(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
空間像又はレジスト像の特性の確率的変動と１つ以上の設計変数との間の関係を決定する方法であって、前記方法は、
前記設計変数の複数の値セットの各々に対して複数の空間像及び/又はレジスト像から前記特性の値を測定することと、
前記設計変数の前記複数の値セットの各々に対して、前記設計変数の該当の値セットに対する前記特性の前記値の分布から前記確率的変動の値を決定することと、
コンピュータを用いて、前記確率的変動の前記値からの１つ以上のパラメータ及び前記設計変数の前記複数の値セットをフィッティングすることによって前記関係を決定することとを含む、方法。
【請求項２】
前記確率的変動は、ＬＥＲ、ＬＷＲ、ＬＣＤＵ、ホールＬＣＤＵ、ＣＥＲ又はその組み合わせを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記設計変数は、ぼやけた像ログスロープ（ＩＬＳ）、ぼやけた像強度、像強度、グローバルバイアス、マスクアンカーバイアス及びドーズ量を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記空間像又は前記レジスト像上のホットスポットを識別することをさらに含む、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
前記関係を用いてドーズ量を決定することをさらに含む、請求項１に記載の方法。
【請求項６】
前記関係を用いてスループットを増加させることをさらに含む、請求項１に記載の方法。
【請求項７】
前記スループットを増加させることはドーズ量を低下させることを含む、請求項６に記載の方法。
【請求項８】
前記ドーズ量を低下させることはマスクバイアスを使用することを含む、請求項７に記載の方法。
【請求項９】
前記空間像及び/又は前記レジスト像はシミュレートされた像である、請求項１に記載の方法。
【請求項１０】
リソグラフィ投影装置を用いて設計レイアウトの一部を基板上に結像するためのリソグラフィプロセスを改善するコンピュータにより実施される方法であって、前記方法は、
多変数費用関数を定義することであって、前記多変数費用関数は空間像又はレジスト像の特性の確率的変動の関数であり、前記確率的変動は前記リソグラフィプロセスの特性である複数の設計変数の関数である、定義することと、
請求項１に記載の方法を用いて決定された前記関係を用いて前記確率的変動を計算することと、
特定の終了条件が満たされるまで１つ以上の設計変数を調整することによって前記リソグラフィプロセスの１つ以上の特性を再構成することとを含む、方法。
【請求項１１】
反復再構成は、少なくとも幾つかの前記設計変数の範囲を決める制約を含む、請求項１０に記載の方法。
【請求項１２】
前記費用関数は以下のリソグラフィメトリック：エッジ配置誤差、クリティカルディメンション、レジスト輪郭距離、最悪欠陥サイズ及び/又は最良焦点シフト、のうちの１つ以上の関数である、請求項１０に記載の方法。
【請求項１３】
前記確率的変動は、ラインエッジラフネス（ＬＥＲ）及び/又はライン幅ラフネス（ＬＷＲ）を含む、請求項１０に記載の方法。
【請求項１４】
確率的影響は、光子ショット雑音、光子生成二次電子、前記基板のレジスト内の光子生成酸、前記基板のレジスト内の光子活性化又は電子活性化粒子の分布、前記基板のレジスト内の光子活性化又は電子活性化粒子の密度、又はその組み合わせによって引き起こされる、請求項１に記載の方法。
【請求項１５】
命令が記録されたコンピュータ読取可能媒体を含むコンピュータプログラム製品であって、前記命令はコンピュータが請求項１に記載の方法を実施することによって実行される、コンピュータプログラム製品。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
関連出願への相互参照
[0001]  本願は、２０１４年２月１１日に出願した米国仮出願第６１／９３８，５５４号の優先権を主張し、その全体を本願に参考として組み込む。
【０００２】
[0002]  本明細書中の説明は、リソグラフィ装置及びプロセスに関し、より詳細には、リソグラフィ装置又はプロセスで用いる照明源及び/又はパターニングデバイス/設計レイアウトを最適化するためのツールに関する。
【背景技術】
【０００３】
[0003]  リソグラフィ投影装置は、例えば、集積回路（ＩＣ）の製造に使用することができる。このような場合、パターニングデバイス（例えばマスク）は、ＩＣの個々の層に対応する回路パターン（「設計レイアウト」）を含むか、又は提供してもよく、パターニングデバイス上の回路パターンを通してターゲット部分に照射するなどの方法によって放射感応性材料層（例えば「レジスト」）でコーティングされた基板（例えばシリコンウェーハ）上の（例えば１つ以上のダイを含む）ターゲット部分上に、この回路パターンを転写することができる。一般に、単一の基板は、リソグラフィ投影装置によって一度に１つのターゲット部分ずつ回路パターンが連続的に転写される隣接する複数のターゲット部分を含む。一種のリソグラフィ投影装置では、パターニングデバイス全体の上の回路パターンは１つのターゲット部分上に一度で転写され、このような装置は一般にウェーハステッパと呼ばれている。一般にステップアンドスキャン装置と呼ばれる別の装置では、投影ビームがパターニングデバイス上を所与の基準方向（「スキャン」方向）にスキャンする一方、基板をこの基準方向と平行又は逆平行に同期的に移動させる。パターニングデバイス上の回路パターンの異なる部分が漸次１つのターゲット部分に転写される。一般に、リソグラフィ投影装置は倍率係数Ｍ（一般に、Ｍ＜１）を有するため、基板が移動する速度Ｆは、係数Ｍに投影ビームがパターニングデバイスをスキャンする速度を乗じた値になる。本明細書に記載するリソグラフィデバイスに関する詳細情報は、例えば、参照により本明細書に組み込まれる米国特許第６，０４６，７９２号明細書から得ることができる。
【０００４】
[0004]  回路パターンをパターニングデバイスから基板に転写する前に、基板はプライミング、レジストコーティング及びソフトベークなどの様々な手順を経てもよい。露光後、基板はポストベーク（ＰＥＢ）、現像、ハードベーク及び転写された回路パターンの測定／検査などの他の手順を経てもよい。この一連の手順は、例えば、ＩＣなどのデバイスの個々の層を製造する基礎として使用される。次に、基板はエッチング、イオン注入（ドーピング）、金属化、酸化、化学機械的研磨などの様々なプロセスを経てもよく、これらはすべてデバイスの個々の層を完成させるためのプロセスである。デバイスに幾つかの層が必要な場合は、手順全体、又はその変形手順が各層に対して反復される。最終的に、デバイスは基板上の各ターゲット部分内に存在する。これらのデバイスは、次に、ダイシング又はソーイングなどの技術によって互いに分離され、その結果、個々のデバイスを担体に取り付けたり、又はピンに接続したりすることができる。
【０００５】
[0005]  上述のように、マイクロリソグラフィは、ＩＣ製造の中心的ステップであり、基板上に形成されるパターンは、マイクロプロセッサ、メモリチップなどのＩＣの機能素子を定義する。フラットパネルディスプレイ、マイクロ電子機械システム（ＭＥＭＳ）及びその他のデバイスの形成にも同様のリソグラフィ技術が使用される。
【０００６】
[0006]  半導体製造プロセスが進歩し続けるにつれて、機能素子の寸法は縮小し続ける一方で、デバイス当たりのトランジスタなどの機能素子の数量は数十年にわたって着実に増加しており、一般に「ムーアの法則」と呼ばれる傾向を辿っている。現在の最新技術では、深紫外線照明源からの照明を用いて基板上に設計レイアウトを投影するリソグラフィ投影装置を用いてデバイスの層が製造され、寸法が僅か１００ｎｍ未満の、すなわち照明源（例えば、１９３ｎｍの照明源）からの放射の波長の半分未満である個々の機能素子を生成する。
【０００７】
[0007]  リソグラフィ投影装置の典型的な解像度の限界よりも寸法が小さいフィーチャが印刷されるこのプロセスは、解像度式、ＣＤ＝ｋ1×λ／ＮＡ（但しλは使用される放射の波長（現在はほとんどの場合、２４８ｎｍ又は１９３ｎｍ）、ＮＡはリソグラフィ投影装置の投影光学系の開口数、ＣＤは一般に印刷されるフィーチャの最小サイズである「クリティカルディメンション」、及びｋ1は経験的な解像度係数である）に従って低ｋ1リソグラフィとして一般に知られている。一般に、ｋ1の値が小さいほど、特定の電気的機能と性能を達成するために回路設計者によって計画された形状と寸法に類似するパターンを基板上に再現することが困難になる。これらの困難を克服するために、リソグラフィ投影装置及び／又は設計レイアウトに精緻な微調整ステップが適用される。これらの調整としては、例えば、ＮＡ及び光干渉設定の最適化、カスタマイズされた照明方式、位相シフトパターニングデバイスの使用、設計レイアウトにおける光学近接補正（ＯＰＣ、「光学及びプロセス補正」と呼ばれることもある）、又は一般に「解像度向上技術」（ＲＥＴ）と定義されるその他の方法が挙げられるが、それらに限定されない。本明細書において使用される「投影光学系」という用語は、例えば、屈折光学系、反射光学系、アパーチャ及び反射屈折光学系を含む様々なタイプの光学システムを包含していると広く解釈されるべきである。「投影光学系」という用語は、放射投影ビームを集合的に又は単独で誘導、整形又は制御するためのこれらの任意の設計に基づいて動作するコンポーネントも含んでもよい。「投影光学系」という用語は、光学コンポーネントがリソグラフィ投影装置の光学経路上のどこに位置しているかに関わらず、リソグラフィ投影装置の任意の光学コンポーネントを含んでもよい。投影光学系は、放射がパターニングデバイスを通過する前に放射源からの放射を整形、調整及び／又は投影するための光学コンポーネント、及び／又は放射がパターニングデバイスを通過した後で放射を整形、調整及び／又は投影するための光学コンポーネントを含んでもよい。投影光学系には一般に、放射源及びパターニングデバイスは含まれない。
【発明の概要】
【０００８】
[0008]  本明細書において、空間像又はレジスト像の特性の確率的変動と１つ以上の設計変数との間の関係を決定する方法が開示される。この方法は、設計変数の複数の値セットの各々に対して複数の空間像及び/又はレジスト像から特性の値を測定することと、設計変数の複数の値セットの各々に対して、設計変数の該当の値セットに対する特性の値の分布から確率的変動の値を決定することと、確率的変動の値及び設計変数の複数の値セットからの１つ以上のパラメータをフィッティングすることによって関係を決定することとを含む。
【０００９】
[0009]  ある実施形態によると、確率的変動は、ＬＥＲ及び/又はＬＷＲを含む。
【００１０】
[0010]  ある実施形態によると、設計変数は、ぼやけた像ＩＬＳ、ドーズ量、グローバルバイアス、マスクアンカーバイアス及び/又は像強度含む。
【００１１】
[0011]  ある実施形態によると、方法は、空間像又はレジスト像上のホットスポットを識別することをさらに含む。
【００１２】
[0012]  ある実施形態によると、方法は、関係を用いてドーズ量を決定することをさらに含む。
【００１３】
[0013]  ある実施形態によると、方法は、関係を用いてスループットを増加させることをさらに含む。スループットを増加させることはドーズ量を低下させることによって行われてよく、これはマスクバイアスによって行われてよい。
【００１４】
[0014]  本明細書において、リソグラフィ投影装置を用いて設計レイアウトの一部を基板上に結像するためのリソグラフィプロセスを改善するコンピュータにより実施される方法が開示される。この方法は、多変数費用関数を定義することであって、多変数費用関数は空間像又はレジスト像の特性の確率的変動の関数であり、確率的変動はリソグラフィプロセスの特性である複数の設計変数の関数である、定義することと、上記の方法のいずれかを用いて決定された関係を用いて確率的変動を計算することと、特定の終了条件が満たされるまで１つ以上の設計変数を調整することによってリソグラフィプロセスの１つ以上の特性を再構成することとを含む。
【００１５】
[0015]  ある実施形態によると、設計レイアウトの一部は、全体的な設計レイアウト、クリップ、１つ以上のクリティカルフィーチャを有することが知られている設計レイアウトの一部分、ホットスポット又はウォームスポットが識別された設計レイアウトの一部分、及び１つ以上のクリティカルフィーチャが識別された設計レイアウトの一部分から選択された１つ以上を含む。
【００１６】
[0016]  ある実施形態によると、終了条件は、費用関数の最小化、費用関数の最大化、特定の反復回数の到達、特定のしきい値と等しい又はそのしきい値を超える費用関数の値の到達、特定の算出時間の到達、許容誤差限界内の費用関数の値の到達、及び/又はリソグラフィプロセスの露光時間の最小化から選択された１つ以上を含む。
【００１７】
[0017]  ある実施形態によると、１つ以上の設計変数はリソグラフィ装置のための照明源の特性であり、及び/又は１つ以上の設計変数は設計レイアウトの特性であり、及び/又は１つ以上の設計変数はリソグラフィ装置の投影光学系の特性であり、及び/又は１つ以上の設計変数は基板のレジストの特性であり、及び/又は１つ以上の設計変数は空間像又はレジスト像の特性である。
【００１８】
[0018]  ある実施形態によると、反復再構成は、少なくとも幾つかの設計変数の範囲を決める制約を含む。
【００１９】
[0019]  ある実施形態によると、少なくとも幾つかの設計変数は、リソグラフィ投影装置のハードウェア実装における物理的制限を表す制約の下にある。
【００２０】
[0020]  ある実施形態によると、制約は、調整範囲、パターニングデバイスの製造可能性を管理するルール、及び/又は設計変数間の相互依存から選択された１つ以上を含む。
【００２１】
[0021]  ある実施形態によると、制約はリソグラフィ投影装置のスループットを含む。
【００２２】
[0022]  ある実施形態によると、費用関数は以下のリソグラフィメトリック：エッジ配置誤差、クリティカルディメンション、レジスト輪郭距離、最悪欠陥サイズ及び/又は最良焦点シフト、のうちの１つ以上の関数である。
【００２３】
[0023]  ある実施形態によると、費用関数は、ガウス・ニュートンアルゴリズム、レーベンバーグ・マーカートアルゴリズム、勾配降下アルゴリズム、シミュレーションアニール、遺伝的アルゴリズムからなる群から選択された方法によって最適化される。
【００２４】
[0024]  ある実施形態によると、確率的変動は、ラインエッジラフネス（ＬＥＲ）、ライン幅ラフネス（ＬＷＲ）、ＬＣＤＵ、ホールＬＣＤＵ（holeＬＣＤＵ）、ＣＥＲ又はその組み合わせを含む。
【００２５】
[0025]  ある実施形態によると、確率的影響は、光子ショット雑音、光子生成二次電子、基板のレジスト内の光子生成酸、基板のレジスト内の光子活性化又は電子活性化粒子の分布、基板のレジスト内の光子活性化又は電子活性化粒子の密度、又はその組み合わせによって引き起こされる。
【００２６】
[0026]  本明細書において、命令が記録されたコンピュータ読取可能媒体を含むコンピュータプログラム製品が開示されており、この命令はコンピュータが前記項のいずれかに記載の方法を実施することによって実行される。
【００２７】
[0027]  本明細書において、複数の条件及び設計変数の複数の値における確率的変動の値を有する非一時的なコンピュータ読取可能媒体が開示される。
【００２８】
[0028]  本明細書において、リソグラフィ投影装置を用いて設計レイアウトの一部を基板上に結像するためのリソグラフィプロセスを改善するコンピュータにより実施される方法が開示される。この方法は、リソグラフィプロセスの特性である１つ以上の設計変数の各値セットのためのリソグラフィプロセスを最適化することと、最適化されたリソグラフィプロセス、最適化されたリソグラフィプロセスによって生成された空間像及び/又は最適化されたリソグラフィプロセスによって生成されたレジスト像の１つ以上の特性を計算し、それによってリソグラフィプロセスのユーザが自身の所望の特性に基づいて設計変数の値セットを選択することができることとを含む。ある実施形態によると、方法はＸＭＬファイルを用いて実施される。
【図面の簡単な説明】
【００２９】
【図１】[0029]  図１は、リソグラフィシステムの様々なサブシステムのブロック図である。
【図２】[0030]  図２は、図１のサブシステムに対応するシミュレーションモデルのブロック図である。
【図３Ａ】[0031]  図３Ａは、ＬＥＲを概略的に示す。
【図３Ｂ】[0032]  図３Ｂは、ＬＷＲを概略的に示す。
【図４Ａ】[0033]  図４Ａは、空間像又はレジスト像の特性の確率的変動と１つ以上の設計変数との間の関係を決定する方法を概略的に示す。
【図４Ｂ】[0033]  図４Ｂは、空間像又はレジスト像の特性の確率的変動と１つ以上の設計変数との間の関係を決定する方法を概略的に示す。
【図５Ａ】[0034]  図５Ａは、関係を用いたフィッティングの結果を示す。
【図５Ｂ】[0034]  図５Ｂは、関係を用いたフィッティングの結果を示す。
【図５Ｃ】[0035]  図５Ｃは、ＷＷＬＣＤＵの概念及びＮＢＬＣＤＵとの違いを概略的に示す。
【図５Ｄ】[0036]  図５Ｄは、式４０の関係が複数の異なるレジストモデル（異なるレジストモデルに対する各パネル）に対して良好なフィットを生み出すことを示す。
【図５Ｅ】[0037]  図５Ｅは、ＣＥＲの概念を概略的に示す。
【図６】[0038]  図６は、確率的変動を計算及び図示するための例示的なフローチャートを示す。
【図７】[0039]  図７は、確率的変動を用いて識別されたホットスポットを示す。
【図８】[0040]  図８は、複数の条件及び設計変数の複数の値における確率的変動の値を有する非一時的なコンピュータ読取可能媒体を示している。
【図９】[0041]  図９は、同時最適化の例示的方法論の態様を示すフロー図である。
【図１０】[0042]  図１０は、ある実施形態による別の最適化方法のある実施形態を示す。
【図１１Ａ】[0043]  図１１Ａは、ある最適化プロセスの例示的フローチャートを示す。
【図１１Ｂ】[0043]  図１１Ｂは、ある最適化プロセスの例示的フローチャートを示す。
【図１２】[0043]  図１２は、ある最適化プロセスの例示的フローチャートを示す。
【図１３】[0044]  図１３は、例示的コンピュータシステムのブロック図である。
【図１４】[0045]  図１４は、リソグラフィ投影装置の概略図である。
【図１５】[0046]  図１５は、別のリソグラフィ投影装置の概略図である。
【図１６】[0047]  図１６は、図１５の装置のより詳細な図である。
【図１７】[0048]  図１７は、図１５及び図１６の装置のソースコレクタモジュールＳＯのより詳細な図である。
【図１８】[0049]  図１８は、スループットと確率的影響の測定値の幾つかの関係を示す。
【図１９】[0050]  図１９は、設計変数の値セットに対して最適化を行い、ユーザが自身の所望の特性に基づいて設計変数の値セットを選択できるようにプロセス、空間像及び/又はレジスト像の様々な特性をユーザに示す方法のフローチャートを概略的に示す。
【発明を実施するための形態】
【００３０】
[0051]  本明細書において、ＩＣ製造について具体的な言及がなされているが、本明細書の記載が多数の他の可能な用途を有することが明確に理解されるべきである。例えば、集積光学システム、磁気ドメインメモリ用のガイダンスパターン及び検出パターン、液晶ディスプレイパネル、薄膜磁気ヘッド等の製造に採用してもよい。当業者にとっては当然のことであるが、そのような別の用途においては、本明細書で使用される「レチクル」、「ウェーハ」又は「ダイ」という用語はすべて、それぞれより一般的な「マスク」、「基板」及び「ターゲット部分」という用語と置き換え可能であるとみなすべきである。
【００３１】
[0052]  本書では、「放射」及び「ビーム」という用語は、紫外線（例えば、３６５ｎｍ、２４８ｎｍ、１９３ｎｍ、１５７ｎｍ、又は１２６ｎｍの波長を有する）及びＥＵＶ（極端紫外線、例えば、５〜２０ｎｍの範囲の波長を有する）を含むあらゆる種類の電磁放射を包含するように使用される。
【００３２】
[0053]  本明細書で使用される「最適化する」及び「最適化」という用語は、リソグラフィの結果及び/又はプロセスが、基板上への設計レイアウトのより高い投影精度、より大きいプロセスウィンドウなどのより望ましい特性を有するようにリソグラフィ投影装置を調整することを意味する。
【００３３】
[0054]  さらに、リソグラフィ投影装置は、２つ以上の基板テーブル（及び／又は２つ以上のパターニングデバイステーブル）を有する型のものであってもよい。そのような「マルチステージ」デバイスにおいては、追加のテーブルは並行して使うことができ、又は予備工程を１つ以上のテーブル上で実行しつつ、別の１つ以上のテーブルを露光用に使うこともできる。ツインステージリソグラフィ投影装置は、例えば、参照により本明細書に組み込まれる米国特許第５，９６９，４４１号明細書に記載されている。
【００３４】
[0055]  上述のパターニングデバイスは、設計レイアウトを含むか、又はこれを形成することができる。設計レイアウトは、ＣＡＤ（コンピュータ支援設計）プログラムを利用して生成することができ、このプロセスはＥＤＡ（電子設計自動化）と呼ばれることが多い。ほとんどのＣＡＤプログラムは、機能的設計レイアウト／パターニングデバイスを作成するために所定の設計ルールセットに従う。これらのルールはプロセス及び設計上の制限によって設定される。例えば、設計ルールは、回路デバイス又は回路線が望ましくない形で相互作用しないことを確実にするために、回路デバイス（ゲート、コンデンサなど）又は相互接続線間の空間許容差を定義する。設計ルールの制限は通常は「クリティカルディメンション」（ＣＤ）と呼ばれる。回路のクリティカルディメンションは、ライン若しくはホールの最小幅、又は２本のライン若しくは２つのホールの間の最小スペースとして定義することができる。したがって、ＣＤは設計された回路の全体的サイズ及び密度を決定する。当然ながら、集積回路製造の目標の１つは、（パターニングデバイスを介した）基板上の元の回路設計を忠実に再現することである。
【００３５】
[0056]  本明細書において使用される「マスク」又は「パターニングデバイス」という用語は、基板のターゲット部分内に作成されるパターンに対応するパターン付き断面を入射放射ビームに与えるのに使用できる一般のパターニングデバイスを指すものと広義に解釈することができる。「光弁」という用語もまたこの文脈で使用できる。典型的なマスク（透過型又は反射型、バイナリ、位相シフト、ハイブリッドなど）以外に、他のパターニングデバイスの例としては以下が挙げられる。
‐プログラマブルミラーアレイ。このようなデバイスの例は、粘弾性制御層及び反射面を有するマトリクス‐アドレス可能な表面である。そのような装置の基本原理は、（例えば）反射表面のアドレスされた領域が入射放射を回折放射として反射し、アドレスされなかった領域は、入射放射を非回折放射として反射するということである。適切なフィルタを使用して、上記非回折放射を反射ビームからフィルタリングし、回折放射だけを残すことができる。こうして、このビームは、マトリクス‐アドレス可能な表面のアドレス指定パターンに従ってパターン付与される。必要なマトリクスアドレス指定は、好適な電子手段を使用して実施できる。そのようなミラーアレイに関する詳細情報は、例えば、参照により本明細書に組み込まれる米国特許第５，２９６，８９１号明細書及び第５，５２３，１９３号明細書から得ることできる。
−プログラマブルＬＣＤアレイ。そのような構造の一例は、参照により本明細書に組み込まれる米国特許第５，２２９，８７２号明細書に記載されている。
【００３６】
[0057]  簡単な前置きとして、図１は例示的なリソグラフィ投影装置１０Ａを示している。主要なコンポーネントは、深紫外線エキシマレーザ源又は極端紫外線（ＥＵＶ）源を含む他のタイプの源であり得る放射源１２Ａ（上述のように、リソグラフィ投影装置自体は放射源を有する必要はない）、（シグマとして表される）部分コヒーレンスを規定しかつ放射源１２Ａからの放射を整形する光学系１４Ａ、１６Ａａ及び１６Ａｂを含み得る照明光学系、パターニングデバイス１８Ａ、及びパターニングデバイスパターンのイメージを基板面２２Ａ上に投影する透過光学系１６Ａｃである。投影光学系の瞳面における調整可能なフィルタ又は開口２０Ａは、基板面２２Ａに衝突するビームの角度範囲を制限することができ、最大可能な角度は投影光学系の開口数ＮＡ＝ｓｉｎ（Θmax）を規定する。
【００３７】
[0058]  システムの最適化プロセスでは、システムの性能指数を費用関数として表すことができる。最適化プロセスは、費用関数を最小にするシステムのパラメータ（設計変数）のセットを見出すプロセスということになる。費用関数は、最適化の目標に応じて任意の適切な形態をとることができる。例えば、費用関数は、システムの特定の特性の意図する値（例えば理想値）に対するこれらの特性（評価ポイント）の偏差の重み付き２乗平均平方根（ＲＭＳ）であってよく、費用関数はまた、これらの偏差の最大値（すなわち最悪偏差）であってもよい。本明細書の「評価ポイント」という用語は、システムのどの特性をも含むように広義に解釈されるべきである。システムの設計変数は、有限範囲に限定でき、及び／又はシステムの実施の実用性によって相互依存的であってもよい。リソグラフィ投影装置の場合、制約は調節可能範囲などのハードウェアの物理的性質及び特性及び／又はパターニングデバイスの製造性設計ルールに関連することが多く、評価ポイントは、基板上のレジスト像上の物理的ポイント、並びにドーズ量や焦点などの非物理的特性を含むことができる。
【００３８】
[0059]  リソグラフィ投影装置では、放射源は照明（すなわち光）を提供し、投影光学系はパターニングデバイスを介して照明を基板上に誘導し、整形する。「投影光学系」という用語は本明細書では、放射ビームの波面を変更し得る任意の光学コンポーネントを含むものとして広義に定義される。例えば、投影光学系はコンポーネント１４Ａ、１６Ａａ、１６Ａｂ、及び１６Ａｃの少なくとも幾つかを含んでもよい。空間像（ＡＩ）は基板レベルでの放射強度分布である。基板上のレジスト層は露光され、空間像はレジスト層内の潜在「レジスト像」（ＲＩ）としてレジスト層に転写される。レジスト像（ＲＩ）は、レジスト層内のレジストの溶解性の空間分布として定義することができる。レジストモデルは空間像からレジスト像を計算するために使用でき、その例は参照により本明細書に全体が組み込まれる、同一出願人による米国特許出願第１２／３１５，８４９号明細書に記載されている。レジストモデルはレジスト層の特性にのみ関連する（例えば、露光、ＰＥＢ及び現像中に生じる化学プロセスの効果）。リソグラフィ投影装置の光学特性（例えば、放射源、パターニングデバイス及び投影光学系の特性）は、空間像を決定付ける。リソグラフィ投影装置で使用されるパターニングデバイスは変更可能であるため、パターニングデバイスの光学特性と、少なくとも放射源及び投影光学系を含む残りのリソグラフィ投影装置の光学特性とを分離することが望ましい。
【００３９】
[0060]  リソグラフィ投影装置でのリソグラフィをシミュレートするための例示的なフローチャートを図２に示す。放射源モデル３１は、放射源の光学特性（放射強度分布及び／又は位相分布を含む）を表す。投影光学モデル３２は、投影光学系の光学特性（投影光学系に起因する放射強度分布及び／又は位相分布の変化を含む）を表す。設計レイアウトモデル３５は、パターニングデバイス上の又はそれによって形成されるフィーチャの構成の表現である設計レイアウトの光学特性（所与の設計レイアウト３３に起因する放射強度分布及び／又は位相分布の変化を含む）を表す。空間像３６は、設計レイアウトモデル３５、投影光学モデル３２及び設計レイアウトモデル３５からシミュレートできる。レジスト像３８は、レジストモデル３７を用いて空間像３６からシミュレートできる。リソグラフィのシミュレーションは、例えば、レジスト像の輪郭とＣＤを予測できる。
【００４０】
[0061]  より詳細には、放射源モデル３１は、ＮＡシグマ（σ）設定と任意の特定の照明源の形状（例えば、環状、四重極、及び二重極などのオフアクシス放射源）を含むが、これらに限定されない放射源の光学特性を表すことができることに留意されたい。投影光学モデル３２は、収差、歪み、屈折率、物理的サイズ、物理的寸法などを含む投影光学系の光学特性を表すことができる。また、設計レイアウトモデル３５は、例えば、参照によりその全体が本明細書に組み込まれる米国特許第７，５８７，７０４号明細書に記載された物理パターニングデバイスの物理的特性を表すこともできる。シミュレーションの目的は、例えば、意図した設計と後に比較することができるエッジ配置、空間像強度スロープ及びＣＤを正確に予測することである。意図した設計は、一般にＧＤＳＩＩ若しくはＯＡＳＩＳなどの標準のデジタルファイルフォーマット又はその他のファイルフォーマットで提供できるＯＰＣ前設計レイアウトとして定義される。
【００４１】
[0062]  この設計レイアウトから、「クリップ」と呼ばれる１つ以上の部分を特定することができる。ある実施形態では、設計レイアウト内の複雑なパターンを表すクリップのセットが抽出される（通常は約５０〜１０００個のクリップであるが、任意数のクリップを使用してもよい）。当業者にとっては当然のことながら、これらのパターン又はクリップは設計の小部分（すなわち、回路、セル又はパターン）を表し、特にクリップは特別の注意及び／又は検証が必要な小部分を表す。言い換えると、クリップは設計レイアウトの一部でもよく、又は（消費者が提供するクリップを含む）経験、試行錯誤、又はフルチップシミュレーションの実行のいずれかによってクリティカルフィーチャが特定される設計レイアウトの部分と同様であってもよく、又は同様の挙動を有していてもよい。クリップは通常は１つ以上のテストパターン又はゲージパターンを含んでいる。
【００４２】
[0063]  特定のイメージ最適化を必要とする設計レイアウト内の既知のクリティカルフィーチャ領域に基づいて、事前に消費者によってより大きい初期クリップセットが提供されてもよい。あるいは、別の実施形態では、クリティカルフィーチャ領域を特定するある種の自動（マシンビジョンなど）又は手動アルゴリズムを用いて設計レイアウト全体から、より大きい初期クリップセットが抽出されてもよい。
【００４３】
[0064]  例えば、ＥＵＶ（極端紫外線、例えば５〜２０ｎｍの範囲内の波長を有する）源又は非ＥＵＶ源を用いるリソグラフィ投影装置では、放射強度の低下は、より強力な確率的影響、例えば、顕著なライン幅ラフネス（ＬＷＲ）及びホールなどの小さい二次元フィーチャにおけるローカルＣＤ変動へと繋がり得る。ＥＵＶ源を用いるリソグラフィ投影装置では、放射強度の低下は、放射源からの全体的に低い放射出力、放射源からの放射を整形する光学系からの放射損失、投影光学系を介する透過損失、一定のドーズ量の下で少ない光子へと繋がる高い光子エネルギーなどに起因し得る。確率的影響は、光子ショット雑音、光子生成二次電子、光子吸収変動、レジスト内の光子生成酸などの要因に起因し得る。ＥＵＶに求められる小さいサイズのフィーチャは、これらの確率的影響をさらに大きくする。より小さいフィーチャにおける確率的影響は、生産収率において重要な要因であり、リソグラフィ投影装置の様々な最適化プロセスの包含を必要とする。
【００４４】
[0065]  同じ放射強度の下では、各基板のより低い露光時間は、リソグラフィ投影装置のより高いスループットに繋がるがより強い確率的影響にも繋がる。所与の放射強度の下の所与のフィーチャにおける光子ショット雑音は、露光時間の平方根に比例する。スループットを増加させる目的のために露光時間を下げる要望は、ＥＵＶ及び他の放射源を用いるリソグラフィに存在する。したがって、最適化プロセス内の確率的影響を考慮する本明細書中に記載の方法及び装置は、ＥＵＶリソグラフィに限定されない。
【００４５】
[0066]  スループットは、基板に向けられる光の全体量によっても影響を受け得る。一部のリソグラフィ投影装置では、放射源からの光の一部は、放射源の所望の形状を達成するために犠牲になる。
【００４６】
[0067]  図３Ａは、ＬＥＲを概略的に示している。設計レイアウト上のフィーチャのエッジ９０３の３つの露光又は露光のシミュレーションにおける全ての条件が同一であると仮定して、エッジ９０３のレジスト像９０３Ａ、９０３Ｂ及び９０３Ｃは僅かに異なる形状及び配置を有し得る。レジスト像９０３Ａ、９０３Ｂ及び９０３Ｃの配置９０４Ａ、９０４Ｂ及び９０４Ｃは、レジスト像９０３Ａ、９０３Ｂ及び９０３Ｃをそれぞれ平均化することによって測定することができる。エッジ９０３のＬＥＲは、配置９０４Ａ、９０４Ｂ及び９０４Ｃの空間分布の測定値であってよい。例えば、ＬＥＲは空間分布の３σであってもよい（分布が正規分布と仮定して）。ＬＥＲは、エッジ９０３の多数の露光又はシミュレーションから導き出すことができる。
【００４７】
[0068]  図３Ｂは、ＬＷＲを概略的に示している。設計レイアウト上の幅９１１を有する長い長方形のフィーチャ９１０の３つの露光又は露光のシミュレーションにおける全ての条件が同一であると仮定して、長方形フィーチャ９１０のレジスト像９１０Ａ、９１０Ｂ及び９１０Ｃは、それぞれ僅かに異なる幅９１１Ａ、９１１Ｂ及び９１１Ｃを有し得る。長方形フィーチャ９１０のＬＷＲは、幅９１１Ａ、９１１Ｂ及び９１１Ｃの分布の測定値であってよい。例えば、ＬＷＲは分布の３σであってもよい（分布が正規分布と仮定して）。ＬＷＲは、長方形フィーチャ９１０の多数の露光又はシミュレーションから導き出すことができる。短いフィーチャ（例えば、コンタクトホール）という状況では、その像の幅は、配置を平均化するための長いエッジが利用できないことにより明確に定められない。ＬＣＤＵといった同様の量を用いて確率的変動を特徴づけることができる。ＬＣＤＵは、短いフィーチャの像の測定済みＣＤの分布（分布は正規分布と仮定する）の３σである。
【００４８】
[0069]  空間像又はレジスト像の特性の確率的変動と１つ以上の設計変数との間の関係を決定する方法を、図４Ａにおいてフローチャートで示し、図４Ｂにおいて概略的に示している。ステップ１３０１では、特性の値１５０３は、設計変数の値の複数のセット１５０１のそれぞれに対して（実際には露光又はシミュレーションによって）形成された複数の空間像又はレジスト像１５０２から測定される。ステップ１３０２では、確率的変動の値１５０５は、設計変数の値の各セット１５０１に対して、設計変数の値のそのセット１５０１に対して形成された空間像又はレジスト像から測定された特性の値１５０３の分布１５０４から決定される。ステップ１３０３では、関係１５０６は、確率的変動の値１５０４及び設計変数の値のセット１５０１からのモデルの１つ以上のパラメータをフィッティングすることによって決定される。
【００４９】
[0070]  ある例では、確率的変動はＬＥＲであり、設計変数はぼやけた像ＩＬＳ（ｂｌ＿ＩＬＳ）、ドーズ量及び像強度である。モデルはＬＥＲ＝ａ×ｂｌ＿ＩＬＳb×（ドーズ量×像強度）c（式３０）であってよい。パラメータａ、ｂ及びｃはフィッティングによって決定することができる。
【００５０】
[0071]  図５Ａは、式３０におけるモデルを用いたフィッティングの結果を示している。９００個より多くの異なるフィーチャのＬＥＲ１４００（確率的変動の例として）の値は、長いトレンチ１４０１、長いライン１４０２、短いライン１４０３、短いトレンチ１４０４、短いラインエンド１４０５及び短いトレンチエンド１４０６を一定の像強度及び一定のドーズ量で含み、図４Ａ及び図４Ｂにおける方法に従って決定される。式３０におけるパラメータａ及びｂ（ドーズ重み付きぼやけた像強度が一定であるため、ｃはａにまとめられる）は、ＬＥＲの値を設計変数ｂｌ＿ＩＬＳの値とフィッティングさせることによって決定される。フィッティング結果を曲線１４１０に示している。
【００５１】
[0072]  図５Ｂは、式３０におけるモデルを用いたフィッティングの結果を示している。様々なドーズ量及び様々な像強度における２０×４０ｎｍのトレンチ１５０５の幅方向におけるＣＤ及び長さ方向におけるＣＤのＬＣＤＵ１５００（確率的変動の一例として）の値は、図４Ａ及び図４Ｂにおける方法に従って決定される。式３０におけるパラメータａ、ｂ及びｃは、ＬＷＲの値をｂｌ＿ＩＬＳ、ドーズ量及び像強度の設計変数の値とフィッティングさせることによって決定される。
【００５２】
[0073]  小型の２Ｄフィーチャ（例えば、丸いコンタクトホール）の幅の確率的変動（ホールＬＣＤＵ）を、１Ｄフィーチャ（例えば、長いライン）の幅の確率的変動（ＬＷＲ）のように扱うことは有利である。ホールＬＣＤＵは、式３０におけるＬＷＲと同じモデルを用いて設計変数にフィッティングされてよいが、小型の２Ｄフィーチャの測定及び小型の２Ｄフィーチャに関連する確率的変動は、１Ｄフィーチャのものとは異なる。例えば、小型の２Ｄフィーチャの測定は、一般的には、「ワゴンホイール」方法を使用し、関連する確率的変動を「ワゴンホイールＬＣＤＵ」（「ＷＷＬＣＤＵ」）と呼ぶことができる。図５Ｃは、小型の２ＤフィーチャのＷＷＬＣＤＵの概念及び同じフィーチャのＣＤの狭帯域測定（「狭帯域ＬＣＤＵ」又は「ＮＢＬＣＤＵ」）の確率的変動との違いを概略的に示している。空間像又はレジスト像における短いフィーチャ１５５０は、そのエッジ配置に確率的変動を有し得る。ＷＷＬＣＤＵは、短いフィーチャ１５５０と同じ面積を有する完全な円の直径の確率的変動である。ＮＢＬＣＤＵは、ある特定の方向に沿ったフィーチャ１５５０のエッジ間距離の確率的変動であってＬＷＲと同様の概念を有する。図５Ｃは、６つの異なる方向に沿った６つの例示的ＮＢＬＣＤＵを示している。ＮＢＬＣＤＵが高周波数変動を捉える一方、ＷＷＬＣＤＵは低周波数変動を捉える。レジストにおけるより高いぼかしは、同じフィーチャ上で測定されたＮＢＬＣＤＵとＷＷＬＣＤＵとの間のより小さい差へと繋がる。
【００５３】
[0074]  したがって、ＷＷＬＣＤＵのためのモデルを見出すことが有用となる。このようなモデルは、図４Ａに示す方法を用いて見出すことができる。このようなモデルは、ＮＢＬＣＤＵ及びＷＷＬＣＤＵの（メトロロジ又はシミュレーションによって）観測された値をフィッティングさせることによってＮＢＬＣＤＵとＷＷＬＣＤＵとの間の経験的な関係を見出すことによって見つけることもできる。関係の一例として以下が挙げられる。
ＷＷＬＣＤＵ＝ｋ×ＮＢＬＣＤＵ×ＣＤ-0.5  （式４０）
ＣＤはフィーチャ１５５０の公称ＣＤである。図５Ｄは、図４０の関係が多数の異なるレジスト（異なるレジストに対する各パネル）においてＷＷＬＣＤＵとｋ×ＮＢＬＣＤＵ×ＣＤ-0.5との間に良好なフィットを生み出すことを示している。ＮＢＬＣＤＵ自体は、以下の式によってｂｌ＿ＩＬＳ、ドーズ量及び像強度などの設計変数に関連付けされてもよい。
式３０：ＮＢＬＣＤＵ＝ａ×ｂｌ＿ＩＬＳb×（ドーズ量×像強度）c
係数ｋはレジストのぼかしに物理的に関連する。経験上のデータからは、ｋ2は１σぼかしの約２．２５±０．２５倍であることが分かった。
【００５４】
[0075]  小型の２Ｄフィーチャに関連する別の確率的変動は「サークルエッジラフネス(circle edge roughness)」（ＣＥＲ）である。図５Ｅは、ＣＥＲを概略的に示している。小型の２Ｄフィーチャ１５５０の多数の露光又は露光のシミュレーションにおける全ての条件が同一であると仮定して、フィーチャ１５５０のレジスト像１５５０Ａ、１５５０Ｂ及び１５５０Ｃは僅かに異なるサイズ１５６０Ａ、１５６０Ｂ及び１５６０Ｃ等を有し得る（これらの像と同じ面積の円の直径）。小型の２Ｄフィーチャ１５５０のＣＥＲは、サイズ１５６０Ａ、１５６０Ｂ及び１５６０Ｃ等の空間分布の測定値であってよい。例えば、ＣＥＲは分布の３σであってもよい（分布が正規分布と仮定して）。ＣＥＲは、小型の２Ｄフィーチャ１５５０の多数の露光又はシミュレーションから導き出すことができる。
【００５５】
[0076]  ＣＥＲは、多数の方向に沿った小型の２Ｄフィーチャ（例えば、フィーチャ１５５０）のエッジ間距離（例えば、ＮＢＬＣＤＵ）の確率的変動である。図５Ｅは、ＣＥＲの概念を概略的に示している。フィーチャ１５５０の異なる方向に沿った複数のエッジ間距離が測定される。これらのエッジ間距離は、方向の関数として表される。ＣＥＲを設計変数の関数として特徴付けるモデルは、図４Ａに示す方法を用いて見出すこともできる。
【００５６】
[0077]  空間像又はレジスト像の特性の確率的変動と１つ以上の設計変数との間の関係が一度図４Ａ及び図４Ｂにおける方法などの方法によって決定されると、確率的変動の値は関係を用いてその特性に対して計算することができる。図６は、この計算のための例示的フローチャートを示している。ステップ１６１０では、条件（例えば、ＮＡ、σ、ドーズ量、焦点、レジスト化学的性質、投影光学パラメータ、ソースパラメータ等）のセットが選択される。ステップ１６２０では、設計変数の値はこれらの条件下で計算される。例えば、レジスト像のエッジ配置及びエッジに沿ったｂｌ＿ＩＬＳ。ステップ１６３０では、確率的変動の値は、確率的変動と設計変数との間の関係から計算される。例えば、確率的変動はエッジのＬＥＲである。任意のステップ１６４０では、ノイズベクトルが定義され、その度数分布は実際のウェーハ測定とほぼ一致する。任意のステップ１６５０では、ノイズベクトルは特性（この例では、確率的エッジ）上に重ね合わされる。
【００５７】
[0078]  図７に示すように、空間像又はレジスト像の特性の確率的変動と１つ以上の設計変数との間の関係は、空間像又はレジスト像上の「ホットスポット」を識別するために使用されてもよい。「ホットスポット」１７００は、確率的変動がある特定の大きさを超える像上の配置として定義することができる。例えば、２つの近くのエッジ上の２つの位置がＬＥＲの大きい値を有する場合、これらの２つの位置は互いに連結する可能性が高い。
【００５８】
[0079]  ある実施形態では、複数の条件及び複数の設計変数の値における確率的変動の値が計算され、図８に示すようにハードドライブに格納されたデータベースなどの非一時的のコンピュータ読取可能媒体１８００にコンパイルされてよい。コンピュータは、媒体１８００にクエリを行って媒体１８００のコンテンツから確率的変動の値を計算することができる。
【００５９】
[0080]  空間像/レジスト像の特性の確率的変動の決定は、リソグラフィプロセスにおいて多数の方法で役立つことができる。一例では、確率的変動はＯＰＣで考慮に入れてもよい。
【００６０】
[0081]  一例として、ＯＰＣは、基板上に投影される設計レイアウトの像の最終サイズ及び配置がパターニングデバイス上の設計レイアウトのサイズ及び配置と同一ではなく、又は単にそれにのみ依存するという事実に対処する。「マスク」、「レチクル」及び「パターニングデバイス」という用語は、本明細書中で入れ替え可能に使用されていることに留意されたい。さらに、当業者には明らかなように、リソグラフィシミュレーション/最適化において、必ずしも物理パターニングデバイスが使用されないが、物理パターニングデバイスを表すために設計レイアウトを使用することができるので、特にリソグラフィシミュレーション/最適化との関連において、「マスク」、「パターニングデバイス」及び「設計レイアウト」という用語は入れ替え可能に使用することができる。一部の設計レイアウト上にある小さいフィーチャサイズ及び高いフィーチャ密度に対して、所与のフィーチャの特定のエッジの位置は、他の隣接するフィーチャの有無によってある程度影響される。これらの近接効果は、１つのフィーチャから別のフィーチャへと結合された少量の放射及び/又は回折や干渉などの非幾何光学効果から生じる。同様に、近接効果は、一般にリソグラフィ後のポストベーク（ＰＥＢ）、レジスト現像及びエッチング中の拡散及び他の化学効果から生じ得る。
【００６１】
[0082]  投影された設計レイアウトの像が確実に所与のターゲット回路設計の要件に従うようにするために、近接効果が予測され、精緻な数値モデルを使用して設計レイアウトの補正又は予歪みが補償される必要がある。「Ｆｕｌｌ−Ｃｈｉｐ  Ｌｉｔｈｏｇｒａｐｈｙ  Ｓｉｍｕｌａｔｉｏｎ  ａｎｄ  Ｄｅｓｉｇｎ  Ａｎａｌｙｓｉｓ  −  Ｈｏｗ  ＯＰＣ  Ｉｓ  Ｃｈａｎｇｉｎｇ  ＩＣ  Ｄｅｓｉｇｎ」、Ｃ．  Ｓｐｅｎｃｅ，  Ｐｒｏｃ．  ＳＰＩＥ，  Ｖｏｌ．  ５７５１，  ｐｐ．１−１４  （２００５）という論文は、現在の「モデルベースの」光学近接補正プロセスの概要を記載している。通常のハイエンド設計では、ターゲット設計に投影される忠実度の高い像を達成するために、設計レイアウトのほとんどすべてのフィーチャには幾つかの修正がなされる。これらの修正には、エッジ位置又はライン幅のシフト又はバイアス、及び他のフィーチャの投影を支援する目的の「アシスト」フィーチャの適用が含まれてもよい。
【００６２】
[0083]  モデルベースＯＰＣのターゲット設計への適用には、通常はチップ設計に何百万というフィーチャが存在することを考えると、優れたプロセスモデルと相当の演算資源が伴う。しかしながら、ＯＰＣの適用は一般に「精密科学」ではなく、可能性のあるすべての近接効果を常に補償するとは限らない経験的、反復的プロセスである。したがって、設計の不備がパターニングデバイスのパターンに組み込まれる可能性を最小にするために、例えばＯＰＣ及びその他の任意のＲＥＴの適用後の設計レイアウトなどのＯＰＣの効果を設計の検査、すなわち較正された数値処理モデルを使用した徹底的なフルチップシミュレーションによって確認する必要がある。これは、数百万ドルの範囲にわたる膨大なハイエンドパターニングデバイスの製造コスト、及び一旦製造しても実際のパターニングデバイスの補修又は修理による回復時間への影響による。
【００６３】
[0084]  ＯＰＣ及びフルチップＲＥＴの両方の検証は、例えば米国特許出願第１０／８１５，５７３号明細書、及びＹ．Ｃａｏ他による、「Ｏｐｔｉｍｉｚｅｄ  Ｈａｒｄｗａｒｅ  ａｎｄ  Ｓｏｆｔｗａｒｅ  Ｆｏｒ  Ｆａｓｔ，  Ｆｕｌｌ  Ｃｈｉｐ  Ｓｉｍｕｌａｔｉｏｎ」、Ｐｒｏｃ．  ＳＰＩＥ，  Ｖｏｌ．  ５７５４，  ４０５  （２００５）と題する論文に記載されているような数値モデル化システム及び方法に基づくものであってよい。
【００６４】
[0085]  １つのＲＥＴは設計レイアウトのグローバルバイアス（「マスクバイアス」と呼ぶこともある）の調整に関連する。グローバルバイアスは、設計レイアウト内のパターンと基板上に印刷しようとするパターンとの差異である。例えば、直径２５ｎｍの円形パターンを設計レイアウト内の直径５０ｎｍのパターンによって基板上に印刷してもよく、又は直径２０ｎｍのパターンによって印刷してもよいが、その場合はドーズ量が高くなる。
【００６５】
[0086]  設計レイアウト又はパターニングデバイス（例えばＯＰＣ）の最適化に加えて、リソグラフィ全体の忠実度を高める目的でパターニングデバイスの最適化と共に又は別個に、照明源を最適化することもできる。「照明源」と「放射源」という用語は本書では入れ替え可能に用いられる。１９９０年代から、環状、四重極又は二重極などの多くのオフアクシス照明源が導入され、ＯＰＣ設計の自由度が高まることによって、結像結果が向上している。知られているように、オフアクシス照明は、パターニングデバイスに含まれる微細構造（すなわちターゲットフィーチャ）を解像する実証済みの方法である。しかしながら、従来の照明源と比較すると、オフアクシス照明源は通常は空間像（ＡＩ）に対する放射強度を低下させる。したがって、より微細な解像度と放射強度の低下との最適なバランスを達成するために照明源を最適化する試みが望ましくなっている。
【００６６】
[0087]  例えば、「Ｏｐｔｉｍｕｍ  Ｍａｓｋ  ａｎｄ  Ｓｏｕｒｃｅ  Ｐａｔｔｅｒｎｓ  ｔｏ  Ｐｒｉｎｔ  Ａ  Ｇｉｖｅｎ  Ｓｈａｐｅ」、Ｊｏｕｒｎａｌ  ｏｆ  Ｍｉｃｒｏｌｉｔｈｏｇｒａｐｈｙ，  Ｍｉｃｒｏｆａｂｒｉｃａｔｉｏｎ，  Ｍｉｃｒｏｓｙｓｔｅｍｓ  １（１），  ｐｐ．１３−２０，  （２００２）と題するＲｏｓｅｎｂｌｕｔｈ他の論文などに多数の照明源最適化方法が記載されている。放射源は、各々が瞳スペクトルの特定の領域に対応する幾つかの領域に区分される。放射源分布は各放射源領域で均一であると想定され、各領域の輝度はプロセスウィンドウ用に最適化される。しかしながら、各放射源領域で放射源分布が均一であるという想定は必ずしも常に妥当ではなく、その結果、この方法の有効性は損なわれる。「Ｓｏｕｒｃｅ  Ｏｐｔｉｍｉｚａｔｉｏｎ  ｆｏｒ  Ｉｍａｇｅ  Ｆｉｄｅｌｉｔｙ  ａｎｄ  Ｔｈｒｏｕｇｈｐｕｔ」、Ｊｏｕｒｎａｌ  ｏｆ  Ｍｉｃｒｏｌｉｔｈｏｇｒａｐｈｙ，  Ｍｉｃｒｏｆａｂｒｉｃａｔｉｏｎ，  Ｍｉｃｒｏｓｙｓｔｅｍｓ  ３（４），  ｐｐ．５０９−５２２，  （２００４）と題するＧｒａｎｉｋの論文に記載されている別の例では、幾つかの既存の放射源最適化方法が概観されており、放射源最適化の問題を一連の非負最小二乗最適化に変換するイルミネータピクセルに基づく方法が提案されている。これらの方法はある程度の成功を実証しているが、これらには通常、複数の複雑な反復が収束することが必要である。さらに、基板像の忠実度に対する放射源最適化と放射源の滑らかさ要件とのトレードオフを要するＧｒａｎｉｋの方法のγなどの幾つかの追加パラメータの適切／最適な値を定めることが困難なことがある。
【００６７】
[0088]  低ｋ1のフォトリソグラフィに対しては、放射源とパターニングデバイスの両方の最適化は、クリティカル回路パターンの投影のための実行可能なプロセスウィンドウを確実にするために有用である。幾つかのアルゴリズム（例えば、Ｓｏｃｈａ他のＰｒｏｃ．  ＳＰＩＥ  ｖｏｌ．  ５８５３，  ２００５，  ｐ．１８０）は、照明を独立した放射源ポイントに、またマスクを空間周波数領域内の回折次数に離散化させ、且つ放射源ポイント強度及びパターニングデバイスの回折次数から光学結像モデルによって予測され得る露光寛容度などのプロセスウィンドウのメトリクスに基づいて（選択された設計変数として定義される）費用関数を別途公式化する。本明細書中に使用される「設計変数」という用語は、リソグラフィ投影装置又はリソグラフィプロセスのパラメータのセット、例えば、リソグラフィ投影装置のユーザが調整できるパラメータ、又はそれらのパラメータを調整することによってユーザが調整できる像特性を含んでいる。当然ながら、放射源、パターニングデバイス、投影光学系の特性、及び／又はレジストの特性を含むリソグラフィ投影プロセスの任意の特性は最適化での設計変数に含まれ得る。費用関数は、設計変数の非線形関数であることが多い。その場合は、費用関数を最小にするために標準的な最適化技術が使用される。
【００６８】
[0089]  関連して、設計ルールが絶えず縮小化するという圧力が半導体チップメーカーを既存の１９３ｎｍＡｒＦリソグラフィと共に低ｋ1リソグラフィ時代へとより深く移行することに駆り立てている。より低いｋ1へと向かうリソグラフィは、ＲＥＴ、露光ツール、及びリソグラフィを考慮した設計の必要性への要件を厳しくしている。将来は、１．３５ＡｒＦハイパー開口数（ＮＡ）露光ツールを使用することができる。回路設計を有効なプロセスウィンドウで基板上に確実に生成できるよう支援するために、（本明細書では放射源−マスク最適化、すなわちＳＭＯと呼ぶ）放射源−パターニングデバイス最適化は２×ｎｍノードに対して重要なＲＥＴになっている。
【００６９】
[0090]  制約なく、また実現可能な時間内で費用関数を用いた放射源及びパターニングデバイスの同時最適化を可能とする放射源及びパターニングデバイス（設計レイアウト）最適化方法及びシステムは、２００９年１１月２０日に出願され、ＷＯ２０１０／０５９９５４号として公開され、参照により全体が本明細書に組み込まれる、「Ｆａｓｔ  Ｆｒｅｅｆｏｒｍ  Ｓｏｕｒｃｅ  ａｎｄ  Ｍａｓｋ  Ｃｏ−Ｏｐｔｉｍｉｚａｔｉｏｎ  Ｍｅｔｈｏｄ」と題する、同一出願人による国際特許出願ＰＣＴ／ＵＳ２００９／０６５３５９号明細書に記載されている。
【００７０】
[0091]  放射源のピクセルを調整することによる放射源の最適化を含む別の放射源及びマスク最適化方法及びシステムは、２０１０年６月１０日に出願され、米国特許出願公開第２０１０／０３１５６１４号として公開され、参照により全体が本明細書に組み込まれる、「Ｓｏｕｒｃｅ−Ｍａｓｋ  Ｏｐｔｉｍｉｚａｔｉｏｎ  ｉｎ  Ｌｉｔｈｏｇｒａｐｈｉｃ  Ａｐｐａｒａｔｕｓ」と題する、同一出願人による米国特許出願１２／８１３４５６号明細書に記載されている。
【００７１】
[0092]  リソグラフィ投影装置では、一例として、費用関数を以下のように示す。
【数１】
0006346297.tif 000002
ここで、（ｚ1，ｚ2，…ｚN）はＮ設計変数又はその値であり、ｆp（ｚ1，ｚ2，…ｚN）は、設計変数（ｚ1，ｚ2，…ｚN）の値のセットに対する評価ポイントにおける特性の実際値と所期値との間の差などの設計変数（ｚ1，ｚ2，…ｚN）の関数であってよい。ｗpはｆp（ｚ1，ｚ2，…ｚN）に関連する重み定数である。他よりクリティカルな評価ポイント又はパターンにより高いｗp値を割り当てることができる。出現回数が多いパターン及び/又は評価ポイントにもより高いｗp値を割り当てることもできる。評価ポイントの例としては、基板上のあらゆる物理的ポイント又はパターン、仮想設計レイアウト、レジスト像、空間像又はその組み合わせ上の任意のポイントが挙げられる。ｆp（ｚ1，ｚ2，…ｚN）は、設計変数（ｚ1，ｚ2，…ｚN）の関数であるＬＷＲなどの１つ以上の確率的影響の関数であってもよい。費用関数は、リソグラフィ投影装置又は基板の任意の適切な特性、例えば、焦点、ＣＤ像シフト、像歪み、像回転、確率的影響、スループット、ＬＣＤＵ又はその組み合わせであってよい。ＬＣＤＵはローカルＣＤ変動（例えば、ローカルＣＤ変動の標準偏差の３倍）である。一実施形態では、費用関数は、ＬＣＤＵ、スループット及び確率的影響を表す（すなわち、その関数である）。一実施形態では、費用関数は、ＥＰＥ、スループット及び確率的影響を表す（すなわち、その関数である）。一実施形態では、設計変数（ｚ1，ｚ2，…ｚN）は、ドーズ量、パターニングデバイスのグローバルバイアス、放射源からの照明の形状又はその組み合わせを含む。基板上の回路パターンを表すことが多いのはレジスト像であるため、費用関数は、多くの場合、レジスト像の一部の特性を表す関数を含む。例えば、このような評価ポイントのｆp（ｚ1，ｚ2，…ｚN）は、単に、レジスト像内のあるポイントからそのポイントの所期の位置までの距離（すなわち、エッジ配置誤差ＥＰＥp（ｚ1，ｚ2，…，ｚN））であってもよい。設計変数は、放射源、パターニングデバイス、投影光学系、ドーズ量、焦点などの調整可能なパラメータなどの任意の調整可能なパラメータであってもよい。投影光学系は、波面の形状と照射ビームの強度分布及び／又は位相シフトとを調整するための「波面マニピュレータ」と総称されるコンポーネントを含んでいてもよい。投影光学系は、好ましくは、パターニングデバイスの前段、瞳面付近、像面付近、焦点面付近など、リソグラフィ投影装置の光路に沿った任意の場所の波面及び強度分布を調整できる。投影光学系を用いて、リソグラフィ投影装置内の放射源、パターニングデバイス、リソグラフィ投影装置における温度変化、リソグラフィ投影装置のコンポーネントの熱膨張などによって引き起こされる波面及び強度分布のある特定の歪みを補正又は補償することができる。波面及び強度分布の調整によって、評価ポイント及び費用関数の値を変更することができる。そのような変化はモデルからシミュレーションでき、又は実際に測定可能である。当然ながら、ＣＦ（ｚ1，ｚ2，…，ｚN）は式１の形態に限定されない。ＣＦ（ｚ1，ｚ2，…，ｚN）はその他の任意の形態であってもよい。
【００７２】
[0093]  ｆp（ｚ1，ｚ2，…，ｚN）の正規重み付き二乗平均平方根（ＲＭＳ）は
【数２】
0006346297.tif 000003
と定義されるので、ｆp（ｚ1，ｚ2，…，ｚN）の重み付きＲＭＳの最小化は式１で定義された費用関数
【数３】
0006346297.tif 000004
の最小化と等価であることに留意されたい。したがって、ｆp（ｚ1，ｚ2，…，ｚN）の重み付きＲＭＳと式１は本明細書内で表記上の簡便性のために入れ替え可能に使用することができる。
【００７３】
[0094]  さらに、ＰＷ（プロセスウィンドウ）の最大化を考慮する場合、異なるＰＷ条件下での同じ物理的な場所を（式１）の費用関数内の異なる評価ポイントとして考慮することができる。例えば、Ｎ個のＰＷ条件を考慮する場合、それらのＰＷ条件に従って評価ポイントを分類し、以下のように費用関数を記述することができる。
【数４】
0006346297.tif 000005
上記の式では、ｆPu（ｚ1，ｚ2，…，ｚN）は、ｕ番目のＰＷ条件ｕ＝１，…，Ｕの下でのｆp（ｚ1，ｚ2，…，ｚN）の値である。ｆp（ｚ1，ｚ2，…，ｚN）がＥＰＥの場合、上記の費用関数の最小化は様々なＰＷ条件下のエッジシフトの最小化と等価であり、したがって、ＰＷを最大化させる結果となる。特に、またＰＷが異なるマスクバイアスからなる場合、上記の費用関数の最小化は、基板ＥＰＥと誘発されたマスクエッジバイアスとの比率として定義されるＭＥＥＦ（マスク誤差増大係数）の最小化も含む。
【００７４】
[0095]  設計変数は、
【数５】
0006346297.tif 000006
で表すことができる制約を有し得る。ここで、Ｚは設計変数の可能な値のセットである。設計変数の１つの可能な制約は、リソグラフィ投影装置の所望のスループットによって課すことができる。所望のスループットの下限はドーズ量の上限へと繋がり、したがって、確率的影響に対して影響を与える（例えば、確率的影響の下限を課すなど）。短い露光時間及び/又は低いドーズ量は一般に高いスループット、大きい確率的影響へと繋がる。基板スループットと確率的影響の最小化を考慮すると、設計変数の可能な値が制約される。何故なら、確率的影響は設計変数の関数であるからである。所望のスループットによって課されるそのような制約がなければ、最適化によって非現実的な設計変数の値のセットが得られる。例えば、設計変数にドーズ量が含まれる場合、そのような制約がなければ、最適化はスループットを経済的に不可能とするようなドーズ量の値を生むことがある。しかしながら、制約の有用性は必須と解釈すべきではない。スループットは瞳充填率によって影響され得る。一部のイルミネータ設計に対しては、低い瞳充填率は光を捨てて、低いスループットへと繋がり得る。スループットは、レジスト化学的性質によっても影響され得る。遅いレジスト（例えば、多量の光が適切に露光されることを必要とするレジスト）は低いスループットへと繋がる。
【００７５】
[0096]  したがって、最適化プロセスは、費用関数を最小化する制約
【数６】
0006346297.tif 000007
の下での設計変数の値のセットを見出すことであり、すなわち、
【数７】
0006346297.tif 000008
を見出すことである。ある実施形態によるリソグラフィ投影装置を最適化する一般的な方法が図９に示されている。この方法は、複数の設計変数の多変数費用関数を定義するステップ３０２を含む。設計変数は、照明源の特性（３００Ａ）（例えば、瞳充填率、すなわち、瞳又はアパーチャを通過する放射源の放射線のパーセンテージ、瞳プロファイル、すなわち、瞳面上の空間的強度分布）、投影光学系の特性（３００Ｂ）及び設計レイアウトの特性（３００Ｃ）から選択した任意の好適な組み合わせを含んでいてもよい。例えば、設計変数は、照明源の特性（３００Ａ）及び設計レイアウトの特性（３００Ｃ）（例えば、グローバルバイアス）を含むが、投影光学系の特性（３００Ｂ）を含まなくてもよく、これによって、ＳＭＯへと繋がる。あるいは、設計変数は、照明源の特性（３００Ａ）、投影光学系の特性（３００Ｂ）及び設計レイアウトの特性（３００Ｃ）を含んでいてもよく、これによって、放射源−マスク−レンズ最適化（ＳＭＬＯ）へと繋がる。ステップ３０４では、費用関数が収束するように設計変数が同時に調整される。ステップ３０６では、予め定義された終了条件が満たされたか否かが決定される。所定の終了条件は様々な可能性を含むことができる。すなわち、使用する数値的手法の要求に応じて費用関数を最小化又は最大化することができ、費用関数の値がしきい値に等しくなったか又はしきい値を超えた、費用関数の値が予め設定された誤差限界内に到達した、又は予め設定された反復回数に到達したことを含むことができる。ステップ３０６の条件のいずれかが満たされる場合、この方法は終了する。ステップ３０６の条件のいずれも満たされない場合、所望の結果が得られるまで、ステップ３０４及び３０６が繰り返される。瞳充填率、レジスト化学的性質、スループットなどの要因によって引き起こされる物理的制限があり得るため、最適化は必ずしも設計変数に対する単一の値セットとなるとは限らない。最適化は、設計変数及び関連する性能特性（例えば、スループット）に対する多数の値セットを提供することができ、リソグラフィ装置のユーザが１つ以上のセットを選ぶことを可能にする。図１８は、レジスト化学的性質（レジストを露光するために必要なドーズ量によって表され得る）、瞳充填率及びマスクバイアスに対する、水平軸のスループット（一時間当たりのウェーハ数の単位）及び垂直軸の確率的影響の測定値（例えば、ワーストコーナＣＤＵ及びＬＥＲの平均）の幾つかの関係を示している。トレース１８１１は、これらの関係を１００％瞳充填率及び速いレジストで示している。トレース１８１２は、これらの関係を１００％瞳充填率及び遅いレジストで示している。トレース１８２１は、これらの関係を６０％瞳充填率及び速いレジストで示している。トレース１８２２は、これらの関係を６０％瞳充填率及び遅いレジストで示している。トレース１８３１は、これらの関係を２９％瞳充填率及び速いレジストで示している。トレース１８３２は、これらの関係を２９％瞳充填率及び遅いレジストで示している。最適化は、ユーザが自身の確率的影響及び/又はスループットの特定の要件に基づいて瞳率及びレジスト化学的性質を選択できるようにこれら全ての��能性をユーザに示してよい。最適化は、スループットと瞳充填率、レジスト化学的性質及びマスクバイアスとの関係を計算することをさらに含んでよい。最適化は、確率的影響の測定値と瞳充填率、レジスト化学的性質及びマスクバイアスとの関係を計算することをさらに含んでよい。ある実施形態によると、図１９のフローチャートにも概略的に示されているように、最適化は、設計変数の各値セットの下で行われてよい（例えば、グローバルバイアス及びマスクアンカーバイアスの値のアレイ、マトリックス、リスト）（ステップ１９１０）。最適化の費用関数は、好ましくは、確率的影響の１つ以上の測定値（例えば、ＬＣＤＵ）の関数である。次いで、ステップ１９２０では、プロセス、空間像及び/又はレジスト像の様々な特性（例えば、ＣＤＵ、ＤＯＦ、ＥＬ、ＭＥＥＦ、ＬＣＤＵ、スループット等）は、設計変数の各値セットに対する最適化のユーザに示される（例えば、３Ｄプロットで）。任意のステップ１９３０では、ユーザは自身の所望の特性に基づいて設計変数の値セットを選択する。フローはＸＭＬファイルを介して実施することができる。
【００７６】
[0097]  リソグラフィ投影装置では、放射源、パターニングデバイス及び投影光学系を選択的に最適化でき（選択的最適化と呼ばれる）、又は同時に最適化できる（同時最適化と呼ばれる）。本明細書で使用する「同時」、「同時に」「共同」、「共同で」という用語は、放射源、パターニングデバイス、投影光学系の特性の設計変数及び／又はその他の任意の設計変数が同時に変化してもよいということを意味する。本明細書で使用する「選択的」及び「選択的に」という用語は、設計変数のすべてが同時に変化することはできないということを意味する。
【００７７】
[0098]  図９では、すべての設計変数の最適化が同時に実行される。そのようなフローを同時フロー又は同時最適化フローと呼んでもよい。あるいは、図１０に示すように、すべての設計変数の最適化が選択的に実行される。このフローでは、各ステップにおいて、幾つかの設計変数が固定される一方、他の設計変数が最適化されて費用関数が最小化される。その後次のステップにおいて、別の変数のセットが固定される一方、他の変数が最適化されて費用関数が最小化される。これらのステップは、収束又は特定の終了条件が満たされるまで選択的に実行される。図１０の非限定的な例示的フローチャートに示すように、最初に設計レイアウト（ステップ４０２）が得られ、次いで、ステップ４０４で放射源最適化ステップが実行されて、照明源の全ての設計変数が最適化され（ＳＯ）、費用関数が最小化される一方、その他すべての設計変数は固定される。その後次のステップ４０６において、マスク最適化（ＭＯ）が実行され、パターニングデバイスの全ての設計変数が最適化されて費用関数が最小化される一方、その他全ての設計変数は固定される。ステップ４０８で特定の終了条件が満たされるまで、これらの２つのステップは選択的に実行される。費用関数の値がしきい値に等しくなること、費用関数の値がしきい値を超えること、費用関数の値が予め設定された誤差限界内に到達すること、又は予め設定された反復回数に到達することなどの様々な終了条件を使用できる。ＳＯ−ＭＯ−選択的最適化は選択的フローの一例として使用されることに留意されたい。選択的フローは、ＳＯ、ＬＯ（レンズ最適化）を実行し、次にＭＯを選択的且つ反復して実行するＳＯ−ＬＯ−ＭＯ−選択的最適化、又は最初にＳＭＯを１回実行し、次いでＬＯ及びＭＯを選択的且つ反復して実行する、などの様々な異なる形態をとることができる。最後に、最適化の結果の出力がステップ４１０で得られ、プロセスは停止する。
【００７８】
[0099]  上記のパターン選択アルゴニズムを同時又は選択的最適化に統合することができる。例えば、選択的最適化を採用する時には、最初にフルチップＳＯを実行し、「ホットスポット」及び／又は「ウォームスポット」を識別し、次いで、ＭＯを実行する。本開示の場合、所望の最適化の結果を得るために、部分最適化の多数の入れ替え及び組み合わせが可能である。
【００７９】
[00100]  図１１Ａは、費用関数が最小化される一例示的な最適化方法を示している。ステップＳ５０２では、調整範囲を含む（ある場合）設計変数の初期値が得られる。ステップＳ５０４では、多変数費用関数が設定される。ステップＳ５０６では、費用関数は第１反復ステップ（ｉ＝０）のために設計変数の開始点値の十分小さい近傍内で展開される。ステップＳ５０８では、標準の多変数最適化技術が費用関数を最小化するために適用される。最適化問題は、Ｓ５０８の最適化プロセス中又は最適化プロセスの後半に調整範囲などの制約を適用し得ることに留意されたい。ステップＳ５２０では、リソグラフィプロセスを最適化するために選択された特定の評価ポイントのための所与のテストパターン（「ゲージ」としても知られている）に対して各反復が行われることを示している。ステップＳ５１０では、リソグラフィ応答が予測される。ステップＳ５１２では、ステップＳ５１０の結果がステップＳ５２２で得られた所望又は理想のリソグラフィ応答値と比較される。終了条件がステップＳ５１４で満たされた場合、すなわち、最適化が所望の値に十分に近いリソグラフィ応答値を生成した場合、設計変数の最終値はステップＳ５１８で出力される。出力ステップは、設計変数の最終値を用いて他の関数を出力すること、例えば、瞳面（又は他の平面）での波面収差調整マップ、最適化された放射源マップ及び最適化された設計レイアウト等を出力することを含んでもよい。終了条件が満たされない場合、ステップＳ５１６において、設計変数の値がｉ番目の反復結果で更新され、プロセスはステップＳ５０６に戻る。図１１Ａのプロセスについては、以下に詳細に述べる。
【００８０】
[00101]  例示的な最適化プロセスでは、リソグラフィ投影装置では通常有効である、ｆp（ｚ1，ｚ2，…，ｚN）が十分に滑らかである（例えば、一次の導関数
【数８】
0006346297.tif 000009
が存在する場合）ことを除いて、設計変数（ｚ1，ｚ2，…，ｚN）とｆp（ｚ1，ｚ2，…，ｚN）との間の関係は想定又は近似されない。ガウス・ニュートンアルゴリズム、レーベンバーグ・マーカートアルゴリズム、勾配降下アルゴリズム、シミュレーションアニール、遺伝的アルゴリズムなどのアルゴリズムを適用して
【数９】
0006346297.tif 000010
を見出すことができる。
【００８１】
[00102]  ここで、ガウス・ニュートンアルゴリズムを一例として用いる。ガウス・ニュートンアルゴリズムは、一般の非線形多変数最適化問題に適用可能な反復方法である。設計変数（ｚ1，ｚ2，…，ｚN）が（ｚ1i，ｚ2i，…，ｚNi）の値をとるｉ番目の反復では、ガウス・ニュートンアルゴリズムは（ｚ1i，ｚ2i，…，ｚNi）付近のｆp（ｚ1，ｚ2，…，ｚN）を線形化し、その後ＣＦ（ｚ1，ｚ2，…，ｚN）の最小値を与える（ｚ1i，ｚ2i，…，ｚNi）付近の値（ｚ1(i+1)，ｚ2(i+1)，…，ｚN(i+1)）を計算する。設計変数（ｚ1，ｚ2，…，ｚN）は（ｉ＋１）番目の反復で（ｚ1(i+1)，ｚ2(i+1)，…，ｚN(i+1)）の値をとる。この反復は収束（すなわち、ＣＦ（ｚ1，ｚ2，…，ｚN）がこれ以上減らない）まで又は予め設定された反復回数に到達するまで続く。
【００８２】
[00103]  具体的には、ｉ番目の反復では、（ｚ1i，ｚ2i，…，ｚNi）の付近では、以下のとおりである。
【数１０】
0006346297.tif 000011
【００８３】
[00104]  式３の近似の下では、費用関数は以下となり
【数１１】
0006346297.tif 000012
これは設計変数（ｚ1，ｚ2，…，ｚN）の二次関数である。設計変数（ｚ1，ｚ2，…，ｚN）を除いては全ての項は定数である。
【００８４】
[00105]  設計変数（ｚ1，ｚ2，…，ｚN）がいかなる制約の下にない場合、以下のＮ線形方程式
【数１２】
0006346297.tif 000013
（ｎ＝１，２，…Ｎ）で解くことによって（ｚ1(i+1)，ｚ2(i+1)，…，ｚN(i+1)）を得ることができる。
【００８５】
[00106]  設計変数（ｚ1，ｚ2，…，ｚN）がＪ不等式（例えば、（ｚ1，ｚ2，…，ｚN）の調整範囲）
【数１３】
0006346297.tif 000014
（ｊ＝１，２，…，Ｊ）及びＫ等式（例えば、設計変数間の相互依存）
【数１４】
0006346297.tif 000015
（ｋ＝１，２，…Ｋ）の形式の制約の下にある場合、最適化プロセスは典型的な二次のプログラミング問題となり、ここではＡnj，Ｂj，Ｃnk，Ｄkは定数である。さらなる制約を各反復に対して課してもよい。例えば、式３の近似が成立するように「減衰係数」ΔＤを導入して（ｚ1(i+1)，ｚ2(i+1)，…，ｚN(i+1)）と（ｚ1i，ｚ2i，…，ｚNi）との間の差を制限することもできる。そのような制約をｚni−ΔD≦ｚn≦ｚni＋ΔDとして表すことができる。（ｚ1(i+1)，ｚ2(i+1)，…，ｚN(i+1)）は、例えば、Ｊｏｒｇｅ  ＮｏｃｅｄａｌとＳｔｅｐｈｅｎ  Ｊ．Ｗｒｉｇｈｔ（Ｂｅｒｌｉｎ  Ｎｅｗ  Ｙｏｒｋ：  Ｖａｎｄｅｎｂｅｒｇｈｅ，  Ｃａｍｂｒｉｄｇｅ  Ｕｎｉｖｅｒｓｉｔｙ  Ｐｒｅｓｓ）による数値的最適化（Ｎｕｍｅｒｉｃａｌ  Ｏｐｔｉｍｉｚａｔｉｏｎ）(第２版)に記載の方法を用いて得ることができる。
【００８６】
[00107]  ｆp（ｚ1，ｚ2，…，ｚN）のＲＭＳを最小化する代わりに、最適化プロセスは評価ポイントの中の最大偏差（最悪欠陥）の大きさを意図する値に最小化することができる。このアプローチでは、費用関数を
【数１５】
0006346297.tif 000016
として代替的に表すことができ、ここではＣＬpはｆp（ｚ1，ｚ2，…，ｚN）に対する最大許容値である。この費用関数は評価ポイントの中の最悪欠陥を表す。この費用関数を用いる最適化は最悪欠陥の大きさを最小化する。この最適化に対して反復的欲張りアルゴリズムを用いることができる。
【００８７】
[00108]  式５の費用関数を
【数１６】
0006346297.tif 000017
のように近似することができる。ここでｑは少なくとも４、好ましくは少なくとも１０のような偶数の正の整数である。式６は式５の挙動を真似る一方、最適化を分析的に実行させ、最深降下法、共役勾配法等の方法を用いて加速させる。
【００８８】
[00109]  最悪欠陥サイズの最小化はｆp（ｚ1，ｚ2，…，ｚN）の線形化と組み合わせることもできる。具体的には、ｆp（ｚ1，ｚ2，…，ｚN）は式３のように近似される。そして最悪欠陥サイズに対する制約は不等式ＥLp≦ｆp（ｚ1，ｚ2，…，ｚN）≦ＥUpとして書かれ、ここでＥLp及びＥUpはｆp（ｚ1，ｚ2，…，ｚN）に対する最小及び最大許容偏差を特定する２つの定数である。式３を代入して、これらの制約はｐ＝１，…Ｐに対して
【数１７】
0006346297.tif 000018
及び
【数１８】
0006346297.tif 000019
に変換される。
【００８９】
[00110]  式３は（ｚ1，ｚ2，…，ｚN）付近でのみ通常有功であるため、不等式の中のあらゆる矛盾によって決定され得る所望の制約ＥLP≦ｆp（ｚ1，ｚ2，…，ｚN）≦ＥUpがそのような付近で達成することができない場合、定数ＥLP及びＥUPは制約が達成可能となるまで緩和されていてよい。この最適化プロセスは（ｚ1，ｚ2，…，ｚN）ｉ付近の最悪欠陥サイズを最小化する。その後各ステップは最悪欠陥サイズを徐々に縮小し、各ステップは特定の終了条件が満たされるまで繰り返し実行される。これは最悪欠陥サイズの最適縮小へと繋がる。
【００９０】
[00111]  最悪欠陥を最小化する別の方法は、各反復において重さｗpを調整することである。例えば、ｉ番目の反復の後、ｒ番目の評価ポイントが最悪欠陥である場合、ｗrはその評価ポイントの欠陥サイズの縮小により高い優先度が与えられるように（ｉ＋１）番目の反復で大きくすることができる。
【００９１】
[00112]  さらに、式４及び式５における費用関数はラグランジュ未定乗数を導入して欠陥サイズのＲＭＳに対する最適化と最悪欠陥サイズに対する最適化との間に妥協を成立することによって修正することができる。すなわち、
【数１９】
0006346297.tif 000020
。
ここで、λは欠陥サイズのＲＭＳに対する最適化と最悪欠陥サイズに対する最適化との間のトレードオフを特定する予め定められた定数である。特に、λ＝０の場合、これは式４となり欠陥サイズのＲＭＳは最小化されるだけである。その一方、λ＝１の場合、これは式５となり最悪欠陥サイズは最小化されるだけである。０＜λ＜１の場合、両方が最適化に考慮される。このような最適化は多数の方法を用いて解くことができる。例えば、前述したもののように、各反復における重み付けを調整してもよい。あるいは、不等式からの最悪欠陥サイズの最小化と同様に、式６’及び６’’の不等式は、二次のプログラミング問題の解決中に設計変数の制約として見なすことかできる。その後、最悪欠陥サイズに対する限界を徐々に緩和させることができるか、又は最悪欠陥サイズに対する重みを徐々に増加させ、全ての達成可能な最悪欠陥サイズに対する費用関数値を計算し、総費用関数を最小化する設計変数を次のステップに対する初期ポイントとして選択する。これを反復的に行うことで、この新しい費用関数の最小化を達成することができる。
【００９２】
[00113]  リソグラフィ投影装置の最適化はプロセスウィンドウを拡大させることができる。より大きいプロセスウィンドウは、プロセス設計及びチップ設計においてさらなる柔軟性を与える。プロセスウィンドウは、レジスト像がレジスト像の設計ターゲットの特定の制限内にある焦点及びドーズ値のセットとして定義することができる。ここで述べる全ての方法を、露光ドーズ及び焦点はずれに加えて異なる又はさらなるベースパラメータによって確立することができる一般化されたプロセスウィンドウの定義にまで広げてもよいことに留意されたい。これらはＮＡ、シグマ、収差、偏光等の光学設定又はレジスト層の光学定数を含むが、これらに限定されない。例えば、前述したように、ＰＷが異なるマスクバイアスも含む場合、最適化は、基板ＥＰＥと誘導マスクエッジバイアスとの比率として定義されるＭＥＥＦ（マスク誤差増大係数）の最小化を含む。焦点及びドーズ値に対して定義されたプロセスウィンドウはこの開示において一例としてのみ機能する。ある実施形態によるプロセスウィンドウを最大化する方法は以下に説明する。
【００９３】
[00114]  第１ステップでは、プロセスウィンドウにおける既知の条件（ｆ0，ε0）（ここで、ｆ0は公称焦点でありε0は公称ドーズ量である）から開始して、（ｆ0±Δｆ，ε0±ε）付近で以下の費用関数のうちの１つを最小化する。
【数２０】
0006346297.tif 000021
又は
【数２１】
0006346297.tif 000022
又は
【数２２】
0006346297.tif 000023
【００９４】
[00115]  公称焦点ｆ0及び公称ドーズ量ε0のシフトが可能となった場合、これらは設計変数（ｚ1，ｚ2，…，ｚN）と共同で最適化されてよい。次のステップでは、費用関数が予め定められた限界内にあるように（ｚ1，ｚ2，…，ｚN，ｆ，ε）の値のセットが見出された場合、（ｆ0±Δｆ，ε0±ε）はプロセスウィンドウの一部として認められる。
【００９５】
[00116]  あるいは、焦点及びドーズ量のシフトが可能とならない場合、設計変数（ｚ1，ｚ2，…，ｚN）は、焦点及びドーズ量が公称焦点ｆ0及び公称ドーズ量ε0で固定されて最適化される。別の実施形態では、費用関数が予め定められた限界内にあるように（ｚ1，ｚ2，…，ｚN）の値のセットが見出された場合、（ｆ0±Δｆ，ε0±ε）はプロセスウィンドウの一部として認められる。
【００９６】
[00117]  本開示で前述した方法を用いて式２７、式２７’又は式２７’’のそれぞれの費用関数を最適化することができる。設計変数がゼルニケ係数などの投影光学系の特性であった場合、式２７、式２７’又は式２７’’の費用関数の最小化は投影光学最適化（すなわち、ＬＯ）に基づくプロセスウィンドウ最大化へと繋がる。投影光学系の特性に加えて設計変数が放射源及びパターニングデバイスの特性であった場合、図９に示すように、式２７、式２７’又は式２７’’の費用関数の最小化はＳＭＬＯに基づくプロセスウィンドウ最大化へと繋がる。設計変数が放射源及びパターニングデバイスの特性であった場合、式２７、式２７’又は式２７’’の費用関数の最小化はＳＭＯに基づくプロセスウィンドウ最大化へと繋がる。式２７、式２７’又は式２７’’の費用関数は、ＬＷＲ又は２ＤフィーチャのローカルＣＤ変動などの１つ以上の確率的影響及びスループットの関数である、式７又は式８にあるような少なくとも１つのｆp（ｚ1，ｚ2，…，ｚN）を含んでもよい。
【００９７】
[00118]  図１２は、同時のＳＭＬＯプロセスがどのように最適化のためにガウス・ニュートンアルゴリズムを使用することができるかの１つの特定の例を示している。ステップＳ７０２では、設計変数の開始値が識別される。各変数に対する調整範囲も識別することができる。ステップＳ７０４では、設計変数を用いて費用関数が定義される。ステップＳ７０６では、費用関数は設計レイアウト内の全ての評価ポイントに対する開始値の周りで展開される。任意のステップＳ７１０では、フルチップ設計レイアウト内の全てのクリティカルパターンを網羅するためにフルチップシミュレーションが実行される。所望のリソグラフィ応答メトリック（例えばＣＤ又はＥＰＥ）がステップＳ７１４で得られ、ステップＳ７１２における量の予測値と比較される。ステップＳ７１６では、プロセスウィンドウが決定される。ステップＳ７１８、Ｓ７２０及びＳ７２２は、図１１Ａに関して説明した対応するステップＳ５１４、Ｓ５１６及びＳ５１８と類似している。前述したように、最終出力は、所望の結像性能を生成するように最適化された瞳面における波面収差マップであってよい。最終出力は最適化された放射源マップ及び/又は最適化された設計レイアウトであってもよい。
【００９８】
[00119]  図１１Ｂは、設計変数（ｚ1、ｚ2…、ｚN）が離散値のみを想定し得る設計変数を含む費用関数を最適化する例示的方法を示している。
【００９９】
[00120]  方法は、照明源のピクセルグループ及びパターニングデバイスのパターニングデバイスタイルを定義することによって開始する（ステップ８０２）。一般に、ピクセルグループ又はパターニングデバイスタイルをリソグラフィプロセスコンポーネントの区分と呼ぶこともできる。一例示的アプローチでは、実質的に上記したように、照明源は１１７個のピクセルグループに分けられ、９４個のパターニングデバイスタイルがパターニングデバイスに対して定義され、合計２１１個の区分となる。
【０１００】
[00121]  ステップ８０４では、リソグラフィモデルがフォトリソグラフィシミュレーションの基礎として選択される。フォトリソグラフィシミュレーションは、フォトリソグラフィメトリックの計算又は応答に使用される結果を生み出す。特定のフォトリソグラフィメトリックは、最適化される性能メトリックとして定義される（ステップ８０６）。ステップ８０８では、照明源及びパターニングデバイスに対する初期（最適化前の）条件が設定される。初期条件は、初期の照明形状及び初期のパターニングデバイスパターンが参照できるように照明源のピクセルグループ及びパターニングデバイスのパターニングデバイスタイルに対する初期状態を含む。初期条件は、マスクバイアス、ＮＡ及び焦点ランプ範囲も含んでよい。ステップ８０２、８０４、８０６及び８０８は連続するステップとして示されているが、本発明の他の実施形態から分かるように、これらのステップは他のシーケンスで行われてもよい。
【０１０１】
[00122]  ステップ８１０では、ピクセルグループ及びパターニングデバイスタイルがランキングされる。ピクセルグループ及びパターニングデバイスタイルはランキングでインターリーブされてもよい。様々な方法のランキングが採用されてよく、この方法としては、連続的（例えば、ピクセルグループ１からピクセルグループ１１７及びパターニングデバイスタイル１からパターニングデバイスタイル９４）、無作為に、ピクセルグループ及びパターニングデバイスタイルの物理的配置に従って（例えば、照明源の中心により近いピクセルグループを高くランキングする）、及びピクセルグループ又はパターニングデバイスタイルの変更がどのように性能メトリックを影響するかに従ってなどが挙げられる。
【０１０２】
[00123]  ピクセルグループ及びパターニングデバイスタイルが一度ランキングされると、照明源及びパターニングデバイスは性能メトリックを改善させるように調整される（ステップ８１２）。ステップ８１２では、ピクセルグループ又はパターニングデバイスタイルの変更が改善した性能メトリックという結果となるか否かを決定するために、各々のピクセルグループ及びパターニングデバイスタイルがランキングの順番に分析される。性能メトリックが改善される決定された場合、ピクセルグループ又はパターニングデバイスタイルは状況に応じて変更され、結果の改善した性能メトリック及び修正された照明形状又は修正されたパターニングデバイスパターンは、ランクの低いピクセルグループ及びパターニングデバイスタイルの後続の分析に対する比較のための基準線を形成する。言い換えると、性能メトリックを改善する変更は保持される。ピクセルグループ及びパターニングデバイスタイルの状態に対する変更が行われて保持されるので、初期の照明形状及び初期のパターニングデバイスパターンは状況に応じて変化し、それにより、修正された照明形状及び修正されたパターニングデバイスパターンがステップ８１２における最適化プロセスから生じる。
【０１０３】
[00124]  他のアプローチでは、パターニングデバイス多角形形状調整及びピクセルグループ及び/又はパターニングデバイスタイルの対ポーリングも８１２の最適化プロセス内で行われる。
【０１０４】
[00125]  別の実施形態では、インターリーブ同時最適化手順は、照明源のピクセルグループの変更するために含まれてよく、性能メトリックの改善が発見された場合、ドーズ量がステップアップ及びダウンされてさらなる改善を見つけ出す。さらなる別の実施形態では、ドーズ量又は強度のステップアップ及びダウンは、パターニングデバイスパターンのバイアス変化によって置き換えられて同時最適化手順におけるさらなる改善を見出すことができる。
【０１０５】
[00126]  ステップ８１４では、性能メトリックが収束したか否かの決定がなされる。例えば、ステップ８１０及びステップ８１２の幾つかの最近の反復で性能メトリックに対する改善があまりないか又は全くないことが立証されると、性能メトリックは収束したとみなされてよい。性能メトリックが収束していない場合、ステップ８１０及びステップ８１２は次の反復で繰り返され、ここでは、現行の反復からの修正された照明形状及び修正されたパターニングデバイスが次の反復のために初期の照明形状及び初期のパターニングデバイスとして使用される（ステップ８１６）。
【０１０６】
[00127]  上記の最適化方法を用いてリソグラフィ投影装置のスループットを増加させることができる。例えば、費用関数は、露光時間の関数であるｆp（ｚ1，ｚ2，…ｚN）を含んでよい。そのような費用関数の最適化は、確率的影響の測定値又は他のメトリックによって制約又は影響されることを好ましい。特に、リソグラフィプロセスのスループットを増加させるためのコンピュータによる実施方法は、露光時間を最小にするためにリソグラフィプロセスの１つ以上の確率的影響の関数及び基板の露光時間の関数である費用関数を最適化することを含んでよい。
【０１０７】
[00128]  一実施形態では、費用関数は１つ以上の確率的影響の関数である少なくとも１つのｆp（ｚ1，ｚ2，…ｚN）を含む。確率的影響は、ＬＷＲ又は２ＤフィーチャのローカルＣＤ変動を含んでよい。一実施形態では、確率的影響は、空間像又はレジスト像の特性の確率的変動を含む。例えば、このような確率的変動は、ラインエッジラフネス（ＬＥＲ）、ライン幅ラフネス（ＬＷＲ）及びローカルクリティカルディメンション均一性（ＬＣＤＵ）を含んでよい。確率的変動を費用関数に含むことは、確率的変動を最小にする設計変数の値を見出すことを可能にし、それによって確率的影響による欠陥のリスクを減少させる。
【０１０８】
[00129]  図１３は、本明細書中に開示した最適化方法及びフローを実施することに役立つことができるコンピュータシステム１００を示すブロック図である。コンピュータシステム１００は、バス１０２又は情報を通信するための他の通信機構、及び情報を処理するためにバス１０２に連結されたプロセッサ１０４（又は複数のプロセッサ１０４及び１０５）を含む。コンピュータシステム１００は、プロセッサ１０４によって実行される情報及び命令を格納するためにバス１０２に連結された、ランダムアクセスメモリ（ＲＡＭ）又は他のダイナミックストレージデバイスなどのメインメモリ１０６も含む。メインメモリ１０６は、プロセッサ１０４によって実行されるべき命令の実行中に一時的な変数又は他の中間情報を保存するために使用することもできる。コンピュータシステム１００は、読み出し専用メモリ（ＲＯＭ）１０８又はプロセッサ１０４のための静的情報及び命令を保存するためにバス１０２に連結された他の静的ストレージデバイスをさらに含む。磁気ディスク又は光ディスクなどのストレージデバイス１１０が提供され、情報及び命令を保存するためにバス１０２に連結される。
【０１０９】
[00130]  コンピュータシステム１００は、バス１０２を介してディスプレイ１１２、例えば、陰極線管（ＣＲＴ）又は情報をコンピュータユーザに表示するためのフラットパネル又はタッチパネルディスプレイに連結されてよい。英数字及び他のキーを含む入力デバイス１１４は、情報及びコマンド選択をプロセッサ１０４に通信するためにバス１０２に連結される。他のタイプのユーザ入力デバイスとしては、マウス、トラックボールなどのカーソル制御１１６、又は方向情報及びコマンド選択をプロセッサ１０４に通信するため及びディスプレイ１１２上のカーソル移動を制御するためのカーソル方向キーが挙げられる。この入力デバイスは、通常、第１軸（例えば、ｘ）と第２軸（例えば、ｙ）の２軸で自由度２を有し、これによってデバイスは平面内の位置を指定することができる。入力デバイスとしてタッチパネル（画面）ディスプレイも使用することができる。
【０１１０】
[00131]  一実施形態によると、最適化プロセスの一部は、プロセッサ１０４がメインメモリ１０６に含まれた１つ以上の命令の１つ以上のシーケンスを実行することに応答して、コンピュータシステム１００によって行われてよい。そのような命令は、ストレージデバイス１１０などの他のコンピュータ読取可能媒体からメインメモリ１０６内に読み込まれてよい。メインメモリ１０６に含まれた命令のシーケンスの実行は、プロセッサ１０４に本明細書中に記載のプロセスステップを実行させる。マルチ処理装置における１つ以上のプロセッサを用いてメインメモリ１０６に含まれた命令のシーケンスを実行してもよい。別の実施形態では、ソフトウェア命令の代わりに又はそれと組み合わせてハードワイヤード回路を用いてもよい。したがって、本明細書中の記載は、ハードウェア回路及びソフトウェアのどの特定の組み合わせにも限定されない。
【０１１１】
[00132]  本明細書中で使用される「コンピュータ読取可能媒体」という用語は、実行のためにプロセッサ１０４に命令を提供することに関与するあらゆる媒体を指す。そのような媒体は、不揮発性媒体、揮発性媒体及び伝送媒体を含むがこれらに限定されない多数の形態を有し得る。不揮発性媒体としては、例えば、ストレージデバイス１１０などの光又は磁気ディスクが挙げられる。揮発性媒体は、メインメモリ１０６などの動的メモリを含む。伝送媒体は、バス１０２を構成するワイヤを含む同軸ケーブル、銅線及び光ファイバを含む。伝送媒体は、音響又は光波の形態、例えば無線周波数（ＲＦ）及び赤外線（ＩＲ）データ通信中に生成される形態を有することもできる。コンピュータ読取可能媒体の一般的な形態としては、例えば、フロッピーディスク、フレキシブルディスク、ハードディスク、磁気テープ、任意の他の磁気媒体、ＣＤ−ＲＯＭ、ＤＶＤ、任意の他の光媒体、パンチカード、紙テープ、ホールパターンを有する他の物理媒体、ＲＡＭ、ＰＲＯＭ、ＥＰＲＯＭ、ＦＬＡＳＨ−ＥＰＲＯＭ、任意の他のメモリチップ又はカートリッジ、以下に説明する搬送波又はコンピュータが読み取ることができる任意の他の媒体が挙げられる。
【０１１２】
[00133]  様々な形態のコンピュータ読取可能媒体が、実行のために１つ以上の命令の１つ以上のシーケンスをプロセッサ１０４に搬送することに関与し得る。例えば、命令は、最初にリモートコンピュータの磁気ディスクに保存されていてもよい。リモートコンピュータは、命令をその動的メモリにロードし、モデムを用いて電話回線上で命令を送信することができる。コンピュータシステム１００にローカルなモデムは、電話線上のデータを受け取ってデータを赤外線信号に変換するために赤外線送信器を用いることができる。バス１０２に連結された赤外線検出器は、赤外線信号に運ばれたデータを受け取り、データをバス１０２上に置くことができる。バス１０２は、データをメインメモリ１０６へと運び、そこからプロセッサ１０４は命令を取り出して実行する。メインメモリ１０６によって受け取られた命令は、プロセッサ１０４による実行前又は実行後に任意的にストレージデバイス１１０に格納される。
【０１１３】
[00134]  コンピュータシステム１００は、バス１０２に連結された通信インターフェースを含むことが好ましい。通信インターフェース１１８は、ローカルネットワーク１２２に接続されたネットワークリンク１２０への双方向データ通信を提供する。例えば、通信インターフェース１１８は、対応するタイプの電話回線にデータ通信接続を提供する統合デジタルサービス通信網（ＩＳＤＮ）カード又はモデムであってもよい。別の例として、通信インターフェース１１８は、互換ＬＡＮにデータ通信接続を提供するローカルエリアネットワーク（ＬＡＮ）カードであってもよい。無線リンクを実施することもできる。そのような任意の実施態様で、通信インターフェース１１８は、様々なタイプの情報を表すデジタルデータストリームを搬送する電気信号、電磁信号又は光信号を送受信する。
【０１１４】
[00135]  ネットワークリンク１２０は、一般的に、データ通信を１つ以上のネットワークを通じて他のデータデバイスに提供する。例えば、ネットワークリンク１２０は、ローカルネットワーク１２２を通じてインターネットサービスプロバイダ（ＩＳＰ）１２６が運用するホストコンピュータ１２４又はデータ装置に接続を提供することができる。次に、ＩＳＰ１２６は、現在一般に「インターネット」１２８と呼ばれるワールドワイドパケットデータ通信ネットワークを通じてデータ通信サービスを提供する。ローカルネットワーク１２２とインターネット１２８は共に、デジタルデータストリームを搬送する電気信号、電磁信号又は光信号を使用する。デジタルデータをコンピュータシステム１００から又はそこから搬送する様々なネットワークを介した信号及びネットワークリンク１２０上の信号及び通信インターフェース１１８を介した信号は情報を伝送する搬送波の例示的形態である。
【０１１５】
[00136]  コンピュータシステム１００は、（１つ以上の）ネットワーク、ネットワークリンク１２０及び通信インターフェース１１８を介してメッセージを送信し、プログラムコードを含むデータを受信することができる。インターネットの例では、サーバ１３０は、インターネット１２８、ＩＳＰ１２６、ローカルネットワーク１２２及び通信インターフェース１１８を介してアプリケーションプログラムのための要求コードを送信し得る。例えば、そのような１つのダウンロードされたアプリケーションは、実施形態の照明最適化を提供し得る。受信コードは、そのコードが受信されるとプロセッサ１０４によって実行され、及び/又は後の実行のためにストレージデバイス１１０又は他の不揮発性ストレージに格納されてよい。このようにして、コンピュータシステム１００は、アプリケーションコードを搬送波の形態で得ることができる。
【０１１６】
[00137]  図１４は、本明細書中に記載の方法を利用して照明源を最適化することができる例示的リソグラフィ投影装置を概略的に示している。この装置は、
‐放射ビームＢを調整する照明システムＩＬであって、この特定の場合では照明システムは放射源ＳＯを含む、照明システムＩＬと、
‐パターニングデバイスＭＡ（例えば、レチクル）を保持するパターニングデバイスホルダが設けられ、かつアイテムＰＳに対してパターニングデバイスを正確に位置決めする第１ポジショナに連結された第１オブジェクトテーブル（例えば、マスクテーブル）ＭＴと、
‐基板Ｗ（例えば、レジストコートシリコンウェーハ）を保持する基板ホルダが設けられ、かつアイテムＰＳに対して基板を正確に位置決めする第２ポジショナＰＷに連結された第２オブジェクトテーブル（基板テーブル）ＷＴと、
‐パターニングデバイスＭＡの照射部分を基板Ｗのターゲット部分Ｃ（例えば、１つ以上のダイを含む）上にイメージする投影システム（「レンズ」）ＰＳ（例えば、屈折、反射光学又は反射屈折光学システム）とを備える。
【０１１７】
[00138]  本明細書に示されているとおり、装置は、透過型のもの（すなわち、透過型マスクを有しているもの）である。しかし、一般には、この装置は、例えば、反射型のもの（反射型マスクを有しているもの）であってもよい。あるいは、装置は、典型的なマスクの使用の代わりに別の種類のパターニングデバイスを採用してもよい。この例として、プログラマブルミラーアレイ又はＬＣＤマトリックスが挙げられる。
【０１１８】
[00139]  放射源ＳＯ（例えば、水銀ランプ又はエキシマレーザ）は、放射ビームを生成する。このビームは、直接又は例えばビームエキスパンダＥｘなどの調整手段を通り抜けた後、照明システム（イルミネータ）ＩＬに供給される。イルミネータＩＬは、ビーム内の強度分布の外側及び／又は内側半径範囲（通常、それぞれσ-outer及びσ-innerと呼ばれる）を設定するための調節手段ＡＤを含むことができる。さらに、イルミネータＩＬは、通常インテグレータＩＮ及びコンデンサＣＯといったさまざまな他のコンポーネントを含むことができる。このようにして、パターニングデバイスＭＡに入射するビームＢは、放射ビームの断面に所望の均一性及び強度分布をもたせることができる。
【０１１９】
[00140]  図１４に関して放射源ＳＯはリソグラフィ投影装置のハウジング内にあり得るが（放射源ＳＯが、例えば、水銀ランプである場合に多いように）、リソグラフィ投影装置から遠隔位置にあってもよく、放射源が生成する放射ビームは（例えば、適切な誘導ミラーを用いて）装置に誘導されることに留意されたい。この後者のシナリオは、放射源ＳＯが（例えば、ＫｒＦ、ＡｒＦ、又はＦ2レージングに基づく）エキシマレーザである場合に多い。
【０１２０】
[00141]  ビームＰＢは、その後パターニングデバイステーブルＭＴ上に保持されたパターニングデバイスＭＡと交差する。パターニングデバイスＭＡを通り抜けた後、ビームＢはレンズＰＬを通過し、このレンズＰＬは、基板Ｗのターゲット部分Ｃ上にビームＢの焦点をあわせる。第２位置決め手段（及び干渉計測定手段ＩＦ）を使って、例えば、異なるターゲット部分ＣをビームＰＢの経路内に位置決めするように、基板テーブルＷＴを正確に動かすことができる。同様に、第１位置決め手段を使い、例えば、パターニングデバイスＭＡをパターニングデバイスライブラリから機械的に取り出した後又はスキャン中に、パターニングデバイスＭＡをビームＢの経路に対して正確に位置決めすることもできる。通常、オブジェクトテーブルＭＴ及びＷＴの移動は、図１４に明示的に示されていないロングストロークモジュール（粗動位置決め）及びショートストロークモジュール（微動位置決め）を使って達成することができる。しかし、ウェーハステッパの場合は（ステップアンドスキャンツールとは対照的に）、パターニングデバイステーブルＭＴは、ショートストロークアクチュエータのみに連結されてもよく、又は固定されてもよい。
【０１２１】
[00142]  例示のツールは、２つの異なるモードで使用できる。
‐ステップモードにおいては、パターニングデバイステーブルを基本的に静止状態に保ちつつ、パターニングデバイスイメージ全体を一度にターゲット部分Ｃ上に投影する（すなわち、単一「フラッシュ」）。その後、基板テーブルＷＴは、ｘ及び／又はｙ方向に移動され、それによって別のターゲット部分ＣをビームＰＢによって照射することができる。
‐スキャンモードにおいては、所与のターゲット部分Ｃが単一「フラッシュ」で露光されないということを除いて基本的には同じシナリオが適用される。代わりに、パターニングデバイステーブルＭＴは、速度ｖで所与の方向（いわゆる「スキャン方向」、例えばｙ方向）に移動可能であり、それによって投影ビームＢはパターニングデバイスイメージの上をスキャンする。同時に、基板テーブルＷＴは、ＭがレンズＰＬの拡大率である（一般的に、Ｍ＝１／４又は１／５）速度ｖ＝Ｍｖで同じ又は反対方向に同時に移動される。このようにして、解像度に関して妥協する必要なく比較的大きいターゲット部分Ｃを露光することができる。
【０１２２】
[00143]  図１５は、照明源が本明細書中に記載の方法を利用して最適化されることができる別の例示的なリソグラフィ投影装置１０００を概略的に示す。
【０１２３】
[00144]  リソグラフィ投影装置１０００は、
[00145]‐ソースコレクタモジュールＳＯと、
[00146]‐放射ビームＢ（例えば、ＥＵＶ放射）を調整するように構成された照明システム（イルミネータ）ＩＬと、
[00147]‐パターニングデバイス（例えば、マスク又はレチクル）ＭＡを支持するように構築され、かつパターニングデバイスを正確に位置決めするように構成された第１ポジショナＰＭに連結されたサポート構造（例えば、マスクテーブル）ＭＴと、
[00148]‐基板（例えば、レジストコートウェーハ）Ｗを保持するように構築され、かつ基板を正確に位置決めするように構成された第２ポジショナＰＷに連結された基板テーブル（例えば、ウェーハテーブル）ＷＴと、
[00149]‐パターニングデバイスＭＡによって放射ビームＢに付与されたパターンを基板Ｗのターゲット部分Ｃ（例えば、１つ以上のダイを含む）上に投影するように構成された投影システム（例えば、反射投影システム）ＰＳとを備える。
【０１２４】
[00150]  本明細書に示されているとおり、装置１０００は、反射型のもの（例えば、反射型マスクを採用しているもの）である。大半の材料がＥＵＶ波長範囲内で吸収性を有するため、マスクは、例えば、マルチスタックのモリブデン及びシリコンを含む多層リフレクタを有していてもよいことに留意されたい。一例では、マルチスタックリフレクタは、各層の厚さが波長の４分の１であるモリブデンとシリコンの４０個のペアの層を有する。Ｘ線リソグラフィでさらに小さい波長を生成することができる。ＥＵＶ及びｘ線波長では大半の材料が吸収性を有するため、パターニングデバイスのトポグラフィ（例えば、多層リフレクタの上のＴａＮアブソーバ）上のパターニングされた吸収材料の薄片は、どこにフィーチャを印刷し（ポジ型レジスト）、どこに印刷しない（ネガ型レジスト）かについて定める。
【０１２５】
[00151]  図１５を参照すると、イルミネータＩＬは、極端紫外線ビームをソースコレクタモジュールＳＯから受ける。ＥＵＶ放射を生成する方法としては、ＥＵＶ範囲内の１つ以上の輝線を有する、例えばキセノン、リチウム又はスズなどの少なくとも１つの要素を有するプラズマ状態に材料を変換することが挙げられるが、必ずしもこれに限定されない。このような一方法では、レーザ生成プラズマ（「ＬＰＰ」）と呼ばれることが多いプラズマは、発光要素を有する材料の小滴、流れ又はクラスタなどの燃料をレーザビームで照射することによって生成することができる。ソースコレクタモジュールＳＯは、燃料を励起するレーザビームを提供するためのレーザ（図１５に示さず）を含むＥＵＶ放射システムの一部であってよい。結果として生じるプラズマは、出力放射、例えばＥＵＶ放射を放出し、この放射はソースコレクタモジュール内に配置された放射コレクタを用いて集められる。例えば、燃料励起のためのレーザビームを提供するためにＣＯ２レーザが使用される場合、レーザとソースコレクタモジュールは、別個の構成要素であってもよい。
【０１２６】
[00152]  そのような場合には、レーザは、リソグラフィ装置の一部を形成しているとはみなされず、また放射ビームは、レーザからソースコレクタモジュールへ、例えば、適切な誘導ミラー及び／又はビームエキスパンダを含むビームデリバリシステムを使って送られる。その他の場合においては、例えば、放射源がＤＰＰ源と呼ばれることが多い放電生成プラズマＥＵＶジェネレータである場合、放射源は、ソースコレクタモジュールの一体部分とすることもできる。
【０１２７】
[00153]  イルミネータＩＬは、放射ビームの角強度分布を調節するためのアジャスタＡＤを含むことができる。一般に、イルミネータの瞳面内の強度分布の少なくとも外側及び／又は内側半径範囲（通常、それぞれσ-outer及びσ-innerと呼ばれる）を調節することができる。さらに、イルミネータＩＬは、ファセット視野及び瞳ミラーデバイスといったさまざまな他のコンポーネントを含むことができる。イルミネータを使って放射ビームを調整すれば、放射ビームの断面に所望の均一性及び強度分布をもたせることができる。
【０１２８】
[00154]  放射ビームＢは、サポート構造（例えば、マスクテーブル）ＭＴ上に保持されているパターニングデバイス（例えば、マスク）ＭＡ上に入射して、パターニングデバイスによってパターン形成される。パターニングデバイス（例えば、マスク）ＭＡから反射した後、放射ビームＢは投影システムＰＳを通過し、投影システムＰＳは、基板Ｗのターゲット部分Ｃ上にビームの焦点をあわせる。第２ポジショナＰＷ及び位置センサＰＳ２（例えば、干渉計デバイス、リニアエンコーダ、又は静電容量センサ）を使って、例えば、さまざまなターゲット部分Ｃを放射ビームＢの経路内に位置決めするように、基板テーブルＷＴを正確に動かすことができる。同様に、第１ポジショナＰＭ及び別の位置センサＰＳ１を使い、パターニングデバイス（例えば、マスク）ＭＡを放射ビームＢの経路に対して正確に位置決めすることもできる。パターニングデバイス（例えば、マスク）ＭＡ及び基板Ｗは、パターニングデバイスアライメントマークＭ１及びＭ２と、基板アライメントマークＰ１及びＰ２とを使って、位置合わせされてもよい。
【０１２９】
[00155]  例示の装置１０００は、以下のモードのうち少なくとも１つのモードで使用できる。
【０１３０】
[00156]  １．ステップモードにおいては、サポート構造（例えば、マスクテーブル）ＭＴ及び基板テーブルＷＴを基本的に静止状態に保ちつつ、放射ビームに付けられたパターン全体を一度にターゲット部分Ｃ上に投影する（すなわち、単一静的露光）。その後、基板テーブルＷＴは、Ｘ及び／又はＹ方向に移動され、それによって別のターゲット部分Ｃを露光することができる。
【０１３１】
[00157]  ２．スキャンモードにおいては、サポート構造（例えば、マスクテーブル）ＭＴ及び基板テーブルＷＴを同期的にスキャンする一方で、放射ビームに付けられたパターンをターゲット部分Ｃ上に投影する（すなわち、単一動的露光）。サポート構造（例えば、マスクテーブル）ＭＴに対する基板テーブルＷＴの速度及び方向は、投影システムＰＳの（縮小）拡大率及び像反転特性によって決めることができる。
【０１３２】
[00158]  ３．別のモードにおいては、プログラマブルパターニングデバイスを保持した状態で、サポート構造（例えば、マスクテーブル）ＭＴを基本的に静止状態に保ち、また基板テーブルＷＴを動かす、又はスキャンする一方で、放射ビームに付けられているパターンをターゲット部分Ｃ上に投影する。このモードにおいては、通常、パルス放射源が採用されており、さらにプログラマブルパターニングデバイスは、基板テーブルＷＴの移動後ごとに、又はスキャン中の連続する放射パルスと放射パルスとの間に、必要に応じて更新される。この動作モードは、前述の型のプログラマブルミラーアレイといったプログラマブルパターニングデバイスを利用するマスクレスリソグラフィに容易に適用することができる。
【０１３３】
[00159]  図１６は、ソースコレクタモジュールＳＯ、照明システムＩＬ及び投影システムＰＳを含む装置１０００をより詳細に示している。ソースコレクタモジュールＳＯは、真空環境をソースコレクタモジュールＳＯの閉鎖構造２２０内で維持できるように構築及び配置される。ＥＵＶ放射発光プラズマ２１０は、放電生成プラズマ源によって形成されてよい。ＥＵＶ放射は、ガス又は蒸気、例えばＸｅガス、Ｌｉ蒸気又はＳｎ蒸気によって生成されてよい。このガス又は蒸気では、電磁スペクトルのＥＵＶ範囲内の放射を放出するために非常に高温のプラズマ２１０が生成される。この非常に高温のプラズマ２１０は、例えば、少なくとも部分電離プラズマを引き起こす放電によって生成される。例えば、１０ＰａのＸｅ、Ｌｉ、Ｓｎ蒸気又は他のあらゆる適切なガス若しくは蒸気の分圧は、放射の効率的な生成のために必要とされる場合がある。ある実施形態では、ＥＵＶ放射を生成するために励起スズ（Ｓｎ）のプラズマが提供される。
【０１３４】
[00160]  高温のプラズマ２１０によって放出された放射は、ソースチャンバ２１１から、ソースチャンバ２１１内の開口の中又は後に位置決めされた任意のガスバリア又は汚染物質トラップ２３０（一部の場合、汚染物質バリア又はフォイルトラップとも呼ぶ）を介してコレクタチャンバ２１２内へと運ばれる。汚染物質トラップ２３０はチャネル構造を含んでもよい。汚染トラップ２３０は、ガスバリア又はガスバリアとチャネル構造の組み合わせを含んでもよい。当該技術分野では周知なように、本明細書中にさらに示される汚染物質トラップ又は汚染物質バリア２３０はチャネル構造を少なくとも含む。
【０１３５】
[00161]  コレクタチャンバ２１１は、いわゆるかすめ入射コレクタであり得る放射コレクタＣＯを含んでよい。放射コレクタＣＯは、上流放射コレクタ側２５１及び下流放射コレクタ側２５２を有する。コレクタＣＯを通過する放射は、格子スペクトルフィルタ２４０から反射して鎖線「Ｏ」で示す光軸に沿って仮想光源点ＩＦに合焦されてよい。仮想光源点ＩＦを一般的に中間焦点と呼び、ソースコレクタモジュールは、中間焦点ＩＦが閉鎖構造２２０内の開口２２１に又はその近くに配置されるように構成される。仮想光源点ＩＦは、放射放出プラズマ２１０のイメージである。
【０１３６】
[00162]  続いて放射は、パターニングデバイスＭＡにおいて放射ビーム２１の所望の角度分布並びにパターニングデバイスＭＡにおいて放射強度の所望の均一性を提供するように配置されたファセット視野ミラーデバイス２２及びファセット瞳ミラーデバイス２４を含み得る照明システムＩＬを通り抜ける。サポート構造ＭＴによって保持されたパターニングデバイスＭＡで放射ビーム２１が反射すると、パターン付きビーム２６が形成され、このパターン付きビーム２６は、投影システムＰＳによって反射要素２８及び３０を介して基板テーブルＷＴによって保持された基板Ｗ上に結像される。
【０１３７】
[00163]  通常、示されているものよりも多くの要素が照明光学ユニットＩＬ及び投影システムＰＳ内に存在してよい。リソグラフィ装置の種類によって、格子スペクトルフィルタ２４０が任意的に存在してよい。さらに、図示されているものより多くのミラーが存在してもよい。例えば、図１６に示す投影システムＰＳ内に存在する反射要素より１〜６個多くの反射要素が存在してもよい。
【０１３８】
[00164]  図１６に示すように、コレクタ光学系ＣＯは、単にコレクタ（又はコレクタミラー）の一例として、かすめ入射リフレクタ２５３、２５４及び２５５を有する入れ子化されたコレクタとして示されている。かすめ入射リフレクタ２５３、２５４及び２５５は、光軸Ｏに対して軸対称に配置され、この種のコレクタ光学系ＣＯは、ＤＰＰ源と呼ばれることが多い放電生成プラズマ源と組み合わせて使用されることが好ましい。
【０１３９】
[00165]  あるいは、ソースコレクタモジュールＳＯは、図１７に示すようにＬＰＰ放射システムの一部であってよい。レーザＬＡは、キセノン（Ｘｅ）、スズ（Ｓｎ）又はリチウム（Ｌｉ）などの燃料にレーザエネルギーを堆積させるように配置され、それによって数十ｅＶの電子温度を有する高電離プラズマ２１０を生成する。これらのイオンの逆励起及び再結合中に生成されるエネルギー放射はプラズマから放出され、近法線入射コレクタ光学系ＣＯによって集光されて閉鎖構造２２０内の開口２２１に合焦される。
【０１４０】
[00166]  本明細書中に開示した概念は、サブ波長フィーチャを結像するための任意の一般的なイメージングシステムをシミュレート及び数学的にモデリングすることができ、かつ短くなり続ける波長を生成することができる新たなイメージング技術で特に有用であり得る。既に使われている新たな技術は、ＥＵＶ（極端紫外線）、Ａｒｆレーザを用いて１９３ｎｍの波長を生成することができ、さらにフッ素レーザを用いて１５７ｎｍの波長を生成することができるＤＵＶリソグラフィを含む。また、ＥＵＶリソグラフィは、２０〜５ｎｍの範囲内の波長を、シンクロトロンを用いて又はこの範囲内の光子を生成するために高エネルギー電子を材料（固体又はプラズマ）に衝突させることによって生成することができる。
【０１４１】
[00167]  本明細書中に開示した概念がシリコンウェーハなどの基板上へのイメージングのために使用され得るが、開示した概念はあらゆるタイプのリソグラフィイメージングシステム、例えば、シリコンウェーハ以外の基板上へのイメージングのために用いられるものに使用することもできると理解されるべきである。
【０１４２】
[00168]  本発明を、以下の項を用いてさらに説明することができる。
１．空間像又はレジスト像の特性の確率的変動と１つ以上の設計変数との間の関係を決定する方法であって、前記方法は、
前記設計変数の複数の値セットの各々に対して複数の空間像及び/又はレジスト像から前記特性の値を測定することと、
前記設計変数の前記複数の値セットの各々に対して、前記設計変数の該当の値セットに対する前記特性の前記値の分布から前記確率的変動の値を決定することと、
コンピュータを用いて、前記確率的変動の前記値及び前記設計変数の前記複数の値セットからの１つ以上のパラメータをフィッティングすることによって前記関係を決定することとを含む、方法。
２．前記確率的変動は、ＬＥＲ、ＬＷＲ、ＬＣＤＵ、ホールＬＣＤＵ、ＣＥＲ又はその組み合わせを含む、前記１に記載の方法。
３．前記設計変数は、ぼやけた像ログスロープ（ＩＬＳ）、ぼやけた像強度、像強度、グローバルバイアス、マスクアンカーバイアス及びドーズ量を含む、前記１又は２に記載の方法。
４．前記空間像又は前記レジスト像上のホットスポットを識別することをさらに含む、前記１〜３のいずれかに記載の方法。
５．前記関係を用いてドーズ量を決定することをさらに含む、前記１〜４のいずれかに記載の方法。
６．前記関係を用いてスループットを増加させることをさらに含む、前記１〜５のいずれかに記載の方法。
７．リソグラフィ投影装置を用いて設計レイアウトの一部を基板上に結像するためのリソグラフィプロセスを改善するコンピュータにより実施される方法であって、前記方法は、
多変数費用関数を定義することであって、前記多変数費用関数は空間像又はレジスト像の特性の確率的変動の関数であり、前記確率的変動は前記リソグラフィプロセスの特性である複数の設計変数の関数である、定義することと、
前記１〜６のいずれかに記載の方法を用いて決定された前記関係を用いて前記確率的変動を計算することと、
特定の終了条件が満たされるまで１つ以上の設計変数を調整することによって前記リソグラフィプロセスの１つ以上の特性を再構成することとを含む、方法。
８．前記設計レイアウトの一部は、全体的な設計レイアウト、クリップ、１つ以上のクリティカルフィーチャを有することが知られている設計レイアウトの一部分、ホットスポット又はウォームスポットが識別された前記設計レイアウトの一部分、及び１つ以上のクリティカルフィーチャが識別された前記設計レイアウトの一部分から選択された１つ以上を含む、前記７に記載の方法。
９．前記終了条件は、前記費用関数の最小化、前記費用関数の最大化、特定の反復回数の到達、特定のしきい値と等しい又はそのしきい値を超える前記費用関数の値の到達、特定の算出時間の到達、許容誤差限界内の前記費用関数の値の到達、及び/又は前記リソグラフィプロセスの露光時間の最小化から選択された１つ以上を含む、前記７に記載の方法。
１０．１つ以上の前記設計変数は前記リソグラフィ装置のための照明源の特性であり、及び/又は１つ以上の前記設計変数は前記設計レイアウトの特性であり、及び/又は１つ以上の前記設計変数は前記リソグラフィ装置の投影光学系の特性であり、及び/又は１つ以上の前記設計変数は前記基板のレジストの特性であり、及び/又は１つ以上の前記設計変数は前記空間像又は前記レジスト像の特性である、前記７に記載の方法。
１１．反復再構成は、少なくとも幾つかの前記設計変数の範囲を決める制約を含む、前記７に記載の方法。
１２．少なくとも幾つかの前記設計変数は、前記リソグラフィ投影装置のハードウェア実装における物理的制限を表す制約の下にある、前記１１に記載の方法。
１３．前記制約は、調整範囲、パターニングデバイスの製造可能性を管理するルール、及び/又は前記設計変数間の相互依存から選択された１つ以上を含む、前記１２に記載の方法。
１４．前記制約は前記リソグラフィ投影装置のスループットを含む、前記１２に記載の方法。
１５．前記費用関数は以下のリソグラフィメトリック：エッジ配置誤差、クリティカルディメンション、レジスト輪郭距離、最悪欠陥サイズ及び/又は最良焦点シフト、のうちの１つ以上の関数である、前記７に記載の方法。
１６．前記費用関数は、ガウス・ニュートンアルゴリズム、レーベンバーグ・マーカートアルゴリズム、勾配降下アルゴリズム、シミュレーションアニール、遺伝的アルゴリズムからなる群から選択された方法によって最適化される、前記７に記載の方法。
１７．前記確率的変動は、ラインエッジラフネス（ＬＥＲ）及び/又はライン幅ラフネス（ＬＷＲ）を含む、前記７〜１６のいずれかに記載の方法。
１８．確率的影響は、光子ショット雑音、光子生成二次電子、前記基板のレジスト内の光子生成酸、前記基板のレジスト内の光子活性化又は電子活性化粒子の分布、前記基板のレジスト内の光子活性化又は電子活性化粒子の密度、又はその組み合わせによって引き起こされる、前記１〜１７のいずれかに記載の方法。
１９．命令が記録されたコンピュータ読取可能媒体を含むコンピュータプログラム製品であって、前記命令はコンピュータが前記項のいずれかに記載の方法を実施することによって実行される、コンピュータプログラム製品。
２０．複数の条件及び前記設計変数の複数の値における確率的変動の値を有する非一時的なコンピュータ読取可能媒体。
２１．前記スループットを増加させることはドーズ量を低下させることを含む、前記６に記載の方法。
２２．前記ドーズ量を低下させることはマスクバイアスを使用することを含む、前記２１に記載の方法。
２３．スループットと瞳充填率、レジスト化学的性質及びマスクバイアスとの間の関係を計算することをさらに含む、前記７に記載の方法。
２４．確率的影響の測定値と瞳充填率、レジスト化学的性質及びマスクバイアスとの間の関係を計算することをさらに含む、前記７に記載の方法。
２５．前記空間像及び/又は前記レジスト像はシミュレートされた像である、前記１に記載の方法。
２６．リソグラフィ投影装置を用いて設計レイアウトの一部を基板上に結像するためのリソグラフィプロセスを改善するコンピュータにより実施される方法であって、前記方法は、
前記リソグラフィプロセスの特性である１つ以上の設計変数の各値セットのための前記リソグラフィプロセスを最適化することと、
前記最適化されたリソグラフィプロセス、前記最適化されたリソグラフィプロセスによって生成された空間像及び/又は前記最適化されたリソグラフィプロセスによって生成されたレジスト像の１つ以上の特性を計算し、それによって前記リソグラフィプロセスのユーザが自身の所望の特性に基づいて前記設計変数の値セットを選択することができることとを含む方法。
２７．前記方法はＸＭＬファイルを用いて実施される、前記２６に記載の方法。
【０１４３】
[00169]  上記の説明は、制限ではなく例示を意図したものである。したがって、当業者には明らかなように、添付の特許請求の範囲を逸脱することなく本記載の発明に変更を加えてもよい。
【図１】
0006346297.tif 000024
【図２】
0006346297.tif 000025
【図３Ａ】
0006346297.tif 000026
【図３Ｂ】
0006346297.tif 000027
【図４Ａ】
0006346297.tif 000028
【図４Ｂ】
0006346297.tif 000029
【図５Ａ】
0006346297.tif 000030
【図５Ｂ】
0006346297.tif 000031
【図５Ｃ】
0006346297.tif 000032
【図５Ｄ】
0006346297.tif 000033
【図５Ｅ】
0006346297.tif 000034
【図６】
0006346297.tif 000035
【図７】
0006346297.tif 000036
【図８】
0006346297.tif 000037
【図９】
0006346297.tif 000038
【図１０】
0006346297.tif 000039
【図１１Ａ】
0006346297.tif 000040
【図１１Ｂ】
0006346297.tif 000041
【図１２】
0006346297.tif 000042
【図１３】
0006346297.tif 000043
【図１４】
0006346297.tif 000044
【図１５】
0006346297.tif 000045
【図１６】
0006346297.tif 000046
【図１７】
0006346297.tif 000047
【図１８】
0006346297.tif 000048
【図１９】
0006346297.tif 000049