(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
裏面に外部接続端子が露出し、表面に半導体素子が実装される表面実装型半導体パッケージに用いられるリードフレームの製造方法であって、
金属板を加工してリードフレームパターンを形成する工程と、
該リードフレームパターンの全面に第１のめっき層を形成する工程と、
前記リードフレームパターンの裏面にフィルムを貼り付ける工程と、
該フィルムをマスクとし、前記リードフレームの表面と側面に第２のめっき層を形成する工程と、を有するリードフレームの製造方法。
【請求項２】
前記フィルムは、接着層又は粘着層を有するテープ状のフィルムであり、該接着層又は粘着層を用いて前記リードフレームパターンの前記裏面に前記フィルムを貼り付ける請求項１に記載のリードフレームの製造方法。
【請求項３】
前記第１のめっき層は、Ｎｉ、Ｐｄ及びＡｕが下層から順に積層形成されためっき層であり、前記第１のめっき層を形成する工程は、Ｎｉ、Ｐｄ及びＡｕを順に前記リードフレームパターンにめっきする工程を含む請求項１又は２に記載のリードフレームの製造方法。
【請求項４】
前記第２のめっき層を形成する工程は、前記リードフレームパターンにＡｇをめっきする工程を含む請求項１乃至３のいずれか一項に記載のリードフレームの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、リードフレーム及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体パッケージの小型化・薄型化への要求から、半導体パッケージの裏面に外部接続端子が露出する表面実装型パッケージとして、例えばＳＯＮやＱＦＮタイプのパッケージが知られている。
【０００３】
このような半導体パッケージに使用される従来のリードフレームは、部分的にめっきを形成するためのマスクを使用せず、全面にＮｉとＰｄとＡｕの順番で形成されためっき層を有している。このめっきは、ワイヤボンディングが可能であり、はんだとの接続信頼性も有することから、搭載する半導体素子とのワイヤボンディング用の内部端子と、外部接続用の外部接続端子の双方に使用可能である（例えば、特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００５−７９５２４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、ワイヤボンディングにおける接合性と、外部接続端子の接続におけるはんだとの接続信頼性とは必ずしも一致しない場合も多く、用途によっては、半導体素子とのワイヤボンディング用の内部端子に形成するめっき層を、外部接続用の外部接続端子に形成するめっき層と異なる金属のめっき層としたい場合もある。そのような場合には、全面に同じめっき層を均一に形成するのではなく、内部端子に形成するめっき層を外部端子に形成するめっき層と異ならせる必要があり、製造工程においても内部端子のめっき層形成と外部接続端子のめっき層形成とを異なる製造プロセスとする必要が出てくる場合が多い。
【０００６】
そこで、本発明は、ワイヤボンディング用端子の表面を、外部接続用端子と異なる表面とすることができるリードフレーム及びその製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記目的を達成するため、本発明の一態様に係るリードフレームは、裏面の少なくとも一部が外部接続端子として露出し、表面に半導体素子が実装されて表面実装型半導体パッケージの部品として用いられ得る金属板から形成されたリードフレームであって、
前記表面と側面には前記半導体素子とのボンディングが可能なボンディング用めっき層が形成され、前記裏面にはフィルムが貼り付けられている。
【０００８】
本発明の他の態様に係るリードフレームの製造方法は、裏面に外部接続端子が露出し、表面に半導体素子が実装される表面実装型半導体パッケージに用いられるリードフレームの製造方法であって、
金属板を加工してリードフレーパターンを形成する工程と、
該リードフレームパターンの裏面にフィルムを貼り付ける工程と、
該フィルムをマスクとし、前記リードフレームの表面と側面にめっき層を形成する工程と、を有する。
【０００９】
本発明の更に他の態様に係るリードフレームの製造方法は、裏面に外部接続端子が露出し、表面に半導体素子が実装される表面実装型半導体パッケージに用いられるリードフレームの製造方法であって、
金属板を加工してリードフレーパターンを形成する工程と、
該リードフレームパターンの全面に第１のめっき層を形成する工程と、
前記リードフレームパターンの裏面にフィルムを貼り付ける工程と、
該フィルムをマスクとし、前記リードフレームの表面と側面に第２のめっき層を形成する工程と、を有する。
【発明の効果】
【００１０】
本発明によれば、用途に応じた適切なボンディング用のめっき層を形成することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】本発明の第１の実施形態に係るリードフレームの一例の断面構成図である。
【図２】本発明の実施形態１に係るリードフレームの製造方法の一例の一連の工程を示した図である。図２（ａ）は、リードフレームを形成する金属板用意工程を示した図である。図２（ｂ）は、リードフレームパターン形成する工程を示した図である。図２（ｃ）は、フィルム貼り付け工程の一例を示した図である。図２（ｄ）は、めっき工程の一例を示した図である。
【図３】本発明の第２の実施形態に係るリードフレームの一例を示した断面構成図である。
【図４】本発明の第２の実施形態に係るリードフレームの製造方法の一例の一連の工程を示した図である。図４（ａ）は、金属板用意工程の一例を示した図である。図４（ｂ）は、リードフレームパターン形成工程の一例を示した図である。図４（ｃ）は、第１のめっき層形成工程の一例を示した図である。図４（ｄ）は、フィルム貼り付け工程の一例を示した図である。図４（ｅ）は、第２のめっき工程の一例を示した図である。
【図５】第２の実施形態に係るリードフレームを用いた表面実装型半導体パッケージの一例を示した図である。
【図６】本発明の第１及び第２の実施形態に係るリードフレーム５０、５１の出荷方法の一例を示した図である。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
以下、図面を参照して、本発明を実施するための形態の説明を行う。
【００１３】
図１は、本発明の第１の実施形態に係るリードフレームの一例の断面構成を示した図である。図１において、本発明の第１の実施形態に係るリードフレーム５０は、リードフレームパターン１０と、ボンディング用めっき層３０と、フィルム４０とを有する。ボンディング用めっき層３０は、リードフレームパターン１０の上面及び側面上に形成されている。また、フィルム４０は、リードフレームパターン１０の下面に貼り付けられている。
【００１４】
第１の実施形態に係るリードフレームを詳細に説明する前に、本発明の実施形態に係るリードフレームが用いられる表面実装型半導体モジュールについて説明する。
【００１５】
図５は、本発明の実施形態に係るリードフレームが用いられた表面実装型半導体モジュールの一例を示した図である。図５において、リードフレーム５１の表面上に半導体素子６０が実装されており、全体が樹脂８０で封止されている。リードフレームパターン１０は、中央の半導体素子搭載領域１１と、その両側に設けられた端子領域１２とを有しており、半導体素子６０は、半導体素子搭載領域１１の上に設置されている。半導体素子６０の端子６１は、ワイヤ７０を介してワイヤボンディングにより端子領域１２と接続されている。ここで、端子領域１２の上面がボンディング用の内部端子となり、下面が外部接続端子となる。図５においては、全体の下面にフィルム４０が貼り付けられているが、フィルム４０を剥がすと、端子領域１２の下面が露出し、外部に存在する装置との電気的接続が可能な外部接続端子となる。本実施形態に係るリードフレームは、このような表面実装型半導体モジュールの部品として用いられ得る。
【００１６】
図１に戻り、本発明の第１の実施形態に係るリードフレーム５０について、詳細に説明する。
【００１７】
リードフレームパターン１０は、金属板がリードフレームの形状に加工された金属パターンである。金属板は、リードフレームに適した種々の金属材料から構成されてよいが、例えば、銅材又は銅合金材から構成されてもよい。なお、図５で説明したように、リードフレームパターン１０は、少なくとも半導体素子を搭載する領域と、半導体素子の端子をワイヤボンディングにより電気的に接続するボンディング用の内部端子と、外部の端子との電気的接続を行うための外部接続端子とを有する。本実施形態に係るリードフレームにおいては、半導体素子はリードフレームパターン１０の表面側に搭載され、半導体素子の端子とワイヤボンディングにより接続されるボンディング用の端子も表面側に形成される。図１においては、上面側が表面側に相当し、下面側が裏面側に相当することになる。
【００１８】
図１において、リードフレームパターン１０の上面（表面）及び側面を覆うように、めっき層３０が形成されている。リードフレームパターン１０の表面は、ボンディング用の端子を構成するので、めっき層３０は、ボンディングが可能なめっき材料から構成される。めっき層３０は、搭載される半導体素子６０の種類、用途等により定められてよいが、例えば、銀（Ａｇ）で構成されてもよい。
【００１９】
リードフレームパターン１０の裏面には、フィルム４０が貼り付けられている。よって、フィルム４０を剥がすと、リードフレームパターン１０が露出する。図５で説明したように、リードフレームパターン１０の裏面は、外部の装置と電気的に接続可能とするための外部接続端子として機能する。よって、リードフレームパターン１０を構成する金属材料の表面が外部接続端子として機能し、これが銅材又は銅合金材の場合には、その表面が外部接続端子となる。
【００２０】
フィルム４０は、めっき工程の際にマスクとして機能することができるとともに、樹脂封止の際にもマスクとして機能でき、樹脂が流れ出ないような材料から選択される。フィルム４０は、めっき処理及び樹脂封止の際にマスクとして機能できる材料であれば、種々の材料を用いることができるが、例えば、ポリイミドから構成されたフィルムを用いてもよい。ポリイミドは、耐熱性が高く、めっき及び樹脂封止の際にマスクとして機能し得るので、好適に用いることができる。
【００２１】
なお、フィルム４０のリードフレームパターン１０の裏面への接着は、種々の接着剤又は粘着剤を用いることができる。例えば、フィルム４０に上述のポリイミドを用いる場合には、ポリイミド系の薄膜テープが市販されているので、そのような薄膜テープを用いるようにしてもよい。フィルム４０のリードフレームパターン１０の裏面への接着を容易に行うことができる。
【００２２】
次に、図２を用いて、本発明の実施形態１に係るリードフレームの製造方法について説明する。図２は、本発明の実施形態１に係るリードフレームの製造方法の一例の一連の工程を示した図である。
【００２３】
図２（ａ）は、リードフレームを形成する金属板用意工程を示した図である。金属板１５は、最初は、パターン等が形成されていない状態で用意される。なお、金属板１５は、用途に応じて種々の金属材料から構成されてよいが、上述のように、例えば、銅材又は銅合金材から構成されてもよい。
【００２４】
図２（ｂ）は、リードフレームパターン形成する工程を示した図である。リードフレームパターン１０は、金属板１５をリードフレームの形状に加工することにより得られる。金属板１５の加工は、エッチング加工、プレス加工を含む種々の加工方法により行われてよい。コスト、加工精度等を考慮し、用途に応じて金属板１５の加工方法を定めることができる。
【００２５】
リードフレームパターン形成工程により、リードフレームパターン１０が形成され、少なくとも半導体素子搭載領域１１と端子領域１２とが形成される。なお、図２（ｂ）には記載されていないが、リードフレームパターン１０は、曲げ加工等により、高さの段差等が形成されていてもよい。
【００２６】
図２（ｃ）は、フィルム貼り付け工程の一例を示した図である。フィルム貼り付け工程においては、リードフレームパターン１０の裏面（下面）にフィルム４０が貼り付けられる。フィルム４０は、上述のように、めっき処理及び樹脂封止の際にマスキング可能な材料から選択される。フィルム４０の貼り付けは、接着剤を用いて行ってもよいし、フィルム４０の片面に最初から粘着剤層が形成されている薄膜テープのようなフィルム４０を用いて貼り付けを行ってもよい。なお、以後の説明で、接合してから固化する接着剤と、接合してからも固化の過程を必要とせずそのままの状態を保つ粘着剤は、必ずしも厳密に区別せず、接着剤と呼んだ場合であっても、粘着剤も含んでいるものとする。
【００２７】
図２（ｄ）は、めっき工程の一例を示した図である。めっき工程においては、リードフレームパターン１０の裏面にフィルム４０を接着した状態でめっき処理を行う。これにより、フィルム４０で覆われていないリードフレームパターン１０の上面（表面）と側面上にのみめっき層３０が形成される。めっき層３０の材料としては、用途に応じて種々のめっき材料が用いられてよいが、例えば、Ａｇを用いてＡｇめっき層が形成されてもよい。
【００２８】
なお、めっき工程では、例えば、電気めっき処理が行われてよい。電気めっきは、めっき溶液中にリードフレームパターン１０を浸漬させ、リードフレームパターン１０をカソードとし、めっき溶液中に浸漬されたアノードとともに通電することにより電気めっき処理を行う。フィルム４０は、めっき工程のマスクとして機能し、フィルム４０で覆われていない上面と側面にのみめっき層３０が形成され、リードフレーム５０が完成する。
【００２９】
めっき層３０の上面は、後にボンディング用の内部端子となり、フィルム４０が貼り付けられたリードフレームパターン１０の下面は、後に外部接続端子として機能する。
【００３０】
このように、実施形態１に係るリードフレーム及びその製造方法によれば、リードフレームパターン１０を形成後、裏面にフィルム４０を貼り付けることにより、１回のめっき工程を経て容易に端子領域１２の上面と下面を異なる表面に構成することができ、リードフレーム５０の端子に求められる種々の要請に柔軟に応えることができる。
【００３１】
図３は、本発明の第２の実施形態に係るリードフレームの一例を示した断面構成図である。第２の実施形態に係るリードフレーム５１は、リードフレームパターン１０の全面がめっき層２０で覆われ、めっき層２０の上面及び側面上にめっき層３０が形成され、下面にフィルム４０が貼り付けられている点で、第１の実施形態に係るリードフレーム５０と異なっている。つまり、リードフレームパターン１０の表面に、めっき層２０がコーティング層のように形成されている点で第１の実施形態に係るリードフレーム５０と異なっているが、その他の構成については、第１の実施形態に係るリードフレーム５０と同様である。
【００３２】
このように、リードフレームパターン１０の全面をめっき層３０と異なる材料からなるめっき層２０で覆ってからフィルム４０を下面に貼り付け、めっき層３０を形成してもよい。かかる構成により、端子領域１２の下面に形成される外部接続端子の表面がめっき層２０で構成されることになる。つまり、リードフレームパターン１０に用いられる金属板１５の材質ではなく、任意のめっき層２０を形成して任意の金属材料により外部接続端子を構成したい場合には、第２の実施形態に係るリードフレーム５１のような構成とすることにより、外部接続端子の表面を所望の金属材料とすることができる。
【００３３】
めっき層２０のめっき材料は、用途に応じて種々の材料とすることができるが、例えば、Ｎｉを下地層としてリードフレームパターン１０の表面上に形成し、Ｎｉの表面上にＰｄ、更にＰｄの表面上にＡｕを形成して積層しためっき層（以下、「パラジウムめっき層」と呼んでもよいこととする。）としてもよい。かかるＮｉ、Ｐｄ及びＡｕを下層から順に積層形成したパラジウムめっき層は、はんだ接合に適しためっき層として一般的に利用されている。具体的には、銅又は銅合金材がリードフレームパターン１０として用いられた場合には、下地層のＮｉが銅の拡散を抑制し、接合表面に貴金属のＡｕを用い、特性が良好でかつＡｕより安価なＰｄをＮｉとＡｕとの間に挟むことにより、品質及びコスト的に優れた外部接続端子となる。よって、外部接続端子を構成するめっき層２０として、このようなはんだ接合に適しためっき層を用いるようにしてもよい。
【００３４】
なお、めっき層２０は、はんだ接合に適していることが好ましいが、はんだ接合が可能な材料から構成されていればその役割を十分に果たすことができるので、はんだ接合が可能な範囲で種々の材料を選択することができる。
【００３５】
その他の構成要素については、第１の実施形態に係るリードフレーム５０と同様であるので、同様の構成要素に同一の参照符号を付してその説明を省略する。
【００３６】
図４は、本発明の第２の実施形態に係るリードフレームの製造方法の一例の一連の工程を示した図である。
【００３７】
図４（ａ）は、金属板用意工程の一例を示した図である。本工程は、図２（ａ）で説明した工程と同様であるので、その説明を省略する。
【００３８】
図４（ｂ）は、リードフレームパターン形成工程の一例を示した図である。本工程も、図２（ｂ）で説明した工程と同様であるので、その説明を省略する。
【００３９】
図４（ｃ）は、第１のめっき層形成工程の一例を示した図である。第１のめっき層形成工程においては、リードフレームパターン１０の全面に第１のめっき層２０が形成される。第１のめっき層２０の形成は、めっき溶液に浸漬して通電を行った一般的な電気めっき処理により行ってよい。この点は、図２（ｄ）で説明したのと同様である。リードフレームパターン１０の全面には、何らマスクは存在しないので、全面に第１のめっき層２０が形成される。
【００４０】
なお、第１のめっき層２０は、外部接続端子として用いられるため、はんだ接続が可能なめっき材料で形成され、好ましくははんだ接続に適しためっき材料で構成される。上述のＮｉ、Ｐｄ及びＡｕを下層から順に積層形成したパラジウムめっき層は、外部接続端子としても適しているので、パラジウムめっき層を第１のめっき層２０としてもよい。なお、パラジウムめっき層を形成する場合には、最初にＮｉのめっき溶液にリードフレームパターン１０を浸漬させて電気めっきを行い、次いで、Ｐｄのめっき溶液にＮｉめっきが施されたリードフレームパターン１０を浸漬させて電気めっきを行い、最後にＮｉ及びＰｄめっきが施されたリードフレームパターン１０をＡｕのめっき溶液に浸漬させて電気めっきを行うようにしてもよい。３つの電気めっき槽を順に通過させればよいので、容易にパラジウムめっき層を形成することができる。
【００４１】
図４（ｄ）は、フィルム貼り付け工程の一例を示した図である。本工程も、フィルム４０を貼り付ける対象が、第１のめっき層２０が全面に形成されたリードフレームパターン１０である以外は、図２（ｃ）で説明した工程と同様であるので、その説明を省略する。
【００４２】
図４（ｅ）は、第２のめっき工程の一例を示した図である。第２のめっき工程も、第２のめっき処理を施す対象が、第１のめっき層２０で全面が覆われたリードフレームパターン１０となる以外は、図２（ｄ）で説明した工程と同様であり、同様な電気めっき処理を行えばよい。よって、その説明を省略する。
【００４３】
第２の実施形態に係るリードフレーム及びその製造方法によれば、リードフレームパターン１０の全面をめっき処理する第１のめっき工程を加えることにより、外部接続端子の表面に任意のめっき層を形成することができ、用途に応じて適切な外部接続端子を形成することができる。
【００４４】
図５は、第２の実施形態に係るリードフレーム５１を用いた表面実装型半導体パッケージの一例を示した図である。
【００４５】
図５において、フィルム４０がリードフレームパターン１０に貼り付いたまま、半導体素子搭載領域１１上に半導体素子６０が搭載され、半導体素子６０の端子６１から端子領域１２の上面にワイヤ７０を用いてワイヤボンディングがなされ、樹脂８０で封止された表面実装型半導体パッケージが示されている。このように、フィルム４０を剥がすことなくリードフレーム５１を出荷し、フィルム４０が貼り付いたままで樹脂封止を行うことができる。フィルム４０に、樹脂８０が流れ出ない材質を有する材料を用いることにより、パッケージングを容易に行うことができる。
【００４６】
なお、端子領域１２の上面（表面）及び側面はワイヤボンディングに適したＡｇ等の材料からなる第２のめっき層３０で覆われているため、ワイヤ７０が端子領域１２の上面に接続されるワイヤボンディングを適切に行うことができる。
【００４７】
樹脂封止後は、フィルム４０を剥がすことにより、端子領域１２の裏面が露出し、第１のめっき層２０が形成された外部接続端子として機能する。第１のめっき層２０は、外部接続に適した材料から構成されているので、外部接続も適切に行うことができる。
【００４８】
このように、第２の実施形態に係るリードフレーム５１は、フィルム４０をリードフレーム５１に貼り付けたまま、樹脂８０が流れ出ないフィルム４０上で樹脂封止を容易に行うことができるので、パッケージングを行う側にとっても、利点が大きい。
【００４９】
なお、図５においては、実施形態２に係るリードフレーム５１を例に挙げて説明したが、実施形態１に係るリードフレーム５０も、同様にして容易に樹脂封止を行うことができる。
【００５０】
図６は、本発明の第１及び第２の実施形態に係るリードフレーム５０、５１の出荷方法の一例を示した図である。図６に示すように、金属板１５内に、リードフレーム５０、５１が複数形成された状態で、本実施形態に係るリードフレーム５０、５１は出荷され得る。半導体素子搭載領域１１、端子領域１２等を含むリードフレームパターン１０の形成は、金属板１５内で、１個の枠内に１個のリードフレームパターン１０を形成し、リードフレームパターン１０が枠から完全に切断されず、枠に接続支持された状態で行うことが可能である。そして、一括してフィルム４０貼り付け、めっき工程を行うことにより、複数個のリードフレーム５０、５１を一括して製造することが可能である。
【００５１】
そして、このリードフレーム５０、５１の納品先では、図５に示したようなパッケージングを一括して行った後、フィルム４０を剥がし、最後に枠を切断して各パッケージを個片化すれば、一括してリードフレーム５０、５１の製造及び表面実装型半導体パッケージの製造を行うことができる。
【００５２】
このように、本発明の実施形態に係るリードフレーム及びその製造方法は、量産化にも適切に対応でき、効率的な量産が可能である。
【００５３】
以下、本発明の実施形態に係るリードフレーム及びその製造方法を実施した実施例について説明する。
【実施例１】
【００５４】
リードフレーム用金属板１として、厚さ０．２ｍｍ、幅１８０ｍｍの帯状銅材（株式会社神戸製鋼所製：ＫＬＦ−１９４）を用い、この金属板１の両面に、厚さ２０μｍの感光性レジスト層（旭化成イーマテリアルズ株式会社製：ネガ型感光性レジストＡＱ−２０５８）を形成した。
【００５５】
その後、リードフレームパターンを施したガラスマスク（コニカミノルタアドバンストレイヤー株式会社製：ＨＹ２−５０Ｐ）を用いて露光しその後、現像・エッチング・感光性レジストの剥離にて、リードフレームベア材を形成した。その後、表裏全面にＮｉ、Ｐｄ、Ａｕの順にごく薄いめっき層を形成した。この時のNi膜厚は0.6μm、Pd膜厚は0.015μm、Au膜厚は0.0065μmであった。
【００５６】
その後、裏面にポリイミド系薄膜テープ(Innox製)を貼り付け、更に表面へ光沢度1.7GAMの極めて平滑なAgめっき(高シアンAgめっき)層を2.5μmの厚さで形成した。その結果、表面と裏面で異なる金属めっき層を有したリードフレームを得た。その後、裏面ポリイミド系薄膜テープは剥離せず、そのまま貼り付けた状態で短冊状にカットがなされ、LED装置の組み立て工程へ投入され、表面がAgめっき層で、裏面がNi/Pd/Auめっき層のLED装置が完成した。
【実施例２】
【００５７】
実施例１と同様に形成されたリードフレームベア材の裏面に、ポリイミド系の薄膜テープ(巴川製紙製)を貼り付け、Ｎｉ、Ｐｄ、Ａｕの順にめっきを施した。その後、半導体組み立て工程にて組み立てられ、モールド封入後、裏面ポリイミド系薄膜テープは剥離された。この状態では裏面側はCuが露出しているが、このCu面へ外装めっきとして電解Snめっきを施し、実施例２に係るリードフレームを得た。
【実施例３】
【００５８】
実施例１と同様に形成されたリードフレームベア材の裏面に、ポリイミド系の薄膜テープ(日東製)を貼り付け、厚さ0.8μmのNiめっき(スルファミン酸Niめっき)を施した。その上に、Agストライク（ダウケミカル製Silveron  GT-820  Strike）を0.05μmの厚さで施し、更にAg/Sn合金めっき（ダウケミカル製  Silveron  GT-820  Cyanide-free  AgSn  Plating  )を1.2μmの厚さで施した。その後、半導体組み立て工程にて組み立てられ、モールド封入後、裏面ポリイミド系薄膜テープは剥離された。この状態では裏面側はCuが露出しているが、このCu面へ外装めっきとして電解Snめっきを施し、実施例３に係るリードフレームを得た。
【００５９】
以上、本発明の好ましい実施形態について詳説したが、本発明は、上述した実施形態に制限されることはなく、本発明の範囲を逸脱することなく、上述した実施形態に種々の変形及び置換を加えることができる。
【符号の説明】
【００６０】
１０    リードフレームパターン
１１    半導体素子搭載領域
１２    端子領域
１５    金属板
２０、３０    めっき層
４０    フィルム
５０、５１    リードフレーム
６０    半導体素子
７０    ワイヤ
８０    樹脂
【図１】
0006414669.tif 000002
【図２】
0006414669.tif 000003
【図３】
0006414669.tif 000004
【図４】
0006414669.tif 000005
【図５】
0006414669.tif 000006
【図６】
0006414669.tif 000007