(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数のセラミック層と複数の内部電極とが交互に積層されてなるセラミック素体と、
前記セラミック素体の両端面に露出される前記内部電極の露出部と電気的に接続されている外部電極と、
を備えるセラミック電子部品の製造方法において、
前記セラミック層と前記内部電極とを有する生のセラミック素体を得る工程と、
前記生のセラミック素体の稜線部を研磨する工程と、
を備え、
前記生のセラミック素体の稜線部を研磨する工程は、溶媒と、前記セラミック素体の添加成分との混合物の入ったバレル内で、前記生のセラミック素体を、バレルを回転させることにより研磨する湿式バレル研磨を行い、湿式バレル研磨後の前記生のセラミック素体を、３５℃以下の環境下で乾燥する乾燥工程を備えることを特徴とする、セラミック電子部品の製造方法。
【請求項２】
前記乾燥工程は、吸引乾燥を行うことを特徴とする、請求項１に記載のセラミック電子部品の製造方法。
【請求項３】
前記セラミック素体の添加成分は、ＢａおよびＭｇであることを特徴とする、請求項１または請求項２に記載のセラミック電子部品の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、セラミック電子部品の製造方法に関し、特にたとえば、積層セラミックコンデンサなどのセラミック電子部品の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
たとえば、代表的なセラミック電子部品の一つである積層セラミックコンデンサは、通常、複数の内部電極がセラミック層を介して互いに対向するように配設され、かつ、交互に逆側の端面に引き出された構造を有するセラミック素体の両端面に、内部電極と導通するように外部電極が配設された構造を有している。
【０００３】
ところで、上述のような積層セラミックコンデンサを製造するにあたっては、セラミック素体の端面を研磨して内部電極を端面に確実に露出させて、内部電極と外部電極とのコンタクトを強固にするため、あるいは、セラミック素体の稜線部（角部も含む）に丸みをつけて、セラミック素体の稜線部での割れや欠け、外部電極の稜線部での切断を防止するために、セラミック素体を研磨することが行われる。
【０００４】
このようなセラミック素体の研磨方法として、たとえば、特許文献１のように、バレルに生のセラミック素体および研磨剤を投入し、バレルを回転させることにより生のセラミック素体を研磨するようにした乾式バレル研磨法や、バレルに水、生のセラミック素体および研磨剤を投入し、バレルを回転させることにより生のセラミック素体を研磨するようにした湿式バレル研磨法等がある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開平８−６９９４３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、特許文献１に記載のセラミック電子部品の製造方法にように、乾式バレル研磨法により研磨して生のセラミック素体の稜線部を研磨した場合、研磨中にバレルポット内の温度が上昇し、生のセラミック素体が熱塑性変形を起こすことがあった。その結果として、積層セラミックコンデンサの外観不良が生じたり、端面において内部電極が露出状態となることにより、外部電極と内部電極とのコンタクト不良等の外部電極の連続性の悪化が生じ、積層セラミックコンデンサの信頼性の低下につながったりすることがあった。
【０００７】
また、湿式バレル研磨法により研磨して生のセラミック素体の稜線部を研磨した場合には、水の中でバレル研磨を行うため、温度上昇による熱塑性変形を発生させず、稜線部を研磨することが可能であるが、生のセラミック素体の誘電体の添加成分が水に溶出することにより、積層セラミックコンデンサの信頼性の低下が問題となることがあった。
【０００８】
具体的には、誘電体の添加成分であるＢａが水中に溶出することにより、生のセラミック素体に含まれるＢａ量が少なくなり、セラミック誘電体のモル比（Ｂａ／Ｔｉ）が小さくなる。セラミック誘電体は、モル比が小さくなるほど、焼結が進むことになるため、生のセラミック素体を焼成する際に、セラミックの焼結が過剰に進むことになる。このとき、セラミックの粒成長が過剰に進むことにより、添加物の固溶状態が変化したり、セラミック素体の悪化（理想的なセラミック素体は平滑であるべきだが、焼成時の異常粒成長によりセラミック素体の平滑性が失われる）が生じたりすることがあり、その結果、絶縁抵抗が低下することにより、積層セラミックコンデンサの信頼性の低下につながっていた。
【０００９】
それゆえに、この発明の主たる目的は、生のセラミック素体に対するバレル研磨により生ずる生のセラミック素体の熱塑性変形、および、セラミック電子部品の電気的特性の変化を抑制することができ、信頼性の高いセラミック電子部品を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
この発明にかかるセラミック電子部品の製造方法は、複数のセラミック層と複数の内部電極とが交互に積層されてなるセラミック素体と、セラミック素体の両端面に露出される内部電極の露出部と電気的に接続されている外部電極と、を備えるセラミック電子部品の製造方法において、セラミック層と内部電極とを有する生のセラミック素体を得る工程と、生のセラミック素体の稜線部を研磨する工程と、を備え、生のセラミック素体の稜線部を研磨する工程は、溶媒と、セラミック素体の添加成分との混合物の入ったバレル内で、生のセラミック素体を、バレルを回転させることにより研磨する湿式バレル研磨を行い、湿式バレル研磨後の生のセラミック素体を、３５℃以下の環境下で乾燥する乾燥工程をさらに備えることを特徴とする、セラミック電子部品の製造方法である。
また、この発明にかかるセラミック電子部品の製造方法は、吸引乾燥を行うことが好ましい。
さらに、この発明にかかるセラミック電子部品の製造方法は、セラミック素体の添加成分が、ＢａおよびＭｇであることが好ましい。
【００１１】
この発明にかかるセラミック電子部品の製造方法によれば、生のセラミック素体の稜線部を研磨する工程において、湿式バレル研磨法により研磨を行うため、温度上昇による熱塑性変形を発生させることなく、稜線部を研磨することが可能となり、得られるセラミック電子部品の外観不良や、端面において内部電極が露出状態となることにより、外部電極と内部電極とのコンタクト不良等の外部電極の連続性の悪化によるセラミック電子部品の信頼性の低下を抑制することができる。
また、この発明にかかるセラミック電子部品の製造方法では、湿式バレル研磨法により研磨を行う際、溶媒に誘電体（セラミック素体）の添加成分である、たとえば、ＢａおよびＭｇを事前に溶解させておく（すなわち、飽和状態を作っておく）ことで、湿式バレル研磨法による研磨中における添加成分の溶出を抑制することができ、セラミック誘電体のモル比（Ｂａ／Ｔｉ）を維持することができるため、過焼結を防止し、その結果、セラミック電子部品の絶縁抵抗の低下などの電気的特性の変化を防止することができる。
さらに、生のセラミック素体を研磨する工程において、洗浄後の生のセラミック素体を乾燥する乾燥工程を備え、その乾燥工程では、３５℃以下の温度の環境下で吸引乾燥を行うことで、セラミック素体を形成するために製造されるセラミックグリーンシートに含まれる可塑剤の作用によって低下した、該セラミックグリーンシートに含まれるバインダのガラス転移点以下の温度で乾燥させることから、該バインダの流動を抑制することができるため、生のセラミック素体同士のくっつき不良を抑制することができる。
【発明の効果】
【００１２】
この発明によれば、生のセラミック素体に対するバレル研磨により生ずる生のセラミック素体の熱塑性変形、および、セラミック電子部品の電気的特性の変化を抑制することができ、信頼性の高いセラミック電子部品を提供することができる。
【００１３】
この発明の上述の目的、その他の目的、特徴および利点は、図面を参照して行う以下の発明を実施するための形態の説明から一層明らかとなろう。
【図面の簡単な説明】
【００１４】
【図１】この発明が適用されるセラミック電子部品の一例を示す外観斜視図である。
【図２】この発明が適用されるセラミック電子部品の一例を示す側面図である。
【図３】図１のＡ−Ａ線における断面を示す断面図解図である。
【図４】この発明が適用されるセラミック電子部品の他の例を示す外観斜視図である。
【図５】この発明が適用されるセラミック電子部品の他の例を示す側面図である。
【図６】図４のＢ−Ｂ線における断面を示す断面図解図である。
【発明を実施するための形態】
【００１５】
（セラミック電子部品）
本発明が適用されるセラミック電子部品の一例について説明する。図１は、この発明が適用されるセラミック電子部品の一例を示す外観斜視図を示し、図２は、この発明が適用されるセラミック電子部品の一例を示す側面図である。図３は、図１のＡ−Ａ線における断面を示す断面図解図である。このセラミック電子部品は、積層セラミックコンデンサを例として示す。
【００１６】
この実施の形態にかかるセラミック電子部品１は、セラミック素体１０（積層体）と、セラミック素体１０の表面に形成される第１および第２の外部電極１２ａ，１２ｂとから構成される。
【００１７】
セラミック素体１０は、複数の積層されたセラミック層１４ａ，１４ｂから構成される。そして、セラミック素体１０は、直方体状に形成され、長さ方向（Ｌ方向）および幅方向（Ｗ方向）に沿って延びる第１主面１６ａおよび第２主面１６ｂと、長さ方向（Ｌ方向）および高さ方向（Ｔ方向）に沿って延びる第１側面１８ａおよび第２側面１８ｂと、幅方向（Ｗ方向）および高さ方向（Ｔ方向）に沿って延びる第１端面２０ａおよび第２端面２０ｂとを有する。また、セラミック素体１０において、第１主面１６ａおよび第２主面１６ｂは互いに対向し、第１側面１８ａおよび第２側面１８ｂは互いに対向し、第１端面２０ａおよび第２端面２０ｂは、互いに対向する。さらに、セラミック素体１０は、稜線部２２に丸みがつけられている。
【００１８】
セラミック層１４ａ，１４ｂとしては、たとえば、ＢａＴｉＯ3、ＣａＴｉＯ3、ＳｒＴｉＯ3、ＣａＺｒＯ3などの主成分からなる誘電体セラミックが用いられる。また、これらの主成分にＭｎ化合物、Ｆｅ化合物、Ｃｒ化合物、Ｃｏ化合物、Ｎｉ化合物などの副成分を添加したものを用いてもよい。なお、誘電体セラミックは大きな静電容量を得るために、強誘電体セラミックスにより構成されていることが好ましい。セラミック層１４ａ，１４ｂの厚みは０．２μｍ以上１０μｍ以下であることが好ましい。
【００１９】
なお、セラミック層１４ａ，１４ｂとしては、ＰＺＴ系セラミックなどの圧電体セラミック、スピネル系セラミックなどの半導体セラミック、フェライトなどの磁性体セラミックを用いることもできる。
【００２０】
セラミック素体１０は、複数のセラミック層１４ａおよびセラミック層１４ｂに挟まれるように複数の第１の内部電極２４ａおよび第２の内部電極２４ｂを有する。したがって、複数のセラミック層１４ａ，１４ｂと複数の内部電極２４ａ，２４ｂとが交互に積層されている。第１および第２の内部電極２４ａ，２４ｂは、セラミック層１４ａ，１４ｂを挟んで対向しており、対向部分により電気特性（たとえば、静電容量など）が発生する。第１および第２の内部電極２４ａ，２４ｂの材料としては、たとえば、Ｎｉ、Ｃｕ、Ａｇ、Ｐｄ、Ａｇ−Ｐｄ合金、Ａｕなどを用いることができる。第１および第２の内部電極２４ａ，２４ｂの厚みは、０．３μｍ以上２．０μｍ以下であることが好ましい。
【００２１】
第１の内部電極２４ａは、対向部２６ａと露出部２８ａとを有する。対向部２６ａは、第２の内部電極２４ｂと対向する。露出部２８ａは、対向部２６ａからセラミック素体１０の第１端面２０ａに延びて露出するように形成される。
【００２２】
また、第２の内部電極２４ｂは、第１の内部電極２４ａと同様に、対向部２６ｂと露出部２８ｂとを有する。対向部２６ｂは、第１の内部電極２４ａと対向する。露出部２８ｂは、対向部２６ｂからセラミック素体１０の第２端面２０ｂに延びて露出するように形成される。
【００２３】
このように、この実施の形態にかかるセラミック素体１０については、上述したように、内部電極が誘電体セラミック層を介して対向することにより容量が形成されている。これにより、この積層セラミック電子部品は、コンデンサとして機能する。
【００２４】
一方、圧電体セラミックを用いた場合は圧電部品として機能し、半導体セラミックを用いた場合はサーミスタとして機能し、磁性体セラミックを用いた場合はインダクタとして機能する。ただし、インダクタの場合、内部電極はコイル状の導体となる。
【００２５】
セラミック素体１０の第１端面２０ａには、第１の外部電極１２ａが第１の内部電極２４ａに電気的に接続され、第１端面２０ａおよび第１の内部電極２４ａを覆うように形成される。また、第１の外部電極１２ａは、第１主面１６ａおよび第２主面１６ｂの一部ならびに第１側面１８ａおよび第２側面１８ｂの一部を覆うように形成される。同様に、セラミック素体１０の第２端面２０ｂには、第２の外部電極１２ｂが第２の内部電極２４ｂに電気的に接続され、第２端面２０ｂおよび第２の内部電極２４ｂを覆うように形成される。また、第２の外部電極１２ｂは、第１主面１６ａおよび第２主面１６ｂの一部ならびに第１側面１８ａおよび第２側面１８ｂの一部を覆うように形成される。
【００２６】
第１の外部電極１２ａは、下地層３０ａと下地層３０ａの表面に形成されるめっき層３２ａとを有する。また、第２の外部電極１２ｂは、下地層３０ｂと下地層３０ｂの表面に形成されるめっき層３２ｂとを有する。
【００２７】
下地層３０ａ，３０ｂの材料には、たとえば、Ｃｕ、Ｎｉ、Ａｇ、Ｐｄ、Ａｇ−Ｐｄ合金、Ａｕ等を用いることができる。下地層３０ａ，３０ｂは、内部電極２４ａ，２４ｂと同時焼成したコファイアによるものでもよく、導電性ペーストを塗布して焼き付けたポストファイアによるものでもよい。また、直接めっきにより形成されていてもよく、熱硬化性樹脂を含む導電性樹脂を硬化させることにより形成されていてもよい。
【００２８】
なお、下地層３０ａ，３０ｂを外部電極用導電性ペーストの焼付けで形成する場合は、下地層３０ａ，３０ｂは、導電性金属とガラスとを含むペーストを用いることが好ましい。ガラス成分としては、Ｂ、Ｓｉ、Ｂａ、Ｍｇ、Ａｌ、Ｌｉ、Ｚｎなどを含むガラスを用いることができる。また、下地層３０ａ，３０ｂとしては、たとえば、Ｃｕ、Ｎｉ、Ａｇ、Ｐｄ、Ａｇ−Ｐｄ合金、Ａｕなどを用いることができる。下地層３０ａ，３０ｂは、内部電極２４ａ，２４ｂと同時焼成したコファイアによるものでもよく、外部電極用導電性ペーストを塗布して焼き付けたポストファイアによるものでもよい。また、直接めっきにより形成されていてもよく、熱硬化性樹脂を含む導電性樹脂を硬化させることにより形成されていてもよい。下地層３０ａ，３０ｂの厚みは、最も厚い部分において、１０μｍ以上５０μｍ以下であることが好ましい。
【００２９】
一方、めっき層３２ａ，３２ｂの材料には、たとえば、Ｃｕ、Ｎｉ、Ａｇ、Ｐｄ、Ａｇ−Ｐｂ合金、Ａｕ等を用いることができる。めっき層３２ａ，３２ｂは、複数層に形成されていてもよい。好ましくは、Ｎｉめっき、Ｓｎめっきの２層構造である。たとえば、内部電極２４ａ，２４ｂとしてＮｉを用いた場合、下地層３８ａ，３８ｂとしては、Ｎｉと接合性のよいＣｕを用いることが好ましい。また、めっき層３２ａ，３２ｂを２層構造とした場合、めっき層３２ａ，３２ｂの第１層の表面に形成される第２層は、はんだ濡れ性のよいＳｎやＡｕを用いることが好ましく、下地層３８ａ，３８ｂの表面に形成される第１層は、はんだバリア性能を有するＮｉを用いることが好ましい。めっき層３２ａ，３２ｂの一層あたりの厚みは、１μｍ以上１０μｍ以下であることが好ましい。また、下地層３０ａ，３０ｂとめっき層３２ａ，３２ｂとの間に、応力緩和用の導電性樹脂層が形成されていてもよい。
【００３０】
また、下地層３０ａ，３０ｂをめっき処理により形成する場合は、下地層３０ａ，３０ｂは、たとえば、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｓｎ、Ｐｂ、Ａｕ、Ａｇ、Ｐｄ、ＢｉおよびＺｎからなる群から選ばれる１種の金属または当該金属を含む合金を用いることができる。下地層３０ａ，３０ｂをめっき処理により形成する場合は、下地層３０ａ，３０ｂはガラス成分を含まないことが好ましく、下地層３０ａ，３０ｂの単位体積あたりの金属割合は９９体積％以上であることが好ましい。内部電極２４ａ，２４ｂとしてＮｉを用いた場合、下地層３０ａ，３０ｂとしては、Ｎｉと接合性のよいＣｕを用いることが好ましい。この場合の下地層３０ａ，３０ｂの厚みは、１μｍ以上１５μｍ以下であることが好ましい。
【００３１】
次に、本発明が適用されるセラミック電子部品の他の例について説明する。図４は、この発明が適用されるセラミック電子部品の他の例を示す外観斜視図を示し、図５は、この発明が適用されるセラミック電子部品の他の例を示す側面図である。図６は、図４のＢ−Ｂ線における断面を示す断面図解図である。このセラミック電子部品も、積層セラミックコンデンサを例として示す。なお、図４ないし図６において、図１ないし図３に示したセラミック電子部品１と同一の部分には、同一の符号を付し、その説明を省略する。
【００３２】
このセラミック電子部品１’は、セラミック層１４ａ，１４ｂの積層数をセラミック電子部品１よりも多くすることで、略角柱形状のセラミック素体１０により構成されている。このようなセラミック電子部品１’を製造する場合でも、本発明にかかるセラミック電子部品の製造方法を用いることができる。
【００３３】
（セラミック電子部品の製造方法）
続いて、以上の構成からなるセラミック電子部品の製造方法の一実施の形態について、セラミック電子部品１を例にして説明する。
【００３４】
まず、セラミックグリーンシート、第１および第２の内部電極２４ａ，２４ｂを形成するための内部電極用導電性ペーストおよび第１および第２の外部電極１２ａ，１２ｂを形成するための外部電極用導電性ペーストが準備される。なお、セラミックグリーンシート、内部電極用導電性ペーストおよび外部電極用導電性ペーストには、有機バインダおよび溶剤が含まれるが、公知の有機バインダや有機溶剤を用いることができる。
【００３５】
そして、セラミックグリーンシート上に、たとえば、所定のパターンで内部電極用導電性ペーストを印刷し、セラミックグリーンシートには、内部電極のパターンが形成される。なお、内部電極用導電性ペーストは、スクリーン印刷法などの公知の方法により印刷することができる。
【００３６】
次に、内部電極のパターンが印刷されていない外層用セラミックグリーンシートが所定枚数積層され、その上に、内部電極パターンが印刷されたセラミックグリーンシートが順次積層され、その上に、外層用セラミックグリーンシートが所定枚数積層され、マザー積層体が作製される。
【００３７】
そして、このマザー積層体は、静水圧プレスなどの手段により積層方向に圧着される。
【００３８】
その後、マザー積層体が所定の形状寸法に切断され、生のセラミック素体が切り出される（セラミック層と内部電極とを有する生のセラミック素体を得る工程）。
【００３９】
次に、切り出された生のセラミック素体の稜線部が研磨され、丸みがつけられる（生のセラミック素体を研磨する工程）。この生のセラミック素体の稜線部を研磨する工程では、溶媒と、誘電体（セラミック素体）の添加成分との混合物がバレル内に注入され、その中に切り出された生のセラミック素体が投入されて、バレルを回転させることにより研磨が行われる（湿式バレル研磨法）。ここで、溶媒に溶解される誘電体（セラミック素体）の添加成分は、たとえば、ＢａおよびＭｇが用いられる。また、ＢａおよびＭｇの添加量は、溶媒の量に比例して調整する。溶媒は、たとえば、水が用いられる。
【００４０】
続いて、生のセラミック素体を研磨する工程により、稜線部が研磨され丸みがつけられた切り出された生のセラミック素体を洗浄する（洗浄工程）。洗浄工程では、所定時間、水を用いて生のセラミック素体を洗浄し、バレル研磨の際の生のセラミック素体の削り屑や生のセラミック素体に付着した添加成分を洗い流す。
【００４１】
その後、洗浄後の生のセラミック素体を乾燥させる（湿式バレル研磨後の生のセラミック素体を乾燥する乾燥工程）。乾燥工程では、一定の温度に保たれた環境下に洗浄後の生のセラミック素体を投入し、吸引乾燥させ、徐々に温度を低下させながら乾燥を行う。乾燥温度は、セラミックグリーンシートに含まれるバインダのガラス転移点以下の温度で乾燥することが好ましく、具体的には３５℃以下の環境下で乾燥を行うことが好ましい。本実施の形態では、３５℃に保たれた環境下に洗浄後の生のセラミック素体を投入し、吸引乾燥させ、２０℃まで温度を低下させながら乾燥を行う。これにより、セラミックグリーンシートに含まれる可塑剤の作用によって低下した、セラミックグリーンシートに含まれるバインダのガラス転移点に対して、それよりも低い温度で乾燥を行うことができる。よって、セラミックグリーンシートに含まれるバインダの流動を抑制することができるため、生のセラミック素体同士のくっつき不良を抑制することができる。
【００４２】
続いて、研磨された生のセラミック素体が焼成され、積層体であるセラミック素体１０が生成される。なお、生のセラミック素体を焼成するときの焼成温度は、セラミックの材料や内部電極用導電性ペーストの材料に依存するが、９００℃以上１３００℃以下であることが好ましい。なお、外部電極用導電性ペーストの焼成および生のセラミック素体の焼成は、たとえば、大気中、Ｎ2雰囲気中、水蒸気＋Ｎ2雰囲気中などにおいて行われる。
【００４３】
次に、セラミック素体に下地層を形成する工程について説明する。
【００４４】
まず、下地層を外部電極用導電性ペーストの焼付けで形成する場合について説明する。
焼成後のセラミック素体１０の第１端面２０ａおよび第２端面２０ｂに外部電極用導電性ペーストが塗布され、焼き付けることで、第１および第２の外部電極１２ａ，１２ｂの下地層３０ａ，３０ｂが形成される。焼き付け温度は、７００℃以上９００℃以下であることが好ましい。また、必要に応じて、下地層３０ａ，３０ｂの表面に１層以上のめっき層３２ａ，３２ｂが形成される。
【００４５】
次に、下地層をめっき処理により形成する場合について説明する。
焼成後のセラミック素体１０の第１端面２０ａおよび第２端面２０ｂにめっき処理を施し、第１および第２の内部電極２４ａ，２４ｂの露出部２８ａ，２８ｂの上に下地層３０ａ，３０ｂを形成する。めっき処理を行うにあたっては、電解めっき、無電解めっきのどちらを採用してもよいが、無電解めっきは、めっき析出速度を向上させるために、触媒などによる前処理が必要となり、工程が複雑化するというデメリットがある。したがって、通常は、電解めっきを採用することが好ましい。めっき工法としては、バレルめっきを用いることが好ましい。また、必要に応じて、めっき処理により下地層３０ａ，３０ｂを形成した後に、熱処理を施すことで、第１および第２の内部電極２４ａ，２４ｂと下地層３０ａ，３０ｂとの接合部を合金化し、接合強度を高める施策を導入してもよい。この場合、熱処理の温度は、たとえば、７５０℃以上１０００℃以下であることが好ましい。さらに、必要に応じて、下地層３０ａ，３０ｂの表面に１層以上のめっき層３２ａ，３２ｂが形成される。
【００４６】
以上の製造方法により、所望のセラミック電子部品１が得られる。
【００４７】
本実施の形態にかかるセラミック電子部品の製造方法によると、生のセラミック素体の稜線部を研磨する工程において、湿式バレル研磨法により研磨を行うため、温度上昇による熱塑性変形を発生させることなく、稜線部を研磨することが可能となり、得られるセラミック電子部品１の外観不良や、セラミック素体１０の端面において内部電極が露出状態となることにより、外部電極と内部電極とのコンタクト不良等の外部電極の連続性の悪化によるセラミック電子部品１の信頼性の低下を抑制することができる。
【００４８】
また、この発明にかかるセラミック電子部品の製造方法では、湿式バレル研磨法により研磨を行う際、溶媒である水に誘電体（セラミック素体）の添加成分であるＢａおよびＭｇを事前に溶解させておく（すなわち、飽和状態を作っておく）ことで、湿式バレル研磨法による研磨中における添加成分の溶出を抑制することができ、セラミック誘電体のモル比（Ｂａ／Ｔｉ）を維持することができるため、過焼結を防止することができる。その結果、本実施の形態にかかるセラミック電子部品の製造方法により製造されるセラミック電子部品１の絶縁抵抗の低下などの電気的特性の変化を防止することができる。
【００４９】
（実験例）
実験例では、上述の方法によりセラミック電子部品１を作製し、熱塑性変形の有無の確認、ＨＡＬＴ（Ｈｉｇｈｌｙ  Ａｃｃｅｌｅｒａｔｅｄ  Ｌｉｆｅ  Ｔｅｓｔ）による信頼性試験の変化（ＩＲ劣化）の確認、およびくっつき不良の確認を行った。
【００５０】
（実施例）
実施例１では、上述の実施の形態にかかるセラミック電子部品の製造方法で、図１に示すセラミック電子部品１である積層セラミックコンデンサを製造した。生のセラミック素体の湿式バレル研磨法による研磨の条件は、以下のとおりとした。すなわち、バレルの条件は、水３００ｃｃに誘電体（セラミック素体）の添加成分としてＭｇを１ｃｃ、Ｂａを７０ｃｃ添加したものをバレル内に注入した。そして、バレル内に１０００００個の生のセラミック素体を投入し、バレル研磨による研磨時間を６０分間とし、回転数を１８０ｒｐｍで回転させることにより研磨を行った。
その後、バレル研磨後の生のセラミック素体を洗浄し、乾燥工程において乾燥を行った。乾燥工程では、２５℃に保たれた環境下に洗浄後の生のセラミック素体を投入し、吸引乾燥させ、２０℃まで温度を低下させながら２０分間乾燥を行った。
【００５１】
また、実施例２では、上述の実施の形態にかかるセラミック電子部品の製造方法で、図１に示すセラミック電子部品１である積層セラミックコンデンサを製造した。生のセラミック素体の湿式バレル研磨法による研磨の条件は、以下のとおりとした。すなわち、バレルの条件は、水３００ｃｃに誘電体（セラミック素体）の添加成分としてＭｇを１ｃｃ、Ｂａを７０ｃｃ添加したものをバレル内に注入した。そして、バレル内に１０００００個の生のセラミック素体を投入し、バレル研磨による研磨時間を６０分間とし、回転数を１８０ｒｐｍで回転させることにより研磨を行った。
その後、バレル研磨後の生のセラミック素体を洗浄し、乾燥工程において乾燥を行った。乾燥工程では、３０℃に保たれた環境下に洗浄後の生のセラミック素体を投入し、吸引乾燥させ、２５℃まで温度を低下させながら２０分間乾燥を行った。
【００５２】
また、実施例３では、上述の実施の形態にかかるセラミック電子部品の製造方法で、図１に示すセラミック電子部品１である積層セラミックコンデンサを製造した。生のセラミック素体の湿式バレル研磨法による研磨の条件は、以下のとおりとした。すなわち、バレルの条件は、水３００ｃｃに誘電体（セラミック素体）の添加成分としてＭｇを１ｃｃ、Ｂａを７０ｃｃ添加したものをバレル内に注入した。そして、バレル内に１０００００個の生のセラミック素体を投入し、バレル研磨による研磨時間を６０分間とし、回転数を１８０ｒｐｍで回転させることにより研磨を行った。
その後、バレル研磨後の生のセラミック素体を洗浄し、乾燥工程において乾燥を行った。乾燥工程では、３５℃に保たれた環境下に洗浄後の生のセラミック素体を投入し、吸引乾燥させ、２０℃まで温度を低下させながら２０分間乾燥を行った。
【００５３】
製造された積層セラミックコンデンサの外形寸法は、長さ０．６ｍｍ、幅０．３ｍｍ、高さ０．１５ｍｍとした。また、セラミック層１４ａ，１４ｂ（誘電体セラミック）として、チタン酸バリウム系誘電体セラミックを用いた。さらに、内部電極２４ａ、２４ｂの材料としてＮｉを用いた。さらに、外部電極１２ａ，１２ｂについて、下地層３０ａ，３０ｂはＣｕにより形成され、めっき層３２ａ，３２ｂは、第１層にＮｉめっき膜が形成され第１層の上に形成される第２層にＳｎめっき膜が形成される２層構造により形成された。
【００５４】
（比較例）
比較例１では、実施例と同様に、生のセラミック素体について、従来の湿式バレル研磨法を用いて研磨したが、研磨に用いる水には誘電体の添加成分としてＭｇおよびＢａを添加しなかった。また、バレルの条件は、ＭｇおよびＢａを添加しないこと以外は、実施例と同じ条件とした。また、製造されたセラミック電子部品の外部電極も実施例と同じ構造に形成した。
【００５５】
また、比較例２では、実施例とは異なり従来の乾式バレル研磨法を用いて研磨した。すなわち、水、誘電体の添加成分としてＭｇおよびＢａは添加しなかった。また、バレルの条件は、水、ＭｇおよびＢａを添加せず、バレル研磨による研磨時間を１８０分間とした以外は、実施例と同じ条件とした。また、製造されたセラミック電子部品の外部電極も実施例と同じ構造に形成した。なお、バレル時間が湿式バレル研磨法よりも長いのは、乾式バレル研磨法は、湿式バレル研磨法に比べて研磨力が劣るため、同様な構造を得るためにはバレル研磨による研磨時間を長くする必要があるためである。
【００５６】
また、比較例３では、実施例と同様に、生のセラミック素体について、湿式バレル研磨法を用いて研磨したが、その後の乾燥工程においては、吸引乾燥を行わず、５０℃の一定温度の環境下で２０分間乾燥を行った。また、バレルの条件は、実施例と同じ条件とした。なお、製造されたセラミック電子部品の外部電極も実施例と同じ構造に形成した。
【００５７】
さらに、比較例４では、実施例と同様に、生のセラミック素体について、湿式バレル研磨法を用いて研磨したが、その後の乾燥工程においては、吸引乾燥を行わず、６０℃の一定温度の環境下で２０分間乾燥を行った。また、バレルの条件は実施例と同じ条件とした。なお、製造されたセラミック電子部品の外部電極も実施例と同じ構造に形成した。
【００５８】
（熱塑性変形の確認方法）
上記で得られた実施例１ないし実施例３、ならびに比較例１および比較例２の各試料にかかる積層セラミックコンデンサをＬ方向に沿って、１／２Ｗの位置まで断面研磨を行い、片側のセラミック素体１０の端部において、端面に沿った垂線を基準として、セラミック素体１０の端面の一番飛び出ている部分からセラミック素体１０の端面の一番凹んでいる部分までのＬ方向に沿った距離をマイクロスコープ（倍率×１０００倍）で測定した。その際、その距離が３μｍ以上のものを熱塑性変形したものとしてカウントした。熱塑性変形の確認は、実施例１ないし実施例３、ならびに比較例１および比較例２において、それぞれ１００個ずつ準備して行った。
【００５９】
（ＨＡＬＴによるＩＲ劣化の確認方法）
上記で得られた実施例１ないし実施例３、ならびに比較例１および比較例２の各試料にかかる積層セラミックコンデンサについて、１５０℃の温度にて、８Ｖの電圧を印加するＨＡＬＴ（超加速ライフ試験）を行った。この超加速試験において、ＩＲ値が１０ｋΩ以下になるまでの時間が１０時間を下回るものを信頼性に劣ると評価した。ＨＡＬＴによるＩＲ劣化の確認は、実施例１ないし実施例３、ならびに比較例１および比較例２において、それぞれ１８個ずつ準備して行った。
【００６０】
（くっつき不良の確認）
乾燥工程後に得られた実施例１ないし実施例３、ならびに比較例３および比較例４の各試料にかかる生のセラミック素体を、生のセラミック素体１個分が通過する大きさのメッシュを持つ篩に投入し、振動を与えてメッシュを通過しなかった生のセラミック素体をくっつき不良とした。
【００６１】
表１は、実施例１ないし実施例３、ならびに比較例１および比較例２のそれぞれの積層セラミックコンデンサに対する熱塑性変形の有無の確認と、ＨＡＬＴによる信頼性試験の変化（ＩＲ劣化）を確認した結果を示す。
また、表２は、実施例１ないし実施例３、ならびに比較例３および比較例４のそれぞれの乾燥工程後に得られた生のセラミック素体に対して行った、くっつき不良を確認した結果を示す。
【００６２】
【表１】
0006442881.tif 000002
【００６３】
【表２】
0006442881.tif 000003
【００６４】
以上のことから、本発明にかかるセラミック電子部品の製造方法を用いることで、温度上昇による熱塑性変形を発生させることなく、稜線部を研磨することが可能となり、積層セラミックコンデンサの外観不良や、セラミック素体１０の端面において内部電極が露出状態となることにより、外部電極と内部電極とのコンタクト不良等の外部電極の連続性の悪化による信頼性の低下（ＩＲの低下）を抑制しうることが確認された。
【００６５】
また、水の中でバレル研磨を行う際、水に誘電体（セラミック素体）の添加成分を事前に溶解させておく（飽和状態を作っておく）ことで、研磨中の添加成分の溶出を抑制することができ、セラミック誘電体のモル比（Ｂａ／Ｔｉ）を維持することができるため、過焼結を防止し、積層セラミックコンデンサの絶縁抵抗の低下などの電気的特性の変化を防止しうることが確認された。
【００６６】
さらに、バレル研磨後の乾燥工程において、吸引乾燥を行いながら３５℃以下の温度で乾燥を行うことで、生のセラミック素体同士のくっつき不良を抑制することができ、製品の歩留まりの低下を抑制しうることが確認された。
【００６７】
したがって、本発明によるセラミック電子部品の製造方法を用いることで、生のセラミック素体に対するバレル研磨により生ずる生のセラミック素体の熱塑性変形、および、セラミック電子部品の電気的特性の変化（絶縁抵抗の低下）を抑制することができ、信頼性の高いセラミック電子部品を提供することができる。
【００６８】
なお、この発明は、前記実施の形態に限定されるものではなく、その要旨の範囲内で種々に変形される。また、セラミック電子部品のセラミック層の厚み、層数、対向電極面積および外形寸法は、これに限定されるものではない。
【符号の説明】
【００６９】
１  セラミック電子部品
１０  セラミック素体
１２ａ  第１の外部電極
１２ｂ  第２の外部電極
１４ａ、１４ｂ  セラミック層
１６ａ  第１主面
１６ｂ  第２主面
１８ａ  第１側面
１８ｂ  第２側面
２０ａ  第１端面
２０ｂ  第２端面
２２  稜線部
２４ａ  第１の内部電極
２４ｂ  第２の内部電極
２６ａ、２６ｂ  対向部
２８ａ、２８ｂ  露出部
３０ａ、３０ｂ  下地層
３２ａ、３２ｂ  めっき層
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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