(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
２枚のウェハがウェハの非処理面が合わさるように重ね合わされ、または、ウェハと支持体とがウェハの非処理面と支持体が合わさるように重ね合わされ、前記重ね合わされたウェハの側面及び周辺の傾斜部が粘着剤付きテープで被覆されてなり、前記粘着剤付きテープが破断までの伸びが２０％以上であることを特徴とするウェハ。
【請求項２】
前記支持体は、ウェハと同じ投影寸法かまたは大きいことを特徴とする請求項１に記載のウェハ。
【請求項３】
前記非処理面が非めっき面であることを特徴とする請求項１または２に記載のウェハ。
【請求項４】
２枚のウェハを非処理面が合わさるように重ね合わせ、または、ウェハと支持体とをウェハの非処理面と支持体が合わさるように重ね合わせ、重ね合わせたウェハの側面及び周辺の傾斜部を粘着剤付きテープで被覆する工程を有し、前記粘着剤付きテープが破断までの伸びが２０％以上であることを特徴とするウェハの製造方法。
【請求項５】
前記支持体は、ウェハと同じ投影寸法かまたは大きいことを特徴とする請求項４に記載のウェハの製造方法。
【請求項６】
少なくとも前記ウェハの側面及び周辺の傾斜部を粘着剤付きテープで被覆する工程の後に、ウェハにめっきを行う工程を有することを特徴とする請求項４または５に記載のウェハの製造方法。
【請求項７】
前記めっきが無電解めっきであることを特徴とする請求項６に記載のウェハの製造方法。
【請求項８】
前記無電解めっきは、無電解Ｎｉめっきとそれに続けて行う置換型無電解Ａｕめっき、無電解Ｎｉめっきとそれに続けて行う無電解Ｐｄめっきと更に続けて行う置換型無電解Ａｕめっき、無電解Ｎｉめっきとそれに続けて行う置換型無電解Ａｕめっきと更に続けて行う還元型無電解Ａｕめっき、及び無電解Ｎｉめっきとそれに続けて行う無電解Ｐｄめっきと更に続けて行う置換型無電解Ａｕめっきと更に続けて行う還元型無電解Ａｕめっきのいずれかであることを特徴とする請求項７に記載のウェハの製造方法。
【請求項９】
めっき後に粘着剤付きテープを剥がす工程を有することを特徴とする請求項６〜８のいずれか一項に記載のウェハの製造方法。
【請求項１０】
前記非処理面が非めっき面であることを特徴とする請求項４〜９のいずれか一項に記載のウェハの製造方法。
【請求項１１】
前記ウェハは、半導体用ウェハであることを特徴とする請求項４〜１０のいずれか一項に記載のウェハの製造方法。
【請求項１２】
前記ウェハは、インタポーザ用ウェハであることを特徴とする請求項４〜１０のいずれか一項に記載のウェハの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明はウェハ及びウェハの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体パッケージング技術の小型化、高集積化に伴ない、ＬＳＩやＩＣなどのチップの接合方法としてワイヤボンディング法からフリップチップ法への移行が広がっており、フリップチップ法においては金属パッドとはんだの接合を目的としたＵＢＭ（アンダーバンプメタル）の形成が必須とされている。
【０００３】
ＵＢＭの形成方法としては、低コストが期待される無電解めっき法により形成することが増えてきている。無電解めっきによりＵＢＭを形成する方法としては、半導体ウェハ上の被めっき部分（パッドや配線）をまず清浄化するために、脱脂処理やソフトエッチング処理を行う。次に触媒付与工程を行う。アルミニウム系金属表面にはジンケート処理、銅系金属表面には、パラジウム処理が触媒付与工程となる。その後、無電解ニッケルめっきと置換型無電解金めっきによりＮｉ／Ａｕ皮膜のＵＢＭを形成する方法が一般的である。めっきしたウェハが高温または高湿下に晒される場合には、ＮｉがＡｕ皮膜中に拡散し、表面に析出してＮｉ酸化物が形成されるため、はんだ濡れ性やワイヤボンディング性に悪影響を及ぼす。この場合には、Ｎｉ拡散のバリア層である無電解パラジウムめっきを無電解ニッケルめっきと置換型無電解金めっきの間に行い、Ｎｉ／Ｐｄ／Ａｕ皮膜とすることが一般的である。
【０００４】
上記無電解めっきプロセス（Ｎｉ／Ａｕ、Ｎｉ／Ｐｄ／Ａｕ）の工程において、ウェハ表面または裏面の被めっき箇所以外にシリコンや金属の露出部が存在している場合、Ｎｉめっきまたは／およびＰｄめっきまたは／およびＡｕめっきが析出する。これらめっき析出は、ショート等の品質上の不具合以外に以下の問題が発生する。
Ｎｉめっきの析出：後工程でダイシングやバックグライディングを行った時、刃がＮｉ皮膜に接触すると刃やウェハが割れたり、刃の目詰まりが発生する。
ＰｄまたはＡｕめっきの析出：シリコンとＰｄまたはＡｕ皮膜の密着性が弱いため、ＰｄまたはＡｕ皮膜がウェハから剥離してめっき液中に浮遊する。浮遊したＰｄまたはＡｕ皮膜はパーティクルとなりウェハを汚染する。また、浮遊したＰｄまたはＡｕ皮膜がＰｄまたはＡｕの析出の促進剤として働き、めっき液の寿命が短くなる。
【０００５】
これらの被めっき箇所以外にめっきが析出しないよう、被めっき箇所以外を保護する方法としては、レジストや保護テープが使用され、それぞれ専用装置が市販されているが、レジストや保護テープの場合、傾斜部も含めてベベル部の片面のみの保護になる。例えば、裏面を保護した場合、表面の傾斜部と側面は保護されない。更に、保護テープの場合は、裏面のベベル部の傾斜部も保護が困難である。
【０００６】
また、ＩＧＢＴなどのパワーデバイスは、エネルギー損失低減、放熱性などの特性面の観点から、チップの薄厚化が求められ、薄ウェハにする製造プロセスの確立が強く求められている。また、接合技術としては、ワイヤボンディングやはんだ接合に対する高信頼性を確保する目的として、ウェハ表面のＡｌ電極やＣｕ電極に対してＵＢＭを形成することが増えてきている。
ＵＢＭの形成方法としては、前述の低コストが期待される無電解めっき法により形成することが増えている。一般的なパワーデバイスの製造方法としては、前工程でウェハ内部の構造および表面にＡｌまたはＣｕ電極を形成後、電極上に無電解めっきにより、Ｎｉ／ＡｕまたはＮｉ／Ｐｄ／Ａｕ皮膜を形成する。その後、バックグラインディング（ＢＧ）を行い、ウェハを薄くし、ウェハ裏面に電極（バックメタル（ＢＭ））を形成する。その後、電気特性等の検査を行った後、裏面にダイシングテープを貼り、ダイシングを行い、チップ化する。
【０００７】
しかしながら、上記バックメタル（ＢＭ）工程において、熱がかかり、ＵＢＭのＮｉ皮膜が結晶化し、ウェハが反り、その後の工程ができなくなる。そこで、無電解めっきによるＵＢＭ形成をバックメタル（ＢＭ）形成後に行うことが検討されているが、ウェハが薄いため、無電解めっきによりＵＢＭ形成する際にウェハの割れが発生したり、ハンドリングしにくいという問題がある。また、ＢＭ後にはベベル部はシリコンが露出しており、裏面に金属が形成されているため、そのままめっきするとベベル部や裏面にめっきが形成されてしまう。この析出を防止するためベベルや裏面を保護する必要がある。上記対策として、薄ウェハをガラス等の支持体に両面テープで貼り付けるという検討がされている。しかしながら、裏面は保護され、ウェハの破損も少なくなるが、表面のベベル部は保護されていないため、めっきが析出する。
【０００８】
ところで、従来、半導体ウェハのベベル部（ウェハの側面及び周辺の傾斜部）近傍は最終的には製品となるチップから切り離され廃棄されるため、半導体製造工程において、ベベル部に上記のようにレジストを設けたり、手間やコストをかけることはなかった。
しかし、近年ＬＳＩへの新材料や新プロセスの導入に伴って、ベベル部の微小パーティクルなどの異物や欠陥がその後の工程でデバイス表面を汚染し、歩留りに大きな影響を与えることが分かってきた。
ベベル部で生じた異物を除去する方法としては、洗浄や研磨により除去する方法が知られている。例えば特許文献１にはベベル研磨工程を有する半導体装置の製造方法が開示されている。これらの方法で析出しためっき物を除去することは可能である。しかしながら、コストや時間がかかるだけでなく、研磨や洗浄により析出しためっき物を除去すると、研磨による割れや刃の目詰まりが問題となる。
【０００９】
また、特許文献２には、無電解めっき法又は電解めっき法によるめっきの際に非めっき面を保護するための特定の保護テープが開示されている。ウェハの片面に前記保護テープを貼り合わせ、はみ出し量を０．５ｍｍとなるよう切断して用いている。この方法は非めっき面の保護はできるが、ウェハのベベル部、特にめっき面のべベル部に関しては、保護ができない。
【００１０】
また、特許文献３には、無電解めっきをする際に、ウェハの裏面及び周縁部を覆うめっき用ウェハ治具が開示されている。２枚の半導体ウェハをその主表面に対する裏面側を対向させるように重ね合わせ、このウェハ２枚の周縁部を一括密封する機構を有し、互いのウェハ主表面領域を露出させて無電解めっきを行うものである。２枚の周縁部を一括密封する機構として、半導体ウェハと電気的に絶縁関係であり、このウェハ周縁部に沿うように配され内部に圧空が与えられる保護用弾性部材と、前記ウェハと電気的に絶縁関係であり、前記ウェハ主表面領域を露出させ前記保護用弾性部材を支持する枠部材と、前記枠部材の着脱部とを具備する治具も開示され、この治具によると、保護用弾性部材による圧力及びそれを支持する枠部材により、めっき液のウェハ裏面への侵入はウェハ周縁部でほぼ確実に阻止されるとある。しかし、治具を留め具で均一に密封することは難しく、２枚のウェハ間にめっき液が染み込む場合がある。また、治具のセットに時間を要し、量産には不向きである。
【００１１】
従って、このような問題を生じることがないベベル部を有する半導体ウェハを得る方法が求められている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１２】
【特許文献１】特開２００９−１４７０４４号公報
【特許文献２】国際公開第２０１１／００１７１３号
【特許文献３】特開２００２−３４３８５１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１３】
本発明は、ウェハの製造工程で、めっきにより、ウェハのベベル部にめっき析出物等の異物や欠陥が生じることがなく、歩留まりが良好なウェハを簡便な方法で製造することができるウェハ、及び該ウェハの製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１４】
本発明者らは鋭意検討を行った結果、めっき前に、少なくともウェハのベベル部を粘着剤付きテープで被覆することにより上記課題が解決されることを見出し、本発明に至った。
即ち本発明及び本発明に関連する発明は以下のとおりである。
（１）少なくともウェハのベベル部が粘着剤付きテープで被覆されてなることを特徴とするウェハ。
（２）２枚のウェハを非処理面が合わさるように重ね、重ね合わせたウェハのベベル部が粘着剤付きテープで被覆されてなることを特徴とする前記（１）に記載のウェハ。
（３）ウェハと支持体とを、ウェハの非処理面と支持体が合わさるように重ね、重ね合わせたウェハのベベル部が粘着剤付きテープで被覆されてなることを特徴とする前記（１）に記載のウェハ。
（４）前記支持体は、ウェハと同じ投影寸法かまたは大きいことを特徴とする前記（３）に記載のウェハ。
（５）前記非処理面が非めっき面であることを特徴とする前記（２）〜（４）のいずれか一項に記載のウェハ。
（６）前記粘着剤付きテープが破断までの伸びが２０％以上であることを特徴とする前記（１）〜（５）のいずれか一項に記載のウェハ。
（７）少なくともウェハのベベル部を粘着剤付きテープで被覆する工程を有することを特徴とするウェハの製造方法。
（８）前記ウェハのベベル部を粘着剤付きテープで被覆する工程は、２枚のウェハを非処理面が合わさるように重ね、重ね合わせたウェハのベベル部を粘着剤付きテープで被覆する工程であることを特徴とする前記（７）に記載のウェハの製造方法。
（９）前記ウェハのベベル部を粘着剤付きテープで被覆する工程は、ウェハと支持体とを、ウェハの非処理面と支持体が合わさるように重ね、重ね合わせたウェハのベベル部を粘着剤付きテープで被覆する工程であることを特徴とする前記（７）に記載のウェハの製造方法。
（１０）前記支持体は、ウェハと同じ投影寸法かまたは大きいことを特徴とする前記（９）に記載のウェハの製造方法。
（１１）少なくともウェハのベベル部を粘着剤付きテープで被覆する工程の後に、ウェハにめっきを行う工程を有することを特徴とする前記（７）〜（１０）のいずれか一項に記載のウェハの製造方法。
（１２）前記めっきが無電解めっきであることを特徴とする前記（１１）に記載のウェハの製造方法。
（１３）前記非処理面が非めっき面であることを特徴とする前記（８）〜（１２）のいずれか一項に記載のウェハの製造方法。
（１４）前記粘着剤付きテープが破断までの伸びが２０％以上であることを特徴とする前記（７）〜（１３）のいずれか一項に記載のウェハの製造方法。
（１５）前記無電解めっきは、無電解Ｎｉめっき／置換型無電解Ａｕめっき、無電解Ｎｉめっき／無電解Ｐｄめっき／置換型無電解Ａｕめっき、無電解Ｎｉめっき／置換型無電解Ａｕめっき／還元型無電解Ａｕめっき、及び無電解Ｎｉめっき／無電解Ｐｄめっき／置換型無電解Ａｕめっき／還元型無電解Ａｕめっきのいずれかであることを特徴とする前記（１２）〜（１４）のいずれか一項に記載のウェハの製造方法。
（１６）めっき後に粘着剤付きテープを剥がす工程を有することを特徴とする前記（１１）〜（１５）のいずれか一項に記載のウェハの製造方法。
（１７）前記ウェハは、半導体用またはインタポーザ用ウェハであることを特徴とする前記（７）〜（１６）のいずれか一項に記載のウェハの製造方法。
【００１５】
尚、本発明においてめっき皮膜の層構成を「／」を用いて表す。例えば、前記無電解Ｎｉめっき皮膜／置換型無電解Ａｕめっき皮膜とは、無電解Ｎｉめっきにより形成されたＮｉめっき皮膜と、置換型無電解Ａｕめっきにより形成されたＡｕめっき皮膜が順に積層されていることを表す。
【発明の効果】
【００１６】
本発明のウェハ及びウェハの製造方法によると、めっきの工程で、ウェハのベベル部にめっき皮膜が付着するのを防止することができる。その結果、ウェハのベベル部の汚染を防止し、ベベル部にめっき析出物等の異物や欠陥が生じることがない。従って、前記無電解めっきを行う際の問題が発生することがなくなり、歩留まりが良好なウェハを簡便な方法で製造することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１７】
【図１−１】本発明のウェハのベベル部を粘着剤付きテープで被覆する工程の一例を示す概略図である。
【図１−２】図１−１において、粘着剤付きテープで被覆する位置の他の例を示す概略図である。
【図２−１】本発明のウェハのベベル部を粘着剤付きテープで被覆する工程の他の例を示す概略図である。
【図２−２】図２−１において、粘着剤付きテープで被覆する位置の他の例を示す概略図である。
【図３−１】本発明のウェハのベベル部を粘着剤付きテープで被覆する工程の他の例を示す概略図である。
【図３−２】図３−１において、粘着剤付きテープで被覆する位置の他の例を示す概略図である。
【発明を実施するための形態】
【００１８】
本発明のウェハは、少なくともウェハのベベル部を粘着剤付きテープで被覆されてなる。
本発明のウェハの製造方法は、少なくともウェハのベベル部を粘着剤付きテープで被覆する工程を有する。更に、前記ウェハのベベル部を粘着剤付きテープで被覆する工程の後に、ウェハをめっきする工程を有することが好ましい。
前記粘着剤付きテープで被覆されてなるウェハは、図１−１に示すように、１枚のウェハのベベル部が粘着剤付きテープで被覆されたウェハであっても良い。また、本発明においては少なくともベベル部が粘着剤付きテープで被覆されていれば良く、粘着剤付きテープは、図１−２に示すようにウェハの表裏面の平面にはみ出して、平面部の外周部を被覆していても良い。ウェハ表裏面の平面へはみ出した部分の長さは、ウェハの有効チップが被覆されないようにすれば良い。
前記少なくともウェハのベベル部が粘着剤付きテープで被覆されてなるウェハは、少なくともウェハのベベル部を粘着剤付きテープで被覆する工程により製造される。
ウェハのベベル部を粘着剤付きテープで被覆することにより、ウェハのベベル部を保護することができる。従って、この後のめっき工程において、ベベル部にめっきが付着するのを防止することができる。
また、前記粘着剤付きテープを用いることにより、特殊な治具を使用するなど面倒な操作を行うことなく、容易にベベル部を被覆することができる。
【００１９】
また、前記粘着剤付きテープで被覆されてなるウェハは、図２−１または図２−２に示すように、２枚のウェハを非処理面が合わさるように重ね、重ね合わせたウェハのベベル部が粘着剤付きテープで被覆されたウェハであってもよい。重ね合わせる際に、２枚のウェハ間にウェハの傷や破損防止のため、紙やプラスチックで出来たクッション材を入れるとよい。
２枚のウェハの非処理面が合わさるよう重ねた場合、粘着剤付きテープは、図２−１または図２−２に示すように、ウェハの非処理面側のベベル部の傾斜部に接してはいないが、この場合も、本発明においては被覆されているとする。
ウェハの非処理面が合わさるように重ね合わせ、その２つのウェハを粘着剤付きテープで貼り合わせることにより、２枚のウェハのベベル部に加え、２枚のウェハの非処理面（裏面）も保護することができる。従って、この後のめっき工程において、ベベル部にめっきが付着するのを防止することができるのに加え、ウェハの非処理面にめっきが付着するのを防止することができる。
さらに２枚のウェハのベベル部を一度に被覆することができるので、効率的である。
前記２枚のウェハを非処理面が合わさるように重ね、重ね合わせたウェハのベベル部が粘着剤付きテープで被覆されたウェハは、２枚のウェハを非処理面が合わさるように重ね、重ね合わせたウェハのベベル部を粘着剤付きテープで被覆する工程により製造される。
【００２０】
また、ウェハの厚みが薄い場合は、前記粘着剤付きテープで被覆されたウェハは、図３−１または図３−２に示すように、ウェハと支持体とを、ウェハの非処理面と支持体が合わさるように重ね、重ね合わせたウェハのベベル部が粘着剤付きテープで被覆されたウェハであってもよい。重ね合わせる際に、２枚のウェハ間にウェハの傷や破損防止のため、紙やプラスチックで出来たクッション材を入れるとよい。
この場合も、粘着剤付きテープは、図３−１または図３−２に示すように、ウェハの非処理面側のベベル部の傾斜部に接してはいないが、この場合も、本発明においては被覆されているとする。
ウェハに支持体を重ね合わせ、粘着剤付きテープで貼り合わせることにより、ウェハは割れにくくなり、ハンドリングしやすくなる。また、ウェハのベベル部と非処理面を保護することができ、この後のめっき工程において、ベベル部にめっきが付着するのを防止することができるのに加え、ウェハの非処理面にめっきが付着するのを防止することができる。
従って、バックメタル後にＵＢＭ形成を行うことも可能となる。
【００２１】
前記支持体としては、ウェハと同じ投影寸法かまたは大きいことが好ましい。支持体の大きさが、ウェハと同じ投影寸法かまたは大きいことにより、ウェハの非処理面の全面を保護することができ、ウェハをめっき治具にセットしたり、搬送中に外周部が欠けることを防止できる。支持体の大きさは、テープの幅との関係もあり、特に規定はないが、ウェハよりも大幅に大きいとテープのコストがかかるため、ウェハの投影寸法と同じか、大きくても、ウェハの投影寸法より大きい部分の長さが１ｃｍ以下であることが好ましい。
【００２２】
前記支持体としては、ウェハの破損や外周部の欠け等を防ぐための保護板として機能すれば、どのような支持体であってもよい。例えば、ガラス、シリコンウェハ、ＰＰＳ、ＰＥＥＫ等が挙げられる。ガラスやシリコンウェハの場合には、０．６ｍｍ厚以上が好ましい。ＰＰＳ、ＰＥＥＫは１ｍｍ厚以上が好ましい。
【００２３】
シリコンが露出しているベベル部を粘着剤付きテープで保護することにより、ベベル部がめっきプロセス中に処理液に接触することを防止し、めっき工程において、めっきが析出しなくなる。また、粘着剤付きテープとして、成分がめっき液中に溶出しないものを用いることにより、めっきに関して悪影響を与えない。
【００２４】
（ウェハ）
前記ウェハとしては、半導体用ウェハまたはインタポーザとなる基材が好ましく、限定的ではないが、約５０〜３００ｍｍ径の円盤状に形成されており、シリコン、又は、ＧａＡｓ等の化合物半導体を用いて形成されている。
【００２５】
（粘着剤付きテープ）
粘着剤付きテープとしては、無電解めっきプロセスの処理液に耐性のあるものであれば、市販のテープを使用することが簡便で好ましい。ダイシングテープやバックグライディングテープで使用しているテープは半導体で実績があり、より好ましい。
粘着剤付きテープの基材としては、ポリエステル、ポリイミド、ポリプロピレン、ポリエチレン、ＰＥＴ、ＰＴＦＥ等が挙げられる。
粘着剤としては、アクリル系、ゴム系、シリコン系等が挙げられる。特にアクリル系粘着剤等の、使用時には粘着性が高く、使用後加熱や紫外線を照射すると発泡あるいは固まり、基材との粘着性がほとんどなくなり剥がれやすくなるタイプが好ましい。ゴム系は合成ゴム、シリコン系はジメチルシリコンの一般的な粘着剤が使用できる。
【００２６】
テープをウェハのベベル部に貼る際、しわができないように貼る必要がある。しわができるとめっきプロセスの処理液が侵入してベベル部にめっき析出したり、処理液で汚染される恐れがある。ベベル部に貼る際、しわができにくい方法としては、テープにテンションをかけて伸ばしながら貼ることが好ましく、テープの破断までの伸びが２０％以上あればしわがほとんどできずしみこみが発生しないので好ましい。
こうしたテープを使用して、テープを３％以上伸ばしながら貼ることが好ましい。
【００２７】
テープの破断までの伸びは、テープをテープの長さ方向に引っ張り、破断した時のテープの伸びを％で示したものである。例えば２０％の伸びであれば、１００ｍｍのテープが１２０ｍｍまで伸びることを示す。
【００２８】
粘着剤付きテープの厚さは、テープを貼る際のテンション（トルク）にもよるが、０．０１〜０．７ｍｍ程度が好ましい。トルクが高い場合は、厚くすることができる。
厚さが０．７ｍｍを超えると、始終端部で重なる部分に隙間ができるのでめっき液が浸入しやすくなる。
粘着剤付きテープは、手作業で貼ることもできるが、機械を用いて貼ることが効率的であり好ましい。
【００２９】
前記粘着剤付きテープで被覆する工程の後に、めっきを行う工程を有することが好ましい。前記めっきとしては電解めっき、無電解めっきを挙げることができ、無電解めっきが好ましい。前記ウェハの非処理面としては非めっき面が挙げられる。
前記無電解めっきは、無電解Ｎｉめっき／置換型無電解Ａｕめっき、無電解Ｎｉめっき／無電解Ｐｄめっき／置換型無電解Ａｕめっき、無電解Ｎｉめっき／置換型無電解Ａｕめっき／還元型無電解Ａｕめっき、無電解Ｎｉめっき／無電解Ｐｄめっき／置換型無電解Ａｕめっき／還元型無電解Ａｕめっきのいずれかであることが好ましい。無電解めっきによりアンダーバンプメタルを形成することが好ましく、無電解Ｎｉめっき、置換型無電解Ａｕめっき、還元型無電解Ａｕめっき、無電解Ｐｄめっきとしては、アンダーバンプメタルを形成する一般的なめっき液を用い、公知の方法で形成することができる。
【００３０】
めっき・乾燥工程を行った後に粘着剤付きテープを剥がす工程を有していても良い。
粘着剤テープの粘着剤として、使用時には粘着性が高く、使用後加熱や紫外線を照射すると発泡あるいは固まり、基材との粘着性がほとんどなくなり剥がれやすくなるタイプのアクリル系粘着剤等も用いることができる。このようなタイプのアクリル系粘着剤等を用いた場合は、めっき・乾燥工程後に、所定の加熱や紫外線を照射した後剥がすと容易に剥がすことが可能となる。
【実施例】
【００３１】
参考例１〜９、比較例１〜２
（使用したウェハ）
ベベル部（外周から２ｍｍ）がシリコン剥き出しで表面は１００μｍ角のＡｌＳｉ（Ｓｉ：１％）のパッドを形成した６２５μｍ厚の６インチシリコンウェハ。
（被覆方法）
参考例１〜９については、ウェハの表裏の外周から３ｍｍまで（ウェハのベベル部と表裏面の平面部１ｍｍまで）を表１のテープ（厚さ０．０８ｍｍ）で図１−２に示すように保護した。テープで被覆する際は、手作業で、テンションをかけ、テープを約５％伸ばしながら貼り付けを行った。
比較例１のウェハは、粘着剤付きテープで被覆していないものである。
比較例２のウェハは、シリコンゴム（０．３ｍｍ厚）をテンションをかけて参考例１と同様に巻きつけて、最後に接着剤で固定したものである。
【００３２】
（めっき試験）
参考例１〜９の下記表１のテープでベベル部を被覆したウェハと、比較例１のベベル部を被覆していないウェハ、比較例２のベベル部をシリコンゴムで被覆したウェハについて、以下の工程でめっき皮膜を形成した。
上記ウェハについて、以下の工程でＮｉ（３μｍ厚）／Ｐｄ（０．０５μｍ厚）／Ａｕ（０．０５μｍ厚）めっき皮膜を形成した。
脱脂→水洗→ソフトエッチング→水洗→一次酸浸漬→水洗→一次ジンケート→水洗→二次酸浸漬→水洗→二次ジンケート→水洗→無電解Ｎｉめっき→水洗→無電解Ｐｄめっき→水洗→置換型無電解Ａｕめっき→還元型無電解Ａｕめっき
【００３３】
めっきプロセスで使用した液は以下の通り。
脱脂液：ＵＡＣ−１６、ＪＸ日鉱日石金属製、５０℃、５分
ソフトエッチング液：ＳＫＤ、ＪＸ日鉱日石金属製、４０℃、５分
一次酸浸漬液：５０％硝酸、関東化学製、２２℃、３０秒
一次ジンケート液：ＵＡＺ１００、ＪＸ日鉱日石金属製、２２℃、３０秒
二次酸浸漬液：５０％硝酸、関東化学製、２２℃、１５秒
二次ジンケート液：ＵＡＺ１００、ＪＸ日鉱日石金属製、２２℃、１５秒
無電解Ｎｉめっき液：ＵＢＮ−１８、ＪＸ日鉱日石金属製、８０℃、１５分
無電解Ｐｄめっき液：ＣＡ−４００、ＪＸ日鉱日石金属製、５０℃、２．５分
置換型無電解Ａｕめっき液：ＦＡ−５０１、ＪＸ日鉱日石金属製、７５℃、２０分
還元型無電解Ａｕめっき液：ＴＡ−６００、ＪＸ日鉱日石金属製、５０℃、５分
【００３４】
（結果）
めっきを行った後に、ウェハを乾燥し、参考例１〜９のウェハは粘着剤付きテープを剥離し、比較例２のウェハはシリコンゴムを剥離し、ベベル部を観察した。
なお、粘着剤でアクリル系紫外線硬化タイプまたは熱硬化タイプを使用した場合は、それぞれ紫外線照射または加熱を行い、粘着剤を剥がしやすくしてから剥離した。
テープを剥がした部分が濡れている場合は、上記のプロセスで用いた処理液の浸み込みがあったとした。
粘着剤付きテープで被覆した参考例１〜９のウェハはベベル部にめっきの析出は見られなかった。めっき後の被覆部の外観を観察したところ、めっき前と同じで異常はなかった。一方、ベベル部を被覆していない比較例１のウェハ及びベベル部をシリコンゴムで被覆した比較例２のウェハはベベル部にＮｉ及び／またはＡｕめっきが析出した。
【００３５】
【表１】
0006440248.tif 000002
【００３６】
実施例１０〜１７、参考例１０、比較例３〜４
（使用したウェハ）
ベベル部（外周から２ｍｍ）がシリコン剥き出しで表面は１００μｍ角のＡｌＳｉ（Ｓｉ：１％）のパッドを形成した６２５μｍ厚の６インチシリコンウェハ（裏面は全面アルミニウムで蒸着）
（被覆方法）
実施例１０〜１７、及び参考例１０は、図２−２に示すように、２枚のウェハの非めっき面を合わさるように重ねて、ウェハのベベル部および平面部約１ｍｍまでを粘着剤付きテープ（厚さ０．０８ｍｍ）でに貼り合わせた。使用したテープは表２参照。テープで被覆する際は、手作業で、テンションをかけ、テープを約５％伸ばしながら貼り付けを行った。
【００３７】
（めっき試験）
実施例１０〜１７、及び参考例１０の下記表２のテープで、上記のようにベベル部を被覆したウェハと、比較例３のベベル部を被覆していない１枚のウェハ、または比較例４の、ベベルを被覆しないで、裏面にテープ貼り機により実施例１３のテープと同様のテープを貼り付けた１枚のウェハについて、参考例１と同様の工程でめっき皮膜を形成した。
（結果）
めっきを行った後に、ウェハを乾燥し、粘着剤付きテープを剥離し、ベベル部を観察した。
なお、粘着剤でアクリル系紫外線硬化タイプまたは熱硬化タイプを使用した場合は、それぞれ紫外線照射または加熱を行い、粘着剤を剥がしやすくしてから剥離した。
テープを剥がした部分が濡れている場合は、上記のプロセスで用いた処理液の浸み込みがあったとした。
粘着剤付きテープで被覆した実施例１０〜１７、及び参考例１０のウェハはベベル部や裏面にめっきの析出は見られなかった。めっき後の被覆部の外観を観察したところ、めっき前と同じで異常はなかった。一方、ベベル部を被覆していない比較例３のウェハはベベル部と裏面にＮｉまたはＡｕめっきが析出した。また、裏面テープを貼りつけた比較例４のウェハは裏面のめっき析出はなかったがベベル部にめっき析出が発生した。
【００３８】
【表２】
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【００３９】
実施例１９〜２６、参考例１１、比較例５〜６
（使用した薄ウェハ）
ベベル部（外周から２ｍｍ）がシリコン剥き出しで表面は１００μｍ角のＡｌＳｉ（Ｓｉ：１％）のパッドを形成した１００μｍ厚の６インチシリコンウェハ（裏面は全面アルミニウムで蒸着）
（被覆方法）
実施例１９〜２６、及び参考例１１は、図３−２に示すように、前記ウェハの非めっき面とガラス板（厚さ１ｍｍ）が合わさるように重ねて、ウェハのベベル部および平面部約１ｍｍまでとガラス板の側面およびそれに続く外周部約３ｍｍまでを粘着剤付きテープ（厚さ０．０８ｍｍ）で貼り合わせた。使用したテープは表３参照。テープで被覆する際は、手作業で、テンションをかけ、テープを約５％伸ばしながら貼り付けを行った。
ガラス板は、投影寸法がウェハと同じ大きさのものを用いた。
【００４０】
（めっき試験）
実施例１９〜２６、及び参考例１１の下記表３のテープでベベル部を被覆したウェハと、比較例５としてベベル部を被覆していない１枚のウェハ、または比較例６としてベベル部を被覆せずに、裏面にテープ貼り機により実施例２２のテープと同様のテープを貼り付けた１枚のウェハについて、参考例１と同様の工程でめっき皮膜を形成した。
（結果）
めっきを行った後に、ウェハを乾燥し、粘着剤付きテープを剥離し、ベベル部を観察した。
なお、粘着剤でアクリル系紫外線硬化タイプまたは熱硬化タイプを使用した場合は、それぞれ紫外線照射または加熱を行い、粘着剤を剥がしやすくしてから剥離した。
テープを剥がした部分が濡れている場合は、上記のプロセスで用いた処理液の浸み込みがあったとした。
粘着剤付きテープで被覆した実施例１９〜２６、及び参考例１１のウェハはベベル部や裏面にめっきの析出は見られなかった。めっき後の被覆部の外観を観察したところ、めっき前と同じで異常はなかった。一方、ベベル部を被覆していない比較例５のウェハは製造中に破損した。また、裏面テープを貼りつけた比較例６のウェハは裏面の析出はなかったがベベル部にめっき析出が発生した。
【００４１】
【表３】
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【図１−１】
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【図１−２】
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【図２−１】
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【図２−２】
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【図３−１】
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【図３−２】
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