(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数のアンテナ（１）と、
薄膜状の一対の電極（１１、１８）を含み、磁化方向が固定されたピン層（１４）と、磁化方向が外部磁界に応じて変化するフリー層（１６）と、前記ピン層と前記フリー層との間に配置された中間層（１５）と、を前記一対の電極の間に有し、電気的エネルギーを高周波電力に変換する磁性発振素子を含む複数の磁性発振素子部（２）と、
外部から入力された電気的エネルギーを、少なくとも２つの前記磁性発振素子部へ時間差を設けて出力することにより、前記２つの磁性発振素子部（２−１、２−２）により電気的エネルギーから変換される高周波電力の位相を、互いに異なるものとする変調手段（６）と、を備え、
前記ピン層、前記中間層、前記フリー層で構成される素子の抵抗値は、前記ピン層の磁化方向と前記フリー層の磁化方向との間の角度によって変化し、
前記アンテナは、前記磁性発振素子部により電気的エネルギーから変換された高周波電力が供給されることにより、前記磁性発振素子部の外部の空間へ電磁波を発信することを特徴とするアンテナ装置。
【請求項２】
複数の前記アンテナのうち少なくとも２つは互いに同じ向きに配置されていることを特徴とする請求項１に記載のアンテナ装置。
【請求項３】
複数の前記アンテナのうち少なくとも一部は格子状に並んで配置されていることを特徴とする請求項１または２に記載のアンテナ装置。
【請求項４】
前記アンテナは、少なくとも１つの前記磁性発振素子と一体的に構成されることを特徴とする請求項１ないし３のいずれか１つに記載のアンテナ装置。
【請求項５】
複数のアンテナ（１）と、
薄膜状の一対の電極（１１、１８）を含み、磁化方向が固定されたピン層（１４）と、磁化方向が外部磁界に応じて変化するフリー層（１６）と、前記ピン層と前記フリー層との間に配置された中間層（１５）と、を前記一対の電極の間に有し、電気的エネルギーを高周波電力に変換する磁性発振素子を含む複数の磁性発振素子部（２）と、を備え、
前記ピン層、前記中間層、前記フリー層で構成される素子の抵抗値は、前記ピン層の磁化方向と前記フリー層の磁化方向との間の角度によって変化し、
前記アンテナは、前記磁性発振素子部により電気的エネルギーから変換された高周波電力が供給されることにより、前記磁性発振素子部の外部の空間へ電磁波を発信し、
複数の前記アンテナのうち少なくとも２つは互いに異なる向きに配置されており、
前記アンテナは、少なくとも１つの前記磁性発振素子と一体的に構成されることを特徴とするアンテナ装置。
【請求項６】
前記アンテナは、少なくとも１つの前記磁性発振素子と別部材で構成され、前記アンテナと別部材で構成された前記磁性発振素子の少なくとも１つにおいて、前記一対の電極を構成する２つの電極のいずれか一方が、前記アンテナと接合されていることを特徴とする請求項４または５に記載のアンテナ装置。
【請求項７】
少なくとも１つの前記磁性発振素子において、前記一対の電極を構成する２つの電極のいずれか一方により前記アンテナが構成されていることを特徴とする請求項４または５に記載のアンテナ装置。
【請求項８】
前記磁性発振素子は基板（１０）上に形成され、少なくとも１つの前記磁性発振素子において、前記一対の電極を構成する２つの電極のいずれか一方が前記基板により構成されていることを特徴とする請求項１ないし７のいずれか１つに記載のアンテナ装置。
【請求項９】
１つの前記アンテナにつき１つの前記磁性発振素子部を備えることを特徴とする請求項１ないし８のいずれか１つに記載のアンテナ装置。
【請求項１０】
放物線を対称軸まわりに回転させて形成される放物面上に複数の前記磁性発振素子部を配置したことを特徴とする請求項１ないし９のいずれか１つに記載のアンテナ装置。
【請求項１１】
前記アンテナと前記磁性発振素子部により構成される電気回路において、電流の経路が、直線状の穴（８）を囲むＵ字状の経路を含むことにより、スリットアンテナが構成されていることを特徴とする請求項１ないし１０のいずれか１つに記載のアンテナ装置。
【請求項１２】
前記磁性発振素子部それぞれには、複数の前記磁性発振素子が含まれることを特徴とする請求項１ないし１１のいずれか１つに記載のアンテナ装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、任意の方向に電磁波を発信するアンテナ装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来、アンテナを複数備える等の方法により、任意の方向に電磁波を発信するアンテナ装置が活用されている。
【０００３】
例えば特許文献１に示されるフェーズドアレイレーダ装置では、増幅器と高周波の移相器を備えた送信モジュールを各アンテナに接続し、各アンテナから発信される電磁波の位相を変化させることにより、アンテナから発信される電磁波全体の指向性を変化させている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２０１０−１４７６７３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、高精度な高周波の移相器は一般的に大型であり、高価でもある。そのため、このような高周波の移相器を備えた送信モジュールを用いたアンテナ装置であって、アンテナから発信される電磁波全体の指向性を高精度に制御できるものは、大型であり、高価でもあるという問題があった。
【０００６】
本発明は上記点に鑑みて、高周波の移相器等の、高周波回路を各アンテナから発信される電磁波の位相の調整に使用することを回避し、小型化できるアンテナ装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記目的を達成するため、請求項１に記載の発明では、複数のアンテナ（１）と、薄膜状の一対の電極（１１、１８）を含み、磁化方向が固定されたピン層（１４）と、磁化方向が外部磁界に応じて変化するフリー層（１６）と、ピン層とフリー層との間に配置された中間層（１５）と、を一対の電極の間に有し、電気的エネルギーを高周波電力に変換する磁性発振素子を含む複数の磁性発振素子部（２）と、外部から入力された電気的エネルギーを、少なくとも２つの磁性発振素子部へ時間差を設けて出力することにより、２つの磁性発振素子部（２−１、２−２）により電気的エネルギーから変換される高周波電力の位相を、互いに異なるものとする変調手段（６）と、を備え、ピン層、中間層、フリー層で構成される素子の抵抗値は、ピン層の磁化方向とフリー層の磁化方向との間の角度によって変化し、アンテナは、磁性発振素子部により電気的エネルギーから変換された高周波電力が供給されることにより、磁性発振素子部の外部の空間へ電磁波を発信することを特徴とする。
【０００８】
これによれば、複数の磁性発振素子部により電気的エネルギーを高周波電力に変換し、各磁性発振素子部が変換する高周波電力の位相を、変調手段によりそれぞれ変化させることができる。そのため、高周波の移相器等の、高周波回路を素子間の位相の調整に用いずに各アンテナで位相が異なる電磁波を発信し、アンテナ装置全体から発信される電磁波の方向を操作することが可能であり、高周波の移相器等の、高周波回路を素子間の位相の調整に使用することを回避し、アンテナ装置を小型で、かつ、安価なものとすることができる。
【０００９】
また、請求項５に記載の発明では、複数のアンテナ（１）と、薄膜状の一対の電極（１１、１８）を含み、磁化方向が固定されたピン層（１４）と、磁化方向が外部磁界に応じて変化するフリー層（１６）と、ピン層とフリー層との間に配置された中間層（１５）と、を一対の電極の間に有し、電気的エネルギーを高周波電力に変換する磁性発振素子を含む複数の磁性発振素子部（２）と、を備え、ピン層、中間層、フリー層で構成される素子の抵抗値は、ピン層の磁化方向とフリー層の磁化方向との間の角度によって変化し、アンテナは、磁性発振素子部により電気的エネルギーから変換された高周波電力が供給されることにより、磁性発振素子部の外部の空間へ電磁波を発信し、複数のアンテナのうち少なくとも２つは互いに異なる向きに配置されており、アンテナは、少なくとも１つの磁性発振素子と一体的に構成されることを特徴とする。
【００１０】
これによれば、少なくとも２つのアンテナを互いに異なる向きに配置し、磁性発振素子部により電気的エネルギーから変換した高周波電力をアンテナに供給することにより、各アンテナで異なる方向に電磁波を発信することができる。そのため、高周波の移相器を用いずに任意の方向へ電磁波を発信することが可能であり、高周波の移相器等の、高周波回路を素子間の位相の調整に使用することを回避し、アンテナ装置を小型で、かつ、安価なものとすることができる。
【００１１】
なお、上記各手段の括弧内の符号は、後述する実施形態に記載の具体的手段との対応関係の一例を示すものである。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１】第１実施形態におけるアンテナ装置を適用した発信システムの全体構成図である。
【図２】第１実施形態におけるアンテナ装置の平面図および断面図である。
【図３】第１実施形態におけるアンテナ装置の断面図である。
【図４】第１実施形態における変調回路の動作を示すグラフである。
【図５】第１実施形態の変形例におけるアンテナ装置の断面図である。
【図６】第２実施形態におけるアンテナ装置の断面図である。
【図７】第２実施形態におけるアンテナ装置の変形例の断面図である。
【図８】第３実施形態におけるアンテナ装置の断面図である。
【図９】第４実施形態におけるアンテナ装置の配置図である。
【図１０】第５実施形態におけるアンテナ装置の配置図である。
【図１１】第５実施形態におけるアンテナ装置の変形例の配置図である。
【図１２】第６実施形態におけるアンテナ装置の斜視図である。
【図１３】第６実施形態におけるアンテナ装置の変形例の斜視図である。
【図１４】他の実施形態における発信システムの全体構成図である。
【図１５】他の実施形態における磁性発振素子および外部磁界印加部の断面図である。
【図１６】他の実施形態における外部磁界の位置依存性を示すグラフである。
【図１７】他の実施形態における磁性発振素子および外部磁界印加部の断面図である。
【図１８】他の実施形態における外部磁界の位置依存性を示すグラフである。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
以下、本発明の実施形態について図に基づいて説明する。なお、以下の各実施形態相互において、互いに同一もしくは均等である部分には、同一符号を付して説明を行う。
【００１４】
（第１実施形態）
本発明の第１実施形態について説明する。ここでは、本発明の第１実施形態が適用されたアンテナ装置を有する発信システムを例に挙げて説明する。本実施形態で説明するアンテナ装置は、例えば自動車に搭載されて車車間通信や路車間通信に用いられるが、携帯電話等の情報通信機器等、自動車以外にアンテナ装置を用いることもできる。また、ミリ波レーダーにアンテナ装置を用いることもできる。ミリ波レーダーは、例えば、ＡＣＣ（アダプティブクルーズコントロール）を行うために、自車と先行車の距離および相対速度を測定するものである。
【００１５】
以下、図１ないし図４を参照して、本実施形態にかかるアンテナ装置について説明する。まず、図１を参照して、本実施形態にかかる発信システムの全体構成について説明する。
【００１６】
発信システムは、アンテナ装置と、電源３、外部磁界印加部４、制御部５を備え、アンテナ装置は、複数のアンテナ１、複数の磁性発振素子部２、変調回路６を備える。また、磁性発振素子部２は、磁性発振素子を有する。変調回路６は、本発明の変調手段に相当する。なお、外部磁界印加部４は、後述するように、磁性発振素子と一体的に構成される場合がある。
【００１７】
アンテナ１は、高周波電力が供給されることにより高周波電磁波を外部へ発信する部分である。高周波電磁波とは、例えば１０ＧＨｚ以上の電磁波である。本実施形態では、アンテナ１は、アンテナ１と磁性発振素子部２に備えられた磁性発振素子を変調回路６に接続するための配線を兼ねている。
【００１８】
磁性発振素子部２は、供給された直流電流・電圧を高周波電力に変換する部分であり、複数の膜が積層されて構成された磁性発振素子を少なくとも１つ備えている。本実施形態では、磁性発振素子部２は、複数の磁性発振素子を備えており、各磁性発振素子部２において、各磁性発振素子は、変調回路６に対して互いに並列に接続されている。磁性発振素子の詳細については後述する。
【００１９】
電源３は、変調回路６を通して、アンテナ１と磁性発振素子部２に備えられた磁性発振素子に直流電流・電圧を供給する装置である。この電源３より供給される直流電流・電圧の大きさに基づいて、磁性発振素子部２に備えられた磁性発振素子より発生させられる高周波電力の周波数が変化する。例えば、電源３が定電圧源であれば、後述する磁性発振素子の抵抗の変化により発生する高周波電流の周波数は、電源３が供給する電圧の大きさにより変化する。また、電源３が定電流源であれば、磁性発振素子の抵抗の変化により発生する高周波電圧の周波数は、電源３が供給する電流の大きさにより変化する。アンテナ１と磁性発振素子部２は１つずつ別々に変調回路６に接続されており、個別に変調回路６によって駆動される。
【００２０】
外部磁界印加部４は、磁性発振素子部２に備えられた磁性発振素子に外部磁界を印加し、磁性発振素子部２に備えられた磁性発振素子により発生する高周波電力の周波数を変化させる部分である。
【００２１】
外部磁界印加部４は、外部磁界発生装置２１と、外部磁界制御電源２２と、磁界制御電源回路２３を有した構成とされている。外部磁界発生装置２１は、ここでは、コイルであり、磁界制御電源回路２３を通して外部磁界制御電源２２から電流が流されることにより、磁界を発生させ、磁性発振素子部２に備えられた磁性発振素子に印加する部分である。
【００２２】
本実施形態では、各磁性発振素子部２に対して２つのコイルが配置されており、２つのコイルは、磁性発振素子部２に備えられた磁性発振素子を構成する複数の膜の膜面面内方向における一方向の両側に配置され、外部磁界を膜面垂直方向に印加する。具体的には、２つのコイルの軸が膜面垂直方向に向けられ、２つのコイルを構成する巻き線に、コイルの軸方向から見て互いに同じ向きに回るように、外部磁界制御電源２２、磁界制御電源回路２３からの電流が流れる。これにより、１つの磁性発振素子部２に対して配置された２つのコイルにおいて、各コイルを同じ向きに通り、磁性発振素子を膜面垂直方向に通る磁界が発生する。そして、それらの磁界が合成されて、２つのコイルの間に置かれた磁性発振素子部２に備えられた磁性発振素子を膜面垂直方向に通る磁界が発生する。
【００２３】
なお、磁性発振素子の膜面面内方向に磁界を印加してもよい。この場合、例えば、上記のように配置したコイルの軸を膜面面内方向の一方向に向け、２つのコイルを構成する巻き線に、コイルの軸方向から見て互いに同じ向きに回るように、外部磁界制御電源２２、磁界制御電源回路２３からの電流を流す。これにより、各コイルにおいて、各コイルを同じ向きに通る磁界が発生し、それらの磁界が合成されて、２つのコイルの間に置かれた磁性発振素子を膜面面内方向の一方向に通る磁界が発生する。
【００２４】
また、コイルを磁性発振素子の膜面垂直方向の一方または両方の外側に配置し、コイルの軸を膜面垂直方向に向け、外部磁界制御電源２２、磁界制御電源回路２３からの電流を流すことで、磁性発振素子の膜面垂直方向に磁界を印加してもよい。
【００２５】
磁界制御電源回路２３は、外部磁界発生装置２１と外部磁界制御電源２２の間に配置され、外部磁界制御電源２２からの電流を調整して、磁性発振素子部２に備えられた磁性発振素子に印加される外部磁界の大きさを調整するものである。
【００２６】
制御部５は、状況に応じて電源３、変調回路６、外部磁界制御電源２２、磁界制御電源回路２３を操作する部分であり、ＣＰＵ、ＲＯＭ、ＲＡＭ等からなる周知のマイクロコンピュータとその周辺回路にて構成されている。制御部５は、電源３、変調回路６、外部磁界制御電源２２、磁界制御電源回路２３に接続されている。
【００２７】
つぎに、図２を参照して、アンテナ１と磁性発振素子部２の配置について説明する。
【００２８】
アンテナ装置はアンテナ１と磁性発振素子部２をそれぞれ複数備えており、図２（ａ）に示すように、１つのアンテナ１に対して１つの磁性発振素子部２が配置されている。また、本実施形態では、図２（ａ）、（ｂ）に示すように、複数のアンテナ１は、互いに同じ向きに、かつ、格子状に並んで配置されている。
【００２９】
各磁性発振素子部２に備えられた複数の磁性発振素子の間には、Ａｌ−Ｏｘ、ＭｇＯ、ＳｉＯ２等で構成された絶縁層が形成され、複数の磁性発振素子は、膜面面内方向においては互いに絶縁されている。
【００３０】
つぎに、図３を参照して、磁性発振素子部２に備えられた磁性発振素子の詳細について説明する。
【００３１】
磁性発振素子は、基板１０上に、下部電極１１、下地層１２、反強磁性層１３、ピン層１４、中間層１５、フリー層１６、キャップ層１７、上部電極１８が順に積層されて構成されている。これらのうち下部電極１１と上部電極１８は、本発明の一対の電極に相当する。なお、図３における上下の向きは、基板１０から下向きに各層が並ぶ向きとされている。
【００３２】
本実施形態では、基板１０は導電性基板であり、例えばＣｕ、Ａｕ等で構成される。基板１０の上には、図示しないＴａ層が形成されている。Ｔａ層は、基板との濡れ性や、下部電極１１以降の層の配向性のために基板１０上に形成されるものである。下部電極１１は、Ｒｕ、Ｃｕ、ＣｕＮ、Ａｕ等の導電性材料で構成されており、図示しないＴａ層上に薄膜状に形成されている。
【００３３】
下地層１２は、Ｔａ、Ｒｕ等で構成されており、下部電極１１上に薄膜状に形成されている。下地層１２は、結晶性、配向性を向上させて反強磁性層１３を成膜するための下地となるものである。
【００３４】
反強磁性層１３は、ＩｒＭｎ、ＰｔＭｎ等で構成されており、下地層１２上に薄膜状に形成されている。反強磁性層１３は、交換結合により、ピン層１４の磁化方向を固定するためのものである。
【００３５】
ピン層１４は、Ｃｏ、Ｆｅ、Ｎｉ等の強磁性材料で、または強磁性材料とＢとで構成されており、反強磁性層１３上に薄膜状に形成されている。反強磁性層１３との交換結合により、ピン層１４の磁化方向は、ここでは、膜面面内方向に固定されている。なお、上記の材料に加え、Ｐｔ、Ｐｄを用いてピン層１４を構成してもよい。また、ＧａＭｎ、ＦｅＰｔ（Ｐｄ）、ＣｏＰｔ（Ｐｄ、Ｎｉ）等の高磁気異方性材料を用いてピン層１４を構成してもよい。
【００３６】
なお、図示しないが、下地層１２と反強磁性層１３との間には、ＮｉＦｅ等で構成される磁性層が形成されている。また、反強磁性層１３とピン層１４との間には、ＣｏＦｅ等で構成される磁性層と、Ｒｕ等で構成され、上下に形成された磁性層の磁化方向をＲＫＫＹ相互作用により固定する層が形成されている。
【００３７】
つまり、反強磁性層１３をＩｒＭｎで構成し、ピン層１４をＣｏＦｅＢで構成する場合、下地層１２と中間層１５に挟まれた層は、下地層１２側から順に、ＮｉＦｅ／ＩｒＭｎ／ＣｏＦｅ／Ｒｕ／ＣｏＦｅＢ等の積層構造とされている。
【００３８】
本実施形態の磁性発振素子は、このように、Ｒｕ等のＲＫＫＹ相互作用を用い、複数の磁性層により構成されたシンセティックフェリ磁性層を含んでいる。シンセティックフェリ磁性層を用いた構成では、Ｒｕを挟んで上下に形成された２つの磁性層の磁化の向きを互いに逆にすることで、これら２つの磁性層からの漏れ磁界がフリー層１６に与える影響を低減することができる。
【００３９】
中間層１５は、ＭｇＯ、Ａｌ−Ｏｘ、Ｃｕ、Ａｇ等で構成され、ピン層１４上に薄膜状に形成されている。ピン層１４の磁化方向とフリー層１６の磁化方向との間の角度によって、ピン層１４、中間層１５、フリー層１６で構成される素子の抵抗値が変化する。中間層１５をＭｇＯ、Ａｌ−Ｏｘ等の絶縁体で構成した場合、ピン層１４、中間層１５、フリー層１６の積層によりＴＭＲ（Ｔｕｎｎｅｌｉｎｇ  Ｍａｇｎｅｔｏ  Ｒｅｓｉｓｔａｎｃｅ）素子が構成される。また、中間層１５をＣｕ、Ａｇ等の導体で構成した場合、ピン層１４、中間層１５、フリー層１６の積層によりＧＭＲ（Ｇｉａｎｔ  Ｍａｇｎｅｔｏ  Ｒｅｓｉｓｔａｎｃｅ）素子が構成される。なお、ここでは中間層１５を絶縁体や導体で構成する場合について説明したが、中間層１５を半導体で構成することもできる。
【００４０】
フリー層１６は、Ｃｏ、Ｆｅ、Ｎｉ等の強磁性材料で、または強磁性材料とＢとで構成されており、中間層１５上に薄膜状に形成されている。フリー層１６は、外部磁界印加部４が発生させる外部磁界によって磁化方向が変化する。なお、上記の材料に加え、Ｐｔ、Ｐｄを用いてフリー層１６を構成してもよい。また、ＧａＭｎ、ＦｅＰｔ（Ｐｄ）、ＣｏＰｔ（Ｐｄ、Ｎｉ）等の高磁気異方性材料を用いてフリー層１６を構成してもよい。また、フリー層１６を、ＣｏＦｅＢ／ＧａＭｎ、ＣｏＦｅＢ／ＦｅＰｔ等の積層構造としてもよい。また、フリー層１６を、ＣｏＦｅＢ／Ｔａ／ＧａＭｎ等の積層構造としてもよい。
【００４１】
キャップ層１７は、Ｔａ、Ｒｕ等で構成されており、フリー層１６上に薄膜状に形成されている。キャップ層１７は、加工の工程においてフリー層１６を保護するためのものである。また、後述するようにフリー層１６にＣｏＦｅＢ等を用いる場合は、ＣｏＦｅＢ中のＢを拡散させるための吸収層としての役割も担う。
【００４２】
上部電極１８は、Ａｕ、Ｃｕ、ＣｕＮ、Ｒｕ等の導電性材料で構成されており、キャップ層１７上に薄膜状に形成されている。このような磁性発振素子は、基板１０上に各層を順に成膜していくことで製造できる。
【００４３】
ピン層１４やフリー層１６にＣｏＦｅＢを用いる場合は、まずＣｏＦｅＢをアモルファス状に成膜する。ただし、Ｂを入れているので、特に何もしなくてもアモルファスとなる。そのアモルファスＣｏＦｅＢ上にＭｇＯを（００１）配向して成膜する。その上にＣｏＦｅＢをアモルファス状に成膜し、キャップ層１７を成膜する。その後、３００〜３５０℃で熱処理を行うことで、ＣｏＦｅＢ中のＢがＭｇＯ層やキャップ層１７、または下地層１２に拡散し、アモルファスからｂｃｃ（００１）配向に結晶化する。このようにＣｏＦｅＢ／ＭｇＯ／ＣｏＦｅＢが結晶化することで、高いＭＲ比（磁気抵抗比）、すなわち高周波電磁波の高出力化につながる。
【００４４】
本実施形態では、アンテナ１と磁性発振素子を一体化している。具体的には、図３に示すように、上部電極１８をアンテナ１に接触させた状態で、磁性発振素子を絶縁樹脂１９で覆うことにより、磁性発振素子とアンテナ１を接合させている。なお、磁性発振素子とアンテナ１を別々に製造する場合、製造工程において、下部電極１１の下には基板１０が必要である。一般的に基板の厚さは数百μｍであるのに対し、上部電極１８の厚さは数十〜数百ｎｍであるので、発振部とアンテナ１との距離を短くするために、本実施形態では、上部電極１８とアンテナ１が接合されている。なお、基板１０は上部電極１８に比べてアンテナ１と密着しやすいため、アンテナ１と磁性発振素子との間に隙間が生じることを抑制するために、基板１０とアンテナ１を接合してもよい。
【００４５】
この場合、磁性発振素子とアンテナ１の間に絶縁樹脂１９が流れ込むと、アンテナ１と磁性発振素子の間の抵抗が増加するため、磁性発振素子とアンテナ１の間に絶縁樹脂１９が流れ込まないように接合することが望ましい。
【００４６】
なお、アンテナ１と上部電極１８をＩｎやはんだ等で接合してもよい。これにより、アンテナ１と磁性発振素子との距離が大きくなるが、アンテナ１と上部電極１８との間に隙間が生じることを抑制することができる。また、アンテナ１と上部電極１８を圧着により接合してもよい。
【００４７】
基板１０に配線を施す前に磁性発振素子とアンテナ１を接合させた場合、絶縁樹脂１９に導通用の穴をあけ、そこに配線を通すことで、図１に示すように、アンテナ１と磁性発振素子を変調回路６に接続することができる。
【００４８】
つぎに、図１ないし図４を参照して、本実施形態にかかる発信システムの動作について説明する。
【００４９】
まず、制御部５から電源３に信号が送られて、電源３と変調回路６によりアンテナ１と磁性発振素子部２の両端に直流電圧が生じ、電源３から変調回路６を通して各アンテナ１および磁性発振素子部２に備えられた磁性発振素子に直流電流Ｉが流される。直流電流Ｉは、ここでは、フリー層１６からピン層１４の向きに流れる。このとき、電子はピン層１４からフリー層１６へ移動する。また、外部磁界印加部４により、磁性発振素子に対して、フリー層１６の磁化方向と平行、または数度ずれた方向に、外部磁界が印加される。ここでは、外部磁界は膜面垂直方向に印加されている。
【００５０】
すると、電子のスピントルクによりフリー層１６の磁化が歳差運動する。ここで、外部磁界をフリー層１６の磁化方向と平行方向、つまりスピン注入磁化反転しない方向に印加しているため、磁化は反転しない。
【００５１】
フリー層１６の磁化が歳差運動することで、ＭＲ効果により磁性発振素子の抵抗は常に変化し、磁性発振素子の両端には高周波電流・電圧が生じており、これによる高周波電力が生じる。つまり、直流電流・電圧が高周波電力に変換される。磁性発振素子部２に備えられた複数の磁性発振素子により生じ、合成された高周波電力がアンテナ１を介することにより、高周波電磁波が発信される。
【００５２】
以上の動作により、各アンテナ１から高周波電磁波が発信されるが、以下説明する変調回路６の動作により、高周波電磁波の位相を各アンテナ１で変化させることができる。変調回路６を用いる場合、位相の制御方法が高周波の移相器等の高周波回路を用いる場合と全く異なる。
【００５３】
高周波の移相器等の高周波回路は、電気的エネルギーが磁性発振素子を介し、高周波電力となってから位相の制御を行う。そのため、高精度な位相の制御には大がかりな装置が必要となる。
【００５４】
これに対し、変調回路６は、電気的エネルギーが磁性発振素子に入力される前、すなわち、電気的エネルギーが直流、もしくは低周波の状態で位相の制御を行う。そのため、変調回路６を用いる場合には、高周波の移相器等の高周波回路を用いる場合と比較し、位相の制御が簡単である。
【００５５】
具体的には、変調回路６は、図４（ａ）に示す電源３からの入力を、磁性発振素子部２のうちの２つ（図中では２−１、２−２と表記する）に備えられた磁性発振素子に対し、図４（ｂ）に示すように、時間φだけ差をつけて出力する。すると、図４（ｃ）に示すように、直流電流・電圧を磁性発振素子部２−１に備えられた磁性発振素子が変換した高周波電力と、磁性発振素子部２−２に備えられた磁性発振素子が変換した高周波電力とで、時間φの分だけ位相に差が生じる。これにより、図４（ｄ）に示すように、磁性発振素子部２−１、２−２に対応する２つのアンテナ（図中では１−１、１−２と表記する）それぞれから発信される高周波電磁波の間に、時間φの分だけ位相の差が生じる。
【００５６】
このように、変調回路６を用いて、磁性発振素子に電気的エネルギーを供給するタイミングを変えることで高周波電磁波の位相を制御できる。電気的エネルギーが直流、もしくは低周波の状態で位相差を設けても、磁性発振素子により変換された高周波電力は、その位相差を受け継ぐため、このような位相の制御が可能である。
【００５７】
各磁性発振素子部２に備えられた磁性発振素子に対する出力について、このように時間差を設けることで、各アンテナ１から発信される高周波電磁波の位相を変化させ、アンテナ装置全体から発信される高周波電磁波の方向を操作することができる。つまり、本実施形態のアンテナ装置を適用した発信システムは、フェーズドアレイアンテナ装置の発信システムとして用いることができる。
【００５８】
つぎに、本実施形態の効果について説明する。
【００５９】
従来のアンテナ装置で任意の方向に電磁波を発信するためには、アンテナを複数備え、増幅器と高周波の移相器を備えた送信モジュールを各アンテナに接続する。そして、各アンテナから発信される電磁波の位相を変化させることにより、アンテナから発信される電磁波全体の指向性を変化させる必要がある。
【００６０】
これに対し、本実施形態のアンテナ装置では、直流電流・電圧を高周波電力に変換する装置として磁性発振素子を用いており、各磁性発振素子部２に備えられた磁性発振素子が変換する交流の位相は、上記のように、変調回路６によりそれぞれ変化させられる。そのため、高周波の移相器等の高周波回路を各磁性発振素子部２間の調整に使わなくとも、直流または変調回路６により出力される低周波の信号で高周波出力が可能であり、任意の方向に電磁波を発信するフェーズドアレイアンテナ装置の発信システムを構成することができる。よって、本実施形態のアンテナ装置では、高価かつ大型である高精度な高周波の移相器を用いる必要がないため、本実施形態のアンテナ装置を、小型で、かつ、安価に製造できる。
【００６１】
また、上記の送信モジュールを用いたアンテナ装置では、高周波の移相器を経由することで送信モジュールの出力信号が減衰する。そこで、減衰した出力信号を増幅するために増幅器が備えられているが、増幅器の駆動には電源が必要であり、また、高周波の移相器の駆動にも電源が必要である。また、高周波の移相器によりビーム形成を行うために、送信モジュール間の振幅誤差および位相誤差を抑えるための回路等が必要である。そのため、高周波の移相器の使用に伴って多くのエネルギーを消費し、システム全体での効率が低下するという問題があった。
【００６２】
これに対し、本実施形態のアンテナ装置では、高周波の移相器を用いる必要がないため、高周波の移相器による出力信号の減衰を回避し、システム全体の効率を向上させることができる。また、高周波の移相器や増幅器のための電源も必要ないので、高周波の移相器の使用に伴うエネルギー消費も回避し、システム全体の効率を向上させることができる。なお、変調回路６を経由しても、変調回路６の経由時は電気エネルギーを高周波電磁波に変換していないため、高周波電磁波信号出力の減衰等の影響は少ない。
【００６３】
なお、金属の平板を複数の磁性発振素子部２と接合させた後に、平板を各アンテナ１の形状に削って各アンテナ１を形成してもよいし、各アンテナ１を別々に製造し、磁性発振素子部２と接合させてもよい。金属の平板を磁性発振素子部２と接合させた後に削る場合、複数のアンテナ１の高さを容易にそろえることができ、アンテナ装置全体から発信される高周波電磁波の方向の制御が容易になる。
【００６４】
また、従来のアンテナ装置では、直流の電気エネルギーを交流に変換するために、コイル、コンデンサ、水晶振動子、半導体素子等複数の部品で変換部を構成し、それらを回路基板上に実装することで基板化して設置している。変換部を基板化すると、変換部にはアンテナを設置する余地が少なくなるため、変換部とアンテナは離して設置されることが多い。そのため、離して設置された変換部とアンテナとの間で導波管等を用いて高周波電力を媒介しており、これにより、高周波電力が大幅に減衰し、システム全体で効率が低下するという問題があった。
【００６５】
これに対し、本実施形態のアンテナ装置が備える磁性発振素子は、上記のように、それのみで直流電流・電圧を高周波電力に変換し、変換部としての役割を果たす。また、磁性発振素子で発生する高周波電力の周波数は、直流電流・電圧の大きさや、外部磁界の大きさや方向により変化するので、これらを変化させることにより、アンテナ１から発信される高周波電磁波の周波数を変化させることができる。そのため、複数の磁性発振素子を有する磁性発振素子部２により構成される変換部は、直流から交流への変換や、変換した交流の周波数の調整のために多くの部品を必要としないので、磁性発振素子部２により構成される変換部とアンテナ１とを容易に接合し、一体化することができる。
【００６６】
本実施形態では、アンテナ１を磁性発振素子部２と一体化させているので、従来のように導波管等で高周波電力を媒介する必要がない。そのため、高周波電力の媒介による減衰を抑制し、システム全体の効率を向上させることができる。
【００６７】
また、従来のアンテナ装置では、高周波電磁波の高出力な発信が必要な場合、高周波増幅器を用いて出力を増幅するため、高周波電磁波経路が増大する、モジュール大きさが増大する、消費電力が増大するという問題があった。
【００６８】
これに対し、本実施形態のアンテナ装置では、集積化された複数の磁性発振素子により磁性発振素子部２が構成されることで、高周波電磁波を高出力化できる。磁性発振素子とアンテナ１との接合面積は、例えば数ｎｍ〜数μｍオーダーと小さいため、集積化しても高周波電磁波経路の増大、モジュール大きさの増大を抑制することができる。また、磁性発振素子は消費電力が小さいため、システム全体の効率を向上させることができる。
【００６９】
なお、本実施形態では基板１０を導電性材料で構成したが、基板１０をＳｉＯ２等の絶縁性材料で構成してもよい。
【００７０】
この場合、図５に示すように、基板１０の上に磁性発振素子を構成する各層を成膜した後、下地層１２、反強磁性層１３、ピン層１４、中間層１５、フリー層１６、キャップ層１７、上部電極１８の膜面面内方向の周囲を囲むように、下部電極１１の上に絶縁膜２０を成膜する。そして、本実施形態と同様に絶縁樹脂１９でアンテナ１と磁性発振素子を接合した後、基板１０を貫通し下部電極１１に達するように導通用の穴をあけ、そこに配線を通す。このようにして、基板１０をＳｉＯ２等の絶縁性材料で構成した変形例においても、磁性発振素子とアンテナ１の一体化が可能である。この変形例においても、上記と同様の効果が得られる。
【００７１】
（第２実施形態）
本発明の第２実施形態にかかるアンテナ装置について、図６を参照して説明する。本実施形態は、第１実施形態に対して、アンテナ１と磁性発振素子部２の構成を変更したものであり、その他に関しては第１実施形態と同様であるため、ここでは説明を省略する。
【００７２】
本実施形態は、基本的な構成は第１実施形態と同様であるが、アンテナ１と磁性発振素子部２に備えられた磁性発振素子が、図６に示す構成とされている。
【００７３】
つまり、基板１０の上の下部電極１１を形成する層がアンテナ１を兼ね、下部電極１１によりアンテナ１が構成されている。また、下部電極１１の上であって、下地層１２、反強磁性層１３、ピン層１４、中間層１５、フリー層１６、キャップ層１７、上部電極１８の膜面面内方向の周囲を囲む位置に、絶縁膜２０が形成されている。本実施形態では、このような構成により、磁性発振素子とアンテナ１を一体化している。
【００７４】
また、本実施形態では、基板１０が絶縁性材料により構成されており、アンテナ１、下部電極１１、上部電極１８が、アンテナ１と磁性発振素子を変調回路６に接続するための配線を兼ねている。このようなアンテナ１と磁性発振素子は、アンテナ基板上に磁性発振素子を構成する各層を成膜し、磁性発振素子をパターニングすることで製造できる。
【００７５】
本実施形態のアンテナ装置においても、第１実施形態と同様の効果が得られる。また、下部電極１１によりアンテナ１を構成することで、発振部とアンテナ１との間に隙間が生じることを抑制できるため、システム全体の効率をさらに向上させることができる。
【００７６】
本実施形態では基板１０を絶縁性材料で構成したが、基板１０を導電性材料で構成してもよい。
【００７７】
基板１０を導電性材料で構成した変形例を図７に示す。この変形例では、基板１０、下部電極１１、アンテナ１が１つの層により構成されており、この層の上に形成された下地層１２、反強磁性層１３、ピン層１４、中間層１５、フリー層１６、キャップ層１７、上部電極１８は、本実施形態と同様に、膜面面内方向の周囲を絶縁膜２０により囲まれている。また、この変形例では、アンテナ１、基板１０、下部電極１１、上部電極１８が、アンテナ１と磁性発振素子を変調回路６に接続するための配線を兼ねている。この変形例においても、上記と同様の効果が得られる。また、この変形例では、高周波電磁波発信方向に基板がないので、高周波電磁波の送信効率が高くなると考えられる。
【００７８】
第１実施形態では、反強磁性層１３以降の層の配向性を向上させるために、基板１０の上に図示しないＴａ層、下部電極１１、下地層１２を順に積層したが、この変形例のように、基板１０を構成する層の上に下地層１２を形成してもよい。
【００７９】
（第３実施形態）
本発明の第３実施形態にかかるアンテナ装置について、図８を参照して説明する。本実施形態は、第１実施形態に対して、アンテナ１と磁性発振素子部２の構成を変更したものであり、その他に関しては第１実施形態と同様であるため、ここでは説明を省略する。
【００８０】
本実施形態は、基本的な構成は第１実施形態と同様であるが、アンテナ１と磁性発振素子が、図８に示す構成とされている。
【００８１】
つまり、基板１０の上に下部電極１１、下地層１２、反強磁性層１３、ピン層１４、中間層１５、フリー層１６、キャップ層１７が形成され、基板１０の上であって、下部電極１１からキャップ層１７までの膜面面内方向の周囲を囲む位置に、絶縁膜２０が形成されている。ただし、下部電極１１の一部は絶縁膜２０を貫通して外部に連結している。
【００８２】
また、キャップ層１７と、キャップ層１７を囲む絶縁膜２０の上に、上部電極１８が形成されている。上部電極１８を形成する薄膜はアンテナ１を兼ね、上部電極１８によりアンテナ１が構成されている。本実施形態では、このような構成により、磁性発振素子とアンテナ１を一体化している。
【００８３】
また、本実施形態では、基板１０が絶縁性材料により構成されており、アンテナ１、下部電極１１、上部電極１８が、アンテナ１と磁性発振素子を変調回路６に接続するための配線を兼ねている。このようなアンテナ１と磁性発振素子は、基板１０上に磁性発振素子を構成する各層を成膜し、磁性発振素子をパターニング後、上部電極１８を成膜し、上部電極１８をアンテナ形状にパターニングすることで製造できる。
【００８４】
本実施形態のアンテナ装置においても、第１、第２実施形態と同様の効果が得られる。また、本実施形態では、高周波電磁波発信方向に基板がないので、高周波電磁波の送信効率が高くなると考えられる。また、本実施形態では上部電極１８によりアンテナ１を構成しているため、基板１０をアンテナ形状に加工する場合よりも容易にアンテナ装置を製造することができる。
【００８５】
本実施形態では基板１０を絶縁性材料で構成したが、基板１０を導電性材料で構成してもよい。この場合、アンテナ１、下部電極１１、上部電極１８に加え、基板１０もアンテナ１と磁性発振素子を変調回路６に接続するための配線を兼ねる。
【００８６】
（第４実施形態）
本発明の第４実施形態にかかるアンテナ装置について、図９を参照して説明する。本実施形態は、第１実施形態のアンテナ装置を構成するアンテナ１と磁性発振素子部２を下記のように配置したものであり、その他に関しては第１実施形態と同様であるため、ここでは説明を省略する。
【００８７】
一般的なアンテナ装置に比べて、磁性発振素子は薄く、面積が小さい。例えば、厚さは数十ｎｍ〜数百ｎｍ、面積は数ｎｍ２〜数μｍ２である。そのため、車のバンパーやフロントガラス、パラボラアンテナ等の曲面に、第１実施形態のアンテナ１と磁性発振素子部２を配置することが可能である。
【００８８】
例えば、車のバンパーに配置する場合、一般的なアンテナ装置は、その大きさからバンパーの内側に配置する必要があり、バンパー表面での電磁波の反射が問題となる。これに対し、磁性発振素子は薄く、面積が小さいので、図９（ａ）に示すように、第１実施形態のアンテナ１と磁性発振素子部２をバンパーの外側に配置することができ、バンパー表面での電磁波の反射を抑制することができる。
【００８９】
さらに、有機ＥＬ（エレクトロルミネッセンス）等の使用中に変形される部材に第１実施形態のアンテナ１と磁性発振素子部２を配置し、その部材が使用中に変形されても、磁性発振素子は薄く、面積が小さいので、故障のおそれが少ない。また、第１実施形態のアンテナ１と磁性発振素子部２を、製造工程において変形される部材にも配置することができるため、第１実施形態のアンテナ１と磁性発振素子部２を配置した後に部材を変形させる等の方法が可能であり、加工が容易になる。
【００９０】
また、図９（ｂ）に示すように、第１実施形態のアンテナ１と磁性発振素子部２を、これらの部材の内部にも配置することが可能である。磁性発振素子は水晶を用いていないので耐衝撃性に優れるが、第１実施形態のアンテナ１と磁性発振素子部２を部材の内部に配置することにより、耐衝撃性をさらに向上させ、また、衝撃以外の環境的な外乱についての耐環境性を向上させることができる。このような実施形態は、例えば、車のバンパーのように、衝撃や天候等、外からの環境的な外乱がある場合に適している。
【００９１】
本実施形態では、第１実施形態のアンテナ１と磁性発振素子部２を上記のように配置したが、第２、第３実施形態のアンテナ１と磁性発振素子部２を上記のように配置してもよい。この場合においても、上記と同様の効果が得られる。
【００９２】
（第５実施形態）
本発明の第５実施形態にかかるアンテナ装置について、図１０を参照して説明する。本実施形態は、第１実施形態のアンテナ装置を構成するアンテナ１と磁性発振素子部２を下記のように配置したものであり、その他に関しては第１実施形態と同様であるため、ここでは説明を省略する。
【００９３】
図１０に示すように、第１実施形態のアンテナ装置を構成するアンテナ１と磁性発振素子部２を曲面に複数配置することで、フェーズドアレイアンテナのように、任意の方向に電磁波を発信することができる。具体的には、複数のアンテナ１は互いに異なる向きに配置されているので、電磁波を発信するアンテナ１と磁性発振素子部２を図示しない回路により選択することで、任意の方向に電磁波を発信することができる。
【００９４】
また、電磁波を発信するアンテナ１と磁性発振素子部２を選択する回路を設けずに、すべてのアンテナ１から電磁波を発信してもよい。
【００９５】
本実施形態では、各磁性発振素子部２に備えられた磁性発振素子が発生させる高周波電力の位相を変化させて、アンテナ装置全体から発信される電磁波の方向を操作する必要がないので、アンテナ装置は変調回路６を備えていなくてもよい。
【００９６】
本実施形態では、第１実施形態のアンテナ装置を構成するアンテナ１と磁性発振素子部２を、曲面に複数配置したが、図１１に示すように配置してもよい。以下、本実施形態の変形例について説明する。
【００９７】
図１１（ａ）に示すように、第１実施形態のアンテナ装置を構成するアンテナ１と磁性発振素子部２を、断面が多角形状の部材の多角形状を構成する各辺にそれぞれ配置することで、同様に、任意の方向に電磁波を発信することができる。また、図１１（ｂ）、（ｃ）のように、第１実施形態のアンテナ装置を構成するアンテナ１と磁性発振素子部２を、これらの部材の内部に配置してもよい。
【００９８】
また、図１１（ｄ）に示す変形例では、第１実施形態のアンテナ装置を構成するアンテナ１と磁性発振素子部２をパラボリックに、具体的には、放物線を対称軸まわりに回転させて形成される放物面上に複数配置している。これにより、パラボラアンテナとしての特性を得ることができる。
【００９９】
本実施形態では、第１実施形態のアンテナ１と磁性発振素子部２を上記のように配置したが、第２、第３実施形態のアンテナ１と磁性発振素子部２を上記のように配置してもよい。この場合においても、上記と同様の効果が得られる。
【０１００】
（第６実施形態）
本発明の第６実施形態にかかるアンテナ装置について、図１２を参照して説明する。本実施形態は、第１実施形態に対して、アンテナ１と基板１０の形状を変更したものであり、その他に関しては第１実施形態と同様であるため、ここでは説明を省略する。
【０１０１】
本実施形態は、基本的な構成は第１実施形態と同様であるが、図１２に示すように、アンテナ１と磁性発振素子部２により構成される電気回路において、電流の流路が、直線状の穴８を囲む流路を含むことにより、スリットアンテナが構成されている。穴８は、ここでは、各磁性発振素子部２に対して１つずつ形成されている。
【０１０２】
具体的には、アンテナ１と、磁性発振素子部２に備えられた磁性発振素子の基板１０とが、Ｕ字状とされており、アンテナ１と基板１０を対向させ、厚み方向においてＵ字の両端部同士を重ね合わせることにより、直線状の穴８が形成されている。そして、アンテナ１と基板１０の間のうち、磁性発振素子部２が形成されていない部分には、Ａｌ−Ｏｘ、ＭｇＯ、ＳｉＯ２等で構成された絶縁層２ａが形成されている。変調回路６とアンテナ装置を接続する配線は、アンテナ１と基板１０が厚み方向において重なった部分のうち、磁性発振素子部２が形成されていない方に接続されている。
【０１０３】
本実施形態のアンテナ装置においても、第１実施形態と同様の効果が得られる。また、磁性発振素子部２に備えられた磁性発振素子から発せられる高周波電磁波は円偏光であるが、本実施形態ではアンテナ１と磁性発振素子部２によりスリットアンテナが構成されており、高周波電磁波を直線偏光に変換することができる。そのため、本実施形態のアンテナ装置は、フェーズドアレイアンテナとして指向性を得るために有効である。
【０１０４】
本実施形態では、第１実施形態に対して、アンテナ１の形状を変更したが、第２〜第４実施形態に対して、アンテナ１の形状を変更してもよい。この場合においても、上記と同様の効果が得られる。
【０１０５】
なお、第５実施形態のアンテナ装置はフェーズドアレイアンテナではないが、第５実施形態に対して、アンテナ１の形状を変更してもよい。
【０１０６】
また、本実施形態では各磁性発振素子部２に対して穴８を１つずつ形成したが、磁性発振素子部２に備えられた各磁性発振素子に対して穴８を１つずつ形成してもよい。
【０１０７】
また、本実施形態では、上記の構成により、変調回路６から供給された電流が直線状の穴８の周りを１周して変調回路６へ戻るが、電流が直線状の穴８の周りを半周して変調回路６へ戻ってもよい。例えば、図１３に示すように、アンテナ１のみをＵ字状として、磁性発振素子部２をアンテナ１の一端に形成し、変調回路６とアンテナ装置を接続する配線を、磁性発振素子部２と、アンテナ１の他端に接続してもよい。
【０１０８】
（他の実施形態）
なお、本発明は上記した実施形態に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載した範囲内において適宜変更が可能である。
【０１０９】
例えば、上記第４、第５実施形態では曲面状の部材の表面または内部にアンテナ１と磁性発振素子部２を配置したが、平板状やブロック状の部材の表面または内部に配置してもよい。
【０１１０】
また、上記第１実施形態では制御部５は電源３を制御しているが、電源３と変調回路６との間に制御可能な抵抗やキャパシタ等を備える電圧制御器を接続し、制御部５を電圧制御器に接続して、アンテナ１等に流れる電流を制御してもよい。
【０１１１】
また、下部電極１１と上部電極１８の間の各層を、上記第１〜第３実施形態とは逆の順に成膜してもよい。
【０１１２】
また、反強磁性層１３を用いずに、例えば、ピン層１４の材料や加工方法により、ピン層１４の磁化方向を固定してもよい。また、反強磁性層１３の代わりに、硬磁性材料により構成された硬磁性層を用いて、ピン層１４の磁化方向を固定してもよい。
【０１１３】
また、下地層１２と反強磁性層１３との間に、ＮｉＦｅ等で構成される磁性層が形成されていなくてもよい。
【０１１４】
また、磁性発振素子がシンセティックフェリ磁性層を含んでいなくてもよい。
【０１１５】
また、ピン層１４、フリー層１６の磁化方向を上記第１実施形態とは異なる方向にしてもよい。また、直流電流Ｉを流す向きを上記第１実施形態と逆向きにしてもよい。ただし、磁性発振素子における高周波発振の要因となるスピントランスファートルクの大きさは、ピン層１４とフリー層１６の磁化方向の相対角θによって定まる。さらに正確には、スピントランスファートルクの大きさはｓｉｎθに比例し、θが９０°のときに最大となる。そのため、上記第１実施形態のように、ピン層１４の磁化方向とフリー層１６の磁化方向とが互いに垂直であることが望ましい。
【０１１６】
また、磁性発振素子部２に備えられた磁性発振素子をサンブレロ−ナノコンタクト型の磁性発振素子としてもよい。
【０１１７】
また、上記実施形態では外部磁界発生装置２１としてコイルを用いたが、コイルの代わりに図１４に示すような配線を用いてもよい。外部磁界発生装置２１を構成する配線は、ここでは、磁性発振素子部２に備えられた磁性発振素子の膜面に平行で、互いに垂直な方向に置かれている。
【０１１８】
コイルを用いる方法は、磁性発振素子部２と外部磁界発生装置２１を別々に配置する場合に有用であるが、磁性発振素子部２に備えられた磁性発振素子に印加する外部磁界の大きさや方向がコイルと磁性発振素子との位置により変化する。また、コイルを磁性発振素子の膜面垂直方向の一方または両方の外側に配置する場合、上記第１〜第６実施形態のような磁性発振素子部２を複数備えるアンテナ装置においては、磁性発振素子部２とコイルからなる層の数が増加する。
【０１１９】
これに対し、図１４に示す構成では、各磁性発振素子部２の付近に互いに垂直な２つの配線を施し、これら２つの配線に磁界制御電源回路２３からの電流を流す。すると、各磁性発振素子部２に印加される磁界は、２つの配線を流れる電流により発生する磁界を合成したものとなり、それぞれの配線を流れる電流の大きさや向きを調整することで、各磁性発振素子部２に印加される磁界の大きさや向きを調整することができる。また、配線の位置を調整することで、膜面面内方向、膜面垂直方向のどちらにも外部磁界を印加することができる。このように、図１４に示す構成では、磁性発振素子部２を複数備えるモジュールにおいても、任意の磁性発振素子部２に任意の外部磁界を印加することができる。
【０１２０】
また、図１５に示すように、磁性発振素子部２に備えられた磁性発振素子の膜面垂直方向の一端にスペーサー層２ｂと外部磁界発生用磁性層２ｃを積層してもよい。なお、図１５では、磁性発振素子部２に備えられた磁性発振素子の１つ（図中では２ｄと表記する）の膜面垂直方向の一端にスペーサー層２ｂと外部磁界発生用磁性層２ｃを積層した構成を示している。
【０１２１】
スペーサー層２ｂは、外部磁界発生用磁性層２ｃとピン層１４、フリー層１６との磁性的結合を切るための層であり、Ｔａ、Ｗ、Ｔｉ、Ｒｕ等で構成される。また、スペーサー層２ｂが、外部磁界発生用磁性層２ｃの磁気異方性を利用し、ピン層１４、フリー層１６との磁性的結合を強める層として用いられる場合もある。
【０１２２】
外部磁界発生用磁性層２ｃは、膜面垂直方向に外部磁界、正確には漏れ磁界を発生して磁性発振素子へ印加するためのものである。また、ピン層１４より生じる漏れ磁界や、外部磁界発生用磁性層２ｃの磁化方向を磁性発振素子の膜面面内方向としたときの漏れ磁界を用いて、磁性発振素子の膜面面内方向に外部磁界を印加してもよい。外部磁界発生用磁性層２ｃは、Ｃｏ、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｐｔ、Ｐｄ等で構成される垂直磁化膜層が望ましい。また、垂直磁化膜をＧａＭｎや、ＣｏＦｅＢ／ＭｇＯで構成してもよい。なお、外部磁界発生用磁性層２ｃは、上記第１実施形態において説明したアンテナ装置の動作において、ＭＲ効果を担うものではない。
【０１２３】
外部磁界発生用磁性層２ｃを多層膜で構成すれば、その積層数や膜厚を変えることで、磁気異方性や、発生する漏れ磁界の大きさの制御が容易にできる。外部磁界発生用磁性層２ｃは、磁性発振素子と別々に配置してもよいが、磁性発振素子と同時に製造する方が加工が容易であり、また、大きな外部磁界を印加することができる。
【０１２４】
外部磁界発生用磁性層２ｃをＣｏ／Ｐｔ、Ｃｏ／Ｐｄ等の多層膜で構成する場合、一般に成膜後３００〜４００℃程度の熱処理が必要となる。外部磁界発生用磁性層２ｃを、多層膜ではなく、Ｌ１０−ＰｔＦｅ等の合金で構成する場合、成膜時に６００℃程度での基板加熱が必要となる。
【０１２５】
図１６に示すように、外部磁界発生用磁性層２ｃから出る漏れ磁界には膜面内位置依存性がある。しかし、図１７に示すように、磁性発振素子２ｄの膜面面内方向の幅を外部磁界発生用磁性層２ｃおよびスペーサー層２ｂの幅よりも小さくすることで、図１８に示すように、膜面内の位置依存性が抑制され、制御性が高くなる。
【０１２６】
図１４に示す構成で印加できる外部磁界は、最大でも数十ｍＴと小さいが、図１５、図１７に示す構成では、大きな外部磁界を印加することができる。しかし、図１５、図１７に示す構成では、一方向にしか外部磁界を印加できないため、図１４に示す構成と図１５、図１７に示す構成を合わせて用いるとよい。
【０１２７】
また、外部磁界発生装置２１として電界効果素子を用いてもよい。電界効果素子は、非磁性層／磁性層／絶縁膜の構造を持つ素子で、印加電圧、すなわち電界によって磁性層の磁気異方性を変調することが可能なものである。つまり、電界効果素子への印加電圧を変えることにより、電界効果素子が発生させる磁界を変調することができる。そのため、電界効果素子を外部磁界発生装置２１として利用すれば、外部磁界制御電源２２から外部磁界発生装置２１に印加される電圧を変えることにより、微細な磁性発振素子に任意の外部磁界を印加することができる。
【０１２８】
電界効果素子を構成する非磁性層は、例えばＡｕ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ｔａ、Ｒｕの単体やこれらの化合物で構成される。また、非磁性層を、これらの単体や化合物を複数積層した膜で構成してもよい。
【０１２９】
電界効果素子を構成する磁性層は、例えばＦｅ、Ｃｏ、Ｎｉ等の磁性体の単体や、これらにＰｔ、Ｐｄ、Ｂ等の非磁性体を混ぜた化合物で構成される。
【０１３０】
電界効果素子を構成する絶縁膜は、例えばＭｇＯ、ＨｆＯ２、Ａｌ−Ｏｘ、Ｚｎ−Ｏｘ、ポリイミド、炭酸プロピレン等で構成される。
【０１３１】
一般に金属磁性体を用いた電界効果素子における磁気異方性は、金属磁性層と絶縁層の界面の磁気異方性が主である。この界面磁気異方性を電界によって変調することが可能である。
【０１３２】
また、上記第１実施形態では、各磁性発振素子部２に対して２つのコイルを配置したが、磁性発振素子部２に備えられた各磁性発振素子に対して２つのコイルを配置してもよい。同様に、図１４に示す構成において、各磁性発振素子の付近に２つの配線を施し、磁界制御電源回路２３からの電流を流してもよい。
【０１３３】
また、上記第１実施形態では、複数のアンテナ１を格子状に配置したが、複数のアンテナ１を他の位置に置いてもよい。また、一部のアンテナ１のみを格子状に配置してもよい。また、上記第１実施形態では、複数のアンテナ１は互いに同じ向きに配置されているが、少なくとも２つのアンテナ１が互いに同じ向きに配置されていればよい。
【０１３４】
また、上記第６実施形態では、各磁性発振素子部２に対して１つずつ穴８を形成したが、一部の磁性発振素子部２に対してのみ、穴８が形成されてもよい。また、アンテナ１と磁性発振素子部２に備えられた磁性発振素子が一体化されていなくてもよく、その場合は、アンテナ１と磁性発振素子部２を接続する配線と、アンテナ１と変調回路６を接続する配線を、それぞれ穴８の短手方向の両側に形成すればよい。
【０１３５】
また、上記第１実施形態では、磁性発振素子部２は複数の磁性発振素子を備えているが、磁性発振素子部２が１つの磁性発振素子のみ備えていてもよい。
【符号の説明】
【０１３６】
１    アンテナ
２    磁性発振素子部
６    変調回路
１０  基板
１１  下部電極
１４  ピン層
１５  中間層
１６  フリー層
１８  上部電極
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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