(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
電流が注入されて光を発生させることが可能な活性層と、
前記活性層を挟む第１クラッド層および第２クラッド層と、
前記活性層に電流を注入する第１電極および第２電極と、
を含み、
前記活性層は、光を導波させる光導波路を構成し、
前記光導波路は、
光を射出する第１光出射面および第２光出射面と、
前記第１光出射面および前記第２光出射面までの距離が等しい中心位置を含む第１領域と、
前記第１光出射面を含む第２領域と、
前記第２光出射面を含む第３領域と、
を有し、
前記第２クラッド層は、前記第２電極と電気的に接続しない複数の非コンタクト領域を有し、
前記活性層および前記第１クラッド層の積層方向からみて、前記複数の非コンタクト領域は、前記光導波路と交差し、
前記積層方向からみて、前記第１領域の面積に対する、前記複数の非コンタクト領域と前記第１領域とが重なる面積の割合は、前記第２領域の面積に対する、前記複数の非コンタクト領域と前記第２領域とが重なる面積の割合よりも大きく、かつ、前記第３領域の面積に対する、前記複数の非コンタクト領域と前記第３領域とが重なる面積の割合よりも大きく、
前記複数の非コンタクト領域のピッチは、前記中心位置から前記第１光出射面および前記第２光出射面に向かうに従って漸次大きくなる、ことを特徴とする発光装置。
【請求項２】
前記複数の非コンタクト領域は、前記積層方向からみて、前記第１領域のみと交差している、ことを特徴とする請求項１に記載の発光装置。
【請求項３】
電流が注入されて光を発生させることが可能な活性層と、
前記活性層を挟む第１クラッド層および第２クラッド層と、
前記活性層に電流を注入する第１電極および第２電極と、
を含み、
前記活性層は、光を導波させる光導波路を構成し、
前記光導波路は、
光を射出する第１光出射面および第２光出射面と、
前記第１光出射面および前記第２光出射面までの距離が等しい中心位置を含む第１領域と、
前記第１光出射面を含む第２領域と、
前記第２光出射面を含む第３領域と、
を有し、
前記第２クラッド層は、前記第２電極と電気的に接続しない複数の非コンタクト領域を有し、
前記活性層および前記第１クラッド層の積層方向からみて、前記複数の非コンタクト領域は、前記光導波路と交差し、
前記積層方向からみて、前記第１領域の面積に対する、前記複数の非コンタクト領域と前記第１領域とが重なる面積の割合は、前記第２領域の面積に対する、前記複数の非コンタクト領域と前記第２領域とが重なる面積の割合よりも大きく、かつ、前記第３領域の面積に対する、前記複数の非コンタクト領域と前記第３領域とが重なる面積の割合よりも大きく、
前記積層方向からみて、
前記第１領域と重なる前記複数の非コンタクト領域のピッチは、等間隔であり、
前記第２領域と重なる前記複数の非コンタクト領域のピッチは、前記中心位置から前記第１光出射面に向かって漸次大きくなり、
前記第３領域と重なる前記複数の非コンタクト領域のピッチは、前記中心位置から前記第２光出射面に向かって漸次大きくなる、ことを特徴とする発光装置。
【請求項４】
前記第２クラッド層と前記第２電極との間に設けられたコンタクト層を含み、
前記複数の非コンタクト領域には、前記コンタクト層が設けられていない、ことを特徴とする請求項１ないし３のいずれか１項に記載の発光装置。
【請求項５】
前記第１領域の前記光導波路の延在方向に沿った長さは、前記光導波路の前記第１光出射面と前記第２光出射面との間の前記延在方向に沿った長さをＬとすると、Ｌ／４以上３Ｌ／４以下である、ことを特徴とする請求項１ないし４のいずれか１項に記載の発光装置。
【請求項６】
前記光導波路は、前記第１光出射面の法線および前記第２光出射面の法線に対して傾いた方向に延在している、ことを特徴とする請求項１ないし５のいずれか１項に記載の発光装置。
【請求項７】
請求項１ないし６のいずれか１項に記載の発光装置と、
前記発光装置から射出された光を、画像情報に応じて変調する光変調装置と、
前記光変調装置によって形成された画像を投射する投射装置と、
を含む、ことを特徴とするプロジェクター。
【請求項８】
発光装置と、
前記発光装置から射出された光を、画像情報に応じて変調する光変調装置と、
前記光変調装置によって形成された画像を投射する投射装置と、
を含み、
前記発光装置は、
電流が注入されて光を発生させることが可能な活性層と、
前記活性層を挟む第１クラッド層および第２クラッド層と、
前記活性層に電流を注入する第１電極および第２電極と、
前記第２クラッド層と前記第２電極との間に設けられたコンタクト層と、
を含み、
前記活性層は、光を導波させる光導波路を構成し、
前記光導波路は、
光を射出する第１光出射面および第２光出射面と、
前記第１光出射面および前記第２光出射面までの距離が等しい中心位置を含む第１領域と、
前記第１光出射面を含む第２領域と、
前記第２光出射面を含む第３領域と、
を有し、
前記第２クラッド層は、前記第２電極と電気的に接続しない複数の非コンタクト領域を有し、
前記活性層および前記第１クラッド層の積層方向からみて、前記複数の非コンタクト領域は、前記光導波路と交差し、
前記積層方向からみて、前記第１領域の面積に対する、前記複数の非コンタクト領域と前記第１領域とが重なる面積の割合は、前記第２領域の面積に対する、前記複数の非コンタクト領域と前記第２領域とが重なる面積の割合よりも大きく、かつ、前記第３領域の面積に対する、前記複数の非コンタクト領域と前記第３領域とが重なる面積の割合よりも大きく、
前記複数の非コンタクト領域には、前記コンタクト層が設けられていない、ことを特徴とすることを特徴とするプロジェクター。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、発光装置およびプロジェクターに関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体レーザーやスーパールミネッセントダイオード（Ｓｕｐｅｒ  Ｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｔ  Ｄｉｏｄｅ、以下「ＳＬＤ」ともいう）など半導体発光装置は、例えば、プロジェクターの光源として用いられる。ＳＬＤは、通常の発光ダイオード同様にインコヒーレント性を示し、かつ広帯域なスペクトル形状を示しながら、光出力特性では半導体レーザー同様に単一の素子で数百ｍＷ程度までの出力を得ることが可能な半導体発光装置である。
【０００３】
例えば特許文献１には、ストライプ状の斜め導波路を有するＳＬＤが開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００９−２３８８４７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
上記のようなＳＬＤの光導波路では、光を射出する光出射面に向かって光が指数関数的に増幅される。そのため、光出射面近傍では、光に変換されるキャリアの量が不足することにより利得の飽和が発生して、ＳＬＤの出力が低下する場合がある。
【０００６】
本発明のいくつかの態様に係る目的の１つは、利得の飽和を低減し、高出力化を図ることができる発光装置を提供することにある。また、本発明のいくつかの態様に係る目的の１つは、上記発光装置を含むプロジェクターを提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明に係る発光装置は、
電流が注入されて光を発生させることが可能な活性層と、
前記活性層を挟む第１クラッド層および第２クラッド層と、
前記活性層に電流を注入する第１電極および第２電極と、
を含み、
前記活性層は、光を導波させる光導波路を構成し、
前記光導波路は、
光を射出する第１光出射面および第２光出射面と、
前記第１光出射面および前記第２光出射面までの距離が等しい中心位置を含む第１領域と、
前記第１光出射面を含む第２領域と、
前記第２光出射面を含む第３領域と、
を有し、
前記第２クラッド層は、前記第２電極と電気的に接続しない複数の非コンタクト領域を有し、
前記活性層および前記第１クラッド層の積層方向からみて、前記複数の非コンタクト領域は、前記光導波路と交差し、
前記積層方向からみて、前記第１領域の面積に対する、前記複数の非コンタクト領域と前記第１領域とが重なる面積の割合は、前記第２領域の面積に対する、前記複数の非コン
タクト領域と前記第２領域とが重なる面積の割合よりも大きく、かつ、前記第３領域の面積に対する、前記複数の非コンタクト領域と前記第３領域とが重なる面積の割合よりも大きい。
【０００８】
このような発光装置では、利得の飽和を低減し、高出力化を図ることができる。
【０００９】
本発明に係る発光装置において、
前記第２クラッド層と前記第２電極との間に設けられたコンタクト層を含み、
前記複数の非コンタクト領域には、前記コンタクト層が設けられていなくてもよい。
【００１０】
このような発光装置では、光導波路の電流が注入される領域を、容易に制御することができる。
【００１１】
本発明に係る発光装置において、
前記複数の非コンタクト領域は、前記積層方向からみて、前記第１領域のみと交差していてもよい。
【００１２】
このような発光装置では、前記積層方向からみて、前記第１領域の面積に対する、前記複数の非コンタクト領域と前記第１領域とが重なる面積の割合を、前記第２領域の面積に対する、前記複数の非コンタクト領域と前記第２領域とが重なる面積の割合よりも大きくし、かつ、前記第３領域の面積に対する、前記複数の非コンタクト領域と前記第３領域とが重なる面積の割合よりも大きくすることができる。
【００１３】
本発明に係る発光装置において、
前記複数の非コンタクト領域のピッチは、前記中心位置から前記第１光出射面および前記第２光出射面に向かうに従って漸次大きくなってもよい。
【００１４】
このような発光装置では、高効率で光を射出することができる。
【００１５】
本発明に係る発光装置において、
前記積層方向からみて、
前記第１領域と重なる前記複数の非コンタクト領域のピッチは、等間隔であり、
前記第２領域と重なる前記複数の非コンタクト領域のピッチは、前記中心位置から前記第１光出射面に向かって漸次大きくなり、
前記第３領域と重なる前記複数の非コンタクト領域のピッチは、前記中心位置から前記第２光出射面に向かって漸次大きくなってもよい。
【００１６】
このような発光装置では、高効率で光を射出することができる。
【００１７】
本発明に係る発光装置において、
前記第１領域の前記光導波路の延在方向に沿った長さは、前記光導波路の前記第１光出射面と前記第２光出射面との間の前記延在方向に沿った長さをＬとすると、Ｌ／４以上３Ｌ／４以下であってもよい。
【００１８】
このような発光装置では、利得の飽和を低減し、高出力化を図ることができる。
【００１９】
本発明に係る発光装置において、
前記光導波路は、前記第１光出射面の法線および前記第２光出射面の法線に対して傾いた方向に延在していてもよい。
【００２０】
このような発光装置では、直接的な共振器を構成させないことができるため、光導波路にて発生する光のレーザー発振を抑制することができる。その結果、このような発光装置は、スペックルノイズを低減することができる。
【００２１】
本発明に係るプロジェクターは、
本発明に係る発光装置と、
前記発光装置から射出された光を、画像情報に応じて変調する光変調装置と、
前記光変調装置によって形成された画像を投射する投射装置と、
を含む。
【００２２】
このようなプロジェクターでは、本発明に係る発光装置を含むため、高輝度化を図ることができる。
【図面の簡単な説明】
【００２３】
【図１】第１実施形態に係る発光装置を模式的に示す平面図。
【図２】第１実施形態に係る発光装置を模式的に示す断面図。
【図３】第１実施形態に係る発光装置を模式的に示す断面図。
【図４】第１実施形態に係る発光装置を模式的に示す断面図。
【図５】光導波路の延在方向の位置と、光強度および平均化電流量と、の関係を説明するための図。
【図６】光導波路の延在方向の位置と、光強度および平均化電流量と、の関係を説明するための図。
【図７】光導波路の延在方向の位置と、光強度と、の関係を説明するための図。
【図８】第１実施形態に係る発光装置の製造工程を模式的に示す断面図。
【図９】第１実施形態に係る発光装置の製造工程を模式的に示す断面図。
【図１０】第１実施形態の第１変形例に係る発光装置を模式的に示す平面図。
【図１１】光導波路の延在方向の位置と、平均化電流量と、の関係を説明するための図。
【図１２】第１実施形態の第２変形例に係る発光装置を模式的に示す平面図。
【図１３】第１実施形態の第３変形例に係る発光装置を模式的に示す断面図。
【図１４】第１実施形態の第４変形例に係る発光装置を模式的に示す断面図。
【図１５】第１実施形態の第５変形例に係る発光装置を模式的に示す平面図。
【図１６】第１実施形態の第６変形例に係る発光装置を模式的に示す平面図。
【図１７】第１実施形態の第７変形例に係る発光装置を模式的に示す平面図。
【図１８】第２実施形態に係る発光装置を模式的に示す平面図。
【図１９】第２実施形態に係る発光装置を模式的に示す断面図。
【図２０】第２実施形態に係る発光装置を模式的に示す断面図。
【図２１】第３実施形態に係るプロジェクターを模式的に示す図。
【発明を実施するための形態】
【００２４】
以下、本発明の好適な実施形態について、図面を用いて詳細に説明する。なお、以下に説明する実施形態は、特許請求の範囲に記載された本発明の内容を不当に限定するものではない。また、以下で説明される構成の全てが本発明の必須構成要件であるとは限らない。
【００２５】
１．  第１実施形態
１．１．  発光装置
まず、第１実施形態に係る発光装置について、図面を参照しながら説明する。図１は、第１実施形態に係る発光装置１００を模式的に示す平面図である。図２は、第１実施形態に係る発光装置１００を模式的に示す図１のＩＩ−ＩＩ線断面図である。図３は、第１実
施形態に係る発光装置１００を模式的に示す図１のＩＩＩ−ＩＩＩ線断面図である。図４は、第１実施形態に係る発光装置１００を模式的に示す図１のＩＶ−ＩＶ線断面図である。
【００２６】
発光装置１００は、図１〜図４に示すように、基板１０２と、第１クラッド層１０４と、活性層１０６と、第２クラッド層１０８と、コンタクト層１１０と、絶縁層１１２と、第１電極１２０と、第２電極１２２と、を含む。なお、便宜上、図１では、第２電極１２２を省略して図示している。
【００２７】
基板１０２は、例えば、第１導電型（例えばｎ型）のＧａＡｓ基板である。
【００２８】
第１クラッド層１０４は、基板１０２上に設けられている。第１クラッド層１０４は、例えば、ｎ型のＩｎＧａＡｌＰ層である。なお、図示はしないが、基板１０２と第１クラッド層１０４との間に、バッファー層が形成されていてもよい。バッファー層は、例えば、ｎ型のＧａＡｓ層、ＡｌＧａＡｓ層、ＩｎＧａＰ層などである。バッファー層は、その上方に形成される層の結晶品質を向上させることができる。
【００２９】
活性層１０６は、第１クラッド層１０４上に設けられている。活性層１０６は、例えば、ＩｎＧａＰウェル層とＩｎＧａＡｌＰバリア層とから構成される量子井戸構造を３つ重ねた多重量子井戸（ＭＱＷ）構造を有している。
【００３０】
活性層１０６は、図１に示すように、第１側面１０５と、第２側面１０７と、を有している。側面１０５，１０７は、互いに反対方向を向く面（図示の例では平行な面）である。側面１０５，１０７は、クラッド層１０４，１０８に面状に接していない面である。側面１０５，１０７は、劈開によって形成された劈開面であってもよい。
【００３１】
活性層１０６は、電流が注入されて光を発生させることが可能な層である。活性層１０６は、光を導波させる光導波路１６０を構成している。光導波路１６０を導波する光は、光導波路１６０において利得を受けることができる。
【００３２】
光導波路１６０は、活性層１０６および第１クラッド層１０４の積層方向からみて（以下、「平面視において」ともいう）、第１側面１０５から第２側面１０７まで延在している。光導波路１６０は、光を射出する第１光出射面１７０および第２光出射面１７２を有している。第１光出射面１７０は、光導波路１６０の第１側面１０５との接続部である。第２光出射面１７２は、光導波路１６０の第２側面１０７との接続部である。光導波路１６０は、第１光出射面１７０の法線Ｐ１および第２光出射面の法線Ｐ２に対して傾いた方向に延在している。図示の例では、第１光出射面１７０の中心と第２光出射面１７２の中心とを通る仮想直線（中心線α）は、法線Ｐ１，Ｐ２に対して傾いた方向に延在している。
【００３３】
光導波路１６０は、例えば、平面視において、一定の幅を有し、光導波路の延在方向に沿った帯状かつ直線状の長手形状を有している。なお、光導波路１６０の延在方向とは、例えば、平面視における、中心線αの延在方向である。
【００３４】
光導波路１６０は、第１領域１６１と、第２領域１６２と、第３領域１６３と、を有している。第１領域１６１は、第１光出射面１７０および第２光出射面１７２までの距離が等しい中心位置Ｃを含む領域である。図１に示す例では、中心位置Ｃとは、光出射面１７０，１７２までの距離が等しく、中心線α上の点である。
【００３５】
第２領域１６２は、第１光出射面１７０を含む領域である。第３領域１６３は、第２光
出射面１７２を含む領域である。図示の例では、第２領域１６２は、第１光出射面１７０から第１領域１６１の一端まで延在している。第３領域１６３は、第２光出射面１７２から第１領域の他端まで延在している。図示の例では、領域１６１，１６２，１６３の平面形状（活性層１０６および第１クラッド層１０４の積層方向からみた形状）は、平行四辺形である。なお、図示はしないが、領域１６１，１６２，１６３は、互いに離間していてもよい。
【００３６】
第１領域１６１の光導波路１６０の延在方向に沿った長さＬ１は、光導波路１６０の第１光出射面１７０と第２光出射面１７２との間の延在方向に沿った長さをＬとすると、Ｌ／４以上３Ｌ／４以下である。第１領域１６１の長さＬ１、第２領域１６２の光導波路１６０の延在方向に沿った長さ、および第３領域１６３の光導波路１６０の延在方向に沿った長さは、互いに等しく、Ｌ／３であってもよい。
【００３７】
第２クラッド層１０８は、活性層１０６上に設けられている。第２クラッド層１０８は、例えば、第２導電型（例えばｐ型）のＩｎＧａＡｌＰ層である。クラッド層１０４，１０８は、活性層１０６よりもバンドギャップが大きく、屈折率が小さい層である。クラッド層１０４，１０８は、活性層１０６を挟んで、注入キャリア（電子および正孔）並びに光の漏れを抑制する機能を有している。
【００３８】
第２クラッド層１０８は、第２電極１２２と電気的に接続しない複数の非コンタクト領域１８を有している。非コンタクト領域１８は、平面視において、コンタクト層１１０と重なっていない領域である。図示の例では、非コンタクト領域１８は、後述の柱状部１１１において、コンタクト層１１０と重なっていない領域である。非コンタクト領域１８は、例えば、第２電極１２２および絶縁層１１２と接している。非コンタクト領域１８の数は、複数であれば、特に限定されない。
【００３９】
複数の非コンタクト領域１８は、平面視において、光導波路１６０と交差している。すなわち、非コンタクト領域１８は、平面視において、光導波路１６０と重なっている部分と、光導波路１６０と重なっていない部分と、を有している。図示の例では、非コンタクト領域１８の平面形状は長方形であり、光導波路１６０は、非コンタクト領域１８の長辺と交差している。
【００４０】
非コンタクト領域１８の光導波路１６０の延在方向の長さは、好ましくは２０μｍ以下であり、より好ましくは１０μｍ以下である。これにより、光導波路１６０の、平面視において非コンタクト領域１８と重なる部分（非コンタクト領域重なり部）において、光の損失を低減することができる。具体的には、光導波路１６０の、平面視においてコンタクト層１１０と重なる部分から、非コンタクト領域重なり部に、光損失が発生しない程度の電流を拡散させることができる。
【００４１】
平面視において、第１領域１６１の面積Ａ１に対する、複数の非コンタクト領域１８と第１領域１６１とが重なる面積Ｂ１の割合（Ｂ１／Ａ１）は、第２領域１６２の面積Ａ２に対する、複数の非コンタクト領域１８と第２領域１６２とが重なる面積Ｂ２の割合（Ｂ２／Ａ２）よりも大きい。さらに、割合（Ｂ１／Ａ１）は、第３領域１６３の面積Ａ３に対する、複数の非コンタクト領域１８と第３領域１６３とが重なる面積Ｂ３の割合（Ｂ３／Ａ３）よりも大きい。図示の例では、複数の非コンタクト領域１８は、平面視において、第１領域１６１の光導波路１６０のみと交差している。
【００４２】
第１領域１６１と交差する非コンタクト領域１８のピッチは、等間隔である。すなわち、複数の非コンタクト領域１８の形状および大きさは、互いに同じであり、隣り合う非コンタクト領域１８の間隔は、互いに等しい。なお、非コンタクト領域１８のピッチとは、
例えば、平面視において、隣り合う非コンタクト領域１８の中心間の距離である。なお、図１では、複数の非コンタクト領域１８の形状、大きさ、およびピッチは互いに等しいが、必ずしも形状、大きさ、およびピッチが同じである必要はない。
【００４３】
非コンタクト領域１８は、例えば、中心位置Ｃに関して、対称に配置されている。これにより、第１光出射面１７０から射出される光の強度と、第２光出射面１７２から射出される光の強度と、を等しくすることができる。
【００４４】
発光装置１００では、ｐ型の第２クラッド層１０８、不純物がドーピングされていない活性層１０６、およびｎ型の第１クラッド層１０４により、ｐｉｎダイオードが構成される。発光装置１００では、電極１２０，１２２間に、ｐｉｎダイオードの順バイアス電圧を印加する（電流を注入する）と、活性層１０６に光導波路１６０を生じ、光導波路１６０において電子と正孔との再結合が起こる。この再結合により発光が生じる。この生じた光を起点として、連鎖的に誘導放出が起こり、光導波路１６０で光の強度が増幅される。光導波路１６０は、光を導波させる活性層１０６と、光の漏れを抑制するクラッド層１０４，１０８と、によって構成されている。
【００４５】
コンタクト層１１０は、第２クラッド層１０８上に設けられている。コンタクト層１１０は、第２クラッド層１０８と第２電極１２２との間に設けられている。コンタクト層１１０は、第２クラッド層１０８の非コンタクト領域１８上には、設けられていない。コンタクト層１１０は、例えば、ｐ型のＧａＡｓ層である。コンタクト層１１０は、第２電極１２２とオーミックコンタクトしている。コンタクト層１１０は、クラッド層１０４，１０８よりも導電性の高い層である。
【００４６】
コンタクト層１１０と第２クラッド層１０８の一部とは、柱状部（いわゆるリッジ部）１１１を構成している。発光装置１００は、屈折率導波型のＳＬＤである。光導波路１６０の平面形状は、柱状部１１１と第２電極１２２との接触面の形状と同じであってもよい。なお、光導波路１６０の平面形状は、柱状部１１１と第２電極１２２との接触面の形状よりも、光導波路１６０の延在方向と直交する方向に広がった形状（コンタクト層１１０と第２電極１２２との接触部からの電流の拡散分だけ広がった形状）であってもよい。また、図示はしないが、柱状部１１１の側面を傾斜させてもよい。
【００４７】
絶縁層１１２は、第２クラッド層１０８上であって、柱状部１１１の側方（平面視における柱状部１１１の周囲）および柱状部１１１上の一部に設けられている。絶縁層１１２は、例えば、ＳｉＮ層、ＳｉＯ２層、ＳｉＯＮ層、Ａｌ２Ｏ３層、ポリイミド層である。絶縁層１１２として上記の材料を用いた場合、電極１２０，１２２間の電流は、絶縁層１１２を避けて、絶縁層１１２に挟まれた柱状部１１１を流れる。
【００４８】
絶縁層１１２は、第２クラッド層１０８の屈折率よりも小さい屈折率を有している。絶縁層１１２を形成した部分の垂直断面の有効屈折率は、絶縁層１１２を形成しない部分、すなわち、柱状部１１１が形成された部分の垂直断面の有効屈折率よりも小さい。なお、図示はしないが、絶縁層１１２は、設けられていていなくてもよい。この場合、柱状部１１１を取り囲む空気が絶縁層１１２と同様の機能を果たす。
【００４９】
第１電極１２０は、基板１０２の下に設けられている。第１電極１２０は、第１電極１２０とオーミックコンタクトする層（図示の例では基板１０２）の下面に設けられている。第１電極１２０は、発光装置１００を駆動する（活性層１０６に電流を注入する）ための一方の電極である。第１電極１２０としては、例えば、第１クラッド層１０４側からＣｒ層、ＡｕＧｅ層、Ｎｉ層、Ａｕ層の順序で積層したものを用いる。
【００５０】
第２電極１２２は、柱状部１１１上および絶縁層１１２上に設けられている。また、第２電極１２２は、平面視において、第１光出射面１７０および第２光出射面１７２の位置を含んで設けられている。第２電極１２２は、発光装置１００を駆動する（活性層１０６に電流を注入する）ための他方の電極である。第２電極１２２としては、例えば、柱状部１１１側からＣｒ層、ＡｕＺｎ層、Ａｕ層の順序で積層したものを用いる。なお、第２電極１２２は、平面視において、第１光出射面１７０および第２光出射面１７２の位置を含んで設けられていなくてもよい。例えば、平面視において、第１光出射面１７０または第２光出射面１７２の位置よりも内側の光導波路１６０上に、第２電極の端部が位置していてもよい。
【００５１】
なお、図示はしないが、側面１０５，１０７には、反射防止（ＡＲ：Ａｎｔｉ?Ｒｅｆｌｅｃｔｉｏｎ）膜が設けられていてもよい。これにより、光出射面１７０，１７２から光を効率よく射出することができる。反射防止膜は、例えば、ＳｉＯ２層、Ｔａ２Ｏ５層、Ａｌ２Ｏ３層、ＴｉＮ層、ＴｉＯ２層、ＳｉＯＮ層、ＳｉＮ層や、これらの多層膜である。
【００５２】
また、上記では、ＡｌＧａＩｎＰ系の発光装置１００について説明したが、本発明に係る発光装置、光導波路が形成可能なあらゆる材料系を用いることができる。半導体材料であれば、例えば、ＡｌＧａＮ系、ＧａＮ系、ＩｎＧａＮ系、ＧａＡｓ系、ＡｌＧａＡｓ系、ＩｎＧａＡｓ系、ＩｎＧａＡｓＰ系、ＩｎＰ系、ＧａＰ系、ＡｌＧａＰ系、ＺｎＣｄＳｅ系などの半導体材料を用いることができる。
【００５３】
発光装置１００は、例えば、プロジェクター、ディスプレイ、照明装置、計測装置などの光源に適用されることができる。
【００５４】
発光装置１００は、例えば、以下の特徴を有する。
【００５５】
発光装置１００では、第２クラッド層１０８は、第２電極１２２と電気的に接続しない複数の非コンタクト領域１８を有し、平面視において、複数の非コンタクト領域１８は、光導波路１６０と交差し、第１領域１６１の面積（Ａ１）に対する、複数の非コンタクト領域１８と第１領域１６１とが重なる面積（Ｂ１）の割合（Ｂ１／Ａ１）は、第２領域１６２の面積（Ａ２）に対する、複数の非コンタクト領域１８と第２領域１６２とが重なる面積（Ｂ２）の割合（Ｂ２／Ａ２）よりも大きく、かつ、第３領域１６３の面積（Ａ３）に対する、複数の非コンタクト領域１８と第３領域１６３とが重なる面積（Ｂ３）の割合（Ｂ３／Ａ３）よりも大きい。したがって、発光装置１００では、非コンタクト領域１８は、第２電極１２２とオーミックコンタクトしていないので抵抗が高く、平面視において非コンタクト領域１８と重なる活性層１０６に注入される電流量は、少なくなる。そのため、発光装置１００では、割合（Ｂ１／Ａ１）を、割合（Ｂ２／Ａ２）および割合（Ｂ３／Ａ３）より大きくすることにより、利得の飽和を低減し、高出力化を図ることができる。以下、その理由について説明する。
【００５６】
図５（ａ）および図６（ａ）は、光導波路の延在方向（伝搬方向）の位置と、光強度と、の関係を説明するための図ある。図５（ｂ）および図６（ｂ）は、光導波路の延在方向の位置と、平均化電流量と、の関係を説明するための図である。
【００５７】
図５および図６の横軸の光導波路の延在方向の位置は、第１光出射面と第２光出射面との間における、光導波路の延在方向の位置を示している。
【００５８】
図５（ａ）および図６（ａ）の縦軸の光強度とは、光導波路の延在方向のある位置において、単位時間当たりに、光導波路の延在方向に対して垂直な断面を通過する光子の数の
ことである。図５（ａ）および図６（ａ）の縦軸の光強度は、図７に示すように、第１光出射面から第２光出射面に向かう光の光強度Ｉ１と、第２光出射面から第１光出射面に向かう光の光強度Ｉ２と、の合計である。
【００５９】
図５（ｂ）および図６（ｂ）の縦軸の平均化電流量とは、光導波路の延在方向の位置において、ある位置を中心として光導波路の延在方向に対して一定の長さＱで平均した電流量のことである。すなわち、平均化電流量は、ある位置を中心として一定の長さＱで光導波路を切り出した場合の、平面視における、光導波路の面積に対する、コンタクト層と光導波路とが重なる面積の割合に相当している。一定の長さＱは、非コンタクト領域の光導波路の延在方向の長さの数倍以上、光導波路全体の延在方向の長さの１／１０以下程度である。
【００６０】
ＳＬＤでは、光出射面（反射率が小さい側）に向かって光が指数関数的に増幅される。そのため、図５に示すように、光強度は、光導波路の延在方向において不均一な分布を持つ。これにより、光導波路の延在方向において平均化電流量が一定の場合、光出射面近傍では、光に対して（光子に対して）キャリアが相対的に足りなくなる。すなわち、光が増幅されようとしたとき、光に変換されるキャリアが足りなくなる。その結果、光強度の大きい光出射面近傍では、利得の飽和が発生し、その分、光出力が低下する。
【００６１】
光強度が小さい部分（例えば第１領域１６１）は、光出射面近傍に比べてキャリアが多い状態であり、キャリアが十分に光に変換されておらず、キャリアが余っている。図６に示すように、このような余剰キャリアを、キャリアが不足している光出射面近傍に注入することで、高出力かつ高効率の駆動を行うことができる。すなわち、平均化電流量を変化させることにより、光導波路全体の注入電流の大きさを一定に保ちつつ、利得の飽和を低減し、最終的な光出力を大きくすることができる。
【００６２】
発光装置１００では、上記のように、割合（Ｂ１／Ａ１）を、割合（Ｂ２／Ａ２）および割合（Ｂ３／Ａ３）より大きくすることで、第２領域１６２における平均化電流量および第３領域１６３における平均化電流量を、第１領域１６１における平均化電流量よりも多くすることができる。そのため、発光装置１００では、光導波路１６０全体に注入する電流量を増やすことなく、利得の飽和によって光出力が低下することを抑制することができる。すなわち、発光装置１００では、利得の飽和を低減し、高出力化を図ることができる。
【００６３】
さらに、発光装置１００では、光導波路の各領域１６１，１６２，１６３に電流を注入する電極は、共通電極であるので（領域ごとに電気的に独立した電極ではないので）、容易に発光装置１００を駆動させることができる。
【００６４】
さらに、発光装置１００では、複数の非コンタクト領域１８は、平面視において、光導波路１６０と交差しているので、例えば発光装置１００を製造する際に、非コンタクト領域１８の位置が所望の位置からずれたとしても、非コンタクト領域１８と光導波路１６０とを重ねることができる。これにより、より確実に、割合（Ｂ１／Ａ１）を、割合（Ｂ２／Ａ２）および割合（Ｂ３／Ａ３）より大きくすることができる。
【００６５】
発光装置１００では、第２クラッド層１０８と第２電極１２２との間に設けられたコンタクト層１１０を含み、複数の非コンタクト領域１８には、コンタクト層１１０が設けられていない。そのため、発光装置１００では、第２領域１６２における平均化電流量および第３領域１６３における平均化電流量を、第１領域１６１における平均化電流量に比べて、より確実に多くすることができる。ここで、コンタクト層は導電性が高いため、コンタクト層の第２電極と接している部分から注入された電流は、コンタクト層内で拡散する
。そのため、例えば、コンタクト層を除去せずにコンタクト層と第２電極との間に絶縁部を設けて、非コンタクト領域を形成する場合では、光導波路の所望の領域に電流を注入することが困難な場合がある。発光装置１００では、このような問題を回避することができ、光導波路１６０の電流が注入される領域を、容易に制御することができる。
【００６６】
発光装置１００では、複数の非コンタクト領域１８は、平面視において、第１領域１６１のみと交差している。そのため、発光装置１００では、割合（Ｂ１／Ａ１）を、割合（Ｂ２／Ａ２）および割合（Ｂ３／Ａ３）より大きくすることができる。
【００６７】
発光装置１００では、第１領域１６１の光導波路１６０の延在方向に沿った長さＬ１は、光導波路１６０の第１光出射面１７０と第２光出射面１７２との間の延在方向に沿った長さをＬとすると、Ｌ／４以上３Ｌ／４以下である。長さＬ１は、光導波路１６０の延在方向において平均化電流量が一定と仮定した場合に、第１光出射面１７０側において、光が増幅されようとしたときに光に変換されるキャリアが不足も余りもしない第１位置と、第２光出射面１７２側において、光が増幅されようとしたときに光に変換されるキャリアが不足も余りもしない第２位置と、の間の距離であってもよい。これにより、発光装置１００は、高効率で光を射出することができる。
【００６８】
発光装置１００では、光導波路１６０は、第１光出射面１７０の法線Ｐ１および第２光出射面１７２の法線Ｐ２に対して傾いた方向に延在している。そのため、発光装置１００では、光導波路１６０にて発生する光を、光出射面１７０，１７２間で直接的に多重反射させることを抑制することができる。これにより、発光装置１００では、直接的な共振器を構成させないことができるため、光導波路１６０にて発生する光のレーザー発振を抑制することができる。その結果、発光装置１００は、スペックルノイズを低減することができる。
【００６９】
発光装置１００では、非コンタクト領域１８は、第２電極１２２と接している。そのため、発光装置１００では、例えば非コンタクト領域１８と第２電極１２２との間に絶縁層が設けられている場合に比べて（例えば後述する図１３参照）、光導波路１６０の放熱性を向上させることができる。さらに、発光装置１００では、例えば非コンタクト領域１８と第２電極１２２との間に絶縁層が設けられている場合に比べて、例えば平坦性の高い場所に第２電極１２２を形成することができ、第２電極１２２の断線の可能性を低減することができる。
【００７０】
１．２．  発光装置の製造方法
次に、本実施形態に係る発光装置１００の製造方法について、図面を参照しながら説明する。図８および図９は、本実施形態に係る発光装置１００の製造工程を模式的に示す断面図であって、図４に対応している。
【００７１】
図８に示すように、基板１０２上に、第１クラッド層１０４、活性層１０６、第２クラッド層１０８、コンタクト層１１０を、この順でエピタキシャル成長させる。エピタキシャル成長させる方法としては、例えば、ＭＯＣＶＤ（Ｍｅｔａｌ  Ｏｒｇａｎｉｃ  Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｖａｐｏｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法、ＭＢＥ（Ｍｏｌｅｃｕｌａｒ  Ｂｅａｍ  Ｅｐｉｔａｘｙ）法が挙げられる。
【００７２】
図９に示すように、コンタクト層１１０をパターニングして、非コンタクト領域１８を形成する。パターニングは、例えば、フォトリソグラフィーおよびエッチングによって行われる。
【００７３】
図２および図３に示すように、コンタクト層１１０および第２クラッド層１０８をパタ
ーニングして、柱状部１１１を形成する。パターニングは、例えば、フォトリソグラフィーおよびエッチングによって行われる。なお、非コンタクト領域１８および柱状部１１１の形成順序は、特に限定されない。
【００７４】
次に、柱状部１１１の側面を覆うように絶縁層１１２を形成する。具体的には、絶縁層１１２は、ＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｖａｐｏｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法（より具体的にプラズマＣＶＤ法）や塗布法などにより絶縁部材（図示せず）を成膜し、該絶縁部材をパターニングすることにより形成される。パターニングは、例えば、フォトリソグラフィーおよびエッチングによって行われる。
【００７５】
図２〜図４に示すように、柱状部１１１上に第２電極１２２を形成する。次に、基板１０２の下面に第１電極１２０を形成する。電極１２０，１２２は、例えば、真空蒸着法やスパッタ法などにより形成される。なお、電極１２０，１２２の形成順序は、特に限定されない。
【００７６】
以上の工程により、発光装置１００を製造することができる。
【００７７】
１．３．  発光装置の変形例
１．３．１．  第１変形例
次に、第１実施形態の第１変形例に係る発光装置について、図面を参照しながら説明する。図１０は、第１実施形態の第１変形例に係る発光装置２００を模式的に示す平面図である。なお、便宜上、図１０では、第２電極１２２を省略して図示している。
【００７８】
以下、第１実施形態の第１変形例に係る発光装置２００において、第１実施形態に係る発光装置１００の例と異なる点について説明し、同様の点については説明を省略する。このことは、後述する第１実施形態の第２，第３，第４，第５，第６，第７変形例に係る発光装置においても、同様である。
【００７９】
上述した発光装置１００では、図１に示すように、非コンタクト領域１８は、平面視において、第１領域１６１の光導波路１６０のみと交差していた。これに対し、発光装置２００では、図１０に示すように、非コンタクト領域１８は、平面視において、第２領域１６２の光導波路１６０および第３領域１６３の光導波路１６０とも交差している。
【００８０】
発光装置２００では、平面視において、第２領域１６２と重なる複数の非コンタクト領域１８のピッチは、中心位置Ｃから第１光出射面１７０に向かって漸次大きくなっている。平面視において、第３領域１６３と重なる複数の非コンタクト領域１８のピッチは、中心位置Ｃから第２光出射面１７２に向かって漸次大きくなっている。そのため、発光装置２００では、図１１に示すように、第２領域１６２において、第１領域１６１側から第１光出射面１７０に向けて、徐々に平均電流量を多くすることができる。さらに、発光装置２００では、第３領域１６３において、第１領域１６１側から第２光出射面１７２に向けて、徐々に平均電流量を多くすることができる。
【００８１】
発光装置２００では、領域１６２，１６３の延在方向の各位置で、例えば、光が増幅されようとしたときに光に変換されるキャリアが不足せず余りもしないように、非コンタクト領域１８を配置することができる。そのため、発光装置２００では、高効率で光を射出することができる。
【００８２】
１．３．２．  第２変形例
次に、第１実施形態の第２変形例に係る発光装置について、図面を参照しながら説明する。図１２は、第１実施形態の第２変形例に係る発光装置３００を模式的に示す平面図である。なお、便宜上、図１２では、第２電極１２２を省略して図示している。
【００８３】
上述した発光装置１００では、図１に示すように、非コンタクト領域１８は、平面視において、第１領域１６１の光導波路１６０のみと交差していた。これに対し、発光装置３００では、図１２に示すように、非コンタクト領域１８は、平面視において、第２領域１６２の光導波路１６０および第３領域１６３の光導波路１６０とも交差している。
【００８４】
発光装置３００では、平面視において、複数の非コンタクト領域１８のピッチは、中心位置Ｃから第１光出射面１７０に向かうに従って漸大きくなっている。さらに、複数の非コンタクト領域１８のピッチは、中心位置Ｃから第２光出射面１７２に向かうに従って漸大きくなっている。
【００８５】
発光装置３００では、光導波路１６０の延在方向の各位置で、例えば、光が増幅されようとしたときに光に変換されるキャリアが不足せず余りもしないように、非コンタクト領域１８を配置することができる。そのため、発光装置３００では、高効率で光を射出することができる。
【００８６】
１．３．３．  第３変形例
次に、第１実施形態の第３変形例に係る発光装置について、図面を参照しながら説明する。図１３は、第１実施形態の第３変形例に係る発光装置４００を模式的に示す断面図であって、図４に対応している。
【００８７】
上述した発光装置１００では、図４に示すように、第２クラッド層１０８の非コンタクト領域１８は、第２電極１２２と接していた。これに対し、発光装置４００では、図１３に示すように、非コンタクト領域１８と第２電極１２２との間には、絶縁層４１２が設けられている。図示の例では、絶縁層４１２は、コンタクト層１１０の一部の上にも設けられている。絶縁層４１２の材質は、例えば、絶縁層１１２（図２および図３参照）と同じである。絶縁層４１２は、絶縁層１１２と同じ工程で形成されてもよい。
【００８８】
発光装置４００では、非コンタクト領域１８と第２電極１２２との間に絶縁層４１２が設けられていることにより、発光装置１００に比べて、非コンタクト領域１８と第２電極１２２とを、より確実に電気的に絶縁することができる。
【００８９】
１．３．４．  第４変形例
次に、第１実施形態の第４変形例に係る発光装置について、図面を参照しながら説明する。図１４は、第１実施形態の第４変形例に係る発光装置５００を模式的に示す断面図であって、図４に対応している。
【００９０】
上述した発光装置１００では、図４に示すように、柱状部１１１の上面は、平坦な面であった。これに対し、発光装置５００では、図１４に示すように、柱状部１１１の上面は、凹部５１８が設けられている。非コンタクト領域１８は、例えば、凹部５１８の底面を構成している。凹部５１８の深さは、柱状部１１１の厚さ（高さ）より小さい。具体的には、凹部５１８の深さは、光導波路１６０における光の伝搬に影響を与えない程度の深さである。
【００９１】
発光装置５００では、凹部５１８を設けることにより、光導波路１６０と第２電極１２２との間の距離を小さくすることができる。そのため、発光装置５００では、発光装置１００に比べて、光導波路１６０の放熱性を向上させることができる。
【００９２】
１．３．５．  第５変形例
次に、第１実施形態の第５変形例に係る発光装置について、図面を参照しながら説明する。図１５は、第１実施形態の第５変形例に係る発光装置６００を模式的に示す平面図である。なお、便宜上、図１５では、第２電極１２２を省略して図示している。
【００９３】
上述した発光装置１００では、図１に示すように、非コンタクト領域１８は、中心位置Ｃに関して、対称に配置されていた。これに対し、発光装置６００では、非コンタクト領域１８は、中心位置Ｃに関して、対称に配置されていない。
【００９４】
発光装置６００では、第２領域１６２の光導波路１６０の延在方向の長さと、第３領域１６３の光導波路１６０の延在方向の長さとは、異なる。図示の例では、第２領域１６２の光導波路１６０の延在方向の長さは、第３領域１６３の光導波路１６０の延在方向の長さよりも短い。なお、図示はしないが、第２領域１６２の光導波路１６０の延在方向の長さは、第３領域１６３の光導波路１６０の延在方向の長さよりも長くてもよい。
【００９５】
発光装置６００では、第２領域１６２の光導波路１６０の延在方向の長さと、第３領域１６３の光導波路１６０の延在方向の長さとは、異なるため、第１光出射面１７０から射出される光の強度と、第２光出射面１７２から射出される光の強度とを、異ならせることができる。このように、発光装置６００では、非コンタクト領域１８を形成する位置によって、光出射面１７０，１７２から射出される光の強度を調整することができる。
【００９６】
１．３．６．  第６変形例
次に、第１実施形態の第６変形例に係る発光装置について、図面を参照しながら説明する。図１６は、第１実施形態の第６変形例に係る発光装置７００を模式的に示す平面図である。なお、便宜上、図１６では、第２電極１２２を省略して図示している。
【００９７】
上述した発光装置１００では、図１に示すように、光導波路１６０は、１つ設けられていた。これに対し、発光装置７００では、図１６に示すように、光導波路１６０は、複数設けられている。図示の例では、光導波路１６０は、３つ設けられているが、その数は、複数であれば特に限定されない。複数の光導波路１６０は、例えば、平面視において、第１側面１０５と平行な方向に、等間隔で設けられている。
【００９８】
発光装置７００では、発光装置１００に比べて、高出力化を図ることができる。
【００９９】
１．３．７．  第７変形例
次に、第１実施形態の第７変形例に係る発光装置について、図面を参照しながら説明する。図１７は、第１実施形態の第７変形例に係る発光装置７５０を模式的に示す平面図である。なお、便宜上、図１７では、第２電極１２２を省略して図示している。
【０１００】
上述した発光装置１００では、図１に示すように、平面視において、複数の非コンタクト領域１８の長辺の傾きは、互いに同じであった。これに対して、発光装置７５０では、図１７に示すように、平面視において、光導波路１６０の延在方向に対して、第１角度で傾く長辺を有する第１非コンタクト領域１８ａと、第２角度で傾く長辺を有する第２非コンタクト領域１８ｂと、を備えている。第１非コンタクト領域１８ａと第２非コンタクト領域１８ｂとは、平面視において、交差している。非コンタクト領域１８ａ，１８ｂは、それぞれ複数設けられている。第１非コンタクト領域１８ａのピッチと第２非コンタクト領域１８ｂのピッチとは、互いに同じであってもよいし、互いに異なっていてもよい。
【０１０１】
発光装置７５０では、上記のように、第１非コンタクト領域１８ａと、第２非コンタクト領域１８ｂと、を有している。そのため、発光装置７５０では、割合（Ｂ１／Ａ１）を、容易に大きくすることができ、平均化電流量を制御しやすい。例えば発光装置１００の
ように、光導波路１６０の延在方向に対して一定の角度で傾く長辺を有する非コンタクト領域１８しか備えていない場合は、非コンタクト領域１８を密に形成することが製造上、困難な場合がある。
【０１０２】
２．  第２実施形態
２．１．  発光装置
次に、第２実施形態に係る発光装置について、図面を参照しながら説明する。図１８は、第２実施形態に係る発光装置８００を模式的に示す平面図である。図１９は、第２実施形態に係る発光装置８００を模式的に示す図１８のＸＩＸ−ＸＩＸ線断面図である。図２０は、第２実施形態に係る発光装置８００を模式的に示す図１８のＸＸ−ＸＸ線断面図である。なお、便宜上、図１８では、第２電極１２２を省略して図示している。
【０１０３】
以下、第２実施形態に係る発光装置８００において、第１本実施形態に係る発光装置１００の例と異なる点について説明し、同様の点については説明を省略する。
【０１０４】
上述した発光装置１００は、図１〜図３に示すように、絶縁層１１２が形成されている領域と、絶縁層１１２が形成されていない領域、すなわち柱状部１１１が形成されている領域と、の間に屈折率差を設けて光を閉じ込める、屈折率導波型であった。これに対し、発光装置８００では、図１８〜図２０に示すように、柱状部１１１を形成することによって屈折率差を設けず、活性層１０６の電流が注入された領域がそのまま光導波路１６０となる利得導波型である。
【０１０５】
発光装置８００では、発光装置１００と同様に、利得の飽和を低減し、高出力化を図ることができる。
【０１０６】
２．２．  発光装置の製造方法
次に、第２実施形態に係る発光装置８００の製造方法について、説明する。第２実施形態に係る発光装置８００の製造方法は、柱状部１１１を形成しないこと以外は、第１実施形態に係る発光装置１００の製造方法と、基本的に同じである。したがって、その詳細な説明を省略する。
【０１０７】
３．  第３の実施形態
次に、第３の実施形態に係るプロジェクターについて、図面を参照しながら説明する。図２１は、第３の実施形態に係るプロジェクター９００を模式的に示す図である。なお、便宜上、図２１では、プロジェクター９００を構成する筐体を省略し、さらに光源７００Ｒ，７００Ｇ，７００Ｂを簡略化して図示している。
【０１０８】
プロジェクター９００は、図２１に示すように、赤色光、緑色光、青色光を出射する赤色光源７００Ｒ、緑色光源７００Ｇ、青色光源７００Ｂを含む。赤色光源７００Ｒ、緑色光源７００Ｇ、青色光源７００Ｂは、本発明に係る発光装置である。以下では、本発明に係る発光装置として発光装置７００を用いた例について説明する。
【０１０９】
プロジェクター９００は、さらに、レンズアレイ９０２Ｒ，９０２Ｇ，９０２Ｂと、透過型の液晶ライトバルブ（光変調装置）９０４Ｒ，９０４Ｇ，９０４Ｂと、投射レンズ（投射装置）９０８と、を含む。
【０１１０】
光源７００Ｒ，７００Ｇ，７００Ｂから出射された光は、各レンズアレイ９０２Ｒ，９０２Ｇ，９０２Ｂに入射する。レンズアレイ９０２Ｒ，９０２Ｇ，９０２Ｂは、光源７００Ｒ，７００Ｇ，７００Ｂ側に、第１光出射面１７０から射出される光が入射する入射面９０１を有している。入射面９０１は、例えば、平坦な面である。入射面９０１は、複数
の第１光出射面１７０に対応して複数設けられ、等間隔で配置されている。入射面９０１の法線（図示せず）は、第１側面１０５に対して傾斜している。入射面９０１によって、第１光出射面１７０から射出される光の光軸を、液晶ライトバルブ９０４Ｒ，９０４Ｇ，９０４Ｂの照射面９０５に対して、直交させることができる。
【０１１１】
レンズアレイ９０２Ｒ，９０２Ｇ，９０２Ｂは、液晶ライトバルブ９０４Ｒ，９０４Ｇ，９０４Ｂ側に、出射面９０３を有している。出射面９０３は、例えば、凸状の面である。出射面９０３は、複数の入射面９０１に対応して複数設けられ、等間隔で配置されている。入射面９０１において光軸が変換された光は、出射面９０３によって、集光される、または拡散角を小さくされることにより、重畳（一部重畳）されることができる。これにより、均一性よく液晶ライトバルブ９０４Ｒ，９０４Ｇ，９０４Ｂを照射することができる。
【０１１２】
以上のように、レンズアレイ９０２Ｒ，９０２Ｇ，９０２Ｂは、第１光出射面１７０から出射される光の光軸を制御して、該光を集光させることができる。
【０１１３】
各レンズアレイ９０２Ｒ，９０２Ｇ，９０２Ｂによって集光された光は、各液晶ライトバルブ９０４Ｒ，９０４Ｇ，９０４Ｂに入射する。各液晶ライトバルブ９０４Ｒ，９０４Ｇ，９０４Ｂは、入射した光をそれぞれ画像情報に応じて変調する。そして、投射レンズ９０８は、液晶ライトバルブ９０４Ｒ，９０４Ｇ，９０４Ｂによって形成された像を拡大してスクリーン（表示面）９１０に投射する。
【０１１４】
また、プロジェクター９００は、液晶ライトバルブ９０４Ｒ，９０４Ｇ，９０４Ｂから出射された光を合成して投射レンズ９０８に導くクロスダイクロイックプリズム（色光合成手段）９０６を、含むことができる。
【０１１５】
各液晶ライトバルブ９０４Ｒ，９０４Ｇ，９０４Ｂによって変調された３つの色光は、クロスダイクロイックプリズム９０６に入射する。このプリズムは、４つの直角プリズムを貼り合わせて形成され、その内面に赤色光を反射する誘電体多層膜と青色光を反射する誘電体多層膜とが十字状に配置されている。これらの誘電体多層膜によって３つの色光が合成され、カラー画像を表す光が形成される。そして、合成された光は、投射光学系である投射レンズ９０８によりスクリーン９１０上に投射され、拡大された画像が表示される。
【０１１６】
なお、図２１に示す例では、第２側面１０７に設けられた第２光出射面１７２から射出される光については図示していないが、該光は、図示せぬ反射部およびレンズアレイに入射した後、液晶ライトバルブ９０４Ｒ，９０４Ｇ，９０４Ｂに入射してもよい。
【０１１７】
プロジェクター９００では、利得の飽和を低減し、高出力化を図ることができる発光装置７００を含む。そのため、プロジェクター９００では、高輝度化を図ることができる。
【０１１８】
なお、上述の例では、光変調装置として透過型の液晶ライトバルブを用いたが、液晶以外のライトバルブを用いてもよいし、反射型のライトバルブを用いてもよい。このようなライトバルブとしては、例えば、反射型の液晶ライトバルブや、デジタルマイクロミラーデバイス（Ｄｉｇｉｔａｌ  Ｍｉｃｒｏｍｉｒｒｏｒ  Ｄｅｖｉｃｅ）が挙げられる。また、投射光学系の構成は、使用されるライトバルブの種類によって適宜変更される。
【０１１９】
また、光源７００Ｒ，７００Ｇ，７００Ｂを、光源７００Ｒ，７００Ｇ，７００Ｂからの光をスクリーン上で走査させることにより、表示面に所望の大きさの画像を表示させる画像形成装置である走査手段を有するような走査型の画像表示装置（プロジェクター）の
光源装置にも適用することが可能である。
【０１２０】
上述した実施形態および変形例は一例であって、これらに限定されるわけではない。例えば、各実施形態および各変形例を適宜組み合わせることも可能である。
【０１２１】
本発明は、実施の形態で説明した構成と実質的に同一の構成（例えば、機能、方法及び結果が同一の構成、あるいは目的及び効果が同一の構成）を含む。また、本発明は、実施の形態で説明した構成の本質的でない部分を置き換えた構成を含む。また、本発明は、実施の形態で説明した構成と同一の作用効果を奏する構成又は同一の目的を達成することができる構成を含む。また、本発明は、実施の形態で説明した構成に公知技術を付加した構成を含む。
【符号の説明】
【０１２２】
１８…非コンタクト領域、１８ａ…第１非コンタクト領域、１８ｂ…第２１非コンタクト領域、１００…発光装置、１０２…基板、１０４…第１クラッド層、１０５…第１側面、１０６…活性層、１０７…第２側面、１０８…第２クラッド層、１１０…コンタクト層、１１１…柱状部、１１２…絶縁層、１２０…第１電極、１２２…第２電極、１６０…光導波路、１６１…第１領域、１６２…第２領域、１６３…第３領域、１７０…第１光出射面、１７２…第２光出射面、２００，３００，４００…発光装置、４１２…絶縁層、５００…発光装置、５１８…凹部、６００，７００，７５０，８００…発光装置、９００…プロジェクター、９０１…入射面、９０２…レンズアレイ、９０３…出射面、９０４…液晶ライトバルブ、９０５…照射面、９０６…クロスダイクロイックプリズム、９０８…投射レンズ、９１０…スクリーン
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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