(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
厚さが略等しい複数の内部電極層が厚さが略等しい誘電体層を介して積層され、前記複数の内部電極層が１対の外部電極に交互に接続された容量部を有しており、
前記容量部において積層方向で隣接する２層の前記内部電極層と該２層の内部電極層の間に介在する前記誘電体層によって構成された部分を単位コンデンサとして捉えたとき、前記容量部は積層方向に並ぶｎ個（ｎ≧ｘ＋ｙ＋ｚ、ｘとｙとｚは２以上の整数）の単位コンデンサが前記１対の外部電極に並列接続された等価回路を形成している積層セラミックコンデンサであって、
前記ｎ個の単位コンデンサは、（１）前記ｘ個の単位コンデンサから成る第１低容量区域と、（２）前記ｘ個の単位コンデンサよりも単位容量が大きな前記ｙ個の単位コンデンサから成る高容量区域と、（３）前記ｙ個の単位コンデンサよりも単位容量が小さな前記ｚ個の単位コンデンサから成る第２低容量区域と、（４）前記第１低容量区域と前記高容量区域との間に存在し、前記第１低容量区域側で単位容量差が最大となる隣接した２個の単位コンデンサを含む第１容量変化部と、（５）前記高容量区域と前記第２低容量区域との間に存在し、前記第２低容量区域側で単位容量差が最大となる隣接した２個の単位コンデンサを含む第２容量変化部と、を構成しており、
前記ｎ個の単位コンデンサの平均単位容量をＣｍｅとし、前記第１容量変化部における最大の単位容量差をΔＣｂ１とし、前記第２容量変化部における最大の単位容量差をΔＣｂ２としたとき、前記Ｃｍｅと前記ΔＣｂ１と前記ΔＣｂ２は、０．１５≦ΔＣｂ１／Ｃｍｅ、且つ、０．１５≦ΔＣｂ２／Ｃｍｅの条件を満足している、
積層セラミックコンデンサ。
【請求項２】
前記ｎ個の単位コンデンサの最大単位容量をＣｍａｘとし、最小単位容量をＣｍｉｎとしたとき、前記Ｃｍａｘと前記Ｃｍｉｎは、１．４≦Ｃｍａｘ／Ｃｍｉｎの条件を満足している、
請求項１に記載の積層セラミックコンデンサ。
【請求項３】
請求項２に記載の条件が、１．４≦Ｃｍａｘ／Ｃｍｉｎ≦３．１である、
請求項２に記載の積層セラミックコンデンサ。
【請求項４】
前記ｎと、前記ｘ及び前記ｚの和（ｘ＋ｚ）は、０．０５≦（ｘ＋ｚ）／ｎの条件を満足している、
請求項１〜３の何れか１項に記載の積層セラミックコンデンサ。
【請求項５】
請求項４に記載の条件が、０．０７≦（ｘ＋ｚ）／ｎ≦０．３０である、
請求項４に記載の積層セラミックコンデンサ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、積層セラミックコンデンサに関する。
【背景技術】
【０００２】
積層セラミックコンデンサは、一般に、積層構造のコンデンサ本体と１対の外部電極とを備え、長さと幅と高さで規定された略直方体状を成している。この積層セラミックコンデンサの静電容量は、コンデンサ本体が有する容量部、即ち、複数の内部電極層が誘電体層を介して積層された部分によって確保されている。
【０００３】
この種の積層セラミックコンデンサに対しては大容量化の要求が依然として高く、該要求を満足するには容量部の内部電極層間に介在する誘電体層の薄厚化が有効である。しかしながら、誘電体材料の一般的性質からして、容量部の誘電体層を例えば１．０μｍ以下に薄厚化して静電容量を増加すると絶縁抵抗が減少する傾向がある。つまり、誘電体層の薄厚化して静電容量を増加しても絶縁抵抗が減少してしまうことから、積層セラミックコンデンサの特性を表すＣＲ積（静電容量と絶縁抵抗の積）が低下して、該ＣＲ積が許容範囲を下回る懸念がある。
【０００４】
尚、下記特許文献１には、厚さが２．５μｍ以下の誘電体層に含まれる結晶粒子の粒径及び体積割合を制限することによってＣＲ積の低下抑制を図った発明が記載されているが、結晶粒子の粒径及び体積割合を正確に制限することは製法との絡みにおいて難しいことから、ＣＲ積の向上を期待通りに行うことは困難である。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００１−３３８８２８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本発明の課題は、ＣＲ積の向上が図れる積層セラミックコンデンサを提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
前記課題を解決するため、本発明に係る積層セラミックコンデンサは、複数の内部電極層が誘電体層を介して積層され、前記複数の内部電極層が１対の外部電極に交互に接続されており、積層方向で隣接する２層の前記内部電極層と該２層の内部電極層の間に介在する前記誘電体層によって構成された部分を単位コンデンサとして捉えたとき、前記積層セラミックコンデンサはｎ個（ｎ≧ｘ＋ｙ＋ｚ、ｘとｙとｚは２以上の整数）の単位コンデンサを備えており、前記ｎ個の単位コンデンサは、（１）前記ｘ個の単位コンデンサから成る第１低容量区域と、（２）前記ｘ個の単位コンデンサよりも単位容量が大きな前記ｙ個の単位コンデンサから成る高容量区域と、（３）前記ｙ個の単位コンデンサよりも単位容量が小さな前記ｚ個の単位コンデンサから成る第２低容量区域と、（４）前記第１低容量区域と前記高容量区域との間に存在し、前記第１低容量区域側で単位容量差が最大となる隣接した２個の単位コンデンサを含む第１容量変化部と、（５）前記高容量区域と前記第２低容量区域との間に存在し、前記第２低容量区域側で単位容量差が最大となる隣接した２個の単位コンデンサを含む第２容量変化部と、を構成している。
【発明の効果】
【０００８】
本発明によれば、ＣＲ積の向上が図れる積層セラミックコンデンサを提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】図１は本発明を適用した積層セラミックコンデンサ（基本構造）の上面図である。
【図２】図２は図１のＳ−Ｓ線に沿う縦断面図である。
【図３】図３は図１及び図２に示した容量部の等価回路図である。
【図４】図４は図１〜図３に示した積層セラミックコンデンサの容量部を構成する単位コンデンサの容量分布（例１）を示す図である。
【図５】図５は図１〜図３に示した積層セラミックコンデンサの容量部を構成する単位コンデンサの容量分布（例２）を示す図である。
【図６】図６は図１〜図３に示した積層セラミックコンデンサの容量部を構成する単位コンデンサの容量分布（例３）を示す図である。
【図７】図７は図１〜図３に示した積層セラミックコンデンサの容量部を構成する単位コンデンサの容量分布（例４）を示す図である。
【図８】図８は検証用サンプルＮｏ．１〜Ｎｏ．６の特性を示す図である。
【図９】図９は図８に示したサンプルＮｏ．１〜Ｎｏ．３の容量部を構成する単位コンデンサの容量分布を示す図である。
【図１０】図１０は図８に示したサンプルＮｏ．５の容量部を構成する単位コンデンサの容量分布を示す図である。
【図１１】図１１は検証用サンプルＮｏ．７〜Ｎｏ．１０の特性を示す図である。
【図１２】図１２は図１１に示したサンプルＮｏ．８の容量部を構成する単位コンデンサの容量分布を示す図である。
【図１３】図１３は図１１に示したサンプルＮｏ．９の容量部を構成する単位コンデンサの容量分布を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
先ず、図１〜図３を引用して、本発明を適用した積層セラミックコンデンサ１０の基本構造について説明する。因みに、図１〜図３には、説明の便宜上、後記容量部１１ａを構成する単位コンデンサの数を２３個としたものを示してある。
【００１１】
図１及び図２に示した積層セラミックコンデンサ１０は、積層構造のコンデンサ本体１１と１対の外部電極１２とを備え、長さＬと幅Ｗと高さＨ（何れも基準値）で規定された略直方体状を成している。この積層セラミックコンデンサ１０は長さＬ＞幅Ｗ＝高さＨの条件を満足しているが、長さＬ＞幅Ｗ＞高さＨの条件、或いは、長さＬ＞高さＨ＞幅Ｗの条件を満足するものであっても良い。
【００１２】
コンデンサ本体１１は、２４層の内部電極層１１ａ１が誘電体層１１ａ２を介して積層された容量部１１ａと、誘電体製の第１保護部１１ｂと、誘電体製の第２保護部１１ｃとを、高さ方向に第１保護部１１ｂ−容量部１１ａ−第２保護部１１ｃの順で層状に並ぶように有しており、長さと幅と高さ（何れも基準値）で規定された略直方体状を成している。このコンデンサ本体１１も長さ＞幅＝高さの条件を満足しているが、前掲と同様に、長さ＞幅＞高さの条件、或いは、長さ＞高さ＞幅の条件を満足するものであっても良い。
【００１３】
容量部１１ａに含まれる２４層の内部電極層１１ａ１は、各々の輪郭形状が略等しい矩形であり、各々の厚さも略等しい。また、容量部１１ａに含まれる２３層の誘電体層１１ａ２（隣接する２層の内部電極層１１ａ１に挟まれた部分と挟まれていない長さ方向両側部分を含む層）は、各々の輪郭形状が略等しく、且つ、内部電極層１１ａ１の輪郭形状よりも大きな矩形であり、各々の厚さも略等しい。２４層の内部電極層１１ａ１は長さ方向に交互にずれていて、図２の上から奇数番目に当たる１２層の内部電極層１１ａ１の端縁は外部電極１２の一方（図２の左側）に電気的に接続され、且つ、図２の上から偶数番目に当たる１２層の内部電極層１１ａ１の端縁は外部電極１２の他方（図２の右側）に電気的に接続されている。
【００１４】
要するに、容量部１１ａにおいて積層方向で隣接する２層の内部電極層１１ａ１と該２層の内部電極層１１ａ１の間に介在する１層の誘電体層１１ａ２によって構成された部分を単位コンデンサとして捉えたとき、該容量部１１ａは、積層方向に並ぶ２３個の単位コンデンサＵＣ１〜ＵＣ２３が１対の外部電極１２に並列接続された等価回路を形成している（図３を参照）。
【００１５】
容量部１１ａに含まれる２４層の内部電極層１１ａ１には、好ましくはニッケル、銅、パラジウム、白金、銀、金、これらの合金等を主成分した良導体を使用できる。また、容量部１１ａに含まれる２３層の誘電体層１１ａ２には、好ましくはチタン酸バリウム、チタン酸ストロンチウム、チタン酸カルシウム、チタン酸マグネシウム、ジルコン酸カルシウム、チタン酸ジルコン酸カルシウム、ジルコン酸バリウム、酸化チタン等を主成分とした誘電体セラミックス、より好ましくはε＞１０００又はクラス２（高誘電率系）の誘電体セラミックスを使用できる。
【００１６】
各外部電極１２は、コンデンサ本体１１の長さ方向端面と該端面と隣接する４側面の一部を覆うように設けられている。図示を省略したが、各外部電極１２はコンデンサ本体１１の外面に密着した下地膜と、該下地膜の外面に密着した表面膜との２層構造、或いは、下地膜と表面膜との間に少なくとも１つの中間膜を有する多層構造を有している。下地膜は例えば焼き付け膜から成り、該焼き付け膜には、好ましくはニッケル、銅、パラジウム、白金、銀、金、これらの合金等を主成分した良導体を使用できる。表面膜は例えばメッキ膜から成り、該メッキ膜には、好ましくはスズ、パラジウム、金、亜鉛、これらの合金等を主成分とした良導体を使用できる。中間膜は例えばメッキ膜から成り、該メッキ膜には、好ましくは白金、パラジウム、金、銅、ニッケル、これらの合金等を主成分とした良導体を使用できる。
【００１７】
次に、図４〜図７を引用して、図１〜図３に示した積層セラミックコンデンサ１０の容量部１１ａを構成する２３個の単位コンデンサＵＣ１〜ＵＣ２３の容量分布（例１〜例４）について説明する。因みに、図４〜図７に記した太実線及び太破線は各々の容量分布を分かり易く表示するための近似線であり、各単位コンデンサＵＣ１〜ＵＣ２３の単位容量を順に結んだ線（後記第１容量変化部Ｂ１と後記第２容量変化部Ｂ２を除く）ではない。
【００１８】
例１〜例３（図４〜図６を参照）にあっては、容量部１１ａを構成する２３個の単位コンデンサＵＣ１〜ＵＣ２３は、３個の単位コンデンサＵＣ１〜ＵＣ３から成る第１低容量区域ＬＡ１と、３個の単位コンデンサＵＣ１〜ＵＣ３よりも単位容量が大きな１７個の単位コンデンサＵＣ４〜ＵＣ２０から成る高容量区域ＨＡと、１７個の単位コンデンサＵＣ４〜ＵＣ２０よりも単位容量が小さな３個の単位コンデンサＵＣ２１〜ＵＣ２３から成る第２低容量区域ＬＡ２とが、積層方向で順に存する容量分布を形成している。高容量区域ＨＡを構成する１７個の単位コンデンサＵＣ４〜ＵＣ２０は、各々の単位容量が略同じであっても良く（図４を参照）、各々の単位容量が積層方向中央に向かって徐々に減少する傾向を示していても良く（図５を参照）、各々の単位容量が積層方向中央に向かって徐々に増加する傾向を示していても良い（図６を参照）。先に述べたように例１〜例３（図４〜図６を参照）では各々の容量分布を近似線で表示したが、実際上、例１（図４を参照）の第１低容量区域ＬＡ１を構成する３個の単位コンデンサＵＣ１〜ＵＣ３の単位容量は必ずしも同じでなく、高容量区域ＨＡを構成する１７個の単位コンデンサＵＣ４〜ＵＣ２０の単位容量は必ずしも同じでなく、第２低容量区域ＬＡ２を構成する３個の単位コンデンサＵＣ２１〜ＵＣ２３の単位容量は必ずしも同じではない。また、例２（図５を参照）の高容量区域ＨＡを構成する１７個の単位コンデンサＵＣ４〜ＵＣ２０において、隣接する２個の単位コンデンサの単位容量差それぞれは必ずしも同じではなく、例３（図６を参照）の高容量区域ＨＡを構成する１７個の単位コンデンサＵＣ４〜ＵＣ２０において、隣接する２個の単位コンデンサの単位容量差それぞれは必ずしも同じではない。
【００１９】
これら容量分布において、第１低容量区域ＬＡ１と高容量区域ＨＡとの間には、隣接する２個の単位コンデンサＵＣ３及びＵＣ４によって構成された第１容量変化部Ｂ１が存在し、高容量区域ＨＡと第２低容量区域ＬＡ２との間には、隣接する２個の単位コンデンサＵＣ２０及びＵＣ２１によって構成された第２容量変化部Ｂ２が存在する。第１容量変化部Ｂ１のΔＣｂ１は第１低容量区域ＬＡ１側に現れた最大の単位容量差を示すものであって、この場合は第１容量変化部Ｂ１が２個の単位コンデンサＵＣ３及びＵＣ４によって構成されていることから、単位コンデンサＵＣ３及びＵＣ４の単位容量差が最大の単位容量差ΔＣｂ１となっている。一方、第２容量変化部Ｂ２のΔＣｂ２は第２低容量区域ＬＡ２側に現れた最大の単位容量差を示すものであって、この場合は第２容量変化部Ｂ２が２個の単位コンデンサＵＣ２０及びＵＣ２１によって構成されていることから、単位コンデンサＵＣ２０及びＵＣ２１の単位容量差が最大の単位容量差ΔＣｂ２となっている。即ち、例１〜例３（図４〜図６を参照）からも分かるように、第１容量変化部Ｂ１は、２３個の単位コンデンサＵＣ１〜ＵＣ２３において、隣接する２個の単位コンデンサの単位容量差それぞれのうちで該単位容量差がプラス側で最大となる２個の単位コンデンサＵＣ３及びＵＣ４を含み、一方、第２容量変化部Ｂ２は、２３個の単位コンデンサＵＣ１〜ＵＣ２３において、隣接する２個の単位コンデンサの単位容量差それぞれのうちで該単位容量差がマイナス側で最大となる２個の単位コンデンサＵＣ２０及びＵＣ２１を含む。
【００２０】
一方、例４（図７を参照）にあっては、容量部１１ａを構成する２３個の単位コンデンサＵＣ１〜ＵＣ２３は、２個の単位コンデンサＵＣ１及びＵＣ２から成る第１低容量区域ＬＡ１と、２個の単位コンデンサＵＣ１及びＵＣ２よりも単位容量が大きな１７個の単位コンデンサＵＣ４〜ＵＣ２０から成る高容量区域ＨＡと、１７個の単位コンデンサＵＣ４〜ＵＣ２０よりも単位容量が小さな２個の単位コンデンサＵＣ２２及びＵＣ２３から成る第２低容量区域ＬＡ２とが、積層方向で順に存する容量分布を形成している。高容量区域ＨＡを構成する１７個の単位コンデンサＵＣ４〜ＵＣ２０は、図４〜図６（例１〜例３）と同様に、各々の単位容量が略同じであっても良く（太実線を参照）、各々の単位容量が積層方向中央に向かって徐々に減少する傾向を示していても良く（下側太破線を参照）、各々の単位容量が積層方向中央に向かって徐々に増加する傾向を示していても良い（上側太破線を参照）。先に述べたように例４（図７）では容量分布を近似線で表示したが、実際上、例４（図７を参照）の第１低容量区域ＬＡ１を構成する２個の単位コンデンサＵＣ１及びＵＣ２の単位容量は必ずしも同じでなく、太実線で示した高容量区域ＨＡを構成する１７個の単位コンデンサＵＣ４〜ＵＣ２０の単位容量は必ずしも同じでなく、第２低容量区域ＬＡ２を構成する２個の単位コンデンサＵＣ２２及びＵＣ２３の単位容量は必ずしも同じではない。また、例４（図７を参照）に下側太破線で示した高容量区域ＨＡを構成する１７個の単位コンデンサＵＣ４〜ＵＣ２０において、隣接する２個の単位コンデンサの単位容量差それぞれは必ずしも同じではなく、例４（図７を参照）に上側太破線で示した高容量区域ＨＡを構成する１７個の単位コンデンサＵＣ４〜ＵＣ２０において、隣接する２個の単位コンデンサの単位容量差それぞれは必ずしも同じではない。
【００２１】
この容量分布において、第１低容量区域ＬＡ１と高容量区域ＨＡとの間には、連なっている３個の単位コンデンサＵＣ２〜ＵＣ４によって構成された第１容量変化部Ｂ１が存在し、高容量区域ＨＡと第２低容量区域ＬＡ２との間には、連なっている３個の単位コンデンサＵＣ２０〜ＵＣ２２によって構成された第２容量変化部Ｂ２が存在する。第１容量変化部Ｂ１のΔＣｂ１は第１低容量区域ＬＡ１側に現れた最大の単位容量差を示すものであって、この場合は第１容量変化部Ｂ１が３個の単位コンデンサＵＣ２〜ＵＣ４によって構成されていることから、単位コンデンサＵＣ２及びＵＣ３の単位容量差と単位コンデンサＵＣ３及びＵＣ４の単位容量差のうちの最大値、つまり、単位コンデンサＵＣ３及びＵＣ４の単位容量差が最大の単位容量差ΔＣｂ１となっている。一方、第２容量変化部Ｂ２のΔＣｂ２は第２低容量区域ＬＡ２側に現れた最大の単位容量差を示すものであって、この場合は第２容量変化部Ｂ２が３個の単位コンデンサＵＣ２０〜ＵＣ２２によって構成されていることから、単位コンデンサＵＣ２０及びＵＣ２１の単位容量差と単位コンデンサＵＣ２１及びＵＣ２２の単位容量差のうちの最大値、つまり、単位コンデンサＵＣ２０及びＵＣ２１の単位容量差が最大の単位容量差ΔＣｂ２となっている。即ち、例４（図７を参照）からも分かるように、第１容量変化部Ｂ１は、２３個の単位コンデンサＵＣ１〜ＵＣ２３において、隣接する２個の単位コンデンサの単位容量差それぞれのうちで該単位容量差がプラス側で最大となる２個の単位コンデンサＵＣ３及びＵＣ４を含み、一方、第２容量変化部Ｂ２は、２３個の単位コンデンサＵＣ１〜ＵＣ２３において、隣接する２個の単位コンデンサの単位容量差それぞれのうちで該単位容量差がマイナス側で最大となる２個の単位コンデンサＵＣ２０及びＵＣ２１を含む。
【００２２】
次に、図８に示した検証用サンプルＮｏ．１〜Ｎｏ．６（積層セラミックコンデンサ）の仕様及び製法について説明する。
【００２３】
〈サンプルＮｏ．１の仕様及び製法〉
サンプルＮｏ．１の仕様（寸法は何れも基準値）は、
・長さＬが３２００μｍ、幅Ｗ及び高さＨが１６００μｍ
・容量部１１ａの厚さが１４００μｍ、内部電極層１１ａ１の厚さが１．０μｍで主成分がニッケル、誘電体層１１ａ２の厚さが０．８μｍで主成分がチタン酸バリウム
・容量部１１ａを構成する単位コンデンサの数が８００個
・第１保護部１１ｂの厚さ及び第２保護部１１ｃの厚さが１００μｍで主成分がチタン酸バリウム
・外部電極１２の厚さが１０μｍでニッケルを主成分とする下地膜と銅を主成分とする中間膜とスズを主成分とする表面膜の３層構造、コンデンサ本体１１の４側面の一部を覆う部分の長さが６４０μｍ
である。
【００２４】
また、サンプルＮｏ．１の製法は、
・チタン酸バリウム粉末とエタノール（溶剤）とポリビニルブチラール（バインダ）と酸化ホルミウム（焼結抑制剤、０．５ｍｏｌ％）を含むセラミックスラリーを準備し、該セラミックスラリーをキャリアフィルム上にセラミックスラリーを塗工し乾燥して、第１グリーンシートを作製
・ニッケル粉末とターピネオール（溶剤）とエチルセルロース（バインダ）を含む電極ペーストを準備し、該電極ペーストを第１グリーンシート上に千鳥状又はマトリクス状に印刷し乾燥して、内部電極層用パターン群が形成された第２グリーンシートを作製
・第１グリーンシートから打ち抜いた単位シートを所定数に至るまで積み重ねて熱圧着して、第２保護部１１ｃに対応した部位を作製
・第２グリーンシートから打ち抜いた単位シート（内部電極層用パターン群を含む）を所定数に至るまで積み重ねて熱圧着して、容量部１１ａに対応した部位を作製
・第１グリーンシートから打ち抜いた単位シートを所定数に至るまで積み重ねて熱圧着して、第１保護部１１ｂに対応した部位を作製
・第２保護部１１ｃに対応した部位と容量部１１ａに対応した部位と第１保護部１１ｂに対応した部位とを本圧着して、未焼成積層シートを作製
・未焼成積層シートを格子状に切断して、コンデンサ本体１１に対応した未焼成チップを作製
・多数の未焼成チップを還元性雰囲気下、或いは、低酸素分圧雰囲気下で、チタン酸バリウム及びニッケルに応じた温度プロファイル（昇温速度は６００℃／ｈ）で焼成（脱バインダ処理と焼成処理を含む）を行って、コンデンサ本体１１に対応した焼成チップを作製
・焼成チップの長さ方向両端部に電極ペースト（内部電極層用の電極ペーストを流用）を塗布し、前記同様の雰囲気下で焼き付け処理を行って下地膜を形成し、その上に中間膜と表面膜を電解メッキ等のメッキ処理で形成して、外部電極１２を作製
の手順に依る。
【００２５】
〈サンプルＮｏ．２の仕様及び製法〉
サンプルＮｏ．２の仕様は、前記サンプルＮｏ．１の仕様と同じである。また、サンプルＮｏ．２の製法は、前記サンプルＮｏ．１の製法と、
・チタン酸バリウム粉末とエタノール（溶剤）とポリビニルブチラール（バインダ）と酸化ホルミウム（焼結抑制剤、０．７ｍｏｌ％）を含むセラミックスラリーを準備し、該セラミックスラリーをキャリアフィルム上にセラミックスラリーを塗工し乾燥して、第１グリーンシートを作製した点
において異なる。
【００２６】
〈サンプルＮｏ．３の仕様及び製法〉
サンプルＮｏ．３の仕様は、前記サンプルＮｏ．１の仕様と同じである。また、サンプルＮｏ．３の製法は、前記サンプルＮｏ．１の製法と、
・チタン酸バリウム粉末とエタノール（溶剤）とポリビニルブチラール（バインダ）と酸化ホルミウム（焼結抑制剤、０．８ｍｏｌ％）を含むセラミックスラリーを準備し、該セラミックスラリーをキャリアフィルム上にセラミックスラリーを塗工し乾燥して、第３グリーンシートを作製した点
・電極ペーストを第３グリーンシート上に千鳥状又はマトリクス状に印刷し乾燥して、内部電極層用パターン群が形成された第４グリーンシートを作製した点
・第３グリーンシートから打ち抜いた単位シートを所定数に至るまで積み重ねて熱圧着して、第２保護部１１ｃに対応した部位を作製した点
・第４グリーンシートから打ち抜いた単位シート（内部電極層用パターン群を含む）を所定数に至るまで積み重ねて熱圧着し、続いて前記第２グリーンシートから打ち抜いた単位シート（内部電極層用パターン群を含む）を所定数に至るまで積み重ねて熱圧着し、続いて第４グリーンシートから打ち抜いた単位シート（内部電極層用パターン群を含む）を所定数に至るまで積み重ねて熱圧着して、容量部１１ａに対応した部位を作製した点
・第３グリーンシートから打ち抜いた単位シートを所定数に至るまで積み重ねて熱圧着して、第１保護部１１ｂに対応した部位を作製した点
・多数の未焼成チップを還元性雰囲気下、或いは、低酸素分圧雰囲気下で、チタン酸バリウム及びニッケルに応じた温度プロファイル（昇温速度は１００００℃／ｈ）で焼成（脱バインダ処理と焼成処理を含む）を行って、コンデンサ本体１１に対応した焼成チップを作製した点
において異なる。
【００２７】
〈サンプルＮｏ．４の仕様及び製法〉
サンプルＮｏ．４の仕様は、前記サンプルＮｏ．１の仕様と同じである。また、サンプルＮｏ．４の製法は、前記サンプルＮｏ．３の製法と
・チタン酸バリウム粉末とエタノール（溶剤）とポリビニルブチラール（バインダ）と酸化ホルミウム（焼結抑制剤、０．９ｍｏｌ％）を含むセラミックスラリーを準備し、該セラミックスラリーをキャリアフィルム上にセラミックスラリーを塗工し乾燥して、第３グリーンシートを作製した点
において異なる。
【００２８】
〈サンプルＮｏ．５の仕様及び製法〉
サンプルＮｏ．５の仕様は、前記サンプルＮｏ．１の仕様と同じである。また、サンプルＮｏ．５の製法は、前記サンプルＮｏ．３の製法と、
・チタン酸バリウム粉末とエタノール（溶剤）とポリビニルブチラール（バインダ）と酸化ホルミウム（焼結抑制剤、１．０ｍｏｌ％）を含むセラミックスラリーを準備し、該セラミックスラリーをキャリアフィルム上にセラミックスラリーを塗工し乾燥して、第３グリーンシートを作製した点
において異なる。
【００２９】
〈サンプルＮｏ．６の仕様及び製法〉
サンプルＮｏ．６の仕様は、前記サンプルＮｏ．１の仕様と同じである。また、サンプルＮｏ．６の製法は、前記サンプルＮｏ．３の製法と、
・チタン酸バリウム粉末とエタノール（溶剤）とポリビニルブチラール（バインダ）と酸化ホルミウム（焼結抑制剤、１．３ｍｏｌ％）を含むセラミックスラリーを準備し、該セラミックスラリーをキャリアフィルム上にセラミックスラリーを塗工し乾燥して、第３グリーンシートを作製した点
において異なる。
【００３０】
次に、図８に記した特性項目の意味と各特性項目に記した数値等の測定方法について説明する
【００３１】
図８の「ｘ−ｙ−ｚ」欄は、容量部１１ａ構成する８００個の単位コンデンサＵＣ１〜ＵＣ８００のうち、第１低容量区域ＬＡ１を構成する単位コンデンサの個数ｘと、高容量区域ＨＡを構成する単位コンデンサの個数ｙと、第２低容量区域ＬＡ２を構成する単位コンデンサの個数ｚを示す。また、図８の「ΔＣｂ１／Ｃｍｅ」欄と「ΔＣｂ２／Ｃｍｅ」欄は、第１容量変化部Ｂ１における最大の単位容量差ΔＣｂ１と第２容量変化部Ｂ２における最大の単位容量差ΔＣｂ２のそれぞれを、容量部１１ａを構成する８００個の単位コンデンサＵＣ１〜ＵＣ８００の平均単位容量Ｃｍｅで除算した値を示す。補足すれば、最大の単位容量差ΔＣｂ１と最大の単位容量差ΔＣｂ２は、前記例４（図７を参照）を引用した先の説明と同様、第１容量変化部と第２容量変化部のそれぞれを構成する５個又は４個の単位コンデンサにおいて、隣接する２個の単位コンデンサの単位容量差それぞれのうちの最大値である。また、平均単位容量Ｃｍｅは、単位コンデンサＵＣ１〜ＵＣ８００それぞれの単位容量の測定値を合計して８００で割った値である。さらに、図８の「Ｃｍａｘ／Ｃｍｉｎ」欄は、容量部１１ａを構成する８００個の単位コンデンサＵＣ１〜ＵＣ８００における最大単位容量Ｃｍａｘを最小単位容量Ｃｍｉｎで除算した値を示す。さらに、図８の「Ｃｓｔ（ｎＦ）」欄は各サンプルの静電容量を示し、「Ｒｓｔ（ＭΩ）」欄は各サンプルの絶縁抵抗を示し、「ＣＲｐ（ΩＦ）」欄は各サンプルのＣＲ積（静電容量と絶縁抵抗の積）を示す。
【００３２】
図８の「ｘ−ｙ−ｚ」欄と「ΔＣｂ１／Ｃｍｅ」欄と「ΔＣｂ２／Ｃｍｅ」欄と「Ｃｍａｘ／Ｃｍｉｎ」欄の数値は、各サンプルを１０個ずつ用意し、各々から１対の外部電極１２を取り除いた状態で、８００個の単位コンデンサＵＣ１〜ＵＣ８００の単位容量をマニュアルプローバーとＬＣＲメータ（Ａｇｉｒｅｎｔ製、４２８４Ａ）を用いて測定した結果に基づいている（各１０個の平均値）。また、図８の「Ｃｓｔ（ｎＦ）」欄の数値は、各サンプルを１０個ずつ用意し、１対の外部電極１２を通じて各々の静電容量を１ｋＨｚ及び１Ｖ印加の条件にてＬＣＲメータ（Ａｇｉｒｅｎｔ製、４２８４Ａ）を用いて測定した結果に基づいている（各１０個の平均値）。さらに、図８の「Ｒｓｔ（ＭΩ）」欄の数値は、各サンプルを１０個ずつ用意し、１対の外部電極１２を通じて各々の絶縁抵抗を１Ｖ印加の条件にて絶縁抵抗計（ＡＤＣ製、Ｒ８３４０Ａ）を用いて測定した結果に基づいている。さらに、図８の「ＣＲｐ（ΩＦ）」欄の数値は、図８の「Ｃｓｔ（ｎＦ）」欄の数値と図８の「Ｒｓｔ（ＭΩ）」欄の数値を乗算した値である。
【００３３】
尚、後に説明するように、図８に示したサンプルＮｏ．１及びＮｏ．２の容量部１１ａの容量分布には、サンプルＮｏ．３及びＮｏ．５の容量部１１ａの容量分布のような第１低容量区域ＬＡ１と高容量区域ＨＡと第２低容量区域ＬＡ２が存しないため、図８におけるサンプルＮｏ．１及びＮｏ．２の「ｘ−ｙ−ｚ」欄、「ΔＣｂ１／Ｃｍｅ」欄及び「ΔＣｂ２／Ｃｍｅ」欄は何れも空欄となっている。
【００３４】
次に、図９及び図１０を引用して、図８に示したサンプルＮｏ．１〜Ｎｏ．６の容量部１１ａを構成する８００個の単位コンデンサＵＣ１〜ＵＣ８００の容量分布について説明する。
【００３５】
因みに、図９の上側太破線は、サンプルＮｏ．１の容量部１１ａを構成する８００個の単位コンデンサＵＣ１〜ＵＣ８００の単位容量（１０個の平均値）をプロットし、これらに準じて容量分布を近似線で分かり易く表示したものである。また、図９の下側太破線は、サンプルＮｏ．２の容量部１１ａを構成する８００個の単位コンデンサＵＣ１〜ＵＣ８００の単位容量（１０個の平均値）をプロットし、これらに準じて容量分布を近似線で分かり易く表示したものである。さらに、図９の太実線は、サンプルＮｏ．３の容量部１１ａを構成する８００個の単位コンデンサＵＣ１〜ＵＣ８００の単位容量（１０個の平均値）をプロットし、これらに準じて容量分布を近似線で分かり易く表示したものである。さらに、図１０の太実線は、サンプルＮｏ．５の容量部１１ａを構成する８００個の単位コンデンサＵＣ１〜ＵＣ８００の単位容量（１０個の平均値）をプロットし、これらに準じて容量分布を近似線で分かり易く表示したものである。
【００３６】
図９及び図１０から分かるように、サンプルＮｏ．１及びＮｏ．２の容量部１１ａを構成する８００個の単位コンデンサＵＣ１〜ＵＣ８００の容量分布は略直線的である。これに対し、サンプルＮｏ．３及びＮｏ．５の容量部１１ａを構成する８００個の単位コンデンサＵＣ１〜ＵＣ８００の容量分布は、第１低容量区域ＬＡ１と高容量区域ＨＡと第２低容量区域ＬＡ２とが積層方向で順に存する。
【００３７】
詳しく述べれば、サンプルＮｏ．３の容量部１１ａを構成する８００個の単位コンデンサＵＣ１〜ＵＣ８００は、７７個の単位コンデンサＵＣ１〜ＵＣ７７から成る第１低容量区域ＬＡ１と、７７個の単位コンデンサＵＣ１〜ＵＣ７７よりも単位容量が大きな６４０個の単位コンデンサＵＣ８１〜ＵＣ７２０から成る高容量区域ＨＡと、６４０個の単位コンデンサＵＣ８１〜ＵＣ７２０よりも単位容量が小さな７８個の単位コンデンサＵＣ７２３〜ＵＳ８００から成る第２低容量区域ＬＡ２とが、積層方向で順に存する容量分布を形成している。
【００３８】
この容量分布において、第１低容量区域ＬＡ１と高容量区域ＨＡとの間には、連なっている５個の単位コンデンサＵＣ７７〜ＵＣ８１によって構成された第１容量変化部Ｂ１が存在し、高容量区域ＨＡと第２低容量区域ＬＡ２との間には、連なっている４個の単位コンデンサＵＣ７２０〜ＵＣ７２３によって構成された第２容量変化部Ｂ２が存在する。図９に示していないが、第１容量変化部Ｂ１における最大の単位容量差ΔＣｂ１（図８を参照）は、先に述べたとおり、第１容量変化部Ｂ１を構成する５個の単位コンデンサＵＣ７７〜ＵＣ８１において、隣接する２個の単位コンデンサの単位容量差それぞれのうちの最大値を示す。一方、第２容量変化部Ｂ２における最大の単位容量差ΔＣｂ２（図８を参照）は、先に述べたとおり、第２容量変化部Ｂ２を構成する４個の単位コンデンサＵＣ７２０〜ＵＣ７２３において、隣接する２個の単位コンデンサの単位容量差それぞれのうちの最大値を示す。
【００３９】
また、サンプルＮｏ．５の容量部１１ａを構成する８００個の単位コンデンサＵＣ１〜ＵＣ８００は、７７個の単位コンデンサＵＣ１〜ＵＣ７７から成る第１低容量区域ＬＡ１と、７７個の単位コンデンサＵＣ１〜ＵＣ７７よりも単位容量が大きな６４０個の単位コンデンサＵＣ８１〜ＵＣ７２０から成る高容量区域ＨＡと、６４０個の単位コンデンサＵＣ８１〜ＵＣ７２０よりも単位容量が小さな７７個の単位コンデンサＵＣ７２４〜ＵＳ８００から成る第２低容量区域ＬＡ２とが、積層方向で順に存する容量分布を形成している。
【００４０】
この容量分布において、第１低容量区域ＬＡ１と高容量区域ＨＡとの間には、連なっている５個の単位コンデンサＵＣ７７〜ＵＣ８１によって構成された第１容量変化部Ｂ１が存在し、高容量区域ＨＡと第２低容量区域ＬＡ２との間には、連なっている５個の単位コンデンサＵＣ７２０〜ＵＣ７２４によって構成された第２容量変化部Ｂ２が存在する。図１０に示していないが、第１容量変化部Ｂ１における最大の単位容量差ΔＣｂ１（図８を参照）は、先に述べたとおり、第１容量変化部Ｂ１を構成する５個の単位コンデンサＵＣ７７〜ＵＣ８１において、隣接する２個の単位コンデンサの単位容量差それぞれのうちの最大値を示す。一方、第２容量変化部Ｂ２における最大の単位容量差ΔＣｂ２（図８を参照）は、先に述べたとおり、第２容量変化部Ｂ２を構成する５個の単位コンデンサＵＣ７２０〜ＵＣ７２４において、隣接する２個の単位コンデンサの単位容量差それぞれのうちの最大値を示す。
【００４１】
図示を省略したが、サンプルＮｏ．４の容量部１１ａを構成する８００個の単位コンデンサＵＣ１〜ＵＣ８００の容量分布は、第１低容量区域ＬＡ１及び第２低容量区域ＬＡ２の存在位置がサンプルＮｏ．３の容量部１１ａの容量分布よりも若干低くなるものの、第１低容量区域ＬＡ１と高容量区域ＨＡと第２低容量区域とが積層方向で順に存する容量分布を形成している。また、サンプルＮｏ．６の容量部１１ａを構成する８００個の単位コンデンサＵＣ１〜ＵＣ８００の容量分布は、第１低容量区域ＬＡ１及び第２低容量区域ＬＡ２の存在位置がサンプルＮｏ．５の容量部１１ａの容量分布よりも若干低くなるものの、第１低容量区域ＬＡ１と高容量区域ＨＡと第２低容量区域とが積層方向で順に存する容量分布を形成している。
【００４２】
次に、図８の特性項目に記した数値等を考慮の上で効果について説明する。
【００４３】
第１に、図８の「Ｃｓｔ（ｎＦ）」欄と「Ｒｓｔ（ＭΩ）」欄と「ＣＲｐ（ΩＦ）」欄の数値に着目すると、サンプルＮｏ．１は、静電容量Ｃｓｔが最も高いものの、絶縁抵抗Ｒｓｔが最も低いため、ＣＲ積ＣＲｐは最も低い。また、サンプルＮｏ．２は、絶縁抵抗ＲｓｔがサンプルＮｏ．１よりも高いものの、静電容量Ｃｓｔが最も低いため、ＣＲ積ＣＲｐは２番目に低い。これに対し、サンプルＮｏ．３〜Ｎｏ．６は、静電容量ＣｓｔがサンプルＮｏ．１よりも若干低いものの、絶縁抵抗ＲｓｔがサンプルＮｏ．２と同じか又はサンプルＮｏ．２よりも高いため、サンプルＮｏ．２よりも高いＣＲ積ＣＲｐを確保できる。つまり、サンプルＮｏ．３〜Ｎｏ．６の容量部１１ａの如き容量分布、即ち、第１低容量区域ＬＡ１と高容量区域ＨＡと第２低容量区域とが積層方向で順に存する容量分布（図９及び図１０の太実線を参照）は、ＣＲ積ＣＲｐの向上に有利であると言える。
【００４４】
第２に、図８の「ΔＣｂ１／Ｃｍｅ」欄と「ΔＣｂ２／Ｃｍｅ」欄の数値に着目すると、サンプルＮｏ．３〜Ｎｏ．６のΔＣｂ１／ＣｍｅとΔＣｂ２／Ｃｍｅは、何れも、０．１５以上である。つまり、前記容量分布を形成していて、しかも、ΔＣｂ１／ＣｍｅとΔＣｂ２／Ｃｍｅが０．１５≦ΔＣｂ１／Ｃｍｅ、且つ、０．１５≦ΔＣｂ２／Ｃｍｅの条件を満足していれば、ＣＲ積ＣＲｐを向上する上で好ましいと言える。
【００４５】
第３に、図８の「Ｃｍａｘ／Ｃｍｉｎ」欄の数値に着目すると、サンプルＮｏ．３〜Ｎｏ．６のＣｍａｘ／Ｃｍｉｎは、何れも、１．４以上である。つまり、前記容量分布を形成していて、しかも、ＣｍａｘとＣｍｉｎが１．４≦Ｃｍａｘ／Ｃｍｉｎの条件を満足していれば、ＣＲ積ＣＲｐを向上する上で好ましいと言える。また、サンプルＮｏ．３〜Ｎｏ．６の中でもサンプルＮｏ．４及びＮｏ．５のＣＲ積ＣＲｐが高値であることを勘案すると、ＣｍａｘとＣｍｉｎが１．４≦Ｃｍａｘ／Ｃｍｉｎ≦３．１の条件を満足していれば、ＣＲ積ＣＲｐを向上する上でより好ましいと言える。
【００４６】
次に、図１１に示した検証用サンプルＮｏ．７〜Ｎｏ．１０（積層セラミックコンデンサ）の仕様及び製法について説明する。因みに、図１１に示したサンプルＮｏ．３は図８に示したサンプルＮｏ．３と同じものである。
【００４７】
〈サンプルＮｏ．７の仕様及び製法〉
サンプルＮｏ．７の仕様は、サンプルＮｏ．３の仕様と同じである。また、サンプルＮｏ．７の製法は、サンプルＮｏ．３の製法と、
・容量部１１ａに対応した部位を作製する工程において、第４グリーンシートから打ち抜いた単位シート（内部電極層用パターン群を含む）を積み重ねて熱圧着する両ステップにおける積み重ね数をサンプルＮｏ．３よりも少なくし、第２グリーンシートから打ち抜いた単位シート（内部電極層用パターン群を含む）を積み重ねて熱圧着するステップにおける積み重ね数をサンプルＮｏ．３よりも多くした点
において相違する。
【００４８】
〈サンプルＮｏ．８の仕様及び製法〉
サンプルＮｏ．８の仕様は、サンプルＮｏ．３の仕様と同じである。また、サンプルＮｏ．８の製法は、サンプルＮｏ．３の製法と、
・容量部１１ａに対応した部位を作製する工程において、第４グリーンシートから打ち抜いた単位シート（内部電極層用パターン群を含む）を積み重ねて熱圧着する両ステップにおける積み重ね数をサンプルＮｏ．７よりも多くし、第２グリーンシートから打ち抜いた単位シート（内部電極層用パターン群を含む）を積み重ねて熱圧着するステップにおける積み重ね数をサンプルＮｏ．７よりも少なくした点
において相違する。
【００４９】
〈サンプルＮｏ．９の仕様及び製法〉
サンプルＮｏ．９の仕様は、サンプルＮｏ．３の仕様と同じである。また、サンプルＮｏ．９の製法は、サンプルＮｏ．３の製法と、
・容量部１１ａに対応した部位を作製する工程において、第４グリーンシートから打ち抜いた単位シート（内部電極層用パターン群を含む）を積み重ねて熱圧着する両ステップにおける積み重ね数をサンプルＮｏ．３よりも多くし、第２グリーンシートから打ち抜いた単位シート（内部電極層用パターン群を含む）を積み重ねて熱圧着するステップにおける積み重ね数をサンプルＮｏ．３よりも少なくした点
において相違する。
【００５０】
〈サンプルＮｏ．１０の仕様及び製法〉
サンプルＮｏ．１０の仕様は、サンプルＮｏ．３の仕様と同じである。また、サンプルＮｏ．１０の製法は、サンプルＮｏ．３の製法と、
・容量部１１ａに対応した部位を作製する工程において、第４グリーンシートから打ち抜いた単位シート（内部電極層用パターン群を含む）の積み重ねて熱圧着する両ステップにおける積み重ね数をサンプルＮｏ．９よりも多くし、第２グリーンシートから打ち抜いた単位シート（内部電極層用パターン群を含む）を積み重ねて熱圧着するステップにおける積み重ね数をサンプルＮｏ．９よりも少なくした点
において相違する。
【００５１】
次に、図１１に記した特性項目の意味と各特性項目に記した数値等の測定方法について説明する
【００５２】
図１１の「ｘ−ｙ−ｚ」欄と「ΔＣｂ１／Ｃｍｅ」欄と「ΔＣｂ２／Ｃｍｅ」欄と「Ｃｍａｘ／Ｃｍｉｎ」欄と「Ｃｓｔ（ｎＦ）」欄と「Ｒｓｔ（ＭΩ）」欄と「ＣＲｐ（ΩＦ）」欄の意味、並びに、各欄の数値の測定方法は、図８を引用して先に説明したとおりであるためここでの説明を省略する。また、図１１の「（ｘ＋ｚ）／ｎ」欄は、第１低容量区域ＬＡ１を構成する単位コンデンサの個数ｘと第２低容量区域ＬＡ２を構成する単位コンデンサの個数ｚとの和（ｘ＋ｚ）を容量部１１ａを構成する単位コンデンサの個数ｎ（８００個）で除算した値を示す。
【００５３】
次に、図１２及び図１３を引用して、図１１に示したサンプルＮｏ．７〜Ｎｏ．１０の容量部１１ａを構成する８００個の単位コンデンサＵＣ１〜ＵＣ８００の容量分布について説明する。
【００５４】
図１２の太実線は、サンプルＮｏ．８の容量部１１ａを構成する８００個の単位コンデンサＵＣ１〜ＵＣ８００の単位容量（１０個の平均値）をプロットし、これらに準じて容量分布を近似線で分かり易く表示したものである。また、図１３の太実線は、サンプルＮｏ．９の容量部１１ａを構成する８００個の単位コンデンサＵＣ１〜ＵＣ８００の単位容量（１０個の平均値）をプロットし、これらに準じて容量分布を近似線で分かり易く表示したものである。
【００５５】
図１２及び図１３から分かるように、サンプルＮｏ．８及びＮｏ．１０の容量部１１ａを構成する８００個の単位コンデンサＵＣ１〜ＵＣ８００の容量分布は、図９及び図１０に示したサンプルＮｏ．３及びＮｏ．５の容量部１１ａを構成する８００個の単位コンデンサＵＣ１〜ＵＣ８００の容量分布と同様に、第１低容量区域ＬＡ１と高容量区域ＨＡと第２低容量区域ＬＡ２とが積層方向で順に存する。
【００５６】
詳しく述べれば、サンプルＮｏ．８の容量部１１ａを構成する８００個の単位コンデンサＵＣ１〜ＵＣ８００は、２９個の単位コンデンサＵＣ１〜ＵＣ２９から成る第１低容量区域ＬＡ１と、２９個の単位コンデンサＵＣ１〜ＵＣ２９よりも単位容量が大きな７３６個の単位コンデンサＵＣ３３〜ＵＣ７６８から成る高容量区域ＨＡと、７３６個の単位コンデンサＵＣ３３〜ＵＣ７６８よりも単位容量が小さな２９個の単位コンデンサＵＣ７７２〜ＵＳ８００から成る第２低容量区域ＬＡ２とが、積層方向で順に存する容量分布を形成している。
【００５７】
この容量分布において、第１低容量区域ＬＡ１と高容量区域ＨＡとの間には、連なっている５個の単位コンデンサＵＣ２９〜ＵＣ３３によって構成された第１容量変化部Ｂ１が存在し、高容量区域ＨＡと第２低容量区域ＬＡ２との間には、連なっている５個の単位コンデンサＵＣ７６８〜ＵＣ７７２によって構成された第２容量変化部Ｂ２が存在する。図１２に示していないが、第１容量変化部Ｂ１における最大の単位容量差ΔＣｂ１（図１１を参照）は、先に述べたとおり、第１容量変化部Ｂ１を構成する５個の単位コンデンサＵＣ２９〜ＵＣ３３において、隣接する２個の単位コンデンサの単位容量差それぞれのうちの最大値を示す。一方、第２容量変化部Ｂ２における最大の単位容量差ΔＣｂ２（図１１を参照）は、先に述べたとおり、第２容量変化部Ｂ２を構成する５個の単位コンデンサＵＣ７６８〜ＵＣ７７２において、隣接する２個の単位コンデンサの単位容量差それぞれのうちの最大値を示す。
【００５８】
また、サンプルＮｏ．９の容量部１１ａを構成する８００個の単位コンデンサＵＣ１〜ＵＣ８００は、１１８個の単位コンデンサＵＣ１〜ＵＣ１１８から成る第１低容量区域ＬＡ１と、１１８個の単位コンデンサＵＣ１〜ＵＣ１１８よりも単位容量が大きな５６０個の単位コンデンサＵＣ１２１〜ＵＣ６８０から成る高容量区域ＨＡと、５６０個の単位コンデンサＵＣ１２１〜ＵＣ６８０よりも単位容量が小さな１１７個の単位コンデンサＵＣ６８４〜ＵＳ８００から成る第２低容量区域ＬＡ２とが、積層方向で順に存する容量分布を形成している。
【００５９】
この容量分布において、第１低容量区域ＬＡ１と高容量区域ＨＡとの間には、連なっている４個の単位コンデンサＵＣ１１８〜ＵＣ１２１によって構成された第１容量変化部Ｂ１が存在し、高容量区域ＨＡと第２低容量区域ＬＡ２との間には、連なっている５個の単位コンデンサＵＣ６８０〜ＵＣ６８４によって構成された第２容量変化部Ｂ２が存在する。図１３に示していないが、第１容量変化部Ｂ１における最大の単位容量差ΔＣｂ１（図１１を参照）は、先に述べたとおり、第１容量変化部Ｂ１を構成する４個の単位コンデンサＵＣ１１８〜ＵＣ１２１において、隣接する２個の単位コンデンサの単位容量差それぞれのうちの最大値を示す。一方、第２容量変化部Ｂ２における最大の単位容量差ΔＣｂ２（図１１を参照）は、先に述べたとおり、第２容量変化部Ｂ２を構成する５個の単位コンデンサＵＣＵＣ６８０〜ＵＣ６８４において、隣接する２個の単位コンデンサの単位容量差それぞれのうちの最大値を示す。
【００６０】
図示を省略したが、サンプルＮｏ．７の容量部１１ａを構成する８００個の単位コンデンサＵＣ１〜ＵＣ８００の容量分布は、第１低容量区域ＬＡ１及び第２低容量区域ＬＡ２の区域幅がサンプルＮｏ．８の容量部１１ａの容量分布よりも狭く、且つ、高容量区域ＨＡの区域幅がサンプルＮｏ．８の容量部１１ａの容量分布よりも広くなるものの、第１低容量区域ＬＡ１と高容量区域ＨＡと第２低容量区域とが積層方向で順に存する容量分布を形成している。また、サンプルＮｏ．１０の容量部１１ａを構成する８００個の単位コンデンサＵＣ１〜ＵＣ８００の容量分布は、第１低容量区域ＬＡ１及び第２低容量区域ＬＡ２の区域幅がサンプルＮｏ．９の容量部１１ａの容量分布よりも広く、且つ、高容量区域ＨＡの区域幅がサンプルＮｏ．９の容量部１１ａの容量分布よりも狭くなるものの、第１低容量区域ＬＡ１と高容量区域ＨＡと第２低容量区域とが積層方向で順に存する容量分布を形成している。
【００６１】
次に、図１１の特性項目に記した数値等を考慮の上で前記以外の効果について説明する。
【００６２】
第１に、図１１の「（ｘ＋ｚ）／ｎ」欄の数値に着目すると、サンプルＮｏ．７〜Ｎｏ．１０とサンプルＮｏ．３の（ｘ＋ｚ）／ｎは、何れも、０．０５以上である。つまり、つまり、前記容量分布を形成していて、しかも、（ｘ＋ｚ）とｎが０．０５≦（ｘ＋ｚ）／ｎの条件を満足していれば、ＣＲ積ＣＲｐを向上する上で好ましいと言える。また、サンプルＮｏ．７〜Ｎｏ．１０とサンプルＮｏ．３の中でもサンプルＮｏ．８、Ｎｏ．９及びＮｏ．３のＣＲ積ＣＲｐが高値であることを勘案すると、（ｘ＋ｚ）とｎが０．０７≦（ｘ＋ｚ）／ｎ≦０．３０の条件を満足していれば、ＣＲ積ＣＲｐを向上する上でより好ましいと言える。
【００６３】
尚、前述の検証用サンプルＮｏ．３〜Ｎｏ．１０の製法にあっては、図９、図１０、図１２及び図１３に太実線で示した如き容量分布を積極的に得るために、酸化ホルミウム（焼結抑制剤）の濃度を増加した第３グリーンシートを作製すると共に該第３グリーンシートに内部電極層用パターン群を形成した第４グリーンシートを作製する手法と、未焼成チップを焼成するときの昇温速度を高速化する手法を併用したが、他の手法を採用しても前記容量分布を得ることは十分に可能である。
【００６４】
例えば、（１）前記焼結抑制剤として酸化ホルミウム以外の希土類酸化物を用いる手法、（２）高容量区域ＨＡを構成する単位コンデンサの誘電体層１１ａ２となるグリーンシートにシリカやガラス化合物等の焼結助剤を含有させて低速〜中速（６００℃／ｈ〜５０００℃／ｈ）の昇温速度で焼成する手法、（３）第１低容量区域ＬＡ１及び第２低容量区域ＬＡ２を構成する単位コンデンサの誘電体層１１ａ２となるグリーンシートから焼結抑制剤を排除して高速（５０００℃／ｈ〜１００００℃／ｈ）の昇温速度で焼成する手法、（４）前記手法（２）と前記手法（３）を併用した手法、等を用いても前記容量分布を得ることができる。
【００６５】
また、前述の検証用サンプルＮｏ．３〜Ｎｏ．１０の仕様として、８００個の単位コンデンサによって構成された容量部１１ａを示したが、容量部１１ａを構成する単位コンデンサの数（ｎ）が８００個未満、或いは、８００個超過であっても、前記容量分布を形成していればＣＲ積の向上を図ることができる。加えて、前記容量分布は、第１低容量区域ＬＡ１を構成する単位コンデンサの数（ｘ）が２個以上、高容量区域ＨＡを構成する単位コンデンサの数（ｙ）が２個以上、第２低容量区域ＬＡ２を構成する単位コンデンサの数（ｚ）が２個以上であり、第１容量変化部Ｂ１及び第２容量変化部Ｂ２を構成する単位コンデンサの数が２個以上であれば形成可能であることを踏まえると、容量部１１ａを構成する単位コンデンサの数（ｎ）はｎ≧ｘ＋ｙ＋ｚの条件を満足していれば良いと言うこともできる。
【００６６】
さらに、前述の検証用サンプルＮｏ．３〜Ｎｏ．１０の仕様として、長さＬ＞幅Ｗ＝高さＨの条件を満足する積層セラミックコンデンサを示したが、長さＬ＞幅Ｗ＞高さＨの条件、或いは、長さＬ＞高さＨ＞幅Ｗの条件を満足するものであっても、前記容量分布を形成していればＣＲ積の向上を図ることができる。
【符号の説明】
【００６７】
１０…積層セラミックコンデンサ、１１…コンデンサ本体、１１ａ…容量部、１１ａ１…内部電極層、１１ａ２…誘電体層、１１ｂ…第１保護部、１１ｃ…第２保護部、１２…外部電極、ＵＣ１〜ＵＣ２３…単位コンデンサ、ＬＡ１…第１低容量区域、ＨＡ…高容量区域、ＬＡ２…第２低容量区域、Ｂ１…第１容量変化部、ΔＣｂ１…第１容量変化部における最大の単位容量差、Ｂ２…第２容量変化部、ΔＣｂ２…第２容量変化部における最大の単位容量差。
【図１】
0006312633.tif 000002
【図２】
0006312633.tif 000003
【図３】
0006312633.tif 000004
【図４】
0006312633.tif 000005
【図５】
0006312633.tif 000006
【図６】
0006312633.tif 000007
【図７】
0006312633.tif 000008
【図８】
0006312633.tif 000009
【図９】
0006312633.tif 000010
【図１０】
0006312633.tif 000011
【図１１】
0006312633.tif 000012
【図１２】
0006312633.tif 000013
【図１３】
0006312633.tif 000014