(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
平滑コンデンサ（Ｃ１）にバスバ（ＢＢ）を介して並列に接続された複数のスイッチング素子（Ｓｗｉｐ，Ｓｗｉｎ）のスイッチング速度を設定する設定方法であって、
前記平滑コンデンサとそれぞれの前記スイッチング素子との間の前記バスバの長さを測定し、測定された前記バスバの長さに応じて前記平滑コンデンサと各スイッチング素子との間の前記バスバのインダクタンスを設定し、前記インダクタンスに応じて、前記各スイッチング素子のスイッチング速度を設定することを特徴とするスイッチング速度設定方法。
【請求項２】
前記平滑コンデンサの電荷容量に応じて前記スイッチング素子のスイッチング速度を設定することを特徴とする請求項１に記載のスイッチング速度設定方法。
【請求項３】
平滑コンデンサ（Ｃ１）にバスバ（ＢＢ）を介して並列に接続された複数のスイッチング素子（Ｓｗｉｐ，Ｓｗｉｎ）のスイッチング速度を設定する設定方法であって、
前記平滑コンデンサと各スイッチング素子との間の前記バスバのインダクタンスと、前記平滑コンデンサの電荷容量とに応じて、前記各スイッチング素子のスイッチング速度を設定することを特徴とするスイッチング速度設定方法。
【請求項４】
前記平滑コンデンサの電荷容量を測定し、測定された前記電荷容量に応じて前記スイッチング素子のスイッチング速度を設定することを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載のスイッチング速度設定方法。
【請求項５】
平滑コンデンサ（Ｃ１）にバスバ（ＢＢ）を介して並列に接続された複数のスイッチング素子（Ｓｗｉｐ，Ｓｗｉｎ）のスイッチング速度を設定する設定方法であって、
前記平滑コンデンサの電荷容量を測定し、測定された前記電荷容量と、前記平滑コンデンサと各スイッチング素子との間の前記バスバのインダクタンスとに応じて、前記各スイッチング素子のスイッチング速度を設定することを特徴とするスイッチング速度設定方法。
【請求項６】
前記平滑コンデンサの温度を測定し、測定された前記平滑コンデンサの温度に応じて前記スイッチング素子のスイッチング速度を設定することを特徴とする請求項１乃至５のいずれか１項に記載のスイッチング速度設定方法。
【請求項７】
平滑コンデンサ（Ｃ１）にバスバ（ＢＢ）を介して並列に接続された複数のスイッチング素子（Ｓｗｉｐ，Ｓｗｉｎ）のスイッチング速度を設定する設定方法であって、
前記平滑コンデンサの温度を測定し、測定された前記平滑コンデンサの温度と、前記平滑コンデンサと各スイッチング素子との間の前記バスバのインダクタンスとに応じて、前記各スイッチング素子のスイッチング速度を設定することを特徴とするスイッチング速度設定方法。
【請求項８】
前記平滑コンデンサは、インダクタを備えるコンバータに含まれており、
前記インダクタのインダクタンスに応じて前記スイッチング素子のスイッチング速度を設定することを特徴とする請求項１乃至７のいずれか１項に記載のスイッチング速度設定方法。
【請求項９】
平滑コンデンサ（Ｃ１）にバスバ（ＢＢ）を介して並列に接続された複数のスイッチング素子（Ｓｗｉｐ，Ｓｗｉｎ）のスイッチング速度を設定する設定方法であって、
前記平滑コンデンサは、インダクタを備えるコンバータに含まれており、
前記インダクタのインダクタンスと、前記平滑コンデンサと各スイッチング素子との間の前記バスバのインダクタンスとに応じて、前記各スイッチング素子のスイッチング速度を設定することを特徴とするスイッチング速度設定方法。
【請求項１０】
前記インダクタのインダクタンスを測定し、測定された前記インダクタンスに応じて前記スイッチング素子のスイッチング速度を設定することを特徴とする請求項８又は９に記載のスイッチング速度設定方法。
【請求項１１】
前記スイッチング素子に印加される電圧の変動を測定し、測定された前記電圧の変動に応じて前記スイッチング素子のスイッチング速度を設定することを特徴とする請求項８乃至１０のいずれか１項に記載のスイッチング速度設定方法。
【請求項１２】
前記スイッチング素子をスイッチングした時に前記スイッチング素子に印加される電圧を測定し、測定される前記電圧が前記スイッチング素子の耐電圧よりも所定電圧低くならなかったことを条件として、次回に前記スイッチング素子をスイッチングした時に前記スイッチング素子に印加される電圧が前記スイッチング素子の耐電圧よりも所定電圧低くなるように前記スイッチング素子のスイッチング速度を設定し直すことを特徴とする請求項１乃至１１のいずれか１項に記載のスイッチング速度設定方法。
【請求項１３】
平滑コンデンサ（Ｃ１）にバスバ（ＢＢ）を介して並列に接続された複数のスイッチング素子（Ｓｗｉｐ，Ｓｗｉｎ）のスイッチング速度を設定する設定方法であって、
前記平滑コンデンサと各スイッチング素子との間の前記バスバのインダクタンスに応じて、前記各スイッチング素子のスイッチング速度を設定し、
前記スイッチング素子をスイッチングした時に前記スイッチング素子に印加される電圧を測定し、測定される前記電圧が前記スイッチング素子の耐電圧よりも所定電圧低くならなかったことを条件として、次回に前記スイッチング素子をスイッチングした時に前記スイッチング素子に印加される電圧が前記スイッチング素子の耐電圧よりも所定電圧低くなるように前記スイッチング素子のスイッチング速度を設定し直すことを特徴とするスイッチング速度設定方法。
【請求項１４】
前記バスバのインダクタンスを、前記平滑コンデンサとそれぞれの前記スイッチング素子との間の前記バスバの長さに応じて設定することを特徴とする請求項１乃至１３のいずれか１項に記載のスイッチング速度設定方法。
【請求項１５】
前記スイッチング素子をスイッチングした時に前記スイッチング素子に印加される電圧を測定し、測定される前記電圧が前記スイッチング素子の耐電圧よりも所定電圧低くなるように前記スイッチング素子のスイッチング速度を設定することを特徴とする請求項１乃至１４のいずれか１項に記載のスイッチング速度設定方法。
【請求項１６】
前記スイッチング素子は、複数相を備えるインバータの各相に２つのスイッチング素子の直列接続体として含まれており、
前記直列接続体を構成する２つのスイッチング素子のスイッチング速度を同時に変更することを特徴とする請求項１乃至１５のいずれか１項に記載のスイッチング速度設定方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
スイッチング素子のスイッチング速度を設定する設定方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
車載主機に接続されるインバータを構成するスイッチング素子のスイッチング状態の切替速度を、インバータの入力電圧に応じて可変とする技術がある。これは、スイッチング状態の切替速度を低下させることで、サージ電圧が抑制される一方、スイッチング状態の切替に伴う電力損失が増加することを考慮したものである。すなわち、スイッチング素子の信頼性を維持する上では、スイッチング素子に耐圧を超える電圧が印加される事態を回避する必要があり、これにより、サージ電圧の上限値が定まる。このため、サージ電圧が上限値を超えない範囲で切替速度を極力大きくすることで、スイッチング状態の切り替えに伴う電力損失の抑制を図ることとなる。
【０００３】
特許文献１には、半導体スイッチング素子の切替速度を極力大きくするために、半導体スイッチング素子の特性情報（ゲート閾値電圧、ゲート容量など）や半導体スイッチング素子の温度などに基づいて適切なゲート電圧のマップを選択し、そのマップに基づいてスイッチング速度を決定する技術が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２０１４−１５０７０１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
インバータが、コンバータを介してバッテリに接続される構成を想定する。この場合、コンバータの出力側（インバータ側）には平滑コンデンサが備えられており、この平滑コンデンサとインバータを構成するスイッチング素子との間にはバスバが設置されている。このような構成においては、スイッチング素子をオフ状態としたときにバスバに誘導起電力が発生する。特許文献１に記載の技術では、このバスバに生じる誘導起電力について考慮されておらず、電力損失についていまだ改善の余地がある。
【０００６】
本発明は、上記課題を解決するためになされたものであり、その主たる目的は、スイッチング素子を、バスバに生じる誘導起電力についても考慮した上で、最適に駆動制御することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明は、平滑コンデンサにバスバを介して並列に接続された複数のスイッチング素子のスイッチング速度を設定する設定方法であって、前記平滑コンデンサと各スイッチング素子との間の前記バスバのインダクタンスに応じて、前記各スイッチング素子のスイッチング速度を設定することを特徴とする。
【０００８】
上記構成によれば、平滑コンデンサにバスバを介して並列に接続された複数のスイッチング素子のスイッチング速度を設定する設定方法に関する。平滑コンデンサと各スイッチング素子との間のバスバのインダクタンスに応じて、各スイッチング素子のスイッチング速度が設定される。これにより、平滑コンデンサと各スイッチング素子との間のバスバのインダクタンスの相違を考慮し、且つスイッチング素子の耐電圧を超えない範囲で最大限スイッチング速度を大きくすることが可能となる。
【０００９】
また、本発明は、コンバータと並列に接続された複数のスイッチング素子のスイッチング速度を設定する設定方法であって、前記スイッチング素子に印加される電圧の変動を測定し、測定された前記電圧の変動に応じて前記スイッチング素子のスイッチング速度を設定することを特徴とする。
【００１０】
上記構成によれば、コンバータと並列に接続された複数のスイッチング素子のスイッチング速度を設定する設定方法に関する。コンバータにより作り出されたスイッチング素子に印加される電圧の変動を測定し、測定された電圧の変動に応じてスイッチング素子のスイッチング速度が設定される。これにより、スイッチング素子に印加される電圧の変動を考慮し、スイッチング素子の耐電圧を超えない範囲で最大限スイッチング速度を大きくすることが可能となる。
【００１１】
また、本発明は、複数のスイッチング素子のスイッチング速度を設定する設定方法であって、前記スイッチング素子をスイッチングした時に前記スイッチング素子に印加される電圧を測定し、測定される前記電圧が前記スイッチング素子の耐電圧よりも所定電圧低くなるように前記スイッチング素子のスイッチング速度を設定することを特徴とする。
【００１２】
上記構成によれば、複数のスイッチング素子をスイッチングしたときに印加される電圧をそれぞれ測定し、測定される電圧がスイッチング素子の耐電圧よりも所定電圧低くなるようにスイッチング速度が設定される。もしスイッチング素子のスイッチングを実施した際に、測定される電圧が耐電圧よりも所定電圧低くならなかった場合、次にスイッチングを実行する際にサージ電圧が耐電圧よりも高くなるおそれがあるとして、スイッチング速度を低くする。これにより、スイッチング素子を実際にスイッチングしたときに発生するサージ電圧を考慮して、適切なスイッチング速度に設定することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
【図１】本実施形態に係るスイッチング素子の駆動装置の概略構成を示す図である。
【図２】ゲート電圧マップの一例を示す図である。
【図３】スイッチング素子に印加される電圧の時間変化図である。
【発明を実施するための形態】
【００１４】
以下、本発明にかかるスイッチング素子の駆動装置を、図面を参照しつつ説明する。
【００１５】
図１に、本実施形態のシステム構成を示す。図示されるように、車載主機としての三相モータ１０は、インバータＩＶおよびコンバータＣＶを介して高電圧バッテリ１２に接続されている。インバータＩＶは、高電位側スイッチング素子Ｓｗｉｐおよび低電位側スイッチング素子Ｓｗｉｎの直列接続体が３つ並列接続されて構成されている。そして、これら各高電位側スイッチング素子Ｓｗｉｐおよび低電位側スイッチング素子Ｓｗｉｎの接続点が、三相モータ１０の各相にそれぞれ接続されている。
【００１６】
また、コンバータＣＶには、コンデンサ（平滑コンデンサに該当）Ｃ１と、高電位側スイッチング素子Ｓｗｃｐおよび低電位側スイッチング素子Ｓｗｃｎの直列接続体と、高電位側スイッチング素子Ｓｗｃｐおよび低電位側スイッチング素子Ｓｗｃｎの接続点と高電圧バッテリ１２とを接続するリアクトル（インダクタに該当）Ｌとを備えている。コンバータＣＶに設けられたコンデンサＣ１とインバータＩＶに設けられた高電位側スイッチング素子Ｓｗｉｐおよび低電位側スイッチング素子Ｓｗｉｎとの間が低抵抗で接続する断面積の大きい導体（バスバ）ＢＢにより接続されている。なお、図１では６つのバスバＢＢが存在しているように記載しているが、これは模式的に表示したものであり、実際には高電位側と低電位側とでそれぞれ１つのバスバＢＢが設けられている。
また、コンバータＣＶと高電圧バッテリ１２の間には平滑コンデンサＣ２が並列接続されている。なお、コンバータＣＶは、高電圧バッテリ１２の電圧（例えば数百Ｖ）を昇圧してインバータＩＶの入力電圧とするものである。
【００１７】
インバータＩＶ内に備わる高電位側スイッチング素子Ｓｗｉｐおよび低電位側スイッチング素子Ｓｗｉｎのそれぞれの入出力端子間（コレクタおよびエミッタ間）には、高電位側フリーホイールダイオードＦＤｉｐおよび低電位側フリーホイールダイオードＦＤｉｎのカソードおよびアノードが接続されている。コンバータＣＶに備わるスイッチング素子Ｓｗｃｐ，Ｓｗｃｎもまた同様の構成であり、スイッチング素子Ｓｗｃｐ，Ｓｗｃｎのそれぞれの入出力端子間には、高電位側フリーホイールダイオードＦＤｃｐおよび低電位側フリーホイールダイオードＦＤｃｎのカソードおよびアノードが接続されている。
【００１８】
上記インバータＩＶを構成するスイッチング素子Ｓｗｉｐ，Ｓｗｉｎの導通制御端子（ゲート）には、いずれもドライブユニットＤＵが接続されている。これにより、スイッチング素子Ｓｗｉｐ，Ｓｗｉｎは、ドライブユニットＤＵを介して、低電圧バッテリ１４を電源とする制御装置１６によって駆動される。制御装置１６は、図示しない各種センサの検出値等に基づき、インバータＩＶのＵ相、Ｖ相、およびＷ相のそれぞれについての高電位側スイッチング素子Ｓｗｉｐを操作する操作信号ｇｕｐ，ｇｖｐ，ｇｗｐと、低電位側スイッチング素子Ｓｗｉｎを操作する操作信号ｇｕｎ，ｇｖｎ，ｇｗｎとを生成し出力する。また、コンバータＣＶのスイッチング素子Ｓｗｃｐ、Ｓｗｃｎを操作する操作信号ｇｃｐ，ｇｃｎを生成し出力する。これにより、スイッチング素子Ｓｗｃｐ，Ｓｗｃｎは、ドライブユニットＤＵを介して制御装置１６により操作される。
【００１９】
上記スイッチング素子Ｓｗｉｐ，Ｓｗｉｎ，Ｓｗｃｐ，Ｓｗｃｎは、いずれも絶縁ゲートバイポーラトランジスタ（ＩＧＢＴ）にて構成されている。
【００２０】
このような構成では、コンデンサＣ１とスイッチング素子Ｓｗｉｐ，Ｓｗｉｎとの間がバスバＢＢにより接続されている。よって、従来の方法でスイッチング素子Ｓｗｉｐ，Ｓｗｉｎのスイッチング速度を設定しようとすると（例えば、スイッチング素子Ｓｗｉｐ，Ｓｗｉｎの温度や特性を基にスイッチング速度を設定する）、バスバＢＢのインダクタンスの分だけ電力損失余地が残るおそれがある。
【００２１】
この対策として、本実施形態ではバスバＢＢのインダクタを考慮してスイッチング素子Ｓｗｉｐ，Ｓｗｉｎのスイッチング速度を設定する。以下にスイッチング素子Ｓｗｉｐ，Ｓｗｉｎのスイッチング速度の設定方法を説明する。
【００２２】
昇圧電圧ＶＨは、コンデンサＣ１とスイッチング素子Ｓｗｉｐ，Ｓｗｉｎとの間にそれぞれ存在するバスバＢＢのインダクタンスに影響を受ける。よって、バスバＢＢのインダクタンスに応じてスイッチング素子Ｓｗｉｐ，Ｓｗｉｎのスイッチング速度を変更する必要がある。バスバＢＢのインダクタンスは、コンデンサＣ１とスイッチング素子Ｓｗｉｐ，Ｓｗｉｎとの間のバスバＢＢの長さに応じて設定する。よって、バスバＢＢの長さを設計値より取得することで、バスバＢＢのインダクタンスを設定する。設定されたバスバＢＢのインダクタンスにより影響される昇圧電圧ＶＨの変化についての情報を取得する。
【００２３】
昇圧電圧ＶＨの電圧変化の度合いは、コンバータＣＶに備わるコンデンサＣ１の電荷容量に応じて変化する。よって、コンデンサＣ１の電荷容量を設計値より取得し、取得されたコンデンサＣ１の電荷容量により影響される昇圧電圧ＶＨの電圧変化の度合いについての情報を取得する。
【００２４】
昇圧電圧ＶＨは、コンデンサＣ１の温度に影響を受ける。これはコンデンサＣ１の温度依存でコンデンサＣ１の電荷容量が変化することに起因する。よって、コンデンサＣ１の温度を測定し、様々な温度環境下における昇圧電圧ＶＨの変化についての情報を取得する。
【００２５】
昇圧電圧ＶＨの電圧変化の度合いは、リアクトルＬのインダクタンスに応じて変化する。よって、リアクトルＬのインダクタンスを設計値より取得し、取得されたリアクトルＬのインダクタンスにより影響される昇圧電圧ＶＨの電圧変化の度合いについての情報を取得する。
【００２６】
上記情報を総合的に検討して、サージ電圧が耐圧以下且つ電力損失が最小となるように、実験あるいは計算機シミュレーションによって様々な状況に応じたゲート電圧マップを作成する。このゲート電圧マップの一例として図２を挙げる。ゲート電圧マップは、図２に示されているように、スイッチング素子Ｓｗｉｐ，Ｓｗｉｎのゲート電圧Ｖｇの目標値を、時間経過に伴う電圧の変化態様（ゲート電圧Ｖｇの変化軌跡あるいはタイムチャート）の形式で記録したものである。
【００２７】
以下、任意の時刻ｔにおける、ゲート電圧マップによって定められるゲート電圧Ｖｇの目標値を、「ゲート電圧目標値Ｖｇｅ(ｔ)」と称する。なお、図２において、「ｔＶｔｈ」は、ゲート電圧目標値Ｖｇｅ（ｔ）が０から立ち上がり始めてからゲート閾値電圧Ｖｔｈに達するまでの時間である。また、「Ｖｍ」は、ミラー電圧である。「ｔＶｍ」は、ゲート電圧目標値Ｖｇｅ（ｔ）が０から立ち上がり始めてからミラー電圧Ｖｍに達するまでの時間である。
【００２８】
実際にスイッチング速度を制御する際には、コンデンサＣ１の温度や運転パラメータ（スイッチング素子Ｓｗｉｐ，Ｓｗｉｎの温度、コレクタ―エミッタ間電圧、コレクタ―エミッタ間電流などが該当）などの他情報に基づいて、適切なゲート電圧マップを選択する。これにより、以降のスイッチング素子Ｓｗｉｐ，Ｓｗｉｎのスイッチング速度は、ゲート電圧Ｖｇｅがゲート電圧マップに示されているゲート電圧目標値Ｖｇｅ（ｔ）に近づくように、適宜制御する。
【００２９】
以上のようにスイッチング素子Ｓｗｉｐ，Ｓｗｉｎのスイッチング速度を設定しても、実際にサージ電圧が生じた場合に、スイッチング素子Ｓｗｉｐ，Ｓｗｉｎの耐電圧を超えて高くなるおそれがある。よって、選択されたゲート電圧マップに基づいてスイッチング素子Ｓｗｉｐ，Ｓｗｉｎをスイッチングした際に、スイッチング素子Ｓｗｉｐ，Ｓｗｉｎに生じるサージ電圧を測定する。このとき、測定されるサージ電圧がスイッチング素子Ｓｗｉｐ，Ｓｗｉｎの耐電圧よりも所定電圧低くなかった場合には、次回にスイッチング素子Ｓｗｉｐ，Ｓｗｉｎのスイッチングを実施した際に測定されるサージ電圧がスイッチング素子Ｓｗｉｐ，Ｓｗｉｎの耐電圧よりも所定電圧低くなるようにゲート電圧マップを選択し直す。このとき、所定電圧は測定誤差や運転パラメータの変化によりサージ電圧が上昇してもスイッチング素子Ｓｗｉｐ，Ｓｗｉｎの耐電圧を超えて高くならない値として設定される。
【００３０】
スイッチング素子Ｓｗｉｐ，Ｓｗｉｎのスイッチング速度を設定する際に、例えば、高電位側スイッチング素子Ｓｗｉｐのスイッチング速度だけ変更して低電位側スイッチング素子Ｓｗｉｎのスイッチング速度を変更しなかった場合を想定する。この場合、高電位側スイッチング素子Ｓｗｉｐと低電位側スイッチング素子Ｓｗｉｎとの直列接続体が短絡してしまう可能性がある。よって、スイッチング素子Ｓｗｉｐ，Ｓｗｉｎのスイッチング速度を設定する際には、インバータＩＶの各相に存在する直列接続体を構成する２つのスイッチング素子Ｓｗｉｐ，Ｓｗｉｎのスイッチング速度を同時に設定する。
【００３１】
以上詳述した本実施形態によれば、以下の効果が得られるようになる。
【００３２】
・コンデンサＣ１と各スイッチング素子Ｓｗｉｐ，Ｓｗｉｎとの間に存在するバスバＢＢのインダクタンスに応じて、各スイッチング素子Ｓｗｉｐ，Ｓｗｉｎのスイッチング速度が設定される。これにより、コンデンサＣ１と各スイッチング素子Ｓｗｉｐ，Ｓｗｉｎとの間のバスバＢＢのインダクタンスを考慮し、且つスイッチング素子Ｓｗｉｐ，Ｓｗｉｎの耐電圧を超えない範囲で最大限スイッチング速度を大きくすることが可能となる。
【００３３】
・バスバＢＢのインダクタンスは、コンデンサＣ１と各スイッチング素子Ｓｗｉｐ，Ｓｗｉｎとの間のバスバＢＢの長さに応じて設定される。この場合、バスバＢＢの長さは設計値により知ることができるため、バスバＢＢのインダクタンスに応じたゲート電圧マップを容易に作成することが可能となる。ひいては、作成されたゲート電圧マップをもとに適切なスイッチング速度に制御することが可能となる。
【００３４】
・コンデンサＣ１の電荷容量に応じて各スイッチング素子Ｓｗｉｐ，Ｓｗｉｎのスイッチング速度が設定される。このとき、コンデンサＣ１の電荷容量は設計値により知ることができるため、コンデンサＣ１の電荷容量に応じたゲート電圧マップを容易に作成することが可能となる。
【００３５】
・コンデンサＣ１の温度を測定し、測定されたコンデンサＣ１の温度に応じて各スイッチング素子Ｓｗｉｐ，Ｓｗｉｎのスイッチング速度が設定される。コンデンサＣ１の温度を実測しているため、コンデンサＣ１の温度変化に応じて適切にゲート電圧マップを選択することが可能となる。
【００３６】
・リアクトルＬのインダクタンスに応じて、各スイッチング素子Ｓｗｉｐ，Ｓｗｉｎのスイッチング速度が設定される。このとき、リアクトルＬのインダクタンスは設計値により知ることが出来るため、リアクトルＬのインダクタンスに応じたゲート電圧マップを容易に作成することが可能となる。
【００３７】
・各スイッチング素子Ｓｗｉｐ，Ｓｗｉｎをスイッチングしたときに印加される電圧をそれぞれ測定し、測定される電圧がスイッチング素子Ｓｗｉｐ，Ｓｗｉｎのそれぞれの耐電圧よりも所定電圧低くなるようにゲート電圧マップが選択される。もし選択されたゲート電圧マップをもとにスイッチング速度を制御した際に、測定される電圧が耐電圧よりも所定電圧低くならなかった場合、次にスイッチングを実行する際にサージ電圧が耐電圧よりも高くなるおそれがあるとして、スイッチング速度を低くする。これにより、不適切なゲート電圧マップを選択してしまい、サージ電圧が耐電圧を超えてしまいかねない場合でも、上記制御により適切なゲート電圧マップを選択し直すことが可能となる。
【００３８】
・インバータＩＶの各相には、２つのスイッチング素子Ｓｗｉｐ，Ｓｗｉｎの直列接続体が設けられている。このような構成において、スイッチング速度を設定する際には、直列接続体を構成する２つのスイッチング素子Ｓｗｉｐ，Ｓｗｉｎのスイッチング速度が同時に設定される。例えば、高電位側スイッチング素子Ｓｗｉｐのスイッチング速度だけ変更して低電位側スイッチング素子Ｓｗｉｎのスイッチング速度を変更しなかった場合、高電位側スイッチング素子Ｓｗｉｐと低電位側スイッチング素子Ｓｗｉｎとの直列接続体が短絡してしまう可能性がある。このため、各相に存在する２つのスイッチング素子Ｓｗｉｐ，Ｓｗｉｎのスイッチング速度を同時に切替えることで、各相の短絡を抑制することが可能となる。
【００３９】
なお、上記実施形態を、以下のように変更して実施することもできる。
【００４０】
・スイッチング素子Ｓｗｉｐ，Ｓｗｉｎ，Ｓｗｃｐ，ＳｗｃｎはＩＧＢＴで構成されていた。このことについて、例えばＭＯＳＦＥＴで構成してもよい。
【００４１】
・スイッチング素子Ｓｗｉｐ，Ｓｗｉｎのスイッチング速度を変更する際には、インバータＩＶの各相に存在する高電位側スイッチング素子Ｓｗｉｐ及び低電位側スイッチング素子Ｓｗｉｎのスイッチング速度を二つ同時に変更することとしていた。このことについて、インバータＩＶ内の全ての経路が導通しないように配慮してスイッチングを実施するならば、本制御にこだわる必要はない。
【００４２】
・上記実施形態では、コンデンサＣ１と各スイッチング素子Ｓｗｉｐ，Ｓｗｉｎとの間のバスバＢＢの長さを設計値より取得していた。このことについて、実際にコンデンサＣ１と各スイッチング素子Ｓｗｉｐ，Ｓｗｉｎとの間のバスバＢＢの長さを計測してもよい。この場合、実測でコンデンサＣ１と各スイッチング素子Ｓｗｉｐ，Ｓｗｉｎとの間のバスバＢＢの長さを測定しているため、誤差が生じることなくより正確にバスバＢＢのインダクタンスを設定することが可能となる。
【００４３】
・上記実施形態では、コンデンサＣ１の電荷容量を設計値より取得していた。このことについて、実際にコンデンサＣ１の電荷容量を計測してもよい。この場合、コンデンサＣ１の電荷容量を実測しているため、コンデンサＣ１の劣化などに伴って変化する電荷容量の変化に対応することができ、各スイッチング素子Ｓｗｉｐ，Ｓｗｉｎのスイッチング速度をより適切に設定することが可能となる。
【００４４】
・上記実施形態では、リアクトルＬのインダクタンスは設計値より取得していた。このことについて、実際にリアクトルＬのインダクタンスを測定してもよい。この場合、リアクトルＬのインダクタンスを実測しているため、インダクタンスの変化に応じて適切にスイッチング素子Ｓｗｉｐ，Ｓｗｉｎのスイッチング速度を設定することが可能となる。
【００４５】
・上記実施形態では、スイッチング素子Ｓｗｉｐ，Ｓｗｉｎのスイッチング速度を設定する際に、コンデンサＣ１の温度や運転パラメータなどの他情報に基づいて、適切なゲート電圧マップを選択することとしていた。このことについて、実際にスイッチング素子Ｓｗｉｐ，Ｓｗｉｎのスイッチングを実施し、それにより生じるサージ電圧がスイッチング素子Ｓｗｉｐ，Ｓｗｉｎの耐電圧よりも所定電圧低くなるようにゲート電圧マップを設定してもよい。これにより、スイッチング素子Ｓｗｉｐ，Ｓｗｉｎを実際にスイッチングしたときに発生するサージ電圧を考慮して、適切なスイッチング速度に設定することが可能となる。
【００４６】
・インバータＩＶに備わるスイッチング素子Ｓｗｉｐ，Ｓｗｉｎに印加されるコンバータＣＶにより昇圧された電圧としての昇圧電圧ＶＨの変動例が図３に記載されている。このとき、コンバータＣＶに備わるスイッチング素子Ｓｗｃｐ，Ｓｗｃｎの接続と遮断により、予め設定された上限値と下限値との間を上下するように昇圧電圧ＶＨは制御される。この制御を実施しており、且つ昇圧電圧ＶＨが所定値を超えて高くなっているときに、インバータ内に備わるスイッチング素子Ｓｗｉｐ，Ｓｗｉｎのスイッチングを実施し、サージ電圧が生じる場合を想定する（時間ｔ１参照）。この場合、昇圧電圧ＶＨが所定値を超えて高い状態であるときにサージ電圧が生じるため、サージ電圧がその分大きくなり、耐電圧を超えてしまうおそれがある（時間ｔ２参照）。したがって、昇圧電圧ＶＨの変動に応じてスイッチング素子Ｓｗｉｐ，Ｓｗｉｎのスイッチング速度を設定する。例えば、昇圧電圧ＶＨが所定値を超えて高くなった場合には、スイッチング速度が低くなるようにゲート電圧マップを選択する。
【００４７】
コンバータＣＶにより作り出された各スイッチング素子Ｓｗｉｐ，Ｓｗｉｎに印加される電圧の変動を実測することで、昇圧電圧ＶＨの変動に応じて適切に各スイッチング素子Ｓｗｉｐ，Ｓｗｉｎのスイッチング速度をそれぞれ設定することが可能となる。
【符号の説明】
【００４８】
ＢＢ…バスバ、Ｃ１…コンデンサ、Ｓｗｉｐ…高電位側スイッチング素子、Ｓｗｉｎ…低電位側スイッチング素子。
【図１】
0006390515.tif 000002
【図２】
0006390515.tif 000003
【図３】
0006390515.tif 000004