(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
高周波回路基板において、
高周波信号を伝搬する第１の回路パターンと、直流電流を伝搬する第２の回路パターンとを有する第１導体層と、
前記第１導体層と誘電体層を挟んで配置された第２導体層と、を少なくとも有し、
前記第２の回路パターンは、前記第１の回路パターンよりもその厚さが厚く形成されるとともに、前記誘電体層に埋め込まれて形成され、前記第１の回路パターンと前記第２の回路パターンとが電気的に接続される部分は、前記第１の回路パターンに対し前記第２の回路パターンが突出する様に構成されるとともに、これら双方の回路パターンの一部が重複するように配置されている、
ことを特徴とする高周波回路基板。
【請求項２】
前記第１の回路パターンの端を接続する線から前記第２の回路パターンが突出する長さは、前記高周波信号の波長よりも短いことを特徴とする請求項１に記載の高周波回路基板。
【請求項３】
前記第１の回路パターンの端部を接続する線と、前記第２の回路パターンが突出する部分とに囲まれた部分の面積が、前記第２の回路パターンの厚さ方向の断面積以上であることを特徴とする請求項１または２に記載の高周波回路基板。
【請求項４】
前記第１の回路パターンと、前記第２の回路パターンの一部が重複する部分は、導電性金属によるメッキまたは蒸着によって電気的に接続されていることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の高周波回路基板。
【請求項５】
前記誘電体層を２層以上有するとともに、前記誘電体層を挟んで配置される導体層を３層以上有することを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載の高周波回路基板。
【請求項６】
前記第２の回路パターンよりも下層に存在する導体層には、前記直流電流を伝搬する回路パターンの形状に対応した開口部が形成されていることを特徴とする請求項５に記載の高周波回路基板。
【請求項７】
前記高周波回路基板は、第２導体層または最下層に配置される導体層が当接するように導電性の筐体の上に配置され、前記筐体の前記第２の回路パターンと対向する前記筐体の領域には凹部が設けられていることを特徴とする請求項１乃至６のいずれか１項に記載の高周波回路基板。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、高周波基板に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
例えば、携帯電話等の基地局装置で用いる高周波回路基板や、マイクロ波加熱装置に用いる高周波基板のように、１０Ａ以上の大電流を扱い、かつ、ＧＨｚ以上の高周波回路設計が必要となる場合、高周波回路に影響を及ぼさずに、電流容量を確保することが困難になる。
【０００３】
一般に、回路に流すことができる許容電流は、導体の幅ｗと厚みｔからなる断面積Ｓで決定され、雰囲気温度からの温度上昇が１０℃以下になるようにｗとｔを決定する。回路設計においては、例えば、３５μｍ厚の銅箔を用いる場合、約１Ａに対して１ｍｍの幅を確保すること、すなわち、約１ｍｍ／１Ａが目安とさている。このため、許容電流を増やすためには、ｗを広く、ｔを厚くすればよい。一般に流通している回路基板の銅箔の厚みは、１８μｍ、３５μｍ、７０μｍとなっており、銅箔の厚みを厚くすれば、許容電流は増えるが、回路形成時のエッチング精度が悪くなる。また、分布定数回路を扱うようなＧＨｚ以上の高周波回路設計では、高周波特性が劣化するため、なるべく薄い銅箔を用いて回路設計を行いたいという要望がある。
【０００４】
以上のような基準に基づけば、銅箔の厚さ３５μｍで１０Ａが流れる回路パターンのライン幅は１０ｍｍになる。電力を上げるために複数の出力を合成するとともに、ドライバ段も同一基板上に形成する場合、１０ｍｍ幅のラインを引き回すと、回路面積を圧迫し、小型化の妨げになるだけでなく、予期せぬ高周波的な結合が生じることが懸念される。また、引き回しによって線路が長くなることに起因して生じる抵抗成分が生じ、この抵抗成分によって電圧降下が発生することから、所望のＤＣ特性を得る事が難しくなる。
【０００５】
そこで、特許文献１のように、伝送線路とは別の層で大電流経路を形成する技術がある。特許文献1では抜き打ち加工した溝に導体を挿入、積層する製法であるため、伝送線路を構成する銅箔層のエッチング精度を劣化させずに、電流容量を確保することができる。
【０００６】
また、特許文献２では、大電流が通じる経路を、スルーホールを通じて多層基板に分配することにより、エッチング精度を劣化させずに、電流容量を確保している。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特開平０９−０４６００７号公報
【特許文献２】特開昭６３−１０２３９７号公報
【特許文献３】特開２００６−０１３８５７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
ところで、特許文献1で開示されている技術では、大電流用の回路導体と信号用回路パターンとをスルーホールによって接続することを想定している。このため、電流容量を確保するため、数多くのスルーホールが必要となることから、回路パターンが複雑になるという問題点がある。
【０００９】
また、特許文献２の場合も同様に、電源ラインと高周波回路パターンとをスルーホールを用いて接続していることから、ＧＨｚ以上の高周波回路では、スルーホールのインダクタ成分としての影響が無視できず、回路の特性が劣化するという問題点がある。
【００１０】
一般に、高周波信号を伝送する伝送線路と、直流電流を流す電源ラインは、高周波的にアイソレーションされている必要がある。特許文献３に開示されているように、伝送線路内を伝搬する高周波信号の波長をλとすると、伝送線路から約λ／４離れた位置にコンデンサを配置し、伝送線路から電源ライン側を見た際のインピーダンスを高くすることで、高周波的なアイソレーションを確保することができる。
【００１１】
しかしながら、特許文献１に開示された技術では、大電流用の回路導体と信号用回路パターンをスルーホールで接続するとともに、大電流用の回路導体は高周波信号の伝送線路として考えられていない事から、λ／４の位置にコンデンサを配置することが難しい。このため、大電流用の回路導体の影響を加味して高周波回路パターンを設計することが困難という問題点がある。
【００１２】
また、特許文献２に開示された技術では、大電流経路が多層基板内にも分配されているため、λ／４の位置にコンデンサを配置することができず、高周波的にアイソレーションを確保することが困難という問題点がある。
【００１３】
本発明は、以上の点に鑑みてなされたものであり、回路パターンを複雑にすることなく、また、回路の特性を劣化させることなく、高周波信号を伝送する伝送線路と、直流電流を流す電源ラインを高周波的にアイソレーションすることが可能な高周波回路基板を提供することを目的としている。
【課題を解決するための手段】
【００１４】
上記課題を解決するために、本発明は、高周波回路基板において、高周波信号を伝搬する第１の回路パターンと、直流電流を伝搬する第２の回路パターンとを有する第１導体層と、前記第１導体層と誘電体層を挟んで配置された第２導体層と、を少なくとも有し、前記第２の回路パターンは、前記第１の回路パターンよりもその厚さが厚く形成されるとともに、前記誘電体層に埋め込まれて形成され、前記第１の回路パターンと前記第２の回路パターンとが電気的に接続される部分は、前記第１の回路パターンに対し前記第２の回路パターンが突出する様に構成されるとともに、これら双方の回路パターンの一部が重複するように配置されている、ことを特徴とする。
このような構成によれば、回路パターンを複雑にすることなく、また、回路の特性を劣化させることなく、高周波信号を伝送する伝送線路と、直流電流を流す電源ラインを高周波的にアイソレーションすることができる。
【００１５】
また、本発明は、前記第１の回路パターンの端を接続する線から前記第２の回路パターンが突出する長さは、前記高周波信号の波長よりも短いことを特徴とする。
また、本発明は、前記第１の回路パターンの端部を接続する線と、前記第２の回路パターンが突出する部分とに囲まれた部分の面積が、前記第２の回路パターンの厚さ方向の断面積以上であることを特徴とする。
【００１６】
また、本発明は、前記第１の回路パターンと、前記第２の回路パターンの一部が重複する部分は、導電性金属によるメッキまたは蒸着によって電気的に接続されていることを特徴とする。
このような構成によれば、直流電流を伝搬する回路パターンと高周波信号が伝搬する回路パターンを電気的に確実に接続することができる。
【００１７】
また、本発明は、前記誘電体層を２層以上有するとともに、前記誘電体層を挟んで配置される導体層を３層以上有することを特徴とする。
このような構成によれば、多層基板において、高周波信号を伝送する伝送線路と、直流電流を流す電源ラインを高周波的にアイソレーションすることができる。
【００１８】
また、本発明は、前記第２の回路パターンよりも下層に存在する導体層には、前記直流電流を伝搬する回路パターンの形状に対応した開口部が形成されていることを特徴とする。
このような構成によれば、開口部を設ける層の位置により、直流電流を伝搬する回路パターンの特性インピーダンスを所望の値に調整することができる。
【００１９】
また、本発明は、前記高周波回路基板は、第２導体層または最下層に配置される導体層が当接するように導電性の筐体上に配置され、前記筐体の前記第２の回路パターンと対向する前記筐体の領域には凹部が設けられていることを特徴とする。
このような構成によれば、凹部の幅および深さを調整することにより、直流電流を伝搬する回路パターンの特性インピーダンスを所望の値に調整することができる。
【発明の効果】
【００２０】
本発明によれば、回路パターンを複雑にすることなく、また、回路の特性を劣化させることなく、高周波信号を伝送する伝送線路と、直流電流を流す電源ラインを高周波的にアイソレーションすることが可能な高周波回路基板を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２１】
【図１】本発明の第１実施形態に係る高周波回路基板の構成例を示す斜視図である。
【図２】図１に示す高周波回路基板の製造プロセスの一例を示す図である。
【図３】図１に示す実施形態の表層の電流分布を示す図である。
【図４】図１に示す実施形態を実際の回路基板に適用した例を示す図である。
【図５】図１に示す実施形態の電源ラインを接続する方法の一例を示す図である。
【図６】図１に示す実施形態の電源ラインを接続する方法の一例を示す図である。
【図７】本発明の第２実施形態に係る高周波回路基板の構成例を示す図である。
【図８】図７に示す第２実施形態の動作を説明するための図である。
【図９】本発明の第３実施形態に係る高周波回路基板の構成例を示す図である。
【図１０】本発明の第３実施形態に係る高周波回路基板の構成例を示す図である。
【図１１】本発明の第３実施形態に係る高周波回路基板の構成例を示す図である。
【図１２】図１１に示す実施形態の表層の電流分布を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００２２】
次に、本発明の実施形態について説明する。
【００２３】
（Ａ）本発明の第１実施形態の説明
図１は、本発明の第１実施形態に係る高周波回路基板の構成例を示す斜視図である。この図１に示す例では、高周波回路基板１は、例えば、厚さが０．７６２ｍｍで、比誘電率が３．６の誘電体基板１０を有している。誘電体基板１０の表（おもて）面１０ａには、厚さが３５μｍの銅箔によって構成される高周波回路パターン２０が設けられ、裏面１０ｂには厚さが３５μｍの銅箔によって図示しないグランドパターンが設けられている。なお、高周波回路パターン２０には、例えば、ＦＥＴ（Field Effect Transistor）等の半導体スイッチが配置され、右側の端部２２から信号が入力され、左側の端部２１から信号が出力される。
【００２４】
また、高周波回路パターン２０には、電源電力を供給するための電源ライン３０が接続されている。より詳細には、電源ライン３０は、例えば、高周波回路パターン２０の銅箔よりも厚い、厚さが０．７６２ｍｍの導体が誘電体基板１０内に埋め込んで構成される。また、電源ライン３０の破線で示す端部３２は、高周波回路パターン２０と領域が一部重複するように配置されている。また、電源ライン３０には、接続部からλ／４の位置（高周波回路基板１で扱う周波数が、例えば、２．４５ＧＨｚの場合には１８〜１９ｍｍの位置）に、接続部のインピーダンスを上げるためのコンデンサ（不図示）が接続される。なお、このコンデンサの素子値は、例えば、１０，０００ｐＦとすることができる。
【００２５】
図２は、図１に示す高周波回路基板１の製造プロセスを模式的に示す図である。なお、図２の左側の列は、図１に示す高周波回路基板１を図の上方向（Ｚ方向）から見た図であり、図２の右側の列は左側の列に示す図のＡ−Ａ線の断面図である。
【００２６】
製造プロセスでは、まず、図２（Ａ）に示すように、誘電体基板１０の表面１０ａおよび裏面１０ｂに形成されている銅箔に対して、エッチング等によって、回路パターンが形成される。図２（Ａ）の例では、表面１０ａには高周波回路パターン２０と電源ライン３０とが形成されている。また、裏面１０ｂにはグランドパターン４０が形成されている。
【００２７】
つぎに、図２（Ｂ）では、電源ライン３０に対して、厚さが０．７６２ｍｍの厚銅を挿入するための開口部３５が座ぐりによって形成される。図２（Ｂ）の例では、電源ライン３０の幅方向の中央付近に開口部３５が形成されている。また、開口部３５の端部は、高周波回路パターン２０の領域と一部が重複するように形成されている。
【００２８】
つぎに、図２（Ｃ）では、開口部３５に対して厚銅３６が挿入されるとともに、厚銅３６と誘電体基板１０の間隙に銅ペースト３７が封入される。なお、銅ペースト３７は、銅の粉末と樹脂とを混合したものであり、樹脂が硬化して収縮することで、銅の粉末同士が圧着されて導電性を有するようになる素材である。このような銅ペースト３７を用いることにより、導電性を確保しながら、厚銅３６を誘電体基板１０に接着することができる。すなわち、厚銅３６と高周波回路パターン２０との電気的な接続を確保することができる。なお、厚銅３６が高周波回路パターン２０に突出する長さは、例えば、高周波信号の波長λよりも十分に小さい長さに設定することが望ましい。
【００２９】
つぎに、図２（Ｄ）では、銅メッキによって、誘電体基板１０の表面１０ａおよび裏面１０ｂに形成されている回路パターンを被覆する。この結果、厚銅３６（または銅ペースト３７）と高周波回路パターン２０の表面が銅メッキによる銅膜３８によって被覆されることから、これらの電気的な接続がより一層確保される。なお、図２（Ｄ）に示す例では、高周波回路パターン２０の領域と重複する厚銅３６の端部を破線で示しているが、この部分の面積が狭いと、当該部分が隘路となり、抵抗またはインピーダンスが高くなってしまうので、この部分の面積としては、例えば、厚銅３６の断面積以上となるように設定することが望ましい。
【００３０】
以上のようなプロセスによって、図１に示す高周波回路基板１を得ることができる。
【００３１】
このようにして得られた高周波回路基板１によれば、高周波回路パターン２０と電源ライン３０の一部が重複するように配置したので、厚銅３６の断面積から決まる電流容量を確保することができる。
【００３２】
また、厚銅３６は高周波信号に対する伝送線路としても機能するので、従来の設計通り、高周波回路パターン２０と電源ライン３０の接続部分からλ／４離れた位置にコンデンサを接続することで、高周波回路パターン２０には影響を与えることなく、電源ライン３０のインピーダンスを高くすることができる。図３は、２．４５ＧＨｚにおける図１に示す高周波回路基板１の回路導体表面の電流分布を示している。なお、この図において、色が濃い部分は電流が多く流れていることを示し、薄い部分は電流が少なく流れていることを示している。図３の例では、高周波回路パターン２０と電源ライン３０の接続部分からλ／４離れた位置にコンデンサを配置しているため、コンデンサ配置点では電流分布が多くなっており、高周波回路パターン２０と電源ライン３０との接続部分では、電流分布が低くなっている。
【００３３】
また、図１に示す実施形態では、厚みを持った厚銅３６を用いるとともに、高周波回路パターン２０とは異なる手順で電源ライン３０を形成するようにしたので、高周波回路パターン２０に必要なエッチング精度を確保したまま、電流容量の高い電源ライン３０を形成することができる。この結果、図１に示す、Ｚ方向に厚みを持たせている分、ＸＹ方向の表面積を少なくできるため、回路パターンの占有面積を縮小することができる。
【００３４】
図４は、本実施形態による回路パターンと、従来技術による回路パターンを比較するための模式図である。図４（Ａ）は本実施形態による回路パターンの一例を示している。この例では、４つの高周波回路パターン２０が形成されている。また、それぞれの高周波回路パターン２０に対して、厚銅３６の埋め込みによって構成される電源ライン３０が接続されている。一方、図４（Ｂ）は従来技術による回路パターンを示している。この例では、電源ライン３０は、厚銅３６による埋め込みではなく、例えば、厚さが３５μｍの銅箔によって構成される。このため、本実施形態と同等の電流容量を確保するためには、電源ライン３０の線路の幅を、例えば、１０ｍｍ程度に設定する必要があることから、図４（Ａ）に比較して、回路パターンの占有面積が非常に大きくなっている。このように、本実施形態では、厚銅３６の埋め込み構造によって電源ライン３０を構成することで、回路パターンの占有面積を小さくすることができる。
【００３５】
なお、図４（Ａ）に示す構成例では、電源ライン３０は折れ曲がった構造を有するため、このような形状を有する厚銅３６を埋め込むことは困難な場合がある。そこで、図５および図６に示すように、直線形状を有する厚銅３６を異なる層に埋め込み、これらを接合するようにしてもよい。すなわち、図５に示す構成例では、誘電体層１０１と誘電体層１０２が積層されて構成されている。なお、誘電体層１０１の表面には銅箔によるＬ１層が形成され、誘電体層１０１と誘電体層１０２の間には銅箔によるＬ２層が形成され、誘電体基板の裏面には銅箔によるＬ３層が形成されている。図５に示すような電源ラインを構成する場合、Ｌ１層とＬ２層間の誘電体層１０１と、Ｌ２層とＬ３層間の誘電体層１０２を座ぐる。そして、厚銅３０１を誘電体層１０１に圧入し、厚銅３０２を誘電体層１０２に圧入する。そして、図６に示すように、厚銅３０１と厚銅３０２の接続部分（重なる部分）にドリル等によって孔３１１，３１２をあける。つぎに、孔に銅コイン（円柱片）３１０を圧入する。なお、このとき、銅コイン３１０と厚銅３０１または厚銅３０２の間に間隙がある場合には銅ペーストによって空隙を充填する。このような方法によって、複雑な形状を有する電源ラインを構成することができる。
【００３６】
（Ｂ）本発明の第２実施形態の説明
つぎに、図７を参照して本発明の第２実施形態について説明する。図７は、図１に示す電源ライン３０の端部３１付近を拡大して示した図である。なお、第２実施形態では、図１と比較すると、誘電体基板１０の裏面１０ｂに当接するように、導電性の部材（例えば、アルミニウム）で構成される筐体５０が配置されている。また、筐体５０において、電源ライン３０と対向する領域は、座ぐりが入れられて凹状形状を有する凹部５１が形成されている。なお、凹部５１の深さはｔとされ、幅はｗとされている。また、筐体５０は、グランド電位に設定されている。
【００３７】
このように、筐体５０に凹部５１を形成することで、電源ライン３０と接触しないようにすることができる。また、凹部５１の深さｔを調節することで、電源ライン３０の特性インピーダンスを調整する事が可能となる。図８は、凹部５１のｗ＝３ｍｍに設定し、深さｔを変化させた場合の電源ライン３０の特性インピーダンスの変化を示す図である。図８に示すように、ｔを深くすることにより特性インピーダンスを高くすることができる。このように、電源ライン３０の特性インピーダンスを高くすることで、高周波回路パターン２０とのアイソレーションを広帯域に確保することができる。一般的に、高出力アンプの高周波回路パターン２０の整合回路は１０Ω以下に設定される事が多い。図７に示す構成では、凹部５１の深さｔを調整することによって１０Ωよりも高い特性インピーダンスを容易に構成できる。
【００３８】
以上に説明したように、本発明の第２実施形態によれば、高周波回路基板１を配置する筐体５０の電源ライン３０に対向する領域に凹部５１を形成するようにしたので、グランド電位の筐体５０と電源ライン３０とが短絡することを防止できる。
【００３９】
また、第２実施形態では、凹部５１の深さｔによって、電源ライン３０の特性インピーダンスを調整することができるので、例えば、高周波回路パターン２０とのアイソレーションの良好な電源ライン３０を得ることができる。
【００４０】
（Ｃ）本発明の第３実施形態の説明
つぎに、本発明の第３実施形態について説明する。図９〜図１１は、本発明の第３実施形態の構成例を示す図である。これらの図では、図１に示す電源ライン３０の端部３１付近を拡大して示している。図９に示す例では、高周波回路基板１は、銅箔等による導体パターンによって構成されるＬ１層〜Ｌ４層を有し、また、Ｌ１層〜Ｌ４層に挟まれた誘電体層１０１〜１０３を有している。Ｌ３層、Ｌ４層はグランドパターンとなっており、電源ライン３０の両側には誘電体層１０１〜１０３を貫通してスルーホールＴｈ１，Ｔｈ２が形成されている。
【００４１】
図９に示すような構成では、電源ライン３０の特性インピーダンスをシミュレーションによって計算したところ、１２Ωであると算出された。前述のように、高出力アンプの伝送線路の整合回路は１０Ω以下に設定される事が多く、電源ライン３０の特性インピーダンスはこれより高くすることが好ましい。図９に示す構成では、１０Ωよりも高い特性インピーダンスを得られ、高周波回路パターン２０とのアイソレーションの良好な電源ライン３０を得ることができる。
【００４２】
また、図１０に示す例では、図９に比較すると、Ｌ３層の電源ライン３０に対向する領域が新たに座ぐられて、開口部が形成されている。しかし、図９と同様に、Ｌ４層の電源ライン３０に対向する領域は座ぐられていない。図１０に示すような構成では、電源ライン３０の特性インピーダンスをシミュレーションによって計算したところ、２０．７Ωであると算出された。このため、図１０に示す構成では、１０Ωよりも高い特性インピーダンスを容易に得ることができる。
【００４３】
さらに、図１１に示す例では、図１０に比較すると、Ｌ４層の電源ライン３０に対向する領域が新たに座ぐられて、開口部が形成されている。図１１に示すような構成では、電源ライン３０の特性インピーダンスをシミュレーションによって計算したところ、３３．７Ωであると算出された。このため、図１１に示す構成では、１０Ωよりも高い特性インピーダンスを容易に得ることができる。
【００４４】
図１２は、２．４５ＧＨｚにおける図１１に示す高周波回路基板１の表層の電流分布を示している。なお、この図において、色が濃い部分は電流が多く流れていることを示し、薄い部分は電流が少なく流れていることを示している。図１２の例では、高周波回路パターン２０と電源ライン３０の接続部分からλ／４離れた位置にコンデンサを配置しているため、コンデンサ配置点では電流分布が多くなっており、高周波回路パターン２０と電源ライン３０との接続部分では、電流分布が低くなっている。すなわち、高周波回路パターン２０と電源ライン３０とのアイソレーションが確保されている。
【００４５】
以上に説明したように、本発明の第３実施形態によれば、多層基板において、電源ライン３０と対向する領域の導体層を座ぐって開口部を設けるようにしたので、開口部を設ける層を調整することで、電源ライン３０の特性インピーダンスを所望の値に設定することができる。
【００４６】
（Ｄ）変形実施形態の説明
以上の各実施形態は一例であって、本発明が上述したような場合のみに限定されるものでないことはいうまでもない。例えば、図１および図２に示す第１実施形態では、厚銅３６は端部が円形の形状を有するものを使用するようにしたが、これ以外の形状（例えば、矩形、三角、または、台形）であってもよい。なお、端部の形状としては、高周波回路パターン２０との接触面積を確保できる形状であることが望ましい。
【００４７】
また、以上の各実施形態では、境界部分の辺が平坦な形状（直線形状）を有する高周波回路パターン２０に対して、電源ライン３０の端部が陥入する状態でこれらを接続するようにしたが、例えば、高周波回路パターン２０の一部が凸状に突出した形状とし、その凸状の部分に対して電源ライン３０の端部を接続するようにしてもよい。すなわち、高周波回路パターン２０と電源ライン３０の双方の回路パターンの一部が重複するように配置されればよい。望ましくは、その重複する範囲は、例えば、電源ライン３０の厚銅３６の断面積以上になるように設定されていればよい。
【００４８】
また、図２に示す実施形態では、厚銅３６は、銅ペースト３７で接着するようにしたが、銅以外の導電性のペーストで接着するようにしてもよい。また、高周波回路パターン２０との電気的な接続が確保できれば、導電性のペーストではなく、通常の（導電性を有しない）接着剤を用いるようにしてもよい。
【００４９】
また、図２に示す実施形態では、図２（Ｄ）において、銅メッキによる銅膜３８を施すようにしたが、導電性の金属であれば、銅以外のメッキを施すようにしてもよい。例えば、金、銀、アルミニウム等によるメッキを施すようにしてもよい。また、メッキではなく、導電性の金属を蒸着するようにしてもよい。あるいは、導電性のペースト（例えば、銅ペースト）を表面に塗布するようにしてもよい。
【００５０】
また、図７に示す実施形態では、凹部５１の幅ｗは、図２（Ｂ）に示す開口部３５の幅よりも大きくなるようにしたが、凹部５１の幅ｗが開口部３５の幅と略同じになるようにしてもよい。
【００５１】
また、図９〜図１１に示す実施形態では、Ｌ１層〜Ｌ４層の４層を有するようにしたが、３層を有する場合、または、５層以上を有する場合であっても本発明を適用することができる。また、図９〜図１１に示す実施形態では、筐体５０を示していないが、図７と同様に凹部５１を有する筐体５０または凹部５１を有しない筐体５０を用いるようにしてもよい。その場合、図１１に示す実施形態では、凹部５１の深さｔを調整することで、電源ライン３０の特性インピーダンスを調整することができる。
【符号の説明】
【００５２】
１  高周波回路基板
１０  誘電体基板
１０ａ  表面
１０ｂ  裏面
２０  高周波回路パターン（第１導体層の一部）
２１，２２  端部
３０  電源ライン（第１導体層の一部）
３１，３２  端部
３５  開口部
３６  厚銅
３７  銅ペースト
３８  銅膜
４０  グランドパターン（第２導体層）
５０  筐体
５１  凹部
１０１，１０２，１０３  誘電体層
３０１，３０２  電源ライン
３１０  銅コイン
３１１，３１２  孔
【図１】
0006440646.tif 000002
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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