(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
−  複数の変換薄層（２００）をキャリア（１００）上に配置するステップと、
−  前記複数の変換薄層（２００）が配置された後に成形体（３００，１３００）を形成するステップであって、
前記変換薄層（２００）は、前記成形体（３００，１３００）内に埋め込まれ、
前記変換薄層（２００）の上面（２０１）および下面（２０２）は、少なくとも部分的に前記成形体（３００，１３００）によって被覆されないままである、ステップと、
−  変換要素（３１０，１３１０）を得るために前記成形体（３００，１３００）を分割するステップと、を含む、オプトエレクトロニクス部品（４００，１４００）のための変換要素（３１０，１３１０）の製造方法。
【請求項２】
前記キャリア（１００）は、前記変換薄層（２００）を収容するための収容領域を上面（１０１）に有し、
前記変換薄層（２００）は、前記キャリア（１００）の前記上面（１０１）上に配置され、
前記キャリア（１００）は、少なくともいくつかの前記変換薄層（２００）が前記収容領域内に配置されるまで動かされる、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記成形体（３００，１３００）は、射出成形法、圧縮成形法、または、転写成形法によって形成される、請求項１または２に記載の方法。
【請求項４】
前記成形体（３００，１３００）は、前記変換要素（３１０，１３１０）が少なくとも２つの変換薄層（２００）を備えるように分割される、請求項１〜３のいずれか一項に記載の方法。
【請求項５】
前記成形体（３００，１３００）を形成するステップ後、
−  前記成形体（３００，１３００）内に埋め込まれた少なくとも１つの変換薄層（２００）の厚さ（２０３）を変更するさらなるステップを実行する、請求項１〜４のいずれか一項に記載の方法。
【請求項６】
−  複数の変換薄層（２００）をキャリア（１００）上に配置するステップと、
−  成形体（３００，１３００）を形成するステップであって、
前記変換薄層（２００）は、前記成形体（３００，１３００）内に埋め込まれ、
前記変換薄層（２００）の上面（２０１）および下面（２０２）は、少なくとも部分的に前記成形体（３００，１３００）によって被覆されないままである、ステップと、
−  変換要素（３１０，１３１０）を得るために前記成形体（３００，１３００）を分割するステップと、
−  オプトエレクトロニクス半導体チップ（５００）を設けるステップと、
−  前記変換要素（３１０，１３１０）を前記オプトエレクトロニクス半導体チップ（５００）の放射出射面（５０１）の上方に配置するステップと、を含むオプトエレクトロニクス部品（４００，１４００）の製造方法。
【請求項７】
前記変換要素（３１０，１３１０）は、前記変換要素（３１０，１３１０）が第１の変換薄層（２００，２１０）および第２の変換薄層（２００，２２０）を備えるように製造され、
第１のオプトエレクトロニクス半導体チップ（５００，５１０）および第２のオプトエレクトロニクス半導体チップ（５００，５２０）が設けられ、
前記変換要素（３１０，１３１０）は、前記第１の変換薄層（２００，２１０）が前記第１のオプトエレクトロニクス半導体チップ（５００，５１０）の放射出射面（５０１）の上方に配置され、前記第２の変換薄層（２００，２２０）が前記第２のオプトエレクトロニクス半導体チップ（５００，５２０）の放射出射面（５０１）の上方に配置されるように、配置される、請求項６に記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、特許請求項１に記載の変換要素の製造方法と、特許請求項６に記載のオプトエレクトロニクス部品の製造方法と、特許請求項８に記載の変換要素と、特許請求項１２に記載のオプトエレクトロニクス部品とに関する。
【背景技術】
【０００２】
発光ダイオード部品等のオプトエレクトロニクス部品に、オプトエレクトロニクス部品のオプトエレクトロニクス半導体チップによって出射された電磁放射の波長を変換するために設けられる変換要素を取り付けることが知られている。一例を挙げると、上記変換要素によって、青色スペクトル域の光を異なる色の光（または白色光）に変換することができる。
【０００３】
先行技術は、複数の発光ダイオードチップ（ＬＥＤチップ）等の複数のオプトエレクトロニクス半導体チップを備えるオプトエレクトロニクス部品を開示している。そのようなオプトエレクトロニクス部品では、光出力を制御するために、上記複数のオプトエレクトロニクス半導体チップを互いに個別に駆動し、それらオプトエレクトロニクス半導体チップの電源のオンとオフを個別に切り替えることができる。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
オプトエレクトロニクス部品のための変換要素の製造方法を特定することが本発明の目的の１つである。かかる目的は、請求項１の特徴を含む方法によって達成される。オプトエレクトロニクス部品の製造方法を特定することが本発明のさらなる目的である。かかる目的は、請求項６の特徴を含む方法によって達成される。オプトエレクトロニクス部品のための変換要素を提供することが本発明のさらなる目的である。かかる目的は、請求項８の特徴を含む変換要素によって達成される。オプトエレクトロニクス部品を提供することが本発明のさらなる目的である。かかる目的は、請求項１２の特徴を含むオプトエレクトロニクス部品によって達成される。様々な発展形態が従属請求項において特定される。
【０００５】
オプトエレクトロニクス部品のための変換要素の製造方法は、複数の変換薄層をキャリア上に配置するステップと、成形体を形成するステップであって、変換薄層は成形体内に埋め込まれ、変換薄層の上面および下面は、少なくとも部分的に成形体によって被覆されないままである、ステップと、変換用を得るために成形体を分割するステップと、を含む。有利なことに、かかる方法によって、複数の変換要素を共通のワーク操作において並行して製造することができる。その結果、変換要素あたりの製造コストを安価にすることができる。この場合、有利なことに、本方法によって様々な数の変換薄層を有する変換要素を製造することができる。その結果、本方法によって得ることができる変換要素は、様々なオプトエレクトロニクス部品内で使用されることができる。特に、本方法によって、２つ以上の変換薄層を有する変換要素を製造することができるため、本方法によって得ることができる変換要素は、２つ以上のオプトエレクトロニクス半導体チップを有するオプトエレクトロニクス部品内での使用に適している。本方法によって得ることができる変換要素のさらなる利点は、変換要素の個々の変換薄層が成形体によって互いに光学的に分離され、それにより変換要素の個々の変換薄層間を横断する光の放射を防止できることにある。
【０００６】
本方法の一実施形態では、変換薄層をキャリア上に規則的な配列で配置する。この場合、有利なことに、成形体を特に単純に変換要素に分割することができる。この場合、さらに、本方法によって得ることができる変換要素内の変換薄層の配列も同様に規則的である。
【０００７】
本方法の一実施形態では、キャリアは、表面に変換薄層を収容するための収容領域（receptacle regions）を有する。この場合、変換薄層をキャリアの上面に配置する。次いで、少なくともいくつかの変換薄層、好ましくは全変換薄層が収容領域内に配置されるまで、キャリアを動かす。収容領域は、キャリアの上面におけるくぼみ部（depressions）等として形成されることができ、収容領域の大きさは、変換薄層の大きさにほぼ一致する。例えば、変換薄層を収容領域内に移動するために、キャリアを振動させることができる。その結果、有利なことに、キャリアの上面における変換薄層の配置は容易になる。変換薄層をキャリアの上面に配置する際に、変換薄層の特に精確な位置決めは必要とされない。むしろ、上記変換薄層は、これら変換薄層のために設けられた位置に自らを配置するように移動する。
【０００８】
本方法の一実施形態では、成形体を射出成形法、圧縮成型法、または、転写成形法によって、好ましくはフィルム補助転写成形法（film-assisted transfer molding）によって形成する。その結果、有利なことに、本方法によって費用効果の高い大量生産が可能となる。さらに、有利なことに、フィルム補助転写成形法を使用することによって、容易に変換薄層の上面および下面を少なくとも部分的に成形体によって被覆されないままにすることができる。
【０００９】
本方法の一実施形態では、成形体をソーイング、切断、打抜き、または、レーザ分離によって分割する。その結果、有利なことに、成形体を正確に分割することができる。
【００１０】
本方法の一実施形態では、変換要素が少なくとも２つの変換薄層を含むように、成形体を分割する。この場合、有利なことに、本方法によって得ることができる変換要素を少なくとも２つのオプトエレクトロニクス半導体チップを備えたオプトエレクトロニクス部品内で使用することができる。この場合、本方法によって得ることができる変換要素を使用するほうが、それぞれが１つのみの変換薄層を備えた複数の変換要素を使用するよりも単純であり、かつ、費用効果が高い。
【００１１】
本方法の一実施形態では、成形体の形成後、成形体内に埋め込まれた少なくとも１つの変換薄層の厚さを変更するさらなるステップを実行する。その結果、有利なことに、本方法によって得ることができる変換要素の変換薄層の色軌跡（color locus）を調節することができる。
【００１２】
オプトエレクトロニクス部品の製造方法は、上述の方法に係わる変換要素を製造するステップと、オプトエレクトロニクス半導体チップを設けるステップと、オプトエレクトロニクス半導体チップの放射出射面の上方に変換要素を配置するステップと、を含む。この場合、オプトエレクトロニクス半導体チップを、例えば発光ダイオードチップ（ＬＥＤチップ）とすることができる。本方法によって得ることができるオプトエレクトロニクス部品の変換要素をオプトエレクトロニクス半導体チップによって出射された電磁放射の波長を変換するために設けることができる。
【００１３】
本方法の一実施形態では、変換要素が第１の変換薄層と第２の変換薄層とを備えるように、変換要素を製造する。この場合、さらに、第１のオプトエレクトロニクス半導体チップおよび第２のオプトエレクトロニクス半導体チップを設ける。第１の変換薄層が第１のオプトエレクトロニクス半導体チップの放射出射面の上方に配置され、第２の変換薄層が第２のオプトエレクトロニクス半導体チップの放射出射面の上方に配置されるように、変換要素を配置する。有利なことに、本方法によって、２つのオプトエレクトロニクス半導体チップを備えるオプトエレクトロニクス部品を製造することができる。この場合、両方のオプトエレクトロニクス半導体チップのために共同で１つのみの変換要素が必要とされる。その結果、有利なことに、本方法は、変換要素を複数のオプトエレクトロニクス半導体チップの放射出射面の上方に配置するために１回のワーク動作しか必要としない。
【００１４】
オプトエレクトロニクス部品のための変換要素は、共通の成形体内に埋め込まれた複数の変換薄層を備える。この場合、変換薄層の上面および下面は、少なくとも部分的に成形体によって被覆されていない。有利なことに、かかる変換要素は、２つ以上のオプトエレクトロニクス半導体チップを備えたオプトエレクトロニクス部品内での使用に適している。この場合、変換要素は、複数のオプトエレクトロニクス半導体チップが出射した電磁放射の波長を変換することに適している。その結果、有利なことに、各オプトエレクトロニクス半導体チップ専用の変換要素は必要とされない。
【００１５】
本変換要素の一実施形態では、変換薄層は、波長変換粒子を含む。
【００１６】
この場合、波長変換粒子は、有機蛍光体または無機蛍光体を含むことができる。波長変換粒子はまた、量子ドットを含むこともできる。波長変換粒子は、第１の波長の電磁放射を吸収し、異なる（通常は、より長波長の）波長の電磁放射を出射するために設けられている。
【００１７】
本変換要素の一実施形態では、成形体は、シリコーン、エポキシ樹脂、プラスチック、セラミックス、または、金属を含む。その結果、有利なことに、成形体は、容易にかつ高い費用効果で製造可能であり、また、加工しやすい。さらに、有利なことに、成形体は結果的に拡散反射性を有することができる。
【００１８】
本変換要素の一実施形態では、成形体は、埋め込まれた光散乱粒子、特に、ＴｉＯ２、ＺｒＯ２、Ａｌ２Ｏ３、ＡｌＮ、または、ＳｉＯ２の粒子を含む。その結果、有利なことに、成形体は、光拡散反射性である。
【００１９】
本変換要素の一実施形態では、成形体の下面は、変換薄層の下面と実質的に面一に終端する。この場合、有利なことに、変換要素がオプトエレクトロニクス部品内で使用される場合に、成形体のおよび変換薄層の下面は変換要素の平坦な上面を形成することができる。
【００２０】
成形体の上面の高さは、変換薄層の上面より高い。有利なことに、変換要素の成形体の高い部分は、変換要素をオプトエレクトロニクス部品のポッティング部に固定するためのアンカーとして使用されることができる。
【００２１】
本変換要素の一実施形態では、光反射材量の層が少なくとも１つの変換薄層の上面または下面に配置されている。この場合、光反射材料の層は、変換薄層から出射される光が実質的に妨げられることなく当該光反射材料の層を通り抜けることができる薄さで形成されることが好ましい。有利なことに、当該光反射材料の層は、変換要素の変換薄層にほぼ白色の外観を与えることができる。
【００２２】
オプトエレクトロニクス部品は、放射出射面を有するオプトエレクトロニクス半導体チップと、オプトエレクトロニクス半導体チップの放射出射面の上方に配置された上述のような変換要素と、を備える。有利なことに、変換要素は、オプトエレクトロニクス部品のオプトエレクトロニクス半導体チップが出射した電磁放射の波長を変換することにより、例えば青色スペクトル域の光を白色光に変換するために使用されることができる。
【００２３】
本オプトエレクトロニクス部品の一実施形態では、変換要素は、第１の変換薄層と第２の変換薄層を備える。この場合、オプトエレクトロニクス部品は、第１のオプトエレクトロニクス半導体チップと第２のオプトエレクトロニクス半導体チップをさらに備える。変換要素は、第１の変換薄層が第１のオプトエレクトロニクス半導体チップの放射出射面の上方に配置され、第２の変換薄層が第２のオプトエレクトロニクス半導体チップの放射出射面の上方に配置されるように配置されている。有利なことに、かかるオプトエレクトロニクス部品内には、両方のオプトエレクトロニクス半導体チップのために設けられた１つのみの変換要素が存在している。有利なことに、変換要素の２つの変換薄層は、変換薄層の間に形成された変換要素の成形体によって互いに光学的に分離されていることにより、一方のオプトエレクトロニクス半導体チップからの光が他方のオプトエレクトロニクス半導体チップに割り当てられた変換薄層内に放射される状況を最小限にする。
【００２４】
本オプトエレクトロニクス部品の一実施形態では、第１のオプトエレクトロニクス半導体チップおよび第２のオプトエレクトロニクス半導体チップは、チップキャリアの表面上に配置されている。この場合、第１のオプトエレクトロニクス半導体チップと第２のオプトエレクトロニクス半導体チップとの間に、ポッティング材料がチップキャリアの表面上に配置されている。この場合、ポッティング材料は、オプトエレクトロニクス半導体チップを外部からの機械的影響によるダメージから保護するために使用されることができる。有利なことに、ポッティング材料は同時に、変換要素の固定のために使用されることができるかまたは変換要素の固定のための一助となることができる。
【００２５】
本発明の上記性質、特徴、および、利点、ならびにそれらの実現方法は、図面に関連して詳細に説明される例示的な実施形態の以下の記述に関連してさらに明らかとなり、またさらに明確に理解される。
【図面の簡単な説明】
【００２６】
【図１】複数の変換薄層を有するキャリアの平面図である。
【図２】変換薄層が埋め込まれた第１の成形体の平面図である。
【図３】第１の成形体の断面側面図である。
【図４】第１のオプトエレクトロニクス部品の断面側面図である。
【図５】第２の成形体の断面側面図である。
【図６】第２のオプトエレクトロニクス部品の断面側面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２７】
図１は、変換薄層２００が配置されたキャリア１００の上面１０１の非常に概略的な上面図を示す。キャリア１００を基板ということもできる。キャリア１００は、一例として、フィルムとして形成されることも、フィルムを備えることもできる。キャリア１００は、射出成形法、圧縮成形法、転写成形法、または、他の成形法のために設けられた成形ツールの一部を形成することができる。キャリア１００の上面１０１は、好ましくは、略平面状に形成されている。図１の例では、キャリア１００の上面１０１は、円板状である。しかしながら、キャリア１００、および、キャリア１００の上面１０１は、矩形等の異なる幾何学形状であることもできる。
【００２８】
キャリア１００の上面１０１上に配置された変換薄層２００を変換層ということもできる。各変換薄層２００は、上面２０１、および、上面２０１とは反対側の下面２０２を有する。図１の例では、変換薄層２００は、それぞれ、略正方形として形成されている。しかしながら、変換薄層２００を異なる形状とすることもできる。一例を挙げると、変換薄層２００を矩形または円板状に形成することもできる。
【００２９】
各変換薄層２００は、電磁放射の波長を変換するように設計されている。この目的のために、変換薄層２００は、第１の波長の電磁放射（例えば、可視光）を吸収することができ、次いで、異なる（通常は、より長波長の）波長の電磁放射を出射することができる。一例を挙げると、変換薄層２００は、青色スペクトル域の波長の光を少なくとも部分的に黄色スペクトル域の波長の光に変換するように設計されることができる。この場合、青色光の変換されていない部分と、変換によって発生させた黄色光とを重ね合わせることによって、例えば白色の印象を与えることができる。
【００３０】
各変換薄層２００は、埋め込まれた波長変換粒子を有するマトリックス材料を含む。マトリックス材料は、ガラス、シリコーン、または、セラミックス等を含むことができる。埋め込まれた波長変換粒子は、有機蛍光体または無機蛍光体等を含むことができる。波長変換粒子はまた、量子ドットを含むこともできる。マトリックス材料は、好ましくは、光学的にほぼ透明である。マトリックス材料内に埋め込まれた波長変換粒子は、電磁放射の波長を変換するように設計されている。
【００３１】
変換薄層２００は、キャリア１００の上面１０１に好ましくは規則的な配列で配置されている。一例を挙げると、変換薄層２００は、規則的な行および列を有する矩形格子の形態でキャリア１００の上面１０１に配置されることができる。この場合、個々の変換薄層２００は、互いに離間している。変換薄層２００は、変換薄層２００の下面２０２がキャリア１００の上面１０１に対向し、この上面１０１に接触しているように、キャリア１００の上面１０１に配置されている。
【００３２】
変換薄層２００は、例えば個々に連続的にキャリア１００の上面１０１における各変換薄層に設けられた位置に配置されていてもよい。しかしながら、変換薄層２００のための収容領域をキャリア１００の上面１０１に形成することもできる。一例を挙げると、キャリア１００の上面１０１における変換薄層２００のために設けられたそれぞれの位置にくぼみ部を形成することができ、当該くぼみ部の形状および大きさは変換薄層２００の形状および大きさにほぼ一致する。この場合、最初のステップでは、変換薄層２００を低い位置決め精度のみでキャリア１００の上面１０１に配置することができる。次いで、キャリア１００の上面１０１に配置された変換薄層２００が、例えばキャリア１００の上面１０１におけるくぼみ部内まで滑動することによって独立して変換薄層２００のために設けられた収容領域まで移動するように、キャリア１００を動かす（例えば振動させる）ことができる。
【００３３】
図２は、図１よりも時間的に後の処理状態におけるキャリア１００の上面１０１の概略上面図を示す。第１の成形体３００がキャリア１００の上面１０１に形成されている。この場合、変換薄層２００は、第１の成形体３００内に埋め込まれている。図３は、上面１０１の上方に形成された第１の成形体３００と第１の成形体３００内に埋め込まれた変換薄層２００とを有するキャリア１００の概略断面側面図を示す。
【００３４】
変換薄層２００は、変換薄層２００の上面２０１および下面２０２が第１の成形体３００の材料によって実質的に被覆されないように第１の成形体３００内に埋め込まれている。第１の成形体３００は、平坦な上面３０１、および、平坦な上面３０１とは反対側の下面３０２を有する。変換薄層２００の上面２０１は、第１の成形体３００の平坦な上面３０１と実質的に面一に終端している。変換薄層２００の下面２０２は、第１の成形体３００の下面３０２と実質的に面一に終端している。第１の成形体３００の下面３０２は、キャリア１００の上面１０１に対向している。
【００３５】
第１の成形体３００は、射出成形法、圧縮成形法、転写成形法、または、他の成形工程等によって形成され得る。第１の成形体３００は、好ましくは、フィルム補助転写成形法によって形成されている。キャリア１００は、好ましくは、第１の成形体３００を製造するために使用される成形ツールの一部を形成する。
【００３６】
第１の成形体３００は、プラスチック、シリコーン、または、エポキシ樹脂等を含むことができる。しかしながら、第１の成形体は、セラミックス又は金属を含むこともできる。第１の成形体３００は、好ましくは、拡散反射性材料を含む。この目的のために、第１の成形体３００の材料に、拡散反射性フィラー（例えば、光散乱粒子、特にＴｉＯ２、ＺｒＯ２、Ａｌ２Ｏ３、ＡｌＮ、または、ＳｉＯ２を含む粒子を含むフィラー）を充填することができる。
【００３７】
図２の平面図では、第１の成形体３００は矩形である。しかしながら、異なる形状の第１の成形体３００を形成することもできる。
【００３８】
変換薄層２００は、第１の成形体３００内に好ましくは規則的な配列で埋め込まれている。この場合、第１の成形体は、個々の変換薄層２００間の空間を充填し、変換薄層２００の配列の周囲に延在する縁部を形成する。その結果、全変換薄層２００において、上面２０１および下面２０２以外の全側面は、第１の成形体３００の材料によって実質的に被覆されている。第１の成形体３００は、埋め込まれた変換薄層２００と共に機械的に安定した配列を形成している。
【００３９】
第１の成形体３００内に埋め込まれた変換薄層２００の数は任意で選択されることができ、図２の例における数よりも相当に大きい数であることができる。
【００４０】
図２および図３に示す、埋め込まれた変換薄層２００を有する第１の成形体３００の処理状態では、第１の成形体３００の、および／または、埋め込まれた変換薄層２００のさらなる処理を実行することができる。一例を挙げると、１つ以上の埋め込まれた変換薄層２００において、各変換薄層２００の上面２０１と下面２０２との間の厚さ２０３を変更することができる。例えば、１つ以上の変換薄層２００において厚さ２０３を減少させることができる。これにより、各変換薄層２００によって実現可能な色軌跡に影響を与えることができる。
【００４１】
図２および図３の処理状態からさらに、１層または複数層の機能層を変換薄層２００に設けることができる。追加の機能層を変換薄層２００に設けることはまた、変換薄層２００を第１の成形体３００内に埋め込む前またはその間にも既に行うことができる。追加の機能層は任意で、変換薄層２００の上面２０１および／または下面２０２（キャリア１００の除去後）に設けることができる。一例を挙げると、白色材料の薄層を変換薄層２００の上面２０１または下面２０２に設けることができ、かかる薄層は、変換薄層２００が外乱光によって照射されたときに生じる変換薄層２００の色印象を隠すために使用される。好ましくは、かかる白色材料の薄層は、変換薄層２００の、各変換薄層２００を備えるオプトエレクトロニクス部品内のオプトエレクトロニクス半導体チップの表面とは反対側の面２０１，２０２に設けられている。以下の例では、白色材料の薄層が設けられた面は、変換薄層２００の下面２０２である。
【００４２】
埋め込まれた変換薄層２００を有する第１の成形体３００は、複数の変換要素を得るために後続の処理ステップにおいて分割されることができる。第１の成形体３００を分割することによって得ることができる変換要素は、それぞれ、任意の配列の任意の数の変換薄層２００を含むことができる。一例を挙げると、第１の成形体３００を図２および図３に概略的に図示した分離領域３０３において分離することによって、第１の成形体３００内に埋め込まれた変換薄層２００の第１の変換薄層２１０、第２の変換薄層２２０、および、第３の変換薄層２３０を備える第１の変換要素３１０を得ることができる。この場合、第１の変換要素３１０の３つの変換薄層２１０，２２０，２３０は、一列に配置されている。しかしながら、変換薄層２００が２列以上で配置される変換要素を第１の成形体３００から形成することもできる。
【００４３】
図４は、第１のオプトエレクトロニクス部品４００の概略的な断面側面図を示す。第１のオプトエレクトロニクス部品４００を発光ダイオード部品等とすることができる。
【００４４】
第１のオプトエレクトロニクス部品４００は、上面４１１を有するチップキャリア４１０を備える。チップキャリア４１０を基板ということもできる。チップキャリア４１０の上面４１１は、略平面状に形成されている。
【００４５】
キャビティ４２１を包囲するフレーム４２０がチップキャリア４１０の上面４１１に配置されている。キャビティ４２１は、フレーム４２０が横方向に境界を画定する領域によってチップキャリア４１０の上面４１１に形成されている。フレーム４２０は、プラスチック材料を含むことができ、例えば、チップキャリア４１０の上面４１１において成形法によって形成され得る。
【００４６】
キャビティ４２１の領域では、複数のオプトエレクトロニクス半導体チップ５００が第１のオプトエレクトロニクス部品４００のチップキャリア４１０の上面４１１に配置されている。図４に示す例では、第１のオプトエレクトロニクス半導体チップ５１０、第２のオプトエレクトロニクス半導体チップ５２０、および、第３のオプトエレクトロニクス半導体チップ５３０が一列に互いに隣接してチップキャリア４１０の上面４１１のキャビティ４２１内に配置されている。オプトエレクトロニクス半導体チップ５００を発光ダイオードチップ（ＬＥＤチップ）等とすることができる。
【００４７】
各オプトエレクトロニクス半導体チップ５００は、放射出射面５０１、および、放射出射面５０１とは反対側の下面５０２を有する。オプトエレクトロニクス半導体チップ５００の下面５０２は、チップキャリア４１０の上面４１１に対向している。オプトエレクトロニクス半導体チップ５００は、放射出射面５０１において電磁放射を出射するように設計されている。オプトエレクトロニクス半導体チップ５００の電気接触部は、オプトエレクトロニクス半導体チップ５００の下面５０２に配置されることができ、オプトエレクトロニクス半導体チップ５００に電圧を印加するために使用されることができる。オプトエレクトロニクス半導体チップ５００は、フリップチップ等として形成されることができる。
【００４８】
第１のオプトエレクトロニクス部品４００は、第１の成形体３００の一部から形成された第１の変換要素３１０をさらに備える。第１の変換要素３１０は、第１の変換要素３１０の第１の変換薄層２１０が第１のオプトエレクトロニクス半導体チップ５１０の放射出射面５０１の上方に配置され、第１の変換要素３１０の第２の変換薄層２２０が第２のオプトエレクトロニクス半導体チップ５２０の放射出射面５０１の上方に配置され、第１の変換要素３１０の第３の変換薄層２３０が第３のオプトエレクトロニクス半導体チップ５３０の放射出射面５０１の上方に配置されるように、第１のオプトエレクトロニクス部品４００のオプトエレクトロニクス半導体チップ５１０，５２０，５３０の上方に配置されている。第１の変換要素３１０の変換薄層２１０，２２０，２３０の形状および大きさは、好ましくは、オプトエレクトロニクス半導体チップ５１０，５２０，５３０にそれぞれ割り当てられた放射出射面５０１の形状および大きさに一致するが、必ずしも一致している必要はない。
【００４９】
第１の変換要素３１０は、第１の変換要素３１０の変換薄層２１０，２２０，２３０の上面２０１が第１のオプトエレクトロニクス部品４００のオプトエレクトロニクス半導体チップ５１０．５２０，５３０の放射出射面５０１に対向するように、第１のオプトエレクトロニクス部品４００のオプトエレクトロニクス半導体チップ５１０，５２０，５３０の上方に配置されている。第１の変換要素３１０の変換薄層２１０，２２０，２３０は、オプトエレクトロニクス半導体チップ５１０，５２０，５３０の放射出射面５０１に接着接合等によって接続されていることができる。
【００５０】
第１のオプトエレクトロニクス部品４００のオプトエレクトロニクス半導体チップ５１０，５２０，５３０を包囲するポッティング部４３０がキャビティ４２１の領域内に配置されている。オプトエレクトロニクス半導体チップ５１０，５２０，５３０は、ポッティング部４３０内に埋め込まれている。ポッティング部４３０は、好ましくは、チップキャリア４１０の上面４１１から第１の変換要素３１０まで延在している。好ましくは、キャビティ４２１は、ポッティング部４３０によってほぼ完全に充填されている。
【００５１】
ポッティング部４３０によって、第１のオプトエレクトロニクス部品４００の構成部分は、固定されかつ外部からの機械的影響によるダメージから保護される。また、ポッティング部４３０は、第１のオプトエレクトロニクス部品４００の光反射体として使用されることができる。この場合、ポッティング部４３０は好ましくは、光反射性材料を含む。ポッティング部４３０は、光反射性フィラーを充填したシリコーン等を含むことができる。
【００５２】
第１のオプトエレクトロニクス部品４００の第１の変換要素３１０の変換薄層２１０，２２０，２３０は、第１のオプトエレクトロニクス部品４００のオプトエレクトロニクス半導体チップ５１０，５２０，５３０によって出射された電磁放射の波長を変換するために設けられている。第１のオプトエレクトロニクス部品４００のオプトエレクトロニクス半導体チップ５１０，５２０，５３０を、例えば、放射出射面５０１において青色スペクトル域の波長の電磁放射を出射するように設計することができる。第１のオプトエレクトロニクス部品４００の第１の変換要素３１０の変換薄層２１０，２２０，２３０は、オプトエレクトロニクス半導体チップ５１０，５２０，５３０によって出射された電磁放射を白色光に変換するように設計されることができる。第１のオプトエレクトロニクス部品４００のオプトエレクトロニクス半導体チップ５１０，５２０，５３０を、それぞれ、異なる波長の電磁放射を出射するように様々に設計することもできる。代替または追加として、第１のオプトエレクトロニクス部品４００の第１の変換要素３１０の変換薄層２１０，２２０，２３０を、様々な光色の光を発生させるように様々に設計することができる。
【００５３】
第１のオプトエレクトロニクス部品４００を、オプトエレクトロニクス半導体チップ５１０，５２０，５３０が互いに個別に駆動可能であるように設計することができる。第１の成形体３００の、第１の変換要素３１０の変換薄層２１０，２２０，２３０間に位置している部分は、第１のオプトエレクトロニクス部品４００において、オプトエレクトロニクス半導体チップ５１０，５２０，５３０の１つによって出射された電磁放射が、第１の変換要素３１０の変換薄層２１０，２２０，２３０の、オプトエレクトロニクス半導体チップ５１０，５２０，５３０の他の１つに割り当てられた変換薄層内を通過することを防止する。このように、有利なことに、各オプトエレクトロニクス半導体チップ５１０，５２０，５３０、および、これらオプトエレクトロニクス半導体チップ５１０，５２０，５３０に割り当てられた各変換薄層２１０，２２０，２３０は、第１のオプトエレクトロニクス部品４００において互いに光学的に分離されている。
【００５４】
第１のオプトエレクトロニクス部品４００は、異なる数のオプトエレクトロニクス半導体チップ５００を備えることができる。第１のオプトエレクトロニクス部品４００のオプトエレクトロニクス半導体チップ５００を、２列以上に配置することもできる。この場合、第１のオプトエレクトロニクス部品４００の第１の変換要素３１０は、対応する配列で対応する数の変換薄層２００を有するべきである。
【００５５】
図５は、第２の成形体１３００の概略的な断面側面図を示す。第２の成形体１３００は、図２および図３に示す第１の成形体３００と対応している。したがって、対応する構成要素には同一の参照記号を付し、以下において詳細な説明は繰り返さない。第１の成形体３００と第２の成形体１３００との相違点のみを以下に説明する。
【００５６】
第２の成形体１３００は、複数の埋め込まれた変換薄層２００を有し、第１の成形体３００の製造と同様の方法によって製造されている。しかしながら、第２の成形体１３００は、埋め込まれた個々の変換薄層２００間の領域内に変換薄層２００の上面２０１より上に延在する凸状上面１３０１を有する。第２の成形体１３００の凸状上面１３０１の、変換薄層２００の上面２０１より上に延在する部分の断面は、丸みがあるか、角があるか、尖っているか、または、他の形状であることができる。
【００５７】
第２の成形体１３００は、任意の数の埋め込まれた変換薄層２００をそれぞれが備える複数の変換要素を得るために分割されることができる。一例を挙げると、第２の成形体１３００を分割することによって、一列に互いに隣接して配置された第１の変換薄層２１０、第２の変換薄層２２０、および、第３の変換薄層２３０を備える第２の変換要素１３１０を得ることができる。
【００５８】
図６は、第２のオプトエレクトロニクス部品１４００の概略的な断面側面図を示す。第２のオプトエレクトロニクス部品１４００は、図４の第１のオプトエレクトロニクス部品４００と対応している。対応する構成要素には、図４および図６において同一の参照記号を付し、以下において詳細な説明は繰り返さない。第１のオプトエレクトロニクス部品４００と第２のオプトエレクトロニクス部品１４００との相違点のみを以下に説明する。
【００５９】
第２のオプトエレクトロニクス部品１４００は、第１の変換要素３１０の代わりに第２の変換要素１３１０を備える。第２の変換要素１３１０は、第２の変換要素１３１０の第２の成形体１３００の、変換薄層２００の上面２０１より上に延在する部分である凸状上面１３０１が第２のオプトエレクトロニクス部品１４００のポッティング部４３０に対向するように、第２のオプトエレクトロニクス部品１４００のオプトエレクトロニクス半導体チップ５１０，５２０，５３０の上方に配置されている。この場合、第２の変換要素１３１０の第２の成形体１３００の、変換薄層２００の上面２０１より上に延在する部分の凸状部は、第２のオプトエレクトロニクス部品１４００のオプトエレクトロニクス半導体チップ５１０，５２０，５３０間に少なくとも部分的に延在している。その結果、第２の変換要素１３１０の第２の成形体１３００の凸状上面１３０１は、アンカーを形成し、かかるアンカーによって第２の変換要素１３１０は、第２のオプトエレクトロニクス部品１４００のポッティング部４３０によって特に高い信頼性で保持されている。また、第２の変換要素１３１０の凸状上面１３０１によって、容易に第２の変換要素１３１０を第２のオプトエレクトロニクス部品１４００のオプトエレクトロニクス半導体チップ５１０，５２０，５３０の放射出射面５０１の上方に配置することができる。
【００６０】
好ましい例示的な実施形態を用いて、本発明を図示し、詳細に説明した。しかしながら、本発明は、開示した例に限定されない。むしろ、当業者であれば、開示した例に基づき、本発明の保護範囲から逸脱することなく、他の変形形態を得ることができる。
【００６１】
本願は、独国特許出願第１０２０１３２１４８９６．８号の優先権を主張し、その開示内容は参照によって本明細書に援用される。
【符号の説明】
【００６２】
１００  キャリア
１０１  上面
２００  変換薄層
２０１  上面
２０２  下面
２０３  厚さ
２１０  第１の変換薄層
２２０  第２の変換薄層
２３０  第３の変換薄層
３００  第１の成形体
３０１  平坦な上面
３０２  下面
３０３  分離領域
３１０  第１の変換要素
４００  第１のオプトエレクトロニクス部品
４１０  チップキャリア
４１１  上面
４２０  フレーム
４２１  キャビティ
４３０  ポッティング部
５００  オプトエレクトロニクス半導体チップ
５０１  放射出射面
５０２  下面
５１０  第１のオプトエレクトロニクス半導体チップ
５２０  第２のオプトエレクトロニクス半導体チップ
５３０  第３のオプトエレクトロニクス半導体チップ
１３００  第２の成形体
１３０１  凸状上面
１３１０  第２の変換要素
１４００  第２のオプトエレクトロニクス部品
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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