(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の導電膜と、
前記第１の導電膜上に重なる第１の酸化物半導体膜と、
前記第１の酸化物半導体膜上に重なる第２の導電膜と、
前記第２の導電膜上に重なる第２の酸化物半導体膜と、
前記第２の酸化物半導体膜上に重なる第３の導電膜と、
前記第３の導電膜上の第４の導電膜と、を有するメモリを有し、
前記第１の酸化物半導体膜は、第１のトランジスタのチャネル形成領域を有し、
前記第２の酸化物半導体膜は、第２のトランジスタのチャネル形成領域を有し、
前記第１の導電膜は、前記第１のトランジスタの第１のゲート電極としての機能と、前記メモリの第１のワード線としての機能とを有し、
前記第２の導電膜は、前記第１のトランジスタの第２のゲート電極としての機能と、前記第２のトランジスタの第１のゲート電極としての機能とを有し、
前記第３の導電膜は、前記第２のトランジスタの第２のゲート電極としての機能と、前記メモリの第２のワード線としての機能とを有し、
前記第４の導電膜は、前記メモリのビット線としての機能を有し、且つ前記第１のトランジスタのソース又はドレインの一方と、前記第２のトランジスタのソース又はドレインの一方と電気的に接続されることを特徴とする半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
半導体装置およびその作製方法に関する。
【０００２】
なお、本明細書中において半導体装置とは、半導体特性を利用することで機能し得る装置
全般をいい、電気光学装置、半導体回路および電子機器などは全て半導体装置である。
【背景技術】
【０００３】
絶縁表面を有する基板上に形成された半導体膜を用いて、トランジスタを構成する技術が
注目されている。該トランジスタは集積回路（ＩＣ）や画像表示装置（表示装置）のよう
な半導体装置に広く応用されている。トランジスタに適用可能な半導体膜としてシリコン
系半導体膜が知られているが、近年では酸化物半導体膜が注目されている。
【０００４】
例えば、電子キャリア濃度が１０１８／ｃｍ３未満であるインジウム、ガリウムおよび亜
鉛を含む非晶質酸化物半導体膜を用いたトランジスタが開示されている（特許文献１参照
。）。
【０００５】
酸化物半導体膜中の電子移動度が高いため、酸化物半導体膜を用いたトランジスタは、非
晶質シリコン膜を用いたトランジスタと比べて動作速度が大幅に向上する。また、非晶質
シリコン膜を用いたトランジスタの生産設備の一部を改良して利用することが可能である
ため、設備投資を抑えられるメリットもある。
【０００６】
また、酸化物半導体膜を用いたトランジスタの特性を応用したメモリが提案されている（
特許文献２参照。）。なお、酸化物半導体膜は、スパッタリング法などの薄膜形成技術に
よって成膜することが可能である。また、酸化物半導体膜を用いたトランジスタは、３５
０℃以下程度の低温工程にて作製可能である。そのため、酸化物半導体膜を用いたトラン
ジスタは、他のトランジスタに重畳して作製するための制約が少なく、セル面積を縮小す
ることができる。
【０００７】
酸化物半導体膜を用いたトランジスタは、水素などの不純物および酸素欠損に起因してキ
ャリアが生成され、トランジスタのしきい値電圧（Ｖｔｈ）を負方向へシフトさせてしま
うことがある。そこで、フロントゲート電極に対してバックゲート電極を設けた酸化物半
導体層の上下にゲート電極を有するトランジスタの構造とすることで、酸化物半導体膜を
用いたトランジスタのＶｔｈを制御することが検討されている（特許文献３参照。）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００８】
【特許文献１】特開２００６−１６５５２８号公報
【特許文献２】特開２０１１−１５１３８３号公報
【特許文献３】特開２０１０−２８３３３８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
酸化物半導体層の上下にゲート電極を有するトランジスタは、フロントゲート電極（第１
のゲート電極ともいう。）およびバックゲート電極（第２のゲート電極ともいう。）を形
成するために工程数が増大してしまう。
【００１０】
また、半導体装置において、酸化物半導体膜を用いたトランジスタを複数重畳して設ける
ことでトランジスタ一つ当たりの面積を縮小することが可能であるが、酸化物半導体層の
上下にゲート電極を有するトランジスタを、他の酸化物半導体層の上下にゲート電極を有
するトランジスタと少なくとも一部を重畳して設ける場合、各トランジスタごとに第２の
ゲート電極を設けることになる。
【００１１】
そこで、本発明の一態様は、酸化物半導体層の上下にゲート電極を有するトランジスタを
、酸化物半導体層の上下にゲート電極を有するトランジスタと重畳する半導体装置におい
て、当該半導体装置の歩留まりを高めることを課題の一とする。また、当該半導体装置を
作製するにあたり、工程数の増大を抑制することを課題の一とする。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
本発明の一態様は、酸化物半導体層の上下にゲート電極を有する第１のトランジスタと、
当該第１のトランジスタに少なくとも一部を重畳して設けられた酸化物半導体層の上下に
ゲート電極を有する第２のトランジスタと、を有し、第１のトランジスタおよび第２のト
ランジスタの第２のゲート電極として機能する導電膜を共通化した半導体装置である。
【００１３】
なお、第２のゲート電極は、第１のトランジスタおよび第２のトランジスタのＶｔｈを制
御するだけではなく、第１のトランジスタおよび第２のトランジスタそれぞれの第１のゲ
ート電極から印加される電界の干渉を低減する効果も奏する。
【００１４】
また、本発明の一態様は、第２のトランジスタ上に上面が平坦である絶縁膜が設けられ、
当該絶縁膜上に第１のトランジスタと同様の構造を有する第３のトランジスタが設けられ
、第３のトランジスタに少なくとも一部を重畳して第２のトランジスタと同様の構造を有
する第４のトランジスタが設けられ、第３のトランジスタおよび第４のトランジスタの第
２のゲート電極として機能する導電膜を共通化した半導体装置である。
【００１５】
前述したように、第１のトランジスタ、第２のトランジスタを一つの構造として、当該構
造を複数積層して設けることができる。具体的には、この構造を２段以上１０段以下、好
ましくは３段以上２０段以下、さらに好ましくは５段以上５０段以下の範囲で重畳して設
けてもよい。もちろん、この範囲を超えて当該構造を積層して設けても構わない。
【００１６】
以上のような構造を複数積層する場合、トランジスタ２個ごとに、第２のゲート電極とし
て機能する導電膜を設けることになる。そのため、第２のゲート電極を設けるための工程
数を低減することができる。また、１段につき、第２のゲート電極として機能する導電膜
を１層省くことができる。従って、構造を複数積層して設ける場合、半導体装置の作製途
中での応力による破損を抑制でき、より多くのトランジスタを有する半導体装置を作製す
ることができる。即ち、半導体装置の高集積化および歩留まりの向上が可能となる。そし
て、このように構造を複数積層しても、第２のゲート電極の効果で電界の干渉を低減でき
る。
【００１７】
なお、本発明の一態様である半導体装置は、メモリに好適である。これは、メモリセルを
複数重畳して設けることにより、セル面積を縮小できるためである。
【００１８】
または、本発明の一態様は、絶縁表面上に設けられた第１のトランジスタと、第１のトラ
ンジスタと少なくとも一部が重畳して設けられた第２のトランジスタと、を有し、第１の
トランジスタは、第１の導電膜と、第１の導電膜上に設けられた第１の絶縁膜と、第１の
絶縁膜上に設けられた第１の酸化物半導体膜と、第１の酸化物半導体膜と少なくとも一部
が接して設けられた第２の導電膜および第３の導電膜と、第２の導電膜、第３の導電膜お
よび第１の酸化物半導体膜上に設けられた第２の絶縁膜と、第２の絶縁膜上に設けられた
第４の導電膜と、を有し、第２のトランジスタは、第４の導電膜と、第４の導電膜上に設
けられた第３の絶縁膜と、第３の絶縁膜上に設けられた第２の酸化物半導体膜と、第２の
酸化物半導体膜と少なくとも一部を接して設けられた第５の導電膜および第６の導電膜と
、第５の導電膜、第６の導電膜および第２の酸化物半導体膜上に設けられた第４の絶縁膜
と、第４の絶縁膜上に設けられた第７の導電膜と、を有し、第１の酸化物半導体膜は、少
なくとも一部が第１の導電膜および第４の導電膜と重畳し、第２の酸化物半導体膜は、少
なくとも一部が第４の導電膜および第７の導電膜と重畳する半導体装置である。なお、第
２のトランジスタの第７の導電膜および第４の絶縁膜上に、上面の平坦である第５の絶縁
膜が設けられると好ましい。
【００１９】
または、本発明の一態様は、第１のトランジスタおよび第２のトランジスタを有する第１
の構造上に、第１の構造と同様の構造である第２の構造を有する半導体装置である。
【００２０】
ここで、第１の導電膜の少なくとも一部が第１のトランジスタの第１のゲート電極として
機能し、第７の導電膜の少なくとも一部が第２のトランジスタの第１のゲート電極として
機能し、第４の導電膜の少なくとも一部が第１のトランジスタの第２のゲート電極として
機能し、第４の導電膜の少なくとも一部が第２のトランジスタの第２のゲート電極として
機能する。
【００２１】
または、本発明の一態様は、絶縁表面上に設けられた第１の導電膜と、第１の導電膜上に
設けられた第１の絶縁膜と、第１の絶縁膜上に設けられ、第１の導電膜と少なくとも一部
が重畳する第１の酸化物半導体膜と、第１の酸化物半導体膜上に設けられた第２の導電膜
および第３の導電膜と、第２の導電膜、第３の導電膜および第１の酸化物半導体膜上に設
けられた第２の絶縁膜と、第２の絶縁膜上に設けられ、第２の導電膜と少なくとも一部が
重畳する第４の導電膜と、第２の絶縁膜上に設けられ、第１の酸化物半導体膜と少なくと
も一部が重畳する第５の導電膜と、第２の絶縁膜、第４の導電膜および第５の導電膜上に
設けられた第３の絶縁膜と、第３の絶縁膜上に設けられ、第５の導電膜と少なくとも一部
が重畳する第２の酸化物半導体膜と、第２の酸化物半導体膜上に設けられた第６の導電膜
および第７の導電膜と、第６の導電膜、第７の導電膜および第２の酸化物半導体膜上に設
けられた第４の絶縁膜と、第４の絶縁膜上に設けられ、第６の導電膜と少なくとも一部が
重畳する第８の導電膜と、第４の絶縁膜上に設けられ、第２の酸化物半導体膜と少なくと
も一部が重畳する第９の導電膜と、第４の絶縁膜、第８の導電膜および第９の導電膜上に
設けられた第５の絶縁膜と、第５の絶縁膜上に設けられた第１０の導電膜と、を有する半
導体装置である。なお、第２の絶縁膜、第３の絶縁膜、第２の酸化物半導体膜、第７の導
電膜、第４の絶縁膜および第５の絶縁膜は、第３の導電膜に達する開口部を有し、該開口
部を介して、第１０の導電膜が第３の導電膜と接する。なお、第１０の導電膜上に、上面
の平坦である第６の絶縁膜が設けられると好ましい。
【００２２】
または、本発明の一態様は、絶縁表面上に設けられた第１の導電膜と、第１の導電膜上に
設けられた第１の絶縁膜と、第１の絶縁膜上に設けられ、第１の導電膜と少なくとも一部
が重畳する第１の酸化物半導体膜と、第１の酸化物半導体膜上に設けられた第２の導電膜
および第３の導電膜と、第２の導電膜、第３の導電膜および第１の酸化物半導体膜上に設
けられた第２の絶縁膜と、第２の絶縁膜上に設けられ、第２の導電膜と少なくとも一部が
重畳する第４の導電膜と、第２の絶縁膜上に設けられ、第１の酸化物半導体膜と少なくと
も一部が重畳する第５の導電膜と、第２の絶縁膜、第４の導電膜および第５の導電膜上に
設けられた第３の絶縁膜と、第３の絶縁膜上に設けられ、第４の導電膜と少なくとも一部
が重畳する第６の導電膜と、第３の絶縁膜上に設けられた第７の導電膜と、第３の絶縁膜
、第６の導電膜および第７の導電膜上に設けられ、第５の導電膜と少なくとも一部が重畳
する第２の酸化物半導体膜と、第６の導電膜、第７の導電膜および第２の酸化物半導体膜
上に設けられた第４の絶縁膜と、第４の絶縁膜上に設けられ、第２の酸化物半導体膜と少
なくとも一部が重畳する第８の導電膜と、第８の導電膜上に設けられた第５の絶縁膜と、
第５の絶縁膜上に設けられた第９の導電膜と、を有する半導体装置である。なお、第２の
絶縁膜、第３の絶縁膜、第２の酸化物半導体膜、第７の導電膜、第４の絶縁膜および第５
の絶縁膜は、第３の導電膜に達する開口部を有し、該開口部を介して、第９の導電膜が第
３の導電膜と接する。なお、第９の導電膜上に、上面の平坦である第６の絶縁膜が設けら
れると好ましい。
【発明の効果】
【００２３】
異なる２個の酸化物半導体層の上下にゲート電極を有するトランジスタ間で第２のゲート
電極として機能する導電膜を共通化することで、半導体装置の高集積化および歩留まりの
向上が可能となる。また、当該半導体装置を作製するにあたり、工程数の増大を抑制する
ことができる。
【図面の簡単な説明】
【００２４】
【図１】本発明の一態様に係る半導体装置の例を示す上面図および断面図。
【図２】本発明の一態様に係る半導体装置の作製方法の例を示す断面図。
【図３】本発明の一態様に係る半導体装置の作製方法の例を示す断面図。
【図４】本発明の一態様に係る半導体装置の作製方法の例を示す断面図。
【図５】本発明の一態様に係る半導体装置の作製方法の例を示す断面図。
【図６】本発明の一態様に係る半導体装置の作製方法の例を示す断面図。
【図７】本発明の一態様に係る半導体装置の例を示す上面図および断面図。
【図８】本発明の一態様に係る半導体装置に対応する回路図。
【図９】本発明の一態様に係る半導体装置の作製方法の例を示す断面図。
【図１０】本発明の一態様に係る半導体装置の作製方法の例を示す断面図。
【図１１】本発明の一態様に係る半導体装置の作製方法の例を示す断面図。
【図１２】本発明の一態様に係る半導体装置の作製方法の例を示す断面図。
【図１３】本発明の一態様に係る半導体装置の作製方法の例を示す断面図。
【図１４】本発明の一態様に係る半導体装置の作製方法の例を示す断面図。
【図１５】本発明の一態様に係る半導体装置の作製方法の例を示す断面図。
【図１６】本発明の一態様に係る半導体装置の例を示す上面図および断面図。
【図１７】本発明の一態様に係る半導体装置の例を示す断面図。
【図１８】本発明の一態様に係る電子機器を示す斜視図。
【図１９】トランジスタの構造を説明する上面図および断面図。
【発明を実施するための形態】
【００２５】
以下では、本発明の実施の形態について図面を用いて詳細に説明する。ただし、本発明は
以下の説明に限定されず、その形態および詳細を様々に変更し得ることは、当業者であれ
ば容易に理解される。また、本発明は以下に示す実施の形態の記載内容に限定して解釈さ
れるものではない。なお、図面を用いて発明の構成を説明するにあたり、同じものを指す
符号は異なる図面間でも共通して用いる。なお、同様のものを指す際にはハッチパターン
を同じくし、特に符号を付さない場合がある。
【００２６】
本明細書において、トランジスタのソースとドレインは、一方をドレインと呼ぶとき他方
をソースとする。すなわち、電位の高低によってそれらを区別しない。したがって、ソー
スとされている部分をドレインと読み替えることもできる。
【００２７】
また、電圧は、ある電位と、基準の電位（例えばグラウンド電位またはソース電位）との
電位差のことを示す場合が多い。よって、電圧を電位と言い換えることが可能である。ま
た、電位ＶＨ、電位ＶＤＤ、電位ＧＮＤなどのように電位を表記したとしても、厳密に電
位ＶＨ、電位ＶＤＤ、電位ＧＮＤとなっていないことがある。よって、電位ＶＨ、電位Ｖ
ＤＤ、電位ＧＮＤは、電位ＶＨ近傍、電位ＶＤＤ近傍、電位ＧＮＤ近傍と置き換えること
ができる。なお、「接地する」と「ＧＮＤに接続する」は同義である。
【００２８】
本明細書においては「接続する」と表現される場合であっても、現実の回路においては物
理的な接続部分がなく、配線が延在しているだけの場合もある。
【００２９】
なお、第１、第２として付される序数詞は便宜上用いるものであり、工程順または積層順
を示すものではない。また、本明細書において発明を特定するための事項として固有の名
称を示すものではない。
【００３０】
（実施の形態１）
本実施の形態では、本発明の一態様に係る半導体装置について、図１乃至図６を用いて説
明する。
【００３１】
図１（Ａ）は、本発明の一態様に係る半導体装置の上面図である。なお、図１（Ａ）に示
す一点鎖線Ａ−Ｂに対応する断面Ａ−Ｂが図１（Ｂ）である。図１（Ａ）では、簡単のた
め、重畳して隠れている膜および絶縁膜などを省略して示す。
【００３２】
図１（Ｂ）に示す半導体装置は、基板１０１上に設けられた第１の絶縁膜１０２上に設け
られた第１の導電膜１０４ａと、第１の導電膜１０４ａおよび第１の絶縁膜１０２上に設
けられた第２の絶縁膜１１２ａと、第２の絶縁膜１１２ａ上に設けられ、第１の導電膜１
０４ａと少なくとも一部が重畳する第１の酸化物半導体膜１０６ａと、第１の酸化物半導
体膜１０６ａ上に設けられた第２の導電膜１１６ａおよび第３の導電膜１２６ａと、第２
の導電膜１１６ａ、第３の導電膜１２６ａおよび第１の酸化物半導体膜１０６ａ上に設け
られた第３の絶縁膜１１０ａと、第３の絶縁膜１１０ａ上に設けられ、第１の酸化物半導
体膜１０６ａおよび第１の導電膜１０４ａと少なくとも一部が重畳する第４の導電膜１１
４と、第３の絶縁膜１１０ａ上に設けられ、第４の導電膜１１４と上面の高さが揃ってい
る第４の絶縁膜１２０ａと、第４の導電膜１１４および第４の絶縁膜１２０ａ上に設けら
れた第５の絶縁膜１１０ｂと、第５の絶縁膜１１０ｂ上に設けられ、第４の導電膜１１４
と少なくとも一部が重畳する第２の酸化物半導体膜１０６ｂと、第２の酸化物半導体膜１
０６ｂ上に設けられ、第２の導電膜１１６ａの少なくとも一部、および第３の導電膜１２
６ａの少なくとも一部とそれぞれ重畳する第５の導電膜１１６ｂおよび第６の導電膜１２
６ｂと、第５の導電膜１１６ｂ、第６の導電膜１２６ｂおよび第２の酸化物半導体膜１０
６ｂ上に設けられた第６の絶縁膜１１２ｂと、第６の絶縁膜１１２ｂ上に設けられ、第２
の酸化物半導体膜１０６ｂおよび第４の導電膜１１４と少なくとも一部が重畳する第７の
導電膜１０４ｂと、を有する。なお、第７の導電膜１０４ｂおよび第６の絶縁膜１１２ｂ
上に上面が平坦である第７の絶縁膜１２０ｂを設けると好ましい。
【００３３】
なお、図１（Ｂ）では、第１の導電膜１０４ａ、第４の導電膜１１４および第７の導電膜
１０４ｂと、第２の導電膜１１６ａ、第３の導電膜１２６ａ、第５の導電膜１１６ｂおよ
び第６の導電膜１２６ｂとが重畳していないが、これに限定されない。例えば、第１の導
電膜１０４ａ、第４の導電膜１１４および第７の導電膜１０４ｂと、第２の導電膜１１６
ａ、第３の導電膜１２６ａ、第５の導電膜１１６ｂおよび第６の導電膜１２６ｂとが少な
くとも一部において重畳していてもよい。
【００３４】
基板１０１に大きな制限はないが、少なくとも、後の熱処理に耐え得る程度の耐熱性を有
している必要がある。例えば、ガラス基板、セラミック基板、石英基板、サファイア基板
などを、基板１０１として用いてもよい。また、シリコンや炭化シリコンなどの単結晶半
導体基板、多結晶半導体基板、シリコンゲルマニウムなどの化合物半導体基板、ＳＯＩ（
Ｓｉｌｉｃｏｎ  Ｏｎ  Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ）基板などを適用することも可能であり、こ
れらの基板上に半導体素子が設けられたものを、基板１０１として用いてもよい。
【００３５】
また、基板１０１として、第５世代（１０００ｍｍ×１２００ｍｍまたは１３００ｍｍ×
１５００ｍｍ）、第６世代（１５００ｍｍ×１８００ｍｍ）、第７世代（１８７０ｍｍ×
２２００ｍｍ）、第８世代（２２００ｍｍ×２５００ｍｍ）、第９世代（２４００ｍｍ×
２８００ｍｍ）、第１０世代（２８８０ｍｍ×３１３０ｍｍ）などの大型ガラス基板を用
いる場合、半導体装置の作製工程における加熱処理などで生じる基板１０１の縮みによっ
て、微細な加工が困難になる場合ある。そのため、前述したような大型ガラス基板を基板
１０１として用いる場合、縮みの小さいものを用いることが好ましい。例えば、基板１０
１として、４００℃、好ましくは４５０℃、さらに好ましくは５００℃の温度で１時間加
熱処理を行った後の縮み量が１０ｐｐｍ以下、好ましくは５ｐｐｍ以下、さらに好ましく
は３ｐｐｍ以下である大型ガラス基板を用いればよい。
【００３６】
また、基板１０１として、可とう性基板を用いてもよい。なお、可とう性基板上にトラン
ジスタを設ける方法としては、非可とう性の基板上にトランジスタを作製した後、トラン
ジスタを剥離し、可とう性基板である基板１０１に転置する方法もある。その場合には、
非可とう性基板とトランジスタとの間に剥離層を設けるとよい。
【００３７】
第１の絶縁膜１０２は、基板１０１に起因する不純物が、第１の酸化物半導体膜１０６ａ
に影響しないようにするために設ける。ただし、基板１０１が不純物を含まない場合は、
第１の絶縁膜１０２を設けなくても構わない。
【００３８】
第１の絶縁膜１０２としては、酸化アルミニウム、窒化アルミニウム、酸化マグネシウム
、酸化シリコン、酸化窒化シリコン、窒化酸化シリコン、窒化シリコン、酸化ゲルマニウ
ム、酸化イットリウム、酸化ジルコニウム、酸化ランタン、酸化ネオジム、酸化ハフニウ
ムおよび酸化タンタルを含む絶縁膜から一種以上選択して、単層で積層で用いればよい。
【００３９】
酸化窒化シリコンとは、その組成において、窒素よりも酸素の含有量が多いものを示し、
例えば、酸素が５０原子％以上７０原子％以下、窒素が０．５原子％以上１５原子％以下
、シリコンが２５原子％以上３５原子％以下、水素が０原子％以上１０原子％以下の範囲
で含まれるものをいう。また、窒化酸化シリコンとは、その組成において、酸素よりも窒
素の含有量が多いものを示し、例えば、酸素が５原子％以上３０原子％以下、窒素が２０
原子％以上５５原子％以下、シリコンが２５原子％以上３５原子％以下、水素が１０原子
％以上２５原子％以下の範囲で含まれるものをいう。ただし、上記範囲は、ラザフォード
後方散乱法（ＲＢＳ：Ｒｕｔｈｅｒｆｏｒｄ  Ｂａｃｋｓｃａｔｔｅｒｉｎｇ  Ｓｐｅｃ
ｔｒｏｍｅｔｒｙ）や、水素前方散乱法（ＨＦＳ：Ｈｙｄｒｏｇｅｎ  Ｆｏｒｗａｒｄ  
ｓｃａｔｔｅｒｉｎｇ  Ｓｐｅｃｔｒｏｍｅｔｒｙ）を用いて測定した場合のものである
。また、構成元素の組成は、その合計が１００原子％を超えない値をとる。
【００４０】
第１の導電膜１０４ａの少なくとも一部は、第１の酸化物半導体膜１０６ａを用いたトラ
ンジスタにおいて第１のゲート電極として機能する。例えば、第１の導電膜１０４ａとし
ては、Ａｌ、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｙ、Ｚｒ、Ｍｏ、Ａｇ、ＴａおよびＷを一
種以上含む、単体、窒化物、酸化物または合金を、単層で積層で用いればよい。または、
少なくともＩｎおよびＺｎを含む酸化物または酸窒化物を用いても構わない。例えば、Ｉ
ｎ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ−Ｎ化合物などを用いればよい。
【００４１】
第２の絶縁膜１１２ａの少なくとも一部は、ゲート絶縁膜として機能する。例えば、第２
の絶縁膜１１２ａとしては、酸化アルミニウム、酸化マグネシウム、酸化シリコン、酸化
窒化シリコン、酸化ゲルマニウム、酸化イットリウム、酸化ジルコニウム、酸化ランタン
、酸化ネオジム、酸化ハフニウムおよび酸化タンタルを含む絶縁膜から一種以上選択して
、単層で積層で用いればよい。
【００４２】
第１の酸化物半導体膜１０６ａは、第１の導電膜１０４ａと重畳する領域にチャネル領域
を有する。なお、チャネル領域とは、ゲート電極の電界によりチャネルが形成される領域
をいう。チャネルが形成されると、ソースおよびドレイン間に電圧を印加することで電流
が流れる。
【００４３】
第１の酸化物半導体膜１０６ａとして、例えば、Ｉｎ−Ｍ−Ｚｎ−Ｏ化合物を用いればよ
い。ここで、金属元素Ｍは酸素との結合エネルギーがＩｎおよびＺｎよりも高い元素であ
る。または、Ｉｎ−Ｍ−Ｚｎ−Ｏ化合物から酸素が脱離することを抑制する機能を有する
元素である。金属元素Ｍの作用によって、酸化物半導体膜の酸素欠損の生成が抑制される
。そのため、酸素欠損に起因するトランジスタの特性の変動を低減することができ、信頼
性の高いトランジスタを得ることができる。
【００４４】
金属元素Ｍは、具体的にはＡｌ、Ｓｃ、Ｔｉ、Ｖ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｇａ
、Ｙ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｓｎ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄ
ｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂ、Ｌｕ、Ｈｆ、ＴａまたはＷとすればよく、好ましくはＡｌ
、Ｔｉ、Ｇａ、Ｙ、Ｚｒ、ＣｅまたはＨｆとする。金属元素Ｍは、前述の元素から一種ま
たは二種以上選択すればよい。また、金属元素Ｍの代わりにＳｉまたはＧｅを用いても構
わない。
【００４５】
第１の酸化物半導体膜１０６ａは、単結晶、多結晶（ポリクリスタルともいう。）または
非晶質などの状態をとる。
【００４６】
好ましくは、第１の酸化物半導体膜１０６ａは、ＣＡＡＣ−ＯＳ（Ｃ  Ａｘｉｓ  Ａｌｉ
ｇｎｅｄ  Ｃｒｙｓｔａｌｌｉｎｅ  Ｏｘｉｄｅ  Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ）膜とす
る。
【００４７】
ＣＡＡＣ−ＯＳ膜は、完全な単結晶ではなく、完全な非晶質でもない。ＣＡＡＣ−ＯＳ膜
は、非晶質相に非晶質部および結晶部を有する結晶−非晶質混相構造の酸化物半導体膜で
ある。なお、当該結晶部は、一辺が１００ｎｍ未満の立方体内に収まる大きさであること
が多い。また、透過型電子顕微鏡（ＴＥＭ：Ｔｒａｎｓｍｉｓｓｉｏｎ  Ｅｌｅｃｔｒｏ
ｎ  Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ）による観察像では、ＣＡＡＣ−ＯＳ膜に含まれる非晶質部と
結晶部との境界は明確ではない。また、ＴＥＭによってＣＡＡＣ−ＯＳ膜には粒界（グレ
インバウンダリーともいう。）は確認できない。そのため、ＣＡＡＣ−ＯＳ膜は、粒界に
起因するキャリア移動度の低下が抑制される。
【００４８】
ＣＡＡＣ−ＯＳ膜に含まれる結晶部は、ｃ軸がＣＡＡＣ−ＯＳ膜の被形成面または表面に
垂直な方向に揃い、かつａｂ面に垂直な方向から見て三角形状または六角形状の原子配列
を有し、ｃ軸に垂直な方向から見て金属原子が層状または金属原子と酸素原子とが層状に
配列している。なお、異なる結晶部間で、それぞれａ軸およびｂ軸の向きが異なっていて
もよい。本明細書において、単に垂直と記載する場合、８５°以上９５°以下の範囲も含
まれることとする。
【００４９】
なお、ＣＡＡＣ−ＯＳ膜において、結晶部の分布が一様でなくてもよい。例えば、ＣＡＡ
Ｃ−ＯＳ膜の形成過程において、第１の酸化物半導体膜１０６ａの表面側から結晶成長さ
せる場合、被形成面の近傍に対し表面の近傍では結晶部の占める割合が高くなることがあ
る。また、ＣＡＡＣ−ＯＳ膜へ不純物を添加することにより、当該不純物添加領域におい
て結晶部が非晶質化することもある。
【００５０】
ＣＡＡＣ−ＯＳ膜に含まれる結晶部のｃ軸は、ＣＡＡＣ−ＯＳ膜の被形成面の法線ベクト
ルまたは表面の法線ベクトルに平行な方向に揃うため、ＣＡＡＣ−ＯＳ膜の形状（被形成
面の断面形状または表面の断面形状）によっては互いに異なる方向を向くことがある。な
お、結晶部のｃ軸の方向は、ＣＡＡＣ−ＯＳ膜が形成されたときの被形成面の法線ベクト
ルまたは表面の法線ベクトルに平行な方向となる。結晶部は、成膜することにより、また
は成膜後に加熱処理などの結晶化処理を行うことにより形成される。
【００５１】
また、ＣＡＡＣ−ＯＳ膜を用いたトランジスタは、可視光や紫外光の照射による特性の変
動が小さい。よって、当該トランジスタは、信頼性が高い。
【００５２】
なお、酸化物半導体膜（ここでは第１の酸化物半導体膜１０６ａおよび第２の酸化物半導
体膜１０６ｂ）は、銅、アルミニウム、塩素などの不純物がほとんど含まれない高純度化
されたものであることが好ましい。トランジスタの作製工程において、これらの不純物が
混入または酸化物半導体膜表面に付着する恐れのない工程を適宜選択することが好ましく
、酸化物半導体膜表面に付着した場合には、シュウ酸や希フッ酸などに曝す、またはプラ
ズマ処理（Ｎ２Ｏプラズマ処理など）を行うことにより、酸化物半導体膜表面の不純物を
除去することが好ましい。具体的には、酸化物半導体膜の銅濃度は、１×１０１８ａｔｏ
ｍｓ／ｃｍ３以下、好ましくは１×１０１７ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下とする。また、酸化
物半導体膜のアルミニウム濃度は、１×１０１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下とする。また、
酸化物半導体膜の塩素濃度は、２×１０１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下とする。
【００５３】
また、酸化物半導体膜は成膜直後において、化学量論的組成より酸素が多い過飽和の状態
とすることが好ましい。例えば、スパッタリング法を用いて酸化物半導体膜を成膜する場
合、成膜ガスの酸素の占める割合が多い条件で成膜することが好ましく、特に酸素雰囲気
で成膜を行うことが好ましい。成膜ガスの酸素の占める割合が多い条件、特に酸素雰囲気
で成膜すると、例えば成膜温度を３００℃以上としても、膜中からＺｎ放出がすることが
抑制される。
【００５４】
酸化物半導体膜は水素などの不純物が十分に除去されることにより、高純度化されたもの
であることが好ましい。または、十分な酸素が供給されて酸素が過飽和の状態とされたも
のであることが好ましい。具体的には、酸化物半導体膜の水素濃度は５×１０２０ａｔｏ
ｍｓ／ｃｍ３以下、好ましくは５×１０１９ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下、さらに好ましくは
５×１０１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下、より好ましくは５×１０１７ａｔｏｍｓ／ｃｍ３
以下とする。なお、上述の酸化物半導体膜中の水素濃度は、二次イオン質量分析法（ＳＩ
ＭＳ：Ｓｅｃｏｎｄａｒｙ  Ｉｏｎ  Ｍａｓｓ  Ｓｐｅｃｔｒｏｍｅｔｒｙ）で測定され
るものである。また、十分な酸素が供給されて酸素が過飽和の状態とするため、酸化物半
導体膜を包みこむように余剰酸素を含む絶縁膜（ＳｉＯｘなど）を接して設ける。
【００５５】
また、余剰酸素を含む絶縁膜の水素濃度もトランジスタの特性に影響を与えるため重要で
ある。
【００５６】
以下に、トランジスタの特性に与える、余剰酸素を含む絶縁膜中の水素濃度の影響につい
て説明する。
【００５７】
まずは、余剰酸素を含む絶縁膜中に意図的に水素を添加し、その水素濃度をＳＩＭＳによ
り測定した。
【００５８】
以下に試料の作製方法を示す。
【００５９】
まず、ガラス基板を準備し、当該ガラス基板上に酸化シリコン膜をスパッタリング法にて
厚さ３００ｎｍ成膜した。
【００６０】
酸化シリコン膜は、石英ターゲットを用い、圧力を０．４Ｐａ、電力を１．５ｋＷ（１３
．５６ＭＨｚ）、成膜時の基板温度を１００℃として成膜した。
【００６１】
試料は４種類用意した。なお、各試料は、酸化シリコン膜の成膜に用いる成膜ガスである
酸素ガス（Ｏ２）、重水素ガス（Ｄ２）およびアルゴンガス（Ａｒ）の流量が異なる以外
は同様とした。
【００６２】
表１に、試料名と、酸化シリコン膜の成膜に用いた各成膜ガスの流量と、酸化シリコン膜
中の３０ｎｍの深さにおけるＤ（重水素原子）濃度およびＨ（水素原子）濃度を示す。な
お、各試料の成膜ガス中のＤ２割合（Ｄ２／（Ｏ２＋Ａｒ＋Ｄ２））は、試料１が０体積
％、試料２が０．００５体積％、試料３が０．５０体積％、試料４が２．５０体積％とし
た。
【００６３】
【表１】
0006377228.tif 000002
【００６４】
表１より、成膜ガス中のＤ２割合が高いほど酸化シリコン膜中に含まれるＤ濃度が高いこ
とがわかった。
【００６５】
次に、表１で示した試料１乃至試料４を用いて、トランジスタを作製した。
【００６６】
図１９（Ａ）は測定に用いたトランジスタの上面図である。図１９（Ａ）に示す一点鎖線
Ａ−Ｂに対応する断面図を図１９（Ｂ）に示す。なお、簡単のため、図１９（Ａ）におい
ては、保護絶縁膜２１１８、ゲート絶縁膜２１１２、絶縁膜２１０２などを省略して示す
。
【００６７】
図１９（Ｂ）に示すトランジスタは、基板２１００と、基板２１００上に設けられた余剰
酸素を含む絶縁膜２１０２と、絶縁膜２１０２上に設けられた酸化物半導体膜２１０６と
、酸化物半導体膜２１０６上に設けられた一対の電極２１１６と、酸化物半導体膜２１０
６および一対の電極２１１６を覆って設けられたゲート絶縁膜２１１２と、ゲート絶縁膜
２１１２を介して酸化物半導体膜２１０６と重畳して設けられたゲート電極２１０４と、
ゲート電極２１０４およびゲート絶縁膜２１１２上に設けられた保護絶縁膜２１１８と、
を有する。
【００６８】
ここで、絶縁膜２１０２は、表１で示した試料１乃至試料４のいずれかを用いた。なお、
絶縁膜２１０２の厚さは３００ｎｍとした。
【００６９】
そのほか、基板２１００はガラス、酸化物半導体膜２１０６はＩＧＺＯ膜（Ｉｎ：Ｇａ：
Ｚｎ＝１：１：１［原子数比］ターゲットを用いて成膜したもの）を厚さ２０ｎｍ、一対
の電極２１１６はタングステン膜を厚さ１００ｎｍ、ゲート絶縁膜２１１２は酸化窒化シ
リコン膜を厚さ３０ｎｍ、ゲート電極２１０４は、ゲート絶縁膜２１１２側から窒化タン
タル膜を厚さ１５ｎｍおよびタングステン膜を厚さ１３５ｎｍ、保護絶縁膜２１１８は酸
化窒化シリコン膜を厚さ３００ｎｍとした。
【００７０】
以上のような構造を有するトランジスタに対し、ＢＴストレス試験を行った。なお、測定
には、チャネル長（Ｌ）が１０μｍ、チャネル幅（Ｗ）が１０μｍ、ゲート電極２１０４
と一対の電極２１１６のチャネル長方向の重なり（Ｌｏｖ）がそれぞれ１μｍ（合計２μ
ｍ）であるトランジスタを用いた。実施したＢＴストレス試験の方法を以下に示す。
【００７１】
まず、基板温度２５℃において、トランジスタのドレイン電圧（Ｖｄ）を３Ｖとし、ゲー
ト電圧（Ｖｇ）を−６Ｖから６Ｖに掃引したときのドレイン電流（Ｉｄ）を測定した。こ
のときのトランジスタの特性を、ＢＴ試験前のトランジスタの特性と呼ぶ。ここでは、ソ
ース電位を基準とした電圧を示す。
【００７２】
次に、Ｖｄを０．１Ｖとし、Ｖｇを−６Ｖとし、基板温度１５０℃にて１時間保持した。
【００７３】
次に、基板温度２５℃において、Ｖｄを３Ｖとし、Ｖｇを−６Ｖから６Ｖに掃引したとき
のＩｄを測定した。このときのトランジスタの特性を、ＢＴストレス試験後のトランジス
タの特性と呼ぶ。
【００７４】
ＢＴストレス試験前およびＢＴストレス試験後における、しきい値電圧（Ｖｔｈ）および
電界効果移動度（μＦＥ）を表２に示す。なお、表２に示す試料名は、表１に示す試料名
と対応しており、絶縁膜２１０２の条件は表１の記載を参照する。
【００７５】
【表２】
0006377228.tif 000003
【００７６】
表２より、試料４は、ＢＴストレス試験後にμＦＥが大幅に低下していることがわかった
。
【００７７】
また、さらにＬが小さいトランジスタについて、トランジスタの特性を測定したところ、
試料４は他の試料と比べ、Ｖｔｈのマイナス方向のばらつきが大きくなった。
【００７８】
以上に示すように、酸化シリコン膜が酸化物半導体膜と接する構造のトランジスタにおい
て、酸化シリコン膜中のＤ濃度が７．２×１０２０ａｔｏｍｓ／ｃｍ３であるとき、トラ
ンジスタに特性異常が生じることがわかった。
【００７９】
このように、余剰酸素を含む絶縁膜の水素濃度が、７．４×１０２０ａｔｏｍｓ／ｃｍ３
以上（Ｄ濃度が７．２×１０２０ａｔｏｍｓ／ｃｍ３＋Ｈ濃度１．９×１０１９ａｔｏｍ
ｓ／ｃｍ３以上）である場合には、トランジスタの特性は、バラツキの増大、Ｌ長依存性
の増大が見られることがわかる。さらにＢＴストレス試験において、トランジスタの特性
が大きく劣化するため、余剰酸素を含む絶縁膜の水素濃度は、７．４×１０２０ａｔｏｍ
ｓ／ｃｍ３未満とすることが好ましい。具体的には、酸化物半導体膜の水素濃度は５×１
０１９ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下、かつ、余剰酸素を含む絶縁膜の水素濃度は、７．４×１
０２０ａｔｏｍｓ／ｃｍ３未満とすることが好ましい。
【００８０】
さらに酸化物半導体膜を包み、かつ、余剰酸素を含む絶縁膜の外側に配置されるように、
酸化物半導体膜の酸素の放出を抑えるブロッキング層（ＡｌＯｘなど）を設けると好まし
い。
【００８１】
余剰酸素を含む絶縁膜またはブロッキング層で酸化物半導体膜を包み込むことで、酸化物
半導体膜において化学量論的組成とほぼ一致するような状態、または化学量論的組成より
酸素が多い過飽和の状態とすることができる。例えば、酸化物半導体膜が化学量論的組成
がＩｎ：Ｇａ：Ｚｎ：Ｏ＝１：１：１：４［原子数比］であるＩＧＺＯの場合、ＩＧＺＯ
に含まれる酸素の原子数比は４より多い状態となる。
【００８２】
酸素を十分含み、高純度化された酸化物半導体膜は、バンドギャップが２．８ｅＶ〜３．
２ｅＶ程度であり、少数キャリアが１×１０−９個／ｃｍ３程度と極めて少なく、多数キ
ャリアはトランジスタのソースから来るのみである。そのため、当該酸化物半導体膜を用
いたトランジスタはアバランシェブレークダウンがない。
【００８３】
また、当該酸化物半導体膜を用いたトランジスタは、ゲート電極の電界がＦＥＴのチャネ
ル領域を完全空乏化するため、例えばチャネル長が３μｍ、チャネル幅が１μｍのときの
オフ電流は、８５℃〜９５℃において１×１０−２３Ａ以下とすることができ、かつ室温
では１×１０−２５Ａ以下とすることができる。
【００８４】
第２の導電膜１１６ａの少なくとも一部、および第３の導電膜１２６ａの少なくとも一部
は、それぞれ第１の酸化物半導体膜１０６ａを用いたトランジスタのソース電極およびド
レイン電極として機能する。第２の導電膜１１６ａおよび第３の導電膜１２６ａは、第１
の導電膜１０４ａとして示した導電膜から選択して用いればよい。
【００８５】
第３の絶縁膜１１０ａの少なくとも一部は、ゲート絶縁膜として機能する。第３の絶縁膜
１１０ａは、第２の絶縁膜１１２ａとして示した絶縁膜から選択して用いればよい。
【００８６】
第４の導電膜１１４は、第１の酸化物半導体膜１０６ａを用いたトランジスタにおいて第
２のゲート電極として機能する。第４の導電膜１１４は、第１の導電膜１０４ａとして示
した導電膜から選択して用いればよい。
【００８７】
なお、第４の導電膜１１４および第１の導電膜１０４ａに印加される電圧のバランスによ
って、第１の酸化物半導体膜１０６ａにチャネルが形成される場合もあり、形成されない
場合もある。例えば、第４の導電膜１１４に負の電圧を印加した場合、第１の導電膜１０
４ａにトランジスタのＶｔｈに相当する電圧を印加しても第１の酸化物半導体膜１０６ａ
にチャネルは形成されない。この場合、第１の導電膜１０４ａに、トランジスタのＶｔｈ
よりも第４の導電膜１１４に印加した負の電圧に相当する分だけ高い電圧を印加するとチ
ャネルが形成される。これは、第４の導電膜１１４と第１の導電膜１０４ａを置き換えて
も同様である。なお、述べるまでもないが、第１のゲート電極および第２のゲート電極に
印加する電圧のバランスは、ゲート絶縁膜の厚さや誘電率によって変化する。
【００８８】
従って、トランジスタがノーマリーオン（Ｖｔｈが負）の特性を有する場合、第１の導電
膜１０４ａまたは第４の導電膜１１４に、Ｖｔｈを正にするために十分な負の電圧を印加
することでノーマリーオフ（Ｖｔｈが正）の特性を得ることができる。好ましくは、第４
の導電膜１１４によって、トランジスタのＶｔｈを制御する。
【００８９】
第４の絶縁膜１２０ａは、平坦化膜として機能する。従って、第４の絶縁膜１２０ａより
も上に設けられる膜が、第４の絶縁膜１２０ａよりも下に設けられる膜によって生じる凹
凸の影響を受けにくくなる。そのため、凹凸の影響による耐圧の低下、段切れなどを防止
することができる。即ち、第４の絶縁膜１２０ａは、半導体装置の凹凸を軽減する機能を
有する絶縁膜である。ただし、第４の絶縁膜１２０ａよりも下に設けられる膜によって生
じる凹凸が軽微な場合、第４の絶縁膜１２０ａを設けなくてもよい。
【００９０】
第４の絶縁膜１２０ａは、酸化アルミニウム、窒化アルミニウム、酸化マグネシウム、酸
化シリコン、酸化窒化シリコン、窒化酸化シリコン、窒化シリコン、酸化ゲルマニウム、
酸化イットリウム、酸化ジルコニウム、酸化ランタン、酸化ネオジム、酸化ハフニウムお
よび酸化タンタルを含む絶縁膜から一種以上選択して、単層で積層で用いればよい。
【００９１】
また、第４の絶縁膜１２０ａとして、アクリル、エポキシ、ポリイミドなどの有機樹脂を
用いてもよい。有機樹脂はスピンコート法などで形成可能であるため、比較的平坦な上面
を得やすい。
【００９２】
第５の絶縁膜１１０ｂの少なくとも一部は、ゲート絶縁膜として機能する。第５の絶縁膜
１１０ｂは、第２の絶縁膜１１２ａとして示した絶縁膜から選択して用いればよい。
【００９３】
第２の酸化物半導体膜１０６ｂは、第７の導電膜１０４ｂと重畳する領域にチャネル領域
を有する。第２の酸化物半導体膜１０６ｂは、第１の酸化物半導体膜１０６ａとして示し
た化合物膜から選択して用いればよい。
【００９４】
第５の導電膜１１６ｂの少なくとも一部、および第６の導電膜１２６ｂの少なくとも一部
は、それぞれ第２の酸化物半導体膜１０６ｂを用いたトランジスタにおいてソース電極お
よびドレイン電極として機能する。第５の導電膜１１６ｂおよび第６の導電膜１２６ｂは
、第１の導電膜１０４ａとして示した導電膜から選択して用いればよい。
【００９５】
第６の絶縁膜１１２ｂは、ゲート絶縁膜として機能する。第６の絶縁膜１１２ｂは、第２
の絶縁膜１１２ａとして示した絶縁膜から選択して用いればよい。
【００９６】
第７の導電膜１０４ｂの少なくとも一部は、第２の酸化物半導体膜１０６ｂを用いたトラ
ンジスタにおいて第１のゲート電極として機能する。第７の導電膜１０４ｂは、第１の導
電膜１０４ａとして示した導電膜から選択して用いればよい。
【００９７】
なお、第４の導電膜１１４および第７の導電膜１０４ｂに印加される電圧のバランスによ
って、第２の酸化物半導体膜１０６ｂにチャネルが形成される場合もあり、形成されない
場合もある。例えば、第４の導電膜１１４に負の電圧を印加した場合、第７の導電膜１０
４ｂにトランジスタのＶｔｈに相当する電圧を印加しても第２の酸化物半導体膜１０６ｂ
にチャネルは形成されない。この場合、第７の導電膜１０４ｂに、トランジスタのＶｔｈ
よりも第４の導電膜１１４に印加した負の電圧に相当する分だけ高い電圧を印加するとチ
ャネルが形成される。これは、第４の導電膜１１４と第７の導電膜１０４ｂを置き換えて
も同様である。
【００９８】
従って、トランジスタがノーマリーオンの特性を有する場合、第７の導電膜１０４ｂまた
は第４の導電膜１１４に、Ｖｔｈを正にするために十分な負の電圧を印加することでノー
マリーオフの特性を得ることができる。
【００９９】
このように、第４の導電膜１１４によって、第１の酸化物半導体膜１０６ａおよび第２の
酸化物半導体膜１０６ｂのＶｔｈを制御することができる。即ち、一つの第２のゲート電
極（ここでは第４の導電膜１１４）によって、第１の酸化物半導体膜１０６ａを用いたト
ランジスタ、第２の酸化物半導体膜１０６ｂを用いたトランジスタごとに第２のゲート電
極を設けたことになる。従って、半導体装置において、酸化物半導体層の上下にゲート電
極を有するトランジスタの第２のゲート電極を共通化することができる。
【０１００】
第７の絶縁膜１２０ｂは、平坦化膜として機能する。従って、第７の絶縁膜１２０ｂより
も上に設けられる膜が、第７の絶縁膜１２０ｂよりも下に設けられる膜によって生じる凹
凸の影響を受けにくくなる。そのため、凹凸の影響による耐圧の低下、段切れなどを防止
することができる。即ち、第７の絶縁膜１２０ｂは、半導体装置の凹凸を軽減する機能を
有する絶縁膜である。
【０１０１】
第７の絶縁膜１２０ｂを有することで、本実施の形態で示した半導体装置の構造（ここで
は、第１の絶縁膜１０２から第７の絶縁膜１２０ｂまで）を複数積層して設けることがで
きる。具体的には、この構造を２段以上１０段以下、好ましくは３段以上２０段以下、さ
らに好ましくは５段以上５０段以下の範囲で積層して設けてもよい。もちろん、この範囲
を超えて当該構造を積層して設けても構わない。
【０１０２】
本実施の形態で示した半導体装置の構造を複数積層する場合、トランジスタ２個ごとに、
第２のゲート電極として機能する導電膜を設けることになる。そのため、第２のゲート電
極を設けるための工程を低減することができる。また、１段につき、第２のゲート電極と
して機能する導電膜を１層省くことができる。従って、構造を複数積層して設ける場合、
半導体装置の作製途中での応力による破損を抑制でき、より多くのトランジスタを有する
半導体装置を作製することができる。即ち、半導体装置の高集積化および歩留まりの向上
が可能となる。
【０１０３】
次に、図１（Ｂ）に示した半導体装置の作製方法について、図２乃至図６を用いて説明す
る。
【０１０４】
まず、基板１０１を準備する。
【０１０５】
次に、基板１０１上に第１の絶縁膜１０２を成膜する（図２（Ａ）参照。）。第１の絶縁
膜１０２は、例えば、スパッタリング法、化学気相成長（ＣＶＤ：Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｖ
ａｐｏｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法、分子線エピタキシー（ＭＢＥ：Ｍｏｌｅｃｕｌａ
ｒ  Ｂｅａｍ  Ｅｐｉｔａｘｙ）法、原子層堆積（ＡＬＤ：Ａｔｏｍｉｃ  Ｌａｙｅｒ  
Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法またはパルスレーザ堆積（ＰＬＤ：Ｐｕｌｓｅｄ  Ｌａｓｅｒ
Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法を用いて成膜すればよい。
【０１０６】
次に、導電膜を成膜し、当該導電膜を加工して第１の導電膜１０４ａ形成する（図２（Ｂ
）参照。）導電膜は、例えば、スパッタリング法、ＣＶＤ法、ＭＢＥ法、ＡＬＤ法または
ＰＬＤ法を用いて成膜すればよい。
【０１０７】
なお、本明細書において、単に「加工する」と記載する場合、例えば、フォトリソグラフ
ィ工程により形成したレジストマスクを用いて、膜を所望の形状にすることを示す。
【０１０８】
次に、第２の絶縁膜１１２ａを成膜する（図２（Ｃ）参照。）。第２の絶縁膜１１２ａは
、例えば、スパッタリング法、ＣＶＤ法、ＭＢＥ法、ＡＬＤ法またはＰＬＤ法を用いて成
膜すればよい。
【０１０９】
次に、酸化物半導体膜を成膜し、当該酸化物半導体膜を加工して第１の酸化物半導体膜１
０６ａを形成する（図２（Ｄ）参照。）。酸化物半導体膜は、例えば、スパッタリング法
、ＣＶＤ法、ＭＢＥ法、ＡＬＤ法またはＰＬＤ法を用いて成膜すればよい。
【０１１０】
次に、導電膜を成膜し、当該導電膜を加工して第２の導電膜１１６ａおよび第３の導電膜
１２６ａを形成する（図３（Ａ）参照。）。導電膜は、例えば、スパッタリング法、ＣＶ
Ｄ法、ＭＢＥ法、ＡＬＤ法またはＰＬＤ法を用いて成膜すればよい。
【０１１１】
次に、第３の絶縁膜１１０ａを成膜する（図３（Ｂ）参照。）。第３の絶縁膜１１０ａは
、例えば、スパッタリング法、ＣＶＤ法、ＭＢＥ法、ＡＬＤ法またはＰＬＤ法を用いて成
膜すればよい。
【０１１２】
次に、導電膜を成膜し、当該導電膜を加工して導電膜１２４を形成する（図３（Ｃ）参照
。）。導電膜は、例えば、スパッタリング法、ＣＶＤ法、ＭＢＥ法、ＡＬＤ法またはＰＬ
Ｄ法を用いて成膜すればよい。
【０１１３】
次に、絶縁膜１３０ａを成膜する（図４（Ａ）参照。）。絶縁膜１３０ａは、例えば、ス
ピンコート法、スパッタリング法、ＣＶＤ法、ＭＢＥ法、ＡＬＤ法またはＰＬＤ法を用い
て成膜すればよい。
【０１１４】
次に、絶縁膜１３０ａおよび導電膜１２４を平坦になるように上面から除去していき、上
面の揃った第４の絶縁膜１２０ａおよび第４の導電膜１１４を形成する（図４（Ｂ）参照
。）。なお、絶縁膜１３０ａおよび導電膜１２４をあらかじめ十分な厚さで設けることに
より、上面の揃った第４の絶縁膜１２０ａおよび第４の導電膜１１４の形成が容易になる
。
【０１１５】
なお、平坦になるよう上面から除去していく方法としては、例えば、化学的機械研磨法（
ＣＭＰ：Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ  Ｐｏｌｉｓｈｉｎｇ）を用いればよ
い。
【０１１６】
次に、第５の絶縁膜１１０ｂを成膜する（図４（Ｃ）参照。）。第５の絶縁膜１１０ｂは
、例えば、スパッタリング法、ＣＶＤ法、ＭＢＥ法、ＡＬＤ法またはＰＬＤ法を用いて成
膜すればよい。
【０１１７】
次に、酸化物半導体膜を成膜し、当該酸化物半導体膜を加工して第２の酸化物半導体膜１
０６ｂを形成する（図５（Ａ）参照。）。酸化物半導体膜は、例えば、スパッタリング法
、ＣＶＤ法、ＭＢＥ法、ＡＬＤ法またはＰＬＤ法を用いて成膜すればよい。
【０１１８】
次に、導電膜を成膜し、当該導電膜を加工して第５の導電膜１１６ｂおよび第６の導電膜
１２６ｂを形成する（図５（Ｂ）参照。）。導電膜は、例えば、スパッタリング法、ＣＶ
Ｄ法、ＭＢＥ法、ＡＬＤ法またはＰＬＤ法を用いて成膜すればよい。
【０１１９】
次に、第６の絶縁膜１１２ｂを成膜する（図６（Ａ）参照。）。第６の絶縁膜１１２ｂは
、例えば、スパッタリング法、ＣＶＤ法、ＭＢＥ法、ＡＬＤ法またはＰＬＤ法を用いて成
膜すればよい。
【０１２０】
次に、導電膜を成膜し、当該導電膜を加工して第７の導電膜１０４ｂを形成する（図６（
Ｂ）参照。）。導電膜は、例えば、スパッタリング法、ＣＶＤ法、ＭＢＥ法、ＡＬＤ法ま
たはＰＬＤ法を用いて成膜すればよい。
【０１２１】
次に、第７の絶縁膜１２０ｂを成膜し、図１（Ｂ）に示す半導体装置を作製する。第７の
絶縁膜１２０ｂは、例えば、スピンコート法、スパッタリング法、ＣＶＤ法、ＭＢＥ法、
ＡＬＤ法またはＰＬＤ法を用いて成膜すればよい。
【０１２２】
なお、第７の絶縁膜１２０ｂの表面を平坦にするために、ＣＭＰなどで平坦化してもよい
。
【０１２３】
なお、第１の酸化物半導体膜１０６ａおよび第２の酸化物半導体膜１０６ｂを形成するた
めの加工前後の工程において、１００℃以上４５０℃以下、好ましくは１５０℃以上４０
０℃以下、さらに好ましくは２００℃以上３５０℃以下の温度で加熱処理を行ってもよい
。また、第１の酸化物半導体膜１０６ａまたは第２の酸化物半導体膜１０６ｂとなる酸化
物半導体膜を成膜する際、基板温度を１００℃以上４５０℃以下、好ましくは１５０℃以
上４００℃以下、さらに好ましくは２００℃以上３５０℃以下としてもよい。当該加熱処
理または／および成膜方法によって、第１の酸化物半導体膜１０６ａおよび第２の酸化物
半導体膜１０６ｂ中に含まれる水素、ハロゲン、主成分ではない金属元素、酸素欠損など
を低減することができ、特性および信頼性の優れた半導体装置を作製することができる。
【０１２４】
以上のようにして作製された半導体装置は、上面が平坦であるため、同様の構造を複数積
層して設けることができる。例えば、図１７（Ａ）に示す第１の絶縁膜１０２から第７の
絶縁膜１２０ｂまでをＡ構造（図１（Ｂ）に相当）としたとき、図１７（Ｂ）に示すよう
に、Ａ構造を複数積層すればよい。従って、半導体装置の集積度を高めることができる。
また、酸化物半導体層の上下にゲート電極を有するトランジスタの第２のゲート電極の層
を少なくできるため、同様の構造を複数積層しても応力が高まることを抑制できる。即ち
、集積度を高めても半導体装置の歩留まりが低下しない。
【０１２５】
本実施の形態は、他の実施の形態と適宜組み合わせて用いることができる。
【０１２６】
（実施の形態２）
本実施の形態では、実施の形態１と異なる構造の半導体装置について図７乃至図１５を用
いて説明する。
【０１２７】
図７（Ａ）は、本発明の一態様に係る半導体装置の上面図である。なお、図７（Ａ）に示
す一点鎖線Ａ−Ｂに対応する断面Ａ−Ｂが図７（Ｂ）である。図７（Ａ）では、簡単のた
め、重畳して隠れている膜および絶縁膜などを省略して示す。
【０１２８】
図７（Ｂ）に示す半導体装置は、基板２０１上に設けられた第１の絶縁膜２０２上に設け
られた第１の導電膜２０４ａと、第１の導電膜２０４ａおよび第１の絶縁膜２０２上に設
けられた第２の絶縁膜２１２ａと、第２の絶縁膜２１２ａ上に設けられ、第１の導電膜２
０４ａと少なくとも一部が重畳する第１の酸化物半導体膜２０６ａと、第１の酸化物半導
体膜２０６ａ上に設けられた第２の導電膜２１６ａおよび第３の導電膜２２６ａと、第２
の導電膜２１６ａ、第３の導電膜２２６ａおよび第１の酸化物半導体膜２０６ａ上に設け
られた第３の絶縁膜２１０ａと、第３の絶縁膜２１０ａ上に設けられ、第２の導電膜２１
６ａと少なくとも一部が重畳する第４の導電膜２３４ａと、第３の絶縁膜２１０ａ上に設
けられ、第１の酸化物半導体膜２０６ａおよび第１の導電膜２０４ａと少なくとも一部が
重畳する第５の導電膜２１４と、第３の絶縁膜２１０ａ上に設けられ、第４の導電膜２３
４ａおよび第５の導電膜２１４と上面の高さが揃っている第４の絶縁膜２２０ａと、第４
の導電膜２３４ａ、第５の導電膜２１４および第４の絶縁膜２２０ａ上に設けられた第５
の絶縁膜２１０ｂと、第５の絶縁膜２１０ｂ上に設けられ、第５の導電膜２１４と少なく
とも一部が重畳する第２の酸化物半導体膜２０６ｂと、第２の酸化物半導体膜２０６ｂ上
に設けられ、第２の導電膜２１６ａの少なくとも一部および第３の導電膜２２６ａの少な
くとも一部とそれぞれ重畳する第６の導電膜２１６ｂおよび第７の導電膜２２６ｂと、第
６の導電膜２１６ｂ、第７の導電膜２２６ｂおよび第２の酸化物半導体膜２０６ｂ上に設
けられた第６の絶縁膜２１２ｂと、第６の絶縁膜２１２ｂ上に設けられ、第６の導電膜２
１６ｂと少なくとも一部が重畳する第８の導電膜２３４ｂと、第６の絶縁膜２１２ｂ上に
設けられ、第２の酸化物半導体膜２０６ｂおよび第５の導電膜２１４と少なくとも一部が
重畳する第９の導電膜２０４ｂと、第８の導電膜２３４ｂ、第９の導電膜２０４ｂおよび
第６の絶縁膜２１２ｂ上に設けられた第７の絶縁膜２２０ｂと、第７の絶縁膜２２０ｂ上
に設けられた第１０の導電膜２６０と、を有する。なお、第７の絶縁膜２２０ｂ、第６の
絶縁膜２１２ｂ、第７の導電膜２２６ｂ、第２の酸化物半導体膜２０６ｂ、第５の絶縁膜
２１０ｂ、第４の絶縁膜２２０ａおよび第３の絶縁膜２１０ａには、第３の導電膜２２６
ａに達する開口部が設けられており、該開口部を介して第１０の導電膜２６０と第３の導
電膜２２６ａとが接する。なお、第１０の導電膜２６０および第７の絶縁膜２２０ｂ上に
上面が平坦である第８の絶縁膜２２５を設けると好ましい。
【０１２９】
ここで、基板２０１は基板１０１の記載を参照する。また、第１の絶縁膜２０２は第１の
絶縁膜１０２の記載を参照する。第１の導電膜２０４ａは第１の導電膜１０４ａの記載を
参照する。第２の絶縁膜２１２ａは第２の絶縁膜１１２ａの記載を参照する。第１の酸化
物半導体膜２０６ａは第１の酸化物半導体膜１０６ａの記載を参照する。第２の導電膜２
１６ａは第２の導電膜１１６ａの記載を参照する。第３の導電膜２２６ａは第３の導電膜
１２６ａの記載を参照する。第３の絶縁膜２１０ａは第３の絶縁膜１１０ａの記載を参照
する。第５の導電膜２１４は第４の導電膜１１４の記載を参照する。第４の絶縁膜２２０
ａは第４の絶縁膜１２０ａの記載を参照する。第５の絶縁膜２１０ｂは第５の絶縁膜１１
０ｂの記載を参照する。第２の酸化物半導体膜２０６ｂは第２の酸化物半導体膜１０６ｂ
の記載を参照する。第６の導電膜２１６ｂは第５の導電膜１１６ｂの記載を参照する。第
７の導電膜２２６ｂは第６の導電膜１２６ｂの記載を参照する。第６の絶縁膜２１２ｂは
第６の絶縁膜１１２ｂの記載を参照する。第９の導電膜２０４ｂは第７の導電膜１０４ｂ
の記載を参照する。第７の絶縁膜２２０ｂは第７の絶縁膜１２０ｂの記載を参照する。
【０１３０】
第４の導電膜２３４ａは、第５の導電膜２１４と同一層として設けられる。
【０１３１】
第８の導電膜２３４ｂは、第９の導電膜２０４ｂと同一層として設けられる。
【０１３２】
第１０の導電膜２６０は、メモリのビット線として機能する。第１０の導電膜２６０は第
７の導電膜２２６ｂと、側面で接する。第１０の導電膜２６０は、第２の導電膜２１６ａ
として示した導電膜から選択して用いればよい。
【０１３３】
また、第１の導電膜２０４ａおよび第９の導電膜２０４ｂはメモリのワード線として機能
する。
【０１３４】
また、第５の導電膜２１４は、第１の酸化物半導体膜２０６ａを用いたトランジスタおよ
び第２の酸化物半導体膜２０６ｂを用いたトランジスタにおいて第２のゲート電極として
機能する。
【０１３５】
上記のようにして形成される半導体装置の回路図を図８に示す。図８は、１個のキャパシ
タにつき１個のトランジスタが設けられるメモリの回路図である。
【０１３６】
図７（Ｂ）と図８とを比較すると、第１の導電膜２０４ａの少なくとも一部は第１のワー
ド線ＷＬ１として機能し、第４の導電膜２３４ａの少なくとも一部は第１の容量線ＣＬ１
として機能し、第５の導電膜２１４の少なくとも一部はバックゲート線ＢＧとして機能し
、第８の導電膜２３４ｂの少なくとも一部は第２の容量線ＣＬ２として機能し、第９の導
電膜２０４ｂの少なくとも一部は第２のワード線ＷＬ２として機能し、第１０の導電膜２
６０の少なくとも一部はビット線ＢＬとして機能する。
【０１３７】
また、図８に示すキャパシタＣ１は、図７（Ｂ）に示すキャパシタ２７０ａに相当する。
キャパシタ２７０ａは、第２の導電膜２１６ａの少なくとも一部、第３の絶縁膜２１０ａ
の少なくとも一部および第４の導電膜２３４ａの少なくとも一部から構成される。また、
図８に示すキャパシタＣ２は、図７（Ｂ）に示すキャパシタ２７０ｂに相当する。キャパ
シタ２７０ｂは、第６の導電膜２１６ｂの少なくとも一部、第６の絶縁膜２１２ｂの少な
くとも一部および第８の導電膜２３４ｂの少なくとも一部から構成される。
【０１３８】
また、図８に示すトランジスタＴｒ１は、図７（Ｂ）に示すトランジスタ２７１ａに相当
する。トランジスタ２７１ａは、第１の導電膜２０４ａの少なくとも一部、第１の酸化物
半導体膜２０６ａの少なくとも一部、第２の導電膜２１６ａの少なくとも一部および第３
の導電膜２２６ａの少なくとも一部、第５の導電膜２１４の少なくとも一部から構成され
る。また、図８に示すトランジスタＴｒ２は、図７（Ｂ）に示すトランジスタ２７１ｂに
相当する。トランジスタ２７１ｂは、第９の導電膜２０４ｂの少なくとも一部、第２の酸
化物半導体膜２０６ｂの少なくとも一部、第６の導電膜２１６ｂの少なくとも一部および
第７の導電膜２２６ｂの少なくとも一部、第５の導電膜２１４の少なくとも一部から構成
される。
【０１３９】
ここで、メモリセルＭＣ１は、トランジスタＴｒ１およびキャパシタＣ１を有する。また
、メモリセルＭＣ２は、トランジスタＴｒ２およびキャパシタＣ２を有する。
【０１４０】
なお、メモリセルＭＣ１とメモリセルＭＣ２とは少なくとも一部を重畳して設けられる。
ここで、図７（Ａ）では、メモリセル２８０のセル面積が２Ｆ×４Ｆであるため８Ｆ２と
なるが、これはメモリセルＭＣ１およびメモリセルＭＣ２を含む面積である。従って、メ
モリセルＭＣ１とメモリセルＭＣ２とが完全に重なって設けられる場合、メモリセル１個
あたりのセル面積は、８Ｆ２の半分である４Ｆ２と見なせる。
【０１４１】
なお、図７（Ｂ）に示す半導体装置は、最上層が上面が平坦な第８の絶縁膜２２５を有す
る。そのため、図７（Ｂ）に示す半導体装置の構造と同様の構造を複数積層して設けるこ
とができる。即ち、図７（Ｂ）に示す半導体装置の構造を２段積層する場合、面積８Ｆ２
に対しメモリセルが完全に重なって４個設けられることで、メモリセル１個あたりのセル
面積は４分の１である２Ｆ２と見なせる。
【０１４２】
このように、図７（Ｂ）に示す半導体装置の構造を複数積層して設けることで、メモリセ
ル１個あたりのセル面積を縮小することができ、単位面積あたりの記憶容量の大きいメモ
リを作製することができる。また、集積度を高めても半導体装置の歩留まりが低下しない
。
【０１４３】
なお、図８はメモリの一部を示した回路図であるが、これを拡張し、メモリセルＭＣ１お
よびメモリセルＭＣ２を同一平面に複数並べたメモリセルアレイを構成することができる
。
【０１４４】
以下に、メモリセルアレイへのデータの書き込み方法および読み出し方法について説明す
る。
【０１４５】
メモリセルアレイへのデータの書き込み方法について説明する。データの書き込みはメモ
リセルごとに行う。具体的には、任意に選択した行のワード線の電位をＶＨ（トランジス
タのしきい値電圧（Ｖｔｈ）にＶＤＤ（電源電位）を加えたよりも高い電位）とし、それ
以外の行のワード線の電位をＧＮＤ（またはＧＮＤ以下）とする。次に、任意に選択した
列のビット線をＶＤＤとし、それ以外の列のビット線を浮遊電位（フロート）とする。こ
うすることで、選択した列のビット線と接続する選択した行のメモリセルにあるキャパシ
タにＶＤＤが充電される。次に、選択した行のワード線の電位をＧＮＤ（またはＧＮＤ以
下）とすることで、該当するメモリセルにデータが保持される。その後、メモリセルを変
えて、順番にデータを書き込む。以上がメモリセルアレイへのデータの書き込み方法であ
る。
【０１４６】
または、データの書き込みは行ごとに行う。例えば、１行目のメモリセルにデータを書き
込む場合、１行目のワード線に電位ＶＨを印加した後、データ１を書き込みたいメモリセ
ルのある列のビット線の電位をＶＤＤとし、データ０を書き込みたいメモリセルのある列
のビット線の電位をＧＮＤとする。次に、ワード線の電位をＧＮＤ（またはＧＮＤ以下）
にすることで、キャパシタにデータが保持される。この動作を行ごとに行えば、全てのメ
モリセルに対してデータを書き込むことができる。以上がメモリセルアレイへのデータの
書き込み方法である。
【０１４７】
このようにして書き込まれたデータは、本発明の一態様に係る酸化物半導体膜を用いたト
ランジスタのオフ電流が小さいため、長い期間に渡って保持することが可能となる。
【０１４８】
次に、データの読み出し方法について説明する。データの読み出しはメモリセルごとに行
う。まずは、任意に選択した列のビット線を所定の電位（定電位）とする。次に、任意に
選択した行のワード線をＶＨとすることで、キャパシタに書き込まれたデータに対応する
電位を選択したビット線に与える。その後、与えられた電位をセンスアンプ（図示せず）
にて読み出す。なお、データは読み出されると同時に失われる。しかし、センスアンプの
動作により増幅されて再度メモリセルにデータが書き込まれる。その後、メモリセルを変
えて、順番にデータを読み出す。
【０１４９】
または、データの読み出しは行ごとに行う。例えば、１行目のメモリセルのデータを読み
出す場合、全ビット線を所定の電位（定電位）とする。次に、１行目のワード線の電位を
ＶＨとすると、各ビット線の電位がデータに応じて変動する。この動作を行ごとに行うこ
とで、全てのメモリセルのデータを読み出すことができる。以上がメモリセルアレイのデ
ータの読み出し方法である。
【０１５０】
次に、図７（Ｂ）に示す半導体装置の作製方法を図９乃至図１５を用いて説明する。
【０１５１】
まず、基板２０１を準備する。
【０１５２】
次に、基板２０１上に第１の絶縁膜２０２を成膜する（図９（Ａ）参照。）。
【０１５３】
次に、導電膜を成膜し、当該導電膜を加工して第１の導電膜２０４ａを形成する（図９（
Ｂ）参照。）。
【０１５４】
次に、第２の絶縁膜２１２ａを成膜する（図９（Ｃ）参照。）。
【０１５５】
次に、酸化物半導体膜を成膜し、当該酸化物半導体膜を加工して第１の酸化物半導体膜２
０６ａを形成する（図９（Ｄ）参照。）。
【０１５６】
次に、導電膜を成膜し、当該導電膜を加工して第２の導電膜２１６ａおよび第３の導電膜
２２６ａを形成する（図１０（Ａ）参照。）。
【０１５７】
次に、第３の絶縁膜２１０ａを成膜する（図１０（Ｂ）参照。）。
【０１５８】
次に、導電膜を成膜し、当該導電膜を加工して導電膜２４４ａおよび導電膜２５４を形成
する（図１０（Ｃ）参照。）。
【０１５９】
次に、絶縁膜２５０ａを成膜する（図１１（Ａ）参照。）。
【０１６０】
次に、絶縁膜２５０ａ、導電膜２４４ａおよび導電膜２５４を平坦になるように、ＣＭＰ
などで上面からエッチングし、上面の揃った第４の絶縁膜２２０ａ、第４の導電膜２３４
ａおよび第５の導電膜２１４を形成する（図１１（Ｂ）参照。）。なお、絶縁膜２５０ａ
、導電膜２４４ａおよび導電膜２５４をあらかじめ十分な厚さで設けることにより、上面
の揃った第４の絶縁膜２２０ａ、第４の導電膜２３４ａおよび第５の導電膜２１４の形成
が容易になる。
【０１６１】
次に、第５の絶縁膜２１０ｂを成膜する（図１１（Ｃ）参照。）。
【０１６２】
次に、酸化物半導体膜を成膜し、当該酸化物半導体膜を加工して第２の酸化物半導体膜２
０６ｂを形成する（図１２（Ａ）参照。）。
【０１６３】
次に、導電膜を成膜し、当該導電膜を加工して第６の導電膜２１６ｂおよび第７の導電膜
２２６ｂを形成する（図１２（Ｂ）参照。）。
【０１６４】
次に、第６の絶縁膜２１２ｂを成膜する（図１３（Ａ）参照。）。
【０１６５】
次に、導電膜を成膜し、当該導電膜を加工して第８の導電膜２３４ｂおよび第９の導電膜
２０４ｂを形成する（図１３（Ｂ）参照。）。
【０１６６】
次に、第７の絶縁膜２２０ｂを成膜する（図１４（Ａ）参照。）。
【０１６７】
次に、第７の絶縁膜２２０ｂ、第６の絶縁膜２１２ｂ、第７の導電膜２２６ｂ、第２の酸
化物半導体膜２０６ｂ、第５の絶縁膜２１０ｂ、第４の絶縁膜２２０ａおよび第３の絶縁
膜２１０ａの一部をエッチングし、第３の導電膜２２６ａを露出する開口部を設ける（図
１４（Ｂ）参照。）。
【０１６８】
次に、導電膜を成膜し、当該導電膜を加工して、第１０の導電膜２６０を形成する（図１
５参照。）。
【０１６９】
次に、第８の絶縁膜２２５を形成し、図７（Ｂ）に示す半導体装置を作製する。
【０１７０】
なお、第８の絶縁膜２２５の表面を平坦にするために、ＣＭＰなどで平坦化してもよい。
【０１７１】
以上のようにして作製された半導体装置は、上面が平坦であるため、図１７（Ｂ）に例示
したように同様の構造を複数積層して設けることができるため、集積度を高めることがで
きる。また、第２のゲート電極の層を少なくできるため、同様の構造を複数積層しても応
力が高まることを抑制できる。即ち、集積度を高めても半導体装置の歩留まりが低下しな
い。
【０１７２】
本実施の形態は、他の実施の形態と適宜組み合わせて用いることができる。
【０１７３】
（実施の形態３）
本実施の形態では、実施の形態１および実施の形態２と異なる構造の半導体装置について
図１６を用いて説明する。
【０１７４】
図１６（Ａ）は、本発明の一態様に係る半導体装置の上面図である。なお、図１６（Ａ）
に示す一点鎖線Ａ−Ｂに対応する断面Ａ−Ｂが図１６（Ｂ）である。図１６（Ａ）では、
簡単のため、重畳して隠れている膜および絶縁膜などを省略して示す。
【０１７５】
なお、図１６（Ｂ）に示すトランジスタは、図７（Ｂ）に示すトランジスタと、第５の絶
縁膜２１０ｂを含めて、第５の絶縁膜２１０ｂから下の構造が共通している。そのため、
基板２０１から第５の絶縁膜２１０ｂまでの説明は実施の形態２を参照する。
【０１７６】
図１６（Ｂ）に示す半導体装置は、基板２０１上に設けられた第１の絶縁膜２０２上に設
けられた第１の導電膜２０４ａと、第１の導電膜２０４ａおよび第１の絶縁膜２０２上に
設けられた第２の絶縁膜２１２ａと、第２の絶縁膜２１２ａ上に設けられ、第１の導電膜
２０４ａと少なくとも一部が重畳する第１の酸化物半導体膜２０６ａと、第１の酸化物半
導体膜２０６ａ上に設けられた第２の導電膜２１６ａおよび第３の導電膜２２６ａと、第
２の導電膜２１６ａ、第３の導電膜２２６ａおよび第１の酸化物半導体膜２０６ａ上に設
けられた第３の絶縁膜２１０ａと、第３の絶縁膜２１０ａ上に設けられ、第２の導電膜２
１６ａと少なくとも一部が重畳する第４の導電膜２３４ａと、第３の絶縁膜２１０ａ上に
設けられ、第１の酸化物半導体膜２０６ａの少なくとも一部および第１の導電膜２０４ａ
の少なくとも一部と重畳する第５の導電膜２１４と、第３の絶縁膜２１０ａ上に設けられ
、第４の導電膜２３４ａおよび第５の導電膜２１４と上面の高さが揃っている第４の絶縁
膜２２０ａと、第４の導電膜２３４ａ、第５の導電膜２１４および第４の絶縁膜２２０ａ
上に設けられた第５の絶縁膜２１０ｂと、第５の絶縁膜２１０ｂ上に設けられ、第２の導
電膜２１６ａの少なくとも一部および第３の導電膜２２６ａの少なくとも一部とそれぞれ
重畳する第６の導電膜２１６ｃおよび第７の導電膜２２６ｃと、第６の導電膜２１６ｃ、
第７の導電膜２２６ｃおよび第５の絶縁膜２１０ｂ上に設けられ、第５の導電膜２１４と
少なくとも一部が重畳する第２の酸化物半導体膜２０６ｃと、第２の酸化物半導体膜２０
６ｃ上に設けられた第６の絶縁膜２１２ｃと、第６の絶縁膜２１２ｃ上に設けられ、第２
の酸化物半導体膜２０６ｃの少なくとも一部および第５の導電膜２１４の少なくとも一部
と重畳する第８の導電膜２０４ｃと、第８の導電膜２０４ｃおよび第６の絶縁膜２１２ｃ
上に設けられた第７の絶縁膜２２０ｃと、第７の絶縁膜２２０ｃ上に設けられた第９の導
電膜２６１と、を有する。なお、第７の絶縁膜２２０ｃ、第６の絶縁膜２１２ｃ、第７の
導電膜２２６ｃ、第２の酸化物半導体膜２０６ｃ、第５の絶縁膜２１０ｂ、第４の絶縁膜
２２０ａおよび第３の絶縁膜２１０ａには、第３の導電膜２２６ａに達する開口部が設け
られており、該開口部を介して第９の導電膜２６１と第３の導電膜２２６ａとが接する。
なお、第９の導電膜２６１および第７の絶縁膜２２０ｃ上に上面が平坦である第８の絶縁
膜２２６を設けると好ましい。
【０１７７】
ここで、第６の導電膜２１６ｃは第６の導電膜２１６ｂの記載を参照する。また、第７の
導電膜２２６ｃは第７の導電膜２２６ｂの記載を参照する。また、第２の酸化物半導体膜
２０６ｃは第２の酸化物半導体膜２０６ｂの記載を参照する。また、第６の絶縁膜２１２
ｃは第６の絶縁膜２１２ｂの記載を参照する。また、第８の導電膜２０４ｃは第９の導電
膜２０４ｂの記載を参照する。また、第７の絶縁膜２２０ｃは第７の絶縁膜２２０ｂの記
載を参照する。また、第９の導電膜２６１は第１０の導電膜２６０の記載を参照する。ま
た、第８の絶縁膜２２６は第８の絶縁膜２２５の記載を参照する。
【０１７８】
また、図８に示すキャパシタＣ１は、図１６（Ｂ）に示すキャパシタ２７０ａに相当する
。キャパシタ２７０ａは、第２の導電膜２１６ａの少なくとも一部、第３の絶縁膜２１０
ａの少なくとも一部および第４の導電膜２３４ａの少なくとも一部から構成される。また
、図８に示すキャパシタＣ２は、図１６（Ｂ）に示すキャパシタ２７０ｃに相当する。キ
ャパシタ２７０ｃは、第６の導電膜２１６ｃの少なくとも一部、第５の絶縁膜２１０ｂの
少なくとも一部および第４の導電膜２３４ａの少なくとも一部から構成される。即ち、図
８において、容量線ＣＬ２が設けられず、キャパシタＣ２が容量線ＣＬ１に接続される構
成となる。
【０１７９】
また、図８に示すトランジスタＴｒ１は、図１６（Ｂ）に示すトランジスタ２７１ａに相
当する。トランジスタ２７１ａは、第１の導電膜２０４ａの少なくとも一部、第１の酸化
物半導体膜２０６ａの少なくとも一部、第２の導電膜２１６ａの少なくとも一部および第
３の導電膜２２６ａの少なくとも一部、第５の導電膜２１４の少なくとも一部から構成さ
れる。また、図８に示すトランジスタＴｒ２は、図１６（Ｂ）に示すトランジスタ２７１
ｃに相当する。トランジスタ２７１ｃは、第８の導電膜２０４ｃの少なくとも一部、第２
の酸化物半導体膜２０６ｃの少なくとも一部、第６の導電膜２１６ｃの少なくとも一部お
よび第７の導電膜２２６ｃの少なくとも一部、第５の導電膜２１４の少なくとも一部から
構成される。
【０１８０】
即ち、本実施の形態で示す半導体装置の構造では、実施の形態２で示す半導体装置の構造
と比べ、導電膜を１層少なくできる。なお、セル面積はメモリセル２８０とメモリセル２
８１で同様である。
【０１８１】
メモリセルの書き込み方法および読み出し方法については、実施の形態２の記載を参照す
ればよい。
【０１８２】
以上のようにして作製された半導体装置は、上面が平坦であるため、図１７（Ｂ）に例示
したように同様の構造を複数積層して設けることができる。従って、半導体装置の集積度
を高めることができる。また、酸化物半導体層の上下にゲート電極を有するトランジスタ
の第２のゲート電極の層を少なくできるため、同様の構造を複数積層しても応力が高まる
ことを抑制できる。即ち、集積度を高めても半導体装置の歩留まりが低下しない。
【０１８３】
本実施の形態は、他の実施の形態と適宜組み合わせて用いることができる。
【０１８４】
（実施の形態４）
本実施の形態では、実施の形態１乃至実施の形態３の少なくともいずれかを適用した電子
機器の例について説明する。
【０１８５】
図１８（Ａ）は携帯型情報端末である。図１８（Ａ）に示す携帯型情報端末は、筐体９３
００と、ボタン９３０１と、マイクロフォン９３０２と、表示部９３０３と、スピーカ９
３０４と、カメラ９３０５と、を具備し、携帯型電話機としての機能を有する。本発明の
一態様は、表示部９３０３およびカメラ９３０５に適用することができる。また、図示し
ないが、本体内部にある演算装置、無線回路または記憶回路に本発明の一態様を適用する
こともできる。
【０１８６】
図１８（Ｂ）は、デジタルスチルカメラである。図１８（Ｂ）に示すデジタルスチルカメ
ラは、筐体９３２０と、ボタン９３２１と、マイクロフォン９３２２と、表示部９３２３
と、を具備する。本発明の一態様は、デジタルスチルカメラ内部に設けられた記憶回路に
適用することができる。
【０１８７】
図１８（Ｃ）は２つ折り可能な携帯情報端末である。図１８（Ｃ）に示す２つ折り可能な
携帯情報端末は、筐体９６３０、表示部９６３１ａ、表示部９６３１ｂ、留め具９６３３
、操作スイッチ９６３８、を有する。
【０１８８】
なお、表示部９６３１ａまたは／および表示部９６３１ｂは、一部または全部をタッチパ
ネルとすることができ、表示された操作キーに触れることでデータ入力などを行うことが
できる。
【０１８９】
本発明の一態様に係る半導体装置を用いることで、電子機器の性能を高め、かつ信頼性を
高めることができる。
【０１９０】
本実施の形態は、他の実施の形態と適宜組み合わせて用いることができる。
【符号の説明】
【０１９１】
１０１    基板
１０２    第１の絶縁膜
１０４ａ    第１の導電膜
１０４ｂ    第７の導電膜
１０６ａ    第１の酸化物半導体膜
１０６ｂ    第２の酸化物半導体膜
１１０ａ    第３の絶縁膜
１１０ｂ    第５の絶縁膜
１１２ａ    第２の絶縁膜
１１２ｂ    第６の絶縁膜
１１４    第４の導電膜
１１６ａ    第２の導電膜
１１６ｂ    第５の導電膜
１２０ａ    第４の絶縁膜
１２０ｂ    第７の絶縁膜
１２４    導電膜
１２６ａ    第３の導電膜
１２６ｂ    第６の導電膜
１３０ａ    絶縁膜
２０１    基板
２０２    第１の絶縁膜
２０４ａ    第１の導電膜
２０４ｂ    第９の導電膜
２０４ｃ    第８の導電膜
２０６ａ    第１の酸化物半導体膜
２０６ｂ    第２の酸化物半導体膜
２０６ｃ    第２の酸化物半導体膜
２１０ａ    第３の絶縁膜
２１０ｂ    第５の絶縁膜
２１２ａ    第２の絶縁膜
２１２ｂ    第６の絶縁膜
２１２ｃ    第６の絶縁膜
２１４    第５の導電膜
２１６ａ    第２の導電膜
２１６ｂ    第６の導電膜
２１６ｃ    第６の導電膜
２２０ａ    第４の絶縁膜
２２０ｂ    第７の絶縁膜
２２０ｃ    第７の絶縁膜
２２５    第８の絶縁膜
２２６    第８の絶縁膜
２２６ａ    第３の導電膜
２２６ｂ    第７の導電膜
２２６ｃ    第７の導電膜
２３４ａ    第４の導電膜
２３４ｂ    第８の導電膜
２４４ａ    導電膜
２５０ａ    絶縁膜
２５４    導電膜
２６０    第１０の導電膜
２６１    第９の導電膜
２７０ａ    キャパシタ
２７０ｂ    キャパシタ
２７０ｃ    キャパシタ
２７１ａ    トランジスタ
２７１ｂ    トランジスタ
２７１ｃ    トランジスタ
２８０    メモリセル
２８１    メモリセル
２１００    基板
２１０２    絶縁膜
２１０４    ゲート電極
２１０６    酸化物半導体膜
２１１２    ゲート絶縁膜
２１１６    一対の電極
２１１８    保護絶縁膜
９３００    筐体
９３０１    ボタン
９３０２    マイクロフォン
９３０３    表示部
９３０４    スピーカ
９３０５    カメラ
９３２０    筐体
９３２１    ボタン
９３２２    マイクロフォン
９３２３    表示部
９６３０    筐体
９６３１ａ    表示部
９６３１ｂ    表示部
９６３３    留め具
９６３８    操作スイッチ
【図１】
0006377228.tif 000004
【図２】
0006377228.tif 000005
【図３】
0006377228.tif 000006
【図４】
0006377228.tif 000007
【図５】
0006377228.tif 000008
【図６】
0006377228.tif 000009
【図７】
0006377228.tif 000010
【図８】
0006377228.tif 000011
【図９】
0006377228.tif 000012
【図１０】
0006377228.tif 000013
【図１１】
0006377228.tif 000014
【図１２】
0006377228.tif 000015
【図１３】
0006377228.tif 000016
【図１４】
0006377228.tif 000017
【図１５】
0006377228.tif 000018
【図１６】
0006377228.tif 000019
【図１７】
0006377228.tif 000020
【図１８】
0006377228.tif 000021
【図１９】
0006377228.tif 000022