(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
水銀を含む物質を間接加熱して該物質に含まれる水銀を揮発させ、揮発水銀を含む搬送用ガスを排出する間接加熱装置と、
該間接加熱装置から排出された搬送用ガスを集塵する集塵装置と、
該集塵装置の排ガスに希釈用ガスを添加する希釈用ガス添加装置と、
該希釈された排ガスに含まれる水銀を吸着して回収する水銀吸着装置とを備えることを特徴とする水銀回収装置。
【請求項２】
前記間接加熱装置は、前記揮発水銀を含む搬送用ガスを排出するガス排出部と、前記水銀を含む物質から水銀が除去されて生じた水銀除去物質を排出する物質排出部とを備えることを特徴とする請求項１に記載の水銀回収装置。
【請求項３】
前記間接加熱装置は、外熱キルンであることを特徴とする請求項１又は２に記載の水銀回収装置。
【請求項４】
水銀を含む物質を間接加熱して該物質に含まれる水銀を揮発させ、
揮発水銀を含む搬送用ガスを集塵し、
該集塵後の排ガスに希釈用ガスを添加し、
該希釈された排ガスに含まれる水銀を吸着して回収することを特徴とする水銀回収方法。
【請求項５】
前記間接加熱によって生じた揮発水銀を含むガスと、前記水銀を含む物質から水銀が除去されて生じた水銀除去物質とを互いに分離し、該揮発水銀を含むガスを前記搬送用ガスとすることを特徴とする請求項４に記載の水銀回収方法。
【請求項６】
前記集塵後の排ガスに希釈用ガスを添加して該排ガスの水銀濃度を１，０００ｍｇ／ｍ3以下にすることを特徴とする請求項４又は５に記載の水銀回収方法。
【請求項７】
前記水銀を含む物質は、セメントキルン排ガスから回収したダスト又は石炭灰であることを特徴とする請求項４、５又は６に記載の水銀回収方法。
【請求項８】
前記希釈用ガスの温度は、２０℃以上８０℃以下であることを特徴とする請求項４乃至７のいずれかに記載の水銀回収方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、セメントキルン排ガスから回収したダストや石炭灰等の水銀を含む物質から水銀を回収する装置及び方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
セメントキルン排ガスには、セメントの主原料である石灰石等の天然原料が含有する水銀や、フライアッシュ等のリサイクル資源に含まれる水銀に由来する微量の水銀が含まれている。セメントキルン排ガス中の水銀が増加すると、大気汚染の原因となる虞があり、フライアッシュ等のリサイクル資源利用拡大の阻害要因となる虞もある。
【０００３】
そこで、特許文献１には、図２に示すように、空気Ａ１１を加熱する熱風炉１２と、セメントキルン排ガスから回収した、水銀を含むキルンダストＤ１１を熱風炉１２からのガスＧ１１で直接加熱する抽気ダクト１３と、揮発水銀を含む搬送用ガスＧ１２を集塵して水銀含有ガスＧ１３と水銀除去ダストＤ１２とに分離するサイクロン１４と、水銀含有ガスＧ１３を集塵して水銀含有ガスＧ１４と水銀除去ダストＤ１３とに分離するバグフィルタ１５と、水銀含有ガスＧ１４から熱回収する熱交換器１６と、水銀含有ガスＧ１５に含まれる水銀を回収する活性炭吸着塔１９と、熱交換器１６で生じた熱を熱風炉１２に供給するファン１８とを備えるセメントキルン排ガスの処理装置１１が提案されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２０１１−８８７７０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかし、上記特許文献１に記載の処理方法では、キルンダストＤ１１を均一に加熱することが容易ではなく、キルンダストＤ１１中の水銀を漏れなく揮発させるには加熱に用いるガスＧ１１を大量に使用せざるを得なかった。このため、搬送用ガスＧ１２の量が多くなり、加熱装置としての抽気ダクト１３、集塵装置としてのサイクロン１４やバグフィルタ１５、及び水銀吸着装置としての活性炭吸着塔１９等の関連設備を大型化せざるを得ず、設備コスト及び運転コストが高くなるという問題があった。
【０００６】
そこで、本発明は、上記従来技術における問題点に鑑みてなされたものであって、低コストで水銀を含む物質から効率よく水銀を回収することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記目的を達成するため、本発明は、水銀回収装置であって、水銀を含む物質を間接加熱して該物質に含まれる水銀を揮発させ、揮発水銀を含む搬送用ガスを排出する間接加熱装置と、該間接加熱装置から排出された搬送用ガスを集塵する集塵装置と、該集塵装置の排ガスに希釈用ガスを添加する希釈用ガス添加装置と、該希釈された排ガスに含まれる水銀を吸着して回収する水銀吸着装置とを備えることを特徴とする。
【０００８】
本発明によれば、間接加熱装置を用いることで大量のガスを使用しなくとも水銀を含む物質を均一に加熱することができるため、間接加熱装置から排出される搬送用ガス量を少なくすることができ、間接加熱装置、集塵装置、及び水銀吸着装置等の関連設備の小型化が可能となる。また、水銀を含む物質と加熱媒体との接触により加熱媒体に水銀が含まれることを防止することができ、加熱媒体の処理装置を簡易なものとすることができる。
【０００９】
さらに、集塵装置の排ガスに希釈用ガスを添加することで、水銀吸着効率を向上させることができると共に、集塵装置に導入する搬送用ガス量を増加させないことで集塵装置の小型化を維持することができる。
【００１０】
上記水銀回収装置において、前記間接加熱装置は、前記揮発水銀を含む搬送用ガスを排出するガス排出部と、前記水銀を含む物質から水銀が除去されて生じた水銀除去物質を排出する物質排出部とを備えることができる。これにより、搬送用ガスによって水銀除去物質を搬送せずに揮発水銀のみを搬送すればよいため、搬送用ガスをさらに少量とすることができる。また、前記間接加熱装置を外熱キルンとすることができる。
【００１１】
さらに、本発明は、水銀回収方法であって、水銀を含む物質を間接加熱して該物質に含まれる水銀を揮発させ、揮発水銀を含む搬送用ガスを集塵し、該集塵後の排ガスに希釈用ガスを添加し、該希釈された排ガスに含まれる水銀を吸着して回収することを特徴とする。
【００１２】
本発明によれば、上記発明と同様に、間接加熱を行うことで大量のガスを使用しなくとも水銀を含む物質を均一に加熱することができるため、搬送用ガス量を少なくすることができ、間接加熱、集塵、及び水銀吸着に要するコストを低減することができる。また、水銀を含む物質と加熱媒体との接触により加熱媒体に水銀が含まれることを防止することができ、加熱媒体の処理を簡易なものとすることができる。
【００１３】
さらに、集塵後の排ガスに希釈用ガスを添加することで、水銀吸着効率を向上させることができると共に、集塵する搬送用ガス量を増加させないことで集塵に要するコストを低く維持することができる。
【００１４】
上記水銀回収方法において、前記間接加熱によって生じた揮発水銀を含むガスと、前記水銀を含む物質から水銀が除去されて生じた水銀除去物質とを互いに分離し、該揮発水銀を含むガスを前記搬送用ガスとすることができる。これにより、搬送用ガスによって水銀除去物質を搬送せずに揮発水銀のみを搬送すればよいため、搬送用ガスをさらに少量とすることができる。
【００１５】
また、前記集塵後の排ガスに希釈用ガスを添加して該排ガスの水銀濃度を１，０００ｍｇ／ｍ3以下にすることで、水銀吸着効率をさらに向上させることができる。さらに、前記水銀を含む物質を、セメントキルン排ガスから回収したダスト又は石炭灰とすることができる。前記希釈用ガスの温度を２０℃以上８０℃以下とすることができ、集塵後の排ガスを冷却すると共に希釈することができ、効率的に水銀を吸着して回収することができる。
【発明の効果】
【００１６】
以上のように、本発明によれば、低コストで水銀を含む物質から効率よく水銀を回収することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１７】
【図１】本発明に係る水銀回収装置の一実施の形態を示す全体構成図である。
【図２】従来の水銀回収装置の一例を示す全体構成図である。
【発明を実施するための形態】
【００１８】
次に、本発明を実施するための形態について、図面を参照しながら詳細に説明する。尚、以下では、本発明に係る水銀回収装置によってセメントキルン排ガスから回収したダストを処理する場合を例にとって説明する。
【００１９】
図１は本発明に係る水銀回収装置の一実施の形態を示し、この水銀回収装置１は、セメントキルン排ガスから回収した、水銀を含むキルンダストＤ１を貯留するホッパ２と、ホッパ２から供給されたキルンダストＤ１と、後述する水銀除去ダストＤ２とが混在した水銀含有ダストＤ３を運搬するスクリューコンベア３と、スクリューコンベア３から供給された水銀含有ダストＤ３を間接加熱し、間接加熱によって揮発した水銀を含むガスと水銀除去ダストＤ４とを互いに分離する外熱キルン４と、外熱キルン４から排出された搬送用ガスＧ１を水銀含有ガスＧ２と水銀除去ダストＤ２とに分離するバグフィルタ５と、バグフィルタ５から排出された水銀含有ガスＧ２に希釈用空気Ａ２を添加して水銀希釈ガスＧ３とするファン６と、水銀希釈ガスＧ３に含まれる水銀を吸着して回収する活性炭吸着塔７とを備える。
【００２０】
間接加熱装置としての外熱キルン４は、回転式のキルン４ａと、キルン４ａを囲繞して高温ガスが導入されるジャケット４ｂと、水銀含有ダストＤ３を供給するダスト供給部４ｃと、空気Ａ１を導入するガス導入部４ｄと、搬送用ガスＧ１を排出するガス排出部４ｅと、水銀除去ダストＤ４を排出するダスト排出部４ｆとを有する。
【００２１】
集塵装置としてのバグフィルタ５には、９００℃程度までの耐熱性を有する高耐熱型のバグフィルタや、通常の耐熱性を有するバグフィルタを使用することができる。
【００２２】
水銀吸着装置としての活性炭吸着塔７は、水銀希釈ガスＧ３中の水銀を吸着して回収するために備えられる。活性炭吸着塔７で使用される活性炭としては、市販の活性炭の中で、水銀回収能力に特に優れる活性炭を選定することが望ましく、具体的には、水銀吸着用として調整された硫黄添着処理が施されている活性炭が好適である。
【００２３】
次に、上記構成を有する水銀回収装置１の動作について図１を参照しながら説明する。
【００２４】
外熱キルン４のジャケット４ｂに高温ガスを導入してキルン４ａの内部を加熱し、キルンダストＤ１をスクリューコンベア３を介してキルン４ａに供給して間接加熱する。キルンダストＤ１は、キルン４ａの高温となった内面に接触して加熱され、水銀が揮発する。一方、水銀を除去した水銀除去ダストＤ４をダスト排出部４ｆから系外に排出してセメント原料等として利用する。
【００２５】
ガス導入部４ｄから導入した空気Ａ１によって揮発した水銀を搬送し、揮発水銀を含む搬送用ガスＧ１をガス排出部４ｅから排出する。搬送用ガスＧ１をバグフィルタ５に導入して水銀含有ガスＧ２と水銀除去ダストＤ２とに分離する。
【００２６】
水銀含有ガスＧ２に、ファン６から希釈用空気Ａ２を添加して水銀含有ガスＧ２の水銀濃度が活性炭吸着塔７での吸着に適した濃度（１，０００ｍｇ／ｍ3以下）となるように希釈した後、水銀希釈ガスＧ３中の水銀を活性炭吸着塔７で吸着して回収する。ここで、希釈用空気Ａ２の温度を２０℃〜８０℃にすることで、水銀含有ガスＧ２を希釈するだけでなく冷却することもでき、活性炭吸着塔７での吸着効率を高めることができる。活性炭吸着塔７から排出された水銀除去ガスＧ４は、適切な排ガス処理をした後大気に放出する。一方、水銀除去ダストＤ２は、スクリューコンベア３に戻し、キルンダストＤ１と共に水銀含有ダストＤ３としてキルン４ａに供給する。
【００２７】
以上のように、上記実施の形態では、外熱キルン４を用いることで大量のガスを使用しなくとも水銀含有ダストＤ３をジャケット４ｂによって均一に加熱することができるため、外熱キルン４のガス排出部４ｅから排出される搬送用ガスＧ１の量を少なくすることができ、外熱キルン４、バグフィルタ５、及び活性炭吸着塔７等の関連設備の小型化が可能となる。また、水銀含有ダストＤ３と加熱媒体（本実施の形態ではジャケット４ｂに導入される高温ガス）との接触により加熱媒体に水銀が含まれることを防止することができ、加熱媒体の処理装置を簡易なものとすることができる。
【００２８】
さらに、バグフィルタ５から排出される水銀含有ガスＧ２に希釈用空気Ａ２を添加することで、活性炭吸着塔７における水銀吸着効率を向上させると共に、バグフィルタ５に導入する搬送用ガスＧ１の量を増加させずに済むため、バグフィルタ５の小型化を維持することができる。
【００２９】
尚、上記実施の形態では、セメントキルン排ガスから回収したダストを処理する場合について説明したが、石炭灰等の水銀を含む物質であれば、その他の物質を処理することも可能である。
【００３０】
また、外熱キルン４のガス導入部４ｄに導入する空気Ａ１に代えて不活性ガスを用いることもでき、希釈用ガスとして希釈用空気Ａ２以外に不活性ガスを用いることもできる。また、加熱した空気Ａ１を外熱キルン４のガス導入部４ｄに導入することもでき、空気Ａ１をキルン４ａ内に滞留させて加熱することもできる。外熱キルン４のキルン４ａの内部を加熱するにあたり、高温ガス以外の加熱媒体を用いてもよい。
【００３１】
さらに、上記水銀回収装置１における外熱キルン４、バグフィルタ５、活性炭吸着塔７に代えて他の形式の間接加熱装置、集塵装置、水銀吸着装置を用いることもできる。外熱キルン４は、搬送用ガスＧ１を排出するガス排出部４ｅと、水銀除去ダストＤ４を排出するダスト排出部４ｆとを有し、搬送用ガスＧ１と水銀除去ダストＤ４を別々に排出するが、水銀除去ダストの一部が搬送用ガスＧ１に混在するためバグフィルタ５を設けている。搬送用ガスと水銀除去ダストとの排出部が共通するような間接加熱装置を用い、搬送用ガス中の水銀除去ダストの濃度が高くなった場合でも、集塵装置で水銀除去ダストを集塵して対応することができる。
【符号の説明】
【００３２】
１  水銀回収装置
２  ホッパ
３  スクリューコンベア
４  外熱キルン
４ａ  キルン
４ｂ  ジャケット
４ｃ  ダスト供給部
４ｄ  ガス導入部
４ｅ  ガス排出部
４ｆ  ダスト排出部
５  バグフィルタ
６  ファン
７  活性炭吸着塔
Ａ１  空気
Ａ２  希釈用空気
Ｄ１  キルンダスト
Ｄ２  水銀除去ダスト
Ｄ３  水銀含有ダスト
Ｄ４  水銀除去ダスト
Ｇ１  搬送用ガス
Ｇ２  水銀含有ガス
Ｇ３  水銀希釈ガス
Ｇ４  水銀除去ガス
【図１】
0006366186.tif 000002
【図２】
0006366186.tif 000003