(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
（ａ）半導体基板を用意する工程、
（ｂ）前記半導体基板の主面の第１領域で、前記半導体基板上に第１ゲート電極を形成し、前記半導体基板の前記主面の第２領域で、前記半導体基板上に第２ゲート電極を形成し、前記第１ゲート電極と前記半導体基板との間に第１ゲート絶縁膜を形成し、前記第２ゲート電極と前記半導体基板との間に第２ゲート絶縁膜を形成する工程、
（ｃ）前記第１領域および前記第２領域で、前記半導体基板の前記主面、前記第１ゲート電極の表面、および、前記第２ゲート電極の表面に、内部に電荷蓄積部を有する第１絶縁膜を形成する工程、
（ｄ）前記第１絶縁膜上に、第１導電膜を形成する工程、
（ｅ）前記第１導電膜上に、シリコンを含有する第２絶縁膜を形成する工程、
（ｆ）前記第２絶縁膜上に、シリコンからなる第１膜を形成する工程、
（ｇ）前記第１領域で、前記第１膜をエッチバックすることにより、前記第１ゲート電極の第１側面に、前記第１絶縁膜、前記第１導電膜および前記第２絶縁膜を介して前記第１膜を残して第１側壁部を形成し、前記第２領域で、前記第１膜を除去する工程、
（ｈ）前記第１側壁部から露出した部分の前記第２絶縁膜を除去する工程、
（ｉ）前記第１導電膜をエッチバックすることにより、前記第１側壁部と前記第１ゲート電極との間、および、前記第１側壁部と前記半導体基板との間の前記第１導電膜からなる第３ゲート電極を形成し、前記第２ゲート電極の第２側面に前記第１絶縁膜を介して前記第１導電膜を残して第４ゲート電極を形成する工程、
を有し、
前記第３ゲート電極のゲート長は、前記第４ゲート電極のゲート長よりも長い、半導体装置の製造方法。
【請求項２】
請求項１記載の半導体装置の製造方法において、
前記（ｇ）工程は、
（ｇ１）前記第１膜をエッチバックすることにより、前記第１ゲート電極の前記第１側面に、前記第１側壁部を形成し、前記第１ゲート電極の前記第１側面と反対側の第３側面に、前記第１絶縁膜、前記第１導電膜および前記第２絶縁膜を介して前記第１膜を残して第２側壁部を形成し、前記第２ゲート電極の前記第２側面に、前記第１絶縁膜、前記第１導電膜および前記第２絶縁膜を介して前記第１膜を残して第３側壁部を形成し、前記第２ゲート電極の前記第２側面と反対側の第４側面に、前記第１絶縁膜、前記第１導電膜および前記第２絶縁膜を介して前記第１膜を残して第４側壁部を形成する工程、
（ｇ２）前記第２絶縁膜上に、前記第１側壁部、前記第２側壁部、前記第３側壁部および前記第４側壁部を覆うように、マスク膜を形成する工程、
（ｇ３）前記マスク膜をパターニングし、前記第２領域で、前記マスク膜を除去し、前記第１領域で、前記第１側壁部を覆う前記マスク膜からなるマスクパターンを形成し、前記第２側壁部を前記マスク膜から露出させる工程、
（ｇ４）前記（ｇ３）工程の後、前記第２側壁部、前記第３側壁部および前記第４側壁部を除去する工程、
を含む、半導体装置の製造方法。
【請求項３】
請求項１記載の半導体装置の製造方法において、
前記（ｂ）工程では、前記半導体基板の前記主面の第３領域で、前記半導体基板上に、前記第１ゲート電極と一体的に第１電極を形成し、前記半導体基板上に、前記第１電極と間隔を空けて第１ダミー電極を形成し、
前記（ｃ）工程では、前記第３領域で、前記第１電極の表面、および、前記第１ダミー電極の表面に、前記第１絶縁膜を形成し、
前記（ｇ）工程では、前記第１ダミー電極の第５側面に、前記第１絶縁膜、前記第１導電膜および前記第２絶縁膜を介して前記第１膜を残して第５側壁部を形成し、
前記（ｈ）工程では、前記第５側壁部から露出した部分の前記第２絶縁膜を除去し、
前記（ｉ）工程では、前記第５側壁部と前記第１ダミー電極との間、および、前記第５側壁部と前記半導体基板との間の前記第１導電膜からなる第２電極を、前記第３ゲート電極と一体的に形成する、半導体装置の製造方法。
【請求項４】
請求項１記載の半導体装置の製造方法において、
前記（ｂ）工程では、前記半導体基板の前記主面の第４領域で、前記半導体基板上に、前記第１ゲート電極と一体的に第３電極を形成し、前記半導体基板上に、前記第３電極と間隔を空けて第２ダミー電極を形成し、
前記（ｃ）工程では、前記第４領域で、前記第３電極の表面、および、前記第２ダミー電極の表面に、前記第１絶縁膜を形成し、
前記（ｇ）工程では、前記第４領域で、前記第１膜を除去し、
前記（ｉ）工程では、前記第２ダミー電極の第６側面に前記第１絶縁膜を介して前記第１導電膜を残して第４電極を形成し、
前記第６側面に垂直な方向における前記第４電極の下面の幅は、前記第３ゲート電極のゲート長よりも短く、
前記（ｉ）工程では、前記第４電極を、前記第３ゲート電極と一体的に形成する、半導体装置の製造方法。
【請求項５】
請求項１記載の半導体装置の製造方法において、
前記第１導電膜の膜厚は、前記第１膜の膜厚よりも厚い、半導体装置の製造方法。
【請求項６】
請求項１記載の半導体装置の製造方法において、
前記第１導電膜は、シリコンからなる、半導体装置の製造方法。
【請求項７】
請求項６記載の半導体装置の製造方法において、
前記第１導電膜は、第１導電型の第１不純物が導入されたシリコンからなり、
前記第１膜は、第２導電型の第２不純物が導入されたシリコンからなり、
前記第１導電膜における前記第１不純物の濃度は、前記第１膜における前記第２不純物の濃度よりも高い、半導体装置の製造方法。
【請求項８】
請求項６記載の半導体装置の製造方法において、
前記第２絶縁膜は、酸化シリコン膜からなる、半導体装置の製造方法。
【請求項９】
請求項１記載の半導体装置の製造方法において、
前記（ｉ）工程では、前記第３ゲート電極と前記半導体基板との間、および、前記第３ゲート電極と前記第１ゲート電極との間の前記第２絶縁膜からなる第３ゲート絶縁膜を形成し、前記第４ゲート電極と前記半導体基板との間、および、前記第４ゲート電極と前記第２ゲート電極との間の前記第２絶縁膜からなる第４ゲート絶縁膜を形成する、半導体装置の製造方法。
【請求項１０】
請求項９記載の半導体装置の製造方法において、
前記第１ゲート電極と前記第３ゲート電極とにより第１不揮発性メモリが形成され、
前記第２ゲート電極と前記第４ゲート電極とにより第２不揮発性メモリが形成され、
前記第１不揮発性メモリには、データが保存され、
前記第２不揮発性メモリには、プログラムが保存される、半導体装置の製造方法。
【請求項１１】
半導体基板と、
前記半導体基板の主面の第１領域で、前記半導体基板上に形成された第１ゲート電極と、
前記半導体基板の前記主面の第２領域で、前記半導体基板上に形成された第２ゲート電極と、
前記第１ゲート電極と前記半導体基板との間に形成された第１ゲート絶縁膜と、
前記第２ゲート電極と前記半導体基板との間に形成された第２ゲート絶縁膜と、
前記第１ゲート電極の第１側面に形成された第３ゲート電極と、
前記第３ゲート電極と前記半導体基板との間、および、前記第３ゲート電極と前記第１ゲート電極との間に形成され、内部に電荷蓄積部を有する第３ゲート絶縁膜と、
前記第２ゲート電極の第２側面に形成された第４ゲート電極と、
前記第４ゲート電極と前記半導体基板との間、および、前記第４ゲート電極と前記第２ゲート電極との間に形成され、内部に電荷蓄積部を有する第４ゲート絶縁膜と、
前記第１ゲート電極の前記第１側面に、前記第３ゲート絶縁膜および前記第３ゲート電極を介して形成された第１側壁部と、
前記第１側壁部と前記第３ゲート電極との間に形成された第１絶縁膜と、
を有し、
前記第１側壁部は、シリコンからなり、
前記第１絶縁膜は、シリコンを含有し、
前記第３ゲート電極は、前記第１側壁部と前記第１ゲート電極との間、および、前記第１側壁部と前記半導体基板との間に形成され、
前記第３ゲート電極のゲート長は、前記第４ゲート電極のゲート長よりも長い、半導体装置。
【請求項１２】
請求項１１記載の半導体装置において、
前記半導体基板の前記主面の第３領域で、前記半導体基板上に、前記第１ゲート電極と一体的に形成された第１電極と、
前記第３領域で、前記半導体基板上に、前記第１電極と間隔を空けて形成された第１ダミー電極と、
前記第１ダミー電極の第３側面に、前記第３ゲート電極と一体的に形成された第２電極と、
前記第２電極と前記第１ダミー電極との間に形成された第２絶縁膜と、
前記第１ダミー電極の前記第３側面に、前記第２絶縁膜および前記第２電極を介して形成された第２側壁部と、
前記第２側壁部と前記第２電極との間に形成された第３絶縁膜と、
を有し、
前記第２側壁部は、シリコンからなり、
前記第３絶縁膜は、シリコンを含有する、半導体装置。
【請求項１３】
請求項１１記載の半導体装置において、
前記半導体基板の前記主面の第４領域で、前記半導体基板上に、前記第１ゲート電極と一体的に形成された第３電極と、
前記第４領域で、前記半導体基板上に、前記第３電極と間隔を空けて形成された第２ダミー電極と、
前記第２ダミー電極の第４側面に、前記第３ゲート電極と一体的に形成された第４電極と、
前記第４電極と前記第２ダミー電極との間に形成された第４絶縁膜と、
を有し、
前記第４電極は、シリコンからなり、
前記第４側面に垂直な方向における前記第４電極の下面の幅は、前記第３ゲート電極のゲート長よりも短い、半導体装置。
【請求項１４】
請求項１１記載の半導体装置において、
前記第３ゲート電極は、第１導電型の第１不純物が導入されたシリコンからなり、
前記第１側壁部は、第２導電型の第２不純物が導入されたシリコンからなり、
前記第３ゲート電極における前記第１不純物の濃度は、前記第１側壁部における前記第２不純物の濃度よりも高い、半導体装置。
【請求項１５】
請求項１１記載の半導体装置において、
前記第１ゲート電極と前記第３ゲート電極とにより第１不揮発性メモリが形成され、
前記第２ゲート電極と前記第４ゲート電極とにより第２不揮発性メモリが形成され、
前記第１不揮発性メモリには、データが保存され、
前記第２不揮発性メモリには、プログラムが保存される、半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置およびその製造方法に関し、例えば、半導体基板に形成された半導体素子を備える半導体装置およびその製造方法に好適に利用できるものである。
【背景技術】
【０００２】
半導体基板上に例えば不揮発性メモリなどのメモリセルなどが形成されたメモリセル領域を有する半導体装置が、広く用いられている。例えば不揮発性メモリとして、ＭＯＮＯＳ（Metal-Oxide-Nitride-Oxide-Semiconductor）膜を用いたスプリットゲート型セルからなるメモリセルを形成する場合がある。このとき、メモリセルは、制御ゲート電極を有する制御トランジスタと、メモリゲート電極を有するメモリトランジスタとの２つのＭＩＳＦＥＴ（Metal Insulator Semiconductor Field Effect Transistor）により形成される。また、メモリゲート電極は、制御ゲート電極の側面上に絶縁膜を介して導電膜をサイドウォールスペーサ状に残すことにより形成される。
【０００３】
特開２０１０−２８２９８７号公報（特許文献１）には、半導体基板の主面に形成された第１メモリセルおよび第２メモリセルを有する半導体装置であって、第１、第２メモリセルはそれぞれ、コントロールゲートとメモリゲートとを有する技術が開示されている。また、特開２００８−２９４０８８号公報（特許文献２）には、半導体装置において、半導体基板の主面の第１領域に第１電界効果トランジスタを含み、第２領域に第１電界効果トランジスタに隣接する第２電界効果トランジスタを含む不揮発性メモリセルを有する技術が開示されている。
【０００４】
特開２００７−５７７１号公報（特許文献３）には、集積半導体不揮発性記憶装置において、半導体基板と、半導体基板上に、電荷保持部を有する絶縁ゲート型電界効果型トランジスタを少なくとも有して形成された複数の半導体不揮発性記憶素子を、少なくとも有する技術が開示されている。また、特開２０１１−２１０７７７号公報（特許文献４）には、半導体装置において、半導体基板と、半導体基板の上部に形成された第１ゲート電極と、半導体基板の上部に形成され、第１ゲート電極と隣り合う第２ゲート電極と、を有する技術が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２０１０−２８２９８７号公報
【特許文献２】特開２００８−２９４０８８号公報
【特許文献３】特開２００７−５７７１号公報
【特許文献４】特開２０１１−２１０７７７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
このようなメモリセルを有する半導体装置として、メモリゲート電極のゲート長の異なるメモリセルを同一チップ内に混載することによって、動作速度が速く、かつ、書き換え可能な回数が多い不揮発性メモリと、高い信頼性を有する不揮発性メモリセルとを有する半導体装置がある。前述したように、制御ゲート電極の側面上に絶縁膜を介して導電膜をサイドウォールスペーサ状に残すことによりメモリゲート電極を形成する場合、長いゲート長を有するメモリゲート電極のうち、制御ゲート電極と反対側の部分の厚さは、制御ゲート電極側の部分の厚さよりも薄い。
【０００７】
ところが、制御ゲート電極と反対側の部分の厚さが制御ゲート電極側の部分の厚さよりも薄いメモリゲート電極をマスクとして用いて半導体基板にイオン注入する場合、メモリゲート電極のうち厚さが薄い部分に注入された不純物イオンが、メモリゲート電極を突き抜けてメモリゲート電極下の電荷蓄積部を有するゲート絶縁膜に到達するおそれがある。そのため、メモリゲート電極下のゲート絶縁膜の膜質が劣化するなどして、メモリセルの不揮発性メモリとしての特性が低下するおそれがあり、半導体装置の性能を向上させることができない。
【０００８】
その他の課題と新規な特徴は、本明細書の記述および添付図面から明らかになるであろう。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
一実施の形態によれば、半導体装置の製造方法において、第１ゲート電極および第２ゲート電極の各々の表面に、第１絶縁膜、第１導電膜、シリコンを含有する第２絶縁膜、および、シリコンからなる第１膜を順次形成する。次に、第１膜をエッチバックすることにより、第１ゲート電極の側面に、第１絶縁膜、第１導電膜および第２絶縁膜を介して第１膜を残して第１側壁部を形成する。次に、第１導電膜をエッチバックすることにより、第１側壁部と第１ゲート電極との間、および、第１側壁部と半導体基板との間の第１導電膜からなる第３ゲート電極を形成し、第２ゲート電極の側面に、第１絶縁膜を介して第１導電膜を残して第４ゲート電極を形成する。第３ゲート電極のゲート長は、第４ゲート電極のゲート長よりも長い。
【００１０】
また、他の実施の形態によれば、半導体装置は、第１ゲート電極の側面に形成された第３ゲート電極と、第２ゲート電極の側面に形成された第４ゲート電極と、を有する。また、当該半導体装置は、第１ゲート電極の側面に、第１絶縁膜および第３ゲート電極を介して形成された第１側壁部と、第１側壁部と第３ゲート電極との間に形成された第２絶縁膜と、を有する。第２絶縁膜は、シリコンを含有する絶縁膜からなり、第１側壁部は、シリコンからなる。第３ゲート電極は、第１側壁部と第１ゲート電極との間、および、第１側壁部と半導体基板との間に形成されている。第３ゲート電極のゲート長は、第４ゲート電極のゲート長よりも長い。
【発明の効果】
【００１１】
一実施の形態によれば、半導体装置の性能を向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１】実施の形態１の半導体装置のレイアウト構成例を示す図である。
【図２】実施の形態１の半導体装置の要部平面図である。
【図３】実施の形態１の半導体装置の要部断面図である。
【図４】実施の形態１の半導体装置の要部断面図である。
【図５】実施の形態１の半導体装置の製造工程の一部を示すプロセスフロー図である。
【図６】実施の形態１の半導体装置の製造工程の一部を示すプロセスフロー図である。
【図７】実施の形態１の半導体装置の製造工程中の要部断面図である。
【図８】実施の形態１の半導体装置の製造工程中の要部断面図である。
【図９】実施の形態１の半導体装置の製造工程中の要部断面図である。
【図１０】実施の形態１の半導体装置の製造工程中の要部断面図である。
【図１１】実施の形態１の半導体装置の製造工程中の要部断面図である。
【図１２】実施の形態１の半導体装置の製造工程中の要部断面図である。
【図１３】実施の形態１の半導体装置の製造工程中の要部断面図である。
【図１４】実施の形態１の半導体装置の製造工程中の要部断面図である。
【図１５】実施の形態１の半導体装置の製造工程中の要部断面図である。
【図１６】実施の形態１の半導体装置の製造工程中の要部断面図である。
【図１７】実施の形態１の半導体装置の製造工程中の要部断面図である。
【図１８】実施の形態１の半導体装置の製造工程中の要部断面図である。
【図１９】実施の形態１の半導体装置の製造工程中の要部断面図である。
【図２０】実施の形態１の半導体装置の製造工程中の要部断面図である。
【図２１】実施の形態１の半導体装置の製造工程中の要部断面図である。
【図２２】実施の形態１の半導体装置の製造工程中の要部断面図である。
【図２３】実施の形態１の半導体装置の製造工程中の要部断面図である。
【図２４】実施の形態１の半導体装置の製造工程中の要部平面図である。
【図２５】実施の形態１の半導体装置の製造工程中の要部平面図である。
【図２６】実施の形態１の半導体装置の製造工程中の要部平面図である。
【図２７】実施の形態１の半導体装置の製造工程中の要部平面図である。
【図２８】実施の形態１の半導体装置の製造工程中の要部平面図である。
【図２９】比較例の半導体装置の製造工程中の要部断面図である。
【図３０】実施の形態１の第１変形例の半導体装置の要部平面図である。
【図３１】実施の形態１の第１変形例の半導体装置の要部断面図である。
【図３２】実施の形態１の第１変形例の半導体装置の製造工程中の要部平面図である。
【図３３】実施の形態１の第１変形例の半導体装置の製造工程中の要部平面図である。
【図３４】実施の形態１の第１変形例の半導体装置の製造工程中の要部平面図である。
【図３５】実施の形態１の第１変形例の半導体装置の製造工程中の要部平面図である。
【図３６】実施の形態１の第２変形例の半導体装置の要部平面図である。
【図３７】実施の形態１の第２変形例の半導体装置の要部断面図である。
【図３８】実施の形態１の第３変形例の半導体装置の要部平面図である。
【図３９】実施の形態１の第３変形例の半導体装置の要部断面図である。
【図４０】実施の形態２の半導体装置の製造工程中の要部断面図である。
【図４１】実施の形態２の半導体装置の製造工程中の要部断面図である。
【図４２】実施の形態２の半導体装置の製造工程中の要部断面図である。
【図４３】実施の形態２の半導体装置の製造工程中の要部断面図である。
【図４４】実施の形態２の半導体装置の製造工程中の要部断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
以下の実施の形態においては便宜上その必要があるときは、複数のセクションまたは実施の形態に分割して説明するが、特に明示した場合を除き、それらはお互いに無関係なものではなく、一方は他方の一部または全部の変形例、詳細、補足説明等の関係にある。
【００１４】
また、以下の実施の形態において、要素の数等（個数、数値、量、範囲等を含む）に言及する場合、特に明示した場合および原理的に明らかに特定の数に限定される場合等を除き、その特定の数に限定されるものではなく、特定の数以上でも以下でもよい。
【００１５】
さらに、以下の実施の形態において、その構成要素（要素ステップ等も含む）は、特に明示した場合および原理的に明らかに必須であると考えられる場合等を除き、必ずしも必須のものではないことはいうまでもない。同様に、以下の実施の形態において、構成要素等の形状、位置関係等に言及するときは、特に明示した場合および原理的に明らかにそうでないと考えられる場合等を除き、実質的にその形状等に近似または類似するもの等を含むものとする。このことは、上記数値および範囲についても同様である。
【００１６】
以下、代表的な実施の形態を図面に基づいて詳細に説明する。なお、実施の形態を説明するための全図において、同一の機能を有する部材には同一の符号を付し、その繰り返しの説明は省略する。また、以下の実施の形態では、特に必要なとき以外は同一または同様な部分の説明を原則として繰り返さない。
【００１７】
さらに、実施の形態で用いる図面においては、断面図であっても図面を見やすくするためにハッチングを省略する場合もある。
【００１８】
（実施の形態１）
＜半導体装置のレイアウト構成例＞
初めに、本実施の形態１の半導体装置のレイアウト構成例について説明する。図１は、実施の形態１の半導体装置のレイアウト構成例を示す図である。
【００１９】
図１に示すように、本実施の形態１の半導体装置は、プログラム用不揮発性メモリ・モジュール１、データ用不揮発性メモリ・モジュール２、周辺回路３、ＲＡＭ（Random Access Memory）４およびＣＰＵ（Central Processing Unit）／ＤＳＰ（Digital Signal Processor）５を備えている。
【００２０】
プログラム用不揮発性メモリ・モジュール１およびデータ用不揮発性メモリ・モジュール２は、不揮発性メモリを含む。プログラム用不揮発性メモリ・モジュール１、データ用不揮発性メモリ・モジュール２に含まれる不揮発性メモリは、書き込み動作および消去動作とも電気的に書き換え可能な不揮発性メモリの一種であり、電気的消去可能なプログラマブル読み出し専用メモリとも呼ばれる。本実施の形態１では、プログラム用不揮発性メモリ・モジュール１、データ用不揮発性メモリ・モジュール２に含まれる不揮発性メモリは、ＭＯＮＯＳ型トランジスタから構成される。ＭＯＮＯＳ型トランジスタの書き込み動作および消去動作には、例えばファウラーノルドハイム（Fowler-Nordheim：ＦＮ）型トンネル現象が利用される。なお、ホットエレクトロンやホットホールを用いて書き込み動作および消去動作を行うことも可能である。
【００２１】
プログラム用不揮発性メモリ・モジュール１に含まれる不揮発性メモリとしては、データ用不揮発性メモリ・モジュール２に含まれる不揮発性メモリに比べ、動作速度が速く、かつ、書き換え可能な回数が多い不揮発性メモリを用いることが望ましい。一方、データ用不揮発性メモリ・モジュール２に含まれる不揮発性メモリとしては、プログラム用不揮発性メモリ・モジュール１に含まれる不揮発性メモリに比べ、高い信頼性を有する不揮発性メモリを用いることが望ましい。
【００２２】
＜半導体装置の構造＞
次に、本実施の形態１の半導体装置の構造について説明する。図２は、実施の形態１の半導体装置の要部平面図である。図３および図４は、実施の形態１の半導体装置の要部断面図である。
【００２３】
図３の断面図には、メモリセル領域Ｍ１に含まれるセル形成領域Ｍ１１および給電領域Ｍ１２、ならびに、メモリセル領域Ｍ２に含まれるセル形成領域Ｍ２１および給電領域Ｍ２２の要部断面図が示されている。また、図４の断面図には、セル形成領域Ｍ１１およびＭ２１の断面が拡大して示されている。図３中、セル形成領域Ｍ１１の断面図は、図２におけるＡ−Ａ線に沿った断面図であり、給電領域Ｍ１２の断面図は、図２におけるＢ−Ｂ線に沿った断面図である。また、図３中、セル形成領域Ｍ２１の断面図は、図２におけるＣ−Ｃ線に沿った断面図であり、給電領域Ｍ２２の断面図は、図２におけるＤ−Ｄ線に沿った断面図である。なお、図２では、理解を簡単にするために、層間絶縁膜２５、絶縁膜２４、キャップ絶縁膜ＣＰ１〜ＣＰ４およびサイドウォールスペーサＳＷ（図３参照）を除去して透視した状態を示し、金属シリサイド層２３ならびにｎ＋型半導体領域２２ａおよび２２ｂの図示を省略している。
【００２４】
図２に示すように、半導体基板１１の主面１１ａ内で互いに交差、好適には直交する２つの方向をＸ軸方向およびＹ軸方向とする。また、本願明細書では、平面視において、とは、半導体基板１１の主面１１ａに垂直な方向から視た場合を意味する。
【００２５】
図２〜図４に示すように、半導体装置は、半導体基板１１を有する。半導体基板１１は、例えば１〜１０Ωｃｍ程度の比抵抗を有するｐ型の単結晶シリコンなどからなる半導体ウェハである。
【００２６】
半導体装置は、半導体基板１１の主面１１ａの一部の領域として、メモリセル領域Ｍ１およびＭ２を有する。また、メモリセル領域Ｍ１は、セル形成領域Ｍ１１および給電領域Ｍ１２を含み、メモリセル領域Ｍ２は、セル形成領域Ｍ２１および給電領域Ｍ２２を含む。セル形成領域Ｍ１１には、不揮発性メモリとしてのメモリセルＭＣ１が形成され、給電領域Ｍ１２には、給電電極部ＳＥ１が形成されている。また、セル形成領域Ｍ２１には、不揮発性メモリとしてのメモリセルＭＣ２が形成され、給電領域Ｍ２２には、給電電極部ＳＥ２が形成されている。
【００２７】
初めに、セル形成領域Ｍ１１に形成されたメモリセルＭＣ１、および、セル形成領域Ｍ２１に形成されたメモリセルＭＣ２の構成を、具体的に説明する。
【００２８】
セル形成領域Ｍ１１において、半導体装置は、活性領域ＡＲ１と素子分離領域ＩＲ１とを有し、セル形成領域Ｍ２１において、半導体装置は、活性領域ＡＲ２と素子分離領域ＩＲ２とを有する。素子分離領域ＩＲ１およびＩＲ２は、素子を分離するためのものであり、素子分離領域ＩＲ１およびＩＲ２には、素子分離膜１２が形成されている。活性領域ＡＲ１は、素子分離領域ＩＲ１により規定、すなわち区画され、素子分離領域ＩＲ１により他の活性領域と電気的に分離されており、活性領域ＡＲ１には、ｐ型ウェルＰＷ１が形成されている。活性領域ＡＲ２は、素子分離領域ＩＲ２により規定、すなわち区画され、素子分離領域ＩＲ２により他の活性領域と電気的に分離されており、活性領域ＡＲ２には、ｐ型ウェルＰＷ２が形成されている。すなわち、活性領域ＡＲ１は、ｐ型ウェルＰＷ１が形成された領域であり、活性領域ＡＲ２は、ｐ型ウェルＰＷ２が形成された領域である。ｐ型ウェルＰＷ１およびＰＷ２は、ｐ型の導電型を有する。
【００２９】
図４に示すように、セル形成領域Ｍ１１のｐ型ウェルＰＷ１には、メモリトランジスタＭＴ１および制御トランジスタＣＴ１からなるメモリセルＭＣ１が形成され、セル形成領域Ｍ２１のｐ型ウェルＰＷ２には、メモリトランジスタＭＴ２および制御トランジスタＣＴ２からなるメモリセルＭＣ２が形成されている。図２に示すように、セル形成領域Ｍ１１には、実際には複数のメモリセルＭＣ１がアレイ状に形成されており、セル形成領域Ｍ２１には、実際には複数のメモリセルＭＣ２がアレイ状に形成されている。また、図３には、複数のメモリセルＭＣ１のうち２つのメモリセルＭＣ１、および、複数のメモリセルＭＣ２のうち２つのメモリセルＭＣ２の断面が示され、図４には、複数のメモリセルＭＣ１のうち１つのメモリセルＭＣ１、および、複数のメモリセルＭＣ２のうち１つのメモリセルＭＣ２の断面が示されている。
【００３０】
メモリセルＭＣ１およびＭＣ２の各々は、スプリットゲート型のメモリセルである。すなわち、図４に示すように、メモリセルＭＣ１は、制御ゲート電極ＣＧ１を有する制御トランジスタＣＴ１と、制御トランジスタＣＴ１に接続され、メモリゲート電極ＭＧ１を有するメモリトランジスタＭＴ１と、を有する。また、メモリセルＭＣ２は、制御ゲート電極ＣＧ２を有する制御トランジスタＣＴ２と、制御トランジスタＣＴ２に接続され、メモリゲート電極ＭＧ２を有するメモリトランジスタＭＴ２と、を有する。
【００３１】
図２〜図４に示すように、メモリセルＭＣ１は、ｎ型の半導体領域ＭＳ１と、ｎ型の半導体領域ＭＤ１と、制御ゲート電極ＣＧ１と、メモリゲート電極ＭＧ１と、を有し、メモリセルＭＣ２は、ｎ型の半導体領域ＭＳ２と、ｎ型の半導体領域ＭＤ２と、制御ゲート電極ＣＧ２と、メモリゲート電極ＭＧ２と、を有する。ｎ型の半導体領域ＭＳ１およびＭＳ２、ならびに、ｎ型の半導体領域ＭＤ１およびＭＤ２の各々は、ｐ型の導電型とは反対の導電型であるｎ型の導電型を有する。また、メモリセルＭＣ１は、制御ゲート電極ＣＧ１上に形成されたキャップ絶縁膜ＣＰ１を有し、メモリセルＭＣ２は、制御ゲート電極ＣＧ２上に形成されたキャップ絶縁膜ＣＰ２を有する。
【００３２】
さらに、メモリセルＭＣ１は、制御ゲート電極ＣＧ１と半導体基板１１との間に形成されたゲート絶縁膜ＧＩｃ１と、メモリゲート電極ＭＧ１と半導体基板１１との間、および、メモリゲート電極ＭＧ１と制御ゲート電極ＣＧ１との間に形成されたゲート絶縁膜ＧＩｍ１と、を有する。メモリセルＭＣ２は、制御ゲート電極ＣＧ２と半導体基板１１との間に形成されたゲート絶縁膜ＧＩｃ２と、メモリゲート電極ＭＧ２と半導体基板１１との間、および、メモリゲート電極ＭＧ２と制御ゲート電極ＣＧ２との間に形成されたゲート絶縁膜ＧＩｍ２と、を有する。
【００３３】
制御ゲート電極ＣＧ１およびメモリゲート電極ＭＧ１は、それらの互いに対向する側面、すなわち側壁の間にゲート絶縁膜ＧＩｍ１を介した状態で、半導体基板１１の主面１１ａに沿って延在し、並んで配置されている。制御ゲート電極ＣＧ１およびメモリゲート電極ＭＧ１の延在方向は、図３および図４の紙面に垂直な方向（図２のＹ軸方向）である。制御ゲート電極ＣＧ１は、半導体領域ＭＤ１と半導体領域ＭＳ１との間に位置する部分のｐ型ウェルＰＷ１上に、すなわち半導体基板１１上に、ゲート絶縁膜ＧＩｃ１を介して形成されている。また、メモリゲート電極ＭＧ１は、半導体領域ＭＤ１と半導体領域ＭＳ１との間に位置する部分のｐ型ウェルＰＷ１上に、すなわち半導体基板１１上に、ゲート絶縁膜ＧＩｍ１を介して形成されている。また、半導体領域ＭＳ１側にメモリゲート電極ＭＧ１が配置され、半導体領域ＭＤ１側に制御ゲート電極ＣＧ１が配置されている。制御ゲート電極ＣＧ１およびメモリゲート電極ＭＧ１は、メモリセルＭＣ１、すなわち不揮発性メモリを形成する。
【００３４】
制御ゲート電極ＣＧ２およびメモリゲート電極ＭＧ２は、それらの互いに対向する側面、すなわち側壁の間にゲート絶縁膜ＧＩｍ２を介した状態で、半導体基板１１の主面１１ａに沿って延在し、並んで配置されている。制御ゲート電極ＣＧ２およびメモリゲート電極ＭＧ２の延在方向は、図３および図４の紙面に垂直な方向（図２のＹ軸方向）である。制御ゲート電極ＣＧ２は、半導体領域ＭＤ２と半導体領域ＭＳ２との間に位置する部分のｐ型ウェルＰＷ２上に、すなわち半導体基板１１上に、ゲート絶縁膜ＧＩｃ２を介して形成されている。また、メモリゲート電極ＭＧ２は、半導体領域ＭＤ２と半導体領域ＭＳ２との間に位置する部分のｐ型ウェルＰＷ２上に、すなわち半導体基板１１上に、ゲート絶縁膜ＧＩｍ２を介して形成されている。また、半導体領域ＭＳ２側にメモリゲート電極ＭＧ２が配置され、半導体領域ＭＤ２側に制御ゲート電極ＣＧ２が配置されている。制御ゲート電極ＣＧ２およびメモリゲート電極ＭＧ２は、メモリセルＭＣ２、すなわち不揮発性メモリを形成する。
【００３５】
なお、制御ゲート電極ＣＧ１上に形成されたキャップ絶縁膜ＣＰ１も、半導体基板１１の主面１１ａに沿って延在し、制御ゲート電極ＣＧ２上に形成されたキャップ絶縁膜ＣＰ２も、半導体基板１１の主面１１ａに沿って延在する。
【００３６】
制御ゲート電極ＣＧ１とメモリゲート電極ＭＧ１とは、間にゲート絶縁膜ＧＩｍ１を介在して互いに隣り合っており、メモリゲート電極ＭＧ１は、制御ゲート電極ＣＧ１の側面上、すなわち側壁上に、ゲート絶縁膜ＧＩｍ１を介してサイドウォールスペーサ状に形成されている。また、ゲート絶縁膜ＧＩｍ１は、メモリゲート電極ＭＧ１と半導体基板１１、すなわちｐ型ウェルＰＷ１との間、および、メモリゲート電極ＭＧ１と制御ゲート電極ＣＧ１との間に形成されている。
【００３７】
制御ゲート電極ＣＧ２とメモリゲート電極ＭＧ２とは、間にゲート絶縁膜ＧＩｍ２を介在して互いに隣り合っており、メモリゲート電極ＭＧ２は、制御ゲート電極ＣＧ２の側面上、すなわち側壁上に、ゲート絶縁膜ＧＩｍ２を介してサイドウォールスペーサ状に形成されている。また、ゲート絶縁膜ＧＩｍ２は、メモリゲート電極ＭＧ２と半導体基板１１、すなわちｐ型ウェルＰＷ２との間、および、メモリゲート電極ＭＧ２と制御ゲート電極ＣＧ２との間に形成されている。
【００３８】
なお、本願明細書において、例えばメモリゲート電極ＭＧ１が、制御ゲート電極ＣＧ１の側面上、すなわち側壁上に形成される、とは、メモリゲート電極ＭＧ１が、制御ゲート電極ＣＧ１の側面、すなわち側壁に形成されることを意味する。また、本願明細書において、例えばメモリゲート電極ＭＧ１が、制御ゲート電極ＣＧ１の側面上に形成される、とは、メモリゲート電極ＭＧ１が制御ゲート電極ＣＧ１の側面に接触して形成されるか、または、メモリゲート電極ＭＧ１が制御ゲート電極ＣＧ１の側面を挟んで制御ゲート電極ＣＧ１と反対側に形成されることを意味する。
【００３９】
メモリセルＭＣ１は、メモリセルＭＣ２と異なり、側壁部としてのスペーサＳＰ１１と、絶縁膜ＩＦ１１とを有する。スペーサＳＰ１１は、制御ゲート電極ＣＧ１の側面上、すなわち側壁上に、ゲート絶縁膜ＧＩｍ１およびメモリゲート電極ＭＧ１を介して形成されている。絶縁膜ＩＦ１１は、スペーサＳＰ１１とメモリゲート電極ＭＧ１の間に形成されている。
【００４０】
メモリゲート電極ＭＧ１は、メモリゲート電極ＭＧ２と異なり、スペーサＳＰ１１と制御ゲート電極ＣＧ１との間、および、スペーサＳＰ１１と半導体基板１１、すなわちｐ型ウェルＰＷ１との間に形成されている。図４に示すように、メモリゲート電極ＭＧ１のうち、制御ゲート電極ＣＧ１側の部分をＰ１とし、制御ゲート電極ＣＧ１と反対側の部分をＰ２とする。このとき、部分Ｐ１は、スペーサＳＰ１１と制御ゲート電極ＣＧ１との間に位置する部分のメモリゲート電極ＭＧ１からなり、部分Ｐ２は、スペーサＳＰ１１と半導体基板１１、すなわちｐ型ウェルＰＷ１との間に位置する部分のメモリゲート電極ＭＧ１からなる。
【００４１】
半導体基板１１の厚さ方向における部分Ｐ２の厚さＴＨ２は、半導体基板１１の厚さ方向における部分Ｐ１の厚さＴＨ１よりも薄い。また、部分Ｐ２の下面の高さ位置は、部分Ｐ１の下面の高さ位置と等しく、部分Ｐ２の上面の高さ位置は、部分Ｐ１の上面の高さ位置よりも低い。
【００４２】
なお、絶縁膜ＩＦ１１は、スペーサＳＰ１１と部分Ｐ１との間、および、スペーサＳＰ１１と部分Ｐ２との間に形成されている。また、ゲート絶縁膜ＧＩｍ１は、部分Ｐ１と制御ゲート電極ＣＧ１との間、部分Ｐ１と半導体基板１１、すなわちｐ型ウェルＰＷ１との間、および、部分Ｐ２と半導体基板１１、すなわちｐ型ウェルＰＷ１との間に形成されている。
【００４３】
メモリゲート電極ＭＧ１が、部分Ｐ１および部分Ｐ２を有することにより、メモリゲート電極ＭＧ１のゲート長Ｌ１を、メモリゲート電極ＭＧ２のゲート長Ｌ２よりも長くすることができる。すなわち、本実施の形態１では、セル形成領域Ｍ１１に形成されたメモリゲート電極ＭＧ１のゲート長Ｌ１は、セル形成領域Ｍ２１に形成されたメモリゲート電極ＭＧ２のゲート長Ｌ２よりも長い。具体的には、例えばメモリゲート電極ＭＧ２のゲート長Ｌ２を例えば３０ｎｍとし、かつ、メモリゲート電極ＭＧ１のゲート長Ｌ１を例えば５０ｎｍとすることができる。
【００４４】
なお、本願明細書において、ゲート長とは、制御ゲート電極ＣＧ１およびＣＧ２、ならびに、メモリゲート電極ＭＧ１およびＭＧ２の各々が延在する方向（図２のＹ軸方向）と交差、好適には直交する方向（図２のＸ軸方向）における、制御ゲート電極ＣＧ１およびＣＧ２、ならびに、メモリゲート電極ＭＧ１およびＭＧ２の各々の長さを意味する。
【００４５】
すなわち、メモリゲート電極ＭＧ１のゲート長は、メモリゲート電極ＭＧ１の下面の、Ｘ軸方向における幅であり、メモリゲート電極ＭＧ２のゲート長は、メモリゲート電極ＭＧ２の下面の、Ｘ軸方向における幅である。
【００４６】
前述した図１を用いて説明したように、プログラム用不揮発性メモリ・モジュール１に含まれる不揮発性メモリとしては、データ用不揮発性メモリ・モジュール２に含まれる不揮発性メモリに比べ、動作速度が速く、かつ、書き換え可能な回数が多い不揮発性メモリを用いることが望ましい。一方、データ用不揮発性メモリ・モジュール２に含まれる不揮発性メモリとしては、プログラム用不揮発性メモリ・モジュール１に含まれる不揮発性メモリに比べ、高い信頼性を有する不揮発性メモリを用いることが望ましい。
【００４７】
したがって、好適には、メモリゲート電極ＭＧ２のゲート長Ｌ２よりも長いゲート長Ｌ１を有するメモリゲート電極ＭＧ１と、制御ゲート電極ＣＧ１とにより形成される不揮発性メモリとしてのメモリセルＭＣ１には、データが保存される。また、好適には、メモリゲート電極ＭＧ１のゲート長Ｌ１よりも短いゲート長Ｌ２を有するメモリゲート電極ＭＧ２と、制御ゲート電極ＣＧ２とにより形成される不揮発性メモリとしてのメモリセルＭＣ２には、プログラムが保存される。
【００４８】
好適には、Ｘ軸方向における部分Ｐ１の幅Ｗ１は、Ｘ軸方向におけるスペーサＳＰ１１の幅ＷＳよりも広い。これにより、メモリゲート電極ＭＧ１のうち、部分Ｐ１の厚さＴＨ１よりも薄い厚さＴＨ２を有する部分Ｐ２のＸ軸方向における幅Ｗ２を短くすることができる。そのため、ｎ−型半導体領域２１ａおよび２１ｂを形成するためのイオン注入を行う際に、注入された不純物イオンが部分Ｐ２を突き抜けてゲート絶縁膜ＧＩｍ１に達することを、防止または抑制しやすくなる。
【００４９】
制御ゲート電極ＣＧ１とｐ型ウェルＰＷ１との間に形成されたゲート絶縁膜ＧＩｃ１は、制御トランジスタＣＴ１のゲート絶縁膜として機能し、制御ゲート電極ＣＧ２とｐ型ウェルＰＷ２との間に形成されたゲート絶縁膜ＧＩｃ２は、制御トランジスタＣＴ２のゲート絶縁膜として機能する。また、メモリゲート電極ＭＧ１とｐ型ウェルＰＷ１との間に形成されたゲート絶縁膜ＧＩｍ１は、メモリトランジスタＭＴ１のゲート絶縁膜として機能し、メモリゲート電極ＭＧ２とｐ型ウェルＰＷ２との間に形成されたゲート絶縁膜ＧＩｍ２は、メモリトランジスタＭＴ２のゲート絶縁膜として機能する。
【００５０】
ゲート絶縁膜ＧＩｃ１およびＧＩｃ２の各々は、絶縁膜１３からなる。絶縁膜１３は、酸化シリコン膜、窒化シリコン膜もしくは酸窒化シリコン膜、または、窒化シリコン膜よりも高い比誘電率を有する高誘電率膜、すなわちいわゆるＨｉｇｈ−ｋ膜からなる。なお、本願において、Ｈｉｇｈ−ｋ膜または高誘電率膜というときは、窒化シリコンよりも誘電率（比誘電率）が高い膜を意味する。絶縁膜１３としては、例えば、酸化ハフニウム膜、酸化ジルコニウム膜、酸化アルミニウム膜、酸化タンタル膜または酸化ランタン膜などの金属酸化物膜を用いることができる。
【００５１】
ゲート絶縁膜ＧＩｍ１およびＧＩｍ２の各々は、絶縁膜１６からなる。図３では、図示を見易くするために、絶縁膜１６は、１層の膜として図示されているが、図４に示すように、絶縁膜１６は、例えば酸化シリコン膜１６ａと、酸化シリコン膜１６ａ上の電荷蓄積部としての窒化シリコン膜１６ｂと、窒化シリコン膜１６ｂ上の酸化シリコン膜１６ｃと、を含む積層膜からなる。
【００５２】
なお、メモリゲート電極ＭＧ１とｐ型ウェルＰＷ１との間のゲート絶縁膜ＧＩｍ１は、前述したように、メモリトランジスタＭＴ１のゲート絶縁膜として機能する。一方、メモリゲート電極ＭＧ１と制御ゲート電極ＣＧ１との間のゲート絶縁膜ＧＩｍ１は、メモリゲート電極ＭＧ１と制御ゲート電極ＣＧ１との間を絶縁、すなわち電気的に分離するための絶縁膜として機能する。また、ゲート絶縁膜ＧＩｍ２についても、同様である。
【００５３】
絶縁膜１６のうち、窒化シリコン膜１６ｂは、電荷を蓄積するための絶縁膜であり、電荷蓄積部として機能する。すなわち、窒化シリコン膜１６ｂは、絶縁膜１６中に形成されたトラップ性絶縁膜である。このため、絶縁膜１６は、その内部に電荷蓄積部を有する絶縁膜とみなすことができる。
【００５４】
窒化シリコン膜１６ｂの上下に位置する酸化シリコン膜１６ｃおよび酸化シリコン膜１６ａは、電荷を閉じ込める電荷ブロック層として機能することができる。窒化シリコン膜１６ｂを酸化シリコン膜１６ｃおよび酸化シリコン膜１６ａで挟んだ構造とすることで、窒化シリコン膜１６ｂへの電荷の蓄積が可能となる。酸化シリコン膜１６ａ、窒化シリコン膜１６ｂおよび酸化シリコン膜１６ｃは、ＯＮＯ（Oxide-Nitride-Oxide）膜とみなすこともできる。
【００５５】
制御ゲート電極ＣＧ１およびＣＧ２の各々は、導電膜１４からなる。導電膜１４は、シリコンからなり、例えばｎ型の不純物を導入した多結晶シリコン膜であるｎ型ポリシリコン膜などからなる。具体的には、制御ゲート電極ＣＧ１およびＣＧ２の各々は、パターニングされた導電膜１４からなる。
【００５６】
メモリゲート電極ＭＧ１およびＭＧ２の各々は、導電膜１７からなる。導電膜１７は、シリコンからなり、例えばｎ型の不純物を導入した多結晶シリコン膜であるｎ型ポリシリコン膜などからなる。メモリゲート電極ＭＧ１およびＭＧ２は、半導体基板１１上に制御ゲート電極ＣＧ１およびＣＧ２を覆うように形成された導電膜１７を異方性エッチング、すなわちエッチバックし、制御ゲート電極ＣＧ１およびＣＧ２の各々の側壁上に絶縁膜１６を介して導電膜１７を残すことにより形成されている。このため、メモリゲート電極ＭＧ１は、制御ゲート電極ＣＧ１の側壁上に、絶縁膜１６を介してサイドウォールスペーサ状に形成され、メモリゲート電極ＭＧ２は、制御ゲート電極ＣＧ２の側壁上に、絶縁膜１６を介してサイドウォールスペーサ状に形成されている。
【００５７】
キャップ絶縁膜ＣＰ１およびＣＰ２の各々は、シリコンと窒素とを含有する絶縁膜１５からなる。キャップ絶縁膜ＣＰ１およびＣＰ２は、制御ゲート電極ＣＧ１およびＣＧ２をそれぞれ保護する保護膜であり、導電膜１４をパターニングして制御ゲート電極ＣＧ１およびＣＧ２を形成する際のハードマスク膜である。または、キャップ絶縁膜ＣＰ１およびＣＰ２は、導電膜１７をエッチバックしてメモリゲート電極ＭＧ１およびＭＧ２を形成する際にメモリゲート電極ＭＧ１およびＭＧ２の各々の上面の高さをそれぞれ調整するためのキャップ膜である。
【００５８】
絶縁膜ＩＦ１１は、絶縁膜１８からなる。絶縁膜１８は、例えば酸化シリコン膜、窒化シリコン膜または酸窒化シリコン膜など、シリコンを含有する絶縁膜からなる。
【００５９】
スペーサＳＰ１１は、膜１９からなる。膜１９は、シリコンからなり、例えばｎ型の不純物を導入した多結晶シリコン膜であるｎ型ポリシリコン膜などからなる。スペーサＳＰ１１は、半導体基板１１上に制御ゲート電極ＣＧ１を覆うように形成された膜１９を異方性エッチング、すなわちエッチバックし、制御ゲート電極ＣＧ１の側壁上に絶縁膜１６、導電膜１７および絶縁膜１８を介して膜１９を残すことにより形成されている。このため、スペーサＳＰ１１は、制御ゲート電極ＣＧ１の側壁上に、絶縁膜１６、導電膜１７および絶縁膜１８を介してサイドウォールスペーサ状に形成されている。
【００６０】
導電膜１７が、例えばｎ型またはｐ型の第１不純物が導入されたシリコンからなり、膜１９が例えばｎ型またはｐ型の第２不純物が導入されたシリコンからなる場合、導電膜１７における第１不純物の濃度を、膜１９における第２不純物の濃度よりも高くすることができる。これにより、膜１９の抵抗率に関わらず、導電膜１７の抵抗率を低くすることができる。
【００６１】
なお、絶縁膜１８は、膜１９をパターニングしてスペーサＳＰ１１を形成する際のエッチングストッパ膜である。また、導電膜１７は、スペーサＳＰ１１から露出した部分の絶縁膜１８を除去する際のエッチングストッパ膜である。
【００６２】
半導体領域ＭＳ１およびＭＳ２の各々は、ソース領域またはドレイン領域の一方として機能する半導体領域であり、半導体領域ＭＤ１およびＭＤ２の各々は、ソース領域またはドレイン領域の他方として機能する半導体領域である。ここでは、半導体領域ＭＳ１およびＭＳ２の各々は、例えばソース領域として機能する半導体領域であり、半導体領域ＭＤ１およびＭＤ２の各々は、例えばドレイン領域として機能する半導体領域である。半導体領域ＭＳ１およびＭＳ２ならびに半導体領域ＭＤ１およびＭＤ２の各々は、ｎ型の不純物が導入された半導体領域からなり、それぞれＬＤＤ（Lightly doped drain）構造を備えている。
【００６３】
ソース用の半導体領域ＭＳ１およびＭＳ２の各々は、ｎ−型半導体領域２１ａと、ｎ−型半導体領域２１ａよりも高い不純物濃度を有するｎ＋型半導体領域２２ａと、を有している。また、ドレイン用の半導体領域ＭＤ１およびＭＤ２の各々は、ｎ−型半導体領域２１ｂと、ｎ−型半導体領域２１ｂよりも高い不純物濃度を有するｎ＋型半導体領域２２ｂと、を有している。
【００６４】
ｐ型ウェルＰＷ１およびＰＷ２の上面、すなわち半導体基板１１の主面１１ａから、ｎ−型半導体領域２１ａおよび２１ｂ、ならびに、ｎ＋型半導体領域２２ａおよび２２ｂの各々の下面までの深さを、ｎ型不純物の濃度とｐ型不純物の濃度とが等しくなるｐｎ接合の深さ、すなわち接合深さと定義する。このとき、ｎ＋型半導体領域２２ａは、ｎ−型半導体領域２１ａよりも接合深さが深く、かつ、不純物濃度が高く、また、ｎ＋型半導体領域２２ｂは、ｎ−型半導体領域２１ｂよりも接合深さが深く、かつ、不純物濃度が高い。
【００６５】
メモリゲート電極ＭＧ１および制御ゲート電極ＣＧ１の互いに隣接していない側の側壁上、および、メモリゲート電極ＭＧ２および制御ゲート電極ＣＧ２の互いに隣接していない側の側壁上には、酸化シリコン膜、窒化シリコン膜またはそれらの積層膜などの絶縁膜からなるサイドウォールスペーサＳＷが形成されている。
【００６６】
セル形成領域Ｍ１１では、制御ゲート電極ＣＧ１を挟んでメモリゲート電極ＭＧ１と反対側で制御ゲート電極ＣＧ１と隣り合う部分に、サイドウォールスペーサＳＷが形成されている。そして、メモリゲート電極ＭＧ１およびスペーサＳＰ１１を挟んで制御ゲート電極ＣＧ１と反対側でメモリゲート電極ＭＧ１およびスペーサＳＰ１１と隣り合う部分に、サイドウォールスペーサＳＷが形成されている。また、セル形成領域Ｍ２１では、制御ゲート電極ＣＧ２を挟んでメモリゲート電極ＭＧ２と反対側で制御ゲート電極ＣＧ２と隣り合う部分に、サイドウォールスペーサＳＷが形成されている。そして、メモリゲート電極ＭＧ２を挟んで制御ゲート電極ＣＧ２と反対側でメモリゲート電極ＭＧ２と隣り合う部分に、サイドウォールスペーサＳＷが形成されている。
【００６７】
なお、図４に示すように、制御ゲート電極ＣＧ１とサイドウォールスペーサＳＷとの間、メモリゲート電極ＭＧ１とサイドウォールスペーサＳＷとの間、および、スペーサＳＰ１１とサイドウォールスペーサＳＷとの間には、例えば酸化シリコンからなる絶縁膜ＳＩＦが介在していてもよい。また、制御ゲート電極ＣＧ２とサイドウォールスペーサＳＷとの間、および、メモリゲート電極ＭＧ２とサイドウォールスペーサＳＷとの間には、例えば酸化シリコンからなる絶縁膜ＳＩＦが介在していてもよい。
【００６８】
ｎ−型半導体領域２１ａは、メモリゲート電極ＭＧ１およびＭＧ２の各々の側面に対して自己整合的に形成され、ｎ＋型半導体領域２２ａは、メモリゲート電極ＭＧ１およびＭＧ２の各々の側面上のサイドウォールスペーサＳＷの側面に対して自己整合的に形成されている。このため、低濃度のｎ−型半導体領域２１ａは、メモリゲート電極ＭＧ１およびＭＧ２の各々の側面上のサイドウォールスペーサＳＷの下に形成され、高濃度のｎ＋型半導体領域２２ａは、低濃度のｎ−型半導体領域２１ａの外側に形成されている。したがって、高濃度のｎ＋型半導体領域２２ａは、低濃度のｎ−型半導体領域２１ａに接触するように形成されている。
【００６９】
ｎ−型半導体領域２１ｂは、制御ゲート電極ＣＧ１およびＣＧ２の各々の側面に対して自己整合的に形成され、ｎ＋型半導体領域２２ｂは、制御ゲート電極ＣＧ１およびＣＧ２の各々の側面上のサイドウォールスペーサＳＷの側面に対して自己整合的に形成されている。このため、低濃度のｎ−型半導体領域２１ｂは、制御ゲート電極ＣＧ１およびＣＧ２の各々の側面上のサイドウォールスペーサＳＷの下に形成され、高濃度のｎ＋型半導体領域２２ｂは、低濃度のｎ−型半導体領域２１ｂの外側に形成されている。したがって、高濃度のｎ＋型半導体領域２２ｂは、低濃度のｎ−型半導体領域２１ｂに接触するように形成されている。なお、隣り合う２つのメモリセルＭＣ１は、高濃度のｎ＋型半導体領域２２ｂを共有する。
【００７０】
制御ゲート電極ＣＧ１下のゲート絶縁膜ＧＩｃ１の下に位置する部分のｐ型ウェルＰＷ１の上層部には、制御トランジスタＣＴ１のチャネル領域が形成され、制御ゲート電極ＣＧ２下のゲート絶縁膜ＧＩｃ２の下に位置する部分のｐ型ウェルＰＷ２の上層部には、制御トランジスタＣＴ２のチャネル領域が形成される。
【００７１】
ｎ＋型半導体領域２２ａおよびｎ＋型半導体領域２２ｂの各々の上、すなわちｎ＋型半導体領域２２ａおよびｎ＋型半導体領域２２ｂの各々の上面には、サリサイド（Salicide：Self Aligned Silicide）技術などにより、金属シリサイド層２３が形成されている。金属シリサイド層２３は、例えばコバルトシリサイド層、ニッケルシリサイド層、または、プラチナ添加ニッケルシリサイド層などからなる。金属シリサイド層２３により、拡散抵抗やコンタクト抵抗を低抵抗化することができる。なお、金属シリサイド層２３は、メモリゲート電極ＭＧ１およびＭＧ２の各々の上に形成されていてもよい。
【００７２】
次に、給電領域Ｍ１２に形成された給電電極部ＳＥ１、および、給電領域Ｍ２２に形成された給電電極部ＳＥ２の構成を、具体的に説明する。
【００７３】
図２および図３に示すように、給電領域Ｍ１２において、半導体装置は、素子分離領域ＩＲ３を有し、給電領域Ｍ２２において、半導体装置は、素子分離領域ＩＲ４を有する。素子分離領域ＩＲ３およびＩＲ４は、素子分離領域ＩＲ１およびＩＲ２と同様に、素子を分離するためのものであり、素子分離領域ＩＲ３およびＩＲ４には、素子分離膜１２が形成されている。
【００７４】
給電領域Ｍ１２の素子分離領域ＩＲ３には、電極ＣＧＳ１、ダミー電極ＤＭ１および電極ＭＧＳ１からなる給電電極部ＳＥ１が形成され、給電領域Ｍ２２の素子分離領域ＩＲ４には、電極ＣＧＳ２、ダミー電極ＤＭ２および電極ＭＧＳ２からなる給電電極部ＳＥ２が形成されている。なお、電極ＣＧＳ１およびダミー電極ＤＭ１の各々の上には、キャップ絶縁膜ＣＰ３が形成され、電極ＣＧＳ２およびダミー電極ＤＭ２の各々の上には、キャップ絶縁膜ＣＰ４が形成されている。
【００７５】
電極ＣＧＳ１は、給電領域Ｍ１２で、半導体基板１１上、すなわち素子分離領域ＩＲ３上に、制御ゲート電極ＣＧ１と一体的に形成され、電極ＣＧＳ２は、給電領域Ｍ２２で、半導体基板１１上、すなわち素子分離領域ＩＲ４上に、制御ゲート電極ＣＧ２と一体的に形成されている。これにより、電極ＣＧＳ１を介して、制御ゲート電極ＣＧ１に給電することができ、電極ＣＧＳ２を介して、制御ゲート電極ＣＧ２に給電することができる。
【００７６】
電極ＣＧＳ１と素子分離領域ＩＲ３との間には、ゲート絶縁膜ＧＩｃ３が形成され、電極ＣＧＳ２と素子分離領域ＩＲ４との間には、ゲート絶縁膜ＧＩｃ４が形成されている。ゲート絶縁膜ＧＩｃ３は、ゲート絶縁膜ＧＩｃ１と一体的に形成されていてもよく、ゲート絶縁膜ＧＩｃ４は、ゲート絶縁膜ＧＩｃ２と一体的に形成されていてもよい。
【００７７】
ダミー電極ＤＭ１は、給電領域Ｍ１２で、半導体基板１１上、すなわち素子分離領域ＩＲ３上に、電極ＣＧＳ１と間隔を空けて形成されている。ダミー電極ＤＭ２は、給電領域Ｍ２２で、半導体基板１１上、すなわち素子分離領域ＩＲ４上に、電極ＣＧＳ２と間隔を空けて形成されている。
【００７８】
電極ＭＧＳ１は、ダミー電極ＤＭ１の側面上に、メモリゲート電極ＭＧ１と一体的に形成され、電極ＭＧＳ２は、ダミー電極ＤＭ２の側面上に、メモリゲート電極ＭＧ２と一体的に形成されている。これにより、電極ＭＧＳ１を介して、メモリゲート電極ＭＧ１に給電することができ、電極ＭＧＳ２を介して、メモリゲート電極ＭＧ２に給電することができる。
【００７９】
電極ＭＧＳ１と素子分離領域ＩＲ３との間、および、電極ＭＧＳ１とダミー電極ＤＭ１との間には、内部に電荷蓄積部を有するゲート絶縁膜としての絶縁膜ＧＩｍ３が形成されている。また、電極ＭＧＳ２と素子分離領域ＩＲ４との間、および、電極ＭＧＳ２とダミー電極ＤＭ２との間には、内部に電荷蓄積部を有するゲート絶縁膜としての絶縁膜ＧＩｍ４が形成されている。絶縁膜ＧＩｍ３は、ゲート絶縁膜ＧＩｍ１と一体的に形成されていてもよく、絶縁膜ＧＩｍ４は、ゲート絶縁膜ＧＩｍ２と一体的に形成されていてもよい。
【００８０】
給電領域Ｍ１２では、給電領域Ｍ２２と異なり、ダミー電極ＤＭ１の側面上に、絶縁膜ＧＩｍ３および電極ＭＧＳ１を介して、側壁部としてのスペーサＳＰ１３が形成されている。また、スペーサＳＰ１３と電極ＭＧＳ１との間には、絶縁膜ＩＦ１３が形成されている。
【００８１】
電極ＭＧＳ１は、電極ＭＧＳ２と異なり、スペーサＳＰ１３とダミー電極ＤＭ１との間、および、スペーサＳＰ１３と素子分離領域ＩＲ３との間に形成されている。電極ＭＧＳ１のうち、ダミー電極ＤＭ１側の部分をＰ３とし、ダミー電極ＤＭ１と反対側の部分をＰ４とする。このとき、部分Ｐ３は、スペーサＳＰ１３とダミー電極ＤＭ１との間との間に位置する部分の電極ＭＧＳ１からなり、部分Ｐ４は、スペーサＳＰ１３と半導体基板１１、すなわち素子分離領域ＩＲ３との間に位置する部分の電極ＭＧＳ１からなる。
【００８２】
半導体基板１１の厚さ方向における部分Ｐ４の厚さＴＨ４は、半導体基板１１の厚さ方向における部分Ｐ３の厚さＴＨ３よりも薄い。また、部分Ｐ４の下面の高さ位置は、部分Ｐ３の下面の高さ位置と等しく、部分Ｐ４の上面の高さ位置は、部分Ｐ３の上面の高さ位置よりも低い。
【００８３】
なお、絶縁膜ＩＦ１３は、スペーサＳＰ１３と部分Ｐ３との間、および、スペーサＳＰ１３と部分Ｐ４との間に形成されている。また、絶縁膜ＧＩｍ３は、部分Ｐ３とダミー電極ＤＭ１との間、部分Ｐ３と素子分離領域ＩＲ３との間、および、部分Ｐ４と素子分離領域ＩＲ３との間に形成されている。
【００８４】
絶縁膜ＧＩｍ３およびＧＩｍ４の各々は、ゲート絶縁膜ＧＩｍ１およびＧＩｍ２の各々と同様に、絶縁膜１６からなる。電極ＣＧＳ１およびＣＧＳ２、ならびに、ダミー電極ＤＭ１およびＤＭ２の各々は、制御ゲート電極ＣＧ１およびＣＧ２の各々と同様に、導電膜１４からなる。電極ＭＧＳ１およびＭＧＳ２の各々は、メモリゲート電極ＭＧ１およびＭＧ２の各々と同様に、導電膜１７からなる。キャップ絶縁膜ＣＰ３およびＣＰ４の各々は、キャップ絶縁膜ＣＰ１およびＣＰ２の各々と同様に、絶縁膜１５からなる。絶縁膜ＩＦ１３は、絶縁膜ＩＦ１１と同様に、絶縁膜１８からなる。スペーサＳＰ１３は、スペーサＳＰ１１と同様に、膜１９からなる。
【００８５】
次に、セル形成領域Ｍ１１に形成されたメモリセルＭＣ１上、給電領域Ｍ１２に形成された給電電極部ＳＥ１上、セル形成領域Ｍ２１に形成されたメモリセルＭＣ２上、および、給電領域Ｍ２２に形成された給電電極部ＳＥ２上の構成を具体的に説明する。
【００８６】
セル形成領域Ｍ１１、給電領域Ｍ１２、セル形成領域Ｍ２１および給電領域Ｍ２２において、半導体基板１１上には、制御ゲート電極ＣＧ１およびＣＧ２、キャップ絶縁膜ＣＰ１およびＣＰ２、メモリゲート電極ＭＧ１およびＭＧ２および各サイドウォールスペーサＳＷを覆うように、絶縁膜２４が形成されている。絶縁膜２４は、例えば窒化シリコン膜などからなる。
【００８７】
絶縁膜２４上には、層間絶縁膜２５が形成されている。層間絶縁膜２５は、酸化シリコン膜の単体膜、あるいは、窒化シリコン膜と酸化シリコン膜との積層膜などからなる。層間絶縁膜２５の上面は平坦化されている。
【００８８】
層間絶縁膜２５にはコンタクトホールＣＮＴが形成されており、コンタクトホールＣＮＴ内に、導電体部として導電性のプラグＰＧが埋め込まれている。
【００８９】
プラグＰＧは、コンタクトホールＣＮＴの底部、および、側壁上すなわち側面上に形成された薄いバリア導体膜と、このバリア導体膜上にコンタクトホールＣＮＴを埋め込むように形成された主導体膜と、により形成されている。図３および図４では、図面の簡略化のために、プラグＰＧを構成するバリア導体膜および主導体膜を一体化して示してある。なお、プラグＰＧを構成するバリア導体膜は、例えば、チタン（Ｔｉ）膜、窒化チタン（ＴｉＮ）膜、またはそれらの積層膜とすることができ、プラグＰＧを構成する主導体膜は、タングステン（Ｗ）膜とすることができる。
【００９０】
コンタクトホールＣＮＴおよびそれに埋め込まれたプラグＰＧは、給電領域Ｍ１２およびＭ２２において、電極ＭＧＳ１およびＭＧＳ２、ならびに、電極ＣＧＳ１およびＣＧＳ２の各々の上などに形成されている。コンタクトホールＣＮＴの底部では、例えば電極ＭＧＳ１およびＭＧＳ２、ならびに、電極ＣＧＳ１およびＣＧＳ２の各々の上の金属シリサイド層２３が露出している。そして、コンタクトホールＣＮＴに埋め込まれたプラグＰＧは、電極ＭＧＳ１およびＭＧＳ２、ならびに、電極ＣＧＳ１およびＣＧＳ２の各々の上に形成された金属シリサイド層２３と接触することにより、電極ＭＧＳ１およびＭＧＳ２、ならびに、電極ＣＧＳ１およびＣＧＳ２の各々と電気的に接続されている。
【００９１】
なお、図３では図示を省略するが、プラグＰＧは、ｎ＋型半導体領域２２ａおよび２２ｂの各々と電気的に接続されていてもよい。
【００９２】
プラグＰＧが埋め込まれた層間絶縁膜２５上には、例えば銅（Ｃｕ）を主導電材料とする埋込配線としてのダマシン配線として、第１層目の配線が形成されており、その第１層目の配線上には、ダマシン配線として、上層の配線も形成されているが、ここではその図示および説明は省略する。また、第１層目の配線およびそれよりも上層の配線は、ダマシン配線に限定されず、配線用の導電膜をパターニングして形成することもでき、例えばタングステン（Ｗ）配線またはアルミニウム（Ａｌ）配線などとすることもできる。
【００９３】
次に、セル形成領域Ｍ１１に形成されたメモリセルＭＣ１の動作を説明する。なお、以下では、メモリセルＭＣ１の動作について説明するが、セル形成領域Ｍ２１に形成されたメモリセルＭＣ２の動作についても、同様にすることができる。
【００９４】
本実施の形態１では、メモリトランジスタの絶縁膜１６中の電荷蓄積部である窒化シリコン膜１６ｂへの電子の注入を「書込」と定義し、ホール、すなわち正孔の注入を「消去」と定義する。さらに、電源電圧Ｖｄｄを１．５Ｖとする。
【００９５】
書き込み方式は、いわゆるソースサイド注入（Source Side Injection：ＳＳＩ）方式と呼ばれるホットエレクトロン書き込みを用いることができる。このとき、半導体領域ＭＤ１に印加される電圧Ｖｄを、例えば電源電圧Ｖｄｄ程度とし、制御ゲート電極ＣＧ１に印加される電圧Ｖｃｇを、例えば１Ｖ程度とし、メモリゲート電極ＭＧ１に印加される電圧Ｖｍｇを、例えば１２Ｖ程度とする。また、半導体領域ＭＳ１に印加される電圧Ｖｓを、例えば６Ｖ程度とし、ｐ型ウェルＰＷ１に印加される電圧Ｖｂを、例えば０Ｖ程度とする。上記した各電圧を、書き込みを行うメモリセルＭＣ１の各部位に印加し、メモリセルＭＣ１のゲート絶縁膜ＧＩｍ１中の窒化シリコン膜１６ｂ中に電子を注入する。
【００９６】
ホットエレクトロンは、主としてメモリゲート電極ＭＧ１下にゲート絶縁膜ＧＩｍ１を介して位置する部分のチャネル領域で発生し、ゲート絶縁膜ＧＩｍ１中の電荷蓄積部である窒化シリコン膜１６ｂに注入される。注入されたホットエレクトロンは、ゲート絶縁膜ＧＩｍ１中の窒化シリコン膜１６ｂ中のトラップ準位に捕獲され、その結果、メモリトランジスタの閾値電圧（Ｖｔｈ）が上昇する。
【００９７】
消去方法は、バンド間トンネル（Band-To-Band Tunneling：ＢＴＢＴ）現象によるホットホール注入消去方式を用いることができる。つまり、ＢＴＢＴ現象により発生したホール、すなわち正孔を電荷蓄積部、すなわちゲート絶縁膜ＧＩｍ１中の窒化シリコン膜１６ｂに注入することにより消去を行う。このとき、電圧Ｖｄを、例えば０Ｖ程度とし、電圧Ｖｃｇを、例えば０Ｖ程度とし、電圧Ｖｍｇを、例えば−６Ｖ程度とし、電圧Ｖｓを、例えば６Ｖ程度とし、電圧Ｖｂを、例えば０Ｖ程度とする。上記した各電圧を、消去を行うメモリセルＭＣ１の各部位に印加し、ＢＴＢＴ現象によりホールを発生させ電界加速することでメモリセルＭＣ１のゲート絶縁膜ＧＩｍ１中の窒化シリコン膜１６ｂ中にホールを注入し、それによってメモリトランジスタの閾値電圧を低下させる。
【００９８】
消去方法は、直接トンネル現象を利用したホール注入による消去方式も用いることができる。つまり、直接トンネル現象によりホールを電荷蓄積部、すなわちゲート絶縁膜ＧＩｍ１中の窒化シリコン膜１６ｂに注入することにより消去を行う。このとき、電圧Ｖｍｇを、例えば１２Ｖ程度とし、電圧Ｖｂを、例えば０Ｖ程度とする。これにより、メモリゲート電極ＭＧ１側からホールが、酸化シリコン膜１６ｃを介して直接トンネル現象により電荷蓄積部、すなわち窒化シリコン膜１６ｂに注入され、窒化シリコン膜１６ｂ中の電子を相殺することにより消去が行われる。あるいは、窒化シリコン膜１６ｂに注入されたホールが窒化シリコン膜１６ｂ中のトラップ準位に捕獲されることにより消去が行われる。これによりメモリトランジスタの閾値電圧が低下し、消去状態となる。このような消去方法を用いた場合には、ＢＴＢＴ現象による消去方法を用いた場合と比較し、消費電流を低減することができる。
【００９９】
読出し時には、電圧Ｖｄを、例えば電源電圧Ｖｄｄ程度とし、電圧Ｖｃｇを、例えば電源電圧Ｖｄｄ程度とし、電圧Ｖｍｇを、例えば０Ｖ程度とし、電圧Ｖｓを、例えば０程度とし、電圧Ｖｂを、例えば０Ｖ程度とする。上記した各電圧を、読出しを行うメモリセルＭＣ１の各部位に印加する。読出し時のメモリゲート電極ＭＧ１に印加する電圧Ｖｍｇを、書き込み状態におけるメモリトランジスタの閾値電圧と消去状態におけるメモリトランジスタの閾値電圧との間の値にすることで、書き込み状態と消去状態とを判別することができる。
【０１００】
＜半導体装置の製造方法＞
次に、本実施の形態１の半導体装置の製造方法について説明する。
【０１０１】
図５および図６は、実施の形態１の半導体装置の製造工程の一部を示すプロセスフロー図である。図７〜図２３は、実施の形態１の半導体装置の製造工程中の要部断面図である。図２４〜図２８は、実施の形態１の半導体装置の製造工程中の要部平面図である。
【０１０２】
図７〜図２１の断面図には、メモリセル領域Ｍ１に含まれるセル形成領域Ｍ１１および給電領域Ｍ１２、ならびに、メモリセル領域Ｍ２に含まれるセル形成領域Ｍ２１および給電領域Ｍ２２の要部断面図が示されている。また、図２２および図２３の断面図には、セル形成領域Ｍ１１およびＭ２１の断面が拡大して示されている。
【０１０３】
図７〜図２１中、セル形成領域Ｍ１１の断面図は、図２におけるＡ−Ａ線に沿った断面図であり、給電領域Ｍ１２の断面図は、図２におけるＢ−Ｂ線に沿った断面図である。また、図７〜図２１中、セル形成領域Ｍ２１の断面図は、図２におけるＣ−Ｃ線に沿った断面図であり、給電領域Ｍ２２の断面図は、図２におけるＤ−Ｄ線に沿った断面図である。
【０１０４】
また、本実施の形態１においては、セル形成領域Ｍ１１にｎチャネル型の制御トランジスタＣＴ１およびメモリトランジスタＭＴ１を形成し、セル形成領域Ｍ２１にｎチャネル型の制御トランジスタＣＴ２およびメモリトランジスタＭＴ２を形成する場合について説明する。しかし、導電型を逆にして、セル形成領域Ｍ１１にｐチャネル型の制御トランジスタＣＴ１およびメモリトランジスタＭＴ１を形成し、セル形成領域Ｍ２１にｐチャネル型の制御トランジスタＣＴ２およびメモリトランジスタＭＴ２を形成することもできる。
【０１０５】
図７に示すように、まず、例えば１〜１０Ωｃｍ程度の比抵抗を有するｐ型の単結晶シリコンなどからなる半導体ウェハとしての半導体基板１１を用意する（図５のステップＳ１）。
【０１０６】
次に、図７に示すように、半導体基板１１の主面１１ａのメモリセル領域Ｍ１において、活性領域ＡＲ１を区画する素子分離領域となり、半導体基板１１の主面１１ａのメモリセル領域Ｍ２において、活性領域ＡＲ２を区画する素子分離領域となる、素子分離膜１２を形成する（図５のステップＳ２）。素子分離膜１２は、酸化シリコンなどの絶縁体からなり、例えばＳＴＩ（Shallow Trench Isolation）法またはＬＯＣＯＳ（Local Oxidization of Silicon）法などにより形成することができる。例えば、素子分離領域に素子分離用の溝を形成した後、この素子分離用の溝内に、例えば酸化シリコンからなる絶縁膜を埋め込むことで、素子分離膜１２を形成することができる。
【０１０７】
なお、図７では、給電領域Ｍ１２およびＭ２２に形成された素子分離膜１２が示されている。
【０１０８】
次に、図７に示すように、メモリセル領域Ｍ１で活性領域ＡＲ１にｐ型ウェルＰＷ１を形成し、メモリセル領域Ｍ２で活性領域ＡＲ２にｐ型ウェルＰＷ２を形成する（図５のステップＳ３）。ｐ型ウェルＰＷ１およびＰＷ２は、例えばホウ素（Ｂ）などのｐ型の不純物を、半導体基板１１に、イオン注入法などで導入することにより、形成することができる。ｐ型ウェルＰＷ１およびＰＷ２は、半導体基板１１の主面１１ａから所定の深さにわたって形成される。すなわち、ステップＳ１〜ステップＳ３を行うことにより、メモリセル領域Ｍ１で主面１１ａに形成されたｐ型ウェルＰＷ１を有し、メモリセル領域Ｍ２で主面１１ａに形成されたｐ型ウェルＰＷ２を有する半導体基板１１を用意することになる。
【０１０９】
次に、例えばフッ酸（ＨＦ）水溶液を用いたウェットエッチングなどにより半導体基板１１の表面の自然酸化膜を除去し、半導体基板１１の表面を洗浄することによって、半導体基板１１の表面を清浄化する。これにより、半導体基板１１の表面、すなわちｐ型ウェルＰＷ１およびＰＷ２の表面が露出される。
【０１１０】
次に、図７に示すように、半導体基板１１の主面１１ａ全面に、絶縁膜１３、導電膜１４および絶縁膜１５を形成する（図５のステップＳ４）。
【０１１１】
このステップＳ４では、まず、図７に示すように、メモリセル領域Ｍ１およびＭ２で、半導体基板１１の主面１１ａに、絶縁膜１３を形成する。前述したように、絶縁膜１３として、酸化シリコン膜、窒化シリコン膜もしくは酸窒化シリコン膜、またはＨｉｇｈ−ｋ膜、すなわち高誘電率膜を用いることができ、絶縁膜１３として使用可能な材料例は、前述した通りである。また、絶縁膜１３を、熱酸化法、スパッタリング法、原子層堆積（Atomic Layer Deposition：ＡＬＤ）法または化学的気相成長（Chemical Vapor Deposition：ＣＶＤ）法などを用いて形成することができる。
【０１１２】
このステップＳ４では、次に、図７に示すように、半導体基板１１の主面１１ａ全面に、すなわち絶縁膜１３上に、シリコンからなる導電膜１４を形成する。
【０１１３】
好適には、導電膜１４は、多結晶シリコン膜、すなわちポリシリコン膜からなる。このような導電膜１４を、ＣＶＤ法などを用いて形成することができる。導電膜１４の膜厚を、絶縁膜１３を覆うように十分な程度の厚さとすることができる。また、成膜時は導電膜１４をアモルファスシリコン膜として成膜してから、その後の熱処理でアモルファスシリコン膜を多結晶シリコン膜とすることもできる。
【０１１４】
導電膜１４として、例えばリン（Ｐ）またはヒ素（Ａｓ）などのｎ型の不純物またはホウ素（Ｂ）などのｐ型の不純物を導入して低抵抗率としたものを用いることが、好ましい。不純物は、導電膜１４の成膜時または成膜後に導入することができる。導電膜１４の成膜時に不純物を導入する場合には、導電膜１４の成膜用のガスにドーピングガスを含ませることで、不純物が導入された導電膜１４を成膜することができる。一方、シリコン膜の成膜後に不純物を導入する場合には、意図的には不純物を導入せずにシリコン膜を成膜した後に、このシリコン膜に不純物をイオン注入法などで導入することで、不純物が導入された導電膜１４を形成することができる。
【０１１５】
このステップＳ４では、次に、図７に示すように、半導体基板１１の主面１１ａ全面に、すなわち導電膜１４上に、シリコンおよび窒素を含有する絶縁膜１５を形成する。例えば窒化シリコン膜からなる絶縁膜１５を、例えばＣＶＤ法などを用いて形成することができる。
【０１１６】
なお、図示は省略するが、導電膜１４と絶縁膜１５との間に、例えばシリコン膜からなる導電膜１４の表面を熱酸化することにより、例えば６ｎｍ程度の厚さを有する酸化シリコン膜からなる絶縁膜を形成してもよい。
【０１１７】
次に、図７に示すように、絶縁膜１５および導電膜１４をパターニングする（図５のステップＳ５）。このステップＳ５では、例えばフォトリソグラフィおよびエッチングを用いて、絶縁膜１５および導電膜１４を、パターニングする。
【０１１８】
まず、絶縁膜１５上にレジスト膜を形成する。次いで、セル形成領域Ｍ１１およびＭ２１のうち、制御ゲート電極ＣＧ１およびＣＧ２を形成する予定の領域以外の領域で、レジスト膜を貫通して絶縁膜１５に達する開口部を形成し、開口部が形成されたレジスト膜からなるレジストパターンを形成する。また、給電領域Ｍ１２およびＭ２２のうち、電極ＣＧＳ１およびＣＧＳ２、ならびに、ダミー電極ＤＭ１およびＤＭ２を形成する予定の領域以外の領域で、レジスト膜を貫通して絶縁膜１５に達する開口部を形成し、開口部が形成されたレジスト膜からなるレジストパターンを形成する。
【０１１９】
このとき、セル形成領域Ｍ１１およびＭ２１のうち、制御ゲート電極ＣＧ１およびＣＧ２を形成する予定の領域に配置された部分の絶縁膜１５は、レジスト膜に覆われている。また、給電領域Ｍ１２およびＭ２２のうち、電極ＣＧＳ１およびＣＧＳ２ならびにダミー電極ＤＭ１およびＤＭ２を形成する予定の領域に配置された部分の絶縁膜１５は、レジスト膜に覆われている。
【０１２０】
次いで、レジストパターンをエッチングマスクとして用いて、絶縁膜１５および導電膜１４を、例えばドライエッチングなどによりエッチングしてパターニングする。
【０１２１】
これにより、セル形成領域Ｍ１１で、半導体基板１１上に、導電膜１４からなる制御ゲート電極ＣＧ１が形成され、制御ゲート電極ＣＧ１と半導体基板１１との間に、制御ゲート電極ＣＧ１と半導体基板１１との間の絶縁膜１３からなるゲート絶縁膜ＧＩｃ１が形成される。また、制御ゲート電極ＣＧ１上に形成された部分の絶縁膜１５からなるキャップ絶縁膜ＣＰ１が形成される。
【０１２２】
また、セル形成領域Ｍ２１で、半導体基板１１上に、導電膜１４からなる制御ゲート電極ＣＧ２が形成され、制御ゲート電極ＣＧ２と半導体基板１１との間に、制御ゲート電極ＣＧ２と半導体基板１１との間の絶縁膜１３からなるゲート絶縁膜ＧＩｃ２が形成される。また、制御ゲート電極ＣＧ２上に形成された部分の絶縁膜１５からなるキャップ絶縁膜ＣＰ２が形成される。
【０１２３】
一方、給電領域Ｍ１２で、半導体基板１１上に、導電膜１４からなる電極ＣＧＳ１およびダミー電極ＤＭ１が形成され、電極ＣＧＳ１およびダミー電極ＤＭ１と素子分離領域ＩＲ３との間の絶縁膜１３からなるゲート絶縁膜ＧＩｃ３が形成される。すなわち、電極ＣＧＳ１およびダミー電極ＤＭ１は、給電領域Ｍ１２で、素子分離領域ＩＲ３上に、ゲート絶縁膜ＧＩｃ３を介して形成され、ゲート絶縁膜ＧＩｃ３は、電極ＣＧＳ１およびダミー電極ＤＭ１と素子分離領域ＩＲ３との間に形成される。また、電極ＣＧＳ１上およびダミー電極ＤＭ１上に形成された部分の絶縁膜１５からなるキャップ絶縁膜ＣＰ３が形成される。
【０１２４】
電極ＣＧＳ１は、制御ゲート電極ＣＧ１と一体的に形成され、ダミー電極ＤＭ１は、電極ＣＧＳ１と間隔を空けて形成される。なお、図７に示すように、電極ＣＧＳ１上のキャップ絶縁膜ＣＰ３は、ダミー電極ＤＭ１側の部分の電極ＣＧＳ１上に残されていればよい。
【０１２５】
また、給電領域Ｍ２２で、半導体基板１１上に、導電膜１４からなる電極ＣＧＳ２およびダミー電極ＤＭ２が形成され、電極ＣＧＳ２およびダミー電極ＤＭ２と素子分離領域ＩＲ４との間の絶縁膜１３からなるゲート絶縁膜ＧＩｃ４が形成される。すなわち、電極ＣＧＳ２およびダミー電極ＤＭ２は、給電領域Ｍ２２で、素子分離領域ＩＲ４上に、ゲート絶縁膜ＧＩｃ４を介して形成され、ゲート絶縁膜ＧＩｃ４は、電極ＣＧＳ２およびダミー電極ＤＭ２と素子分離領域ＩＲ４との間に形成される。また、電極ＣＧＳ２上およびダミー電極ＤＭ２上に形成された部分の絶縁膜１５からなるキャップ絶縁膜ＣＰ４が形成される。
【０１２６】
電極ＣＧＳ２は、制御ゲート電極ＣＧ２と一体的に形成され、ダミー電極ＤＭ２は、電極ＣＧＳ２と間隔を空けて形成される。なお、図７に示すように、電極ＣＧＳ２上のキャップ絶縁膜ＣＰ４は、ダミー電極ＤＭ２側の部分の電極ＣＧＳ２上に残されていればよい。
【０１２７】
その後、レジストパターン、すなわちレジスト膜を除去する。
【０１２８】
なお、セル形成領域Ｍ１１およびＭ２１において、制御ゲート電極ＣＧ１およびＣＧ２で覆われない部分の絶縁膜１３は、ステップＳ５のドライエッチングを行うことによって、または、ステップＳ５のドライエッチングの後にウェットエッチングを行うことによって、除去され得る。そして、セル形成領域Ｍ１１およびＭ２１のうち、制御ゲート電極ＣＧ１およびＣＧ２が形成されていない部分では、半導体基板１１のｐ型ウェルＰＷ１およびＰＷ２が露出する。
【０１２９】
なお、ステップＳ５において、後述する図５のステップＳ６を行う前に、電極ＣＧＳ１上のキャップ絶縁膜ＣＰ３、および、電極ＣＧＳ２上のキャップ絶縁膜ＣＰ４を、フォトリソグラフィ技術およびエッチング技術を用いて、部分的にエッチングする工程を行うことができる。これにより、前述したように、電極ＣＧＳ１上のキャップ絶縁膜ＣＰ３を、ダミー電極ＤＭ１側の部分の電極ＣＧＳ１上に残し、電極ＣＧＳ２上のキャップ絶縁膜ＣＰ４を、ダミー電極ＤＭ２側の部分の電極ＣＧＳ２上に残すことができる。
【０１３０】
次に、図８に示すように、半導体基板１１の主面１１ａ全面に、絶縁膜１６を形成する（図５のステップＳ６）。なお、このステップＳ６を行う際の、セル形成領域Ｍ１１およびＭ２１における断面を拡大したものを、図２２に示す。
【０１３１】
このステップＳ６において、セル形成領域Ｍ１１およびＭ２１では、露出した部分の半導体基板１１の主面１１ａ、制御ゲート電極ＣＧ１およびＣＧ２の各々の表面、ならびに、キャップ絶縁膜ＣＰ１およびＣＰ２の各々の表面に、絶縁膜１６が形成される。すなわち、ステップＳ６において、絶縁膜１６は、セル形成領域Ｍ１１およびＭ２１では、半導体基板１１上に、制御ゲート電極ＣＧ１およびＣＧ２、ならびに、キャップ絶縁膜ＣＰ１およびＣＰ２を覆うように、形成される。
【０１３２】
また、このステップＳ６において、給電領域Ｍ１２およびＭ２２では、電極ＣＧＳ１およびＣＧＳ２、ダミー電極ＤＭ１およびＤＭ２、ならびに、キャップ絶縁膜ＣＰ３およびＣＰ４の各々の表面に、絶縁膜１６が形成される。すなわち、ステップＳ６において、絶縁膜１６は、給電領域Ｍ１２およびＭ２２では、半導体基板１１上に、電極ＣＧＳ１およびＣＧＳ２、ダミー電極ＤＭ１およびＤＭ２、ならびに、キャップ絶縁膜ＣＰ３およびＣＰ４を覆うように、形成される。
【０１３３】
図２２に示すように、絶縁膜１６は、内部に電荷蓄積部を有する絶縁膜であり、絶縁膜として、下から順に形成された酸化シリコン膜１６ａ、窒化シリコン膜１６ｂおよび酸化シリコン膜１６ｃの積層膜からなる。
【０１３４】
絶縁膜１６のうち、酸化シリコン膜１６ａを、例えば熱酸化法またはＩＳＳＧ（In Situ Steam Generation）酸化法などにより形成することができる。また、絶縁膜１６のうち、窒化シリコン膜１６ｂを、例えばＣＶＤ法により形成することができる。さらに、絶縁膜１６のうち、酸化シリコン膜１６ｃを、例えばＣＶＤ法またはＩＳＳＧ酸化法により形成することができる。
【０１３５】
まず、セル形成領域Ｍ１１およびＭ２１で、露出した部分の半導体基板１１の主面１１ａ、制御ゲート電極ＣＧ１およびＣＧ２の各々の側面、ならびに、キャップ絶縁膜ＣＰ１およびＣＰ２の各々の上面および側面に、例えば熱酸化法またはＩＳＳＧ酸化法により酸化シリコン膜１６ａを形成する。また、給電領域Ｍ１２およびＭ２２で、電極ＣＧＳ１およびＣＧＳ２の各々の上面および側面、ダミー電極ＤＭ１およびＤＭ２の各々の側面、ならびに、キャップ絶縁膜ＣＰ３およびＣＰ４の各々の上面および側面に、例えば熱酸化法またはＩＳＳＧ酸化法により酸化シリコン膜１６ａを形成する。
【０１３６】
酸化シリコン膜１６ａの厚みは、例えば４ｎｍ程度とすることができる。また、他の形態として、酸化シリコン膜１６ａをＡＬＤ法で形成することもできる。
【０１３７】
次に、酸化シリコン膜１６ａ上に窒化シリコン膜１６ｂを例えばＣＶＤ法で形成し、さらに窒化シリコン膜１６ｂ上に酸化シリコン膜１６ｃを例えばＣＶＤ法、ＩＳＳＧ酸化法またはその両方で形成する。これにより、酸化シリコン膜１６ａ、窒化シリコン膜１６ｂおよび酸化シリコン膜１６ｃの積層膜からなる絶縁膜１６を形成することができる。
【０１３８】
絶縁膜１６は、メモリゲート電極ＭＧ１およびＭＧ２（図３参照）のゲート絶縁膜として機能し、電荷保持機能を有する。絶縁膜１６は、電荷蓄積部としての窒化シリコン膜１６ｂを、電荷ブロック層としての酸化シリコン膜１６ａと酸化シリコン膜１６ｃとで挟んだ構造を有する。そして、酸化シリコン膜１６ａおよび１６ｃからなる電荷ブロック層のポテンシャル障壁高さが、窒化シリコン膜１６ｂからなる電荷蓄積部のポテンシャル障壁高さに比べ、高くなる。
【０１３９】
なお、本実施の形態１においては、トラップ準位を有する絶縁膜として、窒化シリコン膜１６ｂを用いるが、窒化シリコン膜１６ｂを用いた場合、信頼性の面で好適である。しかし、トラップ準位を有する絶縁膜としては、窒化シリコン膜に限定されず、例えば酸化アルミニウム（アルミナ）膜、酸化ハフニウム膜または酸化タンタル膜など、窒化シリコン膜よりも高い誘電率を有する高誘電率膜を用いることができる。
【０１４０】
次に、図８に示すように、半導体基板１１の主面１１ａ全面に、すなわち絶縁膜１６上に、シリコンからなる導電膜１７を形成する（図５のステップＳ７）。なお、このステップＳ７を行う際の、セル形成領域Ｍ１１およびＭ２１における断面を拡大したものを、図２２に示す。
【０１４１】
好適には、導電膜１７は、例えば多結晶シリコン膜、すなわちポリシリコン膜からなる。このような導電膜１７を、ＣＶＤ法などを用いて形成することができる。また、成膜時は導電膜１７をアモルファスシリコン膜として成膜してから、その後の熱処理でアモルファスシリコン膜を多結晶シリコン膜とすることもできる。
【０１４２】
導電膜１７として、例えばリン（Ｐ）またはヒ素（Ａｓ）などのｎ型の不純物またはホウ素（Ｂ）などのｐ型の不純物を導入して低抵抗率としたものを用いることが、好ましい。不純物は、導電膜１７の成膜時または成膜後に導入することができる。導電膜１７の成膜後のイオン注入で導電膜１７に不純物を導入することもできるが、導電膜１７の成膜時に導電膜１７に不純物を導入することもできる。導電膜１７の成膜時に不純物を導入する場合には、導電膜１７の成膜用のガスにドーピングガスを含ませることで、不純物が導入された導電膜１７を成膜することができる。
【０１４３】
次に、図９に示すように、半導体基板１１の主面１１ａ全面に、すなわち導電膜１７上に、絶縁膜１８を形成する（図５のステップＳ８）。絶縁膜１８は、膜１９（後述する図９参照）をエッチングする際のエッチングストッパ膜である。また、導電膜１７は、絶縁膜１８をエッチングする際のエッチングストッパ膜である。
【０１４４】
このようなエッチングストッパ膜としての絶縁膜１８は、好適には、例えば酸化シリコン膜、窒化シリコン膜または酸窒化シリコン膜など、シリコンを含有する絶縁膜からなる。このような絶縁膜１８を、熱酸化法、ＩＳＳＧ酸化法またはＣＶＤ法などを用いて形成することができる。
【０１４５】
次に、図９に示すように、半導体基板１１の主面１１ａ全面に、すなわち絶縁膜１８上に、シリコンからなる膜１９を形成する（図５のステップＳ９）。前述したように、絶縁膜１８は、膜１９をエッチングする際のエッチングストッパ膜である。
【０１４６】
好適には、膜１９は、例えば多結晶シリコン膜、すなわちポリシリコン膜からなる。このような膜１９を、ＣＶＤ法などを用いて形成することができる。また、成膜時は膜１９をアモルファスシリコン膜として成膜してから、その後の熱処理でアモルファスシリコン膜を多結晶シリコン膜とすることもできる。
【０１４７】
セル形成領域Ｍ２１に形成されるメモリゲート電極ＭＧ２（図４参照）は、制御ゲート電極ＣＧ２の側面に絶縁膜１６を介して形成された部分の導電膜１７からなる。そのため、メモリゲート電極ＭＧ２のゲート長Ｌ２（図４参照）は、導電膜１７が形成された時の導電膜１７の膜厚に等しいか、または、導電膜１７が形成された後、メモリゲート電極ＭＧ２が形成されるまでの間に、導電膜１７の表面が酸化され、膜厚が少し減少した状態での導電膜１７の膜厚に等しい。
【０１４８】
一方、セル形成領域Ｍ１１に形成されるメモリゲート電極ＭＧ１（図４参照）のゲート長は、例えば制御ゲート電極ＣＧ１の側面に絶縁膜１６を介して形成された部分の導電膜１７、絶縁膜１８および膜１９の各々の膜厚の合計に等しい。また、導電膜１７が形成された後、メモリゲート電極ＭＧ１が形成されるまでの間、導電膜１７の表面は、絶縁膜１８および膜１９に覆われているため、導電膜１７の表面は酸化されず、導電膜１７の膜厚は減少しない。そのため、メモリゲート電極ＭＧ１のゲート長Ｌ１（図４参照）は、導電膜１７が形成された時の導電膜１７の膜厚ＦＴ１と、絶縁膜１８の膜厚ＦＴ２と、膜１９の膜厚ＦＴ３との総和に等しい。したがって、メモリゲート電極ＭＧ１のゲート長Ｌ１を、メモリゲート電極ＭＧ２のゲート長Ｌ２よりも長くすることができる。
【０１４９】
例えばメモリゲート電極ＭＧ１のゲート長Ｌ１（図４参照）を例えば５０ｎｍとし、メモリゲート電極ＭＧ２のゲート長Ｌ２（図４参照）を例えば３０ｎｍとした場合、導電膜１７の膜厚ＦＴ１を例えば４０ｎｍ程度とし、絶縁膜１８の膜厚ＦＴ２を例えば５ｎｍ程度とし、膜１９の膜厚ＦＴ３を例えば１０〜２０ｎｍ程度とすることができる。
【０１５０】
好適には、導電膜１７の膜厚ＦＴ１は、膜１９の膜厚ＦＴ３よりも厚い。これにより、Ｘ軸方向における部分Ｐ１の幅Ｗ１（図４参照）を、Ｘ軸方向におけるスペーサＳＰ１１の幅ＷＳよりも広くすることができ、メモリゲート電極ＭＧ１のうち、部分Ｐ１の厚さＴＨ１よりも薄い厚さＴＨ２を有する部分Ｐ２のＸ軸方向における幅Ｗ２（図４参照）を短くすることができる。そのため、後述する図１９を用いて説明するｎ−型半導体領域２１ａおよび２１ｂを形成するためのイオン注入を行う際に、注入された不純物イオンが部分Ｐ２を突き抜けてｐ型ウェルＰＷ１に達することを、防止または抑制しやすくなる。
【０１５１】
また、セル形成領域Ｍ１１において、膜１９によりスペーサＳＰ１１（後述する図１０参照）が形成される。スペーサＳＰ１１は、ｎ−型半導体領域２１ａを形成する際にイオン注入された不純物イオンが、スペーサＳＰ１１と半導体基板１１との間に位置する部分のメモリゲート電極ＭＧ１を突き抜けてゲート絶縁膜ＧＩｍ１に到達することを防止するためのものである。すなわち、膜１９は、メモリゲート電極としては用いられない。そのため、膜１９として、例えばリン（Ｐ）またはヒ素（Ａｓ）などのｎ型の不純物またはホウ素（Ｂ）などのｐ型の不純物を導入して低抵抗率としたものを用いてもよいが、不純物を導入せず、高抵抗率としたものを用いてもよい。
【０１５２】
導電膜１７が、例えばｎ型またはｐ型の第１不純物が導入されたシリコンからなり、膜１９が例えばｎ型またはｐ型の第２不純物が導入されたシリコンからなる場合、導電膜１７における第１不純物の濃度を、膜１９における第２不純物の濃度よりも高くすることができる。これにより、膜１９の抵抗率に関わらず、導電膜１７の抵抗率を低くすることができる。
【０１５３】
あるいは、導電膜１７が、例えばｎ型またはｐ型の不純物が導入されたシリコンからなり、膜１９が例えばｎ型またはｐ型の不純物が導入されたシリコンからなる場合、導電膜１７における第１不純物の濃度を、膜１９における第２不純物の濃度と等しくすることができる。これにより、膜１９および導電膜１７を同種のエッチャントを用いてエッチングする際にエッチング速度を互いに等しくすることができ、半導体装置の製造工程を簡単にすることができる。
【０１５４】
また、絶縁膜１８が、膜１９をエッチングする際のエッチングストッパ膜であり、導電膜１７が、絶縁膜１８をエッチングする際のエッチングストッパ膜であればよい。したがって、絶縁膜１８に代えて、導電膜１７と異なる材料からなる膜を用いることができ、膜１９として、絶縁膜１８に代えて用いられた膜と異なる材料からなる膜を用いることができる。
【０１５５】
次に、図１０に示すように、異方性エッチング技術を用いて膜１９をエッチバックすることにより、側壁部としてのスペーサＳＰ１１を形成する（図５のステップＳ１０）。なお、このステップＳ１０を行う際の、セル形成領域Ｍ１１および給電領域Ｍ１２における平面図を、図２４に示す。
【０１５６】
このステップＳ１０では、膜１９の膜厚の分だけ膜１９をエッチバックすることにより、例えば制御ゲート電極ＣＧ１の両側面に、絶縁膜１６、導電膜１７および絶縁膜１８を介して膜１９をサイドウォールスペーサ状に残す。
【０１５７】
これにより、セル形成領域Ｍ１１において、制御ゲート電極ＣＧ１の両側面のうち、当該制御ゲート電極ＣＧ１と隣り合うメモリゲート電極ＭＧ１が配置される側の側面に、絶縁膜１６、導電膜１７および絶縁膜１８を介して膜１９をサイドウォールスペーサ状に残すことにより、残された膜１９からなるスペーサＳＰ１１を形成する。また、セル形成領域Ｍ１１において、制御ゲート電極ＣＧ１の両側面のうち、当該制御ゲート電極ＣＧ１と隣り合うメモリゲート電極ＭＧ１が配置される側と反対側の側面に、絶縁膜１６、導電膜１７および絶縁膜１８を介して膜１９をサイドウォールスペーサ状に残すことにより、残された膜１９からなるスペーサＳＰ１２を形成する。
【０１５８】
一方、セル形成領域Ｍ２１において、制御ゲート電極ＣＧ２の両側面のうち、当該制御ゲート電極ＣＧ２と隣り合うメモリゲート電極ＭＧ２が配置される側の側面に、絶縁膜１６、導電膜１７および絶縁膜１８を介してサイドウォールスペーサ状に残された膜１９からなる、スペーサＳＰ２１を形成する。また、セル形成領域Ｍ２１において、制御ゲート電極ＣＧ２の両側面のうち、当該制御ゲート電極ＣＧ２と隣り合うメモリゲート電極ＭＧ２が配置される側と反対側の側面に、絶縁膜１６、導電膜１７および絶縁膜１８を介して膜１９をサイドウォールスペーサ状に残すことにより、残された膜１９からなるスペーサＳＰ２２を形成する。
【０１５９】
このとき、給電領域Ｍ１２において、ダミー電極ＤＭ１の両側面のうち、当該ダミー電極ＤＭ１と隣り合う電極ＣＧＳ１が配置される側と反対側の側面に、絶縁膜１６、導電膜１７および絶縁膜１８を介して膜１９をサイドウォールスペーサ状に残すことにより、残された膜１９からなるスペーサＳＰ１３を形成する。また、給電領域Ｍ１２において、電極ＣＧＳ１の両側面のうち、当該電極ＣＧＳ１と隣り合うダミー電極ＤＭ１が配置される側と反対側の側面に、絶縁膜１６、導電膜１７および絶縁膜１８を介して膜１９をサイドウォールスペーサ状に残すことにより、残された膜１９からなるスペーサＳＰ１４を形成する。また、給電領域Ｍ１２において、電極ＣＧＳ１上のキャップ絶縁膜ＣＰ３の両側面のうち、当該電極ＣＧＳ１と隣り合うダミー電極ＤＭ１が配置される側と反対側の側面に、絶縁膜１６、導電膜１７および絶縁膜１８を介して膜１９をサイドウォールスペーサ状に残すことにより、残された膜１９からなるスペーサＳＰ１５を形成する。
【０１６０】
また、このとき、給電領域Ｍ２２において、ダミー電極ＤＭ２の両側面のうち、当該ダミー電極ＤＭ２と隣り合う電極ＣＧＳ２が配置される側と反対側の側面に、絶縁膜１６、導電膜１７および絶縁膜１８を介して膜１９をサイドウォールスペーサ状に残すことにより、残された膜１９からなるスペーサＳＰ２３を形成する。また、給電領域Ｍ２２において、電極ＣＧＳ２の両側面のうち、当該電極ＣＧＳ２と隣り合うダミー電極ＤＭ２が配置される側と反対側の側面に、絶縁膜１６、導電膜１７および絶縁膜１８を介して膜１９をサイドウォールスペーサ状に残すことにより、残された膜１９からなるスペーサＳＰ２４を形成する。また、給電領域Ｍ２２において、電極ＣＧＳ２上のキャップ絶縁膜ＣＰ４の両側面のうち、当該電極ＣＧＳ２と隣り合うダミー電極ＤＭ２が配置される側と反対側の側面に、絶縁膜１６、導電膜１７および絶縁膜１８を介して膜１９をサイドウォールスペーサ状に残すことにより、残された膜１９からなるスペーサＳＰ２５を形成する。
【０１６１】
スペーサＳＰ１１とスペーサＳＰ１２とは、制御ゲート電極ＣＧ１の互いに反対側となる側面に形成されており、制御ゲート電極ＣＧ１を挟んでほぼ対称な構造を有している。スペーサＳＰ２１とスペーサＳＰ２２とは、制御ゲート電極ＣＧ２の互いに反対側となる側面に形成されており、制御ゲート電極ＣＧ２を挟んでほぼ対称な構造を有している。
【０１６２】
次に、図１１〜図１３に示すように、スペーサＳＰ１２、ＳＰ２１およびＳＰ２２を除去する（図５のステップＳ１１）。なお、図１１を用いて説明する工程を行う際の、セル形成領域Ｍ１１および給電領域Ｍ１２における平面図を、図２５に示す。また、図１３を用いて説明する工程を行う際の、セル形成領域Ｍ１１および給電領域Ｍ１２における平面図を、図２６に示す。
【０１６３】
このステップＳ１１において、セル形成領域Ｍ１１およびＭ２１では、まず、図１１に示すように、フォトリソグラフィを用いて、スペーサＳＰ１１が覆われ、かつ、スペーサＳＰ１２、ＳＰ２１およびＳＰ２２が露出されるようなレジストパターンＲ１を半導体基板１１上に形成する。このとき、給電領域Ｍ１２およびＭ２２では、図１１に示すように、フォトリソグラフィを用いて、スペーサＳＰ１３が覆われ、かつ、スペーサＳＰ１４、ＳＰ１５およびＳＰ２３〜ＳＰ２５が露出されるようなレジストパターンＲ１を半導体基板１１上に形成する。
【０１６４】
具体的には、まず、メモリセル領域Ｍ１およびＭ２で、絶縁膜１８上に、スペーサＳＰ１１〜ＳＰ１５およびＳＰ２１〜ＳＰ２５を覆うように、マスク膜としてのレジスト膜ＲＦ１を形成する。次に、レジスト膜ＲＦ１をパターニングし、メモリセル領域Ｍ２で、レジスト膜ＲＦ１を除去し、メモリセル領域Ｍ１で、スペーサＳＰ１１およびＳＰ１３を覆うレジスト膜ＲＦ１からなる、マスクパターンとしてのレジストパターンＲ１を形成し、スペーサＳＰ１２、ＳＰ１４およびＳＰ１５をレジスト膜ＲＦ１から露出させる。
【０１６５】
このステップＳ１１において、セル形成領域Ｍ１１およびＭ２１では、次に、図１２に示すように、形成されたレジストパターンＲ１をエッチングマスクとしたドライエッチングにより、スペーサＳＰ１２、ＳＰ２１およびＳＰ２２を除去する。一方、スペーサＳＰ１１は、レジストパターンＲ１で覆われていたので、エッチングされずに残される。このとき、給電領域Ｍ１２およびＭ２２では、図１２に示すように、スペーサＳＰ１４、ＳＰ１５およびＳＰ２３〜ＳＰ２５を除去する。一方、スペーサＳＰ１３は、レジストパターンＲ１で覆われていたので、エッチングされずに残される。
【０１６６】
このステップＳ１１では、その後、図１３に示すように、レジストパターンＲ１を除去する。
【０１６７】
ステップＳ１０を行った後、ステップＳ１１を行わず、スペーサＳＰ１２を除去しなかった場合、ステップＳ１４の工程を行ってスペーサＳＰ３１を除去する際に、スペーサＳＰ３１とスペーサＳＰ１２との間に位置し、例えば酸化シリコンからなる絶縁膜１８が異物として飛散するおそれがある。そして、飛散した異物が別の部分に付着することにより、その後の工程で製造される半導体装置において欠陥の原因となり、良品率を低下させるおそれがある。
【０１６８】
一方、本実施の形態１では、ステップＳ１０を行った後、ステップＳ１１を行って、スペーサＳＰ１２を除去するため、ステップＳ１４の工程を行ってスペーサＳＰ３１を除去する際に、例えば酸化シリコンからなる絶縁膜１８が異物として飛散することを防止することができる。そして、飛散した異物が別の部分に付着することを防止し、その後の工程で製造される半導体装置において欠陥の原因となることを防止または抑制し、良品率の低下を防止、抑制できる。
【０１６９】
次に、図１４に示すように、スペーサＳ１１およびＳ１３から露出した部分の絶縁膜１８を、例えばウェットエッチングなどのエッチングによって除去する（図６のステップＳ１２）。この際、セル形成領域Ｍ１１において、スペーサＳＰ１１と導電膜１７との間に位置する絶縁膜１８は、除去されずに残され、他の領域に位置する絶縁膜１８は除去される。
【０１７０】
次に、図１５に示すように、異方性エッチング技術を用いて導電膜１７をエッチバックすることにより、メモリゲート電極ＭＧ１およびＭＧ２を形成する（図６のステップＳ１３）。なお、このステップＳ１３を行う際の、セル形成領域Ｍ１１および給電領域Ｍ１２における平面図を、図２７に示す。
【０１７１】
このステップＳ１３では、導電膜１７の膜厚の分だけ導電膜１７をエッチバックすることにより、制御ゲート電極ＣＧ１およびＣＧ２の各々の両側面に、絶縁膜１６を介して導電膜１７をサイドウォールスペーサ状に残し、他の領域の導電膜１７を除去する。
【０１７２】
これにより、図１５に示すように、セル形成領域Ｍ１１において、スペーサＳＰ１１と制御ゲート電極ＣＧ１との間、および、スペーサＳＰ１１と半導体基板１１との間の導電膜１７からなるメモリゲート電極ＭＧ１を形成する。また、セル形成領域Ｍ１１において、制御ゲート電極ＣＧ１の両側面のうち、当該制御ゲート電極ＣＧ１と隣り合うメモリゲート電極ＭＧ１が配置される側と反対側の側面に、絶縁膜１６を介して導電膜１７をサイドウォールスペーサ状に残すことにより、残された導電膜１７からなるスペーサＳＰ３１を形成する。
【０１７３】
一方、セル形成領域Ｍ２１において、制御ゲート電極ＣＧ２の両側面のうち、一方の側面に、絶縁膜１６を介して導電膜１７をサイドウォールスペーサ状に残すことにより、残された導電膜１７からなるメモリゲート電極ＭＧ２を形成する。また、セル形成領域Ｍ２１において、制御ゲート電極ＣＧ２の両側面のうち、当該制御ゲート電極ＣＧ２と隣り合うメモリゲート電極ＭＧ２が配置される側と反対側の側面に、絶縁膜１６を介して導電膜１７をサイドウォールスペーサ状に残すことにより、残された導電膜１７からなるスペーサＳＰ４１を形成する。
【０１７４】
このとき、給電領域Ｍ１２において、スペーサＳＰ１３とダミー電極ＤＭ１との間、および、スペーサＳＰ１３と半導体基板１１との間の導電膜１７からなる電極ＭＧＳ１を形成する。また、給電領域Ｍ１２において、電極ＣＧＳ１の両側面のうち、当該電極ＣＧＳ１と隣り合うダミー電極ＤＭ１が配置される側と反対側の側面に、絶縁膜１６を介して導電膜１７をサイドウォールスペーサ状に残すことにより、残された導電膜１７からなるスペーサＳＰ３２を形成する。
【０１７５】
なお、電極ＭＧＳ１は、メモリゲート電極ＭＧ１と一体的に形成される。これにより、電極ＭＧＳ１を介して、メモリゲート電極ＭＧ１に給電することができる。
【０１７６】
また、給電領域Ｍ１２において、電極ＣＧＳ１上のキャップ絶縁膜ＣＰ３の両側面のうち、当該電極ＣＧＳ１と隣り合うダミー電極ＤＭ１が配置される側と反対側の側面に、絶縁膜１６を介して導電膜１７をサイドウォールスペーサ状に残すことにより、残された導電膜１７からなるスペーサＳＰ３３を形成する。なお、給電領域Ｍ１２において、ダミー電極ＤＭ１と電極ＣＧＳ１との間は、絶縁膜１６を介して、導電膜１７により埋め込まれている。
【０１７７】
また、このとき、給電領域Ｍ２２において、ダミー電極ＤＭ２の両側面のうち、当該ダミー電極ＤＭ２と隣り合う電極ＣＧＳ２が配置される側と反対側の側面に、絶縁膜１６を介して導電膜１７をサイドウォールスペーサ状に残すことにより、残された導電膜１７からなる電極ＭＧＳ２を形成する。また、給電領域Ｍ２２において、電極ＣＧＳ２の両側面のうち、当該電極ＣＧＳ２と隣り合うダミー電極ＤＭ２が配置される側と反対側の側面に、絶縁膜１６を介して導電膜１７をサイドウォールスペーサ状に残すことにより、残された導電膜１７からなるスペーサＳＰ４２を形成する。
【０１７８】
また、給電領域Ｍ２２において、電極ＣＧＳ２上のキャップ絶縁膜ＣＰ４の両側面のうち、当該電極ＣＧＳ２と隣り合うダミー電極ＤＭ２が配置される側と反対側の側面に、絶縁膜１６を介して導電膜１７をサイドウォールスペーサ状に残すことにより、残された導電膜１７からなるスペーサＳＰ４３を形成する。なお、給電領域Ｍ２２において、ダミー電極ＤＭ２と電極ＣＧＳ２との間は、絶縁膜１６を介して、導電膜１７により埋め込まれている。
【０１７９】
メモリゲート電極ＭＧ１は、絶縁膜１６を介して制御ゲート電極ＣＧ１と隣り合うように形成され、メモリゲート電極ＭＧ２は、絶縁膜１６を介して制御ゲート電極ＣＧ２と隣り合うように形成される。メモリゲート電極ＭＧ１とスペーサＳＰ１１とは、制御ゲート電極ＣＧ１の互いに反対側となる側面に形成されている。メモリゲート電極ＭＧ２とスペーサＳＰ４１とは、制御ゲート電極ＣＧ２の互いに反対側となる側面に形成されており、制御ゲート電極ＣＧ２を挟んでほぼ対称な構造を有している。
【０１８０】
制御ゲート電極ＣＧ１上には、キャップ絶縁膜ＣＰ１が形成され、制御ゲート電極ＣＧ２上には、キャップ絶縁膜ＣＰ２が形成されている。したがって、メモリゲート電極ＭＧ１は、キャップ絶縁膜ＣＰ１の第１の側の側面に、絶縁膜１６を介してサイドウォールスペーサ状に残された導電膜１７からなり、メモリゲート電極ＭＧ２は、キャップ絶縁膜ＣＰ２の第１の側の側面に、絶縁膜１６を介してサイドウォールスペーサ状に残された導電膜１７からなる。また、スペーサＳＰ３１は、キャップ絶縁膜ＣＰ１の第１の側と反対側の側面に、絶縁膜１６を介してサイドウォールスペーサ状に残された導電膜１７からなり、スペーサＳＰ４１は、キャップ絶縁膜ＣＰ２の第１の側と反対側の側面に、絶縁膜１６を介してサイドウォールスペーサ状に残された導電膜１７からなる。
【０１８１】
ステップＳ１３で形成されたメモリゲート電極ＭＧ１と半導体基板１１のｐ型ウェルＰＷ１との間、および、メモリゲート電極ＭＧ１と制御ゲート電極ＣＧ１との間には、絶縁膜１６が介在しており、メモリゲート電極ＭＧ１は、絶縁膜１６に接触した導電膜１７からなる。また、ステップＳ１３で形成されたメモリゲート電極ＭＧ２と半導体基板１１のｐ型ウェルＰＷ２との間、および、メモリゲート電極ＭＧ２と制御ゲート電極ＣＧ２との間には、絶縁膜１６が介在しており、メモリゲート電極ＭＧ２は、絶縁膜１６に接触した導電膜１７からなる。
【０１８２】
ステップＳ１３のエッチバック工程を行った段階で、セル形成領域Ｍ１１で、メモリゲート電極ＭＧ１およびスペーサＳＰ３１のいずれにも覆われていない部分の絶縁膜１６が、露出される。セル形成領域Ｍ１１におけるメモリゲート電極ＭＧ１下の絶縁膜１６が、メモリトランジスタＭＴ１のゲート絶縁膜ＧＩｍ１（後述する図１８参照）となる。また、ステップＳ１３のエッチバック工程を行った段階で、セル形成領域Ｍ２１で、メモリゲート電極ＭＧ２およびスペーサＳＰ４１のいずれにも覆われていない部分の絶縁膜１６が、露出される。セル形成領域Ｍ２１におけるメモリゲート電極ＭＧ２下の絶縁膜１６が、メモリトランジスタＭＴ２のゲート絶縁膜ＧＩｍ２（後述する図１８参照）となる。
【０１８３】
次に、図１６および図１７に示すように、スペーサＳＰ３１およびＳＰ４１を除去する（図６のステップＳ１４）。
【０１８４】
このステップＳ１４において、セル形成領域Ｍ１１およびＭ２１では、まず、図１６に示すように、フォトリソグラフィを用いて、メモリゲート電極ＭＧ１およびＭＧ２、ならびに、スペーサＳＰ１１が覆われ、かつ、スペーサＳＰ３１およびＳＰ４１が露出されるようなレジストパターンＲ２を半導体基板１１上に形成する。このとき、給電領域Ｍ１２およびＭ２２では、電極ＭＧＳ１およびスペーサＳＰ１３、ならびに、電極ＣＧＳ１とダミー電極ＤＭ１との間に位置する部分の導電膜１７がレジストパターンＲ２により覆われ、かつ、スペーサＳＰ３２、ＳＰ３３、ＳＰ４２およびＳＰ４３が露出される。
【０１８５】
具体的には、まず、メモリセル領域Ｍ１およびＭ２で、絶縁膜１６上に、メモリゲート電極ＭＧ１およびＭＧ２、電極ＣＧＳ１およびＣＧＳ２、電極ＭＧＳ１およびＭＧＳ２、ならびに、スペーサＳＰ１１、ＳＰ１３、ＳＰ３１〜ＳＰ３３およびＳＰ４１〜ＳＰ４３を覆うように、マスク膜としてのレジスト膜ＲＦ２を形成する。このとき、電極ＣＧＳ１とダミー電極ＤＭ１との間に位置する部分の導電膜１７、および、電極ＣＧＳ２とダミー電極ＤＭ２との間に位置する部分の導電膜１７を覆うように、レジスト膜ＲＦ２を形成する。
【０１８６】
次に、レジスト膜ＲＦ２をパターニングし、メモリセル領域Ｍ１で、メモリゲート電極ＭＧ１、電極ＭＧＳ１、スペーサＳＰ１１およびＳＰ１３、ならびに、電極ＣＧＳ１とダミー電極ＤＭ１との間に位置する部分の導電膜１７を覆うレジスト膜ＲＦ２からなるレジストパターンＲ２を形成する。そして、スペーサＳＰ３１、ＳＰ３２およびＳＰ３３をレジスト膜ＲＦ２から露出させる。このとき、レジスト膜ＲＦ２をパターニングし、メモリセル領域Ｍ２で、メモリゲート電極ＭＧ２、電極ＭＧＳ２、および、電極ＣＧＳ２とダミー電極ＤＭ２との間に位置する部分の導電膜１７を覆うレジスト膜ＲＦ２からなるレジストパターンＲ２を形成する。そして、スペーサＳＰ４１、ＳＰ４２およびＳＰ４３をレジスト膜ＲＦ２から露出させる。
【０１８７】
このステップＳ１４において、セル形成領域Ｍ１１およびＭ２１では、次に、図１６に示すように、形成されたレジストパターンＲ２をエッチングマスクとしたドライエッチングにより、スペーサＳＰ３１およびＳＰ４１を除去する。一方、メモリゲート電極ＭＧ１およびＭＧ２、ならびに、スペーサＳＰ１１は、レジストパターンＲ２で覆われていたので、エッチングされずに残される。このとき、給電領域Ｍ１２およびＭ２２では、図１６に示すように、スペーサＳＰ３２、ＳＰ３３、ＳＰ４２およびＳＰ４３を除去する。一方、電極ＭＧＳ１およびＭＧＳ２、スペーサＳＰ１３、電極ＣＧＳ１とダミー電極ＤＭ１との間に位置する部分の導電膜１７、ならびに、電極ＣＧＳ２とダミー電極ＤＭ２との間に位置する部分の導電膜１７は、レジストパターンＲ２で覆われていたので、エッチングされずに残される。
【０１８８】
このステップＳ１４では、その後、図１７に示すように、レジストパターンＲ２を除去する。
【０１８９】
次に、図１８に示すように、メモリゲート電極ＭＧ１およびＭＧ２で覆われていない部分の絶縁膜１６を、例えばウェットエッチングなどのエッチングによって除去する（図６のステップＳ１５）。なお、このステップＳ１５を行う際の、セル形成領域Ｍ１１および給電領域Ｍ１２における平面図を、図２８に示す。
【０１９０】
このとき、セル形成領域Ｍ１１において、メモリゲート電極ＭＧ１とｐ型ウェルＰＷ１との間、および、メモリゲート電極ＭＧ１と制御ゲート電極ＣＧ１との間に位置する部分の絶縁膜１６は、除去されずに残され、他の領域に位置する部分の絶縁膜１６は除去される。そして、セル形成領域Ｍ１１において、メモリゲート電極ＭＧ１とｐ型ウェルＰＷ１との間、および、メモリゲート電極ＭＧ１と制御ゲート電極ＣＧ１との間の絶縁膜１６からなるゲート絶縁膜ＧＩｍ１が形成される。
【０１９１】
また、このとき、セル形成領域Ｍ２１において、メモリゲート電極ＭＧ２とｐ型ウェルＰＷ２との間、および、メモリゲート電極ＭＧ２と制御ゲート電極ＣＧ２との間に位置する部分の絶縁膜１６は、除去されずに残され、他の領域に位置する部分の絶縁膜１６は除去される。そして、セル形成領域Ｍ２１において、メモリゲート電極ＭＧ２とｐ型ウェルＰＷ２との間、および、メモリゲート電極ＭＧ２と制御ゲート電極ＣＧ２との間の絶縁膜１６からなるゲート絶縁膜ＧＩｍ２が形成される。
【０１９２】
なお、ステップＳ１５において、絶縁膜１６のうち、酸化シリコン膜１６ｃおよび窒化シリコン膜１６ｂが除去され、酸化シリコン膜１６ａが除去されずに残されるように、エッチングを行うこともできる。
【０１９３】
次に、図１９に示すように、ｎ−型半導体領域２１ａおよび２１ｂを、イオン注入法などを用いて形成する（図６のステップＳ１６）。なお、このステップＳ１６を行う際の、セル形成領域Ｍ１１およびＭ２１における断面を拡大したものを、図２３に示す。
【０１９４】
このステップＳ１６では、例えばヒ素（Ａｓ）またはリン（Ｐ）などのｎ型の不純物を、制御ゲート電極ＣＧ１およびＣＧ２、ならびに、メモリゲート電極ＭＧ１およびＭＧ２をマスクとして用いて、半導体基板１１のｐ型ウェルＰＷ１およびＰＷ２に導入する。これにより、セル形成領域Ｍ１１で、ｐ型ウェルＰＷ１の上層部に、ｎ−型半導体領域２１ａおよび２１ｂが形成され、セル形成領域Ｍ２１で、ｐ型ウェルＰＷ２の上層部に、ｎ−型半導体領域２１ａおよび２１ｂが形成される。
【０１９５】
この際、セル形成領域Ｍ１１において、ｎ−型半導体領域２１ａは、メモリゲート電極ＭＧ１の側面に自己整合して形成され、ｎ−型半導体領域２１ｂは、制御ゲート電極ＣＧ１の側面に自己整合して形成される。また、セル形成領域Ｍ２１において、ｎ−型半導体領域２１ａは、メモリゲート電極ＭＧ２の側面に自己整合して形成され、ｎ−型半導体領域２１ｂは、制御ゲート電極ＣＧ２の側面に自己整合して形成される。
【０１９６】
なお、ステップＳ１５を行った後、ステップＳ１６を行う前に、周辺回路領域（図示は省略）で、例えばフォトリソグラフィおよびエッチングを用いて、ステップＳ５の際に周辺回路領域で一部残されていた導電膜１４（図２１参照）をパターニングし、導電膜１４からなるゲート電極（図示は省略）を形成してもよい。この際、レジストを塗布する前に、周辺回路領域で導電膜１４をパターニングする際のメモリセル領域Ｍ１およびＭ２における保護膜として、メモリセル領域Ｍ１およびＭ２で、半導体基板１１の主面１１ａに、例えば酸化シリコン膜からなる絶縁膜ＳＩＦと窒化シリコン膜（図示は省略）を形成してもよい。そして、周辺回路領域でゲート電極を形成した後、窒化シリコン膜を除去してもよい。このような場合、ステップＳ１６において、ｎ−型半導体領域２１ａおよび２１ｂを形成する際に、メモリセル領域Ｍ１およびＭ２で、制御ゲート電極ＣＧ１およびＣＧ２、キャップ絶縁膜ＣＰ１およびＣＰ２、メモリゲート電極ＭＧ１およびＭＧ２、ならびに、スペーサＳＰ１１を覆うように、絶縁膜ＳＩＦが形成されていることになる。
【０１９７】
次に、図２０に示すように、制御ゲート電極ＣＧ１およびＣＧ２の側面、ならびに、メモリゲート電極ＭＧ１およびＭＧ２の側面に、サイドウォールスペーサＳＷを形成する（図６のステップＳ１７）。
【０１９８】
まず、半導体基板１１の主面１１ａ全面に、サイドウォールスペーサＳＷ用の絶縁膜を形成し、形成された絶縁膜を例えば異方性エッチングによりエッチバックする。
【０１９９】
このようにして、セル形成領域Ｍ１１では、制御ゲート電極ＣＧ１を挟んでメモリゲート電極ＭＧ１と反対側で制御ゲート電極ＣＧ１と隣り合う部分の絶縁膜を残すことにより、サイドウォールスペーサＳＷを形成する。また、メモリゲート電極ＭＧ１およびスペーサＳＰ１１を挟んで制御ゲート電極ＣＧ１と反対側でメモリゲート電極ＭＧ１およびスペーサＳＰ１１と隣り合う部分の絶縁膜を残すことにより、サイドウォールスペーサＳＷを形成する。
【０２００】
また、セル形成領域Ｍ２１では、制御ゲート電極ＣＧ２を挟んでメモリゲート電極ＭＧ２と反対側で制御ゲート電極ＣＧ２と隣り合う部分の絶縁膜を残すことにより、サイドウォールスペーサＳＷを形成する。また、メモリゲート電極ＭＧ２を挟んで制御ゲート電極ＣＧ２と反対側でメモリゲート電極ＭＧ２と隣り合う部分の絶縁膜を残すことにより、サイドウォールスペーサＳＷを形成する。
【０２０１】
一方、給電領域Ｍ１２では、電極ＭＧＳ１を挟んで電極ＣＧＳ１と反対側で電極ＭＧＳ１と隣り合う部分の絶縁膜を残すことにより、サイドウォールスペーサＳＷを形成する。また、電極ＣＧＳ１を挟んでダミー電極ＤＭ１と反対側で電極ＣＧＳ１と隣り合う部分の絶縁膜を残すことにより、サイドウォールスペーサＳＷを形成する。また、電極ＣＧＳ１上のキャップ絶縁膜ＣＰ３と隣り合う部分の絶縁膜を残すことにより、サイドウォールスペーサＳＷを形成する。
【０２０２】
また、給電領域Ｍ２２では、電極ＭＧＳ２を挟んで電極ＣＧＳ２と反対側で電極ＭＧＳ２と隣り合う部分の絶縁膜を残すことにより、サイドウォールスペーサＳＷを形成する。また、電極ＣＧＳ２を挟んでダミー電極ＤＭ２と反対側で電極ＣＧＳ２と隣り合う部分の絶縁膜を残すことにより、サイドウォールスペーサＳＷを形成する。また、電極ＣＧＳ２上のキャップ絶縁膜ＣＰ４と隣り合う部分の絶縁膜を残すことにより、サイドウォールスペーサＳＷを形成する。
【０２０３】
これらのサイドウォールスペーサＳＷは、酸化シリコン膜、窒化シリコン膜またはそれらの積層膜などの絶縁膜からなる。
【０２０４】
次に、図２１に示すように、ｎ＋型半導体領域２２ａおよび２２ｂを、イオン注入法などを用いて形成する（図６のステップＳ１８）。このステップＳ１８では、例えばヒ素（Ａｓ）またはリン（Ｐ）などのｎ型の不純物を、制御ゲート電極ＣＧ１およびＣＧ２、ならびに、メモリゲート電極ＭＧ１およびＭＧ２と、それらと隣り合うサイドウォールスペーサＳＷとをマスクとして用いて半導体基板１１のｐ型ウェルＰＷ１およびＰＷ２に導入する。これにより、セル形成領域Ｍ１１で、ｐ型ウェルＰＷ１の上層部に、ｎ＋型半導体領域２２ａおよび２２ｂが形成され、セル形成領域Ｍ２１で、ｐ型ウェルＰＷ２の上層部に、ｎ＋型半導体領域２２ａおよび２２ｂが形成される。
【０２０５】
この際、セル形成領域Ｍ１１において、ｎ＋型半導体領域２２ａは、メモリゲート電極ＭＧ１の側面上のサイドウォールスペーサＳＷに自己整合して形成され、ｎ＋型半導体領域２２ｂは、制御ゲート電極ＣＧ１の側面上のサイドウォールスペーサＳＷに自己整合して形成される。また、セル形成領域Ｍ２１において、ｎ＋型半導体領域２２ａは、メモリゲート電極ＭＧ２の側面上のサイドウォールスペーサＳＷに自己整合して形成され、ｎ＋型半導体領域２２ｂは、制御ゲート電極ＣＧ２の側面上のサイドウォールスペーサＳＷに自己整合して形成される。
【０２０６】
このようにして、セル形成領域Ｍ１１において、ｎ−型半導体領域２１ａとそれよりも高不純物濃度のｎ＋型半導体領域２２ａとにより、ＬＤＤ構造を有し、メモリトランジスタＭＴ１（図４参照）のソース領域として機能するｎ型の半導体領域ＭＳ１が形成される。また、セル形成領域Ｍ１１において、ｎ−型半導体領域２１ｂとそれよりも高不純物濃度のｎ＋型半導体領域２２ｂとにより、ＬＤＤ構造を有し、制御トランジスタＣＴ１（図４参照）のドレイン領域として機能するｎ型の半導体領域ＭＤ１が形成される。
【０２０７】
また、セル形成領域Ｍ２１において、ｎ−型半導体領域２１ａとそれよりも高不純物濃度のｎ＋型半導体領域２２ａとにより、ＬＤＤ構造を有し、メモリトランジスタＭＴ２（図４参照）のソース領域として機能するｎ型の半導体領域ＭＳ２が形成される。また、セル形成領域Ｍ２１において、ｎ−型半導体領域２１ｂとそれよりも高不純物濃度のｎ＋型半導体領域２２ｂとにより、ＬＤＤ構造を有し、制御トランジスタＣＴ２（図４参照）のドレイン領域として機能するｎ型の半導体領域ＭＤ２が形成される。
【０２０８】
その後、ｎ−型半導体領域２１ａおよび２１ｂ、ならびに、ｎ＋型半導体領域２２ａおよび２２ｂなどに導入された不純物を活性化するための熱処理である活性化アニールを行う。
【０２０９】
これにより、図２１に示すように、セル形成領域Ｍ１１で、制御トランジスタＣＴ１（図４参照）およびメモリトランジスタＭＴ１（図４参照）が形成され、制御トランジスタＣＴ１およびメモリトランジスタＭＴ１により、不揮発性メモリとしてのメモリセルＭＣ１が形成される。すなわち、制御ゲート電極ＣＧ１と、ゲート絶縁膜ＧＩｃ１と、メモリゲート電極ＭＧ１と、ゲート絶縁膜ＧＩｍ１とにより、不揮発性メモリとしてのメモリセルＭＣ１が形成される。
【０２１０】
また、セル形成領域Ｍ２１で、制御トランジスタＣＴ２（図４参照）およびメモリトランジスタＭＴ２（図４参照）が形成され、制御トランジスタＣＴ２およびメモリトランジスタＭＴ２により、不揮発性メモリとしてのメモリセルＭＣ２が形成される。すなわち、制御ゲート電極ＣＧ２と、ゲート絶縁膜ＧＩｃ２と、メモリゲート電極ＭＧ２と、ゲート絶縁膜ＧＩｍ２とにより、不揮発性メモリとしてのメモリセルＭＣ２が形成される。
【０２１１】
なお、給電領域Ｍ１２で、電極ＣＧＳ１、ダミー電極ＤＭ１および電極ＭＧＳ１により、給電電極部ＳＥ１が形成され、給電領域Ｍ２２で、電極ＣＧＳ２、ダミー電極ＤＭ２および電極ＭＧＳ２により、給電電極部ＳＥ２が形成される。
【０２１２】
前述したように、メモリゲート電極ＭＧ１のゲート長Ｌ１（図４参照）は、メモリゲート電極ＭＧ２のゲート長Ｌ２（図４参照）よりも長い。ゲート長が長いメモリゲート電極ＭＧ１を有するメモリセルＭＣ１は、ゲート長が短いメモリゲート電極ＭＧ２を有するメモリセルＭＣ２に比べ、高い信頼性を有するため、図１のデータ用不揮発性メモリ・モジュール２として用いられることが望ましい。一方、ゲート長が短いメモリゲート電極ＭＧ２を有するメモリセルＭＣ２は、ゲート長が長いメモリゲート電極ＭＧ１を有するメモリセルＭＣ１に比べ、動作速度が速く、かつ、書き換え可能な回数が多いため、図１のプログラム用不揮発性メモリ・モジュール１として用いられることが望ましい。
【０２１３】
次に、図３に示すように、金属シリサイド層２３を形成する（図６のステップＳ１９）。このステップＳ１９では、半導体基板１１の主面１１ａ全面に、キャップ絶縁膜ＣＰ１およびＣＰ２、メモリゲート電極ＭＧ１およびＭＧ２、ならびに、サイドウォールスペーサＳＷを覆うように、金属膜を形成する。金属膜は、例えばコバルト（Ｃｏ）膜、ニッケル（Ｎｉ）膜、または、ニッケル白金合金膜などからなり、スパッタリング法などを用いて形成することができる。そして、半導体基板１１に対して熱処理を施すことによって、ｎ＋型半導体領域２２ａおよび２２ｂ、ならびに、メモリゲート電極ＭＧ１およびＭＧ２のそれぞれの上層部を、金属膜と反応させる。これにより、ｎ＋型半導体領域２２ａおよび２２ｂ、ならびに、メモリゲート電極ＭＧ１およびＭＧ２の各々の上に、金属シリサイド層２３がそれぞれ形成される。
【０２１４】
金属シリサイド層２３は、例えばコバルトシリサイド層、ニッケルシリサイド層、または、白金添加ニッケルシリサイド層とすることができる。その後、未反応の金属膜を除去する。このようないわゆるサリサイドプロセスを行うことによって、図３に示すように、ｎ＋型半導体領域２２ａおよび２２ｂ、ならびに、メモリゲート電極ＭＧ１およびＭＧ２の各々の上に、金属シリサイド層２３を形成することができる。
【０２１５】
このとき、給電領域Ｍ１２およびＭ２２では、電極ＭＧＳ１およびＭＧＳ２、電極ＣＧＳ１およびＣＧＳ２、ならびに、導電膜１７の各々の上にも、金属シリサイド層２３を形成することができる。
【０２１６】
次に、図３に示すように、半導体基板１１の主面１１ａ全面に、絶縁膜２４および層間絶縁膜２５を形成する（図６のステップＳ２０）。このステップＳ２０では、まず、キャップ絶縁膜ＣＰ１およびＣＰ２、ゲート絶縁膜ＧＩｍ１およびＧＩｍ２、メモリゲート電極ＭＧ１およびＭＧ２、ならびに、サイドウォールスペーサＳＷを覆うように、絶縁膜２４を形成する。絶縁膜２４は、例えば窒化シリコン膜からなる。絶縁膜２４を、例えばＣＶＤ法により形成することができる。
【０２１７】
次に、図３に示すように、絶縁膜２４上に、層間絶縁膜２５を形成する。層間絶縁膜２５は、酸化シリコン膜の単体膜、あるいは、窒化シリコン膜と酸化シリコン膜との積層膜などからなる。層間絶縁膜２５を、例えばＣＶＤ法により形成した後、層間絶縁膜２５の上面を平坦化する。
【０２１８】
次に、図３に示すように、層間絶縁膜２５を貫通するプラグＰＧを形成する（図６のステップＳ２１）。まず、フォトリソグラフィを用いて層間絶縁膜２５上に形成したレジストパターン（図示せず）をエッチングマスクとして、層間絶縁膜２５をドライエッチングすることにより、層間絶縁膜２５にコンタクトホールＣＮＴを形成する。次に、コンタクトホールＣＮＴ内に、導電体部として、タングステン（Ｗ）などからなる導電性のプラグＰＧを形成する。
【０２１９】
プラグＰＧを形成するには、例えば、コンタクトホールＣＮＴの内部を含む層間絶縁膜２５上に、例えば、チタン（Ｔｉ）膜、窒化チタン（ＴｉＮ）膜、またはそれらの積層膜からなるバリア導体膜を形成する。それから、このバリア導体膜上にタングステン（Ｗ）膜などからなる主導体膜を、コンタクトホールＣＮＴを埋めるように形成し、層間絶縁膜２５上の不要な主導体膜およびバリア導体膜をＣＭＰ（Chemical Mechanical Polishing）法またはエッチバック法などによって除去する。これにより、プラグＰＧを形成することができる。なお、図面の簡略化のために、図３では、プラグＰＧを構成するバリア導体膜および主導体膜を一体化して示してある。
【０２２０】
図３に示すように、コンタクトホールＣＮＴおよびそれに埋め込まれたプラグＰＧは、給電領域Ｍ１２およびＭ２２において、電極ＭＧＳ１およびＭＧＳ２、ならびに、電極ＣＧＳ１およびＣＧＳ２の各々の上などに形成される。コンタクトホールＣＮＴの底部では、例えば電極ＭＧＳ１およびＭＧＳ２、ならびに、電極ＣＧＳ１およびＣＧＳ２の各々の上の金属シリサイド層２３が露出する。そして、コンタクトホールＣＮＴに埋め込まれたプラグＰＧは、電極ＭＧＳ１およびＭＧＳ２、ならびに、電極ＣＧＳ１およびＣＧＳ２の各々の上に形成された金属シリサイド層２３と接触することにより、電極ＭＧＳ１およびＭＧＳ２、ならびに、電極ＣＧＳ１およびＣＧＳ２の各々と電気的に接続される。
【０２２１】
なお、図３では図示を省略するが、プラグＰＧは、ｎ＋型半導体領域２２ａおよび２２ｂの各々と電気的に接続されてもよい。
【０２２２】
以上のようにして、本実施の形態１の半導体装置が製造される。なお、プラグＰＧが埋め込まれた層間絶縁膜２５上に、例えば銅（Ｃｕ）を主導電膜とする配線を、例えばダマシン技術を用いて形成することができるが、ここでは、その説明を省略する。
【０２２３】
＜比較例の半導体装置の製造方法＞
次に、比較例の半導体装置の製造方法について説明する。図２９は、比較例の半導体装置の製造工程中の要部断面図である。なお、図２９の断面図は、実施の形態１の半導体装置の製造工程のうちステップＳ１６の工程に相当する工程を行って、セル形成領域Ｍ１１において、ｎ−型半導体領域２１ａおよび２１ｂを形成する際の断面図である。
【０２２４】
比較例の半導体装置の製造方法では、実施の形態１のステップＳ６およびステップＳ７に相当する工程を行って、絶縁膜１６および導電膜１７を形成した後、導電膜１７上に、酸化シリコン膜１１１を形成する。次に、酸化シリコン膜１１１をエッチバックすることにより、制御ゲート電極ＣＧ１の側面に、絶縁膜１６および導電膜１７を介して酸化シリコン膜１１１を残すことにより、残された酸化シリコン膜１１１からなるスペーサＳＰ１１１を形成する。次に、酸化シリコン膜１１１からなるスペーサＳＰ１１１をマスクとして導電膜１７をエッチバックすることにより、スペーサＳＰ１１１と制御ゲート電極ＣＧ１との間、および、スペーサＳＰ１１１と半導体基板１１との間の導電膜１７からなるメモリゲート電極ＭＧ１０１を形成する。次に、スペーサＳＰ１１１を除去した後、実施の形態１の半導体装置の製造工程のうちステップＳ１６の工程に相当する工程、すなわちメモリゲート電極ＭＧ１０１をマスクとして用いてイオン注入を行う工程を行って、ｎ−型半導体領域２１ａおよび２１ｂを形成する。
【０２２５】
なお、比較例の半導体装置の製造方法は、上記特許文献１に記載された半導体装置の製造方法と同様である。
【０２２６】
図２９に示すように、メモリゲート電極ＭＧ１０１のうち、制御ゲート電極ＣＧ１と反対側の部分Ｐ１０２の、半導体基板１１の厚さ方向における厚さＴＨ１０２は、制御ゲート電極ＣＧ１側の部分Ｐ１０１の、半導体基板１１の厚さ方向における厚さＴＨ１０１よりも薄い。また、比較例の半導体装置の製造方法では、イオン注入を行ってｎ−型半導体領域２１ａおよび２１ｂを形成する際に、部分Ｐ１０２上に、スペーサＳＰ１１１などのスペーサが残されていない。
【０２２７】
ｎ−型半導体領域２１ａおよび２１ｂを形成する際に、ｐ型ウェルＰＷ１に注入された不純物イオンの、ｐ型ウェルＰＷ１の上面からの深さ方向において濃度分布が最大値を示す深さ位置は、例えば１０〜２０ｎｍである。また、多結晶シリコンまたはアモルファスシリコンからなる部分Ｐ１０２に不純物イオンがイオン注入された場合でも、部分Ｐ１０２の上面からの深さ方向において濃度分布が最大値を示す深さ位置は、例えば１０〜２０ｎｍであり、ｐ型ウェルＰＷ１の上面からの深さ方向において濃度分布が最大値を示す深さ位置と略等しい。
【０２２８】
そのため、比較例の半導体装置の製造方法において、部分Ｐ１０２すなわち導電膜１７の膜厚が例えば３０ｎｍ程度である場合には、ｎ−型半導体領域２１ａおよび２１ｂを形成する際に、図２９に示すように、部分Ｐ１０２に注入された不純物イオンが、部分Ｐ１０２を突き抜けてゲート絶縁膜ＧＩｍ１に到達するおそれがある。そのため、電荷蓄積部を有するゲート絶縁膜ＧＩｍ１の膜質が劣化するなどして、メモリセルＭＣ１の不揮発性メモリとしての特性が低下するおそれがあり、不揮発性メモリを有する半導体装置の性能を向上させることができない。
【０２２９】
一方、例えば活性化アニールなどの熱処理を行う際に、ｐ型ウェルＰＷ１中の不純物イオンが拡散によりゲート絶縁膜ＧＩｍ１まで到達するおそれは小さい。したがって、不純物イオンがイオン注入によりゲート絶縁膜ＧＩｍ１に到達する場合に、ゲート絶縁膜ＧＩｍ１の膜質の劣化に及ぼす影響は、その後例えば活性化アニールなどの熱処理を行う際に、不純物イオンが拡散によりゲート絶縁膜ＧＩｍ１に到達する場合に、ゲート絶縁膜ＧＩｍ１の膜質の劣化に及ぼす影響に比べて、大きい。
【０２３０】
また、消去方法として、ＢＴＢＴ現象によるホットホール注入消去方式を用いる場合には、ゲート絶縁膜ＧＩｍ１のうち、ソース領域側の部分にホールが注入される。そのため、注入された不純物イオンが、部分Ｐ１０２を突き抜けてゲート絶縁膜ＧＩｍ１のうちソース領域側の部分に到達する場合に、ゲート絶縁膜ＧＩｍ１の膜質の劣化に及ぼす影響は、極めて大きい。
【０２３１】
なお、図２９に示す例では、図２３に示した例と同様に、ｎ−型半導体領域２１ａおよび２１ｂを形成する際に、メモリセル領域Ｍ１で、半導体基板１１の主面１１ａ上に、制御ゲート電極ＣＧ１、キャップ絶縁膜ＣＰ１、メモリゲート電極ＭＧ１０１を覆うように、絶縁膜ＳＩＦが形成されている。しかし、絶縁膜ＳＩＦの膜厚は、メモリゲート電極ＭＧ１０１に含まれる導電膜１７の膜厚に対して薄い。そのため、絶縁膜ＳＩＦを形成することだけで、不純物イオンが部分Ｐ１０２を突き抜けないようにすることは、極めて困難である。
【０２３２】
＜本実施の形態の主要な特徴と効果＞
本実施の形態１の半導体装置の製造方法では、制御ゲート電極ＣＧ１およびＣＧ２の各々の表面に、絶縁膜１６、導電膜１７、シリコンを含有する絶縁膜１８、および、シリコンからなる膜１９を順次形成する。次に、膜１９をエッチバックすることにより、制御ゲート電極ＣＧ１の側面に、絶縁膜１６、導電膜１７および絶縁膜１８を介して膜１９を残してスペーサＳＰ１１を形成する。次に、導電膜１７をエッチバックすることにより、スペーサＳＰ１１と制御ゲート電極ＣＧ１との間、および、スペーサＳＰ１１と半導体基板１１との間の導電膜１７からなるメモリゲート電極ＭＧ１を形成し、制御ゲート電極ＣＧ２の側面に、絶縁膜１６を介して導電膜１７を残してメモリゲート電極ＭＧ２を形成する。メモリゲート電極ＭＧ１のゲート長は、メモリゲート電極ＭＧ２のゲート長よりも長い。
【０２３３】
本実施の形態１の半導体装置の製造方法でも、比較例の半導体装置の製造方法と同様に、メモリゲート電極ＭＧ１のうち、制御ゲート電極ＣＧ１と反対側の部分Ｐ２の厚さＴＨ２は、制御ゲート電極ＣＧ１側の部分Ｐ１の厚さＴＨ１よりも薄い。しかし、本実施の形態１の半導体装置の製造方法では、比較例の半導体装置の製造方法と異なり、メモリゲート電極ＭＧ１をマスクとして用いたイオン注入法によりｎ−型半導体領域２１ａを形成する際に、部分Ｐ２上に、スペーサＳＰ１１が形成されている。
【０２３４】
そのため、図２３に示すように、ｎ−型半導体領域２１ａおよび２１ｂを形成する際に、注入された不純物イオンが、部分Ｐ２を突き抜けてゲート絶縁膜ＧＩｍ１に到達することを防止または抑制することができる。したがって、電荷蓄積部を有するゲート絶縁膜ＧＩｍ１の膜質が劣化することを防止または抑制することができ、メモリセルＭＣ１の不揮発性メモリとしての特性が低下することを防止または抑制することができるので、不揮発性メモリを有する半導体装置の特性を向上させることができる。
【０２３５】
また、本実施の形態１の半導体装置は、制御ゲート電極ＣＧ１の側面に形成されたメモリゲート電極ＭＧ１と、制御ゲート電極ＣＧ２の側面に形成されたメモリゲート電極ＭＧ２と、を有する。また、当該半導体装置は、制御ゲート電極ＣＧ１の側面に、ゲート絶縁膜ＧＩｍ１およびメモリゲート電極ＭＧ１を介して形成されたスペーサＳＰ１１と、スペーサＳＰ１１とメモリゲート電極ＭＧ１との間に形成された絶縁膜１８と、を有する。絶縁膜１８は、シリコンを含有する絶縁膜からなり、スペーサＳＰ１１は、シリコンからなる。メモリゲート電極ＭＧ１は、スペーサＳＰ１１と制御ゲート電極ＣＧ１との間、および、スペーサＳＰ１１と半導体基板１１との間に形成されている。メモリゲート電極ＭＧ１のゲート長は、メモリゲート電極ＭＧ２のゲート長よりも長い。
【０２３６】
このような本実施の形態１の半導体装置を製造する場合、図２３に示すように、ｎ−型半導体領域２１ａを形成する際に、注入された不純物イオンが、部分Ｐ２を突き抜けてゲート絶縁膜ＧＩｍ１に到達することを防止または抑制することができる。したがって、電荷蓄積部を有するゲート絶縁膜ＧＩｍ１の膜質が劣化することを防止または抑制することができ、メモリセルＭＣ１の不揮発性メモリとしての特性が低下することを防止または抑制することができるので、不揮発性メモリを有する半導体装置の特性を向上させることができる。
【０２３７】
＜半導体装置の第１変形例＞
実施の形態１の半導体装置では、給電領域Ｍ１２において、ダミー電極ＤＭ１の側面に、絶縁膜ＧＩｍ３、電極ＭＧＳ１および絶縁膜ＩＦ１３を介して、スペーサＳＰ１３が形成されていた。一方、給電領域Ｍ１２において、スペーサＳＰ１３は形成されなくてもよい。このような例を、実施の形態１の第１変形例の半導体装置として説明する。
【０２３８】
図３０は、実施の形態１の第１変形例の半導体装置の要部平面図である。図３１は、実施の形態１の第１変形例の半導体装置の要部断面図である。図３２〜図３５は、実施の形態１の第１変形例の半導体装置の製造工程中の要部平面図である。
【０２３９】
図３０に示す平面図は、図２に示す平面図のうち二点鎖線で囲まれた領域ＲＧ１を拡大して示す。図３１に示す断面図は、図３０におけるＢ−Ｂ線に沿った断面図である。また、図３２〜図３５は、実施の形態１で図２５〜図２８を用いて説明した工程を行う際の、セル形成領域Ｍ１１および給電領域Ｍ１２における平面図である。なお、理解を簡単にするため、図３１に示す断面図として、図１８を用いて説明したステップＳ１５における断面図に相当する断面図を示している。
【０２４０】
図３０および図３１に示すように、本第１変形例の半導体装置では、給電領域Ｍ１２において、ダミー電極ＤＭ１の側面に、絶縁膜ＧＩｍ３を介して電極ＭＧＳ１は形成されているものの、絶縁膜ＩＦ１３（図３参照）は形成されておらず、スペーサＳＰ１３（図３参照）も形成されていない。
【０２４１】
また、本第１変形例の半導体装置の製造方法では、図１０および図２４を用いて説明した工程（図５のステップＳ１０）を行った後、図１１を用いて説明した工程（図５のステップＳ１１）を行ってレジストパターンＲ１を形成する。このレジストパターンＲ１を形成する際に、給電領域Ｍ１２では、図３２に示すように、フォトリソグラフィを用いて、スペーサＳＰ１４に加え、スペーサＳＰ１３が露出されるようなレジストパターンＲ１を半導体基板１１上に形成する。すなわち、給電領域Ｍ１２が露出するようなレジストパターンＲ１を形成する。
【０２４２】
このステップＳ１１において、次に、図１２を用いて説明した工程を行う際に、給電領域Ｍ１２では、形成されたレジストパターンＲ１をエッチングマスクとしたドライエッチングにより、図３３に示すように、スペーサＳＰ１４に加え、スペーサＳＰ１３を、除去する。すなわち、給電領域Ｍ１２では、膜１９（図１０参照）を除去する。
【０２４３】
このステップＳ１１では、その後、図１３を用いて説明した工程を行う際に、図３３に示すように、レジストパターンＲ１を除去する。
【０２４４】
次に、図１４を用いて説明した工程（図６のステップＳ１２）を行った後、図１５を用いて説明した工程（図６のステップＳ１３）を行って、セル形成領域Ｍ１１で、メモリゲート電極ＭＧ１を形成する。この際、給電領域Ｍ１２では、図３４に示すように、ダミー電極ＤＭ１の両側面のうち、当該ダミー電極ＤＭ１と隣り合う電極ＣＧＳ１が配置される側と反対側の側面上に、絶縁膜１６（図１５参照）を介して導電膜１７（図１５参照）をサイドウォールスペーサ状に残すことにより、残された導電膜１７からなる電極ＭＧＳ１を形成する。ダミー電極ＤＭ１の側面に垂直な方向における電極ＭＧＳ１の下面の幅Ｗ３は、メモリゲート電極ＭＧ１のゲート長Ｌ１よりも短い。なお、スペーサＳＰ３２およびＳＰ３３（図１５参照）については、実施の形態１と同様に形成される。
【０２４５】
なお、電極ＭＧＳ１は、メモリゲート電極ＭＧ１と一体的に形成される。これにより、電極ＭＧＳ１を介して、メモリゲート電極ＭＧ１に給電することができる。
【０２４６】
次に、図１６および図１７を用いて説明した工程（図６のステップＳ１４）を行った後、図１８を用いて説明した工程（図６のステップＳ１５）を行って、図３５に示すように、セル形成領域Ｍ１１および給電領域Ｍ１２で、メモリゲート電極ＭＧ１で覆われていない部分の絶縁膜１６（図１７参照）を除去する。その後の工程については、実施の形態１と同様にすることができる。
【０２４７】
図２８に示すように、実施の形態１において、ダミー電極ＤＭ１と、電極ＭＧＳ１と、スペーサＳＰ１３と、により、給電電極部ＳＥ１としての給電電極部ＳＥ１０が形成されるものとする。また、セル形成領域Ｍ１１に形成されたメモリセルＭＣ１と、給電領域Ｍ１２に形成された給電電極部ＳＥ１０との最近接距離を距離ＤＳ１０とする。
【０２４８】
一方、図３５に示すように、本第１変形例において、ダミー電極ＤＭ１と、電極ＭＧＳ１と、により給電電極部ＳＥ１としての給電電極部ＳＥ１１が形成されるものとする。また、セル形成領域Ｍ１１に形成されたメモリセルＭＣ１と、給電領域Ｍ１２に形成された給電電極部ＳＥ１１との最近接距離を距離ＤＳ１１とする。
【０２４９】
給電領域Ｍ１２のＹ軸方向における長さを等しくした場合、距離ＤＳ１１は、距離ＤＳ１０よりも長い。すなわち、本第１変形例では、セル形成領域Ｍ１１では、スペーサＳＰ１１を形成するが、給電領域Ｍ１２ではスペーサＳＰ１３（図２８参照）を形成しないことにより、距離ＤＳ１１を、距離ＤＳ１０よりも長くすることができる。あるいは、距離ＤＳ１１が距離ＤＳ１０と等しくなるように、給電領域Ｍ１２のＹ軸方向における長さを短くすることができるので、Ｙ軸方向においてセル形成領域Ｍ１１を効率よく配置することができる。
【０２５０】
また、図２８に示すように、実施の形態１において、Ｙ軸方向において、給電領域Ｍ１２を挟んで両側に配置された２つのセル形成領域Ｍ１１の各々に形成されたドレイン領域としての半導体領域ＭＤ１からなる配列のうち、当該給電領域Ｍ１２側の端部に配列された半導体領域ＭＤ１同士の間隔を間隔ＩＴ１０とする。間隔ＩＴ１０は、給電電極部ＳＥ１０が形成される領域、すなわち給電領域Ｍ１２のＹ軸方向における長さに相当する長さであり、シャント高とも称される。
【０２５１】
また、図３５に示すように、本第１変形例において、Ｙ軸方向において、給電領域Ｍ１２を挟んで両側に配置された２つのセル形成領域Ｍ１１の各々に形成されたドレイン領域としての半導体領域ＭＤ１からなる配列のうち、当該給電領域Ｍ１２側の端部に配列された半導体領域ＭＤ１同士の間隔を間隔ＩＴ１１とする。間隔ＩＴ１１も、間隔ＩＴ１０と同様に、給電電極部ＳＥ１１が形成される領域、すなわち給電領域Ｍ１２のＹ軸方向における長さに相当する長さであり、シャント高とも称される。
【０２５２】
給電領域Ｍ１２のＹ軸方向における長さを等しくした場合、距離ＤＳ１１は、距離ＤＳ１０よりも長く、間隔ＩＴ１１は、間隔ＩＴ１０と等しい。一方、前述したように、距離ＤＳ１１が距離ＤＳ１０と等しくなるように、給電領域Ｍ１２のＹ軸方向における長さを短くした場合、給電領域Ｍ１２のＹ軸方向における長さを短くすることができ、間隔ＩＴ１１を間隔ＩＴ１０よりも短くすることができ、Ｙ軸方向においてセル形成領域Ｍ１１を効率よく配置することができる。
【０２５３】
＜半導体装置の第２変形例＞
実施の形態１の半導体装置では、給電領域Ｍ１２において、ダミー電極ＤＭ１と電極ＣＧＳ１との間は、導電膜１７により埋め込まれていた。一方、給電領域Ｍ１２において、ダミー電極ＤＭ１と電極ＣＧＳ１との間は、導電膜１７により埋め込まれていなくてもよい。このような例を、実施の形態１の第２変形例の半導体装置として説明する。
【０２５４】
図３６は、実施の形態１の第２変形例の半導体装置の要部平面図である。図３７は、実施の形態１の第２変形例の半導体装置の要部断面図である。図３６に示す平面図は、図２に示す平面図のうち二点鎖線で囲まれた領域ＲＧ１を拡大して示す。図３７に示す断面図は、図３６におけるＢ−Ｂ線に沿った断面図である。なお、理解を簡単にするため、図３７に示す断面図として、図１８を用いて説明したステップＳ１５における断面図に相当する断面図を示している。
【０２５５】
図３６および図３７に示すように、本第２変形例の半導体装置では、実施の形態１の半導体装置と同様に、給電領域Ｍ１２において、ダミー電極ＤＭ１の側面に、絶縁膜ＧＩｍ３を介して電極ＭＧＳ１、絶縁膜ＩＦ１３およびスペーサＳＰ１３が形成されている。
【０２５６】
一方、本第２変形例では、実施の形態１とは異なり、ダミー電極ＤＭ１と電極ＣＧＳ１との間は、導電膜１７により完全に埋め込まれていない。そのため、ダミー電極ＤＭ１と電極ＣＧＳ１との間に形成された導電膜１７は、ダミー電極ＤＭ１の電極ＣＧＳ１側の側面に絶縁膜ＧＩｍ３を介して形成された部分の導電膜１７からなる導電膜部１７ａを含む。また、ダミー電極ＤＭ１と電極ＣＧＳ１との間に形成された導電膜１７は、電極ＣＧＳ１のダミー電極ＤＭ１側の側面に絶縁膜ＧＩｍ３を介して形成された部分の導電膜１７からなる導電膜部１７ｂと、素子分離領域ＩＲ３上に絶縁膜ＧＩｍ３を介して形成された部分の導電膜１７からなる導電膜部１７ｃと、を含む。また、導電膜部１７ａと導電膜部１７ｂとの間には、溝部１７ｄが形成され、溝部１７ｄの内壁には、絶縁膜１８が形成され、絶縁膜１８上には、溝部１７ｄを埋め込むように、膜１９が形成されている。
【０２５７】
導電膜部１７ａおよび１７ｂならびに膜１９の各々の上層部には、金属シリサイド層（図示は省略）が形成されるが、絶縁膜１８の上層部には、金属シリサイド層が形成されない。そのため、導電膜部１７ａの上層部に形成される金属シリサイド層と、導電膜部１７ｂの上層部に形成される金属シリサイド層とは、一体的に形成されない。すなわち、電極ＭＧＳ１の上層部に形成される金属シリサイド層と、メモリゲート電極ＭＧ１の上層部に形成される金属シリサイド層とは、一体的に形成されない。
【０２５８】
しかし、本第２変形例では、導電膜部１７ａの上層部に形成される金属シリサイド層と、導電膜部１７ｂの上層部に形成される金属シリサイド層とは、導電膜部１７ａと、導電膜部１７ｃと、導電膜部１７ｂとを介して電気的に接続される。そのため、本第２変形例のように、ダミー電極ＤＭ１と電極ＣＧＳ１との距離と、導電膜１７の膜厚との関係により、ダミー電極ＤＭ１と電極ＣＧＳ１との間が絶縁膜ＧＩｍ３を介して導電膜１７により完全に埋め込まれていない場合であっても、電極ＭＧＳ１とメモリゲート電極ＭＧ１とを電気的に低抵抗で接続することができる。
【０２５９】
＜半導体装置の第３変形例＞
実施の形態１の第１変形例の半導体装置では、給電領域Ｍ１２において、スペーサＳＰ１３は形成されず、ダミー電極ＤＭ１と電極ＣＧＳ１との間は、導電膜１７により埋め込まれていた。一方、給電領域Ｍ１２において、スペーサＳＰ１３は形成されないが、ダミー電極ＤＭ１と電極ＣＧＳ１との間は、導電膜１７により埋め込まれていなくてもよい。このような例を、実施の形態１の第３変形例の半導体装置として説明する。
【０２６０】
図３８は、実施の形態１の第３変形例の半導体装置の要部平面図である。図３９は、実施の形態１の第３変形例の半導体装置の要部断面図である。図３８に示す平面図は、図２に示す平面図のうち二点鎖線で囲まれた領域ＲＧ１を拡大して示す。図３９に示す断面図は、図３８におけるＢ−Ｂ線に沿った断面図である。なお、理解を簡単にするため、図３９に示す断面図として、図１８を用いて説明したステップＳ１５における断面図に相当する断面図を示している。
【０２６１】
図３８および図３９に示すように、本第３変形例の半導体装置では、実施の形態１の第１変形例の半導体装置と同様に、給電領域Ｍ１２において、ダミー電極ＤＭ１の側面に、絶縁膜ＧＩｍ３を介して電極ＭＧＳ１は形成されているものの、絶縁膜ＩＦ１３（図３参照）もスペーサＳＰ１３（図３参照）も形成されていない。
【０２６２】
一方、本第３変形例では、実施の形態１の第１変形例とは異なり、ダミー電極ＤＭ１と電極ＣＧＳ１との間は、導電膜１７により完全に埋め込まれていない。そのため、ダミー電極ＤＭ１と電極ＣＧＳ１との間に形成された導電膜１７は、ダミー電極ＤＭ１の電極ＣＧＳ１側の側面に絶縁膜ＧＩｍ３を介して形成された部分の導電膜１７からなる導電膜部１７ａを含む。また、ダミー電極ＤＭ１と電極ＣＧＳ１との間に形成された導電膜１７は、電極ＣＧＳ１のダミー電極ＤＭ１側の側面に絶縁膜ＧＩｍ３を介して形成された部分の導電膜１７からなる導電膜部１７ｂと、素子分離領域ＩＲ３上に絶縁膜ＧＩｍ３を介して形成された部分の導電膜１７からなる導電膜部１７ｃと、を含む。また、導電膜部１７ａと導電膜部１７ｂとの間には、溝部１７ｄが形成されている。なお、本第３変形例では、実施の形態１の第２変形例とは異なり、溝部１７ｄ内には、絶縁膜１８（図３７参照）も膜１９（図３７参照）も形成されていない。
【０２６３】
導電膜部１７ａおよび１７ｂの各々の上層部には、金属シリサイド層（図示は省略）が形成されるが、導電膜部１７ａの上層部に形成される金属シリサイド層と、導電膜部１７ｂの上層部に形成される金属シリサイド層とは、一体的に形成されない。すなわち、電極ＭＧＳ１の上層部に形成される金属シリサイド層と、メモリゲート電極ＭＧ１の上層部に形成される金属シリサイド層とは、一体的に形成されない。なお、溝部１７ｄには、サイドウォールスペーサを形成する際に例えば酸化シリコン膜からなる絶縁膜が埋め込まれるため、導電膜部１７ｃの上層部には、金属シリサイド層は形成されない。
【０２６４】
しかし、本第３変形例でも、実施の形態１の第２変形例と同様に、導電膜部１７ａの上層部に形成される金属シリサイド層と、導電膜部１７ｂの上層部に形成される金属シリサイド層とは、導電膜部１７ａと、導電膜部１７ｃと、導電膜部１７ｂとを介して電気的に接続される。そのため、本第３変形例のように、ダミー電極ＤＭ１と電極ＣＧＳ１との距離と、導電膜１７の膜厚との関係により、ダミー電極ＤＭ１と電極ＣＧＳ１との間が絶縁膜ＧＩｍ３を介して導電膜１７により完全に埋め込まれていない場合であっても、電極ＭＧＳ１とメモリゲート電極ＭＧ１とを電気的に低抵抗で接続することができる。
【０２６５】
（実施の形態２）
実施の形態１では、図２３に示したように、イオン注入を行ってｎ−型半導体領域２１ａを形成する際に、注入された不純物イオンが、部分Ｐ２を突き抜けて半導体基板１１に達することを防止または抑制するために、部分Ｐ２上に、スペーサＳＰ１１が形成されていた。一方、実施の形態２では、イオン注入を行ってｎ−型半導体領域２１ａを形成する際に、注入された不純物イオンが、部分Ｐ１０２（後述する図４３参照）を突き抜けて半導体基板１１に達することを防止または抑制するために、部分Ｐ１０２上に、例えば窒化シリコンからなるサイドウォールスペーサＳＷ３２（後述する図４３参照）が形成されている。
【０２６６】
なお、以下では、セル形成領域Ｍ１１（図３参照）における半導体装置の製造方法について説明する。
【０２６７】
図４０〜図４４は、実施の形態２の製造工程中の半導体装置の要部断面図である。
【０２６８】
本実施の形態２の半導体装置の製造方法では、実施の形態１のステップＳ６およびステップＳ７に相当する工程を行って、絶縁膜１６および導電膜１７を形成した後、導電膜１７上に、酸化シリコン膜１１１（図２９参照）を形成する。次に、酸化シリコン膜１１１をエッチバックすることにより、制御ゲート電極ＣＧ１の側面に、絶縁膜１６および導電膜１７を介して酸化シリコン膜１１１を残すことにより、残された酸化シリコン膜１１１からなるスペーサＳＰ１１１（図２９参照）を形成する。次に、酸化シリコン膜１１１からなるスペーサＳＰ１１１をマスクとして導電膜１７をエッチバックすることにより、スペーサＳＰ１１１と制御ゲート電極ＣＧ１との間、および、スペーサＳＰ１１１と半導体基板１１との間の導電膜１７からなるメモリゲート電極ＭＧ１０１を形成する。ここまでの工程は、図２９を用いて説明した比較例の半導体装置の製造工程と同様である。
【０２６９】
本実施の形態２では、次に、図４０に示すように、フォトリソグラフィを用いて、メモリゲート電極ＭＧ１０１、および、メモリゲート電極ＭＧ１０１を挟んで制御ゲート電極ＣＧ１と反対側に位置する部分の半導体基板１１または絶縁膜ＳＩＦが覆われるようなレジストパターンＲ３を半導体基板１１上に形成する。このとき、制御ゲート電極ＣＧ１を挟んでメモリゲート電極ＭＧ１０１と反対側に位置する部分の半導体基板１１または絶縁膜ＳＩＦは、レジストパターンＲ３から露出する。
【０２７０】
そして、例えばヒ素（Ａｓ）またはリン（Ｐ）などのｎ型の不純物を、制御ゲート電極ＣＧ１およびレジストパターンＲ３をマスクとして用いて、半導体基板１１のｐ型ウェルＰＷ１に導入する。これにより、セル形成領域Ｍ１１で、ｐ型ウェルＰＷ１の上層部に、ｎ−型半導体領域２１ｂが形成される。その後、レジストパターンＲ３は除去される。
【０２７１】
次に、図４１に示すように、半導体基板１１の主面１１ａ全面に、制御ゲート電極ＣＧ１、キャップ絶縁膜ＣＰ１およびメモリゲート電極ＭＧ１０１を覆うように、例えば窒化シリコンからなる絶縁膜３１を形成する。
【０２７２】
次に、図４２に示すように、形成された絶縁膜３１を例えば異方性エッチングによりエッチバックする。このようにして、セル形成領域Ｍ１１では、制御ゲート電極ＣＧ１を挟んでメモリゲート電極ＭＧ１０１と反対側で制御ゲート電極ＣＧ１と隣り合う部分の絶縁膜３１を残すことにより、サイドウォールスペーサＳＷ３１を形成する。また、部分Ｐ１０１を挟んで制御ゲート電極ＣＧ１と反対側で部分Ｐ１０１と隣り合う部分の絶縁膜３１を残すことにより、サイドウォールスペーサＳＷ３２を形成する。さらに、部分Ｐ１０２を挟んで制御ゲート電極ＣＧ１と反対側で部分Ｐ１０２と隣り合う部分の絶縁膜３１を残すことにより、サイドウォールスペーサＳＷ３３を形成する。
【０２７３】
次に、図４３に示すように、フォトリソグラフィを用いて、制御ゲート電極ＣＧ１、および、制御ゲート電極ＣＧ１を挟んでメモリゲート電極ＭＧ１０１と反対側に位置する部分の半導体基板１１または絶縁膜ＳＩＦが覆われるようなレジストパターンＲ４を半導体基板１１上に形成する。このとき、メモリゲート電極ＭＧ１０１を挟んで制御ゲート電極ＣＧ１と反対側に位置する部分の半導体基板１１または絶縁膜ＳＩＦは、レジストパターンＲ４から露出する。
【０２７４】
そして、例えばヒ素（Ａｓ）またはリン（Ｐ）などのｎ型の不純物を、メモリゲート電極ＭＧ１０１およびレジストパターンＲ４をマスクとして用いて、半導体基板１１のｐ型ウェルＰＷ１に導入する。これにより、セル形成領域Ｍ１１で、ｐ型ウェルＰＷ１の上層部に、ｎ−型半導体領域２１ａが形成される。
【０２７５】
次に、図４４に示すように、レジストパターンＲ４を除去し、絶縁膜３１からなるサイドウォールスペーサＳＷ３１、ＳＷ３２およびＳＷ３３を除去する。その後の工程については、実施の形態１と同様にすることができる。
【０２７６】
本実施の形態２の半導体装置の製造方法では、セル形成領域Ｍ１１で、酸化シリコン膜１１１からなるスペーサＳＰ１１１（図２９参照）をマスクとして導電膜１７をエッチバックすることにより、部分Ｐ１０１と部分Ｐ１０２を有するメモリゲート電極ＭＧ１０１を形成する。次に、スペーサＳＰ１１１を除去した後、制御ゲート電極ＣＧ１を挟んでメモリゲート電極ＭＧ１０１と反対側に位置する部分のｐ型ウェルＰＷ１にイオン注入を行って、ｎ−型半導体領域２１ｂを形成する。次に、部分Ｐ１０１の側面にサイドウォールスペーサＳＷ３２を形成した後、メモリゲート電極ＭＧ１０１を挟んで制御ゲート電極ＣＧ１と反対側に位置する部分のｐ型ウェルＰＷ１にイオン注入を行って、ｎ−型半導体領域２１ａを形成する。
【０２７７】
本実施の形態２の半導体装置の製造方法でも、比較例の半導体装置の製造方法と同様に、部分Ｐ１０２の、半導体基板１１の厚さ方向における厚さＴＨ１０２は、部分Ｐ１０１の、半導体基板１１の厚さ方向における厚さＴＨ１０１よりも薄い。しかし、本実施の形態２の半導体装置の製造方法では、イオン注入を行ってｎ−型半導体領域２１ａを形成する際に、部分Ｐ１０２上に、サイドウォールスペーサＳＷ３２が形成されている。
【０２７８】
そのため、本実施の形態２の半導体装置の製造方法では、イオン注入を行ってｎ−型半導体領域２１ａを形成する際に、注入された不純物イオンが、部分Ｐ１０２を突き抜けて半導体基板１１に到達することを防止または抑制することができる。したがって、電荷蓄積部を有するゲート絶縁膜ＧＩｍ１の膜質が劣化することを防止または抑制することができ、メモリセルＭＣ１の不揮発性メモリとしての特性が低下することを防止または抑制することができるので、不揮発性メモリを有する半導体装置の特性を向上させることができる。
【０２７９】
なお、本実施の形態２では、ｎ−型半導体領域２１ａを形成するためのイオン注入を行う際に、部分Ｐ１０２の制御ゲート電極ＣＧ１と反対側の側面に、サイドウォールスペーサＳＷ３３が形成されている。そのため、ｎ−型半導体領域２１ａを形成するためのイオン注入を行う際に、半導体基板１１の主面１１ａに垂直な方向から不純物イオンを注入すると、ｎ−型半導体領域２１ａが、平面視において、メモリゲート電極ＭＧ１０１から離れてしまうおそれがある。
【０２８０】
したがって、好適には、ｎ−型半導体領域２１ａを形成するためのイオン注入を行う際に、半導体基板１１の主面１１ａに垂直な方向に対して傾斜した方向から不純物イオンを注入する。これにより、ｎ−型半導体領域２１ａが、平面視において、メモリゲート電極ＭＧ１０１から離れないようにすることができる。すなわち、ｎ−型半導体領域２１ａを、平面視において、メモリゲート電極ＭＧ１０１と隣接するか、または、メモリゲート電極ＭＧ１０１と重なるように、形成することができる。
【０２８１】
以上、本発明者によってなされた発明を実施の形態に基づき具体的に説明したが、本発明は前記実施の形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能であることはいうまでもない。
【符号の説明】
【０２８２】
１  プログラム用不揮発性メモリ・モジュール
２  データ用不揮発性メモリ・モジュール
３  周辺回路
４  ＲＡＭ
５  ＣＰＵ／ＤＳＰ
１１  半導体基板
１１ａ  主面
１２  素子分離膜
１３、１５、１６、１８、２４、３１  絶縁膜
１４、１７  導電膜
１６ａ、１６ｃ  酸化シリコン膜
１６ｂ  窒化シリコン膜
１７ａ〜１７ｃ  導電膜部
１７ｄ  溝部
１９  膜
２１ａ、２１ｂ  ｎ−型半導体領域
２２ａ、２２ｂ  ｎ＋型半導体領域
２３  金属シリサイド層
２５  層間絶縁膜
ＡＲ１、ＡＲ２  活性領域
ＣＧ１、ＣＧ２  制御ゲート電極
ＣＧＳ１、ＣＧＳ２、ＭＧＳ１、ＭＧＳ２  電極
ＣＮＴ  コンタクトホール
ＣＰ１〜ＣＰ４  キャップ絶縁膜
ＣＴ１、ＣＴ２  制御トランジスタ
ＤＭ１、ＤＭ２  ダミー電極
ＤＳ１０、ＤＳ１１  距離
ＦＴ１〜ＦＴ３  膜厚
ＧＩｃ１〜ＧＩｃ４、ＧＩｍ１、ＧＩｍ２  ゲート絶縁膜
ＧＩｍ３、ＧＩｍ４、ＩＦ１１、ＩＦ１３  絶縁膜
ＩＲ１〜ＩＲ４  素子分離領域
ＩＴ１０、ＩＴ１１  間隔
Ｌ１、Ｌ２  ゲート長
Ｍ１、Ｍ２  メモリセル領域
Ｍ１１、Ｍ２１  セル形成領域
Ｍ１２、Ｍ２２  給電領域
ＭＣ１、ＭＣ２  メモリセル
ＭＤ１、ＭＤ２、ＭＳ１、ＭＳ２  半導体領域
ＭＧ１、ＭＧ１０１、ＭＧ２  メモリゲート電極
ＭＴ１、ＭＴ２  メモリトランジスタ
Ｐ１〜Ｐ４、Ｐ１０１、Ｐ１０２  部分
ＰＧ  プラグ
ＰＷ１、ＰＷ２  ｐ型ウェル
Ｒ１〜Ｒ４  レジストパターン
ＲＦ１、ＲＦ２  レジスト膜
ＲＧ１  領域
ＳＥ１、ＳＥ１０、ＳＥ１１、ＳＥ２  給電電極部
ＳＩＦ  絶縁膜
ＳＰ１１〜ＳＰ１５、ＳＰ２１〜ＳＰ２５  スペーサ
ＳＰ３１〜ＳＰ３３、ＳＰ４１〜ＳＰ４３  スペーサ
ＳＷ、ＳＷ３１〜ＳＷ３３  サイドウォールスペーサ
ＴＨ１、ＴＨ１０１、ＴＨ１０２、ＴＨ２〜ＴＨ４  厚さ
Ｗ１〜Ｗ３、ＷＳ  幅
【図１】
0006385873.tif 000002
【図２】
0006385873.tif 000003
【図３】
0006385873.tif 000004
【図４】
0006385873.tif 000005
【図５】
0006385873.tif 000006
【図６】
0006385873.tif 000007
【図７】
0006385873.tif 000008
【図８】
0006385873.tif 000009
【図９】
0006385873.tif 000010
【図１０】
0006385873.tif 000011
【図１１】
0006385873.tif 000012
【図１２】
0006385873.tif 000013
【図１３】
0006385873.tif 000014
【図１４】
0006385873.tif 000015
【図１５】
0006385873.tif 000016
【図１６】
0006385873.tif 000017
【図１７】
0006385873.tif 000018
【図１８】
0006385873.tif 000019
【図１９】
0006385873.tif 000020
【図２０】
0006385873.tif 000021
【図２１】
0006385873.tif 000022
【図２２】
0006385873.tif 000023
【図２３】
0006385873.tif 000024
【図２４】
0006385873.tif 000025
【図２５】
0006385873.tif 000026
【図２６】
0006385873.tif 000027
【図２７】
0006385873.tif 000028
【図２８】
0006385873.tif 000029
【図２９】
0006385873.tif 000030
【図３０】
0006385873.tif 000031
【図３１】
0006385873.tif 000032
【図３２】
0006385873.tif 000033
【図３３】
0006385873.tif 000034
【図３４】
0006385873.tif 000035
【図３５】
0006385873.tif 000036
【図３６】
0006385873.tif 000037
【図３７】
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【図３８】
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【図３９】
0006385873.tif 000040
【図４０】
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【図４１】
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【図４２】
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【図４３】
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【図４４】
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