(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
搭載面、放熱面、側面、第１の係合部、および第２の係合部を有するヒートシンクと、
前記ヒートシンクの搭載面に搭載されている半導体チップと、
前記ヒートシンクの第１の係合部に係合されている第１のリードフレームと、
前記ヒートシンクの第２の係合部に係合されている第２のリードフレームと、
前記ヒートシンク、前記半導体チップ、前記第１のリードフレーム、および前記第２のリードフレームを封止しているモールド樹脂と、を備え、
前記ヒートシンクの有する第１の係合部および第２の係合部は、前記ヒートシンクの搭載面を避けた場所に配置されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
前記ヒートシンクの有する第１の係合部および第２の係合部は、前記ヒートシンクの有する放熱面に形成されているダボからなることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】
前記ヒートシンクの有する第１の係合部および第２の係合部は、前記ヒートシンクの有する側面に形成されているダボからなることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項４】
前記ヒートシンクの有する第１の係合部および第２の係合部は、前記ヒートシンクの有する放熱面に形成されている溝からなることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項５】
前記ヒートシンクの有する第１の係合部および第２の係合部は、前記ヒートシンクの有する側面に形成されている溝からなることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項６】
前記ヒートシンクの有する放熱面は、前記モールド樹脂から露呈していることを特徴とする請求項１から５のいずれか１項に記載の半導体装置。
【請求項７】
前記半導体チップは、ドレイン電極、ゲート電極、ソース電極を有していて、
前記ヒートシンクは、前記半導体チップの有するソース電極と接続されていることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項８】
前記半導体チップのドレイン電極とボンディングワイヤで接続されているドレイン電極端子と、
前記半導体チップのゲート電極とボンディングワイヤで接続されているゲート電極端子と、をさらに備えていることを特徴とする請求項７に記載の半導体装置。
【請求項９】
前記第１のリードフレームと前記第２のリードフレームを結ぶ方向と、前記ドレイン電極端子と前記ゲート電極端子を結ぶ方向は、直交していることを特徴とする請求項８に記載の半導体装置。
【請求項１０】
前記ヒートシンクの搭載面に搭載されている回路基板をさらに備えていて、
前記回路基板は、前記モールド樹脂によって封止されていることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この出願は、半導体装置に関わり、特に、リードフレームとヒートシンクを備えている半導体装置の構造に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
携帯電話用基地局は、無線通信のデバイス市場を代表している。この無線通信のデバイス市場では、現在のところ、SiデバイスやGaAsデバイスが主流である。高出力化が指向されている分野では、半導体デバイスには、通信容量の増大による広帯域化や小型化が要求されている（例えば、特許文献１を参照）。このため、高出力化が指向される分野においては、GaNデバイスが主流となりつつある一方で、半導体デバイスの低コスト化に対する要求は、厳しい。【０００３】
GaNデバイスにおいても、リードフレームがモールド樹脂にて封止された、低コストなモールドパッケージ構造の検討が進んでいる。モールドパッケージ構造において、半導体チップの放熱性を確保するために、銅や銅合金系のヒートシンクを有したリードフレームが使われている。例えば、ヒートシンクの上面に設けたダボとリードフレームをカシメにより固定している半導体装置が開発されている。この半導体装置では、ヒートシンクの上面に、部品実装が出来ない領域が存在するため、パッケージの小型化が阻害されている。【０００４】
放熱基板（ヒートシンク）の両端に、上辺が長く下辺が短い台形凸部を有する構造が知られている（例えば、特許文献２を参照）。リードの保持体の下部には、上記の台形凸部と一致するような溝形凹部が設けられている。凸部と凹部は、嵌め合わされている。本構造では、ヒートシンクの両端に嵌め合わせに使用する領域が存在するため、ヒートシンクの上面に部品実装が出来ない領域が生じている。この構造の半導体装置は、パッケージの小型化を実現するには、適していない。【０００５】
また、搭載部材の下面から上面に突き抜けるように設けられた取り付け用孔にリードを上方向から挿入する構造が知られている（例えば、特許文献３を参照）。本構造は、搭載部材に取り付け用孔が設けられている。その孔にリードを差し込むため、搭載部材の上面には部品実装が出来ない領域が生じている。このため、この半導体装置も、パッケージの小型化を実現するには、適していない。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開昭５２−１５０９７０号公報
【特許文献２】特開昭４８−０６６７７６号公報
【特許文献３】特開２００４−１０３７９０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
以上説明したように、ヒートシンクの上面に設けたダボとリードフレームをカシメにより固定する半導体装置では、ヒートシンクの上面に部品実装が出来ない領域が生じていたので、パッケージの小型化が阻害されていた。この出願は、ヒートシンクの上面全ての領域に部品実装が可能なリードフレーム構造、及び半導体装置を提供することを目的としている。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本願の明細書に開示される半導体装置は、搭載面、放熱面、側面、第１の係合部、および第２の係合部を有するヒートシンクと、前記ヒートシンクの搭載面に搭載されている半導体チップと、前記ヒートシンクの第１の係合部に係合されている第１のリードフレームと、前記ヒートシンクの第２の係合部に係合されている第２のリードフレームと、前記ヒートシンク、前記半導体チップ、前記第１のリードフレーム、および前記第２のリードフレームを封止しているモールド樹脂と、を備え、前記ヒートシンクの有する第１の係合部および第２の係合部は、前記ヒートシンクの搭載面を避けた場所に配置されていることを特徴とするものである。
【発明の効果】
【０００９】
本願の明細書に開示される半導体装置は、搭載面、放熱面、側面、および係合部を有するヒートシンクと、前記ヒートシンクの搭載面に搭載されている半導体チップと、前記ヒートシンクの係合部に係合されているリードフレームと、前記ヒートシンク、前記半導体チップおよび前記リードフレームを封止しているモールド樹脂と、を備え、前記ヒートシンクの係合部は、前記ヒートシンクの搭載面を避けた場所に配置されていることを特徴とすることにより、ヒートシンクの上面全ての領域に部品実装が可能なリードフレーム構造、及び半導体装置を提供することが可能である
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】本発明の実施の形態に関わる半導体装置の外観構造を説明する図である。
【図２】本発明の実施の形態に関わる半導体装置の電極端子の構造を説明する図である。
【図３】実施の形態１に関わる半導体装置におけるリードフレームの構造を説明する図である。
【図４】実施の形態１に関わる半導体装置におけるヒートシンクの構造を説明する図である。
【図５】実施の形態１に関わる半導体装置におけるリードフレームの構造を説明する図である。
【図６】実施の形態２に関わる半導体装置におけるリードフレームの構造を説明する図である。
【図７】実施の形態３に関わる半導体装置におけるリードフレームの構造を説明する図である。
【図８】実施の形態４に関わる半導体装置におけるリードフレームの構造を説明する図である。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
本発明の実施の形態に関わる半導体装置について、図を参照しながら以下に説明する。なお、各図において、同一または同様の構成部分については同じ符号を付しており、対応する各構成部のサイズや縮尺はそれぞれ独立している。例えば、構成の一部を変更した断面図の間で、変更されていない同一構成部分を図示する際に、同一構成部分のサイズや縮尺が異なっている場合もある。また、半導体装置は、実際にはさらに複数の部材を備えているが、説明を簡単にするため、説明に必要な部分のみを記載し、他の部分については省略している。
【００１２】
実施の形態１．
本発明の実施の形態に関わる半導体装置の構造を、図を参照しながら説明する。図１は、実施の形態に関わる半導体装置の外観を表している模式図である。本発明の実施の形態に関わる半導体装置１００は、ドレイン電極端子１、ゲート電極端子２、ヒートシンク３、モールド樹脂７、リードフレーム９などから構成されている。ヒートシンク３には、半導体チップと回路基板が搭載されている。半導体チップは、ドレイン電極、ゲート電極、ソース電極を備えている。半導体チップ、回路基板、リードフレーム９、およびヒートシンク３は、モールド樹脂７によって、封止されている。
【００１３】
ヒートシンク３は、放熱面（裏面）と搭載面（上面）と側面を有している。半導体チップと回路基板は、ヒートシンク３の搭載面に搭載されている。半導体チップと回路基板から放出された熱は、ヒートシンク３の放熱面から、外部に放射される。本発明の実施の形態に関わる半導体装置１００では、ヒートシンク３は、ソース電極端子を兼ねている。本発明の実施の形態に関わる半導体装置１００は、周波数１GHz以上、１W以上の電力を出力するのに適している。ヒートシンク３は、２００mW/K以上の熱伝導率を有している。
【００１４】
ヒートシンク３の裏面（放熱面）には、リードカットされているリードフレーム９ａ、９ｂが、固定されている。半導体装置（パッケージ）は、リードフレーム９ａ、９ｂをリードカットすることで、個片に分離されている。同図において、ドレイン電極端子１からゲート電極端子２に向かう方向を、Ｘ方向と呼ぶことにする。また、ヒートシンク３の放熱面（裏面または底面）からヒートシンク３の搭載面（上面）に向かう方向を、Ｚ方向と呼ぶことにする。また、リードフレーム９ａからリードフレーム９ｂに向かう方向をＹ方向と呼ぶことにする。
【００１５】
図２は、本実施の形態に関わる半導体装置１００の構造を示す断面図である。ヒートシンク３は、放熱面３ａと搭載面３ｂと側面３ｃを有している。ヒートシンク３には、半導体チップ４と回路基板５が、Agペースト樹脂、はんだ、焼結Ag等のダイボンド材８で、実装されている。Siデバイス、GaAsデバイス、GaNデバイスなどの半導体チップ４は、ヒートシンク３の上面（搭載面）に、配置されている。ドレイン電極端子１は、半導体チップ４のドレイン電極と、ボンディングワイヤ６で、接続されている。
【００１６】
ゲート電極端子２は、半導体チップ４のゲート電極と、ボンディングワイヤ６で、接続されている。ヒートシンク３は、半導体チップ４のソース電極と接続されている。半導体チップ４と回路基板５は、Au、Ag、Al等のボンディングワイヤ６で結線された後、モールド樹脂７にて封止されている。ヒートシンク３の裏面（放熱面）は、開放されていて、モールド樹脂から露呈している。
【００１７】
図３は、本実施の形態に関わるヒートシンク３の構造を示す斜視図である。ヒートシンク３の上面（搭載面）には、半導体チップ４と回路基板５が、Agペースト樹脂、はんだ、焼結Ag等のダイボンド材８で固定されている。リードフレーム９は、２端子以上のリードを有している。ヒートシンク３の裏面（放熱面）には、リードフレーム９ａ、９ｂが、固定されている。半導体チップ４と回路基板５は、ボンディングワイヤ６で、ドレイン電極端子１とゲート電極端子２に配線されている。
【００１８】
半導体装置１００を異物や、外力等から保護するために、半導体チップ４と回路基板５は、モールド樹脂７で封止される。同図では、リードフレーム９ａ、９ｂは、リードカットされている。リードフレーム９に、リードカットを実施することで、半導体装置（パッケージ）を個片に分離する。ドレイン電極端子１とゲート電極端子２を結ぶ方向（Ｘ方向）は、リードフレーム９ａとリードフレーム９ｂを、結ぶ方向（Ｙ方向）と直交している。
【００１９】
図４は、本実施の形態における半導体装置１００の構造を示す断面模式図である。ヒートシンク３の上面（搭載面）には、半導体チップ４と回路基板５が、Agペースト樹脂、はんだ、焼結Ag等のダイボンド材８で固定されている。リードフレーム９は、２端子以上のリードを有している。ヒートシンク３は、裏面（放熱面）側にダボ３ｇを有している。ヒートシンク３の放熱面に形成されているダボ３ｇとリードフレーム９ａ、９ｂをカシメることで、リードフレーム９とヒートシンク３を固定している。モールド樹脂７は、半導体装置１００を異物や、外力等から保護するために、半導体チップ４や回路基板５を封止している。リードフレーム９ａ、９ｂをリードカットすることで、半導体装置（パッケージ）は個片に分離する。
【００２０】
図５は、本実施の形態におけるヒートシンク３の構造を示す模式図である。同図は、ヒートシンク３の裏側の形状を表している。ヒートシンク３は、裏面（放熱面）に、係合部となる、ダボ３ｇ１とダボ３ｇ２が形成されている。リードフレーム９ａおよびリードフレーム９ｂには、ダボ３ｇと係合する係合穴９ｘが開口されている。ダボ３ｇ１にはリードフレーム９ａの係合穴９ｘが、はめ合わされて、係合している。ダボ３ｇ２にはリードフレーム９ｂの係合穴９ｘが、はめ合わされて、係合している。ヒートシンク３のダボ３ｇとリードフレーム９をカシメることで、リードフレーム９とヒートシンク３を固定している。ヒートシンク３の表面（搭載面）には、半導体チップ４と回路基板５が、実装されている。
【００２１】
ヒートシンク３とリードフレーム９を固定するために、ヒートシンク３の上面（搭載面）にダボとカシメが存在する構造では、部品実装に使用出来ない領域が生じる。本実施の形態に関わる半導体装置では、ヒートシンクの上面（搭載面）にダボやカシメが、存在していない。ヒートシンクの上面を全て部品実装に使用可能であることから、パッケージ（半導体装置）の小型化が可能となる。すなわち、本実施の形態に関わる半導体装置は、ヒートシンクの上面（搭載面）を全て部品実装に使用可能であるため、従来に比べて、パッケージ（半導体装置）の小型化を実現出来る。
【００２２】
本実施の形態に関わる半導体装置は、周波数１GHz以上、１W以上の電力を出力する半導体装置において、２００mW/K以上の熱伝導率を持つヒートシンクを有し、２端子以上のリードを有するリードフレームで、ヒートシンクの側面に設けた溝にリードフレームを差し込むことでリードフレームとヒートシンクを固定することを特徴とし、ヒートシンク上面にSiデバイス、GaAsデバイス、GaNデバイスをAgペースト樹脂、はんだ、焼結Ag等のダイボンド材で実装し、Au、Ag、Al等のボンディングワイヤで結線後、モールド樹脂にて封止された半導体装置である。
【００２３】
すなわち、本発明の実施の形態に関わる半導体装置１００は、搭載面、放熱面、側面、および係合部を有するヒートシンクと、前記ヒートシンクの搭載面に搭載されている半導体チップと、前記ヒートシンクの係合部に係合されているリードフレームと、前記ヒートシンク、前記半導体チップおよび前記リードフレームを封止しているモールド樹脂と、を備え、前記ヒートシンクの係合部は、前記ヒートシンクの搭載面を避けた場所に配置されていることを特徴とするものである。
【００２４】
実施の形態２．
本発明の実施の形態に関わる半導体装置１００は、ドレイン電極端子１、ゲート電極端子２、ヒートシンク３、モールド樹脂７、リードフレーム９などから構成されている。ヒートシンク３には、半導体チップと回路基板が搭載されている。半導体チップは、ドレイン電極、ゲート電極、ソース電極を備えている。半導体チップ、回路基板、リードフレーム９、およびヒートシンク３は、モールド樹脂７によって、封止されている。ヒートシンク３は、ソース電極端子を兼ねている。
【００２５】
本発明の実施の形態に関わる半導体装置１００は、周波数１GHz以上、１W以上の電力を出力するのに適している。ヒートシンク３は、２００mW/K以上の熱伝導率を有している。ヒートシンク３は、放熱面（裏面）と搭載面（上面）と側面を有している。ヒートシンク３の裏面には、リードフレーム９が、固定されている。半導体チップと回路基板は、ヒートシンク３の搭載面に搭載されている。半導体チップと回路基板から放出された熱は、ヒートシンク３の放熱面から、外部に放射される。
【００２６】
図６は、本発明の実施の形態に関わる半導体装置１００の構造を示す断面模式図である。ヒートシンク３の上面（搭載面）には、半導体チップ４や回路基板５が、Agペースト樹脂、はんだ、焼結Ag等のダイボンド材８で固定されている。リードフレーム９は、２端子以上のリードを有している。ヒートシンク３は、側面に、係合部となるダボ３ｆを有している。リードフレーム９ａおよびリードフレーム９ｂには、ダボ３ｆと係合する係合穴９ｘが開口されている。左側のダボ３ｆにはリードフレーム９ａの係合穴９ｘが、はめ合わされて、係合している。右側のダボ３ｆにはリードフレーム９ｂの係合穴９ｘが、はめ合わされて、係合している。
【００２７】
ヒートシンク３のダボ３ｆとリードフレーム９ａ、９ｂをカシメることで、リードフレーム９とヒートシンク３を固定している。本発明の実施の形態に関わるモールド樹脂７は、半導体装置１００を異物や、外力等から保護するために、半導体チップ４と回路基板５を封止している。本実施の形態における半導体装置１００は、ヒートシンクの側面に設けたダボにリードフレームをカシメることでリードフレームとヒートシンクを固定することを特徴とする半導体装置である。
【００２８】
ヒートシンク３とリードフレーム９を固定するために、ヒートシンク３の上面（搭載面）にダボとカシメが存在する構造では、部品実装に使用出来ない領域が生じる。本実施の形態に関わる半導体装置では、ヒートシンクの上面（搭載面）にダボやカシメが、存在していない。ヒートシンクの上面（搭載面）を全て部品実装に使用可能であることから、パッケージ（半導体装置）の小型化が可能となる。すなわち、本実施の形態に関わる半導体装置は、ヒートシンクの上面を全て部品実装に使用可能であるため、従来に比べて、パッケージ（半導体装置）の小型化を実現出来る。
【００２９】
実施の形態３．
本発明の実施の形態に関わる半導体装置１００は、ドレイン電極端子１、ゲート電極端子２、ヒートシンク３、モールド樹脂７、リードフレーム９などから構成されている。ヒートシンク３には、半導体チップと回路基板が搭載されている。半導体チップは、ドレイン電極、ゲート電極、ソース電極を備えている。半導体チップ、回路基板、リードフレーム９、およびヒートシンク３は、モールド樹脂７によって、封止されている。ヒートシンク３は、ソース電極端子を兼ねている。
【００３０】
本発明の実施の形態に関わる半導体装置１００は、周波数１GHz以上、１W以上の電力を出力するのに適している。ヒートシンク３は、２００mW/K以上の熱伝導率を有している。ヒートシンク３は、放熱面（裏面）と搭載面（上面）と側面を有している。ヒートシンク３の裏面には、リードフレーム９が、固定されている。半導体チップと回路基板は、ヒートシンク３の搭載面に搭載されている。半導体チップと回路基板から放出された熱は、ヒートシンク３の放熱面から、外部に放射される。
【００３１】
図７は、本発明の実施の形態に関わる半導体装置１００の構造を示す断面模式図である。ヒートシンク３の上面（搭載面）には、半導体チップ４や回路基板５が、Agペースト樹脂、はんだ、焼結Ag等のダイボンド材８で固定されている。リードフレーム９は、２端子以上のリードを有している。ヒートシンク３は、裏面に、係合部となる溝３ｅを有している。溝３ｅは、ヒートシンク３の裏面から上面に向かって縦方向に形成されていて、ヒートシンクの上面を突きぬけていない。
【００３２】
ヒートシンク３の左側の溝３ｅにはリードフレーム９ａが、はめ合わされて、係合している。ヒートシンク３の右側の溝３ｅにはリードフレーム９ｂが、はめ合わされて、係合している。ヒートシンク３の溝３ｅに、リードフレーム９ａおよびリードフレーム９ｂを差し込むことで、リードフレーム９とヒートシンク３を固定している。
【００３３】
本発明の実施の形態に関わるモールド樹脂７は、半導体装置１００を異物や、外力等から保護するために、半導体チップ４と回路基板５を封止している。従って、本発明の実施の形態に関わる半導体装置１００は、ヒートシンクの裏面に設けた溝にリードフレームを差し込むことで、リードフレームとヒートシンクを固定することを特徴とする半導体装置である。なお、本発明の実施の形態に関わる溝は、Ｖ字形状でもＵ字形状でも良い。
【００３４】
ヒートシンク３とリードフレーム９を固定するために、ヒートシンク３の上面（搭載面）にダボとカシメが存在する構造では、部品実装に使用出来ない領域が生じる。本実施の形態に関わる半導体装置では、ヒートシンクの上面（搭載面）にダボやカシメが、存在していない。ヒートシンクの上面を全て部品実装に使用可能であることから、パッケージ（半導体装置）の小型化が可能となる。すなわち、本実施の形態に関わる半導体装置は、ヒートシンクの上面を全て部品実装に使用可能であるため、従来に比べて、パッケージ（半導体装置）の小型化を実現出来る。
【００３５】
実施の形態４．
本発明の実施の形態に関わる半導体装置１００は、ドレイン電極端子１、ゲート電極端子２、ヒートシンク３、モールド樹脂７、リードフレーム９などから構成されている。ヒートシンク３には、半導体チップと回路基板が搭載されている。半導体チップは、ドレイン電極、ゲート電極、ソース電極を備えている。半導体チップ、回路基板、リードフレーム９、およびヒートシンク３は、モールド樹脂７によって、封止されている。ヒートシンク３は、ソース電極端子を兼ねている。
【００３６】
本発明の実施の形態に関わる半導体装置１００は、周波数１GHz以上、１W以上の電力を出力するのに適している。ヒートシンク３は、２００mW/K以上の熱伝導率を有している。ヒートシンク３は、放熱面（裏面）と搭載面（上面）と側面を有している。ヒートシンク３の裏面には、リードフレーム９が、固定されている。半導体チップと回路基板は、ヒートシンク３の搭載面に搭載されている。半導体チップと回路基板から放出された熱は、ヒートシンク３の放熱面から、外部に放射される。
【００３７】
図８は、本発明の実施の形態に関わる半導体装置１００の構造を示す断面模式図である。ヒートシンク３の上面（搭載面）には、半導体チップ４や回路基板５が、Agペースト樹脂、はんだ、焼結Ag等のダイボンド材８で固定されている。リードフレーム９は、２端子以上のリードを有している。ヒートシンク３は、側面に、係合部となる溝３ｄを有している。溝３ｄは、ヒートシンク３の側面に、側面の全長に亘って形成されている。
【００３８】
ヒートシンク３の左側の溝３ｄにはリードフレーム９ａが、はめ合わされて、係合している。ヒートシンク３の右側の溝３ｄにはリードフレーム９ｂが、はめ合わされて、係合している。ヒートシンク３の溝３ｄに、リードフレーム９ａとリードフレーム９ｂを差し込むことで、リードフレーム９とヒートシンク３を固定している。
【００３９】
本発明の実施の形態に関わるモールド樹脂７は、半導体装置１００を異物や、外力等から保護するために、半導体チップ４と回路基板５を封止している。従って、本発明の実施の形態に関わる半導体装置は、ヒートシンクの側面に設けた溝にリードフレームを差し込むことで、リードフレームとヒートシンクを固定することを特徴とする半導体装置である。なお、本発明の実施の形態に関わる溝は、Ｖ字形状でもＵ字形状でも良い。
【００４０】
ヒートシンク３とリードフレーム９を固定するために、ヒートシンク３の上面（搭載面）にダボとカシメが存在する構造では、部品実装に使用出来ない領域が生じる。本発明の実施の形態に関わる半導体装置では、ヒートシンクの上面（搭載面）にダボやカシメが、存在していない。ヒートシンクの上面（搭載面）を全て部品実装に使用可能であることから、パッケージ（半導体装置）の小型化が可能となる。すなわち、本発明の実施の形態に関わる半導体装置は、ヒートシンクの上面を全て部品実装に使用可能であるため、従来に比べて、パッケージ（半導体装置）の小型化を実現出来る。
【００４１】
なお、本願明細書に開示された技術は、開示された技術思想の範囲内において、各実施の形態を自由に組み合わせたり、各実施の形態を適宜、変形、省略することが可能である。
【符号の説明】
【００４２】
１  ドレイン電極端子、２  ゲート電極端子、３  ヒートシンク、３ｄ  溝、３ｅ  溝、３ｆ  ダボ、３ｇ  ダボ、４  半導体チップ、５  回路基板、６  ボンディングワイヤ、７  モールド樹脂、８  ダイボンド材、９  リードフレーム、９ａ  リードフレーム、９ｂ  リードフレーム、１００  半導体装置
【要約】
搭載面（３ｂ）、放熱面（３ａ）、側面（３ｃ）、および係合部（３ｄ，３ｅ，３ｆ，３ｇ）を有するヒートシンク（３）と、前記ヒートシンクの搭載面に搭載されている半導体チップ（４）と、前記ヒートシンクの係合部に係合されているリードフレーム（９）と、前記ヒートシンク、前記半導体チップおよび前記リードフレームを封止しているモールド樹脂（７）と、を備え、前記ヒートシンクの係合部は、前記ヒートシンクの搭載面を避けた場所に配置されていることを特徴とする半導体装置（１００）。前記ヒートシンクの係合部は、前記ヒートシンクの放熱面に形成されているダボ（３ｇ）からなるものである。また、前記ヒートシンクの係合部は、前記ヒートシンクの側面に形成されているダボ（３ｆ）からなるものである。【図１】
0006373545.tif 000002
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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