(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
処理対象となる基板を収容するチャンバと、
前記チャンバ内へ気体を供給する給気部と、
前記チャンバ内を排気する排気部と、
前記排気部から排気される排気量を調整する調整機構と、
前記チャンバの内圧を測定する測定部と、
基板処理の内容を示すレシピ情報に従って一連の基板処理を実行させる基板処理実行部を有する制御部と
を備え、
前記制御部は、さらに
前記測定部の測定結果に基づいて前記内圧を規定範囲内に保つように前記調整機構の開度を制御するフィードバック制御を行い、前記内圧を前記規定範囲外へ変化させることが見込まれる所定のイベントが発生する場合に、前記フィードバック制御に替えて予め規定された制御値に基づいて前記調整機構の開度を制御する非フィードバック制御を行うダンパ調整部を有し、
前記ダンパ調整部は、
前記基板処理実行部から通知された処理を識別する識別子に基づき、実行される処理が、前記非フィードバック制御を行うべき前記イベントであるか否かを判定し、当該イベントであると判定した場合には、前記イベントごとに関連付けられて予め登録されている制御値情報に基づき前記調整機構の開度を制御すること
を特徴とする基板処理装置。
【請求項２】
前記制御部は、
前記内圧を前記規定範囲外の陰圧へ変化させることが見込まれる前記イベントが発生する場合に、前記非フィードバック制御を行うこと
を特徴とする請求項１に記載の基板処理装置。
【請求項３】
前記一連の基板処理は、
前記基板に対して薬液を供給する薬液処理、前記基板に対してリンス液を供給するリンス処理および前記基板を乾燥させる乾燥処理を含み、
前記給気部は、
第１の気体を供給する第１給気部と、
前記乾燥処理に際して前記第１の気体に替わる第２の気体を供給する第２給気部と
をさらに備え、
前記制御部は、
前記リンス処理から前記乾燥処理への移行に際して前記第１給気部および前記第２給気部の切り替えが実行される場合に、前記非フィードバック制御を行うこと
を特徴とする請求項２に記載の基板処理装置。
【請求項４】
前記排気部は、
前記基板処理の各処理に応じた複数系統の排気経路を有し、
前記制御部は、
前記基板処理の各処理の移行に際して前記排気経路の切り替えが実行される場合に、前記非フィードバック制御を行うこと
を特徴とする請求項３に記載の基板処理装置。
【請求項５】
前記排気経路は、
前記リンス処理における排気経路である第１排気経路と、前記乾燥処理における排気経路である第２排気経路とを含むこと
を特徴とする請求項４に記載の基板処理装置。
【請求項６】
前記チャンバ内に配置され、前記基板を保持して回転させる基板保持機構と、
前記基板保持機構によって回転される前記基板の回転中心に同心配置され、前記基板処理の各処理における排液を回収する複数の回収カップと
をさらに備え、
前記制御部は、
前記基板処理の各処理の移行に際して前記回収カップの切り替えが実行される場合に、前記非フィードバック制御を行うこと
を特徴とする請求項３に記載の基板処理装置。
【請求項７】
前記回収カップは、
前記リンス処理における排液を回収する第１回収カップと、前記乾燥処理における排液を回収する第２回収カップとを含むこと
を特徴とする請求項６に記載の基板処理装置。
【請求項８】
前記制御値は、
前記開度を維持する時間を示す維持時間の制御値を含み、
前記制御部は、
前記維持時間の制御値に基づいて前記開度を維持すること
を特徴とする請求項１〜７のいずれか一つに記載の基板処理装置。
【請求項９】
前記制御部は、
前記維持時間が経過した場合に、前記開度の制御を前記非フィードバック制御から前記フィードバック制御へ戻すこと
を特徴とする請求項８に記載の基板処理装置。
【請求項１０】
前記制御値は、
前記開度および前記維持時間を段階的に変化させる段階指定の制御値を含み、
前記制御部は、
前記段階指定の制御値に基づいて前記開度および前記維持時間を段階的に変化させること
を特徴とする請求項８または９に記載の基板処理装置。
【請求項１１】
前記制御値は、
前記開度の制御開始を遅延させる時間を示す遅延時間の制御値を含み、
前記制御部は、
前記遅延時間の制御値に基づいて前記開度の制御開始を遅延させること
を特徴とする請求項８、９または１０に記載の基板処理装置。
【請求項１２】
前記制御値は、
前記開度の制御開始を先行させる時間を示す先行時間の制御値を含み、
前記制御部は、
前記先行時間の制御値に基づいて前記開度の制御開始を先行させること
を特徴とする請求項１１に記載の基板処理装置。
【請求項１３】
処理対象となる基板を収容するチャンバと、前記チャンバ内へ気体を供給する給気部と、前記チャンバ内を排気する排気部と、前記排気部から排気される排気量を調整する調整機構と、前記チャンバの内圧を測定する測定部とを備える基板処理装置を用い、基板処理の内容を示すレシピ情報に従って一連の基板処理を実行させる基板処理実行工程を含む制御工程を含み、
前記制御工程は、さらに、
前記測定部の測定結果に基づいて前記内圧を規定範囲内に保つように前記調整機構の開度を制御するフィードバック制御を行い、前記内圧を前記規定範囲外へ変化させることが見込まれる所定のイベントが発生する場合に、前記フィードバック制御に替えて予め規定された制御値に基づいて前記調整機構の開度を制御する非フィードバック制御を行うダンパ調整工程を含み、
前記ダンパ調整工程は、
前記基板処理実行工程から通知された処理を識別する識別子に基づき、実行される処理が、前記非フィードバック制御を行うべき前記イベントであるか否かを判定し、当該イベントであると判定した場合には、前記イベントごとに関連付けられて予め登録されている制御値情報に基づき前記調整機構の開度を制御すること
を特徴とする基板処理方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
開示の実施形態は、基板処理装置および基板処理方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、基板処理装置では、半導体ウェハやガラス基板などの基板に対し、ＤＨＦ（希フッ酸）等の薬液を供給して基板の表面を処理する薬液処理や、ＤＩＷ（純水）等のリンス液を供給して基板上の薬液を洗い流すリンス処理などの一連の基板処理が、予め定められたレシピに従って実行される。
【０００３】
かかる基板処理中、基板はチャンバ内に配置されるが、基板へのパーティクルの付着等を防ぐため、チャンバ内には清浄気流が形成されるとともに、チャンバの内圧はほぼ一定に保たれるよう制御される。
【０００４】
ここで、チャンバの内圧を一定に保つ技術としては、たとえばチャンバの内部と外部との圧力差を検出する検出手段を設けることとしたうえで、かかる検出手段によって検出される圧力差の変化に応じて清浄気流の供給量を適宜フィードバック制御するものが知られている（特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開平１１−１１１６６４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、特許文献１に記載の技術には、チャンバの内圧を適正に保つうえでさらなる改善の余地がある。
【０００７】
特許文献１に記載の技術は、常時フィードバック制御によってチャンバの内圧を保つものである。しかしながら、基板処理の各処理に応じてたとえば清浄気流の供給経路の切り替え等が実行された場合、供給経路の切り替えによって生じる急激な内圧の変化に対応できないケースがあった。
【０００８】
実施形態の一態様は、チャンバの内圧を適正に保つことができる基板処理装置および基板処理方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
実施形態の一態様に係る基板処理装置は、チャンバと、給気部と、排気部と、調整機構と、測定部と、制御部とを備える。チャンバは、処理対象となる基板を収容する。給気部は、チャンバ内へ気体を供給する。排気部は、チャンバ内を排気する。調整機構は、排気部から排気される排気量を調整する。測定部は、チャンバの内圧を測定する。制御部は、基板処理の内容を示すレシピ情報に従って一連の基板処理を実行させる基板処理実行部を有する。また、制御部は、さらにダンパ調整部を有する。ダンパ調整部は、測定部の測定結果に基づいて内圧を規定範囲内に保つように調整機構の開度を制御するフィードバック制御を行い、内圧を規定範囲外へ変化させることが見込まれる所定のイベントが発生する場合に、フィードバック制御に替えて予め規定された制御値に基づいて調整機構の開度を制御する非フィードバック制御を行う。また、ダンパ調整部は、基板処理実行部から通知された処理を識別する識別子に基づき、実行される処理が、非フィードバック制御を行うべきイベントであるか否かを判定し、当該イベントであると判定した場合には、イベントごとに関連付けられて予め登録されている制御値情報に基づき調整機構の開度を制御する。
【発明の効果】
【００１０】
実施形態の一態様によれば、チャンバの内圧を適正に保つことができる。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】図１は、本実施形態に係る基板処理システムの概略構成を示す図である。
【図２】図２は、処理ユニットの概略構成を示す図である。
【図３】図３は、処理ユニットの具体的な構成の一例を示す模式図である。
【図４】図４は、制御装置のブロック図である。
【図５】図５は、処理ユニットにおいて実行される一連の基板処理の処理手順を示すフローチャートである。
【図６Ａ】図６Ａは、制御部が切替部として機能する場合の説明図（その１）である。
【図６Ｂ】図６Ｂは、制御部が切替部として機能する場合の説明図（その２）である。
【図７】図７は、制御値情報の一例を示す図である。
【図８Ａ】図８Ａは、従来のフィードバック制御における内圧および開度の変化を示す図である。
【図８Ｂ】図８Ｂは、制御部が実行する非フィードバック制御の一例を示す図である。
【図９Ａ】図９Ａは、制御部が段階的に開度を制御する場合の説明図（その１）である。
【図９Ｂ】図９Ｂは、制御部が段階的に開度を制御する場合の説明図（その２）である。
【図９Ｃ】図９Ｃは、制御部が段階的に開度を制御する場合の説明図（その３）である。
【図１０Ａ】図１０Ａは、制御部が開度の制御開始を遅延させる場合の説明図である。
【図１０Ｂ】図１０Ｂは、制御部が開度の制御開始を先行させる場合の説明図である。
【図１１】図１１は、制御部がダンパ調整部として機能する場合に実行する処理の処理手順を示すフローチャートである。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
以下、添付図面を参照して、本願の開示する基板処理装置および基板処理方法の実施形態を詳細に説明する。なお、以下に示す実施形態によりこの発明が限定されるものではない。
【００１３】
図１は、本実施形態に係る基板処理システムの概略構成を示す図である。以下では、位置関係を明確にするために、互いに直交するＸ軸、Ｙ軸およびＺ軸を規定し、Ｚ軸正方向を鉛直上向き方向とする。
【００１４】
図１に示すように、基板処理システム１は、搬入出ステーション２と、処理ステーション３とを備える。搬入出ステーション２と処理ステーション３とは隣接して設けられる。
【００１５】
搬入出ステーション２は、キャリア載置部１１と、搬送部１２とを備える。キャリア載置部１１には、複数枚の基板、本実施形態では半導体ウェハ（以下ウェハＷ）を水平状態で収容する複数のキャリアＣが載置される。
【００１６】
搬送部１２は、キャリア載置部１１に隣接して設けられ、内部に基板搬送装置１３と、受渡部１４とを備える。基板搬送装置１３は、ウェハＷを保持するウェハ保持機構を備える。また、基板搬送装置１３は、水平方向および鉛直方向への移動ならびに鉛直軸を中心とする旋回が可能であり、ウェハ保持機構を用いてキャリアＣと受渡部１４との間でウェハＷの搬送を行う。
【００１７】
処理ステーション３は、搬送部１２に隣接して設けられる。処理ステーション３は、搬送部１５と、複数の処理ユニット１６とを備える。複数の処理ユニット１６は、搬送部１５の両側に並べて設けられる。
【００１８】
搬送部１５は、内部に基板搬送装置１７を備える。基板搬送装置１７は、ウェハＷを保持するウェハ保持機構を備える。また、基板搬送装置１７は、水平方向および鉛直方向への移動ならびに鉛直軸を中心とする旋回が可能であり、ウェハ保持機構を用いて受渡部１４と処理ユニット１６との間でウェハＷの搬送を行う。
【００１９】
処理ユニット１６は、基板搬送装置１７によって搬送されるウェハＷに対して所定の基板処理を行う。
【００２０】
また、基板処理システム１は、制御装置４を備える。制御装置４は、たとえばコンピュータであり、制御部１８と記憶部１９とを備える。記憶部１９には、基板処理システム１において実行される各種の処理を制御するプログラムが格納される。制御部１８は、記憶部１９に記憶されたプログラムを読み出して実行することによって基板処理システム１の動作を制御する。
【００２１】
なお、かかるプログラムは、コンピュータによって読み取り可能な記憶媒体に記録されていたものであって、その記憶媒体から制御装置４の記憶部１９にインストールされたものであってもよい。コンピュータによって読み取り可能な記憶媒体としては、たとえばハードディスク（ＨＤ）、フレキシブルディスク（ＦＤ）、コンパクトディスク（ＣＤ）、マグネットオプティカルディスク（ＭＯ）、メモリカードなどがある。
【００２２】
上記のように構成された基板処理システム１では、まず、搬入出ステーション２の基板搬送装置１３が、キャリア載置部１１に載置されたキャリアＣからウェハＷを取り出し、取り出したウェハＷを受渡部１４に載置する。受渡部１４に載置されたウェハＷは、処理ステーション３の基板搬送装置１７によって受渡部１４から取り出されて、処理ユニット１６へ搬入される。
【００２３】
処理ユニット１６へ搬入されたウェハＷは、処理ユニット１６によって処理された後、基板搬送装置１７によって処理ユニット１６から搬出されて、受渡部１４に載置される。そして、受渡部１４に載置された処理済のウェハＷは、基板搬送装置１３によってキャリア載置部１１のキャリアＣへ戻される。
【００２４】
次に、処理ユニット１６の概略構成について図２を参照して説明する。図２は、処理ユニット１６の概略構成を示す図である。
【００２５】
図２に示すように、処理ユニット１６は、チャンバ２０と、基板保持機構３０と、処理流体供給部４０と、回収カップ５０とを備える。
【００２６】
チャンバ２０は、基板保持機構３０と処理流体供給部４０と回収カップ５０とを収容する。チャンバ２０の天井部には、ＦＦＵ（Fan  Filter  Unit）２１が設けられる。ＦＦＵ２１は、チャンバ２０内にダウンフローを形成する。
【００２７】
基板保持機構３０は、保持部３１と、支柱部３２と、駆動部３３とを備える。保持部３１は、ウェハＷを水平に保持する。支柱部３２は、鉛直方向に延在する部材であり、基端部が駆動部３３によって回転可能に支持され、先端部において保持部３１を水平に支持する。駆動部３３は、支柱部３２を鉛直軸まわりに回転させる。かかる基板保持機構３０は、駆動部３３を用いて支柱部３２を回転させることによって支柱部３２に支持された保持部３１を回転させ、これにより、保持部３１に保持されたウェハＷを回転させる。
【００２８】
処理流体供給部４０は、ウェハＷに対して処理流体を供給する。処理流体供給部４０は、処理流体供給源７０に接続される。
【００２９】
回収カップ５０は、保持部３１を取り囲むように配置され、保持部３１の回転によってウェハＷから飛散する処理液を捕集する。回収カップ５０の底部には、排液口５１が形成されており、回収カップ５０によって捕集された処理液は、かかる排液口５１から処理ユニット１６の外部へ排出される。また、回収カップ５０の底部には、ＦＦＵ２１から供給される気体を処理ユニット１６の外部へ排出する排気口５２が形成される。
【００３０】
次に、処理ユニット１６の構成について図３を参照してより具体的に説明する。図３は、処理ユニット１６の具体的な構成の一例を示す模式図である。
【００３１】
図３に示すように、ＦＦＵ２１には、バルブ２２を介して不活性ガス供給源２３が接続される。ＦＦＵ２１は、不活性ガス供給源２３から供給されるＮ２ガス等の不活性ガスをチャンバ２０内へ給気する。また、ＦＦＵ２１は、ＵＬＰＡ（Ultra  Low  Penetration  Air）フィルタによって清浄化された空気をチャンバ２０内へ給気してもよい。
【００３２】
また、処理ユニット１６は、チャンバ２０の側壁部に、ＣＤＡ（Clean  Dry  Air）給気部２４をさらに備える。ＣＤＡ給気部２４には、バルブ２５を介してＣＤＡ供給源２６が接続される。ＣＤＡ給気部２４は、ＣＤＡ供給源２６から供給されるＣＤＡをチャンバ２０内へ給気する。
【００３３】
なお、処理ユニット１６では、後述するリンス処理から乾燥処理への移行に際して、チャンバ２０内への給気がＦＦＵ２１による給気からＣＤＡ給気部２４による給気へと切り替えられる。以下では、かかる切り替えを「給気切替」と呼ぶ場合がある。
【００３４】
また、基板保持機構３０が備える保持部３１の上面には、ウェハＷを側面から保持する保持部材３１ａが設けられる。ウェハＷは、かかる保持部材３１ａによって保持部３１の上面からわずかに離間した状態で水平保持される。
【００３５】
処理流体供給部４０は、ノズル４１と、ノズル４１を水平に支持するアーム４２と、アーム４２を旋回および昇降させる旋回昇降機構４３とを備える。
【００３６】
処理流体供給部４０は、後述する薬液処理において、ウェハＷに対し薬液の一種であるＤＨＦをノズル４１から供給する。また、処理流体供給部４０は、後述するリンス処理において、ウェハＷに対しリンス液の一種であるＤＩＷをノズル４１から供給する。
【００３７】
また、処理流体供給部４０は、後述する乾燥処理において、ウェハＷに対し有機溶剤の一種であるＩＰＡ（イソプロピルアルコール）をノズル４１から供給する。
【００３８】
ＤＨＦは、ＤＨＦ供給源７１ａからバルブ６１ａを介して供給され、ＤＩＷは、ＤＩＷ供給源７１ｂからバルブ６１ｂを介して供給され、ＩＰＡは、ＩＰＡ供給源７１ｃからバルブ６１ｃを介して供給される。
【００３９】
なお、乾燥処理においては、不活性ガスの一種であるＮ２ガス等があわせて用いられるが、かかるＮ２ガス等をノズル４１から供給することとしてもよい。
【００４０】
回収カップ５０は、基板保持機構３０によって保持され回転するウェハＷの回転中心に同心配置された多段構成とすることができる。具体的には、回収カップ５０は、第１回収カップ５０ａと、第２回収カップ５０ｆとを含む。
【００４１】
第１回収カップ５０ａは、ウェハＷの下方及び外周外方を囲むとともに、ウェハＷの上方を開放させる形状を有する。第１回収カップ５０ａは、ウェハＷの外周外方に回収口５０ｂを形成するとともに、下方に回収口５０ｂに連通する回収空間５０ｃを形成する。
【００４２】
また、第１回収カップ５０ａは、回収空間５０ｃの底部に同心リング状の仕切壁５０ｈを形成して、回収空間５０ｃの底部を同心二重リング状の第１回収部５０ｄと第２回収部５０ｅとに区画する。第１回収部５０ｄおよび第２回収部５０ｅの底部にはそれぞれ、排液口５１ａ，５１ｂが、回収カップ５０の円周方向に沿って間隔を空けつつ形成される。
【００４３】
排液口５１ａからの排出経路は、バルブ６２ａへ接続される。排液口５１ａから排出される排液（たとえば、ＩＰＡのような有機系の処理液）は、かかるバルブ６２ａを介して処理ユニット１６の外部へ排出される。
【００４４】
排液口５１ｂからの排出経路は、バルブ６２ｂへ接続される。排液口５１ｂから排出される排液（たとえば、ＤＨＦのような酸性の処理液）は、かかるバルブ６２ｂを介して処理ユニット１６の外部へ排出される。なお、バルブ６２ｂを複数個のバルブで構成し、酸性やアルカリ性といった処理液の性質に応じて個別にバルブを分けて、排出経路を分岐させてもよい。また、処理液が再利用可能な場合には、バルブ６２ｂを介して排出された処理液を回収してもよい。
【００４５】
第１回収カップ５０ａの仕切壁５０ｈには、かかる仕切壁５０ｈを貫き、かつ、回収カップ５０内において排液口５１ａ，５１ｂよりも上方で開口された複数の排気口５２が、仕切壁５０ｈの円周方向に沿って間隔を空けつつ形成される。
【００４６】
第２回収カップ５０ｆは、仕切壁５０ｈの直上方に所定の間隔を空けて配置され、昇降可能に設けられる。第２回収カップ５０ｆには、かかる第２回収カップ５０ｆを昇降させる昇降機構（図示略）が接続される。かかる昇降機構は、制御装置４によって昇降制御される。
【００４７】
第２回収カップ５０ｆは、上端部に第１回収カップ５０ａの回収口５０ｂまで内側上方に向けて傾斜する傾斜壁部５０ｇを有する。傾斜壁部５０ｇは、第１回収カップ５０ａの回収口５０ｂまで回収空間５０ｃの傾斜壁に沿って平行に伸延されており、傾斜壁部５０ｇが第１回収カップ５０ａの回収空間５０ｃの傾斜壁と近接するようになっている。
【００４８】
そして、図示略の昇降機構を用いて第２回収カップ５０ｆを下降させると、回収空間５０ｃの内部において第１回収カップ５０ａの傾斜壁と第２回収カップ５０ｆの傾斜壁部５０ｇとの間に回収口５０ｂから第１回収部５０ｄの排液口５１ａへと通じる流路が形成される。
【００４９】
また、図示略の昇降機構を用いて第２回収カップ５０ｆを上昇させると、回収空間５０ｃの内部において第２回収カップ５０ｆの傾斜壁部５０ｇの内側に回収口５０ｂから排液口５１ｂへと通じる流路が形成される。
【００５０】
そして、処理ユニット１６は、基板処理を行う際、基板処理中の各処理にて使用する処理液の種類に応じてかかる第２回収カップ５０ｆを昇降させることによって、排液口５１ａ，５１ｂの切り替えを実行する。
【００５１】
たとえば、酸性の処理液であるＤＨＦをウェハＷへ吐出してウェハＷを処理する場合、制御装置４は、基板保持機構３０の駆動部３３を制御して保持部３１を所定回転速度で回転させた状態でバルブ６１ａを開放する。これにより、ＤＨＦ供給源７１ａから供給されるＤＨＦが、ノズル４１からウェハＷの上面へ吐出される。
【００５２】
このとき、制御装置４は、前述の昇降機構を制御して第２回収カップ５０ｆを上昇させて、回収口５０ｂから第２回収部５０ｅの排液口５１ｂへと通じる流路を形成しておく。
【００５３】
これにより、ウェハＷへ供給されたＤＨＦは、ウェハＷの回転による遠心力の作用でウェハＷの外周外方へ向けて振り切られ、第１回収カップ５０ａの回収口５０ｂから回収空間５０ｃの第２回収部５０ｅに回収される。そして、ＤＨＦは、排液口５１ｂから排出される。
【００５４】
また、たとえば有機系の処理液であるＩＰＡをウェハＷへ吐出してウェハＷを処理する場合、制御装置４は、同じく駆動部３３を制御して保持部３１を所定回転速度で回転させた状態でバルブ６１ｃを開放する。これにより、ＩＰＡ供給源７１ｃから供給されるＩＰＡがノズル４１からウェハＷの上面へ吐出される。
【００５５】
このとき、制御装置４は、前述の昇降機構を制御して第２回収カップ５０ｆを下降させて、回収口５０ｂから第１回収部５０ｄの排液口５１ａへと通じる流路を形成する。
【００５６】
これにより、ウェハＷに供給されたＩＰＡは、ウェハＷの回転による遠心力の作用でウェハＷの外周外方へ向けて振り切られ、第１回収カップ５０ａの回収口５０ｂから回収空間５０ｃの第１回収部５０ｄに回収される。そして、ＩＰＡは、排液口５１ａから排出される。
【００５７】
なお、このように第２回収カップ５０ｆを昇降させることによって行う排液口５１ａ，５１ｂの切り替えを、以下では、「カップ切替」と呼ぶ場合がある。
【００５８】
また、処理ユニット１６は、ダンパ８０をさらに備える。第１回収カップ５０ａの仕切壁５０ｈに形成された排気口５２からの排気経路は、かかるダンパ８０へ接続される。ダンパ８０は、排気口５２から排気される排気量の調整機構であり、その開度を制御装置４に制御されることによって排気量を調整する。
【００５９】
なお、本実施形態では、ダンパ８０の開度は、０°〜９０°の範囲で制御可能であり、０°はダンパ８０を「全開」状態にし、９０°はダンパ８０を「全閉」状態にするものとする。
【００６０】
ダンパ８０からの排気経路は複数系統に、たとえば第１排気経路６３ａと第２排気経路６３ｂとに分岐され、第１排気経路６３ａはバルブ６４ａへ接続される。また、第２排気経路６３ｂはバルブ６４ｂへ接続される。
【００６１】
第１排気経路６３ａは酸性排気の排気経路であり、第２排気経路６３ｂは有機系排気の排気経路である。これらは、基板処理の各処理に応じて制御装置４によって切り替えられる。
【００６２】
たとえば、排気中にＤＨＦのミスト等が含まれることとなる薬液処理およびリンス処理の実行に際しては、第１排気経路６３ａへの切り替えが制御装置４によって実行され、バルブ６４ａを介して酸性排気が排気される。
【００６３】
また、排気中にＩＰＡのミスト等が含まれることとなる乾燥処理の実行に際しては、第２排気経路６３ｂへの切り替えが制御装置４によって実行され、バルブ６４ｂを介して有機系排気が排気される。
【００６４】
なお、このように行われる第１排気経路６３ａおよび第２排気経路６３ｂの切り替えを、以下では、「排気切替」と呼ぶ場合がある。
【００６５】
また、処理ユニット１６は、測定部９０をさらに備える。測定部９０は、たとえばチャンバ２０の外部に配置され、チャンバ２０の内圧を常時監視して測定し、測定結果を制御装置４へ通知する。制御装置４では、チャンバ２０の内圧を規定範囲内に保つように、通常時には、測定部９０からの測定結果に基づいてダンパ８０の開度がフィードバック制御される。
【００６６】
なお、上記規定範囲は、ウェハＷへのパーティクルの付着等を防ぐため、わずかに陽圧である程度が好ましい。本実施形態では、かかる規定範囲が、０〜２．５Ｐａ（パスカル）程度であるものとして説明を進める。
【００６７】
ところで、基板処理中においては、前述の「給気切替」や「カップ切替」、「排気切替」といった所定のイベントが実行される際に、チャンバ２０内に急激な内圧の変化が生じ、フィードバック制御ができない場合がある。具体的には、
（１）フィードバック（ＦＢ）信号は出力したが、ダンパ８０の動きが追いつかない。
（２）内圧の変動が早すぎて、ＦＢ制御が追いつかない。
（３）内圧の変動が早すぎて、チャンバ２０内の圧力が変動してしまい、その後にＦＢ制御をしている。
といった場合が考えられる。本実施形態では（１）の場合について説明する。
【００６８】
この場合、仮にダンパ８０の動きが追いつくまでにチャンバ２０内が陰圧状態で所定時間継続されてしまえば、ウェハＷへのパーティクルの付着等を招くため好ましくない。そこで、本実施形態では、前述の所定のイベントが発生する場合に、ダンパ８０の開度の制御をフィードバック制御から非フィードバック制御へと切り替えることとした。
【００６９】
これにより、チャンバ２０内に急激な内圧の変化が生じた場合であっても、チャンバ２０の内圧を適正に保つことが可能となる。なお、かかるフィードバック制御から非フィードバック制御への切り替えは、制御装置４の制御部１８によって制御される。次に、かかる制御装置４についてより具体的に図４を参照して説明する。
【００７０】
図４は、制御装置４のブロック図である。なお、図４では、本実施形態の特徴を説明するために必要な構成要素を機能ブロックで表しており、一般的な構成要素についての記載を省略している。
【００７１】
換言すれば、図４に図示される各構成要素は機能概念的なものであり、必ずしも物理的に図示の如く構成されていることを要しない。たとえば、各機能ブロックの分散・統合の具体的形態は図示のものに限られず、その全部または一部を、各種の負荷や使用状況などに応じて、任意の単位で機能的または物理的に分散・統合して構成することが可能である。
【００７２】
さらに、各機能ブロックにて行なわれる各処理機能は、その全部または任意の一部が、ＣＰＵ（Central  Processing  Unit）などのプロセッサおよび当該プロセッサにて解析実行されるプログラムにて実現され、あるいは、ワイヤードロジックによるハードウェアとして実現され得るものである。
【００７３】
まず、既に述べたように、制御装置４は、制御部１８と記憶部１９とを備える（図１参照）。制御部１８は、たとえばＣＰＵであり、記憶部１９に記憶された図示しないプログラムを読み出して実行することにより、たとえば図４に示す各機能ブロック１８ａ〜１８ｅとして機能する。つづいて、かかる各機能ブロック１８ａ〜１８ｅについて説明する。
【００７４】
図４に示すように、たとえば制御部１８は、基板処理実行部１８ａと、ダンパ調整部１８ｂとを備える。ダンパ調整部１８ｂは、切替部１８ｃと、フィードバック制御部１８ｄと、非フィードバック制御部１８ｅとをさらに備える。また、記憶部１９は、レシピ情報１９ａと、制御値情報１９ｂとを記憶する。
【００７５】
制御部１８は基板処理実行部１８ａとして機能する場合、記憶部１９に記憶されたレシピ情報１９ａに従って処理ユニット１６を制御して、ウェハＷに対して薬液を供給する薬液処理、ウェハＷに対してリンス液を供給するリンス処理およびウェハＷを乾燥させる乾燥処理を含む一連の基板処理を実行させる。
【００７６】
レシピ情報１９ａは、基板処理の内容を示す情報である。具体的には、基板処理中において処理ユニット１６に対して実行させる各処理の内容が予め処理シーケンス順に登録された情報である。ここで、各処理の内容には、前述の「給気切替」、「排気切替」および「カップ切替」といったチャンバ２０の内圧を規定範囲外へ変化させることが見込まれる所定のイベントもまた含まれている。
【００７７】
ここで、図５を参照して、制御部１８により制御され、処理ユニット１６において実行される一連の基板処理の処理手順について説明しておく。図５は、処理ユニット１６において実行される一連の基板処理の処理手順を示すフローチャートである。
【００７８】
図５に示すように、処理ユニット１６では、薬液処理（ステップＳ１０１）、リンス処理（ステップＳ１０２）、乾燥処理（ステップＳ１０３）および入替処理（ステップＳ１０４）が、この順番で実行される。
【００７９】
薬液処理は、ウェハＷに対してＤＨＦを供給する処理であり、リンス処理は、ウェハＷに対してＤＩＷを供給してウェハＷ上のＤＨＦを洗い流す処理である。また、乾燥処理は、ウェハＷ上のＤＩＷを除去してウェハＷを乾燥させる処理であり、入替処理は、チャンバ２０内のウェハＷを入れ替える処理である。
【００８０】
そして、前述の「給気切替」、「排気切替」および「カップ切替」は少なくとも、基板処理がリンス処理から乾燥処理へ移行する際に、換言すればステップＳ１０２とステップＳ１０３との間に実行されるイベントである。
【００８１】
図４の説明に戻り、引き続き制御部１８が基板処理実行部１８ａとして機能する場合について説明する。また、制御部１８は、レシピ情報１９ａに従ってこれから実行される各処理につき、都度その処理の内容を、ダンパ調整部１８ｂの切替部１８ｃとして機能する側へ通知する。かかる通知には、各処理を識別する識別子（ＩＤ）が含まれる。
【００８２】
また、制御部１８はダンパ調整部１８ｂとして機能する場合、ダンパ８０の開度制御に関する全体制御を行う。また、制御部１８は切替部１８ｃとして機能する場合、基板処理実行部１８ａとして機能する側からの通知を受け取り、かかる通知の内容に応じてダンパ８０の開度制御をフィードバック制御と非フィードバック制御との間で切り替える。
【００８３】
具体的には、制御部１８は切替部１８ｃとして機能する場合、受け取った通知が示す処理の内容がチャンバ２０の内圧を規定範囲外へ変化させることが見込まれる所定のイベントであるならば、通常時において行われるフィードバック制御によるダンパ８０の開度の制御を解除する。
【００８４】
そして、かかるイベントの発生から所定の間、フィードバック制御に替えて予め規定された制御値に基づいてダンパ８０の開度を制御する非フィードバック制御を行う。また、制御部１８は、所定の間の非フィードバック制御が終了したならば、ダンパ８０の開度の制御をフィードバック制御へ戻す。
【００８５】
かかる制御部１８が切替部１８ｃとして機能する場合について、図６Ａおよび図６Ｂを参照しつつさらに具体的に説明する。図６Ａおよび図６Ｂは、制御部１８が切替部１８ｃとして機能する場合の説明図（その１）および（その２）である。図６Ａは、フィードバック制御のみによる従来のケースを示している。
【００８６】
なお、図６Ａおよび図６Ｂ以降に参照する各図面では、チャンバ２０の内圧の変化やダンパ８０の開度の変化を波形で示す場合があるが、これら波形を主に三角波や矩形波で表すこととする。ただし、これはあくまで説明の便宜上であり、実際のダンパ８０の挙動やかかる挙動に伴うチャンバ２０の内圧の変化を限定的に示すものではない。
【００８７】
また、以降の説明での前提条件として、本実施形態では、チャンバ２０において保たれるべき内圧の目標値が２．５Ｐａであるものとする。
【００８８】
図６Ａに「フィードバック制御区間」として示すように、基板処理全体にわたってダンパ８０の開度がフィードバック制御される従来技術によれば、内圧の変化を示す波形６０１が、たとえば時間Ｔ１〜Ｔ３において急激に陰圧側へ振れ、−２５０Ｐａにも及ぶような値を示す場合がある。これは、フィードバック制御では、急激な変化に応じきれない場合があるためである。
【００８９】
このような場合、少なくとも時間Ｔ１〜Ｔ３の区間はチャンバ２０内が陰圧状態となってしまうため、ウェハＷへのパーティクルの付着等を防ぐうえで好ましくない。ちなみに図６Ａに示す波形６０１の一例は、たとえば上述の「給気切替」の際などに現出しやすい。
【００９０】
そこで、図６Ｂの波形６０２に示すように、本実施形態では、かかる波形６０１のアンダーシュート部分を解消して（破線の閉曲線Ｑに囲まれた部分参照）、内圧を２．５Ｐａに保つべくフィードバック制御区間と非フィードバック制御区間とを切り替えることとした。
【００９１】
具体的には、制御部１８は切替部１８ｃとして機能する場合、基板処理実行部１８ａとして機能する側から受け取った通知に含まれるＩＤによって、これから実行される処理が内圧を規定範囲外へ変化させることが見込まれる所定のイベントであるか否かを判定する。そして、制御部１８は、かかるイベントであると判定したならば、かかるイベントの発生から所定の間、ダンパ８０の開度を非フィードバック制御する。
【００９２】
図６Ｂに示す例で言えば、制御部１８はたとえば、対象となるイベントの発生する時間Ｔ１から内圧が最低値を示す時間Ｔ２の間を「非フィードバック制御区間」としてダンパ８０の開度を非フィードバック制御する。
【００９３】
なお、「非フィードバック制御区間」における開度や開度の維持時間等の制御値は、所定のイベントごとに関連付けられて制御値情報１９ｂとして予め登録され、制御装置４の記憶部１９に記憶されている（図４参照）。制御値情報１９ｂに含まれる各制御値は、予めの実験等により導出され、規定される。
【００９４】
図４の説明に戻り、つづいて制御部１８がフィードバック制御部１８ｄとして機能する場合について説明する。制御部１８はフィードバック制御部１８ｄとして機能する場合、処理ユニット１６のチャンバ２０の内圧を測定する測定部９０の測定結果に基づき、内圧を規定範囲内に保つようにダンパ８０の開度を制御するフィードバック制御を行う。
【００９５】
また、制御部１８は非フィードバック制御部１８ｅとして機能する場合、制御値情報１９ｂに含まれる予め規定された制御値に基づいてダンパ８０の開度を制御する非フィードバック制御を行う。
【００９６】
次に、制御値情報１９ｂの内容について図７を参照して説明する。図７は、制御値情報１９ｂの一例を示す図である。
【００９７】
制御値情報１９ｂは、上述のように「非フィードバック制御区間」における各種制御値を所定のイベントごとに関連付けた情報である。具体的には、図７に示すように、たとえば「ＩＤ」項目と、「イベント」項目と、「開度」項目と、「維持時間」項目と、「遅延時間」項目と、「先行時間」項目とを含んで構成される。「開度」項目および「維持時間」項目はこれらを１セットとして第１〜第ｎの複数段階に分けて登録することが可能である。
【００９８】
「ＩＤ」項目は、チャンバ２０の内圧を規定範囲外へ変化させることが見込まれる所定のイベントを識別するＩＤが格納される項目である。「イベント」項目は具体的なイベントの内容が格納される項目である。
【００９９】
「開度」項目は、ダンパ８０の開度が格納される項目である。「維持時間」項目は、「開度」項目に格納された開度を維持する時間が格納される項目である。「遅延時間」項目は、非フィードバック制御による開度の制御開始を遅延させる時間が格納される項目である。「先行時間」項目は、非フィードバック制御による開度の制御開始を先行させる時間が格納される項目である。
【０１００】
なお、図７に示す一例では便宜的に、「給気切替」の際の開度および維持時間にそれぞれ「ｘ１１」および「ｔ１１」を格納している。また、「排気切替」の際の開度、維持時間および遅延時間にそれぞれ「ｘ２１」、「ｔ２１」および「ｄ２１」を格納している。また、「カップ切替」の際の開度、維持時間および先行時間にそれぞれ「ｘ３１」、「ｔ３１」および「ｌ３１」を格納している。
【０１０１】
このような制御値情報１９ｂに基づき、制御部１８は、ダンパ８０の開度を非フィードバック制御することとなる。次に、制御部１８が実行する非フィードバック制御の一例について図８Ａおよび図８Ｂを参照して説明する。
【０１０２】
図８Ａは、従来のフィードバック制御における内圧および開度の変化を示す図である。図８Ｂは、制御部１８が実行する非フィードバック制御の一例を示す図である。なお、図８Ａおよび図８Ｂは、内圧および開度をそれぞれ縦軸とする２軸グラフとして示され、内圧の波形は実線で、開度の波形は一点鎖線で、それぞれ表されている。また、図８Ａおよび図８Ｂに示す一例は、既に示した図６Ａおよび図６Ｂに対応し、かつ、「給気切替」イベント時を示すものとする。
【０１０３】
図８Ａの波形８０１に示すように、フィードバック制御のみによってダンパ８０の開度が制御された場合、「給気切替」に際して時間Ｔ１〜Ｔ３に−２５０Ｐａまで及ぶアンダーシュートが生じたものとする。そして、かかる場合の開度の変化は、波形８０２に示すように、時間Ｔ２過ぎまで３０°に保たれた後、時間Ｔ２〜Ｔ３の間にようやく立ち上がり、時間Ｔ３以降に５０°で収束したものとする。
【０１０４】
このような場合、本実施形態の制御部１８は、図８Ｂの波形８０３に示すように、時間Ｔ１において開度をただちに３０°から５０°にまで制御する。そして、制御部１８は、時間Ｔ２において開度の制御を非フィードバック制御からフィードバック制御へ切り替えて、以降は内圧の変化をフィードバック制御によって収束させる（図中の波形８０４参照）。
【０１０５】
これにより、従来であれば時間Ｔ１〜Ｔ３に生じていたチャンバ２０内の陰圧状態を解消することができる。すなわち、チャンバ２０の内圧を適正に保つことができる。なお、ここでは波形が陰圧側に振れる例を挙げているが、陽圧側に振れる場合、すなわち波形にオーバーシュートが生じる場合にも適切な制御値を規定することにより適用可能である。
【０１０６】
なお、図８Ｂには、１つの段階でただちに所定の制御値（ここでは５０°）にまで開度を制御する例を挙げたが、前述の制御値情報１９ｂに基づけば制御部１８による非フィードバック制御はこれに限られない。たとえば、第１〜第ｎの複数段階に分けて制御値を制御値情報１９ｂへ登録すれば（図７参照）、制御部１８はこれに応じて段階的に開度を制御する。
【０１０７】
図９Ａ〜図９Ｃは、制御部１８が段階的に開度を制御する場合の説明図（その１）〜（その３）である。
【０１０８】
たとえば、仮に制御値情報１９ｂに第１〜第３段階の開度および維持時間が登録されていれば、図９Ａに示すように、制御部１８はこれに応じて３段階に分けて開度を制御し、波形９０１のように開度を段階的に変化させる。
【０１０９】
なお、図９Ａに示す一例の場合、制御値情報１９ｂには、ｘ１１＜ｘ１２＜ｘ１３の関係にある開度が順に、それぞれ第１〜第３段階における開度として登録されることとなる。あわせて、維持時間ｔ１１，ｔ１２，ｔ１３が順に、それぞれ第１〜第３段階における維持時間として登録される。
【０１１０】
なお、図９Ａでは、段階的に開度を上げてゆく場合を例に挙げたが、内圧の変化に現れるパターンに応じて、たとえば開度をｘ１１＞ｘ１２＞ｘ１３の関係とし、段階的に下げることとしてもよい。
【０１１１】
無論、段階的に開度を上げ下げするようにしてもよい。たとえば、図９Ｂに示すように、時間Ｔ１〜Ｔ４の間にかけてアンダーシュートおよびオーバーシュートが連続的に生じる、内圧の変化を示す波形９０２があるものとする。
【０１１２】
このような場合、制御部１８は、たとえば図９Ｃに示すように、段階的に開度を上げ下げすることによって、内圧を保つことが可能である（図中の波形９０３および９０４参照）。
【０１１３】
具体的には、ｘ１２＜ｘ１１＜ｘ１３の関係にある開度を、ｘ１１〜ｘ１３の順に、それぞれ制御値情報１９ｂの第１〜第３段階の開度に登録しておく。また、第１段階の維持時間は波形９０２が立ち下がる時間Ｔ１〜Ｔ２に対応させる。また、第２段階の維持時間は波形９０２が立ち上がる時間Ｔ２〜Ｔ３に対応させる。また、第３段階の維持時間は波形９０２が再度下降する時間Ｔ３〜Ｔ４に対応させておく。
【０１１４】
かかる制御値情報１９ｂに応じることにより、制御部１８は、波形９０３に示すように段階的に開度を上げ下げさせる。
【０１１５】
このように段階的に開度を変化させる制御を可能とすることによって、多様なパターンをもって現れやすい急激な内圧の変化に精緻に対応することが可能となる。すなわち、チャンバ２０の内圧を適正に保つことができる。
【０１１６】
次に、制御部１８が制御値情報１９ｂに基づいて非フィードバック制御による開度の制御開始を遅延あるいは先行させる場合について、図１０Ａおよび図１０Ｂを参照して説明する。図１０Ａは、制御部１８が開度の制御開始を遅延させる場合の説明図である。また、図１０Ｂは、制御部１８が開度の制御開始を先行させる場合の説明図である。
【０１１７】
制御値情報１９ｂに遅延時間あるいは先行時間が登録されることにより（図７参照）、制御部１８は、非フィードバック制御による開度の制御開始を遅延あるいは先行させる。
【０１１８】
制御値情報１９ｂの所定のイベントにつき、「ｄ２１」の遅延時間が登録されていたものとする。この場合、図１０Ａに示すように、制御部１８は、本来の非フィードバック制御開始時点である時間Ｔ１をｄ２１だけ遅延させた時間Ｔ１’から、開度の制御を開始する（図中の矢印１００１参照）。
【０１１９】
また、制御値情報１９ｂの所定のイベントにつき、「ｌ３１」の先行時間が登録されていたものとする。この場合、図１０Ｂに示すように、制御部１８は、本来の非フィードバック制御開始時点である時間Ｔ１をｌ３１だけ先行させた時間Ｔ０から、開度の制御を開始する（図中の矢印１００２参照）。
【０１２０】
なお、先行させる場合については、たとえば切替部１８ｃとして機能する側が、非フィードバック制御へ切り替えるべきイベントの１つ前のイベントの通知を基板処理実行部１８ａとして機能する側から受け取ったならば、レシピ情報１９ａを参照してこの１つ前のイベントが完了する時間を導出し、かかる完了時間を基準に先行させることで実現可能である。
【０１２１】
このように非フィードバック制御による開度の制御開始を遅延あるいは先行させることによって、たとえば機械的要素に起因するタイムラグ等を解消することが可能である。すなわち、内圧の変化に精緻に対応することができ、チャンバ２０の内圧を適正に保つことができる。
【０１２２】
次に、制御部１８がダンパ調整部１８ｂとして機能する場合に実行する処理の処理手順について図１１を参照して説明する。
【０１２３】
図１１は、制御部１８がダンパ調整部１８ｂとして機能する場合に実行する処理の処理手順を示すフローチャートである。まず、初期処理として制御値情報１９ｂが読み込まれる（ステップＳ２０１）。そして、制御部１８は、一連の基板処理を実行させる側からのイベント通知があるか否かを判定する（ステップＳ２０２）。
【０１２４】
ここで、イベント通知がない場合（ステップＳ２０２，Ｎｏ）、イベント通知があるまでステップＳ２０２が繰り返される。また、イベント通知がある場合（ステップＳ２０２，Ｙｅｓ）、制御部１８はかかるイベント通知が基板処理終了であるか否かを判定する（ステップＳ２０３）。
【０１２５】
ここで、基板処理終了ではない場合（ステップＳ２０３，Ｎｏ）、制御部１８はダンパ８０の開度の制御をフィードバック制御から非フィードバック制御へ切り替える（ステップＳ２０４）。
【０１２６】
そして、制御部１８はイベントの種別に応じてダンパ８０の開度を非フィードバック制御する（ステップＳ２０５）。
【０１２７】
そして、対象のイベントに対する非フィードバック制御が終了したならば、制御部１８はダンパ８０の開度の制御をフィードバック制御へ戻す（ステップＳ２０６）。そして、ステップＳ２０２からの処理を繰り返す。
【０１２８】
なお、ステップＳ２０３において基板処理終了と判定された場合には（ステップＳ２０３，Ｙｅｓ）、処理を終了する。
【０１２９】
上述してきたように、本実施形態に係る基板処理システム１（「基板処理装置」の一例に相当）は、チャンバ２０と、ＦＦＵ２１およびＣＤＡ給気部２４（「給気部」の一例に相当）と、排気口５２（「排気部」の一例に相当）と、ダンパ８０（「調整機構」の一例に相当）と、測定部９０と、制御部１８とを備える。
【０１３０】
チャンバ２０は、処理対象となるウェハＷを収容する。ＦＦＵ２１およびＣＤＡ給気部２４は、チャンバ２０内へ気体を供給する。排気口５２は、チャンバ２０内を排気する。ダンパ８０は、排気口５２から排気される排気量を調整する。測定部９０は、チャンバ２０の内圧を測定する。制御部１８は、基板処理の内容を示すレシピ情報１９ａに従って一連の基板処理を実行させる。
【０１３１】
また、制御部１８は、測定部９０の測定結果に基づいてチャンバ２０の内圧を規定範囲内に保つようにダンパ８０の開度を制御するフィードバック制御を行い、チャンバ２０の内圧を規定範囲外へ変化させることが見込まれる所定のイベントが発生する場合に、フィードバック制御に替えて予め規定された制御値に基づいてダンパ８０の開度を制御する非フィードバック制御を行う。
【０１３２】
したがって、本実施形態に係る基板処理システム１によれば、チャンバ２０の内圧を適正に保つことができる。
【０１３３】
なお、上述した実施形態では、薬液としてＤＨＦを例示したが、薬液としては他に、たとえばＳＣ１、ＳＣ２、ＳＰＭ、レジスト、現像液、シリル化剤およびオゾン水などがある。
【０１３４】
また、リンス液も、上述したＤＩＷに限られない。たとえば、リンス処理の内容が、ウェハＷにＤＩＷを供給する処理と、ウェハＷ上のＤＩＷをＩＰＡに置換する処理が含まれる場合には、ＩＰＡもリンス液に含まれる。
【０１３５】
また、上述した実施形態では、チャンバ２０の内圧を規定範囲外へ変化させることが見込まれる所定のイベントとして、「給気切替」、「排気切替」および「カップ切替」を例に挙げたが、これらに限られない。
【０１３６】
たとえば、ウェハＷを入れ替えるためにチャンバ２０のシャッター（図示略）が開け閉めされる、乾燥処理から入替処理への移行の際に開度の制御が非フィードバック制御によって行われてもよい。
【０１３７】
また、上述した実施形態では、制御部１８の切替部１８ｃとして機能する側が、基板処理実行部１８ａとして機能する側から受け取る通知によってこれから実行される各処理を識別する場合を例に挙げたが、切替部１８ｃとして機能する側が直接レシピ情報１９ａを参照してもよい。また、基板処理実行部１８ａとダンパ調整部１８ｂとが統合された形態を制御部１８がレシピ情報１９ａを参照しつつ統合的に実行することとしてもよい。
【０１３８】
さらなる効果や変形例は、当業者によって容易に導き出すことができる。このため、本発明のより広範な態様は、以上のように表しかつ記述した特定の詳細および代表的な実施形態に限定されるものではない。したがって、添付の特許請求の範囲およびその均等物によって定義される総括的な発明の概念の精神または範囲から逸脱することなく、様々な変更が可能である。
【符号の説明】
【０１３９】
Ｗ    ウェハ
１    基板処理システム
４    制御装置
１６  処理ユニット
１８  制御部
１９  記憶部
１９ａ  レシピ情報
１９ｂ  制御値情報
２０  チャンバ
２１  ＦＦＵ
２４  ＣＤＡ給気部
５２  排気口
８０  ダンパ
９０  測定部
【図１】
0006306459.tif 000002
【図２】
0006306459.tif 000003
【図３】
0006306459.tif 000004
【図４】
0006306459.tif 000005
【図５】
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【図６Ａ】
0006306459.tif 000007
【図６Ｂ】
0006306459.tif 000008
【図７】
0006306459.tif 000009
【図８Ａ】
0006306459.tif 000010
【図８Ｂ】
0006306459.tif 000011
【図９Ａ】
0006306459.tif 000012
【図９Ｂ】
0006306459.tif 000013
【図９Ｃ】
0006306459.tif 000014
【図１０Ａ】
0006306459.tif 000015
【図１０Ｂ】
0006306459.tif 000016
【図１１】
0006306459.tif 000017