(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
支持体と、
前記支持体上に配置された剥離層と、
前記剥離層上に配置され、前記剥離層と接触している接合層と、
前記接合層上に配置され、前記接合層と接触している基板と、を備え、
前記剥離層が、ある量のシリコーン（メタ）アクリレート接着性改質剤を含み、
前記接合層が、ある量のシリコーン（メタ）アクリレート接着性改質剤を含み、
前記剥離層中の前記接着性改質剤の量が、前記接合層中の前記接着性改質剤の量より多い、積層体。
【請求項２】
支持体と、
前記支持体上に配置され、前記支持体と接触している接合層と、
前記接合層上に配置され、前記接合層と接触している剥離層と、
前記剥離層と接触している基板と、を備え、
前記剥離層が、ある量のシリコーン（メタ）アクリレート接着性改質剤を含み、
前記接合層が、ある量のシリコーン（メタ）アクリレート接着性改質剤を含み、
前記剥離層中の前記接着性改質剤の量が、前記接合層中の前記接着性改質剤の量より多いと、積層体。
【請求項３】
支持体上に一時的な取り外し可能な固着層を設ける工程と、
前記固着層を基板に積層して積層体を形成する工程と、
前記積層体に少なくとも１つの更なる処理工程を実施する工程と、
前記基板を損傷することなく、前記固着層から前記基板を引き剥がす工程と、を含み、
前記固着層が、剥離層および接合層を備え、
前記剥離層が、ある量のシリコーン（メタ）アクリレート接着性改質剤を含み、
前記接合層が、ある量のシリコーン（メタ）アクリレート接着性改質剤を含み、
前記剥離層中の前記接着性改質剤の量が、前記接合層中の前記接着性改質剤の量より多い、更なる処理のために基板を保持する方法。
【請求項４】
更に処理される基板上に一時的な取り外し可能な固着層を設ける工程と、
前記固着層を支持体に積層して積層体を形成する工程と、
前記積層体に少なくとも１つの更なる処理工程を実施する工程と、
前記基板を損傷することなく、前記固着層から前記基板を引き剥がす工程と、を含み、
前記固着層が、剥離層および接合層を備え、
前記剥離層が、ある量のシリコーン（メタ）アクリレート接着性改質剤を含み、
前記接合層が、ある量のシリコーン（メタ）アクリレート接着性改質剤を含み、
前記剥離層中の前記接着性改質剤の量が、前記接合層中の前記接着性改質剤の量より多い、更なる処理のために基板を保持する方法。
【請求項５】
基板を接合層でコーティングする工程と、
支持体を剥離層でコーティングする工程と、
前記接合層を有する前記基板を、前記剥離層を有する前記支持体に積層する工程と、を含み、
前記剥離層が、ある量のシリコーン（メタ）アクリレート接着性改質剤を含み、
前記接合層が、ある量のシリコーン（メタ）アクリレート接着性改質剤を含み、
前記剥離層中の前記接着性改質剤の量が、前記接合層中の前記接着性改質剤の量より多い、積層体を作製する方法。
【請求項６】
基板を剥離層でコーティングする工程と、
前記剥離層を接合層でコーティングする工程と、
前記剥離層および前記接合層を有する前記基板を、支持体に積層する工程と、を含み、
前記剥離層が、ある量のシリコーン（メタ）アクリレート接着性改質剤を含み、
前記接合層が、ある量のシリコーン（メタ）アクリレート接着性改質剤を含み、
前記剥離層中の前記接着性改質剤の量が、前記接合層中の前記接着性改質剤の量より多い、積層体を作製する方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本開示は、処理中の一時的基板支持体に関する。
【背景技術】
【０００２】
様々な分野において、例えば、ガラス、フィルム、若しくは半導体ウエハ等の脆い、高価である、又は取り扱うのが困難な基板を処理することに関心がある可能性がある。例えば、電子産業では、真空蒸着、積層、研削、又は他の望ましい処理等の更なる処理のために、ガラス又は半導体ウエハ等の基板を保持することが重要であり得る。典型的に、そのような基板は、支持体（単数又は複数）との積層体を形成することによって保持することができる。所望の処理の後、基板を損傷することなく、基板から支持体を取り外すことができることが重要であり得る。
【０００３】
例えば、半導体産業では、半導体パッケージの厚さを低減するという目的に対応するため、及びチップ積層技術による高密度製作のために、半導体ウエハの厚さを更に低減する努力が行われている。厚さ低減は、半導体ウエハのパターンが形成された回路を含有する表面と反対の表面の、いわゆる裏側研削によって実施される。通常、裏面研削保護テープのみでウエハを保持しながらウエハの裏側又は裏面を研削し、搬送する、従来の技法では、研削されたウエハの不均一な厚さ、又は研削後の保護テープを伴うウエハの反り等の問題のため、実際には、約１５０マイクロメートル（μｍ）の厚さへの厚さ低減しか達成することができない。例えば、未審査の日本特許公開（公開）第６−３０２５６９号は、ウエハが感圧性アクリル酸系接着テープによって環形態のフレーム上に保持され、フレーム上に保持されるこのウエハの裏面が研削され、ウエハが次の工程に搬送される、方法を開示している。しかしながら、この方法は、前述の不均一性又は反りの問題に直面することなく取得され得る現在のウエハ厚さレベルに勝る顕著な改善を、依然として達成していない。
【０００４】
米国特許第７，５３４，４９８号（Ｎｏｄａら）は、シリコンウエハ等の研削される基板を保持するための、支持体から容易に分離することができる支持体に固定される積層体を開示する。積層体は、光吸収剤及び熱分解性樹脂を備える光熱変換層を含む。接合層と接触している面と反対の基板表面を研削した後、光熱変換層を分解させて、基板と光透過支持体を分離するために、光透過層を通してラスタレーザビームを照らすことによって、積層体を照射することができる。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
したがって、例えば、ガラス基板上へのめっき、スパッタリング、若しくは蒸着、又はシリコンウエハの裏側の研削等の処理中の基板の一時的支持体のための、経済的かつ使いやすい方法及び材料の必要性が存在する。基板が処理される際に基板との積層体を形成し、次いで試料を照射する必要なく、処理された基板を一時的支持体から取り外すことができる必要性が存在する。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
一態様では、支持体と、支持体上に配置された剥離層と、剥離層上に配置され、剥離層と接触している接合層と、接合層上に配置され、接合層と接触している基板とを備え、剥離層が、ある量の接着性改質剤を含む、積層体が提供される。いくつかの実施形態では、支持体は、光透過性であってもよい。他の実施形態では、支持体は、遮光性基板である支持体を含むことができる。遮光性基板は、不透明又は半不透明であり、可視線の透過を実質的に遮断する。いくつかの実施形態では、遮光性基板は、選択される可視波長の光を透過し、その一方で他の可視波長の透過を実質的に遮断することができ、したがって、それらは色付きに見える。遮光性基板の例として、金属、合金、セラミックス、及び半導体が挙げられる。
【０００７】
剥離層は、アルキル（メタ）アクリレート等のフリーラジカル反応基を有する少なくとも１つのモノマーの重合から作製されるポリマーを含むことができる。いくつかの実施形態では、剥離層は、いくつかの実施形態ではシリコーン（メタ）アクリレートであってもよい、接着性改質基を含むことができる。いくつかの実施形態では、接合層中にある量の接着性改質剤が存在してもよい。いくつかの実施形態では、剥離層中の接着性改質剤の量は、接合層中の接着性改質剤の量と異なってもよい。提供される積層体は、更なる処理のために保持される基板を備えることができる。
【０００８】
別の態様では、支持体と、支持体上に配置され、支持体と接触している接合層と、接合層上に配置され、接合層と接触している剥離層と、剥離層上に配置された基板とを備える、積層体が提供される。接合層は、いくつかの実施形態ではシリコーン（メタ）アクリレートであってもよい、ある量の接着性改質剤を含む。いくつかの実施形態では、剥離層中にある量の接着性改質剤が存在してもよい。いくつかの実施形態では、剥離層中の接着性改質剤の量は、接合層中の接着性改質剤の量と異なってもよい。いくつかの実施形態では、剥離層及び接合層が架橋される際、それらは、基板を支持体に一時的に固着することができる単一の構成要素として機能することができる。提供される積層体は、更なる処理のために保持される基板を備えることができる。
【０００９】
別の態様では、支持体上に一時的な取り外し可能な固着層を設ける工程と、固着層を基板に積層して積層体を形成する工程と、積層体に少なくとも１つの更なる処理工程を実施する工程と、基板を損傷することなく、固着層から基板を引き剥がす工程とを含む、更なる処理のために基板を保持する方法が提供される。少なくとも１つの更なる処理工程は、基板を、約２００℃を超える温度に暴露する可能性がある。
【００１０】
更に別の態様では、基板を接合層でコーティングする工程と、支持体を剥離層でコーティングする工程と、接合層を有する基板を、剥離層を有する支持体に積層する工程とを含む、積層体を作製する方法が提供される。剥離層、接合層、又は両方は、いくつかの実施形態ではシリコーン（メタ）アクリレートであってもよい、接着性改質剤を含むことができる。いくつかの実施形態では、提供される方法は、真空下で実施される。
【００１１】
本開示において、
「化学線」は、光化学反応を生じさせることができる任意の電磁放射線を指し、紫外線、可視線、及び赤外線を含み、
「上に配置される」は、相互に直接接触しているか、又はそれぞれが、例えば２つの層の表面特性を変性することができる介在層と直接接触しているかのいずれかである、２つの層を指し、
「光透過性支持体」は、相当量（光化学反応をもたらすのに十分な量）の化学線が透過することができる材料を指し、
「（メタ）アクリレート」は、アクリル酸又はメタクリル酸のいずれかに基づくエステル類を指し、
「熱可塑性」は、加熱される際に可逆的に液体になり、冷却される際に非常にガラス状の状態に凍結する、ポリマーを指し、
「熱硬化性（thermoset）」又は「熱硬化性（thermosetting）」は、不可逆的に硬化するポリマー材料を指し、
「紫外線硬化性」は、紫外線（ＵＶ）及び／若しくは可視光で照射することによって誘発される、モノマー又はオリゴマーの重合を指す。
【００１２】
提供される積層体及びそれを作製する方法は、例えば、シリコンウエハの裏側研削又は薄いガラス基板上への蒸着等の作業中の基板支持体を提供する。ある量の接着性改質剤を含む剥離層の使用は、処理後の基板の取り外しのためにカスタマイズされた層を提供するという点で、様々な性質を有する、基板のための支持体を提供する。更に、提供される積層体は、基板上に不必要な応力を付与することのなく高スループットの剥離を可能にすることができる、支持体からの基板の差動剥離（differential release）を提供することができる。これは、基板が非常に薄く、かつ脆性である場合に特に重要である。
【００１３】
上記の概要は、本発明のすべての実施のそれぞれの開示される実施形態を説明することを目的としたものではない。以下の「図面の簡単な説明」及び「発明を実施するための形態」は、代表的な実施形態をより具体的に例示するものである。
【図面の簡単な説明】
【００１４】
【図１】提供される積層体の実施形態の側面断面図である。
【図２】提供される積層体の別の実施形態の側面断面図である。
【図３ａ】提供される積層体を作製するのに有用な真空接着デバイスを示す断面図である。
【図３ｂ】提供される積層体を作製するのに有用な真空接着デバイスを示す断面図である。
【図４】どのように接合層がウエハから引き剥がされるかを示す概略図である。
【発明を実施するための形態】
【００１５】
以下の説明において、本明細書の説明の一部を形成する添付の一連の図面が参照されるが、これらはいくつかの具体的な実施形態の実例として示されている。本発明の範囲又は趣旨を逸脱せずに、その他の実施形態が考えられ、実施され得ることを理解すべきである。したがって、以下の詳細な説明は、限定的な意味で解釈されるべきではない。
【００１６】
特に断りがないかぎり、本明細書及び「特許請求の範囲」で使用される構造のサイズ、量、及び物理的特性を表わす全ての数字は、いずれの場合においても「約」なる語によって修飾されているものとして理解されるべきである。それ故に、そうでないことが示されない限り、前述の明細書及び添付の「特許請求の範囲」で示される数値パラメータは、当業者が本明細書で開示される教示内容を用いて、目標対象とする所望の特性に応じて変化し得る近似値である。終点による数の範囲の使用は、その範囲内（例えば、１〜５は、１、１．５、２、２．７５、３、３．８０、４、及び５を含む）の全ての数及びその範囲内の任意の範囲を含む。
【００１７】
図１は、提供される積層体１００の実施形態の側面断面図である。積層体１００は、基板がシリコンウエハ又は半導体ウエハである場合に、はんだボール又はバンプ１０４を含む場合がある、基板１０２を備える。接合層１０８は、剥離層１０６と接触しており、剥離層１０６と基板１０２との間に配置されている。剥離層１０６は、ある量の接着性改質剤を含む。接合層１０８は、図１に示されるように、はんだバンプ１０４等のいかなる表面凹凸も被包し得る。剥離層１０６は、支持体１１２上に配置される。剥離層１０６の接着は、支持体１１２に引き剥がし力が印加されると、積層体が分離界面１１４で分離するように、含まれる接着性改質剤の量を変えることによって調整される。
【００１８】
図２は、提供される積層体２００の別の実施形態の側面断面図である。積層体２００は、基板がシリコンウエハ又は半導体ウエハである場合に、はんだボール又はバンプ２０４等の凹凸を含む場合がある、基板２０２を備える。剥離層２０８は、ウエハ２０２の回路側（はんだバンプ側）上に配置され、図２に示されるように、はんだバンプ２０４を被包してもよい。接合層２０６は、剥離層２０８と接触しており、剥離層２０８と基板２１２との間に配置されている。本実施形態では、剥離層２０８の接着は、基板２１２に引き剥がし力が印加されると、積層体が分離界面２１４で分離するように調整される。
【００１９】
積層体は、支持体を備える。支持体は、光透過性であってもよく、又は遮光性であってもよい。光透過性である場合、光透過性支持体は、レーザ又はレーザダイオードからの化学線エネルギー等の化学線エネルギーを透過することができる材料であってもよい。支持体の光透過性は、潜在的な剥離層が光活性型である場合に、潜在的な剥離層の分解を可能にするのに実用的な強度レベルの放射エネルギーの潜在的な剥離層への透過を妨げない限り、限定されない。しかしながら、可視光透過性は、典型的に、例えば５０％以上である。光透過性支持体は、典型的に、十分に高い硬さを有し、支持体の曲げ剛性は、好ましくは２×１０−３（Ｐａ・ｍ３）以上、より好ましくは３×１０−２（Ｐａ・ｍ３）以上である。有用な透明な光透過性支持体の例として、ガラスプレート及びアクリルプレートが挙げられる。また、透明な光透過性支持体として、Ｐｙｒｅｘ（登録商標）及びＴｅｎｐａｘとして入手可能なホウケイ酸ガラス、並びにＣｏｒｎｉｎｇ  Ｅａｇｌｅ  ＸＧ等のアルカリ土類ボロ−アルミノケイ酸ガラス等の耐熱ガラスも挙げられる。支持体はまた、不透明であってもよく、又は約５０％未満の可視線を透過してもよい。不透明支持体の例として、半導体ウエハ、セラミックス、金属、又は限られた周波数の可視光のみを透過する光透過性支持体が挙げられる。ＵＶ接合層を使用する場合、支持体は、典型的に、紫外線を透過する。
【００２０】
一実施形態では、提供される積層体は、支持体上に配置される、ある量の剥離層を有する。接合層（典型的に、接着層）は、剥離層と接触している。加えて、剥離層中にある量の接着性改質剤が存在してもよく、この接着性改質剤の量は、層間剥離すると、図１に示されるように、分離界面が剥離層と支持体との間にもたらされるように調整することができる。提供される接合層は、有機及び無機基板材料に対して実質的に不活性（非反応性）であることができ、また、比較的高い温度、例えば２６０℃を上回る無鉛はんだのリフロー条件で安定であることができる。剥離層は、有機基板材料及び無機基板材料の両方に対する適切な接着を有するべきである。
【００２１】
積層体を形成するために、光透過性支持体上に配置された潜在的な剥離プライマー層と併せて、剥離層を使用することが、２０１２年１月３０日に出願された、名称が「Ａｐｐａｒａｔｕｓ，Ｈｙｂｒｉｄ  Ｌａｍｉｎａｔｅｄ  Ｂｏｄｙ，Ｍｅｔｈｏｄ  ａｎｄ  Ｍａｔｅｒｉａｌｓ  ｆｏｒ  Ｔｅｍｐｏｒａｒｙ  Ｓｕｂｓｔｒａｔｅ  Ｓｕｐｐｏｒｔ」の同時係属の共同所有される米国仮特許出願第６１／５９２，１４８号に開示されている。その中に記載される、開示される積層体及び方法は、それらの全体が参照することによって本明細書に組み込まれる。
【００２２】
提供される積層体は、剥離層上に配置された接合層を有する。いくつかの実施形態では、接合層は、基板と剥離層との間に位置し、それらと接触している、材料である。接合層は、典型的に、接着剤である。接合層は、ポリエステル、ポリイミド、ポリカーボネート、ポリウレタン、ポリエーテル、又は天然若しくは合成ゴム等の熱可塑性接着性材料であってもよい。接合層は、架橋されてもされなくてもよく、又は架橋可能であってもなくてもよい。接合層はまた、硬化性ポリマー又は接着剤等の熱硬化性材料であってもよい。提供される積層体発明において、接合層として使用することができる接着剤の例として、ゴム、エラストマー等を溶媒に溶解することによって取得されるゴムベースの接着剤、（メタ）アクリレート、エポキシ、ウレタン等に基づく一部型熱硬化性接着剤、エポキシ、ウレタン、アクリル等に基づく二部型熱硬化性接着剤、ホットメルト接着剤、アクリル、エポキシ等に基づく光（紫外線（ＵＶ）及び／若しくは可視）又は電子ビーム硬化性接着剤、並びに水分散型接着剤が挙げられる。（１）ウレタン（メタ）アクリレート、エポキシ（メタ）アクリレート、若しくはポリエステル（メタ）アクリレート等の重合可能なビニル基を有するオリゴマー、及び／又は（２）アクリル若しくはメタクリルモノマーに、光重合開始剤、及び所望により添加剤を添加することによって取得される光硬化性接着剤が好適に使用される。添加剤の例として、増粘剤、可塑剤、分散剤、充填剤、難燃剤、及び熱安定化剤が挙げられる。一部型熱硬化性接着剤の例は、ペルオキシド又はジアゾ化合物等の熱的に活性化されたフリーラジカル開始剤を含有する（メタ）アクリレートモノマーを含む混合物を使用して重合された接着剤であり得る。
【００２３】
提供される積層体が剥離層と接触している基板を更に備える実施形態では、基板は、例えば、従来の方法では処理することが困難な脆性材料であってもよい。その例として、シリコン及びヒ化ガリウム等の半導体ウエハ、水晶ウエハ、サファイア、及びガラスが挙げられる。基板は、表面凹凸を有することができる。例えば、基板が半導体ウエハである場合、基板は、回路側及び裏側を有することができる。表面側は、配線、集積回路、電子コンポーネント、及び例えば、はんだボール又はバンプ等の伝導コネクタ等の回路素子を含むことができる。ピン、ソケット、電気パッド等の他の電気的接続素子もまた、回路側上に含むことができる。
【００２４】
いくつかの実施形態では、剥離層を介して、処理される基板を支持体に固定するために、接合層を使用することができる。層間剥離によって支持体から基板を分離した後、基板、並びに上に接合層及び剥離層を有する支持体が取得される。したがって、接合層は、引き剥がす等によって、基板から容易に分離されなければならない。したがって、接合層は、剥離層を介して基板を支持体に固定するのに十分に高いが、基板からの分離を可能にするのに十分に低い、接着強度を有する。本発明において接合層として使用することができる接着剤の例として、ゴム、エラストマー等を溶媒中に溶解することによって取得されるゴムベースの接着剤、エポキシ、ウレタン等に基づく一部型熱硬化性接着剤、エポキシ、ウレタン、アクリル等に基づく二部型熱硬化性接着剤、アクリル、エポキシ等に基づくホットメルト接着剤、紫外線（ＵＶ）又は電子ビーム硬化性接着剤、及び水分散型接着剤が挙げられる。
【００２５】
基板は、片側上に、回路パターン又は他の局所的特徴等の凸凹を有することができる。接合層が処理される基板の凸凹を充填するために、接合層に使用される接着剤は、コーティング及び積層中、典型的に液体状態であり、好ましくは、コーティング及び積層作業の温度（例えば、２５℃）で、１０，０００センチポアズ（ｃｐｓ）未満の粘度を有する。この液体接着剤は、典型的に、後で説明される様々な方法の中でも、スピンコーティング法によってコーティングされる。接合層の厚さを均一にすることを可能にし、更に、上述の理由のために処理速度を速くすることができる、紫外線硬化性接着剤又は可視光硬化性接着剤が典型的に使用される。
【００２６】
接着剤の貯蔵弾性率は、典型的に、溶媒型接着剤の場合には接着剤の溶媒が除去された後、硬化性接着剤の場合には硬化された後、又はホットメルト接着剤の場合には通常温度で凝固した後、使用条件下で、２５℃で１００ＭＰａ以上、及び５０℃で１０ＭＰａ以上であることができる。この弾性係数で、研削される基板が研削中に課せられる応力によって反る又は歪むことを防ぐことができ、極薄になるまで基板を均一に研削することができる。本明細書で使用される場合、貯蔵弾性率又は弾性係数は、例えば、１Ｈｚの周波数、０．０４％のひずみ、及び５℃／分の温度ランプ速度の引張モードで、２２．７ｍｍ×１０ｍｍ×５０μｍのサイズの接着剤試料で測定することができる。この貯蔵弾性率を、Ｒｈｅｏｍｅｔｒｉｃｓ，Ｉｎｃによって製造されるＳＯＬＩＤＳ  ＡＮＡＬＹＺＥＲ  ＲＳＡ  ＩＩ（商標）を使用して測定することができる。裏材は、基板から接合層を引き剥がすことによって分離することができるように、十分に高い可撓性を有さなければならない。
【００２７】
接合層の厚さは、研削される基板の研削に要求される厚さ均一性、及び積層体から支持体を取り外した後にウエハから接合層を引き剥がすのに必要な引き裂き強さを保証することができ、かつ、基板表面上の凸凹を十分に吸収することができる限り、特に限定されていない。接合層の厚さは、典型的に、約１０μｍ〜約１５０μｍ、好ましくは約２５μｍ〜約１００μｍである。
【００２８】
接合層が硬化性（メタ）アクリレートポリマーを含む場合、接合層は、ある量の接着性改質剤を更に含むことができる。接合層は、約０．１重量％を超える量、又は約６．０重量％未満の量の硬化性（メタ）アクリレート接着性改質剤を含むことができる。いくつかの実施形態では、硬化性（メタ）アクリレート接着性改質剤は、（メタ）アクリレート基（単数若しくは複数）又はメタクリレート基（単数若しくは複数）のうちの少なくとも１つで置換されたシリコーンポリマーであってもよい。典型的に、硬化性（メタ）アクリレート接着性改質剤は、硬化前に硬化性（メタ）アクリレートポリマー中に可溶性であることができる。加えて、硬化性（メタ）アクリレート接着性改質剤と硬化性（メタ）アクリレートポリマーとの組み合わせの粘度は、周辺温度で約１０，０００センチポアズ未満、及びより好ましくは５，０００センチポアズ未満であることができる。例えば、硬化性（メタ）アクリレート接着性改質剤は、Ｃｙｔｅｃ  Ｉｎｄｕｓｔｒｉｅｓ（Ｗｅｓｔ  Ｐａｔｅｒｓｏｎ，ＮＪ）からのＥＢＥＣＲＹＬ  ３５０、Ｓａｒｔｏｍｅｒ  Ｃｏｍｐａｎｙ（Ｅｘｔｏｎ，ＰＡ）からのＣＮ９８００、又はＥｖｏｎｉｋ  Ｉｎｄｕｓｔｒｉｅｓ（Ｅｓｓｅｎ，Ｇｅｒｍａｎｙ）から入手可能なＴＥＧＯ  ＲＡＤ  ２２５０、ＴＥＧＯ  ＲＡＤ  ２５００、ＴＥＧＯ  ＲＡＤ  ２６５０、若しくはＴＥＧＯ  ＲＡＤ  ２７００等の（メタ）アクリレート変性シリコーンポリマーであってもよい。
【００２９】
剥離層は、フリーラジカル反応基を有する少なくとも１つのモノマーの重合から作製されるポリマーを含むことができる。いくつかの実施形態では、フリーラジカル反応基を有する少なくとも１つのモノマーは、アルキル（メタ）アクリレートを含むことができる。いくつかの実施形態では、有用なポリマーは、アルキル基中に１〜１４個の炭素を有するアルキル（メタ）アクリレートを約７５〜約９５重量部含むことができる、アルキル（メタ）アクリレート組成物から得られる。アルキル（メタ）アクリレートは、脂肪族、脂環式、又は芳香族アルキル基を含むことができる。有用なアルキル（メタ）アクリレート（即ち、アクリル酸アルキルエステルモノマー）として、アルキル基が、１〜１４個まで、特に１〜１２個までの炭素原子を有する、非三級アルキルアルコールの直鎖若しくは分岐鎖１官能性（メタ）アクリレート又はメタクリレートが挙げられる。有用なモノマーとして、例えば、２−エチルヘキシル（メタ）アクリレート、エチル（メタ）アクリレート、メチル（メタ）アクリレート、ｎ−プロピル（メタ）アクリレート、イソプロピル（メタ）アクリレート、ペンチル（メタ）アクリレート、ｎ−オクチル（メタ）アクリレート、イソオクチル（メタ）アクリレート、イソノニル（メタ）アクリレート、ｎ−ブチル（メタ）アクリレート、イソブチル（メタ）アクリレート、ヘキシル（メタ）アクリレート、ｎ−ノニル（メタ）アクリレート、イソアミル（メタ）アクリレート、ｎ−デシル（メタ）アクリレート、イソデシル（メタ）アクリレート、ドデシル（メタ）アクリレート、イソボルニル（メタ）アクリレート、シクロヘキシル（メタ）アクリレート、フェニルメタ（アクリレート）、ベンジルメタ（アクリレート）、及び２−メチルブチル（メタ）アクリレート、並びにそれらの組み合わせが挙げられる。
【００３０】
他の有用なフリーラジカル反応基として、カルボン酸、アミド、ウレタン、又は尿素官能基を含有するアクリルモノマー等の共重合可能な極性モノマーを挙げることができる。Ｎ−ビニルラクタムのような弱極性モノマーも含まれ得る。有用なＮ−ビニルラクタムは、Ｎ−ビニルカプロラクタムである。広くは、接着剤中の極性モノマー含有量として、約５重量部未満又は更には約３重量部未満の１つ以上の極性モノマーを挙げることができる。弱い極性しかない極性モノマーを、例えば１０重量部以下の、より高いレベルで組み込んでよい。有用なカルボン酸として、アクリル酸及びメタクリル酸が挙げられる。有用なアミドとして、Ｎ−ビニルカプロラクタム、Ｎ−ビニルピロリドン、（メタ）アクリルアミド、Ｎ−メチル（メタ）アクリルアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアクリルアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルメタ（アクリルアミド）、及びＮ−オクチル（メタ）アクリルアミドが挙げられる。
【００３１】
フリーラジカル反応基を有する少なくとも１つのモノマーは、２−ヒドロキシエチル（メタ）アクリレート、３−ヒドロキシプロピル（メタ）アクリレート、４−ヒドロキシブチル（メタ）アクリレート、２−ヒドロキシエチルアクリルアミド、及びＮ−ヒドロキシプロピルアクリルアミド等のヒドロキシル含有モノマーを含むことができる。また、エチレンオキシド又はプロピレンオキシドから得られるグリコールに基づくヒドロキシ官能性モノマーも使用することができる。ビニル基等の他の重合可能なフリーラジカル反応基もまた、本開示の範囲内に含むことができる。ビニル基含有モノマーとして、ハロゲン化ビニル、ハロゲン化ビニリデン；エチルビニルエーテル、ｎ−ブチルビニルエーテル、イソ−ブチルビニルエーテル、第三級ブチルビニルエーテル、シクロヘキシルビニルエーテル、２−エチルヘキシルビニルエーテル、及びドデシルビニルエーテル等のビニルエーテル；１，４−ブタンジオールジビニルエーテル、ジエチレングリコールジビニルエーテル等のジビニルエーテル；ヒドロキシブチルビニルエーテル等のヒドロキシビニル化合物、及び１，４−シクロヘキサンジメタノールモノビニルエーテルを挙げることができる。
【００３２】
剥離層はまた、ある量の接着性改質剤も含むことができる。接着性改質剤は、接合層で有用な材料と同一の材料を含むことができる。いくつかの実施形態では、剥離層及び接合層は、異なる量の接着性改質剤を含むことができる。典型的に、剥離層は、接合層より多い量の接着性改質剤を有する。接合層は、追加の接着性改質剤を有さなくてもよい。剥離層がアクリル系接着剤系であり、接着性改質剤がシリコーン（メタ）アクリレートである場合、シリコーン（メタ）アクリレートは、剥離層の総量の最大０．５重量％（ｗｔ％）、最大１．０ｗｔ％、最大２．０ｗｔ％、最大３．０ｗｔ％、又は更には最大５．０ｗｔ％の量で、剥離層中に存在することができる。基板が層間剥離すると、所望の場所に分離界面が生じるように、剥離層中の接着性改質剤の量を調整することができる。例えば、図１に図示される実施形態では、分離界面１１４の所望の場所は、剥離層と支持体との間であり、一方、図２に図示される実施形態では、所望の分離界面２１４は、接合層から支持体の代わりに、剥離層と基板との間である。
【００３３】
シリコーン（メタ）アクリレート接着性改質剤の有用なタイプは、化学構造（Ｉ）：
【００３４】
【化１】
0006268158.tif 000002
（式中、Ｒ１及びＲ２は、ポリエチレンオキシド、ポリプロピレンオキシド、及びポリテトラメチレンオキシド等の炭化水素ベースのラジカル、Ｃ２〜Ｃ１２脂肪族ラジカル、Ｃ２〜Ｃ１２環状脂肪族ラジカル、芳香族ラジカル、並びにポリエステルベースのラジカルであり、Ｒ３は、Ｈ又はＣＨ３のいずれかである）を有する有機変性（メタ）アクリル化シリコーンである可能性がある。例示的な材料は、Ｅｖｏｎｉｋ  Ｉｎｄｕｓｔｒｉｅｓ（Ｍｏｂｉｌｅ，Ａｌａｂａｍａ）から入手可能なＴＥＧＯＲＡＤ  ２２５０、２１００、２２００、２３００、及びＣｙｔｅｃ（Ｗｏｏｄｌａｎｄ  Ｐａｒｋ，Ｎ．Ｊ）から入手可能なＥＢＥＣＲＹＬ  ３５０のようなポリ（アルキレンオキシド）変性シリコーン（メタ）アクリレート、Ｍｉｗｏｎ  Ｓｐｅｃｉａｌｔｙ  Ｃｈｅｍｉｃａｌｓ（Ｓｏｕｔｈ  Ｋｏｒｅａ）から入手可能なＭＩＲＡＭＥＲ  ＳＩＰ  ９００等のポリエステル変性シリコーン（メタ）アクリレート、及び同様にＥｖｏｎｉｋ  Ｉｎｄｕｓｔｒｉｅｓから入手可能なＡＬＢＩＦＬＥＸ  ７１２のような芳香族エポキシ変性シリコーン（メタ）アクリレートである。他の好適な（メタ）アクリレート変性シリコーンポリマーは、Ｓｉｌｔｅｃｈ  Ｃｏｒｐｏｒａｔｉｏｎ（Ｔｏｒｏｎｔｏ，Ｃａｎａｄａ）からＳＩＬＭＥＲ  ＡＣＲの商品名で入手可能な直鎖の二官能性の水分散性（メタ）アクリレートシリコーンプレポリマーであり得る。これらの例は、ＳＩＬＭＥＲ  ＡＣＲ  Ｄｉ−１５０８、ＳＩＬＭＥＲ  ＡＣＲ  Ｄｉ−２５１０、ＳＩＬＭＥＲ  ＡＣＲ  Ｄｉ−１０１０、ＳＩＬＭＥＲ  ＡＣＲ  Ｄｉ−２０１０、及びＳＩＬＭＥＲ  ＡＣＲ  Ｄｉ−４５１５であり得る。追加の好適な（メタ）アクリレート変性シリコーンポリマーとして、Ｍｏｍｅｎｔｉｖｅ  Ｐｅｒｆｏｒｍａｎｃｅ  Ｍａｔｅｒｉａｌｓ（Ａｌｂａｎｙ  ＮＹ）からのＣＯＡＴＯＳＩＬ  ３５０３及びＣＯＡＴＯＳＩＬ  ３５０９等の反応性コーティング添加剤が挙げられる。これらの変性シリコーン（メタ）アクリレートは、接合層及び剥離層における適合性を改善する。改善された適合性は、一般的に、層状体の処理工程のいずれかでの早期の層間剥離の防止におけるより高い有効性をもたらし、依然として、剥離処理中の容易な取り外しを可能にする。接着性改質剤の典型的なレベルは、接合層中及び剥離層中に０．１〜１０重量％である。より典型的なレベルは、０．１〜４％である。
【００３５】
剥離層、接合層、又は両方の層はまた、消泡剤も含むことができる。消泡剤は、ペルフルオロエーテルモノマーを備えることができる。提供される接合層等の接着剤組成物にそのようなモノマーを少量添加することによって、特に積層体の真空形成中の泡立ちを防止することができることが発見された。接合層の基板又は支持体への接着を選択的に低減するのに十分な量の全フッ素化エーテルモノマーを使用することができる。加えて、２０１１年９月３０日に出願された出願人の共有米国出願第１３／２４９，５０１号（Ｌａｒｓｏｎら）に開示される通りである。モノマーは、一般的に、硬化性構成要素の少なくとも０．０５ｗｔ％かつ接着剤構成要素の５ｗｔ％以下の量で使用される。
【００３６】
接合層はまた、硬化性（メタ）アクリレートポリマー及びある量のアクリル系接着性改質剤に加えて、例えば、光開始剤も含むことができる。接着剤接合層は、例えば、約０．５重量％〜約５重量％の範囲の量で光開始剤を含むことができる。有用な光開始剤として、光硬化に有用であることが既知のフリーラジカル多官能性（メタ）アクリレートが挙げられる。例示的な光開始剤として、α−メチルベンゾイン等のベンゾイン及びその誘導体；α−フェニルベンゾイン；α−アリルベンゾイン；α−ベンジルベンゾイン；ベンジルジメチルケタール（例えば、ＢＡＳＦ（Ｆｌｏｒｈａｍ  Ｐａｒｋ，ＮＪ）からの「ＩＲＧＡＣＵＲＥ  ６５１」）、ベンゾインメチルエーテル、ベンゾインエチルエーテル、ベンゾインｎ−ブチルエーテル等のベンゾインエーテル；２−ヒドロキシ−２−メチル−１−フェニル−１−プロパノン（例えば、ＢＡＳＦからの「ＤＡＲＯＣＵＲ  １１７３」）及び１−ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトン（例えば、ＢＡＳＦからの「ＩＲＧＡＣＵＲＥ  １８４」）等のアセトフェノン及びその誘導体；２−メチル−１−［４−（メチルチオ）フェニル］−２−（４−モルホリニル）−１−プロパノン（例えば、ＢＡＳＦからの「ＩＲＧＡＣＵＲＥ  ９０７」）；２−ベンジル−２−（ジメチルアミノ）−１−［４−（４−モルホリニル）フェニル］−１−ブタノン（例えば、ＢＡＳＦからの「ＩＲＧＡＣＵＲＥ  ３６９」）、並びにエチル−２，４，６−トリメチルベンゾイルフェニルホスフィネート（例えば、ＢＡＳＦ（Ｆｌｏｒｈａｍ  Ｐａｒｋ，ＮＪ）からの「ＴＰＯ−Ｌ」）等のホスフィネート誘導体が挙げられる。
【００３７】
他の有用な光開始剤として、例えば、ピバロインエチルエーテル、アニソインエチルエーテル、アントラキノン（例えば、アントラキノン、２−エチルアントラキノン、１−クロロアントラキノン、１，４−ジメチルアントラキノン、１−メトキシアントラキノン、又はベンズアントラキノン）、ハロメチルトリアジン、ベンゾフェノン及びその誘導体、ヨードニウム塩及びスルホニウム塩、ビス（η５−２，４−シクロペンタジエン−１−イル）−ビス［２，６−ジフルオロ−３−（１Ｈ−ピロール−１−イル）フェニル］チタン（例えば、ＢＡＳＦからの「ＣＧＩ  ７８４ＤＣ」）等のチタン錯体；ハロメチル−ニトロベンゼン（例えば、４−ブロモメチルニトロベンゼン）、モノ−及びビス−アシルホスフィン（例えば、「ＩＲＧＡＣＵＲＥ  １７００」、「ＩＲＧＡＣＵＲＥ  １８００」、「ＩＲＧＡＣＵＲＥ  １８５０」、及び「ＤＡＲＯＣＵＲ  ４２６５」）が挙げられる。典型的に、開始剤は、０．１重量％〜１０重量％、好ましくは２重量％〜４重量％の範囲の量で使用される。
【００３８】
接合層はまた、硬化性（メタ）アクリレートポリマー、硬化性（メタ）アクリレート接着性改質剤、及び光開始剤に加えて、例えば、反応性希釈剤も含むことができる。接着剤接合層は、例えば、約１０重量％〜約７０重量％の範囲の量で反応性希釈剤を含むことができる。反応性希釈剤は、粘度及び／又は硬化組成物の物理的特性を調整するために使用することができる。好適な反応性希釈剤の例として、単官能性及び多官能性（メタ）アクリレートモノマー（例えば、エチレングリコールジ（メタ）アクリレート、ヘキサンジオールジ（メタ）アクリレート、トリエチレングリコールジ（メタ）アクリレート、トリメチロールプロパントリ（メタ）アクリレート、トリプロピレングリコールジ（メタ）アクリレート、テトラヒドロフルフリル（メタ）アクリレート、フェノキシエチルアクリレート）、ビニルエーテル（例えば、ブチルビニルエーテル）、ビニルエステル（例えば、ビニルアセテート）、及びスチレンモノマー（例えば、スチレン）が挙げられる。
【００３９】
別の態様では、支持体と、支持体上に配置され、支持体と接触している接合層と、接合層上に配置された基板とを備え、接合層が、ある量の接着性改質剤を含む、積層体が提供される。「上に配置された」とは、接合層と支持体との間に、表面又は接着特性を変える１つ以上の介在層が存在してもよいことが意味される。提供される積層体は、図２に図示されるように、接合層と基板との間に位置し、又はそれらの間にあり、それらの両方と接触している、剥離層を更に含むことができる。剥離層は、上述され、上記に開示されるように、ある量の接着性改質剤も含む。剥離層中の接着性改質剤の量は、接合層中の接着性改質剤の量より多くてもよい。
【００４０】
図２に示されるようないくつかの実施形態では、剥離層及び接合層を、同一の接着剤ベースの材料から作製することができる。いくつかの実施形態では、それらは、分離界面の場所を制御するために、異なる量の接着性改質剤添加剤を有することができる。いくつかの他の実施形態では、例えば、基板及び支持体が同一の材料（それぞれが、例えば、ガラス又は半導体ウエハである）で作製される場合、剥離層及び接合層は、同一量の接着性改質剤を伴う、厳密に同一の材料であってもよい。いくつかの実施形態では、剥離層及び接合層は１つであり、同一であってもよい。これらの実施形態では、１つの接合層のみが利用される。
【００４１】
剥離層及び接合層を、単一の構成要素となり、基板と支持体との間の一時的な固着を提供することができるように、架橋させることができる。剥離層中及び接合層中（存在する場合）の接着性改質剤の量が、基板及び支持体の表面エネルギーに対して適切に調整される場合、装置を使用して、又は単に手で引き剥がすことによって、支持体から基板を容易に取り外すことができる。
【００４２】
提供される積層体の製造中、空気等の望ましくない異物が層間に入る、又は積層体の層のいずれかが剥離するのを防止することが重要であり得る。気泡を防止するために、積層体は、以下に記載されるように、真空装置内で作製されてもよい。図１に示される積層体１００を製造する場合、例えば、以下の方法が考察され得る。最初に、当業者に既知の方法のうちの任意の１つによって、剥離層１０６の前駆体コーティング溶液を支持体１１２上にコーティングし、所望により硬化させることができる。基板１０２の非研削側又は回路側上に、接合層１０８をコーティングすることができる。次いで、コーティングされた支持体１１２及びコーティングされた基板１０２を、提供される積層体を形成するように共に積層することができる。そのような積層体の形成は、典型的に、層間に空気が入るのを防止するために真空下で実施される。これは、例えば、米国特許第６，２２１，４５４号（Ｋａｚｕｔａら）に記載される真空接着デバイスを改造することによって達成することができる。
【００４３】
基板に処理が施されている間、基板を保持するために、提供される積層体を使用することができる。そのような処理として、例えば、裏側研削工程、真空コーティングを含むコーティング工程、蒸着工程、エッチング工程、ストリッピング工程、化学処置工程、アニーリング工程、研磨工程、応力除去工程、固着又は付着工程、光学測定工程、及び電気試験工程が挙げられる。企図される処理は、基板を、約１５０℃を超える、約２００℃を超える、又は更には約３００℃を超える温度に暴露する可能性がある。
【００４４】
支持体上に一時的な取り外し可能な固着層を設ける工程と、固着層を基板に積層して積層体を形成する工程と、積層体に少なくとも１つの更なる処理工程を実施する工程と、基板を損傷することなく、固着層から基板を引き剥がす工程とを含む、更なる処理のために基板を保持する方法が提供される。上述されるように、固着層は、接合層と、剥離層とを含むことができる。いくつかの実施形態では、固着層は、共に架橋された接合層と剥離層との組み合わせを含む、単一の構成要素である。剥離層又は接合層のうちの少なくとも１つは、いくつかの実施形態では、シリコーン（メタ）アクリレートであってもよい、ある量の接着性改質剤を含むことができる。いくつかの実施形態では、基板を保持する方法は、更に処理される基板上に一時的な取り外し可能な固着層を設ける工程と、固着層を支持体に積層する工程と、積層体に少なくとも１つの更なる処理工程を実施する工程と、基板を損傷することなく、固着層から基板を引き剥がす工程とを伴うことができる。
【００４５】
一態様では、本開示の方法を、図面を参照して以下に記載することができる。図３ａ及び図３ｂは、本開示の一実施形態の積層体を生産するのに好適な真空接着デバイスの断面図である。真空接着デバイス３２０は、真空チャンバ３２１と、真空チャンバ３２１内に提供され、上に基板３０２又は支持体３０５が配置される、支持部分３２２と、真空チャンバ３２１内に提供され、支持部分３２２の上側部分で垂直方向に移動可能であり、支持体３０５又は基板３０２のうちの他方を保持する、保持／剥離手段３２３とを備える。真空チャンバ３２１は、真空チャンバ３２１内部の圧力を低減することができるように、パイプ３２４を介して減圧デバイス３２５に接続される。保持／剥離手段２３３は、垂直方向に上下に移動可能なシャフト３２６と、シャフト３２６の遠位端に提供される接触面部分３２７と、接触面部分３２７の周囲に提供される板バネ３２８と、それぞれの板バネ３２８から延在する保持爪３２９とを有する。図３ａに示されるように、板バネ３２８が真空チャンバ３２１の上面と接触している際、板バネ３２８は、圧縮され、保持爪３２９は、支持体３０５又はウエハ３０２を周縁部で保持するように垂直方向に向けられる。一方、図３ｂに示されるように、シャフト３２６が押し下げられる際、支持体３０５又はウエハ３０２は、それぞれ、支持部分上に配置されたウエハ３０２又は支持体３０５に近接し、保持爪３２９は、支持体３０５及びウエハ３０２を重ね合わせるように、板バネ３２８と共に解放される。
【００４６】
真空接着デバイス３２０を使用して、以下のように、提供される積層体を製造することができる。最初に、上述されるように、支持体３０５上に剥離層が提供される。別で、積層される基板が用意される。基板３０２上に接合層が提供される。次いで、図３ａに示されるように、支持体３０５及びウエハ３０２が真空接着デバイス３２０の真空チャンバ３２１内に配置され、減圧デバイスによって減圧され、提供される積層体を取得するために、図３ｂに示されるように、ウエハを層状にする、又は積層するようにシャフト３２６が押し下げられ、空気に対して開放された後、所望により、接着剤が硬化される。
【００４７】
基板が処理された後、基板から支持体を分離することができる。いくつかの実施形態では、分離後、基板は、接合層と、それに付着した剥離層とを有する。
【００４８】
図４は、どのように接合層／剥離層を引き剥がすことができるかを示す概略図である。接合／剥離層４０３を取り外すために、接着テープ４８０を使用することができる。接着テープ４８０は、基板４０２と接合層４０３との間の接着固着より強力な、接合／剥離層４０３との接着固着を作り出すことができる。
【００４９】
本開示は、例えば、以下の用途で有効である。
【００５０】
１．高密度実装のための層状ＣＳＰ（Chip ScalePackage）
本開示は、例えば、多機能又は高性能を実現するために、複数の大規模集積（ＬＳＩ）デバイス及び受動部品が単一のパッケージ内に収容され、積層マルチチップパッケージと称される、システムインパッケージと称されるデバイス形態で有用である。本開示によると、これらのデバイスのための２５μｍ以下のウエハを信頼性をもって高歩留りで製造することができる。
【００５１】
２．高機能及び高速処理を要求する貫通型ＣＳＰ
このデバイスでは、チップは、貫通電極によって接続され、そのため、配線長さが短縮され、電気特性が改善される。貫通電極を形成するための貫通孔の形成及び貫通孔への銅の埋め込み等の技術的問題を解決するために、チップの厚さが更に低減される場合がある。本開示の層状体を使用することによって、そのような構成を有するチップを連続的に形成する場合、ウエハの裏面上に絶縁フィルム及びバンプ（電極）が形成されてもよく、層状体は、熱及び化学物質に対する耐性を有する必要がある。
【００５２】
３．熱放射効率、電気特性、及び安定性が改善された薄い化合物半導体（例えば、ＧａＡｓ）
ヒ化ガリウム等の化合物半導体は、それらのシリコンより有利な電気特性（高電子移動度、直接遷移型バンド構造）のため、高性能離散チップ、レーザダイオード等に使用される。本開示の層状体を使用し、それによってチップの厚さを低減することによって、その放熱効率が高まり、性能が向上する。現在、厚さ低減のための研削作業及び電極の形成は、グリース又はレジスト材料を使用して、半導体ウエハを支持体としてのガラス基板に接合することによって実施される。したがって、処理の完了後にガラス基板からウエハを分離するために、接合材料は、溶媒によって溶解されてもよい。これには、分離に数日を超える時間が必要であり、廃液を処置する必要があるという問題が伴う。本開示の層状体が使用される場合、これらの問題を解決することができる。
【００５３】
４．生産性を向上させるために大きいウエハに適用
大きいウエハ（例えば、直径が１２インチ（３０．５ｃｍ）のシリコンウエハ）の場合、ウエハ及び支持体を容易に分離することが非常に重要である。本開示の層状体が使用される場合、この分離を容易に実施することができ、したがって、本開示はまた、この分野にも適用することができる。
【００５４】
５．薄い水晶ウエハ
水晶ウエハの分野では、振動周波数を増加させるために、ウエハの厚さ低減が要求される。本開示の層状体が使用される場合、この分離を容易に実施することができ、したがって、本開示はまた、この分野にも適用することができる。
【００５５】
６．液晶ディスプレイのための薄いガラス
液晶ディスプレイの分野では、ディスプレイの重量を低減するために、ガラスの厚さを低減することが所望され、ガラスが均一な厚さであることが望ましい。本開示の層状体が使用される場合、この分離を容易に実施することができ、したがって、本開示はまた、この分野にも適用することができる。
【００５６】
本発明の目的及び利点は、以下の実施例によって更に例示されるが、これらの実施例において列挙された特定の材料及びその量は、他の諸条件及び詳細と同様に本発明を過度に制限するものと解釈されるべきではない。
【実施例】
【００５７】
試験測定
引き剥がし力測定
接合又は剥離層コーティングと基板表面との間の引き剥がし力を判定するために、ＭＴＳ  Ｓｙｓｔｅｍ  Ｃｏｒｐ．（Ｅｄｅｎ  Ｐｒａｉｒｉｅ，Ｍｉｎｎｅｓｏｔａ）から入手可能な、３０ｋＮの能力を有するＩＮＳＩＧＨＴ  ＭＡＴＥＲＩＡＬＳ  ＴＥＳＴＩＮＧ  ＳＹＳＴＥＭ  ３０ＥＬ，８２０．０３０−ＥＬで、引き剥がし力測定を行った。３Ｍ  Ｃｏｍｐａｎｙ（Ｓｔ．Ｐａｕｌ，Ｍｉｎｎｅｓｏｔａ）から入手可能なウエハＤＥ−ＴＡＰＩＮＧ  ＴＡＰＥ  ３３０５の一片を、後処理された試験基板上にコーティングされた接合又は剥離層の表面に積層した。テープは、約７５ｍｍのテープのタブが基板の縁部から延在するように寸法決定された。テープ及びその下の接着剤に、かみそり刃を使用して、約２５ｍｍ離れた２つの平行な切り込みを入れた。基板を装着プレート上に装着し、引張試験機のベースプレート固定具に貼付した。７５ｍｍのテープタブを引張試験機の上側固定具に取り付け、１２５ｍｍ／分の速度で９０度引き剥がし試験を行うことができるように、前記固定具を垂直ロードセルに接続した。
【００５８】
【表１】
0006268158.tif 000003
【００５９】
（実施例１）
直径２０１ｍｍ×厚さ０．７ｍｍのガラス支持体（Ｅａｇｌｅ  ＸＧ、Ｃｏｒｎｉｎｇ  Ｉｎｃ．（Ｃｏｒｎｉｎｇ，Ｎｅｗ  Ｙｏｒｋ，ＵＳＡ）から入手可能）上に、約２．５ｃｍ３の剥離組成物Ｂを注射器で手作業で分注し、スピンコーティング機（ＰＷＭ３２−ＢＤ−ＣＢ１５、Ｈｅａｄｗａｙ  Ｒｅｓｅａｒｃｈ  Ｉｎｃｏｒｐｏｒａｔｅｄ（Ｇａｒｌａｎｄ，Ｔｅｘａｓ））を使用して、３０００ｒｐｍで２５秒間回転させ、均一な１８μｍの厚さのコーティングを達成した。次いで、コーティングされた支持体を、６インチ（１５．２ｃｍ）の長さのＦｕｓｉｏｎ  Ｓｙｓｔｅｍｓ  Ｄ電球、３００ワット／インチ（１１８．１ワット／ｃｍ）を使用して、空気中で５秒間、上向きで硬化させた。
【００６０】
２００ｍｍの裸のシリコンウエハ基板（Ｗａｆｅｒ  Ｒｅｃｌａｉｍ  Ｓｅｒｖｉｃｅｓ（Ｓｐｒｉｎｇ  Ｃｉｔｙ，ＰＡ））上に、約７ｃｍ３の接合組成物Ａを注射器で手作業で分注した。１１５０ｒｐｍで２０秒間のスピンコーティングを介して、ウエハ上に接着剤を均一にコーティングし、４８μｍの厚さのコーティングをもたらした。ウエハ支持系固着機、モデル番号ＷＳＳ  ８１０１Ｍ（Ｔａｚｍｏ  Ｃｏ．，ＬＴＤ．（Ｆｒｅｅｍｏｎｔ，Ｃａｌｉｆｏｒｎｉａ）から入手可能）を使用して、接着剤でコーティングされたシリコンウエハを、直径２０１ｍｍ×厚さ０．７ｍｍのガラス支持体の剥離組成物Ｂでコーティングされた表面に真空下で固着した。６インチ（１５．２ｃｍ）の長さのＦｕｓｉｏｎ  Ｓｙｓｔｅｍｓ  Ｄ電球、３００ワット／インチ（１１８．１ワット／ｃｍ）を使用して、ガラス支持体を通して２０秒間、接合組成物ＡをＵＶ硬化した。
【００６１】
次いで、従来の技法を使用して、シリコンウエハの裏側を５０μｍの厚さに研削した。欠け、亀裂、又は他のウエハ損傷は認められなかった。顧客での裏側熱サイクルを再現するために、固着されたウエハと支持体の積層体を２６０℃で１０分間熱老化させた。Ｓｉウエハ基板若しくはガラス支持体の層間剥離、又は接合組成物Ａ層及び剥離組成物Ｂ層の分離は認められなかった。
【００６２】
手動フレーマモデルＵＨ１１４−８（ＵＳＩ  Ｕｌｔｒｏｎ  Ｓｙｓｔｅｍｓ，Ｉｎｃ．（Ｍｏｏｒｐａｒｋ，ＣＡ，ＵＳＡ）から入手可能）を使用して、固着された積層体をダイシングテープ及びフレームに固着した。次いで、アセンブリをしっかりと貼付するために、固着されてフレームに入れられた積層体を、多孔質真空チャック上に定置した。ガラス支持体及びシリコンウエハ基板によって画定される隙間にかみそり刃を挿入することによって、固着された積層体からのガラス支持体の分離を開始した。ガラス支持体の上に可撓性ポリマー真空プレート（Ｓｕｓｓ  ＭｉｃｒｏＴｅｋ  Ｉｎｃ．（Ｓｕｎｎｙｖａｌｅ，ＣＡ，ＵＳＡ）から入手可能）を位置付け、触れているガラス表面を可撓性プレートに固定するために空気を抜いた。剥離層表面からガラスを連続的に引き離し、最終的に分離するために、可撓性プレートを手で屈曲させ、持ち上げた。ウエハテープ剥がし用テープ８７９（３Ｍ  Ｃｏｍｐａｎｙ（Ｓｔ  Ｐａｕｌ，ＭＮ，ＵＳＡ）から入手可能）を使用する従来のテープ引き剥がし方法で、露出した剥離層及び接着剤接合層を、単一の層としてＳｉウエハ基板表面から機械的に引き剥がした。２６０℃で１０分間の熱老化後の裸のシリコンウエハから接合組成物Ａを分離するのに必要な引き剥がし力は、前もって測定されており、約１Ｎ／２５ｍｍであった。引き剥がした後、ウエハ上には目に見える残留物は残っていなかった。
【００６３】
（実施例２）
２００ｍｍの裸のシリコンウエハ基板（Ｗａｆｅｒ  Ｒｅｃｌａｉｍ  Ｓｅｒｖｉｃｅｓ（Ｓｐｒｉｎｇ  Ｃｉｔｙ，ＰＡ））上に、約２．５ｃｍ３の剥離組成物Ｃを注射器で手作業で分注し、スピンコーティング機（ＰＷＭ３２−ＢＤ−ＣＢ１５、Ｈｅａｄｗａｙ  Ｒｅｓｅａｒｃｈ  Ｉｎｃｏｒｐｏｒａｔｅｄ（Ｇａｒｌａｎｄ，Ｔｅｘａｓ））を使用して、３０００ｒｐｍで２５秒間回転させ、均一な１８μｍの厚さのコーティングを達成した。次いで、コーティングされた支持体を、６インチ（１５．２ｃｍ）の長さのＦｕｓｉｏｎ  Ｓｙｓｔｅｍｓ  Ｄ電球、３００ワット／インチ（１１８．１ワット／ｃｍ）を使用して、空気中で５秒間、上向きで硬化させた。
【００６４】
剥離組成物Ｃでコーティングされた２００ｍｍのシリコンウエハの最上面に、約７ｃｍ３の接合組成物Ａを注射器を使用して手作業で分注した。７６０ｒｐｍで２０秒間のスピンコーティングを介して、ウエハ上に接着剤を均一にコーティングし、約５０μｍの厚さのコーティングをもたらした。ウエハ支持システム固着機、モデル番号ＷＳＳ  ８１０１Ｍ（Ｔａｚｍｏ  Ｃｏ．，ＬＴＤ．（Ｆｒｅｅｍｏｎｔ，Ｃａｌｉｆｏｒｎｉａ）から入手可能）を使用して、接着剤でコーティングされたシリコンウエハを、直径２０１ｍｍ×厚さ０．７ｍｍのガラス支持体（Ｅａｇｌｅ  ＸＧ、Ｃｏｒｎｉｎｇ  Ｉｎｃ．（Ｃｏｒｎｉｎｇ，Ｎｅｗ  Ｙｏｒｋ，ＵＳＡ）から入手可能）に真空下で固着した。６インチ（１５．２ｃｍ）の長さのＦｕｓｉｏｎ  Ｓｙｓｔｅｍｓ  Ｄ電球、３００ワット／インチ（１１８．１ワット／ｃｍ）を使用して、ガラス支持体を通して２０秒間、接合組成物ＡをＵＶ硬化した。
【００６５】
次いで、従来の技法を使用して、シリコンウエハの裏側を５０μｍの厚さに研削した。欠け、亀裂、又は他のウエハ損傷は認められなかった。顧客での裏側熱サイクルを再現するために、固着されたウエハと支持体の積層体を２６０℃で１０分間熱老化させた。Ｓｉウエハ基板若しくはガラス支持体の層間剥離、又は接合組成物Ａ層及び剥離組成物Ｃ層の分離は認められなかった。
【００６６】
手動フレーマモデルＵＨ１１４−８（ＵＳＩ  Ｕｌｔｒｏｎ  Ｓｙｓｔｅｍｓ，Ｉｎｃ．（Ｍｏｏｒｐａｒｋ，ＣＡ，ＵＳＡ）から入手可能）を使用して、固着された積層体をダイシングテープ及びフレームに固着した。次いで、アセンブリをしっかりと貼付するために、固着されてフレームに入れられた積層体を、多孔質真空チャック上に定置した。ガラス支持体及びシリコンウエハ基板によって画定される隙間にかみそり刃を挿入することによって、ガラス支持体からのシリコンウエハ基板の分離を開始した。ガラス支持体の上に可撓性ポリマー真空プレート（Ｓｕｓｓ  ＭｉｃｒｏＴｅｋ  Ｉｎｃ．（Ｓｕｎｎｙｖａｌｅ，ＣＡ，ＵＳＡ）から入手可能）を位置付け、触れているガラス表面を可撓性プレートに固定するために空気を抜いた。剥離層表面からシリコンウエハ基板を連続的に引き離し、最終的に分離するために、屈曲性プレートを手で屈曲させ、持ち上げた。支持体ガラスから分離した後、ウエハ上には目に見える残留物は残っていなかった。露出した剥離層及び接着剤接合層を、単一の層シートとして、ガラス支持体表面から手で引き剥がした。
【００６７】
（実施例３）
直径２０２ｍｍ×厚さ１．０ｍｍのガラス支持体（Ｔｅｍｐａｘ、Ｍｉｔｏｒｉｋａ  Ｇｌａｓｓ  Ｃｏｍｐａｎｙ，Ｌｔｄ．（Ｊａｐａｎ）から入手可能）の上に、約７ｃｍ３の剥離組成物Ｂを注射器を使用して手作業で分注した。１００ｒｐｍで２０秒間のスピンコーティングを介して、ガラス支持体上に接着剤を均一にコーティングし、約５０μｍの厚さのコーティングをもたらした。ウエハ支持システム固着機、モデル番号ＷＳＳ  ８１０１Ｍ（Ｔａｚｍｏ  Ｃｏ．，ＬＴＤ．（Ｆｒｅｅｍｏｎｔ，Ｃａｌｉｆｏｒｎｉａ）から入手可能）を使用して、剥離コーティングされた支持体を、直径２０１ｍｍ×厚さ０．７ｍｍのガラス基板（Ｅａｇｌｅ  ＸＧ、Ｃｏｒｎｉｎｇ  Ｉｎｃ．（Ｃｏｒｎｉｎｇ，Ｎｅｗ  Ｙｏｒｋ，ＵＳＡ）から入手可能）に真空下で固着した。６インチ（１５．２ｃｍ）の長さのＦｕｓｉｏｎ  Ｓｙｓｔｅｍｓ  Ｄ電球、３００ワット／インチ（１１８．１ワット／ｃｍ）を使用して、ガラス支持体を通して２０秒間、剥離組成物ＢをＵＶ硬化した。顧客での裏側熱サイクルを再現するために、固着された基板と支持体の積層体を２５０℃で１時間熱老化させた。剥離組成物Ｂからのガラス基板又は支持体の層間剥離は認められなかった。
【００６８】
次いで、アセンブリをしっかりと貼付するために、固着された積層体を、多孔質真空チャック上に定置した。ガラス支持体及びガラス基板によって画定される隙間にかみそり刃を挿入することによって、ガラス支持体からのガラス基板の分離を開始した。ガラス基板の上に可撓性ポリマー真空プレート（Ｓｕｓｓ  ＭｉｃｒｏＴｅｋ  Ｉｎｃ．（Ｓｕｎｎｙｖａｌｅ，ＣＡ，ＵＳＡ）から入手可能）を位置付け、触れているガラス表面を可撓性プレートに固定するために空気を抜いた。ガラス支持体からガラス基板を連続的に引き離し、最終的に分離するために、可撓性プレートを手で屈曲させ、持ち上げた。露出した剥離層を、単一の層シートとして手で引き剥がした。支持体ガラスから分離した後、基板上には目に見える残留物は残っていなかった。
【００６９】
本発明の範囲及び趣旨から逸脱することなく、本発明の様々な改変及び変更が当業者には明らかとなるであろう。本発明は、本明細書に記載される例示的な実施形態及び実施例によって不当に限定されるものではない点、また、こうした実施例及び実施形態はあくまで例示を目的として示されるにすぎないのであって、本発明の範囲は本明細書において以下に記載する「特許請求の範囲」によってのみ限定されるものである点は理解すべきである。本開示に引用される参照文献はすべて、その全体を本明細書に援用するものである。
【図１】
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【図２】
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【図３ａ】
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【図３ｂ】
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【図４】
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