(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
真空プロセス下で基板（２０）を保持する保持アレンジメント（１０）であって、
１ないし複数のフレーム要素を有するフレーム（３０）と、
１ないし複数のコンタクトインターフェース（５０、５００）とを備え、
前記１ないし複数のコンタクトインターフェース（５０、５００）は、前記フレーム要素のうちの１ないし複数のものに設けられて、搬送システムの１ないし複数の搬送ローラ（６０）と接触するように構成され、
前記１ないし複数のコンタクトインターフェース（５０、５００）の材料は、ショアＤ硬度が、８５から９０の範囲にある、保持アレンジメント（１０）。
【請求項２】
前記１ないし複数のコンタクトインターフェース（５０、５００）の材料の前記ショアＤ硬度が、８７から８９の範囲にあるか、又は、前記１ないし複数のコンタクトインターフェース（５０、５００）の材料の前記ショアＤ硬度が、８７もしくは８９である、請求項１に記載の保持アレンジメント（１０）。
【請求項３】
前記１ないし複数のコンタクトインターフェース（５０、５００）が、材料層、ロッド、レール、及びバーのうちの少なくとも１つを含む、請求項１または２に記載の保持アレンジメント（１０）。  
【請求項４】
前記１ないし複数のコンタクトインターフェース（５０、５００）の材料は、ポリマー、プラスチック、金属、ポリエーテルケトン、ＰＥＥＫ、ＰＥＥＥＫ、ガラス繊維強化ＰＥＥＫ、及び／またはＰＥＥＫＫのうちの少なくとも１つを含む、請求項１から３のいずれか一項に記載の保持アレンジメント（１０）。
【請求項５】
前記１ないし複数のフレーム要素は、ポリマー、プラスチック、及び金属の少なくとも１つを含む、請求項１から４のいずれか一項に記載の保持アレンジメント（１０）。
【請求項６】
前記１ないし複数のフレーム要素及び前記１ないし複数のコンタクトインターフェース（５０、５００）は、同一の材料から作られている、請求項１から５のいずれか一項に記載の保持アレンジメント（１０）。
【請求項７】
前記１ないし複数のフレーム要素及び前記１ないし複数のコンタクトインターフェース（５０、５００）は、異なる材料から作られている、請求項１から５のいずれか一項に記載の保持アレンジメント（１０）。
【請求項８】
前記１ないし複数のコンタクトインターフェース（５０、５００）は、前記１ないし複数のフレーム要素から取り外し可能に設けられている、請求項１から７のいずれか一項に記載の保持アレンジメント（１０）。
【請求項９】
前記１ないし複数のフレーム要素と前記１ないし複数のコンタクトインターフェース（５０、５００）は、ワンピースで作られている、請求項１から７のいずれか一項に記載の保持アレンジメント（１０）。
【請求項１０】
前記１ないし複数のコンタクトインターフェース（５０、５００）は、円形、長円形、または長方形の形状である、請求項１から９のいずれか一項に記載の保持アレンジメント（１０）。
【請求項１１】
垂直に配向された基板（２０）を保持するように構成された、請求項１から１０のいずれか一項に記載の保持アレンジメント（１０）。
【請求項１２】
前記１ないし複数のコンタクトインターフェース（５０、５００）の材料硬度は、前記搬送ローラ（６０）の材料硬度よりも低い、請求項１から１１のいずれか一項に記載の保持アレンジメント（１０）。
【請求項１３】
前記保持アレンジメント（１０）の搬送のために、前記保持アレンジメント（１０）の前記１ないし複数のコンタクトインターフェース（５０）に接触するように構成された、前記搬送ローラ（６０）
を含む、請求項１から１２のいずれか一項に記載の保持アレンジメントを搬送するシステム。
【請求項１４】
内部に層を堆積するためのチャンバ（６１２）と、
前記チャンバ内の、請求項１から１２のいずれか１項に記載の保持アレンジメント（１０）と、
前記層を形成する材料を堆積する堆積源（６３０）と
を備える、基板（２０）上に層を堆積する装置（６００）。
【請求項１５】
少なくとも１つの前記コンタクトインターフェースによって、前記搬送システムの少なくとも１つの前記搬送ローラと接触すること（１０１）と、
前記保持アレンジメントを搬送すること（１０２）と
を含む、請求項１から１２のいずれか一項に記載の保持アレンジメントを搬送する方法（１００）。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明の実施形態は、例えば層堆積などの真空プロセス下で、基板を保持する保持アレンジメントに関する。具体的には、本発明の実施形態は、真空層堆積の間、基板を保持する保持アレンジメントに関する。
【背景技術】
【０００２】
基板上に材料を堆積するいくつもの方法が知られている。例えば、  基板は、物理的気相堆積（ＰＶＤ）プロセス、化学気相堆積（ＣＶＤ）プロセス、プラズマ化学気相堆積（ＰＥＣＶＤ）プロセスなどによってコーティングされてよい。  典型的にはプロセスは、コーティングすべき基板が配置される処理装置や処理チャンバ内で実施される。装置内には、堆積材料が供給される。複数の材料、その酸化物、窒化物または炭化物が、基板上の堆積に使用される。さらに、エッチング、構造化（ｓｔｒｕｃｔｕｒｉｎｇ）、アニールなどの他の処理工程が、処理チャンバ内で実施される。
【０００３】
コーティングされた材料は、様々な用途や技術分野で使用することができる。例えば、用途は、半導体デバイスの製造などマイクロエレクトロニクス分野である。ディスプレイ用基板もまた、しばしばＰＶＤプロセスによってコーティングされる。さらなる用途には、絶縁パネル、有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）パネル、ＴＦＴ付き基板、カラーフィルタなどがある。
【０００４】
典型的には、ガラス基板が、処理中にキャリア上に支持される。キャリアは、ガラスまたは基板を支持し、処理機械に通される。典型的には、キャリアは、基板の表面を基板の外縁に沿って支持するフレームもしくはプレートを形成し、または、プレートの場合には、表面それ自体を支持する。特に、ガラス基板をマスキングするためにフレーム形のキャリアを使用することもでき、フレームによって取り囲まれたキャリアの開孔によって、コーティング材料を基板の露出部分に堆積する開孔、または開孔によって露出した基板部分に他の処理ステップを作用させる開孔が提供される。
【０００５】
キャリアは、搬送（ｃｏｎｖｅｙｉｎｇ）システムによって処理機械に通される。典型的には、搬送システムには上にキャリアが配置されるローラがあって、ローラの回転によってキャリアが搬送路に沿って動かされる。搬送の間、キャリアとローラの間の接触領域で、摩滅、摩耗が発生することがある。このため、望まない粒子が発生して、堆積プロセス下での汚染を引き起こし得る。結果として、堆積層の品質が低下する恐れがある。
【０００６】
以上に鑑みて、本発明の目的は、保持アレンジメント、特に真空層堆積下で基板を保持する保持アレンジメントを提供することにあり、本保持アレンジメントによって当該技術分野の問題のうちの少なくともいくつかは克服される。
【発明の概要】
【０００７】
上記の観点から、独立請求項１に記載の、真空プロセス下で基板を保持する保持アレンジメント、独立請求項１３に記載の保持アレンジメントの搬送システム、基板上に層を堆積する装置、保持アレンジメントを搬送する方法が提供される。本発明のさらなる態様、利点及び特徴は、従属請求項、明細書及び添付の図面から明らかとなる。
【０００８】
一実施形態によれば、真空プロセス下で基板を保持する保持アレンジメントが提供される。保持アレンジメントは、１ないし複数のフレーム要素を有するフレームと、１ないし複数のコンタクトインターフェースを備え、コンタクトインターフェースは、フレーム要素のうち１ないし複数のものに設けられて、搬送システムの１ないし複数の搬送ローラと接触するように構成される。また、当１ないし複数のコンタクトインターフェースの材料は、ショアＤ硬度が、８５〜９０の範囲にある。
【０００９】
別の態様によると、この保持アレンジメントの搬送システムが提供される。当該システムには、保持アレンジメントを搬送するために、保持アレンジメントの１ないし複数のコンタクトインターフェースに接触するように構成された、搬送ローラが含まれる。
【００１０】
さらに別の態様によれば、基板上に層を堆積する装置が提供される。当該装置には、内部に層を堆積するためのチャンバと、チャンバ内の上記の保持アレンジメントと、層を形成する材料を堆積する堆積源とが含まれる。
【００１１】
さらに別の態様によれば、上記の保持アレンジメントを搬送する方法が提供される。当該方法には、少なくとも１つのコンタクトインターフェースによって、搬送システムの少なくとも１つの搬送ローラと接触することと、保持アレンジメントを搬送することとが含まれる。
【００１２】
本発明の上記の特徴が詳細に理解されるように、上記で概要を述べた本発明について、実施形態を参照して詳細に説明する。添付の図面は本発明の実施形態に関し、以下に説明する。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
【図１】本明細書に記載の実施形態による保持アレンジメントであって、当該保持アレンジメントの基板エリア内に提供された基板を有する、保持アレンジメントを示す。
【図２】本明細書に記載の実施形態による、別の保持アレンジメントであって、当該保持アレンジメントの基板エリア内に提供された基板を有する、保持アレンジメントを示す。
【図３】本明細書に記載の実施形態による保持アレンジメントの搬送システムの詳細図を示す。
【図４】本明細書に記載された実施形態による保持アレンジメントを利用して、基板上に材料層を堆積する装置を示す図である。
【図５】本明細書に記載の実施形態による保持アレンジメントの搬送方法のフロー図である。
【発明を実施するための形態】
【００１４】
これより本発明の様々な実施形態が詳細に参照されるが、その１ないし複数の例が図示されている。図面に関する以下の説明の中で、同一の参照番号は、同一の構成要素を指す。概して、個々の実施形態に関する相違のみが説明される。各例は、本発明の説明として提供されているが、本発明を限定することを意図するものではない。さらに、一実施形態の一部として例示または説明される特徴は、他の実施形態で、または他の実施形態と併用され得、それによって、またさらなる実施形態が生み出され得る。本明細書には、こうした修正及び改変が含まれることが意図されている。
【００１５】
図１は、本明細書に記載の実施形態による保持アレンジメント１０／キャリアを示す。例えば真空層堆積といった真空プロセス下で基板２０を保持する保持アレンジメント１０には、１ないし複数のフレーム要素を有するフレーム３０と、１ないし複数のフレーム要素において設けられ、搬送システムの１ないし複数の搬送ローラと接触するように構成された、１ないし複数のコンタクトインターフェース５０とが、含まれる。１ないし複数のコンタクトインターフェースの材料のショアＤ硬度は、８５〜９０の範囲にある。
【００１６】
搬送の間、キャリアとローラの接触領域において、摩滅、摩耗が発生する可能性がある。１ないし複数のコンタクトインターフェース５０は、材料のショアＤ硬度が８５〜９０の範囲にあることから、搬送中に発生した粒子は、コンタクトインターフェース５０の材料内に機械的に圧入されて（粒子トラップ）、堆積プロセス下での汚染が回避される。結果として、堆積層の品質が改善される。言い換えれば、１ないし複数のコンタクトインターフェース５０の材料は、搬送ローラの材料（例えば金属）よりも軟らかくてよく、それによって、搬送の間に発生した粒子がコンタクトインターフェース５０の材料の中に機械的に圧入される。
【００１７】
本明細書に記載の他の実施形態と組み合わせ可能な実施形態の場合、１ないし複数のコンタクトインターフェースの材料のショアＤ硬度（ＨＳＤ）は、ＨＳＤ８７〜８９の範囲内であり、たとえばＨＳＤ８７またはＨＳＤ８９である。例として、１ないし複数のコンタクトインターフェースの材料はＰＥＥＫ、例えば非強化ＰＥＥＫであり、その硬度は約ＨＳＤ８７である。別の例においては、１ないし複数のコンタクトインターフェースの材料は、ガラス繊維強化ＰＥＥＫであり、その硬度は約ＨＳＤ８９である。
【００１８】
フレーム３０は、基板２０を支持するように構成される。典型的には、フレーム３０は、１ないし複数のフレーム要素を含み得る。図１の例においては、フレーム３０は、４つのフレーム要素、即ち２つの垂直に配向されたフレーム要素及び２つの水平に配向されたフレーム要素を含むことができる。本例においては、コンタクトインターフェースは、少なくとも１つの水平のフレーム要素において設けられ得る。しかし、図１のフレーム３０はまた、１つのフレーム要素、即ち１つの長方形のフレーム要素だけを含むことも、また可能である。
【００１９】
いくつかの実施形態によると、フレーム３０は、基板２０を収容する開孔口を画定する。例えば、基板２０は開孔口内に配置され得る。例として、開孔口のリムまたはエッジがコーティングされるのを回避するため、前記リムまたはエッジを覆うように、開孔口内に基板２０を配置することができる。このため、キャリアのフレームによってエッジ除外マスクが設けられ得る。いくつかの実施形態によると、基板２０のエッジ領域の少なくとも一部を支持する支持体表面が、開孔口内に設けられる。例として、フレーム３０の断面は、支持体表面を提供するため、Ｌ字型であり得る。本明細書に記載された他の実施形態と組み合わせることができるいくつかの実施形態によると、１ないし複数のフレーム要素には、ポリマー、プラスチック、及び／または金属が含まれる。
【００２０】
本明細書に記載された他の実施形態と組み合わせることができるいくつかの実施形態によると、基板２０のリムまたはエッジを層の堆積から除外するように、前記リムまたはエッジを覆うため、マスキングアレンジメント（図示せず）が提供される。いくつかの実施形態によると、フレーム３０は自身がマスキングアレンジメントとして機能し得るか、または追加のマスキングを提供し得る。
【００２１】
本明細書に記載された他の実施形態と組み合わせることができるいくつかの実施形態によると、搬送ローラのロックウェルＣ硬度（ＨＲＣ）は、少なくともＨＲＣ５２である。典型的な実施形態では、搬送ローラの硬度は、ＨＲＣ５２〜６１の範囲、具体的にはＨＲＣ５３〜６０または５３〜５９の範囲である。例として、搬送ローラは、例えばＨＲＣ５８〜６０の範囲の硬度を有する、硬化されたローラ（例えばクロニデュア（Ｃｒｏｎｉｄｕｒ））である。それによって、搬送の間に発生した粒子のほとんどが、または全てでさえも、コンタクトインターフェース５０の材料内に機械的に圧入される。
【００２２】
本明細書に記載された他の実施形態と組み合わせることができるいくつかの実施形態によると、１ないし複数のコンタクトインターフェース５０の材料硬度は、搬送ローラの材料硬度よりも低い。それによって、搬送の間に発生した粒子のほとんどが、または全てでさえも、コンタクトインターフェース５０の材料内に機械的に圧入される。
【００２３】
上記の硬度スケール、即ちコンタクトインターフェース用のショアＤ、及び搬送ローラ用のロックウェルＣは、単なる例示であり、本明細書に記載の実施形態には、任意の好適な硬度スケールが使用され得る。具体的には、使用されるスケールに関わらず、１ないし複数のコンタクトインターフェースの材料硬度は、搬送の間に発生した粒子がコンタクトインターフェースの材料内に機械的に圧入されるように、搬送ローラの材料硬度よりも低い必要がある。
【００２４】
例として、圧入硬度が考慮され得る（普遍的な圧入硬度スケールは、例えばロックウェル、ビッカース、ショア、ブリネルである）。圧入硬度は、例えばインデンターピストンといった鋭利な物体からの、一定の圧縮荷重による材料変形へのサンプルの抵抗を測定する。こうした試験においては、具体的な寸法と荷重を持ったインデンターによって残された圧痕の限界寸法が測定される。本明細書に記載された実施形態によると、コンタクトインターフェースの材料及び搬送ローラの材料に対して、同一のインデンター及び同一の圧縮荷重を用いてこうした試験を実施する場合、コンタクトインターフェースの材料に対してインデンターによって残された限界寸法、例えば圧痕の深さは、搬送ローラの材料に対してインデンターによって残された限界寸法（本例では圧痕の深さ）よりも、より大きい。言い換えれば、コンタクトインターフェースの材料は搬送ローラの材料よりも軟らかく、または搬送ローラの材料はコンタクトインターフェースの材料よりも硬い。
【００２５】
本明細書に記載された他の実施形態と組み合わせることができるいくつかの実施形態によると、１ないし複数のコンタクトインターフェース５０の材料には、ポリマー、プラスチック、及び／または金属、具体的には、ポリエーテルケトン、ＰＥＥＫ（ポリエーテルエーテルケトン）、ＰＥＥＥＫ（ポリエーテルエーテルエーテルケトン）、ガラス繊維強化ＰＥＥＫ、非強化ＰＥＥＫ、及び／またはＰＥＥＫＫ（ポリエーテルエーテルケトンケトン）が含まれる。こうして、コンタクトインターフェース５０は簡便に、かつコスト効率良く、製造することができる。
【００２６】
本書に記載された他の実施形態と組み合わせることができるいくつかの実施形態によると、１ないし複数のコンタクトインターフェース５０は、材料層、ロッド、レール、及びバーのうちの少なくとも１つを含む。図１の例は、コンタクトインターフェース５０が材料層を含む、または材料層である、実施形態を示す。典型的な実施形態では、材料層はフレーム３０に設けられる。例として、１ないし複数のフレーム要素は、フレーム３０が搬送システムのローラと接触するように構成されているエリアに材料層を含み、具体的には、フレーム３０が搬送システムのローラと接触するように構成されているエリアにおいてのみ、材料層を含み得る。典型的な実施形態では、１ないし複数のフレーム要素は、材料層によって少なくとも部分的にコーティングまたはラミネートされ得る。材料層は、例えば１００〜３００μｍの範囲、具体的には約２００μｍの厚さを有する、薄膜またはコーティングであり得る。
【００２７】
典型的な実施形態では、１ないし複数のフレーム要素及び１ないし複数のコンタクトインターフェース５０は、同一の材料から作られている。他の実施形態では、１ないし複数のフレーム要素及び１ないし複数のコンタクトインターフェース５０は、異なる材料から作られている。このように、コンタクトインターフェース５０は、例えば、製造の複雑化要因またはコストといった、処理要件または他の考慮事項に従って設計され得る。
【００２８】
本書に記載された他の実施形態と組み合わせることができるいくつかの実施形態によると、１ないし複数のコンタクトインターフェース５０は、１ないし複数のフレーム要素から取り外し可能に設けられている。例として、コンタクトインターフェース５０は、損傷または損耗した場合、交換または代替され得る。
【００２９】
本書に記載された他の実施形態と組み合わせることができる他のいくつかの実施形態によると、１ないし複数のフレーム要素及び１ないし複数のコンタクトインターフェース５０は、一体として作られている。これによって、簡便に、かつコスト効率良く、保持アレンジメント１０を生産することが可能になる。
【００３０】
本書に記載された他の実施形態と組み合わせることができるいくつかの実施形態によると、１ないし複数のコンタクトインターフェース５０は、円形、長円形または長方形の形状を有する。例として、コンタクトインターフェースが材料層である場合、その上にコンタクトインターフェースが設けられている（例えば、コーティングまたはラミネートされている）フレーム要素は、材料層がフレーム要素の形状を取るように、円形、長円形または長方形の形状を有し得る。
【００３１】
本書に記載された他の実施形態と組み合わせることができる典型的な実施形態によると、保持アレンジメント１０は、垂直に配向された基板２０を保持するように構成される。例として、コンタクトインターフェース５０は、前記保持アレンジメント１０に対して相対的に移動する搬送システムの（ローラといった）要素と接触する、保持アレンジメント１０の唯一の領域またはエリアであり得る。これによって、搬送の間に発生したほとんどの粒子、または全ての粒子さえもが、コンタクトインターフェース５０によって吸収されることが確保され得る。
【００３２】
図２は、本書に記載された他の実施形態による、真空プロセス下で基板２０を保持する保持アレンジメント１０を示す。
【００３３】
図２の保持アレンジメントは、図１の保持アレンジメントと同様であるが、コンタクトインターフェース５００がロッド、レールまたはバーを含むという点が異なる。ロッド、レール、またはバーは、それぞれ「コンタクトロッド」、「コンタクトレール」、「コンタクトバー」と呼ばれ得る。「ロッド」、「レール」、及び「バー」の用語は、コンタクトインターフェースとして機能するのに好適な、任意の伸長部材または伸長要素を含み得る。典型的な実施形態では、ロッド、レールまたはバーは、１ないし複数のフレーム要素において設けられ、搬送システムの１ないし複数の搬送ローラに接触するように構成される。図２に示す例では、ロッド、レールまたはバーは、例えば接続ブリッジといった１ないし複数の接続要素５０１によって、フレームに取り付けられている。
【００３４】
本書において説明される他の実施形態と組み合わせることができるいくつかの実施形態によると、ロッド、レールまたはバーは、円形、長円形、または長方形の断面を有する。
【００３５】
いくつかの実施形態によると、ロッド、レールまたはバーは、図１に関連して上記された材料層に、少なくとも部分的に覆われている。例として、ロッド、レールまたはバーは、ポリマー、プラスチック、及び／または金属から作られていて良く、少なくとも部分的にロッド、レールまたはバーを覆っている材料層は、図１に関連して上記されたコンタクトインターフェースの材料を含み得る。
【００３６】
図３は、本書に記載の実施形態による、保持アレンジメント１０の搬送システムの詳細図を示す。
【００３７】
保持アレンジメント１０の搬送システムには、保持アレンジメント１０の搬送のために、保持アレンジメント１０の１ないし複数のコンタクトインターフェース５００に接触するように構成された、搬送ローラ６０が含まれる。
【００３８】
図３の保持アレンジメントは、コンタクトインターフェース５００がロッド、レールまたはバーを含むという点で、図２の保持アレンジメントと同様である。ロッド、レールまたはバーは、フレーム要素のうちの１ないし複数において設けられ、搬送システムの１ないし複数の搬送ローラ６０に接触するように構成される。図３に示す例では、ロッド、レールまたはバーは、例えば接続ブリッジといった１ないし複数の接続要素５０１によって、フレームに取り付けられている。
【００３９】
本書において説明される他の実施形態と組み合わせることができるいくつかの他の実施形態によると、搬送ローラ６０には、凹部６１が含まれる。例として、凹部６１は、コンタクトインターフェース５００を少なくとも部分的に収容するように構成される。コンタクトインターフェース５００は、凹部６１と係合するように構成され得る。典型的な実施形態では、凹部６１は、搬送の間、保持アレンジメント１０をガイドするように構成される。図３は、コンタクトインターフェース５００がロッド、レールまたはバーを含む例を示しているが、本開示はそれらに限定されない。図３の保持アレンジメントはまた、図１に関連して示される保持アレンジメントとしても構成され得る。
【００４０】
異なる実施形態によれば、ＰＶＤ堆積プロセス、ＣＶＤ堆積プロセス、基板構造化エッジング（ｓｕｂｓｔｒａｔｅ  ｓｔｒｕｃｔｕｒｉｎｇ  ｅｄｇｉｎｇ）、加熱（例えばアニール）または任意の種類の基板処理に対して、保持アレンジメント１０を利用することができる。本書に記載された保持アレンジメント１０の実施形態、及びこうした保持アレンジメント１０の利用方法の実施形態は、垂直に配向された大面積ガラス基板の非定常の基板処理、すなわち連続基板処理に対して特に有用である。非定常の処理では典型的に、保持アレンジメントが当該処理用のマスキング要素も提供する必要がある。
【００４１】
図４は、本書に記載の、例えば堆積チャンバであるチャンバ６００の概略図である。チャンバ６００は、ＰＶＤプロセスまたはＣＶＤプロセスといった、堆積プロセスに対して適合されている。基板移送装置６２０上の、本書に記載の実施形態による保持アレンジメント１０／キャリアの中に、または保持アレンジメント１０／キャリアの箇所に、基板２０が配置されて示されている。堆積源６３０、例えば材料源または堆積材料源は、基板２０のコーティングされる側に面して、処理チャンバ６１２内に提供される。堆積源６３０、例えば堆積材料源は、基板２０上に堆積される堆積材料を供給する。
【００４２】
図４では、堆積源６３０は、その上に堆積材料を有するターゲット、または材料が基板２０上への堆積のため放出されることを可能にする他の任意のアレンジメントであり得る。典型的には、堆積源６３０は回転ターゲットであり得る。いくつかの実施形態の場合、堆積源を配置ないし交換するために、堆積源６３０は移動可能であってよい。他の実施形態の場合、材料源は平面ターゲットである。
【００４３】
いくつかの実施形態の場合、堆積材料は、堆積プロセスに応じて、また基板２０の堆積後の用途に応じて選択することができる。例えば、堆積源６３０の堆積材料は、アルミニウム、モリブデン、チタン、銅などの金属、シリコン、酸化インジウムスズ及び他の透明な導電性酸化物からなる群から選択される材料であってよい。典型的には、材料源から材料を供給することによって、または反応性堆積、すなわち材料源からの材料が処理ガスからの酸素、窒化物または炭素のような要素と反応することによって、こうした材料を含み得る酸化物、窒化物または炭化物の層を堆積することが可能である。いくつかの実施形態の場合、酸化シリコン、酸窒化シリコン、窒化シリコン、酸化アルミニウム、または酸窒化アルミニウムのような、薄膜トランジスタ材料を堆積材料として使用することができる。
【００４４】
典型的には、基板２０は、保持アレンジメント１０／キャリアの中に、または保持アレンジメント１０／キャリアの箇所に提供され、保持アレンジメント１０／キャリアは、エッジ除外マスク、具体的には非定常堆積プロセス用のエッジ除外マスクとしての役目も果たすことができる。破線６６５は、チャンバ運転中の堆積材料の経路を例示的に示す。本書に記載された他の実施形態と組み合わせることができる他の実施形態の場合、処理チャンバ６１２内に提供された別個のエッジ除外マスクによって、マスキングを提供することができる。それによって、本明細書に記載された実施形態による保持アレンジメント１０は、定常のプロセスに対して、及び非定常のプロセスに対しても有益となり得る。
【００４５】
図５は、本明細書に記載の実施形態による保持アレンジメントの搬送方法１００のフロー図である。
【００４６】
保持アレンジメントを搬送する当該方法１００には、少なくとも１つのコンタクトインターフェースによって、搬送システムの少なくとも１つの搬送ローラと接触すること（ブロック１０１）と、保持アレンジメントを搬送すること（ブロック１０２）とが含まれる。典型的な実施形態においては、保持アレンジメントは、搬送システムのローラの回転によって搬送される。
【００４７】
いくつかの実施形態において、少なくとも０．１７４ｍ２の大面積基板のサイズとすることができる。典型的には、大面積基板のサイズを、約１．４ｍ２から約８ｍ２、より典型的には約２ｍ２から約９ｍ２、または最大１２ｍ２とすることができる。典型的には、本明細書に記載された実施形態による保持アレンジメントが用いられ得る長方形の基板が、本明細書に記載された大面積基板である。例えば、大面積基板は、約１．４ｍ２の基板（１．１ｍ×１．３ｍ）に対応するＧＥＮ５、約４．３９ｍ２の基板（１．９５ｍ×２．２５ｍ）に対応するＧＥＮ７．５、約５．５ｍ２の基板（２．２ｍ×２．５ｍ）に対応するＧＥＮ８．５、または約８．７ｍ２の基板（２．８５ｍ×３．０５ｍ）に対応するＧＥＮ１０であり得る。ＧＥＮ１１およびＧＥＮ１２などのさらに大型の世代ならびに対応する基板面積も、同様に実装可能である。
【００４８】
典型的には、基板は、材料を堆積するのに適した任意の材料から作られることができる。例えば、基板は、ガラス（例えばソーダ石灰ガラス、ホウケイ酸ガラスなど）、金属、ポリマー、セラミック、複合材料、炭素繊維材料、ならびに堆積プロセスによってコーティングできる任意の他の材料および材料の組合せからなる群から選択された材料から作られたものとすることができる。
【００４９】
搬送の間、キャリアとローラの間の接触領域で、摩滅、摩耗が発生することがある。１ないし複数のコンタクトインターフェースは材料のショアＤ硬度が８５〜９０の範囲にあることから、搬送の間に発生した粒子は、コンタクトインターフェースの材料内に機械的に圧入され、それにより、堆積プロセス下での汚染が回避される。結果として、堆積層の品質が改善される。
【００５０】
以上、本発明の実施形態を記述したが、本発明の基本的な範囲を逸脱することなくその他の実施形態が可能であり、本発明の範囲は、以下の特許請求の範囲によって定められる。
【図１】
0006303024.tif 000002
【図２】
0006303024.tif 000003
【図３】
0006303024.tif 000004
【図４】
0006303024.tif 000005
【図５】
0006303024.tif 000006