(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
表面と、前記表面と反対側の面である裏面と、を有する導電性基板と、
前記導電性基板の前記表面に設けられたレーザと、
前記導電性基板の前記表面に設けられた半絶縁性半導体層と、
前記半絶縁性半導体層の上に設けられたフォトダイオードと、
前記導電性基板の前記表面に設けられ、前記レーザの出力光を前記フォトダイオードに導く導波路と、
前記導電性基板の前記裏面に設けられた第１電極と、
を備え、
前記フォトダイオードのアノードと、前記フォトダイオードのカソードは、前記フォトダイオードの上面側から引き出され、
前記導波路と前記フォトダイオードとは、前記半絶縁性半導体層で分離され、
前記フォトダイオードの前記アノードおよび前記カソードは、前記第１電極と電気的に分離され、
前記導波路は、前記レーザの出力に接続された第１導波路と、前記第１導波路から前記レーザの出力光の一部を分岐し前記フォトダイオードに導く第２導波路と、を有し、
前記半絶縁性半導体層は、前記第２導波路の前記フォトダイオードの受光面に面した端面に沿って伸びることを特徴とする半導体光集積素子。
【請求項２】
前記第１電極は、前記レーザの電極であることを特徴とする請求項１に記載の半導体光集積素子。
【請求項３】
前記導電性基板は、導電性のＩｎＰから形成され、
前記半絶縁性半導体層は、ＦｅがドープされたＩｎＰから形成されることを特徴とする請求項１または２に記載の半導体光集積素子。
【請求項４】
前記フォトダイオードは、前記導電性基板側から順に、ｎ−ＩｎＰクラッド層とｉ−ＩｎＧａＡｓＰ光吸収層とｐ−ＩｎＰクラッド層とを有することを特徴とする請求項１〜３の何れか１項に記載の半導体光集積素子。
【請求項５】
前記フォトダイオードは、前記導電性基板側から順に、ｐ−ＩｎＰクラッド層とｉ−ＩｎＧａＡｓＰ光吸収層とｎ−ＩｎＰクラッド層とを有することを特徴とする請求項１〜３の何れか１項に記載の半導体光集積素子。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、半導体光集積素子に関する。
【背景技術】
【０００２】
特許文献１には、光導波路に沿って半導体レーザ部と変調器部が設けられた半導体レーザが開示されている。光導波路の一部には、光モニタ部が設けられている。光導波路、半導体レーザ、変調器部および光モニタ部は半導体基板に設けられている。また、変調器部、光モニタ部および半導体レーザ部はいずれも同一の光導波路に対して構成されているため、カソードが共通となる。カソード電極は半導体基板の裏面に設けられる。共通端子であるカソード電極はグランドとなる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】日本特開平１１−１８６６６１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
光通信システムの光源として半導体レーザを用いる場合、一般に、半導体レーザの光出力をモニタするフォトダイオードが必要とされる。モジュール等に半導体レーザを実装する場合、半導体レーザの後方に別チップのフォトダイオードを配置することがある。しかし、別チップのフォトダイオードを使用することにより、製造コストの増加およびアセンブリによる工程数の増加が生じる可能性がある。また、フォトダイオードを配置するスペースによりモジュール容量が大きくなる可能性がある。【０００５】
そこで、特許文献１のように、半導体レーザと同一基板にフォトダイオードを集積化する例が報告されている。特許文献１では、半導体基板としてｎ型ＩｎＰを用いている。このとき、モニタ部であるフォトダイオードの上面側の電極の極性はアノードとなる。カソードがグランドの場合、フォトダイオードの上面側の電極に印加する電圧は負となる。ここで、モジュールの構成として、フォトダイオードの上面側の電極に、正の極性の電源を接続したい場合がある。このような場合、特許文献１の構成では不都合が生じる可能性がある。【０００６】
これに対し、半絶縁性ＩｎＰ基板上にフォトダイオードを形成し、フォトダイオードの上面側にフォトダイオードのアノードとカソードとを形成する構造が考えられる。この場合、半絶縁性ＩｎＰ基板上に集積されたレーザおよび変調器も、上面側に両方の極性の電極が設けられるものと考えられる。従って、導電性基板を用いた場合と比較して、電極端子が増加するという課題がある。【０００７】
また、フォトダイオードとレーザをモノリシック集積した半導体装置では、フォトダイオードとレーザに逆バイアスが印加されることがある。このとき生じる無効電流による特性の低下を抑制するために、フォトダイオードとレーザとを電気的に分離することが必要とされる場合がある。【０００８】
本発明は上述の問題を解決するためになされたものであり、その目的は、フォトダイオードに接続する電源の極性の自由度が向上し、特性を向上できる半導体光集積素子を得ることである。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本願の発明に係る半導体光集積素子は、表面と、該表面と反対側の面である裏面と、を有する導電性基板と、該導電性基板の該表面に設けられたレーザと、該導電性基板の該表面に設けられた半絶縁性半導体層と、該半絶縁性半導体層の上に設けられたフォトダイオードと、該導電性基板の該表面に設けられ、該レーザの出力光を該フォトダイオードに導く導波路と、該導電性基板の該裏面に設けられた第１電極と、を備え、該フォトダイオードのアノードと、該フォトダイオードのカソードは、該フォトダイオードの上面側から引き出され、該導波路と該フォトダイオードとは、該半絶縁性半導体層で分離され、該フォトダイオードの該アノードおよび該カソードは、該第１電極と電気的に分離され、該導波路は、該レーザの出力に接続された第１導波路と、該第１導波路から該レーザの出力光の一部を分岐し該フォトダイオードに導く第２導波路と、を有し、該半絶縁性半導体層は、該第２導波路の該フォトダイオードの受光面に面した端面に沿って伸びる。
【発明の効果】
【００１０】
本願の発明に係る半導体光集積素子では、導電性基板とフォトダイオードとが半絶縁性半導体層により電気的に分離される。このため、フォトダイオードの上面側からアノードとカソードの両方を引き出せる。従って、フォトダイオードに接続する電源の極性の自由度が向上する。さらに、導波路とフォトダイオードとが、半絶縁性半導体層で分離されることで、無効電流を抑制できる。従って、特性を向上できる。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】実施の形態１に係る半導体光集積素子の平面図である。
【図２】図１の半導体光集積素子をI−II直線に沿って切断することで得られる断面図である。
【図３】図１の半導体光集積素子をIII−IV直線に沿って切断することで得られる断面図である。
【図４】図１の半導体光集積素子をV−VI直線に沿って切断することで得られる断面図である。
【図５】図１の半導体光集積素子をVII−VIII直線に沿って切断することで得られる断面図である。
【図６】実施の形態１の半導体光集積素子の製造方法を説明する平面図である。
【図７】図６をI−II直線に沿って切断することで得られる断面図である。
【図８】実施の形態１で回折格子を形成した状態を示す平面図である。
【図９】図８をI−II直線に沿って切断することで得られる断面図である。
【図１０】実施の形態１でクラッド層を形成した状態を示す平面図である。
【図１１】図１０をI−II直線に沿って切断することで得られる断面図である。
【図１２】実施の形態１でレーザを構成する半導体層をエッチングした状態を示す平面図である。
【図１３】図１２をI−II直線に沿って切断することで得られる断面図である。
【図１４】実施の形態１で変調器を構成する半導体層を成長させた状態を示す平面図である。
【図１５】図１４をI−II直線に沿って切断することで得られる断面図である。
【図１６】実施の形態１で変調器を構成する半導体層をエッチングした状態を示す平面図である。
【図１７】図１６をI−II直線に沿って切断することで得られる断面図である。
【図１８】図１６をIII−IV直線に沿って切断することで得られる断面図である。
【図１９】実施の形態１で導波路を構成する半導体層を成長させた状態を示す平面図である。
【図２０】図１９をI−II直線に沿って切断することで得られる断面図である。
【図２１】図１９をIII−IV直線に沿って切断することで得られる断面図である。
【図２２】実施の形態１で導波路を構成する半導体層をエッチングした状態を示す平面図である。
【図２３】図２２をI−II直線に沿って切断することで得られる断面図である。
【図２４】実施の形態１でフォトダイオードを構成する半導体層と半絶縁性半導体層５０とを成長させた状態を示す平面図である。
【図２５】図２４をI−II直線に沿って切断することで得られる断面図である。
【図２６】実施の形態１でフォトダイオードを構成する半導体層をエッチングした状態を示す平面図である。
【図２７】図２６をI−II直線に沿って切断することで得られる断面図である。
【図２８】図２６をIII−IV直線に沿って切断することで得られる断面図である。
【図２９】図２６をV−VI直線に沿って切断することで得られる断面図である。
【図３０】実施の形態１で埋め込み成長を行った状態を示す平面図である。
【図３１】図３０をI−II直線に沿って切断することで得られる断面図である。
【図３２】図３０をIII−IV直線に沿って切断することで得られる断面図である。
【図３３】図３０をV−VI直線に沿って切断することで得られる断面図である。
【図３４】実施の形態１でコンタクト層を成長させた状態を示す平面図である。
【図３５】図３４をI−II直線に沿って切断することで得られる断面図である。
【図３６】図３４をIII−IV直線に沿って切断することで得られる断面図である。
【図３７】図３４をV−VI直線に沿って切断することで得られる断面図である。
【図３８】実施の形態１でコンタクト層をエッチングした状態を示す平面図である。
【図３９】図３８をI−II直線に沿って切断することで得られる断面図である。
【図４０】図３８をIII−IV直線に沿って切断することで得られる断面図である。
【図４１】図３８をV−VI直線に沿って切断することで得られる断面図である。
【図４２】実施の形態１でメサを形成した状態を示す平面図である。
【図４３】図４２をI−II直線に沿って切断することで得られる断面図である。
【図４４】図４２をIII−IV直線に沿って切断することで得られる断面図である。
【図４５】図４２をV−VI直線に沿って切断することで得られる断面図である。
【図４６】図４２をVII−VIII直線に沿って切断することで得られる断面図である。
【図４７】実施の形態１でフォトダイオード形成部にコンタクトホールを形成した状態を示す平面図である。
【図４８】図４７をI−II直線に沿って切断することで得られる断面図である。
【図４９】図４７をIII−IV直線に沿って切断することで得られる断面図である。
【図５０】図４７をV−VI直線に沿って切断することで得られる断面図である。
【図５１】図４７をVII−VIII直線に沿って切断することで得られる断面図である。
【図５２】実施の形態１で絶縁膜に開口を形成した状態を示す平面図である。
【図５３】図５２をI−II直線に沿って切断することで得られる断面図である。
【図５４】図５２をIII−IV直線に沿って切断することで得られる断面図である。
【図５５】図５２をV−VI直線に沿って切断することで得られる断面図である。
【図５６】図５２をVII−VIII直線に沿って切断することで得られる断面図である。
【図５７】比較例に係る半導体光集積素子の平面図である。
【図５８】図５７の半導体光集積素子をI−II直線に沿って切断することで得られる断面図である。
【図５９】図５７の半導体光集積素子をIII−IV直線に沿って切断することで得られる断面図である。
【図６０】図５７の半導体光集積素子をV−VI直線に沿って切断することで得られる断面図である。
【図６１】図５７の半導体光集積素子をVII−VIII直線に沿って切断することで得られる断面図である。
【図６２】比較例でフォトダイオードを構成する半導体層を成長させた状態を示す平面図である。
【図６３】図６２をI−II直線に沿って切断することで得られる断面図である。
【図６４】比較例でフォトダイオードを構成する半導体層をエッチングした状態を示す平面図である。
【図６５】図６４をI−II直線に沿って切断することで得られる断面図である。
【図６６】図６４をIII−IV直線に沿って切断することで得られる断面図である。
【図６７】図６４をV−VI直線に沿って切断することで得られる断面図である。
【図６８】比較例で埋め込み成長を行った状態を示す平面図である。
【図６９】図６８をI−II直線に沿って切断することで得られる断面図である。
【図７０】図６８をIII−IV直線に沿って切断することで得られる断面図である。
【図７１】図６８をV−VI直線に沿って切断することで得られる断面図である。
【図７２】比較例でコンタクト層を成長させた状態を示す平面図である。
【図７３】図７２をI−II直線に沿って切断することで得られる断面図である。
【図７４】図７２をIII−IV直線に沿って切断することで得られる断面図である。
【図７５】図７２をV−VI直線に沿って切断することで得られる断面図である。
【図７６】比較例でコンタクト層をエッチングした状態を示す平面図である。
【図７７】図７６をI−II直線に沿って切断することで得られる断面図である。
【図７８】図７６をIII−IV直線に沿って切断することで得られる断面図である。
【図７９】図７６をV−VI直線に沿って切断することで得られる断面図である。
【図８０】比較例でメサを形成した状態を示す平面図である。
【図８１】図８０をI−II直線に沿って切断することで得られる断面図である。
【図８２】図８０をIII−IV直線に沿って切断することで得られる断面図である。
【図８３】図８０をV−VI直線に沿って切断することで得られる断面図である。
【図８４】図８０をVII−VIII直線に沿って切断することで得られる断面図である。
【図８５】比較例で絶縁膜に開口を形成した状態を示す平面図である。
【図８６】図８５をI−II直線に沿って切断することで得られる断面図である。
【図８７】図８５をIII−IV直線に沿って切断することで得られる断面図である。
【図８８】図８５をV−VI直線に沿って切断することで得られる断面図である。
【図８９】図８５をVII−VIII直線に沿って切断することで得られる断面図である。
【図９０】実施の形態２に係る半導体光集積素子の平面図である。
【図９１】図９０の半導体光集積素子をI−II直線に沿って切断することで得られる断面図である。
【図９２】図９０の半導体光集積素子をIII−IV直線に沿って切断することで得られる断面図である。
【図９３】図９０の半導体光集積素子をV−VI直線に沿って切断することで得られる断面図である。
【図９４】図９０の半導体光集積素子をVII−VIII直線に沿って切断することで得られる断面図である。
【図９５】実施の形態２でフォトダイオードを構成する半導体層と半絶縁性半導体層とを成長させた状態を示す平面図である。
【図９６】図９５をI−II直線に沿って切断することで得られる断面図である。
【図９７】実施の形態２でフォトダイオードを構成する半導体層をエッチングした状態を示す平面図である。
【図９８】図９７をI−II直線に沿って切断することで得られる断面図である。
【図９９】図９７をIII−IV直線に沿って切断することで得られる断面図である。
【図１００】図９７をV−VI直線に沿って切断することで得られる断面図である。
【図１０１】実施の形態２で埋め込み成長を行った状態を示す平面図である。
【図１０２】図１０１をI−II直線に沿って切断することで得られる断面図である。
【図１０３】図１０１をIII−IV直線に沿って切断することで得られる断面図である。
【図１０４】図１０１をV−VI直線に沿って切断することで得られる断面図である。
【図１０５】実施の形態２でコンタクト層を成長させた状態を示す平面図である。
【図１０６】図１０５をI−II直線に沿って切断することで得られる断面図である。
【図１０７】図１０５をIII−IV直線に沿って切断することで得られる断面図である。
【図１０８】図１０５をV−VI直線に沿って切断することで得られる断面図である。
【図１０９】実施の形態２でコンタクト層をエッチングした状態を示す平面図である。
【図１１０】図１０９をI−II直線に沿って切断することで得られる断面図である。
【図１１１】図１０９をIII−IV直線に沿って切断することで得られる断面図である。
【図１１２】図１０９をV−VI直線に沿って切断することで得られる断面図である。
【図１１３】実施の形態２でメサを形成した状態を示す平面図である。
【図１１４】図１１３をI−II直線に沿って切断することで得られる断面図である。
【図１１５】図１１３をIII−IV直線に沿って切断することで得られる断面図である。
【図１１６】図１１３をV−VI直線に沿って切断することで得られる断面図である。
【図１１７】図１１３をVII−VIII直線に沿って切断することで得られる断面図である。
【図１１８】実施の形態２でフォトダイオード形成部にコンタクトホールを形成した状態を示す平面図である。
【図１１９】図１１８をI−II直線に沿って切断することで得られる断面図である。
【図１２０】図１１８をIII−IV直線に沿って切断することで得られる断面図である。
【図１２１】図１１８をV−VI直線に沿って切断することで得られる断面図である。
【図１２２】図１１８をVII−VIII直線に沿って切断することで得られる断面図である。
【図１２３】実施の形態２で絶縁膜に開口を形成した状態を示す平面図である。
【図１２４】図１２３をI−II直線に沿って切断することで得られる断面図である。
【図１２５】図１２３をIII−IV直線に沿って切断することで得られる断面図である。
【図１２６】図１２３をV−VI直線に沿って切断することで得られる断面図である。
【図１２７】図１２３をVII−VIII直線に沿って切断することで得られる断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
本発明の実施の形態に係る半導体光集積素子について図面を参照して説明する。同じ又は対応する構成要素には同じ符号を付し、説明の繰り返しを省略する場合がある。
【００１３】
実施の形態１．
図１は、実施の形態１に係る半導体光集積素子１００の平面図である。半導体光集積素子１００は、導電性基板を備える。導電性基板にはレーザ１０が設けられている。レーザ１０は半導体レーザである。また、導電性基板には、変調器１１とフォトダイオード１２が設けられる。導電性基板には、レーザ１０と変調器１１とフォトダイオード１２とが集積されている。
【００１４】
導電性基板にはさらに導波路１３ａ、１３ｂ、１３ｃが設けられる。導波路１３ａは、レーザ１０の出力と変調器１１の入力を接続する。導波路１３ｂは、変調器１１の出力と半導体光集積素子１００の出力を接続する。導波路１３ｃは、レーザ１０の出力とフォトダイオード１２の受光面との間に設けられる。導波路１３ｃは、レーザ１０の出力光をフォトダイオード１２に導く。
【００１５】
導波路１３ｃのレーザ１０側の端部には、方向性結合器１４が設けられる。方向性結合器１４は、レーザ１０の出力光の一部を導波路１３ｃに取り出せるように、導波路１３ｃｃを導波路１３ａに近接させることで形成される。方向性結合器１４と導波路１３ａとの距離は数μｍである。
【００１６】
レーザ１０、変調器１１、フォトダイオード１２および導波路１３ａ、１３ｂ、１３ｃの周囲には溝１５が設けられている。レーザ１０の上面側、変調器１１の上面側およびフォトダイオード１２の上面側には、電極８７が設けられている。電極８７はコンタクト電極である。電極８７のうちフォトダイオード１２の上面側に設けられた部分は、フォトダイオード１２のアノード８７ａとカソード８７ｂである。
【００１７】
半導体光集積素子１００の上面のうち電極８７以外の部分には、絶縁膜８１が設けられる。なお、図１では絶縁膜８１の下に設けられたレーザ１０、変調器１１、フォトダイオード１２および導波路１３ａ、１３ｂ、１３ｃの形状が、便宜上表されている。
【００１８】
図２は、図１の半導体光集積素子１００をI−II直線に沿って切断することで得られる断面図である。図２はレーザ１０の断面図である。導電性基板２１は例えば、導電性のＩｎＰから形成される。本実施の形態では、導電性基板２１はｎ−ＩｎＰから形成される。導電性基板２１の上には活性層２３が設けられる。活性層２３の上にはクラッド層２７が設けられる。クラッド層２７はｐ−ＩｎＰから形成される。なお、図１では便宜上、レーザ１０を構成する一部の層が省略されている。
【００１９】
活性層２３とクラッド層２７の両側には、埋め込み成長層が設けられる。埋め込み成長層は、ｐ−ＩｎＰ層６１と、ｐ−ＩｎＰ層６１の上に設けられたｎ−ＩｎＰ層６２と、ｎ−ＩｎＰ層６２の上に設けられたｐ−ＩｎＰ層６３とを備える。
【００２０】
クラッド層２７とｐ−ＩｎＰ層６３の上には、コンタクト層が設けられる。コンタクト層は、クラッド層７１と、クラッド層７１の上に設けられたｐ−ＩｎＧａＡｓ層７２とを備える。クラッド層７１はｐ−ＩｎＰから形成される。
【００２１】
レーザ１０の両側には溝１５が設けられる。溝１５はレーザ１０の上面側から導電性基板２１まで設けられる。コンタクト層の上面には絶縁膜８１が設けられる。絶縁膜８１は溝１５に沿って伸びる。絶縁膜８１にはｐ−ＩｎＧａＡｓ層７２を露出させる開口８４が設けられる。絶縁膜８１の上には電極８７が設けられる。電極８７は開口８４を埋め込み、ｐ−ＩｎＧａＡｓ層７２と接触する。
【００２２】
レーザ１０は、導電性基板２１の裏面に電極９０を有する。ここで、裏面は、導電性基板２１のフォトダイオード１２が設けられた側と反対側の面である。
【００２３】
図３は、図１の半導体光集積素子１００をIII−IV直線に沿って切断することで得られる断面図である。図３は変調器１１の断面図である。導電性基板２１の上には、変調器吸収層２９が設けられる。変調器吸収層２９の上には、クラッド層３０が設けられる。クラッド層３０は、ｐ−ＩｎＰから形成される。レーザ１０と同様に、変調器吸収層２９とクラッド層３０の両側には、埋め込み成長層が設けられる。
【００２４】
レーザ１０と同様に、クラッド層３０とｐ−ＩｎＰ層６３の上には、コンタクト層が設けられる。変調器１１の両側には溝１５が設けられる。溝１５は変調器１１の上面側から導電性基板２１まで設けられる。コンタクト層の上面には絶縁膜８１が設けられる。絶縁膜８１は溝１５に沿って伸びる。絶縁膜８１にはｐ−ＩｎＧａＡｓ層７２を露出させる開口８５が設けられる。絶縁膜８１の上には電極８７が設けられる。電極８７は開口８５を埋め込み、ｐ−ＩｎＧａＡｓ層７２と接触する。
【００２５】
図４は、図１の半導体光集積素子１００をV−VI直線に沿って切断することで得られる断面図である。図４は、フォトダイオード１２の断面図である。導電性基板２１の上には半絶縁性半導体層５０が設けられる。フォトダイオード１２は半絶縁性半導体層５０の上に設けられている。
【００２６】
半絶縁性半導体層５０は、例えばＦｅがドープされたＩｎＰから形成される。半絶縁性半導体層５０は、Ｆｅが電子を捕獲することでＩｎＰよりも高抵抗となる。これに限らず、半絶縁性半導体層５０は、ＲｕまたはＴｉをドープしたＩｎＰで形成されても良い。この場合、ＲｕまたはＴｉが正孔を捕獲することで、半絶縁性半導体層５０は高抵抗となる。
【００２７】
半絶縁性半導体層５０の上には、コンタクト層５１が設けられる。コンタクト層５１はｎ−ＩｎＧａＡｓＰから形成される。コンタクト層５１の上にはクラッド層５２が設けられる。クラッド層５２はｎ−ＩｎＰから形成される。クラッド層５２の上には光吸収層５３が設けられる。光吸収層５３はｉ−ＩｎＧａＡｓＰから形成される。光吸収層５３の上にはクラッド層５４が設けられる。クラッド層５４はｐ−ＩｎＰから形成される。このように、フォトダイオード１２は、導電性基板２１側から順に、ｎ−ＩｎＰクラッド層とｉ−ＩｎＧａＡｓＰ光吸収層とｐ−ＩｎＰクラッド層とを有する。
【００２８】
クラッド層５４の上には、コンタクト層が設けられる。コンタクト層は、クラッド層７１と、クラッド層７１の上に設けられたｐ−ＩｎＧａＡｓ層７２とを備える。フォトダイオード１２には、クラッド層７１の上面からコンタクト層５１に至るコンタクトホール８０が形成される。コンタクトホール８０によりコンタクト層５１が露出する。
【００２９】
フォトダイオード１２の両側には溝１５が設けられる。溝１５はフォトダイオード１２の上面側から導電性基板２１まで伸びる。クラッド層７１およびｐ−ＩｎＧａＡｓ層７２の上面には絶縁膜８１が設けられる。絶縁膜８１は溝１５およびコンタクトホール８０に沿って伸びる。絶縁膜８１にはｐ−ＩｎＧａＡｓ層７２を露出させる開口８３が設けられる。さらに、コンタクトホール８０の底面において、絶縁膜８１にはコンタクト層５１を露出させる開口８２が設けられる。
【００３０】
絶縁膜８１の上にはアノード８７ａとカソード８７ｂが設けられる。アノード８７ａは開口８３を埋め込み、ｐ−ＩｎＧａＡｓ層７２と接触する。カソード８７ｂは開口８２を埋め込み、コンタクト層５１と接触する。フォトダイオード１２のアノード８７ａと、フォトダイオード１２のカソード８７ｂは、フォトダイオード１２の上面側から引き出される。ここで、フォトダイオード１２の上面は、フォトダイオード１２の半絶縁性半導体層５０と接触する側と反対側の面である。
【００３１】
図５は、図１の半導体光集積素子１００をVII−VIII直線に沿って切断することで得られる断面図である。図５は、フォトダイオード１２と導波路１３ｃとの接続部の断面図である。導波路１３ｃは、導電性基板２１の上に設けられる。導波路１３ｃにおいて、導電性基板２１の上には、透明導波路層４１が設けられる。透明導波路層４１はｉ−ＩｎＧａＡｓＰから形成される。透明導波路層４１の上にはクラッド層４２が設けられる。クラッド層４２はｐ−ＩｎＰから形成される。導波路１３ａ、１３ｂの構造は、導波路１３ｃと同様である。
【００３２】
半絶縁性半導体層５０、コンタクト層５１およびクラッド層５２は、導波路１３ｃの端面４３に沿って伸びる。端面４３は導波路１３ｃの出射端面であり、フォトダイオード１２の受光面１９に面している。半絶縁性半導体層５０は、導電性基板２１の上面から端面４３まで連続して形成されている。導波路１３ｃとフォトダイオード１２とは、半絶縁性半導体層５０で分離されている。
【００３３】
ここで、半絶縁性半導体層５０は半絶縁性であり、導波路１３ｃとフォトダイオード１２とを電気的に分離する。さらに、半絶縁性半導体層５０はレーザ１０の出力光をフォトダイオード１２に透過させる。
【００３４】
クラッド層４２とクラッド層５４の上には、クラッド層７１が設けられる。クラッド層７１の上には絶縁膜８１が設けられる。
【００３５】
次に、半導体光集積素子１００の動作を説明する。レーザ１０から出射された出力光は導波路１３ａによって変調器１１に導かれる。また、レーザ１０の出力光の一部は、方向性結合器１４によって分岐され、導波路１３ｃによってフォトダイオード１２に導かれる。導波路１３ａに導波路１３ｃを近づけることで、徐々に光が結合し、出力光の一部を導波路１３ｃに取り出せる。この結果、レーザ１０の出力光はフォトダイオード１２でモニタされる。レーザ１０の出力光は、フォトダイオード１２を集積化していない場合、全て変調器１１に入力される。
【００３６】
変調器１１では、ＭＱＷ（Ｍｕｌｔｉ  Ｑｕａｎｔｕｍ  Ｗｅｌｌ）に逆方向に印加される電界により光の吸収量が変化する。変調器１１に電界が印加されていない時は変調器１１を出力光が透過する。変調器１１に電界が印加されている時は、変調器１１を出力光が透過しない。これによりレーザ１０の出力光を変調できる。変調器１１からの出力光は、導波路１３ｂによって半導体光集積素子１００の出力に導かれる。
【００３７】
フォトダイオード１２に導かれた光は光吸収層５３で吸収される。この結果、フォトダイオード１２に接続した回路に光電流が流れる。なお、フォトダイオード１２には、レーザ１０とは逆方向に電圧が印加される。光電流の量がフォトダイオード１２で受光した光の量として検出される。半導体光集積素子１００の初期動作時に、目標とする光出力が得られる場合のフォトダイオード１２の光電流の量を調べておく。この光電流の量になるようにレーザ１０への注入電流を調整すると、光出力を目標値と一致するように維持できる。半導体光集積素子１００は、例えば光通信システムにおいて光源として用いられる。
【００３８】
次に、本実施の形態の半導体光集積素子１００の製造方法を説明する。図６は、実施の形態１の半導体光集積素子１００の製造方法を説明する平面図である。図７は、図６をI−II直線に沿って切断することで得られる断面図である。まず、活性層を形成する。ここでは、導電性基板２１の上にクラッド層２２、活性層２３、クラッド層２４、回折格子層２５、キャップ層２６を下からこの順で形成する。
【００３９】
クラッド層２２は、ｎ−ＩｎＰから形成される。クラッド層２４はｐ−ＩｎＰから形成される。キャップ層２６はｐ−ＩｎＰから形成される。クラッド層２２、活性層２３、クラッド層２４、回折格子層２５、キャップ層２６は導電性基板２１の上面の全面に設けられる。クラッド層２２、活性層２３、クラッド層２４、回折格子層２５、キャップ層２６は結晶成長により形成される。
【００４０】
次に回折格子を形成する。図８は、実施の形態１で回折格子を形成した状態を示す平面図である。図９は、図８をI−II直線に沿って切断することで得られる断面図である。回折格子は、回折格子層２５、キャップ層２６を周期的にエッチングすることで形成する。
【００４１】
次に、クラッド層２７を形成する。図１０は、実施の形態１でクラッド層２７を形成した状態を示す平面図である。図１１は、図１０をI−II直線に沿って切断することで得られる断面図である。クラッド層２７は、キャップ層２６の上に設けられる。クラッド層２７は結晶成長により形成される。クラッド層２７は回折格子層２５を埋め込む。クラッド層２７はキャップ層２６の側面および上面を覆う。なお、図１０では回折格子層２５の位置が、便宜上破線で示されている。
【００４２】
次に、レーザ１０を構成する半導体層をエッチングする。ここでレーザ１０を構成する半導体層は、クラッド層２２、活性層２３、クラッド層２４、回折格子層２５、キャップ層２６である。図１２は、実施の形態１でレーザ１０を構成する半導体層をエッチングした状態を示す平面図である。図１３は、図１２をI−II直線に沿って切断することで得られる断面図である。
【００４３】
まず、クラッド層２７の上に絶縁膜２８を形成する。絶縁膜２８はレーザ形成部１０ａの上に設けられる。ここで、レーザ形成部１０ａは、導電性基板２１上のレーザ１０が形成される領域を示す。次に、絶縁膜２８をマスクとして活性層２３、クラッド層２４、回折格子層２５、キャップ層２６、クラッド層２７をエッチングする。これにより、レーザ形成部１０ａ以外の半導体層がエッチングされる。なお、図１２以降の図では、便宜上、キャップ層２６は省略されることがある。
【００４４】
次に、変調器１１を構成する半導体層を成長させる。変調器１１を構成する半導体層は、変調器吸収層２９とクラッド層３０である。図１４は、実施の形態１で変調器１１を構成する半導体層を成長させた状態を示す平面図である。図１５は、図１４をI−II直線に沿って切断することで得られる断面図である。ここでは、クラッド層２２の上に変調器吸収層２９、クラッド層３０を下からこの順で形成する。変調器吸収層２９、クラッド層３０は、絶縁膜２８をマスクとして、選択成長により形成する。変調器吸収層２９、クラッド層３０は、レーザ形成部１０ａを取り囲むように形成される。
【００４５】
次に、変調器１１を構成する半導体層をエッチングする。図１６は、実施の形態１で変調器１１を構成する半導体層をエッチングした状態を示す平面図である。図１７は、図１６をI−II直線に沿って切断することで得られる断面図である。図１８は、図１６をIII−IV直線に沿って切断することで得られる断面図である。
【００４６】
ここでは、まず、クラッド層２７およびクラッド層３０の上に絶縁膜２８ａを形成する。絶縁膜２８ａはレーザ形成部１０ａの上と、変調器形成部１１ａの上に設けられる。ここで、変調器形成部１１ａは、導電性基板２１上の変調器１１が形成される領域を示す。次に、絶縁膜２８ａをマスクとして変調器吸収層２９およびクラッド層３０をエッチングする。これにより、レーザ形成部１０ａと変調器形成部１１ａ以外の半導体層がエッチングされる。なお、図１７以降の図では、便宜上、回折格子層２５、クラッド層２４、クラッド層２２が省略されることがある。
【００４７】
次に、導波路１３ａ、１３ｂ、１３ｃを構成する半導体層を形成する。導波路１３ａ、１３ｂ、１３ｃを構成する半導体層は、透明導波路層４１とクラッド層４２である。図１９は、実施の形態１で導波路１３ａ、１３ｂ、１３ｃを構成する半導体層を成長させた状態を示す平面図である。図２０は、図１９をI−II直線に沿って切断することで得られる断面図である。図２１は、図１９をIII−IV直線に沿って切断することで得られる断面図である。
【００４８】
透明導波路層４１とクラッド層４２は、絶縁膜２８ａをマスクとして、選択成長により形成する。透明導波路層４１とクラッド層４２は、レーザ形成部１０ａおよび変調器形成部１１ａを取り囲むように形成される。
【００４９】
導波路１３ａ、１３ｂ、１３ｃを構成する半導体層をエッチングする。図２２は、実施の形態１で導波路１３ａ、１３ｂ、１３ｃを構成する半導体層をエッチングした状態を示す平面図である。図２３は、図２２をI−II直線に沿って切断することで得られる断面図である。ここでは、まず、クラッド層２７、３０、４２の上に絶縁膜２８ｂを形成する。絶縁膜２８ｂはレーザ形成部１０ａと、変調器形成部１１ａと、導波路１３ａ、１３ｂ、１３ｃを形成する領域に設けられる。次に、絶縁膜２８ｂをマスクとして透明導波路層４１とクラッド層４２とをエッチングする。
【００５０】
次に、フォトダイオード１２を構成する半導体層と半絶縁性半導体層５０とを形成する。フォトダイオード１２を構成する半導体層は、コンタクト層５１、クラッド層５２、光吸収層５３およびクラッド層５４である。図２４は、実施の形態１でフォトダイオード１２を構成する半導体層と半絶縁性半導体層５０とを成長させた状態を示す平面図である。図２５は、図２４をI−II直線に沿って切断することで得られる断面図である。
【００５１】
半絶縁性半導体層５０、コンタクト層５１、クラッド層５２、光吸収層５３およびクラッド層５４は、絶縁膜２８ｂをマスクとして、選択成長により形成する。半絶縁性半導体層５０、コンタクト層５１、クラッド層５２、光吸収層５３およびクラッド層５４は、絶縁膜２８ｂで覆われた部分を取り囲むように形成される。
【００５２】
なお、図２５に示されるように、半絶縁性半導体層５０は導電性基板２１の上面だけではなく、導波路１３ｃを構成する半導体層のエッチングにより形成された側面にも形成される。導波路１３ｃを構成する半導体層のエッチングにより形成された側面は、端面４３を含む。半絶縁性半導体層５０、コンタクト層５１、クラッド層５２は導波路１３ｃの側面にも設けられるため、フォトダイオード１２を構成する半導体層の表面に露出する。図２４において、便宜上、半絶縁性半導体層５０、コンタクト層５１、クラッド層５２の表面に露出した部分は省略されている。
【００５３】
次に、フォトダイオード１２を構成する半導体層をエッチングする。図２６は、実施の形態１でフォトダイオード１２を構成する半導体層をエッチングした状態を示す平面図である。図２７は、図２６をI−II直線に沿って切断することで得られる断面図である。図２８は、図２６をIII−IV直線に沿って切断することで得られる断面図である。図２９は、図２６をV−VI直線に沿って切断することで得られる断面図である。
【００５４】
まず、クラッド層２７、３０、４２、５４の上に絶縁膜２８ｃを形成する。絶縁膜２８ｃはレーザ形成部１０ａと、変調器形成部１１ａと、導波路１３ａ、１３ｂ、１３ｃを形成する領域と、フォトダイオード形成部１２ａに設けられる。フォトダイオード形成部１２ａは導電性基板２１上のフォトダイオード１２が形成される領域を示す。次に、絶縁膜２８ｃをマスクとして半絶縁性半導体層５０の途中までドライエッチングを行う。
【００５５】
これにより、リッジ構造の導波路１３ａ、１３ｂ、１３ｃが形成される。また、レーザ形成部１０ａと変調器形成部１１ａの間に方向性結合器１４が形成される。方向性結合器１４は導波路１３ｃの一部である。
【００５６】
次に、埋め込み成長を行う。図３０は、実施の形態１で埋め込み成長を行った状態を示す平面図である。図３１は、図３０をI−II直線に沿って切断することで得られる断面図である。図３２は、図３０をIII−IV直線に沿って切断することで得られる断面図である。図３３は、図３０をV−VI直線に沿って切断することで得られる断面図である。
【００５７】
ここでは、ｐ−ＩｎＰ層６１とｎ−ＩｎＰ層６２とｐ−ＩｎＰ層６３から構成される埋め込み成長層を形成する。埋め込み成長層は、レーザ形成部１０ａ、変調器形成部１１ａ、導波路１３ａ、１３ｂ、１３ｃ、フォトダイオード形成部１２ａを取り囲むように設けられる。導波路１３ａ、１３ｂ、１３ｃの側面は、埋め込み成長層に覆われる。また、レーザ１０を構成する半導体層、変調器１１を構成する半導体層およびフォトダイオード１２を構成する半導体層の側面は、埋め込み成長層に覆われる。埋め込み成長層は埋め込み成長により形成される。
【００５８】
次に、コンタクト層を形成する。コンタクト層は、クラッド層７１とｐ−ＩｎＧａＡｓ層７２とを含む。図３４は、実施の形態１でコンタクト層を成長させた状態を示す平面図である。図３５は、図３４をI−II直線に沿って切断することで得られる断面図である。図３６は、図３４をIII−IV直線に沿って切断することで得られる断面図である。図３７は、図３４をV−VI直線に沿って切断することで得られる断面図である。
【００５９】
まず、絶縁膜２８ｃを除去する。次に、導電性基板２１上の全面に、コンタクト層を結晶成長させる。なお、図３４において、レーザ形成部１０ａ、変調器形成部１１ａ、導波路１３ａ、１３ｂ、１３ｃ、フォトダイオード形成部１２ａの位置が便宜上示されている。
【００６０】
次に、コンタクト層をエッチングする。図３８は、実施の形態１でコンタクト層をエッチングした状態を示す平面図である。図３９は、図３８をI−II直線に沿って切断することで得られる断面図である。図４０は、図３８をIII−IV直線に沿って切断することで得られる断面図である。図４１は、図３８をV−VI直線に沿って切断することで得られる断面図である。
【００６１】
ここでは、ｐ−ＩｎＧａＡｓ層７２のうち電極の直下に配置される部分を残すように、ｐ−ＩｎＧａＡｓ層７２をエッチングする。この結果、レーザ形成部１０ａ、変調器形成部１０ｂおよびフォトダイオード形成部１２ａの上にｐ−ＩｎＧａＡｓ層７２が残される。フォトダイオード形成部１２ａの上のｐ−ＩｎＧａＡｓ層７２は、アノード８７ａに対応する位置に設けられる。なお、図３８では、レーザ形成部１０ａ、変調器形成部１１ａ、フォトダイオード形成部１２ａ、導波路１３ａ、１３ｂ、１３ｃの位置が便宜上示されている。
【００６２】
次に、メサを形成する。図４２は、実施の形態１でメサを形成した状態を示す平面図である。図４３は、図４２をI−II直線に沿って切断することで得られる断面図である。図４４は、図４２をIII−IV直線に沿って切断することで得られる断面図である。図４５は、図４２をV−VI直線に沿って切断することで得られる断面図である。図４６は、図４２をVII−VIII直線に沿って切断することで得られる断面図である。
【００６３】
ここでは、レーザ形成部１０ａの両側、変調器形成部１１ａの両側および導波路１３ａ、１３ｂ、１３ｃの両側に溝１５が形成される。また、導波路１３ｃとの接続部を除いて、フォトダイオード形成部１２ａを取り囲むように溝１５が形成される。溝１５はエッチングにより形成される。エッチングは半絶縁性半導体層５０が除去される深さまで実施される。これにより、レーザ形成部１０ａ、変調器形成部１１ａ、導波路１３ａ、１３ｂ、１３ｃおよびフォトダイオード形成部１２ａにメサ構造が形成される。
【００６４】
次に、コンタクトホール８０を形成する。図４７は、実施の形態１でフォトダイオード形成部１２ａにコンタクトホール８０を形成した状態を示す平面図である。図４８は、図４７をI−II直線に沿って切断することで得られる断面図である。図４９は、図４７をIII−IV直線に沿って切断することで得られる断面図である。図５０は、図４７をV−VI直線に沿って切断することで得られる断面図である。図５１は、図４７をVII−VIII直線に沿って切断することで得られる断面図である。
【００６５】
ここでは、コンタクトホール８０は、フォトダイオード形成部１２ａのｐ−ＩｎＧａＡｓ層７２の隣に設けられる。平面視において、コンタクトホール８０はｐ−ＩｎＧａＡｓ層７２と平行に伸びる。コンタクトホール８０とフォトダイオード形成部１２ａのｐ−ＩｎＧａＡｓ層７２とは、平面視での長手方向がフォトダイオード１２への光の入射方向に伸びる。コンタクトホール８０は、フォトダイオード１２のカソード８７ｂとなるｎ型の電極を形成するために設けられる。コンタクトホール８０は、クラッド層７１の上面からコンタクト層５１に達する深さまで形成される。
【００６６】
次に、導電性基板２１上の全面に絶縁膜８１を形成する。絶縁膜８１は、溝１５の側面および底面と、コンタクトホール８０の側面および底面とを覆う。
【００６７】
次に、絶縁膜８１に開口８２〜８５を形成する。図５２は、実施の形態１で絶縁膜８１に開口８２〜８５を形成した状態を示す平面図である。図５３は、図５２をI−II直線に沿って切断することで得られる断面図である。図５４は、図５２をIII−IV直線に沿って切断することで得られる断面図である。図５５は、図５２をV−VI直線に沿って切断することで得られる断面図である。図５６は、図５２をVII−VIII直線に沿って切断することで得られる断面図である。
【００６８】
開口８２〜８５は電極８７の直下に該当する位置に形成される。開口８２は、コンタクトホール８０の底面において、コンタクト層５１を露出させるように形成される。開口８３は、フォトダイオード形成部１２ａでｐ−ＩｎＧａＡｓ層７２を露出させるように形成される。開口８４は、レーザ形成部１０ａにおいて、ｐ−ＩｎＧａＡｓ層７２を露出させるように形成される。開口８５は、変調器形成部１１ａにおいて、ｐ−ＩｎＧａＡｓ層７２を露出させるように形成される。
【００６９】
次に、絶縁膜８１の上に電極８７を形成する。図１〜５に示されるように、電極８７は、レーザ形成部１０ａにおいて開口８４を埋め込み、ｐ−ＩｎＧａＡｓ層７２を接触するように設けられる。レーザ形成部１０ａ上の電極８７は、溝１５に沿って伸び、溝１５を挟んでレーザ形成部１０ａの反対側まで伸びる。また、電極８７は、変調器形成部１１ａにおいて開口８５を埋め込み、ｐ−ＩｎＧａＡｓ層７２と接触するように設けられる。
【００７０】
アノード８７ａは、フォトダイオード形成部１２ａにおいて開口８３を埋め込み、ｐ−ＩｎＧａＡｓ層７２と接触するように設けられる。カソード８７ｂは、フォトダイオード形成部１２ａにおいて開口８２を埋め込み、コンタクト層５１と接触するように設けられる。カソード８７ｂは、コンタクトホール８０の側面に沿って上方に向かって伸びる。カソード８７ｂは、フォトダイオード１２の上面側においてコンタクトホール８０を挟んでアノード８７ａと反対側に引き出される。アノード８７ａ、カソード８７ｂは、同じ材料から形成される。
【００７１】
次に、裏面工程を実施する。まず、導電性基板２１の裏面側を導電性基板２１の厚さが１００μｍ厚程度になるまで研磨する。ここでは、ウエハ裏面の全体を研磨する。次に、図２に示されるように、導電性基板２１の裏面に電極９０を形成する。以上から、図１〜５に示される半導体光集積素子１００が形成される。図１〜５では、便宜上、キャップ層２６、回折格子層２５、クラッド層２４、クラッド層２２、埋め込み成長層等が省略されている。
【００７２】
次に、本実施の形態の比較例について説明する。図５７は、比較例に係る半導体光集積素子２００の平面図である。比較例に係る半導体光集積素子２００では、フォトダイオード２１２の構造が実施の形態１に係るフォトダイオード１２と異なる。フォトダイオード２１２の上面側には、アノード８７ａのみが設けられている。
【００７３】
図５８は、図５７の半導体光集積素子２００をI−II直線に沿って切断することで得られる断面図である。半導体光集積素子２００において、レーザ１０の構造は実施の形態１と同じである。図５９は、図５７の半導体光集積素子２００をIII−IV直線に沿って切断することで得られる断面図である。半導体光集積素子２００において、変調器１１の構造は実施の形態１と同じである。
【００７４】
図６０は、図５７の半導体光集積素子２００をV−VI直線に沿って切断することで得られる断面図である。図６０は、フォトダイオード２１２の断面図である。比較例に係る半導体光集積素子２００は、半絶縁性半導体層５０を備えない。フォトダイオード１２は導電性基板２１の上に直接設けられている。
【００７５】
導電性基板２１の上には、クラッド層５２、光吸収層５３、クラッド層５４が下からこの順で設けられる。クラッド層５４の上には、クラッド層７１とｐ−ＩｎＧａＡｓ層７２とが下からこの順で設けられる。また、フォトダイオード２１２には、コンタクトホール８０が設けられない。
【００７６】
クラッド層７１とｐ−ＩｎＧａＡｓ層７２の上には絶縁膜８１が設けられる。絶縁膜８１は溝１５に沿って伸びる。絶縁膜８１にはｐ−ＩｎＧａＡｓ層７２を露出させる開口８３が設けられる。また、絶縁膜８１には開口８２が設けられない。絶縁膜８１の上にはアノード８７ａが設けられる。アノード８７ａは開口８３を埋め込み、ｐ−ＩｎＧａＡｓ層７２と接触する。フォトダイオード２１２のカソードは、導電性基板２１の裏面に設けられた電極９０である。
【００７７】
半導体光集積素子２００では、レーザ１０のカソードとフォトダイオード２１２のカソードは共通である。カソードである電極９０の電位は、例えばグランドとなる。
【００７８】
図６１は、図５７の半導体光集積素子２００をVII−VIII直線に沿って切断することで得られる断面図である。図６１は、フォトダイオード２１２と導波路１３ｃとの接続部の断面図である。導波路１３ａ、１３ｂ、１３ｃの構造は実施の形態１と同じである。比較例では、クラッド層５２が導波路１３ｃの端面４３に沿って伸びる。比較例では、半絶縁性半導体層５０が設けられない。このため、導波路１３ｃとフォトダイオード２１２とは電気的に分離されていない。
【００７９】
次に、比較例に係る半導体光集積素子２００の製造方法を説明する。半導体光集積素子２００の製造方法は、図２２、図２３に示した導波路１３ａ、１３ｂ、１３ｃを構成する半導体層をエッチングする工程までは、実施の形態１と同じである。次に、フォトダイオード２１２を構成する半導体層を形成する。フォトダイオード２１２を構成する半導体層は、クラッド層５２、光吸収層５３、クラッド層５４である。
【００８０】
図６２は、比較例でフォトダイオード２１２を構成する半導体層を成長させた状態を示す平面図である。図６３は、図６２をI−II直線に沿って切断することで得られる断面図である。クラッド層５２、光吸収層５３およびクラッド層５４は、絶縁膜２８ｂをマスクとして、選択成長により形成する。
【００８１】
次に、フォトダイオード２１２を構成する半導体層をエッチングする。図６４は、比較例でフォトダイオード２１２を構成する半導体層をエッチングした状態を示す平面図である。図６５は、図６４をI−II直線に沿って切断することで得られる断面図である。図６６は、図６４をIII−IV直線に沿って切断することで得られる断面図である。図６７は、図６４をV−VI直線に沿って切断することで得られる断面図である。
【００８２】
まず、レーザ形成部１０ａと、変調器形成部１１ａと、導波路１３ａ、１３ｂ、１３ｃを形成する領域と、フォトダイオード形成部２１２ａに絶縁膜２８ｃを設ける。フォトダイオード形成部２１２ａは導電性基板２１上のフォトダイオード２１２が形成される領域を示す。次に、絶縁膜２８ｃをマスクとして導電性基板２１が露出するまでドライエッチングを行う。これにより、導波路１３ａ、１３ｂ、１３ｃが形成される。
【００８３】
次に、埋め込み成長を行う。図６８は、比較例で埋め込み成長を行った状態を示す平面図である。図６９は、図６８をI−II直線に沿って切断することで得られる断面図である。図７０は、図６８をIII−IV直線に沿って切断することで得られる断面図である。図７１は、図６８をV−VI直線に沿って切断することで得られる断面図である。ここでは、実施の形態１と同様に、ｐ−ＩｎＰ層６１とｎ−ＩｎＰ層６２とｐ−ＩｎＰ層６３から構成される埋め込み成長層を形成する。
【００８４】
次に、コンタクト層を形成する。コンタクト層は、クラッド層７１とｐ−ＩｎＧａＡｓ層７２とを含む。図７２は、比較例でコンタクト層を成長させた状態を示す平面図である。図７３は、図７２をI−II直線に沿って切断することで得られる断面図である。図７４は、図７２をIII−IV直線に沿って切断することで得られる断面図である。図７５は、図７２をV−VI直線に沿って切断することで得られる断面図である。ここでは、実施の形態１と同様に、導電性基板２１上の全面に、コンタクト層を結晶成長させる。
【００８５】
次に、コンタクト層をエッチングする。図７６は、比較例でコンタクト層をエッチングした状態を示す平面図である。図７７は、図７６をI−II直線に沿って切断することで得られる断面図である。図７８は、図７６をIII−IV直線に沿って切断することで得られる断面図である。図７９は、図７６をV−VI直線に沿って切断することで得られる断面図である。ここでは、レーザ形成部１０ａ、変調器形成部１０ｂおよびフォトダイオード形成部２１２ａの上にｐ−ＩｎＧａＡｓ層７２を残すように、ｐ−ＩｎＧａＡｓ層７２をエッチングする。
【００８６】
次に、メサを形成する。図８０は、比較例でメサを形成した状態を示す平面図である。図８１は、図８０をI−II直線に沿って切断することで得られる断面図である。図８２は、図８０をIII−IV直線に沿って切断することで得られる断面図である。図８３は、図８０をV−VI直線に沿って切断することで得られる断面図である。図８４は、図８０をVII−VIII直線に沿って切断することで得られる断面図である。
【００８７】
ここでは、レーザ形成部１０ａの両側、変調器形成部１１ａの両側および導波路１３ａ、１３ｂ、１３ｃの両側に溝１５が形成される。また、導波路１３ｃとの接続部を除いて、フォトダイオード形成部２１２ａを取り囲むように溝１５が形成される。溝１５はエッチングにより、導電性基板２１が露出する深さまで形成される。
【００８８】
次に、導電性基板２１上の全面に絶縁膜８１を形成する。次に、絶縁膜８１に開口８４、８５、２８３を形成する。図８５は、比較例で絶縁膜８１に開口８４、８５、２８３を形成した状態を示す平面図である。図８６は、図８５をI−II直線に沿って切断することで得られる断面図である。図８７は、図８５をIII−IV直線に沿って切断することで得られる断面図である。図８８は、図８５をV−VI直線に沿って切断することで得られる断面図である。図８９は、図８５をVII−VIII直線に沿って切断することで得られる断面図である。
【００８９】
開口２８３は、フォトダイオード形成部２１２ａでｐ−ＩｎＧａＡｓ層７２を露出させるように形成される。開口８４、８５は、実施の形態１と同様にレーザ形成部１０ａと変調器形成部１１ａにそれぞれ形成される。
【００９０】
次に、絶縁膜８１の上に電極８７を形成する。レーザ形成部１０ａおよび変調器形成部１１ａに設けられる電極８７の構造は、実施の形態１と同様である。フォトダイオード形成部２１２ａにおいて、アノード８７ａは開口２８３を埋め込み、ｐ−ＩｎＧａＡｓ層７２を接触するように設けられる。
【００９１】
次に、裏面工程を実施する。裏面工程は実施の形態１と同様である。以上から、図５７〜６１に示される半導体光集積素子２００が形成される。
【００９２】
比較例に係る半導体光集積素子２００では、導電性基板２１の裏面の電極９０が、レーザ１０とフォトダイオード２１２の共通のカソードとなる。このとき、例えば電極９０がグランド電位の場合、フォトダイオード２１２の上面側の電極は負の電位となる。このため、フォトダイオード２１２の電源の極性を使用者が選択できない。
【００９３】
さらに、比較例では、レーザ１０とフォトダイオード２１２との間が電気的に分離されていない。このため、レーザ１０とフォトダイオード２１２との間に無効電流が流れ、半導体光集積素子２００の特性が低下する可能性がある。
【００９４】
これに対し本実施の形態に係る半導体光集積素子１００では、導電性基板２１とフォトダイオード１２とが半絶縁性半導体層５０により電気的に分離される。このため、フォトダイオード１２の上面側からアノード８７ａとカソード８７ｂの両方を引き出せる。従って、フォトダイオード１２に接続する電源の極性の自由度が向上する。
【００９５】
さらに、導波路１３ｃとフォトダイオード１２とは、半絶縁性半導体層５０で電気的に分離されている。また、フォトダイオード１２は半絶縁性半導体層５０により導電性基板２１と電気的に分離される。つまり、半絶縁性半導体層５０が分離抵抗となることで、フォトダイオード１２は、レーザ１０および変調器１１から電気的に分離される。本実施の形態では、アノード８７ａとカソード８７ｂがレーザ１０および変調器１１から十分に絶縁されるため、レーザ１０または変調器１１とフォトダイオード１２との間に無効電流が流れることを抑制できる。従って半導体光集積素子１００の特性を向上できる。
【００９６】
また、フォトダイオード１２の受光面１９と導波路１３ｃの端面４３とは、半導体層で接続されている。ここで半導体層は、半絶縁性半導体層５０、コンタクト層５１およびクラッド層５２である。これにより、フォトダイオード１２が機能するのに十分なモニタ光を確保できる。
【００９７】
また、本実施の形態では導電性基板２１を使用しているため、レーザ１０と変調器１１のカソードとして裏面の電極９０を用いることができる。従って、半絶縁性基板を使用する場合と比較して、基板の上面側から引き出す電極端子の数を削減できる。また、レーザ１０と変調器１１については、導電性基板２１を使用した従来の半導体光集積素子と同様に、裏面の電極９０を使用した駆動方法を採用できる。
【００９８】
また、本実施の形態では、半導体光集積素子１００が備える導波路の任意の位置に隣接するように、方向性結合器１４を設けることができる。このため、フォトダイオード１２の位置の自由度を向上できる。
【００９９】
本実施の形態では、レーザ１０の前方にフォトダイオード１２が設けられた。この変形例として、フォトダイオード１２は、レーザ１０の出力光を受光できれば、導電性基板２１上の別の位置に設けられても良い。例えば、フォトダイオード１２は、レーザ１０の後方に設けられても良い。この場合、フォトダイオード１２はレーザ１０の後方側への出射光を受光しても良い。また、フォトダイオード１２はレーザ１０の後方側への出射光を全て受光しても良い。また、フォトダイオード１２はレーザ１０と変調器１１との間に設けられても良い。つまり、フォトダイオード１２はインラインのフォトダイオードであっても良い。
【０１００】
また、レーザ１０、変調器１１、フォトダイオード１２および導波路１３ａ、１３ｂ、１３ｃの構造は、本実施の形態に示したものに限らない。レーザ１０および変調器１１として、導電性基板２１に設けられたあらゆるレーザおよび変調器を採用できる。また、フォトダイオード１２として、半絶縁性半導体層５０によって導電性基板２１と電気的に分離されたあらゆるフォトダイオードを採用できる。例えば、コンタクト層５１およびクラッド層５２は、導波路１３ｃの端面４３に沿って伸びなくても良い。また、変調器１１は設けられなくても良い。本実施の形態は導電性基板２１にレーザとフォトダイオードとが設けられたあらゆる半導体光集積素子に適用できる。
【０１０１】
これらの変形は以下の実施の形態に係る半導体光集積素子について適宜応用することができる。なお、以下の実施の形態に係る半導体光集積素子については実施の形態１との共通点が多いので、実施の形態１との相違点を中心に説明する。
【０１０２】
実施の形態２．
図９０は、実施の形態２に係る半導体光集積素子３００の平面図である。半導体光集積素子３００は、フォトダイオード３１２の構造が実施の形態１と異なる。その他の構造は、実施の形態１と同様である。
【０１０３】
図９１は、図９０の半導体光集積素子３００をI−II直線に沿って切断することで得られる断面図である。図９２は、図９０の半導体光集積素子３００をIII−IV直線に沿って切断することで得られる断面図である。レーザ１０と変調器１１の構造は実施の形態１と同様である。
【０１０４】
図９３は、図９０の半導体光集積素子をV−VI直線に沿って切断することで得られる断面図である。図９３は、フォトダイオード３１２の断面図である。実施の形態１と同様に、導電性基板２１の上には半絶縁性半導体層５０が設けられる。フォトダイオード３１２は半絶縁性半導体層５０の上に設けられている。
【０１０５】
半絶縁性半導体層５０の上には、コンタクト層３５１が設けられる。コンタクト層３５１はｐ−ＩｎＧａＡｓＰから形成される。コンタクト層３５１の上にはクラッド層３５２が設けられる。クラッド層３５２はｐ−ＩｎＰから形成される。クラッド層３５２の上には光吸収層３５３が設けられる。光吸収層３５３はｉ−ＩｎＧａＡｓＰから形成される。光吸収層３５３の上にはクラッド層３５４が設けられる。クラッド層３５４はｎ−ＩｎＰから形成される。クラッド層３５４の上にはコンタクト層３５５が設けられる。コンタクト層３５５はｎ−ＩｎＧａＡｓＰから形成される。フォトダイオード３１２は、導電性基板２１側から順に、ｐ−ＩｎＰクラッド層とｉ−ＩｎＧａＡｓＰ光吸収層とｎ−ＩｎＰクラッド層とを有する。
【０１０６】
フォトダイオード１２には、コンタクト層３５５の上面からコンタクト層３５１に至るコンタクトホール３８０が形成される。コンタクトホール３８０によりコンタクト層３５１が露出する。
【０１０７】
フォトダイオード３１２の両側には溝１５が設けられる。溝１５はフォトダイオード３１２の上面側から導電性基板２１まで伸びる。コンタクト層３５５の上面には絶縁膜８１が設けられる。絶縁膜８１は溝１５およびコンタクトホール３８０に沿って伸びる。絶縁膜８１にはコンタクト層３５５を露出させる開口３８３が設けられる。さらに、コンタクトホール３８０の底面において、絶縁膜８１にはコンタクト層３５１を露出させる開口３８２が設けられる。
【０１０８】
絶縁膜８１の上にはアノード８７ａとカソード８７ｂが設けられる。アノード８７ａは開口３８３を埋め込み、コンタクト層３５５と接触する。カソード８７ｂは開口３８２を埋め込み、コンタクト層３５１と接触する。フォトダイオード３１２のアノード８７ａと、フォトダイオード３１２のカソード８７ｂは、フォトダイオード３１２の上面側から引き出される。
【０１０９】
図９４は、図９０の半導体光集積素子３００をVII−VIII直線に沿って切断することで得られる断面図である。図９４は、フォトダイオード３１２と導波路１３ｃとの接続部の断面図である。導波路１３ａ、１３ｂ、１３ｃの構造は、実施の形態１と同様である。
【０１１０】
半絶縁性半導体層５０、コンタクト層３５１およびクラッド層３５２は、導波路１３ｃの端面４３に沿って伸びる。端面４３はフォトダイオード１２の受光面３１９に面している。実施の形態１と同様に、導波路１３ｃとフォトダイオード１２とは、半絶縁性半導体層５０で分離されている。クラッド層４２とコンタクト層３５５の上には、絶縁膜８１が設けられる。
【０１１１】
次に、半導体光集積素子３００の製造方法を説明する。半導体光集積素子３００の製造方法は、図２２、図２３に示した導波路１３ａ、１３ｂ、１３ｃを構成する半導体層をエッチングする工程までは、実施の形態１と同じである。
【０１１２】
次に、フォトダイオード３１２を構成する半導体層と半絶縁性半導体層５０とを形成する。フォトダイオード３１２を構成する半導体層は、コンタクト層３５１、クラッド層３５２、光吸収層３５３、クラッド層３５４、コンタクト層３５５である。図９５は、実施の形態２でフォトダイオード３１２を構成する半導体層と半絶縁性半導体層とを成長させた状態を示す平面図である。図９６は、図９５をI−II直線に沿って切断することで得られる断面図である。
【０１１３】
半絶縁性半導体層５０、コンタクト層３５１、クラッド層３５２、光吸収層３５３、クラッド層３５４およびコンタクト層３５５は、絶縁膜２８ｂをマスクとして、選択成長により形成する。これらの半導体層は、絶縁膜２８ｂで覆われた部分を取り囲むように形成される。
【０１１４】
実施の形態１と同様に、半絶縁性半導体層５０は導電性基板２１の上面だけではなく、導波路１３ｃを構成する半導体層のエッチングにより形成された側面にも形成される。導波路１３ｃを構成する半導体層のエッチングにより形成された側面は、端面４３を含む。
【０１１５】
次に、フォトダイオード３１２を構成する半導体層をエッチングする。図９７は、実施の形態２でフォトダイオード３１２を構成する半導体層をエッチングした状態を示す平面図である。図９８は、図９７をI−II直線に沿って切断することで得られる断面図である。図９９は、図９７をIII−IV直線に沿って切断することで得られる断面図である。図１００は、図９７をV−VI直線に沿って切断することで得られる断面図である。
【０１１６】
まず、クラッド層２７、３０、４２およびコンタクト層３５５の上に絶縁膜２８ｃを形成する。絶縁膜２８ｂはレーザ形成部１０ａと、変調器形成部１１ａと、導波路１３ａ、１３ｂ、１３ｃを形成する領域と、フォトダイオード形成部３１２ａに設けられる。フォトダイオード形成部３１２ａは導電性基板２１上のフォトダイオード３１２が形成される領域を示す。次に、絶縁膜２８ｃをマスクとして半絶縁性半導体層５０の途中までドライエッチングを行う。これにより、導波路１３ａ、１３ｂ、１３ｃが形成される。また、方向性結合器１４が形成される。
【０１１７】
次に、埋め込み成長を行う。図１０１は、実施の形態２で埋め込み成長を行った状態を示す平面図である。図１０２は、図１０１をI−II直線に沿って切断することで得られる断面図である。図１０３は、図１０１をIII−IV直線に沿って切断することで得られる断面図である。図１０４は、図１０１をV−VI直線に沿って切断することで得られる断面図である。埋め込み成長層の構造は実施の形態１と同様である。導波路１３ａ、１３ｂ、１３ｃの側面は、埋め込み成長層に覆われる。また、レーザ１０を構成する半導体層、変調器１１を構成する半導体層およびフォトダイオード３１２を構成する半導体層の側面は、埋め込み成長層に覆われる。
【０１１８】
次に、コンタクト層を形成する。コンタクト層は、クラッド層７１とｐ−ＩｎＧａＡｓ層７２とを含む。図１０５は、実施の形態２でコンタクト層を成長させた状態を示す平面図である。図１０６は、図１０５をI−II直線に沿って切断することで得られる断面図である。図１０７は、図１０５をIII−IV直線に沿って切断することで得られる断面図である。図１０８は、図１０５をV−VI直線に沿って切断することで得られる断面図である。まず、絶縁膜２８ｃを除去する。次に、導電性基板２１上の全面に、コンタクト層を結晶成長させる。
【０１１９】
次に、コンタクト層をエッチングする。図１０９は、実施の形態２でコンタクト層をエッチングした状態を示す平面図である。図１１０は、図１０９をI−II直線に沿って切断することで得られる断面図である。図１１１は、図１０９をIII−IV直線に沿って切断することで得られる断面図である。図１１２は、図１０９をV−VI直線に沿って切断することで得られる断面図である。
【０１２０】
ここでは、ｐ−ＩｎＧａＡｓ層７２のうち電極の直下に配置される部分を残すように、ｐ−ＩｎＧａＡｓ層７２をエッチングする。また、フォトダイオード形成部３１２ａでは、クラッド層７１とｐ−ＩｎＧａＡｓ層７２を全て除去する。この結果、レーザ形成部１０ａおよび変調器形成部１０ｂの上にｐ−ＩｎＧａＡｓ層７２が残される。
【０１２１】
次に、メサを形成する。図１１３は、実施の形態２でメサを形成した状態を示す平面図である。図１１４は、図１１３をI−II直線に沿って切断することで得られる断面図である。図１１５は、図１１３をIII−IV直線に沿って切断することで得られる断面図である。図１１６は、図１１３をV−VI直線に沿って切断することで得られる断面図である。図１１７は、図１１３をVII−VIII直線に沿って切断することで得られる断面図である。
【０１２２】
実施の形態１と同様に、レーザ形成部１０ａの両側、変調器形成部１１ａの両側および導波路１３ａ、１３ｂ、１３ｃの両側に溝１５が形成される。また、導波路１３ｃとの接続部を除いて、フォトダイオード形成部３１２ａを取り囲むように溝１５が形成される。
【０１２３】
次に、コンタクトホール３８０を形成する。図１１８は、実施の形態２でフォトダイオード形成部３１２ａにコンタクトホール３８０を形成した状態を示す平面図である。図１１９は、図１１８をI−II直線に沿って切断することで得られる断面図である。図１２０は、図１１８をIII−IV直線に沿って切断することで得られる断面図である。図１２１は、図１１８をV−VI直線に沿って切断することで得られる断面図である。図１２２は、図１１８をVII−VIII直線に沿って切断することで得られる断面図である。
【０１２４】
コンタクトホール３８０は、平面視において長手方向がフォトダイオード３１２への光の入射方向に伸びる。コンタクトホール３８０は、コンタクト層３５５の上面からコンタクト層３５１に達する深さまで形成される。
【０１２５】
次に、導電性基板２１上の全面に絶縁膜８１を形成する。絶縁膜８１は、溝１５の側面および底面と、コンタクトホール３８０の側面および底面とを覆う。
【０１２６】
次に、絶縁膜８１に開口８４、８５、３８２、３８３を形成する。図１２３は、実施の形態２で絶縁膜８１に開口８４、８５、３８２、３８３を形成した状態を示す平面図である。図１２４は、図１２３をI−II直線に沿って切断することで得られる断面図である。図１２５は、図１２３をIII−IV直線に沿って切断することで得られる断面図である。図１２６は、図１２３をV−VI直線に沿って切断することで得られる断面図である。図１２７は、図１２３をVII−VIII直線に沿って切断することで得られる断面図である。
【０１２７】
開口３８２は、コンタクトホール３８０の底面において、コンタクト層３５１を露出させるように形成される。開口３８３は、フォトダイオード形成部３１２ａでコンタクト層３５５を露出させるように形成される。開口８４、８５の構造は実施の形態１と同様である。
【０１２８】
次に、絶縁膜８１の上に電極８７を形成する。図９０〜９４に示されるように、レーザ形成部１０ａおよび変調器形成部１１ａにおいて電極８７の構造は実施の形態１と同様である。アノード８７ａは、フォトダイオード形成部３１２ａにおいて開口３８３を埋め込み、コンタクト層３５５と接触するように設けられる。カソード８７ｂは、フォトダイオード形成部３１２ａにおいて開口３８２を埋め込み、コンタクト層３５１と接触するように設けられる。
【０１２９】
次に、裏面工程を実施する。裏面工程は実施の形態１と同様である。以上から、図９０〜９４に示される半導体光集積素子３００が形成される。実施の形態２においても、実施の形態１と同様の効果を得ることができる。
【０１３０】
なお、各実施の形態で説明した技術的特徴は適宜に組み合わせて用いてもよい。
【符号の説明】
【０１３１】
１００、３００  半導体光集積素子、  １０  レーザ、  １２  フォトダイオード、  １３ａ、１３ｂ、１３ｃ  導波路、  １９、３１９  受光面、  ２１  導電性基板、  ４３  端面、  ５０  半絶縁性半導体層、  ８７ａ  アノード、  ８７ｂ  カソード、  ９０  電極
【要約】
本願の発明に係る半導体光集積素子は、導電性基板と、導電性基板に設けられたレーザと、導電性基板の上に設けられた半絶縁性半導体層と、半絶縁性半導体層の上に設けられたフォトダイオードと、導電性基板の上に設けられ、レーザの出力光をフォトダイオードに導く導波路と、を備え、フォトダイオードのアノードと、フォトダイオードのカソードは、フォトダイオードの上面側から引き出され、導波路とフォトダイオードとは、半絶縁性半導体層で分離されている。【図１】
0006414365.tif 000002
【図２】
0006414365.tif 000003
【図３】
0006414365.tif 000004
【図４】
0006414365.tif 000005
【図５】
0006414365.tif 000006
【図６】
0006414365.tif 000007
【図７】
0006414365.tif 000008
【図８】
0006414365.tif 000009
【図９】
0006414365.tif 000010
【図１０】
0006414365.tif 000011
【図１１】
0006414365.tif 000012
【図１２】
0006414365.tif 000013
【図１３】
0006414365.tif 000014
【図１４】
0006414365.tif 000015
【図１５】
0006414365.tif 000016
【図１６】
0006414365.tif 000017
【図１７】
0006414365.tif 000018
【図１８】
0006414365.tif 000019
【図１９】
0006414365.tif 000020
【図２０】
0006414365.tif 000021
【図２１】
0006414365.tif 000022
【図２２】
0006414365.tif 000023
【図２３】
0006414365.tif 000024
【図２４】
0006414365.tif 000025
【図２５】
0006414365.tif 000026
【図２６】
0006414365.tif 000027
【図２７】
0006414365.tif 000028
【図２８】
0006414365.tif 000029
【図２９】
0006414365.tif 000030
【図３０】
0006414365.tif 000031
【図３１】
0006414365.tif 000032
【図３２】
0006414365.tif 000033
【図３３】
0006414365.tif 000034
【図３４】
0006414365.tif 000035
【図３５】
0006414365.tif 000036
【図３６】
0006414365.tif 000037
【図３７】
0006414365.tif 000038
【図３８】
0006414365.tif 000039
【図３９】
0006414365.tif 000040
【図４０】
0006414365.tif 000041
【図４１】
0006414365.tif 000042
【図４２】
0006414365.tif 000043
【図４３】
0006414365.tif 000044
【図４４】
0006414365.tif 000045
【図４５】
0006414365.tif 000046
【図４６】
0006414365.tif 000047
【図４７】
0006414365.tif 000048
【図４８】
0006414365.tif 000049
【図４９】
0006414365.tif 000050
【図５０】
0006414365.tif 000051
【図５１】
0006414365.tif 000052
【図５２】
0006414365.tif 000053
【図５３】
0006414365.tif 000054
【図５４】
0006414365.tif 000055
【図５５】
0006414365.tif 000056
【図５６】
0006414365.tif 000057
【図５７】
0006414365.tif 000058
【図５８】
0006414365.tif 000059
【図５９】
0006414365.tif 000060
【図６０】
0006414365.tif 000061
【図６１】
0006414365.tif 000062
【図６２】
0006414365.tif 000063
【図６３】
0006414365.tif 000064
【図６４】
0006414365.tif 000065
【図６５】
0006414365.tif 000066
【図６６】
0006414365.tif 000067
【図６７】
0006414365.tif 000068
【図６８】
0006414365.tif 000069
【図６９】
0006414365.tif 000070
【図７０】
0006414365.tif 000071
【図７１】
0006414365.tif 000072
【図７２】
0006414365.tif 000073
【図７３】
0006414365.tif 000074
【図７４】
0006414365.tif 000075
【図７５】
0006414365.tif 000076
【図７６】
0006414365.tif 000077
【図７７】
0006414365.tif 000078
【図７８】
0006414365.tif 000079
【図７９】
0006414365.tif 000080
【図８０】
0006414365.tif 000081
【図８１】
0006414365.tif 000082
【図８２】
0006414365.tif 000083
【図８３】
0006414365.tif 000084
【図８４】
0006414365.tif 000085
【図８５】
0006414365.tif 000086
【図８６】
0006414365.tif 000087
【図８７】
0006414365.tif 000088
【図８８】
0006414365.tif 000089
【図８９】
0006414365.tif 000090
【図９０】
0006414365.tif 000091
【図９１】
0006414365.tif 000092
【図９２】
0006414365.tif 000093
【図９３】
0006414365.tif 000094
【図９４】
0006414365.tif 000095
【図９５】
0006414365.tif 000096
【図９６】
0006414365.tif 000097
【図９７】
0006414365.tif 000098
【図９８】
0006414365.tif 000099
【図９９】
0006414365.tif 000100
【図１００】
0006414365.tif 000101
【図１０１】
0006414365.tif 000102
【図１０２】
0006414365.tif 000103
【図１０３】
0006414365.tif 000104
【図１０４】
0006414365.tif 000105
【図１０５】
0006414365.tif 000106
【図１０６】
0006414365.tif 000107
【図１０７】
0006414365.tif 000108
【図１０８】
0006414365.tif 000109
【図１０９】
0006414365.tif 000110
【図１１０】
0006414365.tif 000111
【図１１１】
0006414365.tif 000112
【図１１２】
0006414365.tif 000113
【図１１３】
0006414365.tif 000114
【図１１４】
0006414365.tif 000115
【図１１５】
0006414365.tif 000116
【図１１６】
0006414365.tif 000117
【図１１７】
0006414365.tif 000118
【図１１８】
0006414365.tif 000119
【図１１９】
0006414365.tif 000120
【図１２０】
0006414365.tif 000121
【図１２１】
0006414365.tif 000122
【図１２２】
0006414365.tif 000123
【図１２３】
0006414365.tif 000124
【図１２４】
0006414365.tif 000125
【図１２５】
0006414365.tif 000126
【図１２６】
0006414365.tif 000127
【図１２７】
0006414365.tif 000128