(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
一面（１１）と他面（１２）とが表裏の板面の関係にある板状のアイランド（１０）と、
前記アイランドの一面に搭載された半導体素子（２０）と、
前記半導体素子とともに前記アイランドの一面側および前記アイランドの他面側を封止するモールド樹脂（３０）と、を備え、
前記アイランドの一面側からの平面視にて、前記モールド樹脂のうち前記アイランドの一面側に位置する部位（３１）の表面（３１ａ）において、前記半導体素子の投影領域（Ｒ１）の少なくとも一部に、凹部（３３）が設けられており、
前記モールド樹脂のうち前記モールド樹脂を成形する際の金型のゲート側の部位をゲート部（３０ａ）とし、前記金型のエアベント側の部位をエアベント部（３０ｂ）として、前記凹部は、前記ゲート部および前記エアベント部の両側において前記投影領域の外側に延びると共に、前記ゲート部側に延びた部分が前記エアベント部側に延びた部分よりも長いことを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
前記アイランドの一面側からの平面視にて、前記モールド樹脂のうち前記アイランドの一面側に位置する部位の表面において、前記半導体素子の投影領域の全体を含み、当該投影領域よりも広い範囲に、前記凹部が設けられていることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】
一面（１１）と他面（１２）とが表裏の板面の関係にある板状のアイランド（１０）と、
前記アイランドの一面に搭載された半導体素子（２０）と、
前記半導体素子とともに前記アイランドの一面側および前記アイランドの他面側を封止するモールド樹脂（３０）と、を備え、
前記アイランドの一面側からの平面視にて、前記モールド樹脂のうち前記アイランドの一面側に位置する部位（３１）の表面（３１ａ）において、前記半導体素子の投影領域（Ｒ１）の少なくとも一部に、凹部（３３）が設けられている半導体装置の製造方法であって、
前記アイランドの前記一面上に前記半導体素子が搭載されたものを用意することと、
前記モールド樹脂を成形するための金型であって、前記モールド樹脂の材料を注入するゲートと、前記金型内の空気を抜くエアベントと、前記凹部を形成するための凸部と、を有する前記金型を用意することと、
前記半導体素子が搭載された前記アイランドを封止すると共に、前記投影領域に前記凹部を備える前記モールド樹脂を成形することと、を含み、
前記モールド樹脂のうち前記ゲート側の部位をゲート部（３０ａ）とし、前記エアベント側の部位をエアベント部（３０ｂ）として、
前記モールド樹脂を成形することにおいては、前記凹部が前記ゲート部および前記エアベント部の両側において前記投影領域の外側に延び、かつ前記凹部のうち前記ゲート部側に延びた部分が前記エアベント部側に延びた部分よりも長くすることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、アイランドの一面側に半導体素子を搭載し、半導体素子とともにアイランドの両板面側をモールド樹脂で封止してなる半導体装置およびその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、この種の半導体装置としては、一面と他面とが表裏の板面の関係にある板状のアイランドと、アイランドの一面に搭載された半導体素子と、半導体素子とともにアイランドの一面側およびアイランドの他面側を封止するモールド樹脂と、を備えたものが提案されている（特許文献１参照）。
【０００３】
このような半導体装置は、アイランドの表裏両板面側がモールド樹脂で封止されているため、いわゆるフルモールドタイプと呼ばれている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開平２−２７１６４８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
ところで、このフルモールドタイプの半導体装置においては、モールド樹脂について、アイランドの他面側の部分の厚さがアイランドの一面側の部分の厚さよりも薄くされている。これは、半導体素子とは反対側のアイランドの他面側から放熱を行うことや、アイランド自体にヒートシンク機能を持たせるべくアイランドを厚くすること等の理由によるものである。
【０００６】
このような場合、モールド樹脂のうち半導体素子を封止するアイランドの一面側の部分は、比較的厚いため、モールド樹脂に起因する半導体素子への応力も大きくなりやすい。そのため、半導体素子とモールド樹脂との剥離や、当該応力による半導体素子の特性変動などが懸念される。
【０００７】
また、モールド樹脂は、通常、トランスファーモールド法により成形されるが、アイランドの一面側と他面側とでモールド樹脂の厚さが大きく異なると、樹脂成形時におけるモールド樹脂の流動断面積の差も大きくなる。そうすると、樹脂成形時において、アイランドの一面側と他面側とでモールド樹脂の流速差が大きくなり、モールド樹脂においてボイドの発生が起こりやすくなる。
【０００８】
本発明は、上記問題に鑑みてなされたものであり、フルモールドタイプの半導体装置において、モールド樹脂による半導体素子への応力を低減しつつ、モールド樹脂におけるボイド発生を抑制するのに適した構成を実現することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上記目的を達成するため、請求項１に記載の発明では、一面（１１）と他面（１２）とが表裏の板面の関係にある板状のアイランド（１０）と、アイランドの一面に搭載された半導体素子（２０）と、半導体素子とともにアイランドの一面側およびアイランドの他面側を封止するモールド樹脂（３０）と、を備え、
アイランドの一面側からの平面視にて、モールド樹脂のうちアイランドの一面側に位置する部位（３１）の表面（３１ａ）において、半導体素子の投影領域（Ｒ１）の少なくとも一部に、凹部（３３）が設けられおり、
モールド樹脂のうち該モールド樹脂を成形する際の金型のゲート側の部位をゲート部（３０ａ）とし、金型のエアベント側の部位をエアベント部（３０ｂ）として、凹部は、ゲート部およびエアベント部の両側において投影領域の外側に延びると共に、ゲート部側に延びた部分がエアベント部側に延びた部分よりも長いことを特徴とする。
【００１０】
それによれば、モールド樹脂のうちアイランドの一面側にて半導体素子上に存在する部位は、凹部の分、減量されたものになるため、モールド樹脂に起因する半導体素子への応力が抑制される。
【００１１】
また、モールド樹脂のうちアイランドの一面側に位置する部位は、凹部の部分では厚さが薄くなるため、アイランドの一面側と他面側とで、樹脂成形時におけるモールド樹脂の流動断面積の差が小さくなる。そのため、樹脂成形時におけるアイランド両板面でのモールド樹脂の流速差が低減され、モールド樹脂におけるボイド発生を抑制しやすくなる。
【００１２】
よって、本発明によれば、モールド樹脂による半導体素子への応力を低減しつつ、モールド樹脂におけるボイド発生を抑制するのに適した構成を実現することができる。
【００１３】
なお、特許請求の範囲およびこの欄で記載した各手段の括弧内の符号は、後述する実施形態に記載の具体的手段との対応関係を示す一例である。
【図面の簡単な説明】
【００１４】
【図１】本発明の第１実施形態にかかる半導体装置を示す概略断面図である。
【図２】図１中のアイランドの一面側からの平面視による概略平面図である。
【図３】本発明の第２実施形態にかかる半導体装置を示す概略断面図である。
【図４】図３中のアイランドの一面側からの平面視による概略平面図である。
【図５】本発明の第３実施形態にかかる半導体装置を示す概略断面図である。
【図６】本発明の第４実施形態にかかる半導体装置を示す概略断面図である。
【図７】本発明の第５実施形態にかかる半導体装置をアイランドの一面側からの平面視により示す概略平面図である。
【図８】本発明の第６実施形態にかかる半導体装置をアイランドの一面側からの平面視により示す概略平面図である。
【図９】本発明の他の実施形態にかかる半導体装置を示す概略断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１５】
以下、本発明の実施形態について図に基づいて説明する。なお、以下の各実施形態相互において、互いに同一もしくは均等である部分には、説明の簡略化を図るべく、図中、同一符号を付してある。
【００１６】
（第１実施形態）
本発明の第１実施形態にかかる半導体装置Ｓ１について、図１、図２を参照して述べる。この半導体装置Ｓ１は、たとえば自動車などの車両に搭載され、車両用の各種電子装置を駆動するための装置として適用されるものである。
【００１７】
本実施形態の半導体装置Ｓ１は、大きくは、一面１１と他面１２とが表裏の板面の関係にある板状のアイランド１０と、アイランド１０の一面１１に搭載された半導体素子２０と、これらを封止するモールド樹脂３０と、を備えて構成されている。
【００１８】
アイランド１０は、本実施形態では、リードフレーム１００のアイランド１０として構成されている。リードフレーム１００は、一面と他面とが表裏の板面の関係にある板状をなすもので、素子搭載部としてのアイランド１０、および、外部との接続用をなすリード端子１３を有するものである。
【００１９】
ここで、アイランド１０の一面１１、および、リード端子１３の一面１４は、ともにリードフレーム１００の一面に相当し、アイランド１０の他面１２、および、リード端子１３の他面１５は、ともにリードフレーム１００の他面に相当する。
【００２０】
そして、ここでは、アイランド１０の一面１１がチップ搭載用の搭載面とされ、リード端子１３の一面１４がワイヤボンディング面とされている。また、本実施形態では、図１に示されるように、アイランド１０の一面１１とリード端子１３の一面１４とは同一平面にあり、同一高さとされている。
【００２１】
また、ここでは、アイランド１０は、矩形板状をなす。アイランド１０は、リード端子１３と同じ板厚であってもよいが、ヒートシンクとしての機能（蓄熱機能）を持たせるために、ここではリード端子１３よりも板厚が大きいものとされている。
【００２２】
このようなアイランド１０およびリード端子１３を有するリードフレーム１００は、Ｃｕなどの通常のリードフレーム材料からなるものであり、１枚の板材をプレスやエッチング加工する等によって、アイランド１０とリード端子１３とのパターンを形成したものである。なお、アイランド１０とリード端子１３とは、タイバーなどで一体に連結された状態でモールド樹脂３０に封止された後、リードカットにより分離されるものである。
【００２３】
半導体素子２０は、アイランド１０の一面１１上に、はんだやＡｇ（銀）ペーストあるいは樹脂等よりなる接着剤４０を介して接着されている。この半導体素子２０は、たとえば、マイコンや制御素子もしくはパワー素子等よりなるもので、図１、図２に示されるように、典型的には矩形板状をなす。
【００２４】
そして、半導体素子２０とリード端子１３の一面１４とは、Ａｕ（金）やＡｌ（アルミニウム）あるいはＣｕ（銅）などからなるボンディングワイヤ５０を介して結線されており、互いに電気的に接続されている。
【００２５】
モールド樹脂３０は、エポキシ樹脂等の熱硬化性樹脂等より構成されるもので、図示しない金型を用いたトランスファーモールド法により成形されている。具体的には、当該金型のゲートよりモールド樹脂３０を金型内に注入し、当該金型のエアベントで空気を抜くことにより樹脂成形が行われる。なお、図１、図２のモールド樹脂３０には、成形時におけるゲート側の部位であるゲート部３０ａ、および、エアベント側の部位であるエアベント部３０ｂを示してある。
【００２６】
そして、本実施形態では、典型的なフルモールドタイプと同様、モールド樹脂３０は、半導体素子２０およびボンディングワイヤ５０とともに、アイランド１０の一面１１側およびアイランド１０の他面１２側を封止している。
【００２７】
また、リード端子１３については、ボンディングワイヤ５０の接続部側がインナーリードとしてモールド樹脂３０に封止され、一部がアウターリードとしてモールド樹脂３０より突出している。
【００２８】
なお、図２および以下に述べる各平面図においては、リード端子１３においてモールド樹脂３０より突出するアウターリードは、図示を省略してある。リード端子１３のアウターリードには、図示しないが、外部との接続を行うために、必要に応じて曲げ加工等のリード成形が施されている。
【００２９】
モールド樹脂３０は、半導体素子２０とアイランド１０との積層方向（図１の上下方向）を板厚とする板状をなす。ここで、モールド樹脂３０のうちアイランド１０の一面１１側に位置する部位である一面側樹脂部３１は、図１において両矢印に示されるように、アイランド１０の一面１１よりも上側に位置する部位である。
【００３０】
そして、この一面側樹脂部３１を示す両矢印の長さが、そのまま一面側樹脂部３１の厚さに相当する。また、モールド樹脂３０のうち、アイランド１０の一面１１側からの平面視にて現れる一面側樹脂部３１の表面を、モールド樹脂３０の上表面３１ａとする。
【００３１】
一方、モールド樹脂３０のうちアイランド１０の他面１２側に位置する部位である他面側樹脂部３２は、図１において両矢印に示されるように、アイランド１０の他面１２よりも下側に位置する部位である。そして、この他面側樹脂部３２を示す両矢印の長さが、そのまま他面側樹脂部３２の厚さに相当する。
【００３２】
［凹部等について］
このような半導体装置Ｓ１において、本実施形態では、アイランド１０の一面１１側からの平面視にて、モールド樹脂３０のうち一面側樹脂部３１の表面において、半導体素子２０の投影領域Ｒ１の少なくとも一部に、凹部３３が設けられている。
【００３３】
言い換えれば、アイランド１０の一面１１に直交する方向から半導体装置Ｓ１を視たとき、モールド樹脂３０の上表面３１ａに半導体素子２０を投影した半導体素子２０の投影領域Ｒ１には、凹んだ凹部３３が設けられている。さらに言えば、アイランド１０の一面１１側からの平面視にて、上表面３１ａに位置する凹部３３と、モールド樹脂３０内部の半導体素子２０とが、重なった配置とされている。
【００３４】
図１、図２の例では、凹部３３は、平面形状（開口形状）および断面形状が共に矩形の凹部であり、さらに言えば空間形状が直方体をなす凹部である。ここでは、凹部３３と半導体素子２０とは共に平面矩形であるけれども、その矩形の形状およびサイズが異なるものとされており、凹部３３は、半導体素子２０の投影領域Ｒ１の一部と重なって配置されている。
【００３５】
なお、凹部３３の平面形状や平面サイズを適宜変更することにより、半導体素子２０の投影領域Ｒ１の全体に凹部３３が配置されるようにしてもよいことは、もちろんである。このような凹部３３については、モールド樹脂３０の成形を行う際の金型に、凹部３３に対応する凸部を形成しておくことにより、樹脂成形時において形成される。
【００３６】
また、図１、図２に示されるように、凹部３３は、モールド樹脂３０の上表面３１ａにて段差をもって凹んだものであり、図１、図２には、凹部３３における開口部側の角部３３ａおよび底部側の角部３３ｂが示してある。ここでは、それぞれの角部３３ａ、３３ｂの平面パターンは、ともに凹部３３の開口部、底部に対応した平面矩形のものとされている。
【００３７】
開口部側の角部３３ａは、上表面３１ａと凹部３３の側面との交差部としての角部であり、底部側の角部３３ｂは、凹部３３の側面と底面との交差部としての角部である。また、限定するものではないが、たとえば凹部３３の深さは数十μｍ〜数ｍｍ程度とすることができる。
【００３８】
［効果等］
ところで、本実施形態によれば、モールド樹脂３０における一面側樹脂部３１のうち半導体素子２０上に存在する部位は、凹部３３の分、減量されたものになるため、モールド樹脂３０に起因する半導体素子２０への応力が抑制される。
【００３９】
また、モールド樹脂３０のうち一面側樹脂部３１は、凹部３３の部分では厚さが薄くなるため、アイランド１０の一面１１側と他面１２側とで、樹脂成形時におけるモールド樹脂３０の流動断面積の差が小さくなる。そのため、樹脂成形時におけるアイランド１０の両板面でのモールド樹脂３０の流速差が低減され、モールド樹脂３０におけるボイド発生を抑制しやすくなる。
【００４０】
よって、本実施形態によれば、モールド樹脂３０による半導体素子２０への応力を低減しつつ、モールド樹脂３０におけるボイド発生を抑制するのに適した構成を実現することができる。
【００４１】
また、本実施形態のようなフルモールドタイプの場合、上述したように、モールド樹脂３０について、他面側樹脂部３２の厚さが一面側樹脂部３１の厚さよりも薄くされている。そのため、通常なら、半導体装置Ｓ１は、モールド樹脂３０の厚さ方向において装置全体が図１中の上側に凸となるように、反りやすくなる。
【００４２】
しかし、本実施形態では、アイランド１０の両板面におけるモールド樹脂３０の厚さの差も凹部３３によって小さくできるので、上記したモールド樹脂３０の厚さ方向における半導体装置Ｓ１の反りも抑制しやすくなる、という効果も期待できる。
【００４３】
（第２実施形態）
本発明の第２実施形態にかかる半導体装置Ｓ２について、図３、図４を参照して述べる。本実施形態は、上記第１実施形態に比べて、凹部３３の平面形状が相違するものであり、ここでは、その相違点を中心に述べることとする。
【００４４】
上記第１実施形態では、凹部３３と半導体素子２０とは、平面形状および平面サイズが異なり、凹部３３は、半導体素子２０の投影領域Ｒ１の一部と重なって配置されていた（図１、図２参照）。
【００４５】
本実施形態では、アイランド１０の一面１１側からの平面視にて、モールド樹脂３０のうち一面側樹脂部３１の表面（つまり上表面３１ａ）に、凹部３３が設けられていることは、上記第１実施形態と同様である。
【００４６】
しかし、本実施形態では、図３、図４に示されるように、凹部３３は、上表面３１ａにおける半導体素子２０の投影領域Ｒ１の全体を含み、当該投影領域Ｒ１よりも広い範囲に設けられている。図示例では、凹部３３の平面形状は、半導体素子２０の投影領域Ｒ１よりも一回り大きい矩形をなしている。
【００４７】
モールド樹脂３０の上表面３１ａに凹部３３を設ける場合、上述したように凹部３３の段差により、凹部３３においては開口部側の角部３３ａ、および、底部側の角部３３ｂが存在する。ここで、これらの角部は、凹部３３の外郭を構成するものであるが、その形状ゆえにモールド樹脂３０において応力が集中しやすい部位である。
【００４８】
これに対して、本実施形態では、凹部３３の平面サイズを半導体素子２０の投影領域Ｒ１全体を包含し、凹部３３の外郭が半導体素子２０の投影領域Ｒ１の外側に位置するものとされている。そのため、凹部３３における上記した角部３３ａ、３３ｂも、半導体素子２０の投影領域Ｒ１の外側に位置することになる。
【００４９】
このようなことから、本実施形態によれば、当該角部３３ａ、３３ｂに集中する応力が半導体素子２０に与える影響を極力抑制しやすいものにでき、モールド樹脂３０による半導体素子２０への応力を低減するという点で好ましい構成が提供される。
【００５０】
（第３実施形態）
本発明の第３実施形態にかかる半導体装置Ｓ３について、図５を参照して述べる。本実施形態は、上記第１実施形態に比べて、凹部３３の平面形状が相違するものであり、ここでは、その相違点を中心に述べることとする。
【００５１】
上記第１実施形態では、凹部３３と半導体素子２０とは平面形状および平面サイズが異なり、凹部３３は、半導体素子２０の投影領域Ｒ１の一部と重なって配置されていた（図１、図２参照）。
【００５２】
本実施形態では、アイランド１０の一面１１側からの平面視にて、モールド樹脂３０のうち一面側樹脂部３１の表面（つまり上表面３１ａ）に、凹部３３が設けられていることは、上記第１実施形態と同様である。
【００５３】
しかし、本実施形態では、図５に示されるように、上表面３１ａにおける半導体素子２０の投影領域Ｒ１と凹部３３とが同一形状および同一サイズであって、互いの外郭が一致している。図示例では、凹部３３の平面形状と半導体素子２０の投影領域Ｒ１とは、同一の矩形であり、同一の位置にあるものとされている。具体的には、図５中の凹部３３の長さＬ１と半導体素子２０の長さＬ２とが同等の関係とされている。
【００５４】
本実施形態によれば、凹部３３における上記した角部３３ａ、３３ｂを、半導体素子２０の投影領域Ｒ１の外郭に位置するものにでき、上記第２実施形態と同様、当該角部に集中する応力が半導体素子２０に与える影響を極力抑制しやすいものにできる。
【００５５】
また、上記第２実施形態のように、凹部３３が半導体素子２０周辺のボンディングワイヤ等の部分まで重なって配置されていると、それら半導体素子２０周辺部を封止するモールド樹脂３０の厚さが十分に確保しにくくなる恐れがある。
【００５６】
その点、本実施形態によれば、半導体素子２０周辺部を封止するモールド樹脂３０の厚さを十分に確保しつつ、モールド樹脂３０による半導体素子２０への応力を低減するという点で好ましい構成を実現できる。
【００５７】
（第４実施形態）
本発明の第４実施形態にかかる半導体装置Ｓ４について、図６を参照して述べる。本実施形態は、上記第１実施形態に比べて、凹部３３の断面形状が相違するものであり、ここでは、その相違点を中心に述べることとする。
【００５８】
上記第１実施形態では、凹部３３の断面形状は、深さ方向に幅が均一な矩形、つまり長方形の断面形状をなしていた（図１参照）。これに対して、図６に示されるように、本実施形態の凹部３３は、深さ方向に幅が狭くなる台形の断面形状をなしている。
【００５９】
この場合も、上記第１実施形態と同様の凹部３３による効果が期待できる。さらに、上記第１実施形態の凹部３３の場合、開口部側の角部３３ａおよび底部側の角部３３ｂは、ともに略直角であったが、本実施形態では、これら角部３３ａ、３３ｂは鈍角であるため、上記第１実施形態に比べて、当該角部に発生する応力集中が緩和され、好ましい。
【００６０】
なお、本実施形態は、凹部３３の断面形状を上記の台形としたものであるから、上記第１実施形態以外にも、上記第２実施形態や上記第３実施形態に対しても、組み合わせて適用できることは言うまでもない。
【００６１】
（第５実施形態）
本発明の第５実施形態にかかる半導体装置Ｓ５について、図７を参照して述べる。本実施形態は、上記第１実施形態に比べて、凹部３３の平面形状が相違するものであり、ここでは、その相違点を中心に述べることとする。
【００６２】
上記第１実施形態では、上記図２に示されるように平面視した際に、凹部３３はモールド樹脂３０の上表面３１ａの内周に収まるサイズであった。これに対して、図７に示されるように、本実施形態の凹部３３は、モールド樹脂３０の上表面３１ａにおける対向する両端間を貫通するものとされている。そして、本実施形態の凹部３３によっても、上記第１実施形態と同様の効果が期待できる。
【００６３】
ここで、図７の例では、上表面３１ａにおいて樹脂成形時のモールド樹脂３０の流れ方向（つまりゲート部３０ａからエアベント部３０ｂへ向かう方向）とは直交する方向の両端間を、凹部３３が貫通している。しかし、これに限定するものではなく、たとえば、上表面３１ａにおいて樹脂成形時のモールド樹脂３０の流れ方向の両端間を、凹部３３が貫通したものであってもよい。
【００６４】
また、図７の例では、凹部３３は、半導体素子２０の投影領域Ｒ１の全体と重なって配置されている。しかし、たとえば、凹部３３の幅（図７中の左右方向の幅）を細くすることにより、凹部３３が、半導体素子２０の投影領域Ｒ１の一部と重なって配置されているものとしてもよい。また、本実施形態の凹部３３においても、上記第４実施形態のように断面形状を台形としてもよい。
【００６５】
（第６実施形態）
本発明の第６実施形態にかかる半導体装置Ｓ６について、図８を参照して述べる。本実施形態は、樹脂成形時のモールド樹脂３０の流れ方向の両側にて、凹部３３が半導体素子２０の投影領域Ｒ１の外側へ延びたものとされた構成であれば、上記各実施形態について適用されるものである。
【００６６】
図８に示されるように、凹部３３は、上記したモールド樹脂３０の流れ方向に沿ってゲート部３０ａ側、および、エアベント部３０ｂ側の両側において、投影領域Ｒ１の外側へ延びた配置とされている。
【００６７】
ここで、本実施形態では、凹部３３の延びる長さは、モールド樹脂３０の流れ方向の両側で同等ではなく、エアベント部３０ｂ側よりもゲート部３０ａ側の方が長いものとなっている。ゲート部３０ａ側に長い凹部３３とすることで、樹脂成形時に、アイランド１０の一面１１側でのモールド樹脂３０の流速をゲート側で減速できるから、上記したアイランド１０の両板面での流速差を低減するという点で望ましい。
【００６８】
（他の実施形態）
なお、上記第１実施形態では、上記図１に示したように、アイランド１０の一面１１とリード端子１３の一面１４とは同一平面にあり、同一高さとされていた。これに限定するものではなく、たとえば、図９に示されるように、半導体素子２０とリード端子１３との高さを極力同一としてワイヤボンディング効率を高めるために、ディプレス加工等により、アイランド１０の一面１１をリード端子１３の一面１４よりも低くしたものであってもよい。
【００６９】
また、アイランドとしては、上記したリードフレーム１００のアイランド１０の他面１２側に、さらに別体のヒートシンクが、加締め等により設けられたものでもよい。つまり、アイランドは、アイランド１０とヒートシンクとの２層構造よりなるものであってもよい。
【００７０】
さらには、アイランドとしては、リード端子１３とは別体の材料から形成されたものであってもよく、そのようなものとしては、たとえばヒートシンク、あるいは、セラミック基板やプリント基板等の配線基板などが挙げられる。
【００７１】
また、凹部３３の平面形状としては、上記した矩形に限定されるものではなく、たとえば円形や矩形以外の多角形等、あるいは不定形などでもよい。
【００７２】
また、上記実施形態では、半導体素子２０を有する半導体装置を示したが、半導体装置としては、加えてチップ抵抗、チップコンデンサ等の受動部品がモールド樹脂３０内に封止された構成であってもよい。
【００７３】
また、半導体装置としては、板状のアイランド１０の一面１１に半導体素子２０を搭載し、半導体素子２０とともにアイランド１０の両板面側をモールド樹脂３０で封止してなる、フルモールドタイプの構成を有するものであればよく、上記したようなリード端子１３がモールド樹脂３０より突出する構成でなくてもよい。たとえば、リード端子としては、モールド樹脂３０の表面と同一面にて露出するものであってもよい。さらには、外部接続用としてリード端子以外の配線部材を採用してもよい。
【００７４】
また、本発明は上記した実施形態に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載した範囲内において適宜変更が可能である。また、上記各実施形態は、互いに無関係なものではなく、組み合わせが明らかに不可な場合を除き、適宜組み合わせが可能であり、また、上記各実施形態は、上記の図示例に限定されるものではない。また、上記各実施形態において、実施形態を構成する要素は、特に必須であると明示した場合および原理的に明らかに必須であると考えられる場合等を除き、必ずしも必須のものではないことは言うまでもない。また、上記各実施形態において、実施形態の構成要素の個数、数値、量、範囲等の数値が言及されている場合、特に必須であると明示した場合および原理的に明らかに特定の数に限定される場合等を除き、その特定の数に限定されるものではない。また、上記各実施形態において、構成要素等の形状、位置関係等に言及するときは、特に明示した場合および原理的に特定の形状、位置関係等に限定される場合等を除き、その形状、位置関係等に限定されるものではない。
【符号の説明】
【００７５】
１０    アイランド
１１    アイランドの一面
１２    アイランドの他面
２０    半導体素子
３０    モールド樹脂
３１    モールド樹脂のうちアイランドの一面側に位置する部位としての一面側樹脂部
３１ａ  モールド樹脂の上表面
３３    凹部
Ｒ１    モールド樹脂の上表面における半導体素子の投影領域
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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