(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
被処理体の一面上に配され、所定の開口部とミクロンオーダーの高さを有する内部空間とを備えたレジスト構造体を、マスクとして用い、該内部空間に面した前記被処理体の一面の特定領域に、マイクロバンプをスパッタ法により製造する方法であって、
前記開口部を通過したスパッタ粒子を前記特定領域に堆積させて、所望の被着体を形成する工程Ｘと、
前記レジスト構造体を除去し、前記被処理体の一面上に前記被着体を残す工程Ｙと、
前記被着体に対して熱処理を施す工程Ｚと、を含み、
前記工程Ｚの熱処理はギ酸（ＨＣＯＯＨ）雰囲気の中で行われ、かつ、
前記工程Ｚの熱処理は、予備加熱の時間帯と、該予備加熱より高温条件とされた本加熱の時間帯と、が順に設定されており、
前記予備加熱は、温度が１６０℃〜２００℃、時間が２８０〜３６０秒であり、
前記本加熱は、温度が２３０〜３００℃、時間が１００〜１４０秒である、
ことを特徴とするマイクロバンプの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ミクロンオーダーの高さを有するはんだバンプ（以下、「マイクロバンプ」と呼ぶ）を安定して量産可能な、マイクロバンプの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、はんだバンプ形成方法としては、たとえば、めっき法、はんだボール搭載法、印刷法、スパッタ法などが挙げられ、微細化の観点からスパッタ法が有望視されている（特許文献１）。これら４つの手法には各々、以下の示すような長所と短所があることが公知である。
【０００３】
めっき法は、微細パターンが可能であるという長所がある反面、精密な組成制御が必要であり、材料の選択性が狭く、スループットが低く、バンプ高さのバラツキが大きい等の短所がある。ゆえに、バンプのサイズ／ピッチは、４０μｍ／５０μｍ程度が限界である。
【０００４】
はんだボール搭載法は、バンプ高さのバラツキが小さいという長所がある反面、微細パターンが難しい。それゆえ、バンプのサイズ／ピッチは、８０μｍ／１５０μｍ程度が現状である。
【０００５】
印刷法は、安価に製造が可能であり、スループットが高く、バンプ高さを大きくできるという長所がある反面、バンプ高さのバラツキが大きく、バンプ内部にボイド（欠陥）が発生し易いという短所がある。このため、バンプのサイズ／ピッチは、８０μｍ／１００μｍ程度が限界である。
【０００６】
スパッタ法は、微細パターンが可能であると共に、バンプの組成制御が容易あり、材料の選択性が広く、バンプ高さのバラツキが小さいという長所がある反面、スループットが低いという短所がある。このような多くの長所を備えているので、スパッタ法によれば、バンプのサイズ／ピッチを、４０μｍ以下／５０μｍ以下とすることができる。
したがって、微細なバンプのサイズ／ピッチを実現する上で、スパッタ法が、他の手法に比べて有望であることから、高速成膜技術の開発が期待されていた。
【０００７】
ただし、バンプの高さを稼ぐためには、スパッタ法により形成するバンプの高さより、大きな内部空間を有するレジスト構造体を、まずは用意する必要がある。
しかしながら、現実には、図９（ａ）〜（ｃ）に示すような工程により、図１０（ａ）や図１０（ｂ）の写真に示すようなレジスト形状が限界であった。つまり、レジスト形状の屋根（ヒサシ）と被処理体との距離は、図１０（ａ）の場合は０．５μｍ程度、図１０（ｂ）の場合でも１．４μｍ程度であり、２μｍ以上の距離とすることは困難であった。
【０００８】
図１１は、バンプサイズと各種基板（パッケージ基板、インターポーザー、デバイスチップ）との関係を示す模式的な断面図である。本発明は対象とするマイクロバンプは、パッケージ基板とインターポーザーとの間、あるいは、インターポーザーとデバイスチップとの間、に配置されるものである。従来のはんだボールやはんだバンプに比べて高さは低い（３〜８μｍ）ものの、マイクロバンプには、高さのバラツキにおいて、優れた均一性が求められる。
【０００９】
ところが、従来は、図１０（ａ）や図１０（ｂ）の写真に示すようなレジスト形状が限界であった為に、図１２や図１３に示すような、はんだバンプしか形成することができなかった。図１２は、１μｍ以下の高さが低いはんだバンプであり、図１３は、３μｍ程度の高さはあるが、レジスト構造体と接触しており、リフトオフすることができない（パターニングすることができない）。何れのはんだバンプも、はんだバンプとしては不適である。
【００１０】
そこで、本発明者らは、高さのバラツキが小さいマイクロバンプを形成するためには、バンプの高さより、大きな内部空間を有するレジスト構造体を、再現性よく安定に製造できる方法を開発した。
このレジスト構造体を用い、スパッタ法によりマイクロバンプの形成を検討したところ、堆積された被着体の外形において、周縁部が下方から上方に向けて捲り上がる形状になり易いことが判明した。この形状は、マイクロバンプとして不適切であるため、これを改善する手法の開発が期待されていた。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１１】
【特許文献１】特開平０８−０１７８３３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１２】
本発明は、このような従来の実情に鑑みて考案されたものであり、スパッタ法により形成された被着体を、バンプとして好適な形状に成形することが可能な、マイクロバンプの製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
本発明の請求項１に記載のマイクロバンプの製造方法は、被処理体の一面上に配され、所定の開口部とミクロンオーダーの高さを有する内部空間とを備えたレジスト構造体を、マスクとして用い、該内部空間に面した前記被処理体の一面の特定領域に、マイクロバンプをスパッタ法により製造する方法であって、前記開口部を通過したスパッタ粒子を前記特定領域に堆積させて、所望の被着体（Adherend）を形成する工程Ｘと、前記レジスト構造体を除去し、前記被処理体の一面上に前記被着体を残す工程Ｙと、前記被着体に対して熱処理を施す工程Ｚと、を含み、
前記工程Ｚの熱処理はギ酸（ＨＣＯＯＨ）雰囲気の中で行われ、かつ、前記工程Ｚの熱処理は、予備加熱の時間帯と、該予備加熱より高温条件とされた本加熱の時間帯と、が順に設定されており、前記予備加熱は、温度が１６０℃〜２００℃、時間が２８０〜３６０秒であり、前記本加熱は、温度が２３０〜３００℃、時間が１００〜１４０秒である、ことを特徴とする。
【発明の効果】
【００１４】
本発明では、所定の開口部とミクロンオーダーの高さを有する内部空間とを備えたレジスト構造体を、マスクとして用い、前記開口部を通過したスパッタ粒子を前記特定領域に堆積させて、所望の被着体（Adherend）を形成する工程Ｘにより、たとえば被処理体１０の一面において導電部が配置された特定領域を覆うようにスパッタ粒子を堆積させることができる。その際、スパッタ粒子が堆積する状況（面積、厚さ（高さ）、三次元的な形状など）は、おおよそレジスト構造体の開口部と、その内部空間の高さによって決まる。本発明では、内部空間の高さがミクロンオーダーとされているので、被着体の高さもミクロンオーダーとすることが可能となる。
前記被着体を形成した後、前記レジスト構造体を除去し、前記被処理体の一面上に前記被着体を残す工程Ｙにより、該被着体を該被処理体上において、剥き出しの状態とすることができる。
次いで、前記被処理の一面上で剥き出しの状態にある前記被着体に対して熱処理を施す工程Ｚにより、被着体はその周囲から満遍なく熱が加わる状況となる。これにより、被着体の外形（特に周縁部）における異常形状をなす部位が、中央部に取り込まれるように移動し、はんだバンプに好適な「お饅頭状」に成形することできる。
したがって、本発明は、スパッタ法により形成された被着体を、バンプとして好適な形状に成形することが可能な、マイクロバンプの製造方法をもたらす。
【図面の簡単な説明】
【００１５】
【図１】本発明に係るマイクロバンプの製造方法にて用いる、レジスト構造体の製造方法の一例を示す断面図。
【図２】本発明に係るマイクロバンプの製造方法の一例を示す断面図。
【図３】本発明により作製されたレジスト構造体の一例を示す断面ＳＥＭ写真。
【図４】本発明により作製されたレジスト構造体の他の一例を示す断面ＳＥＭ写真。
【図５】本発明により作製されたマイクロバンプの一例を示す断面ＳＥＭ写真。
【図６】本発明により作製されたマイクロバンプの他の一例を示す断面ＳＥＭ写真。
【図７】本発明に係る熱処理の温度プロファイルを示すグラフ。
【図８】本発明により作製されたマイクロバンプの熱処理前後を示す断面ＳＥＭ写真。
【図９】従来例に係るレジスト構造体の製造方法の一例を示す断面図。
【図１０】従来例において作製されたレジスト構造体の一例を示す断面ＳＥＭ写真。
【図１１】バンプサイズの適用例を説明する断面図。
【図１２】従来例のレジスト構造体を用いバンプを形成した一例を示す断面ＳＥＭ写真。
【図１３】従来例のレジスト構造体を用いバンプを形成した他の一例を示す断面ＳＥＭ写真。
【発明を実施するための形態】
【００１６】
以下では、本発明に係るマイクロバンプの製造方法の一実施形態について、図面に基づいて説明する。
【００１７】
図１は、本発明に係るマイクロバンプの製造方法において用いる、レジスト構造体の製造方法の一例を工程順に示す断面図である。
ここでは、以下に述べる製造方法（工程ＲＡ〜ＲＤ）によりレジスト構造体を形成する例を紹介するが、本発明はこれに限定されるものではない。
【００１８】
＜被処理体１０＞
図１（ａ）は、レジスト構造体を形成するために用いる被処理体１０を表わしている。この被処理体１０は、絶縁性の基体１１、第一導電部１２、絶縁部１３、及び、絶縁部１３の内部に配され、前記第一導電部１２と電気的に接する第二導電部１４、を含んで構成されている。第二導電部１４の上面は、第一導電部１２の上面と面一を成しており、第二導電部１４の上面と第一導電部１２の上面は何れも、露呈された状態にある。
【００１９】
＜第一レジストからなる厚膜Ａを形成するステップＲＡ＞
図１（ｂ）〜図１（ｄ）は、第一レジストからなる厚膜Ａを形成するステップＲＡを示している。本発明における第一レジストからなる厚膜Ａは、全膜厚を一回に形成するのではなく、多数回に分けて積層形成する手法により積層する。
【００２０】
前記厚膜Ａを形成するステップＲＡは、前記被処理体上に第一レジスト層をスピン塗布法により成膜する工程Ａ１［図１（ｂ）］と、前記工程Ａ１により形成された前記第一レジスト層を焼成する工程Ａ２［図１（ｃ）］とを備え、前記工程Ａ１と前記工程Ａ２を繰り返すことにより、前記厚膜Ａを所定の厚さ［図１（ｄ）］とする。
第一レジストとしては、アルカリ性現像液によって融解され、かつ感光性を持たないレジストが好適に用いられ、例えば、ＳＦ−７シリーズ（日本化薬株式会社製）、ＬＯＲシリーズ（日本化薬株式会社製）などが挙げられる。
【００２１】
図１（ｂ）は、被処理体１０の一面、すなわち、絶縁部１３、及び、第二導電部１４、を被覆するように、第一レジスト層１５ａ（１５α）をスピン塗布法（Ｒ１は被処理体１０の回転を表わす）により成膜する［工程Ａ１］。塗布条件（単位時間あたりの塗布量、回転数Ｒ１など）は、適宜調整すればよい。
【００２２】
次いで、図１（ｃ）に示すように、前記工程Ａ１により形成された第一レジスト層１５ａ（１５α）を、加熱手段Ｈ１を用いて焼成する。これにより、焼成された第一レジスト層１５ａＢ（１５β）が得られる［工程Ａ２］。焼成条件（処理温度、処理時間など）は、適宜調整すればよい。
【００２３】
図１（ｄ）は、工程Ａ１と工程Ａ２を複数回、繰り返すことにより、所定の厚さを有する厚膜Ａを形成した状態を表わしている。図１（ｄ）には、工程Ａ１と工程Ａ２を３回繰り返した構成例［１５ａＢ、１５ｂＢ、１５ｃＢ（１５β）］を表わしているが、本発明は３回に限定されるものではなく、４回以上でも構わない。また、工程Ａ１で成膜する膜の厚さには特に制限はなく、同じ厚さを繰り返しても良いし、異なる厚さとしても構わない。つまり、繰り返し回数や各膜の厚さは、適宜選択される。
ただし、厚膜Ａの全膜厚は、後工程においてミクロンオーダーの空間を形成するために、少なくとも２μｍ以上、１５μｍ以下とすることが好ましい。
【００２４】
＜第二レジストからなる厚膜Ｂを形成するステップＲＢ＞
図１（ｅ）〜図１（ｇ）は、第二レジストからなる厚膜Ｂを形成するステップＲＢを示している。本発明における第二レジストからなる厚膜Ｂは、膜厚に応じて、単膜を一度に積層する手法、及び多数回に分けて積層する手法が用いられる。
【００２５】
前記厚膜Ｂを形成するステップＲＢは、前記厚膜Ａ（１５β）上に第二レジスト層をスピン塗布法により成膜する工程Ｂ１［図１（ｅ）］と、前記工程Ｂ１により形成された前記第二レジスト層を焼成する工程Ｂ２［図１（ｆ）］とを備え、前記工程Ｂ１と前記工程Ｂ２を繰り返すことにより、前記厚膜Ｂを所定の厚さ［図１（ｇ）］とする。
第二レジストとしては、フォトリソグラフィ処理によりエッチングされるレジストが好適に用いられ、例えば、ＯＦＰＲシリーズ（東京応化工業株式会社製）、ＫＭＰＲ１０００シリーズ（日本化薬株式会社製）、ＴＺＮＲシリーズ（東京応化工業株式会社製）、ＳＵ−８シリーズ（日本化薬株式会社製）、ＰＭＥＲシリーズ（東京応化工業株式会社製）、ＺＰＮシリーズ（日本ゼオン株式会社製）などが挙げられる。
【００２６】
図１（ｅ）は、厚膜Ａ（１５β）の上面を被覆するように、第二レジスト層１６ａ（１６α）をスピン塗布法（Ｒ２は被処理体１０の回転を表わす）により成膜する［工程Ｂ１］。塗布条件（単位時間あたりの塗布量、回転数Ｒ２など）は、適宜調整すればよい。
【００２７】
次いで、図１（ｆ）に示すように、前記工程Ｂ１により形成された第二レジスト層１６ａ（１６α）を、加熱手段Ｈ２を用いて焼成する。これにより、焼成された第二レジスト層１６ａＢ（１６β）が得られる［工程Ｂ２］。焼成条件（処理温度、処理時間など）は、適宜調整すればよい。
【００２８】
図１（ｇ）は、工程Ｂ１と工程Ｂ２を複数回、繰り返すことにより、所定の厚さを有する厚膜Ｂを形成した状態を表わしている。図１（ｇ）には、工程Ｂ１と工程Ｂ２を２回繰り返した構成例［１６ａＢ、１６ｂＢ（１６β）］を表わしているが、本発明は２回に限定されるものではなく、３回以上でも構わない。また、工程Ｂ１で成膜する膜の厚さには特に制限はなく、同じ厚さを繰り返しても良いし、異なる厚さとしても構わない。つまり、繰り返し回数や各膜の厚さは、適宜選択される。
【００２９】
ただし、厚膜Ｂの全膜厚は、後工程においてミクロンオーダーの空間を形成するために、少なくとも２μｍ以上、１０μｍ以下とすることが好ましい。
後述する、「フォトリソ法を用いて前記厚膜Ｂに第二空間を形成するステップＲＣ」において、第二空間を作製し易い程度の膜厚が、厚膜Ｂの全膜厚には求められる。
【００３０】
＜厚膜Ｂに第二空間を形成するステップＲＣ＞
図１（ｈ）は、フォトリソ法を用いて前記厚膜Ｂ（１６β）に対して、該厚膜Ｂを貫通し、かつ、前記厚膜Ａ（１５β）の上面が露呈するように第二空間１６Ｈを形成する。
フォトリソ法を行う際には、開口部が口径１６ＷのマスクＭ１を用い、この開口部を通して、厚膜Ｂ（１６β）に対して波長ｈν（λ）の光を照射することにより、第二空間１６Ｈが形成される。図１（ｈ）において、符号１６ＨＳは第二空間１６Ｈを規定する、厚膜Ｂ（１６β）の内側面であり、符号１６ＨＢは、第二空間１６Ｈを規定する、厚膜Ａ（１５β）の露呈した上面である。
【００３１】
その場合、次工程で形成される第一空間１５Ｈと前記第二空間１６Ｈの重なり方向から見て、第一空間１５Ｈの占有領域ＳＡが、第二空間１６Ｈの占有領域ＳＢより広く、かつ、前記占有領域ＳＡの中に前記占有領域ＳＢが含まれるように、前記厚膜Ｂ（１６β）に対する前記フォトリソが行われる。これにより、次工程において、前記厚膜Ａ（１５β）に対して第一空間１５Ｈを形成する際のマスクの開口部として機能する、第二空間１６Ｈを形成することができる。
【００３２】
＜厚膜Ａに第一空間を形成するステップＲＤ＞
図１（ｉ）は、ウェットエッチング法を用いて前記厚膜Ａ（１５β）に対して、該厚膜Ａを貫通し、かつ、前記被処理体１０の上面（１３、１４）が露呈するように第一空間１５Ｈを形成する。
【００３３】
ウェットエッチング法を行う際には、薬液の温度などを制御する因子（ガスの種類や圧力、被処理体の温度など）を適宜選択することにより、前記第一空間１５Ｈと前記第二空間１６Ｈの重なり方向から見て、前記第一空間１５Ｈの占有領域ＳＡが、前記第二空間１６Ｈの占有領域ＳＢより広くなるように、前記第一空間１５Ｈを形成する。図１（ｉ）において、符号１５ＨＳは、第一空間１５Ｈを規定する、厚膜Ａ（１５β）の内側面である。符号１５ＨＢは、第一空間１５Ｈを規定する、被処理体１０（絶縁部１３、第二導電部１４）の露呈した上面である。符号１５ＨＴは、前記第一空間１５Ｈと前記第二空間１６Ｈの重なり方向から見て、屋根状に延びる部位である。
【００３４】
ステップＲＤにおいては、第一空間１５Ｈの底面１５ＨＢに、被処理体１０の上面（絶縁部１３、第二導電部１４）が露呈するように、前記第一空間１５Ｈを形成することが重要である。これにより、後の工程において、スパッタ法を用いて形成される、はんだバンプが確実に、第二導電部１４と電気的に接続された構成とすることができる。
【００３５】
また、図１（ｉ）に示した、各層を断面視する方向において、「（第二導電部１４の幅）＜（第二空間１６Ｈの開口径１６Ｗ）＜（第一空間１５Ｈの開口径１５Ｗ）」という関係式を満たすように、屋根状に延びる部位１５ＨＴの寸法を調整することも重要である。これにより、後の工程において、スパッタ法を用い、はんだバンプを形成した場合、前記はんだバンプが第二導電部１４を覆うとともに、はんだバンプの大きさ（直径、高さ）を制御して設けることが可能となる。
【００３６】
＜レジスト構造体＞
図３および図４は何れも、上述した工程ＲＡ〜ＲＤにより作製されたレジスト構造体を示す断面ＳＥＭ写真である。図３は、厚膜Ａに形成した第一空間１５Ｈの幅（内径）が３０μｍ、厚膜Ｂに形成した第二空間１６Ｈの幅（内径）が２０μｍとした、レジスト構造体であり、厚膜Ａと厚膜Ｂの合計膜厚は１２μｍである。図４は、厚膜Ａに形成した第一空間１５Ｈの幅（内径）が６０μｍ、厚膜Ｂに形成した第二空間１６Ｈの幅（内径）が５０μｍとした、レジスト構造体であり、厚膜Ａと厚膜Ｂの合計膜厚は１２μｍである。
【００３７】
本発明に係るマイクロバンプの製造方法は、このように準備したレジスト構造体［図１（ｉ）］を用いて、以下に説明する工程Ｘ〜工程Ｚを順に行う。
図２（ｊ）に示すように、被処理体１０の一面上に配され、所定の開口部とミクロンオーダーの高さを有する内部空間とを備えたレジスト構造体を、マスクとして用いる。これにより、該内部空間に面した前記被処理体の一面の特定領域に、マイクロバンプをスパッタ法により製造する。
【００３８】
＜工程Ｘ＞
工程Ｘは、前記開口部を通過したスパッタ粒子ＳＰを、第二導電部１４を含み絶縁部１３の特定領域を覆うように堆積させることによって、所望の被着体（Adherend）２０Ａ（２０）を形成する［図２（ｊ）］。
【００３９】
レジスト構造体Ｒが、厚膜Ａ（１５β）と厚膜Ｂ（１６β）から構成され、かつ、所定の開口部１５Ｗ、１６Ｗとミクロンオーダーの高さ（１５βの厚さに相当）を有する内部空間１５Ｈを備えているので、所望の被着体（Adherend）２０Ａ（２０）の中央部における厚さは、ミクロンオーダーとすることができる。ただし、上記の被着体（Adherend）２０Ａ（２０）は、その周縁部が、絶縁部１３から離れて捲り上がった形状となる傾向が生じることが判明した。
【００４０】
そこで、次の工程Ｙでは、前記レジスト構造体Ｒを除去し、被処理体１０の一面上に前記被着体２０Ａ（２０）を残すために、レジスト構造体Ｒ［厚膜Ａ（１５β）と厚膜Ｂ（１６β）］を全て取り除くことが可能な、所望のエッチング液に試料１Ｊ（１）を浸漬する。
これにより、被処理体１０の一面上に被着体２０Ａ（２０）が残された試料１Ｋ（１）を得る［図２（ｋ）］。
【００４１】
次いで、被処理体１０の一面上において、被着体２０Ａ（２０）の全体が露呈した状態にある試料１Ｌ（１）に対して、たとえば１８０℃〜３４０℃の温度において、熱処理を施す［図２（ｌ）］。この熱処理により、被着体２０Ａ（２０）はその周囲から満遍なく熱が加わる状況となる。
【００４２】
上述した熱処理を行うことにより、被着体２０Ｂ（２０）の外形（特に周縁部）における異常形状をなす部位が、中央部に取り込まれるように移動し、はんだバンプに好適な「お饅頭状」の外形を有する被着体２０Ｃ（２０）に成形することできる［図２（ｍ）］。
【００４３】
このような熱処理を行う際には、被着体２０Ｂ（２０）が置かれる雰囲気Ｇを、大気フラックス（通常の大気雰囲気）、窒素、あるいは、ギ酸（ＨＣＯＯＨ）から構成することが好ましい。特に、ギ酸からなる雰囲気Ｇとした場合には、はんだバンプに好適な「お饅頭状」の外形を有する被着体２０Ｃ（２０）が、レジスト開口部、及び、熱処理の温度や時間などの諸条件に関して、広範囲な条件設定において安定して形成できるので、より好ましい。
【００４４】
図５は、本発明により作製されたマイクロバンプの一例を示す断面ＳＥＭ写真であり、スパッタ成膜する際のレジスト開口径、及び、熱処理を行う際の雰囲気、を変更して作製したバンプ形状を示す。その際、レジスト開口径は１０、２０、３０［μｍ］の３水準について、雰囲気は大気フラックス、窒素、ギ酸の３種類について実験した。
【００４５】
各写真の左上に示したマークは、以下の内容を示している。
○印：断面写真において両端とも、バンプに好適な「お饅頭状」の外形を有する。
△印：断面写真において片端は、バンプに好適な「お饅頭状」の外形を有するが、もう
一方の片端は、周縁部に異常形状をなす部位が残存する。
×印：断面写真において両端とも、周縁部に異常形状をなす部位が残存する。
【００４６】
大気フラックスからなる雰囲気では、レジスト開口径が２０［μｍ］の場合のみ、はんだバンプに好適な「お饅頭状」の外形を有する被着体２０Ｃ（２０）が得られた（○印）。レジスト開口径を１０、３０［μｍ］とした場合は、周縁部に異常形状をなす部位が残存した（△印、×印）。この結果から、雰囲気として大気フラックスを用いた場合には、はんだバンプに好適な「お饅頭状」の外形を形成することは可能であるが、これ実現するレジスト開口径の解は、２０［μｍ］前後の狭い範囲にあると思われる。
【００４７】
窒素（Ｎ２  ）からなる雰囲気では、調査したレジスト開口径の範囲（１０〜３０［μｍ］）においては、はんだバンプに好適な「お饅頭状」の外形を有する被着体２０Ｃ（２０）を得ることはできなかった（×印〜△印）。どの条件においても、周縁部に異常形状をなす部位が残存した。
【００４８】
ギ酸（ＨＣＯＯＨ）からなる雰囲気では、調査したレジスト開口径の範囲（１０〜３０［μｍ］）においても、はんだバンプに好適な「お饅頭状」の外形を有する被着体２０Ｃ（２０）を得られた（○印）。雰囲気をギ酸（ＨＣＯＯＨ）とすることにより、広範囲なレジスト開口径において、はんだバンプに好適な外形の被着体２０Ｃ（２０）が安定に製造することが可能である。
【００４９】
以上の結果より、最も好ましい雰囲気は、ギ酸であることが確認された。諸条件を詰めることにより、大気フラックスも利用可能である。
【００５０】
図６は、本発明により作製されたマイクロバンプの他の一例を示す断面ＳＥＭ写真であり、熱処理条件（予備加熱の温度と時間、本加熱の温度と時間）依存性を調べた結果である。ここで、熱処理条件における予備加熱と本加熱は、たとえば、図７に示す温度プロファイルで定義される。図７に示すとおり、予備加熱温度に比べて、本加熱温度を高く設定する。また、予備加熱と本加熱の時間は、所望の温度を一定に保持した時間を意味する。
【００５１】
図６において、Ａグループは、周縁部に異常形状をなす部位が残存した。Ｂグループは、はんだバンプに好適な「お饅頭状」の外形を有する被着体２０Ｃ（２０）を得られた。Ｃグループは、周縁部においては、はんだバンプに好適な「お饅頭状」の外形を有するものの、中央部がバンプとしては好ましくない凹形状となった。
【００５２】
以上の結果より、Ｂグループ、すなわち、「予備加熱の温度が１８０℃で時間が１８０〜３６０ｓｅｃであり、かつ、本加熱の温度が２８０℃で時間が１００〜１４０ｓｅｃ」という条件設定が、好ましいことが分かった。さらに、同様の処理時間で予備加熱の温度を１６０〜２００℃、本加熱の温度を２３０〜３００℃として追試したところ、Ｂグループと同様のはんだバンプに好適な「お饅頭状」の外形を有する被着体２０Ｃ（２０）を得られた。本発明は、はんだバンプに好適な「お饅頭状」の外形を有する被着体２０Ｃ（２０）の安定した製造に寄与する。
【００５３】
図８は、本発明により作製されたマイクロバンプの熱処理前後を示す断面ＳＥＭ写真である。このように、断面ＳＥＭ写真から、本発明における熱処理の作用・効果を確認することができる。すなわち、
本発明によれば、ミクロンオーダーの厚さを有する所望の被着体（Adherend）２０Ａ（２０）を形成した際に、たとえ被着体の外形（特に周縁部）における異常形状をなす部位が存在しても、本発明に係る熱処理を施すことにより、その周縁部の異常形状は被着体の中央部に取り込まれるように移動し、はんだバンプに好適な「お饅頭状」に成形すること可能であることが、断面ＳＥＭ写真の観察によって確認することができる。
【００５４】
したがって、本発明に係るマイクロバンプの製造方法は、ミクロンオーダーの高さを有するマイクロバンプの量産に寄与する。
以上、本発明のマイクロバンプの製造方法について説明してきたが、本発明はこれに限定されるものではなく、発明の趣旨を逸脱しない範囲で、適宜変更が可能である。
【産業上の利用可能性】
【００５５】
本発明は、マイクロバンプの製造方法に広く適用可能である。
【符号の説明】
【００５６】
Ｒ  レジスト構造体、１  試料、１０  被処理体、１１  基体、１２  第一導電部、１３  絶縁部、１４  第二導電部、１５β  厚膜Ａ、１５Ｈ  第一空間、１６β  厚膜Ｂ、１６Ｈ  第二空間、２０  被着体。
【図１】
0006414779.tif 000002
【図２】
0006414779.tif 000003
【図３】
0006414779.tif 000004
【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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