(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の画素が配列された画素領域を有するイメージセンサチップを備える撮像装置であって、
前記画素領域が湾曲するように前記イメージセンサチップの湾曲の状態を制御する制御部と、
前記イメージセンサチップにおける前記画素領域の周辺領域に配され且つ前記イメージセンサチップの湾曲の状態を計測する計測部と、
撮影に用いられる光学レンズの状態に基づいて前記イメージセンサチップの湾曲の状態の目標を設定する設定部と、を備え、
前記制御部は、前記計測された前記湾曲の状態と前記設定された目標とを比較した結果に基づいて前記湾曲の状態を制御する
ことを特徴とする撮像装置。
【請求項２】
前記光学レンズの状態が変更された場合には、前記設定部は、前記設定された目標を該状態が変更された光学レンズの状態に基づいて更新する
ことを特徴とする請求項１に撮像装置。
【請求項３】
前記設定部は、参照テーブルを格納するメモリと、前記参照テーブルを参照して前記光学レンズの状態に対応するパラメータを選択する選択部とを含み、
前記制御部は、前記選択されたパラメータに基づいて前記湾曲の状態を制御する
ことを特徴とする請求項１または請求項２に記載の撮像装置。
【請求項４】
前記設定部は、前記撮像装置に取り付けられた光学レンズの型番に基づいて前記湾曲の状態の目標を設定する
ことを特徴とする請求項１から請求項３のいずれか１項に記載の撮像装置。
【請求項５】
前記設定部は、前記光学レンズの位置に基づいて前記湾曲の状態の目標を設定する
ことを特徴とする請求項１から請求項４のいずれか１項に記載の撮像装置。
【請求項６】
前記計測部は、ピエゾ抵抗型の圧力センサを含む
ことを特徴とする請求項１から請求項５のいずれか１項に記載の撮像装置。
【請求項７】
前記イメージセンサチップは半導体基板を有し、
前記計測部は、前記半導体基板に形成された拡散抵抗を含む
ことを特徴とする請求項１から請求項６のいずれか１項に記載の撮像装置。
【請求項８】
前記計測部は複数のセンサを含み、前記複数のセンサは、前記イメージセンサチップの上面に対する平面視において、前記イメージセンサチップの外縁を形成する複数の辺にそれぞれ対応している
ことを特徴とする請求項１から請求項７のいずれか１項に記載の撮像装置。
【請求項９】
前記平面視において、前記イメージセンサチップは、長辺と短辺とを有する矩形形状を有しており、前記複数のセンサのそれぞれは、長辺方向に沿ってライン状に形成されている
ことを特徴とする請求項８項に記載の撮像装置。
【請求項１０】
前記複数のセンサのそれぞれは抵抗素子であり、前記複数のセンサはブリッジ回路を形成している
ことを特徴とする請求項８または請求項９に記載の撮像装置。
【請求項１１】
前記計測部は、前記複数の画素とは異なる複数の他の画素であって前記周辺領域に配列された複数の他の画素を含み、
前記複数の画素の各々は撮像画素を形成し、
前記複数の他の画素の各々はオプティカルブラック画素を形成している
ことを特徴とする請求項１から請求項５のいずれか１項に記載の撮像装置。
【請求項１２】
前記計測部は、前記イメージセンサチップを構成する部材のバンドギャップをモニタしており、該モニタの結果に基づいて前記湾曲の状態を計測する
ことを特徴とする請求項１から請求項５のいずれか１項に記載の撮像装置。
【請求項１３】
複数の画素が配列された画素領域を有するイメージセンサチップを備える撮像装置であって、
前記画素領域が湾曲するように前記イメージセンサチップの湾曲の状態を制御する制御部と、
前記イメージセンサチップの湾曲の状態を計測する計測部と、
撮影に用いられる光学レンズの状態に基づいて前記イメージセンサチップの湾曲の状態の目標を設定する設定部と、を備え、
前記計測部は、前記イメージセンサチップに対してレーザー光を照射するレーザー光照射部と、前記イメージセンサチップで反射されたレーザー光を検出するレーザー光検出部とを含んでおり、該反射されたレーザー光の前記レーザー光検出部における検出位置に基づいて前記イメージセンサチップの湾曲の状態を計測し、
前記イメージセンサチップは、半導体で構成された基板と、前記レーザー光照射部からのレーザー光を反射する光反射部とを含んでおり、前記光反射部は前記基板に対してイメージセンサチップの受光面の側に設けられており、前記制御部は前記基板に対してイメージセンサチップの受光面とは反対側に設けられており、
前記制御部は、前記計測された前記湾曲の状態と前記設定された目標とを比較した結果に基づいて前記湾曲の状態を制御する
ことを特徴とする撮像装置。
【請求項１４】
前記イメージセンサチップは前記画素領域の外の周辺領域を更に含み、
前記光反射部は前記イメージセンサチップにおける前記周辺領域に配されている
ことを特徴とする請求項１３に記載の撮像装置。
【請求項１５】
前記光反射部は、前記イメージセンサチップの上面に対する平面視において、前記イメージセンサチップにおけるコーナー領域に配されている
ことを特徴とする請求項１３または請求項１４に記載の撮像装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、撮像装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
カメラ等に代表される撮像装置はイメージセンサチップを備える。イメージセンサチップは、例えば、半導体等で構成された基板と、該基板上に配列された複数の画素とを有する。
【０００３】
光学レンズの像面は凹状に湾曲する場合がある（像面湾曲）。そのため、例えば、撮影された画像において、中央部（又は周辺部）では焦点が合っているのに対して周辺部（又は中央部）では焦点が合っていないということが生じうる。そこで、像面湾曲に合うようにイメージセンサチップを湾曲させる方法が考えられる。像面湾曲の程度は光学レンズの状態によって異なるため、例えば光学レンズを交換した場合や光学レンズの位置を変更した場合には、それに応じて、イメージセンサチップの湾曲の状態を調整するとよい。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２０１２−１８２１９４号公報
【特許文献２】特開２００５−２３５９４９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
特許文献１には、光学レンズの位置に応じて、イメージセンサチップを湾曲させ、該湾曲の状態を制御することが記載されている。しかしながら、特許文献１には、イメージセンサチップの湾曲の実際の状態をどのように計測するか、及び、該湾曲の実際の状態を目標（所望の状態）に近付けるためにどのような制御を行うかについて記載されていない。
【０００６】
ここで、特許文献２には、イメージセンサチップから画像データを取得して画像中のシェーディングを解析し、その結果に基づいてイメージセンサチップの湾曲の状態を制御することが記載されている。しかしながら、特許文献２の方法によると、画像が一様光に従うものでない場合（例えば、人や風景等の被写体が画像に写っている場合）には、シェーディングを解析すること自体が難しくなり、上記制御の精度が低下してしまう可能性がある。
【０００７】
本発明は、光学レンズの像面湾曲に応じてイメージセンサチップの湾曲の状態を制御する撮像装置において、該制御の高精度化に有利な技術を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明の一つの側面は撮像装置にかかり、前記撮像装置は、複数の画素が配列された画素領域を有するイメージセンサチップを備える撮像装置であって、前記画素領域が湾曲するように前記イメージセンサチップの湾曲の状態を制御する制御部と、前記イメージセンサチップにおける前記画素領域の周辺領域に配され且つ前記イメージセンサチップの湾曲の状態を計測する計測部と、撮影に用いられる光学レンズの状態に基づいて前記イメージセンサチップの湾曲の状態の目標を設定する設定部と、を備え、前記制御部は、前記計測された前記湾曲の状態と前記設定された目標とを比較した結果に基づいて前記湾曲の状態を制御することを特徴とする。
【発明の効果】
【０００９】
本発明によれば、上記湾曲の状態の制御を高精度化することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】撮像装置の構成の例を説明するためのブロック図である。
【図２】イメージセンサチップの湾曲の状態の制御方法を説明するためのフローチャートである。
【図３】撮像装置の構造の例を説明するための模式図である。
【図４】イメージセンサチップの構造の例を説明するための模式図である。
【図５】計測部の構成の例を説明するための図である。
【図６】計測部の構成の例を説明するための図である。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
図１は、本発明に係る撮像装置１００の構成例を示している。撮像装置１００は、例えば、イメージセンサチップ１１０、湾曲制御部１２０、計測部１３０および設定部１４０を備える。イメージセンサチップ１１０は、画素アレイ１１１、駆動部１１２、読出部１１３、出力部１１４および撮影制御部１１５を含み、これらは、シリコン等の半導体で構成された１つの基板上に形成されている。
【００１２】
画素アレイ１１１は、例えば、アレイ状に（複数の行および複数の列を形成するように）配列された複数の画素ＰＸを含む。各画素ＰＸは、公知の画素構成をとればよい。例えば、画素ＰＸは、光電変換素子と、該光電変換素子で発生した電荷またはその量に応じた信号を読み出すための１つ以上のトランジスタとを含む。この１つ以上のトランジスタは、例えば、光電変換素子で発生した電荷を転送するトランジスタや、該転送された電荷の量に応じた信号を増幅するトランジスタ、光電変換素子をリセットするトランジスタ等を含む。
【００１３】
駆動部１１２は、例えば、シフトレジスタ等を含み、撮影制御部１１５からの制御信号に基づいて、複数の画素ＰＸを行単位で順に駆動する。読出部１１３は、例えば、信号増幅部、ＡＤ変換部等を含み、撮影制御部１１５からの制御信号に基づいて、駆動部１１２により駆動された各画素ＰＸからの画素信号を読み出して出力部１１４に転送する。出力部１１４は、該転送された画素信号を、撮影制御部１１５からの制御信号に基づいて、画像データとして順に出力する。
【００１４】
画素アレイ１１１は、基板の上面に対する平面視（以下、単に「平面視」という。）において、基板上の中央領域（「領域Ｒ１」とする。）に配される。領域Ｒ１は画素領域と称されてもよい。また、駆動部１１２、読出部１１３、出力部１１４および撮影制御部１１５は、平面視において、領域Ｒ１の周辺領域（「領域Ｒ２」とする。）に配される。
【００１５】
湾曲制御部１２０は、領域Ｒ１が湾曲するようにイメージセンサチップ１１０を湾曲させ、イメージセンサチップ１１０の湾曲の状態を制御する。湾曲の状態は、湾曲量で特定されてもよいし、湾曲率で特定されてもよい。例えば、湾曲の状態は、湾曲したイメージセンサチップ１１０の中央部と端部との高低差で特定されてもよいし、所定方向での断面における構造を円弧に近似させた場合のその曲率で特定されてもよい。または、湾曲の状態は、湾曲の程度を示す他の物理量で特定されてもよい。
【００１６】
なお、イメージセンサチップ１１０は、少なくとも一方向において湾曲されればよい。例えば、平面視において、イメージセンサチップ１１０が長辺と短辺とを有する矩形形状の場合には、イメージセンサチップ１１０は長辺方向において湾曲されてもよい。ここでは、典型的な例として、矩形形状のイメージセンサチップ１１０を例示するが、イメージセンサチップ１１０は目的等に応じて他の形状をとってもよい。
【００１７】
計測部１３０は、イメージセンサチップ１１０の湾曲の状態を計測する。詳細は後述するが、計測部１３０は、例えば、基板上における周辺領域Ｒ２に配されている。計測部１３０は、例えば、実質的に常に又は所定の周期で上記湾曲の状態を計測し、該計測の結果を湾曲制御部１２０に出力する。
【００１８】
設定部１４０は、撮影に用いられる光学レンズ（例えば、撮像装置１００に取り付けられ又は撮像装置１００がさらに備える光学レンズ）の状態に基づいて、上記湾曲の状態の目標を設定する。より具体的には、設定部１４０は、上記湾曲の状態について、光学レンズについて想定される像面湾曲に基づく所望の状態を目標として設定する。設定部１４０は、該設定された目標を湾曲制御部１２０に出力する。
【００１９】
湾曲制御部１２０は、計測部１３０により計測されたイメージセンサチップ１１０の湾曲の状態と、設定部１４０により設定された目標とを比較し、該比較の結果を上記湾曲の状態の制御にフィードバックする。即ち、湾曲制御部１２０は、イメージセンサチップ１１０の実際の湾曲の状態を、それが該設定された目標に近づくように、該比較の結果に基づいて調整する。本構成によると、イメージセンサチップ１１０の湾曲の状態を所望のタイミングで計測部１３０により計測し、その結果を上記湾曲の状態の制御にフィードバックすることができる。
【００２０】
設定部１４０は、光学レンズの情報に対応する目標を設定する。例えば、設定部１４０は、実質的に常に若しくは所定の周期で為される光学レンズの状態のモニタの結果を受けて、上記湾曲の状態の目標を設定し又は更新することができる。例えば、静止画撮影において撮像装置１００が撮影可能な状態になってからユーザが撮影を開始するためのスイッチを押すまでの間に光学レンズの状態が変更された場合、設定された目標は、該状態が変更された光学レンズに対応するものに更新される。光学レンズの状態が変更された場合は、例えば、レンズ交換式のカメラにおいて光学レンズが交換された場合を含む。光学レンズが交換された場合には、設定部１４０は、例えば、該光学レンズからその型番やその焦点距離を示す情報を受けて、該情報に対応する目標を設定する。また、光学レンズの状態が変更された場合は、例えば、被写体のズームイン又はズームアウト等の目的で撮像装置１００における光学レンズの位置（イメージセンサチップ１１０に対する光学レンズの位置）が変更された場合を含む。光学レンズの位置が変更された場合には、設定部１４０は、例えば、該光学レンズから、又は、該光学レンズを駆動してその位置を制御するレンズ駆動部から、該光学レンズの位置を示す情報を受けて、該情報に対応する目標を設定する。
【００２１】
設定部１４０は、例えば、参照テーブルを格納するメモリ（不図示）と、該参照テーブルを参照して光学レンズの状態に対応するパラメータを選択する選択部（不図示）とを含んでもよい。選択部は、上述の例では、例えば、光学レンズの型番に対応するパラメータを選択し、又は、光学レンズの位置に対応するパラメータを選択することができる。この場合、湾曲制御部１２０は、該選択されたパラメータに基づいてイメージセンサチップ１１０の湾曲の状態を制御する。他の実施例では、設定部１４０は演算部（不図示）を含んでもよく、上述のパラメータは、該演算部により、光学レンズの状態に基づく所定の演算処理によって算出されてもよい。
【００２２】
図２は、イメージセンサチップ１１０の湾曲の状態の制御方法を説明するためのフローチャートを示している。ステップＳ２００（以下、単に「Ｓ２００」と示す。他のステップについても同様。）では、設定部１４０により、イメージセンサチップ１１０の湾曲の状態の目標であって光学レンズの状態に対応する目標を設定する。Ｓ２１０では、計測部１３０により、イメージセンサチップ１１０の湾曲の状態を計測する。Ｓ２２０では、Ｓ２００で設定された目標と、Ｓ２１０で計測された上記湾曲の状態とが一致するかどうかを判定し、一致する場合には本制御を終了し、一致しない場合にはＳ２３０に進む。Ｓ２３０では、上記湾曲の状態を、それが目標に近づくように調整する。なお、Ｓ２００とＳ２１０とは、逆の順序で為されてもよいし、並列に為されてもよい。また、図中では、Ｓ２３０の後にＳ２１０に戻る場合を例示しているが、Ｓ２００に戻ってもよい。
【００２３】
上述の制御は、例えば静止画撮影の場合には、撮像装置１００が撮影可能な状態になってからユーザが撮影を開始するためのスイッチを押すまでの間、実質的に常に又は所定の周期で為されればよい。また、この制御は、例えば動画撮影の場合には、撮影を行っている間、実質的に常に又は所定の周期で為されればよい。
【００２４】
図３（Ａ）〜（Ｃ）は、撮像装置１００の構造の例を説明するための模式図である。図３（Ａ）に例示されるように、イメージセンサチップ１１０および湾曲制御部１２０は、これらを外部環境から保護するためのパッケージ１７０に収容されている。パッケージ１７０は、例えば筐状の部材１７１および透光性の板材１７２を含む。被写体は、例えば光学レンズ１５０および光学フィルタ１６０を通ってイメージセンサチップ１１０に結像される。このとき、その像面は、レンズ収差によって凹状に湾曲しうる。湾曲制御部１２０は、この像面に合うようにイメージセンサチップ１１０を湾曲させればよい。
【００２５】
図３（Ｂ）に例示されるように、湾曲制御部１２０は、イメージセンサチップ１１０の受光面とは反対側の面に配されており、イメージセンサチップ１１０を湾曲させるための所定の手段によってイメージセンサチップ１１０を湾曲させる。イメージセンサチップ１１０を湾曲させるための手段には、公知のものが用いられればよい。例えば、イメージセンサチップ１１０は、その端部で支持部（不図示）により支持されており、該支持部の位置を変更することによってイメージセンサチップ１１０を湾曲させてもよい。他の例では、イメージセンサチップ１１０を吸引によることによって湾曲させてよい。また、他の例では、イメージセンサチップ１１０に磁場を供給し、その磁力によってイメージセンサチップ１１０を湾曲させてもよい。また、他の例では、イメージセンサチップ１１０に熱を供給し、イメージセンサチップ１１０を、それを構成する各部材の熱膨張率の差を用いて湾曲させてもよい。
【００２６】
図３（Ｃ）は、イメージセンサチップ１１０の平面視におけるレイアウトの模式図である。図中には、基板上の中央領域Ｒ１および周辺領域Ｒ２を示している。前述のとおり、計測部１３０は領域Ｒ２に配される。領域Ｒ２は、イメージセンサチップ１１０の湾曲の影響を受けやすいため、この構成によると、イメージセンサチップ１１０にかかる応力を計測するのに有利であり、イメージセンサチップ１１０の湾曲の計測精度が向上する。
【００２７】
領域Ｒ２には、計測部１３０の他、他のユニット１３１（例えば、他の計測部、設定部１４０の少なくとも一部など）がさらに配されてもよい。計測部１３０と他のユニット１３１とは、平面視において、図３（Ｃ）に例示されるように互いに対角関係となる２つのコーナー領域にそれぞれ配されてもよいが、１つのコーナー領域に並んで配されてもよいし、１つの辺に沿って並んで配されてもよい。また、計測部１３０は２つ以上の部分を含んでいてもよく、また、この２つ以上の部分は互いに異なる２か所以上の位置にそれぞれ配置されてもよい。
【００２８】
図４は、計測部１３０の一例を説明するための図であってイメージセンサチップ１１０の平面視におけるレイアウトの模式図である。計測部１３０は、例えば、圧力センサ１３０１〜１３０４を含む。圧力センサ１３０１〜１３０４の各々はピエゾ抵抗素子で構成されたピエゾ抵抗型の圧力センサとなっている。これら４つの圧力センサ１３０１〜１３０４は、領域Ｒ２に配され、また、基板の平面視における外縁を形成する４つの辺にそれぞれ対応しており且つ平面視において基板の長辺方向に沿ってライン状に形成されている。ピエゾ抵抗型の圧力センサの場合、圧力差によるダイヤフラム変形に起因する応力変化をピエゾ抵抗素子の抵抗値の変化として検知し圧力に換算する。本例では湾曲制御部１２０によって制御せしめた湾曲量に起因する応力変化をピエゾ抵抗素子の抵抗値の変化として検知し湾曲量に換算する。基板がシリコン基板等の半導体基板である場合には、圧力センサ１３０１〜１３０４は、該基板に不純物を注入することにより形成された拡散抵抗素子でもよい。他の実施例では、圧力センサ１３０１〜１３０４のそれぞれは、例えば、基板のダイヤフラム上に形成されたピエゾ抵抗素子型の圧力センサでもよい。
【００２９】
図５（Ａ）及び（Ｂ）に例示されるように、各々が抵抗素子である圧力センサ１３０１〜１３０４は、ブリッジ回路を形成している。本例では、ホイートストンブリッジ回路であるが、ウィーンブリッジ回路、マクスウェルブリッジ回路、ヘビサイドブリッジ回路などの他のブリッジ回路でもよい。
【００３０】
例えば図５（Ａ）の構成では、電圧源Ｖ０が接続された２つのノードの間の第１経路に、圧力センサ１３０１及び１３０２が直列に配されており、該２つのノードの間の他の経路である第２経路に、圧力センサ１３０３及び１３０４が直列に配されている。そして、圧力センサ１３０１と圧力センサ１３０２との間のノードの電位と、圧力センサ１３０３と圧力センサ１３０４との間のノードの電位との差が、アンプＡ１を介して増幅され、電圧ＶＯＵＴとして出力される。図５（Ｂ）の構成は、電圧源Ｖ０の代わりに電流源Ｉ０を用いた点を除いて、図５（Ａ）の構成と同様である。
【００３１】
このような回路構成において、イメージセンサチップ１１０が湾曲すると、抵抗素子である圧力センサ１３０１〜１３０４の抵抗値が変化する。それに伴い、圧力センサ１３０１と圧力センサ１３０２との間のノードと、圧力センサ１３０３と圧力センサ１３０４との間のノードとの間に電位差が生じ、該電位差に応じた電圧ＶＯＵＴが出力される。換言すると、イメージセンサチップ１１０の湾曲の状態は電圧ＶＯＵＴに変換される。湾曲制御部１２０は、電圧ＶＯＵＴに基づいてイメージセンサチップ１１０の湾曲の状態を制御すればよい。
【００３２】
例えば、圧力センサ１３０１に応力が加わっていないときの圧力センサ１３０１の抵抗値をＲとし、圧力センサ１３０１に応力σが加わったときの圧力センサ１３０１の抵抗値の変化量をΔＲとしたとき、典型的には、（ΔＲ／Ｒ）∝σが成立する。また、この関係式を用いると、図５（Ａ）及び（Ｂ）を参照しながら述べた出力電圧ＶＯＵＴについて、ＶＯＵＴ∝σが成立する。また、イメージセンサチップ１１０が一様に湾曲すると仮定すると、その曲率半径をｒとしたとき、σ∝（１／ｒ）が成立する。これらの式によると、電圧ＶＯＵＴと曲率半径ｒとは反比例の関係である。湾曲制御部１２０による湾曲の状態の制御は、以上に例示されたモデルに基づいて為されてもよいが、他のモデルに基づいて為されてもよい。
【００３３】
ところで、前述のとおり、特許文献２によると、画像データについてシェーディング解析を行い、その結果に基づいてイメージセンサチップの湾曲の状態を制御する。しかしながら、この方法によると、画像が一様光に従うものでない場合（例えば、人や風景等の被写体が画像に写っている場合）には、シェーディングを解析すること自体が難しくなり、上記湾曲の状態の制御の精度が低下する虞がある。
【００３４】
これに対して、本構成例によると、計測部１３０は、画素アレイ１１１から読み出した画像データを用いる必要がなく、イメージセンサチップ１１０の湾曲の状態を所望のタイミングで計測し、その結果を該湾曲の状態の制御にフィードバックすることができる。また、計測部１３０は、基板上の周辺領域Ｒ２であってイメージセンサチップ１１０の湾曲の影響を受けやすい領域Ｒ２に配されている。そのため、本構成例によると、イメージセンサチップ１１０の湾曲の状態を計測部１３０により適切に計測することができ、上記湾曲の状態の制御を高精度化するのに有利である。
【００３５】
また、特許文献２の方法によると、湾曲の状態が目標（又はその許容範囲内）に到達するのに要する時間が比較的長くなってしまう。例えば、フレームレートが６０［ｆｐｓ］の場合には、１フレーム分の画像データを取得するのに要する時間は１６．７［ｍｓｅｃ］程度である。その後、シェーディング解析を行い、その結果に基づいて上記湾曲の状態を制御する。現実的には、これら画像データの取得、シェーディング解析および上記湾曲の状態の制御を含む一連の動作は、シェーディングがなくなるまで繰り返し為されることが考えられる。そうすると、湾曲の状態が目標に到達するのに相当の時間（例えば、１００［ｍｓｅｃ］以上）がかかる虞がある。
【００３６】
これに対して、本構成例によると、計測部１３０は、画素アレイ１１１から読み出した画像データについてシェーディング解析を行う必要がなく、イメージセンサチップ１１０の湾曲の状態を比較的短い時間で計測することができる。例えば、図４及び図５の構成例によると、湾曲の状態の計測に要する時間は１０［μｓｅｃ］以下であり、該計測の結果に基づいて湾曲の状態の制御を開始してから該制御が完了するまでの時間は１０［ｍｓｅｃ］以下に抑えられる。よって、本構成例によると、上記湾曲の状態の制御を高速化するのにも有利である。
【００３７】
計測部１３０は、以上に例示された構成例に限られるものでなく、他の構成をとってもよい。例えば、図４では、圧力センサ１３０１〜１３０４が長辺方向に沿ってライン状に形成された構成を例示したが、他の条件の下では、例えば、圧力センサ１３０１及び１３０４は短辺方向に沿ってライン状に形成されてもよい。他の条件とは、例えば、イメージセンサチップ１１０の湾曲の方法、該湾曲の方向、該湾曲の状態の測定方法が変更された場合等である。
【００３８】
他の実施例では、計測部１３０は、イメージセンサチップ１１０を湾曲させたことに伴うバンドギャップの変化に基づいて、該湾曲の状態を計測してもよい。具体的には、イメージセンサチップ１１０を湾曲させると、基板を構成する部材の結晶構造が歪むため、該部材のバンドギャップが変化する。よって、計測部１３０は、該バンドギャップをモニタし、その結果に基づいて湾曲の状態を計測することもできる。
【００３９】
また、他の実施例では、計測部１３０は、イメージセンサチップ１１０を湾曲させたことに伴うオプティカルブラック画素からの画素信号の変化に基づいて該湾曲の状態を計測してもよい。具体的には、画素アレイ１１１に配列された複数の画素ＰＸは、画素アレイ１１１において、中央部に配列された撮像画素と、その周辺部に配列されたオプティカルブラック画素とを含む。オプティカルブラック画素には、入射光を遮光するための遮光部材が配されており、オプティカルブラック画素から読み出される画素信号は、基板に流れる暗電流（ノイズ成分）の量にしたがう。ここで、バンドギャップをＥｇとし、ボルツマン定数をｋとし、絶対温度をＴとしたとき、上記暗電流の量は、典型的には、ｅｘｐ（−Ｅｇ／２ｋＴ）に比例する。よって、計測部１３０は、オプティカルブラック画素からの画素信号をモニタし、その結果に基づいて湾曲の状態を計測することもできる。
【００４０】
なお、単一のオプティカルブラック画素から読み出される画素信号の値は極めて小さいため、複数のオプティカルブラック画素が、１以上の列、１以上の行、又は、１以上の列且つ１以上の行にわたって配列され、これらからの信号の値は加算されてもよい。また、オプティカルブラック画素からの画素信号を読み出すための専用のユニットであってフレームレートに対して高速に動作することが可能なユニットが、前述の駆動部１１２、読出部１１３等とは別に設けられてもよい。
【００４１】
また、他の実施例では、計測部１３０は、イメージセンサチップ１１０を湾曲させたことに伴う静電容量の変化に基づいて、該湾曲の状態を計測してもよい。例えば、イメージセンサチップ１１０と、このイメージセンサチップ１１０の近傍に位置する他の部材（例えば、イメージセンサチップ１１０と平行に配された平行平板状の導電部材）との間には容量が形成される。そして、イメージセンサチップ１１０を湾曲させると該容量の値が変化する。計測部１３０は、該容量の変化量に基づいてイメージセンサチップ１１０の湾曲の状態を計測することもできる。
【００４２】
図６（Ａ）及び（Ｂ）は、イメージセンサチップ１１０の湾曲の状態を計測するための他の構成例を示す模式図である。図６（Ａ）に例示されるように、撮像装置１００は、計測部１３０として、又は、計測部１３０の代わりに、レーザー光照射部２１０と、レーザー光検出部２２０とを備える。撮像装置１００は、レーザー光を反射する光反射部２３０であってイメージセンサチップ１１０上に配された光反射部２３０をさらに備えてもよい。光反射部２３０は、図６（Ｂ）に例示されるように、平面視において、基板上における周辺領域Ｒ２に配されればよく、そのうちのコーナー領域に配されてもよい。
【００４３】
レーザー光照射部２１０は、イメージセンサチップ１１０（の光反射部２３０）に対してレーザー光を照射する。レーザー光検出部２２０は、イメージセンサチップ１１０（の光反射部２３０）で反射されたレーザー光を検出する。イメージセンサチップ１１０の湾曲の状態は、レーザー光検出部２２０における該反射されたレーザー光の検出位置に基づいて計測される。例えば、イメージセンサチップ１１０を湾曲させていない場合、レーザー光は、図中の破線で示される軌道を通って、レーザー光検出部２２０で検出される。また、イメージセンサチップ１１０を湾曲させた場合、レーザー光は、図中の一点鎖線で示される軌道を通って、レーザー光検出部２２０で検出される。即ち、イメージセンサチップ１１０の湾曲の状態によって、レーザー光検出部２２０におけるレーザー光の検出位置が異なる。よって、該検出位置に基づいてイメージセンサチップ１１０の湾曲の状態を計測することができる。
【００４４】
（その他）
以上では、いくつかの好適な実施例を示したが、本発明はこれらに限られるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲で、その一部は変更されてもよい。その他、本明細書で用いられた各ユニットの名称は、対応する機能を説明するために用いられたものに過ぎず、各ユニットの機能は、以上で述べられたものに限られない。例えば、「撮像装置」の概念には、撮影を主目的とする装置（例えば、カメラ）の他、撮影機能を補助的に有する装置（例えば、パーソナルコンピュータ、携帯端末）も含まれる。
【符号の説明】
【００４５】
１００：撮像装置、１１０：イメージセンサチップ、１２０：湾曲制御部、１３０：計測部、１４０：設定部。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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