(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
閉磁路構造を有するコアと、
前記コアに巻き回された１次側コイルと、
前記コアに巻き回され、前記１次側コイルの軸方向に配置され、前記１次側コイルに磁気的に結合された２次側コイルと
を有し、
前記１次側コイルおよび前記２次側コイルのそれぞれは、
第１コイル部と、
前記第１コイル部に電気的に接続された第２コイル部と
を有し、
前記第２コイル部は、前記第１コイル部の軸方向に重なり、前記第２コイル部の軸は、前記第１コイル部の軸に対して偏心し、
前記第２コイル部の内磁路の軸直交方向の断面積は、前記第１コイル部の内磁路の軸直交方向の断面積よりも小さい、コイル部品。
【請求項２】
前記１次側コイルの軸方向からみて、前記１次側コイルの前記第１コイル部の内磁路と前記２次側コイルの前記第１コイル部の内磁路とは、重なる一方、前記１次側コイルの前記第２コイル部の内磁路と前記２次側コイルの前記第２コイル部の内磁路とは、重ならない、請求項１に記載のコイル部品。
【請求項３】
前記１次側コイルの前記第２コイル部と前記２次側コイルの前記第２コイル部とは、前記１次側コイルの軸直交方向に平行に配置されている、請求項２に記載のコイル部品。
【請求項４】
前記第１コイル部の導体の断面積は、前記第２コイル部の導体の断面積と異なる、請求項２または３に記載のコイル部品。
【請求項５】
前記第２コイル部の導体のピッチは、前記第１コイル部の導体のピッチよりも狭い、請求項２から４の何れか一つに記載のコイル部品。
【請求項６】
前記第２コイル部の導体のアスペクト比は、前記第１コイル部の導体のアスペクト比よりも高い、請求項５に記載のコイル部品。
【請求項７】
前記コアは、磁性材料を含む有機樹脂からなり、前記コアの透磁率は、４０以下である、請求項１から６の何れか一つに記載のコイル部品。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、コイル部品に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、コイル部品としては、US 6,362,986 B1（特許文献１）に記載されたものがある。このコイル部品は、開磁路構造を有するコアと、コアに巻き回された１次側コイルと、コアに巻き回され１次側コイルに磁気的に結合された２次側コイルとを有する。１次側コイルの内磁路と２次側コイルの内磁路は、同一直線上に配置され、もしくは、非同一直線上に配置されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】US 6,362,986 B1
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
ところで、前記従来のコイル部品を実際に使用すると、次の問題があることを見出した。１次側コイルの内磁路と２次側コイルの内磁路が、同一直線上に配置されていると、結合係数が非常に高くなって、所望の結合係数（Ｋ）を得ることが困難となる。一方、１次側コイルの内磁路と２次側コイルの内磁路が、非同一直線上に配置されていると、結合係数が非常に低くなって、所望の結合係数を得ることが困難となる。また、コアが開磁路構造を有するので、インダクタンス（Ｌ）が低下する。
【０００５】
そこで、本発明の課題は、インダクタンスを向上することができ、かつ、結合係数を調整することができるコイル部品を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
前記課題を解決するため、本発明のコイル部品は、
閉磁路構造を有するコアと、
前記コアに巻き回された１次側コイルと、
前記コアに巻き回され、前記１次側コイルの軸方向に配置され、前記１次側コイルに磁気的に結合された２次側コイルと
を有し、
前記１次側コイルおよび前記２次側コイルのそれぞれは、
第１コイル部と、
前記第１コイル部に電気的に接続された第２コイル部と
を有し、
前記第２コイル部は、前記第１コイル部の軸方向に重なり、前記第２コイル部の軸は、前記第１コイル部の軸に対して偏心し、
前記第２コイル部の内磁路の軸直交方向の断面積は、前記第１コイル部の内磁路の軸直交方向の断面積よりも小さい。
【０００７】
ここで、コイル部の内磁路とは、コイル部の孔部内にコアによって形成される磁路をいう。
【０００８】
本発明のコイル部品によれば、１次側コイルおよび２次側コイルが巻き回されるコアは、閉磁路構造を有するので、インダクタンスを向上することができる。
【０００９】
また、１次側コイルおよび２次側コイルのそれぞれは、第１コイル部と第２コイル部とを有し、第２コイル部は、第１コイル部の軸方向に重なり、第２コイル部の軸は、第１コイル部の軸に対して偏心し、第２コイル部の内磁路の断面積は、第１コイル部の内磁路の断面積よりも小さい。これにより、１次側コイルの軸方向からみた、１次側コイルの内磁路と２次側コイルの内磁路との重なり領域を調整することができて、結合係数を調整することができる。
【００１０】
また、コイル部品の一実施形態では、前記１次側コイルの軸方向からみて、前記１次側コイルの前記第１コイル部の内磁路と前記２次側コイルの前記第１コイル部の内磁路とは、重なる一方、前記１次側コイルの前記第２コイル部の内磁路と前記２次側コイルの前記第２コイル部の内磁路とは、重ならない。
【００１１】
前記実施形態によれば、１次側コイルの軸方向からみて、１次側コイルの第１コイル部の内磁路と２次側コイルの第１コイル部の内磁路とは、重なる一方、１次側コイルの第２コイル部の内磁路と２次側コイルの第２コイル部の内磁路とは、重ならない。これにより、１次側コイルの内磁路と２次側コイルの内磁路との軸方向の重なり領域を容易に調整することができて、結合係数を容易に調整することができる。
【００１２】
また、コイル部品の一実施形態では、前記１次側コイルの前記第２コイル部と前記２次側コイルの前記第２コイル部とは、前記１次側コイルの軸直交方向に平行に配置されている。
【００１３】
前記実施形態によれば、１次側コイルの第２コイル部と２次側コイルの第２コイル部とは、１次側コイルの軸直交方向に平行に配置されているので、１次側コイルの軸方向のコイル部品の大きさを低減でき、コイル部品の小型化を実現できる。
【００１４】
また、コイル部品の一実施形態では、前記第１コイル部の導体の断面積は、前記第２コイル部の導体の断面積と異なる。
【００１５】
前記実施形態によれば、第１コイル部の導体の断面積は、第２コイル部の導体の断面積と異なるので、コイル部品の高性能化、例えば低抵抗化を実現できる。
【００１６】
また、コイル部品の一実施形態では、前記第２コイル部の導体のピッチは、前記第１コイル部の導体のピッチよりも狭い。
【００１７】
前記実施形態によれば、第２コイル部の導体のピッチは、第１コイル部の導体のピッチよりも狭いので、第２コイル部の内磁路の断面積を確保することができる。
【００１８】
また、コイル部品の一実施形態では、前記第２コイル部の導体のアスペクト比は、前記第１コイル部の導体のアスペクト比よりも高い。
【００１９】
前記実施形態によれば、第２コイル部の導体のアスペクト比は、第１コイル部の導体のアスペクト比よりも高いので、第２コイル部の内磁路の断面積を一層確保することができる。
【００２０】
また、コイル部品の一実施形態では、前記コアは、磁性材料を含む有機樹脂からなり、前記コアの透磁率は、４０以下である。
【００２１】
前記実施形態によれば、コアが、透磁率の低い材料からなっていても、所望の結合係数を得ることができる。
【発明の効果】
【００２２】
本発明のコイル部品によれば、インダクタンスを向上することができ、かつ、結合係数を調整することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２３】
【図１】本発明のコイル部品の第１実施形態を示す断面図である。
【図２】コイル部品の分解斜視図である。
【図３】内磁路を示す平面図である。
【図４】本発明のコイル部品の第２実施形態を示す断面図である。
【図５】コイル部品の分解斜視図である。
【図６】本発明のコイル部品の第３実施形態を示す断面図である。
【図７】第２実施形態の実施例を示す断面図である。
【図８Ａ】第２実施形態の実施例の製法を説明する説明図である。
【図８Ｂ】第２実施形態の実施例の製法を説明する説明図である。
【図８Ｃ】第２実施形態の実施例の製法を説明する説明図である。
【図８Ｄ】第２実施形態の実施例の製法を説明する説明図である。
【図８Ｅ】第２実施形態の実施例の製法を説明する説明図である。
【図８Ｆ】第２実施形態の実施例の製法を説明する説明図である。
【図８Ｇ】第２実施形態の実施例の製法を説明する説明図である。
【図８Ｈ】第２実施形態の実施例の製法を説明する説明図である。
【図８Ｉ】第２実施形態の実施例の製法を説明する説明図である。
【図８Ｊ】第２実施形態の実施例の製法を説明する説明図である。
【図８Ｋ】第２実施形態の実施例の製法を説明する説明図である。
【図８Ｌ】第２実施形態の実施例の製法を説明する説明図である。
【図８Ｍ】第２実施形態の実施例の製法を説明する説明図である。
【図８Ｎ】第２実施形態の実施例の製法を説明する説明図である。
【図８Ｏ】第２実施形態の実施例の製法を説明する説明図である。
【図８Ｐ】第２実施形態の実施例の製法を説明する説明図である。
【図８Ｑ】第２実施形態の実施例の製法を説明する説明図である。
【図８Ｒ】第２実施形態の実施例の製法を説明する説明図である。
【発明を実施するための形態】
【００２４】
以下、本発明を図示の実施の形態により詳細に説明する。
【００２５】
（第１実施形態）
図１は、本発明のコイル部品の第１実施形態を示す断面図である。図２は、コイル部品の分解斜視図である。図１と図２に示すように、コイル部品１０は、閉磁路構造を有するコア３と、コア３に巻き回された１次側コイル１と、コア３に巻き回され、１次側コイル１の軸方向に配置され、１次側コイル１に磁気的に結合された２次側コイル２とを有する。コイル部品１０は、例えば、パワーチョークコイルとして用いられる。１次側コイル１および２次側コイル２は、絶縁樹脂４に覆われている。絶縁樹脂４は、コア３に覆われている。１次側コイル１の軸方向をＺ軸方向とする。図１中、１次側コイル１を実線で示し、２次側コイル２を点線で示す。
【００２６】
１次側コイル１は、第１コイル部１１と、第１コイル部１１に電気的に接続された第２コイル部１２とを有する。第１コイル部１１は、Ｚ軸方向に延在するビア導体を介して、第２コイル部１２に接続される。第１、第２コイル部１１，１２は、それぞれ、平面スパイラル状に形成されている。第１、第２コイル部１１，１２は、それぞれ、導体と導体を覆う絶縁樹脂とを含む。
【００２７】
導体は、例えば、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕなどの低抵抗な金属によって構成される。好ましくは、導体に、セミアディティブ工法によって形成されるＣｕめっきを用いることで、低抵抗でかつ狭ピッチなコイルを形成できる。
【００２８】
絶縁樹脂の材料は、例えば、エポキシ系樹脂やビスマレイミド、液晶ポリマ、ポリイミドなどからなる有機絶縁材料の単独材料もしくは、シリカフィラーなどの無機フィラー材料や、ゴム系材料からなる有機系フィラーなどとの組み合わせからなる絶縁材料である。この実施形態では、絶縁樹脂は、シリカフィラーを含有したエポキシ樹脂で構成される。
【００２９】
第２コイル部１２は、第１コイル部１１の軸１１ａ方向に重なる。第２コイル部１２の軸１２ａは、第１コイル部１１の軸１１ａに対して偏心している。第１コイル部１１の軸１１ａと第２コイル部１２の軸１２ａは、平行である。
【００３０】
第１コイル部１１の孔部内に、内磁路３１１が形成される。第１コイル部１１の内磁路３１１とは、第１コイル部１１の孔部内にコア３によって形成される磁路をいう。同様に、第２コイル部１２の孔部内に、内磁路３１２が形成される。
【００３１】
図３に示すように、第２コイル部１２の軸１２ａに直交する方向の第２コイル部１２の内磁路３１２の断面積は、第１コイル部１１の軸１１ａに直交する方向の第１コイル部１１の内磁路３１１の断面積よりも小さい。Ｚ軸方向からみて、第２コイル部１２の内磁路３１２の全ては、第１コイル部１１の内磁路３１１に重なる。
【００３２】
図１から図３に示すように、２次側コイル２は、１次側コイル１と同様に、第１コイル部２１と第２コイル部２２とを有する。第２コイル部２２は、第１コイル部２１の軸２１ａ方向に重なる。第２コイル部２２の軸２２ａは、第１コイル部２１の軸２１ａに対して偏心している。第１コイル部２１の軸２１ａと第２コイル部２２の軸２２ａは、平行である。第１コイル部２１の孔部内に、内磁路３２１が形成される。第２コイル部２２の孔部内に、内磁路３２２が形成される。
【００３３】
第２コイル部２２の軸２２ａに直交する方向の第２コイル部２２の内磁路３２２の断面積は、第１コイル部２１の軸２１ａに直交する方向の第１コイル部２１の内磁路３２１の断面積よりも小さい。Ｚ軸方向からみて、第２コイル部２２の内磁路３２２の全ては、第１コイル部２１の内磁路３２１に重なる。
【００３４】
１次側コイル１の軸方向（Ｚ軸方向）からみて、１次側コイル１の第１コイル部１１の内磁路３１１と２次側コイル２の第１コイル部２１の内磁路３２１とは、重なる一方、１次側コイル１の第２コイル部１２の内磁路３１２と２次側コイル２の第２コイル部２２の内磁路３２２とは、重ならない。
【００３５】
第１コイル部１１，２１の内磁路３１１，３２１は、略長方形であり、略同じ大きさである。第２コイル部１２，２２の内磁路３１２，３２２は、略長方形であり、略同じ大きさである。第１コイル部１１，２１の内磁路３１１，３２１は、第２コイル部１２，２２の内磁路３１２，３２２よりも大きい。
【００３６】
第１コイル部１１，２１の内磁路３１１，３２１は、略一致して重なる。第２コイル部１２の内磁路３１２は、第１コイル部１１，２１の内磁路３１１，３２１の一方の短辺の内側に配置される。第２コイル部２２の内磁路３２２は、第１コイル部１１，２１の内磁路３１１，３２１の他方の短辺の内側に配置される。
【００３７】
１次側コイル１の第２コイル部１２と２次側コイル２の第２コイル部２２とは、１次側コイル１の軸（Ｚ軸）に直交する方向に、平行に配置されている。つまり、１次側コイル１の第２コイル部１２と２次側コイル２の第２コイル部２２とは、平面スパイラル状であるため、同一平面上に配置される。
【００３８】
なお、１次側コイル１と２次側コイル２を、ターン数、コイル長、コイル内径などを等しくし、略回転対称に配置することで、個別のインピーダンスが等しくなるように構成される。 
１次側コイル１および２次側コイル２の外側は、コア３に覆われ、コア３は、外磁路３００を構成する。そして、外磁路３００と内磁路３１１，３１２，３２１，３２２とが連結されて、コア３は、閉磁路構造を構成する。
【００３９】
コア３の材料は、例えば、磁性体粉含有の樹脂材料である。磁性体粉は、例えば、Ｆｅ、Ｓｉ、Ｃｒ等の金属磁性材料であり、樹脂材料は、例えば、エポキシ等の樹脂材料である。コイル部品１０の特性（Ｌ値および重畳特性）を向上させるため、磁性体粉は、９０ｗｔ％以上含有されていることが望ましく、また、コア３の充填性を向上させるため、粒度分布の異なる２種類以上の磁性体粉を混在させるとさらによい。また、コイル部品の用途において、使用周波数が、例えば４０ＭＨｚ以上など高い場合、コア３は、１μｍ以下の粒度分布をもつ単一磁性フィラーを分散させたものでもよい。この実施形態では、コア３は、磁性材料を含む有機樹脂からなり、コア３の透磁率は、４０以下である。
【００４０】
絶縁樹脂４は、コイル部１１，１２，２１，２２の絶縁樹脂と同一材料で構成される。この実施形態では、絶縁樹脂４は、シリカフィラーを含有したエポキシ樹脂で構成される。
【００４１】
前記コイル部品１０によれば、１次側コイル１および２次側コイル２が巻き回されるコア３は、閉磁路構造を有するので、インダクタンスを向上することができる。また、外部への漏れ磁束を減らすことにより外部回路への干渉を抑制できる。
【００４２】
また、１次側コイル１および２次側コイル２のそれぞれは、第１コイル部１１，２１と第２コイル部１２，２２とを有し、第２コイル部１２，２２は、第１コイル部１１，２１の軸方向に重なり、第２コイル部１２，２２の軸は、第１コイル部１１，２１の軸に対して偏心し、第２コイル部１２，２２の内磁路３１２，３２２の断面積は、第１コイル部１１，２１の内磁路３１１，３２１の断面積よりも小さい。これにより、１次側コイル１の軸方向からみた、１次側コイル１の内磁路３１１，３１２と２次側コイル２の内磁路３２１，３２２との重なり領域を調整することができて、結合係数を調整することができる。また、結合係数を調整することで、リップル電流を低減して、エネルギー効率を向上できる。
【００４３】
前記コイル部品１０によれば、１次側コイル１の軸方向からみて、１次側コイル１の第１コイル部１１の内磁路と２次側コイル２の第１コイル部２１の内磁路とは、重なる一方、１次側コイル１の第２コイル部１２の内磁路と２次側コイル２の第２コイル部２２の内磁路とは、重ならない。これにより、１次側コイル１の内磁路３１１，３２１と２次側コイル２の内磁路３２１，３２２との軸方向の重なり領域を容易に調整することができて、結合係数を容易に調整することができる。
【００４４】
前記コイル部品１０によれば、１次側コイル１の第２コイル部１２と２次側コイル２の第２コイル部２２とは、１次側コイル１の軸直交方向に平行に配置されているので、１次側コイル１の軸方向のコイル部品１０の大きさを低減でき、コイル部品１０の小型化を実現できる。
【００４５】
前記コイル部品１０によれば、コア３は、磁性材料を含む有機樹脂からなり、コア３の透磁率は、４０以下であるので、コア３が、透磁率の低い材料からなっていても、所望の結合係数を得ることができる。
【００４６】
（第２実施形態）
図４は、本発明のコイル部品の第２実施形態を示す断面図である。図５は、コイル部品の分解斜視図である。第２実施形態は、第１実施形態とは、１次側コイルおよび２次側コイルの第２コイル部の構成が相違する。この相違する構成のみを以下に説明する。なお、第２実施形態において、第１実施形態と同一の符号は、第１実施形態と同じ構成であるため、その説明を省略する。
【００４７】
図４と図５に示すように、コイル部品１０Ａでは、１次側コイル１Ａの第２コイル部１２Ａは、第１スパイラル部１２１と第２スパイラル部１２２とを有する。第１、第２スパイラル部１２１，１２２は、第１コイル部１１からＺ軸方向に順に積層される。第１、第２スパイラル部１２１，１２２は、Ｚ軸方向に延在するビア導体を介して、接続される。第１、第２スパイラル部１２１，１２２は、平面スパイラル状に形成される。第１、第２スパイラル部１２１，１２２は、Ｚ軸方向から見て同一形状を有する。第１、第２スパイラル部１２１，１２２は、それぞれ、導体と導体を覆う絶縁樹脂とを含む。第１、第２スパイラル部１２１，１２２は、電気的に並列に接続されており、第１、第２スパイラル部１２１，１２２の直流抵抗が一層低くなるようにしている。
【００４８】
２次側コイル２Ａの第２コイル部２２Ａは、１次側コイル１Ａの第２コイル部１２Ａと同様に、第１スパイラル部２２１と第２スパイラル部２２２とを有する。２次側コイル２Ａの第１、第２スパイラル部２２１，２２２は、１次側コイル１Ａの第１、第２スパイラル部１２１，１２２と同様であるので、説明を省略する。
【００４９】
１次側コイル１Ａの軸方向の断面において、第１コイル部１１，２１の導体の断面積は、第２コイル部１２Ａ，２２Ａの導体の断面積と異なるようにしてもよい。つまり、これにより、コイル部品１０Ａの高性能化、例えば低抵抗化を実現できる。
【００５０】
第２コイル部１２Ａ，２２Ａの導体のピッチは、第１コイル部１１，２１の導体のピッチよりも狭くなるようにしてもよい。これにより、第２コイル部１２Ａ，２２Ａの内磁路３１２，３２２の断面積を確保することができる。
【００５１】
第２コイル部１２Ａ，２２Ａの導体のアスペクト比は、第１コイル部１１，２１の導体のアスペクト比よりも高くなるようにしてもよい。ここで、導体のアスペクト比とは、導体のＺ軸方向の断面において、Ｚ軸方向の高さをＺ軸方向に直交する方向の幅で割った値である。これにより、第２コイル部１２Ａ，２２Ａの内磁路３１２，３２２の断面積を一層確保することができる。つまり、第２コイル部１２Ａ，２２Ａの導体の幅を狭くすることで、内磁路３１２，３２２の断面積を大きくできて、インダクタンスを大きくできる。一方、第１コイル部１１，２１の導体の幅を広くし高さを低くすることで、第１コイル部１１，２１の内磁路３１１，３２１の磁気抵抗を低くし、インダクタンスを大きくできると共に直流抵抗を低くできる。
【００５２】
前記コイル部品１０Ａによれば、１次側コイル１Ａの第２コイル部１２Ａおよび２次側コイル２Ａの第２コイル部２２Ａは、それぞれ、２つのスパイラル部１２１，１２２，２２１，２２２から構成されるので、コイル部品１０Ａの設計変更の自由度が向上する。
【００５３】
（第３実施形態）
図６は、本発明のコイル部品の第３実施形態を示す断面図である。第３実施形態は、第１実施形態とは、１次側コイルおよび２次側コイルの第２コイル部の位置が相違する。この相違する構成のみを以下に説明する。なお、第３実施形態において、第１実施形態と同一の符号は、第１実施形態と同じ構成であるため、その説明を省略する。
【００５４】
図６に示すように、コイル部品１０Ｂでは、１次側コイル１の第２コイル部１２と２次側コイル２の第２コイル部２２とは、Ｚ軸方向に位置する。Ｚ軸方向において、１次側コイル１の第２コイル部１２は、２次側コイル２の第１コイル部２１と第２コイル部２２の間に位置し、２次側コイル２の第２コイル部２２は、１次側コイル１の第１コイル部１１と第２コイル部１２の間に位置する。１次側コイル１の第２コイル部１２の内磁路３１２と２次側コイル２の第２コイル部２２の内磁路３２２とは、Ｚ軸方向に重ならない。
【００５５】
前記コイル部品１０Ｂによれば、１次側コイル１の第２コイル部１２と２次側コイル２の第２コイル部２２とを、Ｚ軸方向にずらしているので、第２コイル部１２，２２の内磁路３１２，３２２の径（Ｚ軸に直交する方向の大きさ）を大きくでき、インダクタンスを大きくできる。
【００５６】
なお、本発明は上述の実施形態に限定されず、本発明の要旨を逸脱しない範囲で設計変更可能である。例えば、第１から第３実施形態のそれぞれの特徴点を様々に組み合わせてもよい。
【００５７】
前記実施形態では、１次側、２次側コイルのそれぞれを第１、第２コイル部としているが、３つ以上のコイル部としてもよい。
【００５８】
前記実施形態では、第１、第２コイル部は、平面スパイラル状に形成されているが、円筒スパイラル状に形成されていてもよい。
【００５９】
［実施例］
図７は、本発明のコイル部品の第２実施形態の実施例を示す断面図である。なお、実施例において、第２実施形態と同一の符号は、第２実施形態と同じ構成であるため、その説明を省略する。
【００６０】
図７に示すように、コイル部品１０Ａは、ベース絶縁樹脂４０および第１から第４絶縁樹脂４１〜４４と、第１から第４スパイラル導体７１〜７４とを有する。
【００６１】
ベース絶縁樹脂４０上に第１スパイラル導体７１が積層される。第１スパイラル導体７１上に第１絶縁樹脂４１が積層され、第１スパイラル導体７１は第１絶縁樹脂４１により覆われる。
【００６２】
第１絶縁樹脂４１上に、２つの第２スパイラル導体７２が並列して積層される。第２スパイラル導体７２上に第２絶縁樹脂４２が積層され、第２スパイラル導体７２は第２絶縁樹脂４２により覆われる。
【００６３】
第２絶縁樹脂４２上に、２つの第３スパイラル導体７３が並列して積層される。第３スパイラル導体７３上に第３絶縁樹脂４３が積層され、第３スパイラル導体７３は第３絶縁樹脂４３により覆われる。
【００６４】
第３絶縁樹脂４３上に第４スパイラル導体７４が積層される。第４スパイラル導体７４上に第４絶縁樹脂４４が積層され、第４スパイラル導体７４は第４絶縁樹脂４４により覆われる。
【００６５】
１次側コイル１Ａにおいて、第１コイル部１１は、第４スパイラル導体７４および第４絶縁樹脂４４を含む。第２コイル部１２Ａの第１スパイラル部１２１は、一方の第３スパイラル導体７３および第３絶縁樹脂４３を含む。第２コイル部１２Ａの第２スパイラル部１２２は、一方の第２スパイラル導体７２および第２絶縁樹脂４２を含む。第４スパイラル導体７４、一方の第３スパイラル導体７３、および、一方の第２スパイラル導体７２は、ビア導体を介して、接続される。
【００６６】
２次側コイル２Ａにおいて、第１コイル部２１は、ベース絶縁樹脂４０、第１スパイラル導体７１および第１絶縁樹脂４１を含む。第２コイル部２２Ａの第１スパイラル部２２１は、他方の第２スパイラル導体７２および第２絶縁樹脂４２を含む。第２コイル部２２Ａの第２スパイラル部２２２は、他方の第３スパイラル導体７３および第３絶縁樹脂４３を含む。第１スパイラル導体７１、他方の第２スパイラル導体７２、および、他方の第３スパイラル導体７３は、ビア導体を介して、接続される。
【００６７】
次に、コイル部品１０Ａの製造方法について説明する。
【００６８】
図８Ａに示すように、基台５０を準備する。基台５０は、絶縁基板５１と、絶縁基板５１の両面に設けられたベース金属層５２とを有する。この実施形態では、絶縁基板５１は、ガラスエポキシ基板であり、ベース金属層５２は、Ｃｕ箔である。
【００６９】
そして、図８Ｂに示すように、基台５０の一面上にダミー金属層６０を接着する。この実施形態では、ダミー金属層６０は、Ｃｕ箔である。ダミー金属層６０は、基台５０のベース金属層５２と接着されるので、ダミー金属層６０は、ベース金属層５２の円滑面に接着される。このため、ダミー金属層６０とベース金属層５２の接着力を弱くすることができて、後工程において、基台５０をダミー金属層６０から容易に剥がすことができる。好ましくは、基台５０とダミー金属層６０を接着する接着剤は、低粘着接着剤とする。また、基台５０とダミー金属層６０の接着力を弱くするために、基台５０とダミー金属層６０の接着面を光沢面とすることが望ましい。
【００７０】
その後、基台５０に仮止めされたダミー金属層６０上にベース絶縁樹脂４０を積層する。このとき、ベース絶縁樹脂４０を真空ラミネータにより積層してから熱硬化する。
【００７１】
そして、図８Ｃに示すように、ベース絶縁樹脂４０にレーザ加工等により貫通孔４０ａを形成する。貫通孔４０ａは、内磁路３２１に対応する。
【００７２】
そして、図８Ｄに示すように、ベース絶縁樹脂４０上に、ＳＡＰ（Semi Additive Process）により、第１スパイラル導体７１を形成する。このとき、第１スパイラル導体７１と同時に余剰導体層が形成される。
【００７３】
そして、図８Ｅに示すように、第１スパイラル導体７１上に、第１絶縁樹脂４１を真空ラミネータにより積層してから熱硬化する。
【００７４】
そして、図８Ｆに示すように、第１絶縁樹脂４１に、レーザ加工により、貫通孔４１ａおよびビアホール４１ｂを形成する。貫通孔４１ａは、内磁路３１２，３２２に対応する。ビアホール４１ｂには、ビア導体が形成される。貫通孔４１ａおよびビアホール４１ｂを同時に形成することで、工程を簡略化できる。
【００７５】
そして、図８Ｇに示すように、第１絶縁樹脂４１上に、ＳＡＰ（Semi Additive Process）により、２つの第２スパイラル導体７２を並列に形成する。このとき、一方（図中左側）の第２スパイラル導体７２は、ビア導体を介して、第１スパイラル導体７１に接続される。このとき、第２スパイラル導体７２と同時に余剰導体層が形成される。
【００７６】
そして、図８Ｈに示すように、第２スパイラル導体７２上に、第２絶縁樹脂４２を真空ラミネータにより積層してから熱硬化する。
【００７７】
そして、図８Ｉに示すように、第２絶縁樹脂４２に、レーザ加工により、貫通孔４２ａおよびビアホール４２ｂを形成する。貫通孔４２ａは、内磁路３１２，３２２に対応する。ビアホール４２ｂには、ビア導体が形成される。貫通孔４２ａおよびビアホール４２ｂを同時に形成することで、工程を簡略化できる。
【００７８】
そして、図８Ｊに示すように、第２絶縁樹脂４２上に、ＳＡＰ（Semi Additive Process）により、２つの第３スパイラル導体７３を並列に形成する。このとき、一方（図中左側）の第３スパイラル導体７３は、ビア導体を介して、一方（図中左側）の第２スパイラル導体７２に接続され、他方（図中右側）の第３スパイラル導体７３は、ビア導体を介して、他方（図中右側）の第２スパイラル導体７２に接続される。このとき、第３スパイラル導体７３と同時に余剰導体層が形成される。
【００７９】
そして、図８Ｋに示すように、第３スパイラル導体７３上に、第３絶縁樹脂４３を真空ラミネータにより積層してから熱硬化する。
【００８０】
そして、図８Ｌに示すように、第３絶縁樹脂４３に、レーザ加工により、貫通孔４３ａおよびビアホール４３ｂを形成する。貫通孔４３ａは、内磁路３１２，３２２に対応する。ビアホール４３ｂには、ビア導体が形成される。貫通孔４３ａおよびビアホール４３ｂを同時に形成することで、工程を簡略化できる。
【００８１】
そして、図８Ｍに示すように、第３絶縁樹脂４３上に、ＳＡＰ（Semi Additive Process）により、第４スパイラル導体７４を形成する。このとき、第４スパイラル導体７４は、ビア導体を介して、他方（図中右側）の第３スパイラル導体７３に接続される。このとき、第４スパイラル導体７４と同時に余剰導体層が形成される。
【００８２】
そして、図８Ｎに示すように、第４スパイラル導体７４上に、第４絶縁樹脂４４を真空ラミネータにより積層してから熱硬化する。
【００８３】
そして、図８Ｏに示すように、第４絶縁樹脂４４に、レーザ加工により、貫通孔４４ａを形成する。貫通孔４４ａは、内磁路３１１に対応する。
【００８４】
そして、図８Ｐに示すように、基台５０（ベース金属層５２）の一面とダミー金属層６０との接着面で基台５０をダミー金属層６０から剥がす。
【００８５】
そして、図８Ｑに示すように、ダミー金属層６０をエッチングにより取り除く。また、第１から第４スパイラル導体７１〜７４ととともに形成される余剰導体層をエッチングにより取り除く。これにより、内磁路３１１，３１２，３２１，３２２および外磁路３００に対応する空間が形成される。これにより、コイル積層体を形成する。
【００８６】
そして、図８Ｒに示すように、コア３を構成する磁性樹脂でコイル積層体を覆う。このとき、積層体の積層方向の両側に、シート状に成形した磁性樹脂を複数枚配置し、真空ラミネータもしくは真空プレス機により、加熱圧着させ、その後硬化処理をする。そして、磁性樹脂は、コイル積層体の空間に充填されて、内磁路３１１，３１２，３２１，３２２および外磁路３００を構成する。
【００８７】
そして、ダイサー等によりチップをカットし個片化後、カット面に露出した第１から第４スパイラル導体７１〜７４の端部に（図示しない）外部端子を接続して、コイル部品１０Ａを形成する。
【００８８】
なお、この実施例では、基台の両面のうちの一面にコイル積層体を形成しているが、基板の両面のそれぞれにコイル積層体を形成するようにしてもよい。これにより、高い生産性を得ることができる。
【００８９】
また、この実施例では、第２実施形態について説明しているが、第１と第３実施形態についても同様とする。
【符号の説明】
【００９０】
１，１Ａ  １次側コイル
１１  第１コイル部
１１ａ  軸
１２，１２Ａ  第２コイル部
１２ａ  軸
１２１  第１スパイラル部
１２２  第２スパイラル部
２，２Ａ  ２次側コイル
２１  第１コイル部
２１ａ  軸
２２，２２Ａ  第２コイル部
２２ａ  軸
２２１  第１スパイラル部
２２２  第２スパイラル部
３  コア
３００  外磁路
３１１，３１２，３２１，３２２  内磁路
４  絶縁樹脂
４０  ベース絶縁樹脂
４１〜４４  第１〜第４絶縁樹脂
１０，１０Ａ，１０Ｂ  コイル部品
７１〜７４  第１〜第４スパイラル導体
【図１】
0006287974.tif 000002
【図２】
0006287974.tif 000003
【図３】
0006287974.tif 000004
【図４】
0006287974.tif 000005
【図５】
0006287974.tif 000006
【図６】
0006287974.tif 000007
【図７】
0006287974.tif 000008
【図８Ａ】
0006287974.tif 000009
【図８Ｂ】
0006287974.tif 000010
【図８Ｃ】
0006287974.tif 000011
【図８Ｄ】
0006287974.tif 000012
【図８Ｅ】
0006287974.tif 000013
【図８Ｆ】
0006287974.tif 000014
【図８Ｇ】
0006287974.tif 000015
【図８Ｈ】
0006287974.tif 000016
【図８Ｉ】
0006287974.tif 000017
【図８Ｊ】
0006287974.tif 000018
【図８Ｋ】
0006287974.tif 000019
【図８Ｌ】
0006287974.tif 000020
【図８Ｍ】
0006287974.tif 000021
【図８Ｎ】
0006287974.tif 000022
【図８Ｏ】
0006287974.tif 000023
【図８Ｐ】
0006287974.tif 000024
【図８Ｑ】
0006287974.tif 000025
【図８Ｒ】
0006287974.tif 000026