(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、
前記基板上に設けられた第１弾性波共振器および第２弾性波共振器と、
前記第１弾性波共振器と電気的に接続し、前記基板上であって前記第１弾性波共振器と前記第２弾性波共振器との間に設けられた第１配線と、
前記第２弾性波共振器と電気的に接続し、前記基板上であって前記第１弾性波共振器と前記第２弾性波共振器との間に設けられ、前記第１配線と異なる電位であり、前記第１配線より厚い第２配線と、
を具備し、
平面視において、前記第１配線と前記第２配線とは重ならないことを特徴とする弾性波デバイス。
【請求項２】
前記第２配線は、バンプが設けられたパッドに直接接続し、前記第１配線は、バンプが設けられたパッドに直接接続されていないことを特徴とする請求項１記載の弾性波デバイス。
【請求項３】
前記第２配線は前記第１配線より信号が入力する入力パッドに近いことを特徴とする請求項１または２記載の弾性波デバイス。
【請求項４】
前記第１配線および前記第２配線の延伸方向は平行であることを特徴とする請求項１から３のいずれか一項記載の弾性波デバイス。
【請求項５】
前記第１弾性波共振器および前記第２弾性波共振器はそれぞれ第１バスバーおよび第２バスバーを含み、
前記第１配線は前記第１バスバーに電気的に接続され、前記第２配線は前記第２バスバーに電気的に接続され、
前記第１配線および前記第２配線の延伸方向は、前記第１バスバーおよび前記第２バスバーの延伸方向と平行であることを特徴とする請求項４記載の弾性波デバイス。
【請求項６】
入力端子と出力端子との間に直列に接続された１または複数の直列共振器と、
前記入力端子と前記出力端子との間に並列に接続された複数の並列共振器と、
を具備し、
前記複数の並列共振器は前記第１弾性波共振器および前記第２弾性波共振器を含むことを特徴とする請求項５記載の弾性波デバイス。
【請求項７】
前記基板上に形成された多重モード弾性波フィルタを具備し、
前記第１配線は、前記多重モード弾性波フィルタの信号端子に電気的に接続され、
前記第２配線は、前記多重モード弾性波フィルタのグランド端子に電気的に接続されていることを特徴とする請求項１または２記載の弾性波デバイス。
【請求項８】
前記第１配線と前記第２配線との間には他の配線および他の弾性波共振器は設けられていないことを特徴とする請求項１から７のいずれか一項記載の弾性波デバイス。
【請求項９】
前記第１配線と前記第２配線とは空隙を挟み設けられていることを特徴とする請求項１から８のいずれか一項記載の弾性波デバイス。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、弾性波デバイスに関し、例えば弾性波共振器の間に配線が設けられた弾性波デバイスに関する。
【背景技術】
【０００２】
弾性波デバイスは、移動体通信用のフィルタ等に用いられている。弾性波デバイスでは、基板上に複数の弾性波共振器が形成されている。弾性波共振器の間に形成された複数の配線が隣接して形成されることがある（特許文献１）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２０００−１１４９１６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
弾性波デバイスの小型化のため、隣接する配線の間隔を狭くすることが考えられる。しかしながら、異なる電位の配線間隔を狭くすると、配線間に寄生容量が生じ、弾性波デバイスの特性が劣化する。また、配線の応力により配線が短絡する可能性がある、さらに、配線間の放電により静電気破壊が生じる可能性がある。このように、配線間隔を狭くすることは難しい。
【０００５】
本発明は、上記課題に鑑みなされたものであり、配線間隔を狭くし弾性波デバイスを小型化することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明は、基板と、前記基板上に設けられた第１弾性波共振器および第２弾性波共振器と、前記第１弾性波共振器と電気的に接続し、前記基板上であって前記第１弾性波共振器と前記第２弾性波共振器との間に設けられた第１配線と、前記第２弾性波共振器と電気的に接続し、前記基板上であって前記第１弾性波共振器と前記第２弾性波共振器との間に設けられ、前記第１配線と異なる電位であり、前記第１配線より厚い第２配線と、を具備し、平面視において、前記第１配線と前記第２配線とは重ならないことを特徴とする弾性波デバイスである。
【０００７】
上記構成において、前記第２配線は、バンプが設けられたパッドに直接接続し、前記第１配線は、バンプが設けられたパッドに直接接続されていない構成とすることができる。
【０００８】
上記構成において、前記第２配線は前記第１配線より信号が入力する入力パッドに近い構成とすることができる。
【０００９】
上記構成において、前記第１配線および前記第２配線の延伸方向は平行である構成とすることができる。
【００１０】
上記構成において、前記第１弾性波共振器および前記第２弾性波共振器はそれぞれ第１バスバーおよび第２バスバーを含み、前記第１配線は前記第１バスバーに電気的に接続され、前記第２配線は前記第２バスバーに電気的に接続され、前記第１配線および前記第２配線の延伸方向は、前記第１バスバーおよび前記第２バスバーの延伸方向と平行である構成とすることができる。
【００１１】
上記構成において、入力端子と出力端子との間に直列に接続された１または複数の直列共振器と、前記入力端子と前記出力端子との間に並列に接続された複数の並列共振器と、を具備し、前記複数の並列共振器は前記第１弾性波共振器および前記第２弾性波共振器を含む構成とすることができる。
【００１２】
上記構成において、前記基板上に形成された多重モード弾性波フィルタを具備し、前記第１配線は、前記多重モード弾性波フィルタの信号端子に電気的に接続され、前記第２配線は、前記多重モード弾性波フィルタのグランド端子に電気的に接続されている構成とすることができる。
【００１３】
上記構成において、前記第１配線と前記第２配線との間には他の配線および他の弾性波共振器は設けられていない構成とすることができる。
【００１４】
上記構成において、前記第１配線と前記第２配線とは空隙を挟み設けられている構成とすることができる。
【発明の効果】
【００１５】
本発明によれば、配線間隔を狭くし弾性波デバイスを小型化することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１６】
【図１】図１は、実施例１に係る弾性波デバイスが用いられるデュレプクサの回路図である。
【図２】図２は、実施例１に係る弾性波デバイスの平面図である。
【図３】図３は、図２の領域Ａ１付近の拡大図である。
【図４】図４は、図３のＢ−Ｂ断面図である。
【図５】図５は、実施例１の変形例１に係る弾性波デバイスの平面図である。
【図６】図６は、実施例１の変形例２に係る弾性波デバイスの平面図である。
【図７】図７は、実施例２に係る弾性波デバイスの平面図である。
【図８】図８は、実施例２の変形例１に係る弾性波デバイスの平面図である。
【図９】図９（ａ）から図９（ｄ）は、実施例１、２およびその変形例に係る弾性波デバイスの製造方法を示す断面図（その１）である。
【図１０】図１０（ａ）から図１０（ｄ）は、実施例１、２およびその変形例に係る弾性波デバイスの製造方法を示す断面図（その２）である。
【発明を実施するための形態】
【００１７】
以下、図面を参照し、本発明の実施例について説明する。
【実施例１】
【００１８】
実施例１は、弾性波デバイスとして送信フィルタの例である。図１は、実施例１に係る弾性波デバイスが用いられるデュレプクサの回路図である。図１に示すように、アンテナ端子Ａｎｔと送信端子Ｔｘとの間に送信フィルタ７０が接続され、アンテナ端子Ａｎｔと受信端子Ｒｘとの間に受信フィルタ７２が接続されている。送信フィルタ７０は、送信端子Ｔｘから入力した信号のうち送信帯域の信号をアンテナ端子Ａｎｔに出力する。受信フィルタ７２は、アンテナ端子Ａｎｔに入力した信号のうち受信帯域の信号を受信端子Ｒｘに出力する。
【００１９】
図２は、実施例１に係る弾性波デバイスの平面図である。図２に示すように、送信フィルタ１００において、基板１０上に、複数の弾性波共振器４０、配線３０、３２およびパッド３４が形成されている。基板１０は、例えばＬｉＴａＯ３基板またはＬｉＮｂＯ３基板等の圧電基板である。基板１０は、サファイア基板等の支持基板に圧電基板を貼り付けた基板でもよい。弾性波共振器４０は、例えば弾性表面波共振器である。弾性波共振器４０は、１ポート共振器であり、ＩＤＴ（Interdigital Transducer）とその両側に設けられた反射器Ｒを有する。配線３０、３２およびパッド３４は基板１０上に形成された銅膜または金膜等の金属膜により形成される。配線３０および３２は、弾性波共振器４０間および弾性波共振器４０とパッド３４との間を接続する。配線３２は配線３０に比べ厚い。パッド３４は配線３２と同じ層構造であり同じ厚さである。パッド３４上にバンプ３６が形成されている。バンプ３６は例えば金バンプまたは銅バンプであり、例えばスタッドバンプまたはめっきバンプである。
【００２０】
送信フィルタ１００はラダー型フィルタである。直列共振器Ｓ１からＳ４は、アンテナ端子Ａｎｔ（出力端子）であるパッド３４と送信端子Ｔｘ（入力端子）であるパッド３４との間に直列に接続されている。並列共振器Ｐ１からＰ３は、アンテナ端子Ａｎｔと送信端子Ｔｘとの間に並列に接続されている。並列共振器Ｐ１からＰ３の一端はグランド端子ＧＮＤであるパッド３４に接続されている。
【００２１】
図３は、図２の領域Ａ１付近の拡大図である。図３に示すように、弾性波共振器４０は、ＩＤＴとＩＤＴの両側に形成された反射器Ｒを備える。ＩＤＴは、一対の櫛型電極４８を備える。櫛型電極４８は複数の電極指４４と電極指４４が接続されたバスバー４６を備える。一対の櫛型電極４８は、電極指４４がほぼ互い違いに配列するように対向している。配線３０ａ（第１配線）および３２ａ（第２配線）はそれぞれバスバー４６に電気的に接続されている。
【００２２】
図４は、図３のＢ−Ｂ断面図である。図４に示すように、電極指４４、バスバー４６および配線３０ａおよび３２ａの最下層１５は、金属膜１２により形成される。金属膜１２は、例えばアルミニウム膜、チタン膜または銅膜である。配線３０ａは、最下層１５、バリア層１６ａおよびシード層１６ｂを備える。配線３２ａは、最下層１５、バリア層１６ａ、シード層１６ｂ、下層１８、バリア層１９および上層２０を備える。バリア層１６ａ、シード層１６ｂ、下層１８、バリア層１９および上層２０は、例えばチタン層、銅層、銅層、パラジウム層および金層である。例えば、配線３２ａは、バリア層１９および上層２０を有していなくともよい。配線３２ａは上層２０を有するがバリア層１９を有してなくてもよい。
【００２３】
配線３０ａおよび３２ａは、１または複数の層の積層膜を用いることができる。配線３０ａおよび３２ａとして主に機能する層（例えばシード層１６ｂ、下層１８および上層２０）としては、電気抵抗の低い金層、銅層、アルミニウム層またはこれらの複合層を用いることが好ましい。異なる材料の複数の層を有する場合、異なる材料の膜間には原子の相互拡散を抑制するバリア層を設けることが好ましい。相互拡散が生じると、強度が低下する、または抵抗が高くなってしまう。バリア層としては、例えばニッケル層、チタン層またはパラジウム層を用いる。バリア層の膜厚は拡散を抑制する観点から０．０５μｍから２μｍである。配線３０ａの膜厚Ｔ１は、例えば０．１μｍから０．５μｍである。配線３２ａの膜厚Ｔ２は、例えば１μｍから１０μｍである。配線３０ａと３２ａとの間隔Ｄ１は、例えば５μｍから２０μｍである。配線３０ａおよび３２ａの各層は、めっき法、蒸着法またはスパッタリング法を用い形成することができる。基板１０の大きさは例えば０．３ｍｍ２から１．５ｍｍ２であり、基板１０の厚さは例えば１μｍから５００μｍである。
【００２４】
図２のように、領域Ａ１に示すように、並列共振器Ｐ２とＰ３との間において、並列共振器Ｐ２に電気的に接続された配線３２ａと並列共振器Ｐ３に電気的に接続された配線３０ａとが隣接して設けられている。領域Ａ２に示すように、並列共振器Ｐ１とＰ２との間において、並列共振器Ｐ１に電気的に接続された配線３２ａと並列共振器Ｐ２に電気的に接続された配線３０ａとが隣接して設けられている。配線３２ａはグランド電位であり、配線３０ａグランド電位とは異なる。
【００２５】
隣接する配線がともに厚い配線３２の場合、配線３２の間隔を狭くすると、配線間に寄生容量が生じ、弾性波デバイスの特性（例えば挿入損失）が劣化する。また、配線３２の応力により配線３２が短絡する可能性がある。さらに、配線３２間の放電により静電気破壊が生じる可能性がある。このように、配線３２の間隔を狭くすることは難しい。
【００２６】
実施例１によれば、弾性波共振器４０間において配線が隣接する領域Ａ１およびＡ２において、電位が異なり隣接する配線３０ａおよび３２ａのうち一方の配線３２ａを配線３０ａより厚くする。これにより、厚い配線３２が隣接している場合に比べ、配線３２ａと３０ａが対向する面積が小さくなる。よって、配線間の寄生容量を抑制でき、挿入損失等の特性を向上できる。また、配線３０ａは配線３２ａより応力が小さいため、配線３２の応力に起因した配線３２の短絡を抑制できる。さらに、配線３２ａと３０ａとの間の静電気破壊を抑制することができる。よって、配線３０ａと３２ａとの間隔Ｄ１を狭くでき、送信フィルタ１００を小型化できる。例えば、間隔Ｄ１を配線３０ａの膜厚Ｔ１より小さくすることができる。
【００２７】
また、後述するように、厚い配線３２ａをめっき法を用いて形成する場合、厚い配線３２ａの間隔が狭いと、めっきの際のマスクであるレジストパターンが適切に形成されない場合がある。この場合、配線間が短絡する、または、基板１０上にレジスタが残存し、信頼性上の懸念となることがある。実施例１では、隣接する配線３０ａおよび３２ａの一方が薄い配線３０ａのため、レジストパターンを適切に形成できる。
【００２８】
配線３２ａの膜厚Ｔ２と間隔Ｄ１とのアスペクト比Ｔ２／Ｄ１が２より大きくなるとレジストパターンが適切に形成されなくなる可能性が高くなる。よって、Ｔ２／Ｄ１は２以下が好ましい。また、小型化の観点からＴ２／Ｄ１は０．０２５以上が好ましい。
【００２９】
隣接する配線３０ａおよび３２ａのうち、バンプ３６が設けられたパッド３４に直接接続する配線３２ａを厚くすることが好ましい。また、パンプ３６が設けられたパッド３４に直接接続しない配線３０ａを薄くすることが好ましい。バンプ３６は、例えばモジュール用の基板に接合される。弾性波デバイスにおいて生じた熱はバンプ３６を介して、モジュール基板に放出される。厚い配線３２は薄い配線３０より熱伝導性がよい。よって、パッド３４に直接接続する配線３２ａを厚くすることで熱を効率よく放出できる。グランド端子ＧＮＤに対応するパッド３４は、モジュール基板等を介し放熱性がよい。よって、配線３２ａが直接接続されるパッド３４はグランド端子ＧＮＤに対応するパッドであることが好ましい。
【００３０】
図５は、実施例１の変形例１に係る弾性波デバイスの平面図である。図５に示すように、送信フィルタ１０２において、領域Ａ１およびＡ２だけでなく、バンプ３６が設けられたパッド３４に直接接続された配線を厚い配線３２とし、バンプ３６に直接接続されていない配線を薄い配線３０とする。例えば、弾性波共振器４０間を接続する配線を薄い配線３０とする。その他の構成は実施例１と同じであり説明を省略する。実施例１の変形例１においてもバンプ３６から効率よく放熱できる。
【００３１】
実施例１のように、異なる電位の配線が隣接する領域Ａ１およびＡ２においてのみ、直接パッド３４に接続されていない配線を薄い配線３０とし、その他の配線を厚い配線３２としてもよい。これにより、寄生容量が問題とならない配線を厚くできるため、放熱性、耐電力性を向上できる。また、実施例１の変形例１のように、領域Ａ１およびＡ２以外の領域においても薄い配線３０を設けてもよい。このように、少なくとも異なる電位の配線が隣接する領域Ａ１およびＡ２において、一方の配線が他方より薄ければよい。
【００３２】
図６は、実施例１の変形例２に係る弾性波デバイスの平面図である。送信フィルタ１０４では、領域Ａ３において、並列共振器Ｐ２とＰ３との間において、配線３０ａと３２ａとが隣接している。配線３０ａは直列共振器Ｓ３とＳ４との間のノードに接続されている。配線３２ａは直列共振器Ｓ２とＳ３との間に接続されている。配線３０ａと３２ａはともにパッド３４に直接接続されていない。その他の構成は実施例１と同じであり説明を省略する。
【００３３】
実施例１の変形例２によれば、配線３２ａは配線３０ａより送信端子Ｔｘに対応するパッド３４（信号が入力するパッド）に近い。送信端子Ｔｘに対応するパッド３４に近い共振器は遠い共振器より発熱が大きい。よって、入力パッド３４に近い配線を厚い配線３２とする。これにより、効率的な放熱が可能となる。
【００３４】
実施例１およびその変形例によれば、図３のように、配線３０ａおよび３２ａの延伸方向は平行である。平行な配線が隣接する場合、配線間の寄生容量の増加、配線間の短絡および／または配線間の静電気破壊が生じやすい。よって、配線３２ａを３０ａより厚くする。これにより、配線間隔を狭くし、弾性波デバイスを小型化できる。
【００３５】
また、配線３０ａは並列共振器Ｐ３（第１弾性波共振器）のバスバー４６に電気的に接続され、配線３２ａは並列共振器Ｐ２（第２弾性波共振器）のバスバー４６に電気的に接続されている。配線３０ａおよび３２ａの延伸方向は、バスバー４６の延伸方向と平行である。弾性波共振器４０がバスバー４６を有する場合、配線３０ａと３２ａとが対向する長さが大きくなる。配線の対向長が大きいと、配線間の寄生容量の増加、配線間の短絡および／または配線間の静電気破壊が生じやすい。よって、配線３２ａを３０ａより厚くする。これにより、配線間隔を狭くし、弾性波デバイスを小型化できる。
【００３６】
隣接する共振器が並列共振器である場合、対向する配線は異なる電位となる。よって、配線間の寄生容量の増加、配線間の短絡および／または配線間の静電気破壊が生じやすい。よって、配線３２ａを３０ａより厚くする。これにより、配線間隔を狭くし、弾性波デバイスを小型化できる。
【実施例２】
【００３７】
実施例２は、弾性波デバイスが図１の受信フィルタ７２の例である。図７は、実施例２に係る弾性波デバイスの平面図である。図７に示すように、受信フィルタ１０６において、基板１０上に弾性波共振器４０および多重モード弾性波フィルタ４２が形成されている。多重モード弾性波フィルタ４２は二重モード弾性表面波フィルタＤＭＳ１およびＤＭＳ２である。ＤＭＳ１およびＤＭＳ２は並列に接続されている、ＤＭＳ１およびＤＭＳ２の入力端子は、共振器Ｒ１を介しアンテナ端子Ａｎｔに接続されている。ＤＭＳ１およびＤＭＳ２のグランドはグランド端子ＧＮＤに接続されている。ＤＭＳ１およびＤＭＳ２の出力端子と受信端子Ｒｘとの間には直列に直列共振器Ｓ１およびＳ２が接続され、並列共振器Ｐ１およびＰ２が並列に接続されている。直列共振器Ｓ１およびＳ２はそれぞれ２分割および３分割されている。並列共振器Ｐ１およびＰ２はそれぞれ２分割および４分割されている。
【００３８】
領域Ａ４において、共振器Ｒ１とＤＭＳ１との間、共振器Ｒ１とＤＭＳ２との間、ＤＭＳ１と直列共振器Ｓ１との間、ＤＭＳ２と並列共振器Ｐ１との間で、配線３２ｂと３０ｂが隣接している。アンテナ端子Ａｎｔから受信端子Ｒｘに信号が伝搬する配線は薄い配線３０ｂである。グランド端子ＧＮＤに直接接続される配線は厚い配線３２ｂである。領域Ａ５において、並列共振器Ｐ１とＰ２の間において、配線３０ａおよび３２ａが隣接している。厚い配線３２ａはバンプ３６の設けられたパッド３４に直接接続されている。薄い配線３０ａはバンプ３６の設けられたパッド３４に直接接続されていない。その他の構成は実施例１と同じであり説明を省略する。
【００３９】
実施例２によれば、配線３０ｂは、多重モード弾性波フィルタ４２の入力端子および出力端子（すなわち信号端子）に電気的に接続され、配線３２ｂは、多重モード弾性波フィルタ４２のグランド端子に電気的に接続されている。多重モード弾性波フィルタ４２の信号端子とグランド端子とは隣接する。よって、配線３２ａを３０ａより厚くする。これにより、配線間隔を狭くし、弾性波デバイスを小型化できる。
【００４０】
図８は、実施例２の変形例１に係る弾性波デバイスの平面図である。図８に示すように、受信フィルタ１０８において、アンテナ端子Ａｎｔと受信端子Ｒｘとの間に共振器Ｒ２、ＤＭＳ３およびＤＭＳ４が直列に接続されている。ＤＭＳ３は、ＩＤＴ１１からＩＤＴ１３および反射器Ｒを備える。ＩＤＴ１１から１３は弾性波の伝搬方向に配列されている。ＤＭＳ４は、ＩＤＴ２１からＩＤＴ２３および反射器Ｒを備える。
【００４１】
ＤＭＳ３のＩＤＴ１２の一端は共振器Ｒ２を介しアンテナ端子Ａｎｔに接続されている。ＩＤＴ１２の他端はグランド端子ＧＮＤに接続されている。ＩＤＴ１１およびＩＤＴ１３の一端はグランド端子ＧＮＤに接続されている。ＩＤＴ１１およびＩＤＴ１３の他端は配線３０ｃを介しＤＭＳ４のＩＤＴ２１および２３の一端にそれぞれ接続されている。ＩＤＴ２１および２３の他端はグランド端子に接続されている。ＩＤＴ２２の一端はグランド端子に接続されている。ＩＤＴ２２の他端は受信端子Ｒｘに接続されている。その他の構成は実施例２と同じであり説明を省略する。
【００４２】
領域Ａ６においては、ＤＭＳ３とＤＭＳ４の間に配線３０ｃと３２ｃが隣接して設けられている。配線３２ｃは配線３０ｃの上を交差する。配線３０ｃと３２ｃとの間は誘電体層が設けられている。配線３０ｃと３２ｃとの間は空隙でもよい。配線３２ｃはバンプ３６が設けられたパッド３４に直接接続されている。配線３０ｃはパッド３４に直接接続されていない。このように、薄い配線３０ｃと厚い配線３２ｃとを交差させることにより、弾性波デバイスを小型化できる。２つの配線を容易に交差させるためには、厚い配線３２ｃの一部が薄い配線３０ｃ上を交差することが好ましい。
【００４３】
ＤＭＳ３（第１多重モード弾性波フィルタ）とＤＭＳ４（第２多重モード弾性波フィルタ）との信号端子を接続する場合、信号端子を接続する配線とグランド配線とを交差させることにより、弾性波デバイスを小型化できる。よって、配線３０ｃは、ＤＭＳ３信号端子とＤＭＳ４の信号端子とを接続し、配線３２ｃは、ＤＭＳ３およびＤＭＳ４の少なくとも一方のグランド端子に接続されていることが好ましい。
【００４４】
図１に示したデュプレクサの送信フィルタ７０および受信フィルタ７２の少なくとも一方に、実施例１およびその変形例の送信フィルタまたは実施例２およびその変形例の受信フィルタを用いることができる。
【００４５】
図９（ａ）から図１０（ｄ）は、実施例１、２およびその変形例に係る弾性波デバイスの製造方法を示す断面図である。図９（ａ）に示すように、基板１０上に金属膜１２を形成する。基板１０は、例えばタンタル酸リチウム基板またはニオブ酸リチウム基板等の圧電基板である。金属膜１２は、例えばアルミニウム膜またはチタン膜である。金属膜１２は、例えばスパッタリング法およびエッチング法を用い形成する。金属膜１２により、弾性波共振器４０が形成される。金属膜１２の膜厚は例えば１００ｎｍから５００ｎｍである。金属膜１２は、銅膜または金膜等でもよい。金属膜１２により配線３０および３２の最下層１５および配線３０ｃが形成される。
【００４６】
図９（ｂ）に示すように、弾性波共振器４０および配線３０ｃ上に保護膜１４を形成する。保護膜１４は例えば膜厚が２０ｎｍの酸化シリコン膜である。保護膜１４は、例えばスパッタリング法およびエッチング法を用い形成する。図９（ｃ）に示すように、配線３０ｃを覆うように誘電体膜１７を形成する。誘電体膜１７は例えば絶縁体であり樹脂である。
【００４７】
図９（ｄ）に示すように、配線３２および配線３０ａを形成する領域に開口５２が形成されるように、基板１０上にマスク層５０を形成する。マスク層５０は、例えばフォトレジストであり、フォトリソグラフィ法を用い形成する。マスク層５０の膜厚は、フォトリソグラフィ法において所望の解像度を得られるように設定し、かつ後述するシード層１６のリフトオフを行なうため２μｍ以上が好ましい。マスク層５０は、後のベークに耐えることができる程度の耐熱性を有することが好ましい。
【００４８】
図１０（ａ）に示すように、マスク層５０を覆うように、基板１０上にシード層１６を全面に形成する。シード層１６は、例えば基板１０側から膜厚が０．２μｍのチタン膜および膜厚が０．１５μｍの金膜である。シード層１６は、例えば蒸着法を用い形成する。シード層１６は、基板１０側から膜厚が０．１μｍのチタン膜および膜厚が０．３μｍの銅膜でもよい。シード層１６は、スパッタリング法を用い形成してもよいが、リフトオフ法を用いるため蒸着法を用い形成することが好ましい。シード層１６の基板１０側の膜は、金属膜１２との密着性を向上させる密着膜およびバリア層である。金属膜１２がアルミニウム膜のとき、密着膜は例えばチタン膜である。シード層１６の上側の膜はめっきのシードとして機能し、めっき層と同じ材料であることが好ましい。
【００４９】
図１０（ｂ）に示すように、配線３２を形成する領域に開口５６が形成されるように、シード層１６上にマスク層５４を形成する。配線３０ａとなるシード層１６上にはマスク層５４を形成する。マスク層５４は、例えば膜厚が７μｍのフォトレジスト膜であり、フォトリソグラフィ法を用い形成する。マスク層５４の膜厚は、シード層１６の段差を被覆し、かつめっき層２２より厚くなるように設定し、例えば、５μｍから２０μｍである。
【００５０】
図１０（ｃ）に示すように、開口５６にめっき層２２を形成する。めっき層２２は、基板側から下層１８、バリア層（不図示）および上層２０を含む。下層１８は例えば膜厚が３μｍの銅層である。バリア層は、例えば膜厚が０．３μｍのパラジウム層である。上層２０は、例えば膜厚が１μｍの金層である。めっき層２２は、シード層１６から電流を供給し、電解めっき法を用い形成する。下層１８は、厚膜化が可能であり、電気抵抗率が低くかつ非磁性である材料が好ましい。このため、下層１８は、銅層または金層が好ましい。下層１８の膜厚は配線３０および３２の低抵抗化のため例えば１μｍ以上が好ましい。めっき層２２上にスタッドバンプを形成する場合、上層２０は金層であることが好ましい。バリア層は、下層１８と上層２０との加熱または経時変化にともなう相互拡散を抑制する。下層１８が銅層、上層２０が金層の場合、バリア層は、膜厚が０．２μｍ程度のパラジウム層またはニッケル層が好ましい。上層２０は、無電解めっき法を用い形成することもできる。この場合、上層２０の膜厚は例えば０．４μｍである。また、バリア層および上層２０を蒸着法を用い形成することもできる。この場合、バリア層は例えば膜厚が０．２μｍのチタン層、上層２０は、膜厚が０．４μｍの金層である。
【００５１】
図１０（ｄ）に示すように、マスク層５０および５４を例えば有機溶剤を用い除去する。このとき、マスク層５０および５４の間に形成されたシード層１６がリフトオフされる。シード層１６のリフトオフのため、有機溶剤を高圧で噴射してもよい。また、有機溶剤中で超音波洗浄してもよい。これにより、金属膜１２、シード層１６およびめっき層２２から配線３２および３２ａが形成される。シード層１６およびめっき層２２から配線３２ｃが形成される。金属膜１２およびシード層１６から配線３０ａが形成される。金属膜１２から配線３０ｃが形成される。領域Ａ７においては、厚い配線３２ａと薄い配線３０ａが形成される。領域Ａ８において、薄い配線３０ｃと厚い配線３２ｃが形成される。
【００５２】
図９（ａ）のように、基板１０上に、弾性波共振器４０、配線３０ａ、３０ｃ、３２および３２ａとなる領域に金属膜１２を形成する。図９（ｂ）のように、配線３０ａ、３２、３２ａおよび３２ｃとなる領域内の金属膜１２上が開口５２（第１開口）となり、配線３０ｃとなる領域が開口５２とならないマスク層５０（第１マスク層）を形成する。図１０（ａ）のように、開口５２内の金属膜１２に接触し、マスク層５０を覆うようにシード層１６を形成する。図１０（ｂ）のように、シード層１６上に、配線３２、３２ａおよび３２ｃとなる領域が開口５６（第２開口）となるマスク層５４（第２マスク層）を形成する。図１０（ｃ）のように、シード層１６から給電することにより、開口５６内のシード層１６上にめっき層２２を形成する。図１０（ｄ）のように、マスク層５０およびマスク層５４を除去することにより、開口５２以外のシード層１６をリフトオフする。これにより、薄い配線３０ａおよび３０ｃと厚い配線３２、３２ａおよび３２ｃを形成することができる。
【００５３】
実施例１、２およびその変形例においては、弾性波共振器として、弾性表面波共振器を例に説明したが、弾性波共振器は、弾性境界波共振器、ラブ波共振器、または圧電薄膜共振器でもよい。また、弾性波デバイスの例としてラダー型フィルタを用いた送信フィルタ、ＤＭＳフィルタを用いた受信フィルタを説明したが、その他の弾性波デバイスでもよい。
【００５４】
以上、本発明の実施例について詳述したが、本発明はかかる特定の実施例に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載された本発明の要旨の範囲内において、種々の変形・変更が可能である。
【符号の説明】
【００５５】
１０      基板
１２      金属膜
１４      保護膜
１６      シード層
２２      めっき層
３０、３２    配線
４０      弾性波共振器
４２      多重モード弾性波フィルタ
【図１】
0006351539.tif 000002
【図２】
0006351539.tif 000003
【図３】
0006351539.tif 000004
【図４】
0006351539.tif 000005
【図５】
0006351539.tif 000006
【図６】
0006351539.tif 000007
【図７】
0006351539.tif 000008
【図８】
0006351539.tif 000009
【図９】
0006351539.tif 000010
【図１０】
0006351539.tif 000011