(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
コア基板と、
前記コア基板の少なくともひとつの最外面に設けられた導電体パターンと、
前記導電体パターン上に設けられた最外層の絶縁性樹脂膜とを備え、
前記絶縁性樹脂膜には、複数の開口部が設けられており、
少なくとも１つの前記開口部内には、前記導電体パターンの導電部の一部が位置しており、
前記絶縁性樹脂膜の表面の算術平均粗さＲａが０．０８μｍ以上０．５０μｍ以下であり、
前記絶縁性樹脂膜はフィラーを含み、
前記絶縁性樹脂膜の表面には、前記フィラーが脱離して形成されたクレーター状の凹部が設けられている、配線基板。
【請求項２】
請求項１に記載の配線基板において、
前記絶縁性樹脂膜の表面では、少なくともひとつの前記フィラーの一部分が前記絶縁性樹脂膜に埋設され、他部分が突出している、配線基板。
【請求項３】
請求項１または２に記載の配線基板において、
前記フィラーはシリカを含む、配線基板。
【請求項４】
請求項３に記載の配線基板において、
前記フィラーは、平均粒径が１００ｎｍ超過の前記シリカを含む、配線基板。
【請求項５】
請求項３または４に記載の配線基板において、
前記フィラーは、平均粒径が２ｎｍ以上１００ｎｍ以下の前記シリカを含む、配線基板。
【請求項６】
請求項１から５のいずれか一項に記載の配線基板において、
前記絶縁性樹脂膜の２５℃における貯蔵弾性率は１ＧＰａ以上２０ＧＰａ以下である、配線基板。
【請求項７】
請求項１から６のいずれか一項に記載の配線基板において、
前記絶縁性樹脂膜の線熱膨張率は、Ｔｇ以下において１０ｐｐｍ／℃以上５０ｐｐｍ／℃以下である、配線基板。
【請求項８】
請求項１から７のいずれか一項に記載の配線基板において、
前記絶縁性樹脂膜はソルダーレジストである、配線基板。
【請求項９】
請求項１から８のいずれか一項に記載の配線基板において、
前記絶縁性樹脂膜における前記フィラーの含有量は５０質量％以上９５質量％以下である、配線基板。
【請求項１０】
請求項１から９のいずれか一項に記載の配線基板において、
前記絶縁性樹脂膜はエポキシ樹脂、シアネート樹脂、硬化促進剤、および着色剤を含む、配線基板。
【請求項１１】
請求項１から１０のいずれか一項に記載の配線基板において、
前記絶縁性樹脂膜はレベリング剤およびカップリング剤を含む、配線基板。
【請求項１２】
配線基板と、
前記配線基板上に配設された半導体素子と、
前記配線基板の少なくともひとつの面および前記半導体素子を覆う封止樹脂とを備え、
前記配線基板は、
コア基板と、
前記コア基板の少なくともひとつの最外面に設けられた導電体パターンと、
前記導電体パターン上に設けられた最外層の絶縁性樹脂膜とを備え、
前記絶縁性樹脂膜には、複数の開口部が設けられており、
少なくとも１つの前記開口部内には、前記導電体パターンの導電部の一部が位置しており、
前記絶縁性樹脂膜の表面の算術平均粗さＲａが０．０８μｍ以上０．５０μｍ以下であり、
前記絶縁性樹脂膜はフィラーを含み、
前記絶縁性樹脂膜の表面には、前記フィラーが脱離して形成されたクレーター状の凹部が設けられている、半導体パッケージ。
【請求項１３】
請求項１２に記載の半導体パッケージにおいて、
前記絶縁性樹脂膜と前記封止樹脂との間の、２５℃におけるせん断強度をＳ１としたとき、Ｓ１を１５Ｎ／ｍｍ２以上とする、半導体パッケージ。
【請求項１４】
請求項１３に記載の半導体パッケージにおいて、
前記絶縁性樹脂膜と前記封止樹脂との間の、２６０℃におけるせん断強度をＳ２としたとき、Ｓ２／Ｓ１を０．１以上０．９以下とする、半導体パッケージ。
【請求項１５】
配線基板と、前記配線基板上に配設された半導体素子と、前記配線基板の少なくともひとつの面および前記半導体素子を覆う封止樹脂とを有する半導体パッケージを備え、
前記配線基板は、
コア基板と、
前記コア基板の少なくともひとつの最外面に設けられた導電体パターンと、
前記導電体パターン上に設けられた最外層の絶縁性樹脂膜とを備え、
前記絶縁性樹脂膜には、複数の開口部が設けられており、
少なくとも１つの前記開口部内には、前記導電体パターンの導電部の一部が位置しており、
前記絶縁性樹脂膜の表面の算術平均粗さＲａが０．０８μｍ以上０．５０μｍ以下であり、
前記絶縁性樹脂膜はフィラーを含み、
前記絶縁性樹脂膜の表面には、前記フィラーが脱離して形成されたクレーター状の凹部が設けられている、電子装置。
【請求項１６】
配線基板の製造方法であって、
少なくともひとつの最外面に導電体パターンが設けられたコア基板を準備する工程と、
前記コア基板および前記導電体パターン上に最外層の絶縁性樹脂膜を積層する工程と、
前記絶縁性樹脂膜の所定の領域に前記導電体パターンの一部を露出させる開口部を形成する工程と、
前記絶縁性樹脂膜の表面をデスミア処理する工程とをこの順に含み、
前記開口部を形成する工程は、前記絶縁性樹脂膜のうち、前記開口部とする領域にレーザー光を照射する工程を含み、
当該配線基板の前記絶縁性樹脂膜の表面の算術平均粗さＲａを０．０８μｍ以上０．５０μｍ以下とし、
前記絶縁性樹脂膜はフィラーを含み、
当該配線基板の前記絶縁性樹脂膜の表面に、前記フィラーが脱離して形成されたクレーター状の凹部を設ける、配線基板の製造方法。
【請求項１７】
請求項１６に記載の配線基板の製造方法において、
当該配線基板の前記絶縁性樹脂膜の表面では、少なくともひとつの前記フィラーの一部分が前記絶縁性樹脂膜に埋設され、他部分が突出している、配線基板の製造方法。
【請求項１８】
請求項１６または１７に記載の配線基板の製造方法において、
前記デスミア処理する工程では、前記コア基板を膨潤液に浸漬した後、５０℃以上１００℃以下の過マンガン酸カリウム水溶液に浸漬させる、配線基板の製造方法。
【請求項１９】
請求項１６から１８のいずれか一項に記載の配線基板の製造方法において、
前記デスミア処理する工程の後に、めっき処理する工程および、プラズマ処理する工程をさらに含む、配線基板の製造方法。
【請求項２０】
表面に絶縁性樹脂膜が露出した配線基板を準備する工程と、
前記絶縁性樹脂膜上に半導体素子を配設する工程と、
露出した、前記絶縁性樹脂膜および前記半導体素子を、封止樹脂で覆うよう封止する工程とをこの順に含み、
前記配線基板は、
コア基板と、
前記コア基板の少なくともひとつの最外面に設けられた導電体パターンと、
前記導電体パターン上に設けられた最外層の前記絶縁性樹脂膜とを備え、
前記絶縁性樹脂膜には、複数の開口部が設けられており、
少なくとも１つの前記開口部内には、前記導電体パターンの導電部の一部が位置しており、
前記絶縁性樹脂膜の表面の算術平均粗さＲａが０．０８μｍ以上０．５０μｍ以下であり、
前記絶縁性樹脂膜はフィラーを含み、
前記絶縁性樹脂膜の表面には、前記フィラーが脱離して形成されたクレーター状の凹部が設けられている、半導体パッケージの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は配線基板、半導体パッケージ、電子装置、配線基板の製造方法、および半導体パッケージの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体パッケージにおいては、耐久性の向上が求められている。半導体パッケージの信頼性を確保するためには、たとえば特許文献１のように配線基板の耐久性を向上させる技術があり、このように半導体パッケージを構成する個々の部品ごとの検討が行われていた。一方、本発明者は、このような個々の部品ごとの検討では限界があり、より高いレベルの性能を得るためには不十分であることを見出した。そして、部品の枠を越えて鋭意検討した結果、配線基板のソルダーレジストと、封止樹脂との密着性を高めることが重要であるということを新たに見出した。
しかし、さらに検討を進める中で、ソルダーレジストと封止樹脂の密着性を挙げても、すぐに製造した半導体パッケージの耐性向上につながらない場合があった。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２０１２−４１３９６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
配線基板には、その上に種々のパーツが搭載され、一括封止されてパッケージが製造される。
【０００５】
本発明は、耐久性に優れたパッケージを実現できる配線基板を提供するものである。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明によれば、
コア基板と、
前記コア基板の少なくともひとつの最外面に設けられた導電体パターンと、
前記導電体パターン上に設けられた最外層の絶縁性樹脂膜とを備え、
前記絶縁性樹脂膜には、複数の開口部が設けられており、
少なくとも１つの前記開口部内には、前記導電体パターンの導電部の一部が位置しており、
前記絶縁性樹脂膜の表面の算術平均粗さＲａが０．０８μｍ以上０．５０μｍ以下であり、
前記絶縁性樹脂膜はフィラーを含み、
前記絶縁性樹脂膜の表面には、前記フィラーが脱離して形成されたクレーター状の凹部が設けられている、配線基板
が提供される。
【０００７】
本発明によれば、
配線基板と、
前記配線基板上に配設された半導体素子と、
前記配線基板の少なくともひとつの面および前記半導体素子を覆う封止樹脂とを備え、
前記配線基板は、
コア基板と、
前記コア基板の少なくともひとつの最外面に設けられた導電体パターンと、
前記導電体パターン上に設けられた最外層の絶縁性樹脂膜とを備え、
前記絶縁性樹脂膜には、複数の開口部が設けられており、
少なくとも１つの前記開口部内には、前記導電体パターンの導電部の一部が位置しており、
前記絶縁性樹脂膜の表面の算術平均粗さＲａが０．０８μｍ以上０．５０μｍ以下であり、
前記絶縁性樹脂膜はフィラーを含み、
前記絶縁性樹脂膜の表面には、前記フィラーが脱離して形成されたクレーター状の凹部が設けられている、半導体パッケージ
が提供される。
【０００８】
本発明によれば、
配線基板と、前記配線基板上に配設された半導体素子と、前記配線基板の少なくともひとつの面および前記半導体素子を覆う封止樹脂とを有する半導体パッケージを備え、
前記配線基板は、
コア基板と、
前記コア基板の少なくともひとつの最外面に設けられた導電体パターンと、
前記導電体パターン上に設けられた最外層の絶縁性樹脂膜とを備え、
前記絶縁性樹脂膜には、複数の開口部が設けられており、
少なくとも１つの前記開口部内には、前記導電体パターンの導電部の一部が位置しており、
前記絶縁性樹脂膜の表面の算術平均粗さＲａが０．０８μｍ以上０．５０μｍ以下であり、
前記絶縁性樹脂膜はフィラーを含み、
前記絶縁性樹脂膜の表面には、前記フィラーが脱離して形成されたクレーター状の凹部が設けられている、電子装置
が提供される。
【０００９】
本発明によれば、
配線基板の製造方法であって、
少なくともひとつの最外面に導電体パターンが設けられたコア基板を準備する工程と、
前記コア基板および前記導電体パターン上に最外層の絶縁性樹脂膜を積層する工程と、
前記絶縁性樹脂膜の所定の領域に前記導電体パターンの一部を露出させる開口部を形成する工程と、
前記絶縁性樹脂膜の表面をデスミア処理する工程とをこの順に含み、
前記開口部を形成する工程は、前記絶縁性樹脂膜のうち、前記開口部とする領域にレーザー光を照射する工程を含み、
当該配線基板の前記絶縁性樹脂膜の表面の算術平均粗さＲａを０．０８μｍ以上０．５０μｍ以下とし、
前記絶縁性樹脂膜はフィラーを含み、
当該配線基板の前記絶縁性樹脂膜の表面に、前記フィラーが脱離して形成されたクレーター状の凹部を設ける、配線基板の製造方法
が提供される。
【００１０】
本発明によれば、
表面に絶縁性樹脂膜が露出した配線基板を準備する工程と、
前記絶縁性樹脂膜上に半導体素子を配設する工程と、
露出した、前記絶縁性樹脂膜および前記半導体素子を、封止樹脂で覆うよう封止する工程とをこの順に含み、
前記配線基板は、
コア基板と、
前記コア基板の少なくともひとつの最外面に設けられた導電体パターンと、
前記導電体パターン上に設けられた最外層の前記絶縁性樹脂膜とを備え、
前記絶縁性樹脂膜には、複数の開口部が設けられており、
少なくとも１つの前記開口部内には、前記導電体パターンの導電部の一部が位置しており、
前記絶縁性樹脂膜の表面の算術平均粗さＲａが０．０８μｍ以上０．５０μｍ以下であり、
前記絶縁性樹脂膜はフィラーを含み、
前記絶縁性樹脂膜の表面には、前記フィラーが脱離して形成されたクレーター状の凹部が設けられている、半導体パッケージの製造方法
が提供される。
【発明の効果】
【００１１】
本発明によれば、耐久性に優れたパッケージを実現できる配線基板が提供される。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１】実施形態における配線基板の構造の例を示す模式図である。
【図２】実施形態に係る半導体パッケージの構造の一例を示す断面模式図である。
【図３】実施形態に係る電子装置の構造の一例を示す断面模式図である。
【図４】実施形態に係る絶縁性樹脂膜の表面形態の例を模式的に示す断面図である。
【図５】実施形態に係るキャリア付樹脂膜の一例を示す断面図である。
【図６】配線基板の製造方法の一例を示す模式図である。
【図７】走査型電子顕微鏡で観察した実施例１に係る絶縁性樹脂膜表面の形態を示す図である。
【図８】走査型電子顕微鏡で観察した比較例１に係る絶縁性樹脂膜表面の形態を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
以下、本発明の実施の形態について、図面を用いて説明する。尚、すべての図面において、同様な構成要素には同様の符号を付し、適宜説明を省略する。
【００１４】
図１は、実施形態における配線基板２０の構造の例を示す模式図である。
配線基板２０は、コア基板２２、導電体パターン２４、および絶縁性樹脂膜１０を備える。導電体パターン２４は、コア基板２２の少なくともひとつの最外面に設けられている。絶縁性樹脂膜１０は、配線基板２０の最外層であり、導電体パターン２４上に設けられている。絶縁性樹脂膜１０には、複数の開口部２８が設けられている。少なくとも１つの開口部２８内には、導電体パターン２４の導電部の一部が位置している。そして、絶縁性樹脂膜１０の表面の算術平均粗さＲａは０．０８μｍ以上０．５０μｍ以下である。以下に詳細に説明する。
【００１５】
本実施形態に係る配線基板２０において、コア基板２２は少なくとも１つの絶縁層を含む基板である。コア基板２２が備える絶縁層はたとえば繊維基材に樹脂組成物を含浸してなる樹脂基材である。
コア基板２２は熱硬化性樹脂からなるものとすることができる。コア基板２２はリジッドな基板でも良いし、フレキシブルな基板でも良い。コア基板２２の厚さは、とくに限定されないが、たとえば１０μｍ以上３００μｍ以下とすることができる。
【００１６】
また、コア基板２２は、１つの絶縁層のみを有し、その片面のみに導電体パターン２４が形成された片面板でも良いし、１つの層のみを有し、その表裏面の両方に導電体パターン２４が設けられた両面板でも良いし、２層以上の絶縁層を有する多層板でもよい。コア基板２２が多層板である場合、コア基板２２内には２つの絶縁層に挟まれた配線層が一層以上形成される。
また、コア基板２２が両面板もしくは多層板である場合、コア基板２２の１つの表面（最外面）に設けられた導電体パターン２４は、反対側の表面（最外面）に設けられた導電体パターン２４やコア基板２２の内部に設けられた配線層と、少なくとも一部の絶縁層を貫通するスルーホールを介して互いに電気的に接続されている。
【００１７】
コア基板２２のおもて面と裏面の少なくとも一方の表面（最外面）には、導電体パターン２４が設けられている。導電体パターン２４はたとえばコア基板２２に積層された銅膜を選択エッチングして形成されたパターンである。導電体パターン２４は、導電部として少なくともランド２４４とライン２４２とを含む。ランド２４４は主に、配線基板２０に実装される素子や部品と導電体パターン２４とを電気的に接続する接続部であり、たとえば導電体パターン２４の他の部分もしくはコア基板２２内の配線層に接続された円形や四角形の部分である。なお、ランド２４４の中心には電子部品の端子等を挿入するホールが設けられていても良い。そして、ライン２４２は主に、ランド２４４同士を互いに電気的に接続する線状の部分である。
【００１８】
導電体パターン２４上には、絶縁性樹脂膜１０が積層されている。絶縁性樹脂膜１０はたとえばソルダーレジストである。絶縁性樹脂膜１０には、主にランド２４４が設けられた領域に開口部が設けられており、ランド２４４は絶縁性樹脂膜１０に被覆されていない。すなわち、ランド２４４の上には絶縁性樹脂膜１０が設けられておらず、ランド２４４が露出している。なお、ランド２４４の上には、たとえばニッケルおよび金のめっき膜や半田のめっき膜などの導電膜が積層されていてもよい。本実施形態に係る配線基板２０では、開口部に位置するランド２４４の上にめっき膜２４６がさらに設けられている。絶縁性樹脂膜１０にはさらにランド２４４以外の部分に開口部が設けられていても良いし、ライン２４２の一部を露出させるような開口部があってもよい。また、ランド２４４の全てが開口部に位置する必要は無く、絶縁性樹脂膜１０に覆われたランド２４４があってもよい。
【００１９】
配線基板２０の表面（最外層）の絶縁性樹脂膜１０は、その算術平均粗さＲａが０．０８μｍ以上０．５０μｍ以下である。算術平均粗さＲａはＪＩＳ−Ｂ０６０１に準拠して測定することができる。Ｒａが上記下限以上、上限以下であることによって、配線基板２０を用いて製造するパッケージの耐久性を向上できる。また、Ｒａが上記上限以下であれば、絶縁性樹脂膜１０上に液状封止樹脂の転写を行う場合に、高いパターニング精度が得られる。よって、トランスファー成形などに限らず、プロセスの選択自由度に優れる。たとえばパターニング精度が十分得られない場合、絶縁性樹脂膜１０上の不要な部分に封止樹脂４０が形成されてしまい、パッケージが不良となるため、塗布法や転写法での封止樹脂４０の成形ができない。従って、パターニング精度と耐久性の性能バランスの良い配線基板を実現できる。
【００２０】
なお、算術平均粗さＲａは０．１６μｍ以上であることがより好ましく、０．３０μｍ以上であることがさらに好ましい。また、算術平均粗さＲａは０．４０μｍ以下であることがより好ましい。Ｒａが上記下限以上、上限以下であれば、パッケージの高温下での耐久性を向上できる。また、パターニング精度と耐久性の性能バランスの良い配線基板をより効果的に実現できる。
【００２１】
絶縁性樹脂膜１０のＴｇは、たとえば１５０℃以上であることが好ましい。これにより、絶縁性樹脂膜１０の耐熱性および耐リフロー性の向上等を図ることが可能となる。一方で、上記Ｔｇの上限値は、とくに限定されないが、たとえば２８０℃とすることができる。
【００２２】
絶縁性樹脂膜１０の２５℃における貯蔵弾性率は１ＧＰａ以上であることが好ましく、５ＧＰａ以上であることがより好ましい。また、２０ＧＰａ以下であることが好ましい。上記上限以下、下限以上であれば、耐久性に優れるパッケージを製造できる配線基板２０をより確実に実現できる。
【００２３】
本実施形態において、上記貯蔵弾性率および上記Ｔｇは、たとえば動的粘弾性測定装置を用いて周波数１Ｈｚ、昇温速度５℃／分の条件で動的粘弾性試験を行うことにより得られる測定結果から、算出することができる。動的粘弾性測定装置としては、とくに限定されないが、たとえばＴＡインスツルメント社製、ＤＭＡ９８３を用いることができる。
【００２４】
絶縁性樹脂膜１０の線熱膨張率は、Ｔｇ以下において、１０ｐｐｍ／℃以上であることが好ましい。また、５０ｐｐｍ／℃以下であることが好ましい。上記上限以下、下限以上であれば、耐久性に優れるパッケージを製造できる配線基板２０をより確実に実現できる。
本実施形態においては、たとえば熱機械測定装置を用いて昇温速度１０℃／分の条件で測定することにより得られる線膨張係数の、２５〜５０℃における平均を算出して、これをＴｇ以下における上記線膨張率とすることができる。
【００２５】
なお、本実施形態では、たとえば後述する熱硬化性樹脂組成物（Ｐ）中に含まれる各成分の種類や配合量、熱硬化性樹脂組成物（Ｐ）の調製方法等を適切に選択することにより、上記貯蔵弾性率、上記Ｔｇ、および上記線熱膨張率を制御することが可能である。
【００２６】
配線基板２０はたとえばインターポーザもしくはマザーボードとして用いることができる。
【００２７】
パッケージや電子装置の製造のためには、配線基板上に封止樹脂を形成した後、たとえばリフロー等の熱処理を必然的に伴う。そして、この熱処理の前後では、配線基板の最外層の絶縁性樹脂膜と、封止樹脂との密着性が変化しうる。そのため、熱処理前の当該密着性が高かったとしても、必ずしも完成したパッケージや電子装置の耐久性が高いとは限らなかった。
本実施形態に係る配線基板２０では、封止樹脂を積層して熱処理を行った後の絶縁性樹脂膜と封止樹脂との密着性に優れる。そのため、上述のような配線基板２０を用いたパッケージ等の完成品において、絶縁性樹脂膜と封止樹脂とに高い密着性を確保できる。よって、耐久性、耐湿性に優れ、信頼性の高いパッケージや電子装置を得ることができる。本発明者は、熱処理後の当該密着性に注目することによって、耐久性に優れるパッケージや電子装置をより確実に得られることを見出したものである。
なお、パッケージとは、配線基板上に種々のパーツが搭載され、一括封止されたものをいう。半導体パッケージはパッケージの一例であり、パッケージには、一括封止されたＥＣＵ（Ｅｌｅｃｔｒｉｃ  Ｃｏｎｔｒｏｌ  Ｕｎｉｔ）等も含む。
【００２８】
次に、本実施形態に係る半導体パッケージ１０２について説明する。
図２は本実施形態に係る半導体パッケージ１０２の構造の一例を示す断面模式図である。
本実施形態に係る半導体パッケージ１０２は、配線基板２０、半導体素子６０、および封止樹脂４０を備える。半導体素子６０は配線基板２０上に配設されている。封止樹脂４０は、配線基板２０の少なくともひとつの面および半導体素子６０を覆っている。配線基板２０は、コア基板２２、導電体パターン２４、および絶縁性樹脂膜１０を備える。導電体パターン２４はコア基板２２の少なくともひとつの最外面に設けられている。絶縁性樹脂膜１０は、配線基板２０の最外層であり、導電体パターン２４上に設けられている。絶縁性樹脂膜１０には、複数の開口部２８が設けられており、少なくとも１つの開口部２８内には、導電体パターン２４の導電部の一部が位置している。絶縁性樹脂膜１０の表面の算術平均粗さＲａは０．０８μｍ以上０．５０μｍ以下である。以下に詳細に説明する。
【００２９】
本実施形態に係る半導体パッケージ１０２では、上述した配線基板２０の一方の面（以下では「上面」と呼ぶ）の絶縁性樹脂膜１０の上に、少なくとも１つの半導体素子６０が配設されている。半導体パッケージ１０２において、配線基板２０はたとえばインターポーザであり、半導体素子６０はたとえば半導体ウエハから切り出されたＬＳＩチップである。また、配線基板２０の上面には半導体素子６０に加えて、たとえば抵抗や容量として機能する電子部品などがさらに配設されていてもよい。半導体素子６０はダイアタッチ材６２を介して絶縁性樹脂膜１０の上に固定されている。
【００３０】
半導体素子６０にはその表面に電気的な接続パッド（不図示）が設けられており、接続パッドはたとえば半導体素子６０の内部に作り込まれた回路に接続されている。配線基板２０に設けられた導電体パターン２４の一部分であるランド２４４は、絶縁性樹脂膜１０の開口部２８に設けられている。そして、ランド２４４と、半導体素子６０の接続パッドとは、ボンディングワイヤ５０によって接続されている。なお、本実施形態に係る半導体パッケージ１０２では、ランド２４４の上にめっき膜２４６がさらに設けられており、ランド２４４はめっき膜２４６を介してボンディングワイヤ５０に接続されているが、これに限定されない。また、ボンディングワイヤ５０で接続される代わりにリード線や半田により接続されていても良い。
【００３１】
封止樹脂４０は、配線基板２０の上面の表面に露出した絶縁性樹脂膜１０と、コア基板２２と、めっき膜２４６（めっき膜２４６を設けない場合はランド２４４）と、半導体素子６０のうちダイアタッチ材６２で配線基板２０と接合された面以外の面と、ボンディングワイヤ５０とを覆っている。なお、封止樹脂４０は配線基板２０の半導体素子６０が設けられた面の全面を覆っていても良いし、当該面の一部を露出させて覆っていても良い。
【００３２】
半導体パッケージ１０２の配線基板２０には、上面とは反対側の面（以下では「下面」と呼ぶ）にさらに複数の開口部２８と、開口部２８の内部のランド２４４が設けられている。そして、それぞれのランド２４４はめっき膜２４６に覆われ、さらにめっき膜２４６を覆う半田ボール３０が設けられている。
ここでは、本実施形態に係る半導体パッケージ１０２としてフリップチップ接続のパッケージの例について説明したが、これに限定されず、ワイヤボンディングやＴＡＢ（Ｔａｐｅ  Ａｕｔｏｍａｔｅｄ  Ｂｏｎｄｉｎｇ）接続されるパッケージでもよい。
【００３３】
半導体パッケージ１０２において、絶縁性樹脂膜１０と封止樹脂４０との間の、２５℃におけるせん断強度をＳ１としたとき、Ｓ１は１５Ｎ／ｍｍ２以上であることが好ましく、２５Ｎ／ｍｍ２以上であることがより好ましい。上記下限以上であれば、耐久性をより確実に向上させることができる。
【００３４】
さらに、半導体パッケージ１０２において、絶縁性樹脂膜１０と封止樹脂４０との間の、２６０℃におけるせん断強度をＳ２としたとき、Ｓ２／Ｓ１は０．１以上であることが好ましく、０．２以上であることがより好ましい。また、Ｓ２／Ｓ１は０．９以下であることが好ましく、０．５以下であることがより好ましい。Ｓ２／Ｓ１が上記下限以上、上記上限以下であれば、温度変化による密着性の変動が小さく、安定した耐久性が得られる。
【００３５】
半導体パッケージ１０２において、２６０℃におけるせん断強度をＳ２は５Ｎ／ｍｍ２以上であることが好ましく、７Ｎ／ｍｍ２以上であることがより好ましい。上記下限以上であれば、高温下での耐久性を向上させることができる。
各温度におけるせん断強度はたとえばせん断強度測定装置（ＤＡＧＥ社製、ＰＣ２４００）を用いて測定することができる。
【００３６】
次に、本実施形態に係る電子装置７０について説明する。
図３は、本実施形態に係る電子装置７０の構造の一例を示す断面模式図である。
本実施形態に係る電子装置７０は、半導体パッケージ１０２を備える。半導体パッケージ１０２は、配線基板２０、半導体素子６０、および封止樹脂４０を備える。半導体素子６０は配線基板２０上に配設されている。封止樹脂４０は、配線基板２０の少なくともひとつの面および半導体素子６０を覆っている。配線基板２０は、コア基板２２、導電体パターン２４、および絶縁性樹脂膜１０を備える。導電体パターン２４は、コア基板２２の少なくともひとつの最外面に設けられている。絶縁性樹脂膜１０は配線基板２０の最外層であり、導電体パターン２４上に設けられている。絶縁性樹脂膜１０には、複数の開口部２８が設けられている。少なくとも１つの開口部２８内には、導電体パターン２４の導電部の一部が位置している。絶縁性樹脂膜１０の表面の算術平均粗さＲａは０．０８μｍ以上０．５０μｍ以下である。以下に詳細に説明する。
【００３７】
電子装置７０では、配線基板であるマザーボード７１０上に少なくとも１つの半導体パッケージ１０２が配設されている。マザーボード７１０は、上述した配線基板２０であっても良いし、異なる配線基板であっても良い。半導体パッケージ１０２は、上述した配線基板２０を含む半導体パッケージ１０２である。マザーボード７１０上には、半導体パッケージ１０２に加えてコネクタ、抵抗、容量などの必要な電子部品７２０が１つ以上配設されていても良い。
【００３８】
マザーボード７１０上に配設された半導体パッケージ１０２や、その他の電子部品７２０などは、半田ボール３０によって、マザーボード７１０の導電体パターン７１２のうち露出した導電部７１４に接続されている。半導体パッケージ１０２や電子部品７２０はマザーボード７１０に設けられた導電体パターン７１２（配線）により互いに接続され、電子回路を構成する。
【００３９】
本実施形態に係る配線基板２０の絶縁性樹脂膜１０について以下に説明する。
図４は、本実施形態に係る絶縁性樹脂膜１０の表面形態の例を模式的に示す断面図である。
絶縁性樹脂膜１０はフィラー１２０を含むことが好ましい。また、フィラー１２０はシリカを含むことが好ましい。本図では、フィラー１２０が球状シリカである例を示している。
【００４０】
本実施形態に係る絶縁性樹脂膜１０の表面１３０には、本図のようにフィラー１２０の一部分が突出した突出部が存在することが好ましい。詳しくは、絶縁性樹脂膜１０の表面１３０では、少なくとも１つのフィラー１２０の、一部分が絶縁性樹脂膜１０に埋設され、他部分が露出して突出していることが好ましい。
また、本実施形態に係る絶縁性樹脂膜１０の表面１３０には、フィラー１２０が離脱して形成されたクレーター状の凹部１１０が設けられていることが好ましい。凹部１１０は、絶縁性樹脂膜１０に含まれるフィラーと同じ曲率半径の曲面からなる。凹部１１０の深さは特に制限されないが、主にフィラーの半径以下である。
また、絶縁性樹脂膜１０の表面には、上記のフィラーの突出部と、凹部１１０とのいずれか一方のみが存在しても良いが、上記のフィラーの突出部と、凹部１１０がいずれも存在することがより好ましい。このような表面形態とすることで、耐久性に優れるパッケージを製造できる配線基板２０をより確実に実現できる。また、耐久性と液状封止樹脂のパターニング精度との性能バランスの良い配線基板２０をより確実に実現できる。
【００４１】
本実施形態に係る絶縁性樹脂膜１０はたとえば以下の様な熱硬化性樹脂組成物（Ｐ）からなるものとすることができるが、特に限定されない。
【００４２】
（エポキシ樹脂（Ａ））
熱硬化性樹脂組成物（Ｐ）は主にエポキシ樹脂（Ａ）を含むことができる。エポキシ樹脂（Ａ）は、たとえばビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＥ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＳ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＭ型エポキシ樹脂（４，４'−（１，３−フェニレンジイソプリジエン）ビスフェノール型エポキシ樹脂）、ビスフェノールＰ型エポキシ樹脂（４，４'−（１，４−フェニレンジイソプリジエン）ビスフェノール型エポキシ樹脂）、ビスフェノールＺ型エポキシ樹脂（４，４'−シクロヘキシジエンビスフェノール型エポキシ樹脂）などのビスフェノール型エポキシ樹脂；フェノールノボラック型エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、テトラフェノール基エタン型ノボラック型エポキシ樹脂、縮合環芳香族炭化水素構造を有するノボラック型エポキシ樹脂などのノボラック型エポキシ樹脂；ビフェニル型エポキシ樹脂；キシリレン型エポキシ樹脂、ビフェニルアラルキル型エポキシ樹脂などのアラルキル型エポキシ樹脂；ナフチレンエーテル型エポキシ樹脂、ナフトール型エポキシ樹脂、ナフタレンジオール型エポキシ樹脂、２官能ないし４官能エポキシ型ナフタレン樹脂、ビナフチル型エポキシ樹脂、ナフタレンアラルキル型エポキシ樹脂などのナフタレン骨格を有するエポキシ樹脂；アントラセン型エポキシ樹脂；フェノキシ型エポキシ樹脂；ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂；ノルボルネン型エポキシ樹脂；アダマンタン型エポキシ樹脂；フルオレン型エポキシ樹脂から選択される一種または二種以上を含むことができる。これらの中でも、絶縁性樹脂膜１０と、コア基板２２、導電体パターン２４、および封止樹脂４０との密着性や、埋め込み性を向上させる観点からは、ナフタレン骨格を有するエポキシ樹脂を含むことがより好ましい。これにより、絶縁性樹脂膜１０の低線膨張化および高弾性率化を図ることもできる。また、配線基板２０の剛性を向上させて作業性の向上に寄与することや、半導体パッケージ１０２における耐リフロー性の向上および反りの抑制を実現することも可能である。なお、絶縁性樹脂膜１０と、コア基板２２、導電体パターン２４、および封止樹脂４０との密着性や、埋め込み性を向上させる観点からは、３官能以上のナフタレン骨格を有するエポキシ樹脂を含むことがとくに好ましい。
【００４３】
本実施形態においては、以下の式（１）に示すエポキシ樹脂をエポキシ樹脂（Ａ）として含むことが、好ましい態様の一例として挙げられる。
【００４４】
【化１】
0006409390.tif 000002
（式（１）中、ｎは０〜１０の整数であり、Ｒ１およびＲ２は互いに独立して水素原子、炭素数１〜６のアルキル基、または炭素数１〜６のアルコキシ基である）
【００４５】
エポキシ樹脂（Ａ）の含有量は、たとえば熱硬化性樹脂組成物（Ｐ）の全固形分に対して３質量％以上であることが好ましく、５質量％以上であることがより好ましい。エポキシ樹脂（Ａ）の含有量を上記下限値以上とすることにより、熱硬化性樹脂組成物（Ｐ）を用いて形成される絶縁性樹脂膜１０と、コア基板２２、導電体パターン２４、および封止樹脂４０との密着性や、埋め込み性の向上に寄与することができる。一方で、エポキシ樹脂（Ａ）の含有量は、たとえば熱硬化性樹脂組成物（Ｐ）の全固形分に対して３０質量％以下であることが好ましく、２０質量％以下であることがより好ましい。エポキシ樹脂（Ａ）の含有量を上記上限値以下とすることにより、熱硬化性樹脂組成物（Ｐ）を用いて形成される絶縁性樹脂膜１０の耐熱性や耐湿性の向上を図ることができる。なお、熱硬化性樹脂組成物（Ｐ）の全固形分とは、熱硬化性樹脂組成物（Ｐ）中に含まれる溶剤を除く成分全体を指す。以下、本明細書において同様である。
【００４６】
（フィラー（Ｂ））
フィラー（Ｂ）は、たとえば球状シリカ、および破砕シリカのうちの少なくとも一方を含む。絶縁性樹脂膜１０と、コア基板２２、導電体パターン２４、および封止樹脂４０との密着性や、埋め込み性を向上させる観点からは、球状シリカを含むことがより好ましい。また、フィラー（Ｂ）は、たとえば溶融シリカである。
【００４７】
フィラー（Ｂ）として、平均粒径が２ｎｍ以上１００ｎｍ以下である微粒子シリカを熱硬化性樹脂組成物（Ｐ）中に含むことがより好ましい。これにより、絶縁性樹脂膜１０と、コア基板２２、導電体パターン２４、および封止樹脂４０との密着性や、埋め込み性を向上させることができる。平均粒径が２ｎｍ以上１００ｎｍ以下である微粒子シリカと、平均粒径が１００ｎｍ超過のシリカをともに熱硬化性樹脂組成物（Ｐ）中に含むことが、絶縁性樹脂膜１０と、コア基板２２、導電体パターン２４、および封止樹脂４０との密着性や、埋め込み性を向上させるうえで好ましい態様の一例として挙げられる。
なお、フィラー（Ｂ）の平均粒径は、たとえばレーザー回折式粒度分布測定装置（ＨＯＲＩＢＡ社製、ＬＡ−５００）を用いて測定することが可能である。
【００４８】
フィラー（Ｂ）の含有量は、たとえば熱硬化性樹脂組成物（Ｐ）の全固形分に対して３０質量％以上であることが好ましく、５０質量％以上であることがより好ましい。フィラー（Ｂ）の含有量を上記下限値以上とすることにより、熱硬化性樹脂組成物（Ｐ）を用いて得られる絶縁性樹脂膜１０の耐熱性や耐湿性を効果的に向上させることができる。また、絶縁性樹脂膜１０を低線膨張化および高弾性率化させ、得られる半導体パッケージ１０２の反り低減に寄与することも可能である。一方で、フィラー（Ｂ）の含有量は、たとえば熱硬化性樹脂組成物（Ｐ）の全固形分に対して９５質量％以下であることが好ましく、８５質量％以下であることがより好ましい。フィラー（Ｂ）の含有量を上記上限値以下とすることにより、絶縁性樹脂膜１０と、コア基板２２、導電体パターン２４、および封止樹脂４０との密着性や、埋め込み性を向上させることが可能となる。
【００４９】
（シアネート樹脂（Ｃ））
熱硬化性樹脂組成物（Ｐ）は、たとえばシアネート樹脂（Ｃ）を含むことができる。これにより、絶縁性樹脂膜１０について、低線膨張化や、弾性率および剛性の向上を図ることができる。また、得られる半導体装置の耐熱性や耐湿性の向上に寄与することも可能である。
シアネート樹脂（Ｃ）は、たとえばノボラック型シアネート樹脂；ビスフェノールＡ型シアネート樹脂、ビスフェノールＥ型シアネート樹脂、テトラメチルビスフェノールＦ型シアネート樹脂などのビスフェノール型シアネート樹脂；ナフトールアラルキル型フェノール樹脂と、ハロゲン化シアンとの反応で得られるナフトールアラルキル型シアネート樹脂；ジシクロペンタジエン型シアネート樹脂；ビフェニルアルキル型シアネート樹脂から選択される一種または二種以上を含むことができる。これらの中でも、絶縁性樹脂膜１０の低線膨張化や、弾性率および剛性を向上させる観点からは、ノボラック型シアネート樹脂およびナフトールアラルキル型シアネート樹脂のうちの少なくとも一方を含むことがより好ましく、ノボラック型シアネート樹脂を含むことがとくに好ましい。
【００５０】
シアネート樹脂（Ｃ）の含有量は、たとえば熱硬化性樹脂組成物（Ｐ）の全固形分に対して３質量％以上であることが好ましく、５質量％以上であることがより好ましい。シアネート樹脂（Ｃ）の含有量を上記下限値以上とすることにより、熱硬化性樹脂組成物（Ｐ）を用いて形成される絶縁性樹脂膜１０のより効果的な低線膨張化、高弾性率化を図ることができる。また、絶縁性樹脂膜１０と、コア基板２２、導電体パターン２４、および封止樹脂４０との密着性や、埋め込み性の向上に寄与することができる。一方で、シアネート樹脂（Ｃ）の含有量は、たとえば熱硬化性樹脂組成物（Ｐ）の全固形分に対して３０質量％以下であることが好ましく、２０質量％以下であることがより好ましい。シアネート樹脂（Ｃ）の含有量を上記上限値以下とすることにより、熱硬化性樹脂組成物（Ｐ）を用いて形成される絶縁性樹脂膜１０の耐熱性や耐湿性の向上を図ることができる。
【００５１】
（硬化促進剤（Ｄ））
熱硬化性樹脂組成物（Ｐ）は、たとえば硬化促進剤（Ｄ）を含むことができる。これにより、熱硬化性樹脂組成物（Ｐ）の硬化性を向上させることができる。硬化促進剤（Ｄ）としては、エポキシ樹脂（Ａ）の硬化反応を促進させるものを用いることができ、その種類はとくに限定されない。本実施形態においては、硬化促進剤（Ｄ）として、たとえばナフテン酸亜鉛、ナフテン酸コバルト、オクチル酸スズ、オクチル酸コバルト、オクチル酸亜鉛、ビスアセチルアセトナートコバルト（ＩＩ）、トリスアセチルアセトナートコバルト（ＩＩＩ）などの有機金属塩、トリエチルアミン、トリブチルアミン、ジアザビシクロ［２，２，２］オクタンなどの３級アミン類、２−フェニル−４−メチルイミダゾール、２−エチル−４−エチルイミダゾール、２−フェニル−４−エチルイミダゾール、２−フェニル−４−メチル−５−ヒドロキシイミダゾール、２−フェニル−４−メチル−５−ヒドロキシメチルイミダゾール、２−フェニル−４，５−ジヒドロキシイミダゾールなどのイミダゾール類、フェノール、ビスフェノールＡ、ノニルフェノールなどのフェノール化合物、酢酸、安息香酸、サリチル酸、パラトルエンスルホン酸などの有機酸、およびオニウム塩化合物から選択される一種または二種以上を含むことができる。これらの中でも、硬化性をより効果的に向上させる観点からは、オニウム塩化合物を含むことがより好ましい。
【００５２】
硬化促進剤（Ｄ）として用いられるオニウム塩化合物は、とくに限定されないが、たとえば下記一般式（２）で表される化合物を用いることができる。
【００５３】
【化２】
0006409390.tif 000003
（式（２）中、Ｐはリン原子、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５およびＲ６は、それぞれ、置換もしくは無置換の芳香環または複素環を有する有機基、あるいは置換もしくは無置換の脂肪族基を示し、互いに同一であっても異なっていてもよい。Ａ−は分子外に放出しうるプロトンを少なくとも１個以上分子内に有するｎ（ｎ≧１）価のプロトン供与体のアニオン、またはその錯アニオンを示す）
【００５４】
硬化促進剤（Ｄ）の含有量は、たとえば熱硬化性樹脂組成物（Ｐ）の全固形分に対して０．１質量％以上であることが好ましく、０．３質量％以上であることがより好ましい。硬化促進剤（Ｄ）の含有量を上記下限値以上とすることにより、熱硬化性樹脂組成物（Ｐ）の硬化性をより効果的に向上させることができる。一方で、硬化促進剤（Ｄ）の含有量は、たとえば熱硬化性樹脂組成物（Ｐ）の全固形分に対して１０質量％以下であることが好ましく、５質量％以下であることがより好ましい。硬化促進剤（Ｄ）の含有量を上記上限値以下とすることにより、熱硬化性樹脂組成物（Ｐ）の保存性を向上させることができる。
【００５５】
（Ｅ）着色剤
熱硬化性樹脂組成物（Ｐ）は、たとえば着色剤（Ｅ）を含むことができる。着色剤（Ｅ）は、たとえば緑、赤、青、黄、および黒等の染料、顔料、および色素から選択される一種または二種以上を含む。これらの中でも、開口部の視認性等を向上させる観点から、緑色の着色剤を含むことがより好ましく、緑色染料を含むことがとくに好ましい。緑色の着色剤としては、たとえばアントラキノン系、フタロシアニン系、およびペリレン系等の公知の着色剤を一種または二種以上含むことができる。
【００５６】
着色剤（Ｅ）の含有量は、たとえば熱硬化性樹脂組成物（Ｐ）の全固形分に対して０．０５質量％以上であることが好ましく、０．１質量％以上であることがより好ましい。着色剤（Ｅ）の含有量を上記下限値以上とすることにより、熱硬化性樹脂組成物（Ｐ）を用いて得られる絶縁性樹脂膜１０の開口部の視認性や隠蔽性をより効果的に向上させることができる。一方で、着色剤（Ｅ）の含有量は、たとえば熱硬化性樹脂組成物（Ｐ）の全固形分に対して５質量％以下であることが好ましく、３質量％以下であることがより好ましい。着色剤（Ｅ）の含有量を上記上限値以下とすることにより、熱硬化性樹脂組成物（Ｐ）の硬化性等をより効果的に向上させることが可能となる。
【００５７】
（その他の成分）
熱硬化性樹脂組成物（Ｐ）には、上記各成分以外に、必要に応じてカップリング剤、レベリング剤、硬化剤、感光剤、消泡剤、紫外線吸収剤、発泡剤、酸化防止剤、難燃剤、およびイオン捕捉剤等から選択される一種または二種以上の添加物を添加してもよい。カップリング剤としては、たとえばエポキシシランカップリング剤、カチオニックシランカップリング剤、アミノシランカップリング剤などのシランカップリング剤、チタネート系カップリング剤およびシリコーンオイル型カップリング剤などが挙げられる。レベリング剤としては、アクリル系共重合物等が挙げられる。硬化剤としては、たとえばフェノール樹脂、ナフトール型ノボラック樹脂等が挙げられる。感光剤としては、たとえば感光性ジアゾキノン化合物が挙げられる。
また、熱硬化性樹脂組成物（Ｐ）はほかに、基板と絶縁性樹脂膜との密着性向上、および封止樹脂と絶縁性樹脂膜との密着性向上の観点から、ポリビニルアセタール樹脂を含んでも良い。ポリビニルアセタール樹脂としてはたとえばポリビニルブチラール樹脂やポリビニルアセトアセタール樹脂などが挙げられる。
【００５８】
（溶剤）
熱硬化性樹脂組成物（Ｐ）は、たとえば溶剤を含むことができる。溶剤としては、たとえばアセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、トルエン、酢酸エチル、シクロヘキサン、ヘプタン、シクロヘキサン、シクロヘキサノン、テトラヒドロフラン、ジメチルホルムアミド、ジメチルアセトアミド、ジメチルスルホキシド、エチレングリコール、セルソルブ系、カルビトール系、アニソール、およびＮ−メチルピロリドン等の有機溶剤から選択される一種または二種以上を含むことができる。
【００５９】
熱硬化性樹脂組成物（Ｐ）がワニス状である場合において、熱硬化性樹脂組成物（Ｐ）の固形分含有量は、たとえば３０質量％以上８０質量％以下であることが好ましく、４０質量％以上７０質量％以下であることがより好ましい。これにより、作業性や成膜性に非常に優れた熱硬化性樹脂組成物（Ｐ）が得られる。なお、ワニス状の熱硬化性樹脂組成物（Ｐ）は、たとえば上述の各成分を、超音波分散方式、高圧衝突式分散方式、高速回転分散方式、ビーズミル方式、高速せん断分散方式、および自転公転式分散方式などの各種混合機を用いて溶剤中に溶解、混合、撹拌することにより調製することができる。
【００６０】
本実施形態に係る熱硬化性樹脂組成物（Ｐ）はほかに、たとえばガラス繊維基材等の繊維基材や紙基材を含んでもよい。これにより、剛性を向上させることができ、配線基板の反りが抑えられる。
【００６１】
熱硬化性樹脂組成物（Ｐ）がフィルム状である場合には、上記動的粘弾性試験における熱硬化性樹脂組成物（Ｐ）を用いて得られる樹脂膜として、このフィルム状熱硬化性樹脂組成物（Ｐ）をそのまま用いることができる。一方で、熱硬化性樹脂組成物（Ｐ）がワニス状である場合には、このワニス状熱硬化性樹脂組成物（Ｐ）を成膜して得られた熱硬化性樹脂膜に対し、溶剤除去処理を行ったものを、上記動的粘弾性試験における熱硬化性樹脂組成物（Ｐ）を用いて得られる樹脂膜として使用することができる。この溶剤除去処理は、熱硬化性樹脂膜の溶剤含有率が熱硬化性樹脂膜全体に対して５質量％以下となる条件で行われる。また、処理後の熱硬化性樹脂膜は、１７０℃、２分の熱処理前後における重量変化率が５質量％以下となる。本実施形態においては、たとえば１００〜１６０℃、５分〜６０分の条件で溶剤除去処理を行うことができる。
【００６２】
次に、キャリア付樹脂膜１００について説明する。
図５は、本実施形態に係るキャリア付樹脂膜１００の一例を示す断面図である。キャリア付樹脂膜１００は、絶縁性樹脂膜１０を形成するのに用いられる。本図に示すように、キャリア付樹脂膜１００は、たとえばキャリア基材１２と、キャリア基材１２上に設けられた絶縁性樹脂膜１０と、を備える。絶縁性樹脂膜１０は、本実施形態に係る熱硬化性樹脂組成物（Ｐ）を用いて形成される。このため、上述したように、キャリア付樹脂膜１００を用いて形成される絶縁性樹脂膜１０を備える半導体装置の信頼性を向上させることができる。
【００６３】
キャリア付樹脂膜１００は、たとえばキャリア基材１２上にワニス状の熱硬化性樹脂組成物（Ｐ）を塗布して塗布膜を形成した後、当該塗布膜に対して溶剤除去処理を行うことによって絶縁性樹脂膜１０を形成することにより製造することができる。溶剤除去処理は、たとえば塗布膜の溶剤含有率が塗布膜全体に対して５質量％以下となる条件で行われる。また、処理後の塗布膜は、たとえば１７０℃、２分の熱処理前後における重量変化率が５質量％以下となる。キャリア基材１２は、とくに限定されないが、たとえばＰＥＴ（Ｐｏｌｙ  ｅｔｈｙｌｅｎｅ  ｔｅｒｅｐｈｔｈａｌａｔｅ）や銅箔により構成される。また、絶縁性樹脂膜１０の膜厚は、とくに限定されないが、たとえば５μｍ以上３００μｍ以下とすることができる。これにより、ソルダーレジストの形成に適した絶縁性樹脂膜１０を実現することができる。
【００６４】
次に、配線基板２０の製造方法について説明する。
図６は配線基板２０の製造方法の一例を示す模式図である。
本実施形態に係る配線基板２０の製造方法は、コア基板２２を準備する工程、絶縁性樹脂膜１０を積層する工程、開口部２８を形成する工程、およびデスミア処理する工程をこの順に含む。コア基板２２を準備する行程では、少なくともひとつの最外面に導電体パターン２４が設けられたコア基板２２を準備する。絶縁性樹脂膜１０を積層する工程では、コア基板２２および導電体パターン２４上に最外層の絶縁性樹脂膜１０を積層する。開口部２８を形成する工程では、絶縁性樹脂膜１０の所定の領域に導電体パターン２４の一部を露出させる。デスミア処理する工程では、絶縁性樹脂膜１０の表面をデスミア処理する。開口部２８を形成する工程は、絶縁性樹脂膜１０のうち、開口部２８とする領域にレーザー光を照射する工程を含む。デスミア処理する工程後における絶縁性樹脂膜１０の表面の算術平均粗さＲａを０．０８μｍ以上０．５０μｍ以下とする。以下に詳細に説明する。
【００６５】
まず、図６（ａ）のように表裏の少なくとも一方の最外面に導電体パターン２４が設けられたコア基板２２を準備する（コア基板を準備する工程）。次いで、コア基板２２の導電体パターン２４上に絶縁性樹脂膜１０を積層する（積層する工程）。本工程では、まず図６（ｂ）のようにコア基板２２の導電体パターン２４が設けられた面上に、絶縁性樹脂膜１０がコア基板２２と対向するようキャリア付樹脂膜１００を貼付する。キャリア付樹脂膜１００の貼付は、たとえばキャリア付樹脂膜１００を導電体パターン２４上に積層した後、これを真空加熱加圧成形することにより行うことができる。次いで、キャリア基材１２を、絶縁性樹脂膜１０から剥離する。これにより、コア基板２２に、導電体パターン２４を覆うように、絶縁性樹脂膜１０が形成されることとなる。本実施形態では、キャリア付樹脂膜１００を用いて絶縁性樹脂膜１０を積層する方法について説明したが、ワニス状の熱硬化性樹脂組成物（Ｐ）を導電体パターン２４上に塗布し、乾燥させて絶縁性樹脂膜１０を積層しても良い。
【００６６】
次いで、図６（ｃ）のように導電体パターン２４上の絶縁性樹脂膜１０の所定の位置に開口部２８を設ける（開口部を形成する工程）。開口部２８は主に導電体パターン２４のランド２４４を露出させるように形成する。開口部２８の形成方法としては特に限定されず、露光現像法やレーザー加工法、などの方法を用いることができる。
【００６７】
開口部２８の形成に露光現像法を用いる場合、熱硬化性樹脂組成物（Ｐ）は感光剤を含む必要がある。露光現像法ではまず、絶縁性樹脂膜１０のうち開口部２８を形成する領域、もしくは開口部２８を形成しない領域のいずれか一方に選択的に光を照射する露光を行う。その後、アルカリ性水溶液などの現像液を用いた現像を行うことで開口部２８を形成出来る。その後、絶縁性樹脂膜１０を熱硬化させる。ここで、露光にはたとえば、マスクパターンを密着させて紫外線を照射する方法や、レーザー光を所望の領域に直接照射する方法を用いることができる。
【００６８】
開口部２８の形成にレーザー加工法を用いる場合には、導電体パターン２４上に残存した絶縁性樹脂膜１０を熱硬化させた後、開口部２８を設けたい領域に直接レーザー光を照射し、レーザー光のエネルギーで絶縁性樹脂膜１０を部分的に除去する。この場合、熱硬化性樹脂組成物（Ｐ）は感光剤を含む必要が無く、光の透過性にも制限が無いため、熱硬化性樹脂組成物（Ｐ）の組成に自由度が増す。そのため、露光現像法を用いる場合よりも、たとえばフィラー（Ｂ）の含有量を必要に応じて増やすことができ、低熱膨張率化、高剛性化、高密着性化を図ることができる。
プロセスの簡易化の観点から、開口部２８を形成する工程では、絶縁性樹脂膜１０のうち、開口部２８とする領域にレーザー光を照射して（レーザー光を照射する工程）、開口を形成する方法が好ましく、中でもレーザー加工法がより好ましい。
【００６９】
開口部２８を形成した後には、必要に応じてデスミア処理を行うことができる（デスミア処理する工程）。デスミア処理では、開口部２８の形成などで生じたスミアを除去する。デスミア処理の方法は特に限定されないが、たとえば、以下の様に行うことができる。まず、導電体パターン２４や絶縁性樹脂膜１０を積層したコア基板２２を有機溶剤を含む膨潤液に浸漬し、次いでアルカリ性過マンガン酸塩水溶液に浸漬して処理する。過マンガン酸塩としてはたとえば過マンガン酸カリウム、過マンガン酸カリウム、過マンガン酸ナトリウム等を用いることができる。過マンガン酸塩として過マンガン酸カリウムを用いる場合、浸漬させる過マンガン酸カリウム水溶液の温度は、５０℃以上であることが好ましく、１００℃以下であることが好ましい。上記上限以下、下限以上であれば、絶縁性樹脂膜１０と封止樹脂４０との密着性をより確実に向上させることができる。また、アルカリ性過マンガン酸塩水溶液への浸漬時間は１分間以上であることが好ましく、３０分間以下であることが好ましい。上記上限以下、下限以上であれば、絶縁性樹脂膜１０と封止樹脂４０との密着性をより確実に向上させることができる。また、耐久性と液状封止樹脂のパターニング精度との性能バランスの良い配線基板２０を得られる。
【００７０】
デスミア処理では、上記の湿式の処理に代えて、もしくは加えて、デスミア処理としてプラズマ照射を行っても良い。このとき、処理ガスとしてはたとえばアルゴンガス、Ｏ２ガス、Ｏ３ガス、ＣＯガス、ＣＯ２ガス、ＮＯガス、ＮＯ２ガス、またはフッ素系ガスを用いることができる。
【００７１】
本実施形態に係る配線基板２０の製造方法では、開口部２８の形成、および必要に応じてデスミア処理を行った後、開口部２８に露出した導電体パターン２４の上にめっき膜２４６を形成するめっき処理を行う。ただし、めっき膜２４６を形成せずに配線基板２０としても良い。めっき膜２４６は、たとえば半田めっき膜や、錫めっき膜や、ニッケルめっき膜の上に金めっき膜を積層した２層構造のめっき膜とすることができる。めっき膜２４６は開口部２８に露出した導電体パターン２４の導電部を覆うように形成される。また、めっき膜２４６の膜厚は、とくに限定されないが、たとえば２μｍ以上１０μｍ以下とすることができる。これにより、ランド２４４部分を、配線基板２０を用いた実装工程においてワイヤボンディングや半田付けに適した接続部とすることができる。
【００７２】
めっき処理の方法は、特に限定されず、公知の方法を用いることができる。たとえば、電解めっき法または無電解めっき法を用いることができる。たとえば無電解めっき法を用いる場合、次の様にめっき膜２４６を形成することが出来る。ここではニッケルと金の２層構造のめっき膜２４６を形成する例について説明するが、これに限定されない。まず、ニッケルめっき膜を形成する。無電解ニッケルめっきを行う場合、めっき液に導電体パターン２４や絶縁性樹脂膜１０を積層したコア基板２２を浸漬する。このことで、開口部２８に露出した導電体パターン２４の導電部の上に、ニッケルめっき膜を形成できる。めっき液は、ニッケル鉛、および還元剤としてたとえば次亜リン酸塩を含んだものを用いることができる。続いて、ニッケルめっき膜の上に無電解金めっきを行う。無電解金めっきの方法は特に限定されないが、たとえば金イオンと下地金属のイオンとの置換により行う置換金めっきで行うことができる。
なお、めっき処理の前に、必要に応じて、露出した導電体パターン２４の導電部を洗浄する工程や、粗化する工程を行っても良い。
【００７３】
次いで、本実施形態に係る配線基板２０の製造方法では、絶縁性樹脂膜１０を形成した表面を、プラズマ処理することが好ましい。プラズマ処理では、たとえば処理ガスとして、アルゴンガス、酸化性ガス、またはフッ素系ガスを用いることができる。酸化性ガスとしてはＯ２ガス、Ｏ３ガス、ＣＯガス、ＣＯ２ガス、ＮＯガス、ＮＯ２ガスなどが挙げられる。本実施形態におけるプラズマ処理の条件は特に限定されないが、アッシング処理のほか、不活性ガス由来のプラズマに接触させる処理であってよい。なお、絶縁性樹脂膜１０のエッチングを伴うプラズマ処理でないことが好ましい。ただしここで、エッチングを伴うプラズマ処理とは、処理対象にバイアス電圧を印加し、かつエッチングガスを処理ガスとして用いるプラズマ処理をいう。つまり、本実施形態に係るプラズマ処理は、処理対象にバイアス電圧を印加せずに行うプラズマ処理、または非反応性ガスを用いて行うプラズマ処理であることが好ましい。なお、処理対象にバイアス電圧を印加しない構成とは、本実施形態において、コア基板２２の導電体パターン２４およびめっき膜２４６のいずれにもバイアス電圧を印加しない構成である。また、プラズマ処理中にコア基板２２を固定するプラズマ処理装置の試料台等にもバイアス電圧を印加しない。なお、絶縁性樹脂膜１０に含まれるフィラーの露出度を上げることのない程度に、このプラズマ処理によってわずかに絶縁性樹脂膜１０の表面が削られても良い。プラズマ処理時間は３０秒以上であることが好ましく、１分以上であることがより好ましい。一方、当該時間は１０分以下であることが好ましく、５分以下であることがより好ましい。上記下限以上、上限以下であれば、パッケージの耐久性をより確実に向上させることができる。
以上の様にして図１の様な本実施形態に係る配線基板２０が得られる。
【００７４】
以上の様に製造した配線基板２０の絶縁性樹脂膜１０の表面では、図４のように、少なくともひとつのフィラー１２０の、一部分が絶縁性樹脂膜１０に埋設され、他部分が突出していることが好ましい。
また、製造した配線基板２０の絶縁性樹脂膜１０の表面には、フィラー１２０が離脱して形成されたクレーター状の凹部１１０が形成されていることが好ましい。
また、製造した配線基板２０の絶縁性樹脂膜１０の表面には、上記のフィラーの突出部と、凹部１１０とのいずれか一方のみが存在しても良いが、上記のフィラーの突出部と、凹部１１０がいずれも存在することがより好ましい。このような絶縁性樹脂膜１０の表面形態とすることで、耐久性に優れるパッケージを製造できる配線基板２０をより効果的に実現できる。また、耐久性と液状封止樹脂のパターニング精度との性能バランスの良い配線基板２０をより確実に実現できる。
【００７５】
上述のフィラー（Ｂ）の含有条件、デスミア処理の条件、めっき処理の条件、プラズマ処理の条件などを複合的に適宜調整することにより、絶縁性樹脂膜１０の算術平均粗さＲａを０．０８μｍ以上０．５０μｍ以下とするよう調整することができる。
【００７６】
次に、半導体パッケージ１０２の製造方法について説明する。
本実施形態に係る半導体パッケージ１０２の製造方法は、配線基板２０を準備する工程、半導体素子６０を配設する工程、および封止する工程をこの順に含む。配線基板２０を準備する工程では、表面に絶縁性樹脂膜１０が露出した配線基板２０を準備する。半導体素子６０を配設する工程では、絶縁性樹脂膜１０上に半導体素子６０を配設する。封止する工程では、露出した、絶縁性樹脂膜１０および半導体素子６０を封止樹脂で覆うよう封止する。配線基板２０は、コア基板２２、導電体パターン２４、および絶縁性樹脂膜１０を備える。導電体パターン２４はコア基板２２の少なくともひとつの最外面に設けられている。絶縁性樹脂膜１０は配線基板２０の最外層であり、導電体パターン２４上に設けられている。絶縁性樹脂膜１０には、複数の開口部２８が設けられている。少なくとも１つの開口部２８内には、導電体パターン２４の導電部の一部が位置している。絶縁性樹脂膜１０の表面の算術平均粗さＲａは０．０８μｍ以上０．５０μｍ以下である。以下に詳細に説明する。
【００７７】
まず、上述の配線基板２０を準備し（配線基板を準備する工程）、配線基板２０の上に、半導体素子６０を配設する（半導体素子を配設する工程）。このとき半導体素子６０は、たとえばダイアタッチ材６２を介して配線基板２０上に搭載する。半導体素子６０と配線基板２０を接続するボンディングワイヤ５０は、たとえば配線基板２０の上面の開口部２８に露出した導電体パターン２４へボンディングする。次いで、配線基板２０の上面、半導体素子６０、およびボンディングワイヤ５０を封止樹脂４０によって封止する（封止する工程）。封止樹脂４０としてはたとえばエポキシ樹脂組成物を用いることができる。封止樹脂４０でモールドする方法としては、トランスファー成形法、射出成形法、転写法、塗布法などを用いることができる。封止樹脂４０をたとえば１５０℃以上２００℃以下で加熱することにより硬化させる。
【００７８】
また、配線基板２０に外部接続端子である半田ボール３０が設けられる例においては、たとえば下面側の開口部２８に露出した導電体パターン２４上に、半田ボール３０を形成する。なお、本実施形態に係る半導体パッケージ１０２としてフリップチップ接続のパッケージの例について説明したが、半導体パッケージ１０２はこれに限定されず、ワイヤボンディングやＴＡＢ接続されるパッケージでもよい。
【００７９】
図３に例示した電子装置７０は上述のように得られた半導体パッケージ１０２をマザーボード７１０上にその他の電子部品７２０と共に実装することで得られる。半導体パッケージ１０２および電子部品７２０は接続部７１６や半田ボール３０などの接続端子をそれぞれ１つ以上有し、接続端子において、マザーボード７１０の導電体パターン７１２のうち露出した導電部７１４に電気的に接続される。接続端子と導電部７１４との接続は、たとえば次の様に行うことができる。まず、マザーボード７１０の露出した導電部７１４の必要箇所に、半田ペーストを印刷する。ここで、半導体パッケージ１０２が半田ボール３０を有する場合は、半田ボール３０を接続する導電部７１４には半田ペーストの印刷は不要である。次いで、マザーボード７１０上の所定の位置に電子部品７２０および半導体パッケージ１０２を配置する。その後、半導体パッケージ１０２や電子部品７２０を乗せたマザーボード７１０をリフロー炉に導入し、リフロー処理（加熱処理）する。リフロー処理により印刷された半田ペーストや半田ボール３０が溶かされ、その後冷却することで、半導体パッケージ１０２および電子部品７２０がそれぞれマザーボード７１０に半田づけされる。
【００８０】
本実施形態に係る電子装置７０の製造方法は、加熱処理工程を含む。加熱処理はたとえば２００℃以上の加熱を伴うリフロー処理などである。たとえば半導体パッケージ１０２がワイヤボンディングでマザーボード７１０に接続されるパッケージである場合にも、電子部品７２０を表面実装するために加熱処理が行われうる。本実施形態に係る配線基板２０は、この加熱処理を経た後の絶縁性樹脂膜１０と封止樹脂４０の間の接合強度が高い。よって、電子装置７０に含まれる半導体パッケージ１０２は、耐久性、耐湿性に優れ、信頼性の高い電子装置７０を得ることができる。
【００８１】
電子装置７０はさらに封止樹脂で一括封止してもよい。マザーボード７１０が、上述した配線基板２０であって、電子装置７０が一括封止されている場合、電子装置７０をパッケージとして製造しうる。
【００８２】
次に、本実施形態の作用および効果について説明する。
本実施形態に係る配線基板２０を用いれば、耐久性に優れたパッケージを実現できる。配線基板２０を用いれば、パッケージの製造もしくはその後の組み立て工程で行われる加熱処理後における、絶縁性樹脂膜と封止樹脂との密着性が優れる。よって、耐久性、耐湿性に優れるパッケージを提供することができる。
【００８３】
加えて、本実施形態に係る配線基板２０は、液状封止樹脂のパターニング精度に優れる。そのため、パッケージの製造において、モールドに転写法や塗布法を用いることができ、プロセス自由度がある。よって、配線基板２０を用いて信頼性の高いパッケージや電子装置を効率良く製造することができる。
【００８４】
なお、本発明は前述の実施形態に限定されるものではなく、本発明の目的を達成できる範囲での変形、改良等は本発明に含まれるものである。
以下、参考形態の例を付記する。
１．  コア基板と、
前記コア基板の少なくともひとつの最外面に設けられた導電体パターンと、
前記導電体パターン上に設けられた最外層の絶縁性樹脂膜とを備え、
前記絶縁性樹脂膜には、複数の開口部が設けられており、
少なくとも１つの前記開口部内には、前記導電体パターンの導電部の一部が位置しており、
前記絶縁性樹脂膜の表面の算術平均粗さＲａが０．０８μｍ以上０．５０μｍ以下である、配線基板。
２．  １．に記載の配線基板において、
前記絶縁性樹脂膜はフィラーを含む、配線基板。
３．  ２．に記載の配線基板において、
前記絶縁性樹脂膜の表面では、少なくともひとつの前記フィラーの一部分が前記絶縁性樹脂膜に埋設され、他部分が突出している、配線基板。
４．  ２．または３．に記載の配線基板において、
前記絶縁性樹脂膜の表面には、前記フィラーが脱離して形成されたクレーター状の凹部が設けられている、配線基板。
５．  ２．から４．のいずれか一つに記載の配線基板において、
前記フィラーはシリカを含む、配線基板。
６．  １．から５．のいずれか一つに記載の配線基板において、
前記絶縁性樹脂膜の２５℃における貯蔵弾性率は１ＧＰａ以上２０ＧＰａ以下である、配線基板。
７．  １．から６．のいずれか一つに記載の配線基板において、
前記絶縁性樹脂膜の線熱膨張率は、Ｔｇ以下において１０ｐｐｍ／℃以上５０ｐｐｍ／℃以下である、配線基板。
８．  １．から７．のいずれか一つに記載の配線基板において、
前記絶縁性樹脂膜はソルダーレジストである、配線基板。
９．  配線基板と、
前記配線基板上に配設された半導体素子と、
前記配線基板の少なくともひとつの面および前記半導体素子を覆う封止樹脂とを備え、
前記配線基板は、
コア基板と、
前記コア基板の少なくともひとつの最外面に設けられた導電体パターンと、
前記導電体パターン上に設けられた最外層の絶縁性樹脂膜とを備え、
前記絶縁性樹脂膜には、複数の開口部が設けられており、
少なくとも１つの前記開口部内には、前記導電体パターンの導電部の一部が位置しており、
前記絶縁性樹脂膜の表面の算術平均粗さＲａが０．０８μｍ以上０．５０μｍ以下である、半導体パッケージ。
１０．  ９．に記載の半導体パッケージにおいて、
前記絶縁性樹脂膜と前記封止樹脂との間の、２５℃におけるせん断強度をＳ１としたとき、Ｓ１を１５Ｎ／ｍｍ２以上とする、半導体パッケージ。
１１．  １０．に記載の半導体パッケージにおいて、
前記絶縁性樹脂膜と前記封止樹脂との間の、２６０℃におけるせん断強度をＳ２としたとき、Ｓ２／Ｓ１を０．１以上０．９以下とする、半導体パッケージ。
１２．  配線基板と、前記配線基板上に配設された半導体素子と、前記配線基板の少なくともひとつの面および前記半導体素子を覆う封止樹脂とを有する半導体パッケージを備え、
前記配線基板は、
コア基板と、
前記コア基板の少なくともひとつの最外面に設けられた導電体パターンと、
前記導電体パターン上に設けられた最外層の絶縁性樹脂膜とを備え、
前記絶縁性樹脂膜には、複数の開口部が設けられており、
少なくとも１つの前記開口部内には、前記導電体パターンの導電部の一部が位置しており、
前記絶縁性樹脂膜の表面の算術平均粗さＲａが０．０８μｍ以上０．５０μｍ以下である、電子装置。
１３．  少なくともひとつの最外面に導電体パターンが設けられたコア基板を準備する工程と、
前記コア基板および前記導電体パターン上に最外層の絶縁性樹脂膜を積層する工程と、
前記絶縁性樹脂膜の所定の領域に前記導電体パターンの一部を露出させる開口部を形成する工程と、
前記絶縁性樹脂膜の表面をデスミア処理する工程とをこの順に含み、
前記開口部を形成する工程は、前記絶縁性樹脂膜のうち、前記開口部とする領域にレーザー光を照射する工程を含み、
前記デスミア処理する工程後における、前記絶縁性樹脂膜の表面の算術平均粗さＲａを０．０８μｍ以上０．５０μｍ以下とする、配線基板の製造方法。
１４．  １３．に記載の配線基板の製造方法において、
前記絶縁性樹脂膜はフィラーを含む、配線基板の製造方法。
１５．  １４．に記載の配線基板の製造方法において、
前記デスミア処理する工程後における、前記絶縁性樹脂膜の表面では、少なくともひとつの前記フィラーの一部分が前記絶縁性樹脂膜に埋設され、他部分が突出している、配線基板の製造方法。
１６．  １４．または１５．に記載の配線基板の製造方法において、
前記デスミア処理する工程後における、前記絶縁性樹脂膜の表面に、前記フィラーが脱離して形成されたクレーター状の凹部を生じさせる、配線基板の製造方法。
１７．  １３．から１６．のいずれか一つに記載の配線基板の製造方法において、
前記デスミア処理する工程では、前記コア基板を膨潤液に浸漬した後、５０℃以上１００℃以下の過マンガン酸カリウム水溶液に浸漬させる、配線基板の製造方法。
１８．  表面に絶縁性樹脂膜が露出した配線基板を準備する工程と、
前記絶縁性樹脂膜上に半導体素子を配設する工程と、
露出した、前記絶縁性樹脂膜および前記半導体素子を、封止樹脂で覆うよう封止する工程とをこの順に含み、
前記配線基板は、
コア基板と、
前記コア基板の少なくともひとつの最外面に設けられた導電体パターンと、
前記導電体パターン上に設けられた最外層の前記絶縁性樹脂膜とを備え、
前記絶縁性樹脂膜には、複数の開口部が設けられており、
少なくとも１つの前記開口部内には、前記導電体パターンの導電部の一部が位置しており、
前記絶縁性樹脂膜の表面の算術平均粗さＲａが０．０８μｍ以上０．５０μｍ以下である、半導体パッケージの製造方法。
【実施例】
【００８５】
次に、本発明の実施例について説明する。なお、本実施形態は、これらの実施例の記載に何ら限定されるものではない。
【００８６】
（実施例１）
［１］熱硬化性樹脂組成物（Ｐ１）の調整
エポキシ樹脂としてナフタレンアラルキル型エポキシ樹脂（ＤＩＣ株式会社製、ＨＰ−５０００）９．５質量％、フィラーとして溶融シリカ粒子（Ｂ１）（株式会社アドマテックス製、アドマナノ、平均粒径０．０５μｍ）１２．４質量％、フィラーとして溶融シリカ粒子（Ｂ２）（株式会社アドマテックス製、ＳＯ−Ｃ４、平均粒径１μｍ）６５．７質量％、着色剤として緑色染料（日本化薬株式会社製、Ｋａｙａｓｅｔ  Ｇｒｅｅｎ）０．３質量％、シアネート樹脂としてフェノールノボラック型シアネートエステル樹脂（ＬＯＮＺＡ社製、ＰＴ−３０）１０．６質量％、カップリング剤として３−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン（モメンティブ・パフォーマンス・マテリアルズ社製、Ａ−１８７）０．３質量％、レベリング剤としてアクリル系樹脂（ＢＹＫ−Ｃｈｅｍｉｅ  ＧｍｂＨ製、ＢＹＫ−３６１Ｎ）０．２質量％に、硬化促進剤として２フェニル４メチル５ヒドロキシメチルイミダゾール（四国化成工業株式会社製、２Ｐ４ＭＨＺ）１．０質量％を添加して、高速撹拌装置を用いて３０分間撹拌し、不揮発分が６５質量％となるように調整し、ワニス状の熱硬化性樹脂組成物（Ｐ１）を得た。
【００８７】
［２］キャリア付樹脂膜の作製
次に、キャリア基材および絶縁性樹脂膜からなるキャリア付き樹脂膜を作製した。ＰＥＴフィルム（ユニチカ株式会社製、ＴＲ１Ｔ、厚さ３８μｍ）をキャリア基材とし、コンマコーターを用いて乾燥後の絶縁性樹脂膜が２０μｍとなるようにキャリア基材上に上記［１］で得られた熱硬化性樹脂組成物（Ｐ１）を塗工し、これを２枚、絶縁性樹脂膜同士が向かい合うように貼り合わせた後に片面のキャリア基材を剥離し、１６０℃の乾燥装置で６０分間乾燥して、キャリア付樹脂膜１を作製した。
【００８８】
［３］絶縁性樹脂膜の評価
上記［２］で得られたキャリア付樹脂膜１のキャリア基材を剥離し、キャリア基材を除去した絶縁性樹脂膜からなる６ｍｍ×２５ｍｍの試験片を作製した。この試験片について、動的粘弾性測定装置（ＴＡインスツルメント社製、ＤＭＡ９８３）を用いて貯蔵弾性率を測定した。さらに、５℃／分（周波数１Ｈｚ）で昇温し、ｔａｎδのピーク位置をＴｇとした。絶縁性樹脂膜の貯蔵弾性率は２５℃で１５ＧＰａであり、Ｔｇは２６０℃であった。
【００８９】
次に、絶縁性樹脂膜の線熱膨張率を測定した。上記［２］で得られたキャリア付樹脂膜１からキャリア基材であるＰＥＴフィルムを剥離したものを２枚積層して、厚さ８０μｍの樹脂シートを作製した。次いで、当該樹脂シートを、２００℃、１時間で熱処理した後、幅５ｍｍ×長さ３０ｍｍ×厚さ９０μｍに切り出して試験片とした。この試験片に対し、熱機械測定装置（ＴＡインスツルメント社製、Ｑ４００）を用いて、昇温速度１０℃／分の条件で線熱膨張率の測定を行った。次いで、２５〜５０℃における測定結果の平均を算出し、これをＴｇ以下における線熱膨張率（ｐｐｍ／℃）とした。本実施例において、Ｔｇ以下での線熱膨張率は１５ｐｐｍ／℃であった。
【００９０】
［４］ラミネート
基板として、銅張積層板（住友ベークライト株式会社製、ＬαＺ４７８５ＧＳ−Ｂ）の銅表面を粗化処理したものを用意した。以下では、基板の銅箔が張られた面側を上面側とする。基板の上面に上記［２］で得られたキャリア付樹脂膜１を重ね合わせた。このとき、キャリア付樹脂膜１のうち、絶縁性樹脂膜側の面を基板に対向させた。これを真空加圧式ラミネーター装置を用いて、温度１００℃、圧力１ＭＰａにて真空加熱加圧成形させた。キャリア付樹脂膜１のキャリア基材であるＰＥＴフィルムを剥離した後、基板を熱風乾燥装置にて１６０℃で６０分間加熱し、さらに２００℃で６０分間加熱して硬化させた。
【００９１】
［５］開口の形成
次に、銅箔の一部が露出するように、炭酸レーザーを照射することにより基板上の絶縁性樹脂膜に開口を形成した。
【００９２】
［６］デスミア処理
次に、基板を６０℃の膨潤液（アトテック社製、スウェリングディップ  セキュリガント  Ｐ）に５分間浸漬し、さらに８０℃の過マンガン酸カリウム水溶液（アトテック社製、コンセントレート  コンパクト  ＣＰ）に５分浸漬後、中和し、さらにＯ２ガスによるプラズマ照射を５分間行うことで、デスミア処理を行った。このとき、基板にバイアス電圧は印加しなかった。
【００９３】
［７］めっき処理
次に、銅箔の露出部にめっき層を形成した。具体的には、無電解ニッケルめっき層３μｍを形成し、さらにその上に無電解金めっき層０．１μｍを形成した。
【００９４】
［８］プラズマ処理
次に、絶縁性樹脂膜およびめっき層の形成された基板の上面をプラズマ処理して、積層基板１を得た。プラズマ処理の条件は以下の通りとした。このとき基板にバイアス電圧は印加しなかった。
真空度：２０Ｐａ
処理ガス：アルゴンガス
ガス流量：２００ｓｃｃｍ
電力：２００Ｗ
時間：２ｍｉｎ
【００９５】
［９］絶縁性樹脂膜表面の評価
上記［８］で得た積層基板１における絶縁性樹脂膜の表面を走査型電子顕微鏡で観察した。図７は走査型電子顕微鏡で観察した本実施例に係る絶縁性樹脂膜表面の形態を示す図である。フィラーが欠落した凹部や部分的にフィラーが露出した突出部が複数見られた。
【００９６】
［１０］表面粗さの測定
上記［８］で得た積層基板１における絶縁性樹脂膜の表面粗さをレーザー顕微鏡（株式会社キーエンス製、ＶＫ−Ｘ１００）を用いて測定した。その結果、算術平均粗さＲａは０．１５μｍ、十点平均粗さＲｚは１．７３μｍ、二乗平均粗さＲＭＳは０．１８０μｍであった。
【００９７】
［１１］せん断強度の測定
上記［８］で得た積層基板１の絶縁性樹脂膜の表面に封止樹脂としてエポキシ樹脂（住友ベークライト株式会社製、ＥＭＥ−Ｇ７６０ＳＷ）を積層し、絶縁性樹脂膜と封止樹脂との間のせん断強度を測定した。測定のためにまず、トランスファー成形機を用いて、金型温度１７５℃、注入圧力９．８ＭＰａ、硬化時間１２０秒の条件で、絶縁性樹脂膜上に、封止樹脂からなる２ｍｍ×２ｍｍ×２ｍｍの密着強度試験片を１０個成形した。その後、１７５℃で４時間加熱して封止樹脂を硬化させた後、せん断強度測定装置（ＤＡＧＥ社製、ＰＣ２４００）を用いて、硬化した封止樹脂と絶縁性樹脂膜との間のせん断強度を測定した。２５℃におけるせん断強度Ｓ１と、２６０℃におけるせん断強度Ｓ２を測定した。なお、１０個の試験片を測定した平均値をせん断強度として示す。せん断強度Ｓ１は２９Ｎ／ｍｍ２、せん断強度Ｓ２は８．３Ｎ／ｍｍ２であった。得られた結果からＳ２／Ｓ１を算出したところ、０．２９であった。
【００９８】
［１２］熱処理後のせん断強度の測定
上記［１１］と同様に密着強度試験片の形成、硬化をした後、せん断強度を測定する前に、熱処理（リフロー）を行った。熱処理後に、２５℃で測定したせん断強度の平均値を、せん断強度Ｓ３とする。熱処理として具体的には、積層基板１をリフロー装置により２６０℃ピークで３回処理した。せん断強度の測定は、上記［１１］と同様に行った。せん断強度Ｓ３は３２Ｎ／ｍｍ２であった。
【００９９】
［１３］封止樹脂のパターニング精度
上記［８］で得た積層基板１の絶縁性樹脂膜の表面に、液状封止樹脂（住友ベークライト株式会社製、ＣＲＰ−４１６０Ａ）０．１ｍＬを、ジェットディスペンサー（ノードソンアシムテック社製、ＤＪ−９０００）によって転写した。転写後、ブリード（転写しようとしたパターンからのにじみ幅）を測定し、ブリードが１ｍｍ未満の場合を○、１ｍｍ以上の場合を×として評価した。積層基板１においてはブリードが１ｍｍ未満であったため、○と評価した。
【０１００】
（実施例２）
上記［８］において、アルゴンガスの代わりに酸素ガスを用いてプラズマ処理を行った以外は実施例１と同様にして、積層基板２を得た。積層基板２について、実施例１と同様に各評価を行った。
積層基板２の絶縁性樹脂膜の表面には、積層基板１と同様にフィラーが欠落した凹部や部分的にフィラーが露出した突出部が複数見られた。
積層基板２の絶縁性樹脂膜の算術平均粗さＲａは０．１６μｍ、十点平均粗さＲｚは１．８０μｍ、二乗平均粗さＲＭＳは０．１７μｍであった。
積層基板２において、封止樹脂との２５℃におけるせん断強度Ｓ１は３０Ｎ／ｍｍ２、２６０℃におけるせん断強度Ｓ２は１０Ｎ／ｍｍ２、熱処理後のせん断強度Ｓ３は３１Ｎ／ｍｍ２であった。
積層基板２における封止樹脂のパターニング精度は○と評価された。
【０１０１】
（実施例３）
上記［６］において、デスミア処理における過マンガン酸カリウム水溶液への浸漬時間を２分とした以外は実施例１と同様にして、積層基板３を得た。積層基板３について、実施例１と同様に各評価を行った。
積層基板３の絶縁性樹脂膜の表面には、積層基板１と同様にフィラーが欠落した凹部や部分的にフィラーが露出した突出部が複数見られた。
積層基板３の絶縁性樹脂膜の算術平均粗さＲａは０．１０μｍ、十点平均粗さＲｚは１．１０μｍ、二乗平均粗さＲＭＳは０．１２μｍであった。
積層基板３において、封止樹脂との２５℃におけるせん断強度Ｓ１は３１Ｎ／ｍｍ２、２６０℃におけるせん断強度Ｓ２は９．８Ｎ／ｍｍ２、熱処理後のせん断強度Ｓ３は３１Ｎ／ｍｍ２であった。
積層基板３における封止樹脂のパターニング精度は○と評価された。
【０１０２】
（実施例４）
上記［６］において、デスミア処理における過マンガン酸カリウム水溶液への浸漬時間を２０分とした以外は実施例１と同様にして、積層基板４を得た。積層基板４について、実施例１と同様に各評価を行った。
積層基板４の絶縁性樹脂膜の表面には、積層基板１と同様にフィラーが欠落した凹部や部分的にフィラーが露出した突出部が複数見られた。
積層基板４の絶縁性樹脂膜の算術平均粗さＲａは０．３１μｍ、十点平均粗さＲｚは３．４０μｍ、二乗平均粗さＲＭＳは０．３４μｍであった。
積層基板４において、封止樹脂との２５℃におけるせん断強度Ｓ１は３３Ｎ／ｍｍ２、２６０℃におけるせん断強度Ｓ２は１２Ｎ／ｍｍ２、熱処理後のせん断強度Ｓ３は３２Ｎ／ｍｍ２であった。
積層基板４における封止樹脂のパターニング精度は○と評価された。
【０１０３】
（実施例５）
上記［６］において、デスミア処理における過マンガン酸カリウム水溶液の温度を９５℃とした以外は実施例１と同様にして、積層基板５を得た。積層基板５について、実施例１と同様に各評価を行った。
積層基板５の絶縁性樹脂膜の表面には、積層基板１と同様にフィラーが欠落した凹部や部分的にフィラーが露出した突出部が複数見られた。
積層基板５の絶縁性樹脂膜の算術平均粗さＲａは０．３８μｍ、十点平均粗さＲｚは３．７０μｍ、二乗平均粗さＲＭＳは０．４０μｍであった。
積層基板５において、封止樹脂との２５℃におけるせん断強度Ｓ１は３５Ｎ／ｍｍ２、２６０℃におけるせん断強度Ｓ２は１４Ｎ／ｍｍ２、熱処理後のせん断強度Ｓ３は３１Ｎ／ｍｍ２であった。
積層基板５における封止樹脂のパターニング精度は○と評価された。
【０１０４】
（実施例６）
上記［８］のプラズマ処理を行わなかった以外は実施例１と同様にして、積層基板６を得た。積層基板６について、実施例１と同様に各評価を行った。
積層基板６の絶縁性樹脂膜の表面には、積層基板１と同様にフィラーが欠落した凹部や部分的にフィラーが露出した突出部が複数見られた。
積層基板６の絶縁性樹脂膜の算術平均粗さＲａは０．１５μｍ、十点平均粗さＲｚは１．５０μｍ、二乗平均粗さＲＭＳは０．１６μｍであった。
積層基板６において、封止樹脂との２５℃におけるせん断強度Ｓ１は３１Ｎ／ｍｍ２、２６０℃におけるせん断強度Ｓ２は７．２Ｎ／ｍｍ２、熱処理後のせん断強度Ｓ３は３３．５Ｎ／ｍｍ２であった。
積層基板６における封止樹脂のパターニング精度は○と評価された。
【０１０５】
（実施例７）
熱硬化性樹脂組成物（Ｐ１）の代わりに、以下の熱硬化性樹脂組成物（Ｐ２）を使用した以外は、実施例１と同様の方法で積層基板７を作製した。積層基板７について、実施例１と同様に各評価を行った。
ナフタレンアラルキル型エポキシ樹脂（ＤＩＣ株式会社製、ＨＰ−５０００）８．５質量％、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂（三菱化学株式会社製、８２８）８．５質量％、フェノールノボラック樹脂の固形分６０％のシクロヘキサノン溶液（ＤＩＣ株式会社製、ＴＤ−２１３１  Ｈ６０）５．１質量％、ポリビニルブチラール樹脂（積水化学工業株式会社製、ＫＳ−５Ｚ）１．４質量％、ナフトール型ノボラック樹脂（日本化薬株式会社製、ＣＢＮ）８．５質量％、無機フィラーとして溶融シリカ粒子（Ｂ２）（株式会社アドマテックス製、ＳＯ−Ｃ４、平均粒径１μｍ）６５．７質量％、着色剤として緑色染料（日本化薬株式会社製、Ｋａｙａｓｅｔ  Ｇｒｅｅｎ）０．３質量％、カップリング剤として３−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン（モメンティブ・パフォーマンス・マテリアルズ社製、Ａ−１８７）０．９質量％、レベリング剤としてアクリル系樹脂（ＢＹＫ−Ｃｈｅｍｉｅ  ＧｍｂＨ製、ＢＹＫ−３６１Ｎ）０．６質量％に、硬化促進剤として２フェニル４メチル５ヒドロキシメチルイミダゾール（四国化成工業株式会社製、２Ｐ４ＭＨＺ）０．５質量％を添加して熱硬化性樹脂組成物（Ｐ２）を調整した。
【０１０６】
熱硬化性樹脂組成物（Ｐ２）を用いて実施例１と同様の方法で得たキャリア付樹脂膜２について、実施例１と同様に評価を行った。
絶縁性樹脂膜の貯蔵弾性率は２５℃で８ＧＰａ、Ｔｇは１９０℃、Ｔｇ以下での線熱膨張率は２５ｐｐｍ／℃であった。
積層基板７の絶縁性樹脂膜の表面には、積層基板１と同様にフィラーが欠落した凹部や部分的にフィラーが露出した突出部が複数見られた。
積層基板７の絶縁性樹脂膜の算術平均粗さＲａは０．２０μｍ、十点平均粗さＲｚは２．１０μｍ、二乗平均粗さＲＭＳは０．２３μｍであった。
積層基板７において、封止樹脂との２５℃におけるせん断強度Ｓ１は３０Ｎ／ｍｍ２、２６０℃におけるせん断強度Ｓ２は１０Ｎ／ｍｍ２、熱処理後のせん断強度Ｓ３は３２Ｎ／ｍｍ２であった。
積層基板６における封止樹脂のパターニング精度は○と評価された。
【０１０７】
（比較例１）
上記［６］のデスミア処理を行わなかった以外は実施例１と同様にして、積層基板８を得た。積層基板８について、実施例１と同様に各評価を行った。
図８は走査型電子顕微鏡で観察した本比較例に係る絶縁性樹脂膜表面の形態を示す図である。積層基板８の絶縁性樹脂膜の表面には、積層基板１〜７と異なり、フィラーが欠落した凹部や部分的にフィラーが露出した突出部が見られなかった。フィラーは全体が絶縁性樹脂膜中に埋まっていた。
積層基板８の絶縁性樹脂膜の算術平均粗さＲａは０．０７μｍ、十点平均粗さＲｚは０．７５μｍ、二乗平均粗さＲＭＳは０．０９μｍであった。
積層基板８において、封止樹脂との２５℃におけるせん断強度Ｓ１は３０Ｎ／ｍｍ２、２６０℃におけるせん断強度Ｓ２は９．６Ｎ／ｍｍ２、熱処理後のせん断強度Ｓ３は３０Ｎ／ｍｍ２であった。
積層基板８における封止樹脂のパターニング精度は○と評価された。
【０１０８】
（比較例２）
上記［６］のデスミア処理および上記［８］のプラズマ処理をいずれも行わなかった以外は実施例１と同様にして、積層基板９を得た。積層基板９について、実施例１と同様に各評価を行った。
積層基板９の絶縁性樹脂膜の表面には、積層基板８と同様に、フィラーが欠落した凹部や部分的にフィラーが露出した突出部が見られなかった。フィラーは全体が絶縁性樹脂膜中に埋まっていた。
積層基板９の絶縁性樹脂膜の算術平均粗さＲａは０．０６μｍ、十点平均粗さＲｚは０．８５μｍ、二乗平均粗さＲＭＳは０．１１μｍであった。
積層基板９において、封止樹脂との２５℃におけるせん断強度Ｓ１は９．１Ｎ／ｍｍ２、２６０℃におけるせん断強度Ｓ２は２．１Ｎ／ｍｍ２、熱処理後のせん断強度Ｓ３は９．９Ｎ／ｍｍ２であった。
積層基板９における封止樹脂のパターニング精度は○と評価された。
【０１０９】
（比較例３）
上記［６］において、デスミア処理における過マンガン酸カリウム水溶液への浸漬時間を４０分とした以外は実施例１と同様にして、積層基板１０を得た。積層基板１０について、実施例１と同様に各評価を行った。
積層基板１０の絶縁性樹脂膜の表面には、積層基板１と同様にフィラーが欠落した凹部や部分的にフィラーが露出した突出部が複数見られた。
積層基板１０の絶縁性樹脂膜の算術平均粗さＲａは０．６０μｍ、十点平均粗さＲｚは６．７０μｍ、二乗平均粗さＲＭＳは０．６８μｍであった。
積層基板１０において、封止樹脂との２５℃におけるせん断強度Ｓ１は２９Ｎ／ｍｍ２、２６０℃におけるせん断強度Ｓ２は７．５Ｎ／ｍｍ２、熱処理後のせん断強度Ｓ３は２７Ｎ／ｍｍ２であった。
積層基板１０においてはブリードが１ｍｍ以上であったため、×と評価した。
【０１１０】
以上の条件および評価結果を表１および表２に示す。
【０１１１】
【表１】
0006409390.tif 000004
【０１１２】
【表２】
0006409390.tif 000005
【０１１３】
実施例１から実施例７は、熱処理後のせん断強度Ｓ３が高く、耐久性に優れたパッケージを実現できる配線基板が得られたことが確認された。それに対し、比較例１から比較例３は、熱処理後のせん断強度Ｓ３が劣っていた。
【０１１４】
なお、実施例１から実施例７において、液状の封止樹脂を転写した場合も熱処理後の密着性に優れることを確認した。
【０１１５】
また、実施例１から実施例７はいずれも封止樹脂のパターニング精度に優れていた。一方、比較例３はパターニング精度に問題があった。よって、実施例１から実施例７において、耐久性と液状封止樹脂のパターニング精度との性能バランスの良い配線基板が得られたことが確認された。
【０１１６】
以上、図面を参照して本発明の実施形態について述べたが、これらは本発明の例示であり、上記以外の様々な構成を採用することもできる。
【符号の説明】
【０１１７】
１０ 絶縁性樹脂膜
１００ キャリア付樹脂膜
１０２ 半導体パッケージ
１１０ 凹部
１２ キャリア基材
１２０ フィラー
１３０ 表面
２０ 配線基板
２２ コア基板
２４ 導電体パターン
２４２ ライン
２４４ ランド
２４６ めっき膜
２８ 開口部
３０ 半田ボール
４０ 封止樹脂
５０ ボンディングワイヤ
６０ 半導体素子
６２ ダイアタッチ材
７０ 電子装置
７１０ マザーボード
７１２ 導電体パターン
７１４ 導電部
７１６ 接続部
７２０ 電子部品
【図１】
0006409390.tif 000006
【図２】
0006409390.tif 000007
【図３】
0006409390.tif 000008
【図４】
0006409390.tif 000009
【図５】
0006409390.tif 000010
【図６】
0006409390.tif 000011
【図７】
0006409390.tif 000012
【図８】
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