(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
ショットキーダイオードの終端構造であって、前記終端構造は、
活動領域および終端領域を有する半導体基板と、
前記終端領域に位置し、前記活動領域の境界から前記半導体基板の端部に向かって延在する終端トレンチと、
前記境界に隣接する前記終端トレンチの側壁上に形成されるＭＯＳゲートと、
前記活動領域から離れた、前記終端トレンチの外側の前記終端領域に形成される少なくとも１つのガードリングトレンチと、
前記終端トレンチおよび前記ガードリングトレンチ上に形成される終端構造酸化層と、
前記半導体基板の裏面に形成される第１の導電層と、
前記活動領域および前記終端領域の上部に形成される第２の導電層と、を備え、
前記終端トレンチの中間領域は絶縁材のみを介して前記終端構造酸化層と前記第２の導電層に覆われ、
前記少なくとも１つのガードリングトレンチは酸化層で裏打ちされ、導電材で充填される、終端構造。
【請求項２】
前記ショットキーダイオードはＴＭＢＳショットキーダイオードであって、少なくとも１つのトレンチを前記基板の前記活動領域に含む、請求項１に記載の終端構造。
【請求項３】
前記少なくとも１つのトレンチは酸化層で裏打ちされ、導電材で充填される、請求項２に記載の終端構造。
【請求項４】
ショットキーダイオードであって、
お互いに離間し、前記半導体基板の活動領域に形成される複数のトレンチＭＯＳ素子を有する半導体基板と、
終端領域に位置し、前記活動領域の境界から前記半導体基板の端部に向かって延在する終端トレンチと、
前記活動領域から離れた、前記終端トレンチの外側の前記終端領域に形成される少なくとも１つのガードリングトレンチと、
前記境界に隣接する前記終端トレンチの側壁上に形成されるＭＯＳゲートと、
前記終端トレンチ上に形成され、前記ＭＯＳゲートの一部を覆い、前記少なくとも１つのガードリングトレンチを超えて前記基板の前記端部に向かって延在する終端構造酸化層と、
前記半導体基板の裏面に形成される第１の導電層と、
前記活動領域の上部に形成され、隣接する前記トレンチＭＯＳ素子の間に位置する前記基板の１または複数の部分と１または複数のショットキーバリアを画定する第２の導電層と、
前記ＭＯＳゲートの露出部分の上と、前記終端トレンチおよび前記少なくとも１つのガードリングトレンチ上とに配置される前記終端構造酸化層の一部の上に延在するフィールドプレートと、を備え、
前記終端トレンチの中間領域は絶縁材のみを介して前記終端構造酸化層と前記第２の導電層に覆われ、
前記少なくとも１つのガードリングトレンチは酸化層で裏打ちされ、導電材で充填される、ショットキーダイオード。
【請求項５】
前記フィールドプレートは、前記終端領域内に延在する前記第２の導電層の一部を備える、請求項４に記載のショットキーダイオード。
【請求項６】
前記半導体基板は、第１の層およびベース基板を備え、前記第１の層は、低濃度の第１の種類の導電性不純物を有し、前記ベース基板は高濃度の第１の種類の前記導電性不純物を有する、請求項４に記載のショットキーダイオード。
【請求項７】
前記トレンチＭＯＳ素子および前記終端トレンチは前記第１の層に形成され、０.５〜１０.０ミクロンの間の深さを有する、請求項４に記載のショットキーダイオード。
【請求項８】
前記終端トレンチは１０〜５０ミクロンの間の幅を有する、請求項４に記載のショットキーダイオード。
【請求項９】
前記トレンチＭＯＳ素子および前記ＭＯＳゲートは、金属、ポリシリコン、および非晶質シリコンからなる群から選択される素材を含む、請求項４に記載のショットキーダイオード。
【請求項１０】
０.３から１０ミクロンの間の距離でお互いに離間される少なくとも２つの分断した金属領域をさらに備える、請求項４に記載のショットキーダイオード。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は一般に、半導体素子に関し、より具体的には、トレンチＭＯＳ素子の終端構造に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、ショットキーダイオードは、一般に単結晶シリコンからなる高濃度半導体基板を含む。第２の層は基板を覆う。第２の層はドリフト領域と呼ばれ、不純物で低濃度にドープされ、基板と同じ導電型のキャリアを有する。金属層または金属ケイ化物層は低濃度のドリフト領域とショットキー接合を形成し、ダイオードのアノードを形成する。
【０００３】
ショットキーダイオードなどの単極部品を形成するときに、２つの相反する制約が生じる。具体的には、部品は高い絶縁破壊電圧を有しながら、できるだけ低いオン抵抗（Ｒｏｎ）を示すべきである。オン抵抗を最小化するには、低濃度層の厚さを最小化しながら、この層のドーピングを最大化することが必要となる。反対に、高い逆方向絶縁破壊電圧を得るためには、等電位面が大きく曲がる区域を形成しないようにしながら、低濃度層のドーピングを最小化し、その厚さを最大化しなければならない。
【０００４】
この相反する制約を解決するために様々な解決法が提示されてきた。その結果として、トレンチＭＯＳバリアショットキー（ＴＭＢＳ）ダイオードと呼ばれるトレンチＭＯＳ静電容量ショットキーダイオード構造の開発につながった。このような素子の一例では、トレンチ領域は厚いドリフト層の上部に形成される。この厚いドリフト層は、基礎となる基板と比べて、同じ導電型の不純物が低濃度である。トレンチ領域はＭＯＳ構造で充填される。アノード金属層は全表面を覆うように蒸着され、基礎となるドリフト領域とショットキー接合を形成する。
【０００５】
逆バイアスされるとき、絶縁導電区域によって、ドリフト領域への横方向の電子の空乏化が生じ、この層の等電位表面の分布が修正される。これによって、ドリフト領域のドーピング増加が可能となり、したがって逆方向絶縁破壊電圧に対して悪影響を与えずにオン抵抗を低減することができる。
【０００６】
高電圧ショットキー整流器を実現する際の重大な問題は、終端領域の設計である。他の電圧設計と同様に、複数のセルの自己防衛がなく、曲率効果のために、終端領域は高電界になりやすい。その結果として、絶縁破壊電圧は一般に、その理想値から大幅に減少する。この減少を回避するために、終端領域は、（活動領域近くの）素子の端部での電界の混み合いを低減するように設計されるべきである。電界の混み合いを低減するための従来の対処法には、シリコンの局所酸化（ＬＯＣＯＳ）領域、フィールドプレート、ガードリング、トレンチおよびその様々な組み合わせを備える終端構造が含まれる。たとえば、ある素子では、複数のガードリングトレンチが使用されてきた。従来の終端領域を含むショットキーダイオードの一例は、特許文献１に示される。  
【０００７】
図１は、特許文献２に示される種類のＴＭＢＳショットキーダイオードの活動領域および終端領域の簡略化した断面図を示す。活動領域は半導体基板１００Ｂを含み、半導体基板１００Ｂは、第１の導電型（たとえば、ｎ＋型）のドーパントで高濃度にドープされる。第１の層１００Ａは基板１００Ｂ上に形成され、第１の導電型（たとえば、ｎ−型）のドーパントで低濃度にドープされる。トレンチ１１０（そのうち１つのみを示す）は第１の層１００Ａに形成される。トレンチ１１０は絶縁層１２５で裏打ちされ、ドープポリシリコンなどの導電材１４０で充填される。金属層１６５は、導電材１４０および第１の層１００Ａの露出面上に形成され、それによって、金属層１６５と第１の層１００Ａの境界面にショットキー接合１６０を形成する。カソード電極（不図示）は半導体基板１００Ｂの裏側に位置する。
【０００８】
図１に示すＴＭＢＳショットキーダイオードの終端領域は、活動領域との境界１１２から半導体基板１００Ｂの端部に向かって延在する終端トレンチ１２０を含む。ＭＯＳゲート１２２は、活動領域との境界１１２に隣接する終端領域の側壁上に形成される。ＭＯＳゲート１２２は絶縁材１２８および導電材１２３を含む。絶縁材１２８は、ＭＯＳゲート１２２が接触して位置する側壁および側壁に隣接する第１の層１００Ａの一部を裏打ちする。導電材１２３は絶縁材１２８を覆う。終端酸化層１５０は終端トレンチ１２０に形成され、ＭＯＳゲート１２２から素子の端部に向かって延在する。活動領域に位置する金属層１６５は終端領域内に延在し、ＭＯＳゲート１２２および終端酸化層１５０の一部を覆い、それによって、フィールドプレートを画定する。
【０００９】
残念ながら、高電圧用途では、終端領域に対するこれらの従来の設計では部分的な成功しか得られない。なぜならば、終端領域の表面の電界分布は理想からは未だにほど遠いからである。ドリフト領域の長さが制限されるため、非対称により、電界は活動領域の端部で急速に上昇する。その結果として、素子の絶縁破壊は端部絶縁破壊が大部分を占める。
【００１０】
図１に示す従来の素子は２００Ｖまで駆動されているが、終端領域の表面で早期の絶縁破壊が発生するために、この段階で素子の性能はすでに劣化している。その結果として、この設計の信頼性は、終端領域におけるフィールドプレート１６５の端部の位置に大きく左右される。通常は、フィールドプレート１６５を形成する際に用いる金属ウェットエッチング処理は、約±６μｍまでの精度でしか制御できず、このばらつきは素子の逆方向の阻止電圧に重大な影響を与えうる。たとえば、短いフィールドプレートは、最後の活動セルの角近辺の電界を強調するため、早期絶縁破壊が生じる。その一方、離れたスペーサの近くの点まで延在する長いフィールドプレートによっても、絶縁破壊電圧が低下すると同時に、伸びた金属端部に機械応力が生じる。
【００１１】
従来のＴＭＢＳ終端の絶縁破壊電圧対金属フィールドプレートの長さ
【００１２】
【表１】
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【００１３】
表１は、金属フィールドプレートの長さの関数としての絶縁破壊電圧の許容差を示す。データは、２０μｍの終端トレンチを備える高絶縁破壊電圧ＴＭＢＳ素子のために設計されるドリフト層のシミュレーションから得た。ドリフト領域と同一のパラメータを備える単位セルの絶縁破壊電圧は３７５Ｖであり、表から分かるように、従来の終端設計で到達可能な最高絶縁破壊電圧は理想値の７４％であることに留意されたい。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１４】
【特許文献１】米国特許第６，３９６，０９０号
【特許文献２】米国特許出願第１２／７２４，７７１号
【発明の概要】
【００１５】
本発明によれば、終端構造が半導体素子に提供される。終端構造は、活動領域と終端領域を有する半導体基板を含む。終端トレンチは終端領域に位置し、活動領域の境界から半導体基板の端部に向かって延在する。ＭＯＳゲートは境界に隣接する終端トレンチの側壁上に形成される。少なくとも１つのガードリングトレンチは、活動領域から離れた終端トレンチの側部上の終端領域に形成される。終端構造酸化層は終端トレンチおよびガードリングトレンチ上に形成される。第１の導電層は半導体基板の裏面に形成される。第２の導電層は活動領域および終端領域の上部に形成される。
【００１６】
本発明の別の態様によれば、ショットキーダイオードが提供される。ショットキーダイオードは半導体基板を含む。半導体基板はお互いに離間し、半導体基板の活動領域に形成される複数のトレンチＭＯＳ素子を有する。終端トレンチは終端領域に位置し、活動領域の境界から半導体基板の端部に向かって延在する。少なくとも１つのガードリングトレンチは、活動領域から離れた終端トレンチの側部上の終端領域に形成される。ＭＯＳゲートは境界に隣接する終端トレンチの側壁上に形成される。終端構造酸化層はＭＯＳゲートの一部を覆う終端トレンチ上に形成され、ガードリングトレンチを超えて基板の端部に向かって延在する。第１の導電層は半導体基板の裏面に形成される。第２の導電層は活動領域の上部に形成され、隣接するトレンチＭＯＳ素子の間に位置する基板の１または複数の部分と１または複数のショットキーバリアを画定する。フィールドプレートは、ＭＯＳゲートの露出部分上と、終端トレンチおよびガードリングトレンチ上とに設置される終端構造酸化層の一部上に延在する。
【図面の簡単な説明】
【００１７】
【図１】従来のＴＭＢＳショットキーダイオードまたは整流器の簡略部分図である。
【図２】本発明により構成されるＴＭＢＳショットキーダイオードの活動領域および終端領域の断面図を示す。
【図３】図２に示す素子と、従来のＴＭＢＳの素子の金属の長さの関数として、絶縁破壊電圧（ＢＶ）の比較を示す。
【図４】図２に示す実施形態のＹ軸に沿った２５０Ｖの逆バイアス下の電界および従来のＴＭＢＳの電界の両方を示す。
【図５】図２の素子を製造するために使用してもよい処理段階の一例を例示する。
【図６】図２の素子を製造するために使用してもよい処理段階の一例を例示する。
【図７】図２の素子を製造するために使用してもよい処理段階の一例を例示する。
【図８】図２の素子を製造するために使用してもよい処理段階の一例を例示する。
【図９】分断した金属フィールドプレートを備える終端構造の代替的な実施形態を例示する。
【発明を実施するための形態】
【００１８】
以下に詳述するように、前述の問題を低減する終端構造が提供される。本構造は、終端トレンチならびに１または複数の追加のトレンチセルを含む。追加のトレンチセルは終端トレンチを超えて延在し、ガードリングとして作用する。延伸した金属製フィールドプレートは、終端トレンチと１または複数のガードリングの両方を覆う。このような終端構造は電界プロファイルの境界を延長することができる一方、追加のガードリングは、フィールドプレートの長さのばらつきから生じる電界分布への影響をさらに低減することができる。シミュレーションの結果として、ガードリングを４つまで用いた場合の絶縁破壊電圧に対する影響を示す。
【００１９】
図２は、本開示の一実施例にしたがって構成されるＴＭＢＳショットキーダイオードの活動領域および終端領域の断面図を示す。活動領域は半導体基板１００Ｂを含み、半導体基板１００Ｂは、第１の導電型（たとえば、ｎ＋型）のドーパントで高濃度にドープされる。第１の層１００Ａは基板１００Ｂ上に形成され、第１の導電型（たとえば、ｎ−型）のドーパントで低濃度にドープされる。トレンチ１１０（そのうち１つのみを示す）は第１の層１００Ａ内に形成される。トレンチ１１０は絶縁層１２５で裏打ちされ、ドープポリシリコンなどの導電材１４０で充填される。金属層１６５は導電材１４０および第１の層１００Ａの露出面上に形成され、それによって、金属層１６５と第１の層１００Ａの境界面にショットキー接合を形成する。カソード電極（不図示）は半導体基板１００Ｂの裏側に位置する。
【００２０】
図２に示すＴＭＢＳショットキーダイオードの終端領域は、終端トレンチ１２０を含む。終端トレンチ１２０は、活動領域との境界１１２で開始し、半導体基板１００Ｂの端部に向かって延在する。終端トレンチ１２０を超えて、ドリフト領域１００Ａの端部の近くには、終端領域の一部である、１または複数のトレンチセル１１１がある。本例では、このような２つのトレンチセル１１１を図示する。
【００２１】
ＭＯＳゲート１２２は、活動領域との境界１１２に隣接する終端トレンチ１２０の側壁上に形成される。ＭＯＳゲート１２２は、絶縁材１２８および導電材１２３を含む。絶縁材１２８は、ＭＯＳゲート１２２が接触して位置する側壁および側壁に隣接する第１の層１００Ａの一部を裏打ちする。導電材１２３は絶縁材１２８を覆う。
【００２２】
トレンチセル１１１は、絶縁層１２６で裏打ちされ、ドープポリシリコンなどの導電材１４１で充填される。終端酸化層１５０は終端トレンチ１２０に形成され、ＭＯＳゲート１２２から素子の端部に向かって終端トレンチ１２０の離れた側壁１１３を超えて延在し、ガードリングトレンチ１１１を覆う。活動領域に位置する金属層１６５は終端領域内に延在し、終端トレンチ１２０ならびにガードリングトレンチ１１１を覆う。金属層１６５はフィールドプレートとして機能し、ガードリングトレンチ１１１を超えて素子の端部に向かって延在してもよい。
【００２３】
図３は、金属フィールドプレートの様々な長さの影響を受けて変動する絶縁破壊電圧を例示する。図中、例示した絶縁破壊電圧は、終端のないＴＭＢＳ活動セルの理想絶縁破壊電圧の百分率として示される。３つの曲線は３つの素子に属する：そのうち２つの曲線は図２の実施形態のものであるが、ガードリングトレンチが１つまたは４つのものである。もう１つの曲線は、図１の従来のＴＭＢＳ終端を有する。図から分かるように、終端トレンチを複数のガードリングトレンチと組み合わせることによって、絶縁破壊電圧を強化できるだけではなく、絶縁破壊電圧が金属の長さに影響されないようにする。本図の最大絶縁破壊電圧は理想値の９４％に到達する一方、従来の終端では、最大値の７５％までしか到達できない。
【００２４】
図４は、図２および図１に示す終端構造に対して２５０Ｖの逆バイアス下でのＹ軸に沿う電界を比較する。従来のＴＭＢＳでは、ピーク磁場がアノード金属端部で発生する。図から分かるように、ガードリングトレンチを追加することによって磁場分布が伸び、したがって逆方向性能が増加する。
【００２５】
図２に示す構造の重要な利点の１つは、その製造には、図１に示す従来のＴＭＢＳ素子を製造するために用いる処理段階以外に、別の処理段階を必要としないことである。伝統的な端部終端技術と比べて、拡散処理の制御または複雑な複数のフィールドプレート設定を追加することは必要ない。たとえば、ガードリングのトレンチは活動領域のトレンチと同時に形成可能である。さらに、絶縁層１２５および１２６はお互い同時に形成可能であり、導電材１４０および１４１はお互い同時に蒸着可能である。
【００２６】
図２のＴＭＢＳショットキーダイオードを形成するために利用してもよい方法の一例を、図５から図８を参照して説明する。本例では、ショットキーダイオードおよびその終端構造は同時に形成されるが、必ずしも同時に形成されなくてもよい。
【００２７】
図５は半導体基板１００の断面図であり、第１の層１００Ａおよびベース基板１００Ｂを含む。第１の層１００Ａは第１の導電型（たとえば、ｎ−型）のドーパントを有し、ベース基板１００Ｂは第１の導電型（たとえば、ｎ＋型）のドーパントでさらに高濃度にドープされている。酸化層１０１は化学蒸着（ＣＶＤ）によって、たとえば、約２０００〜１０，０００オングストロームの厚さまで、第１の基板１００Ａ上に形成される。次に、フォトレジスト（不図示）は酸化層１０１上に塗布され、複数の活動領域トレンチ１１０を活動領域に画定し、終端トレンチ１２０を終端領域に画定し、ガードリングトレンチ１１１を終端トレンチの後に画定する。本例では、２つのガードリングトレンチを示すが、当業者には同一の処理を用いて、任意の数のガードリングトレンチを備える素子を形成してもよいことが理解されるであろう。トレンチ１１０はメサ１１５によってお互いに離間する。ガードリングトレンチ１１１はメサ１１６によってお互いに離間し、また終端トレンチ１２０から離間する。一例では、各活動領域トレンチ１１０は約０．２〜２．０ミクロンの幅である。終端トレンチ１２０は、活動領域の端部から半導体基板１００（または金型）の端部まで境界を形成し、終端領域を画定する。一例では、終端トレンチ１２０は幅１２μｍであり、ガードリングトレンチは幅０．５μｍである。
【００２８】
図６を参照すると、酸化層１０１の除去後、高温酸化処理が実施され、ゲート酸化層１２５を形成する。ゲート酸化層１２５は、いくつかの例では約１５０オングストロームから３０００オングストロームまでの厚さを有し、第１および第２のトレンチ１１０、１２０の側壁１１０Ａ、１２０Ａおよび底面１１０Ｂ、１２０Ｂ上、およびメサ１１５の表面上に形成される。ゲート酸化層１２５も、ガードリングトレンチ１１１の側壁１１１Ａおよび１１１Ｂ上に形成される。多様なトレンチすべてを裏打ちするゲート酸化層１２５は、単一の処理で同時に形成されてもよい。酸化処理の代わりに、ゲート酸化層１２５は高温蒸着によって形成され、ＨＴＯ（高温酸化物蒸着）層を形成してもよい。
【００２９】
次に、再び図６を参照すると、第１の導電層１４０はゲート酸化層１２５上にＣＶＤによって形成され、活動トレンチ１１０、終端トレンチ１２０およびガードリングトレンチ１１１を充填する。第１の導電層１４０は、メサ１１５および１１６を超えて延在するような厚さを有する。第１の導電層１４０は、金属、ドープポリシリコンまたはドープ非晶質シリコンなどの任意の適切な素材であってもよい。第１の導電層１４０は、約０．５から３．０ミクロンの厚さを有していてもよい。トレンチ１１０の内部に隙間が形成されないように、第１の導電層１４０は、段差をうまく覆うことができるＬＰＣＶＤ（低圧ＣＶＤ）処理によって形成されたポリシリコンであってもよい。ただし、非晶室シリコンの方がポリシリコンよりも隙間を排除できる例もある。非晶室シリコンを導電化するために、再結晶化処理を使用してもよい。
【００３０】
図７を参照すると、異方性エッチングを実施して、余分な第１の導電層１４０を取り除く。このエッチング処理後、少なくとも１つのスペーサ状のＭＯＳゲート１２２は、終端トレンチ１２０の側壁を裏打ちする酸化層１２５上に、導電材から形成される。図示するように、ＭＯＳゲート１２２はまた、終端トレンチ１２０の対向する側壁上に形成されてもよい。いくつかの例では、スペーサ状のＭＯＳゲート１２２は、終端トレンチ１２０の高さにほぼ等しい幅を（図示する断面図に沿って）有する。
【００３１】
誘電体層１５０は次に、エッチング処理を用いて終端領域に形成される。誘電体層１５０は、たとえば、ＬＰＴＥＯＳなどのＴＥＯＳ層であってもよく、ＰＥＴＥＯＳ層であってもよく、またはＯ３−ＴＥＯＳまたはＨＴＯ層であってもよい。ある事例では、誘電体層１５０の厚さは約０．２〜１．０ミクロンの間であってもよい。誘電体層１５０はＭＯＳゲート１２２および終端トレンチ１２０の残りを部分的に覆い、さらに酸化層１２５は、ガードリングトレンチ１１１および終端トレンチ１２０とガードリングトレンチ１１１との間の第１の層１１０Ａの一部を覆う。
【００３２】
次に、図８では、スパッタリングまたはその他の適切な処理を実施し、導電層１６５を全構造上に沈着させて、ショットキー接合領域１１５Ａをメサ１１５上に形成する。導電層１６５を、基礎となる第１の層１００Ａとショットキーダイオードを形成することができる任意の素材で形成してもよい。たとえば、第２の導電層１６０は金属ケイ化物層であってもよい。最後に、カソード電極１７０を基板１００Ｂの裏側に沈着する。
【００３３】
図９は、本発明の代替的な実施形態を例示する。主な構造は図２で説明する実施形態に類似しているが、相違点はアノード金属が部分的にガードリング領域上にエッチングされ、浮遊電極として分断したフィールドプレートを形成することである。
実施例
【００３４】
例示を目的として、４つのガードリングを含む本発明の具体的な一実施形態に対して、様々な構造的な寸法およびパラメータを特定する。本実施形態では、終端トレンチ１２０は１０〜５０ミクロンの範囲の幅を有し、深さは活動領域のトレンチ１１０の深さと同じであっても異なっていてもよい。具体的な設計および所望する素子特性（たとえば、電圧容量、速度、漏れ電流）によって、終端トレンチ１２０の深さは、０.５〜１０ミクロンの範囲であってもよい。終端トレンチ１２０に位置する誘電体層１５０は、必要な阻止電圧および素材の構成によって、約１５００〜１５,０００オングストロームの間の厚さを有する二酸化シリコン層であってもよい。
【００３５】
ガードリングトレンチは、０.２から２.０ミクロンの間の幅と、０.５から１０ミクロンの間の深さを有する。ガードリングトレンチの幅および深さはお互いに同一であっても、異なっていてもよい。導電層１６０および１６５が終端領域に伸長して画定されるフィールドプレートは、終端トレンチ１２０において約５から５０ミクロンの間の長さを有していてもよい。
【００３６】
前述の終端構造は、ＴＭＢＳショットキーダイオード以外の素子と共に用いられてもよいことに留意されたい。ＴＭＢＳショットキーダイオードは例示目的でのみ提示したものである。たとえば、終端構造は、二重拡散金属酸化膜半導体の電界効果トランジスタ（ＤＭＯＳＦＥＴ）、絶縁ゲートバイポーラトランジスタ（ＩＧＢＴ）および別のトレンチＭＯＳ素子などの任意のパワートランジスタに適用することができる。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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