(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板（１０）と、
前記基板の上に形成され、互いに離間して配置されたソース電極（２０）およびドレイン電極（３０）と、
前記基板の上において前記ソース電極および前記ドレイン電極を覆いつつ、前記ソース電極と前記ドレイン電極との間を繋ぐように形成された有機半導体層（４０）と、
前記基板の上において前記有機半導体層を覆うゲート絶縁膜（５０）と、
前記ゲート絶縁膜上に形成されたゲート電極（６０）と、を備え、
前記ゲート絶縁膜は、有機金属と無機金属酸化物とが混合されてなる混合膜（５１）と無機金属酸化膜（５２）とがそれぞれ少なくとも１層以上積層されたものであることを特徴とする有機トランジスタ。
【請求項２】
前記混合膜は、アモルファス膜であることを特徴とする請求項１に記載の有機トランジスタ。
【請求項３】
前記混合膜は、Ａｌ、Ｃ、Ｏの３成分を含むものであることを特徴とする請求項１または２に記載の有機トランジスタ。
【請求項４】
前記ゲート絶縁膜において、前記混合膜の総膜厚は、前記無機金属酸化膜の総膜厚よりも大きいことを特徴とする請求項１ないし３のいずれか１つに記載の有機トランジスタ。
【請求項５】
前記ゲート絶縁膜において、前記混合膜の１層の膜厚は、前記無機金属酸化膜の１層の膜厚よりも大きいことを特徴とする請求項１ないし４のいずれか１つに記載の有機トランジスタ。
【請求項６】
基板（１０）と、
前記基板の上に形成されたゲート電極（６０）と、
前記基板の上において前記ゲート電極を覆うゲート絶縁膜（５０）と、
前記ゲート電極上に前記ゲート絶縁膜を介して、互いに離間して配置されたソース電極（２０）およびドレイン電極（３０）と、
前記ゲート絶縁膜の表面上において、少なくとも前記ソース電極と前記ドレイン電極との間を繋ぐように形成された有機半導体層（４０）と、を備え、
前記ゲート絶縁膜は、有機金属と無機金属酸化物とが混合されてなる混合膜（５１）と無機金属酸化膜（５２）とがそれぞれ少なくとも１層以上積層されたものであることを特徴とする有機トランジスタ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、有機半導体材料などで構成される半導体薄膜を用いて形成される有機トランジスタに関するもので、有機ＥＬ（エレクトロルミネッセンス）などに適用すると好適である。
【背景技術】
【０００２】
従来、たとえば、この種の有機トランジスタは、基板と、基板の上に形成され、互いに離間して配置されたソース電極およびドレイン電極と、基板の上においてソース電極およびドレイン電極を覆いつつ、ソース電極とドレイン電極との間を繋ぐように形成された有機半導体層と、を備える。さらに、このものにおいては、基板の上にて有機半導体層を覆うゲート絶縁膜と、ゲート絶縁膜上に形成されたゲート電極と、を備えている。
【０００３】
ここで、一般にゲート絶縁膜はアルミナ等の無機金属酸化膜のみよりなるものであり、高比誘電率を有することで、高移動度を実現している。しかし、このような無機金属酸化膜は、温度変化により大きな内部応力を発生するものであるため、厳しい温度環境で使用される場合、ゲート絶縁膜にクラックが発生しやすい。
【０００４】
一方、従来では、特許文献１のように、ゲート絶縁膜を無機金属酸化膜と有機膜との積層膜としたものが提案されている。このものによれば、ゲート絶縁膜が、無機金属酸化膜に比べて比誘電率の低い有機膜を含むものとされているため、ゲート絶縁膜の応力の低下が期待できる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２０１０−７３７３３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、上記特許文献１のゲート絶縁膜における有機膜は、有機成分を含むものであり、無機金属酸化膜に比べて比誘電率が低い。そのため、上記特許文献１のゲート絶縁膜の場合、ゲート絶縁膜全体の比誘電率が低下し、トランジスタの移動度が低下してしまうことになる。
【０００７】
つまり、有機トランジスタにおけるゲート絶縁膜としては、クラック発生防止の点では低応力化が望まれ、高移動度の実現の点では高比誘電率化が望まれるのであり、これらの両立が課題とされている。
【０００８】
本発明は、上記した問題に鑑みてなされたものであり、ゲート絶縁膜の耐クラック性とトランジスタの移動度との両特性を向上させるのに適した有機トランジスタを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上記目的を達成するため、請求項１に記載の発明では、基板（１０）と、基板の上に形成され、互いに離間して配置されたソース電極（２０）およびドレイン電極（３０）と、基板の上においてソース電極およびドレイン電極を覆いつつ、ソース電極とドレイン電極との間を繋ぐように形成された有機半導体層（４０）と、基板の上において有機半導体層を覆うゲート絶縁膜（５０）と、ゲート絶縁膜上に形成されたゲート電極（６０）と、を備え、ゲート絶縁膜は、有機金属と無機金属酸化物とが混合されてなる混合膜（５１）と無機金属酸化膜（５２）とがそれぞれ少なくとも１層以上積層されたものであることを特徴とする。
【００１０】
本発明によれば、混合膜を含むゲート絶縁膜とすることにより、混合膜によるゲート絶縁膜の応力低減と高比誘電率の確保とが適切になされるため、ゲート絶縁膜の耐クラック性とトランジスタの移動度との両特性を向上させるのに適した有機トランジスタを提供することができる。
【００１１】
また、請求項６に記載の発明では、基板（１０）と、基板の上に形成されたゲート電極（６０）と、基板の上においてゲート電極を覆うゲート絶縁膜（５０）と、ゲート電極上にゲート絶縁膜を介して、互いに離間して配置されたソース電極（２０）およびドレイン電極（３０）と、ゲート絶縁膜の表面上において、少なくともソース電極とドレイン電極との間を繋ぐように形成された有機半導体層（４０）と、を備え、ゲート絶縁膜は、有機金属と無機金属酸化物とが混合されてなる混合膜（５１）と無機金属酸化膜（５２）とがそれぞれ少なくとも１層以上積層されたものであることを特徴とする。
【００１２】
本発明によっても、混合膜を含むゲート絶縁膜とすることにより、混合膜によるゲート絶縁膜の応力低減と高比誘電率の確保とが適切になされるため、ゲート絶縁膜の耐クラック性とトランジスタの移動度との両特性を向上させるのに適した有機トランジスタを提供することができる。
【００１３】
なお、特許請求の範囲およびこの欄で記載した各手段の括弧内の符号は、後述する実施形態に記載の具体的手段との対応関係を示す一例である。
【図面の簡単な説明】
【００１４】
【図１】本発明の第１実施形態にかかる有機トランジスタの断面構成を示す概略断面図である。
【図２】図１に示される有機トランジスタにおけるゲート絶縁膜の概略構成を示す拡大図である。
【図３】本発明の第２実施形態にかかる有機トランジスタの断面構成を示す概略断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１５】
以下、本発明の実施形態について図に基づいて説明する。なお、以下の各実施形態相互において、互いに同一もしくは均等である部分には、説明の簡略化を図るべく、図中、同一符号を付してある。
【００１６】
（第１実施形態）
本発明の第１実施形態にかかる有機トランジスタＳ１について、図１、図２を参照して述べる。この有機トランジスタＳ１は、たとえばＥＬ（エレクトロルミネッセンス）素子の駆動回路に備えられるトランジスタなどに適用されるものである。
【００１７】
本実施形態の有機トランジスタＳ１は、電気絶縁性の基板１０を有する。この基板１０は、無アルカリガラスなどのガラスやセラミック、あるいはプラスチック等よりなるもので、リジッド基板でもよいし、フレキシブル基板でもよい。
【００１８】
この基板１０の上には、互いに離間して配置されたソース電極２０およびドレイン電極３０が形成されている。これらソース電極２０およびドレイン電極３０は、たとえばＡｕ（金）などによって構成されている。
【００１９】
そして、基板１０の上においてソース電極２０およびドレイン電極３０を覆うように有機半導体層４０が形成されており、有機半導体層４０は、ソース電極２０とドレイン電極３０との間を繋いでいる。この有機半導体層４０は、例えばチオフェン系有機半導体材料（例えばＣ８−ＢＴＢＴ等）によって構成されており、チャネル層として機能するものである。
【００２０】
そして、基板１０の上において有機半導体層４０を覆うように、絶縁材料で構成されたゲート絶縁膜５０が形成されている。このゲート絶縁膜５０の構造が本発明の特徴となる部分であり、ゲート絶縁膜５０の詳細構造については、後述する。
【００２１】
このゲート絶縁膜５０上には、Ａｕ（金）などで構成されたゲート電極６０が形成されている。このような構造により、本実施形態にかかる有機トランジスタＳ１が構成されている。このような有機トランジスタＳ１は、最表面にゲート電極６０を有し、いわゆるトップゲートタイプと言われるものである。
【００２２】
次に、上記のように構成された有機トランジスタＳ１に備えられたゲート絶縁膜５０の詳細構造について説明する。
【００２３】
図２に示されるように、ゲート絶縁膜５０は、有機金属と無機金属酸化物とが混合されてなる混合膜５１と無機金属酸化物よりなる無機金属酸化膜５２とがそれぞれ少なくとも１層以上積層されたものである。
【００２４】
ゲート絶縁膜５０は、混合膜５１および無機金属酸化膜５２の合計が３層以上の場合、混合膜５１と無機金属酸化膜５２とが交互に１層ずつ積層されたものとなる。合計図２では、複数の混合膜５１と複数の無機金属酸化膜５２とが交互に複数回積層されたものとなっている。ここで、ゲート絶縁膜５０の積層数は図２に限定するものではないことはもちろんである。
【００２５】
具体的には、基板１０側（本実施形態では有機半導体層４０側にも相当）から無機金属酸化膜５２、混合膜５１、無機金属酸化膜５２、混合膜５１、・・・というように、混合膜５１と無機金属酸化膜５２とが繰り返し積層された構成となる。ここで、有機半導体層４０側の最初の膜としては、無機金属酸化膜５２が好ましい。
【００２６】
なお、混合膜５１、無機金属酸化膜５２はそれぞれ少なくとも１層以上であればよく、たとえば、ゲート絶縁膜５０としては、１層の無機金属酸化膜５２と１層の混合膜５１との合計２層の積層構成であってもよい。好ましくは、ゲート絶縁膜５０は、有機半導体層４０側から無機金属酸化膜５２、混合膜５１、無機金属酸化膜５２の合計３層、もしくはそれ以上の積層構成であることが望ましい。
【００２７】
ここで、混合膜５１は、有機金属の層と無機金属酸化物の層が、膜厚方向に明確な層構造を持たず、両者の領域が区分できないことが、透過型電子顕微鏡法において確認されている。
【００２８】
混合膜５１中の有機金属は、金属または半金属の単位と有機の単位を有する単一もしくは分岐のある線状構造を有するものである。この繰り返し単位の概略は、以下の構造式で表される。
【００２９】
（化１）
［−Ｍ−Ｚ−Ｒ−Ｚ−］
上記化学式中、Ｍは金属又は半金属原子、好ましくはアルミニウム、チタン、ジルコニウム、ハフニウムなどが挙げられる。各Ｚはヘテロ原子、特に酸素原子が好適である。Ｒ基は好ましくはヒドロカルビル基、置換ヒドロカルビル基であり、炭素数が２以上のアルキレンなどが挙げられる。具体的に、有機金属としては、アルコーン（Ａｌｕｃｏｎｅ）、ジンコーン（ｚｉｎｃｏｎｅ）などが挙げられる。
【００３０】
一方、混合膜５１中の無機金属酸化物としては、たとえばアルミナ（ＡｌＯｘ）、酸化ジルコニウム（ＺｒＯ）、酸化ハフニウム（ＨｆＯ）など、有機トランジスタのゲート絶縁膜として適用される無機金属酸化物が挙げられる。
【００３１】
そして、混合膜５１は、これら有機金属および無機金属酸化物をそれぞれ堆積することを繰り返すことによって、成膜されるものである。有機金属については、たとえば分子堆積法（ＭＬＤ：Ｍｏｌｅｃｕｌａｒ  Ｌａｙｅｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）によって成膜を行い、無機金属酸化物については、たとえば、原子層堆積法（ＡＬＤ：Ａｔｏｍｉｃ  Ｌａｙｅｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）によって成膜を行う。
【００３２】
具体的に、混合膜５１が、有機金属としてのアルコーンと無機金属酸化物としてのアルミナとが混合されたものである場合、この混合膜５１の成膜は次の通りである。たとえば、被成膜面上に、トリメチルアルミニウム（ＴＭＡ）と水（Ｈ２Ｏ）とを原料とするＡＬＤ成膜を行う。そして、パージを含むＡＬＤ成膜を、たとえば１〜３サイクル行うことで、被成膜面上にアルミナを堆積する。
【００３３】
その上に、ＴＭＡとエチレングリコール（ＥＧ）とを原料とするＭＬＤ成膜を行う。そして、パージを含むＭＬＤ成膜を、たとえば１〜３サイクル行うことで、被成膜面上においてアルコーンを堆積する。そして、このような少ないサイクル数でアルミナの堆積とアルコーンの堆積との各工程を、交互に繰り返すことにより、上記した有機金属と無機金属酸化物とが明確な層構造を持たない混合膜５１が成膜される。
【００３４】
また、ゲート絶縁膜５０における混合膜５１の積層相手である無機金属酸化膜５２については、たとえばアルミナ膜である場合には、ＴＭＡと水とを原料としてパージを含むＡＬＤ成膜を所定サイクル行うことにより、成膜される。
【００３５】
そして、ゲート絶縁膜５０については、基板１０側の有機半導体層４０を被成膜面として、ＡＬＤによる無機金属酸化膜５２の成膜と、ＭＬＤによる混合膜５１の成膜と、を順次、交互に行う。これにより、無機金属酸化膜５２と混合膜５１とが交互に積層された積層膜としてのゲート絶縁膜５０ができあがる。
【００３６】
なお、膜厚について限定するものではないが、たとえば、ゲート絶縁膜５０が有機半導体層４０側から無機金属酸化膜５２、混合膜５１、無機金属酸化膜５２の３層の積層構成である場合、ゲート絶縁膜５０の総膜厚は約１００ｎｍ、混合膜５１の１層の膜厚は８０ｎｍ程度、無機金属酸化膜５２の１層の膜厚は１０ｎｍ程度とされる。
【００３７】
次に、本実施形態の有機トランジスタＳ１全体の製造方法の一例について述べる。基板１０を準備し、この基板１０上に、シャドウマスクを用いた真空蒸着法等によってＡｕ層を成膜することで、ソース電極２０およびドレイン電極３０を形成する。
【００３８】
次に、基板１０の上においてソース電極２０およびドレイン電極３０を覆うように有機半導体層４０を塗布成膜等により形成する。たとえば、チオフェン系有機半導体材料（例えばＣ８−ＢＴＢＴ）をドロップキャスト法により成膜することで、有機半導体層４０が成膜される。
【００３９】
次に、基板１０の上において、有機半導体層４０を覆うようにゲート絶縁膜５０を形成する。このゲート絶縁膜５０は、上述の通り、有機半導体層４０を被成膜面として、ＡＬＤによる無機金属酸化膜５２の成膜、ＭＬＤによる混合膜５１の成膜、を順次行うことで成膜される。
【００４０】
次に、ゲート絶縁膜５０上に、Ａｕなどの電極材料を蒸着法などによって成膜することにより、ゲート電極６０を形成する。こうして、トップゲートタイプである本実施形態の有機トランジスタＳ１が完成する。
【００４１】
ところで、本実施形態によれば、混合膜５１を含むゲート絶縁膜５０とすることで、混合膜５１によるゲート絶縁膜５０の応力低減と高比誘電率の確保とが適切になされる。そのため、ゲート絶縁膜５０の耐クラック性と移動度との両特性を向上させるのに適した有機トランジスタＳ１を提供することができる。
【００４２】
また、本実施形態の有機トランジスタＳ１はトップゲートタイプであり、有機半導体層４０の上にゲート絶縁膜５０を成膜するので、当該成膜後の冷却によって有機半導体層４０に発生する応力がゲート絶縁膜５０に影響しやすい。その点、上記した本実施形態の応力低減効果は有効である。
【００４３】
次に、本実施形態における応力低減および高比誘電率の確保の効果について、より具体的に述べることとする。
【００４４】
混合膜５１と無機金属酸化膜５２との積層膜よりなるゲート絶縁膜５０において、無機金属酸化膜５２と混合膜５１との応力方向が反対であることを、通常行われる光学的な計測法により確認した。これら反対方向の応力が相殺されることにより、ゲート絶縁膜５０全体では低応力化が実現される。
【００４５】
また、比誘電率については、本実施形態の混合膜５１は、比較的に低比誘電率である有機金属を含むが、元々ゲート絶縁膜として用いられ高比誘電率である無機金属酸化物も含む混合物である。そのため、混合膜５１全体では、比誘電率の低下度合は抑制される。
【００４６】
そして、本実施形態のゲート絶縁膜５０は、この混合膜５１と、高比誘電率である無機金属酸化膜５２との積層膜であるため、ゲート絶縁膜５０全体としては、一般的な無機金属酸化膜のみよりなるゲート絶縁膜に近い高比誘電率を確保できる。ここで、高比誘電率の確保という点では、混合膜５１は、無機金属酸化物の方が有機金属よりもモル比が大きいものであることが望ましい。
【００４７】
なお、比較例として、ゲート絶縁膜を無機金属酸化膜と有機金属膜との積層膜とすることも考えられるが、上述のように有機金属膜は低比誘電率である。その点、本実施形態のゲート絶縁膜５０は、上述のように、無機金属酸化膜５２と積層される膜を、有機金属だけでなく無機金属酸化物も含む混合膜５１とすることで、比較例のゲート絶縁膜に比べて高い比誘電率を確保することができる。
【００４８】
また、この比較例のゲート絶縁膜の場合、有機金属膜に有機成分が含有されているため、無機金属酸化膜のみよりなる一般的なゲート絶縁膜に比べて、低応力化することができる。しかし、有機金属膜は低応力ではあるものの、本実施形態の混合膜５１とは異なり、発生する応力は無機金属酸化膜５２と同一方向となる。
【００４９】
そのため、比較例のゲート絶縁膜においては、本実施形態のゲート絶縁膜５０のような無機金属酸化膜５２における引っ張り応力と混合膜５１における圧縮応力との相殺までは行われない。つまり、本実施形態は、無機金属酸化膜と有機金属膜との積層膜よりなる比較例のゲート絶縁膜に対しても、より高いレベルで低応力化および高比誘電率化を実現できるのである。
【００５０】
ここで、上記図１に示した有機トランジスタＳ１において、ゲート絶縁膜５０を、上記した一般的なゲート絶縁膜、上記した比較例のゲート絶縁膜、および、本実施形態のゲート絶縁膜５０とした場合について、当該膜の応力を比較した一例を挙げておく。
【００５１】
このとき、一般的なゲート絶縁膜は、総膜厚が約１００ｎｍのアルミナよりなるものとした。また、比較例のゲート絶縁膜は、ＡＬＤにより形成されたアルミナよりなる膜厚約９ｎｍの無機金属酸化膜と、ＭＬＤにより形成されたアルコーンよりなる膜厚約２ｎｍの有機金属膜とを、それぞれ９層ずつ交互に積層してなる総膜厚約１００ｎｍの積層膜とした。
【００５２】
また、本実施形態のゲート絶縁膜５０は、無機金属酸化膜５２を膜厚１０ｎｍのアルミナとし、混合膜５１を膜厚８０ｎｍのアルコーンとアルミナとの混合膜とし、基板１０側から順次、無機金属酸化膜５２、混合膜５１、無機金属酸化膜５２というように、合計３層を積層して、総膜厚約１００ｎｍの積層膜とした。そして、応力については、石英ガラス上に成膜した積層膜を、通常行われる光学的な計測法により求めた。
【００５３】
この応力の計測によれば、一般的なゲート絶縁膜の応力は４５５ＭＰａ、比較例のゲート絶縁膜の応力は３３８ＭＰａ、本実施形態のゲート絶縁膜５０の応力は２７４ＭＰａであった。このように、本実施形態のゲート絶縁膜５０は、上記した混合膜５１の応力相殺の効果が発揮されることで、一般的なゲート絶縁膜および比較例のゲート絶縁膜に比べて、低応力化が顕著となることが確認された。
【００５４】
本実施形態のゲート絶縁膜５０の構成や特徴等について、さらに述べておく。本実施形態のゲート絶縁膜５０における混合膜５１は、典型的にはアモルファス（非晶質）構造の膜、つまりアモルファス膜とされるものである。
【００５５】
また、ゲート絶縁膜５０における混合膜５１は、上述のように有機金属であるアルコーン、無機金属酸化物であるアルミナを含有するものにできる。つまり、本実施形態の混合膜５１は、少なくともＡｌ（アルミニウム）、Ｃ（炭素）、Ｏ（酸素）の３成分を含むものにできる。混合膜５１がこれらの元素を含むものであることは、混合膜５１の元素分析により確認されている。
【００５６】
また、ゲート絶縁膜５０において、混合膜５１の総膜厚は、無機金属酸化膜５２の総膜厚よりも大きいことが望ましい。また、ゲート絶縁膜５０において、混合膜５１の１層の膜厚は、無機金属酸化膜５２の１層の膜厚よりも大きいことが望ましい。これら望ましい膜厚のゲート絶縁膜５０としては、上記例のような、無機金属酸化膜５２（厚さ１０ｎｍ）、混合膜５１（厚さ８０ｎｍ）、無機金属酸化膜５２（厚さ１０ｎｍ）というような合計３層の積層膜が挙げられる。
【００５７】
このような望ましい膜厚構成とすれば、ゲート絶縁膜５０において無機金属酸化膜５２の引っ張り応力を混合膜５１の圧縮応力で相殺するときに、これら両応力の相殺バランスを適切に確保しやすくなる。
【００５８】
（第２実施形態）
本発明の第２実施形態にかかる有機トランジスタＳ２について、図３を参照して上記第１実施形態との相違点を中心に述べることとする。上記第１実施形態では、図１に示されるようなトップゲートタイプの有機トランジスタＳ１であった。それに対して、本実施形態の有機トランジスタＳ２は、図３に示されるように、ゲート電極６０が基板１０側に位置する、いわゆるボトムゲートタイプのものである。
【００５９】
本実施形態の有機トランジスタＳ２は、基板１０の上にゲート電極６０が形成され、基板１０の上においてゲート電極６０を覆うようにゲート絶縁膜５０が形成されている。このゲート絶縁膜５０は、上記第１実施形態と同様のもの、つまり上記図２のものと同様であり、混合膜５１と無機金属酸化膜５２とがそれぞれ少なくとも１層以上積層されたものである。
【００６０】
そして、ゲート電極６０上には、ゲート絶縁膜５０を介してソース電極２０およびドレイン電極３０が互いに離間して配置されている。そして、ゲート絶縁膜５０の表面上において、ソース電極２０とドレイン電極３０との間を繋ぐように有機半導体層４０が形成されている。ここで、有機半導体層４０と接するゲート絶縁膜５０の面は、無機金属酸化膜５２であることが望ましい。
【００６１】
本実施形態によれば、上記第１実施形態と同様に、混合膜５１を含むゲート絶縁膜５０とすることで、混合膜５１によるゲート絶縁膜５０の応力低減と高比誘電率の確保とが適切になされる。そのため、ゲート絶縁膜５０の耐クラック性と移動度との両特性を向上させるのに適した有機トランジスタＳ２を提供することができる。
【００６２】
本実施形態の有機トランジスタＳ２は、基板１０上に、ゲート電極６０、ゲート絶縁膜５０、有機半導体層４０、ソース電極２０およびドレイン電極３０を順に形成していくことにより製造される。ここで、有機トランジスタＳ２における各構成要素の製造方法は、上記第１実施形態と同様のものにできることはもちろんである。
【００６３】
また、本実施形態のゲート絶縁膜５０も、上記第１実施形態と同様、典型的にはアモルファス膜とされるものであり、混合膜５１は、Ａｌ、Ｃ、Ｏの３成分を含むものにできる。また、本実施形態のゲート絶縁膜５０においても、混合膜５１の総膜厚は、無機金属酸化膜５２の総膜厚よりも大きいことが望ましく、また、混合膜５１の１層の膜厚は、無機金属酸化膜５２の１層の膜厚よりも大きいことが望ましい。
【００６４】
また、本実施形態においても、ゲート絶縁膜５０における有機半導体層４０側の膜としては、無機金属酸化膜５２が好ましい。
【００６５】
（他の実施形態）
なお、上記第２実施形態では、図３に示したように、ゲート絶縁膜５０の上に有機半導体層４０を塗布成膜したのち、その上にソース電極２０およびドレイン電極３０を形成した構造としていた。つまり、図３の有機トランジスタＳ２は、ボトムゲートタイプの中でも、いわゆるトップコンタクトタイプであった。
【００６６】
しかし、有機トランジスタとしては、ゲート絶縁膜５０の上にソース電極２０およびドレイン電極３０を形成した後、有機半導体層４０を塗布成膜した構造であってもよい。つまり、上記図３において、有機半導体層４０とソース電極２０およびドレイン電極３０との上下関係を入れ替えた構造、いわゆるボトムコンタクトタイプとしてもよい。
【００６７】
また、上記各実施形態では、ゲート絶縁膜５０における有機半導体層４０側の膜としては、無機金属酸化膜５２が好ましいが、当該有機半導体層４０側の膜を混合膜５１とした場合を除外するものではない。
【００６８】
また、本発明は上記した実施形態に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載した範囲内において適宜変更が可能である。また、上記各実施形態は、互いに無関係なものではなく、組み合わせが明らかに不可な場合を除き、適宜組み合わせが可能であり、また、上記各実施形態は、上記の図示例に限定されるものではない。また、上記各実施形態において、実施形態を構成する要素は、特に必須であると明示した場合および原理的に明らかに必須であると考えられる場合等を除き、必ずしも必須のものではないことは言うまでもない。また、上記各実施形態において、実施形態の構成要素の個数、数値、量、範囲等の数値が言及されている場合、特に必須であると明示した場合および原理的に明らかに特定の数に限定される場合等を除き、その特定の数に限定されるものではない。また、上記各実施形態において、構成要素等の形状、位置関係等に言及するときは、特に明示した場合および原理的に特定の形状、位置関係等に限定される場合等を除き、その形状、位置関係等に限定されるものではない。
【符号の説明】
【００６９】
１０  基板
２０  ソース電極
３０  ドレイン電極
４０  有機半導体層
５０  ゲート絶縁膜
５１  混合膜
５２  無機金属酸化膜
６０  ゲート電極
【図１】
0006390498.tif 000002
【図２】
0006390498.tif 000003
【図３】
0006390498.tif 000004