(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
弁の開度を所定開度に制限する機構であって、
プレートと、
前記プレートの第１主面から遠位方向に向かって移動するピストンを有し、
前記ピストンは、第１主面を基準に、遠位前進位置と後退位置との２状態を遷移可能に構成され、
前記遠位前進位置において、前記弁の開度を調節する回転部材が前記ピストンに当接して当該回転部材の位置が前記所定開度で制限される、弁開度制限機構であって、
前記弁開度制限機構は、前記プレートの第１主面から遠位方向に向かって設けられるシリンダを有し、
前記ピストンは、前記シリンダの一方部から当該一方部と対向する他方部まで当該シリンダを貫通するように構成され、
前記シリンダは、前記ピストンが遠位方向に突出するように付勢する付勢手段をその内部に有し、
前記弁開度制限機構は、前記付勢手段の付勢方向に抗するように前記ピストン位置を変更した場合に、前記他方部から突出している前記ピストンに係合して変更位置を固定する係合部をさらに有することを特徴とする、弁開度制限機構。
【請求項２】
前記プレートは、前記シリンダの前記他方部から突出するピストンが貫通する貫通部が形成されており、
前記ピストンは、前記貫通部から突出した位置に挿通部が形成され、
前記係合部は、前記挿通部に挿入自在のピンで構成される、請求項１に記載の弁開度制限機構。
【請求項３】
前記弁が、バタフライ弁、ボール弁、ダイヤフラム弁から選択される、請求項１または２に記載の弁開度制限機構。
【請求項４】
前記所定開度を微調整可能にすべく、前記プレートに取付位置調整手段を備える、請求項１〜３のいずれか１項に記載の弁開度制限機構。
【請求項５】
前記ピストンは、前記シリンダの内部に配置されるフランジ部を有し、シリンダの他方部側とフランジ部との間に前記付勢手段が配置される、請求項１に記載の弁開度制限機構。
【請求項６】
前記弁の上限弁角度が９０度である場合に、弁角度が０度より大きく４５度より小さくなるように、前記所定開度が設定される、請求項１〜５のいずれか１項に記載の弁開度制限機構。
【請求項７】
高圧の一次圧と当該一次圧よりも低圧の二次圧との間に弁を配置した場合に、昇圧速度が閾値以下になるように、演算式［ｌｏｇＲＣｖ％＋１］を用いて前記所定開度（Ｌ）を設定する、請求項１〜６のいずれか１項に記載の弁開度制限機構。
【請求項８】
請求項１〜７のいずれか１項に記載の弁開度制限機構が、取り付けられる弁。
【請求項９】
請求項１〜７のいずれか１項に記載の弁開度制限機構を構成するピストンを遠位前進位置に位置させる制限準備ステップと、
弁の開度を調節する回転部材を前記ピストンに当接する位置まで回転する、第１開操作ステップと、
一次圧と二次圧との差圧が所定値以下になった場合に、前記ピストンを後退位置に位置させる制限解除ステップと、
前記回転部材を上限開度方向に回転する第２開操作ステップと、を含む弁開度操作方法。
【請求項１０】
加圧ガスを高圧側配管から仕切弁を介して低圧側配管へ供給する方法であって、
前記請求項１〜７のいずれか１項に記載の弁開度制限機構を用いて、低圧側の昇圧速度が閾値以下になるように、弁開度を所定開度に維持するステップと、
高圧側と低圧側の差圧が所定値以下になった場合に、弁開度を前記所定開度より大きく設定するステップと、を含む加圧ガス供給方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、弁の開度を所定開度に制限する機構、弁の開度を操作する方法、加圧ガスを高圧側配管から仕切弁を介して低圧側配管へ供給する方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
一般的に、酸素や可燃性ガスを高圧側配管から仕切弁を介して低圧側配管へと供給する際は、本管のサイズと比較して配管径が小さいバイパスラインを設け、このバイパスラインを用いて低圧側配管を予め昇圧した後に、本管に設置されている仕切弁を開放するという方法が知られている（例えば、特許文献１参照）。これを「バイパスライン方法」と称する。
【０００３】
また、加圧ガスが流通する高圧側配管に設けられて高圧側と低圧側を仕切る第一弁と、この第一弁の下流側の低圧側配管に設けられた第二弁との間に、２段から４段の多段オリフィスを設け、第一弁を急速に開けた場合に発生する断熱圧縮を防止し、配管内ガスの温度上昇を抑制する方法が知られている（例えば、特許文献２参照）。これを「制限オリフィス方法」と称する。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００８−００８３８８号公報
【特許文献２】特開２０１４−１７３６８８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、上記バイパスライン方法では、バイパスラインおよびバイパスライン上の均圧弁を設置するため追加コストが必要である。また、オペレータがバイパスライン（均圧弁）用いることを忘れて、本管の手動弁を開けてしまうことも懸念される。
【０００６】
また、上記制限オリフィス方法では、多段オリフィスを設置するため追加コストが必要である。また、多段オリフィスの構造上、１００％開（全開）ができないため（必ず制限されるため）、１００％開をしたくてもできない。
【０００７】
本発明は、上記現状に鑑みてなされたものであって、その目的は、上記バイパスライン、均圧弁、多段オリフィスを用いることなく、加圧ガスを、高圧側の配管から仕切弁を介して低圧側の配管に好適に供給することである。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明の弁開度制限機構は、
弁の開度を所定開度に制限する機構であって、
プレートと、
前記プレートの第１主面から遠位方向に向かって移動するピストンを有し、
前記ピストンは、第１主面を基準に、遠位前進位置と後退位置との２状態を遷移可能に構成され、
前記遠位前進位置において、前記弁の開度を調節する回転部材が前記ピストンに当接して当該回転部材の位置が前記所定開度で制限されることを特徴とする。
【０００９】
この構成によれば、遠位前進位置において回転部材の回転をピストンで制限することで、弁（仕切弁）の開度を所定の開度までしか開かないように弁開度を物理的に制限することができる。一方後退位置において、回転部材がピストンに当接することなく自由に回転することができる。したがって、弁開度制限機構を用いることで、低圧側の配管の内圧を緩やかに昇圧し、加圧ガスの導入に伴う断熱圧縮による急激なガス温度の上昇を抑制し、安全に加圧ガスを供給することができる。「加圧ガス」は、コンプレッサー等の加圧手段により加圧されたガスであり、３５℃で１ＭＰａＧを超えない非高圧ガス及び３５℃で１ＭＰａＧ以上の高圧ガスも含む。
【００１０】
上記発明において、「所定開度」は、実験データに基づいて設定してもよく、Ｃｖ値と弁開度との相関関係（相関データ）から設定してもよい。所定開度を設定する時の条件として、例えば、低圧側の配管の昇圧速度が閾値以下であること、ガス温度の上昇速度が閾値以下であること等が挙げられる。第１部材とプレートが一体で構成されていてもよく、別体に構成され固定される構成でもよい。
【００１１】
上記発明の一実施形態として、前記弁開度制限機構は、前記プレートの第１主面から遠位方向に向かって設けられるシリンダを有し、前記ピストンは、前記シリンダの一方部から当該一方部と対向する他方部まで当該シリンダを貫通するように構成され、前記シリンダは、前記ピストンが遠位方向に突出するように付勢する付勢手段をその内部に有し、前記弁開度制限機構は、前記付勢手段の付勢方向に抗するように前記ピストン位置を変更した場合に、前記他方部から突出している前記ピストンに係合して変更位置を固定する係合部をさらに有する。
【００１２】
上記係合部としては、例えば、ピストンに形成された凸部、凹部、フランジ部、孔部と係合して固定する係合部などが挙げられる。上記付勢手段としては、例えば、スプリング、板バネなどが挙げられる。上記シリンダの形状は特に制限されない。上記ピストンの形状は特に制限されない。
【００１３】
上記発明の一実施形態として、前記プレートは、前記シリンダの前記他方部から突出するピストンが貫通する貫通部が形成されており、前記ピストンは、前記貫通部から突出した位置に挿通部が形成され、前記係合部は、前記挿通部に挿入自在のピンで構成される。
【００１４】
この構成では、ピストンの挿通部にピンを挿入することで、簡単かつ確実にピストン位置を固定することができる。
【００１５】
上記発明の一実施形態として、前記弁が、バタフライ弁、ボール弁、ダイヤフラム弁から選択される。
【００１６】
上記発明の一実施形態として、前記所定開度を微調整可能にすべく、前記プレートに取付位置調整手段を備える。
【００１７】
これによって、取り付け位置を変えることで、予め設定した開度を簡単に微調整することができる。
【００１８】
上記発明の一実施形態として、前記ピストンは、前記シリンダの内部に配置されるフランジ部を有し、シリンダの他方部側とフランジ部との間に前記付勢手段が配置される。
【００１９】
上記発明の一実施形態として、前記弁の上限弁角度が９０度である場合に、弁角度が０度より大きく４５度より小さくなるように、前記所定開度が設定される。
【００２０】
弁の種類、ガス種類、ガス性状、ガス圧などに応じて、所定開度が設定される。弁角度が４５度より小さいと、加圧ガス流に押された弁の影響により、回転部材が突出部に当接する方向に回転を維持する。言い換えれば、回転部材は突出部から離れる方向に回転しない構成である。
【００２１】
上記発明の一実施形態として、高圧の一次圧と、当該一次圧よりも低圧（例えば、大気圧）の二次圧との間に、弁を配置した場合に、昇圧速度が閾値（例えば１００ｋＰａ／ｍｉｎ）以下になるように、演算式［ｌｏｇＲＣｖ％＋１］を用いて前記所定開度（Ｌ）を設定する。演算式［ｌｏｇＲＣｖ％＋１］は、弁開度（Ｌ）とＣｖ値との関係式［Ｃｖ％＝ＲＬ−１］から導くことができる。ここで、Ｃｖ値はバルブの流量特性を表示する係数である。Ｃｖ値はバルブそれぞれに固有の値である。昇圧速度に対する閾値としては、例えば、１０ｋＰａ／ｍｉｎ〜５００ｋＰａ／ｍｉｎの範囲から選択され、好ましくは、４０ｋＰａ／ｍｉｎ〜３００ｋＰａ／ｍｉｎの範囲から選択され、より好ましくは、６０ｋＰａ／ｍｉｎ〜１５０ｋＰａ／ｍｉｎの範囲から選択される。
【００２２】
より具体的には以下の通り求める。（１）まず、弁開度とＣｖ値の弁特性において近似曲線（近似線）を、式［Ｃｖ％＝ＲＬ−１］の「Ｒ」を適切に設定することで求める。使用する開度領域（例えば、０〜３０％）が特定されていれば、その領域前後の近似精度を上げるように、「Ｒ」を設定することが好ましい。「Ｒ」の値を変動させて、提供されたＣｖ値を結ぶ最適の近似曲線を求める。最適の近似曲線が得られた時の「Ｒ」を採用する。（２）次いで、弁開度を任意の値（例えば、弁角度５度）に設定し、安全な昇圧速度（例えば閾値として１００ｋＰａ／ｍｉｎ以内）で一次圧（Ｐ１）と二次圧（Ｐ２）とを均圧（Ｐ１＝Ｐ２）にできるか否かを確認する。昇圧速度は、後述する式３〜式５を用いて導くことができる。（３）昇圧速度が閾値（例えば１００ｋＰａ／ｍｉｎ）以下の時、弁角度５度は、設備の安全性を維持するのに適した開度であると判断し、弁角度（開度）が求まる。
【００２３】
他の発明の弁は、上記弁開度制限機構が取り付けられる弁である。
【００２４】
他の発明の弁開度操作方法は、弁開度制限機構を構成する突出部を遠位前進位置に位置させる制限準備ステップと、弁の開度を調節する回転部材を前記突出部に当接する位置まで回転する、第１開操作ステップと、一次圧と二次圧との差圧が所定値（例えば０．１ＭＰａ）以下になった場合に、前記突出部を後退位置に位置させる制限解除ステップと、前記回転部材を上限開度方向に回転する第２開操作ステップと、を含む。一次圧と二次圧との差圧の所定値としては、例えば、０．０２ＭＰａ〜１ＭＰａの範囲から選択され、好ましくは、０．０６ＭＰａ〜０．６ＭＰａの範囲から選択され、より好ましくは、０．０８ＭＰａ〜０．２ＭＰａの範囲から選択される。
【００２５】
他の発明の加圧ガス供給方法は、加圧ガスを高圧側配管から仕切弁を介して低圧側配管へ供給する方法であって、上記記載の弁開度制限機構を用いて、低圧側の昇圧速度が閾値（例えば１００ｋＰａ／ｍｉｎ）以下になるように、弁開度を所定開度に維持するステップと、高圧側と低圧側の差圧が所定値（例えば０．１ＭＰａ）以下になった場合に、弁開度を前記所定開度より大きく設定するステップとを含む。高圧側と低圧側の差圧の所定値としては、例えば、０．０２ＭＰａ〜１ＭＰａの範囲から選択され、好ましくは、０．０６ＭＰａ〜０．６ＭＰａの範囲から選択され、より好ましくは、０．０８ＭＰａ〜０．２ＭＰａの範囲から選択される。
【図面の簡単な説明】
【００２６】
【図１】弁開度制限機構（遠位前進位置）の外観図である。
【図２】弁開度制限機構（遠位前進位置）の概略断面図である。
【図３】弁開度制限機構（後退位置）の外観図である。
【図４】弁開度制限機構（後退位置）の概略断面図である。
【図５】弁開度制限機構（後退位置）のプレート裏側の外観図である。
【図６】弁開度制限機構を取り付けた仕切弁を説明する図である。
【図７】弁開度制限機構を取り付けた仕切弁を説明する図である。
【図８】弁特性図の一例である。
【図９】低角度でのＣｖの計算値を説明するための図である。
【図１０】昇圧速度を確認するための図である。
【図１１】仕切弁の開操作フロー図である。
【発明を実施するための形態】
【００２７】
（弁開度制限機構）
弁開度制限機構について図を参照しながら説明する。弁開度制限機構は、仕切弁の開度を所定開度（弁開度、弁角度）に制限する機構である。シリンダ２０は、プレート１０の第１主面１０１に設けられている。シリンダ２０は、第１主面１０１から遠位方向に向かって突出するピストン２１を有する。ピストン２１は、シリンダ２０の第１主面１０１から離れた遠位部を基準に、遠位前進位置Ｙ１と後退位置Ｙ２との２状態を遷移可能に構成されている（図２、４参照）。
【００２８】
ピストン２１は、第１主面１０１から離れたシリンダ２０の遠位部から当該遠位部と対向する近位部（第１主面１０１に近い近位部）まで、当該シリンダ２０を貫通する。ピストン２１は、シリンダ２０よりも長尺の部材である。シリンダ２０は、ピストン２１が第１主面１０１から遠位方向に突出するように付勢するスプリング２５をその内部に有する。ピストン２１は、その径方向に延設されるフランジ部２４を有する。このフランジ部２４とシリンダ２０の第１面１０１側の内部空間にスプリング２５が組み込まれる。スプリング２５がフランジ部２４を押圧することで、ピストン２１の先端２１１が遠位前進位置Ｙ１に位置する（図１、２参照）。
【００２９】
一方、ピストン２１をスプリング２５に抗するようにシリンダ２０内に押し込め、ピストン２１の先端２１１を後退位置Ｙ２に位置させる（図３、４参照）。この時、ピストン２１の他方先端２１２がプレート１０の貫通部を通じてプレート裏面側(第２主面側)に突出する。ピストン２１は、プレート１０の裏面から突出した部分に挿通部２３が設けられている。この挿通部２３に、ピン３０（係合部に相当する）を挿入することで、ピン３０がプレート１０の裏面に当接し、スプリング２５の付勢作用に抗してピストン２０の位置を固定する。ピン３０は、プレート１０に連結鎖３１で繋がれている。
【００３０】
プレート１０とシリンダ２０は、溶接で固定されていてもよく、ボルト、ネジなどの螺合手段で固定してもよい。
【００３１】
図６，７に示すように、プレート１０が、仕切弁本体の一部であるレバー５０の回転軸５３に対し径方向に延設したフランジ６０に取り付けられる。本実施形態では、プレート１０は、仕切弁のフランジ６０にボルト１５で固定される。図５に示すように、プレート１０のボルト用貫通穴１２、１３（取付位置調整手段に相当する）が長穴形状になっていることでプレート１０の取り付け位置を調整できる。所定開度を微調整（例えば１〜３度）したり、製品固有の寸法誤差などに応じて簡単に微調整することができる。本実施形態において、プレート１０は仕切弁本体の一部に固定されていたが、これに制限されず他の部材に固定されていてもよい。
【００３２】
図６に示すように、仕切弁のレバー５０は、遠位前進位置Ｙ１のピストン２１(周面)と当接し、レバー５０の位置が制限（固定）される。一方、図７に示すように、仕切弁のレバー５０は、後退位置Ｙ２のピストン２１とは当接することなく自由に回転する。図６において、レバー５０の対向する位置に曲線状の長孔５１が形成され、レバー５０を回転した時の弁開度（弁角度）を、簡易目盛５２を締付ハンドル５４で指し示すことで確認できる。締付ハンドルで締め付けることで、レバー５０を固定することができるが、簡易目盛５２を利用した場合、正確な弁開度でレバー５０を固定することが困難であり、オペレータの作業ミスも想定される。これに対し、本実施形態では、所定の弁開度でレバー５０をピストン２１に当接させて固定できる。開度が４５度より小さいと、加圧ガス流に押された弁の影響により、レバー５０がピストン２１に当接する方向に回転方向が維持される。
【００３３】
（所定開度の設定）
本実施形態の「所定開度」の求め方を以下に説明する。
１次圧側：ガスソース圧力（１次圧）Ｐ１＝１０００ｋＰａ  ａｂｓ、温度Ｔ＝２０度
２次圧側：下流設備容積Ｖ＝２５ｍ３、設備圧力Ｐ２、Ｐ２（ｔ）＝１０１ｋＰａ  ａｂｓ（ｔ＝０）
配管を流れるガス流量：Ｑ（Ｎｍ３／ｈ）
設定安全昇圧速度：１００ｋＰａ／ｍｉｎ
仕切弁：１００Ａバタフライ弁（株式会社エヌビーエス）、供給弁定格Ｃｖ値、Ｃｖ１００％＝４１０（９０度＝１００％）、メーカーから提供される弁特性（弁開度、Ｃｖ値）を表１に示す。表１の弁特性は１０度刻みであるため、所望の開度でのＣｖ値を近似曲線から求める。図８に表１の弁特性図を示す。
【００３４】
【表１】
0006377551.tif 000002
【００３５】
近似曲線は、式［Ｃｖ％＝ＲＬ−１］の「Ｒ」を適切に設定することで求める。使用する弁角度領域として、ここでは０〜３０度として近似精度を上げる(図８の破線の領域を参照)。試行錯誤を繰り返し、提供されたＣｖ値を結ぶ最適の近似曲線を求める。最適の近似曲線が得られた時の「Ｒ＝８」を採用する。図９に、弁角度０〜３０度において計算されたＣｖ値を示す。
【００３６】
次いで、弁角度を５度に設定し、安全な昇圧速度（閾値として１００ｋＰａ／ｍｉｎ以内）で一次圧（Ｐ１）と二次圧（Ｐ２）とを均圧（Ｐ１＝Ｐ２）にできるか否かを確認する。運転開度は小開度が想定されるので弁角度０〜３０度を１００％開度に設定する。１００％開度のＣｖ１００％値は弁特性から求める。例えば、Ｃｖ１００％値＝５７（弁角度３０度の時のＣｖ値である）、Ｒ＝８、Ｌ＝５とした時のＣｖ値は以下の通り求められる。
（式１）Ｃｖ％＝ＲＬ−１＝８５／３０−１
（式２）Ｃｖ＝Ｃｖ％×Ｃｖ１００％＝０．１７７×５７＝１０．１
【００３７】
次いで、上記で求めたＣｖ値（１０．１）にて、下記式を用いて時間単位毎の二次圧力（Ｐ２）及び昇圧速度を計算する。
（式３）Ｑ＝２．７８５×Ｃｖ／√［Ｇ×Ｔ／ΔＰ（Ｐ１＋Ｐ２）］  但しΔＰ＜０．５Ｐ１  
（式４）Ｑ＝Ｃｖ×２．４１２×Ｐ１／√（Ｇ×Ｔ）  但しΔＰ≧０．５Ｐ１
（式５）Ｐ２（ｔ）＝Ｐ２（ｔ−ｄｔ）×（ＶＴ（ｔ−ｄｔ）＋Ｑ（ｔ−ｄｔ）×（ｄｔ／３６００）／ＶＴ（ｔ−ｄｔ）
なお、上記式３、式４は、下記のＣｖ計算式（ＦＣＩの式）から導くことができる。
Ｃｖ＝Ｑ／２．７８５×√［（Ｇ×Ｔ）／ΔＰ（Ｐ１＋Ｐ２）］  但しΔＰ＜０．５Ｐ１
Ｃｖ＝Ｑ×√（Ｇ×Ｔ）／（２．４１２×Ｐ１）          但しΔＰ≧０．５Ｐ１
ここで、Ｇは標準状態の比重（空気＝１）、Ｐ１は弁入口圧（ｋＰａ  ａｂｓ）、Ｐ２は弁出口圧（ｋＰａ  ａｂｓ）、ΔＰは弁差圧（Ｐ１−Ｐ２）、Ｑは体積流量（Ｎｍ３／ｈ）（標準状態０℃、１０１ｋＰａ  ａｂｓ）、ｄｔは昇圧時間（秒）、ＶＴ（ｘ）は設備保有ガス量（Ｎｍ３）、Ｑ（ｔ）はｔ秒後のガス供給量（Ｎｍ３）、Ｐ２（ｘ）は設備圧力（二次圧）である。
【００３８】
図１０に上記計算結果に基づく昇圧速度を示す。その結果、昇圧速度が閾値（例えば１００ｋＰａ／ｍｉｎ）以下であるため、弁角度５度は、設備の安全性を維持するのに適した弁開度であると判断する。これによって弁角度（開度）が求まり、弁角度５度で開度を確実に制限するように、上記弁開度制限機構を弁本体に設置する。
【００３９】
（仕切弁の開操作フロー）
図１１を用いて、仕切弁の開操作方法について説明する。まず、上記の通り所定開度（弁角度）を設定する（ステップＳ１）。次いで、仕切弁のフランジ６０に弁開度制限機構を取り付ける（ステップＳ２）。レバー５０を回転させて、所定角度（５度）になるか確認をすることが好ましい。
【００４０】
次に、加圧ガスを仕切弁を開けて下流へ供給する時に、ピストン２１を遠位前進位置Ｙ１にセットする（ステップＳ１０）。レバー５０をピストン２１に当接するまで回転させる（第１開操作ステップＳ１１）。加圧ガス流が弁に当たることで、レバー５０がピストン２１に当接する方向に力が作用しているため、手をレバー５０から離してもピストン２１に当接したまま固定される。
【００４１】
一次圧と二次圧の差圧を測定する。差圧（Ｐ１−Ｐ２）が０．１ＭＰａ以下であるか否かを判断する（ステップＳ１２）。差圧の測定方法として、仕切弁を挟んで設置される差圧計の指示値を測定してもよく、１次圧側（弁入口）の圧力計の指示値と、二次圧側（弁出口）の圧力計の指示値とから差圧を測定してもよい。
【００４２】
差圧（Ｐ１−Ｐ２）が０．１ＭＰａ以下である場合、ピストン２１を後退位置Y2にセットする（制限解除ステップＳ１３）。次いで、レバー５０を回転し、弁をさらに開ける（第２開操作ステップＳ１４）。
【００４３】
（別実施形態）
上記実施形態では、シリンダ２０、ピストン２１、スプリング２５、ピン３０などの構成によって、レバー５０の回転を所定開度で簡単かつ確実に制限する構成であったが、本発明はこれに制限されない。例えば、シリンダとピストンとピンを有し、シリンダにはピストンの移動方向に対し垂直方向に挿通する挿通部と、ピストンには第１挿通孔と第２挿通孔が形成され、ピンが挿通部と第１挿通部に挿入されたとき、ピストン先端が遠位前方位置にセットされ、ピンが挿通部と第２挿通部に挿入されたとき、ピストン先端が後退位置にセットされる構成でもよい。この場合において、シリンダ内部に付勢手段が組み込まれていてよく、組み込まれていなくても良い。
【符号の説明】
【００４４】
１０    プレート
２０    シリンダ
２１    ピストン
２５    スプリング
３０    ピン
５０    レバー
６０    フランジ
【図１】
0006377551.tif 000003
【図２】
0006377551.tif 000004
【図３】
0006377551.tif 000005
【図４】
0006377551.tif 000006
【図５】
0006377551.tif 000007
【図６】
0006377551.tif 000008
【図７】
0006377551.tif 000009
【図８】
0006377551.tif 000010
【図９】
0006377551.tif 000011
【図１０】
0006377551.tif 000012
【図１１】
0006377551.tif 000013