(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体装置の製造方法であって、
少なくとも、半導体チップにおけるバンプを有する第１面に第１保護膜を備えているか、又は半導体チップにおける前記第１面とは反対側の第２面に第２保護膜を備えている、保護膜付き半導体チップを作製することと、
前記保護膜付き半導体チップが、バンプを介して基板に接合された積層構造体を作製することと、を含み；
前記保護膜付き半導体チップの作製において、前記第１保護膜は、前記バンプの上部が、前記第１保護膜を貫通して突出するよう形成され；
前記第１保護膜又は第２保護膜は、下記方法で前記積層構造体のせん断強度比及び破断危険因子を測定したとき、前記せん断強度比が１．０５〜２となり、かつ前記破断危険因子が−０．９〜０．９となる特性を有する保護膜である、
半導体装置の製造方法。
＜積層構造体のせん断強度比＞
前記基板が銅基板である前記積層構造体の試験片を作製し、前記積層構造体の試験片中の前記銅基板を固定し、前記積層構造体の試験片中の保護膜付き半導体チップに対して、前記銅基板の表面に対して平行な方向に力を加え、前記保護膜付き半導体チップと前記銅基板との接合状態が破壊されたときの前記力を前記積層構造体のせん断強度（Ｎ）とし、
前記第１保護膜及び第２保護膜を備えていない点以外は、前記積層構造体の試験片と同じ構造の比較用試験片を作製し、前記積層構造体の試験片と同じ方法で力を加え、前記比較用試験片の半導体チップと銅基板との接合状態が破壊されたときの前記力を比較用積層構造体の比較用せん断強度（Ｎ）としたときに、
［前記積層構造体のせん断強度］／［前記比較用積層構造体の比較用せん断強度］の値を、前記積層構造体のせん断強度比とする。
＜積層構造体の破断危険因子＞
前記積層構造体を構成しているすべての層の、幅５ｍｍ、長さ２０ｍｍの試験片を作製し、すべての前記試験片について、−７０℃から昇温速度５℃／ｍｉｎで２００℃まで昇温させ、２００℃から降温速度５℃／ｍｉｎで−７０℃まで降温させる加熱冷却試験を行い、２３℃から１５０℃まで昇温させたときの前記試験片の膨張量Ｅμｍと、２３℃から−６５℃まで降温させたときの前記試験片の収縮量Ｓμｍと、の合計量である膨張収縮量ＥＳμｍを求め、さらに、［前記試験片の膨張収縮量ＥＳ］×［前記試験片の厚さ］の値である膨張収縮パラメータＰμｍ２を求め、
次いで、［基板の試験片の膨張収縮パラメータＰ］−［基板以外のすべての試験片の膨張収縮パラメータＰの合計値］の値である膨張収縮パラメータ差ΔＰ１μｍ２を求め、
次いで、［基板の試験片の膨張収縮パラメータＰ］−［基板、第１保護膜及び第２保護膜以外のすべての試験片の膨張収縮パラメータＰの合計値］の値である膨張収縮基準パラメータ差ΔＰ０μｍ２を求めたときの、
ΔＰ１／ΔＰ０の値を、前記積層構造体の破断危険因子とする。
【請求項２】
バンプを有する保護膜付き半導体チップが、前記バンプを介して基板に接合された積層構造体を含む半導体装置であって、
前記保護膜付き半導体チップは、少なくとも、半導体チップにおけるバンプを有する第１面に第１保護膜を備えているか、又は前記半導体チップにおける前記第１面とは反対側の第２面に第２保護膜を備えており、
前記第１保護膜においては、前記バンプの上部が前記第１保護膜を貫通して突出しており、
前記第１保護膜又は第２保護膜は、下記方法で前記積層構造体のせん断強度比及び破断危険因子を測定したとき、前記せん断強度比が１．０５〜２となり、かつ前記破断危険因子が−０．９〜０．９となる特性を有する保護膜である、半導体装置。
＜積層構造体のせん断強度比＞
前記基板が銅基板である前記積層構造体の試験片を作製し、前記積層構造体の試験片中の前記銅基板を固定し、前記積層構造体の試験片中の保護膜付き半導体チップに対して、前記銅基板の表面に対して平行な方向に力を加え、前記保護膜付き半導体チップと前記銅基板との接合状態が破壊されたときの前記力を前記積層構造体のせん断強度（Ｎ）とし、
前記第１保護膜及び第２保護膜を備えていない点以外は、前記積層構造体の試験片と同じ構造の比較用試験片を作製し、前記積層構造体の試験片と同じ方法で力を加え、前記比較用試験片の半導体チップと銅基板との接合状態が破壊されたときの前記力を比較用積層構造体の比較用せん断強度（Ｎ）としたときに、
［前記積層構造体のせん断強度］／［前記比較用積層構造体の比較用せん断強度］の値を、前記積層構造体のせん断強度比とする。
＜積層構造体の破断危険因子＞
前記積層構造体を構成しているすべての層の、幅５ｍｍ、長さ２０ｍｍの試験片を作製し、すべての前記試験片について、−７０℃から昇温速度５℃／ｍｉｎで２００℃まで昇温させ、２００℃から降温速度５℃／ｍｉｎで−７０℃まで降温させる加熱冷却試験を行い、２３℃から１５０℃まで昇温させたときの前記試験片の膨張量Ｅμｍと、２３℃から−６５℃まで降温させたときの前記試験片の収縮量Ｓμｍと、の合計量である膨張収縮量ＥＳμｍを求め、さらに、［前記試験片の膨張収縮量ＥＳ］×［前記試験片の厚さ］の値である膨張収縮パラメータＰμｍ２を求め、
次いで、［基板の試験片の膨張収縮パラメータＰ］−［基板以外のすべての試験片の膨張収縮パラメータＰの合計値］の値である膨張収縮パラメータ差ΔＰ１μｍ２を求め、
次いで、［基板の試験片の膨張収縮パラメータＰ］−［基板、第１保護膜及び第２保護膜以外のすべての試験片の膨張収縮パラメータＰの合計値］の値である膨張収縮基準パラメータ差ΔＰ０μｍ２を求めたときの、
ΔＰ１／ΔＰ０の値を、前記積層構造体の破断危険因子とする。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置及びその製造方法に関する。
本願は、２０１７年５月１７日に、日本に出願された特願２０１７−０９７９９４号に基づき優先権を主張し、その内容をここに援用する。
【背景技術】
【０００２】
従来、ＭＰＵやゲートアレー等に用いる多ピンのＬＳＩパッケージをプリント配線基板に実装する場合には、半導体チップとして、その接続パッド部に共晶ハンダ、高温ハンダ、金等からなる凸状電極（以下、本明細書においては「バンプ」と称する）が形成されたものを用い、所謂フェースダウン方式により、それらのバンプをチップ搭載用基板上の相対応する端子部に対面、接触させ、溶融／拡散接合するフリップチップ実装法が採用されている。【０００３】
この実装方法で用いる半導体チップの回路面には、バンプが形成されている。そして、この半導体チップの、回路面（換言するとバンプ形成面）や、回路面とは反対側の裏面には、目的に応じて、樹脂膜が形成されることがある（特許文献１〜３参照）。【０００４】
例えば、上述の半導体チップは、回路面にバンプが形成された半導体ウエハを、ダイシングして個片化することにより得られる。そして、前記半導体ウエハの、回路面（バンプ形成面）とは反対側の面を研削することもある。このような半導体チップを得る過程においては、半導体ウエハのバンプ形成面及びバンプを保護する目的で、硬化性樹脂フィルムをバンプ形成面に貼付し、このフィルムを硬化させて、バンプ形成面に保護膜を形成することがある。【０００５】
また、フリップチップ実装法を採用する場合、半導体チップの回路面（バンプ形成面）とは反対側の裏面は剥き出しとなることがある。そこで、回路面にバンプが形成された半導体ウエハをダイシングしたときや、ダイシングによって得られた半導体チップをパッケージングして半導体装置を製造するまでの間に、半導体チップにおいてクラックが発生するのを防止するために、半導体チップの前記裏面には、有機材料からなる樹脂膜を保護膜として形成することがある。【０００６】
このような、樹脂膜として上述の保護膜を備えた半導体チップは、半導体装置の製造過程において汎用されるものであり、重要性が特に高い。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特開２０１２−１６９４８４号公報
【特許文献２】特開２０１３−０３０７６６号公報
【特許文献３】日本国特許第３９５７２４４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
一方で、半導体装置を製造する場合や、得られた半導体装置を用いる場合には、保護膜を備えた半導体チップが、基板に接合された状態で、高温条件下や低温条件下に置かれることがあり、厳しい温度条件に曝されることがある。その場合、このような温度の変化が原因となって、保護膜を備えた半導体チップと基板との接合状態が破壊されることがある。そこで、保護膜を備えた半導体チップには、温度変化が激しい条件下においても、基板に対する接合が安定した状態で維持されることが望まれる。
しかし、特許文献１〜３に記載の半導体チップが、このような安定性を有するか否かは、定かではない。【０００９】
そこで、本発明は、温度変化が激しい条件下においても、保護膜を備えた半導体チップの基板に対する接合が安定した状態で維持される半導体装置、及びその製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
上記課題を解決するため、本発明は以下の態様を含む。
［１］半導体装置の製造方法であって、
少なくとも、半導体チップにおけるバンプを有する第１面に第１保護膜を備えているか、又は半導体チップにおける前記第１面とは反対側の第２面に第２保護膜を備えている、保護膜付き半導体チップを作製することと、
前記保護膜付き半導体チップが、バンプを介して基板に接合された積層構造体を作製することと、を含み；
前記保護膜付き半導体チップの作製では、前記第１保護膜は、前記バンプの上部が、前記第１保護膜を貫通して突出するよう形成され、
前記第１保護膜又は第２保護膜は、下記方法で前記積層構造体のせん断強度比及び破断危険因子を測定したとき、前記せん断強度比が１．０５〜２となり、かつ前記破断危険因子が−０．９〜０．９となる特性を有する保護膜である、
半導体装置の製造方法。
＜積層構造体のせん断強度比＞
前記基板が銅基板である前記積層構造体の試験片を作製し、前記積層構造体の試験片中の前記銅基板を固定し、前記積層構造体の試験片中の保護膜付き半導体チップに対して、前記銅基板の表面に対して平行な方向に力を加え、前記保護膜付き半導体チップと前記銅基板との接合状態が破壊されたときの前記力を前記積層構造体のせん断強度（Ｎ）とし、
前記第１保護膜及び第２保護膜を備えていない点以外は、前記積層構造体の試験片と同じ構造の比較用試験片を作製し、前記積層構造体の試験片と同じ方法で力を加え、前記比較用試験片の半導体チップと銅基板との接合状態が破壊されたときの前記力を比較用積層構造体の比較用せん断強度（Ｎ）としたときに、
［前記積層構造体のせん断強度］／［前記比較用積層構造体の比較用せん断強度］の値を、前記積層構造体のせん断強度比とする。
＜積層構造体の破断危険因子＞
前記積層構造体を構成しているすべての層の、幅５ｍｍ、長さ２０ｍｍの試験片を作製し、すべての前記試験片について、−７０℃から昇温速度５℃／ｍｉｎで２００℃まで昇温させ、２００℃から降温速度５℃／ｍｉｎで−７０℃まで降温させる加熱冷却試験を行い、２３℃から１５０℃まで昇温させたときの前記試験片の膨張量Ｅμｍと、２３℃から−６５℃まで降温させたときの前記試験片の収縮量Ｓμｍと、の合計量である膨張収縮量ＥＳμｍを求め、さらに、［前記試験片の膨張収縮量ＥＳ］×［前記試験片の厚さ］の値である膨張収縮パラメータＰμｍ２を求め、
次いで、［基板の試験片の膨張収縮パラメータＰ］−［基板以外のすべての試験片の膨張収縮パラメータＰの合計値］の値である膨張収縮パラメータ差ΔＰ１μｍ２を求め、
次いで、［基板の試験片の膨張収縮パラメータＰ］−［基板、第１保護膜及び第２保護膜以外のすべての試験片の膨張収縮パラメータＰの合計値］の値である膨張収縮基準パラメータ差ΔＰ０μｍ２を求めたときの、
ΔＰ１／ΔＰ０の値を、前記積層構造体の破断危険因子とする。
［２］バンプを有する保護膜付き半導体チップが、前記バンプを介して基板に接合された積層構造体を含む半導体装置であって、
前記保護膜付き半導体チップは、少なくとも、半導体チップにおけるバンプを有する第１面に第１保護膜を備えているか、又は半導体チップにおける前記第１面とは反対側の第２面に第２保護膜を備えており、
前記第１保護膜においては、前記バンプの上部が前記第１保護膜を貫通して突出しており、
前記第１保護膜又は第２保護膜は、下記方法で前記積層構造体のせん断強度比及び破断危険因子を測定したとき、前記せん断強度比が１．０５〜２となり、かつ前記破断危険因子が−０．９〜０．９となる特性を有する保護膜である、半導体装置。
＜積層構造体のせん断強度比＞
前記基板が銅基板である前記積層構造体の試験片を作製し、前記積層構造体の試験片中の前記銅基板を固定し、前記積層構造体の試験片中の保護膜付き半導体チップに対して、前記銅基板の表面に対して平行な方向に力を加え、前記保護膜付き半導体チップと前記銅基板との接合状態が破壊されたときの前記力を前記積層構造体のせん断強度（Ｎ）とし、
前記第１保護膜及び第２保護膜を備えていない点以外は、前記積層構造体の試験片と同じ構造の比較用試験片を作製し、前記積層構造体の試験片と同じ方法で力を加え、前記比較用試験片の半導体チップと銅基板との接合状態が破壊されたときの前記力を比較用積層構造体の比較用せん断強度（Ｎ）としたときに、
［前記積層構造体のせん断強度］／［前記比較用積層構造体の比較用せん断強度］の値を、前記積層構造体のせん断強度比とする。
＜積層構造体の破断危険因子＞
前記積層構造体を構成しているすべての層の、幅５ｍｍ、長さ２０ｍｍの試験片を作製し、すべての前記試験片について、−７０℃から昇温速度５℃／ｍｉｎで２００℃まで昇温させ、２００℃から降温速度５℃／ｍｉｎで−７０℃まで降温させる加熱冷却試験を行い、２３℃から１５０℃まで昇温させたときの前記試験片の膨張量Ｅμｍと、２３℃から−６５℃まで降温させたときの前記試験片の収縮量Ｓμｍと、の合計量である膨張収縮量ＥＳμｍを求め、さらに、［前記試験片の膨張収縮量ＥＳ］×［前記試験片の厚さ］の値である膨張収縮パラメータＰμｍ２を求め、
次いで、［基板の試験片の膨張収縮パラメータＰ］−［基板以外のすべての試験片の膨張収縮パラメータＰの合計値］の値である膨張収縮パラメータ差ΔＰ１μｍ２を求め、
次いで、［基板の試験片の膨張収縮パラメータＰ］−［基板、第１保護膜及び第２保護膜以外のすべての試験片の膨張収縮パラメータＰの合計値］の値である膨張収縮基準パラメータ差ΔＰ０μｍ２を求めたときの、
ΔＰ１／ΔＰ０の値を、前記積層構造体の破断危険因子とする。
【発明の効果】
【００１１】
本発明によれば、温度変化が激しい条件下においても、保護膜を備えた半導体チップの基板に対する接合が安定した状態で維持される半導体装置、及びその製造方法が提供される。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１】本発明の製造方法で作製する積層構造体の一実施形態を模式的に示す断面図である。
【図２】本発明の製造方法を採用する際に用いる、比較用積層構造体の一例を模式的に示す断面図である。
【図３】本発明の製造方法で作製する積層構造体の他の実施形態を模式的に示す断面図である。
【図４】本発明の製造方法で作製する積層構造体のさらに他の実施形態を模式的に示す断面図である。
【図５】本発明の製造方法で用いる第１保護膜形成用シートの一例を模式的に示す断面図である。
【図６】本発明の製造方法で用いる第１保護膜形成用シートの他の例を模式的に示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
・半導体装置の製造方法
本発明の１実施形態である半導体装置の製造方法は、少なくとも、半導体チップのバンプを有する第１面に第１保護膜を備えているか、又は半導体チップの前記第１面とは反対側の第２面に第２保護膜を備えている、保護膜付き半導体チップを作製する工程（本明細書においては「保護膜付き半導体チップ作製工程」と略記することがある）と、前記保護膜付き半導体チップが、バンプを介して基板に接合された積層構造体を作製する工程（本明細書においては「積層構造体作製工程」と略記することがある）と、を含み、前記保護膜付き半導体チップの作製では、前記保護膜付き半導体チップが前記第１保護膜を備えている場合、前記第１保護膜は、バンプの上部が、前記第１保護膜を貫通して突出するよう形成され、前記第１保護膜又は第２保護膜は、前記積層構造体のせん断強度比及び破断危険因子を測定したとき、前記せん断強度比が１．０５〜２であり、前記破断危険因子が−０．９〜０．９となる特性を有する保護膜である。
＜積層構造体のせん断強度比＞
前記基板が銅基板である前記積層構造体の試験片を作製し、前記積層構造体の試験片中の前記銅基板を固定し、前記積層構造体の試験片中の保護膜付き半導体チップに対して、前記銅基板の表面（すなわち、銅基板を平面に載置したときの前記銅基板の上面）に対して平行な方向に力を加え、前記保護膜付き半導体チップと前記銅基板との接合状態が破壊されたときの前記力を前記積層構造体のせん断強度（Ｎ）とし、前記第１保護膜及び第２保護膜を備えていない点以外は、前記積層構造体と同じ構造の比較用積層構造体（比較用試験片ともいう）を作製し、前記積層の試験片と同じ方法で力を加え、前記比較用試験片の半導体チップと銅基板との接合状態が破壊されたときの前記力を前記比較用積層構造体の比較用せん断強度（Ｎ）としたときに、［前記積層構造体のせん断強度］／［前記比較用積層構造体の比較用せん断強度］の値を、前記積層構造体のせん断強度比とする。
＜積層構造体の破断危険因子＞
前記積層構造体を構成しているすべての層の、上方から見下ろして平面視したとき、幅５ｍｍ、長さ２０ｍｍとなる試験片を作製し、すべての前記試験片について、−７０℃から昇温速度５℃／ｍｉｎで２００℃まで昇温させ、２００℃から降温速度５℃／ｍｉｎで−７０℃まで降温させる加熱冷却試験を行い、２３℃から１５０℃まで昇温させたときの前記試験片の膨張量Ｅμｍと、２３℃から−６５℃まで降温させたときの前記試験片の収縮量Ｓμｍと、の合計量である膨張収縮量ＥＳμｍを求め、さらに、［前記試験片の膨張収縮量ＥＳ］×［前記試験片の厚さ］の値である膨張収縮パラメータＰμｍ２を求め、次いで、［基板の試験片の膨張収縮パラメータＰ］−［基板以外のすべての試験片の膨張収縮パラメータＰの合計値］の値である膨張収縮パラメータ差ΔＰ１μｍ２を求め、次いで、［基板の試験片の膨張収縮パラメータＰ］−［基板、第１保護膜及び第２保護膜以外のすべての試験片の膨張収縮パラメータＰの合計値］の値である膨張収縮基準パラメータ差ΔＰ０μｍ２を求めたときの、ΔＰ１／ΔＰ０の値を、前記積層構造体の破断危険因子とする。
【００１４】
本発明の半導体装置の製造方法においては、保護膜付き半導体チップを構成する第１保護膜又は第２保護膜として、前記積層構造体が上述のせん断強度比及び破断危険因子の条件をともに満たす特定の特性を有する保護膜を選択していることにより、温度変化が激しい条件下においても、保護膜付き半導体チップの基板に対する接合が安定した状態で維持される半導体装置が得られる。
【００１５】
本発明の製造方法で得られる半導体装置は、前記積層構造体を備えていれば、特に限定されない。
【００１６】
・保護膜付き半導体チップ
前記製造方法における保護膜付き半導体チップを作製する工程で作製する保護膜付き半導体チップは、第１保護膜及び第２保護膜のいずれか一方又はその両方を備えている。すなわち、前記保護膜付き半導体チップは、第１保護膜を備え、第２保護膜を備えていなくてもよいし、第２保護膜を備え、第１保護膜を備えていなくてもよいし、第１保護膜及び第２保護膜をともに備えていてもよい。
【００１７】
第１保護膜は、半導体チップのバンプを有する第１面（換言すると、半導体チップの回路面又はバンプ形成面）に形成されている膜であり、樹脂膜（後述の硬化性樹脂層）である。第１保護膜は、半導体チップのバンプと第１面を保護する。
一方、第２保護膜は、半導体チップの第１面とは反対側の第２面（換言すると半導体チップの裏面）に形成されている膜であり、樹脂膜（後述の硬化性樹脂層）である。第２保護膜は、上述の半導体チップを作製するために、回路面にバンプが形成された半導体ウエハをダイシングしたときや、ダイシングによって得られた半導体チップをパッケージングして半導体装置を製造するまでの間に、半導体チップにおいてクラックが発生するのを防止する。
以下、まず、前記製造方法で作製する積層構造体について説明する。
【００１８】
・積層構造体
図１は、前記製造方法で作製する、前記積層構造体の一実施形態を模式的に示す断面図である。なお、以下の説明で用いる図は、本発明の特徴を分かり易くするために、便宜上、要部となる部分を拡大して示している場合があり、各構成要素の寸法比率等が実際と同じであるとは限らない。
【００１９】
ここに示す積層構造体１は、保護膜付き半導体チップ１０及び基板１４を備える。
保護膜付き半導体チップ１０は、半導体チップ１１の第１面１１ａに第１保護膜１２を備え、半導体チップ１１の第２面１１ｂに第２保護膜１３を備えて、構成されている。
半導体チップ１１は、その第１面１１ａに、複数個の整列したバンプ１１１を有する。
第１保護膜１２は、半導体チップ１１の第１面１１ａと、バンプ１１１の表面１１１ａのうち、半導体チップ１１の第１面１１ａに近い側の領域と、を被覆しており、これら被覆領域を保護する。
バンプ１１１の上部１１１０、すなわち、バンプ１１１の半導体チップ１１の第１面１１ａから遠い側の頂部とその近傍領域は、第１保護膜１２を貫通して、第１保護膜１２の表面（露出面）から突出している。そして、基板１４の保護膜付き半導体チップ１０に対向する表面（本明細書においては、基板の「第１面」と称することがある）１４ａと、バンプ１１１の上述の突出部位（例えば、前記頂部）と、が接触して、基板１４と保護膜付き半導体チップ１０とが、電気的に接続されている。
このように、積層構造体１は、保護膜付き半導体チップ１０が、そのバンプ１１１を介して基板１４に接合されて、構成されている。
【００２０】
次に、積層構造体１の前記せん断強度比について説明する。
積層構造体１を備えた半導体装置の製造方法において、基板１４が銅基板である場合の積層構造体１のせん断強度とは、基板１４を固定し、保護膜付き半導体チップ１０に対して、基板１４の表面（すなわち、基板を平面に載置したときの前記基板の上面、例えば、前記第１面１４ａ）に対して平行な方向に力を加え、保護膜付き半導体チップ１０と基板１４との接合状態が破壊されたときに、保護膜付き半導体チップ１０に加えていた前記力を意味する。
保護膜付き半導体チップ１０に対して、前記力を加える場合には、例えば、半導体チップ１１のみに前記力を加える等、力を加える領域に半導体チップ１１が含まれるようにすることが好ましい。
【００２１】
前記製造方法においては、前記せん断強度比を求めるための積層構造体１に対応する比較用積層構造体として、第１保護膜１２及び第２保護膜１３を備えていない点以外は、積層構造体１と同じ構造の積層構造体を用いる。このような比較用積層構造体の一例を図２に示す。図２は、前記製造方法に係る比較用積層構造体の一例を模式的に示す断面図である。図２においては、符号９を付して、比較用積層構造体を示している。
なお、図２以降の図において、図１に示すものと同じ構成要素には、図１の場合と同じ符号を付し、その詳細な説明は省略する。
【００２２】
前記製造方法において、比較用積層構造体９の比較用せん断強度（Ｎ）とは、積層構造体１の場合と同じ方法で、すなわち、基板１４を固定し、半導体チップ１１に対して、基板１４の表面（すなわち、基板を平面に載置したときの前記基板の上面、例えば、前記第１面１４ａ）に対して平行な方向に力（Ｎ）を加え、半導体チップ１１と基板１４との接合状態が破壊されたときに、半導体チップ１１に加えていた前記力（Ｎ）を意味する。
【００２３】
積層構造体１を備えた半導体装置の製造方法において、［積層構造体１のせん断強度（Ｎ）］／［比較用積層構造体９の比較用せん断強度（Ｎ）］の値である、積層構造体１のせん断強度比は、１．０５〜２である。
【００２４】
次に、積層構造体１の前記破断危険因子について説明する。
積層構造体１の破断危険因子を算出するためには、まず、積層構造体１を構成しているすべての層、すなわち、半導体チップ１１、第１保護膜１２、第２保護膜１３及び基板１４の、上方から見下ろして平面視したとき、幅５ｍｍ、長さ２０ｍｍとなる試験片を作製する。これら各層の試験片の厚さは、積層構造体１中での各層の厚さと同じとする。
【００２５】
次いで、これらすべての試験片について、−７０℃から昇温速度５℃／ｍｉｎで２００℃まで昇温させ、２００℃から降温速度５℃／ｍｉｎで−７０℃まで降温させる加熱冷却試験を行い、２３℃から１５０℃まで昇温させたときの前記試験片の膨張量Ｅμｍ（Ｅ＞０）と、２３℃から−６５℃まで降温させたときの前記試験片の収縮量Ｓμｍ（Ｓ＞０）と、を測定する。そして、各試験片ごとに、膨張量Ｅと収縮量Ｓとの合計量である膨張収縮量ＥＳμｍを求める。
【００２６】
さらに、各試験片ごとに、［試験片の膨張収縮量ＥＳ（μｍ）］×［試験片の厚さ（μｍ）］の値である膨張収縮パラメータＰμｍ２を求める。
【００２７】
次いで、［基板１４の試験片の膨張収縮パラメータＰ（μｍ２）］−［基板１４以外のすべての試験片の膨張収縮パラメータＰの合計値（μｍ２）］の値である、膨張収縮パラメータ差ΔＰ１μｍ２を求める。
より具体的には、積層構造体１の場合、膨張収縮パラメータ差ΔＰ１μｍ２は、［基板１４の試験片の膨張収縮パラメータＰ（μｍ２）］−（［半導体チップ１１の試験片の膨張収縮パラメータＰ（μｍ２）］＋［第１保護膜１２の試験片の膨張収縮パラメータＰ（μｍ２）］＋［第２保護膜１３の試験片の膨張収縮パラメータＰ（μｍ２）］）により算出する。
【００２８】
次いで、［基板１４の試験片の膨張収縮パラメータＰ（μｍ２）］−［基板、第１保護膜及び第２保護膜以外のすべての試験片の膨張収縮パラメータＰの合計値（μｍ２）］の値である、膨張収縮基準パラメータ差ΔＰ０を求める。
より具体的には、積層構造体１の場合、膨張収縮基準パラメータ差ΔＰ０μｍ２は、［基板１４の試験片の膨張収縮パラメータＰ（μｍ２）］−［半導体チップ１１の試験片の膨張収縮パラメータＰ（μｍ２）］により算出する。
【００２９】
積層構造体１を備えた半導体装置の製造方法において、ΔＰ１／ΔＰ０の値である、積層構造体１の破断危険因子は、−０．９〜０．９である。
【００３０】
図３は、前記製造方法で作製する、前記積層構造体の他の実施形態を模式的に示す断面図である。
ここに示す積層構造体２は、第２保護膜１３を備えていない点以外は、図１に示す積層構造体１と同じものである。
積層構造体２は、保護膜付き半導体チップ２０が、そのバンプ１１１を介して基板１４に接合されて、構成されている。
【００３１】
積層構造体２を備えた半導体装置の製造方法において、［積層構造体２のせん断強度（Ｎ）］／［比較用積層構造体９の比較用せん断強度（Ｎ）］の値である、積層構造体２のせん断強度比は、１．０５〜２である。
【００３２】
積層構造体２を備えた半導体装置の製造方法において、ΔＰ１／ΔＰ０の値である、積層構造体２の破断危険因子は、−０．９〜０．９である。
積層構造体２の場合、膨張収縮パラメータ差ΔＰ１μｍ２は、［基板１４の試験片の膨張収縮パラメータＰ（μｍ２）］−（［半導体チップ１１の試験片の膨張収縮パラメータＰ（μｍ２）］＋［第１保護膜１２の試験片の膨張収縮パラメータＰ（μｍ２）］）により算出する。
一方、積層構造体２の場合、膨張収縮基準パラメータ差ΔＰ０μｍ２は、積層構造体１の場合と同様に、［基板１４の試験片の膨張収縮パラメータＰ（μｍ２）］−［半導体チップ１１の試験片の膨張収縮パラメータＰ（μｍ２）］により算出する。
【００３３】
図４は、前記製造方法で作製する、前記積層構造体のさらに他の実施形態を模式的に示す断面図である。
ここに示す積層構造体３は、第１保護膜１２を備えていない点以外は、図１に示す積層構造体１と同じものである。
積層構造体３は、保護膜付き半導体チップ３０が、そのバンプ１１１を介して基板１４に接合されて、構成されている。
【００３４】
積層構造体３を備えた半導体装置の製造方法において、［積層構造体３のせん断強度（Ｎ）］／［比較用積層構造体９の比較用せん断強度（Ｎ）］の値である、積層構造体３のせん断強度比は、１．０５〜２である。
【００３５】
積層構造体３を備えた半導体装置の製造方法において、ΔＰ１／ΔＰ０の値である、積層構造体３の破断危険因子は、−０．９〜０．９である。
積層構造体３の場合、膨張収縮パラメータ差ΔＰ１μｍ２は、［基板１４の試験片の膨張収縮パラメータＰ（μｍ２）］−（［半導体チップ１１の試験片の膨張収縮パラメータＰ（μｍ２）］＋［第２保護膜１３の試験片の膨張収縮パラメータＰ（μｍ２）］）により算出する。
一方、積層構造体３の場合、膨張収縮基準パラメータ差ΔＰ０μｍ２は、積層構造体１の場合と同様に、［基板１４の試験片の膨張収縮パラメータＰ（μｍ２）］−［半導体チップ１１の試験片の膨張収縮パラメータＰ（μｍ２）］により算出する。
【００３６】
前記製造方法で作製する積層構造体は、図１及び図３〜４に示すものに限定されず、本発明の効果を損なわない範囲内において、図１及び図３〜４に示すものにおいて、一部の構成が変更、削除又は追加されたものであってもよい。
例えば、前記積層構造体は、半導体チップ１１、第１保護膜１２、第２保護膜１３及び基板１４以外の他の層を備えていてもよい。
【００３７】
前記他の層は、特に限定されず、目的に応じて任意に選択できる。好ましい前記他の層としては、例えば、後述する中間層（第１中間層、第２中間層）が挙げられる。
【００３８】
前記他の層は、１層（単層）からなるものでもよいし、２層以上の複数層からなるものでもよい。前記他の層が複数層からなる場合、これら複数層は、互いに同一でも異なっていてもよく、これら複数層の組み合わせは、本発明の効果を損なわない限り、特に限定されない。
なお、本明細書においては、前記他の層の場合に限らず、「複数層が互いに同一でも異なっていてもよい」とは、「すべての層が同一であってもよいし、すべての層が異なっていてもよく、一部の層のみが同一であってもよい」ことを意味し、さらに「複数層が互いに異なる」とは、「各層の構成材料及び厚さの少なくとも一方が互いに異なる」ことを意味する。
【００３９】
前記積層構造体は、前記他の層を、保護膜付き半導体チップ（例えば、保護膜付き半導体チップ１０、２０又は３０）及び基板（例えば、基板１４）のいずれに備えていてもよい。ただし、上述のせん断強度比、破断危険因子の調節がより容易である点では、前記他の層を、保護膜付き半導体チップのいずれかの部位に、直接接触した状態で備えていることが好ましい。
【００４０】
前記他の層を備えた積層構造体の場合、ΔＰ１を求めるときには、前記他の層の試験片を「基板以外のすべての試験片」として取り扱う。同様に、ΔＰ０を求めるときには、前記他の層の試験片を「基板、第１保護膜及び第２保護膜以外のすべての試験片」として取り扱う。
【００４１】
前記製造方法において、前記積層構造体のせん断強度比は、１．０５〜２であり、１．１〜１．６５であることが好ましく、１．１５〜１．３であることがより好ましい。前記せん断強度比が前記下限値以上であることで、温度変化が激しい条件下でも、半導体装置中の前記積層構造体において、保護膜付き半導体チップの基板に対する接合が安定した状態で維持される効果が高くなる。一方、前記せん断強度比が前記上限値以下であることで、保護膜付き半導体チップの基板に対する接合力が過度に強くなることが避けられ、例えば、半導体装置の信頼性がより向上し、また、半導体装置（前記積層構造体）の作製自体がより容易となる。
【００４２】
前記積層構造体のせん断強度比は、前記積層構造体のせん断強度を調節することで、調節できる。前記積層構造体のせん断強度は、例えば、第１保護膜又は第２保護膜の硬さ（硬化度）を調節することで、調節でき、第１保護膜又は第２保護膜の硬さは、これらの構成材料、厚さ等により調節できる。例えば、第１保護膜又は第２保護膜の硬さを向上させることで、保護膜付き半導体チップに加えられた力（せん断力）が、これら保護膜内でより良好に分散し、その結果、前記積層構造体のせん断強度が向上すると推測される。
【００４３】
前記製造方法において、前記積層構造体の破断危険因子は、−０．９〜０．９であり、−０．８〜０．８、及び−０．５〜０．５のいずれかであってもよい。前記破断危険因子がこのような範囲内であることで、温度変化が激しい条件下でも、半導体装置中の前記積層構造体において、保護膜付き半導体チップの基板に対する接合が安定した状態で維持される効果が高くなる。特に、前記破断危険因子が−０．９以上であることで、バンプの、半導体チップの第１面側の部位（根元部位）及び前記第１面側とは反対側の頂部とその近傍領域における破損が、より抑制される。
通常、前記積層構造体においては、温度変化時に、半導体チップは基板よりも膨張収縮し難い（基板は半導体チップよりも膨張収縮し易い）。これに対して、第１保護膜及び第２保護膜は、通常、半導体チップよりも膨張収縮し易いため、保護膜付き半導体チップは、単独の半導体チップよりも、温度変化時に基板の膨張収縮に追従し易い。したがって、破断危険因子が前記範囲内であることで、本発明の効果が得られる。
【００４４】
前記基板は、特に限定されず、目的に応じて任意に選択できる。
例えば、基板の構成材料は、銅、金、アルミニウム等の金属；ポリイミド、エポキシ樹脂等の樹脂；酸化アルミニウム、ガラス等のセラミック等が挙げられる。
基板の構成材料は、１種のみでもよいし、２種以上でもよく、２種以上である場合、それらの組み合わせ及び比率は任意に選択できる。例えば、構成材料が２種以上である基板としては、２種以上の樹脂を併用したポリマーアロイからなる基板、ガラスエポキシ樹脂等の樹脂成分と非樹脂成分とを併用した材料からなる基板等が挙げられる。ただし、これらは一例である。
【００４５】
基板の厚さは、特に限定されないが、１０〜３０００μｍであることが好ましく、１００〜２０００μｍであることがより好ましく、５００〜１０００μｍであることが特に好ましい。基板の厚さがこのような範囲内であることで、本発明の効果がより高くなる。
【００４６】
第１保護膜の厚さは、特に限定されないが、１〜１００μｍであることが好ましく、５〜７５μｍであることがより好ましく、５〜５０μｍであることが特に好ましい。第１保護膜の厚さが前記下限値以上であることで、半導体チップの第１面、半導体ウエハのバンプを有する面（回路面又はバンプ形成面）、並びに半導体チップ及び半導体ウエハのバンプに対する、第１保護膜の保護能がより高くなる。また、第１保護膜の厚さが前記上限値以下であることで、過剰な厚さとなることが抑制される。
【００４７】
なお、本明細書において、「表面にバンプを有する半導体ウエハ」については、表面にバンプを有する半導体チップの場合と同様に、バンプを有する面（半導体ウエハの回路面又はバンプ形成面）を第１面と称し、第１面とは反対側の面（換言すると半導体ウエハの裏面）を第２面と称することがある。
【００４８】
第２保護膜の厚さは、特に限定されないが、１〜１００μｍであることが好ましく、５〜７５μｍであることがより好ましく、５〜５０μｍであることが特に好ましい。第２保護膜の厚さが前記下限値以上であることで、半導体チップに対する、第２保護膜の保護能がより高くなる。また、第２保護膜の厚さが前記上限値以下であることで、過剰な厚さとなることが抑制される。
【００４９】
半導体チップの厚さは、特に限定されないが、２０〜１０００μｍであることが好ましく、４０〜５００μｍであることがより好ましく、例えば、１００〜３００μｍ等であってもよい。半導体チップの厚さがこのような範囲内であることで、本発明の効果がより高くなる。
なお、本明細書において、「半導体チップの厚さ」とは、特に断りのない限り、「半導体チップのバンプを除いた部位の厚さ」を意味する。すなわち、半導体チップの厚さには、後述するバンプの高さを含めない。
【００５０】
半導体チップにおけるバンプの種類及び配置形態は、目的に応じて任意に選択でき、特に限定されない。
例えば、バンプの高さは、特に限定されないが、１２０〜３００μｍであることが好ましく、１５０〜２７０μｍであることがより好ましく、１８０〜２４０μｍであることが特に好ましい。バンプの高さが前記下限値以上であることで、バンプの機能をより向上させることができる。また、バンプの高さが前記上限値以下であることで、第１保護膜を形成するための硬化性樹脂フィルムを半導体ウエハの第１面へ貼付したときに、バンプ上部での硬化性樹脂フィルムの残存を抑制する効果がより高くなる。
なお、本明細書において、「バンプの高さ」とは、バンプのうち、半導体ウエハ又は半導体チップの第１面から最も高い位置に存在する部位での高さを意味する。
【００５１】
バンプの幅は特に限定されないが、１７０〜３５０μｍであることが好ましく、２００〜３２０μｍであることがより好ましく、２３０〜２９０μｍであることが特に好ましい。バンプの幅が前記下限値以上であることで、バンプの機能をより向上させることができる。また、バンプの幅が前記上限値以下であることで、第１保護膜を形成するための硬化性樹脂フィルムを半導体ウエハの第１面へ貼付したときに、バンプ上部での硬化性樹脂フィルムの残存を抑制する効果がより高くなる。
なお、本明細書において、「バンプの幅」とは、半導体ウエハ又は半導体チップの第１面に対して垂直な方向からバンプを見下ろして平面視したときに、バンプ表面上の異なる２点間を直線で結んで得られる線分の最大値を意味する。
【００５２】
隣り合うバンプ間の距離は、特に限定されないが、２５０〜８００μｍであることが好ましく、３００〜６００μｍであることがより好ましく、３５０〜５００μｍであることが特に好ましい。前記距離が前記下限値以上であることで、バンプの機能をより向上させることができる。また、前記距離が前記上限値以下であることで、第１保護膜を形成するための硬化性樹脂フィルムを半導体ウエハの第１面へ貼付したときに、バンプ上部での硬化性樹脂フィルムの残存を抑制する効果がより高くなる。
なお、本明細書において、「隣り合うバンプ間の距離」とは、隣り合うバンプ同士の表面間の距離の最小値を意味する。
次に、前記製造方法について、より具体的に説明する。
【００５３】
・保護膜付き半導体チップ作製工程
前記保護膜付き半導体チップ作製工程は、例えば、半導体チップの第１面に第１保護膜を備えた保護膜付き半導体チップは、第１保護膜を形成するための硬化性樹脂フィルムを、半導体ウエハの第１面（バンプ形成面、回路面）に貼付した後、この硬化性樹脂フィルムを硬化させて第１保護膜を形成してから、ダイシングによって、この第１保護膜ごと半導体ウエハを固片化（分割）するか、又は、ダイシングによって、この硬化性樹脂フィルムごと半導体ウエハを固片化（分割）してから、この硬化性樹脂フィルムを硬化させて第１保護膜を形成することにより、作製できる。
【００５４】
半導体チップの第２面に第２保護膜を備えた保護膜付き半導体チップも、保護膜の形成部位が異なる点以外は、第１面に第１保護膜を備えた保護膜付き半導体チップの場合と同じ方法で作製できる。
例えば、第２保護膜を形成するための硬化性樹脂フィルムを、半導体ウエハの第２面に貼付した後、この硬化性樹脂フィルムを硬化させて第２保護膜を形成してから、ダイシングによって、この第２保護膜ごと半導体ウエハを固片化（分割）するか、又は、ダイシングによって、この硬化性樹脂フィルムごと半導体ウエハを固片化（分割）してから、この硬化性樹脂フィルムを硬化させて第２保護膜を形成することにより、第２面に第２保護膜を備えた保護膜付き半導体チップを作製できる。
【００５５】
第１保護膜及び第２保護膜をともに備えた保護膜付き半導体チップを作製する場合には、これら保護膜の形成順序は特に限定されない。例えば、第１保護膜を形成してから第２保護膜を形成してもよいし、第２保護膜を形成してから第１保護膜を形成してもよいし、第１保護膜及び第２保護膜を同時に形成してもよい。
より具体的には、例えば、第１保護膜形成用の硬化性樹脂フィルムの半導体ウエハへの貼付と、第２保護膜形成用の硬化性樹脂フィルムの半導体ウエハへの貼付とは、いずれか一方を先に行い、他方を後に行ってもよいし、同時に行ってもよい。
また、硬化性樹脂フィルムの硬化による第１保護膜の形成と、硬化性樹脂フィルムの硬化による第２保護膜の形成とは、いずれか一方を先に行い、他方を後に行ってもよいし、同時に行ってもよい。
【００５６】
第１保護膜の形成は、例えば、第１支持シートを備え、前記第１支持シート上に、第１保護膜形成用の硬化性樹脂フィルムを備えてなる第１保護膜形成用シートを用いて、行うことができる。なお、本明細書においては、「硬化性樹脂フィルム」を「硬化性樹脂層」と称することもある。
【００５７】
第１保護膜形成用シートの使用時には、第１保護膜形成用シートを構成している硬化性樹脂層（硬化性樹脂フィルム）を介して、第１保護膜形成用シートを、半導体ウエハの第１面に貼付する。そして、貼付後の前記硬化性樹脂層を加熱することにより、その流動性を増大させ、バンプを覆うようにしてバンプ間に広げ、半導体ウエハの第１面に密着させるとともに、バンプの表面、特に半導体ウエハの第１面近傍部位の表面を覆うようにし、バンプを前記硬化性樹脂層に埋め込む。これにより、半導体ウエハの第１面における硬化性樹脂層の形成が完了する。半導体ウエハ又は半導体チップの第１面に形成された硬化性樹脂層に対しては、目的とするタイミングで、加熱又はエネルギー線の照射によって硬化させることで、第１保護膜を形成する。第１保護膜は、半導体ウエハ又は半導体チップの第１面とバンプとを、これらに密着した状態で保護する。
第１保護膜形成用シート中の第１支持シートは、硬化性樹脂層の硬化前後の適したタイミングで、取り除けばよい。
【００５８】
第２保護膜の形成は、例えば、第２支持シートと、前記第２支持シート上に備えられた第２保護膜形成用の硬化性樹脂フィルム（硬化性樹脂層）とを有する第２保護膜形成用シートを用いて、行うことができる。
【００５９】
第２保護膜形成用シートの使用時には、第２保護膜形成用シートを構成する硬化性樹脂層（硬化性樹脂フィルム）を介して、第２保護膜形成用シートを、半導体ウエハの第２面に貼付する。これにより、半導体ウエハの第２面における硬化性樹脂層の形成が完了する。半導体ウエハ又は半導体チップの第２面に形成された硬化性樹脂層を、目的とするタイミングで、加熱又はエネルギー線の照射によって硬化させることで、第２保護膜を形成する。第２保護膜は、半導体ウエハ又は半導体チップの第２面を、これに密着した状態で保護する。
第２保護膜形成用シート中の第２支持シートは、硬化性樹脂層の硬化前後の適したタイミングで、取り除けばよい。また、第２支持シートは、硬化性樹脂層又はその硬化物である第２保護膜を備えた半導体ウエハをダイシングするときの、ダイシングシートとして用いることもできる。
【００６０】
なお、本明細書においては、硬化性樹脂層が硬化して第１保護膜となった場合も、第１支持シート及び第１保護膜の積層構造が維持されている限り、この積層物を第１保護膜形成用シートと称する。同様に、硬化性樹脂層が硬化して第２保護膜となった場合も、第２支持シート及び第２保護膜の積層構造が維持されている限り、この積層物を第２保護膜形成用シートと称する。
以下、第１保護膜形成用シートの構成について説明する。
【００６１】
◇第１保護膜形成用シート
◎第１支持シート
前記第１支持シートは、１層（単層）からなるものでもよいし、２層以上の複数層からなるものでもよい。支持シートが複数層からなる場合、これら複数層は、互いに同一でも異なっていてもよく、これら複数層の組み合わせは、本発明の効果を損なわない限り、特に限定されない。
【００６２】
好ましい第１支持シートとしては、例えば、第１基材を備え、前記第１基材上に第１粘着剤層が積層されてなるもの；第１基材を備え、前記第１基材上に第１中間層が積層され、前記第１中間層上に第１粘着剤層が積層されてなるもの；第１基材のみからなるもの；剥離フィルムのみからなるもの等が挙げられる。
また、第１保護膜形成用シートは、第１粘着剤層に代えて、後述するエネルギー線硬化性第１粘着剤層のエネルギー線硬化物を備えていてもよい。
【００６３】
○第１基材
前記第１基材は、シート状又はフィルム状であり、その構成材料としては、例えば、各種樹脂が挙げられる。
前記樹脂としては、例えば、低密度ポリエチレン（ＬＤＰＥと略すことがある）、直鎖低密度ポリエチレン（ＬＬＤＰＥと略すことがある）、高密度ポリエチレン（ＨＤＰＥと略すことがある）等のポリエチレン；ポリプロピレン、ポリブテン、ポリブタジエン、ポリメチルペンテン、ノルボルネン樹脂等のポリエチレン以外のポリオレフィン；エチレン−酢酸ビニル共重合体、エチレン−（メタ）アクリル酸共重合体、エチレン−（メタ）アクリル酸エステル共重合体、エチレン−ノルボルネン共重合体等のエチレン系共重合体（すなわち、モノマーとしてエチレンを用いて得られた共重合体）；ポリ塩化ビニル、塩化ビニル共重合体等の塩化ビニル系樹脂（すなわち、モノマーとして塩化ビニルを用いて得られた樹脂）；ポリスチレン；ポリシクロオレフィン；ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、ポリブチレンテレフタレート、ポリエチレンイソフタレート、ポリエチレン−２，６−ナフタレンジカルボキシレート、すべての構成単位が芳香族環式基を有する全芳香族ポリエステル等のポリエステル；２種以上の前記ポリエステルの共重合体；ポリ（メタ）アクリル酸エステル；ポリウレタン；ポリウレタンアクリレート；ポリイミド；ポリアミド；ポリカーボネート；フッ素樹脂；ポリアセタール；変性ポリフェニレンオキシド；ポリフェニレンスルフィド；ポリスルホン；ポリエーテルケトン等が挙げられる。
また、前記樹脂としては、例えば、前記ポリエステルとそれ以外の樹脂との混合物等のポリマーアロイも挙げられる。前記ポリエステルとそれ以外の樹脂とのポリマーアロイは、ポリエステル以外の樹脂の量が比較的少量であるものが好ましい。
また、前記樹脂としては、例えば、ここまでに例示した前記樹脂の１種又は２種以上が架橋した架橋樹脂；ここまでに例示した前記樹脂の１種又は２種以上を用いたアイオノマー等の変性樹脂も挙げられる。
【００６４】
なお、本明細書において、「（メタ）アクリル酸」とは、「アクリル酸」及び「メタクリル酸」の両方を包含する概念とする。（メタ）アクリル酸と類似の用語につても同様であり、例えば、「（メタ）アクリレート」とは、「アクリレート」及び「メタクリレート」の両方を包含する概念であり、「（メタ）アクリロイル基」とは、「アクリロイル基」及び「メタクリロイル基」の両方を包含する概念である。
【００６５】
第１基材を構成する樹脂は、１種のみでもよいし、２種以上でもよく、２種以上である場合、それらの組み合わせ及び比率は任意に選択できる。
【００６６】
第１基材は１層（単層）のみでもよいし、２層以上の複数層でもよく、複数層である場合、これら複数層は、互いに同一でも異なっていてもよく、これら複数層の組み合わせは特に限定されない。
【００６７】
第１基材の厚さは、５〜１０００μｍであることが好ましい。
ここで、「第１基材の厚さ」とは、第１基材全体の厚さを意味し、例えば、複数層からなる第１基材の厚さとは、第１基材を構成するすべての層の合計の厚さを意味する。
【００６８】
第１基材は、前記樹脂等の主たる構成材料以外に、充填材、着色剤、帯電防止剤、酸化防止剤、有機滑剤、触媒、軟化剤（可塑剤）等の公知の各種添加剤を含有していてもよい。
【００６９】
第１基材と、第１粘着剤層等の第１基材と接触して設けられる層と、の密着性を向上させるために、第１基材は、その表面にアンカーコート層を有していてもよいし、表面が改質されていてもよい。
【００７０】
第１基材は、公知の方法で製造できる。例えば、樹脂を含有する第１基材は、前記樹脂を含有する樹脂組成物を成形することで製造できる。
【００７１】
○剥離フィルム
前記剥離フィルムは、この分野で公知のものでよい。
好ましい前記剥離フィルムとしては、例えば、ポリエチレンテレフタレート等の樹脂製フィルムの少なくとも一方の表面が、シリコーン処理等によって剥離処理されたもの；フィルムの少なくとも一方の表面が、ポリオレフィンで構成された剥離面となっているもの等が挙げられる。
剥離フィルムの厚さは、第１基材の厚さと同様であることが好ましい。
【００７２】
○第１粘着剤層
前記第１粘着剤層は、シート状又はフィルム状であり、粘着剤を含有する。
前記粘着剤としては、例えば、アクリル系樹脂、ウレタン系樹脂、ゴム系樹脂、シリコーン系樹脂、エポキシ系樹脂、ポリビニルエーテル、ポリカーボネート等の粘着性樹脂が挙げられ、アクリル系樹脂が好ましい。
【００７３】
なお、本発明において、「粘着性樹脂」とは、粘着性を有する樹脂と、接着性を有する樹脂と、の両方を含む概念であり、例えば、樹脂自体が粘着性を有するものだけでなく、添加剤等の他の成分との併用により粘着性を示す樹脂や、熱又は水等のトリガーの存在によって接着性を示す樹脂等も含む。
【００７４】
第１粘着剤層は１層（単層）のみでもよいし、２層以上の複数層でもよく、複数層である場合、これら複数層は、互いに同一でも異なっていてもよく、これら複数層の組み合わせは特に限定されない。
【００７５】
第１粘着剤層の厚さは１〜１０００μｍであることが好ましい。
ここで、「第１粘着剤層の厚さ」とは、第１粘着剤層全体の厚さを意味し、例えば、複数層からなる第１粘着剤層の厚さとは、第１粘着剤層を構成するすべての層の合計の厚さを意味する。
【００７６】
第１粘着剤層は、エネルギー線硬化性粘着剤から形成されたものでもよいし、非エネルギー線硬化性粘着剤から形成されたものでもよい。エネルギー線硬化性の粘着剤から形成された第１粘着剤層は、硬化前及び硬化後での物性を、容易に調節できる。
本明細書において、「エネルギー線」とは、電磁波又は荷電粒子線の中でエネルギー量子を有するものを意味し、その例として、紫外線、放射線、電子線等が挙げられる。
紫外線は、例えば、紫外線源として高圧水銀ランプ、ヒュージョンＨランプ、キセノンランプ、ブラックライト又はＬＥＤランプ等を用いることで照射できる。電子線は、電子線加速器等によって発生させたものを照射できる。
本明細書において、「エネルギー線硬化性」とは、エネルギー線を照射することにより硬化する性質を意味し、「非エネルギー線硬化性」とは、エネルギー線を照射しても硬化しない性質を意味する。
【００７７】
＜＜第１粘着剤組成物＞＞
第１粘着剤層は、粘着剤を含有する第１粘着剤組成物から形成できる。例えば、第１粘着剤層の形成対象面に第１粘着剤組成物を塗工し、必要に応じて乾燥させることで、目的とする部位に第１粘着剤層を形成できる。
【００７８】
第１粘着剤組成物の塗工は、公知の方法で行えばよく、例えば、エアーナイフコーター、ブレードコーター、バーコーター、グラビアコーター、ロールコーター、ロールナイフコーター、カーテンコーター、ダイコーター、ナイフコーター、スクリーンコーター、マイヤーバーコーター、キスコーター等の各種コーターを用いる方法が挙げられる。
【００７９】
第１粘着剤組成物の乾燥条件は、特に限定されないが、後述する溶媒を含有する第１粘着剤組成物は、加熱乾燥させることが好ましい。溶媒を含有する第１粘着剤組成物は、例えば、７０〜１３０℃で１０秒〜５分間の条件で乾燥させることが好ましい。
【００８０】
第１粘着剤層がエネルギー線硬化性である場合、エネルギー線硬化性粘着剤を含有する第１粘着剤組成物、すなわち、エネルギー線硬化性の第１粘着剤組成物としては、例えば、非エネルギー線硬化性の粘着性樹脂（Ｉ−１ａ）（以下、「粘着性樹脂（Ｉ−１ａ）」と略記することがある）と、エネルギー線硬化性化合物と、を含有する第１粘着剤組成物（Ｉ−１）；非エネルギー線硬化性の粘着性樹脂（Ｉ−１ａ）の側鎖に不飽和基が導入されたエネルギー線硬化性の粘着性樹脂（Ｉ−２ａ）（以下、「粘着性樹脂（Ｉ−２ａ）」と略記することがある）を含有する第１粘着剤組成物（Ｉ−２）；前記粘着性樹脂（Ｉ−２ａ）と、エネルギー線硬化性低分子化合物と、を含有する第１粘着剤組成物（Ｉ−３）等が挙げられる。
【００８１】
第１粘着剤組成物としては、エネルギー線硬化性の粘着剤組成物以外に、非エネルギー線硬化性の粘着剤組成物も挙げられる。
非エネルギー線硬化性の第１粘着剤組成物としては、例えば、アクリル系樹脂、ウレタン系樹脂、ゴム系樹脂、シリコーン系樹脂、エポキシ系樹脂、ポリビニルエーテル、ポリカーボネート、エステル系樹脂等の、非エネルギー線硬化性の粘着性樹脂（Ｉ−１ａ）を含有する第１粘着剤組成物（Ｉ−４）が挙げられ、アクリル系樹脂を含有するものが好ましい。
【００８２】
＜＜第１粘着剤組成物の製造方法＞＞
第１粘着剤組成物（Ｉ−１）〜（Ｉ−４）等の前記第１粘着剤組成物は、前記粘着剤と、必要に応じて前記粘着剤以外の成分等の、第１粘着剤組成物を構成するための各成分を配合することで得られる。
各成分の配合時における添加順序は特に限定されず、２種以上の成分を同時に添加してもよい。
溶媒を用いる場合には、溶媒を溶媒以外のいずれかの配合成分と混合してこの配合成分を予め希釈しておくことで用いてもよいし、溶媒以外のいずれかの配合成分を予め希釈しておくことなく、溶媒をこれら配合成分と混合することで用いてもよい。
配合時に各成分を混合する方法は特に限定されず、撹拌子又は撹拌翼等を回転させて混合する方法；ミキサーを用いて混合する方法；超音波を加えて混合する方法等、公知の方法から適宜選択すればよい。
各成分の添加及び混合時の温度並びに時間は、各配合成分が劣化しない限り特に限定されず、適宜調節すればよいが、温度は１５〜３０℃であることが好ましい。
【００８３】
○第１中間層
前記第１中間層は、シート状又はフィルム状であり、その構成材料は目的に応じて適宜選択すればよく、特に限定されない。
【００８４】
第１中間層は１層（単層）のみでもよいし、２層以上の複数層でもよく、複数層である場合、これら複数層は、互いに同一でも異なっていてもよく、これら複数層の組み合わせは特に限定されない。
【００８５】
第１中間層の厚さは、目的に応じて適宜選択すればよく、特に限定されない。
ここで、「第１中間層の厚さ」とは、第１中間層全体の厚さを意味し、例えば、複数層からなる第１中間層の厚さとは、第１中間層を構成するすべての層の合計の厚さを意味する。
【００８６】
＜＜第１中間層形成用組成物＞＞
第１中間層は、その構成材料を含有する第１中間層形成用組成物から形成できる。
例えば、第１中間層の形成対象面に第１中間層形成用組成物を塗工し、必要に応じて乾燥させたり、エネルギー線の照射によって硬化させることで、目的とする部位に第１中間層を形成できる。
【００８７】
＜＜第１中間層形成用組成物の製造方法＞＞
第１中間層形成用組成物は、配合成分が異なる点以外は、上述の第１粘着剤組成物の場合と同じ方法で得られる。
【００８８】
◎硬化性樹脂層
前記硬化性樹脂層は、熱硬化性樹脂層（熱硬化性樹脂フィルムともいう）及びエネルギー線硬化性樹脂層（エネルギー線硬化性樹脂フィルムともいう）のいずれであってもよい。
前記硬化性樹脂層は、硬化により第１保護膜を形成する。
【００８９】
硬化性樹脂層は１層（単層）のみでもよいし、２層以上の複数層でもよく、複数層である場合、これら複数層は、互いに同一でも異なっていてもよく、これら複数層の組み合わせは特に限定されない。
【００９０】
○熱硬化性樹脂層
熱硬化性樹脂層は、例えば、重合体成分（Ａ）及び熱硬化性成分（Ｂ）を含有するものが好ましい。重合体成分（Ａ）は、重合性化合物が重合反応して形成された成分である。また、熱硬化性成分（Ｂ）は、熱を反応のトリガーとして、硬化（重合）反応し得る成分である。なお、本発明において重合反応には、重縮合反応も含まれる。
【００９１】
前記熱硬化性樹脂層の厚さは、１〜１００μｍであることが好ましく、５〜７５μｍであることがより好ましく、５〜５０μｍであることが特に好ましい。熱硬化性樹脂層の厚さが前記下限値以上であることで、保護能がより高い第１保護膜を形成できる。また、熱硬化性樹脂層の厚さが前記上限値以下であることで、過剰な厚さとなることが抑制される。
ここで、「熱硬化性樹脂層の厚さ」とは、熱硬化性樹脂層全体の厚さを意味し、例えば、複数層からなる熱硬化性樹脂層の厚さとは、熱硬化性樹脂層を構成するすべての層の合計の厚さを意味する。
【００９２】
前記熱硬化性樹脂層を半導体ウエハの第１面に貼付し、硬化させて、第１保護膜を形成するときの硬化条件は、第１保護膜が十分にその機能を発揮する程度の硬化度となる限り特に限定されず、熱硬化性樹脂層の種類に応じて、適宜選択すればよい。
例えば、熱硬化性樹脂層の硬化時の加熱温度は、１００〜２００℃であることが好ましく、１１０〜１８０℃であることがより好ましく、１２０〜１７０℃であることが特に好ましい。そして、前記硬化時の加熱時間は、０．５〜５時間であることが好ましく、０．５〜３．５時間であることがより好ましく、１〜２．５時間であることが特に好ましい。
【００９３】
＜＜熱硬化性樹脂層形成用組成物＞＞
熱硬化性樹脂層は、その構成材料を含有する熱硬化性樹脂層形成用組成物から形成できる。例えば、熱硬化性樹脂層の形成対象面に熱硬化性樹脂層形成用組成物を塗工し、必要に応じて乾燥させることで、目的とする部位に熱硬化性樹脂層を形成できる。
【００９４】
熱硬化性樹脂層形成用組成物の塗工は、公知の方法で行えばよく、例えば、上述の第１粘着剤組成物の塗工の場合と同じ方法で行うことができる。
また、熱硬化性樹脂層形成用組成物の乾燥条件は、特に限定されず、例えば、上述の第１粘着剤組成物の場合と同じであってもよい。
【００９５】
＜樹脂層形成用組成物（ＩＩＩ）＞
熱硬化性樹脂層形成用組成物としては、例えば、重合体成分（Ａ）及び熱硬化性成分（Ｂ）を含有する熱硬化性樹脂層形成用組成物（ＩＩＩ）（本明細書においては、単に「樹脂層形成用組成物（ＩＩＩ）」と略記することがある）等が挙げられる。
【００９６】
［重合体成分（Ａ）］
重合体成分（Ａ）は、熱硬化性樹脂層に造膜性や可撓性等を付与するための重合体化合物である。
樹脂層形成用組成物（ＩＩＩ）及び熱硬化性樹脂層が含有する重合体成分（Ａ）は、１種のみでもよいし、２種以上でもよく、２種以上である場合、それらの組み合わせ及び比率は任意に選択できる。
【００９７】
重合体成分（Ａ）としては、例えば、ポリビニルアセタール、アクリル系樹脂、ポリエステル、ウレタン系樹脂、アクリルウレタン樹脂、シリコーン系樹脂、ゴム系樹脂、フェノキシ樹脂、熱硬化性ポリイミド等が挙げられ、ポリビニルアセタール、アクリル系樹脂が好ましい。
【００９８】
重合体成分（Ａ）における前記ポリビニルアセタールとしては、公知のものが挙げられる。
なかでも、好ましいポリビニルアセタールとしては、例えば、ポリビニルホルマール、ポリビニルブチラール等が挙げられ、ポリビニルブチラールがより好ましい。
ポリビニルブチラールとしては、下記式（ｉ）−１、（ｉ）−２及び（ｉ）−３で表される構成単位を有するものが挙げられる。
【００９９】
【化１】
0006438181.tif 000002
（式中、ｌ、ｍ及びｎは、それぞれ独立に１以上の整数である。）
【０１００】
ポリビニルアセタールの重量平均分子量（Ｍｗ）は、５０００〜２０００００であることが好ましく、８０００〜１０００００であることがより好ましい。ポリビニルアセタールの重量平均分子量がこのような範囲であることで、熱硬化性樹脂層を前記第１面に貼付したときに、バンプの前記上部（バンプの頂部とその近傍領域）での熱硬化性樹脂層の残存を抑制する効果がより高くなる。
本明細書において、「重量平均分子量」とは、特に断りのない限り、ゲル・パーミエーション・クロマトグラフィー（ＧＰＣ）法により測定されるポリスチレン換算値である。
【０１０１】
ポリビニルアセタールのガラス転移温度（Ｔｇ）は、４０〜８０℃であることが好ましく、５０〜７０℃であることがより好ましい。ポリビニルアセタールのＴｇがこのような範囲であることで、熱硬化性樹脂層を前記第１面に貼付したときに、バンプの前記上部での熱硬化性樹脂層の残存を抑制する効果がより高くなる。
【０１０２】
ポリビニルアセタールを構成する３種以上のモノマーの比率は任意に選択できる。
【０１０３】
重合体成分（Ａ）における前記アクリル系樹脂としては、公知のアクリル重合体が挙げられる。
アクリル系樹脂の重量平均分子量（Ｍｗ）は、１００００〜２００００００であることが好ましく、１０００００〜１５０００００であることがより好ましい。アクリル系樹脂の重量平均分子量が前記下限値以上であることで、熱硬化性樹脂層の形状安定性（保管時の経時安定性）が向上する。また、アクリル系樹脂の重量平均分子量が前記上限値以下であることで、被着体の凹凸面へ熱硬化性樹脂層が追従し易くなり、被着体と熱硬化性樹脂層との間でボイド等の発生がより抑制される。
【０１０４】
アクリル系樹脂のガラス転移温度（Ｔｇ）は、−６０〜７０℃であることが好ましく、−３０〜５０℃であることがより好ましい。アクリル系樹脂のＴｇが前記下限値以上であることで、第１保護膜と第１支持シートとの接着力が抑制されて、第１支持シートの剥離性が向上する。また、アクリル系樹脂のＴｇが前記上限値以下であることで、熱硬化性樹脂層及び第１保護膜の被着体との接着力が向上する。
【０１０５】
アクリル系樹脂としては、例えば、１種又は２種以上の（メタ）アクリル酸エステルの重合体；（メタ）アクリル酸エステル以外に、（メタ）アクリル酸、イタコン酸、酢酸ビニル、アクリロニトリル、スチレン及びＮ−メチロールアクリルアミド等から選択される１種又は２種以上のモノマーが共重合してなる共重合体等が挙げられる。
【０１０６】
アクリル系樹脂を構成する前記（メタ）アクリル酸エステルとしては、例えば、（メタ）アクリル酸メチル、（メタ）アクリル酸エチル、（メタ）アクリル酸ｎ−プロピル、（メタ）アクリル酸イソプロピル、（メタ）アクリル酸ｎ−ブチル、（メタ）アクリル酸イソブチル、（メタ）アクリル酸ｓｅｃ−ブチル、（メタ）アクリル酸ｔｅｒｔ−ブチル、（メタ）アクリル酸ペンチル、（メタ）アクリル酸ヘキシル、（メタ）アクリル酸ヘプチル、（メタ）アクリル酸２−エチルヘキシル、（メタ）アクリル酸イソオクチル、（メタ）アクリル酸ｎ−オクチル、（メタ）アクリル酸ｎ−ノニル、（メタ）アクリル酸イソノニル、（メタ）アクリル酸デシル、（メタ）アクリル酸ウンデシル、（メタ）アクリル酸ドデシル（（メタ）アクリル酸ラウリルともいう）、（メタ）アクリル酸トリデシル、（メタ）アクリル酸テトラデシル（（メタ）アクリル酸ミリスチルともいう）、（メタ）アクリル酸ペンタデシル、（メタ）アクリル酸ヘキサデシル（（メタ）アクリル酸パルミチルともいう）、（メタ）アクリル酸ヘプタデシル、（メタ）アクリル酸オクタデシル（（メタ）アクリル酸ステアリルともいう）等の、アルキルエステルを構成するアルキル基が、炭素数が１〜１８の鎖状構造である（メタ）アクリル酸アルキルエステル；
（メタ）アクリル酸イソボルニル、（メタ）アクリル酸ジシクロペンタニル等の（メタ）アクリル酸シクロアルキルエステル；
（メタ）アクリル酸ベンジル等の（メタ）アクリル酸アラルキルエステル；
（メタ）アクリル酸ジシクロペンテニルエステル等の（メタ）アクリル酸シクロアルケニルエステル；
（メタ）アクリル酸ジシクロペンテニルオキシエチルエステル等の（メタ）アクリル酸シクロアルケニルオキシアルキルエステル；
（メタ）アクリル酸イミド；
（メタ）アクリル酸グリシジル等のグリシジル基含有（メタ）アクリル酸エステル；
（メタ）アクリル酸ヒドロキシメチル、（メタ）アクリル酸２−ヒドロキシエチル、（メタ）アクリル酸２−ヒドロキシプロピル、（メタ）アクリル酸３−ヒドロキシプロピル、（メタ）アクリル酸２−ヒドロキシブチル、（メタ）アクリル酸３−ヒドロキシブチル、（メタ）アクリル酸４−ヒドロキシブチル等の水酸基含有（メタ）アクリル酸エステル；
（メタ）アクリル酸Ｎ−メチルアミノエチル等の置換アミノ基含有（メタ）アクリル酸エステル等が挙げられる。ここで、「置換アミノ基」とは、アミノ基の１個又は２個の水素原子が水素原子以外の基で置換されてなる基を意味する。
【０１０７】
アクリル系樹脂を構成するモノマーは、１種のみでもよいし、２種以上でもよく、２種以上である場合、それらの組み合わせ及び比率は任意に選択できる。
【０１０８】
アクリル系樹脂は、ビニル基、（メタ）アクリロイル基、アミノ基、水酸基、カルボキシ基、イソシアネート基等の他の化合物と結合可能な官能基を有していてもよい。アクリル系樹脂の前記官能基は、後述する架橋剤（Ｆ）を介して他の化合物と結合してもよいし、架橋剤（Ｆ）を介さずに他の化合物と直接結合していてもよい。アクリル系樹脂が前記官能基により他の化合物と結合することで、第１保護膜形成用シートを用いて得られたパッケージの信頼性が向上する傾向がある。
１つの側面として、アクリル系樹脂としては、アクリル酸ブチル、アクリル酸メチル、メタクリル酸グリシジル、アクリル酸−２−ヒドロキシエチルからなる群から選択される少なくとも１つのモノマーを共重合してなるアクリル系樹脂が好ましい。
【０１０９】
本発明においては、例えば、重合体成分（Ａ）として、ポリビニルアセタール及びアクリル系樹脂以外の熱可塑性樹脂（以下、単に「熱可塑性樹脂」と略記することがある）を、ポリビニルアセタール及びアクリル系樹脂を用いずに単独で用いてもよいし、ポリビニルアセタール又はアクリル系樹脂と併用してもよい。前記熱可塑性樹脂を用いることで、第１保護膜の第１支持シートからの剥離性が向上したり、被着体の凹凸面へ熱硬化性樹脂層が追従し易くなり、被着体と熱硬化性樹脂層との間でボイド等の発生がより抑制されることがある。
【０１１０】
前記熱可塑性樹脂の重量平均分子量は１０００〜１０００００であることが好ましく、３０００〜８００００であることがより好ましい。
【０１１１】
前記熱可塑性樹脂のガラス転移温度（Ｔｇ）は、−３０〜１５０℃であることが好ましく、−２０〜１２０℃であることがより好ましい。
【０１１２】
前記熱可塑性樹脂としては、例えば、ポリエステル、ポリウレタン、フェノキシ樹脂、ポリブテン、ポリブタジエン、ポリスチレン等が挙げられる。
【０１１３】
樹脂層形成用組成物（ＩＩＩ）及び熱硬化性樹脂層が含有する前記熱可塑性樹脂は、１種のみでもよいし、２種以上でもよく、２種以上である場合、それらの組み合わせ及び比率は任意に選択できる。
【０１１４】
重合体成分（Ａ）の含有量は、重合体成分（Ａ）の種類によらず、樹脂層形成用組成物（ＩＩＩ）を構成する溶媒以外の全ての成分の総質量に対して（すなわち、熱硬化性樹脂層の総質量に対して）、５〜８５質量％であることが好ましく、５〜８０質量％であることがより好ましく、例えば、５〜７０質量％、５〜６０質量％、５〜５０質量％、５〜４０質量％、及び５〜３０質量％のいずれかであってもよい。ただし、樹脂層形成用組成物（ＩＩＩ）におけるこれら含有量は一例である。
【０１１５】
重合体成分（Ａ）は、熱硬化性成分（Ｂ）にも該当する場合がある。本発明においては、樹脂層形成用組成物（ＩＩＩ）が、このような重合体成分（Ａ）及び熱硬化性成分（Ｂ）の両方に該当する成分を含有する場合、樹脂層形成用組成物（ＩＩＩ）は、重合体成分（Ａ）及び熱硬化性成分（Ｂ）を含有するとみなす。
【０１１６】
［熱硬化性成分（Ｂ）］
熱硬化性成分（Ｂ）は、熱硬化性樹脂層を硬化させて、硬質の第１保護膜を形成するための成分である。
樹脂層形成用組成物（ＩＩＩ）及び熱硬化性樹脂層が含有する熱硬化性成分（Ｂ）は、１種のみでもよいし、２種以上でもよく、２種以上である場合、それらの組み合わせ及び比率は任意に選択できる。
【０１１７】
熱硬化性成分（Ｂ）としては、例えば、エポキシ系熱硬化性樹脂、熱硬化性ポリイミド、ポリウレタン、不飽和ポリエステル、シリコーン樹脂等が挙げられ、エポキシ系熱硬化性樹脂が好ましい。
【０１１８】
（エポキシ系熱硬化性樹脂）
エポキシ系熱硬化性樹脂は、エポキシ樹脂（Ｂ１）及び熱硬化剤（Ｂ２）からなる。
樹脂層形成用組成物（ＩＩＩ）及び熱硬化性樹脂層が含有するエポキシ系熱硬化性樹脂は、１種のみでもよいし、２種以上でもよく、２種以上である場合、それらの組み合わせ及び比率は任意に選択できる。
【０１１９】
・エポキシ樹脂（Ｂ１）
エポキシ樹脂（Ｂ１）としては、公知のものが挙げられ、例えば、多官能系エポキシ樹脂、ビフェニル化合物、ビスフェノールＡジグリシジルエーテル及びその水添物、オルソクレゾールノボラックエポキシ樹脂、ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、フェニレン骨格型エポキシ樹脂等、２官能以上のエポキシ化合物が挙げられる。
【０１２０】
エポキシ樹脂（Ｂ１）としては、不飽和炭化水素基を有するエポキシ樹脂を用いてもよい。不飽和炭化水素基を有するエポキシ樹脂は、不飽和炭化水素基を有しないエポキシ樹脂よりもアクリル系樹脂との相溶性が高い。そのため、不飽和炭化水素基を有するエポキシ樹脂を用いることで、第１保護膜形成用シートを用いて得られたパッケージの信頼性が向上する。
【０１２１】
不飽和炭化水素基を有するエポキシ樹脂としては、例えば、多官能系エポキシ樹脂のエポキシ基の一部が不飽和炭化水素基を有する基に変換されてなる化合物が挙げられる。このような化合物は、例えば、エポキシ基へ（メタ）アクリル酸又はその誘導体を付加反応させることにより得られる。
また、不飽和炭化水素基を有するエポキシ樹脂としては、例えば、エポキシ樹脂を構成する芳香環等に、不飽和炭化水素基を有する基が直接結合した化合物等が挙げられる。
不飽和炭化水素基は、重合性を有する不飽和基であり、その具体的な例としては、エテニル基（ビニル基ともいう）、２−プロペニル基（アリル基ともいう）、（メタ）アクリロイル基、（メタ）アクリルアミド基等が挙げられ、アクリロイル基が好ましい。
【０１２２】
エポキシ樹脂（Ｂ１）の数平均分子量は、特に限定されないが、熱硬化性樹脂層の硬化性、並びに硬化後の第１保護膜の強度及び耐熱性の点から、３００〜３００００であることが好ましく、４００〜１００００であることがより好ましく、５００〜３０００であることが特に好ましい。
本明細書において、「数平均分子量」は、特に断らない限り、ゲルパーミエーションクロマトグラフィー（ＧＰＣ）法によって測定される標準ポリスチレン換算の値で表される数平均分子量を意味する。
エポキシ樹脂（Ｂ１）のエポキシ当量は、１００〜１０００ｇ／ｅｑであることが好ましく、１３０〜８００ｇ／ｅｑであることがより好ましい。
本明細書において、「エポキシ当量」とは１グラム当量のエポキシ基を含むエポキシ化合物のグラム数（ｇ／ｅｑ）を意味し、ＪＩＳ  Ｋ  ７２３６：２００１の方法に従って測定することができる。
【０１２３】
エポキシ樹脂（Ｂ１）は、１種を単独で用いてもよいし、２種以上を併用してもよく、２種以上を併用する場合、それらの組み合わせ及び比率は任意に選択できる。
【０１２４】
・熱硬化剤（Ｂ２）
熱硬化剤（Ｂ２）は、エポキシ樹脂（Ｂ１）に対する硬化剤として機能する。
熱硬化剤（Ｂ２）としては、例えば、１分子中にエポキシ基と反応し得る官能基を２個以上有する化合物が挙げられる。前記官能基としては、例えば、フェノール性水酸基、アルコール性水酸基、アミノ基、カルボキシ基、酸基が無水物化された基等が挙げられ、フェノール性水酸基、アミノ基、又は酸基が無水物化された基であることが好ましく、フェノール性水酸基又はアミノ基であることがより好ましい。
【０１２５】
熱硬化剤（Ｂ２）のうち、フェノール性水酸基を有するフェノール系硬化剤としては、例えば、多官能フェノール樹脂、ビフェノール、ノボラック型フェノール樹脂、ジシクロペンタジエン型フェノール樹脂、アラルキル型フェノール樹脂等が挙げられる。
熱硬化剤（Ｂ２）のうち、アミノ基を有するアミン系硬化剤としては、例えば、ジシアンジアミド（本明細書においては、「ＤＩＣＹ」と略記することがある）等が挙げられる。
【０１２６】
熱硬化剤（Ｂ２）は、不飽和炭化水素基を有するものでもよい。
不飽和炭化水素基を有する熱硬化剤（Ｂ２）としては、例えば、フェノール樹脂の水酸基の一部が、不飽和炭化水素基を有する基で置換されてなる化合物、フェノール樹脂の芳香環に、不飽和炭化水素基を有する基が直接結合してなる化合物等が挙げられる。
熱硬化剤（Ｂ２）における前記不飽和炭化水素基は、上述の不飽和炭化水素基を有するエポキシ樹脂における不飽和炭化水素基と同様のものである。
【０１２７】
熱硬化剤（Ｂ２）としてフェノール系硬化剤を用いる場合には、第１保護膜の第１支持シートからの剥離性が向上する点から、熱硬化剤（Ｂ２）は軟化点又はガラス転移温度が高いものが好ましい。
【０１２８】
熱硬化剤（Ｂ２）のうち、例えば、多官能フェノール樹脂、ノボラック型フェノール樹脂、ジシクロペンタジエン型フェノール樹脂、アラルキル型フェノール樹脂等の樹脂成分の数平均分子量は、３００〜３００００であることが好ましく、４００〜１００００であることがより好ましく、５００〜３０００であることが特に好ましい。
熱硬化剤（Ｂ２）のうち、例えば、ビフェノール、ジシアンジアミド等の非樹脂成分の分子量は、特に限定されないが、例えば、６０〜５００であることが好ましい。
【０１２９】
熱硬化剤（Ｂ２）は、１種を単独で用いてもよいし、２種以上を併用してもよく、２種以上を併用する場合、それらの組み合わせ及び比率は任意に選択できる。
【０１３０】
樹脂層形成用組成物（ＩＩＩ）及び熱硬化性樹脂層において、熱硬化剤（Ｂ２）の含有量は、エポキシ樹脂（Ｂ１）の含有量１００質量部に対して、０．１〜５００質量部であることが好ましく、１〜２００質量部であることがより好ましく、例えば、１〜１００質量部、１〜８０質量部及び１〜６０質量部のいずれかであってもよい。熱硬化剤（Ｂ２）の前記含有量が前記下限値以上であることで、熱硬化性樹脂層の硬化がより進行し易くなる。また、熱硬化剤（Ｂ２）の前記含有量が前記上限値以下であることで、熱硬化性樹脂層の吸湿率が低減されて、第１保護膜形成用シートを用いて得られたパッケージの信頼性がより向上する。
【０１３１】
樹脂層形成用組成物（ＩＩＩ）及び熱硬化性樹脂層において、熱硬化性成分（Ｂ）の含有量（例えば、エポキシ樹脂（Ｂ１）及び熱硬化剤（Ｂ２）の総含有量）は、重合体成分（Ａ）の含有量１００質量部に対して、５０〜１０００質量部であることが好ましく、６０〜９５０質量部であることがより好ましく、７０〜９００質量部であることが特に好ましい。熱硬化性成分（Ｂ）の前記含有量がこのような範囲であることで、第１保護膜と第１支持シートとの接着力が抑制されて、第１支持シートの剥離性が向上する。
【０１３２】
［硬化促進剤（Ｃ）］
樹脂層形成用組成物（ＩＩＩ）及び熱硬化性樹脂層は、硬化促進剤（Ｃ）を含有していてもよい。硬化促進剤（Ｃ）は、樹脂層形成用組成物（ＩＩＩ）の硬化速度を調整するための成分である。
好ましい硬化促進剤（Ｃ）としては、例えば、トリエチレンジアミン、ベンジルジメチルアミン、トリエタノールアミン、ジメチルアミノエタノール、トリス（ジメチルアミノメチル）フェノール等の第３級アミン；２−メチルイミダゾール、２−フェニルイミダゾール、２−フェニル−４−メチルイミダゾール、２−フェニル−４，５−ジヒドロキシメチルイミダゾール、２−フェニル−４−メチル−５−ヒドロキシメチルイミダゾール等のイミダゾール類（すなわち、１個以上の水素原子が水素原子以外の基で置換されたイミダゾール）；トリブチルホスフィン、ジフェニルホスフィン、トリフェニルホスフィン等の有機ホスフィン類（すなわち、１個以上の水素原子が有機基で置換されたホスフィン）；テトラフェニルホスホニウムテトラフェニルボレート、トリフェニルホスフィンテトラフェニルボレート等のテトラフェニルボロン塩等が挙げられる。
【０１３３】
樹脂層形成用組成物（ＩＩＩ）及び熱硬化性樹脂層が含有する硬化促進剤（Ｃ）は、１種のみでもよいし、２種以上でもよく、２種以上である場合、それらの組み合わせ及び比率は任意に選択できる。
【０１３４】
硬化促進剤（Ｃ）を用いる場合、樹脂層形成用組成物（ＩＩＩ）及び熱硬化性樹脂層において、硬化促進剤（Ｃ）の含有量は、熱硬化性成分（Ｂ）の含有量１００質量部に対して、０．０１〜１０質量部であることが好ましく、０．１〜５質量部であることがより好ましい。硬化促進剤（Ｃ）の前記含有量が前記下限値以上であることで、硬化促進剤（Ｃ）を用いたことによる効果がより顕著に得られる。また、硬化促進剤（Ｃ）の含有量が前記上限値以下であることで、例えば、高極性の硬化促進剤（Ｃ）が、高温・高湿度条件下で熱硬化性樹脂層中において被着体との接着界面側に移動して偏析することを抑制する効果が高くなり、第１保護膜形成用シートを用いて得られたパッケージの信頼性がより向上する。
【０１３５】
［充填材（Ｄ）］
樹脂層形成用組成物（ＩＩＩ）及び熱硬化性樹脂層は、充填材（Ｄ）を含有していてもよい。熱硬化性樹脂層が充填材（Ｄ）を含有することにより、熱硬化性樹脂層を硬化して得られた第１保護膜は、熱膨張係数の調整が容易となる。そして、この熱膨張係数を第１保護膜の形成対象物に対して最適化することで、第１保護膜形成用シートを用いて得られたパッケージの信頼性がより向上する。また、熱硬化性樹脂層が充填材（Ｄ）を含有することにより、第１保護膜の吸湿率を低減したり、放熱性を向上させたりすることもできる。
【０１３６】
充填材（Ｄ）は、有機充填材及び無機充填材のいずれでもよいが、無機充填材であることが好ましい。
好ましい無機充填材としては、例えば、シリカ、アルミナ、タルク、炭酸カルシウム、チタンホワイト、ベンガラ、炭化ケイ素、窒化ホウ素等の粉末；これら無機充填材を球形化したビーズ；これら無機充填材の表面改質品；これら無機充填材の単結晶繊維；ガラス繊維等が挙げられる。
これらの中でも、無機充填材は、シリカ又はアルミナであることが好ましい。
【０１３７】
樹脂層形成用組成物（ＩＩＩ）及び熱硬化性樹脂層が含有する充填材（Ｄ）は、１種のみでもよいし、２種以上でもよく、２種以上である場合、それらの組み合わせ及び比率は任意に選択できる。
【０１３８】
充填材（Ｄ）の平均粒子径は、特に限定されないが、０．０１〜２０μｍであることが好ましく、０．１〜１５μｍであることがより好ましく、０．３〜１０μｍであることが特に好ましい。充填材（Ｄ）の平均粒子径がこのような範囲であることで、第１保護膜の形成対象物に対する接着性を維持しつつ、第１保護膜の光の透過率の低下を抑制できる。
なお、本明細書において「平均粒子径」とは、特に断りのない限り、レーザー回折散乱法によって求められた粒度分布曲線における、積算値５０％での粒子径（Ｄ５０）の値を意味する。
【０１３９】
充填材（Ｄ）を用いる場合、充填材（Ｄ）の含有量（すなわち、熱硬化性樹脂層の充填材（Ｄ）の含有量）は、樹脂層形成用組成物（ＩＩＩ）の溶媒以外の全ての成分の総質量に対して（すなわち、熱硬化性樹脂層の総質量に対して）、３〜６０質量％であることが好ましく、３〜５５質量％であることがより好ましい。充填材（Ｄ）の含有量がこのような範囲であることで、上記の熱膨張係数の調整がより容易となる。また、充填材（Ｄ）の含有量が前記上限値以下であることで、硬化性樹脂層及び第１保護膜の赤外線透過率がより向上する。
【０１４０】
［カップリング剤（Ｅ）］
樹脂層形成用組成物（ＩＩＩ）及び熱硬化性樹脂層は、カップリング剤（Ｅ）を含有していてもよい。カップリング剤（Ｅ）として、無機化合物又は有機化合物と反応可能な官能基を有するものを用いることにより、熱硬化性樹脂層の被着体に対する接着性及び密着性を向上させることができる。また、カップリング剤（Ｅ）を用いることで、熱硬化性樹脂層を硬化して得られた第１保護膜は、耐熱性を損なうことなく、耐水性が向上する。
【０１４１】
カップリング剤（Ｅ）は、重合体成分（Ａ）、熱硬化性成分（Ｂ）等が有する官能基と反応可能な官能基を有する化合物であることが好ましく、シランカップリング剤であることがより好ましい。
好ましい前記シランカップリング剤としては、例えば、３−グリシジルオキシプロピルトリメトキシシラン、３−グリシジルオキシプロピルメチルジエトキシシラン、３−グリシジルオキシプロピルトリエトキシシラン、３−グリシジルオキシメチルジエトキシシラン、２−（３，４−エポキシシクロヘキシル）エチルトリメトキシシラン、３−メタクリロイルオキシプロピルトリメトキシシラン、３−アミノプロピルトリメトキシシラン、３−（２−アミノエチルアミノ）プロピルトリメトキシシラン、３−（２−アミノエチルアミノ）プロピルメチルジエトキシシラン、３−（フェニルアミノ）プロピルトリメトキシシラン、３−アニリノプロピルトリメトキシシラン、３−ウレイドプロピルトリエトキシシラン、３−メルカプトプロピルトリメトキシシラン、３−メルカプトプロピルメチルジメトキシシラン、ビス（３−トリエトキシシリルプロピル）テトラスルファン、メチルトリメトキシシラン、メチルトリエトキシシラン、ビニルトリメトキシシラン、ビニルトリアセトキシシラン、イミダゾールシラン等が挙げられる。
【０１４２】
樹脂層形成用組成物（ＩＩＩ）及び熱硬化性樹脂層が含有するカップリング剤（Ｅ）は、１種のみでもよいし、２種以上でもよく、２種以上である場合、それらの組み合わせ及び比率は任意に選択できる。
【０１４３】
カップリング剤（Ｅ）を用いる場合、樹脂層形成用組成物（ＩＩＩ）及び熱硬化性樹脂層において、カップリング剤（Ｅ）の含有量は、重合体成分（Ａ）及び熱硬化性成分（Ｂ）の総含有量１００質量部に対して、０．０３〜２０質量部であることが好ましく、０．０５〜１０質量部であることがより好ましく、０．１〜５質量部であることが特に好ましい。カップリング剤（Ｅ）の前記含有量が前記下限値以上であることで、充填材（Ｄ）の樹脂への分散性の向上や、熱硬化性樹脂層の被着体との接着性の向上等、カップリング剤（Ｅ）を用いたことによる効果がより顕著に得られる。また、カップリング剤（Ｅ）の前記含有量が前記上限値以下であることで、アウトガスの発生がより抑制される。
【０１４４】
［架橋剤（Ｆ）］
重合体成分（Ａ）として、上述のアクリル系樹脂等の、他の化合物と結合可能なビニル基、（メタ）アクリロイル基、アミノ基、水酸基、カルボキシ基、イソシアネート基等の官能基を有するものを用いる場合、樹脂層形成用組成物（ＩＩＩ）及び熱硬化性樹脂層は、架橋剤（Ｆ）を含有していてもよい。架橋剤（Ｆ）は、重合体成分（Ａ）中の前記官能基を他の化合物と結合させて架橋するための成分であり、このように架橋することにより、熱硬化性樹脂層の初期接着力及び凝集力を調節できる。
【０１４５】
架橋剤（Ｆ）としては、例えば、有機多価イソシアネート化合物、有機多価イミン化合物、金属キレート系架橋剤（金属キレート構造を有する架橋剤）、アジリジン系架橋剤（アジリジニル基を有する架橋剤）等が挙げられる。
【０１４６】
前記有機多価イソシアネート化合物としては、例えば、芳香族多価イソシアネート化合物、脂肪族多価イソシアネート化合物及び脂環族多価イソシアネート化合物（以下、これら化合物をまとめて「芳香族多価イソシアネート化合物等」と略記することがある）；前記芳香族多価イソシアネート化合物等の三量体、イソシアヌレート体及びアダクト体；前記芳香族多価イソシアネート化合物等とポリオール化合物とを反応させて得られる末端イソシアネートウレタンプレポリマー等が挙げられる。前記「アダクト体」は、前記芳香族多価イソシアネート化合物、脂肪族多価イソシアネート化合物又は脂環族多価イソシアネート化合物と、エチレングリコール、プロピレングリコール、ネオペンチルグリコール、トリメチロールプロパン又はヒマシ油等の低分子活性水素含有化合物との反応物を意味する。前記アダクト体の例としては、後述するようなトリメチロールプロパンのキシリレンジイソシアネート付加物等が挙げられる。また、「末端イソシアネートウレタンプレポリマー」とは、ウレタン結合を有するとともに、分子の末端部にイソシアネート基を有するプレポリマーを意味する。
【０１４７】
前記有機多価イソシアネート化合物として、より具体的には、例えば、２，４−トリレンジイソシアネート；２，６−トリレンジイソシアネート；１，３−キシリレンジイソシアネート；１，４−キシレンジイソシアネート；ジフェニルメタン−４，４’−ジイソシアネート；ジフェニルメタン−２，４’−ジイソシアネート；３−メチルジフェニルメタンジイソシアネート；ヘキサメチレンジイソシアネート；イソホロンジイソシアネート；ジシクロヘキシルメタン−４，４’−ジイソシアネート；ジシクロヘキシルメタン−２，４’−ジイソシアネート；トリメチロールプロパン等のポリオールのすべて又は一部の水酸基に、トリレンジイソシアネート、ヘキサメチレンジイソシアネート及びキシリレンジイソシアネートのいずれか１種又は２種以上が付加した化合物；リジンジイソシアネート等が挙げられる。
【０１４８】
前記有機多価イミン化合物としては、例えば、Ｎ，Ｎ’−ジフェニルメタン−４，４’−ビス（１−アジリジンカルボキシアミド）、トリメチロールプロパン−トリ−β−アジリジニルプロピオネート、テトラメチロールメタン−トリ−β−アジリジニルプロピオネート、Ｎ，Ｎ’−トルエン−２，４−ビス（１−アジリジンカルボキシアミド）トリエチレンメラミン等が挙げられる。
【０１４９】
架橋剤（Ｆ）として有機多価イソシアネート化合物を用いる場合、重合体成分（Ａ）としては、水酸基含有重合体を用いることが好ましい。架橋剤（Ｆ）がイソシアネート基を有し、重合体成分（Ａ）が水酸基を有する場合、架橋剤（Ｆ）と重合体成分（Ａ）との反応によって、熱硬化性樹脂層に架橋構造を簡便に導入できる。
【０１５０】
樹脂層形成用組成物（ＩＩＩ）及び熱硬化性樹脂層が含有する架橋剤（Ｆ）は、１種のみでもよいし、２種以上でもよく、２種以上である場合、それらの組み合わせ及び比率は任意に選択できる。
【０１５１】
架橋剤（Ｆ）を用いる場合、樹脂層形成用組成物（ＩＩＩ）において、架橋剤（Ｆ）の含有量は、重合体成分（Ａ）の含有量１００質量部に対して、０．０１〜２０質量部であることが好ましく、０．１〜１０質量部であることがより好ましく、０．５〜５質量部であることが特に好ましい。架橋剤（Ｆ）の前記含有量が前記下限値以上であることで、架橋剤（Ｆ）を用いたことによる効果がより顕著に得られる。また、架橋剤（Ｆ）の前記含有量が前記上限値以下であることで、架橋剤（Ｆ）の過剰使用が抑制される。
【０１５２】
［エネルギー線硬化性樹脂（Ｇ）］
樹脂層形成用組成物（ＩＩＩ）及び熱硬化性樹脂層は、エネルギー線硬化性樹脂（Ｇ）を含有していてもよい。熱硬化性樹脂層は、エネルギー線硬化性樹脂（Ｇ）を含有していることにより、エネルギー線の照射によって特性を変化させることができる。
【０１５３】
エネルギー線硬化性樹脂（Ｇ）は、エネルギー線硬化性化合物を重合（硬化）して得られたものである。
前記エネルギー線硬化性化合物としては、例えば、分子内に少なくとも１個の重合性二重結合を有する化合物が挙げられ、（メタ）アクリロイル基を有するアクリレート系化合物が好ましい。
【０１５４】
前記アクリレート系化合物としては、例えば、トリメチロールプロパントリ（メタ）アクリレート、テトラメチロールメタンテトラ（メタ）アクリレート、ペンタエリスリトールトリ（メタ）アクリレート、ペンタエリスリトールテトラ（メタ）アクリレート、ジペンタエリスリトールモノヒドロキシペンタ（メタ）アクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサ（メタ）アクリレート、１，４−ブチレングリコールジ（メタ）アクリレート、１，６−ヘキサンジオールジ（メタ）アクリレート等の鎖状脂肪族骨格含有（メタ）アクリレート；ジシクロペンタニルジ（メタ）アクリレート等の環状脂肪族骨格含有（メタ）アクリレート；ポリエチレングリコールジ（メタ）アクリレート等のポリアルキレングリコール（メタ）アクリレート；オリゴエステル（メタ）アクリレート；ウレタン（メタ）アクリレートオリゴマー；エポキシ変性（メタ）アクリレート；前記ポリアルキレングリコール（メタ）アクリレート以外のポリエーテル（メタ）アクリレート；イタコン酸オリゴマー等が挙げられる。
【０１５５】
前記エネルギー線硬化性化合物の重量平均分子量は、１００〜３００００であることが好ましく、３００〜１００００であることがより好ましい。
【０１５６】
重合に用いる前記エネルギー線硬化性化合物は、１種のみでもよいし、２種以上でもよく、２種以上である場合、それらの組み合わせ及び比率は任意に選択できる。
【０１５７】
樹脂層形成用組成物（ＩＩＩ）が含有するエネルギー線硬化性樹脂（Ｇ）は、１種のみでもよいし、２種以上でもよく、２種以上である場合、それらの組み合わせ及び比率は任意に選択できる。
【０１５８】
エネルギー線硬化性樹脂（Ｇ）を用いる場合、エネルギー線硬化性樹脂（Ｇ）の含有量は、樹脂層形成用組成物（ＩＩＩ）の溶媒以外のすべての成分の総質量に対して（すなわち、熱硬化性樹脂層の総質量に対して）、１〜９５質量％であることが好ましく、５〜９０質量％であることがより好ましく、１０〜８５質量％であることが特に好ましい。
【０１５９】
［光重合開始剤（Ｈ）］
樹脂層形成用組成物（ＩＩＩ）及び熱硬化性樹脂層は、エネルギー線硬化性樹脂（Ｇ）を含有する場合、エネルギー線硬化性樹脂（Ｇ）の重合反応を効率よく進めるために、光重合開始剤（Ｈ）を含有していてもよい。
【０１６０】
樹脂層形成用組成物（ＩＩＩ）における光重合開始剤（Ｈ）としては、例えば、ベンゾイン、ベンゾインメチルエーテル、ベンゾインエチルエーテル、ベンゾインイソプロピルエーテル、ベンゾインイソブチルエーテル、ベンゾイン安息香酸、ベンゾイン安息香酸メチル、ベンゾインジメチルケタール等のベンゾイン化合物；アセトフェノン、２−ヒドロキシ−２−メチル−１−フェニル−プロパン−１−オン、２，２−ジメトキシ−１，２−ジフェニルエタン−１−オン等のアセトフェノン化合物；ビス（２，４，６−トリメチルベンゾイル）フェニルフォスフィンオキサイド、２，４，６−トリメチルベンゾイルジフェニルフォスフィンオキサイド等のアシルフォスフィンオキサイド化合物；ベンジルフェニルスルフィド、テトラメチルチウラムモノスルフィド等のスルフィド化合物；１−ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトン等のα−ケトール化合物；アゾビスイソブチロニトリル等のアゾ化合物；チタノセン等のチタノセン化合物；チオキサント、２，４−ジエチルチオキサントン等のチオキサントン化合物；パーオキサイド化合物；ジアセチル等のジケトン化合物；ベンジル；ジベンジル；ベンゾフェノン；；１，２−ジフェニルメタン；２−ヒドロキシ−２−メチル−１−［４−（１−メチルビニル）フェニル］プロパノン；２−クロロアントラキノン等が挙げられる。
また、光重合開始剤（Ｈ）としては、例えば、１−クロロアントラキノン等のキノン化合物；アミン等の光増感剤等を用いることもできる。
【０１６１】
樹脂層形成用組成物（ＩＩＩ）が含有する光重合開始剤（Ｈ）は、１種のみでもよいし、２種以上でもよく、２種以上である場合、それらの組み合わせ及び比率は任意に選択できる。
【０１６２】
光重合開始剤（Ｈ）を用いる場合、樹脂層形成用組成物（ＩＩＩ）において、光重合開始剤（Ｈ）の含有量は、エネルギー線硬化性樹脂（Ｇ）の含有量１００質量部に対して、０．１〜２０質量部であることが好ましく、１〜１０質量部であることがより好ましく、２〜５質量部であることが特に好ましい。
【０１６３】
［着色剤（Ｉ）］
樹脂層形成用組成物（ＩＩＩ）及び熱硬化性樹脂層は、着色剤（Ｉ）を含有していてもよい。着色剤（Ｉ）は、例えば、熱硬化性樹脂層及び第１保護膜に、適切な光線透過率を付与するための成分である。
着色剤（Ｉ）は、公知のものでよく、例えば、染料及び顔料のいずれであってもよい。
例えば、染料は、酸性染料、反応染料、直接染料、分散染料及びカチオン染料等のいずれであってもよい。
【０１６４】
樹脂層形成用組成物（ＩＩＩ）及び熱硬化性樹脂層が含有する着色剤（Ｉ）は、１種のみでもよいし、２種以上でもよく、２種以上である場合、それらの組み合わせ及び比率は任意に選択できる。
【０１６５】
樹脂層形成用組成物（ＩＩＩ）の着色剤（Ｉ）の含有量は、熱硬化性樹脂層の可視光線透過率及び赤外線透過率が目的の値となるように適宜調節すればよく、特に限定されない。例えば、前記着色剤（Ｉ）の含有量は、着色剤（Ｉ）の種類や、２種以上の着色剤（Ｉ）を併用する場合には、これら着色剤（Ｉ）の組み合わせ等に応じて、適宜調節すればよい。
【０１６６】
着色剤（Ｉ）を用いる場合、着色剤（Ｉ）の含有量（すなわち、熱硬化性樹脂層の着色剤（Ｉ）の含有量）は、樹脂層形成用組成物（ＩＩＩ）を構成する溶媒以外の全ての成分の総含有量に対して、０．０１〜１０質量％であることが好ましい。
【０１６７】
［汎用添加剤（Ｊ）］
樹脂層形成用組成物（ＩＩＩ）及び熱硬化性樹脂層は、本発明の効果を損なわない範囲内において、汎用添加剤（Ｊ）を含有していてもよい。
汎用添加剤（Ｊ）は、公知のものでよく、目的に応じて任意に選択でき、特に限定されないが、好ましいものとしては、例えば、可塑剤、帯電防止剤、酸化防止剤、ゲッタリング剤等が挙げられる。
【０１６８】
樹脂層形成用組成物（ＩＩＩ）及び熱硬化性樹脂層が含有する汎用添加剤（Ｊ）は、１種のみでもよいし、２種以上でもよく、２種以上である場合、それらの組み合わせ及び比率は任意に選択できる。
樹脂層形成用組成物（ＩＩＩ）及び熱硬化性樹脂層の汎用添加剤（Ｊ）の含有量は、特に限定されず、目的に応じて適宜選択すればよい。
【０１６９】
［溶媒］
樹脂層形成用組成物（ＩＩＩ）は、さらに溶媒を含有することが好ましい。溶媒を含有する樹脂層形成用組成物（ＩＩＩ）は、取り扱い性が良好となる。
前記溶媒は特に限定されないが、好ましいものとしては、例えば、トルエン、キシレン等の炭化水素；メタノール、エタノール、２−プロパノール、イソブチルアルコール（２−メチルプロパン−１−オール）、１−ブタノール等のアルコール；酢酸エチル等のエステル；アセトン、メチルエチルケトン等のケトン；テトラヒドロフラン等のエーテル；ジメチルホルムアミド、Ｎ−メチルピロリドン等のアミド（アミド結合を有する化合物）等が挙げられる。
樹脂層形成用組成物（ＩＩＩ）が含有する溶媒は、１種のみでもよいし、２種以上でもよく、２種以上である場合、それらの組み合わせ及び比率は任意に選択できる。
【０１７０】
樹脂層形成用組成物（ＩＩＩ）が含有する溶媒は、樹脂層形成用組成物（ＩＩＩ）中の含有成分をより均一に混合できる点から、メチルエチルケトン等であることが好ましい。
【０１７１】
樹脂層形成用組成物（ＩＩＩ）の溶媒の含有量は、特に限定されず、例えば、溶媒以外の成分の種類に応じて適宜選択すればよい。
【０１７２】
＜＜熱硬化性樹脂層形成用組成物の製造方法＞＞
樹脂層形成用組成物（ＩＩＩ）等の熱硬化性樹脂層形成用組成物は、これを構成するための各成分を配合することで得られる。
各成分の配合時における添加順序は特に限定されず、２種以上の成分を同時に添加してもよい。
溶媒を用いる場合には、溶媒を溶媒以外のいずれかの配合成分と混合してこの配合成分を予め希釈しておくことで用いてもよいし、溶媒以外のいずれかの配合成分を予め希釈しておくことなく、溶媒をこれら配合成分と混合することで用いてもよい。
配合時に各成分を混合する方法は特に限定されず、撹拌子又は撹拌翼等を回転させて混合する方法；ミキサーを用いて混合する方法；超音波を加えて混合する方法等、公知の方法から適宜選択すればよい。
各成分の添加及び混合時の温度並びに時間は、各配合成分が劣化しない限り特に限定されず、適宜調節すればよいが、温度は１５〜３０℃であることが好ましい。
【０１７３】
○エネルギー線硬化性樹脂層
好ましいエネルギー線硬化性樹脂層としては、例えば、エネルギー線硬化性成分（ａ）を含有するものが挙げられる。
エネルギー線硬化性成分（ａ）は、未硬化であることが好ましく、粘着性を有することが好ましく、未硬化でかつ粘着性を有することがより好ましい。ここで、「エネルギー線」及び「エネルギー線硬化性」とは、先に説明したとおりである。
【０１７４】
前記エネルギー線硬化性樹脂層の厚さは、１〜１００μｍであることが好ましく、５〜７５μｍであることがより好ましく、５〜５０μｍであることが特に好ましい。エネルギー線硬化性樹脂層の厚さが前記下限値以上であることで、保護能がより高い第１保護膜を形成できる。また、エネルギー線硬化性樹脂層の厚さが前記上限値以下であることで、過剰な厚さとなることが抑制される。
ここで、「エネルギー線硬化性樹脂層の厚さ」とは、エネルギー線硬化性樹脂層全体の厚さを意味し、例えば、複数層からなるエネルギー線硬化性樹脂層の厚さとは、エネルギー線硬化性樹脂層を構成するすべての層の合計の厚さを意味する。
【０１７５】
前記エネルギー線硬化性樹脂層を半導体ウエハの第１面に貼付し、硬化させて、第１保護膜を形成するときの硬化条件は、第１保護膜が十分にその機能を発揮する程度の硬化度となる限り特に限定されず、エネルギー線硬化性樹脂層の種類に応じて、適宜選択すればよい。
例えば、エネルギー線硬化性樹脂層の硬化時における、エネルギー線の照度は、１８０〜２８０ｍＷ／ｃｍ２であることが好ましい。そして、前記硬化時における、エネルギー線の光量は、４５０〜１０００ｍＪ／ｃｍ２であることが好ましい。
【０１７６】
＜＜エネルギー線硬化性樹脂層形成用組成物＞＞
エネルギー線硬化性樹脂層は、その構成材料を含有するエネルギー線硬化性樹脂層形成用組成物から形成できる。例えば、エネルギー線硬化性樹脂層の形成対象面にエネルギー線硬化性樹脂層形成用組成物を塗工し、必要に応じて乾燥させることで、目的とする部位にエネルギー線硬化性樹脂層を形成できる。
【０１７７】
エネルギー線硬化性樹脂層形成用組成物の塗工は、公知の方法で行えばよく、例えば、上述の第１粘着剤組成物の塗工の場合と同じ方法で行うことができる。
また、エネルギー線硬化性樹脂層形成用組成物の乾燥条件は、特に限定されず、例えば、上述の第１粘着剤組成物の場合と同じであってもよい。
【０１７８】
＜樹脂層形成用組成物（ＩＶ）＞
エネルギー線硬化性樹脂層形成用組成物としては、例えば、前記エネルギー線硬化性成分（ａ）を含有するエネルギー線硬化性樹脂層形成用組成物（ＩＶ）（本明細書においては、単に「樹脂層形成用組成物（ＩＶ）」と略記することがある）等が挙げられる。
【０１７９】
［エネルギー線硬化性成分（ａ）］
エネルギー線硬化性成分（ａ）は、エネルギー線の照射によって硬化する成分であり、エネルギー線硬化性樹脂層に造膜性や、可撓性等を付与するための成分でもある。
エネルギー線硬化性成分（ａ）としては、例えば、エネルギー線硬化性基を有する、重量平均分子量が８００００〜２００００００の重合体（ａ１）、及びエネルギー線硬化性基を有する、分子量が１００〜８００００の化合物（ａ２）が挙げられる。前記重合体（ａ１）は、その少なくとも一部が架橋剤によって架橋されたものであってもよいし、架橋されていないものであってもよい。
【０１８０】
前記重合体（ａ１）としては、例えば、他の化合物が有する基と反応可能な官能基を有するアクリル系重合体と、前記官能基と反応する基、及びエネルギー線硬化性二重結合等のエネルギー線硬化性基を有するエネルギー線硬化性化合物と、が反応してなるアクリル系樹脂等が挙げられる。
前記他の化合物が有する基と反応可能な官能基としては、例えば、水酸基、カルボキシ基、アミノ基、置換アミノ基（アミノ基の１個又は２個の水素原子が水素原子以外の基で置換されてなる基）、エポキシ基等が挙げられる。ただし、半導体ウエハや半導体チップ等の回路の腐食を防止するという点では、前記官能基はカルボキシ基以外の基であることが好ましい。
これらの中でも、前記官能基は、水酸基であることが好ましい。
樹脂層形成用組成物（ＩＶ）及びエネルギー線硬化性樹脂層が含有する前記重合体（ａ１）は、１種のみでもよいし、２種以上でもよく、２種以上である場合、それらの組み合わせ及び比率は任意に選択できる。
【０１８１】
エネルギー線硬化性基を有する、分子量が１００〜８００００の化合物（ａ２）が有するエネルギー線硬化性基としては、エネルギー線硬化性二重結合を含む基が挙げられ、好ましいものとしては、（メタ）アクリロイル基、ビニル基等が挙げられる。好ましくは、エネルギー線硬化性基として（メタ）アクリロイル基を有する、低分子量化合物であることが好ましい。
前記化合物（ａ２）は、上記の条件を満たすものであれば、特に限定されないが、エネルギー線硬化性基を有する低分子量化合物、エネルギー線硬化性基を有するエポキシ樹脂、エネルギー線硬化性基を有するフェノール樹脂等が挙げられる。
前記化合物（ａ２）のうち、エネルギー線硬化性基を有する低分子量化合物としては、例えば、多官能のモノマー又はオリゴマー等が挙げられ、（メタ）アクリロイル基を有するアクリレート系化合物が好ましい。
樹脂層形成用組成物（ＩＶ）及びエネルギー線硬化性樹脂層が含有する前記化合物（ａ２）は、１種のみでもよいし、２種以上でもよく、２種以上である場合、それらの組み合わせ及び比率は任意に選択できる。
【０１８２】
［エネルギー線硬化性基を有しない重合体（ｂ）］
樹脂層形成用組成物（ＩＶ）及びエネルギー線硬化性樹脂層は、前記エネルギー線硬化性成分（ａ）として前記化合物（ａ２）を含有する場合、さらにエネルギー線硬化性基を有しない重合体（ｂ）も含有することが好ましい。
前記重合体（ｂ）は、その少なくとも一部が架橋剤によって架橋されたものであってもよいし、架橋されていないものであってもよい。
【０１８３】
エネルギー線硬化性基を有しない重合体（ｂ）としては、例えば、アクリル系重合体、フェノキシ樹脂、ウレタン樹脂、ポリエステル、ゴム系樹脂、アクリルウレタン樹脂等が挙げられる。
これらの中でも、前記重合体（ｂ）は、アクリル系重合体（以下、「アクリル系重合体（ｂ−１）」と略記することがある）であることが好ましい。
【０１８４】
樹脂層形成用組成物（ＩＶ）は、エネルギー線硬化性成分（ａ）以外に、さらに目的に応じて、エネルギー線硬化性成分（ａ）及び重合体（ｂ）のいずれにも該当しない、熱硬化性成分、光重合開始剤、着色剤、充填材、カップリング剤、架橋剤及び汎用添加剤からなる群より選択される１種又は２種以上を含有していてもよい。例えば、前記エネルギー線硬化性成分及び熱硬化性成分を含有する樹脂層形成用組成物（ＩＶ）を用いることにより、形成されるエネルギー線硬化性樹脂層は、加熱によって被着体に対する接着力が向上し、このエネルギー線硬化性樹脂層から形成された第１保護膜の強度も向上する。
【０１８５】
樹脂層形成用組成物（ＩＶ）における前記熱硬化性成分、光重合開始剤、着色剤、充填材、カップリング剤、架橋剤及び汎用添加剤としては、それぞれ、樹脂層形成用組成物（ＩＩＩ）における熱硬化性成分（Ｂ）、光重合開始剤（Ｈ）、着色剤（Ｉ）、充填材（Ｄ）、カップリング剤（Ｅ）、架橋剤（Ｆ）及び汎用添加剤（Ｊ）と同じものが挙げられる。
【０１８６】
樹脂層形成用組成物（ＩＶ）において、前記熱硬化性成分、光重合開始剤、着色剤、充填材、カップリング剤、架橋剤及び汎用添加剤は、それぞれ、１種を単独で用いてもよいし、２種以上を併用してもよく、２種以上を併用する場合、それらの組み合わせ及び比率は任意に選択できる。
樹脂層形成用組成物（ＩＶ）における前記熱硬化性成分、光重合開始剤、着色剤、充填材、カップリング剤、架橋剤及び汎用添加剤の含有量は、目的に応じて適宜調節すればよく、特に限定されない。
【０１８７】
樹脂層形成用組成物（ＩＶ）は、希釈によってその取り扱い性が向上することから、さらに溶媒を含有するものが好ましい。
樹脂層形成用組成物（ＩＶ）が含有する溶媒としては、例えば、樹脂層形成用組成物（ＩＩＩ）における溶媒と同じものが挙げられる。
樹脂層形成用組成物（ＩＶ）が含有する溶媒は、１種のみでもよいし、２種以上でもよい。
１つの側面として、樹脂層形成用組成物（ＩＶ）は、エネルギー線硬化性成分（ａ）と、所望により、エネルギー線硬化性基を有しない重合体（ｂ）、熱硬化性成分、光重合開始剤、着色剤、充填材、カップリング剤、架橋剤、汎用添加剤、及び溶媒からなる群より選択される少なくとも１つの成分を含む。
【０１８８】
＜＜エネルギー線硬化性樹脂層形成用組成物の製造方法＞＞
樹脂層形成用組成物（ＩＶ）等のエネルギー線硬化性樹脂層形成用組成物は、これを構成するための各成分を配合することで得られる。
各成分の配合時における添加順序は特に限定されず、２種以上の成分を同時に添加してもよい。
溶媒を用いる場合には、溶媒を溶媒以外のいずれかの配合成分と混合してこの配合成分を予め希釈しておくことで用いてもよいし、溶媒以外のいずれかの配合成分を予め希釈しておくことなく、溶媒をこれら配合成分と混合することで用いてもよい。
配合時に各成分を混合する方法は特に限定されず、撹拌子又は撹拌翼等を回転させて混合する方法；ミキサーを用いて混合する方法；超音波を加えて混合する方法等、公知の方法から適宜選択すればよい。
各成分の添加及び混合時の温度並びに時間は、各配合成分が劣化しない限り特に限定されず、適宜調節すればよいが、温度は１５〜３０℃であることが好ましい。
【０１８９】
上述の第１保護膜形成用シートの例を、図面を参照しながら説明する。
図５は、第１保護膜形成用シートの一例を模式的に示す断面図である。
ここに示す第１保護膜形成用シート８０１は、第１支持シートとして、第１基材上に第１粘着剤層が積層されてなるものを用いている。すなわち、第１保護膜形成用シート８０１は、第１基材８１１を備え、第１基材８１１上に第１粘着剤層８１２を備え、第１粘着剤層８１２上に硬化性樹脂層（硬化性樹脂フィルム）８２を備えて、構成されている。別の側面として、第１支持シートは、第１基材８１１と、第１基材８１１上に積層された第１粘着剤層８１２と、第１粘着剤層８１２上に積層された硬化性樹脂層（硬化性樹脂フィルム）８２とを含む。
第１支持シート８１０は、第１基材８１１及び第１粘着剤層８１２の積層体であり、第１支持シート８１０の一方の表面８１０ａ上、すなわち第１支持シート８１０における第１粘着剤層８１２が積層された側の表面８１２ａ上に、硬化性樹脂層８２が設けられている。
【０１９０】
図６は、第１保護膜形成用シートの他の例を模式的に示す断面図である。
ここに示す第１保護膜形成用シート８０２は、第１支持シートとして、剥離フィルムのみからなるものを用いている。すなわち、第１保護膜形成用シート８０２は、剥離フィルム８２１上に硬化性樹脂層（硬化性樹脂フィルム）８２を備えて、構成されている。別の側面として、第１保護膜形成用シート８０２は、剥離フィルム８２１と、剥離フィルム８２１上に積層された硬化性樹脂層（硬化性樹脂フィルム）８２とを含む。
第１支持シート８２０は剥離フィルム８２１であり、第１支持シート８２０の一方の表面８２０ａ上、すなわち剥離フィルム８２１の一方の表面（本明細書においては、「第１面」と称することがある）８２１ａ上に、硬化性樹脂層８２が設けられている。
剥離フィルム８２１の第１面８２１ａは、剥離処理されている（剥離処理面である）ことが好ましい。
【０１９１】
なお、第１支持シートが第１基材のみからなる第１保護膜形成用シートも、図６に示すものと同様の構成となる。すなわち、図６に示す第１保護膜形成用シート８０２において、符号８２１を付したものが、剥離フィルムではなく第１基材であるものも、第１保護膜形成用シートとして好適である。
【０１９２】
第１保護膜形成用シートは、上述のいずれの場合であっても、第１保護膜形成用シートにおける第１支持シートが設けられている側とは反対側の最表層（例えば硬化性樹脂層の表面）に、さらに剥離フィルムを備えていてもよい。このように剥離フィルムを備えた第１保護膜形成用シートは、保管及び取り扱いが容易である。
この場合の剥離フィルムは、第１保護膜形成用シートの使用時に取り除けばよい。第１支持シートが、先に説明したように剥離フィルムのみからなる場合、第１支持シートとしての剥離フィルムと、第１支持シートとは反対側の最表層に設けられた剥離フィルムとは、互いに同一であってもよいし、異なっていてもよい。
【０１９３】
◇第１保護膜形成用シートの製造方法
第１保護膜形成用シートは、上述の各層を対応する位置関係となるように順次積層することで製造できる。各層の形成方法は、先に説明したとおりである。
【０１９４】
例えば、第１基材、第１粘着剤層及び硬化性樹脂層（硬化性樹脂フィルム）がこの順に、これらの厚さ方向において積層されてなる第１保護膜形成用シート（図５に示す第１保護膜形成用シート等）は、以下に示す方法で製造できる。すなわち、第１基材上に、上述の第１粘着剤組成物を塗工し、必要に応じて乾燥させることで、第１粘着剤層を積層する。また、剥離フィルムの剥離処理面上に、上述の硬化性樹脂層形成用組成物を塗工し、必要に応じて乾燥させることで、硬化性樹脂層を積層する。そして、この剥離フィルム上の硬化性樹脂層を第１基材上の第１粘着剤層と貼り合わせることで、第１基材、第１粘着剤層、硬化性樹脂層及び剥離フィルムがこの順に、これらの厚さ方向において積層されてなる第１保護膜形成用シートを得る。剥離フィルムは、第１保護膜形成用シートの使用時に取り除けばよい。
【０１９５】
上述の第１保護膜形成用シートは、以下に示す方法でも製造できる。すなわち、剥離フィルムの剥離処理面上に、第１粘着剤組成物を塗工し、必要に応じて乾燥させることで、第１粘着剤層を積層する。また、別途、上記と同じ方法で、剥離フィルムの剥離処理面上に、硬化性樹脂層を積層する。そして、剥離フィルム上の第１粘着剤層を第１基材と貼り合わせ、第１粘着剤層上の剥離フィルムを取り除いた後、さらに、第１粘着剤層の剥離フィルムが積層されていた面（露出面）と、上記で得られた、剥離フィルム上の硬化性樹脂層とを貼り合わせることで、第１基材、第１粘着剤層、硬化性樹脂層及び剥離フィルムがこの順に、これらの厚さ方向において積層されてなる第１保護膜形成用シートを得る。
【０１９６】
上述の各層以外の他の層を備えた第１保護膜形成用シートは、上述の製造方法において、前記他の層の積層位置が適切な位置となるように、前記他の層の積層工程を適宜追加して行うことで、製造できる。
例えば、第１支持シートが、第１基材、第１中間層及び第１粘着剤層がこの順に、これらの厚さ方向において積層されてなる場合の第１保護膜形成用シートは、上述の製造方法において、第１基材と第１粘着剤層との間に、第１中間層が配置されるように、第１中間層の積層工程を追加して行うことで、製造できる。
【０１９７】
また、上述の各層のうち、いずれかの任意の層を備えていない第１保護膜形成用シートは、上述の製造方法において、前記任意の層の積層工程を省略することで、製造できる。
例えば、第１支持シートが、第１基材のみからなる場合の第１保護膜形成用シートは、上述の製造方法において、第１粘着剤層の積層工程を省略することで、製造できる。
【０１９８】
◇第２保護膜形成用シート及びその製造方法
第２保護膜形成用シートとしては、例えば、上述の第１保護膜形成用シートと同様のものが挙げられる。ただし、第２保護膜形成用シートは、第１保護膜形成用シートとは求められる機能が異なるため、必ずしも、第１保護膜形成用シートと同じになる訳ではない。
特に、第２保護膜形成用シートにおける硬化性樹脂層は、第１保護膜形成用シートにおける硬化性樹脂層の場合と同様の成分で構成できるが、硬化性樹脂層の各成分の含有量は、第２保護膜が目的とする機能を十分に発揮できるように、適宜調節することが好ましい。
【０１９９】
なお、本明細書においては、第１保護膜形成用シート中の第１基材、第１中間層及び第１粘着剤層は、第２保護膜形成用シートにおいては、それぞれ第２基材、第２中間層及び第２粘着剤層と称する。
【０２００】
第２保護膜形成用シートは、上述の第１保護膜形成用シートの場合と同じ方法で製造できる。
【０２０１】
・積層構造体作製工程
前記積層構造体作製工程においては、前記保護膜付き半導体チップを、このチップが有するバンプを介して、基板に接合することにより、前記積層構造体を作製する。
前記積層構造体は、新規のものである。
【０２０２】
前記積層構造体作製工程は、例えば、保護膜付き半導体チップのうち、バンプの上部の表面にフラックス剤を塗布し、このバンプの上部を基板と接触させて、この状態でバンプ及び基板を加熱することにより、バンプと基板とを接合して、積層構造体を作製する。この場合の加熱条件は、特に限定されないが、例えば、２２０〜３２０℃で０．５〜１０分間加熱することが好ましい。
【０２０３】
前記積層構造体作製工程以降は、得られた積層構造体を用いて、従来法と同様の方法で、半導体装置を製造できる。
例えば、積層構造体を樹脂で封止して、半導体パッケージとし、この半導体パッケージを用いて、目的とする半導体装置を製造できる。
【０２０４】
・半導体装置
上述の製造方法で得られた半導体装置は、前記積層構造体を備えており、新規のものである。
すなわち、本発明の一実施形態である半導体装置は、バンプを有する保護膜付き半導体チップが、前記バンプを介して基板に接合された積層構造体を含む半導体装置であって、前記保護膜付き半導体チップは、少なくとも、半導体チップのバンプを有する第１面に第１保護膜を備えているか、又は半導体チップの前記第１面とは反対側の第２面に第２保護膜を備えており、前記保護膜付き半導体チップが前記第１保護膜を備えている場合、前記第１保護膜においては、前記バンプの上部が前記第１保護膜を貫通して突出しており、前記第１保護膜又は第２保護膜は、下記方法で前記積層構造体のせん断強度比及び破断危険因子を測定したとき、前記せん断強度比が１．０５〜２であり、前記破断危険因子が−０．９〜０．９となる特性を有する保護膜である。
＜積層構造体のせん断強度比＞
前記基板が銅基板である前記積層構造体の試験片を作製し、前記積層構造体の試験片中の前記銅基板を固定し、前記積層構造体の試験片中の保護膜付き半導体チップに対して、前記銅基板の表面に対して平行な方向に力を加え、前記保護膜付き半導体チップと前記銅基板との接合状態が破壊されたときの前記力を前記積層構造体のせん断強度（Ｎ）とし、
前記第１保護膜及び第２保護膜を備えていない点以外は、前記積層構造体の試験片と同じ構造の比較用積層構造体（比較用試験片）を作製し、前記積層構造体と同じ方法で力を加え、前記比較用試験片の半導体チップと銅基板との接合状態が破壊されたときの前記力を前記比較用積層構造体の比較用せん断強度（Ｎ）としたときに、
［前記積層構造体のせん断強度］／［前記比較用積層構造体の比較用せん断強度］の値を、前記積層構造体のせん断強度比とする。
＜積層構造体の破断危険因子＞
前記積層構造体を構成しているすべての層の、幅５ｍｍ、長さ２０ｍｍの試験片を作製し、すべての前記試験片について、−７０℃から昇温速度５℃／ｍｉｎで２００℃まで昇温させ、２００℃から降温速度５℃／ｍｉｎで−７０℃まで降温させる加熱冷却試験を行い、２３℃から１５０℃まで昇温させたときの前記試験片の膨張量Ｅμｍと、２３℃から−６５℃まで降温させたときの前記試験片の収縮量Ｓμｍと、の合計量である膨張収縮量ＥＳμｍを求め、さらに、［前記試験片の膨張収縮量ＥＳ］×［前記試験片の厚さ］の値である膨張収縮パラメータＰμｍ２を求め、
次いで、［基板の試験片の膨張収縮パラメータＰ］−［基板以外のすべての試験片の膨張収縮パラメータＰの合計値］の値である膨張収縮パラメータ差ΔＰ１μｍ２を求め、
次いで、［基板の試験片の膨張収縮パラメータＰ］−［基板、第１保護膜及び第２保護膜以外のすべての試験片の膨張収縮パラメータＰの合計値］の値である膨張収縮基準パラメータ差ΔＰ０μｍ２を求めたときの、
ΔＰ１／ΔＰ０の値を、前記積層構造体の破断危険因子とする。
【０２０５】
本発明の半導体装置は、前記積層構造体を備えている点以外は、従来の半導体装置と同じ構成とすることができる。
【実施例】
【０２０６】
以下、具体的実施例により、本発明についてより詳細に説明する。ただし、本発明は、以下に示す実施例に、何ら限定されるものではない。【０２０７】
保護膜形成用組成物の製造に用いた成分を以下に示す。
［重合体成分（Ａ）］
（Ａ）−１：下記式（ｉ）−１、（ｉ）−２及び（ｉ）−３で表される構成単位を有するポリビニルブチラール（積水化学工業社製「エスレックＢＬ−１０」、重量平均分子量２５０００、ガラス転移温度５９℃）。
（Ａ）−２：アクリル酸ｎ−ブチル（１質量部）、メタクリル酸メチル（７９質量部）、メタクリル酸グリシジル（５質量部）及びアクリル酸２−ヒドロキシエチル（１５質量部）を共重合してなるアクリル系樹脂（重量平均分子量３７００００、ガラス転移温度７℃）。【０２０８】
【化２】
0006438181.tif 000003
（式中、ｌ１は約２８であり、ｍ１は１〜３であり、ｎ１は６８〜７４の整数である。）【０２０９】
［熱硬化性成分（Ｂ）］
・エポキシ樹脂（Ｂ１）
（Ｂ１）−１：液状エポキシ樹脂（柔軟性骨格が導入されたエポキシ樹脂、ＤＩＣ社製「ＥＸＡ４８５０−１５０」、分子量９００）
（Ｂ１）−２：多官能芳香族型エポキシ樹脂（日本化薬社製「ＥＰＰＮ−５０２Ｈ」）
（Ｂ１）−３：ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂（ＤＩＣ社製「エピクロンＨＰ−７２００ＨＨ」、エポキシ当量２７４〜２８６ｇ／ｅｑ）
（Ｂ１）−４：ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂（日本触媒社製「ＢＰＡ３２８」）・熱硬化剤（Ｂ２）
（Ｂ２）−１：ノボラック型フェノール樹脂（昭和電工社製「ＢＲＧ−５５６」）
（Ｂ２）−２：ジシアンジアミド（固体分散型潜在性硬化剤、ＡＤＥＫＡ社製「アデカハードナーＥＨ−３６３６ＡＳ」、活性水素量２１ｇ／ｅｑ）［硬化促進剤（Ｃ）］
（Ｃ）−１：２−フェニル−４，５−ジヒドロキシメチルイミダゾール（四国化成工業社製「キュアゾール２ＰＨＺ−ＰＷ」）
［充填材（Ｄ）］
（Ｄ）−１：溶融石英フィラー（球状シリカ（龍森社製「ＳＶ−１０」）を物理的に破砕したもの、平均粒子径８μｍ）
［カップリング剤（Ｅ）］
（Ｅ）−１：シランカップリング剤（エポキシ基、メチル基及びメトキシ基を含有するオリゴマー型シランカップリング剤、信越シリコーン社製「Ｘ−４１−１０５６」、エポキシ当量２８０ｇ／ｅｑ）
（Ｅ）−２：３−グリシドキシプロピルトリエトキシシラン（シランカップリング剤、信越シリコーン社製「ＫＢＥ−４０３」、メトキシ当量８．１ｍｍｏｌ／ｇ、分子量２７８．４）
（Ｅ）−３：３−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン（シランカップリング剤、信越シリコーン社製「ＫＢＭ−４０３」、メトキシ当量１２．７ｍｍｏｌ／ｇ、分子量２３６．３）
［着色剤（Ｉ）］
（Ｉ）−１：カーボンブラック（三菱化学社製「ＭＡ６００」、平均粒径２０ｎｍ）【０２１０】
［実施例１］
＜積層構造体の製造＞
（熱硬化性樹脂層形成用組成物の製造（１））
重合体成分（Ａ）−１、エポキシ樹脂（Ｂ１）−１、エポキシ樹脂（Ｂ１）−２、エポキシ樹脂（Ｂ１）−３、熱硬化剤（Ｂ２）−１、及び硬化促進剤（Ｃ）−１を、これらの含有量の割合が表１に示す値となるようにメチルエチルケトンに溶解又は分散させて、２３℃で撹拌することで、熱硬化性樹脂層形成用組成物として、固形分濃度が５５質量％である樹脂層形成用組成物（ＩＩＩ）−１を得た。なお、表１中の含有成分の欄の「−」との記載は、熱硬化性樹脂層形成用組成物がその成分を含有していないことを意味する。また、表１に示す各成分の含有量は、すべて固形分量である。【０２１１】
（粘着性樹脂（Ｉ−２ａ）の製造）
アクリル酸２−エチルヘキシル（８０質量部）及びアクリル酸−２−ヒドロキシエチル（以下、「ＨＥＡ」と略記する）（２０質量部）を共重合してなるアクリル系重合体（分子量約７０００００）に、２−メタクリロイルオキシエチルイソシアネート（以下、「ＭＯＩ」と略記する）（前記アクリル系重合体中のＨＥＡ由来の水酸基の総モル数に対して、２−メタクリロイルオキシエチルイソシアネート中のイソシアネート基の総モル数が０．８倍となる量）を加えて、室温下で１日反応させ、側鎖にメタクリロイルオキシ基を有するアクリル系共重合体である、紫外線硬化性の粘着性樹脂（Ｉ−２ａ）を得た。【０２１２】
（第１粘着剤組成物（Ｉ−２）の製造）
上記で得られた粘着性樹脂（Ｉ−２ａ）（１００質量部）に対し、イソシアネート系架橋剤（日本ポリウレタン社製「コロネートＬ」、トリメチロールプロパンのトリレンジイソシアネート三量体付加物）（２．０質量部）、光重合開始剤（チバ・スペシャリティ・ケミカルズ社製「イルガキュア１８４」、１−ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトン）（０．１質量部）を添加し、撹拌することで、紫外線硬化性である第１粘着剤組成物（Ｉ−２）を得た。【０２１３】
（第１支持シートの製造）
ポリエチレンテレフタレート製フィルムの片面がシリコーン処理により剥離処理された剥離フィルム（リンテック社製「ＳＰ−ＰＥＴ３８１０３１」、厚さ３８μｍ）の前記剥離処理面に、上記で得られた第１粘着剤組成物（Ｉ−２）を塗工し、１００℃で１分加熱乾燥させることにより、厚さ１０μｍの第１粘着剤層を形成した。
次いで、剥離フィルム上の第１粘着剤層と、ポリウレタンアクリレート製フィルムからなる第１基材（厚さ４００μｍ）とを貼り合わせて、第１基材及び第１粘着剤層が積層されてなり、第１粘着剤層上に剥離フィルムを備えた第１支持シートを得た。【０２１４】
（第１保護膜形成用シートの製造）
ポリエチレンテレフタレート製フィルムの片面がシリコーン処理により剥離処理された剥離フィルム（リンテック社製「ＳＰ−ＰＥＴ３８１０３１」、厚さ３８μｍ）の前記剥離処理面に、上記で得られた樹脂層形成用組成物（ＩＩＩ）−１を塗工し、１２０℃で２分間加熱乾燥させることにより、厚さ３０μｍの熱硬化性樹脂フィルムを形成した。
次いで、前記第１支持シートから剥離フィルムを取り除き、露出した第１粘着剤層と、上記で得られた剥離フィルム上の熱硬化性樹脂フィルムと、を貼り合わせて、第１基材、第１粘着剤層、熱硬化性樹脂フィルム及び剥離フィルムがこの順に、これらの厚さ方向において積層されてなる、図５に示す構成を有する第１保護膜形成用シートを得た。【０２１５】
（熱硬化性樹脂層形成用組成物の製造（２））
重合体成分（Ａ）−２、エポキシ樹脂（Ｂ１）−３、エポキシ樹脂（Ｂ１）−４、熱硬化剤（Ｂ２）−２、硬化促進剤（Ｃ）−１、充填材（Ｄ）−１、カップリング剤（Ｅ）−１、カップリング剤（Ｅ）−２、カップリング剤（Ｅ）−３、及び着色剤（Ｉ）−１を、これらの含有量の割合が表１に示す値となるようにメチルエチルケトンに溶解又は分散させて、２３℃で撹拌することで、熱硬化性樹脂層形成用組成物として、固形分濃度が５５質量％である樹脂層形成用組成物（ＩＩＩ）−２を得た。【０２１６】
（第２支持シートの製造）
ポリエチレンテレフタレート製フィルムの片面がシリコーン処理により剥離処理された剥離フィルム（リンテック社製「ＳＰ−ＰＥＴ３８１０３１」、厚さ３８μｍ）の前記剥離処理面に、上述の第１粘着剤組成物（Ｉ−２）を塗工し、加熱乾燥させることにより、第１粘着剤層を形成した。
次いで、剥離フィルム上の第１粘着剤層と、ポリオレフィン製フィルムからなる第２基材（厚さ１００μｍ）とを貼り合わせて、第２基材、第１粘着剤層及び剥離フィルムがこの順に、これらの厚さ方向において積層されてなる積層物を作製した。
次いで、得られた積層物の剥離フィルム側から第１粘着剤層に対して、照度２３０ｍＷ／ｃｍ２、光量１２０ｍＪ／ｃｍ２の条件で紫外線を照射し、紫外線硬化させることで、第２粘着剤層として、厚さ１０μｍの第１粘着剤層の紫外線硬化物が第２基材上に積層され、さらに第２粘着剤層上に剥離フィルムを備えた第２支持シートを得た。【０２１７】
（第２保護膜形成用シートの製造）
ポリエチレンテレフタレート製フィルムの片面がシリコーン処理により剥離処理された剥離フィルム（リンテック社製「ＳＰ−ＰＥＴ３８１０３１」、厚さ３８μｍ）の前記剥離処理面に、上記で得られた樹脂層形成用組成物（ＩＩＩ）−２を塗工し、１２０℃で２分間加熱乾燥させることにより、厚さ２５μｍの熱硬化性樹脂フィルムを形成した。
次いで、前記第２支持シートから剥離フィルムを取り除き、露出した第２粘着剤層と、上記で得られた剥離フィルム上の熱硬化性樹脂フィルムと、を貼り合わせて、第２基材、第２粘着剤層、熱硬化性樹脂フィルム及び剥離フィルムがこの順に、これらの厚さ方向において積層されてなる、図５に示す構成を有する第２保護膜形成用シートを得た。【０２１８】
（積層構造体の製造）
半導体ウエハとして、８インチシリコンウエハの回路面に、図１に示すものと同様の形状で、高さが２００μｍ、幅が２５０μｍであるバンプを、バンプ間の距離を４００μｍとして多数有するシリコンウエハ（直径２００ｍｍ、厚さ２５０μｍ）を用意した。
そして、上記で得られた第１保護膜形成用シートから剥離フィルムを取り除き、熱硬化性樹脂フィルムを７０℃で加熱しながら、この熱硬化性樹脂フィルムの新たに生じた露出面（第１粘着剤層を備えている側とは反対側の面）を、上述のシリコンウエハの第１面（バンプ形成面）に貼付し、熱硬化性樹脂フィルムを回路面とバンプの表面に密着させた。
次いで、熱硬化性樹脂フィルムから第１支持シートを取り除いた。【０２１９】
一方、上記で得られた第２保護膜形成用シートから剥離フィルムを取り除き、熱硬化性樹脂フィルムを７０℃で加熱しながら、この熱硬化性樹脂フィルムの新たに生じた露出面（第２粘着剤層を備えている側とは反対側の面）を、上述のシリコンウエハの第２面（裏面）に貼付した。【０２２０】
以上により、第２基材、第２粘着剤層、硬化性樹脂フィルム、半導体ウエハ、及び硬化性樹脂フィルムがこの順に積層されてなる積層体を得た。
次いで、上記の２層の熱硬化性樹脂フィルムを、１３０℃で２時間加熱処理することで熱硬化させて、第１保護膜及び第２保護膜を形成した。
次いで、ダイシングブレードを用いて、これら第１保護膜及び第２保護膜を備えた半導体ウエハをダイシングして個片化することにより、大きさが６ｃｍ×６ｃｍであり、第１面に第１保護膜を備え、第２面に第２保護膜を備えてなる、保護膜付き半導体チップを得た。
次いで、この保護膜付き半導体チップを、第２基材及び第２粘着剤層の積層シート（ダイシングシートに相当）から引き離して、ピックアップした。【０２２１】
次いで、この保護膜付き半導体チップの、第１保護膜を貫通して突出しているバンプ上部の表面にフラックス剤を塗布し、このバンプの上部に、ガラスエポキシ樹脂を構成材料とする有機基板（厚さ９３０μｍ）を載せて、この状態でバンプ及び有機基板を、３００℃のヒーター上で１分間加熱することにより、バンプを介して保護膜付き半導体チップを有機基板に接合して、積層構造体を得た。加熱後、得られた積層構造体を洗浄して、フラックス剤を取り除いた。ここで得られた積層構造体は、第１面に第１保護膜を備え、第２面に第２保護膜を備えた保護膜付き半導体チップが、そのバンプを介して有機基板に接合されたものである。【０２２２】
＜積層構造体の評価＞
（せん断強度比の算出）
上記と同じ方法で保護膜付き半導体チップを得た。
次いで、この保護膜付き半導体チップの、第１保護膜を貫通して突出しているバンプ上部の表面にフラックス剤を塗布し、このバンプの上部に、銅基板（厚さ９３０μｍ）を載せて、この状態でバンプ及び銅基板を、３００℃のヒーター上で１分間加熱することにより、バンプを介して保護膜付き半導体チップを銅基板に接合して、積層構造体を得た。加熱後、得られた積層構造体を洗浄して、フラックス剤を取り除いた。ここで得られた積層構造体は、有機基板に代えて銅基板を備えている点以外は、上述の有機基板を備えた積層構造体と同じものである。このような積層構造体を４個製造した。【０２２３】
次いで、接合強度試験機器（Ｎｏｒｄｓｏｎ社製「ＤＡＧＥ４０００  ダイシェアテスター」）を用いて、上記で得られた、銅基板を備えた積層構造体について、ダイシェアテストを行うことにより、保護膜付き半導体チップと銅基板との接合強度、すなわちせん断強度を測定した。
より具体的には、せん断強度は以下の方法で測定した。すなわち、接合強度試験機器に積層構造体をセットして、積層構造体中の銅基板を固定し、積層構造体中の保護膜付き半導体チップに対して、銅基板の表面に対して平行な方向に力を加えた。このとき、保護膜付き半導体チップに力を加えるツールとしては型番「ＳＨＲ−２５０−９０００」のものを用い、ロードセルとしては型番「ＤＳ１００」のものを用い、シェア速度１００μｍ／ｓｅｃ、シェア高さ５μｍの条件で力を加えた。そして、保護膜付き半導体チップと銅基板との接合状態が破壊されたときに加えられていた力を読み取って、その値を積層構造体のせん断強度（Ｎ）とした。４個の積層構造体について、このようにせん断強度を測定し、このときの測定値の平均値を積層構造体のせん断強度（Ｎ）として採用した。【０２２４】
別途、第１保護膜及び第２保護膜を備えていない点以外は、上述の銅基板を備えた積層構造体と同じ構造の比較用積層構造体を４個作製した。
次いで、この比較用積層構造体に対して、上述の積層構造体の場合と同じ方法で力を加え、半導体チップと銅基板との接合状態が破壊されたときに加えられていた力を読み取って、その値を比較用積層構造体の比較用せん断強度（Ｎ）とした。４個の比較用積層構造体について、このように比較用せん断強度を測定し、このときの測定値の平均値を比較用積層構造体の比較用せん断強度（Ｎ）として採用した。【０２２５】
これらせん断強度（Ｎ）の測定値を用いて、［積層構造体のせん断強度（Ｎ）］／［比較用積層構造体の比較用せん断強度（Ｎ）］の値を算出し、この値を積層構造体のせん断強度比とした。結果を表２に示す。【０２２６】
（積層構造体の破断危険因子の算出）
上述の有機基板を備えた積層構造体を構成しているすべての層、すなわち、基板（有機基板）、第１保護膜、半導体チップ及び第２保護膜の試験片を作製した。これら試験片は、その幅が５ｍｍであり、長さが２０ｍｍであって、このように大きさ（幅と長さ）が異なる点以外は、積層構造体を構成している各層と同じ（すなわち、各試験片の厚さは積層構造体を構成している各層の厚さと同じ）ものである。試験片は１種につきそれぞれ４個作製した。
次いで、熱機械分析装置（ＮＥＴＣＨ社製「ＴＭＡ４０００ＳＡ」）を用いて、すべての前記試験片について、−７０℃から昇温速度５℃／ｍｉｎで２００℃まで昇温させ、２００℃から降温速度５℃／ｍｉｎで−７０℃まで降温させる加熱冷却試験を行い、２３℃から１５０℃まで昇温させたときの試験片の膨張量Ｅμｍと、２３℃から−６５℃まで降温させたときの試験片の収縮量Ｓμｍと、を測定した。
そして、試験片ごとに、これら測定値の合計量（絶対値の和）である膨張収縮量ＥＳμｍを求め、さらに、［試験片の膨張収縮量ＥＳ（μｍ）］×［試験片の厚さ（μｍ）］の値を算出し、膨張収縮パラメータＰμｍ２とした。４個の試験片について、このように膨張収縮パラメータＰμｍ２を求め、その平均値を試験片の膨張収縮パラメータＰμｍ２として採用した。【０２２７】
次いで、［基板の試験片の膨張収縮パラメータＰ（μｍ２）］−［基板以外のすべての試験片の膨張収縮パラメータＰの合計値（μｍ２）］の値である膨張収縮パラメータ差ΔＰ１μｍ２を求めた。ここで、「基板以外のすべての試験片」とは、半導体チップ、第１保護膜及び第２保護膜の試験片である。【０２２８】
次いで、［基板の試験片の膨張収縮パラメータＰ（μｍ２）］−［基板、第１保護膜及び第２保護膜以外のすべての試験片の膨張収縮パラメータＰの合計値（μｍ２）］の値である膨張収縮基準パラメータ差ΔＰ０μｍ２を求めた。ここで、「基板、第１保護膜及び第２保護膜以外のすべての試験片」とは、半導体チップの試験片である。【０２２９】
次いで、ΔＰ１／ΔＰ０の値を算出し、この値を積層構造体の破断危険因子とした。結果を表２に示す。【０２３０】
（信頼性評価）
上述の有機基板を備えた積層構造体について、ＪＥＤＥＣ  ＳＴＡＮＤＥＲＤ  ２２−Ａ１０４Ｅに準拠して、条件Ｃ（−６５℃〜１５０℃、晒し時間１０分間）によって、温度サイクル試験（ＴＣＴと略すことがある）を行い、保護膜付き半導体チップと有機基板との接合状態が破壊されるまでのサイクル数（回）を確認した。４個の積層構造体についてこの温度サイクル試験を行い、前記サイクル数の平均値を求めて、その値を積層構造体の信頼性の指標とした。結果を表２に示す。【０２３１】
＜積層構造体の製造及び評価＞
［実施例２］
第２保護膜を形成しなかった点以外は、実施例１の場合と同じ方法で、積層構造体を得た。ここで得られた積層構造体は、第１面に第１保護膜を備え、第２面に第２保護膜を備えていない保護膜付き半導体チップが、そのバンプを介して基板に接合されたものである。
そして、得られた積層構造体を、実施例１の場合と同じ方法で評価した。結果を表２に示す。【０２３２】
［実施例３］
半導体ウエハとして、厚さが２５０μｍではなく５００μｍであり、その他の点は実施例２で用いたものと同じであるシリコンウエハを用意した。そして、このシリコンウエハを用いた点以外は、実施例２の場合と同じ方法で積層構造体を製造し、評価した。結果を表２に示す。【０２３３】
［実施例４］
半導体ウエハとして、厚さが２５０μｍではなく５００μｍであり、その他の点は実施例１で用いたものと同じであるシリコンウエハを用意した。
また、表１に示すように、充填材（Ｄ）−１（２３０質量部）を新たに用いた点以外は、上述の樹脂層形成用組成物（ＩＩＩ）−１の場合と同じ方法で、熱硬化性樹脂層形成用組成物として、固形分濃度が６９質量％である樹脂層形成用組成物（ＩＩＩ）−３を得た。
そして、これらシリコンウエハと樹脂層形成用組成物（ＩＩＩ）−３を用いた点以外は、実施例２の場合と同じ方法で積層構造体を製造し、評価した。結果を表２に示す。【０２３４】
［実施例５］
第２保護膜の厚さを２５μｍに代えて４３μｍとし、第１保護膜を形成しなかった点以外は、実施例１の場合と同じ方法で、積層構造体を得た。ここで得られた積層構造体は、第２面に第２保護膜を備え、第１面に第１保護膜を備えていない保護膜付き半導体チップが、そのバンプを介して基板に接合されたものである。
そして、得られた積層構造体を、実施例１の場合と同じ方法で評価した。結果を表３に示す。【０２３５】
［比較例１］
硬化促進剤（Ｃ）−１を用いなかった点以外は、実施例１の場合と同じ方法で、熱硬化性樹脂層形成用組成物として、樹脂層形成用組成物（ＩＸ）−１を得た。
そして、樹脂層形成用組成物（ＩＩＩ）−１に代えて、この樹脂層形成用組成物（ＩＸ）−１を用いた点以外は、実施例２の場合と同じ方法で、積層構造体を製造し、その評価を行った。結果を表３に示す。【０２３６】
［比較例２］
半導体ウエハとして、厚さが２５０μｍではなく５００μｍであり、その他の点は実施例１で用いたものと同じであるシリコンウエハを用意した。
そして、このシリコンウエハを用い、第１保護膜を形成しなかった点以外は、実施例１の場合と同じ方法で、積層構造体を得た。ここで得られた積層構造体は、第２面に第２保護膜を備え、第１面に第１保護膜を備えていない保護膜付き半導体チップが、そのバンプを介して基板に接合されたものである。
そして、得られた積層構造体を、実施例１の場合と同じ方法で評価した。結果を表３に示す。【０２３７】
＜比較用積層構造体の製造及び評価＞
［実験例１］
半導体ウエハとして、実施例１で用いたものと同じもの（すなわち、８インチシリコンウエハ）を用い、その第２面（裏面）にダイシングシートを貼付した。
次いで、実施例１の場合と同じ方法で、この第１保護膜及び第２保護膜をいずれも備えていない半導体ウエハをダイシングして個片化することにより、半導体チップとし、この半導体チップをピックアップした。
次いで、上述の保護膜付き半導体チップに代えて、この第１保護膜及び第２保護膜をいずれも備えていない半導体チップを用いた点以外は、実施例１の場合と同じ方法で、積層構造体（比較用積層構造体）を得た。ここで得られた比較用積層構造体は、半導体チップが単独で、そのバンプを介して基板に接合されたものであり、上述の銅基板を備えた比較用積層構造体とは異なるものである。
次いで、この比較用積層構造体について、実施例１の場合と同じ方法で、信頼性評価を行った。結果を表３に示す。【０２３８】
【表１】
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【０２３９】
【表２】
0006438181.tif 000005
【０２４０】
【表３】
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【０２４１】
上記結果から明らかなように、実施例１〜５においては、積層構造体のせん断強度比が１．１５〜２．００であり、破断危険因子が０．８３〜０．９０であることにより、保護膜付き半導体チップと有機基板との接合状態が破壊されるまでのサイクル数が３００回以上であり、温度変化が激しい条件下においても、長時間にわたって、保護膜付き半導体チップの基板に対する接合が安定していた。【０２４２】
これに対して、比較例１においては、積層構造体のせん断強度比が１．０５未満であり、破断危険因子が０．９より大きいことにより、保護膜付き半導体チップと有機基板との接合状態が破壊されるまでのサイクル数が少なく、温度変化が激しい条件下において、保護膜付き半導体チップの基板に対する接合が不安定であった。
比較例２においては、積層構造体のせん断強度比が２より大きく、破断危険因子が０．９より大きいことにより、保護膜付き半導体チップと有機基板との接合状態が破壊されるまでのサイクル数が少なく、温度変化が激しい条件下において、保護膜付き半導体チップの基板に対する接合が不安定であった。
【産業上の利用可能性】
【０２４３】
本発明は、フリップチップ実装方法で使用される、接続パッド部にバンプを有する半導体チップ等の製造に利用可能である。
【符号の説明】
【０２４４】
１，２，３・・・積層構造体
１０，２０，３０・・・保護膜付き半導体チップ
１１・・・半導体チップ
１１ａ・・・半導体チップの第１面
１１ｂ・・・半導体チップの第２面
１１１・・・バンプ
１１１ａ・・・バンプの上部
１２・・・第１保護膜
１３・・・第２保護膜
１４・・・基板
１４ａ・・・基板の第１面
９・・・比較用積層構造体
【要約】
半導体装置の製造方法であって、少なくとも、半導体チップにおけるバンプを有する第１面に第１保護膜を備えているか、又は半導体チップにおける前記第１面とは反対側の第２面に第２保護膜を備えている、保護膜付き半導体チップを作製することと、この保護膜付き半導体チップが、バンプを介して基板に接合された積層構造体を作製することと、を含み；この保護膜付き半導体チップの作製では、第１保護膜は、このバンプの上部が第１保護膜を貫通して突出するよう形成され；第１保護膜又は第２保護膜は、この積層構造体のせん断強度比が１．０５〜２となり破断危険因子が−０．９〜０．９となる特性を有する保護膜である、半導体装置の製造方法。【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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