(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板を保持して回転させる基板保持部と、前記基板に接触することで前記基板を処理するブラシと、洗浄液を基板に対して供給する供給部と、を備える基板処理装置の制御方法であって、
前記基板の処理領域を、基板の中心位置から順に、前記供給部により洗浄液が供給される最も基板中心側の第１領域、第２領域、最も基板周縁側の第３領域、に分けて前記ブラシの前記基板に対する押圧力を制御し、前記第１領域及び前記第３領域の押圧力よりも、前記第２領域の押圧力を大きくすることを特徴とする基板処理装置の制御方法。
【請求項２】
前記第３領域の押圧力を前記第２領域よりも小さくかつ前記第１領域よりも大きくすることを特徴とする請求項１に記載の基板処理装置の制御方法。
【請求項３】
基板よりも柔らかい部材からなる平坦部により前記基板に接触するブラシを用いて前記基板を処理することを特徴とする請求項１に記載の基板処理装置の制御方法。
【請求項４】
前記平坦部は、ＰＶＡからなることを特徴とする請求項３に記載の基板処理装置の制御方法。
【請求項５】
前記ブラシが前記第３領域を処理しているときに、前記ブラシが前記第１領域及び前記第２領域を処理しているときよりも多い量の洗浄液を前記基板に対して供給することを特徴とする請求項１〜請求項４のいずれかに記載の基板処理装置の制御方法。
【請求項６】
基板を保持して回転させる基板保持部と、
前記基板に接触することで前記基板を処理するブラシと、
洗浄液を基板に対して供給する供給部と、
前記ブラシの動作を制御する制御部と、を備え、
前記制御部は、前記基板の処理領域を基板の中心位置から順に、前記供給部により洗浄液が供給される最も基板中心側の第１領域、第２領域、最も基板周縁側の第３領域、に分けて前記ブラシの前記基板に対する押圧力を制御し、前記第１領域及び前記第３領域の押圧力よりも、前記第２領域の押圧力を大きくすることを特徴とする基板処理装置。
【請求項７】
前記制御部は、前記第３領域の押圧力を前記第２領域よりも小さくかつ前記第１領域よりも大きくすることを特徴とする請求項６に記載の基板処理装置。
【請求項８】
基板よりも柔らかい部材からなる平坦部により前記基板に接触するブラシを用いて前記基板を処理することを特徴とする請求項６に記載の基板処理装置。
【請求項９】
前記平坦部は、ＰＶＡからなることを特徴とする請求項８に記載の基板処理装置。
【請求項１０】
前記供給部は、前記ブラシが前記第３領域を処理しているときに、前記ブラシが前記第１領域及び前記第２領域を処理しているときよりも多い量の洗浄液を前記基板に対して供給することを特徴とする請求項６〜請求項９のいずれかに記載の基板処理装置。
【請求項１１】
コンピュータ上で動作し、基板処理システムを制御するプログラムが記憶されたコンピ
ュータ読取可能な記憶媒体であって、
前記プログラムは、実行時に、請求項１〜請求項５のいずれか一つに記載の基板処理装置の制御方法が行われるように、コンピュータに前記基板処理システムを制御させることを特徴とする記憶媒体。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ブラシを基板に接触させて処理する技術に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来より、ブラシを基板に接触させて処理することにより基板に付着した不要物を除去するスクラバー等の基板処理装置が知られている。この種の基板処理装置として、基板処理を行っている間、ブラシの基板に対する押圧力を変更可能なものもある。特許文献１では、基板の表面全体にわたって均一の除去性能をもたせること、及び基板の損傷が生じることを抑制することを目的として、基板の外周部におけるブラシの押圧力を中心部よりも大きくしている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特許第３５３９８３４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
引用文献１のように、基板の領域に応じてブラシの押圧力を大きくすると不要物の除去性能は向上するが、ブラシの材質によってはブラシ自体が削れてパーティクルとなり、基板に付着してしまうことがある。
【０００５】
本発明は、上述した問題点を解決するためのものであり、ブラシから発生するパーティクルの基板への付着を抑制しつつ、不要物の除去性能を向上させる。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上述した課題を解決するために、本発明の基板処理装置の制御方法は、基板を保持して回転させる基板保持部と、前記基板に接触することで前記基板を処理するブラシと、洗浄液を基板に対して供給する供給部と、を備える基板処理装置の制御方法であって、前記基板の処理領域を、基板の中心位置から順に、前記供給部により洗浄液が供給される最も基板中心側の第１領域、第２領域、最も基板周縁側の第３領域、に分けて前記ブラシの前記基板に対する押圧力を制御し、前記第１領域及び前記第３領域の押圧力よりも、前記第２領域の押圧力を大きくすることを特徴とする。
【０００７】
また、本発明の基板処理装置は、前記ブラシが前記第３領域を処理しているときに、前記ブラシが前記第１領域及び前記第２領域を処理しているときよりも多い量の洗浄液を前記基板に対して供給することを特徴とする。
【発明の効果】
【０００８】
本発明によれば、ブラシから発生するパーティクルの基板への付着を抑制しつつ、不要物の除去性能を向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】本発明の実施形態における基板処理システム１０１の全体構成を示す図である。
【図２】本発明の実施形態における基板処理装置１０９の構成を示す平面図である。
【図３】本発明の実施形態における基板処理装置１０９の構成を示す側面図である。
【図４】本発明の実施形態におけるブラシ３０２の構成を示す図である。
【図５】基板処理装置１０９が行う基板処理の具体的な動作を説明する図である。
【図６】基板処理を行う場合の領域区分を説明するための図である。
【図７】第１の実施形態におけるブラシ３０２の押圧力の制御の具体例を示す図である。
【図８】ブラシ３０２の押圧力を変化させた評価実験の結果を示す図である。
【図９】第１の実施形態における摩擦係数及び洗浄液の液膜の厚さの関係を示す概念図である。
【図１０】第２の実施形態におけるブラシ押圧力の制御の具体例を示す図である。
【図１１】第２の実施形態における摩擦係数及び洗浄液の液膜の厚さの関係を示す概念図である。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
以下に、本発明の具体的な構成について図面を参照しながら説明する。
【００１１】
（第１の実施形態）
図１は、本実施形態における基板処理システム１０１の全体構成を示す図である。
図１に示すように、基板処理システム１０１は、筺体１０２の前端部に基板搬入出台１０３を形成するとともに、基板搬入出台１０３の後部に基板処理室１０４を形成している。
【００１２】
基板搬入出台１０３は、基板１０５を複数枚（たとえば、２５枚）まとめて収容した複数個（ここでは、３個）のキャリア１０６を上部に左右に並べて載置している。そして、基板搬入出台１０３は、キャリア１０６と後部の基板処理室１０４との間で基板１０５の搬入及び搬出を行うようにしている。基板処理室１０４は、中央部に基板搬送装置１０７を配置し、基板搬送装置１０７の左側部に基板反転装置１０８と２個の基板処理装置１０９とを前後に並べて配置するとともに、基板搬送装置１０７の右側部に３個の基板処理装置１０９を前後に並べて配置している。
【００１３】
基板搬送装置１０７は、前後に伸延する搬送室１１０の内部に基板１０５を１枚ずつ保持して搬送するための搬送部１１１を収容している。この搬送部１１１は、前後に走行する走行台１１２に１枚の基板１０５を保持するアーム１１３を進退・昇降及び回転可能に取付けている。そして、基板搬送装置１０７は、基板搬入出台１０３と基板反転装置１０８との間や基板反転装置１０８と基板処理装置１０９との間で搬送部１１１を用いて基板１０５を１枚ずつ搬送するようにしている。基板反転装置１０８は、基板搬送装置１０７から受取った基板１０５を表裏反転させた後に再び基板搬送装置１０７に受渡すように構成している。
【００１４】
制御部１１４は、記録媒体１１５を有しており、記録媒体１１５に記録された各種のプログラムに従って基板処理システム１０１を駆動制御し、基板１０５の処理を行うようにしている。ここで、記録媒体１１５は、各種の設定データや後述する基板処理プログラム等の各種のプログラムを格納しており、ＲＯＭやＲＡＭなどのメモリーや、ハードディスク、ＣＤ−ＲＯＭ、ＤＶＤ−ＲＯＭやフレキシブルディスクなどのディスク状記憶媒体などの公知のもので構成され得る。
【００１５】
基板処理システム１０１の基板処理において、基板搬送装置１０７は、基板搬入出台１０３の所定のキャリア１０６から１枚の基板１０５を表面を上側に向けた状態で受取り、その基板１０５を基板搬送装置１０７で基板反転装置１０８に受渡たす。基板反転装置１０８は、受け取った基板１０５の表裏を反転させる。基板搬送装置１０７は、基板反転装置１０８から反転された基板１０５を裏面（回路形成面とは反対の面）を上側に向けた状態で受取る。基板搬送装置１０７は、その基板１０５をいずれかの基板処理装置１０９に受渡たす。基板処理装置１０９は、受け取った基板１０５の裏面を処理する。基板搬送装置１０７は、基板処理装置１０９から処理された基板１０５を受け取り、基板反転装置１０８に搬送する。基板反転装置１０８は、基板の表裏を反転させる。基板搬送装置１０７は、基板反転装置１０８から基板１０５を表面を上側に向けた状態で受取り、その基板１０５を基板搬入出台１０３の所定のキャリア１０６に受渡たす。
【００１６】
基板処理装置１０９は、図２及び図３に示すように、ケーシング２０１の内部に、基板１０５を保持するための基板保持部２０２と、基板１０５の裏面を洗浄するための基板洗浄部２０３と、基板１０５の裏面に処理液として純水を供給するための処理液供給部２０４とを収容している。これらの基板保持部２０２、基板洗浄部２０３、処理液供給部２０４は、制御部１１４に接続されており、制御部１１４で駆動制御される。
【００１７】
基板保持部２０２は、ケーシング２０１の底部中央に駆動モーター２０５を取付け、駆動モーター２０５の駆動軸２０６に円板状のターンテーブル２０７を水平に取付け、ターンテーブル２０７の上面端縁部に基板１０５の外周端縁を保持可能な３個のチャッキング２０８を円周方向に間隔をあけて取付け、ターンテーブル２０８の外周外方を昇降可能なカップ２０９で被覆している。駆動モーター２０５（ターンテーブル２０７）の駆動やチャッキング２０８の駆動やカップ２０９の昇降は制御部１１４で制御されている。
【００１８】
基板洗浄部２０３は、ケーシング２０１の底部右後方に上下に伸延する移動台２１０を左右に移動可能に取付け、移動台２１０の上部に前後に伸延するアーム２１１を昇降可能に取付け、アーム２１１の前端下部に上下に伸延する回動軸３０１を回動可能に取付け、回動軸３０１の下端部に洗浄部材としてのブラシ３０２を取付けている。移動台２１０の移動やアーム２１１の昇降や回動軸３０１（ブラシ３０２）の回動は制御部１１４で制御されている。また、基板洗浄部２０３は、ケーシング２０１の右側壁にブラシ３０２の洗浄や保水を行うためのブラシ洗浄部２１２を設けている。
【００１９】
処理液供給部２０４は、ケーシング２０１の底部左前方に流調機構２１３を取付け、流調機構２１３にノズル２１４を連結しており、ノズル２１４の先端から基板１０５の上面中心部に向けて純水を供給するようにしている。ノズル２１４の先端位置や供給方向は限定されるものではなく、基板１０５の中心部に相当する後述の第１領域に対して純水が供給され、結果として最も厚い液膜を形成させることができれば、任意のものであって良い。
【００２０】
ブラシ３０２の具体的な形状を図４に示す。図４（ａ）は、ブラシ３０２を横方向から見た図、図４（ｂ）は、ブラシ３０２を下方向から見た図である。ブラシ３０２の回動軸３０１の下端は、ＰＶＡ（ポリビニルアルコール）からなる円柱状の平坦な弾性部材と、ＰＰ（ポリプロピレン）からなる植毛（黒色部分）とから構成される。ここで、ＰＰ植毛４０２は、ＰＶＡ平坦部４０１よりも硬質であり、基板１０５に対して大きな押圧力を与えることにより大きな摩擦力が働いたとしても削れることはない。これに対して、ＰＶＡ平坦部４０１は軟質であり、大きな押圧力を与えると基板１０５との間の摩擦力により表面が削れ、後述するようなパーティクルの原因となりうる。なお、軟質部材としてはＰＶＡには限定されるものではなく、基板１０５よりも柔らかい部材であれば、他の材質を利用してもよい。
【００２１】
次に、基板処理装置９が行う基板処理の具体的な動作について説明する。本基板処理の各動作は、制御部１１４が制御する。
【００２２】
まず、基板搬送装置７によって基板保持部２０２のターンテーブル２０７の上部に搬入された基板１０５をチャッキング２０８で水平に保持する。なお、基板１０５は、基板反転装置１０８によって反転されているので、回路形成面とは反対の面（裏面）が表を向いている。以降、この面を便宜上、上面と記載する。
【００２３】
次に、基板保持部２０２のターンテーブル２０７を回転させて基板１０５を水平に保持したまま回転させ、処理液供給部２０４のノズル２１４から基板１０５の上面に向けて純水を供給する。
【００２４】
そして、ブラシ３０２を基板搬入時とは反対側の基板１０５の外周縁まで移動させた後、ブラシ３０２を回転させながら基板１０５の上面に降下させる。そして、ブラシ３０２を純水を介して基板１０５に接触させた状態で、図５に示すように、基板１０５の上面の外周端縁から中心側へ向けて移動させる。基板の中心に移動した後、さらに、基板１０５の中心から他方の外周端縁側へ向けて移動させる。なお、ブラシ自体の回転数は全領域において一定である。本実施形態では、ブラシ３０２が他方の外周端縁まで達したら、ブラシ３０２洗浄動作を終了するが、複数回繰り返すようにしても良い。その場合、制御部１１４は、ブラシ３０２が他方の外周端縁まで達するごとにブラシ３０２の動作を予め決められた回数だけ行ったかを判断し、行っていなければ、再度、最初の外周端縁までブラシ３０２を移動させ、上記の移動動作を繰り返すよう制御する。なお、本実施形態では、ブラシ３０２を一方の外周縁から他方の外周縁まで（Ｐ１からＰ６まで）移動させる例を説明するが、これに限定することなく、基板中心から他方の外周縁まで（Ｐ４からＰ６まで）又は一方の外周縁から基板中心まで（Ｐ１からＰ３まで）移動させるようにしても良い。
【００２５】
その後、ブラシ３０２、ノズル２１４の動作を停止し、及び基板１０５の上方から退避させた後、ターンテーブル２０７を高速回転させることで、基板１０５の上面に残存した洗浄液を振り切って乾燥させる。乾燥が終了したら、動作基板搬送装置１０７によってターンテーブル２０７の上部から基板１０５を基板反転装置１０８へ搬出する。
【００２６】
図６は、図５に示す基板処理を行う場合の領域区分を説明するための図である。
【００２７】
本実施形態では、基板中心を基準に基板１０５の上面の領域を第１〜第４の４つの領域に分け、それぞれの領域で異なる処理を行うようにする。ここで、第１領域（Ｐ３,Ｐ４）は、基板中心から半径５０ｍｍの円形領域であり、第２領域（Ｐ２,Ｐ５）は、基板中心から５１ｍｍ〜１００ｍｍの環状領域であり、第３領域（Ｐ１,Ｐ６）は、基板中心から１００ｍｍ〜１４７ｍｍの環状領域である。第４領域は、基板中心から１４８ｍｍ〜１５０ｍｍの環状領域であるが、本実施形態では、ブラシ３０２がチャッキング２０８に衝突することを防止するため、この領域の基板処理を行わない。なお、裏面吸着等といった周縁部を保持しない方式で基板を保持する場合は衝突の問題も生じないので、基板中心から１４８ｍｍ〜１５０ｍの領域を他を分けて定義することなく、第３領域と一体的に取り扱っても良い。
【００２８】
図７は、本実施形態におけるブラシ３０２の押圧力の制御の具体例を示す図である。図７において、横軸はブラシ３０２の基板１０５の上面での位置を示し、縦軸はブラシ３０２の押圧力の大きさを示している。
【００２９】
図示されるように、ブラシ３０２の押圧力は、第１領域と第３領域では同じ値とし、第２領域ではそれらよりも大きい値とする。この様に、本実施形態では、第２領域を他の領域よりも高い荷重をかけることにより、パーティクル等の不要物の除去性能を向上させるようにしている。
【００３０】
図８を用いて、上記のような制御を行う根拠となった評価実験について説明する。
【００３１】
この評価実験では、図５及び図６を用いて説明した基板処理と同様の動作を行っている。本実験でも、ブラシ自体の回転数は全領域において一定であり、ブラシ３０２の動作回数も１回である。また、第１〜第３領域においてブラシ３０２の押圧力を共通にし、その値を、０．５Ｎ毎に段階的に変化させている（ただし、最小値は０．１Ｎであり、その次の値は、０．５Ｎ）。
【００３２】
図８（ａ）は、基板１０５の上面に所定量のパーティクルを均等に付着させ、ブラシ３０２により移動動作を行った後、基板１０５上に残ったパーティクルの数を計測した結果を示すものである。
ここで縦軸の除去率とは、付着させたパーティクルのうち移動動作により除去されたパーティクルの数の比率を示している。図示するように、第１〜第３領域のいずれにおいても、ブラシの押圧力が増加するほど、パーティクルの除去率は向上した。
【００３３】
図８（ｂ）は、基板１０５の上面にパーティクルを付着させることなく、ブラシ３０２により移動動作を行った結果を示すものである。この実験は、ブラシ３０２自体の削れにより発生したパーティクルの基板１０５の上面への付着量を計測することができる。
【００３４】
ここで縦軸のパーティクルカウントとは、基板１０５の上面の各領域に実際に付着したまま残っているパーティクルの個数（付着量）を示している。図示するように、第１領域と第３領域では、ブラシ３０２の押圧力が増加すると、パーティクルカウントも増大した。一方、第２領域では、押圧力が２．５Ｎに増加するまではパーティクルカウントも増大するが、それ以上に押圧力が増加しても、パーティクルカウントは増大しなかった。
【００３５】
以上の実験結果に基づけば、第１領域と第３領域では、ブラシの押圧力が増加すると、付着したパーティクルの除去性能は向上するが、ブラシ自体から発生したパーティクルの付着量も増大してしまい、その領域全体での除去性能は上がらないおそれがあると評価できる。これに対して、第２領域は、ブラシの押圧力が増加すると、付着したパーティクルの除去性能は向上し、さらに、ブラシ自体から発生したパーティクルの付着量も増大しないので、その領域全体での除去性能は向上していくと評価できる。
【００３６】
以上の評価結果を踏まえて、本実施形態では、図７に示したように、第２領域は他の領域よりも高い負荷を与えて処理するようにすることで、パーティクルを増やすことなく第２領域における不要物の除去性能を向上させた。
【００３７】
次に、図８に示した実験結果が得られた理由についての、発明者の一考察を以下に示す。
【００３８】
図９は、基板の上面の位置における、ブラシ３０２と基板１０５との摩擦係数、及び処理液供給部２０４により供給された洗浄液（純水）の液膜の厚さの関係を示す概念図である。図９において、０ｍｍの位置が基板中心を示し、１５０ｍｍの位置が基板周縁端を示す。なお、ブラシ３０２の基板１０５に対する押圧力やブラシ自体の回転速度は、基板１０５上の位置によらず一定であるとする。
【００３９】
図示されるように、洗浄液の液膜の厚さは、基板の中心位置から第２領域に至るまでは緩やかに減少し、第３領域から周縁位置に向かうに従って急峻に減少する。これは、周縁位置に向かうほど洗浄液が存在しうる面積が広がるとともに、遠心力が強く作用して液膜が基板上から振り切られる速度が増すためである。
【００４０】
一方、摩擦係数は、基板の中心位置から周縁位置に向かうに従って、ほぼ変わらない傾き度合いで単純に減少する。この理由は、一般的に２物体間の潤滑状態を説明するために用いられるストライベック曲線により説明できる。
【００４１】
ストライベック曲線は、潤滑状態において、２物体間における摩擦係数は、値Ａ（Ａ＝潤滑液の粘度×２物体間の相対速度／２物体間の荷重）が増加するほど単純減少することを示すものである。ここで、値Ａを規定する上記の式において、２物体間における潤滑液の粘性と荷重が一定であるとすると、２物体間の摩擦係数は、その間の相対速度が大きいほど単純減少することになる。
【００４２】
本実施形態においては、基板１０５の上面全体において一定厚以上の液膜が存在し、この液膜は周縁位置では薄くなっているが、基板１０５とブラシ３０２との間で一定の粘度を持つ潤滑液として十分に機能する。また、実験において、ブラシ３０２の基板１０５に対する押圧力やブラシ自体の回転速度は、基板１０５の上面の位置によらず一定である。そして、基板１０５の中心位置よりも周縁位置のほうが、ブラシ３０２に対する基板の相対速度が大きい。以上の事実をストライベック曲線に当てはめると、基板１０５の中心位置から周縁位置に向かうに従って、基板１０５とブラシ３０２の間の摩擦係数は減少し、値の変換の態様は、図９のような直線的な形状になるのは明らかである。
【００４３】
図９の形状は、基板１０５の中心ほど摩擦係数が大きいことを示すので、基板１０５の中心ほどブラシ３０２の表面の削れが発生してパーティクルの付着量が多く、基板１０５の周縁になるほど削れが発生しにくくパーティクルの付着量が少ないと予測できる。しかし、図８（ｂ）の実験結果によれば、この予測どおりにはなっておらず、第２領域が最もパーティクルが少ない。発明者は、図９に示すように、第２領域では、他の領域よりも、液膜が減少する傾きが小さく、厚く保たれていることが影響していると考えている。つまり、洗浄液の液膜はパーティクルの量を増加させない作用を有しており、液膜の厚さが摩擦係数に対して相対的に小さくなるほど、ブラシ３０２から発生したパーティクルの付着量が増加し、相対的に大きくなるほど付着量が減少する。このため、第２領域が、他の領域と異なり、パーティクルの付着量が少ないといえる。
【００４４】
以上説明したように、本実施形態によれば、基板１０５の処理領域を、基板１０５の中心位置から順に、処理液供給部２０４により洗浄液が供給される最も基板中心側の第１領域、第２領域、最も基板周縁側の第３領域、に分けてブラシ３０２の基板１０２に対する押圧力を制御するようにした。そして、第１領域及び第３領域の押圧力よりも、第２領域の押圧力を大きくするようにした。これにより、ブラシ３０２から発生するパーティクルの基板１０５への付着を抑制しつつ、不要物の除去性能を向上させることができる。
【００４５】
（第１の実施形態の変形例）
上記実施形態では、ブラシ３０２の押圧力は、第１領域と第３領域では同じ値としたが、第３領域の除去性能を上げるため、第１領域よりも大きな値としても良い。また、第１の実施形態では、同じ領域内では均一押圧力としたが、これに限らず、各領域内での除去性能の均一化を促進させるために、同じ領域内でも外側に向かうに従って少しずつ押圧力を大きくしてもよい。
【００４６】
（第２の実施形態）
第１の実施形態で述べたように、洗浄液の液膜の厚さと摩擦係数との相対的な大小関係が、ブラシ３０２から発生したパーティクルの付着量に影響していると考えられる。
【００４７】
図８（ａ）に示したように、各領域について同じ押圧力で基板処理を行った場合、第３領域が最も除去性能が低い。全体での除去性能の均一性を向上させるためには第３領域の押圧力を上げれば良いが、単純に押圧力を上げただけでは、図８（ｂ）に示したように、ブラシ３０２から発生したパーティクルの付着量が増大するおそれがある。
【００４８】
そこで本実施形態では、第３領域において押圧力を上げるとともに処理液の液膜の影響を大きくすることにより、パーティクルの付着も抑制する。
【００４９】
図１０は、本実施形態におけるブラシ押圧力の制御の具体例を示す図である。図示されるように、ブラシ３０２の押圧力は、第１領域、第２領域、第３領域の順で、段階的に大きい値とする。また、ブラシ３０２が第１領域と第２領域に位置するときの処理液供給部２０４の処理液の供給量を第１供給量とし、第３領域での処理液の供給量を、それよりも多い第２供給量とする。
【００５０】
図１１に、この様な処理液の供給を行ったときのブラシ３０２と基板１０５との摩擦係数及び液膜の厚さの関係を概念的に示す。
【００５１】
図示されるように、本実施形態では、第１及び第２領域を処理しているときよりも第３領域を処理しているときのほうが処理液の供給量が多いため、図９のように供給量を変化させない場合に対して液膜の厚さが上向きにシフトした量になる。このため、第３領域において供給量を変化させない場合よりも、処理液の液膜による作用が相対的に強くなり、図１０のようなブラシ制御を行ったとしても、ブラシ３０２から発生するパーティクルの付着が抑制される。
【００５２】
なお、上記の例では、第１領域、第２領域、第３領域の順でブラシ３０２の押圧力を高くするようにしたが、第３領域の押圧力は、第１領域よりも大きく第２領域よりも小さい程度や第２領域と同一の値でも、第３領域の除去性能は向上する。
【００５３】
以上説明したように、本実施形態によれば、少なくとも第１領域よりも第３領域の押圧力を大きくし、ブラシ３０２が第３領域を処理しているときに、ブラシ３０２が第１領域及び第２領域を処理しているときよりも多い量の洗浄液を基板１０５に対して供給するようにした。これにより、第２領域のみならず、第３領域において、ブラシ３０２から発生するパーティクルの付着を抑制しつつ、パーティクル等の不要物の除去性能を向上させることができるとともに、基板１０５上の全体での除去性能の均一化を図ることができる。
【００５４】
本実施形態では、第１領域に対して供給する処理液の量を増加させるようにしているが、処理液供給部２０４とは別の処理液供給部を設けて、第３領域のみに処理液を供給するようにしても良い。つまり、ブラシ３０２が第１〜第３領域を処理する期間、処理液供給部２０４からの処理液の流量は変化させず、ブラシ３０２が第３領域を処理する期間だけ、他の処理液供給部から図１１の厚さの膜厚を形成するに相当する量の処理液を供給する制御を行う。
【００５５】
また、本実施形態の図１０の制御に限らず、第１の実施形態でも述べたように、第２領域の液膜も厚い状態は保たれているので、第２領域の除去性能も向上させるために、ブラシ３０２の押圧力を、第１領域、第３領域、第２領域の順で、段階的に大きい値としてもよい。
【符号の説明】
【００５６】
基板          １０５
基板保持部    ２０２
処理液供給部  ２０４
ブラシ        ３０２
【図１】
0006306964.tif 000002
【図２】
0006306964.tif 000003
【図３】
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【図４】
0006306964.tif 000005
【図５】
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【図６】
0006306964.tif 000007
【図７】
0006306964.tif 000008
【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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