(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上にインプリント材を供給し、モールドを用いて前記基板上にインプリント材のパターンを形成するインプリント処理を行うインプリントシステムであって、
前記基板上に前記インプリント材を供給するディスペンサをそれぞれ含み、前記インプリント処理を行う複数の処理部と、
前記ディスペンサから供給すべき前記インプリント材の前記基板上における配置を示す、互いに異なる複数の配置情報を管理するライブラリと、
前記複数の処理部のうち第１処理部で用いられた前記モールドを前記第１処理部とは異なる第２処理部で使用する場合、前記第１処理部と前記第２処理部との間における前記インプリント処理の条件の差に基づいて、前記第１処理部で用いられた配置情報に対する前記インプリント処理の条件の差に応じた差を有する配置情報を用いて、前記第２処理部を制御する制御部と、
を含むことを特徴とするインプリントシステム。
【請求項２】
前記インプリント処理の条件は、インプリント処理における単位時間当たりのインプリント材の揮発量、前記ディスペンサにより前記基板に供給されたインプリント材の量および位置精度のうち少なくとも１つを含む、ことを特徴とする請求項１に記載のインプリントシステム。
【請求項３】
前記制御部は、前記モールドのパターン形状の経時変化にも基づいて、前記第１処理部で用いられた配置情報に対する前記経時変化に応じた差を有する配置情報を用いて前記第２処理部を制御する、ことを特徴とする請求項１又は２に記載のインプリントシステム。
【請求項４】
前記制御部は、前記経時変化に関する情報を、前記モールドのパターン形状の計測結果、または前記モールドによって成形されたインプリント材の形状の計測結果から取得する、ことを特徴とする請求項３に記載のインプリントシステム。
【請求項５】
前記経時変化は、前記第１処理部における前記インプリント処理によって生じる前記モールドのパターン形状の変化、および前記モールドの洗浄処理によって生じる前記モールドのパターン形状の変化のうち少なくとも一方を含む、ことを特徴とする請求項３又は４に記載のインプリントシステム。
【請求項６】
前記経時変化は、前記モールドに形成された凹凸のパターンにおける凹部の深さ、テーパ角およびパターンの線幅のうち少なくとも１つの変化を含む、ことを特徴とする請求項３乃至５のうちいずれか１項に記載のインプリントシステム。
【請求項７】
前記複数の配置情報は、処理部およびモールドに関連付けて前記ライブラリによって管理され、
前記制御部は、前記複数の配置情報の中に前記モールドおよび前記第２処理部に関連付けて管理された配置情報がない場合に、前記インプリント処理の条件の差に基づいて前記第２処理部で用いる配置情報を選択する、ことを特徴とする請求項１乃至６のうちいずれか１項に記載のインプリントシステム。
【請求項８】
前記制御部は、前記複数の配置情報の中に、前記第１処理部で用いられた配置情報に対する前記インプリント処理の条件の差に応じた差を有する配置情報がない場合、前記第１処理部で用いられた配置情報を前記インプリント処理の条件の差に基づいて修正し、修正した配置情報を前記第２処理部で用いる配置情報に決定する、ことを特徴とする請求項１乃至７のうちいずれか１項に記載のインプリントシステム。
【請求項９】
前記制御部は、前記第１処理部で用いられた配置情報におけるインプリント材の数を前記インプリント処理の条件の差に応じて増減させることにより当該配置情報を修正する、ことを特徴とする請求項８に記載のインプリントシステム。
【請求項１０】
前記複数の配置情報は、前記モールドに形成されたパターンの寸法、および前記モールドで成形された後に前記基板上に形成されるべき前記インプリント材の残膜厚に基づいて生成されている、ことを特徴とする請求項１乃至９のうちいずれか１項に記載のインプリントシステム。
【請求項１１】
前記モールドに形成されたパターンの寸法は、前記モールドに形成されたパターンの設計値または実測値を含む、ことを特徴とする請求項１０に記載のインプリントシステム。
【請求項１２】
請求項１乃至１１のうちいずれか１項に記載のインプリントシステムを用いてパターンを基板に形成する工程と、
前記工程で前記パターンを形成された前記基板を処理する工程と、
を含むことを特徴とする物品の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、インプリントシステム、および物品の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
インプリント技術は、ナノスケールの微細パターンの転写を可能にする技術であり、半導体デバイスや磁気記憶媒体の量産用ナノリソグラフィ技術の１つとして注目されている。インプリント技術を用いたインプリント装置では、例えば、インプリント材の液滴の基板上における配置を示すマップ（塗布パターン、インプリントレシピ、ドロップレシピとも呼ばれる）に従って、インプリント材が基板上に供給される。そして、基板上に供給されたインプリント材とモールドとを接触させた状態で当該インプリント材を硬化させることにより、インプリント材で構成されたパターンを基板上に形成することができる。
【０００３】
インプリント装置では、インプリント材で構成されたパターンに欠陥や残膜厚（ＲＬＴ）の異常などが生じることを低減するようにマップを生成することが好ましい。特許文献１には、モールドのパターンへのインプリント材の充填量、基板上に形成すべき残膜厚、基板のショット領域やエッジの位置、下地（基板）の凹凸分布、および後工程での加工寸法のばらつきを考慮してマップを生成する方法が提案されている。特許文献２には、半導体集積回路を構成する回路ブロックごとに生成したマップを組み合わせて１つのショット領域に対するマップを生成する方法が提案されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特許第５２１４６８３号公報
【特許文献２】特開２０１２−１１４１５７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
複数のインプリント装置（処理部）を有するインプリントシステムでは、所定のインプリント装置で用いられていたモールドを他のインプリント装置で使用する場合がある。この場合、それらのインプリント装置間において、モールドで成形されたインプリント材の形状に差が生じないようにインプリント処理を行うことが好ましい。しかしながら、所定のインプリント装置で使用していたマップを他のインプリント装置に適用してしまうと、それらのインプリント装置間での機差により、インプリント材で構成されたパターンの欠陥や残膜厚（ＲＬＴ）などが変わりうる。一方で、当該モールドを他のインプリント装置で使用する際にマップを新たに生成する場合では、マップを生成している間、当該他のインプリント装置でのインプリント処理が中断されるため、インプリント装置の生産性（稼働率）が低下しうる。
【０００６】
そこで、本発明は、生産性の点で有利なインプリントシステムを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記目的を達成するために、本発明の一側面としてのインプリントシステムは、基板上にインプリント材を供給し、モールドを用いて前記基板上にインプリント材のパターンを形成するインプリント処理を行うインプリントシステムであって、前記基板上に前記インプリント材を供給するディスペンサをそれぞれ含み、前記インプリント処理を行う複数の処理部と、前記ディスペンサから供給すべき前記インプリント材の前記基板上における配置を示す、互いに異なる複数の配置情報を管理するライブラリと、前記複数の処理部のうち第１処理部で用いられた前記モールドを前記第１処理部とは異なる第２処理部で使用する場合、前記第１処理部と前記第２処理部との間における前記インプリント処理の条件の差に基づいて、前記第１処理部で用いられた配置情報に対する前記インプリント処理の条件の差に応じた差を有する配置情報を用いて、前記第２処理部を制御する制御部と、を含むことを特徴とする。
【０００８】
本発明の更なる目的又はその他の側面は、以下、添付図面を参照して説明される好ましい実施形態によって明らかにされるであろう。
【発明の効果】
【０００９】
本発明によれば、例えば、生産性の点で有利なインプリントシステムを提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】インプリントシステムの構成を示す概略図である。
【図２】インプリント装置の構成を示す概略図である。
【図３】ホストサーバの構成を示す概略図である。
【図４】ライブラリの構成を示す概略図である。
【図５】生成サーバの構成を示す概略図である。
【図６】インプリント処理を説明するためのフローチャートである。
【図７】インプリント処理を説明するための図である。
【図８】インプリント処理を説明するための図である。
【図９】マップを生成する処理を説明するためのフローチャートである。
【図１０】供給量分布情報の一例を示す図である。
【図１１】マップの一例を示す図である。
【図１２】マップの選択を説明するためのフローチャートである。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
以下、添付図面を参照して、本発明の好適な実施の形態について説明する。なお、各図において、同一の部材ないし要素については同一の参照番号を付し、重複する説明は省略する。
【００１２】
＜第１実施形態＞
本発明に係る第１実施形態のインプリントシステム１０について説明する。図１は、本発明の一側面としてのインプリントシステム１０の構成を示す概略図である。インプリントシステム１０は、基板上にインプリント材（例えば樹脂）を供給し、基板上に供給されたインプリント材をモールドで成形するインプリント処理を行う。本実施形態では、インプリント材を硬化する方法として、紫外線の照射によってインプリント材を硬化させる光硬化法を採用するが、それに限定するものではなく、熱によってインプリント材を硬化させる熱硬化法を採用してもよい。インプリントシステム１０は、例えば、複数のインプリント装置１００（処理部）と、ホストサーバ２００（制御部）と、ライブラリ３００と、生成サーバ４００（生成部）とを含みうる。
【００１３】
複数のインプリント装置１００の各々は、基板上にインプリント材を供給するためのディスペンサ（塗布部）を含み、インプリント処理を行う処理部として機能する。例えば、インプリント装置１００は、ディスペンサから供給すべきインプリント材の液滴の基板上における配置を示すマップに従って、基板上にインプリント材の液滴を供給する。そして、インプリント装置１００は、基板上のインプリント材とモールドとを接触させた状態でインプリント材を硬化させ、硬化したインプリント材からモールドを引き離す（離型する）ことで、インプリント材で構成されたパターンを基板上に形成する。マップは、配置情報、塗布パターン、インプリントレシピ、ドロップレシピなどとも呼ばれる。また、複数のインプリント装置１００の各々は、インプリント処理の条件やインプリント装置１００の状態に関する情報を、ホストサーバ２００に送信する機能１０ａを有している。
【００１４】
ホストサーバ２００は、ＣＰＵ、メモリ、ＨＤＤなどを含むコンピュータで構成され、インプリントシステム１０の各部、即ち、複数のインプリント装置１００、ライブラリ３００および生成サーバ４００を制御する。ホストサーバ２００は、例えば、ディスペンサから供給すべきインプリント材の液滴の基板上における配置を示すマップを制御する。また、ホストサーバ２００は、インプリント処理を行う際のインプリント条件（インプリント処理の条件）も制御する。ホストサーバ２００は、インプリント処理に用いる、即ち、インプリント処理に適切なマップをインプリント装置１００に送信する機能１０ｂや、ライブラリ３００によって管理されているマップを参照（照会）する機能１０ｃを有する。また、ホストサーバ２００は、新たなマップの生成を指示するジョブやマップを生成するために必要となる情報を、生成サーバ４００に送信する機能１０ｅを有する。ここで、マップを生成するために必要となる情報とは、例えば、モールドのパターンの寸法、基板上に形成すべきパターン（インプリント材で構成されたパターン）の残膜厚、基板面内情報、基板のショット領域のレイアウト情報などを含みうる。また、基板面内情報は、例えば、基板の面内におけるインプリント材の揮発量の分布および基板の面内における気流の分布を含みうる。
【００１５】
ライブラリ３００は、ＣＰＵ、メモリ、ＨＤＤなどを含むコンピュータで構成され、ディスペンサから供給すべきインプリント材の液滴の基板上における配置を示すマップ（配置情報）を管理（保管）する。ライブラリ３００は、インプリント処理に適切なマップをホストサーバ２００に送信する機能１０ｄと、マップを生成するために必要となる情報を生成サーバ４００に送信する機能１０ｆとを有する。また、ライブラリ３００は、保管している複数のマップの生成履歴および選択履歴を解析する機能を有していてもよい。
【００１６】
生成サーバ４００は、ＣＰＵ、メモリ、ＨＤＤなどを含むコンピュータで構成され、ホストサーバ２００からのジョブに応じて、ディスペンサから供給すべきインプリント材の液滴の基板上における配置(供給位置)を示すマップを生成する。この際、生成サーバ４００は、モールドのパターンの寸法（モールドのパターンの設計値または実測値）、および基板上に形成すべきパターンの残膜厚に基づいて、マップを生成する。更に、生成サーバ４００は、基板の面内におけるインプリント材の揮発量の分布および基板の面内における気流の分布を含む基板面内情報、および基板のショット領域のレイアウト情報の少なくとも一方に基づいてマップを生成してもよい。生成サーバ４００は、このようなマップを生成するために必要となる情報を、上述したように、ホストサーバ２００やライブラリ３００から取得する。また、生成サーバ４００は、生成したマップをライブラリ３００に送信する機能１０ｇを有する。
【００１７】
ここで、インプリントシステム１０を構成する装置、サーバおよびライブラリ間での機能については図１に示す構成に限定されるものではなく、当該機能を、図１に示す構成とは異なる装置、サーバおよびライブラリ間で実現してもよい。また、ホストサーバ２００、ライブラリ３００および生成サーバ４００は、インプリントシステム１０の外部に設けてもよい。但し、この場合にも、ホストサーバ２００、ライブラリ３００および生成サーバ４００を複数のインプリント装置１００の各々に接続して、インプリント処理に適切なマップを各インプリント装置１００に提供可能にすることが好ましい。
【００１８】
このように構成されたインプリントシステム１０では、基板上に形成すべきパターンや残膜厚に応じて生成された互いに異なる複数のマップがライブラリ３００に予め保管されている。そして、例えば、インプリント装置１００で使用されるモールドのパターン形状に応じて、ライブラリ３００により管理されている複数のマップの中から、当該インプリント装置で使用するマップが選択されうる。ここで、インプリントシステム１０では、複数のインプリント装置間での機差や複数のモールドにおけるパターン形状の製造誤差などにより、複数のインプリント装置１００においてインプリント処理の結果を互いに等しくすることが困難になることがある。そのため、本実施形態のインプリントシステム１０では、各インプリント装置１００および各モールドに識別情報（装置ＩＤおよびモールドＩＤ）がそれぞれ設定される。そして、複数のマップは、各インプリント装置１００の識別情報および各モールド１０１の識別情報に関連付けられて、ライブラリ３００により管理されている。ホストサーバ２００は、インプリント装置１００で使用するマップを、当該インプリント装置１００およびそれに用いられるモールドにそれぞれ設定された識別情報に基づいて、ライブラリ３００により管理されている複数のマップの中から選択する。これにより、インプリントシステム１０は、インプリント装置１００とモールドとの組み合わせに対応するマップを適切に選択することができる。そのため、モールドにより成形されたインプリント材のパターンの形状や残膜厚にばらつきが生じることを低減させることができる。
【００１９】
ここで、ホストサーバ２００は、インプリント装置１００におけるインプリン処理の条件に関する情報を、当該インプリント装置１００の識別情報に関連付けて管理している。インプリント処理の条件は、例えば、インプリント処理における単位時間当たりの液滴の揮発量、基板上に供給されるインプリント材の量、ディスペンサにより基板に供給されるインプリント材の液滴の量および位置精度のうち少なくとも１つを含みうる。また、当該情報は、インプリント材の古さ（インプリント材の使用を開始してからの期間）を含んでもよい。また、ホストサーバ２００は、モールドのパターン形状に関する情報を、当該モールド１０１の識別情報に関連付けて管理している。モールドのパターン形状に関する情報は、例えば、モールドに形成されたパターンの設計情報や実際の寸法、欠陥情報（欠陥数）、洗浄回数、インプリント回数のうち少なくとも１つを含みうる。
【００２０】
本実施形態のインプリントシステム１０において、ライブラリ３００により管理されている複数のマップの中に、インプリント装置１００およびモールドの両方に対応するマップがない場合がある。この場合では、各インプリント装置１００におけるインプリント処理の条件に関する情報、および各モールドのパターン形状に関する情報に基づいて、インプリント処理の結果への影響を許容範囲に収めることができるマップを選択してもよい。例えば、複数のインプリント装置１００のうちの第１インプリント装置１００Ａと第２インプリント装置１００Ｂとでインプリント処理の条件がほぼ等しい場合を考える。この場合、第２インプリント装置１００Ｂで用いるマップを、第１インプリント装置１００Ａに関連付けて管理された複数のマップの中から選択してもよい。
【００２１】
また、インプリントシステム１０では、上述したように、インプリント処理の条件に関する情報およびモールドのパターン形状に関する情報が、インプリント装置１００の識別情報およびモールド１０１の識別情報にそれぞれ関連付けて管理されている。そのため、以下に示すインプリント装置１００およびモールドにおける変化（例えば経時変化）に対応する複数のマップをライブラリ３００で管理し、当該変化に応じて適切なマップを選択することができる。これにより、インプリント装置１００およびモールドにおける変化によるインプリント処理の結果への影響を低減することができる。即ち、モールドにより成形されたインプリント材のパターンの寸法を許容範囲に収めることができる。
【００２２】
インプリント装置１００における変化は、インプリント処理における単位時間当たりの液滴の揮発量の変化、ディスペンサから基板に供給される液滴の量および位置精度の変化などを含みうる。インプリント装置１００における変化は、テストインプリント処理などを行うことにより求められうる。また、モールドにおける変化は、インプリント処理やモールドの洗浄によるパターン寸法の変化、欠陥数および位置の変化などを含みうる。パターンの寸法は、モールドのパターンの凹部の深さ、パターンの線幅（ＣＤ：Ｃｒｉｔｉｃａｌ  Ｄｉｍｅｎｓｉｏｎ）、テーパ角などを含みうる。モールドにおける変化は、インプリント処理の後におけるモールドのパターン形状の計測結果などにより求められうる。
【００２３】
ここで、インプリント装置１００およびモールドにおける変化に対応する複数のマップについて説明する。例えば、インプリント処理における液滴の揮発量の１％ごとの変化に対応するように、液滴の数が１％ずつ互いに異なる複数のマップが、インプリント装置１００と関連付けてライブラリにより管理されうる。また、ディスペンサから吐出される液滴の量の１％ごとの変化に対応するように、液滴の数が１％ずつ互いに異なる複数のマップが、インプリント装置１００と関連付けてライブラリにより管理される。これにより、インプリント装置１００における変化に対応させたマップを選択することができる。
【００２４】
同様に、例えば、モールドのパターンにおける凹部の深さの１ｎｍごとの変化に対応するように、液滴の数が凹部の深さ１ｎｍに相当する数ずつ互いに異なる複数のマップが、モールドと関連付けてライブラリにより管理される。また、モールドのパターンにおける線幅の１ｎｍごとの変化に対応するように、液滴の数が線幅１ｎｍに相当する数ずつ互いに異なる複数のマップが、モールドと関連付けてライブラリにより管理される。これにより、モールドにおける変化に対応させたマップを選択することができる。
【００２５】
［インプリント装置の構成について］
図２は、インプリントシステム１０におけるインプリント装置１００の構成を示す概略図である。インプリント装置１００は、半導体デバイスなどの製造プロセスで使用されるリソグラフィ装置であって、上述したように、基板上のインプリント材をモールドを用いて成形する。インプリント装置１００は、モールド１０１を保持するヘッド１０２と、照射部１０３と、基板１０４を保持するステージ１０５と、ディスペンサ１１０と、供給部１１１と、制御部１１２と、格納部１１３とを有する。
【００２６】
モールド１０１は、基板１０４に対向する面に、基板１０４に供給されたインプリント材１２０に転写すべきパターンが形成されたパターン領域１０１ａを有する。モールド１０１は、例えば、矩形の外形形状を有する。モールド１０１は、基板上のインプリント材１２０を硬化させるための紫外線を透過する材料、例えば、石英などで構成されうる。また、基板１０４は、モールド１０１のパターンが転写される基板であって、例えば、単結晶シリコン基板やＳＯＩ（Ｓｉｌｉｃｏｎ  ｏｎ  Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ）基板などを含む。
【００２７】
ヘッド１０２は、モールド１０１を真空吸着力または静電気力によって保持（固定）する。ヘッド１０２は、モールド１０１をＺ軸方向に駆動する（移動させる）駆動機構を含む。ヘッド１０２は、基板上に供給された未硬化のインプリント材１２０にモールド１０１を押印する機能、および基板上の硬化したインプリント材１２０からモールド１０１を引き離す機能を有する。
【００２８】
ステージ１０５は、基板１０４を保持する基板チャックと、モールド１０１と基板１０４との位置合わせ（アライメント）を行うための駆動機構とを含む。かかる駆動機構は、例えば、粗動駆動系と微動駆動系とで構成され、Ｘ軸方向およびＹ軸方向に基板１０４を駆動する（移動させる）。また、駆動機構は、Ｘ軸方向およびＹ軸方向だけではなく、Ｚ軸方向およびθ方向（Ｚ軸周りの回転方向）に基板１０４を駆動する機能や基板１０４の傾きを補正するためのチルト機能を備えていてもよい。
【００２９】
照射部１０３は、基板上のインプリント材１２０を硬化させる機能を有する。照射部１０３は、例えば、ハロゲンランプやＬＥＤなどを含み、モールド１０１を介して基板上の樹脂に紫外線を照射する。
【００３０】
供給部１１１は、未硬化のインプリント材１２０を保管するタンクを含む。供給部１１１は、供給管を介して、ディスペンサ１１０に対して未硬化のインプリント材１２０を供給する。ディスペンサ１１０は、例えば、基板１０４に対してインプリント材１２０の液滴を吐出する複数のノズル（吐出口）を含み、基板上にインプリント材１２０を供給（塗布）する。本実施形態では、ディスペンサ１１０におけるインプリント材１２０の供給量の単位を「滴」とし、インプリント材１２０の１滴あたりの量は、サブピコリットルから数ピコリットルである。１滴のインプリント材１２０は、各ノズル（各吐出口）の一回の吐出動作によって基板上に供給される。また、ディスペンサ１１０からインプリント材１２０の液滴を滴下可能な基板上の位置は、数μｍごとと決まっている。供給部１１１からディスペンサ１１０にインプリント材１２０を供給しながらステージ１０５を駆動させるとともに、ディスペンサ１１０からインプリント材１２０の液滴を吐出することで、基板上にインプリント材１２０の液滴の配列が形成される。
【００３１】
制御部１１２は、ＣＰＵやメモリなどを含み、インプリント装置１００の全体（動作）を制御する。制御部１１２は、インプリント装置１００の各部を制御して、インプリント処理を行う。また、制御部１１２は、ホストサーバ２００に対して、必要に応じて、インプリント処理の結果、モールド１０１やディスペンサ１１０の使用履歴、インプリント環境の温度や湿度の変化などのインプリント材１２０の揮発に関わる情報などを送信する。制御部１１２は、ホストサーバ２００から取得したマップを格納部１１３に格納する。
【００３２】
［ホストサーバの構成について］
図３は、インプリントシステム１０におけるホストサーバ２００の構成を示す概略図である。ホストサーバ２００は、結果管理部２０１と、結果判定部２０２と、マップ選択部２０３と、装置情報管理部２０４と、パターン情報管理部２０５と、設計情報管理部２０６と、条件管理部２０７と、装置履歴送信部２０８と、生成指示部２０９とを含みうる。
【００３３】
結果管理部２０１は、インプリント装置１００から、インプリント処理時における装置条件、モールド１０１の使用履歴、ディスペンサ１１０の使用履歴、インプリント処理の結果などを含むインプリント結果情報を取得し、それらを管理する。また、結果管理部２０１は、検査装置から、インプリント装置１００によるインプリント処理の結果を解析した解析結果も取得して管理する。
【００３４】
結果判定部２０２は、結果管理部２０１で管理されているインプリント結果情報に基づいて、ディスペンサ１１０から供給すべきインプリント材１２０の液滴の基板上における配置を示すマップの変更が必要かどうかを判定する。
【００３５】
マップ選択部２０３は、結果判定部２０２によってマップの変更が必要であると判定された場合に、ライブラリ３００で管理されている複数のマップから最適なマップを選択し、選択したマップをインプリント装置１００に送信する。マップ選択部２０３は、マップの選択を、インプリント装置１００の識別情報およびモールド１０１の識別情報に基づいて行う。インプリント装置１００およびモールド１０１に変化（例えば経時変化）が生じている場合では、マップ選択部２０３は、当該変化に応じたマップを選択しうる。上述したように、ホストサーバ２００では、インプリント処理の条件に関する情報およびモールド１０１のパターン形状に関する情報が管理される。そのため、マップ選択部２０３は、それらの情報に従って、インプリント装置１００およびモールド１０１の変化に応じたマップを選択することができる。また、ライブラリ３００において最適なマップが管理されていない場合には、マップ選択部２０３は、生成指示部２０９に対して、新たなマップ（例えば、最適なマップ）の生成を指示するためのジョブを送信する。
【００３６】
装置情報管理部２０４は、結果管理部２０１からインプリント結果情報を取得し、かかるインプリント結果情報から装置情報を抽出して管理する。かかる装置情報は、インプリント処理の条件に関する情報を含みうる。同様に、パターン情報管理部２０５は、結果管理部２０１からインプリント結果情報を取得し、係るインプリント結果情報からパターン情報を抽出して管理する。かかるパターン情報は、モールド１０１のパターン形状に関する情報を含みうる。また、装置情報管理部２０４およびパターン情報管理部２０５は、管理している情報の変化を監視して経時変化情報として管理する。
【００３７】
設計情報管理部２０６は、モールド１０１のパターンの設計情報（設計値）やモールド１０１のパターンの検査情報（実測値）を管理する。条件管理部２０７は、基板上に形成すべきパターンの残膜厚、基板１０４のショット領域のレイアウト情報、モールド１０１のパターンへのインプリント材の充填時間、装置設定などを管理する。
【００３８】
装置履歴送信部２０８は、装置情報管理部２０４およびパターン情報管理部２０５から経時変化情報を取得し、係る経時変化情報を生成指示部２０９に送信する。生成指示部２０９は、マップ選択部２０３からのジョブに応じて、設計情報管理部２０６、条件管理部２０７および装置履歴送信部２０８からマップの生成に必要な情報を取得し、かかる情報をマップの生成を指示するジョブとともに生成サーバ４００に送信する。また、生成指示部２０９は、ライブラリ３００のマップ情報管理部３０１で管理されているマップ情報を参照して、ライブラリ３００で管理されているマップが不足していないか、或いは、不足する可能性がないかを判定する。マップが不足している、或いは、不足する可能性があると判定した場合には、生成指示部２０９は、新たなマップの生成を指示するジョブを生成サーバ４００に送信する。
【００３９】
［ライブラリの構成について］
図４は、インプリントシステム１０におけるライブラリ３００の構成を示す概略図である。ライブラリ３００は、マップ情報管理部３０１と、マップ保存部３０２とを含みうる。
【００４０】
マップ情報管理部３０１は、ライブラリ３００で管理しているマップが生成された際の生成条件に関するマップ情報を管理する。かかるマップ情報は、マップを生成したときのインプリント処理の条件に関する情報およびモールドのパターン形状に関する情報のうち少なくとも一方を含みうる。マップ情報管理部３０１は、ホストサーバ２００からのライブラリ３００で管理されているマップの照会に応じて、マップ情報を参照して該当するマップを管理しているかどうかを判定する。該当するマップを管理している場合には、マップ情報管理部３０１は、かかるマップをホストサーバ２００に送信する。また、マップ情報管理部は３０１、ホストサーバ２００からマップの生成を指示するジョブを取得した場合に、マップの生成に必要な情報を生成サーバ４００に送信する。更に、マップ情報管理部３０１は、生成サーバ４００で生成された新たなマップのマップ情報を生成サーバ４００から取得して管理する。
【００４１】
マップ保存部３０２は、インプリント装置１００に送信可能なファイル形式でマップを保存（保管）する。マップ保存部３０２は、マップ情報管理部３０１を介してホストサーバ２００にマップを送信するとともに、生成サーバ４００で生成されたマップを保存する。
【００４２】
［生成サーバの構成について］
図５は、インプリントシステム１０における生成サーバ４００の構成を示す概略図である。生成サーバ４００は、設計情報設定部４０１と、パラメータ設定部４０２と、レイアウト情報設定部４０３と、装置履歴設定部４０４と、装置変化管理部４０５と、パターン変化管理部４０６と、液滴数算出部４０７と、決定部４０８と、出力部４０９とを含む。
【００４３】
設計情報設定部４０１は、モールド１０１に形成されているパターンの設計情報をホストサーバ２００から取得し、かかる設計情報を設定（入力）する。パラメータ設定部４０２は、モールド１０１の凹部の深さ（凸部の高さ）、基板上に形成するパターンの残膜厚などの設定情報をホストサーバ２００から取得し、かかる設定情報を設定（入力）する。また、パラメータ設定部４０２は、基板上のインプリント材１２０の拡がりに関する情報、モールド１０１のパターンへのインプリント材１２０の充填時間、基板上で必要なインプリント材１２０の液滴の間隔などの制約条件も設定（入力）する。
【００４４】
レイアウト情報設定部４０３は、基板１０４のショット領域のレイアウト情報をホストサーバ２００から取得して、かかるレイアウト情報を設定（入力）する。装置履歴設定部４０４は、モールド１０１やディスペンサ１１０の使用履歴などから算出されるインプリント材１２０の液滴補正量および液滴の基板上における配置（供給位置）を決定するための分布情報を、ホストサーバ２００から取得する。
【００４５】
装置変化管理部４０５は、ディスペンサ１１０の使用履歴から算出されるインプリント材１２０の液滴補正量および液滴の基板上における配置を決定するための分布情報を管理（提供）する。パターン変化管理部４０６は、モールド１０１の使用履歴から算出されるインプリント材１２０の液滴補正量および液滴の基板上における配置を決定するための分布情報を管理（提供）する。
【００４６】
液滴数算出部４０７は、インプリント処理を行う基板上のインプリント領域に供給すべきインプリント材１２０の供給量、即ち、インプリント材１２０の液滴数を算出する。液滴数算出部４０７は、例えば、設計情報設定部４０１およびパラメータ設定部４０２で設定された情報、装置変化管理部４０５およびパターン変化管理部４０６で管理された情報、液滴補正量などに基づいて、液滴数を算出する。
【００４７】
決定部４０８は、基板上におけるインプリント材１２０の液滴の配置（供給位置）を決定する。決定部４０８は、例えば、設計情報設定部４０１およびパラメータ設定部４０２で設定された情報、装置変化管理部４０５およびパターン変化管理部４０６で管理された情報、液滴数算出部４０７で算出された液滴数などに基づいて液滴の配置を決定する。また、出力部４０９は、決定部４０８で決定された基板上におけるインプリント材１２０の液滴の配置に基づいて、指定された形式でマップを出力する。出力部４０９で出力されたマップは、ライブラリ３００に送信されて管理される。
【００４８】
［インプリント処理について］
インプリントシステム１０におけるインプリント処理について詳細に説明する。図６は、インプリントシステム１０におけるインプリント処理を説明するためのフローチャートである。インプリント処理は、上述したように、ホストサーバ２００が各インプリント装置１００、ライブラリ３００および生成サーバ４００を統括的に制御し、制御部１１２がインプリント装置１００の各部を統括的に制御することで行われる。インプリント装置１００には、上述したように、インプリント装置１００の識別情報（装置ＩＤ）が設定されている。
【００４９】
Ｓ１００では、基板１０４に形成すべきパターンを形成可能なモールド１０１をインプリント装置１００に搬入し、かかるモールド１０１をヘッド１０２に保持させる。モールド１０１は、例えばフォトマスクに用いる透明な石英基板に、設計情報に対応する凹凸のパターンが形成されたものである。モールド１０１には、上述したように、モールド１０１の識別情報（モールドＩＤ）が設定されている。Ｓ１０１では、基板１０４をインプリント装置１００に搬入し、図７（ａ）に示すように、かかる基板１０４をステージ１０５に保持させる。また、Ｓ１０２では、インプリント処理を行うインプリント装置１００の識別情報、およびヘッド１０２に保持されたモールド１０１の識別情報を取得する。
【００５０】
Ｓ１０３は、ライブラリ３００に管理されている複数のマップから、インプリント処理に用いるマップを選択する工程である。Ｓ１０３ａでは、ライブラリ３００により管理されている複数のマップから、インプリント装置１００の識別情報およびモールド１０１の識別情報に関連付けて管理されているマップ群を取得する。このとき、ホストサーバ２００は、インプリント装置１００の識別情報およびモールド１０１の識別情報に基づいて、インプリント処理の条件に関する情報およびモールド１０１のパターン形状に関する情報を取得する。インプリント処理の条件に関する情報は、使用するインプリント装置１００におけるノズルの数や、各ノズルから吐出されるインプリント材の液滴の量の平均値やばらつき、基板上に供給される液滴の位置精度（着弾位置のばらつき）などの情報を含みうる。また、インプリント処理の条件に関する情報は、インプリント環境の温度や気流、酸素濃度、揮発量分布などの情報、樹脂の種類、インプリント履歴などを含みうる。モールド１０１のパターン形状に関する情報は、モールド１０１のパターンの線幅や密度、欠陥数などの実測値の情報、インプリント回数や洗浄回数などの履歴情報などを含みうる。
【００５１】
Ｓ１０３ｂでは、Ｓ１０３ａで取得したマップ群から、インプリント処理の条件に関する情報およびモールド１０１のパターン形状に関する情報に基づいて、基板上に形成されるインプリント材のパターンの形状を目標形状にするために最適なマップを選択する。そして、選択したマップをインプリント装置１００（ディスペンサ１１０）に設定する。マップは、上述したように、基板上におけるインプリント材１２０の液滴の配置を示すものである。換言すると、マップは、基板１０４に供給するインプリント材１２０の量を示すものである。つまり、Ｓ１０３ｂで選択されるマップは、目標とする充填時間に対して、基板１０４に形成されたインプリント材１２０のパターンに生じる欠陥や膜厚異常を低減することができるマップであることが好ましい。また、Ｓ１０３ａで取得したマップ群に最適なマップが含まれていない場合には、最適なマップが後述の処理フローによって生成されうる。
【００５２】
Ｓ１０４では、基板１０４のショット領域のうち、インプリント処理が行われていないショット領域を対象ショット領域として指定する。ここで、ショット領域とは、１回のインプリント処理でパターンが形成される領域を意味するものとする。また、対象ショット領域とは、これからインプリント処理を行う対象のショット領域を意味するものとする。本実施形態では、例えば、図７（ｂ）に示すように、基板１０４において連続するショット領域Ｓ１、Ｓ２、Ｓ３、Ｓ４・・・の順にインプリント処理を行う。但し、インプリント処理の順序は、図７（ｂ）に示すような一方向順に限定されるものではなく、往復路順（ジグザグ順）であってもよいし、千鳥格子順やランダムであってもよい。
【００５３】
Ｓ１０５では、ディスペンサ１１０によって、基板上にインプリント材１２０を供給する。この際、ディスペンサ１１０は、図７（ｃ）に示すように、Ｓ１０４で選択されたマップに従って、ステージ１０５の移動に応じて基板上にインプリント材１２０の液滴を順次吐出する。
【００５４】
Ｓ１０６では、押印処理を行う。具体的には、まず、図８（ａ）に示すように、インプリント材１２０が供給された基板１０４に対して、モールド１０１を近接させる。次いで、図８（ｂ）に示すように、モールド１０１と基板１０４との位置合わせを行いながら、モールド１０１と基板上のインプリント材１２０とを接触させる。そして、モールド１０１のパターンにインプリント材１２０が充填されるまで、かかる状態を維持する。モールド１０１と基板上のインプリント材１２０とを接触させた初期段階では、モールド１０１のパターンへのインプリント材１２０の充填が不十分であるため、パターンの隅に充填欠陥を生じている。但し、時間が経過していくにつれて、モールド１０１のパターンの隅々までインプリント材１２０が充填され、充填欠陥が減少する。
【００５５】
Ｓ１０７では、硬化処理を行う。具体的には、モールド１０１のパターンにインプリント材１２０を十分充填させた後、図８（ｃ）に示すように、照射部１０３によって、モールド１０１の裏面からインプリント材１２０に紫外線を所定時間照射して、基板上のインプリント材１２０を硬化させる。また、Ｓ１０８では、離型処理を行う。具体的には、図８（ｄ）に示すように、基板上の硬化したインプリント材１２０からモールド１０１を引き離す。これにより、モールド１０１で基板上のインプリント材１２０を成形して、インプリント材１２０で構成されたパターンを基板上に形成することができる。
【００５６】
Ｓ１０９では、Ｓ１０３ｂで選択したマップの変更が必要であるかどうかを判定する。かかる判定の基準は、例えば、インプリント処理の結果の変化、即ち、基板上に形成されたインプリント材１２０のパターンの線幅（ＣＤ）、残膜厚および欠陥数などの変化である。ここで、単位時間当たりのインプリント材１２０の揮発量が変化することや、対象ショット領域が基板１０４の周辺部に配置された欠けショット領域であることなどを判定の基準に含めてもよい。このような変化は、ディスペンサ１１０から吐出されたインプリント材１２０の液滴の液滴数や着弾位置のずれ、モールド１０１のパターンの寸法の変化、モールド１０１の使用回数などによって生じうる。また、このような変化は、モールド１０１の押印力や離型力の変動、押印処理におけるモールド１０１と基板１０４との間のゴミの挟み込みなどによっても生じうる。インプリント処理の結果の変化は、インプリント装置１００や外部の検査装置で検知することが可能である。インプリント処理の結果の変化が検知された場合には、パターンの転写不良（製品不良）を招く可能性があるため、インプリント処理を停止してもよい。
【００５７】
マップの変更が必要である場合には、新たなマップを選択するためにＳ１０３ｂに戻り、Ｓ１０３ａで取得したマップ群から、上述の変化を考慮した最適なマップを選択する。もし、最適なマップが当該マップ群に含まれていない場合には、変化が生じた項目および変化量をホストサーバ２００に送信させ、ライブラリ３００により管理されている複数のマップの中から、上述の変化を考慮した最適なマップを選択する。ライブラリ３００により管理されている複数のマップにも最適なマップが含まれていない場合には、変化が生じた項目および変化量を生成サーバ４００に送信し、生成サーバ４００に新たなマップを生成させる。一方、マップの変更が必要でない場合には、Ｓ１１０に移行する。
【００５８】
Ｓ１１０では、基板１０４の全てのショット領域にインプリント処理を行ったかどうかを判定する。基板１０４の全てのショット領域にインプリント処理を行っていない場合には、インプリント処理が行われていないショット領域を対象ショット領域として指定するために、Ｓ１０４に戻る。Ｓ１０４からＳ１１０までの処理を繰り返すことで、基板１０４の全てのショット領域の上にインプリント材で構成されたパターンを形成することができる。一方、基板１０４の全てのショット領域にインプリント処理を行った場合には、Ｓ１１１に移行する。また、Ｓ１１１では、全てのショット領域にインプリント処理が行われた基板１０４を、インプリント装置１００から搬出する。インプリント装置１００から搬出された基板１０４は、インプリント材１２０で構成されたパターンをマスクとして下層側が加工（例えば、エッチング）される。半導体デバイスを製造する際には、これらの処理がプロセスのレイヤごとに繰り返される。
【００５９】
ここで、マップの変更が必要であるかどうかの判定（Ｓ１０９）では、モールド１０１の洗浄が必要であるかどうかも判定してもよい。モールド１０１の洗浄が必要でない場合には、Ｓ１０３ａで取得したマップ群から、上述の変化を考慮した最適なマップを選択する。もし、最適なマップが当該マップ群に含まれていない場合には、変化が生じた項目および変化量をホストサーバ２００に送信させ、ライブラリ３００により管理されている複数のマップの中から、上述の変化を考慮した最適なマップを選択する。ライブラリ３００により管理されている複数のマップにも最適なマップが含まれていない場合には、変化が生じた項目および変化量を生成サーバ４００に送信し、生成サーバ４００に新たなマップを生成させる。このとき、新たなマップの生成が完了するまで、使用していたモールド１０１および基板１０４をインプリント装置１００から取り外し、他のモールド１０１および他の基板１０４を当該インプリント装置１００に搬入してインプリント処理を継続させてもよい。これにより、インプリント装置１００の生産性が低下することを抑制することができる。他のモールド１０１を用いて他の基板１０４のインプリント処理を行う場合であっても、インプリント装置１００の識別情報およびモールド１０１の識別情報に関連付けられたマップ群をライブラリ３００から取得しうる。新たなマップが生成されたときには、かかるマップがインプリント装置１００の識別情報およびモールド１０１の識別情報と関連付けてライブラリ３００に保管されうる。
【００６０】
一方、モールド１０１の洗浄が必要である場合には、インプリント処理を停止して、ヘッド１０２からモールド１０１を取り外す。この場合においても、インプリント装置１００の生産性の低下を抑制するため、他のモールド１０１および他の基板１０４をインプリント装置１００に搬入してインプリント処理を継続させてもよい。
【００６１】
ヘッド１０２から取り外されたモールド１０１は、モールド洗浄装置に搬入して洗浄される。モールド洗浄装置は、例えば、モールド１０１に付着するゴミや汚れに対して、薬液や純水を使用してウェット洗浄する洗浄装置であってもよし、エキシマレーザやプラズマなどを使用してドライ洗浄する洗浄装置であってもよい。モールド１０１の洗浄が終了したら、かかるモールド１０１の使用履歴に洗浄したことが追加される。
【００６２】
また、モールド１０１を洗浄すると、そのパターンが摩耗し、パターンの形状に変化が生じる可能性がある。そこで、モールド１０１を洗浄した後、洗浄したモールド１０１のパターンの形状（凹凸形状）を計測することが好ましい。具体的には、モールド１０１のパターンの形状として、モールド１０１のパターン寸法、凹部と凸部との体積比率（Ｄｕｔｙ  Ｃｙｃｌｅ）、凹部の深さ（凸部の高さ）、凹凸のテーパ角、表面粗さ（Ｒａ）などを計測する。このようなモールド１０１のパターンの形状を表す物理量は、一般的な寸法計測装置、高さ計測装置、粗さ計測装置を用いて計測することができる。
【００６３】
例えば、モールド１０１のパターンの線幅およびＤｕｔｙ  Ｃｙｃｌｅを計測する際には、電子ビーム方式の寸法計測装置（ＣＤ−ＳＥＭ）を用いればよい。モールド１０１のパターンがライン（凹部）とスペース（凸部）との繰り返しパターンである場合、ラインの幅およびスペースの幅を複数箇所について計測する。そして、モールド１０１を洗浄する前と比べて差分があれば、モールド１０１のパターンの線幅が変化したことになる。Ｄｕｔｙ  Ｃｙｃｌｅについては、ラインとスペースとの比率から求めることができる。
【００６４】
また、モールド１０１の凹部の深さ、凹凸のテーパ角、表面粗さを計測する際には、ＡＦＭや共焦点顕微鏡を用いればよい。これらは、モールド１０１のパターンを直接計測することで求めてもよいし、モールド１０１のパターンの外側に設けた計測用パターンを計測することで間接的に求めてもよい。
【００６５】
モールド１０１を洗浄すると、モールド１０１の表面（パターン領域）が一定量摩耗して薄くなることに加えて、そのパターンに応じて摩耗量の分布も発生する。例えば、モールド１０１のパターンがライン（凹部）とスペース（凸部）との繰り返しパターンである場合、洗浄によって、凹部の幅が太くなり、凸部の幅が狭くなるため、凹部の体積比率が増加する。また、凸部がより摩耗する場合には、凸部の高さがより小さくなり、凹凸のテーパ角は小さくなる。モールド１０１の表面における凹凸が小さくなる場合には、表面粗さが小さくなる。
【００６６】
モールド１０１のパターン（凹凸形状）を表す物理量は、モールド１０１のパターンを直接計測した計測結果からではなく、洗浄後に行われるテストインプリント処理により得られるインプリント材１２０のパターンの計測結果から求めることも可能である。テストインプリント処理により得られるインプリント材１２０のパターンを計測する場合には、当該インプリント材１２０のパターンを切り出してその断面を計測してもよい。
【００６７】
このようにして計測されたモールド１０１のパターンの寸法は、モールド１０１のパターンの寸法の実測値としてホストサーバ２００に送信され、モールド１０１のパターン形状に関する情報として管理される。これにより、洗浄したモールドを用いてインプリント処理を行う場合には、モールド１０１を洗浄した後におけるモールド１０１のパターン形状に関する情報を用いて、インプリント処理に用いるマップが選択されうる。
【００６８】
［マップの生成について］
図９を参照して、ディスペンサ１１０から供給すべきインプリント材１２０の液滴の基板上における配置を示すマップを生成する処理について詳細に説明する。本実施形態では、上述したように、生成サーバ４００においてマップを生成し、かかるマップをライブラリ３００で管理する。但し、インプリントシステム１０の外部の情報処理装置などでマップを生成し、かかるマップをライブラリ３００で管理してもよい。
【００６９】
Ｓ２００では、モールド１０１のパターンの設計情報や装置情報から基板上の各領域に必要な樹脂の供給量（塗布量）を算出した供給量分布を取得する。供給量分布は、インプリント装置１００の識別情報およびモールド１０１の識別情報を元に、ホストサーバ２００の装置情報管理部２０４、パターン情報管理部２０５、設計情報管理部２０６および条件管理部２０７から取得された情報に基づいて算出される。ここで、かかる情報は、モールド１０１のパターンの寸法、基板上に形成すべきパターンの残膜厚、基板１０４の面内におけるインプリント材１２０の揮発量の分布や気流の分布を含む基板面内分布情報、基板１０４のショット領域のレイアウト情報などを含む。
【００７０】
本実施形態では、供給量分布情報として、図１０に示すように、基板上におけるインプリント材１２０の供給量分布を濃淡の多値情報に変換した画像データを用いる。図１０を参照するに、領域１３０ａ乃至１３０ｃは、モールド１０１のパターンの位置、形状および深さなどに基づいて算出された濃淡を示している。領域１３０ａは、パターンの深さが深く、インプリント材１２０の必要体積が大きい領域を示している。領域１３０ｂは、パターンの深さが浅く、インプリント材１２０の必要体積が領域１３０ａよりも小さい領域を示している。領域１３０ｃは、パターンがなく、インプリント材１２０の必要体積が領域１３０ｂよりも小さい領域を示している。
【００７１】
Ｓ２０１では、Ｓ２００で取得された供給量分布情報やディスペンサ１１０から吐出されるインプリント材の液滴のサイズ（例えば、液滴量）に基づいて、基板上のインプリント領域に必要なインプリント材１２０の液滴数を算出する。
【００７２】
Ｓ２０２では、Ｓ２００で取得された供給量分布およびＳ２０１で算出された液滴数に基づいて、ディスペンサ１１０から供給すべきインプリント材１２０の液滴の基板上における配置を示すマップを生成する。具体的には、まず、Ｓ２００で取得した供給量分布情報から多値分布データを生成する。次いで、かかる多値分布データをハーフトーン処理によって２値化し、ディスペンサ１１０におけるインプリント材１２０の吐出および非吐出を指定する情報に変換することでマップを生成する。ハーフトーン処理としては、公知技術である誤差拡散法を用いることができる。図１１は、Ｓ２０２で生成されたマップの一例を示す図である。図１１では、基板上におけるインプリント材１２０の液滴の供給位置（液滴の吐出）を黒点１４０ａで示し、基板上におけるインプリント材１２０の液滴の非供給位置（液滴の非吐出）を白点１４０ｂで示している。
【００７３】
Ｓ２０３では、Ｓ２０２で生成されたマップ、即ち、ディスペンサ１１０から供給すべきインプリント材１２０の液滴の基板上における配置を示すマップをライブラリ３００に送信する。かかるマップは、ライブラリ３００におけるマップ保存部３０２に保存される。
【００７４】
本実施形態では、マップとして、インプリント材１２０の液滴の吐出および非吐出を指定する２値情報に変換したデータを用いているが、データの形式を特に限定するものではない。例えば、マップとして、基板上におけるインプリント材１２０の液滴の供給位置を基板上の相対位置座標で表した数値データを用いることも可能である。また、マップには、基板上におけるインプリント材１２０の各液滴の量（液滴量）に関する情報も追加することも可能である。
【００７５】
本実施形態におけるインプリントシステム１０では、ライブラリ３００により複数のマップをインプリント装置１００の識別情報およびモールド１０１の識別情報と関連付けて管理している。したがって、複数のインプリント装置間での機差や複数のモールド１０１におけるパターン形状の製造誤差などが生じている場合であっても、使用するインプリント装置１００およびモールド１０１の組み合わせに応じた適切なマップを選択することができる。これにより、複数のインプリント装置１００においてインプリント処理の結果を互いに等しくすることが可能となる。
【００７６】
＜第２実施形態＞
本発明に係る第２実施形態のインプリントシステムについて説明する。インプリントシステムでは、所定のインプリント装置１００(第１インプリント装置１００Ａ（第１処理部）)で用いられていたモールド１０１を他のインプリント装置１００（第２インプリント装置１００Ｂ（第２処理部））で使用する場合がある。この場合においても、例えば、インプリント装置１００の識別情報およびモールド１０１の識別情報に基づいて、ライブラリ３００で管理されている複数のマップの中から第２インプリント装置１００Ｂで使用するマップが選択されうる。一方、ライブラリ３００で管理されている複数のマップの中に、使用するモールド１０１の識別情報および第２インプリント装置１００Ｂの識別情報に関連付けられたマップが存在しない場合がある。この場合、インプリント装置１００の識別情報およびモールド１０１の識別情報から取得したインプリント処理の条件に関する情報およびモールド１０１のパターン形状に関する情報に基づいて新たなマップを生成してもよい。しかしながら、新たなマップを生成することは、第２インプリント装置１００Ｂにおけるインプリント処理を停止することになり、インプリント装置１００の生産性（稼働率）を低下させてしまう。また、第１インプリント装置１００Ａで使用していたマップを第２インプリント装置１００Ｂにそのまま適用してしまうと、インプリント装置間での機差により、インプリント材１２０で構成されたパターンの欠陥や残膜厚（ＲＬＴ）などが変わる恐れがある。
【００７７】
そこで、本実施形態のインプリントシステムは、インプリント装置間（第１インプリント装置１００Ａと第２インプリント装置１００Ｂとの間）におけるインプリント処理の条件の差に応じた、互いに異なる複数のマップをライブラリ３００に予め保管している。そして、ホストサーバ２００は、第１インプリント装置１００Ａで用いられたモールド１０１を第２インプリント装置１００Ｂで使用する場合、ライブラリ３００に管理されている複数のマップの中から、第２インプリント装置１００Ｂで用いるマップを選択する。このとき、ホストサーバ２００は、インプリント装置間におけるインプリント処理の条件の差に基づいて、第１インプリント装置１００Ａで用いられたマップに対する当該条件の差に応じた差を有するマップを選択する。これにより、第１インプリント装置１００Ａで用いられたモールド１０１を第２インプリント装置１００Ｂで用いる場合であっても、新たなマップを作成することなく、適切なマップを第２インプリント装置１００Ｂに設定することができる。
【００７８】
ここで、ライブラリ３００で管理されている複数のマップの中に、インプリント装置間におけるインプリント処理の条件の差に応じた適切なマップがない場合には、第１インプリント装置１００Ａで用いたマップを修正するとよい。このとき、インプリント装置１００の識別情報およびモールド１０１の識別情報に基づいて取得されたインプリント処理の条件に関する情報およびモールドのパターン形状に関する情報を用いて当該マップを修正する。そして、修正されたマップが、第２インプリント装置１００Ｂで用いるマップとして決定される。このようにマップの修正を行うことは、第２インプリント装置１００Ｂで用いるマップを新たに生成すること（図９のフローチャートに従って生成すること）に比べて、計算負荷を小さくすることができる。そのため、第２インプリント装置１００Ｂを停止させる時間を低減し、インプリント装置１００の生産性を向上させることができる。
【００７９】
第２実施形態のインプリントシステムにおけるインプリント処理について詳細に説明する。図１２は、第２実施形態のインプリントシステムにおけるマップの選択を説明するためのフローチャートであり、図６のフローチャートにおけるＳ１０３に対応する。ここでは、第１インプリント装置１００Ａで使用されたモールド１０１を第２インプリント装置１００Ｂで使用する場合において、第２インプリント装置１００Ｂで使用するマップを選択する処理について説明する。当該処理は、ホストサーバ２００が各インプリント装置１００、ライブラリ３００および生成サーバ４００を統括的に制御し、制御部１１２がインプリント装置１００の各部を統括的に制御することで行われる。
【００８０】
Ｓ３００では、ライブラリ３００により管理されている複数のマップの中に、第２インプリント装置１００Ｂの識別情報およびモールド１０１の識別情報に関連付けて管理されている対象のマップがあるかどうかを判定する。このとき、ホストサーバ２００は、第２インプリント装置１００Ｂの識別情報およびモールド１０１の識別情報に基づいて、インプリント処理の条件に関する情報およびモールド１０１のパターン形状に関する情報を取得する。第２インプリント装置１００Ｂの識別情報およびモールド１０１の識別情報に関連付けて管理されているマップがある場合は、Ｓ３０１に移行する。
【００８１】
Ｓ３０１では、ライブラリ３００により管理されている複数のマップの中から、第２インプリント装置１００Ｂの識別情報およびモールド１０１の識別情報に関連付けて管理されているマップ群を取得する。また、Ｓ３０２では、Ｓ３０１で取得したマップ群から、第２インプリント装置１００Ｂによって基板上に形成されるインプリント材１２０のパターンの形状を目標形状にするために最適なマップを選択する。当該マップの選択は、インプリント処理の条件に関する情報およびモールドのパターン形状に関する情報に基づいて行われうる。
【００８２】
一方で、Ｓ３００において、第２インプリント装置１００Ｂの識別情報およびモールド１０１の識別情報に関連付けて管理されているマップがない場合は、Ｓ３０３に移行する。
【００８３】
Ｓ３０３では、第１インプリント装置１００Ａでのインプリント処理と第２インプリント装置１００Ｂでのインプリント処理との間に有意差があるかどうかを判定する。有意差があるかどうかの判定は、例えば、インプリント装置間におけるインプリント処理の条件の差（第１インプリント装置１００Ａと第２インプリント装置１００Ｂとの間におけるインプリント処理の条件の差）に基づいて行われうる。インプリント装置間におけるインプリント処理の条件の差が閾値以上である場合は有意差があると判定し、かかる差が閾値より小さい場合は有意差がないと判定する。インプリント処理の条件に関する情報は、例えば、ディスペンサ１１０から吐出されるインプリント材の液滴の量の平均やばらつき、基板上に供給される液滴の位置精度（着弾位置のばらつき）などの情報、インプリント環境の情報を含みうる。インプリント環境の情報は、例えば、インプリント環境の温度や気流、酸素濃度、揮発量分布などの情報、樹脂の種類、インプリント履歴などを含みうる。
【００８４】
また、有意差があるかどうかの判定は、モールド１０１のパターン形状の経時変化に関する情報にも基づいて行われてもよい。かかる情報は、例えば、モールド１０１のパターンの凹部の深さ、パターンの線幅（ＣＤ）、テーパ角、欠陥数などの項目における経時変化に関する情報を含みうる。かかる項目における経時変化は、例えば、第１インプリント装置１００Ａにおけるインプリント処理によって生じるモールドのパターン形状の変化、およびモールド１０１の洗浄処理によって生じるモールドのパターン形状の変化のうち少なくとも一方を含みうる。モールド１０１のパターン形状の経時変化に関する情報は、第１インプリント装置１００Ａからモールド１０１を取り外した際に、当該モールド１０１のパターン形状を直接計測した計測結果から得られうる。しかしながら、それに限定されるものではなく、例えば、テストインプリント処理においてモールドによりインプリント材１２０を成形し、そのインプリント材１２０の形状（インプリント材１２０で構成されたパターンの形状）の計測結果から得られてもよい。
【００８５】
Ｓ３０３において、第１インプリント装置１００Ａでのインプリント処理と第２インプリント装置１００Ｂでのインプリント処理との間に有意差がないと判定された場合は、Ｓ３０４に移行する。Ｓ３０４では、使用するモールド１０１および第１インプリント装置１００Ａに関連付けてライブラリ３００により管理されているマップ群を取得する。Ｓ３０５では、インプリント処理の条件に関する情報およびモールド１０１のパターン形状に関する情報に基づいて、取得したマップ群の中から、第２インプリント装置１００Ｂで使用するマップを選択する。
【００８６】
一方で、Ｓ３０３において、第１インプリント装置１００Ａでのインプリント処理と第２インプリント装置１００Ｂでのインプリント処理との間に有意差があると判定された場合は、Ｓ３０６に移行する。Ｓ３０６では、インプリント装置間におけるインプリント処理の条件の差に基づいて、ライブラリ３００により管理されている複数のマップの中から、第２インプリント装置１００Ｂで用いるマップを選択する。上述したように、インプリント処理の条件は、例えば、インプリント処理における単位時間当たりの液滴の揮発量、ディスペンサ１１０から吐出されるインプリント材１２０の液滴の量および位置精度のうち少なくとも１つを含みうる。そのため、ライブラリ３００には、液滴の揮発量、液滴の量および位置などを変化させて予め生成された複数のマップが管理されうる。これにより、ホストサーバ２００は、第１インプリント装置１００Ａで用いられたマップに対して、インプリント装置間におけるインプリント処理の条件の差に応じて基板上における液滴の配置（液滴の数や位置）が異なるマップを選択することができる。例えば、ホストサーバ２００は、第１インプリント装置１００Ａで用いられたマップに対する当該条件の差に応じた差を有するマップを、第２インプリント装置１００Ｂで用いるマップとして選択する。ここで、ライブラリ３００で管理されている複数のマップの中に、第２インプリント装置１００Ｂで用いるマップとして最適なマップがない場合は、当該条件の差に基づいて、第１インプリント装置１００Ａで用いられたマップを修正してもよい。マップの修正は、例えば、当該条件の差に応じて、第１インプリント装置１００Ａで用いられたマップにおける液滴の数を増減させることによって行われる。そして、修正されたマップが、第２インプリント装置１００Ｂで用いるマップとして決定される。
【００８７】
例えば、ディスペンサ１１０から吐出される液滴の量（例えば、平均量）を変化させて予め生成された複数のマップがライブラリ３００によって管理されているとする。また、第２インプリント装置１００Ｂにおいて、ディスペンサから吐出される液滴の量（例えば、平均量）が、第１インプリント装置１００Ａに対して０．０５ｐＬ少ないとする。液滴の量についての閾値が０．０３ｐＬに設定されている場合、Ｓ３０３において、第１インプリント装置１００Ａと第２インプリント装置１００Ｂとで有意差があると判定される。このとき、ホストサーバ２００は、第１インプリント装置１００Ａで用いられたマップに対し、ディスペンサ１１０から吐出される液滴の量が０．０５ｐＬ少ない分だけ液滴の数が多いマップを、第２インプリント装置１００Ｂで用いるマップとして選択する。
【００８８】
ここで、第１インプリント装置１００Ａで用いられたマップに対して液滴の量の減少分だけ液滴の数が多いマップが、ライブラリ３００で管理されている複数のマップの中にない場合は、第１インプリント装置１００Ａで用いられたマップを修正するとよい。マップの修正は、第１インプリント装置１００Ａと第２インプリント装置１００Ｂとの間でのインプリント処理の条件の差に基づいて、第１インプリント装置１００Ａで用いられたマップに対し、液滴の量の減少分だけ液滴の数を増やすことによって行われうる。修正されたマップが、第２インプリント装置１００Ｂで用いるマップとして決定される。
【００８９】
Ｓ３０６では、モールド１０１のパターン形状の経時変化に関する情報にも基づいて、ライブラリ３００により管理されている複数のマップの中から、第２インプリント装置１００Ｂで用いるマップを選択してもよい。かかる情報は、上述のように、例えば、モールド１０１のパターンの凹部の深さ、パターンの線幅（ＣＤ）、テーパ角、欠陥数などの項目における経時変化に関する情報を含みうる。そのため、ライブラリ３００には、それらの項目を変化させて予め作成された複数のマップが管理されうる。これにより、ホストサーバ２００は、第１インプリント装置１００Ａで用いられたマップに対して、モールド１０１のパターン形状の経時変化に応じて基板上における液滴の配置（液滴の数や位置）が異なるマップを選択することができる。
【００９０】
例えば、モールド１０１のパターンの凹部の体積を変化させて予め作成された複数のマップがライブラリ３００によって管理されているとする。また、モールド１０１の摩耗によりパターンの線幅（ＣＤ）が変化し、モールド１０１のパターンの凹部の体積が０．７％だけ増加したとする。凹部の体積についての閾値が０．５％に設定されている場合、Ｓ３０３において、第１インプリント装置１００Ａと第２インプリント装置１００Ｂとで有意差があると判定される。このとき、ホストサーバ２００は、第１インプリント装置１００Ａで用いられたマップに対し、凹部の体積の増加分だけ液滴の数が多いマップを、第２インプリント装置１００Ｂで用いるマップとして選択する。
【００９１】
ここで、第１インプリント装置１００Ａで用いられたマップに対して凹部の体積の増加分だけ液滴の数が多いマップが、ライブラリ３００で管理されている複数のマップの中にない場合は、第１インプリント装置１００Ａで用いられたマップを修正するとよい。マップの修正は、モールド１０１のパターン形状の経時変化に関する情報に基づいて、第１インプリント装置１００Ａで用いられたマップに対し、凹部の体積の増加分だけ液滴の数を増やすことによって行われうる。修正されたマップが、第２インプリント装置１００Ｂで用いるマップとして決定される。
【００９２】
また、例えば、第１インプリント装置１００Ａでのインプリント処理を開始する際には目標膜厚であったインプリント材１２０の残膜厚が、モールド１０１のパターン形状の経時変化により、目標膜厚に対して０．５ｎｍだけ減少したとする。かかるインプリント材１２０の残膜厚は、第１インプリント装置１００Ａでのインプリント処理、或いはテストインプリント処理が行われた基板を用いて計測されうる。インプリント材１２０の残膜厚についての閾値が目標膜厚に対して０．４ｎｍに設定されている場合、Ｓ３０３において有意差があると判定される。このとき、ホストサーバ２００は、第１インプリント装置１００Ａで用いられたマップに対し、インプリント材１２０の残膜厚の減少分だけ液滴の数が多いマップを、第２インプリント装置１００Ｂで用いるマップとして選択する。同様に、インプリント材１２０の残膜厚が局所的に減少した場合においても、ホストサーバ２００は、第１インプリント装置１００Ａで用いられたマップに対し、残膜厚が減少した部分において減少分だけ液滴の数が多いマップを選択する。
【００９３】
ここで、第１インプリント装置１００Ａで用いられたマップに対して残膜厚の減少分だけ液滴の数が多いマップが、ライブラリ３００で管理されている複数のマップの中にない場合には、第１インプリント装置１００Ａで用いられたマップを修正するとよい。マップの修正は、モールド１０１のパターン形状の経時変化に関する情報に基づいて、残膜厚の減少分だけ液滴の数を増やすことにより行われうる。修正されたマップが、第２インプリント装置１００Ｂで用いるマップとして決定される。
【００９４】
本実施形態におけるインプリントシステムでは、ライブラリ３００において、インプリント処理の条件としての液滴の揮発量、液滴の量や位置などを変化させて予め生成された複数のマップが管理される。そして、インプリント装置間におけるインプリント処理の条件の差に基づいて、ライブラリ３００で管理されている複数のマップの中から、第２インプリント装置１００Ｂで用いるマップを選択する。また、第２インプリント装置１００Ｂで用いる最適なマップがライブラリ３００で管理されていない場合には、インプリント装置間におけるインプリント処理の条件の差に応じて、第１インプリント装置１００Ａで用いられたマップを修正する。これにより、第１インプリント装置１００Ａで用いたモールド１０１を第２インプリント装置１００Ｂで用いる場合においても、第２インプリント装置１００Ｂを停止させる時間を低減し、インプリント装置１００の生産性を向上させることができる。
【００９５】
ここで、Ｓ３００において、第２インプリント装置１００Ｂの識別情報およびモールド１０１の識別情報に関連付けて管理されているマップがない場合、モールド１０１の識別情報のみに関連付けて管理されているマップ群を取得してもよい。この場合、取得したマップ群のうち最後に使用されたマップを選択し、選択されたマップに関連付けられたインプリント装置１００の当該マップを生成したときのインプリント処理の条件に関する情報を取得する。そして、取得した情報と、第２インプリント装置１００Ｂにおけるインプリント処理の条件に関する情報との差を求めてもよい。この差が、インプリント装置間におけるインプリント処理の条件の差に対応し、後の工程において使用されうる。
【００９６】
＜物品の製造方法の実施形態＞
本発明の実施形態に係る物品の製造方法は、例えば、半導体デバイス等のマイクロデバイスや微細構造を有する素子等の物品を製造するのに好適である。本実施形態の物品の製造方法は、基板に供給されたインプリント材に上記のインプリント装置を用いてパターンを形成する工程（基板にインプリント処理を行う工程）と、かかる工程でパターンを形成された基板を加工する工程とを含む。更に、かかる製造方法は、他の周知の工程（酸化、成膜、蒸着、ドーピング、平坦化、エッチング、レジスト剥離、ダイシング、ボンディング、パッケージング等）を含む。本実施形態の物品の製造方法は、従来の方法に比べて、物品の性能・品質・生産性・生産コストの少なくとも１つにおいて有利である。
【００９７】
以上、本発明の好ましい実施形態について説明したが、本発明はこれらの実施形態に限定されないことはいうまでもなく、その要旨の範囲内で種々の変形および変更が可能である。
【符号の説明】
【００９８】
１０：インプリントシステム、１００：インプリント装置、２００：ホストサーバ、３００：ライブラリ、４００：生成サーバ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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