(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
板状部材を用いて形成され、
前記板状部材のテンプレートパターンが形成される側の面であるパターン面にテンプレートパターンが転写される予定の基板である転写対象基板が有する凹凸が反転された空間波長成分が０．２ｍｍ〜２０ｍｍの非平面偏差であるトポグラフィ、及び、前記パターン面に前記トポグラフィに重なるように形成され前記トポグラフィよりも微細なパターンを有する、
テンプレート基板。
【請求項２】
空間波長成分が０．２ｍｍ〜２０ｍｍの非平面偏差である第１のトポグラフィを有し、テンプレートパターンが転写される予定の基板である転写対象基板と、レジストの配置された第１のテンプレート基板と、の間の距離を所定距離にする第１のステップと、
前記レジストを硬化させる第２のステップと、
前記レジストから前記転写対象基板を引き離し、前記第１のテンプレート基板上の前記レジストに前記第１のトポグラフィを反転させた第２のトポグラフィを形成する第３のステップと、
前記第２のトポグラフィが形成された前記レジスト上から前記第１のテンプレート基板にエッチバックを行う第４のステップと、
前記第１のテンプレート基板に、前記第２のトポグラフィを形成する第５のステップと、
を含むテンプレート基板作製方法。
【請求項３】
前記第２のトポグラフィを形成した後に、前記第１のテンプレート基板に前記第１のトポグラフィよりも微細なテンプレートパターンを形成する、
請求項２に記載のテンプレート基板作製方法。
【請求項４】
空間波長成分が０．２ｍｍ〜２０ｍｍの非平面偏差である第１のトポグラフィを有し、テンプレートパターンが転写される予定の基板である第１の基板を用いて、第１のテンプレート基板に、前記第１のトポグラフィを反転させた第２のトポグラフィを形成する第１のステップと、
前記第１のテンプレート基板に前記第１のトポグラフィよりも微細なテンプレートパターンを形成する第２のステップと、
前記第１のテンプレート基板を用いて、前記第１のトポグラフィと同じトポグラフィを有する第２の基板に、インプリントリソグラフィを行う第３のステップと、
前記第２の基板に、前記テンプレートパターンおよび前記第２のトポグラフィを反転させたパターンを形成する第４のステップと、
を含むパターン形成方法。
【請求項５】
前記第１のテンプレート基板は、前記第１の基板を用いたインプリントリソグラフィによって形成されている、
請求項４に記載のパターン形成方法。
【請求項６】
前記第２のトポグラフィを有した第２のテンプレート基板を用いたインプリントリソグラフィを行い、第３のテンプレート基板に、前記第２のトポグラフィを反転させた前記第１のトポグラフィを形成する第５のステップと、
前記第３のテンプレート基板を用いたインプリントリソグラフィを行い、前記第１のテンプレート基板に、前記第１のトポグラフィを反転させた前記第２のトポグラフィを形成する第６のステップと、
をさらに含む請求項５に記載のパターン形成方法。
【請求項７】
前記第２のテンプレート基板は、前記第１の基板を用いたインプリントリソグラフィによって形成される、
請求項６に記載のパターン形成方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明の実施形態は、テンプレート基板、テンプレート基板作製方法、パターン形成方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
ナノインプリント技術は、テンプレートの表面に形成されているテンプレートパターンを、基板上のレジスト（インプリント材料）に転写する技術である。レジストは、例えば、光硬化性樹脂などである。
【０００３】
ナノインプリントが行われる際には、テンプレートが、基板上のレジストに押し当てられて、テンプレートパターン内にレジストが充填される。そして、充填されたレジストが硬化させられ、その後、基板からテンプレートが離型される。これにより、基板上のレジストに凹凸パターンが形成される。
【０００４】
しかしながら、基板の段差（トポグラフィ）が大きい場合、段差の近傍でテンプレートの追随性が悪化するので、パターン不良を引き起こす原因となる。また、トポグラフィが大きい場合には、テンプレートと基板との間のレジストの厚み（ＲＬＴと呼ぶ）に膜厚差が生じるので、テンプレートのせん断力が高くなる。このため、ＲＬＴに膜厚差が生じると、Die  by  Dieアライメントに影響を及ぼす。この結果、基板とインプリントパターンとの間の重ね合わせ精度が悪化する原因となる。
【０００５】
基板の段差を平坦化するためには、塗布膜形成、エッチバック、ＣＭＰなどの平坦化技術が提案されているが、ナノスケールでの基板の段差においては不十分であった。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特表２００４−５０４７１８号公報
【特許文献２】特開２００２−９３７４８号公報
【特許文献３】特許第５１３９４２１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
本発明が解決しようとする課題は、基板の段差の影響を受けにくい高精度なパターンを形成することができるテンプレート基板、テンプレート基板作製方法、パターン形成方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
実施形態によれば、テンプレート基板が提供される。前記テンプレート基板は、板状部材を用いて形成されている。そして、前記テンプレート基板は、前記板状部材のテンプレートパターンが形成される側の面であるパターン面に、テンプレートパターンが転写される予定の基板である転写対象基板が有する凹凸が反転された空間波長成分が０．２ｍｍ〜２０ｍｍの非平面偏差であるトポグラフィ、及び、前記パターン面に前記トポグラフィに重なるように形成され前記トポグラフィよりも微細なパターンを有する。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】図１は、実施形態に係るテンプレート基板の構成を示す図である。
【図２】図２は、ウエハを用いた子テンプレート基板の作製処理手順を説明するための図である。
【図３】図３は、子テンプレート基板を用いた親テンプレート基板の作製処理手順を説明するための図である。
【図４】図４は、親テンプレート基板を用いた子テンプレート基板の作製処理手順を説明するための図である。
【図５】図５は、子テンプレート基板を用いてウエハ上にパターンを形成する処理の処理手順を説明するための図である。
【図６】図６は、ウエハ、子テンプレート基板および親テンプレート基板の凹凸パターンの関係を説明するための図である。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
以下に添付図面を参照して、実施形態に係るテンプレート基板、テンプレート基板作製方法、パターン形成方法を詳細に説明する。なお、これらの実施形態により本発明が限定されるものではない。
【００１１】
（実施形態）
図１は、実施形態に係るテンプレート基板の構成を示す図である。図１の（ａ）では、子テンプレート基板１２Ｂを示し、図１の（ｂ）では、子テンプレート基板１２Ｃを示している。
【００１２】
子テンプレート基板１２Ｂは、テンプレートパターンが形成される前の原版（マスクブランクス）である。また、子テンプレート基板１２Ｃは、テンプレートパターンが形成された後のテンプレートである。
【００１３】
本実施形態では、ウエハを用いて、第１世代の基板である子テンプレート基板が形成される。また、第１世代の子テンプレート基板を用いて、第２世代の基板である親テンプレート基板が形成される。そして、第２世代の親テンプレート基板を用いて、第３世代の基板である子テンプレート基板が形成される。第１世代の基板と、第３世代の基板と、は同じものなので、本実施形態では、説明の便宜上、両方を子テンプレート基板と呼ぶ。子テンプレート基板や親テンプレート基板は、モールド、スタンパ、金型とも呼ばれ、インプリントリソグラフィに用いられる。
【００１４】
子テンプレート基板１２Ｂ，１２Ｃは、第１世代の子テンプレート基板である。子テンプレート基板１２Ｂは、石英ガラス基板などの板状部材を用いて形成されている。そして、子テンプレート基板１２Ｃは、子テンプレート基板１２Ｂを用いて形成されている。子テンプレート基板１２Ｃは、ナノインプリント（ＮＩＬ）などのインプリントリソグラフィで用いられるインプリントマスクである。ウエハは、半導体ウエハなどの基板（被転写基板）であり、ウエハ上へはインプリントリソグラフィなどを用いて半導体装置が形成される。
【００１５】
本実施形態の子テンプレート基板１２Ｂは、テンプレートパターンが形成される側の面（一方の主面）に、面内の平面度を示すトポグラフィを有している。トポグラフィは、空間波長成分が約０．２ｍｍ〜２０ｍｍのウエハ表面に存在する凹凸であり、ＦＱＡ（Fixed  Quality  Area）内の非平面偏差である。トポグラフィは、ウエハ表面上のディップ、バンプ、波などを含んでいる。これらのディップ、バンプ、波などは、谷の高さのピークが数ナノメートル〜数百ナノメートルまで変化している。本実施形態のトポグラフィは、所定領域内（例えば、ショット内）における、所定の空間波長範囲内かつＦＱＡ内の非平面偏差である。
【００１６】
半導体装置の形成されるウエハは、工程（レイヤ）ごとに種々のトポグラフィを有している。このため、子テンプレート基板１２Ｂへは、ウエハのレイヤに応じたトポグラフィを形成しておく。
【００１７】
例えば、第Ｍ（Ｍは自然数）の工程で、子テンプレート基板１２Ｃを用いたウエハへのインプリント処理が行われる場合がある。この場合において、第Ｍの工程で用いられるウエハは、第１のトポグラフィを有しているとする。第Ｍの工程において、子テンプレート基板１２Ｃが、第１のトポグラフィを反転させた第２のトポグラフィを有していれば、ウエハのトポグラフィに応じたインプリント処理を実行することが可能となる。
【００１８】
したがって、本実施形態では、第１のトポグラフィに対応する第２のトポグラフィが子テンプレート基板１２Ｂに形成される。第２のトポグラフィは、第１のトポグラフィを反転させたものである。子テンプレート基板１２Ｂ上のトポグラフィは、ガラス基板（後述する子テンプレート基板１２Ａ）上のレジストにウエハを押し当てるインプリント処理によって形成される。
【００１９】
図１の（ｂ）に示すように、子テンプレート基板１２Ｂに対してテンプレートパターンが形成されたものが、子テンプレート基板１２Ｃである。子テンプレート基板１２Ｃは、子テンプレート基板１２Ｂから形成されるので、子テンプレート基板１２Ｃは、子テンプレート基板１２Ｂと同じトポグラフィを有している。
【００２０】
子テンプレート基板１２Ｃに形成されるトポグラフィは、ショット内のトポグラフィである。なお、子テンプレート基板１２Ｃ上に複数ショット分のテンプレートパターンが形成されてもよい。テンプレートパターンは、微細な凹凸パターンであり、回路パターン（デバイスパターン）などである。
【００２１】
図２は、ウエハを用いた子テンプレート基板の作製処理手順を説明するための図である。子テンプレート基板１２Ａ上にレジスト１１Ａが滴下される。子テンプレート基板１２Ａは、概略平板状のガラス基板などであり、トポグラフィを有していない。ここでの、子テンプレート基板１２Ａは、ウエハ１０のトポグラフィが反転転写される基板であり、レプリカテンプレート基板として用いられる。ウエハ１０は、一方の面（パターン形成面）にトポグラフィが形成されている。ここでの、ウエハ１０は、トポグラフィを反転転写する原版として用いられる。
【００２２】
レジスト１１Ａが滴下された後、図２の（ａ）に示すように、ウエハ１０のトポグラフィ形成面が、子テンプレート基板１２Ａ上のレジスト１１Ａに押し当てられる。具体的には、ウエハ１０と子テンプレート基板１２Ａとの間の距離が所定距離となるよう、ウエハ１０または子テンプレート基板１２Ａが移動させられる。ウエハ１０上には、複数のショットが配置されている。そして、ウエハ１０は、各ショットで略同様のトポグラフィを有している。このため、ウエハ１０の何れかのショットがレジスト１１Ａに押し当てられる。
【００２３】
ウエハ１０とレジスト１１Ａとが所定時間だけ接触させられた後、この状態で子テンプレート基板１２Ａの底面（パターンが形成される面とは反対側の面）側からＵＶ光などが照射される。これにより、レジスト１１Ａが硬化し、ウエハ１０のトポグラフィに対応する転写パターンがレジスト１１Ａにパターニングされる。
【００２４】
そして、ウエハ１０が、硬化したレジスト１１Ａから離型される。これにより、図２の（ｂ）に示すように、ウエハ１０のトポグラフィを反転させたレジストパターン１１Ｂが子テンプレート基板１２Ａ上に形成される。
【００２５】
この後、子テンプレート基板１２Ａは、レジストパターン１１Ｂ上から全面エッチバックされる。これにより、図２の（ｃ）に示すように、レジストパターン１１Ｂと同じトポグラフィを有した子テンプレート基板１２Ｂが形成される。子テンプレート基板１２Ｂに対して、テンプレートパターンが形成されることにより、図２の（ｄ）に示すように、子テンプレート基板１２Ｃが形成される。
【００２６】
子テンプレート基板１２Ｃが形成される際には、例えば、子テンプレート基板１２Ｂにレジストが塗布され、電子ビーム描画装置などを用いてレジストパターンが形成される。そして、レジストパターンをマスクとして子テンプレート基板１２Ｂがエッチングされることにより、子テンプレート基板１２Ｃが形成される。本実施形態では、子テンプレート基板１２Ｂ，１２Ｃが第１世代の基板である。
【００２７】
つぎに、第１世代となる子テンプレート基板１２Ｂを用いて、第２世代となる親テンプレート基板を作製する処理について説明する。図３は、子テンプレート基板を用いた親テンプレート基板の作製処理手順を説明するための図である。親テンプレート基板２０Ａ上にレジスト２１Ａが滴下される。親テンプレート基板２０Ａは、概略平板状のガラス基板などであり、トポグラフィを有していない。
【００２８】
レジスト２１Ａが滴下された後、図３の（ａ）に示すように、子テンプレート基板１２Ｂのトポグラフィ形成面が、親テンプレート基板２０Ａ上のレジスト２１Ａに押し当てられる。具体的には、子テンプレート基板１２Ｂと親テンプレート基板２０Ａとの間の距離が所定距離となるよう、子テンプレート基板１２Ｂまたは親テンプレート基板２０Ａが移動させられる。
【００２９】
子テンプレート基板１２Ｂとレジスト２１Ａとが所定時間だけ接触させられた後、この状態で子テンプレート基板１２Ｂまたは親テンプレート基板２０Ａの底面側からＵＶ光などが照射される。これにより、レジスト２１Ａが硬化し、子テンプレート基板１２Ｂのトポグラフィに対応する転写パターンがレジスト２１Ａにパターニングされる。
【００３０】
そして、子テンプレート基板１２Ｂが、硬化したレジスト２１Ａから離型される。これにより、図３の（ｂ）に示すように、子テンプレート基板１２Ｂのトポグラフィを反転させたレジストパターン２１Ｂが親テンプレート基板２０Ａ上に形成される。
【００３１】
この後、親テンプレート基板２０Ａは、レジストパターン２１Ｂ上から全面エッチバックされる。これにより、図３の（ｃ）に示すように、レジストパターン２１Ｂと同じトポグラフィを有した親テンプレート基板２０Ｂが形成される。親テンプレート基板２０Ｂに対して、テンプレートパターンが形成されることにより、図３の（ｄ）に示すように、親テンプレート基板２０Ｃが形成される。本実施形態では、親テンプレート基板２０Ｂ，２０Ｃが第２世代の基板である。
【００３２】
つぎに、第２世代となる親テンプレート基板２０Ｂを用いて、第３世代となる子テンプレート基板を作製する処理について説明する。図４は、親テンプレート基板を用いた子テンプレート基板の作製処理手順を説明するための図である。子テンプレート基板３２Ａ上にレジスト３１Ａが滴下される。子テンプレート基板３２Ａは、概略平板状のガラス基板などであり、トポグラフィを有していない。
【００３３】
レジスト３１Ａが滴下された後、図４の（ａ）に示すように、親テンプレート基板２０Ｂのトポグラフィ形成面が、子テンプレート基板３２Ａ上のレジスト３１Ａに押し当てられる。具体的には、親テンプレート基板２０Ｂと子テンプレート基板３２Ａとの間の距離が所定距離となるよう、親テンプレート基板２０Ｂまたは子テンプレート基板３２Ａが移動させられる。
【００３４】
親テンプレート基板２０Ｂとレジスト３１Ａとが所定時間だけ接触させられた後、この状態で親テンプレート基板２０Ｂまたは子テンプレート基板３２Ａの底面側からＵＶ光などが照射される。これにより、レジスト３１Ａが硬化し、親テンプレート基板２０Ｂのトポグラフィに対応する転写パターンがレジスト３１Ａにパターニングされる。
【００３５】
そして、親テンプレート基板２０Ｂが、硬化したレジスト３１Ａから離型される。これにより、図４の（ｂ）に示すように、親テンプレート基板２０Ｂのトポグラフィを反転させたレジストパターン３１Ｂが子テンプレート基板３２Ａ上に形成される。
【００３６】
この後、子テンプレート基板３２Ａは、レジストパターン３１Ｂ上から全面エッチバックされる。これにより、図４の（ｃ）に示すように、レジストパターン３１Ｂと同じトポグラフィを有した子テンプレート基板３２Ｂが形成される。子テンプレート基板３２Ｂに対して、テンプレートパターンが形成されることにより、図４の（ｄ）に示すように、子テンプレート基板３２Ｃが形成される。本実施形態では、子テンプレート基板３２Ｂ，３２Ｃが第３世代の基板である。
【００３７】
つぎに、第３世代となる子テンプレート基板３２Ｃを用いて、ウエハ上にパターンを形成する処理について説明する。図５は、子テンプレート基板を用いてウエハ上にパターンを形成する処理の処理手順を説明するための図である。
【００３８】
図５の（ａ）に示すように、ウエハ１０と同様の構成を有したウエハ４０と、子テンプレート基板３２Ｃと、が準備される。ウエハ４０には、ウエハ１０と同様の膜が積層されており、ウエハ４０とウエハ１０とは、同様のトポグラフィを有している。なお、ウエハ４０の代わりにウエハ１０が用いられてもよい。また、子テンプレート基板３２Ｃの代わりに子テンプレート基板１２Ｃが用いられてもよい。
【００３９】
トポグラフィを有したウエハ４０上にレジスト４１Ａが滴下される。レジスト４１Ａが滴下された後、図５の（ｂ）に示すように、子テンプレート基板３２Ｃが、ウエハ４０上のレジスト４１Ａに押し当てられる。具体的には、子テンプレート基板３２Ｃとウエハ４０との間の距離が所定距離となるよう、子テンプレート基板３２Ｃまたはウエハ４０が移動させられる。
【００４０】
子テンプレート基板３２Ｃとレジスト４１Ａとが所定時間だけ接触させられた後、この状態で子テンプレート基板３２Ｃの底面側からＵＶ光などが照射される。これにより、レジスト４１Ａが硬化し、子テンプレート基板３２Ｃのトポグラフィおよびテンプレートパターンに対応する転写パターンがレジスト４１Ａにパターニングされる。
【００４１】
そして、子テンプレート基板３２Ｃが、硬化したレジスト４１Ａから離型される。これにより、図５の（ｃ）に示すように、トポグラフィを有したウエハ４０上にウエハ上パターン（レジストパターン４１Ｂ）が形成される。
【００４２】
本実施形態では、ウエハ１０，４０のトポグラフィに対応するトポグラフィが子テンプレート基板３２Ｃに形成されている。換言すると、ウエハ１０，４０と子テンプレート基板３２Ｃとが対向するトポグラフィを有している。
【００４３】
そして、ウエハ４０に対して、子テンプレート基板３２Ｃを用いたインプリントリソグラフィが行われている。したがって、ナノスケールでのウエハ４０の段差に対しても、高精度なパターニングが実現できる。
【００４４】
つぎに、ウエハ１０，４０、子テンプレート基板１２Ｃ，３２Ｃ、親テンプレート基板２０Ｃの凹凸パターンの関係について説明する。図６は、ウエハ、子テンプレート基板および親テンプレート基板の凹凸パターンの関係を説明するための図である。
【００４５】
ウエハ１０を用いたインプリントリソグラフィによって、子テンプレート基板１２Ｃが形成される（Ｓ１）。そして、子テンプレート基板１２Ｃを用いたインプリントリソグラフィによって、親テンプレート基板２０Ｃが形成される（Ｓ２）。
【００４６】
インプリントリソグラフィでは、凹凸パターンが反転する。具体的には、レジストへの押し当てに用いられるテンプレート基板の凹凸パターンと、形成されるレジストパターンの凹凸パターンとの凹凸関係が反対になる。換言すると、インプリントリソグラフィでは、トポグラフィの凹凸が反転する。
【００４７】
このため、ウエハ１０上のパターン（凹凸パターン）が凸パターンである場合、子テンプレート基板１２Ｃに形成されるパターンは凹パターンである。また、子テンプレート基板１２Ｃに形成されるパターンが凹パターンである場合、親テンプレート基板２０Ｃに形成されるパターンは、凸パターンである。換言すると、ウエハ１０の有する凸パターンのトポグラフィは、凹パターンのトポグラフィとして、子テンプレート基板１２Ｃに転写される。また、子テンプレート基板１２Ｃの有する凹パターンのトポグラフィは、凸パターンのトポグラフィとして、親テンプレート基板２０Ｃに転写される。
【００４８】
親テンプレート基板２０Ｃが形成された後、親テンプレート基板２０Ｃを用いたインプリントリソグラフィによって、子テンプレート基板３２Ｃが形成される（Ｓ３）。このため、親テンプレート基板２０Ｃに形成されるパターンが凸パターンである場合、子テンプレート基板３２Ｃに形成されるパターンは、凹パターンである。換言すると、親テンプレート基板２０Ｃの有する凸パターンのトポグラフィは、凹パターンのトポグラフィとして、子テンプレート基板３２Ｃに転写される。
【００４９】
ウエハ４０へは、子テンプレート基板１２Ｃ，３２Ｃの何れかを用いたインプリントリソグラフィによってウエハ上パターンが形成される（Ｓ４）。このため、子テンプレート基板１２Ｃ，３２Ｃが凹パターンである場合、ウエハ４０に形成されるウエハ上パターンは、凸パターンである。換言すると、子テンプレート基板１２Ｃ，３２Ｃの有する凸パターンのトポグラフィは、凹パターンのトポグラフィとして、ウエハ４０に転写される。
【００５０】
このように、ウエハ４０のトポグラフィのうちの凸パターンの箇所には、子テンプレート基板１２Ｃ，３２Ｃのトポグラフィのうちの凹パターンの箇所が押し当てられる。また、ウエハ４０のトポグラフィのうちの凹パターンの箇所には、子テンプレート基板１２Ｃ，３２Ｃのトポグラフィのうちの凸パターンの箇所が押し当てられる。
【００５１】
ウエハ１０は、工程ごとに種々のトポグラフィを有しているので、工程ごとに子テンプレート基板１２Ｃ，３２Ｃ、親テンプレート基板２０Ｃが作製される。例えば、第１のレイヤが形成された後のウエハ１０に対して、子テンプレート基板１２Ｃ，３２Ｃ、親テンプレート基板２０Ｃが作製される。同様に、第Ｎ（Ｎは自然数）のレイヤが形成された後のウエハ１０に対して、子テンプレート基板１２Ｃ，３２Ｃ、親テンプレート基板２０Ｃが作製される。
【００５２】
そして、第１のレイヤが形成されたウエハ４０に対しては、第１のレイヤに対応する子テンプレート基板３２Ｃを用いてウエハ上パターンが形成される。同様に、第Ｎのレイヤが形成されたウエハ４０に対しては、第Ｎのレイヤに対応する子テンプレート基板３２Ｃを用いてウエハ上パターンが形成される。
【００５３】
このように、ウエハプロセスのレイヤ毎に、子テンプレート基板１２Ｃ，３２Ｃ、親テンプレート基板２０Ｃの作製と、子テンプレート基板３２Ｃを用いたレジストパターンの形成とが行われる。
【００５４】
ウエハ４０上に半導体装置が形成される際には、ウエハ４０上にレジスト４１Ａが塗布される。そして、子テンプレート基板３２Ｃを用いたレジストパターンの形成が行われる。この後、レジストパターンをマスクとしてレジストパターンの下層側がエッチングされる。これにより、レジストパターンに対応する実パターンがウエハ４０上に形成される。半導体装置を製造する際には、上述した子テンプレート基板１２Ｃ，３２Ｃ、親テンプレート基板２０Ｃの作製処理、エッチング処理、成膜処理などがレイヤ毎に繰り返される。
なお、半導体装置を製造する際には、全てのレイヤで子テンプレート基板３２Ｃを用いたインプリントリソグラフィが実行される必要はなく、他のリソグラフィなどが用いられてもよい。
【００５５】
なお、図２を用いた説明では、子テンプレート基板１２Ａにレジスト１１Ａを滴下する場合について説明したが、ウエハ１０にレジスト１１Ａを滴下してもよい。また、図３を用いた説明では、親テンプレート基板２０Ａにレジスト２１Ａを滴下する場合について説明したが、子テンプレート基板１２Ｂにレジスト２１Ａを滴下してもよい。また、図４を用いた説明では、子テンプレート基板３２Ａにレジスト３１Ａを滴下する場合について説明したが、親テンプレート基板２０Ｂにレジスト３１Ａを滴下してもよい。
【００５６】
また、図２を用いた説明では、レジスト１１Ａからウエハ１０を離型する場合について説明したが、レジスト１１Ａおよび子テンプレート基板１２Ａをウエハ１０から離型してもよい。この場合でも、離型の際に、レジスト１１Ａが子テンプレート基板１２Ａ上に残される。このため、レジスト１１Ａと子テンプレート基板１２Ａとの間の密着性を、レジスト１１Ａとウエハ１０との間の密着性よりも大きくしておく。
【００５７】
また、図３を用いた説明では、レジスト２１Ａから子テンプレート基板１２Ｂを離型する場合について説明したが、レジスト２１Ａおよび親テンプレート基板２０Ａを子テンプレート基板１２Ｂから離型してもよい。この場合でも、離型の際に、レジスト２１Ａが親テンプレート基板２０Ａ上に残される。このため、レジスト２１Ａと親テンプレート基板２０Ａとの間の密着性を、レジスト２１Ａと子テンプレート基板１２Ｂとの間の密着性よりも大きくしておく。
【００５８】
また、図４を用いた説明では、レジスト３１Ａから親テンプレート基板２０Ｂを離型する場合について説明したが、レジスト３１Ａおよび子テンプレート基板３２Ａを親テンプレート基板２０Ｂから離型してもよい。この場合でも、離型の際に、レジスト３１Ａが子テンプレート基板３２Ａ上に残される。このため、レジスト３１Ａと子テンプレート基板３２Ａとの間の密着性を、レジスト３１Ａと親テンプレート基板２０Ｂとの間の密着性よりも大きくしておく。
【００５９】
また、本実施形態では、ウエハ１０のトポグラフィを子テンプレート基板１２Ａに反転転写したが、ウエハ１０以外の他の基板のトポグラフィを子テンプレート基板１２Ａに反転転写してもよい。この場合、子テンプレート基板１２Ｃ，３２Ｃを用いたインプリントリソグラフィによって、前記他の基板と同様のトポグラフィを有した基板へのパターン反転転写が行われる。
【００６０】
このように実施形態によれば、子テンプレート基板１２Ｂ，１２Ｃ，３２Ｂ，３２Ｃは、テンプレートパターンが形成される側の面に、所定領域内の非平面偏差であるトポグラフィを有している。このトポグラフィは、ウエハ１０，４０のトポグラフィを反転させたものである。したがって、子テンプレート基板１２Ｂ，１２Ｃ，３２Ｂ，３２Ｃを用いてウエハ４０へのインプリントリソグラフィが行われることによって、ウエハ４０の段差（トポグラフィ）の影響を受けにくい高精度なパターンを形成することが可能となる。
【００６１】
本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。
【符号の説明】
【００６２】
１０，４０…ウエハ、１１Ａ，２１Ａ，３１Ａ，４１Ａ…レジスト、１１Ｂ，２１Ｂ，３１Ｂ，４１Ｂ…レジストパターン、１２Ａ〜１２Ｃ，３２Ａ〜３２Ｃ…子テンプレート基板、２０Ａ〜２０Ｃ…親テンプレート基板。
【図１】
0006441162.tif 000002
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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