(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板を支える基板テーブルであって、前記基板テーブルは少なくとも一方向に移動可能であり、変動負荷が前記基板及び/又は前記基板テーブルに作用して前記基板の一部の変形を引き起こす、物体テーブルと、
二相流が通過するチャネルであって、前記チャネルは前記基板テーブル内に形成され、前記チャネルを通る前記二相流は、前記変動負荷を前記基板テーブルに作用させて前記基板の一部の変形を引き起こす、チャネルと、
前記二相流の少なくとも１つの特性を測定するために少なくとも１つのセンサを含む測定システムであって、前記少なくとも１つの測定される特性は、前記変形を表す量を決定するために使用される、測定システムと、
前記基板の前記一部の前記変形を表す量に基づいて前記少なくとも一方向の前記基板テーブルの動作を制御する制御システムと
を備える、基板位置決めシステム。
【請求項２】
前記測定される特性は、前記二相流の温度、前記二相流の質量流量及び/又は前記二相流の湿度のうちの少なくとも１つである、前記二相流は、液体流及びガス流を含み、前記測定される特性は、前記液体流及び/又は前記ガス流の測定であり得る、請求項１に記載の基板位置決めシステム。
【請求項３】
前記二相流は、液体流及びガス流を含み、前記測定される特性は、前記液体流及び/又は前記ガス流の測定を含む、請求項１又は２に記載の基板位置決めシステム。
【請求項４】
前記基板テーブルの少なくとも１つの特性、前記基板の少なくとも１つの特性、リソグラフィ装置内の別の構成部品の少なくとも１つの特性及び/又は前記リソグラフィ装置を囲う環境の少なくとも１つの特性を測定するために少なくとも１つのセンサを含む測定システムをさらに備え、少なくとも１つの測定される特性は、前記変形を表す量を決定するために使用される、請求項１，２，又は３に記載の基板位置決めシステム。
【請求項５】
前記測定される特性は、前記基板テーブル上又は前記基板テーブル内の配置における前記基板テーブルの温度、前記基板テーブル上又は前記基板テーブル内の配置における前記基板テーブルの歪み、前記基板テーブル上又は前記基板テーブル内の配置における前記基板テーブルの前記温度及び前記歪みの両方、前記リソグラフィ装置を囲う前記環境の温度及び/又は前記リソグラフィ装置を囲う前記環境の湿度のうちの少なくとも１つである、請求項４に記載の基板位置決めシステム。
【請求項６】
前記少なくとも１つのセンサは、温度センサ、歪みセンサ、及び/又は、温度センサ及び歪みセンサ、の少なくとも１つである、請求項１〜５のいずれかに記載の基板位置決めシステム。
【請求項７】
予測器をさらに備え、前記予測器は、前記基板テーブル及び/又は前記基板のモデルに基づいて変形を表す量を決定するように構成され、前記予測器は、前記少なくとも１つのセンサからの前記少なくとも１つの測定される特性を使用する、請求項１〜６のいずれかに記載の基板位置決めシステム。
【請求項８】
１つ以上のアクチュエータを有するアクチュエータシステム及び位置測定システムをさらに備え、前記位置測定システムは位置センサを含み、前記制御システムは、前記アクチュエータシステムを制御して前記基板テーブルを移動させるように構成され、前記位置センサは、前記基板テーブルの位置の測定を行って前記基板の動作を測定するように構成される、請求項１〜７のいずれかに記載の基板位置決めシステム。
【請求項９】
請求項１〜８のいずれかに記載の基板位置決めシステムを備える、リソグラフィ装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
関連出願への相互参照
[0001]  本願は、２０１４年８月６日に出願した欧州特許出願第１４１７９９７２．６号の優先権を主張し、その全体を本願に参考として組み込む。
【０００２】
[0002]  本発明は、リソグラフィ装置及びリソグラフィ装置を製造する方法に関する。
【背景技術】
【０００３】
[0003]  リソグラフィ装置は、所望のパターンを基板上、通常、基板のターゲット部分上に付与する機械である。リソグラフィ装置は、例えば、集積回路（ＩＣ）の製造に用いることができる。その場合、ＩＣの個々の層上に形成される回路パターンを生成するために、マスク又はレチクルとも呼ばれるパターニングデバイスを用いることができる。このパターンは、基板（例えば、シリコンウェーハ）上のターゲット部分（例えば、ダイの一部、又は１つ以上のダイを含む）に転写することができる。通常、パターンの転写は、基板上に設けられた放射感応性材料（レジスト）層上への結像によって行われる。一般には、単一の基板が、連続的にパターニングされる隣接したターゲット部分のネットワークを含んでいる。従来のリソグラフィ装置としては、ターゲット部分上にパターン全体を一度に露光することにより各ターゲット部分を照射するいわゆるステッパ、及び投影ビームによってある特定の方向（「スキャン」方向）にパターンをスキャンすると同時に、この方向に平行又は逆平行に基板をスキャンすることにより各ターゲット部分を照射する、いわゆるスキャナが含まれる。パターンを基板上にインプリントすることにより、パターニングデバイスから基板にパターンを転写することも可能である。
【０００４】
[0004]  液浸装置においては、液浸流体は流体取扱システム、デバイス構造又は装置によって取り扱われる。ある実施形態では、流体取扱システムは、液浸流体を供給することができ、よって流体供給システムであってよい。ある実施形態では、流体取扱システムは、液浸流体を少なくとも部分的に閉じ込めてよく、よって流体閉じ込めシステムとなる。ある実施形態では、流体取扱システムは、液浸流体にバリアを提供してもよく、よって流体閉じ込め構造などのバリア部材となる。ある実施形態では、流体取扱システムは、例えば、液浸流体の流れ及び/又は位置を制御しやすくするためにガス流を生成又は使用することができる。ガス流は液浸流体を閉じ込めるためのシールを形成することができ、よって流体取扱構造をシール部材と呼ぶことができる。そのようなシール部材は流体閉じ込め構造であってよい。ある実施形態では、液浸液を液浸流体として使用する。その場合、流体取扱システムは液体取扱システムであってよい。上記の記載に関して、この段落において流体に関して定められた特徴についての言及は、液体に関して定められた特徴も含むと理解することができる。
【０００５】
[0005]  液浸液をリソグラフィ装置内で取り扱うことは、液体の取扱いに対する１つ以上の問題をもたらす。通常、物体（例えば、基板及び/又はセンサ）と物体の縁部の周りのテーブル（例えば、基板テーブル又は測定テーブル）との間にギャップが存在する。米国特許出願公開第２００５−０２６４７７８号では、そのギャップを材料で埋めるか又はギャップを液体で意図的に満たすために液体源又は低圧源を提供することにより、ギャップが液体供給システムの下を通るときに気泡が含まれることを回避し、及び/又はギャップに入るあらゆる液体を除去することを開示している、
【０００６】
[0006]  物体の縁部と物体が位置決めされたテーブルと間のギャップからの液体は、チャネルを介して除去することができる。液体が除去された場合、ガスもチャネルから除去することができる。液体及びガスの二相流が、チャネルを通過してもよい。そのような二相流のためのチャネルは、リソグラフィ装置の他の部分、例えば、液体閉じ込めシステム内に存在し得る。そのような二相流は、チャネルが形成された構成部品又は他の近くの構成部品における望ましくない温度変化へと繋がり得る。そのようなチャネルを含む物体に対する温度変化及び/又は二相流によって加えられる他のあらゆる負荷は、物体の変形を誘発する。
【０００７】
[0007]  ある実施形態では、リソグラフィ装置は、位置決めする必要がある１つ以上の物体、例えば、基板テーブル又はサポート構造を備える。ある実施形態では、物体上の特定のポイント（関心ポイントと呼ぶ）を正確に位置決めする必要がある。例えば、関心ポイントは、基板上のターゲット部分であってよいが、関心ポイントの位置を直接測定することはできない場合がある。ある実施形態では、別のポイントの位置（測定ポイントと呼ぶ）が測定される。測定ポイントに対する関心ポイントの位置が想定される。関心ポイント及び測定ポイントは、同じ物体上にあってよい。あるいは、関心ポイント及び測定ポイントは異なる物体上にあってもよい。例えば、関心ポイントは物体上にあってよく、また、測定ポイントは物体テーブル上にあってよい。物体テーブルは、物体を支えるために使用される。温度変化及び/又は他に加えられるあらゆる負荷は、物体及び/又は物体テーブルの変形を引き起こし、測定ポイントに対する関心ポイントの位置の変化へと繋がり得る。したがって、変形は、関心ポイントの位置決めにおけるエラーを引き起こし得る。
【０００８】
[0008]  同じ原理が、リソグラフィ装置の部品の変位を測定するための構成部品を含む、リソグラフィ装置内の多数の物体及び物体テーブルにも適用される。構成部品を測定するときのあらゆる変形は、正確ではない測定に繋がり、これは関心ポイントが移動される位置を変更し、関心ポイントの位置決めにおけるエラーを引き起こし得る。
【発明の概要】
【０００９】
[0009]  例えば、物体の望ましくない変形を説明することを望ましい。望ましくない変形は、多数の異なる方法、例えば、リソグラフィ装置におけるチャネルを通る二相流によって引き起こされ得る。例えば、物体テーブルが基板テーブルであって物体が露光の対象の基板であった場合、基板テーブルの小さい変形は、基板を変形させ、及び/又は、基板上の特定のポイントの位置を変更させ得る。このようにして、基板テーブルＷＴの変形は、基板のパターニングにおけるオーバーレイエラー及び/又はフォーカスエラーを引き起こすか又は増加させ得る。望ましくない変形は、オーバーレイエラー、フォーカスエラー及び/又は結像エラーへと繋がり得る熱変動及び/又は変動する望ましくない負荷によっても引き起され得る。
【００１０】
[0010]  本発明のある態様によると、物体を支える物体テーブルであって、物体テーブルは少なくとも一方向に移動可能であり、動作中に変動負荷が物体及び/又は物体テーブルに作用して物体の一部の変形を引き起こす、物体テーブルと、物体の一部の変形を表す量に基づいて少なくとも一方向の物体テーブルの動作を制御する制御システムとを備える、リソグラフィ装置が提供される。
【００１１】
[0011]  ある態様によると、物体を支える物体テーブルであって、動作中に変動負荷が物体及び/又は物体テーブルに作用して物体の一部の変形を引き起こす、物体テーブルと、パターンを用いてパターニングデバイス上のパターンを物体上に投影するように構成された投影システムであって、物体上の投影ビームの配置は、物体に対して少なくとも一方向に移動可能である、投影システムと、物体の一部の変形を表す量に基づいて物体に対する投影ビームの配置を制御する制御システムとを備える、リソグラフィ装置が提供される。
【００１２】
[0012]  ある態様によると、変位測定システムの少なくとも一部を支える物体テーブルであって、物体テーブルは少なくとも一方向に移動可能である、物体テーブルと、変位センサ及びターゲットを含む変位測定システムであって、動作中に変動負荷が変位センサ及び/又はターゲットに作用して変位センサ及び/又はターゲットのぞれぞれの一部の変形を引き起こす、変位測定システムと、変位測定システムからの出力及び変位センサ及び/又はターゲットのそれぞれの一部の変形を表す量に基づいて少なくとも一方向の物体テーブルの動作を制御する制御システムとを備える、リソグラフィ装置が提供される。
【００１３】
[0013]  ある態様によると、物体を支える物体テーブルであって、物体テーブルは少なくとも一方向に移動可能であり、動作中に変動負荷が物体及び/又は物体テーブルに作用して物体の一部の変形を引き起こす、物体テーブルと、物体の一部の変形を表す量に基づいて少なくとも一方向の物体テーブルの動作を制御する制御システムとを備える、物体位置決めシステムが提供される。
【００１４】
[0014]  ある態様によると、物体を支える物体テーブルであって、動作中に変動負荷が物体及び/又は物体テーブルに作用して物体の一部の変形を引き起こす、物体テーブルと、パターンを用いてパターニングデバイス上のパターンを物体上に投影するように構成された投影システムであって、物体上の投影ビームの配置は、物体に対して少なくとも一方向に移動可能である、投影システムと、物体の一部の変形を表す量に基づいて物体に対する投影ビームの配置を制御する制御システムとを備える、物体位置決めシステムが提供される。
【００１５】
[0015]  ある態様によると、変位測定システムの少なくとも一部を支える物体テーブルであって、物体テーブルは少なくとも一方向に移動可能である、物体テーブルと、変位センサ及びターゲットを含む変位測定システムであって、動作中に変動負荷が変位センサ及び/又はターゲットに作用して変位センサ及び/又はターゲットのぞれぞれの一部の変形を引き起こす、変位測定システムと、変位測定システムからの出力及び変位センサ及び/又はターゲットのそれぞれの一部の変形を表す量に基づいて少なくとも一方向の物体テーブルの動作を制御する制御システムとを備える、物体位置決めシステムが提供される。
【図面の簡単な説明】
【００１６】
[0016]  本発明のいくつかの実施形態を、単なる例として、添付の概略図を参照して以下に説明する。これらの図面において同じ参照符号は対応する部分を示す。
【図１】[0017]  図１は、本発明のある実施形態によるリソグラフィ装置を示す。
【図２】[0018]  図２は、ある実施形態によるリソグラフィ装置で使用する液体供給システムを示す。
【図３】[0019]  図３は、ある実施形態によるさらなる液体供給システムを示す側面断面図である。
【図４】[0020]  図４は、ある実施形態の基板テーブルの一部の断面を示す。
【図５】[0021]  図５は、本発明の実施形態による物体位置決めシステムの概略図を示す。
【図６】[0022]  図６は、基板テーブルの一部分の測定負荷、モデル負荷及び残留負荷を示すグラフである。
【図７】[0023]  図７は、本発明のさらなる実施形態による物体位置決めシステムの概略図を示す。
【図８】[0024]  図８は、本発明のさらなる実施形態による物体位置決めシステムの概略図を示す。
【図９】[0025]  図９は、本発明のさらなる実施形態による図８の基板テーブル及び投影システムの一部の側面図を示す。
【図１０】[0026]  図１０は、本発明のさらなる実施形態による基板テーブル及び投影システムの一部の側面図を示す。
【発明を実施するための形態】
【００１７】
[0027]  図１は、本発明の一実施形態によるリソグラフィ装置ＬＡを概略的に示している。この装置は、投影ビームＢ（例えば紫外線又は他のあらゆる適切な放射）を調整するように構成された照明システム（イルミネータ）ＩＬと、パターニングデバイス（例えば、マスク）ＭＡを支持するように構築され、かつ特定のパラメータに従ってパターニングデバイスＭＡを正確に位置決めするように構成された第１位置決めデバイスＰＭに連結されたサポート構造（例えば、マスクサポート構造/マスクテーブル）ＭＴとを含む。この装置は、基板（例えば、レジストコートウェーハ）Ｗを保持するように構築され、かつ特定のパラメータに従って基板Ｗを正確に位置決めするように構成された第２位置決めデバイスＰＷに連結された基板テーブル（例えば、ウェーハテーブル）ＷＴ又は「基板サポート」をさらに含む。この装置は、パターニングデバイスＭＡによって投影ビームＢに付けられたパターンを基板Ｗのターゲット部分Ｃ（例えば、１つ以上のダイを含む）上に投影するように構成された投影システム（例えば、屈折投影レンズシステム）ＰＳをさらに含む。投影ビームＢは放射ビームである。
【００１８】
[0028]  照明システムＩＬとしては、放射を誘導し、整形し、又は制御するために、屈折型、反射型、磁気型、電磁型、静電型、又はその他のタイプの光コンポーネント、あるいはそれらのあらゆる組合せなどのさまざまなタイプの光コンポーネントを含むことができる。
【００１９】
[0029]  サポート構造ＭＴは、パターニングデバイスＭＡの重量を支えるなどしてパターニングデバイスＭＡを支持する。サポート構造ＭＴは、パターニングデバイスＭＡの向き、リソグラフィ装置ＬＡの設計、及び、パターニングデバイスＭＡが真空環境内で保持されているか否かなどの他の条件に応じた態様で、パターニングデバイスＭＡを保持する。サポート構造ＭＴは、機械式、真空式、静電式又はその他のクランプ技術を使って、パターニングデバイスＭＡを保持することができる。サポート構造ＭＴは、例えば、必要に応じて固定又は可動式にすることができるフレーム又はテーブルであってもよい。サポート構造ＭＴは、パターニングデバイスＭＡを、例えば、投影システムＰＳに対して所望の位置に確実に置くことができる。本明細書において使用される「レチクル」又は「マスク」という用語はすべて、より一般的な「パターニングデバイス」という用語と同義であると考えるとよい。
【００２０】
[0030]  本明細書において使用される「パターニングデバイス」という用語は、基板Ｗのターゲット部分Ｃ内にパターンを作り出すように、投影ビームＢの断面にパターンを与えるために使用できるあらゆるデバイスを指していると、広く解釈されるべきである。なお、留意すべき点として、投影ビームＢに付与されたパターンは、例えば、そのパターンが位相シフトフィーチャ又はいわゆるアシストフィーチャを含む場合、基板Ｗのターゲット部分Ｃ内の所望のパターンに正確に一致しない場合もある。通常、投影ビームＢに付けたパターンは、集積回路などのターゲット部分Ｃ内に作り出されるデバイス内の特定の機能層に対応することになる。
【００２１】
[0031]  パターニングデバイスＭＡは、透過型であっても、反射型であってもよい。パターニングデバイスの例としては、マスク、プログラマブルミラーアレイ、及びプログラマブルＬＣＤパネルが含まれる。マスクは、リソグラフィでは公知であり、バイナリ、レべンソン型(alternating)位相シフト、及びハーフトーン型(attenuated)位相シフトなどのマスク型、ならびに種々のハイブリッドマスク型を含む。プログラマブルミラーアレイの一例では、小型ミラーのマトリックス配列が用いられており、各小型ミラーは、入射する放射ビームを様々な方向に反射させるように、個別に傾斜させることができる。傾斜されたミラーは、ミラーマトリックスによって反射される放射ビームにパターンを付ける。
【００２２】
[0032]  本明細書において使用される「投影システム」という用語は、使われている露光放射にとって、あるいは液浸液の使用又は真空の使用といった他の要因にとって適切な、屈折型、反射型、反射屈折型、磁気型、電磁型、及び静電型光学系、又はそれらのあらゆる組合せを含むあらゆる型の投影システムを包含していると広く解釈されるべきである。本明細書において使用される「投影レンズ」という用語はすべて、より一般的な「投影システム」という用語と同義であると考えるとよい。
【００２３】
[0033]  本明細書に示されているとおり、リソグラフィ装置ＬＡは、透過型のもの（例えば、透過型マスクを採用しているもの）である。また、リソグラフィ装置ＬＡは、反射型のもの（例えば、上述のプログラマブルミラーアレイを採用しているもの、又は反射型マスクを採用しているもの）であってもよい。
【００２４】
[0034]  リソグラフィ装置ＬＡは、２つ（デュアルステージ）以上の基板テーブルＷＴ（及び／又は２つ以上のサポート構造ＭＴ）を有する型のものであってもよい。そのような「マルチステージ」機械においては、追加のテーブルは並行して使うことができ、又は準備工程を１つ以上のテーブル又はサポート上で実行しつつ、別の１つ以上のテーブルを露光用に使うこともできる。リソグラフィ装置ＬＡは、投影システムＰＳの特性を測定するセンサなどの測定機器を保持するように配置された測定テーブル（図示せず）を含んでよい。ある実施形態では、測定テーブルは、基板Ｗを保持するように構成されていない。図１の例にある２つの基板テーブルＷＴａ及びＷＴｂは、デュアルステージリソグラフィ装置ＬＡの図である。
【００２５】
[0035]  リソグラフィ装置ＬＡは、投影システムＰＳと基板Ｗとの間の空間を満たすように、比較的高屈折率を有する液体（例えば水）によって基板Ｗの少なくとも一部を覆うことができるタイプのものであってもよい。また、リソグラフィ装置ＬＡ内の別の空間（例えば、パターニングデバイスＭＡと投影システムＰＳとの間）に液浸液を加えてもよい。液浸技術を用いて投影システムＰＳの開口数を増加させることができる。本明細書において使用される「液浸」という用語は、基板Ｗのような構造物を液体内に沈めなければならないという意味ではなく、単に、露光中、投影システムＰＳと基板Ｗとの間に液体があるということを意味するものである。
【００２６】
[0036]  図１を参照すると、イルミネータＩＬは、放射源ＳＯから投影ビームＢを受ける。例えば、放射源ＳＯがエキシマレーザである場合、放射源ＳＯとリソグラフィ装置ＬＡは、別個の構成要素であってもよい。そのような場合には、放射源ＳＯは、リソグラフィ装置ＬＡの一部を形成しているとはみなされず、また投影ビームＢは、放射源ＳＯからイルミネータＩＬへ、例えば、適切な誘導ミラー及び／又はビームエキスパンダを含むビームデリバリシステムＢＤを使って送られる。その他の場合においては、例えば、放射源ＳＯが水銀ランプである場合、放射源は、リソグラフィ装置ＬＡの一体部分とすることもできる。放射源ＳＯ及びイルミネータＩＬは、必要ならばビームデリバリシステムＢＤとともに、放射システムと呼んでもよい。
【００２７】
[0037]  イルミネータＩＬは、投影ビームＢの角強度分布を調節するように構成されたアジャスタＡＤを含むことができる。一般に、イルミネータＩＬの瞳面内の強度分布の少なくとも外側及び／又は内側半径範囲（通常、それぞれσ-outer及びσ-innerと呼ばれる）を調節することができる。さらに、イルミネータＩＬは、インテグレータＩＮ及びコンデンサＣＯといったさまざまな他のコンポーネントを含むことができる。イルミネータＩＬを使って投影ビームＢを調整すれば、投影ビームＢの断面に所望の均一性及び強度分布をもたせることができる。放射源ＳＯと同様に、イルミネータＩＬは、リソグラフィ装置ＬＡの一部を形成しているとみなしてよく又はみなさなくてもよい。例えば、イルミネータＩＬは、リソグラフィ装置ＬＡの一体部分であってよく、又はリソグラフィ装置ＬＡとは別個の構成要素であってもよい。後者の場合、リソグラフィ装置ＬＡは、イルミネータＩＬがその上に取り付けられるように構成されてよい。任意選択として、イルミネータＩＬは、取り外し可能であり、かつ（例えば、リソグラフィ装置ＬＡ製造業者又は別の供給業者によって）別個に設けられてもよい。
【００２８】
[0038]  投影ビームＢは、サポート構造ＭＴ上に保持されているパターニングデバイスＭＡ上に入射して、パターニングデバイスＭＡによってパターン形成される。パターニングデバイスＭＡを通り抜けた後、投影ビームＢは投影システムＰＳを通過し、投影システムＰＳは、基板Ｗのターゲット部分Ｃ上にビームの焦点をあわせる。第２位置決めデバイスＰＷは、２つのポジショナＰＷａ及びＰＷｂを含んでよい。第２位置決めデバイスＰＷ及び位置センサＩＦ（例えば、干渉計デバイス、リニアエンコーダ、又は静電容量センサ）を使って、例えば、さまざまなターゲット部分Ｃを投影ビームＢの経路内に位置決めするように、基板テーブルＷＴａ/ＷＴｂを正確に動かすことができる。例えば、ポジショナＰＷａは、基板テーブルＷＴａを位置決めしやすくするために使用され、ポジショナＰＷｂは、基板テーブルＷＴｂを位置決めしやすくするために使用されるか、又はその逆の場合もある。同様に、第１位置決めデバイスＰＭ及び別の位置センサ（図１には明示的に示されていない）を使い、例えば、マスクライブラリから機械的に取り出した後又はスキャン中に、パターニングデバイスＭＡを投影ビームＢの経路に対して正確に位置決めすることもできる。
【００２９】
[0039]  通常、パターニングデバイスＭＡの移動は、第１位置決めデバイスＰＭの一部を形成するロングストロークモジュール（粗動位置決め）及びショートストロークモジュール（微動位置決め）を使って達成することができる。ロングストロークモジュールは、ショートストロークモジュールを、限られた精度で長い範囲移動させるように配置される。ショートストロークモジュールは、パターニングデバイスＭＡを、高い精度でロングストロークモジュールに対して短い範囲移動させるように配置される。同様に、基板テーブルＷＴａ/ＷＴｂの移動も、第２位置決めデバイスＰＷの一部を形成するロングストロークモジュール及びショートストロークモジュールを使って達成することができる。ステッパの場合は（スキャナとは対照的に）、サポート構造ＭＴは、ショートストロークアクチュエータのみに連結されてもよく、又は固定されてもよい。
【００３０】
[0040]  パターニングデバイスＭＡ及び基板Ｗは、マスクアライメントマークＭ１及びＭ２と、基板アライメントマークＰ１及びＰ２とを使って、位置合わせされてもよい。例示では基板アライメントマークＰ１及びＰ２が専用ターゲット部分Ｃを占めているが、基板アライメントマークＰ１及びＰ２をターゲット部分Ｃとターゲット部分Ｃとの間の空間内に置くこともできる。ターゲット部分Ｃとターゲット部分Ｃとの間の空間に配置されたマークは、スクライブラインアライメントマークとして公知である。同様に、複数のダイがパターニングデバイスＭＡ上に設けられている場合、マスクアライメントマークＭ１及びＭ２は、ダイとダイの間に置かれてもよい。
【００３１】
[0041]  例示のリソグラフィ装置ＬＡは、リソグラフィ装置ＬＡを様々なモードで使用して基板Ｗを露光させるために使用できる。例えば、露光をスキャンモードで形成することができる。サポート構造ＭＴに対する基板テーブルＷＴａ又ＷＴｂの速度及び方向は、投影システムＰＳの（縮小）拡大率及び像反転特性によって決めることができる。スキャンモードにおいては、露光フィールドの最大サイズによって、単一動的露光時のターゲット部分Ｃの幅（非スキャン方向）が限定される一方、スキャン動作の長さによって、ターゲット部分Ｃの高さ（スキャン方向）が決まる。
【００３２】
[0042]  図１のリソグラフィ装置ＬＡは、２つの基板テーブルＷＴａ及びＷＴｂ並びに露光ステーション及び測定ステーションの２つのステーションを有するいわゆるデュアルステージ型である。この２つのステーションの間で基板テーブルＷＴを交換することができる。一方の基板テーブル（例えば，ＷＴａ）上の１つの基板を露光ステーションで露光している間、別の基板Ｗを測定ステーションにおけるもう一方の基板テーブルＷＴ（例えば、ＷＴｂ）上にロードすることができることによって様々な準備工程を実行することができる。準備工程は、レベルセンサＬＳを用いて基板Ｗの表面をマッピングすることと、アライメントセンサＡＳを用いて基板Ｗ上の基板アライメントマークＰ１及びＰ２の位置を測定することとを含むことができる。これによってリソグラフィ装置ＬＡのスループットの大幅な増加を可能にする。基板テーブルＷＴが測定ステーション及び露光ステーションにあるときにその位置を位置センサＩＦによって測定することができない場合、基板テーブルＷＴの位置を両方のステーションで追跡できるように第２位置センサ（図示せず）を設けてもよい。２つの基板テーブルＷＴａ及びＷＴｂの代わりに、リソグラフィ装置ＬＡは、１つの基板テーブルＷＴと、投影システムＰＳの特性を測定するセンサなどの測定機器を保持するように配置された測定テーブルとを含んでもよい。
【００３３】
[0043]  リソグラフィ装置ＬＡは、記載する様々なアクチュエータ及びセンサの動き及び測定を制御するリソグラフィ装置制御ユニットＬＡＣＵをさらに含む。リソグラフィ装置制御ユニットＬＡＣＵは、リソグラフィ装置ＬＡの動作に関する所望の計算を実施するために信号処理及びデータ処理能力も含む。実際には、リソグラフィ装置制御ユニットＬＡＣＵは多数のサブユニットのシステムとして実現される。各サブユニットは、リソグラフィ装置ＬＡ内のサブシステム又はコンポーネントのリアルタイムデータ取得、処理及び制御を扱う。例えば、１つの処理サブシステムは、第２位置決めデバイスＰＷのサーボ制御専用のものであってもよい。個々のユニットは、異なるアクチュエータ又は異なる軸を扱うこともできる。別のサブユニットは位置センサＩＦの読み出し専用であることもできる。リソグラフィ装置ＬＡの全体的な制御を中央処理装置によって制御することができる。中央処理装置は、サブユニット、オペレータ及びリソグラフィ製造プロセスに関わる他の装置と通信することができる。
【００３４】
[0044]  投影システムＰＳの最終要素と基板Ｗとの間に液体を提供するための構成は、３つの一般的なカテゴリに分類することができる。これらは浴式構成、いわゆる局所液浸システム及びオールウェット(all wet)液浸システムである。浴式構成では、基板Ｗの実質的に全体及び任意選択として基板テーブルＷＴの一部が液体浴に沈められる。
【００３５】
[0045]  提案されている構成は、投影システムＰＳの最終要素と基板Ｗ、基板テーブルＷＴ又は両方との間の空間の境界の少なくとも一部に沿って延びる液体閉じ込め構造を有する液体供給システムを提供することである。そのような構成を図２に示している。以下に説明する図２示す構成は、図１に示す上記のリソグラフィ装置ＬＡに適用できる。
【００３６】
[0046]  図２は、投影システムＰＳの最終要素と基板テーブルＷＴ又は基板Ｗとの間の空間の境界の少なくとも一部に沿って延びる液体閉じ込め構造ＩＨを有する局所液体供給システム又は流体取扱システムを概略的に示している。（特に明記しない限り、基板Ｗの表面に関する以下の記載は、追加的又は選択的に基板テーブルＷＴの表面も意味する。）ある実施形態では、シールが液体閉じ込め構造ＩＨと基板Ｗの表面との間に形成され、そのシールはガスシール（そのようなガスシールを用いるシステムは欧州特許出願公開公報第ＥＰ−Ａ−１，４２０，２９８号に開示されている）又は液体シールなどの非接触シールであってよい。
【００３７】
[0047]  液体閉じ込め構造ＩＨは、投影システムＰＳの最終要素と基板Ｗとの間の空間１１に液体を少なくとも部分的に封じ込める。空間１１は、投影システムＰＳの最終要素の下及びその周りに位置決めされた液体閉じ込め構造ＩＨによって少なくとも部分的に形成される。液体は、液体入口１２によって投影システムＰＳの下の及び液体閉じ込め構造ＩＨ内の空間へと運ばれる。液体出口１３によって液体を除去することができる。液体入口１２及び液体出口１３は交換可能であり、液体入口１２及び液体出口１３の両方は、同時に液体入口１２又は液体出口１３として使用することができる。
【００３８】
[0048]  液体は、使用中、液体閉じ込め構造ＩＨの底面と基板Ｗの表面との間に形成されるガスシール１６によって空間１１に封じ込められてよい。ガスシール１６内のガスは、加圧下でガス入口１５を介して液体閉じ込め構造ＩＨと基板Ｗとの間のギャップに提供される。ガスはガス出口１４に連結されたチャネルを介して抽出される。ガス入口１５への過剰圧力、出口１４の真空レベル、及びギャップの幾何学的形状は、液体を閉じ込める内側への高速のガス流によってガスシール１６が形成されるように構成される。高速ガス流は、閉じ込め構造ＩＨと基板Ｗとの間の液体に力を加える。高速ガス流の力は、液体を空間１１に封じ込める。このようなシステムは、本明細書中にその全容が組み込まれる米国特許出願公開第２００４−０２０７８２４号に開示されている。ある実施形態では、液体閉じ込め構造ＩＨはガスシール１６を有さない。
【００３９】
[0049]  局所液体供給システムでは、基板Ｗは、投影システムＰＳ及び液体閉じ込め構造ＩＨの下で移動される。基板Ｗ（又は他の物体）の縁部は、一定時間に空間１１の下を通る。これは、例えば、基板Ｗの縁部が結像される場合、基板テーブルＷＴ（又は測定テーブル）上のセンサが結像される場合、又は基板テーブルＷＴを移動させることによってダミー基板又はいわゆるクロージングプレートを液体供給システムの下に位置決めして、例えば、基板スワップを可能にする場合に行われる。物体の縁部が空間１１の下を通ったとき、液体が物体の縁部におけるギャップに漏れることがある。例えば、図４は、基板Ｗと基板テーブルＷＴとの間のギャップ５を示している。この液体は、静水圧若しくは動水圧又はガスナイフ若しくは他のガス流生成デバイスの力の下で押し込まれ得る。
【００４０】
[0050]  図３は、ある実施形態によるさらなる液体供給システム又は流体取扱システムを示す側面断面図である。以下に説明する図３に示す構成は、図１に示す上記のリソグラフィ装置ＬＡに適用できる。液体供給システムには、投影システムＰＳの最終要素と基板テーブルＷＴ又は基板Ｗとの間の空間の境界の少なくとも一部に沿って延びる液体閉じ込め構造ＩＨが設けられる。（特に明記しない限り、基板Ｗの表面に関する以下の記載は、追加的又は選択的に基板テーブルＷＴの表面も意味する。）
【００４１】
[0051]  液体閉じ込め構造ＩＨは、投影システムＰＳの最終要素と基板Ｗ及び/又は基板テーブルＷＴとの間の空間１１に液体を少なくとも部分的に封じ込める。空間１１は、投影システムＰＳの最終要素の下及びその周りに位置決めされた液体閉じ込め構造ＩＨによって少なくとも部分的に形成される。ある実施形態では、液体閉じ込め構造ＩＨは、本体部材５３及び多孔質部材８３を含む。多孔質部材８３は、板状であって複数の孔（すなわち、開口又は細孔）を有する。ある実施形態では、多孔質部材８３はメッシュ板であり、メッシュ内には多数の小さい孔８４が形成されている。そのようなシステムは、米国特許出願公開第２０１０/００４５９４９Ａ１号に開示されている。
【００４２】
[0052]  本体部材５３は、液体を空間１１に供給することができる供給ポート７２及び液体を空間１１から回収することができる回収ポート７３を含む。供給ポート７２は、通路７４を介して液体供給装置７５に接続される。液体供給装置７５は、液体を供給ポート７２に供給することができる。液体供給装置７５から供給された液体は、該当する通路７４を通って各供給ポート７２に供給される。供給ポート７２は、光路に面した本体部材５３の所定の位置で光路の近くに配置される。回収ポート７３は、液体を空間１１から回収することができる。回収ポート７３は、通路７９を介して液体回収装置８０に接続される。液体回収装置８０は、真空システムを含み、かつ回収ポート７３を介して液体を吸引することによって液体を回収することができる。液体回収装置８０は、回収ポート７３を介し通路７９を通って回収された液体を回収する。多孔質部材８３は、回収ポート７３に配置される。
【００４３】
[0053]  ある実施形態では、一方側では投影システムＰＳと液体閉じ込め構造ＩＨとの間に、かつ他方側では基板Ｗとの間に液体を有する空間１１を形成するために、液体は供給ポート７２から空間１１に供給され、かつ液体閉じ込め構造ＩＨ内の回収チャンバ８１内の圧力が負圧に調整されることによって多孔質部材８３の孔８４（すなわち、回収ポート７３）を介して液体を回収する。供給ポート７２を用いて液体供給動作を行い、かつ多孔質部材８３を用いて液体回収動作を行うことは、投影システムＰＳと液体閉じ込め構造ＩＨと基板Ｗとの間に空間１１を形成する。
【００４４】
[0054]  液体供給システムの下にある基板Ｗは、液体閉じ込め構造ＩＨの下に移動されてよい。この液体供給システムは、上記したように、例えば、局所液体供給システムであってよい。基板Ｗを支持する基板テーブルＷＴａ/ＷＴｂは、基板Ｗを位置決めするために移動可能であってよい。サポート構造ＭＴ及び基板テーブルＷＴａ/ＷＴｂは、基準、例えば、投影システムＰＳに対して正確に位置決めされる必要があり得るリソグラフィ装置ＬＡ内の物体テーブルの例である。
【００４５】
[0055]  物体を支える物体テーブルをリソグラフィ装置ＬＡ内の基準に対して位置決めするために、リソグラフィ装置ＬＡは、本発明による少なくとも１つの物体位置決めシステムを備える。このことについては以下に詳細に述べる。
【００４６】
[0056]  以下では基板テーブルＷＴと基板Ｗの縁部との間に形成されるチャネルに関する本発明の１つ以上の実施形態について説明するが、１つ以上の実施形態は、サポート構造（例えば、マスクテーブル）ＭＴを含むがこれに限定されない他の構成部品内に形成される二相流が通過するためのチャネルにも同様に適用できる。したがって、基板テーブルＷＴ対する以下のあらゆる言及は、部品内で二相流が通過するためのチャネルが形成されかつ物体テーブル上で使用される他のあらゆる構成部品と同義であるとみなされるべきである。同様に、基板Ｗは、基板テーブルＷＴと組み合わせて以下に説明される。基板Ｗは、物体テーブルによって支えられているリソグラフィ装置ＬＡ内の他のあらゆる構成部品と同義であるとみなされるべきである。
【００４７】
[0057]  図４は、本発明のある実施形態によるリソグラフィ装置ＬＡの一部を示している。以下に説明する図４に示す構成は、以下に説明する図１に示すリソグラフィ装置ＬＡに適用できる。図４は、基板ＷＴ及び基板Ｗの断面である。基板Ｗの縁部と基板テーブルＷＴの縁部との間にギャップ５が存在する。基板Ｗの縁部が結像される場合又は基板Ｗが投影システムＰＳの下に最初に移動した場合などの別のとき（上記したように）、液体供給システム（例えば、液体閉じ込め構造ＩＨ）によって液体で満たされた空間１１は、基板Ｗの縁部と基板テーブルＷＴの縁部との間のギャップ５の上を少なくとも部分的に通過する。これは空間１１からの液体がギャップ５内に入るという結果となり得る。
【００４８】
[0058]  基板Ｗは、基板テーブルＷＴ上に１つ以上の突出部３２（すなわち、バール）含む基板ホルダ３０（例えば、ピンプル又はバールテーブル）によって保持される。基板ホルダ３０は、物体ホルダの一例である。物体ホルダの別の例としてはマスクホルダが挙げられる。物体ホルダは物体テーブルの任意の部分である。物体テーブルは物体を支えるためのものである。基板Ｗと基板テーブルＷＴとの間に加えられる負圧は、基板が適切な位置にしっかりと保持されることを確実にする。しかしながら、液体が基板Ｗと基板テーブルＷＴとの間に入ると、これは、特に基板Ｗをアンロードするときの問題点へと繋がり得る。
【００４９】
[0059]  液体がギャップ５内に入ることに対処するために、少なくとも１つのドレイン１０，２０を基板Ｗの縁部に設けてギャップ５に入る液体を取り除く。図４の実施形態では、２つのドレイン１０及び２０が示されているが、ドレインは１つだけであっても２つ以上のドレインがあってもよい。ある実施形態では、第１ドレイン１０及び第２ドレイン２０のそれぞれは、基板Ｗの全周囲が囲われるように環状である。
【００５０】
[0060]
（基板Ｗ/基板ホルダ３０の縁部より半径方向外側の）第１ドレイン１０の主な機能は、液体閉じ込め構造ＩＨによって囲われた液体が存在する空間１１にガス気泡が入ることを防止するのに役立つ。このような気泡は、基板Ｗの結像に有害な影響をもたらし得る。第１ドレイン１０は、ギャップ５内のガスが液体閉じ込め構造ＩＨ内の空間１１内へと漏れることを回避するのに役立つために存在する。ガスが空間１１内へと漏れた場合、これは空間１１内に浮く気泡へと繋がり得る。投影ビームの経路内に気泡があった場合、これは結像エラーへと繋がり得る。第１ドレイン１０は、基板Ｗの縁部と基板Ｗが配置された基板テーブルＷＴ内の凹部の縁部との間のギャップ５からガスを取り除くように構成される。基板テーブルＷＴ内の凹部の縁部は、基板テーブルＷＴの支持体から任意に離れたカバーリング１３０によって定めることができる。カバーリング１３０は、平面図にて、リングとして形作られ、基板Ｗの外縁部を囲ってもよい。第１ドレイン１０は、大部分はガス（例えば、１分毎に２０〜１００ノルマルリットル（Ｎｌ/ｍｉｎ））及び僅か少量の液浸液（例えば、約１０〜２０ｍｌ/ｍｉｎ）を抽出する。そのような二相流では、液浸液の一部が蒸発し、したがって、基板Ｗの縁部を囲う基板テーブルＷＴを冷却する。すなわち、二相流の蒸発は、チャネルを囲う基板テーブルＷＴに熱負荷を加えさせる。これは基板テーブルＷＴ及び/又は基板Ｗの変形をもたらし、最終的にはオーバーレイ性能の低下へと繋がり得る。熱負荷は、物体及び/又は物体テーブルに作用し得る変動負荷の一例である。
【００５１】
[0061]  （基板Ｗ/基板ホルダ３０の縁部より半径方向内側の）第２ドレイン２０は、ギャップ５から基板Ｗの下へと進む液体が、結像後の基板Ｗの基板テーブルＷＴからの効率的な解放を妨げることを防止するのに役立たせるために設けられる。第２ドレイン２０を設けることは、基板Ｗの下へと進む液体によって生じ得るあらゆる問題を減少又は除去する。
【００５２】
[0062]  第１ドレイン１０及び第２ドレイン２０の両方は、負圧を用いて液体を取り除く。すなわち、両方のドレインは、１つ以上の出口（図示せず）を介して負圧源に接続される。負圧源は、第１ドレイン１０及び/又は第２ドレイン１０に入る液体を効果的に取り除く。しかしながら、負圧源は、基板テーブルＷＴの上のギャップ５の外から第１ドレイン１０及び/又は第２ドレイン２０を通ってガスを引き込みかつ出口からガスを引き出すためにも効果的である。この液体及びガスの流れは、液浸装置の使用中、第１ドレイン１０又は第２ドレイン２０のいずれかの外周では一定又は均一ではない。液体がギャップ５に入る可能性がある場合には、出口のみを負圧源に接続するために１つ以上の処置がとられることがあるが、第１ドレイン１０及び第２ドレイン２０のそれぞれを通過するガス及び/又は液体の量が変化するため、変わりやすい熱負荷（例えば、時間及び/又は空間が一定しない）が基板テーブルＷＴに加えられるリスクが依然と残る。
【００５３】
[0063]  時間及び/又は空間が一定しないガス及び液体のあらゆる流れは、第１ドレイン１０及び第２ドレイン２０のそれぞれにおいて異なる液体蒸発率という結果となり、それによって、１ロットの基板の露光中に第１ドレイン１０及び第２ドレイン２０のそれぞれによって生成される熱損失のばらつきへと繋がる。なぜなら、基板テーブルＷＴは、単に基板Ｗの露光のために必要な経路によって一定時間中に基板Ｗの縁部が空間１１の下にあるように位置決めされるだけであるからである。１ロットの基板のうちの最初の基板Ｗに対しては、後の基板とは蒸発負荷が異なる（なぜなら、最初の基板Ｗに対しては、変わりやすい蒸発負荷が設定される間に投影システムＰＳの下で移動する前の基板Ｗがないからである）。さらに、新しいロットの開始におけるトラックからの基板Ｗの送出の時間遅延は、第１ドレイン１０及び/又は第２ドレインの乾燥による蒸発負荷変化（よって、少ない蒸発）という結果となる。露光に必要な時間及び経路の一貫性の欠如は、基板テーブルＷＴの温度が均一になるように制御する難しさを増大させる。
【００５４】
[0064]  ドレイン１０の構成については、その詳細を以下に説明するが、本明細中の原理が液体供給システム又は流体取扱システム内のあらゆる型のチャネルに適用されると理解されるべきである。このチャネルには、リソグラフィ装置ＬＡの使用により、その中を通る液体及び/ガスの変動する流れが提供され、それによって、熱負荷という結果となり、特に変動する蒸発量となることによって変動する熱負荷という結果となる。
【００５５】
[0065]  ある実施形態では、基板テーブルＷＴの温度をある（例えば、所定の）温度範囲に維持させるのに役立たせるために、少なくとも１つの熱調整チャネル１２０が、熱調整液体の通過のために基板テーブルＷＴに設けられる。しかしながら、必ずしもこれに限らない。ある実施形態では、基板テーブルＷＴの温度をある（例えば、所定の）温度範囲に維持させるのに役立たせるためにヒータが設けられる。ある実施形態では、ヒータは、例えば、電気ヒータ又はペルチェヒータである。ある実施形態では、熱調整チャネル１２０及びヒータが設けられる。所定の温度範囲は、目標温度の数ｍＫ内であってよい。
【００５６】
[0066]  第１ドレイン１０には、開口４２及びチャネル４６が設けられる。チャネル４６は、通路４４を通って開口４２と流体連結されている。第２ドレイン２０には、開口２２及びチャネル２６が設けられる。チャネル２６は、通路２４を通って開口２２と流体連結されている。第１ドレイン１０の開口４２は、基板Ｗの縁部の周囲の１つ以上の別個の配置に設けられてよく、かつ、平面図において、スリット若しくは円形開口又は他のあらゆる形であってもよい。第２ドレイン２０の開口２２は、基板Ｗの縁部の周囲の１つ以上の別個の配置に設けられてよく、かつ、平面図において、スリット若しくは円形開口又は他のあらゆる形であってもよい。第１ドレイン１０の開口４２及び/又は第２ドレイン２０の開口２２は、単に、基板Ｗの周囲にある、例えば直径２ｍｍの小さい開口であってもよい。
【００５７】
[0067]  以下に説明する本発明の実施形態は、第１ドレイン１０に適用されているが、本発明の実施形態は、第２ドレイン２０又は第１ドレイン１０と第２ドレイン２０との両方にも同様に適用できる。
【００５８】
[0068]  例えば、第１ドレイン１０内の液体の蒸発の９０％以上が、通路４４ではなくチャネル４６で行われるが、９０％の数字は推定である。リソグラフィ装置ＬＡの構成及び使用によって、数字は、例えば５０％により近くてもよい。第１ドレイン１０内の液体がチャネル４６内では蒸発しないようにすることも可能である。チャネル４６内の大きな熱負荷は、基板テーブルＷＴの周囲材料内に入り、これは材料の収縮へと繋がり、基板テーブルＷＴの一部を変形させる（さらに基板Ｗの変形という結果となり得る）。
【００５９】
[0069]  上記したように、あらゆる温度変化は、基板Ｗ及び/又は基板テーブルＷＴ内の変形をもたらし得る。温度変化は、基板テーブルＷＴ及び/又は基板Ｗに直接影響を与え得る。温度が基板テーブルＷＴのみに影響を与える場合であっても、基板テーブルＷＴは基板Ｗを支えているので、基板テーブルＷＴの変形は（ほとんどの場合において）基板Ｗも変形させる。ある実施形態では、関心のある位置は、基板Ｗ上であり、測定ポイントは基板テーブルＷＴ上にある。したがって、基板テーブルＷＴ及び/又は基板Ｗのあらゆる変形は、測定ポイントに対する関心ポイントの位置を変更する。したがって、これは、測定ポイントに対する関心ポイントの位置を変更する。測定ポイントだけを基準として基板テーブルＷＴの位置を制御することは、関心ポイントをもはや正確に位置決めしない。したがって、そのような変形はオーバーレイエラーをもたらし得る。
【００６０】
[0070]  本発明の目的は、変形を引き起こす物体及び物体テーブルの縁部におけるギャップから液体を取り除くためにチャネルを用いるにもかかわらず、関心ポイントを正確に位置決めする物体位置決めシステムを提供することである。本発明は、これを、チャネル内の二相流の特性及び/又は物体を支える物体テーブルの特性を測定、決定又は推定することによって、及び物体テーブルの位置の制御をこの特性に基づかせることによって行う。
【００６１】
[0071]  本発明では、リソグラフィ装置ＬＡは、二相流が通過するチャネル４６を含む。チャネル４６は、物体テーブル内に形成される。以下に説明する図４に示す構成では、物体テーブルは基板テーブルＷＴである。物体テーブルが基板テーブルＷＴである必要はない。物体テーブルは、二相流が通過するためのチャネルを含む物体を支える任意の構成部品であってよい。例えば、ある実施形態では、物体テーブルは、サポート構造ＭＴであってもよい。
【００６２】
[0072]  本発明では、物体テーブル（例えば、基板テーブルＷＴ）は、物体を支える。以下に説明する図４に示す構成では、物体は基板Ｗである。物体が基板Ｗである必要はない。物体は、物体テーブルによって支えられる任意の構成部品であってもよい。例えば、ある実施形態では、物体は、パターニングデバイスＭＡであってもよい。
【００６３】
[0073]  上記したように、チャネルは、物体テーブル及び/又は物体、例えば、基板テーブルＷＴ及び基板Ｗのそれぞれの変形を引き起こす。
【００６４】
[0074]  以下の説明では、本発明は、基板テーブルＷＴ上の基板Ｗの半径方向外側に位置決めされたチャネル４６について主に説明するが、チャネル４６が基板Ｗの半径方向外側にある必要はない。例えば、本発明は、基板Ｗの下に位置決めされる図４に示すチャネル２６にも同様に適用できる。
【００６５】
[0075]  図４に示すように、センサ５０は、基板テーブルＷＴ内でチャネル４６の半径方向外側に配置されるが、センサ５０がチャネル４６の半径方向外側にある必要はない。本発明は、例えば、センサ５０がチャネル４６の下に配置された場合、チャネル４６の上に配置された場合及び/又はチャネル４６の半径方向内側に配置された場合にも簡単に適用できる。センサ５０は、基板テーブルＷＴの特性を測定するために本実施形態で使用される。この測定はその後基板テーブルＷＴの動作を制御するために制御システム６２によって使用されてよい。
【００６６】
[0076]  本発明の実施形態の概略図を図５に示している。この実施形態では、物体（すなわち、基板Ｗ）及び物体テーブル（すなわち、基板テーブルＷＴ）は、基準ＲＦ、例えば、投影システムＰＳに対して位置決めされる。基板テーブルＷＴは、二相流が通過するためのチャネル２６及び４６を有する。さらに、制御システム６２が、基板テーブルＷＴの動作を少なくとも一方向に制御するために設けられる。以下に説明するように、制御システム６２は、チャネル２６及び４６を通る二相流による基板Ｗの一部の変形を表す量に基づいて基板テーブルＷＴの動作を制御することができる。変形を表す量は、変形の推定であってよい。
【００６７】
[0077]  さらに、測定システム５５が、変形の推定を決定するために使用する特性を測定するために設けられてよい。測定システム５５は、基板テーブルＷＴの少なくとも１つの特性及び/又はチャネル２６及び４６を通る二相流の少なくとも１つの特性を測定してよい。測定システム５５は、測定特性に基づいて出力５６を提供することができる。測定システム５５の出力５６は、予測器６０に送信されてよい。測定システム５５から受信された出力５６は、制御システム６２に送信される信号６４を提供するために予測器６０によって使用されてよい。信号６４は、基板テーブルＷＴにおけるチャネル２６及び４６を通る二相流による基板Ｗの一部の変形の推定を示してよい。
【００６８】
[0078]  測定システム５５は、１つ以上のセンサ、例えば、図１の位置センサＩＦ及び/又は図４に示すセンサ５０を含んでよい。例えば、測定システム５５は、基板テーブルＷＴの位置を、１つ以上の自由度、例えば、基準ＲＦに対する方向Ｘ及び/又はＹの並進運動及び/又は回転方向Ｒｚで測定することができる。
【００６９】
[0079]  さらに、アクチュエータシステムＡＳは、好ましくは力Ｆを基板テーブルＷＴに加えることによって基板テーブルＷＴを位置決めするための１つ以上のアクチュエータを有してよい。図５から分かるように、制御システム６２は、アクチュエータシステムＡＳを駆動するように構成されてよい。制御システム６２は、予測器６０から受信した信号６４及び基板テーブルＷＴの所望の位置を表すセットポイント信号６３に基づいて、アクチュエータシステムＡＳを制御して基板テーブルＷＴを位置決めするように構成されてよい。
【００７０】
[0080]  アクチュエータシステムＡＳは、基板テーブルＷＴと基準ＲＦとの間に力Ｆ（図５に示す）を加える。基準ＲＦは、基準ＲＦに対する基板テーブルＷＴの位置を決定するために測定システム５５によって使用されてよいが、力Ｆが必ずしも基準ＲＦに加えられる必要はない。加える力の結果として生じる外乱を最小にするために別の力フレーム（図示せず）を設けてもよい。別の力フレームは、力Ｆを基板テーブルＷＴに加えるために使用されるリソグラフィ装置ＬＡ内のあらゆる構成部品であってよい。別の力フレームは、基準ＲＦを妨害することなく力Ｆが基板テーブルＷＴに適用されるように基準ＲＦから切り離されてよい。
【００７１】
[0081]  制御システム６２は、アクチュエータ制御システムを用いて少なくとも一方向で基板テーブルＷＴの位置を制御することができる。例えば、少なくとも一方向は、並進方向Ｘ及び/又はＹ及び/又は回転方向Ｒｚのいずれかであってよい。少なくとも一方向は、基板テーブルＷＴの動作中のメインの移動方向に対応してよい。例えば、動作中の動作は、スキャン、ステップ又は測定中に基板テーブルＷＴを移動させることを含んでよい。
【００７２】
[0082]  図５では、基準ＲＦに対する基板テーブルＷＴの位置を測定する測定システム５５を示している。この図は直接測定を行うことを示唆し得るが、測定システム５５は、別の構造、例えば、投影システムＰＳ又はポジショナＰＷａ又はＰＷｂのいずれかに対する基板テーブルＷＴの位置を測定するように構成される。測定システム５５によって測定することができる自由度の例としては、Ｘ方向、Ｘ方向に垂直なＹ方向、Ｘ方向及びＹ方向の両方に垂直な軸を周る回転方向Ｒｚ（一般にＺ軸と呼ぶ）が挙げられる。測定システム５５は、位置測定システムであってよく、あらゆる型の位置センサ、例えば、干渉計デバイス、エンコーダグリッドプレート、加速度計、容量センサ等を含んでよい。位置センサは、物体テーブルの位置を測定、例えば、物体の動作を測定するように構成されてよい。
【００７３】
[0083]  図５では、測定システム５５は、基板テーブルＷＴの特性又は基板テーブルＷＴにおけるチャネル４６内の二相流を測定することができる。図４に示すように、測定システム５５は、出力５６を提供するためにセンサ５０を含んでもよい。
【００７４】
[0084]  測定システム５５からの出力５６は、得られた測定値を示す信号であって、この信号は予測器６０に送信される。予測器６０は、（１つ以上の）測定特性に基づいて測定箇所における特定の方向の基板Ｗの推定変形を表すように出力５６を変換する。推定変形は、その時点における基板Ｗの推定空間変化である。推定変形は、基板Ｗ及び/又は基板テーブルＷＴの推定変形を含むことができる。図５では、推定変形を表す信号６４が、予測器６０によって制御システム６２に提供される。推定変形は、システムの動的モデルを用いて予測器６０によって決定することができる。モデルは、有限要素モデルであってよい。モデルは、基板Ｗ、基板テーブルＷＴ及び基板テーブルＷＴ内に形成されるあらゆるチャネル及び/又はドレインの形状を含んでよい。ある実施形態では、予測器６０は、測定システム５５によって得られた測定値を用いて動的モードを適合させて、例えば、リアルタイムモデルを生成することができる。予測器６０は、上記のあらゆる実施形態でフィードバックループを用いることができ、任意選択として、フィードバックループの応答の速度を速めるためにフィルタが使用される。ある実施形態では、予測器６０は、何らかの較正処理を用いて、動的モデルの有無にかかわらず、推定変形と（１つ以上の）測定特性との間の関係を決定することができる。
【００７５】
[0085]  図５に示すＸ方向及びＹ方向の関心ポイントの位置は、推定変形に影響を与え得る。チャネル内の蒸発による変形は、チャネルが基板Ｗの縁部、そして基板Ｗと基板テーブルＷＴとの間のギャップ５の下に配置された場合に、基板Ｗの縁部においてより大きくなる傾向がある。逆に、二相流を収容するチャネルによる変形は、特定の箇所、例えば、基板Ｗの中心で小さく又は無視できるほどであり得る。したがって、推定変形は、関心ポイントのＸ方向及びＹ方向の位置に基づいて、かつ異なる位置で引き起こされる変形のばらつきに基づいて計算することができる。
【００７６】
[0086]  推定変形は、測定システム５５からの出力５６に基づいて予測器６０によって計算される。この実施形態では、予測器６０は、特性の変化によって引き起こされる推定変形と測定特性との間の所定の関係を用いて変形を推定する。例えば、基板テーブルＷＴ内の変形は、測定特性に正比例してよい。したがって、推定変形及び測定特性は、特定の箇所で所定の定数と直線関係を有してよい。測定特性と推定変形との間の関係は、より複雑であってもよい。構造モデルは、例えば、構造方程式モデリングを用いて変形を推定するために使用されてよい。測定特性と推定変形との間の関係は、例えば、較正処理を用いて推定変形と測定特性との間の関係を決定することによって経験的に導き出すことができる。測定特性と推定変形との間の関係は、補間を用いて導き出すことができる。モデルは、これらのあらゆる関係に基づいて予測器６０によって用いることができる。
【００７７】
[0087]  制御システム６２における推定変形を用いることは、基板テーブルＷＴを制御して基板テーブルＷＴ内のチャネル２６及び４６における二相流の影響を減少又は取り消すことができることを意味する。したがって、チャネル２６及び４６における二相流によって誘発されるエラーを減少させることができる。このようにして、基板テーブルＷＴによって支えられた基板Ｗは、制御システム６２が基板テーブルＷＴの位置を制御するときに推定変形を使用しない場合と比較としてより正確に位置決めすることができる。推定変形は、位置制御の異なる段階において異なる方法で使用されてよい。例えば、推定変形は、セットポイントを決定するために使用されるか、セットポイントに対する位置オフセットとして適用されるか、又はアクチュエータが基板テーブルＷＴに加えるための力オフセットとして適用されてもよい。
【００７８】
[0088]  セットポイント信号６３は、セットポイントジェネレータ６１によって制御システム６２に提供されてよい。セットポイントは、関心ポイント及び測定システム５５から受信した測定値及び/又は予測器６０からの信号６４及び/又は制御システム６２からの出力に基づいて更新することができる。図１にも示すように、セットポイントジェネレータ６１、予測器６０及び/又は制御システム６２は、リソグラフィ装置制御ユニットＬＡＣＵの一部であってよい。
【００７９】
[0089]  図５に示すように、制御システム６２への入力は、予測器６０から（上記したように、基板Ｗの推定変形を表す信号６４である）及びセットポイントジェネレータ６１からの（基板Ｗの所望の位置を表す）セットポイント信号６３である。制御システム６２は、入力から、基板テーブルＷＴを所望の位置に位置決めするために必要な力Ｆを決定する。したがって、制御システム６２は、基板Ｗの推定変形及び基板Ｗ上の関心ポイントの所望の位置を表すセットポイントに基づいて少なくとも一方向における基板テーブルＷＴの動作を制御することができる。このようにして、熱負荷による変形を減少させることができる。
【００８０】
[0090]  上記したように、測定システム５５からの出力５６は、基板テーブルＷＴ上の測定ポイントを表す。制御システム６２及び/又は予測器６０は、関心ポイントと測定ポイントとの間の既知の関係を用いて、測定ポイントの位置を用いて関心ポイントの位置を決定することができる。これらのポイントの関係は既知である（又は少なくとも推定される）が、基板Ｗ及び/又は基板テーブルＷＴにおけるあらゆる変形は、測定ポイントに対する関心ポイントの位置におけるエラーを引き起こす。推定変形を用いて測定ポイントと関心ポイントとの間の既知の関係におけるエラーを減少又は取り除くことができる。制御システム６２は、これらの入力を用いて関心ポイントを所望の位置に位置決めする。
【００８１】
[0091]  図６では、基板テーブルＷＴの一部に作用する熱負荷を示す例である。熱負荷は、上記の任意の実施形態の（任意に、複数のセンサを含む）測定システム５５を用いて測定することができる。二相流によって引き起こされる熱負荷に依存する時間及び配置に対するモデルを用いて、基板テーブルＷＴ及び基板Ｗの変形を計算する。モデリングされた熱負荷のスケーリングは、二相流の少なくとも１つの測定を用いてよい。このようなモデルの一例の精度を、図６の残留負荷のプロットに示している。図から分かるように、残留負荷は、モデリングされた負荷を減算した測定負荷である。したがって、制御システム６２が少なくとも１つの測定特性に基づいて熱負荷を説明するためのモデルを用いた場合、図６に示すように、物体に作用する負荷の影響が測定負荷ではなく残留負荷の影響に近づくように熱負荷の影響を減少させることができる。
【００８２】
[0092]  ある実施形態では、予測器６０からの信号６４は、アクチュエータシステムＡＳに直接送信されてよい。この実施形態では、予測器６０は、信号６４を制御システム６２に送信されない場合がある。この実施形態では、制御システム６２は、セットポイントに基づいて基板テーブルＷＴに加えられる力Ｆを決定することができる。ある実施形態では、予測器６０は、測定システム５５からの出力５６に基づいて推定オフセット力を決定することができる。この実施形態では、制御システム６２は、アクチュエータシステムＡＳを制御して基板テーブルＷＴをできる限り正確に位置決めすることができ、予測器６０は、チャネル２６及び４６における二相流によって引き起こされる温度変化による関心ポイントと測定ポイントとの間のあらゆるエラーを説明するために加えられる力Ｆに対するオフセットを示す。
【００８３】
[0093]  測定システム５５は、単一のセンサを含んでよい。測定システム５５は、複数のセンサを含んでよい。この場合、センサは、同じか又は異なっていてもよく、かつ二相流及び/又は基板テーブルＷＴの特性のあらゆる組み合わせを測定することができる。センサは、基板テーブルＷＴ上又は基板テーブルＷＴ内の任意の箇所に配置されてよい。センサは、チャネル２６及び４６内及び/又はチャネル２６及び４６に隣接する基板テーブルＷＴ内に配置されてよい。センサは、平面図において、基板Ｗの円周に基板テーブルＷＴ内に配置されてよい。チャネル２６及び４６のより近くに配置されたセンサは、遠くに離れて配置されたセンサと比べて熱負荷による変化により速く反応する測定値を提供することができる。例えば、少なくとも１つのセンサは、温度センサ、歪み及び/又は温度及び歪みセンサであってもよい。
【００８４】
[0094]  ある実施形態では、測定システム５５は、温度センサを含んでよく、測定特性は、物体テーブル上又は物体テーブル内の配置における物体テーブルの温度及び/又は二相流の温度である。例えば、センサは、負の温度係数サーミスタ（ＮＴＣセンサ）又は赤外線温度センサであってよい。
【００８５】
[0095]  ある実施形態では、測定システム５５は、歪みセンサを含んでよく、測定特性は、物体テーブル上又は物体テーブル内の配置における物体テーブルの歪みである。歪みを測定するためにあらゆる種類の歪みセンサ、例えば、ピエゾアクチュエータ又は光ファイバ型センサを用いてよい。好ましくは、使用する歪みセンサは、約ｎε又はｐεの歪み、すなわち、約ｎｍ又はｐｍの変動による歪みを測定するように構成される。
【００８６】
[0096]  ある実施形態では、測定システム５５は、温度及び歪みセンサを含み、測定特性は、物体テーブル上又は物体テーブル内の配置における物体テーブルの温度及び歪みである。例えば、温度及び歪みセンサは、ファイバ・ブラッグ・グレーティングであってよい。ファイバ・ブラッグ・グレーティングは、他のセンサと比較して、必要な光ファイバの数を減少させ、速い測定反応を提供し、かつ電磁妨害を減少させることができる。
【００８７】
[0097]  ある実施形態では、測定システム５５は、基板テーブル上又は基板テーブルＷＴ内のターゲットポイントの位置を検出するように構成されたセンサを含んでよい。
【００８８】
[0098]  ある実施形態では、測定システム５５は、二相流の特性を測定するように構成されたセンサを含んでよい。例えば、センサは、二相流のガス又は液相の質量流量、二相流の湿度（例えば、相対湿度）（すなわち、全二相流の湿度又は流入ガスの湿度）、二相流の温度、二相流の圧力、二相流の密度及び/又は二相流の光特性を、例えば、複屈折センサ又は干渉計等を用いて測定することができる。二相流は、液流及びガス流を含む。二相流のある部分の特定の特性、例えば、ガス流の質量流量、又はある点でのガス流の湿度、例えば、流入ガス流の湿度を測定することが好ましいことがある。例えば、負の温度係数サーミスタを用いて二相流の温度を測定することができる。
【００８９】
[0099]  ある実施形態では、測定システム５５は、リソグラフィ装置ＬＡの特性を測定するように構成されたセンサを含んでよい。例えば、センサは、リソグラフィ装置ＬＡ内の別の構成部品の特性を測定するように構成されてもよい。例えば、この実施形態では、測定システム５５は、基板テーブルＷＴの温度を維持するのに役立たせるために設けられたヒータに供給されるパワーを測定するように構成されてよい。ヒータは、基板テーブルＷＴ内に配置されてよい。供給されるパワーは、測定特性である。既知の関係は、供給されるパワーに基づいて変形を決定するために使用されてよい。
【００９０】
[00100]  ある実施形態では、測定システム５５は、周囲環境の特性を測定するように構成されたセンサを含んでよい。例えば、センサは、リソグラフィ装置ＬＡを囲う空気の温度及び/又は相対湿度を測定するように構成されてよい。
【００９１】
[00101]  上記の任意の実施形態では、少なくとも１つのセンサ５０及び/又は測定システム５５は、基板テーブルＷＴの外側に配置されてよい。例えば、センサ５０及び/又は測定システム５５は、第２位置決めデバイスＰＷ上又は第２位置決めデバイスＰＷ内にあってよい。この実施形態では、センサ５０は、依然として、基板テーブルＷＴの特性を測定するために使用されてよい。この実施形態の例では、センサ５０は、基板テーブルＷＴの温度の測定をする赤外線温度センサであってよい。この実施形態の例では、センサ５０は位置センサであってよい。この例では、基板テーブルＷＴは、基板テーブルＷＴの表面上に又は基板テーブル上の追加の構成部品としてグリッドを含んでよく、また、位置センサを用いてグリッドの位置を検出することができる。
【００９２】
[00102]  上記の任意の実施形態では、リソグラフィ装置ＬＡにおける既存のセンサは、本発明においてセンサ５０として使用することができる。
【００９３】
[00103]  上記の任意の実施形態では、測定特性は、上記したように、推定変形を決定するために使用することができる。測定特性は、変形を表す量であってよい。任意の実施形態では、測定特性は、例えば、システムの診断のため又はヒータの温度を制御するためにリソグラフィ装置ＬＡの他の部分によっても使用することができる。
【００９４】
[00104]  ある実施形態では、測定システム５５は、基板テーブルＷＴ内にあってよく、かつ制御システム６２に外付けの制御システム６２に出力５６を無線で送信してもよいが、必ずしもこの限りではない。
【００９５】
[00105]  予測器６０は、リソグラフィ装置制御ユニットＬＡＣＵの一部であっても一部でなくてもよい。すなわち、予測器６０は別の制御ユニットであってもよい。図５に示すように、予測器６０は、ＬＡＣＵ内の制御システム６２とは別であってよい。あるいは、予測器６０は、制御システム６２の一部であってよく、それによって制御システム６２は、測定システム５５から出力５６を受信し、出力５６を直接用いて変形を推定しかつ基板テーブルＷＴの位置を制御する。
【００９６】
[00106]  上記の実施形態では、物体テーブルは、基板テーブルＷＴであり得るが、物体テーブルは、可能であれば、代替又は追加として、基板構造ＭＴ、第１位置決めデバイスＰＭ、第２位置決めデバイス、又はリソグラフィ装置ＬＡ内に位置決めされる必要があって物体を支え得る任意の他の物体であってもよい。
【００９７】
[00107]  物体上への投影ビームＢの配置は、物体に対して少なくとも一方向で移動可能である。物体上への（投影ビームＢ内）のパターンの配置は、物体に対する少なくとも一方向で移動可能である。上記の実施形態では、物体テーブル、例えば、基板テーブルＷＴは、関心ポイントの位置を変更するように制御される。上記の実施形態に加えて又はその代替として、物体に対するパターン及び/又は投影ビームＢの位置を制御することができる。例えば、サポート構造ＭＴ、パターニングデバイスＭＡ、プレートマニピュレータ及び/又は投影システムＰＳ内の構成部品、例えば、光学部品の位置は、物体に対する投影ビームＢの位置決めを変更するように制御することができる。したがって、物体に対する投影ビームの配置は、例えば、プレートマニピュレータを用いて制御可能である。したがって、物体に対するパターン及び/又は投影ビームＢの位置は、推定変形に基づいて制御することができる。したがって、物体に対するパターンの相対位置は、物体テーブル内のチャネル２６及び４６における二相流によって引き起こされる物体及び/又は物体テーブルの変形の影響を減少させる（又は取り除く）ために制御することができる。
【００９８】
[00108]  プレートマニピュレータは、放射ビームの焦点を制御するためにパターニングデバイスＭＡと基板Ｗとの間に配置される。プレートマニピュレータは、基板Ｗ上に投影される像がシフトされるように特定の軸に対して傾斜するように適合されてよい。
【００９９】
[00109]  Ｘ方向の位置決め精度がＹ方向に対して程要求が厳しくない場合があり、又は、Ｘ方向の挙動の関連性が低くなるように基板テーブルＷＴがＹ方向に加速されたときのみに所要の位置決め精度が適用される場合もある。したがって、測定システム５５の出力に基づいて一方向にのみ基板テーブルＷＴを制御することが有用であり得る。上記の実施形態は、基板テーブルＷＴが移動又は位置決めされ得る方向の例としてＸ、Ｙ及びＲｚ方向を用いる。しかしながら、基板テーブルＷＴは、Ｘ、Ｙ及び/又はＺ方向、及びその方向に対する回転方向を含む任意の軸方向、又は図に示すＸ−Ｙ軸に対して回転又は移動され得る任意の他の軸に基づく方向に移動又は位置決めされてよい。
【０１００】
[00110]  物体及び/又は物体テーブルに作用し得る様々な変動負荷があり、本発明を用いて物体テーブル又は物体に対する投影ビームＢの動作を制御してあらゆる負荷の組み合わせによって引き起こされる変形を減少させる（又は取り消す）ことができる。上記の任意の実施形態では、二相流が通過するためのチャネルが物体テーブルに含まれない場合があるが、動作中の変動負荷は、依然として、物体に影響を与える物体テーブル及び/又は物体の変形を引き起こし得る。したがって、制御システム６２は、任意の実施形態と組み合わせて、二相流が通過するためのチャネルの有無に関わらず、上記したように変動負荷の影響を減少させるために使用することができる。基板テーブルＷＴ又は物体テーブルについての言及は、本発明において制御されるリソグラフィ装置内の他の構成部品と同義であってよい。変動負荷は、あらゆる変動負荷、例えば、相転移、摩擦、放射、対流、伝導、電子放散又は任意の他の熱影響による負荷であってもよい。
【０１０１】
[00111]  さらなる実施形態を図７に示している。この実施形態は、ここで説明することを除いて、図５に関して説明した上記の任意の実施形態と同じであってよい。この実施形態では、基板テーブルＷＴは、サポート構造ＭＴと置き換えられてよく、すなわち、物体テーブルはサポート構造ＭＴである。基板Ｗは、パターニングデバイスＭＡと置き換えられてよく、すなわち、物体はパターニングデバイスＭＡである。サポート構造ＭＡは二相流が通過するためのチャネルを有さない場合もあるが、サポート構造ＭＴの変形は、例えば、熱変動又は変動負荷によって依然として生じ、パターニングデバイスＭＡの変形という結果となる。サポート構造ＭＴ及び/又はパターニングデバイスＭＡのあらゆる変形は、投影ビームＢに対するパターニングデバイスＭＡ上の関心ポイントの位置を変更し得る。したがって、投影ビームＢ内のパターンの位置は、基板Ｗに対して変更される。投影ビームＢにおけるパターンを位置決めするときのエラーは、オーバーレイエラーを引き起こし得る。さらに、（サポート構造ＭＴの変形により得る）パターニングデバイスＭＡの変形は、投影ビームＢにおける像を変形し、結像エラーを引き起こし得る。
【０１０２】
[00112]  したがって、投影ビームＢが正しくパターン付けされることを確実にするようにパターニングデバイスＭＡを正確に位置決めすることが有益である。パターニングデバイスＭＡは、関心ポイント、例えば、いかなる瞬間にパターンを投影ビームＢに付与するために照明されるパターニングデバイスＭＡの領域の中心を有してよい。パターニングデバイスＭＡ上の関心ポイントの配置を直接測定することができない場合がある（基板Ｗ上の関心ポイントと同様）。したがって、パターニングデバイスＭＡは、測定ポイントを制御することによって位置決めされてよく、測定ポイントに対する関心ポイントの位置は既知である。ある実施形態では、関心ポイントはパターニングデバイスＭＡ上にあり、測定ポイントはサポート構造ＭＴ上にある。この実施形態では、図７に示すように、サポート構造ＭＴは、さらなる基準フレームＲＥＦに対して移動することができる。基準フレームＲＦ及びさらなる基準フレームＲＥＦは、何らかの方法で接続されてよい。
【０１０３】
[00113]  パターニングデバイスＭＡ及び/又はサポート構造ＭＴの変形は、測定ポイントに対する関心ポイントの位置を変更する。温度変動及び/又は他に加えられるあらゆる負荷は、パターニングデバイスＭＡ及び/又はサポート構造ＭＴの変形を引き起こして測定ポイントに対する関心ポイントの位置の変化へと繋がる。したがって、上記の実施形態で説明したように、本実施形態は、パターニングデバイスＭＡ及び/又はサポート構造ＭＴの温度又は負荷変動に関わらず関心ポイントを正確に位置決めする物体位置決めシステムを提供する。本実施形態は、これを上記の実施形態と同じように行い、サポートテーブルＭＴの特性が測定、決定又は推定され、サポートテーブルＭＴの位置の制御はこの測定に基づく。
【０１０４】
[00114]  測定システム５５は、上記したように使用することができる。測定システム５５は、基板テーブルＷＴがサポート構造ＭＴと置き換えられ、かつ基板ＷがパターニングデバイスＭＡと置き換えられること以外は、上記したアクチュエータシステムＡＳ、予測器６０及び/又は制御システム６２と使用することができる。測定システム５５は、少なくとも上記のセンサのうちのいずれか、例えば、温度センサ（例えば、負の温度係数サーミスタ（ＮＴＣセンサ）又は赤外線温度センサ）、歪みセンサ（例えば、ピエゾ歪みセンサ又は光ファイバ型センサ）、温度及び歪みセンサ（例えば、ファイバ・ブラッグ・グレーティング）、サポート構造ＭＴ上又はサポート構造ＭＴ内のターゲットポイントの位置を測定するように構成されたセンサ、リソグラフィ装置ＬＡの特性を測定するように構成されたセンサ、及び/又は周囲環境を測定するように構成されたセンサを含んでよい。
【０１０５】
[00115]  さらなる実施形態を図８に示している。この実施形態は、ここで説明することを除いて、図５に関して説明した上記の任意の実施形態と同じであってよい。この実施形態は、変位測定システムを備える測定システム５５を含む。この実施形態では、物体は変位測定システムの構成部品であり、物体テーブルは基板テーブルＷＴである。すなわち、基板テーブルＷＴは、変位測定システムの構成部品を支える。例えば、変位測定システムは、変位センサＤＳ及びターゲットを含んでよい。
【０１０６】
[00116]  ターゲットはグリッドプレートＧであってよい。図８に示すように、いくつかのグリッドプレートＧを使用してもよい。変位測定システムの出力を用いてターゲットの配置を決定することができる。図９に示すように、変位測定システムの構成部品、例えば、少なくとも１つの変位センサＤＳは、基準フレームＲＦ上に配置されてよく、基準フレームＲＦは、上記のいずれかの実施形態で説明した基準フレームと同じであってよい。
【０１０７】
[00117]  この実施形態では、変位センサＤＳを用いてターゲットの変位、よって、基板テーブルＷＴの変位を検出することができる。ターゲットは、関心ポイント、すなわち、変位測定システムが測定を行うターゲット上のポイントを有してよい。基板テーブルＷＴ及び/又はグリッドプレートＧの変形は、測定ポイントに対する関心ポイントの位置を変更し得る。温度変動及び/又は他に加えられるあらゆる負荷は、基板テーブルＷＴ及び/又はグリッドプレートＧの変形を引き起こして測定エラーとなり得る関心ポイントの位置の変化へと繋がる。したがって、上記の実施形態で説明したように、本実施形態は、基板テーブルＷＴ及び/又は位置測定システムの構成部品の変動に関わらず関心ポイントを正確に位置決めする物体位置決めシステムを提供する。本実施形態は、これを上記の実施形態と同じように行い、基板テーブルＷＴ及び/又はグリッドプレートＧの特性が測定、決定及び/又は推定され、基板テーブルＷＴの位置の制御はこの測定に基づく。
【０１０８】
[00118]  測定システム５５は、上記の実施形態で記載したように使用されてよく、グリッドプレートＧ及び/又は基板テーブルＷＴの特性が測定、決定及び/又は推定され、基板テーブルＷＴの位置の制御はこの測定に基づく。測定システム５５は、基板ＷがグリッドプレートＧと置き換えられること以外は、上記したようにアクチュエータシステムＡＳ、予測器６０及び/又は制御システム６２と共に使用されてよい。測定システムは、少なくとも上記のセンサのうちのいずれか、例えば、温度センサ（例えば、負の温度係数サーミスタ（ＮＴＣセンサ）又は赤外線温度センサ）、歪みセンサ（例えば、ピエゾ歪みセンサ又は光ファイバ型センサ）、温度及び歪みセンサ（例えば、ファイバ・ブラッグ・グレーティング）、基板テーブルＷＴ上又は基板テーブルＷＴ内のターゲットポイントの位置を測定するように構成されたセンサ、リソグラフィ装置ＬＡの特性を測定するように構成されたセンサ、及び/又は周囲環境を測定するように構成されたセンサを含んでよい。図８に示すように、ターゲットは、基板テーブルＷＴ上のグリッドプレートＧであってよい。図８では４つのグリッドプレートＧを示しているが、他の適切な数、例えば、１つ、２つ、３つ、４つ、５つ、６つ、７つ、８つ又はそれ以上であってもよい。グリッドプレートＧは基板テーブルＷＴを囲うように示されているが、少なくとも１つのグリッドプレートＧが基板テーブルＷＴの縁部内の基板テーブルＷＴの上面に設けられてよい。図８は、２対のグリッドプレートＧを示しており、各対は２つの同じように形作られたグリッドプレートＧを有する。グリッドプレートＧは、対で設けても設けなくてもよい。グリッドプレートＧの形状は限定的ではない。多数のグリッドプレートＧが設けられた場合、各グリッドプレートＧは異なる形状を有するか、いくつかのグリッドプレートＧは同じ形状を有するか、又は全てのグリッドプレートＧは同じ形状を有してもよい。グリッドプレートＧは、任意の適切なターゲットと置き換えられてもよい。
【０１０９】
[00119]  図９は、図８の側面図を示しており、測定システム５５は、グリッドプレートＧの歪みを測定するために歪みセンサＳＴを含む。図９の歪みセンサＳＴは、例示的であって測定システム５５の一部として任意の適切なセンサと置き換えられてもよい。図９に示すように、グリッドプレートＧ（すなわち、ターゲット）は、基板テーブルＷＴ上に配置されてもよい。あるいは、変位測定システムの別の構成部品、例えば、変位センサＤＳは、基板テーブルＷＴ上に配置されてよい。したがって、ある実施形態では、物体は、基板テーブルＷＴによって支えられた変位センサＤＳであってよい。図５について説明したように、測定システム５５を用いて基板テーブルＷＴ上に配置された構成部品の特性を測定し、測定におけるあらゆる変形を説明して変位測定システムによって提供される測定の精度を上げる。ここで、基板Ｗは、上記した変位測定システムの構成部品と置き換えられる。
【０１１０】
[00120]  図１０は、ここで説明することを除いて、図９の実施形態と同じであるさらなる実施形態を示している。図１０の実施形態では、物体テーブルは図９のような変位測定システムの少なくとも一部を支えるが、物体テーブル上に配置されていない変位測定システムの一部の変形を測定することができる。図９のように、変位測定システムによる測定におけるあらゆるエラーは、物体テーブル、例えば、基板テーブルＷＴの位置決めにおけるエラーへと繋がり得る。
【０１１１】
[00121]  この実施形態では、基板テーブルＷＴは、変位測定システムの少なくとも一部を支え、基板テーブルＷＴは、少なくとも一方向に移動可能である。変位測定システムは、変位センサＤＳ及びグリッドプレートＧを含む。変動負荷は、動作中に変位センサＤＳ及び/又はグリッドプレートＧに作用し、変位センサＤＳ及び/又はグリッドプレートＤのそれぞれの一部の変形を引き起こす。実施形態は、変位測定システムからの出力及び変位センサＤＳ及び/又はグリッドプレートＧのそれぞれの一部の変形を表す量に基づいて基板テーブルＷＴの動作を少なくとも一方向で制御するために制御システムをさらに備える。
【０１１２】
[00122]  変位測定システムの一部は、基準フレームＲＦ上に配置されてよい。例えば、図１０に示すように、ターゲット、例えば、少なくとも１つのグリッドプレートＧは、基準フレームＲＦ上に配置されてよい。例えば、動作中の温度又はグリッドプレートＧに作用する負荷の変動は、変位測定におけるエラーに繋がるグリッドプレートＧの変形を引き起こす。したがって、変位測定システムの出力及びグリッドプレートＧの変形を表す量に基づいて基板テーブルＷＴの動作を制御することは、変位測定システムの構成部品の変形によって誘発されるエラーの影響を減少させる。
【０１１３】
[00123]  図１０では２つのグリッドプレートＧの側面図を示しているが、任意の数のグリッドプレート、例えば、１つ、２つ、３つ、４つ、５つ、６つ、７つ、８つ又はそれ以上のグリッドプレートを基準フレームＲＦ上に設けてもよい。さらに、グリッドプレートＧは、変位測定システムのあらゆる構成部品と置き換えられてよく、例えば、変位センサＤＳがグリッドプレートＧの代わりに基準フレームＲＦ上に配置されてよい。
【０１１４】
[00124]  上記の実施形態によると、関心ポイントを変更することができる。例えば、物体テーブルが基板Ｗである物体を支持する基板テーブルＷＴであった場合、基板テーブルＷＴを移動させて基板Ｗの異なるターゲット部分Ｃを露光させることができる。この場合、基板上の関心ポイントは、各露光に対して変化する。あるいは、物体テーブルがパターニングデバイスＭＡを支持するサポート構造ＭＴであった場合、関心ポイントは露光中、すなわち、投影ビームＢにパターンを付与するためにパターニングデバイスＭＡを照明するときに変化し得る。推定変形が特定の関心ポイントに対して決定された後、推定変形を他の関心ポイントに使用することが可能である。例えば、（推定変形の方向が変化する場合であっても）推定変形の大きさは与えられた半径で一定であると推定することができる。したがって、１つの関心ポイントからの推定変形は、他の関心ポイント、例えば、同じ半径における他のポイントに対して使用することができる。
【０１１５】
[00125]  上記の実施形態では、基板テーブルＷＴの動作を制御するために推定変形を制御システム６２で使用する一方、測定システム５５の出力５６を、例えば、二相流の影響による変形を説明するために使用する。しかしながら、推定変形は、このようにして制御システム６２によって使用されない場合がある。代替として、推定変形は、位置センサによって測定される位置上の測定システム補正として適用され得る箇所における推定オフセットを決定するために使用することができる。したがって、変形の原因、例えば、二相流を説明するように適合された測定は、関心ポイントの所望の位置との比較のために制御システム６２によって直接使用されてもよい。このようにして、制御システム６２は、セットポイント信号６３に関連する入力及び測定システム５５からの出力５６に基づいて基板テーブルＷＴの位置を制御する。この実施形態では、予測器６０は必要ではない場合がある。
【０１１６】
[00126]  本実施形態では、モデルを用いて物体、例えば、基板Ｗ、パターニングデバイスＭＡ又は変位測定システムの構成部品の変形の変動を予測することができる。変形予測器システムを用いて予測変形を示す信号を生成することができる。変形予測器システムは、リソグラフィ装置制御ユニットＬＡＣＵの一部であっても一部でなくてもよい。予測変形は、物体テーブル、例えば、基板テーブルＷＴの動作を制御する制御システム６２における上記の実施形態のような推定変形と同じ方法で使用することができる。上記の実施形態で説明したように、このようにしてモデルを用いることは、基板テーブルＷＴにおけるチャネル内の二相流による悪影響の減少を可能にする。
【０１１７】
[00127]  以上、本発明の具体的な実施形態を説明してきたが、本発明は、上述以外の態様で実施できることが明らかである。例えば、本発明の制御システム６２及び/又は予測器６０は、上記で開示した方法を表す１つ以上の機械読取可能命令のシーケンスを含むコンピュータプログラムの形態、又はこのようなコンピュータプログラムが記憶されたデータ記憶媒体（例えば、半導体メモリ、磁気ディスク又は光ディスク）の形態であってもよい。
【０１１８】
[00128]  物体位置決めシステム及び/又はデバイス製造方法は、上記のいずれの実施形態によって提供することができる。製造方法は、本発明の実施形態のうちのいずれかによるリソグラフィ装置を用いてよい。
【０１１９】
[00129]  いずれの実施形態において、物体及び物体テーブルの代わりに物体を用いることができる。このような実施形態では、物体は、少なくとも一方向に移動可能であってよい。二相流が通過するためのチャネルは、物体内に形成されてよく、チャネルを通る二相流は、物体の一部の変形を引き起こす。この実施形態では、制御システムは、物体を通る二相流による物体の一部の変形の推定に基づいて物体の動作を制御する。この実施形態では、物体は、位置決めされる必要があり得るリソグラフィ装置ＬＡ内の任意の構成部品であってよい。例えば、物体は、投影システムＰＳ、第１位置決めデバイスＰＭ、第２位置決めデバイスＰＷ又は液体閉じ込め構造ＩＨ等の中の光学素子であってもよい。
【０１２０】
[00130]  本明細書において、ＩＣ製造におけるリソグラフィ装置ＬＡの使用について具体的な言及がなされているが、本明細書記載のリソグラフィ装置ＬＡが、集積光学システム、磁気ドメインメモリ用のガイダンスパターン及び検出パターン、フラットパネルディスプレイ、液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）、薄膜磁気ヘッド等の製造といった他の用途を有し得ることが理解されるべきである。当業者にとっては当然のことであるが、そのような別の用途においては、本明細書で使用される「ウェーハ」又は「ダイ」という用語はすべて、それぞれより一般的な「基板」又は「ターゲット部分」という用語と同義であるとみなしてよい。本明細書に記載した基板は、露光の前後を問わず、例えば、トラック（通常、基板にレジスト層を塗布し、かつ露光されたレジストを現像するツール）、メトロロジーツール、及び／又はインスペクションツールで処理されてもよい。適用可能な場合には、本明細書中の開示内容を上記のような基板プロセシングツール及びその他の基板プロセシングツールに適用してもよい。さらに基板は、例えば、多層ＩＣを作るために複数回処理されてもよいので、本明細書で使用される基板という用語は、すでに多重処理層を包含している基板を表すものとしてもよい。
【０１２１】
[00131]  本明細書で使用される「放射」及び「ビーム」という用語は、紫外線（ＵＶ）（例えば、３６５ｎｍ、２４８ｎｍ、１９３ｎｍ、１５７ｎｍ、又は１２６ｎｍの波長、又はおよそこれらの値の波長を有する）、赤外線及び極端紫外線（ＥＵＶ）（例えば、５〜２０ｎｍの範囲の波長を有する）、ならびにイオンビームや電子ビームなどの微粒子ビームを含むあらゆる種類の電磁放射を包含している。
【０１２２】
[00132]  「レンズ」という用語は、文脈によっては、屈折、反射、磁気、電磁気、及び静電型光コンポーネントを含む様々な種類の光コンポーネントのいずれか１つ又はこれらの組合せを指すことができる。
【０１２３】
[00133]  以上、本発明の具体的な実施形態を説明してきたが、本発明は、上述以外の態様で実施できることが明らかである。上記の説明は、制限ではなく例示を意図したものである。したがって、当業者には明らかなように、添付の特許請求の範囲を逸脱することなく本記載の発明に変更を加えてもよい。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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