(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の主面と前記第１の主面と反対の第２の主面とを有し、前記第１の主面に垂直な厚さ方向を有する第１の脆性基板を準備する工程と、
第３の主面と前記第３の主面と反対の第４の主面とを有する第２の脆性基板を準備する工程と、
前記第１の脆性基板の前記第１の主面に刃先を押し付ける工程と、
前記押し付ける工程によって押し付けられた前記刃先を前記第１の脆性基板の前記第１の主面上で摺動させることによって前記第１の脆性基板の前記第１の主面上に塑性変形を発生させることで、溝形状を有する第１のトレンチラインを形成する工程とを備え、前記第１のトレンチラインを形成する工程は、前記第１のトレンチラインの直下において前記第１の脆性基板が前記第１のトレンチラインと交差する方向において連続的につながっている状態であるクラックレス状態が得られるように行なわれ、さらに
前記第１のトレンチラインを形成する工程の後、前記第１の脆性基板の前記第１の主面と前記第２の脆性基板の前記第３の主面とが対向するように前記第１の脆性基板および前記第２の脆性基板を互いに貼り合わせる工程を備え、前記第１の脆性基板および前記第２の脆性基板を互いに貼り合わせる工程は、前記第１の脆性基板に形成された前記第１のトレンチラインが前記第２の脆性基板に少なくとも部分的に覆われるように行なわれ、さらに
前記第１の脆性基板および前記第２の脆性基板を互いに貼り合わせる工程の後に、前記第１のトレンチラインに沿って前記厚さ方向における前記第１の脆性基板のクラックを伸展させることによって、第１のクラックラインを形成する工程を備え、前記第１のクラックラインによって前記第１のトレンチラインの直下において前記第１の脆性基板は前記第１のトレンチラインと交差する方向において連続的なつながりが断たれており、さらに
前記第２の脆性基板の前記第４の主面上に第２のクラックラインを形成する工程と、
前記第１の脆性基板の前記第２の主面上において局所的に荷重を加えることによって前記第１の脆性基板および前記第２の脆性基板を反らすことにより、前記第１のクラックラインおよび前記第２のクラックラインのそれぞれに沿って前記第１の脆性基板および前記第２の脆性基板を分断する工程とを備える、
液晶表示パネルの製造方法。
【請求項２】
前記第２のクラックラインを形成する工程は、前記第１の脆性基板および前記第２の脆性基板を互いに貼り合わせる工程の後に、前記第２のクラックラインが形成されることになるラインに沿って前記第２の脆性基板の前記第４の主面上で刃先を変位させることにより行われる、請求項１に記載の液晶表示パネルの製造方法。
【請求項３】
前記第２のクラックラインを形成する工程は、前記第２の脆性基板の前記第４の主面上に塑性変形を発生させることで、溝形状を有する第２のトレンチラインを形成する工程を含む、請求項１に記載の液晶表示パネルの製造方法。
【請求項４】
前記第２のトレンチラインを形成する工程は、前記第１の脆性基板および前記第２の脆性基板を互いに貼り合わせる工程の前に行われる、請求項３に記載の液晶表示パネルの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は液晶表示パネルの製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）パネルの製造において、ガラス基板などの脆性基板を分断することが必要となる。まず基板上にスクライブラインが形成され、次にこのスクライブラインに沿って基板が分断される。スクライブラインは、刃先を用いて基板を機械的に加工することによって形成され得る。カッタが基板上で変位させられることで、基板上に塑性変形によるトレンチが形成されると同時に、このトレンチの直下には垂直クラックが形成される。その後、ブレーク工程と称される応力付与がなされる。ブレーク工程によりクラックを厚さ方向に完全に進行させることで、基板が分断される。
【０００３】
特許文献１はパネル製品の製造方法を例示している。この例によれば、まず第１の基板と第２の基板とが貼り合わされた構造を有するガラス基板が準備される。ガラス基板の表面および裏面の各々にスクライブラインが形成される。ガラス基板の表面および裏面の各々にブレークローラが押し付けられることにより、ガラス基板が分断される。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２０１１−１６１６７４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
上記公報に記載の技術によれば、ブレークローラをガラス基板（セル基板）の一方の面および他方の面の各々に押し付けなければならなかった。このため、一方の面に対する処理の後、他方の面に対する処理を行うために、セル基板を反転させる必要があった。
【０００６】
本発明は以上のような課題を解決するためになされたものであり、その目的は、セル基板を反転させることなくブレーク工程を行うことができる液晶表示パネルの製造方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の液晶表示パネルの製造方法は次の工程を有する。
【０００８】
第１の主面と、第１の主面と反対の第２の主面とを有し、第１の主面に垂直な厚さ方向を有する第１の脆性基板が準備される。第３の主面と、第３の主面と反対の第４の主面とを有する第２の脆性基板が準備される。
【０００９】
第１の脆性基板の第１の主面に刃先が押し付けられる。押し付けられた刃先を第１の脆性基板の第１の主面上で摺動させることによって第１の脆性基板の第１の主面上に塑性変形を発生させることで、溝形状を有する第１のトレンチラインが形成される。第１のトレンチラインは、第１のトレンチラインの直下において第１の脆性基板が第１のトレンチラインと交差する方向において連続的につながっている状態であるクラックレス状態が得られるように形成される。
【００１０】
第１のトレンチラインが形成された後、第１の脆性基板の第１の主面と第２の脆性基板の第３の主面とが対向するように第１の脆性基板および第２の脆性基板が互いに貼り合わされる。第１の脆性基板および第２の脆性基板は、第１の脆性基板に形成された第１のトレンチラインが第２の脆性基板に少なくとも部分的に覆われるように、互いに貼り合わされる。
【００１１】
第１の脆性基板および第２の脆性基板が互いに貼り合わされた後に、第１のトレンチラインに沿って厚さ方向における第１の脆性基板のクラックを伸展させることによって、第１のクラックラインが形成される。第１のクラックラインによって第１のトレンチラインの直下において第１の脆性基板は第１のトレンチラインと交差する方向において連続的なつながりが断たれている。
【００１２】
第２の脆性基板の第４の主面上に第２のクラックラインが形成される。
【００１３】
第１の脆性基板の第２の主面上において局所的に荷重を加えることによって第１の脆性基板および第２の脆性基板を反らすことにより、第１のクラックラインおよび第２のクラックラインのそれぞれに沿って第１の脆性基板および第２の脆性基板が分断される。
【発明の効果】
【００１４】
本発明によれば、第１の脆性基板および第２の脆性基板のブレーク工程が、第１の脆性基板の第２の主面上における荷重印加により行われる。これによりブレーク工程において、第１の脆性基板および第２の脆性基板を有するセル基板を反転させる必要がない。よってブレーク工程をより容易に行うことができる。
【図面の簡単な説明】
【００１５】
【図１】本発明の実施の形態１における液晶表示パネルの構成を概略的に示す斜視図（Ａ）、および図１（Ａ）の線ＩＢ−ＩＢに沿う概略断面図（Ｂ）である。
【図２】図１の液晶表示パネルの製造方法を概略的に示すフロー図である。
【図３】本発明の実施の形態１における液晶表示パネルの製造方法における基板スクライブ方法の第１工程を概略的に示す、線ＩＩＩＡ−ＩＩＩＡ（図４）に沿う端面図（Ａ）、第２工程を概略的に示す、線ＩＩＩＢ−ＩＩＩＢ（図５）に沿う端面図（Ｂ）、第３工程を概略的に示す、線ＩＩＩＣ−ＩＩＩＣ（図６）に沿う端面図（Ｃ）、および第４工程を概略的に示す、線ＩＩＩＤ−ＩＩＩＤ（図７）に沿う端面図（Ｄ）である。
【図４】本発明の実施の形態１における液晶表示パネルの製造方法における基板スクライブ方法の第１工程を概略的に示す平面図である。
【図５】本発明の実施の形態１における液晶表示パネルの製造方法における基板スクライブ方法の第２工程を概略的に示す平面図である。
【図６】本発明の実施の形態１における液晶表示パネルの製造方法における基板スクライブ方法の第３工程を概略的に示す平面図である。
【図７】本発明の実施の形態１における液晶表示パネルの製造方法における基板スクライブ方法の第４工程を概略的に示す平面図である。
【図８】本発明の実施の形態１における液晶表示パネルの製造方法における基板スクライブ方法において形成されるトレンチラインの構成を概略的に示す端面図（Ａ）、およびクラックラインの構成を概略的に示す端面図（Ｂ）である。
【図９】本発明の実施の形態１における液晶表示パネルの製造方法における基板ブレーク方法の第１工程を概略的に示す端面図（Ａ）、および第２工程を概略的に示す、線ＩＸＢ−ＩＸＢ（図１２）に沿う端面図（Ｂ）である。
【図１０】図９（Ａ）における荷重印加がブレークバーによって行われる場合の様子を概略的に示す正面図（Ａ）、および図１０（Ａ）の線ＸＢ−ＸＢに沿う概略断面図（Ｂ）である。
【図１１】図９（Ａ）における荷重印加がブレークローラによって行われる場合の様子を概略的に示す正面図（Ａ）、および図１１（Ａ）の線ＸＩＢ−ＸＩＢに沿う概略断面図（Ｂ）である。
【図１２】図９（Ｂ）に対応する概略平面図である。
【図１３】第１の比較例における第１および第２工程のそれぞれを示す端面図（Ａ）および（Ｂ）である。
【図１４】第２の比較例における第１〜第３工程のそれぞれを示す端面図（Ａ）〜（Ｃ）である。
【図１５】本発明の実施の形態２における液晶表示パネルの製造方法の第１工程を概略的に示す、線ＸＶＡ−ＸＶＡ（図１６）に沿う端面図（Ａ）、第２工程を概略的に示す、線ＸＶＢ−ＸＶＢ（図１７）に沿う端面図（Ｂ）、第３工程を概略的に示す、線ＸＶＣ−ＸＶＣ（図１８）に沿う端面図（Ｃ）、第４工程を概略的に示す、線ＸＶＤ−ＸＶＤ（図１９）に沿う端面図（Ｄ）、および第５工程を概略的に示す、線ＸＶＥ−ＸＶＥ（図２０）に沿う端面図（Ｅ）である。
【図１６】本発明の実施の形態２における液晶表示パネルの製造方法の第１工程を概略的に示す平面図である。
【図１７】本発明の実施の形態２における液晶表示パネルの製造方法の第２工程を概略的に示す平面図である。
【図１８】本発明の実施の形態２における液晶表示パネルの製造方法の第３工程を概略的に示す平面図である。
【図１９】本発明の実施の形態２における液晶表示パネルの製造方法の第４工程を概略的に示す平面図である。
【図２０】本発明の実施の形態２における液晶表示パネルの製造方法の第５工程を概略的に示す平面図である。
【図２１】本発明の実施の形態３における液晶表示パネルの製造方法を概略的に示すフロー図である。
【図２２】本発明の実施の形態３における液晶表示パネルの製造方法の第１工程を概略的に示す、線ＸＸＩＩＡ−ＸＸＩＩＡ（図２３）に沿う端面図（Ａ）、第２工程を概略的に示す、線ＸＸＩＩＢ−ＸＸＩＩＢ（図２４）に沿う端面図（Ｂ）、第３工程を概略的に示す、線ＸＸＩＩＣ−ＸＸＩＩＣ（図２５）に沿う端面図（Ｃ）、第４工程を概略的に示す、線ＸＸＩＩＤ−ＸＸＩＩＤ（図２６）に沿う端面図（Ｄ）、および第５工程を概略的に示す、線ＸＸＩＩＥ−ＸＸＩＩＥ（図２７）に沿う端面図（Ｅ）である。
【図２３】本発明の実施の形態３における液晶表示パネルの製造方法の第１工程を概略的に示す平面図である。
【図２４】本発明の実施の形態３における液晶表示パネルの製造方法の第２工程を概略的に示す平面図である。
【図２５】本発明の実施の形態３における液晶表示パネルの製造方法の第３工程を概略的に示す平面図である。
【図２６】本発明の実施の形態３における液晶表示パネルの製造方法の第４工程を概略的に示す平面図である。
【図２７】本発明の実施の形態３における液晶表示パネルの製造方法の第５工程を概略的に示す平面図である。
【図２８】本発明の実施の形態３の変形例における液晶表示パネルの製造方法を概略的に示すフロー図である。
【図２９】本発明の実施の形態３の変形例における液晶表示パネルの製造方法の一工程を概略的に示す、線ＸＸＩＸ−ＸＸＩＸ（図３０）に沿う端面図である。
【図３０】本発明の実施の形態３の変形例における液晶表示パネルの製造方法の一工程を概略的に示す平面図である。
【図３１】本発明の実施の形態４における液晶表示パネルの製造方法を概略的に示すフロー図である。
【図３２】本発明の実施の形態４における液晶表示パネルの製造方法の第１工程を概略的に示す、線ＸＸＸＩＩＡ−ＸＸＸＩＩＡ（図３３）に沿う端面図（Ａ）、第２工程を概略的に示す、線ＸＸＸＩＩＢ−ＸＸＸＩＩＢ（図３４）に沿う端面図（Ｂ）、第３工程を概略的に示す、線ＸＸＸＩＩＣ−ＸＸＸＩＩＣ（図３５）に沿う端面図（Ｃ）、第４工程を概略的に示す、線ＸＸＸＩＩＤ−ＸＸＸＩＩＤ（図３６）に沿う端面図（Ｄ）、および第５工程を概略的に示す、線ＸＸＸＩＩＥ−ＸＸＸＩＩＥ（図３７）に沿う端面図（Ｅ）である。
【図３３】本発明の実施の形態４における液晶表示パネルの製造方法の第１工程を概略的に示す平面図である。
【図３４】本発明の実施の形態４における液晶表示パネルの製造方法の第２工程を概略的に示す平面図である。
【図３５】本発明の実施の形態４における液晶表示パネルの製造方法の第３工程を概略的に示す平面図である。
【図３６】本発明の実施の形態４における液晶表示パネルの製造方法の第４工程を概略的に示す平面図である。
【図３７】本発明の実施の形態４における液晶表示パネルの製造方法の第５工程を概略的に示す平面図である。
【図３８】本発明の実施の形態４の変形例における液晶表示パネルの製造方法を概略的に示すフロー図である。
【図３９】本発明の実施の形態４の変形例における液晶表示パネルの製造方法の一工程を概略的に示す、線ＸＸＸＩＸ−ＸＸＸＩＸ（図４０）に沿う端面図である。
【図４０】本発明の実施の形態４の変形例における液晶表示パネルの製造方法の一工程を概略的に示す平面図である。
【図４１】本発明の実施の形態５における液晶表示パネルの製造方法を概略的に示すフロー図である。
【図４２】本発明の実施の形態６における液晶表示パネルの製造方法に用いられる器具の構成を概略的に示す側面図（Ａ）、および、上記器具が有する刃先の構成を図４２（Ａ）の矢印ＸＬＩＩＢの視点で概略的に示す平面図（Ｂ）である。
【図４３】本発明の実施の形態６における液晶表示パネルの製造方法の第１および第２工程のそれぞれを概略的に示す平面図（Ａ）および（Ｂ）である。
【図４４】本発明の実施の形態６の第１の変形例の液晶表示パネルの製造方法の第１および第２工程のそれぞれを概略的に示す平面図（Ａ）および（Ｂ）である。
【図４５】本発明の実施の形態６の第２の変形例の液晶表示パネルの製造方法を概略的に示す平面図である。
【図４６】本発明の実施の形態６の第３の変形例の液晶表示パネルの製造方法を概略的に示す平面図である。
【図４７】本発明の実施の形態７における液晶表示パネルの製造方法の第１の工程を概略的に示す平面図である。
【図４８】本発明の実施の形態７における液晶表示パネルの製造方法の第２の工程を概略的に示す平面図である。
【図４９】本発明の実施の形態７における液晶表示パネルの製造方法の第３の工程を概略的に示す平面図である。
【図５０】本発明の実施の形態７の第２の変形例の液晶表示パネルの製造方法を概略的に示す平面図である。
【図５１】本発明の実施の形態８における液晶表示パネルの製造方法の第１および第２工程のそれぞれを概略的に示す平面図（Ａ）および（Ｂ）である。
【図５２】本発明の実施の形態９における液晶表示パネルの製造方法の第１および第２工程のそれぞれを概略的に示す平面図（Ａ）および（Ｂ）である。
【図５３】本発明の実施の形態９の変形例の液晶表示パネルの製造方法を概略的に示す平面図である。
【図５４】本発明の実施の形態１０における液晶表示パネルの製造方法に用いられる器具の構成を概略的に示す側面図（Ａ）、および、上記器具が有する刃先の構成を図５４（Ａ）の矢印ＬＩＶＢの視点で概略的に示す平面図（Ｂ）である。
【発明を実施するための形態】
【００１６】
以下、図面に基づいて本発明の実施の形態について説明する。なお、以下の図面において同一または相当する部分には同一の参照番号を付しその説明は繰返さない。
【００１７】
（実施の形態１）
図１（Ａ）および（Ｂ）を参照して、本実施の形態のＬＣＤパネル１０１は、ＣＦ（カラーフィルタ）基板１１（本実施の形態における第１の脆性基板）と、ＴＦＴ（薄膜トランジスタ）基板１２（本実施の形態における第２の脆性基板）と、シール部２１と、液晶層２０とを有する。
【００１８】
ＣＦ基板１１は、主面として、内面ＳＦ１（本実施の形態における第１の主面）とその反対の外面ＳＦ２（本実施の形態における第２の主面）とを有する。ＣＦ基板１１は、内面ＳＦ１に垂直な厚さ方向ＤＴを有する。ＣＦ基板１１は、具体的にはガラス基板であり、カラーフィルタ、ブラックマトリックスおよび配向膜（図示せず）を有する。ＴＦＴ基板１２は、主面として、内面ＳＦ３（本実施の形態における第３の主面）とその反対の外面ＳＦ４（本実施の形態における第４の主面）とを有する。ＴＦＴ基板１２は、内面ＳＦ３に垂直な厚さ方向ＤＴを有する。ＴＦＴ基板１２は、具体的にはガラス基板であり、配線、アクティブ素子、電極および配向膜（図示せず）を有する。
【００１９】
ＣＦ基板１１およびＴＦＴ基板１２は、内面ＳＦ１およびＳＦ３が対向するように、シール部２１を介して互いに貼り合わされている。液晶層２０は、内面ＳＦ１およびＳＦ３の間のギャップ内に配置されており、シール部２１によって封止されている。ＴＦＴ基板１２の内面ＳＦ３は、液晶層２０またはシール部２１によって覆われた部分を有する。また内面ＳＦ３は、露出された端子領域ＳＦ３ｅを有してもよい。端子領域ＳＦ３ｅは、ＴＦＴ基板１２を外部配線と接続するために用い得る。
【００２０】
次にＬＣＤパネル１０１の製造方法における基板スクライブ方法について、以下に説明する。
【００２１】
図３（Ａ）および図４を参照して、ＣＦ基板１１が準備される（図２：ステップＳ１１）。この時点ではＣＦ基板１１は、複数の最終製品を得るために切り出される複数の領域を含む基板（マザー基板）である。次にＣＦ基板１１の内面ＳＦ１に刃先が押し付けられる（図２：ステップＳ１２）。押し付けられた刃先がＣＦ基板１１の内面ＳＦ１上で摺動させられることによってＣＦ基板１１の内面ＳＦ１上に塑性変形を発生させることで、溝形状を有するトレンチラインＴＬが形成される（図２：ステップＳ１３）。
【００２２】
図８（Ａ）を参照して、ＣＦ基板１１のトレンチラインＴＬはクラックレス状態が得られるように形成される。クラックレス状態とは、トレンチラインＴＬの直下において、トレンチラインＴＬの延在方向（図８（Ａ）が示す断面に垂直な方向）と交差する方向ＤＣにおいて基板（図中ではＣＦ基板１１）が連続的につながっている状態のことである。クラックレス状態においては、塑性変形によるトレンチラインＴＬは形成されているものの、それに沿ったクラックは形成されていない。よって従来のブレーク工程のように基板に単純に曲げモーメントが生じるような外力を加えても、トレンチラインＴＬに沿った分断は容易には生じない。このためクラックレス状態においてはトレンチラインＴＬに沿ったブレーク工程は行われない。
【００２３】
図３（Ｂ）および図５を参照して、ＴＦＴ基板１２が準備される（図２：ステップＳ２１）。この時点ではＴＦＴ基板１２は、複数の最終製品を得るために切り出される複数の領域を含む基板（マザー基板）である。次にＴＦＴ基板１２の外面ＳＦ４に刃先が押し付けられる（図２：ステップＳ２２）。押し付けられた刃先がＴＦＴ基板１２の外面ＳＦ４上で摺動させられることによってＴＦＴ基板１２の外面ＳＦ４上に塑性変形を発生させることで、溝形状を有するトレンチラインＴＬが形成される（図２：ステップＳ２３）。
【００２４】
図３（Ｃ）および図６を参照して、次に、ＣＦ基板１１の内面ＳＦ１とＴＦＴ基板１２の内面ＳＦ３とが対向するようにＣＦ基板１１およびＴＦＴ基板１２が互いに貼り合わされる（図２：ステップＳ４０）。これにより、ＣＦ基板１１およびＴＦＴ基板１２の積層体であるセル基板１０が得られる。ＣＦ基板１１に形成されたトレンチラインＴＬはＴＦＴ基板１２に覆われる。本実施の形態においては、ＣＦ基板１１に形成されたトレンチラインＴＬがＴＦＴ基板１２に部分的に覆われる。言い換えれば、ＣＦ基板１１の内面ＳＦ１上に形成されたトレンチラインＴＬが部分的に露出される。
【００２５】
図３（Ｄ）および図７を参照して、次に、ＣＦ基板１１およびＴＦＴ基板１２のトレンチラインＴＬに沿って、基板上においてクラックが延在しているラインであるクラックラインＣＬが形成される（図２：ステップＳ６０）。クラックラインＣＬの形成は、トレンチラインＴＬに沿って厚さ方向における基板のクラックを伸展させることによって行なわれる。
【００２６】
図８（Ｂ）を参照して、クラックラインＣＬによってトレンチラインＴＬの直下においてＣＦ基板１１はトレンチラインＴＬの延在方向（図８（Ｂ）が示す断面に垂直な方向）と交差する方向ＤＣにおいて連続的なつながりが断たれている。ここで「連続的なつながり」とは、言い換えれば、クラックによって遮られていないつながりのことである。なお、上述したように連続的なつながりが断たれている状態において、クラックラインＣＬのクラックを介して基板の部分同士が接触していてもよい。ＴＦＴ基板１２についても同様である。
【００２７】
ＣＦ基板１１のクラックラインＣＬの形成は、露出されたトレンチラインＴＬの端部においてＣＦ基板１１にトレンチラインＴＬ付近の内部応力の歪みを解放するような応力を印加することによって開始される。応力の印加は、たとえば、形成されたトレンチラインＴＬ上に再度刃先を押し付けることによる外部応力の印加、または、レーザ光の照射などによる加熱によって行ない得る。これによりＣＦ基板１１のトレンチラインＴＬのうち露出された部分から、ＴＦＴ基板１２によって覆われた部分へと、トレンチラインＴＬに沿ってクラックが伸展させられる。ＴＦＴ基板１２についても同様である。
【００２８】
次に、上記スクライブ工程が行われたセル基板１０（図３（Ｄ））に対するブレーク工程について、以下に説明する。
【００２９】
図９（Ａ）を参照して、クラックラインＣＬが形成されていない面であるＣＦ基板１１の外面ＳＦ２が露出するように、テーブル６０に貼られたブレーク用敷物６１上にセル基板１０が配置される。
【００３０】
次に、外面ＳＦ２上において局所的に荷重を加えることによってＣＦ基板１１およびＴＦＴ基板１２が反らされる。具体的には、外面ＳＦ２上におけるブレーク箇所Ｂ０〜Ｂ２において順次荷重が加えられる。ブレーク箇所Ｂ０は平面視においてＣＦ基板１１およびＴＦＴ基板１２の各々のクラックラインＣＬと重なっており、よってＣＦ基板１１およびＴＦＴ基板１２のそれぞれのクラックラインＣＬに沿ってＣＦ基板１１およびＴＦＴ基板１２が分断される。ブレーク箇所Ｂ１は平面視においてＣＦ基板１１のクラックラインＣＬのみと重なっており、よってＣＦ基板１１のクラックラインＣＬに沿ってＣＦ基板１１が分断される。ブレーク箇所Ｂ２は平面視においてＴＦＴ基板１２のクラックラインＣＬのみと重なっており、よってＴＦＴ基板１２のクラックラインＣＬに沿ってＴＦＴ基板１２が分断される。
【００３１】
図１０（Ａ）および（Ｂ）を参照して、荷重ＬＤはブレークバー７１を用いることでクラックラインＣＬ全体に対して印加され得る。この場合、クラックラインＣＬの全体に沿った分断がほぼ同時に行われる。図１１（Ａ）および（Ｂ）を参照して、あるいは荷重ＬＤはブレークローラ７２を用いることで印加され得る。この場合、外面ＳＦ２上での回転ＲＴによるブレークローラ７２の進行ＰＲに伴って、クラックラインＣＬに沿った分断が徐々に進行する。
【００３２】
図９（Ｂ）および図１２を参照して、上述したように、ステップＳ９０（図２）として、ＣＦ基板１１のクラックラインＣＬに沿ってＣＦ基板１１が分断され、またＴＦＴ基板１２のクラックラインＣＬに沿ってＴＦＴ基板１２が分断される。すなわち、セル基板１０のブレーク工程が行なわれる。
【００３３】
再び図１（Ｂ）を参照して、次にＣＦ基板１１およびＴＦＴ基板１２の間のギャップ内に液晶が注入されることによって液晶層２０が形成される。以上により、一のセル基板１０（図９（Ａ））から複数のＬＣＤパネル１０１が得られる。
【００３４】
次に第１の比較例について説明する。図１３（Ａ）および（Ｂ）を参照して、ＣＦ基板１１およびＴＦＴ基板１２が互いに貼り合わされる。次にＣＦ基板１１およびＴＦＴ基板１２のそれぞれの外面ＳＦ２およびＳＦ４にスクライブラインＳＬが形成される。スクライブラインＳＬは、公知の典型的なスクライブ技術によって形成され得るものであり、スクライブ時に形成された垂直クラックのラインを有する。すなわち、スクライブラインＳＬはクラックラインを含んでいる。次にスクライブラインＳＬに沿ってＣＦ基板１１およびＴＦＴ基板１２が分断される。この際、ＣＦ基板１１のスクライブラインＳＬに沿った分断にはＴＦＴ基板１２の外面ＳＦ４上への荷重印加Ｌ１が必要であり、ＴＦＴ基板１２のスクライブラインＳＬに沿った分断にはＣＦ基板１１の外面ＳＦ２上への荷重印加Ｌ２が必要である。このためブレーク工程においてセル基板１０を反転させる必要がある。
【００３５】
これに対して本実施の形態によれば、図９（Ａ）において説明したように、荷重印加がＣＦ基板１１の外面ＳＦ２上のみで行われる。よってセル基板１０を反転させる必要がない。これによりブレーク工程をより容易に行うことができる。たとえば、ブレーク工程のための装置を簡素化することができる。またブレーク工程に要する時間を短縮することができる。
【００３６】
次に第２の比較例について説明する。図１４（Ａ）および（Ｂ）を参照して、スクライブラインＳＬが形成されたＣＦ基板１１とスクライブラインＳＬが形成されたＴＦＴ基板１２とが個別に準備される。図１４（Ｃ）を参照してＣＦ基板１１およびＴＦＴ基板１２が互いに貼り合わされる。その後、図９（Ａ）と同様の方法で、スクライブラインＳＬに沿ってＣＦ基板１１およびＴＦＴ基板１２が分断される。本比較例においては、垂直クラックを伴うスクライブラインＳＬが形成された後にＣＦ基板１１およびＴＦＴ基板１２が貼り合わされることから、スクライブラインＳＬのクラックが厚さ方向に意図せず伸展することによって、意図していた時点より前にＣＦ基板１１およびＴＦＴ基板１２の少なくともいずれかが分断してしまいやすい。この結果、ＬＣＤパネル１０１（図１（Ｂ））の製造工程の継続が困難となり得る。
【００３７】
これに対して本実施の形態によれば、ＣＦ基板１１が分断される位置を規定するラインとして、その直下にクラックを有しないトレンチラインＴＬ（図８（Ａ））が形成される。分断の直接のきっかけとして用いられることになるクラックラインＣＬ（図８（Ｂ））は、トレンチラインＴＬの形成後に形成される。これにより、トレンチラインＴＬの形成後かつクラックラインＣＬの形成前のＣＦ基板１１は、分断される位置がトレンチラインＴＬによって規定されつつも、クラックラインＣＬが未だ形成されていないので容易に分断は生じない安定状態（クラックレス状態）にある。この安定状態において、ＣＦ基板１１のトレンチラインＴＬ、すなわち、ＣＦ基板１１が分断される位置を規定するライン上にＴＦＴ基板１２が配置される。その後、分断の直接のきっかけとして用いられることになるクラックラインＣＬが、トレンチラインＴＬに沿ってクラックを伸展させることで形成される。これによりクラックラインＣＬを、ＴＦＴ基板１２に覆われた位置にも形成することができる。以上のように、ＣＦ基板１１およびＴＦＴ基板１２の貼り合わせに関連した作業中にＣＦ基板１１が意図せず分断してしまうことを避けつつ、ＣＦ基板１１上におけるＴＦＴ基板１２に覆われた部分にも、それに沿った分断が行なわれることになるラインを設けることができる。
【００３８】
また同様に、貼り合わせに関連した作業中にＴＦＴ基板１２が意図せず分断してしまうことを避けつつ、ＴＦＴ基板１２上におけるＣＦ基板１１に覆われた部分にも、それに沿った分断が行なわれることになるラインを設けることができる。
【００３９】
なお本実施の形態におけるクラックラインＣＬの形成工程は、従来のいわゆるブレーク工程と本質的に異なっている。ブレーク工程は、既に形成されているクラックを厚さ方向にさらに伸展させるものである。一方、本実施の形態におけるクラックラインＣＬの形成工程は、トレンチラインＴＬの形成によって得られたクラックレス状態から、クラックを有する状態への変化をもたらすものである。この変化は、クラックレス状態が有する内部応力の開放によって生じると考えられる。トレンチラインＴＬの形成時の塑性変形、およびトレンチラインＴＬの形成によって生成される内部応力の大きさや方向性などの状態は、回転刃の転動が用いられる場合と、本実施の形態のように刃先の摺動が用いられる場合とでは異なると考えられ、刃先の摺動が用いられる場合には、より広いスクライブ条件においてクラックが発生しやすくなる。また内部応力の開放には何らかのきっかけが必要であり、上述したような外部からの応力印加によるトレンチラインＴＬ上のクラックの発生がそのようなきっかけとして作用すると考えられる。トレンチラインＴＬおよびクラックラインＣＬの好適な形成方法の詳細は後述される。
【００４０】
（実施の形態２）
図１５（Ａ）〜（Ｅ）のそれぞれは、本実施の形態における液晶表示パネル１０１（図１（Ａ）および（Ｂ））の製造方法の第１〜第５工程を概略的に示す断面図である。図１５（Ａ）〜（Ｅ）のそれぞれの断面は、線ＸＶＡ−ＸＶＡ（図１６）、線ＸＶＢ−ＸＶＢ（図１７）、線ＸＶＣ−ＸＶＣ（図１８）、線ＸＶＤ−ＸＶＤ（図１９）および線ＸＶＥ−ＸＶＥ（図２０）に沿っている。なお本実施の形態においては実施の形態１と異なり、ＴＦＴ基板１２が第１の脆性基板に対応し、ＣＦ基板１１が第２の脆性基板に対応する。また内面ＳＦ３が第１の主面に対応し、外面ＳＦ４が第２の主面に対応し、内面ＳＦ１が第３の主面に対応し、外面ＳＦ２が第４の主面に対応する。
【００４１】
本実施の形態においては、ＴＦＴ基板１２のトレンチラインＴＬが内面ＳＦ３上に形成され（図１５（Ａ））、またＣＦ基板１１のトレンチラインＴＬが外面ＳＦ２上に形成される（図１５（Ｂ））。これによりＴＦＴ基板１２のクラックラインＣＬが内面ＳＦ３上に形成され、またＣＦ基板１１のクラックラインＣＬが外面ＳＦ２上に形成される（図１５（Ｄ））。ステップＳ９０（図２）としてのブレーク方法自体は実施の形態１の図９（Ａ）とほぼ同様であるが、荷重印加が外面ＳＦ２上ではなく外面ＳＦ４上で行われる。
【００４２】
なお、上記以外の構成については、上述した実施の形態１の構成とほぼ同じであるため、同一または対応する要素について同一の符号を付し、その説明を繰り返さない。
【００４３】
本実施の形態によっても、実施の形態１とほぼ同様の効果が得られる。また本実施の形態によれば、カラーフィルタおよびブラックマトリックスなどが配置されることによって複雑な構成を有することが多い内面ＳＦ１の代わりに外面ＳＦ２にトレンチラインＴＬを配置することができる。これによりＣＦ基板１１のトレンチラインＴＬを安定的に形成することができる。
【００４４】
（実施の形態３）
図２１は、本実施の形態におけるＬＣＤパネル１０１（図１（Ａ）および（Ｂ））の製造方法を概略的に示すフロー図である。図２２（Ａ）〜（Ｅ）のそれぞれの断面は、線ＸＸＩＩＡ−ＸＸＩＩＡ（図２３）、線ＸＸＩＩＢ−ＸＸＩＩＢ（図２４）、線ＸＸＩＩＣ−ＸＸＩＩＣ（図２５）、線ＸＸＩＩＤ−ＸＸＩＩＤ（図２６）および線ＸＸＩＩＥ−ＸＸＩＩＥ（図２７）に沿っている。
【００４５】
図２２（Ａ）および図２３を参照して、実施の形態１と同様のステップＳ１１〜Ｓ１３（図２１）により、トレンチラインＴＬが形成されたＣＦ基板１１が準備される。
【００４６】
図２２（Ｂ）および図２４を参照して、ＴＦＴ基板１２が準備される（図２１：ステップＳ２１）。ＣＦ基板１１の内面ＳＦ１とＴＦＴ基板１２の内面ＳＦ３とが対向するようにＣＦ基板１１およびＴＦＴ基板１２が互いに貼り合わされる（図２１：ステップＳ４０）。これにより、ＣＦ基板１１およびＴＦＴ基板１２の積層体であるセル基板１０が得られる。ＣＦ基板１１に形成されたトレンチラインＴＬはＴＦＴ基板１２に覆われる。本実施の形態においては、ＣＦ基板１１に形成されたトレンチラインＴＬがＴＦＴ基板１２に部分的に覆われる。言い換えれば、ＣＦ基板１１の内面ＳＦ１上に形成されたトレンチラインＴＬが部分的に露出される。
【００４７】
図２２（Ｃ）および図２５を参照して、次に、ＣＦ基板１１のトレンチラインＴＬに沿ってクラックラインＣＬが形成される（図２１：ステップＳ６１）。
【００４８】
図２２（Ｄ）および図２６を参照して、次に、ＴＦＴ基板１２の外面ＳＦ４上にスクライブラインＳＬが形成される（図２１：ステップＳ７２）。スクライブラインＳＬは、前述したように、スクライブ時に形成された垂直クラックのライン（クラックライン）を含むものである。スクライブラインＳＬは、それが形成されることになるラインに沿ってＴＦＴ基板１２の外面ＳＦ４上で刃先を変位させることにより形成される。
【００４９】
さらに図２２（Ｅ）および図２７を参照して、ステップＳ９０（図２１）として、ＣＦ基板１１のクラックラインＣＬに沿ってＣＦ基板１１が分断され、またＴＦＴ基板１２のスクライブラインＳＬに沿ってＴＦＴ基板１２が分断される。なお分断の方法は、図９（Ａ）とほぼ同様である。
【００５０】
再び図１（Ｂ）を参照して、次にＣＦ基板１１およびＴＦＴ基板１２の間のギャップ内に液晶が注入されることによって液晶層２０が形成される。以上により、一のセル基板１０（図２２（Ｄ））から複数のＬＣＤパネル１０１が得られる。
【００５１】
なお、上記以外の構成については、上述した実施の形態１の構成とほぼ同じであるため、同一または対応する要素について同一の符号を付し、その説明を繰り返さない。
【００５２】
本実施の形態によっても、実施の形態１とほぼ同様の効果が得られる。
【００５３】
また本実施の形態によれば、スクライブラインＳＬが形成された時点で既に、ＣＦ基板１１およびＴＦＴ基板１２が互いに貼り合わされており、さらにＣＦ基板１１にクラックラインＣＬが形成されている。よってスクライブラインＳＬの垂直クラックが何らかの要因で伸展することによってスクライブラインＳＬに沿った分断が意図せず生じたとしても、通常、特に差し支えがない。
【００５４】
またＴＦＴ基板１２のスクライブラインＳＬは、ＴＦＴなどが配置されることによって複雑な構成を有することが多い内面ＳＦ３ではなく外面ＳＦ４に形成される。これによりスクライブラインＳＬを安定的に形成することができる。
【００５５】
図２８を参照して、本実施の形態の変形例においては、前述したステップＳ６１およびＳ７２（図２１）の順番が入れ替えられる。図２９および図３０は、ステップＳ７２にてスクライブラインＳＬが形成された時点での構成を概略的に示す。
【００５６】
（実施の形態４）
図３１は、本実施の形態におけるＬＣＤパネル１０１（図１（Ａ）および（Ｂ））の製造方法を概略的に示すフロー図である。図３２（Ａ）〜（Ｅ）のそれぞれの断面は、線ＸＸＸＩＩＡ−ＸＸＸＩＩＡ（図３３）、線ＸＸＸＩＩＢ−ＸＸＸＩＩＢ（図３４）、線ＸＸＸＩＩＣ−ＸＸＸＩＩＣ（図３５）、線ＸＸＸＩＩＤ−ＸＸＸＩＩＤ（図３６）および線ＸＸＸＩＩＥ−ＸＸＸＩＩＥ（図３７）に沿っている。
【００５７】
図３２（Ａ）および図３３を参照して、実施の形態１と同様のステップＳ２１〜Ｓ２３（図３１）により、トレンチラインＴＬが形成されたＴＦＴ基板１２が準備される。
【００５８】
図３２（Ｂ）および図３４を参照して、ＣＦ基板１１が準備される（図３１：ステップＳ１１）。ＣＦ基板１１の内面ＳＦ１とＴＦＴ基板１２の内面ＳＦ３とが対向するようにＣＦ基板１１およびＴＦＴ基板１２が互いに貼り合わされる（図３１：ステップＳ４０）。これにより、ＣＦ基板１１およびＴＦＴ基板１２の積層体であるセル基板１０が得られる。ＴＦＴ基板１２に形成されたトレンチラインＴＬはＣＦ基板１１に覆われる。本実施の形態においては、ＴＦＴ基板１２に形成されたトレンチラインＴＬがＣＦ基板１１に部分的に覆われる。言い換えれば、ＴＦＴ基板１２の内面ＳＦ３上に形成されたトレンチラインＴＬが部分的に露出される。
【００５９】
図３２（Ｃ）および図３５を参照して、次に、ＴＦＴ基板１２のトレンチラインＴＬに沿ってクラックラインＣＬが形成される（図３１：ステップＳ６２）。
【００６０】
図３２（Ｄ）および図３６を参照して、次に、ＣＦ基板１１の外面ＳＦ２上にスクライブラインＳＬが形成される（図３１：ステップＳ７１）。スクライブラインＳＬは、前述したように、公知の典型的なスクライブ技術によって形成され得るものであり、スクライブ時に形成された垂直クラックのラインを有する。
【００６１】
さらに図３２（Ｅ）および図３７を参照して、ステップＳ９０（図３１）として、ＴＦＴ基板１２のクラックラインＣＬに沿ってＴＦＴ基板１２が分断され、またＣＦ基板１１のスクライブラインＳＬに沿ってＣＦ基板１１が分断される。
【００６２】
次にＣＦ基板１１およびＴＦＴ基板１２の間のギャップ内に液晶が注入されることによって液晶層２０（図１（Ｂ））が形成される。以上により、一のセル基板１０（図３２（Ｄ））から複数のＬＣＤパネル１０１（図１（Ｂ））が得られる。
【００６３】
なお、上記以外の構成については、上述した実施の形態２の構成とほぼ同じであるため、同一または対応する要素について同一の符号を付し、その説明を繰り返さない。
【００６４】
本実施の形態によっても、実施の形態１とほぼ同様の効果が得られる。
【００６５】
また本実施の形態によれば、スクライブラインＳＬが形成された時点で既に、ＣＦ基板１１およびＴＦＴ基板１２が互いに貼り合わされており、さらにＴＦＴ基板１２にクラックラインＣＬが形成されている。よってスクライブラインＳＬの垂直クラックが何らかの要因で伸展することによってスクライブラインＳＬに沿った分断が意図せず生じたとしても、通常、特に差し支えがない。
【００６６】
またＣＦ基板１１のスクライブラインＳＬは、カラーフィルタおよびブラックマトリックスなどが配置されることによって複雑な構成を有することが多い内面ＳＦ１ではなく外面ＳＦ２に形成される。これによりスクライブラインＳＬを安定的に形成することができる。
【００６７】
図３８を参照して、本実施の形態の変形例においては、前述したステップＳ６２およびＳ７１（図３１）の順番が入れ替えられる。図３９および図４０は、ステップＳ７１にてスクライブラインＳＬが形成された時点での構成を概略的に示す。
【００６８】
（実施の形態５）
図４１は、本実施の形態におけるＬＣＤパネル１０１（図１（Ａ）および（Ｂ））の製造方法を概略的に示すフロー図である。実施の形態２〜４と異なり本実施の形態においては、ＣＦ基板１１およびＴＦＴ基板１２のいずれかについて、分断される位置の規定が、トレンチラインＴＬの形成（ステップＳ１３またはＳ２３）と、スクライブラインＳＬの形成（ステップＳ７０）とに分けて行なわれる。この分け方は任意であり、たとえば、平面レイアウトのＸＹ直交座標において、Ｘ軸に沿ったトレンチラインＴＬと、Ｙ軸に沿ったスクライブラインＳＬとが形成される。なおステップＳ６０およびＳ７０の順序は入れ替えられてもよい。
【００６９】
なお上記以外の構成については、上述した実施の形態２〜４の構成とほぼ同じであるため、同一または対応する要素について同一の符号を付し、その説明を繰り返さない。
【００７０】
（実施の形態６）
上記各実施の形態におけるトレンチラインＴＬの形成に用いられる、刃先を有するカッティング器具について、以下に説明する。
【００７１】
図４２（Ａ）および（Ｂ）は、刃先５１がＣＦ基板１１に押し付けられている様子を示す。カッティング器具５０は刃先５１およびシャンク５２を有する。刃先５１には、天面ＳＤ１（第１の面）と、天面ＳＤ１を取り囲む複数の面とが設けられている。これら複数の面は側面ＳＤ２（第２の面）および側面ＳＤ３（第３の面）を含む。天面ＳＤ１、側面ＳＤ２およびＳＤ３（第１〜第３の面）は、互いに異なる方向を向いており、かつ互いに隣り合っている。刃先５１は、天面ＳＤ１、側面ＳＤ２およびＳＤ３が合流する頂点を有し、この頂点によって刃先５１の突起部ＰＰが構成されている。また側面ＳＤ２およびＳＤ３は、刃先５１の側部ＰＳを構成する稜線をなしている。側部ＰＳは突起部ＰＰから線状に延びている。また側部ＰＳは、上述したように稜線であることから、線状に延びる凸形状を有する。
【００７２】
刃先５１はダイヤモンドポイントであることが好ましい。すなわち刃先５１は、硬度および表面粗さを小さくすることができる点からダイヤモンドから作られていることが好ましい。より好ましくは刃先５１は単結晶ダイヤモンドから作られている。さらに好ましくは結晶学的に言って、天面ＳＤ１は｛００１｝面であり、側面ＳＤ２およびＳＤ３の各々は｛１１１｝面である。この場合、側面ＳＤ２およびＳＤ３は、異なる向きを有するものの、結晶学上、互いに等価な結晶面である。
【００７３】
なお単結晶でないダイヤモンドが用いられてもよく、たとえば、ＣＶＤ(Chemical Vapor Deposition)法で合成された多結晶体ダイヤモンドが用いられてもよい。あるいは、微粒のグラファイトや非グラファイト状炭素から、鉄族元素などの結合材を含まずに焼結された多結晶体ダイヤモンドや、ダイヤモンド粒子を鉄族元素などの結合材によって結合させた焼結ダイヤモンドが用いられてもよい。
【００７４】
シャンク５２は軸方向ＡＸに沿って延在している。刃先５１は、天面ＳＤ１の法線方向が軸方向ＡＸにおおよそ沿うようにシャンク５２に取り付けられることが好ましい。
【００７５】
カッティング器具５０を用いてトレンチラインＴＬ（図８（Ａ））を形成するためには、ＣＦ基板１１の内面ＳＦ１に、刃先５１の突起部ＰＰおよび側部ＰＳが、ＣＦ基板１１が有する厚さ方向ＤＴへ押し付けられる。次に側部ＰＳを内面ＳＦ１上に射影した方向におおよそ沿って、刃先５１が内面ＳＦ１上を摺動させられる。これにより内面ＳＦ１上に、垂直クラックを伴わない溝状のトレンチラインＴＬが形成される。トレンチラインＴＬはＣＦ基板１１の塑性変形によって生じるが、この際にＣＦ基板１１が若干削れてもよい。ただしこのような削れは微細な破片を生じ得ることから、なるべく少ないことが好ましい。
【００７６】
刃先５１の摺動によって、トレンチラインＴＬおよびクラックラインＣＬが同時に形成される場合（図８（Ｂ））と、トレンチラインＴＬのみが形成される場合（図８（Ａ））とがある。クラックラインＣＬは、トレンチラインＴＬのくぼみから厚さ方向ＤＴに伸展したクラックであり、内面ＳＦ１上においては線状に延びている。後述する方法によれば、トレンチラインＴＬのみが形成された後、それに沿ってクラックラインＣＬを形成することができる。
【００７７】
次に、ＣＦ基板１１（本実施の形態における第１の脆性基板）の分断方法について特に着目して、以下に説明する。なお、図および説明を分かりやすくするために、一の方向（各平面図中、横方向）に沿った分断についてのみ説明するが、分断は、実施の形態１〜５で説明したように、複数の方向（たとえば、各平面図中、横方向および縦方向）に沿った分断が行なわれ得る。またＴＦＴ基板１２（本実施の形態における第２の脆性基板）についても同様の分断方法を適用し得る。またＴＦＴ基板１２が第１の脆性基板とされＣＦ基板１１が第２の脆性基板とされてもよい。またＣＦ基板１１とＴＦＴ基板１２との間の貼り付けについては実施の形態１〜５において説明したとおりであり、その図示を省略する。
【００７８】
図４３（Ａ）を参照して、ＣＦ基板１１は平坦な内面ＳＦ１を有する。内面ＳＦ１を囲む縁は、互いに対向する辺ＥＤ１（第１の辺）および辺ＥＤ２（第２の辺）を含む。図４３（Ａ）で示す例においては、縁は長方形状である。よって辺ＥＤ１およびＥＤ２は互いに平行な辺である。また図４３（Ａ）で示す例においては辺ＥＤ１およびＥＤ２は長方形の短辺である。
【００７９】
内面ＳＦ１に刃先５１が位置Ｎ１で押し付けられる。位置Ｎ１の詳細は後述する。刃先５１の押し付けは、図４２（Ａ）を参照して、ＣＦ基板１１の内面ＳＦ１上で刃先５１の突起部ＰＰが辺ＥＤ１および側部ＰＳの間に配置されるように、かつ刃先５１の側部ＰＳが突起部ＰＰと辺ＥＤ２の間に配置されるように行なわれる。
【００８０】
次に、内面ＳＦ１上に複数のトレンチラインＴＬ（図中では２つのライン）が形成される。トレンチラインＴＬの形成は、位置Ｎ１（第１の位置）および位置Ｎ３の間で行なわれる。位置Ｎ１およびＮ３の間には位置Ｎ２（第２の位置）が位置する。よってトレンチラインＴＬは、位置Ｎ１およびＮ２の間と、位置Ｎ２およびＮ３の間とに形成される。位置Ｎ１およびＮ３はＣＦ基板１１の内面ＳＦ１の縁から離れて位置してもよく、あるいは、その一方または両方が内面ＳＦ１の縁に位置してもよい。形成されるトレンチラインＴＬは、前者の場合はＣＦ基板１１の縁から離れており、後者の場合はＣＦ基板１１の縁に接している。位置Ｎ１およびＮ２のうち位置Ｎ１の方が辺ＥＤ１により近く、また位置Ｎ１およびＮ２のうち位置Ｎ２の方が辺ＥＤ２により近い。なお図４３（Ａ）に示す例では、位置Ｎ１は辺ＥＤ１およびＥＤ２のうち辺ＥＤ１に近い。位置Ｎ２は辺ＥＤ１およびＥＤ２のうち辺ＥＤ２に近いが、位置Ｎ１およびＮ２の両方が辺ＥＤ１またはＥＤ２のいずれか一方の近くに位置してもよい。
【００８１】
トレンチラインＴＬが形成される際には、本実施の形態においては、位置Ｎ１から位置Ｎ２へ刃先５１が変位させられ、さらに位置Ｎ２から位置Ｎ３へ変位させられる。すなわち、図４２（Ａ）を参照して、刃先５１が、辺ＥＤ１から辺ＥＤ２へ向かう方向である方向ＤＡへ変位させられる。方向ＤＡは、刃先５１から延びる軸方向ＡＸを内面ＳＦ１上へ射影した方向に対応している。この場合、刃先５１はシャンク５２によって内面ＳＦ１上を引き摺られる。
【００８２】
次に、実施の形態１で説明したクラックレス状態（図８（Ａ））が所望の時間に渡って維持される。その間に、実施の形態１〜５で説明したように、ＣＦ基板１１とＴＦＴ基板１２（図示せず）との貼り付けが行なわれる。
【００８３】
図４３（Ｂ）を参照して、トレンチラインＴＬが形成された後に、トレンチラインＴＬに沿って位置Ｎ２から位置Ｎ１の方へ（図中、破線矢印参照）、厚さ方向ＤＴにおけるＣＦ基板１１のクラックを伸展させることによってクラックラインＣＬが形成される。クラックラインＣＬの形成は、アシストラインＡＬおよびトレンチラインＴＬが位置Ｎ２で互いに交差することによって開始される。この目的で、トレンチラインＴＬを形成した後にアシストラインＡＬが形成される。アシストラインＡＬは、厚さ方向ＤＴにおけるクラックを伴う通常のスクライブラインである。アシストラインＡＬの形成方法は、特に限定されないが、図４３（Ｂ）に示すように、内面ＳＦ１の縁を基点として形成されてもよい。
【００８４】
なお位置Ｎ２から位置Ｎ１への方向に比して、位置Ｎ２から位置Ｎ３への方向へは、クラックラインＣＬが形成されにくい。つまりクラックラインＣＬの伸展のしやすさには方向依存性が存在する。よってクラックラインＣＬが位置Ｎ１およびＮ２の間には形成され位置Ｎ２およびＮ３の間には形成されないという現象が生じ得る。本実施の形態は位置Ｎ１およびＮ２間に沿ったＣＦ基板１１の分断を目的としており、位置Ｎ２およびＮ３間に沿ったＣＦ基板１１の分離は目的としていない。よって位置Ｎ１およびＮ２間でクラックラインＣＬが形成されることが必要である一方で、位置Ｎ２およびＮ３間でのクラックラインＣＬの形成されにくさは問題とはならない。
【００８５】
次に、クラックラインＣＬに沿ってＣＦ基板１１が分断される。具体的にはブレーク工程が行なわれる。なおクラックラインＣＬがその形成時に厚さ方向ＤＴに完全に進行した場合は、クラックラインＣＬの形成とＣＦ基板１１の分断とが同時に生じ得る。この場合、ブレーク工程を省略し得る。
【００８６】
以上によりＣＦ基板１１の分断が行なわれる。
【００８７】
次に、上記分断方法の第１〜第３の変形例について、以下に説明する。
【００８８】
図４４（Ａ）を参照して、第１の変形例は、アシストラインＡＬとトレンチラインＴＬとの交差が、クラックラインＣＬ（図４３（Ｂ））の形成開始のきっかけとして不十分な場合に関するものである。図４４（Ｂ）を参照して、ＣＦ基板１１へ、曲げモーメントなどを発生させる外力を加えることでアシストラインＡＬに沿って厚さ方向ＤＴにおけるクラックが伸展し、その結果、ＣＦ基板１１が分離される。これによりクラックラインＣＬの形成が開始される。なお、図４４（Ａ）においてはアシストラインＡＬがＣＦ基板１１の内面ＳＦ１上に形成されるが、ＣＦ基板１１を分離するためのアシストラインＡＬはＣＦ基板１１の外面ＳＦ２上に形成されてもよい。この場合、アシストラインＡＬおよびトレンチラインＴＬは、平面レイアウト上、位置Ｎ２で互いに交差するが、互いに直接接触はしない。この場合には、第1の実施の形態と異なり、ＣＦ基板１１のトレンチラインＴＬの端部が露出している必要がない。
【００８９】
また第１の変形例においては、ＣＦ基板１１の分離によりトレンチラインＴＬ付近の内部応力の歪みが解放され、それによりクラックラインＣＬの形成が開始される。したがってアシストラインＡＬ自身が、トレンチラインＴＬに応力を加えることで形成されたクラックラインＣＬであってもよい。
【００９０】
図４５を参照して、第２の変形例においては、ＣＦ基板１１の内面ＳＦ１に刃先５１が位置Ｎ３で押し付けられる。トレンチラインＴＬが形成される際には、本変形例においては、位置Ｎ３から位置Ｎ２へ刃先５１が変位させられ、さらに位置Ｎ２から位置Ｎ１へ変位させられる。すなわち、図４２を参照して、刃先５１が、辺ＥＤ２から辺ＥＤ１へ向かう方向である方向ＤＢへ変位させられる。方向ＤＢは、刃先５１から延びる軸方向ＡＸを内面ＳＦ１上へ射影した方向と反対方向に対応している。この場合、刃先５１はシャンク５２によって内面ＳＦ１上を押し進められる。
【００９１】
図４６を参照して、第３の変形例においては、トレンチラインＴＬが形成される際に、刃先５１はＣＦ基板１１の内面ＳＦ１に位置Ｎ１に比して位置Ｎ２でより大きな力で押し付けられる。具体的には、位置Ｎ４を位置Ｎ１およびＮ２の間の位置として、トレンチラインＴＬの形成が位置Ｎ４に至った時点で、刃先５１の荷重が高められる。言い換えれば、トレンチラインＴＬの荷重が、位置Ｎ１に比して、トレンチラインＴＬの終端部である位置Ｎ４およびＮ３の間で高められる。これにより、終端部以外での荷重を軽減しつつ、位置Ｎ２からのクラックラインＣＬの形成を誘起されやすくすることができる。
【００９２】
本実施の形態によれば、トレンチラインＴＬからクラックラインＣＬを、より確実に形成することができる。
【００９３】
また、後述する実施の形態７と異なり本実施の形態においては、トレンチラインＴＬが形成された時点（図４３（Ａ））ではアシストラインＡＬは未だ形成されていない。よってクラックレス状態を、アシストラインＡＬからの影響なく、より安定的に維持することができる。なお、クラックレス状態の安定性が問題とならない場合は、アシストラインＡＬが形成されていない図４３（Ａ）の状態の代わりに、アシストラインＡＬが形成された図４３（Ａ）の状態でクラックレス状態が維持されてもよい。
【００９４】
（実施の形態７）
本実施の形態における液晶表示パネルの製造方法について、図４７〜図４９を用いつつ、以下に説明する。
【００９５】
図４７を参照して、本実施の形態においてはアシストラインＡＬがトレンチラインＴＬの形成前に形成される。アシストラインＡＬの形成方法自体は、図４３（Ｂ）（実施の形態６）と同様である。
【００９６】
図４８を参照して、次に、内面ＳＦ１に刃先５１が押し付けられ、そしてトレンチラインＴＬが形成される。トレンチラインＴＬの形成方法自体は、図４３（Ａ）（実施の形態６）と同様である。アシストラインＡＬおよびトレンチラインＴＬは位置Ｎ２で互いに交差する。次に、実施の形態１〜５で説明したように、ＣＦ基板１１とＴＦＴ基板１２（図示せず）との貼り付けが行なわれる。
【００９７】
図４９を参照して、次に、ＣＦ基板１１へ曲げモーメントなどを発生させる外力を加える通常のブレーク工程によってアシストラインＡＬに沿ってＣＦ基板１１が分離される。これにより、クラックラインＣＬ（図８（Ｂ））の形成が開始される（図中、破線矢印参照）。なお、図４７においてはアシストラインＡＬがＣＦ基板１１の内面ＳＦ１上に形成されるが、ＣＦ基板１１を分離するためのアシストラインＡＬはＣＦ基板１１の外面ＳＦ２上に形成されてもよい。この場合、アシストラインＡＬおよびトレンチラインＴＬは、平面レイアウト上、位置Ｎ２で互いに交差するが、互いに直接接触はしない。
【００９８】
なお、上記以外の構成については、上述した実施の形態６の構成とほぼ同じである。
【００９９】
図５０を参照して、変形例においては、トレンチラインＴＬが形成される際に、刃先５１はＣＦ基板１１の内面ＳＦ１に位置Ｎ１に比して位置Ｎ２でより大きな力で押し付けられる。具体的には、位置Ｎ４を位置Ｎ１およびＮ２の間の位置として、トレンチラインＴＬの形成が位置Ｎ４に至った時点で、刃先５１の荷重が高められる。言い換えれば、トレンチラインＴＬの荷重が、位置Ｎ１に比して、トレンチラインＴＬの終端部である位置Ｎ４およびＮ３の間で高められる。これにより、終端部以外での荷重を軽減しつつ、位置Ｎ２からのクラックラインＣＬの形成を誘起されやすくすることができる。
【０１００】
（実施の形態８）
図５１（Ａ）を参照して、本実施の形態における液晶表示パネルの製造方法においては、位置Ｎ１から位置Ｎ２を経由して辺ＥＤ２へ達するトレンチラインＴＬが形成される。次に、実施の形態１で説明したクラックレス状態（図８（Ａ））が所望の時間に渡って維持される。その間に、実施の形態１〜５で説明したように、ＣＦ基板１１とＴＦＴ基板１２（図示せず）との貼り付けが行なわれる。
【０１０１】
図５１（Ｂ）を参照して、次に位置Ｎ２と辺ＥＤ２との間に、トレンチラインＴＬ付近の内部応力の歪みを解放させるような応力が加えられる。これによりトレンチラインＴＬに沿ったクラックラインの形成が誘起される。
【０１０２】
応力の印加として具体的には、内面ＳＦ１上において位置Ｎ２と辺ＥＤ２との間（図中、破線および辺ＥＤ２の間の領域）で、押し付けられた刃先５１が摺動させられる。この摺動は辺ＥＤ２に達するまで行なわれる。刃先５１は好ましくは最初に形成されたトレンチラインＴＬの軌道に交差するように、より好ましくは最初に形成されたトレンチラインＴＬの軌道に重なるように摺動される。この再度の摺動の長さは、たとえば０．５ｍｍ程度である。
【０１０３】
変形例として、位置Ｎ２と辺ＥＤ２との間に応力を加えるために、上述した刃先５１の再度の摺動に代えて、内面ＳＦ１上において位置Ｎ２と辺ＥＤ２との間にレーザ光が照射されてもよい。これにより生じた熱応力によっても、トレンチラインＴＬ付近の内部応力の歪みが解放され、それによりクラックラインの形成開始を誘起することができる。
【０１０４】
なお、上記以外の構成については、上述した実施の形態６の構成とほぼ同じである。
【０１０５】
（実施の形態９）
図５２（Ａ）を参照して、本実施の形態における液晶表示パネルの製造方法においては、位置Ｎ１から位置Ｎ２へ、そしてさらに位置Ｎ３へ刃先５１を変位させることによって、内面ＳＦ１の縁から離れたトレンチラインＴＬが形成される。トレンチラインＴＬの形成方法自体は図４３（Ａ）（実施の形態６）とほぼ同様である。
【０１０６】
次に、実施の形態１で説明したクラックレス状態（図８（Ａ））が所望の時間に渡って維持される。その間に、実施の形態１〜５で説明したように、ＣＦ基板１１とＴＦＴ基板１２（図示せず）との貼り付けが行なわれる。
【０１０７】
図５２（Ｂ）を参照して、図５１（Ｂ）（実施の形態８またはその変形例）と同様の応力印加が行なわれる。これによりトレンチラインＴＬに沿ったクラックラインの形成が誘起される。
【０１０８】
図５３を参照して、図５２（Ａ）の工程の変形例として、トレンチラインＴＬの形成において、刃先５１が位置Ｎ３から位置Ｎ２へそして位置Ｎ２から位置Ｎ１へ変位させられてもよい。
【０１０９】
なお、上記以外の構成については、上述した実施の形態６の構成とほぼ同じである。
【０１１０】
（実施の形態１０）
図５４（Ａ）および（Ｂ）を参照して、上記各実施の形態において、刃先５１（図４２（Ａ）および（Ｂ））に代わり、刃先５１ｖが用いられてもよい。刃先５１ｖは、頂点と、円錐面ＳＣとを有する円錐形状を有する。刃先５１ｖの突起部ＰＰｖは頂点で構成されている。刃先の側部ＰＳｖは頂点から円錐面ＳＣ上に延びる仮想線（図５４（Ｂ）における破線）に沿って構成されている。これにより側部ＰＳｖは、線状に延びる凸形状を有する。
【０１１１】
なお上記実施の形態６〜１０においては基板の縁の第１および第２の辺が長方形の短辺であるが、第１および第２の辺は長方形の長辺であってもよい。また縁の形状は長方形に限定されるものではなく、たとえば正方形であってもよい。また第１および第２の辺は直線状のものに限定されるものではなく曲線状であってもよい。また上記各実施の形態においては基板の主面が平坦であるが、基板の主面は湾曲していてもよい。
【０１１２】
また上記各実施の形態において、複数の液晶表示パネルを得るために、まず、脆性基板を有する一のセル基板が複数の部分に分断され、次に各部分がさらに分断されることによって複数の表示パネルが得られてもよい。たとえば、セル基板がまず長方形状の部分へ分断され、次にその長辺が分割されるようにこの長方形状の部分がさらに分断されることによって複数の表示パネルが得られてもよい。
【０１１３】
また上述した分断方法に特に適した脆性基板としてガラス基板が用いられるが、脆性基板はガラス基板に限定されるものではなく、たとえばサファイア基板が用いられてもよい。
【０１１４】
また上述した液晶表示パネルの製造方法においては、ガラス基板にカラーフィルタ、ブラックマトリックスおよび配向膜を設けたＣＦ基板１１と、ガラス基板に配線、アクティブ素子、電極および配向膜を設けたＴＦＴ基板１２とに対してトレンチラインが形成されるが、ガラス基板にトレンチラインが形成された後に、ガラス基板に対してＣＦ基板１１やＴＦＴ基板１２としての構成を設けるための加工が行われてもよい。
【０１１５】
本発明は、その発明の範囲内において、各実施の形態を自由に組み合わせたり、各実施の形態を適宜、変形、省略することが可能である。
【符号の説明】
【０１１６】
１１  ＣＦ基板（脆性基板）
１２  ＴＦＴ基板（脆性基板）
２０  液晶層
２１  シール部
５１，５１ｖ  刃先
６０  テーブル
６１  ブレーク用敷物
７１  ブレークバー
７２  ブレークローラ
１０１  ＬＣＤパネル（液晶表示パネル）
ＡＬ  アシストライン
ＣＬ  クラックライン
ＥＤ１  辺（第１の辺）
ＥＤ２  辺（第２の辺）
Ｎ１  位置（第１の位置）
Ｎ２  位置（第２の位置）
ＳＦ１，ＳＦ３  内面（主面）
ＳＦ２，ＳＦ４  外面（主面）
ＳＬ  スクライブライン
ＴＬ  トレンチライン
ＰＰ，ＰＰｖ  突起部
ＰＳ，ＰＳｖ  側部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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【図２７】
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【図２８】
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【図２９】
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【図３０】
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【図３１】
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【図３２】
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【図３３】
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【図３４】
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【図３５】
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【図３６】
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【図３７】
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【図３８】
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【図３９】
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【図４０】
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【図４１】
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【図４２】
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【図４３】
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【図４４】
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【図４５】
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【図４６】
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【図４７】
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【図４８】
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【図４９】
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【図５０】
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【図５１】
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【図５２】
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【図５３】
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【図５４】
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