(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板;
前記基板上に配置され、第１の物質を含む第１バッファ層;
前記基板の表示領域の前記第１バッファ層上に配置された第１の薄膜トランジスタ;
前記基板の非表示領域の前記第１バッファ層上に配置された第２の薄膜トランジスタ；
前記第１の薄膜トランジスタ上に配置され、当該第１の薄膜トランジスタと電気的に接続された有機発光ダイオード;
前記表示領域の前記有機発光ダイオード、前記非表示領域の前記第２の薄膜トランジスタ、および前記第１バッファ層上に配置され、前記第１の物質を含む封止層を備え、
前記第１バッファ層の少なくとも一部と前記封止層のエッジ部は、互いに接触したり、少なくとも第１の薄膜トランジスタと、前記有機発光ダイオードを封止するために、前記第１バッファ層の一部と前記封止層のエッジ部との間に前記第１の物質を含む一つ以上の層とともに結合された、有機発光表示装置。
【請求項２】
前記第１の物質はSiONである、請求項１に記載の有機発光表示装置。
【請求項３】
前記基板はプラスチックフィルムである、請求項１に記載の有機発光表示装置。
【請求項４】
前記第１バッファ層と前記第１の薄膜トランジスタの間、および前記第１バッファ層と前記第２の薄膜トランジスタの間に配置された第２のバッファ層をさらに含む、請求項１に記載の有機発光表示装置。
【請求項５】
前記第１バッファ層は複数の無機膜を含み、
前記第１バッファ層の最上部の無機膜は前記第１の物質を含む、請求項１に記載の有機発光表示装置。
【請求項６】
前記封止層上に配置された接着層をさらに含む、請求項１に記載の有機発光表示装置。
【請求項７】
前記接着層はメタル層またはバリアフィルムを含む、請求項６に記載の有機発光表示装置。
【請求項８】
前記一つ以上の層は、前記第１バッファ層と前記封止層との間に設けられ、前記第１の薄膜トランジスタと、第１バッファ層を覆うパッシベーション層を含み、
前記パッシベーション層は前記第１の物質を含む、請求項２に記載の有機発光表示装置。
【請求項９】
前記一つ以上の層は前記第１バッファ層と前記パッシベーション層との間に設けられた層間絶縁膜をさらに含み、
前記層間絶縁膜は前記第１の物質を含む、請求項８に記載の有機発光表示装置。
【請求項１０】
前記封止層は、交互に積層された複数の無機膜および複数の有機膜を含み、
前記複数の無機膜のそれぞれは前記第１の物質を含んでいる、請求項１に記載の有機発光表示装置。
【請求項１１】
前記封止層の最上部のエッジ部は前記第１バッファ層の一部と接触している、請求項１０に記載の有機発光表示装置。
【請求項１２】
前記複数の無機膜は、前記封止層の最上部層と前記封止層の最下部層を含む、請求項１０に記載の有機発光表示装置。
【請求項１３】
基板;
前記基板上に配置されSiONを含む第１バッファ層;
前記基板の表示領域の前記第１バッファ層上に配置された第１の薄膜トランジスタ;
前記基板の非表示領域の前記第１バッファ層上に配置された第２の薄膜トランジスタ；
前記第１の薄膜トランジスタ上に配置され、当該第１の薄膜トランジスタと、電気的に接続された有機発光ダイオード;
前記表示領域の前記有機発光ダイオード、前記非表示領域の前記第２の薄膜トランジスタ、SiONを含む封止層を備え、
前記第１バッファ層の少なくとも一部と前記封止層のエッジ部は、互いに接触したり、前記第２の薄膜トランジスタと前記有機発光ダイオードを封止するために、前記第１バッファ層の一部と前記封止層のエッジ部との間にSiONを含む一つ以上の層とともに結合された、有機発光表示装置。
【請求項１４】
前記第１バッファ層と前記第1及び第２の薄膜トランジスタとの間に配置された第２のバッファ層をさらに含む、請求項１３に記載の有機発光表示装置。
【請求項１５】
前記第１バッファ層は複数の無機膜を含み、
前記第１バッファ層の最上部の無機膜はSiONを含む、請求項１３に記載の有機発光表示装置。
【請求項１６】
前記一つ以上の層は、前記第１バッファ層と前記封止層との間に設けられ、前記第1及び第２の薄膜トランジスタを覆うパッシベーション層を含み、
前記パッシベーション層がSiONを含む、請求項１３に記載の有機発光表示装置。
【請求項１７】
前記一つ以上の層は、前記第１バッファ層と前記パッシベーション層との間に設けられた層間絶縁膜をさらに含み、
前記層間絶縁膜はSiONを含む、請求項１６に記載の有機発光表示装置。
【請求項１８】
前記封止層は、交互に積層された複数の無機膜および複数の有機膜を含み、
前記複数の無機膜のそれぞれはSiONを含む、請求項１３に記載の有機発光表示装置。
【請求項１９】
前記複数の無機膜は、前記封止層の最上部層と前記封止層の最下部層を含む、請求項１８に記載の有機発光表示装置。
【請求項２０】
前記封止層の最上部のエッジ部は、前記第１バッファ層の一部と接触している、請求項１８に記載の有機発光表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、有機発光表示装置に関するものであり、より詳細には、薄膜トランジスタの信頼性を向上させることができる有機発光表示装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
情報化社会化が進むにつれ、薄型化、軽量化、低消費電力化などの優れた特性を有する平板表示装置（FPD：Flat Panel Display Device）の重要性が高まっている。平板表示装置には、液晶表示装置（LCD：Liquid Crystal Display Device）、プラズマ表示装置（PDP：Plasma Display Panel Device）、有機発光表示装置（OLED：Organic Light Emitting Display Device）などがあり、最近では電気泳動表示装置（EPD：Electrophoretic Display Device）も広く用いられている。
【０００３】
この中で、薄膜トランジスタを含む液晶表示装置および有機発光表示装置は、解像度、カラー表示、画質などに優れ、テレビ、ノートパソコン、タブレットコンピュータ、またはデスクトップコンピュータの表示装置として広く実用化されている。
【０００４】
特に、有機発光表示装置（OLED）は、自発光素子であり、消費電力が低く、速い応答速度、高い発光効率、高輝度および広視野角を有しており、次世代のフラットパネル表示装置として注目されている。
【０００５】
従来の有機発光表示装置は、有機発光表示パネル、タイミング制御部（timing controller）、ゲート駆動部（gate driver）、およびデータ駆動部（data driver）を含む。有機発光表示パネルには、ゲートラインとデータラインが形成され、ゲートラインとデータラインの交差領域には、発光部が形成され得る。タイミング制御部は、ゲート駆動部を制御するためのゲート制御信号とデータ駆動部を制御するためのデータ制御信号を出力する。ゲート駆動部は、タイミング制御部から入力するゲート制御信号に応答して、ゲートラインにスキャンパルスを順次に供給する。データ駆動部は、タイミング制御部から入力した映像データをアナログデータ電圧に変換してデータラインに供給する。このようなゲート駆動部とデータ駆動部は、有機発光表示パネルとは別に製造され、TAB（Tape Automated Bonding）方式を用いて、ゲートラインとデータラインにそれぞれ接続される。
【０００６】
しかし、従来のように、ゲート駆動部とデータ駆動部をそれぞれ製造してパネルに接続する場合、有機発光表示装置の体積が大きくなり、重量も増加し得る。したがって、最近では、ゲート駆動部をパネルの一側に内蔵したGIP（gate in panel）構造の有機発光表示装置が製造されている。しかし、このようなGIP構造の有機発光表示装置では、表示パネルの最外郭部の側面を通じて浸透する水素によってゲート駆動部に内蔵された薄膜トランジスタの特性が低下することがあり得る。また、パネル内部で発生する水素によって素子の信頼性が低下し得る。
【０００７】
以上、説明した背景技術の内容は、本出願の発明者が本発明の導出のために保有していたか、または本発明の導出過程で習得した技術情報であって、必ずしも本発明の出願前に、一般公衆に公開された公知技術とは言えない。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
本発明は、前述した問題点を解決するために案出されたもので、表示パネル最外郭部の側面からの透湿を防止することにより、薄膜トランジスタの信頼性を向上させることができる有機発光表示装置を提供することを技術的課題とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
前述した技術的課題を達成するための本発明に係る有機発光表示装置は、ベース基板、前記ベース基板上に配置された第１バッファ層、表示領域の前記第１バッファ層上に配置された第１の薄膜トランジスタ、非表示領域の前記第１バッファ層上に配置された第２の薄膜トランジスタ、前記第１の薄膜トランジスタ上に配置された有機発光ダイオード、有機発光ダイオード、第２の薄膜トランジスタ、および第１バッファ層上に配置された封止層を備え、前記第１バッファ層と封止層は同じ物質からなる。
【発明の効果】
【００１０】
上記課題の解決手段によると、封止層と、第１バッファ層が同一の物質からなるので、有機発光表示パネルの最外郭で互いに接触している封止層と、第１バッファ層との間の界面接着力を高めることができる。したがって、従来の封止層と第１バッファ層が異なる物質で形成された時よりも、外部から有機発光表示パネルの内部に水分が浸透するのを防止することができる。これにより、第１および第２の薄膜トランジスタの特性が低下するのを防止することができ、信頼性を向上させることができる。
【００１１】
また、本発明に係る第１バッファ層は、SiNx（silicon nitride）と比較して、水素含有量が低いSiO2およびSiONの積層構造を有し、第１バッファ層の最上部にSiONを配置する。ここで、SiONは内透湿度が低いため、ベース基板を介して有機発光表示パネルの内部に水分が浸透するのを防止することができる。これにより、第１および第２の薄膜トランジスタ（T1、T2）の特性が低下するのを防止することができる。
【００１２】
上記された本発明の効果に加えて、本発明の他の特徴および利点は、以下の技術、または、そのような技術および説明から、本発明が属する技術分野で通常の知識を有する者に明確に理解されるだろう。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
【図１】本発明の実施例による有機発光表示装置の有機発光表示パネル、ゲート駆動部、ソースドライブIC、軟性フィルム、回路ボード、およびタイミング制御部を示した平面図である。
【図２】本発明の第１の実施例に係る有機発光表示装置の断面図である。
【図３】本発明の第２の実施例に係る有機発光表示装置の断面図である。
【図４】本発明の第３の実施例に係る有機発光表示装置の断面図である。
【図５】本発明の第４の実施例に係る有機発光表示装置の断面図である。
【図６】本発明の第５の実施例による有機発光表示装置の断面図である。
【図７】本発明の一実施例による有機発光表示装置の製造方法を説明するためのフローチャートである。
【図８】本発明のまた他の実施例による有機発光表示装置の製造方法を説明するためのフローチャートである。
【発明を実施するための形態】
【００１４】
本明細書で記述された用語の意味は、次のように理解すべきである。
【００１５】
単数の表現は、文脈上明らかに別の方法で定義しない限り、複数の表現を含むものと理解されなければならず、「第１」、「第２」などの用語は、一つの構成要素を他の構成要素から区別するためのもので、これらの用語によって権利範囲が限定されてはならない。「含む」または「有する」などの用語は、一つまたはそれ以上の他の特徴や数字、工程、動作、構成要素、部分品またはそれらを組み合わせたものの存在または付加の可能性を事前に排除しないものと理解されなければならない。「少なくとも一つ」の用語は、一つまたは複数の関連項目から提示可能なすべての組み合わせを含むものと理解されなければならない。例えば、「第１項目、第２項目および第３項目の中から少なくとも一つ」の意味は、第１項目、第２項目または第３項目のそれぞれだけでなく、第１項目、第２項目および第３項目の中の２以上から提示することができるすべての項目の組み合わせを意味する。「上に」という用語は、ある構成が他の構成のすぐ上面に形成される場合だけでなく、それらの構成の間に第３の構成が介在する場合まで含まれることを意味する。
【００１６】
以下では、本発明に係る有機発光表示装置の好ましい例を、添付された図面を参照して詳細に説明する。各図面の構成要素に参照符号を付加する場合、同一の構成要素に対しては、たとえ他の図面上に表示されても、可能な限り同一の符号を有することができる。また、本発明を説明するにあたり、関連した公知の構成または機能に対する具体的な説明が本発明の要旨を曖昧にし得ると判断される場合には、その詳細な説明は省略することができる。
【００１７】
図１は、本発明の実施例による有機発光表示装置の有機発光表示パネル１００、ゲート駆動部２００、ソースドライブIC３１０、軟性フィルム３３０、回路ボード３５０、およびタイミング制御部４００を示した平面図である。
【００１８】
図１において、X軸はゲートラインと平行方向を示し、Y軸はデータラインと平行方向を示し、Z軸は有機発光表示装置の高さ方向を示す。
【００１９】
図１を参照すると、本発明の実施例による有機発光表示装置は、有機発光表示パネル１００、ゲート駆動部２００、ソースドライブ集積回路（integrated circuit、以下「IC」とする）３１０、軟性フィルム３３０、回路ボード３５０、タイミング制御部４００を含んでいる。
【００２０】
有機発光表示パネル１００は、ベース基板１１０と封止層（encapsulation layer）１８０を含んでいる。
【００２１】
ベース基板１１０の表示領域（DA）には、ゲートラインとデータラインが形成され、ゲートラインとデータラインの交差領域には、発光部が形成され得る。表示領域（DA）の発光部は、画像を表示することができる。
【００２２】
ベース基板１１０の非表示領域（NA）は、表示領域（DA）の一側端に位置する。非表示領域（NA）には、一つ以上の薄膜トランジスタを含むゲート駆動部２００が実装され得る。
【００２３】
封止層１８０は、ベース基板１１０の上部を覆う。封止層１８０は、ベース基板１１０上に設けられた素子を保護し、有機発光表示パネル１００の内部に水分が浸透するのを防止する機能をする。封止層１８０は、ベース基板１１０よりも小さく形成され、これにより、ベース基板１１０の一部は、封止層１８０に覆われないで露出し得る。
【００２４】
上記したような有機発光表示パネル１００を、図２〜図６の実施例を参照して、詳細に説明する。
【００２５】
ゲート駆動部２００は、タイミング制御部４００から入力したゲート制御信号に応じてゲートラインにゲート信号を供給する。本発明の実施例では、ゲート駆動部２００が、有機発光表示パネル１００の表示領域（DA）の片側の外側にGIP（gate driver in panel）方式で形成されたものを例示したが、これに限定されない。つまり、ゲート駆動部２００は、有機発光表示パネル１００の表示領域（DA）の両側の外側にGIPの方法で形成することもでき、または駆動チップに製作して軟性フィルムに実装してTAB（tape automated bonding ）方式で有機発光表示パネル１００に付着させることもできる。
【００２６】
ソースドライブIC３１０は、タイミング制御部４００からのデジタルビデオデータとソース制御信号を入力する。ソースドライブIC３１０は、ソース制御信号に応じてデジタルビデオデータをアナログデータ電圧に変換してデータラインに供給する。ソースドライブIC３１０が駆動チップで製作されている場合、COF（chip on film）またはCOP（chip on plastic）方式で軟性フィルム３３０に実装することができる。
【００２７】
ベース基板１１０の一部は、封止層１８０によって覆われないで露出し得る。封止層１８０によって覆われないで露出したベース基板１１０の一部には、データパッドのようなパッドが設けられる。軟性フィルム３３０には、パッドとソースドライブIC３１０を接続する配線、パッドと回路ボード３５０の配線を接続する配線が形成され得る。軟性フィルム３３０は、異方性導電フィルム（anisotropic conducting film）を用いて、パッド上に付着され、それによってパッドと軟性フィルム３３０の配線が接続し得る。
【００２８】
回路ボード３５０は、軟性フィルム３３０に付着することができる。回路ボード３５０は、駆動チップに実装された多数の回路が実装され得る。例えば、回路ボード３５０には、タイミング制御部４００が実装され得る。回路ボード３５０は、プリント回路ボード（printed circuit board）またはフレキシブルプリント回路ボード（flexible printed circuit board）であり得る。
【００２９】
タイミング制御部４００は、外部のシステムボード（図示せず）からデジタルビデオデータとタイミング信号を入力する。タイミング制御部４００は、タイミング信号に基づいてゲート駆動部２００の動作タイミングを制御するためのゲート制御信号とソースドライブIC３１０を制御するためのソース制御信号を発生する。タイミング制御部４００は、ゲート制御信号をゲート駆動部２００に供給し、ソース制御信号をソースドライブIC３１０に供給する。
【００３０】
図２は、本発明の第１の実施例に係る有機発光表示装置の断面図である。これは、図１に示されたＩ−Ｉ’の断面を概略的に示した図である。
【００３１】
図２を参照すると、本発明の第１の実施例に係る有機発光表示装置は、ベース基板１１０、第１バッファ層１３０、第２バッファ層１４０、第１の薄膜トランジスタ（T1）、第２の薄膜トランジスタ（T2）、パッシベーション層（PAS）、平坦化膜（PAC）、有機発光ダイオード（OLED）、および封止層１８０を含む。
【００３２】
ベース基板１１０は、フレキシブルなプラスチックフィルム（plastic film）であり得る。例えば、ベース基板１１０は、TAC（triacetyl cellulose）またはDAC（diacetyl cellulose）などのセルロース樹脂、ノルボルネン誘導体（Norbornene derivatives）などのCOP（cyclo olefin polymer）、COC（cyclo olefin copolymer）、PMMA（poly（methylmethacrylate）などのアクリル樹脂、PC（polycarbonate）、PE（polyethylene）またはPP（polypropylene）などのポリオレフィン（polyolefin）、PVA（polyvinyl alcohol）、PES（poly ether sulfone）、PEEK（polyetheretherketone）、PEI（polyetherimide）、PEN（polyethylenenaphthalate）、PET（polyethyleneterephthalate）などのポリエステル（polyester）、PI（polyimide）、PSF（polysulfone）、またはフッ素樹脂（fluoride resin）などを含むシートまたはフィルムであり得るが、これに限定されない。
【００３３】
第１バッファ層１３０は、ベース基板１１０上に設けられる。第１バッファ層１３０は、透湿に脆弱なベース基板１１０から有機発光表示パネル１００の内部に水分が浸透するのを防止する機能をする。そのため、第１バッファ層１３０は、交互に積層された複数の無機膜からなり得る。複数の無機膜のそれぞれは、SiO2（silicon dioxide）、SiNx（silicon nitride）、またはSiON（silicon oxynitride）であり得るが、必ずしもこれに限定されるものではない。
【００３４】
本発明の実施例に係る第１バッファ層１３０は、SiNx（silicon nitride）と比較して水素含有量が低いSiO2およびSiONの積層構造を有する。ここで、一般的なSiNxの水素含有量は１５％〜２０％の間であり、SiONの水素含有量は５％〜１０％の間であり、SiOxの水素含有量は3％以下である。ここで、第１バッファ層１３０の最上部には、SiONが配置され得る。SiONは、内部への透湿度が低いため、ベース基板１１０を介して有機発光表示パネル１００の内部に水分が浸透するのを防止することができる。これにより、第１および第２の薄膜トランジスタ（T1、T2）の特性が水分の浸透によって低下するのを防止することができる。
【００３５】
第２バッファ層１４０は、第１バッファ層１３０上に設けられる。第２バッファ層１４０は、ベース基板１１０から金属イオンなどの不純物が拡散してアクティブ層（ACT）に浸透するのを防止する。また、第２バッファ層１４０は、有機発光表示パネル１００の内部に水分が浸透して、第１および第２の薄膜トランジスタの（T1、T2）の特性を低下させることを防止する。第２バッファ層１４０は、第１バッファ層１３０よりも小さく形成され、それにより、非表示領域（NA）に位置する第１バッファ層１３０の最外郭は、第２バッファ層１４０によって覆われないで露出する。第２バッファ層１４０は、例えば、SiO2（silicon dioxide）、SiON（silicon oxynitride）、またはそれらの多重層であり得るが、必ずしもこれに限定されるものではない。ここで、本発明の実施例に係る第２のバッファ層１４０は、第１および第２の薄膜トランジスタ（T1、T2）と直接接触するため、水素の発生を最小限に抑えることができる無機膜を配置することが好ましい。そのため、第２バッファ層１４０には、水素含有量が低いSiO2が用いられ得る。
【００３６】
第１の薄膜トランジスタ（T1）は、ベース基板１１０上の表示領域（DA）に配置される。第１の薄膜トランジスタ（T1）は、アクティブ層（ACT1）、ゲート絶縁膜（GI1）、ゲート電極（GE1）、層間絶縁膜（ILD1）、ソース電極（SE1）およびドレイン電極（DE1）を含んでいる。
【００３７】
アクティブ層（ACT1）は、表示領域（DA）に配置された第２バッファ層１４０上に設けられる。アクティブ層（ACT1）は、ゲート電極（GE）と重なるようベース基板１１０上に設けられる。アクティブ層（ACT1）は、ソース電極（SE1）側に位置する一端領域（A1）、ドレイン電極（DE1）側に位置する他端領域（A2）、および一端領域（A1）と他端領域（A2）との間に位置する中心領域（A3）で構成することができる。中心領域（A3）は、ドーパントがドーピングされていない半導体材料からなり、一端領域（A1）と他端領域（A2）は、ドーパントがドーピングされた半導体材料からなり得る。
【００３８】
ゲート絶縁膜（GI1）は、アクティブ層（ACT1）上に設けられる。ゲート絶縁膜（GI1）は、アクティブ層（ACT1）とゲート電極（GE1）を絶縁させる機能をする。ゲート絶縁膜（GI1）は、アクティブ層（ACT1）を覆い、表示領域（DA）の全面に形成される。ゲート絶縁膜（GI1）は、無機膜、例えば、SiO2（silicon dioxide）、SiON（silicon oxynitride）、またはそれらの多重層からなり得るが、これらに限定されない。
【００３９】
ゲート電極（GE1）は、ゲート絶縁膜（GI1）上に設けられる。ゲート電極（GE1）は、ゲート絶縁膜（GI1）を間に置いて、アクティブ層（ACT1）の中心領域（A3）と重なる。ゲート電極（GE1）は、例えば、モリブデン（Mo）、アルミニウム（Al）、クロム（Cr）、金（Au）、チタン（Ti）、ニッケル（Ni）、ネオジム（Nd）、銅（Cu）のいずれか、またはこれらの合金からなる単一層または多重層であり得るが、これに限定されない。
【００４０】
層間絶縁膜（ILD1）は、ゲート電極（GE1）上に設けられる。層間絶縁膜（ILD1）は、ゲート電極（GE1）を含む表示領域（DA）の全面に設けられる。層間絶縁膜（ILD1）は、ゲート絶縁膜（GI1）と同じ無機膜、例えば、SiO2（silicon dioxide）、SiON（silicon oxynitride）、またはこれらの多重層からなり得るが、これに限定されない。
【００４１】
ソース電極（SE1）とドレイン電極（DE1）は、層間絶縁膜（ILD1）上で互いに離隔して配置される。前述したゲート絶縁膜（GI1）と層間絶縁膜（ILD1）には、アクティブ層（ACT1）の一端領域（A1）の一部を露出させる第１コンタクトホール（CNT1）およびアクティブ層（ACT1）の他端領域（A2）の一部を露出させる第２コンタクトホール（CNT2）が備えられる。ソース電極（SE1）は、第１コンタクトホール（CNT1）を通じてアクティブ層（ACT1）の一端領域（A1）と接続され、ドレイン電極（DE1）は、第２コンタクトホール（CNT2）を通じてアクティブ層（ACT）の他端領域（A2）に接続される。
【００４２】
第２の薄膜トランジスタ（T2）は、ベース基板１１０上の非表示領域（NA）に設けられる。第２の薄膜トランジスタ（T2）は、第１の薄膜トランジスタ（T1）と同じ工程を介して同時に形成され、同一の構成を有する。つまり、第２の薄膜トランジスタ（T2）は、第１の薄膜トランジスタ（T1）と同様に、アクティブ層（ACT2）、ゲート絶縁膜（GI2）、ゲート電極（GE2）、層間絶縁膜（ILD2）、ソース電極（SE2）およびドレイン電極（DE2）を含む。
【００４３】
アクティブ層（ACT2）は、非表示領域（NA）に配置された第２のバッファ層１４０上に設けられる。ゲート絶縁膜（GI2）は、表示領域（DA）のゲート絶縁膜（GI1）から延長され、非表示領域（NA）に配置されたアクティブ層（ACT2）上に設けられる。ゲート電極（GE2）は、ゲート絶縁膜（GI2）上に設けられる。層間絶縁膜（ILD2）は、ゲート電極（GE2）上に設けられる。層間絶縁膜（ILD2）は、表示領域（DA）の層間絶縁膜（ILD1）から延長することができる。ここで、本発明の第１の実施例に係る層間絶縁膜（ILD2）は、第１バッファ層１３０と接触せず、第２バッファ層１４０の上部に配置される。ソース電極（SE2）とドレイン電極（DE2）は、層間絶縁膜（ILD2）上で互いに離隔して配置され得るが、図２に示すように、互いに離隔せずに接続することも可能である。
【００４４】
このような、第１および第２の薄膜トランジスタ（T1、T2）の構成は、前述の例に限定されず、当業者が容易に実施することができる公知された構成で多様に変形可能である。
【００４５】
パッシベーション層（PAS）は、第１および第２の薄膜トランジスタ（T1、T2）上に設けられる。パッシベーション層（PAS）は、第１および第２の薄膜トランジスタ（T1、T2）を保護する機能をする。ここで、非表示領域（NA）に配置されたパッシベーション層（PAS）は、第１バッファ層１３０と接触しないように第２バッファ層１４０上に設けられる。これにより、第１バッファ層１３０の最外郭は、露出した状態に維持される。パッシベーション層（PAS）は、無機膜、例えば、SiO2（silicon dioxide）、SiON（silicon oxynitride）、またはこれらの多重層からなり得るが、これらに限定されない。
【００４６】
平坦化層（PAC）は、表示領域（DA）に位置するパッシベーション層（PAS）上に設けられる。平坦化層（PAC）は、非表示領域（NA）に位置するパッシベーション層（PAS）上には設けない。平坦化層（PAC）は、第１の薄膜トランジスタ（T1）が設けられるベース基板１１０の上部を平坦にする機能を遂行する。平坦化層（PAC）は、例えば、アクリル系樹脂（acryl resin）、エポキシ樹脂（epoxy resin）、フェノール樹脂（phenolic resin）、ポリアミド系樹脂（polyamides resin）、ポリイミド系樹脂（polyimides resin）などからなり得るが、これらに限定されない。
【００４７】
表示領域（DA）に位置するパッシベーション層（PAS）と平坦化層（PAC）には、第１の薄膜トランジスタ（T1）のドレイン電極（DE1）を露出させる第３コンタクトホール（CNT3）が備えられている。第３コンタクトホール（CNT3）を介してドレイン電極（DE1）とアノード電極（AND）が接続される。
【００４８】
有機発光ダイオード（OLED）は、第１の薄膜トランジスタ（T1）上に設けられる。有機発光ダイオード（OLED）は、アノード電極（AND）、有機層（EL）、およびカソード電極（CAT）を含む。アノード電極（AND）は、パッシベーション層（PAS）と平坦化層（PAC）に設けられた第３コンタクトホール（CNT3）を介して、第１の薄膜トランジスタ（T1）のドレイン電極（DE）に接続される。互いに隣接するアノード電極（AND）の間には、隔壁（W）が設けられ、それにより、互いに隣接するアノード電極（AND）は電気的に絶縁され得る。隔壁（W）は、例えば、ポリイミド系樹脂（polyimides resin）、アクリル系樹脂（acryl resin）、ベンゾシクロブチレン（BCB）などの有機膜からなり得るが、これらに限定されない。
【００４９】
有機層（EL）は、アノード電極（AND）上に設けられる。有機層（EL）は、正孔輸送層（hole transporting layer）、有機発光層（organic light emitting layer）、電子輸送層（electron transporting layer）を含むことができる。さらに、有機層（EL）には、発光層の発光効率および/または寿命を向上させるための少なくとも一つ以上の機能層をさらに含むことができる。
【００５０】
カソード電極（CAT）は、有機層（EL）と隔壁（W）上に設けられる。アノード電極（AND）とカソード電極（CAT）に電圧が印加されると、正孔と電子がそれぞれ正孔輸送層と電子輸送層を介して有機発光層に移動し、有機発光層で互いに結合して発光するようになる。
【００５１】
封止層１８０は、有機発光ダイオード（OLED）、第２の薄膜トランジスタ（T2）、および第１バッファ層１３０上に設けられる。封止層１８０は、外部の衝撃から第１および第２の薄膜トランジスタの（T1、T2）、および有機発光ダイオード（OLED）などを保護し、有機発光表示パネル１００の内部に水分が浸透するのを防止する機能をする。
【００５２】
本発明の第１の実施例に係る封止層１８０は、第１バッファ層１３０と同一の物質からなり得る。封止層１８０は、第１バッファ層１３０に含まれている無機膜のうち最上部に配置された無機膜と同じ材料からなり得る。つまり、第１バッファ層１３０の最上部に配置された無機膜がSiONの場合、封止層１８０は、SiONからなり得る。非表示領域（NA）に位置する封止層１８０の先端またはエッジ部は、露出した第１バッファ層１３０の最外郭に接触することができる。したがって、一実施例において、封止層１８０の先端またはエッジ部と、第１バッファ層１３０の少なくとも一部は、第１の薄膜トランジスタ（T1）と第２の薄膜トランジスタ（T2）および有機発光ダイオード（OLED）を封止するために互いに接触することができる。また、他の実施例において、封止層１８０のエッジ部と、第１バッファ層１３０の少なくとも一部は、第１の薄膜トランジスタ（T1）と第２の薄膜トランジスタ（T2）および有機発光ダイオード（OLED）を封止するために、第１の薄膜トランジスタ（T1）と第２の薄膜トランジスタ（T2）との間の一部で互いに接触することができる。
【００５３】
従来は、第１バッファ層１３０と封止層１８０が互いに異なる物質で形成されており、それにより、第１バッファ層１３０と封止層１８０との間の界面接着力が低く、第１バッファ層１３０と封止層１８０の間に水分が浸透して、第１および第２の薄膜トランジスタ（T1、T2）の信頼性が低下する問題があった。しかし、本発明の第１の実施例によれば、封止層１８０と第１バッファ層１３０が同一の物質からなるため、有機発光表示パネル１００の最外郭で互いに接触している封止層１８０と第１バッファ層１３０との界面接着力を高めることができる。したがって、従来の封止層と第１バッファ層が異なる物質で形成された場合よりも、外部から有機発光表示パネル１００の内部に水分が浸透するのを防止することができる。これにより、本発明の第１の実施例は、第１および第２の薄膜トランジスタ（T1、T2）の特性が水分の浸透によって低下するのを防止することができ、信頼性を向上させることができる。
【００５４】
さらに、封止層１８０上に全面接着層１９０を備えることができる。全面接着層１９０は、外部の衝撃から第１および第２の薄膜トランジスタ（T1、T2）、有機発光ダイオード（OLED）などを保護し、水分の浸透を防止する。本発明の第１の実施例に係る全面接着層１９０は、メタル層であり得るが、必ずしもこれに限定されるものではない。
【００５５】
図３は、本発明の第２の実施例に係る有機発光表示装置の断面図である。これは、図２を参照して説明した本発明の第１の実施例において、非表示領域（NA）の最外郭に位置し、第１バッファ層１３０と封止層１８０との間に表示領域（DA）から延長されたパッシベーション層（PAS）が追加で設けられたものである。したがって、以下では、追加で設けられたパッシベーション層（PAS）とこれに関連した構成のみに対して説明することにする。
【００５６】
図３を参照すると、本発明の第２の実施例に係るパッシベーション層（PAS）は、第１および第２の薄膜トランジスタ（T1、T2）上に設けられる。パッシベーション層（PAS）は、非表示領域（NA）に配置された第２のバッファ層１４０を覆い、露出した第１バッファ層１３０の最外郭を覆う。ここで、パッシベーション層（PAS）は、第１バッファ層１３０と同一の物質からなり得る。パッシベーション層（PAS）は、第１バッファ層１３０に含まれる無機膜のうち最上部に配置された無機膜と同じ物質からなり得る。例えば、第１バッファ層１３０の最上部に配置された無機膜がSiONである場合、パッシベーション層（PAS）は、SiONからなり得る。
【００５７】
本発明の第２の実施例に係る有機発光表示パネル１００の非表示領域（NA）に配置された封止層１８０は、パッシベーション層（PAS）を覆う。ここで、封止層１８０は、第１バッファ層１３０とパッシベーション層（PAS）と同一の物質からなり得る。したがって、一実施例において、封止層１８０の先端またはエッジ部と、第１バッファ層１３０の少なくとも一部は、第１の薄膜トランジスタと第２の薄膜トランジスタおよび有機発光ダイオードを封止するために、封止層１８０と第１バッファ層１３０との間の一つ以上の層とともに結合することができる。また、他の実施例において、封止層１８０のエッジ部と、第１バッファ層１３０の少なくとも一部は、第１の薄膜トランジスタ（T1）と、有機発光ダイオード（OLED）を封止するために、封止層１８０と第１バッファ層１３０との間の一つ以上の層を有する第１の薄膜トランジスタ（T1）と第２の薄膜トランジスタ（T2）との間の一部で互いに接触することができる。ここで、一つ以上の層は、第１の薄膜トランジスタ（T1）と第２の薄膜トランジスタ（T2）上に設けられたパッシベーション層（PAS）を含むことができる。
【００５８】
本発明の第２の実施例によると、パッシベーション層（PAS）が封止層１８０および第１バッファ層１３０が同一の物質からなるため、有機発光表示パネル１００の最外郭で互いに接触する第１バッファ層１３０、パッシベーション層（PAS）、および封止層１８０との間の界面接着力を高めることができる。また、パッシベーション層（PAS）が非表示領域（NA）に位置する第２の薄膜トランジスタ（T2）、第２バッファ層１４０、および第１バッファ層１３０のすべてを覆うため、表示パネルの最外郭から表示パネルの内部に水分が浸透するのをさらに防止することができる。これにより、第１および第２の薄膜トランジスタ（T1、T2）の信頼性を向上させることができる。
【００５９】
図４は、本発明の第３の実施例に係る有機発光表示装置の断面図である。これは、図３を参照して説明した本発明の第２の実施例において、非表示領域（NA）の第１バッファ層１３０とパッシベーション層（PAS）との間に層間絶縁膜（ILD）が追加で設けられたものである。したがって、以下では、追加で設けられた層間絶縁膜（ILD）およびそれに関連する構成のみに対して説明することにする。
【００６０】
図４を参照すると、本発明の第３の実施例に係る有機発光表示パネル１００の非表示領域（NA）には、層間絶縁膜（ILD2）が設けられる。第３の実施例によれば、層間絶縁膜（ILD2）は、非表示領域（NA）に配置された第２のバッファ層１３０を覆って、露出した第１バッファ層１３０の最外郭を覆う。ここで、層間絶縁膜（ILD2）は、第１バッファ層１３０と同一の物質からなり得る。層間絶縁膜（ILD2）は、第１バッファ層１３０に含まれている無機膜のうち最上部に配置された無機膜と同じ材料からなることができる。例えば、第１バッファ層１３０の最上部に配置された無機膜がSiONである場合、層間絶縁膜（ILD2）は、SiONからなり得る。
【００６１】
パッシベーション層（PAS）は、層間絶縁膜（ILD2）上に設けられる。パッシベーション層（PAS）は、層間絶縁膜（ILD2）の上面を覆う。パッシベーション層（PAS）は、層間絶縁膜（ILD2）と同じ無機膜からなり得る。したがって、一実施例において、封止層１８０の先端またはエッジ部と第１バッファ層１３０の少なくとも一部は、第１の薄膜トランジスタ（T1）と第２の薄膜トランジスタ（T2）および有機発光ダイオード（OLED）を封止するために、封止層１８０と第１バッファ層１３０との間の一つ以上の層とともに結合することができる。また、他の実施例において、封止層１８０のエッジ部と第１バッファ層１３０の少なくとも一部は、第１の薄膜トランジスタ（T1）と有機発光ダイオード（OLED）を封止するために、封止層１８０と第１バッファ層１３０との間の一つ以上の層を有する第１の薄膜トランジスタ（T1）と第２の薄膜トランジスタ（T2）との間の一部で互いに接触することができる。ここで、一つ以上の層は、パッシベーション層（PAS）および第１バッファ層１３０とパッシベーション層（PAS）との間の層間絶縁膜（ILD2）を含むことができる。
【００６２】
本発明の第３の実施例によれば、層間絶縁膜（ILD2）が、パッシベーション層（PAS）、封止層１８０および第１バッファ層１３０と同一の物質からなるため、有機発光表示パネル１００の最外郭で互いに接触する第１バッファ層１３０、層間絶縁膜（ILD2）、パッシベーション層（PAS）および封止層１８０との間の界面接着力を高めることができる。また、層間絶縁膜（ILD2）が非表示領域（NA）に位置する第２の薄膜トランジスタ（T2）、第２バッファ層１４０および第１バッファ層１３０のすべてを覆うため、表示パネルの最外郭から表示パネルの内部に水分が浸透するのをさらに防止することができる。これにより、第１および第２の薄膜トランジスタ（T1、T2）の信頼性を向上させることができる。
【００６３】
図５は、本発明の第４の実施例に係る有機発光表示装置の断面図である。これは、図２を参照して説明した本発明の第１の実施例の封止層１８０の構成要素を変更したもので、以下では、変更された封止層１８０の構成要素と関連する構成のみに対して説明することにする。
【００６４】
図５を参照すると、本発明の第４の実施例に係る封止層１８０は、複数の無機膜１８１、１８７と、有機膜１８２が交互に積層された構造を有する。つまり、封止層１８０は、複数の無機膜１８１、１８７および、複数の無機膜１８１、１８７との間に配置された有機膜１８２を含む。
【００６５】
複数の無機膜１８１、１８７は、下部無機膜１８１と上部無機膜１８７を含んでいる。下部無機膜１８１は、有機発光ダイオード（OLED）、第２の薄膜トランジスタ（T2）、第２バッファ層１４０および第１バッファ層１３０を覆う。上部無機膜１８７は、下部無機膜１８１上に設けられ、上部無機膜１８７の最外郭は、下部無機膜１８１の最外郭と接触する。ここで、下部無機膜１８１と上部無機膜１８７は、第１バッファ層１３０と同一の物質からなり得る。下部無機膜１８１と上部無機膜１８７は、第１バッファ層１３０に含まれている無機膜のうち最上部に配置された無機膜と同じ材料からなり得る。つまり、第１バッファ層１３０の最上部に配置された無機膜がSiONである場合、下部無機膜１８１と上部無機膜１８７は、SiONからなり得る。
【００６６】
有機膜１８２は、下部無機膜１８１と上部無機膜１８７との間に配置される。有機膜１８２は、下部無機膜１８１の上部を平坦にしてくれる。有機膜１８２は、例えば、アクリル系樹脂（acryl resin）、エポキシ樹脂（epoxy resin）、フェノール樹脂（phenolic resin）、ポリアミド系樹脂（polyamides resin）、ポリイミド系樹脂（polyimides resin）などからなり得るが、これらに限定されない。
【００６７】
本発明の第４の実施例では、複数の無機膜１８１、１８７および、複数の無機膜１８１、１８７との間に配置された有機膜１８２を含む封止層１８０を説明したが、封止層１８０の構造が必ずしもこれに限定されるものではない。つまり、封止層１８０の構造は、複数の無機膜および複数の有機膜が交互に積層された構造で多様に変形が可能である。ただし、封止層１８０の最上部と最下部には、効果的な防湿のために、内部への透湿度が低い無機膜を配置することが好ましい。また、封止層１８０に含まれる複数の無機膜１８１、１８７のうちの少なくとも一つの無機膜が、最外郭に露出した第１バッファ層１３０と接触することが好ましい。したがって、一実施例において、封止層１８０の先端またはエッジ部と、第１バッファ層１３０の少なくとも一部は、第１の薄膜トランジスタ（T1）と第２の薄膜トランジスタ（T2）、および、有機発光ダイオード（OLED）を封止するために、封止層１８０と、第１バッファ層１３０との間の一つ以上の層とともに結合することができる。また、他の実施例において、封止層１８０のエッジ部と、第１バッファ層１３０の少なくとも一部は、第１の薄膜トランジスタ（T1）と、有機発光ダイオード（OLED）を封止するために封止層１８０と、第１バッファ層１３０との間の一つ以上の層を有する第１の薄膜トランジスタ（T1）と第２の薄膜トランジスタ（T2）との間の一部で互いに接触することができる。ここで、一例として、一つ以上の層は、第１の薄膜トランジスタ（T1）と第２の薄膜トランジスタ（T2）上に設けられたパッシベーション層（PAS）を含むことができる。別の例として、一つ以上の層は、封止層１８０の複数の無機膜のうちの少なくとも一つと、他の無機膜を含むことができる。
【００６８】
さらに、第４の実施例に係る封止層１８０上には、全面に接着層１９０が設けられ得る。全面接着層１９０は、外部の衝撃から第１および第２の薄膜トランジスタ（T1、T2）、有機発光ダイオード（OLED）などを保護し、水分の浸透を防止する。このような全面接着層１９０は、バリアフィルム層であり得るが、必ずしもこれに限定されるものではない。
【００６９】
本発明の第４の実施例によれば、複数の無機膜１８１、１８７および複数の無機膜１８１、１８７との間に配置された有機膜１８２を含む封止層１８０が設けられ、複数の無機膜１８１、１８７のそれぞれと、第１バッファ層１３０が同一の物質からなるため、有機発光表示パネル１００の最外郭で互いに接触する封止層１８０と第１バッファ層１３０の間の界面接着力を高めることができる。したがって、外部から有機発光表示パネル１００の内部に水分が浸透するのを防止することができる。これにより、第１および第２の薄膜トランジスタ（T1、T2）の特性が低下するのを防止することができ、信頼性を向上させることができる。
【００７０】
図６は、本発明の第５の実施例による有機発光表示装置の断面図である。これは、図２を参照して説明した本発明の第１の実施例の封止層１８０の構成要素を変形したもので、以下では、変形された封止層１８０の構成要素と関連する構成のみに対して説明することにする。
【００７１】
図６を参照すると、本発明の第５の実施例に係る封止層１８０は、交互に積層された複数の無機膜１８１、１８３、１８５、１８７および複数の有機膜１８２、１８４、１８６を含んでいる。複数の無機膜１８１、１８３、１８５、１８７の間には、複数の有機膜１８２、１８４、１８６が配置される。
【００７２】
複数の無機膜１８１、１８３、１８５、１８７の中で封止層１８０の最下部に位置する下部無機膜１８１は、有機発光ダイオード（OLED）、第２の薄膜トランジスタ（T2）、第２バッファ層１４０および第１バッファ層１３０を覆う。
【００７３】
複数の無機膜１８１、１８３、１８５、１８７の中で封止層１８０の最上部に位置する上部無機膜１８７は、残りの無機膜１８１、１８３、１８５および複数の有機膜１８２、１８４、１８６を覆い、第１バッファ層１３０を覆う。
【００７４】
これにより、有機発光表示パネル１００の最外郭は、封止層１８０と、第１バッファ層１３０によって密封され得る。ここで、複数の無機膜１８１、１８３、１８５、１８７のそれぞれは、第１バッファ層１３０と同一の物質からなり得る。複数の無機膜１８１、１８３、１８５、１８７のそれぞれは、第１バッファ層１３０に含まれた無機膜のうち最上部に配置された無機膜と同じ材料からなり得る。つまり、第１バッファ層１３０の最上部に配置された無機膜がSiONである場合、複数の無機膜１８１、１８３、１８５、１８７のそれぞれは、SiONからなり得る。したがって、一実施例において、封止層１８０の複数の無機膜のうち少なくとも一つの先端またはエッジ部と、第１バッファ層１３０の少なくとも一部は、第１の薄膜トランジスタ（T1）と第２の薄膜トランジスタ（T2）および有機発光ダイオード（OLED）を封止するために、封止層１８０と第１バッファ層１３０との間の一つ以上の層とともに結合することができる。また、他の実施例において、封止層１８０のエッジ部と、第１バッファ層１３０の少なくとも一部は、第１の薄膜トランジスタ（T1）と有機発光ダイオード（OLED）を封止するために、封止層１８０と第１バッファ層１３０との間の一つ以上の層を有する第１の薄膜トランジスタ（T1）と第２の薄膜トランジスタ（T2）との間の一部で互いに接触することができる。ここで、一つ以上の層は、封止層１８０の複数の無機膜のうちの少なくとも一つと異なる無機膜を含むことができる。
【００７５】
本発明の第５の実施例によれば、複数の無機膜１８１、１８３、１８５、１８７、および複数の有機膜１８２、１８４、１８６が交互に積層された構造を有する封止層１８０が設けられ、複数の無機膜１８１、１８３、１８５、１８７のそれぞれが、第１バッファ層１３０と同一の物質からなるので、図２を参照して説明した第１の実施例と比較して、外部から有機発光表示パネル１００の内部に水分が浸透するのをさらに防止することができる。これにより、第１および第２の薄膜トランジスタ（T1、T2）の特性が低下するのを防止することができ、信頼性を向上させることができる。
【００７６】
図７は、本発明の一実施例による有機発光表示装置の製造方法を説明するためのフローチャートである。
【００７７】
まず、ベース基板上にSiONを含む第１バッファ層を形成する（S702）。一例として、第１バッファ層を形成する工程は、複数の無機膜の第１バッファ層を形成する工程を含むことができる。複数の無機膜の第１バッファ層の内の最上部層は、SiONを含むことができる。
【００７８】
続いて、第１バッファ層上に一つ以上の薄膜トランジスターを形成する（S704）。
【００７９】
続いて、一つ以上の薄膜トランジスタ上に有機発光ダイオード（OLED）を形成する（S706）。
【００８０】
続いて、一つ以上の薄膜トランジスタと有機発光ダイオード（OLED）上にSiONを含む封止層を形成する（S708）。
【００８１】
一例として、封止層の形成は、複数の無機膜と複数の有機膜を形成する工程を含むことができる。ここで、複数の有機膜と複数の無機膜は、交互に積層することができる。封止層の無機膜のそれぞれは、SiONを含むことができる。
【００８２】
封止層は、第１バッファ層の少なくとも一部と封止層のエッジ部が互いに接触するように形成するか、一つ以上の薄膜トランジスタと有機発光ダイオードを封止するために、第１バッファ層の一部と封止層のエッジ部との間のSiONを含む一つ以上の層とともに結合するように形成することができる。
【００８３】
一例として、一つ以上の層のパッシベーション層は、一つ以上の薄膜トランジスタを覆い、一つ以上の薄膜トランジスタの形成以後と、有機発光ダイオードの形成以前に形成され、SiONを含むことができる。また、別の例として、一つ以上の層の層間絶縁膜は、第１バッファ層の形成以後とパッシベーション層の形成以前に形成され、SiONを含むことができる。
【００８４】
図８は、本発明のまた他の実施例による有機発光表示装置の製造方法を説明するためのフローチャートである。
【００８５】
まず、ベース基板上に第１の物質を含む第１バッファ層を形成する（S802）。一例として、第１バッファ層を形成する工程は、複数の無機膜の第１バッファ層を形成する工程を含むことができる。複数の無機膜の第１バッファ層の最上部層は、第１の物質を含むことができる。
【００８６】
続いて、第１バッファ層上に第１の薄膜トランジスタを形成する（S804）。
【００８７】
続いて、第１バッファ層の上に第２の薄膜トランジスタを形成する（S806）。
【００８８】
続いて、第１の薄膜トランジスタ上に配置されるように、有機発光ダイオード（OLED）を形成する（S808）。
【００８９】
続いて、有機発光ダイオード、第２の薄膜トランジスタ、および第１バッファ層上に第１の物質を含む封止層を形成する（S810）。一例として、封止層の形成は、複数の無機膜と複数の有機膜を形成する工程を含むことができる。ここで、複数の有機膜と、複数の無機膜は交互に積層することができる。封止層の無機膜のそれぞれは、第１の物質を含むことができる。
【００９０】
封止層は、第１バッファ層の少なくとも一部と封止層のエッジ部が互いに接触するように形成するか、第１の薄膜トランジスタと第２の薄膜トランジスタおよび有機発光ダイオードを封止するために、第１バッファ層の一部と封止層のエッジ部との間の第１の物質を含む一つ以上の層とともに結合するように形成することができる。
【００９１】
一例として、一つ以上の層のパッシベーション層は、第２の薄膜トランジスタを覆い、第２の薄膜トランジスタの形成以後と、有機発光ダイオードの形成以前に形成され、第１の物質を含むことができる。なた別の例として、一つ以上の層の層間絶縁膜は、第１バッファ層の形成以後とパッシベーション層の形成以前に形成され、第１の物質を含むことができる。
【００９２】
以上で説明した本発明は、前述した実施例および添付した図に限定されるものではなく、本発明の技術的事項を逸脱しない範囲内で、様々な置換、変形および変更が可能であることは、本発明が属する技術分野で通常の知識を有する者にとって明らかであろう。したがって、本発明の範囲は、後述する特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲の意味および範囲、そしてその等価概念から導出されるすべての変更または変形された形態が、本発明の範囲に含まれるものと解釈されるべきである。
【符号の説明】
【００９３】
１００：有機発光表示パネル
１１０：ベース基板
１３０：第１バッファ層
１４０：第２バッファ層
１８０：封止層
１９０：全面接着層
２００：ゲート駆動部
３１０：ソースドライブIC
３３０：軟性フィルム
３５０：回路ボード
４００：タイミング制御部
T1：第１の薄膜トランジスタ
T2：第２の薄膜トランジスタ
DA：表示領域
NA：非表示領域
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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