(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
グランド電位であるグランド部材（７５）と導電可能に設けられる導電部材（３１、３２、４０〜４３）と、
少なくとも一部が前記導電部材と対向して配置される対向部材（３０、４４）と、
前記導電部材と前記対向部材との間であって、前記導電部材と前記対向部材との間の距離が最短であるセンサ配置領域に配置されるセンサ素子（５１２、５３２）、前記センサ素子を封止しているセンサ本体（５１１、５３１）、および、前記センサ本体から突出し、グランドと接続されるグランド端子（５１７、５３７、５５７）を有するセンサ部（５１、５３、５５）と、
を備え、
前記導電部材は、前記センサ配置領域とは異なる領域である導電可能領域にて、前記グランド端子または前記グランド端子と接続されるグランド配線部（６１７、６５７、６６３、６７７）と、導電可能に設けられ、
前記導電部材は、第１基部（３８、４８）、および、前記第１基部から突出して形成される第１集磁部（３１１、３２１、４０１、４１１、４２１、４３１）を有し、
前記対向部材は、第２基部（３８、４８）、および、前記第２基部から突出し前記第１集磁部と対向する第２集磁部（３０１、４４１）を有し、
前記センサ配置領域は、前記第１集磁部と前記第２集磁部とが対向する箇所であって、
前記センサ素子は、前記第１集磁部と前記第２集磁部との間の磁束を検出し、
前記第１集磁部（４０１、４１１）には、前記第１基部と反対側に突出する逃がし部（４０５、４１５）が形成される検出装置。
【請求項２】
前記逃がし部（４０５）は、先端が前記グランド端子側に折れ曲がっており、前記グランド端子と導電可能に設けられている請求項１に記載の検出装置。
【請求項３】
前記逃がし部（４１５）は、前記第１基部と反対側に延びて形成され、先端部（４１６）にて前記グランド配線部（６１７）と導電可能に設けられている請求項１に記載の検出装置。
【請求項４】
グランド電位であるグランド部材（７５）と導電可能に設けられる導電部材（３１、３２、４０〜４３）と、
少なくとも一部が前記導電部材と対向して配置される対向部材（３０、４４）と、
前記導電部材と前記対向部材との間であって、前記導電部材と前記対向部材との間の距離が最短であるセンサ配置領域に配置されるセンサ素子（５１２、５３２）、前記センサ素子を封止しているセンサ本体（５１１、５３１）、および、前記センサ本体から突出し、グランドと接続されるグランド端子（５１７、５３７、５５７）を有するセンサ部（５１、５３、５５）と、
を備え、
前記導電部材は、前記センサ配置領域とは異なる領域である導電可能領域にて、前記グランド端子または前記グランド端子と接続されるグランド配線部（６１７、６５７、６６３、６７７）と、導電可能に設けられ、
前記導電部材は、第１基部（３８、４８）、および、前記第１基部から突出して形成される第１集磁部（３１１、３２１、４０１、４１１、４２１、４３１）を有し、
前記対向部材は、第２基部（３８、４８）、および、前記第２基部から突出し前記第１集磁部と対向する第２集磁部（３０１、４４１）を有し、
前記センサ配置領域は、前記第１集磁部と前記第２集磁部とが対向する箇所であって、
前記センサ素子は、前記第１集磁部と前記第２集磁部との間の磁束を検出し、
前記センサ部は、前記センサ本体から突出し、前記グランド端子とは別途に設けられる非グランド端子（５１５、５１６）をさらに有し、
前記第１集磁部（４２１）は、当該第１集磁部側から見て、前記グランド端子および前記非グランド端子を、それぞれ少なくとも一部を覆うように形成され、先端部（４２２）にて、前記グランド配線部および前記非グランド端子と接続される非グランド配線部を含むターミナル基板（６１）と導電可能に設けられ、
前記先端部と前記ターミナル基板との間には、微小ギャップが形成され、
前記微小ギャップには、絶縁シート（４９）が設けられる検出装置。
【請求項５】
グランド電位であるグランド部材（７５）と導電可能に設けられる導電部材（３１、３２、４０〜４３）と、
少なくとも一部が前記導電部材と対向して配置される対向部材（３０、４４）と、
前記導電部材と前記対向部材との間であって、前記導電部材と前記対向部材との間の距離が最短であるセンサ配置領域に配置されるセンサ素子（５１２、５３２）、前記センサ素子を封止しているセンサ本体（５１１、５３１）、および、前記センサ本体から突出し、グランドと接続されるグランド端子（５１７、５３７、５５７）を有するセンサ部（５１、５３、５５）と、
を備え、
前記導電部材は、前記センサ配置領域とは異なる領域である導電可能領域にて、前記グランド端子または前記グランド端子と接続されるグランド配線部（６１７、６５７、６６３、６７７）と、導電可能に設けられ、
前記導電部材は、第１基部（３８、４８）、および、前記第１基部から突出して形成される第１集磁部（３１１、３２１、４０１、４１１、４２１、４３１）を有し、
前記対向部材は、第２基部（３８、４８）、および、前記第２基部から突出し前記第１集磁部と対向する第２集磁部（３０１、４４１）を有し、
前記センサ配置領域は、前記第１集磁部と前記第２集磁部とが対向する箇所であって、
前記センサ素子は、前記第１集磁部と前記第２集磁部との間の磁束を検出し、
前記センサ部（５３、５５）は、前記グランド配線部であるグランドパターン（６６３、６５７、６７７）が設けられる基板（６５、６７）に表面実装されており、
前記第１集磁部または前記第２集磁部の一方（３０１、３１１、３２１）が、前記センサ部の実装上面側に配置されており、
前記第１集磁部または前記第２集磁部の他方（４３１、４４１）が、前記基板に形成される切欠部（６５３）に挿入され、
前記第１集磁部（４３１）は、前記切欠部に挿入され、当該切欠部の内部にて前記グランドパターン（６６３）と導電可能に設けられる検出装置。
【請求項６】
グランド電位であるグランド部材（７５）と導電可能に設けられる導電部材（３１、３２、４０〜４３）と、
少なくとも一部が前記導電部材と対向して配置される対向部材（３０、４４）と、
前記導電部材と前記対向部材との間であって、前記導電部材と前記対向部材との間の距離が最短であるセンサ配置領域に配置されるセンサ素子（５１２、５３２）、前記センサ素子を封止しているセンサ本体（５１１、５３１）、および、前記センサ本体から突出し、グランドと接続されるグランド端子（５１７、５３７、５５７）を有するセンサ部（５１、５３、５５）と、
を備え、
前記導電部材は、前記センサ配置領域とは異なる領域である導電可能領域にて、前記グランド端子または前記グランド端子と接続されるグランド配線部（６１７、６５７、６６３、６７７）と、導電可能に設けられ、
前記導電部材は、第１基部（３８、４８）、および、前記第１基部から突出して形成される第１集磁部（３１１、３２１、４０１、４１１、４２１、４３１）を有し、
前記対向部材は、第２基部（３８、４８）、および、前記第２基部から突出し前記第１集磁部と対向する第２集磁部（３０１、４４１）を有し、
前記センサ配置領域は、前記第１集磁部と前記第２集磁部とが対向する箇所であって、
前記センサ素子は、前記第１集磁部と前記第２集磁部との間の磁束を検出し、
前記センサ部（５３、５５）は、前記グランド配線部であるグランドパターン（６６３、６５７、６７７）が設けられる基板（６５、６７）に表面実装されており、
前記第１集磁部または前記第２集磁部の一方（３０１、３１１、３２１）が、前記センサ部の実装上面側に配置されており、
前記第１集磁部または前記第２集磁部の他方（４３１、４４１）が、前記基板に形成される切欠部（６５３）に挿入され、
前記センサ部の実装上面側に配置される前記第１集磁部（３１１）は、前記センサ部の外側の領域まで延び、先端部（３１２）が前記基板側に折れ曲がって形成され、前記先端部にて、前記グランドパターン（６５７、６７７）と導電可能に設けられる検出装置。
【請求項７】
前記先端部は、前記基板（６５）の前記センサ部が実装される側の面（６５１）のレジスト（６５９）の直下の層に形成される前記グランドパターン（６５７）、および、前記グランドパターン以外の非グランドパターン（６５５、６５６）と導電可能に設けられる請求項６に記載の検出装置。
【請求項８】
グランド電位であるグランド部材（７５）と導電可能に設けられる導電部材（３１、３２、４０〜４３）と、
少なくとも一部が前記導電部材と対向して配置される対向部材（３０、４４）と、
前記導電部材と前記対向部材との間であって、前記導電部材と前記対向部材との間の距離が最短であるセンサ配置領域に配置されるセンサ素子（５１２、５３２）、前記センサ素子を封止しているセンサ本体（５１１、５３１）、および、前記センサ本体から突出し、グランドと接続されるグランド端子（５１７、５３７、５５７）を有するセンサ部（５１、５３、５５）と、
を備え、
前記導電部材は、前記センサ配置領域とは異なる領域である導電可能領域にて、前記グランド端子または前記グランド端子と接続されるグランド配線部（６１７、６５７、６６３、６７７）と、導電可能に設けられ、
前記導電部材は、第１基部（３８、４８）、および、前記第１基部から突出して形成される第１集磁部（３１１、３２１、４０１、４１１、４２１、４３１）を有し、
前記対向部材は、第２基部（３８、４８）、および、前記第２基部から突出し前記第１集磁部と対向する第２集磁部（３０１、４４１）を有し、
前記センサ配置領域は、前記第１集磁部と前記第２集磁部とが対向する箇所であって、
前記センサ素子は、前記第１集磁部と前記第２集磁部との間の磁束を検出し、
前記センサ部（５３、５５）は、前記グランド配線部であるグランドパターン（６６３、６５７、６７７）が設けられる基板（６５、６７）に表面実装されており、
前記第１集磁部または前記第２集磁部の一方（３０１、３１１、３２１）が、前記センサ部の実装上面側に配置されており、
前記第１集磁部または前記第２集磁部の他方（４３１、４４１）が、前記基板に形成される切欠部（６５３）に挿入され、
前記センサ部の実装上面側に配置される前記第１集磁部（３２１）の突出部（３２３）は、前記グランド端子（５５７）と導電可能に設けられる検出装置。
【請求項９】
請求項１〜８のいずれか一項に記載の検出装置（２１〜２８）を備えるトルクセンサであって、
前記センサ素子は、第１の軸（９２１）と第２の軸（９２２）との間に加わるトルクに応じた磁束を検出するものであるトルクセンサ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、検出装置、および、トルクセンサに関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、磁石および磁気センサを使ったトルクセンサが知られている。例えば特許文献１では、磁気センサが軸方向に対向する磁気ヨークの間のギャップに挿入され、磁束密度を検出する。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００３−１４９０６２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
ところで、電気抵抗が最も低い経路に磁気センサが配置されていると、静電気エネルギが磁気センサを通過することでセンサが損傷したり、ノイズによりセンサの誤動作が生じたりする虞がある。
本発明は、上述の課題に鑑みてなされたものであり、その目的は、センサの損傷や誤動作を防止可能な検出装置、および、トルクセンサを提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明の検出装置は、導電部材（３１、３２、４０〜４３）と、対向部材（３０、４４）と、センサ部（５１、５３、５５）と、を備える。導電部材は、グランド電位であるグランド部材（７５）と導電可能に設けられる。対向部材は、少なくとも一部が導電部材と対向して配置される。センサ部は、センサ素子（５１２、５３２）、センサ本体（５１１、５３１）、および、グランド端子（５１７、５３７、５５７）を有する。センサ素子は、導電部材と対向部材との間であって、導電部材と対向部材との間の距離が最短であるセンサ配置領域に配置される。センサ本体は、センサ素子を封止している。グランド端子は、センサ本体から突出し、グランドと接続される。導電部材は、センサ配置領域とは異なる領域である導電可能領域にて、グランド端子またはグランド端子と接続されるグランド配線部（６１７、６５７、６６３、６７７）と導電可能に設けられている。
ここで、「導電可能に設けられている」とは、導電部材とグランド端子またはグランド配線部とが当接している場合、および、はんだ付けや溶接等により電気的に接続されている場合に限らず、絶縁破壊や容量結合等により静電気やノイズを伝達可能な程度の微小ギャップが導電部材とグランド端子またはグランド配線部との間に形成されている場合を含むものとする。また、静電気やノイズを伝達可能であれば、微小ギャップに別部材（例えば絶縁シートやレジストパターン等）が配置されていてもよい。導電部材とグランド部材とについても同様である。
【０００６】
導電部材は、第１基部（３８、４８）、および、第１基部から突出して形成される第１集磁部（３１１、３２１、４０１、４１１、４２１、４３１）を有する。対向部材は、第２基部（３８、４８）、および、第２基部から突出し、第１集磁部と対向する第２集磁部（３０１、４４１）を有する。センサ配置領域は、第１集磁部と第２集磁部とが対向する箇所である。センサ素子は、第１集磁部と第２集磁部との間の磁束を検出する。
第１態様では、第１集磁部（４０１、４１１）には、第１基部と反対側に突出する逃がし部（４０５、４１５）が形成される。第２態様では、センサ部は、センサ本体から突出し、グランド端子とは別途に設けられる非グランド端子（５１５、５１６）をさらに有する。第１集磁部（４２１）は、当該第１集磁部側から見て、グランド端子および非グランド端子を、それぞれ少なくとも一部を覆うように形成され、先端部（４２２）にて、グランド配線部および非グランド端子と接続される非グランド配線部を含むターミナル基板（６１）と導電可能に設けられる。先端部とターミナル基板との間には、微小ギャップが形成され、微小ギャップには、絶縁シート（４９）が設けられる。
第３態様〜第５態様では、センサ部（５３、５５）は、グランド配線部であるグランドパターン（６６３、６５７、６７７）が設けられる基板（６５、６７）に表面実装されている。第１集磁部または第２集磁部の一方（３０１、３１１、３２１）が、センサ部の実装上面側に配置されている。第１集磁部または第２集磁部の他方（４３１、４４１）が、基板に形成される切欠部（６５３）に挿入される。
第３態様では、第１集磁部（４３１）は、切欠部に挿入され、当該切欠部の内部にてグランドパターン（６６３）と導電可能に設けられる。第４態様では、センサ部の実装上面側に配置される第１集磁部（３１１）は、センサ部の外側の領域まで延び、先端部（３１２）が基板側に折れ曲がって形成され、先端部にて、グランドパターン（６５７、６７７）と導電可能に設けられる。第５態様では、センサ部の実装上面側に配置される第１集磁部（３２１）の突出部（３２３）は、グランド端子（５５７）と導電可能に設けられる。
これにより、静電気やノイズは、センサ本体を経由せずに、グランド部材に逃がされるので、センサの損傷や誤動作を防ぐことができる。
【図面の簡単な説明】
【０００７】
【図１】本発明の第１実施形態によるトルクセンサが適用された電動パワーステアリングシステムを示す概略構成図である。
【図２】本発明の第１実施形態によるトルクセンサの分解斜視図である。
【図３】本発明の第１実施形態によるトルクセンサの断面図である。
【図４】本発明の第１実施形態によるセンサ部の斜視図である。
【図５】本発明の第１実施形態によるセンサ部および集磁部の断面図である。
【図６】図５のＶＩ方向矢視図である。
【図７】図５のＶＩＩ方向矢視図である。
【図８】本発明の第１実施形態による静電気の通電経路を示す模式的な回路図である。
【図９】本発明の第２実施形態によるセンサ部および集磁部の断面図である。
【図１０】図９のＸ方向矢視図である。
【図１１】本発明の第３実施形態によるセンサ部および集磁部の断面図である。
【図１２】図１１のＸＩＩ方向矢視図である。
【図１３】本発明の第４実施形態によるセンサ部および集磁部の断面図である。
【図１４】図１３のＸＩＶ方向矢視図である。
【図１５】図１３のＸＶ方向矢視図である。
【図１６】本発明の第５実施形態によるセンサ部および集磁部の側面図である。
【図１７】図１６のＸＶＩＩ方向矢視図である。
【図１８】図１６のＸＶＩＩＩ方向矢視図である。
【図１９】本発明の第６実施形態によるセンサ部および集磁部の側面図である。
【図２０】図１９のＸＸ方向矢視図である。
【図２１】本発明の第７実施形態によるセンサ部および集磁部の側面図である。
【図２２】図２１のＸＸＩＩ方向矢視図である。
【図２３】本発明の第８実施形態によるセンサ部および集磁部の側面図である。
【図２４】図２３のＸＸＩＶ方向矢視図である。
【図２５】参考例による集磁部およびセンサ部の断面図である。
【図２６】参考例による集磁部およびセンサ部の断面図である。
【発明を実施するための形態】
【０００８】
以下、本発明による検出装置、および、トルクセンサを図面に基づいて説明する。以下、複数の実施形態において、実質的に同一の構成には同一の符号を付して説明を省略する。
（第１実施形態）
本発明の第１実施形態を図１〜図８に示す。本実施形態の各図は、いずれも模式的な図であり、説明のため、スケール等は適宜変更して記載している。後述の実施形態に係る図も同様である。
図１および図２に示すように、本実施形態の検出装置２１が用いられるトルクセンサ１０は、例えば車両のステアリング操作を補助するための電動パワーステアリング装置８０に適用される。
図１は、電動パワーステアリング装置８０を備えたステアリングシステム９０の全体構成を示す。
【０００９】
操舵部材であるハンドル９１は、ステアリングシャフト９２と接続される。ステアリングシャフト９２は、第１の軸としての入力軸９２１、および、第２の軸としての出力軸９２２を有する。入力軸９２１は、ハンドル９１と接続される。入力軸９２１のハンドル９１と反対側の端部と、出力軸９２２との間には、ステアリングシャフト９２に加わるトルクを検出するトルクセンサ１０が設けられる。入力軸９２１と出力軸９２２とは、トルクセンサ１０のトーションバー１３により、同軸に接続される。出力軸９２２の入力軸９２１と反対側の端部には、ピニオンギア９６が設けられる。ピニオンギア９６は、ラック軸９７に噛み合っている。ラック軸９７の両端には、タイロッド等を介して一対の車輪９８が連結される。
【００１０】
運転者がハンドル９１を回転させると、ハンドル９１に接続されたステアリングシャフト９２が回転する。ステアリングシャフト９２の回転運動は、ピニオンギア９６によってラック軸９７の直線運動に変換され、ラック軸９７の変位量に応じた角度に車輪９８が操舵される。
【００１１】
電動パワーステアリング装置８０は、運転者によるハンドル９１の操舵を補助する補助トルクを出力するモータ８１、制御装置（以下、「ＥＣＵ」）８５、および、トルクセンサ１０等を備える。図１では、モータ８１とＥＣＵ８５とが別体となっているが、一体としてもよい。
動力伝達部である減速ギア８２は、モータ８１の回転を減速してステアリングシャフト９２に伝達する。すなわち本実施形態の電動パワーステアリング装置８０は、所謂「コラムアシストタイプ」であるが、モータ８１の回転をラック軸９７に伝える所謂「ラックアシストタイプ」としてもよい。
ＥＣＵ８５は、トルクセンサ１０から出力されるトルクを取得し、検出されたトルクに応じ、モータ８１の駆動を制御する。
【００１２】
図２に示すように、トルクセンサ１０は、トーションバー１３、多極磁石１５、磁気ヨーク１７、および、検出装置２１等を備え、ステアリングシャフト９２に加わるトルクを検出する。
トーションバー１３は、一端が入力軸９２１に固定ピン１３１で固定され、他端が出力軸９２２に固定ピン１３２で固定される。トーションバー１３は、棒状の弾性部材であり、ステアリングシャフト９２に加わるトルクを捩れ変位に変換する。
多極磁石１５は、入力軸９２１に固定され、Ｎ極とＳ極とが周方向に交互に着磁される。本実施形態では、Ｎ極およびＳ極の数は、１２対、計２４極であるが、極対数は問わない。
【００１３】
磁気ヨーク１７は、入力軸９２１側に設けられる第１ヨーク１７１、および、出力軸９２２側に設けられる第２ヨーク１７６を有する。第１ヨーク１７１および第２ヨーク１７６は、いずれも軟磁性体により環状に形成され、多極磁石１５の径方向外側にて、出力軸９２２に固定される。ヨーク１７１、１７６は、図示しない非磁性材で形成されるヨーク保持部材に保持される。
【００１４】
第１ヨーク１７１は、環状部１７２、および、環状部１７２から第２ヨーク１７６側に突出して形成される爪１７３を有する。爪１７３は、環状部１７２の内縁に沿って、全周に等間隔で設けられる。
第２ヨーク１７６は、環状部１７７、および、環状部１７７から第１ヨーク１７１側に突出して形成される爪１７８を有する。爪１７８は、環状部１７７の内縁に沿って、全周に等間隔で設けられる。
【００１５】
爪１７３、１７８の数は、多極磁石１５の極対数と同数（本実施形態では１２）である。爪１７３、１７８は、周方向にずれて交互に配置される。第１ヨーク１７１と第２ヨーク１７６とは、離間した状態にて対向している。
トーションバー１３に捩れ変位が生じていない場合、すなわちステアリングシャフト９２に操舵トルクが加わっていないとき、爪１７３、１７８の中心位置は、多極磁石１５のＮ極とＳ極との境界位置と一致するように配置される。
【００１６】
図２および図３に示すように、検出装置２１は、集磁リング保持部材２０１、ターミナル保持部材２０５、シールド部材２０６、集磁リング３０、４０、センサ部５１、ターミナル基板６１、および、雑防素子７１（図４参照）等を備える。
図３に示すように、集磁リング保持部材２０１およびターミナル保持部材２０５は、樹脂等の非磁性材で形成される。集磁リング保持部材２０１は、径方向内側に集磁リング３０、４０を露出した状態で保持する環状部２０２、および、コネクタ７９が挿抜可能に形成されているコネクタ挿入部２０３が一体に形成される。
【００１７】
ターミナル保持部材２０５は、センサ部５１のセンサ本体５１１が露出した状態にて、センサ部５１の各端子、および、ターミナル基板６１を保持する。ターミナル保持部材２０５は、各端子等を保持した状態であって、センサ部５１が集磁リング３０、４０の集磁部３０１、４０１間に配置された状態にて、インサート成形等により、集磁リング保持部材２０１に保持される。
【００１８】
シールド部材２０６は、外部からの磁気を遮蔽すべく、集磁リング保持部材２０１の環状部２０２の径方向外側を覆うように設けられる。
集磁リング保持部材２０１は、シールド部材２０６、集磁リング３０、４０、および、センサ部５１等を保持した状態にて、コラム７５に固定される。コラム７５は、アルミ等の導電可能な金属で形成され、車体グランドと接続される。すなわち、コラム７５の電位は、グランドであり、コラム７５が「グランド部材」に対応する。本実施形態では、コラム７５が、トルクセンサ１０の筐体として機能している。
本実施形態では、集磁リング３０、４０とコラム７５との間には、静電気およびノイズを伝達可能な程度の微小ギャップが形成される。換言すると、集磁リング３０、４０は、静電気およびノイズをコラム７５に伝達可能に設けられている。
【００１９】
図２および図３に示すように、集磁リング３０、４０は、いずれもニッケル合金等の軟磁性体で形成される。集磁リング３０、４０、磁気ヨーク１７の径方向外側に配置され、磁気ヨーク１７からの磁束を集める。本実施形態では、上側集磁リング３０が入力軸９２１側に配置され、下側集磁リング４０が出力軸９２２側に配置される。以下適宜、入力軸９２１側を「上側」、出力軸９２２側を「下側」とする。また、トーションバー１３を中心に配置される多極磁石１５、磁気ヨーク１７、および、集磁リング３０、４０の軸方向および径方向を、単に「軸方向」、「径方向」という。
【００２０】
上側集磁リング３０は、環状に形成される上側基部３８、および、上側基部３８から径方向外側に突出する２つの上側集磁部３０１を含む。
下側集磁リング４０は、環状に形成される下側基部４８、および、下側基部４８から径方向外側に突出する２つの下側集磁部４０１を含む。
上側集磁部３０１と下側集磁部４０１とは、離間した状態で、対向する面が略平行となるように配置される。
２つのセンサ部５１は、それぞれ、集磁部３０１、４０１の間に配置され、集磁部３０１、４０１間の磁束の変化を検出する磁気センサである。
【００２１】
図４および図５に示すように、センサ部５１は、センサ本体５１１、出力端子５１５、電源端子５１６、および、グランド端子５１７を有する。出力端子５１５、電源端子５１６およびグランド端子５１７は、センサ本体５１１の端子形成面５１３に設けられる。端子形成面５１３は、径方向外側に向いて配置され、端子５１５〜５１７は、径方向外側に突出して設けられる。本実施形態では、一方の側から、出力端子５１５、グランド端子５１７、電源端子５１６の順に配列される。なお、端子５１５〜５１７間は、静電気が印加されたときであっても絶縁破壊不能な程度に離間している。また、出力端子５１５とグランド端子５１７と距離と、電源端子５１６とグランド端子５１７との距離とは、等しくてもよいし、異なっていてもよい。
端子５１５〜５１７は、ターミナル基板６１と当接可能な箇所にて上側に折り曲げられ、ターミナル基板６１の対応する接続部６１５、６１６、６１７と、溶接等により電気的に接続される。
【００２２】
ターミナル基板６１は、金属基板であって、センサ部５１とＥＣＵ８５との接続に用いられる。ターミナル基板６１は、出力端子接続部６１５、電源端子接続部６１６、グランド端子接続部６１７を有する。各接続部６１５、６１６、６１７は、それぞれ、配線２０８を経由し、ＥＣＵ８５との接続に用いられるコネクタ７９と接続される（図３参照）。これにより、センサ部５１とＥＣＵ８５とは、ターミナル基板６１等を経由して接続される。
【００２３】
センサ部５１の出力端子５１５は、出力端子接続部６１５に接続され、センサ部５１の検出信号の出力に用いられる。検出信号は、出力端子接続部６１５を経由してＥＣＵ８５に出力される。
電源端子５１６は、電源端子接続部６１６に接続され、ＥＣＵ８５に設けられる図示しないレギュレータ等である給電部と接続される。
グランド端子５１７は、グランド端子接続部６１７と接続され、ＥＣＵ８５を経由してグランドと接続される。
雑防素子７１は、出力端子接続部６１５または電源端子接続部６１６と、グランド端子接続部６１７とに接続される。雑防素子７１は、コンデンサやツェナーダイオード等である。
【００２４】
図５は、集磁部３０１、４０１およびセンサ部５１を示す模式的な断面図であって、図４中のＶ−Ｖ線断面に対応している。図５では、ハッチングを省略して記載した。後述の実施形態に係る図９、図１１、図１３、図２５および図２６も同様である。
図５に示すように、センサ本体５１１には、センサ素子５１２、および、差動増幅器等の検出回路を構成する電子部品等が封止されている。センサ素子５１２は、ホール素子等の磁気検出素子であって、集磁部３０１、４０１間の距離が最短となる箇所に配置される。これにより、センサ素子５１２は、集磁リング３０、４０間の磁束の変化を適切に検出することができる。
【００２５】
ここで、静電気およびノイズの影響について説明する。静電気やノイズが装置に印加されると、電気抵抗が最も小さい経路を通ってグランドに逃がされる。ここで、静電気とは、比較的高電圧にて過渡的に印加される外乱電圧を想定しており、ノイズとは、静電気より低電圧にて連続的に印加される外乱電圧を想定している。
【００２６】
例えば、図２５に示す参考例の検出装置９０１では、第２集磁リング９４０の集磁部９４１が、上側集磁リング３０の集磁部３０１と同様の形状に形成されている。この場合、電気抵抗が最も小さい経路上にセンサ本体５１１が配置されている状態となる。そのため、静電気が印加されると、矢印Ｙｓ２で示すように、静電気エネルギがセンサ本体５１１を通過するため、センサ部５１が破損する虞がある。また、ノイズがセンサ本体５１１を通過することで、センサ部５１の誤動作や誤検出が生じる虞がある。
この場合、センサ部５１自体に静電気やノイズの対策をするか、センサ部５１を静電気やノイズから保護するための保護部材を別途に設ける必要がある。
【００２７】
また、図２６に示す参考例の検出装置９０２では、第１集磁リング９３０の集磁部９３１には、下側集磁リング４０と同様、突出部９３５および折曲部９３６が形成される。この場合、矢印Ｙｍ２で示す箇所が、磁気抵抗が最も小さい箇所となるため、集められた磁束がセンサ素子５１２を透過しない。そのため、センサ素子５１２は、集磁リング３０、４０間の磁束の変化を適切に検出することができない。
【００２８】
そこで本実施形態では、図５、図６および図７に示すように、集磁リング３０、４０にて集められた磁束がセンサ素子５１２を透過し、かつ、センサ素子５１２の配置位置が、電気抵抗の最も小さい経路上とならないように、集磁部３０１、４０１を形成している。換言すると、グランド端子５１７と下側集磁部４０１が最も近接する箇所である導電可能領域と、集磁部３０１、４０１が最も近接する箇所であるセンサ配置領域とが異なるようにし、センサ配置領域にセンサ素子５１２を配置している。
これにより、図５中に矢印Ｙｍ１のように、集められた磁束はセンサ素子５１２を透過する。また、矢印Ｙｓ１で示す静電気およびノイズが逃がされる経路から外れた箇所に、センサ本体５１１が配置される。
【００２９】
図５中において、集磁部３０１、４０１が最も近接する箇所を記号Ｒ１で示し、グランド端子５１７と下側集磁部４０１とが最も近接する箇所を記号Ｒ２で示す。すなわち、記号Ｒ１で示す箇所が「導電部材と対向部材との距離が最短であるセンサ配置領域」であり、記号Ｒ２で示す箇所が「導電可能領域」である。後述の実施形態に係る図面においても同様とする。なお、図２５については、グランド端子５１７の内部配線がセンサ本体５１１に形成されている点を考慮し、Ｒ１＝Ｒ２として記載した。
また、グランド端子５１７と下側集磁部４０１とが当接している場合、グランド端子５１７と下側集磁部４０１との距離は０である。したがって、当該当接箇所において下側集磁リング４０とグランド端子５１７とが最も近接しており、当該当接箇所が下側集磁リング４０とグランド端子５１７との距離が最短となる箇所である。
【００３０】
具体的には、上側集磁部３０１の先端部３０３は、センサ本体５１１の端子形成面５１３よりも上側基部３８側となるように形成される。
一方、下側集磁部４０１のグランド端子５１７と対応する箇所には、端子形成面５１３よりもターミナル基板６１側に突出する逃がし部４０５が形成される。詳細には、図７に示すように、逃がし部４０５は、下側から見て、少なくとも一部がグランド端子５１７と重複する箇所に形成される。逃がし部４０５は、グランド端子５１７側に折り曲げられる。グランド端子５１７側に折り曲げて形成された折曲部４０６は、グランド端子５１７と当接する。折曲部４０６とグランド端子５１７とは、単に当接している状態であってもよいし、はんだ接合や溶接等により、導電可能に接続されていてもよい。逃がし部４０５を折り曲げてグランド端子５１７と当接させることで、ターミナル基板６１との距離によらず、逃がし部４０５を比較的小さく形成することができる。
【００３１】
本実施形態では、逃がし部４０５の幅は、グランド端子５１７より幅広であるが、グランド端子５１７より幅狭であってもよいし、出力端子５１５および電源端子５１６との絶縁を確保可能な程度の範囲で、グランド端子５１７より幅広であってもよい。
第２実施形態の逃がし部４１５についても同様である。
本実施形態では、逃がし部４０５とターミナル基板６１とは、離間している。
【００３２】
静電気エネルギが伝達される経路を図８に基づいて説明する。図８は、検出装置２１と回路図とを組み合わせた模式的な図である。図８中には、静電気を記号Ｓで示した。
本実施形態では、下側集磁リング４０の集磁部４０１には、逃がし部４０５が形成され、グランド端子５１７と当接している。そのため、静電気エネルギは、センサ本体５１１を通ることなく、グランド端子５１７から下側集磁リング４０に伝わるとともに、下側集磁リング４０とコラム７５との間を絶縁破壊しながら、コラム７５に逃がされる。
【００３３】
また、本実施形態では、雑防素子７１が設けられており、出力端子５１５および電源端子５１６は、雑防素子７１を経由して、グランド端子５１７と電気的に接続されている。そのため、出力端子５１５または電源端子５１６に静電気が印加された場合、静電気エネルギは、雑防素子７１を経由してグランド端子５１７に抜け、グランド端子５１７に静電気が印加された場合と同様、コラム７５に逃がされる。
ノイズについても、同様の経路でコラム７５側に逃がされる。
これにより、センサ素子５１２において磁束を検出可能である状態を確保しつつ、静電気およびノイズからセンサ部５１を保護することができる。
【００３４】
以上説明したように、検出装置２１は、下側集磁リング４０と、上側集磁リング３０と、センサ部５１と、を備える。
下側集磁リング４０は、グランド電位であるコラム７５と導電可能に設けられる。
上側集磁リング３０は、少なくとも一部が下側集磁リング４０と対向して配置される。
【００３５】
センサ部５１は、センサ素子５１２、センサ本体５１１、および、グランド端子５１７を有する。センサ素子５１２は、下側集磁リング４０と上側集磁リング３０との間であって、下側集磁リング４０と上側集磁リング３０との間の距離が最短であるセンサ配置領域に配置される。センサ本体５１１は、センサ素子５１２を封止している。グランド端子５１７は、センサ本体５１１から突出し、グランドと接続される。
下側集磁リング４０は、センサ配置領域とは異なる領域である導電可能領域にて、グランド端子５１７と導電可能に設けられている。
【００３６】
これにより、静電気エネルギおよびノイズは、センサ本体５１１を経由せずにコラム７５側に逃がされるので、静電気によるセンサ部５１の損傷や、ノイズによるセンサの誤動作を防ぐことができる。また、静電気やノイズを防ぐために設けられる別途の部品や、センサ部５１内部の静電気やノイズ対策のための構成を省くことができ、装置を簡素化することができる。
【００３７】
また、静電気エネルギおよびノイズがセンサ本体５１１を通過することなく、上側集磁リング３０と下側集磁リング４０との間の電磁気信号を適切に検出することができる。換言すると、本実施形態では、センサ本体５１１を経由するよりも抵抗値が低い経路を積極的に形成することで、静電気エネルギがセンサ本体５１１を通過するのを防止し、センサ本体５１１を保護している、といえる。また、センサ本体５１１を経由する箇所とは別途の容量結合を積極的に形成することで、ノイズがセンサ本体５１１に伝達されるのを防ぎ、センサ部５１の誤動作や誤検出を防いでいる、といえる。
【００３８】
下側集磁リング４０は、下側基部４８、および、下側基部４８から突出して形成される下側集磁部４０１を有する。
上側集磁リング３０は、上側基部３８、および、上側集磁部３０１を有する。上側集磁部３０１は、上側基部３８から突出し、下側集磁部４０１と対向する。
センサ配置領域は、下側集磁部４０１と上側集磁部３０１とが対向する箇所である。センサ素子５１２は、下側集磁部４０１と上側集磁部３０１との間の磁束を検出する。
これにより、下側集磁部４０１と上側集磁部３０１との間の磁束を適切に検出することができる。
【００３９】
下側集磁部４０１には、下側基部４８と反対側に突出する逃がし部４０５が形成される。逃がし部４０５は、先端がグランド端子５１７側に折れ曲がっており、グランド端子５１７と導電可能に設けられている。本実施形態では、逃がし部４０５とグランド端子５１７とが導電可能に当接する。
これにより、静電気エネルギやノイズを、グランド端子５１７を経由して、コラム７５側に適切に逃がすことができる。
【００４０】
トルクセンサ１０は、検出装置２１を備える。センサ素子５１２は、入力軸９２１と出力軸９２２との間に加わるトルクに応じた磁束を検出する。
これにより、トルクセンサ１０は、入力軸９２１と出力軸９２２との間のトルクを適切に検出することができる。
【００４１】
本実施形態では、下側集磁リング４０が「導電部材」、下側基部４８が「第１基部」、上側集磁リング３０が「対向部材」、上側基部３８が「第２基部」に対応する。第２実施形態〜第５実施形態も同様である。また、下側集磁部４０１が「第１集磁部」、上側集磁部３０１が「第２集磁部」に対応する。
【００４２】
ここで、本明細書における「導電可能に設けられている」とは、下側集磁リング４０とグランド端子５１７とが当接している場合、および、下側集磁リング４０とグランド端子５１７とがはんだ付けや溶接等により電気的に接続されている場合に限らず、絶縁破壊や容量結合等により静電気やノイズを伝達可能な程度の微小ギャップが下側集磁リング４０とグランド端子５１７との間に形成されている場合を含むものとする。また、静電気やノイズを伝達可能であれば、例えば絶縁シートやレジストパターン等の別部材が微小ギャップに配置されていてもよい。下側集磁リング４０とコラム７５とについても同様である。
後述の実施形態についても同様である。補足として、下側集磁リングに替えて上側集磁リングであってもよい。また、グランド端子に替えて、グランド端子接続部６１７やグランドパターン等であってもよい。
【００４３】
（第２実施形態）
本発明の第２実施形態を図９および図１０に示す。
本実施形態の検出装置２２の下側集磁リング４１には、２つの下側集磁部４１１が形成される。下側集磁リング４１は、集磁部４１１の形状が異なる点を除き、上記実施形態の下側集磁リング４０と同様である。
【００４４】
下側集磁部４１１の逃がし部４１５は、グランド端子５１７と対応する箇所にターミナル基板６１側に延びて形成され、先端部４１６がグランド端子接続部６１７と当接する。本実施形態では、逃がし部４１５とグランド端子接続部６１７との当接箇所が、「導電可能領域」に対応する。
逃がし部４１５とグランド端子５１７とは、離間している。
【００４５】
本実施形態では、逃がし部４１５は、第１基部４８と反対側に延びて形成され、先端部４１６にて、グランド端子接続部６１７と導電可能に設けられる。本実施形態では、逃がし部４１５とグランド端子接続部６１７とが導電可能に当接する。
このように構成しても、センサ本体５１１を経由することなく、グランド端子接続部６１７および下側集磁リング４１を経由してコラム７５側に静電気やノイズを適切に逃がすことができる。また、逃がし部４１５を折り曲げなくてもよいので、加工が容易となる。
また、上記実施形態と同様の効果を奏する。
本実施形態では、下側集磁リング４１が「導電部材」、下側集磁部４１１が「第１集磁部」に対応する。また、グランド端子接続部６１７が「グランド配線部」に対応する。
【００４６】
（第３実施形態）
本発明の第３実施形態を図１１および図１２に示す。
本実施形態の検出装置２３の下側集磁リング４２には、２つの下側集磁部４２１が形成される。下側集磁リング４２は、集磁部４２１の形状が異なる点を除き、上記実施形態の下側集磁リング４０と同様である。
下側集磁部４２１は、全体がターミナル基板６１側まで延びて形成される。換言すると、図１２に示すように、下側集磁部４２１は、下側から見たとき、出力端子５１５、電源端子５１６およびグランド端子５１７と重複して形成される。下側集磁部４２１の先端部４２２とターミナル基板６１との間には、微小ギャップＬｇが形成される。微小ギャップＬｇは、通常時、下側集磁部４２１とターミナル基板６１とを絶縁可能であって、静電気印加時に静電気エネルギによって絶縁破壊可能な程度、または、ノイズが通過できる容量結合を形成可能な程度に形成される。また、両端に配置される出力端子５１５または電源端子５１６と、真ん中に配置されるグランド端子５１７との距離である端子間距離Ｌｔは、静電気によって絶縁破壊不能な大きさに形成される。すなわち、微小ギャップＬｇは、端子間距離Ｌｔと比較して十分に小さい。
【００４７】
本実施形態では、センサ部５１は、センサ本体５１１から突出し、グランド端子５１７とは別途に設けられる非グランド端子である出力端子５１５および電源端子５１６をさらに有する。下側集磁部４２１は、下側集磁部４２１側から見て、出力端子５１５、電源端子５１６およびグランド端子５１７を、それぞれ少なくとも一部を覆うように形成され、先端部４２２にて、グランド端子接続部６１７、ならびに、出力端子接続部６１５および電源端子接続部６１６を含むターミナル基板６１と導電可能に設けられる。
先端部４２２とターミナル基板６１との間には、微小ギャップＬｇが形成される。
【００４８】
静電気が印加されたとき、静電気エネルギにより端子５１５、５１６、５１７と、下側集磁部４２１との間が絶縁破壊されるので、静電気エネルギは、下側集磁リング４２を経由してコラム７５に適切に逃がされる。また、ノイズは、下側集磁部４２１とターミナル基板６１との間の容量結合を経由してコラム７５側に逃がされる。また、本実施形態では、下側集磁部４２１がセンサ部５１の全端子５１５〜５１７を覆っているので、どの端子に静電気やノイズが印加された場合であっても、下側集磁リング４２を経由して、コラム７５側に静電気やノイズが逃がされる。これにより、雑防素子７１を有さない場合であっても、センサ本体５１１を経由することなく、静電気やノイズを適切に逃がすことができる。
また、上記実施形態と同様の効果を奏する。
本実施形態では、下側集磁リング４２が「導電部材」、下側集磁部４２１が「第１集磁部」に対応し、グランド端子接続部６１７が「グランド配線部」に対応し、出力端子接続部６１５および電源端子接続部６１６が「非グランド配線部」に対応する。また、下側集磁部４２１とターミナル基板６１とが対向する箇所が「導電可能領域」に対応する。
【００４９】
（第４実施形態）
本発明の第４実施形態を図１３〜図１５に示す。
本実施形態は、第３実施形態の変形例であって、検出装置２４では、下側集磁部４２１とターミナル基板６１との間には、絶縁シート４９が設けられる。絶縁シート４９は、通常時において、下側集磁部４２１とターミナル基板６１とを絶縁可能であって、静電気印加時に静電気エネルギによって絶縁破壊可能なもの、または、ノイズが通過可能な容量結合を形成可能なものである。
絶縁シート４９を設けることで、下側集磁部４２１とターミナル基板６１との間の微小ギャップＬｇを適切に確保することができる。
また、上記実施形態と同様の効果を奏する。
【００５０】
（第５実施形態）
本発明の第５実施形態を図１６〜図１８に示す。なお、図１７等において、表面のレジスト直下層の回路パターンを一点鎖線で示す。
本実施形態の検出装置２５では、２つのセンサ部５３が、プリント基板である１枚の基板６５の同一面に実装されている点が上記実施形態と異なる。センサ部５３は、上側集磁リング３０の集磁部３０１と下側集磁リング４３の下側集磁部４３１との間に配置され、集磁部４０１、４３１間の磁束の変化を検出する。下側集磁リング４３は、下側集磁部４３１の形状等が上記実施形態と異なるが、その他については上記実施形態の下側集磁リング４０と同様である。下側集磁部４３１については後述する。
【００５１】
図１７に示すように、２つのセンサ部５３は、基板６５の素子実装面６５１に、横並びの状態で実装される。それぞれのセンサ部５３は、センサ本体５３１、センサ素子５３２、外側端子群５３３、および、内側端子群５３４を有する。センサ本体５３１は、平面視略矩形に形成され、センサ素子５３２を封止する。
【００５２】
センサ素子５３２は、上記実施形態のセンサ素子５１２と同様、ホール素子等の磁気検出素子であって、素子実装面６５１側から見て、集磁部３０１、４３１が重複する領域に設けられる。本実施形態では、センサ部５３は、２つのセンサ素子５３２を有する。センサ素子５３２は、上記実施形態と同様、集磁部３０１、４３１が最も近接する箇所に配置される。これにより、上側集磁部３０１と下側集磁部４３１との間の磁束の変化を適切に検出することができる。
【００５３】
外側端子群５３３は、センサ本体５３１の一方の長辺に形成され、内側端子群５４３は、センサ本体５３１の他方の長辺に形成される。
外側端子群５３３には、出力端子５３５、電源端子５３６、および、グランド端子５３７が含まれる。出力端子５３５、グランド端子５３７、電源端子５３６は、この順で配列され、各端子間には、空ピンが配置される。本実施形態では、端子群５３３、５３４は、いずれも８本の端子からなるが、端子数はいくつであってもよい。また、端子配列は、どのようであってもよい。後述の実施形態についても同様である。
【００５４】
出力端子５３５は、基板６５の素子実装面６５１側のレジスト６５９の直下の層に形成される出力パターン６５５と接続され、センサ部５３の検出信号の出力に用いられる。検出信号は、ＥＣＵ８５に出力される。
電源端子５３６は、基板６５の素子実装面６５１側のレジスト６５９の直下の層に形成される電源パターン６５６と接続され、ＥＣＵ８５に設けられる図示しないレギュレータ等である給電部と接続される。
グランド端子５３７は、基板６５の素子実装面６５１側のレジスト６５９の直下の層に形成されるグランドパターン６５７と接続され、ＥＣＵ８５を経由してグランドと接続される。
また、雑防素子７２は、基板６５の素子実装面６５１側に実装され、出力パターン６５５または電源パターン６５６と、グランドパターン６５７とに接続される。雑防素子７２は、雑防素子７１と同様、コンデンサやツェナーダイオード等である。
【００５５】
基板６５には、基部３８、４８側に開口する２つの切欠部６５３が形成される。切欠部６５３は、それぞれのセンサ部５３の実装箇所に対応して設けられ、基板６５の上側から見たとき、少なくとも一部が、センサ本体５３１に重複するように形成される。センサ部５３は、切欠部６５３を覆うように実装される。切欠部６５３には、集磁部４３１がそれぞれ挿入される。切欠部６５３に集磁部４３１を挿入することで、切欠部６５３を形成せずに、基板６５を挟んだ状態にて上側集磁部３０１と下側集磁部４３１とが対向する場合と比較し、集磁部３０１と集磁部４３１との距離が短くなるので、検出精度が高まる。
【００５６】
センサ部５３において、集磁リング３０、４３の基部３８、４８と反対側の端部を先端部５３９とする。
本実施形態では、上側集磁部３０１の先端部３０３は、センサ部５３の先端部５３９よりも、基部３８側である。
【００５７】
下側集磁部４３１の先端部４３９は、センサ部５３の先端部５３９よりも、基部４８と反対側まで延びて形成され、切欠部６５３の最奥部にて、基板６５と当接する。切欠部６５３の最奥部には、グランドパターン６６３が露出している。これにより、下側集磁リング４３は、グランドパターン６６３と電気的に接続される。
【００５８】
これにより、第１実施形態等と同様、静電気およびノイズは、センサ本体５３１を通ることなく、グランドパターン６６３および下側集磁リング４３を経由してコラム７５に逃がされる。
本実施形態では、下側集磁部４３１の先端部４３９とグランドパターン６６３との当接箇所が、「導電可能領域」に対応する。
【００５９】
本実施形態のセンサ部５３は、基板６５に表面実装されている。基板６５には、グランド配線部であるグランドパターン６５７、６６３が設けられている。グランドパターン６５７、６６３は、電気的に接続されているものとする。後述の実施形態においても、グランドパターンが「グランド配線部」に対応する。
上側集磁部３０１は、センサ部５３の実装上面側に配置される。下側集磁部４３１は、基板６５に形成される切欠部６５３に挿入されている。
切欠部６５３に下側集磁部４３１を挿入することで、切欠部６５３に挿入しない場合と比較し、上側集磁部３０１と下側集磁部４３１とを近接させることができる。これにより、上側集磁部３０１と下側集磁部４３１との間の磁束をより適切に検出することができる。
【００６０】
下側集磁部４３１は、切欠部６５３に挿入され、当該切欠部６５２の内部にてグランドパターン６６３と導電可能に設けられる。本実施形態では、下側集磁部４３１は、切欠部６５３の最奥部に露出するグランドパターン６６３と導電可能に当接する。
このように構成しても上記実施形態と同様の効果を奏する。また、下側集磁部４３１の形状が簡素であるので、加工が容易である。
本実施形態では、下側集磁リング４３が「導電部材」、下側集磁部４３１が「第１集磁部」に対応し、上側集磁リング３０が「対向部材」に対応する。
【００６１】
（第６実施形態）
本発明の第６実施形態を図１９および図２０に示す。
検出装置２６の上側集磁リング３１には、２つの上側集磁部３１１が形成される。また、下側集磁リング４４には、２つの下側集磁部４４１が形成される。集磁部３１１、４４１の形状等が異なる点を除き、集磁リング３１、４４の機能等は、上記実施形態と同様である。また、基板６７は、配線パターンを除き、上記実施形態の基板６５と同様である。
下側集磁部４４１の先端部４４９は、センサ部５３の先端部５３９よりも基部４８側である。
上側集磁部３１１の先端部３１２は、センサ部５３の先端部５３９より基部３８と反対側まで延びて形成され、基板６７側に折り曲げられて基板６７の素子実装面６７１と当接する。
【００６２】
基板６７において、上側集磁部３１１の先端部３１２との当接箇所には、グランドパターン６７７が露出する。したがって、上側集磁リング３０は、グランドパターン６７７と電気的に接続される。これにより、静電気およびノイズは、センサ本体５３１を通ることなく、グランドパターン６７７および上側集磁リング３１を経由してコラム７５側に逃がされる。
本実施形態では、上側集磁部３１１の先端部３１２とグランドパターン６７７との当接箇所が「導電可能領域」に対応する。
【００６３】
図２０では、グランドパターン６７７は、先端部３１２の当接領域より大きく形成されているが、少なくとも一部が先端部３１２の当接領域と重複するように形成されていれば、当接領域より小さくてもよい。また、上側集磁部３１１の先端部３１２と基板６７とは、単に当接していてもよいし、はんだ接合等により、導電可能に接続されていてもよい。
【００６４】
センサ部５３の実装上面側に配置される上側集磁部３１１は、センサ部５３の外側の領域まで延び、先端部３１２が基板６５側に折れ曲がって形成され、グランドパターン６７７と導電可能に設けられる。本実施形態では、先端部３１２は、素子実装面６７１に露出するグランドパターン６７７と導電可能に当接する。
【００６５】
このように構成しても上記実施形態と同様の効果を奏する。また、上側集磁部３１１を基板６５の素子実装面６５１に当接させればよいので、組み付けが容易である。
本実施形態では、上側集磁リング３１が「導電部材」、上側基部３８が「第１基部」、上側集磁部３１１が「第１集磁部」に対応する。また、下側集磁リング４４が「対向部材」、下側基部４８が「第２基部」、下側集磁部４４１が「第２集磁部」に対応する。
【００６６】
（第７実施形態）
本発明の第７実施形態を図２１および図２２に示す。
本実施形態の検出装置２７の集磁リング３１、４４は第６実施形態と同様であり、基板６５は第５実施形態と同様である。なお、切欠部６５３の最奥部には、グランドパターン６６３（図２１〜図２４では不図示。）が露出していなくてもよい。第８実施形態についても同様である。
本実施形態では、基板６５において、上側集磁部３１１の先端部３１２との当接箇所には、レジスト６５９が形成されている。レジスト６５９は、静電気により絶縁破壊可能、或いは、ノイズが通過可能な容量結合を形成可能な程度のものとする。
【００６７】
レジスト６５９の直下の層であって、先端部３１２の当接領域内には、出力パターン６５５、電源パターン６５６、および、グランドパターン６５７が形成される。これにより、第３実施形態と同様、どの端子に静電気またはノイズが印加された場合であっても、上側集磁リング３１を経由して、コラム７５に静電気エネルギが逃がされる。
【００６８】
先端部３１２は、基板６５のセンサ部５３が実装される側の面である素子実装面６５１のレジスト６５９の直下の層に形成されるグランドパターン６５７、ならびに、グランドパターン以外の非グランドパターンである出力パターン６５５および電源パターン６５６と導電可能に設けられる。
これにより、雑防素子７２を有さない場合であっても、センサ本体５３１を経由することなく、静電気またはノイズをコラム７５側に適切に逃がすことができる。
本実施形態では、出力パターン６５５および電源パターン６５６が「非グランドパターン」に対応する。
【００６９】
（第８実施形態）
本発明の第８実施形態を図２３および図２４に示す。なお、図２４においては、回路パターン、および、雑防素子等の記載を省略した。
本実施形態の検出装置２８は、センサ部５５の端子配列、および、上側集磁リング３２の上側集磁部３２１の形状が異なっている。
センサ部５５は、センサ本体５３１、第１端子群５５３、および、第２端子群５５４を有する。本実施形態では、入力軸９２１側（すなわち図２４の紙面手前側）から見て、センサ本体５３１の右側を第１端子群５５３とし、左側を第２端子群５５４とする。
本実施形態では、上側集磁リング３２の上側集磁部３２１の先端部３２９、および、下側集磁リング４４の下側集磁部４４１の先端部４４９は、いずれもセンサ本体５３１の先端部５３９よりも基部３８、４８側である。
【００７０】
本実施形態では、第１端子群５５３における先端部５３９側から４番目の端子、および、第２端子群５５４における先端部５３９側から３番目の端子がグランド端子５５７である。グランド端子５５７は、第１端子群５５３および第２端子群５５４のいずれの端子に割り当ててもよい。また、第１端子群５５３または第２端子群５５４の一方のグランド端子５５７を省略してもよい。
【００７１】
ここで、上側集磁部３２１が上側基部３８から突出する方向に対して垂直方向（図２４の紙面左右方向）を幅方向とする。
上側集磁部３２１には、グランド端子５５７と対応する箇所にて、幅方向に突出する突出部３２３が形成される。突出部３２３は、基板６５側に折り曲げられて、グランド端子５５７と当接する。突出部３２３とグランド端子５５７とは、単に当接していてもよいし、はんだ接合等により、導電可能に接続されていてもよい。
【００７２】
本実施形態では、センサ部５５の実装上面側に配置される上側集磁部３２１の突出部３２３は、グランド端子５５７と導電可能に設けられる。
これにより、上記実施形態と同様、静電気およびノイズは、センサ本体５３１を通ることなく、グランド端子５５７から上側集磁リング３２に伝わり、コラム７５側に逃がされる。また、突出部３２３が比較的小さく形成可能であるので、上側集磁リング３２の形成に必要な材料の使用量を抑えることができる。
また、上記実施形態と同様の効果を奏する。
本実施形態では、上側集磁リング３２が「導電部材」、上側基部３８が「第１基部」、上側集磁部３２１が「第１集磁部」に対応する。
【００７３】
（他の実施形態）
（ア）集磁リング
第１実施形態〜第４実施形態では、下側集磁リングを経由してコラム側に静電気またはノイズを逃がすように構成した。他の実施形態では、上側集磁リングと下側集磁リングとを入れ替え、上側集磁リングを経由してコラム側に静電気またはノイズを逃がすように構成してもよい。換言すると、静電気またはを逃がすための構成を、上側集磁リングに設けてもよい。この場合、上側集磁リングが「導電部材」、下側集磁リングが「対向部材」に対応する。
【００７４】
第５実施形態では、切欠部の最奥部にて、下側集磁部とグランドパターンとが導電可能に設けられる。他の実施形態では、切欠部の側面側にて、下側集磁部とグランドパターンとが導電可能となるようにしてもよい。
第６実施形態および第７実施形態では、上側集磁部の先端部は、センサ部の基部と反対側に延びて形成される。他の実施形態では、上側集磁部の先端部は、例えば端子形成部に隣接する側等、基板におけるセンサ部の外側のいずれの領域にて、グランドパターンと導電可能となるようにしてもよい。
第８実施形態では、センサ部の両側に突出部を形成する。他の実施形態では、センサ部ごとに１つのグランド端子に対応して突出部が形成されていればよい。
【００７５】
（イ）センサ部
第１実施形態等では、グランド端子が、出力端子と電源端子との間となるように配列される。他の実施形態では、グランド端子は、出力端子と電源端子との間以外の箇所に設けられていてもよく、端子配列はどのようであってもよい。
上記実施形態では、センサ素子は、集磁部間の磁束を検出するものである。他の実施形態では、センサ素子は、磁束以外の電磁気信号を検出するものであってもよい。上記実施形態では、１つのセンサ部に設けられるセンサ素子の数は、１または２である。他の実施形態では、１つのセンサ部に３つ以上のセンサ素子を設けてもよい。
【００７６】
また、上記実施形態では、集磁部およびセンサ部は、２組設けられる。他の実施形態では、集磁部およびセンサ部の組数は、２組に限らず、１組であってもよいし、３組以上であってもよい。集磁部およびセンサ部が複数組ある場合、集磁部およびセンサ部の組み合わせごとに、静電気またはノイズを逃がすための構成が異なっていてもよい。
また、上記実施形態において、「導電可能に当接している」箇所は、絶縁破壊や容量結合等により静電気やノイズを伝達可能な程度の微小ギャップが形成されていてもよい。また、静電気やノイズを伝達可能であれば、例えば絶縁シートやレジストパターン等の別部材が微小ギャップに設けられていてもよい。
【００７７】
（ウ）基板
第５実施形態〜第８実施形態では、センサ部は、基板に実装され、下側集磁部が基板に形成される切欠部に挿入される。切欠部は、集磁リングの基部側に開口している。他の実施形態では、切欠部は、基部側に開口していなくてもよい。換言すると、切欠部は、センサ部の形状に応じた孔部とし、基板実装面と反対側から下側集磁部を挿入するようにしてもよい。また、基板に切欠部を形成しなくてもよい。
（エ）グランド部材
上記実施形態では、グランド部材は、コラムである。他の実施形態では、静電気またはノイズが逃がされるグランド部材は、コラムに限らず、例えば検出装置の筐体等、どのような部材であってもよい。
【００７８】
（オ）検出装置
上記実施形態の検出装置は、トルクセンサに適用される。他の実施形態では、検出装置をトルクセンサ以外に適用してもよい。また、上記実施形態では、トルクセンサは、電動パワーステアリング装置に適用される。他の実施形態では、トルクセンサを電動パワーステアリング装置以外の装置に適用してもよい。
以上、本発明は、上記実施形態になんら限定されるものではなく、発明の趣旨を逸脱しない範囲において種々の形態で実施可能である。
【符号の説明】
【００７９】
１０・・・トルクセンサ
２１〜２８・・・検出装置
３０・・・上側集磁リング（対向部材）
３１、３２・・・上側集磁リング（導電部材）
４０〜４３・・・下側集磁リング（導電部材）
４４・・・下側集磁リング（対向部材）
５１、５３、５５・・・センサ部
５１１、５３１・・・センサ本体      ５１２、５３２・・・センサ素子
５１７、５３７、５５７・・・グランド端子
７５・・・コラム（グランド部材）
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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