(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
時間経過に伴ってステップ的に変化する目標電流及び電源電圧に基づいてデューティ比を設定し、前記デューティ比に応じて制御対象を電流制御し、前記制御対象に実際に流れた実電流と前記目標電流との偏差に応じて前記デューティ比を補正する電子制御装置であって、
前記目標電流の変化直前の前記デューティ比をラッチする手段と、
前記目標電流が変化したとき、前記目標電流が低下しかつ前記目標電流が前記実電流以下であれば、前記ラッチされたデューティ比と前記目標電流及び前記電源電圧に基づいて設定されたデューティ比の小さい方を選択し、前記目標電流が低下しかつ前記目標電流が前記実電流より大きいか、前記目標電流が上昇したならば、前記ラッチされたデューティ比と前記目標電流及び前記電源電圧に基づいて設定されたデューティ比の大きい方を選択する手段と、
を有することを特徴とする電子制御装置。
【請求項２】
前記デューティ比を選択する手段は、前記目標電流が前々回と同じ値に変化したとき、そのときにラッチしたデューティ比を選択する、
ことを特徴とする請求項１に記載の電子制御装置。
【請求項３】
前記デューティ比を選択する手段は、前記目標電流が変化してから所定時間経過したとき、前記目標電流の変化によってラッチされたデューティ比の選択を禁止する、
ことを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の電子制御装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、制御対象をデューティ比で電流制御する電子制御装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
制御対象をデューティ比で電流制御する電子制御装置として、特開２００９−１８０３４８号公報（特許文献１）に記載されるように、目標電流及び電源電圧に応じて設定されたデューティ比を、制御対象に実際に流れる電流（実電流）と目標電流との偏差に応じて補正する技術が提案されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００９−１８０３４８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
制御対象の一例として挙げられるソレノイドは、周囲温度に応じて負荷抵抗が変化する特性を有している。このため、ソレノイドの負荷抵抗が低下している低温時などには、目標電流が変化した直後において、実電流が目標電流の変化に追従できず、オーバーシュートやアンダーシュートなど、応答性、制御性に影響がでるおそれがあった。
【０００５】
そこで、本発明は、目標電流が変化しても応答性、制御性への影響が少ない、電子制御装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
電子制御装置は、時間経過に伴ってステップ的に変化する目標電流及び電源電圧に基づいてデューティ比を設定し、デューティ比に応じて制御対象を電流制御し、制御対象に実際に流れた実電流と目標電流との偏差に応じてデューティ比を補正する。このとき、電子制御装置は、目標電流の変化直前のデューティ比をラッチし、目標電流が変化したとき、目標電流が低下しかつ目標電流が実電流以下であれば、ラッチされたデューティ比と目標電流及び電源電圧に基づいて設定されたデューティ比の小さい方を選択し、目標電流が低下しかつ目標電流が実電流より大きいか、目標電流が上昇したならば、ラッチされたデューティ比と目標電流及び電源電圧に基づいて設定されたデューティ比の大きい方を選択する。
【発明の効果】
【０００７】
本発明によれば、目標電流が変化しても応答性、制御性への影響を少なくすることができる。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
【図１】４輪駆動車の動力伝達系の一例を示す概要図である。
【図２】デフロックコントロールユニットの一例を示す内部構成図である。
【図３】目標電流の設定方法の一例を示すタイムチャートである。
【図４】ソレノイドへの通電制御の一例を示すフローチャートである。
【図５】基本デューティ比を求めるマップの一例を示す図である。
【図６】補正係数を求めるマップの一例を示す図である。
【図７】目標電流が低下したときの作用の一例を説明するタイムチャートである。
【図８】目標電流が低下したときの作用の他の例を説明するタイムチャートである。
【図９】目標電流が上昇したときの作用の一例を説明するタイムチャートである。
【図１０】ソレノイドへの通電制御の他の例を示すフローチャートである。
【図１１】目標電流がステップ的に変化する場合の作用の一例を説明するタイムチャートである。
【図１２】目標電流がステップ的に変化する場合の作用の他の例を説明するタイムチャートである。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
以下、添付された図面を参照し、本発明を実施するための実施形態について詳述する。
図１は、４輪駆動車の動力伝達系の一例を示す。４輪駆動車５０は、差動機構をロック可能なリヤデファレンシャル装置１を後輪２，３間に備え、差動機構をロック不能なフロントデファレンシャル装置４を前輪５，６間に備える。
【００１０】
リヤデファレンシャル装置１には、エンジン７から変速機８、トランスファ９、プロペラシャフト１０、ドライブピニオンシャフト１１、ドライブピニオンギヤ１２を介してトルクが入力され、リヤデファレンシャル装置１から左右のアクスルシャフト１３，１４を介して左右の後輪２，３にトルクが伝達される。
また、フロントデファレンシャル装置４には、エンジン７から変速機８、トランスファ９、プロペラシャフト１５を介してトルクが入力され、フロントデファレンシャル装置４から左右のアクスルシャフト１６，１７を介して前輪５，６にトルクが伝達される。
【００１１】
リヤデファレンシャル装置１はデフケース２１を備え、デフケース２１のリングギヤ２２にドライブピニオンギヤ１２が噛み合っている。
デフケース２１内には左右のサイドギヤ２３，２４が回転自由に支持され、これらサイドギヤ２３，２４にはピニオンギヤ２５が噛み合い、ピニオンギヤ２５はピニオンシャフト２６によってデフケース２１に回転自由に支持されている。左右のサイドギヤ２３，２４は、アクスルシャフト１３，１４に連結している。
【００１２】
一方のサイドギヤ２４の背面側には、アクスルシャフト１４の軸方向に移動可能にプランジャ２７が配置され、サイドギヤ２４とプランジャ２７の対向面にドッグクラッチ２８が設けられている。サイドギヤ２４とプランジャ２７との間には、プランジャ２７をサイドギヤ２４から離間する方向に弾性付勢するリターンスプリング（図示省略）が介装されている。
【００１３】
プランジャ２７は、ソレノイド２９（制御対象）の励磁によりサイドギヤ２４方向に移動し、プランジャ２７の移動に伴ってプレート３０が移動する。デフロック検出スイッチ４５は、プレート３０の移動位置を検出することで、リヤデファレンシャル装置１の差動機構のロック及び解除を検出する。
【００１４】
ソレノイド２９への通電は、デフロックコントロールユニット４０（電子制御装置）によって制御される。
デフロックコントロールユニット４０は、図２に示すように、入力回路４０ａ，マイクロコンピュータ（マイコン）４０ｂ，駆動回路４０ｃ，電流モニタ回路４０ｄなどを有し、デフロック４１による差動機構のロック／ロック解除を制御する。
ここで、デフロック４１は、前述したように、ソレノイド２９の通電を制御してプランジャ２７を移動させ、このプランジャ２７の移動位置によってリヤデファレンシャル装置１の差動機構をロック状態とロック解除状態とに切り替える装置である。
【００１５】
デフロックコントロールユニット４０では、デフロック検出スイッチ４５のＯＮ／ＯＦＦ信号、ドライバが任意に操作するデフロック作動スイッチ４２のＯＮ／ＯＦＦ信号、車速センサ４３の車速信号、変速機８の変速段を検出するシフト位置センサ４４のシフト位置信号、ＡＢＳコントロールユニット３５からの後輪２，３に関する車輪速情報、エンジンコントロールユニット３６からのエンジントルク情報などが、入力回路４０ａを介してマイコン４０ｂに入力される。なお、ＡＢＳコントロールユニット３５は、各車輪２，３，５，６に設けられた車輪速センサ３１〜３４の車輪速信号を入力する。
【００１６】
そして、ドライバによりデフロック作動スイッチ４２がＯＮ操作されると、デフロックコントロールユニット４０は、このデフロック作動スイッチ４２のＯＮ信号を、リヤデファレンシャル装置１の差動機構のロック操作指令として入力し、各入力信号及び入力情報に基づいてソレノイド２９の通電制御（ＰＷＭ制御）を行う。
【００１７】
なお、エンジントルク情報としては、例えば、燃料噴射量、スロットル開度、吸入空気量などの情報を用いることができる。また、デフロックコントロールユニット４０は、ＡＢＳコントロールユニット３５を経由せず、車輪速センサ３１，３２の検出出力を直接入力することができる。
【００１８】
図３は、デフロックコントロールユニット４０によるデフロック作動時におけるソレノイド２９の目標電流の設定処理を示す。
図３において、デフロックコントロールユニット４０は、時刻ｔ１においてデフロック作動スイッチ４２のＯＮ信号（ロック操作指令）を入力すると、ソレノイド２９の目標電流ＥＣtgを、０Ａからプランジャ２７を移動させるのに十分な大きさの駆動電流ＥＣ１（例えば、ＥＣ１＝４Ａ）にステップ的に立ち上げる。
【００１９】
その後、時刻ｔ２でデフロック検出スイッチ４５がＯＦＦからＯＮに切り替わり、リヤデファレンシャル装置１の差動機構がロック解除状態からロック状態に切り替わったことが検出されると、その後の時刻ｔ３で、デフロックコントロールユニット４０は、目標電流ＥＣtgを、駆動電流ＥＣ１から駆動電流ＥＣ１よりも低い中間電流ＥＣ２（例えば、ＥＣ２＝３Ａ）にまでステップ的に下げる。
【００２０】
なお、目標電流ＥＣtgを駆動電流ＥＣ１から中間電流ＥＣ２に下げるタイミングである時刻ｔ３は、時刻ｔ１から所定時間後としたり、時刻ｔ２でデフロック検出スイッチ４５がＯＦＦからＯＮに切り替わってから所定時間後とすることができる。更に、デフロック検出スイッチ４５がＯＦＦからＯＮに切り替わった時刻ｔ２で目標電流ＥＣtgを駆動電流ＥＣ１から中間電流ＥＣ２に下げることができる。
【００２１】
時刻ｔ３から所定時間が経過した時刻ｔ４で、デフロックコントロールユニット４０は、目標電流ＥＣtgを、中間電流ＥＣ２から中間電流ＥＣ２よりも低くプランジャ２７をロック位置に保持するのに十分な保持電流ＥＣ３（例えば、ＥＣ３＝１Ａ）にステップ的に下げ、ロック解除指令を入力するまで、目標電流ＥＣtgを保持電流ＥＣ３に維持する。
そして、時刻ｔ５で、デフロック作動スイッチ４２をＯＦＦする操作がなされ、このＯＦＦ信号（ロック解除指令）がデフロックコントロールユニット４０に入力されると、デフロックコントロールユニット４０は、目標電流ＥＣtgを保持電流ＥＣ３から０Ａにステップ的に下げる。
これにより、ソレノイド２９への通電が遮断され、プランジャ２７は、リターンスプリングの付勢力によってロック解除位置に移動し、ロック解除されると、デフロック検出スイッチ４５がＯＮからＯＦＦに切り替わる。
【００２２】
つまり、目標電流ＥＣtgは、ロック指令に基づき０Ａから駆動電流ＥＣ１に立ち上がった後、中間電流ＥＣ２を経て保持電流ＥＣ３にまで時間経過と共にステップ的に下げられる。
図３に示した例では、目標電流ＥＣtgが、駆動電流ＥＣ１、中間電流ＥＣ２、保持電流ＥＣ３の順でステップ的に下げられるが、駆動電流ＥＣ１よりも低く保持電流ＥＣ３よりも高い中間電流ＥＣ２としてレベルの異なる複数種を設定し、目標電流ＥＣtgを４種類以上に切り替える構成とすることができる。
例えば、駆動電流ＥＣ１＞第１中間電流ＥＣ２ａ＞第２中間電流ＥＣ２ｂ＞保持電流ＥＣ３とし、駆動電流ＥＣ１、第１中間電流ＥＣ２ａ、第２中間電流ＥＣ２ｂ、保持電流ＥＣ３の順で目標電流ＥＣtgを駆動電流ＥＣ１から保持電流ＥＣ３に向けてステップ的に下げることができる。
【００２３】
デフロックコントロールユニット４０は、駆動電流ＥＣ１から保持電流ＥＣ３に向けてステップ的に下げられる目標電流ＥＣtgに実通電電流が追従するように、ソレノイド２９の通電のＯＮ／ＯＦＦをＰＷＭ制御（デューティ制御）する。ここで、実通電電流（ソレノイド２９に実際に流れる電流）は、電流モニタ回路４０ｄで検出される。
具体的には、デフロックコントロールユニット４０は、目標電流ＥＣtg及び電源電圧（バッテリ電圧）ＶＢに基づいて基準デューティ比を設定し、基準デューティ比に応じてソレノイド２９を電流制御する。また、デフロックコントロールユニット４０は、ソレノイド２９の実通電電流と目標電流ＥＣtgとの偏差に応じて基準デューティ比を補正（フィードバック制御）する。
【００２４】
このとき、デフロックコントロールユニット４０は、目標電流ＥＣtgの変化直前の基準デューティ比をラッチ（保持）し、目標電流ＥＣtgが変化したとき、ラッチされた基準デューティ比、並びに、目標電流ＥＣtg及び電源電圧ＶＢに基づいて設定された基準デューティ比の一方を選択する。
以下、フローチャートなどを参照し、デフロックコントロールユニット４０によるソレノイド２９への通電制御について説明を続ける。
【００２５】
図４は、イグニッションスイッチの操作によって、デフロックコントロールユニット４０が起動されたことを契機として、デフロックコントロールユニット４０が所定時間ごとに繰り返し実行する、通電制御の一例を示す。
なお、デフロックコントロールユニット４０は、例えば、フラッシュＲＯＭ（Read Only Memory）などの不揮発性メモリに格納された制御プログラムに従って、通電制御を実行する（以下同様）。
【００２６】
ステップ１（図では「Ｓ１」と略記する。以下同様。）では、デフロックコントロールユニット４０が、目標電流ＥＣtg及び電源電圧ＶＢに基づいて基準デューティ比を設定する。具体的には、デフロックコントロールユニット４０は、図５に示すように、目標電流と基本デューティ比とが関連付けられたマップを参照し、目標電流ＥＣtgに対応した基本デューティ比を求める。また、デフロックコントロールユニット４０は、図６に示すように、電源電圧と補正係数とが関連付けられたマップを参照し、電源電圧ＶＢに対応した補正係数を求める。そして、デフロックコントロールユニット４０は、基本デューティ比に補正係数を乗算することで、基準デューティ比を求める（基準デューティ比＝基本デューティ比×補正係数）。
【００２７】
ここで、具体例を挙げて、基準デューティ比を求める方法について説明する。
目標電流ＥＣtgが２Ａの場合、図５に示すマップから、基本デューティ比は５０％となる。また、電源電圧ＶＢが１０．６Ｖの場合（多少充電不足の場合）、図６に示すマップから、補正係数は１．４となる。そして、基準デューティ比は、５０（％）×１．４＝７０（％）と求められる。
【００２８】
ステップ２では、デフロックコントロールユニット４０が、目標電流ＥＣtgが変化したか否かを判定する。そして、デフロックコントロールユニット４０は、目標電流ＥＣtgが変化したと判定すれば（Ｙｅｓ）、処理をステップ３へと進める。一方、デフロックコントロールユニット４０は、目標電流ＥＣtgが変化しないと判定すれば（Ｎｏ）、処理をステップ８へと進める。なお、ノイズ重畳などによる誤判定を回避するため、目標電流ＥＣtgが所定値以上変化したとき、目標電流ＥＣtgが変化したと判定することもできる。
【００２９】
ステップ３では、デフロックコントロールユニット４０が、目標電流ＥＣtgが変化する直前の基準デューティ比をラッチする。なお、以下の説明では、ラッチした基準デューティ比を「ラッチデューティ比」と呼ぶこととする。
【００３０】
ステップ４では、デフロックコントロールユニット４０が、目標電流ＥＣtgが低下したか否かを判定する。そして、デフロックコントロールユニット４０は、目標電流ＥＣtgが低下したと判定すれば（Ｙｅｓ）、処理をステップ５へと進める。一方、デフロックコントロールユニット４０は、目標電流ＥＣtgが低下していない、即ち、目標電流ＥＣtgが上昇したと判定すれば（Ｎｏ）、処理をステップ７へと進める。
【００３１】
ステップ５では、デフロックコントロールユニット４０が、目標電流ＥＣtgが実通電電流以下であるか否かを判定する。そして、デフロックコントロールユニット４０は、目標電流ＥＣtgが実通電電流以下であると判定すれば（Ｙｅｓ）、処理をステップ６へと進める。一方、デフロックコントロールユニット４０は、目標電流ＥＣtgが実通電電流以下でない、即ち、目標電流ＥＣtgが実通電電流より大きいと判定すれば（Ｎｏ）、処理をステップ７へと進める。
【００３２】
ステップ６では、デフロックコントロールユニット４０が、ソレノイド２９に出力する最終的な出力デューティ比として、基準デューティ比とラッチデューティ比との中から小さい方を選択する（出力デューティ比＝ｍｉｎ（基準デューティ比，ラッチデューティ比））。
【００３３】
ステップ７では、デフロックコントロールユニット４０が、ソレノイド２９に出力する最終的な出力デューティ比として、基準デューティ比とラッチデューティ比との中から大きい方を選択する（出力デューティ比＝ｍａｘ（基準デューティ比，ラッチデューティ比））。
【００３４】
ステップ８では、デフロックコントロールユニット４０が、目標電流ＥＣtgと実通電電流との偏差に応じて、出力デューティ比をフィードバック制御する。要するに、デフロックコントロールユニット４０は、実通電電流が目標電流ＥＣtgに近づく（収束する）ように、例えば、公知のＰＩ制御（比例積分制御）によって、出力デューティ比をフィードバック制御する。
【００３５】
かかる通電制御によれば、デフロックコントロールユニット４０の起動後、所定時間ごとに、目標電流ＥＣtg及び電源電圧ＶＢに基づいて基準デューティ比が設定される。
そして、目標電流ＥＣtgが変化しない定常状態においては、実通電電流が目標電流ＥＣtgに近づくように、出力デューティ比がフィードバック制御される。
【００３６】
目標電流ＥＣtgが変化したときには、目標電流ＥＣtgが変化する直前の基準デューティ比がラッチされる。
そして、目標電流ＥＣtgが低下した場合、目標電流ＥＣtgの低下時点において実通電電流が目標電流ＥＣtgまで達していれば、出力デューティ比を上昇させる必要がないので、出力デューティ比として、基準デューティ比とラッチデューティ比との中から小さい方が選択される。このようにすると、目標電流ＥＣtgの低下時点において、出力デューティ比として基準デューティ比が選択されず、図７の破線で示すように、出力デューティ比が急増することがない。このため、図７の破線で示すように、出力デューティ比の急増による実通電電流の上昇が回避され、オーバーシュートを抑制することができる。
【００３７】
また、目標電流ＥＣtgが低下した場合、目標電流ＥＣtgの低下時点において実通電電流が目標電流ＥＣtgまで達していなければ、出力デューティ比を低下させる必要がないので、出力デューティ比として、基準デューティ比とラッチデューティ比との中から大きい方が選択される。このようにすると、目標電流ＥＣtgの低下時点において、出力デューティ比として基準デューティ比が選択されず、図８の破線で示すように、出力デューティ比が急減することがない。このため、図８の破線で示すように、出力デューティ比の急減による実通電電流の低下が回避され、アンダーシュートを抑制することができる。
【００３８】
一方、目標電流ＥＣtgが上昇した場合、出力デューティ比を低下させる必要がないので、出力デューティ比として、基準デューティ比とラッチデューティ比との中から大きい方が選択される。このようにすると、目標電流ＥＣtgの上昇時点において、出力デューティ比としてラッチデューティ比が選択されず、図９の破線で示すように、出力デューティ比が急減することがない。このため、図９の破線で示すように、出力デューティ比の急減による実通電電流の低下が回避され、アンダーシュートを抑制することができる。
【００３９】
従って、目標電流ＥＣtgが変化してもアンダーシュート又はオーバーシュートが起こり難くなり、制御対象であるソレノイド２９の応答性、制御性などへの影響を抑制することができる。
【００４０】
図１０は、イグニッションスイッチの操作によって、デフロックコントロールユニット４０が起動されたことを契機として、デフロックコントロールユニット４０が所定時間ごとに繰り返し実行する、通電制御の他の例を示す。その前提として、目標電流ＥＣtgは、図３で示したように、ステップ的に変化するものとする。なお、先の通電制御の一例と共通する処理については、重複説明を回避するため、その説明を簡略にすることとする。
【００４１】
ステップ１１では、デフロックコントロールユニット４０が、目標電流ＥＣtg及び電源電圧ＶＢに基づいて基準デューティ比を設定する。
ステップ１２では、デフロックコントロールユニット４０が、目標電流ＥＣtgが変化したか否かを判定する。そして、デフロックコントロールユニット４０は、目標電流ＥＣtgが変化したと判定すれば（Ｙｅｓ）、処理をステップ１３へと進める。一方、デフロックコントロールユニット４０は、目標電流ＥＣtgが変化しないと判定すれば（Ｎｏ）、処理をステップ２１へと進める。
【００４２】
ステップ１３では、デフロックコントロールユニット４０が、変化後の目標電流ＥＣtgが前々回の目標電流ＥＣtgと同じであるか、一例を挙げると、目標電流ＥＣtgが４Ａ（前々回）→３Ａ（前回）→４Ａ（今回）と変化したか否かを判定する。そして、デフロックコントロールユニット４０は、変化後の目標電流ＥＣtgが前々回の目標電流ＥＣtgと同じであると判定すれば（Ｙｅｓ）、処理をステップ１４へと進める。一方、デフロックコントロールユニット４０は、変化後の目標電流ＥＣtgが前々回の目標電流ＥＣtgと同じでないと判定すれば（Ｎｏ）、処理をステップ１５へと進める。
【００４３】
ステップ１４では、デフロックコントロールユニット４０が、経過時間を計測するカウンタの値（初期状態で０にリセットされる）が所定値に達したか否か、要するに、基準デューティ比をラッチしてから所定時間経過したか否かを判定する。ここで、所定値は、目標電流ＥＣtgの変化によってソレノイド２９の温度が変化し、ソレノイド２９の負荷抵抗などが変化したか否かを判定するための閾値であって、例えば、ソレノイド２９の温度依存特性などを考慮して適宜設定することができる。なお、所定値は、例えば、目標電流ＥＣtgに応じて動的に設定することもできる。そして、デフロックコントロールユニット４０は、カウンタの値が所定値に達したと判定すれば（Ｙｅｓ）、処理をステップ１５へと進める。一方、デフロックコントロールユニット４０は、カウンタの値が所定値に達していないと判定すれば（Ｎｏ）、処理をステップ１８へと進める。
【００４４】
ステップ１５では、デフロックコントロールユニット４０が、目標電流ＥＣtgが変化する直前の基準デューティ比をラッチする。
ステップ１６では、デフロックコントロールユニット４０が、基準デューティ比をラッチしてからの経過時間の計測を開始するために、カウンタを０にリセットする。
ステップ１７では、デフロックコントロールユニット４０が、出力デューティ比として、基準デューティ比とラッチデューティ比との中から基準デューティ比を選択する。
【００４５】
ステップ１８では、デフロックコントロールユニット４０が、出力デューティ比として、基準デューティ比とラッチデューティ比との中からラッチデューティ比を選択する。
ステップ１９では、デフロックコントロールユニット４０が、目標電流ＥＣtgが変化する直前の基準デューティ比をラッチする。
ステップ２０では、デフロックコントロールユニット４０が、基準デューティ比をラッチしてからの経過時間の計測を開始するために、カウンタを０にリセットする。
【００４６】
ステップ２１では、デフロックコントロールユニット４０が、カウンタをインクリメント、要するに、カウンタに１を加算する。
ステップ２２では、デフロックコントロールユニット４０が、目標電流ＥＣtgと実通電電流との偏差に応じて、出力デューティ比をフィードバック制御する。
【００４７】
かかる通電制御によれば、デフロックコントロールユニット４０の起動後、所定時間ごとに、目標電流ＥＣtg及び電源電圧ＶＢに基づいて基準デューティ比が設定される。
そして、目標電流ＥＣtgが変化しない定常状態においては、基準デューティ比をラッチしてからの経過時間を計測するカウンタがインクリメントされると共に、実通電電流が目標電流ＥＣtgに近づくように、出力デューティ比がフィードバック制御される。
【００４８】
目標電流ＥＣtgが変化した場合、変化後の目標電流ＥＣtgが前々回の目標電流ＥＣtgと同じであり、かつ、基準デューティ比をラッチしてから所定時間経過していなければ、出力デューティ比としてラッチデューティ比（前々回の基準デューティ比）が選択される。また、ラッチデューティ比の選択後、これを更新すべく、目標電流ＥＣtgが変化する直前の基準デューティ比がラッチされると共に、カウンタが０にリセットされる。このようにすると、目標電流ＥＣtgの変化時点において、出力デューティ比として基準デューティ比が選択されず、図１１の破線で示すように、出力デューティ比が急変（例えば、急増）することがない。このため、図１１の破線で示すように、出力デューティ比の急変による実通電電流の変化（例えば、上昇）が回避され、オーバーシュートなどを抑制することができる。
【００４９】
但し、変化後の目標電流ＥＣtgが前々回の目標電流ＥＣtgと同じであっても、基準デューティ比をラッチしてから所定時間経過していれば、例えば、目標電流ＥＣtgの変化に起因してソレノイド２９の温度が変化した可能性がある。この場合には、目標電流ＥＣtgの変化時点において、ラッチデューティ比ではなく基準デューティ比を選択することで、不確実な出力デューティ比でソレノイド２９が制御されることを抑制できる。そして、目標電流ＥＣtgが変化したときには、図１２の破線で示すように、出力デューティ比が一時的に上昇する可能性があるが、ソレノイド２９の負荷抵抗変化により、同図の破線で示すように、実通電電流のオーバーシュートなどが少なくなる。なお、この場合にも、ラッチデューティ比を更新すべく、目標電流ＥＣtgが変化する直前の基準デューティ比がラッチされると共に、カウンタが０にリセットされる。
【００５０】
従って、先の通電制御と同様に、目標電流ＥＣtgが変化してもアンダーシュート又はオーバーシュートが起こり難くなり、制御対象の一例であるソレノイド２９の応答性、制御性などへの影響を抑制することができる。
【００５１】
以上の実施形態においては、リヤデファレンシャル装置１のソレノイド２９を制御対象としたが、これに限らず、例えば、トランスファ９の湿式多板クラッチを制御するソレノイドなどを制御対象とすることもできる。
【符号の説明】
【００５２】
２９  ソレノイド（制御対象）
４０  デフロックコントロールユニット（電子制御装置）
【図１】
0006420685.tif 000002
【図２】
0006420685.tif 000003
【図３】
0006420685.tif 000004
【図４】
0006420685.tif 000005
【図５】
0006420685.tif 000006
【図６】
0006420685.tif 000007
【図７】
0006420685.tif 000008
【図８】
0006420685.tif 000009
【図９】
0006420685.tif 000010
【図１０】
0006420685.tif 000011
【図１１】
0006420685.tif 000012
【図１２】
0006420685.tif 000013