(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
磁気カードを処理するカード処理装置であって、
磁気カードの挿入口から前記磁気カードを搬送する搬送経路の近傍に設けられた磁界発生コイルと、
前記挿入口の外側まで届く磁界を前記磁界発生コイルから発生する磁界発生発振部と、
前記磁界を発生させている前記磁界発生コイルの姿勢を変更する姿勢変更部とを備える、カード処理装置。
【請求項２】
請求項１に記載のカード処理装置であって、
前記磁界発生発振部は、前記挿入口の外側まで届く磁界としての妨害用磁界を前記磁界発生コイルから発生させ、
前記姿勢変更部は、前記磁界発生発振部による前記妨害用磁界の発生期間の少なくとも一部において、前記磁界発生コイルの姿勢を変更する、カード処理装置。
【請求項３】
請求項２に記載のカード処理装置であって、
前記磁気カードが前記挿入口に挿入されたことを検出するカード挿入検出センサーを備え、
前記姿勢変更部は、前記カード挿入検出センサーがカード挿入を検知すると、前記磁界発生コイルの姿勢を変更する、カード処理装置。
【請求項４】
前記姿勢変更部は、前記カード挿入検出センサーがカード挿入を検知すると、前記磁界発生コイルの姿勢を繰り返し変更する、請求項３に記載のカード処理装置。
【請求項５】
請求項３または請求項４に記載のカード処理装置であって、
前記磁界発生発振部は、前記姿勢変更部の姿勢を変更する姿勢変更前後で、磁界の強度または発生周波数の少なくとも一方が異なるように、前記磁界発生コイルに前記妨害用磁界を発生させる、カード処理装置。
【請求項６】
請求項２から請求項５のいずれか一項に記載のカード処理装置であって、
前記姿勢変更部は、前記磁界発生コイルの姿勢を変更する際の姿勢変更幅または姿勢変更速度の少なくとも一方を変更しつつ、前記磁界発生コイルの姿勢を変更する、カード処理装置。
【請求項７】
請求項２から請求項６のいずれか一項に記載のカード処理装置であって、
前記磁界発生発振部は、磁界の強度または発生周波数の少なくとも一方を変更しつつ、前記磁界発生コイルに前記妨害用磁界を発生させる、カード処理装置。
【請求項８】
請求項１から請求項７のいずれか一項に記載のカード処理装置であって、
前記姿勢変更部は、前記磁界発生コイルをコイルホルダーに収容し、該コイルホルダーを前記搬送経路と交差する回転軸により保持することで、前記磁界発生コイルの姿勢を前記搬送経路に対して傾斜するように変更可能に保持する、カード処理装置。
【請求項９】
請求項１から請求項７のいずれか一項に記載のカード処理装置であって、
前記姿勢変更部は、前記磁界発生コイルをコイルホルダーに収容し、該コイルホルダーをバネまたは可撓性の薄板で保持することで、前記磁界発生コイルの姿勢を前記搬送経路に対して傾斜するように変更可能に保持する、カード処理装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、カード処理装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
カード処理装置は、自動取引装置（Automated Teller Machine; 以下、単にＡＴＭとも称する）や現金自動支払い機（Cash Dispenser;以下、単にＣＤとも称する）に実装され、広く普及している。ＡＴＭやＣＤでは、磁気カードを媒体として支払等の各種決済がなされ、カード処理装置は、カード挿入口から挿入された磁気カードを搬送しつつ、磁気カードに書き込み済みの磁気情報を読み取る。近年では、偽のカード挿入口とカード保持機構と磁気情報の不正な読取ヘッドとを備えた不正機器を、偽のカード挿入口と正規のカード挿入口とが連続するように、カード処理装置の前面に取り付けて、磁気カードの磁気情報を不正に読み取る不正行為（スキミング）が報告されている。スキミング回避には磁気情報の読み取りを妨害することが有益であり、カード処理装置において、装置本来のカード挿入口の付近で、磁気情報の読取妨害用の磁界（以下、単に妨害用磁界と称する）を発生して磁気情報の不正な読取を妨害する手法が提案されている（特許文献１）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００５−２６６９９９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
上記特許文献で提案された磁気情報の読取妨害手法では、妨害用磁界を発生させる周波数や磁力を変更可能であるものの、妨害用磁界は、磁気カードの搬送経路に対して平行に磁力線を延ばしたままであることから、不正読取機器に対しての次のような改善が要請されるに到った。
【０００５】
不正読取機器の多くは、スキミングに用いる不正な読取ヘッドを一つしか備えない。こうした不正読取機器に対しての読取妨害を図るには、不正な読取ヘッドをできるだけ大きな磁界強度で妨害用磁界に晒すことが有益である。ところが、既存の読取妨害手法では、磁気カードの搬送経路に対して平行に磁力線を延ばしているので、不正な読取ヘッドを妨害用磁界に晒すことができたとしても、磁界強度が低い領域でしか不正な読取ヘッドを妨害用磁界に晒しているに過ぎない場合も有り得る。こうしたことから、不正な読取ヘッドを一つしか備えない不正読取機器に対してより効果的に情報読取の妨害が可能な新たな読取妨害手法が要請されるに到った。
【０００６】
近年では、スキミングに用いる読取ヘッドを磁気カードに対して上下に対向配置したステレオスキマーと称される不正読取機器が報告され、このステレオスキマーでは、上下の読取ヘッドの出力差分を磁気情報読取に利用する。上記特許文献で提案された磁気情報の読取妨害手法では、妨害用磁界を発生させる周波数や磁力を変更可能である。しかしながら、妨害用磁界は、磁気カードの搬送経路に対して平行に磁力線を延ばしたまま、不正読取機器における上下の読取ヘッドに読取妨害の影響を及ぼすことから、妨害用磁界による読取妨害は上下の読取ヘッドにほぼ等分に作用する。このため、周波数や磁力の変更がなされた妨害用磁界であっても、この妨害用磁界による妨害作用が上下の読取ヘッドで相殺され得るので、既存の読取妨害手法では、ステレオスキマーに対しての情報読取妨害の実効性に欠ける。こうしたことからステレオスキマーに対処可能な新たな読取妨害手法が要請されるに到った。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明は、上述の課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、次の形態として実現することが可能である。本発明の形態は、
磁気カードを処理するカード処理装置であって、
磁気カードの挿入口から前記磁気カードを搬送する搬送経路の近傍に設けられた磁界発生コイルと、
前記挿入口の外側まで届く磁界を前記磁界発生コイルから発生する磁界発生発振部と、
前記磁界を発生させている前記磁界発生コイルの姿勢を変更する姿勢変更部とを備える。
【発明の効果】
【０００８】
上記形態のカード処理装置は、磁界を発生させている磁界発生コイルの姿勢変更に伴い、挿入口の外側まで届く磁界の方向を変更可能とするので、高い磁界強度で挿入口の外部の異物を磁界に晒すことができる自由度が高まる。よって、仮に、不正な読取ヘッドの配設位置が異なる不正読取機器が挿入口の外部に装着されても、位置が異なる不正な読取ヘッドに磁力線が個別に干渉するように、磁界発生コイルの姿勢を変更できる。この結果、上記形態のカード処理装置によれば、不正な読取ヘッドをその配設位置に拘わらず強い磁界強度で妨害用磁界に晒すことができるので、読取ヘッドを一つしか備えない不正読取機器に対しての情報読取の妨害の効果を高めると共に、不正な読取ヘッドの配設位置が相違する不正機器に対しての汎用性も高まる。また、仮に、磁気カードに対して上下に対向配置した上側読取ヘッドと下側読取ヘッドとを有するステレオスキマータイプの不正読取機器が挿入口の外部に装着されても、上側読取ヘッドと下側読取ヘッドとを、搬送経路に対して磁力線の延びる方向が搬送経路に対する傾斜程度を変えて延びる妨害用磁界に晒すようにできる。このため、磁界発生コイルの姿勢変更により異なる磁界強度の妨害用磁界に上側読取ヘッドと下側読取ヘッドとが晒されるので、妨害用磁界による妨害作用が上側読取ヘッドと下側読取ヘッドとで相違するようにすることが可能となり、妨害用磁界による妨害作用を上側読取ヘッドと下側読取ヘッドとで相殺し難くできる。この結果、上記の形態のカード処理装置によれば、ステレオスキマータイプの不正読取機器による不正な磁気情報の読み取りの妨害効果が高まる。この場合、磁界発生コイルの姿勢変更を繰り返すことがより好ましい。
なお、上記の形態のカード処理装置が有する磁気ヘッドについては、磁界発生コイルの妨害用磁界の影響を受けがたい距離だけ磁界発生コイルから隔てて配設できることから、磁気情報の読み取りに支障が起きないようにできる。或いは、磁界発生コイルの姿勢変更に伴う妨害用磁界の変化を予め想定した読み取りも可能であるので、上記の形態のカード処理装置が有する磁気ヘッドにおける磁気情報の読み取りに支障はない。
上記した以外の課題、並びにこれを解決する構成および効果は、以下の実施形態の説明により明らかにされる。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】第１実施形態のカード処理装置１の概略構成を示す説明図である。
【図２】カード処理装置１のカード挿入口２の周辺を図１におけるＡ方向から見て要部構成を拡大して概略的に示す説明図である。
【図３】カード処理装置１の電気的な構成を概略的に示すブロック図である。
【図４】不正対処制御の前半の制御手順を示すフローチャートである。
【図５】カード挿入口２の前方に不正読取機器ＦＳが装着された場合を想定して説明する説明図である。
【図６】不正読取ヘッドＦＨの配設位置が異なる不正読取機器ＦＳがカード挿入口２の前方に装着された場合を想定して説明する説明図である。
【図７】ステレオスキマータイプの不正読取機器ＦＳが装着された場合を想定して説明する説明図である。
【図８】不正読取機器ＦＳが装着された際の発振器１７ｖの発振状況推移を模式的に示す説明図である。
【図９】図６に示す不正読取機器ＦＳが装着されていた場合の妨害用磁界１４ａの発生の様子を示す説明図である。
【図１０】ステレオスキマータイプの不正読取機器ＦＳに対する不正対処制御の後半の制御手順を示すフローチャートである。
【図１１】図７に示すステレオスキマータイプの不正読取機器ＦＳが装着されていた場合の妨害用磁界１４ａの発生の様子を示す説明図である。
【図１２】カード挿入があったと肯定判定した場合における不正読取機器ＦＳの読取ヘッドと磁気カードＣとの関係を妨害用磁界１４ａと合わせて示す説明図である。
【図１３】磁界発生コイル１４ｃの傾斜姿勢が変更された状態での不正読取機器ＦＳの読取ヘッドと磁気カードＣとの関係を妨害用磁界１４ａと合わせて示す説明図である。
【図１４】ステレオスキマータイプの不正読取機器ＦＳに対する第２実施形態のカード処理装置１Aでの不正対処制御の制御手順を示すフローチャートである。
【図１５】磁界発生コイル１４ｃの傾斜姿勢を継続して揺動変更する状態での不正読取機器ＦＳの読取ヘッドと磁気カードＣとの関係を妨害用磁界１４ａと合わせて示す説明図である。
【図１６】磁界発生コイル１４ｃを繰り返し揺動させる際の第１の揺動パターンを示す説明図である。
【図１７】ステレオスキマータイプの不正読取機器ＦＳに対する第３実施形態での不正対処制御の制御手順を示すフローチャートである。
【図１８】磁界強度と磁界発生周波数とインターバルとを一定とした磁界発生第１パターンを示す説明図である。
【図１９】磁界強度と磁界発生周波数とを一定としインターバルを変更した磁界発生第２パターンを示す説明図である。
【図２０】磁界発生周波数を一定とし磁界強度と波数およびインターバルを変更した磁界発生第３パターンを示す説明図である。
【図２１】インターバルを一定とし磁界強度と磁界発生周波数と変更した磁界発生第４パターンを示す説明図である。
【図２２】ステレオスキマータイプの不正読取機器ＦＳに対する第４実施形態での不正対処制御の制御手順を示すフローチャートである。
【図２３】第４実施形態のコイルユニット１４Ａの概略構成を示す説明図である。
【図２４】第５実施形態のカード処理装置１Ｂの概略構成をＡ方向から見たカード挿入口２の要部構成と共に概略的に示す説明図である。
【図２５】第６実施形態のコイルユニット１４Ｃの構成を概略的に示す説明図である。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
以下、本発明の実施の形態について、図面に基づき説明する。図１は第１実施形態のカード処理装置１の概略構成を示す説明図、図２はカード処理装置１のカード挿入口２の周辺を図１におけるＡ方向から見て要部構成を拡大して概略的に示す説明図である。このカード処理装置１は、上位装置であるＡＴＭやＣＤに実装され、ＡＴＭやＣＤと電気的に接続される。カード処理装置１は、磁気カードＣに記録された磁気情報（詳しくは、磁気ストライプに書き込まれた磁気データ）を読み取り、その読み取った磁気情報をＡＴＭやＣＤに送信する。
【００１１】
図示するように、カード処理装置１は、筺体１ａと、筺体１ａの端部に設けられたカード挿入口２と、カード挿入口２から筺体１ａの内部に到る搬送経路Ｃｐと、磁気ヘッド３と、ストライプ検知センサー４と、シャッター５と、第１〜第３の搬送ローラー対６ａ〜６ｃと、第１〜第３のカード位置センサー８ａ〜８ｃと、カード挿入センサー９と、コイルユニット１４と、傾斜ユニット１５（図２参照）と、妨害用磁界発生部１６と、金属異物検知回路部１７と、後述の制御装置２００とを有する。カード挿入口２を取り囲む挿入口ボディー部２ｖは、上位装置の前面パネルＦＰに組み込まれ、カード挿入口２を開放させると共に、後述のコイルユニット１４を収容する。
【００１２】
搬送経路Ｃｐは、カード挿入口２から磁気ヘッド３に到るまでのカード搬送経路となる。カード挿入口２は、磁気情報が記憶された磁気カードＣが挿入される挿入口であり、磁気ヘッド３は、補助ローラー６ｄで搬送案内される磁気カードＣに記憶された磁気情報を読み取り、読み取った磁気情報を後述の制御装置２００に出力する。詳しくは、磁気ヘッド３は、搬送される磁気カードＣの磁気ストライプと接する位置に配置され、磁気カードＣの磁気ストライプから磁気データを読み込む。この際、磁気ヘッド３は、内蔵するコアとコイルによって磁気ストライプの磁力の変化を検出してそれを電圧の変化に変え、その電圧の変化を内蔵するアンプによって増幅して、制御装置２００に出力する。この磁気ヘッド３は、図１に示すように、後述の磁界発生コイル１４ｃと大きく離れた筐体奥側、即ち搬送経路Ｃｐの経路末端側に位置することから、磁界発生コイル１４ｃが発生させる妨害用磁界の磁力線がこの磁気ヘッド３にまで及ぶことはない。よって、磁気ヘッド３は、搬送されてきた磁気カードＣの磁気情報を支障なく読み取る。
【００１３】
ストライプ検知センサー４は、例えば磁気ヘッドから構成され、カード挿入口２への磁気カードＣの挿入の有無を検出し、その検出結果を制御装置２００に出力する。シャッター５は、ストライプ検知センサー４にて磁気カードＣが検出されない期間に亘って搬送経路Ｃｐを閉鎖し、ストライプ検知センサー４に磁気カードＣの挿入が検出されると、図１に示す位置に退避して、搬送経路Ｃｐにおける第１の搬送ローラー対６ａへの磁気カードＣの受渡を許可する。
【００１４】
第１〜第３の搬送ローラー対６ａ〜６ｃは、それぞれ、搬送経路Ｃｐを挟んで上下一対に設けられており、制御装置２００にて駆動制御されるカード搬送用モーター２５の駆動力を受けて回転する。第１〜第３の搬送ローラー対６ａ〜６ｃは、カード搬送用モーター２５の正転駆動により、磁気カードＣをカード挿入口２から磁気ヘッド３に向かう往路方向Ｆに搬送し、カード搬送用モーター２５の逆転駆動により、磁気カードＣを磁気ヘッド３からカード挿入口２に向かう復路方向Ｂに搬送する。
【００１５】
第１〜第３のカード位置センサー８ａ〜８ｃは、例えば、フォトインタラプターであり、搬送経路Ｃｐにおける磁気カードＣの位置を検出する。第１のカード位置センサー８ａは、磁気カードＣに対するデータの読み取りを行う前に磁気カードＣを待機させておく読み取り準備位置に配置されていて、磁気カードＣが復路方向Ｂへ搬送されてこの位置に来ると、磁気カードＣの後端部を検知する。第２のカード位置センサー８ｂは、磁気ヘッド３によって磁気カードＣに対するデータの読み取りを開始する読み取り開始位置に配置されていて、磁気カードＣが往路方向Ｆへ搬送されてこの位置に来ると、磁気カードＣの先端部を検知する。第３のカード位置センサー８ｃは、磁気ヘッド３による磁気カードＣに対するデータの読み取りを終了する読み取り終了位置に配置されていて、磁気カードＣが往路方向Ｆへ搬送されてこの位置に来ると、磁気カードＣの先端部を検知する。
【００１６】
なお、往路方向Ｆへ搬送される磁気カードＣに対して情報の読み取りを行う際には、読み取り開始位置は、情報の読み取りを開始する読み取り開始位置となり、読み取り終了位置は、情報の読み取りを終了する読み取り終了位置となる。復路方向Ｂへ搬送される磁気カードＣに対して情報の読み取りを行う際には、読み取り開始位置は、情報の読み取りを開始する読み取り開始位置となり、準備位置は、情報の読み取りを終了する読み取り終了位置となる。
【００１７】
カード挿入センサー９は、磁気カードＣの挿入側端を検知して、磁気カードＣがカード挿入口２に挿入されたことを検出するセンサーであり、第１〜第３のカード位置センサー８ａ〜８ｃと同様に、フォトインタラプターから構成される。このカード挿入センサー９は、後述の不正対処制御にて用いられる。なお、カード挿入センサー９を、メカニカルなスイッチとして構成してもよい。
【００１８】
コイルユニット１４は、図１に示すように、カード挿入口２の近傍に位置し、図２に示すように、磁界発生コイル１４ｃとコイルホルダー１４ｈとを備える。磁界発生コイル１４ｃは、カード挿入口２から磁気ヘッド３に到る磁気カードＣの搬送経路Ｃｐをカード挿入口２の側において取り囲むように巻回されており、この状態でコイルホルダー１４ｈに収容されて、樹脂にて固定されている。この他、コイルユニット１４は、コイルホルダー１４ｈの図２における左右端、即ち、カード挿入口２の左方側および右方側に、回転軸１４ｓを突出して備え、この回転軸１４ｓが、図１に示すように、搬送経路Ｃｐと重なるようにして、挿入口ボディー部２ｖに組み込まれている。こうしたコイルユニット１４の組込に当たり、回転軸１４ｓは、挿入口ボディー部２ｖの側の軸支部１４ｊにて軸支される。
【００１９】
このように保持されたコイルユニット１４は、搬送経路Ｃｐを取り囲んだ磁界発生コイル１４ｃを、搬送経路Ｃｐに沿った鉛直面（図１における紙面、或いは図２における紙面と直交する面）において搬送経路Ｃｐに対して傾斜するように揺動可能に保持することになり、コイルユニット１４の揺動に伴い磁界発生コイル１４ｃの姿勢は変更される。この関係を回転軸１４ｓと関係付けて説明すると、コイルユニット１４は、搬送経路Ｃｐを取り囲んだ磁界発生コイル１４ｃを、上記の鉛直面と交差する回転軸１４ｓにより保持することで、搬送経路Ｃｐに沿った鉛直面において搬送経路Ｃｐに対して傾斜するように揺動可能に保持する。第１実施形態では、カード処理装置１は、コイルユニット１４を、図１に示すように、鉛直面において３０度から４０度の範囲の揺動角θｍで揺動可能に保持する。そして、電源オフの期間、或いはカード挿入待機の間において、カード処理装置１は、コイルユニット１４を、図1のコイル初期姿勢に示すように、コイル法線１４ｃｈが搬送経路Ｃｐと一致、もしくは平行となるように保持している。
【００２０】
傾斜ユニット１５は、モーター１５ａと、減速用のギヤヘッド１５ｂと、エンコーダー１５ｃとを備え、ギヤヘッド１５ｂをコイルユニット１４の回転軸１４ｓと直結させている。そして、この傾斜ユニット１５は、後述の制御装置２００の制御を受けてモーター１５ａを正逆転駆動することで、コイルユニット１４の磁界発生コイル１４ｃを搬送経路Ｃｐに沿った鉛直面において搬送経路Ｃｐに対して傾斜するように揺動させたり傾動させる。また、傾斜ユニット１５は、エンコーダー１５ｃからの回転位置情報を得た制御装置２００の制御を受けてモーター１５ａを回転並びに停止することで、磁界発生コイル１４ｃの揺動或いは傾動を停止して、磁界発生コイル１４ｃを停止時点の傾斜姿勢に保持する。こうしたことから、傾斜ユニット１５は、後述の制御装置２００と共同して、本願における姿勢変更部やコイル姿勢保持部を構成する。
【００２１】
図１に示すように、妨害用磁界発生部１６と金属異物検知回路部１７とは、制御装置２００の制御下で駆動するスイッチ２１を介して、コイルユニット１４（詳しくは磁界発生コイル１４ｃ）から延びたリード配線２０と接続されている。妨害用磁界発生部１６は、発振器１６ｖ（図３参照）を備え、この発振器１６ｖで発振させた周波数に応じた読取妨害用の磁界（妨害用磁界１４ａ）をコイルユニット１４の磁界発生コイル１４ｃに発生させる。金属異物検知回路部１７は、発振器１７ｖ（図３参照）を備え、この発振器１７ｖで発振させた高周波域に属する一定の周波数の磁界（高周波磁界１４ｂ）をコイルユニット１４の磁界発生コイル１４ｃに発生させる。なお、妨害用磁界１４ａと高周波磁界１４ｂは、磁力が相違するものの、磁力線の延び方はさほど相違ないので、図においては、同一軌跡で表している。
【００２２】
次に、カード処理装置１における電気的な構成について説明する。図３はカード処理装置１の電気的な構成を概略的に示すブロック図である。図示するように、カード処理装置１は、制御装置２００に、既述した磁気ヘッド３やストライプ検知センサー４、第１〜第３のカード位置センサー８ａ〜８ｃを含むカード検知部の他、妨害用磁界発生部１６や金属異物検知回路部１７、スイッチ２１等を接続して備える。制御装置２００は、論理演算を実行するＣＰＵやＲＯＭ、ＲＡＭを備えたいわゆるコンピューターとして構成され、カード処理装置１におけるカード搬送用モーター２５やシャッター駆動用のシャッターソレノイド５ｓ等を統括制御する。具体的には、制御装置２００は、ストライプ検知センサー４のセンサー信号に基づいたシャッター５の駆動制御、第１〜第３のカード位置センサー８ａ〜８ｃのセンサー信号に基づいたカード搬送用モーター２５の制御によるカード搬送制御や、コイルユニット１４と傾斜ユニット１５を用いた不正対処制御を行う。また、制御装置２００は、通信部２１０を介してＡＴＭ等の上位装置ＨＣと接続され、磁気ヘッド３の読み込んだ磁気カードＣの磁気データを上位装置ＨＣに送信する。
【００２３】
次に、カード処理装置１の制御装置２００にて実行される不正対処制御について説明する。図４は不正対処制御の前半の制御手順を示すフローチャートである。この不正対処制御は、所定時間ごとに繰り返し実行するようにできるほか、磁気カードＣでの取引を所望するユーザーを図１の前面パネルＦＰの前方側で検知する都度に実行するようにできる。不正対処制御が実行されると、制御装置２００は、まず、金属異物検知回路部１７を用いた高周波域での一定の周波数（以下、単に高周波数と称する）の高周波磁界１４ｂの発生と、コイルユニット１４の傾動とを行う（ステップＳ１００）。高周波磁界１４ｂの発生に際しては、制御装置２００は、スイッチ２１を金属異物検知回路部１７の側に切り替えて、金属異物検知回路部１７に磁界発生コイル１４ｃを接続すると共に、金属異物検知回路部１７の発振器１７ｖに駆動信号を出力して、この発振器１７ｖにて高周波域の発振を起こす。これにより、コイルユニット１４の磁界発生コイル１４ｃは、高周波磁界１４ｂを発生させ、この高周波磁界１４ｂをカード挿入口２の前方側にも延ばす。コイルユニット１４の傾動に際しては、制御装置２００は、傾斜ユニット１５のモーター１５ａに駆動信号を出力し、例えば、コイルユニット１４を、図１に示すコイル初期姿勢を揺動の中心位置として、揺動の一端側に向けて定速で傾動させた後、この一端側から他端側に向けて定速で傾動させる。これにより、磁界発生コイル１４ｃは、高周波磁界１４ｂを発生しつつ、搬送経路Ｃｐに沿った鉛直面において搬送経路Ｃｐに対して揺動角θｍ（図１参照）の範囲で傾動する。
【００２４】
ステップＳ１００により、高周波磁界１４ｂを発生させている磁界発生コイル１４ｃを搬送経路Ｃｐに沿った鉛直面において搬送経路Ｃｐに対して傾動させている状況下において、カード挿入口２の外部に不正読取機器が装着されていなければ、磁界発生コイル１４ｃに高周波磁界１４ｂを発生させている発振器１７ｖの発振状況は、定常状態にある。この定常状態は、コイルユニット１４の周辺にカード処理装置１が本来有するストライプ検知センサー４やシャッター５といった金属部品を有する磁界減衰材が配設済みであることを想定した状態である。ところが、カード挿入口２の外部に不正読取機器が装着されていると、発振器１７ｖの発振状況は、次のようになる。図５はカード挿入口２の前方に不正読取機器ＦＳが装着された場合を想定して説明する説明図、図６は不正読取ヘッドＦＨの配設位置が異なる不正読取機器ＦＳがカード挿入口２の前方に装着された場合を想定して説明する説明図、図７はステレオスキマータイプの不正読取機器ＦＳが装着された場合を想定して説明する説明図、図８はこれら不正読取機器ＦＳが装着された際の発振器１７ｖの発振状況推移を模式的に示す説明図である。
【００２５】
図５に示す不正読取機器ＦＳは、不正読取ヘッドＦＨを前面パネルＦＰから距離Ｌ１だけ隔てて備え、図６に示す不正読取機器ＦＳは、不正読取ヘッドＦＨを前面パネルＦＰから距離Ｌ１より大きな距離Ｌ２だけ隔てて備える。このように、不正な情報読取を意図する不正行為者が用いる不正読取機器ＦＳは、一律ではなく、往々にして不正読取ヘッドＦＨの位置が異なる。既存の読取妨害手法では、こうした点についての配慮に欠けるのに対し、第１実施形態のカード処理装置１では、以下に説明するように、不正読取ヘッドＦＨの位置の相違を考慮した妨害対処が可能となる。
【００２６】
図５や図６に示す不正読取機器ＦＳが有する不正読取ヘッドＦＨは、金属部品を有する磁界減衰材であることから、高周波磁界１４ｂの磁界に晒されて渦電流を発生させる。不正読取ヘッドＦＨで発生した渦電流は、不正読取ヘッドＦＨが晒される高周波磁界１４ｂのエネルギー損失を招き、この損失が起きるタイミングは、不正読取ヘッドＦＨの位置（距離Ｌ１，Ｌ２）に依存して定まる。こうしたエネルギー損失により、発振器１７ｖの発振の所定以上の含水が起きて発振が減衰または停止するので、発振器１７ｖにおける発振回路のインピーダンスが変化する。制御装置２００は、発振器１７ｖにおけるインピーダンス変化を、ステップＳ１００の実行後から監視し、得られたインピーダンス変化は、渦電流の発生に伴うエネルギー損失のタイミングと合致する。図８の各図では、こうしたインピーダンス変化を搬送経路Ｃｐに対するコイル角度と関連付けて示されている。なお、図８において定常状態を直線軌跡で示しているが、これは、ストライプ検知センサー４等がカード挿入口２の周辺に配設済みであることを想定して、規格化した事に起因する。
【００２７】
図６の不正読取機器ＦＳは、不正読取ヘッドＦＨを大きな距離Ｌ２だけ前面パネルＦＰから離して備えるので、コイルユニット１４の磁界発生コイル１４ｃが小さな角度θ２で傾くことにより、インピーダンスの減衰が見られる。これに対し、不正読取ヘッドＦＨを前面パネルＦＰに近づけて備える図５の不正読取機器ＦＳでは、コイルユニット１４の磁界発生コイル１４ｃが角度θ２より大きな角度θ１で傾いてから、インピーダンスの減衰が見られる。図８（Ａ）では、距離Ｌ２の不正読取ヘッドＦＨを有する不正読取機器ＦＳ（図６参照）については、角度θ２１で減衰が止み角度θ２２で減衰が改善するので、その中間値の角度をθ２とした。距離Ｌ１の不正読取ヘッドＦＨを有する不正読取機器ＦＳ（図５参照）について同様である。
【００２８】
図７に示すステレオスキマータイプの不正読取機器ＦＳは、カード処理装置１のカード挿入口２に挿入される磁気カードＣに対して上下に対向配置した上側不正読取ヘッドＦＨｕと下側不正読取ヘッドＦＨｄとを有する。よって、上下の不正読取ヘッドを有するステレオスキマータイプの不正読取機器ＦＳは、これら両読取ヘッドが高周波磁界１４ｂに晒されて発生する渦電流の様子が、図５や図６に示す不正読取機器ＦＳと明らかに相違する。図８（Ｂ）と図８（Ｃ）には、ステレオスキマータイプの不正読取機器ＦＳの上側不正読取ヘッドＦＨｕと下側不正読取ヘッドＦＨｄとを高周波磁界１４ｂに晒した場合のインピーダンス変化の一例を示している。制御装置２００は、図８に示したインピーダンス変化の各パターンを記憶しているので、高周波磁界１４ｂを発生される金属異物検知回路部１７の発振器１７ｖの回路インピーダンス変化を監視することで、不正に装着されている不正読取機器ＦＳが一つの不正読取ヘッドＦＨを有するタイプか、ステレオスキマータイプのものかを識別できる。なお、ステレオスキマータイプの不正読取機器ＦＳでありながら、図８（Ｂ）と図８（Ｃ）のようにインピーダンス変化が相違するのは、上側不正読取ヘッドＦＨｕと下側不正読取ヘッドＦＨｄの大きさや配置の相違による。
【００２９】
こうした知見に立ち、第１実施形態のカード処理装置１では、制御装置２００は、ステップＳ１００に続くステップＳ１１０において、発振器１７ｖにおける発振の減衰または停止の有無をインピーダンス変化に基づいて判定する。そして、インピーダンス変化がない、即ち発振器１７ｖの発振状況が定常状態であると否定判定すれば、制御装置２００は、何の処理も行うことなく本ルーチンを一旦終了する。その一方、ステップＳ１１０にて発振器１７ｖにおける発振の減衰または停止が起きたと肯定判定すると、制御装置２００は、観察された発振の減衰または停止がステレオスキマータイプの不正読取機器ＦＳが装着されたことに起因するか否かを判定する（ステップＳ１１５）。ここで、肯定判定すると、制御装置２００は、後述のステレオスキマー対処処理に移行し、否定判定すると、傾斜ユニット１５のモーター１５ａへの駆動信号の出力を停止して当該モーターを停止し、コイルユニット１４における磁界発生コイル１４ｃの傾斜姿勢を保持する（ステップＳ１２０）。これにより、コイルユニット１４の磁界発生コイル１４ｃは、ステップＳ１１０にて発振の減衰または停止を観察した時点での傾斜姿勢に停止する。つまり、図５に示す不正読取機器ＦＳが装着されていたとすると、コイルユニット１４の磁界発生コイル１４ｃは、図示する角度θ１だけ傾斜して停止する。図６に示す不正読取機器ＦＳが装着されていれば、コイルユニット１４の磁界発生コイル１４ｃは、図示する角度θ２だけ傾斜して停止する。これにより、傾斜姿勢が保持された磁界発生コイル１４ｃは、不正読取機器ＦＳの不正読取ヘッドＦＨの位置が相違しても、不正読取ヘッドＦＨを最大磁界強度で磁界に晒すことができる向きを向くことになる。
【００３０】
次いで、制御装置２００は、妨害用磁界発生部１６により磁界発生コイル１４ｃから妨害用磁界１４ａを発生させる（ステップＳ１３０）。図９は図６に示す不正読取機器ＦＳが装着されていた場合の妨害用磁界１４ａの発生の様子を示す説明図である。図示するように、制御装置２００は、妨害用磁界１４ａの発生に当たり、スイッチ２１を妨害用磁界発生部１６の側に切り替えて、磁界発生コイル１４ｃを妨害用磁界発生部１６に接続し、この妨害用磁界発生部１６により磁界発生コイル１４ｃから妨害用磁界１４ａを発生させる。こうすることで、それまで磁界発生コイル１４ｃから発生されていた磁界が、高周波磁界１４ｂから妨害用磁界１４ａに切り替わる。図５に示す不正読取機器ＦＳが装着されていた場合も同様である。これにより、磁界発生コイル１４ｃは、不正読取機器ＦＳの不正読取ヘッドＦＨの位置が図５と図６に示すように相違しても、不正読取ヘッドＦＨを最大磁界強度で妨害用磁界１４ａに晒すことになる。この場合、制御装置２００は、不正読取ヘッドＦＨにて不正な情報読取がなされると想定される時間に亘って、磁界発生コイル１４ｃから継続して妨害用磁界１４ａを発生させる。こうして妨害用磁界１４ａを発生させるに当たり、妨害用磁界１４ａの周波数パターンや波形については、既存手法と同じく、正弦波波形や矩形等とできる。
【００３１】
次いで、制御装置２００は、不正読取機器ＦＳが装着されたという不正行為があった旨を上位装置ＨＣに報告（送信）して（ステップＳ１４０）、本ルーチンを終了する。なお、上記した不正行為対処制御は、不正読取機器ＦＳが装着されただけで磁気カードＣの挿入が行われていない場合にも、磁気カードＣが実際に挿入された場合にも実行される。前者の場合には、ステップＳ１４０では、不正読取機器ＦＳの装着検知の旨の報告に止め、後者の場合には、不正読取機器ＦＳの装着検知の旨の報告に加え、不正読取機器ＦＳが装着された上で実際に磁気カードＣがカード挿入口２に挿入されたために不正読取の行為が実際になされた旨の報告をするようにしてもよい。
【００３２】
次に、ステップＳ１１０にて観察された発振の減衰または停止がステレオスキマータイプの不正読取機器ＦＳが装着されたことに起因すると肯定判定した場合について説明する。図１０はステレオスキマータイプの不正読取機器ＦＳに対する不正対処制御の後半の制御手順を示すフローチャートである。図示するように、ステレオスキマータイプの不正読取機器ＦＳへの対処を図るに当たっても、制御装置２００は、まず、傾斜ユニット１５のモーター１５ａへの駆動信号の出力を停止して当該モーターを停止し、コイルユニット１４における磁界発生コイル１４ｃの傾斜姿勢を保持する（ステップＳ２００）。これにより、コイルユニット１４の磁界発生コイル１４ｃは、ステップＳ１１０にて発振の減衰または停止を観察した時点での傾斜姿勢に停止して、図７に示す不正読取機器ＦＳが装着されていた場合の角度θ３（図８（Ａ）、図８（Ｂ）参照）で傾斜して停止する。これにより、傾斜姿勢が保持された磁界発生コイル１４ｃは、ステレオスキマータイプの不正読取機器ＦＳの上側不正読取ヘッドＦＨｕと下側不正読取ヘッドＦＨｄの両不正読取ヘッド、もしくは、少なくとも一方の不正読取ヘッドを最大磁界強度で妨害用磁界１４ａに晒すことができる向きを向くことになる。また、傾斜姿勢が保持された磁界発生コイル１４ｃは、ステレオスキマータイプの不正読取機器ＦＳの上側不正読取ヘッドＦＨｕと下側不正読取ヘッドＦＨｄとを、搬送経路Ｃｐに対して磁力線の延びる方向が傾斜した妨害用磁界１４ａに晒す。
【００３３】
次いで、制御装置２００は、妨害用磁界発生部１６により磁界発生コイル１４ｃから妨害用磁界１４ａを発生させる（ステップＳ２１０）。図１１は図７に示すステレオスキマータイプの不正読取機器ＦＳが装着されていた場合の妨害用磁界１４ａの発生の様子を示す説明図である。図示するように、制御装置２００は、妨害用磁界１４ａの発生に当たり、スイッチ２１を妨害用磁界発生部１６の側に切り替えて、磁界発生コイル１４ｃを妨害用磁界発生部１６に接続し、この妨害用磁界発生部１６により磁界発生コイル１４ｃから妨害用磁界１４ａを発生させる。こうすることで、それまで磁界発生コイル１４ｃから発生されていた磁界が、高周波磁界１４ｂから妨害用磁界１４ａに切り替わる。これにより、磁界発生コイル１４ｃは、ステレオスキマータイプの不正読取機器ＦＳの上側不正読取ヘッドＦＨｕと下側不正読取ヘッドＦＨｄの両不正読取ヘッド、もしくは、少なくとも一方の不正読取ヘッドを最大磁界強度で妨害用磁界１４ａに晒すことになる。
【００３４】
次いで、制御装置２００は、カード挿入センサー９の出力に基づいて、磁気カードＣがカード挿入口２に挿入されたか否かを判定する（ステップＳ２２０）。ここで、磁気カードＣの挿入がないと否定判定すると、制御装置２００は、上位装置ＨＣに不正行為があった旨の報告をして（ステップＳ２４０）、本ルーチンを終了する。ステップＳ２２０での否定判定は、図４のステップＳ１１０にて発振の減衰または停止を観察した時点から所定時間に亘りカード挿入センサー９の出力がオフのままであると、下される。この場合の所定時間は、不正読取機器ＦＳへの磁気カードＣの挿入に伴い、その挿入された磁気カードＣが当然にカード処理装置１のカード挿入口２に到達すると予想される時間として規定されている。そして、ステップＳ２２０の否定判定に続くステップＳ２４０での不正行為報告は、不正読取機器ＦＳの装着が検知された旨の報告となる。
【００３５】
一方、ステップＳ２２０にてカード挿入があったと肯定判定すると、制御装置２００は、それまで図１１の角度θ３で傾斜していたコイルユニット１４の磁界発生コイル１４ｃを、回転軸１４ｓを中心にして揺動させて傾斜姿勢を変更する（ステップＳ２３０）。図１２はカード挿入があったと肯定判定した場合における不正読取機器ＦＳの読取ヘッドと磁気カードＣとの関係を妨害用磁界１４ａと合わせて示す説明図、図１３は磁界発生コイル１４ｃの傾斜姿勢が変更された状態での不正読取機器ＦＳの読取ヘッドと磁気カードＣとの関係を妨害用磁界１４ａと合わせて示す説明図である。
【００３６】
図１２に示すように、カード挿入口２へのカード挿入があると、その挿入された磁気カードＣの挿入端側たるプリアンブルゾーンは、既に不正読取機器ＦＳの上側不正読取ヘッドＦＨｕと下側不正読取ヘッドＦＨｄを通過している。よって、不正読取機器ＦＳの上側不正読取ヘッドＦＨｕと下側不正読取ヘッドＦＨｄは、プリアンブルゾーンの磁気情報を読込済みであるが、この読込は、最大磁界強度で妨害用磁界１４ａに両不正読取ヘッドが晒された状態でなされる。磁気カードＣは、図１２に示す状態から更にカード挿入口２の奥に挿入されることになる。そうなると、図１３に示すように、不正読取機器ＦＳの上側不正読取ヘッドＦＨｕと下側不正読取ヘッドＦＨｄは、角度θ３から角度θ４に傾斜姿勢を変えた磁界発生コイル１４ｃが発生する妨害用磁界１４ａに晒されることになり、上側不正読取ヘッドＦＨｕと下側不正読取ヘッドＦＨｄの両不正読取ヘッドが受ける磁界強度は、磁気カードＣがカード挿入口２に挿入されまでの磁界強度と変わることになる。傾斜姿勢の変更（ステップＳ２３０）に先立つステップＳ２１０で妨害用磁界１４ａを発生させるに当たっては、妨害用磁界発生後のステップＳ２３０で磁界発生コイル１４ｃの傾斜姿勢の揺動変更がなされるので、既存手法と同じく、正弦波波形や矩形等とできる。
【００３７】
ステップＳ２３０に続き、制御装置２００は、不正読取機器ＦＳが装着されたという不正行為があった旨を上位装置ＨＣに報告（送信）して（ステップＳ２４０）、本ルーチンを終了する。ステップＳ２３０に続くステップＳ２４０での不正報告は、不正読取機器ＦＳが装着された上で実際に磁気カードＣがカード挿入口２に挿入されたために不正読取の行為が実際になされた旨の報告となる。
【００３８】
以上説明した構成を備える第１実施形態のカード処理装置１によれば、次の効果が得られる。第１実施形態のカード処理装置１は、搬送経路Ｃｐを取り囲むコイルユニット１４の磁界発生コイル１４ｃから高周波磁界１４ｂを発生させる（ステップＳ１００；図５〜図７）。その上で、第１実施形態のカード処理装置１は、高周波磁界１４ｂを発生させている磁界発生コイル１４ｃを、搬送経路Ｃｐに沿った鉛直面において搬送経路Ｃｐに対して傾動させる（ステップＳ１００；図５〜図７）。このように高周波磁界１４ｂを発生させている磁界発生コイル１４ｃを傾動させている状況下において、カード挿入口２の外部に不正読取機器が装着されていなければ、磁界発生コイル１４ｃに高周波磁界１４ｂを発生させている発振器１７ｖ（図３）の発振状況は、コイルユニット１４の周辺にストライプ検知センサー４やシャッター５といった金属部品を有する磁界減衰材が配設済みであることを想定した定常状態にある。
【００３９】
ところが、カード挿入口２の外部に図５〜図７に示す不正読取機器ＦＳが装着されていると、金属部品を有する磁界減衰材である不正読取ヘッドＦＨや、上側不正読取ヘッドＦＨｕおよび下側不正読取ヘッドＦＨｄは、高周波磁界１４ｂに晒されて渦電流を発生させるので、発振器１７ｖ（図３）の発振状況に影響を及ぼす。渦電流による影響は、高周波磁界１４ｂにおいて延びる磁力線と不正読取ヘッドＦＨ、或いは、上側不正読取ヘッドＦＨｕと下側不正読取ヘッドＦＨｄとの干渉の状態に応じて変化するので、不正読取ヘッドＦＨの位置が異なっていたり、上側不正読取ヘッドＦＨｕと下側不正読取ヘッドＦＨｄとが搬送経路Ｃｐを挟んで対向配置していれば、渦電流による影響の現れ方も相違する。
【００４０】
こうした事象に着目し、第１実施形態のカード処理装置１は、発振器１７ｖ（図３）の発振状況の推移に合致したインピーダンス変化を監視する（ステップＳ１１０；図８）。そして、発振器１７ｖ（図３）の発振の減衰または停止をもたらすインピーダンス変化が不正読取ヘッドＦＨの位置が異なる事に起因していれば（図８（Ａ））、発振器１７ｖ（図３）の発振の減衰または停止を検出した時点で、磁界発生コイル１４ｃの傾動を停止して、この磁界発生コイル１４ｃを不正読取ヘッドＦＨの位置に応じた傾斜姿勢に保持する（ステップＳ１２０；図５〜図６）。こうした傾斜姿勢保持により、第１実施形態のカード処理装置１は、磁界発生コイル１４ｃを、不正読取機器ＦＳの不正読取ヘッドＦＨの位置が相違しても、不正読取ヘッドＦＨを最大磁界強度で磁界に晒すことができる向きに向かせる。その上で、第１実施形態のカード処理装置１は、傾斜姿勢の保持済みの磁界発生コイル１４ｃから妨害用磁界１４ａを発生させる（ステップＳ１３０）。この結果、第１実施形態のカード処理装置１によれば、不正読取ヘッドＦＨをその配設位置に拘わらず最大磁界強度で妨害用磁界１４ａに晒すことができるので（図５〜図６）、不正読取ヘッドＦＨを一つしか備えない不正読取機器ＦＳに対しての情報読取の妨害の効果を高めると共に、不正読取ヘッドＦＨの配設位置が相違する不正読取機器ＦＳに対して、高い汎用性で情報読取の妨害効果を確保できる。
【００４１】
第１実施形態のカード処理装置１は、発振器１７ｖ（図３）の発振の減衰または停止をもたらすインピーダンス変化が上側不正読取ヘッドＦＨｕと下側不正読取ヘッドＦＨｄとが対向配置されていることに起因していれば（図８（Ｂ）、図８（Ｃ））、発振器１７ｖ（図３）の発振の減衰または停止を検出した時点で、磁界発生コイル１４ｃの傾動を停止して、この磁界発生コイル１４ｃを、上側不正読取ヘッドＦＨｕと下側不正読取ヘッドＦＨｄとを対向して備えるステレオスキマータイプの不正読取機器ＦＳに対する傾斜姿勢に保持する（ステップＳ２００；図１１）。こうした傾斜姿勢保持とその後の妨害用磁界１４ａの発生により、第１実施形態のカード処理装置１は、ステレオスキマータイプの不正読取機器ＦＳの上側不正読取ヘッドＦＨｕと下側不正読取ヘッドＦＨｄの両不正読取ヘッド、もしくは、少なくとも一方の不正読取ヘッドを、搬送経路Ｃｐに対して磁力線の延びる方向が傾斜した妨害用磁界１４ａに最大磁界強度で晒す。
【００４２】
これに加え、第１実施形態のカード処理装置１は、妨害用磁界１４ａを発生させている磁界発生コイル１４ｃを、回転軸１４ｓを中心にして揺動させて傾斜姿勢を変更するので（ステップＳ２３０；図１３）、ステレオスキマータイプの不正読取機器ＦＳの上側不正読取ヘッドＦＨｕと下側不正読取ヘッドＦＨｄの両不正読取ヘッドを、傾斜姿勢を変えた磁界発生コイル１４ｃが発生する妨害用磁界１４ａに晒すことで、両不正読取ヘッドが受ける磁界強度に変化を起こす。このため、妨害用磁界１４ａによる妨害作用が上側不正読取ヘッドＦＨｕと下側不正読取ヘッドＦＨｄとで相違するようにすることが可能となるので、妨害用磁界による妨害作用を上側不正読取ヘッドＦＨｕと下側不正読取ヘッドＦＨｄとで相殺し難くできる。この結果、第１実施形態のカード処理装置１によれば、ステレオスキマーの形態の不正読取機器ＦＳがカード挿入口２の外部に装着されても、この不正読取機器ＦＳによる不正な磁気情報の読み取りを防止できる。
【００４３】
第１実施形態のカード処理装置１は、妨害用磁界１４ａを発生している磁界発生コイル１４ｃを、カード挿入センサー９がカード挿入口２へのカード挿入を検出したことを契機に、搬送経路Ｃｐに対して揺動し、磁界発生コイル１４ｃの傾斜姿勢を変えて磁界強度に変化を起こす。よって、次の利点がある。ステレオスキマータイプの不正読取機器ＦＳに誤って磁気カードＣが挿入されて、その磁気カードＣがカード挿入口２に挿入された時点では、磁気カードＣの挿入端側たるプリアンブルゾーンの磁気情報は、既に不正読取機器ＦＳの上側不正読取ヘッドＦＨｕと下側不正読取ヘッドＦＨｄにて読込済みであり、この読込は、最大磁界強度で妨害用磁界１４ａに両不正読取ヘッドが晒された状態でなされる。よって、ステレオスキマータイプの不正読取機器ＦＳは、プリアンブルゾーンの磁気情報読取に伴う磁気による読取妨害の相殺を、最大磁界強度の妨害用磁界１４ａで行う。磁気カードＣは、図１２に示す状態から更にカード挿入口２の奥に挿入されることになるので、プリアンブルゾーンに続くデータゾーンの磁気情報の上側不正読取ヘッドＦＨｕと下側不正読取ヘッドＦＨｄとによる情報読込は、カード挿入検出を契機にした磁界発生コイル１４ｃの傾斜姿勢の変更に伴って磁界強度が変化した妨害用磁界１４ａの読取妨害の相殺を伴ってなされる（図１３参照）。そうすると、プリアンブルゾーンの磁気情報読取に伴う読取妨害の相殺と、プリアンブルゾーンに続くデータゾーンの磁気情報読取に伴う読取妨害の相殺とは、異なる磁界強度での相殺となるので、プリアンブルゾーンに続くデータゾーンの磁気情報読取の正確性を狂わすことができ、上側不正読取ヘッドＦＨｕと下側不正読取ヘッドＦＨｄとによる情報読込の情報読取確度を低下させることができる。このことは、ステレオスキマータイプの不正読取機器ＦＳによる情報読取の妨害を図る上で、有益である。
【００４４】
第１実施形態のカード処理装置１は、磁界発生コイル１４ｃをコイルホルダー１４ｈに収容し、磁界発生コイル１４ｃを、搬送経路Ｃｐに沿った鉛直面と交差する回転軸１４ｓにてコイルホルダー１４ｈごと揺動可能に保持し、傾斜ユニット１５にて揺動させる。よって、第１実施形態のカード処理装置１によれば、磁界発生コイル１４ｃを、揺動角θｍの範囲で、確実、且つ、簡便に任意の傾斜姿勢に揺動保持できる。
【００４５】
次に、他の実施形態のカード処理装置１について説明する。図１４はステレオスキマータイプの不正読取機器ＦＳに対する第２実施形態のカード処理装置１Aでの不正対処制御の制御手順を示すフローチャートである。
【００４６】
第２実施形態のカード処理装置１Ａでは、第１実施形態と同様、コイルユニット１４における磁界発生コイル１４ｃの傾斜姿勢の保持（ステップＳ２００）と磁界発生コイル１４ｃからの妨害用磁界１４ａの発生（ステップＳ２１０）とを行い、ステレオスキマータイプの不正読取機器ＦＳの上側不正読取ヘッドＦＨｕと下側不正読取ヘッドＦＨｄとを、搬送経路Ｃｐに対して磁力線の延びる方向が傾斜した妨害用磁界１４ａに最大磁界強度で晒す（図１１参照）。
【００４７】
次いで、制御装置２００は、磁気カードＣがカード挿入口２に挿入されたか否かを判定し（ステップＳ２２０）、カード挿入があったと肯定判定すると、それまで図１１の角度θ３で傾斜していたコイルユニット１４の磁界発生コイル１４ｃを、回転軸１４ｓを中心にして繰り返し揺動させて傾斜姿勢を継続して変更する（ステップＳ２３０）。図１５は磁界発生コイル１４ｃの傾斜姿勢を継続して揺動変更する状態での不正読取機器ＦＳの読取ヘッドと磁気カードＣとの関係を妨害用磁界１４ａと合わせて示す説明図である。図１５に示すように、ステップＳ２３０では、磁界発生コイル１４ｃは、揺動角θｍの範囲に含まれる角度θ５で、揺動を繰り返すので、不正読取機器ＦＳの上側不正読取ヘッドＦＨｕと下側不正読取ヘッドＦＨｄを、磁界発生コイル１４ｃの傾斜角度の繰り返しの変更により、磁界強度が繰り返し変更されるようにして妨害用磁界１４ａに晒す。図１６は磁界発生コイル１４ｃを繰り返し揺動させる際の第１の揺動パターンを示す説明図である。図示するように、磁界発生コイル１４ｃの傾斜角度を正弦波の波形に倣って一定周期（定速）で繰り返し変更したり（図１６（Ａ））、磁界発生コイル１４ｃの傾斜角度を異なる角度変更速度で変えながら繰り返し変更する（図１６（Ｂ））。こうして傾斜角度の継続変更を行った後、不正行為があった旨を上位装置ＨＣに報告（送信）して（ステップＳ２４０）、本ルーチンを終了する。
【００４８】
以上説明した構成を備える第２実施形態のカード処理装置１Ａは、妨害用磁界１４ａを発生している磁界発生コイル１４ｃを、カード挿入センサー９がカード挿入口２へのカード挿入を検出したことを契機に、搬送経路Ｃｐに対して繰り返し揺動して、磁界強度が繰り返し変化するように、妨害用磁界１４ａに不正読取機器ＦＳの上側不正読取ヘッドＦＨｕと下側不正読取ヘッドＦＨｄとを晒す。よって、第２実施形態のカード処理装置１Ａによれば、プリアンブルゾーンに続くデータゾーンの磁気情報読取に伴う読取妨害の相殺を繰り返し異なる磁界強度での相殺とするので、データゾーンの磁気情報読取の正確性をより確実に狂わすことができ、上側不正読取ヘッドＦＨｕと下側不正読取ヘッドＦＨｄとによる情報読込の情報読取確度をより一層低下させることができる。こうしたことから、ステレオスキマータイプの不正読取機器ＦＳによる情報読取の妨害の実効性をより高めることができる。しかも、図１６に示すように、磁界発生コイル１４ｃの傾斜角度を周期を変えながら繰り返し変更すれば（図１６（Ｂ））、ステレオスキマータイプの不正読取機器ＦＳによる情報読取の妨害の実効性は、更に高まる。なお、磁界発生コイル１４ｃを繰り返し揺動するに当たり（図１５参照）、揺動角度θ５についても、繰り返し広狭変更するようにしてもよい。
【００４９】
図１７はステレオスキマータイプの不正読取機器ＦＳに対する第３実施形態での不正対処制御の制御手順を示すフローチャートである。第３実施形態では、第１実施形態と同様、コイルユニット１４における磁界発生コイル１４ｃの傾斜姿勢の保持し（ステップＳ２００）、これに続くステップＳ２１０での磁界発生コイル１４ｃからの妨害用磁界１４ａの発生に当たり、発振器１６ｖ（図３参照）での磁界発生のための発振を、磁界の強度または磁界発生周波数の少なくとも一方が異なるようにする。図１８は磁界強度と磁界発生周波数とインターバルとを一定とした磁界発生第１パターンを示す説明図、図１９は磁界強度と磁界発生周波数とを一定としインターバルを変更した磁界発生第２パターンを示す説明図、図２０は磁界発生周波数を一定とし磁界強度と波数およびインターバルを変更した磁界発生第３パターンを示す説明図、図２１はインターバルを一定とし磁界強度と磁界発生周波数と変更した磁界発生第４パターンを示す説明図である。第３実施形態では、図１８〜図２１に示すいずれかの磁界発生パターンにて、磁界発生コイル１４ｃから妨害用磁界１４ａを発生させ、これら磁界発生パターンの妨害用磁界１４ａに、ステレオスキマータイプの不正読取機器ＦＳの上側不正読取ヘッドＦＨｕと下側不正読取ヘッドＦＨｄとを最大磁界強度で晒す（図１１参照）。これにより、上側不正読取ヘッドＦＨｕと下側不正読取ヘッドＦＨｄとは、磁界発生パターンに従って磁界強度や磁界発生周波数が種々変更する妨害用磁界１４ａに、異なる最大磁界強度で晒されることになる。その後は、第１実施形態と同様に、カード挿入の有無（ステップＳ２２０）に応じた磁界発生コイル１４ｃの傾斜姿勢の変更（ステップＳ２３０）、不正行為報告（ステップＳ２４０）を行う。なお、ステップＳ２３０での磁界発生コイル１４ｃの傾斜姿勢変更を、第２実施形態と同様に、継続して変更するようにしてもよい。
【００５０】
以上説明した構成を備える第３実施形態では、ステレオスキマータイプの不正読取機器ＦＳの上側不正読取ヘッドＦＨｕと下側不正読取ヘッドＦＨｄとを、磁界強度や磁界発生周波数が種々変更する妨害用磁界１４ａに晒す。よって、第３実施形態のカード処理装置によっても、プリアンブルゾーンに続くデータゾーンの磁気情報読取に伴う読取妨害の相殺を繰り返し異なる磁界強度での相殺とするので、データゾーンの磁気情報読取の正確性をより確実に狂わすことができ、上側不正読取ヘッドＦＨｕと下側不正読取ヘッドＦＨｄとによる情報読込の情報読取確度をより一層低下させることができる。こうしたことから、ステレオスキマータイプの不正読取機器ＦＳによる情報読取の妨害の実効性をより高めることができる。なお、磁界発生コイル１４ｃの発生パターン変更は、不正読取ヘッドＦＨを一つしか持たない不正読取機器ＦＳ（図５、図６参照）に対しても行うようにしてもよい。
【００５１】
図２２はステレオスキマータイプの不正読取機器ＦＳに対する第４実施形態での不正対処制御の制御手順を示すフローチャートである。第４実施形態は、磁界発生コイル１４ｃから発生させる妨害用磁界１４ａの発生パターンを、カード挿入センサー９によるカード挿入検出前後で異なるものとする点に特徴がある。この第４実施形態では、第１実施形態と同様、コイルユニット１４における磁界発生コイル１４ｃの傾斜姿勢の保持し（ステップＳ２００）、これに続くステップＳ２１０での磁界発生コイル１４ｃからの妨害用磁界１４ａの発生を、初期パターン、例えば、図１８に示した初期パターンに従って行う。その後は、第１実施形態と同様に、カード挿入の有無を判定し（ステップＳ２２０）、カード挿入があったと肯定判定すると、第４実施形態のカード処理装置は、磁界発生コイル１４ｃから発生させていた妨害用磁界１４ａの発生パターンを、ステップＳ２１０での初期パターンとは異なるパターン、例えば図２０や図２１に示すパターンに変更し（ステップＳ２２５）、磁界発生コイル１４ｃの傾斜姿勢の変更（ステップＳ２３０）、不正行為報告（ステップＳ２４０）を行う。なお、ステップＳ２３０での磁界発生コイル１４ｃの傾斜姿勢変更を、第２実施形態と同様に、継続して変更するようにしてもよい。
【００５２】
以上説明した構成を備える第４実施形態では、磁界発生コイル１４ｃから発生させた妨害用磁界１４ａの発生パターンを、カード挿入センサー９がカード挿入口２へのカード挿入を検出したことを契機に、切り替える。よって、次の利点がある。ステレオスキマータイプの不正読取機器ＦＳに誤って磁気カードＣが挿入されて、その磁気カードＣがカード挿入口２に挿入された時点では、磁気カードＣの挿入端側たるプリアンブルゾーンの磁気情報は、既に不正読取機器ＦＳの上側不正読取ヘッドＦＨｕと下側不正読取ヘッドＦＨｄにて読込済みであり、この読込は、初期パターンで発生した妨害用磁界１４ａに両不正読取ヘッドが晒された状態でなされる。磁気カードＣがカード挿入口２に挿入された後では、プリアンブルゾーンに続くデータゾーンの磁気情報の上側不正読取ヘッドＦＨｕと下側不正読取ヘッドＦＨｄとによる情報読込は、カード挿入検出を契機に発生パターンが切り替わった妨害用磁界１４ａの読取妨害の相殺を伴ってなされる。そうすると、プリアンブルゾーンの磁気情報読取に伴う読取妨害の相殺と、プリアンブルゾーンに続くデータゾーンの磁気情報読取に伴う読取妨害の相殺とは、異なるパターンで発生した妨害用磁界１４ａでの相殺となるので、プリアンブルゾーンに続くデータゾーンの磁気情報読取の正確性をより確実に低下させることができ、上側不正読取ヘッドＦＨｕと下側不正読取ヘッドＦＨｄとによる情報読込の情報読取確度をより一層、低下させることができる。このことは、ステレオスキマータイプの不正読取機器ＦＳによる情報読取の妨害を図る上で、有益である。
【００５３】
図２３は第４実施形態のコイルユニット１４Ａの概略構成を示す説明図である。図示するように、このコイルユニット１４Ａは、軸支部１４ｊに軸支された一方の回転軸１４ｓをボイスコイルユニット３０に連結させている。ボイスコイルユニット３０は、回転軸１４ｓと接続された回転プレート３１と、当該プレート端部に埋設されたボイスコイル３２と、金属ヨーク３４とを備える。金属ヨーク３４は、回転プレート３１を取り囲むよう形成され、ボイスコイル３２を、対向する磁石３３の間に位置させる。ボイスコイルユニット３０は、制御装置２００の制御を受けてボイスコイル３２に電流を流し、その電流値を変更することで、コイルユニット１４の磁界発生コイル１４ｃの傾斜角度を変更する。なお、回転軸１４ｓの回転角度、即ち磁界発生コイル１４ｃの傾斜角度は図示しないエンコーダーにて検出される。この第４実施形態のコイルユニット１４Ａを、コイルユニット１４に代えて用いることで、不正読取機器ＦＳに対する既述した不正対処効果を得ることができる。
【００５４】
図２４は第５実施形態のカード処理装置１Ｂの概略構成をＡ方向から見たカード挿入口２の要部構成と共に概略的に示す説明図である。このカード処理装置１Ｂは、コイルユニット１４Ｂを、先の実施形態におけるコイルユニット１４と同様、カード挿入口２の側に備え、コイルユニット１４Ｂを挿入口ボディー部２ｖに固定された保持バネ１９ａにて搬送経路Ｃｐの上側および下側で保持し、コイルユニット１４Ｂを搬送経路Ｃｐに対して傾動可能とする。コイルユニット１４Ｂは、磁界発生コイル１４ｃをコイルホルダー１４ｈに収容すると共に、磁界発生コイル１４ｃの両側に、傾動駆動用コイル１９ｂもコイルホルダー１４ｈに収容する。傾動駆動用コイル１９ｂは、カード挿入口２に対して位置決め固定された磁石１９ｃを取り囲んでおり、制御装置２００からの通電を受けてコイル傾動用の磁界を発生する。よって、傾動駆動用コイル１９ｂへの通電を制御することで、コイルユニット１４Ｂの磁界発生コイル１４ｃを、既述したコイルユニット１４と同様に、搬送経路Ｃｐに対して傾斜角度が異なるように揺動させる。この第５実施形態のコイルユニット１４Ｂを、コイルユニット１４に代えて用いることで、不正読取機器ＦＳに対する既述した不正対処効果を得ることができる。また、第５実施形態のコイルユニット１４Ｂによれば、モーター１５ａと云った駆動機器が不要となるので、軽量化や小型化が可能となる。なお、傾動駆動用コイル１９ｂと磁石１９ｃについては、カード挿入口２の一方の側にだけ配設するようにしてもよい。
【００５５】
図２５は第６実施形態のコイルユニット１４Ｃの構成を概略的に示す説明図である。このコイルユニット１４Ｃを、先の実施形態におけるコイルユニット１４Ｂと同様、磁界発生コイル１４ｃと傾動駆動用コイル１９ｂとをコイルホルダー１４ｈに収容する。そして、コイルユニット１４Ｃは、磁石１９ｃを取り囲む傾動駆動用コイル１９ｂの外側で、保持プレート２０ａにて保持される。保持プレート２０ａは、可撓性を有する薄板であり、挿入口ボディー部２ｖに固定された状態で捻れることで、その捻れの軸を中心にコイルユニット１４Ｃを揺動可能に保持する。よって、コイルユニット１４Ｃにあっても、傾動駆動用コイル１９ｂへの通電を制御することで、コイルユニット１４Ｃの磁界発生コイル１４ｃを、既述したコイルユニット１４と同様に、搬送経路Ｃｐに対して傾斜角度が異なるように揺動させる。この第６実施形態のコイルユニット１４Ｃを、コイルユニット１４に代えて用いることで、不正読取機器ＦＳに対する既述した不正対処効果を得ることができる。また、第６実施形態のコイルユニット１４Ｃによっても、モーター１５ａと云った駆動機器が不要となるので、軽量化や小型化が可能となる。なお、傾動駆動用コイル１９ｂと磁石１９ｃについては、カード挿入口２の一方の側にだけ配設するようにしてもよい。
【００５６】
本発明は、上述の実施形態や実施例、変形例に限られるものではなく、その趣旨を逸脱しない範囲において種々の構成で実現することができる。例えば、発明の概要の欄に記載した各形態中の技術的特徴に対応する実施形態、実施例、変形例中の技術的特徴は、上述の課題の一部または全部を解決するために、あるいは、上述の効果の一部または全部を達成するために、適宜、差し替えや、組み合わせを行うことが可能である。また、その技術的特徴が本明細書中に必須なものとして説明されていなければ、適宜、削除することが可能である。
【００５７】
上記の各実施形態では、一つの磁界発生コイル１４ｃから初期磁界と妨害用磁界を発生させたが、同心に巻かれた二つのコイルのうちの一方のコイルを初期磁界発生用のコイルとし、他方のコイルを妨害用磁界の発生用コイルとしてもよい。
【００５８】
上記の各実施形態では、磁界発生コイル１４ｃを搬送経路Ｃｐを取り囲むようカード挿入口２の近傍に形成したが、カード挿入口２の近傍において磁界発生コイル１４ｃを搬送経路Ｃｐを取り囲むことなく搬送経路Ｃｐに対して傾斜角度が異なるようにコイル姿勢を変更できるように形成してもよい。また、妨害用磁界発生部１６と金属異物検知回路部１７とを異なる機器構成としたが、妨害用磁界１４ａの発生用の第１発振器と高周波磁界１４ｂの発生用の第２発振器とを有する磁界発生部としてもよく、この磁界発生部において、第１発振器と第２発振器とを切り替えるようにしてもよい。
【符号の説明】
【００５９】
１、１Ａ〜１Ｂ…カード処理装置
１ａ…筺体
２…カード挿入口
２ｖ…挿入口ボディー部
３…磁気ヘッド
４…ストライプ検知センサー
５…シャッター
６ａ〜６ｃ…搬送ローラー対
６ｄ…補助ローラー
８ａ〜８ｃ…カード位置センサー
９…カード挿入センサー
１４、１４Ａ〜１４Ｃ…コイルユニット
１４ａ…妨害用磁界
１４ｂ…高周波磁界
１４ｃ…磁界発生コイル
１４ｃｈ…コイル法線
１４ｈ…コイルホルダー
１４ｊ…軸支部
１４ｓ…回転軸
１５…傾斜ユニット
１５ａ…モーター
１５ｂ…ギヤヘッド
１５ｃ…エンコーダー
１６…妨害用磁界発生部
１６ｖ…発振器
１７…金属異物検知回路部
１７ｖ…発振器
１９ａ…保持バネ
１９ｂ…傾動駆動用コイル
１９ｃ…磁石
２０…リード配線
２０ａ…保持プレート
２１…スイッチ
２５…カード搬送用モーター
３０…ボイスコイルユニット
３１…回転プレート
３２…ボイスコイル
３３…磁石
３４…金属ヨーク
２００…制御装置
２１０…通信部
Ｂ…復路方向
Ｆ…往路方向
Ｃ…磁気カード
Ｃｐ…搬送経路
ＦＰ…前面パネル
ＨＣ…上位装置
ＦＳ…不正読取機器
ＦＨ…不正読取ヘッド
ＦＨｄ…下側不正読取ヘッド
ＦＨｕ…上側不正読取ヘッド
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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