(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体発光素子の動作を制御する照明装置用の制御回路であって、
直流電圧を印加する直流電源と、
発光素子が直列接続された第１電流路と、
前記発光素子から出力された光を受け取る受光素子が直列接続された第２電流路と、
半導体発光素子が同一極性方向に直列接続された第３電流路と、
前記半導体発光素子より電位が低い位置で第３電流路に接続されると共に、前記発光素子に接続される半導体制御素子と、
前記半導体発光素子に対して、所定の間隔毎に、並列に接続されると共に、前記受光素子と接続される半導体素子とを備え、
前記直流電圧の変動に応じて、前記半導体素子を制御し、前記第３電流路に流れる電流を制御することを特徴とする、照明装置用の制御回路。
【請求項２】
半導体発光素子の動作を制御する照明装置用の制御回路であって、
当該制御回路は、
直流電圧を印加する直流電源と、
半導体発光素子が発光する発光ブロックと、
前記発光ブロックを制御し、前記発光ブロックより電位が低い位置に設けられている制御ブロックとを有し、
前記発光ブロックは、
発光素子が直列接続された第１電流路と、
前記発光素子から出力された光を受け取る受光素子が直列接続された第２電流路と、
半導体発光素子が同一極性方向に直列接続された第３電流路と、
前記半導体発光素子に対して、所定の間隔毎に、並列に接続されると共に、前記受光素子と接続される半導体素子とを備え、
前記制御ブロックは、
前記半導体発光素子より電位が低い位置で第３電流路に接続されると共に、前記発光素子に接続される半導体制御素子を備え、
前記直流電圧の変動に応じて、前記半導体素子を制御し、前記第３電流路に流れる電流を制御することを特徴とする、照明装置用の制御回路。
【請求項３】
前記半導体素子は、直列接続された前記半導体発光素子について、前記直流電源から近く電位が高い順の２番目以降の前記半導体発光素子に対して、所定の間隔毎に、並列に接続されることを特徴とする、請求項１又は２に記載の照明装置用の制御回路。
【請求項４】
前記半導体素子は、整流素子を介して前記受光素子と接続されることを特徴とする、請求項１〜３のいずれかに記載の照明装置用の制御回路。
【請求項５】
前記発光ブロックは一枚の基板であって、複数あり、基板の端部の半導体発光素子と、隣接する基板の端部の半導体発光素子の間隔が、基板上の半導体発光素子の間隔と同様であることを特徴とする、請求項２に記載の照明装置用の制御回路。
【請求項６】
前記半導体素子は、直列接続された前記半導体発光素子について、前記直流電源から近く電位が高い順の２番目以降の前記半導体発光素子に対して、所定の間隔毎に、並列に接続されることを特徴とする、請求項５に記載の照明装置用の制御回路。
【請求項７】
前記半導体素子は、整流素子を介して前記受光素子と接続されることを特徴とする、請求項５又は６に記載の照明装置用の制御回路。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電源に直流電圧を用いる、直流を給電するシステムに特化した照明装置用の制御回路に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年のLED（＝発光ダイオード）技術の進化に伴い、LED照明装置は、様々なものが販売されている。そのためLED照明装置には、小型化、高効率化、低価格化等が要求される。
【０００３】
直流電圧を電源とするLED照明装置の電源供給元は、１つとは限らず、近年の省エネ意識の高まりにより、再生可能エネルギーである太陽光発電電力や、各種バッテリー電力等、多岐にわたる。
【０００４】
これらの電源から出力される直流電圧の違いに対しては、電源変換ユニットを用いることで対応していた。しかし、電源変換ユニットを用いる構成では、変換によるロスが発生し、効率が低下する問題があった。
【０００５】
また、電源変換ユニットの多くは、ある周波数でスイッチングして、出力を一定に保つ構成である。このような電源変換ユニットは、スイッチング動作により、電磁ノイズが発生するという大きなデメリットがあった。
【０００６】
一方、電源変換ユニットを使用しない構成では、一定の範囲の直流電圧に対しては、LEDに流れる電流を一定に保つことは可能であるが、直流電圧のわずかな変動に対して、LEDに流れる電流が大きく変動してしまう。そのため、LED照明から出力される光の質が低下したり、LEDの寿命が短縮される。また、電圧が低下するとLEDが消灯してしまうため、広範囲の電源電圧に対応させることができないという難点があった。
【０００７】
従って、電源変換ユニットを用いることなく、幅広い電源電圧に対応可能なLED照明装置用の制御回路が望まれている。特許文献１では、電源電圧の増減に合わせてLEDの点灯と消灯を制御することによって、幅広い電源電圧に対応しながら、LEDに流れる電流を一定に保つ構成が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００８】
【特許文献１】特開２０１３−１７９２７９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
しかしながら、特許文献１の構成では、電源電圧が低下すると、電圧下位から上位へ順にLEDが消灯していくため、LED照明装置のLEDの中で電圧下位側のまとまったエリアのLEDが消灯してしまい、LED照明装置としては、明るさの偏りが生じるという外観上の不都合があった。
【００１０】
そこで本発明は、上述の如き課題を解決するものとして、幅広い電源電圧に対応可能で、かつ明るさの偏りが生じない照明装置用の制御回路を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
請求項１の発明は、
半導体発光素子の動作を制御する照明装置用の制御回路であって、
直流電圧を印加する直流電源と、
発光素子が直列接続された第１電流路と、
前記発光素子から出力された光を受け取る受光素子が直列接続された第２電流路と、
半導体発光素子が同一極性方向に直列接続された第３電流路と、
前記半導体発光素子より電位が低い位置で第３電流路に接続されると共に、前記発光素子に接続される半導体制御素子と、
前記半導体発光素子に対して、所定の間隔毎に、並列に接続されると共に、前記受光素子と接続される半導体素子とを備え、
前記直流電圧の変動に応じて、前記半導体素子を制御し、前記第３電流路に流れる電流を制御する、照明装置用の制御回路とした。
【００１２】
請求項２の発明は、
半導体発光素子の動作を制御する照明装置用の制御回路であって、
当該制御回路は、
直流電圧を印加する直流電源と、
半導体発光素子が発光する発光ブロックと、
前記発光ブロックを制御し、前記発光ブロックより電位が低い位置に設けられている制御ブロックとを有し、
前記発光ブロックは、
発光素子が直列接続された第１電流路と、
前記発光素子から出力された光を受け取る受光素子が直列接続された第２電流路と、
半導体発光素子が同一極性方向に直列接続された第３電流路と、
前記半導体発光素子に対して、所定の間隔毎に、並列に接続されると共に、前記受光素子と接続される半導体素子とを備え、
前記制御ブロックは、
前記半導体発光素子より電位が低い位置で第３電流路に接続されると共に、前記発光素子に接続される半導体制御素子を備え、
前記直流電圧の変動に応じて、前記半導体素子を制御し、前記第３電流路に流れる電流を制御する、照明装置用の制御回路とした。
【００１３】
請求項３の発明は、
前記半導体素子は、直列接続された前記半導体発光素子について、前記直流電源から近く電位が高い順の２番目以降の前記半導体発光素子に対して、所定の間隔毎に、並列に接続される、請求項１又は２に記載の照明装置用の制御回路とした。
【００１４】
請求項４の発明は、
前記半導体素子は、整流素子を介して前記受光素子と接続される、請求項１〜３のいずれかに記載の照明装置用の制御回路とした。
【００１５】
請求項５の発明は、
前記発光ブロックは一枚の基板であって、複数あり、基板の端部の半導体発光素子と、隣接する基板の端部の半導体発光素子の間隔が、基板上の半導体発光素子の間隔と同様である、請求項２に記載の照明装置用の制御回路とした。
請求項６の発明は、
前記半導体素子は、直列接続された前記半導体発光素子について、前記直流電源から近く電位が高い順の２番目以降の前記半導体発光素子に対して、所定の間隔毎に、並列に接続される、請求項５に記載の照明装置用の制御回路とした。
請求項７の発明は、
前記半導体素子は、整流素子を介して前記受光素子と接続される、請求項５又は６に記載の照明装置用の制御回路とした。
【発明の効果】
【００１６】
本発明は、電源変換ユニットを使用しない構成である。そのため、照明装置の小型化、高効率化、低価格化が実現できる。また、電磁ノイズが発生せず、病院や精密機械室等の電磁ノイズを嫌う環境でも使用可能である。更に、照明装置の故障リスクも低減できる。
【００１７】
また、本発明によれば、電源電圧が変動しても、半導体素子のON/OFFによって、半導体発光素子に流れる電流を一定に保つことができるため、照明から出力される光の質が低下したり、電流の変動によって半導体発光素子が劣化し、寿命が短縮化されることがない。更に、本発明によれば、電源電圧が低下すると照明装置の半導体発光素子の一部が消灯するが、半導体発光素子がまとまったエリアで消灯することが無く、消灯する半導体発光素子が分散するため、照明装置として明るさに偏りが生じることがない。
【図面の簡単な説明】
【００１８】
【図１】本発明の実施例１の主な構成を示す回路構成図である。
【図２】本発明の他の実施例の主な構成を示す回路構成図である。
【発明を実施するための形態】
【００１９】
本発明は、半導体発光素子の動作を制御する照明装置用の制御回路であって、直流電圧を印加する直流電源と、発光素子が直列接続された第１電流路と、前記発光素子から出力された光を受け取る受光素子が直列接続された第２電流路と、半導体発光素子が同一極性方向に直列接続された第３電流路と、前記半導体発光素子より電位が低い位置で第３電流路に接続されると共に、前記発光素子に接続される半導体制御素子と、前記半導体発光素子に対して、所定の間隔毎に、並列に接続されると共に、前記受光素子と接続される半導体素子とを備え、前記直流電圧の変動に応じて、前記半導体素子を制御し、前記第３電流路に流れる電流を制御する構成としたことにより、電源電圧が低下すると照明装置の半導体発光素子の一部が消灯した場合であっても、半導体発光素子がまとまったエリアで消灯することが無く、消灯する半導体発光素子が分散するため、照明装置として明るさに偏りが生じることがない。
【実施例１】
【００２０】
以下、本発明の実施例１を図に基づいて説明する。図１は、本実施例のLED照明装置用の制御回路Ａの主な構成を示す回路構成図である。図１に示すように制御回路Aは、直流電圧を印加する直流電源１０と、設けられているLEDが発光するLED発光ブロック２０と、LED発光ブロック２０を制御する制御ブロック４０とから主として構成されている。各LED発光ブロック２０と制御ブロック４０はそれぞれ、１枚の基板上に回路素子が配置されたものであり、隣接するブロックは電気的に接続されている。そして、図１に示すように、直流電源１０に近く電位が高い位置にLED発光ブロック２０を配置し、直流電源１０から遠くいずれのLED発光ブロック２０よりも電位が低い位置に制御ブロック４０を配置する。また、直流電源１０と、LED発光ブロック２０及び制御ブロック４０に配置された回路素子から閉回路を構成している。なお、本実施例では、４つのLED発光ブロック２０を用いる構成を示したが、この構成に限定されるものではなく、LED発光ブロック２０は、単一であっても、複数であっても良い。
【００２１】
＜LED発光ブロック２０の構成＞
LED発光ブロック２０は、光導電素子２１の発光素子２２が直列接続された電流路Ｈと、抵抗素子２８及び光導電素子２１の受光素子２３が直列接続された電流路Ｉを有している。なお、光導電素子２１は、本実施例ではフォトカプラである。従って、光導電素子２１は、内部にLED等の発光素子２２とフォトトランジスタ等の受光素子２３が収められ、外部からの光を遮断するパッケージ２４に封じ込められた構造になっている。光導電素子２１は、入力された電流を発光素子２２によって光に変換し、その光を受光素子２３が受け取ることにより電流を伝達する。また、抵抗素子２８は、直流電源１０からの電流が電流路Ｉにはわずかしか流れず、直流電源１０からの電流のほとんどが電流路Ｋ（後述）に流れるようにするためのものである。
【００２２】
また、LED発光ブロック２０は、半導体発光素子２６が同一極性方向に直列接続された電流路Ｋを有している。半導体発光素子２６は、本実施例ではLEDである。そして、本実施例ではＮチャネルエンハンスメント型ＦＥＴ（＝電界効果トランジスタ）である半導体素子２５が、半導体発光素子２６に対し並列に接続されている。詳しくは、半導体素子２５の一端のドレイン（図１では、「Ｄ」と示されている）と半導体発光素子２６の一端のアノードとが接続されると共に、半導体素子２５の一端のソース（図１では「Ｓ」と示されている）と半導体発光素子２６の一端のカソードとが接続されることにより、半導体素子２５が半導体発光素子２６に対し並列に接続されている。但し、半導体素子２５が半導体発光素子２６に対し並列に接続されているのは、図１に示すように、各LED発光ブロック２０の電流路Ｋ中の半導体発光素子２６のうち、直流電源１０に最も近く最高電位の半導体発光素子２６（図１では、「LED１」）ではなく、当該半導体発光素子２６に隣接している２番目の半導体発光素子２６（図１では、「LED２」）からである。また、電流路Ｋに配置されている半導体発光素子２６に対し、所定の間隔毎に（例えば、図１では、半導体発光素子２６に対し１個おきに）半導体素子２５のドレイン及びソースが並列に接続されている。従って、直流電源１０に近く電位が高い方から順に、半導体発光素子２６、半導体素子２５及び半導体発光素子２６、半導体発光素子２６、半導体素子２５及び半導体発光素子２６と配置されている。なお、本実施例では、半導体発光素子２６に対し１個おきに、半導体素子２５のドレイン及びソースが並列に接続される構成を示したが、この構成に限定されるものではなく、例えば、半導体発光素子２６に対し２個おきに、あるいは３個おきに半導体素子２５のドレイン及びソースが並列に接続される構成としても良い。また、本実施例では、半導体素子２５が、各LED発光ブロック２０の電流路Ｋ中の半導体発光素子２６のうち、直流電源１０に近く電位が高い順の２番目の半導体発光素子２６から並列に接続されている構成を示したが、この構成に限定されるものではなく、２番目以降の半導体発光素子２６から並列に接続されている構成であれば良い。
【００２３】
また、光導電素子２１の受光素子２３と、各半導体素子２５のゲート（図１では「Ｇ」と示されている）とは、整流素子２７を介して電気的に接続されている。整流素子２７は、本実施例ではダイオードであって、アノードが受光素子２３に接続され、カソードが半導体素子２５のゲートに接続されている。そのため、受光素子２３から半導体素子２５のゲートに対しては電流が流れるが、逆方向の半導体素子２５のゲートから受光素子２３に対しては電流がほとんど流れない。整流素子２７を介在させることによって、受光素子２３に許容値以上の電流が流れてしまうという危険を防止できる。なお、整流素子２７はダイオードに限定されるものではなく、受光素子２３から半導体素子２５のゲートに対しては電流を流すが、逆方向の半導体素子２５のゲートから受光素子２３に対しては電流をほとんど流さない整流機能を有する素子であれば良い。
【００２４】
また、本実施例においては、各LED発光ブロック２０に半導体素子２５の数が２個、半導体発光素子２６の数が４個配置された構成を示した。このように、電流路Ｋ中の直流電源１０に最も近い最高電位の半導体発光素子２６（図１では、「LED１」）と最も遠い最低電位の半導体発光素子２６（図１では、「LED４」）の電位差が、半導体素子２５のゲート−ソース間電圧の定格の範囲内（例えば、２０（Ｖ）以内）となるように、半導体素子２５及び半導体発光素子２６の数を選択する必要がある。従って、半導体素子２５のゲート−ソース間電圧の定格の範囲内であれば、半導体素子２５及び半導体発光素子２６の数に限定はなく、任意の数で良い。
【００２５】
＜制御ブロック４０の構成＞
制御ブロック４０は、半導体制御素子４１が直列接続された電流路Ｌと、抵抗素子４２が直列接続された電流路Ｍを有している。半導体制御素子４１は、本実施例ではNPNバイポーラトランジスタである。電流路Ｌと電流路Ｈとが接続されていることによって、また、電流路Ｋと電流路Ｍとが接続されていることによって、制御ブロック４０は、隣接するLED発光ブロック２０と電気的に接続されている。本実施例においては、半導体制御素子４１のコレクタ（図１では「Ｃ」と示されている）がLED発光ブロック２０の発光素子２２に接続されている。半導体制御素子４１のベース（図１では「Ｂ」と示されている）は、電流路Ｍに接続されている。なお、制御回路Ａの極性を逆にし、制御回路Ａに用いられている素子の極性も逆にすれば、半導体制御素子としてPNPバイポーラトランジスタを用いる構成としても良い。抵抗素子４２は、シャント抵抗であって、検出回路（図示省略）が抵抗素子４２の端子間の電圧（降下）と抵抗素子４２の抵抗値に基づいて、制御回路Ａに流れる電流値を検出する。
【００２６】
＜制御回路Ａの動作＞
次に、制御回路Ａの動作を説明する。直流電源１０から正極電位を印加し、グランド（図１では「GND」と示されている）に基準電位（０電位）である負極電位を印加する。基準電位に対し、直流電源１０から印加する正極電位が、制御回路Ａ内で同一極性方向に直列接続された半導体発光素子２６の電位障壁値の合計以上であれば、全ての半導体発光素子２６は発光する。なお、半導体発光素子２６の電位障壁値とは、半導体発光素子２６の固有の順方向電圧降下値である。
【００２７】
直流電源１０から印加する電圧が低下し、制御回路Ａを流れる電流が規定の値より減少した場合、制御ブロック４０の半導体制御素子４１のベース電流が減少し、コレクタ電流も減少する。そして、各LED発光ブロック２０の光導電素子２１の発光素子２２に流れる電流が減少し、受光素子２３がＯＦＦする方向に働き、コレクタ−エミッタ間の電圧が増加する。その結果、半導体素子２５がＯＮとなり（＝ドレインからソースに電流が流れる）、当該半導体素子２５に並列して設置されている半導体発光素子２６が消灯する。消灯した半導体発光素子２６の順方向降下電位は、ほぼ０（Ｖ）になる。直流電源１０から印加する電圧に対して、消灯する半導体発光素子２６の数が増えていくと、制御回路Ａ内で同一極性方向に直列接続された半導体発光素子２６の電位障壁値の合計が減少するため、制御ブロック４０の電圧が上昇し、制御回路Ａを流れる電流が増加し、規定の値に達すると、その値が維持される。
【００２８】
直流電源１０から印加する電圧が上昇し、制御回路Ａを流れる電流が規定の値より増加した場合、制御ブロック４０の半導体制御素子４１のベース電流が増加し、コレクタ電流も増加する。そして、各LED発光ブロック２０の光導電素子２１の発光素子２２に流れる電流が増加し、受光素子２３がＯＮする方向に働き、コレクタ−エミッタ間の電圧が低下する。その結果、半導体素子２５がＯＦＦとなり（＝ドレインからソースに電流が流れない）、当該半導体素子２５に並列して設置されている半導体発光素子２６が点灯する。点灯した半導体発光素子２６の順方向降下電位は、数（Ｖ）になる。直流電源１０から印加する電圧に対して、点灯する半導体発光素子２６の数が増えていくと、制御回路Ａ内で同一極性方向に直列接続された半導体発光素子２６の電位障壁値の合計が増加するため、制御ブロック４０の電圧が低下し、制御回路Ａを流れる電流が減少し、規定の値に達すると、その値が維持される。
【００２９】
このように本発明は、電源電圧が変動しても、半導体素子２５及び半導体発光素子２６のON/OFFによって、半導体発光素子２６に流れる電流を一定に保つことができるため、照明から出力される光の質が低下したり、電流の変動によって半導体発光素子が劣化し、寿命が短縮化されることがない。また、本発明は、直列に配置されている半導体発光素子２６に対し、所定の間隔毎に、半導体素子２５が並列に接続される構成であるため、電源電圧が低下すると半導体発光素子２６の一部が消灯するが、半導体発光素子２６がまとまったエリアで消灯することが無く、消灯する半導体発光素子２６が分散するため、照明装置として明るさに偏りが生じることがない。
【００３０】
本実施例に係る制御回路Ａでは、複数のLED発光ブロック２０が設けられている。夫々電位の異なるLED発光ブロック２０を、別々に制御するのは難しい。設けられているLED発光ブロック２０の数やLED発光ブロック２０内に設置されている半導体発光素子２６の数やLED発光ブロック２０内に設置されている素子の感度に合わせて、その都度、独自に制御ブロック４０の回路を構成するのは、現実的ではない。
【００３１】
一方、本発明は、直流電源１０から遠くいずれのLED発光ブロック２０よりも電位が低い位置に配置された１か所の制御ブロック４０で、各LED発光ブロック２０の半導体発光素子２６に流れる電流の量を一括して制御する構成である。従って、設けられているLED発光ブロック２０の数に変動があっても対応できる。また、各LED発光ブロック２０に設置されている半導体発光素子２６の数が異なっている場合や、LED発光ブロック２０内の素子の感度にバラツキがあった場合でも、制御ブロック４０の半導体制御素子４１の動作に反映される。また、制御回路Ａにおける半導体発光素子２６は、同一極性方向に直列に接続されているため、同一の量の電流が各半導体発光素子２６に流れる。
【００３２】
また本発明では、制御ブロック４０の出力ともいえる半導体制御素子４１のコレクタに対して、各LED発光ブロック２０の入力ともいえる光導電素子２１の発光素子２２が直列に接続されている。従って、制御ブロック４０から出力されるコレクタ電流が増加すれば、各LED発光ブロック２０の発光素子２２に入力される電流も増加し、受光素子２３のコレクタ−エミッタ間電圧が減少する。一方、制御ブロック４０から出力されるコレクタ電流が減少すれば、各LED発光ブロック２０の発光素子２２に入力される電流も減少し、受光素子２３のコレクタ−エミッタ間電圧が増加する。このように各LED発光ブロック２０の光導電素子２１は、制御ブロック４０の半導体制御素子４１に同期して、同じ動作をする。そのため、受光素子２３のコレクタ−エミッタ間電圧が減少すると半導体発光素子２６が点灯し、受光素子２３のコレクタ−エミッタ間電圧が増加すると半導体発光素子２６が消灯する。あるLED発光ブロック２０の半導体発光素子２６が点灯していく最中に、別のLED発光ブロック２０の半導体発光素子２６が消灯していくことはない。また逆に、あるLED発光ブロック２０の半導体発光素子２６が消灯していく最中に、別のLED発光ブロック２０の半導体発光素子２６が点灯していくことはない。
【００３３】
また本発明は、各LED発光ブロック２０の半導体発光素子２６のうち、直流電源１０に最も近く最高電位の半導体発光素子２６には、半導体素子２５が接続されておらず、半導体発光素子２６のみの構成とする。全ての半導体発光素子２６に半導体素子２５を接続し、当該半導体発光素子２６を消灯可能な構成とすると、制御回路Ａを正しく制御できなくなってしまう。以下、詳しく説明する。
【００３４】
直流電源１０から印加する電圧が低下し、制御回路Ａを流れる電流が規定の値より減少した場合、制御ブロック４０の半導体制御素子４１のベース電流が減少し、コレクタ電流も減少する。そして、各LED発光ブロック２０の光導電素子２１の発光素子２２に流れる電流が減少し、受光素子２３がＯＦＦする方向に働き、コレクタ−エミッタ間の電圧が増加する。その結果、半導体素子２５がＯＮとなり、当該半導体素子２５に並列して設置されている半導体発光素子２６が消灯する。そして、直流電源１０から印加する電圧が更に低下し、制御回路Ａを流れる電流が規定の値より更に減少した場合、同じ動作により半導体素子２５がＯＮとなり、当該半導体素子２５に並列して設置されている半導体発光素子２６が消灯する。このように制御回路Ａを流れる電流の減少に応じて、順に半導体発光素子２６は消灯していく。全ての半導体発光素子２６が消灯した場合、直流電源１０の電圧と制御ブロック４０の電圧とがほとんど同じになり、半導体素子２５を駆動させる電圧が足りなくなってしまい、半導体素子２５をONできなくなってしまう。したがって、半導体発光素子２６が点灯をしてしまい、その瞬間再び半導体素子２５がONになり、半導体発光素子２６が消灯する。すると再び半導体素子２５がONできなくなる。即ち、半導体発光素子２６が点灯と消灯を繰り返すようになってしまう。
【００３５】
そこで、本発明のように、各LED発光ブロック２０の半導体発光素子２６のうち、直流電源１０に最も近く最高電位の半導体発光素子２６には、半導体素子２５が接続されておらず、半導体発光素子２６のみの構成とすることによって、上記のような誤作動を回避することができる。
【００３６】
即ち、直流電源１０から印加する電圧が低下し、制御回路Ａを流れる電流が規定の値より減少した場合、半導体素子２５がＯＮとなり、当該半導体素子２５に並列して設置されている半導体発光素子２６が消灯する。そして、直流電源１０から印加する電圧が更に低下し、制御回路Ａを流れる電流が規定の値より更に減少した場合、同じ動作により半導体素子２５がＯＮとなり、当該半導体素子２５に並列して設置されている半導体発光素子２６が消灯する。このように制御回路Ａを流れる電流の減少に応じて、順に半導体発光素子２６は消灯していく。しかし、これ以上ONできる半導体素子２５がなくなると、その状態を維持して安定する。そのため、半導体発光素子２６が点灯と消灯を繰り返す誤作動は生じない。
【００３７】
＜変形例＞
なお、本実施例に係る制御回路Ａでは、電流路Ｋに配置されている半導体発光素子２６に対し、所定の間隔毎に半導体素子２５が並列に接続されることによって、電位の高い順に半導体発光素子２６、半導体素子２５及び半導体発光素子２６、半導体発光素子２６、半導体素子２５及び半導体発光素子２６と配置される構成を実現した。しかし、この構成に限定されるものではなく、例えば図２に示す制御回路Ｆのように、電流路上は、電位の高い順に半導体発光素子２６、半導体発光素子２６、半導体素子２５及び半導体発光素子２６、半導体素子２５及び半導体発光素子２６と接続されているが、配線によって、半導体発光素子２６、半導体素子２５及び半導体発光素子２６、半導体発光素子２６、半導体素子２５及び半導体発光素子２６と配置される構成を実現する構成としても良い。このような構成にすれば、電源電圧が低下すると照明装置の半導体発光素子２６の一部が消灯するが、半導体発光素子２６がまとまったエリアで消灯することが無く、消灯する半導体発光素子２６が分散する。即ち、照明装置の外観上は、１個おきに半導体発光素子２６が消灯しているように見える。従って、照明装置として明るさに偏りが生じることがない。
【００３８】
また、本実施例に係る制御回路Ａが複数のLED発光ブロック２０を有する構成において、発光ブロック２０の端部の半導体発光素子２６と、隣接する発光ブロック２０の端部の半導体発光素子２６の間隔が、LED発光ブロック２０内に配置された半導体発光素子２６同士の間隔と同様である方が望ましい。ここで、「同様」とは、同一から数センチ程度の誤差を含む概念である。このような構成とすれば、LED発光ブロック２０が複数の基板から構成され、電源電圧が低下し照明装置の半導体発光素子２６の一部が消灯した場合、照明装置の外観上は、１個おきに半導体発光素子２６が消灯しているように見える。従って、照明装置として明るさに偏りが生じることがない。
【００３９】
また、本実施例に係る制御回路Ａにおいては、複数のLED発光ブロック２０と制御ブロック４０といった一枚の基板毎に、半導体素子２５、半導体発光素子２６、半導体制御素子４１等の回路素子を設ける構成を示した。しかし、この構成に限定されるものではなく、例えば、複数のLED発光ブロック２０と制御ブロック４０に設けられた回路素子を一枚の基板に設ける構成としても良いし、複数のLED発光ブロック２０に設けられた回路素子を一枚の基板に設ける構成としても良い。
【００４０】
以上、本発明の好ましい実施例について述べたが、本発明の制御回路は上述した実施形態にのみ限定されるものではなく、本発明の範囲で種々の変更実施が可能であるのは言うまでもない。
【符号の説明】
【００４１】
Ａ：制御回路、Ｆ：制御回路、
Ｈ、Ｉ、Ｋ、Ｌ、Ｍ：電流路、
Ｂ：ベース、Ｃ：コレクタ、Ｅ：エミッタ、
Ｄ：ドレイン、Ｇ：ゲート、Ｓ：ソース、
１０：直流電源、
２０：LED発光ブロック、２１：光導電素子、２２：発光素子、２３：受光素子、２５：半導体素子、２６：半導体発光素子、２７：整流素子、２８：抵抗素子、
４０：制御ブロック、４１：半導体制御素子、４２：抵抗素子
【図１】
0006441613.tif 000002
【図２】
0006441613.tif 000003