(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
板状の第１基部（１１）、および、前記第１基部の一面側に形成された、光ビームを反射させる反射面（１２ａ）を有する反射部（１）と、
前記反射部を中心として前記反射面に平行な一方向の両側に延設され、前記反射部を両持ち支持すると共に前記一方向に平行な軸周りに揺動可能とする捩り梁（３）と、
板状の第２基部（５１）、および、前記第２基部の表面に形成された第１圧電素子（５２）を有し、前記第１圧電素子への電圧の印加により前記捩り梁を共振振動させ、前記反射部を前記一方向に平行な軸周りに揺動させる共振駆動部（５）と、を備え、
前記第１基部、前記捩り梁、前記第２基部は、板状の基板（１０）を用いて形成され、
前記反射面の法線方向における前記第２基部の厚みは、前記反射面の法線方向における前記捩り梁の厚みよりも大きく、
前記基板は、活性層（１０ａ）、埋め込み酸化層（１０ｂ）、支持層（１０ｃ）が順に積層された構造とされており、
前記反射部は、前記活性層の表面側に形成されており、
前記基板のうち前記捩り梁を構成する部分において、前記埋め込み酸化層および前記支持層と、前記活性層の裏面側の一部とが除去されることにより、前記第２基部の厚みが、前記捩り梁の厚みよりも大きくされていることを特徴とする光走査装置。
【請求項２】
前記活性層の表面が平滑な研磨面とされていることを特徴とする請求項１に記載の光走査装置。
【請求項３】
前記反射部と前記基板との間に配置された圧電膜（２ｂ）を有し、前記圧電膜と共に前記反射面を屈曲させることで前記反射面による反射光の焦点位置を変化させる屈曲部（２）を備えることを特徴とする請求項１または２に記載の光走査装置。
【請求項４】
前記捩り梁および前記第２基部は、前記反射面の法線方向における厚みがそれぞれ一定であることを特徴とする請求項１ないし３のいずれか１つに記載の光走査装置。
【請求項５】
前記基板を用いて形成された板状の第３基部（７１）、および、前記第３基部の表面に形成された第２圧電素子（７２）を有し、前記第２圧電素子への電圧の印加により、前記反射面に平行で、かつ、前記一方向に垂直な軸周りに前記反射部を揺動させる強制駆動部（７）を備え、
前記反射面の法線方向における前記第３基部の厚みは、前記反射面の法線方向における前記第２基部の厚みよりも小さいことを特徴とする請求項１ないし４のいずれか１つに記載の光走査装置。
【請求項６】
前記第１基部は、前記反射面の内周部に対応する部分の厚みが前記反射面の外周部に対応する部分の厚みよりも小さくされており、
前記第１基部のうち前記反射面の内周部に対応する部分の厚みは、前記反射面の法線方向における前記第２基部の厚みよりも小さいことを特徴とする請求項１ないし５のいずれか１つに記載の光走査装置。 
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、光走査装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
ＭＥＭＳ（Ｍｉｃｒｏ  Ｅｌｅｃｔｒｏ  Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ  Ｓｙｓｔｅｍｓ）型光走査装置は、反射面を有する反射部と、反射部を両持ち支持する捩り梁とを備え、捩り梁の軸周りに反射部を回転させることにより光ビームの走査を行うものである。
【０００３】
具体的には、光走査装置は、捩り梁を介して反射部を支持する共振駆動部と、共振駆動部を支持する強制駆動部とに備えられた圧電膜への電圧の印加により、反射部を２つの軸周りに回転させ、反射部による結像位置を２次元的に走査可能としている。
【０００４】
このような光走査装置の大画面化、高精細化のためには、反射部の走査角の増大、走査動作の高周波数化が必要である。これを実現するために、基板をパターニングして形成される共振駆動部および強制駆動部の構造を、共振駆動部および強制駆動部のばね特性が最適な値となるように設計する必要がある。
【０００５】
共振駆動部および強制駆動部の平面形状のみを変更しても、ばね特性を大きく変化させることができない。これについて、例えば特許文献１では、基板の裏面から複数回のエッチングを行うことで、共振駆動部に相当するカンチレバーの厚みを変化させている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２０１１−１００１００号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかしながら、特許文献１に記載の光走査装置では、カンチレバーの厚みが捩り梁の厚みよりも小さくされており、カンチレバーは捩り梁よりも剛性が低い。そのため、走査動作による反射部の傾きは、主にカンチレバーの変形により発生させられ、捩り梁の捩れは小さい。
【０００８】
このような光走査装置においては、カンチレバーを大きく変形させることで、走査角を大きくすることができる。しかし、反射部の回転中心から距離があるカンチレバーを大きく変形させる場合、反射部の揺動の周波数が増大するとダンピング抵抗が増大するため、高周波数での走査において走査角を大きくすることができない。
【０００９】
本発明は上記点に鑑みて、広角走査および高周波数での走査を両立させる光走査装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
上記目的を達成するため、請求項１に記載の発明では、板状の第１基部（１１）、および、第１基部の一面側に形成された、光ビームを反射させる反射面（１２ａ）を有する反射部（１）と、反射部を中心として反射面に平行な一方向の両側に延設され、反射部を両持ち支持すると共に一方向に平行な軸周りに揺動可能とする捩り梁（３）と、板状の第２基部（５１）、および、第２基部の表面に形成された第１圧電素子（５２）を有し、第１圧電素子への電圧の印加により捩り梁を共振振動させ、反射部を一方向に平行な軸周りに揺動させる共振駆動部（５）と、を備え、第１基部、捩り梁、第２基部は、板状の基板（１０）を用いて形成され、反射面の法線方向における第２基部の厚みは、反射面の法線方向における捩り梁の厚みよりも大きく、基板は、活性層（１０ａ）、埋め込み酸化層（１０ｂ）、支持層（１０ｃ）が順に積層された構造とされており、反射部は、活性層の表面側に形成されており、基板のうち捩り梁を構成する部分において、埋め込み酸化層および支持層と、活性層の裏面側の一部とが除去されることにより、第２基部の厚みが、捩り梁の厚みよりも大きくされていることを特徴としている。
【００１１】
これによれば、第２基部の厚みが捩り梁の厚みよりも大きく、第２基部は捩り梁よりも剛性が高いため、走査動作による反射部の傾きが主に捩り梁の捩れにより発生させられ、共振駆動部の変形が抑制される。よって、高周波数での走査におけるダンピング抵抗の増大を抑制し、走査角を大きくすることができる。そのため、広角走査および高周波数での走査を両立させることができる。
【００１２】
なお、上記各手段の括弧内の符号は、後述する実施形態に記載の具体的手段との対応関係の一例を示すものである。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
【図１】第１実施形態における光走査装置の平面図である。
【図２】図１のII−II線における断面図である。
【図３】光走査装置の製造方法を示す断面図である。
【図４】光走査装置の製造方法を示す断面図である。
【図５】光走査装置の動作を示す斜視図である。
【図６】図１のVI−VI線における断面図である。
【図７】比較例における光走査装置の断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１４】
以下、本発明の実施形態について図に基づいて説明する。なお、以下の各実施形態相互において、互いに同一もしくは均等である部分には、同一符号を付して説明を行う。
【００１５】
（第１実施形態）
本発明の第１実施形態について説明する。本実施形態の光走査装置１００は、可変焦点型の光走査装置であり、図１に示すように、反射部１と、屈曲部２と、捩り梁３と、連結部４と、共振駆動部５と、第１支持部６と、強制駆動部７と、第２支持部８とを備える。
【００１６】
なお、図１は断面図ではないが、図を見やすくするために、後述するミラー１２、圧電素子５２、圧電素子７２にハッチングを施してある。
【００１７】
光走査装置１００が備える上記の構成要素は、板状の基板１０を用いて形成されている。  図２に示すように、基板１０は、活性層１０ａ、Ｂｏｘ層（埋め込み酸化層：Ｂｕｒｉｅｄ  Ｏｘｉｄｅ）１０ｂ、支持層１０ｃが順に積層された構造のＳＯＩ（Ｓｉｌｉｃｏｎ  ｏｎ  ｉｎｓｕｌａｔｏｒ）基板にて構成されている。
【００１８】
活性層１０ａは例えばＳｉ等で構成され、活性層１０ａの上面は研磨されて平滑な研磨面が形成されている。Ｂｏｘ層１０ｂは例えばＳｉＯ２等で構成され、支持層１０ｃはＳｉ等で構成される。活性層１０ａの上面には絶縁膜１０ｄが形成されており、基板１０は、絶縁膜１０ｄも備える。絶縁膜１０ｄは、後述する圧電素子５２、圧電素子７２の下部電極間にリーク電流が流れることを抑制するためのものであり、例えばＳｉＯ２等で構成される。活性層１０ａは、光走査装置１００が備える構成要素にパターニングされている。
【００１９】
反射部１は、光走査装置１００に照射された光ビームを反射させるものであり、板状の基部１１と、基部１１の一面側に形成されたミラー１２とを備える。基部１１は、活性層１０ａを円形にパターニングすることにより形成された部分であり、本発明の第１基部に相当する。図２に示すように、基板１１の上面には、屈曲部２、ミラー１２が順に積層されている。ミラー１２は、屈曲部２と反対側の表面である反射面１２ａにおいて光ビームを反射させる部分であり、例えばＡｌ、Ａｇ等により構成されている。
【００２０】
反射面１２ａに平行な一方向をｘ方向とし、反射面１２ａに平行で、かつ、ｘ方向に垂直な方向をｙ方向とする。また、反射面１２ａの法線方向をｚ方向とする。
【００２１】
図２に示すように、基部１１の内周部では、Ｂｏｘ層１０ｂおよび支持層１０ｃと、活性層１０ａの一部とが除去され、ｚ方向における厚みが外周部よりも小さくされている。このように、内周部においてＢｏｘ層１０ｂおよび支持層１０ｃと、活性層１０ａの一部とを除去し、内周部の厚みを小さくすることにより、内周部が屈曲変形しやすくなる。なお、基部１１のうち反射面１２ａの内周部に対応する部分を基部１１の内周部とし、反射面１２ａの外周部に対応する部分を基部１１の外周部とする。
【００２２】
屈曲部２は、上面形状が円形状とされ、反射面１２ａを球面状に屈曲させることで反射面１２ａによる反射光の焦点位置を変化させるものであり、下部電極２ａ、圧電膜２ｂ、上部電極２ｃが順に積層された構造の圧電素子により構成されている。下部電極２ａおよび上部電極２ｃは、例えばＡｌ、Ａｕ、Ｐｔ、ＳＲＯ、ＬＮＯ等により構成されている。また、圧電膜２ｂは、例えばチタン酸ジルコン酸鉛（ＰＺＴ）等の圧電材料により構成されている。なお、下部電極２ａおよび上部電極２ｃを、Ｐｔ／Ｔｉ、ＳＲＯ／Ｐｔ／Ｔｉ、Ａｕ／Ｗ等の積層構造としてもよい。
【００２３】
下部電極２ａと上部電極２ｃは、それぞれ、図示しない配線を介して図示しない制御装置に接続されている。この制御装置により下部電極２ａと上部電極２ｃとの間に電位差が発生させられると、圧電膜２ｂが変形する。また、これに伴い、圧電膜２ｂを含む屈曲部２と共に積層構造をなす基部１１およびミラー１２が屈曲し、反射面１２ａが屈曲して、反射光の焦点位置が変化する。
【００２４】
図１に示すように、反射部１は、反射部１を中心としてｘ方向の両側に延設された捩り梁３により両持ち支持されている。捩り梁３は、反射部１をｘ方向に平行な軸周りに揺動可能とするものである。
【００２５】
捩り梁３では、Ｂｏｘ層１０ｂおよび支持層１０ｃと、活性層１０ａの一部とが除去され、ｚ方向における厚みが小さくされている。捩り梁３のｚ方向の厚みは一定とされている。
【００２６】
連結部４は、捩り梁３と共振駆動部５とを連結するものであり、ｘ方向における反射部１の両側に配置されている。連結部４のうち、反射部１に対してｘ方向の一方側に配置された部分を連結部４ａ、他方側に配置された部分を連結部４ｂとする。
【００２７】
連結部４ａ、４ｂは、上面が反射部１に向かって開口したＵ字状とされており、中央部において捩り梁３と接続されている。また、連結部４ａ、４ｂのｘ方向に延設された両端部の上面は、中央部と接続された一端と反対側の他端がｙ方向の外側を向くようなＳ字状とされており、先端において共振駆動部５と接続されている。
【００２８】
図１に示すように、反射部１は、捩り梁３および連結部４を介して共振駆動部５により支持されている。共振駆動部５は、捩り梁３を共振振動させることにより、反射部１をｘ方向に平行な軸周りに揺動させるものであり、活性層１０ａをパターニングして形成された板状の基部５１の上面に、圧電素子５２を形成することで構成されている。
【００２９】
基部５１は、共振駆動部５に２つ備えられている。図１に示すように、２つの基部５１は、それぞれ上面が反射部１に向かって開口したＵ字状とされており、反射部１に対してｙ方向の両側に配置されている。２つの基部５１は、それぞれ両端部において連結部４と接続されており、中央部において第１支持部６と接続されている。
【００３０】
図２に示すように、基部５１ではＢｏｘ層１０ｂおよび支持層１０ｃが除去されているが、活性層１０ａは除去されずに残されている。また、基部５１のｚ方向の厚みは一定とされている。基部５１は、本発明の第２基部に相当する。
【００３１】
前述したように、捩り梁３ではＢｏｘ層１０ｂおよび支持層１０ｃと、活性層１０ａの一部とが除去され、ｚ方向における厚みが小さくされている。そのため、ｚ方向における基部５１の厚みは、ｚ方向における捩り梁３の厚みよりも大きい。
【００３２】
圧電素子５２は、共振駆動部５に２つ備えられている。図２に示すように、圧電素子５２は、下部電極５２ａと、圧電膜５２ｂと、上部電極５２ｃとが順に積層された構造とされている。下部電極５２ａおよび上部電極５２ｃは、例えばＡｌ、Ａｕ、Ｐｔ、ＳＲＯ、ＬＮＯ等により構成されている。また、圧電膜５２ｂは、例えばチタン酸ジルコン酸鉛（ＰＺＴ）等の圧電材料により構成されている。なお、下部電極５２ａおよび上部電極５２ｃを、Ｐｔ／Ｔｉ、ＳＲＯ／Ｐｔ／Ｔｉ、Ａｕ／Ｗ等の積層構造としてもよい。
【００３３】
２つの圧電素子５２をそれぞれ圧電素子５２１、５２２とする。図１に示すように、圧電素子５２１、５２２はそれぞれ、上面がＵ字状とされており、基部５１から第１支持部６に至る部分の上面に、反射部１を挟んで対向するように形成されている。また、圧電素子５２１と圧電素子５２２は、それぞれ、図示しない配線を介して図示しない制御装置に接続されている。
【００３４】
第１支持部６の上面は、反射部１、屈曲部２、捩り梁３、連結部４、共振駆動部５を内部に配置した長方形状とされており、ｘ方向に平行な２つの辺において基部５１と接続されている。
【００３５】
第１支持部６のｙ方向における両側には、強制駆動部７が配置されている。強制駆動部７は、第１支持部６をｙ方向に平行な軸周りに揺動させることにより、反射部１をｙ方向に平行な軸周りに揺動させるものである。強制駆動部７は、活性層１０ａをパターニングして形成された板状の基部７１の上面に、４つの圧電素子７２を形成することで構成されている。
【００３６】
図１に示すように、基部７１は、第１支持部６のｙ方向における両側に配置されている。基部７１ではＢｏｘ層１０ｂおよび支持層１０ｃと、活性層１０ａの一部とが除去され、ｚ方向における基部７１の厚みが、基部５１の厚みよりも小さくされている。また、基部７１のｚ方向の厚みは一定とされている。基部７１は、本発明の第３基部に相当する。
【００３７】
基部７１のうち、反射部１に対して圧電素子５２１とｙ方向における同じ側に配置された部分を基部７１ａ、圧電素子５２２と同じ側に配置された部分を基部７１ｂとする。基部７１ａ、７１ｂは、それぞれ、上面がｘ方向の一方側に開口したＵ字状とされており、両端がｙ方向の外側に延設され、両端において基部５１、第２支持部８と接続されている。
【００３８】
図２に示すように、圧電素子７２は、下部電極７２ａと、圧電膜７２ｂと、上部電極７２ｃとが順に積層された構造とされている。下部電極７２ａおよび上部電極７２ｃは、例えばＡｌ、Ａｕ、Ｐｔ、ＳＲＯ、ＬＮＯ等により構成されている。また、圧電膜７２ｂは、例えばチタン酸ジルコン酸鉛（ＰＺＴ）等の圧電材料により構成されている。なお、下部電極７２ａおよび上部電極７２ｃを、Ｐｔ／Ｔｉ、ＳＲＯ／Ｐｔ／Ｔｉ、Ａｕ／Ｗ等の積層構造としてもよい。
【００３９】
４つの圧電素子７２をそれぞれ圧電素子７２１、７２２、７２３、７２４とする。圧電素子７２１、７２２、７２３、７２４は、それぞれ、上面が長方形状とされている。図１に示すように、圧電素子７２１、７２２は、基部７１ａのｘ方向に延設された両端部の上面に形成されており、圧電素子７２３、７２４は、基部７１ｂの両端部の上面に形成されている。
【００４０】
圧電素子７２１、７２２は、基部７１ａの上面に形成された図示しない配線により互いに接続されている。圧電素子７２３、７２４は、基部７１ｂの上面に形成された図示しない配線により互いに接続されている。また、圧電素子７２１、７２２、７２３、７２４は、図示しない配線を介して図示しない制御装置に接続されている。
【００４１】
第２支持部８は、捩り梁３、連結部４、共振駆動部５、第１支持部６、強制駆動部７を介して反射部１を支持するものであり、反射部１、屈曲部２、捩り梁３、連結部４、共振駆動部５、第１支持部６、強制駆動部７を内部に配置した長方形状の枠体で構成されている。
【００４２】
以上のようにして、本実施形態にかかる光走査装置１００が構成されている。このような光走査装置１００は、絶縁膜１０ｄに、フォトリソグラフィおよびエッチングにより各圧電素子、各配線を形成し、基板１０をパターニングして反射部１等を上記のように形成することで製造できる。
【００４３】
光走査装置１００の製造方法のうち、活性層１０ａの一部を除去する方法について説明する。まず、活性層１０ａのうちＢｏｘ層１０ｂと反対側の表面を研磨し、平滑な研磨面を形成する。この研磨面に絶縁膜１０ｄを形成する。その後、図３および図４に示す各工程を行う。なお、図３、図４では、絶縁膜１０ｄの図示を省略している。
【００４４】
図３（ａ）に示す工程では、支持層１０ｃの表面にＴＥＯＳ（オルトケイ酸テトラエチル）膜２０を形成する。そして、ＴＥＯＳ膜２０の上面のうち基部１１の外周部、第１支持部６、第２支持部８の形成予定領域の上方に位置する部分に、レジスト等で構成されるマスク２１を形成する。
【００４５】
図３（ｂ）に示す工程では、ＴＥＯＳ膜２０のうちマスク２１に覆われていない部分を異方性エッチングにより除去する。これにより、ＴＥＯＳ膜２０が開口し、支持層１０ｃのうち基部１１の内周部、基部５１、基部７１の形成予定領域の表面が露出する。支持層１０ｃのうち基部１１の内周部、基部５１、基部７１の形成予定領域をそれぞれ支持層１０ｅ、１０ｆ、１０ｇとする。図３（ｃ）に示す工程では、アッシングによりマスク２１を除去する。
【００４６】
図３（ｄ）に示す工程では、ＴＥＯＳ膜２０の上面および側面と、支持層１０ｆの表面とに、レジスト等で構成されるマスク２２を形成する。図３（ｅ）に示す工程では、支持層１０ｃのうちマスク２２に覆われていない部分をＩＣＰ（誘導結合型プラズマ）エッチングにより一部除去し、厚みを小さくする。
【００４７】
これにより、支持層１０ｃのうち、基部５１の形成予定領域の厚みが、基部１１の内周部および基部７１の形成予定領域の厚みよりも大きくなる。
【００４８】
図４（ａ）に示す工程では、アッシングによりマスク２２を除去する。これにより、支持層１０ｆの表面が露出する。図４（ｂ）に示す工程では、支持層１０ｃのうちＴＥＯＳ膜２０に覆われていない部分を異方性エッチングにより除去する。具体的には、ＩＣＰエッチングにより支持層１０ｅ、１０ｇを除去し、支持層１０ｆを一部除去する。
【００４９】
前述したように、図３（ｅ）に示す工程において、支持層１０ｃのうち、基部５１の形成予定領域の厚みが、基部１１の内周部および基部７１の形成予定領域の厚みよりも大きくされている。そのため、支持層１０ｅ、１０ｇが除去されてＢｏｘ層１０ｂの表面が露出しても、支持層１０ｆは一部が残っている。Ｂｏｘ層１０ｂのうち基部１１の内周部、基部５１、基部７１の形成予定領域を、それぞれＢｏｘ層１０ｈ、１０ｉ、１０ｊとする。
【００５０】
図４（ｃ）に示す工程では、異方性ドライエッチングによりＢｏｘ層１０ｈ、１０ｊ、支持層１０ｆを除去し、Ｂｏｘ層１０ｉ、ＴＥＯＳ膜２０を一部除去する。これにより、活性層１０ａのうち基部１１の内周部、基部７１の形成予定領域の表面と、Ｂｏｘ層１０ｉの表面とが露出する。
【００５１】
図４（ｄ）に示す工程では、ＩＣＰエッチングにより、活性層１０ａのうち基部１１の内周部、基部７１の形成予定領域を一部除去し、Ｂｏｘ層１０ｉ、ＴＥＯＳ膜２０を一部除去する。これにより、活性層１０ａのうち基部１１の内周部、基部７１の形成予定領域の厚みが小さくなる。
【００５２】
図４（ｅ）に示す工程では、ＢＨＦを用いた異方性エッチングによりＢｏｘ層１０ｉ、ＴＥＯＳ膜２０を除去する。これにより、活性層１０ａのうち基部５１の形成予定領域の表面が露出する。また、支持層１０ｃの基部１１の外周部、第１支持部６、第２支持部８の形成予定領域のうち、Ｂｏｘ層１０ｂと反対側の表面が露出する。
【００５３】
このように加工された基板１０をさらにエッチングにより加工し、図１に示す形状にすることで、基部１１、捩り梁３、連結部４、基部５１、第１支持部６、基部７１、第２支持部８が形成される。
【００５４】
このように構成された光走査装置１００では、共振駆動部５の圧電素子５２が備える下部電極５２ａ、上部電極５２ｃに対して図示しない制御装置により共振走査用電圧を印加することで、圧電膜５２ｂを変形させ、捩り梁３を共振振動させる。これにより、図５に示すように、反射部１をｘ方向に平行な軸周りに揺動させる。
【００５５】
また、強制駆動部７の圧電素子７２が備える下部電極７２ａ、上部電極７２ｃに対して図示しない制御装置により強制走査用電圧を印加することで、圧電膜７２ｂおよび基部７１を変形させる。これにより、第１支持部６のうち基部７１と接続されている側の端部をｘｙ平面に垂直な方向に変位させ、反射部１をｙ方向に平行な軸周りに揺動させる。
【００５６】
このように、共振駆動部５および強制駆動部７により、反射部１がｘ方向に平行な軸およびｙ方向に平行な軸周りに揺動し、２次元での走査が可能となる。
【００５７】
また、光走査装置１００では、屈曲部２を構成する圧電素子が備える下部電極２ａ、上部電極２ｃに対して図示しない制御装置により電圧を印加することで、圧電膜２ｂを変形させ、反射面１２ａを屈曲させる。これにより、反射光の焦点位置を変化させる。
【００５８】
本実施形態の光走査装置１００の走査動作における基部５１および圧電素子５２の変形の様子を図６に示す。図７は、比較例における光走査装置の断面図であり、図６に相当する図である。
【００５９】
図７に示す比較例では、基部５１の厚みが捩り梁３の厚みよりも小さくされており、基部５１は捩り梁３よりも剛性が低い。そのため、走査動作による反射部１の傾きは、主に共振駆動部５の変形により発生させられ、捩り梁３の捩れは小さい。
【００６０】
このような光走査装置においては、共振駆動部５を大きく変形させることで、走査角を大きくすることができる。しかし、反射部１の回転中心から距離がある共振駆動部５を大きく変形させる場合、反射部１の揺動の周波数が増大するとダンピング抵抗が増大するため、高周波数での走査において走査角を大きくすることができない。
【００６１】
これに対し、本実施形態の光走査装置１００では、基部５１の厚みが捩り梁３の厚みよりも大きくされており、基部５１は捩り梁３よりも剛性が高い。そのため、図６に示すように、走査動作による反射部１の傾きが主に捩り梁３の捩れにより発生させられ、共振駆動部５の変形が抑制される。よって、高周波数での走査におけるダンピング抵抗の増大を抑制し、走査角を大きくすることができる。そのため、広角走査および高周波数での走査を両立させることができる。
【００６２】
このように、本実施形態では、基部５１の厚みを捩り梁３の厚みよりも大きくし、基部５１の剛性を捩り梁３の剛性よりも高くすることにより、高周波数での走査におけるダンピング抵抗の増大を抑制し、走査角を大きくすることができる。そのため、共振駆動において、広角走査および高周波数での走査を両立させることができる。また、これにより、光走査装置１００の大画面化、高精細化が可能となる。
【００６３】
また、本実施形態では、基部７１においてＢｏｘ層１０ｂおよび支持層１０ｃと、活性層１０ａの一部とが除去され、ｚ方向における基部７１の厚みが、基部５１の厚みよりも小さくされている。そのため、基部７１は基部５１よりも剛性が低く、変形しやすい。よって、強制駆動部７の動作による第１支持部６の変位が大きくなり、強制駆動において広角走査化が可能となる。
【００６４】
また、本実施形態では、基部１１の内周部においてＢｏｘ層１０ｂおよび支持層１０ｃと、活性層１０ａの一部とが除去され、ｚ方向における内周部の厚みが基部５１の厚みよりも小さくされているため、基部１１の内周部は剛性が低く、変形しやすい。よって、屈曲部２の動作による基部１１およびミラー１２の変形が大きくなり、反射光の焦点位置が広い範囲で変化する。そのため、ミラー１２の屈曲動作を伴う共振駆動、強制駆動において、広角走査化が可能となる。
【００６５】
なお、本実施形態では、活性層１０ａの一部が除去された部分と、活性層１０ａが元の厚みのまま残された部分との両方において、活性層１０ａの表面が研磨されて平滑な研磨面が形成されている。これにより、各圧電素子を基板１０の面方位にしたがって成膜することができるため、耐電圧、圧電定数の高い圧電素子を成膜することが可能となる。
【００６６】
（他の実施形態）
なお、本発明は上記した実施形態に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載した範囲内において適宜変更が可能である。
【００６７】
例えば、上記第１実施形態では光走査装置１００は屈曲部２を備えているが、光走査装置１００が屈曲部２を備えていなくてもよい。また、上記第１実施形態では光走査装置１００は強制駆動部７を備えているが、光走査装置１００が強制駆動部７を備えていなくてもよい。
【符号の説明】
【００６８】
１  反射部
３  捩り梁
５  共振駆動部
７  強制駆動部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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