(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
１つの材料で形成された支持基板と、
前記支持基板の上面に下面が接合された基板と、
前記基板上に設けられた弾性波素子と、
前記基板を貫通して設けられたビア配線と、
前記支持基板と前記基板との間で前記支持基板の上面に設けられた凹部に埋め込まれ且つ前記支持基板と前記基板とが接合した領域に囲まれて設けられ、前記ビア配線を介して前記弾性波素子に電気的に接続された内部配線と、を備え、
前記内部配線と前記基板との間に空隙が形成されていることを特徴とする弾性波デバイス。
【請求項２】
１つの材料で形成された支持基板と、
前記支持基板の上面に下面が接合され、前記支持基板よりも薄い圧電基板である基板と、
前記基板上に設けられたＩＤＴを含む弾性波素子と、
前記基板を貫通して設けられたビア配線と、
前記支持基板と前記基板との間に前記支持基板と前記基板とが接合した領域に囲まれて設けられ、前記ビア配線を介して前記弾性波素子に電気的に接続された内部配線と、を備え、
前記基板の前記弾性波素子が設けられた領域における下面は前記支持基板の上面に接合し、
前記内部配線は、前記弾性波素子と前記基板の厚み方向で重ならないことを特徴とする弾性波デバイス。
【請求項３】
支持基板と、
前記支持基板の上面に下面が接合された基板と、
前記基板上に設けられた弾性波素子と、
前記基板を貫通して設けられたビア配線と、
前記支持基板と前記基板との間に前記支持基板と前記基板とが接合した領域に囲まれて設けられ、前記ビア配線を介して前記弾性波素子に電気的に接続された内部配線と、
前記基板上に前記弾性波素子を封止して設けられ、前記内部配線とは電気的に分離された金属封止部をと、備え、
前記ビア配線は複数設けられていて、前記内部配線に接続された第１のビア配線と第２のビア配線とを含み、前記第１のビア配線は、前記金属封止部の内側の前記基板上に設けられ且つ前記弾性波素子に接続された配線に接続し、前記第２のビア配線は、前記金属封止部の外側の前記基板上に設けられた端子電極に接続することを特徴とする弾性波デバイス。
【請求項４】
支持基板と、
前記支持基板の上面に下面が接合された基板と、
前記基板上に設けられた弾性波素子と、
前記基板を貫通して設けられたビア配線と、
前記支持基板と前記基板との間に前記支持基板と前記基板とが接合した領域に囲まれて設けられ、前記ビア配線を介して前記弾性波素子に電気的に接続された内部配線と、
前記弾性波素子によって形成されるフィルタに前記ビア配線と前記内部配線を介して並列に接続され、弾性波素子を含む回路と、を備えることを特徴とする弾性波デバイス。
【請求項５】
前記内部配線は、前記支持基板の上面に設けられた凹部に埋め込まれていることを特徴とする請求項２から４のいずれか一項記載の弾性波デバイス。
【請求項６】
前記内部配線と前記基板との間に空隙が形成されていることを特徴とする請求項５記載の弾性波デバイス。
【請求項７】
前記基板は圧電基板であり、
前記弾性波素子は前記圧電基板内又は表面に弾性波を励振するＩＤＴを含むことを特徴とする請求項１、３または４記載の弾性波デバイス。
【請求項８】
前記弾性波素子は圧電薄膜共振子であることを特徴とする請求項１、３または４記載の弾性波デバイス。
【請求項９】
前記ビア配線は複数設けられていて、前記内部配線に接続された第１のビア配線と第２のビア配線とを含み、
前記基板上に前記第１のビア配線と前記第２のビア配線との間に位置して前記内部配線と前記基板の厚み方向で重なって設けられ、前記内部配線とは電気的に分離され且つ前記弾性波素子に電気的に接続された配線を備えることを特徴とする請求項１または２記載の弾性波デバイス。
【請求項１０】
前記弾性波素子はラダー型フィルタ又は多重モード型フィルタを形成することを特徴とする請求項１から９のいずれか一項記載の弾性波デバイス。
【請求項１１】
前記弾性波素子はラダー型フィルタを形成し
前記内部配線は、前記ラダー型フィルタの直列共振子及び並列共振子の少なくとも一方に直列及び／又は並列に接続されたインダクタを形成することを特徴とする請求項１または２記載の弾性波デバイス。
【請求項１２】
送信フィルタと受信フィルタを備え、
前記送信フィルタ及び前記受信フィルタの少なくとも一方が請求項１から１１のいずれか一項記載の弾性波デバイスであることを特徴とする分波器。
【請求項１３】
請求項１から１１のいずれか一項記載の弾性波デバイスを備えることを特徴とするモジュール。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、弾性波デバイス、分波器、及びモジュールに関する。
【背景技術】
【０００２】
携帯電話などの通信機器に用いられるフィルタとして、弾性波を利用した弾性波デバイスが用いられている。また、複数のフィルタを含む分波器及びモジュールが、通信機器に組み込まれることがある。弾性波デバイスでは、弾性波素子上に空隙を形成するために、弾性波素子を樹脂封止部で封止する技術（例えば特許文献１参照）や、弾性波素子を金属封止部で封止する技術（例えば特許文献２参照）が知られている。
【０００３】
弾性波素子を外部接続用の端子電極に接続させる方法として、基板の弾性波素子が形成された面とは反対の面に端子電極を形成し、基板を貫通するビア配線を用いて弾性波素子を端子電極に電気的に接続させる方法が知られている（例えば特許文献３〜５参照）。また、圧電材に支持部材を接合し、圧電材と支持部材との間を延在する配線を用いて、弾性波素子を端子電極に電気的に接続させる方法も知られている（例えば特許文献６参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２０１３−１１５６６４号公報
【特許文献２】特開２００９−２２５１１８号公報
【特許文献３】特開２００８−２５２３５１号公報
【特許文献４】特開２００９−１５９１９５号公報
【特許文献５】特開２０１２−１９９６３２号公報
【特許文献６】特開平０７−２４９９５７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、従来の弾性波デバイスでは、配線の取り回しの点で改善の余地が残されていた。本発明は、このような課題に鑑みなされたものであり、配線の取り回しの自由度を向上させることが可能な弾性波デバイス、分波器、及びモジュールを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明は、１つの材料で形成された支持基板と、前記支持基板の上面に下面が接合された基板と、前記基板上に設けられた弾性波素子と、前記基板を貫通して設けられたビア配線と、前記支持基板と前記基板との間で前記支持基板の上面に設けられた凹部に埋め込まれ且つ前記支持基板と前記基板とが接合した領域に囲まれて設けられ、前記ビア配線を介して前記弾性波素子に電気的に接続された内部配線と、を備え、前記内部配線と前記基板との間に空隙が形成されていることを特徴とする弾性波デバイスである。
【０００７】
本発明は、１つの材料で形成された支持基板と、前記支持基板の上面に下面が接合され、前記支持基板よりも薄い圧電基板である基板と、前記基板上に設けられたＩＤＴを含む弾性波素子と、前記基板を貫通して設けられたビア配線と、前記支持基板と前記基板との間に前記支持基板と前記基板とが接合した領域に囲まれて設けられ、前記ビア配線を介して前記弾性波素子に電気的に接続された内部配線と、を備え、前記基板の前記弾性波素子が設けられた領域における下面は前記支持基板の上面に接合し、前記内部配線は、前記弾性波素子と前記基板の厚み方向で重ならないことを特徴とする弾性波デバイスである。
【０００８】
本発明は、支持基板と、前記支持基板の上面に下面が接合された基板と、前記基板上に設けられた弾性波素子と、前記基板を貫通して設けられたビア配線と、前記支持基板と前記基板との間に前記支持基板と前記基板とが接合した領域に囲まれて設けられ、前記ビア配線を介して前記弾性波素子に電気的に接続された内部配線と、前記基板上に前記弾性波素子を封止して設けられ、前記内部配線とは電気的に分離された金属封止部をと、備え、前記ビア配線は複数設けられていて、前記内部配線に接続された第１のビア配線と第２のビア配線とを含み、前記第１のビア配線は、前記金属封止部の内側の前記基板上に設けられ且つ前記弾性波素子に接続された配線に接続し、前記第２のビア配線は、前記金属封止部の外側の前記基板上に設けられた端子電極に接続することを特徴とする弾性波デバイスである。
【０００９】
本発明は、支持基板と、前記支持基板の上面に下面が接合された基板と、前記基板上に設けられた弾性波素子と、前記基板を貫通して設けられたビア配線と、
前記支持基板と前記基板との間に前記支持基板と前記基板とが接合した領域に囲まれて設けられ、前記ビア配線を介して前記弾性波素子に電気的に接続された内部配線と、前記弾性波素子によって形成されるフィルタに前記ビア配線と前記内部配線を介して並列に接続され、弾性波素子を含む回路と、を備えることを特徴とする弾性波デバイスである。
【００１０】
上記構成において、前記内部配線は、前記支持基板の上面に設けられた凹部に埋め込まれている構成とすることができる。
【００１１】
上記構成において、前記内部配線と前記基板との間に空隙が形成されている構成とすることができる。
【００１２】
上記構成において、前記基板は圧電基板であり、前記弾性波素子は前記圧電基板内又は表面に弾性波を励振するＩＤＴを含む構成とすることができる。
【００１３】
上記構成において、前記弾性波素子は圧電薄膜共振子である構成とすることができる。
【００１４】
上記構成において、前記ビア配線は複数設けられていて、前記内部配線に接続された第１のビア配線と第２のビア配線とを含み、前記基板上に前記第１のビア配線と前記第２のビア配線との間に位置して前記内部配線と前記基板の厚み方向で重なって設けられ、前記内部配線とは電気的に分離され且つ前記弾性波素子に電気的に接続された配線を備える構成とすることができる。
【００１５】
上記構成において、前記弾性波素子はラダー型フィルタ又は多重モード型フィルタを形成する構成とすることができる。
【００１６】
上記構成において、前記弾性波素子はラダー型フィルタを形成し前記内部配線は、前記ラダー型フィルタの直列共振子及び並列共振子の少なくとも一方に直列及び／又は並列に接続されたインダクタを形成する構成とすることができる。
【００１７】
本発明は、送信フィルタと受信フィルタを備え、前記送信フィルタ及び前記受信フィルタの少なくとも一方が上記のいずれかに記載の弾性波デバイスであることを特徴とする分波器である。
【００１８】
本発明は、上記のいずれかに記載の弾性波デバイスを備えることを特徴とするモジュールである。
【発明の効果】
【００１９】
本発明によれば、配線の取り回しの自由度を向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【００２０】
【図１】図１（ａ）は、実施例１に係る弾性波デバイスの分解上面図、図１（ｂ）は、図１（ａ）のＡ−Ａ間の断面図である。
【図２】図２（ａ）から図２（ｅ）は、実施例１に係る弾性波デバイスの製造方法を示す断面図である。
【図３】図３（ａ）は、比較例１に係る弾性波デバイスの上面図、図３（ｂ）は、図３（ａ）のＡ−Ａ間の断面図である。
【図４】図４は、実施例１に係る弾性波デバイスが配線基板上に実装された断面図である。
【図５】図５は、実施例１の変形例１に係る弾性波デバイスの分解上面図である。
【図６】図６は、実施例１の変形例２に係る弾性波デバイスの分解上面図である。
【図７】図７は、実施例２に係る弾性波デバイスの分解上面図である。
【図８】図８（ａ）は、実施例２の変形例１に係る弾性波デバイスの分解上面図、図８（ｂ）は、図８（ａ）のＡ−Ａ間の断面図である。
【図９】図９（ａ）は、実施例３に係る弾性波デバイスの分解上面図、図９（ｂ）は、図９（ａ）のＡ−Ａ間の断面図である。
【図１０】図１０（ａ）は、実施例４に係る弾性波デバイスの上面図、図１０（ｂ）は、図１０（ａ）のＡ−Ａ間の断面図である。
【図１１】図１１（ａ）から図１１（ｅ）は、実施例４に係る弾性波デバイスの製造方法を示す断面図である。
【図１２】図１２（ａ）は、比較例２に係る弾性波デバイスの断面図、図１２（ｂ）は、比較例３に係る弾性波デバイスの断面図である。
【図１３】図１３は、実施例５に係る弾性波デバイスを示す図である。
【図１４】図１４（ａ）は、実施例５に係る弾性波デバイスの上面図、図１４（ｂ）は、図１４（ａ）のＡ−Ａ間の断面図である。
【図１５】図１５は、実施例５の変形例１に係る弾性波デバイスを示す図である。
【図１６】図１６（ａ）は、実施例５の変形例１に係る弾性波デバイスの上面図、図１６（ｂ）は、図１６（ａ）のＡ−Ａ間の断面図である。
【図１７】図１７は、実施例５の変形例２に係る弾性波デバイスを示す図である。
【図１８】図１８は、実施例５の変形例２に係る弾性波デバイスの分解上面図である。
【図１９】図１９は、実施例５の変形例３に係る弾性波デバイスを示す図である。
【図２０】図２０は、実施例５の変形例３に係る弾性波デバイスの分解上面図である。
【図２１】図２１は、実施例６に係る弾性波デバイスを示す図である。
【図２２】図２２（ａ）は、実施例６に係る弾性波デバイスの上面図、図２２（ｂ）は、図２２（ａ）のＡ−Ａ間の断面図である。
【図２３】図２３は、実施例７に係るデュプレクサを示すブロック図である。
【図２４】図２４は、実施例８に係るモジュールを含む移動体通信機を示すブロック図である。
【図２５】図２５（ａ）は、実施例４の弾性波デバイスがモジュール基板の表面に実装された断面図、図２５（ｂ）は、モジュール基板内に内蔵された断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２１】
以下、図面を参照して、本発明の実施例について説明する。
【実施例１】
【００２２】
図１（ａ）は、実施例１に係る弾性波デバイス１００の分解上面図、図１（ｂ）は、図１（ａ）のＡ−Ａ間の断面図である。図１（ａ）及び図１（ｂ）のように、実施例１の弾性波デバイス１００は、基板１０の下面が支持基板４０の上面に接合され、基板１０と支持基板４０の間に内部配線５０が設けられている。内部配線５０は、支持基板４０の上面に形成された凹部に埋め込まれ、上面が基板１０の下面に接合されている。内部配線５０は、基板１０及び支持基板４０の側面よりも内側に位置し、基板１０と支持基板４０とが接合した領域に囲まれている。基板１０は、例えばタンタル酸リチウム基板、ニオブ酸リチウム基板、又は水晶基板などの圧電基板である。支持基板４０は、例えばサファイア基板、スピネル基板、又はシリコン基板など絶縁基板である。内部配線５０は、例えば銅膜などの金属膜である。
【００２３】
基板１０上に、弾性波素子１２〜１６、配線１８、及びパッド電極２０が形成されている。弾性波素子１２は、弾性表面波共振子である。弾性波素子１２は、１ポート共振子Ｒ１であり、ＩＤＴ（Interdigital Transducer）とその両側に設けられた反射器Ｒとを有する。ＩＤＴは、一対の櫛型電極を備える。ＩＤＴは、基板１０内又は表面に弾性波を励振する。反射器Ｒは、弾性波を反射する。弾性波素子１４、１６は、多重モード型弾性波フィルタである。弾性波素子１４、１６は、二重モード型弾性表面波フィルタＤＭＳ１、ＤＭＳ２である。ＤＭＳ１は、ＩＤＴ１１からＩＤＴ１３とそれらの両側に設けられた反射器Ｒとを有する。ＩＤＴ１１からＩＤＴ１３は、基板１０内又は表面に弾性波を励振し、弾性波の伝搬方向に配列されている。ＤＭＳ２は、ＩＤＴ２１からＩＤＴ２３とそれらの両側に設けられた反射器Ｒとを有する。ＩＤＴ２１からＩＤＴ２３は、基板１０内又は表面に弾性波を励振し、弾性波の伝搬方向に配列されている。ＩＤＴ及び反射器は、例えばアルミニウム膜、銅膜、又は銅が添加されたアルミニウム膜などの金属膜である。
【００２４】
配線１８は、入力電極ＩＮから入力された高周波信号を伝搬する信号配線１８ａとグランドに接続するグランド配線１８ｂとを含む。パッド電極２０は、入力電極ＩＮ、出力電極ＯＵＴ、及びグランド電極ＧＮＤを形成する。配線１８及びパッド電極２０は、例えば銅膜又は金膜などの金属膜である。
【００２５】
基板１０を貫通し、グランド配線１８ｂと内部配線５０とに接続された複数のビア配線２２が形成されている。内部配線５０は、複数のビア配線２２の全てと基板１０の厚さ方向で重なって設けられた、べた膜である。内部配線５０は、ＤＭＳ１とＤＭＳ２の間に位置して設けられていて、ＤＭＳ１、２とは基板１０の厚さ方向で重なっていない。ビア配線２２は、例えば銅膜、銀膜、金膜、又はアルミニウム膜などの金属膜である。
【００２６】
パッド電極２０上には、バンプ２４が形成されている。バンプ２４は、例えば金バンプ又は銅バンプなどであり、例えばスタッドバンプ又はめっきバンプである。共振子Ｒ１とＤＭＳ１とＤＭＳ２は、入力電極ＩＮと出力電極ＯＵＴとの間に直列に接続されている。
【００２７】
共振子Ｒ１のＩＤＴの一端は信号配線１８ａを介して入力電極ＩＮに接続されている。共振子Ｒ１のＩＤＴの他端は信号配線１８ａを介してＤＭＳ１のＩＤＴ１２の一端に接続されている。ＩＤＴ１２の他端並びにＩＤＴ１１及びＩＤＴ１３の一端はグランド配線１８ｂとビア配線２２と内部配線５０とを介してグランド電極ＧＮＤに接続されている。ＩＤＴ１１及びＩＤＴ１３の他端は信号配線１８ａを介してＤＭＳ２のＩＤＴ２１及びＩＤＴ２３の一端にそれぞれ接続されている。ＩＤＴ２１及びＩＤＴ２３の他端はグランド配線１８ｂを介してグランド電極ＧＮＤに接続されている。ＩＤＴ２２の一端はグランド配線１８ｂとビア配線２２と内部配線５０とを介してグランド電極ＧＮＤに接続されている。ＩＤＴ２２の他端は信号配線１８ａを介して出力電極ＯＵＴに接続されている。
【００２８】
次に、実施例１の弾性波デバイス１００の製造方法について説明する。図２（ａ）から図２（ｅ）は、実施例１に係る弾性波デバイス１００の製造方法を示す断面図である。なお、図２（ａ）から図２（ｅ）は、図１のＢ−Ｂ間に相当する断面を示している。
【００２９】
図２（ａ）のように、支持基板４０の上面に、例えばエッチング法又はブラスト法を用いて、凹部４２を形成する。支持基板４０の厚さは、例えば１３０μｍ程度であり、凹部４２の深さは、例えば４μｍ〜５μｍ程度である。支持基板４０の上面全面に、例えばスパッタ法を用いて、シード層４４を形成する。シード層４４は、例えば下側からチタン膜と銅膜が順に形成された金属膜である。シード層４４は、凹部４２の内面にも形成される。支持基板４０の上面のうち凹部４２以外の領域のシード層４４上に、レジスト膜４６を形成する。
【００３０】
図２（ｂ）のように、レジスト膜４６をマスクとして、例えばめっき法を用いて、支持基板４０の上面に形成された凹部４２に内部配線５０を埋め込む。レジスト膜４６とシード層４４を除去した後、支持基板４０の上面に対して平坦化処理（例えばＣＭＰ（Chemical Mechanical Polishing）研磨）を行う。これにより、支持基板４０の上面と内部配線５０の上面とが面一になる。平坦化処理後の内部配線５０の厚さは、例えば２μｍ〜３μｍ程度である。
【００３１】
図２（ｃ）のように、支持基板４０の上面に基板１０を接合させる。基板１０の接合は、直接接合で行ってもよいし、接着剤などを用いて行ってもよい。直接接合で行う場合は、例えば常温での表面活性化接合によって行ってもよい。その後、基板１０の上面に対して研磨（例えばＣＭＰ研磨）を施して、基板１０を薄層化させる。薄層化後の基板１０の厚さは、例えば２０μｍ程度である。
【００３２】
図２（ｄ）のように、基板１０を貫通して内部配線５０が露出した孔を形成する。孔の直径は、例えば１０μｍ〜５０μｍ程度である。この孔は、例えばレーザを用いて形成することができる。レーザを用いることで、孔の側面に改質領域２６が形成される。なお、孔は、レーザ以外の方法で形成してもよく、例えばイオンミリング法、ブラスト法、又はエッチング法によって形成してもよい。その後、孔に金属膜を埋め込んでビア配線２２を形成する。ビア配線２２は、例えばめっき法を用いて形成してもよいし、メタルペーストの印刷によって形成してもよい。
【００３３】
図２（ｅ）のように、基板１０上に、ＩＤＴ、配線１８、及びパッド電極２０を形成する。これらは、一般的な方法を用いて形成することができる。その後、パッド電極２０上にバンプ２４を形成する。これにより、実施例１の弾性波デバイス１００が形成される。
【００３４】
ここで、実施例１の弾性波デバイス１００の効果を説明するにあたり、まず比較例１の弾性波デバイスについて説明する。図３（ａ）は、比較例１に係る弾性波デバイス５００の上面図、図３（ｂ）は、図３（ａ）のＡ−Ａ間の断面図である。図３（ａ）及び図３（ｂ）のように、比較例１の弾性波デバイス５００は、基板１０の下面に支持基板４０が接合されてなく、内部配線５０は設けられていない。ＤＭＳ１のＩＤＴ１２及びＤＭＳ２のＩＤＴ２２がグランド電極ＧＮＤに電気的に接続するために、基板１０上でグランド配線１８ｂと信号配線１８ａとが立体交差している。すなわち、グランド配線１８ｂは、樹脂などの絶縁膜９０を介して、信号配線１８ａ上を跨いでいる。
【００３５】
比較例１によれば、グランド配線１８ｂは、基板１０上で信号配線１８ａと立体交差している。このような立体配線構造は、例えばＩＤＴ上には形成できないなど、形成できる場所に制約がある。したがって、配線の引き回しに制約が課されてしまう。
【００３６】
一方、実施例１によれば、基板１０と支持基板４０との間に、ビア配線２２とグランド配線１８ｂを介してＤＭＳ１、２に電気的に接続する内部配線５０が形成されている。内部配線５０は様々な形状にできるため、配線の取り回しの自由度を向上させることができる。
【００３７】
また、実施例１によれば、ＩＤＴで発生した熱が、ビア配線２２と内部配線５０を経由し支持基板４０を介して放熱するようになるため、放熱効果を向上させることができる。例えば、バンプ２４から離れた位置にビア配線２２を形成することで、効果的な放熱効果が得られる。
【００３８】
また、実施例１によれば、内部配線５０は、支持基板４０の上面に形成された凹部に埋め込まれている。これにより、基板１０と支持基板４０との間の接合力を確保しつつ、内部配線５０を厚くすることができる。内部配線５０を厚くすることで、例えば上述した放熱の効果が大きくなる。
【００３９】
また、実施例１によれば、複数のビア配線２２のうちの２つのビア配線の間の基板１０上に、内部配線５０と基板１０の厚み方向で重なる信号配線１８ａが設けられている。信号配線１８ａは、内部配線５０とは電気的に分離され且つＤＭＳ１、２に電気的に接続されている。すなわち、内部配線５０と信号配線１８ａとは立体配線構造となっている。比較例１のように、信号配線１８ａとグランド配線１８ｂとがその間に絶縁膜９０を介した立体配線構造をしている場合、信号配線１８ａとグランド配線１８ｂとが近接して形成されるために大きな容量が形成されて、特性が劣化する恐れがある。しかしながら、実施例１では、信号配線１８ａと内部配線５０とは、その間に基板１０を介していることから、比較的離れて形成される。このため、信号配線１８ａと内部配線５０との間の容量を小さくでき、特性の劣化を抑制することができる。
【００４０】
また、実施例１によれば、内部配線５０は、共振子Ｒ１及びＤＭＳ１、２と基板１０の厚み方向で重なっていない。これにより、内部配線５０と弾性波素子との間で形成される容量を低減でき、特性の劣化を抑制することができる。
【００４１】
また、実施例１によれば、支持基板４０及び内部配線５０の上面と基板１０の下面とが接合しているため、ボイド等の発生による信頼性の低下を抑制できる。
【００４２】
図４は、実施例１に係る弾性波デバイス１００が配線基板５２上に実装された断面図である。図４のように、配線基板５２上に、１又は複数の弾性波デバイス１００がフリップチップ実装されている。弾性波デバイス１００に形成されたＩＤＴと配線基板５２との間には空隙５３が形成されている。弾性波デバイス１００は、配線基板５２上に形成された封止部５４によって封止されている。封止部５４は、例えば弾性波デバイス１００の周りを囲んで設けられた半田５５と、半田５５上に設けられた金属リッド５６と、を含む。なお、封止部５４の表面にめっき膜からなる保護膜５７が形成されていてもよい。
【００４３】
図５は、実施例１の変形例１に係る弾性波デバイス１１０の分解上面図である。図５のように、実施例１の変形例１の弾性波デバイス１１０では、実施例１の弾性波デバイス１００と比べて、共振子Ｒ１とＤＭＳ１との間にもビア配線２２が形成されている。内部配線５０は、複数のビア配線２２の全てと基板１０の厚さ方向で重なるように大きく設けられた、べた膜となっている。
【００４４】
実施例１及び実施例１の変形例１によれば、内部配線５０は、複数のビア配線２２の全てと基板１０の厚さ方向で重なって設けられている。これにより、ビア配線２２の形成位置の自由度を向上させることができる。また、パッド電極２０の形成位置を、ＤＭＳ１、２のパターン等の影響を受けずに統一化することができる。
【００４５】
図６は、実施例１の変形例２に係る弾性波デバイス１２０の分解上面図である。図６のように、実施例１の変形例２の弾性波デバイス１２０では、実施例１の弾性波デバイス１００と比べて、ビア配線２２は、グランド配線１８ｂに接続されずに、信号配線１８ａに接続されている。これにより、ＤＭＳ１のＩＤＴ１１及びＩＤＴ１３は、信号配線１８ａとビア配線２２と内部配線５０とを介して、ＤＭＳ２のＩＤＴ２１及びＩＤＴ２３にそれぞれ接続されている。
【００４６】
実施例１及び実施例１の変形例１のように、内部配線５０はビア配線２２を介してグランド配線１８ｂに接続されていてもよいし、実施例１の変形例２のように、ビア配線２２を介して信号配線１８ａに接続されていてもよい。
【実施例２】
【００４７】
実施例２は、基板１０上にラダー型フィルタが形成された場合の例である。図７は、実施例２に係る弾性波デバイス１３０の分解上面図である。図７のように、実施例２の弾性波デバイス１３０は、実施例１の弾性波デバイス１００と比べて、入力電極ＩＮと出力電極ＯＵＴとの間に、１又は複数の直列共振子Ｓ１からＳ４が直列に接続され、１又は複数の並列共振子Ｐ１からＰ３が並列に接続されている。直列共振子Ｓ１からＳ４及び並列共振子Ｐ１からＰ３は、弾性表面波共振子である。直列共振子Ｓ１からＳ４及び並列共振子Ｐ１からＰ３は、１ポート共振子であり、ＩＤＴとＩＤＴの両側に設けられた反射器Ｒとを備える。
【００４８】
直列共振子Ｓ１のＩＤＴの一端は信号配線１８ａを介して入力電極ＩＮに接続されている。直列共振子Ｓ１のＩＤＴの他端は信号配線１８ａを介して直列共振子Ｓ２及び並列共振子Ｐ１のＩＤＴの一端に接続されている。直列共振子Ｓ２のＩＤＴの他端は信号配線１８ａを介して直列共振子Ｓ３及び並列共振子Ｐ２のＩＤＴの一端に接続されている。並列共振子Ｐ１、Ｐ２のＩＤＴの他端はグランド配線１８ｂとビア配線２２と内部配線５０とを介してグランド電極ＧＮＤに接続されている。直列共振子Ｓ３のＩＤＴの他端は信号配線１８ａを介して直列共振子Ｓ４及び並列共振子Ｐ３のＩＤＴの一端に接続されている。並列共振子Ｐ３のＩＤＴの他端はグランド配線１８ｂとビア配線２２と内部配線５０とを介してグランド電極ＧＮＤに接続されている。直列共振子Ｓ４のＩＤＴの他端は信号配線１８ａを介して出力電極ＯＵＴに接続されている。
【００４９】
図８（ａ）は、実施例２の変形例１に係る弾性波デバイス１４０の分解上面図、図８（ｂ）は、図８（ａ）のＡ−Ａ間の断面図である。図８（ａ）のように、実施例２の変形例１の弾性波デバイス１４０は、直列共振子Ｓ１からＳ４及び並列共振子Ｐ１からＰ３が圧電薄膜共振子である点で、実施例２の弾性波デバイス１３０と異なる。圧電薄膜共振子は、図８（ｂ）のように、基板１０上に下部電極２８、圧電膜３０、上部電極３２がこの順に積層されている。圧電膜３０を挟んで下部電極２８と上部電極３２とが対向する領域が共振領域３４となる。共振領域３４における基板１０の上面に凹部が形成されていて空隙３６となっている。共振領域３４は、例えば楕円形形状を有し、厚み縦振動モードの弾性波が共振する領域である。なお、共振領域３４は、多角形形状等、楕円形形状以外の形状であってもよい。なお、空隙３６の代わりに音響反射膜が設けられていてもよい。
【００５０】
基板１０は、例えばシリコン基板、サファイア基板、又はアルミナ基板である。支持基板４０は、例えばシリコン基板、サファイア基板、又はアルミナ基板である。下部電極２８及び上部電極３２は、例えばクロム、ルテニウム、アルミニウム、チタン、銅、モリブデン、タングステン、タンタル、白金、ロジウム、又はイリジウムなどの金属単層膜又はこれらの積層膜である。圧電膜３０は、例えば窒化アルミニウム膜、酸化亜鉛膜、チタン酸ジルコン酸鉛膜、又はチタン酸鉛膜などである。
【００５１】
実施例１では、弾性波素子は多重モード型フィルタを形成する場合を例に示したが、実施例２のように、弾性波素子はラダー型フィルタを形成してもよい。また、弾性波素子は、基板１０内又は表面に弾性波を励振するＩＤＴを含む弾性表面波素子、ラブ波素子、弾性境界波素子の場合でもよいし、圧電薄膜共振子の場合でもよい。
【実施例３】
【００５２】
図９（ａ）は、実施例３に係る弾性波デバイス１５０の分解上面図、図９（ｂ）は、図９（ａ）のＡ−Ａ間の断面図である。図９（ａ）及び図９（ｂ）のように、実施例３の弾性波デバイス１５０は、実施例１の弾性波デバイス１００と比べて、支持基板４０の上面の凹部に埋め込まれた内部配線５０の上面と基板１０の下面との間に空隙４８が形成されている。空隙４８の高さは、例えば２μｍ程度である。
【００５３】
実施例３によれば、内部配線５０と基板１０との間に空隙４８が形成されている。内部配線５０と基板１０とが接合している場合は互いの線膨張係数の差による応力が発生するが、内部配線５０と基板１０との間に空隙４８が形成されることで、このような応力の発生を抑制することができる。なお、内部配線５０が銅膜である場合の線膨張係数は１７ｐｐｍ／℃である。基板１０が４２°回転ＹカットＸ伝搬タンタル酸リチウム基板である場合の線膨張係数は弾性波の伝搬方向で１６．１ｐｐｍ／℃、弾性波の伝搬方向に垂直な方向で９．５ｐｐｍ／℃である。基板１０が１２８°回転ＹカットＸ伝搬ニオブ酸リチウム基板である場合の線膨張係数は弾性波の伝搬方向で１５．４ｐｐｍ／℃、弾性波の伝搬方向に垂直な方向で１２．４ｐｐｍ／℃である。
【００５４】
また、内部配線５０と基板１０との間に空隙４８が形成されていることで、信号配線１８ａと内部配線５０との間の容量を低減でき、特性の劣化を抑制することができる。
【００５５】
なお、実施例３において、内部配線５０と基板１０との間全体に空隙４８が形成され、内部配線５０と基板１０とが全く接合していない場合が好ましいが、内部配線５０と基板１０との間の一部に空隙４８が形成されてなく、内部配線５０と基板１０とが一部で接合している場合でもよい。
【００５６】
なお、実施例１の変形例１から実施例２の変形例１においても、内部配線５０と基板１０との間に空隙４８が形成されていてもよい。
【実施例４】
【００５７】
図１０（ａ）は、実施例４に係る弾性波デバイス１６０の上面図、図１０（ｂ）は、図１０（ａ）のＡ−Ａ間の断面図である。なお、図１０（ａ）では、金属封止部６０を透視して、共振子Ｒ１などを図示している。また、図１０（ａ）及び図１０（ｂ）では、グランドに関する記載は省略している。
【００５８】
図１０（ａ）及び図１０（ｂ）のように、実施例４の弾性波デバイス１６０は、実施例１の弾性波デバイス１００と比べて、ＤＭＳ２の代わりに弾性表面波共振子Ｒ２、Ｒ３が形成されている。共振子Ｒ２、Ｒ３は、共振子Ｒ１と同じく、１ポート共振子であり、ＩＤＴとその両側に設けられた反射器Ｒとを有する。支持基板４０と基板１０との間に設けられた内部配線５０の上面と基板１０の下面との間には、実施例３と同じく、空隙４８が形成されている。
【００５９】
共振子Ｒ１のＩＤＴの一端は信号配線１８ａとビア配線２２と内部配線５０とを介して入力電極ＩＮである端子電極３８に接続されている。共振子Ｒ１のＩＤＴの他端は信号配線１８ａを介してＤＭＳ１のＩＤＴ１２の一端に接続されている。ＤＭＳ１のＩＤＴ１１及びＩＤＴ１３の一端は信号配線１８ａを介して共振子Ｒ２のＩＤＴ及び共振子Ｒ３のＩＤＴの一端にそれぞれ接続されている、共振子Ｒ２のＩＤＴ及び共振子Ｒ３のＩＤＴの他端は信号配線１８ａとビア配線２２と内部配線５０とを介して出力電極ＯＵＴである端子電極３８に接続されている。
【００６０】
基板１０上に、共振子Ｒ１からＲ３、ＤＭＳ１、及び信号配線１８ａを気密封止し、端子電極３８は封止しない、金属封止部６０が形成されている。複数のビア配線２２のうちの１つは金属封止部６０の内側に設けられた信号配線１８ａに接続され、他の１つは金属封止部６０の外側に設けられた端子電極３８に接続されている。金属封止部６０は、共振子Ｒ１からＲ３、ＤＭＳ１、及び信号配線１８ａをまとめて囲んで基板１０上に設けられた枠体６２と、ＩＤＴ上に空隙３９が形成されるように枠体６２上に設けられたリッド６４と、を含む。
【００６１】
次に、実施例４の弾性波デバイス１６０の製造方法について説明する。図１１（ａ）から図１１（ｅ）は、実施例４に係る弾性波デバイス１６０の製造方法を示す断面図である。図１１（ａ）のように、支持基板４０の上面に凹部４２を形成する。その後、支持基板４０の上面全面にシード層４４を形成する。支持基板４０の上面のうち凹部４２以外の領域のシード層４４上に、レジスト膜４６を形成する。レジスト膜４６をマスクにして、支持基板４０の上面の凹部４２に内部配線５０を形成する。この際、内部配線５０の膜厚を制御して、内部配線５０の上面が支持基板４０の上面よりも低くなるようにする。内部配線５０は、めっき法で形成してもよいし、スパッタ法で形成してもよい。内部配線５０の厚さは、めっき法で形成する場合は２μｍ〜３μｍ程度とすることができ、スパッタ法で形成する場合は４００ｎｍ程度とすることができる。
【００６２】
図１１（ｂ）のように、レジスト膜４６とシード層４４を除去した後、支持基板４０の上面に基板１０を接合させる。これにより、内部配線５０と基板１０との間に空隙４８が形成される。その後、基板１０の上面に対して研磨を施して、基板１０を薄層化させる。なお、内部配線５０が支持基板４０の上面よりも低く形成されているため、基板１０を接合させる前に、支持基板４０の上面に対する平坦化処理は行わなくてもよい。
【００６３】
図１１（ｃ）のように、基板１０を貫通する孔を形成した後、当該孔に金属膜を埋め込んで、内部配線５０に接続するビア配線２２を形成する。
【００６４】
図１１（ｄ）のように、基板１０上に、ＩＤＴ、信号配線１８ａ、及び不図示のグランド配線を形成する。また、これらと同時に、金属封止部６０の枠体６２及び端子電極３８を形成する領域に金属パターンを形成する。その後、例えばめっき法を用いて、金属パターン上に金属膜を形成する。これにより、金属封止部６０の枠体６２の下側部分６２ａと端子電極３８の下側部分３８ａとが形成される。
【００６５】
図１１（ｅ）のように、金属封止部６０のリッド６４、枠体６２の上側部分６２ｂ、及び端子電極３８の上側部分３８ｂが形成された基板９２を予め準備しておく。リッド６４、枠体６２の上側部分６２ｂ、及び端子電極３８の上側部分３８ｂは、例えばめっき法を用いて形成される。金属封止部６０の枠体６２の上側部分６２ｂを下側部分６２ａに接合させ、且つ端子電極３８の上側部分３８ｂを下側部分３８ａに接合させる。これにより、ＩＤＴ及び信号配線１８ａは、金属封止部６０で気密封止される。その後、基板９２を除去することで、実施例４の弾性波デバイス１６０が形成される。
【００６６】
図１２（ａ）は、比較例２に係る弾性波デバイス５１０の断面図、図１２（ｂ）は、比較例３に係る弾性波デバイス５２０の断面図である。図１２（ａ）のように、比較例２の弾性波デバイス５１０では、基板１０と支持基板４０の間に内部配線５０が設けられてなく、基板１０上を信号配線１８ａが端子電極３８まで延在することで、信号配線１８ａと端子電極３８とが互いに接続している。信号配線１８ａと金属封止部６０の枠体６２とが交差する領域には、信号配線１８ａと金属封止部６０とが電気的に接続されないように、信号配線１８ａと枠体６２との間に樹脂等の絶縁膜９４が形成されている。
【００６７】
比較例２では、信号配線１８ａと金属封止部６０の枠体６２との間に樹脂等の絶縁膜９４が形成されている。樹脂等の絶縁膜９４は気密性があまり良くないため、水分などが金属封止部６０内に侵入し、ＩＤＴなどが腐食することが生じてしまう。
【００６８】
一方、実施例４によれば、複数のビア配線２２のうちの１つは金属封止部６０内の信号配線１８ａに接続し、他の１つは金属封止部６０外の端子電極３８に接続していて、信号配線１８ａと端子電極３８とはビア配線２２と内部配線５０とを介して接続されている。このため、金属封止部６０の枠体６２下に絶縁膜を設けずに済むため、気密性を向上させることができ、ＩＤＴなどの腐食を抑制することができる。
【００６９】
また、比較例２では、信号配線１８ａと金属封止部６０の枠体６２とが近接して形成されるため、信号配線１８ａと金属封止部６０との間で大きな容量が形成されてしまい、特性が劣化してしまう。一方、実施例４では、金属封止部６０の枠体６２と内部配線５０との間に基板１０が介在しているので、金属封止部６０の枠体６２と内部配線５０とが離れて形成される。このため、金属封止部６０と内部配線５０との間で形成される容量を小さく抑えることができ、特性の劣化を抑制することができる。
【００７０】
図１２（ｂ）のように、比較例３の弾性波デバイス５２０では、端子電極３８が支持基板４０の下面に設けられていて、基板１０と支持基板４０とを貫通するビア配線９６によって、信号配線１８ａと端子電極３８とが接続されている。
【００７１】
比較例３によれば、金属封止部６０の枠体６２下に絶縁膜が設けられていないため、気密性を向上させることができる。しかしながら、基板１０と支持基板４０とを貫通するビア配線９６は、アスペクト比の関係から大きくなり、デバイスサイズが大きくなってしまう。また、基板１０と支持基板４０とに大きな孔を開けることになるため、デバイスの強度が低下してしまう。
【００７２】
一方、実施例４によれば、ビア配線２２は基板１０だけを貫通し、支持基板４０は貫通していないため、デバイスサイズの大型化や強度低下を抑制することができる。
【００７３】
なお、実施例４において、金属封止部６０はグランドに接続されていることが好ましい。これにより、電磁波などからＩＤＴを保護する効果が得られる。金属封止部６０をグランドに接続させる構成として、グランド配線を基板１０上でグランド電極ＧＮＤまで引き延ばすことで、グランド配線を金属封止部に接続させるようにしてもよい。なお、グランド配線を、信号配線１８ａと同様に、ビア配線２２と内部配線５０とを介してグランド電極ＧＮＤに接続させてもよい。
【００７４】
なお、実施例４において、共振子Ｒ１〜Ｒ３及びＤＭＳ１は、圧電薄膜共振子であってもよい。
【実施例５】
【００７５】
図１３は、実施例５に係る弾性波デバイス１７０を示す図である。図１３のように、実施例５の弾性波デバイス１７０は、１又は複数の直列共振子Ｓ１からＳ３、１又は複数の並列共振子Ｐ１からＰ４、及びインダクタ６６を備えるラダー型フィルタである。１又は複数の直列共振子Ｓ１からＳ３は、入力端子ＩＮと出力端子ＯＵＴとの間に直列に接続されている。直列共振子Ｓ３は、互いに直列に接続された共振子Ｓ３ａとＳ３ｂを含む。１又は複数の並列共振子Ｐ１からＰ４は、入力端子ＩＮと出力端子ＯＵＴとの間に並列に接続されている。インダクタ６６は、直列共振子Ｓ２に対して並列に接続されている。
【００７６】
図１４（ａ）は、実施例５に係る弾性波デバイス１７０の上面図、図１４（ｂ）は、図１４（ａ）のＡ−Ａ間の断面図である。図１４（ａ）及び図１４（ｂ）のように、基板１０上に、直列共振子Ｓ１からＳ３、並列共振子Ｐ１からＰ４、配線１８、及びパッド電極２０が形成されている。直列共振子Ｓ１からＳ３及び並列共振子Ｐ１からＰ４は、基板１０と支持基板４０の間に設けられた内部配線５０を介さずに、基板１０上に設けられた配線１８だけを介して、パッド電極２０に接続されている。基板１０と支持基板４０の間に設けられた内部配線５０は、直列共振子Ｓ２に並列に接続されたインダクタ６６を形成していて、ビア配線２２を介して信号配線１８ａに接続されている。
【００７７】
実施例５によれば、特性を改善するために、直列共振子Ｓ２に並列にインダクタ６６が接続されている。このようなインダクタが、例えば弾性波デバイスを実装するパッケージに形成される場合、弾性波デバイスとパッケージの間を配線が行き来するため配線が長くなってしまい、特性の劣化が懸念される。一方、実施例４によれば、インダクタ６６は、基板１０と支持基板４０の間に設けられた内部配線５０によって形成されているので、インダクタ６６に接続する配線を短くすることができ、特性の劣化を抑制することができる。
【００７８】
なお、実施例５において、インダクタ６６を形成する内部配線５０は、直線状、ミアンダ状、又はコイル状のいずれの形状をしていてもよい。
【００７９】
図１５は、実施例５の変形例１に係る弾性波デバイス１８０を示す図である。図１５のように、実施例５の変形例１の弾性波デバイス１８０は、実施例５の弾性波デバイス１７０と比べて、直列共振子Ｓ２に並列にインダクタ６６が接続されてなく、並列共振子Ｐ１からＰ４とグランドとの間にインダクタ６６が直列に接続されている。
【００８０】
図１６（ａ）は、実施例５の変形例１に係る弾性波デバイス１８０の上面図、図１６（ｂ）は、図１６（ａ）のＡ−Ａ間の断面図である。図１６（ａ）及び図１６（ｂ）のように、基板１０と支持基板４０の間に設けられた内部配線５０は、並列共振子Ｐ１からＰ４とグランド電極ＧＮＤとの間に接続されたインダクタ６６を形成していて、ビア配線２２を介してグランド配線１８ｂとグランド電極ＧＮＤとに接続されている。
【００８１】
実施例５の変形例１によれば、通過帯域幅を広くするために、並列共振子Ｐ１からＰ４とグランドとの間に、並列共振子Ｐ１からＰ４に直列にインダクタ６６が接続されている。インダクタ６６は、基板１０と支持基板４０の間に設けられた内部配線５０によって形成されている。このように、並列共振子Ｐ１からＰ４とグランドとの間に接続されたインダクタ６６を内部配線５０によって形成することで、例えばワイヤ配線によって形成する場合などと比べて、信頼性を向上させることができる。また、実施例５と同様に、インダクタ６６に接続する配線を短くすることができ、特性の劣化を抑制することができる。
【００８２】
また、実施例５の変形例１によれば、インダクタ６６を形成する内部配線５０は、直列共振子Ｓ１からＳ４及び並列共振子Ｐ１からＰ３と基板１０の厚み方向で重なっていない。これにより、内部配線５０と共振子との間に形成される容量を低減させることができ、特性の劣化を抑制することができる。
【００８３】
図１７は、実施例５の変形例２に係る弾性波デバイス１９０を示す図である。図１７のように、実施例５の変形例２の弾性波デバイス１９０は、出力端子ＯＵＴと直列共振子Ｓ３との間のノードと、並列共振子Ｐ２とグランドとの間のノードとの間に、インダクタ６６が接続されている。
【００８４】
図１８は、実施例５の変形例２に係る弾性波デバイス１９０の分解上面図である。図１８のように、基板１０と支持基板４０の間に設けられた内部配線５０は、出力電極ＯＵＴと直列共振子Ｓ３との間の信号配線１８ａと、並列共振子Ｐ２とグランド電極ＧＮＤとの間のグランド配線１８ｂと、の間に接続されたインダクタ６６を形成していて、ビア配線２２を介して信号配線１８ａ及びグランド配線１８ｂに接続されている。
【００８５】
図１９は、実施例５の変形例３に係る弾性波デバイス２００を示す図である。図１９のように、実施例５の変形例３の弾性波デバイス２００は、直列共振子Ｓ３と出力端子ＯＵＴとの間にインダクタ６６が直列に接続されている。
【００８６】
図２０は、実施例５の変形例３に係る弾性波デバイス２００の分解上面図である。図２０のように、基板１０と支持基板４０の間に設けられた内部配線５０は、直列共振子Ｓ３と出力電極ＯＵＴとの間に接続されたインダクタ６６を形成していて、ビア配線２２を介して信号配線１８ａに接続されている。
【００８７】
実施例５の変形例２及び変形例３のように、基板１０と支持基板４０の間に設けられた内部配線５０によって、出力端子ＯＵＴに直列又は並列に接続されたインダクタ６６が形成されていてもよい。このインダクタ６６は、出力の位相をシフトさせる機能を有してもよい。
【００８８】
なお、実施例５の変形例２及び変形例３では、出力端子ＯＵＴにインダクタ６６が接続されている場合を例に示したが、入力端子ＩＮに直列又は並列にインダクタ６６が接続されていてもよい。
【００８９】
実施例５から実施例５の変形例３のように、基板１０と支持基板４０の間に設けられた内部配線５０は、ラダー型フィルタの直列共振子及び並列共振子の少なくとも一方に直列及び／又は並列に接続されたインダクタ６６を形成してもよい。
【００９０】
なお、実施例５から実施例５の変形例３において、各共振子は圧電薄膜共振子であってもよい。
【実施例６】
【００９１】
図２１は、実施例６に係る弾性波デバイス２１０を示す図である。図２１のように、実施例６の弾性波デバイス２１０は、直列共振子Ｓ１からＳ３に対して並列に回路６８が接続されている。回路６８は、入力端子ＩＮと直列共振子Ｓ１の間のノードＮ１と出力端子ＯＵＴと直列共振子Ｓ３の間のノードＮ２との間の経路上のノードＮ３とグランドとの間に接続された弾性表面波共振子Ｒ４を含む。また、回路６８は、ノードＮ１とＮ３の間に直列に接続されたキャパシタＣ１と、ノードＮ２とＮ３の間に直列に接続されたキャパシタＣ２と、を含む。
【００９２】
図２２（ａ）は、実施例６に係る弾性波デバイス２１０の上面図、図２２（ｂ）は、図２２（ａ）のＡ−Ａ間の断面図である。図２２（ａ）及び図２２（ｂ）のように、回路６８を構成する共振子Ｒ４とキャパシタＣ１、Ｃ２は、基板１０上に形成されている。共振子Ｒ４とキャパシタＣ１、Ｃ２とは、内部配線５０とビア配線２２とを介して互いに接続されている。
【００９３】
実施例６によれば、共振子Ｒ４を含む回路６８が、直列共振子Ｓ１からＳ３に並列に接続されている。これにより、阻止帯域の抑圧度を向上させることができる。また、回路６８は、ビア配線２２と内部配線５０とを介して直列共振子Ｓ１からＳ３に並列に接続されているため、基板１０上に形成された配線を介して直列共振子Ｓ１からＳ３に並列に接続されている場合に比べて、配線を短くでき、デバイスを小型化できる。配線を短くできることで、損失の劣化も抑制できる。
【００９４】
なお、実施例６においては、回路６８に含まれる弾性波素子として、１ポート共振子の場合を例に示したが、多重モード型弾性波フィルタ（例えば二重モード型弾性波フィルタ）の場合でもよい。また、弾性波素子は、ノードＮ１とＮ２との間に直列に接続されている場合でもよい。
【００９５】
なお、実施例６では、基板１０上にラダー型フィルタが形成されている場合を例に示したが、多重モード型フィルタが形成されている場合でもよい。
【００９６】
なお、実施例６において、各共振子は圧電薄膜共振子であってもよい。
【実施例７】
【００９７】
図２３は、実施例７に係るデュプレクサ２２０を示すブロック図である。図２３のように、実施例７のデュプレクサ２２０は、送信フィルタ７０と受信フィルタ７２を備える。送信フィルタ７０は、アンテナ端子Ａｎｔと送信端子Ｔｘの間に接続されている。受信フィルタ７２は、送信フィルタ７０と共通のアンテナ端子Ａｎｔと受信端子Ｒｘの間に接続されている。
【００９８】
送信フィルタ７０は、送信端子Ｔｘから入力された信号のうち送信帯域の信号を送信信号としてアンテナ端子Ａｎｔに通過させ、他の周波数の信号を抑圧する。受信フィルタ７２は、アンテナ端子Ａｎｔから入力された信号のうち受信帯域の信号を受信信号として受信端子Ｒｘに通過させ、他の周波数の信号を抑圧する。送信帯域と受信帯域は周波数が異なっている。
【００９９】
実施例７のデュプレクサ２２０に備わる送信フィルタ７０及び受信フィルタ７２の少なくとも一方を、実施例１から実施例６で説明した弾性波デバイスとすることができる。また、送信フィルタ７０及び受信フィルタ７２の少なくとも一方に実施例６で説明した弾性波デバイスを用いることで、アイソレーション信号（受信端子に漏洩する送信信号及び／又は送信端子に漏洩する受信信号）の少なくとも一部を回路６８を通過して信号によってキャンセルすることができる。
【実施例８】
【０１００】
図２４は、実施例８に係るモジュール２３０を含む移動体通信機を示すブロック図である。図２４のように、移動体通信機は、送受信デバイスであるモジュール２３０、集積回路７４、及びアンテナ７６を備える。モジュール２３０は、ダイプレクサ７８、スイッチ８０、デュプレクサ８２、及びパワーアンプ８４を備える。ダイプレクサ７８は、ローパスフィルタ（ＬＰＦ）７８ａとハイパスフィルタ（ＨＰＦ）７８ｂを備える。ＬＰＦ７８ａは、端子７７と７９の間に接続されている。ＨＰＦ７８ｂは、端子７７と８１の間に接続されている。端子７７は、アンテナ７６に接続されている。ＬＰＦ７８ａは、アンテナ７６から送受信される信号のうち低周波数信号を通過させ、高周波数信号を抑圧する。ＨＰＦ７８ｂは、アンテナ７６から送受信される信号のうち高周波数信号を通過させ、低周波数信号を抑圧する。
【０１０１】
スイッチ８０は、端子７９、８１を複数の端子８３のうちの１つの端子に接続する。デュプレクサ８２は、送信フィルタ８２ａ及び受信フィルタ８２ｂを備える。送信フィルタ８２ａは、端子８３と８５の間に接続されている。受信フィルタ８２ｂは、端子８３と８７の間に接続されている。送信フィルタ８２ａは、送信帯域の信号を通過させ、他の信号を抑圧する。受信フィルタ８２ｂは、受信帯域の信号を通過させ、他の信号を抑圧する。パワーアンプ８４は、送信信号を増幅し、端子８５に出力する。ローノイズアンプ８６は、端子８７に出力された受信信号を増幅する。
【０１０２】
送受信デバイスであるモジュール２３０は、デュプレクサ８２の送信フィルタ８２ａ又は受信フィルタ８２ｂとして、実施例１から実施例６で説明した弾性波デバイスを用いることができる。弾性波デバイスは、モジュール基板の表面に実装されてもよいし、モジュール基板内に内蔵されてもよい。図２５（ａ）は、実施例４の弾性波デバイス１６０がモジュール基板８８の表面に実装された場合の断面図を示し、図２５（ｂ）は、モジュール基板８８内に内蔵された場合の断面図を示している。
【０１０３】
このように、実施例１から実施例６の弾性波デバイスは、アンテナ７６に接続され、パワーアンプ８４などと共にマザーボードに実装されて通信信号を送信及び受信する送受信デバイスを構成することができる。
【０１０４】
以上、本発明の実施例について詳述したが、本発明はかかる特定の実施例に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載された本発明の要旨の範囲内において、種々の変形・変更が可能である。
【符号の説明】
【０１０５】
１０  基板
１２〜１６  弾性波素子
１８  配線
１８ａ  信号配線
１８ｂ  グランド配線
２０  パッド電極
２２  ビア配線
２４  バンプ
２６  改質領域
２８  下部電極
３０  圧電膜
３２  上部電極
３４  共振領域
３６  空隙
３８  端子電極
３９  空隙
４０  支持基板
４２  凹部
４８  空隙
５０  内部配線
５２  配線基板
５４  封止部
６０  金属封止部
６２  枠体
６４  リッド
６６  インダクタ
６８  回路
７０  送信フィルタ
７２  受信フィルタ
７４  集積回路
７６  アンテナ
７８  ダイプレクサ
８０  スイッチ
８２  デュプレクサ
８４  パワーアンプ
８６  ローノイズアンプ
８８  モジュール基板
１００〜２１０  弾性波デバイス
２２０  デュプレクサ
２３０  モジュール
【図１】
0006427075.tif 000002
【図２】
0006427075.tif 000003
【図３】
0006427075.tif 000004
【図４】
0006427075.tif 000005
【図５】
0006427075.tif 000006
【図６】
0006427075.tif 000007
【図７】
0006427075.tif 000008
【図８】
0006427075.tif 000009
【図９】
0006427075.tif 000010
【図１０】
0006427075.tif 000011
【図１１】
0006427075.tif 000012
【図１２】
0006427075.tif 000013
【図１３】
0006427075.tif 000014
【図１４】
0006427075.tif 000015
【図１５】
0006427075.tif 000016
【図１６】
0006427075.tif 000017
【図１７】
0006427075.tif 000018
【図１８】
0006427075.tif 000019
【図１９】
0006427075.tif 000020
【図２０】
0006427075.tif 000021
【図２１】
0006427075.tif 000022
【図２２】
0006427075.tif 000023
【図２３】
0006427075.tif 000024
【図２４】
0006427075.tif 000025
【図２５】
0006427075.tif 000026