(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１面と前記第１面の反対側に位置する第２面とを有する板状に形成された基材に、前記基材を厚さ方向に貫通する複数の貫通孔が形成される配線基板の製造方法であって、
前記基材を準備する基材準備工程と、
金属材料からなる支持部材の支持面に前記第１面を向けた状態で、前記支持面上に前記基材を載置するとともに、光透過性を有する材料からなる保護層を前記基材と前記支持部材との間に介在させる基材載置工程と、
前記基材において前記支持部材側とは反対側からレーザーを照射することにより、前記基材に前記複数の貫通孔を形成する貫通孔形成工程と
を含み、
前記基材載置工程に用いられる前記支持部材において、形成すべき前記複数の貫通孔と対応する位置に複数の孔部が設けられ、
前記孔部の内径の大きさが、前記貫通孔の内径以上であって、隣接する前記貫通孔間のピッチ未満に設定されている
ことを特徴とする配線基板の製造方法。
【請求項２】
前記保護層は、前記第１面上及び前記第２面上の両方に形成されていることを特徴とする請求項１に記載の配線基板の製造方法。
【請求項３】
前記基材準備工程では、配線層となる金属層が前記第１面及び前記第２面の少なくとも一方に形成された前記基材を準備することを特徴とする請求項１または２に記載の配線基板の製造方法。
【請求項４】
前記金属層は銅箔であることを特徴とする請求項３に記載の配線基板の製造方法。
【請求項５】
前記レーザーはＵＶレーザーであり、
前記貫通孔形成工程では、前記貫通孔の開口縁となる仮想円に沿ってレーザーを複数回に分けて照射することにより、前記貫通孔を形成する
ことを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載の配線基板の製造方法。
【請求項６】
前記貫通孔の内径は４０μｍ以下に設定され、隣接する前記貫通孔間のピッチは１００μｍ以下に設定されていることを特徴とする請求項１乃至５のいずれか１項に記載の配線基板の製造方法。
【請求項７】
前記貫通孔形成工程後、前記貫通孔内に導電性ペーストを充填して貫通導体を形成する貫通導体形成工程を行うことを特徴とする請求項１乃至６のいずれか１項に記載の配線基板の製造方法。
【請求項８】
前記基材は、樹脂絶縁層となる樹脂絶縁材であることを特徴とする請求項１乃至７のいずれか１項に記載の配線基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、樹脂絶縁層などの基材に、複数の貫通孔が形成される配線基板の製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
コンピュータのマイクロプロセッサ等として使用される半導体集積回路素子（ＩＣチップ）は、近年ますます高速化、高機能化しており、これに付随して端子数が増え、端子間ピッチも狭くなる傾向にある。また、ＩＣチップの底面には、一般的に、多数の端子が密集してアレイ状に配置されている。よって、このＩＣチップを検査するためには、専用の検査装置、例えば、電子部品検査用配線基板を備えた検査装置等が必要である。
【０００３】
なお、電子部品検査用配線基板としては、例えば、複数のセラミック絶縁層及び複数の導体層を積層してなるセラミック基板部の上層側に、複数の樹脂絶縁層及び複数の配線層を積層してなる樹脂絶縁部を形成した配線基板が実用化されている。セラミック絶縁層や樹脂絶縁層などの基材には複数の貫通孔が形成され、各貫通孔内には貫通導体（ビア導体）が形成されている。なお、貫通孔は、例えば、基材に対してレーザーを照射することにより形成される（例えば、特許文献１参照）。
【０００４】
以下、上記の樹脂絶縁層（基材）に貫通孔を形成する方法を説明する。まず、樹脂材料からなる基材１０３を準備する（図１２参照）。なお、基材１０３の表面１０２には、配線層となる金属層１０１が形成されている。次に、アクリル樹脂からなる下治具１０４の支持面１０５に裏面１０６を向けた状態で、支持面１０５上に基材１０３を載置するとともに、難燃性の繊維からなる紙１０７を、基材１０３と下治具１０４との間に介在させる（図１２参照）。そして、基材１０３に対してレーザー（一般的には炭酸ガスレーザー）を照射することにより、基材１０３に複数の貫通孔１０８が形成される（図１２参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００７−１７５７２１号公報（図２〜図４等）
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
ところで、近年、ＩＣチップの小型化の流れを受けて、電子部品検査用配線基板側の貫通孔１０８の内径も小さくなる傾向にある。しかしながら、炭酸ガスレーザーの出力は強すぎるため、貫通孔１０８の内径が例えば６０μｍ以下になると、基材１０３または金属層１０１がレーザーの加工熱の影響を受けて溶け出してしまう。その結果、形成される貫通孔１０８の内径にバラツキが生じてしまい、貫通孔１０８を正確に形成できなくなるため、不良品発生率が高くなって歩留まりが低下するという問題がある。
【０００７】
なお、炭酸ガスレーザーを用いる代わりに、比較的低出力のＵＶレーザーを用いて貫通孔１０８を形成することも提案されている。しかし、貫通孔１０８の内径が５０μｍ以下になると、たとえＵＶレーザーであったとしても、基材１０３または金属層１０１がレーザーの加工熱の影響を受けて溶け出してしまい、貫通孔１０８の内径にバラツキが生じる可能性がある。よって、この場合も、貫通孔１０８を正確に形成できないため、不良品発生率が高くなって歩留まりが低下するという問題がある。
【０００８】
本発明は上記の課題に鑑みてなされたものであり、その目的は、貫通孔の内径が小さい場合であっても、貫通孔を正確に形成可能とすることにより、歩留まりを向上させることができる配線基板の製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上記課題を解決するための手段（手段１）としては、第１面と前記第１面の反対側に位置する第２面とを有する板状に形成された基材に、前記基材を厚さ方向に貫通する複数の貫通孔が形成される配線基板の製造方法であって、前記基材を準備する基材準備工程と、金属材料からなる支持部材の支持面に前記第１面を向けた状態で、前記支持面上に前記基材を載置するとともに、光透過性を有する材料からなる保護層を前記基材と前記支持部材との間に介在させる基材載置工程と、前記基材において前記支持部材側とは反対側からレーザーを照射することにより、前記基材に前記複数の貫通孔を形成する貫通孔形成工程とを含み、前記基材載置工程に用いられる前記支持部材において、形成すべき前記複数の貫通孔と対応する位置に複数の孔部が設けられ、前記孔部の内径の大きさが、前記貫通孔の内径以上であって、隣接する前記貫通孔間のピッチ未満に設定されていることを特徴とする配線基板の製造方法がある。
【００１０】
従って、手段１に記載の発明では、基材載置工程において、複数の孔部が設けられた支持部材の支持面上に基材を載置している。その結果、貫通孔形成工程において基材にレーザーを照射したとしても、基材に加わるレーザーの加工熱が、金属材料からなる支持部材を介して拡散されるとともに、孔部を通過して外部に放出される。しかも、基材載置工程では、光透過性を有する材料からなる保護層を基材と支持部材との間に介在させている。その結果、基材に照射されたレーザーが保護層内を直進するため、基材内においてレーザーが散乱しにくくなる。以上のことから、貫通孔の内径が小さい場合であっても、レーザーの加工熱やレーザーの散乱に起因する貫通孔の内径のバラツキが生じにくくなり、貫通孔を正確に形成できるようになる。ゆえに、不良品発生率が低く抑えられ、製造される配線基板の歩留まりが高くなる。
【００１１】
以下、上記手段１に係る配線基板の製造方法について説明する。
【００１２】
基材準備工程では、第１面と第１面の反対側に位置する第２面とを有する板状に形成された基材を準備する。基材の種類としては特に限定されず任意であるが、例えば、樹脂絶縁層となる樹脂絶縁材であることが好適である。基材が樹脂絶縁材である場合、レーザーの加工熱によって基材が溶け出すという本願特有の問題が起こりやすいため、上記手段１を採用する意義が大きくなる。なお、他の基材としては、例えば各種のセラミックからなる絶縁層を選択することもできる。
【００１３】
また、樹脂絶縁材は、絶縁性、耐熱性、耐湿性等を考慮して適宜選択することができる。樹脂絶縁材を形成するための高分子材料の好適例としては、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂、フェノール樹脂、ウレタン樹脂、シリコーン樹脂、ビスマレイミド−トリアジン樹脂、ポリフェニレンエーテル樹脂などが挙げられる。
【００１４】
なお、基材準備工程では、配線層となる金属層が第１面及び第２面の少なくとも一方に形成された基材を準備することがよい。このようにすれば、配線基板に配線層からなる電気回路を形成できるため、配線基板の高機能化を図ることができる。さらに、金属層は銅箔であることがよい。この場合、一般的に使用される汎用の材料である銅箔付きフィルムを用いることができるため、配線基板の製造コストを低く抑えることができる。
【００１５】
続く基材載置工程では、金属材料からなる支持部材の支持面に基材の第１面を向けた状態で、支持面上に基材を載置する。ここで使用する支持部材は、基材に形成すべき複数の貫通孔と対応する位置に複数の孔部が設けられた構造を有している。支持部材を構成する金属材料としては、例えば、ステンレス（ＳＵＳ３０３、ＳＵＳ３０４等）、銅、アルミニウム、ニッケルなどが挙げられる。
【００１６】
また、基材載置工程では、光透過性を有する材料からなる保護層を基材と支持部材との間に介在させる。保護層を形成する材料は、光透過性、耐熱性、耐圧性、離型性等に加えて、基材や支持部材へのダメージが少ないこと、安価であることなどを考慮して適宜選択される。よって、保護層としては、例えば、樹脂材料やガラスなどが好適に使用される。ここで、保護層に使用される樹脂材料としては、ポリエチレンテレフタレート樹脂、ポリカーボネート樹脂、アクリル樹脂などがある。特に、保護層は、樹脂材料の中でも比較的離型性に優れたポリエチレンテレフタレート樹脂によって形成されていることがよい。
【００１７】
なお、保護層は、基材の第１面上に形成されていてもよいし、支持部材の支持面上に形成されていてもよい。また、保護層は、第１面上及び第２面上の両方に形成されていることがよい。このようにした場合、レーザーが、第２面上に形成された保護層（即ち、基材において支持部材側とは反対側に形成された保護層）の内部を直進した後、第２面上に形成された保護層（即ち、基材において支持部材側に形成された保護層）の内部を直進するため、基材内においてレーザーがよりいっそう散乱しにくくなる。その結果、レーザーの散乱に起因する貫通孔の内径のバラツキがよりいっそう生じにくくなり、貫通孔をより正確に形成できるようになるため、不良品発生率がより低く抑えられ、製造される配線基板の歩留まりがよりいっそう高くなる。
【００１８】
続く貫通孔形成工程では、基材において支持部材側とは反対側からレーザーを照射することにより、基材に複数の貫通孔を形成する。ここで、レーザーとしては周知の技術を採用することができ、具体例としては、ＵＶレーザー、炭酸ガスレーザー、ＹＡＧレーザーなどが挙げられる。なお、従来は、炭酸ガスレーザーが主流であるが、内径が例えば４０μｍ以下の貫通孔を形成する場合には、出力が強すぎるために貫通孔の形成が困難である。よって、レーザーは例えばＵＶレーザーであり、貫通孔形成工程では、貫通孔の開口縁となる仮想円に沿ってレーザーを複数回に分けて照射することにより、貫通孔を形成することがよい。ＵＶレーザーは比較的低出力であるため、複数回に分けてレーザーを照射すると、基材へのレーザーの加工熱によるダメージを回避しつつ貫通孔を確実に形成することができる。
【００１９】
なお、貫通孔の内径は４０μｍ以下に設定され、隣接する貫通孔間のピッチは１００μｍ以下に設定されていることがよい。このようにした場合、製造される配線基板において、配線の微細化や高密度化を図ることができる。また、レーザーの加工熱によって基材が溶け出すという本願特有の問題や、１００μｍ以下のファインピッチの場合に隣接する貫通孔同士が繋がってしまうという本願特有の問題が起こりやすくなるため、上記手段１を採用する意義が大きくなる。
【００２０】
また、貫通孔形成工程後、貫通孔内に導電性ペーストを充填して貫通導体を形成する貫通導体形成工程を行うことがよい。このようにすれば、複数の基材と複数の金属層（配線層）とを積層してなる絶縁部を形成する場合に、貫通導体を介して各基材に形成された金属層を確実に接続することができる。
【００２１】
以上のプロセスを経て、配線基板が製造される。なお、かかる配線基板の構造としては特に限定されないが、例えばコア基板の片面または両面にビルドアップ層を有するビルドアップ多層配線基板や、コア基板を有さないコアレス配線基板などを挙げることができる。また、配線基板は、基材からなる複数の樹脂絶縁層と複数の配線層とが積層された樹脂絶縁部と、樹脂絶縁部の下層側に設けられ、複数のセラミック絶縁層と複数の導体層とが積層されたセラミック基板部とを備える電子部品検査用配線基板であってもよい。
【図面の簡単な説明】
【００２２】
【図１】本実施形態における電子部品検査用配線基板の概略構成を示す断面図。
【図２】配線層と貫通導体との接続部分を示す拡大断面図。
【図３】セラミック基板部の貫通孔を形成する工程を示す説明図。
【図４】セラミック基板部のビア導体及び導体層を形成する工程を示す説明図。
【図５】セラミック基板部となるセラミック積層体を形成する工程を示す説明図。
【図６】基材準備工程を示す説明図。
【図７】基材載置工程を示す説明図。
【図８】貫通孔形成工程を示す説明図。
【図９】貫通孔形成工程を示す要部平面図。
【図１０】貫通導体形成工程を示す説明図。
【図１１】配線層を形成する工程を示す説明図。
【図１２】従来技術における配線基板の製造方法を示す説明図。
【発明を実施するための形態】
【００２３】
以下、本発明を電子部品検査用配線基板に具体化した一実施形態を図面に基づき詳細に説明する。
【００２４】
図１に示されるように、本実施形態の電子部品検査用配線基板１０（以下「配線基板１０」という）は、ＩＣチップ（電子部品）の電気検査を行うための検査装置の一部に使用される部品である。配線基板１０は、樹脂絶縁部２０と、樹脂絶縁部２０の下層側に設けられたセラミック基板部３０とを備える。配線基板１０は、縦横の長さが１０ｃｍ程度、厚さが４ｍｍ程度の配線基板であり、使用時において配線基板１０の主面１１（樹脂絶縁部２０の表面）が検査対象であるＩＣチップに向けて配置される。
【００２５】
セラミック基板部３０は、セラミック絶縁層３１，３２，３３と導体層３４とを交互に積層した構造を有している。各セラミック絶縁層３１〜３３は、例えばアルミナの焼結体であり、導体層３４は、例えば、タングステン、モリブデン、または、これらの合金からなるメタライズ層である。各セラミック絶縁層３１〜３３には厚さ方向に貫通する貫通孔３６が形成され、貫通孔３６内には導体層３４に接続される貫通導体３７が形成されている。各貫通孔３６は、断面円形状をなし、内径が６０μｍ程度に設定されている。各貫通導体３７は、断面円形状をなし、外径が６０μｍ程度に設定されている。貫通導体３７は、導体層３４と同様の材料、即ち、タングステン、モリブデン、または、これらの合金からなるメタライズ層である。さらに、配線基板１０の裏面１２（セラミック基板部３０の裏面）には、複数の裏面側端子３８がほぼ全域に亘ってアレイ状に形成されている。各裏面側端子３８は、断面円形状をなし、直径が１．０ｍｍ程度に設定されている。
【００２６】
図１に示されるように、樹脂絶縁部２０は、樹脂絶縁層２１，２２と配線層２３とを交互に積層した構造を有している。各樹脂絶縁層２１，２２は、例えばポリイミド系樹脂からなる絶縁層である。具体的に言うと、樹脂絶縁層２１，２２は、ポリイミド系の熱硬化性樹脂からなる第１樹脂層２４と、第１樹脂層２４の両面に形成され、ポリイミド系の熱可塑性樹脂からなる第２樹脂層２５とにより構成されている。本実施形態では、第１樹脂層２４の厚さが２０μｍ程度に設定され、第２樹脂層２５の厚さが５μｍ程度に設定されている。よって、樹脂絶縁層２１，２２の厚さは３０μｍ程度となる。また、配線層２３は、例えば銅からなる導体層であり、厚さが５μｍ程度に設定されている。
【００２７】
図１，図２に示されるように、各樹脂絶縁層２１，２２には、樹脂絶縁層２１，２２及び配線層２３を厚さ方向に貫通する貫通孔２６が形成され、貫通孔２６内には配線層２３に接続される貫通導体２７が形成されている。各貫通孔２６は、断面円形状をなし、内径Ａ１が３０μｍに設定されている。隣接する貫通孔２６間のピッチＡ３（図８参照）は６０μｍに設定されている。また、各貫通導体２７は、断面円形状をなし、外径が３０μｍに設定されている。貫通導体２７は、配線層２３とは異なる材料である銅からなる。
【００２８】
さらに、配線基板１０の主面１１（樹脂絶縁部２０の表面）上の中央部分には、配線層２３である複数の主面側端子２８がアレイ状に形成されている。各主面側端子２８は、断面円形状をなし、直径が例えば５０μｍ程度に設定されている。よって、図１に示される配線基板１０では、各主面側端子２８が、貫通導体２７を介して内層側の配線層２３に接続され、さらにセラミック基板部３０の導体層３４や貫通導体３７を介して裏面側端子３８に接続される。
【００２９】
次に、配線基板１０の製造方法を説明する。
【００３０】
まず、アルミナ粉末を主成分とするセラミック材料を用いてグリーンシート４１を複数枚形成する（図３参照）。そして、複数枚のグリーンシート４１に対して、レーザー加工、パンチング加工、ドリル加工等による孔あけを行い、所定位置に貫通孔３６を多数形成する（図３参照）。その後、従来周知のペースト印刷装置（図示略）を用いて、各貫通孔３６内に導電性ペースト（例えばタングステンペースト）を充填し、未焼成の貫通導体３７を形成する（図４参照）。さらに、ペースト印刷装置を用いて、各グリーンシート４１の表面及び裏面に導電性ペーストを印刷し、未焼成の導体層３４や未焼成の裏面側端子３８を形成する（図４参照）。なお、導電性ペーストの充填及び印刷の順序は逆であってもよい。
【００３１】
そして、導電性ペーストの乾燥後、各グリーンシート４１を積層し、シート積層方向に押圧力を付与する。その結果、各グリーンシート４１が一体化され、セラミック積層体４３が形成される（図５参照）。次に、セラミック積層体４３を脱脂し、さらに所定温度で所定時間焼成を行う。その結果、グリーンシート４１のアルミナ及びペースト中のタングステンが同時焼結し、セラミック基板部３０が形成される。
【００３２】
また、樹脂絶縁部２０を構成する樹脂絶縁層２１，２２を以下の手法で作製する。具体的には、まず、基材準備工程を行い、樹脂絶縁層２１，２２となる樹脂絶縁材４５（基材）を準備する（図６参照）。なお、樹脂絶縁材４５は、第１面４６と第１面４６の反対側に位置する第２面４７とを有する板状に形成され、配線層２３となる厚さ５μｍの銅箔４８（金属層）が第２面４７（図６では上面）に貼付された銅箔付き樹脂フィルムである。また、樹脂絶縁材４５は、第１樹脂層２４と、第１樹脂層２４の両面に配設された第２樹脂層２５とにより構成されている。
【００３３】
続く基材載置工程では、まず、従来周知のラミネーターを用いて、樹脂絶縁材４５の第１面４６上に厚さ５０μｍ以下の保護フィルム５１（保護層）を貼付する（図７参照）。同様に、樹脂絶縁材４５の第２面４７上（具体的には、銅箔４８の表面上）にも、厚さ５０μｍ以下の保護フィルム５２（保護層）を貼付する。その結果、互いに共通の厚さを有する保護フィルム５１，５２が、第１面４６上及び第２面４７上の両方に形成されるようになる。なお、本実施形態の保護フィルム５１，５２は、光透過性を有する材料であるポリエチレンテレフタレート樹脂によってシート状に形成されている。即ち、保護フィルム５１，５２は、互いに共通の材料からなっている。
【００３４】
そして、支持治具４９（支持部材）の支持面５０に樹脂絶縁材４５の第１面４６を向けた状態で、貫通孔２６（図８参照）を形成すべき樹脂絶縁材４５を支持面５０上に載置する（図７参照）。このとき、保護フィルム５１は、樹脂絶縁材４５と支持治具４９との間に介在するようになる。なお、基材載置工程に用いられる支持治具４９は、金属材料であるステンレス（ＳＵＳ３０３）によって板状に形成され、厚さが８０μｍに設定されている。また、支持治具４９において、形成すべき複数の貫通孔２６と対応する位置には、支持治具４９を厚さ方向に貫通する複数の孔部５３が設けられている。孔部５３の内径Ａ２の大きさは、貫通孔２６の内径Ａ１（３０μｍ）以上であって、隣接する貫通孔２６間のピッチＡ３（６０μｍ）未満であり、本実施形態では３５μｍに設定されている（図７，図８参照）。
【００３５】
続く貫通孔形成工程では、樹脂絶縁材４５において支持治具４９側とは反対側（具体的には第２面４７側）からレーザーＬ１（本実施形態ではＵＶレーザー）を照射することにより、樹脂絶縁材４５を厚さ方向に貫通する複数の貫通孔２６を形成する（図８参照）。具体的には、レーザー照射装置（図示略）を貫通孔２６の開口縁となる仮想円Ｃ１（図９参照）に沿って平面方向（本実施形態では時計回り方向）に移動させながら、レーザーＬ１を複数回に分けて照射する。その結果、１個の貫通孔２６が形成される。そして、残りの貫通孔２６に関しても同様のレーザー照射を行うことにより、全ての貫通孔２６が形成される。その後、保護フィルム５１，５２を剥離する。
【００３６】
そして、貫通孔形成工程後の貫通導体形成工程では、ペースト印刷装置（図示略）を用いて、樹脂絶縁材４５の第２面４７側から貫通孔２６内に導電性ペースト（具体的には、銀ペースト）を充填する。そして、１８０℃程度の温度で１時間加熱することにより、貫通導体２７が形成される（図１０参照）。
【００３７】
その後、配線層形成工程を行い、樹脂絶縁材４５の銅箔４８をサブトラクティブ法でパターニングし、樹脂絶縁層２１上に主面側端子２８（配線層２３）を形成する（図１１参照）。具体的には、樹脂絶縁材４５の第１面４６上及び第２面４７上のそれぞれにドライフィルムをラミネートし、同ドライフィルムに対して露光及び現像を行う。その結果、樹脂絶縁層２１の第１面４６の全面を覆うようにエッチングレジストが形成されるとともに、樹脂絶縁層２１の第２面４７に所定パターンのエッチングレジストが形成される。この状態で、銅箔４８に対してエッチングによるパターニングを行うことにより、樹脂絶縁層２１上に主面側端子２８を形成する。その後、剥離液に接触させることにより、主面側端子２８上に残存するエッチングレジストを除去するとともに、第１面４６側のエッチングレジストを除去する。
【００３８】
以上の工程を経て、主面側端子２８と主面側端子２８に接続される貫通導体２７とを有する樹脂絶縁層２１が形成される。また、上述した基材準備工程〜配線層形成工程を同様に行うことにより、配線層２３と配線層２３に接続される貫通導体２７とを有する樹脂絶縁層２２が形成される。
【００３９】
次に、セラミック基板部３０の上層側に、樹脂絶縁層２１及び樹脂絶縁層２２を積層配置し、３００〜４００℃程度の温度に加熱した状態で３０〜１００ｋｇｆ／ｃｍ２程度の圧力で加圧する。その結果、樹脂絶縁部２０とセラミック基板部３０とが一体化した配線基板１０が製造される（図１参照）。なお、上記製造工程において、樹脂絶縁層２１及び樹脂絶縁層２２を加圧積層した後、セラミック基板部３０に積層した配線基板１０を製造してもよい。
【００４０】
次に、樹脂絶縁材４５の評価方法及びその結果を説明する。
【００４１】
まず、測定用サンプルを次のように準備した。本実施形態と同じ樹脂絶縁材４５、具体的には、銅箔４８が第２面４７に形成され、かつ、第１面４６上及び第２面４７上の両方に保護フィルム５１，５２が貼付された樹脂絶縁材４５を準備し、これを実施例とした。また、銅箔は形成されるものの、保護フィルム５１，５２が貼付されていない樹脂絶縁材を準備し、これを比較例とした。
【００４２】
次に、各測定用サンプル（実施例、比較例）の銅箔側からレーザーを照射することにより、各測定用サンプルに複数の貫通孔を形成した。そして、各測定用サンプルのレーザーの入射面（銅箔側の面）において、Ｘ方向（図９参照）及びＹ方向（図９参照）における貫通孔の内径を測定した。さらに、入射面における全ての内径の平均値、最大値、最小値を算出するとともに、入射面における内径の標準偏差を算出した。また、各測定用サンプルのレーザーの出射面（樹脂絶縁材側の面）において、Ｘ方向及びＹ方向における貫通孔の内径を測定し、出射面における全ての内径の平均値、最大値、最小値を算出するとともに、出射面における内径の標準偏差を算出した。そして、各測定サンプルに対して、｛（出射面における内径の平均値）／（入射面における内径の平均値）｝×１００の式から導出されるテーパ率を算出した。以上の結果を表１に示す。なお、各測定用サンプルは、それぞれ９個ずつ準備した。
【表１】
0006322066.tif 000002
【００４３】
その結果、比較例では、入射面における内径の平均値が３７．７μｍ、最大値が４０μｍ、最小値が３５μｍとなり、入射面における内径の標準偏差が１．７となった。また、比較例では、出射面における内径の平均値が３０．９μｍ、最大値が３２μｍ、最小値が３０μｍとなり、出射面における内径の標準偏差が０．７となった。さらに、比較例では、テーパ率が８１．８０％となった。
【００４４】
一方、実施例では、入射面における内径の平均値が２７．９μｍ、最大値が３１μｍ、最小値が２６μｍとなり、入射面における内径の標準偏差が１．５となった。また、実施例では、出射面における内径の平均値が２７．４μｍ、最大値が３０μｍ、最小値が２６μｍとなり、出射面における内径の標準偏差が１．２となった。さらに、実施例では、テーパ率が９８．２０％となった。
【００４５】
以上のことから、樹脂絶縁材の両面（第１面及び第２面）に保護フィルムを貼付した状態で貫通孔を形成すれば、入射面における内径が大きくなり過ぎず、テーパが生じにくい貫通孔を形成できることが確認された。
【００４６】
従って、本実施形態によれば以下の効果を得ることができる。
【００４７】
（１）本実施形態の配線基板１０の製造方法では、基材載置工程において、複数の孔部５３が設けられた支持治具４９の支持面５０上に樹脂絶縁材４５を載置している。その結果、貫通孔形成工程において樹脂絶縁材４５にレーザーＬ１を照射したとしても、樹脂絶縁材４５に加わるレーザーＬ１の加工熱が、金属材料（本実施形態ではステンレス）からなる支持治具４９を介して拡散されるとともに、孔部５３を通過して外部に放出される。しかも、基材載置工程では、光透過性を有する材料（本実施形態ではポリエチレンテレフタレート樹脂）からなる保護フィルム５１を樹脂絶縁材４５と支持治具４９との間に介在させている。その結果、樹脂絶縁材４５に照射されたレーザーＬ１が保護フィルム５１内を直進するため、樹脂絶縁材４５内においてレーザーＬ１が散乱しにくくなる。以上のことから、貫通孔２６の内径Ａ１が小さい場合であっても、レーザーＬ１の加工熱やレーザーＬ１の散乱に起因する貫通孔２６の内径Ａ１のバラツキが生じにくくなり、貫通孔２６を正確に形成できるようになる。ゆえに、不良品発生率が低く抑えられ、製造される配線基板１０の歩留まりが高くなる。
【００４８】
（２）従来の製造方法では、レーザーの照射によって基材１０３に貫通孔１０８を形成しているが、レーザーの加工熱の影響を受けて基材１０３または金属層１０１が溶け出すおそれがある（図１２参照）。特に、レーザーの入射面（図１２では上面）には過剰な加工熱が加わるため、入射面における貫通孔１０８の内径が大きくなったり、貫通孔１０８の入射面側の端部が盛り上がったりしやすくなる。この場合、形成される貫通孔１０８に大きなテーパが生じてしまう（即ち、テーパ率が小さくなる）ため、貫通孔１０８を正確に形成できないという問題がある。
【００４９】
そこで、本実施形態では、樹脂絶縁材４５の第１面４６上に保護フィルム５１を形成するだけではなく、樹脂絶縁材４５の第２面４７上にも保護フィルム５２を貼付した状態で、貫通孔２６を形成している。この場合、レーザーＬ１は、保護フィルム５２の内部を直進した後、そのままの向きで第２面４７側から樹脂絶縁材４５内に進入するため、樹脂絶縁材４５の第２面４７付近においてレーザーＬ１が散乱しにくくなる。その結果、レーザーの入射面である第２面４７に過剰な加工熱が加わりにくくなるため、入射面における貫通孔１０８の内径が大きくなることや、貫通孔１０８の入射面側の端部が盛り上がることが抑制されるようになる。ゆえに、貫通孔２６に生じるテーパが小さくなり、複数の貫通孔２６をファインピッチで形成できるようになるため、不良品発生率がより低く抑えられ、製造される配線基板１０の歩留まりがよりいっそう高くなる。
【００５０】
（３）本実施形態の貫通孔２６は、貫通孔２６の開口縁となる仮想円Ｃ１（図９参照）に沿ってレーザーＬ１を複数回に分けて照射することにより形成される。このように、複数回に分けてレーザーＬ１を照射すると、樹脂絶縁材４５の加工部分に与える累積熱量が減るため、樹脂絶縁材４５への加工熱によるダメージを回避しつつ貫通孔２６を確実に形成することができる。
【００５１】
（４）本実施形態の配線基板１０では、樹脂絶縁層２１，２２が、ポリイミド系の熱硬化性樹脂からなる第１樹脂層２４と、第１樹脂層２４の両面に形成され、ポリイミド系の熱可塑性樹脂からなる第２樹脂層２５とにより構成されている。この場合、各樹脂絶縁層２１，２２を積層する工程で加熱及び加圧を行うことにより、第２樹脂層２５が接着層として機能するため、各樹脂絶縁層２１，２２が一体化された樹脂絶縁部２０を有する配線基板１０を確実に製造することができる。
【００５２】
なお、本実施形態を以下のように変更してもよい。
【００５３】
・上記実施形態の基材載置工程では、シート状の保護フィルム５１が第１面４６上に貼付された樹脂絶縁材４５を、支持治具４９の支持面５０上に載置していた。しかし、基材載置工程では、支持治具４９の支持面５０に貼付されたシート状の保護フィルム５１上に、樹脂絶縁材４５を載置するようにしてもよい。
【００５４】
・上記実施形態では、第１面４６上に保護フィルム５１が貼付されるとともに、第２面４７上に保護フィルム５２が貼付された樹脂絶縁材４５が用いられていた。しかし、第１面４６上のみに保護フィルムが貼付された樹脂絶縁材を用いてもよい。即ち、第２面４７上に貼付される保護フィルムは省略されていてもよい。
【００５５】
・上記実施形態では、基材準備工程において準備される基材として、銅箔４８が第２面４７のみに形成された樹脂絶縁材４５が用いられていた。しかし、銅箔４８が第１面４６のみに形成された樹脂絶縁材を用いてもよいし、銅箔４８が第１面４６及び第２面４７の両方に形成された樹脂絶縁材４５を用いてもよい。
【００５６】
・上記実施形態では、貫通導体形成工程において貫通孔２６内に充填される導電性ペーストとして、銀ペーストが用いられていた。しかし、これに限定されるものではなく、銅ペーストや、銀と銅とを含むペーストなどの他の導電性ペーストを用いてもよい。
【００５７】
・上記実施形態では、セラミック絶縁層３１〜３３としてアルミナの焼結体を用いたが、これに限定される訳ではない。アルミナではなく、例えばガラスセラミックでもよい。ガラスセラミックを用いる場合、ビア導体３４及び貫通導体３７としては、銀、銅、またはこれらの合金が用いられる。
【００５８】
・上記実施形態では、樹脂絶縁部２０とセラミック基板部３０とを備える電子部品検査用配線基板１０に本発明を具体化したが、他の用途で使用される配線基板に本発明を具体化してもよい。例えば、複数の樹脂絶縁層からなる多層配線基板に本発明を具体化してもよい。
【００５９】
次に、特許請求の範囲に記載された技術的思想のほかに、前述した実施形態によって把握される技術的思想を以下に列挙する。
【００６０】
（１）上記手段１において、前記保護層は、前記第１面上及び前記第２面上の両方に形成されており、前記第１面上に形成された保護層、及び、前記第２面上に形成された保護層が、共通の材料からなることを特徴とする配線基板の製造方法。
【００６１】
（２）上記手段１において、前記保護層は、前記第１面上及び前記第２面上の両方に形成されており、前記第１面上に形成された保護層、及び、前記第２面上に形成された保護層が、共通の厚さを有することを特徴とする配線基板の製造方法。
【００６２】
（３）上記手段１において、前記基材載置工程では、シート状の前記保護層が前記第１面上に貼付された前記基材を前記支持面上に載置することを特徴とする配線基板の製造方法。
【００６３】
（４）上記手段１において、前記基材載置工程では、前記支持部材に貼付されたシート状の前記保護層上に前記基材を載置することを特徴とする配線基板の製造方法。
【００６４】
（５）上記手段１において、前記保護層は、厚さ５０μｍ以下の保護フィルムであることを特徴とする配線基板の製造方法。
【００６５】
（６）上記手段１において、前記支持部材は、前記貫通孔を形成すべき前記基材が前記支持面上に載置され、前記複数の孔部が厚さ方向に貫通する板状の治具であることを特徴とする配線基板の製造方法。
【００６６】
（７）上記手段１において、前記配線基板は、前記基材からなる複数の樹脂絶縁層と複数の配線層とが積層された樹脂絶縁部と、前記樹脂絶縁部の下層側に設けられ、複数のセラミック絶縁層と複数の導体層とが積層されたセラミック基板部とを備える電子部品検査用配線基板であることを特徴とする配線基板の製造方法。
【符号の説明】
【００６７】
１０…配線基板（電子部品検査用配線基板）
２１，２２…樹脂絶縁層
２３…配線層
２６…貫通孔
２７…貫通導体
４５…基材としての樹脂絶縁材
４６…第１面
４７…第２面
４８…金属層としての銅箔
４９…支持部材としての支持治具
５０…支持面
５１，５２…保護層としての保護フィルム
５３…孔部
Ａ１…貫通孔の内径
Ａ２…孔部の内径
Ａ３…貫通孔間のピッチ
Ｃ１…仮想円
Ｌ１…レーザー
【図１】
0006322066.tif 000003
【図２】
0006322066.tif 000004
【図３】
0006322066.tif 000005
【図４】
0006322066.tif 000006
【図５】
0006322066.tif 000007
【図６】
0006322066.tif 000008
【図７】
0006322066.tif 000009
【図８】
0006322066.tif 000010
【図９】
0006322066.tif 000011
【図１０】
0006322066.tif 000012
【図１１】
0006322066.tif 000013
【図１２】
0006322066.tif 000014