(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
その材質が、Ａｌ、Ｓｉ、導電性の元素Ｘ１及び不可避的不純物を含む合金であり、
上記合金におけるＡｌの含有率が、０．１質量％以上３０質量％以下であり、
上記合金が、複数のＡｌ相と、上記Ｓｉと上記元素Ｘ１とを含有する複数のシリサイド相と、Ｓｉ相とを有しており、
ＸＲＤによって測定された、その２θが３８．６°±０．３°付近にあるＡｌ（１１１）面のピークの積分強度Ｐ１と、その２θが２８．３°±０．３°付近にあるＳｉ（１１１）面のピークの積分強度Ｐ２との、比（Ｐ１／Ｐ２）が、０．０１以上０．３０以下であり、
密度が２．０Ｍｇ／ｍ３以上６．０Ｍｇ／ｍ３以下であり、
上記元素Ｘ１が、Ｂ、Ｃ、Ｎａ、Ｍｇ、Ｐ、Ｃａ、Ｔｉ、Ｖ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ａｇ及びＡｕからなる群から選択された１種又は２種以上である導電フィラー用粉末。
【請求項２】
上記Ａｌ相が、上記Ｓｉ相内に分散して存在する請求項１に記載の粉末。
【請求項３】
１つのＡｌ相が、シリサイド相と他のシリサイド相とをリンクしている請求項２に記載の粉末。
【請求項４】
上記合金が元素Ｘ２をさらに含んでおり、
上記元素Ｘ２が、Ｓｎ、Ｉｎ、Ｚｎ、Ｂｉ、Ｇａ及びＰｂからなる群から選択された１種又は２種以上である請求項１から３のいずれかに記載の粉末。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、導電性樹脂、導電性プラスチック、導電性ペースト、電子機器、電子部品等に用いられる導電フィラーに適した粉末に関する。
【背景技術】
【０００２】
導電性物質に含有されるフィラーに、金、銀、白金及び銅のような貴金属の粉末が用いられている。他の金属の表面に貴金属がコーティングされた粉末も、導電フィラーとして用いられている。貴金属の電気抵抗は小さいので、この貴金属を含むフィラーは導電性に優れる。貴金属を含む粒子の凝集により、粒子同士の大きな接触面積が得られるので、この観点からも貴金属はフィラーの導電性に寄与する。貴金属はさらに、熱伝導性にも優れる。
【０００３】
貴金属は、高価である。従って、貴金属を含む導電性物質は、高コストである。しかも、貴金属は高比重である。従って、貴金属を含む導電性物質は、重い。コスト低減及び軽量化の観点から、貴金属以外の元素を含む合金の検討が、種々なされている。
【０００４】
特開２００４−４７４０４公報には、シリコン化合物からなる粒子の表面に、炭素がコーティングされた導電フィラー用合金が開示されている。この粒子では、シリコン微結晶がシリコン化合物に分散している。
【０００５】
特開２００６−５４０６１公報には、Ａｇからなる粒子の表面に、Ｓｉ又はＳｉ系化合物がコーティングされた導電フィラー用合金が開示されている。
【０００６】
特開２００８−２６２９１６公報には、銀と、０．０１−１０質量％のＳｉとを含有する導電フィラー用合金が開示されている。この合金では、銀粒子の表面に、ＳｉＯ２のゲルがコーティングされている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特開２００４−４７４０４公報
【特許文献２】特開２００６−５４０６１公報
【特許文献３】特開２００８−２６２９１６公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
近年、電子機器の高性能化及び用途拡大が進んでいる。導電性物質には、低コスト化及び軽量化の要請がある。
【０００９】
本発明の目的は、導電性に優れ、低コストで得られ、かつ軽量である導電フィラー用粉末の提供にある。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明に係る導電フィラー用粉末の材質は、０．１質量％以上３０質量％以下のＡｌ、Ｓｉ、導電性の元素Ｘ１及び不可避的不純物を含む合金である。この合金は、複数のＡｌ相と、Ｓｉと元素Ｘ１とを含有する複数のシリサイド相と、Ｓｉ相とを有する。この粉末の、ＸＲＤによって測定された、その２θが３８．６°±０．３°付近にあるＡｌ（１１１）面のピークの積分強度Ｐ１と、その２θが２８．３°±０．３°付近にあるＳｉ（１１１）面のピークの積分強度Ｐ２との、比（Ｐ１／Ｐ２）は、０．０１以上０．３０以下である。この粉末の密度は、２．０Ｍｇ／ｍ３以上６．０Ｍｇ／ｍ３以下である。
【００１１】
好ましくは、Ａｌ相は、Ｓｉ相内に分散して存在する。好ましくは、１つのＡｌ相は、シリサイド相と他のシリサイド相とをリンクしている。
【００１２】
好ましくは、元素Ｘ１は、Ｂ、Ｃ、Ｎａ、Ｍｇ、Ｐ、Ｃａ、Ｔｉ、Ｖ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ａｇ及びＡｕからなる群から選択された１種又は２種以上である。
【００１３】
好ましくは、合金は、元素Ｘ２をさらに含む。この元素Ｘ２は、Ｓｎ、Ｉｎ、Ｚｎ、Ｂｉ、Ｇａ及びＰｂからなる群から選択された１種又は２種以上である。
【発明の効果】
【００１４】
本発明に係る導電フィラー用粉末は、材質がＳｉを含む合金であるため、低コストで得られうる。この粉末は、貴金属がコーティングされて得られる粉末に比べ、製造に手間がかからず、しかもコーティング層の剥離の問題も生じない。この粉末は低密度でもある。この粉末では、Ａｌ相及びシリサイド相が導電性に寄与する。
【図面の簡単な説明】
【００１５】
【図１】図１は、本発明の一実施形態に係る粉末に含まれる粒子の一部が示された断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１６】
以下、適宜図面が参照されつつ、好ましい実施形態に基づいて本発明が詳細に説明される。
【００１７】
本発明に係る導電フィラー用粉末は、多数の粒子の集合である。図１に、この粒子１の断面が拡大されて示されている。この粒子１の材質は、合金である。この合金は、Ａｌ、Ｓｉ及び元素Ｘ１を含んでいる。元素Ｘ１は、導電性である。元素Ｘ１の電気伝導度は、１００ＡＶ−１ｍ−１以上である。
【００１８】
好ましくは、合金は、
（１）Ａｌ
（２）Ｓｉ
（３）元素Ｘ１
及び
（４）不可避的不純物
のみを含む。
【００１９】
図１に示されるように、この合金は、複数のＡｌ相２、複数のシリサイド相３及びＳｉ相４を有している。これらのＡｌ相２は、Ｓｉ相４に分散して析出している。シリサイド相３も、Ｓｉ相４に分散して析出している。
【００２０】
それぞれのＡｌ相２の主成分は、Ａｌである。Ａｌ相２が、Ａｌのみを含んでもよい。Ａｌ相２が、Ａｌと共に、少量の他の元素を含んでもよい。Ａｌ相２におけるＡｌの比率は、９０質量％以上である。Ａｌは、導電性である。
【００２１】
それぞれのシリサイド相３は、Ａｌ、Ｓｉ及び元素Ｘ１を含有する。このシリサイド相３は、ＡｌとＳｉとの化合物を含みうる。このシリサイド相３は、Ｓｉと元素Ｘ１との化合物を含みうる。このシリサイド相３は、Ａｌ、Ｓｉ及び元素Ｘ１の化合物を含みうる。このシリサイド相３において、Ａｌ及び元素Ｘ１は、Ｓｉに固溶しうる。Ａｌ及び元素Ｘ１を含有するので、このシリサイド相３は導電性である。
【００２２】
Ｓｉ相４の主成分は、Ｓｉである。Ｓｉ相４が、Ｓｉのみを含んでもよい。Ｓｉ相４が、Ｓｉと共に、少量の他の元素（Ａｌ等）を含んでもよい。他の元素は、Ｓｉ相４にドープされてもよく、固溶してもよい。
【００２３】
Ｓｉは、電気伝導度の低い金属である。一方、Ａｌ相２及びシリサイド相３は、粒子１の電気抵抗を抑制する。このＡｌ相２及びシリサイド相３を含む導電フィラー用粉末は、導電性に優れる。特に、Ａｌ相２を有する粉末は、導電性に優れる。この粉末を含む物体（例えば電子機器）は、導電性に優れる。
【００２４】
図１に示されるように、Ａｌ相２は、シリサイド相３と他のシリサイド相３とをリンクしている。この合金では、電気は、Ａｌ相２及びシリサイド相３を通じて流れる。この粉末は、導電性に極めて優れる。
【００２５】
従来の導電フィラー粉末には、前述の通り、金、銀、白金及び銅のような貴金属が用いられている。金の密度は１９．３２Ｍｇ／ｍ３であり、銀の密度は１０．５０Ｍｇ／ｍ３であり、白金の密度は２１．４５Ｍｇ／ｍ３であり、銅の密度は８．９６０Ｍｇ／ｍ３である。一方、Ａｌの密度は２．６９８Ｍｇ／ｍ３であり、Ｓｉの密度は２．３２９Ｍｇ／ｍ３である。Ａｌ及びＳｉの密度は、金属の中では小さい。Ａｌ及びＳｉを含む導電フィラー用粉末は、軽量である。この粉末を含む物体は、軽量である。
【００２６】
Ａｌ及びＳｉは、貴金属に比べて低価格である。Ａｌ及びＳｉを含む導電フィラー用粉末は、この粉末を含む物体の低コストを達成する。さらにこの粉末は、コーティングの手間がなく製造されうる。
【００２７】
導電性の観点から、合金におけるＡｌの比率は０．１質量％以上が好ましく、３質量％以上がより好ましく、５質量％以上が特に好ましい。
【００２８】
粒子１の表面に存在するＡｌは、大気中の酸素と反応しうる。この反応により、アルミナが生成される。アルミナは、粒子１の表面において酸化被膜を形成する。アルミナは、絶縁性である。アルミナは、粒子１同士の接触抵抗を高める。この粒子１を含む粉末は、導電性に劣る。アルミナの生成が抑制されるとの観点、及び低コストの観点から、合金におけるＡｌの比率は３０質量％以下が好ましく、１０質量％以下が特に好ましい。
【００２９】
導電性の観点から、合金における元素Ｘ１の比率は１質量％以上が好ましく、３質量％以上がより好ましく、５質量％以上が特に好ましい。合金が十分なＳｉを含有しうるとの観点から、元素Ｘ１の比率は５０質量％以下が好ましい。
【００３０】
軽量及び低コストの観点から、合金におけるＳｉの比率は４５質量％以上が好ましく、６５質量％以上がより好ましく、７５質量％以上が特に好ましい。合金が十分なＡｌ及び元素Ｘ１を含有しうるとの観点から、Ｓｉの比率は９５質量％以下が好ましい。
【００３１】
導電フィラー用粉末を含む物体の軽量の観点から、この粉末の密度は６．０Ｍｇ／ｍ３以下が好ましく、５．５Ｍｇ／ｍ３以下がより好ましく、５．０Ｍｇ／ｍ３以下が特に好ましい。密度は、２．０Ｍｇ／ｍ３以上が好ましく、２．５Ｍｇ／ｍ３以上がより好ましく、３．０Ｍｇ／ｍ３以上が特に好ましい。
【００３２】
密度は、島津製作所社の乾式自動密度計「アキュピック  II  ３４０シリーズ」により測定される。この装置の容器に粉末が投入され、ヘリウムガスが充填される。定容積膨張法に基づき、粉末の密度が検出される。１０回の測定の平均値が算出される。
【００３３】
元素Ｘ１の具体例として、Ｂ、Ｃ、Ｎａ、Ｍｇ、Ｐ、Ｃａ、Ｔｉ、Ｖ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ａｇ及びＡｕが挙げられる。粉末が、２種以上の元素Ｘ１を含んでもよい。これらの元素Ｘ１は、粉末の熱伝導性にも寄与しうる。
【００３４】
本発明では、ＸＲＤ（X-ray diffraction)により、粉末の積分強度Ｐ１及びＰ２が測定される。Ｐ１は、Ａｌ（１１１）面のピークの積分強度である。Ａｌ（１１１）面のピークの２θは、３８．６°±０．３°付近である。Ｐ２は、Ｓｉ（１１１）面のピークの積分強度である。Ｓｉ（１１１）面のピークの２θは、２８．３°±０．３°付近にある。比（Ｐ１／Ｐ２）は、０．０１以上０．３０以下が好ましい。比（Ｐ１／Ｐ２）が０．０１以上である粉末では、十分なＡｌ相２が析出する。この観点から、比（Ｐ１／Ｐ２）は０．０５以上がより好ましく、０．１０以上が特に好ましい。比（Ｐ１／Ｐ２）が０．３０以下である粉末では、Ａｌの酸化被膜が形成されにくい。この観点から、比（Ｐ１／Ｐ２）は０．２０以下が特に好ましい。
【００３５】
合金が、元素Ｘ２を含んでもよい。この場合、好ましくは、合金は、
（１）Ａｌ
（２）Ｓｉ
（３）元素Ｘ１
（４）元素Ｘ２
及び
（５）不可避的不純物
のみを含む。
【００３６】
元素Ｘ２として、Ｓｎ、Ｉｎ、Ｚｎ、Ｂｉ、Ｇａ及びＰｂが挙げられる。合金が、２種以上の元素Ｘ２を含んでもよい。
【００３７】
粉末の電気伝導度は、粒子１の内部のバルク抵抗と、粒子１同士の接触抵抗に、主として支配される。軟質な元素Ｘ２を含む合金は、粒子１同士の密着性を高める。この元素Ｘ２により、接触抵抗が低減される。
【００３８】
合金における元素Ｘ２の含有量は、１質量％以上５質量％以下が好ましい。
【００３９】
元素Ｘ２は、Ｓｉとの融点差が大きく、かつ、元素Ｘ２及びＳｉの相互の溶解はほとんどない。従って、Ｓｉ−Ｘ２合金のアトマイズをおこなうと、Ｓｉと元素Ｘ２とを含有するシリサイド相が現れにい。このアトマイズにより、Ｓｉ単体と元素Ｘ２の単体とが析出する傾向が見られる。Ｓｉ単体の電気伝導度は非常に小さく、さらにＳｉ−Ｘ２合金中におけるＳｉ単体が占める割合は多いため、Ｓｉ−Ｘ２合金は導電フィラー粉末としては適さない。本発明に係る粉末の合金では、元素Ｘ２は、Ａｌ及び元素Ｘ１に付随して添加される。この合金は、導電フィラー粉末に適している。
【００４０】
導電フィラー粉末は、アトマイズ工程を含む液体急冷プロセスによって製造されうる。このプロセスにより、容易かつ安価に粉末が製造されうる。好ましいアトマイズとして、水アトマイズ法、ガスアトマイズ法、ディスクアトマイズ法及びプラズマアトマイズ法が例示される。ガスアトマイズ法及びディスクアトマイズ法が、特に好ましい。
【００４１】
ガスアトマイズ法では、底部に細孔を有する石英坩堝の中に、原料が投入される。この原料が、アルゴンガス雰囲気中で、高周波誘導炉によって加熱され、溶融する。アルゴンガス雰囲気において、細孔から流出する原料に、アルゴンガスが噴射される。原料は急冷されて凝固し、粉末が得られる。噴射圧の調整により、凝固速度がコントロールされうる。噴射圧が大きいほど、凝固速度は大きい。凝固速度のコントロールにより、所望の粒度分布を有する粉末が得られうる。凝固速度が速いほど、粒度分布の幅は小さい。
【００４２】
ディスクアトマイズ法では、底部に細孔を有する石英坩堝の中に、原料が投入される。この原料が、アルゴンガス雰囲気中で、高周波誘導炉によって加熱され、溶融する。アルゴンガス雰囲気において、細孔から流出する原料が、高速で回転するディスクの上に落とされる。回転速度は、４００００ｒｐｍから６００００ｒｐｍである。ディスクによって原料は急冷され、凝固して、粉末が得られる。この粉末にミリングが施されてもよい。  
【００４３】
メルトスピニング法によって製造した鱗片状又は薄箔状の材料が、メカニカルアロイング法で粉砕されることで、粉末が製造されてもよい。
【実施例】
【００４４】
以下、実施例によって本発明の効果が明らかにされるが、この実施例の記載に基づいて本発明が限定的に解釈されるべきではない。
【００４５】
表１及び２に示される組成を有する実施例１−２０及び比較例１−２０の粉末を得た。各粉末は、表１及び２に記載されていない不可避的不純物を含む。
【００４６】
各粉末の電気伝導度を測定した。まず、篩を用いて径が４５μｍを超える粒子を粉末から除去した。この粉末を、直径が２５ｍｍであり高さが１０ｍｍである円柱状のサンプルホルダー（東陽テクニカ社の粉体インピーダンス測定用四端子サンプルホルダー）に充填した。この粉末に、上下から４Ｎｍの荷重をかけた。この粉末の上側に電流のプラス端子及び電圧のプラス端子を取り付けた。この粉末の下側に電流のマイナス端子及び電圧のマイナス端子を取り付けた。いわゆる四端子法により、電流を流して電圧を測定した。この結果が、下記の表１及び２に示されている。
【００４７】
【表１】
0006445854.tif 000002
【００４８】
【表２】
0006445854.tif 000003
【００４９】
表１及び２における製造プロセスの詳細は、下記の通りである。
Ｇ．Ａ．：ガスアトマイズ法
Ｄ．Ａ．：ディスクアトマイズ法
Ｍ．Ｓ．：メルトスピニング法
【００５０】
表１−２に示される通り、各実施例の粉末の合金は、０．１質量％以上３０質量％以下のＡｌを含んでいる。この合金は、
（１）Ａｌ相、
（２）Ａｌ、Ｓｉ及び元素Ｘを含むシリサイド相、及び
（３）Ｓｉ相
を含む。この粉末の比（Ｐ１／Ｐ２）は、０．０１以上０．３０以下である。この粉末の密度は、２．０Ｍｇ／ｍ３以上６．０Ｍｇ／ｍ３以下である。表１では、各粉末が、Ａ−Ｄの格付けで評価されている。この評価の基準は、以下の通りである。
格付けＡ
積分強度比：０．０１以上０．３０以下
密度：２．０Ｍｇ／ｍ３以上６Ｍｇ／ｍ３以下
電気伝導度：１０００ＡＶ−１ｍ−１未満
格付けＢ
積分強度比：０．０１以上０．３０以下
密度：２．０Ｍｇ／ｍ３以上６Ｍｇ／ｍ３以下
電気伝導度：５００ＡＶ−１ｍ−１以上１０００ＡＶ−１ｍ−１未満
格付けＣ
積分強度比：０．０１以上０．３０以下
密度：２．０Ｍｇ／ｍ３以上６Ｍｇ／ｍ３以下
電気伝導度：１００ＡＶ−１ｍ−１以上５００ＡＶ−１ｍ−１未満
格付けＤ
積分強度比：０．０１以上０．３０以下
密度：２．０Ｍｇ／ｍ３以上６Ｍｇ／ｍ３以下
電気伝導度：１００ＡＶ−１ｍ−１未満
【００５１】
表２に示された各比較例の粉末の格付けは、Ｅである。この粉末は、Ａｌ含有率、積分強度比及び密度のいずれかが、本発明の要件を満たしていない。
【００５２】
例えば、実施例１４に係る粉末は、組成が１０Ａｌ−６０Ｓｉ−１５Ｃｒ−１５Ｔｉであり、積分強度比は０．２０である。また、密度は３．４１Ｍｇ／ｍ３であり、電気伝導度は１２５０ＡＶ−１ｍ−１である。この粉末は、本実施例で最も好ましい特性を示している。
【００５３】
例えば、比較例１２に係る粉末の電気伝導度は、８４０ＡＶ−１ｍ−１である。この粉末は優れた導電性を示し、かつ、Ａｌ量が３０質量％、密度が３．４７／ｍ３であるが、積分強度比が０．００８であるため、本発明の要件を満たさない。
【００５４】
以上の評価結果から、本発明の優位性は明かである。
【産業上の利用可能性】
【００５５】
本発明に係る粉末は、導電性樹脂、導電性プラスチック、導電性ペースト、電子機器、電子部品等に用いられ得る。
【図１】
0006445854.tif 000004