(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
第一の粘着シートにウエハを貼着させる工程と、
前記第一の粘着シートに貼着された前記ウエハをダイシングにより個片化し、複数の半導体チップを形成する工程と、
基材フィルムと、前記基材フィルム上に積層され、エネルギー線硬化型粘着剤が含まれる粘着剤層とを備えた第二の粘着シートの前記粘着剤層に、前記複数の半導体チップを転写する工程と、
前記第一の粘着シートを剥離する工程と、
前記第二の粘着シートにエネルギー線を照射し、前記粘着剤層の前記複数の半導体チップが貼着されていない領域を硬化させる工程と、
前記第二の粘着シートを引き延ばして、前記粘着剤層の前記硬化させた領域を破断させるとともに、前記複数の半導体チップ同士の間隔を拡げる工程と、を備える、
半導体装置の製造方法。
【請求項２】
前記ウエハをダイシングにより個片化し、前記複数の半導体チップを形成した後に、前記第一の粘着シートを引き延ばして、前記複数の半導体チップ同士の間隔を拡げる工程をさらに備える、
請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項３】
前記粘着剤層の前記複数の半導体チップが貼着されていない領域を硬化させる工程において、前記エネルギー線を、前記第二の粘着シートに貼着されている前記複数の半導体チップの上から照射する、
請求項１または請求項２に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項４】
前記粘着剤層の前記複数の半導体チップが貼着されていない領域を硬化させる工程において、前記複数の半導体チップが貼着されていない領域に対応する部位にエネルギー線を透過させる透過部と、半導体チップが貼着されている部位へのエネルギー線の照射を遮断させる遮断部とを有するマスクを、前記第二の粘着シートの前記複数の半導体チップが貼着されている面とは反対側の面に沿って配置し、前記エネルギー線を、前記マスクの上から照射する、
請求項１または請求項２に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項５】
前記ウエハのダイシングは、
第１の方向に沿って前記ウエハを切断して第１のストリートを形成する工程と、
前記第１の方向と直交する第２の方向に沿って前記ウエハを切断して第２のストリートを形成する工程と、を含み、
前記粘着剤層の前記複数の半導体チップが貼着されていない領域を硬化させる工程は、
前記第１のストリートに前記エネルギー線を照射する工程と、
前記第２のストリートに前記エネルギー線を照射する工程と、を含み、
前記第二の粘着シートを引き延ばして前記複数の半導体チップ同士の間隔を拡げる工程は、
前記第二の粘着シートを前記第２の方向に沿って引き延ばす工程と、
前記第二の粘着シートを前記第１の方向に沿って引き延ばす工程と、を含み、
前記第１のストリートに前記エネルギー線を照射した後、前記第二の粘着シートを前記第２の方向に沿って引き延ばし、続いて、前記第２のストリートに前記エネルギー線を照射した後、前記第二の粘着シートを前記第１の方向に沿って引き延ばす、
請求項１から請求項４のいずれか一項に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項６】
第二の粘着シートは、前記粘着剤層が積層される基材フィルムを有し、
前記第１の方向が前記第二の粘着シートの基材フィルムのＭＤ方向であり、
前記第２の方向が前記第二の粘着シートの基材フィルムのＣＤ方向である、
請求項５に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項７】
前記第二の粘着シートを引き延ばして、前記複数の半導体チップ同士の間隔を拡げた後、前記複数の半導体チップの回路面を残して封止部材で覆う工程をさらに備える、
請求項１から請求項６のいずれか一項に記載の半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、電子機器の小型化、軽量化、および高機能化が進んでいる。電子機器に搭載される半導体装置にも、小型化、薄型化、および高密度化が求められている。半導体チップは、そのサイズに近いパッケージに実装されることがある。このようなパッケージは、チップスケールパッケージ（Ｃｈｉｐ  Ｓｃａｌｅ  Ｐａｃｋａｇｅ；ＣＳＰ）と称されることもある。ＣＳＰを製造するプロセスの一つとして、ウエハレベルパッケージ（Ｗａｆｅｒ  Ｌｅｖｅｌ  Ｐａｃｋａｇｅ；ＷＬＰ）が挙げられる。ＷＬＰにおいては、ダイシングにより個片化する前に、チップ回路形成面に外部電極などを形成し、最終的にはチップを含むパッケージをダイシングして、個片化する。ＷＬＰとしては、ファンイン（Ｆａｎ−Ｉｎ）型とファンアウト（Ｆａｎ−Ｏｕｔ）型が挙げられる。ファンアウト型のＷＬＰ（以下、ＦＯ−ＷＬＰと略記する場合がある。）においては、半導体チップを、チップサイズよりも大きな領域となるように封止部材で覆って半導体チップ封止体を形成し、再配線層や外部電極を、半導体チップの回路面だけでなく封止部材の表面領域においても形成する。
【０００３】
例えば、特許文献１には、半導体ウエハから個片化された複数の半導体チップを、その回路形成面を残し、モールド部材を用いて周りを囲んで拡張ウエハを形成し、半導体チップ外の領域に再配線パターンを延在させて形成する半導体パッケージの製造方法が記載されている。特許文献１に記載の製造方法において、個片化された複数の半導体チップをモールド部材で囲う前に、エキスパンド用のウエハマウントテープに貼り替え、ウエハマウントテープを展延して複数の半導体チップの間の距離を拡大させている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】国際公開第２０１０／０５８６４６号
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
ウエハマウントテープなどの粘着シートに貼着された複数の半導体チップは、粘着剤と接触している。粘着シートを引き延ばして、複数の半導体チップ同士の間隔を拡げると、まず、半導体チップが貼着されていない領域が引き延ばされて、その領域における粘着剤層の厚さが薄くなる。続いて、半導体チップが貼着されている領域の粘着剤層も引き延ばされて、粘着剤層の厚さが薄くなっていき、半導体チップと粘着剤との接触面積が狭くなる。その結果、粘着シート上の半導体チップの保持力が低下するおそれがある。半導体チップの保持力が低下すると、粘着シート上の複数の半導体チップ同士の間隔がばらついたり、半導体チップが粘着シートから離脱したりして、後工程における半導体チップの取り扱い性が低下するおそれがある。
【０００６】
本発明の目的は、半導体チップの取り扱い性を低下させることなく、複数の半導体チップ同士の間隔を大きく拡げることのできる半導体装置の製造方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の一態様によれば、第一の粘着シートにウエハを貼着させる工程と、前記第一の粘着シートに貼着された前記ウエハをダイシングにより個片化し、複数の半導体チップを形成する工程と、前記複数の半導体チップを、エネルギー線硬化型粘着剤が含まれる粘着剤層を備えた第二の粘着シートに転写する工程と、前記第一の粘着シートを剥離する工程と、前記第二の粘着シートにエネルギー線を照射し、前記粘着剤層の前記複数の半導体チップが貼着されていない領域を硬化させる工程と、前記第二の粘着シートを引き延ばして、前記粘着剤層の前記硬化させた領域を破断させるとともに、前記複数の半導体チップ同士の間隔を拡げる工程と、を備える、半導体装置の製造方法を提供できる。
【０００８】
上述の本発明の一態様によれば、第二の粘着シートを引き延ばすエキスパンド工程を実施する前に、複数の半導体チップが貼着されていない領域の粘着剤層を硬化させる。エキスパンド工程で第二の粘着シートを引き延ばして、粘着剤層の硬化させた領域（以下、硬化領域という場合がある。）を破断させる。硬化領域を破断させた後は、破断により分離した硬化領域間の間隔が拡がるため、半導体チップが貼着されている領域においては、引き延ばされて半導体チップと粘着剤層との接触面積が狭くなる不具合を防止できる。このため、エキスパンド工程を実施しても、複数の半導体チップを安定して粘着剤層に保持できる。したがって、半導体チップの取り扱い性を低下させることなく、複数の半導体チップ同士の間隔を大きく拡げることができる。
上述の本発明の一態様によれば、ダイシングにより形成した複数の半導体チップをピックアップして、間隔を拡げて支持部材上に再配列する工程を経ることなく、複数の半導体チップ同士の間隔を安定して大きく拡げることができる。それゆえ、上述の本発明の一態様に係る半導体装置の製造方法は、ＷＬＰの製造プロセスへの適合性に優れ、特にファンアウト型のウエハレベルパッケージの製造プロセスへの適合性に優れる。具体的には、本発明の一態様によれば、ＦＯ−ＷＬＰにおけるチップ間隔の均等性および正確性を向上させることができる。
【０００９】
本発明の一態様において、前記ウエハをダイシングにより個片化し、前記複数の半導体チップを形成した後に、前記第一の粘着シートを引き延ばして、前記複数の半導体チップ同士の間隔を拡げる工程をさらに備えることも好ましい。
この態様によれば、第一の粘着シートを引き延ばして、複数の半導体チップ間の間隔を拡げる。ダイシングにより生じた複数の半導体チップ間の間隔に比べて、複数の半導体チップ間の間隔が拡がるので、複数の半導体チップを第二の粘着シートへ転写した後に、未貼着領域にエネルギー線が確実に照射される。このため、エネルギー線の照射によって、硬化領域を形成しやすくなる。
【００１０】
本発明の一態様において、前記粘着剤層の前記複数の半導体チップが貼着されていない領域を硬化させる工程において、前記エネルギー線を、前記第二の粘着シートに貼着されている前記複数の半導体チップの上から照射することも好ましい。
この態様によれば、エネルギー線を、第二の粘着シートに貼着されている複数の半導体チップの上から照射する。複数の半導体チップがマスクとして機能するので、粘着剤層の複数の半導体チップが貼着されていない領域の硬化を簡便に行うことができる。また、エネルギー線を照射するときに別途マスクを設置する必要がないので、半導体装置の製造工程を簡略化できる。
【００１１】
本発明の一態様において、前記粘着剤層の前記複数の半導体チップが貼着されていない領域を硬化させる工程において、前記複数の半導体チップが貼着されていない領域に対応する部位にエネルギー線を透過させる透過部と、半導体チップが貼着されている部位へのエネルギー線の照射を遮断させる遮断部とを有するマスクを、前記第二の粘着シートの前記複数の半導体チップが貼着されている面とは反対側の面に沿って配置し、前記エネルギー線を、前記マスクの上から照射することも好ましい。
この態様によれば、マスクの透過部は、複数の半導体チップが貼着されていない領域に対応する部位にエネルギー線を透過させる。また、マスクの遮断部は、半導体チップが貼着されている部位へのエネルギー線の照射を遮断させる。このマスクを、第二の粘着シートの複数の半導体チップが貼着されている面とは反対側の面に沿って配置し、エネルギー線を、マスクの上から照射する。半導体チップが貼着されている領域に対応する部位は、遮断部によってエネルギー線から遮断され、粘着剤層の複数の半導体チップが貼着されていない領域を硬化させることができる。
この態様では、例えば、マスクの遮断部の大きさが、半導体チップが貼着されている領域よりも大きければ、透過部の領域は、複数の半導体チップが貼着されていない領域よりも狭くなる。したがって、このマスクを使用することで、複数の半導体チップが貼着されていない領域よりもエネルギー線が照射される領域を狭めることができる。このように、マスクの透過部と遮断部の大きさや形状を変更することによって、エネルギー線の照射で硬化させる領域の大きさや形状を制御できる。
【００１２】
本発明の一態様において、前記ウエハのダイシングは、第１の方向に沿って前記ウエハを切断して第１のストリートを形成する工程と、前記第１の方向と直交する第２の方向に沿って前記ウエハを切断して第２のストリートを形成する工程と、を含み、前記粘着剤層の前記複数の半導体チップが貼着されていない領域を硬化させる工程は、前記第１のストリートに前記エネルギー線を照射する工程と、前記第２のストリートに前記エネルギー線を照射する工程と、を含み、前記第二の粘着シートを引き延ばして前記複数の半導体チップ同士の間隔を拡げる工程は、前記第二の粘着シートを前記第２の方向に沿って引き延ばす工程と、前記第二の粘着シートを前記第１の方向に沿って引き延ばす工程と、を含み、前記第１のストリートに前記エネルギー線を照射した後、前記第二の粘着シートを前記第２の方向に沿って引き延ばし、続いて、前記第２のストリートに前記エネルギー線を照射した後、前記第二の粘着シートを前記第１の方向に沿って引き延ばすことも好ましい。
【００１３】
この態様によれば、第１のストリートにエネルギー線を照射した後、第２の方向に沿って引き延ばし、続いて、第２のストリートにエネルギー線を照射した後、第１の方向に沿って引き延ばす。このように、第１の方向のエキスパンドと、第２の方向のエキスパンドとで、それぞれエキスパンド工程を分離して実施する。粘着シートの第１の方向および第２の方向の延び特性に応じて、それぞれの方向における引張り力を調整しながらエキスパンド工程を実施できるため、複数の半導体チップ同士の間隔がより均一に拡張される。
【００１４】
本発明の一態様において、第二の粘着シートは、前記粘着剤層が積層される基材フィルムを有し、前記第１の方向が前記第二の粘着シートの基材フィルムのＭＤ方向であり、前記第２の方向が前記第二の粘着シートの基材フィルムのＣＤ方向であることも好ましい。
この態様によれば、第二の粘着シートを構成する基材フィルムのＭＤ方向に沿って形成されたストリートにエネルギー線を照射した後、基材フィルムのＣＤ方向に沿って引き延ばし、続いて、基材フィルムのＣＤ方向に沿って形成されたストリートにエネルギー線を照射した後、基材フィルムのＭＤ方向に沿って引き延ばす。このように、エキスパンド工程を基材フィルムのＭＤ方向の延び特性、およびＣＤ方向の延び特性に応じてそれぞれの方向における引張り力を調整しながらエキスパンド工程を実施できるため、複数の半導体チップ同士の間隔がより一層均一に拡張される。
本明細書において、「ＭＤ方向」とは、基材フィルムを与える原反の長手方向（原反の製造時の送り方向）に平行な方向を示す語として用いており、「ＣＤ方向」とは、ＭＤ方向と直交する方向を示す語として用いており、以下についても同様である。本明細書において、ＭＤは、Ｍａｃｈｉｎｅ  Ｄｉｒｅｃｔｉｏｎの略称であり、ＣＤは、Ｃｒｏｓｓ  Ｄｉｒｅｃｔｉｏｎの略称である。
【００１５】
本発明の一態様において、前記第二の粘着シートを引き延ばして、前記複数の半導体チップ同士の間隔を拡げた後、前記複数の半導体チップの回路面を残して封止部材で覆う工程をさらに備えることも好ましい。
この態様によれば、半導体チップの取り扱い性を低下させることなく複数の半導体チップ間の間隔を大きく拡げたうえで、封止部材で複数の半導体チップを覆うことができる。しかも、この態様によれば、個片化された半導体チップを、１個ずつ第一の粘着シートから別の粘着シートや支持体にピック・アンド・プレイスによって再配列することなく、封止部材で覆うことができる。それゆえ、この態様によれば、ＷＬＰの製造プロセスの工程を簡略化することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１６】
【図１】第一実施形態に係る製造方法を説明する断面図。
【図２】図１に続いて第一実施形態に係る製造方法を説明する断面図。
【図３】図２に続いて第一実施形態に係る製造方法を説明する断面図。
【図４】図３に続いて第一実施形態に係る製造方法を説明する断面図。
【図５】図４に続いて第一実施形態に係る製造方法を説明する断面図。
【図６】図５に続いて第一実施形態に係る製造方法を説明する断面図。
【図７】第二実施形態に係る製造方法を説明する断面図。
【図８】第三実施形態に係る製造方法を説明する平面図。
【図９】図８に続いて第三実施形態に係る製造方法を説明する平面図。
【図１０】図９に続いて第三実施形態に係る製造方法を説明する平面図。
【図１１】実施形態の変形例に係る製造方法を説明する断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１７】
〔第一実施形態〕
以下、本実施形態に係る半導体装置の製造方法について説明する。
【００１８】
図１（Ａ）には、第一の粘着シート１０に貼着された半導体ウエハＷが示されている。
半導体ウエハＷは、回路面Ｗ１を有し、回路面Ｗ１には、回路Ｗ２が形成されている。第一の粘着シート１０は、半導体ウエハＷの回路面Ｗ１とは反対側の裏面Ｗ３に貼着されている。
半導体ウエハＷは、例えば、シリコンウエハであってもよいし、ガリウム・砒素などの化合物半導体ウエハであってもよい。半導体ウエハＷの回路面Ｗ１に回路Ｗ２を形成する方法としては、汎用されている方法が挙げられ、例えば、エッチング法、およびリフトオフ法などが挙げられる。
半導体ウエハＷは、予め所定の厚みに研削して、裏面Ｗ３を露出させて第一の粘着シート１０に貼着されている。半導体ウエハＷを研削する方法としては、特に限定されず、例えば、グラインダーなどを用いた公知の方法が挙げられる。半導体ウエハＷを研削する際には、回路Ｗ２を保護するために、表面保護シートを回路面Ｗ１に貼着させる。ウエハの裏面研削は、半導体ウエハＷの回路面Ｗ１側、すなわち表面保護シート側をチャックテーブル等により固定し、回路Ｗ２が形成されていない裏面側をグラインダーにより研削する。研削後の半導体ウエハＷの厚みは、特に限定はされず、通常は、２０μｍ以上５００μｍ以下である。
【００１９】
第一の粘着シート１０は、第一の基材フィルム１１と、第一の粘着剤層１２とを有する。第一の粘着剤層１２は、第一の基材フィルム１１に積層されている。
第一の粘着シート１０は、半導体ウエハＷおよび第一のリングフレームに貼着されていてもよい。この場合、第一の粘着シート１０の第一の粘着剤層１２の上に、第一のリングフレームおよび半導体ウエハＷを載置し、これらを軽く押圧し、固定する。
【００２０】
第一の基材フィルム１１の材質は、特に限定されない。第一の基材フィルム１１の材質としては、例えば、ポリ塩化ビニル樹脂、ポリエステル樹脂（ポリエチレンテレフタレート等）、アクリル樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポリエチレン樹脂、ポリプロピレン樹脂、アクリロニトリル・ブタジエン・スチレン樹脂、ポリイミド樹脂、ポリウレタン樹脂、およびポリスチレン樹脂などが挙げられる。
【００２１】
第一の粘着剤層１２に含まれる粘着剤は、特に限定されず広く適用できる。第一の粘着剤層１２に含まれる粘着剤としては、例えば、ゴム系、アクリル系、シリコーン系、ポリエステル系、およびウレタン系等が挙げられる。なお、粘着剤の種類は、用途や貼着される被着体の種類等を考慮して選択される。
【００２２】
［ダイシング工程］
図１（Ｂ）には、第一の粘着シート１０に保持された複数の半導体チップＣＰが示されている。
第一の粘着シート１０に保持された半導体ウエハＷは、ダイシングにより個片化され、複数の半導体チップＣＰが形成される。ダイシングには、ダイシングソーなどの切断手段が用いられる。ダイシングの際の切断深さは、半導体ウエハＷの厚さと、第一の粘着剤層１２の厚さとの合計、並びにダイシングソーの磨耗分を加味した深さに設定する。
また、ダイシングによって個片化された複数の半導体チップＣＰ間には、ダイシングソーなどの切断手段の厚みに応じた間隔が形成される。本実施形態では、ダイシングによって生じた半導体チップＣＰ間の距離をＤとする。
【００２３】
［転写工程］
図２（Ａ）には、ダイシングにより個片化した複数の半導体チップＣＰを第二の粘着シート２０に転写する工程（転写工程と称する場合がある。）を説明する図が示されている。
ダイシングにより複数の半導体チップＣＰを形成した後、半導体チップＣＰの回路面Ｗ１に第二の粘着シート２０を貼着する。
【００２４】
第二の粘着シート２０は、第二の基材フィルム２１と、第二の粘着剤層２２とを有する。第二の粘着シート２０は、回路面Ｗ１を第二の粘着剤層２２で覆うように貼着されることが好ましい。
第二の基材フィルム２１の材質は、特に限定されない。第二の基材フィルム２１の材質としては、例えば、第一の基材フィルム１１について例示した材質と同様の材質が挙げられる。
【００２５】
第二の粘着剤層２２は、第二の基材フィルム２１に積層されている。第二の粘着剤層２２には、エネルギー線硬化型粘着剤が含まれている。
本実施形態に係るエネルギー線硬化型粘着剤は、特に限定されない。形成する粘着剤層の硬化領域に付与すべき性能に応じて、エネルギー線硬化型粘着剤を適宜選択すればよい。
本明細書において、エネルギー線は、電磁波または荷電粒子線の中でエネルギー量子を有する。エネルギー線としては、例えば、紫外線および電子線などが挙げられる。エネルギー線の中でも、取扱いが容易な紫外線がより好ましい。
【００２６】
エネルギー線硬化型粘着剤としては、例えばアクリル系粘着剤に、多官能エネルギー線硬化樹脂を混合した粘着剤が挙げられる。多官能エネルギー線硬化樹脂としては、エネルギー線重合性の官能基を複数有する低分子化合物、ウレタンアクリレートオリゴマーなどが挙げられる。また、側鎖にエネルギー線重合性の官能基を有する（メタ）アクリル酸エステル共重合体を含む粘着剤も用いることができる。このようなエネルギー線重合性官能基としては（メタ）アクリロイル基が好ましい。
【００２７】
第二の粘着剤層２２には、各種添加剤が含まれていてもよい。添加剤としては、例えば、重合開始剤、シランカップリング剤、帯電防止剤、粘着付与剤、酸化防止剤、紫外線吸収剤、光安定剤、軟化剤、充填剤、および屈折率調整剤などが挙げられる。なお、添加剤の種類は、用途や貼着される被着体の種類等を考慮して選択される。
【００２８】
第二の粘着剤層２２の粘着力は、第一の粘着剤層１２の粘着力よりも大きいことが好ましい。第二の粘着剤層２２の粘着力の方が大きければ、複数の半導体チップＣＰを第二の粘着シート２０に転写した後に第一の粘着シート１０を剥離し易くなる。
【００２９】
第二の粘着シート２０は、耐熱性を有することが好ましい。後述する封止部材が熱硬化性樹脂である場合、例えば、硬化温度は、１２０℃〜１８０℃程度であり、加熱時間は、３０分〜２時間程度である。第二の粘着シート２０は、封止部材を熱硬化させる際に、皺が生じないような耐熱性を有することが好ましい。また、第二の粘着シート２０は、熱硬化プロセス後に、半導体チップＣＰから剥離可能な材質で構成されていることが好ましい。
【００３０】
第二の粘着シート２０は、複数の半導体チップＣＰおよび第二のリングフレームに貼着されていてもよい。この場合、第二の粘着シート２０の第二の粘着剤層２２の上に、第二のリングフレームを載置し、これを軽く押圧し、固定する。その後、第二のリングフレームの環形状の内側にて露出する第二の粘着剤層２２を半導体チップＣＰの回路面Ｗ１に押し当てて、第二の粘着シート２０に複数の半導体チップＣＰを固定する。
【００３１】
図２（Ｂ）には、第一の粘着シート１０を剥離した後の、第二の粘着シート２０に保持された複数の半導体チップＣＰが示されている。
第二の粘着シート２０を貼着した後、第一の粘着シート１０を剥離すると、複数の半導体チップＣＰの裏面Ｗ３が露出する。第一の粘着シート１０を剥離した後も、ダイシングにより生じた、複数の半導体チップＣＰ間の距離Ｄは維持されており、第二の粘着剤層２２には、複数の半導体チップＣＰが貼着されていない領域２２１が形成されている。
【００３２】
［エネルギー線照射工程］
図３（Ａ）には、第二の粘着シート２０にエネルギー線Ｅを照射する工程（エネルギー線照射工程と称する場合がある。）を説明する図が示されている。
エネルギー線照射工程では、第二の粘着シート２０にエネルギー線Ｅを照射し、図２（Ｂ）に示す、第二の粘着剤層２２の複数の半導体チップＣＰが貼着されていない領域２２１を硬化させる。本明細書において、この領域を未貼着領域と称する場合がある。
エネルギー線Ｅの照射は、第二の粘着シート２０に貼着されている複数の半導体チップＣＰの上から照射することが好ましい。エネルギー線Ｅを照射したときに、複数の半導体チップＣＰがエネルギー線Ｅを遮るので、第二の粘着剤層２２の半導体チップＣＰが貼着されている領域にはエネルギー線Ｅが到達しない。このため、第二の粘着剤層２２の未貼着領域２２１がエネルギー線Ｅの照射によって選択的に硬化され、硬化領域２２２が形成される。
【００３３】
エネルギー線Ｅとしては、電子線または紫外線などが挙げられる。エネルギー線Ｅの種類は、第二の粘着剤層２２に含まれるエネルギー線硬化型粘着剤の種類に応じて適宜決定される。
紫外線の照射は、高圧水銀ランプ、フュージョンＨランプ、キセノンランプ等によって行うことができ、紫外線の照射量は、照度５０ｍＷ／ｃｍ２〜１０００ｍＷ／ｃｍ２、光量５０ｍＪ／ｃｍ２〜１０００ｍＪ／ｃｍ２程度が好ましい。一方、電子線の照射は、電子線加速器等によって行うことができ、電子線の照射量は、１０ｋｒａｄ〜１０００ｋｒａｄ程度が好ましい。
【００３４】
［エキスパンド工程］
図３（Ｂ）には、複数の半導体チップＣＰを保持する第二の粘着シート２０を引き延ばす工程（エキスパンド工程と称する場合がある。）を説明する図が示されている。
エキスパンド工程では、第二の粘着シート２０を引き延ばして、第二の粘着剤層２２の硬化領域２２２を破断させる。さらに、引き延ばして、複数の半導体チップＣＰ間の間隔を拡げる。硬化領域２２２を破断させた後は、破断により分離した破断領域２２３，２２３間の間隔２２４が拡がる。エキスパンド工程において第二の粘着シート２０を引き延ばす方法は、特に限定されない。第二の粘着シート２０を引き延ばす方法としては、例えば、環状または円状のエキスパンダを押し当てて第二の粘着シート２０を引き延ばす方法や、把持部材などを用いて第二の粘着シート２０の外周部を掴んで引き延ばす方法などが挙げられる。
【００３５】
本実施形態では、図３（Ｂ）に示されているように、エキスパンド工程後の半導体チップＣＰ間の距離をＤ１とする。距離Ｄ１としては、例えば、２００μｍ以上５０００μｍ以下とすることが好ましい。
【００３６】
［封止工程］
図４には、封止部材３０を用いて複数の半導体チップＣＰを封止する工程（封止工程と称する場合がある。）を説明する図が示されている。
封止工程は、エキスパンド工程の後に実施される。回路面Ｗ１を残して複数の半導体チップＣＰを封止部材３０によって覆うことにより封止体３が形成される。複数の半導体チップＣＰの間にも封止部材３０が充填されている。本実施形態では、第二の粘着シート２０により回路面Ｗ１および回路Ｗ２が覆われているので、封止部材３０で回路面Ｗ１が覆われることを防止できる。
【００３７】
封止工程により、所定距離ずつ離間した複数の半導体チップＣＰが封止部材に埋め込まれた封止体３が得られる。封止工程においては、複数の半導体チップＣＰは、距離Ｄ１が維持された状態で、封止部材３０により覆われることが好ましい。
封止部材３０で複数の半導体チップＣＰを覆う方法は、特に限定されない。例えば、金型内に、第二の粘着シート２０で回路面Ｗ１を覆ったまま複数の半導体チップＣＰを収容し、金型内に流動性の樹脂材料を注入し、樹脂材料を硬化させる方法を採用してもよい。
また、シート状の封止樹脂を複数の半導体チップＣＰの裏面Ｗ３を覆うように載置し、封止樹脂を加熱することで、複数の半導体チップＣＰを封止樹脂に埋め込ませる方法を採用してもよい。封止部材３０の材質としては、例えば、エポキシ樹脂などが挙げられる。封止部材３０として用いられるエポキシ樹脂には、例えば、フェノール樹脂、エラストマー、無機充填材、および硬化促進剤などが含まれていてもよい。
【００３８】
封止工程で封止樹脂を埋め込んだ後は、第二の粘着剤層２２に第二の基材フィルム２１側からエネルギー線を照射し、複数の半導体チップＣＰが貼着されている領域における第二の粘着剤層２２のエネルギー線硬化型粘着剤を硬化させることが好ましい。エネルギー線硬化型粘着剤を硬化させると、第二の粘着剤層２２の凝集力が高まり、第二の粘着剤層２２と複数の半導体チップＣＰとの間の粘着力を低下または消失させることができるため、第二の粘着シート２０を剥離し易くなる。
【００３９】
封止工程の後、第二の粘着シート２０が剥離されると、半導体チップＣＰの回路面Ｗ１および封止体３の第二の粘着シート２０と接触していた面３Ａが露出する。
なお、破断領域２２３，２２３間の間隔２２４にも、封止部材３０が充填されるが、間隔２２４に充填された封止部材は、第二の粘着シート２０の剥離時には除去できない。間隔２２４に充填された封止部材は、例えば、次工程の半導体パッケージの製造工程において、封止体３を半導体チップＣＰ単位で個片化する際のダイシングソーなどの切断手段を用いたダイシングによって除去される。
また、エキスパンド工程で第二の粘着シート２０を引き延ばすと、破断した部位が最も拡張されやすいので、破断領域２２３，２２３も拡張されて薄くなる場合がある。この場合、間隔２２４における第二の基材フィルム２１と破断領域２２３，２２３とによる段差もほぼ無くなると考えられる。そのため、封止工程で間隔２２４に充填された封止部材の厚さも薄くなる。間隔２２４に充填された封止部材の厚さが薄ければ、間隔２２４に充填された封止部材を除去する必要がない場合もある。
【００４０】
［半導体パッケージの製造工程］
図５および図６には、複数の半導体チップＣＰを用いて半導体パッケージを製造する工程を説明する図が示されている。本実施形態は、このような半導体パッケージの製造工程を含んでいることが好ましい。
【００４１】
［再配線層形成工程］
図５（Ａ）には、第二の粘着シート２０を剥離した後の封止体３の断面図が示されている。本実施形態では、第二の粘着シート２０が剥離された後の封止体３に再配線層を形成する再配線層形成工程をさらに含むことが好ましい。再配線層形成工程においては、露出した複数の半導体チップＣＰの回路Ｗ２と接続する再配線を、回路面Ｗ１の上および封止体３の面３Ａの上に形成する。再配線の形成に当たっては、まず、絶縁層を封止体３に形成する。
【００４２】
図５（Ｂ）には、半導体チップＣＰの回路面Ｗ１および封止体３の面３Ａに第一の絶縁層４１を形成する工程を説明する断面図が示されている。絶縁性樹脂を含む第一の絶縁層４１を、回路面Ｗ１および面３Ａの上に、回路Ｗ２または回路Ｗ２の内部端子電極Ｗ４を露出させるように形成する。絶縁性樹脂としては、例えば、ポリイミド樹脂、ポリベンゾオキサゾール樹脂、およびシリコーン樹脂などが挙げられる。内部端子電極Ｗ４の材質は、導電性材料であれば限定されず、例えば、金、銀、銅やアルミニウムなどの金属、並びに合金などが挙げられる。
【００４３】
図５（Ｃ）には、封止体３に封止された半導体チップＣＰと電気的に接続する再配線５を形成する工程を説明する断面図が示されている。本実施形態では、第一の絶縁層４１の形成に続いて再配線５を形成する。再配線５の材質は、導電性材料であれば限定されず、例えば、金、銀、銅やアルミニウムなどの金属、並びに合金などが挙げられる。再配線５は、公知の方法により形成できる。
【００４４】
図６（Ａ）には、再配線５を覆う第二の絶縁層４２を形成する工程を説明する断面図が示されている。再配線５は、外部端子電極用の外部電極パッド５Ａを有する。第二の絶縁層４２には開口などを設けて、外部端子電極用の外部電極パッド５Ａを露出させる。本実施形態では、外部電極パッド５Ａは、封止体３の半導体チップＣＰの領域（回路面Ｗ１に対応する領域）内および領域外（封止部材３０上の面３Ａに対応する領域）に露出させている。また、再配線５は、外部電極パッド５Ａがアレイ状に配置されるように、封止体３の面３Ａに形成されている。本実施形態では、封止体３の半導体チップＣＰの領域外に外部電極パッド５Ａを露出させる構造を有するので、ファンアウト型のＷＬＰを得ることができる。
【００４５】
［外部端子電極との接続工程］
図６（Ｂ）には、封止体３の外部電極パッド５Ａに外部端子電極６を接続させる工程を説明する断面図が示されている。第二の絶縁層４２から露出する外部電極パッド５Ａに、はんだボール等の外部端子電極６を載置し、はんだ接合などにより、外部端子電極６と外部電極パッド５Ａとを電気的に接続させる。はんだボールの材質は、特に限定されず、例えば、含鉛はんだや無鉛はんだ等が挙げられる。
【００４６】
［第二のダイシング工程］
図６（Ｃ）には、外部端子電極６が接続された封止体３を個片化させる工程（第二のダイシング工程と称する場合がある。）を説明する断面図が示されている。この第二のダイシング工程では、封止体３を半導体チップＣＰ単位で個片化する。封止体３を個片化させる方法は、特に限定されない。例えば、前述の半導体ウエハＷをダイシングした方法と同様の方法を採用して、封止体３を個片化することができる。封止体３を個片化させる工程は、封止体３をダイシングシート等の粘着シートに貼着させて実施してもよい。
【００４７】
封止体３を個片化することで、半導体チップＣＰ単位の半導体パッケージ１が製造される。上述のように半導体チップＣＰの領域外にファンアウトさせた外部電極パッド５Ａに外部端子電極６を接続させた半導体パッケージ１は、ファンアウト型のウエハレベルパッケージ（ＦＯ−ＷＬＰ）として製造される。
【００４８】
［実装工程］
本実施形態では、個片化された半導体パッケージ１を、プリント配線基板等に実装する工程を含むことも好ましい。
【００４９】
本実施形態によれば、第二の粘着シート２０を引き延ばすエキスパンド工程を実施する前に、複数の半導体チップＣＰが貼着されていない領域２２１の粘着剤層を硬化させる。エキスパンド工程で第二の粘着シート２０を引き延ばして、粘着剤層の硬化領域２２２を破断させる。硬化領域２２２を破断させた後は、破断により分離した破断領域２２３，２２３間の間隔２２４が拡がるため、半導体チップＣＰが貼着されている領域においては、引き延ばされて半導体チップＣＰと粘着剤層との接触面積が狭くなる不具合を防止できる。このため、エキスパンド工程を実施しても、複数の半導体チップＣＰを安定して第二の粘着剤層２２に保持できる。したがって、半導体チップＣＰの取り扱い性を低下させることなく、複数の半導体チップＣＰ同士の間隔を大きく拡げることができる。
【００５０】
本実施形態に係る方法は、ＦＯ−ＷＬＰタイプの半導体パッケージ１を製造するプロセスへの適合性に優れる。具体的には、本実施形態によれば、ＦＯ−ＷＬＰタイプの半導体パッケージ１におけるチップ間隔の均等性および正確性を向上させることができる。
【００５１】
〔第二実施形態〕
第二実施形態は、第一実施形態におけるダイシング工程を実施後、転写工程を実施するまでの間にさらに別の工程を備える点で、第一実施形態と相違する。第二実施形態は、その他の点において第一実施形態と同様であるため、説明を省略または簡略化する。
【００５２】
本実施形態では、ダイシング工程を実施した後、第一の粘着シート１０を引き延ばして、複数の半導体チップＣＰ同士の間隔を拡げる工程を含む。
図７には、複数の半導体チップＣＰを保持する第一の粘着シート１０を引き延ばす工程を説明する図が示されている。
ダイシングにより複数の半導体チップＣＰに個片化した後、第一の粘着シート１０を引き延ばして、複数の半導体チップＣＰ間の間隔を拡げる。この工程において第一の粘着シート１０を引き延ばす方法は、特に限定されない。第一の粘着シート１０を引き延ばす方法としては、例えば、環状または円状のエキスパンダを押し当てて第一の粘着シート１０を引き延ばす方法や、把持部材などを用いて第一の粘着シート１０の外周部を掴んで引き延ばす方法などが挙げられる。
【００５３】
本実施形態では、図７に示されているように、半導体チップＣＰ間の距離をＤ２とする。距離Ｄ２は、距離Ｄ１よりも小さい。距離Ｄ２としては、例えば、１５μｍ以上１１０μｍ以下とすることが好ましい。
【００５４】
本実施形態によれば、第一の粘着シート１０を引き延ばして、複数の半導体チップＣＰ間の間隔を拡げる。ダイシングにより生じた複数の半導体チップＣＰ間の間隔に比べて、複数の半導体チップＣＰ間の間隔が拡がるので、複数の半導体チップＣＰを第二の粘着シート２０へ転写した後に、未貼着領域２２１にエネルギー線Ｅが確実に照射される。このため、エネルギー線Ｅの照射によって、硬化領域２２２を形成しやすくなる。
【００５５】
〔第三実施形態〕
第三実施形態は、第一実施形態におけるダイシング工程を実施後、封止工程を実施するまでの間にさらに別の工程を備える点で、第一実施形態と相違する。第三実施形態は、その他の点において第一実施形態と同様であるため、説明を省略または簡略化する。
【００５６】
図８（Ａ）には、本実施形態のダイシング工程の実施後、第二の粘着シート２０に転写された複数の半導体チップＣＰの整列状態を示す平面図が示されている。なお、本明細書において、説明の便宜上、複数の半導体チップＣＰの間隔を広く表す場合がある。例えば、図８（Ａ）から以後説明する図１０（Ｂ）までは、第三実施形態の内容をより理解し易くするために複数の半導体チップＣＰの間隔を広く表している。
【００５７】
本実施形態のダイシング工程は、第１の方向Ｍ１に沿って前記ウエハを切断して第１のストリートＳ１を形成する工程と、前記第１の方向Ｍ１と直交する第２の方向Ｍ２に沿って前記ウエハを切断して第２のストリートＳ２を形成する工程と、を含む。
第１のストリートＳ１および第２のストリートＳ２は、ダイシングソーなどの切断手段の厚みに応じた幅に形成される。
本実施形態のダイシング工程の後、前述と同様に転写工程を実施して、複数の半導体チップＣＰを、第二の粘着シート２０に転写する。
【００５８】
図８（Ｂ）には、第１のストリートＳ１にエネルギー線Ｅを照射する工程を説明する平面図が示されている。
この工程では、第１のストリートＳ１にて露出する第二の粘着シート２０の第二の粘着剤層２２をエネルギー線Ｅの照射により硬化させる。
この工程では、第１のストリートＳ１にエネルギー線Ｅを選択的に照射し、第１のストリートＳ１にて露出する第二の粘着シート２０の第二の粘着剤層２２を硬化させる。本実施形態では、第１のストリートＳ１に対応する部位に開口部５１Ａと、それ以外の部位にエネルギー線Ｅを遮断する遮断部５１Ｂとを有する第一のマスク５１を用いることが好ましい。
【００５９】
図９（Ａ）には、第１のストリートＳ１にエネルギー線Ｅを照射する工程を説明する断面図が示されている。
第一のマスク５１を複数の半導体チップＣＰの上に設置して第１のストリートＳ１へエネルギー線Ｅを照射することが好ましい。エネルギー線Ｅは、第一のマスク５１の開口部５１Ａを通過して、第１のストリートＳ１にて露出する第二の粘着シート２０の第二の粘着剤層２２に照射される。エネルギー線Ｅの照射方法等は、特に限定されず、上記第一実施形態のエネルギー線照射工程で説明した方法と同様に実施される。
ここで、第二の粘着シート２０は、前記第二の粘着剤層２２が積層される第二の基材フィルム２１を有し、第１の方向Ｍ１が第二の粘着シート２０の第二の基材フィルム２１のＭＤ方向であり、第２の方向Ｍ２が第二の粘着シート２０の第二の基材フィルム２１のＣＤ方向であることが好ましい。
【００６０】
図９（Ｂ）には、複数の半導体チップＣＰを保持する第二の粘着シート２０を第２の方向Ｍ２に沿って引き延ばす工程を説明する平面図が示されている。
この工程では、第二の粘着シート２０を第２の方向Ｍ２に沿って引き延ばして、第１のストリートＳ１に沿って硬化させた第二の粘着剤層２２を破断させる。さらに、引き延ばして、複数の半導体チップＣＰ間の間隔を第２の方向Ｍ２に拡げる。第２の方向Ｍ２に沿って第二の粘着シート２０を引き延ばす方法は、特に限定されない。第二の粘着シート２０を引き延ばす方法としては、例えば、把持部材などを用いて第二の粘着シート２０の外周部を掴んで第２の方向Ｍ２に沿って引き延ばす方法などが挙げられる。
【００６１】
図１０（Ａ）には、第２のストリートＳ２にエネルギー線Ｅを照射する工程を説明する平面図が示されている。
この工程では、第２のストリートＳ２にて露出する第二の粘着シートの粘着剤層をエネルギー線Ｅの照射により硬化させる。
この工程では、第２のストリートＳ２にエネルギー線Ｅを選択的に照射し、第２のストリートＳ２にて露出する第二の粘着シートの粘着剤層を硬化させる。本実施形態では、第２のストリートＳ２に対応する部位に開口部と、それ以外の部位にエネルギー線Ｅを遮断する遮断部とを有する第二のマスク（図示略）を用いることが好ましい。
第二のマスク（図示略）を複数の半導体チップＣＰの上に設置して第２のストリートＳ２へエネルギー線Ｅを照射することが好ましい。エネルギー線Ｅの照射方法等は、特に限定されず、上記第一実施形態のエネルギー線照射工程で説明した方法と同様に実施される。
【００６２】
図１０（Ｂ）には、複数の半導体チップＣＰを保持する第二の粘着シート２０を第１の方向Ｍ１に沿って引き延ばす工程を説明する平面図が示されている。
この工程では、第二の粘着シート２０を第１の方向Ｍ１に沿って引き延ばして、第２のストリートＳ２に沿って硬化させた第二の粘着剤層２２を破断させる。さらに、引き延ばして、複数の半導体チップＣＰ間の間隔を第１の方向Ｍ１に拡げる。第１の方向Ｍ１に沿って第二の粘着シート２０を引き延ばす方法は、特に限定されない。第二の粘着シート２０を引き延ばす方法としては、例えば、把持部材などを用いて第二の粘着シート２０の外周部を掴んで第１の方向Ｍ１に沿って引き延ばす方法などが挙げられる。
【００６３】
本実施形態によれば、第１のストリートＳ１にエネルギー線Ｅを照射した後、第２の方向Ｍ２に沿って引き延ばし、続いて、第２のストリートＳ２にエネルギー線Ｅを照射した後、第１の方向Ｍ１に沿って引き延ばす。このように、第１の方向Ｍ１のエキスパンドと、第２の方向Ｍ２のエキスパンドとで、それぞれエキスパンド工程を分離して実施する。粘着シートの第１の方向および第２の方向の延び特性に応じて、それぞれの方向における引張り力を調整しながらエキスパンド工程を実施できるため、複数の半導体チップＣＰ同士の間隔がより均一に拡張される。
また、本実施形態によれば、第二の粘着シート２０を構成する第二の基材フィルム２１のＭＤ方向に沿って形成された第１のストリートＳ１にエネルギー線Ｅを照射した後、基材フィルムのＣＤ方向に沿って引き延ばし、続いて、基材フィルムのＣＤ方向に沿って形成された第２のストリートＳ２にエネルギー線Ｅを照射した後、基材フィルムのＭＤ方向に沿って引き延ばす。このように、エキスパンド工程を第二の基材フィルム２１のＭＤ方向の延び特性、およびＣＤ方向の延び特性に応じてそれぞれの方向における引張り力を調整しながらエキスパンド工程を実施できるため、複数の半導体チップ同士の間隔がより一層均一に拡張される。
【００６４】
〔実施形態の変形〕
本発明は、上述の実施形態に何ら限定されない。本発明は、本発明の目的を達成できる範囲で、上述の実施形態を変形した態様などを含む。
【００６５】
例えば、半導体ウエハＷや半導体チップＣＰにおける回路等は、図示した配列や形状等に限定されない。半導体パッケージ１における外部端子電極６との接続構造等も、前述の実施形態で説明した態様に限定されない。
【００６６】
前記実施形態において、エネルギー線の照射は、第二の粘着シート２０に貼着されている複数の半導体チップＣＰの上から照射することを説明したが、本発明は、このような態様に限定されない。
例えば、未貼着領域に対応する部位にエネルギー線を透過させる透過部と、半導体チップが貼着されている部位へのエネルギー線の照射を遮断させる遮断部とを有するマスクを、第二の粘着シート２０の複数の半導体チップＣＰが貼着されている面とは反対側の面に沿って配置し、エネルギー線Ｅを、このマスクの上から照射してもよい。
具体的には、図１１（Ａ）に示すように、第三のマスク５２を、第二の粘着シート２０の半導体チップＣＰが貼着されている面とは反対の面側に配置する。すなわち、図１１（Ａ）では、第二の基材フィルム２１に対向させて配置する。第三のマスク５２としては、例えば、図１１（Ｂ）に示すような、エネルギー線Ｅを透過させる平板などの基材５２Ａの上に、複数の半導体チップＣＰが貼着されている領域に対応する部位に、エネルギー線Ｅを遮蔽する遮蔽層５２Ｂを形成したものが挙げられる。第三のマスク５２では、遮蔽層５２Ｂが形成されていない領域が透過部５２Ｃとなる。そして、エネルギー線Ｅを第三のマスク５２の上から照射することで、透過部５２Ｃを通過したエネルギー線Ｅが、第二の粘着剤層２２の未貼着領域２２１に到達し、未貼着領域２２１が選択的に硬化される。
また、第三のマスク５２に代えて、第一の方向のみに開口を有する第四のマスクと、第一の方向と直交する第二の方向のみに開口を有する第五のマスクを使用して、エネルギー線を照射してもよい。第四のマスクおよび第五のマスクを用いる場合には、まず、第一の方向に開口が配置されるように第四のマスクを設置し、第四のマスクの上からエネルギー線Ｅを照射する。その後、第四のマスクを取り外し、引き続いて、第二の方向に開口が配置されるように第五のマスクを設置し、第五のマスクの上からエネルギー線Ｅを照射する。このように、第二の粘着剤層２２の未貼着領域２２１を第一の方向と第二の方向とに分けて、２段階で硬化させてもよい。
また、エネルギー線をスポット照射可能なエネルギー線照射装置を用いてもよい。例えば、プローブの先端からエネルギー線を照射可能な装置を用いる場合、当該プローブを硬化させたい領域に沿って走査させながらエネルギー線を照射させることができる。この場合、第１のストリートおよび第２のストリートに対して選択的にエネルギー線を照射させることができるので、マスクを設置する必要がない。
これらの態様では、複数の半導体チップＣＰにエネルギー線Ｅが照射されないため、エネルギー線Ｅの照射によって半導体チップＣＰが受ける影響を抑えることができる。
【００６７】
また、第一の粘着シート１０の第一の粘着剤層１２にも、エネルギー線硬化型粘着剤が配合されていてもよい。第一の粘着シート１０の剥離工程において、第一の粘着剤層１２に第一の基材フィルム１１側からエネルギー線を照射し、第一の粘着剤層１２のエネルギー線硬化型粘着剤を硬化させてから第一の粘着シート１０を剥離することが好ましい。この態様では、エネルギー線硬化型粘着剤を硬化させると、第一の粘着剤層１２の凝集力が高まり、第一の粘着剤層１２と複数の半導体チップＣＰとの間の粘着力を低下または消失させることができるため、第一の粘着シート１０を剥離し易くなる。
【００６８】
また、上記第二実施形態において、複数の半導体チップＣＰ間の間隔を拡げた後、マスクを使用して未貼着領域２２１を硬化させてもよい。ダイシングにより生じた複数の半導体チップＣＰ間の間隔に比べて、複数の半導体チップＣＰの間隔が広いため、マスクの位置合わせがし易く、より高い精度で硬化領域２２２を形成できる。
【産業上の利用可能性】
【００６９】
本発明は、半導体装置の製造方法として利用できる。
【符号の説明】
【００７０】
１０…第一の粘着シート、１１…第一の基材フィルム、１２…第一の粘着剤層、２０…第二の粘着シート、２１…第二の基材フィルム、２２…第二の粘着剤層、３０…封止部材、５２…第三のマスク、Ｅ…エネルギー線、ＣＰ…半導体チップ、Ｗ…半導体ウエハ。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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