(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
それぞれが少なくとも１つの製品に対応する基板上の複数の領域に対して一括して前記製品に係る製品パターンでパターン形成を行うインプリント装置であって、
前記パターン形成を行うインプリント部と、
前記インプリント部の動作を制御する制御部と、を含み、
前記制御部は、前記複数の領域のうちの一部の領域に異物又は欠けが存在する場合、該一部の領域に対応する領域に前記製品パターンとは異なる別パターンを有し且つ該一部の領域とは異なる領域に対応する領域に前記製品パターンを有する型で前記パターン形成を行うように前記動作を制御することを特徴とするインプリント装置。
【請求項２】
前記別パターンは、前記製品パターンに欠陥が生じてなるパターンを含むことを特徴とする請求項１に記載のインプリント装置。
【請求項３】
前記型は、前記基板にマークを形成するためのパターンを前記別パターンに関して有することを特徴とする請求項１又は２に記載のインプリント装置。
【請求項４】
前記制御部は、前記異物又は欠けに係る情報と各型の前記別パターンに係る情報とに基づいて、前記複数の領域に前記パターン形成を行う型を選択することを特徴とする請求項１乃至３のうちいずれか１項に記載のインプリント装置。
【請求項５】
前記複数の領域のそれぞれは、前記基板上に形成されたチップ領域又はショット領域であることを特徴とする請求項１乃至４のうちいずれか１項に記載のインプリント装置。
【請求項６】
前記基板上の異物を検査する検査部を含むことを特徴とする請求項１乃至５のうちいずれか１項に記載のインプリント装置。
【請求項７】
前記型の欠陥を検査する検査部を含むことを特徴とする請求項１乃至６のうちいずれか１項に記載のインプリント装置。
【請求項８】
前記インプリント部を複数含み、
前記制御部は、前記別パターンの存在する領域が互いに異なる複数の型を前記複数のインプリント部にそれぞれ保持させ、前記異物の情報に基づいて、前記複数のインプリント部のうち前記複数の領域に前記パターン形成を行うインプリント部を選択することを特徴とする請求項１乃至７のうちいずれか１項に記載のインプリント装置。
【請求項９】
それぞれが少なくとも１つの製品に対応する基板上の複数の領域に対して一括して前記製品に係る製品パターンでパターン形成を行うインプリント方法であって、
前記複数の領域のうちの一部の領域に異物又は欠けが存在する場合、該一部の領域に対応する領域に前記製品パターンとは異なる別パターンを有し且つ該一部の領域とは異なる領域に対応する領域に前記製品パターンを有する型で前記パターン形成を行うことを特徴とするインプリント方法。
【請求項１０】
前記別パターンは、前記製品パターンに欠陥が生じてなるパターンを含むことを特徴とする請求項９に記載のインプリント方法。
【請求項１１】
前記型は、前記基板にマークを形成するためのパターンを前記別パターンに関して有することを特徴とする請求項９または１０に記載のインプリント方法。
【請求項１２】
前記異物又は欠けに係る情報と各型の前記別パターンに係る情報とに基づいて、前記複数の領域に前記パターン形成を行う型を選択することを特徴とする請求項９乃至１１のうちいずれか１項に記載のインプリント方法。
【請求項１３】
前記複数の領域のそれぞれは、前記基板上に形成されたチップ領域又はショット領域であることを特徴とする請求項９乃至１２のうちいずれか１項に記載のインプリント方法。
【請求項１４】
請求項１乃至８のうちいずれか１項に記載のインプリント装置又は請求項９乃至１３のうちいずれか１項に記載のインプリント方法を用いてパターン形成を基板に行う工程と、
前記工程で前記パターン形成を行われた前記基板を処理する工程と、
を含むことを特徴とする物品の製造方法。
【請求項１５】
それぞれが少なくとも１つの製品に対応する基板上の複数の領域に対して一括して前記製品に係る製品パターンでパターン形成を行うインプリント方法をコンピュータに実行させるプログラムであって、
前記インプリント方法は、
前記複数の領域のうちの一部の領域に異物又は欠けが存在する場合、該一部の領域に対応する領域に前記製品パターンとは異なる別パターンを有し且つ該一部の領域とは異なる領域に対応する領域に前記製品パターンを有する型で前記パターン形成を行う、
ことを特徴とするプログラム。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、パターン形成を基板に行うインプリント装置及び方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
インプリント装置は、基板ステージ、樹脂の塗布機構、インプリントヘッド、光照射系および位置決め用のアライメントマーク検出機構を有する。インプリント動作は、周知の露光装置のようにステップ・アンド・リピート形式で行われうる。
【０００３】
インプリント技術の半導体への応用では先ずメモリ素子への適用が考えられている。メモリ素子は大量生産によるコスト削減が課題であり、コスト削減に対する最も効果的な手法が微細化であった。インプリント技術は微細加工能力に優れており、メモリ素子の要求に最も適合している。一方、インプリント処理の欠陥は、半導体生産の歩留まりを低下させる大きなリスクとなっている。マスクに発生する欠陥の例としては、ウエハに付着したパーティクルによって引き起こされるマスクの破損や、硬化した樹脂からマスクを引き剥がす時に硬化した樹脂の一部がマスクに残留する目詰まりがある。これらマスクの欠陥は、インプリント処理を施す後続のショット領域に転写欠陥（繰り返し欠陥）を継続的に引き起こすことになる。特許文献１では、ダミーウエハを用いて型に付着したパーティクルを除去する方法が提案されている。具体的には、ダミーウエハ上に光硬化性樹脂に対する密着性が高いパーティクル除去膜を塗布し、その上に光硬化性樹脂を塗布してインプリントする、これにより、型に付着したパーティクルを光硬化性樹脂内に取り込んで型から除去する。また、特許文献２では、ウエハ上に型を破損するおそれのある異物が発見された場合、異物を含んだショット領域にインプリント処理を施してもよいダミーの型に切り替えてインプリント処理を行う方法が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００９−２６６８４１号公報
【特許文献２】特開２０１０−０６９７６２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
特許文献２に開示されているようなダミーの型でインプリント処理を行った場合、ショット領域全体がダミーの型でインプリントされる。そのため、１ショット領域に複数チップ分のパターンの領域を有する場合、異物が１つのチップパターン上にのみ存在したとしても、異物の存在しないチップパターンまでがダミー型でインプリント処理されることになる。よって、特許文献２の方法は、製品（チップ等）の歩留まりの点で改善の余地があるといえる。
【０００６】
本発明は、スループットと歩留まりとの両立に有利なインプリント技術を提供することを例示的目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の一側面は、それぞれが少なくとも１つの製品に対応する基板上の複数の領域に対して一括して前記製品に係る製品パターンでパターン形成を行うインプリント装置に係り、前記パターン形成を行うインプリント部と、前記インプリント部の動作を制御する制御部とを含み、前記制御部は、前記複数の領域のうちの一部の領域に異物又は欠けが存在する場合、該一部の領域に対応する領域に前記製品パターンとは異なる別パターンを有し且つ該一部の領域とは異なる領域に対応する領域に前記製品パターンを有する型で前記パターン形成を行うように前記動作を制御することを特徴とする。
【発明の効果】
【０００８】
本発明によれば、例えば、スループットと歩留まりとの両立に有利なインプリント技術を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】実施形態におけるインプリント装置の構成を示す図。
【図２】ウエハ上に転写される１ショットのパターンの例を示す図。
【図３】図２の１チップ内の拡大図。
【図４】マスクパターンの上面図（左図）と断面図（右図）。
【図５】マスクの欠陥の例を示す図。
【図６】ウエハ上の異物を検査する方法を説明する図。
【図７】6チップ構成のマスクの欠陥の例を示す図。
【図８】フルフィールドとパーシャルフィールドの両方が存在するウエハ周辺部のショットレイアウトの例を示す図。
【図９】クラスタ構造のインプリント装置の例を示す図。
【図１０】インプリント処理におけるマスク選択制御のフローチャート。
【図１１】インプリント処理におけるマスク選択制御のフローチャート。
【図１２】ダミーパターンが入ったマスクの構成を説明する図。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
以下、図面を参照して本発明の好適な実施形態について詳細に説明する。なお、本発明は以下の実施形態に限定されるものではなく、本発明の実施に有利な具体例を示すにすぎない。また、以下の実施形態の中で説明されている特徴の組み合わせの全てが本発明の課題解決のために必須のものであるとは限らない。
【００１１】
以下の実施形態では、主に半導体素子のインプリントリソグラフィ向けのマスクを用いたインプリント装置の例を説明する。実施形態におけるインプリント方法は、前述したジェット・アンド・フラッシュ式インプリントリソグラフィ（ＪＦＩＬ）方式がベースとなっている。図１は本実施形態におけるインプリント装置１００の構成を示す図である。インプリント装置１００は、本実施形態では、樹脂（レジスト）硬化法として、紫外線の照射によって樹脂を硬化させる光硬化法を採用するが、これに限定されるものではなく、例えば熱硬化性レジストを用い熱硬化法を採用することもできる。
【００１２】
マスクＭのウエハＷと対向するメサ（パターン面）には、ウエハＷに供給されたレジストに転写すべき製品パターンが形成されている。製品パターンは例えば、矩形形状の外形を有し、紫外線を透過する材料（石英など）の型で構成される。マスク保持部１０１は、真空吸引力又は静電気力によってマスクＭを保持する。マスク保持部１０１は、マスクＭをｚ軸方向に駆動する駆動機構を含み、ウエハＷの上にディスペンサ１０５によって塗布された未硬化のレジストに製品パターンを適切な力で押し付ける。その後、紫外線照射部１０２は紫外線を反射ミラー１０３を介して照射してレジストを硬化させ、続いてウエハＷの上の硬化したレジストから製品パターンを剥離（離型）する。また、反射ミラー１０３とマスクＭとの間の光路付近にはアライメント光学系１０６が配される。制御部１１０は、ＣＰＵやメモリなどを含み、インプリント装置１００の各部の動作を制御する。
【００１３】
基板であるウエハＷは例えば、単結晶シリコンウエハやＳＯＩ（Ｓｉｌｉｃｏｎ  ｏｎ  Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ）ウエハなどを含む。ウエハステージ１０４は、ウエハＷを保持する基板チャックと、アライメント光学系１０６を用いて製品パターンとウエハとの位置合わせ（アライメント）を行うための駆動機構とを含む。かかる駆動機構は、例えば、粗動駆動系と微動駆動系とで構成され、ｘ軸方向及びｙ軸方向にウエハを駆動する。
【００１４】
ウエハＷには、マスクＭのメサ（パターン面）に形成された製品パターンが転写される。ウエハＷのインプリント処理が行われる領域には、予めディスペンサ１０５からレジストの細粒（ドロップ）が滴下される。インプリントシーケンスにおいてはレジストが塗布されたウエハ上のショット（shot）領域に対してマスクのパターン面を近づける。なお本明細書において、一括してインプリントされる領域のことを「ショット領域」と呼ぶ。なお、一括してインプリントされる複数の領域の各々がチップ領域であってもよいし、さらにはショット領域であってもよい。ドロップされたレジストは、マスクのパターン面に接触するとショット領域のＸＹ方向に拡がり、マスクのパターン面を毛細管力で引き寄せる。こうして、マスクの凹凸が反転したパターンがウエハ上に形成される。
【００１５】
次に、マスクとウエハ上のショットの構成について説明する。図２に、ウエハ上に転写される１ショットの製品パターンの例を示す。この例では、同一のパターンが例えば６チップ分配置されている。１チップ内は、チップ内パターン（メモリ製品では、メモリセル、センスアンプ、周辺回路等のパターン）とスクラブラインから構成され、スクラブライン内には、アライメントマークとモニタマークが配置されている。
【００１６】
図３に、１チップ内の構成を拡大して示す。通常、チップに隣接して、その四隅にアライメントマークとモニタマークが配置されており、アライメントマークは事前の工程で予め形成され、そのマークの上に必要な膜が形成される。また、モニタマークは前工程との位置合わせの結果の出来栄えが判るように配置されている。すなわち、本インプリント工程で形成されたマークと前工程で形成されたマークとの位置を比較することで、位置合わせが所定精度内に収まっているか否かを判断することができる。更に、次工程でも本工程と同様にアライメントが必要となる。そのため、本工程で、次工程での位置合わせのために必要なアライメントマークの形成と、次工程と本工程との位置合わせの精度が条件を満足しているかを確認するためのモニタマークの形成が必要になる。
本実施形態におけるインプリント装置の構成は概ね以上のとおりであり、インプリント装置１００は、それぞれが少なくとも１つの製品に対応する基板上の複数の領域に対して一括して製品に係る製品パターンでパターン形成を行う。
【００１７】
図４において、（ａ）はマスクパターンの上面図、（ｂ）、（ｃ）は断面図の例を示す。（ａ）の上面図には、図２及び図３と同様に、6チップ構成の例が示されている。（ｂ）、（ｃ）の断面図は、上面図（ａ）のＡ-Ａ’断面を示している。マスクはマスク基板と、マスク基板を一部加工したメサ部から構成され、更にメサ部には微細パターンが描画されている。Ａ−Ａ’断面において、図３で説明したように、１チップ内が、チップ内パターンとそれに関して隣接するスクラブライン（アライメントマークとモニタマークを形成するためのパターン）とから構成されている。そのため、マスク断面においても、同様に（ｃ）に示すような構成になる。微細化のレベルはチップ内パターンのパターンに比べると、スクラブライン上のアライメントマークとモニタマークは比較的、線幅が緩い（太い）ことが一般的である。
【００１８】
図５に、マスクの欠陥の例を示す。図５は、図４右下図に示すマスクパターン断面図のメサ部セルパターンを拡大したものである。図５（ａ）は正常なパターンを示す。図５（ｂ）は、硬化した樹脂から型を引きはがす時に硬化した樹脂の一部がマスクに残留する目詰まりを示す。図５（ｃ）は、ウエハに付着したパーティクルによって引き起こされるマスクパターンの破損を示す。これらのマスク欠陥は、インプリント処理を施す後続のショット領域に転写欠陥（繰り返し欠陥）を継続的に引き起こし、不良チップを作り出す原因となる。
【００１９】
次に、制御部１１０によるインプリント制御の具体的な内容について説明する。
まず、マスクは予め、そのマスク上に存在する欠陥がどの座標にあるかをマスク欠陥検査で確認されているものとする。次に、インプリントされるウエハはインプリントの前に、ウエハ異物検査装置（異物検査部）で、ウエハ上のどの位置に異物が存在するかの検査を実施する。また、その座標が、インプリントを行うショットとチップのどのＮｏに相当するかが確認されているのものとする。
【００２０】
ウエハ上の異物検査は、例えばウエハ異物検査装置によりレーザー光を用いて行われる。ウエハ上に異物がない場合には、図６（ａ）に示されるように、ウエハに入射したレーザー光は入射角と等しい角度の反射角で反射し、予め設けられている受光ディテクタＢに集光される。一方、ウエハ上に異物が存在する場合には、図６（ｂ）に示されるように、異物から反乱光が反射され、受光ディテクタＢの近傍に設けられた受光ディテクタＡ及びＣにも集光される。ウエハ全面をステージのＸ，Ｙ移動及びθ回転などで上記のような異物検査を行うことで、ウエハ上の異物の位置座標を確認することができる。受光ディテクタが受ける信号強度などにより、異物のサイズを分別することも可能である。
【００２１】
図７は、6チップ構成のマスクにおける欠陥の例を示している。左図（マスクA）ではチップ3の領域のみが欠陥がなく、チップ1,2,4,5,6の領域において、マスクパターンが図５（ｂ）のように異物が詰まり除去できない、又は図５（ｃ）のようにパターンが欠損している状態を示す。このマスクでインプリントを行うと、ウエハ上に欠陥が転写されてしまうことになる。また、右図（マスクＢ）では、チップ1,2,3,5,6の領域には欠陥がなく、チップ4の領域にのみ欠陥があることを示す。通常、インプリントを繰り返すとマスクは局所的に破損する傾向にある。しかし、高価なマスクを数カ所の破損で廃却することは、生産性や採算性を著しく落とすことになる。そこで本実施形態では、破損したマスクを有効活用できる方策を提案する。
【００２２】
以下、インプリントを行う際に、どのようにマスクを使い分けるかを述べる。ウエハ異物検査装置でインプリントを行いたいウエハのショット領域に異物がないことが判っていれば、正規の欠陥のないマスクを用いてインプリントを行う。一方、ウエハ異物検査装置で一部の領域（例えばチップ4に対応する領域）に異物が検出された場合、非正規のマスク（図７のマスクＢ）でインプリントを行う。この非正規のマスクは、上記一部の領域に対応する領域に製品パターンとは異なる別パターンを有し、それ以外の領域には製品パターンを有する型である。これは、正規のマスクでインプリントを行うと正規マスクのメサ部のパターンが図５（ｂ）又は（ｃ）のように欠陥が生じ、以降のインプリント時のチップ4の領域に共通欠陥を発生させてしまう可能性があるからである。
【００２３】
このようにマスクを使い分ければ、ウエハ上の異物が原因でマスクパターンを破損して新たなにマスクに欠陥を発生させることがあっても、すでに欠陥があるチップ内で追加発生させるだけで済む。そのため、後続のショットに共通欠陥の影響を与えることはない。
【００２４】
次に、ショット領域にウエハの周縁部が含まれないフルフィールド（full field）でのショットと、ショット領域にウエハの周縁部が含まれるパーシャルフィールド（partial field）でのショットとでマスクを使い分ける例を示す。パーシャルフィールドにおいては製品パターンの一部がウエハからはみ出すのでウエハに転写されない。本明細書においてはこの状態を「欠け」という。ウエハの周辺では、下地膜や、レジストとの密着性を向上させるために塗布した密着性強化剤のウエハの周辺の形状に沿った盛り上がり（凸部）があり、また、ウエハの周縁部ではウエハ中央部より異物が多く、事前の異物検査装置で検出できない領域がある。そのため、正規のマスクでパーシャルフィールドのインプリント行うと、マスクパターンを破損してしまう可能性が高くなる。図８にフルフィールドとパーシャルフィールドの両方が存在するウエハ周辺部のショットレイアウトを示す。ここでは、R1C1,R2C1,R2C2の3ショットはフルフィールド、R1C2,R1C3,R2C3の3ショットはパーシャルフィールドである。R1C1,R2C1,R2C2のフルフィールドの3ショットはウエハ上に異物がないことが事前の検査で分かっていれば、正規のマスクでインプリントを行う。一方、R1C2,R1C3,R2C3のパーシャルフィールドの3ショットは、前述の通り、正規のマスクでインプリントを行うと、マスクパターンを破損してしまう可能性があるため、すでに破損したパターンがある別のマスクを用いてインプリントを行う。
【００２５】
図８のR1C2のショットでは、チップ4が、その一部がウエハの外側となるパーシャルチップであることから、チップ4をインプリントする際にマスクパターンを破損する可能性がある。そのため、R1C2のショットでは、チップ4がすでに破損したマスク（図７のマスクＢ）を使う。また、R1C3のショットでは、チップ3以外はパーシャルチップまたは全く無効なチップのため、チップ3だけが問題なく、それ以外は破損している図７のマスクＡを使う。上記では、マスクＡ及びＢの２通りの例を紹介したが、これは一例にすぎない。例えば、有効チップ（無欠陥チップ）が判っているマスクと有効チップ(異物がないチップ)が判っているウエハであれば、それぞれの組み合わせを設けることで、ショット毎に最も適したマスクを使用することができる。
【００２６】
図９に、インプリント部を複数含む構成、すなわち、複数のチャンバ（Chamber）があるクラスタ構造のインプリント装置の例を示す。図９では8個のチャンバに加えて、ウエハ異物検査装置を含む構成を示す。ウエハ異物検査装置は図６で示したような装置で、それがこのクラスタ型のインプリント装置に含まれている。以下、このクラスタ構造でインプリントを実施する例を示す。
【００２７】
この場合、別パターンの存在する領域が互いに異なる複数の型を上記複数のインプリント部にそれぞれ保持させる。制御部は、受信した異物の情報に基づいて、複数のインプリント部のうちパターン形成を行うインプリント部を選択する。例えば、Chamber 1では、事前のウエハの異物検査で全く問題がなかったショットのみをインプリントを行い、その際には正規の欠陥のないマスクが適用される。以降、例えばChamber 2では、ショット4で異物があると判っているショットのみのインプリントを行う。また、Chamber 3では、パーシャルフィールドで図８のR1C3のようなチップ3のみが有効でかつ異物がないことが判っているショットのインプリントを行う。ウエハの異物検査後、chamber 1で異物のないフルフィールドをインプリントした後、まだインプリントされていないショットをインプリントするために、相応しいマスクがあるチャンバに入ることを繰り返する。こうして、ウエハ全面のインプリントを完了する。ここで、生産性の観点から、単位時間当たりのインプリントウエハ枚数が最大になるように、チャンバに準備するマスクを変更し、必要であれば、正規なマスクを複数のチャンバに準備する。また、相応しいマスクが存在しない場合には、異物検査の粒径から判断して最適に近いマスクでインプリントを行うことも可能である。
【００２８】
図１０に、本実施形態におけるインプリント処理に係るフローチャートを示す。ウエハの異物検査を行った後、処理はフルフィールドショットと、パーシャルフィールドショットに分かれる。フルフィールドショットの場合、ウエハから異物が検出されなければ、正規マスクのチャンバを選択してインプリントを行う。ウエハから異物が検出された場合は、ウエハのどのショットのどのチップに対応する領域に異物があるかを特定して、予め登録されているマスクの中から相応しいマスクと、そのマスクが準備されているチャンバを選択する。そして、その選択されたチャンバとマスクでインプリントを行う。また、パーシャルフィールドショットの場合、ウエハのどのショットのどのチップに対応する領域に異物があるかを特定にして、予め登録されているマスクの中から相応しいマスクとそのマスクが準備されているチャンバを選び、その条件でインプリントを行う。
【００２９】
ウエハの異物検査を行い、マスク破損を防ぐ手段をとったとしても、例えば、異物検査後に付着した異物を挟んでインプリントを行い、マスクパターンが破損する場合もありうる。そのために、マスクは使用する度に欠陥検査部でパターン欠陥検査を行い、新たな破損個所が検出された場合には登録を修正する必要がある。図１１はその際のマスク選択制御に関するフローチャートである。事前に登録しているマスク情報をベースに、そのマスクでインプリントしたウエハの最終ショットと最終ショットの前のパターンを比較して、新たに共通欠陥が発生していないかを確認する。ここで、最終ショットと、最終ショットの前のショットの同一座標にパターン欠陥がある場合には共通欠陥と定義する。その欠陥情報から、存在する共通欠陥を、事前に登録しているマスク欠陥情報と比較し、座標が一致しているかを確認する。それらが一致していれば、登録をし直す必要はないが、事前登録にない共通欠陥がある場合には、マスク洗浄後にマスクパターンを欠陥検査部で検査する。そして、事前登録にない欠陥がマスクにある場合には、再登録を行い、そのマスクの情報を更新して、次回以降、相応しい条件でインプリントするための準備をしておく。
【００３０】
また、ここでは破損したマスクを使用する対象にしているが、予め、特定個所をダミーパターンにして、マスクコストを下げることも可能である。図１２では、特定のチップ（図３のチップ4に相当）のチップ内パターンをダミーパターンとして予め作成しておく。これによりマスク描画に必要となるコストを下げることができる。図３のチップ4上に異物がある場合や、図８のR1C2やR2C3のようなパーシャルショットをインプリントする際に、チップ4が破損したマスクを使用する代わりに、チップ4のみをダミーパターンにしたマスクを使用することも可能である。ただし、図３で示したように、次工程で必要となるアライメントマークとモニタマークはチップ４の中に配置させておく必要がある。そのため、ダミーパターンとするのはチップ内パターンのみであり、スクラブライン内のパターンについては、正規マスクと同様にマスク上に描画しておく必要がある。
【００３１】
本発明は、上述の実施形態の１以上の機能を実現するプログラムを、ネットワーク又は記憶媒体を介してインプリント装置に供給し、インプリント装置内のコンピュータにおける１つ以上のプロセッサがプログラムを読み出し実行する処理でも実現可能である。また、インプリント装置と接続された外部のコンピュータが、上述の１以上の機能を実現するプログラムを実行することによっても、本発明を実現可能である。例えばそのような外部のコンピュータは、ウエハの異物の位置の情報、又は当該ショットが欠けを有するショットである場合にはその情報を受信する。そして、その受信した情報に基づいて、インプリント装置に上記実施形態の動作を行わせるためのコマンドを発行する。
【００３２】
＜物品の製造方法＞
本発明の実施形態に係る物品（製品）の製造方法は、例えば、半導体デバイス等のマイクロまたはナノデバイスや微細構造を有する素子等の製品を製造するのに好適である。該製造方法は、インプリント装置を用いてパターン形成を基板に行う工程を含む。さらに、該製造方法は、パターン形成を行われた基板を処理する他の周知の工程（酸化、成膜、蒸着、ドーピング、平坦化、エッチング、レジスト剥離、ダイシング、ボンディング、パッケージング等）を含みうる。本実施形態の物品の製造方法は、従来の方法に比べて、物品の性能・品質・生産性・生産コストの少なくとも１つにおいて有利である。
【符号の説明】
【００３３】
１００：インプリント装置、Ｍ：マスク、Ｗ：ウエハ、１０２：紫外線照射部、１０５：ディスペンサ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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