(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
表面に格子状に形成された複数の分割予定ラインによって複数の領域が区画されるとともに該区画された領域にデバイスが形成されたデバイス領域と該デバイス領域を囲繞する外周余剰領域とを備え、該デバイス領域に対応する裏面に凹部加工が施され該外周余剰領域に対応する裏面に環状の補強部が形成されたウエーハの加工方法であって、
紫外線の照射によって粘着力が低下するダイシングテープの表面にウエーハの裏面を貼着し該ダイシングテープの外周部を環状のフレームによって支持するウエーハ支持工程と、
該ダイシングテープに貼着されたウエーハを、表面側から該デバイス領域と該外周余剰領域との境界部に沿って切断することにより該デバイス領域と該外周余剰領域とを分離する外周余剰領域分離工程と、
ウエーハの該デバイス領域に対応する領域の大きさと対応する大きさの遮光板を該ダイシングテープにおける該デバイス領域に対応する領域に配置し、該ダイシングテープの裏面側から紫外線を照射して少なくとも該外周余剰領域に対応する該ダイシングテープの粘着力を低下させ、該ダイシングテープから該環状の補強部を除去する環状の補強部除去工程と、を含み、
該環状の補強部除去工程においては、照射される紫外線を該遮光板の外周部に形成された反射面によってダイシングテープにおける該環状の補強部の内周面に貼着された領域に反射させる、
ことを特徴とするウエーハの加工方法。
【請求項２】
該遮光板の外周部に形成される反射面は、紫外線が照射される側に向かって縮径するテーパー面からなっている、請求項１記載のウエーハの加工方法。
【請求項３】
該遮光板は、アルミニウムによって形成されている、請求項１又は２記載のウエーハの加工方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、表面に格子状に形成された複数の分割予定ラインによって複数の領域が区画されるとともに該区画された領域にデバイスが形成されたデバイス領域と該デバイス領域を囲繞する外周余剰領域とを備え、デバイス領域に対応する裏面に凹部加工が施され外周余剰領域に対応する裏面に環状の補強部が形成されたウエーハにおける該環状の補強部を、貼着されているダイシングテープから破損させることなく効率よく除去することができるウエーハの加工方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体デバイス製造工程においては、略円板形状である半導体ウエーハの表面に格子状に配列され分割予定ラインによって複数の領域が区画され、この区画された領域にＩＣ、ＬＳＩ等のデバイスを形成する。そして、半導体ウエーハを分割予定ラインに沿って切断することによりデバイスが形成された領域を分割して個々のデバイスを製造している。
【０００３】
上述したように分割されるウエーハは、分割予定ラインに沿って切断する前に裏面を研削またはエッチングによって所定の仕上がり厚さに形成される。近年、電気機器の軽量化、小型化を達成するためにウエーハの厚さを５０μm以下に形成することが要求されている。
しかるに、ウエーハの厚さを５０μm以下に形成すると破損し易くなり、ウエーハの搬送等の取り扱いが困難になるという問題がある。
【０００４】
上述した問題を解消するために、ウエーハの裏面におけるデバイス領域に対応する領域を研削してデバイス領域の厚さを所定の仕上がり厚さに形成するとともに、ウエーハの裏面における外周部を残存させて環状の補強部を形成することにより、剛性を有するウエーハを形成することができるウエーハの加工方法が下記特許文献１に開示されている。
【０００５】
上述したようにウエーハの裏面における外周部を残存させて環状の補強部が形成されたウエーハを個々のデバイスに分割する際には、ウエーハの裏面をダイシングテープに貼着して分割予定ラインに沿って切断するが、環状の補強部は不要となるためダイシングテープから環状の補強部を除去してデバイス領域のみをダイシングテープに残す工程が必要となる(例えば、特許文献２参照)。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２００７−１９３７９号公報
【特許文献２】特開２００７−５９８２９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
ダイシングテープから環状の補強部を除去するために紫外線を照射することにより粘着力が低下するダイシングテープが用いられている。即ち、紫外線を照射することにより粘着力が低下するダイシングテープにウエーハの裏面を貼着し、ダイシングテープにおけるデバイス領域に対応する領域に遮光板を配置して、少なくとも外周余剰領域に対応する領域に紫外線を照射してダイシングテープの粘着力を低下させて環状の補強部をダイシングテープから剥離している。
しかるに、ダイシングテープの粘着力を低下させるためにダイシングテープの裏面側から紫外線を照射するが、ダイシングテープにおける環状の補強部の内周面に貼着された領域には紫外線を十分に照射することができず、環状の補強部を破損させることなく効率よく除去することが困難であるという問題がある。
【０００８】
本発明は上記事実に鑑みてなされたものであり、ウエーハの裏面におけるデバイス領域に対応する領域が所定の厚みに形成され外周部に環状の補強部を残存させたウエーハの裏面をダイシングテープに貼着した状態から、環状の補強部を破損させることなく効率よく除去することができるウエーハの加工方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上記主たる技術課題を解決するため、本発明によれば、表面に格子状に形成された複数の分割予定ラインによって複数の領域が区画されるとともに該区画された領域にデバイスが形成されたデバイス領域と該デバイス領域を囲繞する外周余剰領域とを備え、該デバイス領域に対応する裏面に凹部加工が施され該外周余剰領域に対応する裏面に環状の補強部が形成されたウエーハの加工方法であって、
紫外線の照射によって粘着力が低下するダイシングテープの表面にウエーハの裏面を貼着し該ダイシングテープの外周部を環状のフレームによって支持するウエーハ支持工程と、
該ダイシングテープに貼着されたウエーハを、表面側から該デバイス領域と該外周余剰領域との境界部に沿って切断することにより該デバイス領域と該外周余剰領域とを分離する外周余剰領域分離工程と、
ウエーハの該デバイス領域に対応する領域の大きさと対応する大きさの遮光板を該ダイシングテープにおける該デバイス領域に対応する領域に配置し、該ダイシングテープの裏面側から紫外線を照射して少なくとも該外周余剰領域に対応する該ダイシングテープの粘着力を低下させ、該ダイシングテープから該環状の補強部を除去する環状の補強部除去工程と、を含み、
該環状の補強部除去工程においては、照射される紫外線を該遮光板の外周部に形成された反射面によってダイシングテープにおける該環状の補強部の内周面に貼着された領域に反射させる、
ことを特徴とするウエーハの加工方法が提供される。
【００１０】
上記遮光板の外周部に形成される反射面は、紫外線が照射される側に向かって縮径するテーパー面からなっている。
また、上記遮光板は、アルミニウムによって形成されている。
【発明の効果】
【００１１】
本発明によれば、紫外線の照射によって粘着力が低下するダイシングテープの表面にウエーハの裏面を貼着しダイシングテープの外周部を環状のフレームによって支持するウエーハ支持工程と、ダイシングテープに貼着されたウエーハを、表面側からデバイス領域と外周余剰領域との境界部に沿って切断することによりデバイス領域と外周余剰領域とを分離する外周余剰領域分離工程と、ウエーハのデバイス領域に対応する領域の大きさと対応する大きさの遮光板を該ダイシングテープにおけるデバイス領域に対応する領域に配置し、ダイシングテープの裏面側から紫外線を照射して少なくとも該外周余剰領域に対応するダイシングテープの粘着力を低下させ、ダイシングテープから該環状の補強部を除去する環状の補強部除去工程とを含み、環状の補強部除去工程においては、照射される紫外線を遮光板の外周部に形成された反射面によってダイシングテープにおける環状の補強部の内周面に貼着された領域に反射させるので、紫外線の照射が困難であったダイシングテープにおける環状の補強部の内周面に貼着された領域にも十分に紫外線を照射することができ、外周余剰領域に対応するダイシングテープの粘着力を低下させることができる。従って、外周余剰領域が分離された環状の補強部を破損することなくダイシングテープから効率的に除去することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１】本発明によるウエーハの加工方法によって加工されるウエーハとしての半導体ウエーハの斜視図。
【図２】図１に示す半導体ウエーハの表面に保護部材を貼着した状態を示す斜視図。
【図３】本発明によるウエーハの加工方法における裏面研削工程を実施するための研削装置の斜視図。
【図４】本発明によるウエーハの加工方法における裏面研削工程の説明図。
【図５】図４に示す裏面研削工程を実施することによって形成された半導体ウエーハの断面図。
【図６】本発明によるウエーハの加工方法におけるウエーハ支持工程の説明図。
【図７】本発明によるウエーハの加工方法における外周余剰領域分離工程を実施するための切削装置の斜視図。
【図８】本発明によるウエーハの加工方法における外周余剰領域分離工程の説明図。
【図９】本発明によるウエーハの加工方法における環状の補強部除去工程を実施するための環状の補強部除去装置の斜視図。
【図１０】本発明によるウエーハの加工方法の環状の補強部除去工程における紫外線照射工程の説明図。
【図１１】本発明によるウエーハの加工方法の環状の補強部除去工程における剥離工程の説明図。
【図１２】本発明によるウエーハの加工方法における分割工程を実施するための切削装置の斜視図。
【図１３】本発明によるウエーハの加工方法における分割工程の説明図。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
以下、本発明によるウエーハの加工方法の好適な実施形態について、添付図面を参照して詳細に説明する。
図１には本発明によるウエーハの加工方法によって加工されるウエーハとしての半導体ウエーハの斜視図が示されている。図１に示す半導体ウエーハ２は、例えば厚さが７００μmのシリコンウエーハからなっており、表面２ａに複数の分割予定ライン２１が格子状に形成されているとともに、該複数の分割予定ライン２１によって区画された複数の領域にIC、LSI等のデバイス２２が形成されている。このように構成された半導体ウエーハ２は、デバイス２２が形成されているデバイス領域２３と、該デバイス領域２３を囲繞する外周余剰領域２４を備えている。
【００１４】
先ず、上述した半導体ウエーハ２のデバイス領域２３に対応する裏面に凹部加工を施して外周余剰領域２４に対応する裏面に環状の補強部を形成する加工方法の一実施形態について説明する。
この加工方法を実施するためには、図２に示すように半導体ウエーハ２の表面２ａにデバイス２２を保護するための保護部材としての保護テープ３を貼着する（保護部材貼着工程）。従って、半導体ウエーハ２の裏面２bが露出する形態となる。
【００１５】
上述した保護部材貼着工程を実施したならば、半導体ウエーハ２のデバイス領域２３に対応する裏面に凹部加工を施して該外周余剰領域２４に対応する裏面に環状の補強部を形成する裏面研削工程を実施する。この裏面研削工程は、図３に示す研削装置によって実施する。図３に示す研削装置４は、被加工物としてのウエーハを保持するチャックテーブル４１と、該チャックテーブル４１に保持されたウエーハの加工面を研削する研削手段４２を具備している。チャックテーブル４１は、上面にウエーハを吸引保持し図３において矢印４１aで示す方向に回転せしめられる。研削手段４２は、スピンドルハウジング４２１と、該スピンドルハウジング４２１に回転自在に支持され図示しない回転駆動機構によって回転せしめられる回転スピンドル４２２と、該回転スピンドル４２２の下端に装着されたマウンター４２３と、該マウンター４２３の下面に取り付けられた研削ホイール４２４とを具備している。この研削ホイール４２４は、円板状の基台４２５と、該基台４２５の下面に環状に装着された研削砥石４２６とからなっており、基台４２５がマウンター４２３の下面に取り付けられている。
【００１６】
上述した研削装置４を用いて裏面研削工程を実施するには、チャックテーブル４１の上面（保持面）に図示しないウエーハ搬入手段によって搬送された上記半導体ウエーハ２の保護部材３側を載置し、半導体ウエーハ２をチャックテーブル４１上に吸引保持する。ここで、チャックテーブル４１に保持された半導体ウエーハ２と研削ホイール４２４を構成する環状の研削砥石４２６の関係について、図４を参照して説明する。チャックテーブル４１の回転中心P1と環状の研削砥石４２６の回転中心P2は偏芯しており、環状の研削砥石４２６の外径は、半導体ウエーハ２のデバイス領域２３と外周余剰領域２４との境界線２５の直径より小さく境界線２５の半径より大きい寸法に設定され、環状の研削砥石４２６がチャックテーブル４１の回転中心P1（半導体ウエーハ２の中心）を通過するようになっている。
【００１７】
次に、図３および図４に示すようにチャックテーブル４１を矢印４１aで示す方向に３００ｒｐｍで回転しつつ、研削ホイール４２４を矢印４２４aで示す方向に６０００ｒｐｍで回転せしめるとともに、研削ホイール４２４を下方に移動して研削砥石４２６を半導体ウエーハ２の裏面に接触させる。そして、研削ホイール４２４を所定の研削送り速度で下方に所定量研削送りする。この結果、半導体ウエーハ２の裏面には、図５に示すようにデバイス領域２３に対応する領域が研削除去されて所定厚さ（例えば３０μm）の円形状の凹部２３bに形成されるとともに、外周余剰領域２４に対応する領域が図示の実施形態においては厚さ６７０μm残存されて環状の補強部２４bに形成される（裏面研削工程）。
【００１８】
次に、上述した裏面研削工程が実施された半導体ウエーハ２に本発明によるウエーハの加工方法を実施するには、先ず、紫外線の照射によって粘着力が低下するダイシングテープの表面に半導体ウエーハ２の裏面を貼着しダイシングテープの外周部を環状のフレームによって支持するウエーハ支持工程を実施する。即ち、図６の(a)に示すように環状のフレーム５の内側開口部を覆うように外周部が装着されたポリオレフィン等の合成樹脂シートからなるダイシングテープ６の表面６aには、図示の実施形態においては紫外線を照射することによって硬化し粘着力が低下する粘着剤が塗布されている。なお、紫外線を照射することによって粘着力が低下するダイシングテープとしては、例えば古河工業（株）が製造販売するUCシリーズを用いることができる。このように形成されたダイシングテープ６の表面６aに半導体ウエーハ２の裏面２bを貼着する。従って、図６の(b)に示すようにダイシングテープ６の表面６aに貼着された半導体ウエーハ２は、表面２aが上側となる。そして、保護テープ３を剥離する。
【００１９】
上述したウエーハ支持工程を実施したならば、ダイシングテープ６に貼着された半導体ウエーハ２を、表面側からデバイス領域２３と外周余剰領域２４との境界部に沿って切断することによりデバイス領域２３と外周余剰領域２４とを分離する外周余剰領域分離工程を実施する。この外周余剰領域分離工程は、図７に示す切削装置７を用いて実施する。図７に示す切削装置７は、被加工物を保持するチャックテーブル７１と、切削ブレード７２１を備えた切削手段７２と、撮像手段７３を具備している。チャックテーブル７１は、被加工物を吸引保持するように構成されており、図示しない切削送り手段によって図７において矢印Ｘで示す切削送り方向に移動せしめられるとともに、図示しない割り出し送り手段によって矢印Ｙで示す割り出し送り方向に移動せしめられるようになっている。なお、チャックテーブル７１の上面には、図８の(a)および(b)に示すように上記半導体ウエーハ２の裏面に形成された円形状の凹部２３bが嵌合する段部が形成されている。この切削装置７によって分割溝形成工程を実施するには、チャックテーブル７１上に半導体ウエーハ２の裏面２bが貼着されたダイシングテープ６側を載置する。そして、図示しない吸引手段を作動することにより、半導体ウエーハ２をチャックテーブル７１上に保持する。従って、チャックテーブル７１上に吸引保持された半導体ウエーハ２は、表面２aが上側となる。なお、図７においてはダイシングテープ６が装着された環状のフレーム５を省いて示しているが、環状のフレーム５はチャックテーブル７１に配設された適宜のフレーム保持手段に保持される。
【００２０】
次に、図７に示すようにチャックテーブル７１を撮像手段７３の直下に位置付ける。そして、撮像手段７３および図示しない制御手段によって半導体ウエーハ２の切削すべき領域を検出するアライメント工程を実行する。即ち撮像手段７３および図示しない制御手段は、半導体ウエーハ２のデバイス領域２３と外周余剰領域２４との境界部（環状の補強部２４bの内周）と切削ブレード７２１との位置合わせを行うためのアライメント作業を遂行する。
【００２１】
以上のようにしてチャックテーブル７１上に保持されている半導体ウエーハ２の切削すべき領域を検出するアライメントが行われたならば、半導体ウエーハ２を保持したチャックテーブル７１を切削領域に移動する。そして、切削手段７２の切削ブレード７２１をチャックテーブル７１に保持された半導体ウエーハ２のデバイス領域２３と外周余剰領域２４との境界部（環状の補強部２４bの内周）の直上に位置付ける。そして、図８の(a)に示すように切削ブレード７２１を矢印７２１aで示す方向に回転しつつ２点鎖線で示す待機位置から下方に切り込み送りし、実線で示すように所定の切り込み送り位置に位置付ける。この切り込み送り位置は、切削ブレード７２１の外周縁がダイシングテープ６に達する位置に設定されている。
【００２２】
次に、上述したように切削ブレード７２１を矢印７２１aで示す方向に回転しつつチャックテーブル７１を図８の(a)において矢印７１aで示す方向に回転せしめる。そして、チャックテーブル７１が１回転することにより、図８の(b)および(c)に示すようにチャックテーブル７１に保持された半導体ウエーハ２はデバイス領域２３と外周余剰領域２４との境界部（環状の補強部２４bの内周）に沿って形成された環状の切削溝２７によって切断され、デバイス領域２３と外周余剰領域２４とが分離される（外周余剰領域分離工程）。
【００２３】
上述した外周余剰領域分離工程を実施したならば、半導体ウエーハ２のデバイス領域２３に対応する領域の大きさと対応する大きさの遮光板をダイシングテープ６におけるデバイス領域２３に対応する領域に配置し、ダイシングテープ６の裏面側から紫外線を照射して少なくとも外周余剰領域２４に対応するダイシングテープ６の粘着力を低下させ、ダイシングテープ６から環状の補強部２４bを除去する環状の補強部除去工程を実施する。この環状の補強部除去工程は、図９に示す環状の補強部除去装置８を用いて実施する。図９に示す環状の補強部除去装置８は、透明体からなる支持部材８１と、該支持部材８１の中心部に配設された遮光板８２と、支持部材８１の裏面側から紫外線を照射する紫外線照射器８３とからなっている。支持部材８１は、円形状のガラス板によって形成され、上記環状のフレーム５より大きい外径を有している。このように形成された支持部材８１の外周部上面には、少なくとも上記環状のフレーム５が載置される領域に環状の遮光マスク８１１が形成されている。上記遮光板８２は、図示の実施形態においてはアルミニウムによって円形状に形成されている、この遮光板８２は、図１０に示すように上面８２１が半導体ウエーハ２のデバイス領域２３に対応する外径を有しており、外周部には下面８２２（後述する紫外線が照射される側)に向かって縮径するテーパー面からなる反射面８２３が形成されている。上記紫外線照射器８３は、環状に形成され透明体からなる支持部材８１の下側に配設されている。
【００２４】
上述した環状の補強部除去装置８を用いて上記環状の補強部除去工程を実施するには、環状のフレーム５および該環状のフレーム５に装着され半導体ウエーハ２が貼着されているダイシングテープ６を支持部材８１の上面に載置する。このとき、図１０に示すように支持部材８１の上面に配設された遮光板８２の上面がダイシングテープ６における半導体ウエーハ２のデバイス領域２３に対応する領域に配置されるように位置付ける。そして、図１０には省略したが環状のフレーム５が支持部材８１の外周部上面に形成された環状の遮光マスク８１１上に載置される。次に、紫外線照射器８３を作動して支持部材８１の下側（ダイシングテープ６の裏面側）から紫外線を照射する(紫外線照射工程)。この結果、ダイシングテープ６における少なくとも外周余剰領域２４に対応する領域に紫外線が照射され、該領域のダイシングテープ６の粘着力が低下せしめられる。このとき、図１０に示すように遮光板８２の外周部に形成されたテーパー面からなる反射面８２３に照射された紫外線は、矢印で示すようにダイシングテープ６における環状の補強部２４bの内周面に貼着された領域に反射される。従って、紫外線照射器８３によって照射しただけでは紫外線の照射が困難であったダイシングテープ６における環状の補強部２４bの内周面に貼着された領域にも十分に紫外線を照射することができ、該領域の粘着力を低下させることができる。
【００２５】
このようにして、紫外線照射工程を実施することによってダイシングテープ６における環状の補強部２４bの内周面に貼着された領域を含む外周余剰領域２４に対応する領域の粘着力が低下しているので、デバイス領域２３と分離された外周余剰領域２４からなる環状の補強部２４bは図１１に示すようにダイシングテープ６から容易に剥離することができる(剥離工程)。従って、ダイシングテープ６に貼着されている環状の補強部２４bは、破損することなくダイシングテープ６から効率的に除去される。
【００２６】
次に、環状の補強部２４bが除去された半導体ウエーハ２のデバイス領域２３を分割予定ライン２１に沿って切断し、デバイス領域２３を個々のデバイス２２に分割する分割工程を実施する。この分割工程は、図１２に示す切削装置７０を用いて実施する。なお、図１２に示す切削装置７０は、上記図７に示す切削装置７と同様の構成であり、チャックテーブル７１０の上面である保持面が平面である以外は切削装置７の構成部材と同一であるため、同一部材には同一符号を付して説明は省略する。
この切削装置７０を用いて分割工程を実施するには、チャックテーブル７１０上に上記環状の補強部除去工程が実施された半導体ウエーハ２のデバイス領域２３の裏面２bが貼着されたダイシングテープ６側を載置する。そして、図示しない吸引手段を作動することにより、半導体ウエーハ２のデバイス領域２３をチャックテーブル７１０上に保持する。従って、チャックテーブル７１０上に吸引保持された半導体ウエーハ２のデバイス領域２３は、表面２aが上側となる。なお、図１２においてはダイシングテープ６が装着された環状のフレーム５を省いて示しているが、環状のフレーム５はチャックテーブル７１０に配設された適宜のフレーム保持手段に保持される。
【００２７】
このようにして、半導体ウエーハ２のデバイス領域２３を吸引保持したチャックテーブル７１０は、図示しない切削送り手段によって撮像手段７３の直下に位置付けられる。チャックテーブル７１０が撮像手段７３の直下に位置付けられると、撮像手段７３および図示しない制御手段によって半導体ウエーハ２の分割溝を形成すべき切削領域を検出するアライメント作業を実行する。即ち、撮像手段７３および図示しない制御手段は、半導体ウエーハ２の所定方向に形成されている分割予定ライン２１と、切削ブレード７２１との位置合わせを行うためのパターンマッチング等の画像処理を実行し、切削領域のアライメントを遂行する（アライメント工程）。また、半導体ウエーハ２に形成されている上記所定方向に対して直交する方向に延びる分割予定ライン２１に対しても、同様に切削領域のアライメントが遂行される。
【００２８】
以上のようにしてチャックテーブル７１０上に保持されている半導体ウエーハ２のデバイス領域２３の切削領域のアライメントが行われたならば、半導体ウエーハ２のデバイス領域２３を保持したチャックテーブル７１０を切削領域の切削開始位置に移動する。このとき、図１３の(a)に示すように半導体ウエーハ２のデバイス領域２３は所定の分割予定ライン２１の一端（図１３の(a)において左端）が切削ブレード７２１の直下より所定量右側に位置するように位置付けられる。そして、切削ブレード７２１を図１３の(a)において矢印７２１aで示す方向に所定の回転速度で回転し、２点鎖線で示す待機位置から図示しない切り込み送り手段によって図１３の(a)において実線で示すように下方に所定量切り込み送りする。この切り込み送り位置は、図１３の(a)および図１３の(c)に示すように切削ブレード７２１の下端が半導体ウエーハ２のデバイス領域２３の裏面に貼着されたダイシングテープ６に達する位置に設定されている。
【００２９】
上述したように切削ブレード７２１の切り込み送りを実施したならば、切削ブレード７２１を図１３の(a)において矢印７２１aで示す方向に所定の回転速度で回転しつつ、チャックテーブル７１０を図１３の(a)において矢印Ｘ１で示す方向に所定の切削送り速度で移動せしめる。そして、チャックテーブル７１０に保持された半導体ウエーハ２の右端が切削ブレード７２１の直下を通過したらチャックテーブル７１０の移動を停止する。このようにチャックテーブル７１０を切削送りすることにより、図１３の(d)で示すように半導体ウエーハ２のデバイス領域２３は分割予定ライン２１に沿って裏面に達する切削溝２８が形成され切断される(切削工程)。
【００３０】
次に、切削ブレード７２１を図１３の(b)において矢印Z2で示すように上昇させて２点鎖線で示す待機位置に位置付け、チャックテーブル７１０を図１３の(b)において矢印Ｘ２で示す方向に移動して、図１３の(a)に示す位置に戻す。そして、チャックテーブル７１０を紙面に垂直な方向（割り出し送り方向）に分割予定ライン２１の間隔に相当する量だけ割り出し送りし、次に切削すべき分割予定ライン２１を切削ブレード７２１と対応する位置に位置付ける。このようにして、次の分割予定ライン２１を切削ブレード７２１と対応する位置に位置付けたならば、上述した切削工程を実施する。そして、上述した切削工程を半導体ウエーハ２のデバイス領域２３に形成された全ての分割予定ライン２１に沿って実施する。この結果、半導体ウエーハ２は分割予定ライン２１に沿って切断され、個々のデバイス２２に分割される（分割工程）。
【００３１】
上述した分割工程を実施され個々に分割されたデバイス２２は、ダイシングテープ６から剥離してピックアップするピックアップ工程に搬送される。
【符号の説明】
【００３２】
２：半導体ウエーハ
２１：分割予定ライン
２２：デバイス
２３：デバイス領域
２４：外周余剰領域
３：保護テープ
４：研削装置
４１：研削装置のチャックテーブル
４２：研削手段
４２４：研削ホイール
５：環状のフレーム
６：ダイシングテープ
７：切削装置
７１：切削装置のチャックテーブル
７２：切削手段
７２１：切削ブレード
８：環状の補強部除去装置
８１：支持部材
８１１：遮光マスク
８２：遮光板
８２３：反射面
８３：紫外線照射器
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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