(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
クリーン度が制御されていない建屋と、前記建屋内に配置され、極小単位のデバイスを作製するウェハに対してそれぞれ単一のプロセスを実行する複数の小型処理装置と、を含むデバイス製造装置に対して前記建屋の外部において外付けで組み込まれる、外付け処理装置であって、
内部のクリーン度が制御された処理室と、
前記処理室内に配置され、前記ウェハに対して前記極小単位のデバイスを作製する複数のプロセスのうちの一のプロセスを実行する大型処理装置と、
前記処理室に前記ウェハを搬送する際に開閉する開閉部を有する受渡しユニットとを備え、
前記大型処理装置と前記受渡しユニットとの間で、自動でウェハの受渡しが行われることを特徴とする外付け処理装置。
【請求項２】
前記大型処理装置は、電子線描画装置であることを特徴とする請求項１記載の外付け処理装置。
【請求項３】
前記外付け処理装置は、移動可能であることを特徴とする請求項１又は２記載の外付け処理装置。
【請求項４】
前記処理室は、長さが６．０ｍ〜６．１ｍ、高さが２．５ｍ〜２．６ｍ、幅が２．４ｍ〜２．５ｍであることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか一項記載の外付け処理装置。
【請求項５】
前記ウェハは円形であり、前記ウェハの直径は、０．５インチ（１２．７ｍｍ）であることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか一項記載の外付け処理装置。
【請求項６】
前記デバイス製造装置の各小型処理装置と前記外付け処理装置との間で前記ウェハを搬送する搬送ラインが設けられ、前記受渡しユニットは、前記搬送ラインから搬送されてきた前記ウェハを受け取ることを特徴とする請求項１乃至５のいずれか一項記載の外付け処理装置。
【請求項７】
極小単位のデバイスを作製するウェハに対してそれぞれ単一のプロセスを実行する複数の小型処理装置を含むデバイス製造装置と、
前記デバイス製造装置に対して外付けで組み込まれた、請求項１乃至６のいずれか一項記載の外付け処理装置とを備えたことを特徴とするデバイス製造システム。
【請求項８】
前記大型処理装置は電子線描画装置であり、前記複数の小型処理装置の少なくとも１つは露光装置であり、前記デバイス製造装置の各小型処理装置と前記外付け処理装置との間で前記ウェハを搬送する搬送ラインが設けられ、前記搬送ラインは、前処理工程が施された前記ウェハを、前記電子線描画装置又は前記露光装置へ切換自在に搬送することを特徴とする請求項７記載のデバイス製造システム。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、極小単位のデバイスを作製するウェハに対してそれぞれ単一のプロセスを実行する複数の小型処理装置を含むデバイス製造装置に対して外付けで組み込まれる、外付け処理装置、および、デバイス製造装置と外付け処理装置とを備えたデバイス製造システムに関する。
【背景技術】
【０００２】
従来の半導体デバイスの製造ラインは、広大なクリーンルーム内に、複数の大型の処理装置を配置し、各処理装置内で１２インチ（３０４．８ｍｍ）などの大口径のウェハを処理することにより、１枚のウェハから数千個の半導体チップを製造することが一般的である。しかしながら、従来の巨大な半導体製造システムにおいては、個々の製造装置が巨大であり、工場内で容易に移動できるものではなかった。また、設備投資額が数千億円程度に達し、巨額であるという問題や、半導体等のデバイス製造に関する研究開発の成果を実際の製造ラインで実用化することが難しいという問題等があった。
【０００３】
これに対して、近年、いわゆる「ミニマルファブ」とよばれる少量生産半導体製造生産システムが開発されてきている（特許文献１参照）。すなわち、「ミニマルファブ」とは、必ずしもクリーン度が制御されていない通常の処理室内に、それぞれデバイス製造プロセスの単一の処理プロセスを実行する複数の小型処理装置を配置し、各小型処理装置間でウェハを搬送しながらウェハに各種の処理プロセスを実行することにより、デバイスを製造するものである。
【０００４】
この場合、製造ラインを収容する大きなクリーンルームが必要ないことなどから、従来の半導体デバイスの製造ラインに比べ、製造に係るエネルギー効率を大幅に向上させることができる利点がある。また、「ミニマルファブ」においては、製造ラインを構築するための設備投資額を、従来の半導体デバイスの製造ラインと比較して大幅に抑制することができるという利点もある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２０１２−０５４４１４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
ところで、このような少量生産半導体製造生産システム（ミニマルファブ）におけるリソグラフィプロセスとしては、小型レーザ露光装置を用いる技術が開発されてきている。しかしながら、小型レーザ露光装置を用いた場合、１μｍ以下の微細パターンを形成することは困難であると考えられる。一方、従来の電子線描画装置は、１μｍ以下の微細パターンを形成することは可能であるが、装置を小型化すると振動に弱くなる等の問題があることから、電子線描画装置を少量生産半導体製造生産システム（ミニマルファブ）内に組み込むことは難しいと考えられる。このため、少量生産半導体製造生産システム（ミニマルファブ）において、他の小型処理装置と同様の大きさをもつ小型化された電子線描画装置は開発されていない。
【０００７】
本発明は、上記課題を解決するためになされたものであって、その目的は、少量生産半導体製造生産システムの基本概念を大きく変更することなく、大型の処理装置を少量生産半導体製造生産システムに組み込むことが可能な、外付け処理装置およびデバイス製造システムを提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明の一実施の形態による外付け処理装置は、極小単位のデバイスを作製するウェハに対してそれぞれ単一のプロセスを実行する複数の小型処理装置を含むデバイス製造装置に対して外付けで組み込まれる、外付け処理装置であって、内部のクリーン度が制御された処理室と、前記処理室内に配置され、前記ウェハに対して前記極小単位のデバイスを作製する複数のプロセスのうちの一のプロセスを実行する大型処理装置と、前記処理室に前記ウェハを搬送する際に開閉する開閉部を有する受渡しユニットとを備え、前記大型処理装置と前記受渡しユニットとの間で、自動でウェハの受け渡しが行われることを特徴とするものである。
【０００９】
本発明の一実施の形態による外付け処理装置において、前記大型処理装置は、電子線描画装置であってもよい。
【００１０】
本発明の一実施の形態による外付け処理装置において、前記外付け処理装置は、移動可能であってもよい。
【００１１】
本発明の一実施の形態による外付け処理装置において、前記処理室は、長さが６．０ｍ〜６．１ｍ、高さが２．５ｍ〜２．６ｍ、幅が２．４ｍ〜２．５ｍであってもよい。
【００１２】
本発明の一実施の形態による外付け処理装置において、前記ウェハは円形であり、前記ウェハの直径は、０．５インチ（１２．７ｍｍ）であってもよい。
【００１３】
本発明の一実施の形態による外付け処理装置において、前記デバイス製造装置の各小型処理装置と前記外付け処理装置との間で前記ウェハを搬送する搬送ラインが設けられ、前記受渡しユニットは、前記搬送ラインから搬送されてきた前記ウェハを受け取ってもよい。
【００１４】
本発明の一実施の形態によるデバイス製造システムは、極小単位のデバイスを作製するウェハに対してそれぞれ単一のプロセスを実行する複数の小型処理装置を含むデバイス製造装置と、前記デバイス製造装置に対して外付けで組み込まれた、前記外付け処理装置とを備えたことを特徴とするものである。
【００１５】
本発明の一実施の形態によるデバイス製造システムにおいて、前記大型処理装置は電子線描画装置であり、前記複数の小型処理装置の少なくとも１つは露光装置であり、前記デバイス製造装置の各小型処理装置と前記外付け処理装置との間で前記ウェハを搬送する搬送ラインが設けられ、前記搬送ラインは、前処理工程が施された前記ウェハを、前記電子線描画装置又は前記露光装置へ切換自在に搬送してもよい。
【発明の効果】
【００１６】
本発明によれば、少量生産半導体製造生産システムの基本概念を大きく変更することなく、大型処理装置を少量生産半導体製造生産システムに組み込むことができる。
【図面の簡単な説明】
【００１７】
【図１】図１は、本発明の一実施形態に係る外付け処理装置と、該外付け処理装置が組み込まれるデバイス製造装置とを示す概略平面図である。
【図２】図２は、小型処理装置を示す斜視図である。
【図３】図３は、本発明の一実施形態に係る外付け処理装置を示す概略断面図である。
【図４】図４は、変形例による外付け処理装置とデバイス製造装置とを示す概略平面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１８】
以下、図面を参照しながら本発明の各実施形態について説明する。図面は例示であり、説明のために特徴部を誇張することがあり、実物とは異なる場合がある。また、技術思想を逸脱しない範囲において適宜変更して実施することが可能である。なお、以下の各図において、同一部分には同一の符号を付しており、一部詳細な説明を省略する場合がある。
【００１９】
まず、本発明の一実施形態に係る外付け処理装置が組み込まれる、デバイス製造装置の構成について説明する。図１は、本実施形態に係る外付け処理装置と、外付け処理装置が組み込まれるデバイス製造装置とを示す概略平面図である。
【００２０】
図１に示すデバイス製造装置１０は、いわゆる「ミニマルファブ」とよばれる少量生産半導体製造生産システムであり、建屋１１と、建屋１１内に配置された複数の小型処理装置２０とを含んでいる。建屋１１の外部には、本実施形態に係る外付け処理装置３０が配置されている。なお、デバイス製造装置１０と、外付け処理装置３０とにより、本実施形態に係るデバイス製造システム６０が構成されている。
【００２１】
建屋１１は、クリーン度が制御されていない例えば通常の工場の建屋であっても良い。この建屋１１には、小型処理装置２０と外付け処理装置３０との間でウェハＷを移動させる扉１２が設けられている。
【００２２】
各小型処理装置２０は、極小単位の半導体デバイスを作製するウェハＷに対してそれぞれ単一のプロセスを実行するものであり、例えばコータ（塗工機）、露光機、エッチャー（エッチング装置）、ディベロッパ（現像機）、洗浄機、ＣＶＤ炉、スパッタリング装置等を含む。
【００２３】
この小型処理装置２０は、後述するように、極小単位の半導体デバイス、本実施形態としては典型的には、円形の０．５インチ（１２．７ｍｍ）サイズのウェハＷから１個あるいは少数個の半導体デバイスを作製するウェハサイズを処理対象とし、それを１枚ずつ処理するものである。このような直径０．５インチのウェハからは、１ｃｍ２の半導体デバイスを１個作製することができる。つまり、本実施形態によるデバイス製造装置１０は、極小単位の半導体デバイスを作製するウェハサイズのウェハを用い、そのウェハを１枚ずつ枚葉処理する処理方式を採用している。なお、本明細書において「ウェハ」は、外形が円形に限るものではなく、任意の外形形状のものを含む。
【００２４】
この場合、ウェハＷは、１枚ずつ密閉搬送容器１３に収容され、この状態で各小型処理装置２０間を順次搬送される。ウェハＷは、小型処理装置２０で密閉搬送容器１３から取り出され、小型処理装置２０内で半導体デバイスを作製するための各種処理が行われる。その後、ウェハＷは、当該小型処理装置２０で密閉搬送容器１３に収容され、小型処理装置２０から搬出される。
【００２５】
各小型処理装置２０は、幅約２９４ｍｍ×奥行き約４５０ｍｍ×高さ約１４４０ｍｍの外形寸法に規格統一された略直方体とされ、その重量はそれぞれの小型処理装置２０によって異なるが、標準的には約６０キログラムとされている。このうち、プロセス処理本体部２１は、縦横が約３０ｃｍ、高さが約７０ｃｍに規格統一された略直方体のデスクトップサイズとされ、その重量は標準的には約３０キログラムとされている。なお、本明細書において、「小型処理装置」とは、上記規格統一された外形寸法をもつ処理装置をいう。また、「大型処理装置」とは、「小型処理装置」よりも外形寸法が大きい処理装置をいい、例えば従来の形状をもつ処理装置も含まれる。
【００２６】
図２に示すように、各小型処理装置２０は、単一の処理プロセスを行うための処理空間を有するプロセス処理本体部２１と、プロセス処理本体部２１に対する原料供給系や排気系、制御装置等を内蔵する装置下部２２と、プロセス処理本体部２１と装置下部２２とを分離可能に接続する上下連結スペーサ２３とを有している。
【００２７】
このうちプロセス処理本体部２１は、外気と遮断することができる密閉型となっており、装置下部２２に内包した、或いは小型処理装置２０の外部に設けた局所クリーン化装置によって、内部のクリーン化が行えるようになっている。
【００２８】
また、各小型処理装置２０の一面には、１枚のウェハＷを各小型処理装置２０と密閉搬送容器１３との間で受け渡すためのウェハ入出前室２４が連結されている。ウェハ入出前室２４は、規格化された外形を有しているとともに同一の構成を有しており、どの小型処理装置２０に対しても所定位置に配置され、同様に機能するように構成されている。ウェハ入出前室２４は、従来の半導体製造装置における処理チャンバーに設けられるロードロック室及びアンロードロック室と同様な機能を有するものであり、密閉搬送容器１３との接続のためのドッキングポート２５がその上部に設けられている。
【００２９】
また、各小型処理装置２０間には、ウェハＷを収納する密閉搬送容器１３を搬送するための搬送ライン１４が設けられている。この搬送ライン１４には、ベルト式やメカニカル式などの半導体製造装置に通常用いられる機構を用いることができる。該搬送ライン１４は、小型処理装置２０のウェハ入出前室２４の間で、密閉搬送容器１３を搬送するように構成されている。
【００３０】
次に、図３を参照して、本実施形態に係る外付け処理装置３０の概要について説明する。
【００３１】
図３に示すように、外付け処理装置３０は、クリーンルームからなる処理室３１と、処理室３１内に配置された大型処理装置４０と、処理室３１の側面に設けられた受渡しユニット３２とを備えている。外付け処理装置３０は、処理室３１ごと移動可能な構成を有しており、例えばフォークリフト等の搬送手段によって適宜移動することができる。
【００３２】
処理室３１には、例えば空気中の塵埃を除去する給排気システム３３が設けられており、これにより処理室３１内部のクリーン度を制御し、クリーン度を高めるようになっている。また処理室３１には、図示しない環境制御装置により、処理室３１内の温度、湿度、気流、振動、交流磁場等の環境を制御可能となっている。前記環境制御装置は処理室内部に組み込まれているか、あるいは温度及び湿度等については外部から制御された空気を導入する方式でも良い。
【００３３】
処理室３１は、一般的なコンテナサイズをもつ直方体形状を有しており、その大きさ（外形）は、例えば長さが６．０ｍ〜６．１ｍ、高さが２．５ｍ〜２．６ｍ、幅が２．４ｍ〜２．５ｍである。これにより、フォークリフトやコンテナ用トラックなど一般的なコンテナ輸送手段を用いて、外付け処理装置３０を容易に搬送することできる。また、外付け処理装置３０が自走式である場合、これにより、容易に移動可能となる。なお、本明細書中、処理室３１の長さとは、処理室３１を構成する直方体の一辺のうち鉛直軸（Ｚ軸）に直交する軸（Ｘ軸）に沿った長さをいい、処理室３１の高さとは、処理室３１を構成する直方体の一辺のうち鉛直軸（Ｚ軸）に沿った長さをいい、処理室３１の幅とは、処理室３１を構成する直方体の一辺のうち鉛直軸（Ｚ軸）および上記長さ方向の軸（Ｘ軸）に直交する軸（Ｙ軸）に沿った長さをいう。
【００３４】
受渡しユニット３２は、処理室３１にウェハＷを搬送する際に開閉する開閉窓（開閉部）３４を有している。この開閉窓３４により、処理室３１に対して密閉搬送容器１３を搬入搬出することができる。なお、受渡しユニット３２は、上述した小型処理装置２０のウェハ入出前室２４と同一の構成を有しており、開閉窓３４は、小型処理装置２０のドッキングポート２５と同一の構成を有している。この場合、受渡しユニット３２が、規格化されたウェハ入出前室２４と同一の構成を有するので、外付け処理装置３０を、様々なデバイス製造装置１０に対して外付けで組み込むことが容易となる。
【００３５】
受渡しユニット３２は、上述したデバイス製造装置１０の搬送ライン１４に接続されている。この場合、受渡しユニット３２は、搬送ライン１４から搬送されてきた密閉搬送容器１３に収容されたウェハＷを受け取るようになっている。また、受渡しユニット３２は、大型処理装置４０との間で、自動でウェハＷの受渡しを行うように構成されている。
【００３６】
すなわち、受渡しユニット３２は、開放された開閉窓３４から密閉搬送容器１３を搬入した後、開閉窓３４を閉鎖する。その後、内部のクリーン度を高めた状態で密閉搬送容器１３からウェハＷを取り出して、ウェハＷを大型処理装置４０に対して受け渡す。一方、大型処理装置４０でウェハＷに対して処理を行った後、受渡しユニット３２は、ウェハＷを大型処理装置４０から受け取り、密閉搬送容器１３に収容する。その後、開閉窓３４を開放して、密閉搬送容器１３に収容されたウェハＷを搬送ライン１４に対して受け渡す。
【００３７】
また、大型処理装置４０は、ウェハＷに対して極小単位のデバイスを作製する複数のプロセスのうちの一のプロセスを実行するものであり、例えば電子線描画装置からなっている。
【００３８】
図３に示すように、大型処理装置（電子線描画装置）４０は、例えばコータからなる小型処理装置２０によって電子線レジストが塗布されたウェハＷに対して電子線を照射することにより、電子線レジストに対して所定のパターン形状を描画するものである。
【００３９】
この大型処理装置４０は、たとえば、陰極４１、ウェーネルト４２及び陽極４３から構成される電子銃４４と、アライメントコイル４５と、第１アパーチャ４６と、縮小レンズ系４７と、第２アパーチャ４８と、対物レンズ４９とを有している。また、電子銃４４、アライメントコイル４５、第１アパーチャ４６、縮小レンズ系４７、第２アパーチャ４８および対物レンズ４９は、筐体５０によって取り囲まれている。また、ウェハＷは、電子線が照射される際、ステージ５１上に載置されており、ステージ５１によって水平移動可能となっている。なお、電子線描画装置の基本構成は従来公知のものと略同様であり、ここでは詳細な説明を省略する。
【００４０】
次に、このような構成からなる本実施の形態の作用について述べる。
【００４１】
まず、デバイス製造装置１０の小型処理装置２０のうち、例えばスピンコータ等のコータからなる小型処理装置２０において、ウェハＷの表面全域に電子線レジストが塗布される。電子線レジスト塗布処理が完了した後、ウェハＷは、密閉搬送容器１３に収容された状態で、小型処理装置２０（コータ）のウェハ入出前室２４から取り出される。
【００４２】
次に、ウェハＷは、搬送ライン１４を介してプリベーク装置からなる小型処理装置２０に搬送される。続いて、ウェハＷは、小型処理装置２０（プリベーク装置）のウェハ入出前室２４内で密閉搬送容器１３から取り出され、プリベーク処理が施される。具体的には、ウェハＷに塗布された電子線レジストのうち、溶剤が除去される。プリベーク処理が完了した後、ウェハＷは、密閉搬送容器１３に収容された状態で、小型処理装置２０（プリベーク装置）のウェハ入出前室２４から取り出される。
【００４３】
続いて、ウェハＷは、搬送ライン１４によってデバイス製造装置１０の建屋１１から搬出され、外付け処理装置３０に向けて搬送される。外付け処理装置３０に到達した後、ウェハＷは、搬送ライン１４から外付け処理装置３０の受渡しユニット３２に受け渡される。受渡しユニット３２は、開放された開閉窓３４から密閉搬送容器１３を搬入した後、開閉窓３４を閉鎖する。その後、受渡しユニット３２は、内部のクリーン度を高めるとともに、密閉搬送容器１３からウェハＷを取り出し、取り出したウェハＷを電子線描画装置からなる大型処理装置４０に自動的に受け渡す。
【００４４】
この大型処理装置４０（電子線描画装置）において、ウェハＷには電子線が照射され、ウェハＷ上の電子線レジストに対して所定のパターン形状が描画される。この場合、大型処理装置４０（電子線描画装置）の電子銃４４から電子ビームが放出され、この電子ビームは、アライメントコイル４５によりビーム中心が光軸に調節され、第１アパーチャ４６で周辺のボケ部分がカットされ、縮小レンズ系４７を経てビーム径が縮小され、第２アパーチャ４８によりビーム成形され、対物レンズ４９によりウェハＷ上に集束されて描画が施される。
【００４５】
このようにして電子線描画処理が完了した後、ウェハＷは、大型処理装置４０（電子線描画装置）から受渡しユニット３２に自動的に受け渡される。受渡しユニット３２は、内部のクリーン度を高めた状態で、ウェハＷを密閉搬送容器１３に収容し、その後、開閉窓３４を開放して、密閉搬送容器１３を搬送ライン１４に受け渡す。
【００４６】
次に、ウェハＷは、搬送ライン１４によって外付け処理装置３０からデバイス製造装置１０の建屋１１内に再度搬入され、現像装置からなる小型処理装置２０に送られる。続いて、ウェハＷは、小型処理装置２０（現像装置）のウェハ入出前室２４内で密閉搬送容器１３から取り出され、現像処理が施される。具体的には、ウェハＷに塗布された電子線レジストのうち、未感光部が現像液によって除去される。現像処理が完了した後、ウェハＷは、密閉搬送容器１３に収容された状態で、小型処理装置２０（現像装置）のウェハ入出前室２４から取り出される。
【００４７】
その後、エッチャー等の小型処理装置２０を順次経ることにより、ウェハＷに対して各種プロセス処理が施され、これにより極小単位のデバイスが作製される。
【００４８】
このように本実施の形態によれば、外付け処理装置３０は、極小単位のデバイスを作製するウェハＷに対してそれぞれ単一のプロセスを実行する複数の小型処理装置２０によって構成されたデバイス製造装置１０に対して外付けで組み込まれるようになっている。また、デバイス製造装置１０は、ウェハＷに対して極小単位のデバイスを作製する複数のプロセスのうちの一のプロセスを実行する大型処理装置４０を有している。これにより、少量生産半導体製造生産システム（ミニマルファブ）の基本概念を大きく変更することなく、大型処理装置４０を少量生産半導体製造生産システムに組み込むことができる。
【００４９】
また本実施の形態によれば、大型処理装置４０は、電子線描画装置であるので、ウェハＷに対して１μｍ以下、とりわけ１００ｎｍ以下の微細パターンを高解像かつ高精度で形成することが可能となる。とりわけ、振動に弱くなる等の問題があるため小型化が難しいと考えられている電子線描画装置を、少量生産半導体製造生産システム（ミニマルファブ）に連係させることができる。
【００５０】
また本実施の形態によれば、外付け処理装置３０は移動自在であるので、デバイス製造装置１０のレイアウトを変更したり、デバイス製造装置１０を移動したりする際の運搬や位置決め作業等を容易に行うことができる。また、外付け処理装置３０は、一般的なコンテナサイズを有しているので、フォークリフトやコンテナ用トラックなど一般的な輸送手段を用いて輸送することができる。
【００５１】
また本実施の形態によれば、外付け処理装置３０は移動自在であるので、同一の外付け処理装置３０を、複数のデバイス製造ラインで必要な場合のみ使用することも可能となる。
【００５２】
また本実施の形態によれば、デバイス製造装置１０は、各小型処理装置２０間でウェハＷを搬送する搬送ライン１４を有し、外付け処理装置３０の受渡しユニット３２は、搬送ラインから搬送されてきたウェハＷを受け取る。これにより、外付け処理装置３０および各小型処理装置２０間で、ウェハＷを自動で搬送することができ、作業の省力化を図ることができる。
【００５３】
なお、これに限らず、処理の枚数が少ない場合等、外付け処理装置３０と各小型処理装置２０と間で、作業者が手作業で密閉搬送容器１３を搬送しても良い。この場合、様々な処理プロセスに対して柔軟に対応することができる。
【００５４】
上記実施形態では、外付け処理装置３０の大型処理装置４０（電子線描画装置）を用いてウェハＷ上のレジストを感光させる場合を例にとって説明した。しかしながら、これに限らず、小型処理装置２０の少なくとも１つが、小型レーザ露光装置等からなる露光装置であり、この露光装置と上記大型処理装置４０（電子線描画装置）とが、選択的にウェハＷ上のレジストを感光させるようになっていても良い。
【００５５】
この場合、図４に示すように、デバイス製造装置１０の建屋１１内に、小型処理装置２０Ａ（コータ）、小型処理装置２０Ｂ（プリベーク装置）、小型処理装置２０Ｃ（露光装置）、小型処理装置２０Ｄ（現像装置）、小型処理装置２０Ｅ（エッチャー）が配置されている。また、建屋１１の外部に、大型処理装置（電子線描画装置）４０を有する外付け処理装置３０が配置されている。搬送ライン１４は、小型処理装置２０（コータ）および小型処理装置２０Ｂ（プリベーク装置）によって前処理工程が施されたウェハＷを、外付け処理装置３０又は小型処理装置２０Ｃ（露光装置）へ切換自在に搬送するようになっている。これにより、例えば単品のデバイスを生産する場合や微細なパターンを形成する場合には大型処理装置（電子線描画装置）４０を用い、微細なパターンを含まない多数のデバイスを生産する場合には小型処理装置２０Ｃ（露光装置）を用いるなど、デバイスに応じて柔軟に処理方法を切り換ることが可能となる。なお、図４において、図１乃至図３に示す実施の形態と同一部分には同一の符号を付してある。
【００５６】
また、上記実施の形態では、大型処理装置４０が電子線描画装置である場合を例にとって説明したが、これに限らず、大型処理装置４０は、例えばＣＶＤ装置、イオン注入装置等であっても良い。
【００５７】
上記実施の形態および変形例に開示されている複数の構成要素を必要に応じて適宜組合せることも可能である。あるいは、上記実施の形態および変形例に示される全構成要素から幾つかの構成要素を削除してもよい。
【符号の説明】
【００５８】
１０        デバイス製造装置
１３        密閉搬送容器
１４        搬送ライン
２０        小型処理装置
２１        プロセス処理本体部
２２        装置下部
２３        上下連結スペーサ
２４        ウェハ入出前室
３０        外付け処理装置
３１        処理室
３２        受渡しユニット
３３        給排気システム
３４        開閉窓（開閉部）
４０        大型処理装置
６０        デバイス製造システム
【図１】
0006409358.tif 000002
【図２】
0006409358.tif 000003
【図３】
0006409358.tif 000004
【図４】
0006409358.tif 000005