(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
レジスト膜が塗布された基板の周縁部を露光する周辺露光装置を備えた基板処理装置であって、
前記周辺露光装置の外部に配置され、前記レジスト膜の塗布処理が施される前の既にパターン露光が行われパターンが形成された基板の表面を撮像して、基板画像を取得する検査装置を備え、
前記周辺露光装置は、
前記レジスト膜が塗布された基板を保持する基板保持部と、
前記基板保持部に保持された基板の周縁部を露光する露光部と、
前記基板保持部を移動及び回転させる第１の移動機構と、
前記露光部を移動させる第２の移動機構と、
前記レジスト膜が塗布された前記基板の周縁部が露光されるように、前記第１の移動機構及び前記第２の移動機構を制御する制御部と、を有し、
該制御部は、前記レジスト膜が塗布された前記基板が当該周辺露光装置に搬入される前に、前記検査装置で取得した基板画像から、基板上のパターンのショットの配列情報を取得し、当該取得した配列情報に基づいて、前記第１の移動機構及び前記第２の移動機構を制御する処理レシピを作成することを特徴とする、基板処理装置。
【請求項２】
前記制御部では、前記基板画像から基板の中心位置及び基板のノッチ位置を検出し、当該基板の中心位置と基板のノッチ位置を結ぶ直線と、前記基板上のパターンのショットの配列方向とのなす角度を求め、当該求められた角度に応じて前記基板を回転させるべく前記第１の移動機構を制御することを特徴とする、請求項１に記載の基板処理装置。
【請求項３】
前記制御部では、
前記基板画像から１のショットの寸法を算出すると共に、算出した寸法の前記ショットにより基板の全面を覆った場合に当該基板の外周端部と前記ショットが重なるか否かを判定し、
前記基板の外周端部と前記ショットが重なる領域に存在するショットの座標を算出し、
当該算出された座標に基づいて、前記処理レシピを作成することを特徴とする、請求項１または２のいずれか一項に記載の基板処理装置。
【請求項４】
前記検査装置は、複数の前記周辺露光装置に対して共通で設けられていることを特徴とする、請求項１〜３のいずれか一項に記載の基板処理装置。
【請求項５】
周辺露光装置を備えた基板処理装置を用いた基板処理方法であって、
前記基板処理装置は、
前記周辺露光装置の外部に配置され、基板の表面を撮像して基板画像を取得する検査装置を備え、
前記周辺露光装置は、
レジスト膜が塗布された基板を保持する基板保持部と、
前記基板保持部に保持された基板の周縁部を露光する露光部と、
前記基板保持部を移動及び回転させる第１の移動機構と、
前記露光部を移動させる第２の移動機構と、
を有し、
前記基板処理方法は、
レジスト膜の塗布処理が施される前の既にパターン露光が行われパターンが形成された基板の表面を、前記検査装置で撮像して、基板画像を取得し、
前記レジスト膜が塗布された前記基板が前記周辺露光装置に搬入される前に、前記検査装置で取得した基板画像から、基板上のパターンのショットの配列情報を取得し、当該取得した配列情報に基づいて、前記レジスト膜が塗布された前記基板の周縁部が露光されるように前記第１の移動機構及び前記第２の移動機構を制御する処理レシピを作成することを特徴とする、基板処理方法。
【請求項６】
前記基板画像から基板の中心位置及び基板のノッチ位置を検出し、
当該基板の中心位置と基板のノッチ位置を結ぶ直線と、前記基板上のパターンのショットの配列方向とのなす角度を求め、
当該求められた角度に応じて前記基板保持部を回転させることを特徴とする、請求項５に記載の基板処理方法。
【請求項７】
前記基板画像から１のショットの寸法を算出すると共に、算出した寸法の前記ショットにより基板の全面を覆った場合に当該基板の外周端部と前記ショットが重なるか否かを判定し、
前記基板の外周端部と前記ショットが重なる領域に存在するショットの座標を算出し、
当該算出された座標に基づいて、前記処理レシピを作成することを特徴とする、請求項５または６のいずれか一項に記載の基板処理方法。
【請求項８】
請求項５〜７のいずれかに一項に記載の基板処理方法を、基板処理装置によって実行させるように、当該基板処理装置を制御する制御部のコンピュータ上で動作するプログラム。
【請求項９】
請求項８に記載のプログラムを格納した読み取り可能なコンピュータ記憶媒体。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板の周縁部に対して周辺露光処理を行う周辺露光装置、周辺露光方法、プログラム及びコンピュータ記憶媒体に関する。
【背景技術】
【０００２】
例えば半導体デバイスの製造におけるフォトリソグラフィ処理では、例えば基板としての半導体ウェハ（以下、「ウェハ」という。）上にレジスト液を塗布してレジスト膜を形成するレジスト塗布処理、レジスト膜の周縁部を選択的に露光する周辺露光処理、周縁部が露光されたレジスト膜に所定のパターンを露光する露光処理、露光されたレジスト膜を現像する現像処理などが順次行われ、ウェハ上に所定のレジストのパターンが形成される。これらの一連の処理は、ウェハを処理する各種処理装置やウェハを搬送する搬送機構などを搭載した基板処理システム及び露光装置により行われる。
【０００３】
ところで、周辺露光においては、ウェハをスピンチャックに保持した状態でレジスト膜の周縁部に光を照射し、スピンチャックを鉛直軸周りに回転させることで、ウェハ周縁部が所定幅でリング状に露光される。しかしながら、露光装置では矩形状のパターンの露光が行われるため、ウェハの周縁部には、周辺露光とパターン露光のいずれも行われない領域が存在することとなる。そのため、露光装置では、この露光が行われない領域に対して、いわゆるダミーショットと呼ばれる露光処理が行われる。
【０００４】
しかしながら、実際の製品に用いられないダミーショットを露光装置で行うことは、露光装置のスループットの低下を意味する。そのため、特許文献１では、周辺露光装置においてダミーショットを行うことが提案されている。具体的には、周辺露光装置においてウェハのオリエンテーションフラットやノッチを検出してウェハの位置を認識すると共に、ウェハの位置調整を行う。そして、光源をＸ方向及びＹ方向に走査することで、ウェハＷの周縁部に矩形状のダミーショットが施される。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開平１０−２５６１２１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
ところで、一般的に、パターンのショットの配列方向と、ノッチとウェハの中心を結んだ線またはオリエンテーションフラットとは、直交あるいは平行の関係にある。そのため、特許文献１では、オリエンテーションフラットと平行または直交する方向に沿って周辺露光処理を行っている。
【０００７】
しかしながら、露光装置で露光されるパターンのショットは、必ずしもオリエンテーションフラットや、ノッチとウェハの中心を結んだ線と、平行、直交した状態で配列しているとは限らない。かかる場合、ダミーショットのために光源を走査させるための情報としては、周辺露光装置で検出したオリエンテーションフラットやノッチの位置のみでは不十分である。
【０００８】
本発明は、かかる点に鑑みてなされたものであり、周辺露光装置により適切にダミーショットを行うことを目的としている。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
レジスト膜が塗布された基板の周縁部を露光する周辺露光装置を備えた基板処理装置であって、前記周辺露光装置の外部に配置され、前記レジスト膜の塗布処理が施される前の既にパターン露光が行われパターンが形成された基板の表面を撮像して、基板画像を取得する検査装置を備え、前記周辺露光装置は、前記レジスト膜が塗布された基板を保持する基板保持部と、前記基板保持部に保持された基板の周縁部を露光する露光部と、前記基板保持部を移動及び回転させる第１の移動機構と、前記露光部を移動させる第２の移動機構と、前記レジスト膜が塗布された前記基板の周縁部が露光されるように、前記第１の移動機構及び前記第２の移動機構を制御する制御部と、を有し、該制御部は、前記レジスト膜が塗布された前記基板が当該周辺露光装置に搬入される前に、前記検査装置で取得した基板画像から、基板上のパターンのショットの配列情報を取得し、当該取得した配列情報に基づいて、前記第１の移動機構及び前記第２の移動機構を制御する処理レシピを作成することを特徴としている。
【００１０】
本発明によれば、パターン露光が行われた基板の基板画像から、基板上のパターンのショットの配列情報を取得し、当該取得した配列情報に基づいて第１の移動機構及び第２の移動機構を制御する制御部を有しているので、仮に、露光装置で露光されるパターンのショットの配列が、オリエンテーションフラットや、ノッチとウェハの中心を結んだ線と、平行、直交した状態ない場合であっても、取得した配列情報に基づいて、周縁部に適切にダミーショットを行うことができる。
【００１１】
前記制御部では、前記基板画像から基板の中心位置及び基板のノッチ位置を検出し、当該基板の中心位置と基板のノッチ位置を結ぶ直線と、前記基板上のパターンのショットの配列方向とのなす角度を求め、当該求められた角度に応じて前記基板を回転させるべく前記第１の移動機構を制御してもよい。
【００１２】
前記制御部では、前記基板画像から１のショットの寸法を算出すると共に、算出した寸法の前記ショットにより基板の全面を覆った場合に当該基板の外周端部と前記ショットが重なるか否かを判定し、前記基板の外周端部と前記ショットが重なる領域に存在するショットの座標を算出し、当該算出された座標に基づいて、前記処理レシピを作成してもよい。
【００１３】
前記検査装置は、複数の前記周辺露光装置に対して共通で設けられていてもよい。
【００１４】
別の観点による本発明は、周辺露光装置を備えた基板処理装置を用いた基板処理方法であって、前記基板処理装置は、前記周辺露光装置の外部に配置され、基板の表面を撮像して基板画像を取得する検査装置を備え、前記周辺露光装置は、レジスト膜が塗布された基板を保持する基板保持部と、前記基板保持部に保持された基板の周縁部を露光する露光部と、前記基板保持部を移動及び回転させる第１の移動機構と、前記露光部を移動させる第２の移動機構と、を有し、前記基板処理方法は、レジスト膜の塗布処理が施される前の既にパターン露光が行われパターンが形成された基板の表面を、前記検査装置で撮像して、基板画像を取得し、前記レジスト膜が塗布された前記基板が当該周辺露光装置に搬入される前に、前記検査装置で取得した基板画像から、基板上のパターンのショットの配列情報を取得し、当該取得した配列情報に基づいて、前記レジスト膜が塗布された前記基板の周縁部が露光されるように前記第１の移動機構及び前記第２の移動機構を制御する処理レシピを作成することを特徴としている。
【００１５】
前記基板画像から基板の中心位置及び基板のノッチ位置を検出し、当該基板の中心位置と基板のノッチ位置を結ぶ直線と、前記基板上のパターンのショットの配列方向とのなす角度を求め、当該求められた角度に応じて前記基板保持部を回転させてもよい。
【００１６】
前記基板画像から１のショットの寸法を算出すると共に、算出した寸法の前記ショットにより基板の全面を覆った場合に当該基板の外周端部と前記ショットが重なるか否かを判定し、前記基板の外周端部と前記ショットが重なる領域に存在するショットの座標を算出し、当該算出された座標に基づいて、前記処理レシピを作成してもよい。
【００１７】
また別な観点による本発明によれば、前記基板処理方法を、基板処理装置によって実行させるように、当該基板処理装置を制御する制御部のコンピュータ上で動作するプログラムが提供される。
【００１８】
さらに別な観点による本発明によれば、前記プログラムを格納した読み取り可能なコンピュータ記憶媒体が提供される。
【発明の効果】
【００１９】
本発明によれば、周辺露光装置により適切にダミーショットを行うことができる。
【図面の簡単な説明】
【００２０】
【図１】本実施の形態にかかる基板処理システムの構成の概略を示す平面図である。
【図２】本実施の形態にかかる基板処理システムの構成の概略を示す正面図である。
【図３】本実施の形態にかかる基板処理システムの構成の概略を示す背面図である。
【図４】周辺露光装置の構成の概略を示す横断面図である。
【図５】周辺露光装置の構成の概略を示す縦断面図である。
【図６】検査装置の構成の概略を示す横断面図である。
【図７】検査装置の構成の概略を示す縦断面図である。
【図８】ウェハ上のパターンのショットの配列を示す平面の説明図である。
【図９】周辺露光装置内でウェハを所定の角度回転させた状態を示す横断面の説明図である。
【図１０】ウェハ上のパターンのショットと露光部との位置関係を示す平面の説明図である。
【図１１】ダミーショット領域を示す平面の説明図である。
【図１２】ダミーショット領域を示す平面の説明図である。
【図１３】周辺露光処理のレシピを示す説明図である。
【図１４】アフェイン変換を行うための行列式である。
【発明を実施するための形態】
【００２１】
以下、本発明の実施の形態について説明する。図１は、本実施の形態にかかる周辺露光装置を備えた基板処理システム１の構成の概略を示す説明図である。図２及び図３は、各々基板処理システム１の内部構成の概略を模式的に示す、正面図と背面図である。なお、本実施の形態における基板処理システム１は、ウェハＷに対して塗布現像処理を行う塗布現像処理システムである。
【００２２】
基板処理システム１は、図１に示すように複数枚のウェハＷを収容したカセットＣが搬入出されるカセットステーション１０と、ウェハＷに所定の処理を施す複数の各種処理装置を備えた処理ステーション１１と、処理ステーション１１に隣接する露光装置１２との間でウェハＷの受け渡しを行うインターフェイスステーション１３とを一体に接続した構成を有している。
【００２３】
カセットステーション１０には、カセット載置台２０が設けられている。カセット載置台２０には、基板処理システム１の外部に対してカセットＣを搬入出する際に、カセットＣを載置するカセット載置板２１が複数設けられている。
【００２４】
カセットステーション１０には、図１に示すようにＸ方向に延びる搬送路２２上を移動自在なウェハ搬送装置２３が設けられている。ウェハ搬送装置２３は、上下方向及び鉛直軸周り（θ方向）にも移動自在であり、各カセット載置板２１上のカセットＣと、後述する処理ステーション１１の第３のブロックＧ３の受け渡し装置との間でウェハＷを搬送できる。
【００２５】
処理ステーション１１には、各種装置を備えた複数例えば４つのブロックＧ１、Ｇ２、Ｇ３、Ｇ４が設けられている。例えば処理ステーション１１の正面側（図１のＸ方向負方向側）には、第１のブロックＧ１が設けられ、処理ステーション１１の背面側（図１のＸ方向正方向側）には、第２のブロックＧ２が設けられている。また、処理ステーション１１のカセットステーション１０側（図１のＹ方向負方向側）には、第３のブロックＧ３が設けられ、処理ステーション１１のインターフェイスステーション１３側（図１のＹ方向正方向側）には、第４のブロックＧ４が設けられている。
【００２６】
例えば第１のブロックＧ１には、図２に示すように複数の液処理装置、例えばウェハＷを現像処理する現像処理装置３０、ウェハＷのレジスト膜の下層に反射防止膜（以下「下部反射防止膜」という）を形成する下部反射防止膜形成装置３１、ウェハＷにレジスト液を塗布してレジスト膜を形成するレジスト塗布装置３２、ウェハＷのレジスト膜の上層に反射防止膜（以下「上部反射防止膜」という）を形成する上部反射防止膜形成装置３３が下からこの順に配置されている。
【００２７】
例えば現像処理装置３０、下部反射防止膜形成装置３１、レジスト塗布装置３２、上部反射防止膜形成装置３３は、それぞれ水平方向に３つ並べて配置されている。なお、これら現像処理装置３０、下部反射防止膜形成装置３１、レジスト塗布装置３２、上部反射防止膜形成装置３３の数や配置は、任意に選択できる。
【００２８】
これら現像処理装置３０、下部反射防止膜形成装置３１、レジスト塗布装置３２、上部反射防止膜形成装置３３では、例えばウェハＷ上に所定の塗布液を塗布するスピンコーティングが行われる。スピンコーティングでは、例えば塗布ノズルからウェハＷ上に塗布液を吐出すると共に、ウェハＷを回転させて、塗布液をウェハＷの表面に拡散させる。
【００２９】
例えば第２のブロックＧ２には、図３に示すようにウェハＷの加熱や冷却といった熱処理を行う熱処理装置４０や、レジスト液とウェハＷとの定着性を高めるためのアドヒージョン装置４１、ウェハＷの外周部を露光する周辺露光装置４２が上下方向と水平方向に並べて設けられている。これら熱処理装置４０、アドヒージョン装置４１、周辺露光装置４２の数や配置についても、任意に選択できる。なお、周辺露光装置４２の構成については後述する。
【００３０】
例えば第３のブロックＧ３には、検査装置５０と、複数の受け渡し装置５１、５２、５３、５４、５５、５６が下から順に設けられている。また、第４のブロックＧ４には、複数の受け渡し装置６０、６１、６２が下から順に設けられている。検査装置５０の構成については後述する。
【００３１】
図１に示すように第１のブロックＧ１〜第４のブロックＧ４に囲まれた領域には、ウェハ搬送領域Ｄが形成されている。ウェハ搬送領域Ｄには、例えばＹ方向、Ｘ方向、θ方向及び上下方向に移動自在な搬送アームを有する、ウェハ搬送装置７０が複数配置されている。ウェハ搬送装置７０は、ウェハ搬送領域Ｄ内を移動し、周囲の第１のブロックＧ１、第２のブロックＧ２、第３のブロックＧ３及び第４のブロックＧ４内の所定の装置にウェハＷを搬送できる。
【００３２】
また、ウェハ搬送領域Ｄには、第３のブロックＧ３と第４のブロックＧ４との間で直線的にウェハＷを搬送するシャトル搬送装置８０が設けられている。
【００３３】
シャトル搬送装置８０は、例えば図３のＹ方向に直線的に移動自在になっている。シャトル搬送装置８０は、ウェハＷを支持した状態でＹ方向に移動し、第３のブロックＧ３の受け渡し装置５２と第４のブロックＧ４の受け渡し装置６２との間でウェハＷを搬送できる。
【００３４】
図１に示すように第３のブロックＧ３のＸ方向正方向側の隣には、ウェハ搬送装置９０が設けられている。ウェハ搬送装置９０は、例えばＸ方向、θ方向及び上下方向に移動自在な搬送アームを有している。ウェハ搬送装置９０は、ウェハＷを支持した状態で上下に移動して、第３のブロックＧ３内の各受け渡し装置にウェハＷを搬送できる。
【００３５】
インターフェイスステーション１３には、ウェハ搬送装置１００と受け渡し装置１０１が設けられている。ウェハ搬送装置１００は、例えばＹ方向、θ方向及び上下方向に移動自在な搬送アームを有している。ウェハ搬送装置１００は、例えば搬送アームにウェハＷを支持して、第４のブロックＧ４内の各受け渡し装置、受け渡し装置１０１及び露光装置１２との間でウェハＷを搬送できる。
【００３６】
次に、周辺露光装置４２の構成について説明する。周辺露光装置４２は、図４及び図５に示すように筐体１１０を有している。筐体１１０の側面には、ウェハＷを搬入出する、図示しない搬入出口が形成されている。筐体１１０の内部には、ウェハＷを吸着保持する基板保持部としてのウェハチャック１２０が設けられている。ウェハチャック１２０は、水平な上面を有し、当該上面には、例えばウェハＷを吸引する吸引口（図示せず）が設けられている。この吸引口からの吸引により、ウェハＷをウェハチャック１２０上に吸着保持できる。
【００３７】
ウェハチャック１２０には、図５に示すように第１の移動機構としてのチャック駆動部１２１が取り付けられている。筐体１１０の底面には、筐体１１０内の一端側（図５中のＸ方向負方向側）から他端側（図５中のＸ方向正方向側）まで延伸するガイドレール１２２が設けられている。チャック駆動部１２１は、ガイドレール１２２上に設けられている。
【００３８】
チャック駆動部１２１には、例えばモータ（図示せず）が内蔵されており、ウェハチャック１２０を回転させると共に、ガイドレール１２２に沿って、周辺露光装置４２の外部との間でウェハＷの受け渡しを行う受渡位置Ｐ１と、ウェハＷの周縁部に対して周辺露光処理を行う周辺露光位置Ｐ２との間で移動自在に構成されている。
【００３９】
筐体１１０の内部には、ウェハチャック１２０に保持されたウェハＷ上のレジスト膜の周縁部に光を照射して露光する露光部１３０が設けられている。露光部１３０には、当該露光部１３０に光を供給する光源としてランプハウス１３１が設けられている。ランプハウス１３１の内部には、超高圧水銀ランプ（図示せず）や超高圧水銀ランプからの光を集光する集光ミラー（図示せず）が設けられている。また、露光部１３０には、図示しない矩形状のスリットが設けられており、このスリットを通過した矩形状の光が露光部１３０から照射されるように構成されている。なお、矩形状の光を生成するスリットの開口は、後述するパターンのショットＳＨの寸法と同じか又は小さくなるように設定されている。これら露光部１３０とランプハウス１３１は、周辺露光位置Ｐ２よりＸ方向正方向側、すなわち筐体１１０のＸ方向正方向側の端部に配置されている。
【００４０】
ランプハウス１３１は、例えばその下面を、第２の移動機構としての露光駆動部１３２により支持されている。また、露光駆動部１３２の下面には、ガイドレール１２２と直交する方向（図４中のＹ方向）に沿って延伸するガイドレール１３３が設けられている。露光駆動部１３２には、例えばモータ（図示せず）が内蔵されており、ガイドレール１３３に沿って移動自在に構成されている。これにより、露光部１３０は、Ｙ方向に沿ってウェハＷの一端部から他端部上まで移動自在となっている。
転させてもよい。
【００４１】
筐体１１０の内部であって周辺露光位置Ｐ２には、ウェハチャック１２０に保持されたウェハＷの周縁部の位置を検出する位置検出センサ１３４が設けられている。位置検出センサ１３４は例えばＣＣＤカメラ（図示せず）を有し、周辺露光位置Ｐ２において、ウェハチャック１２０に保持されたウェハＷの中心からの偏心量や、ウェハＷのノッチ部Ｎの位置を検出する。また、位置検出センサ１３４によってノッチ部Ｎの位置を検出しながら、チャック駆動部１２１によってウェハチャック１２０を回転させて、ウェハＷのノッチ部Ｎの位置を調整することができる。
【００４２】
これら、チャック駆動部１２１、露光駆動部１３２や、露光部１３０、位置検出センサ１３４といった、周辺露光装置４２内の各機器は、後述する制御部２００と接続されており、制御部２００によりその動作が制御される。
【００４３】
次に、検査装置５０の構成について説明する。
【００４４】
検査装置５０は、図６に示すようにケーシング１５０を有している。ケーシング１５０内には、図７に示すようにウェハＷを保持するウェハチャック１５１が設けられている。ケーシング１５０の底面には、ケーシング１５０内の一端側（図７中のＸ方向負方向側）から他端側（図７中のＸ方向正方向側）まで延伸するガイドレール１５２が設けられている。ガイドレール１５２上には、ウェハチャック１５１を回転させると共に、ガイドレール１５２に沿って移動自在な駆動部１５３が設けられている。
【００４５】
ケーシング１５０内の他端側（図５のＸ方向正方向側）の側面には、撮像部１６０が設けられている。撮像部１６０としては、例えば広角型のＣＣＤカメラが用いられる。ケーシング１５０の上部中央付近には、ハーフミラー１６１が設けられている。ハーフミラー１６１は、撮像部１６０と対向する位置に、鏡面が鉛直下方を向いた状態から撮像部１６０の方向に向けて４５度上方に傾斜した状態で設けられている。ハーフミラー１６１の上方には、照明装置１６２が設けられている。ハーフミラー１６１と照明装置１６２は、ケーシング１５０内部の上面に固定されている。照明装置１６２からの照明は、ハーフミラー１６１を通過して下方に向けて照らされる。したがって、照明装置１６２の下方にある物体によって反射した光は、ハーフミラー１６１でさらに反射して、撮像部１６０に取り込まれる。すなわち、撮像部１６０は、照明装置１６２による照射領域にある物体を撮像することができる。そして撮像したウェハＷの画像（基板画像）は、後述する制御部２００に入力される。
【００４６】
なお、本実施の形態では、検査装置５０内に配置された撮像部１６０が、本発明の周辺露光装置４２の撮像部として機能するものであり、当該撮像部１６０は、本実施の形態のごとく周辺露光装置４２の外部に配置されていてもよい。
【００４７】
以上の基板処理システム１には、図１に示すように制御部２００が設けられている。制御部２００は、例えばコンピュータであり、プログラム格納部（図示せず）を有している。プログラム格納部には、基板処理システム１におけるウェハＷの処理や搬送、ウェハＷの周辺露光などを実行するプログラムが格納されている。なお、前記プログラムは、例えばコンピュータ読み取り可能なハードディスク（ＨＤ）、フレキシブルディスク（ＦＤ）、コンパクトディスク（ＣＤ）、マグネットオプティカルデスク（ＭＯ）、メモリーカードなどのコンピュータに読み取り可能な記憶媒体Ｈに記録されていたものであって、その記憶媒体Ｈから制御部２００にインストールされたものであってもよい。
【００４８】
次に、以上のように構成された基板処理システム１を用いて行われるウェハＷの処理方法について説明する。
【００４９】
先ず、複数のウェハＷを収納したカセットＣが、基板処理システム１のカセットステーション１０に搬入される。このカセットＣ内の各ウェハＷには既にパターン露光が行われ、例えば基板処理システム１外部の各種処理装置により、所定のパターンが形成されている。カセットＣ内のウェハＷは、ウェハ搬送装置２３により、先ず処理ステーション１１の検査装置５０に搬送される。
【００５０】
検査装置５０では、ウェハＷの表面が撮像部１６０により順次撮像され、ウェハＷ表面の画像（基板画像）が取得される。撮像部１６０で撮像された基板画像は、制御部２００に入力される。
【００５１】
制御部２００では、基板画像に基づいて、ウェハＷ上に形成されたパターンの情報を取得する。具体的には、ウェハＷ上に図８に示すようにパターンのショットＳＨが配列している場合、制御部２００では、ウェハＷの基板画像ＩＭから、ウェハＷの中心位置ＣＴ、１のショットＳＨの寸法、ノッチ部Ｎの位置、及びショットＳＨの配列方向を取得する。ここで、ショットＳＨの配列方向は、ウェハＷの中心位置ＣＴとノッチ部Ｎの位置を結ぶ直線と、ショットＳＨの配列方向とのなす角θを算出することにより求められる。なお、図８では、例えば直径３００ｍｍのウェハＷに、一辺１５ｍｍの正方形状にショットＳＨが形成されている場合の例を描図している。
【００５２】
次にウェハＷは、第２のブロックＧ２の熱処理装置４０に搬送され温度調節処理される。その後、ウェハＷは、第１のブロックＧ１の下部反射防止膜形成装置３１に搬送され、ウェハＷ上に下部反射防止膜が形成される。その後ウェハＷは、第２のブロックＧ２の熱処理装置４０に搬送され、加熱処理され、温度調節される。
【００５３】
次にウェハＷはアドヒージョン装置４１に搬送され、アドヒージョン処理される。その後ウェハＷは、第１のブロックＧ１のレジスト塗布装置３２に搬送され、ウェハＷ上にレジスト膜が形成される。
【００５４】
ウェハＷにレジスト膜が形成されると、次にウェハＷは、第１のブロックＧ１の上部反射防止膜形成装置３３に搬送され、ウェハＷ上に上部反射防止膜が形成される。その後、ウェハＷは第２のブロックＧ２の熱処理装置４０に搬送され、加熱処理が行われる。その後、ウェハＷは、ウェハ搬送装置７０により、周辺露光装置４２に搬送され、周辺露光処理される。
【００５５】
周辺露光装置４２における周辺露光処置について詳述する。周辺露光装置４２に搬送されたウェハＷは、先ず、受渡位置Ｐ１においてウェハチャック１２０に受け渡される。この際、制御部２００で基板画像ＩＭから取得したウェハＷ中心位置ＣＴと、ウェハチャック１２０の回転中心とが一致するように、ウェハ搬送装置７０によりウェハＷが受け渡される。その後、チャック駆動部１２１によって、ウェハチャック１２０を受渡位置Ｐ１から周辺露光位置Ｐ２側に移動させる。
【００５６】
ウェハチャック１２０に保持されたウェハＷが周辺露光位置Ｐ２に移動すると、チャック駆動部１２１によってウェハＷを回転させ、位置検出センサ１３４によりウェハＷのノッチ部Ｎの位置を確認する。ノッチ部Ｎの位置が確認されると、次いで、制御部２００により、ウェハチャック１２０に保持されたウェハＷのノッチ部Ｎの位置が、例えば図９に示すように、ガイドレール１２２の延伸する方向から角度θずれるようにウェハチャック１２０が回転される。これにより、例えば図１０に示すように、ショットＳＨの配列方向とガイドレール１３３の延伸する方向、即ち露光部１３０の移動する方向とが平行になり、露光部１３０をガイドレール１３３上で移動させることで、ショットＳＨの端部に沿って露光部１３０を移動させることができるようになる。
【００５７】
その後、ウェハＷの周縁部に対して露光部１３０から光が照射され、ダミーショットが行われる。このダミーショットは、基板画像ＩＭに基づいて制御部２００で作成されたレシピに基づいて行われる。レシピの作成について具体的に説明する。
【００５８】
レシピの作成にあたり制御部２００では、検査装置５０で撮像された基板画像ＩＭから求めた寸法のショットＳＨにより、例えば図１１に示すように基板画像ＩＭの全面を覆った場合に、基板画像ＩＭの外周端部、即ちウェハＷの外周端部とショットＳＨとが重なるか否かを判定する。そして、ショットＳＨの外周端部と重なる部分を図１１に斜線で示すようにダミーショット領域ＤＭと判定し、各ダミーショット領域ＤＭの座標を算出する。なお、図１１においては、例えば図１２に斜線で示す、ウェハＷの外周端部と重ならない領域Ａについてもダミーショット領域ＤＭとして表示しているが、不要部分のレジストを除去するという周辺露光処理の目的からは、図１２に斜線で示す領域ＡについてはパターンのショットＳＨが形成されていないためダミーショットを行う必要がある。そのため、制御部２００では、当該領域Ａについてもダミーショット領域ＤＭとして判定する。即ち、図１２に斜線で示す領域Ａは、例えば外周端部と重ならない部分及びショットＳＨのいずれにも属さない領域であり、このような領域Ａもダミーショット領域ＤＭとして判定される。
【００５９】
制御部２００では、各ダミーショット領域ＤＭの座標を算出した後に、各ダミーショット領域ＤＭに対して周辺露光処理を行う順序を決定する。具体的には、例えば図１２に破線で示すＳＴＥＰ１〜ＳＴＥＰ４のように、露光部１３０をガイドレール１３３に沿って、ウェハチャック１２０をガイドレール１２２に沿ってそれぞれ移動させることで露光可能なダミーショット領域ＤＭに対して、先ず露光を行うようにレシピが作成される。この際、例えば図１３に示すように、各ＳＴＥＰ１〜ＳＴＥＰ４においてダミーショットが行われるダミーショット領域ＤＭの露光開始位置及び露光終了位置の座標が基板画像ＩＭに基づいて算出される。なお、図１３では、便宜上、各ダミーショット領域ＤＭの右上の頂点の座標を記載している。
【００６０】
図１２に示すＳＴＥＰ５〜ＳＴＥＰ７については、例えばウェハＷを時計回りに９０度回転させて周辺露光処理を行うことが好ましいため、露光順序はＳＴＥＰ４の後に設定される。このＳＴＥＰ５〜ＳＴＥＰ７についても、同様にダミーショット領域ＤＭの露光開始位置及び露光終了位置の座標が算出される。そして、ＳＴＥＰ７以降も、順次ダミーショット領域ＤＭの露光開始位置及び露光終了位置の座標が算出され、周辺露光処理のレシピが作成される。このレシピの作成は、検査装置５０で基板画像ＩＭが取得されたウェハＷが周辺露光装置４２に搬入される前に予め行われる。なお、位置検出センサ１３４での検出結果から、ウェハチャック１２０の回転中心とウェハＷの中心位置ＣＴとがずれて偏心した状態にある場合は、図１３に示すＸ座標、Ｙ座標に、Ｘ方向への偏心量ΔＸ及びＹ方向への偏心量ΔＹをそれぞれ加えて補正してもよい。
【００６１】
なお、本実施の形態では、図１１や図１２に示すように、ダミーショット領域ＤＭがＸ方向及びＹ方向に沿って配列するように、ノッチ部Ｎを角度θ傾けた状態で露光開始位置及び露光終了位置の座標を算出したが、当該座標の算出方法は本実施の形態の内容に限定されない。例えば、ウェハＷの中心位置ＣＴとノッチ部Ｎの位置を結ぶ直線と、図１２のＹ方向とが平行な状態の基板画像ＩＭに基づいて当該座標を算出してもよい。かかる場合、例えば図１３に示す座標を、図１４で示す行列式でアフェイン変換することで、角度θを加味した座標（Ｘθ，Ｙθ）を得ることができる。なお、図１４内のΔＸ及びΔＹは、上述の偏心量である。
【００６２】
そして、周辺露光装置４２において、制御部２００で作成したレシピに基づいてチャック駆動部１２１及び露光駆動部１３２が操作され、レシピで指定されたダミーショット領域ＤＭの周辺露光処理が行われる。
【００６３】
その後ウェハＷは、周辺露光装置４２から第４のブロックＧ４の受け渡し装置６２に搬送される。その後ウェハＷは、インターフェイスステーション１３のウェハ搬送装置１００によって露光装置１２に搬送され、露光処理される。
【００６４】
次に、ウェハＷは、ウェハ搬送装置１００によって露光装置１２から第４のブロックＧ４の受け渡し装置６０に搬送される。その後、ウェハＷは、ウェハ搬送装置７０によって熱処理装置４０に搬送され、露光後ベーク処理される。その後、ウェハＷは、ウェハ搬送装置７０によって現像処理装置３０に搬送され、現像される。現像終了後、ウェハＷは、ウェハ搬送装置７０によって熱処理装置４０に搬送され、ポストベーク処理される。
【００６５】
その後ウェハＷは、カセットステーション１０のカセットＣに搬送される。こうして、一連のフォトリソグラフィ工程が終了する。
【００６６】
以上の実施の形態によれば、パターン露光が行われたウェハＷを撮像部１６０で撮像して基板画像ＩＭを取得し、当該基板画像ＩＭからウェハＷ上のパターンのショットＳＨの配列情報を取得する。そして、制御部２００により、当該取得したショットＳＨの配列情報に基づいて周辺露光処理のレシピを作成し、レシピに基づいてチャック駆動部１２１及び露光駆動部１３２を制御する。したがって、仮に、露光装置１２で露光されるパターンのショットＳＨの配列が、ノッチ部ＮとウェハＷの中心位置ＣＴを結んだ線と、平行、直交した状態にない場合であっても、換言すれば、ウェハＷ上のショットＳＨの配列が、ウェハＷのノッチ部Ｎの位置に対して角度θ傾いていたとしても、取得した配列情報に基づいて、周辺露光装置４２において適切にダミーショットを行うことができる。
【００６７】
また、以上の実施の形態では、複数の周辺露光装置４２に対して１の検査装置５０、即ち１の撮像部１６０を共通で設け、この１の撮像部１６０によりウェハＷ上のパターンのショットＳＨの配列情報を取得したので、各周辺露光装置４２に個別に撮像部１６０を設ける必要がない。したがって、基板処理システム１の設備費用を低減できる。なお、撮像部１６０の設置数は本実施の形態の内容に限定されるものではなく、任意に設定できる。
【００６８】
さらには、ウェハＷが周辺露光装置４２に搬入される前に、予め検査装置５０で取得した基板画像ＩＭに基づいて制御部２００によりレシピを作成するので、ウェハＷが周辺露光装置４２に搬入された後、直ちに周辺露光処理を行うことができる。したがって、周辺露光装置４２でのスループットが低下することもない。
【００６９】
以上の実施の形態では、検査装置５０は、処理ステーション１１の第３のブロックＧ３に配置されていたが、当該検査装置５０は、周辺露光装置４２にウェハＷが搬入される前にウェハＷの撮像を行える位置に配置されていれば、設置場所は任意に選択できる。例えば検査装置５０を第２のブロックＧ２に配置してもよい。同様に、周辺露光装置４２についても、ウェハＷを露光装置１２に搬入する前に周辺露光処理を行うことができればその配置は任意に選択でき、例えば第３のブロックＧ３や第４のブロックＧ４に配置してもよい。
【００７０】
以上、添付図面を参照しながら本発明の好適な実施の形態について説明したが、本発明はかかる例に限定されない。当業者であれば、特許請求の範囲に記載された思想の範疇内において、各種の変更例または修正例に想到し得ることは明らかであり、それらについても当然に本発明の技術的範囲に属するものと了解される。本発明はこの例に限らず種々の態様を採りうるものである。本発明は、基板がウェハ以外のＦＰＤ（フラットパネルディスプレイ）、フォトマスク用のマスクレチクルなどの他の基板である場合にも適用できる。
【符号の説明】
【００７１】
１    基板処理システム
３０  現像処理装置
３１  下部反射防止膜形成装置
３２  レジスト塗布装置
３３  上部反射防止膜形成装置
４０  熱処理装置
４２  周辺露光装置
５０  検査装置
１２０  ウェハチャック
１２１  チャック駆動部
１３０  露光部
１３２  露光駆動部
１３４  位置検出センサ
１６０  撮像部
２００  制御部
Ｐ１  受渡位置
Ｐ２  周辺露光位置
ＤＭ  ダミーショット領域
ＩＭ  基板画像
Ｎ    ノッチ部
ＳＨ  ショット
Ｗ    ウェハ
【図１】
0006308958.tif 000002
【図２】
0006308958.tif 000003
【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
0006308958.tif 000007
【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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