(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
ダンパの伸側室内の圧力をフィードバックして当該伸側室内の圧力を調整する伸側ソレノイドバルブを制御するとともに、上記ダンパの圧側室内の圧力をフィードバックして当該圧側室内の圧力を調整する圧側ソレノイドバルブを制御するダンパ制御装置において、
上記ダンパの伸長時に上記圧側ソレノイドバルブに与える電流指令を低減する圧側低減補正を行うとともに、上記ダンパの収縮時に上記伸側ソレノイドバルブに与える電流指令を低減する伸側低減補正を行う
ことを特徴とするダンパ制御装置。
【請求項２】
上記伸側低減補正および上記圧側低減補正は、上記ダンパの伸縮速度に基づいて低減量を求め、上記電流指令から上記低減量を減じることで行う
ことを特徴とする請求項１に記載のダンパ制御装置。
【請求項３】
上記ダンパの伸縮速度の絶対値が所定の伸側速度閾値の絶対値未満である場合、上記伸側低減補正を行わず、上記ダンパの伸縮速度の絶対値が所定の圧側速度閾値の絶対値未満である場合、上記圧側低減補正を行わない
ことを特徴とする請求項２に記載のダンパ制御装置。
【請求項４】
上記圧側低減補正は、上記圧側ソレノイドバルブに対する電流指令を上記伸側ソレノイドバルブに対する電流指令に置き換えることで行い、
上記伸側低減補正は、上記伸側ソレノイドバルブに対する電流指令を上記圧側ソレノイドバルブに対する電流指令に置き換えることで行う
ことを特徴とする請求項１に記載のダンパ制御装置。
【請求項５】
上記伸側低減補正は、上記伸側ソレノイドバルブに対する電流指令が伸側電流指令閾値以上であって、上記伸側室内の圧力が伸側圧力閾値以下であると上記伸側低減補正を行い、
上記圧側低減補正は、上記圧側ソレノイドバルブに対する電流指令が圧側電流指令閾値以上であって、上記圧側室内の圧力が圧側圧力閾値以下であると上記圧側低減補正を行う
ことを特徴とする請求項４に記載のダンパ制御装置。
【請求項６】
上記伸側低減補正は、上記伸側ソレノイドバルブに対する電流指令が伸側電流指令閾値以上であって、上記伸側室内の圧力が伸側圧力閾値以下であり、且つ、上記圧側ソレノイドバルブに対する電流指令が圧側電流閾値以下となることを条件として実行し、
上記圧側低減補正は、上記圧側ソレノイドバルブに対する電流指令が圧側電流指令閾値以上であって、上記圧側室内の圧力が圧側圧力閾値以下であり、且つ、上記伸側ソレノイドバルブに対する電流指令が伸側電流閾値以下となることを条件として実行する
ことを特徴とする請求項４に記載のダンパ制御装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ダンパ制御装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
車両用に供されるダンパは、車両の車体と車輪との間に介装されて伸縮の際に減衰力を発揮することで車体および車輪の振動を抑制することができる。このダンパは、予め設定された減衰力特性（ダンパ速度に対してダンパが発生する減衰力の特性）にて減衰力を発揮するパッシブダンパの他に、より車両における乗り心地の向上と車体姿勢制御のために、減衰力を可変にするものがある。
【０００３】
減衰力を可変にするダンパには、たとえば、ダンパ内に設けた伸側室内の圧力を制御する伸側ソレノイドバルブと、ダンパ内に設けた圧側圧力室内の圧力を制御する圧側ソレノイドバルブとを備えたダンパ（たとえば、特許文献１参照）があり、これら伸側ソレノイドバルブおよび圧側ソレノイドバルブは、通常、ダンパ制御装置によって制御されてダンパが発揮する減衰力が制御される。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開平６−１７３９９６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
ところで、上記した従来のダンパを制御するには、伸側室と圧側室の圧力をモニタして、これら圧力をフィードバックすることで伸側ソレノイドバルブおよび圧側ソレノイドバルブに与える電流を調節して、伸側室と圧側室の圧力を目標圧に調節することで、ダンパが発揮する減衰力を制御する方法が考えられる。
【０００６】
この方法では、伸側ソレノイドバルブの制御に当たって伸側室の圧力をフィードバックする伸側のフィードバックループと、圧側ソレノイドバルブの制御に当たって圧側室の圧力をフィードバックする圧側のフィードバックループとが必要となる。
【０００７】
ダンパの伸長行程における減衰力は、伸側ソレノイドバルブの電流を調整して伸側室の圧力を調節することで制御されるのに対し、ダンパの収縮行程においては伸側ソレノイドバルブは圧側減衰力に寄与することはないものの、伸側フィードバックループへは伸長行程時における目標圧力が入力され続ける関係上、図６に示すように、ダンパの収縮行程時に電流指令が最大となってしまう。これは、ダンパの収縮行程時には伸側室内の圧力は低くなり、この低い圧力が伸長行程時における目標圧力とともに伸側フィードバックループに入力されるため、目標圧力と上記低い圧力の偏差が常に大きくなって電流指令が最大となってしまうのがその理由である。逆に、ダンパの伸長行程時には、同様の現象によって圧側ソレノイドバルブへ与える電流指令が最大となってしまう。
【０００８】
このように、減衰力の発生に寄与しない期間に合っても、伸側ソレノイドバルブおよび圧側ソレノイドバルブへ供給される電流が最大となってしまうため、電力消費が激しく、また、各ソレノイドバルブでの発熱量も多いので各ソレノイドバルブの推力を大きくすることが難しいといった問題がある。
【０００９】
そこで、本発明は、上記した問題を解決すべく創案されたものであって、その目的とするところは、省電力であって、より高い推力のソレノイドバルブを利用可能なダンパ制御装置を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
上記目的を達成するために、本発明の課題解決手段は、ダンパの伸側室内の圧力をフィードバックして当該伸側室内の圧力を調整する伸側ソレノイドバルブを制御するとともに、上記ダンパの圧側室内の圧力をフィードバックして当該圧側室内の圧力を調整する圧側ソレノイドバルブを制御するダンパ制御装置において、上記ダンパの伸長時に上記圧側ソレノイドバルブに与える電流指令を低減する圧側低減補正を行うとともに、上記ダンパの収縮時に上記伸側ソレノイドバルブに与える電流指令を低減する伸側低減補正を行うことを特徴とする。
【００１１】
本発明のダンパ制御装置では、伸側ソレノイドバルブと圧側ソレノイドバルブのうち、ダンパが発生する減衰力に影響を与えない一方へ供給する電流量を低減する。また、本発明のダンパ制御装置では、伸側ソレノイドバルブおよび圧側ソレノイドバルブへ供給する電流量を従来のダンパ制御装置に比較して少なくすることができるから、伸側ソレノイドバルブおよび圧側ソレノイドバルブにおけるソレノイドの発熱量を少なくすることができる。
【発明の効果】
【００１２】
以上より、本発明のダンパ制御装置によれば、省電力であって、より高い推力のソレノイドバルブを利用することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
【図１】一実施の形態におけるダンパ制御装置の概略構成図である。
【図２】ダンパの回路構成図である。
【図３】一実施の形態におけるダンパ制御装置の制御ブロック図である。
【図４】一実施の形態におけるダンパ制御装置の処理手順を示すフローチャートである。
【図５】一実施の形態におけるダンパ装置による電流指令波形を示す図である。
【図６】従来のダンパ制御装置による電流指令波形の一例を示す図である。
【図７】従来のダンパ制御装置によるダンパ速度、伸側室の圧力および圧側室の圧力の推移を示した図である。
【発明を実施するための形態】
【００１４】
以下、図に示した実施の形態に基づき、本発明を説明する。一実施の形態におけるダンパ制御装置１は、図１および図２に示すように、この例では、車両におけるばね上部材Ｂとばね下部材Ｗとの間に介装されるダンパＤにおける減衰力を制御するようになっており、ダンパＤ内の伸側室Ｒ１の圧力を検知する伸側圧力センサ２と、ダンパＤ内の圧側室Ｒ２の圧力を検知する圧側圧力センサ３と、ダンパＤの伸縮速度Ｖｄを検知する速度センサ４と、伸側圧力センサ２で得た圧力と圧側圧力センサ３で得た圧力と速度センサ４で検知した伸縮速度Ｖｄとに基づいてダンパＤ内に設けた伸側ソレノイドバルブＳ１および圧側ソレノイドバルブＳ２を制御する制御部Ｃとを備えている。
【００１５】
以下、各部について説明する。ダンパＤは、たとえば、図２に示すように、シリンダ１１と、シリンダ１１内に摺動自在に挿入されるピストン１２と、シリンダ１１内に移動自在に挿入されてピストン１２に連結されるピストンロッド１３と、シリンダ１１内にピストン１２で区画されて流体が充填される伸側室Ｒ１および圧側室Ｒ２と、リザーバＲと、伸側室Ｒ１と圧側室Ｒ２とを連通する通路１４，１５と、伸側室Ｒ１とリザーバＲとを連通する通路１６，１７と、圧側室Ｒ２とリザーバＲとを連通する通路１８，１９，２０と、上記通路１４に設けられて伸側室Ｒ１から圧側室Ｒ２へ向かう流体の流れに抵抗を与える伸側減衰弁２１と、上記通路１５に設けられて圧側室Ｒ２から伸側室Ｒ１へ向かう流体の流れに抵抗を与える圧側副減衰弁２２と、上記通路１６に設けられてリザーバＲから伸側室Ｒ１へ向かう流体の流れのみを許容する伸側チェック弁２３と、上記通路１７の途中に設けられて伸側室Ｒ１からリザーバＲへ向かう流体の流れに抵抗を与える伸側ソレノイドバルブＳ１と、上記通路１８に設けられてリザーバＲから圧側室Ｒ２へ向かう流体の流れのみを許容する圧側チェック弁２４と、上記通路１９に設けられて圧側室Ｒ２からリザーバＲへ向かう流体の流れに抵抗を与える圧側減衰弁２５と、上記通路２０に設けられて圧側室Ｒ２からリザーバＲへ向かう流体の流れに抵抗を与える圧側ソレノイドバルブＳ２とを備えて構成されている。なお、流体には、作動油のほか、水、水溶液、気体を利用することができる。
【００１６】
そして、このように構成されたダンパＤの伸長行程時には、ピストン１２によって圧縮される伸側室Ｒ１の圧力が上昇して、流体は、伸側室Ｒ１から伸側減衰弁２１を通じて圧側室Ｒ２へ移動し、また、伸側ソレノイドバルブＳ１を通じてリザーバＲへ排出される。圧側室Ｒ２はピストン１２の移動によって容積拡大し、圧側室Ｒ２内には、伸側室Ｒ１から流体が流入するとともに、圧側チェック弁２４が開いてリザーバＲから不足する流体が供給される。よって、圧側室Ｒ２内の圧力はリザーバ圧となり、ダンパＤは、伸側室Ｒ１と圧側室Ｒ２の差圧に見合った伸側減衰力を発揮して自身の伸長を抑制する。そして、伸側ソレノイドバルブＳ１の開弁圧を調節することで、伸側室Ｒ１内の圧力を調節することができるので、ダンパＤの伸側減衰力を制御することができる。
【００１７】
他方、ダンパＤの収縮行程時には、ピストン１２によって圧縮される圧側室Ｒ２の圧力が上昇して、流体は、圧側室Ｒ２から圧側副減衰弁２２を通じて伸側室Ｒ１へ移動し、また、圧側ソレノイドバルブＳ２および圧側減衰弁２５を通じてリザーバＲへ排出される。伸側室Ｒ１はピストン１２の移動によって容積拡大し、伸側室Ｒ１内には圧側室Ｒ２から流体が流入するとともに、伸側チェック弁２３が開いてリザーバＲからも流体が供給される。この場合は、伸側室Ｒ１内の圧力はリザーバ圧となり、ダンパＤは、圧側室Ｒ２と伸側室Ｒ１の差圧に見合った圧側減衰力を発揮して自身の伸長を抑制する。そして、圧側ソレノイドバルブＳ２の開弁圧を調節することで、圧側室Ｒ２内の圧力を調節することができるので、ダンパＤの圧側減衰力を制御することができる。
【００１８】
伸側圧力センサ２は、伸側室Ｒ１内の圧力を検知するようになっており、通路１７の伸側ソレノイドバルブＳ１よりも伸側室Ｒ１側に設けられている。伸側圧力センサ２の設置箇所は、上記に限られるものでなく、シリンダ１１に取り付けて直接に伸側室Ｒ１内の圧力を検知するようにしてもよい。圧側圧力センサ３は、圧側室Ｒ２内の圧力を検知するようになっており、通路２０の圧側ソレノイドバルブＳ２よりも圧側室Ｒ２側に設けられている。圧側圧力センサ３の設置箇所は、上記に限られるものでなく、シリンダ１１に取り付けて直接に圧側室Ｒ２内の圧力を検知するようにしてもよい。
【００１９】
速度センサ４は、この例では、ダンパＤの伸縮変位を検知するストロークセンサ２７と、ストロークセンサ２７で検知したダンパＤの伸縮変位を微分してダンパＤの伸縮速度Ｖｄを求める微分器２８とで構成されている。速度センサ４は、ばね上部材Ｂとばね下部材Ｗの上下方向の加速度を検知して、積分してばね上部材Ｂの上下方向速度とばね下部材Ｗの上下方向速度を得て、ばね上部材Ｂの上下方向速度からばね下部材Ｗの上下方向速度を差し引きすることでダンパＤの伸縮速度Ｖｄを求めるようにしてもよい。
【００２０】
伸側ソレノイドバルブＳ１は、ソレノイドで弁体を駆動する電磁式弁等とされ、弁体に上流側の圧力を開弁させる方向に作用させるようにしてあって、ソレノイドの弁体を閉弁方向に推す推力に対して上記圧力による開弁方向の力が打ち勝つと開弁して通路１７を開放するようになっている。よって、この伸側ソレノイドバルブＳ１の開弁圧は、ソレノイドへ供給する電流量によって決定され、この場合、電流量の増加に対して開弁圧もそれに応じて大きくなるようになっている。なお、伸側ソレノイドバルブＳ１が設けられる通路１７には、伸側室Ｒ１からリザーバＲへ向かう流体の流れのみを許容する逆止弁１７ａが設けられており、通路１７が逆止弁１７ａによって一方通行の通路として機能するようになっているが、伸側ソレノイドバルブＳ１が逆止弁として機能するのであれば逆止弁１７ａを廃止することができる。
【００２１】
圧側ソレノイドバルブＳ２にあっても、伸側ソレノイドバルブＳ１と同様に、ソレノイドで弁体を駆動する電磁式弁等とされ、弁体に上流側の圧力を開弁させる方向に作用させるようにしてあって、ソレノイドの弁体を閉弁方向に推す推力に対して上記圧力による開弁方向の力が打ち勝つと開弁して通路２０を開放するようになっている。よって、この圧側ソレノイドバルブＳ２の開弁圧は、ソレノイドへ供給する電流量によって決定され、この場合、電流量の増加に対して開弁圧もそれに応じて大きくなるようになっている。なお、圧側ソレノイドバルブＳ２が設けられる通路２０には、圧側室Ｒ２からリザーバＲへ向かう流体の流れのみを許容する逆止弁２０ａが設けられており、通路２０が逆止弁２０ａによって一方通行の通路として機能するようになっているが、圧側ソレノイドバルブＳ２が逆止弁として機能するのであれば逆止弁２０ａを廃止することができる。
【００２２】
なお、ダンパＤの回路構成は、一例であって上記に限定されるものではなく、伸側ソレノイドバルブＳ１によって伸側室Ｒ１の圧力の制御が可能であって、圧側ソレノイドバルブＳ２によって圧側室Ｒ２の圧力の制御が可能であれば上記回路構成に限定されるものではなく、他の回路構成を採用することができる。
【００２３】
制御部Ｃは、図３に示すように、車両の姿勢制御を司る図示しない上位の制御装置から入力される減衰力指令から伸側室Ｒ１と圧側室Ｒ２内の目標圧力を求める圧力指令演算部３１と、圧力指令演算部３１から入力される伸側室Ｒ１の目標圧力Ｐ１と伸側圧力センサ２で検知した圧力Ｐｅとの偏差εｅを求める伸側偏差演算部３２と、伸側偏差演算部３２で求めた偏差εｅから電流指令Ｉｅを求める伸側補償部３３と、圧力指令演算部３１から入力される圧側室Ｒ２の目標圧力Ｐ２と圧側圧力センサ３で検知した圧力Ｐｃとの偏差εｃを求める圧側偏差演算部３４と、圧側偏差演算部３４で求めた偏差εｃから電流指令Ｉｃを求める圧側補償部３５と、伸側補償部３３で求めた電流指令Ｉｅを補正して伸側ソレノイドバルブＳ１へ与える最終的な電流指令Ｉｅ＊を求める伸側低減補正部３６と、電流指令Ｉｅ＊の入力を受けて伸側ソレノイドバルブＳ１のソレノイドへ電流指令Ｉｅ＊通りに電流を供給する伸側ドライバ３７と、圧側補償部３５で求めた電流指令Ｉｃを補正して圧側ソレノイドバルブＳ２へ与える最終的な電流指令Ｉｃ＊を求める圧側低減補正部３８と、電流指令Ｉｃ＊の入力を受けて圧側ソレノイドバルブＳ２のソレノイドへ電流指令Ｉｃ＊通りに電流を供給する圧側ドライバ３９を備えて構成されている。
【００２４】
圧力指令演算部３１は、上記したように、図示しない上位の制御装置から入力される減衰力指令から伸側室Ｒ１と圧側室Ｒ２内の目標圧力Ｐ１，Ｐ２を求める。上記した上位の制御装置は、たとえば、車両のばね上部材の速度や加速度といった振動情報等からダンパＤが出力すべき減衰力を求める。圧力指令演算部３１は、減衰力指令から伸側室Ｒ１の目標圧力Ｐ１と圧側室Ｒ２の目標圧力Ｐ２を求めて出力する。
【００２５】
伸側偏差演算部３２は、圧力指令演算部３１から入力される伸側室Ｒ１の目標圧力Ｐ１と伸側圧力センサ２で検知した圧力Ｐｅとの偏差εｅを求めて、伸側補償部３３へ入力する。
【００２６】
伸側補償部３３は、伸側偏差演算部３２で求めた偏差εｅから電流指令Ｉｅを求める。具体的には、伸側補償部３３は、偏差εｅに比例ゲインを乗じて得た結果と、偏差εｅを積分した値に積分ゲインを乗じて得た結果を加算して電流指令Ｉｅを求める。つまり、この例では、伸側補償部３３は、偏差εｅの入力に対して比例積分動作を行う比例積分補償器とされている。伸側補償部３３は、比例積分動作だけではなく、これに加えて微分動作を行う比例積分微分補償器とされてもよい。
【００２７】
圧側偏差演算部３４は、圧力指令演算部３１から入力される圧側室Ｒ２の目標圧力Ｐ２と圧側圧力センサ３で検知した圧力Ｐｃとの偏差εｃを求めて、圧側補償部３５へ入力する。
【００２８】
圧側補償部３５は、圧側偏差演算部３４で求めた偏差εｃから電流指令Ｉｃを求める。具体的には、圧側補償部３５は、偏差εｃに比例ゲインを乗じて得た結果と、偏差εｃを積分した値に積分ゲインを乗じて得た結果を加算して電流指令Ｉｃを求める。つまり、この例では、圧側補償部３５も伸側補償部３３と同様に、偏差εｃの入力に対して比例積分動作を行う比例積分補償器とされている。圧側補償部３５は、比例積分動作だけではなく、これに加えて微分動作を行う比例積分微分補償器とされてもよい。また、伸側補償部３３および圧側補償部３５については、作動油の圧縮性や各部の質量を考慮して理論的に設計してもよい。
【００２９】
伸側低減補正部３６は、速度センサ４から入力されるダンパＤの伸縮速度Ｖｄに基づいて伸側ソレノイドバルブＳ１へ与える電流指令Ｉｅを補正する。具体的には、伸側低減補正部３６は、ダンパＤの伸縮速度Ｖｄに従って低減量Ｍｅを求め、電流指令Ｉｅから低減量Ｍｅを差し引いて伸側ソレノイドバルブＳ１へ与える最終的な電流指令Ｉｅ＊を求める。
【００３０】
低減量Ｍｅは、伸縮速度ＶｄがダンパＤが伸長行程時を示す負の値である場合および伸縮速度ＶｄがダンパＤが収縮行程時を示す正の値であって伸側速度閾値αｅ未満の場合に０とされ、伸縮速度Ｖｄが正の値であって伸側速度閾値αｅ以上の場合には、伸縮速度Ｖｄの絶対値にゲインβｅを乗じて求められる。つまり、伸縮速度Ｖｄが正の値であって伸側速度閾値αｅ以上の場合には、Ｍｅ＝｜Ｖｄ｜・βｅを演算することで低減量Ｍｅを求め、それ以外の場合では、低減量Ｍｅは０とされる。
【００３１】
そして、伸側低減補正部３６は、このようにして得た低減量Ｍｅを利用し、電流指令Ｉｅ＊＝Ｉｅ−Ｍｅを演算して電流指令Ｉｅ＊を伸側ドライバ３７へ出力する。
【００３２】
したがって、伸側低減補正部３６が実質的に電流指令Ｉｅを低減する補正は、ダンパＤが所定の伸側速度閾値αｅ以上の速度で収縮している場合に行われる。換言すれば、ダンパＤが収縮しており、伸縮速度Ｖｄの絶対値が伸側速度閾値αｅの絶対値以上である場合に伸側低減補正部３６による電流指令Ｉｅの低減補正がなされ、伸縮速度Ｖｄの絶対値が伸側速度閾値αｅの絶対値未満である場合には、低減補正は行われない。
【００３３】
つまり、伸側室Ｒ１の容積が拡大しており、目標圧力Ｐ１通りに伸側室Ｒ１内の圧力を制御できない状況にあるときに、伸側低減補正部３６が実質的に電流指令Ｉｅを低減する。伸側低減補正部３６は、上記状況において電流指令Ｉｅを低減する補正を行えばよいので、常に低減量Ｍｅを求めるのではなく、低減補正が必要なときにのみ低減量Ｍｅを求めて電流指令Ｉｅを補正するような制御手順を採用することも当然に可能である。
【００３４】
なお、低減量Ｍｅの演算に際して、予めダンパＤの伸縮速度Ｖｄをパラメータとして低減量Ｍｅを求めるマップを用意しておき、マップ演算によって低減量Ｍｅを求めることも可能である。
【００３５】
伸側ドライバ３７は、たとえば、図示はしないが、ＰＷＭ駆動回路と電流ループとを備えており、伸側ソレノイドバルブＳ１のソレノイドに流れる電流を検知して、入力される電流指令Ｉｅ＊に対して当該電流をフィードバックして、ソレノイドに流れる電流を電流指令Ｉｅ＊通りに制御するようになっている。
【００３６】
圧側低減補正部３８は、速度センサ４から入力されるダンパＤの伸縮速度Ｖｄに基づいて圧側ソレノイドバルブＳ２へ与える電流指令Ｉｃを補正する。具体的には、圧側低減補正部３８は、ダンパＤの伸縮速度Ｖｄに従って低減量Ｍｃを求め、電流指令Ｉｃから低減量Ｍｃを差し引いて圧側ソレノイドバルブＳ２へ与える最終的な電流指令Ｉｃ＊を求める。
【００３７】
低減量Ｍｃは、伸縮速度ＶｄがダンパＤが収縮行程時を示す正の値である場合および伸縮速度ＶｄがダンパＤが伸長行程時を示す負の値であって圧側速度閾値αｃより大きい場合に０とされ、伸縮速度Ｖｄが負の値であって圧側速度閾値αｃ以下の場合には、伸縮速度Ｖｄの絶対値にゲインβｃを乗じて求められる。つまり、伸縮速度Ｖｄが負の値であって圧側速度閾値αｃ以下の場合には、Ｍｃ＝｜Ｖｄ｜・βｃを演算することで低減量Ｍｃを求め、それ以外の場合では、低減量Ｍｃは０とされる。なお、伸側速度閾値αｅと圧側速度閾値αｃは、任意に決定することができ、これらの値を同じ値に設定することもできるし、異なる値に設定するようにしてもよいが、０に近い値、車両が二輪車である場合、たとえば、絶対値で０．５ｍ／ｓ以下に設定される。
【００３８】
そして、圧側低減補正部３８は、このようにして得た低減量Ｍｃを利用し、電流指令Ｉｃ＊＝Ｉｃ−Ｍｃを演算して電流指令Ｉｃ＊を圧側ドライバ３９へ出力する。
【００３９】
したがって、圧側低減補正部３８が実質的に電流指令Ｉｃを低減する補正は、ダンパＤが所定の圧側速度閾値αｃ以下の速度で伸長している場合に行われる。換言すれば、ダンパＤが伸長しておりその伸縮速度Ｖｄの絶対値が圧側速度閾値αｃの絶対値以上である場合に圧側低減補正部３８による電流指令Ｉｃの低減補正がなされる。
【００４０】
つまり、圧側室Ｒ２の容積が拡大しており、目標圧力Ｐ２通りに圧側室Ｒ２内の圧力を制御できない状況にあるときに、圧側低減補正部３８が実質的に電流指令Ｉｃを低減する。圧側低減補正部３８は、上記状況において電流指令Ｉｃを低減する補正を行えばよいので、常に低減量Ｍｃを求めるのではなく、低減補正が必要なときにのみ低減量Ｍｃを求めて電流指令Ｉｃを補正するような制御手順を採用することも当然に可能である。
【００４１】
なお、低減量Ｍｃの演算に際して、予めダンパＤの伸縮速度Ｖｄをパラメータとして低減量Ｍｃを求めるマップを用意しておき、マップ演算によって低減量Ｍｃを求めることも可能である。
【００４２】
圧側ドライバ３９は、たとえば、図示はしないが、ＰＷＭ駆動回路と電流ループとを備えており、圧側ソレノイドバルブＳ２のソレノイドに流れる電流を検知して、入力される電流指令Ｉｃ＊に対して当該電流をフィードバックして、ソレノイドに流れる電流を電流指令Ｉｃ＊通りに制御するようになっている。
【００４３】
他方、制御部Ｃにおける電流指令Ｉｅ＊，Ｉｃ＊を求めるには、図４に示したフローチャートの一例のようになる。まず、制御部Ｃは、ダンパＤの伸縮速度Ｖｄと上位の制御装置から入力される減衰力指令を読み込む（ステップＦ１）。制御部Ｃは、減衰力指令から伸側室Ｒ１と圧側室Ｒ２内の目標圧力Ｐ１，Ｐ２を求める（ステップＦ２）。つづいて、制御部Ｃは、目標圧力Ｐ１と伸側圧力センサ２で検知した圧力Ｐｅとの偏差εｅを求めるとともに、目標圧力Ｐ２と圧側圧力センサ３で検知した圧力Ｐｃとの偏差εｃを求める（ステップＦ３）。さらに、制御部Ｃは、偏差εｅ，εｃから電流指令Ｉｅ，Ｉｃを求める（ステップＦ４）。そして、制御部Ｃは、ダンパＤの伸縮速度Ｖｄから低減量Ｍｅ，Ｍｃを求める（ステップＦ５）。つぎに、制御部Ｃは、電流指令Ｉｅ，Ｉｃから低減量Ｍｅ，Ｍｃを差し引いて電流指令Ｉｅ＊，Ｉｃ＊を求める（ステップＦ６）。最後に、制御部Ｃは、伸側ソレノイドバルブＳ１および圧側ソレノイドバルブＳ２へ電流指令Ｉｅ＊，Ｉｃ＊を出力する（ステップＦ７）。制御部Ｃは、以上の処理手順を繰り返し実行することで、伸側ソレノイドバルブＳ１および圧側ソレノイドバルブＳ２を制御する。
【００４４】
ダンパ制御装置１は、上述のように、伸側圧力センサ２、圧側圧力センサ３および速度センサ４がそれぞれ検出した圧力Ｐｅ，Ｐｃ、伸縮速度Ｖｄから電流指令Ｉｅ＊，Ｉｃ＊を求め、この電流指令Ｉｅ＊，Ｉｃ＊をそれぞれ伸側ソレノイドバルブＳ１および圧側ソレノイドバルブＳ２へ出力するようになっており、ハードウェア資源としては、図示はしないが具体的にはたとえば、伸側圧力センサ２、圧側圧力センサ３および速度センサ４が出力する信号を取り込むためのＡ／Ｄ変換器と、上記した制御に必要な処理に使用されるプログラムが格納されるＲＯＭ（Ｒｅａｄ  Ｏｎｌｙ  Ｍｅｍｏｒｙ）等の記憶装置と、上記プログラムに基づいた処理を実行するＣＰＵ（Ｃｅｎｔｒａｌ  Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ  Ｕｎｉｔ）などの演算装置と、上記ＣＰＵに記憶領域を提供するＲＡＭ（Ｒａｎｄｏｍ  Ａｃｃｅｓｓ  Ｍｅｍｏｒｙ）等の記憶装置とを備えて構成されればよく、ＣＰＵが上記プログラムを実行することで上記制御部Ｃの各部が実現される。なお、本実施の形態では、速度センサ４における微分器２８は、制御部Ｃに統合することも可能である。また、上位の制御装置についても制御部Ｃに統合することも可能である。
【００４５】
そして、本発明におけるダンパ制御装置１にあっては、ダンパＤの伸長時にあっては、伸側室Ｒ１の圧力Ｐｅが目標圧力Ｐ１通りになるように電流指令Ｉｅを低減する補正を行うことなく最終の電流指令Ｉｅ＊を伸側ソレノイドバルブＳ１に与えてダンパＤの伸側の減衰力を制御することができる一方、圧側ソレノイドバルブＳ２に与える電流指令Ｉｃ＊を低減する圧側低減補正を行うので、図５に示すように、ダンパＤの伸長時にあって伸側の減衰力に影響を与えない圧側ソレノイドバルブＳ２に対しては供給電流を低減することができる。逆に、ダンパＤの収縮時にあっては、圧側室Ｒ２の圧力Ｐｃが目標圧力Ｐ２通りになるように電流指令Ｉｃを低減する補正を行うことなく最終の電流指令Ｉｃ＊を圧側ソレノイドバルブＳ２に与えてダンパＤの圧側の減衰力を制御することができる一方、伸側ソレノイドバルブＳ１に与える電流指令Ｉｅ＊を低減する伸側低減補正を行うので、図５に示すように、ダンパＤの収縮時にあって圧側の減衰力に影響を与えない伸側ソレノイドバルブＳ１に対しては供給電流を低減することができる。
【００４６】
したがって、本発明のダンパ制御装置１では、伸側ソレノイドバルブＳ１と圧側ソレノイドバルブＳ２のうち、ダンパＤが発生する減衰力に影響を与えない一方へ供給する電流量を低減することができ、省電力となる。さらに、伸側ソレノイドバルブＳ１および圧側ソレノイドバルブＳ２へ供給する電流量を従来のダンパ制御装置に比較して少なくすることができるから、伸側ソレノイドバルブＳ１および圧側ソレノイドバルブＳ２におけるソレノイドの発熱量を少なくすることができ、上記伸側ソレノイドバルブＳ１および圧側ソレノイドバルブＳ２の推力を高出力化することができる。以上より、本発明のダンパ制御装置１によれば、省電力であって、より高い推力のソレノイドバルブＳ１，Ｓ２を利用可能となる。
【００４７】
また、伸側低減補正および圧側低減補正をダンパＤの伸縮速度に基づいて低減量Ｍｅ，Ｍｃを求め、電流指令Ｉｅ，Ｉｃから低減量Ｍｅ，Ｍｃを減じることで行うようすることで、ダンパＤの伸縮速度Ｖｄが低く、伸長と収縮の入れ替わりが短時間に繰返されるような場合には、伸側ソレノイドバルブＳ１および圧側ソレノイドバルブＳ２へ供給する電流の低減量Ｍｅ，Ｍｃを小さくすることができ、ダンパＤの伸縮の切換りにおいてダンパＤの減衰力発生応答性の悪化を招くことがないため、ダンパ制御装置１によれば車両の乗り心地を良好に保つことができる。
【００４８】
さらに、ダンパ制御装置１は、伸縮速度の絶対値｜Ｖｄ｜が所定の伸側速度閾値αｅ未満である場合には伸側低減補正を行わず、伸縮速度の絶対値｜Ｖｄ｜が所定の圧側速度閾値αｃ未満である場合には圧側低減補正を行わないようになっているため、ダンパＤの伸縮速度Ｖｄが低くて伸長と収縮の入れ替わりが予想される場合には、伸側ソレノイドバルブＳ１および圧側ソレノイドバルブＳ２へ供給する電流の低減量Ｍｅ，Ｍｃを小さくすることができ、ダンパＤの伸縮の切換りにおいてダンパＤの減衰力発生応答性を悪化させることが無いので、ダンパ制御装置１によれば車両の乗り心地を良好に保つことができる。つまり、ダンパＤの伸縮速度Ｖｄに伸側低減補正および圧側低減補正を行わない不感帯を設けることで、車両の乗り心地を良好に保つ制御を実施することができる。
【００４９】
なお、上記したところでは、ダンパＤの伸縮速度Ｖｄによって伸側低減補正と圧側低減補正の要否を判断するようにしていたが、ダンパＤが伸長行程において伸側室Ｒ１内の圧力を一定に制御しようとする場合、図６に示すように、伸側ソレノイドバルブＳ１の電流は、ダンパＤの伸縮速度の絶対値が低い状態では大きく、伸縮速度の絶対値が高い状態では小さくなる。また、ダンパＤが収縮する行程では、電流指令を低減しないと伸側ソレノイドバルブＳ１に与えられる電流指令は最大となる。さらに、ダンパＤが収縮する行程にあっては、伸側ソレノイドバルブＳ１へ電流供給量によらず、伸側室Ｒ１内の圧力はリザーバ圧となる。
【００５０】
つまり、本実施の形態におけるダンパ制御装置１にあって、ダンパＤが収縮する行程にあると伸側室Ｒ１内の圧力がリザーバ圧となり、伸側室Ｒ１内の圧力をリザーバ圧以上にする電流指令Ｉｅが入ると制御偏差が大きくなり、伸側低減補正を行う前の電流指令Ｉｅが非常に大きな値となるため、上記伸側低減補正を行う前の電流指令Ｉｅが最大値近傍の値となっており、伸側室Ｒ１内の圧力Ｐｅがリザーバ圧となっていることを条件とすれば、ダンパＤが収縮行程にあることを判断することができる。電流指令Ｉｅが最大値近傍の値となっているか否かは、たとえば、所定の伸側電流指令閾値を設けて、電流指令Ｉｅが伸側電流指令閾値以上であるか否かで判断すればよく、伸側室Ｒ１内の圧力Ｐｅがリザーバ圧となっているか否かについても伸側圧力閾値を設けて、伸側室Ｒ１内の圧力Ｐｅが伸側圧力閾値以下であるか否かで判断すればよい。
【００５１】
同様に、ダンパＤが伸長する行程にあると、圧側室Ｒ２内の圧力がリザーバ圧となり、圧側室Ｒ２内の圧力をリザーバ圧以上にする電流指令Ｉｃが入ると制御偏差が大きくなり、圧側低減補正を行う前の電流指令Ｉｃが非常に大きな値となるため、上記圧側低減補正を行う前の電流指令Ｉｃが最大値近傍の値となっており、圧側室Ｒ２内の圧力Ｐｃがリザーバ圧となっていることを条件とすれば、ダンパＤが伸長行程にあることを判断することができる。電流指令Ｉｃが最大値近傍の値となっているか否かは、たとえば、所定の圧側電流指令閾値を設けて、電流指令Ｉｃが圧側電流指令閾値以上であるか否かで判断すればよく、圧側室Ｒ２内の圧力Ｐｃがリザーバ圧となっているか否かについても圧側圧力閾値を設けて、圧側室Ｒ２内の圧力Ｐｅが圧側圧力閾値以下であるか否かで判断すればよい。
【００５２】
したがって、速度センサ４を用いずに、ダンパＤの伸縮状況を把握することができ、ダンパＤの伸長行程時にあっては、ダンパＤの伸縮速度Ｖｄに応じて低減量Ｍｃを求めるのではなく、圧側ソレノイドバルブＳ２へ与える電流指令Ｉｃを伸側ソレノイドバルブＳ１へ与える電流指令Ｉｅ＊と同じにするか、或いは、電流指令Ｉｅ＊に、適宜、ゲインｋ１を乗じて求めるようにしてもよい。つまり、この場合、圧側ソレノイドバルブＳ２へ与える最終的な電流指令Ｉｃ＊を電流指令Ｉｃ＊＝Ｉｅ＊或いは電流指令Ｉｃ＊＝Ｉｅ＊・ｋ１を演算して求めるようにすれば、ダンパＤの伸側の減衰力に寄与しない圧側ソレノイドバルブＳ２へ与える電流指令Ｉｃ＊を伸縮速度Ｖｄによって低減量Ｍｃを求めた場合と略同様に低減することができる。同様に、ダンパＤの収縮行程時にあっては、ダンパＤの伸縮速度Ｖｄに応じて低減量Ｍｅを求めるのではなく、伸側ソレノイドバルブＳ１へ与える電流指令Ｉｅを圧側ソレノイドバルブＳ２へ与える電流指令Ｉｃ＊と同じするか、或いは、電流指令Ｉｃ＊に、適宜、ゲインｋ２を乗じて求めるようにしてもよい。つまり、この場合、伸側ソレノイドバルブＳ１へ与える最終的な電流指令Ｉｅ＊を電流指令Ｉｅ＊＝Ｉｃ＊或いは電流指令Ｉｅ＊＝Ｉｃ＊・ｋ２を演算して求めるようにすれば、ダンパＤの圧側の減衰力に寄与しない伸側ソレノイドバルブＳ１へ与える電流指令Ｉｅ＊を伸縮速度Ｖｄによって低減量Ｍｅを求めた場合と略同様に低減することができる。この場合、ダンパＤが収縮行程から伸長行程へ移行して伸長側への伸縮速度の絶対値｜Ｖｄ｜が高くなると、電流指令Ｉｅ＊が低くなるために、電流指令Ｉｅ＊が所定の伸側電流閾値Ｉｅｒｅｆ以下となることの条件を加味して圧側低減補正を行うようにし、さらには、ダンパＤが伸長行程から収縮行程へ移行して収縮側への伸縮速度の絶対値｜Ｖｄ｜が高くなると、電流指令Ｉｃ＊が低くなるために、電流指令Ｉｃ＊が所定の圧側電流閾値Ｉｃｒｅｆ以下となることの条件を加味して伸側低減補正を行うようにすれば、ダンパＤの伸縮速度Ｖｄに伸側低減補正および圧側低減補正を行わない不感帯を設けることができて、車両の乗り心地を良好に保つ制御を実施することができる。
【００５３】
伸側ソレノイドバルブＳ１および圧側ソレノイドバルブＳ２のそれ自体がダンパ速度に依存したオーバーライドが重畳されるようなダンパ速度−圧力特性を備えている場合や、上記した実施の形態のように、伸側ソレノイドバルブＳ１および圧側ソレノイドバルブＳ２にパッシブな伸側減衰弁２１や圧側減衰弁２５、圧側副減衰弁２２を並列させて、バルブ全体としての伸縮速度−圧力の特性が伸縮速度Ｖｄに依存したオーバーライドが重畳される特性となっている場合には、伸側室Ｒ１内および圧側室Ｒ２内の圧力を一定に制御しようとする場合、図７に示すように、伸縮速度Ｖｄの絶対値が大きくなると、圧力上昇が｜Ｖｄ｜に依存して増加していく傾向がみられるため、伸側室Ｒ１の圧力Ｐｅと圧側室Ｒ２の圧力Ｐｃに対して閾値を設けて、これら圧力Ｐｅ，Ｐｃが閾値を超えることを条件に伸側低減補正と圧側低減補正を行うようにしてもよい。また、この場合においても、ダンパＤの伸縮状況を把握することができるので、速度センサ４を用いずに、電流指令Ｉｅ，Ｉｃを用いて低減量Ｍｅ，Ｍｃを求めることも可能である。
【００５４】
さらに、伸側ソレノイドバルブＳ１および圧側ソレノイドバルブＳ２が電気的な圧力補償を必要としないで、開弁圧と電流が比例するオーバーライドの無い完全に近い圧力制御弁である場合、これら伸側ソレノイドバルブＳ１および圧側ソレノイドバルブＳ２に供給している電流量が過大になることもないが、伸側圧力センサ２および圧側圧力センサ３を廃止して、速度センサ４で検知するダンパ速度Ｖｄのみを使って省電力を実現することも可能である。
【００５５】
以上で、本発明の実施の形態についての説明を終えるが、本発明の範囲は図示されまたは説明された詳細そのものには限定されないことは勿論である。
【符号の説明】
【００５６】
１  ダンパ制御装置
２  伸側圧力センサ
３  圧側圧力センサ
Ｃ  制御部
Ｄ  ダンパ
Ｒ１  伸側室
Ｒ２  圧側室
Ｓ１  伸側ソレノイドバルブ
Ｓ２  圧側ソレノイドバルブ
Ｖｄ  伸縮速度
【図１】
0006349182.tif 000002
【図２】
0006349182.tif 000003
【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
0006349182.tif 000007
【図７】
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