(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
交流電源に接続された給電回路の漏電を検出する漏電検出回路と、前記給電回路を開閉する開閉接点と、前記漏電検出回路から出力される漏電検出信号によりオンする第１のスイッチ素子と、前記第１のスイッチ素子のオン時に前記開閉接点を遮断動作させる引外し装置と、前記漏電検出回路及び前記引外し装置に電源を供給する電源回路と、を備え、
前記電源回路が、前記給電回路の交流電圧の整流電圧から直流定電圧を生成する定電圧回路と、前記定電圧回路により充電される電源コンデンサと、前記定電圧回路の出力側に接続されて前記漏電検出回路に定電流を供給する定電流回路と、を有する漏電遮断器において、
前記引外し装置を構成する引外しコイルと前記第１のスイッチ素子との間に、瞬断回路を接続し、前記瞬断回路は、前記引外しコイルと前記第１のスイッチ素子との間の電路を常時接続していると共に、前記第１のスイッチ素子がオンしてから一定時間経過後に前記電路を瞬時遮断してその後に前記電路を接続する機能を備えたことを特徴とする漏電遮断器。
【請求項２】
請求項１に記載した漏電遮断器において、
前記瞬断回路は、
前記引外しコイルと前記第１のスイッチ素子との間に接続されて常時オン状態にある第２のスイッチ素子と、
前記引外しコイルと前記第２のスイッチ素子との接続点の電圧を検知する電圧検知回路と、
前記第１のスイッチ素子のオンにより前記電圧検知回路が電圧低下を検知した時点から前記一定時間経過後に、前記第２のスイッチ素子をオフさせる時延回路と、
を備えたことを特徴とする漏電遮断器。
【請求項３】
請求項２に記載した漏電遮断器において、
前記第１のスイッチ素子を、前記漏電検出信号がゲートに入力されるサイリスタにより構成すると共に、前記第２のスイッチ素子を半導体スイッチング素子により構成し、
前記時延回路を動作させる前記一定時間を、前記引外しコイルと前記第２のスイッチ素子との接続点の電圧低下に起因して放電するコンデンサ及び抵抗の時定数に基づいて設定したことを特徴とする漏電遮断器。
【請求項４】
請求項１〜３の何れか１項に記載した漏電遮断器において、
前記定電圧回路は、
前記給電回路に接続した整流回路の直流出力端子間に接続されたフィルタ用コンデンサと、
前記フィルタ用コンデンサの正側端子と前記電源コンデンサの正側端子との間に入出力電極が順次接続された電界効果トランジスタと、
前記電界効果トランジスタの制御電極と前記フィルタ用コンデンサ及び前記電源コンデンサの共通の負側端子との間に、カソードを前記制御電極側に向けて接続されたツェナーダイオードと、
を有することを特徴とする漏電遮断器。
【請求項５】
請求項４に記載した漏電遮断器において、
前記給電回路と前記整流回路の入力側との間に接続された電流制限抵抗を備え、
前記電流制限抵抗と前記フィルタ用コンデンサとにより、サージ電圧吸収用のフィルタ回路を構成したことを特徴とする漏電遮断器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、漏電を検出して電源供給を遮断する漏電遮断器に関し、特に、漏電遮断器の内部回路へ電源を供給する電源回路や引外しコイルの励磁回路を改良した漏電遮断器に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
図６は、漏電遮断器の一般的な構成を示している。
図６において、漏電遮断器１は、電源側端子２に接続されて交流電源を負荷側へ給電する開閉接点８を内蔵し、負荷側端子３に接続される電動機などの負荷回路を含む給電回路の漏電を監視し、漏電検出時に給電回路を遮断して各種の機器や回路を保護する機器である。
【０００３】
すなわち、漏電遮断器１は、給電回路を開閉する開閉接点８と、漏電電流を検出するために給電回路に挿入された零相変流器（ＺＣＴ）５と、その出力信号から漏電の有無を検出する漏電検出回路６と、漏電検出回路６から出力される漏電検出信号により駆動されて開閉接点８を遮断する引外し装置７と、給電回路から得た交流電圧を直流電圧に変換して漏電検出回路６及び引外し装置７に電源を供給する直流電源回路４と、を備えている。
【０００４】
直流電源回路４は、三相または単相の交流電源電圧を整流して直流に変換し、かつ漏電検出回路６等が動作可能な電圧まで低下させて安定化する機能を備えている。この種の漏電遮断器において、実際に使用される給電回路の交流電圧範囲は１００[Ｖ]〜４００[Ｖ]と広いため、直流電源回路４についても上記の電圧範囲を考慮して設計する必要がある。
そこで、漏電遮断器の使用電圧範囲を広くする方法として、例えば特許文献１に記載された従来技術が知られている。
【０００５】
図７は、特許文献１に記載された漏電遮断器の構成図である。
図７において、９は電源側端子、１０は負荷側端子、１１は給電回路、１２は開閉接点、１３は零相変流器、１４は増幅器１５を備えた漏電検出回路、１６は、引外しコイル１７とサイリスタ１８との直列回路からなる引外し装置、１９は電流制限抵抗、２０は整流回路、２１は定電流ダイオード、２２はツェナーダイオード（定電圧ダイオード）、２３は電源コンデンサである。
【０００６】
ここで、電源コンデンサ２３は、引外しコイル１７を含む回路全体の駆動エネルギーを供給しており、この電源コンデンサ２３を定電流充電し、給電回路１１の電圧を定電流ダイオード２１の直列回路が分担することによって使用電圧範囲を拡大している。すなわち、この従来技術は、回路の消費電流をほぼ一定に保つことにより、電流制限抵抗１９の電流容量を増加せずに、広範囲の交流電源電圧に対応可能としたものである。
【０００７】
他の従来技術として、特許文献２に記載された漏電遮断器が知られている。
図８は、この漏電遮断器の構成図であり、２４は、交流の給電回路（図示せず）に接続される整流回路、２５は、トランジスタ２６，２７及びツェナーダイオード２８等からなる定電流回路、２９は、引外しコイル３０，サイリスタ３１及び引外し機構３２からなる引外し装置、３３は給電回路に取り付けられる零相変流器、３４はツェナーダイオード、３５は漏電検出回路である。
この従来技術では、図７における定電流ダイオード２１及びツェナーダイオード２２の直並列回路の代わりに、給電回路の広範囲の電圧から定電流を安定的に供給可能な定電流回路２５を用いることにより、使用電圧範囲を拡大している。
【０００８】
更に、別の従来技術として、特許文献３に記載された漏電遮断器が知られている。
図９は、この漏電遮断器の構成図であり、３６は電源側端子、３７は負荷側端子、３８は給電回路、３９は開閉接点、４０は零相変流器、４１は電流制限抵抗、４２は整流回路、４３は、トランジスタ４４，抵抗４４Ｒ及びツェナーダイオード４５を備えた定電圧回路、４６は電源コンデンサ、４７は過電圧保護回路、４８は増幅器４９等を有する漏電検出回路、５０は、引外しコイル５１とサイリスタ５２との直列回路からなる引外し装置、５３は定電流回路である。
【０００９】
この従来技術では、電源コンデンサ４６が充電されていない状態で系統電源が投入されると、トランジスタ４４が導通状態となり、電源コンデンサ４６が急速に充電される。ツェナーダイオード４５により決まる電圧まで電源コンデンサ４６が充電されると、その後、トランジスタ４４は、電源コンデンサ４６の充電電圧を維持するように整流回路４２の出力電圧を負担する。このため、回路全体の消費電流は、電源コンデンサ４６から定電流回路５３を介して増幅器４９に供給される電流値にまで抑制される。
これにより、電源コンデンサ４６の充電時間を短縮してトリップ可能に至るまでの時間を短縮しつつ、連続使用状態における消費電流を必要最小限に抑制している。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１０】
【特許文献１】特公平７−５７０６２号公報（第２頁左欄第３８行〜右欄第６行、図１等）
【特許文献２】特開２００５−１３７０９５号公報（段落[００２４]〜[００３０]、図１等）
【特許文献３】特開平８−６５８８０号公報（段落[０００７]〜[０００８]、図１等）
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１１】
特許文献１，２に記載された従来技術では、電源コンデンサを定電流にて充電するため、引外しコイルを駆動するために必要な電荷が電源コンデンサに貯えられるまでの充電時間は、定電流値と電源コンデンサの容量とによって決定される。ここで、定電流値は、回路の電力損失を小さくするために極力小さい値に設定され、通常は、漏電検出回路が動作可能な電流（１〜２[ｍＡ]程度）に設定されている。
【００１２】
一方、引外しコイルを安定的に動作させるためには、電源コンデンサの容量値を大きくすることが求められる。しかし、電源コンデンサの容量値を大きくすると、充電電流が小さな定電流値であるため、電源コンデンサの充電時間が長くなるという問題がある。
【００１３】
漏電遮断器の性能としては、電源コンデンサの充電時間を短くして高速遮断動作することが望ましい。すなわち、漏電遮断器の開閉接点の投入動作を行った直後に漏電が発生するような事態もあり得るので、開閉接点を投入してから漏電遮断器が動作するまでの時間（漏電投入動作時間）は極力短いことが望ましい。
しかしながら、前述したように、特許文献１，２に記載された従来技術では、小さい定電流値に起因して電源コンデンサの充電時間が長期化するため、漏電投入動作時間は１００[ｍｓ]前後にするのが限界であった。
【００１４】
また、特許文献３に記載された従来技術では、定電圧制御素子としてバイポーラ型トランジスタを使用している。
バイポーラ型トランジスタは電流動作形であるため、使用電圧範囲で常に適正なベース電流が供給されるように、図９における抵抗４４Ｒの抵抗値を設定しておく必要がある。この場合、使用電圧範囲を低くして抵抗値を設定すると、高い電圧範囲ではその電圧値に応じて抵抗４４Ｒを流れる電流値が増大し、その結果、電力損失も増大する。このため、特許文献３の従来技術では、特許文献１，２の従来技術に比べて使用電圧範囲を広くすることが難しいという問題があった。
【００１５】
図９において、漏電検出回路４８が漏電を検出して漏電検出信号がサイリスタ５２のゲートに入力されると、サイリスタ５２が導通して引外しコイル５１を励磁し、開閉接点３９が開状態となる。通常の使用方法では、開閉接点３９が開状態になると給電回路３８への電源が遮断されるため、漏電遮断器の内部回路を含めて、回路動作は全て休止される。
しかし、漏電遮断器の使用方法として、まれに電源側端子３６と負荷側端子３７とを逆に接続して使用する状態（電源逆接続状態）がある。このような使用状態では、漏電検出時に開閉接点３９が開状態になっても、漏電遮断器の内部回路には電源が印加されたままとなる。
【００１６】
引外しコイル５１を駆動するサイリスタ５２は、周知のように、ゲートに信号が入力されて一旦、導通した後は、ゲート信号がなくなったとしても主電流が保持電流より小さくなるか、あるいは、アノード・カソード間に逆バイアス電圧を印加しない限り、導通状態が保持される。
このため、図９に示すように、定電圧回路４３を経た電圧が印加される引外しコイル５１をサイリスタ５２にて駆動する回路では、電源逆接続状態で漏電を検出して一旦、トリップ動作すると、漏電検出信号がなくなっても引外しコイル５１は常に励磁された状態となり、リセットできなくなるという問題があった。また、引外しコイル５１が常に励磁状態であると、引外しコイル５１や回路の焼損を引き起こすという問題もあった。
【００１７】
そこで、本発明の解決課題は、適用される給電回路の電圧範囲が広く、電源コンデンサの充電時間を短くして漏電投入動作時間を短縮すると共に、電源逆接続状態で使用された場合にも引外しコイルを常時励磁する恐れのない漏電遮断器を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１８】
上記課題を解決するため、請求項１に係る発明は、交流電源に接続された給電回路の漏電を検出する漏電検出回路と、前記給電回路を開閉する開閉接点と、前記漏電検出回路から出力される漏電検出信号によりオンする第１のスイッチ素子と、前記第１のスイッチ素子のオン時に前記開閉接点を遮断動作させる引外し装置と、前記漏電検出回路及び前記引外し装置に電源を供給する電源回路と、を備え、
前記電源回路が、前記給電回路の交流電圧の整流電圧から直流定電圧を生成する定電圧回路と、前記定電圧回路により充電される電源コンデンサと、前記定電圧回路の出力側に接続されて前記漏電検出回路に定電流を供給する定電流回路と、を有する漏電遮断器において、
前記引外し装置を構成する引外しコイルと前記第１のスイッチ素子との間に、瞬断回路を接続し、前記瞬断回路は、前記引外しコイルと前記第１のスイッチ素子との間の電路を常時接続していると共に、前記第１のスイッチ素子がオンしてから一定時間経過後に前記電路を瞬時遮断してその後に前記電路を接続する機能を備えたものである。
【００１９】
請求項２に係る発明は、請求項１に記載した漏電遮断器において、前記瞬断回路は、前記引外しコイルと前記第１のスイッチ素子との間に接続されて常時オン状態にある第２のスイッチ素子と、前記引外しコイルと前記第２のスイッチ素子との接続点の電圧を検知する電圧検知回路と、前記第１のスイッチ素子のオンにより前記電圧検知回路が電圧低下を検知した時点から前記一定時間経過後に、前記第２のスイッチ素子をオフさせる時延回路と、を備えたものである。
【００２０】
請求項３に係る発明は、請求項２に記載した漏電遮断器において、前記第１のスイッチ素子を、前記漏電検出信号がゲートに入力されるサイリスタにより構成すると共に、前記第２のスイッチ素子を半導体スイッチング素子により構成し、前記時延回路を動作させる前記一定時間を、前記引外しコイルと前記第２のスイッチ素子との接続点の電圧低下に起因して放電するコンデンサ及び抵抗の時定数に基づいて設定したものである。
【００２１】
請求項４に係る発明は、請求項１〜３の何れか１項に記載した漏電遮断器において、前記定電圧回路は、前記給電回路に接続した整流回路の直流出力端子間に接続されたフィルタ用コンデンサと、前記フィルタ用コンデンサの正側端子と前記電源コンデンサの正側端子との間に入出力電極が順次接続された電界効果トランジスタと、前記電界効果トランジスタの制御電極と前記フィルタ用コンデンサ及び前記電源コンデンサの共通の負側端子との間に、カソードを前記制御電極側に向けて接続されたツェナーダイオードと、を有するものである。
【００２２】
請求項５に係る発明は、請求項４に記載した漏電遮断器において、前記給電回路と前記整流回路の入力側との間に接続された電流制限抵抗を備え、前記電流制限抵抗と前記フィルタ用コンデンサとにより、サージ電圧吸収用のフィルタ回路を構成したものである。
【００２３】
なお、前記瞬断回路は、例えば以下のように構成すれば良い。
すなわち、後述する図３に示すように、トランジスタＱ３（請求項における第２のスイッチ素子）のベース・エミッタ間に抵抗Ｒ９を接続し、トランジスタＱ３のエミッタをサイリスタ１０７（請求項における第１のスイッチ素子）のアノードに接続すると共にそのカソードを電源コンデンサ１１８の負側端子に接続する。また、トランジスタＱ３のコレクタを引外しコイル１１２の一端とダイオードＤ２のアノードとに接続し、引外しコイル１１２の他端を電源コンデンサ１１８の正側端子に接続する。更に、ダイオードＤ２のカソードを抵抗Ｒ７，Ｒ８の直列回路を介して前記負側端子に接続し、抵抗Ｒ８の両端にコンデンサＣ３を接続する。
抵抗Ｒ７，Ｒ８同士の接続点にＦＥＴ Ｆ２のゲートを接続し、そのドレインを、一端が前記正側端子に接続された抵抗Ｒ３の他端に接続し、この抵抗Ｒ３と前記負側端子との間に抵抗Ｒ４，Ｒ５を直列に接続すると共に、抵抗Ｒ５に並列にコンデンサＣ２を接続する。また、ＦＥＴ Ｆ２のソースを前記負側端子に接続する。
更に、抵抗Ｒ４，Ｒ５同士の接続点をトランジスタＱ２のベースに接続し、そのコレクタを、抵抗Ｒ６を介して前記正側端子に接続すると共にトランジスタＱ３のベースに接続し、トランジスタＱ２のエミッタを前記負側端子に接続するものである。
【００２４】
また、前記定電圧回路は、例えば以下のように構成すれば良い。
すなわち、図３に示すように、整流回路１１６の正側出力端子と負側出力端子との間にフィルタ用のコンデンサＣ１を接続し、前記正側出力端子にＦＥＴ Ｆ１のドレインを接続すると共に、ドレイン・ゲート間に抵抗Ｒ１を接続する。また、ＦＥＴ Ｆ１のゲートをツェナーダイオードＺＤ１のカソードに接続し、そのアノードを前記負側出力端子に接続する。
更に、ＦＥＴ Ｆ１のソースを、抵抗Ｒ２を介して電源コンデンサ１１８の正側端子に接続し、かつ、ＦＥＴ Ｆ１のソースをトランジスタＱ１のゲートに接続する。このトランジスタＱ１のコレクタをＦＥＴ Ｆ１のゲートに接続し、トランジスタＱ１のエミッタを電源コンデンサ１１８の正側端子に接続すれば良い。
【発明の効果】
【００２５】
本発明によれば、電源コンデンサを定電圧回路によって充電することにより高速充電が可能であり、漏電投入動作時間を短縮できると共に、漏電検出回路に対する電源を定電流にて供給することにより、消費電力を低減することができる。
また、定電圧制御素子として電界効果トランジスタを使用すれば、給電回路の電圧範囲を広くして汎用性を高めることができる。更に、整流回路の両端に接続されたフィルタ用コンデンサと電流制限抵抗とによってフィルタ回路を構成することにより、給電回路に侵入するスパイク状のサージ電圧を吸収することも可能である。
加えて、引外し装置を構成する引外しコイルと漏電検出信号によりオンする第１のスイッチ素子との間に瞬断回路を設けることにより、電源逆接続状態で使用した場合でも、引外しコイルが励磁され続けるのを防止して安全性を高めることができる。
【図面の簡単な説明】
【００２６】
【図１】本発明の実施形態を示す構成図である。
【図２】本発明の実施形態において、電源逆接続状態の動作を示すタイミングチャートである。
【図３】図１を具体化した回路図である。
【図４】図３における電源投入時の動作を示す電流、電圧の波形図である。
【図５】図３における漏電検出時の動作を示す電流、電圧の波形図である。
【図６】漏電遮断器の一般的な構成図である。
【図７】特許文献１に記載された漏電遮断器の構成図である。
【図８】特許文献２に記載された漏電遮断器の構成図である。
【図９】特許文献３に記載された漏電遮断器の構成図である。
【発明を実施するための形態】
【００２７】
以下、図面に基づいて本発明の実施形態を説明する。まず、図１は、この実施形態に係る漏電遮断器１００の構成図である。
図１において、電源側端子１０１と負荷側端子１０２との間の給電回路１０３には、開閉接点１０４及び零相変流器１０５が設けられている。零相変流器１０５の二次側は漏電検出回路１０６に接続され、この漏電検出回路１０６は、給電回路１０３に発生する零相電圧（零相電流）に基づいて負荷側の漏電を検出すると、漏電検出信号を出力するように構成されている。
【００２８】
漏電検出信号は、第１のスイッチ素子としてのサイリスタ１０７のゲートに入力され、このサイリスタ１０７には、瞬断回路１０８と引外しコイル１１２とが直列に接続されている。引外しコイル１１２には引外し機構１１３が接続されており、その出力によって開閉接点１０４が遮断動作するようになっている。なお、１１４は、引外しコイル１１２及び引外し機構１１３からなる引外し装置である。
【００２９】
給電回路１０３には、電流制限抵抗１１５を介してダイオードブリッジからなる整流回路１１６が接続される。整流回路１１６の出力側には定電圧回路１１７が接続され、その出力側には電源コンデンサ１１８が接続されている。ここで、電流制限抵抗１１５，整流回路１１６，定電圧回路１１７及び電源コンデンサ１１８は、漏電検出回路１０６及び引外し装置１１４に直流電源電圧を供給する直流電源回路を構成している。
電源コンデンサ１１８の一端は定電流回路１１９及びツェナーダイオード１２０を介して漏電検出回路１０６に接続されており、漏電検出回路１０６への電源供給が定電流にて行われるようになっている。上記ツェナーダイオード１２０は、漏電検出回路１０６が正常動作するように電圧を調整するためのものである。
【００３０】
サイリスタ１０７と引外しコイル１１２との間に接続された瞬断回路１０８は、以下のように構成されている。
すなわち、サイリスタ１０７のアノードと引外しコイル１１２との間には、通常時はオン状態である第２のスイッチ素子としての瞬断スイッチ素子１０９が接続されている。また、電源コンデンサ１１８の両端には電圧検知回路１１０が接続されており、引外しコイル１１２と瞬断スイッチ素子１０９との接続点の電圧が所定値以下になると電圧検知回路１１０が検知信号を出力し、この検知信号が時延回路１１１に入力される。時延回路１１１は、検知信号が入力されてから一定時間経過後に瞬断スイッチ素子１０９を瞬時、オフさせるように動作する。
引外しコイル１１２は、電源コンデンサ１１８に蓄積されたエネルギーにより動作するものであり、例えば、特開平１０−２５５６３８号公報や特開２００８−１１２６９１号公報等に記載されているような磁気保持形引外しコイルを使用することが望ましい。
【００３１】
上記構成において、開閉接点１０４が閉じている状態で給電回路１０３に系統電源が投入されると、整流回路１１６の出力電圧が定電圧回路１１７に印加され、この定電圧回路１１７から出力される定電圧によって電源コンデンサ１１８が充電される。この時、電源コンデンサ１１８は、電流制限抵抗１１５により制限された所定の電流値により急速に充電される。なお、電流制限抵抗１１５は電源投入時の電源コンデンサ１１８の充電電流値を決定するものであり、抵抗値を小さくするほど大電流が流れて充電時間を短縮することができるが、外来サージ等による影響を考慮して、その抵抗値は数［ｋΩ］〜数十［ｋΩ］に設定されている。
【００３２】
電源コンデンサ１１８の充電が完了すると、給電回路１０３からの電流は定電流回路１１９により設定された電流値に抑制される。定電流回路１１９における電流値は、漏電検出回路１０６が動作可能な値に設定しておけばよく、前述したように、通常は１〜２［ｍＡ］程度である。
【００３３】
いま、漏電により零相変流器１０５に零相電圧が発生すると、漏電検出回路１０６からの漏電検出信号がサイリスタ１０７のゲートに入力され、サイリスタ１０７が導通状態となる。瞬断スイッチ素子１０９は通常、オン状態であるため、引外しコイル１１２が励磁されて引外し機構１１３が動作し、開閉接点１０４が遮断される。電源側端子１０１及び負荷側端子１０２が正常に接続されている通常使用方法では、開閉接点１０４の遮断により給電回路１０３から内部回路への電源供給も遮断されるため、内部回路は休止状態となる。
【００３４】
しかし、電源側端子１０１及び負荷側端子１０２が逆接続された状態、いわゆる電源逆接続状態では、給電回路１０３からの電源電圧が内部回路に印加されたままとなる。この時の動作を、図２（ａ），（ｂ）に基づいて説明する。
【００３５】
図２（ａ）に示すように、時点ｔ１に発生した漏電検出信号によりサイリスタ１０７がオンすると、引外しコイル１１２が励磁される。これにより、引外し機構１１３を介して開閉接点１０４が遮断されることになるが、電源逆接続状態であるため、給電回路１０３から整流回路１１６、定電圧回路１１７等を介して漏電遮断器の内部回路への電源供給は継続されている。
【００３６】
この時、引外しコイル１１２と瞬断スイッチ素子１０９との接続点の電圧は、定電圧回路１１７の出力電圧値からサイリスタ１０７のオン電圧値まで低下する。この電圧の低下を、電圧検知回路１１０が検知して検知信号を出力する。時延回路１１１は、電圧低下時点（検知信号出力時点）ｔ１から一定時間Ｔｄを経過した時点ｔ２以後、時点ｔ３までの瞬時時間Ｔｏにわたり、瞬断スイッチ素子１０９をオフさせる。
【００３７】
瞬断スイッチ素子１０９がオフすると、サイリスタ１０７の主電流が遮断されるため、サイリスタ１０７はオフする。上記の一定時間Ｔｄは、引外し装置１１４が動作して開閉接点１０４を遮断するまでの時間より若干長い時間に設定する。
ここで、時点ｔ３以降は瞬断スイッチ素子１０９がオン状態に復帰するが、その時点ではサイリスタ１０７は既にオフしているため、引外しコイル１１２が励磁され続けることはない。
【００３８】
上述した図２（ａ）は、時延回路１１１の一定時間Ｔｄに比べて漏電検出信号が極めて短時間だけ出力される場合のものである。これに対し、図２（ｂ）は、漏電検出信号が長時間にわたって出力される場合の動作を示している。
この場合、図２（ｂ）に示すように、サイリスタ１０７は、瞬断スイッチ素子１０９の動作に伴って一定時間Ｔｄだけオンした後に瞬時時間Ｔｏだけオフする動作を繰り返し、漏電検出信号がオフとなった時点ｔ６の後の時点ｔ７以後、オフ状態を維持する。これにより、引外しコイル１１２の励磁は停止する。
すなわち、この実施形態によれば、電源逆接続状態で使用している時に漏電を検出した場合には、「一旦、トリップ動作した後に漏電検出信号がなくなっても引外しコイル１１２が励磁され続ける」状態になるのを防止することができる。
【００３９】
なお、通常の動作では、サイリスタ１０７のオンにより引外し装置１１４が動作して開閉接点１０４が遮断されれば、負荷側は電源側から遮断されるので、負荷側の漏電もなくなり、サイリスタ１０７へのゲート信号（漏電検出信号）も出力されなくなる。このため、図２（ｂ）のようにゲート信号が出力され続けることはないが、ここでは、引外し装置１１４が故障して誤不動作するような最悪の場合も考慮して、漏電検出信号を長時間、出力させるようにしている。
【００４０】
次に、図３は、図１の実施形態を具体化した回路図であり、図１と同一の機能を有する部分には同一の参照符号を付してある。なお、図３では、図１における定電流回路１１９として定電流ダイオードＤ３を用いている。
以下では、定電圧回路１１７及び瞬断回路１０８を中心にしてその構成及び動作を説明する。
【００４１】
図３の定電圧回路１１７において、整流回路１１６の両端にはフィルタ用コンデンサＣ１が接続されている。このコンデンサＣ１は、給電回路１０３に接続された電流制限抵抗１１５と共にフィルタ回路を構成しており、外部から侵入するスパイク状のサージ電圧を吸収し、漏電検出回路１０６等をサージ電圧から保護する作用を果たす。
【００４２】
整流回路１１６の正側出力端子は電界効果形トランジスタ（以下、ＦＥＴという）Ｆ１のドレインに接続され、ＦＥＴ Ｆ１のドレイン・ゲート間には抵抗Ｒ１が接続されている。また、ツェナーダイオードＺＤ１のカソードがＦＥＴ Ｆ１のゲートに接続され、ツェナーダイオードＺＤ１のアノードが整流回路１１６の負側出力端子に接続されている。このＦＥＴ Ｆ１，抵抗Ｒ１及びツェナーダイオードＺＤ１は基本定電圧回路を構成しており、ツェナーダイオードＺＤ１のツェナー電圧をＶｚとし、ＦＥＴ Ｆ１のゲート閾値電圧をＶｔｈとすると、ＦＥＴ Ｆ１のソース電圧は、定電圧（Ｖｚ−Ｖｔｈ）となる。
ＦＥＴは電圧制御形であるため、ドレイン・ゲート間の抵抗Ｒ１には、数百［ｋΩ］〜数［ＭΩ］というように極めて大きな抵抗値の素子を使用することができる。これにより、特許文献３のように定電圧制御素子にバイポーラ型トランジスタを用いた従来技術と比較すると、広い電圧範囲にわたり消費電流を低減することができる。
【００４３】
また、図３においては、トランジスタＱ１のコレクタがＦＥＴ Ｆ１のゲートに接続され、トランジスタＱ１のベースがＦＥＴ Ｆ１のソースに接続されており、トランジスタＱ１のベース・エミッタ間に抵抗Ｒ２が接続されると共に、エミッタが定電圧回路１１７の出力端子として電源コンデンサ１１８の一端に接続されている。ここで、トランジスタＱ１及び抵抗Ｒ２は過電流を防止するためのものである。
【００４４】
ＦＥＴ Ｆ１のソース電流は、抵抗Ｒ２を介して以降の回路へ供給されるが、ソース電流をＩｓとすると、トランジスタＱ１のベース・エミッタ間の抵抗Ｒ２（その抵抗値もＲ２とする）の電圧降下は（Ｉｓ×Ｒ２）である。この電圧（Ｉｓ×Ｒ２）がトランジスタＱ１のベース・エミッタ間の電圧Ｖｂｅに等しくなるとトランジスタＱ１がオンし、ＦＥＴ Ｆ１はそのゲート・ソース間が短絡されてオフする。
すなわち、この例では、Ｉｓ＝Ｖｂｅ／Ｒ２以上の電流が以降の回路に流れないように制限し、漏電検出回路１０６等をサージ電流から保護している。ＦＥＴ Ｆ１と抵抗Ｒ２との直列回路に並列接続されたダイオードＤ１は、サージ電圧からＦＥＴ Ｆ１を保護するものであり、ＦＥＴによってはドレイン・ソース間に内蔵されているものもある。
【００４５】
上記構成の定電圧回路１１７を使用した、電源投入時における図３の入力電流Ｉｉｎ，定電流ダイオードＤ３を流れる電流Ｉ１、及び、電源コンデンサ１１８の充電電圧Ｖｃの波形例を図４に示す。
図４に示すように、交流電源を投入すると、電流制限抵抗１１５により制限された比較的大きな電流Ｉｉｎが流れ、電源コンデンサ１１８が充電される。電源コンデンサ１１８の充電が完了して電圧Ｖｃが所定値に達すると、電流Ｉｉｎは、定電流ダイオードＤ３により規定された電流値にほぼ等しくなる。このため、電源投入時における電源コンデンサ１１８の充電時間を短くして漏電投入動作時間を短縮することができる。
【００４６】
次に、図３における瞬断回路１０８の構成及び動作を説明する。なお、図３の瞬断回路１０８において、Ｆ２はＦＥＴ、Ｑ２，Ｑ３はトランジスタ、ＺＤ２はツェナーダイオード、Ｒ２，Ｒ３，Ｒ４，Ｒ５，Ｒ６，Ｒ７，Ｒ８，Ｒ９は抵抗、Ｃ２，Ｃ３はコンデンサ、Ｄ２はダイオードである。
【００４７】
通常の使用状態で漏電が発生していない場合、サイリスタ１０７はオフしている。このため、引外しコイル１１２とトランジスタＱ３のコレクタとの接続点の電圧Ｖ１は、定電圧回路１１７から出力される定電圧Ｖｃにほぼ等しくなっている。よって、ＦＥＴ Ｆ２のゲート電圧Ｖ２は、Ｖ２＝（Ｖｃ−Ｖｆ）×Ｒ８／（Ｒ７＋Ｒ８）である。ここで、ＶｆはダイオードＤ２の順方向電圧降下である。
【００４８】
抵抗Ｒ７，Ｒ８の値は、上記ゲート電圧Ｖ２がＦＥＴ Ｆ２のゲート閾値電圧より大きくなるように設定されている。抵抗Ｒ７，Ｒ８はＦＥＴ制御用の抵抗であるため、数百［ｋΩ］〜数［ＭΩ］と極めて大きな抵抗値を使用することができる。すなわち、漏電が発生していない時はＦＥＴ Ｆ２がオンしており、トランジスタＱ２のベース電圧がほぼ零になっているので、トランジスタＱ２はオフ状態である。トランジスタＱ２がオフであるため、トランジスタＱ３のベースには抵抗Ｒ６を介してバイアス電圧が加わり、トランジスタＱ３はオン状態になっている。なお、トランジスタＱ３は、図１における瞬断スイッチ素子１０９に相当する。
【００４９】
いま、漏電が発生して漏電検出信号がサイリスタ１０７のゲートに入力されると、サイリスタ１０７がオンする。ここで、トランジスタＱ３はオン状態であるため、引外しコイル１１２に電源コンデンサ１１８から電流Ｉｏが流れ、引外し機構１１３を駆動して開閉接点１０４を遮断する。
この時、トランジスタＱ３のコレクタ電圧Ｖ１は、サイリスタ１０７がオンしているため、ほぼサイリスタ１０７のオン電圧に等しく、低い電圧となる。従って、ＦＥＴ Ｆ２のゲート電圧Ｖ２は、コンデンサＣ３の電荷が抵抗Ｒ８を通して放電するため、時定数Ｒ８×Ｃ３に従って低下する。なお、ダイオードＤ２は、コンデンサＣ３の電荷がトランジスタＱ３を通って放電するのを防止するためのものである。
【００５０】
電圧Ｖ２が低下してＦＥＴ Ｆ２のゲート閾値電圧より小さくなると、ＦＥＴ Ｆ２はオフする。ＦＥＴ Ｆ２がオフすると、電源コンデンサ１１８の電圧Ｖｃにより、抵抗Ｒ３，Ｒ４を介してコンデンサＣ２への充電が開始される。
コンデンサＣ２の電圧Ｖ４がトランジスタＱ２のベース・エミッタ間電圧に到達すると、トランジスタＱ２がオンし、トランジスタＱ３のベースバイアス電圧を０［Ｖ］にするので、トランジスタＱ３がオフする。
【００５１】
この時、電源コンデンサ１１８の電圧Ｖｃは、引外しコイル１１２に流れた電流Ｉｏにより電流制限抵抗１１５における電圧低下を大きくしているため、通常の電圧（Ｉｏが流れていない時の電圧）より低い値になっている。また、漏電検出回路１０６への供給電圧Ｖｐは、ツェナーダイオード１２０により、電圧Ｖｃよりも更に低い値になる。この時の電圧Ｖｐは、漏電検出回路１０６が動作を休止する（動作不能となる）電圧値になるように、ツェナーダイオード１２０のツェナー電圧値を選定しておく。
【００５２】
従って、トランジスタＱ３がオフになった時には漏電検出回路１０６は休止状態にあり、サイリスタ１０７へのゲート信号は出力されない状態となっている。このため、トランジスタＱ３がオフすると、サイリスタ１０７に流れる電流は保持電流以下になり、自己保持が解けてサイリスタ１０７がオフし、電流Ｉｏが流れなくなる。
給電回路１０３から電源が印加されている状態において、サイリスタ１０７がオフ（Ｉｏが零）になると、電源コンデンサ１１８の電圧が定電圧回路１１７により規定された電圧値になるように急速に充電が開始され、電圧Ｖｃが上昇する。また、これに伴い、漏電検出回路１０６への供給電圧Ｖｐも上昇していき、漏電検出回路１０６は休止状態から正常動作状態へ復帰する。
【００５３】
漏電検出回路１０６が正常状態に復帰した後も、漏電を検出すれば、前記と同様の動作を繰り返すこととなる。すなわち、電源逆接続状態で漏電を検出すると、サイリスタ１０７はオン，オフを繰り返すこととなるため、漏電が解消すればサイリスタ１０７は必ずオフとなり、引外しコイル１１２が励磁され続ける状態になることはない。
【００５４】
なお、図３において、図１の時延回路１１１に相当する部分は、ダイオードＤ２、抵抗Ｒ７，Ｒ８、コンデンサＣ３及びＦＥＴ Ｆ２からなる第一次時延回路と、抵抗Ｒ３，Ｒ４，Ｒ５、コンデンサＣ２及びトランジスタＱ２からなる第二次時延回路と、から構成されている。また、図１の電圧検知回路１１０に相当する部分は、上記の第一次時延回路を構成する素子によって兼用している。
【００５５】
次に、図５は、図３における漏電検出時の各部の電圧及び電流波形を示したものである。
引外しコイル１１２とトランジスタＱ３との接続部（トランジスタＱ３のコレクタ）の電圧Ｖ１は、電流Ｉｏのオン及びオフの瞬間に脈流となるが、これは引外しコイル１１２が有するインダクタンスの影響である。特に、Ｉｏのオフ時には上記インダクタンスによる逆サージ電圧が発生するため、このサージ電圧を制限するためにツェナーダイオードＺＤ２が設けられている。
【符号の説明】
【００５６】
１００：漏電遮断器
１０１：電源側端子
１０２：負荷側端子
１０３：給電回路
１０４：開閉接点
１０５：零相変流器
１０６：漏電検出回路
１０７：サイリスタ
１０８：瞬断回路
１０９：瞬断スイッチ素子
１１０：電圧検知回路
１１１：時延回路
１１２：引外しコイル
１１３：引外し機構
１１４：引外し装置
１１５：電流制限抵抗
１１６：整流回路
１１７：定電圧回路
１１８：電源コンデンサ
１１９：定電流回路
１２０：ツェナーダイオード
Ｆ１，Ｆ２：ＦＥＴ
Ｑ１，Ｑ２，Ｑ３：トランジスタ（バイポーラ型トランジスタ）
ＺＤ１，ＺＤ２：ツェナーダイオード
Ｒ１，Ｒ２，Ｒ３，Ｒ４，Ｒ５，Ｒ６，Ｒ７，Ｒ８，Ｒ９：抵抗
Ｃ１，Ｃ２，Ｃ３：コンデンサ
Ｄ１，Ｄ２：ダイオード
Ｄ３：定電流ダイオード
【図１】
0006268485.tif 000002
【図２】
0006268485.tif 000003
【図３】
0006268485.tif 000004
【図４】
0006268485.tif 000005
【図５】
0006268485.tif 000006
【図６】
0006268485.tif 000007
【図７】
0006268485.tif 000008
【図８】
0006268485.tif 000009
【図９】
0006268485.tif 000010