(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
コア層の一方の面に第１金属箔、他方の面に第２金属箔が形成された積層板を準備し、前記コア層、前記第１金属箔、及び前記第２金属箔を貫通する貫通孔を形成する工程と、
前記第１金属箔及び前記第２金属箔の表面全面にエッチングを施し、前記第１金属箔の端部が前記貫通孔内に張り出したバリを除去すると共に前記貫通孔の開口部周縁に前記コア層の一方の面を環状に露出させ、前記第２金属箔の端部が前記貫通孔内に張り出したバリを除去すると共に前記貫通孔の開口部周縁に前記コア層の他方の面を環状に露出させる工程と、
前記環状に露出させる工程の後、前記貫通孔の内側面に付着した樹脂残渣を除去すると共に前記貫通孔の内側面と前記コア層の一方の面との境界部を曲面状に面取りして環状の第１面取り部を形成し、前記貫通孔の内側面と前記コア層の他方の面との境界部を曲面状に面取りして環状の第２面取り部を形成する工程と、
前記第１金属箔、前記第１面取り部、前記第２金属箔、及び前記第２面取り部を被覆し、前記貫通孔を充填する金属層を形成し、前記第１金属箔、前記第２金属箔、及び前記金属層をパターニングして前記コア層の一方の面に第１配線層を形成し、前記コア層の他方の面に第２配線層を形成し、前記貫通孔を充填し前記第１配線層及び前記第２配線層とを電気的に接続する貫通配線を形成する工程と、を有し、
前記貫通孔を形成する工程より前に、黒化処理により前記第１金属箔の表面に酸化膜を形成して第１表面処理部を設けると共に、前記第２金属箔の表面に酸化膜を形成して第２表面処理部を設ける工程を有し、
前記環状に露出させる工程での前記エッチングにより、前記第１金属箔及び前記第２金属箔のバリと共に前記第１表面処理部及び前記第２表面処理部を除去する配線基板の製造方法。
【請求項２】
コア層の一方の面に第１金属箔、他方の面に第２金属箔が形成された積層板を準備し、前記コア層、前記第１金属箔、及び前記第２金属箔を貫通する貫通孔を形成する工程と、
前記第１金属箔及び前記第２金属箔の表面全面にエッチングを施し、前記第１金属箔の端部が前記貫通孔内に張り出したバリを除去すると共に前記貫通孔の開口部周縁に前記コア層の一方の面を環状に露出させ、前記第２金属箔の端部が前記貫通孔内に張り出したバリを除去すると共に前記貫通孔の開口部周縁に前記コア層の他方の面を環状に露出させる工程と、
前記環状に露出させる工程の後、前記貫通孔の内側面に付着した樹脂残渣を除去すると共に前記貫通孔の内側面と前記コア層の一方の面との境界部を曲面状に面取りして環状の第１面取り部を形成し、前記貫通孔の内側面と前記コア層の他方の面との境界部を曲面状に面取りして環状の第２面取り部を形成する工程と、
前記第１金属箔、前記第１面取り部、前記第２金属箔、及び前記第２面取り部を被覆し、前記貫通孔を充填する金属層を形成し、前記第１金属箔、前記第２金属箔、及び前記金属層をパターニングして前記コア層の一方の面に第１配線層を形成し、前記コア層の他方の面に第２配線層を形成し、前記貫通孔を充填し前記第１配線層及び前記第２配線層とを電気的に接続する貫通配線を形成する工程と、を有し、
前記貫通孔を形成する工程より前に、黒化処理により前記第１金属箔の表面に酸化膜を形成して第１表面処理部を設けると共に、前記第２金属箔の表面に酸化膜を形成して第２表面処理部を設ける工程を有し、
前記第１金属箔を薄型化した後に、薄型化した前記第１金属箔の表面に前記第１表面処理部を形成し、前記第２金属箔を薄型化した後に、薄型化した前記第２金属箔の表面に前記第２表面処理部を形成し、
その後に、前記第１表面処理部を介して前記第１金属箔にレーザ光を照射し、前記第２表面処理部を介して前記第２金属箔にレーザ光を照射して前記貫通孔を形成する配線基板の製造方法。
【請求項３】
前記第１金属箔を薄型化した後に、薄型化した前記第１金属箔の表面に前記第１表面処理部を形成し、前記第２金属箔を薄型化した後に、薄型化した前記第２金属箔の表面に前記第２表面処理部を形成し、
その後に、前記第１表面処理部を介して前記第１金属箔にレーザ光を照射し、前記第２表面処理部を介して前記第２金属箔にレーザ光を照射して前記貫通孔を形成する請求項１記載の配線基板の製造方法。
【請求項４】
前記貫通孔を形成する工程では、前記貫通孔の形状は、前記コア層の一方の面側の開口部の面積が前記コア層内に形成された頂部の面積よりも大となる円錐台状の第１の孔と、前記コア層の他方の面側の開口部の面積が前記コア層内に形成された頂部の面積よりも大となる円錐台状の第２の孔とが、各々の頂部が前記コア層内で連通した形状に形成される請求項２又は３記載の配線基板の製造方法。
【請求項５】
前記第１面取り部及び前記第２面取り部の各々の断面形状が凸型Ｒ形状である請求項１乃至４の何れか一項記載の配線基板の製造方法。
【請求項６】
前記コア層はエポキシ系樹脂と、ガラスクロス、ガラス繊維、炭素繊維、又はアラミド繊維と、を含み、
前記貫通孔にデスミア処理を施すことで、前記貫通孔の内側面に付着した樹脂残渣を除去すると共に、前記貫通孔の内側面と前記コア層の一方の面との境界部の樹脂を溶解除去して前記第１面取り部を形成し、前記貫通孔の内側面と前記コア層の他方の面との境界部の樹脂を溶解除去して前記第２面取り部を形成する請求項１乃至５の何れか一項記載の配線基板の製造方法。
【請求項７】
前記第１金属箔、前記第１面取り部、前記第２金属箔、前記第２面取り部、及び前記貫通孔の内側面を被覆するシード層を形成し、前記シード層を給電層に利用した電解めっき法により前記シード層上にめっき層を形成することで前記金属層を形成する請求項１乃至６の何れか一項記載の配線基板の製造方法。
【請求項８】
前記第１配線層は、前記コア層の一方の面の前記第１面取り部の外周側に前記第１金属箔をパターニングして環状に形成された第１金属層と、前記第１面取り部上及び前記第１金属層上に前記金属層をパターニングして形成された第２金属層と、を含むように形成され、
前記第２配線層は、前記コア層の他方の面の前記第２面取り部の外周側に前記第２金属箔をパターニングして環状に形成された第３金属層と、前記第２面取り部上及び前記第３金属層上に前記金属層をパターニングして形成された第２金属層と、を含むように形成される請求項１乃至７の何れか一項記載の配線基板の製造方法。
【請求項９】
前記コア層の一方の面に前記第１配線層を覆うように第１絶縁層を形成する工程と、
前記コア層の他方の面に前記第２配線層を覆うように第２絶縁層を形成する工程と、
前記第１絶縁層上に第３配線層を形成する工程と、
前記第２絶縁層上に第４配線層を形成する工程と、を有する請求項１乃至８の何れか一項記載の配線基板の製造方法。
【請求項１０】
前記第３配線層は、前記第１絶縁層内に形成された複数のビア配線、及び前記第１絶縁層上に形成された複数の配線パターンを含んで構成され、
前記第３配線層の複数の配線パターンは、前記第１絶縁層内の一のビア配線を介して前記貫通孔上に形成された前記第１配線層と接続される配線パターンと、前記第１絶縁層内の他のビア配線を介して前記コア層の一方の面に形成された前記第１配線層と接続される配線パターンと、を有しており、
前記第４配線層は、前記第２絶縁層内に形成された複数のビア配線、及び前記第２絶縁層上に形成された複数の配線パターンを含んで構成され、
前記第４配線層の複数の配線パターンは、前記第２絶縁層内の一のビア配線を介して前記貫通孔上に形成された前記第２配線層と接続される配線パターンと、前記第２絶縁層内の他のビア配線を介して前記コア層の他方の面に形成された前記第２配線層と接続される配線パターンと、を有している請求項９記載の配線基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、配線基板の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来より、絶縁層に設けた貫通孔をめっきで充填して貫通配線を形成した配線基板が知られている。このような配線基板は、例えば、以下のような方法により製造される。まず、両面に銅箔が形成された絶縁層を準備し、エッチングにより各々の銅箔に開口を形成し、絶縁層表面を露出させる。そして、各々の開口から絶縁層表面にレーザ加工を施し、テーパー形状の頂部同士を付き合わせた形状の貫通孔を形成する。次に、貫通孔をフィルドめっきにより充填する。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００３−４６２４８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、エッチングにより各々の銅箔に開口を形成するためには、以下に示すような煩雑な工程が必要になる。すなわち、両面の銅箔上に各々感光性のレジスト層を形成し、各々のレジスト層を露光及び現像して各々の銅箔の開口を形成する領域のみをレジスト層から露出する。そして、各々のレジスト層から露出した銅箔をエッチングにより除去し、各々の銅箔に開口を形成する。その後、各々のレジスト層を除去する。このような煩雑な工程を経て配線基板を形成すると、配線基板の製造コストが上昇する問題が生じる。
【０００５】
本発明は、上記の点に鑑みてなされたものであり、製造コストを抑制可能な配線基板の製造方法を提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本配線基板の製造方法は、コア層の一方の面に第１金属箔、他方の面に第２金属箔が形成された積層板を準備し、前記コア層、前記第１金属箔、及び前記第２金属箔を貫通する貫通孔を形成する工程と、前記第１金属箔及び前記第２金属箔の表面全面にエッチングを施し、前記第１金属箔の端部が前記貫通孔内に張り出したバリを除去すると共に前記貫通孔の開口部周縁に前記コア層の一方の面を環状に露出させ、前記第２金属箔の端部が前記貫通孔内に張り出したバリを除去すると共に前記貫通孔の開口部周縁に前記コア層の他方の面を環状に露出させる工程と、前記環状に露出させる工程の後、前記貫通孔の内側面に付着した樹脂残渣を除去すると共に前記貫通孔の内側面と前記コア層の一方の面との境界部を曲面状に面取りして環状の第１面取り部を形成し、前記貫通孔の内側面と前記コア層の他方の面との境界部を曲面状に面取りして環状の第２面取り部を形成する工程と、前記第１金属箔、前記第１面取り部、前記第２金属箔、及び前記第２面取り部を被覆し、前記貫通孔を充填する金属層を形成し、前記第１金属箔、前記第２金属箔、及び前記金属層をパターニングして前記コア層の一方の面に第１配線層を形成し、前記コア層の他方の面に第２配線層を形成し、前記貫通孔を充填し前記第１配線層及び前記第２配線層とを電気的に接続する貫通配線を形成する工程と、を有し、前記貫通孔を形成する工程より前に、黒化処理により前記第１金属箔の表面に酸化膜を形成して第１表面処理部を設けると共に、前記第２金属箔の表面に酸化膜を形成して第２表面処理部を設ける工程を有し、前記環状に露出させる工程での前記エッチングにより、前記第１金属箔及び前記第２金属箔のバリと共に前記第１表面処理部及び前記第２表面処理部を除去することを要件とする。
【発明の効果】
【０００８】
開示の技術によれば、製造コストを抑制可能な配線基板の製造方法を提供できる。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】第１の実施の形態に係る配線基板を例示する断面図である。
【図２】第１の実施の形態に係る配線基板の製造工程を例示する図（その１）である。
【図３】第１の実施の形態に係る配線基板の製造工程を例示する図（その２）である。
【図４】第１の実施の形態に係る配線基板の製造工程を例示する図（その３）である。
【図５】第１の実施の形態に係る配線基板の製造工程を例示する図（その４）である。
【図６】比較例に係る配線基板を例示する断面図である。
【図７】第１の実施の形態の変形例に係る配線基板を例示する断面図である。
【図８】第１の実施の形態の応用例に係る半導体パッケージを例示する断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
以下、図面を参照して発明を実施するための形態について説明する。なお、各図面において、同一構成部分には同一符号を付し、重複した説明を省略する場合がある。
【００１１】
〈第１の実施の形態〉
［第１の実施の形態に係る配線基板の構造］
まず、第１の実施の形態に係る配線基板の構造について説明する。図１は、第１の実施の形態に係る配線基板を例示する断面図である。なお、図１（ｂ）は図１（ａ）のＡ部の拡大図である。
【００１２】
図１を参照するに、第１の実施の形態に係る配線基板１０は、コア層１１と、配線層１２と、配線層１３と、貫通配線１４と、絶縁層１５と、配線層１６と、絶縁層１７と、配線層１８と、ソルダーレジスト層１９と、絶縁層２０と、配線層２１と、絶縁層２２と、配線層２３と、ソルダーレジスト層２４とを有する。
【００１３】
なお、配線基板１０において、便宜上、ソルダーレジスト層１９が形成される側を一方の側（一方の面）、ソルダーレジスト層２４が形成される側を他方の側（他方の面）と称する場合がある。
【００１４】
配線基板１０において、コア層１１の一方の面には配線層１２が形成され、他方の面には配線層１３が形成されている。配線層１２と配線層１３とはコア層１１を厚さ方向に貫通する貫通孔１１ｘ内に形成された貫通配線１４により電気的に接続されている。配線層１２及び１３は、各々所定の平面形状にパターニングされている。
【００１５】
コア層１１としては、例えば、ガラスクロスにエポキシ系樹脂を含浸させた所謂ガラスエポキシ基板等を用いることができる。コア層１１として、ガラス繊維、炭素繊維、アラミド繊維等の織布や不織布にエポキシ系樹脂等を含浸させた基板等を用いてもよい。コア層１１の厚さは、例えば、６０〜４００μｍ程度とすることができる。コア層１１には、コア層１１を厚さ方向に貫通する貫通孔１１ｘが設けられている。
【００１６】
貫通孔１１ｘは、コア層１１の一方の面から形成された第１の孔１１ｘ１と、コア層１１の他方の面から形成された第２の孔１１ｘ２とを有する。第１の孔１１ｘ１は、コア層１１の一方の面側の開口部の面積がコア層１１内に形成された頂部の面積よりも大となる円錐台状の孔であり、第２の孔１１ｘ２は、コア層１１の他方の面側の開口部の面積がコア層１１内に形成された頂部の面積よりも大となる円錐台状の孔である。第１の孔１１ｘ１と第２の孔１１ｘ２の各々の頂部がコア層１１内（例えば、コア層１１の厚さ方向の中央部近傍）で連通して貫通孔１１ｘを形成している。なお、第１の孔１１ｘ１と第２の孔１１ｘ２の各々の頂部が連通した部分を、頂部連通部と称する場合がある。
【００１７】
換言すれば、貫通孔１１ｘは、鼓状である。ここで、鼓状とは、貫通孔１１ｘにおいて、コア層１１の一方の面側の開口部及びコア層１１の他方の面側の開口部の各々から頂部連通部にかけて、断面積（平面方向の断面積）が連続的に減少する形状を指す。貫通孔１１ｘにおいて、頂部連通部が最も断面積の小さい部分（小径部）となる。
【００１８】
つまり、貫通孔１１ｘの断面（厚さ方向の断面）は、コア層１１の一方の面側の開口部から貫通孔１１ｘの略中央部の小径部（頂部連通部）にかけての傾斜面と、コア層１１の他方の面側の開口部から貫通孔１１ｘの略中央部の小径部（頂部連通部）にかけての傾斜面とを有する。
【００１９】
貫通孔１１ｘにおいて、コア層１１の一方の面側の開口部の径及びコア層１１の他方の面側の開口部の径は、各々例えば、６０〜２００μｍ程度とすることができる。又、頂部連通部の径は、例えば、３０〜１５０μｍ程度とすることができる。
【００２０】
但し、第１の孔１１ｘ１及び第２の孔１１ｘ２は各々円錐台状の孔でなくてもよく、その場合には、貫通孔１１ｘの一方の側の開口部、他方の側の開口部、頂部連通部の各々の断面形状（平面方向の断面形状）は、例えば、楕円形や他の形状となる。
【００２１】
又、頂部連通部は、コア層１１の厚さ方向の中央部近傍に位置するが、中央部近傍からコア層１１の一方の側又は他方の側にずれてもよい。つまり、頂部連通部は、コア層１１の厚さ方向の中央部近傍から垂直方向に多少ずれても問題はない。又、第１の孔１１ｘ１の軸部及び第２の孔１１ｘ２の軸部が水平方向に多少ずれても問題はない。
【００２２】
又、貫通孔１１ｘにおいて、一方の側の開口部から頂部連通部に至る部分の内側面の断面形状（厚さ方向の断面形状）、及び他方の側の開口部から頂部連通部に至る部分の内側面の断面形状（厚さ方向の断面形状）は、直線状であっても曲線状であってもよい。
【００２３】
貫通孔１１ｘ（第１の孔１１ｘ１）の内側面とコア層１１の一方の面との境界部には、曲面状に面取りされた環状の面取り部（第１面取り部と称する場合がある）が形成されている（図１（ｂ）のＢ部）。同様に、貫通孔１１ｘ（第２の孔１１ｘ２）の内側面とコア層１１の他方の面との境界部には、曲面状に面取りされた環状の面取り部（第２面取り部と称する場合がある）が形成されている（貫通孔１１ｘの図１（ｂ）のＢ部の反対側の端部）。第１面取り部及び第２面取り部の各々の断面形状（厚さ方向の断面）は、例えば、凸型Ｒ形状とされている。
【００２４】
仮に、第１面取り部及び第２面取り部が形成されていない場合を考える。つまり、貫通孔１１ｘの内側面とコア層１１の一方の面との境界部が角部（角張っている部分）とされており、貫通孔１１ｘの内側面とコア層１１の他方の面との境界部が角部（角張っている部分）とされている場合を考える。この場合には、角部（角張っている部分）からの応力集中により、配線層１２及び１３、並びに貫通配線１４にクラックが生じるおそれがある。更に、クラックが生じると、クラックを起点として配線層１２及び１３、並びに貫通配線１４が断線するおそれがある。
【００２５】
本実施の形態のように、第１面取り部及び第２面取り部が形成されていると、第１面取り部及び第２面取り部からは応力集中が生じ難いため、配線層１２及び１３、並びに貫通配線１４にクラックが生じるおそれを低減できる。その結果、クラックを起点として配線層１２及び１３、並びに貫通配線１４が断線するおそれを低減できる。
【００２６】
配線層１２は、第１金属層１２ａと、第２金属層１２ｂとを有する。第１金属層１２ａ及び第２金属層１２ｂの材料としては、例えば、銅（Ｃｕ）等を用いることができる。同様に、配線層１３は、第３金属層１３ａと、第４金属層１３ｂとを有する。第３金属層１３ａ及び第４金属層１３ｂの材料としては、例えば、銅（Ｃｕ）等を用いることができる。なお、配線層１２は、本発明に係る第１配線層の代表的な一例であり、配線層１３は、本発明に係る第２配線層の代表的な一例である。
【００２７】
貫通配線１４の材料としては、例えば、銅（Ｃｕ）等を用いることができる。なお、貫通孔１１ｘを介して電気的に接続される部分の配線層１２の第２金属層１２ｂ、配線層１３の第４金属層１３ｂ、及び貫通配線１４は一体的に形成されているが、ここでは、便宜上、貫通孔１１ｘ内に形成されている部分を貫通配線１４として説明する。又、貫通配線１４よりも絶縁層１５側に形成されている部分を配線層１２の第２金属層１２ｂ、貫通配線１４よりも絶縁層２０側に形成されている部分を配線層１３の第４金属層１３ｂとして説明する。
【００２８】
前述のように、配線層１２は第１金属層１２ａ及び第２金属層１２ｂを有するが、貫通孔１１ｘの一方の側の開口部周縁には第１金属層１２ａは形成されていない。同様に、配線層１３は第３金属層１３ａ及び第４金属層１３ｂを有するが、貫通孔１１ｘの他方の側の開口部周縁には第３金属層１３ａは形成されていない。
【００２９】
つまり、図１（ａ）のＡ部において、第１面取り部が形成されている領域には第１金属層１２ａが形成されていなく、コア層１１の一方の面の第１面取り部の外周側に環状に第１金属層１２ａが形成されている。又、図１（ａ）のＡ部において、第２金属層１２ｂは、第１面取り部上及び第１金属層１２ａ上に形成されている。又、図１（ａ）のＡ部を除く部分において、第２金属層１２ｂは、第１金属層１２ａ上に形成されている。
【００３０】
同様に、貫通孔１１ｘのＡ部の反対側の部分において、第２面取り部が形成されている領域には第３金属層１３ａが形成されていなく、コア層１１の他方の面の第２面取り部の外周側に環状に第３金属層１３ａが形成されている。又、貫通孔１１ｘのＡ部の反対側の部分において、第４金属層１３ｂは、第２面取り部上及び第３金属層１３ａ上に形成されている。又、貫通孔１１ｘのＡ部の反対側を除く部分において、第４金属層１３ｂは、第３金属層１３ａ上に形成されている。
【００３１】
絶縁層１５は、コア層１１の一方の面に配線層１２を覆うように形成されている。絶縁層１５の材料としては、例えば、エポキシ系樹脂を主成分とする絶縁性樹脂等を用いることができる。絶縁層１５は、シリカ（ＳｉＯ２）等のフィラーを含有しても構わない。絶縁層１５の厚さは、例えば１５〜３５μｍ程度とすることができる。
【００３２】
配線層１６は、絶縁層１５の一方の側に形成されている。配線層１６は、絶縁層１５を貫通し配線層１２の一方の面を露出するビアホール１５ｘ内に充填されたビア配線、及び絶縁層１５の一方の面に形成された配線パターンを含んで構成されている。ビアホール１５ｘは、絶縁層１７側に開口されていると共に、配線層１２の一方の面によって底面が形成された、開口部の面積が底面の面積よりも大となる円錐台状の凹部である。配線層１６の材料としては、例えば、銅（Ｃｕ）等を用いることができる。配線層１６の厚さは、例えば、１０〜３０μｍ程度とすることができる。
【００３３】
絶縁層１７は、絶縁層１５の一方の面に配線層１６を覆うように形成されている。絶縁層１７の材料や厚さは、例えば、絶縁層１５と同様とすることができる。絶縁層１７は、シリカ（ＳｉＯ２）等のフィラーを含有しても構わない。
【００３４】
配線層１８は、絶縁層１７の一方の側に形成されている。配線層１８は、絶縁層１７を貫通し配線層１６の一方の面を露出するビアホール１７ｘ内に充填されたビア配線、及び絶縁層１７の一方の面に形成された配線パターンを含んで構成されている。ビアホール１７ｘは、ソルダーレジスト層１９側に開口されていると共に、配線層１６の一方の面によって底面が形成された、開口部の面積が底面の面積よりも大となる円錐台状の凹部である。配線層１８の材料や厚さは、例えば、配線層１６と同様とすることができる。
【００３５】
ソルダーレジスト層１９は、絶縁層１７の一方の面に、配線層１８を覆うように形成されている。ソルダーレジスト層１９は、例えば、感光性樹脂等から形成することができる。ソルダーレジスト層１９の厚さは、例えば１５〜３５μｍ程度とすることができる。
【００３６】
ソルダーレジスト層１９は、開口部１９ｘを有し、開口部１９ｘ内には配線層１８の一部が露出している。開口部１９ｘ内に露出する配線層１８は、半導体チップ等（図示せず）と電気的に接続されるパッドとして機能する。そこで、開口部１９ｘ内に露出する配線層１８を第１パッド１８と称する場合がある。
【００３７】
但し、ソルダーレジスト層１９は、配線層１８を完全に露出するように設けてもよい。この場合、配線層１８の側面とソルダーレジスト層１９の側面とが接するようにソルダーレジスト層１９を設けてもよいし、配線層１８の側面とソルダーレジスト層１９の側面との間に隙間ができるようにソルダーレジスト層１９を設けてもよい。
【００３８】
必要に応じ、第１パッド１８の一方の面に金属層を形成したり、ＯＳＰ（Organic Solderability Preservative）処理等の酸化防止処理を施したりしてもよい。金属層の例としては、Ａｕ層や、Ｎｉ／Ａｕ層（Ｎｉ層とＡｕ層をこの順番で積層した金属層）、Ｎｉ／Ｐｄ／Ａｕ層（Ｎｉ層とＰｄ層とＡｕ層をこの順番で積層した金属層）等を挙げることができる。金属層の厚さは、例えば、０．０３〜１０μｍ程度とすることができる。又、第１パッド１８の一方の面に、はんだボールやリードピン等の外部接続端子を形成してもよい。
【００３９】
なお、配線層１８を構成する配線パターンを絶縁層１７の一方の面に引き出して形成し、絶縁層１７の一方の面に引き出された配線パターン上に開口部１９ｘを形成してもよい。つまり、配線層１８のビアホール１７ｘ上以外の部分に、開口部１９ｘを配置してもよい。
【００４０】
絶縁層２０は、コア層１１の他方の面に配線層１３を覆うように形成されている。絶縁層２０の材料や厚さは、例えば、絶縁層１５と同様とすることができる。絶縁層２０は、シリカ（ＳｉＯ２）等のフィラーを含有しても構わない。
【００４１】
配線層２１は、絶縁層２０の他方の側に形成されている。配線層２１は、絶縁層２０を貫通し配線層１３の他方の面を露出するビアホール２０ｘ内に充填されたビア配線、及び絶縁層２０の他方の面に形成された配線パターンを含んで構成されている。ビアホール２０ｘは、絶縁層２２側に開口されていると共に、配線層１３の他方の面によって底面が形成された、開口部の面積が底面の面積よりも大となる円錐台状の凹部である。配線層２１の材料や厚さは、例えば、配線層１６と同様とすることができる。
【００４２】
絶縁層２２は、絶縁層２０の他方の面に配線層２１を覆うように形成されている。絶縁層２２の材料や厚さは、例えば、絶縁層１５と同様とすることができる。絶縁層２２は、シリカ（ＳｉＯ２）等のフィラーを含有しても構わない。
【００４３】
配線層２３は、絶縁層２２の他方の側に形成されている。配線層２３は、絶縁層２２を貫通し配線層２１の他方の面を露出するビアホール２２ｘ内に充填されたビア配線、及び絶縁層２２の他方の面に形成された配線パターンを含んで構成されている。ビアホール２２ｘは、ソルダーレジスト層２４側に開口されていると共に、配線層２１の他方の面によって底面が形成された、開口部の面積が底面の面積よりも大となる円錐台状の凹部である。配線層２３の材料や厚さは、例えば、配線層１６と同様とすることができる。
【００４４】
ソルダーレジスト層２４は、絶縁層２２の他方の面に、配線層２３を覆うように形成されている。ソルダーレジスト層２４の材料や厚さは、例えば、ソルダーレジスト層１９と同様とすることができる。
【００４５】
ソルダーレジスト層２４は、開口部２４ｘを有し、開口部２４ｘ内には配線層２３の一部が露出している。開口部２４ｘ内に露出する配線層２３は、半導体チップ等（図示せず）と電気的に接続されるパッドとして機能する。そこで、開口部２４ｘ内に露出する配線層２３を第２パッド２３と称する場合がある。
【００４６】
必要に応じ、第２パッド２３の他方の面に金属層を形成したり、ＯＳＰ（Organic Solderability Preservative）処理等の酸化防止処理を施したりしてもよい。金属層の例としては、Ａｕ層や、Ｎｉ／Ａｕ層（Ｎｉ層とＡｕ層をこの順番で積層した金属層）、Ｎｉ／Ｐｄ／Ａｕ層（Ｎｉ層とＰｄ層とＡｕ層をこの順番で積層した金属層）等を挙げることができる。金属層の厚さは、例えば、０．０３〜１０μｍ程度とすることができる。又、第２パッド２３の他方の面に、はんだボールやリードピン等の外部接続端子を形成してもよい。
【００４７】
なお、配線層２３を構成する配線パターンを絶縁層２２上に引き出して形成し、絶縁層２２上に引き出された配線パターン上に開口部２４ｘを形成してもよい。つまり、配線層２３のビアホール２２ｘ上以外の部分に、開口部２４ｘを配置してもよい。
【００４８】
［第１の実施の形態に係る配線基板の製造方法］
次に、第１の実施の形態に係る配線基板の製造方法について説明する。図２〜図５は、第１の実施の形態に係る配線基板の製造工程を例示する図である。
【００４９】
まず、図２（ａ）に示す工程では、コア層１１の一方の面に第１金属箔１２Ｍ（パターニングされていないプレーン状の金属箔）、他方の面に第２金属箔１３Ｍ（パターニングされていないプレーン状の金属箔）が形成された積層板を準備する。
【００５０】
コア層１１としては、例えば、ガラスクロスにエポキシ系樹脂を含浸させた所謂ガラスエポキシ基板等を用いることができる。コア層１１の厚さは、例えば、６０〜４００μｍ程度とすることができる。第１金属箔１２Ｍ及び第２金属箔１３Ｍとしては、例えば、各々銅箔等を用いることができる。第１金属箔１２Ｍ及び第２金属箔１３Ｍの各々の厚さは、例えば、１２〜１８μｍ程度とすることができる。
【００５１】
そして、準備した積層板において、第１金属箔１２Ｍ及び第２金属箔１３Ｍをエッチングして薄型化する。なお、薄型化後の第１金属箔１２Ｍ及び第２金属箔１３Ｍを、便宜上、各々第１金属箔１２Ｎ及び第２金属箔１３Ｎと称する。第１金属箔１２Ｎ及び第２金属箔１３Ｎの各々の厚さは、例えば、３〜８μｍ程度とすることができる。第１金属箔１２Ｍ及び第２金属箔１３Ｍが各々銅箔である場合には、例えば、硫酸過酸化水素系のエッチング液や過硫酸塩素系のエッチング液等を用いてエッチングして薄型化できる。
【００５２】
なお、第１金属箔１２Ｍ及び第２金属箔１３Ｍを薄型化して第１金属箔１２Ｎ及び第２金属箔１３Ｎを形成する目的は、後工程におけるレーザ加工を容易にするためである。又、レーザ加工時に第１金属箔１２Ｎ及び第２金属箔１３Ｎの加工部端に生じるバリを小さくするためである。第１金属箔１２Ｎ及び第２金属箔１３Ｎは、後工程でパターニングされて、各々第１金属層１２ａ及び第３金属層１３ａとなる部分である。
【００５３】
次に、図２（ｂ）に示す工程では、第１金属箔１２Ｎの一方の面及び第２金属箔１３Ｎの他方の面に各々表面処理を施し、表面処理部１０１及び１０２を形成する。表面処理の一例としては、例えば、黒化処理を挙げることができる。黒化処理とは、亜塩素酸ナトリウム等を用いて金属箔表面を酸化処理することをいう。黒化処理は、粗化処理の一種である。
【００５４】
黒化処理によって、第１金属箔１２Ｎの一方の面及び第２金属箔１３Ｎの他方の面に、１μｍ程度の微小な凹凸からなる酸化膜が形成される。つまり、第１金属箔１２Ｎの一方の面及び第２金属箔１３Ｎの他方の面に、酸化膜による粗化面が形成される。この酸化膜は（この粗化面は）、黒色系又は褐色系に視認される。この酸化膜が（この粗化面が）表面処理部１０１及び１０２であり、表面処理部１０１及び１０２は黒色系又は褐色系の外観となる。
【００５５】
黒色系又は褐色系の表面処理部１０１及び１０２は、後工程で照射するレーザ光の波長を吸収しやすいため、レーザ加工の加工性を高めることができる。なお、後工程で照射するレーザ光の波長を吸収しやすくできれば、黒化処理以外の処理によって表面処理部１０１及び１０２を形成してもよい。
【００５６】
次に、図２（ｃ）に示す工程では、例えばＣＯ２レーザ等を用いたレーザ加工法により、コア層１１、第１金属箔１２Ｎ及び第２金属箔１３Ｎ、及び表面処理部１０１及び１０２を貫通する貫通孔１１ｘを形成する。ＣＯ２レーザの波長帯は赤外であるが、黒色系又は褐色系の表面処理部１０１及び１０２は紫外光、可視光、赤外光等を含む波長帯の光を広く吸収するため、レーザ加工の加工性を高めることができる。
【００５７】
貫通孔１１ｘを形成するには、まず、表面処理部１０１及び第１金属箔１２Ｎを介して、コア層１１の一方の面側にレーザ光を照射し、コア層１１の一方の面側に第１の孔１１ｘ１を形成する。次に、表面処理部１０２及び第２金属箔１３Ｎを介して、第１の孔１１ｘ１に対応する位置のコア層１１の他方の面側にレーザ光を照射し、コア層１１の他方の面側に第２の孔１１ｘ２を形成する。これにより、第１の孔１１ｘ１と第２の孔１１ｘ２の各々の頂部がコア層１１の厚さ方向の中央部近傍で連通し、鼓状の貫通孔１１ｘが形成される。但し、最終的に貫通孔１１ｘが形成されれば、第１の孔１１ｘ１はコア層１１を貫通しなくてもよい。
【００５８】
第１の孔１１ｘ１は、コア層１１の一方の面側の開口部の面積がコア層１１内に形成された頂部の面積よりも大となる円錐台状の孔であり、第２の孔１１ｘ２は、コア層１１の他方の面側の開口部の面積がコア層１１内に形成された頂部の面積よりも大となる円錐台状の孔である。換言すれば、貫通孔１１ｘは、鼓状である。
【００５９】
なお、第１の孔１１ｘ１及び第２の孔１１ｘ２は各々円錐台状の孔でなくてもよく、その場合には、貫通孔１１ｘの一方の側の開口部、他方の側の開口部、頂部連通部の各々の断面形状（平面方向の断面形状）は、例えば、楕円形や他の形状となる。又、頂部連通部は、コア層１１の厚さ方向の中央部近傍に位置するが、中央部近傍からコア層１１の一方の側又は他方の側にずれてもよい。
【００６０】
又、貫通孔１１ｘにおいて、一方の側の開口部から頂部連通部に至る部分の内側面の断面形状（厚さ方向の断面形状）、及び他方の側の開口部から頂部連通部に至る部分の内側面の断面形状（厚さ方向の断面形状）は、直線状であっても曲線状であってもよい。
【００６１】
レーザ加工法により貫通孔１１ｘを形成すると、貫通孔１１ｘの一方の側の開口端において、表面処理部１０１及び第１金属箔１２Ｎの各々の端部が貫通孔１１ｘ内にひさし状に張り出したバリが生じる（図２（ｃ）のＣ部）。同様に、貫通孔１１ｘの他方の側の開口端において、表面処理部１０２及び第２金属箔１３Ｎの各々の端部が貫通孔１１ｘ内にひさし状に張り出したバリが生じる（図２（ｃ）のＤ部）。なお、バリの端部がめくれ上がったり、バリの端部にレーザにより溶融した第１金属箔１２Ｎ又は１３Ｎの材料が付着したりする場合もある。
【００６２】
次に、図３（ａ）に示す工程では、図２（ｃ）のＣ部及びＤ部に示したバリを除去する。図２（ｃ）のＣ部及びＤ部に示したバリは、例えば、硫酸過酸化水素系エッチング液や過硫酸塩素系エッチング液等を用いたエッチングにより除去できる。又、エッチングに代えて、バフ研磨やブラスト処理、高圧スプレー洗浄等によりバリを除去することもできる。なお、第１金属箔１２Ｎ及び第２金属箔１３Ｎは図２（ａ）に示す工程で薄型化されているため、容易にバリを除去できる。
【００６３】
バリ除去後の図３（ａ）に示す構造体は、コア層１１の一方の面の貫通孔１１ｘの開口部周縁の第１金属箔１２Ｎがバリと共に環状に除去されてコア層１１の一方の面が環状に露出する（図３（ａ）のＥ部。以降、この部分を一方の面の環状露出部と称する）。同様に、コア層１１の他方の面の貫通孔１１ｘの開口部周縁の第２金属箔１３Ｎがバリと共に環状に除去されてコア層１１の他方の面が環状に露出する（以降、この部分を他方の面の環状露出部と称する）。
【００６４】
コア層１１の一方の面の環状露出部の幅Ｗ１は、例えば、１０μｍ程度とすることができる。同様に、コア層１１の他方の面の環状露出部の幅Ｗ２は、例えば、１０μｍ程度とすることができる。なお、バリの除去は、図２（ｃ）に示す構造体の両面にマスキング等を施さないで実施できる。そのため、バリが除去されると共に表面処理部１０１及び１０２も除去される。
【００６５】
次に、図３（ｂ）に示す工程では、デスミア処理を行い、貫通孔１１ｘの内側面に付着したコア層１１に含まれる樹脂の残渣を除去する。この際、貫通孔１１ｘの内側面とコア層１１の一方の面との境界部（コア層１１の一方の面の環状露出部の内周端部）が溶解される。これにより、貫通孔１１ｘの内側面とコア層１１の一方の面との境界部は曲面状に面取りされ、環状の第１面取り部（図３（ｂ）のＦ部）が形成される。第１面取り部の断面形状（厚さ方向の断面）は、例えば、凸型Ｒ形状となる。
【００６６】
同様に、貫通孔１１ｘの内側面とコア層１１の他方の面との境界部（コア層１１の他方の面の環状露出部の内周端部）が溶解される。これにより、貫通孔１１ｘの内側面とコア層１１の他方の面との境界部は曲面状に面取りされ、環状の第２面取り部が形成される。第２面取り部の断面形状（厚さ方向の断面）は、例えば、凸型Ｒ形状となる。
【００６７】
次に、図４（ａ）及び図４（ｂ）に示す工程では、配線層１２及び１３を形成する。すなわち、まず、図４（ａ）に示すように、第１金属箔１２Ｎ、第１面取り部、第２金属箔１３Ｎ、及び第２面取り部を被覆し、貫通孔１１ｘを充填する金属層１２ｐを形成する。金属層１２ｐは、エッチングされて、第２金属層１２ｂ及び第４金属層１３ｂ、並びに貫通配線１４となる層である。
【００６８】
金属層１２ｐを形成するには、例えば無電解めっき法やスパッタ法等により、第１金属箔１２Ｎ、第１面取り部、第２金属箔１３Ｎ、第２面取り部、及び貫通孔１１ｘの内側面を被覆するシード層（図示せず）を形成する。そして、シード層（図示せず）を給電層に利用した電解めっき法により、シード層（図示せず）上にめっき層を形成する。これにより、シード層（図示せず）とめっき層とが順次積層された構造の金属層１２ｐが形成される。シード層（図示せず）及びめっき層の材料としては、例えば、銅（Ｃｕ）等を用いることができる。
【００６９】
次に、第１金属箔１２Ｎ、第２金属箔１３Ｎ、及び金属層１２ｐをパターニングしてコア層１１の一方の面に配線層１２を形成し、かつ、コア層１１の他方の面に配線層１３を形成する。具体的には、金属層１２ｐの一方の面に配線層１２となる部分を覆うように第１のレジスト層（図示せず）を形成する。又、金属層１２ｐの他方の面に配線層１３となる部分を覆うように第２のレジスト層（図示せず）を形成する。そして、第１のレジスト層（図示せず）から露出する金属層１２ｐ及び第１金属箔１２Ｎ、並びに、第２のレジスト層（図示せず）から露出する金属層１２ｐ及び第２金属箔１３Ｎをエッチングによって除去する。
【００７０】
その後、第１のレジスト層（図示せず）及び第２のレジスト層（図示せず）を除去する。これにより、図４（ｂ）に示すように、第１金属層１２ａと第２金属層１２ｂが積層された配線層１２、第３金属層１３ａと第４金属層１３ｂが積層された配線層１３、及び貫通孔１１ｘを充填し配線層１２と配線層１３とを電気的に接続する貫通配線１４が形成される。
【００７１】
より詳しくは、配線層１２は、コア層１１の一方の面の第１面取り部の外周側に第１金属箔１２Ｎをパターニングして環状に形成された第１金属層１２ａと、第１面取り部上及び第１金属層１２ａ上に金属層１２ｐをパターニングして形成された第２金属層１２ｂとを含むように形成される。
【００７２】
又、配線層１３は、コア層１１の他方の面の第２面取り部の外周側に第２金属箔１３Ｎをパターニングして環状に形成された第３金属層１３ａと、第２面取り部上及び第３金属層１３ａ上に金属層１２ｐをパターニングして形成された第４金属層１３ｂとを含むように形成される。
【００７３】
次に、図４（ｃ）に示す工程では、コア層１１の一方の面に配線層１２を覆うようにフィルム状のエポキシ系樹脂等をラミネートし、絶縁層１５を形成する。又、コア層１１の他方の面に配線層１３を覆うようにフィルム状のエポキシ系樹脂等をラミネートし、絶縁層２０を形成する。或いは、フィルム状のエポキシ系樹脂等のラミネートに代えて、液状又はペースト状のエポキシ系樹脂等を塗布後、硬化させて絶縁層１５及び２０を形成してもよい。絶縁層１５及び２０の各々の厚さは、例えば、１５〜３５μｍ程度とすることができる。絶縁層１５及び２０の各々は、シリカ（ＳｉＯ２）等のフィラーを含有しても構わない。
【００７４】
次に、図５（ａ）に示す工程では、絶縁層１５に、絶縁層１５を貫通し配線層１２の一方の面を露出させるビアホール１５ｘを形成する。又、絶縁層２０に、絶縁層２０を貫通し配線層１３の他方の面を露出させるビアホール２０ｘを形成する。ビアホール１５ｘ及び２０ｘは、例えば、ＣＯ２レーザ等を用いたレーザ加工法により形成できる。ビアホール１５ｘ及び２０ｘを形成後、デスミア処理を行い、ビアホール１５ｘ及び２０ｘの底部に各々露出する配線層１２及び配線層１３の表面に付着した樹脂残渣を除去することが好ましい。
【００７５】
次に、図５（ｂ）に示す工程では、絶縁層１５の一方の側に配線層１６を形成する。配線層１６は、ビアホール１５ｘ内に充填されたビア配線、及び絶縁層１５の一方の面に形成された配線パターンを含んで構成される。配線層１６は、ビアホール１５ｘの底部に露出した配線層１２と電気的に接続される。
【００７６】
同様に、絶縁層２０の他方の側に配線層２１を形成する。配線層２１は、ビアホール２０ｘ内に充填されたビア配線、及び絶縁層２０の他方の面に形成された配線パターンを含んで構成される。配線層２１は、ビアホール２０ｘの底部に露出した配線層１３と電気的に接続される。
【００７７】
配線層１６及び２１の各々の材料としては、例えば、銅（Ｃｕ）等を用いることができる。配線層１６及び２１の各々の厚さは、例えば、１０〜３０μｍ程度とすることができる。配線層１６及び２１の各々は、セミアディティブ法やサブトラクティブ法等の各種の配線形成方法を用いて形成できる。
【００７８】
次に、図５（ｃ）に示す工程では、図４（ｃ）〜図５（ｂ）に示す工程を繰り返すことにより、配線層１６に、絶縁層１７、配線層１８、及びソルダーレジスト層１９を順次積層する。又、配線層２１に、絶縁層２２、配線層２３、及びソルダーレジスト層２４を順次積層する。但し、配線層と絶縁層は任意の積層数とすることができる。
【００７９】
すなわち、絶縁層１５の一方の面に配線層１６を覆うように絶縁層１７を形成する。同様に、絶縁層２０の他方の面に配線層２１を覆うように絶縁層２２を形成する。そして、絶縁層１７を貫通し配線層１６の一方の面を露出するビアホール１７ｘを形成する。同様に、絶縁層２２を貫通し配線層２１の他方の面を露出するビアホール２２ｘを形成する。絶縁層１７及び２２の各々の材料や厚さは、例えば、絶縁層１５と同様とすることができる。絶縁層１７及び２２の各々は、シリカ（ＳｉＯ２）等のフィラーを含有しても構わない。
【００８０】
更に、絶縁層１７の一方の側に配線層１８を形成する。配線層１８は、ビアホール１７ｘ内に充填されたビア配線、及び絶縁層１７の一方の面に形成された配線パターンを含んで構成される。配線層１８は、ビアホール１７ｘ内に露出した配線層１６と電気的に接続される。同様に、絶縁層２２の他方の側に配線層２３を形成する。配線層２３は、ビアホール２２ｘ内に充填されたビア配線、及び絶縁層２２の他方の面に形成された配線パターンを含んで構成される。配線層２３は、ビアホール２２ｘ内に露出した配線層２１と電気的に接続される。配線層１８及び２３の各々材料や厚さは、例えば、配線層１６と同様とすることができる。
【００８１】
更に、絶縁層１７の一方の面に配線層１８を被覆するソルダーレジスト層１９を形成する（但し、前述のように、ソルダーレジスト層１９は、配線層１８を完全に露出するように形成してもよい）。ソルダーレジスト層１９は、例えば、液状又はペースト状の感光性のエポキシ系絶縁性樹脂を、配線層１８を被覆するように絶縁層１７の一方の面にスクリーン印刷法、ロールコート法、又は、スピンコート法等で塗布することにより形成できる。或いは、例えば、フィルム状の感光性のエポキシ系絶縁性樹脂を、配線層１８を被覆するように絶縁層１７の一方の面にラミネートすることにより形成してもよい。同様にして、絶縁層２２の他方の面に配線層２３を被覆するソルダーレジスト層２４を形成する。
【００８２】
そして、塗布又はラミネートした絶縁性樹脂を露光及び現像することでソルダーレジスト層１９に開口部１９ｘを形成する（フォトリソグラフィ法）。又、ソルダーレジスト層２４に開口部２４ｘを形成する（フォトリソグラフィ法）。なお、開口部１９ｘ及び２４ｘは、レーザ加工法やブラスト処理により形成してもよい。開口部１９ｘ及び２４ｘの各々の平面形状は、例えば、円形状とすることができる。開口部１９ｘ及び２４ｘの各々の直径は、ダイやマザーボードの端子ピッチ等に合わせて任意に設計できる。
【００８３】
必要に応じ、開口部１９ｘ及び２４ｘの各々の底部に露出する配線層１８の一方の面及び配線層２３の他方の面に、例えば無電解めっき法等により金属層等を形成してもよい。金属層の例としては、Ａｕ層や、Ｎｉ／Ａｕ層（Ｎｉ層とＡｕ層をこの順番で積層した金属層）、Ｎｉ／Ｐｄ／Ａｕ層（Ｎｉ層とＰｄ層とＡｕ層をこの順番で積層した金属層）等を挙げることができる。又、金属層の形成に代えて、開口部１９ｘ及び２４ｘの各々の底部に露出する配線層１８の一方の面及び配線層２３の他方の面に、ＯＳＰ（Organic Solderability Preservative）処理等の酸化防止処理を施してもよい。
【００８４】
更に、開口部１９ｘ及び２４ｘの各々の底部に露出する配線層１８の一方の面及び配線層２３の他方の面に、はんだボールやリードピン等の外部接続端子を形成しても構わない。外部接続端子は、半導体チップ（図示せず）やマザーボード等の実装基板（図示せず）と電気的に接続するための端子となる。但し、開口部１９ｘ及び２４ｘの各々の底部に露出する配線層１８の一方の面及び配線層２３の他方の面自体を、外部接続端子としても良い。
【００８５】
なお、本実施の形態において、コア層１１の両面に各々金属箔が形成された積層板を用いる理由は、コア層１１の両面と両面に各々形成される配線パターンとの密着性を向上し配線パターンの断線等を防止するためである。すなわち、コア層１１として所謂ガラスエポキシ基板等を用いると、コア層１１の両面に各々ガラスクロスのために凹凸が生じる。そのため、コア層１１の両面に各々めっき層のみを設けて配線パターンを形成しようとすると、めっき層が凹凸に追従できず、コア層１１の両面と両面に各々形成される配線パターンとの密着性が低下し配線パターンの断線等が生じる場合がある。そこで、コア層１１の両面に各々金属箔が形成された積層板を用い、各々の金属箔上にめっき層を設けて配線パターンを形成している。金属箔上にはガラスクロスのための凹凸はなく、配線パターンは金属箔上に密着性の高い状態で形成できるため、断線等のない信頼性の高い配線パターンを形成可能となる。
【００８６】
ここで、比較例を示しながら、本実施の形態の効果について説明する。図６は、比較例に係る配線基板を例示する断面図である。図６を参照するに、比較例に係る配線基板１００は、貫通孔１１ｘの一方の側の開口端において、第１金属層１２ａの端部が貫通孔１１ｘ内にひさし状に張り出したバリが生じている点が配線基板１０（図１参照）と相違する。又、貫通孔１１ｘの他方の側の開口端において、第３金属層１３ａの端部が貫通孔１１ｘ内にひさし状に張り出したバリが生じている点が配線基板１０（図１参照）と相違する。つまり、配線基板１００において、図３（ａ）に示す工程は実行されていない。
【００８７】
このように、図３（ａ）に示す工程を実行せずに（バリの除去を行わずに）、図４（ａ）及び図４（ｂ）に示す工程を実行すると（めっきを行うと）、図６に示すように貫通配線１４内にボイド１１０が生じる。ボイド１１０が生じる理由は、バリの除去を行わずにめっきを行うと、めっきが先にバリの部分に析出し、貫通孔１１ｘ内にめっき液が十分に供給されないためである。
【００８８】
ボイド１１０には、めっき液が残留している。これにより、配線層１２及び１３、貫通配線１４が断線等したり、配線層１２と配線層１６を構成するビア配線の接続界面や配線層１３と配線層２１を構成するビア配線の接続界面が断線等し、配線基板１００の信頼性が低下する。
【００８９】
第１の実施の形態に係る配線基板１０では、図３（ａ）に示す工程でバリの除去を行った後に図４（ａ）及び図４（ｂ）に示す工程でめっきを行うため、貫通孔１１ｘ内にもめっき液が十分に供給され、上記のような問題が生じない。
【００９０】
このように、第１の実施の形態では、従来の配線基板の製造方法とは異なり、コア層１１に貫通孔１１ｘを形成する前にコア層１１の両面に形成された第１金属箔１２Ｍ及び第２金属箔１３Ｍに開口を形成する工程を有さない。つまり、第１金属箔１２Ｍ及び第２金属箔１３Ｍ上に各々感光性のレジスト層を形成して各々のレジスト層を露光及び現像等する煩雑な工程が不要となるため、配線基板１０の製造コストを抑制可能となる。
【００９１】
又、第１金属箔１２Ｍ及び第２金属箔１３Ｍに開口を形成せずに第１金属箔１２Ｍ及び第２金属箔１３Ｍを介してレーザ光を照射して貫通孔１１ｘを形成するため、貫通孔１１ｘの一方の側の開口端及びの他方の側の開口端において、貫通孔１１ｘ内にひさし状に張り出したバリが生じる。しかしながら、バリの除去を行った後に貫通孔１１ｘを充填するめっきを行うため、貫通孔１１ｘ内にもめっき液が十分に供給され、貫通孔１１ｘ内にボイドが生じることを防止できる。その結果、配線基板１０の信頼性を向上できる。なお、バリの除去を行う工程が追加になるが、バリの除去を行う工程では、レジスト層等によるマスクを形成せずにエッチングでバリを除去するため、従来の配線基板の製造方法のような煩雑な製造工程は不要であり、配線基板１０の製造コストへの影響は小さい。
【００９２】
又、貫通孔１１ｘを形成する工程で、バリの端部がめくれ上がったり、バリの端部にレーザにより溶融した第１金属箔１２Ｎ又は１３Ｎの材料が付着したりする場合もある。しかしながら、バリの除去を行う工程により、めくれ上がったり付着したりしたバリも除去できるため、めっき層表面に凹凸が形成されることを防止可能となり、層間絶縁性の向上及び安定した配線層形成を実現できる。
【００９３】
又、本実施の形態に係る配線基板の製造方法では、第１金属箔１２Ｍ及び第２金属箔１３Ｍを薄型化して第１金属箔１２Ｎ及び第２金属箔１３Ｎを形成する工程を有する。薄型化されていない第１金属箔１２Ｍ及び第２金属箔１３Ｍから微細な配線パターンを作製することは困難であるが、薄型化された第１金属箔１２Ｎ及び第２金属箔１３Ｎを用いることにより、微細な配線パターンを作製することが容易となる。更に、微細な配線パターンを作製することにより、配線基板１０を小型化できる。又、配線基板１０に半導体チップを実装して半導体パッケージを作製した際に、半導体パッケージを小型化できる。
【００９４】
又、貫通孔１１ｘの内側面とコア層１１の一方の面との境界部には曲面状に面取りされた環状の第１面取り部が形成され、第１面取り部の外周側には第１金属層１２ａが環状に形成されている。第１面取り部では、コア層１１の一方の面と第２金属層１２ｂとが直接接している。同様に、貫通孔１１ｘの内側面とコア層１１の他方の面との境界部には曲面状に面取りされた環状の第２面取り部が形成され、第２面取り部の外周側には第３金属層１３ａが環状に形成されている。第２面取り部では、コア層１１の他方の面と第４金属層１３ｂとが直接接している。
【００９５】
前述のように、コア層１１の両面には各々ガラスクロスのために凹凸が生じる。そのため、コア層１１の一方の面と第２金属層１２ｂ、コア層１１の他方の面と第４金属層１３ｂが直接接する領域は接続信頼性（密着性）が高くない。しかしながら、本実施の形態では、コア層１１の一方の面と第２金属層１２ｂが直接接する領域、コア層１１の他方の面と第４金属層１３ｂが直接接する領域の外側に各々第１金属層１２ａ及び第３金属層１３ａが環状に形成されている。
【００９６】
つまり、環状に形成された第１金属層１２ａ及び第３金属層１３ａを介して、第２金属層１２ｂ及び第４金属層１３ｂがコア層１１に接する領域が存在するため、貫通孔１１ｘ近傍でも配線層とコア層との接続信頼性（密着性）を確保できる。
【００９７】
又、第１面取り部及び第２面取り部が形成されていると、第１面取り部及び第２面取り部からは応力集中が生じ難いため、配線層１２及び１３、並びに貫通配線１４にクラックが生じるおそれを低減できる。その結果、クラックを起点として配線層１２及び１３、並びに貫通配線１４が断線するおそれを低減できる。
【００９８】
〈第１の実施の形態の変形例〉
第１の実施の形態の変形例では、貫通配線が形成される貫通孔の形状が異なる配線基板の例を示す。なお、第１の実施の形態の変形例において、既に説明した実施の形態と同一構成部品についての説明は省略する。図７は、第１の実施の形態の変形例に係る配線基板を例示する断面図である。なお、図７（ｂ）は図７（ａ）のＧ部の拡大図である。
【００９９】
図７を参照するに、第１の実施の形態の変形例に係る配線基板１０Ａは、貫通孔１１ｘが貫通孔１１ｙに置換された点が第１の実施の形態に係る配線基板１０（図１参照）と相違する。貫通孔１１ｙは、コア層１１を厚さ方向に貫通する平面形状が円形状の孔である。つまり、貫通孔１１ｙの断面積（平面方向の断面積）は、コア層１１の厚さ方向の位置に依らず、略一定である。但し、コア層１１の厚さ方向の位置に依らず断面積（平面方向の断面積）が略一定であれば、貫通孔１１ｙの平面形状は、例えば、楕円形や他の形状であってもよい。
【０１００】
配線基板１０Ａを製造するには、まず、第１の実施の形態の図２（ａ）及び図２（ｂ）に示す工程を実行する。そして、表面処理部１０１及び第１金属箔１２Ｎを介して、コア層１１の一方の面側にレーザ光を照射し、貫通孔１１ｙを形成する。或いは、表面処理部１０２及び第２金属箔１３Ｎを介して、コア層１１の他方の面側にレーザ光を照射し、貫通孔１１ｙを形成する。
【０１０１】
つまり、コア層１１の何れか一方の面側からレーザ光を照射し、貫通孔１１ｙを形成する。レーザ光を照射する際、コリメートレンズ等によりレーザ光を平行光に近い状態にしておくことで、コア層１１の厚さ方向の位置に依らず断面積（平面方向の断面積）が略一定である貫通孔１１ｙが形成できる。
【０１０２】
なお、第１の実施の形態の図２（ｃ）に示す工程と同様に、貫通孔１１ｙの一方の側の開口端において、表面処理部１０１及び第１金属箔１２Ｎの各々の端部が貫通孔１１ｙ内にひさし状に張り出したバリが生じる。又、貫通孔１１ｙの他方の側の開口端において、表面処理部１０２及び第２金属箔１３Ｎの各々の端部が貫通孔１１ｙ内にひさし状に張り出したバリが生じる。次に、第１の実施の形態の図３〜図５に示す工程を実行することにより、図７に示す配線基板１０Ａが完成する。
【０１０３】
このように、コア層１１の何れか一方の面側からレーザ光を照射し、コア層１１の厚さ方向の位置に依らず断面積（平面方向の断面積）が略一定である貫通孔１１ｙを形成する場合にも、第１の実施の形態と同様にバリが生じる。しかし、図３（ａ）に示す工程と同様にバリの除去を行った後に図４（ａ）に示す工程と同様にめっきを行うことにより、貫通孔１１ｙ内にもめっき液が十分に供給され、第１の実施の形態と同様の効果を奏する。
【０１０４】
なお、コア層１１の何れか一方の面側からレーザ光を照射する工程に代えて、機械的に（例えば、ドリル等を用いて）貫通孔１１ｙを形成してもよい。この場合にも、コア層１１の厚さ方向の位置に依らず断面積（平面方向の断面積）が略一定である貫通孔１１ｙが形成され、第１の実施の形態と同様にバリが生じる。しかし、図３（ａ）に示す工程と同様にバリの除去を行った後に図４（ａ）に示す工程と同様にめっきを行うことにより、貫通孔１１ｙ内にもめっき液が十分に供給され、第１の実施の形態と同様の効果を奏する。
【０１０５】
〈第１の実施の形態の応用例〉
第１の実施の形態の応用例では、第１の実施の形態に係る配線基板に半導体チップを搭載した半導体パッケージの例を示す。なお、第１の実施の形態の応用例において、既に説明した実施の形態と同一構成部品についての説明は省略する。
【０１０６】
図８は、第１の実施の形態の応用例に係る半導体パッケージを例示する断面図である。図８を参照するに、半導体パッケージ５０は、図１に示す配線基板１０と、半導体チップ６０と、バンプ７０と、アンダーフィル樹脂８０とを有する。
【０１０７】
半導体チップ６０は、例えば、シリコン等からなる薄板化された半導体基板（図示せず）上に半導体集積回路（図示せず）等が形成されたものである。半導体基板（図示せず）には、半導体集積回路（図示せず）と電気的に接続された電極パッド（図示せず）が形成されている。
【０１０８】
バンプ７０は、半導体チップ６０の電極パッド（図示せず）と、配線基板１０の第１パッド１８とを電気的に接続している。バンプ７０は、例えば、はんだバンプである。はんだバンプの材料としては、例えばＰｂを含む合金、ＳｎとＣｕの合金、ＳｎとＡｇの合金、ＳｎとＡｇとＣｕの合金等を用いることができる。アンダーフィル樹脂８０は、半導体チップ６０と配線基板１０の一方の面との間に充填されている。
【０１０９】
このように、第１の実施の形態に係る配線基板に半導体チップを搭載することにより、半導体パッケージを実現できる。
【０１１０】
以上、好ましい実施の形態及びその変形例について詳説したが、上述した実施の形態及びその変形例に制限されることはなく、特許請求の範囲に記載された範囲を逸脱することなく、上述した実施の形態及びその変形例に種々の変形及び置換を加えることができる。
【符号の説明】
【０１１１】
１０、１０Ａ  配線基板
１１  コア層
１１ｘ、１１ｙ  貫通孔
１１ｘ１  第１の孔
１１ｘ２  第２の孔
１２、１３、１６、１８、２１、２３  配線層
１２ａ  第１金属層
１２ｂ  第２金属層
１２ｐ  金属層
１２Ｍ、１２Ｎ  第１金属箔
１３ａ  第３金属層
１３ｂ  第４金属層
１３Ｍ、１３Ｎ  第２金属箔
１４  貫通配線
１５、１７、２０、２２  絶縁層
１５ｘ、１７ｘ、２０ｘ、２２ｘ  ビアホール
１９、２４  ソルダーレジスト層
１９ｘ、２４ｘ  開口部
５０  半導体パッケージ
６０  半導体チップ
７０  バンプ
８０  アンダーフィル樹脂
１１０  ボイド
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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