(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
２またはそれより多いダイのそれぞれの表面に熱的に連結される２またはそれより多い表面と、
前記２またはそれより多い表面のうち少なくとも１つの表面の、前記２またはそれより多い表面のうちの他の表面に対する位置を、自動的に調整するベローズと、
前記ベローズに連結され、前記ベローズと比べて相対的に硬く平らなベローズ下部補強材とを備え、
前記ベローズに連結されるスプリングアセンブリをさらに備え、前記スプリングアセンブリは、前記少なくとも１つの表面の前記位置を調整し、
前記２またはそれよりも多い表面のうちの他の表面は、前記ベローズに連結されず、かつ、前記スプリングアセンブリにより取り囲まれていないピンにより支持される、熱除去アセンブリ。
【請求項２】
切り欠きを含むベースを備え、前記ベローズは前記切り欠き内に配置される、請求項１に記載の熱除去アセンブリ。
【請求項３】
前記ベローズが、前記熱除去アセンブリから延長できる量を制限するＺ領域リミッターをさらに備える、請求項１または２に記載の熱除去アセンブリ。
【請求項４】
２またはそれより多いダイのそれぞれの表面に熱的に連結される２またはそれより多い表面と、
前記２またはそれより多い表面のうち少なくとも１つの表面の、前記２またはそれより多い表面のうちの他の表面に対する位置を、自動的に調整するベローズと、
前記ベローズに連結されるスプリングアセンブリと
を備え、
前記ベローズと前記スプリングアセンブリとの間にウィッキング材をさらに含み、
前記スプリングアセンブリは、前記少なくとも１つの表面の前記位置を調整する、熱除去アセンブリ。
【請求項５】
前記スプリングアセンブリは、コイルスプリングまたはリーフスプリングを含む、請求項１から４のいずれか１つに記載の熱除去アセンブリ。
【請求項６】
ベイパーチャンバーをさらに備え、前記２またはそれより多い表面は、前記ベイパーチャンバーの複数の表面である、請求項１から５のいずれか１つに記載の熱除去アセンブリ。
【請求項７】
前記ベイパーチャンバーに連結されたヒートシンク部をさらに備える、請求項６に記載の熱除去アセンブリ。
【請求項８】
前記熱除去アセンブリは、冷却プレートアセンブリを含む、請求項１から７のいずれか１つに記載の熱除去アセンブリ。
【請求項９】
パッケージ基板上に取り付けられた第１のダイおよび第２のダイと、前記第１のダイおよび前記第２のダイに連結された熱除去アセンブリとを含み、前記第１のダイは、前記パッケージ基板の表面に対する前記第２のダイの高さより大きいまたは小さい高さを有し、
前記熱除去アセンブリは、
前記第１のダイおよび前記第２のダイのそれぞれの表面に熱的に連結された第１の表面および第２の表面と、
前記第１のダイまたは前記第２のダイの前記高さに基づいて前記第１の表面または前記第２の表面のうちの一方の表面の位置を自動的に調整するベローズと、
前記ベローズに連結され、前記ベローズと比べて相対的に硬く平らなベローズ下部補強材とを備え、
前記ベローズと連結されたスプリングアセンブリをさらに含み、前記スプリングアセンブリは、前記第１の表面または前記第２の表面のうちの一方の表面の前記位置を調整し、
前記第１の表面または前記第２の表面のうちの他の表面は、前記ベローズに連結されず、かつ、前記スプリングアセンブリにより取り囲まれていないピンにより支持される、マルチチップパッケージアセンブリ。
【請求項１０】
前記熱除去アセンブリは、切り欠きを含むベースを備え、前記ベローズは前記切り欠き内に配置される、請求項９に記載のマルチチップパッケージアセンブリ。
【請求項１１】
前記熱除去アセンブリは、前記ベローズが前記熱除去アセンブリから延長できる量を制限するＺ領域リミッターをさらに備える、請求項９または１０に記載のマルチチップパッケージアセンブリ。
【請求項１２】
パッケージ基板上に取り付けられた第１のダイおよび第２のダイと、前記第１のダイおよび前記第２のダイに連結された熱除去アセンブリとを含み、前記第１のダイは、前記パッケージ基板の表面に対する前記第２のダイの高さより大きいまたは小さい高さを有し、
前記熱除去アセンブリは、
前記第１のダイおよび前記第２のダイのそれぞれの表面に熱的に連結された第１の表面および第２の表面と、
前記第１のダイまたは前記第２のダイの前記高さに基づいて前記第１の表面または前記第２の表面の位置を自動的に調整するベローズと、
前記ベローズと連結されたスプリングアセンブリと
を備え、
前記ベローズと前記スプリングアセンブリとの間にウィッキング材をさらに含み、
前記スプリングアセンブリは、前記第１の表面または前記第２の表面の前記位置を調整する、マルチチップパッケージアセンブリ。
【請求項１３】
前記スプリングアセンブリは、コイルスプリングまたはリーフスプリングを含む、請求項９から１２のいずれか１つに記載のマルチチップパッケージアセンブリ。
【請求項１４】
前記熱除去アセンブリは、ベイパーチャンバーをさらに含み、前記第１の表面および前記第２の表面は、前記ベイパーチャンバーの複数の表面である、請求項９から１３のいずれか１つに記載のマルチチップパッケージアセンブリ。
【請求項１５】
前記熱除去アセンブリは、前記ベイパーチャンバーに連結されたヒートシンク部をさらに含む、請求項１４に記載のマルチチップパッケージアセンブリ。
【請求項１６】
前記熱除去アセンブリは、冷却プレートアセンブリをさらに含む、請求項９から１５のいずれか１つに記載のマルチチップパッケージアセンブリ。
【請求項１７】
回路基板と、
前記回路基板に連結された複数のダイと、
前記複数のダイのうちの第１のダイおよび第２のダイに連結された熱除去アセンブリとを備え、
前記熱除去アセンブリは、
前記複数のダイのうちの２つのそれぞれの表面に熱的に連結された第１の表面および第２の表面と、
前記回路基板から測定される前記第２のダイの高さに対する前記第１のダイの高さに基づいて前記第２の表面に対する前記第１の表面の位置を自動的に調整するベローズと、
前記ベローズに連結され、前記ベローズと比べて相対的に硬く平らなベローズ下部補強材とを備え、
前記ベローズに連結されたスプリングアセンブリをさらに含み、前記スプリングアセンブリは、前記第１の表面の前記位置を調整し、
前記第２の表面は、前記ベローズに連結されず、かつ、前記スプリングアセンブリにより取り囲まれていないピンにより支持される、システム。
【請求項１８】
前記熱除去アセンブリは、切り欠きを含むベースを備え、前記ベローズは前記切り欠き内に配置される、請求項１７に記載のシステム。
【請求項１９】
前記熱除去アセンブリは、前記ベローズが前記熱除去アセンブリから延長できる量を制限するＺ領域リミッターをさらに備える、請求項１７または１８に記載のシステム。
【請求項２０】
回路基板と、
前記回路基板に連結された複数のダイと、
前記複数のダイのうちの第１のダイおよび第２のダイに連結された熱除去アセンブリとを備え、
前記熱除去アセンブリは、
前記複数のダイのうちの２つのそれぞれの表面に熱的に連結された第１の表面および第２の表面と、
前記回路基板から測定される前記第２のダイの高さに対する前記第１のダイの高さに基づいて前記第２の表面に対する前記第１の表面の位置を自動的に調整するベローズと、
前記ベローズに連結されたスプリングアセンブリと
を備え、
前記ベローズと前記スプリングアセンブリとの間にウィッキング材をさらに含み、
前記スプリングアセンブリは、前記第１の表面または前記第２の表面の前記位置を調整する、システム。
【請求項２１】
前記スプリングアセンブリは、コイルスプリングまたはリーフスプリングを含む、請求項１７から２０のいずれか１つに記載のシステム。
【請求項２２】
前記熱除去アセンブリは、ベイパーチャンバーをさらに含み、前記第１の表面および前記第２の表面は、前記ベイパーチャンバーの複数の表面である、請求項１７から２１のいずれか１つに記載のシステム。
【請求項２３】
前記熱除去アセンブリは、前記ベイパーチャンバーに連結されたヒートシンク部をさらに含む、請求項２２に記載のシステム。
【請求項２４】
前記熱除去アセンブリは、冷却プレートアセンブリをさらに含む、請求項１７から２３のいずれか１つに記載のシステム。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本開示は、概して、複数の電子デバイスについての複数のパッケージの分野に関し、より詳細には、複数の熱除去アセンブリの複数の構成に関する。
【背景技術】
【０００２】
マルチチップパッケージを冷却するための従来の解決策には、熱が取り除かれるそれぞれのターゲットデバイスまたはダイに対して個々の熱除去アセンブリまたは個々のヒートシンクが要求されることがある。ターゲットデバイスにおける異なるダイが、ダイスが取り付けられた基板から測定される複数の異なる高さＺを有する場合、この必要性は、増大する場合がある。この場合、熱除去アセンブリは、他のダイより低い高さＺを有するダイと確実に接触させる難しさを有しているかもしれない。よって、個々の熱除去アセンブリは、異なるダイスの複数の異なる高さＺの原因となることが必要になることがある。
【０００３】
しかしながら、別個の熱除去アセンブリまたはヒートシンクは、全体モジュールアセンブリまたは各デバイスから放散され得る電力または熱の合計量の制限をもたらすかもしれない。さらに、多数のアセンブリの使用が、全体の熱除去構造のサイズまたは設置面積の増大をもたらすかもしれない。このことは、小さいサイズまたは小さい設置面積が所望される複数のデバイスでは、好ましくないことがある。
【図面の簡単な説明】
【０００４】
複数の実施形態は、複数の添付の図面とともに以下の詳細な説明によって、容易に理解されるであろう。この説明を容易にするために、同様の複数の参照番号は、同様の複数の構造的要素を示す。複数の実施形態は、複数の添付の図面において、例示として示されており、限定的なものとして示されていない。
【図１】様々な実施形態に係る熱除去アセンブリを含むパッケージの分解図を概略的に示す。
【図２】様々な実施形態に係る図１の熱除去アセンブリおよびダイの側面図である。
【図３】様々な実施形態に係る２つの異なる熱除去アセンブリの分解図である。
【図４】様々な実施形態に係る熱除去アセンブリを含むマルチチップパッケージ（ＭＣＰ）の断面図である。
【図５】様々な実施形態に係る２つの異なる熱除去アセンブリの分解図である。
【図６】様々な実施形態に係る図５の熱除去アセンブリにおいて使用され得る例示的な複数の冷却プレートフィンを示す。
【図７】様々な実施形態に係る図５の熱除去アセンブリにおいて使用され得る例示的なスプリングを示す。
【図８】様々な実施形態に係る熱除去アセンブリにおいて使用され得る例示的なウィッキング材を示す。
【図９】様々な実施形態に係る図８のウィッキング材を含む熱除去アセンブリの例示的な断面図を示す。
【図１０】様々な実施形態に係る熱除去アセンブリを含んでよいコンピューティングデバイスを概略的に示す。
【図１１】様々な実施形態に係るＺ領域リミッターを有する熱除去アセンブリの例示的な断面図を示す。
【発明を実施するための形態】
【０００５】
本開示の複数の実施形態は、電子デバイスの２またはそれより多いダイと熱的に連結される熱除去アセンブリを含んでよい。熱除去アセンブリは、熱除去アセンブリの少なくとも１つの表面の、熱除去アセンブリの他の表面に対する位置を自動的に調整するベローズを含んでよい。複数の実施形態において、熱除去アセンブリは、冷却プレートアセンブリまたはベイパーチャンバーをであってよい。複数の実施形態において、熱除去アセンブリはベローズを調整する１または複数のコイルスプリングおよび／または１または複数のリーフスプリングなどのスプリングアセンブリを含んでよい。概して、いくつかの実施形態は、統合ヒートスプレッダ（ＩＨＳ）に関連してよい。複数の代替的な実施形態は、ヒートシンクベースに関連してよい。さらに複数の他の実施形態は、いくつかの他のタイプの熱除去アセンブリに関連してよい。
【０００６】
以下の詳細な説明では、本明細書の一部を形成する複数の添付図面に対し、参照がなされる。そこでは随所にわたり、同様の番号が同様の部品を指し、本開示の主題を実施可能な複数の実施形態が例示を目的として、記載される。複数の他の実施形態が使用可能であり、本開示の範囲を逸脱することなく、構造的または論理的な複数の変更を加えることが可能であることを理解すべきである。従って、以下の詳細な説明は限定的意味に解釈されるべきではなく、複数の実施形態の範囲は、添付の特許請求の範囲及びこれらの均等物によって定義される。
【０００７】
本開示の目的のため、「Ａ及び／又はＢ」の文言は、（Ａ）、（Ｂ）又は（Ａ及びＢ）を意味する。本開示の目的のため、「Ａ、Ｂ、および／またはＣ」という文言は、（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）、（ＡおよびＢ）、（ＡおよびＣ）、（ＢおよびＣ）、または（Ａ、ＢおよびＣ）を意味する。
【０００８】
説明において、「一実施形態において」または「実施形態において」という文言を、それぞれ、同一または異なる実施形態のうち１または複数に言及するものとして使用する場合がある。さらに、「備える」、「有する」、「含む」などの用語は、本開示の複数の実施形態に関して使用される場合、同義語である。
【０００９】
「連結して」という用語は、その派生語とともに本明細書で使用され得る。「連結され」は、以下のうち１または複数を意味してよい。「連結され」は、２またはそれより多い要素が直接物理的接触、または電気的接触していることを意味する可能性がある。しかしながら、「連結され」は、互いに間接的に接触する２またはそれより多い要素を意味してもよいが、まだ、互いに協同し又は相互接続し、及び１または複数の他の要素が互いに連結しているとされた複数の要素の間で連結し又は接続されることを意味してよい。
【００１０】
様々な実施形態において、「第２の層上に形成された第１の層」という文言は、第１の層が、第２の層の上に形成され、第１の層の少なくとも一部が第２の層の少なくとも一部に直に接触（例えば、直接物理的および／または電気的接触）、または（例えば、第１の層と第２の層との間に１または複数の他の層を有する）間接的に接触することを意味してよい。
【００１１】
上述の通り、ＭＣＰにおいて使用されるいくつかの従来の熱除去の解決策では、熱が取り除かれるターゲットデバイスごとに個々の熱除去アセンブリまたはヒートシンクを使用することになるかもしれない。しかしながら、この種の解決策の１つの主な欠点は、全体のモジュールアセンブリから又は各デバイスから放散され得る電力の合計量が制限され得ることであるかもしれない。本開示の複数の熱除去アセンブリは、同じ設置面積（例えば、同じＭＣＰ）において「ｎ」個のデバイスから熱を取り除く１つの熱除去アセンブリのプロビジョニングを可能にすることができ、デバイスからデバイスへの電力消費における更なる柔軟性を可能にすることができる。
【００１２】
詳細には、本開示の複数の実施形態は、ベイパーチャンバーベース技術を利用する複数のターゲットデバイスの複数の面の自動的な高さ補償を提供してよい。各デバイスは、同じヒートシンクを共有してよく、ベイパーチャンバーのベイパーチャンバーベースなどの熱除去アセンブリのコンポーネントにおいて自動高さ補償に起因するけれども、熱伝導材料（ＴＩＭ）の接合線の厚さが最小化され、しかも各ＴＩＭ／パッケージの境界に必要な圧力を提供し得る。この技術は、最小限のダイＭＣＰ、多数の熱除去アセンブリを有するＭＣＰ、または任意のハイブリッドに適用することができる。いくつかの実施形態において、本明細書で記載される自動高さ補償技術および構成は、例えば、中央処理ユニット（ＣＰＵ）、積層メモリ、システムオンチップ（ＳｏＣ）、その他などの適切なデバイスの任意の種類に適用されてよい。いくつかの実施形態において、本明細書で記載される技術および構成は、複数のフィールドプログラマブルゲートアレイ（ＦＰＧＡ）デバイスに関連して使用されてよい。
【００１３】
追加の利点として、マルチチップパッケージ（ＭＣＰ）において使用されるいくつかの従来の熱除去アセンブリでは、概して最も高いダイにしっかりと接触させて、その結果、厚みのある熱伝導材料（ＴＩＭ  １）を使用してダイ（複数のダイ）の上端から熱除去アセンブリまで熱的に接続することの問題に悩まされるかもしれない。これは、決して最適な熱的な解決策をもたらさないかもしれず、製品提供を制限する可能性がある。本開示に従ったベイパーチャンバーなどの熱除去アセンブリは、統合ヒートスプレッダ（ＩＨＳ）レベル（ＭＣＰのためのパッケージレベル）で適用され得る。例えば、自動的な高さおよび共平面（同一平面）を調整する「ｎ」個の「ベローズ（蛇腹）」は、各ダイの表面との接触を形成するために使用されることができ、これは、ＴＩＭ１の厚さを最小化し、また共平面性を提供し得る。
【００１４】
複数のスプリングで連結された複数の自己調整ベローズは、ベイパーチャンバーとダイ（複数のダイ）との間の（ＴＩＭ  １の接合線の厚さを最小にする）最適な接合を保証し得る。いくつかの実施形態において、設計は、熱除去媒体として単一相の液体の使用を採用してよく、熱除去アセンブリは、液体の出入口を含んでよい。
【００１５】
１つの解決策は、ＴＩＭ  １の境界の厚さを最小限にするために熱除去アセンブリ（の可能な場所）に「段差」を追加することかもしれない。しかしながら、そのような解決策は、最適な解決策ではないかもしれず、大きなばらつきが、その熱能力を最小限にするかもしれない。本開示のベイパーチャンバーまたは他のＩＨＳは、常にそのターゲットダイに接触し得、TIM  １の厚さを最小限にし、それ故に、現在の設計に比較して熱抵抗を減少させる。
【００１６】
本明細書の複数の実施形態は、概して、複数の熱除去アセンブリに関して記載されるであろう。概して、熱除去アセンブリは、ベイパーチャンバー、冷却プレート、またはいくつかの他のタイプのＩＨＳなどのＩＨＳを含んでよい。熱除去アセンブリは、また、ＩＨＳに連結されるヒートシンクを含んでよい。本明細書で使用されるように、ＩＨＳは、ダイなどのディスクリートデバイスに連結し、複数のダイからより大きい表面積まで熱を拡散するよう構成されるデバイスのことを指し示してもよい。したがって、ＩＨＳは、熱エネルギーを次にダイ／複数のダイ／ＩＨＳから移動させ得る本明細書の他の場所に記載されるようなヒートシンクと連結してよい。
【００１７】
本明細書で使用されるように、ベイパーチャンバーは、加熱されると様相を変化させる複数の冷却剤微粒子で満たされるＩＨＳアセンブリのことを指し示してよい。詳細には、冷却剤が加熱されると、それは蒸発し得る。蒸発した冷却剤は、その後、チャンバーの至る所に分散され得る。冷却剤は、その後、複数の冷却表面上で液化し、その熱負荷を放散させ、冷却剤タンクに戻される。
【００１８】
ＩＨＳの代替の種類は、冷却プレートでよく、ＩＨＳは、ＩＨＳの一側面上で導入され、ＩＨＳの他側面上で抜け出る液体で満たされる。液体は、ＩＨＳを通って流れ、熱エネルギーを吸収してよく、それがＩＨＳを抜け出るとすぐに、システムから熱エネルギーを取り除く。
【００１９】
図１は、様々な実施形態に係る熱除去アセンブリ１００を含むパッケージの分解図を概略的に示す。詳細には、パッケージは、ＭＣＰでよく、図１は、熱除去アセンブリ１００を含むＭＣＰを描写する。熱除去アセンブリ１００は、ベイパーチャンバー１４０に連結されるヒートシンク１０１を含んでよい。熱除去アセンブリ１００は、第１のダイ１８０及び第２のダイ１８５を含む基板１７５に連結されるように構成されてよい。ダイ１８０および１８５は、基板１７５から熱除去アセンブリ１００に向かって測定される異なる高さＺを有してよく、より詳細については以下で説明されるであろう。ダイ１８０および１８５を有する基板１７５は、基板１９０のソケット１９５に連結されるように構成されてよい。基板１９０は、例えば、プリント回路基板（ＰＣＢ）またはいくつかの他のタイプの基板でよい。
【００２０】
図２は、様々な実施形態に係る図１の熱除去アセンブリ１００およびダイ１８０および１８５の側面図である。詳細には、図２は、ヒートシンク１０１およびベイパーチャンバー１４０を含んでよい熱除去アセンブリ１００を描写する。熱除去アセンブリ１００は、ダイ１８０および１８５に連結されるように構成されてよい。上述されるように、ダイ１８０および１８５は、例えば、ＣＰＵ、積層メモリ、ＳｏＣでよい。
【００２１】
ヒートシンク１０１は、アルミニウム、銅、ダイヤモンド、複合材料、セラミック、またはそれらのいくつかの他の組み合わせあるいは合金などの物質から作成されるヒートシンクでよい。実施形態において、ヒートシンク１０１は、固形ブロックの物質でよい。しかし一方、他の実施形態において、ヒートシンク１０１は、ヒートシンクの表面積を最大化させる複数のフィンを含んでよい。いくつかの実施形態において、ヒートシンク１０１は、ヒートシンク１０１を横切って液体または空気を移動させるように構成されるファンなどのデバイスに熱的に連結されてよい。
【００２２】
図２に示すように、ダイ１８０および１８５は、基板１７５から測定される異なる高さＺを有してよい。詳細には、図示されるように、ダイ１８５は、より高い高さＺを有し、ダイ１８０よりも基板１７５から測定される高さが高い。
【００２３】
ダイ１８０および１８５の異なる高さＺを調整するために、熱除去アセンブリは、複数のダイ１８０および１８５に連結される表面１６５および１７０がそれぞれ、それらが互いに共平面でないような互いに異なる位置を有するように構成されてよい。詳細には、図２に示すように、表面１６５は、表面１７０よりベイパーチャンバー１４０からさらに延びてよい。さらに延びることにより、表面１６５は、ダイ１８０により良い接触を形成することができ得て、表面１６５が表面１７０と共平面である場合よりも、より低い高さＺを有する。この延長を調整するために、表面１７０は、ベイパーチャンバー１４０のアセンブリの表面でよく、その上、表面１６５は、ベイパーチャンバー１４０から延びるベローズ下部補強材１２０の表面でよい。
【００２４】
図３は、様々な実施形態に係る２つの異なる熱除去アセンブリ２００および３００の分解図である。詳細には、熱除去アセンブリ２００および３００は、熱除去アセンブリ１００と同様でよい。熱除去アセンブリ２００および３００は、ヒートシンク１０１などのヒートシンクと直接連結するように構成されてよいカバー２０５／３０５を含んでよい。カバー２０５／３０５は、例えば、銅、アルミニウム、および／またはいくつかの他の熱的導電性材料から構成されてよい。カバー２０５／３０５は、切り欠き２２５／３２５を含んでよいベース２１５／３１５に連結されてよい。ベース２１５／３１５は、例えば、銅、アルミニウム、および／またはいくつかの他の熱的導電性材料から構成されてよい。カバー２０５／３０５およびベース２１５／３１５は、概して、ベイパーチャンバー１４０などのベイパーチャンバーの対向する面でよい。
【００２５】
ベローズ２１０／３１０は、切り欠き２２５／３２５内に配置されてよい。実施形態において、ベローズ２１０／３１０は、例えば、銅、アルミニウム、および／またはいくつかの他の熱的導電性材料から構成されてよく、圧力がベイパーチャンバー内からベローズ２１０／３１０に加えられるときに、屈曲するように構成されてよい。ベローズ２１０／３１０は、例えば、ベローズ下部補強材１２０と同様でよい相対的に構造的に硬いベローズ下部補強材２２０／３２０に連結されてよい。複数の実施形態において、ベローズ下部補強材２２０／３２０は、例えば、銅、アルミニウム、および／またはいくつかの他の熱的導電性材料から構成されてよい。ベローズ下部補強材２２０／３２０は、ベローズ２１０／３１０がベース２１５／３１５から離れて相対的に同等の量を延長することが所望される場合に、使用されてよい。言い換えれば、熱除去アセンブリの延長された部分が曲がったり、弓形になったりするよりもむしろ相対的に平らになることが所望される場合に、使用されてよい。図示するように、ベローズ下部補強材２２０／３２０は、ベローズ２１０／３１０と反対側のベース２１５／３１５の面上にあってよい。複数の他の実施形態において、ベローズ２１０／３１０およびベローズ下部補強材２２０／３２０は、ベース２１５／３１５の同じ面上にあってよい。いくつかの実施形態において、ベローズ下部補強材２２０／３２０は、ベローズ２１０／３１０から分離され、取り外し可能でよく、その上、複数の他の実施形態において、ベローズ下部補強材２２０／３２０およびベローズ２１０／３１０は、例えば、接着剤、ラミネート加工、またはいくつか他のタイプの接合手段により少なくとも部分的にまたは全体的に互いに連結されてよい。
【００２６】
複数の実施形態において、熱除去アセンブリ２００は、カバー２０５とベローズ２１０との間に配置されるリーフスプリング２３０などのスプリングアセンブリを含んでよい。リーフスプリング２３０は、相対的に硬いカバー２０５を押すように構成されてよく、それによりベローズ２１０に対する圧力をかけ、順に、ベローズ２１０が熱除去アセンブリ２００から延びることを引き起こしてよい。上述の通り、この延長の例が、表面１６５および１７０が共平面でないような熱除去アセンブリ１００およびベローズ下部補強材１２０に関して図１に示される。
【００２７】
同様に、複数の実施形態において、熱除去アセンブリ３００は、ピン３３５の周りにも配置されてよいコイルスプリング３３０などのスプリングアセンブリを含んでよい。コイルスプリング３３０は、カバー３０５を押して、ベローズ３１０に対して圧力をかけるように構成されてよく、それにより、上述されるように熱除去アセンブリ３００からベローズ３１０を延長する。ピン３３５は、コイルスプリング３３０に対して構造支持体を提供するよう構成されてよい。いくつかの実施形態において、ピン３３５は、また、ベローズ３１０が所望の量を超えて収縮することがないように作用してよい。
【００２８】
いくつかの実施形態において、リーフスプリング２３０およびコイルスプリング３３０のばね定数は、予め定義された製作公差に基づいてよい。例えば、ベローズがある量を延長し、既知の量の圧力をかけることが所望されるある用途について特定の熱除去アセンブリが使用されてよいことが既知である場合がある。これらのパラメータに基づいて、リーフスプリング２３０および／またはコイルスプリング３３０のばね定数は、特定されてよく、熱除去アセンブリ２００および３００は、これらのパラメータを調整するように製作されてよい。複数の他の実施形態において、リーフスプリング２３０およびコイルスプリング３３０のばね定数は、上述されたこれらより多くの、またはより少ないパラメータに基づいてもよい。また、いくつかの実施形態において、単一のリーフスプリング２３０および２つのコイルスプリング３３０のみが示されているけれども、複数の他の実施形態において、熱除去アセンブリは、多数のリーフスプリング、より多くの、またはより少ないコイルスプリング、またはそれらの組み合わせを有してよい。
【００２９】
図４は、様々な実施形態に係る熱除去アセンブリ４００を含むＭＣＰ４０２の断面図である。概して、熱除去アセンブリ４００は、熱除去アセンブリ１００または３００と同様でよい。詳細には、熱除去アセンブリ４００は、ヒートシンク１０１と同様でよいヒートシンク４０１を含んでよい。熱除去アセンブリ４００は、ソケット１９５および基板１９０と同様でよい基板４９０上に配置されたソケット４９５に連結されてよい。図４に示すように、ソケット４９５は、基板１７５および複数のダイ１８５および１８０とそれぞれ同様でよい複数のダイ４８５および４８０を含む基板４７５に連結されてよい。図４に示すように、ＭＣＰ４０２は、合計で３つのダイを含んでよい。しかしながら、上述の通り、他のＭＣＰは、より多くの、またはより少ないダイを含んでよい。３つのダイは、一例として本明細書で示される。熱除去アセンブリ４００は、図示されるように複数のダイ４８５および４８０に連結されてよい。
【００３０】
熱除去アセンブリ４００は、ベイパーチャンバー１４０と同様でよいベイパーチャンバー４４０を含んでよい。詳細には、ベイパーチャンバー４４０は、カバー３０５と同様でよいカバーを含んでよい。しかしながら、図４におけるカバーは、図面の必要な混雑を避けるために、明確には列挙していない。ベイパーチャンバー４４０は、さらに、ベース３１５と同様でよいベース４１５を含んでよい。
【００３１】
ピン３３５と同様でよい複数のピン４３５は、ベイパーチャンバー４４０内に配置されてよい。図４に示すように、ピン４３５の少なくともいくつかは、コイルスプリング３３０と同様でよいコイルスプリング４３０により取り囲まれていてよい。コイルスプリング４３０により取り囲まれるピン４３５は、さらに、ベローズ３１０と同様でよいベローズ４１０と連結されてよい。ベローズ４１０は、下部補強材３２０と同様でよい下部補強材４２０に連結されてよい。
【００３２】
いくつかの実施形態において、ベイパーチャンバー４４０は、図４の一番左側のピン４３５で示されるように、ベローズに連結されていない、またはコイルスプリングにより取り囲まれていないピン４３５を含んでよい。複数の実施形態において、追加のピンは、ベイパーチャンバー４４０の構造支持体で支援してよく、すなわち、カバーとベイパーチャンバー４４０のベース４１５との間で構造支持体を提供する。
【００３３】
図４に示すように、複数のダイ４８０は、基板４９０から測定される、ダイ４８５より低い高さＺを有してよい。この実施形態において、ダイ４８５は、ベース４１５に直接連結されてよい。しかしながら、より低い高さＺを有してよいダイ４８０は、複数のダイ４８０の方向においてベース４１５から少なくとも部分的に延長してよい下部補強材４２０に連結されてよい。このように、熱除去アセンブリ４００は、異なる高さＺを有してよい複数のダイ４８０および４８５に十分に連結されるように構成され、複数のダイ４８０と熱除去アセンブリ４００との間に配置される相対的に大きなＴＩＭ  １物質の必要がなく複数のダイ４８０および４８５の両方から熱を取り除くことができる。さらに、図４に示すように、異なる高さＺを有する多数のダイ４８０が、異なる高さＺを有する複数のダイのための個々の熱除去アセンブリを要求するよりもむしろ、単一の熱除去アセンブリ４００に連結されることが可能であり得る。
【００３４】
図４に示す実施形態は、単に一実施形態であり、複数の他の実施形態において、熱除去アセンブリ４００は、熱除去アセンブリ２００と同様でよく、例えば、ピン３３５および／またはコイルスプリング３３０よりむしろリーフスプリング２３０などのリーフスプリングを含んでよいことを理解されるであろう。いくつかの実施形態において、リーフスプリングおよびコイルスプリングの両方が使用されてよい。さらに、熱除去アセンブリ４００は、熱除去アセンブリ４００の様々なスプリングのばね定数のチューニングに依存する２より多い高さＺを調整するように構成されてよい。
【００３５】
図５は、様々な実施形態に係る２つの異なる熱除去アセンブリ５００および６００の分解図である。詳細には、熱除去アセンブリ５００および６００は、熱除去アセンブリ２００および３００と同様でよい。しかしながら、熱除去アセンブリ２００および３００は、ベイパーチャンバー構成よりむしろ、上述された冷却プレートなどの冷却プレート構成に基づいてよい。
【００３６】
熱除去アセンブリ５００および６００は、ベローズ補強材２２０／３２０、ベース２１５／３１５、切り欠き２２５／３２５、およびベローズ２１０／３１０のそれぞれと同様でよいベローズ補強材５２０／６２０、切り欠き５２５／６２５を有するベース５１５／６１５、およびベローズ５１０／６１０を含んでよい。熱除去アセンブリ５００は、さらに、リーフスプリング２３０と同様でよいリーフスプリング５３０を含んでよい。熱除去アセンブリ６００は、ピン３３５およびコイルスプリング３３０のそれぞれと同様でよい１または複数のピン６３５およびコイルスプリング６３０をさらに含んでよい。熱除去アセンブリ５００／６００は、冷却液が熱除去アセンブリ５００／６００のそれぞれを出入りする入力ポート５９０／６９０および出力ポート５９５／６９５をさらに含んでよい。詳細には、冷却液が入力ポート５９０／６９０で熱除去アセンブリ５００／６００に入り、それが熱エネルギーを吸収する熱除去アセンブリ５００／６００を通って流れ、その後、出力ポート５９５／６９５で熱除去アセンブリ５００／６００から出てよく、それにより、システムから熱エネルギーを廃棄する。
【００３７】
熱除去アセンブリ５００は、カバー２０５と同様でよいカバー５０５をさらに含んでよい。しかしながら、カバー５０５は、熱除去アセンブリ５００内に含まれる液体から増加された量の熱を分散させるようにカバー５０５の表面積を増大させることに役立つことができる、図示するような１または複数の溝またはフィンを含んでよい。
【００３８】
同様に、ベース５１５は、冷却プレートフィン５４０に連結されてよい。他の冷却プレートフィン５４５が、リーフスプリング５３０とベローズ５１０との間に配置されてよい。概して、冷却プレートフィン５４０および５４５は、熱除去アセンブリ５００を介して流体の流れを案内するように構成されてよい。冷却プレートフィン５４０および５４５は、熱除去アセンブリ５００を通って流体が流れて得る経路を禁止して、流体が吸収する熱エネルギーの量を増大させる役目を果たしてよい。冷却プレートフィン５４０および５４５は、さらに、流体が熱除去アセンブリ５００の至る所に均一に分散されないことに起因して、熱除去アセンブリ５００で生じ得る「ホットスポット」を減少または解消する役目を果たしてよい。
【００３９】
リーフスプリング５３０が４つの「アーム」を有してよいが、熱除去アセンブリ２００のリーフスプリング２３０は、単に２つの「アーム」を有してよい。さらに、リーフスプリング５３０は、リーフスプリング２３０に対して逆さに示されてよいことが留意されるであろう。これらの差は、様々な構成の単なる例示であり、いくつかの実施形態において、熱除去アセンブリ２００または５００は、図示されたものとは異なる数のアームを含む、または異なる構成であるリーフスプリングを有してよい。図５で詳細に示されるように、リーフスプリング５３０は、以下でより詳細に説明されるように冷却プレートフィン５４５を覆って圧力をかけるように構成されてよい。
【００４０】
熱除去アセンブリ６００が、カバー５０５と同様でよいカバー６０５をさらに有してよい。熱除去アセンブリ６００は、また、冷却プレートフィン５４０と同様でよい冷却プレートフィン６４０を含んでよい。熱除去アセンブリ６００は、また、冷却プレートフィン５４５と同様でよい冷却プレートフィン６４５を含んでよい。しかしながら、示されるように、冷却プレートフィン６４５は、冷却プレートフィン５４５とは異なる形状を有してよい。なぜなら、冷却プレートフィン６４５は、リーフスプリング５３０の複数のアームを調整できるように構成される必要がないかもしれないからである。
【００４１】
図６は、様々な実施形態に係る熱除去アセンブリ５００の冷却プレートフィン５４５を描写する。図示されるように、冷却プレートフィン５４５は、銅、アルミニウム、および／またはいくつかの他の熱的導電性材料でよい相対的に硬いプレート７００を含んでよい。冷却プレートフィン５４５は、図示されるように少なくとも部分的に畝状でよく、熱除去アセンブリ５００を通る流体の流れを案内するのに役立ってよいフィン材７１５を含んでよい。複数の実施形態において、フィン材７１５は、銅、アルミニウム、および／またはいくつかの他の熱的導電性材料を含んでよい。いくつかの実施形態において、冷却プレートフィン５４５は、流体を案内する、および／または冷却プレートフィン５４５の表面積を増大させて、冷却液まで熱を放散させる様々な特徴を含んでよい。例えば、冷却プレートフィン５４５の複数のフィンは、平行でよく、複数のピン機構、および／または相対的に硬いベースからの他の突起を含んでよい。
【００４２】
冷却プレートフィン５４５は、リーフスプリング５３０が固体プレート７００に圧力をかけることができるように冷却プレートフィン５４５がリーフスプリング５３０の複数のアームと接合することができ得る１または複数の切り欠き７０５をさらに含んでよい。図５および６に示されるように、冷却プレートフィン５４５は、４つの切り欠き７０５を含んでよいが、複数の他の実施形態において、冷却プレートフィン５４５は、より多くの、またはより少ない切り欠きを含んでよい。切り欠きの数は、リーフスプリング５３０の構成、または熱除去アセンブリ５００のいくつかの他の特徴に依存してよい。
【００４３】
いくつかの実施形態において、冷却プレートフィン５４５が、また、熱除去アセンブリ５００内に位置する冷却プレートフィン５４５および／またはリーフスプリング５３０を保持するのに役立つピン、ねじ、またはいくつかの種類の止め棒を受け入れる、または嵌合するよう構成されてよい複数の穴７１０などの１または複数の穴を含んでよい。
【００４４】
図７は、様々な実施形態に係る図５のリーフスプリング５３０のクローズアップ図を描写する。リーフスプリング５３０は、冷却プレートフィン５４５、および上記で説明されているように、特に冷却プレートフィン５４５の複数の切り欠き７０５と接合するよう構成されてよい複数のアーム８０５を含んでよい。リーフスプリング５３０は、さらに、冷却プレートフィン５４５の複数の穴７１０に大まかに一致してよい１または複数の切り欠き８１５を含んでよい。流体ディレクタ５４５の複数の穴７１０と同様に、切り欠き８１５は、熱除去アセンブリ５００内の位置にリーフスプリング５３０を保持するのに役立つピン、ねじ、またはいくつかの他のタイプの止め棒を受け入れる、または接合するよう構成されてよい。複数の実施形態において、リーフスプリング５３０は、また、図示するように、１または複数のハーフシアーズ（ｈａｌｆ  ｓｈｅａｒｓ）８１０を含んでよい。ハーフシアーズ８１０は、リーフスプリング５３０から少なくとも部分的に延長してよく、さらに以下に詳細について説明されるだろう。
【００４５】
いくつかの実施形態において、リーフスプリングは、ベイパーチャンバー、例えば、熱除去アセンブリ１００を含む熱除去アセンブリに使用されてよい。いくつかの実施形態において、ベローズに対するリーフスプリングの存在は、ベイパーチャンバーの性能に干渉するかもしれない。詳細には、リーフスプリングは、ベローズに対して圧力がかけられるかもしれない。従って、ベイパーチャンバーの冷却剤は、ベローズと接触することができない場合があり、それ故に、ダイ１８０などのダイの熱エネルギーを吸収できない場合がある。いくつかの実施形態において、ウィッキング材が、ベローズとリーフスプリングとの間に配置されてよい。例えば、ウィッキング材は、熱除去アセンブリ１００、２００、３００、４００、または本明細書で記載されたいくつかの他の熱除去アセンブリのベイパーチャンバーにおいて有用であり得る。
【００４６】
概して、ウィッキング材は、ファインワイヤーメッシュ、焼結粉末、またはいくつかの他のタイプのウィッキング材を含んでよい。本明細書で、複数の実施形態は、概して、説明の簡略化のためにワイヤーメッシュに関連して記載されるであろう。しかし、複数の他の実施形態は、いくつかの他のタイプのウィッキング構造および／またはベイパーチャンバー設計のために使用できる物質を含んでよいことが理解されるであろう。
【００４７】
特定の例において、熱除去アセンブリ２００などの熱除去アセンブリは、リーフスプリング５３０などのリーフスプリングを含んでよい。図８は、リーフスプリングとベローズ２１０などのベローズとの間に配置される得るメッシュプレート９００などのウィッキング材を描写する。詳細には、メッシュプレート９００は、メッシュプレートが屈曲でき、冷却剤がベローズ２１０に達して、ベローズ２１０から漏れ出ることができる柔軟性銅材料９０５から形成されてよい。いくつかの実施形態において、メッシュプレート９００は、ベース２１５およびベローズ２１０の中央に接着されてよい。いくつかの実施形態において、メッシュプレート９００は、ベローズの柔軟性部分に接着されなくてよい。それにより、上述されるように、下部補強材２２０とダイとの間で接触されるようにベローズが屈曲できる。
【００４８】
いくつかの実施形態において、メッシュプレート９００は、上述されるように、メッシュプレートがリーフスプリング５３０のハーフシアーズ８１０と接合できる複数の穴９１０などの１または複数の穴を含んでよい。いくつかの実施形態において、メッシュプレート９００は、熱除去アセンブリ内の位置にメッシュプレート９００を保持するのに役立つピン、ねじ、またはいくつかの他のタイプの止め棒を受け入れる、または接合するように構成されてよい複数の穴９１５などの１または複数の追加の穴を含んでよい。
【００４９】
図９は、リーフスプリング５３０などのリーフスプリング１０１０と、ベローズ２１０などのベローズ１０１５との間に配置されるメッシュプレート１００５を含む熱除去アセンブリ１０００の断面図の一例を描写する。上述の通り、メッシュプレート１００５は、１０２０で、ベース２１５などのベース１０３５と接着されてよい。同様に、メッシュプレート１００５は、１０２５でベローズ１０１５と接着してよい。しかしながら、メッシュプレート１００５は、１０３０でベローズ１０１５の柔軟性部分と接着しなくてよい。それにより、ベローズ１０１５が、上述されるように、屈曲し、ダイと熱的に連結できる。
【００５０】
メッシュプレート１００５の一部のみが図９で示すことができているけれども、この図は、熱除去アセンブリ１０００の構成の詳細な断面を示す目的である。規模を拡大して、概して、メッシュプレート１００５が大まかにベローズ１０１５を覆うことが所望され得る。例えば、いくつかの実施形態において、メッシュプレート１００５は、ベローズ１０１５の大部分またはすべてを覆ってよい。さらに、ウィッキング材は、作動流体がベース１０３５からベローズ１０１５まで移動できるようにベース１０３５の大部分またはすべてと接触してよい。
【００５１】
いくつかの実施形態において、熱除去アセンブリ１００、２００、３００、４００、５００、６００などのうち１または複数は、ベローズのＺ領域リミッターを含んでよい。Ｚ領域リミッターは、ベローズが様々な熱除去アセンブリから延長できる量を制限してよい。Ｚ領域リミッター１２８０を含む例示的な熱除去アセンブリ１２００は、図１１に示される。
【００５２】
熱除去アセンブリ１２００は、ベローズ５１０、リーフスプリング５３０、ベローズ下部補強材５２０、およびカバー５０５とそれぞれ同様でよいベローズ１２１５、リーフスプリング１２３０、ベローズ下部補強材１２２０およびカバー１２０５を含んでよい。熱除去アセンブリ１２００は、上部Ｚ領域リミッター１２８５と下部Ｚ領域リミッター１２９０を含むＺ領域リミッター１２８０をさらに含んでよい。図に示すように、下部Ｚ領域リミッター１２９０は、１または複数の突起１２９１を含み、直接的または間接的のどちらかで、ベローズ１２１５に連結されてよい。上部Ｚ領域リミッター１２８５は、さらに、１または複数のフック部１２８６を含み、カバー１２０５に連結されてよい。図に示すように、突起１２９１およびフック部１２８６は、フック部１２８６が突起１２９１の直径未満の直径またはサイズを定義する大きさでよい。従って、下部Ｚ領域リミッター１２９０は、上部Ｚ領域リミッター１２８５のある高さＺを超えて延長できなくてよい。なぜなら、フック部１２８６は、突起１２９１を引掛けるまたは止めることができるからである。このように、ベローズ１２１５のＺ領域は、ベローズ１２１５が予め定義された高さＺを超えて延長できないように制限されてよい。
【００５３】
図１１に示すＺ領域リミッター１２８０は、そのようなＺ領域リミッターの一例として意図されており、複数の他の実施形態は、異なる細部または構成を含んでよいことが理解されるであろう。例えば、いくつかの実施形態において、下部Ｚ領域リミッター１２９０は、フック部１２８６を含んでよく、上部Ｚ領域リミッター１２８５は、突起１２９１を含んでよい。複数の他の実施形態において、いくつかの他のタイプの止めまたは引掛りが、突起１２９１またはフック１２８６の代わり、または追加として使用されてよい。
【００５４】
Ｚ領域リミッター１２８０は、熱除去アセンブリ５００と同様な熱除去アセンブリの一実施形態において実装されるように示されているけれども、複数の他の実施形態において、Ｚ領域リミッター１２８０は、本明細書で記載される、熱除去アセンブリ１００、２００、３００、４００、５００、６００などのうち何れにおいて実装されてよい。いくつかの実施形態において、Ｚ領域リミッター１２８０は、ピン３３５、４３５、６３５などのうち１または複数に加えて、または代わりに実装されてよい。いくつかの実施形態において、Ｚ領域リミッター１２８０は、冷却フィンアセンブリ５４５または６４５、リーフスプリング５３０または１０３０、メッシュプレート１００５または９０５、またはリーフスプリング２３０などのいくつかの他の要素のうち１または複数に連結、またはそれらに配置されるように構成されてよい。詳細には、いくつかの実施形態において、Ｚ領域リミッター１２８０は、穴７１０、９１０または９１５、または切り欠き８１５のうち１または複数内に配置されてよい。さらに、Ｚ領域リミッター１２８０は、カバー１２０５およびベローズ１２１５に連結されるように記載されるけれども、複数の他の実施形態において、上部または下部Ｚ領域リミッター１２８５または１２９０のどちらかは、上述された熱除去アセンブリのうち１または複数のいくつかの他の要素に連結されてよい。
【００５５】
本開示の複数の実施形態は、本明細書で開示されたパッケージおよび製造技術を使用するシステム内に実装されてよい。図１０は、いくつかの実装に従うコンピューティングデバイス１１００を概略的に示す。コンピューティングデバイス１１１０は、本明細書で記載された熱除去アセンブリ１００、２００、３００、４００、５００、６００などのような１または複数の熱除去アセンブリを含んでよい。
【００５６】
コンピューティングデバイス１１００は、例えば、モバイル通信デバイス、または、デスクトップ型コンピューティングデバイスあるいはラックベース型コンピューティングデバイスであり得る。コンピューティングデバイス１１００は、マザーボード１１０２などの基板を収容し得る。マザーボード１１０２は、限定されるものではないが、プロセッサ１１０４及び少なくとも１つの通信チップ１１０６を含む多数の構成部品を含み得る。コンピューティングデバイス１１００に関連して本明細書で説明されたコンポーネントのうち何れは、上述された熱除去アセンブリを含んでよい。
【００５７】
コンピューティングデバイス１１００は、ストレージデバイス１１０８を含んでよい。いくつかの実施形態において、ストレージデバイス１１０８は、１または複数のソリッドステートドライブを含み得る。ストレージデバイス１１０８の中に含まれ得る複数のストレージデバイスの複数の例は、（例えばダイナミックランダムアクセスメモリ（ＤＲＡＭ）といった）揮発性メモリ、（例えばリードオンリーメモリ（ＲＯＭ）といった）不揮発性メモリ、フラッシュメモリ、および、（複数のハードディスクドライブ、コンパクトディスク（ＣＤ）、デジタル多目的ディスク（ＤＶＤ）などのような）複数の大容量記憶装置を含む。
【００５８】
その複数の用途次第で、コンピューティングデバイス１１００は、主回路基板１１０２に物理的かつ電気的に連結されてもよい、または、結合されなくてもよい、他の複数のコンポーネントを含み得る。これら複数の他のコンポーネントは、グラフィックスプロセッサ、デジタル信号プロセッサ、暗号プロセッサ、チップセット、アンテナ、ディスプレイ、タッチスクリーンディスプレイ、タッチスクリーンコントローラ、バッテリ、オーディオコーデック、ビデオコーデック、電力増幅器、全地球測位システム（ＧＰＳ）デバイス、コンパス、ガイガーカウンタ（Ｇｅｉｇｅｒ  Ｃｏｕｎｔｅｒ）、加速度計、ジャイロスコープ、スピーカ、および、カメラを含み得るが、これらに限定されない。
【００５９】
通信チップ１１０６およびアンテナによって、コンピューティングデバイス１１００との間で行き来するデータの伝送のための無線通信が可能になり得る。「無線」といった用語およびその派生語は、非固体媒体を通じて変調された電磁放射の使用によってデータを通信し得る、複数の回路、デバイス、システム、方法、技術、通信 、チャネルなどを説明すべく使用され得る。その用語は、関連する複数のデバイスが任意のワイヤを含まないことを暗に意味していないけれど、幾つかの実施形態においては、そうでないかもしれない。通信チップ１１０６は、Ｗｉ−Ｆｉ（登録商標）（ＩＥＥＥ  ８０２．１１系）を含む米国電気電子学会（ＩＥＥＥ：  Ｉｎｓｔｉｔｕｔｅ  ｆｏｒ  Ｅｌｅｃｔｒｉｃａｌ  ａｎｄ  Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃ  Ｅｎｇｉｎｅｅｒｓ）規格、（例えば、ＩＥＥＥ  ８０２．１６−２００５ 改訂といった）ＩＥＥＥ  ８０２．１６規格、（例えば、アドバンストＬＴＥプロジェクト（ａｄｖａｎｃｅｄ  ＬＴＥ  ｐｒｏｊｅｃｔ）、「３ＧＰＰ２」とも称されるｕｌｔｒａ  ｍｏｂｉｌｅ  ｂｒｏａｄｂａｎｄ （ＵＭＢ） プロジェクトなどといった、）任意の改訂、アップデート、および／または、修正を伴うロングタームエボリューション（ＬＴＥ）プロジェクトを含むが、これらに限定するものではないが、任意の無線規格またはプロトコルを実装し得る。ＩＥＥＥ  ８０２．１６ブロードバンドワイドエリア（ＢＷＡ）準拠ネットワーク、概してＷｉＭａｘネットワークと呼ばれる。その頭文字は、Ｗｏｒｌｄｗｉｄｅ  Ｉｎｔｅｒｏｐｅｒａｂｉｌｉｔｙ  ｆｏｒ  Ｍｉｃｒｏｗａｖｅ  Ａｃｃｅｓｓを表している。それは、ＩＥＥＥ  ８０２．１６規格に対する適合性テスト および相互運用性テスト を通過する複数の製品用の保証マークである。通信チップ１１０６は、Ｇｌｏｂａｌ  Ｓｙｓｔｅｍ  ｆｏｒ  Ｍｏｂｉｌｅ  Ｃｏｍｍｕｎｉｃａｔｉｏｎｓ（ＧＳＭ（登録商標））、Ｇｅｎｅｒａｌ  Ｐａｃｋｅｔ  Ｒａｄｉｏ  Ｓｅｒｖｉｃｅ（ＧＰＲＳ）、Ｕｎｉｖｅｒｓａｌ  Ｍｏｂｉｌｅ  Ｔｅｌｅｃｏｍｍｕｎｉｃａｔｉｏｎｓ  Ｓｙｓｔｅｍ（ＵＭＴＳ）、Ｈｉｇｈ  Ｓｐｅｅｄ  Ｐａｃｋｅｔ  Ａｃｃｅｓｓ（ＨＳＰＡ）、Ｅｖｏｌｖｅｄ  ＨＳＰＡ（Ｅ−ＨＳＰＡ）、または、ＬＴＥ  ｎｅｔｗｏｒｋに従って動作し得る。通信チップ１１０６は、Ｅｎｈａｎｃｅｄ  Ｄａｔａ  ｆｏｒ  ＧＳＭ（登録商標）Ｅｖｏｌｕｔｉｏｎ（ＥＤＧＥ）、ＧＳＭ（登録商標）ＥＤＧＥ  Ｒａｄｉｏ  Ａｃｃｅｓｓ  Ｎｅｔｗｏｒｋ（ＧＥＲＡＮ）、Ｕｎｉｖｅｒｓａｌ  Ｔｅｒｒｅｓｔｒｉａｌ  Ｒａｄｉｏ  Ａｃｃｅｓｓ  Ｎｅｔｗｏｒｋ（ＵＴＲＡＮ）、または、Ｅｖｏｌｖｅｄ  ＵＴＲＡＮ（Ｅ−ＵＴＲＡＮ）に従って動作し得る。通信チップ１１０６は、３Ｇ、４Ｇ、５Ｇおよびそれ以上のものとして指定されている他の任意の無線プロトコルと同様、Ｃｏｄｅ  Ｄｉｖｉｓｉｏｎ  Ｍｕｌｔｉｐｌｅ  Ａｃｃｅｓｓ（ＣＤＭＡ）、Ｔｉｍｅ  Ｄｉｖｉｓｉｏｎ  Ｍｕｌｔｉｐｌｅ  Ａｃｃｅｓｓ（ＴＤＭＡ）、Ｄｉｇｉｔａｌ  Ｅｎｈａｎｃｅｄ  Ｃｏｒｄｌｅｓｓ  Ｔｅｌｅｃｏｍｍｕｎｉｃａｔｉｏｎｓ（ＤＥＣＴ）、Ｅｖｏｌｕｔｉｏｎ−Ｄａｔａ  Ｏｐｔｉｍｉｚｅｄ（ＥＶ―ＤＯ）、またはそれらの派���語に従って動作し得る。通信チップ１１０６は、他の複数の実施形態において、他の複数の無線プロトコルに従って動作し得る。
【００６０】
コンピューティングデバイス１１００は、複数の通信チップ１１０６を含んでよい。例えば、第１通信チップ１１０６は、Ｗｉ−Ｆｉ（登録商標）およびブルートゥース（登録商標）などの、より狭い範囲の無線通信専用とされ得、第２通信チップ１１０６は、ＧＰＳ、ＥＤＧＥ、ＧＰＲＳ、ＣＤＭＡ、ＷｉＭａｘ、ＬＴＥ、ＥＶ―ＤＯおよび、その他のような、より広い範囲の無線通信専用とされ得る。いくつかの実施形態において、通信チップ１１０６は、有線通信をサポートし得る。例えば、コンピューティングデバイス１１００は、１または複数の有線サーバを含み得る。
【００６１】
コンピューティングデバイス１１００のプロセッサ１１０４および／または通信チップ１１０６は、ＩＣパッケージの中で、１または複数のダイまたは他の複数のコンポーネントを含み得る。そのようなＩＣパッケージは、本明細書で開示される任意の技術を使用してインターポーザまたは他のパッケージと連結されてよい。「プロセッサ」といった用語は、電子データを、レジスタおよび／またはメモリに格納され得る他の電子データに変換すべく、レジスタおよび／またはメモリからの電子データを処理する、任意のデバイス、または、デバイスの任意の部分に言及し得る。
【００６２】
様々な実装例において、コンピューティングデバイス１１００は、ラップトップ、ネットブック、ノートブック、ウルトラブック、スマートフォン、タブレット、携帯情報端末（ＰＤＡ）、ウルトラモバイルＰＣ、携帯電話、デスクトップ型コンピュータ、サーバ、プリンタ、スキャナ、モニタ、セットトップボックス、エンターテイメントコントロールユニット、デジタルカメラ、ポータブルミュージックプレイヤ、または、デジタルビデオレコーダであり得る。更なる複数の実装例において、コンピューティングデバイス１１００は、データを処理する他の任意の電子デバイスであり得る。いくつかの実施形態において、本明細書で開示された埋め込み伝導接触は、高性能コンピューティングデバイスの中に実装されて得る。
【００６３】
以下の段落は、本明細書で開示された複数の実施形態の様々な形態の例示を提供する。
【００６４】
例示セット１
【００６５】
様々な実施形態によると、本開示は装置について記載する。装置の例１は、２またはそれより多いダイのそれぞれの表面に熱的に連結されるように構成される２またはそれより多い表面と、２またはそれより多い表面のうち少なくとも１つの表面の、２またはそれより多い表面のうちの他の表面に対する位置を、自動的に調整するように構成されるベローズとを備える熱除去アセンブリを含んでよい。例２は、例１の装置を含んでよく、調整された位置は、２またはそれより多いダイのうちの第１のダイと第２のダイとの間で異なる高さを補償する。例３は、例１−２のうち何れかの装置を含くんでよく、ベローズは、少なくとも１つの表面の位置を自動的に調整すべくスプリングアセンブリに連結される。例４は、例１−３のうち何れかの装置を含んでよく、熱除去アセンブリは、ベイパーチャンバーを備え、２またはそれより多い表面は、ベイパーチャンバー上の複数の表面である。例５は、例４の装置を含んでよく、熱除去アセンブリは、ベイパーチャンバーに連結されたヒートシンク部をさらに備える。例６は、例１−３のうち何れかの装置を含んでよく、２またはそれより多い表面は、銅などの金属を備える。
【００６６】
様々な実施形態によると、本開示は別の装置について記載されている。装置の例７は、例１−３のうち何れかの装置に連結されるマルチチップパッケージアセンブリを含んでよい。装置の例８は、例７の装置を含んでよく、マルチチップパッケージアセンブリは、パッケージ基板上に取り付けられた第１のダイおよび第２のダイを含み、第１のダイは、第１のダイおよび第２のダイが取り付けられるパッケージ基板の表面に対する第２のダイの高さより大きいまたは小さい高さを有する。
【００６７】
様々な実施形態による本開示は、システム（例えば、コンピューティングデバイス）を記載する。システムの例９は、回路基板と、回路基板に取り付けられた複数のダイと、複数のダイの２またはそれより多いダイのそれぞれの表面に熱的に連結されるよう構成された２またはそれより多い表面を有する熱除去アセンブリと、２またはそれより多い表面の少なくとも１つの表面の、２またはそれより多い表面の他の表面に対する位置を自動的に調整するように構成されたベローズを含んでよい。
【００６８】
例示セット２
【００６９】
例１は、２またはそれより多いダイのそれぞれの表面に熱的に連結される２またはそれより多い表面と、２またはそれより多い表面のうち少なくとも１つの表面の、２またはそれより多い表面のうちの他の表面に対する位置を、自動的に調整するベローズとを備える熱除去アセンブリを含んでよい。
【００７０】
例２は、例１の熱除去アセンブリを含んでよく、さらに、ベイパーチャンバーを備え、２またはそれより多い表面は、ベイパーチャンバーの複数の表面である。
【００７１】
例３は、例２の熱除去アセンブリを含んでよく、ベイパーチャンバーに連結されたヒートシンク部をさらに備える。
【００７２】
例４は、例１の熱除去アセンブリを含んでよく、熱除去アセンブリは、冷却プレートアセンブリを含む。
【００７３】
例５は、例１−４のうち何れかの熱除去アセンブリを含んでよく、ベローズに連結されるスプリングアセンブリをさらに備え、スプリングアセンブリは、少なくとも１つの表面の位置を調整する。
【００７４】
例６は、例５の熱除去アセンブリを含んでよく、スプリングアセンブリは、コイルスプリングまたはリーフスプリングを含む。
【００７５】
例７は、例５の熱除去アセンブリを含んでよく、ベローズとスプリングアセンブリとの間にウィッキング材をさらに備える。
【００７６】
例８は、パッケージ基板上に取り付けられた第１のダイおよび第２のダイと、第１のダイおよび第２のダイに連結された熱除去アセンブリとを含み、第１のダイは、パッケージ基板の表面に対する第２のダイの高さより大きいまたは小さい高さを有し、記熱除去アセンブリは、第１のダイおよび第２のダイのそれぞれの表面に熱的に連結された第１の表面および第２の表面と、第１のダイまたは第２のダイの高さに基づいて第１の表面または第２の表面の位置を自動的に調整するベローズとを備える、マルチチップパッケージアセンブリを含んでよい。
【００７７】
例９は、例８のマルチチップパッケージアセンブリを含んでよく、熱除去アセンブリは、ベイパーチャンバーをさらに含み、第１の表面および第２の表面は、ベイパーチャンバーの複数の表面である。
【００７８】
例１０は、例９のマルチチップパッケージアセンブリを含んでよく、熱除去アセンブリは、ベイパーチャンバーに連結されたヒートシンク部をさらに含む。
【００７９】
例１１は、例８のマルチチップパッケージアセンブリを含んでよく、熱除去アセンブリは、冷却プレートアセンブリをさらに含む。
【００８０】
例１２は、例８−１１のうち何れかのマルチチップパッケージアセンブリを含んでよく、熱除去アセンブリは、ベローズと連結されたスプリングアセンブリをさらに含み、スプリングアセンブリは、第１の表面または第２の表面の位置を調整する。
【００８１】
例１３は、例１２のマルチチップパッケージアセンブリを含んでよく、スプリングアセンブリは、コイルスプリングまたはリーフスプリングを含む。
【００８２】
例１４は、例１２のマルチチップパッケージアセンブリを含んでよく、ベローズとスプリングアセンブリとの間にウィッキング材をさらに備える。
【００８３】
例１５は、回路基板と、回路基板に連結された複数のダイと、複数のダイのうちの第１のダイおよび第２のダイに連結された熱除去アセンブリとを備え、熱除去アセンブリは、複数のダイのうちの２つのそれぞれの表面に熱的に連結された第１の表面および第２の表面と、回路基板から測定される第２のダイの高さに対する第１のダイの高さに基づいて第２の表面に対する第１の表面の位置を自動的に調整するベローズとを備える、システムを含んでよい。
【００８４】
例１６は、例１５のシステムを含んでよく、熱除去アセンブリは、ベイパーチャンバーをさらに含み、第１の表面および第２の表面は、ベイパーチャンバーの複数の表面である。
【００８５】
例１７は、例１６のシステムを含んでよく、熱除去アセンブリは、ベイパーチャンバーに連結されたヒートシンク部をさらに含む。
【００８６】
例１８は、例１５のシステムを含んでよく、熱除去アセンブリは、冷却プレートアセンブリをさらに含む。
【００８７】
例１９は、例１５−１８のうち何れかのシステムを含んでよく、熱除去アセンブリは、ベローズに連結されたスプリングアセンブリをさらに含み、スプリングアセンブリは、第１の表面または第２の表面の前記位置を調整する。
【００８８】
例２０は、例１９のシステムを含んでよく、スプリングアセンブリは、コイルスプリングまたはリーフスプリングを含む。
【００８９】
例２１は、例１９のシステムを含んでよく、ベローズとスプリングアセンブリとの間にウィッキング材をさらに備える。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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