(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
上部が開放された下部チャンバと，
前記下部チャンバの上部を開閉して前記下部チャンバと共に基板に対する工程が行われる内部空間を形成する上部チャンバと，
前記上部チャンバの下部に設置されて前記内部空間に向かって反応ガスを供給し，前記上部チャンバとの間にバッファ空間が形成されるシャワーヘッドと，
前記バッファ空間の内に設置されて前記バッファ空間を複数の拡散区域に区画する区画部材と，
前記上部チャンバに形成されてそれぞれの前記拡散区域に向かって前記反応ガスを供給する複数のガス供給ポートと，を含み， 
前記拡散区域は中央区域及び複数の周縁区域を含み，
前記区画部材は，
前記バッファ空間の周縁に配置されて内側に形成された前記中央区域と外側に形成された前記周縁区域を区画する内側区画部材と，
前記内側区画部材の外側に連結されて前記周縁区域を互いに遮断する複数の連結部材と，を含む基板処理装置。
【請求項２】
それぞれの前記ガス供給ポートは，それぞれの前記周縁区域に連結される請求項１記載の基板処理装置。
【請求項３】
上部が開放された下部チャンバと，
前記下部チャンバの上部を開閉して前記下部チャンバと共に基板に対する工程が行われる内部空間を形成する上部チャンバと，
前記上部チャンバの下部に設置されて前記内部空間に向かって反応ガスを供給し，前記上部チャンバとの間にバッファ空間が形成されるシャワーヘッドと，
前記バッファ空間の内に設置されて前記バッファ空間を複数の拡散区域に区画する区画部材と，
前記上部チャンバに形成されてそれぞれの前記拡散区域に向かって前記反応ガスを供給する複数のガス供給ポートと，を含み，
前記拡散区域は中央区域及び複数の中間区域，並びに複数の周縁区域を含み，
前記区画部材は，
前記中央区域の周縁に配置されて内側に形成された前記中央区域と外側に形成された前記中間区域を区画する内側区画部材と，
前記内側区画部材の外側に連結されて前記中間区域を互いに遮断する複数の内側連結部材と，
前記内側区画部材の周縁に離隔配置されて内側に形成された前記中間区域と外側に形成された前記周縁区域を区画する外側区画部材と，
前記外側区画部材の外側に連結されて前記周縁区域を互いに遮断する複数の外側連結部材と，を含む基板処理装置。
【請求項４】
それぞれの前記ガス供給ポートは，それぞれの前記周縁区域及びそれぞれの前記中間区域に連結される請求項３記載の基板処理装置。
【請求項５】
前記基板処理装置は，
それぞれの前記ガス供給ポートに連結されて前記反応ガスを供給する複数のガス供給ラインと，
それぞれの前記ガス供給ラインを開閉する複数の流量調節器と，
それぞれの前記流量調節器に連結されてそれぞれのガス供給ラインを介した前記反応ガスの供給量を調節するコントローラと，を更に含む請求項１〜４いずれか一項に記載の基板処理装置。
【請求項６】
前記コントローラは，前記ガス供給ラインのうちいずれかの一つに供給される前記反応ガスの供給量と他の一つに供給される前記反応ガスの供給量が互いに異なるように前記流量調節器を制御する請求項５記載の基板処理装置。
【請求項７】
前記区画部材は，前記バッファ空間の底面から離隔配置される請求項１〜４いずれかの一項記載の基板処理装置。
【請求項８】
前記基板処理装置は，
前記内部空間に設置されて前記基板が上部に置かれるサセプタと，
前記下部チャンバの側壁に沿って離隔配置され，前記サセプタの上部に位置する複数の排気孔を有する排気リングと，
前記下部チャンバの側壁に固定設置されて前記排気リングを支持する支持部材と，を更に含み，
前記下部チャンバの側壁と前記排気リングの間に排気空間が形成されて前記下部チャンバの側壁に形成された排気ポートと連通される請求項１〜４いずれか一項記載の基板処理装置。
【請求項９】
チャンバの内部空間内に設置されて外部から供給された反応ガスが拡散されるバッファ空間を有するシャワーヘッドを利用して基板を処理する方法において，
前記バッファ空間を複数の拡散区域で区画し，前記拡散区域のうちいずれかの一つに供給される前記反応ガスの供給量と他の一つに供給される前記反応ガスの供給量を互いに異なるように調節し，
前記拡散区域のうちいずれかの一つに対応する前記基板の領域と他の一つに対応する前記基板の領域は処理の程度が互いに異なると共に，
前記拡散区域は，前記シャワーヘッドの中央に位置する中央区域及び前記中央区域の周縁に配置される周縁区域を有し，
前記周縁区域が，放射状に伸びる複数の連結部材によって複数の区域に分割されている基板処理方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は，基板処理装置及び基板処理方法に関するものであり，より詳しくは，バッファ空間を複数の拡散区域に区画し，それぞれの拡散区域にガス供給ポートを設置して反応ガスを供給する基板処理装置及び基板処理方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
半導体装置はシリコーン基板の上に多くの層（layers）を有しており，このような層は蒸着工程を介して基板の上に蒸着される。このような蒸着工程はいくつかの重要な課題を有しており，このような課題は蒸着された膜を評価し蒸着方法を選択する際に重要である。
【０００３】
上記課題の第一は，蒸着された膜の「質」（quality）である。これは組成（composition），汚染度（contamination levels），欠陥密度（defect density），そして機械的，電気的特性（mechanical and electrical properties）を意味する。膜の組成は蒸着条件に応じて変更する可能性があり，これは特定の組成（specific composition）を得るために非常に重要である。
【０００４】
上記課題の第二は，ウェハを横切る均一な厚さ（uniform thickness）である。特に，段差（step）が形成された非平面（nonplanar）形状のパターンの上部に蒸着された膜の厚さが非常に重要である。蒸着された膜の厚さが均一であるのか否かは，段差がある部分に蒸着された最小厚さをパターンの上部面に蒸着された厚さで除した値として定義されるステップカバレッジ（step coverage）により判定する。
【０００５】
蒸着に関する更に別の課題は空間の充填（filling space）である。これは金属配線（metal line）の間を，酸化膜を含む絶縁膜で充填するギャップフィリング（gap filling）を含む。ギャップは金属配線を物理的及び電気的に絶縁させるために提供される。
【０００６】
このような課題のうち，均一度は蒸着工程に関する重要な課題の一つであり，不均一な膜は金属配線上に高い電気抵抗（electrical resistance）をもたらして機械的破損の可能性を増加させる。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
本発明の目的は，工程均一度を確保する基板処理装置及び基板処理方法を提供することにある。
【０００８】
本発明の他の目的は以下の詳細な説明と添付した図面からより明確になるはずである。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明の一実施形態によると，基板処理装置は，上部が開放された下部チャンバと，前記下部チャンバの上部を開閉して前記下部チャンバと共に基板に対する工程が行われる内部空間を形成する上部チャンバと，前記上部チャンバの下部に設置されて前記内部空間に向かって反応ガスを供給し，前記上部チャンバとの間にバッファ空間が形成されるシャワーヘッドと，前記バッファ空間内に設置されて前記バッファ空間を複数の拡散区域に区画する区画部材と，そして前記上部チャンバに形成されてそれぞれの前記拡散区域に向かって前記反応ガスを供給する複数のガス供給ポートと，を含む。
【００１０】
前記拡散区域は中央区域及び複数の周縁区域を含み，前記区画部材は，前記バッファ空間の中心周縁に配置されて内側に形成された前記中央区域と外側に形成された前記周縁区域を区画する内側区画部材と，前記内側区画部材の外側に連結されて前記周縁区域を互いに遮断する複数の連結部材と，を含む。
【００１１】
それぞれの前記ガス供給ポートはそれぞれの前記周縁区域に連結される。
【００１２】
前記拡散区域は中央区域及び複数の中間区域，そして複数の周縁区域を含み，前記区画部材は，前記バッファ空間の中心周縁に配置されて内側に形成された前記中央区域と外側に形成された前記中間区域を区画する内側区画部材と，前記内側区画部材の外側に連結されて前記中間区域を互いに遮断する複数の内側連結部材と，前記内側区画部材の周縁に離隔配置されて内側に形成された前記中間区域と外側に形成された前記周縁区域を区画する外側区画部材と，そして前記外側区画部材の外側に連結されて前記周縁区域を互いに遮断する複数の外側連結部材と，を含む。
【００１３】
それぞれの前記ガス供給ポートはそれぞれの前記周縁区域及びそれぞれの前記中間区域に連結される。
【００１４】
前記基板処理装置は，それぞれの前記ガス供給ポートに連結されて前記反応ガスを供給する複数のガス供給ラインと，それぞれの前記ガス供給ラインを開閉する複数の流量調節器と，そしてそれぞれの前記流量調節器に連結されてそれぞれのガス供給ラインを介した前記反応ガスの供給量を調節するコントローラと，を更に含む。
【００１５】
前記コントローラは前記ガス供給ラインのうちいずれか一つに供給される前記反応ガスの供給量と他の一つに供給される前記反応ガスの供給量が互いに異なるように前記流量調節器を制御する。
【００１６】
前記区画部材は前記バッファ空間の底面から離隔配置される。
【００１７】
前記基板処理装置は，前記内部空間に設置されて前記基板が上部に置かれるサセプタと，前記下部チャンバの側壁に沿って離隔配置され，前記サセプタの上部に位置する複数の排気孔を有する排気リングと，そして前記下部チャンバの側壁に固定設置されて前記排気リングを支持する支持部材と，を更に含み，前記下部チャンバの側壁と前記排気リングの間に排気空間が形成されて前記下部チャンバの側壁に形成された排気ポートと連通される。
【００１８】
チャンバの内部空間の内に設置されて外部から供給された反応ガスが拡散されるバッファ空間を有するシャワーヘッドを利用して基板を処理する方法において，
前記バッファ空間を複数の拡散区域で区画し，前記拡散区域のうちいずれかの一つに供給される前記反応ガスの供給量と他の一つに供給される前記反応ガスの供給量を互いに異なるように調節し，
前記拡散区域のうちいずれかの一つに対応する前記基板の領域と他の一つに対応する前記基板の領域は工程度が互いに異なる。
【００１９】
前記バッファ空間は前記シャワーヘッドの中央に位置する中央区域及び前記中央区域の周縁に配置される周縁区域を有する。
【発明の効果】
【００２０】
本発明によると，工程均一度を確保することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２１】
【図１】本発明の一実施形態による基板処理装置を概略的に示す図である。
【図２】図１に示す下部区画部材を示す斜視図である。
【図３】図１に示す上部区画部材を示す斜視図である。
【図４】図１に示す基板処理装置の反応ガスの流動を概略的に示す断面図である。
【図５】図１に示す基板の上での反応ガスの流動を概略的に示す平面図である。
【図６】本発明の他の実施形態による基板処理装置を概略的に示す断面図である。
【図７】図６に示す区画部材を示す斜視図である。
【図８】図６に示す基板処理装置の反応ガスの流動を概略的に示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２２】
以下，本発明の好ましい実施形態を添付した図１乃至図５を参照して，より詳細に説明する。本発明の実施形態は様々な形に変形されてもよく，本発明の範囲が後述する実施形態に限定されると解釈してはならない。本実施形態は，当該発明の属する技術分野における通常の知識を有する者に本発明を，より詳細に説明するために提供されるものである。よって，図面に示す各要素の形状はより明確な説明を強調するために誇張されている可能性がある。
【００２３】
一方，以下では蒸着装置を例に挙げて説明するが，本発明の範囲がそれに限定されず，反応ガスを利用して基板を処理する多様な工程に応用されてもよい。
【００２４】
図１は，本発明の一実施形態による基板処理装置を概略的に示す図である。図１に示すように，基板処理装置は下部チャンバ１０及び上部チャンバ２０を含む。下部チャンバ１０は上部が開放された形状であり，上部チャンバ２０は下部チャンバ１０の開放された上部を開閉する。上部チャンバ２０が下部チャンバ１０の開放された上部を閉鎖すると，下部チャンバ１０及び上部チャンバ２０は外部から閉鎖された内部空間３を形成する。
【００２５】
サセプタ３０は下部チャンバ１０の内部に設置され，基板Ｗがサセプタ３０の上部に置かれる。サセプタ３０はヒータ（図示せず）を備え，ヒータは外部電源から印加された電流を介して基板Ｗを工程温度に加熱する。支持台３５はサセプタ３０の下部に連結されてサセプタ３０を支持し，下部チャンバ１０の底を貫通して設置される。ベローズ３８は支持台３５の周縁に設置され，ベローズ３８を介して内部空間３を外部から遮断する。
【００２６】
シャワーヘッド６０は上部チャンバ２０の下部に連結され，平板状の噴射部及び噴射部の外側に設置されて上部チャンバ２０に固定されるフランジ部を備える。噴射部は上部チャンバ２０から離隔配置され，バッファ空間が上部チャンバ２０とフランジ部との間に形成される。フランジ部は複数の噴射孔６５を有し，バッファ空間に供給された反応ガスは噴射孔６５を介して内部空間３に噴射される。反応ガスは水素（Ｈ２）または窒素（Ｎ２）または所定の他の不活性ガスを含み，シラン（ＳｉＨ４）またはジクロロシラン（ＳｉＨ２Ｃｌ２）のようなプリカーサ（前駆体）ガスを含む。また，ジボラン（Ｂ２Ｈ６）またはホスフィン（ＰＨ３）のようなドーパントソースガスを含む。
【００２７】
区画部材はバッファ空間内に設置されてシャワーヘッド６０に固定され，バッファ空間を複数の拡散区域に区画する。区画部材はバッファ空間の底面から離隔配置されるが，区画部材の下部には噴射孔６５と連通される一つの下部バッファ空間７７が形成される。下部バッファ空間７７はサセプタ３０の直径と大よそ一致する。上部バッファ空間は下部バッファ空間７７の上部に位置し，区画部材によって中央区域及び中間区域，そして周縁区域に区画される。具体的な説明は後述する。
【００２８】
図２は，図１に示す下部区画部材を示す斜視図である。区画部材は上部区画部材及び下部区画部材を備え，上部区画部材は下部区画部材の上部に設置される。下部区画部材７０ａは円板状の下部板７３ａを備え，下部板７３ａは複数の下部貫通孔を備え，上部バッファ空間内に供給された反応ガスは下部貫通孔を介して下部バッファ空間に移動する。下部板７３ａは上部面から陥没した円形陥没部７３ｂが中央に形成される。下部内側区画部材７８は陥没部７３ｂ内に設置されて陥没部７３ｂ内の空間を１つの円形下部中央区域７５ａと８つの扇形の下部中間区域７５ｂに区画する。下部内側連結部材１７８は下部内側区画部材７８の中心を基準に外周面から放射状に延長され，陥没部７３ｂの内側壁に接して陥没部７３ｂ内の空間を８つの下部中間区域７５ｂに区画し相互遮断する。下部内側区画部材７８及び下部内側連結部材１７８は陥没部７３ｂの深さと大よそ同じ厚さを有する。
【００２９】
また，下部フランジ７６は下部板７３ａの縁に沿って配置され，下部板７３ａの上部面から突出される。下部外側連結部材１７６は下部フランジ７６の内側壁から下部内側区画部材７８の中心に向かって放射状に延長され，陥没部７３ｂの内側壁から離隔される。後述する上部外側区画部材（上部フランジ）７４は下部外側連結部材１７６と下部内側連結部材１７８の間に置かれ，下部外側連結部材１７６と陥没部７３ｂの内側壁の間の離隔距離は上部外側区画部材７４の幅と大よそ同じである。上部外側区画部材７４が下部板７３ａの上に置かれると，図１に示すように，上部外側区画部材７４の外側に８つの扇形の周縁区域７９ｃが形成され，下部外側連結部材１７６は下部板７３ａの空間を８つの周縁区域７９ｃに区画し相互遮断する。下部外側連結部材１７６の高さはフランジ７６の高さと大よそ同じである。また，図２に示すように，陥没部７３ｂの下部内側区画部材７８，そして下部フランジ７６は同心円をなす。
【００３０】
図３は，図１に示す上部区画部材７０ｂを示す斜視図である。図３に示すように，上部区画部材は円板状の上部板７１を備え，上部板７１は複数の上部貫通孔を備え，上部バッファ空間内に供給された反応ガスは上部貫通孔を介して下部板７３ａの上部に移動する。上部内側区画部材７２は上部板７１の中央に設置されて上部中央区域７９ａと上部中間区域７９ｂに区画する。上部フランジ７４は上部板７１の縁に沿って配置され，上部内側連結部材１７２は上部内側区画部材７２と上部フランジ７４の間に設置されて上部内側区画部材７２を中心に放射状に配置される。上部内側連結部材１７２は上部中間区域７９ｂを区画し相互遮断する。また，上部内側区画部材７２と上部フランジ７４は同心円をなす。
【００３１】
一方，図１に示すように，上部区画部材７０ｂは下部区画部材７０ａの上部に設置される。よって，上部バッファ空間は下部フランジ７６と上部フランジ７４の間に位置する周縁区域７９ｃ，上部フランジ７４と上部内側区画部材７２／下部内側区画部材７８の間に位置する中間区域７９ｂ，７５ｂ，そして上部内側区画部材７２／下部内側区画部材７８の内側に位置する中央区域７９ａ，７５ａに区画され，それぞれの区域は下部バッファ空間７７と連通する。
【００３２】
ガス供給ポート４０ａ，４０ｂ，４０ｃ，４０ｄは上部チャンバ２０に固定設置され，それぞれの拡散区域に対応するように配置される。周縁に設けたガス供給ポート４０ａ，４０ｄは周縁区域７９ｃの上部に位置し，中間のガス供給ポート４０ｂ，４０ｃは中間区域７９ｂ，７５ｂの上部に位置する。本実施形態では中央区域７９ａ，７５ａの上部にガス供給ポートが省略されているが，別途のガス供給ポートが中央区域７９ａ，７５ａの上部に設置されてもよい。ガス供給ポート４０ａ，４０ｂ，４０ｃ，４０ｄはそれぞれの拡散区域に反応ガスを供給し，供給された反応ガスは下部区画部材７０ａ及び上部区画部材７０ｂを介して下部バッファ空間７７に移動してから噴射孔６５を介して内部空間３に移動する。
【００３３】
ガス供給ライン４２ａ，４２ｂ，４２ｃ，４２ｄはそれぞれのガス供給ポート４０ａ，４０ｂ，４０ｃ，４０ｄに連結され，反応ガスはガス供給ライン４２ａ，４２ｂ，４２ｃ，４２ｄを介してガス供給ポート４０ａ，４０ｂ，４０ｃ，４０ｄに供給される。流量調節器４４ａ，４４ｂ，４４ｃ，４４ｄはそれぞれのガス供給ライン４２ａ，４２ｂ，４２ｃ，４２ｄ上に設置されて反応ガスの供給量を調節し，流量調節器４４ａ，４４ｂ，４４ｃ，４４ｄはコントローラ８０を介して調節される。
【００３４】
一方，本実施形態では下部板７３ａ及び上部板７１に複数の貫通孔がそれぞれ形成されると説明したが，下部板７３ａ及び上部板７１は必要に応じて省略されて扇形の開口を形成してもよく，開口は各拡散区域と大よそ同じ形状を有する。開口は複数の貫通孔を代替する。
【００３５】
図４は図１に示す基板処理装置の反応ガスの流動を概略的に示す断面図であり，図５は図１に示す基板の上での反応ガスの流動を概略的に示す平面図である。以下，図４及び図５を参照して反応ガスの流動を説明すると以下のようである。
【００３６】
上述したように，反応ガスはガス供給ポート４０ａ，４０ｂ，４０ｃ，４０ｄを介して各拡散区域に供給され，それぞれの拡散区域はシャワーヘッド６０を半径方向に互いに遮断されるため，各拡散区域に供給された反応ガスは他の拡散区域への移動が制限される。次に，反応ガスは下部区画部材７０ａを介して下部バッファ空間７７に移動し，噴射孔６５を介して基板Ｗの表面に移動する。
【００３７】
この際，図５に示すように，基板Ｗの表面は仮想の領域（例えば，１７個）に分割することができ，各拡散区域はそれぞれの領域の上部に位置する。すなわち，中央区域７９ａ，７５ａは丸数字１の領域上部に位置し，中間区域７９ｂ，７５ｂは丸数字２−９の領域上部に位置し，周縁区域７９ｃは丸数字１０−１７の領域上部に位置する。よって，中間区域７９ａ，７５ａ内の反応ガスは丸数字２−９の領域にそれぞれ噴射されてから中央区域７９ｂ，７５ｂ及び周縁区域７９ｃに向かって移動し，周縁区域７９ｃ内の反応ガスは丸数字１０−１７の領域にそれぞれ噴射されてから中間区域７９ｂ，７５ｂ及び基板Ｗの外側に移動する。この際，中間区域７９ｂ，７５ｂ及び周縁区域７９ｃ内の反応ガスは下部バッファ空間７７内で一部混合されるが，殆どは上述した各領域に向かって噴射される。よって，本発明の実施形態では独立したそれぞれの拡散区域に供給された反応ガスは対応する基板Ｗ表面の各領域に噴射され，基板Ｗ表面の各領域に噴射される反応ガスの供給量を人為的に調整して均一な厚さを有する薄膜を形成しようとする。
【００３８】
具体的に説明すると，シャワーヘッド６０の噴射孔６５を介して噴射された反応ガスは基板Ｗの上部に供給され，基板Ｗがサセプタ３０によって加熱された状態で反応ガスは基板Ｗの表面と反応して薄膜を形成する。この際，薄膜の厚さは噴射孔６５を介して上部から噴射される反応ガスの供給量に比例し，基板Ｗの表面のうち少量の反応ガスが供給された部分の薄膜は厚さが薄く，多量の反応ガスが供給された部分は薄膜の厚さが厚い。よって，反応ガスが基板Ｗの全体の表面に対して均一に供給される場合，薄膜は均一な厚さを有する。
【００３９】
しかし，薄膜の厚さは反応ガスの供給量以外にサセプタ３０の加熱温度に比例し，基板Ｗの表面のうち加熱温度が低い部分は薄膜の厚さが薄く，加熱温度が高い部分は薄膜の厚さが厚い。よって，サセプタ３０の加熱温度が均一である場合，薄膜は均一な厚さを有し，全体的に均一な加熱温度を有するサセプタ３０が理想的である。
【００４０】
しかし，現実的に完璧に均一な加熱温度を有するサセプタ３０を製造することは不可能である。特に，近年基板Ｗのサイズが大型化するにつれ，サセプタ３０のサイズも共に増加する傾向にある。それによって，基板Ｗ上の均一な温度分布を形成することが困難である。すなわち，基板Ｗを工程温度に加熱する過程で，ヒータの故障または性能低下，そしてヒータの輻射熱が局部的に不均衡になる恐れがある。他にも薄膜の厚さに影響を及ぼす因子（factor）は多様であり，均一な厚さを有する薄膜を形成するためには上述した因子のうち一部を人為的に調整する必要がある。よって，本発明の実施形態では反応ガスの供給量を人為的に不均一に調整して均一な厚さを有する薄膜を形成する。
【００４１】
例えば，ダミー（dummy）基板Ｗを利用して薄膜を形成してから薄膜の厚さを測定する。この際，各拡散区域に供給される反応ガスの供給量を調整して基板Ｗの表面の各領域に面積比に応じて均一に反応ガスを噴射する。次に，測定された薄膜の厚さに比例して各拡散区域に供給される反応ガスの供給量が調整される。すなわち，基板Ｗの表面の特定領域で薄膜の厚さが基準値より厚い場合，該当領域の上部に位置する拡散区域に供給される反応ガスの量を減少することができる。また，基板Ｗの表面の特定領域で薄膜の厚さが基準値より薄い場合，該当領域の上部に位置する拡散区域に供給される反応ガスの量を増加させる。上述したコントローラ８０は測定された薄膜の厚さに応じて流量調節器４４ａ，４４ｂ，４４ｃ，４４ｄを制御し，各拡散区域に供給される反応ガスの量を増減する。例えば，上述した基準値は測定された薄膜の厚さに対する平均値であってもよく，コントローラ８０は測定された薄膜の厚さから平均値を算出する。このような方法を介して何回かの調整過程を経ると均一な厚さを有する薄膜を形成することができ，以降，実際の工程に適用することができる。
【００４２】
一方，図１に示すように，支持部材８８は下部チャンバ１０の側壁に固定設置され，水平部と垂直部を備える。水平部は下部チャンバ１０の側壁に固定され，垂直部は水平部の内側先端から上部に向かって延長される。排気リング５０はシャワーヘッド６０のフランジ部と支持部材８８の間に設置され，支持部材８８を介して支持される。排気リング５０は下部チャンバ１０の内側壁から離隔設置され，排気空間が排気リング５０と下部チャンバ１０の内側壁の間に形成される。排気通路１３は下部チャンバ１０の側壁に形成されて排気空間と連通され，排気ポート１５及び排気ライン１７が排気通路１３に連結される。よって，未反応ガス及び薄膜形成の際に発生した反応副産物は排気ライン１７に設置された排気ポンプ１９を介して強制吸引され，排気リング５０に形成された複数の排気孔５３を介して排気空間に移動して，排気通路１３及び排気ポート１５，そして排気ライン１７を介して外部に排出される。
【００４３】
本発明を好ましい実施形態を介して詳細に説明したが，それらとは異なる実施形態ないし実施例も可能である。よって，後述する特許請求の範囲の技術的思想と範囲は好ましい実施形態に限定されない。
【００４４】
発明を実施するための形態
図６は本発明の他の実施形態による基板処理装置を概略的に示す断面図であり，図７は図６に示す区画部材を示す斜視図である。以下では上述した実施形態とは異なる構成について説明し，以下で省略された説明は上述した内容に代替される。
【００４５】
図６及び図７に示すように，区画部材７０は円板状の下部板７３を備え，下部板７３は複数の貫通孔を備えて上部バッファ空間内に供給された反応ガスは貫通孔を介して下部バッファ空間７５に移動する。内側区画部材７２及び外側区画部材７４，そしてフランジ７６は同心円状に配置されたリング状であり，下部板７３の中心から半径方向に沿って順番に離隔配置される。内側区画部材７２及び外側区画部材７４，そしてフランジ７６は下部板７３の上部面と上部チャンバ２０の間に設置されて中央区域７５ａ及び中間区域７５ｂ，そして周縁区域７５ｃを形成する。中央区域７５ａは内側区画部材７２の内側に形成され，中間区域７５ｂは内側区画部材７２と外側区画部材７４の間に設置され，周縁区域７５ｃは外側区画部材７４とフランジ７６の間に形成される。
【００４６】
内側連結部材１７２は内側区画部材７２と外側区画部材７４の間に設置されて内側区画部材７２を中心に放射状に配置される。内側連結部材１７２は中間区域７５ｂを区画し相互遮断する。同じく，外側連結部材１７４は外側区画部材７４とフランジ７６との間に設置されて内側区画部材７２を中心に放射状に配置される。外側連結部材１７４は周縁区域７５ｃを区画し相互遮断する。
【００４７】
図８は，図６に示す基板処理装置の反応ガスの流動を概略的に示す断面図である。上述したように，反応ガスはガス供給ポート４０ａ，４０ｂ，４０ｃ，４０ｄを介して各拡散区域に供給され，それぞれの拡散区域はシャワーヘッド６０の半径方向に互いに遮断されるため，各拡散区域に供給された反応ガスは他の拡散区域への移動が制限される。次に，反応ガスは区画部材７０を介して下部バッファ空間７５に移動し，噴射孔６５を介して基板Ｗの表面に移動する。
【産業上の利用可能性】
【００４８】
本発明は，多様な形態の半導体製造設備及び製造方法に応用される。
【図１】
0006336079.tif 000002
【図２】
0006336079.tif 000003
【図３】
0006336079.tif 000004
【図４】
0006336079.tif 000005
【図５】
0006336079.tif 000006
【図６】
0006336079.tif 000007
【図７】
0006336079.tif 000008
【図８】
0006336079.tif 000009