(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
減圧可能な反応室を有する容器と、
前記反応室内で被処理物を支持する下部電極と、
前記容器の開口を塞ぐとともに前記被処理物と対向する誘電体部材と、
前記誘電体部材の前記反応室に対して外側に設置され、前記反応室内にプラズマを発生させるコイルと、を備え、
前記誘電体部材の前記反応室に対して外側の面に溝が形成されており、
前記コイルの少なくとも一部が、前記溝の中に配置されており、
前記溝が、前記コイルの中心と同じ中心を有する環状であり、
前記溝が、前記中心から外側に向かって連続的または段階的に深くなっている底面を備える、プラズマ処理装置。
【請求項２】
前記コイルを形成する長さＬの導体を、中心から０．５Ｌまでの中心側部分と、残りの外周側部分とに区分するとき、中心側部分が前記溝の中に配置される割合よりも、外周側部分が前記溝の中に配置される割合が大きい、請求項１に記載のプラズマ処理装置。
【請求項３】
前記中心側部分のコイル密度よりも、前記外周側部分のコイル密度が大きい、請求項２に記載のプラズマ処理装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、誘導結合プラズマ型のプラズマ処理装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
誘導結合プラズマ（ＩＣＰ）型のプラズマ処理装置として、反応室の上部が板状の誘電体部材で閉鎖され、誘電体部材の上に高周波電力を投入するためのコイルが配置された構成が知られている。反応室内は減圧されるので、誘電体部材には大気圧を支持する機械的強度を確保するための厚さが求められる。しかし、誘電体部材の厚さが大きいほど、コイルからプラズマへ投入される高周波パワーの損失が大きくなる。
【０００３】
そこで、特許文献１は、梁状構造物により、誘電体部材の下面側を支持することを提案している。これにより、誘電体部材を薄型化した場合でも、機械的強度を確保することができる。
【０００４】
しかし、梁状構造物により、誘電体部材の下面側に凹凸が形成されるため、反応室の上部の構造が複雑になり、装置メンテナンスの手間は増大する。また、梁状構造物による凹凸は、プラズマの分布に悪影響を与えることがある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００８−３０６０４２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本発明は、コイルからプラズマへ投入される高周波パワーの損失が小さく、かつ構造が簡易でメンテナンス性に優れたプラズマ処理装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の一局面は、減圧可能な反応室を有する容器と、前記反応室内で被処理物を支持する下部電極と、前記容器の開口を塞ぐとともに前記被処理物と対向する誘電体部材と、前記誘電体部材の前記反応室に対して外側に設置され、前記反応室内にプラズマを発生させるコイルと、を備え、前記誘電体部材の前記反応室に対して外側の面に溝が形成されており、前記コイルの少なくとも一部が、前記溝の中に配置されており、前記溝が、前記コイルの中心と同じ中心を有する環状であり、前記溝が、前記中心から外側に向かって連続的または段階的に深くなっている底面を備える、プラズマ処理装置に関する。
【発明の効果】
【０００８】
本発明のプラズマ処理装置によれば、コイルの少なくとも一部が誘電体部材の外側の面に形成された溝の中に配置されているため、コイルからプラズマへ投入される高周波パワーの損失が小さくなる。一方、誘電体部材の反応室側の面は、凹凸のない平坦面とすることができるため、メンテナンスが簡単になり、プラズマの分布も良好となる。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】本発明の第１実施形態に係るプラズマ処理装置の構造を模式的に示す断面図である。
【図２】第１実施形態に係る誘電体部材とコイルの配置を模式的に示す縦断面図（ａ）および同誘電体部材の平面図（ｂ）である。
【図３】第１実施形態に係る誘電体部材と電極パターンの構成を模式的に示す縦断面図（ａ）と、これを縦方向に拡大した縦断面図（ｂ）である。
【図４】第１実施形態に係る第１電極パターン（電熱ヒータ）の平面図である。
【図５】第１実施形態に係る第２電極パターン（平板電極）の平面図である。
【図６】本発明の第２実施形態に係る誘電体部材とコイルの配置を模式的に示す縦断面図（ａ）および同誘電体部材の平面図（ｂ）である。
【図７】本発明の第３実施形態に係る誘電体部材とコイルの配置を模式的に示す縦断面図（ａ）および同誘電体部材の平面図（ｂ）である。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
（第１実施形態）
図１に、本発明の第１実施形態に係るプラズマ処理装置である誘導結合プラズマ（ＩＣＰ）型のドライエッチング装置１０の構成を示す。ドライエッチング装置１０は、減圧可能な反応室１ａを有する容器１と、反応室１ａ内で被処理物である基板１５を支持する下部電極２と、容器１の開口を塞ぐとともに被処理物１５と対向する誘電体部材３と、誘電体部材３の反応室１ａに対して外側に設置され、反応室１ａ内にプラズマを発生させるコイル４とを備える。
【００１１】
容器１は、概ね上部が開口した円筒状であり、上部開口は蓋体である誘電体部材３により密閉される。反応室１ａ内は、所定の排気装置（図示せず）により排気され、減圧雰囲気に維持される。容器１には基板１５を搬入出するためのゲート（図示せず）が設けられている。下部電極２には、バイアス電圧が印加される。下部電極２には、基板１５を静電吸着により保持する機能や、冷媒の循環流路を設けることができる。
【００１２】
誘電体部材３は、概ね、容器１の開口形状に沿った円形の板状である。誘電体部材３の反応室１ａに対して外側の面には、誘電体部材３を部分的に薄くするために溝３ａが形成されている。コイル４の少なくとも一部は、溝３ａの中に配置される。これにより、コイル４の溝３ａの中に配置された部分は、プラズマとの距離が近くなる。よって、高周波パワーの損失が抑制される。一方、溝３ａは、板状の誘電体部材３の一表面に部分的に形成されるため、誘電体部材３の機械的強度は大きく低下しない。
【００１３】
容器１の側壁上端には、カバー５を支持する第１ホルダ１７が支持され、第１ホルダ１７上に第２弾性リング１４を介してカバー５が支持されている。カバー５の周縁部は、誘電体部材３を支持する第２ホルダ１８により固定される。第２ホルダ１８上には、第１弾性リング１３を介して、誘電体部材３が支持されている。カバー５は、誘電体部材３の反応室１ａ側の表面をプラズマから保護する役割を果たす。
【００１４】
第２ホルダ１８には、所定のガス供給源からプラズマの原料ガス（プロセスガス）を反応室１ａ内に導入するためのガス導入口８が設けられている。プロセスガスは、誘電体部材３とカバー５との間に形成される微小な隙間８ａに滞留した後、カバー５に設けられた複数のガス噴出口９から反応室１ａ内に噴出される。複数のガス噴出口９は、例えば同心円状に分布させることが好ましい。
【００１５】
図２（ａ）は、本実施形態に係る誘電体部材３とコイル４の配置を模式的に示している。コイル４を誘電体部材３（の面方向）に対して垂直な方向から見るとき、コイル４は、中心から外周側に向けて螺旋状に延びる導体４ａにより形成されている。導体４ａは、例えば、リボン状の金属板であってもよいし、金属線であってもよい。コイル４を形成する導体ａの数は特に限定されず、コイル４の形状も特に限定されない。例えば、１本の導体４ａからなるシングルスパイラル型のコイルであってもよいし、複数の導体４ａからなるコイルを並列に接続したマルチスパイラル型のコイルであってもよい。また、誘電体部材３の面と平行な同一平面内で導体４ａを螺旋状に延ばして形成した平面型のコイルであってもよいし、導体４ａを螺旋状に延ばしながら誘電体部材３の面に対して垂直方向に変化を持たせた立体型のコイルであってもよい。コイル４は、マッチング回路（図示せず）などを介して第１高周波電源１１と電気的に接続されている。図１、２では、コイル４の中心付近の誘電体部材３からの距離が外周側よりも大きくなるように形成されているが、コイル４と誘電体部材３との位置関係は、これに限定されない。
【００１６】
図２（ｂ）に示すように、溝３ａは、コイル４の中心と同じ中心を有する環状であることが好ましい。これにより、コイル４を溝３ａの中に配置することが容易となる。なお、コイル４と環状の溝３ａの中心が同じであるとは、必ずしもそれぞれの中心が一致することを意味しない。ここでは、コイル４と環状の溝３ａの中心が同じであるとは、誘電体部材３およびコイル４を、誘電体部材３に対して垂直な方向から見たときに、それぞれの中心が半径１００ｍｍの円内に存在していることを意味する。
【００１７】
溝３ａの深さは、特に限定されない。溝３ａの深さが小さくても、高周波パワーの損失を抑制する相応の効果は得られる。ただし、溝３ａを形成する前の均一な厚さの板状の誘電体部材３の厚さをＴとするとき、溝３ａの最大深さＤは、Ｄ＝０．２５Ｔ〜０．４５Ｔとなるように形成することが好ましい。このとき、強度確保の観点から、誘電体部材３の溝３ａが形成される表面の面積Ｓのうち、溝３ａが掘られる面積ｓの割合（１００ｓ／Ｓ（％））は、２〜５０％とすることが好ましい。
【００１８】
溝３ａは、両面が平坦で均一な厚さの板状の誘電体部材の一方の面を切削するなど、誘電体部材を機械加工することにより形成すればよい。
【００１９】
コイル４に高周波電流を流すことにより、反応室内上部のコイル４に近い領域にプラズマ（誘導結合プラズマ）が生成する。コイル４とプラズマとの誘導結合の度合いは、コイル４と反応室１ａとの距離を近づけたり、コイル４の密度を高くしたりすることにより、高めることができる。
【００２０】
基板１５の表面において面内均一性の良好なプラズマを得るためには、反応室内の上部に、外周部のプラズマ密度が中心付近のプラズマ密度より高い分布（ドーナツ状の分布）を有するプラズマを生成し、これを基板上に拡散させることが好ましい。ドーナツ状の分布を持つプラズマを反応室内の上部に形成するためには、中心付近のコイル４と反応室１ａとの距離を相対的に大きくすればよく、これによりコイル４とプラズマとの結合の程度を低くすることができる。よって、コイル４の中心側は、溝３ａの中に配置しなくてもよい。図１、２に示すように、少なくともコイル４の中心に対応する部分は完全に溝３ａの外側に配置してもよい。
【００２１】
一方、コイル４の外周側部分においては、コイル４を溝３ａの中に配置することで、コイル４と反応室１ａとの距離を相対的に近づけることで、コイル４とプラズマとの結合の度合いを高くすることができる。よって、コイル４を形成する長さＬの導体４ａを、中心から０．５Ｌまでの中心側部分と、残りの外周側部分とに区分するとき、中心側部分が溝３ａの中に配置される割合よりも、外周側部分が溝３ａの中に配置される割合を大きくすることが好ましい。また、少なくともコイル４の最外周に対応する部分は、その少なくとも一部を溝３ａの中に配置することが好ましい。更には、少なくとも最外周の端部（巻き終わり）から０．３Ｌまでの外周側部分は、溝３ａの中にその少なくとも一部を配置することが好ましい。
【００２２】
このとき、コイル４において、中心側部分のコイル密度よりも、外周側部分のコイル密度を大きくすることが好ましい。すなわち、誘電体部材３に対して垂直な方向から見たとき、コイル４の中心（巻き始め）に近い部分ほど、隣接する導体４ａ間の隙間（誘電体部材３の面方向と平行な方向における距離）が広く、外周側に近い部分ほど、隣接する導体４ａ間の隙間が狭くなっていることが好ましい。これにより、外周部におけるコイル４とプラズマとの結合の度合いを、より高くすることができる。一方、中心付近においては、誘電体部材３やカバー５がプラズマにより削られて劣化することを抑制することができる。
【００２３】
容器１、第１ホルダ１７、第２ホルダ１８などを構成する材料としては、アルミニウムやステンレス鋼（ＳＵＳ）のように、十分な剛性を有する金属材料や、表面をアルマイト加工したアルミニウムなどを使用できる。また、誘電体部材３、カバー５などを構成する材料としては、酸化イットリウム（Ｙ2Ｏ3）、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）、アルミナ（Ａｌ2Ｏ3）、石英（ＳｉＯ2）などの誘電体材料を使用できる。
【００２４】
誘電体部材３の反応室１ａ側の面は、凹凸のない平坦面とすることができる。このような平坦面には、所定の電極パターンを含む電極層１９を形成してもよい。平坦面に電極パターンを形成することは容易である。電極層１９は、例えば、電極パターンと、これを被覆する絶縁膜とを具備する。電極パターンは導電性材料により形成される。絶縁膜は、例えば、セラミックス（例えばアルミナ）のような誘電体材料により形成すればよい。絶縁膜は、反応室１ａ内に、電極パターンを構成する金属に由来する金属汚染やパーティクルの発生を抑制する。また、プロセスガスやプラズマによる電極パターンの損傷も抑制する。電極層１９は、複数層の電極パターンと絶縁膜との積層体でもよい。電極パターンとしては、例えば、誘電体部材３を加熱するための電熱ヒータおよび／または誘電体部材３に高周波電力を印加するための平板電極７を含むことが好ましい。
【００２５】
図３（ａ）は、本実施形態に係る誘電体部材３と電極層１９の構成を模式的に示す縦断面図である。図３（ｂ）には、理解を容易にするために、誘電体部材３および電極層１９の縦方向（厚さ方向）の寸法を拡大して示す。
【００２６】
図示例の電極層１９は、誘電体部材３の反応室１ａ側の面に形成された第１電極層６と、第１電極層６の反応室１ａ側の面に形成された第２電極層７とを具備する複層構造である。第１電極層６は、誘電体部材３の表面にダイレクトに形成された第１電極パターン６ｂと、これを被覆する第１絶縁膜６ｃとを具備する。同様に、第２電極層７は、第２電極パターン７ｂと、これを被覆する第２絶縁膜７ｃとを具備する。このように、少なくとも１つの電極パターンを誘電体部材３の反応室１ａ側の面にダイレクトに形成することにより、簡易な構造の電極層１９を形成することができる。
【００２７】
以下、第１電極パターン６ｂが電熱ヒータであり、第２電極パターン７ｂが平板電極である場合について説明する。
【００２８】
プラズマ処理のプロセスを安定化させるためには、誘電体部材３を所定の温度域に加熱することが望ましい。例えば、誘電体部材３の反応室１ａに対して外側の面の全体に接触するように平板状のヒータを配置して、誘電体部材３の温度管理を行うことも可能である。しかし、その場合、誘電体部材３とコイル４との間にヒータを配置することになり、プラズマとコイル４との距離が遠くなり、プラズマとコイル４との誘導結合の度合いが低下し、プラズマ密度が低下する。一方、誘電体部材３の反応室１ａ側の面に電熱ヒータ６ｂを設ける場合、電熱ヒータ６ｂの存在によりプラズマとコイル４との距離が遠くなることがない。よって、プラズマ密度を低下させることなく、プロセスを安定化させることができる。
【００２９】
プラズマ処理においては、誘電体部材３およびカバー５への不揮発性の反応生成物の付着を抑制することも重要である。誘電体部材３およびカバー５に付着した不揮発性物質は、プラズマ処理のプロセス中に剥離し、反応室１ａ内を浮遊することがある。これにより、被処理物が汚染される可能性がある。カバー５は、誘電体部材３への不揮発性物質の付着を抑制する。
【００３０】
一方、誘電体部材３およびカバー５の近傍にファラデーシールド（ＦＳ）を形成することにより、誘電体部材３およびカバー５への不揮発性物質の付着を抑制することができる。具体的には、平板電極７ｂに高周波電力を印加することにより、誘電体部材３およびカバー５とプラズマとの間にバイアス電圧が生じ、プラズマ中のイオンは被処理物に作用するだけでなく、誘電体部材３およびカバー５にも作用する。これにより、不揮発性物質の誘電体部材３およびカバー５への付着が抑制される。
【００３１】
上記構成によれば、電熱ヒータ６ｂは、誘電体部材３を直接加熱できるため、少ない電力で効率的に誘電体部材３の温度管理を行うことができる。また、平板電極７ｂと反応室１ａとの距離が近いため、平板電極７ｂに供給する電力が低くてもバイアス電圧を発生させることが可能であり、かつ不揮発性物質の誘電体部材３およびカバー５への付着を抑制する効果も大きくなる。ただし、上記構成は例示に過ぎず、誘電体部材３の反応室１ａ側の面にダイレクトに平板電極を第１電極パターンとして設け、電熱ヒータを第２電極パターンとして設けてもよい。
【００３２】
図４に、電熱ヒータ６ｂの一例を平面図で示す。電熱ヒータ６ｂは、高抵抗の金属からなるライン状のパターンを含む。ライン状のパターンは、例えば、サーペンタイン型の形状に描かれる。電熱ヒータ６ｂは、誘電体部材３を貫通するヒータ端子６ａと接続されており、ヒータ端子６ａは交流電源１６と電気的に接続されている。交流電源１６からヒータ端子６ａに電力を供給することにより、第１電極パターン６ｂが発熱する。高抵抗の金属としては、例えばタングステン（Ｗ）を用いることが好ましい。
【００３３】
図５に、平板電極７ｂの一例を平面図で示す。平板電極７ｂは、幅広の金属薄膜からなる平面的なパターンを含む。平板電極７ｂにも、タングステン（Ｗ）を用いることができる。平板電極７ｂは、誘電体部材３の反応室１ａ側の面の、例えば５０％以上を覆うように形成することが好ましい。これにより、誘電体部材３およびカバー５の大半をシールドすることが可能となる。平板電極７ｂには、第１高周波電源１１およびコイル４から出力される高周波パワーを透過させるための複数のスリット３ｓが放射状に設けられている。
【００３４】
平板電極７ｂは、誘電体部材３の中央付近で誘電体部材３を貫通するＦＳ端子７ａと接続されており、ＦＳ端子７ａは第２高周波電源１２と電気的に接続されている。第２高周波電源１２からＦＳ端子７ａに電力を供給することにより、第２電極パターン７ｂの近傍にバイアス電圧が生じ、不揮発性物質の誘電体部材３およびカバー５への付着が抑制される。
【００３５】
なお、図１では、コイル４には第１高周波電源１１が接続され、第２電極層７（平板電極７ｂ）には第２高周波電源１２が接続されているが、コイル４と平板電極７ｂとを並列に、可変チョークまたは可変コンデンサを介して、同じ高周波電源に接続してもよい。また、コイル４には第１高周波電源１１を接続し、平板電極７ｂには可変チョークまたは可変コンデンサを接続し、第１高周波電源１１から発振された電力をコイル４から空気を介して平板電極７ｂに重畳させ、コイル４および平板電極７ｂに印加される電力比を可変チョークまたは可変コンデンサで調整してもよい。
【００３６】
誘電体部材３をこれに対して垂直な方向から見たとき、電熱ヒータ６ｂは、図５に破線で示すように、平板電極７ｂからはみ出さないように配置されていることが好ましい。これにより、スリット３ｓを透過する高周波パワーの損失を抑制することができる。
【００３７】
次に、電極層１９の製造方法の一例について説明する。
まず、一方の表面（第一表面）に溝３ａが形成された円盤状の誘電体部材３を準備する。誘電体部材３は、溝３ａが形成されていない状態であれば平坦な両面を有し、溝３ａの無い部分の厚みは例えば１０〜４０ｍｍである。電極層１９は、誘電体部材３の他方の表面（第二表面）に以下の要領で形成される。
【００３８】
まず、誘電体部材３に、所定数の貫通穴が形成される。貫通穴に導体を充填または通過させることにより、ヒータ端子６ａとＦＳ端子７ａとが形成される。
【００３９】
次に、第二表面に電熱ヒータ６ｂを形成する。電熱ヒータ６ｂは、第１電極パターンに対応するマスクを介在させて、タングステンのような高抵抗の金属を第二表面に溶射させることにより形成できる。溶射パターンの厚さは、例えば１０〜３００μｍである。あるいは、タングステン線を第１電極パターンの形状に屈曲させ、その後、タングステン線を第二表面に固定してもよい。このとき、溶射パターンまたはその他の手法を用いて形成した電極パターンは、ヒータ端子６ａと電気的に接続される。
【００４０】
次に、電熱ヒータ６ｂを完全に覆うように第１絶縁膜６ｃが形成される。第１絶縁膜６ｃの材料としては、ホワイトアルミナが好適である。ホワイトアルミナを溶射により第二表面に吹き付けることで第１絶縁膜６ｃが形成される。ホワイトアルミナを溶射する前に、誘電体部材３と第１絶縁膜６ｃとの密着性を高めるために、イットリアのような密着層を第二表面に溶射してもよい。第１電極層６の厚さは、例えば１０〜３００μｍである。
【００４１】
次に、第１電極層６の表面に、平板電極７ｂを形成する。平板電極７ｂは、第２電極パターンに対応するマスクを介在させて、金属を第１電極層６の表面に溶射させることにより形成できる。このとき、平板電極７ｂは、放射状に配置された複数のスリット３ｓを有する形状に形成される。平板電極７ｂの厚さは、例えば１０〜３００μｍである。あるいは、金属箔もしくは金属板から第２電極パターンの形状の平板電極７ｂを形成し、その後、平板電極７を第１電極層６の表面に固定してもよい。平板電極７ｂは、第１絶縁膜６ｃを介して、電熱ヒータ６ｂを完全に覆うように配置され、ＦＳ端子７ａと電気的に接続される。
【００４２】
次に、平板電極７ｂを完全に覆うように第２絶縁膜７ｃが形成される。第２絶縁膜７ｃの材料としてもホワイトアルミナが好適である。ホワイトアルミナを溶射により第１電極層６の表面に吹き付けることで第２絶縁膜７ｃが形成される。第２電極層７の厚さは、例えば１０〜３００μｍである。なお、第１および第２絶縁膜の成膜方法は、特に限定されず、例えばスパッタ、化学気相成長（ＣＶＤ）、蒸着、塗布などで成膜してもよい。
【００４３】
以下、本実施形態のドライエッチング装置１０の動作の一例を説明する。
まず、反応室１ａ内が排気される。反応室１ａ内は減圧雰囲気であり、誘電体部材３には大気圧とほぼ同じ圧力が付与される。また、誘電体部材３は溝３ａを有し、溝３ａに対応する部分は薄肉である。ただし、機械的強度が十分に維持されるように溝３ａは環状に形成されているため、誘電体部材３が破損することはない。
【００４４】
その後、所定のガス供給源から、ガス導入口８を介してプロセスガスが反応室１ａ内に導入される。エッチングされる基板１５は、エッチングのパターンに応じたレジストマスクを有している。基板１５が例えばＳｉである場合、プロセスガスには例えばフッ素系ガス（ＳＦ6など）が使用される。また、基板１５がアルミニウムの場合、プロセスガスには例えば塩素系ガス（ＨＣｌなど）が使用される。
【００４５】
次に、第１高周波電源１１からコイル４に高周波電力が投入され、反応室１ａ内にプラズマが発生する。このとき、基板１５を保持する下部電極２にも、所定の高周波電源からバイアス電圧が印加される。これにより、プラズマ中のラジカルやイオンが基板１５の表面に輸送され、バイアス電圧により加速されて基板１５に衝突する。その結果、基板１５がエッチングされる。
【００４６】
ここで、コイル４を形成する導体４ａのうち、コイル密度の高い外周側部分は、誘電体部材３に形成された環状の溝３ａの中に配置されている。よって、比較的小さい電力の投入により、反応室１ａ側の誘電体部材３の近傍にドーナツ状の高密度プラズマが生成し、これが拡散プラズマとなって基板１５に到達する。
【００４７】
一方、誘電体部材３の反応室１ａ側の面に配置された平板電極７ｂには、第２高周波電源１２から電力が供給され、反応室１ａ内の平板電極の近傍においてバイアス電圧が生じる。これにより、プラズマ中のイオンの一部は、バイアス電圧により加速され、誘電体部材３（もしくは電極層１９）およびカバー５に入射する。その結果、誘電体部材３（もしくは電極層１９）およびカバー５への不揮発性物質の付着が抑制される。
【００４８】
エッチングプロセスは、複数の基板１５に対して連続的に行われる。そこで、プロセスの安定性を確保するため、交流電源１６から誘電体部材３の反応室１ａ側の面に設けられた電熱ヒータ６ｂに電力が投入され、誘電体部材３の加熱による温度管理が行われる。
【００４９】
（第２実施形態）
本実施形態に係るプラズマ処理装置は、誘電体部材の溝の形状と、誘電体部材とコイルの位置関係が異なること以外、第１実施形態と同様である。図６（ａ）は、本実施形態に係る誘電体部材とコイルの配置を模式的に示す縦断面図である。図６（ｂ）は、本実施形態に係る誘電体部材の平面図である。第１実施形態の各要素に対応する本実施形態の各要素には、同じ符号を付している。
【００５０】
誘電体部材３は、円形の板状であり、誘電体部材３のコイル４との対向面には、コイル４の中心と同じ中心を有する環状の溝３ａが形成されている。ただし、溝３ａは、外側のより深い第１溝部３ｘと、内側のより浅い第２溝部３ｙとで構成され、中心から外側に向かって２段階に深くなっている。第１溝部３ｘおよび第２溝部３ｙの中には、それぞれコイル４の一部が配置されている。この場合、溝３ａの幅が第１実施形態と同じであるとすると、誘電体部材３の平均的な厚さが、第１実施形態よりも大きくなる。これにより、誘電体部材３の強度を更に大きく維持することができる。
【００５１】
また、相対的に深い第１溝部３ｘを誘電体部材の外側に、浅い第２溝部３ｙを内側に配置することにより、誘電体部材３ａの外周側ほどコイル４とプラズマとの誘導結合の度合いを強くすることができるため、より高密度のドーナツ状のプラズマを誘電体部材の近傍に生成させることができる。これにより、より高密度かつ均一な拡散プラズマを基板１５に到達させることが可能となる。溝３ａの深さを中心から外側に向かって段階的に深くする場合、深さを３段階以上に変化させてもよい。また、溝３ａの深さを中心から外側に向かって連続的に深くなるように変化させてもよい。
【００５２】
図６では、誘電体部材３とコイル４を形成する導体との平均的な距離が、最外周から中心に向かって徐々に大きくなっている。このような場合には、溝３ａの深さを中心から外側に向かって段階的または連続的に深くすることが好ましい。
【００５３】
（第３実施形態）
本実施形態に係るプラズマ処理装置は、コイルの形状、誘電体部材の溝の形状、並びに誘電体部材とコイルの位置関係が異なること以外、第１実施形態と同様である。図７（ａ）は、本実施形態に係る誘電体部材とコイルの配置を模式的に示す縦断面図である。図７（ｂ）は、本実施形態に係る誘電体部材の平面図であり、コイル４の位置が破線で示されている。第１実施形態の各要素に対応する本実施形態の各要素には、同じ符号を付している。
【００５４】
誘電体部材３は、円形の板状であり、誘電体部材３のコイル４との対向面には、螺旋状の溝３ａが形成されている。コイル４を形成する導体４ａは、溝３ａに沿って平面的かつ螺旋状に延び、コイル４のほぼ全体が溝３ａの中に配置されている。このように、コイル４の形状が平面的である場合には、溝３ａの形状を導体４ａの螺旋形状に対応させてもよい。これにより、溝３ａの幅を小さくすることができ、誘電体部材３の強度を確保することが更に容易となる。
【産業上の利用可能性】
【００５５】
本発明のプラズマ処理装置は、簡易なメンテナンスと高密度プラズマが要求されるプロセスにおいて有用であり、ドライエッチング処理装置、プラズマＣＶＤ装置などを含む様々なプラズマ処理装置に適用できる。
【符号の説明】
【００５６】
１：容器、１ａ：反応室、２：下部電極、３：容器、３ａ：溝、３ｘ：第１溝部、３ｙ：第２溝部、３ｓ：スリット、４：コイル、４ａ導体、５：カバー、６：第１電極層、６ａ：ヒータ端子、６ｂ：第１電極パターン（電熱ヒータ）、６ｃ：第１絶縁膜、７：第２電極層、７ａ：ＦＳ端子、７ｂ：第２電極パターン（平板電極）、７ｃ：第２絶縁膜、８：ガス導入口、８ａ：隙間、９：ガス噴出口、１０：ドライエッチング装置、１１：第１高周波電源、１２：第２高周波電源、１３第１弾性リング、１４：第２弾性リング、１５：基板、１６：交流電源、１７：第１ホルダ、１８：第２ホルダ、１９：電極層
【図１】
0006406631.tif 000002
【図２】
0006406631.tif 000003
【図３】
0006406631.tif 000004
【図４】
0006406631.tif 000005
【図５】
0006406631.tif 000006
【図６】
0006406631.tif 000007
【図７】
0006406631.tif 000008