(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上のインプリント材をモールドで成形して前記基板上にパターンを形成するインプリント装置であって、
吐出口から前記インプリント材を吐出するディスペンサと、
前記インプリント材に溶解して前記インプリント材の粘度を低下させるガスを前記吐出口に供給するガス供給部と、を有し、
前記ディスペンサは、前記ガス供給部が前記吐出口に前記ガスを供給している間、前記インプリント材を吐出するための制御を行い、
前記ガス供給部は、供給した前記ガスを前記吐出口の周りのインプリント材に溶解させ、溶解した前記ガスによって前記吐出口の周りのインプリント材の粘度を低下させ、
前記ディスペンサは、前記粘度が低下した前記インプリント材を吐出することを特徴とするインプリント装置。
【請求項２】
前記ガス供給部によって供給された前記ガスを回収する第１回収部を有することを特徴とする請求項１に記載のインプリント装置。
【請求項３】
前記ガス供給部によって前記ガスが供給されている間に前記ディスペンサから吐出された前記インプリント材を受ける受部を有することを特徴とする請求項１又は２に記載のインプリント装置。
【請求項４】
前記ガス供給部によって前記ガスが供給されている間に前記ディスペンサから吐出された前記インプリント材を回収する第２回収部を有することを特徴とする請求項１乃至３のうちいずれか１項に記載のインプリント装置。
【請求項５】
前記ガス供給部によって供給された前記ガスが前記吐出口が面する空間の外に漏洩することを低減する障壁を有することを特徴とする請求項１乃至４のうちいずれか１項に記載のインプリント装置。
【請求項６】
前記障壁は、前記ディスペンサ側に突き出して前記ディスペンサの周囲を取り囲む部分を含むことを特徴とする請求項５に記載のインプリント装置。
【請求項７】
前記基板を保持して移動する基板ステージを更に有し、
前記受部は、前記基板ステージに設けられていることを特徴とする請求項３に記載のインプリント装置。
【請求項８】
前記ガス供給部は、前記ディスペンサの周囲を取り囲むように設けられ、
前記第１回収部は、前記ガス供給部の周囲を取り囲むように設けられていることを特徴とする請求項２に記載のインプリント装置。
【請求項９】
前記ガス供給部及び前記第１回収部は、前記吐出口に対向するように設けられていることを特徴とする請求項２に記載のインプリント装置。
【請求項１０】
前記ガス供給部は、前記吐出口に向けて前記ガスを吹き付けることを特徴とする請求項９に記載のインプリント装置。
【請求項１１】
前記ガスは、液体の状態において前記インプリント材の粘度よりも低い粘度を有することを特徴とする請求項１乃至１０のうちいずれか１項に記載のインプリント装置。
【請求項１２】
前記ガスは、２０℃、１気圧の環境における前記インプリント材への溶解度が０．２モル／リットル以上であることを特徴とする請求項１乃至１１のうちいずれか１項に記載のインプリント装置。
【請求項１３】
前記ガスは、ペンタフルオロプロパンを含むことを特徴とする請求項１乃至１２のうちいずれか１項に記載のインプリント装置。
【請求項１４】
前記ガス供給部は、前記吐出口が面する空間に前記ガスを供給することを特徴とする請求項１乃至１３のうちいずれか１項に記載のインプリント装置。
【請求項１５】
前記インプリント材による前記吐出口の詰まりを検出したときに、前記ガス供給部が前記ガスを前記吐出口に供給することを特徴とする請求項１乃至１４のうちいずれか１項に記載のインプリント装置。
【請求項１６】
吐出口からインプリント材を吐出するディスペンサを備えたインプリント装置におけるインプリント方法であって、
前記インプリント材による前記吐出口の詰まりを除去する第１工程と、
前記第１工程で前記詰まりが除去された前記ディスペンサを用いて基板上に前記インプリント材を供給し、前記基板上の前記インプリント材をモールドで成形して前記基板上にパターンを形成する第２工程と、を有し、
前記第１工程では、
前記インプリント材に溶解して前記インプリント材の粘度を低下させるガスを前記吐出口に供給し、
供給した前記ガスを前記吐出口の周りのインプリント材に溶解させ、
溶解した前記ガスによって前記吐出口の周りのインプリント材の粘度を低下させ、
前記粘度が低下した前記インプリント材を吐出し、
前記第１工程において、前記ディスペンサは、前記吐出口に前記ガスを供給している間、前記インプリント材を吐出するための制御を行うことを特徴とするインプリント方法。
【請求項１７】
前記第１工程では、前記吐出口に面する空間に前記ガスを供給し、
前記第２工程では、前記空間への前記ガスの供給を停止することを特徴とする請求項１６に記載のインプリント方法。
【請求項１８】
前記第１工程では、前記ガスの雰囲気下で前記吐出口から前記インプリント材を吐出することで前記インプリント材による前記吐出口の詰まりを除去することを特徴とする請求項１６又は１７に記載のインプリント方法。
【請求項１９】
請求項１乃至１５のうちいずれか１項に記載のインプリント装置を用いてパターンを基板に形成する工程と、
前記工程で前記パターンを形成された前記基板を処理する工程と、
を含み、処理された前記基板から物品を得ることを特徴とする物品の製造方法。
【請求項２０】
基板上のインプリント材をモールドで成形して前記基板上にパターンを形成するインプリント装置であって、
吐出口から前記インプリント材を吐出するディスペンサと、
前記インプリント材に溶解して前記インプリント材の粘度を低下させるガスを前記吐出口に供給するガス供給部と、
前記ガス供給部によって供給された前記ガスを回収する第１回収部と、を有し、
前記ガス供給部が前記ガスを前記吐出口に供給することにより、前記吐出口の周りのインプリント材に前記ガスを溶解させ、前記吐出口の周りのインプリント材の粘度を低下させ、
前記ディスペンサは、前記ガス供給部によって前記ガスが供給されている間、前記インプリント材を吐出し、
前記ガス供給部によって前記ガスが供給されている間に前記ディスペンサから吐出された前記インプリント材を受ける受部を有することを特徴とするインプリント装置。
【請求項２１】
前記ガス供給部によって前記ガスが供給されている間に前記ディスペンサから吐出された前記インプリント材を回収する第２回収部を有することを特徴とする請求項２０に記載のインプリント装置。
【請求項２２】
前記基板を保持して移動する基板ステージを更に有し、
前記受部は、前記基板ステージに設けられていることを特徴とする請求項２０に記載のインプリント装置。
【請求項２３】
前記ガス供給部は、前記ディスペンサの周囲を取り囲むように設けられ、
前記第１回収部は、前記ガス供給部の周囲を取り囲むように設けられていることを特徴とする請求項２０乃至２２のうちいずれか１項に記載のインプリント装置。
【請求項２４】
前記ガス供給部及び前記第１回収部は、前記吐出口に対向するように設けられていることを特徴とする請求項２０乃至２２のうちいずれか１項に記載のインプリント装置。
【請求項２５】
前記ガス供給部は、前記吐出口に向けて前記ガスを吹き付けることを特徴とする請求項２４に記載のインプリント装置。
【請求項２６】
基板上のインプリント材をモールドで成形して前記基板上にパターンを形成するインプリント装置であって、
吐出口から前記インプリント材を吐出するディスペンサと、
前記インプリント材に溶解して前記インプリント材の粘度を低下させるガスを前記吐出口に供給するガス供給部と、を有し、
前記ガス供給部が前記ガスを前記吐出口に供給することにより、前記吐出口の周りのインプリント材に前記ガスを溶解させ、前記吐出口の周りのインプリント材の粘度を低下させ、
前記ガスは、２０℃、１気圧の環境における前記インプリント材への溶解度が０．２モル／リットル以上であることを特徴とするインプリント装置。
【請求項２７】
基板上のインプリント材をモールドで成形して前記基板上にパターンを形成するインプリント装置であって、
吐出口から前記インプリント材を吐出するディスペンサと、
前記インプリント材に溶解して前記インプリント材の粘度を低下させるガスを前記吐出口に供給するガス供給部と、を有し、
前記ガス供給部が前記ガスを前記吐出口に供給することにより、前記吐出口の周りのインプリント材に前記ガスを溶解させ、前記吐出口の周りのインプリント材の粘度を低下させ、
前記ガスは、ペンタフルオロプロパンを含むことを特徴とするインプリント装置。
【請求項２８】
吐出口からインプリント材を吐出するディスペンサを備えたインプリント装置におけるインプリント方法であって、
前記インプリント材による前記吐出口の詰まりを除去する第１工程と、
前記第１工程で前記詰まりが除去された前記ディスペンサを用いて基板上に前記インプリント材を供給し、前記基板上の前記インプリント材をモールドで成形して前記基板上にパターンを形成する第２工程と、を有し、
前記第１工程では、前記インプリント材に溶解して前記インプリント材の粘度を低下させるガスの雰囲気下に前記吐出口を置き、前記ガスの雰囲気下で前記吐出口から前記インプリント材を吐出することで前記インプリント材による前記吐出口の詰まりを除去することを特徴とするインプリント方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、インプリント装置、インプリント方法及び物品の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体デバイスやＭＥＭＳなどの微細化の要求が進み、従来のフォトリソグラフィ技術に加え、基板上の樹脂（インプリント材）をモールド（型）で成形して樹脂のパターンを基板上に形成する微細加工技術が注目されている。かかる技術は、インプリント技術と呼ばれ、基板上に数ナノメートルオーダーの微細な構造体（パターン）を形成することができる。例えば、インプリント技術の１つとして、光硬化法がある。
【０００３】
光硬化法を採用したインプリント装置では、まず、基板のショット領域に光硬化性樹脂を供給（塗布）し、かかる樹脂（未硬化樹脂）をモールドで成形する。そして、光を照射して樹脂を硬化させ、基板上の硬化した樹脂からモールドを引き離すことで、樹脂のパターンが基板上に形成される。また、光硬化法以外の樹脂硬化法として、モールドと基板上の樹脂とを接触させた状態で熱を加えて樹脂を硬化させる熱硬化法も知られている。
【０００４】
インプリント装置では、通常、ステップアンドリピート方式が採用されている。ここで、「ステップアンドリピート方式」とは、基板のショット領域へのパターンの一括形成ごとに基板をステップ移動させて、次のショット領域に移動する方式である。但し、基板に供給される樹脂の粘度は低いため、インプリント装置においては、露光装置のように基板に樹脂を予め塗布した状態で基板を移動させることは困難である。そこで、各ショット領域にパターンを形成する際に、ディスペンサ（ノズル）を用いて、モールドを押印するごとに基板に樹脂を吐出（供給）するディスペンス方式が提案されている（特許文献１参照）。
【０００５】
ディスペンス方式では、樹脂の固化（硬化）などで生じた微粒子や気泡などの異物がノズルの詰まりを生じさせることがある。これにより、ノズルから樹脂が吐出されなかったり（吐出抜け）、ノズルから垂直に樹脂が吐出されなかったりするなどして、吐出精度が低下してしまう。その結果、基板上に形成される樹脂のパターンの残膜厚（ＲＬＴ：Ｒｅｓｉｄｕａｌ  Ｌａｙｅｒ  Ｔｈｉｃｋｎｅｓｓ）の均一性の低下や未充填欠陥を招く可能性がある。従って、ノズルの詰まりが生じた場合には、ノズルをクリーニング（洗浄）する必要があり、このようなノズルのクリーニングに関する技術が提案されている（特許文献２参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】米国特許第７０７７９９２号明細書
【特許文献２】特開２００８−３０２３０６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
ノズルのクリーニングに関する技術としては、一般的に、樹脂の吐出を繰り返し実施してノズルの詰まりを改善する技術やノズルに強制的に圧力を加えて樹脂を押し出す技術がある。しかしながら、このような技術では、樹脂を多量に消費したり、ノズルの詰まりを改善するまでに長時間を要したりしてしまう。
【０００８】
特許文献２には、ノズルを溶剤に浸漬させた状態において、圧電素子を実際に使用する周波数よりも高い周波数で駆動し、ノズル内の異物を除去する技術が提案されている。しかしながら、特許文献２のように、ノズルを溶剤に浸漬させる場合には、ノズルの表面（吐出面）に付着した溶剤を拭き取る工程が必要となる。このような工程が増えることによって、ノズルのクリーニングに長時間を要する可能性がある。また、溶剤を拭き取る際に、ノズルの吐出面に異物が付着する可能性もある。
【０００９】
本発明は、このような従来技術の課題に鑑みてなされ、ディスペンサをクリーニングするのに有利なインプリント装置を提供することを例示的目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
上記目的を達成するために、本発明の一側面としてのインプリント装置は、基板上のインプリント材をモールドで成形して前記基板上にパターンを形成するインプリント装置であって、吐出口から前記インプリント材を吐出するディスペンサと、前記インプリント材に溶解して前記インプリント材の粘度を低下させるガスを前記吐出口に供給するガス供給部と、を有し、前記ディスペンサは、前記ガス供給部が前記吐出口に前記ガスを供給している間、前記インプリント材を吐出するための制御を行い、前記ガス供給部は、供給した前記ガスを前記吐出口の周りのインプリント材に溶解させ、溶解した前記ガスによって前記吐出口の周りのインプリント材の粘度を低下させ、前記ディスペンサは、前記粘度が低下した前記インプリント材を吐出することを特徴とする。
【００１１】
本発明の更なる目的又はその他の側面は、以下、添付図面を参照して説明される好ましい実施形態によって明らかにされるであろう。
【発明の効果】
【００１２】
本発明によれば、例えば、ディスペンサをクリーニングするのに有利なインプリント装置を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
【図１】本発明の一側面としてのインプリント装置の構成を示す概略図である。
【図２】第１の実施形態におけるクリーニング部の構成を示す概略断面図である。
【図３】ディスペンサのクリーニング処理を説明するためのフローチャートである。
【図４】第２の実施形態におけるクリーニング部の構成を示す概略断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１４】
以下、添付図面を参照して、本発明の好適な実施の形態について説明する。なお、各図において、同一の部材については同一の参照番号を付し、重複する説明は省略する。
【００１５】
＜第１の実施形態＞
図１は、本発明の一側面としてのインプリント装置１０の構成を示す概略図である。インプリント装置１０は、物品としての半導体デバイスなどのデバイスの製造に使用されるリソグラフィ装置である。インプリント装置１０は、基板上のインプリント材をモールドで成形して基板上にパターンを形成するインプリント処理を行う。
【００１６】
インプリント装置１０は、光硬化法を採用し、紫外線の照射によって硬化する紫外線硬化性樹脂をインプリント材として使用する。但し、インプリント装置１０は、熱硬化法を採用してもよい。また、以下では、基板上の樹脂に対して照射する紫外線の光軸に平行な方向をＺ軸とし、Ｚ軸に垂直な平面内で互いに直交する方向をＸ軸及びＹ軸とする。
【００１７】
インプリント装置１０は、照射部５０と、モールド保持部４０と、基板保持部２０と、ディスペンサ３２と、制御部１５と、クリーニング部６０とを有する。また、インプリント装置１０は、定盤１１と、除振器１２と、フレーム１３と、アライメントスコープ１４とを有する。定盤１１は、インプリント装置１０の全体を支持するとともに、基板ステージ２３の移動の基準平面を形成する。除振器１２は、フレームを支持し、床からの振動を除去する機能を有する。フレーム１３は、基板２１よりも上方に配置されている各部、具体的には、光源５１からモールド４１までを支持する。アライメントスコープ１４は、基板２１に設けられたアライメントマークの位置を計測する。アライメントスコープ１４の計測結果に基づいて、基板ステージ２３が位置決めされる。
【００１８】
照射部５０は、インプリント処理の際に、具体的には、基板上の樹脂３０を硬化させる際に、モールド４１を介して、樹脂３０に対して紫外線５３を照射する。照射部５０は、光源５１と、光源５１から発せられた紫外線５３を適切に調整して樹脂３０に照射するための光学系５２とを含む。
【００１９】
光源５１は、ハロゲンランプなどのランプを採用可能であるが、モールド４１を透過し、且つ、樹脂３０を硬化させることが可能な波長の光を発する光源であればよく、特に限定するものではない。光学系５２は、レンズ、ミラー、アパーチャ、紫外線５３の照射と遮光とを切り替えるためのシャッタなどを含む。
【００２０】
本実施形態では、インプリント装置１０は、光硬化法を採用しているため、照射部５０を有する。但し、例えば、インプリント装置１０が熱硬化法を採用する場合には、照射部５０は、熱硬化性樹脂を硬化させるための熱を提供する熱源部に置換される。
【００２１】
モールド４１は、多角形（例えば、矩形又は正方形）の外周形状を有し、基板２１に対向する面に、基板２１に転写すべき凹凸パターン（回路パターン）が３次元状に形成されたパターン部４１ａを含む。モールド４１は、紫外線５３を透過させることが可能な材料、例えば、石英で構成されている。また、モールド４１は、紫外線５３が入射する入射面に、円形の平面形状を有し、且つ、ある程度の深さを有するキャビティ（凹部）４４を有する。
【００２２】
モールド保持部４０は、モールド４１を保持するモールドチャック４２と、モールドチャック４２を移動可能に保持するモールド駆動機構４３と、モールド４１（パターン部４１ａ）の形状を補正する補正機構４６とを含む。
【００２３】
モールドチャック４２は、モールド４１の紫外線５３の入射面の外周領域を真空吸着力や静電力で引き付けることでモールド４１を保持する。例えば、真空吸着力でモールド４１を保持する場合、モールドチャック４２は、外部に設けられた真空ポンプ（不図示）に接続され、かかる真空ポンプの排気による吸着力を適宜調整することで、モールド４１に対する吸着力（保持力）を調整する。
【００２４】
モールド駆動機構４３は、基板上の樹脂３０に対するモールド４１の押し付け、又は、基板上の樹脂３０からのモールド４１の引き離しを選択的に行うように、モールドチャック４２（モールド４１）を各軸方向に移動させる。モールド駆動機構４３に採用可能な動力源としては、例えば、リニアモータやエアシリンダがある。モールド駆動機構４３は、モールド４１を高精度に位置決めするために、粗動駆動系や微動駆動系などの複数の駆動系で構成されてもよい。また、モールド駆動機構４３は、Ｚ軸方向だけでなく、Ｘ軸方向、Ｙ軸方向及びθ（Ｚ軸周りの回転）方向の位置調整機能やモールド４１の傾きを補正するためのチルト機能を有していてもよい。
【００２５】
インプリント装置１０におけるモールド４１の押し付け及び引き離しの各動作は、モールド４１をＺ軸方向に移動させることで実現してもよいが、基板２１をＺ軸方向に移動させることで実現してもよい。また、モールド４１及び基板２１の双方を相対的にＺ軸方向に移動させることでモールド４１の押し付け及び引き離しの各動作を実現してもよい。
【００２６】
補正機構４６は、モールドチャック４２におけるモールド４１の保持側に設けられ、モールド４１を変形させる機能を有する。補正機構４６は、モールド４１の側面に対して外力又は変位を機械的に与えることでモールド４１（パターン部４１ａ）の形状を補正する。
【００２７】
モールドチャック４２及びモールド駆動機構４３は、その中心部（内側）に、照射部５０から照射されて基板２１に向かう紫外線５３を通過可能にする開口領域４７を有する。ここで、モールドチャック４２（又はモールド駆動機構４３）は、開口領域４７の一部とモールド４１とで囲まれるキャビティ４４を密閉空間にするための光透過部材（例えば、ガラス板）４５を有する場合もある。この場合、キャビティ４４の内部の圧力は、真空ポンプなどを含む圧力調整装置（不図示）によって調整される。かかる圧力調整装置は、例えば、基板上の樹脂３０にモールド４１を押し付ける際に、キャビティ４４の内部の圧力を外部の圧力よりも高く設定する。これにより、モールド４１のパターン部４１ａが基板２１に向かって凸状に撓み（変形し）、基板上の樹脂３０に対してパターン部４１ａの中心部から接触させることができる。その結果、モールド４１のパターン部４１ａと樹脂３０との間に気体（空気）が残留することが抑制され、パターン部４１ａに対して樹脂３０を効率的に充填させることができる。
【００２８】
基板２１は、例えば、単結晶シリコン基板やＳＯＩ（Ｓｉｌｉｃｏｎ  ｏｎ  Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ）基板などを含む。基板２１の複数のショット領域（パターン形成領域）には、モールド４１のパターン部４１ａに対応する樹脂３０のパターン（パターンを含む層）が形成される。また、一般的には、インプリント装置１０に搬入される基板２１の複数のショット領域には、前工程にてパターン（基板側パターン）が形成されている。
【００２９】
基板保持部２０は、基板２１を移動可能に保持し、例えば、モールド４１と基板上の樹脂３０とを接触させる際に、パターン部４１ａと基板２１のショット領域（基板側パターン）との位置合わせなどに用いられる。基板保持部２０は、基板２１を保持（吸着）する基板チャック２２と、基板チャック２２を機械的に保持して各軸方向に移動する基板ステージ２３とを含む。
【００３０】
基板ステージ２３に採用可能な動力源としては、例えば、リニアモータや平面モータなどがある。基板ステージ２３は、Ｘ軸及びＹ軸の各方向に対して、粗動駆動系や微動駆動系などの複数の駆動系で構成されてもよい。また、基板ステージ２３は、基板２１のＺ軸方向の位置調整機能、基板２１のθ方向の位置調整機能、基板２１の傾きを補正するためのチルト機能などを有していてもよい。
【００３１】
基板保持部２０の側面には、Ｘ、Ｙ、Ｚ、ωｘ、ωｙ及びωｚの各方向に対応する複数の参照ミラー７０が配置されている。また、インプリント装置１０は、これらの参照ミラー７０のそれぞれに計測光７１を照射して基板ステージ２３の位置、即ち、基板２１の位置を計測するための複数の干渉計７２を有する。但し、図１では、参照ミラー７０と干渉計７２との組を１つだけ示している。干渉計７２は、基板２１の位置を実時間で計測し、制御部１５は、干渉計７２の計測結果に基づいて、基板２１（基板ステージ２３）を位置決めする。このような基板２１の位置を計測する計測器としては、干渉計７２の他に、半導体レーザを用いたエンコーダなどが採用可能である。
【００３２】
ディスペンサ３２は、モールド保持部４０の近傍に設けられている。ディスペンサ３２は、基板２１に、具体的には、基板２１のショット領域（基板側パターン）に樹脂３０を供給（塗布）する。ここで、樹脂３０は、紫外線５３の照射によって硬化する紫外線硬化性樹脂であって、デバイスの製造工程などの各種条件に応じて適宜選択される。ディスペンサ３２には、未硬化状態の樹脂３０を収容する容器３１が接続され、容器３１からディスペンサ３２に樹脂３０が供給される。
【００３３】
ディスペンサ３２は、例えば、ピエゾタイプの吐出機構（ノズル）で構成されている。ディスペンサ３２からの樹脂３０の吐出量（塗布量）は、０．１〜１０［ｐＬ／滴］の範囲で設定可能であって、通常、約２［ｐＬ／滴］に設定される。基板２１に対する樹脂３０の全吐出量は、モールド４１のパターン部４１ａの密度や基板２１に形成すべき残膜厚（ＲＬＴ）に基づいて決定される。ディスペンサ３２は、制御部１５の制御下において、基板２１に対する樹脂３０の吐出位置や吐出量などを制御する。
【００３４】
制御部１５は、例えば、ＣＰＵやメモリなどを含むコンピュータで構成され、インプリント装置１０の全体（各部の動作や調整など）を制御する。制御部１５は、インプリント装置１０の各部と回線を介して接続され、プログラムなどに従って各部を制御する。制御部１５は、本実施形態のように、インプリント装置１０の一部として構成してもよいし、インプリント装置１０とは別体で構成してもよい。
【００３５】
以下、インプリント装置１０におけるディスペンサ３２のクリーニング（洗浄）について説明する。図２は、第１の実施形態におけるクリーニング部６０の構成を示す概略断面図である。ディスペンサ３２は、基板２１に向けて樹脂３０を吐出するための吐出口３３を有し、吐出口３３の下面（外表面）を吐出面３３ａとする。クリーニング部６０は、ディスペンサ３２をクリーニングする機能、具体的には、樹脂３０によるディスペンサ３２の吐出口３３の詰まりを除去する機能を有する。クリーニング部６０は、図２に示すように、ガス供給部６１と、ガス回収部（第１回収部）６２と、障壁６３と、樹脂回収部（第２回収部）６４と、受部６５とを含む。
【００３６】
受部６５は、ディスペンサ３２から吐出された樹脂３０を受ける受皿として機能する。受部６５は、板状部材で構成され、基板ステージ２３の上に設けられている。ガス供給部６１は、本実施形態では、ディスペンサ３２の周囲を取り囲むように設けられている。ガス供給部６１は、ディスペンサ３２の吐出口３３が面する空間、具体的には、吐出面３３ａと吐出面３３ａに対向する対向部分である受部６５との間の空間ＳＰに、樹脂３０に対して溶解しやすいガスを供給する。ガス供給部６１から供給されるガスは、樹脂３０に溶解して樹脂３０の粘度を低下させるガスであって、液体の状態において樹脂３０よりも低い粘度を有する。また、ガス供給部６１から供給されるガスは、２０℃、１気圧の環境における樹脂３０への溶解度が０．２モル／リットル以上であるガスであって、例えば、ペンタフルオロプロパンを含む。ガス回収部６２は、本実施形態では、ガス供給部６１の周囲を取り囲むように設けられ、ガス供給部６１によって空間ＳＰに供給されたガスを回収する。障壁６３は、受部６５の外周部に設けられ、ガス供給部６１によって空間ＳＰに供給されたガスが空間ＳＰの外に漏洩することを低減する。樹脂回収部６４は、ディスペンサ３２から吐出され、受部６５で受けた樹脂３０を回収する。
【００３７】
図３を参照して、インプリント装置１０におけるディスペンサ３２のクリーニング処理について説明する。ディスペンサ３２のクリーニング処理は、樹脂３０によるディスペンサ３２の吐出口３３の詰まりを除去する処理であって、制御部１５がインプリント装置１０の各部（特に、クリーニング部６０）を統括的に制御することで行われる。なお、インプリント装置１０は、クリーニング処理に続いて、クリーニングされたディスペンサ３２を用いて基板上に樹脂３０を供給し、基板上の樹脂３０をモールド４１で成形して基板上にパターンを形成するインプリント処理を行う。
【００３８】
Ｓ１では、ディスペンサ３２の吐出口３３の詰まりを検知する。ディスペンサ３２の吐出口３３の詰まりは、定期的に、吐出口３３から樹脂３０をダミーで吐出させることで検知することが可能である。
【００３９】
Ｓ２では、基板ステージ２３を移動させて、ディスペンサ３２の下に、具体的には、ディスペンサ３２の吐出面３３ａに対向するように、クリーニング部６０の受部６５を配置する。
【００４０】
Ｓ３では、ガス供給部６１によってディスペンサ３２の吐出口３３が面する空間ＳＰにガスを供給し、空間ＳＰをガス供給部６１から供給されるガスで置換する。この際、ガス供給部６１から供給されたガスは、インプリント装置１０の各部に悪影響を与える可能性がある。従って、ガス供給部６１によって空間ＳＰに供給されたガスが空間ＳＰの外に漏洩しないように、かかるガスをガス回収部６２によって回収する。
【００４１】
Ｓ４では、ガス供給部６１によって空間ＳＰにガスが供給されている間において、即ち、ガス供給部６１から供給されたガスの雰囲気下において、吐出口３３から樹脂３０を吐出する。この際、ガス供給部６１から供給されたガスが樹脂３０に溶解する。ガス供給部６１から供給されたガスは低粘度であるため、かかるガスがディスペンサ３２の吐出口３３の近傍の樹脂３０に溶解することで、その樹脂３０の粘度及び表面張力が低下する。例えば、粘度が８［ｃｐ］、表面張力が３０［ｍＮ／ｍ］の樹脂３０では、ペンタフルオロプロパンが溶解することで、粘度が４［ｃｐ］、表面張力が２８［ｍＮ／ｍ］に低下する。粘度や表面張力の低下によって、ディスペンサ３２の吐出口３３から樹脂３０が吐出しやすくなるため、吐出口３３の詰まりを早期に改善（除去）することができる。
【００４２】
Ｓ５では、ガス供給部６１による空間ＳＰへのガスの供給を停止し、空間ＳＰに供給されたガスをガス回収部６２によって回収する。上述したように、ガス供給部６１によって空間ＳＰに供給されたガスが空間ＳＰの外に漏洩しないように、ガス供給部６１による空間ＳＰへのガスの供給を停止してから一定期間においては、空間ＳＰに供給されたガスをガス回収部６２によって回収する必要がある。
【００４３】
Ｓ６では、実際にインプリント処理を行う雰囲気に戻して、ディスペンサ３２の吐出口３３の詰まりが改善されたかを判定する。かかる判定は、例えば、ディスペンサ３２によって基板２１に樹脂３０を供給し、供給不良がないかどうかを確認する、或いは、基板２１に供給された樹脂３０の状態をカメラなどで確認することで行う。ディスペンサ３２の吐出口３３の詰まりが改善されていない場合には、Ｓ３に移行して、ディスペンサ３２の吐出口３３の詰まりが改善されるまで、上述した処理を繰り返す。一方、ディスペンサ３２の吐出口３３の詰まりが改善されている場合には、Ｓ７に移行する。
【００４４】
Ｓ７では、受部６５に溜まった樹脂３０を樹脂回収部６４によって回収する。受部６５に溜まった樹脂３０は揮発するため、その揮発成分がインプリント装置１０の各部に付着し、インプリント装置１０を汚染することがある。従って、ディスペンサ３２の吐出口３３の詰まりが改善されたら、受部６５に溜まった樹脂３０を回収する必要がある。
【００４５】
このように、本実施形態では、ディスペンサ３２の吐出口３３が面する空間ＳＰに、樹脂３０に溶解して樹脂３０の粘度を低下させるガスを供給することで吐出口３３の詰まりを低減（除去）することができる。本実施形態では、ガスを用いてディスペンサ３２をクリーニングしているため、溶剤を用いる場合と異なり、ディスペンサ３２の吐出面３３ａに付着した不要な溶剤を拭き取る工程がなく、ディスペンサ３２のクリーニングに要する時間を短縮することができる。換言すれば、本実施形態では、ディスペンサ３２の吐出口３３の詰まりを、短時間で、且つ、効率的に改善することができる。
【００４６】
本実施形態では、クリーニング部６０の受部６５を基板ステージ２３の上に設けているが、それ以外の場所に設けてもよい。また、ディスペンサ３２をクリーニングするクリーニング処理は、受部６５の上に限定されず、インプリント装置１０が長期間停止する場合に配置されるリクラクト位置、クリーニング処理用のダミー基板や基板２１の上で行ってもよい。なお、クリーニング処理を基板２１の上で行う場合には、かかる基板２１のショット領域のうち少なくとも１つのショット領域をクリーニング処理用のショット領域とするとよい。また、ディスペンサ３２のクリーニングは、吐出口３３の詰まりを検知したときだけではなく、定期的に行ってもよいし、インプリント装置１０が長期間停止した後に復帰するときに行ってもよい。
【００４７】
＜第２の実施形態＞
図４は、第２の実施形態におけるクリーニング部６０の構成を示す概略断面図である。第１の実施形態では、ディスペンサ３２にガス供給部６１及びガス回収部６２を設け、ディスペンサ３２の周囲からガスを供給及び回収している。本実施形態では、図４に示すように、ガス供給部６１及びガス回収部６２は、ディスペンサ３２の吐出面３３ａに対向するように、受部６５に設けられている。従って、ガス供給部６１は、ディスペンサ３２の吐出面３３ａに向けてガスを吹き付けることが可能であり、吐出口３３の詰まりを効率的に除去することができる。また、障壁６３は、本実施形態では、空間ＳＰに供給されたガスが空間ＳＰの外に漏洩しないように障壁６３のコンダクタンスを小さくする構造を有する。具体的には、障壁６３は、ディスペンサ３２をクリーニングする際に、ディスペンサ側に突き出してディスペンサ３２の周囲を取り囲む部分６３ａを含む。
【００４８】
本実施形態におけるディスペンサ３２のクリーニング処理については、第１の実施形態（図３）と同様であるため、ここでの詳細な説明は省略する。本実施形態においても、ディスペンサ３２の吐出口３３の詰まりを、短時間で、且つ、効率的に改善することができる。
【００４９】
また、第１の実施形態と第２の実施形態とを組み合わせてもよい。ディスペンサ３２の周囲からガスを供給及び回収するとともに、ディスペンサ３２の吐出面３３ａに対向する側からガスを供給及び回収することで、吐出口３３の詰まりをより効率的に改善することができる。
【００５０】
＜第３の実施形態＞
物品としてのデバイス（半導体デバイス、磁気記憶媒体、液晶表示素子等）の製造方法について説明する。かかる製造方法は、インプリント装置１０を用いてパターンを基板（ウエハ、ガラスプレート、フィルム状基板等）に形成する工程を含む。かかる製造方法は、パターンが形成された基板を処理する工程を更に含む。当該処理ステップは、当該パターンの残膜を除去するステップを含みうる。また、当該パターンをマスクとして基板をエッチングするステップなどの周知の他のステップを含みうる。本実施形態における物品の製造方法は、従来に比べて、物品の性能、品質、生産性及び生産コストの少なくとも１つにおいて有利である。
【００５１】
以上、本発明の好ましい実施形態について説明したが、本発明はこれらの実施形態に限定されないことはいうまでもなく、その要旨の範囲内で種々の変形及び変更が可能である。
【符号の説明】
【００５２】
１０：インプリント装置    ２１：基板    ３０：樹脂    ３２：ディスペンサ    ３３：吐出口    ３３ａ：吐出面    ４１：モールド    ６０：クリーニング部    ６１：ガス供給部    ６２：ガス回収部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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