(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
導電性材料からなる箱状体であって、矩形板状の天板部及び上記天板部の周縁から略垂直に延びる板状の側板部により構成される静電シールドと、
コンタクト部、ビーム部及びベース部により構成され、上記コンタクト部の先端が上記静電シールドに設けられた開口部から突出する状態で、上記静電シールド内に収容されるカンチレバー型のプローブ本体と、
絶縁性材料からなり、上記ベース部に固定され、上記静電シールドを支持する支持部材であって、上記静電シールドと対向する上記コンタクト部及び上記ビーム部上の全ての領域に空気層を介在させる支持部材とを備えたことを特徴とするコンタクトプローブ。
【請求項２】
上記側板部には、２以上の貫通孔が形成されていることを特徴とする請求項１に記載のコンタクトプローブ。
【請求項３】
上記プローブ本体の上記静電シールドと対向する面に、絶縁性の被膜が設けられていることを特徴とする請求項１又は２に記載のコンタクトプローブ。
【請求項４】
上記静電シールドの上記プローブ本体と対向する面に、絶縁性の被膜が設けられていることを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載のコンタクトプローブ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、コンタクトプローブに係り、更に詳しくは、高周波特性を向上させながらも弾性変形に適し、且つ微細化に適したカンチレバー型のコンタクトプローブに関する。
【背景技術】
【０００２】
プローブカードは、半導体ウエハに形成された電子回路の電気的特性を検査するのに用いられる検査装置であり、電子回路の電極にそれぞれ接触させる微細な多数のコンタクトプローブが設けられている。細長い形状のビーム部が電磁波を送受信することから、従来のカンチレバー型のコンタクトプローブは、高周波回路を検査する場合の高周波特性が良くないという問題があった。例えば、高周波数帯域で使用するには、コンタクトプローブにおける伝送損失が大きかった。また、検査対象とする電子回路の微細化が進んでおり、コンタクトプローブもそれに追従して微細化する必要があった。
【０００３】
なお、特許文献１及び２には、高周波特性を向上させたコンタクトプローブが開示されている。特許文献１には、高周波信号用の芯線を絶縁性の内チューブ１３ａ及び外チューブ１３ｂにより覆い、さらにその外周面を外部導体１５により被覆した同軸型構造の探針３ａが記載されている。しかし、特許文献１に記載の探針３ａは、保持台４に保持されるとともに、概ね全体が内チューブ１３ａ及び外チューブ１３ｂにより覆われる。このため、特許文献１では、探針３ａを自由に弾性変形させることができない。
【０００４】
一方、特許文献２には、芯線４０が空気からなる電気絶縁層を介して外部導体２２に覆われたプローブ針２０が記載されている。しかし、特許文献２に記載のプローブ針２０は、同軸型のコンタクトプローブであり、針先部と根元部とにおいて、芯線４０が支持部材２４により外部導体２２に固定される。このため、特許文献２では、プローブ針２０を自由に弾性変形させることができない。さらに、特許文献１及び２には、コンタクトプローブを微細化する方法について何ら記載されていない。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開平９−２１８２２２号公報
【特許文献２】特開２００３−２３２８０６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本発明は、上記の事情に鑑みてなされたものであり、高周波特性を向上させたカンチレバー型のコンタクトプローブを提供することを目的とする。特に、複数のコンタクトプローブをプローブ基板上に配置した場合に、隣りに配置されたコンタクトプローブが発する電磁波が回り込むのを抑制することで高周波特性を向上させながらも、弾性変形に適し、且つ微細化に適したコンタクトプローブを提供することを目的とする。
【０００７】
また、本発明は、放熱性の低下を抑制しつつ、高周波特性を向上させることができるコンタクトプローブを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
第１の本発明によるコンタクトプローブは、導電性材料からなる箱状体であって、矩形板状の天板部及び上記天板部の周縁から略垂直に延びる板状の側板部により構成される静電シールドと、コンタクト部、ビーム部及びベース部により構成され、上記コンタクト部の先端が上記静電シールドに設けられた開口部から突出する状態で、上記静電シールド内に収容されるカンチレバー型のプローブ本体と、絶縁性材料からなり、上記ベース部に固定され、上記静電シールドを支持する支持部材であって、上記静電シールドと対向する上記コンタクト部及び上記ビーム部上の全ての領域に空気層を介在させる支持部材とを備える。
【０００９】
このコンタクトプローブでは、プローブ本体が静電シールド内に収容されるため、ノイズの混入や高周波信号の漏洩を抑制することができる。また、支持部材が静電シールドと対向するコンタクト部及びビーム部上の全ての領域に空気層を介在させるため、このコンタクトプローブは、プローブ本体の弾性変形に適している。また、プローブ本体がカンチレバー型のプローブであるため、このコンタクトプローブは、微細化にも適している。
【００１０】
第２の本発明によるコンタクトプローブは、上記構成に加え、上記側板部には、２以上の貫通孔が形成されているように構成される。このコンタクトプローブでは、複数の貫通孔により静電シールドの表面積が増加するため、プローブ本体が静電シールド内に収容されることによる放熱性の低下を抑制しつつ、高周波特性を向上させることができる。
【００１１】
第３の本発明によるコンタクトプローブは、上記構成に加え、上記プローブ本体の上記静電シールドと対向する面に、絶縁性の被膜が設けられているように構成される。この様な構成によれば、ビーム部が弾性変形するのを妨げることなく、プローブ本体と静電シールドとの間の絶縁性能を向上させることができる。
【００１２】
第４の本発明によるコンタクトプローブは、上記構成に加え、上記静電シールドの上記プローブ本体と対向する面に、絶縁性の被膜が設けられているように構成される。この様な構成によれば、ビーム部が弾性変形するのを妨げることなく、プローブ本体と静電シールドとの間の絶縁性能を向上させることができる。
【発明の効果】
【００１３】
本発明によれば、静電シールドがノイズの混入や高周波信号の漏洩を抑制するため、カンチレバー型のコンタクトプローブの高周波特性を向上させることができる。特に、支持部材が静電シールドと対向するコンタクト部及びビーム部上の全ての領域に空気層を介在させるため、弾性変形に適し、且つ微細化に適したコンタクトプローブを提供することができる。
【００１４】
また、本発明によれば、複数の貫通孔により静電シールドの表面積が増加するため、プローブ本体が静電シールド内に収容されることによる放熱性の低下を抑制しつつ、高周波特性を向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１５】
【図１】本発明の実施の形態１によるコンタクトプローブ１の一構成例を示した斜視図である。
【図２】図１のコンタクトプローブ１を示した断面図であり、プローブ本体２を含む垂直面によりコンタクトプローブ１を切断した場合の切断面が示されている。
【図３】図１のコンタクトプローブ１を示した断面図であり、ビーム部２２を含む水平面によりコンタクトプローブ１を切断した場合の切断面が示されている。
【図４】図１のコンタクトプローブ１の製造方法の一例を模式的に示した説明図であり、積層基板１０上に第１のシールド層１２を形成する工程が示されている。
【図５】図１のコンタクトプローブ１の製造方法の一例を模式的に示した説明図であり、第３のシールド層１５及び絶縁層１６を形成する工程が示されている。
【図６】図１のコンタクトプローブ１の製造方法の一例を模式的に示した説明図であり、第３のシールド層４２ａ及びプローブ層４２ｂを形成する工程が示されている。
【図７】図１のコンタクトプローブ１の製造方法の一例を模式的に示した説明図であり、第３のシールド層４５及び絶縁層４６を形成する工程が示されている。
【図８】図１のコンタクトプローブ１の製造方法の一例を模式的に示した説明図であり、第２のシールド層５１を形成した後、犠牲層を除去する工程が示されている。
【図９】側面を互いに対向させて２以上のコンタクトプローブ１をプローブ基板１１０上に配置したプローブユニット１００の構成例を示した平面図である。
【図１０】本発明の実施の形態２によるコンタクトプローブ１の一構成例を示した斜視図である。
【発明を実施するための形態】
【００１６】
以下、本発明の実施の形態について、図面を参照して説明する。本明細書では、便宜上、針圧の方向を上下方向とし、また、上下方向に垂直な方向の一つを前後方向とし、さらに、上下方向及び前後方向に垂直な方向を左右方向として説明するが、本発明によるカンチレバー型のコンタクトプローブの使用時における姿勢を限定するものではない。
【００１７】
実施の形態１．
図１は、本発明の実施の形態１によるコンタクトプローブ１の一構成例を示した斜視図であり、プローブ本体２を取り囲む静電シールド３を備えたカンチレバー型のコンタクトプローブ１が示されている。図２及び図３は、図１のコンタクトプローブ１を示した断面図である。図２には、プローブ本体２を含む垂直面によりコンタクトプローブ１を切断した場合の切断面が示されている。図３には、ビーム部２２を含む水平面によりコンタクトプローブ１を切断した場合の切断面を上方から見た場合が示されている。
【００１８】
このコンタクトプローブ１は、プローブ本体２、静電シールド３及び支持部材４により構成され、プローブ本体２の一端が前後方向に長い直方体形状からなる静電シールド３の上面から上方へ突出し、プローブ本体２の他端がプローブ基板（不図示）に固定される。
【００１９】
＜プローブ本体２＞
プローブ本体２は、検査対象物（不図示）に接触させるコンタクト部２１と、水平方向に延びる細長い形状からなるビーム部２２と、プローブ基板に固定されるベース部２３とにより構成されるカンチレバー型プローブであり、金属の板状体からなる。
【００２０】
コンタクト部２１は、上下方向に延びる針先部である。ベース部２３は、上下方向に延びる根元部である。ビーム部２２は、前後方向に延びる梁部であり、前端にコンタクト部２１が形成され、後端にベース部２３が形成されている。このビーム部２２は、ベース部２３に対し、コンタクト部２１を上下動可能に支持し、オーバードライブ時には、弾性変形することにより、コンタクト部２１を介して検査対象物に所定の針圧を付加する。
【００２１】
＜静電シールド３＞
静電シールド３は、静電遮蔽効果を利用してプローブ本体２をシールドするための導電性材料からなる箱状体である。この静電シールド３は、下方に向けて開口する金属の箱体であり、矩形板状の天板部３１と、天板部３１の周縁から略垂直に延びる板状の側板部３２〜３５とにより構成される。静電シールド３は、内部空間にプローブ本体２のビーム部２２及びベース部２３を収容した状態で、プローブ基板に固定され、グランド用の配線に接続される。
【００２２】
天板部３１は、前後方向に延びる細長い矩形形状からなる水平板であり、下面がビーム部２２の上端面の一部とベース部２３の上端面とに対向している。天板部３１には、コンタクト部２１の先端を上面から突出させるための開口部３１ａが設けられている。開口部３１ａは、矩形の開口からなる。コンタクト部２１の上端は、天板部３１よりも上方に配置される。すなわち、プローブ本体２は、コンタクト部２１の先端が静電シールド３の開口部３１ａから突出する状態で、静電シールド３内に収容される。
【００２３】
側板部３２は、矩形形状の垂直板であり、背面がビーム部２２の前端面に対向している。側板部３３は、前後方向に延びる矩形形状の垂直板であり、左側面がビーム部２２の右側面とベース部２３の右側面とに対向している。側板部３４は、矩形形状の垂直板であり、前面がベース部２３の後端面に対向している。側板部３５は、前後方向に延びる矩形形状の垂直板であり、右側面がビーム部２２の左側面とベース部２３の左側面とに対向している。
【００２４】
側板部３３及び３５は、天板部３１、側板部３２及び３４に比べ、面積が大きい。静電シールド３をプローブ基板に固定した状態では、下面の開口がプローブ基板によって塞がれ、天板部３１、側板部３３及び３５が垂直面内でビーム部２２の一部とベース部２３とを取り囲む。また、側板部３２〜３５は、プローブ本体２の周囲を一周するように、水平面内でビーム部２２及びベース部２３を取り囲む。
【００２５】
側板部３３及び３５には、それぞれ２以上の貫通孔３３ａ，３５ａが形成されている。貫通孔３３ａ及び３５ａは、いずれも静電シールド３の内部空間を外部と連通させる連通路である。この様な貫通孔３３ａ及び３５ａを静電シールド３に設けることにより、静電シールド３の表面積が増加するため、プローブ本体２が静電シールド３内に収容されることによる放熱性の低下を抑制することができる。また、コンタクトプローブ１の製造工程において使用されるエッチング液の回り込みを良くすることもできる。
【００２６】
この例では、矩形形状の貫通孔３３ａ，３５ａが、側板部３３，３５において、３行４列のマトリクス状に配置されている。また、側板部３３における各貫通孔３３ａと、側板部３５における各貫通孔３５ａとは、形状及びサイズが同一であり、互いに対向する位置に形成されている。なお、貫通孔３３ａ，３５ａの形状としては、矩形に代えて、細長いスリット状であっても良い。また、側板部３３，３５において、多数の貫通孔をメッシュ状に設けても良い。
【００２７】
＜支持部材４＞
支持部材４は、静電シールド３を支持するための絶縁性材料からなる部材であり、プローブ本体２のベース部２３に固定される。この支持部材４は、ベース部２３と静電シールド３の側板部３３とを連結する右連結部４ａと、ベース部２３と側板部３５とを連結する左連結部４ｂとにより構成され、静電シールド３と対向するコンタクト部２１及びビーム部２２上の全ての領域に空気層５を介在させた状態で、静電シールド３を支持する。
【００２８】
この様に支持部材４によって静電シールド３と対向するコンタクト部２１及びビーム部２２上の全ての領域に空気層５を介在させることにより、ビーム部２２の弾性変形を妨げることなく、プローブ本体２と静電シールド３との電気的な絶縁性を確保することができる。
【００２９】
右連結部４ａは、コンタクト部２１及びビーム部２２の右側面と側板部３３の左側面との間に空気層５を形成する。一方、左連結部４ｂは、コンタクト部２１及びビーム部２２の左側面と側板部３５の右側面との間に空気層５を形成する。この例では、右連結部４ａがベース部２３の右側面を覆い、左連結部４ｂがベース部２３の左側面を覆っている。この様な支持部材４は、ケイ素などの金属酸化物、例えば、二酸化ケイ素からなる。なお、支持部材４には、二酸化ケイ素に代えて、窒化物や樹脂を用いることができる。
【００３０】
＜コンタクトプローブ１の製造方法＞
図４〜図８は、図１のコンタクトプローブ１の製造方法の一例を模式的に示した説明図であり、いわゆるＭＥＭＳ（Micro Electro Mechanical Systems）技術を利用したプローブ製作の各工程が示されている。ＭＥＭＳは、フォトリソグラフィ技術及び犠牲層エッチング技術を利用して、微細な立体的構造物を製作する技術である。フォトリソグラフィ技術は、半導体製造プロセスなどで利用される感光レジストを用いた微細パターンの加工技術である。また、犠牲層エッチング技術は、犠牲層と呼ばれる下層を形成し、その上に構造物を構成する層をさらに形成した後、犠牲層のみをエッチングして立体的な構造物を形成する技術である。
【００３１】
図４〜図８では、積層基板１０上に導電層を積層することにより、側板部３３、右連結部４ａ、プローブ本体２、左連結部４ｂ、側板部３５の順に、コンタクトプローブ１を形成する場合が示されている。図４の（ａ）〜（ｆ）には、積層基板１０上に第１のシールド層１２を形成する工程が示されている。
【００３２】
まず、犠牲層がめっき用の下地として積層基板１０の表面に形成される（図４の（ａ））。犠牲層には、エッチング液によって容易に除去することができる金属、例えば、銅が用いられる。次に、積層基板１０上にフォトレジストを塗布してレジスト層１１を形成し、フォトマスクを介して露光した後、現像処理を行って余分なフォトレジストが除去される。このレジスト層１１のパターニングにより、側板部３３に対応する平面位置にレジスト層１１の非形成領域が形成される（図４の（ｂ））。
【００３３】
次に、めっき処理により、レジスト層１１の非形成領域に第１のシールド層１２が形成される（図４の（ｃ））。例えば、シールド層１２には、ニッケル合金が用いられる。レジスト層１１は、シールド層１２の形成後、剥離剤を用いて除去される（図４の（ｄ））。次に、めっき処理により、積層基板１０上に犠牲層１３が形成され（図４の（ｅ））、その後、シールド層１２が露出するまで、犠牲層１３の表面が研磨される（図４の（ｆ））。
【００３４】
図５の（ａ）〜（ｊ）には、第３のシールド層１５及び絶縁層１６を形成する工程が示されている。犠牲層１３の表面研磨後、積層基板１０上にフォトレジストを塗布してレジスト層１４を形成し、フォトマスクを介して露光した後、現像処理を行って余分なフォトレジストが除去される。このレジスト層１４のパターニングにより、天板部３１、側板部３２及び３４に対応する平面位置にレジスト層１４の非形成領域が形成される（図５の（ａ））。
【００３５】
次に、めっき処理により、レジスト層１４の非形成領域に第３のシールド層１５が形成される（図５の（ｂ））。シールド層１５には、シールド層１２と同じ金属が用いられる。レジスト層１４は、シールド層１５の形成後、剥離剤を用いて除去される（図５の（ｃ））。
【００３６】
次に、レジスト層１４の除去後、積層基板１０上に絶縁層１６が形成される（図５の（ｄ））。絶縁層１６は、右連結部４ａを構成する絶縁性材料からなり、ベース部２３に対応する平面位置に形成される。例えば、めっき処理により、ケイ素からなる金属層を形成した後、加熱処理により当該金属層を酸化させれば、絶縁層１６が得られる。
【００３７】
次に、めっき処理により、積層基板１０上に犠牲層１７が形成され（図５の（ｅ））、その後、シールド層１５が露出するまで、犠牲層１７の表面が研磨される（図５の（ｆ））。犠牲層１７は、ビーム部２２及びコンタクト部２１に対応する平面位置に形成される。次に、スパッタリング処理により、積層基板１０上にスパッタリング被膜層１８が形成される（図５の（ｇ））。スパッタリング被膜層１８は、絶縁層１６上に導電層を積層するためのめっき用下地であり、プローブ層４２ｂと同じ金属からなる。
【００３８】
スパッタリング被膜層１８の形成後、積層基板１０上にフォトレジストを塗布してレジスト層を形成し、フォトマスクを介して露光した後、現像処理を行って余分なフォトレジストが除去される。このレジスト層のパターニングにより、ベース部２３に対応する平面位置にレジスト膜１９が形成される（図５の（ｈ））。スパッタリング被膜層１８は、レジスト膜１９をマスクとして、レジスト膜１９の非形成領域がエッチング処理により除去され（図５の（ｉ））、その後、剥離剤を用いてレジスト膜１９が除去される（図５の（ｊ））。
【００３９】
図６の（ａ）〜（ｅ）には、第３のシールド層４２ａ及びプローブ層４２ｂを形成する工程が示されている。レジスト膜１９の除去後、積層基板１０上にフォトレジストを塗布してレジスト層４１を形成し、フォトマスクを介して露光した後、現像処理を行って余分なフォトレジストが除去される。このレジスト層４１のパターニングにより、天板部３１、側板部３２，３４及びプローブ本体２に対応する平面位置にレジスト層４１の非形成領域が形成される（図６の（ａ））。
【００４０】
次に、めっき処理により、レジスト層４１の非形成領域に第３のシールド層４２ａ及びプローブ層４２ｂが形成される（図６の（ｂ））。シールド層４２ａ及びプローブ層４２ｂには、シールド層１２と同じ金属が用いられる。なお、プローブ本体２を静電シールド３と異なる金属により構成する場合は、レジスト層を形成してパターニングする工程やめっき処理によって金属を堆積させる工程を追加すれば良い。レジスト層４１は、シールド層４２ａ及びプローブ層４２ｂの形成後、剥離剤を用いて除去される（図６の（ｃ））。
【００４１】
次に、めっき処理により、積層基板１０上に犠牲層４３が形成され（図６の（ｄ））、その後、シールド層４２ａ及びプローブ層４２ｂが露出するまで、犠牲層４３の表面が研磨される（図６の（ｅ））。
【００４２】
図７の（ａ）〜（ｆ）には、第３のシールド層４５及び絶縁層４６を形成する工程が示されている。犠牲層４３の表面研磨後、積層基板１０上にフォトレジストを塗布してレジスト層４４を形成し、フォトマスクを介して露光した後、現像処理を行って余分なフォトレジストが除去される。このレジスト層４４のパターニングにより、天板部３１、側板部３２及び３４に対応する平面位置にレジスト層４４の非形成領域が形成される。
【００４３】
その後、めっき処理により、レジスト層４４の非形成領域に第３のシールド層４５が形成される（図７の（ａ））。シールド層４５には、シールド層１２と同じ金属が用いられる。レジスト層４４は、シールド層４５の形成後、剥離剤を用いて除去される。
【００４４】
次に、積層基板１０上に絶縁層４６が形成される（図７の（ｂ））。絶縁層４６は、左連結部４ｂを構成する絶縁性材料からなり、ベース部２３に対応する平面位置に形成される。次に、めっき処理により、積層基板１０上に犠牲層４７を形成した後、シールド層４５が露出するまで、犠牲層４７の表面が研磨される（図７の（ｃ））。犠牲層４７は、ビーム部２２及びコンタクト部２１に対応する平面位置に形成される。
【００４５】
次に、スパッタリング処理により、積層基板１０上にスパッタリング被膜層４８が形成される（図７の（ｄ））。スパッタリング被膜層４８は、絶縁層４６上に導電層を積層するためのめっき用下地であり、シールド層５１と同じ金属からなる。
【００４６】
スパッタリング被膜層４８の形成後、積層基板１０上にフォトレジストを塗布してレジスト層を形成し、フォトマスクを介して露光した後、現像処理を行って余分なフォトレジストが除去される。このレジスト層のパターニングにより、ベース部２３に対応する平面位置にレジスト膜４９が形成される。スパッタリング被膜層４８は、レジスト膜４９をマスクとして、レジスト膜４９の非形成領域がエッチング処理により除去され（図７の（ｅ））、その後、剥離剤を用いてレジスト膜４９が除去される（図７の（ｆ））。
【００４７】
図８の（ａ）〜（ｃ）には、第２のシールド層５１を形成した後、犠牲層１３，１７，４３，４７及び５２を除去する工程が示されている。レジスト膜４９の除去後、積層基板１０上にフォトレジストを塗布してレジスト層５０を形成し、フォトマスクを介して露光した後、現像処理を行って余分なフォトレジストが除去される。このレジスト層５０のパターニングにより、側板部３５に対応する平面位置にレジスト層５０の非形成領域が形成される。
【００４８】
次に、めっき処理により、レジスト層５０の非形成領域に第２のシールド層５１が形成される（図８の（ａ））。シールド層５１には、シールド層１２と同じ金属が用いられる。レジスト層５０は、シールド層５１の形成後、剥離剤を用いて除去される。次に、めっき処理により、積層基板１０上に犠牲層５２が形成され、その後、シールド層５１が露出するまで、犠牲層５２の表面が研磨される（図８の（ｂ））。
【００４９】
図４の（ｂ）から図８の（ｂ）までの工程は、シールド層１２，５１間にプローブ層４２ｂを形成する第１積層ステップである。この第１積層ステップでは、ベース部２３に対応する平面位置に絶縁層１６，４６を介在させ、かつ、ビーム部２２及びコンタクト部２１に対応する平面位置に犠牲層１７，４７を介在させた状態で、シールド層１２，５１及びプローブ層４２ｂが形成される。また、図５の（ａ）から図７の（ｃ）までの工程は、シールド層１２，５１を連結するシールド層１５，４２ａ，４５を積層する第２積層ステップである。この第２積層ステップでは、平面領域において犠牲層１７，４３，４７を介在させることによりプローブ層４２ｂから離間させた状態で、シールド層１５，４２ａ，４５が形成される。
【００５０】
次に、積層基板１０をエッチング液に所定時間浸し、導電層の積層体の内部にエッチング液を浸潤させることにより、積層体から犠牲層１３，１７，４３，４７及び５２を除去すれば、コンタクトプローブ１が完成する。例えば、エッチング液には、硫酸銅が用いられる。
【００５１】
本実施の形態によれば、シールド層１２，５１に２以上の貫通孔３３ａ，３５ａが形成されるので、プローブ層４２ｂ、シールド層１２，１５，４２ａ，４５及び５１を含む導電層の積層体をエッチング液に浸した際に、エッチング液が積層体の内部に容易に回り込むとともに、エッチング液によって溶解した金属が積層体の外部に容易に排出される。このため、導電層の積層体から犠牲層１３，１７，４３，４７及び５２が除去されるまでに要する時間を短縮することができる。
【００５２】
また、側板部３３における各貫通孔３３ａと、側板部３５における各貫通孔３５ａとは、形状及びサイズが同一であり、互いに対向する位置に形成される。このため、シールド層１２を形成する工程とシールド層５１を形成する工程とで、フォトマスクを共通化することができ、製造コストを低減させることができる。
【００５３】
また、この製造方法により製作されたコンタクトプローブ１は、複数の貫通孔３３ａ、３５ａにより静電シールド３の表面積が増加するので、放熱性の低下を抑制しつつ、高周波特性を向上させることができる。また、導電層の積層体から犠牲層を除去してプローブ本体２及び静電シールド３を形成するので、静電シールド３を備えたカンチレバー型のコンタクトプローブ１の微細化が容易である。
【００５４】
図９は、側面を互いに対向させて２以上のコンタクトプローブ１をプローブ基板１１０上に配置したプローブユニット１００の構成例を示した平面図である。この図では、プローブ基板１１０に垂直な方向が針圧の方向であり、図の上下方向をコンタクトプローブ１の前後方向と一致させて描画されている。プローブ基板１１０は、コンタクトプローブ１とテスター装置（不図示）とを接続するための配線基板である。
【００５５】
このプローブユニット１００では、２つのプローブ配列が形成されている。各プローブ配列は、左右方向の直線上に概ね等間隔で配置された５つのコンタクトプローブ１からなる。上段のプローブ配列と下段のプローブ配列とでは、コンタクトプローブ１の向きが１８０°異なり、各コンタクトプローブ１は、互いにコンタクト部２１を対向させて配置されている。
【００５６】
プローブ配列内の各コンタクトプローブ１について、静電シールド３は、共通のグランド配線１１１に接続されている。一方、プローブ本体２は、図示しないプローブ用の配線に接続され、当該配線を介して外部端子（不図示）と導通する。
【００５７】
本実施の形態によれば、静電シールド３が、ビーム部２２及びベース部２３の上端面及び２つの側面に対向し、天板部３１、側板部３３及び３５が垂直面内でビーム部２２の一部とベース部２３とを取り囲んでいる。このため、電磁波が左右方向及び上方からビーム部２２及びベース部２３に進入するのを遮ることができ、プローブ配列内で隣りに配置されたコンタクトプローブ１が発する電磁波が回り込むのを抑制することができる。
【００５８】
また、側板部３２〜３５が、プローブ本体２の周囲を一周するように、水平面内でビーム部２２及びベース部２３を取り囲んでいる。このため、プローブ配列間において、コンタクト部２１を対向させて配置されたコンタクトプローブ１が発する電磁波が回り込むのを抑制することができる。
【００５９】
なお、本実施の形態では、一定の間隔を空けてコンタクトプローブ１がプローブ基板１１０上に配置される場合の例について説明したが、静電シールド３の側面を互いに接触させた状態で、２以上のコンタクトプローブ１を配置するような構成であっても良い。
【００６０】
実施の形態２．
実施の形態１では、プローブ本体２の一端が静電シールド３の上面から上方へ突出する場合の例について説明した。これに対し、本実施の形態では、プローブ本体２の一端が静電シールド３の前面から前方へ突出する場合について説明する。
【００６１】
図１０は、本発明の実施の形態２によるコンタクトプローブ１の一構成例を示した斜視図である。このコンタクトプローブ１は、図１のコンタクトプローブ１と比較すれば、静電シールド３の構成が異なる。このコンタクトプローブ１の静電シールド３は、天板部３１及び側板部３３〜３５により構成され、前面及び下面が開口している。
【００６２】
天板部３１、側板部３３及び３５は、静電シールド３をプローブ基板１１０に固定した状態では、下面の開口がプローブ基板１１０によって塞がれ、垂直面内でビーム部２２の一部とベース部２３とを取り囲む。ビーム部２２の前端は、静電シールド３の前面開口から前方へ突出し、コンタクト部２１が上方へ延びている。この様な構成であっても、電磁波が左右方向及び上方からビーム部２２及びベース部２３に進入するのを遮ることができ、コンタクトプローブ１の高周波特性を向上させることができる。
【００６３】
なお、実施の形態１及び２では、支持部材４によって静電シールド３と対向するコンタクト部２１及びビーム部２２上の全ての領域に空気層５を介在させる場合の例について説明したが、本発明は、コンタクトプローブ１の構成をこれに限定するものではない。例えば、プローブ本体２の弾性変形を妨げずにプローブ本体２と静電シールド３との電気的な絶縁性を向上させるという観点から、プローブ本体２の静電シールド３と対向する面に、絶縁性の被膜を設けても良い。或いは、静電シールド３のプローブ本体２と対向する面に、絶縁性の被膜を設けても良い。絶縁性の被膜は、例えば、ケイ素などの金属酸化物、窒化物又は樹脂からなる。この様な被膜をプローブ本体２又は静電シールド３に形成することにより、ビーム部２２が弾性変形するのを妨げることなく、プローブ本体２と静電シールド３との間の絶縁性能を向上させることができる。
【符号の説明】
【００６４】
１    コンタクトプローブ
２    プローブ本体
２１  コンタクト部
２２  ビーム部
２３  ベース部
３    静電シールド
３１  天板部
３２〜３５  側板部
３３ａ，３５ａ  貫通孔
４    支持部材
４ａ  右連結部
４ｂ  左連結部
５    空気層
１０  積層基板
１１，１４，４１，４４，４９，５０  レジスト層
１２  第１のシールド層
１３，１７，４３，４７，５２  犠牲層
１５，４２ａ，４５  第３のシールド層
１６，４６  絶縁層
１８，４８  スパッタリング被膜層
１９  レジスト膜
４２ｂ  プローブ層
５１  第２のシールド層
１００  プローブユニット
１１０  プローブ基板
１１１  グランド配線
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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