温度は、支持基板２の融点Ｔ２および封止基板５の融点Ｔ５よりも低い温度とされる。これにより、本工程における支持基板２および封止基板５の熱変形を防止することができる。よって、寸法精度が高い物理量センサー１を得ることができる。
【０１１０】
ここで、封止材７として金属材料を用いることにより、封止材７ｂは、比較的表面張力が高く、貫通孔５５ａ内に留まり易くなる。したがって、封止材７ｂが貫通孔５５ａの下面開口から凹部５１内に流入するのを防止することができる。
【０１１１】
また、封止材７ｂの粘度は、ある程度高いのが好ましく、具体的には、１×１０−３Ｐａ・ｓ以上であるのが好ましく、３×１０−３Ｐａ・ｓ以上であるのがより好ましい。これにより、封止材７ｂが貫通孔５５ａの下面開口から凹部５１内に流入するのをより効果的に防止することができる。
【０１１２】
さらに、前述したように、貫通孔５５ａの下面開口の開口径が十分に小さい。これにより、上記と相まって、封止材７ｂが凹部５１内に流入するのをさらに効果的に防止することができる。
【０１１３】
また、貫通孔５５ｂ〜５５ｄでは、導電部８ａが溶融されて液状の導電部８ｂとなる。これにより、導電部８ｂは、貫通孔５５ｂ〜５５ｄ内をそれぞれ流下し、それぞれ導電層５２と接触する。これにより、導電層５２および導電部８ｂは、電気的に接続される。
【０１１４】
そして最後に、封止材７ｂおよび導電部８ｂを、例えば常温に戻すことにより凝固させる。これにより、凹部５１は、封止材７によって封止されるとともに、封止基板５の上面に接続端子としての導電部８を備える物理量センサー１を得ることができる。
【０１１５】
なお、封止材７ａの溶融に先立って、チャンバー内の圧力を一旦、真空または減圧状態とし、その後に、チャンバー内に不活性ガスを注入して大気圧に戻してもよい。これにより、封止材７ａと貫通孔５５ａの内側面との間の微小な隙間を介して凹部５１内に不活性ガスが流入する。そして、この状態で上記のように凹部５１を封止することにより、素子片３は、長期安定性に優れる。
このように、工程［１］〜［７］を経て、物理量センサー１が得られる。
【０１１６】
また、本製造方法によれば、接続端子としての導電部８と、凹部を封止する封止材７とを同じ工程で、同時に形成することができる。よって、導電部の製造工程と、封止部の製造工程とを別途行うのを省略することができる。したがって、本製造方法は、生産性に優れる。
【０１１７】
また、本製造方法によれば、ＳＯＩ基板を母材として封止基板５を製造するため、絶縁層５４がエッチングのストップ層として機能する。これにより、導電層５２、５４を所望の深さだけエッチングにより除去することができる。よって、高い寸法精度で物理量センサー１を得ることができる。
【０１１８】
＜第２実施形態＞
次に、本発明の物理量センサーの第２実施形態について説明する。
【０１１９】
図１１は、本発明の物理量センサーの第２実施形態を示す断面図である。
以下、この図を参照して物理量センサーの第２実施形態について説明するが、前述した実施形態との相違点を中心に説明し、同様の事項はその説明を省略する。
【０１２０】
第２実施形態では、封止基板の構成が異なること以外は前記第１実施形態と略同様である。
【０１２１】
図１１に示すように、物理量センサー１Ａでは、封止基板５Ｅは、導電層５６と、絶縁層５７とで構成された２層構造をなしている。また、導電層５６と絶縁層５７とは、支持基板２側からこの順に積層されている。これにより、上面の全面に絶縁層５６が露出することとなり、封止基板５Ｅの上面が不本意に外部と電気的に接続されるのを防止することができる。
【０１２２】
導電層５６には、第１実施形態と同様に凹部５１が形成されている。
絶縁層５７には、貫通孔５５ａ〜５５ｄが形成されている。また、絶縁層５７は、素子片３が収納される内部空間の壁部の一部を担っている。このため、絶縁層５７の厚さは、十分な機械的強度を有する厚さであるのが好ましい。絶縁層５７の厚さは、具体的には、５μｍ以上、１５０μｍ以下であるのが好ましく、１０μ以上、５０μｍ以下であるのがより好ましい。なお、導電層５６の厚さは、第１実施形態での導電層５２の厚さと同じ程度とされる。
【０１２３】
導電層５６を構成する材料としては、導電性を有していれば特に限定されず、第１実施形態での導電層５２と同様の構成材料を用いることができる。
【０１２４】
絶縁層５７を構成する材料としては、絶縁性を有していれば特に限定されず、第１実施形態での絶縁層５４と同様の構成材料や、各種ガラス材料や、各種セラミックス材料等を用いることができる。
【０１２５】
また、これらの材料のうち、絶縁層５７が光透過性を有する材料で構成されていた場合、凹部５１内の素子片３を視認することができる。よって、素子片３が不良品であるか否かを確認することができる。
【０１２６】
このような物理量センサー１Ａによれば、第１実施形態における導電層５３の溝６２を形成し、溝６２に絶縁部６を埋設するのを省略することができる。よって、その分、物理量センサー１Ａの製造工程が簡素になる。
【０１２７】
さらに、絶縁層５７は、導電層５６をエッチングにより加工する際、該エッチングのストップ層として機能する。これにより、凹部５１、溝６２の深さを所望の深さにすることができる。よって、凹部５１、溝６２の形成精度（寸法精度）を高めることができる。
【０１２８】
２．電子機器
次いで、物理量センサー１を適用した電子機器について、図１２〜図１４に基づき、詳細に説明する。
【０１２９】
図１２は、本発明の物理量センサーを備える電子機器を適用したモバイル型（またはノート型）のパーソナルコンピューターの構成を示す斜視図である。この図において、パーソナルコンピューター１１００は、キーボード１１０２を備えた本体部１１０４と、表示部１１０８を備えた表示ユニット１１０６とにより構成され、表示ユニット１１０６は、本体部１１０４に対しヒンジ構造部を介して回動可能に支持されている。このようなパーソナルコンピューター１１００には、角速度検知手段として機能する物理量センサー１が内蔵されている。
【０１３０】
図１３は、本発明の物理量センサーを備える電子機器を適用した携帯電話機（ＰＨＳも含む）の構成を示す斜視図である。この図において、携帯電話機１２００は、複数の操作ボタン１２０２、受話口１２０４および送話口１２０６を備え、操作ボタン１２０２と受話口１２０４との間には、表示部１２０８が配置されている。このような携帯電話機１２００には、角速度検知手段として機能する物理量センサー１が内蔵されている。
【０１３１】
図１４は、本発明の物理量センサーを備える電子機器を適用したディジタルスチルカメラの構成を示す斜視図である。なお、この図には、外部機器との接続についても簡易的に示されている。ここで、通常のカメラは、被写体の光像により銀塩写真フィルムを感光するのに対し、ディジタルスチルカメラ１３００は、被写体の光像をＣＣＤ（Charge Coupled Device）などの撮像素子により光電変換して撮像信号（画像信号）を生成する。
【０１３２】
ディジタルスチルカメラ１３００におけるケース（ボディー）１３０２の背面には、表示部が設けられ、ＣＣＤによる撮像信号に基づいて表示を行う構成になっており、表示部１３１０は、被写体を電子画像として表示するファインダーとして機能する。
【０１３３】
また、ケース１３０２の正面側（図中裏面側）には、光学レンズ（撮像光学系）やＣＣＤなどを含む受光ユニット１３０４が設けられている。
【０１３４】
撮影者が表示部に表示された被写体像を確認し、シャッターボタン１３０６を押下すると、その時点におけるＣＣＤの撮像信号が、メモリー１３０８に転送・格納される。
【０１３５】
また、このディジタルスチルカメラ１３００においては、ケース１３０２の側面に、ビデオ信号出力端子１３１２と、データ通信用の入出力端子１３１４とが設けられている。そして、図示されるように、ビデオ信号出力端子１３１２にはテレビモニター１４３０が、データ通信用の入出力端子１３１４にはパーソナルコンピューター１４４０が、それぞれ必要に応じて接続される。さらに、所定の操作により、メモリー１３０８に格納された撮像信号が、テレビモニター１４３０や、パーソナルコンピューター１４４０に出力される構成になっている。
【０１３６】
このようなディジタルスチルカメラ１３００には、角速度検知手段として機能する物理量センサー１が内蔵されている。
【０１３７】
なお、本発明の物理量センサーを備える電子機器は、図１２のパーソナルコンピューター（モバイル型パーソナルコンピューター）、図１３の携帯電話機、図１４のディジタルスチルカメラの他にも、例えば、インクジェット式吐出装置（例えばインクジェットプリンター）、ラップトップ型パーソナルコンピューター、テレビ、ビデオカメラ、ビデオテープレコーダー、カーナビゲーション装置、ページャ、電子手帳（通信機能付も含む）、電子辞書、電卓、電子ゲーム機器、ワードプロセッサー、ワークステーション、テレビ電話、防犯用テレビモニター、電子双眼鏡、ＰＯＳ端末、医療機器（例えば電子体温計、血圧計、血糖計、心電図計測装置、超音波診断装置、電子内視鏡）、魚群探知機、各種測定機器、計器類（例えば、車両、航空機、船舶の計器類）、フライトシミュレーター等に適用することができる。
【０１３８】
３．移動体
次いで、本発明の物理量センサーを適用した移動体について、図１５に基づき、詳細に説明する。
【０１３９】
図１５は、本発明の物理量センサーを備える移動体を適用した自動車の構成を示す斜視図である。自動車１５００には、角速度検知手段として機能する物理量センサー１が内蔵されており、物理量センサー１によって車体１５０１の姿勢を検出することができる。物理量センサー１からの信号は、車体姿勢制御装置１５０２に供給され、車体姿勢制御装置１５０２は、その信号に基づいて車体１５０１の姿勢を検出し、検出結果に応じてサスペンションの硬軟を制御したり、個々の車輪１５０３のブレーキを制御したりすることができる。その他、このような姿勢制御は、二足歩行ロボットやラジコンヘリコプターで利用することができる。以上のように、各種移動体の姿勢制御の実現にあたって、物理量センサー１が組み込まれる。
【０１４０】
以上、本発明の物理量センサーを図示の実施形態について説明したが、本発明は、これに限定されるものではなく、充填装置を構成する各部は、同様の機能を発揮し得る任意の構成のものと置換することができる。また、任意の構成物が付加されていてもよい。
【０１４１】
また、本発明の物理量センサーは、前記各実施形態のうちの、任意の２以上の構成（特徴）を組み合わせたものであってもよい。
【０１４２】
また、前記各実施形態では、凹部は、１つ、または、２つ設けられているが、本発明ではこれに限定されず、凹部は３つ以上形成されており、各凹部にセンサー素子をそれぞれ配置してもよい。
【０１４３】
また、前記各実施形態では、貫通孔は、第２層および第３層を貫通しているが、本発明ではこれに限定されず、第１層、第２層および第３層を貫通していてもよい。この場合、導電部は、支持基板上の配線と接触するように設けられている。
【０１４４】
また、前記各実施形態において、貫通孔の内側面には、絶縁膜が成膜されていてもよい。
【符号の説明】
【０１４５】
１……物理量センサー
１Ａ……物理量センサー
２……支持基板
２１……空洞部
２２……凹部
２３……凹部
２４……凹部
３……素子片
３１……固定部
３２……固定部
３３……可動部
３４……連結部
３４１……梁
３４２……梁
３５……連結部
３５１……梁
３５２……梁
３６……可動電極部
３６１……可動電極指
３６２……可動電極指
３６３……可動電極指
３６４……可動電極指
３６５……可動電極指
３７……可動電極部
３７１……可動電極指
３７２……可動電極指
３７３……可動電極指
３７４……可動電極指
３７５……可動電極指
３８……固定電極部
３８１……固定電極指
３８２……固定電極指
３８３……固定電極指
３８４……固定電極指
３８５……固定電極指
３８６……固定電極指
３８７……固定電極指
３８８……固定電極指
３９……固定電極部
３９１……固定電極指
３９２……固定電極指
３９３……固定電極指
３９４……固定電極指
３９５……固定電極指
３９６……固定電極指
３９７……固定電極指
３９８……固定電極指
４……導体パターン
４１……配線
４１１……突起
４２……配線
４２１……突起
４３……配線
４３１……突起
４７１……突起
４７２……突起
４８１……突起
４８２……突起
５、５Ｅ…封止基板
５’……ＳＯＩ基板
５Ａ……領域
５Ｂ……領域
５Ｃ……領域
５Ｄ……領域
５１……凹部
５２……導電層
５３……導電層
５４……絶縁層
５５ａ……貫通孔
５５ａ’……貫通孔
５５ｂ……貫通孔
５５ｂ’……貫通孔
５５ｃ……貫通孔
５５ｃ’……貫通孔
５５ｄ……貫通孔
５５ｄ’……貫通孔
５６……導電層
５７……絶縁層
６……絶縁部
６１……溝
６２……溝
７……封止材
７ａ……封止材
７ｂ……封止材
８……導電部
８ａ……導電部
８ｂ……導電部
１１００……パーソナルコンピューター
１１０２……キーボード
１１０４……本体部
１１０６……表示ユニット
１１０８……表示部
１２００……携帯電話機
１２０２……操作ボタン
１２０４……受話口
１２０６……送話口
１２０８……表示部
１３００……ディジタルスチルカメラ
１３０２……ケース
１３０４……受光ユニット
１３０６……シャッターボタン
１３０８……メモリー
１３１０……表示部
１３１２……ビデオ信号出力端子
１３１４……入出力端子
１４３０……テレビモニター
１４４０……パーソナルコンピューター
１５００……自動車
１５０１……車体
１５０２……車体姿勢制御装置
１５０３……車輪
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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