(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板処理装置のバフパッドをドレスするためのドレッサを備えたコンディショニング部であって、前記ドレッサに洗浄液を噴射して洗浄するドレッサ洗浄機構を更に備え、前記ドレッサの表面は前記ドレッサに隣接配置されたバフテーブルよりも低い位置となっている、コンディショニング部。
【請求項２】
前記ドレッサ洗浄機構は、前記バフテーブルから離れる方向に向かって前記洗浄液を噴射する、請求項１に記載のコンディショニング部。
【請求項３】
前記ドレッサと前記バフテーブルとの間に、前記洗浄液の飛散防止のためのカバーを備える、請求項１又は２に記載のコンディショニング部。
【請求項４】
前記カバーは、揺動するバフパッドとの接触を回避する接触回避機構を有している、請求項３に記載のコンディショニング部。
【請求項５】
前記接触回避機構は、前記カバーを前記ドレッサ又は前記バフテーブルの回転軸の軸線方向に沿って移動させるカバー移動機構を含む、請求項４に記載のコンディショニング部。
【請求項６】
前記カバーは、前記ドレッサの周囲の少なくも一部、又は、前記バフテーブルの周囲の少なくとも一部、を囲む略円筒状のカバーを含み、
前記接触回避機構は、前記略円筒状のカバーの少なくとも一部に形成されたバフパッド通過用の切欠きと、前記カバーを前記ドレッサ又は前記バフテーブルの回転軸と同心で回転させる回転駆動機構とを含む、請求項４又は５に記載のコンディショニング部。
【請求項７】
前記接触回避機構は、前記切欠きを開閉するための可動蓋部材を含む、請求項６に記載のコンディショニング部。
【請求項８】
前記可動蓋部材は、前記カバーに対して円周方向又は中心軸線方向に沿って移動可能である、請求項７に記載のコンディショニング部。
【請求項９】
前記バフテーブルとの間の空間にエアカーテンを形成するエアカーテン形成機構を含む、請求項１から８の何れか一項に記載のコンディショニング部。
【請求項１０】
前記洗浄液の噴射が停止している間は、前記エアカーテンの形成も停止される、請求項９に記載のコンディショニング部。
【請求項１１】
前記ドレッサの周囲において局所排気状態を形成する局所排気形成機構を含む、請求項１から１０の何れか一項に記載のコンディショニング部。
【請求項１２】
前記洗浄液は、ＤＩＷを含む、請求項１から１１の何れか一項に記載のコンディショニング部。
【請求項１３】
バフパッドを洗浄するためのバフパッド洗浄機構をさらに有し、前記バフパッド洗浄機構は超音波洗浄液を用いる、請求項１から１３の何れか一項に記載のコンディショニング部。
【請求項１４】
請求項１から１３の何れか一項に記載のコンディショニング部と、ウェハを保持するバフテーブルと、バフパッドを保持して前記ウェハをバフ処理するバフヘッドとを含むバフ処理モジュールであって、
前記ドレッサと前記バフテーブルとの間に、前記洗浄液の飛散防止のためのカバーが固定して設けられる場合に、前記バフヘッドは、前記ドレッサの回転軸線の方向又は前記ウェハの回転軸線の方向に沿って移動可能であり、前記バフヘッドは、前記カバーより高い位置まで移動した状態で前記コンディショニング部と前記バフテーブルとの間を移動可能である、バフ処理モジュール。
【請求項１５】
前記バフテーブルの周囲の少なくとも一部にバフテーブルカバーを備える、請求項１４に記載のバフ処理モジュール。
【請求項１６】
前記バフテーブルの上方から下降気流を発生させる下降気流発生機構を含む、請求項１４又は１５に記載のバフ処理モジュール。
【請求項１７】
請求項１から１３の何れか一項に記載のコンディショニング部を備える、基板処理装置。
【請求項１８】
請求項１４から１６の何れか一項に記載のバフ処理モジュールを備える、基板処理装置。
【請求項１９】
基板処理装置のバフパッドをドレスするためのドレッサを備えたコンディショニング部において、前記ドレッサを洗浄するドレスリンス方法であって、
前記ドレッサに洗浄液を噴射して洗浄するドレッサ洗浄機構を備え、前記ドレッサの表面を前記ドレッサに隣接配置されたバフテーブルよりも低い位置とし、前記ドレッサ洗浄機構から前記ドレッサに向けて前記洗浄液を噴射する、方法。
【請求項２０】
前記ドレッサへの洗浄液の噴射は、前記バフテーブルでの基板に対する処理と並行して行われる、請求項１９に記載の方法。
【請求項２１】
ドレッサの周囲又はバフテーブルの周囲の少なくとも一部に所定のカバーを設け、前記バフパッドを前記バフテーブルと前記ドレッサとの間で移動させる際に、接触回避機構を動作させて、前記バフパッドと前記カバーとの接触を回避する、請求項１９又は２０に記載の方法。
【請求項２２】
前記ドレッサへの洗浄液の噴射と同時に、前記バフテーブルとドレッサとの間にエアカーテンを形成すること、前記ドレッサの周囲に局所排気状態を形成すること、そして前記バフテーブルの上方から下降気流を形成すること、の少なくとも何れか一つを行う、請求項１９から２１の何れか一項に記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、コンディショニング部、バフ処理モジュール、基板処理装置、及び、ドレスリンス方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
近年、半導体ウェハなどの基板に対して各種処理を行うために基板処理装置が用いられている。基板処理装置の一例としては、基板の研磨処理を行うためのＣＭＰ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ  Ｐｏｌｉｓｈｉｎｇ）装置が挙げられる。
【０００３】
ＣＭＰ装置は、基板の研磨処理を行うための研磨ユニット、基板の洗浄処理及び乾燥処理を行うための洗浄ユニット、及び、研磨ユニットへ基板を受け渡すとともに洗浄ユニットによって洗浄処理及び乾燥処理された基板を受け取るロード／アンロードユニット、などを備える。また、ＣＭＰ装置は、研磨ユニット、洗浄ユニット、及びロード／アンロードユニット内で基板の搬送を行う搬送機構を備えている。ＣＭＰ装置は、搬送機構によって基板を搬送しながら研磨、洗浄、及び乾燥の各種処理を順次行う。洗浄ユニットとしては、半導体基板に洗浄部材を当接させてスクラブ洗浄し、洗浄後の洗浄部材を表面が粗い修正部材１５の平面に擦り付けて自己洗浄するものが開示されている（特許文献１参照）。
【０００４】
ところで、基板処理装置には、バフ処理モジュールが設けられる場合がある。このバフ処理モジュールは、基板に対してバフ研磨処理とバフ洗浄処理の少なくとも一方を施すものである。バフ研磨処理とは、ウェハに対してバフパッドを接触させながら、ウェハとバフパッドを相対運動させ、ウェハとバフパッドとの間にスラリーを介在させることによりウェハの処理面を研磨除去する処理である。一方、バフ洗浄処理とは、ウェハに対してバフパッドを接触させながら、ウェハとバフパッドを相対運動させ、ウェハとバフパッドとの間に洗浄処理液（薬液、又は、薬液と純水）を介在させることによりウェハ表面の汚染物を除去したり、処理面を改質したりする処理である。
【０００５】
バフパッドによってバフ研磨処理及びバフ洗浄処理を継続すると、バフパッドの表面は目詰まりを起こし、研磨性能や洗浄性能が低下してしまう。このため、バフパッドの性能を復活させるべく、ドレス処理（目立て）と呼ばれるコンディショニングを行う必要がある。このコンディショニングは、コンディショニング部で行われる。コンディショニング部は、ドレステーブルと、ドレステーブルに設置されたドレッサと、を備える。ドレステーブルは、駆動機構によって回転できるようになっている。ドレッサは、ダイヤドレッサ、ブラシドレッサ、又はこれらの組み合わせで形成される。
【０００６】
バフ処理モジュールは、バフパッドのコンディショニングを行う際には、バフパッドがドレッサに対向する位置になるまでバフアームを旋回させる。バフ処理モジュールは、ドレステーブルを所定の回転軸周りに回転させるとともにバフヘッドを回転させ、バフパッドをドレッサに押し付けることによって、バフパッドのドレス処理（コンディショニング）が行われる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特開平９−９２６３３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
しかしながら上述した従来技術には、以下のような問題点があった。すなわち、コンディショニング部のドレッサも、バフパッドのドレス処理を継続して行うと汚れが蓄積してしまう。このため、定期的にドレッサの表面を洗浄（ドレスリンス）する必要がある。このとき、ドレッサの表面と処理対象物であるウェハの表面とは、ほぼ同一平面内に存在している。これは、バフパッドを平行(例えば、水平）移動させるだけで、バフ研磨処理、バフ洗浄処理及びドレス処理を可能とするためである。ところが、ドレッサを洗浄する場合に、何らの工夫もしない場合には、ドレッサに向けて噴射された洗浄液がウェハ側に飛散して、ウェハを汚染してしまうことになる。
【０００９】
そこで、本願発明は、ドレッサの洗浄（ドレスリンス）を行っても、隣接するバフテーブル上のウェハを汚染することの無いコンディショニング部を提供すること、を目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本願発明の一実施形態は上記課題に鑑みてなされたものであって、第１手段は、基板処理装置のバフパッドをドレスするためのドレッサを備えたコンディショニング部であって、ドレッサに洗浄液を噴射して洗浄するドレッサ洗浄機構を更に備え、ドレッサの表面はドレッサに隣接配置されたバフテーブルよりも低い位置となっている、という構成を採っている。
【００１１】
第２手段は、第１手段の構成に加え、ドレッサ洗浄機構は、バフテーブルから離れる方向に向かって洗浄液を噴射する、という構成を採っている。
【００１２】
第３手段は、第１又は第２手段の構成に加え、ドレッサとバフテーブルとの間に、洗浄液の飛散防止のためのカバーを備える、という構成を採っている。
【００１３】
第４手段は、第１から第３手段の何れかの構成に加え、カバーは、揺動するバフパッドとの接触を回避する接触回避機構を有している、という構成を採っている。
【００１４】
第５手段は、第４手段の構成に加え、接触回避機構は、カバーをドレッサ又はバフテーブルの回転軸の軸線方向に沿って移動させるカバー移動機構を含む、という構成を採っている。
【００１５】
第６手段は、第４又は第５手段の構成に加え、カバーは、ドレッサの周囲の少なくも一部、又は、バフテーブルの周囲の少なくとも一部、を囲む略円筒状のカバーを含み、接触回避機構は、略円筒状のカバーの少なくとも一部に形成されたバフパッド通過用の切欠きと、カバーをドレッサ又はバフテーブルの回転軸と同心で回転させる回転駆動機構とを含む、という構成を採っている。
【００１６】
第７手段は、第６手段の構成に加え、接触回避機構は、切欠きを開閉するための可動蓋部材を含む、という構成を採っている。
【００１７】
第８手段は、第７手段の構成に加え、可動蓋部材は、カバーに対して円周方向又は中心軸線方向に沿って移動可能である、という構成を採っている。
【００１８】
第９手段は、第１から第８手段の何れかの構成に加え、バフテーブルとの間の空間にエアカーテンを形成するエアカーテン形成機構を含む、という構成を採っている。
【００１９】
第１０手段は、第９手段の構成に加え、洗浄液の噴射が停止している間は、エアカーテンの形成も停止される、という構成を採っている。
【００２０】
第１１手段は、第１から第１０手段の何れかの構成に加え、ドレッサの周囲において局所排気状態を形成する局所排気形成機構を含む、という構成を採っている。
【００２１】
第１２手段は、第１から第１１手段に何れかの構成に加え、洗浄液は、ＤＩＷ、薬液、スラリーからなる群から選択される少なくとも何れか１つを含む液体又はこの液体と圧縮空気との混合流体である、という構成を採っている。
【００２２】
第１３手段は、第１２手段の構成に加え、第前記各種液体の供給は切替可能である、という構成を採っている。
【００２３】
第１４手段は、第１から第１３手段の何れかの構成に加え、前記高圧洗浄流体と共に超音波洗浄流体を用いる、という構成を採っている。
【００２４】
第１５手段は、第１から第１４手段の何れかの構成に加え、前記洗浄液は高圧洗浄流体である、という構成を採っている。
【００２５】
第１６手段は、第１から第１５手段の何れかのコンディショニング部と、ウェハを保持するバフテーブルと、バフパッドを保持してウェハをバフ処理するバフヘッドとを含むバフ処理モジュールであって、前記ドレッサとバフテーブルとの間に、前記洗浄液の飛散防止のためのカバーが固定して設けられる場合に、前記バフヘッドは、前記ドレッサの回転軸線の方向又は前記ウェハの回転軸線の方向に沿って移動可能であり、前記バフヘッドは、前記カバーより高い位置まで移動した状態で前記コンディショニング部と前記バフテーブルとの間を移動可能である、という構成を採っている。
【００２６】
第１７手段は、第１６手段の構成に加え、バフテーブルの周囲の少なくとも一部にバフテーブルカバーを備える、という構成を採っている。
【００２７】
第１８手段は、第１６又は１７手段の構成に加え、バフテーブルの上方から下降気流を発生させる下降気流発生機構を含む、という構成を採っている。
【００２８】
第１９手段は、第１から第１５手段の何れかのコンディショニング部を備える基板処理装置、という構成を採っている。
【００２９】
第２０手段は、第１６から第１９手段の何れかのバフ処理モジュールを備える基板処理装置、という構成を採っている。
【００３０】
第２１手段は、基板処理装置のバフパッドをドレスするためのドレッサを備えたコンディショニング部において、ドレッサを洗浄するドレスリンス方法であって、ドレッサに洗浄液を噴射して洗浄するドレッサ洗浄機構を備え、ドレッサの表面をドレッサに隣接配置されたバフテーブルよりも低い位置とし、ドレッサ洗浄機構からドレッサに向けて洗浄液を噴射する、という構成を採っている。
【００３１】
第２２手段は、第２１手段の構成に加え、ドレッサへの洗浄液の噴射は、バフテーブルでの基板に対する処理と並行して行われる、という構成を採っている。
【００３２】
第２３手段は、第２１又は第２２手段の構成に加え、ドレッサの周囲又はバフテーブルの周囲の少なくとも一部に所定のカバーを設け、バフパッドをバフテーブルとドレッサと
の間で移動させる際に、接触回避機構を動作させて、バフパッドとカバーとの接触を回避する、という構成を採っている。
【００３３】
第２４手段は、第２１から第２３手段の何れかの構成に加え、ドレッサへの洗浄液の噴射と同時に、バフテーブルとドレッサとの間にエアカーテンを形成すること、ドレッサの周囲に局所排気状態を形成すること、そしてバフテーブルの上方から下降気流を形成すること、の少なくとも何れか一つを行う、という構成を採っている。
【００３４】
第２５手段は、基板処理装置のバフパッドをドレスするためのドレッサを備えたコンディショニング部であって、前記ドレッサに洗浄液を噴射して洗浄するドレッサ洗浄機構を更に備え、前記ドレッサと前記ドレッサに隣接配置されたバフテーブルとの間に、前記洗浄液の飛散防止のためのカバーを備える、という構成を採っている。
【００３５】
第２６手段は、基板処理装置のバフパッドをドレスするためのドレッサを備えたコンディショニング部であって、前記ドレッサに洗浄液を噴射して洗浄するドレッサ洗浄機構を更に備え、前記ドレッサ洗浄機構は、前記バフテーブルから離れる方向に向かって前記洗浄液を噴射する、という構成を採っている。
【発明の効果】
【００３６】
かかる本願発明によれば、技術的効果の一例として、バフテーブルにおけるウェハに対する各種処理と、ドレッサに対するドレスリンス処理とを同時並行して行っても、ウェハの汚染を有効に防止することができる。
【図面の簡単な説明】
【００３７】
【図１】図１は、本実施形態の基板処理装置の全体構成を示す平面図である。
【図２】図２は、研磨ユニットを模式的に示す斜視図である。
【図３】図３Ａは、洗浄ユニットの平面図であり、図３Ｂは、洗浄ユニットの側面図である。
【図４】図４は、上側バフ処理モジュールの概略構成を示す図である。
【図５】図５は、バフテーブルとドレステーブルとの位置関係及びバフアームの揺動を説明するための図である。
【図６】図６は、図５に開示したバフテーブルとドレステーブルにおける処理プロセスを示す図である。
【図７】図７は、図６に開示した処理プロセスを示すバフテーブル、ドレステーブル及びバフヘッドの動作を説明する図である。
【図８】図８は、バフテーブルよりも低い位置にドレッサが配置された実施形態を示す図である。
【図９】図９は、ウェハの汚染を防止するための他の構成例を示す図であり、図９（Ａ）は洗浄液の噴射方向を工夫した例であり、図９（Ｂ）はドレッサの周囲にドレッサカバーを設けた例である。
【図１０】図１０は、図９（Ｂ）に開示したドレッサカバーにおいて、ドレッサカバー自体が更なる特徴を有する実施形態を示す図であり、図１０（Ａ）はドレッサカバーの側面図であり、図１０（Ｂ）はバフパッドがドレッサカバーの内部に入るところを示す図であり、図１０（Ｃ）はバフパッドが完全にドレッサカバーの内部に入った状態を示す。
【図１１】図１１は、切欠きと可動蓋部材を備えたドレッサカバーを示す図であり、図１１（Ａ−１）、（Ａ−２）は切欠きが可動蓋部材で閉じられた状態の平面図と側面図であり、図１１（Ｂ−１）、（Ｂ−２）は可動蓋部材が下方に移動した状態の平面図と側面図であり、図１１（Ａ−１）、（Ａ−２）は可動蓋部材が円周方向に移動した状態の平面図と側面図である。
【図１２】図１２は、バフヘッドが上下方向に移動して、ドレッサカバーとの接触を回避する場合の構成を説明するための図である。
【図１３】図１３は、バフテーブルおよびドレステーブルとの間に形成されたエアカーテン、ドレステーブルの周囲に形成された局所排気状態及びバフテーブル上方からの下降気流を説明するための模式図である。
【図１４】図１４は、バフテーブルの周囲にバフテーブルカバーを設けた例を示す図である。
【図１５】図１５は、バフヘッドに設けられたバフヘッドカバーを示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００３８】
以下、本願発明の一実施形態に係る基板処理装置及びコンディショニング部について、図面に基づいて説明する。
＜基板処理装置＞
図１は、本発明の一実施形態に係る基板処理装置の全体構成を示す平面図である。図１に示すように、基板処理装置（ＣＭＰ装置）１０００は、略矩形状のハウジング１を備える。ハウジング１の内部は、隔壁１ａ，１ｂによって、ロード／アンロードユニット２と、研磨ユニット３と、洗浄ユニット４と、に区画される。ロード／アンロードユニット２、研磨ユニット３、及び洗浄ユニット４は、それぞれ独立に組み立てられ、独立に排気される。また、洗浄ユニット４は、基板処理装置に電源を供給する電源供給部と、基板処理動作を制御する制御装置５と、を備える。
【００３９】
＜ロード／アンロードユニット＞
ロード／アンロードユニット２は、多数のウェハ（基板）をストックするウェハカセットが載置される２つ以上（本実施形態では４つ）のフロントロード部２０を備える。これらのフロントロード部２０は、ハウジング１に隣接して配置され、基板処理装置の幅方向（長手方向と垂直な方向）に沿って配列される。フロントロード部２０には、オープンカセット、ＳＭＩＦ（Standard Manufacturing Interface）ポッド、又はＦＯＵＰ（Front Opening Unified Pod）を搭載することができるようになっている。ここで、ＳＭＩＦ及びＦＯＵＰは、内部にウェハカセットを収納し、隔壁で覆うことにより、外部空間とは独立した環境を保つことができる密閉容器である。
【００４０】
また、ロード／アンロードユニット２には、フロントロード部２０の並びに沿って走行機構２１が敷設される。走行機構２１上には、ウェハカセットの配列方向に沿って移動可能な２台の搬送ロボット（ローダー、搬送機構）２２が設置される。搬送ロボット２２は、走行機構２１上を移動することによって、フロントロード部２０に搭載されたウェハカセットにアクセスできるようになっている。各搬送ロボット２２は、上下に２つのハンドを備えている。上側のハンドは、処理されたウェハをウェハカセットに戻すときに使用される。下側のハンドは、処理前のウェハをウェハカセットから取り出すときに使用される。このように、上下のハンドを使い分けることができるようになっている。さらに、搬送ロボット２２の下側のハンドは、ウェハを反転させることができるように構成されている。
【００４１】
ロード／アンロードユニット２は最もクリーンな状態を保つ必要がある領域であるため、ロード／アンロードユニット２の内部は、基板処理装置外部、研磨ユニット３、及び、洗浄ユニット４のいずれよりも高い圧力に常時維持されている。研磨ユニット３は、研磨液としてスラリーを用いるため最もダーティな領域である。したがって、研磨ユニット３の内部には負圧が形成され、その圧力は洗浄ユニット４の内部圧力よりも低く維持される。ロード／アンロードユニット２には、ＨＥＰＡフィルタ、ＵＬＰＡフィルタ、又は、ケミカルフィルタなどのクリーンエアフィルタを有するフィルタファンユニット（図示せず）が設けられている。フィルタファンユニットからは、パーティクル、有毒蒸気、又は有毒ガスが除去されたクリーンエアが常時吹き出している。
【００４２】
＜研磨ユニット＞
研磨ユニット３は、ウェハの研磨（平坦化）が行われる領域である。研磨ユニット３は、第１研磨ユニット３Ａ、第２研磨ユニット３Ｂ、第３研磨ユニット３Ｃ、及び、第４研磨ユニット３Ｄを備えている。第１研磨ユニット３Ａ、第２研磨ユニット３Ｂ、第３研磨ユニット３Ｃ、及び第４研磨ユニット３Ｄは、図１に示すように、基板処理装置の長手方向に沿って配列される。
【００４３】
図１に示すように、第１研磨ユニット３Ａは、研磨面を有する研磨パッド１０が取り付けられた研磨テーブル３０Ａと、ウェハを保持して研磨テーブル３０Ａ上の研磨パッド１０に押圧しながら研磨するためのトップリング３１Ａと、研磨パッド１０に研磨液やドレッシング液（例えば、純水）を供給するための研磨液供給ノズル３２Ａと、研磨パッド１０の研磨面のドレッシングを行うためのドレッサ３３Ａと、液体（例えば純水）と気体（例えば窒素ガス）の混合流体又は液体（例えば純水）を霧状にして研磨面に噴射するアトマイザ３４Ａと、を備えている。
【００４４】
同様に、第２研磨ユニット３Ｂは、研磨テーブル３０Ｂと、トップリング３１Ｂと、研磨液供給ノズル３２Ｂと、ドレッサ３３Ｂと、アトマイザ３４Ｂと、を備えている。第３研磨ユニット３Ｃは、研磨テーブル３０Ｃと、トップリング３１Ｃと、研磨液供給ノズル３２Ｃと、ドレッサ３３Ｃと、アトマイザ３４Ｃと、を備えている。第４研磨ユニット３Ｄは、研磨テーブル３０Ｄと、トップリング３１Ｄと、研磨液供給ノズル３２Ｄと、ドレッサ３３Ｄと、アトマイザ３４Ｄと、を備えている。
【００４５】
第１研磨ユニット３Ａ、第２研磨ユニット３Ｂ、第３研磨ユニット３Ｃ、及び第４研磨ユニット３Ｄは、互いに同一の構成を有しているので、以下、第１研磨ユニット３Ａについてのみ説明する。
【００４６】
図２は、第１研磨ユニット３Ａを模式的に示す斜視図である。トップリング３１Ａは、トップリングシャフト３６に支持される。研磨テーブル３０Ａの上面には研磨パッド１０が貼付される。研磨パッド１０の上面は、ウェハＷを研磨する研磨面を形成する。なお、研磨パッド１０に代えて固定砥粒を用いることもできる。トップリング３１Ａ及び研磨テーブル３０Ａは、矢印で示すように、その軸心周りに回転するように構成される。ウェハＷは、トップリング３１Ａの下面に真空吸着により保持される。研磨時には、研磨液供給ノズル３２Ａから研磨パッド１０の研磨面に研磨液が供給され、研磨対象であるウェハＷがトップリング３１Ａにより研磨面に押圧されて研磨される。
【００４７】
＜搬送機構＞
次に、ウェハを搬送するための搬送機構について説明する。図１に示すように、第１研磨ユニット３Ａ及び第２研磨ユニット３Ｂに隣接して、第１リニアトランスポータ６が配置されている。第１リニアトランスポータ６は、研磨ユニット３Ａ，３Ｂが配列する方向に沿った４つの搬送位置（ロード／アンロードユニット側から順番に第１搬送位置ＴＰ１、第２搬送位置ＴＰ２、第３搬送位置ＴＰ３、第４搬送位置ＴＰ４とする）の間でウェハを搬送する機構である。
【００４８】
また、第３研磨ユニット３Ｃ及び第４研磨ユニット３Ｄに隣接して、第２リニアトランスポータ７が配置される。第２リニアトランスポータ７は、研磨ユニット３Ｃ，３Ｄが配列する方向に沿った３つの搬送位置（ロード／アンロードユニット側から順番に第５搬送位置ＴＰ５、第６搬送位置ＴＰ６、第７搬送位置ＴＰ７とする）の間でウェハを搬送する機構である。
【００４９】
ウェハは、第１リニアトランスポータ６によって研磨ユニット３Ａ，３Ｂに搬送される。第１研磨ユニット３Ａのトップリング３１Ａは、トップリングヘッドのスイング動作により研磨位置と第２搬送位置ＴＰ２との間を移動する。したがって、トップリング３１Ａへのウェハの受け渡しは第２搬送位置ＴＰ２で行われる。同様に、第２研磨ユニット３Ｂのトップリング３１Ｂは研磨位置と第３搬送位置ＴＰ３との間を移動し、トップリング３１Ｂへのウェハの受け渡しは第３搬送位置ＴＰ３で行われる。第３研磨ユニット３Ｃのトップリング３１Ｃは研磨位置と第６搬送位置ＴＰ６との間を移動し、トップリング３１Ｃへのウェハの受け渡しは第６搬送位置ＴＰ６で行われる。第４研磨ユニット３Ｄのトップリング３１Ｄは研磨位置と第７搬送位置ＴＰ７との間を移動し、トップリング３１Ｄへのウェハの受け渡しは第７搬送位置ＴＰ７で行われる。
【００５０】
第１搬送位置ＴＰ１には、搬送ロボット２２からウェハを受け取るためのリフタ１１が配置されている。ウェハは、リフタ１１を介して搬送ロボット２２から第１リニアトランスポータ６に渡される。リフタ１１と搬送ロボット２２との間に位置して、シャッタ（図示せず）が隔壁１ａに設けられており、ウェハの搬送時にはシャッタが開かれて搬送ロボット２２からリフタ１１にウェハが渡されるようになっている。また、第１リニアトランスポータ６と、第２リニアトランスポータ７と、洗浄ユニット４と、の間にはスイングトランスポータ１２が配置されている。スイングトランスポータ１２は、第４搬送位置ＴＰ４と第５搬送位置ＴＰ５との間を移動可能なハンドを有している。第１リニアトランスポータ６から第２リニアトランスポータ７へのウェハの受け渡しは、スイングトランスポータ１２によって行われる。ウェハは、第２リニアトランスポータ７によって第３研磨ユニット３Ｃ及び／又は第４研磨ユニット３Ｄに搬送される。また、研磨ユニット３で研磨されたウェハはスイングトランスポータ１２を経由して洗浄ユニット４に搬送される。
【００５１】
＜洗浄ユニット＞
図３（ａ）は洗浄ユニット４を示す平面図であり、図３（ｂ）は洗浄ユニット４を示す側面図である。図３（ａ）及び図３（ｂ）に示すように、洗浄ユニット４は、ロール洗浄室１９０と、第１搬送室１９１と、ペン洗浄室１９２と、第２搬送室１９３と、乾燥室１９４と、バフ処理室３００と、第３搬送室１９５と、に区画されている。
【００５２】
ロール洗浄室１９０内には、縦方向に沿って配列された上側ロール洗浄モジュール２０１Ａ及び下側ロール洗浄モジュール２０１Ｂが配置されている。上側ロール洗浄モジュール２０１Ａは、下側ロール洗浄モジュール２０１Ｂの上方に配置されている。上側ロール洗浄モジュール２０１Ａ及び下側ロール洗浄モジュール２０１Ｂは、洗浄液をウェハの表裏面に供給しながら、回転する２つのロールスポンジをウェハの表裏面にそれぞれ押し付けることによってウェハを洗浄する洗浄機である。上側ロール洗浄モジュール２０１Ａと下側ロール洗浄モジュール２０１Ｂとの間には、ウェハの仮置き台２０４が設けられている。
【００５３】
ペン洗浄室１９２内には、縦方向に沿って配列された上側ペン洗浄モジュール２０２Ａ及び下側ペン洗浄モジュール２０２Ｂが配置されている。上側ペン洗浄モジュール２０２Ａは、下側ペン洗浄モジュール２０２Ｂの上方に配置されている。上側ペン洗浄モジュール２０２Ａ及び下側ペン洗浄モジュール２０２Ｂは、洗浄液をウェハの表面に供給しながら、回転するペンシルスポンジをウェハの表面に押し付けてウェハの径方向に揺動することによってウェハを洗浄する洗浄機である。上側ペン洗浄モジュール２０２Ａと下側ペン洗浄モジュール２０２Ｂとの間には、ウェハの仮置き台２０３が設けられている。
【００５４】
乾燥室１９４内には、縦方向に沿って配列された上側乾燥モジュール２０５Ａ及び下側乾燥モジュール２０５Ｂが配置されている。上側乾燥モジュール２０５Ａ及び下側乾燥モジュール２０５Ｂは、互いに隔離されている。上側乾燥モジュール２０５Ａ及び下側乾燥
モジュール２０５Ｂの上部には、清浄な空気を乾燥モジュール２０５Ａ，２０５Ｂ内にそれぞれ供給するフィルタファンユニット２０７，２０７が設けられている。
【００５５】
上側ロール洗浄モジュール２０１Ａ、下側ロール洗浄モジュール２０１Ｂ、上側ペン洗浄モジュール２０２Ａ、下側ペン洗浄モジュール２０２Ｂ、仮置き台２０３、上側乾燥モジュール２０５Ａ、及び下側乾燥モジュール２０５Ｂは、図示しないフレームにボルトなどを介して固定される。
【００５６】
第１搬送室１９１には、上下動可能な第１搬送ロボット（搬送機構）２０９が配置される。第２搬送室１９３には、上下動可能な第２搬送ロボット２１０が配置される。第３搬送室１９５には、上下動可能な第３搬送ロボット（搬送機構）２１３が配置される。第１搬送ロボット２０９、第２搬送ロボット２１０、及び、第３搬送ロボット２１３は、縦方向に延びる支持軸２１１，２１２，２１４にそれぞれ移動自在に支持されている。第１搬送ロボット２０９、第２搬送ロボット２１０、及び、第３搬送ロボット２１３は、内部にモータなどの駆動機構を有しており、支持軸２１１，２１２，２１４に沿って上下に移動自在となっている。第１搬送ロボット２０９は、搬送ロボット２２と同様に、上下二段のハンドを有している。第１搬送ロボット２０９は、図３（ａ）の点線で示すように、その下側のハンドが上述した仮置き台１８０にアクセス可能な位置に配置されている。第１搬送ロボット２０９の下側のハンドが仮置き台１８０にアクセスするときには、隔壁１ｂに設けられているシャッタ（図示せず）が開くようになっている。
【００５７】
第１搬送ロボット２０９は、仮置き台１８０、上側ロール洗浄モジュール２０１Ａ、下側ロール洗浄モジュール２０１Ｂ、仮置き台２０４、仮置き台２０３、上側ペン洗浄モジュール２０２Ａ、及び、下側ペン洗浄モジュール２０２Ｂ、の間でウェハＷを搬送するように動作する。洗浄前のウェハ（スラリーが付着しているウェハ）を搬送するときは、第１搬送ロボット２０９は、下側のハンドを用い、洗浄後のウェハを搬送するときは上側のハンドを用いる。
【００５８】
第２搬送ロボット２１０は、上側ペン洗浄モジュール２０２Ａ、下側ペン洗浄モジュール２０２Ｂ、仮置き台２０３、上側乾燥モジュール２０５Ａ、及び、下側乾燥モジュール２０５Ｂ、の間でウェハＷを搬送するように動作する。第２搬送ロボット２１０は、洗浄されたウェハのみを搬送するので、１つのハンドのみを備えている。図１に示す搬送ロボット２２は、上側のハンドを用いて上側乾燥モジュール２０５Ａ又は下側乾燥モジュール２０５Ｂからウェハを取り出し、そのウェハをウェハカセットに戻す。搬送ロボット２２の上側ハンドが乾燥モジュール２０５Ａ，２０５Ｂにアクセスするときには、隔壁１ａに設けられているシャッタ（図示せず）が開くようになっている。
【００５９】
バフ処理室３００には、上側バフ処理モジュール３００Ａ、及び、下側バフ処理モジュール３００Ｂが備えられる。第３搬送ロボット２１３は、上側ロール洗浄モジュール２０１Ａ、下側ロール洗浄モジュール２０１Ｂ、仮置き台２０４、上側バフ処理モジュール３００Ａ、及び、下側バフ処理モジュール３００Ｂ、の間でウェハＷを搬送するように動作する。
【００６０】
なお、本実施形態では、洗浄ユニット４内において、バフ処理室３００、ロール洗浄室１９０、及び、ペン洗浄室１９２、を、ロード／アンロードユニット２から遠い方から順番に並べて配置する例を示したが、これには限られない。バフ処理室３００、ロール洗浄室１９０、及び、ペン洗浄室１９２の配置態様は、ウェハの品質及びスループットなどに応じて適宜選択し得る。以下、上側バフ処理モジュール３００Ａ、及び、下側バフ処理モジュール３００Ｂについて説明する。上側バフ処理モジュール３００Ａ、及び、下側バフ処理モジュール３００Ｂは、同様の構成であるため、上側バフ処理モジュール３００Ａの
み説明する。
【００６１】
＜バフ処理モジュール＞
図４は、上側バフ処理モジュール３００Ａの概略構成を示す図である。図４に示すように、上側バフ処理モジュール３００Ａは、ウェハＷが設置されるバフテーブル４００と、ウェハＷの処理面にバフ処理を行うためのバフパッド５０２が取り付けられたバフヘッド５００と、バフヘッド５００を保持するバフアーム６００と、各種処理液を供給するための液供給系統７００と、バフパッド５０２のコンディショニング（目立て）を行うためのコンディショニング部８００と、を備える。
【００６２】
バフテーブル４００は、ウェハＷを吸着する機構を有する。また、バフテーブル４００は、図示していない駆動機構によって回転軸Ａ周りに回転できるようになっている。バフパッド５０２は、バフヘッド５００のウェハＷに対向する面に取り付けられている。バフアーム６００は、バフヘッド５００を回転軸Ｂ周りに回転させるとともに、バフヘッド５００を矢印Ｃに示すようにウェハＷの径方向に揺動できるようになっている。また、バフアーム６００は、バフパッド５０２がコンディショニング部８００に対向する位置までバフヘッド５００を揺動できるようになっている。
【００６３】
液供給系統７００は、ウェハＷの処理面に純水（ＤＩＷ）を供給するための純水ノズル７１０を備える。純水ノズル７１０は、純水配管７１２を介して純水供給源７１４に接続される。純水配管７１２には、純水配管７１２を開閉することができる開閉弁７１６が設けられる。図示しない制御装置は、開閉弁７１６の開閉を制御することにより、任意のタイミングでウェハＷの処理面に純水を供給することができる。
【００６４】
また、液供給系統７００は、ウェハＷの処理面に薬液（Ｃｈｅｍｉ）を供給するための薬液ノズル７２０を備える。薬液ノズル７２０は、薬液配管７２２を介して薬液供給源７２４に接続される。薬液配管７２２には、薬液配管７２２を開閉することができる開閉弁７２６が設けられる。制御装置は、開閉弁７２６の開閉を制御することにより、任意のタイミングでウェハＷの処理面に薬液を供給することができる。
【００６５】
上側バフ処理モジュール３００Ａは、バフアーム６００、バフヘッド５００、及びバフパッド５０２を介して、ウェハＷの処理面に、純水、薬液、又はスラリーを選択的に供給できるようになっている。
【００６６】
すなわち、純水配管７１２における純水供給源７１４と開閉弁７１６との間からは分岐純水配管７１２ａが分岐する。また、薬液配管７２２における薬液供給源７２４と開閉弁７２６との間からは分岐薬液配管７２２ａが分岐する。分岐純水配管７１２ａ、分岐薬液配管７２２ａ、及び、スラリー供給源７３４に接続されたスラリー配管７３２、は、液供給配管７４０に合流する。分岐純水配管７１２ａには、分岐純水配管７１２ａを開閉することができる開閉弁７１８が設けられる。分岐薬液配管７２２ａには、分岐薬液配管７２２ａを開閉することができる開閉弁７２８が設けられる。スラリー配管７３２には、スラリー配管７３２を開閉することができる開閉弁７３６が設けられる。
【００６７】
液供給配管７４０の第１端部は、分岐純水配管７１２ａ、分岐薬液配管７２２ａ、及びスラリー配管７３２の３系統の配管に接続される。液供給配管７４０は、バフアーム６００の内部、バフヘッド５００の中央、及び、バフパッド５００の中央を通って延伸する。液供給配管７４０の第２端部は、ウェハＷの処理面に向けて開口する。制御装置は、開閉弁７１８、開閉弁７２８、及び開閉弁７３６、の開閉を制御することにより、任意のタイミングで、ウェハＷの処理面に純水、薬液、スラリーのいずれか１つ、又はこれらの任意の組み合わせの混合液を供給することができる。
【００６８】
上側バフ処理モジュール３００Ａは、液供給配管７４０を介してウェハＷに処理液を供給するとともに、バフテーブル４００を回転軸Ａ周りに回転させ、バフパッド５０２をウェハＷの処理面に押圧し、バフヘッド５００を回転軸Ｂ周りに回転させながら矢印Ｃ方向に揺動することによって、ウェハＷに対してバフ処理を行うことができる。なお、本実施形態のバフパッドは、処理対象であるウェハよりも相当に小さな直径を有している。これは、バフ処理において高い平坦性を実現できるからである。
【００６９】
ここで、バフ処理とは、バフ研磨処理とバフ洗浄処理の少なくとも一方を含むものである。バフ研磨処理とは、ウェハＷに対してバフパッド５０２を接触させながら、ウェハＷとバフパッド５０２を相対運動させ、ウェハＷとバフパッド５０２との間にスラリーを介在させることにより、ウェハＷの処理面を研磨除去する処理である。バフ研磨処理は、ロール洗浄室１９０においてロールスポンジによってウェハＷに加える物理的作用力、及び、ペン洗浄室１９２においてペンスポンジによってウェハＷに加える物理的作用力、よりも強い物理的作用力をウェハＷに対して加えることができる処理である。バフ研磨処理によって、スクラッチ等のダメージ又は汚染物が付着した表層部の除去、研磨ユニット３における主研磨で除去できなかった箇所の追加除去、又は主研磨後のモフォロジー改善、を実現することができる。
【００７０】
また、バフ洗浄処理とは、ウェハＷに対してバフパッド５０２を接触させながら、ウェハＷとバフパッド５０２を相対運動させ、ウェハＷとバフパッド５０２との間に洗浄処理液（薬液、又は、薬液と純水）を介在させることによりウェハＷ表面の汚染物を除去したり、処理面を改質したりする処理である。バフ洗浄処理は、ロール洗浄室１９０においてロールスポンジによってウェハＷに加える物理的作用力、及び、ペン洗浄室１９２においてペンスポンジによってウェハＷに加える物理的作用力、よりも強い物理的作用力をウェハＷに対して加えることができる処理である。
【００７１】
コンディショニング部８００は、バフパッド５０２の表面をコンディショニングするためのものである。コンディショニング部８００は、ドレステーブル８１０と、ドレステーブル８１０の上に設置されたドレッサ８２０と、を備える。ドレステーブル８１０は、図示していない駆動機構によって回転軸Ｄ周りに回転できるようになっている。ドレッサ８２０は、ダイヤドレッサ、ブラシドレッサ、又はこれらの組み合わせで形成される。
【００７２】
上側バフ処理モジュール３００Ａは、バフパッド５０２のコンディショニングを行う際には、バフパッド５０２がドレッサ８２０に対向する位置になるまでバフアーム６００を旋回させる。上側バフ処理モジュール３００Ａは、ドレステーブル８１０を回転軸Ｄ周りに回転させるとともに、バフヘッド５００をも回転させ、バフパッド５０２をドレッサ８２０に押し付けることによって、バフパッド５０２のコンディショニングを行う。
【００７３】
＜コンディショニング部＞
次に、各種図面に基づいて、コンディショニング部８００及びバフパッド５０２に対するコンディショニングにおける具体的プロセスについて説明する。図５は、ウェハＷを保持しているバフテーブル４００と、バフパッド５０２をコンディショニングするためのドレッサ８２０を支持しているドレッサテーブル８１０を示している。これらドレッサ８２０およびドレッサテーブル８１０並びに他の構成要素により、コンディショニング部８００が形成されている。
【００７４】
コンディショニング部８００はバフテーブル４００に隣接配置されており、その位置はバフアーム６００の揺動中心Ｌに関して、バフテーブル４００と概ね同じ半径位置である。このため、バフアーム６００が揺動（図５では反時計まわりに揺動）した場合に、バフ
パッド５０２がコンディショニング部８００におけるドレッサ８２０の上方に位置決めできるようになっている。コンディショニング部８００においては、ドレステーブル８１０が回転して、バフパッド５０２の回転との複合作用により、バフパッド５０２の表面がドレス処理されるようになっている。
【００７５】
図６及び図７は、バフ洗浄及びそれに関連する具体的なプロセスを説明するための図である。図６のうち、上段はバフテーブル４００でのプロセスを示し、下段はドレステーブル８１０でのプロセスを示している。これら各プロセスは同時並行的に行われる。また、図中の丸印はバフパッド５０２の位置を示している。例えば、バフ洗浄処理の時はバフパッド５０２はバフテーブル４００に位置しており、その後のパッドリンス処理の際にはドレステーブル８１０に移動する。なお、図７において、バフヘッド５００の一部は、説明の便宜上断面図としている。また、本実施形態で用いられるバフヘッド５００には、半球状の凹凸面からなるジンバル機構が設けられ、バフヘッド５００が僅かに首振りできるようになっている。
【００７６】
先ず、バフテーブル４００においてウェハＷに対してバフ洗浄処理（ステップＳ１１)が行われる。このとき、言うまでもなくバフパッド５０２はバフテーブル４００に位置している。バフ洗浄処理では、液供給配管７４０からバフ洗浄のための処理液が供給され、バフアーム及びバフヘッド回転軸６０１（図５参照）の内部を通って、バフパッド５０２の中央部に供給される。それと同時に、回転するバフパッド５０２がウェハＷに押し付けられた状態でバフアーム６００が揺動し、バフテーブル４００と共に回転するウェハＷの表面を洗浄処理するようになっている（図７（Ａ）参照）。バフパッド５０２は次のプロセスでドレッサ８２０の上方に移動して、以後ドレス関連処理が行われるが、これについては後述する。
【００７７】
バフテーブル４００においては、ウェハリンス処理（ステップＳ１２)が行われる。このウェハリンス処理は、ＤＩＷによってウェハＷを洗浄する処理である。ウェハＷのウェハリンス処理が完了すると、次にウェハＷはバフテーブル４００から取り出されて（ステップＳ１３)、次の工程へ搬送される。その後、バフテーブル４００はＤＩＷでバフテーブルリンス処理によって洗浄が行われる（ステップＳ１４）。これによりバフテーブルにおける一連のプロセスが完了し、次に処理するための新しいウェハＷが取り込まれ（ステップＳ１５)、上述の各処理プロセスが繰り返される。
【００７８】
一方、ドレステーブル８１０において、上記プロセスと並行して、バフパッド５０２のドレス処理が行われる。バフ洗浄（ステップＳ１１)に用いられたバフパッド５０２（図７（Ａ）参照）は、ドレッサ８２０の上方に移動する。この時、バフパッド５０２は鉛直下方を向いている。そして、バフパッド５０２の斜め下方に配置されたバフパッド洗浄機構８３０から洗浄液（ＤＩＷ）が噴射され、バフパッド５０２の表面がパッドリンス処理（ステップＳ２２)される（図７（Ｂ）参照）。パッドリンス処理の間、バフパッド５０２は回転しており、全面が均等に洗浄される。なお、バフパッドの洗浄に使う洗浄液として、超音波洗浄液を用いることも可能である。
【００７９】
次に、バフヘッド５００が降下してドレッサ８２０に当接して、バフパッド５０２に対するドレス処理（ステップＳ２３）が行われる（図７（Ｃ）参照）。ドレス処理は、バフパッド５０２の中央部に処理液が供給されている状態で行われる。ドレス処理の間は、バフパッド５０２及びドレッサ８２０が共に回転している。なお、ドレス処理は、バフパッド５０２の回転中心とドレッサ８２０の回転中心とがずれた状態で行われる。これは、バフパッド５０２とドレッサ８２０の特定部位同士が摺動し続けることを防止するための対策である。
【００８０】
ドレス処理が行われた後は、バフヘッド５００が再び上昇して、上述のバフパッド洗浄機構８３０から洗浄液がバフパッドに向けて噴射され、ドレス処理後のバフパッドが再度パッドリンス処理（ステップＳ２４）される（図７（Ｄ）参照）。また、ドレス処理（ステップＳ２３)に使用されたドレッサ８２０は、その近傍に設けられたドレッサ洗浄機構８４０から噴射される洗浄液（ＤＩＷ）によって、ドレスリンス処理（ステップＳ２１)が行われる（図７（Ｅ）参照）。ドレスリンス処理の間，ドレステーブル８１０は回転しており、ドレッサ８２０の表面を均一に洗浄できるようになっている。
【００８１】
なお、上述の説明ではバフパッド５０２が鉛直下方を向いた場合について説明したが、本発明はこれに限定されるものではなく、バフパッド５０２が鉛直上方を向いている場合や、水平方向を向いている場合でも、本発明を適用することは可能である。
【００８２】
次に、本実施形態の特徴部分の１つを図８に基づいて説明する。図８に示すように、本実施形態では、バフテーブル４００に対してドレッサ８２０が低い位置に配置されている点が特徴の一つである。このような構成は、以下の理由による。すなわち、ドレッサ８２０に対してドレスリンス処理を行う場合、ドレッサ洗浄機構８４０から洗浄液が噴射される。このとき、何ら工夫をしない場合には、ドレスリンスに用いる洗浄液がバフテーブル４００側に飛散して、処理中のウェハＷを汚染してしまう。また、バフ洗浄に用いられる処理液が汚染されてしまい、プロセス性能へ悪影響を及ぼすことも考えられる。これは、ドレスリンス処理が、バフテーブル４００でのウェハＷへの各種処理と同時に行われることから発生する問題である。
【００８３】
以上のような問題点に対し、ドレッサ８２０をバフテーブル４００よりも低い位置に配置することで、バフステージ４００への洗浄液の飛散を効果的に防止することが可能となる。なぜなら、ドレッサ８２０に対しては、斜め上方からドレッサ洗浄機構８４０によって洗浄液を噴射するので、バフテーブル４００とドレッサ８２０との高低差により、洗浄液がバフテーブル４００まで飛散することがないからである。高低差としては数センチメートルでも十分な汚染防止効果がある。
【００８４】
次に、図９に基づいて、本実施形態の他の特徴部分について説明する。図９（Ａ）は、洗浄液の噴射方向に特徴を有する例を示す図である。この例では、洗浄液はドレッサ８２０に向けて噴射された後はバフテーブル４００から離れる方向に飛散するように、初期の噴射方向が設定されている。図９（Ａ）の模式的な例では、ドレッサ洗浄機構８４０から噴射されて洗浄液がドレッサ８２０の中心部を通り、バフステージから離れる方向（図９（Ａ）の網掛部分）に飛散するようになっている。
【００８５】
以上を換言すると、バフステージ４００の中心とドレッサ８２０の中心を通る直線を引き、ドレッサ８２０の中心部でこの直線に対して垂直な線を更に引き、この垂直線を境界としてバフテーブル４００から遠い領域に飛散するように、噴射方向が設定されているということである。これを更に換言すれば、ドレッサ洗浄機構８４０は、上述の垂直線を境界として、網掛け部分以外の領域に配置されることになる。但し、ドレッサ洗浄機構８４０はバフステージ４００の上方には配置できないので、図９（Ａ）に示すように、バフテーブル４００とドレステーブル８１０の間に配置し、斜め方向からドレッサ８２０に洗浄液を噴射するようになっている。なお、以上の説明では、洗浄液が模式的にドレッサ８２０の中心を通過する例を用いて説明したが、洗浄液が点線の矢印で示すように、ドレッサ８２０の中心からオフセットした位置に噴射されるようにしてもよい。
【００８６】
次に、図９（Ａ）及び図９（Ｂ）に基づいて、本実施形態の他の特徴部分について説明する。図９（Ｂ）は、ドレステーブル８１０の周囲にドレッサカバー８５０を設けた点が特徴である。ここでは、説明の便宜上、ドレッサ８２０の上面がウェハＷの上面とほぼ同
じ高さの例を用いて説明する。当該実施形態において、ドレステーブル８１０の周囲に略円筒状のドレッサカバー８５０が設けられている。ドレッサカバー８５０の上端部は内側に向かって傾斜した傾斜部８５１を有し、その内側が開口部８５３となっている。開口部８５３の内径はドレステーブル８１０の直径より僅かに大きくなっており、ドレッサカバー８５０が上下移動した場合でも、ドレステーブル８１０の外周部と接触しないようになっている。傾斜部８５１は、洗浄液がドレッサカバー８５０の外部に飛散するのを効果的に防止するためのものであるが、単純な円筒形状のドレッサカバーでも洗浄液の飛散を防止する効果はあるので、傾斜部８５１が必須構成要素ということではない。なお、図９（Ｂ）は、ドレステーブル８１０の周囲にドレッサカバー８５０を設ける例であるが、洗浄液の飛散防止のためのカバーは、以下の図１４に示すように、バフテーブル４００の周囲に設けることもできる。また、洗浄液の飛散防止のためのカバーは、ドレステーブル８１０の周囲に設けられたドレッサカバー８５０、及び、バフテーブル４００の周囲に設けられたバフテーブルカバー９００、に限らず、バフテーブル４００とドレステーブル８１０との間に設けられていればよい。また、コンディショニング部８００は、バフテーブル４００とドレステーブル８１０との間に設けられたカバーに対して、以下に説明する接触回避機構と同様の接触回避機構を備えることもできる。
【００８７】
また、ドレッサカバー８５０には、バフパッド５０２との接触を回避するための、接触回避機構を設けてもよい。バフヘッド５００に装着されたバフパッド５０２は、バフ洗浄処理からドレス処理に移行する際に、ドレッサ８２０の表面に相当する高さ位置を水平移動する場合がある。この場合、ドレッサカバー８５０の上端部が図９（Ｂ）に示すように、ドレッサ８２０の表面よりも高い位置にあると、バフヘッド５００及びバフパッド５０２がドレッサカバー８５０に接触してしまう。これを回避するのが接触回避機構である。
【００８８】
接触回避機構の具体的な構成は様々なものが考えられるが、例えばドレッサカバー移動機構として、ドレッサカバー８５０を鉛直方向に上下移動させるシリンダ８５３などが具体例として挙げられる。この図９（Ｂ）では、ドレッサカバー８５０がドレッサ８２０を覆っている状態を実線で表し、ドレッサカバー８５０が降下した状態を破線で示している。また、ドレッサカバー８５０を移動させる方向として、上下移動と説明したが、これはドレッサ８２０が水平姿勢で設置されている場合を想定したものである。仮にドレッサ８２０が垂直姿勢で設置されている場合には、ドレッサカバー８５０は水平方向に移動させる必要がある。これは、ドレステーブル８１０の回転軸の軸線方向と言い換えることもできる。なお、ドレッサカバー８５０に接触回避機構を持たせるのではなく、それ以外の構成によって接触を回避できるのであれば、ドレッサカバー８５０は固定式であってもよい。
【００８９】
図１０は、接触回避機構の別の例を説明するための図である。先ず、図１０（Ａ）は、ドレッサカバー８６０の一部に切欠きが形成されている例を示している。具体的には、ドレッサカバー８６０の上端領域の一部に、所定の高さを有する切欠き８６１が円周方向に沿って形成されている。この切欠き８６１の深さは、下端部８６１ａがドレッサ８２０の表面よりも僅かに下方となる位置である。これは、バフパッド５０２がドレッサ８２０側に水平移動する際に、切欠き８６１の下端部８６１ａがドレッサ８２０の表面より低ければ、水平移動するバフパッド５０２とドレッサカバー８６０との接触が回避されるからである。
【００９０】
次に、図１０（Ｂ）及び図１０（Ｃ）に基づいて、ドレッサカバー８６０の動作について説明する。図１０（Ｂ）は、ドレッサ８２０を上方から見た図であり、ドレッサカバー８６０の切欠き８６１がバフテーブル４００の側を向いている状態を示している。このように切欠き８６１がバフテーブル４００の側を向いていれば、バフヘッド５００及びバフパッド５０２がバフテーブル４００から水平移動してきても、切欠き８６１を通過してド
レッサ８２０の表面に到達することができる。ただし、この状態のままでドレスリンス処理を行うと、切欠き８６１を通して洗浄液がバフテーブル４００上のウェハＷに飛散して汚染してしまう場合がある。
【００９１】
この汚染を防止するために、バフパッド５０２が完全にドレッサ８２０の上方に移動した状態で、ドレッサカバー８６０は水平面内に沿って約９０°回転する（図１０（Ｃ）参照）。こうすることで、バフテーブル４００の側はドレッサカバー８６０の壁に覆われ、洗浄液がバフテーブル４００側に飛散するのが防止される。一方、切欠き８６０がある側（図１０（Ｃ）では下方側）には洗浄液が飛散する場合もあるが、ウェハＷを汚染することは無い。なお、回転角度としては９０°に限定されるものではなく、切欠き８６０がバフテーブル４００側に向いていなければよいので、６０°、１３５°、あるいは１８０°などでもよい。なお、ドレッサカバー８６０を回転させる回転駆動機構としては様々なものが考えられるが、ロータリアクチュエータや、サーボモータとリンク機構の組み合わせなどが利用できる。
【００９２】
次に、図１１に基づいて、接触回避機構の更に別の例を説明する。図１１の例では、ドレッサカバー８７０に切欠き８７１が形成されている点では、図１０の例と共通している。しかし、可動蓋部材８７３を備えている点で異なっている。この可動蓋部材８７３は、切欠き８７１を開閉するようになっており、具体的には矩形の部材がドレッサカバー８７０の外周曲面に沿って湾曲したような形状となっている。図１１（Ａ−１）、（Ａ−２）は、可動蓋部材８７３が切欠き８７１を閉鎖している状態を示している。可動蓋部材８７３は切欠き８７１の部分に重なっており、ドレッサカバー８７０の内部から洗浄液が飛散するのを防止することができる。
【００９３】
図１１（Ｂ−１）、（Ｂ−２）は、可動蓋部材８７３が図１１（Ｂ−２）における下方に移動して、切欠き８７１が露出した状態を示している。可動蓋部材８７３を移動させるためには、例えば、図示しないレール等をドレッサカバー８７０の外周面に上下方向に設置するなどの対応を採る必要がある。但し、これは一例であり、ドレッサカバーとは別個のアクチュエータ等（図示略）を可動蓋部材８７３に連結し、このアクチュエータの作用により可動蓋部材８７３を移動させてもよい。また、図１１（Ｃ−１）、（Ｃ−２）は、可動蓋部材８７３をドレッサカバー８７０の円周方向に沿って移動させた例である。特に、図示の例では角度にして約９０°程度移動させた状態である。このような移動を実現するためにも、所定のレールやアクチュエータを用いる必要がある。
【００９４】
以上のように可動蓋部材８７３を有するドレッサカバー８７０を用いる場合、ドレスリンスの際には図１１（Ａ−１），（Ａ−２）に示すように、可動蓋部材８７３で切欠き８７１が閉鎖されている。このため、洗浄液がウェハＷを汚染することは無い。一方、バフパッド５０２のドレス処理を行う場合には、可動蓋部材８７３が移動して切欠き８７１を露出させる。切欠き８７１が露出している状態であれば、ドレッサ８２０に向かってバフヘッド５００及びバフパッド５０２が水平移動してきても、ドレッサカバー８７０に接触することなく、ドレッサ８２０の上面まで移動できる。そして、バフパッド５０２が完全にドレッサ８２０の上方に移動したら、可動蓋部材８７３が再度切欠き８７１を閉鎖する。これにより、ドレッサ８２０によってバフパッド５０２に対してドレス処理などを行った場合でも、処理液が飛散してウェハＷを汚染するようなことは無い。
【００９５】
次に、図１２に基づいて、バフヘッド５００とドレッサカバー８８０との接触を回避するための、他の構成例について説明する。この例では、ドレッサカバー８８０は固定式となっている。一方、バフアーム６００は、ウェハＷ及びドレッサ８２０の表面から離間できるようになっている。本実施形態の例では、バフアーム６００（バフヘッド）がドレッサ８２０の回転軸線の方向又はウェハＷの回転軸線の方向（鉛直方向）に沿って移動可能
である。バフアーム６００（バフヘッド）は、ドレッサカバー８８０より高い位置まで移動した状態でコンディショニング部（ドレステーブル８１０）とバフテーブル４００との間を移動可能である。このため、バフ洗浄処理の後、一旦バフアーム６００が上昇してドレッサカバー８８０を横切り、再度ドレッサ８２０の表面に当接するまで降下する。これにより、ドレッサカバー８８０に接触回避機構を設けることなく、バフパッド５０２をバフテーブル４００とドレッサ８２０との間で移動させることが可能である。但し、上述したドレッサカバー８５０，８６０，８７０の接触回避機構を同時に具備しても何ら問題は無い。
【００９６】
次に、図１３に基づいて、ウェハＷの汚染を有効に防止するための構成について説明する。この例では、バフテーブル４００及びドレステーブル８１０の上方から下降気流８９５ａを発生させること、下降気流８９５ａの一部によってバフテーブル４００とドレステーブル８１０との間にエアカーテン８９１ａを形成すること、及び、ドレステーブル８１０の周囲に局所排気状態８９３ａを形成すること、がそれぞれ特徴である。先ず、エアカーテン８９１ａについて説明する。エアカーテンとは、所定の空間に気流を形成することで、この気流を境界とする各空間の間の空気の流れを遮断するものである。本実施形態では、バフテーブル４００及びドレステーブル８１０の上方に下降気流発生機構８９５が設けられる。下降気流発生機構８９５は、バフテーブル４００及びドレステーブル８１０を含むバフ処理モジュールの全体に下降気流８９５ａ（ダウンフロー）を発生させる。下降気流８９５ａのうち、バフテーブル４００とドレステーブル８１０との間に、上方から下方に向かう気流は、エアカーテン８９１ａとなる。つまり、下降気流発生機構８９５は、エアカーテン形成機構としての機能も備える。エアカーテン８９１ａは、ドレス処理やドレスリンス処理の際に飛散する処理液や洗浄液が、バフステージ４００側に飛散するのを防止する。
【００９７】
エアカーテンは、ドレスリンス時のＤＩＷの供給と連動している。すなわち、ドレスリンスのためにＤＩＷがドレッサ８２０に供給されている場合には、エアカーテン８９１ａも形成されている。逆に、ＤＩＷの供給が停止している場合には、洗浄液は飛散しないので、エアカーテン８９１ａの形成も停止される。このため、ウェハＷの搬送やバフパッド５０２の移動に対してエアカーテン８９１ａが悪影響を及ぼすことは無い。
【００９８】
また、ドレステーブル８１０の周囲には局所排気機構８９３により局所排気状態８９３ａが形成されている。この局所排気状態８９３ａとは、局所で発生するガスなどを吸引し、周囲環境に拡散するのを防止するための手法である。本実施形態では、ドレステーブル８１０の周囲に局所排気状態８９３ａを形成するために、ドレステーブル８１０の外周部に沿った円形の吸引口８９３ｂを設けることが望ましい。これにより、ドレスリンス処理などで洗浄液が飛散する場合でも、局所排気されてバフテーブル４００を汚染することがない。なお、局所排気はドレステーブル８１０の全周に形成する必要はなく、すくなくともバフテーブル４００とドレステーブル８１０との間の空間に形成すればよい。
【００９９】
更に、下降気流発生機構８９５は、バフ処理モジュールの全体に下降気流８９５ａを形成する。下降気流８９５ａはバフステージ４００上のウェハＷに衝突すると、半径方向外方に向かって流れる。このため、ドレステーブル８１０側から洗浄液が飛散してきたとしても、バフステージ４００上で半径方向外方に向かう気流によって押し戻すことができる。当該下降気流８９５ａは、上述の局所排気８９３ａと共に用いることで、より高い汚染防止効果を発揮する。
【０１００】
なお、図１３及び上記説明では、エアカーテン８９１ａを含む下降気流８９５ａ及び局所排気８９３ａを組み合わせて用いるような構成となっている。しかしながら、本発明はこれに限定されるものではなく、エアカーテン８９１ａを含む下降気流８９５ａ及び局所
排気８９３ａを単独で用いてもよい。
【０１０１】
図１４は、ドレッサ８２０にカバーを設けるのではなく、バフテーブル４００にカバーを設ける例を示している、バフテーブルカバー９００はバフテーブル４００を周囲から囲むように形成されており、ドレッサ８２０の側から洗浄液などが飛散した場合でも、ウェハＷの汚染を防止できるようになっている。本実施形態のバフテーブルカバー９００は、その上端部に傾斜部を備えているが、単純な円筒形状であってもよい。また、バフテーブル４００の周囲の全周に亘って設ける必要はなく、少なくともバフテーブル４００とドレステーブル８１０との間だけに設けてもよい。なお、当該バフテーブルカバー９００も、上述したようにバフヘッド５００との接触を回避するための接触回避機構を設けてもよい。
【０１０２】
次に、図１５に基づいて、飛散防止用のカバーの変形例について説明する。図１５に示す例では、バフヘッド５００にバフヘッドカバー９１０が取り付けられている。すなわち、バフヘッド５００の所定箇所に有底円筒形状のバフヘッドカバー９１０が、開口を下方に向けて設けられている。バフヘッドカバー９１０は、その下端部がドレッサ８２０の表面よりも僅かに高い位置となるように、その寸法及び形状が決定されている。また、バフヘッドカバー９１０の内径は、ドレッサ８２０の直径よりも大きくなっている。このため、バフパッド５０２とドレッサ８２０との境界から流出した処理液が遠心力で飛散しても、このバフヘッドカバー９１０によって飛散が防止される。特に、バフヘッドカバー９１０はバフアームと共に揺動するので、常にバフパッド及びドレッサから飛散する処理液や洗浄液を受け止めることができる。
【０１０３】
なお、以上の説明では、ドレッサをバフテーブルよりも低い位置に設ける、洗浄液をバフテーブルから離れる方向に噴射する、そしてドレッサの周囲あるいはバフテーブルの周囲にカバーを設ける、ことを詳述した。これらの各構成要素は、それぞれ単独でもウェハの汚染を防止することができる。このため、本発明の実施に当たっては、ドレッサをバフテーブルよりも低い位置に設けるだけで、洗浄液の噴射方向の調整やカバーの設置などは必須ではない。換言すると、上記各構成要素それぞれが単独で本発明を構成するし、これらの構成要素の任意の組み合わせでも本発明を構成することができるということである。
【符号の説明】
【０１０４】
３００  バフ処理モジュール
４００  バフテーブル
５００  バフヘッド
５０２  バフパッド
６００  バフアーム
６０１  回転軸
８００  コンディショニング部
８１０  ドレステーブル
８２０  ドレッサ
８３０  バフパッド洗浄機構
８４０  ドレッサ洗浄機構
８５０  ドレッサカバー
８５１  傾斜部
８５３  シリンダ
８６０  ドレッサカバー
８６１  切欠き
８６１ａ  切欠きの下端部
８７０  ドレッサカバー
８７１  切欠き
８７３  可動蓋部材
８８０  ドレッサカバー
８９１  エアカーテン形成機構
８９１ａ  エアカーテン
８９３  局所排気形成機構
８９３ａ  局所排気
８９３ｂ  吸引口
８９５  下降気流形成機構
８９５ａ  下降気流
９００  バフテーブルカバー
９１０  バフヘッドカバー
９２０  固定カバー
９２１  切欠き
１０００  基板処理装置
Ｌ  バフアームの揺動中心
Ｗ  ウェハ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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