(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
（ｉ）３０〜５０重量％のＢａＯと、
（ｉｉ）４５〜６５重量％のＷＯ３と、
（ｉｉｉ）１〜１０重量％のＳｉＯ２とを含み
（ｉｖ）鉛と、
（ｖ）カドミウムを含まない、ホスト材料。
【請求項２】
鉛フリー、カドミウムフリーの誘電体材料であって、焼成の前に、
（ａ）８０〜９９．９重量％の請求項１に記載の前記ホスト材料とともに、
（ｂ）８〜１３重量％のＢａＳｉＯ３と、
（ｃ）０．５〜３重量％のＢａＣＯ３と、
（ｄ）０．５〜３重量％のＨ３ＢＯ３と、
（ｅ）０．１〜１重量％のＬｉＦと、
（ｆ）０〜０．５重量％のＣｕＯ、
又はそれらの酸化物等価物を含む、誘電体材料。
【請求項３】
鉛フリー、カドミウムフリーの誘電体材料であって、焼成の前に、
（ａ）９０〜９９．９重量％の請求項２に記載の前記ホスト材料とともに、
（ｂ）０．２〜３重量％のＢａＣＯ３と、
（ｃ）０〜３重量％のＨ３ＢＯ３と、
（ｄ）０〜１重量％のＬｉＦと、
（ｅ）０〜０．５重量％のＣｕＯと、
（ｆ）０〜１．５重量％のＬｉ２ＣＯ３と、
（ｇ）０〜１重量％のＳｉＯ２、
又はそれらの酸化物等価物を含む、誘電体材料。
【請求項４】
鉛フリー、カドミウムフリーの誘電体材料であって、焼成の前に、
（ａ）３７〜９９．７重量％の請求項２に記載の前記ホスト材料とともに、
（ｂ）０．１〜２重量％のＢａＣＯ３と、
（ｃ）０．１〜５重量％のＨ３ＢＯ３と、
（ｄ）０〜１重量％のＣｕＯと、
（ｅ）０．１〜２重量％のＬｉ２ＣＯ３と、
（ｆ）０〜５重量％のＳｉＯ２と、
（ｇ）０〜１重量％のＺｒＯ２と、
（ｈ）０〜１０重量％のＺｎＯと、
（ｉ）０〜１５重量％のＳｒＴｉＯ３と、
（ｊ）０〜５０重量％のＣａＴｉＯ３、
又はそれらの酸化物等価物を含む、誘電体材料。
【請求項５】
鉛フリー、カドミウムフリーの誘電体材料を焼成時に形成する前駆体の混合物を含む鉛フリー、カドミウムフリーの組成物であって、前記誘電体材料が、
（ａ）１０〜５５重量％のＢａＯと、
（ｂ）１５〜６０重量％のＷＯ３と、
（ｃ）０．５〜１５重量％のＳｉＯ２と、
（ｄ）０〜２７重量％のＣａＯと、
（ｅ）０〜３５重量％のＴｉＯ２と、
（ｆ）０〜１５重量％のＳｒＯと、
（ｇ）０．０５〜５重量％のＢ２Ｏ３と、
（ｈ）０．０５〜５重量％のＬｉ２Ｏと、
（ｉ）０〜５重量％のＬｉＦと、
（ｊ）０〜５重量％のＣｕＯと、
（ｋ）０〜１０重量％のＺｎＯ、
を含む組成物。
【請求項６】
請求項１〜５のいずれかに記載の鉛フリー、カドミウムフリーの誘電体材料であって、焼成後、１ＭＨｚで測定された際の焼成された組成物のＱ値が少なくとも２００００である誘電体材料。
【請求項７】
請求項１〜５のいずれかに記載の鉛フリー、カドミウムフリーの誘電体材料であって、焼成後、１ＭＨｚで測定された際の焼成された組成物の誘電正接Ｄｆが０．００００５より低い誘電体材料。
【請求項８】
請求項１〜５のいずれかに記載の鉛フリー、カドミウムフリーの誘電体材料であって、焼成後、焼成された組成物の誘電率Ｋが６〜４５である誘電体材料。
【請求項９】
焼成前に、請求項１〜５のいずれかに記載の鉛フリー、カドミウムフリーの誘電体材料を含む電気部品又は電子部品であって、さらに、
（ａ）６０〜９０重量％のＡｇ＋Ｐｄ＋Ｐｔ＋Ａｕと、
（ｂ）１〜１０重量％の遷移金属のケイ化物、炭化物、窒化物及びホウ化物からなる群より選択される添加剤と、
（ｃ）０．５〜１０重量％の少なくとも１つのガラスフリットと、  
（ｄ）１０〜４０重量％の有機部分と、
を含む導電性ペーストを含む、電気部品又は電子部品。
【請求項１０】
請求項９に記載の電気部品又は電子部品であって、前記電気部品又は電子部品が、高Ｑ共振器、電磁干渉フィルター、バンドパスフィルター、無線パッケージングシステム、およびそれらの組み合わせからなる群より選択される、電気部品又は電子部品。
【請求項１１】
電子部品を形成する方法であって、
（ａ１）請求項１〜５のいずれかに記載の誘電体組成物を基材に塗布する工程、又は
（ａ２）請求項１〜５のいずれかに記載の誘電体組成物を含むテープを基材に塗布する工程、又は
（ａ３）請求項１〜５のいずれかに記載の誘電体組成物の複数の粒子を圧縮してモノリシックな複合基材を形成する工程、及び
（ｂ）前記誘電体材料を焼結するのに十分な温度で前記基材を焼成する工程、
を含む方法。
【請求項１２】
約８００℃から約９００℃で焼成が行われる、請求項１１に記載の方法。
【請求項１３】
少なくとも１つの誘電率が１０より高い請求項１〜５のいずれかに記載の誘電体材料の層と、少なくとも１つの誘電率が１０より低いテープ又はペーストの交互分離層とを組み合わせて同時焼成し、多層基材を形成する方法であって、前記交互層は異なる誘電率を有する方法。
【請求項１４】
約８００℃から約９００℃で焼成が行われる、請求項１３に記載の方法。
【請求項１５】
（ａ）３０〜４５重量％のＢａＯと、
（ｂ）５０〜６０重量％のＷＯ３と、
（ｃ）１〜１０重量％のＳｉＯ２とを含み
（ｄ）鉛と、
（ｅ）カドミウムを含まない、ホスト材料。
【請求項１６】
鉛フリー、カドミウムフリーの誘電体組成物であって、焼成の前に、
（ａ）８０〜９９．９重量％の請求項１５に記載の前記ホスト材料とともに、
（ｂ）８〜１３重量％のＢａＳｉＯ３と、
（ｃ）０．５〜３重量％のＢａＣＯ３と、
（ｄ）０．５〜３重量％のＨ３ＢＯ３と、
（ｅ）０．１〜１重量％のＬｉＦと、
（ｆ）０〜０．５重量％のＣｕＯ、
又はそれらの酸化物等価物を含む、誘電体組成物。
【請求項１７】
鉛フリー、カドミウムフリーの誘電体組成物であって、焼成の前に、
（ａ）９０〜９９．９重量％の請求項１５に記載の前記ホスト材料とともに、
（ｂ）０．５〜２重量％のＢａＣＯ３と、
（ｃ）１〜３重量％のＨ３ＢＯ３と、
（ｄ）０〜１重量％のＬｉＦと、
（ｅ）０〜０．５重量％のＣｕＯと、
（ｆ）０〜１重量％のＬｉ２ＣＯ３と、
（ｇ）０〜１重量％のＳｉＯ２、
又はそれらの酸化物等価物を含む、誘電体組成物。
【請求項１８】
鉛フリー、カドミウムフリーの誘電体組成物であって、焼成の前に、
（ａ）８７〜９９．９重量％の請求項１に記載の前記ホスト材料とともに、
（ｂ）０．８〜１．５重量％のＢａＣＯ３と、
（ｃ）０．３〜１重量％のＨ３ＢＯ３と、
（ｄ）０〜１重量％のＬｉＦと、
（ｅ）０〜０．５重量％のＣｕＯと、
（ｆ）０．１〜０．８重量％のＬｉ２ＣＯ３と、
（ｇ）０〜５重量％のＳｉＯ２と、
（ｈ）０〜１重量％のＺｒＯ２と、
（ｉ）０〜１０重量％のＣａＴｉＯ３、
又はそれらの酸化物等価物を含む、誘電体組成物。
【請求項１９】
鉛フリー、カドミウムフリーの誘電体組成物であって、
（ａ）２０〜７０重量％のＢａＯと、
（ｂ）２０〜７０重量％のＷＯ３と、
（ｃ）０．１〜１０重量％のＳｉＯ２と、
（ｄ）０〜１０重量％のＣａＯと、
（ｅ）０〜１０重量％のＴｉＯ２と、
（ｆ）０．１〜５重量％のＢ２Ｏ３と、
（ｇ）０．１〜５重量％のＬｉ２Ｏと、
（ｈ）０．１〜５重量％のＬｉＦと、
を含む誘電体組成物。
【請求項２０】
請求項１６〜１９のいずれかに記載の鉛フリー、カドミウムフリーの誘電体材料であって、焼成後、１ＭＨｚで測定された際の焼成された組成物のＱ値が少なくとも２００００である誘電体材料。
【請求項２１】
請求項１６〜２０のいずれかに記載の鉛フリー、カドミウムフリーの誘電体材料であって、焼成後、１ＭＨｚで測定された際の焼成された組成物の誘電正接Ｄｆが０．００００５より低い誘電体材料。
【請求項２２】
請求項１６〜２１のいずれかに記載の鉛フリー、カドミウムフリーの誘電体材料であって、焼成後、焼成された組成物の誘電率Ｋが６〜１２である誘電体材料。
【請求項２３】
焼成前に、請求項１６〜２２のいずれかに記載の鉛フリー、カドミウムフリーの誘電体材料又はペーストを含む電気部品又は電子部品であって、さらに、
（ａ）６０〜９０重量％のＡｇ＋Ｐｄ＋Ｐｔ＋Ａｕと、
（ｂ）１〜１０重量％の遷移金属のケイ化物、炭化物、窒化物及びホウ化物からなる群より選択される添加剤と、
（ｃ）０．５〜１０重量％の少なくとも１つのガラスフリットと、
（ｄ）１０〜４０重量％の有機部分、
を含む導電性ペーストを含む、電気部品又は電子部品。
【請求項２４】
請求項２３に記載の電気部品又は電子部品であって、前記電気部品又は電子部品が、高Ｑ共振器、バンドパスフィルター、無線パッケージングシステム、およびそれらの組み合わせからなる群より選択される、電気部品又は電子部品。
【請求項２５】
少なくとも１つの請求項１６〜２２のいずれかに記載の誘電体材料の層と、少なくとも１つの誘電率が１２より高いテープ又はペーストの交互分離層とを組み合わせて同時焼成し、多層基材を形成する方法であって、前記交互層は異なる誘電率を有する方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、誘電体組成物に関し、特に、誘電率Ｋが６〜１２又は約５０までであり、非常に高いＱ値を有するバリウム‐ケイ素‐タングステン酸（barium-silicon-tungstate）系誘電体組成物に関する。誘電体組成物は、貴金属メタライゼーション（noble metal metallization）とともに低温同時焼成セラミックス（ＬＴＣＣ）アプリケーションに使用することができる。
【背景技術】
【０００２】
無線アプリケーション用のＬＴＣＣ系に使用される技術水準の材料は、誘電率Ｋが４〜８であって、測定周波数１ＭＨｚでのＱ値が約５００〜１，０００である誘電体を使用する。これは、一般的に、セラミックの低温緻密化（８７５℃以下）を可能にする高濃度のＢａＯ−ＣａＯ−Ｂ２Ｏ３低軟化温度ガラスと混合したセラミック粉末を使用することで達成される。この大量のガラスは、前記セラミックのＱ値を低下させるという、望ましくない効果を有する。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
本発明は、誘電体組成物に関する。特に、誘電率Ｋが６〜１２又は５０まで（例えば約１から約５０又は約６から約４５まで）であって、非常に高いＱ値を有し、貴金属メタライゼーションとともに低温同時焼成セラミックス（ＬＴＣＣ）アプリケーションに使用されうるバリウム‐ケイ素‐タングステン酸系誘電体組成物に関する。Ｑ値＝１／Ｄｆであり、ここでＤｆは誘電正接である。高周波アプリケーション用の、１，０００より高いＱ値を有する誘電体材料への需要が高まっている。
【０００４】
本発明は、緻密質なセラミック体に焼成された時、ＣＯＧ仕様の業界基準を満たし、且つ、高いＱ値を維持する誘電体材料組成物に関する。高いＱ値とは、例えば、１０００、２０００、５０００、１００００、１５０００、２００００、３００００、４００００、５００００又は前記値の間、もしくはそれ以上の値である（測定周波数１ＭＨｚ）。
【０００５】
広くは、本発明のセラミック材料は、適量のＢａＣＯ３、ＷＯ３およびＳｉＯ２を混合し、これらを水性媒体中で粒子径Ｄ５０約０．２から１．５μｍまで粉砕することで作られるホストを含む。このスラリーを乾燥し、約８００から１０００℃で約１から５時間か焼し、ＢａＯ、ＷＯ３およびＳｉＯ２を含むホスト材料を生成する。得られたホスト材料を、その後、機械的に微粉砕し、融剤と混合し、再度、水性媒体中で粒子径Ｄ５０約０．５から１．０μｍまで粉砕する。その後、粉砕されたセラミック粉末を、乾燥し、微粉砕し、微粉末を製造する。そして、得られた粉末を円柱のペレット状に圧縮し、約７７５から約９００℃、好ましくは約８００から約８９０℃、より好ましくは約８００から約８７５℃、より好ましくは約８２５から約８７５℃、もしくは約８４５から約８８５℃、さらにより好ましくは約８４０から約８６０℃又は８５０℃から８６０℃で焼成する。もっとも好ましい温度は、８５０℃又は８８０℃である。焼成は、約１から約２００分間行われ、好ましくは約５から約１００分、より好ましくは約１０から約５０分、さらにより好ましくは約２０から約４０分、最も好ましくは約３０分間である。
【０００６】
本発明の実施形態は、鉛フリーおよびカドミウムフリーであって、それ自身または他の酸化物と組み合わせて誘電体材料を形成することができる、バリウム‐タングステン‐ケイ素の酸化物（barium-tungsten-silicon oxide）ホスト材料を焼成時に形成する前駆体材料の混合物を含む組成物である。
【０００７】
好ましい実施形態において、ホスト材料は鉛を含まない。代わりの好ましい実施形態において、ホスト材料はカドミウムを含まない。さらに好ましい実施形態において、ホスト材料は鉛およびカドミウムを含まない。
【０００８】
好ましい実施形態において、ホスト材料は、（ｉ）３０〜４５重量％、好ましくは３７〜４４重量％のＢａＯと、（ｉｉ）５０〜６０重量％、好ましくは５１〜５８重量％のＷＯ３と、（ｉｉｉ）１〜１０重量％、好ましくは３〜７重量％のＳｉＯ２とを含む。
【０００９】
好ましい実施形態において、ホスト材料は、（ｉ）３０〜５０重量％、好ましくは３０〜４５重量％、より好ましくは３７〜４４重量％のＢａＯと、（ｉｉ）４０〜７０重量％、好ましくは４５〜６５重量％、より好ましくは５１〜５８重量％のＷＯ３と、（ｉｉｉ）０．１〜１５重量％、好ましくは１〜１０重量％、より好ましくは３〜７重量％のＳｉＯ２とを含む。
【００１０】
好ましい実施形態において、ホスト材料は、（ｉ）３０〜５０重量％、好ましくは３０〜４５重量％、より好ましくは３７〜４４重量％のＢａＯと、（ｉｉ）４０〜７０重量％、好ましくは４５〜６５重量％、より好ましくは５１〜５８重量％のＷＯ３と、（ｉｉｉ）０．１〜１５重量％、好ましくは１〜１０重量％、より好ましくは３〜７重量％のＳｉＯ２とを含む。
【００１１】
別の実施形態において、誘電体組成物は、本明細書において開示されるいずれかのホスト材料とともに、５〜１５重量％のＢａＳｉＯ３と、０．１〜４重量％のＢａＣＯ３と、０．１〜４重量％のＨ３ＢＯ３と、０．１〜２重量％のＬｉＦ、又はそれらの等価物を含む。任意で、１重量％までのＣｕＯが含まれてもよい。
【００１２】
好ましい実施形態において、誘電体組成物は、本明細書において開示されるいずれかのホスト材料とともに、８〜１３重量％のＢａＳｉＯ３と、０．５〜３重量％のＢａＣＯ３と、０．５〜３重量％のＨ３ＢＯ３と、０．１〜１重量％のＬｉＦ、またはそれらの等価物を含む。任意で、０．５重量％までのＣｕＯが含まれてもよい。さらに好ましい実施形態において、誘電体組成物は、本明細書において開示されるいずれかのホスト材料とともに、９〜１１重量％のＢａＳｉＯ３と、１〜２重量％のＢａＣＯ３と、１〜２重量％のＨ３ＢＯ３と、０．２〜０．９重量％のＬｉＦ、又はそれらの等価物を含む。任意で、０．５重量％までのＣｕＯが含まれてもよく、例えば０．１から０．５重量％のＣｕＯが含まれてもよい。
【００１３】
別の実施形態において、本発明の誘電体組成物は、９０〜９９．９重量％の本明細書に記載のいずれかのホスト材料とともに、０．２〜３重量％のＢａＣＯ３と、０〜３重量％のＨ３ＢＯ３と、０．１重量％のＬｉＦと、０〜０．５重量％のＣｕＯと、０〜１．５重量％のＬｉ２ＣＯ３と、０〜１重量％のＳｉＯ２、またはそれらの酸化物等価物を含む。この段落の全ての実施形態において、ホスト材料は、誘電体組成物中、７０〜９９．９重量％、好ましくは７５〜９９．９重量％、より好ましくは８０〜９９．９重量％、さらにより好ましくは９０〜９９．９重量％で存在する。さらに好ましい実施形態において、誘電体組成物は、本明細書において開示されるいずれかのホスト材料とともに、１０〜１１重量％のＢａＳｉＯ３と、１．２〜１．８重量％のＢａＣＯ３と、１．１〜１．７重量％のＨ３ＢＯ３と、０．３〜０．８重量％のＬｉＦ、またはそれらの等価物を含む。当技術分野において既知のとおり、等価物とは、例えばＨ３ＢＯ３に対するＢ２Ｏ３、またはＢａＣＯ３に対するＢａＯなどの、金属の最終的な焼成された酸化物の形態を意味する。
【００１４】
別の実施形態において、誘電体組成物は、本明細書において開示されるいずれかのホスト材料とともに、０．１〜３重量％のＢａＣＯ３と、０．５〜４重量％のＨ３ＢＯ３、またはそれらの等価物を含む。任意で、２重量％までのＬｉＦ、１重量％のＣｕＯ、２重量％までのＬｉ２ＣＯ３、及び／又は、２重量％までのＳｉＯ２が含まれてもよい。好ましい実施形態において、誘電体組成物は、本明細書において開示されるいずれかのホスト材料とともに、０．５〜２重量％のＢａＣＯ３と、０．７〜２重量％のＨ３ＢＯ３、またはそれらの等価物を含む。任意で、１重量％までのＬｉＦ、０．５重量％のＣｕＯ、１重量％までのＬｉ２ＣＯ３、及び／又は、１重量％までのＳｉＯ２が含まれてもよい。この段落の全ての実施形態において、ホスト材料は、誘電体組成物中、８０〜９９．９重量％、好ましくは８５〜９９．９重量％、より好ましくは９０〜９９重量％で存在する。より好ましい実施形態において、誘電体組成物は、本明細書において開示されるいずれかのホスト材料とともに、１．２〜１．８重量％のＢａＣＯ３と、１．１〜１．７重量％のＨ３ＢＯ３と、０．３〜０．８重量％のＬｉＦ、またはそれらの等価物を含む。
【００１５】
別の実施形態において、誘電体組成物は、本明細書において開示されるいずれかのホスト材料とともに、０．５〜２重量％のＢａＣＯ３と、０．１〜２重量％のＨ３ＢＯ３と、０．１〜１重量％のＬｉ２ＣＯ３、またはそれらの等価物を含む。任意で、２重量％までのＬｉＦ、１重量％までのＣｕＯ、７重量％までのＳｉＯ２、２重量％までのＺｒＯ２、及び、１５又は５０重量％までのＣａＴｉＯ３が含まれてもよい。好ましい実施形態において、誘電体組成物は、本明細書において開示されるいずれかのホスト材料とともに、０．８〜１．５重量％のＢａＣＯ３と、０．３〜１重量％のＨ３ＢＯ３と、０．１〜０．８重量％のＬｉ２ＣＯ３、またはそれらの等価物を含む。任意で、１重量％までのＬｉＦ、０．５重量％のＣｕＯ、５重量％のＳｉＯ２、１重量％のＺｒＯ２、及び／又は、１０重量％のＣａＴｉＯ３が含まれてもよい。このような実施形態において、ホスト材料は、誘電体組成物中、８０〜９９．９９重量％、好ましくは８５〜９９．９重量％、より好ましくは８４〜９９重量％で存在する。
【００１６】
別の実施形態において、誘電体組成物は、本明細書において開示されるいずれかのホスト材料とともに、０．２〜２重量％のＢａＣＯ３と、０．５〜５重量％のＨ３ＢＯ３と、０．１〜２重量％のＬｉ２ＣＯ３と、０．０１〜０．５重量％のＳｉＯ２と、１〜１０重量％のＺｎＯと、０．１〜３重量％のＣｕＯと、３０〜５０重量％のＣａＴｉＯ３、またはそれらの等価物を含む。好ましい実施形態において、誘電体組成物は、本明細書において開示されるいずれかのホスト材料とともに、０．５〜１重量％のＢａＣＯ３と、２〜４重量％のＨ３ＢＯ３と、０．５〜１．４重量％のＬｉ２ＣＯ３と、０．０３〜０．０７重量％のＳｉＯ２と、５〜８重量％のＺｎＯと、０．３〜０．７重量％のＣｕＯと、３５〜４５重量％のＣａＴｉＯ３、またはそれらの等価物を含む。このような実施形態において、ホスト材料は、誘電体組成物中、３０〜６０重量％、好ましくは４０〜５５重量％、より好ましくは４５〜５０重量％で存在する。
【００１７】
別の実施形態において、誘電体組成物は、（ａ）２０〜７０重量％のＢａＯと、（ｂ）２０〜７０重量％のＷＯ３と、（ｃ）０．１〜１０重量％のＳｉＯ２と、（ｄ）０〜１０重量％のＣａＯと、（ｅ）０〜１０重量％のＴｉＯ２と、（ｆ）０．１〜５重量％のＢ２Ｏ３と、（ｇ）０．１〜５重量％のＬｉ２Ｏと、（ｈ）０〜５重量％のＬｉＦとを含む。
【００１８】
別の実施形態において、誘電体組成物は、（ａ）２０〜７０重量％のＢａＯと、（ｂ）２０〜７０重量％のＷＯ３と、（ｃ）０．１〜１０重量％のＳｉＯ２と、（ｄ）１〜１５重量％のＳｒＯと、（ｅ）０．１〜１０重量％のＴｉＯ２と、（ｆ）０．１〜５重量％のＢ２Ｏ３と、（ｇ）０．１〜５重量％のＬｉ２Ｏと、（ｈ）０．１〜１重量％のＣｕＯとを含む。
【００１９】
本発明の実施形態は、鉛フリー及びカドミウムフリーの誘電体組成物であって、焼成の前に、（ａ）（ｉ）３０〜４５重量％のＢａＯと、（ｉｉ）５０〜６０重量％のＷＯ３と、（ｉｉｉ）１〜１０重量％のＳｉＯ２と、を含み、（ｉｖ）鉛と、（ｖ）カドミウムを含まない、８０〜９９重量％のホスト材料とともに、（ｂ）８〜１３重量％のＢａＳｉＯ３と、（ｃ）０．５〜３重量％のＢａＣＯ３と、（ｄ）０．５〜３重量％のＨ３ＢＯ３と、（ｅ）０．１〜１重量％のＬｉＦと、（ｆ）０〜０．５重量％のＣｕＯ、又はそれらのいずれかの酸化物等価物とを含む。
【００２０】
本発明の実施形態は、鉛フリー及びカドミウムフリーの誘電体組成物であって、焼成の前に、（ａ）（ｉ）３０〜４５重量％のＢａＯと、（ｉｉ）５０〜６０重量％のＷＯ３と、（ｉｉｉ）１〜１０重量％のＳｉＯ２とを含み、（ｉｖ）鉛と、（ｖ）カドミウムとを含まない、９０〜９９．９重量％のホスト材料とともに、（ｂ）０．５〜２重量％のＢａＣＯ３と、（ｃ）１〜３重量％のＨ３ＢＯ３と、（ｄ）０．１〜１重量％のＬｉＦと、（ｅ）０〜０．５重量％のＣｕＯと、０〜１重量％のＬｉ２ＣＯ３と、０〜１重量％のＳｉＯ２、又はそれらのいずれかの酸化物等価物とを含む。
【００２１】
本発明の実施形態は、鉛フリー及びカドミウムフリーの誘電体組成物であって、焼成の前に、（ａ）（ｉ）３０〜４５重量％のＢａＯと、（ｉｉ）５０〜６０重量％のＷＯ３と、（ｉｉｉ）１〜１０重量％のＳｉＯ２とを含み、（ｉｖ）鉛と、（ｖ）カドミウムとを含まない、８７〜９９．９重量％のホスト材料とともに、（ｂ）０．８〜１．５重量％のＢａＣＯ３と、（ｃ）０．３〜１重量％のＨ３ＢＯ３と、（ｄ）０〜１重量％のＬｉＦと、（ｅ）０〜０．５重量％のＣｕＯと、（ｆ）０．１〜０．８重量％のＬｉ２ＣＯ３と、（ｇ）０．１〜０．７重量％のＳｉＯ２と、（ｈ）０〜１重量％のＺｒＯ２と、（ｉ）０〜１０重量％のＣａＴｉＯ３、又はそれらのいずれかの酸化物等価物とを含む。
【００２２】
本発明の実施形態は、鉛フリー及びカドミウムフリーの誘電体組成物であって、焼成の前に、（ａ）（ｉ）３０〜５０重量％のＢａＯと、（ｉｉ）４５〜６５重量％のＷＯ３と、（ｉｉｉ）１〜１０重量％のＳｉＯ２とを含み、（ｉｖ）鉛と、（ｖ）カドミウムとを含まない、３７〜９９．７重量％のホスト材料とともに、（ｂ）０．１〜２重量％のＢａＣＯ３と、（ｃ）０．１〜５重量％のＨ３ＢＯ３と、（ｄ）０〜１重量％のＣｕＯと、（ｅ）０．１〜２重量％のＬｉ２ＣＯ３と、（ｆ）０〜５重量％のＳｉＯ２と、（ｇ）０〜１重量％のＺｒＯ２と、（ｈ）０〜１０重量％のＣａＴｉＯ３、又はそれらのいずれかの酸化物等価物とを含む。
【００２３】
本発明の実施形態は、鉛フリー及びカドミウムフリーの誘電体組成物であって、焼成の前に、（ａ）（ｉ）３０〜４５重量％のＢａＯと、（ｉｉ）５０〜６０重量％のＷＯ３と、（ｉｉｉ）１〜１０重量％のＳｉＯ２とを含み、（ｉｖ）鉛と、（ｖ）カドミウムとを含まない、８７〜９９．９重量％のホスト材料とともに、（ｂ）０．８〜１．５重量％のＢａＣＯ３と、（ｃ）０〜３重量％のＨ３ＢＯ３と、（ｄ）０〜１重量％のＬｉＦと、（ｅ）０〜０．５重量％のＣｕＯと、（ｆ）０．１〜０．８重量％のＬｉ２ＣＯ３と、（ｇ）０．５重量％のＳｉＯ２と、（ｈ）０〜１重量％のＺｒＯ２と、（ｉ）０〜１０重量％のＣａＴｉＯ３、又はそれらのいずれかの酸化物等価物とを含む。
【００２４】
本発明の実施形態は、鉛フリー及びカドミウムフリーの誘電体組成物であって、焼成の前に、（ａ）（ｉ）３０〜４５重量％のＢａＯと、（ｉｉ）５０〜６０重量％のＷＯ３と、（ｉｉｉ）１〜１０重量％のＳｉＯ２とを含み、（ｉｖ）鉛と、（ｖ）カドミウムとを含まない、８５〜９９重量％のホスト材料とともに、（ｂ）０．７〜１．７重量％のＢａＣＯ３と、（ｃ）０．１〜１重量％のＨ３ＢＯ３と、（ｄ）０．１〜１重量％のＬｉＦと、（ｅ）０〜０．７重量％のＣｕＯと、（ｆ）０．１〜０．８重量％のＬｉ２ＣＯ３と、（ｇ）０．０１〜０．６重量％のＳｉＯ２と、（ｈ）４〜１３重量％のＺｎＯと、（ｉ）０〜１５重量％のＳｒＴｉＯ３と、（ｊ）０〜５０重量％のＣａＴｉＯ３、又はそれらのいずれかの酸化物等価物とを含む。
【００２５】
本発明の実施形態は、鉛フリー及びカドミウムフリーの誘電体組成物であって、（ａ）１０〜５５重量％のＢａＯと、（ｂ）１５〜６０重量％のＷＯ３と、（ｃ）０．５〜１５重量％のＳｉＯ２と、（ｄ）０〜２７重量％のＣａＯと、（ｅ）０〜３５重量％のＴｉＯ２と、（ｆ）０〜１５重量％のＳｒＯと、（ｇ）０．０５〜５重量％のＢ２Ｏ３と、（ｈ）０．０５〜５重量％のＬｉ２Ｏと、（ｉ）０〜５重量％のＬｉＦと、（ｊ）０〜５重量％のＣｕＯと、（ｋ）０〜１０重量％のＺｎＯとを含む。
【００２６】
本発明の実施形態は、鉛フリー及びカドミウムフリーの誘電体組成物であって、（ａ）２０〜７０重量％のＢａＯと、（ｂ）２０〜７０重量％のＷＯ３と、（ｃ）０．１〜１０重量％のＳｉＯ２と、（ｄ）０〜１０重量％のＣａＯと、（ｅ）０〜１０重量％のＴｉＯ２と、（ｆ）０．１〜５重量％のＢ２Ｏ３と、（ｇ）０．１〜５重量％のＬｉ２ＣＯ３と、（ｈ）０．０５〜５重量％のＬｉ２Ｏと、（ｉ）０〜５重量％のＬｉＦと、（ｊ）０〜５重量％のＣｕＯと、（ｋ）０〜１０重量％のＺｎＯとを含む。
【００２７】
０重量％で規定される各組成範囲は、その下限値が０．０１重量％又は０．１重量％である範囲と考えられる。６０〜９０重量％のＡｇ＋Ｐｄ＋Ｐｔ＋Ａｕという記載は、いずれの又は全ての成分が、記載された範囲内で組成物中に存在していいことを意味する。
【００２８】
別の実施形態において、本発明は、焼成の前に、本明細書に開示されるいずれかのホスト材料を含む、鉛フリー及びカドミウムフリーの誘電体組成物に関する。
【００２９】
別の実施形態において、本発明は電気部品又は電子部品であって、焼成の前に、本明細書において開示されるいずれかの誘電体ペーストとともに、（ａ）６０〜９０重量％のＡｇ+Ｐｄ+Ｐｔ+Ａｕと、（ｂ）１〜１０重量％の遷移金属のケイ化物、炭化物、窒化物及びホウ化物からなる群より選択される添加剤と、（ｃ）０．５〜１０重量％の少なくとも１つのガラスフリットと、（ｄ）１０〜４０重量％の有機部分とを含む導電性ペーストを含む電気部品又は電子部品に関する。電気部品又は電子部品は、高Ｑ共振器、バンドパスフィルター、無線パッケージングシステム（wireless packaging system）、およびそれらの組み合わせであってもよい。
【００３０】
別の実施形態において、本発明は電子部品を形成する方法であって、本明細書において開示されるいずれかの誘電体ペーストを基材に塗布する工程と、誘電体材料を焼結するのに十分な温度で基材を焼成する工程とを含む方法に関する。
【００３１】
別の実施形態において、本発明は電子部品を形成する方法であって、本明細書において開示されるいずれかの誘電体ペーストの粒子を基材に塗布する工程と、誘電体材料を焼結するのに十分な温度で基材を焼成する工程とを含む方法に関する。
【００３２】
別の実施形態において、本発明は電子部品を形成する方法であって、
（ａ１）本明細書において開示されるいずれかの誘電体組成物を基材に塗布する工程、又は
（ａ２）本明細書において開示されるいずれかの誘電体組成物を含むテープを基材に塗布する工程、又は
（ａ３）本明細書において開示されるいずれかの誘電体組成物の複数の粒子を圧縮してモノリシックな複合基材を形成する工程、及び
（ｂ）前記誘電体材料を焼結するのに十分な温度で前記基材を焼成する工程、
を含む方法に関する。
【００３３】
本発明に係る方法は、少なくとも１つの誘電率が１０より高い本明細書において開示されるいずれかの誘電体材料の層と、少なくとも１つの誘電率が１０より低いテープ又はペーストの交互分離層とを組み合わせて同時焼成し、多層基材を形成する方法であって、交互層は異なる誘電率を有する。
【００３４】
本明細書における各数値（パーセンテージ、温度など）は、「約」をその前に付されたものとして理解されるべきである。本明細書におけるいずれかの実施形態において、誘電体材料は異なる相を有してもよい。例えば、モル％又は重量％のどちらかで示される結晶とアモルファスがどのような割合であってもよく、例えば、１：９９から９９：１（結晶：アモルファス）であってもよい。その他の割合として、１０：９０、２０：８０、３０：７０、４０：６０、５０：５０、６０：４０、７０：３０、８０：２０および９０：１０が含まれ、これらの間の値も含まれる。１つの実施形態において、誘電体ペーストは１０〜３０重量％の結晶性誘電体と、７０〜９０重量％のアモルファス誘電体とを含む。
【００３５】
上記、およびその他の本発明の特徴は、以下において詳細に記載され、特に請求項において記載される。本発明に係る特定の例示的実施形態を詳述する以下の記載は、本発明の原理が利用されうる種々の形態のうちのいくつかを表すものに過ぎない。
【発明を実施するための形態】
【００３６】
ＬＴＣＣ（低温同時焼成セラミックス）は、Ａｇ、Ａｕ、Ｐｔ、Ｐｄ又はこれらの組み合わせなどの低抵抗金属伝導体とともに、比較的低い焼成温度（１０００℃より低い温度）で同時焼成される、多層のガラスセラミック基材技術である。その主成分がガラス及びアルミナ又はその他のセラミックフィラーであるため、「ガラスセラミック」と呼ばれることもある。いくつかのＬＴＣＣ処方は、再結晶ガラスである。本明細書におけるガラスは、その場で形成されうるフリット又は組成物に添加されうるフリットの形態で提供されてもよい。いくつかの状況において、理想的には酸素部圧が１０−１２から１０−８雰囲気の非酸化性雰囲気において、ニッケルおよびその合金などの卑金属が使用されてもよい。「卑金属」とは、金、銀、パラジウム及び白金以外のいずれかの金属である。合金金属は、Ｍｎ、Ｃｒ、Ｃｏ及び／又はＡｌを含んでもよい。
【００３７】
誘電体材料のスラリーから成形されたテープはカットされ、層の間の電気接続を可能にするために、ビアとして知られる穴が形成される。ビアは、導電性ペーストで充填される。その後、必要に応じて、同時焼成される抵抗器とともに回路パターンが印刷される。印刷された基材の多層は積み重ねられ、層を結合するために熱と圧力が堆積物に加えられる。その後、低温（１０００℃より低い温度）焼結が行われる。焼結された堆積物は最終寸法に切り取られ、必要に応じて、後焼成処理が行われる。
【００３８】
自動車用アプリケーションにおいて有用な多層構造は、約５層のセラミック層を有し、例えば３〜７層、又は４〜６層である。ＲＦアプリケーションにおいては、１０〜２５層のセラミック層を有する。ワイヤ基材としては、５〜８層のセラミック層が使用されてもよい。
【００３９】
誘電体ペースト
誘電体層を形成するためのペーストは、有機ビヒクルとともに本明細書において開示される未処理の誘電体材料を混合することで得られる。上述のように、焼成時にこのような酸化物及び複合酸化物に転化する、前駆体化合物（炭酸塩、硝酸塩、流酸塩、リン酸塩）も有用である。誘電体材料は、これらの酸化物又はこれらの酸化物の前駆体を含む化合物を選択し、適切な割合でこれらを混合することで得られる。未処理の誘電体材料におけるこれらの化合物の割合は、焼成後に所望の誘電体層が得られるように決定される。未処理の誘電体材料は（本明細書に開示されるように）、約０．１から約３μｍの平均粒子径を有する粉末状で概して使用され、より好ましくは約１μｍ以下である。
【００４０】
有機ビヒクル
本明細書におけるペーストは、有機部分を含む。有機部分は、有機ビヒクルであるか、又は有機ビヒクルを含む。有機ビヒクルは有機溶媒中の結合剤、又は水中の結合剤である。本明細書において、結合剤の選択は重要でなく、溶媒とともに、エチルセルロース、ポリビニルブタノール、エチルセルロース、ヒドロキシプロピルセルロース、及びこれらの組み合わせが適切である。有機溶媒も重要ではなく、特定の適用方法（すなわち印刷もしくはシート化）に従って、ブチルカルビトール、アセトン、トルエン、エタノール、ジエチレングリコールブチルエーテル、２，２，４−トリメチルペンタンジオールモノイソブチレート（Ｔｅｘａｎｏｌ（登録商標））、αテルピネオール、βテルピネオール、ガンマテルピネオール、トリデシルアルコール、ジエチレングリコールエチルエーテル（Ｃａｒｂｉｔｏｌ（登録商標））、ジエチレングリコールブチルエーテル（Ｂｕｔｙｌ  Ｃａｒｂｉｔｏｌ（登録商標））、プロピレングリコール、及びこれらの混合物などの従来の有機溶媒から選択されうる。登録商標：Ｔｅｘａｎｏｌで販売されている製品は、Ｅａｓｔｍａｎ  Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｃｏｍｐａｎｙ（テネシー州、キングスポート）より市販されている。また、登録商標：Ｄｏｗａｎｏｌ及びＣａｒｂｉｔｏｌで販売されている製品は、Ｄｏｗ  Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｃｏ．（ミシガン州、ミッドランド）より市販されている。
【００４１】
本発明の誘電体ペーストの有機部分に、特別な限定は設けられていない。本発明の誘電体ペーストの１つの実施形態は、約１０重量％から約４０重量％の有機ビヒクルを含み、別の実施形態においては、約１０重量％から約３０重量％の有機ビヒクルを含む。しばしば、ペーストは約１から５重量％の結合剤と、約１０から５０重量％の有機溶媒とを含み、その残量が誘電体成分（固形部分）である。１つの実施形態において、本発明の誘電体ペーストは、約６０から約９０重量％の本明細書に開示される固形部分と、約１０重量％から約４０重量％の本段落及び上記において記載された有機部分を含む。所望により、本発明のペーストは約１０重量％まで、分散剤、可塑剤、誘電体化合物、及び絶縁化合物などのその他の添加物を含んでもよい。
【００４２】
フィラー
異なる誘電体組成物のテープ層の間の膨張の不一致を最小限にするために、コーディエライト、アルミナ、ジルコン、溶融石英、アルミノケイ酸塩、及びこれらの組み合わせなどのフィラーが、１〜３０重量％、好ましくは２〜２０重量％、より好ましくは２〜１５重量％の量で、１つ以上の本明細書の誘電体ペーストに加えられてもよい。
【００４３】
焼成
その後、誘電体堆積物（２層以上）は、内部電極層形成ペーストにおける伝導体の種類によって決定される雰囲気の中で焼成される。内部電極層がニッケルやニッケル合金などの卑金属伝導体で形成される場合、焼成雰囲気の酸素分圧は約１０−１２から約１０−８ａｔｍである。約１０−１２ａｔｍより低い分圧での焼結は避けるべきである。なぜならば、このような低圧では伝導体が異常焼結され、誘電体層から分離してしまうことがあるからである。約１０−８ａｔｍより高い酸素分圧では、内部電極層は酸化する場合がある。酸素分圧は、約１０−１１から約１０−９ａｔｍが最も好ましい。本明細書において開示される誘電体組成物を大気中で焼成することも可能である。しかしながら、還元雰囲気（Ｈ２、Ｎ２又はＨ２／Ｎ２）は、誘電体ペーストから金属性のビスマスにＢｉ２Ｏ３を不必要に還元する場合がある。
【００４４】
本明細書において開示されるＬＴＣＣ組成物及び装置のためのアプリケーションは、バンドパスフィルター（ハイパス又はローパス）、携帯アプリケーションを含む遠距離通信用無線発信機及び受信機、電力増幅器モジュール（ＰＡＭ）、ＲＦフロントエンドモジュール（ＦＥＭ）、ＷｉＭＡＸ２モジュール、ＬＴＥアドバンスモジュール、伝送制御装置（ＴＣＵ）、電動パワーステアリング（ＥＰＳ）、エンジン管理装置（ＥＭＳ）、種々のセンサーモジュール、レーダーモジュール、圧力センサー、カメラモジュール、スモールアウトラインチューナーモジュール、装置及び部品用の薄型モジュール、及びＩＣテスターボードを含む。バンドパスフィルターは二つの主要部分を含み、一つはコンデンサーであり、もう一つはインダクターである。低誘電率（Ｌｏｗ−Ｋ）材料はインダクターの設計に適するが、十分な電気容量を生成するための作用領域が多く必要となるため、コンデンサーの設計には適さない。また、高誘電率（Ｈｉｇｈ−Ｋ）材料は、その逆の結果となる。本発明者らは、最適な性能を有するように、低誘電率（４〜８）／中誘電率（Ｍｉｄ−Ｋ）（１０〜１００）ＬＴＣＣ材料を同時焼成して単一の成分とすること、低誘電率材料がインダクターの設計に使用できること、及び高誘電率材料がコンデンサーの設計に使用できることを発見した。
【００４５】
実施例
以下の実施例は、本発明の好ましい態様を示すために提供されるが、本発明の範囲を限定するものではない。
【００４６】
以下の表に示されるように、適量のＢａＣＯ３、ＷＯ３及びＳｉＯ２が混合され、その後、水性媒体中、粒子径Ｄ５０約０．２から１．５μｍとなるよう粉砕される。このスラリーは乾燥され、約８００から１０００℃で約１から５時間か焼され、ＢａＯ、ＷＯ３及びＳｉＯ２を含むホスト材料を形成する。その後、得られたホスト材料を機械的に微粉砕し、融剤と混合し、再度、水性媒体中で粒子径Ｄ５０約０．５から１．０μｍまで粉砕する。その後、粉砕されたセラミック粉末を、乾燥し、微粉砕し、微粉末を製造する。そして、得られた粉末を円柱のペレット状に圧縮し、約８５０℃で約３０分間焼成する。ただし、処方２４のみ約８８０℃で約３０分間焼成された。処方は全て重量％で記載される。
【００４７】
【表１】
0006438594.tif 000002
【００４８】
【表２】
0006438594.tif 000003
【００４９】
【表３】
0006438594.tif 000004
【００５０】
【表４】
0006438594.tif 000005
【００５１】
【表５】
0006438594.tif 000006
【００５２】
【表６】
0006438594.tif 000007
【００５３】
以下の表７及び表８は、表１〜５の処方の特徴及び性能データを表す。
【００５４】
【表７】
0006438594.tif 000008
【００５５】
【表８】
0006438594.tif 000009
【００５６】
表９は、８５０℃で３０分間焼結された後の、重量％で示される誘電体処方を含む（処方２４は約８８０℃で約３０分間焼成された）。
【００５７】
【表９】
0006438594.tif 000010
【００５８】
当業者は、さらなる利点や変更を容易に思いつくであろう。したがって、本発明はその広い態様において、本明細書において開示される特定の記載や実施例に限定されない。つまり、添付の特許請求の範囲及びそれに相当するものによって規定される発明的概念の範囲から逸脱しない、様々な変更がなされてもよい。
【００５９】
本発明の更なる実施形態が以下のアイテムで表される。
【００６０】
［アイテム１］
鉛フリー、カドミウムフリーの誘電体材料を焼成時に形成する前駆体材料の混合物を含む組成物であって、前記誘電体材料がバリウム‐タングステン‐ケイ素の酸化物ホスト材料を含む組成物。
【００６１】
［アイテム２］
前記誘電体材料の誘電率が１から５０である、アイテム１に係る組成物。
【００６２】
［アイテム３］
前記誘電体材料の誘電率が６から４５である、アイテム１に係る組成物。
【００６３】
［アイテム４］
（ｉ）３０〜５０重量％のＢａＯと、
（ｉｉ）４５〜６５重量％のＷＯ３と、
（ｉｉｉ）１〜１０重量％のＳｉＯ２とを含み
（ｉｖ）鉛と、
（ｖ）カドミウムを含まない、ホスト材料。
【００６４】
［アイテム５］
鉛フリー、カドミウムフリーの誘電体材料であって、焼成の前に、
（ａ）８０〜９９．９重量％のアイテム４に記載の前記ホスト材料とともに、
（ｂ）８〜１３重量％のＢａＳｉＯ３と、
（ｃ）０．５〜３重量％のＢａＣＯ３と、
（ｄ）０．５〜３重量％のＨ３ＢＯ３と、
（ｅ）０．１〜１重量％のＬｉＦと、
（ｆ）０〜０．５重量％のＣｕＯ、
又はそれらの酸化物等価物を含む、誘電体材料。
【００６５】
［アイテム６］
鉛フリー、カドミウムフリーの誘電体材料であって、焼成の前に、
（ａ）９０〜９９．９重量％のアイテム４に記載の前記ホスト材料とともに、
（ｂ）０．２〜３重量％のＢａＣＯ３と、
（ｃ）０〜３重量％のＨ３ＢＯ３と、
（ｄ）０〜１重量％のＬｉＦと、
（ｅ）０〜０．５重量％のＣｕＯと、
（ｆ）０〜１．５重量％のＬｉ２ＣＯ３と、
（ｇ）０〜１重量％のＳｉＯ２、
又はそれらの酸化物等価物を含む、誘電体材料。
【００６６】
［アイテム７］
鉛フリー、カドミウムフリーの誘電体材料であって、焼成の前に、
（ａ）３７〜９９．７重量％のアイテム４に記載の前記ホスト材料とともに、
（ｂ）０．１〜２重量％のＢａＣＯ３と、
（ｃ）０．１〜５重量％のＨ３ＢＯ３と、
（ｄ）０〜１重量％のＣｕＯと、
（ｅ）０．１〜２重量％のＬｉ２ＣＯ３と、
（ｆ）０〜５重量％のＳｉＯ２と、
（ｇ）０〜１重量％のＺｒＯ２と、
（ｈ）０〜１０重量％のＺｎＯと、
（ｉ）０〜１５重量％のＳｒＴｉＯ３と、
（ｊ）０〜５０重量％のＣａＴｉＯ３、
又はそれらの酸化物等価物を含む、誘電体材料。
【００６７】
［アイテム８］
鉛フリー、カドミウムフリーの誘電体材料を焼成時に形成する前駆体の混合物を含む鉛フリー、カドミウムフリーの組成物であって、前記誘電体材料が、
（ａ）１０〜５５重量％のＢａＯと、
（ｂ）１５〜６０重量％のＷＯ３と、
（ｃ）０．５〜１５重量％のＳｉＯ２と、
（ｄ）０〜２７重量％のＣａＯと、
（ｅ）０〜３５重量％のＴｉＯ２と、
（ｆ）０〜１５重量％のＳｒＯと、
（ｇ）０．０５〜５重量％のＢ２Ｏ３と、
（ｈ）０．０５〜５重量％のＬｉ２Ｏと、
（ｉ）０〜５重量％のＬｉＦと、
（ｊ）０〜５重量％のＣｕＯと、
（ｋ）０〜１０重量％のＺｎＯ、
を含む組成物。
【００６８】
［アイテム９］
アイテム１〜８のいずれかに記載の鉛フリー、カドミウムフリーの誘電体材料であって、焼成後、１ＭＨｚで測定された際の焼成された組成物のＱ値が少なくとも２００００である誘電体材料。
【００６９】
［アイテム１０］
アイテム１〜８のいずれかに記載の鉛フリー、カドミウムフリーの誘電体材料であって、焼成後、１ＭＨｚで測定された際の焼成された組成物の誘電正接Ｄｆが０．００００５より低い誘電体材料。
【００７０】
［アイテム１１］
アイテム１〜８のいずれかに記載の鉛フリー、カドミウムフリーの誘電体材料であって、焼成後、焼成された組成物の誘電率Ｋが６〜４５である誘電体材料。
【００７１】
［アイテム１２］
焼成前に、アイテム１〜８のいずれかに記載の鉛フリー、カドミウムフリーの誘電体材料を含む電気部品又は電子部品であって、さらに、
（ａ）６０〜９０重量％のＡｇ＋Ｐｄ＋Ｐｔ＋Ａｕと、
（ｂ）１〜１０重量％の遷移金属のケイ化物、炭化物、窒化物及びホウ化物からなる群より選択される添加剤と、
（ｃ）０．５〜１０重量％の少なくとも１つのガラスフリットと、  
（ｄ）１０〜４０重量％の有機部分、
を含む導電性ペーストを含む、電気部品又は電子部品。
【００７２】
［アイテム１３］
アイテム１２に記載の電気部品又は電子部品であって、前記電気部品又は電子部品が、高Ｑ共振器、電磁干渉フィルター、バンドパスフィルター、無線パッケージングシステム、およびそれらの組み合わせからなる群より選択される、電気部品又は電子部品。
【００７３】
［アイテム１４］
電子部品を形成する方法であって、
（ａ１）アイテム１〜８のいずれかに記載の誘電体組成物を基材に塗布する工程、又は
（ａ２）アイテム１〜８のいずれかに記載の誘電体組成物を含むテープを基材に塗布する工程、又は
（ａ３）アイテム１〜８のいずれかに記載の誘電体組成物の複数の粒子を圧縮してモノリシックな複合基材を形成する工程、及び
（ｂ）前記誘電体材料を焼結するのに十分な温度で前記基材を焼成する工程、
を含む方法。
【００７４】
［アイテム１５］
約８００℃から約９００℃で焼成が行われる、アイテム１４に記載の方法。
【００７５】
［アイテム１６］
約８４５℃から約８８５℃で焼成が行われる、アイテム１４に記載の方法。
【００７６】
［アイテム１７］
焼成が空気中で行われる、アイテム１４〜１６のいずれかに記載の方法。
【００７７】
［アイテム１８］
少なくとも１つの誘電率が１０より高いアイテム１〜８のいずれかに記載の誘電体材料の層と、少なくとも１つの誘電率が１０より低いテープ又はペーストの交互分離層とを組み合わせて同時焼成し、多層基材を形成する方法であって、前記交互層は異なる誘電率を有する方法。
【００７８】
［アイテム１９］
約８００℃から約９００℃で焼成が行われる、アイテム１８に記載の方法。
【００７９】
［アイテム２０］
約８４５℃から約８８５℃で焼成が行われる、アイテム１８に記載の方法。
【００８０】
［アイテム２１］
焼成が空気中で行われる、アイテム１８〜２０のいずれかに記載の方法。
【００８１】
［アイテム２２］
鉛フリー、カドミウムフリーの誘電体材料を焼成時に形成する前駆体材料の混合物を含む組成物であって、前記誘電体材料がバリウム‐タングステン‐ケイ素の酸化物ホスト材料を含む、組成物。
【００８２】
［アイテム２３］
前記誘電体材料の誘電率が１から２０である、アイテム２２に係る組成物。
【００８３】
［アイテム２４］
前記誘電体材料の誘電率が６から１２である、アイテム２２に係る組成物。
【００８４】
［アイテム２５］
（ａ）３０〜４５重量％のＢａＯと、
（ｂ）５０〜６０重量％のＷＯ３と、
（ｃ）１〜１０重量％のＳｉＯ２とを含み
（ｄ）鉛と、
（ｅ）カドミウムを含まない、ホスト材料。
【００８５】
［アイテム２６］
鉛フリー、カドミウムフリーの誘電体組成物であって、焼成の前に、
（ａ）８０〜９９．９重量％のアイテム４に記載の前記ホスト材料とともに、
（ｂ）８〜１３重量％のＢａＳｉＯ３と、
（ｃ）０．５〜３重量％のＢａＣＯ３と、
（ｄ）０．５〜３重量％のＨ３ＢＯ３と、
（ｅ）０．１〜１重量％のＬｉＦと、
（ｆ）０〜０．５重量％のＣｕＯ、
又はそれらの酸化物等価物を含む、誘電体組成物。
【００８６】
［アイテム２７］
鉛フリー、カドミウムフリーの誘電体組成物であって、焼成の前に、
（ａ）９０〜９９．９重量％のアイテム４に記載の前記ホスト材料とともに、
（ｂ）０．５〜２重量％のＢａＣＯ３と、
（ｃ）１〜３重量％のＨ３ＢＯ３と、
（ｄ）０〜１重量％のＬｉＦと、
（ｅ）０〜０．５重量％のＣｕＯと、
（ｆ）０〜１重量％のＬｉ２ＣＯ３と、
（ｇ）０〜１重量％のＳｉＯ２、
又はそれらの酸化物等価物を含む、誘電体組成物。
【００８７】
［アイテム２８］
鉛フリー、カドミウムフリーの誘電体組成物であって、焼成の前に、
（ａ）８７〜９９．９重量％のアイテム４に記載の前記ホスト材料とともに、
（ｂ）０．８〜１．５重量％のＢａＣＯ３と、
（ｃ）０．３〜１重量％のＨ３ＢＯ３と、
（ｄ）０〜１重量％のＬｉＦと、
（ｅ）０〜０．５重量％のＣｕＯと、
（ｆ）０．１〜０．８重量％のＬｉ２ＣＯ３と、
（ｇ）０〜５重量％のＳｉＯ２と、
（ｈ）０〜１重量％のＺｒＯ２と、
（ｉ）０〜１０重量％のＣａＴｉＯ３、
又はそれらの酸化物等価物を含む、誘電体組成物。
【００８８】
［アイテム２９］
鉛フリー、カドミウムフリーの誘電体組成物であって、
（ａ）２０〜７０重量％のＢａＯと、
（ｂ）２０〜７０重量％のＷＯ３と、
（ｃ）０．１〜１０重量％のＳｉＯ２と、
（ｄ）０〜１０重量％のＣａＯと、
（ｅ）０〜１０重量％のＴｉＯ２と、
（ｆ）０．１〜５重量％のＢ２Ｏ３と、
（ｇ）０．１〜５重量％のＬｉ２Ｏと、
（ｈ）０．１〜５重量％のＬｉＦと、
を含む誘電体組成物。
【００８９】
［アイテム３０］
アイテム２２〜２９のいずれかに記載の鉛フリー、カドミウムフリーの誘電体材料であって、焼成後、１ＭＨｚで測定された際の焼成された組成物のＱ値が少なくとも２００００である誘電体材料。
【００９０】
［アイテム３１］
アイテム２２〜２９のいずれかに記載の鉛フリー、カドミウムフリーの誘電体材料であって、焼成後、１ＭＨｚで測定された際の焼成された組成物の誘電正接Ｄｆが０．００００５より低い誘電体材料。
【００９１】
［アイテム３２］
アイテム２２〜２９のいずれかに記載の鉛フリー、カドミウムフリーの誘電体材料であって、焼成後、焼成された組成物の誘電率Ｋが６〜１２である誘電体材料。
【００９２】
［アイテム３３］
焼成前に、アイテム２２〜２９のいずれかに記載の鉛フリー、カドミウムフリーの誘電体材料又はペーストを含む電気部品又は電子部品であって、さらに、
（ａ）６０〜９０重量％のＡｇ＋Ｐｄ＋Ｐｔ＋Ａｕと、
（ｂ）１〜１０重量％の遷移金属のケイ化物、炭化物、窒化物及びホウ化物からなる群より選択される添加剤と、
（ｃ）０．５〜１０重量％の少なくとも１つのガラスフリットと、
（ｄ）１０〜４０重量％の有機部分、
を含む導電性ペーストを含む、電気部品又は電子部品。
【００９３】
［アイテム３４］
アイテム３３に記載の電気部品又は電子部品であって、前記電気部品又は電子部品が、高Ｑ共振器、バンドパスフィルター、無線パッケージングシステム、およびそれらの組み合わせからなる群より選択される、電気部品又は電子部品。
【００９４】
［アイテム３５］
電子部品を形成する方法であって、
（ａ１）アイテム２２〜２９のいずれかに記載の誘電体組成物を基材に塗布する工程、又は
（ａ２）アイテム２２〜２９のいずれかに記載の誘電体組成物を含むテープを基材に塗布する工程、又は
（ａ３）アイテム２２〜２９のいずれかに記載の誘電体組成物の複数の粒子を圧縮してモノリシックな複合基材を形成する工程、及び
（ｂ）前記誘電体材料を焼結するのに十分な温度で前記基材を焼成する工程、
を含む方法。
【００９５】
［アイテム３６］
約８００℃から約９００℃で焼成が行われる、アイテム３５に記載の方法。
【００９６】
［アイテム３７］
約８２５℃から約８７５℃で焼成が行われる、アイテム３５に記載の方法。
【００９７】
［アイテム３８］
焼成が空気中で行われる、アイテム３５〜３７のいずれかに記載の方法。
【００９８】
［アイテム３９］
少なくとも１つのアイテム２２〜２９のいずれかに記載の誘電体材料の層と、少なくとも１つの誘電率が１２より高いテープ又はペーストの交互分離層とを組み合わせて同時焼成し、多層基材を形成する方法であって、前記交互層は異なる誘電率を有する方法。
【００９９】
［アイテム４０］
約８００℃から約９００℃で焼成が行われる、アイテム３９に記載の方法。
【０１００】
［アイテム４１］
約８２５℃から約８７５℃で焼成が行われる、アイテム３９に記載の方法。
【０１０１】
［アイテム４２］
焼成が空気中で行われる、アイテム３９〜４１のいずれかに記載の方法。
【０１０２】
［アイテム４３］
鉛フリー、カドミウムフリーの誘電体組成物であって、焼成の前に、
（ａ）８５〜９９重量％のアイテム４に記載の前記ホスト材料とともに、
（ｂ）０．７〜１．７重量％のＢａＣＯ３と、
（ｃ）０．１〜１重量％のＨ３ＢＯ３と、
（ｄ）０．１〜１重量％のＬｉＦと、
（ｅ）０〜０．７重量％のＣｕＯと、
（ｆ）０．１〜０．８重量％のＬｉ２ＣＯ３と、
（ｇ）０．０１〜６重量％のＳｉＯ２と、
（ｈ）４〜１３重量％のＳｒＴｉＯ３、
又はそれらの酸化物等価物を含む、誘電体組成物。
【０１０３】
［アイテム４４］
鉛フリー、カドミウムフリーの誘電体組成物であって、
（ａ）２０〜７０重量％のＢａＯと、
（ｂ）２０〜７０重量％のＷＯ３と、
（ｃ）０．１〜１０重量％のＳｉＯ２と、
（ｄ）０〜１５重量％のＳｒＯと、
（ｅ）０．１〜１０重量％のＴｉＯ２と、
（ｆ）０．１〜５重量％のＢ２Ｏ３と、
（ｇ）０．１〜５重量％のＬｉ２Ｏと、
（ｈ）０．１〜１重量％のＣｕＯ、
を含む誘電体組成物。