(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
表面に複数の分割予定ラインが格子状に形成されているとともに、該複数の分割予定ラインによって区画された複数の領域に、可動部と該可動部に接続された固定部とを有するマイクロマシンデバイスが形成されたウェーハの加工方法であって、
該マイクロマシンデバイスの該固定部に対応するウェーハの裏面側をレジスト膜で被覆して、該可動部に対応するウェーハの裏面側を露出させるとともに、該分割予定ラインに対応するウェーハの裏面側をレジスト膜で間欠的に被覆して、レジスト膜で被覆された被覆領域と、ウェーハの裏面が露出した該マイクロマシンデバイスの一辺より短い露出領域と、を該分割予定ラインに沿って交互に設けるレジスト膜被覆工程と、
該レジスト膜被覆工程が実施されたウェーハの裏面側からプラズマエッチングを施し、ウェーハの該可動部に対応する裏面側に該可動部に達する凹部を形成するとともに、該分割予定ラインに沿って該露出領域に対応する貫通穴を形成するエッチング工程と、
該エッチング工程の後にウェーハに対して所定の追加工を行う追加工工程と、
該追加工工程の前または後に該レジスト膜を除去するレジスト膜除去工程と、
該レジスト膜除去工程と該追加工工程とが実施された後、ウェーハの裏面側を環状のフレームに装着されたダイシングテープに貼着するウェーハ支持工程と、
該ダイシングテープを拡張することによりウェーハに外力を加えて該分割予定ラインに沿ってウェーハを分割する分割工程と、を含むことを特徴とするウェーハの加工方法。
【請求項２】
該分割予定ラインに対応する該被覆領域のレジスト膜は、該固定部に対応するウェーハの裏面側を被覆するレジスト膜よりも薄く形成され、該エッチング工程後のウェーハの該被覆領域に対応する部分の厚さは、該固定部に対応する部分の厚さよりも薄いことを特徴とする請求項１に記載のウェーハの加工方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、マイクロマシンデバイスとなる構造体が形成されたウェーハを加工する加工方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、加速度センサや圧力センサに代表されるマイクロマシンデバイス（ＭＥＭＳ（Micro  Electro  Mechanical  Systems）デバイスとも呼ばれる）の需要が高まっている。マイクロマシンデバイスを含むデバイスチップは、例えば、シリコン等の材料でなるウェーハの表面を複数の分割予定ラインで区画し、各領域にマイクロマシンデバイスとなる構造体を作り込んだ後、この分割予定ラインに沿ってウェーハを分割することで製造できる（例えば、特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００９−７６８２３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
ところで、マイクロマシンデバイスを含むウェーハを切削ブレードで切削して複数のデバイスチップに分割する上述の方法では、切削屑を除去するために吹き付ける切削液の衝撃で、マイクロマシンデバイスを構成する脆弱な構造体が破損してしまうことがある。これに対して、レーザー光線を使用してウェーハを分割する方法を採用すればこの問題を回避できるが、高価なレーザー加工装置が必要になるため導入コストの点で問題が残る。
【０００５】
また、マイクロマシンデバイスにおいてキャビティと呼ばれる空間を形成するエッチング工程を利用して、ウェーハを分割することも考えられる。しかしながら、キャビティの形成時に分割予定ラインをエッチングしてウェーハを分割すると、その後の加工工程（追加工工程）において、分割されたデバイスチップの位置がずれ易く適切な加工は困難になる。
【０００６】
本発明はかかる問題点に鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、マイクロマシンデバイスが形成されたウェーハを適切かつ低コストに加工できるウェーハの加工方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明によれば、表面に複数の分割予定ラインが格子状に形成されているとともに、該複数の分割予定ラインによって区画された複数の領域に、可動部と該可動部に接続された固定部とを有するマイクロマシンデバイスが形成されたウェーハの加工方法であって、該マイクロマシンデバイスの該固定部に対応するウェーハの裏面側をレジスト膜で被覆して、該可動部に対応するウェーハの裏面側を露出させるとともに、該分割予定ラインに対応するウェーハの裏面側をレジスト膜で間欠的に被覆して、レジスト膜で被覆された被覆領域と、ウェーハの裏面が露出した該マイクロマシンデバイスの一辺より短い露出領域と、を該分割予定ラインに沿って交互に設けるレジスト膜被覆工程と、該レジスト膜被覆工程が実施されたウェーハの裏面側からプラズマエッチングを施し、ウェーハの該可動部に対応する裏面側に該可動部に達する凹部を形成するとともに、該分割予定ラインに沿って該露出領域に対応する貫通穴を形成するエッチング工程と、該エッチング工程の後にウェーハに対して所定の追加工を行う追加工工程と、該追加工工程の前または後に該レジスト膜を除去するレジスト膜除去工程と、該レジスト膜除去工程と該追加工工程とが実施された後、ウェーハの裏面側を環状のフレームに装着されたダイシングテープに貼着するウェーハ支持工程と、該ダイシングテープを拡張することによりウェーハに外力を加えて該分割予定ラインに沿ってウェーハを分割する分割工程と、を含むことを特徴とするウェーハの加工方法が提供される。
【０００８】
本発明において、該分割予定ラインに対応する該被覆領域のレジスト膜は、該固定部に対応するウェーハの裏面側を被覆するレジスト膜よりも薄く形成され、該エッチング工程後のウェーハの該被覆領域に対応する部分の厚さは、該固定部に対応する部分の厚さよりも薄いことが好ましい。
【発明の効果】
【０００９】
本発明のウェーハの加工方法では、マイクロマシンデバイスの可動部に達する凹部をウェーハの裏面側に形成するエッチング工程において、分割予定ラインに沿う貫通穴を間欠的に形成し、後の分割工程で外力を加えてウェーハを分割するので、切削ブレードで切削する場合のように、切削液の衝撃等でマイクロマシンデバイスが破損することはない。
【００１０】
また、高価なレーザー加工装置を用いずに済むので、加工コストを低く抑えることができる。さらに、エッチング工程では、分割予定ラインに沿う貫通穴を間欠的に形成することでデバイスチップが連結された状態を保っているので、エッチング工程後の追加工工程においてデバイスチップの位置がずれることはなく、ウェーハを適切に加工できる。
【００１１】
このように、本発明によれば、マイクロマシンデバイスが形成されたウェーハを適切かつ低コストに加工できるウェーハの加工方法を提供できる。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１】図１（Ａ）は、ウェーハの構成例を模式的に示す斜視図であり、図１（Ｂ）は、ウェーハの構成例を模式的に示す断面図である。
【図２】図２（Ａ）は、レジスト膜被覆工程を模式的に示す平面図であり、図２（Ｂ）は、レジスト膜被覆工程を模式的に示す断面図である。
【図３】プラズマエッチング装置の構成例を模式的に示す縦断面模式図である。
【図４】図４（Ａ）は、エッチング工程後のウェーハを模式的に示す平面図であり、図４（Ｂ）は、エッチング工程後のウェーハを模式的に示す断面図である。
【図５】ウェーハ支持工程を模式的に示す斜視図である。
【図６】図６（Ａ）及び図６（Ｂ）は、分割工程を模式的に示す一部断面側面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
添付図面を参照して、本発明の実施形態について説明する。本実施形態に係るウェーハの加工方法は、レジスト膜被覆工程（図２（Ａ）及び図２（Ｂ）参照）、エッチング工程（図４（Ａ）及び図４（Ｂ）参照）、追加工工程、レジスト膜除去工程、ウェーハ支持工程（図５参照）、及び分割工程（図６（Ａ）及び図６（Ｂ）参照）を含む。
【００１４】
レジスト膜被覆工程では、ウェーハの表面に形成されたマイクロマシンデバイスの固定部に対応するウェーハの裏面側をレジスト膜で被覆するとともに、分割予定ラインに対応するウェーハの裏面側をレジスト膜で間欠的に被覆する。エッチング工程では、ウェーハの裏面側をプラズマエッチングして、マイクロマシンデバイスの可動部に達する凹部をウェーハの裏面側に形成するとともに、分割予定ラインに沿う貫通穴を間欠的に形成する。
【００１５】
追加工工程では、ウェーハに対して任意の追加工を行う。レジスト膜除去工程では、ウェーハの裏面側に残存したレジスト膜を除去する。ウェーハ支持工程では、環状のフレームに装着されたダイシングテープにウェーハを貼着し、環状のフレームでウェーハを支持する。分割工程では、ダイシングテープを拡張し、外力を付与することで、ウェーハを分割予定ラインに沿って分割する。以下、本実施形態に係るウェーハの加工方法について詳述する。
【００１６】
まず、本実施形態に係るウェーハの加工方法で加工されるウェーハについて説明する。図１（Ａ）は、ウェーハの構成例を模式的に示す斜視図であり、図１（Ｂ）は、ウェーハの構成例を模式的に示す断面図である。
【００１７】
図１（Ａ）に示すように、ウェーハ１１は、例えば、シリコン等の半導体材料で形成された略円形の板状物であり、表面１１ａは、中央のデバイス領域１３と、デバイス領域１３を囲む外周余剰領域１５とに分けられている。
【００１８】
デバイス領域１３は、格子状に配列された分割予定ライン（ストリート）１７でさらに複数の領域に区画されており、各領域には、加速度センサや圧力センサ等に代表されるマイクロマシンデバイス１９が形成されている。ウェーハ１１の外周１１ｃは面取り加工されており、丸みを帯びている。
【００１９】
図１（Ｂ）に示すように、マイクロマシンデバイス１９は、加速度、圧力等に応じて変位する可動部１９ａを含んでいる。可動部１９ａの周囲には、可動部１９ａを支持する固定部１９ｂが配置されており、可動部１９ａの少なくとも一部は、この固定部１９ｂに接続されている。なお、平面視における可動部１９ａの形状は、例えば、円形（図４（Ａ）参照）であるが、他の形状でも良い。
【００２０】
本実施形態に係るウェーハの加工方法では、まず、このウェーハ１１の裏面１１ｂ側をレジスト膜で被覆するレジスト膜被覆工程を実施する。図２（Ａ）は、レジスト膜被覆工程を模式的に示す平面図であり、図２（Ｂ）は、レジスト膜被覆工程を模式的に示す断面図である。なお、図２（Ｂ）では、図２（Ａ）のＡＡ断面を示している。
【００２１】
このレジスト膜被覆工程では、例えば、レジスト膜の形成領域に対応する開口が形成されたマスク（不図示）を、ウェーハ１１の裏面１１ｂ側に載置し、後のプラズマエッチングに耐性のあるレジスト材をマスクの開口に向けて滴下する。その後、乾燥・加熱等してレジスト材を硬化させ、ウェーハ１１の裏面１１ｂ側からマスクを除去することで、所望のレジスト膜をウェーハ１１の裏面１１ｂ側に形成できる。
【００２２】
図２（Ａ）及び図２（Ｂ）に示すように、本実施形態では、マイクロマシンデバイス１９の固定部１９ｂに対応するウェーハ１１の裏面１１ｂを覆う複数のレジスト膜２１を形成する。各レジスト膜２１には、マイクロマシンデバイス１９の可動部１９ａに対応する円形の開口２１ａが形成されており、可動部１９ａに対応するウェーハ１１の裏面１１ｂは露出している。
【００２３】
また、本実施形態では、分割予定ライン１７に対応する裏面１１ｂを分割予定ライン１７に沿って間欠的に覆う複数のレジスト膜２３を形成する。これにより、ウェーハ１１の裏面１１ｂ側は、分割予定ライン１７に沿って、各レジスト膜２３で被覆された被覆領域Ｂと、ウェーハ１１の裏面１１ｂが露出した露出領域Ｃとに区分される。すなわち、分割予定ライン１７に沿って被覆領域Ｂと露出領域Ｃとが交互に設けられる。
【００２４】
各レジスト膜２３は、分割予定ライン１７を挟んで隣接する２つのレジスト膜２１を連結できる位置に形成される。具体的には、隣接する２つのレジスト膜２３の間隔を、マイクロマシンデバイス１９の一辺より短くなるように設定する。すなわち、露出領域Ｃの分割予定ライン１７に沿う方向の長さは、マイクロマシンデバイス１９の一辺より短くなる。
【００２５】
なお、分割予定ライン１７に対応するレジスト膜２３は、固定部１９ｂに対応するレジスト膜２１より薄く形成されることが好ましい。このようなレジスト膜２１，２３は、例えば、上述した工程を複数回繰り返すことで形成できる。また、インクジェットや、グレートーンマスクを用いるフォトリソグラフィ等の方法で、厚さの異なるレジスト膜２１，２３を形成しても良い。
【００２６】
レジスト膜被覆工程の後には、ウェーハ１１の裏面１１ｂ側をプラズマエッチングするエッチング工程を実施する。図３は、エッチング工程を実施するプラズマエッチング装置の構成例を模式的に示す縦断面模式図である。
【００２７】
図３に示すように、プラズマエッチング装置２は、処理空間４を形成する真空チャンバ６を備えている。真空チャンバ６の側壁６ａには、ウェーハ１１を搬出入するための開口８が形成されている。
【００２８】
開口８の外部には、開口８を開閉するゲート１０が取り付けられている。ゲート１０の下方には、開閉装置１２が設けられており、ゲート１０はこの開閉装置１２で上下に移動する。開閉装置１２でゲート１０を下方に移動させ、開口８を開くことにより、開口８を通じてウェーハ１１を真空チャンバ６の処理空間４に搬入し、又は、ウェーハ１１を真空チャンバ６の処理空間４から搬出できる。
【００２９】
真空チャンバ６の底壁６ｂには、排気口１４が形成されている。この排気口１４は、真空ポンプ等の排気装置１６と接続されている。真空チャンバ６の処理空間４には、下部電極１８と上部電極２０とが対向するように配置されている。
【００３０】
下部電極１８は、導電性の材料で形成されており、円盤状の保持部２２と、保持部２２の下面中央から下方に伸びる円柱状の支持部２４とを含む。支持部２４は、真空チャンバ６の底壁６ｂに形成された開口２６に挿通されている。
【００３１】
開口２６内において、底壁６ｂと支持部２４との間には、絶縁性の軸受け２８が配置されており、真空チャンバ６と下部電極１８とは絶縁されている。下部電極１８は、真空チャンバ６の外部において高周波電源３０と接続されている。
【００３２】
保持部２２の上面には、凹部が形成されており、この凹部には、ウェーハ１１を載置するテーブル３２が設置されている。テーブル３２には、吸引路（不図示）が設けられており、この吸引路は、下部電極２８の内部に形成された流路３４等を通じて吸引源３６と接続されている。
【００３３】
また、保持部２２の内部には、冷却流路３８が形成されている。冷却流路３８の一端は、支持部２４に形成された冷媒供給路４０を通じて循環装置４２と接続されており、冷却流路３８の他端は、支持部２４に形成された冷媒排出路４４を通じて循環装置４２と接続されている。この循環装置４２を作動させると、冷媒は、冷媒供給路４０、冷却流路３８、冷媒排出路４４の順に流れ、下部電極１８を冷却する。
【００３４】
上部電極２０は、導電性の材料で形成されており、円盤状のガス噴出部４６と、ガス噴出部４６の上面中央から上方に伸びる円柱状の支持部４８とを含む。支持部４８は、真空チャンバ６の上壁６ｃに形成された開口５０に挿通されている。
【００３５】
開口５０内において、上壁６ｃと支持部４８との間には、絶縁性の軸受け５２が配置されており、真空チャンバ６と上部電極２０とは絶縁されている。上部電極２０は、真空チャンバ６の外部において高周波電源３０と接続されている。また、支持部４８の上端部は、昇降機構５６の支持アーム５８に連結されており、上部電極２０は、この昇降機構５６で上下に移動する。
【００３６】
ガス噴出部４６の下面には、複数のガス噴出口６０が形成されている。このガス噴出口６０は、流路６２等を通じてガス供給源６４に接続されている。これにより、エッチング用の原料ガスを真空チャンバ６内の処理空間４に供給できる。
【００３７】
エッチング工程では、まず、開閉機構１２でゲート１０を下降させる。次に、開口８を通じてウェーハ１１を真空チャンバ６の処理空間４に搬入し、下部電極１８のテーブル３２に載置する。なお、このエッチング工程では、裏面１１ｂ側を上方に露出させるようにウェーハ１１をテーブル３２上に載置する。また、ウェーハ１１の搬入時には、昇降機構５６で上部電極２０を上昇させて、ウェーハ１１の搬入スペースを確保しておく。
【００３８】
その後、吸引源３６の負圧を作用させて、ウェーハ１１をテーブル３２上に固定する。また、開閉機構１２でゲート１０を上昇させて、処理空間４を密閉する。さらに、下部電極１８と上部電極２０とがプラズマエッチングに適した所定の位置関係となるように、昇降機構５６で上部電極２０を下降させる。また、排気装置１６を作動させて、処理空間４を真空（低圧）とする。
【００３９】
この状態で、ガス供給源６４からエッチング用の原料ガスを所定の流量で供給しつつ、高周波電源３０で下部電極１８及び上部電極２０に所定の高周波電力を供給すると、下部電極１８及び上部電極２０との間にラジカルやイオンを含むプラズマが発生する。これにより、ウェーハ１１の裏面１１ｂ側はエッチング（プラズマエッチング）される。なお、エッチング用の原料ガスは、ウェーハ１１の材質等に応じて適切に選択される。
【００４０】
図４（Ａ）は、エッチング工程後のウェーハを模式的に示す平面図であり、図４（Ｂ）は、エッチング工程後のウェーハを模式的に示す断面図である。なお、図４（Ｂ）では、図４（Ａ）のＡＡ断面を示している。また、図４（Ａ）及び図４（Ｂ）では、レジスト膜２１，２３が除去された状態のウェーハ１１を示している。
【００４１】
上述のように、固定部１９ｂに対応するウェーハ１１の裏面１１ｂは、レジスト膜２１で被覆されている。そのため、図４（Ａ）及び図４（Ｂ）に示すように、固定部１９ｂに対応するウェーハ１１の裏面１１ｂ側は、エッチング工程で殆ど除去されずに残る。
【００４２】
一方、可動部１９ａに対応するウェーハ１１の裏面１１ｂは、上述のようにレジスト膜２１で被覆されずに露出している。そのため、可動部１９ａに対応するウェーハ１１の裏面１１ｂ側はエッチングで除去される。
【００４３】
これにより、固定部１９ｂを支持する支持部２５と、可動部１９ａに対応する凹部２５ａとが形成される。なお、凹部２５ａは、可動部１９ａに達する深さに形成される。すなわち、図４（Ａ）に示すように、可動部１９ａは、凹部２５ａを通じてウェーハ１１の裏面１１ｂ側に露出する。
【００４４】
また、分割予定ライン１７に対応するウェーハ１１の裏面１１ｂは、上述のようにレジスト膜２３で間欠的に被覆されている。そのため、主に、レジスト膜２３で被覆されていない露出領域Ｃがエッチングで除去される。これにより、被覆領域Ｂに対応する連結部２７と、露出領域Ｃに対応する貫通穴２７ａとが形成される。
【００４５】
上述のように、レジスト膜２３は、分割予定ライン１７を挟んで隣接する２つのレジスト膜２１を連結するように形成されているので、分割予定ライン１７を挟んで隣接する２つの支持部２５も連結部２７で連結される。
【００４６】
また、本実施形態では、レジスト膜２３がレジスト膜２１より薄く形成されているので、エッチングが進行するとレジスト膜２３は消失し、被覆領域Ｂもある程度除去される。その結果、支持部２５より薄い連結部２７が形成される。
【００４７】
エッチング工程の後には、追加工工程及びレジスト膜除去工程を実施する。追加工工程では、マイクロマシンデバイス１９の補強構造を形成する工程や、マイクロマシンデバイス１９にキャビティを形成する工程等を実施する。ただし、加工の内容はこれらに限定されず、任意に設定できる。
【００４８】
レジスト膜除去工程では、ウェーハ１１の裏面１１ｂ側に残存しているレジスト膜２１をアッシング等の方法で除去する。なお、レジスト膜２１，２３を同程度の厚さに形成する場合には、レジスト膜２３も残存している可能性が高い。このように、レジスト膜２３が残存している場合には、レジスト膜除去工程においてレジスト膜２３も併せて除去する。
【００４９】
なお、追加工工程及びレジスト膜除去工程の順序は、特に限定されない。追加工工程を実施した後にレジスト膜除去工程を実施しても良いし、レジスト膜除去工程を実施した後に追加工工程を実施しても良い。
【００５０】
追加工工程及びレジスト膜除去工程の後には、ウェーハ支持工程を実施する。図５は、ウェーハ支持工程を模式的に示す斜視図である。図５に示すように、ウェーハ支持工程では、ウェーハ１１の裏面１１ｂ側にウェーハ１１より大径のダイシングテープ３１を貼着する。
【００５１】
また、ダイシングテープ３１の外周部には、環状のフレーム３３を装着しておく。これにより、ウェーハ１１は、ダイシングテープ３１を介して環状のフレーム３３に支持される。
【００５２】
ウェーハ支持工程の後には、分割予定ライン１７に沿ってウェーハ１１を分割する分割工程を実施する。図６（Ａ）及び図６（Ｂ）は、分割工程を模式的に示す一部断面側面図である。
【００５３】
図６（Ａ）に示すように、分割工程は、エキスパンド装置７２で実施される。エキスパンド装置７２は、ウェーハ１１を支持する支持構造７４と、ウェーハ１１の裏面１１ｂ側に貼着されたダイシングテープ３１を拡張する円筒状の拡張ドラム７６とを備えている。拡張ドラム７６の内径は、ウェーハ１１の外径より大きく、拡張ドラム７６の外径は、フレーム３３の内径より小さい。
【００５４】
支持構造７４は、フレーム３３を支持する環状のフレーム支持テーブル７８を含む。このフレーム支持テーブル７８の上面は、フレーム３３を載置する載置面となっている。フレーム支持テーブル７８の外周部分には、フレーム３３を固定する複数のクランプ８０が設けられている。
【００５５】
支持構造７４の下方には、昇降機構８２が設けられている。昇降機構８２は、基台（不図示）に固定されたシリンダケース８４と、シリンダケース８４に挿通されたピストンロッド８６とを備えている。ピストンロッド８６の上端部には、フレーム支持テーブル７８が固定されている。
【００５６】
この昇降機構８２は、フレーム支持テーブル７８の上面（載置面）を、拡張ドラム７６の上端と略等しい高さの基準位置と、拡張ドラム７６の上端より下方の拡張位置と、に位置付けるように支持構造７４を昇降させる。
【００５７】
分割工程では、まず、図６（Ａ）に示すように、基準位置に位置付けられたフレーム支持テーブル７８の上面にウェーハ１１を支持したフレーム３３を載置し、クランプ８０で固定する。これにより、拡張ドラム７６の上端は、ウェーハ１１の外周とフレーム３３の内周との間に位置するダイシングテープ３１に接触する。
【００５８】
次に、昇降機構８２で支持構造７４を下降させて、図６（Ｂ）に示すように、フレーム支持テーブル７８の上面を拡張ドラム７６の上端より下方の拡張位置に位置付ける。その結果、拡張ドラム７６はフレーム支持テーブル７８に対して上昇し、ダイシングテープ３１は拡張ドラム７６で押し上げられるように拡張する。
【００５９】
上述のように、ウェーハ１１には、分割予定ライン１７に沿って間欠的に貫通穴２７ａが形成されている。そのため、ダイシングテープ３１を拡張して外力を付与すると、ウェーハ１１は、貫通穴２７ａを起点に複数のデバイスチップ３５に分割される。
【００６０】
以上のように、本実施形態に係るウェーハの加工方法では、マイクロマシンデバイス１９の可動部１９ａに達する凹部２５ａをウェーハ１１の裏面１１ｂ側に形成するエッチング工程において、分割予定ライン１７に沿う貫通穴２７ａを間欠的に形成し、後の分割工程で外力を加えてウェーハ１１を分割するので、切削ブレードで切削する場合のように、切削液の衝撃等でマイクロマシンデバイス１９が破損することはない。
【００６１】
また、高価なレーザー加工装置を用いずに済むので、加工コストを低く抑えることができる。さらに、エッチング工程では、分割予定ライン１７に沿う貫通穴２７ａを間欠的に形成することでデバイスチップ３５が連結された状態を保っているので、エッチング工程後の追加工工程においてデバイスチップ３５の位置がずれてしまうことはなく、ウェーハ１１を適切に追加工できる。
【００６２】
また、本実施形態に係るウェーハの加工方法では、レジスト膜２３をレジスト膜２１より薄く形成することで、連結部２７は支持部２５より薄く形成されるので、後の分割工程において、薄い連結部２７を起点にウェーハ１１を適切に分割できる。
【００６３】
なお、上記実施形態に係る構成、方法等は、本発明の目的の範囲を逸脱しない限りにおいて適宜変更して実施できる。
【符号の説明】
【００６４】
１１  ウェーハ
１１ａ  表面
１１ｂ  裏面
１１ｃ  外周
１３  デバイス領域
１５  外周余剰領域
１７  分割予定ライン（ストリート）
１９  マイクロマシンデバイス
１９ａ  可動部
１９ｂ  固定部
２１  レジスト膜
２１ａ  開口
２３  レジスト膜
２５  支持部
２５ａ  凹部
２７  連結部
２７ａ  貫通穴
３１  ダイシングテープ
３３  フレーム
３５  デバイスチップ
Ｂ  被覆領域
Ｃ  露出領域
２  プラズマエッチング装置
４  処理空間
６  真空チャンバ
６ａ  側壁
６ｂ  底壁
６ｃ  上壁
８  開口
１０  ゲート
１２  開閉機構
１４  排気口
１６  排気装置
１８  下部電極
２０  上部電極
２２  保持部
２４  支持部
２６  開口
２８  軸受け
３０  高周波電源
３２  テーブル
３４  流路
３６  吸引源
３８  冷却流路
４０  冷媒導入路
４２  循環装置
４４  冷媒排出路
４６  ガス噴出部
４８  支持部
５０  開口
５２  軸受け
５６  昇降機構
５８  支持アーム
６０  噴出口
６２  流路
６４  ガス供給源
７２  エキスパンド装置
７４  支持構造
７６  拡張ドラム
７８  フレーム支持テーブル
８０  クランプ
８２  昇降機構
８４  シリンダケース
８６  ピストンロッド
【図１】
0006308895.tif 000002
【図２】
0006308895.tif 000003
【図３】
0006308895.tif 000004
【図４】
0006308895.tif 000005
【図５】
0006308895.tif 000006
【図６】
0006308895.tif 000007