(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁体上半導体型の構造（５０）中の二酸化ケイ素層（９０）の分解方法であって、前記構造は、背面（６０）から前面（７０）に向かって、支持基板（８０）、二酸化ケイ素層（９０）および半導体層（１００）を含み、前記分解方法は、複数の構造（５０）が支持物（４０）上に保持される炉（１０）中で実施され、支持物（４０）は、それぞれの構造（５０）の間の予め定められた距離をとって、構造（５０）を保持するのに適当であり、１つの構造（５０）の前面（７０）は、前記前面（７０）に隣接する構造（５０）の背面（６０）と対向し、炉（１０）の雰囲気は非酸化性雰囲気であり、前記分解方法は、二酸化ケイ素層（９０）に含まれる酸素原子の半導体層（１００）を通した拡散を起こし、半導体層（１００）と前記酸素原子の反応に起因して揮発性生成物が発生させ、前記方法は、炉（１０）が揮発性生成物と反応するのに適当なトラップ（１１０）を含み、少なくとも１つの構造（５０）の前面（７０）に平行な方向の揮発性生成物の濃度勾配を減少させ、前記非酸化性雰囲気は不活性ガス流により提供されることを特徴とする分解方法。
【請求項２】
トラップ（１１０）は、絶縁体上半導体型の構造（５０）の背面（６０）上に配置されていることを特徴とする請求項１に記載の分解方法。
【請求項３】
トラップ（１１０）は、支持物（４０）を完全または部分的に被覆する被膜中に含まれることを特徴とする請求項１または２に記載の分解方法。
【請求項４】
トラップ（１１０）は、トラップ基板（１２０）と呼ばれる、基板の前面（７０）上のトラップ層中に含まれ、前記トラップ基板（１２０）は、支持物（４０）上に配置され、それぞれのトラップ基板は、２つの絶縁体上半導体型の構造（５０）の間に挿入され、トラップ基板の前面（７０）は、絶縁体上半導体型の構造（５０）の背面（６０）と対向していることを特徴とする請求項１から３のいずれかに記載の分解方法。
【請求項５】
トラップ（１１０）は、炉（１０）の内壁を完全または部分的に被覆する被膜中に含まれることを特徴とする請求項１から４のいずれかに記載の分解方法。
【請求項６】
揮発性生成物とトラップ（１１０）との間の反応は、トラップ（１１０）による揮発性生成物の吸収の反応であることを特徴とする請求項１から５のいずれかに記載の分解方法。
【請求項７】
トラップ（１１０）は、二酸化ケイ素を含むことを特徴とする請求項１から６のいずれかに記載の分解方法。
【請求項８】
トラップ（１１０）は、チタン、タングステン、窒化アルミニウム、およびアルミナから選択される材料の少なくとも１つを含むことを特徴とする請求項１から６のいずれかに記載の分解方法。
【請求項９】
半導体層（１００）は、ケイ素を含むことを特徴とする請求項１から８のいずれかに記載の分解方法。
【請求項１０】
半導体層（１００）は、１００ｎｍより大きい厚さを有することを特徴とする請求項１から９のいずれかに記載の分解方法。
【請求項１１】
二酸化ケイ素層（９０）は、５０ｎｍ未満の厚さを有することを特徴とする請求項１から１０のいずれかに記載の分解方法。
【請求項１２】
炉（１０）の雰囲気は、アルゴンを含むことを特徴とする請求項１から１１のいずれかに記載の分解方法。
【請求項１３】
炉（１０）の温度は、９００℃と１３００℃との間に維持されることを特徴とする請求項１から１２のいずれかに記載の分解方法。
【請求項１４】
炉（１０）の雰囲気に含まれる酸素（Ｏ2）と反応するのに適当なトラップ（１１０）を炉（１０）内に配置することを特徴とする請求項１から１２のいずれかに記載の分解方法。
【請求項１５】
酸素（Ｏ2）と反応することを意図されるトラップ（１１０）は、支持物（４０）上に配置されるケイ素基板であることを特徴とする請求項１４に記載の分解方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、絶縁体上の半導体型の構造中の二酸化ケイ素層を分解する方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来技術において知られ、かつ図１Ａおよび図１Ｂに示される分解方法は、絶縁体上の半導体型の構造５中の二酸化ケイ素層９を分解する方法であり、前記構造５は、その背面６から前面７に向かって、支持基板８、二酸化ケイ素層９および半導体層１０を含む。
前面７は、半導体層１０の自由表面に対応する。
当業者は、そのような方法の技術的記載をKonochukの文献に見いだすであろう（非特許文献１および非特許文献２参照）。
【０００３】
この分解方法は、図２に示される炉１中で実施され、炉１中では複数の構造５が支持物４上に保持され、支持物４は、それぞれの構造５を予め定められた距離（典型的には数ミリメートル）に保持し、１つの構造５の前面７は、前記前面７に隣接する構造の背面６に対向するように、構造５を保持するのに適当である。
構造５は、非酸化的雰囲気にさらされる。
非酸化的雰囲気は、不活性ガスまたは還元性ガスの連続流によって提供される。
不活性ガスの流れは、注入口２を通して炉１に入り、そこから放出口３を通って排出される。
【０００４】
そのような熱処理の使用は、二酸化ケイ素層９に含まれる酸素原子の半導体層１０を通した拡散を起こす。
前記酸素原子と半導体層１０との反応は、半導体モノ酸化物（ＳｃＯ）を含む揮発性生成物を発生させる。
【０００５】
しかしながら、構造５の表面に存在するガス、特に発生した揮発性生成物は、分解に影響を有する。
したがって、構造５の表面上の半導体モノ酸化物の濃度が増大する際に、半導体モノ酸化物は、分解反応を減速させる。
【０００６】
ここで、炉１の雰囲気の組成は均一ではない。
これは、構造５の間の小さい間隔のために、構造５の端部における拡散のみにより、揮発性生成物が放出されるからである。
この結果は、揮発性生成物の蓄積であり、その蓄積量は、構造５の表面の端部よりも、構造５の表面の中央部において多い。
これは、分解反応が、構造５の中央部よりも、その周縁部において速いことを意味する。
【０００７】
さらに、炉１の雰囲気は、不活性ガスまたは還元性ガスの一定の流れによって得られる。
その入口２から炉１内へと流れ放出口３に至るガスの流れは、揮発性生成物の少なくともいくらかを伴出する。
したがって、炉１の通過中に、ガスの流れに、揮発性生成物が加えられていく。
よって、炉中の構造５の位置に依存して、構造５は、様々な濃度の揮発性生成物にさらされる。
【０００８】
最後に、ガスの流れは、少量の酸素を含有する可能性がある。
炉１の雰囲気に含まれる酸素は、二酸化ケイ素層の分解を制限し、半導体層１０の自由表面の粗さを損なう。
ガス流中に酸素が全く存在させないためには非常の複雑な手段を用いる必要があるため、炉中に入るガス流中の少ないパーセンテージの酸素は許容される。
ガス流中に含有される酸素は、ガス注入口２に近い構造５と優先的に反応する。
よって、ガス流は、炉１の注入口２から放出口３に向かって酸素が欠乏する。
【０００９】
この炉１中の雰囲気の不均一性は、構造５の特性に重大な変動をもたらす。
【００１０】
この分解方法の主たる欠点は、図１Ａに示されるように、炉１の雰囲気の不均一性が、二酸化ケイ素層９の厚さおよび半導体層１０の厚さの均一性の低下をもたらすことである。
これは、熱処理の終了時に、二酸化ケイ素層９の厚さおよび半導体層１０の厚さが、構造の端部よりも中央部において大きいからである。
【００１１】
この分解方法の別の欠点は、炉１内に収容された、全ての絶縁体上半導体型の構造５が均一ではないことである。
これは、それぞれの構造５において、二酸化ケイ素層９が同一の比率で分解されないからである。
前述の欠点は、単一の構造５を収容する炉１では観察されない。しかしながら、比較的長い熱処理時間を考慮すると、経済的な理由により、そのような方法を、ただ１つの構造５を収容する炉１で実施することは、産業的視点から想定できない。
【００１２】
しかしながら、いくつかの用途は、たとえば半導体層１０中または半導体層１０上に形成される装置に作用される電圧を印加することができるように、５０ｎｍ未満の厚さを有する二酸化ケイ素層９に頼ることを必要とする。その場合、前記二酸化ケイ素層の厚さの非常に精密な制御が必要である。
さらに、半導体上の完全に空乏化されたケイ素を意味する用語「ＦＤＳＯＩ」と呼ばれる構造５は、ＦＤＭＯＳ（完全に空乏化された金属酸化物半導体）トランジスターのような電子部品を製造する上で特に有用であり、そのような部品におけるチャネルは、半導体層１０中または半導体層１０上に形成される。
半導体層１０の厚さの極度の微細さ（すなわち、約１０ｎｍ）のため、この厚さに依存するトランジスタの閾値電圧（通常、Ｖｔと表示される）は、半導体層１０の厚さの変動に非常に感受性が高い。
【先行技術文献】
【非特許文献】
【００１３】
【非特許文献１】Konochukら、「Novel trends in SOI technology for CMOS applications」、Solid State Phenomena、第１５６−１５８巻（２０１０）、６９−７８ページ
【非特許文献２】Konochukら、「Internal Dissolution of Buried Oxide in SOI wafers」、Solid State Phenomena、第１３１−１３３巻（２００８）、１１３−１１８ページ
【非特許文献３】E, Bussmannら、「Thermal instability of silicon-on-insulator thin films measured by low-energy electron microscopy」、Innovation in Thin Film Processing and Characterization、第１２巻、０１２０１６、２０１０
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１４】
したがって、本発明の１つの目的は、半導体層および二酸化ケイ素層の厚さの精密な制御を与える、二酸化ケイ素層を分解する方法を提案することである。
【課題を解決するための手段】
【００１５】
本発明は前述の欠点を完全にまたは部分的に改善することを目的とし、絶縁体上半導体型の構造中の二酸化ケイ素層を分解する方法に関する。前記構造は、その背面から前面に向かって、支持基板、二酸化ケイ素層および半導体層を含む。前記分解方法は、複数の構造が支持物上に保持される炉内で実施され、当該支持物は、それぞれの構造の間の予め定められた距離を維持するのに適当であり、１つの構造物の前面は、前記前面に隣接する構造の背面と対向する。炉内の雰囲気は、非酸化性雰囲気である。分解方法は、二酸化ケイ素層中の酸素原子の半導体層を通した拡散を起こし、半導体層と前記酸素原子の反応に起因する揮発性生成物を発生させる。前記方法は、炉が、少なくとも１つの構造の前面に平行な揮発性生成物の濃度勾配を減少させるための、揮発性生成物と反応するのに適当なトラップを含む点において注目に値する。
【００１６】
本明細書において、垂直方向は、炉が取り付けられる地面に垂直であると定義される。用語「上方」および「下方」は、この垂直方向に関して定義される。
【００１７】
構造の前面に平行な揮発性生成物の濃度勾配は、構造の前面と前記前面に隣接する構造の背面との間にある空間内で、構造の前面に平行な面内にある方向における、揮発性生成物の濃度の変化を意味する。
対照区別して、構造の前面に垂直な揮発性生成物の濃度勾配は、１つの構造の前面と前記前面に隣接する構造の背面との間にある空間内で、構造の前面に垂直な方向における、揮発性生成物の濃度の不均一性であると定義される。
【００１８】
したがって、揮発性生成物と反応するのに適当なトラップの炉内の配置は、前記生成物を吸収することを可能にする。
その結果は、それぞれの構造の前面に平行な揮発性生成物の濃度勾配の減少である。
したがって、二酸化ケイ素層の分解反応速度論は、構造の全ての点において実質的に等しい。
【００１９】
さらに、揮発性生成物の吸収は、それぞれの構造の前面の近傍における揮発性生成物の濃度を同一にすることを可能にする。
したがって、分解方法は、それぞれの構造において実質的に均一である。
【００２０】
１つの実施形態によれば、トラップは、絶縁体上半導体型の構造の背面に配置される。
したがって、トラップは、それぞれの構造の前面に可能な限り接近する。
そのようなトラップと構造の前面との近接は、揮発性生成物の捕捉のより高い効率を与える。
【００２１】
さらに、それぞれの構造の前面は、トラップを含む層に均一にさらされる。
したがって、それぞれの構造の表面上の揮発性生成物の濃度はより均一であり、したがって平行方向の勾配が減少する。
【００２２】
さらに、それぞれの構造の前面のごく近傍にトラップを配置することは、ガス流中に伴出される揮発性生成物の量を制限する。
したがって、分解方法の反応速度論は、構造のそれぞれについて実質的に等価になる。
よって、分解反応は、もはや連続する構造を離間する距離によって制限されないため、分解方法を実施するための炉の装填量を増大させることが可能となる。
さらに、この実施形態は、炉のいかなる変更も必要としない。
【００２３】
１つの実施形態によれば、背面に配置されるトラップは、３０ｎｍより大きい厚さを有する層、好ましくは５０ｎｍより大きい厚さを有する層に含まれる。
【００２４】
１つの実施形態によれば、トラップは、支持物を完全または部分的に被覆する被膜に含まれる。
よって、分解反応を実施するための構造に対して加工工程を追加する必要はない。
さらに、支持物は、それぞれの分解プロセスにおいて取り出されるため、支持物を適切なトラップ材料で容易に被覆することができる。
【００２５】
１つの実施形態によれば、トラップは、「トラップ基板」と呼ばれる基板の前面を少なくとも部分的に被覆するトラップ層中に含まれる。
トラップ基板は支持物上に配置され、それぞれのトラップ基板は、絶縁体上半導体型の構造の代わりに配置され、かつ２つの絶縁体上半導体型の構造の間に挿入され、トラップ基板の前面は、絶縁体上半導体型の構造の背面に対向する。
よって、分解反応を実施するための構造に対して加工工程を追加する必要はない。
さらに、トラップ基板は、それぞれの分解プロセス後に炉から取り出されるため、後者が揮発性生成物で飽和した際に、支持物上に新しいトラップを形成することができる。
【００２６】
１つの実施形態によれば、トラップは、炉の内面を完全または部分的に被覆する被膜中に含まれる。
炉の内部とは、分解方法の実施中に、構造を保持する支持物が導入される空間を意味する。
【００２７】
１つの実施形態によれば、揮発性生成物とトラップとの間の反応は、トラップによる揮発性生成物の吸収の反応である。
よって、トラップによる揮発性生成物の吸収は、炉、支持物および構造の汚染を防止する。
【００２８】
１つの実施形態によれば、トラップは二酸化ケイ素を含む。
構造の背面に配置され、３０ｎｍより大きい厚さ、さらに５０ｎｍより大きい厚さを有し、二酸化ケイ素を含む薄層は、９００℃と１３００℃との間の温度における分解プロセスに耐える。
【００２９】
一方、絶縁体上ケイ素の構造の背面にもともと存在する天然の酸化物は、その小さい厚さおよび化学的組成により、前述の処理中に蒸発し、トラップの役割を果たすことができない。
この点に関して、当業者は非酸化的雰囲気中の酸化物の蒸発の技術的記載を見いだすであろう（非特許文献３参照）。
さらに、二酸化ケイ素は、半導体構造を製造するための方法と適合性である。
【００３０】
１つの実施形態によれば、トラップは、以下の材料の少なくとも１つを含む：タングステン、窒化アルミニウム、アルミナ。
よって、これらの材料は、温度に対して非常に安定であるという利点を有する。
【００３１】
１つの実施形態によれば、半導体層はケイ素を含む。
１つの実施形態によれば、半導体層は、１００ｎｍより大きな厚さ、好ましくは２００ｎｍより大きな厚さ、より好ましくは３００ｎｍより大きな厚さを有する。
よって、半導体層の厚さは、分解反応を減速させる。
したがって、トラップは、揮発性生成物と有効に反応する時間を有する。
【００３２】
１つの実施形態によれば、二酸化ケイ素の層は、５０ｎｍ未満の厚さ、好ましくは２５ｎｍ未満の厚さ、より好ましくは１５ｎｍ未満の厚さを有する。
【００３３】
１つの実施形態によれば、炉の雰囲気は、アルゴン、水素（Ｈ2）から選択される少なくとも１つの種を含む。
【００３４】
１つの実施形態によれば、炉の温度は、９００℃と１３００℃との間に維持される。
【００３５】
１つの実施形態によれば、酸素（Ｏ2）と反応するのに適当なトラップは、炉内に配置される炉の雰囲気に含まれる。
１つの実施形態によれば、酸素（Ｏ2）と反応することを目的とするトラップは、ケイ素基板である。
【００３６】
以下の図を参照する非制限的な例として提供される、本発明に従う分解方法の実施形態の以下の記載から、他の特徴および利点が明らかとなるであろう。
【図面の簡単な説明】
【００３７】
【図１Ａ】従来技術において知られている技術に従う絶縁体上半導体型の構造の分解の方法によって処理される構造の概略図である。
【図１Ｂ】従来技術において知られている技術に従う絶縁体上半導体型の構造の分解の方法によって処理される構造の概略図である。
【図２】従来技術において知られている技術に従う二酸化ケイ素層の分解のための熱処理を実施することを目的とする炉の概略図である。
【図３Ａ】本発明にしたがって処理される構造の概略図である。
【図３Ｂ】本発明にしたがって処理される構造の概略図である。
【図４】本発明に従う二酸化ケイ素層の分解のための熱処理を実施することを目的とする炉の概略図である。
【図５】本発明の１つの実施形態にしたがって処理される構造の概略図である。
【図６】本発明にしたがうトラップおよび基板の概略図である。
【発明を実施するための形態】
【００３８】
種々の実施形態に関して、記載の簡略化の目的のために、同一の要素または同一の作用を満たす要素に、同一の参照符号を用いる。
【００３９】
図３Ａおよび図３Ｂに示される分解方法は、絶縁体上半導体型の構造５０内の二酸化ケイ素層９０を分解させる方法である。
絶縁体上半導体型の構造５０は、その背面６０から前面７０に向かって、支持基板８０、二酸化ケイ素層９０および半導体層１００を含む。
【００４０】
分解方法は、図４に示される炉１０内で実施され、炉１０内で、複数の構造５０が支持物４０に保持され、前記構造は互いに平行である。
構造５０の前面７０は、前記前面７０に隣接する構造５０の背面６０に対向する。
支持物４０は、それぞれの構造５０の間に予め定められた距離をとって、構造５０を保持するのに適当である。
それぞれの構造５０の間の予め定められた距離は、１５ｍｍ未満、好ましくは１０ｍｍ未満であってもよい。
炉１０の雰囲気は、非酸化性雰囲気である。
【００４１】
分解方法は、二酸化ケイ素層９０に含まれる酸素原子の、半導体層１００を通した拡散を起こす。
半導体層１００と前記酸素原子の反応に起因する揮発性生成物が発生する。
揮発性生成物は、半導体モノ酸化物（ＳｃＯ）を含む。
【００４２】
揮発性生成物と反応するのに適当なトラップ１１０は、少なくとも１つの構造５０の前面７０に平行な揮発性生成物の濃度勾配を減少させるように、炉１０内に配置される。
【００４３】
非酸化性雰囲気中の酸素含有量は、好ましくは１０ｐｐｍ未満である（ｐｐｍ：百万分率）。
炉１０の非酸化性雰囲気は、不活性ガス流または還元性ガス流によって提供される。
不活性ガス流または還元性ガス流は、注入口２０を通って炉１０に入り、放出口３０を通ってそこから排出される。
炉１０の雰囲気は、以下の種の１つから選択される少なくとも１つの種を含んでもよい：アルゴン、水素（Ｈ2）。
【００４４】
分解プロセス中、炉１０の温度を、９００℃と１３００℃との間、たとえば１１５０℃の温度に維持することができる。
この分解方法の実施の条件、特にその継続期間は、二酸化ケイ素層を部分的に分解させるために、適応させることができる。
【００４５】
支持基板８０は、以下の材料の少なくとも１つを含んでもよい：ケイ素、ゲルマニウム、アルミナ、石英。
【００４６】
半導体層１００は、以下の材料の少なくとも１つを含んでもよい：ケイ素、ゲルマニウム、ケイ素−ゲルマニウム合金。
【００４７】
図５に示される特に有利な実施形態によれば、トラップ１１０は、構造５０の背面６０上に配置される。
有利なことには、構造５０の背面６０に、トラップ１１０を含む被膜を形成してもよい。
よって、トラップ１１０は、それぞれの構造５０の前面７０に可能な限り接近する。
そのようなトラップ１１０と構造５０の前面７０の近接は、揮発性生成物のトラップのより高い効率を与える。
【００４８】
さらに、それぞれの構造の前面７０は、トラップ１１０を含む層に均一にさらされる。
よって、それぞれの構造５０の前面７０上の揮発性生成物の濃度はより均一になり、したがって平行方向の勾配は減少する。
さらに、それぞれの構造５０の前面７０のごく近傍にトラップ１１０を配置することは、ガス流によって伴出される揮発性生成物の量を制限する。
したがって、炉１０内の揮発性生成物の濃度の変動が減少する。
よって、それぞれの構造５０の分解における変動が減少する。
したがって、それぞれの構造５０において、二酸化ケイ素層９０は、実質的に同一の比率で分解される。
【００４９】
別法として、または補足的方法として、かつ、図６に示されるように、トラップ１１０は、トラップ基板１２０と呼ばれる基板の前面７０上のトラップ層中に含まれてもよい。
トラップ基板１２０は、特定の構造５０の代わりに支持物４０上に配置される。
したがって、炉１０内の揮発性生成物の濃度の変動が減少する。
よって、それぞれの構造５０の分解における変動が減少する。
【００５０】
特に、有利なことには、構造５０の背面６０に配置されるトラップ１１０、またはトラップ基板１２０のトラップ層の前面に配置されるトラップ１１０は、二酸化ケイ素を含んでもよい。
一方、絶縁体上ケイ素の構造の背面にもともと存在する天然の酸化物は、その小さい厚さおよび化学的組成により、前述の処理中に蒸発し、トラップの役割を果たすことができない。
【００５１】
二酸化ケイ素を含むトラップ１１０は、有利には、薄膜堆積技術によって形成される。
膜堆積技術の中でも、当業者に知られている低圧蒸着技術およびプラズマ活性化蒸着技術が言及されるであろう。
別法として、ケイ素製の支持基板８０の背面６０上、またはトラップ基板１２０の前面上の二酸化ケイ素膜の形成は、有利には、熱酸化によって実施されてもよい。
ケイ素製の支持基板８０の背面６０上、またはトラップ基板１２０の前面上に形成される膜は、３０ｎｍより大きい厚さ、優先的には５０ｎｍより大きい厚さを有してもよい。
【００５２】
別法として、トラップ１１０は、以下の材料の少なくとも１つを含んでもよい：チタン、タングステン、窒化アルミニウム、アルミナ。
これらの材料は、二酸化ケイ素層９０の分解のプロセス中に形成される半導体モノ酸化物を吸収することができる。
これらの材料は、当業者に知られている膜堆積技術により、膜の形態で形成されてもよい。たとえば、チタンおよびタングステンの膜の形成には、蒸着技術が特によく適合する。窒化アルミニウムおよびアルミナは、有利には、化学蒸着技術または原子層蒸着技術によって形成される。
【００５３】
別法として、あるいは補足的方法として、トラップ１１０は、支持物４０の全体または一部を被覆する被膜中に含まれてもよい。
よって、トラップ１１０は、構造５０の前面７０に近接する。
したがって、揮発性生成物は効果的にトラップされる。
【００５４】
特に有利には、トラップ１１０は、二酸化ケイ素を含む。
二酸化ケイ素を含むとラップ１１０は、有利には、真空蒸着技術または熱酸化により形成される。支持物４０上に形成される被膜は、５０ｎｍより大きな厚さ、または５００ｎｍよりも大きな厚さを有してもよい。
【００５５】
別法として、トラップ１１０は、以下の材料の少なくとも１つを含んでもよい：チタン、タングステン、窒化アルミニウム、アルミナ。
これらの材料は、当業者に知られている膜堆積技術により、膜の形態で形成されてもよい。たとえば、化学気相堆積法または原子層堆積技術。
【００５６】
補足的様式として、トラップ１１０は、炉１０の内壁を完全または部分的に覆う被膜中に含まれる。
特に有利には、トラップ１１０は、二酸化ケイ素を含む。
【００５７】
別法として、トラップ１１０は、以下の材料の少なくとも１つを含んでもよい：チタン、タングステン、窒化アルミニウム、アルミナ。
【００５８】
特に有利には、半導体層１００は、１００ｎｍより大きな厚さ、優先的には２００ｎｍより大きな厚さ、より優先的には３００ｎｍより大きな厚さを有する。
そのような半導体層１００の厚さのため、分解速度は０．５Å／分未満である。
よって、分解プロセス中に形成される揮発性生成物は、トラップに向かって拡散する時間を有する。
結果として、揮発性生成物の濃度の変動は減少する。有利には、二酸化ケイ素の層９０は、５０ｎｍ未満の厚さ、優先的には２５ｎｍ未満の厚さ、より優先的には１５ｎｍ未満の厚さを有する。
【００５９】
有利には、炉１０の雰囲気中に含まれる酸素（Ｏ2）と反応するのに適当なトラップ１２０を、炉１０内に配置してもよい。
酸素（Ｏ2）と反応することを意図されるトラップ１２０は、特定の構造５０に代えて支持物４０上に配置されるケイ素基板であってもよい。
好ましくは、炉の雰囲気中に含まれる酸素（Ｏ2）と反応することを意図されるケイ素基板は、不活性ガスまたは還元性ガスの注入口に近接して配置される。
さらにより優先的には、ケイ素基板は、構造５０に比べて、不活性ガス流または還元性ガス流の上流に配置される。
【００６０】
不活性ガス流または還元性ガス流に含まれる酸素は、構造５０に到達する前に、トラップ１２０と反応する。
【００６１】
本発明に従う二酸化ケイ素の層９０を分解する方法は、炉１０の雰囲気の組成を均一にすることを可能にする。
揮発性生成物の蓄積は減少する。
結果として、従来技術に見いだされる、二酸化ケイ素層９０および半導体層９０の均一性および厚さの劣化を制限することが可能となる。
さらに、本発明に従う方法は、従来技術の方法に比べて、それぞれの構造５０のより均一な分解を可能にする。
【図１Ａ】
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【図１Ｂ】
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【図２】
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【図３Ａ】
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【図３Ｂ】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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