(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
被処理体の絶縁膜をエッチングする方法であって、該被処理体は、配線層、該配線層上に設けられた前記絶縁膜、及び該絶縁膜上に設けられた有機膜から構成されたマスクを有しており、該方法は、
第１の期間内において、プラズマ処理装置の処理容器内に供給されたフルオロカーボンを含む処理ガスを励起させるために、高周波電力のＯＮとＯＦＦを周期的に切り換える工程と、
前記第１の期間に続く第２の期間であり、前記第１の期間内において前記高周波電力がＯＮとなる期間と前記高周波電力がＯＦＦとなる期間からなる一周期内において前記高周波電力がＯＮとなる該期間よりも長い該第２の期間内において、前記処理容器内に供給された前記処理ガスを励起させるために、高周波電力を連続的にＯＮに設定する工程と、
を含み、
前記高周波電力のＯＮとＯＦＦを周期的に切り換える前記工程と前記高周波電力を連続的にＯＮに設定する前記工程とが交互に繰り返される、方法。
【請求項２】
前記絶縁膜は、単一の膜である、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記第２の期間は、前記一周期内において前記高周波電力がＯＮとなる前記期間より１００倍以上長い期間である、請求項１又は２に記載の方法。
【請求項４】
前記高周波電力を連続的にＯＮに設定する前記工程では、前記処理ガス中の前記フルオロカーボンの解離度が、前記高周波電力のＯＮとＯＦＦを周期的に切り換える前記工程における前記処理ガス中の前記フルオロカーボンの解離度よりもよりも高い、請求項１〜３の何れか一項に記載の方法。
【請求項５】
前記高周波電力のＯＮとＯＦＦを周期的に切り換える前記工程で前記処理容器内に供給される前記処理ガスは、前記高周波電力を連続的にＯＮに設定する前記工程で前記処理容器内に供給される前記処理ガスと同一である、請求項１〜４の何れか一項に記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明の実施形態は、絶縁膜をエッチングする方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
電子デバイスの製造においては、層間絶縁膜にコンタクト用の開口が形成されることがある。この層間絶縁膜を有する被処理体では、層間絶縁膜は配線層上に形成され、当該層間絶縁膜層上には、開口形成のための有機膜からなるマスクが設けられる。このような被処理体の絶縁膜に開口を形成するためには、一般的には、プラズマエッチングが用いられる。
【０００３】
層間絶縁膜のプラズマエッチングでは、プラズマ処理装置の処理容器内においてフルオロカーボンを含む処理ガスが励起される。これにより生成される活性種によって、絶縁膜がエッチングされる。
【０００４】
下記の特許文献１には、このようなプラズマエッチングが開示されている。特許文献１に記載されたプラズマエッチングでは、処理ガスを励起させるための高周波電力がＯＮとＯＦＦに周期的に切り換えられている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２０００−３１１８９０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
ところで、絶縁膜のエッチングには、マスク及び配線層のエッチングを抑制すること、即ち、選択性を有することが求められる。しかしながら、従来のプラズマエッチングでは、絶縁膜のエッチングに対して、マスク及び配線層のエッチングを十分に抑制することができない。
【０００７】
したがって、マスク及び配線層に対して絶縁膜を選択的にエッチングすることが必要となっている。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
一側面においては、被処理体の絶縁膜をエッチングする方法が提供される。被処理体は、配線層、該配線層上に設けられた絶縁膜、及び該絶縁膜上に設けられた有機膜から構成されたマスクを有している。この方法は、（ａ）第１の期間内において、プラズマ処理装置の処理容器内に供給されたフルオロカーボンを含む処理ガスを励起させるために、高周波電力のＯＮとＯＦＦを周期的に切り換える工程（以下、「第１工程」という）と、（ｂ）第１の期間に続く第２の期間であり、第１の期間内において高周波電力がＯＮとなる期間と高周波電力がＯＦＦとなる期間からなる一周期内において高周波電力がＯＮとなる期間よりも長い該第２の期間内において、処理容器内に供給された処理ガスを励起させるために、高周波電力を連続的にＯＮに設定する工程（以下、「第２工程」という）と、を含む。この方法では、第１工程と第２工程とが交互に繰り返される。一実施形態では、絶縁膜は酸化シリコン製であり、配線層は多結晶シリコン製又はタングステン製である。
【０００９】
この方法の第１の期間では、高周波電力のＯＮとＯＦＦとが周期的に切り換えられる。第１の期間における高周波電力の供給、即ち、ＯＮとＯＦＦとが交互に切り替わる高周波電力の供給により、フルオロカーボンから、低次の活性種よりも高次の活性種が主として生成される。高次の活性種はマスク表面に付着し易く、絶縁膜のエッチング中にマスクを保護する保護膜を形成する。また、高次の活性種は、形成される開口の深部には到達し難く、従って、配線層を保護する膜を形成することができない。
【００１０】
一方、第２期間では、高周波電力が連続的にＯＮに設定される。第２の期間の高周波電力の供給、即ち連続的にＯＮ状態を維持する高周波電力の供給により、フルオロカーボンから、高次の活性種よりも低次の活性種が主として生成される。即ち、第２の期間の高周波電力の供給により、第１の期間の高周波電力の供給によるよりも、フルオロカーボンの解離度が高くなる。低次の活性種は、マスクを多くエッチングし得るが、開口の深部まで到達して配線層上に保護膜を形成することができる。したがって、第１工程と第２工程を交互に繰り返して実行することにより、絶縁膜のエッチング中にマスク及び配線層を保護することが可能となる。故に、この方法によれば、マスク及び配線層に対して絶縁膜を選択的にエッチングすることが可能となる。
【００１１】
一実施形態では、絶縁膜は、単一の膜であってもよい。また、一実施形態では、第２の期間は、一周期内において高周波電力がＯＮとなる期間より１００倍以上長い期間であり得る。
【発明の効果】
【００１２】
以上説明したように、マスク及び配線層に対して絶縁膜を選択的にエッチングすることが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
【図１】一実施形態に係る絶縁膜をエッチングする方法を示す流れ図である。
【図２】被処理体の一例を示す図である。
【図３】一実施形態に係るプラズマ処理装置を概略的に示す図である。
【図４】図１に示す方法の各工程における一例の被処理体の状態を示す断面図である。
【図５】図１に示す方法の各工程における高周波電力及び高周波バイアス電力の波形を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１４】
以下、図面を参照して種々の実施形態について詳細に説明する。なお、各図面において同一又は相当の部分に対しては同一の符号を附すこととする。
【００１５】
図１は、一実施形態に係る絶縁膜をエッチングする方法を示す流れ図である。図１に示す方法ＭＴは、被処理体（以下、「ウエハＷ」という）の絶縁膜をエッチングする方法であり、交互に繰り返される工程Ｓ１及び工程Ｓ２を含んでいる。
【００１６】
図２は、被処理体の一例を示す図である。方法ＭＴは、例えば、図２に示すウエハＷに対して適用され得る。このウエハＷは、配線層１０２、絶縁膜１０４、及びマスク１０６を有している。配線層１０２は、例えば、多結晶シリコン、又はタングステンから構成されている。
【００１７】
絶縁膜１０４は、配線層１０２上に設けられている。一実施形態では、絶縁膜１０４は単一の絶縁膜、即ち単層である。また、一実施形態では、絶縁膜１０４は、層間絶縁膜であり、例えば、酸化シリコンから構成されている。絶縁膜１０４は、フルオロカーボンガスのプラズマを用いることにより配線層１０２及びマスク１０６に対して選択的にエッチングされる絶縁膜であれば、任意の材料から構成され得る。マスク１０６は、絶縁膜１０４上に設けられている。マスク１０６は、有機膜から構成されている。例えば、マスク１０６は、アモルファスカーボン、又はレジスト材料から構成されている。マスク１０６には、絶縁膜１０４に転写されるべきパターンが形成されている。即ち、マスク１０６には、開口が形成されている。
【００１８】
方法ＭＴの実施には、図３に示すプラズマ処理装置を用いることができる。図３は、一実施形態に係るプラズマ処理装置を概略的に示す図である。図３に示すように、プラズマ処理装置１０は、容量結合型プラズマエッチング装置であり、処理容器１２を備えている。処理容器１２は、略円筒形状を有している。処理容器１２は、例えば、アルミニウムから構成されており、その内壁面には陽極酸化処理が施されている。この処理容器１２は保安接地されている。
【００１９】
処理容器１２の底部上には、略円筒状の支持部１４が設けられている。支持部１４は、例えば、絶縁材料から構成されている。支持部１４は、処理容器１２内において、処理容器１２の底部から鉛直方向に延在している。また、処理容器１２内には、載置台ＰＤが設けられている。載置台ＰＤは、支持部１４によって支持されている。
【００２０】
載置台ＰＤは、その上面においてウエハＷを保持する。載置台ＰＤは、下部電極ＬＥ及び静電チャックＥＳＣを有している。下部電極ＬＥは、第１プレート１８ａ及び第２プレート１８ｂを含んでいる。第１プレート１８ａ及び第２プレート１８ｂは、例えばアルミアルミニウムといった金属から構成されており、略円盤形状をなしている。第２プレート１８ｂは、第１プレート１８ａ上に設けられており、第１プレート１８ａに電気的に接続されている。
【００２１】
第２プレート１８ｂ上には、静電チャックＥＳＣが設けられている。静電チャックＥＳＣは、導電膜である電極を一対の絶縁層又は絶縁シート間に配置した構造を有している。静電チャックＥＳＣの電極には、直流電源２２がスイッチ２３を介して電気的に接続されている。この静電チャックＥＳＣは、直流電源２２からの直流電圧により生じたクーロン力等の静電力によりウエハＷを吸着する。これにより、静電チャックＥＳＣは、ウエハＷを保持することができる。
【００２２】
第２プレート１８ｂの周縁部上には、ウエハＷのエッジ及び静電チャックＥＳＣを囲むようにフォーカスリングＦＲが配置されている。フォーカスリングＦＲは、エッチングの均一性を向上させるために設けられている。フォーカスリングＦＲは、エッチング対象の膜の材料によって適宜選択される材料から構成されており、例えば、石英から構成され得る。
【００２３】
第２プレート１８ｂの内部には、冷媒流路２４が設けられている。冷媒流路２４は、温調機構を構成している。冷媒流路２４には、処理容器１２の外部に設けられたチラーユニットから配管２６ａを介して冷媒が供給される。冷媒流路２４に供給された冷媒は、配管２６ｂを介してチラーユニットに戻される。このように、冷媒流路２４には、冷媒が循環するよう、供給される。この冷媒の温度を制御することにより、静電チャックＥＳＣによって支持されたウエハＷの温度が制御される。
【００２４】
また、プラズマ処理装置１０には、ガス供給ライン２８が設けられている。ガス供給ライン２８は、伝熱ガス供給機構からの伝熱ガス、例えばＨｅガスを、静電チャックＥＳＣの上面とウエハＷの裏面との間に供給する。
【００２５】
また、プラズマ処理装置１０には、加熱素子であるヒータＨＴが設けられている。ヒータＨＴは、例えば、第２プレート１８ｂ内に埋め込まれている。ヒータＨＴには、ヒータ電源ＨＰが接続されている。ヒータ電源ＨＰからヒータＨＴに電力が供給されることにより、載置台ＰＤの温度が調整され、当該載置台ＰＤ上に載置されるウエハＷの温度が調整されるようになっている。なお、ヒータＨＴは、静電チャックＥＳＣに内蔵されていてもよい。
【００２６】
また、プラズマ処理装置１０は、上部電極３０を備えている。上部電極３０は、載置台ＰＤの上方において、当該載置台ＰＤと対向配置されている。下部電極ＬＥと上部電極３０とは、互いに略平行に設けられている。これら上部電極３０と下部電極ＬＥとの間には、ウエハＷにプラズマ処理を行うための処理空間Ｓが提供されている。
【００２７】
上部電極３０は、絶縁性遮蔽部材３２を介して、処理容器１２の上部に支持されている。一実施形態では、上部電極３０は、載置台ＰＤの上面、即ち、ウエハ載置面からの鉛直方向における距離が可変であるように構成され得る。上部電極３０は、電極板３４及び電極支持体３６を含み得る。電極板３４は処理空間Ｓに面しており、当該電極板３４には複数のガス吐出孔３４ａが設けられている。この電極板３４は、一実施形態では、シリコンから構成されている。
【００２８】
電極支持体３６は、電極板３４を着脱自在に支持するものであり、例えばアルミニウムといった導電性材料から構成され得る。この電極支持体３６は、水冷構造を有し得る。電極支持体３６の内部には、ガス拡散室３６ａが設けられている。このガス拡散室３６ａからは、ガス吐出孔３４ａに連通する複数のガス通流孔３６ｂが下方に延びている。また、電極支持体３６には、ガス拡散室３６ａに処理ガスを導くガス導入口３６ｃが形成されており、このガス導入口３６ｃには、ガス供給管３８が接続されている。
【００２９】
ガス供給管３８には、バルブ群４２及び流量制御器群４４を介して、ガスソース群４０が接続されている。ガスソース群４０は、複数のガスソースを有している。複数のガスソースは、一以上のフルオロカーボンガスのソース、酸素ガス（Ｏ２ガス）のソース、及び、希ガスのソースを含み得る。フルオロカーボンガスは、Ｃ４Ｆ６、Ｃ４Ｆ８、及びＣ６Ｆ６のうち少なくとも一種を含むガスであり得る。一実施形態では、複数のガスソースは、Ｃ４Ｆ６ガスのソース、及びＣ４Ｆ８ガスのソースを含み得る。また、希ガスは、Ａｒガス、Ｈｅガスといった任意の希ガスのソースであることができる。
【００３０】
バルブ群４２は複数のバルブを含んでおり、流量制御器群４４はマスフローコントローラといった複数の流量制御器を含んでいる。ガスソース群４０の複数のガスソースはそれぞれ、バルブ群４２の対応のバルブ及び流量制御器群４４の対応の流量制御器を介して、ガス供給管３８に接続されている。
【００３１】
また、プラズマ処理装置１０では、処理容器１２の内壁に沿ってデポシールド４６が着脱自在に設けられている。デポシールド４６は、支持部１４の外周にも設けられている。デポシールド４６は、処理容器１２にエッチング副生物（デポ）が付着することを防止するものであり、アルミニウム材にＹ２Ｏ３等のセラミックスを被覆することにより構成され得る。
【００３２】
処理容器１２の底部側、且つ、支持部１４と処理容器１２の側壁との間には排気プレート４８が設けられている。排気プレート４８は、例えば、アルミニウム材にＹ２Ｏ３等のセラミックスを被覆することにより構成され得る。この排気プレート４８の下方、且つ、処理容器１２には、排気口１２ｅが設けられている。排気口１２ｅには、排気管５２を介して排気装置５０が接続されている。排気装置５０は、ターボ分子ポンプなどの真空ポンプを有しており、処理容器１２内の空間を所望の真空度まで減圧することができる。また、処理容器１２の側壁にはウエハＷの搬入出口１２ｇが設けられており、この搬入出口１２ｇはゲートバルブ５４により開閉可能となっている。
【００３３】
また、プラズマ処理装置１０は、第１の高周波電源６２及び第２の高周波電源６４を更に備えている。第１の高周波電源６２は、プラズマ生成用の第１の高周波電力を発生する電源であり、２７〜１００ＭＨｚの周波数、一例においては４０ＭＨｚの高周波電力を発生する。第１の高周波電源６２は、整合器６６を介して下部電極ＬＥに接続されている。整合器６６は、第１の高周波電源６２の出力インピーダンスと負荷側（下部電極ＬＥ側）の入力インピーダンスを整合させるための回路である。
【００３４】
第２の高周波電源６４は、ウエハＷにイオンを引き込むための第２の高周波電力、即ち高周波バイアス電力を発生する電源であり、４００ｋＨｚ〜１３．５６ＭＨｚの範囲内の周波数、一例においては３．２ＭＨｚの高周波バイアス電力を発生する。第２の高周波電源６４は、整合器６８を介して下部電極ＬＥに接続されている。整合器６８は、第２の高周波電源６４の出力インピーダンスと負荷側（下部電極ＬＥ側）の入力インピーダンスを整合させるための回路である。
【００３５】
また、プラズマ処理装置１０は、電源７０を更に備えている。電源７０は、上部電極３０に接続されている。電源７０は、処理空間Ｓ内に存在する正イオンを電極板３４に引き込むための電圧を、上部電極３０に印加する。一例においては、電源７０は、負の直流電圧を発生する直流電源である。別の一例において、電源７０は、比較的低周波の交流電圧を発生する交流電源であってもよい。電源７０から上部電極に印加される電圧は、−１５０Ｖ以下の電圧であり得る。即ち、電源７０によって上部電極３０に印加される電圧は、絶対値が１５０Ｖ以上の負の電圧であり得る。このような電圧が電源７０から上部電極３０に印加されると、処理空間Ｓに存在する正イオンが、電極板３４に衝突する。これにより、電極板３４から二次電子及び／又はシリコンが放出される。
【００３６】
また、一実施形態においては、プラズマ処理装置１０は、制御部Ｃｎｔを更に備え得る。この制御部Ｃｎｔは、プロセッサ、記憶部、入力装置、表示装置等を備えるコンピュータであり、プラズマ処理装置１０の各部を制御する。具体的に、制御部Ｃｎｔは、バルブ群４２、流量制御器群４４、排気装置５０、第１の高周波電源６２、整合器６６、第２の高周波電源６４、整合器６８、電源７０、ヒータ電源ＨＰ、及びチラーユニットに接続されている。
【００３７】
制御部Ｃｎｔは、入力されたレシピに基づくプログラムに従って動作し、制御信号を送出する。制御部Ｃｎｔからの制御信号により、ガスソース群から供給されるガスの選択及び流量、排気装置５０の排気、第１の高周波電源６２及び第２の高周波電源６４からの電力供給、電源７０からの電圧印加、ヒータ電源ＨＰの電力供給、チラーユニットからの冷媒流量及び冷媒温度を制御することが可能である。
【００３８】
再び図１を参照し、制御部Ｃｎｔの各種制御と共に、方法ＭＴの各工程について詳細に説明する。また、ここでは、図１に加えて、図４及び図５を参照する。図４は、方法ＭＴの各工程における一例の被処理体の状態を示す断面図である。図５は、方法ＭＴの各工程における高周波電力及び高周波バイアス電力の波形を示す図である。
【００３９】
方法ＭＴの工程Ｓ１では、処理容器１２内にフルオロカーボンガスを含む処理ガスが供給される。処理ガスは、例えば、Ｃ４Ｆ６ガス、Ｃ４Ｆ８ガス、Ｏ２ガス、及びＡｒガスを含み得る。また、方法ＭＴでは、工程Ｓ１が実行される第１の期間Ｔ１内において、第１の高周波電源６２から供給される高周波電力ＨＦのＯＮとＯＦＦとが周期的に切り換えられる。即ち、第１の期間Ｔ１内において、高周波電力ＨＦがパルス状に供給される。高周波電力ＨＦのＯＮとＯＦＦの切り換えの周波数は、０．１ｋＨｚ〜１００ｋＨｚの範囲内の周波数である。例えば、この周波数は１０ｋＨｚである。また、当該周波数によって規定される一周期内において高周波電力ＨＦがＯＮとなる期間Ｔ３が占める割合、即ち、デューティー比は、５％〜９５％の範囲内の比である。例えば、デューティー比は５０％である。
【００４０】
一実施形態の工程Ｓ１では、高周波電力ＨＦにＯＮ／ＯＦＦに同期して、第２の高周波電源６４から供給される高周波バイアス電力ＬＦのＯＮとＯＦＦとが周期的に切り換えられてもよい。即ち、第１の期間Ｔ１内において、高周波バイアス電力ＬＦがパルス状に供給されてもよい。
【００４１】
この工程Ｓ１では、パルス状に供給される高周波電力ＨＦにより、処理ガスが励起される。パルス状に供給される高周波電力ＨＦに基づき生成されるプラズマ中では、フルオロカーボンは、Ｆ、ＣＦ、ＣＦ２といった低次の活性種よりも高次の活性種が多くなるように解離する。換言すると、工程Ｓ１ではフルオロカーボンの解離度が、後述する工程Ｓ２のフルオロカーボンの解離度よりも低くなる。
【００４２】
図４の（ａ）に示すように、高次の活性種は、マスク１０６の表面に付着し易く、フッ素或いはフルオロカーボンの活性種による絶縁膜１０４のエッチング中に、マスク１０６を保護する保護膜１０８を当該マスク１０６の表面上に形成する。なお、高次の活性種は、エッチングによって形成される開口ＯＰの深部には到達し難い特性を有する。
【００４３】
この工程Ｓ１をプラズマ処理装置１０を用いて実行する場合には、制御部Ｃｎｔは、処理容器１２内に上記処理ガスが、設定された流量で供給されるよう、バルブ群４２及び流量制御器群４４を制御する。また、制御部Ｃｎｔは、処理空間Ｓの圧力が設定された圧力となるよう、排気装置５０を制御する。また、制御部Ｃｎｔは、高周波電力ＨＦ及び高周波バイアス電力ＬＦがパルス状に供給されるよう、第１の高周波電源６２及び第２の高周波電源６４を制御する。
【００４４】
なお、高周波電力ＨＦがＯＦＦになっている期間中に電源７０からの電圧が上部電極３０に印加されるよう、制御部Ｃｎｔは、電源７０を制御してもよい。電源７０から上部電極３０に電圧が印加されると、電極板３４から放出される二次電子によってマスク１０６が改質される。これにより、マスク１０６の耐プラズマ性を向上させることができる。また、ウエハＷの帯電を中和することが可能となる。これにより、エッチングレート或いはエッチングの直進性を向上させることが可能である。
【００４５】
方法ＭＴでは、続く工程Ｓ２においても、処理容器１２内に工程Ｓ１と同様の処理ガスが供給される。また、方法ＭＴでは、工程Ｓ２が実行される第２の期間Ｔ２内において、第１の高周波電源６２から供給される高周波電力ＨＦが連続的にＯＮに設定される。即ち、第２の期間Ｔ２中は、連続的に高周波電力ＨＦが供給される。第２の期間Ｔ２は、一実施形態では、期間Ｔ３の１００倍以上の時間長を有する。例えば、第２の期間Ｔ２は、５秒〜１００秒の範囲内の時間長に設定され得る。また、一実施形態の工程Ｓ２では、高周波電力ＨＦと同様に、第２の高周波電源６４から供給される高周波バイアス電力ＬＦも連続的に供給され得る。
【００４６】
この工程Ｓ２では、連続的に供給される高周波電力ＨＦにより、処理ガスが励起される。連続的に供給される高周波電力ＨＦに基づき生成されるプラズマ中では、フルオロカーボンは、高次の活性種よりも、Ｆ、ＣＦ、ＣＦ２といった低次の活性種が多くなるように解離する。換言すると、工程Ｓ２ではフルオロカーボンの解離度が、工程Ｓ１のフルオロカーボンの解離度よりも高くなる。
【００４７】
図４の（ｂ）に示すように、低次の活性種は、マスク１０６を多くエッチングし得るが、開口ＯＰの深部まで到達して配線層１０２上に保護膜１１０を形成することができる。したがって、工程Ｓ２によれば、配線層１０２のエッチングを抑制することができる。
【００４８】
この工程Ｓ２をプラズマ処理装置１０を用いて実行する場合には、制御部Ｃｎｔは、処理容器１２内に上記処理ガスが、設定された流量で供給されるよう、バルブ群４２及び流量制御器群４４を制御する。また、制御部Ｃｎｔは、処理空間Ｓの圧力が設定された圧力となるよう、排気装置５０を制御する。また、制御部Ｃｎｔは、高周波電力ＨＦ及び高周波バイアス電力ＬＦが連続的に供給されるよう、第１の高周波電源６２及び第２の高周波電源６４を制御する。なお、第２の期間Ｔ２中において電源７０からの電圧が上部電極３０に印加されるよう、制御部Ｃｎｔは、電源７０を制御してもよい。
【００４９】
方法ＭＴでは、続く工程Ｓ３において、停止条件が満たされるか否かが判定される。停止条件は、例えば、工程Ｓ１及び工程Ｓ２を含むシーケンスの実行回数が所定回数に達したときに満たされる。例えば、所定回数は１０回である。工程Ｓ３の判定結果がＮｏである場合には、工程Ｓ１及び工程Ｓ２の実行が再び繰り返される。一方、工程Ｓ３の判定結果がＹＥＳである場合には方法ＭＴのプロセスが終了する。
【００５０】
以上説明した方法ＭＴによれば、工程Ｓ１と工程Ｓ２を交互に繰り返して実行することにより、絶縁膜１０４のエッチング中にマスク１０６及び配線層１０２の双方の上に保護膜を形成することが可能となる。故に、この方法ＭＴによれば、マスク１０６及び配線層１０２に対して絶縁膜１０４を選択的にエッチングすることが可能となる。
【００５１】
以上、種々の実施形態について説明してきたが、上述した実施形態に限定されることなく種々の変形態様を構成可能である。例えば、第１の高周波電源６２は、整合器６６を介して上部電極３０に接続されていてもよい。
【符号の説明】
【００５２】
１０…プラズマ処理装置、１２…処理容器、ＰＤ…載置台、ＥＳＣ…静電チャック、ＬＥ…下部電極、３０…上部電極、３４…電極板、４０…ガスソース群、４２…バルブ群、４４…流量制御器群、５０…排気装置、６２…第１の高周波電源、６４…第２の高周波電源、７０…電源、Ｃｎｔ…制御部、Ｗ…ウエハ、１０２…配線層、１０４…絶縁膜、１０６…マスク、１０８，１１０…保護膜。
【図１】
0006327970.tif 000002
【図２】
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【図３】
0006327970.tif 000004
【図４】
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【図５】
0006327970.tif 000006