(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の内層電極と複数のセラミック絶縁層とを積層して多層化した構造を有し、前記複数の内層電極が、前記複数のセラミック絶縁層に形成された複数のビア導体により互いに接続されるセラミック多層配線基板の製造方法であって、
セラミック材料を用いて主面を有するシート状に成形されたセラミックグリーンシートを準備するシート準備工程と、
前記セラミックグリーンシートの主面上に感光性を有する未焼成導体層を形成する未焼成導体層形成工程と、
前記未焼成導体層形成工程後、前記未焼成導体層を露光した後で現像することにより、前記複数のビア導体に接続される複数の島状導体と、前記複数の島状導体を取り囲むプレーン状導体と、隣接する前記島状導体間に延在するとともに前記プレーン状導体の一部を構成するブリッジ部とを前記未焼成導体層に形成する露光現像工程と、
前記露光現像工程後、前記セラミックグリーンシート及び前記未焼成導体層を１０００℃以上の温度で同時焼成することにより、前記セラミックグリーンシートを前記セラミック絶縁層とし、前記未焼成導体層を前記内層電極とする焼成工程と
を含み、
前記セラミック絶縁層に対する前記内層電極の熱膨張係数差は、前記セラミック絶縁層に対する前記未焼成導体層の熱膨張係数差よりも小さい
ことを特徴とするセラミック多層配線基板の製造方法。
【請求項２】
前記ブリッジ部を含む前記プレーン状導体は、電源用の導体またはグランド用の導体を構成していることを特徴とする請求項１に記載のセラミック多層配線基板の製造方法。
【請求項３】
前記未焼成導体層形成工程では、前記セラミックグリーンシートの主面上にタングステンまたはモリブデンを主成分とする感光性メタライズペーストを塗布することにより、前記未焼成導体層を形成することを特徴とする請求項１または２に記載のセラミック多層配線基板の製造方法。
【請求項４】
前記感光性メタライズペーストは、１μｍ以上１０μｍ以下の粒径を有する金属粒子を含有することを特徴とする請求項３に記載のセラミック多層配線基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、複数の内層電極と複数のセラミック絶縁層とを積層して多層化した構造を有するセラミック多層配線基板の製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
コンピュータのマイクロプロセッサ等として使用される半導体集積回路素子（ＩＣチップ）は、近年ますます高速化、高機能化しており、これに付随して端子数が増え、端子間ピッチも狭くなる傾向にある。一般的にＩＣチップの底面には多数の端子が密集してアレイ状に配置されている。なお、ＩＣチップなどの電子部品の検査には、電子部品検査用配線基板が使用されている。
【０００３】
電子部品検査用配線基板としては、複数の内層電極と複数のセラミック絶縁層を積層して多層化した構造を有するセラミック多層配線基板が実用化されている。なお、各セラミック絶縁層には複数のビア導体が設けられ、各内層電極はビア導体により互いに接続されている。また、図９に示されるように、セラミック絶縁層１０１の表面上には、複数のビア導体に接続される複数の島状導体１０２と、複数の島状導体１０２を取り囲むプレーン状導体１０３とが、内層電極として形成されている。これらの導体１０２，１０３は、通常、印刷（スクリーン印刷など）により形成される（例えば、特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特許第３５７０２４２号公報（［０００３］など）
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
ところで、プレーン状導体１０３は電源用またはグランド用の導体であるため、プレーン状導体１０３には大電流が流れるようになっている。ところが、上述した手法（印刷）によって導体１０２，１０３を形成する場合には、印刷滲みによって島状導体１０２とプレーン状導体１０３とが短絡するおそれがあるため、両者の隙間をあらかじめ大きくしておく必要がある。しかも、隣接する島状導体１０２のピッチが狭くなる場合には、島状導体１０２をプレーン状導体１０３で個別に取り囲むことができない。以上のことから、プレーン状導体１０３の大面積化が困難であるため、プレーン状導体１０３のインピーダンスが大きくなるという問題がある。
【０００６】
本発明は上記の課題に鑑みてなされたものであり、その目的は、プレーン状導体の面積を大きくすることにより、プレーン状導体のインピーダンスを低減することが可能なセラミック多層配線基板の製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記課題を解決するための手段（手段１）としては、複数の内層電極と複数のセラミック絶縁層とを積層して多層化した構造を有し、前記複数の内層電極が、前記複数のセラミック絶縁層に形成された複数のビア導体により互いに接続されるセラミック多層配線基板の製造方法であって、セラミック材料を用いて主面を有するシート状に成形されたセラミックグリーンシートを準備するシート準備工程と、前記セラミックグリーンシートの主面上に感光性を有する未焼成導体層を形成する未焼成導体層形成工程と、前記未焼成導体層形成工程後、前記未焼成導体層を露光した後で現像することにより、前記複数のビア導体に接続される複数の島状導体と、前記複数の島状導体を取り囲むプレーン状導体と、隣接する前記島状導体間に延在するとともに前記プレーン状導体の一部を構成するブリッジ部とを前記未焼成導体層に形成する露光現像工程と、前記露光現像工程後、前記セラミックグリーンシート及び前記未焼成導体層を１０００℃以上の温度で同時焼成することにより、前記セラミックグリーンシートを前記セラミック絶縁層とし、前記未焼成導体層を前記内層電極とする焼成工程とを含み、前記セラミック絶縁層に対する前記内層電極の熱膨張係数差は、前記セラミック絶縁層に対する前記未焼成導体層の熱膨張係数差よりも小さいことを特徴とするセラミック多層配線基板の製造方法がある。
【０００８】
従って、手段１のセラミック多層配線基板の製造方法によると、島状導体やプレーン状導体を、印刷によって形成するのではなく、未焼成導体層を露光した後で現像することによって形成している。この場合、印刷滲みが生じなくなることから、島状導体とプレーン状導体との隙間を小さくしたとしても、両者の短絡が防止されるため、プレーン状導体を島状導体側に広げることができる。しかも、露光現像工程では、隣接する島状導体間に延在するとともにプレーン状導体の一部を構成するブリッジ部が形成されるため、島状導体をブリッジ部を含むプレーン状導体で個別に取り囲むことができる。その結果、プレーン状導体がブリッジ部の面積分だけ拡張される。以上のことから、プレーン状導体の面積が大きくなるため、プレーン状導体のインピーダンスを低減することができる。
【０００９】
以下、上記手段１に係るセラミック多層配線基板の製造方法について説明する。
【００１０】
シート準備工程では、セラミック材料を用いて主面を有するシート状に形成されたセラミックグリーンシートを準備する。ここで、セラミック材料の好適例としては、例えば、アルミナ、窒化アルミニウム、窒化珪素、窒化ほう素、べリリア、ムライト、ガラスセラミック等を挙げることができる。
【００１１】
続く未焼成導体層形成工程では、セラミックグリーンシートの主面上に感光性を有する未焼成導体層を形成する。また、未焼成導体層形成工程では、セラミックグリーンシートの主面上にタングステンまたはモリブデンを主成分とする感光性メタライズペーストを塗布することにより、未焼成導体層を形成してもよい。このようにすれば、金や銀を主成分とするメタライズペーストを用いる場合に比べて、セラミック多層配線基板の製造コストを低く抑えることができる。なお、「主成分」とするとは、感光性メタライズペーストがタングステンまたはモリブデンを５０体積％以上含むことを示している。
【００１２】
さらに、感光性メタライズペーストは、１μｍ以上１０μｍ以下の粒径を有する金属粒子を含有するものであってもよい。仮に、金属粒子の粒径が１μｍ未満である場合、即ち、金属粒子がナノ粒子である場合、一般的な金属粒子とは別の金属粒子を用いる必要があるため、製造されるセラミック多層配線基板の製造コストが上昇してしまう。一方、金属粒子の粒径が１０μｍよりも大きい場合、感光性メタライズペーストの塗布によって形成される未焼成導体層が肉厚になってしまう。
【００１３】
未焼成導体層形成工程後の露光現像工程では、未焼成導体層を露光した後で現像することにより、複数のビア導体に接続される複数の島状導体と、前記複数の島状導体を取り囲むプレーン状導体と、隣接する島状導体間に延在するとともにプレーン状導体の一部を構成するブリッジ部とを未焼成導体層に形成する。なお、ブリッジ部を含むプレーン状導体は、電源用の導体またはグランド用の導体を構成していることがよい。このようにした場合、プレーン状導体のインピーダンスが大きくなるという本願特有の問題が起こりやすくなるため、上記手段１を採用する意義が大きくなる。
【００１４】
露光現像工程後の焼成工程では、セラミックグリーンシート及び未焼成導体層を１０００℃以上の温度で同時焼成することにより、セラミックグリーンシートをセラミック絶縁層とし、未焼成導体層を内層電極とする。以上のプロセスを経て、セラミック多層配線基板が製造される。
【００１５】
なお、セラミック絶縁層に対する内層電極の熱膨張係数差は、セラミック絶縁層に対する未焼成導体層の熱膨張係数差よりも小さくなる。この場合、セラミック絶縁層と内層電極との熱膨張係数差に起因する熱応力が小さくなり、内層電極がセラミック絶縁層から剥離しにくくなるため、歩留まりが高くなり、信頼性が向上する。ここで、「熱膨張係数」とは、厚さ方向（Ｚ方向）に対して垂直な方向（ＸＹ方向）の熱膨張係数のことを意味し、０℃から６００℃まで昇温したときのセラミック絶縁層または内層電極の膨張量を単位温度当りの膨張量に換算した値（熱膨張係数＝０℃から６００℃まで昇温したときのセラミック絶縁層の膨張量／６００℃）のことをいう。
【図面の簡単な説明】
【００１６】
【図１】本実施形態におけるセラミック多層配線基板を示す断面図。
【図２】島状導体、プレーン状導体及びブリッジ部を示す平面図。
【図３】図２の部分拡大図。
【図４】シート準備工程を示す断面図。
【図５】ビア導体を形成する工程を示す断面図。
【図６】未焼成導体層形成工程を示す断面図。
【図７】露光現像工程を示す断面図。
【図８】セラミック積層体を形成する工程を示す断面図。
【図９】従来技術において、島状導体及びプレーン状導体を示す平面図。
【発明を実施するための形態】
【００１７】
以下、本発明をセラミック多層配線基板に具体化した一実施形態を図面に基づき詳細に説明する。
【００１８】
図１に示されるように、本実施形態のセラミック多層配線基板１０は、ＩＣチップ（電子部品）の電気検査を行うための検査装置の一部に使用される部品である。セラミック多層配線基板１０は、縦横の長さが１０ｃｍ程度、厚さが４ｍｍ程度の配線基板であり、使用時においてセラミック多層配線基板１０の主面１１が検査対象であるＩＣチップに向けて配置される。
【００１９】
さらに、セラミック多層配線基板１０の主面１１上の中央部分には、複数の主面側端子２８がアレイ状に形成されている。各主面側端子２８は、断面円形状をなし、直径が５０μｍに設定されている。一方、セラミック多層配線基板１０の裏面１２には、複数の裏面側端子３８がほぼ全域に亘ってアレイ状に形成されている。各裏面側端子３８は、断面円形状をなし、直径が１．０ｍｍに設定されている。
【００２０】
図１に示されるように、セラミック多層配線基板１０は、２層の内層電極４１，４２と３層のセラミック絶縁層３１，３２，３３とを交互に積層して多層化した構造を有している。本実施形態のセラミック絶縁層３１〜３３は、アルミナの焼結体であり、熱膨張係数が７．６ｐｐｍ／℃に設定されている。また、本実施形態の内層電極４１，４２は、タングステンからなるメタライズ層であり、熱膨張係数が４．５ｐｐｍ／℃に設定されている。よって、セラミック絶縁層３１〜３３に対する内層電極４１，４２の熱膨張係数差は、３．１ｐｐｍ／℃となる。なお、内層電極４１，４２の熱膨張係数は、０℃から６００℃まで昇温したときの膨張量を単位温度当りの膨張量に換算した値（熱膨張係数＝０℃から６００℃まで昇温したときの内層電極４１，４２の膨張量／６００℃）のことをいう。
【００２１】
各セラミック絶縁層３１〜３３には厚さ方向に貫通する貫通孔３６が形成され、貫通孔３６内には内層電極４１，４２に接続されるビア導体３７が形成されている。よって、各内層電極４１，４２は、複数のビア導体３７によって互いに接続される。各貫通孔３６は、断面円形状をなし、内径が２０〜５００μｍに設定されている。各ビア導体３７は、断面円形状をなし、外径が２０〜５００μｍに設定されている。ビア導体３７は、内層電極４１，４２と同様の材料、即ち、タングステンからなるメタライズ層である。
【００２２】
図１〜図３に示されるように、第１層の内層電極４１は、島状導体５１と、ブリッジ部５３を含むプレーン状導体５２とからなっている。島状導体５１は、第１層のセラミック絶縁層３１の主面３４上において複数設けられている。各島状導体５１は、平面視円形状をなし、直径Ａ１（図３参照）が５０μｍ、厚さが１０μｍに設定されている。即ち、島状導体５１の直径Ａ１は、ビア導体３７の外径（２０〜５００μｍ）よりも大きくなっている。各島状導体５１は、第２層のセラミック絶縁層３２を貫通するビア導体３７を介して、セラミック絶縁層３２の主面上に設けられた内層電極４２に接続されている。また、各島状導体５１は、第１層のセラミック絶縁層３１を貫通するビア導体３７を介して、セラミック絶縁層３３の裏面（セラミック多層配線基板１０の裏面１２）に形成された裏面側端子３８に接続されている。なお、各島状導体５１はシグナル用の導体を構成している。また、一部の島状導体５１は、セラミック絶縁層３１の主面３４上に形成された配線パターン５４（図２参照）を介して互いに接続されている。
【００２３】
また、図２，図３に示されるように、プレーン状導体５２は、セラミック絶縁層３１の主面３４の略全域を覆っており、複数の島状導体５１を個別に取り囲んでいる。さらに、ブリッジ部５３は、隣接する島状導体５１間に延在するとともに、プレーン状導体５２の一部を構成している。本実施形態では、プレーン状導体５２（及びブリッジ部５３）の厚さが１０μｍに設定され、プレーン状導体５２（及びブリッジ部５３）と島状導体５１との隙間Ｓ１（図３参照）が２０μｍに設定されている。また、ブリッジ部５３を含むプレーン状導体５２は、電源用の導体またはグランド用の導体を構成している。
【００２４】
次に、セラミック多層配線基板１０の製造方法を説明する。
【００２５】
まず、シート準備工程を行い、アルミナ粉末を主成分とするセラミック材料を用いて、厚さ３０〜１０００μｍのセラミックグリーンシート６１，６２，６３を形成する（図４参照）。なお、各セラミックグリーンシート６１〜６３は、主面６４と、主面６４の反対側に位置する裏面６５とを有するシート状に成形されている。そして、各セラミックグリーンシート６１〜６３に対して、レーザー加工、パンチング加工、ドリル加工等による孔あけを行い、所定位置に２０〜５００μｍの貫通孔３６を多数形成する（図４参照）。その後、従来周知のペースト印刷装置（図示略）を用いて、各貫通孔３６内に導電性ペースト（本実施形態ではタングステンペースト）を充填し、未焼成ビア導体３９を形成する（図５参照）。
【００２６】
続く未焼成導体層形成工程では、ペースト印刷装置を用いて、各セラミックグリーンシート６１の主面６４上及び裏面６５上に、タングステンを主成分とする感光性メタライズペーストを塗布（印刷）する。また、ペースト印刷装置を用いて、セラミックグリーンシート６２，６３の主面６４上に、感光性メタライズペーストを塗布（印刷）する。その結果、セラミックグリーンシート６１の主面６４上及び裏面６５上と、セラミックグリーンシート６２，６３の主面６４上とに、厚さ１０μｍの感光性を有する未焼成導体層４５が形成される（図６参照）。なお、本実施形態の感光性メタライズペーストは、１μｍ以上１０μｍ以下の粒径を有する金属粒子（本実施形態では、タングステンの金属粒子）を含有している。また、本実施形態の未焼成導体層４５は、熱膨張係数が３．５ｐｐｍ／℃に設定されている。よって、セラミック絶縁層３１〜３３（熱膨張係数は７．６ｐｐｍ／℃）に対する未焼成導体層４５の熱膨張係数差は、４．１ｐｐｍ／℃となる。ゆえに、上述したセラミック絶縁層３１〜３３に対する内層電極４１，４２の熱膨張係数差（３．１ｐｐｍ／℃）は、セラミック絶縁層３１〜３３に対する未焼成導体層４５の熱膨張係数差よりも小さくなる。なお、未焼成導体層４５の熱膨張係数は、０℃から６００℃まで昇温したときの膨張量を単位温度当りの膨張量に換算した値（熱膨張係数＝０℃から６００℃まで昇温したときの未焼成導体層４５の膨張量／６００℃）のことをいう。
【００２７】
未焼成導体層形成工程後の露光現像工程では、未焼成導体層４５を露光した後で現像する。具体的に言うと、まず、ＣＡＤデータに基づき、セラミックグリーンシート６１の主面６４及び裏面６５と、セラミックグリーンシート６２，６３の主面６４とに対して、直描露光装置（ＬＤＩ：Laser Direct Imager ）から紫外光を照射し、未焼成導体層４５を露光する。なお、本実施形態とは別の手法を用いて未焼成導体層４５を露光してもよい。例えば、紫外光を透過可能とする複数の光透過部、及び、紫外光を透過不能とする非透過部からなるフォトマスクを、未焼成導体層４５の上に配置する。そして、従来周知の露光機（図示略）からフォトマスクを介して紫外光を照射することにより、未焼成導体層４５を露光してもよい。
【００２８】
その後、露光された未焼成導体層４５を現像する。その結果、セラミックグリーンシート６１の主面６４上に形成された未焼成導体層４５には、紫外光が照射された領域に内層電極４１（島状導体５１、プレーン状導体５２及びブリッジ部５３）が形成される（図７参照）。また、セラミックグリーンシート６１の裏面６５上に形成された未焼成導体層４５には、紫外光が照射された領域に裏面側端子３８が形成される（図７参照）。さらに、セラミックグリーンシート６２の主面６４上に形成された未焼成導体層４５には、紫外光が照射された領域に内層電極４２が形成される（図７参照）。また、セラミックグリーンシート６３の主面６４上に形成された未焼成導体層４５には、紫外光が照射された領域に主面側端子２８が形成される（図７参照）。即ち、本実施形態の未焼成導体層４５は、現像時に感光した部分が硬化するネガ型の感光性を有している。
【００２９】
そして、導電性ペースト及び感光性メタライズペーストの乾燥後、各セラミックグリーンシート６１〜６３を積層し、シート積層方向に押圧力を付与する。その結果、各セラミックグリーンシート６１〜６３が一体化され、セラミック積層体６６が形成される（図８参照）。
【００３０】
露光現像工程後の焼成工程では、セラミック積層体６６（セラミックグリーンシート６１〜６３、未焼成ビア導体３９及び未焼成導体層４５）を脱脂し、さらに１０００℃以上の温度（例えば１４００℃〜１６００℃程度の温度）で同時焼成を行う。その結果、セラミックグリーンシート６１〜６３中のアルミナ、導電性ペースト中のタングステン、及び、感光性メタライズペースト中のタングステンが同時焼結し、セラミックグリーンシート６１〜６３がセラミック絶縁層３１〜３３となり、未焼成ビア導体３９がビア導体３７となり、未焼成導体層４５が内層電極４１，４２となる。なお、本実施形態では、セラミックグリーンシート６１〜６３の焼結温度と未焼成導体層４５（及び未焼成ビア導体３９）の焼結温度との差が、１００℃以下となっている。以上のプロセスを経て、セラミック多層配線基板１０が製造される。
【００３１】
従って、本実施形態によれば以下の効果を得ることができる。
【００３２】
（１）本実施形態のセラミック多層配線基板１０の製造方法によれば、島状導体５１やプレーン状導体５２を、従来技術のような印刷によって形成するのではなく、未焼成導体層４５を露光した後で現像することによって形成している。この場合、印刷滲みが生じなくなることから、島状導体５１とプレーン状導体５２との隙間Ｓ１を小さくしたとしても、両者の短絡が防止されるため、プレーン状導体５２を島状導体５１側に広げることができる。しかも、露光現像工程では、隣接する島状導体５１間に延在するとともにプレーン状導体５２の一部を構成するブリッジ部５３が形成されるため、島状導体５１をブリッジ部５３を含むプレーン状導体５２で個別に取り囲むことができる。その結果、プレーン状導体５２がブリッジ部５３の面積分だけ拡張される。以上のことから、プレーン状導体５２の面積が大きくなるため、プレーン状導体５２のインピーダンスを低減することができる。
【００３３】
（２）ところで、インクジェット装置を用いて感光性メタライズペーストを吹き付けることにより、島状導体５１やプレーン状導体５２などを形成することが考えられる。ところが、この場合、感光性メタライズペーストに含有される金属粒子として、１μｍ未満の粒径を有する金属粒子（具体的にはナノ粒子）を用いない限り、感光性メタライズペーストを噴射できないという問題がある。しかしながら、金属粒子としてナノ粒子を用いたとしても、感光性メタライズペーストが焼成収縮を開始する温度が、セラミックグリーンシート６１〜６３が焼成収縮を開始する温度と合わなくなるため、反りや、表面の凹凸、デラミネーションが発生するおそれがある。
【００３４】
そこで、本実施形態では、１μｍ以上の粒径を有する金属粒子を含有した感光性メタライズペーストを、ペースト印刷装置を用いて塗布した後、露光及び現像を行うことにより、島状導体５１やプレーン状導体５２などを形成している。この場合、感光性メタライズペーストが焼成収縮するタイミングが、セラミックグリーンシート６１〜６３が焼成収縮するタイミングと一致するため、上記の問題（反り、表面の凹凸、デラミネーション）の発生が防止される。
【００３５】
（３）また、スクリーン印刷によって島状導体５１やプレーン状導体５２などを形成することも考えられる。しかし、この場合、導体５１，５２の外周部分では導体５１，５２が肉厚になる一方、導体５１，５２の中央部分では導体５１，５２が肉薄になるという問題がある。
【００３６】
これに対して、本実施形態では、感光性メタライズペーストを、ペースト印刷装置を用いて塗布した後、露光及び現像を行うことにより、島状導体５１やプレーン状導体５２などを形成している。この場合、導体５１，５２の厚さが、外周部分においても中央部分においても一定になるため、電気抵抗値が均一になり、電気が安定して流れるようになる。さらに、スクリーン印刷の場合と同じ電気抵抗値を得る場合には、導体５１，５２を、スクリーン印刷の場合に肉薄となる部分と同じ厚さにする（つまり肉薄にする）ことができる。この場合、導体５１，５２の外周縁を起点として導体５１，５２とセラミック絶縁層３１との間に生じるデラミネーションを防止しやすくなる。
【００３７】
なお、本実施形態を以下のように変更してもよい。
【００３８】
・上記実施形態において、ブリッジ部５３を含むプレーン状導体５２は、電源用の導体またはグランド用の導体を構成していたが、シグナル用の導体を構成するものであってもよい。
【００３９】
・上記実施形態の未焼成導体層４５は、現像時に感光した部分が硬化するネガ型の感光性を有するものであったが、未焼成導体層４５は、現像時に感光した部分が溶解するポジ型の感光性を有していてもよい。
【００４０】
・上記実施形態の未焼成導体層形成工程では、ペースト印刷装置を用いて感光性メタライズペーストを塗布（印刷）していた。しかし、セラミックグリーンシート６１の主面６４及び裏面６５や、セラミックグリーンシート６２，６３の主面６４に対してメタルマスクを配置しておき、未焼成導体層形成工程では、メタルマスクを介して感光性メタライズペーストを塗布するようにしてもよい。
【００４１】
次に、特許請求の範囲に記載された技術的思想のほかに、前述した実施形態によって把握される技術的思想を以下に列挙する。
【００４２】
（１）上記手段１において、前記未焼成導体層は、現像時に感光した部分が硬化するネガ型の感光性を有することを特徴とするセラミック多層配線基板の製造方法。
【００４３】
（２）上記手段１において、前記未焼成導体層は、現像時に感光した部分が溶解するポジ型の感光性を有することを特徴とするセラミック多層配線基板の製造方法。
【００４４】
（３）上記手段１において、前記未焼成導体層形成工程では、タングステンまたはモリブデンを主成分とする感光性メタライズペーストを、メタルマスクを介して前記セラミックグリーンシートの主面上に塗布することにより、前記未焼成導体層を形成することを特徴とするセラミック多層配線基板の製造方法。
【００４５】
（４）上記手段１において、前記露光現像工程では、フォトマスクを介して前記未焼成導体層を露光することを特徴とするセラミック多層配線基板の製造方法。
【００４６】
（５）上記手段１において、前記島状導体と前記プレーン状導体との隙間が５０μｍ以下であることを特徴とするセラミック多層配線基板の製造方法。
【００４７】
（６）上記手段１において、前記セラミックグリーンシートの焼結温度と前記未焼成導体層の焼結温度との差が１００℃以下であることを特徴とするセラミック多層配線基板の製造方法。
【００４８】
（７）上記手段１において、前記未焼成導体層の厚さが３０μｍ以下であることを特徴とするセラミック多層配線基板の製造方法。
【符号の説明】
【００４９】
１０…セラミック多層配線基板
３１，３２，３３…セラミック絶縁層
３７…ビア導体
４１，４２…内層電極
４５…未焼成導体層
５１…島状導体
５２…プレーン状導体
５３…ブリッジ部
６１，６２，６３…セラミックグリーンシート
６４…セラミックグリーンシートの主面
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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