(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
光取り出し面と、前記光取り出し面の反対側の面とを有する半導体層と、
前記半導体層を覆うように設けられた絶縁層と、
前記絶縁層内に設けられた金属層とを備え、
前記半導体層は、
前記光取り出し面の反対側の面と、積層方向に成長して形成された成長面である主面と、前記積層方向に対して第１の角度で設けられた側面とを有し、前記積層方向で成長して形成された、In（インジウム）を含む第１半導体層と、
前記光取り出し面と、前記積層方向に対して、前記第１の角度より小さい第２の角度で、前記第１半導体層の側面に原子層レベルで連続して設けられた側面とを有し、Inを含まない第２半導体層とを有し、
前記絶縁層は、前記第２半導体層の側面から前記主面に平行な方向に沿って外方へ突出するように延設された延設部を有し、
前記金属層は、少なくとも前記第１半導体層の側面に対面するように前記絶縁層内に設けられ、かつ、前記延設部内では前記主面に平行な方向に沿って外方へ延設されている
半導体発光素子。
【請求項２】
請求項１に記載の半導体発光素子であって、
前記光取り出し面側の前記絶縁層上に、前記主面に平行な方向に沿って形成された配線電極
をさらに具備する半導体発光素子。
【請求項３】
請求項１に記載の半導体発光素子であって、
第１導電型層、活性層、および第２導電型層をさらに具備し、
前記第１半導体層が、それら３つの層のうち少なくとも１つを含む
半導体発光素子。
【請求項４】
請求項３に記載の半導体発光素子であって、
前記第１半導体層は、AlGaInPまたはGaInPを含み、
前記第２半導体層は、GaPを含む
半導体発光素子。
【請求項５】
請求項３に記載の半導体発光素子であって、
前記第１半導体層は、InGaNを含み、
前記第２半導体層は、GaNを含む
半導発光体素子。
【請求項６】
請求項３に記載の半導体発光素子であって、
前記第１導電型層に接続された第１コンタクト層をさらに具備し、
前記第１半導体層は、前記第２導電型層を含み、
前記第２半導体層は、前記第２導電型層に、中間層を介してまたは直接接続された第２コンタクト層を有する
半導体発光素子。
【請求項７】
請求項３に記載の半導体発光素子であって、
前記第１半導体層は、前記第２導電型層を含み、
前記第２半導体層は、前記第２導電型層に、中間層を介してまたは直接接続された第２コンタクト層を有し、
前記第１導電型層に接続された第１電極と、
前記第２コンタクト層に接続された第２電極と
をさらに具備する半導体発光素子。
【請求項８】
請求項６に記載の半導体発光素子であって、
前記第２コンタクト層は、前記光取り出し面を含み、
前記第２コンタクト層および前記第２導電型層は、前記光取り出し面側から、前記第２導電型層まで連続して形成された、前記活性層までは到達しない凹部を有する
半導体発光素子。
【請求項９】
請求項８に記載の半導体発光素子であって、
前記凹部は、
前記第１半導体層で第３の角度を有する第１内面と、
前記第２半導体層で前記第１の角度と異なる第４の角度を有する第２内面と
を有する
半導体発光素子。
【請求項１０】
請求項１に記載の半導体発光素子であって、
前記積層方向で見た縦および横の長さは、５μm以上１００μm以下である
半導体発光素子。
【請求項１１】
請求項１０に記載の半導体発光素子であって、
前記積層方向で見た角部は丸みを帯びている
半導体発光素子。
【請求項１２】
請求項１に記載の半導体発光素子であって、
前記第１半導体層は、AlInNを含み、
前記第２半導体層は、AlNを含む
半導体発光素子。
【請求項１３】
請求項３に記載の半導体発光素子であって、
前記第１半導体層または前記第２半導体層の厚さは、前記活性層から発せられる光の波長を屈折率で除した値より大きい
半導体発光素子。
【請求項１４】
請求項８に記載の半導体発光素子であって、
前記凹部は、
前記第１半導体層で、前記積層方向に対して第１の角度を有する第１内面と、
前記第２半導体層で、前記積層方向に対して前記第１の角度と異なる第２の角度を有する第２内面とを有する
半導体発光素子。
【請求項１５】
基板と、
前記基板上に実装された複数の半導体発光素子と、
前記基板上に設けられ、前記複数の半導体発光素子を覆う樹脂封止部とを具備し、
前記複数の半導体発光素子のうち少なくとも１つは、
光取り出し面と、前記光取り出し面の反対側の面とを有する半導体層と、
前記半導体層を覆うように設けられた絶縁層と、
前記絶縁層内に設けられた金属層とを備え、
前記半導体層は、
前記光取り出し面の反対側の面と、積層方向に成長して形成された成長面である主面と、前記積層方向に対して第１の角度で設けられた側面とを有し、前記積層方向で成長して形成された、In（インジウム）を含む第１半導体層と、
前記光取り出し面と、前記積層方向に対して、前記第１の角度より小さい第２の角度で、前記第１半導体層の側面に原子層レベルで連続して設けられた側面とを有し、
Inを含まない第２半導体層とを有し、
前記絶縁層は、前記第２半導体層の側面から前記主面に平行な方向に沿って外方へ突出するように延設された延設部を有し、
前記金属層は、少なくとも前記第１半導体層の側面に対面するように前記絶縁層内に設けられ、かつ、前記延設部内では前記主面に平行な方向に沿って外方へ延設されている
パッケージ素子。
【請求項１６】
基板と、前記基板上に実装された複数の発光素子と、前記基板上に設けられ、前記複数の発光素子を覆う樹脂封止部とを有する発光パネルと、
前記発光パネルを駆動する駆動回路とを具備し、
前記複数の発光素子のうち少なくも１つは、
光取り出し面と、前記光取り出し面の反対側の面とを有する半導体層と、
前記半導体層を覆うように設けられた絶縁層と、
前記絶縁層内に設けられた金属層とを備え、
前記半導体層は、
前記光取り出し面の反対側の面と、積層方向に成長して形成された成長面である主面と、前記積層方向に対して第１の角度で設けられた側面とを有し、前記積層方向で成長して形成された、In（インジウム）を含む第１半導体層と、
前記光取り出し面と、前記積層方向に対して、前記第１の角度より小さい第２の角度で、前記第１半導体層の側面に原子層レベルで連続して設けられた側面とを有し、
Inを含まない第２半導体層とを有し、
前記絶縁層は、前記第２半導体層の側面から前記主面に平行な方向に沿って外方へ突出するように延設された延設部を有し、
前記金属層は、少なくとも前記第１半導体層の側面に対面するように前記絶縁層内に設けられ、かつ、前記延設部内では前記主面に平行な方向に沿って外方へ延設されている
発光パネル装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本技術は、発光素子やスイッチング素子等の半導体素子等の技術に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、軽量で薄型の表示装置として、発光ダイオード（ＬＥＤ）を表示画素に用いたＬＥＤディスプレイが注目を集めている。ＬＥＤディスプレイは、見る角度によってコントラストや色合いが変化する視野角依存性がなく、色を変化させる場合の反応速度が速いとった特徴がある。このようなＬＥＤディスプレイに用いられる好適な発光素子が、例えば特許文献１に開示されている。この特許文献１の発光素子は、例えば逆台形型の形状を有している（例えば、特許文献１の図２（ａ）等参照。）
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開2012-182276号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
上記発光素子等の半導体素子の例えば形状については、いまだ改良の余地が残されている。
【０００５】
本技術の目的は、改良された形状を有する半導体素子、パッケージ素子、発光パネル装置、ウェーハ、および半導体素子の製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上記目的を達成するため、本技術に係る半導体素子は、第１半導体層と、第２半導体層とを具備する。
前記第１半導体層は、積層方向に成長して形成された成長面である主面と、その積層方向に対して第１の角度で設けられた側面とを有し、In（インジウム）を含む。
前記第２半導体層は、前記積層方向に対して、前記第１の角度と異なる第２の角度で、前記第１半導体層の側面に原子層レベルで連続して設けられた側面を有し、Inを含まない。
すなわち、Inを含む第１半導体層およびInを含まない第２半導体層の、連続する側面が角度不連続面となり、新たな効果を期待できる。
【０００７】
前記第１半導体層および前記第２半導体層の各側面は、前記第１半導体層および前記第２半導体層の積層方向に対して前記第２の角度より前記第１の角度が大きくなるように、構成されてもよい。
【０００８】
前記半導体素子は、第１導電型層、活性層、および第２導電型層をさらに具備してもよい。前記第１半導体層が、それら３つの層のうち少なくとも１つを含んでいてもよい。
【０００９】
前記第１半導体層は、AlGaInPまたはGaInPを含み、前記第２半導体層は、GaPを含んでもよい。
これにより、半導体素子として、赤色光を発生する発光素子を実現できる。
【００１０】
前記第１半導体層は、InGaNを含み、前記第２半導体層は、GaNを含んでもよい。
これにより、半導体素子として、青〜緑色の光を発生する発光素子を実現できる。
【００１１】
前記半導体素子は、前記第１導電型層に接続された第１コンタクト層をさらに具備してもよい。そして、前記第１半導体層は、前記第２導電型層を含み、前記第２半導体層は、前記第２導電型層に、中間層を介してまたは直接接続された第２コンタクト層を有していてもよい。
【００１２】
前記半導体素子は、前記第１コンタクト層に接続された第１電極と、前記第２コンタクト層に接続された第２電極とをさらに具備してもよい。
【００１３】
前記半導体素子は、絶縁層と、金属層とを具備してもよい。
前記絶縁層は、前記第１半導体層および前記第２半導体層の前記各側面を覆っていてもよい。
前記金属層は、前記側面に対面するように前記絶縁層内に設けられてもよい。
高反射の金属層が設けられることにより、光取り出し面からの光取り出し効率を高めることができる。
【００１４】
前記第２コンタクト層は、前記第２導電型層側の面の反対側の面である光取り出し面を含んでいてもよい。前記第２コンタクト層および前記第２導電型層は、前記光取り出し面側から、前記第２導電型層まで連続して形成された、前記活性層までは到達しない凹部を有してもよい。
これにより、半導体層内部での光の全反射の発生が抑えられるので、光取り出し面からの光取り出し効率を高めることができる。
【００１５】
前記凹部は、前記第１半導体層で第３の角度を有する第１内面と、前記第２半導体層で前記第１の角度と異なる第４の角度を有する第２内面とを有してもよい。
半導体素子。
【００１６】
前記半導体素子の積層方向で見た縦および横の長さは、５μm以上１００μm以下であってもよい。
【００１７】
前記半導体素子の前記積層方向で見た角部分は丸みを帯びていてもよい。これにより、角部分の強度を高め、角部分の損傷を確実に防ぐことができる。
【００１８】
前記第１半導体層は、AlInNを含み、前記第２半導体層は、AlNを含んでいてもよい。
これにより、半導体素子として、例えばスイッチング素子を実現できる。
【００１９】
前記第１半導体層と前記第２半導体層とは、それらの界面にボイドがない状態で接合されていてもよい。
【００２０】
本技術に係る他の半導体素子は、積層方向に成長して形成され、In（インジウム）を含む第１半導体層と、前記第１半導体層に原子層レベルで連続して、前記積層方向に積層された、Inを含まない第２半導体層とを具備する。
前記第１半導体層および前記第２半導体層は、それらの層に連続して設けられた凹部を有する。
前記凹部は、前記第１半導体層で、前記積層方向に対して第１の角度を有する第１内面と、前記第２半導体層で、前記積層方向に対して前記第１の角度と異なる第２の角度を有する第２内面とを有する。
【００２１】
本技術に係る他のパッケージ素子は、基板と、複数の半導体素子と、樹脂封止部とを具備する。
前記複数の半導体素子は、前記基板上に実装される。
前記樹脂封止部は、前記基板上に設けられ、前記複数の半導体素子を覆う。
前記複数の半導体素子のうち少なくとも１つは、上述した第１半導体層および第２半導体層を有する。
【００２２】
本技術に係る発光パネル装置は、発光パネルと、駆動回路とを具備する。
前記発光パネルは、基板と、前記基板上に実装された複数の発光素子と、前記基板上に設けられ、前記複数の発光素子を覆う樹脂封止部とを有する。
前記駆動回路は、前記発光パネルを駆動する。
前記複数の発光素子のうち少なくも１つは、上述した第１半導体層および第２半導体層を有する。
【００２３】
本技術に係るウェーハは、基板と、前記基板上に規則的に配列された複数の半導体素子とを具備する。前記複数の半導体素子のうち少なくとも１つは、上述した第１半導体層および第２半導体層を有する。
【００２４】
本技術に係る半導体素子の製造方法は、In（インジウム）を含む第１半導体層およびInを含まない第２半導体層を積層して形成することを含む。
前記第１半導体層の側面が第１の角度で形成されるように、かつ、前記第１半導体層の側面に連続する、前記第２半導体層の側面が、前記積層の方向に対して前記第１の角度と異なる第２の角度で形成されるように、前記第１半導体層および前記第２半導体層がエッチングされる。
【００２５】
前記エッチング工程では、異方性エッチングが行われてもよい。
【発明の効果】
【００２６】
以上、本技術によれば、改良された形状を有する半導体素子、またこれを含む装置を実現することができる。
なお、ここに記載された効果は必ずしも限定されるものではなく、本開示中に記載されたいずれかの効果であってもよい。
【図面の簡単な説明】
【００２７】
【図１】図１Ａは、本技術の第１の実施形態に係る半導体素子として、発光素子の構成を示す断面図である。図１Ｂは、図１Ａにおける発光素子の側面を拡大して示す。
【図２】図２Ａは、第１半導体層および第２半導体層の原子間結合を模式的に示す。図２Ｂは、比較例として、例えば常温接合により半導体でなる層同士が接合された場合の、原子間結合を模式的示す。
【図３】図３Ａ〜Ｃは、上記発光素子の製造方法の要部を示す。
【図４】図４は、本技術の第２の実施形態に係る発光素子の構成を示す断面図である。
【図５】図５は、本技術の第３の実施形態に係る発光素子の構成を示す断面図である。
【図６】図６は、本技術の第４の実施形態に係る発光素子の構成を示す断面図である。
【図７】図７は、本技術の第５の実施形態に係る発光素子の構成を示す断面図である。
【図８】図８Ａ〜Ｅは、上記第５の実施形態に係る発光素子の製造方法を順に示す。
【図９】図９Ａ〜Ｃは、図８Ｅからの続く、上記発光素子の製造方法を順に示す。
【図１０】図１０は、本技術の第６の実施形態として、ＲＧＢパッケージ素子を示す平面図である。
【図１１】図１１は、図１０におけるＡ−Ａ線断面図である。
【図１２】図１２Ａ〜Ｄは、上記ＲＧＢパッケージ素子の製造方法を順に示す。
【図１３】図１３は、ＲＧＢパッケージ素子を含む発光パネル装置（表示装置）を模式的に示す斜視図である。
【図１４】図１４は、第７の実施形態に係る発光素子を垂直軸の方向（積層方向）で見た平面図であり、図１２に示した例の１つの発光素子の変形例を示す。
【図１５】図１５は、一実施形態に係るウェーハを示す平面図である。
【図１６】図１６は、GaN系の発光素子の構成を示す断面図である。
【図１７】図１７は、半導体素子として、例えばスイッチング素子として用いられるＨＥＭＴ（High Electron Mobility Transistor）素子の構成を示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２８】
以下、図面を参照しながら、本技術の実施形態を説明する。
以下の説明では、図面を参照する場合において、素子や装置の方向や位置を指し示すために「上、下、左、右、縦、横」などの文言を用いる場合があるが、これは説明の便宜上の文言に過ぎない。すなわち、これらの文言は、説明を理解しやすくするために使用される場合が多く、素子や装置が実際に製造されたり使用されたりする場面における方向や位置と一致しない場合がある。
【００２９】
［第１の実施形態］
（発光素子の構成）
図１Ａは、本技術の第１の実施形態に係る半導体素子として、発光素子の構成を示す断面図である。
【００３０】
発光素子１０１は、μmオーダのサイズを持つマイクロＬＥＤである。発光素子１０１は、上層側から第１電極１１、第１コンタクト層１１ａ、第１導電型層２１、活性層２３、第２導電型層２２、第２コンタクト層２４および第２電極１２を備える。
【００３１】
第１導電型層２１は、例えばSiがドープされたAlGaInPで構成される。このAlGaInPを正確に表すと、(Alx Ga1-x)0.5 In0.5 Pである。例えばx=0.7である。(Alx Ga1-x)0.5およびIn0.5は、例えば、(Alx Ga1-x)0.49、In0.51等、ひずみを持ち得る。
【００３２】
活性層２３は、例えば、多重量子井戸構造を有し、３〜２０層のGaInP/AlGaInPで構成される。
【００３３】
第２導電型層２２は、例えば、MgがドープされたAlGaInPで構成される。第２導電型層２２が第２コンタクト層２４に接する部分には、Al組成を減らし半導体間のバンド不連続を弱めて動作電圧を低減する構造（中間層）が盛り込まれることがある。すなわち、第２コンタクト層２４は、第２導電型層２２に直接接続される場合もあるし、上記中間層を介して接続される場合もある。第２コンタクト層２４は、例えば、第２導電型層２２側から、MgがドープされたGaP、および、ZnがドープされたGaPで構成される。なお、第２コンタクト層２４は、実質的には導電型層（第２導電型層）としても機能する。
【００３４】
第１電極１１は、その下側の第１導電型層２１から、例えばAuGe/Ni/Au/バリアメタルで構成される。第１電極１１は、このような構成に限られず、Cu、Pt等を含んでいてもよい。
【００３５】
AuGeとのコンタクトを取りやすいGaAs：Si （100nm程度の厚さ）を、第１電極１１と第１導電型層２１の間に第１コンタクト層１１ａとして成長させると、さらに電圧の低減に寄与する。しかしながら、第１コンタクト層１１ａは必ずしも設けられていなくてもよい。
【００３６】
第２電極１２は、例えば、Ti/Pt/Auで構成されるが、このような構成に限られず、Pd/Pt/Au, Au, Cu等を含んでいてもよい。
【００３７】
以上のように、この発光素子１０１は、GaP系の材料で構成され、赤色の光を発するマイクロＬＥＤである。
【００３８】
本明細書では、第１導電型層２１、活性層２３、および第２導電型層２２で構成される層を、便宜的に「第１半導体層」といい、本実施形態ではその符号を２５とする。第２コンタクト層２４は、「第２半導体層」に相当する。第１導電型層２１、活性層２３、第２導電型層２２、および第２コンタクト層２４を、以下では便宜的に「半導体層」（２４５）という場合もある。
【００３９】
図１Ｂは、図１Ａにおける発光素子の側面を拡大して示す。連続して積層された、第１導電型層２１、活性層２３、および第２導電型層２２の各側面は、すなわち、第１半導体層２５の側面２５１は、各層の積層方向であるｚ方向に対して第１の角度αで設けられている。
【００４０】
一方、その第１半導体層２５の側面２５１に、後述するように原子層レベルで連続して設けられた、第２コンタクト層２４の側面２４１は、ｚ方向に対して、第１の角度αとは異なる第２の角度βで設けられている。
【００４１】
すなわち、本実施形態では、Inを含む第１半導体層２５の側面２５１は、第１の角度αを有し、Inを含まない第２コンタクト層２４の側面２４１は、第２の角度βを有する。これにより、改良された新規な形状の半導体素子である発光素子１０１が実現される。
【００４２】
例えば、仮に第２コンタクト層（２４）の側面（２４１）の角度が第１の角度αと同じ角度である場合、第２コンタクト層の角部が尖った形状となる。そのため、その尖った部分の「欠け」が発生する可能性が高くなり、これは、特に発光素子の製造工程において、パーティクルの発生要因となり、製品の信頼性を損なうおそれがある。これに対して本実施形態では、第２コンタクト層２４の側面２４１の角度が、下でも述べるようにｚ方向あるいはそれにに近いので、そのような問題を解消することができる。
【００４３】
また、この発光素子１０１が、第２コンタクト層２４の、第２電極１２と接する側の面（ここでは、便宜的に「下面」という。）２４２から活性層２３で発生した光を取り出す構造を持つ発光素子１０１であることを想定する。この場合、第２コンタクト層２４の側面２４１がほぼ垂直であることにより、側面２４１は、活性層２３からの光を下面（つまり、後述する光取り出し面）２４２側へ反射してガイドする機能を高めることができる。これにより、光取り出し面２４２からの光取り出し効率が高められ、また、ランバーシアン光の生成に寄与する。
【００４４】
（半導体層の原子層レベルの結合の考察）
図２Ａは、第１半導体層２５および第２コンタクト層２４の原子間結合を模式的に示す。第１半導体層２５（AlGaInP）と第２コンタクト層２４（GaP）との界面では、格子欠陥Ｄを除いて、すべての原子同士が結合している。後述するように、半導体層２４５は基板上にエピタキシャル成長（半導体結晶成長）により形成される。
【００４５】
一方、図２Ｂは、図２Ａの比較例として、例えば常温接合により半導体でなる層１８、１９同士が接合された場合の、原子間結合を模式的示す。このように、２つの半導体でなる層１８、１９の界面には、格子欠陥よりも大きい容積を有するボイドＶが形成される。すなわち、常温接合等、図２Ｂに示すようなエピダキシャル成長ではない結合方法では、原子配列が維持されず、ボイドＶが形成される。
【００４６】
（発光素子の製造方法の要部）
図３Ａ〜Ｃは、上記発光素子１０１の製造方法の要部を示す。ここでは、後述するように、ＭＯＣＶＤ（Metal Organic Chemical Vapor Deposition）等により、基板上に半導体層２４５'が形成され、例えばSiO2等によるマスクＭがその半導体層上に形成された後の工程を示す。
【００４７】
図３Ａに示すように、例えば反応性イオンエッチング（ＲＩＥ）により、異方性のエッチングが行われる。エッチング温度は、１００℃〜２００℃である。エッチングガスは例えばSiCl4やCl2などの塩素系のガスである。これにより、図３Ｂに示すように、上記第１の角度の斜面でなる側面２５１'を形成するように、第２コンタクト層２４'上の第１半導体層（AlGaInP）２５'が除去されていき、側面２５１が形成される（図３Ｃ参照）。
【００４８】
図ではマスクＭの端部（例えばマスクＭの開口端部）の側面Ｍ１もｚ方向に対して角度を持っており、これにより第１半導体層２５'の斜面でなる側面２５１'の形成が促進される。しかし、側面Ｍ１がたとえｚ方向に沿うように垂直な側面であったとしても、第１半導体層２５'の側面２５１'は斜面として形成される。
【００４９】
第１半導体層２５と、第２コンタクト層２４（GaP）とでは、エッチングレートが異なり、具体的には、第２コンタクト層２４のエッチングレートが第１半導体層２５のそれに比べて高い。第１半導体層２５でのエッチングレートは、例えば３〜１０μm/h（例えば６μm/h）であり、第２コンタクト層２４でのエッチングレートは、３０〜６０μm/hである。
【００５０】
第１半導体層２５に斜面が形成される理由は次のように考えられる。
Inはガス化しにくい物質であり、エッチング温度によっては、エッチング中に層表面にInが析出しやすい。層表面のInの析出によりそれ自体がエッチングのマスク機能を果たし、深い位置にある材料ほど除去されにくくなる。これに対して、Inを含まない第２コンタクト層２４ではこのような現象は発生せず、その側面２４１はほぼ垂直になるように形成されることになる。上記したように、エッチングレートの違いも、このような作用の促進に寄与すると考えられる。
【００５１】
エッチング温度は、上記では１００℃〜２００℃としたが、例えば１００℃〜１５０℃でもよい。あるいは、１１０℃、１２０℃、１３０℃、１４０℃、または１１０℃〜１４０℃である。あるいは１５０℃〜２００℃でもよい。
【００５２】
［第２の実施形態］
図４は、本技術の第２の実施形態に係る発光素子の構成を示す断面図である。これ以降の説明では、図１等に示した実施形態に係る発光素子１０１が含む要素について実質的に同様の要素については同一の符号を付し、その説明を簡略化または省略し、異なる点を中心に説明する。
【００５３】
この発光素子１０２は、少なくとも半導体層の側面を覆う絶縁層３３（誘電膜）を有する。例えば絶縁層３３は、半導体層の側面だけでなく、第２コンタクト層２４の下面である光取り出し面２４２、および、第１導電型層２１の、第１コンタクト層１１ａに接する面２１２（以下、便宜的に半導体層の「上面」という）を覆う。絶縁層３３上には端子電極４１が設けられ、端子電極４１は、絶縁層３３に形成された開口３３ａを介して第１電極１１に接続されている。また、絶縁層３３の下部側には、後述する配線電極４２を第２電極１２に接続するための開口３３ｂが形成されている。
【００５４】
絶縁層３３は、例えばSiO2またはSiNで構成される透明な材料でなる。その他、透明材料としては、Al2O3，TiO2，TiN等がある。
【００５５】
絶縁層３３内には、半導体層の上面および側面に対面するように金属層（ミラー）３５が設けられている。金属層３５は、活性層２３から発生した光を反射し、光取り出し面２４２からの光取り出し効率を高める機能を有する。
【００５６】
金属層３５は、例えば内側（半導体層側）から外側にかけて、例えばAl/Au/Tiの各材料が積層され、またはTi/Au/Tiの各材料が積層されて構成されている。端子電極４１も、金属層３５と同様の材料で構成される。金属層３５および端子電極４１は、もちろん、これらの材料および積層順に限られない。金属層３５は、第１電極１１および第２電極１２には導通しておらず、フローティング状態にある。金属層は、いずれか一方に導通していてもよい。
【００５７】
絶縁層３３および金属層３５は、ＣＶＤ、蒸着、またはスパッタ等により形成される。例えば、半導体層の表面（側面、上面、下面）に、第１絶縁層３１が形成され、その第１絶縁層３１上に金属層３５が形成され、その金属層３５上に第２絶縁層３２が形成される。
【００５８】
仮に、第２コンタクト層の側面が第１半導体層２５と同様な斜面でなる側面を有する場合、第２コンタクト層の側面に設けられる絶縁層も斜面でなる側面を有することになる。この場合、金属層もその斜面と同じ角度で、光取り出し面と同じ面にまで形成されることになる。この場合、第２コンタクト層の鋭角な角部、およびその側面に接する鋭角な絶縁層に「欠け」が発生すると、金属層が露出するパーティクルが発生し、この発光素子やその周辺回路に、ショート等の悪影響を与える懸念がある。
【００５９】
またこの第２コンタクト層２４の厚さは、薄すぎると意味がない。光学的観点から、発光特性の改善のためには、当該厚さは、［発光波長／屈折率］より大きい厚さ、すなわち、発光波長をこの第２コンタクト層２４の屈折率で除した値より大きい厚さが必要と考えられる。
【００６０】
本実施形態によれば、第２コンタクト層２４の側面２４１および、その側面２４１に接する絶縁層３３の側面３３１は、ほぼ垂直に形成されるので、上記のような懸念を回避することができる。これにより、歩留りおよび製品の信頼性が向上する。
【００６１】
図に示すように、発光素子１０２のサイズの典型例として、ｘ方向の幅は５〜５０μm、例えば１５μmである。ｚ方向の厚さは１〜２０μm、例えば３〜４μmである。ｙ方向の長さは５〜５０μm、例えば２５μmである。もちろんサイズは、この範囲に限られず、マイクロＬＥＤの場合、上述したように、ｘ、ｙ方向の長さが５μm以上１００μm以下とされる。
【００６２】
［第３の実施形態］
図５は、本技術の第３の実施形態に係る発光素子の構成を示す断面図である。この発光素子１０３は、図４で示した発光素子１０２の第２電極１２に配線電極４２が接続されたものである。配線電極４２は、例えば絶縁層３３上の一部の領域を通って（その一部の領域に接するように）、形成されている。配線電極４２は、例えばAuまたはCu等で構成されるが、これらの材料に限られない。
【００６３】
第２の実施形態でも述べたように、仮に第２コンタクト層の側面が第１半導体層と同様な斜面でなる側面を有する場合を想定する。この場合、絶縁層内に形成される金属層は、光取り出し面と同じ面まで形成される。したがって、この金属層と配線電極とがショートしないように、例えば配線電極の一部または金属層の一部を除去する必要がある。
【００６４】
これに対し、本実施形態に係る発光素子１０３では、そのようなショートを防ぐための構造は必要がなく、製造コストを削減することができる。
【００６５】
［第４の実施形態］
図６は、本技術の第４の実施形態に係る発光素子の構成を示す断面図である。
この発光素子１０４の絶縁層３３は、第２コンタクト層２４の側面２４１に接する延設部３３ｃを有する。延設部３３ｃは、絶縁層３３の領域がｘ方向に所定長だけ延長されて構成されている。金属層３５は、延設部３３ｃの側面３３１ｃに露出するように形成される。これにより、この図６に示す断面で見て、金属層３５が、配線電極４２に沿うようになり（例えば配線電極４２に実質的に平行になり）、ショートのリスクをさらに低減することができる。
【００６６】
なお、本実施形態では、金属層３５は延設部３３ｃの側面３３１ｃに露出して形成されたが、金属層３５が露出しないように絶縁層３３の延設部が形成されていてもよい。
【００６７】
［第５の実施形態］
（発光素子の構成）
図７は、本技術の第５の実施形態に係る発光素子の構成を示す断面図である。この発光素子１０５は、図６に示した発光素子１０４に、さらに以下の特徴が付加された形態を有する。
【００６８】
この発光素子１０５の第２コンタクト層２４および第２導電型層２２には、光取り出し面（下面）２４２側から、第２導電型層２２まで連続して形成された凹部２４３を有する。凹部２４３は、活性層２３までは到達しないように形成される。凹部２４３は例えば複数設けられることにより、光取り出し面２４２にテクスチャ構造が形成される。光取り出し面２４２側から見た（ｚ方向で見た）凹部２４３の形状は、円形または矩形等の多角形等、どのようなものであってもよい。
【００６９】
凹部２４３は、第２導電型層２２に形成された第１内面２４３ａと、第２コンタクト層２４に形成された第２内面２４３ｂを有する。積層方向（ｚ方向）に対する第１内面２４３ａの角度は上記第１の角度α（第３の角度）であり、第２内面２４３ｂの角度は上記第２の角度β（第４の角度）である。図３で説明した製造方法を用いることにより、このような凹部２４３の構造を形成することができる。なお、絶縁層３３の材料は、凹部２４３内にも埋め込まれる。
【００７０】
このような凹部２４３が設けられることにより、半導体層内部での光の全反射の発生が抑えられ、光取り出し面２４２からの光取り出し効率を高めることができる。さらに、第２コンタクト層２４を垂直に近い角度でエッチングすることができるので、凹部２４３の深さを深くすることができ、光取出し効率の向上にさらなる大きな効果がある。
【００７１】
（発光素子の製造方法）
次に、上記第５の実施形態に係る発光素子１０５の製造方法について説明する。図８Ａ〜Ｅ、図９Ａ〜Ｄは、その製造方法を順に示す。
【００７２】
図８Ａに示すように、上述したＭＯＣＶＤ法により、例えば支持基板（第１基板）９１上に、半導体層２４５'が成長層として形成される。支持基板９１として、例えばGaAs基板が用いられる。ここでは第１半導体層２５と第２半導体層（第２コンタクト層２４）とを分けて示していない。支持基板９１上に、第１半導体層２５が形成され、その上に第２半導体層（第２コンタクト層２４）が、結晶成長により、垂直方向（積層方向）に形成されていく。この垂直方向は、つまり第１半導体層２５と第２半導体層の積層方向であり、積層方向に垂直な面が、半導体結晶の成長面である主面である。
【００７３】
図８Ｂに示すように、半導体層２４５'上に、導電膜がスパッタ等により形成され、フォトリソグラフィおよびエッチングにより、第２電極１２が形成される。そして、ドライエッチングにより、凹部２４３によるテクスチャ構造が、半導体層２４５'上に形成される。
【００７４】
図８Ｃに示すように、半導体層２４５'上に、絶縁層３３５（上記絶縁層３３の一部）が形成される。絶縁層３３５は、上述したように、例えば蒸着、またはスパッタ等により形成される。
【００７５】
図８Ｄに示すように、例えば図示しないポリイミド系樹脂の接着層を介して、透明基板９２（第２基板）が支持基板９１の反対側から半導体層２４５'に貼り付けられる。
【００７６】
その後、図８Ｅに示すように、半導体層２４５'から支持基板９１が除去される。例えば、支持基板９１がGaAs基板である場合、それは、第１導電型層（例えばAlGaInP）をストップ層として、グラインドおよびアンモニア過水により除去される。
【００７７】
次に、図９Ａに示すように、半導体層２４５'（図７に示す第１導電型層２１）上に第１電極１１および第１コンタクト層１１ａが形成される。第１電極１１および第１コンタクト層１１ａは、成膜、フォトリソグラフィおよびエッチングにより形成される。そして、図３Ａ〜Ｃに示したように、反応性イオンエッチングにより、半導体層２４５の形状が形成される。これにより、図９Ａに示すように、１つであった半導体層２４５'が複数の半導体層２４５に分離される。
【００７８】
図９Ｂに示すように、ＣＶＤ、蒸着、またはスパッタ等により、絶縁層３３５'およびその内部の金属層３５（図７参照）が形成される。
【００７９】
図９Ｃに示すように、第１電極１１上の絶縁層３３５'にエッチングにより開口３３ａが形成され、端子電極４１が、成膜、フォトリソグラフィおよびエッチングにより形成される。これにより、第１電極１１と端子電極４１が導通する。
【００８０】
図９Ｃの後、絶縁層３３５'同士で繋がれて一体となった各発光素子（素子層）が別の透明基板（後述する第３基板である、ウェーハ１５０の基板１０）に転写される。その別の透明基板上で、エッチング等により各発光素子が分離される。その後、発光素子はさらに別の基板（第４基板）に転写され、この転写には後述するレーザアブレーション法が用いられる。
【００８１】
各発光素子が分離された後、図９Ｄに示すように、個々の発光素子１０５'が、実装基板９３上の転写（実装）される。実装基板９３上には配線９４や電極パッドが形成されており、その配線９４に端子電極４１が接続されるように、個々の発光素子１０５'が実装基板９３上に実装される。この場合、通常の半田接合でもいいが、後述するようにメッキ接合により発光素子１０５'が実装基板９３の配線９４に接続されることが望ましい。
【００８２】
その後、配線電極４２（図７参照）が、第２電極１２に接続されるように形成され、発光素子１０５ができあがる。
【００８３】
第１電極１１に接続される端子電極４１の中央に開口が設けられていたり、端子電極４１が複数ある場合、特開2011-233733号公報に開示されたセルフアライメント方式により、発光素子１０１が実装基板上に仮固定されてもよい。その仮固定後、発光素子１０５'が実装基板９３の配線９４にメッキ接合されてもよい。
【００８４】
［第６の実施形態］
次に、本技術の第６の実施形態として、赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）の３色の光をそれぞれ発する発光素子１０５が配列されて構成される、つまり１画素に相当するＲＧＢパッケージ素子について説明する。
【００８５】
（パッケージ素子の構成）
図１０は、ＲＧＢパッケージ素子２０５を示す平面図である。図１１は、図１０におけるＡ−Ａ線断面図である。これら３種類（Ｒ，Ｇ，Ｂ）の各発光素子１０５の形状や構造は、実質的に同じであり、材料が異なる。Ｇ，Ｂの発光素子１０５では、AlGaNおよびInGaNを含むGaN系の材料が用いられる。Ｒ，Ｇ，Ｂの各発光素子１０５は、例えばｙ方向に沿って配列されているが、配列の仕方はこれに限られず、発光素子１０５の形状による場合もある。
【００８６】
これらの図に示すように、２種類の配線９４が実装基板９３上に形成されている。これらの配線９４は、データ線９４ｄとスキャン線９４ｓである。例えばここでは発光素子１０５の駆動方式としてパッシブマトリクス駆動方式が採用される。データ線９４ｄは、第１電極１１側の端子電極４１に接続され、スキャン線９４ｓは第２電極１２側の配線電極４２に接続されている。これら３つのＲ，Ｇ，Ｂの各発光素子１０５は、実装基板９３上の透明な樹脂封止部５０によりパッケージングされている。図１０では、樹脂封止部５０を太線で表し、配線９４を占める領域は一点鎖線で表している。樹脂封止部５０は、図示しない他のＲＧＢパッケージ素子と一体につながっていてもよい。
【００８７】
なお、図１０に示すように、上述した複数の凹部２４３で構成されるテクスチャ構造は、矩形の第２電極１２のｘ方向の両側に設けられ、また、各凹部２４３は、ｘ、ｙの両方向に沿って配列される。
【００８８】
（発光パネル装置の構成）
図１０、１１に示したような１画素を構成するＲＧＢパッケージ素子２０５が、複数、例えばマトリクス状に配列されることにより、発光パネル装置としての表示装置が構成される。図１３は、その発光パネル装置（表示装置）１００を模式的に示す斜視図である。
【００８９】
この発光パネル装置１００は、一例としてＲＧＢパッケージ素子２０５を含む実装基板９３と、この実装基板に重ね合わせられた透明基板９９とを有する発光パネル９５を備える。透明基板９９の表面が画像の表示面となり、透明基板９９は、中央部分に表示領域９９Ａを有し、その周囲に、非表示領域であるフレーム領域９９Ｂを有している。また、この発光パネル装置１００は、実装基板９３上の各発光素子１０５をそれぞれ駆動する図示しない駆動回路とを備える。
【００９０】
透明基板９９については、フレキシブル性、反射特性、分割した時に境界が見えないようにするなどの特性を、この透明基板９９に持たせるため、透明樹脂をこれに塗布する、もしくは、透明フィルムを貼るなどしてもよい。
【００９１】
発光パネル装置１００は、表示装置以外にも、照明装置としても機能する。発光パネル装置が照明装置である場合、必ずしもＲ，Ｇ，Ｂの３種類の発光素子を要せず、これらのうち少なくとも１種類の発光素子を備えていればよいし、その配列の仕方も任意である。
【００９２】
（パッケージ素子の製造方法）
図１２Ａ〜Ｄは、ＲＧＢパッケージ素子２０５の製造方法を順に示す。各図において、上図はその断面図を示し、下図はその平面図を示す。図１２Ａに示すように、AlまたはCu等の配線（上記データ線９４ｄ、スキャン線９４ｓ）となる導電型層が実装基板９３上に形成される。
【００９３】
図１２Ｂに示すように、各発光素子１０５'がデータ線９４ｄ上にそれぞれ実装される。データ線９４ｄと各発光素子１０５'の端子電極４１とは、例えばメッキ接合により接合される。符号４１で表される領域は、端子電極とメッキ層とが接合された領域となる。
【００９４】
図１２Ｃに示すように、成膜、フォトリソグラフィおよびエッチングにより、配線電極４２が形成され、これらがスキャン線９４ｓと接続される。
【００９５】
図１２Ｄに示すように、Ｒ，Ｇ，Ｂの各発光素子１０５が樹脂により覆われ、樹脂封止部５０が形成される。
【００９６】
［第７の実施形態］
図１４は、第７の実施形態に係る発光素子を垂直軸の方向（積層方向）で見た平面図であり、図１２に示した例の１つの発光素子の変形例を示す。図４を用いて上述したように、発光素子が、そのｘ、ｙ方向の長さが５μm以上１００μm以下のようなマイクロＬＥＤである場合、図１４に示すように、発光素子１０６の、積層方向で見た角部１０６ａが丸みを帯びているような形状に設計することにより、大きなメリットが生まれる。
【００９７】
発光素子１０６の角部１０６ａが丸みを帯びていることにより、角張った領域を減らすことができ、角部１０６ａの強度を高め、その損傷を確実に防ぐことができる。したがって、上述のようにパーティクルやダストを低減でき、発光効率の向上にも寄与し、製品の信頼性を高めることができる。マイクロＬＥＤの製造では、ダストを減らすことは重要であり、アスペクト比が大きなＬＥＤではさらに重要となる。
【００９８】
［ウェーハ］
図１５は、一実施形態に係るウェーハを示す平面図である。
【００９９】
ウェーハ１５０は、基板１０（第３基板）と、複数の発光素子（未だ配線電極４２等は形成されていない図７に示す発光素子１０５等）１１５を備える。ウェーハ１５０は、基板１０上に複数の発光素子１１５が規則的に配列された構成を有する。典型的には、発光素子１１５は、典型的にはマトリクス状に配列されている。
【０１００】
基板１０は、発光素子１１５が配置される表面を有し、例えば２〜１２インチウェーハで構成される。典型的には、１枚のウェーハには、同じ種類、つまり同じ色の光を発することが可能な発光素子１１５が設けられる。基板１０として、例えば後述するように照射されるレーザの波長の透過率の高い材料が用いられる。その材料は、例えばサファイヤ（Al2O3）、石英（SiO2）、ガラス等である。
【０１０１】
基板１０と発光素子１１５とを接合する図示しない接合層が設けられる。接合層は、例えばポリイミド等の接着性を有する熱可塑性樹脂材料等で構成される。接合層の材料としては上記に限定されず、例えば紫外線硬化樹脂や、粘着シート、粘着材等を採用することも可能である。
【０１０２】
上述した図９Ｃの後の工程では、基板１０を介しての所定波長のレーザの照射等により、接合層が加熱されてアブレーションを起こし、そのアブレーションのパワーで、少なくとも１つの発光素子１１５を基板１０から容易に分離させ、別の基板（第４基板）に発光素子が転写される。このようなレーザアブレーションを行うために、基板１０は、上述のようにレーザを透過しやすい材料で構成される。
【０１０３】
［第８の実施形態］
図１６は、GaN系の発光素子の構成を示す断面図である。この発光素子１０７は、第１電極１１１、半導体層１４５、および第２電極１１２を有する。半導体層１４５は、第１電極１１１側から、GaN:Si（Siドープ）、GaN:Si（Siドープ）、InGaN、AlGaN:Mg（Mgドープ）、GaN:Mg（Mgドープ）である。
【０１０４】
半導体層１４５を成長させる図示しない基板は、サファイア、Si、SiC、またはGaN等、どれでも構わない。基板は、グラインドまたはレーザ剥離により除去され、第１電極１１１側の光取り出し面１４５ａが形成される。
【０１０５】
半導体層１４５上に、成膜、フォトリソグラフィおよびエッチングにより、第１電極１１１、第２電極１１２が形成される。図３で説明したエッチングにより、Inを含むInGaNの側面１４５ｂが斜面（積層方向に対して第１の角度）として形成される。他の層の側面は、積層方向に対して第１の角度より小さく垂直に近い角度で形成される。そして、別工程によるエッチングにより、半導体層１４５が複数の発光素子１０７として分離される。
【０１０６】
［第９の実施形態］
図１７は、発光素子以外の素子の半導体素子として、例えばスイッチング素子として用いられるＨＥＭＴ（High Electron Mobility Transistor）素子の構成を示す断面図である。
【０１０７】
このＨＥＭＴ素子１０８は、基板９７上にGaN、AlN、およびAlInNの各層を半導体層３４５として有し、AlInN上にソース電極１５ｓ、ゲート電極１５ｇ、およびドレイン電極１５ｄを有する。
【０１０８】
基板９７は、半導体層３４５を成長させる基板であり、サファイア、Si、SiC、またはGaN等、どれでも構わない。図３で説明したエッチングにより、Inを含むAlInNの側面３４５ｂが上記第１の角度を有する斜面として形成される。また別工程によるエッチングにより、半導体層３４５が複数の発光素子１０１として分離される。
【０１０９】
ＨＥＭＴ素子は、平面で見た一辺のサイズが数μm〜数十μm、半導体層３４５の厚さは１μm〜数μmであり、マイクロオーダーのサイズを有する素子である。
【０１１０】
［その他の実施形態］
本技術は、以上説明した実施形態に限定されず、他の種々の実施形態を実現することができる。
【０１１１】
例えば上記の説明では、半導体素子として、発光素子またはＨＥＭＴ素子を例に挙げたが、Inを含む他の半導体素子にも本技術を適用可能である。
【０１１２】
例えば上記の説明では、半導体素子として、発光素子またはＨＥＭＴ素子を例に挙げたが、Inを含む他の半導体素子にも本技術を適用可能である。
【０１１３】
図１１の第５の実施形態では、第１の角度を有する側面２５１および第２の角度を有する側面２４１を備えた発光素子１０５に、テクスチャ構造として凹部２４３が設けられる構造を示した。しかし、これら本技術の特徴的な構造である角度不連続な側面を備えない発光素子が、テクスチャ構造として凹部を備える形態も本技術の範囲内の形態である。
【０１１４】
以上説明した各形態の特徴部分のうち、少なくとも２つの特徴部分を組み合わせることも可能である。
【０１１５】
本技術は以下のような構成もとることができる。
（１）
積層方向に成長して形成された成長面である主面と、第１の角度で設けられた側面を有し、前記積層方向で成長して形成された、In（インジウム）を含む第１半導体層と、
前記積層方向に対して、前記第１の角度と異なる第２の角度で、前記第１半導体層の側面に原子層レベルで連続して設けられた側面を有し、Inを含まない第２半導体層と
を具備する半導体素子。
（２）
前記（１）に記載の半導体素子であって、
前記第１半導体層および前記第２半導体層の各側面は、前記第１半導体層および前記第２半導体層の積層方向に対して前記第２の角度より前記第１の角度が大きくなるように、構成される
半導体素子。
（３）
（１）または（２）に記載の半導体素子であって、
第１導電型層、活性層、および第２導電型層をさらに具備し、
前記第１半導体層が、それら３つの層のうち少なくとも１つを含む
半導体素子。
（４）
前記（３）に記載の半導体素子であって、
前記第１半導体層は、AlGaInPまたはGaInPを含み、
前記第２半導体層は、GaPを含む
半導体素子。
（５）
前記（３）に記載の半導体素子であって、
前記第１半導体層は、InGaNを含み、
前記第２半導体層は、GaNを含む
半導体素子。
（６）
前記（３）から（５）のうちいずれか１つに記載の半導体素子であって、
前記第１導電型層に接続された第１コンタクト層をさらに具備し、
前記第１半導体層は、前記第２導電型層を含み、
前記第２半導体層は、前記第２導電型層に、中間層を介してまたは直接接続された第２コンタクト層を有する
半導体素子。
（７）
前記（３）から（５）のうちいずれか１つに記載の半導体素子であって、
前記第１半導体層は、前記第２導電型層を含み、
前記第２半導体層は、前記第２導電型層に、中間層を介してまたは直接接続された第２コンタクト層を有し、
前記半導体素子は、
前記第１導電型層に接続された第１電極と、
前記第２コンタクト層に接続された第２電極と
をさらに具備する半導体素子。
（８）
前記（６）または（７）に記載の半導体素子であって、
前記第１半導体層および前記第２半導体層の前記各側面を覆う絶縁層と、
前記側面に対面するように前記絶縁層内に設けられた金属層と
をさらに具備する半導体素子。
（９）
前記（６）または（７）に記載の半導体素子であって、
前記第２コンタクト層は、前記第２導電型層側の面の反対側の面である光取り出し面を含み、
前記第２コンタクト層および前記第２導電型層は、前記光取り出し面側から、前記第２導電型層まで連続して形成された、前記活性層までは到達しない凹部を有する
半導体素子。
（１０）
前記（９）に記載の半導体素子であって、
前記凹部は、
前記第１半導体層で第３の角度を有する第１内面と、
前記第２半導体層で前記第１の角度と異なる第４の角度を有する第２内面と
を有する
半導体素子。
（１１）
前記（１）から（１０）のうちいずれか１つに記載の半導体素子であって、
前記半導体素子の積層方向で見た縦および横の長さは、５μm以上１００μm以下である
半導体素子。
（１２）
前記（１１）に記載の半導体素子であって、
前記半導体素子の前記積層方向で見た角部は丸みを帯びている
半導体素子。
（１３）
前記（１）に記載の半導体素子であって、
前記第１半導体層は、AlInNを含み、
前記第２半導体層は、AlNを含む
半導体素子。
（１４）
前記（３）から（１３）のうちいずれか１つに記載の半導体素子であって、
前記第１半導体層または前記第２半導体層の厚さは、前記活性層から発せられる光の波長を屈折率で除した値より大きい
半導体素子。
（１５）
積層方向に成長して形成され、In（インジウム）を含む第１半導体層と、
前記第１半導体層に原子層レベルで連続して、前記積層方向に積層された、Inを含まない第２半導体層とを具備し、
前記第１半導体層および前記第２半導体層は、それらの層に連続して設けられた凹部を有し、
前記凹部は、
前記第１半導体層で、前記積層方向に対して第１の角度を有する第１内面と、
前記第２半導体層で、前記積層方向に対して前記第１の角度と異なる第２の角度を有する第２内面と
を有する
半導体素子。
（１６）
基板と、
前記基板上に実装された複数の半導体素子と、
前記基板上に設けられ、前記複数の半導体素子を覆う樹脂封止部とを具備し、
前記複数の半導体素子のうち少なくとも１つは、
積層方向に成長して形成された成長面である主面と、その積層方向に対して第１の角度で設けられた側面とを有し、In（インジウム）を含む第１半導体層と、
前記積層方向に対して、前記第１の角度と異なる第２の角度で、前記第１半導体層の側面に原子層レベルで連続して設けられた側面を有し、Inを含まない第２半導体層と
を有する
パッケージ素子。
（１７）
基板と、前記基板上に実装された複数の発光素子と、前記基板上に設けられ、前記複数の発光素子を覆う樹脂封止部とを有する発光パネルと、
前記発光パネルを駆動する駆動回路とを具備し、
前記複数の発光素子のうち少なくも１つは、
積層方向に成長して形成された成長面である主面と、その積層方向に対して第１の角度で設けられた側面とを有し、In（インジウム）を含む第１半導体層と、
前記積層方向に対して、前記第１の角度と異なる第２の角度で、前記第１半導体層の側面に原子層レベルで連続して設けられた側面を有し、Inを含まない第２半導体層と
を有する
発光パネル装置。
（１８）
基板と、
前記基板上に規則的に配列された複数の半導体素子とを具備し、
前記複数の半導体素子のうち少なくとも１つは、
積層方向に成長して形成された成長面である主面と、その積層方向に対して第１の角度で設けられた側面を有し、In（インジウム）を含む第１半導体層と、
前記積層方向に対して、前記第１の角度と異なる、第２の角度で、前記第１半導体層の側面に原子層レベルで連続して設けられた側面を有し、Inを含まない第２半導体層と
を有する
ウェーハ。
（１９）
In（インジウム）を含む第１半導体層およびInを含まない第２半導体層を積層して形成し、
前記第１半導体層の側面が、前記積層の方向に対して第１の角度で形成されるように、かつ、前記第１半導体層の側面に連続する、前記第２半導体層の側面が、前記第１の角度と異なる第２の角度で形成されるように、前記第１半導体層および前記第２半導体層をエッチングする
半導体素子の製造方法。
（２０）
（１９）に記載の半導体素子の製造方法であって、
前記エッチング工程では、異方性エッチングが行われる
半導体素子の製造方法。
（２１）
前記（２０）に記載の半導体素子の製造方法であって、
前記第１半導体層および前記第２半導体層の積層形成工程では、第１基板上に、前記第１半導体層を結晶成長させて、前記第１半導体層上に前記第２半導体層を結晶成長させ、
前記半導体素子の製造方法は、
前記第１基板の反対側から、前記第１および第２半導体層に第２基板を貼り付ける工程と、
前記第２基板の貼り付け後、前記第１基板を除去する工程と
をさらに具備し、
前記異方性エッチング工程では、前記第１基板の除去工程の後、前記第１半導体層側から前記第２半導体層側へこれら第１および第２半導体層が除去されていくようにエッチングが行われる
半導体素子の製造方法。
（２２）
前記（２１）に記載の半導体素子の製造方法であって、
前記異方性エッチング工程の後、前記第１および第２半導体層を含む素子層を、第３基板に転写し、
転写された素子層を複数の半導体素子に分離させる
半導体素子の製造方法。
（２３）
前記（２２）に記載の半導体素子の製造方法であって、
前記第３基板は、所定波長のレーザを透過させる材料で構成され、
前記複数の半導体素子に分離された後、前記所定波長のレーザによるレーザアブレーション法を用いて、少なくとも１つの半導体素子を第４基板に転写する
半導体素子の製造方法。
【符号の説明】
【０１１６】
１１、１１１…第１電極
１２、１１２…第２電極
２１…第１導電型層
２２…第２導電型層
２３…活性層
２４…コンタクト層
２５、１４５、２４５、３４５…半導体層
３３…絶縁層
３５…金属層
５０…樹脂封止部
９５…発光パネル
１００…発光パネル装置
１０１〜１０７…発光素子
１０８…ＨＥＭＴ素子
２０５…ＲＧＢパッケージ素子
１４５ｂ、２４１、２５１、３４５ｂ…側面
２４２…光取り出し面
２４３ａ…第１内面
２４３ｂ…第２内面
２４３…凹部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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