(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板受容面と反対側の底面とを有するプレートと、
第１の端部及び第２の端部を有するシャフトとを備え、
前記第１の端部にシャフトヒータが設けられ、
前記第１の端部は前記底面に結合され,
前記第１の端部はフランジを備え、前記シャフトヒータは前記フランジ内に配置されている、基板支持体。
【請求項２】
前記シャフトヒータが抵抗ヒータである、請求項１に記載の基板支持体。
【請求項３】
前記シャフトヒータが、前記第１の端部の一部に埋め込まれている、請求項２に記載の基板支持体。
【請求項４】
前記シャフトヒータが、前記シャフトに埋め込まれた導体を備える、請求項２に記載の基板支持体。
【請求項５】
前記シャフトヒータに結合され、コントローラに結合された電源と、
前記第１の端部に配置され、前記コントローラに結合されたシャフト温度センサとを更に備え、
前記シャフトヒータ、前記電源、前記コントローラ、及び前記シャフト温度センサが、第１の閉ループ制御回路においてつながっている、請求項１から４のいずれか１項に記載の基板支持体。
【請求項６】
前記プレートが更に、
前記プレートに配置されたプレートヒータと、
前記プレートヒータに結合され、前記コントローラに結合された電源と、
前記プレートに配置され、前記コントローラに結合されたプレート温度センサとを備え、
前記プレートヒータ、前記電源、前記コントローラ、及び前記プレート温度センサは、第２の閉ループ制御回路においてつながっている、請求項５に記載の基板支持体。
【請求項７】
前記コントローラは、前記第１の閉ループ制御回路と、前記第２の閉ループ制御回路とを独立に制御して、前記プレートと前記シャフトとを予め選択された温度に維持するように構成されている、請求項６に記載の基板支持体。
【請求項８】
前記シャフトが、セラミック材料の層から形成されている、請求項１から４のいずれか１項に記載の基板支持体。
【請求項９】
前記セラミック材料は、窒化ケイ素（Ｓｉ３Ｎ４）、アルミナ（Ａｌ２Ｏ３）、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）、又は炭化ケイ素（ＳｉＣ）の内の一又は複数を含む、請求項８に記載の基板支持体。
【請求項１０】
前記シャフトが、セラミック材料の２以上の層から形成されている、請求項８に記載の基板支持体。
【請求項１１】
前記シャフトヒータが、セラミック材料の層に配置されている、請求項８に記載の基板支持体。
【請求項１２】
前記シャフトは更に、前記セラミック材料の層に配置され、前記シャフトヒータに結合された導体を備える、請求項８に記載の基板支持体。
【請求項１３】
基板支持体を作製する方法であって、
基板受容面と、反対側の底面とを有するプレートを形成することと、
第１の端部と、反対側の第２の端部とを備える、セラミック材料の第１の層を形成することと、
前記第１の層の前記第１の端部にヒータを配置することと、
導体の一方の端部が前記ヒータに結合され、前記導体の２番目の端部が前記セラミック材料の前記第２の端部を越えて延在するように、前記第１の層に前記導体を配置することと、
第２の層が少なくとも部分的に前記ヒータをカバーするように、前記第１の層の上に前記セラミック材料の前記第２の層を形成することと、
前記第１の層と、前記第２の層とを処理して、シャフトを形成することと、
前記第１の端部を前記プレートの前記底面に結合させることと
を含む方法。
【請求項１４】
前記ヒータが、前記セラミック材料の前記第１の層にプリントされる、請求項１３に記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
［０００１］本発明の実施形態は一般に、半導体処理機器に関する。
【背景技術】
【０００２】
［０００２］半導体基板処理において、基板の温度はしばしば、重要なプロセスパラメータである。温度の変化、及び処理中の基板表面全体の温度勾配は多くの場合、材料の堆積、エッチング速度、特徴部のテーパー角、段差被覆等に悪影響を及ぼす。多くの場合、処理を促進し、望ましくない特性及び／又は欠陥を最小限に抑えるために、基板処理の前後、最中の基板温度プロファイルの制御装置を有することが望ましい。
【０００３】
［０００３］基板は多くの場合、基板支持体、あるいは、基板支持体を支持するために中央に位置づけされた支持体シャフトを有する台の上に支持されている。基板支持体は多くの場合、その上に配置された基板を加熱するように適合された一又は複数の埋め込みヒータを含む。しかしながら、発明者らは、従来の埋め込みヒータで加熱された基板支持体が、基板支持体の中央領域でしばしば温度の不均一性を示し、この結果、基板の処理結果が不均一になることを観察した。発明者らは、幾つかの場合において、基板支持体の温度の不均一性は、基板支持体から熱を奪い去る支持シャフトが原因でありうることを観察した。
【０００４】
［０００４］従って、発明者らは、温度の均一性が改善された加熱基板支持体の実施形態を提供する。
【発明の概要】
【０００５】
［０００５］本明細書は、温度プロファイルの制御装置を有する基板支持体の方法及び装置を提供するものである。幾つかの実施形態では、基板支持体は、基板受容面と、反対側の底面とを有するプレートと、シャフトヒータを備える第１の端部と、第２の端部とを有するシャフトとを含み、第１の端部は底面に結合されている。
【０００６】
［０００６］幾つかの実施形態では、基板支持体は、基板受容面と、反対側の底面とを有するプレートと、プレートに配置され且つコントローラに結合されたプレートヒータと、プレートに配置され且つコントローラに結合されたプレート温度センサと、コントローラに結合されたシャフトヒータを備え且つ底面に結合された第１の端部、及び第２の端部を有するシャフトと、第１の端部に配置され且つコントローラに結合されたシャフト温度センサとを含む。
【０００７】
［０００７］幾つかの実施形態では、基板支持体を作製する方法が提供されており、この方法は、基板受容面と、反対側の底面とを有するプレートを形成することと、第１の端部と、反対側の第２の端部とを備える、セラミック材料の第１の層を形成することと、第１の端部の第１の層にヒータを配置することと、第１の層に導体（ｃｏｎｄｕｉｔ）を配置して、導体の一方の端部がヒータに結合され、導体の第２の端部がセラミック材料の第２の端部を越えて延在するようにすることと、第１の層の上にセラミック材料の第２の層を形成して、第２の層が少なくとも部分的にヒータをカバーするようにすることと、第１の層と、第２の層とを処理して、シャフトを形成することと、第１の端部を前記プレートの前記底面に結合させることとを含む。
【０００８】
［０００８］本発明の他の実施形態及び更なる実施形態について、以下で説明する。
【０００９】
［０００９］上記に簡潔に要約し、下記により詳細に論じる本発明の実施形態は、添付の図面に示す本発明の例示的な実施形態を参照することにより理解可能である。しかしながら、本発明は他の等しく有効な実施形態も許容し得ることから、付随する図面はこの発明の典型的な実施形態のみを例示しており、従って発明の範囲を限定すると見なすべきではないことに、留意されたい。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】本発明の幾つかの実施形態による、基板支持体の概略側断面図である。
【図２】本発明の幾つかの実施形態による、基板支持体の概略側断面図である。
【図３】本発明の幾つかの実施形態による、基板支持体を作製するためのフロー図である。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
［００１３］理解を容易にするために、図に共通する同一の要素を指し示すために、可能な場合には、同一の参照番号を使用した。図は縮尺どおりには描かれておらず、明確性のために簡略化されていることがある。一実施形態の要素及び特徴は、更なる記述がなくとも、他の実施形態に有益に組み込まれうると想定される。
【００１２】
［００１４］本発明の実施形態では、改善された温度均一性制御装置を有する加熱基板支持体が提供されている。本発明の実施形態を、基板に生じる温度プロファイルの制御が改善された加熱基板支持体を使用する全ての処理において、基板を支持し加熱するために使用することができる。開示の基板支持体から利益を受けうるプロセスの非限定的な例には、化学蒸着（ＣＶＤ）、原子層堆積（ＡＬＤ）、又はレーザアニーリング処理が挙げられる。
【００１３】
［００１５］図１は、本発明の幾つかの実施形態による、基板支持体１００の概略側断面図である。基板支持体１００は、ヒータプレートを備え、プレート１０２は、基板受容面１０４と、底面１０６とを備える。プレート１０２は、セラミック材料、例えば窒化ケイ素（Ｓｉ３Ｎ４）、アルミナ（Ａｌ２Ｏ３）、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）、又は炭化ケイ素（ＳｉＣ）、及び金属材料、例えばアルミニウム及びステンレス鋼（ＳＳＴ）、又はシリコン−アルミニウム合金（Ｓｉ−Ａｌ）等の合金を含む一又は複数の処理適合材料から形成することができる。
【００１４】
［００１６］一又は複数のプレートヒータ１０８がプレート１０２内に埋め込まれている又は配置されている（２つのプレートヒータ１０８が図示されている）。プレートヒータ１０８は図示したように、リングの形態であってよい。あるいは、プレートヒータ１０８は、プレート１０２内に埋め込まれた個別のヒータ要素でありうる。プレートヒータ１０８は、例えば直流源１１０等の電源に導体１１１を介して結合され、電力をプレートヒータ１０８へ供給して、プレート１０２の加熱を促進する。
【００１５】
［００１７］例えば抵抗温度装置（ＲＴＤ）等のプレート温度センサ１１２をプレート１０２に埋め込んで又は結合して、プレート１０２の対象領域の温度を感知する。プレート温度センサ１１２を導体１１６を介してコントローラ１１４に結合させて、プレート１０２の温度に関するデータをコントローラ１１４へ送る。
【００１６】
［００１８］直流源１１０も導体１１８を介してコントローラ１１４に結合される。コントローラ１１４は、プレート温度センサ１１２からの温度データに基づいてプレートヒータ１０８へ供給する電力の量を調整して、予め選択されたプレート温度を提供する。このように、プレートヒータ１０８、直流源１１０、プレート温度センサ１１２、及びコントローラ１１４はつながっており、第１の閉ループ制御回路として機能して、プレート１０２の予め選択された温度を維持する。
【００１７】
［００１９］コントローラ１１４は、プレート温度センサ１１２によって提供されるデータからプレート１０２の温度を読み取り監視して、プレートヒータ１０８へ供給される電力の量を調整するように適合された任意の汎用コンピュータであってよい。
【００１８】
［００２０］プレート１０２は、シャフト１２０の第１の端部１２６の上に置かれうる、又はそれによって支持されうる。シャフト１２０は、上述したように、処理適合材料から形成することができる。
【００１９】
［００２１］例えば基板の処理又は移送において、基板受容面１０４に配置された時に、プレート１０２と、基板１２２を、チャンバ１２４内の適所に支持するために、第１の端部１２６が底面１０６に装着される。幾つかの実施形態では、シャフト１２０は、適切なリフトアクチュエータ、回転アクチュエータ、又はシャフト１２０（図示せず）に結合されたリフト及び回転アクチュエータの組み合わせによって、チャンバ１２４内で、プレート１０２と基板１２２の垂直方向の位置決め及び回転方向の位置決めの内の一又は複数を提供しうる。
【００２０】
［００２２］幾つかの実施形態では、第１の端部１２６は、シャフト１２０を底面１０６へ装着しやすくするフランジ１２８を備える。フランジ１２８は、任意の適切な機械ファスナ、接着剤、溶接、ろう付け等を使用して、底面１０６に装着することができる。フランジ１２８は、シャフト１２０の一体的な構成要素、又は例えば溶接によってシャフト１２０に結合された個別の構成要素でありうる。幾つかの実施形態では、シャフト１２０の第１の端部１２６を、フランジなしで底面１０６に装着することができる。例えば、接着剤、溶接、ろう付け等を使用して、シャフト１２０の第１の端部１２６を底面１０６に装着することができる。シャフト１２０を底面１０６に直接結合させて、シャフト１２０とプレート１０２の底面１０６との間の熱抵抗を最小限に抑えることができる。
【００２１】
［００２３］少なくとも１つのシャフトヒータ１３０が、フランジ１２８に結合される。幾つかの実施形態では、少なくとも１つのシャフトヒータ１３０は、少なくとも部分的にフランジ１２８に埋め込まれる。幾つかの実施形態では、少なくとも１つのシャフトヒータ１３０は抵抗ヒータである。導体１３４の第１の端部１３３が、シャフトヒータ１３０に結合される。導体１３４の第２の端部１３５は、シャフト１２０の第２の端部１２７を越えて延在し、例えば直流源１４０等の電源に結合されて、少なくとも１つのシャフトヒータ１３０への電力の供給を促進し、シャフト１２０の第１の端部１２６を加熱する。
【００２２】
［００２４］抵抗温度装置等のシャフト温度センサ１３２も、フランジ１２８に埋め込まれる又は結合される。導体１３８の第１の端部１３７は、シャフト温度センサ１３２に結合される。導体１３８の第２の端部１３９は、シャフト１２０の第２の端部１２７を越えて延在し、コントローラ、例えばコントローラ１１４に結合される。直流源１４０もまた、例えば導体１３６を介してコントローラ１１４に結合させることができる。上述した第１の閉ループ制御回路と同様の制御回路は、第２の閉ループ制御回路として動作するようにつながっているシャフトヒータ１３０、直流源１４０、シャフト温度センサ１３２、及びコントローラ１１４を備える。第２の閉ループ回路では、シャフト温度センサ１３２によって送られる温度データに応じて、コントローラ１１４がシャフトヒータ１３０への電力を調整して、シャフト１２０の第１の端部１２６の温度制御を促進する。第１の閉ループ回路と第２の閉ループ回路は、図示したように共通のコントローラ１１４を有することができる、又は閉ループ回路は互いに連通しうる別々のコントローラを有することができる。
【００２３】
［００２５］幾つかの実施形態では、第１の閉ループ制御回路（プレートヒータ１０８、直流源１１０、プレート温度センサ１１２、及びコントローラ１１４）と、第２の閉ループ回路（シャフトヒータ１３０、直流源１４０、シャフト温度センサ１３２、及びコントローラ１１４）は、例えばコントローラ１１４を通して、互いにつながっている。第１の閉ループ制御回路と、第２の閉ループ制御回路を独立に制御して、プレート１０２とシャフト１２０とを第１及び第２の温度にそれぞれ維持するように、コントローラ１１４を構成することができる。第１の温度及び第２の温度は同じ温度であってよい。
【００２４】
［００２６］図２に、本発明の一実施形態による基板支持体２００の単純な概略側断面図を示す。プレート１０２を、上述したように構成し、明確さのために詳細（例えば、上述した第１の閉ループ制御回路の構成要素）を省略して図示している場合がある。セラミック支持体シャフト（シャフト２２０）は、シャフト２２０の第１の端部２２６に置かれるプレート１０２を支持するために提供される。幾つかの実施形態では、第１の端部２２６は、上述したように、プレート１０２の底面１０６に装着されるように適合されたフランジ２２８を含む。幾つかの実施形態では、上述したように、第１の端部２２６をフランジなしでプレート１０２の底面１０６に装着することができる。
【００２５】
［００２７］図示したシャフト２２０は、（追加の層も使用可能であるが）セラミック材料の２つの層、第１の層２０２と第２の層２０４を備える。シャフト２２０は非限定的な例において、上述したセラミック材料から形成することができる。一又は複数の電気部品を、第１の層２０２と第２の層２０４との間のインターフェース２１２に配置することができる。
【００２６】
［００２８］例えば、シャフトヒータ２３０を、インターフェース２１２においてフランジ２２８の一部に配置することができる。図１の実施形態のシャフトヒータ１３０と同様に、導体２３４の第１の端部２３３にシャフトヒータ２３０が結合される。導体２３４の第２の端部２３５はシャフト２２０の第２の端部２２７を越えて延在し、電源、例えば直流源２４０に結合されて、電力をシャフトヒータ２３０へ供給し、シャフト２２０の第１の端部２２６の加熱を促進する。導体２３４は、第１の層２０２と第２の層２０４との間のインターフェース２１２に沿って全体的に又は部分的に配置することができる。
【００２７】
［００２９］一又は複数のシャフトヒータ２３０と導体２３４を、第１の層２０２又は第２の層２０４の面２１３にプリントすることができる。例えば、シャフトヒータ２３０と導体２３４の内の少なくとも１つを、タングステン、モリブデン、又は第１の層２０２の一部にスクリーンプリントされた適切な電気抵抗を有するその他の金属の溶液によって形成することができる。幾つかの実施形態では、シャフトヒータ２３０と導体２３４を、セラミック材料の第１の層２０２の外面２０３にプリントすることができる。例えば、セラミック材料の第１の層２０２を形成して、シャフトヒータ２３０と導体２３４を外面２０３にプリントすることができる。セラミック材料の第２の層２０４を、第１の層２０２の上に、シャフトヒータ２３０と導体２３４を少なくとも部分的にカバーするように形成することができる。組み合わされた第１及び第２の層２０２と２０４を更に、例えば焼結によって処理して、シャフトヒータ２３０と導体２３４がインターフェース２１２に配置された完成したシャフト２２０を形成することができる。
【００２８】
［００３０］更に処理する前に、同様な方法で、例えば抵抗温度装置（ＲＴＤ）等のシャフト温度センサ２３２をインターフェース２１２に配置することもできる。シャフト温度センサ２３２を、第１の層２０２の外面２０３にプリントすることができる。導体２３８の第１の端部２３７を、シャフト温度センサ２３２に結合させることができる。導体２３８の第２の端部２３９は、第１の層２０２の第２の端部２２７を越えて延在し、コントローラ２１４に結合される。直流源２４０も、例えば導体２３６を介してコントローラ２１４に結合させることができる。
【００２９】
［００３１］シャフトヒータ２３０、直流源２４０、シャフト温度センサ２３２、及びコントローラ２１４は、上述した第２の閉ループ回路と構成及び機能が同じ閉ループ回路を備えている。
【００３０】
［００３２］幾つかの基板処理においては、基板受容面の温度プロファイルにより、その上に支持される基板の温度プロファイルが予測される。基板受容面全体の温度の不均一性は、その上に支持される基板の不均一な処理性能によって明らかとなる。発明者らは幾つかの場合において、シャフトの装着部位の反対側の、プレートの中央領域で熱が失われることを観察した。発明者らは、おそらくシャフトによりヒートシンクがつくられ、シャフトとプレートのインターフェースにおいて、プレートからいくらか熱が除去されるようであることに注目した。シャフトをプレートに装着すると、基板装着面において温度の途切れが生じる。
【００３１】
［００３３］本発明の基板支持体には、シャフトの第１の端部（装着端部）に、プレートからの熱損失を低減するためのヒータと温度センサを含みうる。シャフトの第１の端部のヒータは、閉ループ制御によって更に熱を発生させて、シャフトへの熱損失を補う。シャフトヒータの閉ループ制御により、シャフトの第１の端部の温度を有用に精確な制御ができるようになることが観察されている。プレートの温度の閉ループ制御と合わせて使用すれば、プレートと、シャフトの第１の端部との温度差を最小限に抑えることができる。シャフトの第１の端部の温度がプレートの温度と同じ、又はほぼ同じである場合に、発明者らは、プレートから、又はプレートへ熱が移動しない断熱インターフェースが確立されうることに気が付いた。このような条件下において、発明者らは、基板支持面上の、又はその上に支持された基板上のシャフトの熱的誘起を観察しなかった。従って、基板の処理は、基板全体の温度をより均一に維持することによって、有利に達成することができる。加えて、（例えば、処理中の基板の熱勾配をより均一に維持するために）処理中の基板への又は基板からの熱伝達の他の発生源を補う、あるいは、（例えば処理中の基板の熱勾配を意図的に不均一に維持するために）不均一性又は搬入される不均一な基板を処理するその他の供給源を補うために、基板支持体の面全体に意図的に不均一な熱勾配を発生させる（例えば中央領域を高温に、又は中央領域を低温にする）ように、基板支持体を操作することができる。
【００３２】
［００３４］発明者らは、従来の基板支持体における加熱されたプレートと、加熱されていないシャフトとの温度差によっても、シャフトと、プレートの底とのインターフェースに熱応力が発生しうることも観察した。熱応力により、例えばプレートとシャフトが温度の違いのために別々に膨張又は収縮する際に、シャフトとプレートとの間の付着が問題となりうる。
【００３３】
［００３５］本発明では、上述したように、シャフトヒータにより、インターフェースにおけるシャフトとプレートとの温度差を有利に最小限に抑える、又は大幅に縮小することができる。従って、熱応力とそれに伴う不利点も、最小限に抑える又は大幅に低減することができる。
【００３４】
［００３６］発明者らは、上述したように、本発明の加熱基板支持体を形成する新規の方法を開発した。本方法を、図３の３００において開始して、プレート１０２（図１）及びシャフト２２０（図２）を参照しながら概説する。３０２において、基板受容面１０４を有するプレート１０２と、反対側の底面１０６が形成される。プレート１０２には、プレート１０２に埋め込まれた、一又は複数のプレートヒータ１０８と、例えば抵抗温度装置（ＲＴＤ）等のプレート温度センサ１１２が含まれうる。上述したように、プレートヒータ１０８とプレート温度センサ１１２を直流源１１０とコントローラ１１４に結合させて、第１の閉ループ制御回路を形成することができる。
【００３５】
［００３７］プレート１０２を、上に列挙したようなセラミック材料から形成することができる。プレート１０２の形成には、セラミック材料の密度を高くするために焼結することが含まれうる。特定の材料（セラミック又は金属）に適切なその他の製造処理を、必要に応じて利用することができる。プレート１０２の形成を、シャフト２２０の形成とは別に行ってもよい。
【００３６】
［００３８］３０４において、セラミック材料の第１の層２０２が形成され、第１の層２０２は、第１の端部２２６と、反対側の第２の端部２２７とを含む。第１の層２０２には、フランジ２２８に対応する領域が含まれうる。幾つかの実施形態では、第１の層２０２は、（フランジ２２８を含む、シャフトの第１の端部２２６に対応する）上方エッジ２４２と、（第２の端部２２７に対応する）反対側の下方エッジ２４４と、縦方向のエッジ（図示せず）を有するセラミック材料のシートとして形成される。
【００３７】
［００３９］３０６において、シャフトヒータ２３０が、第１の層２０２の上方エッジ２４２に配置される。幾つかの実施形態では、上述したように、スクリーンプリント技術を使用して、シャフトヒータ２３０が、タングステン、モリブデン、又は適切な電気抵抗を有する別の金属を含む溶液を使用して、第１の層２０２の面２１３にプリントされる。シャフトヒータ２３０は、上方エッジ２４２において同じ又は異なる構成の複数の層をプリントすることによって形成されうる。
【００３８】
［００４０］３０８において、導体２３４を、第１の層２０２の面２１３に配置することができる。導体２３４の第１の端部２３３を、シャフトヒータ２３０に結合させることができる。第２の端部２３５は、第１の層２０２の下方エッジ２４４に延在する。幾つかの実施形態では、第２の端部２３５は、下方エッジ２４４を越えて延在する。幾つかの実施形態では、上述したように、導体２３４を同様の材料を使ってプリントする、例えばスクリーンプリントすることができる。導体２３４が面２１３にプリントされた時に、追加の導体（図示せず）を、下方エッジ２４４において導体２３４に結合させて、導体２３４を下方エッジ２４４を越えて延在させることができる。
【００３９】
［００４１］オプションとして、３１０において、シャフト温度センサ２３２、例えば抵抗温度装置（ＲＴＤ）を、第１の層の上方エッジ２４２において第１の層２０２に配置することができる。シャフト温度センサ２３２を、導体２３８に結合させることができ、導体２３８は、シャフト温度センサ２３２と一体的に形成することができる、又はシャフト温度センサ２３２とは別に形成することができる。幾つかの実施形態では、シャフト温度センサ２３２、又は導体２３８の内の少なくとも１つを、例えばスクリーンプリントによって面２１３にプリントすることができる。
【００４０】
［００４２］３１２において、第２の層２０４がシャフトヒータ２３０を少なくとも部分的にカバーするように、第１の層２０２の上にセラミック材料の第２の層２０４が形成される。導体２３４が面２１３にプリントされた場合、第２の層２０４は導体２３４を少なくとも部分的にカバーすることができる。第１の層２０２がセラミック材料のシートとして形成されている実施形態では、第２の層２０４も、上方エッジ２４２に合わせて位置調整された上方エッジ２４６と、下方エッジ２４４に合わせて位置調整された反対側の下方エッジ２４８と、縦方向のエッジ（図示せず）とを有するセラミック材料のシートとして形成することができる。
【００４１】
［００４３］３１４において、ヒータが面２１３に配置された第１の層２０２と、第１の層の上に形成され且つ少なくとも部分的にヒータをカバーしている第２の層２０４とが共に処理されて、シャフト２２０が形成される。この処理には、セラミック材料の第１と第２の層２０２、２０４の密度を高くする手順が含まれうる。例えば、第１及び第２の層２０２、２０４を、高温及び高圧下で焼結して、シャフト２２０を形成することができる。
【００４２】
［００４４］第１及び第２の層２０２及び２０４がセラミック材料のシートとして形成されている実施形態では、上方エッジ２４６が上方エッジ２４２に合わせて位置調整され、下方エッジ２４８が下方エッジ２４４に合わせて位置調整されるように、シートを開口管に形成することができる。例えば、第１及び第２の層２０２及び２０４を、第１の層２０２の縦方向のエッジが接合され、第２の層２０４の縦方向のエッジが接合されるように、管形状に丸めることができる。管形状は、円筒形又はその他の便利な形にすることができる。
【００４３】
［００４５］３１６において、シャフト２２０の第１の端部２２６が、プレート１０２の底面１０６に結合されて、本発明による基板支持体が形成される。この結合は、任意の適切な機械ファスナ、例えばねじ式ファスナ又は機械的締付装置、又は接着剤等を必要に応じて使用して、行うことができる。    
【００４４】
［００４６］このように、改善された温度均一制御装置を有する加熱基板支持体の実施形態が提供されている。本発明の実施形態を利用し、基板に生じた温度プロファイルを高度に制御する加熱基板支持体を使用して、全ての処理において基板を支持し加熱することができる。開示の基板支持体が有用でありうるプロセスの非限定的な例には、化学蒸着（ＣＶＤ）、原子層堆積（ＡＬＤ）、又はレーザアニーリングプロセスが含まれる。
【００４５】
［００４７］上記は本発明の実施形態を対象とするが、本発明の基本的な範囲から逸脱することなく、本発明の他の実施形態及び更なる実施形態が考案されうる。
【図１】
0006404355.tif 000002
【図２】
0006404355.tif 000003
【図３】
0006404355.tif 000004