(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
システムであって、
プラズマチャンバの電極に接続された第１発生器であって、第１高周波信号を前記電極に供給するための第１電源と、パルス信号が第１の状態にある時に第１の第１周波数入力を前記第１電源に提供するための第１の第１自動周波数制御部と、前記パルス信号が第２の状態にある時に第２の第１周波数入力を前記第１電源に提供するための第２の第１自動周波数制御部と、を含み、前記第１の状態はオン状態であり、前記第２の状態はオフ状態である、第１発生器と、
前記電極に接続された第２発生器であって、第２高周波信号を前記電極に供給するための第２電源であって、前記第１高周波信号は、前記第２高周波信号より低い周波数を有する、第２電源と、前記パルス信号が前記第１の状態である時に、前記プラズマチャンバ内のプラズマのインピーダンスの変化に応答することなく、第１の第２周波数入力を前記第２電源に提供するための第１の第２自動周波数制御部と、前記パルス信号が前記第２の状態である時に、前記プラズマチャンバ内のプラズマのインピーダンスの変化に応答することなく、第２の第２周波数入力を前記第２電源に提供するための第２の第２自動周波数制御部と、を含み、前記第１の第２周波数入力と前記第２の第２周波数入力は、トレーニングルーチンにおいてプラズマの前記インピーダンスの変化に応じた周波数からあらかじめ定められている、第２発生器と、
前記パルス信号を生成するためのデジタルパルス源と、
を備える、システム。
【請求項２】
請求項１に記載のシステムであって、
前記第２発生器は、デジタル信号プロセッサから受信した前記第１の第２周波数入力または前記第２の第２周波数入力を前記第２電源に転送するためのセレクタを含む、システム。
【請求項３】
システムであって、
基板を支持するための表面を有する下側電極と、前記下側電極の上に配置された上側電極と、を含むプラズマチャンバであって、前記上側電極は電気的に接地されている、プラズマチャンバと、
前記下側電極に接続された第１発生器であって、第１高周波信号を前記下側電極に供給するための第１電源を含む、第１発生器と、
前記下側電極に接続された第２発生器であって、第２高周波信号を前記下側電極に供給するための第２電源を含み、前記第１高周波信号は、前記第２高周波信号より低い周波数を有する、第２発生器と、
パルス信号を生成するためのデジタルパルス源であって、前記第１発生器および前記第２発生器に接続され、前記パルス信号は、第１の状態と第２の状態を含む２つの状態の間を移行する、デジタルパルス源と、
を備え、
前記第１発生器は、前記パルス信号が第１の状態にある時に第１の第１周波数入力を前記第１電源に提供するための第１の第１自動周波数制御部と、前記パルス信号が第２の状態にある時に第２の第１周波数入力を前記第１電源に提供するための第２の第１自動周波数制御部と、を含み、前記第１の状態はオン状態であり、前記第２の状態はオフ状態であり、
前記第２発生器は、前記パルス信号が前記第１の状態にある時に第１の第２周波数入力を前記第２電源に提供するための第１の第２自動周波数制御部を含み、前記第１の第２自動周波数制御部は、前記プラズマチャンバ内のプラズマのインピーダンスの変化に応答することなく、前記第１の第２周波数入力を提供し、
前記第２発生器は、前記パルス信号が第２の状態にある時に第２の第２周波数入力を前記第２電源に提供するための第２の第２自動周波数制御部を含み、前記第２の第２自動周波数制御部は、前記プラズマチャンバ内のプラズマのインピーダンスの変化に応答することなく、前記第２の第２周波数入力を提供し、
前記第１の第２周波数入力と前記第２の第２周波数入力は、トレーニングルーチンにおいてプラズマの前記インピーダンスの変化に応じた周波数からあらかじめ定められている、システム。
【請求項４】
請求項３に記載のシステムであって、さらに、
前記第１の第２自動周波数制御部および前記第２の第２自動周波数制御部の間で選択を行って前記第１の第２周波数入力または前記第２の第２周波数入力を前記第２電源に提供するために、前記デジタルパルス源と前記第１の第２および第２の第２自動周波数制御部との間に接続されたセレクタを備え、
前記セレクタは、前記パルス信号の前記状態に基づいて前記第１の第２自動周波数制御部および前記第２の第２自動周波数制御部の間で選択を行うよう構成されている、システム。
【請求項５】
請求項３に記載のシステムであって、
前記第１高周波信号は、前記パルス信号が前記第１の状態である時に第１の電力レベルにあり、前記パルス信号が前記第２の状態である時に第２の電力レベルにあり、前記第１の電力レベルは前記第２の電力レベルよりも高く、
前記第２高周波信号は、前記パルス信号が前記第１の状態にある時に第３の電力レベルにあり、前記パルス信号が前記第２の状態にある時に第４の電力レベルにあり、前記第３の電力レベルは前記第４の電力レベルよりも低い、システム。
【請求項６】
請求項５に記載のシステムであって、
前記第３の電力レベルはゼロまたは正の値である、システム。
【請求項７】
請求項３に記載のシステムであって、
前記第１高周波信号は、前記パルス信号が前記第１の状態である時に第１の電力レベルにあり、前記パルス信号が前記第２の状態である時に第２の電力レベルにあり、前記第１の電力レベルは前記第２の電力レベルよりも高く、
前記第２高周波信号は、前記パルス信号が前記第１の状態にある時に第３の電力レベルにあり、前記パルス信号が前記第２の状態にある時に第４の電力レベルにあり、前記第３の電力レベルは前記第４の電力レベルと同じである、システム。
【請求項８】
請求項７に記載のシステムであって、
前記第３の電力レベルは正の値である、システム。
【請求項９】
請求項３に記載のシステムであって、
前記第１高周波信号は、前記パルス信号が前記第１の状態である時に第１の電力レベルにあり、前記パルス信号が前記第２の状態である時に第２の電力レベルにあり、前記第１の電力レベルは前記第２の電力レベルよりも高く、
前記第２高周波信号は、前記パルス信号が前記第１の状態にある時に第３の電力レベルにあり、前記パルス信号が前記第２の状態にある時に第４の電力レベルにあり、前記第３の電力レベルは前記第４の電力レベルよりも高い、システム。
【請求項１０】
請求項９に記載のシステムであって、
前記第３の電力レベルはゼロまたは正の値である、システム。
【請求項１１】
請求項３に記載のシステムであって、
前記デジタルパルス源は、クロック発振器またはトランジスタ−トランジスタロジックを含む、システム。
【請求項１２】
請求項３に記載のシステムであって、
前記第１の第１周波数入力は、前記第１の第２周波数入力および前記第２の第２周波数入力とは異なる、システム。
【請求項１３】
請求項４に記載のシステムであって、
前記セレクタは、マルチプレクサを含む、システム。
【請求項１４】
システムであって、
パルス信号を生成するためのデジタルパルス源と、
第１発生器であって、
第１高周波信号をプラズマチャンバの電極に供給するために前記電極に接続された第１電源と、
前記パルス信号を受信して前記パルス信号の２つの状態の内の第１の状態および第２の状態を識別するために前記デジタルパルス源に接続された第１プロセッサであって、前記第１の状態はオン状態であり、前記第２の状態はオフ状態である第１プロセッサと、
前記パルス信号が前記第１の状態にあるという決定に基づいて第１電力値を前記第１電源に提供することを決定するために前記第１プロセッサに接続された第１の第１電力コントローラと、
前記パルス信号が前記第２の状態にあるという決定に基づいて第２電力値を前記第１電源に提供することを決定するために前記第１プロセッサに接続された第２の第１電力コントローラと、
前記第１プロセッサから前記状態の識別を受信するために前記第１プロセッサに接続され、前記パルス信号が前記第１の状態にある時に前記第１高周波信号の周波数を提供するよう構成された自動周波数制御部と、を含む、第１発生器と、
第２発生器であって、
第２高周波信号を前記電極に供給するために前記電極に接続された第２電源であって、前記第１高周波信号は、前記第２高周波信号より低い周波数を有する、第２電源と、
前記パルス信号を受信して前記パルス信号が前記第１の状態にあるか前記第２の状態にあるかを識別するために前記デジタルパルス源に接続された第２プロセッサと、
前記パルス信号が前記第１の状態にある時に、前記プラズマチャンバ内のプラズマのインピーダンスの変化に応答することなく、第１の第２電力値を前記第２電源に提供するために前記第２プロセッサに接続された第１の第２電力コントローラと、
前記パルス信号が前記第２の状態にある時に、前記プラズマチャンバ内のプラズマのインピーダンスの変化に応答することなく、第２の第２電力値を前記第２電源に提供するために前記第２プロセッサに接続された第２の第２電力コントローラと、
前記第２プロセッサから前記状態の識別を受信するために前記第２プロセッサに接続され、前記パルス信号が前記第１の状態にある時に、前記プラズマチャンバ内のプラズマのインピーダンスの変化に応答することなく、前記第２高周波信号の第１の周波数入力を提供するよう構成された第１の自動周波数制御部と、
前記第２プロセッサから前記状態の識別を受信するために前記第２プロセッサに接続され、前記パルス信号が前記第２の状態にある時に、前記プラズマチャンバ内のプラズマのインピーダンスの変化に応答することなく、前記第２高周波信号の第２の周波数入力を提供するよう構成された第２の自動周波数制御部と、を含む、第２発生器と、
を備え、
前記第１の周波数入力と前記第２の周波数入力は、トレーニングルーチンにおいてプラズマの前記インピーダンスの変化に応じた周波数からあらかじめ定められている、システム。
【請求項１５】
請求項１４に記載のシステムであって、
前記第２発生器は、前記第２プロセッサから受信した前記第１の周波数入力または前記第２の周波数入力を前記第２電源に転送するためのセレクタを含む、システム。
【請求項１６】
システムであって、
基板を支持するための表面を有する下側電極と、前記下側電極の上に配置された上側電極と、を含むプラズマチャンバであって、前記上側電極は電気的に接地されている、プラズマチャンバと、
２つの状態の間を移行するパルス信号を生成するためのデジタルパルス源と、
第１発生器であって、
第１高周波信号を前記下側電極に供給するために前記下側電極に接続された第１電源と、
前記パルス信号を受信して、前記パルス信号の前記２つの状態の内の第１の状態および前記２つの状態の内の第２の状態を識別するために、前記デジタルパルス源に接続された第１プロセッサであって、前記第１の状態はオン状態であり、前記第２の状態はオフ状態である、第１のプロセッサと、
前記パルス信号が前記第１の状態にあるか前記第２の状態にあるかに基づいて第１電力値を前記第１電源に提供するか否かを決定するために前記第１プロセッサに接続された電力コントローラと、
前記第１プロセッサから前記状態の識別を受信するために前記第１プロセッサに接続され、前記パルス信号が前記第１の状態にある時に前記第１電源に前記第１高周波信号の第１の第１周波数を提供するよう構成された第１の第１自動周波数制御部と、前記第１プロセッサから前記状態の識別を受信するために前記第１プロセッサに接続され、前記パルス信号が前記第２の状態にある時に前記第１電源に前記第１高周波信号の第２の第１周波数を提供するよう構成された第２の第１自動周波数制御部と、を含む、第１発生器と、
第２発生器であって、
第２高周波信号を前記下側電極に供給するために前記下側電極に接続された第２電源であって、前記第１高周波信号は、前記第２高周波信号より低い周波数を有する第２電源と、
前記パルス信号を受信して前記パルス信号が前記第１の状態にあるか前記第２の状態にあるかを識別するために前記デジタルパルス源に接続された第２プロセッサと、
前記パルス信号が前記第１の状態にある時に、前記プラズマチャンバ内のプラズマのインピーダンスの変化に応答することなく、第１の第２電力値を前記第２電源に提供するために前記第２プロセッサに接続された第１の電力コントローラと、
前記パルス信号が前記第２の状態にある時に、前記プラズマチャンバ内のプラズマのインピーダンスの変化に応答することなく、第２の第２電力値を前記第２電源に提供するために前記第２プロセッサに接続された第２の電力コントローラと、
前記第２プロセッサから前記状態の識別を受信するために前記第２プロセッサに接続され、前記パルス信号が前記第１の状態にある時に、前記プラズマチャンバ内のプラズマのインピーダンスの変化に応答することなく、前記第２高周波信号の第１の第２周波数を提供するよう構成された第１の第２自動周波数制御部と、
前記第２プロセッサから前記状態の識別を受信するために前記第２プロセッサに接続され、前記パルス信号が前記第２の状態にある時に、前記プラズマチャンバ内のプラズマのインピーダンスの変化に応答することなく、前記第２高周波信号の第２の第２周波数を提供するよう構成された第２の第２自動周波数制御部と、を含む、第２発生器と、
を備え、
前記第１の第２周波数と前記第２の第２周波数は、トレーニングルーチンにおいてプラズマの前記インピーダンスの変化に応じた周波数からあらかじめ定められている、システム。
【請求項１７】
請求項１６に記載のシステムであって、
前記第１高周波信号は、前記パルス信号が前記第１の状態である時に第１の電力レベルにあり、前記パルス信号が前記第２の状態である時に第２の電力レベルにあり、前記第１の電力レベルは前記第２の電力レベルよりも高く、
前記第１の第２電力値は前記第２の第２電力値よりも低い、システム。
【請求項１８】
請求項１６に記載のシステムであって、
前記第１高周波信号は、前記パルス信号が前記第１の状態である時に第１の電力レベルにあり、前記パルス信号が前記第２の状態である時に第２の電力レベルにあり、前記第１の電力レベルは前記第２の電力レベルよりも高く、
前記第１の第２電力値は前記第２の第２電力値と同じである、システム。
【請求項１９】
請求項１６に記載のシステムであって、
前記第１高周波信号は、前記パルス信号が前記第１の状態である時に第１の電力レベルにあり、前記パルス信号が前記第２の状態である時に第２の電力レベルにあり、前記第１の電力レベルは前記第２の電力レベルよりも高く、
前記第１の第２電力値は前記第２の第２電力値よりも高い、システム。
【請求項２０】
請求項１６に記載のシステムであって、
前記パルス信号が前記第１の状態にある時、前記第１電力値は正の電力値である、システム。
【請求項２１】
請求項１６に記載のシステムであって、
前記第１の第２電力値は、前記第２の第２電力値よりも低い、同じ、または、高い、システム。
【請求項２２】
システムであって、
パルス信号を生成するためのデジタルパルス源と、
第１発生器であって、
第１高周波信号をプラズマチャンバの電極に供給するために前記電極に接続された第１電源と、
前記パルス信号を受信して、前記パルス信号の２つの状態の内の第１の状態および前記２つの状態の内の第２の状態を識別するために、前記デジタルパルス源に接続された第１プロセッサであって、前記第１の状態はオン状態であり、前記第２の状態はオフ状態である第１プロセッサと、
前記パルス信号が前記第１の状態にある時に第１の第１電力値を前記第１電源に提供するために前記第１プロセッサに接続された第１の第１電力コントローラと、
前記パルス信号が前記第２の状態にある時に第２の第１電力値を前記第１電源に提供するために前記第１プロセッサに接続された第２の第１電力コントローラと、
前記第１プロセッサから前記状態の識別を受信するために前記第１プロセッサに接続され、前記パルス信号が前記第１の状態にある時に前記第１高周波信号の第１の第１周波数入力を前記第１電源に提供するよう構成された第１の第１自動周波数制御部と、
前記第１プロセッサから前記状態の識別を受信するために前記第１プロセッサに接続され、前記パルス信号が前記第２の状態にある時に前記第１高周波信号の第２の第１周波数入力を前記第１電源に提供するよう構成された第２の第１自動周波数制御部と、を含む、第１発生器と、
第２発生器であって、
第２高周波信号を前記電極に供給するために前記電極に接続された第２電源であって、前記第１高周波信号は、前記第２高周波信号より低い周波数を有する、第２電源と、
前記パルス信号を受信して前記パルス信号が前記第１の状態にあるか前記第２の状態にあるかを識別するために前記デジタルパルス源に接続された第２プロセッサと、
前記パルス信号が前記第１の状態にある時に第１の第２電力値を前記第２電源に提供するために前記第２プロセッサに接続された第１の第２電力コントローラであって、前記プラズマチャンバ内のプラズマのインピーダンスの変化に応答することなく、第１の第２電力値を前記第２電源に提供するように構成されている第１の第２電力コントローラと、
前記パルス信号が前記第２の状態にある時に第２の第２電力値を前記第２電源に提供するために前記第２プロセッサに接続された第２の第２電力コントローラであって、前記プラズマチャンバ内のプラズマのインピーダンスの変化に応答することなく、第２の第２電力値を前記第２電源に提供するように構成されている第２の第２電力コントローラと、
前記第２プロセッサから前記状態の識別を受信するために前記第２プロセッサに接続され、前記パルス信号が前記第１の状態にある時に前記第２電源に第１の第２周波数入力を提供するよう構成された第１の第２自動周波数制御部であって、前記プラズマチャンバ内のプラズマのインピーダンスの変化に応答することなく、前記第１の第２周波数入力を前記第２電源に提供するように構成されている、第１の第２自動周波数制御部と、
前記第２プロセッサから前記状態の識別を受信するために前記第２プロセッサに接続され、前記パルス信号が前記第２の状態にある時に前記第２電源に第２の第２周波数入力を前記第２電源に提供するよう構成された第２の第２自動周波数制御部であって、前記プラズマチャンバ内のプラズマのインピーダンスの変化に応答することなく、前記第２の第２周波数入力を前記第２電源に提供するように構成されている、第２の第２自動周波数制御部と、を含む、第２発生器と、
を備え、
前記第１の第２周波数入力と前記第２の第２周波数入力は、トレーニングルーチンにおいてプラズマの前記インピーダンスの変化に応じた周波数からあらかじめ定められている、システム。
【請求項２３】
請求項２２に記載のシステムであって、
前記第１発生器は、前記第１プロセッサから受信した前記第１の第１周波数入力または前記第１プロセッサから受信した前記第２の第１周波数入力を前記第１電源に転送するよう構成されたセレクタを含み、
前記第２発生器は、前記第２プロセッサから受信した前記第１の第２周波数入力または前記第２プロセッサから受信した前記第２の第２周波数入力を前記第２電源に転送するよう構成されたセレクタを含む、システム。
【請求項２４】
システムであって、
基板を支持するための表面を有する下側電極と、前記下側電極の上に配置された上側電極と、を含むプラズマチャンバであって、前記上側電極は電気的に接地されている、プラズマチャンバと、
２つの状態の間を移行するパルス信号を生成するためのデジタルパルス源と、
第１発生器であって、
第１高周波信号を前記下側電極に供給するために前記下側電極に接続された第１電源と、
前記パルス信号を受信して前記パルス信号の前記２つの状態の内の第１の状態および前記２つの状態の内の第２の状態を識別するために前記デジタルパルス源に接続された第１プロセッサであって、前記第１の状態はオン状態であり、前記第２の状態はオフ状態であるである第１プロセッサと、
前記パルス信号が前記第１の状態にある時に第１の第１電力値を前記第１電源に提供するために前記第１プロセッサに接続された第１の第１電力コントローラと、
前記パルス信号が前記第２の状態にある時に第２の第１電力値を前記第１電源に提供するために前記第１プロセッサに接続された第２の第１電力コントローラと、
前記第１プロセッサから前記状態の識別を受信するために前記第１プロセッサに接続され、前記パルス信号が前記第１の状態にある時に前記第１高周波信号の第１の第１周波数を前記第１電源に提供するよう構成された第１の第１自動周波数制御部と、
前記第１プロセッサから前記状態の識別を受信するために前記第１プロセッサに接続され、前記パルス信号が前記第２の状態にある時に前記第１高周波信号の第２の第１周波数を前記第１電源に提供するよう構成された第２の第１自動周波数制御部と、を含む、第１発生器と、
第２発生器であって、
第２高周波信号を前記下側電極に供給するために前記下側電極に接続された第２電源であって、前記第１高周波信号は、前記第２高周波信号より低い周波数を有する、第２電源と、
前記パルス信号を受信して前記パルス信号が前記第１の状態にあるか前記第２の状態にあるかを識別するために前記デジタルパルス源に接続された第２プロセッサと、
前記パルス信号が前記第１の状態にある時に第１の第２電力値を前記第２電源に提供するために前記第２プロセッサに接続された第１の第２電力コントローラであって、前記プラズマチャンバ内のプラズマのインピーダンスの変化に応答することなく、前記第１の第２電力値を前記第２電源に提供するように構成されている、第１の第２電力コントローラと、
前記パルス信号が前記第２の状態にある時に第２の第２電力値を前記第２電源に提供するために前記第２プロセッサに接続された第２の第２電力コントローラであって、前記プラズマチャンバ内のプラズマのインピーダンスの変化に応答することなく、前記第２の第２電力値を前記第２電源に提供するように構成されている、第２の第２電力コントローラと、
前記第２プロセッサから前記状態の識別を受信するために前記第２プロセッサに接続され、前記パルス信号が前記第１の状態にある時に前記第２高周波信号の第１の第２周波数を前記第２電源に提供するよう構成された第１の第２自動周波数制御部であって、前記プラズマチャンバ内のプラズマのインピーダンスの変化に応答することなく、前記第１の第２周波数入力を前記第２電源に提供するように構成されている、第１の第２自動周波数制御部と、
前記第２プロセッサから前記状態の識別を受信するために前記第２プロセッサに接続され、前記パルス信号が前記第２の状態にある時に前記第２高周波信号の第２の第２周波数を前記第２電源に提供するよう構成された第２の第２自動周波数制御部であって、前記プラズマチャンバ内のプラズマのインピーダンスの変化に応答することなく、前記第２の第２周波数入力を前記第２電源に提供するように構成されている、第２の第２自動周波数制御部と、を含む、第２発生器と、
を備え、
前記第１の第２周波数と前記第２の第２周波数は、トレーニングルーチンにおいてプラズマの前記インピーダンスの変化に応じた周波数からあらかじめ定められている、システム。
【請求項２５】
請求項２４に記載のシステムであって、
前記第１の第２電力値は、前記第２の第１電力値よりも低い、同じ、または、高い、システム。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本実施形態は、プラズマインピーダンスの変化に対する応答時間の改善に関し、特に、状態に基づいた電力および周波数の調整のための装置、方法、および、コンピュータプログラムに関する。
【背景技術】
【０００２】
一部のプラズマ処理システムでは、複数の高周波（ＲＦ）信号が、プラズマチャンバ内の１または複数の電極に供給される。ＲＦ信号は、プラズマチャンバ内でプラズマを生成する助けとなる。プラズマは、様々な動作、例えば、下側電極上に設置された基板の洗浄、基板のエッチングなどに用いられる。
【０００３】
ＲＦ信号を生成するＲＦ電源とプラズマチャンバとの間には、通常、インピーダンス整合回路が配置される。インピーダンス整合回路は、負荷（例えば、プラズマチャンバ内のプラズマ）のインピーダンスを供給源（例えば、ＲＦ電源）のインピーダンスと整合させる。しかしながら、特定の状況では、インピーダンス整合は、プラズマインピーダンスの変化に応答するのに十分なほど速くない。
【０００４】
本開示の実施形態は、このような課題に対処するものである。
【発明の概要】
【０００５】
本開示の実施形態は、状態に基づいて電力および周波数を調整するための装置、方法、および、コンピュータプログラムを提供する。本実施形態は、処理、装置、システム、デバイス、または、方法など、種々の形態で実施できることを理解されたい。以下に、いくつかの実施形態を記載する。
【０００６】
一実施形態では、デジタルパルス信号の状態の変化に伴って、複数のＲＦ源によって生成されるＲＦ信号の電力および／または周波数が変更される。例えば、デジタルパルス信号の状態がＳ１にある時、第１のＲＦ源が、第１の電力値および第１の周波数を有する電力信号を生成し、第２のＲＦ源が、第２の電力値および第２の周波数を有する電力信号を生成する。状態Ｓ１の受信が、第１の電力値および第１の周波数を有する電力信号の生成と、第２の電力値および第２の周波数を有する電力信号の生成とをトリガする。この例において、デジタルパルス信号の状態がＳ０の時、第１のＲＦ源は、第３の電力値および第３の周波数を有する電力信号を生成する。第３の周波数は、第１の周波数と同じであっても同じでなくてもよい。この例において、デジタルパルス信号の状態がＳ０の時、第２のＲＦ源は、第４の電力値および第４の周波数を有する電力信号を生成する。第４の周波数は、第２の周波数と同じであっても同じでなくてもよい。状態Ｓ０の受信が、第３の電力値および第３の周波数を有する電力信号の生成と、第４の電力値および第４の周波数を有する電力信号の生成とをトリガする。トリガの結果、プラズマチャンバ内のプラズマインピーダンスの変化に応答するための応答時間が短くなる。一実施形態では、第２および第４の電力値は同じである。
【０００７】
一実施形態では、システムが、電極に接続された第１発生器を備える。第１発生器は、第１高周波（ＲＦ）信号を電極に供給するための第１電源を備える。第１発生器は、さらに、パルス信号が第１の状態にある時に第１の周波数入力を第１電源に提供するための自動周波数制御部（ＡＦＣ）を備える。システムは、さらに、電極に接続された第２発生器を備える。第２発生器は、第２ＲＦ信号を電極に供給するための第２電源を備える。第２発生器は、さらに、パルス信号が第１の状態にある時に第２の周波数入力を第２電源に提供するためのＡＦＣを備える。第２発生器は、パルス信号が第２の状態にある時に第３の周波数入力を第２電源に提供するためのＡＦＣを備える。システムは、パルス信号を生成するためのデジタルパルス源を備える。
【０００８】
一実施形態では、システムが、基板を支持するための表面を有する下側電極をさらに備えたプラズマチャンバを備える。プラズマチャンバは、下側電極の上方に配置された上側電極を備える。上側電極は、電気的に接地されている。システムは、下側電極に接続された第１発生器を備える。第１発生器は、第１高周波（ＲＦ）信号を下側電極に供給するための第１電源を備える。システムは、さらに、下側電極に接続された第２発生器を備える。第２発生器は、第２ＲＦ信号を下側電極に供給するための第２電源を備える。システムは、パルス信号を生成するためのデジタルパルス源を備える。デジタルパルス源は、第１発生器および第２発生器に接続される。第１発生器は、パルス信号が第１の状態にある時に第１の周波数入力を第１電源に提供するための第１の自動周波数制御部（ＡＦＣ）を備える。第２発生器は、パルス信号が第１の状態にある時に第２の周波数入力を第２電源に提供するための第２のＡＦＣを備える。さらに、第２発生器は、パルス信号が第２の状態にある時に第３の周波数入力を第２電源に提供するための第３のＡＦＣを備える。
【０００９】
一実施形態では、システムが、パルス信号を生成するためのデジタルパルス源を備える。システムは、さらに、第１発生器を備える。第１発生器は、第１高周波（ＲＦ）信号を電極に供給するために電極に接続された第１電源を備える。第１発生器は、パルス信号を受信するためにパルス源に接続された第１プロセッサを備える。第１プロセッサは、パルス信号の２つの状態の内の第１の状態および第２の状態を識別するために用いられる。第１発生器は、さらに、パルス信号が第１の状態にあるか第２の状態にあるかに基づいて第１電力値を第１電源に提供するか否かを決定するために第１プロセッサに接続された電力コントローラを備える。第１発生器は、第１プロセッサから状態の識別を受信するために第１プロセッサに接続された自動周波数制御部（ＡＦＣ）を備える。ＡＦＣは、パルス信号が第１の状態にある時に第１ＲＦ信号の周波数を提供するよう構成される。
【００１０】
一実施形態において、システムは、さらに、第２発生器を備える。第２発生器は、第２ＲＦ信号を電極に供給するために電極に接続された第２電源を備える。第２発生器は、パルス信号を受信してパルス信号が第１の状態にあるか第２の状態にあるかを識別するためにパルス源に接続された第２プロセッサを備える。第２発生器は、さらに、パルス信号が第１の状態にある時に第１の第２電力値を第２電源に提供するために第２プロセッサに接続された第１の電力コントローラを備える。第２発生器は、パルス信号が第２の状態にある時に第２の第２電力値を第２電源に提供するために第２プロセッサに接続された第２の電力コントローラを備える。第２発生器は、さらに、第２プロセッサから状態の識別を受信するために第２プロセッサに接続された第１のＡＦＣを備える。第１のＡＦＣは、パルス信号が第１の状態にある時に第２ＲＦ信号の第１の周波数入力を提供するよう構成される。第２発生器は、第２プロセッサから状態の識別を受信するために第２プロセッサに接続された第２のＡＦＣを備える。第２のＡＦＣは、パルス信号が第２の状態にある時に第２ＲＦ信号の第２の周波数入力を提供するよう構成される。
【００１１】
一実施形態では、システムが、基板を支持するための表面を有する下側電極をさらに備えたプラズマチャンバを備える。プラズマチャンバは、下側電極の上方に配置された上側電極を備える。上側電極は、電気的に接地されている。システムは、２つの状態の間で移行するパルス信号を生成するためのデジタルパルス源を備える。システムは、さらに、第１発生器を備える。第１発生器は、第１高周波（ＲＦ）信号を下側電極に供給するために下側電極に接続された第１電源を備える。第１発生器は、さらに、パルス信号を受信するためにパルス源に接続された第１プロセッサを備える。第１プロセッサは、パルス信号の２つの状態の内の第１の状態および第２の状態を識別するために用いられる。第１発生器は、さらに、パルス信号が第１の状態にあるか第２の状態にあるかに基づいて第１電力値を第１電源に提供するか否かを決定するために第１プロセッサに接続された電力コントローラを備える。第１発生器は、第１プロセッサから状態の識別を受信するために第１プロセッサに接続された自動周波数制御部（ＡＦＣ）を備える。ＡＦＣは、パルス信号が第１の状態にある時に第１ＲＦ信号の周波数を提供するよう構成される。
【００１２】
この実施形態において、システムは、さらに、第２ＲＦ信号を下側電極に供給するために下側電極に接続された第２電源を備えた第２発生器を備える。第２発生器は、パルス信号を受信してパルス信号が第１の状態にあるか第２の状態にあるかを識別するためにパルス源に接続された第２プロセッサを備える。第２発生器は、さらに、パルス信号が第１の状態にある時に第１の第２電力値を第２電源に提供するために第２プロセッサに接続された第１の電力コントローラを備える。第２発生器は、さらに、パルス信号が第２の状態にある時に第２の第２電力値を第２電源に提供するために第２プロセッサに接続された第２の電力コントローラを備える。第２発生器は、第２プロセッサから状態の識別を受信するために第２プロセッサに接続された第１のＡＦＣを備える。第１のＡＦＣは、パルス信号が第１の状態にある時に第２ＲＦ信号の周波数を提供するよう構成される。第２発生器は、第２プロセッサから状態の識別を受信するために第２プロセッサに接続された第２のＡＦＣを備える。第２のＡＦＣは、パルス信号が第２の状態にある時に第２ＲＦ信号の周波数を提供するよう構成される。
【００１３】
一実施形態では、システムが、パルス信号を生成するためのデジタルパルス源を備える。システムは、第１発生器を備える。第１発生器は、さらに、第１高周波（ＲＦ）信号を電極に供給するために電極に接続された第１電源を備える。第１発生器は、パルス信号を受信するためにパルス源に接続された第１プロセッサを備える。第１プロセッサは、パルス信号の２つの状態の内の第１の状態および第２の状態を識別するために用いられる。第１発生器は、パルス信号が第１の状態にある時に第１の第１電力値を第１電源に提供するために第１プロセッサに接続された第１の第１電力コントローラを備える。第１発生器は、さらに、パルス信号が第２の状態にある時に第２の第１電力値を第１電源に提供するために第１プロセッサに接続された第２の第１電力コントローラを備える。第１発生器は、第１プロセッサから状態の識別を受信するために第１プロセッサに接続された第１の第１自動周波数制御部（ＡＦＣ）を備える。第１のＡＦＣは、パルス信号が第１の状態にある時に第１ＲＦ信号の第１の第１周波数入力を提供するよう構成される。第１発生器は、第１プロセッサから状態の識別を受信するために第１プロセッサに接続された第２の第１ＡＦＣを備える。第２の第１ＡＦＣは、パルス信号が第２の状態にある時に第１ＲＦ信号の第２の第１周波数入力を提供するよう構成される。
【００１４】
この実施形態において、システムは、第２発生器を備える。第２発生器は、第２ＲＦ信号を電極に供給するために電極に接続された第２電源を備える。第２発生器は、さらに、パルス信号を受信してパルス信号が第１の状態にあるか第２の状態にあるかを識別するためにパルス源に接続された第２プロセッサを備える。第２発生器は、パルス信号が第１の状態にある時に第１の第２電力値を第２電源に提供するために第２プロセッサに接続された第１の第２電力コントローラを備える。第２発生器は、パルス信号が第２の状態にある時に第２の第２電力値を第２電源に提供するために第２プロセッサに接続された第２の第２電力コントローラを備える。第２発生器は、第２プロセッサから状態の識別を受信するために第２プロセッサに接続された第１の第２ＡＦＣを備える。第１の第２ＡＦＣは、パルス信号が第１の状態にある時に第２ＲＦ信号の第１の第２周波数入力を提供するよう構成される。第２発生器は、第２プロセッサから状態の識別を受信するために第２プロセッサに接続された第２の第２ＡＦＣを備える。第２の第２ＡＦＣは、パルス信号が第２の状態にある時に第２ＲＦ信号の第２の第２周波数入力を提供するよう構成される。
【００１５】
一実施形態では、システムが、基板を支持するための表面を有する下側電極を備えたプラズマチャンバを備える。プラズマチャンバは、下側電極の上方に配置された上側電極を備える。上側電極は、電気的に接地されている。システムは、パルス信号を生成するためのデジタルパルス源を備える。パルス信号は、２つの状態の間を移行する。システムは、第１発生器を備える。第１発生器は、第１高周波（ＲＦ）信号を下側電極に供給するために下側電極に接続された第１電源を備える。第１発生器は、さらに、パルス信号を受信するためにパルス源に接続された第１プロセッサを備える。第１プロセッサは、パルス信号の２つの状態の内の第１の状態および第２の状態を識別するために用いられる。第１発生器は、パルス信号が第１の状態にある時に第１の第１電力値を第１電源に提供するために第１プロセッサに接続された第１の第１電力コントローラを備える。第１発生器は、さらに、パルス信号が第２の状態にある時に第２の第１電力値を第１電源に提供するために第１プロセッサに接続された第２の第１電力コントローラを備える。第１発生器は、さらに、第１プロセッサから状態の識別を受信するために第１プロセッサに接続された第１の第１自動周波数制御部（ＡＦＣ）を備える。第１のＡＦＣは、パルス信号が第１の状態にある時に第１ＲＦ信号の周波数を提供するよう構成される。第１発生器は、第１プロセッサから状態の識別を受信するために第１プロセッサに接続された第２の第１ＡＦＣを備える。第２の第１ＡＦＣは、パルス信号が第２の状態にある時に第１ＲＦ信号の周波数を提供するよう構成される。
【００１６】
この実施形態において、システムは、第２ＲＦ信号を下側電極に供給するために下側電極に接続された第２電源をさらに備えた第２発生器を備える。第２発生器は、パルス信号を受信してパルス信号が第１の状態にあるか第２の状態にあるかを識別するためにパルス源に接続された第２プロセッサを備える。第２発生器は、さらに、パルス信号が第１の状態にある時に第１の第２電力値を第２電源に提供するために第２プロセッサに接続された第１の第２電力コントローラを備える。第２発生器は、パルス信号が第２の状態にある時に第２の第２電力値を第２電源に提供するために第２プロセッサに接続された第２の第２電力コントローラを備える。第２発生器は、さらに、第２プロセッサから状態の識別を受信するために第２プロセッサに接続された第１の第２ＡＦＣを備える。第１の第２ＡＦＣは、パルス信号が第１の状態にある時に第２ＲＦ信号の周波数を提供するよう構成される。第２発生器は、第２プロセッサから状態の識別を受信するために第２プロセッサに接続され、パルス信号が第２の状態にある時に第２ＲＦ信号の周波数を提供するよう構成された第２の第２ＡＦＣを備える。
【００１７】
一実施形態では、方法が、デジタルパルス信号を受信する工程を備える。デジタルパルス信号は、２つの状態を有する。方法は、さらに、デジタルパルス信号が２つの状態の内の第１の状態にある時に第１の周波数入力を第１ＲＦ電源に印加することから、デジタルパルス信号が２つの状態の内の第２の状態にある時に第２の周波数入力を第１ＲＦ電源に印加することに切り換える工程を備える。方法は、デジタルパルス信号が第１の状態にある時に第３の周波数入力を第２ＲＦ電源に印加することを決定する工程を備える。
【００１８】
上述の実施形態のいくつかの利点は、プラズマチャンバ内のプラズマインピーダンスの変化に応答するための応答時間を削減することを含む。例えば、複数のＲＦ電源によって供給される周波数および／または電力を制御するために、状態信号（例えば、トランジスタ−トランジスタロジック（ＴＴＬ）信号など）を用いる場合、ＲＦ電源の内の第１の電源は、ＲＦ電源の内の第２の電源の電力および／または周波数の変化に応答するための時間を必要としない。通常、第１のＲＦ電源に入力される周波数および／または電力が変更されると、プラズマインピーダンスが変化し、第１のＲＦ電源は、インピーダンスの変化に応答する。この応答には時間が掛かり、それによって、プラズマチャンバ内で行われる処理（例えば、エッチング、蒸着、洗浄など）に悪影響が生じる。ＲＦ電源が、所定の周波数および／または所定の電力を有する状態信号の状態の変化に応答する際に、プラズマインピーダンスの変化に応答する時間が削減される。この時間の削減の結果、処理に悪影響を与える時間が短くなる。
【００１９】
添付の図面を参照して行う以下の詳細な説明から、別の態様が明らかになる。
【図面の簡単な説明】
【００２０】
実施形態は、添付の図面に関連して行う以下の説明を参照することによって最も良好に理解できる。
【００２１】
【図１】本開示に記載された一実施形態に従って、プラズマインピーダンスの変化に応じて電力コントローラおよび／または周波数チューナを調整する時間を削減するためのシステムを示すブロック図。
【００２２】
【図２】本開示に記載された一実施形態に従って、トランジスタ−トランジスタロジック（ＴＴＬ）信号の状態の変化に伴う高周波（ＲＦ）電力信号の状態の変化を示すと共に、ガンマの変化に基づいた電力信号の周波数および／または電力値の調整を示す表の一実施形態を示す図。
【００２３】
【図３】本開示に記載された一実施形態に従って、プラズマインピーダンスの変化に応じて電力コントローラおよび／または周波数チューナ（電力コントローラおよび／または周波数チューナは非ゼロ値を提供する）を調整する時間を削減するためのシステムを示す図。
【００２４】
【図４Ａ】本開示に記載された一実施形態に従って、一方が一定値または様々な値を有する２つのＲＦ信号を示すグラフ。
【００２５】
【図４Ｂ】本開示に記載された一実施形態に従って、両方が様々な値を有する２つのＲＦ信号を示すグラフ。
【００２６】
【図５Ａ】本開示に記載された一実施形態に従って、１つの信号が一定値を有すると共に別の信号が一定値または様々な値を有する３つのＲＦ信号を示すグラフ。
【００２７】
【図５Ｂ】本開示に記載された一実施形態に従って、１つの信号が一定値を有すると共にそれ以外の２つの信号が様々な値を有する３つのＲＦ信号を示すグラフ。
【００２８】
【図５Ｃ】本開示に記載された一実施形態に従って、１つの信号が一定値または様々な値を有すると共にそれ以外の２つの信号が様々な値を有する３つのＲＦ信号を示すグラフ。
【００２９】
【図５Ｄ】本開示に記載された一実施形態に従って、いずれも様々な値を有する３つのＲＦ信号を示すグラフ。
【００３０】
【図５Ｅ】本開示に記載された一実施形態に従って、１つの信号が一定値または様々な値を有すると共にそれ以外の信号が様々な値を有する３つのＲＦ信号を示すグラフ。
【００３１】
【図５Ｆ】本開示に記載された一実施形態に従って、いずれも様々な値を有する３つのＲＦ信号を示すグラフ。
【００３２】
【図６】本開示に記載された一実施形態に従って、ＴＴＬ信号の状態に基づいて自動周波数チューナ（ＡＦＴ）の間で選択を行うためのシステムを示すブロック図。
【００３３】
【図７】本開示に記載された一実施形態に従って、第１の組の電力値および第１の組の周波数を有するＲＦ信号を生成するか、第２の組の電力値および第２の組の周波数を有するＲＦ信号を生成するかを決定するための方法を示すフローチャート。
【発明を実施するための形態】
【００３４】
以下の実施形態では、状態に基づいた電力および周波数の調整のためのシステムおよび方法を記載する。本実施形態は、これらの具体的な詳細事項の一部またはすべてがなくとも実施可能であることが明らかである。また、本実施形態が不必要に不明瞭となることを避けるため、周知の処理動作の詳細な説明は省略した。
【００３５】
図１は、プラズマインピーダンスの変化に従って電力コントローラおよび／または周波数チューナを調整する時間を削減するためのシステム１８０の一実施形態を示すブロック図である。２メガヘルツ（ＭＨｚ）高周波（ＲＦ）電源が、インピーダンス整合回路１８２を介してプラズマチャンバ１０２の下側電極１０４にＲＦ電力を供給する。同様に、６０ＭＨｚ電源が、インピーダンス整合回路１８６を介して下側電極１０４にＲＦ電力を供給する。一実施形態では、ＲＦ電力を下側電極に供給するために、６０ＭＨｚ電源の代わりに、２７ＭＨｚ電源が用いられることに注意されたい。さらに、２ＭＨｚ、２７ＭＨｚ、および、６０ＭＨｚという値は、例として提供されており、限定を意図したものではないことに注意されたい。例えば、２ＭＨｚ電源の代わりに２．５ＭＨｚ電源が用いられてもよいし、６０ＭＨｚ電源の代わりに６５ＭＨｚ電源が用いられてもよい。別の実施形態では、２ＭＨｚ電源および６０ＭＨｚ電源に加えて、ＲＦ電力を下側電極１０４に供給するために２７ＭＨｚ電源が用いられる。
【００３６】
インピーダンス整合回路は、電子回路素子、例えば、インダクタ、コンデンサなどを備えており、インピーダンス整合回路に接続された電源のインピーダンスを、インピーダンス整合回路に接続された負荷のインピーダンスと整合させる。例えば、インピーダンス整合回路１８２は、２ＭＨｚ電源のインピーダンスを、プラズマチャンバ１０２内に生成されたプラズマのインピーダンスと整合させる。別の例として、インピーダンス整合回路１８６は、６０ＭＨｚ電源のインピーダンスを、プラズマチャンバ１０２内に生成されたプラズマのインピーダンスと整合させる。さらに別の例として、インピーダンス整合回路１８２は、２ＭＨｚ電源のインピーダンスを、プラズマチャンバ１０２の一部（例えば、プラズマおよび下側電極１０４）のインピーダンスと整合させる。一実施形態において、インピーダンス整合回路は、インピーダンス整合回路に接続されたＲＦ電源のインピーダンスと第１の負荷のインピーダンスとの間の整合を実現するように調整される。電源および負荷の間のインピーダンス整合がなされると、負荷から電源に電力が反射される可能性が低減される。
【００３７】
プラズマチャンバ１０２は、下側電極１０４と、上側電極１１０と、その他の構成要素（図示せず）、例えば、上側電極１１０を取り囲む上側誘電体リング、上側誘電体リングを取り囲む下側電極延長部、下側電極を取り囲む下側誘電体リング、下側誘電体リングを取り囲む下側電極延長部、上側プラズマ排除区域（ＰＥＺ）リング、下側ＰＥＺリングなど、とを備える。上側電極１１０は、下側電極１０４に対向するように配置される。基板１０８（例えば、半導体ウエハ）が、下側電極１０４の上面１０６上に支持される。集積回路（例えば、特定用途向け集積回路（ＡＳＩＣ）、プログラム可能論理回路（ＰＬＤ）など）が、基板１０８から製造され、それらの集積回路は、様々なデバイス、例えば、携帯電話、タブレット、スマートフォン、コンピュータ、ラップトップ、ネットワーク装置などで利用される。下側電極１０４は、金属（例えば、陽極酸化アルミニウム、アルミニウム合金など）で形成される。また、上側電極１１０も、金属（例えば、アルミニウム、アルミニウム合金など）で形成される。
【００３８】
一実施形態において、上側電極１１０は、中央ガス供給部（図示せず）につながる穴を備える。中央ガス供給部は、ガス供給源（図示せず）から１または複数の処理ガスを受け入れる。処理ガスの例としては、酸素含有ガス（Ｏ2など）が挙げられる。処理ガスのほかの例は、フッ素含有ガス、例えば、テトラフルオメタン（ＣＦ4）、六フッ化硫黄（ＳＦ6）、ヘキサフルオロエタン（Ｃ2Ｆ6）などを含む。上側電極１１０は、接地されている。下側電極１０４は、インピーダンス整合回路１８２を介して２ＭＨｚＲＦ電源に接続されると共に、インピーダンス整合回路１８６を介して６０ＭＨｚＲＦ電源に接続されている。
【００３９】
処理ガスが、上側電極１１０および下側電極１０４の間に供給され、電源（例えば、２ＭＨｚ電源および／または６０ＭＨｚ電源）が、対応するインピーダンス整合回路を介して下側電極１０４に電力を供給すると、処理ガスは、点火されてプラズマチャンバ１０２内でプラズマを生成する。例えば、２ＭＨｚ電源は、インピーダンス整合回路１８２を介して電力を供給し、処理ガスに点火してプラズマを生成する。
【００４０】
コンピュータ（図示せず）上のツールユーザインターフェース（ＵＩ）１９０が、デジタルパルス信号であるトランジスタ−トランジスタロジック（ＴＴＬ）信号１１２を生成するために用いられる。一実施形態において、コンピュータは、ＴＴＬ回路を備える。本明細書で用いられているように、コンピュータの代わりに、プロセッサ、コントローラ、ＡＳＩＣ、または、ＰＬＤという用語も利用され、これらの用語は本明細書では交換可能に用いられる。ＴＴＬ信号１１２は、状態Ｓ１およびＳ０を含む。ＴＴＬ信号１１２は、５０％のデューティサイクルを有する。一実施形態において、ＴＴＬ信号１１２は、５％から９５％の範囲のデューティサイクルを有する。状態Ｓ１の一例は、オン状態、値「１」を有する状態、または、ハイ状態を含む。状態Ｓ０の一例は、オフ状態、値「０」を有する状態、または、ロー状態を含む。高値は、低値よりも大きい。
【００４１】
別の実施形態では、コンピュータの代わりにクロック発振器（例えば、水晶振動子）を用いてアナログクロック信号を生成し、その信号をアナログデジタル変換器によってＴＴＬ信号１１２と同様のデジタル信号に変換する。例えば、水晶振動子は、水晶振動子の近くまたは上にある電極に電圧を印加することによって、電界内で振動するように形成されている。
【００４２】
ＴＴＬ信号１１２は、デジタル信号プロセッサ（ＤＳＰ）１４０およびその他のＤＳＰ１５０に送信される。各ＤＳＰ１４０および１５０は、ＴＴＬ信号１１２を受信し、ＴＴＬ信号１１２の状態Ｓ０およびＳ１を識別する。例えば、ＤＳＰ１４０は、状態Ｓ０とＳ１とを区別する。別の例として、ＤＳＰ１４０は、ＴＴＬ信号１１２が第１の組の期間中に第１の大きさを有すると共に、第２の組の期間中に第２の大きさを有することを決定する。ＤＳＰ１４０は、ＴＴＬ信号１１２が第１の組の期間中に状態Ｓ１を有すると共に、第２の組の期間中に状態Ｓ０を有することを決定する。さらに別の例として、ＤＳＰ１４０は、ＴＴＬ信号１１２の大きさを予め格納された値と比較して、ＴＴＬ信号１１２の大きさが第１の組の期間中に予め格納された値よりも大きいと共に、ＴＴＬ信号１１２の状態Ｓ０中の大きさが第２の組の期間中に予め格納された値以下であることを決定する。クロック発振器が用いられる実施形態において、各ＤＳＰ１４０および１５０は、クロック発振器からアナログクロック信号を受信し、アナログ信号をデジタル形式に変換し、次いで、２つの状態Ｓ０およびＳ１を識別する。
【００４３】
各ＤＳＰ１４０および１５０は、状態Ｓ０およびＳ１をＤＳＰ内の１または複数のメモリデバイスの記憶場所に格納する。メンバデバイスの例としては、ランダムアクセスメモリ（ＲＡＭ）および読み出し専用メモリ（ＲＯＭ）が挙げられる。メモリデバイスは、フラッシュメモリ、ハードディスク、ストレージデバイス、コンピュータ読み取り可能な媒体などであってもよい。
【００４４】
各ＤＳＰ１４０および１５０は、対応する記憶場所から対応する自動周波数チューナ（ＡＦＴ）１１４、１１８、および、１２０、ならびに、対応する電力コントローラ１４２、１５２、および、１５４に、識別した状態Ｓ０およびＳ１を提供する。例えば、ＤＳＰ１４０は、ＴＴＬ信号１１２がデューティサイクルの時刻ｔ１およびｔ２の間に状態Ｓ１にあることを、ＡＦＴ１１４および電力コントローラ１４２に示す。別の例として、ＤＳＰ１５０は、ＴＴＬ信号１１２がデューティサイクルの時刻ｔ１およびｔ２の間に状態Ｓ１にあることを、ＡＦＴ１１８および電力コントローラ１５２に示す。さらに別の例として、ＤＳＰ１５０は、ＴＴＬ信号１１２がデューティサイクルの時刻ｔ２およびｔ３の間に状態Ｓ０にあることを、ＡＦＴ１２０および電力コントローラ１５４に示す。チューナおよびコントローラ（制御部）という用語は、本明細書では交換可能に用いられる。ＡＦＴの一例が、米国特許第６，０２０，７９４号に提供されており、その特許は、参照によって本明細書にその全体が組み込まれる。
【００４５】
各ＡＦＴ１１４、１１８、および、１２０は、ＴＴＬ信号１１２の状態に基づいて周波数値を決定し、各電力コントローラ１４２、１５２、および、１５４は、ＴＴＬ信号１１２の状態に基づいて電力値を決定する。例えば、ＡＦＴ１１４は、ＴＴＬ信号１１２の状態がＳ１である時に周波数値Ｆ１１が２ＭＨｚ電源に提供されるように決定し、電力コントローラ１４２は、ＴＴＬ信号１１２の状態がＳ１である時に電力値Ｐ１１が２ＭＨｚ電源に提供されるように決定する。別の例として、ＡＦＴ１１８は、ＴＴＬ信号１１２の状態がＳ１である時に周波数値Ｆ２１が６０ＭＨｚ電源に提供され、ＴＴＬ信号１１２の状態がＳ０である時に周波数値Ｆ２０が６０ＭＨｚ電源に提供されるように決定する。さらに別の例として、電力コントローラ１５０は、ＴＴＬ信号１１２の状態がＳ０である時に電力値Ｐ２０が６０ＭＨｚ電源に提供され、ＴＴＬ信号１１２の状態がＳ１である時に電力値Ｐ２１が６０ＭＨｚ電源に提供されるように決定する。
【００４６】
一実施形態において、周波数値Ｆ２１および電力値Ｐ２１は、トレーニングルーチンに基づいて生成される。トレーニングルーチン中、２ＭＨｚ電源がそのＲＦ電力信号を低電力値から高電力値に変化させる時、プラズマチャンバ１０２内の１または複数の部分と６０ＭＨｚ電源との間のインピーダンス不整合がある。高電力値は、低電力値よりも高い。２ＭＨｚ電源は、２ＭＨｚＲＦ電源に提供されるＴＴＬ信号１１２またはクロック信号の状態がＳ０からＳ１に変化すると、そのＲＦ電力信号を変化させる。この場合、６０ＭＨｚ電源は、２ＭＨｚ電源が高い電力値で電力供給を始めた時に、周波数および電力を調整される。インピーダンス不整合を低減するために、６０ＭＨｚ電源は、周波数値および電力値の調整（例えば、収束）を開始する。収束は、標準偏差または別の技術に基づいてＤＳＰ１５０によって決定されてよい。６０ＭＨｚ電源がより多くの時間を周波数値および電力値の収束に費やすことを可能にするために、２ＭＨｚ電源は、通常の期間よりも長い期間にわたって高い電力値に維持される。通常の期間は、インピーダンス不整合が低減（例えば、除去）されない期間である。通常の期間の一例は、ＴＴＬ信号１１２の周期の半分に等しい。６０ＭＨｚ電源が周波数値および電力値に収束すると、収束周波数値はＡＦＴ１１８内に周波数値Ｆ２１として格納され、収束電力値は電力コントローラ１５２内に電力値Ｐ２１として格納される。同様に、トレーニングルーチン中、周波数値Ｆ２０およびＦ１１ならびに電力値Ｐ１１およびＰ２０が生成される。周波数値Ｆ２０は、ＡＦＴ１２０に格納され、周波数値Ｆ１１はＡＦＴ１４４に格納され、電力値Ｐ１１は電力コントローラ１４２に格納され、電力値Ｐ２０は電力コントローラ１５４に格納される。
【００４７】
ＴＴＬ信号１１２の状態がＳ１である時、電力コントローラ１４２は、電力値Ｐ１１を２ＭＨｚ電源に提供し、電力コントローラ１５２は、電力値Ｐ２１を６０ＭＨｚコントローラに提供する。状態Ｓ１の間、ＡＦＴ１１４は、周波数値Ｆ１１を２ＭＨｚ電源に提供し、ＡＦＴ１１８は、周波数値Ｆ２１を６０ＭＨｚ電源に提供する。
【００４８】
さらに、一実施形態において、ＴＴＬ信号１１２の状態がＳ１である時、電力コントローラ１５４は、電力値Ｐ２０を６０ＭＨｚ電源に提供しないように自身を制限する。また、この実施形態において、ＡＦＴ１２０は、周波数値Ｆ２０を６０ＭＨｚ電源に提供しないように自身を制限する。
【００４９】
一実施形態において、状態Ｓ１中に、電力値Ｐ１１および周波数値Ｆ１１が２ＭＨｚ電源に提供され、同時に、電力値Ｐ２１および周波数値Ｆ２１が６０ＭＨｚ電源に提供される。例えば、状態Ｓ１中に、電力値Ｐ２１および周波数値Ｆ２１が６０ＭＨｚ電源に提供されるのと同じＴＴＬ信号１１２のクロックエッジの間に、電力値Ｐ１１および周波数値Ｆ１１が２ＭＨｚ電源に提供される。
【００５０】
一実施形態において、状態Ｓ１中に、電力値Ｐ２１および周波数値Ｆ２１が６０ＭＨｚ電源に提供されるのとほぼ同じ時刻に、電力値Ｐ１１および周波数値Ｆ１１が２ＭＨｚ電源に提供される。例えば、状態Ｓ１中に、電力値Ｐ１１および周波数値Ｆ１１は、ＴＴＬ信号１１２のクロックエッジの出現の前または後に、瞬時（例えば、数マイクロ秒、ミリ秒、ナノ秒後など）に２ＭＨｚ電源に提供される。この例では、電力値Ｐ２１および周波数値Ｆ２１は、クロックエッジの出現中に６０ＭＨｚ電源に提供される。
【００５１】
２ＭＨｚ電源は、状態Ｓ１中に周波数値Ｆ１１および電力値Ｐ１１を受信する。値Ｆ１１およびＰ１１を受信すると、２ＭＨｚ電源は、周波数Ｆ１１のＲＦ電力を生成し、ＲＦ電力は電力値Ｐ１１を有する。さらに、６０ＭＨｚ電源は、状態Ｓ１中に周波数値Ｆ２１および電力値Ｐ２１を受信する。値Ｆ２１およびＰ２１を受信すると、６０ＭＨｚ電源は、周波数Ｆ２１のＲＦ電力を生成し、ＲＦ電力は電力値Ｐ２１を有する。
【００５２】
一実施形態において、ＲＦ電源は、増幅器へと続くドライバを備える。増幅器は、伝送線路を介してプラズマチャンバ１０２に順方向電力を供給する。例えば、２ＭＨｚ電源の増幅器は、電力値Ｐ１１に比例する（例えば、同じ、数倍など）電力値を有すると共に周波数値Ｆ１１を有する順方向電力を、伝送線路２３０およびインピーダンス整合回路１８２を介してプラズマチャンバ１０２に供給する。別の例として、６０ＭＨｚ電源の増幅器は、電力値Ｐ２１に比例する電力値を有すると共に周波数値Ｆ２１を有する順方向電力を、伝送線路２３２およびインピーダンス整合回路１８６を介してプラズマチャンバ１０２に供給する。
【００５３】
ＴＴＬ信号１１２の状態がＳ０である時、２ＭＨｚ電源には電力値が提供されず、電力コントローラ１５４は、電力値Ｐ２０を６０ＭＨｚコントローラに提供する。状態Ｓ０の間、２ＭＨｚ電源には周波数値が提供されず、ＡＦＴ１２０は、周波数値Ｆ２０を６０ＭＨｚ電源に提供する。
【００５４】
さらに、一実施形態において、ＴＴＬ信号１１２の状態がＳ０である時、電力コントローラ１４２は、電力値Ｐ１１を２ＭＨｚ電源に提供しないように自身を制限し、電力コントローラ１５２は、電力値Ｐ２１を６０ＭＨｚ電源に提供しないように自身を制限する。また、この実施形態において、ＡＦＴ１１４は、周波数値Ｆ１１を２ＭＨｚ電源に提供しないように自身を制限し、ＡＦＴ１１８は、周波数値Ｆ２１を６０ＭＨｚ電源に提供しないように自身を制限する。
【００５５】
一実施形態において、状態Ｓ０中に、２ＭＨｚ電源には電力値および周波数値が提供されず、同時に、６０ＭＨｚ電源には電力値Ｐ２０および周波数値Ｆ２０が提供される。例えば、状態Ｓ１中に、電力値Ｐ２０および周波数値Ｆ２０が６０ＭＨｚ電源に提供されるのと同じＴＴＬ信号１１２のクロックエッジの間に、電力値「０」および周波数値「０」が２ＭＨｚ電源に提供される。
【００５６】
２ＭＨｚ電源は、周波数および電力値を受信しない、例えば、状態Ｓ０中に、周波数値「０」および電力値「０」を受信する。電力値および周波数値を受信せずに、２ＭＨｚ電源は、周波数値がゼロのＲＦ電力を生成し、ＲＦ電力はゼロの電力値を有する。さらに、６０ＭＨｚ電源は、状態Ｓ０中に周波数値Ｆ２０および電力値Ｐ２０を受信する。値Ｆ２０およびＰ２０を受信すると、６０ＭＨｚ電源は、周波数Ｆ２０のＲＦ電力を生成し、ＲＦ電力は電力値Ｐ２０を有する。
【００５７】
２ＭＨｚ電源の増幅器は、順方向電力を供給しない、例えば、伝送線路２３０およびインピーダンス整合回路１８２を介してプラズマチャンバ１０２に、電力値「０」および周波数値「０」を有する順方向電力を供給する。６０ＭＨｚ電源の増幅器は、電力値Ｐ２０に比例する電力値を有すると共に周波数値Ｆ２０を有する順方向電力を、伝送線路２３２およびインピーダンス整合回路１８６を介してプラズマチャンバ１０２に供給する。
【００５８】
一実施形態において、状態Ｓ１およびＳ０の一方または両方の間に、センサ２１０が、プラズマチャンバ１０２のプラズマから反射されたＲＦ電力である反射電力を伝送線路２３０上で検知する。さらに、状態Ｓ１およびＳ０の一方または両方の間に、センサ２１０は、順方向電力が２ＭＨｚＲＦ電源から伝送線路２３０を介してプラズマチャンバ１０２に送られた時に、伝送線路２３０上で順方向電力を検知する。同様に、状態Ｓ１およびＳ０の一方または両方の間に、センサ２１２が、プラズマチャンバ１０２のプラズマからの反射電力を検知する。センサ２１２によって検知される反射電力は、プラズマチャンバ１０２のプラズマから伝送線路２３２に反射されたものである。さらに、状態Ｓ１およびＳ０の一方または両方の間に、センサ２１２は、順方向電力が６０ＭＨｚＲＦ電源から伝送線路２３２を介してプラズマチャンバ１０２に送られた時に、伝送線路２３２上で順方向電力を検知する。
【００５９】
アナログデジタル変換器（ＡＤＣ）２２０が、センサ２１０によって検知された反射電力信号および順方向電力信号をアナログ形式からデジタル形式に変換し、ＡＤＣ２２２が、センサ２１２によって検知された反射電力信号および順方向電力信号をアナログ形式からデジタル形式に変換する。状態Ｓ１およびＳ０の一方または両方の間に、ＤＳＰ１４０は、センサ２１０によって検知された反射電力信号および順方向電力信号のデジタル値を受信し、ＤＳＰ１５０は、センサ２１２によって検知された反射電力信号および順方向電力信号のデジタル値を受信する。ＤＳＰ１４０は、ガンマ値を生成するために、関係性（例えば、デジタル反射電力信号とデジタル順方向電力信号との比、電圧定在波比（ＶＳＷＲ）など）を状態Ｓ１およびＳ０の一方または両方の間に計算する。ガンマ値「１」は、電源と負荷との間でインピーダンスの不整合の程度が高いことを示し、ガンマ値「０」は、電源と負荷との間でインピーダンスの不整合の程度が低いことを示す。同様に、ＤＳＰ１５０は、ガンマ値を生成するために、デジタル反射電力信号およびデジタル順方向電力信号の間の関係性を状態Ｓ１およびＳ０の一方または両方の間に計算する。ＶＳＷＲは、ＲＣ−１およびＲＣ＋１の比に等しいものとして計算され、ここで、ＲＣは反射係数である。
【００６０】
状態Ｓ１中にＤＳＰ１４０からＡＦＴ１１４にガンマ値が送信され、状態Ｓ１中にＤＳＰ１５０からＡＦＴ１１８にガンマ値が送信される。状態Ｓ１中に、ＡＦＴ１１４は、ＤＳＰ１４０から受信したガンマ値に基づいて周波数値を決定し、ＡＦＴ１１８は、ＤＳＰ１５０から受信したガンマ値に基づいて周波数値を決定する。状態Ｓ１中に、ＡＦＴ１１４は、ガンマ値に基づいて生成された周波数値に基づいて周波数値Ｆ１１を調整し、調整した周波数値を２ＭＨｚ電源に提供する。さらに、状態Ｓ１中に、ＡＦＴ１１８は、ガンマ値に基づいて生成された周波数値に基づいて周波数値Ｆ２１を調整し、調整した周波数値を６０ＭＨｚ電源に提供する。
【００６１】
さらに、状態Ｓ１中に、電力コントローラ１４２は、ＤＳＰ１４０から受信したガンマ値に基づいて電力値を決定し、電力コントローラ１５２は、ＤＳＰ１５０から受信したガンマ値に基づいて電力値を決定する。状態Ｓ１中に、電力コントローラ１４２は、ガンマ値に基づいて生成された電力値に基づいて電力値Ｐ１１を調整し、調整した電力値を２ＭＨｚ電源に提供する。さらに、状態Ｓ１中に、電力コントローラ１５２は、ガンマ値に基づいて生成された電力値に基づいて電力値Ｐ２１を調整し、調整した電力値を６０ＭＨｚ電源に提供する。
【００６２】
状態Ｓ１中に、２ＭＨｚ電源は、ＡＦＴ１１４から受信した調整済みの周波数値と電力コントローラ１４２から受信した調整済みの電力値とを有する電力信号を生成し、その電力信号をインピーダンス整合回路１８２を介してプラズマチャンバ１０２に供給する。同様に、状態Ｓ１中に、６０ＭＨｚ電源は、ＡＦＴ１１８から受信した調整済みの周波数値と電力コントローラ１５２から受信した調整済みの電力値とを有する電力信号を生成し、その電力信号をインピーダンス整合回路１８６を介してプラズマチャンバ１０２に供給する。
【００６３】
さらに、状態Ｓ０中には、２ＭＨｚ電源への電力値および周波数値の提供はなく、２ＭＨｚ電源のゼロ周波数値および電力値を調整するために、状態Ｓ０中に生成されたガンマ値が利用されることはない。状態Ｓ０中に、ＡＦＴ１２０は、ＤＳＰ１５０から受信したガンマ値に基づいて周波数値を決定する。状態Ｓ０中に、ＡＦＴ１２０は、ガンマ値から生成された周波数値に基づいて周波数値Ｆ２０を調整し、調整した周波数値を６０ＭＨｚ電源に提供する。さらに、状態Ｓ０中に、電力コントローラ１５４は、ＤＳＰ１５０から受信したガンマ値に基づいて電力値を決定する。状態Ｓ０中に、電力コントローラ１５４は、ガンマ値に基づいて生成された電力値に基づいて電力値Ｐ２０を調整し、調整した電力値を６０ＭＨｚ電源に提供する。状態Ｓ０中に、６０ＭＨｚ電源は、ＡＦＴ１２０から受信した調整済みの周波数値と電力コントローラ１５４から受信した調整済みの電力値とを有する電力信号を生成し、その電力信号をインピーダンス整合回路１８６を介してプラズマチャンバ１０２に供給する。
【００６４】
電力コントローラ１４２、ＡＦＴ１１４、および、ＤＳＰ１４０は、発生器コントローラ２７０の一部である。発生器コントローラ２７０、ＡＤＣ２２０、センサ２１０、および、２ＭＨｚ電源は、２ＭＨｚ発生器２７４の一部である。同様に、電力コントローラ１５２、電力コントローラ１５４、ＡＦＴ１１４および１２０、ならびに、ＤＳＰ１５０は、発生器コントローラ２７２の一部である。発生器コントローラ２７２、ＡＤＣ２２２、センサ２１２、および、６０ＭＨｚ電源は、６０ＭＨｚ発生器２７６の一部である。
【００６５】
一実施形態において、システム１８０は、インピーダンス整合回路１８２および／または１８６を備えない。一実施形態において、電力コントローラ１４２およびＡＦＴ１１４の代わりに単一のコントローラが用いられ、電力コントローラ１５２およびＡＦＴ１１８の代わりに単一のコントローラが用いられ、電力コントローラ１５４およびＡＦＴ１２０の代わりに単一のコントローラが用いられる。
【００６６】
２ＭＨｚおよび６０ＭＨｚの電源に加えて２７ＭＨｚ電源が用いられる実施形態において、２７ＭＨｚ発生器は、６０ＭＨｚ電源の代わりに２７ＭＨｚ電源を備えることを除けば、６０ＭＨｚ発生器２７６と同様である。２７ＭＨｚ発生器は、インピーダンス整合回路（図示せず）および伝送線路（図示せず）を介してプラズマチャンバ１０２の下側電極１０４に接続される。さらに、２７ＭＨｚ電源は、ＴＴＬ信号１１２を受信するために、ツールＵＩ１９０に接続される。２７ＭＨｚ発生器は、２つの電力コントローラ、２つのＡＦＴ、ＤＳＰ、ＡＤＣ、センサ、および、２７ＭＨｚ電源を備える。
【００６７】
図２は、ＴＴＬ信号１１２の状態の変化に伴うＲＦ電力信号の状態の変化を示すと共に、ガンマの変化に基づいた電力信号の周波数値および／または電力値の調整を示す表２５０の一実施形態である。ＴＴＬ信号１１２が状態Ｓ１であるとき、２ＭＨｚおよび６０ＭＨｚ電源によって供給される電力信号も状態Ｓ１を有する。例えば、２ＭＨｚ電源によって供給される電力信号は、ＴＴＬ信号１１２の状態が変化すると同時に、Ｓ１からＳ０またはＳ０からＳ１へ、その状態を変化させる。また、この例において、６０ＭＨｚ電源によって供給される電力信号は、ＴＴＬ信号１１２の状態が変化すると同時に、Ｓ１からＳ０またはＳ０からＳ１へ、その状態を変化させる。別の例として、２ＭＨｚ電源によって供給される電力信号は、ＴＴＬ信号１１２の状態の変化が起きたのとほぼ同時に、Ｓ１からＳ０またはＳ０からＳ１へ、その状態を変化させる。また、この例において、６０ＭＨｚ電源によって供給される電力信号は、ＴＴＬ信号１１２の状態の変化が起きたのとほぼ同時に、Ｓ１からＳ０またはＳ０からＳ１へ、その状態を変化させる。
【００６８】
さらに、図２に示すように、状態Ｓ１中に、周波数値Ｆ１１およびＦ２１ならびに電力値Ｐ２１は、状態Ｓ１中に生成されたガンマ値に基づいて調整され、状態Ｓ０中に、周波数値Ｆ２０および電力値Ｐ２０は、状態Ｓ０中に生成されたガンマ値に基づいて調整される。
【００６９】
図３は、プラズマインピーダンスの変化に応じて電力コントローラおよび／または周波数チューナ（電力コントローラおよび／または周波数チューナは非ゼロ値を提供する）を調整する時間を削減するためのシステム２６２の一実施形態を示す図である。システム２６２は、それぞれ非ゼロ値を提供する電力コントローラ１７２およびＡＦＴ２６４を備えることを除いては、図１のシステム１８０と同様である。
【００７０】
ＤＳＰ１４０は、識別された状態Ｓ０を、対応する記憶場所からＡＦＴ２６４および電力コントローラ１７２に提供する。一例として、ＤＳＰ１４０は、ＴＴＬ信号１１２がデューティサイクルの時刻ｔ２およびｔ３の間に状態Ｓ０にあることを、ＡＦＴ２６４および電力コントローラ１７２に示す。ＡＦＴ２６４は、ＴＴＬ信号１１２の状態に基づいて周波数値を決定し、電力コントローラ１７２は、ＴＴＬ信号１１２の状態に基づいて電力値を決定する。例えば、ＡＦＴ２６４は、ＴＴＬ信号１１２の状態がＳ０である時に周波数値Ｆ１０が２ＭＨｚ電源に提供されるように決定し、電力コントローラ１７２は、ＴＴＬ信号１１２の状態がＳ０である時に電力値Ｐ１０が２ＭＨｚ電源に提供されるように決定する。一実施形態において、値Ｆ１０およびＰ１０は、正の値である。
【００７１】
トレーニングルーチン中、周波数値Ｆ１０および電力値Ｐ１０は、上述したのと同様の方法で生成される。周波数値Ｆ１０はＡＦＴ２６４に格納され、電力値Ｐ１０は電力コントローラ１７２に格納される。ＴＴＬ信号１１２の状態がＳ０である時、電力コントローラ１７２は、電力値Ｐ１０を２ＭＨｚ電源に提供し、ＡＦＴ２６４は、周波数値Ｆ１０を２ＭＨｚ電源に提供する。
【００７２】
さらに、一実施形態において、ＴＴＬ信号１１２の状態がＳ１である時、電力コントローラ１７２は、電力値Ｐ１０を２ＭＨｚ電源に提供しないように自身を制限する。また、この実施形態において、ＡＦＴ２６４は、周波数値Ｆ１０を２ＭＨｚ電源に提供しないように自身を制限する。
【００７３】
一実施形態において、状態Ｓ０中に、電力値Ｐ１０および周波数値Ｆ１０が２ＭＨｚ電源に提供され、同時に、電力値Ｐ２０および周波数値Ｆ２０が６０ＭＨｚ電源に提供される。例えば、状態Ｓ０中に、電力値Ｐ２０および周波数値Ｆ２０が６０ＭＨｚ電源に提供されるのと同じＴＴＬ信号１１２のクロックエッジの間に、電力値Ｐ１０および周波数値Ｆ１０が２ＭＨｚ電源に提供される。
【００７４】
一実施形態において、状態Ｓ０中に、電力値Ｐ２０および周波数値Ｆ２０が６０ＭＨｚ電源に提供されるのとほぼ同じ時刻に、電力値Ｐ１０および周波数値Ｆ１０が２ＭＨｚ電源に提供される。例えば、状態Ｓ０中に、電力値Ｐ１０および周波数値Ｆ１０は、ＴＴＬ信号１１２のクロックエッジの出現の前または後に、瞬時に２ＭＨｚ電源に提供される。この例では、電力値Ｐ２０および周波数値Ｆ２０は、クロックエッジの出現中に６０ＭＨｚ電源に提供される。
【００７５】
２ＭＨｚ電源は、状態Ｓ０中に周波数値Ｆ１０および電力値Ｐ１０を受信する。値Ｆ１０およびＰ１０を受信すると、２ＭＨｚ電源は、周波数Ｆ１０のＲＦ電力を生成し、ＲＦ電力は電力値Ｐ１０を有する。２ＭＨｚ電源の増幅器は、電力値Ｐ１０に比例する電力値を有すると共に周波数値Ｆ１０を有する順方向電力を、伝送線路２３０およびインピーダンス整合回路１８２を介してプラズマチャンバ１０２に供給する。
【００７６】
一実施形態において、状態Ｓ０中に、ＡＦＴ２６４は、ＤＳＰ１４０から受信したガンマ値に基づいて周波数値を決定する。状態Ｓ０中に、ＡＦＴ２６４は、ガンマ値から生成された周波数値に基づいて周波数値Ｆ１０を調整し、調整した周波数値を２ＭＨｚ電源に提供する。さらに、状態Ｓ０中に、電力コントローラ１７２は、ＤＳＰ１４０から受信したガンマ値に基づいて電力値を決定する。状態Ｓ０中に、電力コントローラ１７２は、ガンマ値に基づいて生成された電力値に基づいて電力値Ｐ１０を調整し、調整した電力値を２ＭＨｚ電源に提供する。また、状態Ｓ０中に、２ＭＨｚ電源は、ＡＦＴ２６４から受信した調整済みの周波数値と電力コントローラ１７２から受信した調整済みの電力値とを有する電力信号を生成し、その電力信号をインピーダンス整合回路１８２を介してプラズマチャンバ１０２に供給する。
【００７７】
電力コントローラ１４２および１７２、ＡＦＴ１１４および２６４、ならびに、ＤＳＰ１４０は、発生器コントローラ２９０の一部である。発生器コントローラ２９０、ＡＤＣ２２０、センサ２１０、および、２ＭＨｚ電源は、２ＭＨｚ発生器２９２の一部である。
【００７８】
図４Ａは、グラフ３０２、３０４、３０６、および、３０８の実施形態を示す。各グラフ３０２、３０４、３０６、および、３０８は、時刻ｔの関数としてキロワット（ｋＷ）で電力値を示している。グラフ３０２に示すように、２ＭＨｚ電力信号（２ＭＨｚ電源によって供給される電力信号）は、状態Ｓ１中に電力値ａ１を有し、状態Ｓ０中に電力値０を有する。電力値ａ１は、電力値Ｐ１１の一例である。また、６０ＭＨｚ電力信号（６０ＭＨｚ電源によって提供される電力信号）は、状態Ｓ１中に電力値ａ２を有し、状態Ｓ０中に電力値ａ３を有する。電力値ａ２は電力値Ｐ２１の一例であり、電力値ａ３は電力値Ｐ２０の一例である。
【００７９】
グラフ３０４に示すように、６０ＭＨｚ電力信号は、状態Ｓ１およびＳ０中に電力値ａ２を有する。さらに、グラフ３０６に示すように、２ＭＨｚ信号は、状態Ｓ０中に電力値ａ４を有する。電力値ａ４は、電力値Ｐ１０の一例である。グラフ３０８に示すように、６０ＭＨｚ信号は、２ＭＨｚ信号が電力値ａ４を有する時に、電力値ａ２を有する。
【００８０】
図４Ｂは、グラフ３１０、３１２、３１４、および、３１６の実施形態を示す。各グラフ３１０、３１２、３１４、および、３１６は、時刻ｔの関数としてキロワットで電力値を示している。グラフ３１０に示すように、６０ＭＨｚ信号は、電力値ａ２から電力値ａ３に移行する（図４Ａ）代わりに、電力値ａ２から電力値０に移行する。
【００８１】
さらに、グラフ３１２に示すように、６０ＭＨｚ信号は、電力値ａ２から電力値ａ５に移行する。電力値ａ５は、電力値Ｐ２０の一例である。グラフ３１４に示すように、６０ＭＨｚ信号は、２ＭＨｚ信号が非ゼロ電力値ａ４を有する状態Ｓ０中に電力値０を有する。グラフ３１６に示すように、６０ＭＨｚ電力信号は、２ＭＨｚ信号が非ゼロ電力値ａ４を有する状態Ｓ０中に非ゼロ電力値ａ５を有する。
【００８２】
図５Ａは、グラフ３１８、３２０、３２２、および、３２４の実施形態を示す。各グラフ３１８、３２０、３２２、および、３２４は、時刻ｔの関数としてキロワットで電力値を示している。グラフ３１８、３２０、３２２、および、３２４が、２７ＭＨｚ信号のプロットを含むことを除けば、グラフ３１８はグラフ３０２（図４Ａ）と同様であり、グラフ３２０はグラフ３０４（図４Ａ）と同様であり、グラフ３２０はグラフ３０６（図４Ａ）と同様であり、グラフ３２２はグラフ３０８（図４Ａ）と同様である。２７ＭＨｚ信号は、２７ＭＨｚ発生器の２７ＭＨｚ電源（図示せず）から生成される。２７ＭＨｚ信号は、状態Ｓ１およびＳ０の両方の間、電力値ａ６を有するＲＦ信号である。
【００８３】
図５Ｂは、グラフ３２６、３２８、３３０、および、３３２の実施形態を示す。各グラフ３２６、３２８、３３０、および、３３２は、時刻ｔの関数としてキロワットで電力値を示している。グラフ３２６、３２８、３３０、および、３３２が、電力値ａ６を有する２７ＭＨｚ信号のプロットを含むことを除けば、グラフ３２６はグラフ３１０（図４Ｂ）と同様であり、グラフ３２８はグラフ３１２（図４Ｂ）と同様であり、グラフ３３０はグラフ３１４（図４Ｂ）と同様であり、グラフ３３２はグラフ３１６（図４Ｂ）と同様である。
【００８４】
図５Ｃは、グラフ３３４、３３６、３３８、および、３４０の実施形態を示す。各グラフ３３４、３３６、３３８、および、３４０は、時刻ｔの関数としてキロワットで電力値を示している。グラフ３３４、３３６、３３８、および、３４０が、２７ＭＨｚ信号のプロットを含むことを除けば、グラフ３３４はグラフ３０２（図４Ａ）と同様であり、グラフ３３６はグラフ３０４（図４Ａ）と同様であり、グラフ３３８はグラフ３０６（図４Ａ）と同様であり、グラフ３４０はグラフ３０８（図４Ａ）と同様である。２７ＭＨｚ信号は、状態Ｓ１中の電力値ａ７から状態Ｓ０中の電力値ａ８に移行する。電力値ａ７は、電力値ａ８よりも小さい。
【００８５】
図５Ｄは、グラフ３４２、３４４、３４６、および、３４８の実施形態を示す。各グラフ３４２、３４４、３４６、および、３４８は、時刻ｔの関数としてキロワットで電力値を示している。グラフ３４２、３４４、３４６、および、３４８が、電力値ａ７およびａ８を有する２７ＭＨｚ信号のプロットを含むことを除けば、グラフ３４２はグラフ３１０（図４Ｂ）と同様であり、グラフ３４４はグラフ３１２（図４Ｂ）と同様であり、グラフ３４６はグラフ３１４（図４Ｂ）と同様であり、グラフ３４８はグラフ３１６（図４Ｂ）と同様である。
【００８６】
図５Ｅは、グラフ３５０、３５２、３５４、および、３５６の実施形態を示す。各グラフ３５０、３５２、３５４、および、３５６は、時刻ｔの関数としてキロワットで電力値を示している。グラフ３５０、３５２、３５４、および、３５６が、２７ＭＨｚ信号のプロットを含むことを除けば、グラフ３５０はグラフ３０２（図４Ａ）と同様であり、グラフ３５２はグラフ３０４（図４Ａ）と同様であり、グラフ３５４はグラフ３０６（図４Ａ）と同様であり、グラフ３５６はグラフ３０８（図４Ａ）と同様である。２７ＭＨｚ信号は、状態Ｓ１中の電力値ａ９から状態Ｓ０中の電力値ａ１０に移行する。電力値ａ９は、電力値ａ１０よりも大きい。
【００８７】
図５Ｆは、グラフ３５８、３６０、３６２、および、３６４の実施形態を示す。各グラフ３５８、３６０、３６２、および、３６４は、時刻ｔの関数としてキロワットで電力値を示している。グラフ３５８、３６０、３６２、および、３６４が、電力値ａ９およびａ１０を有する２７ＭＨｚ信号のプロットを含むことを除けば、グラフ３５８はグラフ３１０（図４Ｂ）と同様であり、グラフ３６０はグラフ３１２（図４Ｂ）と同様であり、グラフ３６２はグラフ３１４（図４Ｂ）と同様であり、グラフ３６４はグラフ３１６（図４Ｂ）と同様である。
【００８８】
上述のグラフ３０２、３０４、３０６、３０８、３１０、３１２、３１４、３１６、３１８、３２０、３２２、３２４、３２６、３２８、３３０、３３２、３３４、３３６、３３８、３４０、３４２、３４４、３４６、３４８、３５０、３５２、３５４、３５６、および、３５８において、２ＭＨｚ信号は実線で示され、６０ＭＨｚ信号は破線で示され、２７ＭＨｚ信号は点線で示されている。
【００８９】
一実施形態において、２ＭＨｚ信号、２７ＭＨｚ信号、および、６０ＭＨｚ信号の状態（例えば、ハイ、ローなど）を、ＴＴＬ信号１１２の状態に同期させる代わりに、一実施形態において、ＲＦ信号（例えば、２７ＭＨｚ信号、６０ＭＨｚ信号など）の状態は、別のＲＦ信号（例えば、２ＭＨｚ信号など）の状態に同期されることに注意されたい。
【００９０】
図６は、ＴＴＬ信号１１２の状態に基づいてＡＦＴ１１４および２６４の間で選択を行うためのシステム３１１の一実施形態を示すブロック図である。ＴＴＬ信号１１２が状態Ｓ１である時、システム３１１の選択ロジック１２８はＡＦＴ１１４を選択し、ＴＴＬ信号１１２が状態Ｓ０である時、選択ロジック１２８はＡＦＴ２６４を選択する。選択ロジック１２８の例としては、マルチプレクサが挙げられる。選択ロジック１２８がマルチプレクサを含む場合、ＴＴＬ信号１１２は、マルチプレクサの選択入力で受信される。例えば、ロー状態のＴＴＬ信号がマルチプレクサの第１の選択入力で受信され、ハイ状態のＴＴＬ信号がマルチプレクサの第２の選択入力で受信される。一実施形態において、選択ロジック１２８は、プロセッサを備える。一実施形態において、選択ロジック１２８は、ＤＳＰ１４０内に実装される。
【００９１】
ＡＦＴ１１４が選択されると、ＡＦＴ１１４は、周波数値Ｆ１１を２ＭＨｚ電源に提供する。同様に、ＡＦＴ２６４が選択されると、ＡＦＴ２６４は、周波数値Ｆ１０を２ＭＨｚ電源に提供する。
【００９２】
２ＭＨｚ電源は、クロック源３１３から受信したクロック信号と同期する２ＭＨｚ信号を生成する。一実施形態において、クロック源３１３のクロック信号は、ＴＴＬ信号１１２と同期する。一実施形態において、クロック源３１３のクロック信号は、ＴＴＬ信号１１２とほぼ同じ位相を有する。例えば、クロック源３１３のクロック信号の立ち上がりエッジは、ＴＴＬ信号１１２の立ち上がりエッジより一瞬、後または前にある。一実施形態において、クロック源３１３からのクロック信号の代わりに、ＴＴＬ信号１１２が２ＭＨｚ電源に提供される。
【００９３】
図１に図示した実施形態において、ＡＦＴ１１４および２６４の間で選択を行う代わりに、状態Ｓ１中にＡＦＴ１１４が選択され、状態Ｓ０中にＡＦＴは選択されない。例えば、状態Ｓ０中に、選択ロジック１２８は、いずれのＡＦＴも選択しない。
【００９４】
一実施形態において、選択ロジック１２８は、ＡＦＴ１１４および２６４の代わりに、電力コントローラ１４２および１７２（図３）の間で選択を行う。電力コントローラ１４２が状態Ｓ１中に選択されると、電力コントローラ１４２は、電力値Ｐ１１を２ＭＨｚ電源に提供し、電力コントローラ１７２が状態Ｓ０中に選択されると、電力コントローラ１７２は、電力値Ｐ１０を２ＭＨｚ電源に提供する。
【００９５】
さらに、図１に図示した実施形態において、電力コントローラ１４２および１７２の間で選択を行う代わりに、状態Ｓ１中に電力コントローラ１４２が選択され、状態Ｓ０中に電力コントローラは選択されない。
【００９６】
一実施形態において、選択ロジック１２８は、６０ＭＨｚ発生器２７６（図１）内に実装される。この実施形態は、ＡＦＴ１１４および２６４の間で選択を行う代わりに、選択ロジック１２８がＡＦＴ１１８および１２０（図１）の間で選択を行うことを除けば、図６で説明した実施形態と同様である。ＡＦＴ１１８が状態Ｓ１中に選択されると、ＡＦＴ１１８は、周波数値Ｆ２１を６０ＭＨｚ電源に提供し、ＡＦＴ１２０が状態Ｓ０中に選択されると、ＡＦＴ１２０は、周波数値Ｆ２０を６０ＭＨｚ電源に提供する。さらに、この実施形態において、選択ロジック１２８は、電力コントローラ１５２および１５４の間で選択を行うよう実装される。電力コントローラ１５２が状態Ｓ１中に選択されると、電力コントローラ１５２は、電力値Ｐ２１を６０ＭＨｚ電源に提供し、電力コントローラ１５４が状態Ｓ０中に選択されると、電力コントローラ１５４は、電力値Ｐ２０を６０ＭＨｚ電源に提供する。
【００９７】
一実施形態において、選択ロジック１２８は、選択ロジック１２８が２ＭＨｚ発生器２７４（図１）または２９２（図３）もしくは６０ＭＨｚ発生器２７６（図１および図３）内に実装されるのと同様の方法で２７ＭＨｚ発生器内に実装される。
【００９８】
任意のガンマ値が、選択ロジック１２８によって、状態Ｓ１またはＳ０に基づいてＡＦＴ１１４または２６４に転送される。例えば、状態がＳ１である時、ＤＳＰ１４０は、第１のガンマ値を選択ロジック１２８に提供し、第１のガンマ値は、状態Ｓ１中に測定された反射電力および順方向電力に基づいて決定されたものである。この例において、状態Ｓ１中にＡＦＴ１１４を選択した選択ロジック１２８は、ＤＳＰ１４０から受信した第１のガンマ値をＡＦＴ１１４に転送する。別の例として、状態がＳ０である時、ＤＳＰ１４０は、第２のガンマ値を選択ロジック１２８に提供し、第２のガンマ値は、状態Ｓ０中に測定された反射電力および順方向電力に基づいて決定されたものである。この例において、状態Ｓ０中にＡＦＴ２６４を選択した選択ロジック１２８は、ＤＳＰ１４０から受信した第２のガンマ値をＡＦＴ２６４に転送する。
【００９９】
同様に、電力コントローラ１４２および１７２（図３）が用いられる実施形態において、選択ロジック１２８は、ＤＳＰ１４０から受信した第１のガンマ値を状態Ｓ１中に電力コントローラ１４２に転送し、ＤＳＰ１４０から受信した第２のガンマ値を電力コントローラ１７２に転送する。さらに、ＡＦＴ２６４を利用せずにＡＦＴ１１４が用いられる実施形態において、選択ロジック１２８は、状態Ｓ０中に第２のガンマ値を転送しないように自身を制限する。
【０１００】
さらに、選択ロジック１２８が６０ＭＨｚ発生器２７６（図１）内に実装され、電力コントローラ１５２および１５４に接続される実施形態において、選択ロジック１２８は、ＤＳＰ１５０から受信した第３のガンマ値を状態Ｓ１中に電力コントローラ１５２に転送し、ＤＳＰ１５０から受信した第４のガンマ値を状態Ｓ０中に電力コントローラ１５４に転送する。この実施形態において、第３のガンマ値は、状態Ｓ１中に伝送線路２３２上の順方向電力および反射電力に基づいて生成される。また、この実施形態において、順方向電力および反射電力の両方は、センサ２１２によって検知される。この実施形態において、第４のガンマ値は、状態Ｓ０中に伝送線路２３２上の順方向電力および反射電力に基づいて生成される。
【０１０１】
さらに、選択ロジック１２８が６０ＭＨｚ発生器内に実装され、ＡＦＴ１１８および１２０に接続される実施形態において、選択ロジック１２８は、ＤＳＰ１５０から受信した第３のガンマ値を状態Ｓ１中にＡＦＴ１１８に転送し、ＤＳＰ１５０から受信した第４のガンマ値を状態Ｓ１中にＡＦＴ１２０に転送する。
【０１０２】
図７は、第１の組の電力値および第１の組の周波数を有するＲＦ信号を生成するか、第２の組の電力値および第２の組の周波数を有するＲＦ信号を生成するかを決定するための方法３２１の一実施形態を示すフローチャートである。動作３２３において、プラズマが、プラズマチャンバ１０２（図１）内で点火（例えば、生成）される。また、動作３２５において、ＴＴＬ信号１１２が、２ＭＨｚ発生器（例えば、発生器２７４（図１）、発生器２９２（図３）など）によって受信されると共に、６０ＭＨｚ発生器２７６（図１および図３）によって受信される。例えば、ＤＳＰ１４０（図１）が、ツールＵＩ１９０からＴＴＬ信号１１２を受信し、ＤＳＰ１５０（図１）が、ツールＵＩ１９０からＴＴＬ信号１１２を受信する。
【０１０３】
動作３２７において、ＤＳＰ（例えば、ＤＳＰ１４０、ＤＳＰ１５０など）は、ＴＴＬ信号１１２の状態がＳ１であるかＳ０であるかを判定する。例えば、ＤＳＰ１４０は、ＴＴＬ信号１１２の状態がハイであるかローであるかを判定する。別の例として、ＤＳＰ１５０は、ＴＴＬ信号の状態が１であるか０であるかを判定する。
【０１０４】
ＴＴＬ信号１１２の状態がＳ１であるとの判定に応じて、動作３２９において、ＴＴＬ信号１１２は、状態Ｓ１を達成するために、ＤＳＰ（例えば、ＤＳＰ１４０、ＤＳＰ１５０など）によって、対応するＡＦＴまたは電力コントローラ（例えば、ＡＦＴ１１４、ＡＦＴ１１８、電力コントローラ１４２、電力コントローラ１５２など）に送信される。例えば、電力値Ｐ１１および周波数値Ｆ１１を達成して状態Ｓ１をさらに達成するために、状態Ｓ１の識別が、ＤＳＰ１４０からＡＦＴ１１４および電力コントローラ１４２に送信される。この例において、ＡＦＴ１１４は、周波数値Ｆ１１に対応する状態Ｓ１を含む第１のルックアップテーブルに基づいて、周波数値Ｆ１１を提供する。さらに、この例において、電力コントローラ１４２は、電力値Ｐ１１に対応する状態Ｓ１を含む第２のルックアップテーブルに基づいて、電力値Ｐ１１を提供する。この例において、第１のルックアップテーブルはＡＦＴ１１４内に格納され、第２のルックアップテーブルは電力コントローラ１４２内に格納される。
【０１０５】
別の例として、電力値Ｐ２１および周波数値Ｆ２１を達成して状態Ｓ１を達成するために、状態Ｓ１が、ＤＳＰ１５０からＡＦＴ１１８および電力コントローラ１５２に送信される。この例において、ＡＦＴ１１８は、周波数値Ｆ２１に対応する状態Ｓ１を含む第３のルックアップテーブルに基づいて、周波数値Ｆ２１を提供する。さらに、この例において、電力コントローラ１５２は、電力値Ｐ２１に対応する状態Ｓ１を含む第４のルックアップテーブルに基づいて、電力値Ｐ２１を提供する。この例において、第３のルックアップテーブルはＡＦＴ１１８内に格納され、第４のルックアップテーブルは電力コントローラ１５２内に格納される。
【０１０６】
動作３３１において、反射電力（プラズマチャンバ１０２内のプラズマから反射されたＲＦ電力）および順方向電力が、伝送線路２３０（図１）で測定される。反射電力および順方向電力は、センサ２１０（図１）によって測定される。順方向電力および反射電力の測定アナログ値が、センサ２１０によってＡＤＣ２２０に提供され、ＡＤＣ２２０は、アナログ値をデジタル値に変換する。さらに、動作３３１において、反射電力および順方向電力が、伝送線路２３２（図１）で測定される。反射電力および順方向電力は、センサ２１２（図１）によって測定される。順方向電力および反射電力の測定アナログ値が、センサ２１２によってＡＤＣ２２２に提供され、ＡＤＣ２２２は、アナログ値をデジタル値に変換する。
【０１０７】
動作３３３において、ＤＳＰ１４０は、センサ２１０によって測定された順方向電力および反射電力のデジタル値を受信し、それらの値からガンマを決定する。また、動作３３３において、ＤＳＰ１５０は、センサ２１２によって測定された順方向電力および反射電力のデジタル値を受信し、それらの値からガンマを決定する。
【０１０８】
動作３３５において、ガンマは、周波数値Ｆ１１を調整するために、ＤＳＰ１４０によってＡＦＴ１１４に提供され、電力値Ｐ１１を調整するために、ＤＳＰ１４０によって電力コントローラ１４２に提供される。一例として、ＡＦＴ１１４は、状態Ｓ１の間に伝送線路２３０の信号に基づいて測定されたガンマに対応するルックアップテーブルから、周波数値Ｆ１１以外の別の周波数値を取得し、その別の周波数値を２ＭＨｚ電源に提供する。２ＭＨｚ電源は、その別の周波数値を有するＲＦ信号を生成する。さらに、動作３３５において、ガンマは、電力値Ｐ１１を調整するために、ＤＳＰ１４０によって電力コントローラ１４２に提供される。一例として、電力コントローラ１４２は、状態Ｓ１の間に伝送線路２３０の信号に基づいて測定されたガンマに対応するルックアップテーブルから、電力値Ｐ１１以外の別の電力値を取得し、その別の電力値を２ＭＨｚ電源に提供する。２ＭＨｚ電源は、その別の電力値を有するＲＦ信号を生成する。
【０１０９】
さらに、動作３３５において、ガンマは、周波数値Ｆ２１を調整するために、ＤＳＰ１５０によってＡＦＴ１１８に提供され、電力値Ｐ２１を調整するために、ＤＳＰ１５０によって電力コントローラ１５２に提供される。一例として、ＡＦＴ１１８は、状態Ｓ１の間に伝送線路２３２の信号に基づいて測定されたガンマに対応するルックアップテーブルから、周波数値Ｆ２１以外の別の周波数値を取得し、その別の周波数値を６０ＭＨｚ電源に提供する。６０ＭＨｚ電源は、その別の周波数値を有するＲＦ信号を生成する。別の例として、電力コントローラ１５２は、状態Ｓ１の間に伝送線路２３２の信号に基づいて測定されたガンマに対応するルックアップテーブルから、電力値Ｐ２１以外の別の電力値を取得し、その別の電力値を６０ＭＨｚ電源に提供する。６０ＭＨｚ電源は、その別の電力値を有するＲＦ信号を生成する。方法３２１は、動作３３５の後に動作３２５に戻る。
【０１１０】
ＴＴＬ信号１１２の状態がＳ０であるとの判定に応じて、動作３３７において、ＴＴＬ信号１１２は、状態Ｓ０を達成するために、ＤＳＰ（例えば、ＤＳＰ１４０、ＤＳＰ１５０など）によって、対応するＡＦＴまたは電力コントローラ（例えば、ＡＦＴ２６４、ＡＦＴ１２０、電力コントローラ１７２、電力コントローラ１５４など）に送信される。例えば、電力値Ｐ１０および周波数値Ｆ１０を達成して状態Ｓ０をさらに達成するために、状態Ｓ０の識別が、ＤＳＰ１４０からＡＦＴ２６４および電力コントローラ１７２に送信される。この例において、ＡＦＴ２６４は、周波数値Ｆ１０に対応する状態Ｓ０を含む第５のルックアップテーブルに基づいて、周波数値Ｆ１０を提供する。さらに、この例において、電力コントローラ１７２は、電力値Ｐ１０に対応する状態Ｓ０を含む第６のルックアップテーブルに基づいて、電力値Ｐ１０を提供する。この例において、第５のルックアップテーブルはＡＦＴ２６４内に格納され、第６のルックアップテーブルは電力コントローラ１７２内に格納される。
【０１１１】
例えば、電力値Ｐ２０および周波数値Ｆ２０を達成して状態Ｓ０を達成するために、状態Ｓ０の識別が、ＤＳＰ１５０からＡＦＴ１２０および電力コントローラ１５４に送信される。この例において、ＡＦＴ１２０は、周波数値Ｆ２０に対応する状態Ｓ０を含む第７のルックアップテーブルに基づいて、周波数値Ｆ２０を提供する。さらに、この例において、電力コントローラ１５４は、電力値Ｐ２０に対応する状態Ｓ０を含む第８のルックアップテーブルに基づいて、電力値Ｐ２０を提供する。この例において、第７のルックアップテーブルはＡＦＴ１２０内に格納され、第８のルックアップテーブルは電力コントローラ１５４内に格納される。
【０１１２】
動作３３９は動作３３１と同じであり、動作３４１は動作３３３と同じである。動作３４３において、ガンマは、周波数値Ｆ１０を調整するために、ＤＳＰ１４０によってＡＦＴ２６４に提供され、電力値Ｐ１０を調整するために、ＤＳＰ１４０によって電力コントローラ１７２に提供される。一例として、ＡＦＴ２６４は、状態Ｓ０の間に伝送線路２３０の信号に基づいて測定されたガンマに対応するルックアップテーブルから、周波数値Ｆ１０以外の別の周波数値を取得し、その別の周波数値を２ＭＨｚ電源に提供する。２ＭＨｚ電源は、その別の周波数値を有するＲＦ信号を生成する。さらに、動作３４３において、ガンマは、ＤＳＰ１４０によって、電力値Ｐ１０を調整する電力コントローラ１７２へ提供される。一例として、電力コントローラ１７２は、状態Ｓ０の間に伝送線路２３０の信号に基づいて測定されたガンマに対応するルックアップテーブルから、電力値Ｐ１０以外の別の電力値を取得し、その別の電力値を２ＭＨｚ電源に提供する。２ＭＨｚ電源は、その別の電力値を有するＲＦ信号を生成する。
【０１１３】
さらに、動作３４３において、ガンマは、周波数値Ｆ２０を調整するために、ＤＳＰ１５０によってＡＦＴ１２０に提供され、電力値Ｐ２０を調整するために、ＤＳＰ１５０によって電力コントローラ１５４に提供される。一例として、ＡＦＴ１２０は、状態Ｓ０の間に伝送線路２３２の信号に基づいて測定されたガンマに対応するルックアップテーブルから、周波数値Ｆ２０以外の別の周波数値を取得し、その別の周波数値を６０ＭＨｚ電源に提供する。６０ＭＨｚ電源は、その別の周波数値を有するＲＦ信号を生成する。さらに、動作３４３において、ガンマは、電力値Ｐ２０を調整するために、ＤＳＰ１５０によって電力コントローラ１５４に提供される。一例として、電力コントローラ１５４は、状態Ｓ０の間に伝送線路２３２の信号に基づいて測定されたガンマに対応するルックアップテーブルから、電力値Ｐ２０以外の別の電力値を取得し、その別の電力値を６０ＭＨｚ電源に提供する。６０ＭＨｚ電源は、その別の電力値を有するＲＦ信号を生成する。方法３２１は、動作３４３の後に動作３２５に戻る。
【０１１４】
一実施形態において、動作３３１、３３３、３３５、３３９、３４１、および、３４３は、任意選択である。例えば、動作３２９および３３７の後に動作３２５に戻り、動作３３１、３３３、３３５、３３９、３４１、および、３４３は実行されない。
【０１１５】
上述の実施形態は、２ＭＨｚＲＦ信号および／または６０ＭＨｚ信号および／または２７ＭＨｚ信号を下側電極１０４に供給し、上側電極１１０を接地することに関するが、いくつかの実施形態では、２ＭＨｚ、６０ＭＨｚ、および、２７ＭＨｚ信号が上側電極１１０に提供され、下側電極１０４が接地されることに注意されたい。
【０１１６】
さらに、一実施形態では、ＴＴＬ信号１１２の状態Ｓ１およびＳ０を生成するために、プラズマのインピーダンスの変化が用いられない。状態Ｓ１およびＳ０は、プラズマのインピーダンスの変化と無関係である。
【０１１７】
また、一実施形態において、入力（例えば、周波数入力、電力入力など）またはレベル（例えば、電力レベル、周波数レベル）は、別の値の閾値内にある１または複数の値を含むことに注意されたい。例えば、電力レベルは、電力値Ｐ２１と、電力値Ｐ２１の閾値内にある他の電力値とを含む。この例において、電力レベルは、別の状態に対する任意の電力値（例えば、状態Ｓ０に対する電力値Ｐ２０）を除外する。別の例として、周波数入力は、周波数値Ｆ１１と、周波数値Ｆ１１の閾値内にある他の周波数値とを含む。この例において、周波数入力は、別の状態に対する任意の周波数値（例えば、状態Ｓ０に対する周波数値Ｆ１０）を除外する。
【０１１８】
上述の実施形態は、平行板プラズマチャンバに関して説明されているが、一実施形態において、上述の実施形態は、その他のタイプのプラズマチャンバ、例えば、誘電結合プラズマ（ＩＣＰ）リアクタを備えるプラズマチャンバ、電子サイクロトロン共鳴（ＥＣＲ）リアクタを備えるプラズマチャンバなど、に適用されることに注意されたい。例えば、２ＭＨｚおよび６０ＭＨｚ電源は、ＩＣＰプラズマチャンバ内のインダクタに接続される。
【０１１９】
一実施形態において、発生器コントローラのＡＦＴおよび／または電力コントローラによって実行される動作は、発生器コントローラのＤＳＰによって実行される。例えば、ＡＦＴ１１８および１２０によって実行される本明細書に記載の動作は、ＤＳＰ１５０（図３）によって実行される。別の例として、ＡＦＴ１１４、ＡＦＴ２６４、電力コントローラ１４２、および、電力コントローラ１７２によって実行される本明細書に記載の動作は、ＤＳＰ１４０（図３）によって実行される。
【０１２０】
本明細書に記載の実施形態は、ハンドヘルドデバイス、マイクロプロセッサシステム、マイクロプロセッサベースまたはプログラム可能な家電、ミニコンピュータ、メインフレームコンピュータなど、様々なコンピュータシステム構成で実施されてもよい。実施形態は、ネットワークを通して接続された遠隔処理デバイスによってタスクが実行される分散コンピューティング環境で実施されてもよい。
【０１２１】
上述の実施形態を念頭に置いて、本実施形態は、コンピュータシステムに格納されたデータを含め、コンピュータに実装された様々な動作を利用できることを理解されたい。これらの動作は、物理量の物理操作を必要とするものである。本実施形態の一部を形成する本明細書で説明した動作はいずれも、有用な機械動作である。本実施形態は、さらに、これらの動作を実行するためのデバイスまたは装置に関する。装置は、専用コンピュータ向けに特別に構成されてよい。専用コンピュータとして規定された場合、コンピュータは、特殊目的に含まれない他の処理、プログラム実行、または、ルーチンも実行しつつ、特殊目的のために動作することができる。あるいは、動作は、コンピュータメモリ、キャッシュに格納されたまたはネットワークを介して取得された１または複数のコンピュータプログラムによって選択的にアクティベートまたは構成された汎用コンピュータで処理されてもよい。データがネットワークを介して取得されると、そのデータは、ネットワーク上の他のコンピュータ（例えば、クラウドのコンピューティング資源）によって処理されてよい。
【０１２２】
１または複数実施形態は、コンピュータ読み取り可能な媒体上にコンピュータ読み取り可能なコードとして製造されてもよい。コンピュータ読み取り可能な媒体は、コンピュータシステムによって読み出し可能であるようにデータを格納できる任意のデータ記憶装置である。コンピュータ読み取り可能な媒体の例としては、ハードドライブ、ネットワーク接続ストレージ（ＮＡＳ）、ＲＯＭ、ＲＡＭ、コンパクトディスク−ＲＯＭ（ＣＤ−ＲＯＭ）、ＣＤ−レコーダブル（ＣＤ−Ｒ）、ＣＤ−リライタブル（ＣＤ−ＲＷ）、磁気テープ、および、その他の光学式および非光学式のデータ記憶装置が挙げられる。コンピュータ読み取り可能な媒体は、コンピュータ読み取り可能なコードが分散的に格納および実行されるように、ネットワーク接続されたコンピュータシステム上に分散されたコンピュータ読み取り可能なタンジブル媒体を含みうる。
【０１２３】
方法の動作は特定の順番で記載されているが、オーバーレイ動作の処理が望ましく実行される限りは、他のハウスキーピング動作が動作の合間に実行されてもよいし、動作が若干異なる時間に実行されるように調整されてもよいし、処理に関連した様々な間隔で処理動作が起きることを許容するシステムに分散されてもよいことを理解されたい。
【０１２４】
本開示に記載された様々な実施形態に記載された範囲を逸脱することなしに、任意の実施形態の１または複数の特徴が、任意の他の実施形態の１または複数の特徴と組み合わされてもよい。
【０１２５】
理解を深めるために、本実施形態について、ある程度詳しく説明したが、添付の特許請求の範囲内でいくらかの変更および変形を行ってもよいことは明らかである。したがって、本実施形態は、例示的なものであって、限定的なものではないとみなされ、実施形態は、本明細書に示した詳細に限定されず、添付の特許請求の範囲および等価物の範囲内で変形されてよい。
本発明は、たとえば、以下のような態様で実現することもできる。
適用例１：
システムであって、
電極に接続された第１発生器であって、第１高周波（ＲＦ）信号を前記電極に供給するための第１電源と、パルス信号が第１の状態にある時に第１の周波数入力を前記第１電源に提供するための自動周波数制御部（ＡＦＣ）と、を含む、第１発生器と、
前記電極に接続された第２発生器であって、第２ＲＦ信号を前記電極に供給するための第２電源と、前記パルス信号が前記第１の状態である時に第２の周波数入力を前記第２電源に提供するためのＡＦＣと、前記パルス信号が第２の状態である時に第３の周波数入力を前記第２電源に提供するためのＡＦＣと、を含む、第２発生器と、
前記パルス信号を生成するためのデジタルパルス源と、
を備える、システム。
適用例２：
適用例１のシステムであって、
前記第２発生器は、デジタル信号プロセッサから受信した前記第２の周波数入力または前記第３の周波数入力を前記第２電源に転送するためのセレクタを含む、システム。
適用例３：
システムであって、
基板を支持するための表面を有する下側電極と、前記下側電極の上に配置された上側電極と、を含むプラズマチャンバであって、前記上側電極は電気的に接地されている、プラズマチャンバと、
前記下側電極に接続された第１発生器であって、第１高周波（ＲＦ）信号を前記下側電極に供給するための第１電源を含む、第１発生器と、
前記下側電極に接続された第２発生器であって、第２ＲＦ信号を前記下側電極に供給するための第２電源を含む、第２発生器と、
パルス信号を生成するためのデジタルパルス源であって、前記第１発生器および前記第２発生器に接続され、前記パルス信号は２つの状態の間を移行する、デジタルパルス源と、
を備え、
前記第１発生器は、前記パルス信号が第１の状態にある時に第１の周波数入力を前記第１電源に提供するための第１の自動周波数制御部（ＡＦＣ）を含み、
前記第２発生器は、前記パルス信号が前記第１の状態にある時に第２の周波数入力を前記第２電源に提供するための第２のＡＦＣを含み、
前記第２発生器は、前記パルス信号が第２の状態にある時に第３の周波数入力を前記第２電源に提供するための第３のＡＦＣを含む、システム。
適用例４：
適用例３のシステムであって、さらに、
前記第２のＡＦＣおよび前記第３のＡＦＣの間で選択を行って前記第２の周波数入力または前記第３の周波数入力を前記第２電源に提供するために、前記デジタルパルス源と前記第２および第３のＡＦＣとの間に接続されたセレクタを備え、
前記セレクタは、前記パルス信号の前記状態に基づいて前記第２のＡＦＣおよび前記第３のＡＦＣの間で選択を行うよう構成されている、システム。
適用例５：
適用例３のシステムであって、
前記２つの状態の一方はオン状態であり、前記２つの状態のもう一方はオフ状態である、システム。
適用例６：
適用例３のシステムであって、
前記第１ＲＦ信号は、前記第２ＲＦ信号より低い周波数を有する、システム。
適用例７：
適用例３のシステムであって、
前記第１ＲＦ信号は、前記パルス信号が前記第１の状態である時に第１の電力レベルにあり、前記パルス信号が前記第２の状態である時に第２の電力レベルにあり、前記第１の電力レベルは前記第２の電力レベルよりも高く、
前記第２ＲＦ信号は、前記パルス信号が前記第１の状態にある時に第３の電力レベルにあり、前記パルス信号が前記第２の状態にある時に第４の電力レベルにあり、前記第３の電力レベルは前記第４の電力レベルよりも低い、システム。
適用例８：
適用例７のシステムであって、
前記第３の電力レベルはゼロまたは正の値である、システム。
適用例９：
適用例３のシステムであって、
前記第１ＲＦ信号は、前記パルス信号が前記第１の状態である時に第１の電力レベルにあり、前記パルス信号が前記第２の状態である時に第２の電力レベルにあり、前記第１の電力レベルは前記第２の電力レベルよりも高く、
前記第２ＲＦ信号は、前記パルス信号が前記第１の状態にある時に第３の電力レベルにあり、前記パルス信号が前記第２の状態にある時に第４の電力レベルにあり、前記第３の電力レベルは前記第４の電力レベルと同じである、システム。
適用例１０：
適用例９のシステムであって、
前記第３の電力レベルは正の値である、システム。
適用例１１：
適用例３のシステムであって、
前記第１ＲＦ信号は、前記パルス信号が前記第１の状態である時に第１の電力レベルにあり、前記パルス信号が前記第２の状態である時に第２の電力レベルにあり、前記第１の電力レベルは前記第２の電力レベルよりも高く、
前記第２ＲＦ信号は、前記パルス信号が前記第１の状態にある時に第３の電力レベルにあり、前記パルス信号が前記第２の状態にある時に第４の電力レベルにあり、前記第３の電力レベルは前記第４の電力レベルよりも高い、システム。
適用例１２：
適用例１１のシステムであって、
前記第３の電力レベルはゼロまたは正の値である、システム。
適用例１３：
適用例３のシステムであって、
前記デジタルパルス源は、クロック発振器またはトランジスタ−トランジスタロジック（ＴＴＬ）を含む、システム。
適用例１４：
適用例３のシステムであって、
前記第１の周波数入力は、前記第２の周波数入力および前記第３の周波数入力とは異なる、システム。
適用例１５：
適用例３のシステムであって、
前記セレクタは、マルチプレクサを含む、システム。
適用例１６：
システムであって、
パルス信号を生成するためのデジタルパルス源と、
第１発生器であって、
第１高周波（ＲＦ）信号を電極に供給するために前記電極に接続された第１電源と、
前記パルス信号を受信して前記パルス信号の２つの状態の内の第１の状態および第２の状態を識別するために前記パルス源に接続された第１プロセッサと、
前記パルス信号が前記第１の状態にあるか前記第２の状態にあるかに基づいて第１電力値を前記第１電源に提供するか否かを決定するために前記第１プロセッサに接続された電力コントローラと、
前記第１プロセッサから前記状態の識別を受信するために前記第１プロセッサに接続され、前記パルス信号が前記第１の状態にある時に前記第１ＲＦ信号の周波数を提供するよう構成された自動周波数制御部（ＡＦＣ）と、を含む、第１発生器と、
第２発生器であって、
第２ＲＦ信号を前記電極に供給するために前記電極に接続された第２電源と、
前記パルス信号を受信して前記パルス信号が前記第１の状態にあるか前記第２の状態にあるかを識別するために前記パルス源に接続された第２プロセッサと、
前記パルス信号が前記第１の状態にある時に第１の第２電力値を前記第２電源に提供するために前記第２プロセッサに接続された第１の電力コントローラと、
前記パルス信号が前記第２の状態にある時に第２の第２電力値を前記第２電源に提供するために前記第２プロセッサに接続された第２の電力コントローラと、
前記第２プロセッサから前記状態の識別を受信するために前記第２プロセッサに接続され、前記パルス信号が前記第１の状態にある時に前記第２ＲＦ信号の第１の周波数入力を提供するよう構成された第１のＡＦＣと、
前記第２プロセッサから前記状態の識別を受信するために前記第２プロセッサに接続され、前記パルス信号が前記第２の状態にある時に前記第２ＲＦ信号の第２の周波数入力を提供するよう構成された第２のＡＦＣと、を含む、第２発生器と、
を備える、システム。
適用例１７：
適用例１６のシステムであって、
前記第２発生器は、前記第２プロセッサから受信した前記第１の周波数入力または前記第２の周波数入力を前記第２電源に転送するためのセレクタを含む、システム。
適用例１８：
システムであって、
基板を支持するための表面を有する下側電極と、前記下側電極の上に配置された上側電極と、を含むプラズマチャンバであって、前記上側電極は電気的に接地されている、プラズマチャンバと、
２つの状態の間を移行するパルス信号を生成するためのデジタルパルス源と、
第１発生器であって、
第１高周波（ＲＦ）信号を前記下側電極に供給するために前記下側電極に接続された第１電源と、
前記パルス信号を受信して、前記パルス信号の前記２つの状態の内の第１の状態および前記２つの状態の内の第２の状態を識別するために、前記パルス源に接続された第１プロセッサと、
前記パルス信号が前記第１の状態にあるか前記第２の状態にあるかに基づいて第１電力値を前記第１電源に提供するか否かを決定するために前記第１プロセッサに接続された電力コントローラと、
前記第１プロセッサから前記状態の識別を受信するために前記第１プロセッサに接続され、前記パルス信号が前記第１の状態にある時に前記第１ＲＦ信号の周波数を提供するよう構成された自動周波数制御部（ＡＦＣ）と、を含む、第１発生器と、
第２発生器であって、
第２ＲＦ信号を前記下側電極に供給するために前記下側電極に接続された第２電源と、
前記パルス信号を受信して前記パルス信号が前記第１の状態にあるか前記第２の状態にあるかを識別するために前記パルス源に接続された第２プロセッサと、
前記パルス信号が前記第１の状態にある時に第１の第２電力値を前記第２電源に提供するために前記第２プロセッサに接続された第１の電力コントローラと、
前記パルス信号が前記第２の状態にある時に第２の第２電力値を前記第２電源に提供するために前記第２プロセッサに接続された第２の電力コントローラと、
前記第２プロセッサから前記状態の識別を受信するために前記第２プロセッサに接続され、前記パルス信号が前記第１の状態にある時に前記第２ＲＦ信号の周波数を提供するよう構成された第１のＡＦＣと、
前記第２プロセッサから前記状態の識別を受信するために前記第２プロセッサに接続され、前記パルス信号が前記第２の状態にある時に前記第２ＲＦ信号の周波数を提供するよう構成された第２のＡＦＣと、を含む、第２発生器と、
を備える、システム。
適用例１９：
適用例１８のシステムであって、
前記２つの状態の一方はオン状態であり、前記２つの状態のもう一方はオフ状態である、システム。
適用例２０：
適用例１８のシステムであって、
前記第１ＲＦ信号は、前記パルス信号が前記第１の状態である時に第１の電力レベルにあり、前記パルス信号が前記第２の状態である時に第２の電力レベルにあり、前記第１の電力レベルは前記第２の電力レベルよりも高く、
前記第１の第２電力値は前記第２の第２電力値よりも低い、システム。
適用例２１：
適用例１８のシステムであって、
前記第１ＲＦ信号は、前記パルス信号が前記第１の状態である時に第１の電力レベルにあり、前記パルス信号が前記第２の状態である時に第２の電力レベルにあり、前記第１の電力レベルは前記第２の電力レベルよりも高く、
前記第１の第２電力値は前記第２の第２電力値と同じである、システム。
適用例２２：
適用例１８のシステムであって、
前記第１ＲＦ信号は、前記パルス信号が前記第１の状態である時に第１の電力レベルにあり、前記パルス信号が前記第２の状態である時に第２の電力レベルにあり、前記第１の電力レベルは前記第２の電力レベルよりも高く、
前記第１の第２電力値は前記第２の第２電力値よりも高い、システム。
適用例２３：
適用例１８のシステムであって、
前記パルス信号が前記第１の状態にある時、前記第１電力値は正の電力値である、システム。
適用例２４：
適用例１８のシステムであって、
前記第１の第２電力値は、前記第２の第２電力値よりも低い、同じ、または、高い、システム。
適用例２５：
システムであって、
パルス信号を生成するためのデジタルパルス源と、
第１発生器であって、
第１高周波（ＲＦ）信号を電極に供給するために前記電極に接続された第１電源と、
前記パルス信号を受信して、前記パルス信号の２つの状態の内の第１の状態および前記２つの状態の内の第２の状態を識別するために、前記パルス源に接続された第１プロセッサと、
前記パルス信号が前記第１の状態にある時に第１の第１電力値を前記第１電源に提供するために前記第１プロセッサに接続された第１の第１電力コントローラと、
前記パルス信号が前記第２の状態にある時に第２の第１電力値を前記第１電源に提供するために前記第１プロセッサに接続された第２の第１電力コントローラと、
前記第１プロセッサから前記状態の識別を受信するために前記第１プロセッサに接続され、前記パルス信号が前記第１の状態にある時に前記第１ＲＦ信号に第１の第１周波数入力を提供するよう構成された第１の第１自動周波数制御部（ＡＦＣ）と、
前記第１プロセッサから前記状態の識別を受信するために前記第１プロセッサに接続され、前記パルス信号が前記第２の状態にある時に前記第１ＲＦ信号に第２の第１周波数入力を提供するよう構成された第２の第１ＡＦＣと、を含む、第１発生器と、
第２発生器であって、
第２ＲＦ信号を前記電極に供給するために前記電極に接続された第２電源と、
前記パルス信号を受信して前記パルス信号が前記第１の状態にあるか前記第２の状態にあるかを識別するために前記パルス源に接続された第２プロセッサと、
前記パルス信号が前記第１の状態にある時に第１の第２電力値を前記第２電源に提供するために前記第２プロセッサに接続された第１の第２電力コントローラと、
前記パルス信号が前記第２の状態にある時に第２の第２電力値を前記第２電源に提供するために前記第２プロセッサに接続された第２の第２電力コントローラと、
前記第２プロセッサから前記状態の識別を受信するために前記第２プロセッサに接続され、前記パルス信号が前記第１の状態にある時に前記第２ＲＦ信号に第１の第２周波数入力を提供するよう構成された第１の第２ＡＦＣと、
前記第２プロセッサから前記状態の識別を受信するために前記第２プロセッサに接続され、前記パルス信号が前記第２の状態にある時に前記第２ＲＦ信号に第２の第２周波数入力を提供するよう構成された第２の第２ＡＦＣと、を含む、第２発生器と、
を備える、システム。
適用例２６：
適用例２５のシステムであって、
前記第１発生器は、前記第１プロセッサから受信した前記第１の第１周波数入力または前記第２プロセッサから受信した前記第２の第１周波数入力を前記第１電源に転送するよう構成されたセレクタを含み、
前記第２発生器は、前記第２プロセッサから受信した前記第１の第２周波数入力または前記第２プロセッサから受信した前記第２の第２周波数入力を前記第２電源に転送するよう構成されたセレクタを含む、システム。
適用例２７：
システムであって、
基板を支持するための表面を有する下側電極と、前記下側電極の上に配置された上側電極と、を含むプラズマチャンバであって、前記上側電極は電気的に接地されている、プラズマチャンバと、
２つの状態の間を移行するパルス信号を生成するためのデジタルパルス源と、
第１発生器であって、
第１高周波（ＲＦ）信号を前記下側電極に供給するために前記下側電極に接続された第１電源と、
前記パルス信号を受信して前記パルス信号の前記２つの状態の内の第１の状態および前記２つの状態の内の第２の状態を識別するために前記パルス源に接続された第１プロセッサと、
前記パルス信号が前記第１の状態にある時に第１の第１電力値を前記第１電源に提供するために前記第１プロセッサに接続された第１の第１電力コントローラと、
前記パルス信号が前記第２の状態にある時に第２の第１電力値を前記第１電源に提供するために前記第１プロセッサに接続された第２の第１電力コントローラと、
前記第１プロセッサから前記状態の識別を受信するために前記第１プロセッサに接続され、前記パルス信号が前記第１の状態にある時に前記第１ＲＦ信号の周波数を提供するよう構成された第１の第１自動周波数制御部（ＡＦＣ）と、
前記第１プロセッサから前記状態の識別を受信するために前記第１プロセッサに接続され、前記パルス信号が前記第２の状態にある時に前記第１ＲＦ信号の周波数を提供するよう構成された第２の第１ＡＦＣと、を含む、第１発生器と、
第２発生器であって、
第２ＲＦ信号を前記下側電極に供給するために前記下側電極に接続された第２電源と、
前記パルス信号を受信して前記パルス信号が前記第１の状態にあるか前記第２の状態にあるかを識別するために前記パルス源に接続された第２プロセッサと、
前記パルス信号が前記第１の状態にある時に第１の第２電力値を前記第２電源に提供するために前記第２プロセッサに接続された第１の第２電力コントローラと、
前記パルス信号が前記第２の状態にある時に第２の第２電力値を前記第２電源に提供するために前記第２プロセッサに接続された第２の第２電力コントローラと、
前記第２プロセッサから前記状態の識別を受信するために前記第２プロセッサに接続され、前記パルス信号が前記第１の状態にある時に前記第２ＲＦ信号の周波数を提供するよう構成された第１の第２ＡＦＣと、
前記第２プロセッサから前記状態の識別を受信するために前記第２プロセッサに接続され、前記パルス信号が前記第２の状態にある時に前記第２ＲＦ信号の周波数を提供するよう構成された第２の第２ＡＦＣと、を含む、第２発生器と、
を備える、システム。
適用例２８：
適用例２７のシステムであって、
前記第１の第２電力値は、前記第２の第１電力値よりも低い、同じ、または、高い、システム。
適用例２９：
方法であって、
２つの状態を有するデジタルパルス信号を受信する工程と、
前記デジタルパルス信号が前記２つの状態の内の第１の状態にある時に第１の周波数入力を第１ＲＦ電源に印加することから、前記デジタルパルス信号が前記２つの状態の内の第２の状態にある時に第２の周波数入力を前記第１ＲＦ電源に印加することに切り換える工程と、
前記デジタルパルス信号が前記第１の状態にある時に第３の周波数入力を第２ＲＦ電源に印加することを決定する工程と、
を備える、方法。
適用例３０：
適用例２９の方法であって、
前記方法は、半導体ウエハを処理して集積回路を製造するために利用される、方法。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４Ａ】
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【図４Ｂ】
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【図５Ａ】
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【図５Ｂ】
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【図５Ｃ】
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【図５Ｄ】
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【図５Ｅ】
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【図５Ｆ】
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【図６】
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【図７】
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