(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
下地領域と、
前記下地領域の主面に非垂直な方向に交互に配列された固定電極及び可動電極を有する可変キャパシタと、
前記可変キャパシタを覆う保護膜であって、前記固定電極に電気的に且つ直接又はプラグを介して物理的に接続され且つ穴を有する導電部を含む保護膜と、
を備えることを特徴とする電子装置。
【請求項２】
前記導電部は、前記保護膜の側壁部に位置する第１の導電部を含む
ことを特徴とする請求項１に記載の電子装置。
【請求項３】
前記導電部は、前記保護膜の上部に位置する第２の導電部を含む
ことを特徴とする請求項１に記載の電子装置。
【請求項４】
前記導電部は、互いに電気的に絶縁された第１の導電部及び第２の導電部を含む
ことを特徴とする請求項１に記載の電子装置。
【請求項５】
前記保護膜は、前記穴を塞ぐ上層部をさらに含む
ことを特徴とする請求項１に記載の電子装置。
【請求項６】
前記可動電極に接続され、前記可動電極のトータルのパターン面積よりも大きいパターン面積を有するマス構成部をさらに備える
ことを特徴とする請求項１に記載の電子装置。
【請求項７】
下地領域上に、前記下地領域の主面に非垂直な方向に交互に配列された可変キャパシタの固定電極及び可動電極を形成する工程と、
前記固定電極及び前記可動電極を覆う保護膜であって、前記固定電極に電気的に且つ直接又はプラグを介して物理的に接続され且つ穴を有する導電部を含む保護膜を形成する工程と、
を備えることを特徴とする電子装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明の実施形態は、電子装置及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
ＭＥＭＳ技術を用いた可変キャパシタとして、下地領域の主面に平行な方向に固定電極及び可動電極が交互に配列された構造を有する可変キャパシタが提案されている。このような構造を有する可変キャパシタでは通常、固定電極は下地領域内に設けられた配線によってパッド電極に接続されている。この場合、固定電極は、下地領域の表面に設けられたコンタクトを介して配線に接続されている。
【０００３】
しかしながら、ＭＥＭＳ技術を用いた従来の可変キャパシタでは、固定電極の接続を確実に行うことが難しいという問題がある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２０１３−３０６７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
可変キャパシタの固定電極の接続を確実に行うことが可能な電子装置及びその製造方法を提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
実施形態に係る電子装置は、下地領域と、前記下地領域の主面に非垂直な方向に交互に配列された固定電極及び可動電極を有する可変キャパシタと、前記可変キャパシタを覆う保護膜であって、前記固定電極に電気的に接続され且つ穴を有する導電部を含む保護膜と、を備える。
【図面の簡単な説明】
【０００７】
【図１】第１の実施形態に係る電子装置の構成を模式的に示した平面図である。
【図２】第１の実施形態に係る電子装置の構成を模式的に示した断面図である。
【図３】第２の実施形態に係る電子装置の構成を模式的に示した平面図である。
【図４】第２の実施形態に係る電子装置の構成を模式的に示した断面図である。
【図５】第３の実施形態に係る電子装置の構成を模式的に示した平面図である。
【図６】第３の実施形態に係る電子装置の構成を模式的に示した断面図である。
【図７】第４の実施形態に係る電子装置の製造方法の一部を模式的に示した断面図である。
【図８】第４の実施形態に係る電子装置の製造方法の一部を模式的に示した断面図である。
【図９】第４の実施形態に係る電子装置の製造方法の一部を模式的に示した断面図である。
【図１０】第４の実施形態に係る電子装置の製造方法の一部を模式的に示した断面図である。
【図１１】第４の実施形態に係る電子装置の製造方法の一部を模式的に示した断面図である。
【図１２】第４の実施形態に係る電子装置の製造方法の一部を模式的に示した断面図である。
【図１３】第４の実施形態に係る電子装置の製造方法の一部を模式的に示した断面図である。
【図１４】第４の実施形態に係る電子装置の製造方法の一部を模式的に示した断面図である。
【発明を実施するための形態】
【０００８】
以下、図面を参照して実施形態を説明する。
【０００９】
（実施形態１）
まず、第１の実施形態に係る電子装置について説明する。本電子装置は、可変キャパシタを含み、ＭＥＭＳ技術を用いて形成される。また、本電子装置は、加速度センサとして用いることが可能である。
【００１０】
図１は、第１の実施形態に係る電子装置の構成を模式的に示した平面図である。図２は、図１のＡ−Ａ線に沿った断面図である。なお、図１の平面図では、図面の理解を容易にするために保護膜の一部は描かれていない。
【００１１】
図に示すように、下地領域１０には、半導体基板１１及び絶縁領域１２が含まれている。半導体基板１１の表面領域にはＭＯＳトランジスタ１３が形成され、絶縁領域１２には配線１４が形成されている。すなわち、下地領域１０には、ＭＯＳトランジスタ１３及び配線１４を含む回路１５が設けられている。この回路１５には、後述する可変キャパシタ２０を駆動するための駆動回路が含まれている。
【００１２】
下地領域１０上には可変キャパシタ２０が設けられている。この可変キャパシタ２０は、下地領域１０の主面に非垂直な方向に交互に配列された複数の固定電極２１及び複数の可動電極２２を有している。本実施形態では、複数の固定電極２１及び複数の可動電極２２は、下地領域１０の主面に平行な方向に交互に配列されている。固定電極２１及び可動電極２２はいずれも櫛歯状の平面パターンを有しており、隣接する固定電極２１及び可動電極２２は互いに向かい合っている。隣接する固定電極２１及び可動電極２２間の間隔は、０．１μｍから１μｍ程度の範囲である。また、固定電極２１及び可動電極２２の高さは、１０μｍから５０μｍ程度の範囲である。固定電極２１は固定されており、可動電極２２は固定電極２１及び可動電極２２の配列方向に平行な方向に可動である。本実施形態では、可動電極２２は下地領域１０の主面に平行な方向（図１及び図２において、紙面の水平方向）に可動である。可動電極２２が水平方向に動くことにより、可動電極２２と隣接する固定電極２１との間の距離が変化し、可動電極２２と隣接する固定電極２１との間のキャパシタンスが変化する。キャパシタンスの変化を検出することで、加速度を求めることができる。
【００１３】
可変キャパシタ２０は、保護膜（キャップ膜）３０によって覆われており、保護膜３０の内側にはキャビティが形成されている。保護膜３０は、固定電極２１に電気的に接続された導電部３１と、導電部３１上に設けられた上層部３４とで形成されている。導電部３１には、保護膜３０の側壁部に位置する第１の導電部３２と、保護膜３０の上部に位置する第２の導電部３３とが含まれる。本実施形態では、第１の導電部３２が固定電極２１に電気的に接続されている。具体的には、第１の導電部３２が固定電極２１の側面に接続されている。より具体的には、第１の導電部３２と固定電極２１とは一体に形成されている。第２の導電部３３には、複数の穴３３ｈが形成されている。これらの穴３３ｈは、後述する犠牲層を除去するために設けられている。上層部３４は、絶縁層（例えば、シリコン窒化膜）で形成されており、穴３３ｈを塞いでいる。
【００１４】
可動電極２２には、可動電極２２のトータルのパターン面積よりも大きいパターン面積を有するマス構成部４１が接続されている。具体的には、可動電極２２とマス構成部４１とは一体に形成されている。マス構成部４１を設けることにより、加速度の検出精度を高めることができる。マス構成部４１には一対のバネ部４２が接続されており、一対のバネ部４２には一対のアンカー部（固定部）４３が接続されている。
【００１５】
保護膜３０の外側には、パッド電極５１及びパッド電極５２が設けられている。パッド電極５１は、配線１４及び第１の導電部３２を介して固定電極２１に電気的に接続されている。パッド電極５２は、配線１４、アンカー部４３、バネ部４２及びマス構成部４１を介して可動電極２２に電気的に接続されている。したがって、固定電極２１の電圧はパッド電極５１の電圧と同一であり、可動電極２２の電圧はパッド電極５２の電圧と同一である。また、保護膜３０の外側には、アライメントマーク５３が形成されている。
【００１６】
上述した固定電極２１、可動電極２２、第１の導電部３２、マス構成部４１、バネ部４２及びアンカー部４３は、同一の材料を用いて同一の工程で形成されている。これらの構成要素は、半導体材料で形成されている。具体的には、半導体材料には、ＳｉＧｅが用いられる。第２の導電部３３も第１の導電部３２と同じ材料で形成されている。
【００１７】
以上のように、本実施形態では、保護膜３０が導電部３１を有しており、この導電部３１が固定電極２１に電気的に接続されている。具体的には、本実施形態では、保護膜３０の側壁部に位置する第１の導電部３２が固定電極２１に接続されている。したがって、導電部３１（第１の導電部３２）を介して固定電極２１をパッド電極５１に電気的に接続することができる。
【００１８】
ＭＥＭＳ技術を用いた可変キャパシタは微細な構造を有しているため、従来は、下地領域の表面に設けられたコンタクトパターンに対する固定電極の正確なアライメントが難しい、という問題があった。すなわち、下地領域上に形成された固定電極材料層の厚さが厚いために、アライメントに必要な十分な焦点深度を確保することが困難であり、下地領域の表面に設けられたコンタクトパターンに対して正確なアライントを行うことが難しい、という問題があった。
【００１９】
本実施形態の電子装置は、上述したような構造を有しているため、従来のような困難なアライメント作業を行わずに、固定電極２１を導電部３１（第１の導電部３２）に確実に接続することができ、固定電極２１をパッド電極５１に電気的に確実に接続することができる。したがって、ＭＥＭＳ技術を用いた微細な可変キャパシタを有する電子装置を確実に得ることができる。
【００２０】
また、本実施形態では、導電部３１が保護膜３０の一部を兼ねるため、製造工程を大幅に増加させることなく、ＭＥＭＳ技術を用いた微細な可変キャパシタを有する電子装置を得ることができる。
【００２１】
（実施形態２）
次に、第２の実施形態に係る電子装置について説明する。なお、基本的な事項は第１の実施形態と同様であるため、第１の実施形態で説明した事項の説明は省略する。
【００２２】
図３は、第２の実施形態に係る電子装置の構成を模式的に示した平面図である。図４は、図３のＡ−Ａ線に沿った断面図である。なお、図３の平面図では、図面の理解を容易にするために保護膜の一部は描かれていない。
【００２３】
本実施形態では、固定電極２１が第２の導電部３３に電気的に接続されている。具体的には、固定電極２１がプラグ６１を介して第２の導電部３３に電気的に接続されている。そして、第２の導電部３３がパッド電極５１に電気的に接続されている。その他の基本的な構成は、第１の実施形態と同様である。
【００２４】
また、本実施形態では、下地領域１０と保護膜３０との間に複数の柱部６２が形成されており、柱部６２によって保護膜３０を確実に支持するようになっている。柱部６２は、固定電極２１、可動電極２２、第１の導電部３２及び第２の導電部３３と同じ材料を用いて形成されている。
【００２５】
本実施形態でも、保護膜３０が導電部３１を有しており、この導電部３１が固定電極２１に電気的に接続されている。具体的には、本実施形態では、保護膜３０の上部に位置する第２の導電部３３が、プラグ６１を介して固定電極２１に電気的に接続されている。したがって、導電部３１（第２の導電部３３）を介して固定電極２１をパッド電極５１に電気的に接続することができる。プラグ６１を固定電極２１に対して正確にアライメントする必要があるが、固定電極２１の上面に対してプラグ６１をアライメントすればよいため、アライメントに必要な十分な焦点深度を確保することは容易である。そのため、従来のような困難なアライメント作業を行わずに、プラグ６１を介して固定電極２１を導電部３１（第２の導電部３３）に確実に接続することができ、固定電極２１をパッド電極５１に電気的に確実に接続することができる。したがって、ＭＥＭＳ技術を用いた微細な可変キャパシタを有する電子装置を確実に得ることができる。
【００２６】
また、本実施形態でも、導電部３１が保護膜の一部を兼ねるため、製造工程を大幅に増加させることなく、ＭＥＭＳ技術を用いた微細な可変キャパシタを有する電子装置を得ることができる。
【００２７】
（実施形態３）
次に、第３の実施形態に係る電子装置について説明する。なお、基本的な事項は第１及び第２の実施形態と同様であるため、第１及び第２の実施形態で説明した事項の説明は省略する。
【００２８】
図５は、第３の実施形態に係る電子装置の構成を模式的に示した平面図である。図６は、図５のＡ−Ａ線に沿った断面図である。なお、図５の平面図では、図面の理解を容易にするために保護膜の一部は描かれていない。
【００２９】
本実施形態では、第１の導電部３２と第２の導電部３３とが互いに電気的に絶縁されている。そして、固定電極２１は、第１の導電部３２に電気的に接続された第１のグループ（固定電極２１ａ）と、第２の導電部３３に電気的に接続された第２のグループ（固定電極２１ｂ）とを含んでいる。第１のグループ内の固定電極２１ａと第２のグループ内の固定電極２１ｂとは交互に配列されている。
【００３０】
固定電極２１ａは、第１の導電部３２及び配線１４を介してパッド電極５１ａに電気的に接続されている。固定電極２１ｂは、プラグ６１、第２の導電部３３及び上部配線５４を介してパッド電極５１ｂに電気的に接続されている。
【００３１】
本実施形態では、上述した構成により、可動電極２２と隣接する固定電極２１ａとの間のキャパシタンスＣ１と、可動電極２２と隣接する固定電極２１ｂとの間のキャパシタンスＣ２とを、別々に検出することができる。これにより、キャパシタンスＣ１とキャパシタンスＣ２との差動検出を行うことができ、加速度の検出精度を高めることが可能である。
【００３２】
本実施形態でも、保護膜３０が導電部３１（第１の導電部３２、第２の導電部３３）を有しており、第１の導電部３２が固定電極２１ａに電気的に接続され、第２の導電部３３が固定電極２１ｂに電気的に接続されている。したがって、本実施形態でも、従来のような困難なアライメント作業を行わずに、固定電極２１ａ及び固定電極２１ｂを導電部３１（第１の導電部３２、第２の導電部３３）に確実に接続することができる。そのため、固定電極２１ａ及び固定電極２１ｂをパッド電極５１ａ及びパッド電極５１ｂに電気的に確実に接続することができる。したがって、ＭＥＭＳ技術を用いた微細な可変キャパシタを有する電子装置を確実に得ることができる。
【００３３】
また、本実施形態でも、導電部３１が保護膜の一部を兼ねるため、製造工程を大幅に増加させることなく、ＭＥＭＳ技術を用いた微細な可変キャパシタを有する電子装置を得ることができる。
【００３４】
（実施形態４）
次に、第４の実施形態に係る電子装置の製造方法について説明する。本実施形態の製造方法或いは本実施形態に基づく製造方法により、第１〜第３の実施形態で示した電子装置を製造することが可能である。なお、基本的な事項は第１〜第３の実施形態で説明した事項と同様であるため、第１〜第３の実施形態で説明した事項の説明は省略する。
【００３５】
図７〜図１４は、本実施形態に係る電子装置の製造方法を模式的に示した断面図である。以下、図７〜図１４を参照して、本実施形態に係る電子装置の製造方法を説明する。
【００３６】
まず、図７に示すように、半導体基板１１、絶縁領域１２、ＭＯＳトランジスタ１３及び配線１４を含む下地領域１０を形成する。
【００３７】
次に、図８に示すように、下地領域１０上にシリコン酸化膜１０１のパターンを形成する。さらに、シリコン酸化膜１０１のパターンが設けられた下地領域１０上に、導電材料層として、ｐ型不純物が含有されたポリＳｉＧｅ層１０２を形成する。
【００３８】
次に、図９に示すように、ポリＳｉＧｅ層１０２上にシリコン酸化膜１０３を形成する。さらに、シリコン酸化膜１０３及びポリＳｉＧｅ層１０２をパターニングする。これにより、下地領域１０上に、可変キャパシタの固定電極２１及び可動電極２２のパターンが形成される。このとき同時に、固定電極２１に接続された第１の導電部３２のパターンが形成される。
【００３９】
次に、図１０に示すように、固定電極２１及び可動電極２２が形成された下地領域１０上に、犠牲膜１０４としてシリコン酸化膜を形成する。さらに、犠牲膜１０４をパターニングして、プラグ用のヴィアホール１０４ａを形成する。
【００４０】
次に、図１１に示すように、ヴィアホール１０４ａ内にプラグ６１を形成する。続いて、シリコン酸化膜１０４を含む全面に、ｐ型不純物が含有されたポリＳｉＧｅ層１０５を形成する。
【００４１】
次に、図１２に示すように、ポリＳｉＧｅ層１０５上にシリコン酸化膜１０６を形成する。さらに、シリコン酸化膜１０６及びポリＳｉＧｅ層１０５をパターニングする。これにより、シリコン酸化膜１０４及びプラグ６１上に、穴３３ｈを有し且つ固定電極２１に電気的に接続された第２の導電部３３のパターンが形成される。
【００４２】
次に、図１３に示すように、穴３３ｈを通してシリコン酸化膜１０４をエッチングして、シリコン酸化膜１０４を除去する。
【００４３】
次に、図１４に示すように、保護膜３０上層部３４を形成する。この上層部３４により、穴３３ｈが塞がれる。さらに、パッド電極５１及び５２を形成する。
【００４４】
このようにして、固定電極２１及び可動電極２２を覆う保護膜３０が形成される。すなわち、固定電極２１に電気的に接続され且つ穴３１ｈを有する導電部３１を含む保護膜３０が形成される。
【００４５】
以上のように、本実施形態の製造方法によれば、従来のような困難なアライメント作業を行わずに、固定電極２１を導電部３１に確実に接続することができ、固定電極２１をパッド電極５１に電気的に確実に接続することができる。したがって、ＭＥＭＳ技術を用いた微細な可変キャパシタを有する電子装置を確実に形成することができる。
【００４６】
また、本実施形態でも、導電部３１が保護膜の一部を兼ねるため、製造工程を大幅に増加させることなく、ＭＥＭＳ技術を用いた微細な可変キャパシタを有する電子装置を得ることができる。
【００４７】
また、本実施形態の製造方法によれば、固定電極２１及び可動電極２２のパターンを形成する際に同時に、第１の導電部３２のパターンが形成される。したがって、このような点からも、製造工程を大幅に増加させることなく、ＭＥＭＳ技術を用いた微細な可変キャパシタを有する電子装置を得ることができる。
【００４８】
なお、上述した各実施形態の電子装置は、加速度センサの他に、ジャイロセンサとして用いることも可能である。
【００４９】
以下、上述した実施形態の内容を付記する。
【００５０】
[付記１]
下地領域と、
前記下地領域の主面に非垂直な方向に交互に配列された固定電極及び可動電極を有する可変キャパシタと、
前記可変キャパシタを覆う保護膜であって、前記固定電極に電気的に接続され且つ穴を有する導電部を含む保護膜と、
を備えることを特徴とする電子装置。
【００５１】
[付記２]
前記導電部は、前記保護膜の側壁部に位置する第１の導電部を含む
ことを特徴とする付記１に記載の電子装置。
【００５２】
[付記３]
前記導電部は、前記保護膜の上部に位置する第２の導電部を含む
ことを特徴とする付記１に記載の電子装置。
【００５３】
[付記４]
前記第２の導電部は、前記穴を有する
ことを特徴とする付記３に記載の電子装置。
【００５４】
[付記５]
前記第２の導電部は、プラグを介して前記固定電極に電気的に接続されている
ことを特徴とする付記３に記載の電子装置。
【００５５】
[付記６]
前記導電部は、互いに電気的に絶縁された第１の導電部及び第２の導電部を含む
ことを特徴とする付記１に記載の電子装置。
【００５６】
[付記７]
前記第１の導電部は前記保護膜の側壁部に位置し、前記第２の導電部は前記保護膜の上部に位置する
ことを特徴とする付記６に記載の電子装置。
【００５７】
[付記８]
前記固定電極は、前記第１の導電部に電気的に接続された第１のグループと、前記第２の導電部に電気的に接続された第２のグループと、を含む
ことを特徴とする付記６に記載の電子装置。
【００５８】
[付記９]
前記第１のグループ内の固定電極と前記第２のグループ内の固定電極とは交互に配列されている
ことを特徴とする付記８に記載の電子装置。
【００５９】
[付記１０]
前記導電部は、半導体材料で形成されている
ことを特徴とする付記１に記載の電子装置。
【００６０】
[付記１１]
前記可動電極は、前記固定電極及び前記可動電極の配列方向に平行な方向に可動である
ことを特徴とする付記１に記載の電子装置。
【００６１】
[付記１２]
前記保護膜は、前記穴を塞ぐ上層部をさらに含む
ことを特徴とする付記１に記載の電子装置。
【００６２】
[付記１３]
前記導電部に電気的に接続されたパッド電極をさらに備える
ことを特徴とする付記１に記載の電子装置。
【００６３】
[付記１４]
前記可動電極に接続され、前記可動電極のトータルのパターン面積よりも大きいパターン面積を有するマス構成部をさらに備える
ことを特徴とする付記１に記載の電子装置。
【００６４】
[付記１５]
前記下地領域には、トランジスタを含む回路が設けられている
ことを特徴とする付記１に記載の電子装置。
【００６５】
[付記１６]
下地領域上に、前記下地領域の主面に非垂直な方向に交互に配列された可変キャパシタの固定電極及び可動電極を形成する工程と、
前記固定電極及び前記可動電極を覆う保護膜であって、前記固定電極に電気的に接続され且つ穴を有する導電部を含む保護膜を形成する工程と、
を備えることを特徴とする電子装置の製造方法。
【００６６】
[付記１７]
前記導電部は、前記保護膜の側壁部に位置する第１の導電部を含み、
前記可変キャパシタの固定電極及び可動電極を形成する工程は、
前記下地領域上に導電材料層を形成する工程と、
前記導電材料層をパターニングして、前記固定電極及び前記可動電極を形成するとともに、前記固定電極に電気的に接続された前記第１の導電部を形成する工程と、
を含む
ことを特徴とする付記１６に記載の電子装置の製造方法。
【００６７】
[付記１８]
前記導電部は、前記保護膜の上部に位置する第２の導電部を含み、
前記保護膜を形成する工程は、前記固定電極に電気的に接続された前記第２の導電部を形成する工程を含む
ことを特徴とする付記１６に記載の電子装置の製造方法。
【００６８】
[付記１９]
前記保護膜を形成する工程は、
前記固定電極及び前記可動電極が設けられた前記下地領域上に犠牲層を形成する工程と、
前記犠牲層上に前記穴を有する前記導電部を形成する工程と、
前記穴を通して前記犠牲層をエッチングして前記犠牲層を除去する工程と、
を含む
をことを特徴とする付記１６に記載の電子装置の製造方法。
【００６９】
[付記２０]
前記保護膜を形成する工程は、前記犠牲層を除去した後に前記穴を塞ぐ上層部を形成する工程を、さらに含む
をことを特徴とする付記１９に記載の電子装置の製造方法。
【００７０】
本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。
【符号の説明】
【００７１】
１０…下地領域      １１…半導体基板      １２…絶縁領域
１３…ＭＯＳトランジスタ      １４…配線      １５…回路
２０…可変キャパシタ      ２１…固定電極      ２２…可動電極
３０…保護膜      ３１…導電部      ３２…第１の導電部
３３…第２の導電部      ３３ｈ…穴      ３４…上層部
４１…マス構成部      ４２…バネ部      ４３…アンカー部
５１、５１ａ、５１ｂ、５２…パッド電極
５３…アライメントマーク      ５４…上部配線
６１…プラグ      ６２…柱部
１０１、１０３、１０４、１０６…シリコン酸化膜
１０２、１０５…ポリＳｉＧｅ層
【図１】
0006433842.tif 000002
【図２】
0006433842.tif 000003
【図３】
0006433842.tif 000004
【図４】
0006433842.tif 000005
【図５】
0006433842.tif 000006
【図６】
0006433842.tif 000007
【図７】
0006433842.tif 000008
【図８】
0006433842.tif 000009
【図９】
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【図１０】
0006433842.tif 000011
【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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