(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１ダイパッド部を有する電源リードと、前記第１ダイパッド部に設けられた発光素子と、第２ダイパッド部を有する接地リードと、前記電源リードと前記接地リードとの間に位置するように設けられた第１および第２の入力リードと、前記第２ダイパッド部に設けられ、電源パッド部と発光素子パッド部と入力パッド部とを有する駆動ＩＣと、を有する光送信部と、
樹脂を介して前記光送信部に向かい合うように設けられた光受信部と、
を備え、
前記電源リード、前記第１および第２の入力リード、前記接地リードのアウターリードが第１の方向にそれぞれ延在し、
前記駆動ＩＣは、前記第１ダイパッド部の側面のうち前記第１の方向に平行な側面と対向する第１側面と、前記第１の方向に直交しかつ前記第１の入力リードの前記インナーリードの端部および前記第２の入力リードの前記インナーリードの端部に対向する第２側面と、を有し、
前記電源パッド部および前記発光素子パッド部は、前記駆動ＩＣの前記第１側面の側に配列され、
前記入力パッド部は、前記駆動ＩＣの前記第２側面の側に配列された、光結合型絶縁装置。
【請求項２】
第１ダイパッド部を有する電源リードと、前記第１ダイパッド部に設けられた発光素子と、第２ダイパッド部を有する接地リードと、前記電源リードと前記接地リードとの間に位置するように設けられた第１および第２の入力リードと、前記第２ダイパッド部に設けられ、電源パッド部と発光素子パッド部と入力パッド部とを有する駆動ＩＣと、を有する光送信部と、
樹脂を介して前記光送信部に向かい合うように設けられた光受信部と、
を備え、
前記電源リード、前記第１および第２の入力リード、前記接地リードのアウターリードが第１の方向にそれぞれ延在し、
前記駆動ＩＣは、前記第１ダイパッド部の側面のうち前記第１の方向に平行な側面と対向する第１側面と、前記第１の方向に直交しかつ前記第１の入力リードの前記インナーリードの端部および前記第２の入力リードの前記インナーリードの端部に対向する第２側面と、を有し、
前記電源リードと前記駆動ＩＣとを接続するボンディングワイヤは、前記駆動ＩＣの前記第１側面を跨ぎ、
前記第１の入力リードと前記駆動ＩＣとを接続するボンディングワイヤおよび前記第２の入力リードと前記駆動ＩＣとを接続するボンディングワイヤは、前記駆動ＩＣの前記第２側面を跨ぐ、光結合型絶縁装置。
【請求項３】
前記電源リードと前記駆動ＩＣとを接続するボンディングワイヤは、前記駆動ＩＣの前記第１側面を跨ぎ、
前記第１の入力リードと前記駆動ＩＣとを接続するボンディングワイヤおよび前記第２の入力リードと前記駆動ＩＣとを接続するボンディングワイヤは、前記駆動ＩＣの前記第２側面を跨ぐ請求項１記載の光結合型絶縁装置。
【請求項４】
前記第１の入力リードと前記第２の入力リードとは、同一の長さを有する請求項１〜３のいずれか１つに記載の光結合型絶縁装置。
【請求項５】
前記第１の入力リードの前記インナーリードと前記第２の入力リードの前記インナーリードとの前記中心間距離は、前記第１の入力リードの前記アウターリードと前記第２の入力リードの前記アウターリードとの前記中心間距離よりも小さい請求項１〜４のいずれか１つに記載の光結合型絶縁装置。
【請求項６】
前記駆動ＩＣは、クロック発生器を含むアナログデジタル変換回路を有する請求項１〜５のいずれか１つに記載の光結合型絶縁装置。
【請求項７】
第１ダイパッド部を有する電源リードと、前記第１ダイパッド部に設けられた第１半導体素子と、第２ダイパッド部を有する接地リードと、前記電源リードと前記接地リードとの間に位置するように設けられた第１および第２の入力リードと、前記第２ダイパッド部に設けられ、電源パッド部と第１半導体素子パッド部と入力パッド部とを有する第２半導体素子と、を有する送信部と、
樹脂を介して前記送信部に向かい合うように設けられた受信部と、
を備え、
前記電源リード、前記第１および第２の入力リード、前記接地リードのアウターリードが第１の方向にそれぞれ延在し、
前記第２半導体素子は、前記第１ダイパッド部の側面のうち前記第１の方向に平行な側面と対向する第１側面と、前記第１の方向に直交しかつ前記第１の入力リードの前記インナーリードの端部および前記第２の入力リードの前記インナーリードの端部に対向する第２側面と、を有し、
前記電源パッド部および前記第１半導体素子パッド部は、前記第２半導体素子の前記第１側面の側に配列され、
前記入力パッド部は、前記第２半導体素子の前記第２側面の側に配列された、絶縁装置。
【請求項８】
第１ダイパッド部を有する電源リードと、前記第１ダイパッド部に設けられた第１半導体素子と、第２ダイパッド部を有する接地リードと、前記電源リードと前記接地リードとの間に位置するように設けられた第１および第２の入力リードと、前記第２ダイパッド部に設けられ、電源パッド部と第１半導体素子パッド部と入力パッド部とを有する第２半導体素子と、を有する送信部と、
樹脂を介して前記送信部に向かい合うように設けられた受信部と、
を備え、
前記電源リード、前記第１および第２の入力リード、前記接地リードのアウターリードが第１の方向にそれぞれ延在し、
前記第２半導体素子は、前記第１ダイパッド部の側面のうち前記第１の方向に平行な側面と対向する第１側面と、前記第１の方向に直交しかつ前記第１の入力リードの前記インナーリードの端部および前記第２の入力リードの前記インナーリードの端部に対向する第２側面と、を有し、
前記電源リードと前記第２半導体素子とを接続するボンディングワイヤは、前記第２半導体素子の前記第１側面を跨ぎ、
前記第１の入力リードと前記第２半導体素子とを接続するボンディングワイヤおよび前記第２の入力リードと前記第２半導体素子とを接続するボンディングワイヤは、前記第２半導体素子の前記第２側面を跨ぐ、絶縁装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明の実施形態は、光結合型絶縁装置および絶縁装置に関する。    
【背景技術】
【０００２】
アナログデジタル変換回路を有する光送信部と、光受信部と、を含む光結合型絶縁装置は、入力端子と、出力端子と、が絶縁された状態で電気信号を伝送できる。
【０００３】
アナログデジタル回路などの急激な電流変化は、リードのインダクタンスによる電磁誘導によりノイズ電圧を生じる。ノイズ電圧は、リード間の寄生容量などにより容量結合やリード間の磁気結合などを介して回路に入り込む。
【０００４】
ノイズ電圧が高くなると、絶縁装置が誤動作をすることがある。  
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００８−１９８６４０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
ノイズ耐性が高められた光結合型絶縁装置および絶縁装置を提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
実施形態の光結合型絶縁装置は、光送信部と、光受信部と、を有する。前記光送信部は、第１ダイパッド部を有する電源リードと、前記第１ダイパッド部に設けられた発光素子と、第２ダイパッド部を有する接地リードと、前記電源リードと前記接地リードの間に位置するように設けられた第１および第２の入力リードと、前記第２ダイパッド部に設けられ、電源パッド部と発光素子パッド部と入力パッド部とを有する駆動ＩＣと、を有する。前記光受信部は、樹脂を介して前記光送信部に向かい合う。前記電源リード、前記第１および第２の入力リード、前記接地リードのそれぞれのアウターリードは、第１の方向に延在する。前記駆動ＩＣは、前記第１ダイパッド部の側面のうち前記第１の方向に平行な側面と対向する第１側面と、前記第１の方向に直交しかつ前記第１の入力リードの前記インナーリードの端部および前記第２の入力リードの前記インナーリードの端部に対向する第２側面と、を有する。前記電源パッド部および前記発光素子パッド部は、前記駆動ＩＣの前記第１側面の側に配列される。前記入力パッド部は、前記駆動ＩＣの前記第２側面の側に配列される。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
【図１】第１の実施形態にかかる光結合型絶縁装置のブロック図である。
【図２】図２（ａ）は第１の実施形態の光結合型絶縁装置の模式断面図、図２（ｂ）は光送信部の模式下面図、図２（ｃ）は光受信部の模式上面図、図２（ｄ）は図２（ｂ）における光送信部の模式断面図、図２（ｅ）は図２（ｃ）における光受信部の模式断面図、である。
【図３】リードのインダクタンスにより生じるノイズ電圧を説明する回路図である。
【図４】比較例にかかる光送信部の模式下面図である。
【図５】ノイズ電圧をシミュレーションで求めたグラフ図である。
【図６】図６（ａ）は第１の実施形態の第１変形例の光送信部の模式下面図、図６（ｂ）は第１の実施形態の第２変形例の光送信部の模式下面図、である。
【図７】第１の実施形態、その第１、第２変形例、にかかる光結合型絶縁装置のノイズ電圧のグラフ図である。
【図８】図８（ａ）は第２の実施形態の光送信部の模式下面図、図８（ｂ）は第３の実施形態の光送信部の模式下面図、図８（ｃ）は第４の実施形態の光送信部の模式下面図、である。
【図９】第２〜第４の実施形態のノイズ電圧のグラフ図である。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
以下、図面を参照しつつ、本発明の実施形態について説明する。
図１は、第１の実施形態にかかる光結合型絶縁装置のブロック図である。
光結合型絶縁装置５は、光送信部１０と、光受信部３０と、を含む。
【００１０】
光送信部１０は、発光素子１２と、発光素子１２を駆動する駆動ＩＣ１４と、を有する。
【００１１】
光送信部１０は、たとえば、符号化回路１８と、発光素子１２の駆動回路２０と、をさらに含み、１チップとすることができる。駆動ＩＣ１４は、クロック発生器１７を含むアナログデジタル変換回路１６を含む。また、駆動ＩＣ１４の上面には、電源パッドと、発光素子パッドと、入力パッドと、が設けられる。アナログデジタル変換回路１６は、たとえば、ΔΣＡＤＣ（デルタシグマ型アナログデジタル変換回路）とすることができる。
【００１２】
光受信部３０は、たとえば、受光素子３２、光電気変換回路３６、復号回路３８、および出力バッファ４０などを有する。光受信部３０は、１チップとすることができる。光受信回路３０は、発光素子１２からの放出光を受光し、電気信号に変換する。
【００１３】
図２（ａ）は第１の実施形態の光結合型絶縁装置の模式断面図、図２（ｂ）は光送信部の模式下面図、図２（ｃ）は光受信部の模式上面図、図２（ｄ）は図２（ｂ）におけるＡ−Ａ線に沿った光送信部の模式断面図、図２（ｅ）は図２（ｃ）におけるＡ−Ａ線に沿った光受信部の模式断面図、である。
光送信部１０は、第１ダイパッド部５０ａを有する電源リード５０と、第１ダイパッド部５０ａに設けられた発光素子１２と、アナログ差動信号ＶＩＮ＋が入力される第１入力リード５１と、アナログ差動信号ＶＩＮ−が入力される第２入力リード５２と、第２ダイパッド部５３ａを有する接地リード５３と、第２ダイパッド部５３ａに接着され、発光素子１２を駆動する駆動ＩＣ１４と、を有する。第１および第２の入力リード５１、５２は、電源リード５０と接地リード５３との間に位置する。
【００１４】
また、光結合型絶縁装置は、樹脂成型体６５をさらに有することができる。樹脂成型体６５の一方の側面６５ｃから、電源リード５０、第１入力リード５１、第２入力リード５２、接地リード５３の順に、それぞれのアウターリード５０ｄ、５１ｄ、５２ｄ、５３ｄが第１の方向８に突出する。それぞれのアウターリードは、通常、同一のピッチ（中心間距離）Ｐ１とする。樹脂成型体６５の内部において、第１入力リード５１のインナーリード５１ｃと第２入力リード５２のインナーリード５２ｃと中心間距離Ｐ２は、ピッチＰ１以下とする。
【００１５】
リードフレームは、たとえば、幅が０．４ｍｍ、厚さが０．１５ｍｍなどのサイズとし、銅合金などの材料とし、表面にＰｄメッキ層などを設ける。
【００１６】
光受信部３０は、たとえば、接地リード５５と、Ｖｏｕｔ−が出力される第２出力リード５６と、Ｖｏｕｔ＋が出力される第１出力リード５７と、電源リード５８と、接地リード５５に接着される光受信部３０のチップと、を有する。出力は、アナログおよびデジタルのいずれでもよい。また、樹脂成型体６５は、光送信部１０と、光受信部３０と、を封止する。接地リード５５、第１出力リード５７、第２出力リード５６、電源リード５８、のそれぞれのアウターリードは、第１の方向８に平行とする。出力Ｖｏｕｔは差動出力でなくてもよい。また、光受信部３０は、クロック信号（ＣＬＫ）を出力することもできる。
【００１７】
樹脂成型体６５は、透光性を有するインナー樹脂６５ａと、インナー樹脂６５ａの外側に設けられ遮光性を有するアウター樹脂６５ｂと、を含むことができる。
【００１８】
図２（ｂ）に表すように、駆動ＩＣ１４は、第１の方向８に平行な第１側面１４ａと、第１の方向８に直交する第２側面１４ｂとを有する。電源パッド部１４ｃおよび発光素子パッド部１４ｄは、駆動ＩＣ１４の第１側面１４ａの側に配列される。また、第１入力リード５１および第２入力リード５２にそれぞれ接続される２つの入力パッド部１４ｅは、駆動ＩＣ１４の第２側面１４ｂの側に配列される。
【００１９】
光結合型絶縁装置５は、光結合型アイソレーション・アンプなどと呼ぶことができる。たとえば、横の長さＬ１は５．５ｍｍ、縦の長さＬ２は７．５ｍｍなどとすることができる。
【００２０】
アナログデジタル変換回路１６により、発光素子１２がオンまたはオフに制御される。この場合、たとえば、発光素子１２は、サンプリングクロックに連動したスパイク状の電流で駆動されるので、内部ノイズを発生する。以下、内部ノイズについて説明する。
【００２１】
図３は、リードのインダクタンスにより生じるノイズ電圧を説明する回路図である。
図３に表すように、インバータなどを含む論理回路において、電流ｉが急激な変化を生じると、リードのインダクタンスＬに対応した電磁誘導により、ｖｎ＝Ｌ×（ｄｉ／ｄｔ）なる内部ノイズが生じる。内部ノイズや外来ノイズは、光送信部１０を構成するリードフレームやボンディングワイヤによる磁気結合や、リード間の容量結合により光送信部１０の内部に入り、信号に重畳される。
【００２２】
光送信部１０の回路がＭＯＳＦＥＴなどを有している場合、ノイズ電圧ｖｎが直流オフセット電圧を越えると、論理回路が誤動作することがある。ノイズ電圧ｖｎは、リードフレーム上に設けられた光送信部１０の３次元構造を表す等価回路に対して電磁界シミュレーションを行うことにより求めることができる。
【００２３】
図４は、比較例にかかる光送信部の模式下面図、である。
比較例において、電源リード１５０の第１ダイパッド部１５０ａと接地リード１５３の第２ダイパッド部１５３ａとは、間隔ＤＤ１を保ちつつ第１の方向１０８に沿って平行に対向し、かつ間隔ＤＤ２を保ちつつ第１の方向１０８の直交方向に沿って対向する。
【００２４】
また、第１入力リード１５１のインナーリード１５１ｃは折れ曲がり部を有し、電源リード１５０の第１ダイパッド部１５０ａと間隔ＤＤ３、ＤＤ４などで近接する。このため、容量結合が強まる。
【００２５】
第１入力リード１５１のインナーリード１５１ｃの端部と接地リード１５３の第２第パッド部１５３ａとを間隔ＤＤ２とする。第２入力リード１５２のインナーリード１５２ｃの端部と接地リート１５３の第２ダイパッド部１５３ａとの間隔をＤＤ２とする。間隔ＤＤ２を小さくすると、容量結合が強くなる。
【００２６】
第１入力リード１５１のインナーリード部１５１ｃは折れ曲がりを有するので、第２入力リード１５２よりも長く、インダクタンスが大きくなる。このため、差動信号が入力される２つのリードの間で、第１入力リード５１と第２入力リード５２との間で、ノイズをキャンセルできない。
【００２７】
電源リード１５０と駆動ＩＣ１１４との間は、ボンディングワイヤＢＷ１１で接続される。また、第１および第２入力リード１５１、１５２と駆動ＩＣ１１４とは、ボンディングワイヤＢＷ１３で接続される。ボンディングワイヤＢＷ１１とボンディングワイヤＢＷ１３とは、ともに駆動ＩＣ１１４の第２側面１１４ｂを跨ぐように設けられる。このため、電磁界の直交成分が少なく、磁気結合が強くなり電源リード１５０からのノイズが入り込み易くなる。比較例の配置は、ワイヤボンディング工程の生産性を高めることが容易である。
【００２８】
図５は、ノイズ電圧をシミュレーションで求めたグラフ図である。
縦軸は電圧（Ｖ）、横軸は立ち上がりパルスを印加した時間ｔ０以降の相対時間、である。破線は比較例、実線は第１の実施形態の電圧を表す。
【００２９】
ノイズ電圧ｖｎは、時間とともに減衰する。駆動電流パルスの立ち上がりや立ち下がりが急峻になると、ノイズ電圧ｖｎが増大する。電流ｉが急峻に立ち上がったのち、比較例におけるノイズ電圧ｖｎの最初のピーク値は略７．５ｍＶである。これに対して、第１実施形態にノイズ電圧ｖｎの最初のピーク値は、略２．５ｍＶと低い。
【００３０】
すなわち、第１の実施形態において、第１入力リード５１のインナーリード５１ｃと第２入力リード５２のインナーリード５２ｃとは第１の方向８に沿って等しい長さを有する。第１の入力リード５１および第２の入力リード５２にはノイズ電圧がそれぞれ誘起される。この場合、第１および第２の入力リード５１、５２の長さが等しいので、それぞれに誘起されるノイズ電圧の大きさが等しくなる。第１の入力リード５１および第２の入力リード５２にそれぞれ入力される信号の差動分を生成すると、等しい大きさで誘起されたノイズ電圧が互いにキャンセルされる。このため、差動分に与えるノイズ電圧の影響を低減できる。すなわち、光結合型絶縁装置のノイズ耐性を高めることができる。
【００３１】
また、インナーリード５１ｃとインナーリード５２ｃとの中心間距離Ｐ２は、第１入力リード５１のアウターリード５１ｄと第２入力リード５２のアウターリード５２ｄとの中心間距離Ｐ１よりも小さい。すなわち、電源リード５０の引き出し部５０ｂと第１入力リード５１のインナーリード５１ｃとの間隔Ｄ３は、比較例の距離ＤＤ３よりも大きい。すなわち、近接した２つのリード領域で構成されるキャパシタの静電容量が低減される。このため、容量結合を弱くでき、電源リード５０と接地リード５３との間で生じる急峻な電流変化によるノイズ電圧の影響を低減できる。
【００３２】
同様に、第２入力リード５２のインナーリード５２ｃと接地リード５３の引き出し部５３ｂとの間隔Ｄ４は、比較例の間隔ＤＤ３よりも長く容量結合を弱くできる。
【００３３】
第１入力リード５１のインナーリード５１ｃの端部と接地リード５３の第２第パッド部５３ａとは間隔、および第２入力リード１５２のインナーリード１５２ｃの端部と接地リート１５３の第２ダイパッド部１５３ａとの間隔は、ともにＤ２であり、比較例の間隔ＤＤ２よりも大きくする。このため、容量結合を弱めることができる。
【００３４】
電源リード５０と駆動ＩＣ１４とを接続するボンディングワイヤＢＷ１は、駆動ＩＣ１４の第１側面１４ａを跨ぐように設けられる。このため、ボンディングワイヤＢＷ１と、第１および第２入力リード５１、５２と駆動ＩＣ１４とを接続するボンディングワイヤＢＷ３と、は、直交に近くなるように交差させることができる。このため、磁気結合を比較例よりも弱めることができる。
【００３５】
また、駆動ＩＣ１４の接地パッド１４ｆと接地リード５３とを接続するボンディングワイヤＢＷ４と、第１および第２入力リード５１、５２と駆動ＩＣ１４とを接続するボンディングワイヤＢＷ３と、を直交に近くなるように設けることにより、磁気結合をさらに弱めることができる。
【００３６】
以上のように、第１の実施形態では、第１および第２の入力リード５１、５２に誘起されるノイズ電圧は、リード長さを等しくすることにより、差動信号においてノイズ電圧をキャンセルできる。また、第１の入力リード５１と電源リード５０との間隔を大きくし、かつ第２の入力リード５２と接地リード５３との間隔を大きくすることにより、容量結合を弱め、急激な電流変化によるノイズ電圧が、第１および第２入力リード５１、５２に誘起されることを抑制できる。さらに、第１および第２の入力リード５１、５２と駆動ＩＣ１４とを接続するボンディングワイヤＢＷ３と、電源リード５０と駆動ＩＣ１４とを接続するボンディングワイヤＢＷ１と、を直交に近くなるように交差させ、磁気結合を弱めることができる。これらにより、光結合型絶縁装置のノイズ耐性を高めることができる。
【００３７】
図６（ａ）は第１の実施形態の第１変形例の光送信部の模式下面図、図６（ｂ）は第１の実施形態の第２変形例の光送信部の模式下面図、である。
図６（ａ）に表す第１変形例では、第１入力リード５１のインナーリード５１ｃと、第２入力リード５２のインナーリード５２ｃと、の中心間距離Ｐ２は、アウターリード５０ｄ〜５３ｄの共通ピッチＰ１と等しい。
【００３８】
また、図６（ｂ）に表す第２変形例では、駆動ＩＣ１４の電源パッド１４ｃと電源リード５０とを接続するボンディングワイヤＢＷ１は、第１および第２入力リード５１、５２と、駆動ＩＣ１４の入力パッド部１４ｅと、を接続するボンディングワイヤＢＷ３から遠い位置（第２ダイパッド部５３ａの外縁の側）に設けられ、かつ直交に近づける。
【００３９】
図７は、第１の実施形態、その第１および第２変形例、にかかる光結合型絶縁装置のノイズ電圧のグラフ図である。
第１変形例では、第１入力リード５１と電源リード５０との間隔Ｄ５が第１の実施形態の間隔Ｄ３よりも小さく、第１の実施形態よりも磁気結合が強い。このため、略４ｍＶのノイズ電圧が生じるが、比較例の７．５ｍＶよりも低減できる。
【００４０】
また、第２変形例では電源リード５０と駆動ＩＣ１４の電源パッド１４ｄを接続するボンディングワイヤＢＷ２は第１および第２入力リード５１、５２とは離間しかつ直交に近づけることができる。このため、略２．８ｍＶのノイズ電圧を生じるが、比較例の７．５ｍＶよりも低減できる。  
【００４１】
図８（ａ）は第２の実施形態の光送信部の模式下面図、図８（ｂ）は第３の実施形態の光送信部の模式下面図、図８（ｃ）は第４の実施形態の光送信部の模式下面図、である。
第２〜第４の実施形態の光送信部１０において、第１および第２の入力リード５１、５２は同一の長さを有する。このため、差動信号におけるノイズ電圧をキャンセルすることが容易となる。
【００４２】
また、電源リード５０と駆動ＩＣ１４の電源パッド１４ｄとを接続するボンディングワイヤＢＷ１は、第１および第２の入力リード５１、５２と駆動ＩＣ１４の入力パッド１４ｅとを結ぶボンディングワイヤＢＷ３と、直交に近くなるように設ける。このため、磁気結合によるノイズ電圧を低減できる。
【００４３】
図９は、第２〜第４の実施形態のノイズ電圧のグラフ図である。
第２〜第４の実施形態のノイズ電圧は、略５ｍＶ以下であり、比較例のノイズ電圧よりも低減できる。また、図８（ｂ）の第３実施形態、図８（ｃ）の第４実施形態では、第１および第２入力リード５１、５２の端部を、第２実施形態よりも接地リード５３や電源リード５０に近づけ実装を容易にできる。この場合、第２の実施形態よりもやや寄生容量が増加するが、ノイズ電圧は５．５ｍＶ以下であり、比較例よりも低減できる。
【００４４】
第１〜第４の実施形態にかかる光結合型絶縁装置により、ノイズ電圧が低減される。このため、光結合型絶縁装置の誤動作が抑制される。これらの光結合型絶縁装置は、制御機器、計測機器などに広く用いることができる。
【００４５】
本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。
【符号の説明】
【００４６】
５  光結合型絶縁装置、８  第１の方向、１０  光送信部、１２  発光素子、１４  駆動ＩＣ、１４ａ  第１側面、１４ｂ  第２側面、１４ｃ  電源パッド部、１４ｄ  発光素子パッド部、１４ｅ  入力パッド部、１６  アナログデジタル変換回路、３０  光受信部、５０  電源リード、５０ａ  第１ダイパッド部、５１、５１ｃ  第１入力リード、５２、５２ｃ  第２入力リード、５３  接地リード、５３ａ  第２ダイパッド部、６５  樹脂成型体、６５ａ  一方の側面、Ｐ１  アウターリード間ピッチ（中心間距離）、Ｐ２  入力リードのインナーリード間中心距離、ＢＷ１  電源リードと電源パッド部とを接続するボンディングワイヤ、ＢＷ２  発光素子と発光素子パッド部とを接続するボンディングワイヤ、ＢＷ３  第１および第２入力リードと入力パッド部とを接続するボンディングワイヤ、Ｄ１  電源リードの第１ダイパッド部と接地リードの第２ダイパッド部との間隔、Ｄ２  第１および第２入力リードの端部と接地リードの第２ダイパッド部との間隔
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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