(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
ガラス基材上に形成されたモリブデンシリサイド膜、モリブデンシリサイド酸化膜及びモリブデンシリサイド窒化膜から選ばれる少なくとも１種の膜を除去するために用いられる組成物において、組成物が、
（Ａ）０．０１〜５０質量％の過酸化水素成分
（Ｂ）０．０１〜１質量％フッ化アンモニウム成分、及び
（Ｃ）リン酸、硫酸及び硝酸から選ばれる少なくとも１種の酸成分
を含む水溶液からなり、該水溶液のｐＨが１〜３の範囲内にあることを特徴とする組成物。
【請求項２】
上記ガラス基材が石英ガラスまたはホウケイ酸ガラスである、請求項１に記載の組成物。
【請求項３】
上記水溶液のｐＨが１．５〜２．５である、請求項１または２に記載の組成物。
【請求項４】
請求項１ないし３のいずれか１項に記載の組成物を用いることを特徴とするガラス基材上に形成されたモリブデンシリサイド膜、モリブデンシリサイド酸化膜及びモリブデンシリサイド窒化膜から選ばれる少なくとも１種の膜を除去するための方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ガラス基材上に形成されたモリブデンシリサイド膜、モリブデンシリサイド酸化膜及びモリブデンシリサイド窒化膜等のマスクブランクスを除去するために用いられる組成物及び該組成物を用いたマスクブランクスの除去方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
ＬＳＩや超ＬＳＩを製造する際、ガラス基板の表面にマスクブランクスとしてモリブデンシリサイド（珪化モリブデン：ＭｏＳｉ２）膜やモリブデンシリサイド酸化（ＭｏＳｉＯ）膜やモリブデンシリサイド窒化（ＭｏＳｉＮ）膜を使用することが検討されている。近年ではパターンの微細化、露光波長の短波長化が進み、基材となるガラス基板の高精度な表面平坦度が要求されている。これにより製造コストが高くなることから、例えば、欠陥のあるマスクブランクスが形成されたガラス基材からマスクブランクスを除去し、ガラス基材を再利用することで製造コストを削減することが望まれている。
【０００３】
例えば、特許文献１には、珪化モリブデン膜をエッチングする際のエッチング液として、弗化水素アンモニウム、弗化アンモニウム、珪弗化水素酸、弗化ホウ素酸のうち何れか少なくとも１つと、過酸化水素、硝酸のうち何れか少なくとも１つとを混合した水溶液が開示されている。しかしながら、特許文献１の実施例には、弗化水素アンモニウム（１重量％）と過酸化水素（４．４重量％）と残部が純水からなる組成物が開示されているのみで、更に、当該水溶液のｐＨについては何ら検討されていない。
また、特許文献２には、マスクブランクス用ガラス基板上に形成された薄膜を剥離してマスクブランクス用ガラス基板を再生するために用いられる方法として、弗化水素酸、珪弗化水素酸、弗化水素アンモニウムから選ばれる少なくとも一つの弗素化合物と、過酸化水素、硝酸、硫酸から選ばれる少なくとも一つの酸化剤とを含み、前記弗素化合物を０．１〜０．８重量％含むと共に前記酸化剤を０．５〜４．０重量％含む水溶液を用いる方法が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開昭６２−２１８５８５号公報
【特許文献２】特許第４４３７５０７号明細書
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、特許文献１または２に記載されているようなフッ化水素アンモニウムを含有する組成物を用いてガラス基材上のモリブデンシリサイド膜等のマスクブランクスを除去すると、ガラス基材表面が大きく腐食して粗くなってしまうという問題点があった。また、これらの組成物を用いてガラス基材表面の平坦性を維持したままモリブデンシリサイド膜等のマスクブランクスを除去しようとすると、除去速度が著しく低下してしまい、処理時間を長くする必要があることから、生産性が著しく低下しまうという問題点があった。
【０００６】
したがって、本発明は、上記問題を解決するためになされたものであり、ガラス基材上に形成されたモリブデンシリサイド膜、モリブデンシリサイド酸化膜及びモリブデンシリサイド窒化膜等のマスクブランクスを除去する際に、処理後のガラス基材表面の平坦性が良く、かつ処理速度が早い組成物及び該組成物を使用する除去方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明者等は、上記問題を解決すべく鋭意検討を重ねた結果、（Ａ）過酸化水素成分、（Ｂ）フッ化アンモニウム成分、（Ｃ）リン酸、硫酸及び硝酸から選ばれる少なくとも１種の酸成分を含む水溶液からなり、該水溶液のｐＨが１〜３の範囲であることを特徴とする組成物が、上記問題を解決し得ることを見出し、本発明に至った。
【０００８】
すなわち、本発明は、ガラス基材上に形成されたモリブデンシリサイド膜、モリブデンシリサイド酸化膜及びモリブデンシリサイド窒化膜から選ばれる少なくとも１種の膜を除去するために用いられる組成物において、組成物が、（Ａ）０．０１〜５０質量％の過酸化水素成分、（Ｂ）０．０１〜１質量％のフッ化アンモニウム成分、及び（Ｃ）リン酸、硫酸及び硝酸から選ばれる少なくとも１種の酸成分を含む水溶液からなり、該水溶液のｐＨが１〜３の範囲内にあることを特徴とする組成物を提供するものである。
【０００９】
また、本発明は上記組成物を用いることを特徴とするガラス基材上に形成されたモリブデンシリサイド膜、モリブデンシリサイド酸化膜及びモリブデンシリサイド窒化膜から選ばれる少なくとも１種の膜を除去する方法を提供するものである。
【発明の効果】
【００１０】
本発明によれば、ガラス基材上のモリブデンシリサイド膜、モリブデンシリサイド酸化膜及びモリブデンシリサイド窒化膜から選ばれる少なくとも１種の膜を除去する場合において、短い処理時間で除去することができ、さらに処理後のガラス基材表面の平坦性が良好な組成物及び方法を提供することができる。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
以下、本発明の組成物を更に説明する。
本発明の組成物に用いられる（Ａ）過酸化水素［以下、（Ａ）成分と略す場合がある］の濃度は、０．０１〜５０質量％、好ましくは１〜５０質量％、特に好ましくは５〜４０質量％である。（Ａ）成分の濃度が０．０１質量％未満であると、充分なエッチング速度が得られないために好ましくない。一方、（Ａ）成分の濃度が５０質量％よりも多く配合しても、エッチング速度が上昇しないことや、安全面で問題がある場合があることから好ましくない。なお、（Ａ）成分の濃度は、ガラス基材上に形成されたモリブデンシリサイド膜、モリブデンシリサイド酸化膜及びモリブデンシリサイド窒化膜等のマスクブランクスの厚みや幅等を勘案して上記濃度範囲で適宜調節することができる。
【００１２】
次に、本発明の組成物に用いられる（Ｂ）フッ化アンモニウム［以下、（Ｂ）成分と略す場合がある］の濃度は、０．０１〜１質量％である。（Ｂ）成分の濃度が０．０１質量％未満であると、充分なエッチング速度が得られないために好ましくない。一方、（Ｂ）成分の濃度が１質量％よりも多い場合は、処理後のガラス基材の表面の平坦性が悪くなってしまうことから好ましくない。なお、（Ｂ）成分の濃度が０．０１〜０．６質量％の範囲内であると、処理後のガラス基材の平坦性が良いことから好ましく、さらに、０．０５〜０．２質量％の範囲内であると、処理後のガラス基材の平坦性が特に良いことからより好ましい。（Ｂ）成分の濃度は、ガラス基材上に形成されたマスクブランクス厚みや幅等を勘案して上記濃度範囲で適宜調節することができる。
【００１３】
また、本発明の組成物に用いられる（Ｃ）リン酸、硫酸及び硝酸から選ばれる少なくとも１種の酸成分［以下、（Ｃ）成分と略す場合がある］は、本発明の組成物のｐＨが１〜３の範囲内となるように添加される。
【００１４】
本発明の組成物のｐＨは１〜３、好ましくは１．５〜２．５である。組成物のｐＨが１未満であると、エッチング速度は早いが処理後のガラス基材表面が粗くなってしまうために好ましくない。また、組成物のｐＨが３よりも大きい場合には、ガラス基材上に形成されたマスクブランクスが溶解しなかったり、処理後のガラス基材表面の平坦性が著しく悪くなってしまうために好ましくない。特に、組成物のｐＨが５よりも大きいと、ガラス基材上に形成されたモリブデンシリサイド膜、モリブデンシリサイド酸化膜及びモリブデンシリサイド窒化膜等のマスクブランクスは溶解しない。
【００１５】
本発明の組成物において、上記（Ａ）成分、（Ｂ）成分及び（Ｃ）成分以外の残余は、水である。従って、本発明の組成物は上記成分を所定量含有する水溶液の形態で提供される。
【００１６】
なお、本発明の組成物には、上記（Ａ）成分、（Ｂ）成分及び（Ｃ）成分のほかに、本発明の効果を阻害することのない範囲で、周知の添加剤を配合させることができる。当該添加剤としては、本発明の組成物の安定化剤、各成分の可溶化剤、消泡剤、比重調整剤、粘度調整剤、濡れ性改善剤、キレート剤、酸化剤、還元剤、界面活性剤等が挙げられ、これらを使用する場合の濃度は、一般的に、０．００１質量％〜５０質量％の範囲である。
【００１７】
例えば、上記界面活性剤としては、ノニオン性界面活性剤、カチオン性活性剤及び両性界面活性剤を添加することができる。ノニオン性界面活性剤としては、例えば、ポリオキシアルキレンアルキルエーテル、ポリオキシアルキレンアルケニルエーテル、ポリオキシエチレンポリオキシプロピレンアルキルエーテル（エチレンオキサイドとプロピレンオキサイドの付加形態は、ランダム状、ブロック状の何れでもよい。）、ポリエチレングリコールプロピレンオキサイド付加物、ポリプロピレングリコールエチレンオキサイド付加物、アルキレンジアミンのエチレンオキサイドとプロピレンオキサイドとのランダムまたはブロック付加物、グリセリン脂肪酸エステル又はそのエチレンオキサイド付加物、ソルビタン脂肪酸エステル、ポリオキシエチレンソルビタン脂肪酸エステル、アルキルポリグルコシド、脂肪酸モノエタノールアミド又はそのエチレンオキサイド付加物、脂肪酸−Ｎ−メチルモノエタノールアミド又はそのエチレンオキサイド付加物、脂肪酸ジエタノールアミド又はそのエチレンオキサイド付加物、ショ糖脂肪酸エステル、アルキル（ポリ）グリセリンエーテル、ポリグリセリン脂肪酸エステル、ポリエチレングリコール脂肪酸エステル、脂肪酸メチルエステルエトキシレート、Ｎ−長鎖アルキルジメチルアミンオキサイド等が挙げられる。なかでも、アルキレンジアミンのエチレンオキサイドとプロピレンオキサイドとのランダムまたはブロック付加物を用いた場合は、得られる細線の直線性が良好であり、エッチング液の保存安定性が良好であることから好ましい。アルキレンジアミンのエチレンオキサイドとプロピレンオキサイドとのランダムまたはブロック付加物のなかでもリバース型であるものを用いた場合は、低起泡性であることからさらに好ましい。カチオン性界面活性剤としては、例えば、アルキル（アルケニル）トリメチルアンモニウム塩、ジアルキル（アルケニル）ジメチルアンモニウム塩、アルキル（アルケニル）四級アンモニウム塩、エーテル基或いはエステル基或いはアミド基を含有するモノ或いはジアルキル（アルケニル）四級アンモニウム塩、アルキル（アルケニル）ピリジニウム塩、アルキル（アルケニル）ジメチルベンジルアンモニウム塩、アルキル（アルケニル）イソキノリニウム塩、ジアルキル（アルケニル）モルホニウム塩、ポリオキシエチレンアルキル（アルケニル）アミン、アルキル（アルケニル）アミン塩、ポリアミン脂肪酸誘導体、アミルアルコール脂肪酸誘導体、塩化ベンザルコニウム、塩化ベンゼトニウム等が挙げられる。両性界面活性剤としては、例えば、カルボキシベタイン、スルホベタイン、ホスホベタイン、アミドアミノ酸、イミダゾリニウムベタイン系界面活性剤等が挙げられる。これらを使用する場合の濃度は、一般的に、０．００１質量％〜１０質量％の範囲である。
【００１８】
本発明の組成物は、ガラス基材上に形成されたモリブデンシリサイド膜、モリブデンシリサイド酸化膜及びモリブデンシリサイド窒化膜から選ばれる少なくとも１種の膜を除去するために使用される。ガラス基材上に形成されたモリブデンシリサイド膜、モリブデンシリサイド酸化膜及びモリブデンシリサイド窒化膜から選ばれる少なくとも１種の膜は１層でもよく、２層以上の積層膜であってもよい。
【００１９】
また、本発明に用いられるガラス基材は特に限定されるものではなく、周知一般のガラス基材を用いればよい。ガラス基材の種類としては例えば、石英ガラス、ホウケイ酸ガラス、ソーダガラス、無アルカリガラス等が挙げられる。本発明において、ガラス基材として石英ガラス及びホウケイ酸ガラスを用いた場合は、本発明の組成物によってモリブデンシリサイド膜、モリブデンシリサイド酸化膜及びモリブデンシリサイド窒化膜から選ばれる少なくとも１種の膜を除去したあとのガラス基材表面の荒れが非常に少ないことから特に好ましい。
【００２０】
本発明のモリブデンシリサイド膜、モリブデンシリサイド酸化膜及びモリブデンシリサイド窒化膜から選ばれる少なくとも１種の膜を除去する方法は、特に限定されるものではなく、周知一般の方法を用いればよい。例えば、本発明の組成物とガラス基材上に形成されたモリブデンシリサイド膜、モリブデンシリサイド酸化膜及びモリブデンシリサイド窒化膜から選ばれる少なくとも１種の膜を接触させればよく、より具体的には、例えば、ディップ式、スプレー式、スピン式、バキューム式による除去方法が挙げられる。
【００２１】
例えば、ディップ式の除去方法によって、ガラス基材上に形成されたモリブデンシリサイド膜、モリブデンシリサイド酸化膜及びモリブデンシリサイド窒化膜から選ばれる少なくとも１種の膜を除去する場合には、該基材を本発明の組成物に浸し、適切な条件にて浸漬した後に引き上げることでガラス基材上に形成されたモリブデンシリサイド膜、モリブデンシリサイド酸化膜及びモリブデンシリサイド窒化膜から選ばれる少なくとも１種の膜を除去することができる。
【００２２】
浸漬する際の条件は特に限定されるものではなく、対象となるガラス基材の形状や膜厚などに応じて任意に設定することができる。例えば、浸漬温度は、１０℃〜９９℃が好ましく、３０℃〜９０℃が特に好ましい。ここで、浸漬温度が７０〜９０℃である場合は、除去速度が著しく早くなる。また、浸漬時に本発明の組成物の温度は反応熱により上昇することがあるので、必要なら上記温度範囲内に維持するよう公知の手段によって温度制御してもよい。また、浸漬時間は、除去対象が完全に除去されるに十分必要な時間とすればよいので特に限定されるものではない。例えば、本発明の組成物を用いて石英基板上に形成された膜厚１００ｎｍ程度のモリブデンシリサイド膜での除去を、浸漬温度１０℃〜９９℃の条件で行う場合には、１〜１２０分程度の浸漬を行えばよい。
【００２３】
本発明の組成物及び該組成物を用いた除去方法は、主にＬＳＩや超ＬＳＩを製造する際、ガラス基板の表面に形成されたマスクブランクスを除去し、ガラスを再利用する際に好ましく利用することができる。
【実施例】
【００２４】
以下、実施例及び比較例により本発明を詳細に説明するが、これらによって本発明が何ら限定されるものではないことを理解されたい。
［実施例１］
表１に示す配合で組成物を配合し、本発明組成物１〜８を得た。含有量の残部は水である。
【００２５】
【表１】
0006312317.tif 000002
【００２６】
［比較例１］
表２に示す配合で組成物を配合し、比較組成物１〜７を得た。含有量の残部は水である。
【００２７】
【表２】
0006312317.tif 000003
【００２８】
［実施例２］
石英ガラス基板（厚さ０．７ｍｍ）またはホウケイ酸ガラス基板（厚さ０．７ｍｍ）上にモリブデンシリサイド膜（９０ｎｍ）を形成した基板を縦３０ｍｍ×横３０ｍｍに切断してテストピースとしたものを複数枚用意し、このテストピースに対して実施例組成物１〜８を使用して５０℃、３０分の条件でディップ法によるモリブデンシリサイド膜の除去を行った。なお、モリブデンシリサイド膜を形成する前の石英ガラス基板の表面の粗さは０．７ｎｍであり、ホウケイ酸ガラス基板の表面の粗さは０．２ｎｍであった。
【００２９】
［比較例２］
実施例２に使用したものと同様の石英ガラス基板（厚さ０．７ｍｍ）またはホウケイ酸ガラス基板（厚さ０．７ｍｍ）上にモリブデンシリサイド膜（９０ｎｍ）を形成した基板を縦３０ｍｍ×横３０ｍｍに切断してテストピースとしたものを複数枚用意し、このテストピースに対して比較例組成物１〜７を使用して５０℃、３０分の条件でディップ法によるモリブデンシリサイド膜の除去を行った。
【００３０】
［評価例１］
実施例２で得られたモリブデンシリサイド膜を除去した後の各基板の表面を光学顕微鏡で観察し、モリブデンシリサイド膜の除去が完了しているか、否かを確認した。モリブデンシリサイド膜が除去できている場合を○とし、モリブデンシリサイド膜が残っている場合を×として評価した。また、処理後の各ガラス基板の表面をＡＦＭで測定することで、粗さを評価した。結果を表３に示す。
【００３１】
【表３】
0006312317.tif 000004
【００３２】
［比較評価例１］
比較例２で得られたモリブデンシリサイド膜を除去した後の各基板の表面を光学顕微鏡で観察し、モリブデンシリサイド膜の除去が完了しているか、否かを確認した。モリブデンシリサイド膜が除去できている場合を○とし、モリブデンシリサイド膜が残っている場合を×として評価した。また、処理後の各ガラス基板の表面をＡＦＭで測定することで、粗さを評価した。結果を表４に示す。
【００３３】
【表４】
0006312317.tif 000005
※１：モリブデンシリサイド膜が除去できていなかったので、測定できなかった。
【００３４】
表３の結果より、評価例１−１〜１−９は、全てモリブデンシリサイド膜が除去をすることができていることがわかった。また、評価例１−１〜１−９は全て除去処理後のガラス基材の表面の粗さが非常に少なく、平坦であることがわかった。
一方、表４の結果より、比較評価例１、３及び５は、モリブデンシリサイド膜は減少しているものの、完全に除去することができていなかった。また、比較評価例２、４及び６はモリブデンシリサイド膜を除去することができていたが、評価例１−１〜１−９と比較するとガラス基材の表面が大きく荒れてしまっていた。また、フッ化水素アンモニウムを含む比較組成物６及び７を使用した比較評価例７及び８は共にモリブデンシリサイド膜を除去することができなかった。
以上により、本発明の組成物はガラス基材上に形成されたモリブデンシリサイド膜を除去する場合において、処理後のガラス基材表面の平坦性が良く、また処理速度が早い組成物であることがわかった。
【００３５】
［実施例３］
表５に示す配合で組成物を配合し、本発明組成物９〜１６を得た。含有量の残部は水である。
【００３６】
【表５】
0006312317.tif 000006
【００３７】
［比較例３］
表６に示す配合で組成物を配合し、比較組成物８〜１４を得た。含有量の残部は水である。
【００３８】
【表６】
0006312317.tif 000007
【００３９】
［実施例４］
実施例２に使用したものと同様の石英ガラス基板（厚さ０．７ｍｍ）またはホウケイ酸ガラス基板（厚さ０．７ｍｍ）上にモリブデンシリサイド膜（９０ｎｍ）を形成した基板を縦３０ｍｍ×横３０ｍｍに切断してテストピースとしたものを複数枚用意し、このテストピースに対して本発明組成物９〜１６を使用して５０℃、２０分の条件でディップ法によるモリブデンシリサイド膜の除去を行った。
【００４０】
［比較例４］
実施例２に使用したものと同様の石英ガラス基板（厚さ０．７ｍｍ）またはホウケイ酸ガラス基板（厚さ０．７ｍｍ）上にモリブデンシリサイド膜（９０ｎｍ）を形成した基板を縦３０ｍｍ×横３０ｍｍに切断してテストピースとしたものを複数枚用意し、このテストピースに対して比較組成物８〜１４を使用して５０℃、２０分の条件でディップ法によるモリブデンシリサイド膜の除去を行った。
【００４１】
［評価例２］
実施例４で得られたモリブデンシリサイド膜を除去した後の各基板の表面を光学顕微鏡で観察し、モリブデンシリサイド膜の除去が完了しているか、否かを確認した。モリブデンシリサイド膜が除去できている場合を○とし、モリブデンシリサイド膜が残っている場合を×として評価した。また、処理後の各ガラス基板の表面をＡＦＭで測定することで、粗さを評価した。結果を表７に示す。
【００４２】
【表７】
0006312317.tif 000008
【００４３】
［比較評価例２］
比較例４で得られたモリブデンシリサイド膜を除去した後の各基板の表面を光学顕微鏡で観察し、モリブデンシリサイド膜の除去が完了しているか、否かを確認した。モリブデンシリサイド膜が除去できている場合を○とし、モリブデンシリサイド膜が残っている場合を×として評価した。また、処理後の各ガラス基板の表面をＡＦＭで測定することで、粗さを評価した。結果を表８に示す。
【００４４】
【表８】
0006312317.tif 000009
※１：モリブデンシリサイド膜が除去できていなかったので、測定できなかった。
【００４５】
表７の結果より、評価例２−１〜２−９は全てモリブデンシリサイド膜が除去をすることができていることがわかった。また、評価例２−１〜２−９は全て除去処理後のガラス基材の表面の粗さが非常に少なく、平坦であることがわかった。
一方、表８の結果より、比較評価９、１１及び１３は、モリブデンシリサイド膜は減少しているものの、完全に除去することができていなかった。また、比較評価例１０、１２及び１４はモリブデンシリサイド膜を除去することができていたが、評価例２−１〜２−９と比較するとガラス基材の表面が大きく荒れてしまっていた。また、フッ化水素アンモニウムを含む比較組成物１３及び１４を使用した比較評価例１５及び１６は共にモリブデンシリサイド膜を除去することができなかった。
以上により、本発明組成物はガラス基材上に形成されたモリブデンシリサイド膜を除去する場合において、処理後のガラス基材表面の平坦性が良く、また処理速度が早い組成物であることがわかった。
【００４６】
［実施例５］
表９に示す配合で組成物を配合し、本発明組成物１７〜２４を得た。含有量の残部は水である。
【００４７】
【表９】
0006312317.tif 000010
【００４８】
［比較例５］
表１０に示す配合で組成物を配合し、比較組成物１５〜２１を得た。含有量の残部は水である。
【００４９】
【表１０】
0006312317.tif 000011
【００５０】
［実施例６］
実施例２に使用したものと同様の石英ガラス基板（厚さ０．７ｍｍ）またはホウケイ酸ガラス基板（厚さ０．７ｍｍ）上にモリブデンシリサイド膜（９０ｎｍ）を形成した基板を縦３０ｍｍ×横３０ｍｍに切断してテストピースとしたものを複数枚用意し、このテストピースに対して本発明組成物１７〜２４を使用して５０℃、１５分の条件でディップ法によるモリブデンシリサイド膜の除去を行った。
【００５１】
［比較例６］
実施例２に使用したものと同様の石英ガラス基板（厚さ０．７ｍｍ）またはホウケイ酸ガラス基板（厚さ０．７ｍｍ）上にモリブデンシリサイド膜（９０ｎｍ）を形成した基板を縦３０ｍｍ×横３０ｍｍに切断してテストピースとしたものを複数枚用意し、このテストピースに対して比較例組成物１５〜２１を使用して５０℃、１５分の条件でディップ法によるモリブデンシリサイド膜の除去を行った。
【００５２】
［評価例３］
実施例６で得られたモリブデンシリサイド膜を除去した後の各基板の表面を光学顕微鏡で観察し、モリブデンシリサイド膜の除去が完了しているか、否かを確認した。モリブデンシリサイド膜が除去できている場合を○とし、モリブデンシリサイド膜が残っている場合を×として評価した。また、処理後の各ガラス基板の表面をＡＦＭで測定することで、粗さを評価した。結果を表１１に示す。
【００５３】
【表１１】
0006312317.tif 000012
【００５４】
［比較評価例３］
比較例６で得られたモリブデンシリサイド膜を除去した後の各基板の表面を光学顕微鏡で観察し、モリブデンシリサイド膜の除去が完了しているか、否かを確認した。モリブデンシリサイド膜が除去できている場合を○とし、モリブデンシリサイド膜が残っている場合を×として評価した。また、処理後の各ガラス基板の表面をＡＦＭで測定することで、粗さを評価した。結果を表１２に示す。
【００５５】
【表１２】
0006312317.tif 000013
※１：モリブデンシリサイド膜が除去できていなかったので、測定できなかった。
【００５６】
表１１の結果より、評価例３−１〜３−９は全てモリブデンシリサイド膜が除去をすることができていることがわかった。また、評価例３−１〜３−９は全て除去処理後のガラス基材の表面の粗さが非常に少なく、平坦であることがわかった。
一方、表１２の結果より、比較評価例１７、１９及び２１は、モリブデンシリサイド膜は減少しているものの、完全に除去することができていなかった。また、比較評価例１８、２０及び２２はモリブデンシリサイド膜を除去することができていたが、評価例３−１〜３−９と比較するとガラス基材の表面が大きく荒れてしまっていた。また、フッ化水素アンモニウムを含む比較組成物２０及び２１を使用した比較評価例２３及び２４は共にモリブデンシリサイド膜を除去することができなかった。
以上により、本発明の組成物はガラス基材上に形成されたモリブデンシリサイド膜を除去する場合において、処理後のガラス基材表面の平坦性が良く、また処理速度が早い組成物であることがわかった。