(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体積層体と、前記半導体積層体の一方の面に設けられる電極と、を有する半導体発光素子と、
前記半導体積層体の前記一方の面側に設けられる樹脂部材と、を備え、
前記樹脂部材は、内部に前記電極と電気的に接続される金属層を有するとともに、上面に凹部が設けられ、
前記金属層の上部が、前記樹脂部材の上面から突出するとともに、平面視で前記凹部の少なくとも一部を囲むように設けられ、
前記金属層の上部は、その上面が凸状の湾曲面であることを特徴とする発光装置。
【請求項２】
半導体積層体と、前記半導体積層体の一方の面に設けられる電極と、を有する半導体発光素子と、
前記半導体積層体の前記一方の面側に設けられる樹脂部材と、を備え、
前記樹脂部材は、内部に前記電極と電気的に接続される金属層を有するとともに、上面に凹部が設けられ、
前記金属層の上部が、前記樹脂部材の上面から突出するとともに、平面視で前記凹部の少なくとも一部を囲むように設けられ、
前記金属層の上部は、平面視で前記凹部を一部に開口を有して囲むように設けられていることを特徴とする発光装置。
【請求項３】
半導体積層体と、前記半導体積層体の一方の面に設けられる電極と、を有する半導体発光素子と、
前記半導体積層体の前記一方の面側に設けられる樹脂部材と、を備え、
前記樹脂部材は、内部に前記電極と電気的に接続される金属層を有するとともに、上面に凹部が設けられ、
前記金属層の上部が、前記樹脂部材の上面から突出するとともに、平面視で前記凹部の少なくとも一部を囲むように設けられ、
前記半導体積層体は、ｎ型半導体層とｐ型半導体層とをこの順で積層してなり、平面視における外縁よりも内側の領域の一部に、厚さ方向に前記ｐ型半導体層の全部が除去されて底面が前記ｎ型半導体層である段差部を有し、
絶縁膜及び前記電極が、前記段差部の側面を被覆するように設けられ、
前記凹部は、前記段差部の直上の領域に設けられ、
前記段差部は、前記樹脂部材で覆われ、
前記凹部は、前記段差部内に設けられた前記樹脂部材の直上に設けられていることを特徴とする発光装置。
【請求項４】
前記半導体積層体は、ｎ型半導体層とｐ型半導体層とをこの順で積層してなり、平面視における外縁よりも内側の領域の一部に、厚さ方向に前記ｐ型半導体層の全部が除去されて底面が前記ｎ型半導体層である段差部を有し、
絶縁膜及び前記電極が、前記段差部の側面を被覆するように設けられ、
前記凹部は、前記段差部の直上の領域に設けられていることを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の発光装置。
【請求項５】
前記電極は、前記ｎ型半導体層と電気的に接続されるｎ側電極と、前記ｐ側半導体層と電気的に接続されるｐ側電極とからなり、
前記金属層は、前記ｎ側電極と電気的に接続されるｎ側金属層と、前記ｐ側電極と電気的に接続されるｐ側金属層とからなり、
平面視で、前記ｎ側金属層の上部及び前記ｐ側金属層の上部が、それぞれ異なる前記凹部を取り囲むように設けられていることを特徴とする請求項３又は請求項４に記載の発光装置。
【請求項６】
半導体積層体と、前記半導体積層体の一方の面に設けられる電極とを有する半導体発光素子を備える発光装置の製造方法であって、
ｎ型半導体層とｐ型半導体層とが積層された前記半導体積層体に、前記ｐ型半導体層上の所定の領域において、上面から厚さ方向に前記ｎ型半導体層が露出するまで前記半導体積層体を除去することで段差部が形成された複数の前記半導体発光素子が配列して形成されたウエハを準備するウエハ準備工程と、
前記半導体積層体の一方の面側に、液状の樹脂材料を塗布することで、塗布された前記樹脂材料の表面に前記段差部の形状に倣って凹部を形成し、前記塗布された樹脂材料の前記電極が設けられた領域の一部に、平面視で前記凹部の少なくとも一部を囲むように開口部を形成することで、樹脂部材を形成する樹脂部材形成工程と、
前記開口部に、前記樹脂部材の上面よりも突出するように金属材料を充填することで金属層を形成する金属層形成工程と、
前記ウエハを前記半導体発光素子の境界線に沿って切断することで、複数の前記半導体発光素子に個片化する個片化工程と、
を有することを特徴とする発光装置の製造方法。
【請求項７】
前記樹脂部材形成工程において、前記樹脂部材は、フォトリソグラフィ法によって前記開口部が形成されることを特徴とする請求項６に記載の発光装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体発光素子と内部配線を有する樹脂部材とを備える発光装置及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
発光ダイオード等の半導体発光素子を用いた発光装置は小型化が容易で、かつ高い発光効率が得られることから広く用いられている。
発光素子を用いた発光装置は、大別すると、半導体発光素子にパッド電極を設ける面が、実装基板と反対側の面であるフェイスアップ型と、実装基板と対向する面である半導体発光素子の下面に電極を設けたフェイスダウン型の２種類がある。
【０００３】
フェイスアップ型では半導体発光素子をリード等にマウントし、半導体発光素子とリードとの間をボンディングワイヤ等により接続する。このため、実装基板に実装して同基板の表面に垂直な方から平面視した場合、ボンディングワイヤの一部が半導体発光素子よりも外側に位置する必要があり小型化に限界があった。
【０００４】
一方、フェイスダウン型（フリップチップ型）では、半導体発光素子の表面に設けたパッド電極と、実装基板上に設けた配線とを、実装基板の表面に垂直な方向から平面視した場合に半導体発光素子の大きさの範囲内に位置するバンプ又は金属ピラー等の接続手段により電気的に接続することが可能である。
これにより、発光装置のサイズ（とりわけ実装基板に垂直な方向から平面視したサイズ）を半導体発光素子のチップに近いレベルまで小型化したＣＳＰ（Chip Size Package又はChip Scale Package）を実現することができる。
【０００５】
そして、最近ではより一層の小型化を進めるため、又は発光効率をより高めるために、サファイア等の成長基板（透光性基板）を除去、又はその厚さを薄くしたフェイスダウン型の発光装置が用いられている。
【０００６】
成長基板は、その上に半導体発光素子を構成するｎ型半導体層及びｐ型半導体層を成長させるために用いる基板であって、厚さが薄く強度の低い半導体発光素子を支持することにより発光装置の強度を向上させる効果も有している。
このため、半導体発光素子を形成した後に、成長基板を除去した発光装置又は成長基板の厚さを薄くした発光装置では、例えば、特許文献１に示されるように、ベアチップ（半導体発光素子）を支持するために電極側（実装基板と対向する側）に樹脂層を設けるとともに、この樹脂層を貫くように金属ピラーや他の配線からなる内部配線を形成して、電極と外部端子とを電気的に接続するように構成している。
そして、この内部配線を含む樹脂層を有することで発光装置は十分な強度を確保することができる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特開２０１１−２４９４２６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
ここで、前記したような、電極側に樹脂層を設けた発光装置を、導電性の接着部材として、例えば半田を用いてリフロー法などによって実装基板に実装する際に、溶融した半田が発光装置の外部接続用の電極と実装基板の配線パターンとの間からはみ出ることがある。特に半田が過剰に供給された場合には、発光装置の外部接続用の電極と実装基板の配線パターンとの間からはみ出した半田が、樹脂層の側面に沿って這い上がることがある。そして、樹脂層の側面を這い上がった半田により、発光装置と実装基板との接合不良が発生したり、光取り出し面が汚損されて光取り出し効率が低下したりすることがある。
そこで、本発明は、実装時に溶融した半田などの接着部材のはみ出し量を低減して、信頼性の高い実装が可能な発光装置及びその製造方法を提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
前記した課題を解決するために、本発明の実施形態に係る発光装置は、半導体積層体と、前記半導体積層体の一方の面に設けられる電極と、を有する半導体発光素子と、前記半導体積層体の前記一方の面側に設けられる樹脂部材と、を備え、前記樹脂部材は、内部に前記電極と電気的に接続される金属層を有するとともに、上面に凹部が設けられ、前記金属層の上部が、前記樹脂部材の上面から突出するとともに、平面視で前記凹部の少なくとも一部を囲むように設けられている。
【００１０】
また、本発明の実施形態に係る発光装置の製造方法は、半導体積層体と、前記半導体積層体の一方の面に設けられる電極とを有する半導体発光素子を備える発光装置の製造方法であって、ｎ型半導体層とｐ型半導体層とが積層された前記半導体積層体に、前記ｐ型半導体層上の所定の領域において、上面から厚さ方向に前記ｎ型半導体層が露出するまで前記半導体積層体を除去することで段差部が形成された複数の前記半導体発光素子が配列して形成されたウエハを準備するウエハ準備工程と、前記半導体積層体の一方の面側に、液状の樹脂材料を塗布することで、塗布された前記樹脂材料の表面に前記段差部の形状に倣って凹部を形成し、前記塗布された樹脂材料の前記電極が設けられた領域の一部に、平面視で前記凹部の少なくとも一部を囲むように開口部を形成することで、樹脂部材を形成する樹脂部材形成工程と、前記開口部に、前記樹脂部材の上面よりも突出するように金属材料を充填することで金属層を形成する金属層形成工程と、前記ウエハを前記半導体発光素子の境界線に沿って切断することで、複数の前記半導体発光素子に個片化する個片化工程と、を有する。
【発明の効果】
【００１１】
本発明の実施形態に係る発光装置によれば、実装時において、過剰な接着部材が、樹脂部材の凹部と、樹脂部材から突出した金属層上部によって当該凹部の少なくとも一部を囲むように設けられることで形成される空間とに収容されることで、実装面である金属層の配置領域から半田がはみ出す量を低減することができる。その結果として、信頼性の高い実装が可能となる。
また、本発明の実施形態に係る発光装置の製造方法によれば、樹脂部材の凹部と、当該凹部の少なくとも一部を囲む金属層上部により形成される空間とを有する前記した発光装置を製造することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１】本発明の実施形態に係る発光装置の構成を示す模式図であり、（ａ）は斜視図、（ｂ）は平面図である。
【図２】本発明の実施形態に係る発光装置の構成を示す模式図であり、（ａ）は図１（ｂ）のＩＩ−ＩＩ線における断面図、（ｂ）は図１（ｂ）のＩＩＩ−ＩＩＩ線における断面図である。
【図３】本発明の実施形態に係る発光装置の構成を示す模式図であり、（ａ）は図１（ｂ）のＩＶ−ＩＶ線における断面図、（ｂ）は図１（ｂ）のＶ−Ｖ線における断面図である。
【図４】本発明の実施形態に係る発光装置の構成を示す模式図であり、図１（ｂ）のＩ−Ｉ線における断面図である。
【図５】本発明の実施形態に係る発光装置の層構造を示す模式的平面図であり、（ａ）はｐ型半導体層及びカバー電極の配置領域を示し、（ｂ）は光反射電極の配置領域を示す。
【図６】本発明の実施形態に係る発光装置の層構造を示す模式的平面図であり、（ａ）は絶縁膜の配置領域を示し、（ｂ）はｎ側電極及びｐ側電極の配置領域を示す。
【図７】本発明の実施形態に係る発光装置の層構造を示す模式的平面図であり、樹脂部材及び金属層の配置領域を示す。
【図８】本発明の実施形態に係る発光装置を実装基板に実装する様子を説明するための模式図であり、図１（ｂ）のＶ−Ｖ線における断面図である。
【図９】本発明の実施形態に係る発光装置の製造方法の流れを示すフローチャートである。
【図１０】本発明の実施形態に係る発光装置の製造工程の一部を示す模式的断面図であり、（ａ）は半導体積層体形成工程、（ｂ）は光反射電極形成工程、（ｃ）はカバー電極形成工程、（ｄ）はｎ型半導体層露出工程、（ｅ）は絶縁膜形成工程を示す。
【図１１】本発明の実施形態に係る発光装置の製造工程におけるパッド電極形成工程を示す模式図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）のＩ−Ｉ線における断面図である。
【図１２】本発明の実施形態に係る発光装置の製造工程におけるマスク形成工程を示す模式図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）のＩ−Ｉ線における断面図である。
【図１３】本発明の実施形態に係る発光装置の製造工程における樹脂部材形成工程を示す模式的断面図であり、（ａ）はサブ工程である塗布工程、（ｂ）はサブ工程である露光・現像工程を示す。
【図１４】本発明の実施形態に係る発光装置の製造工程の一部を示す模式的断面図であり、（ａ）は金属層形成工程、（ｂ）はマスク除去工程を示す。
【図１５】本発明の実施形態に係る発光装置の製造工程におけるパッド電極分離工程を示す模式図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）のＩ−Ｉ線における断面図である。
【図１６】本発明の実施形態に係る発光装置の製造工程における成長基板除去工程を示す模式的断面図である。
【図１７】本発明の実施形態の変形例に係る発光装置の構成を示す模式図であり、（ａ）は斜視図、（ｂ）は（ａ）のＶＩ−ＶＩ線における断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
以下、本発明に係る発光装置及びその製造方法の実施形態について説明する。
なお、以下の説明において参照する図面は、本発明を概略的に示したものであるため、各部材のスケールや間隔、位置関係などが誇張、あるいは、部材の一部の図示が省略されている場合がある。また、斜視図、平面図、断面図の間において、各部材のスケールや間隔が一致しない場合もある。また、以下の説明では、同一の名称及び符号については原則として同一又は同質の部材を示しており、詳細な説明を適宜省略することとする。
【００１４】
また、本発明の実施形態に係る発光装置において、「上」、「下」、「左」及び「右」などは、状況に応じて入れ替わるものである。本明細書において、「上」、「下」などは、説明のために参照する図面において構成要素間の相対的な位置を示すものであって、特に断らない限り絶対的な位置を示すことを意図したものではない。
【００１５】
［発光装置の構成］
まず、図１〜図７を参照して、本発明の実施形態に係る発光装置の構成について説明する。
図２及び図３に示す断面図は、図１（ｂ）に示す平面図のＩＩ−ＩＩ線乃至Ｖ−Ｖ線における断面を、平面図における距離間隔を維持しながら模式的に示したものである。また、図４に示す断面図は、図１（ｂ）に示す平面図のＩ−Ｉ線における断面を模式的に示したものである。図１（ｂ）に示したＩ−Ｉ線上の位置Ａ１〜Ａ６と、図２〜図４に矢印で示した位置Ａ１〜Ａ６とが対応している。また、ＩＩＩ−ＩＩＩ線における断面は、位置Ａ１と位置Ａ６とを結ぶ直線に沿った断面と同じである。従って、図４に示す断面図は、図２及び図３に示す断面を適宜につなぎ合わせたものである。更に、断面構造の要部を示すために、図４の断面図における距離間隔は、図１（ｂ）の平面図における距離間隔（部材の幅）を部分的に短縮して示しており、両図面における距離間隔は一致していない。
また、図１０〜図１６に示す製造工程を説明するための断面図についても、特に断らない限り図４と同様に、図１（ｂ）に示す平面図のＩ−Ｉ線に相当する断面を示すものである。また、図５〜図７は、本実施形態に係る発光装置１００の積層構造を説明するために、層ごとに平面視での配置領域をハッチングを施して示すものである。
【００１６】
本実施形態に係る発光装置１００は、図１〜図７に示すように、外形が略直方体形状をしており、成長基板が除去されたＬＥＤ（発光ダイオード）構造を有する半導体発光素子１（以下、適宜に「発光素子」と呼ぶ）と、発光素子１の一方の面側に設けられた支持体２とから構成されるＣＳＰである。また、詳細は後記するが、発光装置１００は、ウエハレベルで作製されるＷＣＳＰ（ウエハレベルプロセスによるＣＳＰ）である。
【００１７】
発光素子１の一方の面側（図２〜図４における上面）には、ｎ側電極１３及びｐ側電極１５が設けられるとともに、樹脂部材２１からなる支持体２が設けられている。また、樹脂部材２１内には、内部配線として金属層（ｎ側金属層）３１ｎ及び金属層（ｐ側金属層）３１ｐが設けられている。金属層３１ｎはｎ側電極１３と導通しており、金属層３１ｐはｐ側電極１５と導通している。樹脂部材２１から露出した金属層３１ｎ，３１ｐの上面が、外部と電気的に接続するための実装面となっている。また、発光素子１の下面側が、光取り出し面である。
また、樹脂部材２１は、上面の３カ所に、ボウル（bowl；椀）状の凹部２１ｃを有するとともに、外側面の下端側に、平面視で、下部の外縁が、上部の外縁よりも内側となるように段差２１ｂが設けられている。
また、金属層３１ｎ，３１ｐの上部は樹脂部材２１の上面から突出している。更に、金属層３１ｎ，３１ｐの突出した上部は、それぞれが樹脂部材２１の上面に形成された凹部２１ｃの１つを平面視で略Ｃ字形状に囲むように設けられている。そのため、金属層３１ｎ，３１ｐの上部の当該略Ｃ字形状の中心部に凹部３２ｎ，３２ｐが形成されている。
【００１８】
なお、発光素子１は、半導体積層体１２を形成する際に用いる成長基板１１（図１０（ａ）参照）が除去されているが、成長基板１１をそのまま又は研磨により薄肉化して有するようにしてもよい。また、成長基板１１を剥離した後の半導体積層体１２の裏面側に、又は成長基板１１の裏面側に、蛍光体を含有する蛍光体層を設けるようにしてもよい。
【００１９】
次に、発光装置１００の各部の構成について順次に詳細に説明する。
発光素子１は、平面視で矩形形状をした板状の形状を有しており、一方の面側にｎ側電極１３及びｐ側電極１５を備えたフェイスダウン型のＬＥＤチップである。
【００２０】
発光素子１は、ｎ型半導体層１２ｎとｐ型半導体層１２ｐとを積層した半導体積層体１２を備えている。半導体積層体１２は、ｎ側電極１３及びｐ側電極１５間に電流を通電することにより発光するようになっており、ｎ型半導体層１２ｎとｐ型半導体層１２ｐとの間に活性層１２ａを備えることが好ましい。
【００２１】
図１（ｂ）、図２（ａ）及び図３に示すように、半導体積層体１２には、ｐ型半導体層１２ｐ及び活性層１２ａが部分的に存在しない領域、すなわちｐ型半導体層１２ｐの表面から窪んだ領域（この領域を「段差部１２ｂ」と呼ぶ）が形成されている。発光素子１は、平面視で、円形の段差部１２ｂが３カ所に設けられている。段差部１２ｂの底面は、ｎ型半導体層１２ｎにより構成される面であり、段差部１２ｂの底面の一部に設けられた絶縁膜１６の開口部１６ｎを介して、ｎ型半導体層１２ｎとｎ側電極１３とが電気的に接続されている。
【００２２】
また、半導体積層体１２の外周に沿って、ｐ型半導体層１２ｐ及び活性層１２ａが存在しない領域である段差部１２ｃが設けられている。段差部１２ｃは、ウエハ状態の発光素子１の境界線４０（図１０（ｄ）参照）に沿った領域である境界領域（ダイシングストリート）に設けられる。
【００２３】
また、平面視において半導体積層体１２の外縁となる側面、すなわち、ｎ型半導体層１２ｎの外縁となる側面は、絶縁膜１６及び樹脂部材２１の何れによっても被覆されていない。ウエハレベルプロセスによる発光装置１００の製造工程の最後の工程である個片化工程Ｓ１１３（図９参照）において半導体積層体１２が割断され、当該割断面が平面視で外縁となる側面として形成される。このため、個片化された発光装置１００において、半導体積層体１２の外縁となる側面は露出した状態となる。
【００２４】
また、図１〜図５に示すように、半導体積層体１２のｐ型半導体層１２ｐの上面の略全面には、光反射電極１４ａ及びカバー電極１４ｂが積層された全面電極１４が設けられている。すなわち、図５（ａ）において、斜線のハッチングを施した領域が、ｐ型半導体層１２ｐ及びカバー電極１４ｂが設けられた領域である。また、光反射電極１４ａは、上面及び側面がカバー電極１４ｂで被覆されており、図５（ｂ）において斜線のハッチングを施して示すように、平面視で、カバー電極１４ｂが配置された領域に包含される内側の領域に配置されている。
【００２５】
また、図１〜図４及び図６（ａ）に示すように、全面電極１４の上面及び側面、半導体積層体１２の上面及び側面（図６（ａ）において網掛けのハッチングを施した領域）には、絶縁膜１６が設けられている。絶縁膜１６は、段差部１２ｂの底面に開口部１６ｎを有するとともに、カバー電極１４ｂ上の一部に開口部１６ｐを有する。開口部１６ｎは、３カ所に設けられた各段差部１２ｂの底面において、円形形状に設けられている。更に、開口部１６ｐは、カバー電極１４ｂ上の４カ所において、円形形状に設けられている。また、絶縁膜１６は、段差部１２ｃの底面にも開口部を有しているが、開口部を有さずに、ｎ型半導体層１２ｎの上面を端部まで被覆するようにしてもよい。
【００２６】
また、図１〜図４及び図６（ｂ）に示すように、発光素子１のｐ側のパッド電極であるｐ側電極１５が、開口部１６ｐにおいてカバー電極１４ｂと電気的に接続されるとともに、絶縁膜１６を介して、図６（ｂ）における左側の領域のカバー電極１４ｂの上面に形成されている。また、ｐ側電極１５は、絶縁膜１６を介して、更に段差部１２ｃの側面及び底面の一部（図６（ａ）において、上辺の中央部の近傍）に延在するように形成されている。
また、発光素子１のｎ側のパッド電極であるｎ側電極１３が、開口部１６ｎにおいてｎ型半導体層１２ｎと電気的に接続されるとともに、絶縁膜１６を介して、段差部１２ｂの底面及び側面、ｐ側電極１５が設けられた領域及びその近傍を除くカバー電極１４ｂの上面及び側面、並びに段差部１２ｃの側面及び底面に延在するように設けられている。
すなわち、発光素子１は、半導体積層体１２の一方の面側に、ｎ側電極１３及びｐ側電極１５の両方が設けられている。
また、このように、ｎ側電極１３又は／及びｐ側電極１５を、発光素子１の上面及び側面に広範囲に設けることにより、後記する支持体２の樹脂部材２１に対して効率的に熱を伝導させて、発光装置１００の放熱性を向上させることがきる。
【００２７】
半導体積層体１２（ｎ型半導体層１２ｎ、活性層１２ａ及びｐ型半導体層１２ｐ）は、ＩｎＸＡｌＹＧａ１−Ｘ−ＹＮ（０≦Ｘ、０≦Ｙ、Ｘ＋Ｙ＜１）等が好適に用いられる。また、これらの半導体層は、それぞれ単層構造でもよいが、組成及び膜厚等の異なる層の積層構造、超格子構造等であってもよい。特に、活性層１２ａは、量子効果が生ずる薄膜を積層した単一量子井戸又は多重量子井戸構造であることが好ましい。
【００２８】
全面電極１４は、電流拡散層及び反射層としての機能を有するものであり、光反射電極１４ａとカバー電極１４ｂとを積層して構成されている。
光反射電極１４ａは、ｐ型半導体層１２ｐの上面の略全面を覆うように設けられる。また、光反射電極１４ａの上面及び側面の全体を被覆するように、カバー電極１４ｂが設けられている。光反射電極１４ａは、カバー電極１４ｂ及びカバー電極１４ｂの上面の一部に設けられたｐ側電極１５を介して供給される電流を、ｐ型半導体層１２ｐの全面に均一に拡散するための導体層である。また、光反射電極１４ａは良好な光反射性を有し、発光素子１が発光する光を、光取り出し面である下方向に反射する反射膜としても機能する。
【００２９】
光反射電極１４ａは、良好な導電性と反射性とを有する金属材料を用いることができる。特に可視光領域で良好な反射性を有する金属材料としては、Ａｇ、Ａｌ又はこれらの金属を主成分とする合金を好適に用いることができる。また、光反射電極１４ａは、これらの金属材料を単層で、又は積層したものが利用できる。
【００３０】
また、カバー電極１４ｂは、光反射電極１４ａを構成する金属材料のマイグレーションを防止するためのバリア層である。光反射電極１４ａとして、マイグレーションを起こしやすいＡｇ又はＡｇを主成分とする合金を用いる場合には、カバー電極１４ｂを設けることが好ましい。
カバー電極１４ｂとしては、良好な導電性とバリア性とを有する金属材料を用いることができ、例えば、Ａｌ、Ｔｉ、Ｗ、Ａｕ、ＡｌＣｕ合金などを用いることができる。また、カバー電極１４ｂは、これらの金属材料を単層で、又は積層したものが利用できる。
【００３１】
ｎ側電極１３は、３カ所に設けられた段差部１２ｂの底面における絶縁膜１６の開口部１６ｎで、ｎ型半導体層１２ｎと電気的に接続されている。このように広範囲に亘る箇所でｎ型半導体層１２ｎと接続することにより、ｎ側電極１３を介して供給される電流を、ｎ型半導体層１２ｎに均等に拡散できるため、発光効率を向上させることができる。
なお、図１（ｂ）において、カバー電極１４ｂの平面視での配置領域を、便宜的にｐ型半導体層１２ｐの配置領域と一致するように記載しているが、カバー電極１４ｂはｐ型半導体層１２ｐよりも僅かに内側に設けられる。後記する製造工程図においても同様である。
また、ｐ側電極１５は、カバー電極１４ｂの上面の４カ所に設けられた絶縁膜１６の開口部１６ｐにおいて、カバー電極１４ｂと電気的に接続されている。
図６（ａ）に示すように、ｎ側電極１３の上面には、平面視で略Ｃ字形状をした金属層３１ｎがｎ側電極１３と電気的に接続されるように設けられ、ｐ側電極１５の上面には、平面視で略Ｃ字形状をした金属層３１ｐがｐ側電極１５と電気的に接続されるように設けられている。
【００３２】
ｎ側電極１３及びｐ側電極１５としては、金属材料を用いることができ、例えば、Ａｇ、Ａｌ、Ｎｉ、Ｒｈ、Ａｕ、Ｃｕ、Ｔｉ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ｍｏ、Ｃｒ、Ｗなどの単体金属又はこれらの金属を主成分とする合金などを好適に用いることができる。なお、合金を用いる場合は、例えば、ＡｌＳｉＣｕ合金（ＡＳＣ）のように、組成元素としてＳｉなどの非金属元素を含有するものであってもよい。また、ｎ側電極１３及びｐ側電極１５は、これらの金属材料を単層で、又は積層したものを利用することができる。積層構造としては、半導体積層体１２側から順に、例えば、Ｔｉ／ＡＳＣ／ＮｉやＴｉ／ＡＳＣ／Ｐｄとすることができる。
【００３３】
絶縁膜１６は、絶縁性を有し、半導体積層体１２及び全面電極１４の上面及び側面を被覆する被膜である。絶縁膜１６は、発光素子１の保護膜及び帯電防止膜として機能する。また、絶縁膜１６の上面の広範囲には、ｎ側電極１３及びｐ側電極１５が相補的に延在して設けられている。絶縁膜１６としては、金属酸化物や金属窒化物を用いることができ、例えば、Ｓｉ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｔａ、Ａｌからなる群より選択された少なくとも一種の酸化物又は窒化物を好適に用いることができる。また、絶縁膜１６として、屈折率の異なる２種以上の透光性誘電体を用いて積層し、ＤＢＲ（Distributed Bragg Reflector）膜を構成するようにしてもよい。
【００３４】
なお、図１〜図４に示した発光素子１は、一例を示したものであり、これに限定されるものではない。発光素子１は、ｎ側電極１３及びｐ側電極１５が半導体積層体１２の一方の面側に設けられていればよく、段差部１２ｂ、ｎ側電極１３及びｐ側電極１５の配置領域などは適宜に定めることができる。また、段差部１２ｂに代えて、又は加えて、段差部１２ｃでｎ型半導体層１２ｎとｎ側電極１３とが電気的に接続されるようにしてもよい。
【００３５】
支持体２は、平面視で発光素子１の外形と略同形状の、直方体形状をしており、発光素子１のｎ側電極１３及びｐ側電極１５が設けられた面側と接合するように設けられ、成長基板１１（図１０（ａ）参照）が除去された発光素子１の構造を機械的に保つための補強部材である。支持体２は、金属層３１ｎ，３１ｐを内部に有する樹脂部材２１で構成されている。
なお、図１〜図４に示した発光装置１００は、平面視において、支持体２が発光素子１に内包されるように構成されているが、平面視で重なるように構成されてもよく、支持体２が発光素子１を内包するように構成されてもよい。
【００３６】
樹脂部材２１は、発光素子１の補強部材としての母体である。樹脂部材２１は、図１〜図４及び図７に示すように、平面視で、発光素子１の外形形状とほぼ同じ（図７において、網掛けのハッチング施した領域）であり、側面に、平面視において下部が上部に内包されるように段差２１ｂが形成されている。
また、樹脂部材２１は、半導体積層体１２の段差部１２ｂの直上領域である上面の３カ所に、ボウル状の凹部２１ｃが形成されている。凹部２１ｃは、発光素子１の上面に樹脂部材２１を形成する際に、段差部１２ｂの形状に倣って形成される窪みである。
また、樹脂部材２１は、平面視で略Ｃ字形状をした開口部２１ｎ，２１ｐを有し、当該開口部２１ｎ，２１ｐ内に、内部配線として、厚さ方向に貫通するように、金属層３１ｎ，３１ｐを有している。また、金属層３１ｎ，３１ｐは、それぞれが異なる凹部２１ｃの少なくとも一部を囲む、つまり平面視で凹部２１ｃの周囲に略Ｃ字状に設けられている。金属層３１ｎ，３１ｐは、樹脂部材２１の上面から突出した金属層３１ｎ，３１ｐの上部（図７において、斜線のハッチングを施した領域）が、平面視で開口部２１ｎ，２１ｐ（図７において、斜線のハッチングを施した領域内に破線で示した領域）の外側となる上面にまで延在するように設けられている。
【００３７】
凹部２１ｃの形状は特に限定されるものではなく、平面視での形状は、矩形や多角形であってもよい。また、凹部２１ｃの平面視での径（円形状の場合は直径）や、中心部の深さは特に限定されるものではないが、径は、２０μｍ以上６０μｍ以下程度とすることが好ましく、中心部の深さは、３μｍ以上５μｍ以下程度とすることが好ましい。
凹部２１ｃを、このような大きさとすることにより、実装時において、過剰な半田を凹部２１ｃ内に効果的に留めることができる。
【００３８】
また、凹部２１ｃが、半導体積層体１２の段差部１２ｂの直上領域に設けられることにより、発光装置１００の実装時に、発光装置１００にかかる荷重が、段差部１２ｂに直接かからないようにすることができる。すなわち、実装時に段差部１２の側面を被覆する絶縁膜１６及びｎ側電極１３にかかる荷重も低減される。このため、絶縁膜１６及びｎ側電極１３に対して、例えば、リーク電流が発生するなどのダメージが生じることを抑制することができる。その結果、発光装置１００の信頼性を向上させることができる。
【００３９】
樹脂部材２１の樹脂材料としては、当該分野で公知のものを使用することができ、フォトレジストとして用いられる感光性材料を用いることが好ましい。感光性樹脂材料を用いることにより、フォトリソグラフィ法によって、絶縁膜２１をパターニングすることができる。
【００４０】
また、絶縁膜２１には、熱伝導性を高めるために、例えば粒状のカーボンブラックやＡｌＮ（窒化アルミニウム）などの熱伝導部材を含有させるようにしてもよく、発光素子１からの光を下面側（光取り出し面側）から効率よく外部に取り出すために、例えばＴｉＯ２やＳｉＯ２、Ａｌ２Ｏ３などの光反射性フィラーを含有させるようにしてもよい。なお、樹脂部材２１に光反射性のフィラーを含有させる場合は、発光素子１の全面電極１４を、ＩＴＯ（インジウム・スズ酸化物）やＩＺＯ（インジウム・亜鉛酸化物）などの透光性導電材料を用いて形成するようにしてもよい。
【００４１】
樹脂部材２１の厚さは、成長基板１１（図１０（ａ）参照）が剥離や薄肉化された発光素子１の補強部材として十分な強度を有するように下限を定めることができる。
例えば、補強部材としての観点からは樹脂部材２１の厚さが３０μｍ以上程度とすることが好ましく、９０μｍ以上程度とすることが更に好ましい。
また、樹脂部材２１における金属の体積の割合と発光素子１の発熱量とを勘案して、十分な放熱性が得られるように、樹脂部材２１の厚さの上限を定めることができ、例えば１５０μｍ以下程度が好ましく、１２０μｍ以下程度とすることが更に好ましい。
【００４２】
金属層（ｎ側金属層）３１ｎは、樹脂部材２１の内部に厚さ方向に貫通するように設けられ、絶縁膜１６の開口部１６ｎにおいて下面が発光素子１の電極であるｎ側電極１３と接続され、上面が外部と接続するための実装面である。すなわち金属層３１ｎは、ｎ側の内部配線であり、かつ、ｎ側の外部接続用電極である。また、金属層３１ｎの上部は、樹脂部材２１の上面から突出するように設けられ、平面視で樹脂部材２１の上面に形成された凹部２１ｃの１つを囲むように、略Ｃ字形状に形成されている。すなわち、金属層３１ｎの上面側からみて、樹脂部材２１の上面を底面とし、樹脂部材２１から突出した金属層３１ｎの上部を側壁として、少なくとも一部が囲まれることで形成される空間である凹部３２ｎが、樹脂部材２１の上面の窪みである凹部２１ｃと上方向に連なるように形成されている。
【００４３】
金属層（ｐ側金属層）３１ｐは、樹脂部材２１の内部に厚さ方向に貫通するように設けられ、絶縁膜１６の開口部１６ｐにおいて下面が発光素子１の電極であるｐ側電極１５と接続され、上面が外部と接続するための実装面である。すなわち金属層３１ｐは、ｐ側の内部配線であり、かつ、ｐ側の外部接続用電極である。また、金属層３１ｐの上部は、樹脂部材２１の上面から突出するように設けられ、平面視で樹脂部材２１の上面に形成された凹部２１ｃの１つを囲むように、略Ｃ字形状に形成されている。すなわち、金属層３１ｐの上面側からみて、樹脂部材２１の上面を底面とし、樹脂部材２１から突出した金属層３１ｐの上部を側壁として、少なくとも一部が囲まれることで形成される空間である凹部３２ｐが、樹脂部材２１の上面の窪みである凹部２１ｃと上方向に連なるように形成されている。
【００４４】
また、樹脂部材２１から突出して設けられる金属層３１ｎ，３１ｐの上部を、平面視で略Ｃ字形状や略Ｕ字形状のように、凹部３２ｎ，３２ｐの側壁の一部に開口を有して凹部２１ｃを囲むように配置することにより、発光装置１００の実装時に、発光装置１００に対して垂直方向にかかる荷重を利用して、余剰な接合部材を開口方向に逃がすことができる。このため、実装時に供給される接合部材の適切な量の範囲、すなわち許容範囲を、供給量が多い方に広げることができる。
また、凹部３２ｎ，３２ｐの平面視形状は、略Ｃ字形状や略Ｕ字形状のように囲みの開口が１カ所に限定されるものではなく、２カ所以上に設けてもよい。
【００４５】
なお、金属層３１ｎ，３１ｐの上面と樹脂部材２１の凹部２１ｃの外側の上面との差、すなわち、金属層３１ｎ，３１ｐの上面からみた金属層３１ｎ，３１ｐの凹部３２ｎ，３２ｐの深さは、５μｍ以上５０μｍ以下程度とすることが好ましく、更に１０μｍ以上４５μｍ以下程度とすることが好ましい。これによって、実装時において、過剰な半田を凹部３２ｎ，３２ｐ内に効果的に留めることができる。
【００４６】
また、本実施形態では、金属層３１ｎ，３１ｐの上面が、平面となるように形成されているが、これに限定されるものではなく、凹凸形状を有するようにしてもよい。金属層３１ｎ，３１ｐの上面が凹凸形状を有する場合は、樹脂部材２１の上面から凸部の頂部までの高さが前記した範囲となるようにすることが好ましい。
【００４７】
また、図１（ｂ）に示した例では、金属層３１ｎ，３１ｐは、平面視で、樹脂部材２１の凹部２１ｃを、一部に開口（図１（ｂ）において、右側）を有する略Ｃ字形状に囲むように構成したが、これに限定されるものではない。金属層３１ｎ，３１ｐは、平面視で、２カ所以上に開口を有して凹部２１ｃを囲むように構成してもよいし、少なくとも金属層３１ｎ，３１ｐの上部が、開口を有さずに凹部２１ｃを囲むように構成してもよい。
【００４８】
また、金属層３１ｎ，３１ｐは、発光素子１が発生した熱を放熱するための熱伝達経路としても機能する。そのため、樹脂部材２１に対する金属の体積の比率が大きい方が好ましい。
【００４９】
金属層３１ｎ，３１ｐとしては、Ｃｕ、Ａｕ、Ａｌなどの金属を好適に用いることができる。また、金属層３１ｎ，３１ｐを複数種類の金属を用いた積層構造としてもよい。特に、実装面となる最上面は、腐食防止及びＡｕ−Ｓｎ共晶半田などのＡｕ合金系の接着部材を用いた実装基板との接合性を高めるために、少なくとも最上層をＡｕで形成することが好ましい。また、金属層３１ｎ，３１ｐの下層部がＣｕ、Ａｌなどの、Ａｕ以外の金属で形成されている場合は、Ａｕとの密着性を高めるために、上層部をＮｉ／ＡｕやＮｉ／Ｐｄ／Ａｕのような、積層構造としてもよい。
また、接着部材としてＳｎ−ＣｕやＳｎ−Ａｇ−Ｃｕなどの半田を用いることもできる。その場合は、金属層３１ｎ，３１ｐの最上層を、用いる接着材料と良好な密着性が得られる材料で構成することが好ましい。
金属層３１ｎ，３１ｐは、電解メッキ法により形成することができる。金属層３１ｎ，３１ｐの形成方法の詳細については後記する。
【００５０】
［発光装置の実装］
次に、図８を参照して、発光装置１００を実装基板に実装する際の、半田のはみ出し防止について説明する。図８は、発光装置１００の図１（ｂ）のＶ−Ｖ線に相当する断面、すなわち、図３（ｂ）に示したｎ側の実装面を示すものである。なお、発光装置１００のｐ側の実装面（図１（ｂ）のＩＶ−ＩＶ線における断面）については、ｎ側の実装面と同様であるから、説明は省略する。
【００５１】
図８に示すように、発光装置１００は、配線パターン９２が設けられた実装基板９１の実装面と、支持体２が設けられた側の面、すなわち金属層３１ｎ，３１ｐの樹脂部材２１からの露出面とが対向するようにしてフェイスダウン実装される。従って、図８における発光装置１００は、図３（ｂ）とは上下が逆になっている。
発光装置１００の実装基板９１への実装は、Ａｕ−Ｓｎ共晶半田などの接着部材９３を用いて、リフロー法によって行われる。
【００５２】
実装時に、金属層３１ｎと配線パターン９２との間に予め設けられた接着部材９３が溶融し、その後に接着部材９３が冷却されることにより、金属層３１ｎと配線パターン９２とが強固に接合される。
【００５３】
ここで、接着部材９３が溶融して液体の状態のときに、過剰な接着部材９３が、金属層３１ｎと配線パターン９２との間からはみ出す。はみ出した過剰な接着部材９３の多くは、外部接続用電極である金属層３１ｎの凹部３２ｎ内、更には、樹脂部材２１の凹部２１ｃ内に収容されるため、平面視で金属層３１ｎが配置された領域の外縁より外側にはみ出る接着部材９３の量が低減される。これによって、樹脂部材２１の側面に沿った接着部材９３の這い上がりを抑制することができる。その結果として、発光装置１００を、高い信頼性で実装基板９１に実装することができる。
【００５４】
更に、樹脂部材２１の側面に段差部２１ｂを設けることにより、樹脂部材２１の下端（図３（ｂ）においては上端）から発光素子１までの沿面距離が長くなり、また、接着部材９３が段差部２１ｂにトラップされるため、樹脂部材２１の側面を這い上がってきた接着部材９３が発光素子１まで到達し難くすることができる。
なお、平面視における段差部２１ｂの上部側面と下部側面との間の距離（図８において、水平方向の側面位置の差）は、１μｍ以上１０μｍ以下程度とすることが好ましく、３μｍ以上６μｍ以下程度とすることが更に好ましい。これによって、より効果的に半田の這い上がりを防止することができる。
【００５５】
［発光装置の動作］
次に、図１〜図４及び図８を参照して、発光装置１００の動作について説明する。
発光装置１００は、外部との接続用電極である金属層３１ｎ，３１ｐに、実装基板９１を介して外部電源が接続されると、発光素子１のｎ側電極１３及びｐ側電極１５間に電流が供給される。そして、ｎ側電極１３及びｐ側電極１５間に電流が供給されると、発光素子１の活性層１２ａが発光する。
【００５６】
発光素子１の活性層１２ａが発光した光は、半導体積層体１２内を伝播して、発光素子１の下面（図８においては上面）又は側面から出射して、外部に取り出される。
なお、発光素子１内を上方向（図８においては下方向）に伝播する光は、光反射電極１４ａによって反射され、発光素子１の下面（図８においては上面）から出射して、外部に取り出される。
【００５７】
［発光装置の製造方法］
次に、図９を参照して、図１〜図４に示した発光装置１００の製造方法について説明する。
図９に示すように、発光装置１００の製造方法は、半導体積層体形成工程Ｓ１０１と、光反射電極形成工程Ｓ１０２と、カバー電極形成工程Ｓ１０３と、ｎ型半導体層露出工程Ｓ１０４と、絶縁膜形成工程Ｓ１０５と、パッド電極形成工程Ｓ１０６と、マスク形成工程Ｓ１０７と、樹脂部材形成工程Ｓ１０８と、金属層形成工程Ｓ１０９と、マスク除去工程Ｓ１１０と、パッド電極分離工程Ｓ１１１と、成長基板除去工程Ｓ１１２と、個片化工程Ｓ１１３と、を含み、この順で各工程が行われる。
また、半導体積層体形成工程Ｓ１０１〜パッド電極形成工程Ｓ１０６が、ウエハ状態の発光素子１を準備するウエハ準備工程として含まれ、光反射電極形成工程Ｓ１０２及びカバー電極形成工程Ｓ１０３が、全面電極形成工程として含まれる。
【００５８】
以下、図１０〜図１６を参照（適宜図１〜図７及び図９参照）して、各工程について詳細に説明する。なお、図１０〜図１６において、各部材について、形状、サイズ、位置関係を適宜に簡略化したり、誇張したりしている場合がある。
また、ウエハレベルでの発光装置１００の製造工程において、多数の発光素子が２次元配列した状態で各工程が行われる。図１０〜図１６では、多数の発光素子の配列の内で、断面図においては１個の発光素子について、平面図において長手方向の辺が隣接する２個の発光素子について示したものである。
また、図１０〜図１６に示した断面図は、図４に示した断面図と同様に、図１（ｂ）のＩ−Ｉ線における断面に相当するものである。
【００５９】
本発明の実施形態に係る発光装置の製造方法は、まず、複数の発光素子１が一枚の成長基板１１上に配列された発光素子１を準備するウエハ準備工程を行う。ウエハ準備工程では、前記したように、半導体積層体形成工程Ｓ１０１と、光反射電極形成工程Ｓ１０２と、カバー電極形成工程Ｓ１０３と、ｎ型半導体層露出工程Ｓ１０４と、絶縁膜形成工程Ｓ１０５と、パッド電極形成工程Ｓ１０６とが含まれる。
【００６０】
まず、半導体積層体形成工程Ｓ１０１において、図１０（ａ）に示すように、サファイアなどからなる成長基板１１の上面に、前記した半導体材料を用いて、ｎ型半導体層１２ｎ、活性層１２ａ及びｐ型半導体層１２ｐを順次積層して半導体積層体１２を形成する。
【００６１】
次に、光反射電極形成工程Ｓ１０２において、図１０（ｂ）に示すように、光反射電極１４ａを所定の領域に形成する。光反射電極１４ａは、リフトオフ法により形成することができる。すなわち、フォトリソグラフィ法により、光反射電極１４ａを配置する領域に開口を有するレジストパターンを形成した後、ウエハ全面にスパッタリング法や蒸着法などによりＡｇなどの前記した反射性の良好な金属材料を成膜する。そして、レジストパターンを除去することにより、成膜された金属材料がパターニングされ、光反射電極１４ａが形成される。
【００６２】
次に、カバー電極形成工程Ｓ１０３において、図１０（ｃ）に示すように、光反射電極１４ａの上面及び側面を被覆するように、カバー電極１４ｂを形成する。カバー電極１４ｂは、所定の金属材料を用いて、スパッタリング法や蒸着法などによりウエハ全面に金属材料を成膜した後、フォトリソグラフィ法により、カバー電極１４ｂを配置する領域を被覆するレジストパターンを形成する。そして、当該レジストパターンをマスクとしてエッチングすることにより成膜された金属材料がパターニングされ、その後にレジストパターンを除去することでカバー電極１４ｂが形成される。
【００６３】
次に、ｎ型半導体層露出工程Ｓ１０４において、図１０（ｄ）に示すように、半導体積層体１２の一部の領域について、ｐ型半導体層１２ｐ、活性層１２ａ及びｎ型半導体層１２ｎの一部をドライエッチングにより除去して、ｎ型半導体層１２ｎが底面に露出する段差部１２ｂ及び段差部１２ｃを形成する。
図１０（ｄ）に示した例では、全面電極１４をエッチングのマスクとして用いているため、結果として、ｐ型半導体層１２ｐ及び活性層１２ａを有する全領域が、全面電極１４で被覆されることになる。
【００６４】
次に、絶縁膜形成工程Ｓ１０５において、図１０（ｅ）に示すように、所定の絶縁材料を用いて、段差部１２ｂ及びカバー電極１４ｂの上面の一部に、それぞれ開口部１６ｎ及び開口部１６ｐを有する絶縁膜１６を形成する。また、絶縁膜１６は、境界線４０に沿った領域である段差部１２ｃの底面の一部についても開口するように形成される。なお、段差部１２ｃの底面については、開口を有さずに全面が絶縁膜１６によって被覆されるようにしてもよい。
また、絶縁膜１６は、ウエハ全面にスパッタリング法などにより絶縁材料を成膜した後に、前記した開口部１６ｎ，１６ｐ等が設けられる所定領域に開口を有するレジストパターンを形成し、成膜された絶縁材料をエッチングすることによってパターニングすることができる。
【００６５】
次に、パッド電極形成工程Ｓ１０６において、図１１に示すように、例えば、スパッタリング法などによって、絶縁膜１６上に金属層５０を形成する。なお、金属層５０は、例えば、リフトオフ法によってパターニングすることができる。
金属層５０は、発光素子１としてのパッド電極であるｎ側電極１３及びｐ側電極１５となるものである。そのため、金属層５０は、ｎ側電極１３となる領域（図１１において、右下がり斜線のハッチングを施した領域）に設けられている絶縁膜１６の開口部１６ｎで、ｎ型半導体層１２ｎと接続されている。また、金属層５０は、ｐ側電極１５となる領域（図１１において、右上がり斜線のハッチングを施した領域）に設けられている絶縁膜１６の開口部１６ｐで、カバー電極１４ｂと接続されている。
【００６６】
金属層５０は、境界線４０で区画された各発光素子１の領域内では、ｎ側電極１３となる領域とｐ側電極１５となる領域とが互いに接触しないように分離して形成されているが、ｐ側電極１５となる金属層５０から境界線４０に沿った領域の一部（図１１（ａ）において、長手方向の上側の辺の中央部付近）に延伸して形成された延伸部５０ａで、隣接する発光素子１のｎ側電極１３となる金属層５０と接続され、ウエハ上に配列して形成された全ての発光素子１についての金属層５０が導通するように形成されている。
金属層５０は、後工程である金属層形成工程Ｓ１０９において金属層３１ｎ，３１ｐを電解メッキ法で形成する際の電流経路となるシード層として用いられる。本実施形態では、パッド電極であるｎ側電極１３及びｐ側電極１５となる金属層５０が、電解メッキのシード層を兼ねるように形成されるため、製造工程を簡略化することができる。
【００６７】
次に、マスク形成工程Ｓ１０７において、図１２に示すように、境界線４０に沿った領域である段差部１２ｃに形成された金属層５０を被覆するマスク３３を形成する。マスク３３は、フォトレジストやＳｉＯ２などの絶縁材料を用いて形成される。マスク３３は、後工程である金属層形成工程Ｓ１０９において、境界領域である段差部１２ｃ上に、メッキ成長させないための絶縁性のマスクである。
なお、マスク３３は、マスク除去工程Ｓ１１０において、樹脂部材２１を残したまま選択的に除去できるように、樹脂部材２１とは異なる材料で形成される。
また、マスク３３は、次の樹脂部材形成工程Ｓ１０８で形成される樹脂部材２１（図１３（ａ）参照）の上面よりも低い高さで、かつ、樹脂部材２１の開口部２１ａ（図１３（ｂ）参照）よりも広い幅で形成することが好ましい。これによって、樹脂部材２１の側面に段差２１ｂ（図１４（ｂ）参照）を形成することができる。
【００６８】
次に、樹脂部材形成工程Ｓ１０８において、図１３（ｂ）に示すように、金属層５０上に、フォトリソグラフィ法によって樹脂部材２１を形成する。樹脂部材２１は、金属層５０のｎ側電極１３となる領域上に開口部２１ｎを有し、金属層５０のｐ側電極１５となる領域上に開口部２１ｐを有するように形成される。更に、樹脂部材２１は、境界線４０に沿った領域上に開口部２１ａを有し、各発光素子１の領域ごとに分離して形成される。また、開口部２１ａは、マスク３３の幅よりも狭い幅で形成することが好ましい。
【００６９】
ここで、フォトリソグラフィ法で樹脂部材２１を形成する際に、サブ工程として、まず、図１３（ａ）に示すように、液状のフォトレジストが、スピンコート法やスプレー法などの塗布法によってウエハ上に一様に塗布される（塗布工程）。このとき、半導体積層体１２の段差部１２ｂの形状に倣って、段差部１２ｂの直上領域における塗布膜の上面に凹部２１ｃとなる窪みが形成される。
この窪みの形状を維持したままフォトレジストの塗布膜を加熱乾燥して硬化させる（硬化工程）ことにより、樹脂部材２１の上面に凹部２１ｃの形状が残される。
また、塗布工程及び硬化工程に続いて、更に、露光・現像工程が行われることで、図１３（ｂ）に示すように、開口部２１ｎ，２１ｐ及び開口部２１ａが形成される。
【００７０】
なお、凹部２１ｃを形成するために、段差部１２ｂの形状（径、深さ）、樹脂部材２１の膜厚及び塗布膜を硬化させるための加熱乾燥に要する時間に応じて、塗布される液状のフォトレジストの粘度が調整される。
また、半導体積層体１２の段差部１２ｃの直上領域においても、樹脂の塗布膜の上面に凹部が形成される。但し、マスク形成工程Ｓ１０７において段差部１２ｃに形成されるマスク３３の高さが、カバー電極１４ｂが配置された領域における金属層５０の上面の高さと同程度となるように形成することで、すなわち、実質的に段差部１２ｃを穴埋めするようにマスク３３を形成することで、段差部１２ｃ上において樹脂の塗布膜の上面をほぼ平坦に形成することができる。
【００７１】
次に、金属層形成工程Ｓ１０９において、図１４（ａ）に示すように、樹脂部材２１の開口部２１ｎ，２１ｐ内に、電解メッキ法によって金属層３１ｎ，３１ｐを形成する。金属層３１ｎ，３１ｐは、前記したように、全体が導通するように形成されている金属層５０を、電解メッキの電流経路となるシード層として用い、樹脂部材２１の開口部２１ｎ，２１ｐ内でメッキ成長させることで形成される。
また、本工程において、境界線４０に沿った領域である段差部１２ｃ（図１４（ｂ）参照）において、樹脂部材２１は開口部２１ａを有しているが、マスク３３によって金属層５０が被覆されているため、メッキ成長はしない。これによって、境界領域に厚膜のメッキ層が形成されないため、後工程であるパッド電極分離工程Ｓ１１１において、容易に不要な金属層５０を除去することができる。
【００７２】
なお、図１４（ａ）に示した例では、金属層３１ｎ，３１ｐは、上部が樹脂部材２１の上面から突出するように形成されているとともに、当該突出した上部が、平面視で樹脂部材２１の開口部２１ｎ，２１ｐの外側まで延在するように形成されている。これは、金属層３１ｎ，３１ｐがメッキ成長する際に、樹脂部材２１の上面から突出した上部の側面から横方向にも成長するために形成されるものである。
【００７３】
また、開口部２１ｎ，２１ｐの面積が狭い場合は、金属層３１ｎ，３１ｐの、樹脂部材２１から突出した上部の上面が丸味を帯びる場合がある。金属層３１ｎ，３１ｐの上面を、より平坦な面とするためには、電解メッキの後に、金属層３１ｎ，３１ｐの上面を研削や研磨することで平坦化するようにしてもよい。
【００７４】
次に、マスク除去工程Ｓ１１０において、図１４（ｂ）に示すように、適宜な溶剤や薬剤を用いてマスク３３を除去する。これによって、境界線４０に沿った領域に形成された金属層５０が、樹脂部材２１の開口部２１ａの底面に露出する。また、マスク３３を除去することによって、樹脂部材２１の下部側面に段差２１ｂが形成される。
【００７５】
次に、パッド電極分離工程（電極分離工程）Ｓ１１１において、図１５に示すように、エッチングにより、樹脂部材２１の開口部２１ａの底面に露出した金属層５０を除去する。これによって、金属層５０は、発光装置１００ごとに分離されるとともに、各発光装置１００内においても、ｎ側電極１３となる領域とｐ側電極１５となる領域とが分離される。
【００７６】
なお、金属層５０をエッチングする際に、金属層３１ｎ，３１ｐの上面にマスクを設けて金属層３１ｎ，３１ｐがエッチングされないようにしてもよい。また、金属層３１ｎ，３１ｐが金属層５０に比べて十分に厚い場合は、金属層３１ｎ，３１ｐの厚さが金属層５０の厚さと同程度分だけ減少することを構わずに、金属層３１ｎ，３１ｐの上面にマスクを設けずに金属層５０のエッチングを行うようにしてもよい。
【００７７】
次に、成長基板除去工程Ｓ１１２において、図１６に示すように、ＬＬＯ（レーザ・リフト・オフ）法やケミカルリフトオフ法などによって成長基板１１を剥離することで除去する。
なお、成長基板除去工程Ｓ１１２は必須の工程ではなく、成長基板１１を剥離しないようにしてもよい。また、成長基板１１の剥離に代えて、成長基板１１の下面側を研磨して薄肉化するようにしてもよい。
また、成長基板１１の剥離後に、半導体積層体１２の下面をウェットエッチングして凹凸形状を形成するようにしてもよい。
更にまた、成長基板１１の剥離後に、又は成長基板１１を剥離せずに、発光装置１００の光取り出し面となる下面側に、発光素子１が発光する光の波長を変換する蛍光体を含有する蛍光体層を設けるようにしてもよい。
【００７８】
次に、個片化工程Ｓ１１３において、ダイシング法やスクライビング法によって、図１６に示した境界線４０に沿ってウエハを切断することにより、発光装置１００を個片化する。個片化によって形成された半導体積層体１２の外縁となる側面は、図２〜図４に示すように、絶縁膜１６及び樹脂部材２１の何れによっても被覆されず、露出している。
なお、樹脂部材２１は、境界線４０に沿った領域に開口部２１ａを有するように、発光装置１００ごとに分離して形成されているため、半導体積層体１２を割断するだけで、容易に個片化することができる。
【００７９】
［発光装置の変形例］
次に、図１７を参照して、本発明の実施形態の変形例に係る発光装置ついて説明する。
なお、図示は省略したが、発光装置１００Ａの平面図は、図１（ｂ）に示した発光装置１００の平面図と略同じである。
図１７に示すように、本変形例に係る発光装置１００Ａは、図１などに示した発光装置１００の支持体２に代えて、支持体２Ａを備えることが異なる。具体的には、支持体２の金属層３１ｎ，３１ｐは、樹脂部材２１から突出した上部の上面が平坦面であるのに対して、支持体２Ａの金属層３１Ａｎ，３１Ａｐは、上部の上面が凸状に湾曲した形状、すなわちドーム形状をしていることが異なる。その他の構成は、発光装置１００と同じであるから、同じ符号を付して説明は省略する。
【００８０】
金属層３１Ａｎ，３１Ａｐの上面がドーム形状を有することによって、半田などの接合部材を用いて実装する際に、当該ドーム形状の頂点を接合の開始点として、金属層３１Ａｎ，３１Ａｐの上部が接合部材にめり込むようにして、発光装置１００Ａが実装される。
このように、発光装置１００Ａは接合部材の流動性を制御して、ボイドの発生などによる接合不良を抑制することができる。従って、発光装置１００Ａの接合強度の向上や放熱性の向上を図ることができる。
【００８１】
また、ＡＣＰ（異方性導電ペースト）やＡＣＦ（異方性導電フィルム）などの異方性導電材料を接合部材に用いる場合に、金属層３１Ａｎ，３１Ａｐの上面をドーム形状とすることで、当該ドーム形状の頂点が接点となるため、発光装置１００Ａに対して、少ない荷重で確実な接合を実現することができる。その結果、実装時に発光装置１００Ａにかかる負荷を低減することができる。
【００８２】
また、発光装置１００Ａは、前記した発光装置１００の製造方法と同様にして製造することができる。すなわち、金属層３１Ａｎ，３１Ａｐは、金属層形成工程Ｓ１０９（図９及び図１４（ａ）参照）において、金属層３２ｎ，３２ｐと同様に電解メッキによって形成することができる。電解メッキでは、メッキ成長端から等方的に金属が成長する。従って、樹脂部材２１の開口部２１ｎ，２１ｐ（図１３（ｂ）参照）の上端面よりも上方では、上方向に加えて横方向にもメッキ成長する。このため、図１７（ａ）に示すように、金属層３１Ａｎ，３１Ａｐの上部がドーム形状に形成される。また、図１７（ｂ）に示すように、金属層３１Ａｎ，３１Ａｐの上部は、平面視で略Ｃ字形状の稜線の延伸方向に垂直な面で切断した断面視で、半円形状ないし丸味を帯びた形状に形成される。特に、樹脂部材２１の上面から突出する上部の厚さに対して、開口部２１ｎ，２１ｐの幅が狭いほど、金属層３１Ａｎ，３１Ａｐの上部は、中心部が盛り上がり、断面視で半円形状に近い形状となる。
他の工程は、発光装置１００の製造方法と同様であるから、説明を省略する。
【００８３】
以上、本発明に係る発光装置及びその製造方法について、発明を実施するための形態により具体的に説明したが、本発明の趣旨はこれらの記載に限定されるものではなく、特許請求の範囲の記載に基づいて広く解釈されなければならない。また、これらの記載に基づいて種々変更、改変などしたものも本発明の趣旨に含まれることはいうまでもない。
【符号の説明】
【００８４】
１      半導体発光素子
１１    成長基板
１２    半導体積層体
１２ｎ  ｎ型半導体層
１２ａ  活性層
１２ｐ  ｐ型半導体層
１２ｂ  段差部
１２ｃ  段差部
１３    ｎ側電極
１４    全面電極
１４ａ  光反射電極
１４ｂ  カバー電極
１５    ｐ側電極
１６    絶縁膜
２，２Ａ  支持体
２１    樹脂部材
２１ａ  開口部
２１ｂ  段差部
２１ｃ  凹部
２１ｎ  開口部
２１ｐ  開口部
３１ｎ，３１Ａｎ  金属層（ｎ側金属層）
３１ｐ，３１Ａｐ  金属層（ｐ側金属層）
３２ｎ  凹部
３２ｐ  凹部
３３    マスク
４０    境界線
５０    金属層
５０ａ  延伸部
９１    実装基板
９２    配線パターン
９３    接着部材
１００，１００Ａ  発光装置
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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