(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
高反射領域と低反射領域とが下地層に交互に配置された反射型光学式エンコーダのコード板であって、
前記高反射領域における光の反射率は、前記低反射領域における光の反射率よりも高く、
前記高反射領域における前記下地層の上に設けられ、銀を含有する反射層と、
前記反射層と前記低反射領域における前記下地層との上に設けられ、前記銀を保護する保護層と、
前記保護層の上に設けられ、ケイ素を含有する被覆層と、
を備えたことを特徴とする反射型光学式エンコーダのコード板。
【請求項２】
前記反射層の材料は、銀インジウムスズであることを特徴する請求項１記載の反射型光学式エンコーダのコード板。
【請求項３】
前記被覆層の材料は、二酸化ケイ素であることを特徴とする請求項１または２に記載の反射型光学式エンコーダのコード板。
【請求項４】
前記保護層の材料は、ケイ素を含まない金属酸化物であることを特徴とする請求項１〜３のいずれか１つに記載の反射型光学式エンコーダのコード板。
【請求項５】
前記保護層の材料は、酸化アルミニウムであることを特徴とする請求項４記載の反射型光学式エンコーダのコード板。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、反射型光学式エンコーダのコード板に関する。
【背景技術】
【０００２】
一般的に、反射型光学式エンコーダは、コード板と、ＬＥＤなどの光源と、光検出器と、を備え、位置情報を取得する。コード板は、互いに交互に配置された低反射領域と高反射領域とを有する。高反射領域における光の反射率は、低反射領域における光の反射率よりも高い。光源は、コード板に光を照射する。光検出器は、コード板において反射した光（反射光）を検出する。
【０００３】
低反射領域および高反射領域が互いに交互に配置され、高反射領域における光の反射率が低反射領域における光の反射率よりも高いため、コード板において反射した光は、光検出器において縞状の像を生成する。縞状の像の位相は、コード板の位置が測長方向に移動することによって変化する。光検出器は、この縞状の像の位相変化を検出する。反射型光学式エンコーダは、検出された縞状の像の位相変化に基づいてコード板の位置の変位情報を処理し、位置情報を取得する。
【０００４】
特許文献１には、下地部材に第１領域と第２領域とが交互に配置されたエンコーダ用反射型光学式スケールが開示されている。特許文献１に記載された第１の領域における波長λの光の反射率は、第２の領域における波長λの光の反射率よりも高い。第１の領域は、下地部材の上に配された反射部材と、反射部材の上に配された第１材料で構成された層と、第１材料で構成された層の上に配された第２材料で構成された層と、で構成されている。反射部材は、例えばアルミニウム合金である。第１材料は、例えば酸化シリコンである。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２０１３−１０１００７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかし、アルミニウム（Ａｌ）単体の反射率は、例えば約８５％程度である。アルミニウムの上に保護層が形成されると、保護層を介したアルミニウムの反射率は、例えば約６０％以上、７０％以下程度になることがある。一般的に、コード板において反射した光によって生成された縞状の像を比較的高い精度で検出するためには、高反射領域における光の反射率と、低反射領域における光の反射率と、の間の差が５０％以上必要とされている。しかし、低反射領域における光の反射率は、下地層の材料と、保護層の材料と、の組み合わせによっては、例えば約２０％以上、３０％以下程度になることがある。すると、低反射領域における光の反射率と、高反射領域における光の反射率と、の間の差が比較的小さくなる。
【０００７】
これに対して、反射率を向上させる材料を有する層を高反射領域に入れる手段や、反射率を低下させる材料を有する層を低反射領域に入れる手段などが検討されている。あるいは、コード板に凹凸を形成する手段などが検討されている。しかし、そうすると、コード板を製造するプロセスが複雑化するという問題がある。
【０００８】
本発明者の得た知見によれば、反射型光学式エンコーダに用いられる光源の一般的な光の波長（例えば、８５０ナノメートル（ｎｍ）程度）では、銀（Ａｇ）の反射率がアルミニウムの反射率より高い。しかし、特許文献１に開示されたエンコーダ用反射型光学式スケールの反射部材に銀を適用すると、第１材料として酸化シリコンが用いられ、その酸化シリコンが銀の上に設けられるため、銀が変色し、腐食するという問題がある。
【０００９】
これに対して、銀を保護する層の材料としてケイ素（Ｓｉ）を含まない材料（例えば、酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）など）を用いると、銀の変色や腐食を抑えることができる。しかし、銀を保護する層の材料によっては、例えば下地部材として用いられたガラスを加工あるいは洗浄するときに使用される水やアルカリを含む液により、銀を保護する層が損傷を受けることがある。
【００１０】
本発明は、上記従来の課題を解決するためのものであり、高反射領域における光の反射率と、低反射領域における光の反射率と、の間の差を大きくすることができる反射型光学式エンコーダのコード板を提供することを目的とする。また、本発明は、比較的簡単な製造方法により反射型光学式エンコーダのコード板を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本発明の反射型光学式エンコーダのコード板は、一態様において、高反射領域と低反射領域とが下地層に交互に配置された反射型光学式エンコーダのコード板であって、前記高反射領域における光の反射率は、前記低反射領域における光の反射率よりも高く、前記高反射領域における前記下地層の上に設けられ、銀を含有する反射層と、前記反射層と前記低反射領域における前記下地層との上に設けられ、前記銀を保護する保護層と、前記保護層の上に設けられ、ケイ素を含有する被覆層と、を備えたことを特徴とする。
【００１２】
本発明の一態様に係る反射型光学式エンコーダのコード板によれば、反射層は、銀を含有する。これにより、反射層が銀とは異なる例えばアルミニウムなどの金属を含有する場合と比較すると、高反射領域における光の反射率と、低反射領域における光の反射率と、の間の差を大きくすることができる。
【００１３】
また、被覆層がケイ素を含有し、銀を保護する保護層が反射層と被覆層との間に設けられている。これにより、被覆層がケイ素を含有していても、反射層の含有する銀が被覆層の影響を受け、変色あるいは腐食することを抑えることができる。
【００１４】
さらに、高反射領域における光の反射率を向上させるために反射層とは別の層を高反射領域に追加する必要はない。また、低反射領域における光の反射率を低下させるために保護層および被覆層とは別の層を低反射領域に追加する必要はない。また、高反射領域における光の反射率と、低反射領域における光の反射率と、の間の差を大きくするために、コード板に凸部を設けるなどの加工を施す必要はない。そのため、比較的簡単な製造方法により反射型光学式エンコーダのコード板を製造することができる。
【００１５】
本発明の反射型光学式エンコーダのコード板において、前記反射層の材料は、銀インジウムスズであってもよい。これによれば、反射層が銀とは異なる例えばアルミニウムなどの金属を含有する場合と比較すると、高反射領域における光の反射率と、低反射領域における光の反射率と、の間の差を大きくすることができる。
【００１６】
本発明の反射型光学式エンコーダのコード板において、前記被覆層の材料は、二酸化ケイ素であってもよい。これによれば、被覆層の二酸化ケイ素が保護層を保護するとともに、保護層は、反射層の含有する銀が被覆層の二酸化ケイ素の影響を受け、変色あるいは腐食することを抑えることができる。
【００１７】
本発明の反射型光学式エンコーダのコード板において、前記保護層の材料は、ケイ素を含まない金属酸化物であってもよい。これによれば、保護層は、反射層の含有する銀が被覆層の二酸化ケイ素の影響を受け、変色あるいは腐食することを抑えることができる。
【００１８】
本発明の反射型光学式エンコーダのコード板において、前記保護層の材料は、酸化アルミニウムであってもよい。
これによれば、保護層は、反射層の含有する銀が被覆層の二酸化ケイ素の影響を受け、変色あるいは腐食することを抑えることができる。また、被覆層は、保護層の酸化アルミニウムが水やアルカリを含む液により損傷を受けることを抑えることができる。
【発明の効果】
【００１９】
本発明によれば、高反射領域における光の反射率と、低反射領域における光の反射率と、の間の差を大きくすることが可能になる。また、本発明によれば、比較的簡単な製造方法により反射型光学式エンコーダのコード板を提供することが可能になる。
【図面の簡単な説明】
【００２０】
【図１】本実施形態に係る反射型光学式エンコーダのコード板が用いられた反射型光学式エンコーダを表す模式的平面図である。
【図２】本実施形態に係る反射型光学式エンコーダのコード板が用いられた反射型光学式エンコーダを表す模式的平面図である。
【図３】本実施形態に係る反射型光学式エンコーダのコード板を表す模式的断面図である。
【図４】本発明者が実施したシミュレーションの結果の例を表す表である。
【図５】本発明者が実施した他のシミュレーションの結果の例を表す表である。
【図６】本発明者が実測した反射率の例を表す表である。
【発明を実施するための形態】
【００２１】
以下、本発明の実施形態を図面に基づいて説明する。なお、以下の説明では、同一の部材には同一の符号を付し、一度説明した部材については適宜その説明を省略する。
【００２２】
図１および図２は、本実施形態に係る反射型光学式エンコーダのコード板が用いられた反射型光学式エンコーダを表す模式的平面図である。
図２は、図１に表した矢印Ａ１の方向に反射型光学式エンコーダを眺めたときの模式的平面図である。
【００２３】
図１および図２に表した反射型光学式エンコーダ１０は、コード板１００と、検出ヘッド２００と、を備える。コード板１００と検出ヘッド２００とは、互いに対向するように配されている。図１および図２に表した反射型光学式エンコーダ１０では、コード板１００が下に配置され、検出ヘッド２００が上に配置されている。
【００２４】
検出ヘッド２００は、光源２１０と、光検出器２２０と、検出基板２３０と、を有する。
光源２１０は、例えば、発光面が小さく単一波長λの光を照射する点光源ＬＥＤである。本実施形態においては、光源２１０が約８５０ナノメートル（ｎｍ）程度の波長の赤外光を照射する場合を考える。光源２１０は、放出された光を平行光とするコリメータレンズを含んでいてもよい。
光検出器２２０は、例えば、検出基板２３０に設けられ、複数のフォトダイオードを有する。複数のダイオードは、所定の間隔で配置されている。光検出器２２０は、複数のフォトダイオードが出力する信号を変換する周辺回路および増幅する周辺回路の少なくともいずれかを含んでもよい。
【００２５】
図３は、本実施形態に係る反射型光学式エンコーダのコード板を表す模式的断面図である。
コード板１００は、下地層１１０と、反射層１２０と、保護層１３０と、被覆層１４０と、を有する。
【００２６】
下地層１１０には、例えばガラスが用いられる。具体的には、下地層１１０には、例えば、石英ガラスおよびホウケイ酸ガラスなどが用いられる。下地層１１０の厚さｔ１は、特には限定されず、例えば０．５ミリメートル（ｍｍ）以上、１ｍｍ以下程度である。
【００２７】
反射層１２０は、下地層１１０の上に設けられ、光源２１０から照射された光を反射する性質を有する金属材料を含有する。例えば、反射層１２０は、銀（Ａｇ）または銀合金を含有する。なお、本願明細書において、単に「反射層１２０が銀を含有する」という場合には、反射層１２０が銀または銀合金を含有する場合が含まれる。反射層１２０の材料としては、例えば銀インジウムスズ（ＡｇＩｎＳｎ）が挙げられる。反射層１２０は、光源２１０から照射された光を反射することができる程度の厚さｔ２を有していればよい。反射層１２０の厚さｔ２は、例えば約１００ｎｍ以上程度である。但し、反射層１２０の厚さｔ２は、この範囲には限定されない。
【００２８】
反射層１２０は、スパッタや蒸着などにより下地層１１０の表面上に形成される。反射層１２０をスパッタにより下地層１１０の表面上に形成する場合には、例えば銀を含有する層をスパッタにより下地層１１０の表面上に形成し、銀を含有する層の上にレジストを形成する。レジストを露光および現像してパターニングした後、銀を含有する層をエッチングする。その後、レジストを剥離する。これにより、パターニングされた銀を含有する反射層１２０が下地層１１０の表面上に形成される。
【００２９】
保護層１３０は、下地層１１０および反射層１２０の上に設けられ、反射層１２０が含有する銀を保護する。保護層１３０には、ケイ素（Ｓｉ）を含まない金属酸化物が用いられる。保護層１３０の材料としては、例えば酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）、酸化チタン（ＴｉＯ２）、五酸化タンタル（Ｔａ２Ｏ５）および酸化ジルコニウム（ＺｒＯ２）など挙げられる。保護層１３０は、反射層１２０が含有する銀を保護することができる程度の厚さｔ３を有していればよい。また、保護層１３０は、反射層１２０が有する反射性よりも低い反射性を有することが望ましい。保護層１３０の厚さｔ３は、例えば約５ｎｍ以上、２０ｎｍ以下程度である。但し、保護層１３０の厚さｔ３は、この範囲には限定されない。保護層１３０は、スパッタや蒸着などにより下地層１１０および反射層１２０の表面上に形成される。
【００３０】
被覆層１４０は、保護層１３０の上に設けられ、保護層１３０を保護する。被覆層１４０の材料としては、例えば二酸化ケイ素（ＳｉＯ２）が挙げられる。被覆層１４０は、有機系材料を含んでいてもよい。被覆層１４０は、保護層１３０を保護することができる程度の厚さｔ４を有していればよい。また、被覆層１４０は、反射層１２０が有する反射性よりも低い反射性を有することが望ましい。被覆層１４０の厚さｔ４は、例えば約９０ｎｍ以上、１１０ｎｍ以下程度である。但し、被覆層１４０の厚さｔ４は、この範囲には限定されない。被覆層１４０は、スパッタや蒸着などにより保護層１３０の表面上に形成される。
【００３１】
図３に表したように、本実施形態に係るコード板１００は、高反射領域１０１と、低反射領域１０２と、を有する。高反射領域１０１には、反射層１２０と、保護層１３０と、被覆層１４０と、が設けられている。低反射領域１０２には、保護層１３０と、被覆層１４０と、が設けられている。言い換えれば、低反射領域１０２には、反射層１２０は、設けられていない。光源２１０から照射された光に対する反射層１２０の反射率は、光源２１０から照射された光に対する保護層１３０の反射率、および光源２１０から照射された光に対する被覆層１４０の反射率よりも高い。そのため、高反射領域１０１における光の反射率は、低反射領域１０２における光の反射率よりも高い。
【００３２】
図１に表したように、コード板１００において、高反射領域１０１と低反射領域１０２とは、互いに交互に配置されている。前述したように、高反射領域１０１における光の反射率は、低反射領域１０２における光の反射率よりも高い。そのため、光源２１０から照射された光は、コード板１００において反射され、コード板１００と対向して設けられた検出ヘッド２００の光検出器２２０において縞状の像を生成する。
【００３３】
コード板１００が検出ヘッド２００に対して図１に表したＸ１−Ｘ２方向（測長方向）に移動すると、縞状の像は、光検出器２２０において移動する。これにより、コード板１００において反射された光（反射光）の像の光量が光検出器２２０によって検出される。そして、反射型光学式エンコーダ１０は、位置情報を取得することができる。
【００３４】
ここで、例えば、アルミニウム（Ａｌ）またはアルミニウム合金が反射層１２０に用いられた場合を考える。アルミニウム単体の反射率は、例えば約８５％程度である。アルミニウムの上に保護層が形成されると、保護層を介したアルミニウムの反射率は、例えば約６０％以上、７０％以下程度になることがある。
【００３５】
一般的に、コード板において反射した光によって生成された縞状の像を比較的高い精度で検出するためには、高反射領域における光の反射率と、低反射領域における光の反射率と、の間の差が５０％以上必要とされている。しかし、低反射領域における光の反射率は、下地層の材料と、保護層の材料と、の組み合わせによっては、例えば約２０％以上、３０％以下程度になることがある。すると、低反射領域における光の反射率と、高反射領域における光の反射率と、の間の差が比較的小さくなる。
【００３６】
これに対して、本実施形態に係るコード板１００の反射層１２０は、銀または銀合金を含有する。光源２１０から照射される光の波長（約８５０ナノメートル（ｎｍ）程度）では、銀の反射率がアルミニウムの反射率より高い。これにより、高反射領域１０１における光の反射率と、低反射領域１０２における光の反射率と、の間の差を大きくすることができる。
【００３７】
ここで、銀または銀合金を含有する反射層１２０を保護する保護層に酸化シリコンが用いられると、銀が、酸化シリコンの影響を受け、変色あるいは腐食することがある。
【００３８】
これに対して、本実施形態に係るコード板１００の保護層１３０には、ケイ素を含まない金属酸化物が用いられる。前述したように、保護層１３０の材料としては、例えば酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）、酸化チタン（ＴｉＯ２）、五酸化タンタル（Ｔａ２Ｏ５）および酸化ジルコニウム（ＺｒＯ２）など挙げられる。これにより、反射層１２０が含有する銀または銀合金が変色および腐食することを抑えることができる。
【００３９】
ここで、保護層１３０の材料として酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）が用いられた場合において、酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）が表面に露出すると、例えば下地層１１０として用いられたガラスを加工あるいは洗浄するときに使用される水やアルカリを含む液により、酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）が損傷を受けることがある。
【００４０】
これに対して、本実施形態に係るコード板１００では、被覆層１４０が保護層１３０の上に設けられている。言い換えれば、保護層１３０は、被覆層１４０に覆われ保護されている。これにより、保護層１３０の材料として酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）が用いられた場合であっても、酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）が水やアルカリを含む液により損傷を受けることを抑えることができる。
【００４１】
また、本実施形態に係るコード板１００では、高反射領域１０１における光の反射率を向上させるために反射層１２０とは別の層を高反射領域１０１に追加する必要はない。また、低反射領域１０２における光の反射率を低下させるために保護層１３０および被覆層１４０とは別の層を低反射領域１０２に追加する必要はない。また、高反射領域１０１における光の反射率と、低反射領域１０２における光の反射率と、の間の差を大きくするために、コード板１００に凸部を設けるなどの加工を施す必要はない。そのため、比較的簡単な製造方法により反射型光学式エンコーダ１０のコード板１００を製造することができる。
【００４２】
次に、本発明者が実施した検討した反射率の例について、図面を参照しつつ説明する。
図４は、本発明者が実施したシミュレーションの結果の例を表す表である。
【００４３】
本シミュレーションでは、本発明者は、積層体モデルの各層の材料の屈折率として、シミュレーションを行うソフトウェアに組み込まれた屈折率を用いた。積層体モデルの層の構成は、図４に表したグラフ図の通りである。
【００４４】
すなわち、下地層１１０に相当する層のモデルに、ホウケイ酸ガラスを用いた。反射層１２０に相当する層のモデルに、１００ｎｍの厚さを有するアルミニウム（Ａｌ）または銀（Ａｇ）を用いた。保護層１３０に相当する層のモデルに、１００ｎｍの厚さを有する二酸化ケイ素（ＳｉＯ２）を用いた。
【００４５】
そして、ホウケイ酸ガラスのみの層のモデルと、ホウケイ酸ガラスの層と二酸化ケイ素の層とを積層した積層体モデルと、ホウケイ酸ガラスの層とアルミニウムの層とを積層した積層体モデルと、ホウケイ酸ガラスの層とアルミニウムの層と二酸化ケイ素の層とを積層した積層体モデルと、ホウケイ酸ガラスの層と銀の層とを積層した積層体モデルと、ホウケイ酸ガラスの層と銀の層と二酸化ケイ素の層とを積層した積層体モデルと、を作成した。積層体モデルに照射した光の波長は、８５０ｎｍである。
【００４６】
各積層体モデルの反射率（パーセント：％）は、図４に表したグラフ図の通りである。すなわち、ホウケイ酸ガラスの層とアルミニウムの層とを積層した積層体モデルの反射率は、８６．２７％である。ホウケイ酸ガラスの層とアルミニウムの層と二酸化ケイ素の層とを積層した積層体モデルの反射率は、７５．５６％である。
これに対して、ホウケイ酸ガラスの層と銀の層とを積層した積層体モデルの反射率は、９８．９０％である。ホウケイ酸ガラスの層と銀の層と二酸化ケイ素の層とを積層した積層体モデルの反射率は、９７．８６％である。
【００４７】
このように、銀を含有する反射層１２０における光の反射率は、アルミニウムを含有する反射層における光の反射率よりも高いことが分かる。
【００４８】
図５は、本発明者が実施した他のシミュレーションの結果の例を表す表である。
本シミュレーションでは、本発明者は、積層体モデルの各層の材料の屈折率として、本発明者が実測した値（実測値）を用いた。積層体モデルの層の構成は、図５に表したグラフ図の通りである。
【００４９】
すなわち、下地層１１０に相当する層のモデルに、ホウケイ酸ガラスを用いた。反射層１２０に相当する層のモデルに、１００ｎｍの厚さを有するアルミニウム（Ａｌ）または銀インジウムスズ（ＡｇＩｎＳｎ）を用いた。保護層１３０に相当する層のモデルに、２０ｎｍの厚さを有する酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）を用いた。被覆層１４０に相当する層のモデルに、１００ｎｍの厚さを有する二酸化ケイ素（ＳｉＯ２）を用いた。
【００５０】
そして、ホウケイ酸ガラスの層とアルミニウムの層と二酸化ケイ素の層とを積層した積層体モデルと、ホウケイ酸ガラスの層と銀インジウムスズの層と酸化アルミニウムの層と二酸化ケイ素の層とを積層した積層体モデルと、を作成した。積層体モデルに照射した光の波長は、８５０ｎｍである。
【００５１】
各積層体モデルの反射率（パーセント：％）は、図５に表したグラフ図の通りである。すなわち、ホウケイ酸ガラスの層とアルミニウムの層と二酸化ケイ素の層とを積層した積層体モデルの反射率は、７６．２７％である。ホウケイ酸ガラスの層と銀インジウムスズの層と酸化アルミニウムの層と二酸化ケイ素の層とを積層した積層体モデルの反射率は、９７．５３％である。
【００５２】
このように、銀を含有する反射層１２０における光の反射率は、アルミニウムを含有する反射層における光の反射率よりも高いことが分かる。また、ホウケイ酸ガラスの層と銀インジウムスズの層と酸化アルミニウムの層と二酸化ケイ素の層とを積層した積層体モデルでは、銀インジウムスズと、二酸化ケイ素と、の間に酸化アルミニウムが設けられている。そのため、銀インジウムスズに含まれる銀が変色および腐食することを抑えることができる。また、酸化アルミニウムが水やアルカリを含む液により損傷を受けることを抑えることができる。
【００５３】
図６は、本発明者が実測した反射率の例を表す表である。
本測定では、積層体の各層の材料の屈折率として、本発明者が実測した値（実測値）を用いた。また、本発明者が作成した積層体の層の構成は、図６に表したグラフ図の通りである。
【００５４】
すなわち、下地層１１０に相当する層に、ホウケイ酸ガラスを用いた。反射層１２０に相当する層に、８５．５ｎｍの厚さを有するアルミニウム（Ａｌ）または１０８．１ｎｍの厚さを有する銀インジウムスズ（ＡｇＩｎＳｎ）を用いた。保護層１３０に相当する層のモデルに、５ｎｍ、１０ｎｍまたは２０ｎｍの厚さを有する酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）を用いた。被覆層１４０に相当する層のモデルに、９９．０ｎｍの厚さを有する二酸化ケイ素（ＳｉＯ２）を用いた。
【００５５】
そして、ホウケイ酸ガラスのみの層と、ホウケイ酸ガラスの層と二酸化ケイ素の層とを積層した積層体と、ホウケイ酸ガラスの層と酸化アルミニウムの層と二酸化ケイ素の層とを積層した積層体と、ホウケイ酸ガラスの層とアルミニウムの層とを積層した積層体と、ホウケイ酸ガラスの層とアルミニウムの層と二酸化ケイ素の層とを積層した積層体と、ホウケイ酸ガラスの層と銀インジウムスズの層とを積層した積層体と、ホウケイ酸ガラスの層と銀インジウムスズの層と酸化アルミニウム（厚さ：５．０ｎｍ）の層と二酸化ケイ素の層とを積層した積層体と、ホウケイ酸ガラスの層と銀インジウムスズの層と酸化アルミニウム（厚さ：１０．０ｎｍ）の層と二酸化ケイ素の層とを積層した積層体と、ホウケイ酸ガラスの層と銀インジウムスズの層と酸化アルミニウム（厚さ：２０．０ｎｍ）の層と二酸化ケイ素の層とを積層した積層体と、を作成した。積層体に照射した光の波長は、８５０ｎｍである。
【００５６】
ホウケイ酸ガラスの層と二酸化ケイ素の層とを積層した積層体は、比較例に係るコード板の低反射領域に相当する。ホウケイ酸ガラスの層とアルミニウムの層と二酸化ケイ素の層とを積層した積層体は、比較例に係るコード板の高反射領域に相当する。
ホウケイ酸ガラスの層と酸化アルミニウムの層と二酸化ケイ素の層とを積層した積層体は、本実施形態に係るコード板１００の低反射領域１０２に相当する。ホウケイ酸ガラスの層と銀インジウムスズの層と酸化アルミニウム（厚さ：５．０ｎｍ、１０．０ｎｍ、２０．０ｎｍ）の層と二酸化ケイ素の層とを積層した積層体のそれぞれは、本実施形態に係るコード板１００の高反射領域１０１に相当する。
【００５７】
各積層体モデルの反射率（パーセント：％）は、図６に表したグラフ図の通りである。これによれば、比較例に係るコード板において、低反射領域における光の反射率（７．０５％）と、高反射領域における光の反射率（７４．１７％）と、の間の差は、６７．１２％である。これに対して、本実施形態に係るコード板１００において、低反射領域１０２における光の反射率（７．４９％）と、高反射領域１０１における光の反射率（８９．１４％）と、の間の差は、酸化アルミニウムの厚さが２０．０ｎｍの場合において８１．６５％である。
【００５８】
このように、比較例に係るコード板と比較して、本実施形態に係るコード板１００では、高反射領域１０１における光の反射率と、低反射領域１０２における光の反射率と、の間の差を大きくすることができることが分かる。
【００５９】
以上説明したように、本実施形態によれば、高反射領域１０１における光の反射率と、低反射領域１０２における光の反射率と、の間の差を大きくすることができる反射型光学式エンコーダ１０のコード板１００を提供することができる。また、本実施形態によれば、比較的簡単な製造方法により反射型光学式エンコーダ１０のコード板１００を提供することができる。
【００６０】
なお、上記に本実施形態およびその適用例を説明したが、本発明はこれらの例に限定されるものではない。例えば、前述の各実施形態またはその適用例に対して、当業者が適宜、構成要素の追加、削除、設計変更を行ったものや、各実施形態の特徴を適宜組み合わせたものも、本発明の要旨を備えている限り、本発明の範囲に含有される。
【符号の説明】
【００６１】
１０  反射型光学式エンコーダ
１００  コード板
１０１  高反射領域
１０２  低反射領域
１１０  下地層
１２０  反射層
１３０  保護層
１４０  被覆層
２００  検出ヘッド
２１０  光源
２２０  光検出器
２３０  検出基板
ｔ１  厚さ
ｔ２  厚さ
ｔ３  厚さ
ｔ４  厚さ
Ａ１  矢印
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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