(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
裏面から前面へ向かって、支持基板（１０）と、被覆層（２０）と、少なくとも１つの誘電体層（３０）と、有用層（４０）とからなる複合構造を製造する方法であって、
ａ）ドナー基板（５０）および前記支持基板（１０）を提供するステップと、
ｂ）前記ドナー基板（５０）上に誘電体材料の層を形成し、かつ、前記ドナー基板（５０）の端部及び誘電体層（３０）を画定する輪郭線Ｃｚとによって区切られた前記ドナー基板（５０）の外周面上の前記誘電体材料の層を部分的に除去するステップであって、前記誘電体層（３０）は、
前記ドナー基板（５０）に接触する第１面と、
前記第１面とは反対側の第２面と、
前記第１面および前記第２面共に接続する外周面とを含み、
ｃ）前記誘電体層（３０）の外周面及び前記第２面を覆うように配置された前記被覆層（２０）を形成するステップと、
ｄ）前記誘電体層（３０）の前記第１面と接触する前記有用層（４０）を画定する脆弱ゾーン（６０）を、前記ドナー基板内（５０）に形成するステップと、
ｅ）前記支持基板（１０）と前記被覆層（２０）とが輪郭（Ｃｓ）を有する接触面（７０）に沿って接触するように、前記支持基板（１０）と前記ドナー基板（５０）とを組立てるステップと、
ｆ）前記脆弱ゾーン（６０）に沿って前記ドナー基板（５０）を割るステップと
を備え、
前記誘電体層（３０）の輪郭（Ｃｚ）が前記接触面（７０）の輪郭（Ｃｓ）内に適合するように、前記ステップｂ）および前記ステップｅ）が実行されることを特徴とする方法。
【請求項２】
前記支持基板（１０）は、
被覆層（２０）、誘電体層（３０）、および有用層（４０）がその上に転移される上面と、
前記上面に対向する底面と、
前記底面と前記上面とを接続する外周ゾーンと
を備え、
前記接触面（７０）の輪郭（Ｃｓ）と前記支持基板（１０）の周囲ゾーンとは、幅Ｌの環状面を基本的に画定し、ステップｂ）およびステップｅ）は、前記誘電体層（３０）の前記輪郭（Ｃｚ）と前記支持基板（１０）の外周ゾーンとが、幅Ｌの１０５％と１５０％との間の幅を有する環状面を基本的に画定するように実行されることを特徴とする請求項１記載の方法。
【請求項３】
前記誘電体層（３０）は、１０ｎｍと８０ｎｍとの間の厚さの窒化シリコンを含み、
前記被覆層（２０）は、８０ｎｍよりも厚い二酸化シリコンを含むことを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の方法。
【請求項４】
前記誘電体層（３０）は、酸化シリコンを含み、
前記被覆層（２０）は、多結晶シリコンまたはアモルファスシリコンを含むことを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の方法。
【請求項５】
前記ドナー基板（５０）は、以下の材料、シリコン、ゲルマニウム、シリコンゲルマニウム合金のうちの少なくとも１つを含むことを特徴とする請求項１ないし４のいずれかに記載の方法。
【請求項６】
ステップｆ）の後には、前記被覆層（２０）および前記誘電体層（３０）を前記有用層（４０）で封入することを目的とした熱処理ステップが続くことを特徴とする請求項１ないし５のいずれかに記載の方法。
【請求項７】
前記ドナー基板（５０）は、追加層（９０）を備え、
前記追加層（９０）は、前記誘電体層（３０）と接触し、
前記追加層（９０）は、前記被覆層（２０）と同じ化学組成を有することを特徴とする請求項１ないし６のいずれかに記載の方法。
【請求項８】
前記ドナー基板（５０）は、シリコンを含み、
前記追加層（９０）は、二酸化シリコンを含み、
前記誘電体層（３０）は、窒化シリコンを含み、
前記被覆層（２０）は、二酸化シリコンを含むことを特徴とする請求項７記載の方法。
【請求項９】
裏面から前面に対して、支持基板（１０）と、被覆層（２０）と、少なくとも１つの誘電体層（３０）と、有用層（４０）とを備える複合構造であって、
前記誘電体層（３０）は、
前記有用層（４０）と接触する第１面と、
前記被覆層（２０）と接触する第２面と、
前記第１面と前記第２面とを接続する外周面とを有し、
当該複合構造は、前記有用層（４０）と前記被覆層（２０）とが前記誘電体層（３０）を封入するように、前記被覆層（２０）が前記誘電体層（３０）の外周面を全体的に被覆することを特徴とする複合構造。
【請求項１０】
前記有用層（４０）は、以下の材料、シリコン、ゲルマニウム、シリコンゲルマニウム合金のうちの少なくとも１つを含むことを特徴とする請求項９記載の複合構造。
【請求項１１】
前記有用層（４０）は、単結晶材料からなることを特徴とする請求項９又は１０記載の複合構造。
【請求項１２】
前記被覆層（２０）は、二酸化シリコンを含み、
前記誘電体層（３０）は、窒化シリコンを含むことを特徴とする請求項９ないし１１のいずれかに記載の複合構造。
【請求項１３】
前記被覆層（２０）は、多結晶シリコンまたはアモルファスシリコンを含み、
前記誘電体層（３０）は、酸化シリコンを含むことを特徴とする請求項９ないし１１のいずれかに記載の複合構造。
【請求項１４】
前記被覆層（２０）は、
前記支持基板（１０）と接触する第１面と、
前記誘電体層（３０）と接触する第２面と、
前記被覆層（２０）の前記第１面と前記第２面とを接続する外周面と
を有し、
前記有用層（４０）は、前記被覆層（２０）の外周面を被覆することを特徴とする請求項９ないし１３のいずれかに記載の複合構造。
【請求項１５】
追加層（９０）は、前記有用層（４０）と前記誘電体層（３０）との間に配置され、
前記追加層（９０）は、前記被覆層（２０）と同じ化学組成を有することを特徴とする請求項９ないし１４のいずれかに記載の複合構造。
【請求項１６】
前記有用層（４０）は、単結晶シリコンを含み、
前記追加層（９０）は、熱二酸化シリコンを含み、
前記誘電体層（３０）は、窒化シリコンを含み、
前記被覆層（２０）は、二酸化シリコンを含むことを特徴とする請求項１５記載の複合構造。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、複合構造の製造方法に関する。また本発明は、複合構造にも関する。
【背景技術】
【０００２】
図１に示すように、裏面から前面へ、支持基板１と、被覆層２と、少なくとも１つの誘電体層３と、有用層４とからなる複合構造（例えば、文献ＥＰ１７８０７９４）を製造する方法は、ａ）ドナー基板５と前記支持基板１とを提供するステップと、
ｂ）少なくとも前記誘電体層３を形成するステップであって、
前記ドナー基板５に接触する第１面と、
前記第１面とは反対側の第２面と、
前記第１面および前記第２面共に接続する外周面とを含む、前記誘電体層３を形成するステップと、
前記誘電体層３は、輪郭Ｃｚを有し、
ｃ）前記誘電体層３の前記第２面を覆うように配置される前記被覆層２を形成するステップと、
ｄ）前記誘電体層３の前記第１面と接触する前記有用層４を画定する脆弱ゾーン６を、前記ドナー基板５内に形成するステップと、
ｅ）前記支持基板１と前記被覆層２とが輪郭Ｃｓを有する接触面７に沿って接触するように、前記支持基板１と前記ドナー基板５とを組立てるステップと、
ｆ）前記脆弱ゾーン６に沿って前記ドナー基板５を割るステップと
を備えている。
【０００３】
ここで、前記有用層４と、誘電体層３と、被覆層２とによって形成された組立部は、積層部８として示される。
【０００４】
ステップｆ）の終わりで、積層部は、複合構造を形成するために支持基板１上に移される。
【０００５】
図２に示すように、複合構造は、外周リング９を含む。
【０００６】
この外周リング９は、支持基板１の外周ゾーンに位置しており、支持基板１とドナー基板５との間の接着力が不十分な場合は、積層８の転移は発生しない。
【０００７】
これにより、外周リングを転移した積層から分離するステップが境界において観察される。
【０００８】
さらに、そのステップで被覆層２と誘電体層３との側面が露出し、これにより化学的侵食から保護することができない。
【０００９】
その結果、その化学的侵食が、有用層４の剥離に沿って粒子を発生させる。
【００１０】
誘電体層３又は被覆層２が形成されているときのみ、例えば誘電体層３がそのステップでも観察される。有用層４のクリープは、そのステップにおいて誘電体層３を被覆又はカプセル化するように一般的に行われる。
【００１１】
しかし、出願人は、被覆層２および少なくとも１つの誘電体層３が存在するとき、前記基板の端部で割るステップは不規則であるということを発見した。図３は、割るステップｆ）の後の複数のステップが含まれた基板上の様子を示す。
【００１２】
複数の中間層が存在するとき、割るステップは、単一のステップではなく、反対に複数のステップに影響を及ぼすことになる。実際、破壊は、基板の外周で広がるが、脆弱ゾーンに沿ってではなく、誘電体層３と被覆層２との間の境界面で広がる。
【００１３】
この製造方法の欠点は、基板の端部で不規則な破壊に至るこということである。
【００１４】
これは、複合構造が、特に、裏面から前面に向かって、シリコン基板、二酸化シリコン層、窒化シリコン層、二酸化シリコン層、シリコン層からなるとのケースである。
【００１５】
さらに、既存の複数のステップでは、そのステップで被覆層２と誘電体層３とを保護するように、クリープが有用層４のヒートトリートメントによって生じるようにすることは不可能である。
【００１６】
ここでは、それゆえ、ヒートトリートメントの間中、クリープよりもむしろ有用層４でのディウエッテイングが観察される。
【００１７】
従って、本発明の目的の１つは、そのステップで被覆層２の露出した面および誘電体層３の露出した面を覆うように、有用層４でクリープのステップを実行することを可能にする複合構造を製造する方法を提案する。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１８】
【特許文献１】仏国特許出願公開第２８５２１４３号明細書（１０頁、３〜２８行）
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１９】
本発明は、改善された複合構造、および、その製造方法を提供する。
【課題を解決するための手段】
【００２０】
本発明は、上述された難点を改善することを目指しており、裏面から前面に向かって、支持基板と、被覆層と、少なくとも１つの誘電体層と、有用層とを備える複合構造を製造するための方法に関し、前記方法は、以下のステップ、すなわち、
ａ）ドナー基板および支持基板を提供するステップと、
ｂ）誘電体層を少なくとも形成するステップであって、
−ドナー基板と接触する第１面と、
−第１面に対向する第２面と、
−第１面と第２面とを共に接続する外周面と
を備える誘電体層を少なくとも形成するステップと
を含み、
誘電体層は、輪郭を有し、
さらに、前記方法は、以下のステップ、すなわち、
ｃ）誘電体層の第２面を被覆するように配置された被覆層を形成するステップと、
ｄ）誘電体層の第１面と接触する有用層の境界を定める弱化されたゾーンをドナー基板内に形成するステップと、
ｅ）支持基板と被覆層とが輪郭を有する接触面に沿って接触するように、支持基板とドナー基板とを組み立てるステップと、
ｆ）弱化されたゾーンに沿ってドナー基板を割るステップと、
を含み、
前記方法は、誘電体層の輪郭が接触面の輪郭の中にちょうど収まるように、ステップｂ）およびステップｅ）が実行され、被覆層が誘電体層の外周面を被覆するように、ステップｃ）が実行される点で注目に値する。
【００２１】
したがって、転移ステップｆ）の後、層の積み重ねは、支持基板の上に転移される。
【００２２】
転移された層の積み重ねは、中央部分と、外周部分とを備える。
【００２３】
積み重ねの中央部分は、有用層と、誘電体層と、被覆層とを備える。
【００２４】
外周部分は、有用層と、被覆層とのみを備える。
【００２５】
その場合、単純なステップが得られることが観察される。外周部分は、単一の中間層を備える積み重ねの転移に対応する。
【００２６】
したがって、外周リングにおいては、割るステップは、単一のステップをもたらす。
【００２７】
結果として、得られた複合構造は、特に単一のステップで被覆層を封入するために、例えば、熱処理を実行することによって、有用層のクリープを可能にする。
【００２８】
一実施形態によれば、支持基板は、
−被覆層、誘電体層、および有用層がその上に転移される上面と、
−上面に対向する底面と、
底面と上面とを接続する外周ゾーンと
を備え、
接触面の輪郭と支持基板の外周ゾーンとは、幅Ｌを有する基本的に環状面の境界を定め、ステップｂ）およびステップｅ）は、誘電体層の輪郭と支持基板の外周ゾーンとが、幅Ｌの１０５％と１５０％の間の幅、好ましくは１１０％と１４０％の間の幅、さらに好ましくは１１５％と１３０％の間の幅を有する基本的に環状面の境界を定めるように実行される。
【００２９】
一実施形態によれば、誘電体層は、２つのステップｂ１）およびｂ２）において、すなわち、
ｂ１）ドナー基板の上に誘電体材料の層を付着させるステップと、
ｂ２）誘電体材料の残留層が誘電体層を形成するように、誘電体材料の層を部分的に除去するステップと
において形成される。
【００３０】
一実施形態によれば、誘電体層は、１０と８０ｎｍの間の厚さの窒化シリコンを含む。
【００３１】
一実施形態によれば、被覆層は、８０ｎｍよりも厚い二酸化シリコンを含む。
【００３２】
一実施形態によれば、ドナー基板は、以下の材料、すなわち、シリコン、ゲルマニウム、シリコンゲルマニウム合金のうちの少なくとも１つを含む。
【００３３】
一実施形態によれば、ステップｆ）の後には、被覆層および誘電体層を有用層で封入することを目的とした熱処理ステップが続く。
【００３４】
一実施形態によれば、ドナー基板は、追加層を備え、追加層は、誘電体層と接触し、追加層は、被覆層と同じ化学組成を有する。
【００３５】
一実施形態によれば、ドナー基板は、シリコンを含み、追加層は、二酸化シリコンを含み、誘電体層は、窒化シリコンを含み、被覆層は、二酸化シリコンを含む。
【００３６】
本発明は、裏面から前面に対して、支持基板と、被覆層と、少なくとも１つの誘電体層と、有用層とを備える複合構造にも関し、誘電体層は、
−有用層と接触する第１面と、
−被覆層と接触する第２面と、
−第１面と第２面とを接続する外周面とを有し、前記複合構造は、有用層と被覆層とが誘電体層を封入するように、被覆層が誘電体層の外周面を全体的に被覆する点で注目に値する。
【００３７】
転移された層の積み重ねは、中央部分と、外周部分とを備える。
【００３８】
積み重ねの中央部分は、有用層と、誘電体層と、被覆層とを備える。
【００３９】
外周部分は、有用層と、被覆層とのみを備える。
【００４０】
したがって、単純なステップが観察され、外周部分は、単一の中間層を備える積み重ねに対応する。
【００４１】
結果として、得られた複合構造は、単一のステップで被覆層を封入するために、例えば、熱処理を実行することによって、有用層のクリープを可能にする。
【００４２】
一実施形態によれば、有用層は、以下の材料、すなわち、シリコン、ゲルマニウム、シリコンゲルマニウム合金のうちの少なくとも１つを含む。
【００４３】
一実施形態によれば、有用層は、単結晶材料を含む。
【００４４】
一実施形態によれば、被覆層は、二酸化シリコンを含む。
【００４５】
一実施形態によれば、誘電体層は、窒化シリコンを含む。
【００４６】
一実施形態によれば、被覆層は、
−支持基板と接触する第１面と、
−誘電体層と接触する第２面と、
−被覆層の第１面と第２面とを接続する外周面と
を有し、
有用層は、被覆層の外周面を被覆する。
【００４７】
一実施形態によれば、追加層が、有用層と誘電体層との間に配置され、追加層は、被覆層と同じ化学組成を有する。
【００４８】
一実施形態によれば、有用層は、単結晶シリコンを含み、追加層は、熱二酸化シリコンを含み、誘電体層は、窒化シリコンを含み、被覆層は、二酸化シリコンを含む。
【図面の簡単な説明】
【００４９】
他の特徴および利点は、添付の図面を参照する、非限定的な例として与えられる、本発明による製造方法の実施形態についての以下の説明から明らかになる。
【図１】先行技術において知られている技法に従った製造方法の概略図である。
【図２】先行技術の知られている技法に従った製造方法によって得られた複合構造の正面図である。
【図３】先行技術の知られている技法に従った製造方法において使用される基板の断面図である。
【図４ａ】本発明の第１の実施形態の概略図である。
【図４ｂ】本発明の第１の実施形態の概略図である。
【図５】本発明に従った製造方法によって得られ、封入処理を施された複合構造の横断面図である。
【図６ａ】本発明の第２の実施形態の概略図である。
【図６ｂ】本発明の第２の実施形態の概略図である。
【発明を実施するための形態】
【００５０】
様々な実施形態では、説明を単純化するために、同一の要素または同じ機能を果たす要素に対して、同じ参照番号が使用される。
【００５１】
図４ａおよび図４ｂに示される方法は、裏面から前面に対して、支持基板１０と、被覆層２０と、少なくとも１つの誘電体層３０と、有用層４０とを備える複合構造を製造するための方法であり、方法は、以下のステップ、すなわち、
ａ）ドナー基板５０および支持基板１０を提供するステップと、
ｂ）誘電体層３０を少なくとも形成するステップであって、
−ドナー基板と接触する第１面と、
−第１面に対向する第２面と、
−第１面と第２面とを共に接続する外周面と
を備える誘電体層を少なくとも形成するステップと
を含み、
誘電体層３０は、輪郭Ｃｚを有し、
さらに、方法は、以下のステップ、すなわち、
ｃ）誘電体層３０の第２面を被覆するように配置された被覆層２０を形成するステップと、
ｄ）誘電体層３０の第１面と接触する有用層４０の境界を定める弱化されたゾーン６０をドナー基板５０内に形成するステップと、
ｅ）支持基板１０と被覆層２０とが輪郭Ｃｓを有する接触面７０に沿って接触するように、支持基板１０とドナー基板５０とを組み立てるステップと、
ｆ）弱化されたゾーン６０に沿ってドナー基板５０を割るステップと、
を含む。
【００５２】
ステップｂ）およびステップｅ）は、誘電体層３０の輪郭Ｃｚが接触面７０の輪郭Ｃｓの中にちょうど収まるように実行され、ステップｃ）は、被覆層２０が誘電体層３０の外周面を被覆するように実行される。
【００５３】
本発明に従った製造方法を実施する前に、接触面の輪郭Ｃｓの境界を定めるためのステップが、実行されることができる。
【００５４】
この決定ステップは、複数の複合構造を製造するための方法を実施することが問題である場合に、特に有利である。
【００５５】
その理由は、複数の複合構造を製造する状況では、どの複合構造でも接触面の輪郭Ｃｓが実質的に等しくなる（または同じでさえある）ように、複数のドナー基板５０および複数の支持基板１０が選択されるためである。
【００５６】
その後、複数のドナー基板５０のうちのドナー基板５０が、実質的に等価な、または等しくさえある幾何学的特性を有するように選択される。
【００５７】
その後、複数の支持基板１０のうちの支持基板１０が、実質的に等価な、または等しくさえある幾何学的特性を有するように選択される。
【００５８】
基板の幾何学的特性は、限定することなく、面の任意の点における厚さ、厚さおよび形状の変動を意味する。
【００５９】
したがって、それは、構造を製造するための輪郭Ｃｓを決定するために、また結果を複数の複合構造の製造に適用するために十分である。
【００６０】
輪郭Ｃｓの決定は、以下のステップ、すなわち、
−支持基板１０とドナー基板５０とを組み立てるステップと、
−接触面７０の輪郭Ｃｓの画像を得るために、走査音響顕微鏡を使用するステップと
を含む。
【００６１】
別のソリューションは、複合構造を製造するための方法を実施する際に、誘電体層３０の形成を省くこと、および支持基板のエッジ上のすべての点において、外周リングの幅を測定することである。
【００６２】
複合構造の外周リングの外観は、支持基板のエッジと接触面７０の輪郭Ｃｓとによって境界が定められる。その場合、接触Ｃｓの決定が、直接的である。
【００６３】
例えば、出願人は、被覆層２０を備える複合構造の製造が、０．８ｍｍの幅を有する外周リングの形成をもたらすことを見出した。
【００６４】
特に有利なことに、支持基板（１０）は、
−被覆層（２０）、誘電体層（３０）、および有用層（４０）がその上に転移される上面と、
−上面に対向する底面と、
底面と上面とを接続する外周ゾーンと
を備え、
接触面（７０）の輪郭（Ｃｓ）と支持基板（１０）の外周ゾーンとは、幅Ｌを有する基本的に環状面の境界を定め、ステップｂ）およびステップｅ）は、誘電体層（３０）の輪郭（Ｃｚ）と支持基板（１０）の外周ゾーンとが、幅Ｌの１０５％と１５０％の間の幅、好ましくは１１０％と１４０％の間の幅、さらに好ましくは１１５％と１３０％の間の幅を有する基本的に環状面の境界を定めるように実行される。
【００６５】
したがって、複数の複合構造を製造するための方法の状況では、複数のドナー基板５０および複数の支持基板１０は、幾何学的特性についてあるばらつきを有する。
【００６６】
ステップａ）において提供されるドナー基板１０は、シリコン、シリコンゲルマニウム、ゲルマニウムから選択される材料の１つを含む。
【００６７】
ステップａ）において提供される支持基板３０は、マイクロエレクトロニクス産業、光学産業、光電子産業、および太陽電池産業において通常使用されるすべての材料から成る。
【００６８】
特に、支持基板１０は、以下の群、すなわち、シリコン、炭化シリコン、シリコンゲルマニウム、ガラス、セラミック、または金属合金から選択される材料の少なくとも１つを含む。
【００６９】
少なくとも１つの誘電体層３０は、ドナー基板上に形成される。
【００７０】
被覆層２０は、誘電体層３０を被覆するように形成される。
【００７１】
被覆層２０および誘電体層３０の形成は、以下で様々な実施形態を説明する際に詳述される。
【００７２】
次に、弱化されたゾーン６０をドナー基板５０内に形成するステップｄ）が実行される。
【００７３】
弱化されたゾーン６０は、ドナー基板５０において有用層４０の境界を定め、有用層４０は、誘電体層３０と接触する。
【００７４】
有用層４０は、支持基板１０の上に転移されることを意図している。
【００７５】
弱化されたゾーン６０は、ドナー基板５０にける原子種の注入によって生成される。
【００７６】
原子種は、原子種、分子種、またはイオン種を意味する。
【００７７】
導入される種は、以下の種、すなわち、水素、ヘリウムの少なくとも１つを含む。
【００７８】
水素は、１０と２１０ｋｅＶの間のエネルギーを用い、７×１０15と１×１０17ａｔ／ｃｍ2の間のドーズ量で導入される。
【００７９】
組み立てるステップｅ）は、分子接合ステップである。
【００８０】
割るステップｆ）は、有利なことに、３００°と６００℃の間の温度で実行される熱アニーリングである。
【００８１】
ステップｆ）が終了すると、複合構造が得られる。
【００８２】
複合構造は、前面から裏面に対して、有用層４０と、誘電体層３０と、被覆層２０と、支持基板１０とを備える。
【００８３】
第１の実施形態
第１の実施形態が、図４ａおよび図４ｂに示されている。
【００８４】
誘電体層３０の形成
誘電体層３０は、２つのステップにおいて、すなわち、
ｂ１）ドナー基板１０の誘電体材料の層を形成するステップと、
ｂ２）誘電体材料の残留層が誘電体層２０を形成するように、誘電体材料の層を部分的に除去するステップと
において形成される。
【００８５】
ステップｂ１）は、ドナー基板５０上における蒸着、低圧蒸着、またはプラズマ支援蒸着の技法である。それは、（窒化、酸化など）選択された大気内における熱処理技法でもある。
【００８６】
誘電体材料の層の厚さは、１０ｎｍと８０ｎｍの間、例えば、５０ｎｍである。
【００８７】
その後、ステップｂ１）の後には、誘電体材料の層の部分的な除去を含むステップｂ）が続く。部分的な除去は、誘電体材料の層の残存または残留部分が誘電体層３０を構成するように実行される。
【００８８】
言い換えると、誘電体材料の層の部分的な除去は、ドナー基板５０のエッジと輪郭Ｃｚによって境界が定められるドナー基板５０の外周面において実行される。
【００８９】
したがって、誘電体材料の層の残留部分は、誘電体層３０を形成する。
【００９０】
ドナー基板５０の外周面は、環状面の形態を有する。
【００９１】
ステップｂ２）は、有利なことに、化学エッチング溶液によって実行される。
【００９２】
特に有利なことに、複数の誘電体層３０が、連続的に形成される。
【００９３】
例えば、１つの誘電体層３０は、窒化シリコンを含み、別の誘電体層３０は、二酸化シリコンを含む。
【００９４】
窒化シリコン（Ｓｉ3Ｎ4）を含む誘電体層３０の場合、化学エッチング溶液は、５０°Ｃよりも高い温度に加熱されたリン酸（Ｈ3ＰＯ4）の溶液である。
【００９５】
ドナー基板１０のエッジと輪郭Ｃｚによって境界が定められるドナー基板５０の外周面上でのみ誘電体層３０をエッチングするように、化学エッチング溶液は、回転するドナー基板５０のエッジ上にノズルによって散布される。
【００９６】
被覆層２０の形成
被覆層２０は、蒸着、低圧蒸着、またはプラズマ支援蒸着技法によって形成される。
【００９７】
被覆層は、誘電体層３０の第２面および外周面を全体的に被覆する。
【００９８】
被覆層２０は、誘電体層３０の材料とは異なる、以下の材料、すなわち、酸化シリコン、窒化シリコンまたは酸窒化物、窒化アルミニウム、酸化アルミニウム、多結晶シリコン、および非結晶シリコンから選択される材料を含む。
【００９９】
特に有利なことに、被覆層２０は、酸化シリコンを含み、その厚さは、８０ｎｍよりも厚く、例えば、１００ｎｍである。
【０１００】
ステップｆ）が終了すると、複合構造が得られる。
【０１０１】
複合構造は、裏面から前面に対して、支持基板１０と、被覆層２０と、少なくとも１つの誘電体層３０と、有用層４０とを備え、誘電体層３０は、
−有用層４０と接触する第１面と、
−被覆層２０と接触する第２面と、
−第１面と第２面とを接続する外周面と
を有し、
有用層４０と被覆層３０とが誘電体層３０を封入するように、被覆層２０が誘電体層３０の外周面を全体的に被覆する。
【０１０２】
したがって、転移ステップの後、輪郭Ｃｚの誘電体層３０は、支持基板１０の輪郭Ｃｐの中央面８０と一致して垂直に配置される。
【０１０３】
したがって、接触面７０の輪郭Ｃｓと中央面８０の輪郭Ｃｐとによって境界が定められる面は、有用層４０と被覆層２０とのみを備える層の積み重ねと対向する。
【０１０４】
さらに、支持基板１０の中央面８０は、有用層４０と誘電体層３０と被覆層２０とを備える層の積み重ねに面している。
【０１０５】
したがって、基板のエッジにおいて、単一のステップが観察される。
【０１０６】
結果として、単一のステップの観察は、被覆層２０と誘電体層３０とを有用層４０で封入することを可能にする。封入は、図５に示されるように有用層４０のいかなる脱濡れも観察することなしに、熱処理によって実行される。
【０１０７】
これに関して、当業者は、有用層４０による絶縁層の封入についての技術的な説明を、２００５年９月１１日（１１．１０．２００５）の公開された出願（Ｅ．ＮＥＹＲＥＴ）（例えば、特許文献１参照）において見出すであろう。
【０１０８】
この第１の実施形態の特定の構成では、被覆層２０は、多結晶シリコンまたは非結晶シリコンから作成され、その厚さは、例えば、２０００ｎｍなど、数ｎｍと数千ｎｍの間である。誘電体層３０は、酸化シリコンから作成され、有用層４０は、シリコンから作成される。したがって、絶縁する層の下に多結晶シリコンまたは非結晶シリコンの埋め込まれた層を有する複合シリコンオンインシュレータ構造が形成される。この種類の複合構造は、無線周波分野に用途を見出す半導体デバイスを製造するのに特に適している。
【０１０９】
第２の実施形態
図６ａおよび図６ｂに示される第２の実施形態は、ドナー基板５０が、追加層９０を備え、追加層９０は、誘電体層３０と接触し、追加層９０は、被覆層２０と同じ化学組成を有する点で、第１の実施形態と異なる。
【０１１０】
例えば、追加層９０および被覆層２０は、酸化シリコンを含む。
【０１１１】
追加層９０は、誘電体層３０より前に、ドナー基板５０上に直接的に形成される。
【０１１２】
追加層９０は、誘電体層３０の材料とは異なる、以下の材料、すなわち、酸化シリコン、窒化シリコンまたは酸窒化物、窒化アルミニウム、酸化アルミニウム、多結晶シリコン、および非結晶シリコンから選択される材料を含む。
【０１１３】
有利なことに、追加層９０は、酸化シリコンから作成され、その厚さは、２と２０ｎｍの間であり、例えば、７ｎｍである。
【０１１４】
ドナー基板５０がシリコンから作成される場合、酸化シリコンの追加層９０は、このドナー基板の熱酸化によって得られ、したがって、熱二酸化シリコンの追加層９０を形成する。
【０１１５】
ステップｆ）が終了すると、複合構造が得られる。
【０１１６】
複合構造は、前面から裏面に対して、有用層４０と、追加層９０と、誘電体層３０と、被覆層２０と、支持基板１０とを備える。
【０１１７】
したがって、転移ステップの後、輪郭Ｃｚの誘電体層３０は、支持基板１０の輪郭Ｃｐの中央面８０と一致して垂直に配置される。
【０１１８】
したがって、接触面７０の輪郭Ｃｓと中央面８０の輪郭Ｃｐとによって境界が定められる面は、有用層４０と追加層９０と被覆層２０とのみを備える層の積み重ねと対向する。
【０１１９】
さらに、支持基板１０の中央面８０は、有用層４０と誘電体層３０と被覆層２０とを備える層の積み重ねと対向する。
【０１２０】
被覆層２０と追加層９０とは、同じ化学組成を有し、その場合、それらの積み重ねは、誘電体材料の単一の層と関連付けられる。
【０１２１】
したがって、基板のエッジにおいて、単一のステップが観察される。
【０１２２】
結果として、単一のステップの観察は、被覆層２０と誘電体層３０と追加層９０とを有用層４０で封入することを可能にする。封入は、有用層４０のいかなる脱濡れも観察することなしに、熱処理によって実行される。
【０１２３】
追加層９０は、有利なことに、二酸化シリコンを含む。したがって、一般にＳＯＩ  ＯＮＯ（シリコンオン二酸化シリコン（silicon on silicon dioxide）、オン窒化シリコン（on silicon nitride）、オン二酸化シリコン（on silicon dioxide））と呼ばれる複合構造が形成される。
【０１２４】
したがって、本発明は、有利なことに、複合ＳＯＩ  ＯＮＯ基板を生産するために、または無線周波用途のＳＯＩ基板を生産するために実施される。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４ａ】
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【図４ｂ】
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【図５】
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【図６ａ】
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【図６ｂ】
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