(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
刃具（１０）の所望の成膜部（１１，１２）に気相処理によって硬質膜を成膜する成膜装置（１０１，１０２）であって、
前記刃具の前記成膜部を加熱する加熱手段（４）と、
前記刃具を収容するチャンバ（２７）が内側に形成されるハウジング（２１）、及び、前記ハウジング内で前記刃具と対向する電極（２３）を有し、前記電極と前記刃具との間に電圧を印加して生成した電界により前記チャンバ内にプラズマを発生させ、プラズマＣＶＤを行う気相処理部（２）と、
を備え、
前記気相処理部は、
前記チャンバに連通し、前記硬質膜の原料である第１原料ガスを前記成膜部である前記刃具の刃先部（１１）に向けて導入する第１導入部（３１，３２，３３，３４，３５，３６，３７，３８，３９）と、
前記チャンバに連通し、前記硬質膜の原料であって前記第１原料ガスとは異なる第２原料ガスを前記成膜部であって前記刃具の前記刃先部とは異なる部位（１２）に向けて導入する第２導入部（４１，４２，４３，４４，４５，４６，４７，４８，４９）と、
が形成されていることを特徴とする成膜装置。
【請求項２】
前記第１導入部及び前記第２導入部は、複数設けられていることを特徴とする請求項１に記載の成膜装置。
【請求項３】
前記刃具は、円柱の軸部を有する回転体であって、
前記第１導入部及び前記第２導入部は、前記刃具の軸方向と直交する平面上において放射状に設けられていることを特徴とする請求項２に記載の成膜装置。
【請求項４】
前記第１導入部及び前記第２導入部は、前記ハウジング及び前記電極の側壁を貫通するように設けられていることを特徴とする請求項１〜請求項３のうちいずれか一項に記載の成膜装置。
【請求項５】
前記第１原料ガスはＮ2ガスであり、前記第２原料ガスはＣＨ4ガスであることを特徴とする請求項１〜請求項４のうちいずれか一項に記載の成膜装置。
【請求項６】
前記加熱手段は、前記刃具を誘導加熱によって加熱する誘導加熱コイルであることを特徴とする請求項１〜請求項５のうちいずれか一項に記載の成膜装置。
【請求項７】
前記気相処理部は、直流パルス電圧を印加してプラズマＣＶＤを行うことを特徴とする請求項１〜請求項６のうちいずれか一項に記載の成膜装置。
【請求項８】
請求項１〜請求項７のうちいずれか一項に記載の成膜装置（１０１，１０２）を用い、刃具（１０）の所望の成膜部（１１，１２）に気相処理によって硬質膜を成膜する硬質膜被覆刃具の製造方法であって、
加熱手段（４）により前記刃具の前記成膜部を加熱する加熱工程と、
前記刃具を収容するチャンバ（２７）が内側に形成されるハウジング（２１）、及び、前記ハウジング内で前記刃具と対向する電極（２３）を有する気相処理部（２）において、前記電極と前記刃具との間に電圧を印加して生成した電界により前記チャンバ内にプラズマを発生させ、プラズマＣＶＤを行う気相処理工程と、
を含み、
前記気相処理工程において、
前記気相処理部に形成され前記チャンバに連通する第１導入部から前記硬質膜の原料である第１原料ガスを前記成膜部である前記刃具の刃先部（１１）に向けて導入し、前記刃先部に前記第１原料ガスの成分を組成に含む前記硬質膜を形成し、
前記気相処理部に形成され前記チャンバに連通する第２導入部から前記硬質膜の原料であって前記第１原料ガスとは異なる第２原料ガスを前記成膜部であって前記刃先部とは異なる部位に向けて導入し、前記刃先部とは異なる部位に前記第２原料ガスの成分を組成に含む前記硬質膜を形成することを特徴とする硬質膜被覆刃具の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、刃具に硬質膜を形成する成膜装置、及び硬質膜被覆刃具の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、超硬合金、サーメット、高速度工具鋼等を基材とする刃具において、例えば切削部の耐摩耗性の向上を目的としてＴｉＮ等の硬質膜をコーティング（成膜処理）する技術が知られている。例えば特許文献１に記載された成膜装置では、アークイオンプレーティング法を用いて成膜処理を行っている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００９−１０１４４５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
硬質膜のコーティングの方法としては、スパッタ処理や、特許文献１に記載のアークイオンプレーティング処理等のＰＶＤ（物理蒸着）法が知られている。これらの方法では、一度に多数の刃具を成膜炉に入れ、刃具の膜厚分布を均一に保つために、刃具を回転させながらコーティングを行っている。さらに、ＰＶＤ法の他、一般に処理時間の短縮化や、硬質膜の均一化の観点において優れたＣＶＤ（化学蒸着）法も行われている。いずれの処理方法においても、刃具の各部位には同一物性の膜がコーティングされるようになっている。
【０００５】
しかしながら、刃具はその刃先部や中間部等、それぞれの部位で必要とされる機能が異なるため、求められる膜物性も異なる。例えば、刃具の刃先部は直接切削する部位であることから耐衝撃性が第一に求められる一方、刃具の中間部は切屑を排出する部位であることから耐衝撃性よりも耐摩耗性が求められる。
【０００６】
ところが、従来の成膜装置及び成膜方法では、刃具のコーティングを施したい部位全体に同一物性の１種類の膜が形成されるのみであり、刃具のそれぞれの部位ごとに最適な物性を有する膜を形成することが出来ないという問題が生じていた。
【０００７】
本発明は、このような点に鑑みて創作されたものであり、その目的は、刃具の硬質膜のコーティングにおいて、刃具の部位ごとに最適な物性を有する膜を形成することができる成膜装置及び硬質膜被覆刃具の製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明の成膜装置は、刃具の所望の成膜部に気相処理によって硬質膜を成膜する成膜装置であって、加熱手段と、気相処理部とを備える。
加熱手段は、刃具の成膜部を加熱する。
気相処理部は、刃具を収容するチャンバが内側に形成されるハウジング、及び、ハウジング内で刃具と対向する電極を有し、電極と刃具との間に電圧を印加して生成した電界によりチャンバ内にプラズマを発生させ、プラズマＣＶＤを行う。
【０００９】
さらに、気相処理部には、第１導入部と第２導入部とが形成されている。第１導入部は、チャンバに連通し、硬質膜の原料である第１原料ガスを成膜部である刃具の刃先部に向けて導入することを特徴とする。第２導入部は、チャンバに連通し、硬質膜の原料であって第１原料ガスとは異なる第２原料ガスを成膜部であって刃具の刃先部とは異なる部位に向けて導入することを特徴とする。
【００１０】
本発明の構成によれば、気相処理の際には、第１原料ガスが第１導入部から主に刃具の刃先部へ向けてチャンバ内に導入される。また、第２原料ガスが、第２導入部から刃具の刃先部とは異なる部位、例えば刃具の中間部へ向けてチャンバ内に導入される。第１原料ガスと第２原料ガスとは硬質膜の原料であって、それぞれ異なる物質のガスであるため、刃具の刃先部とその他の部位において異なる物性の膜が形成される。すなわち、本発明では、第１導入部と第２導入部を設け、各導入部から導入する原料ガスを適宜選択することによって、刃具の部位ごとに最適な物性を有する膜を形成することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】本発明の第１実施形態による成膜装置の断面模式図。
【図２】図１のＩＩ−ＩＩ線断面図。
【図３】ガス導入の配管構成を示す模式図。
【図４】本発明の第２実施形態による成膜装置の断面模式図。
【図５】図４のＶ−Ｖ線断面図。
【図６】他の実施形態による成膜装置の断面模式図。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
以下、本発明の複数の実施形態を図面に基づいて説明する。
〈第１実施形態〉
［構成］
本発明の第１実施形態の成膜装置について、図１〜図３を参照して説明する。図１に示すように、本実施形態の成膜装置１０１は、超硬合金、サーメット、高速度工具鋼等を基材とする刃具のうち、特に、ドリル、エンドミル、リーマ等、被切削物に対して軸中心に相対回転する回転刃具に適用される。成膜装置１０１は、主に刃具先端の切削部の耐摩耗性の向上を目的としてＴｉＮ及びＴｉＣＮ等の硬質膜をコーティングし、硬質膜被覆刃具を製造する装置である。
【００１３】
まず、図１、図２を参照して、成膜装置１０１の全体構成を説明する。ここで、現実の装置が設置される天地方向は、図１、図２の上下方向とは限らない。また、後述するプラズマＣＶＤ法で用いられるガスを総称して「ＣＶＤガス」と言う。なお、図１以下の各断面模式図において、断面の後方に見える境界線の図示を省略する。
【００１４】
成膜装置１０１は、気相処理部２、絶縁断熱部３、並びに加熱手段としての誘導加熱コイル４が搭載されたベースブロック５を備えている。また、成膜処理される回転刃具の代表としてドリル１０を例示する。なお、ドリル１０は、先端角や刃部の形状を省略し、模式的に棒状に図示する。以下、コーティングをするドリル１０の刃先部１１及び先端側面を含む中間部１２を「成膜部」といい、大きな摩擦係数を確保するためにコーティングが不要である保持部分を「非成膜部」という。なお、以下の説明において、ドリル１０の中間部１２とは、刃先部１１よりも基端側の側面部位であって、チャンバ２７内に位置する側面部位を含む。中間部１２は、特許請求の範囲に記載の「刃先部とは異なる部位」に相当する。
【００１５】
気相処理部２は、ハウジング２１、及び、ハウジング２１内の電極室２２に収容された電極２３を有している。ハウジング２１及び電極２３は、鉄、銅等の導電体で形成され、アースに接続されている。ハウジング２１は、電極室２２の底壁に連通するガス導入口２４、及び、電極室２２の側壁に連通するガス排気口２５が形成されている。図３に示すように、ガス導入口２４は、ガス供給源としてのＨ2原料タンク５１及びＴｉＣｌ4（四塩化チタン）原料タンク５２に接続され、Ｈ2原料タンク５１からＨ2ガス、ＴｉＣｌ4原料タンク５２からＴｉＣｌ4ガスがそれぞれ供給される。ガス排気口２５は、チャンバ２７内の空気、未反応のＣＶＤガス、反応によって生成されたガス等が排出される。
【００１６】
電極２３は、ガス導入口２４に連通するガス導入穴２６が軸方向に貫通した円筒形状をなしている。そして、電極２３の内側に形成されるチャンバ２７内に、ドリル１０の成膜部１１，１２が収容される。このとき、電極２３はドリル１０と対向している。電極２３の外壁には、電極室２２の開口側からＣＶＤガスが回り込み、ガス排気口２５に流出可能とする排気段部２８が形成されている。
【００１７】
気相処理部２には、チャンバ２７内に連通する第１導入管３１，３２，３３が、ハウジング２１及び電極２３の側壁をドリル１０の軸方向と垂直方向に貫通するように、かつ、チャンバ２７内に連通する第１導入管３１，３２，３３の先端部位が、ドリル１０の刃先部１１近傍であって刃先部１１より軸方向に若干離れた位置となるように設けられている。
【００１８】
図２に示すように、第１導入管３１，３２，３３は、ドリル１０の軸方向と直交する平面上において放射状に略等間隔に３つ設けられている。なお、図２において括弧内に示す符号は、ドリル１０の軸方向に第１導入管３１，３２，３３と並列して設けられる第２導入管（詳細後述）を示している。そして、図３に示すように、第１導入管３１，３２，３３は、ガス供給源としてのＮ2原料タンク５３に接続され、Ｎ2原料タンク５３からＮ2ガスが供給される。
【００１９】
さらに、気相処理部２には、チャンバ２７内に連通する第２導入管４１，４２，４３が、ハウジング２１及び電極２３の側壁をドリル１０の軸方向と垂直方向に貫通するように、かつ、チャンバ２７内に連通する第２導入管４１，４２，４３の先端部位が、ドリル１０の中間部１２の軸方向位置と略同じになるように設けられている。
【００２０】
図２に示すように、第２導入管４１，４２，４３は、第１導入管３１，３２，３３と同様に、ドリル１０の軸方向と直交する平面上において放射状に略等間隔に３つ設けられており、第１導入管３１，３２，３３とドリル１０の軸方向において並列している。そして、図３に示すように、第２導入管４１，４２，４３は、Ｎ2原料タンク５３及びＣＨ4原料タンク５４に接続され、Ｎ2原料タンク５３からＮ2ガス、ＣＨ4（メタン）原料タンク５４からＣＨ4ガスがそれぞれ供給される。
【００２１】
第１導入管３１，３２，３３から導入されるＮ2ガスは、特許請求の範囲に記載の「第１原料ガス」に相当し、第２導入管４１，４２，４３から導入されるＣＨ4ガスは特許請求の範囲に記載の「第２原料ガス」に相当する。
【００２２】
絶縁断熱部３は、セラミック等の絶縁性且つ断熱性の材質で形成され、気相処理部２とベースブロック５との間に設けられる。絶縁断熱部３は、電極２３とドリル１０との間に電源から印加される直流パルス電圧に対し、ベースブロック５を絶縁する。また、誘導加熱コイル４による熱がハウジング２１に伝達されることを防止する。
【００２３】
誘導加熱コイル４は、図示しない交流電源から供給される交流電流が巻線を流れることにより、向き及び強度が経時変化する磁力線が誘導加熱コイル内に発生する。すると、誘導加熱コイル４内に設置された導電体のドリル１０の非成膜部には、磁力線の影響を受けて金属内部に渦電流が流れ、この渦電流に基づくジュール熱が発生して自己発熱する。これにより、交流電流の電力と加熱時間とに応じて、非成膜部からの熱伝導によってドリル１０の成膜部１１，１２を目標温度に加熱することができる。なお、ドリル１０は、ベースブロック５内に設けられる図示しない円筒状のカラー支持部材によって、非成膜部を把持され固定されている。
【００２４】
次に、本実施形態の成膜装置１０１を用いた成膜方法、硬質膜被覆刃具の製造方法について説明する。一般に、物質の表面に薄膜を形成する気相処理法にはＰＶＤ（物理蒸着）法やＣＶＤ（化学蒸着）法が知られている。ＰＶＤ法は、物理的手法により目的とする物質の薄膜を堆積する。ＣＶＤ法は、中真空状態でガス状の気体原料を送り込み、熱、プラズマ、光等のエネルギーを与えて化学反応を励起、促進して薄膜や微粒子を合成し、物質の表面に吸着、堆積させる。このＣＶＤ法のうち、本実施形態では、プラズマをエネルギー源とするプラズマＣＶＤ法を採用する。
【００２５】
本実施形態の成膜方法は、加熱工程、気相処理工程を含む。まず、図３に示す真空ポンプ６を用いてチャンバ２７内を約１０Ｐａ以下まで排気して中真空状態とする。その後、加熱工程で、誘導加熱コイル４によって、誘導加熱の電力及び加熱時間を管理することで、成膜部１１，１２を約３００℃〜８００℃に加熱する。
【００２６】
次に、気相処理工程で、成膜部１１，１２表面のクリーニングのためガス導入口２４からＨ2ガスを導入しつつ、直流パルス電源７からドリル１０に電圧を印加し、プラズマを生成させる。そして、原子状水素、水素イオンをドリル１０及び電極２３に衝突させ、成膜部１１，１２表面を活性化する。続いてＡｒ、Ｈ2ガスをガス導入口２４から導入し、プラズマを生成させ、再度クリーニングを行う。
【００２７】
次いで、ＴｉＣｌ4（四塩化チタン）等のチタン系ガス、ＣＨ4（メタン）等の炭化水素系ガス、Ｈ2ガス、Ｎ2ガスを導入し、成膜部１１，１２表面に硬質膜を形成する。ここで、各原料ガスを第１導入管３１，３２，３３、第２導入管４１，４２，４３及びガス導入口２４のいずれから導入するかについては本実施形態の要部であり、以下詳述する。
【００２８】
まず、Ｈ2ガス、ＴｉＣｌ4ガスについては、チャンバ２７上部のガス導入口２４から導入する。これは、Ｈ2ガス及びＴｉＣｌ4ガスが、刃先部１１及び中間部１２の硬質膜形成に共通して使用されるガスであるためである。導入された各ガスは、ガス導入口２４より下流の配管内及びチャンバ２７内で混合される。
【００２９】
これに対し、Ｎ2ガスは、第１導入管３１，３２，３３から導入し、Ｎ2ガス及びＣＨ4ガスは、第２導入管４１，４２，４３から導入する。Ｎ2ガスとＣＨ4ガスは、第２導入管４１，４２，４３内及びチャンバ２７内で混合される。これにより、刃先部１１には主にＴｉＮ組成の硬質膜がコーディングされ、中間部１２には主にＴｉＣＮ組成の硬質膜がコーディングされる。
【００３０】
このように、本実施形態において、第１導入管３１，３２，３３、第２導入管４１，４２，４３及びガス導入口２４において、導入するガスを変えているのは、耐衝撃性が第一に求められる刃先部１１に靱性の高いＴｉＮ組成の硬質膜を、耐摩耗性が求められる中間部１２に硬度の高いＴｉＣＮ組成の硬質膜を選択して形成するためである。
【００３１】
［効果］
（１）本実施形態では、ガス導入口２４の他に、ドリル１０の刃先部１１近傍へ向けてガスを導入する第１導入管３１，３２，３３と、ドリル１０の中間部１２近傍へ向けてガスを導入する第２導入管４１，４２，４３とを設けている。そして、第１導入管３１，３２，３３からＮ2ガスを導入し、第２導入管４１，４２，４３からは、Ｎ2ガスに加えてＣＨ4ガスも導入するようにしている。これにより、ドリル１０の刃先部１１と中間部１２において異なる物性の硬質膜を形成することができる。
【００３２】
すなわち、第１導入管３１，３２，３３から導入するガスと、第２導入管４１，４２，４３から導入するガスを適宜選択することによって、ドリル１０の一部位である刃先部１１及び中間部１２に対して、部位ごとに最適な物性を有する膜を形成することができる。
【００３３】
（２）本実施形態では、第１導入管３１，３２，３３及び第２導入管４１，４２，４３を、チャンバ２７の周方向に略等間隔に複数（３つ）設けているため、ドリル１０の周方向に均一に硬質膜を形成することができる。
【００３４】
（３）本実施形態では、刃先部１１に靱性の高いＴｉＮ組成の硬質膜を、中間部１２に硬度の高いＴｉＣＮ組成の硬質膜を形成しているため、刃先部１１は耐衝撃性に優れ、中間部１２は耐摩耗性に優れたドリル１０を製造することができる。これにより、ドリル１０全体の寿命を延長することができる。
【００３５】
（４）本実施形態では、誘導加熱コイル４を採用することで、ドリル１０の成膜部１１，１２のみを高速に加熱することができる。
【００３６】
（５）本実施形態では、直流パルス電圧を印加してプラズマＣＶＤを行うため、絶縁物の被覆が可能であり、安定したプラズマを発生させることができる。
【００３７】
〈第２実施形態〉
［構成］
次に、本発明の第２実施形態の成膜装置１０２について、図４、図５を参照して説明する。なお、第１実施形態と同様の構成については同じ符号を付し、説明を省略する。
【００３８】
本実施形態の成膜装置１０２は、第１導入管及び第２導入管の構成が第１実施形態とは異なる。図４に示すように、気相処理部２には、チャンバ２７内に連通する第１導入管３４，３５，３６，３７，３８，３９が、ハウジング２１及び電極２３の側壁をドリル１０の軸方向と垂直方向に貫通するように、かつ、チャンバ２７内に連通する第１導入管３４，３５，３６，３７，３８，３９の先端部位が、ドリル１０の刃先部１１近傍であって刃先部１１より軸方向に若干離れた位置となるように設けられている。
【００３９】
図４に示すように、第１導入管３４，３５，３６，３７，３８，３９は、ドリル１０の軸方向と直交する平面上において放射状に略等間隔に６つ設けられている。なお、図６において括弧内に示す符号は、ドリル１０の軸方向に第１導入管と並列して設けられる第２導入管（詳細後述）を示している。
【００４０】
さらに、気相処理部２には、チャンバ２７内に連通する第２導入管４４，４５，４６，４７，４８，４９が、ハウジング２１及び電極２３の側壁をドリル１０の軸方向と垂直方向に貫通するように、かつ、チャンバ２７内に連通する第２導入管４４，４５，４６，４７，４８，４９の先端部位が、ドリル１０の中間部１２の軸方向位置と略同じになるように設けられている。
【００４１】
図２に示すように、第２導入管４４，４５，４６，４７，４８，４９は、第１導入管３４，３５，３６，３７，３８，３９と同様に、ドリル１０の軸方向と直交する平面上において放射状に略等間隔に６つ設けられており、第１導入管３４，３５，３６，３７，３８，３９と軸方向において並列している。
【００４２】
［効果］
本実施形態によれば、第１実施形態と同様の効果を奏し、さらに、第１実施形態と比較して導入管の数を増やして対応しているため、成膜圧力が高い場合等、粒子拡散の効果が小さい領域においても、均一な膜形成を行うことができる。
しかも、各導入管３４，３５，３６，３７，３８，３９，４４，４５，４６，４７，４８，４９はドリル１０の軸方向と直交する平面上において放射状に略等間隔に設けられているため、より均一な膜形成を行うことができる。
【００４３】
〈他の実施形態〉
上記各実施形態では、ドリル１０の刃先部１１へ向けてガスを導入する第１導入管３１，３２，３３，３４，３５，３６，３７，３８，３９と、ドリル１０の中間部１２へ向けてガスを導入する第２導入管４１，４２，４３，４４，４５，４６，４７，４８，４９との２種類の導入管を設ける構成としたが、例えば図６に示す成膜装置１０３のように、ドリル１０の中間部１２よりも基端側となる部位へ向けてガスを導入する第３導入管６１をさらに設ける構成としても良い。この場合、第１実施形態と同様に、第３導入管６１を放射状に３つ設けても良いし、その他、適宜変更して実施することが可能である。この構成によれば、ドリル１０のさらに細かい部位ごとに最適な物性を有する膜を形成することができる。
【００４４】
上記各実施形態において、第１導入管３１，３２，３３，３４，３５，３６，３７，３８，３９と第２導入管４１，４２，４３，４４，４５，４６，４７，４８，４９のドリル１０に対する周方向位置はそれぞれ異なっていても良い。すなわち、第１導入管３１，３２，３３，３４，３５，３６，３７，３８，３９と第２導入管４１，４２，４３，４４，４５，４６，４７，４８，４９とがドリル１０の軸方向に並列してなくても良く、この場合であっても導入管を放射状に複数設けることによって、ドリル１０の周方向に均一に硬質膜を形成することができる。
【００４５】
上記各実施形態では、第２導入管４１，４２，４３，４４，４５，４６，４７，４８，４９内で、Ｎ2ガスとＣＨ4ガスを混合する構成としたが、Ｎ2ガスとＣＨ4ガスを予め混合した原料タンクに第２導入管４１，４２，４３，４４，４５，４６，４７，４８，４９を接続するようにしても良い。その他、原料タンクや配管の構成及びガスの混合形態については、適宜設定変更が可能である。
【００４６】
上記各実施形態において、各導入管から導入するガスの種類は、コーティングしたい硬質膜の物性に応じて適宜変更可能である。
上記各実施形態では、刃具としてドリル１０を例示して説明したが、エンドミル、リーマ等、その他の刃具であっても良い。
【００４７】
上記各実施形態では、第１導入管３１，３２，３３，３４，３５，３６，３７，３８，３９及び第２導入管４１，４２，４３，４４，４５，４６，４７，４８，４９を複数設ける構成としたが、チャンバ２７内でＣＶＤガスを均一に充填することができれば、各導入管の数は、２つ以下でも良い。また、必ずしも周方向に略等間隔に設ける必要はない。導入管の数及び配置位置は、成膜圧力等の条件、電極の複雑化、セラミック部材を入れた際のプラズマ均一性への影響等を考慮し、適宜最適な本数及び位置を適用することができる。
【００４８】
上記各実施形態では、成膜部１１，１２の加熱手段として誘導加熱コイル４を用いたが、例えば伝熱によって非成膜部を加熱して、非成膜部からの熱伝導により成膜部１１，１２を加熱する構成としても良い。その他、誘導加熱コイル４内に成膜部１１，１２を配置して成膜部１１，１２を目標温度まで加熱した後、成膜部１１，１２がチャンバ２７内に位置するようにドリル１０を移動手段によって移動させて気相処理を行うようにしても良い。このように、成膜部１１，１２を加熱する方法は種々の形態が可能である。
【００４９】
上記各実施形態では、直流パルス電圧を用いてプラズマＣＶＤを行っているが、その他の形態では、高周波やマイクロ波を用いたプラズマＣＶＤを行っても良い。
本発明は、上述した実施形態に限定されるものではなく、発明の趣旨を逸脱しない範囲で種々の形態で実施可能である。
【符号の説明】
【００５０】
２    ・・・気相処理部
４    ・・・誘導加熱コイル（加熱手段）
１０    ・・・ドリル（刃具）
１１    ・・・刃先部（成膜部）
１２    ・・・中間部（成膜部）
２１    ・・・ハウジング
２３    ・・・電極
２７    ・・・チャンバ
３１，３２，３３，３４    ・・・第１導入管（第１導入部）
４１，４２，４３，４４    ・・・第２導入管（第２導入部）
１０１，１０２    ・・・成膜装置
【図１】
0006303887.tif 000002
【図２】
0006303887.tif 000003
【図３】
0006303887.tif 000004
【図４】
0006303887.tif 000005
【図５】
0006303887.tif 000006
【図６】
0006303887.tif 000007