(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体積層体と、前記半導体積層体の一方の面側に設けられる正負の電極とを有する半導体発光素子と、
前記半導体積層体の一方の面側に設けられ、前記正負の電極に向かい合って接続される電極を有する保護素子と、
前記正負の電極と電気的に接続され、前記正負の電極上に前記保護素子から離間して設けられる正負の外部接続用端子と、
前記半導体積層体の一方の面側に、前記保護素子が埋設されるように設けられる樹脂層と、
前記樹脂層の上面に、前記正負の外部接続用端子と電気的に接続され、平面視で、前記正負の外部接続用端子よりも面積が広く、かつ前記半導体発光素子よりも外側まで延在するように設けられた正負の拡張端子と、を備え、
前記正負の外部接続用端子の上面が前記樹脂層から露出している発光装置。
【請求項２】
前記正負の外部接続用端子は、平面視で、互いに向かい合うＣ字形状を有し、前記Ｃ字形状が前記保護素子を包囲する請求項１に記載の発光装置。
【請求項３】
前記保護素子はツェナーダイオードであり、前記半導体発光素子の前記正負の電極と逆極性に接続される請求項１又は請求項２に記載の発光装置。
【請求項４】
平面視で、前記正負の外部接続用端子間に絶縁性樹脂層が設けられている請求項１乃至請求項３の何れか一項に記載の発光装置。
【請求項５】
平面視で、前記正負の拡張端子間に絶縁性樹脂層が設けられている請求項１に記載の発光装置。
【請求項６】
前記半導体発光素子の側面を被覆するように設けられ、外側面が上方ほど平面視で外側となるように傾斜した透光性樹脂部材を備える請求項１乃至請求項５の何れか一項に記載の発光装置。
【請求項７】
半導体積層体と、前記半導体積層体の一方の面側に設けられる正負の電極と、前記半導体積層体の一方の面側に設けられ、前記正負の電極に向かい合って接続される電極を有する保護素子と、を有する半導体発光素子を準備する半導体発光素子準備工程と、
前記正負の電極上に、前記保護素子と離間して正負の外部接続用端子をメッキで形成する外部接続用端子形成工程と、
前記半導体発光素子上に、前記保護素子が埋設されるように樹脂層を形成する樹脂層形成工程と、
前記樹脂層を上面側から除去することで前記正負の外部接続用端子の上面を露出させる外部接続用端子露出工程と、を順に行い、
前記外部接続用端子形成工程の後に、前記正負の外部接続用端子間に絶縁性を有する樹脂を塗布することで絶縁性樹脂層を形成する絶縁性樹脂層形成工程と、を含む発光装置の製造方法。
【請求項８】
前記半導体発光素子準備工程において、複数の前記半導体発光素子が形成された第１ウエハが準備され、
前記外部接続用端子形成工程の後に、
前記第１ウエハを切断して、前記半導体発光素子を個片化する個片化工程と、
前記個片化した複数の半導体発光素子を支持体上に互いに離間して配置することで第２ウエハを形成する半導体発光素子配置工程と、を行い、  前記樹脂層形成工程において、前記第２ウエハ上に前記保護素子が埋設されるように前記樹脂層を形成し、
前記外部接続用端子露出工程の後に、
前記支持体を除去する支持体除去工程を行う請求項７に記載の発光装置の製造方法。
【請求項９】
前記樹脂層形成工程において、前記樹脂層が前記半導体発光素子の側面を被覆するように形成される請求項７又は請求項８に記載の発光装置の製造方法。
【請求項１０】
前記外部接続用端子露出工程の後に、前記正負の外部接続用端子の上面と電気的に接続され、前記樹脂層の上面に延在するように、正負の拡張端子を形成する拡張端子形成工程を含む請求項７乃至請求項９の何れか一項に記載の発光装置の製造方法。
【請求項１１】
前記拡張端子形成工程の後に、前記正負の拡張端子間に絶縁性を有する樹脂を塗布することで絶縁性樹脂層を形成する絶縁性樹脂層形成工程を含む請求項１０に記載の発光装置の製造方法。
【請求項１２】
前記半導体発光素子配置工程と前記樹脂層形成工程との間に、前記半導体発光素子の側面を被覆するように設けられ、外側面が上方ほど平面視で外側となるように傾斜した透光性樹脂部材を形成する透光性樹脂部材成工程を含む請求項８又は請求項８を引用する請求項９乃至請求項１１の何れか一項に記載の発光装置の製造方法。
【請求項１３】
前記外部接続用端子形成工程において、
前記正負の外部接続用端子は、平面視で、互いに向かい合うＣ字形状を有し、前記Ｃ字形状が前記保護素子を包囲するように形成される請求項７乃至請求項１２の何れか一項に記載の発光装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本開示は、半導体発光素子及び保護素子を備える発光装置及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
発光ダイオード等の半導体発光素子を用いた発光装置は小型化が容易で、かつ高い発光効率が得られることから広く用いられている。
また、特許文献１に記載されるように、半導体発光素子を、外部から流入した静電気による静電放電から防止するために、ツェナーダイオードに代表される保護素子が半導体発光素子とともに実装基板に装着されて用いられる。
【０００３】
一方、フェイスダウン型で実装される発光装置では、半導体発光素子の表面に設けたパッド電極と、実装基板上に設けた配線とを、実装基板の表面に垂直な方向から平面視した場合に半導体発光素子の大きさの範囲内に設けられたバンプ又は金属ピラー等の接続部材により電気的に接続することが可能である。これにより、発光装置のサイズ（実装基板の表面に垂直な方向から平面視したサイズ）を発光素子のチップに近いレベルまで小型化したＣＳＰ（Chip Size Package又はChip Scale Package）を実現することができる（例えば、特許文献２参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２０１４−８６６３０号公報
【特許文献２】特開２０１０−１４１１７６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
特許文献１に記載された発光装置は、上面に、半導体発光素子を実装するための導体パターンと、保護素子を実装するための導体パターンとが設けられた絶縁基体を用いて構成される。すなわち、特許文献１に記載された発光装置は、別途に準備した絶縁基体上に保護素子と半導体発光素子とをそれぞれ実装するため、ＷＬＣＳＰ（ウエハレベルでのＣＳＰ）の製造方法を適用することは困難である。
【０００６】
本開示は、半導体発光素子及び保護素子を備えたＣＳＰ型の発光装置と、ウエハレベルプロセスで当該発光装置を製造できる方法とを提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
前記した課題を解決するために、本開示に係る発光装置は、半導体積層体と、前記半導体積層体の一方の面側に設けられる正負の電極とを有する半導体発光素子と、前記半導体積層体の一方の面側に設けられ、前記正負の電極に向かい合って接続される電極を有する保護素子と、前記正負の電極と電気的に接続され、前記正負の電極上に前記保護素子から離間して設けられる正負の外部接続用端子と、前記半導体積層体の一方の面側に、前記保護素子が埋設されるように設けられる樹脂層と、を備え、前記正負の外部接続用端子の上面が前記樹脂層から露出するように構成される。
【０００８】
また、本開示に係る発光装置の製造方法は、半導体積層体と、前記半導体積層体の一方の面側に設けられる正負の電極と、前記半導体積層体の一方の面側に設けられ、前記正負の電極に向かい合って接続される電極を有する保護素子と、を有する半導体発光素子を準備する半導体発光素子準備工程と、前記正負の電極上に、前記保護素子と離間して正負の外部接続用端子をメッキで形成する外部接続用端子形成工程と、前記半導体発光素子上に、前記保護素子が埋設されるように樹脂層を形成する樹脂層形成工程と、前記樹脂層を上面側から除去することで前記正負の外部接続用端子の上面を露出させる外部接続用端子露出工程と、を順に行う。
【発明の効果】
【０００９】
本開示に係る発光装置によれば、正負の外部接続用端子間の樹脂層に保護素子が埋設されるように設けられるため、保護素子を備えたＣＳＰ型の発光装置を提供することができる。
また、本開示に係る発光装置の製造方法によれば、前記した構成の発光装置を、ウエハレベルプロセスによっても製造することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１Ａ】第１実施形態に係る発光装置の構成を示す模式的平面図である。
【図１Ｂ】図１ＡのＩ−Ｉ線における模式的断面図である。
【図２】第１実施形態に係る発光装置で用いられる発光素子の構成例を示す模式的断面図である。
【図３】第１実施形態に係る発光装置の製造方法の流れを示すフローチャートである。
【図４Ａ】第１実施形態に係る発光装置の製造方法における保護素子付き発光素子準備工程の詳細を示すフローチャートである。
【図４Ｂ】第１実施形態に係る発光装置の製造方法における外部接続用端子形成工程の詳細を示すフローチャートである。
【図５Ａ】第１実施形態に係る発光装置の製造方法における保護素子付き発光素子準備工程のサブ工程であるウエハ準備工程及び保護素子準備工程を示す模式的断面図である。
【図５Ｂ】第１実施形態に係る発光装置の製造方法における保護素子付き発光素子準備工程のサブ工程である保護素子実装工程を示す模式的断面図である。
【図５Ｃ】第１実施形態に係る発光装置の製造方法における保護素子付き発光素子準備工程のサブ工程である外部接続用端子形成工程を示す模式的断面図である。
【図５Ｄ】第１実施形態に係る発光装置の製造方法における保護素子付き発光素子準備工程のサブ工程である個片化工程を示す模式的断面図である。
【図６Ａ】第１実施形態に係る発光装置の製造方法における外部接続用端子形成工程のサブ工程であるレジストパターン形成工程を示す模式的断面図である。
【図６Ｂ】第１実施形態に係る発光装置の製造方法における外部接続用端子形成工程のサブ工程であるシード層形成工程を示す模式的断面図である。
【図６Ｃ】第１実施形態に係る発光装置の製造方法における外部接続用端子形成工程のサブ工程である電解メッキ工程を示す模式的断面図である。
【図６Ｄ】第１実施形態に係る発光装置の製造方法における外部接続用端子形成工程のサブ工程であるレジストパターン除去工程を示す模式的断面図である。
【図７Ａ】第１実施形態に係る発光装置の製造方法における支持体準備工程を示す模式的断面図である。
【図７Ｂ】第１実施形態に係る発光装置の製造方法における半導体発光素子配置工程を示す模式的断面図である。
【図７Ｃ】第１実施形態に係る発光装置の製造方法における透光性樹脂部材形成工程を示す模式的断面図である。
【図７Ｄ】第１実施形態に係る発光装置の製造方法における樹脂層形成工程を示す模式的断面図である。
【図８Ａ】第１実施形態に係る発光装置の製造方法における外部接続用端子露出工程を示す模式的断面図である。
【図８Ｂ】第１実施形態に係る発光装置の製造方法における拡張端子形成工程を示す模式的断面図である。
【図８Ｃ】第１実施形態に係る発光装置の製造方法における絶縁性樹脂層形成工程を示す模式的断面図である。
【図８Ｄ】第１実施形態に係る発光装置の製造方法におけるシート貼付工程を示す模式的断面図である。
【図９Ａ】第１実施形態に係る発光装置の製造方法における支持体除去工程を示す模式的断面図である。
【図９Ｂ】第１実施形態に係る発光装置の製造方法における波長変換層形成工程を示す模式的断面図である。
【図９Ｃ】第１実施形態に係る発光装置の製造方法における光学部材形成工程を示す模式的断面図である。
【図９Ｄ】第１実施形態に係る発光装置の製造方法における個片化工程を示す模式的断面図である。
【図１０Ａ】第１実施形態に係る発光装置の製造方法の変形例における半導体発光素子配置工程を示す模式的断面図である。
【図１０Ｂ】第１実施形態に係る発光装置の製造方法の変形例における支持体除去工程を示す模式的断面図である。
【図１１】第２実施形態に係る発光装置の構成を示す模式的断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
以下、実施形態に係る発光装置及びその製造方法について説明する。
なお、以下の説明において参照する図面は、実施形態を概略的に示したものであるため、各部材のスケールや間隔、位置関係などが誇張、あるいは、部材の一部の図示が省略されている場合がある。また、平面図とその断面図において、各部材のスケールや間隔が一致しない場合もある。また、以下の説明では、同一の名称及び符号については原則として同一又は同質の部材を示しており、詳細な説明を適宜省略することとする。
【００１２】
また、各実施形態に係る発光装置及びその製造方法において、「上」、「下」、「左」及び「右」などは、状況に応じて入れ替わるものである。本明細書において、「上」、「下」などは、説明のために参照する図面において構成要素間の相対的な位置を示すものであって、特に断らない限り絶対的な位置を示すことを意図したものではない。
【００１３】
＜第１実施形態＞
［発光装置の構成］
まず、図１Ａ、図１Ｂ及び図２を参照して、第１実施形態に係る発光装置の構成について説明する。
第１実施形態に係る発光装置１００は、図１Ａ及び図１Ｂに示すように、外形が平面視で略正方形をしており、ＬＥＤ（発光ダイオード）構造を有するフェイスダウン型の実装に適した半導体発光素子１（以下、適宜に「発光素子」と呼ぶ）と、保護素子２と、正負の外部接続用端子３ｎ，３ｐと、樹脂層４と、正負の拡張端子５ｎ，５ｐと、絶縁性樹脂層６と、透光性樹脂部材７と、波長変換層８と、光学部材９と、を備えて構成されるＣＳＰである。より詳細には、樹脂層４や正負の拡張端子５ｎ，５ｐなどが、平面視で発光素子１よりも外側の領域にまで設けられたＦＯ（以下、Fan Outを略してＦＯと呼ぶ。）型のＣＳＰである。
なお、詳細は後記するが、発光装置１００は、ウエハレベルで作製されるＷＬＣＳＰ（ウエハレベルプロセスによるＣＳＰ）である。
【００１４】
次に、発光装置１００の各部の構成について順次に詳細に説明する。
発光素子（半導体発光素子）１は、図１Ａに示すように、平面視で略正方形の板状の形状を有しており、図１Ｂに示すように、半導体積層体１２の一方の面側にｎ側電極１３及びｐ側電極１５を備えたフェイスダウン型の実装に適したＬＥＤチップである。
発光素子１は、成長基板１１と半導体積層体１２とｎ側電極１３及びｐ側電極１５とが積層して構成されており、半導体積層体１２のｎ側電極１３及びｐ側電極１５が設けられた面と反対側の面が光取り出し面である。従って、発光装置１００において、発光素子１は、半導体積層体１２に対して、成長基板１１が設けられた面を上方に向け、ｎ側電極１３及びｐ側電極１５が設けられた面を下方に向けて配置されている。
【００１５】
また、発光素子１のｎ側電極１３及びｐ側電極１５には、保護素子２が半田などの接合部材を用いて接合されており、保護素子２の配置領域及びその近傍領域を除き、ｎ側電極１３及びｐ側電極１５の下面には、正負の外部接続用端子３ｎ，３ｐが設けられている。
また、発光素子１の側面には、外側面が上方ほど外側となるように逆傾斜した透光性樹脂部材７が設けられ、発光素子１の側面から出射する光を上方に反射することで外部に取り出しやすくなるように構成されている。
また、発光素子１の下面及び側面には、直接に又は透光性樹脂部材７を介して、支持部材である樹脂層４が設けられている。更に、発光素子１の光取り出し面である上面には、波長変換層８が設けられている。
【００１６】
次に、図２を参照して、発光素子１の詳細な構成例について説明する。なお、図２においては、図１Ｂとは上下が逆になるように示している。すなわち、成長基板１１が下方に配置され、成長基板１１の上面に半導体積層体１２が積層されるように示している。
図２に示すように、発光素子１は、ｎ型半導体層１２ｎとｐ型半導体層１２ｐとが積層された半導体積層体１２を備えている。半導体積層体１２は、ｎ側電極１３及びｐ側電極１５間に電流を通電することにより発光するようになっており、ｎ型半導体層１２ｎとｐ型半導体層１２ｐとの間に活性層１２ａを備えることが好ましい。
【００１７】
半導体積層体１２には、ｐ型半導体層１２ｐ及び活性層１２ａが部分的に存在しない領域、すなわちｐ型半導体層１２ｐの表面から凹んで底面をｎ型半導体層１２ｎとする領域（この領域を「段差部１２ｂ」と呼ぶ）が形成されている。また、段差部１２ｂの底面の一部に設けられた絶縁膜１６の開口部１６ｎで、ｎ型半導体層１２ｎとｎ側電極１３とが電気的に接続されている。半導体積層体１２のｐ型半導体層１２ｐの上面の略全面には、光反射性を有する全面電極１４が設けられている。また、絶縁膜１６は、段差部１２ｂの底面に開口部１６ｎを有するとともに、全面電極１４の上面の一部に開口部１６ｐを有し、全面電極１４の上面及び側面、並びに半導体積層体１２の上面及び側面を被覆している。
なお、段差部１２ｂは、半導体積層体１２の外縁部に限らず、内側の領域に設けてもよい。
【００１８】
半導体積層体１２（ｎ型半導体層１２ｎ、活性層１２ａ及びｐ型半導体層１２ｐ）は、ＩｎＸＡｌＹＧａ１−Ｘ−ＹＮ（０≦Ｘ、０≦Ｙ、Ｘ＋Ｙ＜１）等の窒化物系の半導体が好適に用いられる。また、これらの半導体層は、それぞれ単層構造でもよいが、組成及び膜厚等の異なる層の積層構造、超格子構造等であってもよい。特に、活性層１２ａは、量子効果が生ずる薄膜を積層した単一量子井戸又は多重量子井戸構造であることが好ましい。
【００１９】
全面電極１４は、ｐ型半導体層１２ｐの上面の略全面を覆うように設けられており、ｐ側電極１５を介して外部から供給される電流を、ｐ型半導体層１２ｐの全面に均一に拡散する電流拡散層として機能する。また、全面電極１４は、半導体積層体１２が発した光を下方に反射する光反射層として機能する。全面電極１４のｐ型半導体層１２ｐと接する層には、特に可視光に対して光反射性の良好な材料を用いることが好ましい。このような材料としては、例えば、Ａｇ、Ａｌ又はこれらの金属を主成分とする合金を挙げることができる。
【００２０】
ｎ側電極１３及びｐ側電極１５は、発光素子１のパッド電極である。
ｎ側電極１３は、段差部１２ｂの底面における絶縁膜１６の開口部１６ｎで、ｎ型半導体層１２ｎと電気的に接続され、絶縁膜１６を介して、半導体積層体１２の上面の右半分の広範囲な領域に延在するように設けられている。
また、ｐ側電極１５は、全面電極１４の上面において、絶縁膜１６の開口部１６ｐ内に設けられ、絶縁膜１６を介して、半導体積層体１２の上面の左半分の広範囲な領域に延在するように設けられている。
このように、ｎ側電極１３及びｐ側電極１５を、半導体積層体１２上に広範囲に設けることにより、後記する樹脂層４に対して効率的に熱を伝導させることができるため、発光素子１の放熱性を向上させることがきる。
また、ｎ側電極１３及びｐ側電極１５には、図１Ｂに示すように、下面（図２においては上面）に、正負の外部接続用端子３ｎ，３ｐが接続される。
【００２１】
ｎ側電極１３及びｐ側電極１５としては、金属材料を用いることができ、例えば、Ａｇ、Ａｌ、Ｎｉ、Ｒｈ、Ａｕ、Ｃｕ、Ｔｉ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ｍｏ、Ｃｒ、Ｗなどの単体金属又はこれらの金属を主成分とする合金などを好適に用いることができる。なお、合金を用いる場合は、例えば、Ａｌ−Ｓｉ−Ｃｕ合金のように、組成元素としてＳｉなどの非金属元素を含有するものであってもよい。また、ｎ側電極１３及びｐ側電極１５は、これらの金属材料を単層で、又は積層したものを利用することができる。
【００２２】
絶縁膜１６は、半導体積層体１２及び全面電極１４の上面及び側面を被覆する膜である。絶縁膜１６は、発光素子１の保護膜及び帯電防止膜として機能する。また、絶縁膜１６の上面の広範囲には、ｎ側電極１３及びｐ側電極１５が相補的に延在するように設けられている。絶縁膜１６は、良好な透光性を有することが好ましく、金属酸化物や金属窒化物を用いることができ、例えば、Ｓｉ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｔａ、Ａｌからなる群より選択された少なくとも一種の酸化物又は窒化物を好適に用いることができる。また、絶縁膜１６として、屈折率の異なる２種以上の透光性誘電体を用いて積層し、ＤＢＲ（Distributed Bragg Reflector）膜を構成するようにしてもよい。
【００２３】
なお、図２に示した発光素子１は、一例を示したものであり、これに限定されるものではない。発光素子１は、ｎ側電極１３及びｐ側電極１５が半導体積層体１２の一方の面側に設けられていればよく、段差部１２ｂ、ｎ側電極１３及びｐ側電極１５の配置領域などは適宜に定めることができる。
【００２４】
図１Ａ及び図１Ｂに戻って、発光装置１００の構成について説明を続ける。
保護素子２は、２つの電極２１，２１が、それぞれ発光素子１のｎ側電極１３及びｐ側電極１５と、半田などの接合部材を用いて接合され、発光素子１を静電放電から保護する素子である。保護素子２は、外部電源に対して発光素子１と並列に接続される。保護素子２としては、好ましくはツェナーダイオードが用いられ、発光素子１と逆極性となるように接続される。また、保護素子２として、バリスタ、抵抗、キャパシタなどを用いることもできる。
また、保護素子２は、平面視で発光素子１の領域内に配置され、全体が樹脂層４に埋設されるように、下面が正負の外部接続用端子３ｎ，３ｐの下面よりも高くなるように配置されている。
【００２５】
正負の外部接続用端子３ｎ，３ｐ（負極の外部接続用端子３ｎ，正極の外部接続用端子３ｐ）は、樹脂層４を上下方向に貫通するように樹脂層４内に埋設される内部配線である。正負の外部接続用端子３ｎ，３ｐは、一端がｎ側電極１３及びｐ側電極１５と接続されるとともに、他端が正負の拡張端子５ｎ，５ｐと接続される。また、正負の外部接続用端子３ｎ，３ｐは、発光素子１が発生した熱を放熱するための熱伝達経路としても機能する。
なお、正負の外部接続用端子３ｎ，３ｐの下面には、正負の拡張端子５ｎ，５ｐが設けられている。
【００２６】
正負の外部接続用端子３ｎ，３ｐは、例えば、電解メッキによるメッキポストとして形成することができる。正負の外部接続用端子３ｎ，３ｐとしては、例えば、Ｃｕ、Ａｕなどの導電性及び熱伝導性の良好な金属材料を用いることが好ましい。
【００２７】
樹脂層４は、発光素子１の側面及び下面側を被覆するように設けられ、ＣＳＰ型の発光装置１００の構造を補強するための支持部材である。
また、樹脂層４は、内部配線として正負の外部接続用端子３ｎ，３ｐを内在し、保護素子２を埋設するように設けられている。また、樹脂層４の下面には、正負の外部接続用端子３ｎ，３ｐの下面と接合した正負の拡張端子５ｎ，５ｐが延在しており、更に、正負の拡張端子５ｎ，５ｐの間及びこれらの外縁部に、絶縁性樹脂層６が設けられている。
【００２８】
樹脂層４の樹脂材料としては、例えば、シリコーン樹脂、変性シリコーン樹脂、エポキシ樹脂、変性エポキシ樹脂、ユリア樹脂、フェノール樹脂、アクリレート樹脂、ウレタン樹脂、フッ素樹脂、又はこれらの樹脂を少なくとも１種以上含むハイブリッド樹脂を挙げることができる。また、圧縮成型により樹脂層４を形成する場合は、原料として、例えば、粉状のエポキシ系樹脂であるＥＭＣ（エポキシ・モールド・コンパウンド）や粉状のシリコーン系樹脂であるＳＭＣ（シリコーン・モールド・コンパウンド）などを好適に用いることができる。
【００２９】
また、樹脂層４として、透光性の樹脂材料に光反射性のフィラーを含有させた白色樹脂を用いるようにしてもよい。光反射性のフィラーとしては、金属の粒子や、樹脂層４に用いられる樹脂材料よりも高屈折率の無機材料又は有機材料からなる粒子を用いることができる。
樹脂層４に白色樹脂を用いて反射膜として機能させることにより、発光素子１の上面及び側面側、並びに透光性樹脂部材７の外側面から漏出する光を反射して、これらの部材内に戻すことができるため、発光装置１００の光取り出し面である上面側からの光取り出し効率を向上させることができる。
【００３０】
正負の拡張端子５ｎ，５ｐ（負極の拡張端子５ｎ，正極の拡張端子５ｐ）は、正負の外部接続用端子３ｎ，３ｐの外部との接合領域の面積を広げるための端子である。正負の拡張端子５ｎ，５ｐは、それぞれ対応する極性の正負の外部接続用端子３ｎ，３ｐの下面と接続するとともに、樹脂層４の下面に延在するように設けられている。また、正負の拡張端子５ｎ，５ｐの外縁部の下面からその外側領域である樹脂層４の下面には、絶縁性樹脂層６が設けられている。更に、負極の拡張端子５ｎと正極の拡張端子５ｐとが対向する領域については、樹脂層４の下面全体を被覆するように絶縁性樹脂層６が設けられている。
すなわち、正負の拡張端子５ｎ，５ｐは、樹脂層４の下面側に設けられた絶縁性樹脂層６の開口部６ｎ，６ｐから露出した領域が、外部との接合領域となる。
【００３１】
正負の拡張端子５ｎ，５ｐは、例えば、Ｃｕ、Ａｕなどの導電性の良好な金属材料を用いて形成することが好ましい。また、正負の拡張端子５ｎ，５ｐは、スパッタリング法、蒸着法、無電解メッキ法などの方法を単独で又は組み合わせて形成することができる。また、正負の拡張端子５ｎ，５ｐを多層構造とし、樹脂層４と接する層を、樹脂材料と良好な密着性が得られるＮｉで構成することが好ましい。更に、例えば、Ａｕ−Ｓｎ共晶半田を接合部材として用いる場合は、接合面となる層を、当該接合部材と密着性の良好なＡｕ又はＡｕを主成分とする合金を用いて構成することが好ましい。
なお、正負の拡張端子５ｎ，５ｐを設けずに、正負の外部接続用端子３ｎ，３ｐの下面を外部との接合領域として用いるようにしてもよい。
【００３２】
絶縁性樹脂層６は、外部との接合面、すなわち実装面である樹脂層４の下面側において、正負の拡張端子５ｎ，５ｐの外縁部の上面及び樹脂層４の下面を被覆するように設けられている。絶縁性樹脂層６は、実装時に、接合領域からはみ出した半田などの接合部材によって負極の拡張端子５ｎと正極の拡張端子５ｐとが短絡することを防止するために、樹脂層４の形成後に追加して設けられる追加樹脂層である。絶縁性樹脂層６は設けないようにしてもよいが、負極の拡張端子５ｎと正極の拡張端子５ｐとの間が、例えば、２００μｍ程度より近接して設けられている場合は設けることが好ましい。開口部６ｎと開口部６ｐとが前記した距離である２００μｍ以上離間するように絶縁性樹脂層６を設けることにより、効果的に短絡を防止することができる。
また、正負の拡張端子５ｎ，５ｐが互いに対向する領域以外は、絶縁性樹脂層６を設けなくともよいが、正負の拡張端子５ｎ，５ｐの外縁を取り囲むように設けることが好ましい。これによって、接合部材の接合領域からのはみ出しを、より効果的に防止することができる。
【００３３】
また、絶縁性樹脂層６は、例えば、液状又はペースト状の樹脂材料を用いて、孔版印刷法やインクジェット法などの各種の印刷法により所定の領域に配置することで形成することができる。
絶縁性樹脂層６に用いる樹脂材料としては、絶縁性を有していれば特に限定されるものではないが、樹脂層４と密着性の良好な材料が好ましい。また、接合部材として半田などを用いる場合は、半田の溶融温度よりも高い耐熱性を有する樹脂材料、例えば、ポリイミドなどを用いることが好ましい。
【００３４】
透光性樹脂部材７は、発光素子１の側面を取り囲むように設けられ、発光素子１の側面から出射する光を、光取り出し方向である上面方向に反射させるための樹脂フィレットである。そのために、透光性樹脂部材７は、上方ほど外側となるように逆傾斜した外側面を有している。図１Ｂに示した例では、透光性樹脂部材７の外側面は、その断面形状が直線となるように平面で構成されているが、これに限定されるものではなく、下に凸状に、又は上に凸状に湾曲した外側面としてもよい。
【００３５】
透光性樹脂部材７は、良好な透光性を有し、樹脂層４に用いられる樹脂材料よりも屈折率の高い材料を用いて形成することが好ましい。透光性樹脂部材７を樹脂層４よりも屈折率の高い材料で構成することにより、スネルの法則に基づき、樹脂層４との界面である外側面で光を全反射させることができる。
また、透光性樹脂部材７は、液状又はペースト状の樹脂材料を、例えば、ディスペンサを用いて発光素子１の側面に供給し、その後に硬化させることで形成することができる。
【００３６】
波長変換層８は、発光素子１が発光する光の一部又は全部を吸収して、発光素子１が発光する波長とは異なる波長の光に変換する部材である。波長変換層８は、波長変換物質である蛍光体の粒子を含有する樹脂からなる蛍光体層として形成することができる。また、波長変換層８は、発光素子１の光取り出し面である成長基板１１の上面の全面、透光性樹脂部材７の上面及び樹脂層４の上面と接するように設けられている。
【００３７】
波長変換層８の膜厚は、蛍光体の含有量や、発光素子１が発光する光と波長変換後の光との混色後の所望する色調などに応じて定めることができるが、例えば、１μｍ以上５００μｍ以下程度とすることができ、５μｍ以上２００μｍ以下程度とすることがより好ましく、１０μｍ以上１００μｍ以下程度とすることが更に好ましい。
【００３８】
波長変換層８を構成する樹脂材料としては、当該分野で公知のものを使用することができ、発光素子１が発光した光及び波長変換層８が含有する蛍光体が波長変換した後の光に対して良好な透光性を有するものを用いることが好ましい。
このような樹脂材料としては、例えば、シリコーン樹脂、変性シリコーン樹脂、エポキシ樹脂、変性エポキシ樹脂、ユリア樹脂、フェノール樹脂、アクリレート樹脂、ウレタン樹脂、フッ素樹脂、又はこれらの樹脂を少なくとも１種以上含むハイブリッド樹脂を挙げることができる。
【００３９】
また、蛍光体（波長変換物質）としては、発光素子１が発光する波長の光によって励起されて、この励起光と異なる波長の蛍光を発する蛍光物質であれば特に限定されず、波長変換層８中に、２種類以上を一様に混在させてもよいし、多層構造となるように分布させてもよい。
【００４０】
波長変換層８は、溶剤に前記した樹脂、蛍光体粒子、その他の無機フィラー粒子を含有するスラリーを調整し、調整したスラリーをスプレー法、キャスト法、ポッティング法などの塗布法を用いて成長基板１１の上面等に塗布し、その後に硬化させることにより形成することができる。
【００４１】
光学部材９は、波長変換層８の上面に設けられ、波長変換層８から入射された光に、例えば、集光、発散、拡散、屈折などの光学的作用を施すレンズ、導光板、光拡散板などの透光性の部材である。図１Ｂに示した例では、光学部材９として、凸レンズが設けられている。
光学部材９は、透光性の樹脂材料を用いて、例えば、金型を用いた成形法、ポッティング法、各種の印刷法などにより形成することができる。
【００４２】
なお、透光性樹脂部材７、波長変換層８及び光学部材９は、必須の構成ではなく、これらの部材の内の一部又は全部を設けないようにしてもよい。また、波長変換層８を別途に設けずに、透光性樹脂部材７や光学部材９の樹脂材料に蛍光体材料を含有させるようにしてもよい。また、波長変換層８と光学部材９との積層順を入れ替えて、光学部材９の表面に波長変換層８を設けるようにしてもよい。
【００４３】
［発光装置の動作］
次に、図１Ａ及び図１Ｂを参照して、発光装置１００の動作について説明する。なお、説明の便宜上、発光素子１は青色光を発光し、波長変換層８は黄色光を発光するものとして説明する。
【００４４】
発光装置１００は、実装基板を介して、正負の電極端子である拡張端子５ｎ，５ｐに外部電源が接続されると、内部配線である正負の外部接続用端子３ｎ，３ｐを介して、発光素子１のｎ側電極１３及びｐ側電極１５間に電流が供給される。そして、ｎ側電極１３及びｐ側電極１５間に電流が供給されると、発光素子１の活性層１２ａが青色光を発する。
【００４５】
発光素子１の活性層１２ａが発した青色光は、半導体積層体１２及び成長基板１１内を伝播して、発光素子１の上面から、又は側面から透光性樹脂部材７を介して出射して、一部は波長変換層８に含有される蛍光体に吸収され、黄色光に変換されて、更に光学部材９を介して外部に取り出される。また、青色光の一部は、蛍光体に吸収されずに波長変換層８を透過して、更に光学部材９を介して外部に取り出される。
なお、発光素子１内を下方向に伝播する光は、全面電極１４によって上方向に反射され、発光素子１の上面から出射する。
そして、発光装置１００の外部に取り出された黄色光及び青色光が混色することにより、白色光が生成される。
【００４６】
また、静電放電などにより発光素子１のｎ側電極１３及びｐ側電極１５間に過電圧が印加されたときには、主として保護素子２に電流が流れる。これによって、発光素子１が過電圧から保護される。
【００４７】
［発光装置の製造方法］
次に、図３、図４Ａ及び図４Ｂを参照して、図１Ａ及び図１Ｂに示した発光装置１００の製造方法について説明する。
図３に示すように、発光装置１００の製造方法は、保護素子付き発光素子準備工程Ｓ１０１と、支持体準備工程Ｓ１０２と、半導体発光素子配置工程Ｓ１０３と、透光性樹脂部材形成工程Ｓ１０４と、樹脂層形成工程Ｓ１０５と、外部接続用端子露出工程Ｓ１０６と、拡張端子形成工程Ｓ１０７と、絶縁性樹脂層形成工程Ｓ１０８と、シート貼付工程Ｓ１０９と、支持体除去工程Ｓ１１０と、波長変換層形成工程Ｓ１１１と、光学部材形成工程Ｓ１１２と、個片化工程Ｓ１１３と、を有している。
【００４８】
また、保護素子付き発光素子準備工程Ｓ１０１は、図４Ａに示すように、サブ工程として、ウエハ準備工程Ｓ２０１と、保護素子準備工程Ｓ２０２と、保護素子実装工程Ｓ２０３と、外部接続用端子形成工程Ｓ２０４と、個片化工程Ｓ２０５と、を有している。
ここで、ウエハ準備工程Ｓ２０１と、保護素子準備工程Ｓ２０２と、保護素子実装工程Ｓ２０３とで、保護素子２が実装された発光素子１が複数配列されたウエハ（第１ウエハ）を準備する半導体発光素子準備工程が構成されている。
【００４９】
また、外部接続用端子形成工程Ｓ２０４は、図４Ｂに示すように、サブ工程として、レジストパターン形成工程Ｓ３０１と、シード層形成工程Ｓ３０２と、電解メッキ工程Ｓ３０３と、レジストパターン除去工程Ｓ３０４と、を有している。
【００５０】
以下、図５Ａ〜図９Ｄを参照（適宜図１Ａ〜図４Ｂ参照）して、各工程について詳細に説明する。なお、図５Ａ〜図９Ｄの各図において、各部材の形状、サイズ、位置関係を適宜に簡略化したり、誇張したりしている場合がある。
【００５１】
まず、保護素子付き発光素子準備工程Ｓ１０１において、発光素子１のｎ側電極１３及びｐ側電極１５上に保護素子２が実装され、更に正負の外部接続用端子３ｎ，３ｐが形成された状態の「保護素子付き発光素子１０（図５Ｄ参照）」を形成する。
前記したように、本工程には、図４Ａに示した５つのサブ工程が含まれる。これらのサブ工程について、順次に説明する。
【００５２】
ウエハ準備工程Ｓ２０１において、発光素子１を準備する。本工程では、図５Ａに示すように、複数の発光素子１が一枚の成長基板（基板）１１上に２次元又は１次元に配列されたウエハ状態で、すなわちウエハレベルプロセスで形成される。図５Ａに示した断面図では、左右方向に発光素子１が連続して形成される様子を示している。
なお、図５Ａなどにおいて、各発光素子１が区画される領域を、境界線ＢＤ１によって示している。
【００５３】
本工程は、更に複数のサブ工程から構成され、それぞれ公知の成膜、パターニングなどの手法を用いて行うことができるため、図２を参照して簡略に説明する。
まず、サファイアなどからなる成長基板１１の上面に、例えば、ＧａＮ系化合物半導体からなる半導体積層体１２を形成する。次に、半導体積層体１２の表面の一部について、エッチングによりｎ型半導体層１２ｎを露出させることで段差部１２ｂを形成する。次に、半導体積層体１２の最上層であるｐ型半導体層１２ｐの上面の略全面に、全面電極１４を形成する。次に、段差部１２ｂの底面の一部及び全面電極１４の上面の一部に開口部１６ｎ，１６ｐを有する絶縁膜１６を形成する。そして、開口部１６ｎ，１６ｐ内及び絶縁膜１６の上面に延在するように、ｎ側電極１３及びｐ側電極１５を形成する。
なお、発光素子１の製造に代えて、市販の発光素子１のウエハ又はチップを手配して用いるようにしてもよい。
【００５４】
また、保護素子準備工程Ｓ２０２において、保護素子２を準備する。本工程では、図５Ａに示すように、一方の面側に正負の電極２１が設けられて表面実装に適した構成の個片化された保護素子２を製造する。
保護素子２の種類によって製造方法は異なるが、それぞれ公知の方法により製造することができるため、製造方法の説明は省略する。
なお、保護素子２の製造に代えて、市販の保護素子２のチップを手配して用いるようにしてもよい。
また、ウエハ準備工程Ｓ２０１と保護素子準備工程Ｓ２０２とは、何れを先に行うようにしてもよく、並行して行うようにしてもよい。
【００５５】
次に、保護素子実装工程Ｓ２０３において、図５Ｂに示すように、保護素子準備工程Ｓ２０２で準備した保護素子２を、ウエハ準備工程Ｓ２０１で準備したウエハ状態の各発光素子１に実装する。保護素子２の電極２１，２１は、発光素子１のｎ側電極１３及びｐ側電極１５と、半田などの接合部材を用いて接合される。
これによって、保護素子２が実装された発光素子１が、複数配列されたウエハ（第１ウエハ）が形成される。
【００５６】
ここで、発光装置１００を小型化するために、保護素子２の容積は小さい方が好ましい。一方で、保護素子２が小さいと、発光素子１のｎ側電極１３及びｐ側電極１５上に実装する際に、保護素子２の取り扱い（ハンドリング）が難しくなる。そこで、小型化とハンドリングの容易性とに優れた一例として、保護素子２に小型のツェナーダイオードを実装する場合について説明する。
【００５７】
本例におけるツェナーダイオ−ドは、サファイア基板上にＧａＮを用いて形成される。また、当該ツェナーダイオードは、表面実装に適するように、半導体層の一方の面側に正負の電極が形成され、サファイア基板とともに個片化される。なお、半導体層や電極の形成は、前記した発光素子１と同様の方法で形成することができるため、詳細な説明は省略する。
【００５８】
サファイア基板を有したまま個片化されているため、ツェナーダイオードは相当の厚みを有するとともに、発光素子１の電極との接合時の衝撃から半導体層が損傷し難くなっている。このため、ツェナーダイオードのサファイア基板側をピックアップすることで、ツェナーダイオードの半導体層などに損傷を与える恐れが低減されるとともに、容易にハンドリングすることができる。
そして、発光素子１の電極上に実装後に、ＬＬＯ（レーザ・リフト・オフ）法でツェナーダイオードのサファイア基板を剥離することで、ツェナーダイオードチップの薄肉化（小型化）ができて、実装容積が低減される。
【００５９】
次に、外部接続用端子形成工程Ｓ２０４において、図５Ｃに示すように、ｎ側電極１３及びｐ側電極１５上に、それぞれ正負の外部接続用端子３ｎ，３ｐを形成する。正負の外部接続用端子３ｎ，３ｐは、ｎ側電極１３及びｐ側電極１５上の保護素子２が配置された領域から離間した領域に形成される。本実施形態では、正負の外部接続用端子３ｎ，３ｐは、図１Ａに示すように、平面視で、保護素子２が形成された領域の近傍にＣ字形状に設けられる。ここで、Ｃ字形状とは、図１Ａに示すように、平面視で、保護素子２の外形の三辺を囲むような形状である。なお、正負の外部接続用端子３ｎ，３ｐの「Ｃ字形状」は、図１Ａに示すように、平面視で、一方の外部接続用端子３ｐのＣ字形状と、保護素子２を中心として、そのＣ字形状と線対称な形状の関係で向かい合う他方の外部接続用端子３ｎの形状（言わば、「逆Ｃ字形状」）も、本明細書の「Ｃ字形状」に含めるものとする。また、正負の外部接続用端子３ｎ，３ｐは、それぞれのＣ字形状の開口部が互いに向かい合うように設けられ、平面視で保護素子２の外形を包囲するように配置される。このような形状にすることで、正負の外部接続用端子３ｎ，３ｐの配置面積を広く確保することができ、放熱性に有利である。
このようにして、ウエハ状態の、保護素子付き発光素子１０が形成される。
【００６０】
正負の外部接続用端子３ｎ，３ｐは、例えば、電解メッキ法により形成することができる。
電解メッキ法によって正負の外部接続用端子３ｎ，３ｐを形成する場合は、外部接続用端子形成工程Ｓ２０４には、前記したように、図４Ｂに示した４つのサブ工程が含まれる。これらのサブ工程について、図４Ｂ及び図６Ａ〜図６Ｄを参照して順次に説明する。
【００６１】
まず、レジストパターン形成工程Ｓ３０１において、図６Ａに示すように、フォトグラフィ法により、ｎ側電極１３及びｐ側電極１５上の所定の領域に開口部ＲＰｎ，ＲＰｐを有するレジストパターンＲＰを形成する。なお、レジストパターンＲＰの厚さは、完成時の正負の外部接続用端子３ｎ，３ｐの厚さよりも厚く形成する。
【００６２】
次に、シード層形成工程Ｓ３０２において、図６Ｂに示すように、レジストパターンＲＰの開口部ＲＰｐ，ＲＰｎ内を含めたウエハ表面の全体に、電解メッキの電流経路となるシード層３１を形成する。シード層３１は、スパッタリング法などによって、Ｎｉなどの金属材料を用いて形成することができる。
【００６３】
次に、電解メッキ工程Ｓ３０３において、図６Ｃに示すように、シード層３１を電流経路として、電解メッキ法によって、Ｃｕなどの金属からなるメッキ層３２を所定の厚さに形成する。
【００６４】
次に、レジストパターン除去工程Ｓ３０４において、図６Ｄに示すように、レジストパターンＲＰを、その上面に形成されたシード層３１及びメッキ層３２とともに除去（リフトオフ）することにより、正負の外部接続用端子３ｎ，３ｐがパターニングされる。
なお、図５Ｃにおいては、正負の外部接続用端子３ｎ，３ｐの詳細な構造（シード層３１及びメッキ層３２）は図示を省略している。
【００６５】
ここで、フォトリソグラフィ法を用いた正負の外部接続用端子３ｎ，３ｐの形成は、保護素子２を実装する場合の位置精度よりも高い位置精度で行うことができる。従って、発光素子１に保護素子２を実装した後に、当該保護素子２の実装位置に合わせて正負の外部接続用端子３ｎ，３ｐを形成することにより、保護素子２が配置される位置精度に対する余裕度を考慮することなく、発光素子１に保護素子２を実装する前に正負の外部接続用端子３ｎ，３ｐを形成しておくよりも、より広い領域に正負の外部接続用端子３ｎ，３ｐを配置することができる。
【００６６】
図４Ａに戻って、保護素子付き発光素子準備工程Ｓ１０１のサブ工程について説明を続ける。
次の個片化工程Ｓ２０５において、図５Ｄに示すように、境界線ＢＤ１に沿って、ダイシング法などにより切断する。これによって、第１ウエハが個片化され、保護素子付き発光素子１０のチップが形成される。
【００６７】
図３に戻って、発光装置１００の製造方法について説明を続ける。
次の支持体準備工程Ｓ１０２において、図７Ａに示すように、粘着性を有するシート１０２が上面に貼付された支持体１０１を準備する。支持体１０１は、例えば、セラミックスや金属などからなる板状部材を用いることができる。また、支持体１０１は、下面（裏面）側に、保護素子付き発光素子１０を配列したり各種部材を形成したりするときの位置決めのためのマーク（例えば、「＋」「■」などの図形や文字など）を有することが好ましい。下面側に位置決めのためのマークを設けることにより、各工程において上面側に形成される部材の影響を受けることなく、適切に位置を認識することができる。
【００６８】
また、シート１０２は、後の工程における高温環境に耐えられる耐熱性を有する材料（例えば、ポリイミドなど）からなるものが好ましい。また、シート１０２は、両面に粘着剤が塗布されたものが用いられ、下面側で支持体１０１と密着し、上面側で保護素子付き発光素子１０を保持する。また、保護素子付き発光素子１０を保持するための粘着剤として紫外線硬化型樹脂を用いることで、支持体除去工程Ｓ１１０において、支持体１０１側から紫外線を照射して上面側の粘着剤の粘着性を消失させて、容易に支持体１０１を剥離することができる。
【００６９】
次に、半導体発光素子配置工程Ｓ１０３において、図７Ｂに示すように、保護素子付き発光素子１０を、発光素子１の成長基板１１を支持体１０１側にして、所定の間隔で離間するように配置する。これによって、保護素子付き発光素子１０が複数配置されたウエハ（第２ウエハ）が形成され、以降の工程がウエハレベルプロセスによって行われる。
また、保護素子付き発光素子１０が互いに離間して配置され、平面視で発光素子１の外側にまで拡張されるように樹脂層４などが設けられるため、ＦＯ型のＣＳＰとして発光装置１００が形成される。
なお、図７Ｂなどにおいて、各発光装置１００が区画される領域を、境界線ＢＤ２によって示している。
【００７０】
次に、透光性樹脂部材形成工程Ｓ１０４において、図７Ｃに示すように、透光性を有する樹脂材料を、ディスペンサなどを用いて発光素子１の側面に接するように供給し、その後に樹脂材料を硬化させることで、樹脂フィレットである透光性樹脂部材７を形成する。透光性樹脂部材７は、外側面が、平面視で光取り出し方向（図７Ｃにおいて発光素子１の下面側）ほど外側となるように傾斜した傾斜面とすることが好ましい。このような形状は、発光素子１の成長基板１１の側面とシート１０２の上面とが成す角部に、適宜な粘度を有する樹脂材料を供給し、発光素子１の成長基板１１の側面及びシート１０２の上面に供給された樹脂材料に作用する表面張力及び重力により下方ほど広がった形状となった状態で硬化させることにより形成することができる。また、金型を用いて外側面の形状を成型するようにしてもよい。
【００７１】
次に、樹脂層形成工程Ｓ１０５において、図７Ｄに示すように、例えば、圧縮成型法などにより、光反射性物質を含有させた樹脂材料を用いて、保護素子付き発光素子１０及び透光性樹脂部材７が埋設されるように樹脂層４を形成する。このとき、樹脂層４の上面が、保護素子付き発光素子１０の上端である正負の外部接続用端子３ｎ，３ｐの上面よりも高くなるように形成する。
【００７２】
次に、外部接続用端子露出工程Ｓ１０６において、図８Ａに示すように、切削装置を用いて樹脂層４の一部を上面側から除去することで、正負の外部接続用端子３ｎ，３ｐの上面を露出させる。このとき、図７Ｄに、切削線４１で示すように、正負の外部接続用端子３ｎ，３ｐの上部が少し切削される高さまで樹脂層４を切削することが好ましい。これによって、確実に正負の外部接続用端子３ｎ，３ｐの上面を露出させることができる。
【００７３】
次に、拡張端子形成工程Ｓ１０７において、図８Ｂに示すように、正負の外部接続用端子３ｎ，３ｐの上面と接触するとともに、近傍の樹脂層４の上面にまで延在するように正負の拡張端子５ｎ，５ｐを形成する。正負の拡張端子５ｎ，５ｐは、スパッタリング法などにより形成することができる。このとき、最下層としては、Ｃｕなどからなる正負の外部接続用端子３ｎ，３ｐ及び樹脂層４との間に良好な密着性が得られる材料、例えば、Ｎｉ層を形成することが好ましい。更に上層側として、外部と接合するための接合材料（例えば、Ａｕ−Ｓｎ合金）などとの密着性の良好な金属層を形成することが好ましい。上層側の金属層は、スッパタリング法によっても形成できるが、無電解メッキ法を用いて形成することもできる。
また、正負の拡張端子５ｎ，５ｐのパターニングは、フォトリソグラフィ法により正負の拡張端子５ｎ，５ｐを配置する領域に開口部を有するレジストパターンを形成し、エッチング法やリフトオフ法により行うことができる。
【００７４】
次に、絶縁性樹脂層形成工程Ｓ１０８において、図８Ｃに示すように、印刷法により、正負の拡張端子５ｎ，５ｐの上面の中央部に開口部６ｎ，６ｐを有するように、絶縁性樹脂層６を形成する。
なお、絶縁性樹脂層６を形成するための印刷法は、シルクスクリーン印刷法などの孔版印刷法を好適に用いることができるが、インクジェット法のような無版印刷法を用いてもよい。
【００７５】
次に、シート貼付工程Ｓ１０９において、図８Ｄに示すように、ウエハの上面に、次工程で支持体１０１を剥離した後の代わりの支持体として、粘着性を有するシート１０３を貼付する。
【００７６】
次に、支持体除去工程Ｓ１１０において、図９Ａに示すように、支持体１０１を除去する。なお、図９Ａ以降の図においては、図８Ｄとは上下を反転して、発光素子１の成長基板１１側が上方となるように示している。
このとき、シート１０２の発光素子１側の粘着材料として紫外線硬化型の樹脂を用いている場合は、支持体１０１を除去する前に、シート１０２に紫外線を照射して粘着材料を硬化させ、粘着性を消失させることで、支持体１０１をシート１０２とともに、発光素子１側から容易に剥離することができる。
【００７７】
次に、波長変換層形成工程Ｓ１１１において、図９Ｂに示すように、ウエハの上面側（すなわち、発光素子１の成長基板１１などの露出面側）に、波長変換層８を形成する。
波長変換層８は、例えば、溶剤に樹脂及び蛍光体粒子を含有させたスラリーを、ウエハの上面にスプレー法などによって塗布した後、硬化させることで形成することができる。
【００７８】
次に、光学部材形成工程Ｓ１１２において、図９Ｃに示すように、波長変換層８の上面側に、圧縮成型法などにより、樹脂材料を用いてレンズなどの光学部材９を形成する。
なお、光学部材９の形成方法は、形状に応じて、ポッティング法、印刷法など適宜な方法用いることができる。
【００７９】
次に、個片化工程Ｓ１１３において、図９Ｄに示すように、境界線ＢＤ２に沿って、ダイシング法などによって光学部材９、波長変換層８、樹脂層４及び絶縁性樹脂層６を切断する。これによって、第２ウエハが個片化され、図１Ａ及び図１Ｂに示した発光装置１００が形成される。
【００８０】
＜製造方法の変形例＞
次に、図１０Ａ及び図１０Ｂを参照（適宜、図１Ａ、図１Ｂ及び図３参照）して、第１実施形態に係る発光装置の製造方法の変形例について説明する。
本変形例に係る発光装置の製法方法は、図３に示した製造方法において波長変換層形成工程Ｓ１１１を省略し、半導体発光素子配置工程Ｓ１０３において、波長変換層８の形成を保護素子付き発光素子１０の配置と同時に行うものである。
そのために、本変形例においては、支持体準備工程Ｓ１０２において、図１０Ａに示すように、支持体１０１上に、波長変換層８を形成する。
【００８１】
なお、保護素子付き発光素子準備工程Ｓ１０１は、第１実施形態と同様に行われる。
また、図７Ａに示した支持体準備工程Ｓ１０２において、粘着性を有するシート１０２に代えて、上面に波長変換層８が設けられた支持体１０１を準備する。
また、波長変換層８は、半導体発光素子配置工程Ｓ１０３において、発光素子１の成長基板１１と透光性を有する接着剤を用いて強固に接着される。このため、支持体除去工程Ｓ１１０において、支持体１０１を容易に除去できるように、支持体１０１と波長変換層８との間を剥離可能な程度の密着性で貼付しておく。例えば、波長変換層８を予め板状部材として形成しておき、当該板状の波長変換層８を紫外線硬化樹脂を粘着剤として支持体１０１に貼付することができる。
【００８２】
次の透光性樹脂部材形成工程Ｓ１０４からシート貼付工程Ｓ１０９までの各工程は、第１実施形態と同様に行われる。
次の支持体除去工程Ｓ１１０において、図１０Ｂに示すように、波長変換層８と支持体１０１の間の界面で剥離することで、支持体１０１を除去する。ここで、本変形例では、波長変換層８は既に形成されているため、波長変換層形成工程Ｓ１１１は省略される。
次の光学部材形成工程Ｓ１１２及び個片化工程Ｓ１１３は、第１実施形態と同様に行われる。
以上の工程により、図１Ａ及び図１Ｂに示した発光装置１００が形成される。
【００８３】
＜第２実施形態＞
次に、図１１を参照して、第２実施形態に係る発光装置について説明する。
図１１に示すように、第２実施形態に係る発光装置１００Ａは、図１Ａ及び図１Ｂに示した第１実施形態に係る発光装置１００に対して、拡張端子５ｎ，５ｐを有さずに、内部配線である正負の外部接続用端子３ｎ，３ｐの端面を、外部との接合領域とするものである。
【００８４】
また、発光装置１００Ａは、正負の外部接続用端子３ｎ，３ｐの外縁を取り囲むように設けられた絶縁性樹脂層６Ａを備えている。絶縁性樹脂層６Ａは、正負の外部接続用端子３ｎ，３ｐの中央領域に開口部６Ａｎ，６Ａｐを有し、正負の外部接続用端子３ｎ，３ｐの外縁部を被覆するように設けられている。
絶縁性樹脂層６Ａは、第１実施形態における絶縁性樹脂層６と同様に、正負の外部接続用端子３ｎ，３ｐの外部との接合領域が、所定の距離（例えば、２００μｍ）以上離間させるためのものである。正負の外部接続用端子３ｎ，３ｐの樹脂層４からの露出領域が所定の距離以上離間して配置されている場合は、絶縁性樹脂層６１を省略するようにしてもよい。
【００８５】
第２実施形態に係る発光装置１００Ａは、正負の拡張端子５ｎ，５ｐに代えて正負の外部接続用端子３ｎ，３ｐを外部との接合領域とする以外は、第１実施形態に係る発光装置１００と同様であるから、動作についての説明は省略する。
【００８６】
また、絶縁性樹脂層６Ａは、絶縁性樹脂層形成工程Ｓ１０８において、第１実施形態における絶縁性樹脂層６と同様にして形成することができるため、詳細な説明は省略する。
また、拡張端子形成工程Ｓ１０７が省略される以外は、他の工程が、図３に示した第１実施形態の製造方法と同様に行われるため、他の工程についての説明は省略する。
【００８７】
＜他の変形例＞
なお、前記した各実施形態に係る発光装置おいて、透光性樹脂部材７、波長変換層８及び光学部材９は、これらの内の一部又は全部が省略されてもよい。その場合は、発光装置の製造方法において、省略された部材についての製造工程が省略される。
また、前記した各実施形態では、ウエハレベルプロセスによる製造方法について説明したが、発光素子１のチップごとに製造することもできる。
【００８８】
以上、本開示に係る発光装置について、実施するための形態により具体的に説明したが、本開示の趣旨はこれらの記載に限定されるものではなく、特許請求の範囲の記載に基づいて広く解釈されなければならない。また、これらの記載に基づいて種々変更、改変などしたものも本開示の趣旨に含まれることはいうまでもない。
【符号の説明】
【００８９】
１      発光素子（半導体発光素子）
１０    保護素子付き発光素子
１１    成長基板（基板）
１２    半導体積層体
１２ｎ  ｎ型半導体層
１２ａ  活性層
１２ｐ  ｐ型半導体層
１２ｂ  段差部
１３    ｎ側電極（負電極）
１４    全面電極
１５    ｐ側電極（正電極）
１６    絶縁膜
１６ｎ，１６ｐ  開口部
２      保護素子
２１    電極
３ｎ    負極の外部接続用端子
３ｐ    正極の外部接続用端子
３１    シード層
３２    メッキ層
４      樹脂層
４１    切削線
５ｎ    負極の拡張端子
５ｐ    正極の拡張端子
６      絶縁性樹脂層
６ｎ，６ｐ  開口部
６Ａ    絶縁性樹脂層
６Ａｎ，６Ａｐ  開口部
７      透光性樹脂部材
８      波長変換層
９      光学部材
１００，１００Ａ  発光装置
１０１  支持体
１０２  シート
１０３  シート
ＢＤ１，ＢＤ２  境界線
ＲＰ    レジストパターン
ＲＰｎ，ＲＰｐ  開口部
【図１Ａ】
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【図１Ｂ】
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【図２】
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【図３】
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【図４Ａ】
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【図４Ｂ】
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【図５Ａ】
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【図５Ｂ】
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【図５Ｃ】
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【図５Ｄ】
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【図６Ａ】
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【図６Ｂ】
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【図６Ｃ】
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【図６Ｄ】
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【図７Ａ】
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【図７Ｂ】
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【図７Ｃ】
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【図７Ｄ】
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【図８Ａ】
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【図８Ｂ】
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【図８Ｃ】
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【図８Ｄ】
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【図９Ａ】
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【図９Ｂ】
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【図９Ｃ】
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【図９Ｄ】
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【図１０Ａ】
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【図１０Ｂ】
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【図１１】
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