(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
第一の基板と第二の基板とを積層する積層構造を有し、
前記第一の基板の表面に形成される電極パッド及び配線を有し、
前記第二の基板に形成されるセンシング部を有する物理量センサにおいて、
前記第一の基板の表面に形成され、前記電極パッド及び前記配線に対して電気的に絶縁され、かつ、一定電位に保持された導電膜を有し、
前記導電膜は、前記センシング部を観察可能とするのぞき部を有していることを特徴とする物理量センサ。
【請求項２】
前記センシング部は可動櫛歯と固定櫛歯を有し、
前記導電膜は、前記固定櫛歯と前記可動櫛歯とを積層方向に前記導電膜に対して投影した領域に前記のぞき部を有することを特徴とする請求項１に記載の物理量センサ。
【請求項３】
前記のぞき部は、前記導電膜の厚さが他の部分に比べて薄い薄肉部或いは前記導電膜を設けていない部分であることを特徴とする請求項１又は２に記載の物理量センサ。
【請求項４】
基板材料は全てシリコン材料から構成されたことを特徴とする請求項３に記載の物理量センサ。
【請求項５】
前記第一の基板及び前記のぞき部は赤外線を透過することを特徴とする請求項３に記載の物理量センサ。
【請求項６】
前記のぞき部は多角形であることを特徴とする請求項３に記載の物理量センサ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は物理量の測定に用いられる物理量センサの構造に関し、特に加速度を検出するセンサ、角速度を検出するセンサ、圧力センサ、光スイッチなどのＭＥＭＳデバイスが適用された物理量センサの構造に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、ＭＥＭＳ技術における微細化加工技術の発展により、シリコンおよびガラス等の材料を適用した加速度、角速度などの物理量を測定する様々なセンサが提供されている。
【０００３】
ＭＥＭＳ技術を用いた物理量センサは、半導体デバイスと比較してアスペクト比（開口幅と加工深さとの比）が高い構造体を形成できる利点がある。また、高アスペクト比の溝を加工できるＩＣＰ（Ｉｎｄｕｃｔｉｏｎ  Ｃｏｕｐｌｅｄ  Ｐｌａｓｍａ）方式のＲＩＥ（Ｒｅａｃｔｉｖｅ  Ｉｏｎ  Ｅｔｃｈｉｎｇ）装置を適用したドライエッチング法によって、シリコンからなる立体構造および可動構造を形成することにより、機械加工と比較して優れた加工精度の各種構造体を形成することができる。このような微小な可動構造体は静電気などにより、駆動させることができる。そのため、微小構造体を正確に制御または物理量を検出するためにはシールド構造が必要となる。また、微小構造体が設計寸法通りに加工されているか調査することが重要である。
【０００４】
このようなＭＥＭＳ技術を用いた物理量センサとして、特開２００７−８０９８５号公報（特許文献１）に記載された力学量センサ素子が知られている。この力学量センサ素子は、ノイズに対する耐性の低い検出部をシリコン遮蔽基板およびシールド部によって、ノイズを遮蔽する構造である。ベース基板の表面および内面にシールド部を形成している。また、検出素子にはシリコンを適用し、下面および上面にはガラス基板を適用している。前記、力学量センサは検出部によって加速度および角速度を検知している。
【０００５】
また、特開２０１２−１８６２８５号公報（特許文献２）には、貫通孔の内部状態を観察できる貫通配線基板、電子部品などの検査方法に関する発明である。貫通孔の上部の開口部を覆う導電パターンは配置されており、導電パターンの一部に切抜き部が形成され、開口部の縁の状況が観察できる。切抜き部を形成する位置を移動することによって位置ずれなどが観察できる。貫通孔は下部にいくほど広がっている構造をしている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２００７−８０９８５号公報
【特許文献２】特開２０１２−１８６２８５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
特許文献１に記載された力学量センサ素子は、加速度センサの検出素子を取り囲むように金属膜によるシールド構造としているため、組立て後の加速度センサの構造を観察することができず、良好に加工されているのか調査することができないことが予測できる。
【０００８】
特許文献２に記載された構造では、貫通孔に直接的に切抜き孔を形成しているため、貫通孔内部は大気圧でしか保持することができない。また、貫通孔が形成されていることから内部に水分などが進入することによって配線の劣化および異物の侵入などが予測できる。
【０００９】
本発明の目的は、電極基板表面のシールド効果を維持しつつ、微小構造体内部の不良を非破壊で容易に調査または観察することが可能な物理量センサを提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
上記目的を達成するために、本発明の物理量センサは、固定基板、電極基板の少なくとも２つの基板が積層された２層構造を有する物理量センサであり、電極基板表面に貫通配線の表面電極が形成され、かつ、その周囲は絶縁された構造において、平面視で電極基板表面に形成された金属材料からなるシールド層の内部に内部観察用の空間を設けることを特徴とする。これにより、貫通配線または貫通電極の表面電極から発生する電磁波を防止できるとともに内部の構造体を調査または観察できる。
【発明の効果】
【００１１】
本発明によれば、電極基板の全面に形成していたシールド電極部の一部に内部観察用の空間を設けることによって、各電極部もしくは配線間に発生するノイズを除去することができるだけでなく、デバイス層に形成された櫛歯などの構造体の不良を確認することができ、信頼性に優れた物理量センサを提供できる。
【００１２】
上記した以外の課題、構成及び効果は、以下の実施形態の説明により明らかにされる。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
【図１】本発明の物理量センサを説明する外観図。
【図２】本発明の物理量センサを説明する断面図。
【図３】本発明の第二実施例に係る物理量センサを説明する正面図。
【図４】本発明のシールド効果を説明する断面図。
【図５】本発明の第三実施例に係る物理量センサを説明する外観図。
【図６】本発明の第三実施例に係る物理量センサを説明する断面図。
【図７】本発明の第三実施例に係るデバイス基板の正面図。
【図８】本発明の第三実施例に係る電極基板の正面図。
【図９】本発明の第四実施例に係るデバイス基板の外観図。
【図１０】本発明のシールド部周辺の断面図。
【発明を実施するための形態】
【００１４】
以下、本発明の実施例について説明する。
【００１５】
（第一実施例）
図１を用いて本発明による物理量センサの第一実施例に係る構造を説明する。図１は本発明の一例を示す物理量センサの外観図を示す。本実施例では加速度センサの例を示している。基板は固定基板１と電極基板２の２層構造で構成されている。電極基板２の表面には、複数の貫通孔表面電極３が配置され、その周囲は空間４によって絶縁されており、電極基板表面にシールド層７が形成されている。シールド層７はアース電極５とつながっている。シールド層７の一部に内部観察用の空間６が形成されている。物理量センサは制御ＬＳＩに形成された電極パッドと金ワイヤによって電気的につながれる。なお、固定基板１にはＳＯＩ（Ｓｉｌｉｃｏｎ  ｏｎ  Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ）ウエハを適用しており、電極基板２にはガラス基板を適用している。
【００１６】
シールド層７の役割は、貫通孔表面電極３からの電気的な電磁波によるノイズを除去することおよび外部に存在する電磁波によって発生する電気ノイズを遮断するために設けられている。
【００１７】
次に、図２を用いて図１の断面構造について説明する。固定基板１にはＳｉＯ２からなる絶縁膜１０およびその上にデバイス層１３が形成されている。デバイス層１３の上部には電極基板２が配置されている。電極基板２の内部には貫通電極１１ａおよび１１ｂが形成されている。デバイス層１３に形成された固定電極８ａは、貫通電極１１ａによって電極基板２に形成された貫通孔表面電極３ａまで電気的に接続されている。同様にデバイス層１３に形成された可動電極９ａは、貫通電極１１ｂによって電極基板２に形成された貫通孔表面電極３ｂまで電気的に接続されている。固定電極８ａは固定櫛歯８に電気的に接続されている。可動電極９ｂは可動櫛歯９に電気的につながっている構造である。貫通電極１１の材料は金属材料が好ましく、めっき法などによって形成される。また、デバイス層は１０−２０Ωｃｍの低抵抗のシリコン材料によって形成されている。
【００１８】
物理量としての加速度のセンシングは、加速度が加わると固定電極８と可動電極９の電極間ギャップが変化することを利用して行われる。この加速度による電極間ギャップの変化量を静電気力によって検出することで加速度を検出する。
【００１９】
デバイス層１３のセンシング空間１４は、固定基板１と電極基板２によって密閉空間となっている。センシング空間１４は、圧力雰囲気が１００００Ｐａから５００００Ｐａ程度の雰囲気となっている。加速度センサのセンシング空間１４の圧力雰囲気を１００００Ｐａから５００００Ｐａくらいの真空度で封止する理由は、密閉された空間では接合温度によって、温度が上昇すると、密閉された空間の圧力も上昇する。その場合、接合方法によっては接合部から剥離する場合が想定される。そのため、あらかじめ、減圧状態にすることが必要となる。固定基板１と電極基板２の接合法としては陽極接合が好ましいが、その他に金とシリコンの共晶接合、金―錫の共晶接合、アルミニウムとゲルマニウムの共晶接合等、各種の金属接合方法を適用できる。
【００２０】
加速度センサのセンシング空間１４には、アルゴン、キセノン、クリプトンなどの分子量が大きな気体を封止することによって、ダンピング効果を高めても良い。
【００２１】
また、可動櫛歯９と固定櫛歯８とのギャップは数ミクロンのギャップで形成されている。このように形成された微小な櫛歯構造体では、組立て後に櫛歯が数ミクロンのギャップが高精度に加工されているかまたは櫛歯同士のスティックしていないか調査する必要がある。本発明では、シールド層７の一部に内部観察用の空間６があるため、非破壊で光学顕微鏡によって微小な櫛歯が良好に加工されているか観察することが可能である。言い換えると、シールド層７は、固定櫛歯８と可動櫛歯９を積層方向にシールド層７に対して投影した領域に、検査光を透過可能とするためにスリット（シールド層７がない領域）或いは薄肉部を有している。すなわち、シールド層７は、内部を観察可能とするのぞき部を有しているともいえる。更に言い換えると、電極基板２は、固定櫛歯８と可動櫛歯９を積層方向に電極基板２に対して投影した領域に、シールド層７を有さない或いは他の領域よりも薄肉となるシールド層７を有する。本実施例によれば、シールド層７にのぞき部を形成しているため、電極基板表面のシールド効果を維持しつつ、センシング部である微小構造体の不良を非破壊で容易に調査または観察することが可能な物理量センサを提供することが可能となる。なお、シールド層の材料はアルミニウムが好ましく、アルミニウムに０．５％程度のシリコンが混入したものを適用しても良い。また、金属材料であれば他の材料を適用しても良い。
【００２２】
（第二実施例）
図３を用いて本発明による物理量センサの第二実施例に係る構造を説明する。なお、第一と重複する説明については省略する。図３は本発明の別の一例を示す物理量センサの正面図を示す。図３は２軸の加速度センサが一つの基板に形成されている。すなわち、正面図に対して平行な方向と垂直な方向であり、Ｘ軸とＹ軸の２方向の加速度を検知することができる。
【００２３】
電極基板２の表面には、貫通電極１１（破線で表示）と電気的につながっている複数の貫通孔表面電極３が配置され、制御ＬＳＩと電気的につなぎこむための電極パッド１２まで配線１６によって電気的につながっている。電極基板２の表面にはシールド層７が形成されている。配線１６は、周囲に設けられた空間４によってシールド層７から電気的に絶縁されている。シールド層７はアース電極５とつながっている。本実施例では、シールド層７の一部に複数の内部観察用の空間６が形成されている。
【００２４】
電極基板２にガラス材料を適用した場合には、内部観察用の空間６を光学顕微鏡によって、固定櫛歯８ｘおよび可動櫛歯９ｘを非破壊で観察することができる。同様に固定櫛歯８ｙおよび可動櫛歯９ｙを非破壊で観察することができる。また、電極基板２にシリコン材料を適用した場合には、内部観察用の空間６を赤外線顕微鏡または共焦点赤外レーザ顕微鏡によって、固定櫛歯８ｘおよび可動櫛歯９ｘを非破壊で観察することができる。同様に固定櫛歯８ｙおよび可動櫛歯９ｙを非破壊で観察することができる。なお、電極基板２にシリコン材料を適用した場合にはシールド層７の下に絶縁膜が配置されている。
【００２５】
ここで、配線１６に電流を流した場合、配線１６の周囲に電磁波が発生する。例えば、配線間にシールド層がない場合には、配線同士が電磁波の影響によるノイズ受けることになり、加速度を検出した静電気力などのデータが正常に得られないことが予測できる。
【００２６】
次に、図４を用いて本実施例におけるシールド効果を説明する。配線１６とシールド層７が電極基板２の表面に形成され、各々が空間４により電気的に遮断される状態で配線１６に電流が流れた場合の配線１６から発生する電磁波の電気力線１８は、図４に示すようになる。この構造により配線１６からの電磁気は遮断することができる。そのため、シールド層７の一部に内部観察用の空間６を形成しても配線による影響はない。詳細には配線１６の両側に配置したシールド層７の外側の空間、例えば空間６には電磁波の影響はない。それは配線１６から発生する電磁波はシールド層７によって遮断されるためである。
【００２７】
平面的には配線１６によって電極基板２の表面で垂直や平行だけでなく、任意の位置に引き回すことが可能である。さらに電極パッド１２以外の部分およびシールド層はＴＥＯＳ、ＳｉＮおよび樹脂の保護膜によって保護されている。電極パッド１２周囲の保護膜は、一般的な半導体回路の保護膜と同様の技術を適用して構成することができる。
【００２８】
（第三実施例）
図５を用いて本発明による物理量センサの第三実施例に係る構造を説明する。なお、第一、第二実施例と重複する説明については省略する。図５は本発明の他の一例を示す物理量センサの外観図を示す。本実施例では角速度センサの例を示している。基板は固定基板１、デバイス基板１５、電極基板２の少なくとも３層構造で構成されている。すなわち、第１の基板である固定基板１と第２の基板であるデバイス基板１３と第３の基板である電極基板２とが、固定基板１と電極基板２とでデバイス基板１３を挟むようにして積層されている。電極基板２の表面には、複数の貫通孔表面電極３が配置され、電極パッド１２まで配線１６によって電気的につながっている。その周囲は空間４によって絶縁されており、電極基板表面にシールド層７が形成されている。シールド層７はアース電極５とつながっている。シールド層７の一部に複数の内部観察用の空間６が形成されている。なお、固定基板１、デバイス基板１３、電極基板２にはシリコン材料を適用している。
【００２９】
各基板の材料は全てシリコン材料で作製することが最も好ましく、物理量センサ構造体の線膨張率が同一となることから信頼性に優れているセンサを提供できる。
【００３０】
シールド層７は、貫通孔表面電極３から電極パッド１２まで引き回されている配線間に発生する電気的な電磁波によるノイズを除去すること、および外部に存在する電磁波によって発生する電気ノイズを遮断するために設けられている。
【００３１】
次に、図６を用いて図５の断面構造について説明する。固定基板１にはＳｉＯ２からなる絶縁膜１０およびその上にデバイス基板１５が形成されている。デバイス基板１５の上部には電極基板２が配置されている。電極基板２の内部には貫通電極１１ａおよび１１ｂが形成されている。デバイス基板１５と外部との電気的なやり取りを行うために、デバイス基板１５に形成された固定電極８ａは、低抵抗シリコンからなる貫通電極１１ａによって電極基板２に形成された貫通孔表面電極３ａが電気的に接続されている。同様にデバイス基板１５に形成された可動電極９ａは、低抵抗シリコンからなる貫通電極１１ｂによって電極基板２に形成された貫通孔表面電極３ｂが電気的に接続されている。固定電極８ａは固定櫛歯８に電気的に接続されている。可動電極９ｂは可動櫛歯９に電気的に接続されている構造である。
【００３２】
電極基板２の内部に形成された低抵抗シリコンからなる貫通電極１１ａおよび１１ｂの周囲は、ＳｉＯ２等の酸化膜１０によって電気的に絶縁されており、その周囲をＰｏｌｙ−Ｓｉなどの埋め込み材料１７によって塞がれている。
【００３３】
物理量としての角速度のセンシングは、前記複数の可動櫛歯９が固有の周波数で駆動（振動）している場合に角速度が加わることにより発生するコリオリ力を利用して行われる。このコリオリ力によって固定櫛歯８と可動櫛歯９の電極間ギャップが変化する。このコリオリ力による電極間ギャップの変化量を静電気力によって検出することで角速度を検出する。
【００３４】
この構造の加工プロセスは、接合前に、固定基板１に溝などのギャップを形成し、溝が加工された固定基板１に酸化膜１０を形成後、デバイス基板１５を接合する。その後、高アスペクト比のドライエッチング加工によってデバイスパターンおよび数ミクロンのギャップを形成することができる。このときに固定基板１に形成する酸化膜１０の厚さが薄いと、高アスペクト比のドライエッチング加工時に固定基板１の溝部表面の酸化膜１０が減少し、溝部底面にデバイスパターンが転写される微小な段差構造ができる。具体的には、酸化膜１０の一部に溝が形成されるか、もしくは酸化膜が消失し、シリコンがエッチングされてしまう。最終的に溝が形成された電極基板２をデバイス基板１５に接合して３層構造が完成する。なお、それ以上の基板を積層してもかまわない。
【００３５】
固定基板１とデバイス基板１５の接合およびデバイス基板１５と電極基板２の接合にはシリコンの直接接合を適用する。シリコンの直接接合は、はじめにシリコンウエハもしくは表面に酸化膜が形成されたシリコンウエハに親水化処理を行い、室温近傍で貼り合わせる。これにより、水素結合によって貼り合わせた２枚のシリコンウエハは結合される。この状態ではまだ、接合強度が弱いため、９００度〜１１５０度の温度で加熱処理を行う。加熱処理により、シロキサン結合状態を作り出し、最終的にシリコンとシリコンの強固な結合状態が得られる。その他に金とシリコンの共晶接合、金―錫の共晶接合、アルミニウムとゲルマニウムの共晶接合等、各種の金属接合方法を適用できる。
【００３６】
前記、エッチング加工によって深さが異なる微小な段差構造が加工されると固定基板１側からの観察は困難となる。また、一般的に固定基板１はプロセスラインを通過させるために厚い基板６００〜８００ミクロン程度の厚さがあり、固定基板１側からの赤外線などによる調査は困難となる。
【００３７】
例えば、積層した基板の厚さが薄く、固定基板１側にもシールド構造を適用する必要がある場合には、固定基板側に内部観察用の空間６を設けても良い。
【００３８】
本発明である内部観察用の空間６は、非破壊で赤外線顕微鏡または共焦点赤外レーザ顕微鏡により、前記のように形成された微小な櫛歯構造体を組立て後に櫛歯が数ミクロンのギャップで、良好に形成されているか検査または観察することが可能である。
【００３９】
デバイス基板１３の角速度を測定するセンシング空間１４は、上下に配置した固定基板１および電極基板２との密閉空間において、圧力雰囲気が３０Ｐａ程度の真空雰囲気となっている。センシング空間１４には固定電極（固定梁）８および可動電極（可動梁）９が形成されている。これは数ミクロンのギャップを有して複数の櫛歯が形成されている。
【００４０】
図７に角速度センサのデバイス基板１５のパターン例の平面図を示す。角速度センサでは可動電極９と複数の固定電極８が配置している。これは駆動部と検出部を別にするためである。複数の固定電極には貫通電極１１が個々に電気的に接続されている。可動電極９は固定部２１で支持されており、それ以外の部分では空中に浮いており、静電気力によって容易に駆動させることができる。駆動は図の上下に配置した複数の櫛歯によって、図の駆動方向１９に可動する。一方、中央部の櫛歯は検出部の櫛歯を示しており、コリオリ力が印加される検出部の固定電極と可動電極間の変化量を静電気力によって検出することで角速度を検出する。検出方向２０に示す。これらの櫛歯では櫛歯間の接触、破損、加工形状は重要である。
【００４１】
図８は図７に電極基板２を重ね合わせた平面図を示す。本発明の内部観察用の空間６がシールド層７の内部に配置することによって、デバイス基板１５に形成された微小な櫛歯のギャップ、櫛歯間の接触（スティック）、梁の破損、梁の加工形状を観察及び調査することができる。
【００４２】
このように、シールド層７の内部に形成する内部観察用の空間６の位置は、デバイス基板１５に形成した物理量を測定する重要な部分と合致させると良い。前記、空間６の形状は多角形であれば良く、円形でも良い。  この構造では、物理量センサ内部の加工状態を容易に把握することができる。また、複数の貫通孔表面電極３から金属からなる配線１６を介して接続される電極パッド１２が存在しても、配線１６の周囲にシールド層７が形成されていることから電磁波によるノイズは遮断できる。シールド層７がないと、配線１６の内部寄生容量の影響によって信号ノイズが発生したり、信号遅れの影響が発生したりする。
【００４３】
また、内部観察用の空間６を形成することによってシリコン下部電極との寄生容量または浮遊容量を低減させることができる効果もある。
【００４４】
（第四実施例）
図９を用いて本発明による物理量センサの第四実施例に係る構造を説明する。図９は本発明の他の一例を示す物理量センサの外観図を示す。基板は固定基板１、デバイス基板１５、電極基板２の少なくとも３層構造で構成されている。本実施例ではデバイス基板１５に加速度センサおよび角速度センサが個別の部屋を有して一体で形成されている。
【００４５】
電極基板２の表面には、複数の貫通孔表面電極３が配置され、電極パッド１２まで配線１６によって電気的につながっている。その周囲は空間４によって絶縁されており、さらに、その周囲にシールド層７が形成されている。また、電極基板の外周側に、電極１２や配線１６をすべて囲うようにシールド層７が形成されている。これらのシールド層７はアース電極５とつながっている。
【００４６】
この構造ではシールド層７は外周側に形成された領域と配線１６の周囲に形成された領域を有しており、外周側に形成された領域と配線１６の周囲に形成された領域との間に内部観察用の空間６が形成されている。配線１６間で発生する電磁波は、シールド層７における配線１６の周囲に形成された領域で遮断される。外部に存在する電磁波は、シールド層７における周側に形成された領域によって電気的ノイズを遮断される。
【００４７】
本発明の内部観察用の空間６の断面構成について説明する。図１０に内部観察用の空間周辺の断面図を示す。低抵抗シリコン２２には内部に貫通配線１１が形成されている。貫通配線１１の側面は絶縁膜１０で絶縁されている。低抵抗シリコン２２の表面にはＳｉＯ２からなる絶縁膜１０がある。シールド層７は、絶縁膜１０上の金属薄膜２３、金属薄膜２３上のＴＥＯＳ絶縁膜２４、ＴＥＯＳ絶縁膜２４上のＳｉＮ（シリコン窒化膜）２５、ＳｉＮ２５上の保護膜２６から形成されている。一方、空間４および内部観察用の空間６が設けられる箇所における電極基板２は、低抵抗シリコン２２の上に絶縁膜が形成された状態である。すなわち、シールド層７が形成されていない、或いは除去された状態となっている。また、貫通配線１１の貫通孔表面電極３は、低抵抗シリコン２２の表面にＰｏｌｙ−Ｓｉが形成され、その上に金属からなる電極が形成された構造である。なお、センサとして保護膜２６が形成されていない構造でもセンサ機能には影響しない。
【００４８】
このように本発明の内部観察用の空間６は厚さ方向において最も薄い構造となっている。赤外線が透過する材料で、かつ、絶縁材料であれば、断面方向から内部観察用の空間に形成しても良い。
【００４９】
以上のように電極基板表面に形成したシールド層７に内部観察用の空間を形成することはプロセス中に観察することによって不良を見つけ出すことができるため、最終構造までプロセスを流すことがないためコスト的に低減できる。
【００５０】
また、ウエハレベルで生産した後にダイシング装置による切断によって櫛歯間の接触などの不良が発生しても見つけ出すことが可能である。
【００５１】
さらに、各種の物理量センサとして製品レベルで出荷された場合でも、不良として戻ってきた場合に、不良解析などの故障原因を容易に発見できるメリットもある。
【００５２】
これまでに説明した各実施例では加速度センサおよび角速度センサは自動車に搭載してブレーキシステムの制御に適用することができる。また、農業機器の姿勢制御にも適用することができる。その他に圧力センサおよび光スイッチなどの電気的に物理量を計測するＭＥＭＳ構造体に適用することが可能である。
【００５３】
物理量センサは制御ＬＳＩとともに一つのセラミックス材料または樹脂材料からなるパッケージ内に配置されることによって、信頼性に優れた物理量センサを提供できる。
【００５４】
なお、本発明は上記した各実施例に限定されるものではなく、様々な変形例が含まれる。例えば、上記した実施例は本発明を分かりやすく説明するために詳細に説明したものであり、必ずしも全ての構成を備えるものに限定されるものではない。また、ある実施例の構成の一部を他の実施例の構成に置き換えることが可能であり、また、ある実施例の構成に他の実施例の構成を加えることも可能である。また、各実施例の構成の一部について、他の構成の追加・削除・置換をすることが可能である。
【符号の説明】
【００５５】
１…固定基板、２…電極基板、３…貫通孔表面電極、４…空間、５…アース電極、６…内部観察用の空間、７…シールド層、８…固定櫛歯、８ａ…固定電極、９…可動櫛歯、９ａ…可動電極、１０…絶縁膜、１１…貫通電極、１２…電極パッド、１３…デバイス層、１４…センシング空間、１５…デバイス基板、１６…配線、１７…Ｐｏｌｙ−Ｓｉ、１８…電気力線、１９…駆動方向、２０…検出方向、２１…固定部、２２…低抵抗シリコン材料、２３…金属薄膜、２４…ＴＥＯＳ、２５…ＳｉＮ、２６…保護膜。
【図１】
0006336865.tif 000002
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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