(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
表面に、凹部の幅が７０ｎｍ以下、アスペクト比が４以上の凹凸パターンを形成され、該凹凸パターンの凹部表面に、チタン、タングステン、アルミニウム、銅、スズ、タンタル、及び、ルテニウムのうち少なくとも１種の元素を有するウェハの洗浄工程の後、乾燥工程の前において、凹部に保持された洗浄液を置換して該凹部に液体状態として保持されるとともに、該凹部表面に吸着により撥水性保護膜を形成するための撥水性保護膜形成剤を、溶媒に溶解した薬液であり、該撥水性保護膜形成剤の薬液に対する濃度が０．０００５〜２質量％であり、該撥水性保護膜形成剤が下記一般式［１］で示される化合物であることを特徴とする、撥水性保護膜形成用薬液。
0006428802.tif 000013
（式［１］中、Ｒ１は、一部の水素元素がフッ素元素に置き換えられた炭素数が１乃至１８の１価の炭化水素基である。Ｒ２は、それぞれ互いに独立して一部または全ての水素元素がフッ素元素に置き換えられていても良い炭素数が１乃至１８の炭化水素基を含む１価の有機基である。ａは、０乃至２の整数である。）
【請求項２】
前記撥水性保護膜形成剤が、
前記Ｒ１が、一部の水素元素がフッ素元素に置き換えられた炭素数が１乃至１８の１価の直鎖アルキル基である
化合物であることを特徴とする、請求項１に記載の撥水性保護膜形成用薬液。
【請求項３】
前記撥水性保護膜形成剤が、下記一般式［２］で示される化合物であることを特徴とする、請求項１に記載の撥水性保護膜形成用薬液。
0006428802.tif 000014
（式［２］中、Ｒ３は、一部の水素元素がフッ素元素に置き換えられた炭素数が１乃至１８の１価の炭化水素基である。）
【請求項４】
前記撥水性保護膜形成剤が、
前記Ｒ３が、一部の水素元素がフッ素元素に置き換えられた炭素数が１乃至１８の１価の直鎖アルキル基である
化合物であることを特徴とする、請求項３に記載の撥水性保護膜形成用薬液。
【請求項５】
前記撥水性保護膜形成剤が、
ＣＦ３Ｃ２Ｈ４Ｐ（Ｏ）（ＯＨ）２、Ｃ２Ｆ５Ｃ２Ｈ４Ｐ（Ｏ）（ＯＨ）２、Ｃ３Ｆ７Ｃ２Ｈ４Ｐ（Ｏ）（ＯＨ）２、Ｃ４Ｆ９Ｃ２Ｈ４Ｐ（Ｏ）（ＯＨ）２、Ｃ５Ｆ１１Ｃ２Ｈ４Ｐ（Ｏ）（ＯＨ）２、Ｃ６Ｆ１３Ｃ２Ｈ４Ｐ（Ｏ）（ＯＨ）２、Ｃ７Ｆ１５Ｃ２Ｈ４Ｐ（Ｏ）（ＯＨ）２、Ｃ８Ｆ１７Ｃ２Ｈ４Ｐ（Ｏ）（ＯＨ）２からなる群から選ばれる化合物であることを特徴とする、請求項１〜４のいずれかに記載の撥水性保護膜形成用薬液。
【請求項６】
前記撥水性保護膜形成剤が、
Ｃ４Ｆ９Ｃ２Ｈ４Ｐ（Ｏ）（ＯＨ）２、Ｃ６Ｆ１３Ｃ２Ｈ４Ｐ（Ｏ）（ＯＨ）２からなる群から選ばれる化合物であることを特徴とする、請求項１〜４のいずれかに記載の撥水性保護膜形成用薬液。
【請求項７】
前記撥水性保護膜形成剤の薬液に対する濃度が０．０００５〜０．１質量％であることを特徴とする、請求項１〜６のいずれかに記載の撥水性保護膜形成用薬液。
【請求項８】
前記凹部に保持された洗浄液を置換する際の薬液の供給が、
ウェハをほぼ水平に保持して回転させながら回転中心付近に薬液を供給する枚葉方式、
槽内で複数枚のウェハを薬液に浸漬するバッチ方式、及び、
薬液の蒸気をウェハの凹凸パターンの少なくとも凹部に供給し、凹部に保持された時に液体になるようにする方式
のいずれかであることを特徴とする、請求項１〜７のいずれかに記載の撥水性保護膜形成用薬液。
【請求項９】
表面に凹凸パターンを形成され該凹凸パターンの凹部表面に、チタン、タングステン、アルミニウム、銅、スズ、タンタル、及び、ルテニウムのうち少なくとも１種の元素を有するウェハの洗浄工程の後、乾燥工程の前において、
請求項１〜８のいずれかに記載の撥水性保護膜形成用薬液を少なくとも該凹部に保持することにより、少なくとも凹部表面に撥水性保護膜を形成する工程を有する、撥水性保護膜の形成方法。
【請求項１０】
表面に凹凸パターンを形成された半導体デバイスのウェハの回路パターンを洗浄液で洗浄し、乾燥する洗浄方法において、該凹凸パターンは、凹部の幅が７０ｎｍ以下、アスペクト比が４以上であり、該凹凸パターンの凹部表面に、チタン、タングステン、アルミニウム、銅、スズ、タンタル、及び、ルテニウムのうち少なくとも１種の元素を有し、
凹凸パターンの凹部に保持された洗浄液を保護膜形成用薬液と置換して該薬液を液体状態として保持するとともに凹部表面に該薬液により保護膜を形成する工程、
乾燥により該保護膜を凹部表面に保持したまま凹凸パターンから液体を除去する乾燥工程、
該保護膜を除去する膜除去工程
を有し、
前記保護膜形成用薬液が、前記凹部表面に吸着により撥水性保護膜を形成するための撥水性保護膜形成剤を溶媒に溶解した薬液であり、
該撥水性保護膜形成剤の薬液に対する濃度が０．０００５〜２質量％であり、
該撥水性保護膜形成剤が下記一般式［１］で示される化合物であることを特徴とする、前記洗浄方法。
0006428802.tif 000015
（式［１］中、Ｒ１は、一部の水素元素がフッ素元素に置き換えられた炭素数が１乃至１８の１価の炭化水素基である。Ｒ２は、それぞれ互いに独立して一部または全ての水素元素がフッ素元素に置き換えられていても良い炭素数が１乃至１８の炭化水素基を含む１価の有機基である。ａは、０乃至２の整数である。）
【請求項１１】
前記撥水性保護膜形成剤が、
前記Ｒ１が、一部の水素元素がフッ素元素に置き換えられた炭素数が１乃至１８の１価の直鎖アルキル基である
化合物であることを特徴とする、請求項１０に記載の洗浄方法。
【請求項１２】
前記撥水性保護膜形成剤が、下記一般式［２］で示される化合物であることを特徴とする、請求項１０に記載の洗浄方法。
0006428802.tif 000016
（式［２］中、Ｒ３は、一部の水素元素がフッ素元素に置き換えられた炭素数が１乃至１８の１価の炭化水素基である。）
【請求項１３】
前記撥水性保護膜形成剤が、
前記Ｒ３が、一部の水素元素がフッ素元素に置き換えられた炭素数が１乃至１８の１価の直鎖アルキル基である
化合物であることを特徴とする、請求項１２に記載の洗浄方法。
【請求項１４】
前記撥水性保護膜形成剤が、
ＣＦ３Ｃ２Ｈ４Ｐ（Ｏ）（ＯＨ）２、Ｃ２Ｆ５Ｃ２Ｈ４Ｐ（Ｏ）（ＯＨ）２、Ｃ３Ｆ７Ｃ２Ｈ４Ｐ（Ｏ）（ＯＨ）２、Ｃ４Ｆ９Ｃ２Ｈ４Ｐ（Ｏ）（ＯＨ）２、Ｃ５Ｆ１１Ｃ２Ｈ４Ｐ（Ｏ）（ＯＨ）２、Ｃ６Ｆ１３Ｃ２Ｈ４Ｐ（Ｏ）（ＯＨ）２、Ｃ７Ｆ１５Ｃ２Ｈ４Ｐ（Ｏ）（ＯＨ）２、Ｃ８Ｆ１７Ｃ２Ｈ４Ｐ（Ｏ）（ＯＨ）２からなる群から選ばれる化合物であることを特徴とする、請求項１０〜１３のいずれかに記載の洗浄方法。
【請求項１５】
前記撥水性保護膜形成剤が、
Ｃ４Ｆ９Ｃ２Ｈ４Ｐ（Ｏ）（ＯＨ）２、Ｃ６Ｆ１３Ｃ２Ｈ４Ｐ（Ｏ）（ＯＨ）２からなる群から選ばれる化合物であることを特徴とする、請求項１０〜１３のいずれかに記載の洗浄方法。
【請求項１６】
前記撥水性保護膜形成剤の薬液に対する濃度が０．０００５〜０．１質量％であることを特徴とする、請求項１０〜１５のいずれかに記載の洗浄方法。
【請求項１７】
前記凹凸パターンの凹部に保持された洗浄液を保護膜形成用薬液と置換して該薬液を液体状態として保持する際の薬液の供給が、
ウェハをほぼ水平に保持して回転させながら回転中心付近に薬液を供給する枚葉方式、
槽内で複数枚のウェハを薬液に浸漬するバッチ方式、及び、
薬液の蒸気をウェハの凹凸パターンの少なくとも凹部に供給し、凹部に保持された時に液体になるようにする方式
のいずれかであることを特徴とする、請求項１０〜１６のいずれかに記載の洗浄方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体デバイス製造などにおける基板（ウェハ）の洗浄技術に関する。
【背景技術】
【０００２】
ネットワークやデジタル家電用の半導体デバイスにおいて、さらなる高性能・高機能化や低消費電力化が要求されている。そのため回路パターンの微細化が進行しており、微細化が進行するに伴って、回路パターンのパターン倒れが問題となっている。半導体デバイス製造においては、パーティクルや金属不純物の除去を目的とした洗浄工程が多用されており、その結果、半導体製造工程全体の３〜４割にまで洗浄工程が占めている。この洗浄工程において、半導体デバイスの微細化に伴うパターンのアスペクト比が高くなると、洗浄またはリンス後、ウェハの乾燥時に気液界面がパターンを通過する時にパターンが倒れる現象がパターン倒れである。
【０００３】
特許文献１には、パターン倒れを抑制する手法として気液界面がパターンを通過する前に洗浄液を水から２−プロパノールへ置換する技術が開示されている。しかし、対応できるパターンのアスペクト比が５以下である等、限界があると言われている。
【０００４】
また、特許文献２には、パターン倒れを抑制する手法として、レジストパターンを対象とする技術が開示されている。この手法は毛細管力を極限まで下げることによって、パターン倒れを抑制する手法である。
【０００５】
しかし、この開示された技術はレジストパターンを対象としており、レジスト自体を改質するものであり、さらに最終的にレジストと共に除去が可能であるため、乾燥後の処理剤の除去方法を想定する必要がなく、本目的には適用できない。
【０００６】
また、特許文献３には、シリコンを含む膜により凹凸形状パターンを形成したウェハ表面を酸化等により表面改質し、該表面に水溶性界面活性剤またはシランカップリング剤を用いて撥水性保護膜を形成し、毛細管力を低減し、パターンの倒壊を防止する洗浄方法が開示されている。
【０００７】
また、特許文献４、５には、Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノトリメチルシランを始めとするシリル化剤及び溶剤を含む処理液を用いて疎水化処理を行うことにより、パターン倒れを防ぐ技術が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００８】
【特許文献１】特開２００８−１９８９５８号公報
【特許文献２】特開平５−２９９３３６号公報
【特許文献３】特許第４４０３２０２号公報
【特許文献４】特開２０１０−１２９９３２号公報
【特許文献５】国際公開第１０／４７１９６号パンフレット
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
本発明は、半導体デバイス製造などにおいて、特に微細でアスペクト比の大きい回路パターン化されたデバイスの製造歩留まりの向上を目的とした基板（ウェハ）の洗浄技術に関するものであり、特に、表面に凹凸パターンを有するウェハの凹凸パターン倒れを誘発しやすい洗浄工程を改善することを目的とした撥水性保護膜形成用薬液等に関するものである。
これまで、前記ウェハとしては表面にケイ素元素を有するウェハが一般的に用いられてきたが、パターンの多様化に伴って、チタン、タングステン、アルミニウム、銅、スズ、タンタル、及び、ルテニウムといった元素（以降、「金属系元素」と記載する場合がある）を表面に有するウェハが用いられ始めている。しかし、前記金属系元素を表面に有するウェハのように、表面に反応性の官能基、例えばシラノール基が十分に存在しない物質を含むウェハの場合、特許文献３乃至５に記載の処理液及び処理方法を用いてもパターンの倒壊を防止する撥水性保護膜を形成できないため、パターンの倒壊を防止できないという問題がある。
本発明は、表面に凹凸パターンを形成され該凹凸パターンの凹部表面に、チタン、タングステン、アルミニウム、銅、スズ、タンタル、及び、ルテニウムのうち少なくとも１種の元素を有するウェハ（以降、「金属系ウェハ」または単に「ウェハ」と記載する場合がある）の少なくとも凹部表面に撥水性保護膜を形成し、該凹部に保持された液体と該凹部表面との相互作用を低減せしめることによって、パターン倒れを誘発しやすい洗浄工程を改善するための撥水性保護膜を形成する保護膜形成用薬液を提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
パターン倒れは、ウェハを洗浄液で洗浄した後の乾燥時に気液界面がパターンを通過するときに生じる。これは、パターンのアスペクト比が大きい部分と小さい部分との間において、洗浄液の残液高さの差ができ、それによってパターンに作用する毛細管力に差が生じることが原因と言われている。
【００１１】
このため、毛細管力を小さくすれば、残液高さの違いによる毛細管力の差が低減し、パターン倒れが解消すると期待できる。毛細管力の大きさは、以下に示される式で求められるＰの絶対値であり、この式からγ、もしくは、ｃｏｓθを小さくすれば、毛細管力を低減できると期待される。
【００１２】
Ｐ＝２×γ×ｃｏｓθ／Ｓ
（式中、γは凹部に保持されている液体の表面張力、θは凹部表面と凹部に保持されている液体のなす接触角、Ｓは凹部の幅である。）
【００１３】
本発明では、撥水性保護膜が形成された後に凹部に残った液体が凹部から除去されるとき、すなわち、乾燥されるとき、前記凹凸パターンの少なくとも凹部表面に前記保護膜が形成されているので、該凹部に働く毛細管力が小さくなり、パターン倒れが生じにくくなる。また、前記保護膜は乾燥工程後に除去される。
【００１４】
本発明の撥水性保護膜形成用薬液（以降「保護膜形成用薬液」または単に「薬液」と記載する場合がある）は、表面に凹凸パターンを形成され該凹凸パターンの凹部表面に、チタン、タングステン、アルミニウム、銅、スズ、タンタル、及び、ルテニウムのうち少なくとも１種の元素を有するウェハの洗浄工程の後、乾燥工程の前において、少なくとも凹部表面に撥水性保護膜（以降、単に「保護膜」と記載する場合がある）を形成するための撥水性保護膜形成剤（以降、単に「保護膜形成剤」と記載する場合がある）と溶媒を含む薬液であり、該撥水性保護膜形成剤が下記一般式［１］で示される化合物であることを特徴とする。
0006428802.tif 000002
（式［１］中、Ｒ１は、一部または全ての水素元素がフッ素元素に置き換えられていても良い炭素数が１乃至１８の１価の炭化水素基である。Ｒ２は、それぞれ互いに独立して一部または全ての水素元素がフッ素元素に置き換えられていても良い炭素数が１乃至１８の炭化水素基を含む１価の有機基である。ａは、０乃至２の整数である。）
【００１５】
前記一般式［１］で示される保護膜形成剤を用いることにより、前記の金属系ウェハの少なくとも凹部表面に、撥水性保護膜を形成することができる。該保護膜形成剤は、Ｐ−ＯＨ基、および／または、Ｐ＝Ｏ基（以降、「官能部」と記載する場合がある）が、前記金属系元素を含む物質に対して親和性を持つ。ここで、親和性を持つとは、ファンデルワールス力や静電的相互作用等が前記の金属系元素を含む物質表面と前記保護膜形成剤の官能部の間に働くことにより吸着すること、及び／または、該物質表面と前記保護膜形成剤の官能部が反応して、化学結合を形成することにより吸着することを意味する。また、Ｒ１は、保護膜形成剤の疎水部であり、該保護膜形成剤が金属系ウェハの前記金属系元素に吸着した際は、該ウェハ表面から外側に向かって該疎水部が並び、結果として該ウェハ表面を撥水性にできる。
【００１６】
また、前記保護膜形成剤は、下記一般式［２］で示される化合物であることが好ましい。
0006428802.tif 000003
（式［２］中、Ｒ３は、一部または全ての水素元素がフッ素元素に置き換えられていても良い炭素数が１乃至１８の１価の炭化水素基である。）
【００１７】
前記金属系ウェハとしては、凹凸パターンの凹部表面に、チタン、タングステン、アルミニウム、銅、スズ、タンタル、及び、ルテニウムのうち少なくとも１種の元素を有するもの、好ましくは、チタン、タングステン、アルミニウム、及び、ルテニウムのうち少なくとも１種の元素を有するもの、特に好ましくはチタン元素を有するものが挙げられる。凹凸パターンの凹部表面にケイ素元素を有するウェハの場合、表面にはシラノール基（ＳｉＯＨ基）が多数存在し、このシラノール基がシランカップリング剤との反応点となるために、凹部表面に撥水性保護膜を形成しやすい。一方、金属系ウェハにおいては、表面にシラノール基にあたるような反応点が少なく、シランカップリング剤のような化合物で保護膜を形成することは難しい。また、本発明において、表面に凹凸パターンを有するウェハとは、エッチングまたはインプリント等によって表面に凹凸パターンを形成された後の状態のウェハを意味する。また、前記のウェハに金属配線等の他の加工が施されたものであっても、その表面に凹凸パターンが存在するものであれば、対象とすることができる。
【００１８】
本発明の保護膜形成用薬液は、前記金属系ウェハの洗浄工程において洗浄液を該薬液に置換して使用される。また、前記の置換した薬液は他の洗浄液に置換されてもよい。
【００１９】
また、本発明の撥水性保護膜は、表面に凹凸パターンを形成され該凹凸パターンの凹部表面に、チタン、タングステン、アルミニウム、銅、スズ、タンタル、及び、ルテニウムのうち少なくとも１種の元素を有するウェハの洗浄工程の後、乾燥工程の前において、前記保護膜形成用薬液を少なくとも該凹部に保持することにより、少なくとも凹部表面に形成された撥水性保護膜であり、該撥水性保護膜が、撥水性保護膜形成剤である前記一般式［１］で示される化合物から形成されたものであることを特徴とする。なお、前記撥水性保護膜は、前記一般式［１］で示される化合物を主成分とする反応物を含むものであっても良い。
【００２０】
前記のように洗浄工程の後に、洗浄液を保護膜形成用薬液に置換し、凹凸パターンの少なくとも凹部に該薬液が保持されている間に、該凹凸パターンの少なくとも凹部表面に前記保護膜が形成される。本発明の保護膜は、必ずしも連続的に形成されていなくてもよく、また、必ずしも均一に形成されていなくてもよいが、より優れた撥水性を付与できるため、連続的に、また、均一に形成されていることがより好ましい。
【００２１】
本発明において、保護膜とは、ウェハ表面に形成されることにより、該ウェハ表面の濡れ性を低くする膜、すなわち撥水性を付与する膜のことである。本発明において撥水性とは、物品表面の表面エネルギーを低減させて、水やその他の液体と該物品表面との間（界面）で相互作用、例えば、水素結合、分子間力などを低減させる意味である。特に水に対して相互作用を低減させる効果が大きいが、水と水以外の液体の混合液や、水以外の液体に対しても相互作用を低減させる効果を有する。該相互作用の低減により、物品表面に対する液体の接触角を大きくすることができる。
【００２２】
また、本発明のウェハの洗浄方法は、表面に凹凸パターンを形成され該凹凸パターンの凹部表面に、チタン、タングステン、アルミニウム、銅、スズ、タンタル、及び、ルテニウムのうち少なくとも１種の元素を有するウェハの洗浄方法であって、該方法は、少なくとも、
凹凸パターンの少なくとも凹部に保護膜形成用薬液を保持する保護膜形成工程、
乾燥により凹凸パターンから液体を除去する乾燥工程、
保護膜を除去する膜除去工程
を有し、前記保護膜形成用薬液が、少なくとも前記凹部表面に撥水性保護膜を形成するための撥水性保護膜形成剤を含む薬液であり、前記撥水性保護膜が、撥水性保護膜形成剤である前記一般式［１］で示される化合物から形成されたものであることを特徴とする。
【発明の効果】
【００２３】
本発明の保護膜形成用薬液によって形成される保護膜は撥水性に優れることから、表面に凹凸パターンを形成され該凹凸パターンの凹部表面に、チタン、タングステン、アルミニウム、銅、スズ、タンタル、及び、ルテニウムのうち少なくとも１種の元素を有するウェハの、該凹部に保持された液体と該凹部表面との相互作用を低減せしめ、ひいてはパターン倒れ防止効果を示す。該薬液を用いると、表面に凹凸パターンを有するウェハの製造方法中の洗浄工程が、スループットが低下することなく改善される。従って、本発明の保護膜形成用薬液を用いて行われる表面に凹凸パターンを有するウェハの製造方法は、生産性が高いものとなる。
【００２４】
本発明の保護膜形成用薬液は、今後益々大きくなると予想される例えば７以上のアスペクト比を有する凹凸パターンにも対応可能であり、より高密度化された半導体デバイス生産のコストダウンを可能とする。しかも従来の装置から大きな変更がなく対応でき、その結果、各種の半導体デバイスの製造に適用可能なものとなる。
【図面の簡単な説明】
【００２５】
【図１】表面が凹凸パターン２を有する面とされたウェハ１を斜視したときの模式図。
【図２】図１中のａ−ａ’断面の一部を示した模式図。
【図３】洗浄工程にて凹部４が保護膜形成用薬液８を保持した状態の模式図。
【図４】保護膜が形成された凹部４に液体が保持された状態の模式図。
【発明を実施するための形態】
【００２６】
金属系ウェハとしては、シリコンウェハ、シリコンおよび／または酸化ケイ素（ＳｉＯ２）を含む複数の成分から構成されたウェハ、シリコンカーバイドウェハ、サファイアウェハ、各種化合物半導体ウェハ、及び、プラスチックウェハなどの表面を、チタン、窒化チタン、酸化チタン等のチタン元素を含む物質、あるいは、タングステン、酸化タングステン等のタングステン元素を含む物質、アルミニウムや酸化アルミニウム等のアルミニウム元素を含む物質、銅や酸化銅等の銅元素を含む物質、スズや酸化スズ等のスズ元素を含む物質、窒化タンタルや酸化タンタル等のタンタル元素を含む物質、あるいは、ルテニウムや酸化ルテニウム等のルテニウム元素を含む物質の層で被覆したもの、またはウェハ上に多層膜を形成し、そのうちの少なくとも１層が前記金属系元素を含む物質の層であるもの等が挙げられ、上記の凹凸パターン形成工程は、前記金属系元素を含む物質の層を含む層において行われる。また、凹凸パターンを形成したときに、該凹凸パターンの表面の少なくとも一部が、前記金属系元素のうち少なくとも１種の元素を有する物質となるものも含まれる。
【００２７】
本発明の保護膜形成用薬液を用いた表面処理を実施する前に、一般的には次に挙げる前処理工程を経ることが多い。
ウェハ表面を凹凸パターンを有する面とする前処理工程１、
水系洗浄液を用いて、ウェハ表面を洗浄する前処理工程２、及び
前記水系洗浄液を、該水系洗浄液とは異なる洗浄液Ａ（以下、単に「洗浄液Ａ」と記載する場合がある）に置換する前処理工程３
なお、前処理工程２または前処理工程３のいずれか一方は省略されることもある。
【００２８】
前記前処理工程１において、パターン形成方法は、まず、該ウェハ表面にレジストを塗布したのち、レジストマスクを介してレジストに露光し、露光されたレジスト、または、露光されなかったレジストをエッチング除去することによって所望の凹凸パターンを有するレジストを作製する。また、レジストにパターンを有するモールドを押し当てることでも、凹凸パターンを有するレジストを得ることができる。次に、ウェハをエッチングする。このとき、レジストパターンの凹の部分が選択的にエッチングされる。最後に、レジストを剥離すると、凹凸パターンを有するウェハが得られる。
【００２９】
上記の前処理工程１によって、表面に凹凸パターンを形成され該凹凸パターンの凹部表面に、チタン、タングステン、アルミニウム、銅、スズ、タンタル、及び、ルテニウムのうち少なくとも１種の元素を有するウェハが得られる。
【００３０】
前記前処理工程２において用いる水系洗浄液の例としては、水、あるいは、水に有機溶媒、過酸化水素、オゾン、酸、アルカリ、界面活性剤のうち少なくとも１種が混合された水溶液（例えば、水の含有率が１０質量％以上）とするものが挙げられる。
【００３１】
また、前処理工程２において、水系洗浄液への置換は２回以上行ってもよい。その際に用いる水系洗浄液は、それぞれ異なるものであっても良い。
【００３２】
前記前処理工程２において水系洗浄液で表面の洗浄を行った後、そのまま乾燥等により水系洗浄液を除去、或いは水系洗浄液から水に置換した後に乾燥等により水を除去すると、凹部の幅が小さく、凸部のアスペクト比が大きいと、パターン倒れが生じやすくなる。該凹凸パターンは、図１及び図２に記すように定義される。図１は、表面が凹凸パターン２を有する面とされたウェハ１を斜視したときの模式図の一例を示し、図２は図１中のａ−ａ’断面の一部を示したものである。凹部の幅５は、図２に示すように凸部３と凸部３の間隔で示され、凸部のアスペクト比は、凸部の高さ６を凸部の幅７で割ったもので表される。洗浄工程でのパターン倒れは、凹部の幅が７０ｎｍ以下、特には４５ｎｍ以下、アスペクト比が４以上、特には６以上のときに生じやすくなる。
【００３３】
前処理工程３で用いた洗浄液Ａとは、有機溶媒、該有機溶媒と水系洗浄液の混合物、それらに酸、アルカリ、界面活性剤のうち少なくとも１種が混合された洗浄液を示す。さらに、該洗浄液Ａを本発明の保護膜形成用薬液に置換することにより、凹凸パターンの少なくとも凹部に該保護膜形成用薬液を保持する工程（保護膜形成工程）を行うことが好ましい。
【００３４】
本発明において、ウェハの凹凸パターンの少なくとも凹部に前記薬液や洗浄液を保持できるのであれば、該ウェハの洗浄方式は特に限定されない。ウェハの洗浄方式としては、ウェハをほぼ水平に保持して回転させながら回転中心付近に液体を供給してウェハを１枚ずつ洗浄するスピン洗浄に代表される枚葉方式や、洗浄槽内で複数枚のウェハを浸漬し洗浄するバッチ方式が挙げられる。なお、ウェハの凹凸パターンの少なくとも凹部に前記薬液や洗浄液を供給するときの該薬液や洗浄液の形態としては、該凹部に保持された時に液体になるものであれば特に限定されず、たとえば、液体、蒸気などがある。
【００３５】
前記洗浄液Ａの好ましい例の一つである有機溶媒の例としては、炭化水素類、エステル類、エーテル類、ケトン類、含ハロゲン溶媒、スルホキシド系溶媒、ラクトン系溶媒、カーボネート系溶媒、アルコール類、多価アルコールの誘導体、窒素元素含有溶媒等が挙げられる。
【００３６】
前記炭化水素類の例としては、トルエン、ベンゼン、キシレン、ヘキサン、ヘプタン、オクタンなどがあり、前記エステル類の例としては、酢酸エチル、酢酸プロピル、酢酸ブチル、アセト酢酸エチルなどがあり、前記エーテル類の例としては、ジエチルエーテル、ジプロピルエーテル、ジブチルエーテル、テトラヒドロフラン、ジオキサンなどがあり、前記ケトン類の例としては、アセトン、アセチルアセトン、メチルエチルケトン、メチルプロピルケトン、メチルブチルケトン、シクロヘキサノンなどがあり、前記含ハロゲン溶媒の例としては、パーフルオロオクタン、パーフルオロノナン、パーフルオロシクロペンタン、パーフルオロシクロヘキサン、ヘキサフルオロベンゼンなどのパーフルオロカーボン、１、１、１、３、３−ペンタフルオロブタン、オクタフルオロシクロペンタン、２，３−ジハイドロデカフルオロペンタン、ゼオローラＨ（日本ゼオン製）などのハイドロフルオロカーボン、メチルパーフルオロイソブチルエーテル、メチルパーフルオロブチルエーテル、エチルパーフルオロブチルエーテル、エチルパーフルオロイソブチルエーテル、アサヒクリンＡＥ−３０００（旭硝子製）、Ｎｏｖｅｃ７１００、Ｎｏｖｅｃ７２００、Ｎｏｖｅｃ７３００、Ｎｏｖｅｃ７６００（いずれも３Ｍ製）などのハイドロフルオロエーテル、テトラクロロメタンなどのクロロカーボン、クロロホルムなどのハイドロクロロカーボン、ジクロロジフルオロメタンなどのクロロフルオロカーボン、１，１−ジクロロ−２，２，３，３，３−ペンタフルオロプロパン、１，３−ジクロロ−１，１，２，２，３−ペンタフルオロプロパン、１−クロロ−３，３，３−トリフルオロプロペン、１，２−ジクロロ−３，３，３−トリフルオロプロペンなどのハイドロクロロフルオロカーボン、パーフルオロエーテル、パーフルオロポリエーテルなどがあり、前記スルホキシド系溶媒の例としては、ジメチルスルホキシドなどがあり、前記ラクトン系溶媒の例としては、γ-ブチロラクトン、γ-バレロラクトン、γ-ヘキサノラクトン、γ-ヘプタノラクトン、γ-オクタノラクトン、γ-ノナノラクトン、γ-デカノラクトン、γ-ウンデカノラクトン、γ-ドデカノラクトン、δ-バレロラクトン、δ-ヘキサノラクトン、δ-オクタノラクトン、δ-ノナノラクトン、δ-デカノラクトン、δ-ウンデカノラクトン、δ-ドデカノラクトン、ε-ヘキサノラクトンなどがあり、前記カーボネート系溶媒の例としては、ジメチルカーボネート、エチルメチルカーボネート、ジエチルカーボネート、プロピレンカーボネートなどがあり、アルコール類の例としては、メタノール、エタノール、プロパノール、ブタノール、エチレングリコール、ジエチレングリコール、１，２−プロパンジオール、１，３−プロパンジオール、ジプロピレングリコール、１，２−ブタンジオール、１，３−ブタンジオール、１，４−ブタンジオール、トリエチレングリコール、トリプロピレングリコール、テトラエチレングリコール、テトラプロピレングリコール、グリセリンなどがあり、前記多価アルコールの誘導体の例としては、エチレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、エチレングリコールモノプロピルエーテル、エチレングリコールモノブチルエーテル、ジエチレングリコールモノメチルエーテル、ジエチレングリコールモノエチルエーテル、ジエチレングリコールモノプロピルエーテル、ジエチレングリコールモノブチルエーテル、トリエチレングリコールモノメチルエーテル、トリエチレングリコールモノエチルエーテル、トリエチレングリコールモノプロピルエーテル、トリエチレングリコールモノブチルエーテル、テトラエチレングリコールモノメチルエーテル、テトラエチレングリコールモノエチルエーテル、テトラエチレングリコールモノプロピルエーテル、テトラエチレングリコールモノブチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノエチルエーテル、プロピレングリコールモノプロピルエーテル、プロピレングリコールモノブチルエーテル、ジプロピレングリコールモノメチルエーテル、ジプロピレングリコールモノエチルエーテル、ジプロピレングリコールモノプロピルエーテル、ジプロピレングリコールモノブチルエーテル、トリプロピレングリコールモノメチルエーテル、トリプロピレングリコールモノエチルエーテル、トリプロピレングリコールモノプロピルエーテル、トリプロピレングリコールモノブチルエーテル、テトラプロピレングリコールモノメチルエーテル、ブチレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールジメチルエーテル、エチレングリコールジエチルエーテル、エチレングリコールジブチルエーテル、エチレングリコールモノメチルエーテルアセテート、エチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、エチレングリコールモノブチルエーテルアセテート、エチレングリコールジアセテート、ジエチレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールエチルメチルエーテル、ジエチレングリコールジエチルエーテル、ジエチレングリコールブチルメチルエーテル、ジエチレングリコールジブチルエーテル、ジエチレングリコールモノメチルエーテルアセテート、ジエチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、ジエチレングリコールモノブチルエーテルアセテート、ジエチレングリコールジアセテート、トリエチレングリコールジメチルエーテル、トリエチレングリコールジエチルエーテル、トリエチレングリコールジブチルエーテル、トリエチレングリコールブチルメチルエーテル、トリエチレングリコールモノメチルエーテルアセテート、トリエチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、トリエチレングリコールモノブチルエーテルアセテート、トリエチレングリコールジアセテート、テトラエチレングリコールジメチルエーテル、テトラエチレングリコールジエチルエーテル、テトラエチレングリコールジブチルエーテル、テトラエチレングリコールモノメチルエーテルアセテート、テトラエチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、テトラエチレングリコールモノブチルエーテルアセテート、テトラエチレングリコールジアセテート、プロピレングリコールジメチルエーテル、プロピレングリコールジエチルエーテル、プロピレングリコールジブチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノエチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノブチルエーテルアセテート、プロピレングリコールジアセテート、ジプロピレングリコールジメチルエーテル、ジプロピレングリコールメチルプロピルエーテル、ジプロピレングリコールジエチルエーテル、ジプロピレングリコールジブチルエーテル、ジプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、ジプロピレングリコールモノエチルエーテルアセテート、ジプロピレングリコールモノブチルエーテルアセテート、ジプロピレングリコールジアセテート、トリプロピレングリコールジメチルエーテル、トリプロピレングリコールジエチルエーテル、トリプロピレングリコールジブチルエーテル、トリプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、トリプロピレングリコールモノエチルエーテルアセテート、トリプロピレングリコールモノブチルエーテルアセテート、トリプロピレングリコールジアセテート、テトラプロピレングリコールジメチルエーテル、テトラプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、テトラプロピレングリコールジアセテート、ブチレングリコールジメチルエーテル、ブチレングリコールモノメチルエーテルアセテート、ブチレングリコールジアセテート、グリセリントリアセテートなどがあり、窒素元素含有溶媒の例としては、ホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、Ｎ−メチル−２−ピロリドン、ジエチルアミン、トリエチルアミン、ピリジンなどがある。
【００３７】
なお、前記洗浄液Ａは、清浄度の観点から、有機溶媒、水と有機溶媒の混合液が好ましい。なお、該有機溶媒が水溶性有機溶媒（水１００質量部に対する溶解度が５質量部以上）を含むと、水系洗浄液から置換しやすいので好ましい。
【００３８】
また、前処理工程３において、洗浄液Ａへの置換は２回以上行ってもよい。すなわち、前処理工程２で用いた水系洗浄液から１種類目の洗浄液Ａに置換した後、該洗浄液Ａとは異なる複数種類の洗浄液Ａに順次置換した後、前記保護膜形成用薬液へと置換しても良い。
【００３９】
また、前処理工程２で用いた水系洗浄液から前記保護膜形成用薬液へ直接置換可能である場合は、前記洗浄液Ａによる置換（前処理工程３）を省略しても構わない。
【００４０】
図３は、保護膜形成工程にて凹部４が保護膜形成用薬液８を保持した状態の模式図を示している。図３の模式図のウェハは、図１のａ−ａ’断面の一部を示すものである。この際に、凹部４の表面に保護膜が形成されることにより該表面が撥水化される。
【００４１】
なお、本発明の薬液で保護膜を形成できるのは前記凹凸パターン中の、金属系元素のうち少なくとも１種の元素を有する物質部分の表面である。従って、前記保護膜は前記金属系ウェハの少なくとも凹部表面の一部に形成されるものであってもよい。また、前記金属系元素のうち少なくとも１種の元素を有する物質を含む複数の成分から構成されたウェハに対しても、前記金属系元素のうち少なくとも１種の元素を有する物質の表面に前記保護膜を形成することができる。該複数の成分から構成されたウェハとしては、金属系元素のうち少なくとも１種の元素を有する物質が少なくとも凹部表面の一部に形成したもの、あるいは、凹凸パターンを形成したときに、少なくとも凹部表面の一部が、金属系元素のうち少なくとも１種の元素を有する物質となるものも含まれる。
【００４２】
なお、本発明の保護膜形成用薬液は、表面にチタン元素を有する物品の該表面に優れた撥水性保護膜を形成しやすいため、前記ウェハが、表面に凹凸パターンを形成され該凹凸パターンの凹部表面にチタン元素を有するウェハであるとより好ましい。
【００４３】
前記保護膜形成用薬液は、前記金属系ウェハの洗浄工程の後、乾燥工程の前において、少なくとも凹部表面に保護膜を形成するための保護膜形成剤と溶媒を含む薬液であり、該撥水性保護膜形成剤が下記一般式［１］で示される化合物である。
0006428802.tif 000004
（式［１］中、Ｒ１は、一部または全ての水素元素がフッ素元素に置き換えられていても良い炭素数が１乃至１８の１価の炭化水素基である。Ｒ２は、それぞれ互いに独立して一部または全ての水素元素がフッ素元素に置き換えられていても良い炭素数が１乃至１８の炭化水素基を含む１価の有機基である。ａは、０乃至２の整数である。）
【００４４】
前記一般式［１］のＲ２に含まれる炭化水素基は、例えば、アルキル基、アルキレン基、または、それらの一部または全ての水素元素がフッ素元素に置換されたものなどが挙げられる。
【００４５】
また、前記Ｒ２は、−ＯＲ４（Ｒ４は、炭素数が１乃至１８の炭化水素基）であることが好ましい。また、Ｒ４の炭素数は１〜８、特に１〜４であると、より優れた撥水性を付与することができるため好ましい。また、Ｒ４は直鎖アルキル基が好ましい。
【００４６】
前記一般式［１］の化合物としては、例えば、ＣＨ３Ｐ（Ｏ）（ＯＨ）２、Ｃ２Ｈ５Ｐ（Ｏ）（ＯＨ）２、Ｃ３Ｈ７Ｐ（Ｏ）（ＯＨ）２、Ｃ４Ｈ９Ｐ（Ｏ）（ＯＨ）２、Ｃ５Ｈ１１Ｐ（Ｏ）（ＯＨ）２、Ｃ６Ｈ１３Ｐ（Ｏ）（ＯＨ）２、Ｃ７Ｈ１５Ｐ（Ｏ）（ＯＨ）２、Ｃ８Ｈ１７Ｐ（Ｏ）（ＯＨ）２、Ｃ９Ｈ１９Ｐ（Ｏ）（ＯＨ）２、Ｃ１０Ｈ２１Ｐ（Ｏ）（ＯＨ）２、Ｃ１１Ｈ２３Ｐ（Ｏ）（ＯＨ）２、Ｃ１２Ｈ２５Ｐ（Ｏ）（ＯＨ）２、Ｃ１３Ｈ２７Ｐ（Ｏ）（ＯＨ）２、Ｃ１４Ｈ２９Ｐ（Ｏ）（ＯＨ）２、Ｃ１５Ｈ３１Ｐ（Ｏ）（ＯＨ）２、Ｃ１６Ｈ３３Ｐ（Ｏ）（ＯＨ）２、Ｃ１７Ｈ３５Ｐ（Ｏ）（ＯＨ）２、Ｃ１８Ｈ３７Ｐ（Ｏ）（ＯＨ）２、Ｃ６Ｈ５Ｐ（Ｏ）（ＯＨ）２、ＣＦ３Ｐ（Ｏ）（ＯＨ）２、Ｃ２Ｆ５Ｐ（Ｏ）（ＯＨ）２、Ｃ３Ｆ７Ｐ（Ｏ）（ＯＨ）２、Ｃ４Ｆ９Ｐ（Ｏ）（ＯＨ）２、Ｃ５Ｆ１１Ｐ（Ｏ）（ＯＨ）２、Ｃ６Ｆ１３Ｐ（Ｏ）（ＯＨ）２、Ｃ７Ｆ１５Ｐ（Ｏ）（ＯＨ）２、Ｃ８Ｆ１７Ｐ（Ｏ）（ＯＨ）２、ＣＦ３Ｃ２Ｈ４Ｐ（Ｏ）（ＯＨ）２、Ｃ２Ｆ５Ｃ２Ｈ４Ｐ（Ｏ）（ＯＨ）２、Ｃ３Ｆ７Ｃ２Ｈ４Ｐ（Ｏ）（ＯＨ）２、Ｃ４Ｆ９Ｃ２Ｈ４Ｐ（Ｏ）（ＯＨ）２、Ｃ５Ｆ１１Ｃ２Ｈ４Ｐ（Ｏ）（ＯＨ）２、Ｃ６Ｆ１３Ｃ２Ｈ４Ｐ（Ｏ）（ＯＨ）２、Ｃ７Ｆ１５Ｃ２Ｈ４Ｐ（Ｏ）（ＯＨ）２、Ｃ８Ｆ１７Ｃ２Ｈ４Ｐ（Ｏ）（ＯＨ）２、あるいは、上記化合物の−Ｐ（Ｏ）（ＯＨ）２基を、−Ｐ（Ｏ）（ＯＨ）ＯＣＨ３基、−Ｐ（Ｏ）（ＯＨ）ＯＣ２Ｈ５基、−Ｐ（Ｏ）（ＯＣＨ３）２基、−Ｐ（Ｏ）（ＯＣ２Ｈ５）２基に置き換えたものなどが挙げられる。
【００４７】
さらに、前記保護膜形成剤は、より優れた撥水性を付与できるため、前記一般式［１］のａが１または２であることが好ましく、さらにはａが２である下記一般式［２］で示される化合物であることが好ましい。
0006428802.tif 000005
（式［２］中、Ｒ３は、一部または全ての水素元素がフッ素元素に置き換えられていても良い炭素数が１乃至１８の１価の炭化水素基である。）
【００４８】
前記一般式［１］や［２］のＲ１やＲ３は、例えば、アルキル基、フェニル基、フェニル基の水素元素がアルキル基に置換されたもの、ナフチル基、及び、これら炭化水素基の一部または全ての水素元素がフッ素元素に置換されたものなどが挙げられる。
【００４９】
また、前記一般式［１］や［２］のＲ１やＲ３は、炭素数が２〜１６、特に４〜１４、さらには６〜１４であると、より優れた撥水性を付与することができるため好ましい。また、前記一部または全ての水素元素がフッ素元素に置き換えられていても良い炭化水素基は、アルキル基が好ましく、特に直鎖アルキル基が好ましい。前記炭化水素基が直鎖アルキル基であると、保護膜を形成した際に、前記保護膜形成剤の疎水部が該保護膜の表面に対して垂直方向に向かって並びやすくなるために、より撥水性付与効果が高くなるため、より好ましい。また、前記一般式［１］や［２］のＲ１やＲ３は、より優れた撥水性を付与できるため、一部または全ての水素元素がフッ素元素に置き換えられている炭化水素基が良い。
【００５０】
また、前記保護膜形成剤は、前記一般式［１］や［２］の塩で存在していても良い。該塩としては、アンモニウム塩、または、アミン塩などがある。
【００５１】
また、保護膜形成用薬液中の保護膜形成剤の濃度は、該薬液の総量１００質量％に対して０．０００５〜２質量％であることが好ましい。０．０００５質量％未満では、撥水性付与効果が不十分となる傾向があり、２質量％超であると有機溶媒に溶解しにくい傾向がある。さらに好ましくは０．００１〜１質量％、特に好ましくは０．００１５〜０．８質量％である。
【００５２】
保護膜形成用薬液に使用される溶媒としては、水、有機溶媒、水と有機溶媒の混合液が好適に使用される。該有機溶媒としては、例えば、炭化水素類、エステル類、エーテル類、ケトン類、含ハロゲン溶媒、スルホキシド系溶媒、ラクトン系溶媒、カーボネート系溶媒、アルコール類、多価アルコールの誘導体、窒素元素含有溶媒、あるいは、それらの混合液が好適に使用される。
【００５３】
上記有機溶媒の具体例としては、前記洗浄液Ａに用いられることのある有機溶媒と同様のものが挙げられる。
【００５４】
また、前記溶媒の一部、または、全てに不燃性のものを使うと、保護膜形成用薬液が不燃性になる、あるいは、引火点が高くなって、該薬液の危険性が低下するので好ましい。含ハロゲン溶媒は不燃性のものが多く、不燃性含ハロゲン溶媒は不燃性有機溶媒として好適に使用できる。また、水も不燃性溶媒として好適に使用できる。
【００５５】
また、前記溶媒として引火点が７０℃を超える溶媒を用いると、消防法上の安全性の観点から好ましい。
【００５６】
また、「化学品の分類および表示に関する国際的調和システム；ＧＨＳ」によると、引火点が９３℃以下の溶媒を「引火性液体」として定義している。そのため、不燃性溶媒でなくとも、前記溶媒として引火点が９３℃を超える溶媒を用いると、前記保護膜形成用薬液の引火点は９３℃超になりやすく、該薬液が「引火性液体」に該当し難くなるため、安全性の観点からさらに好ましい。
【００５７】
また、ラクトン系溶媒、カーボネート系溶媒、分子量が大きいまたはＯＨ基を２つ以上有するアルコール類、多価アルコールの誘導体は、引火点が高いものが多いので、これらを溶媒に用いると、保護膜形成用薬液の危険性を低くできるので好ましい。上記の安全性の観点から、具体的には引火点が７０℃を超える、γ-ブチロラクトン、γ-バレロラクトン、γ-ヘキサノラクトン、γ-ヘプタノラクトン、γ-オクタノラクトン、γ-ノナノラクトン、γ-デカノラクトン、γ-ウンデカノラクトン、γ-ドデカノラクトン、δ-バレロラクトン、δ-ヘキサノラクトン、δ-オクタノラクトン、δ-ノナノラクトン、δ-デカノラクトン、δ-ウンデカノラクトン、δ-ドデカノラクトン、ε-ヘキサノラクトン、プロピレンカーボネート、ヘプタノール、オクタノール、エチレングリコール、ジエチレングリコール、１，２−プロパンジオール、１，３−プロパンジオール、ジプロピレングリコール、１，２−ブタンジオール、１，３−ブタンジオール、１，４−ブタンジオール、トリエチレングリコール、トリプロピレングリコール、テトラエチレングリコール、テトラプロピレングリコール、グリセリン、ジエチレングリコールモノメチルエーテル、ジエチレングリコールモノエチルエーテル、ジエチレングリコールモノプロピルエーテル、ジエチレングリコールモノブチルエーテル、トリエチレングリコールモノメチルエーテル、トリエチレングリコールモノエチルエーテル、トリエチレングリコールモノプロピルエーテル、トリエチレングリコールモノブチルエーテル、テトラエチレングリコールモノメチルエーテル、テトラエチレングリコールモノエチルエーテル、テトラエチレングリコールモノプロピルエーテル、テトラエチレングリコールモノブチルエーテル、ジプロピレングリコールモノメチルエーテル、ジプロピレングリコールモノエチルエーテル、ジプロピレングリコールモノプロピルエーテル、ジプロピレングリコールモノブチルエーテル、トリプロピレングリコールモノメチルエーテル、トリプロピレングリコールモノエチルエーテル、トリプロピレングリコールモノプロピルエーテル、トリプロピレングリコールモノブチルエーテル、テトラプロピレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールジブチルエーテル、エチレングリコールモノブチルエーテルアセテート、エチレングリコールジアセテート、ジエチレングリコールエチルメチルエーテル、ジエチレングリコールジエチルエーテル、ジエチレングリコールブチルメチルエーテル、ジエチレングリコールジブチルエーテル、ジエチレングリコールモノメチルエーテルアセテート、ジエチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、ジエチレングリコールモノブチルエーテルアセテート、ジエチレングリコールジアセテート、トリエチレングリコールジメチルエーテル、トリエチレングリコールジエチルエーテル、トリエチレングリコールジブチルエーテル、トリエチレングリコールブチルメチルエーテル、トリエチレングリコールモノメチルエーテルアセテート、トリエチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、トリエチレングリコールモノブチルエーテルアセテート、トリエチレングリコールジアセテート、テトラエチレングリコールジメチルエーテル、テトラエチレングリコールジエチルエーテル、テトラエチレングリコールジブチルエーテル、テトラエチレングリコールモノメチルエーテルアセテート、テトラエチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、テトラエチレングリコールモノブチルエーテルアセテート、テトラエチレングリコールジアセテート、プロピレングリコールジアセテート、ジプロピレングリコールメチルプロピルエーテル、ジプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、ジプロピレングリコールモノエチルエーテルアセテート、ジプロピレングリコールモノブチルエーテルアセテート、ジプロピレングリコールジアセテート、トリプロピレングリコールジメチルエーテル、トリプロピレングリコールジエチルエーテル、トリプロピレングリコールジブチルエーテル、トリプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、トリプロピレングリコールモノエチルエーテルアセテート、トリプロピレングリコールモノブチルエーテルアセテート、トリプロピレングリコールジアセテート、テトラプロピレングリコールジメチルエーテル、テトラプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、テトラプロピレングリコールジアセテート、ブチレングリコールジアセテート、グリセリントリアセテート等を前記溶媒として用いることがより好ましく、引火点が９３℃を超える、γ-ブチロラクトン、γ-ヘキサノラクトン、γ-ヘプタノラクトン、γ-オクタノラクトン、γ-ノナノラクトン、γ-デカノラクトン、γ-ウンデカノラクトン、γ-ドデカノラクトン、δ-バレロラクトン、δ-ヘキサノラクトン、δ-オクタノラクトン、δ-ノナノラクトン、δ-デカノラクトン、δ-ウンデカノラクトン、δ-ドデカノラクトン、ε-ヘキサノラクトン、プロピレンカーボネート、エチレングリコール、ジエチレングリコール、１，２−プロパンジオール、１，３−プロパンジオール、ジプロピレングリコール、１，２−ブタンジオール、１，３−ブタンジオール、１，４−ブタンジオール、トリエチレングリコール、トリプロピレングリコール、テトラエチレングリコール、テトラプロピレングリコール、グリセリン、ジエチレングリコールモノメチルエーテル、ジエチレングリコールモノプロピルエーテル、ジエチレングリコールモノブチルエーテル、トリエチレングリコールモノメチルエーテル、トリエチレングリコールモノエチルエーテル、トリエチレングリコールモノプロピルエーテル、トリエチレングリコールモノブチルエーテル、テトラエチレングリコールモノメチルエーテル、テトラエチレングリコールモノエチルエーテル、テトラエチレングリコールモノプロピルエーテル、テトラエチレングリコールモノブチルエーテル、ジプロピレングリコールモノプロピルエーテル、ジプロピレングリコールモノブチルエーテル、トリプロピレングリコールモノメチルエーテル、トリプロピレングリコールモノエチルエーテル、トリプロピレングリコールモノプロピルエーテル、トリプロピレングリコールモノブチルエーテル、テトラプロピレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールジアセテート、ジエチレングリコールブチルメチルエーテル、ジエチレングリコールジブチルエーテル、ジエチレングリコールジアセテート、ジエチレングリコールモノメチルエーテルアセテート、ジエチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、ジエチレングリコールモノブチルエーテルアセテート、トリエチレングリコールジメチルエーテル、トリエチレングリコールジエチルエーテル、トリエチレングリコールジブチルエーテル、トリエチレングリコールブチルメチルエーテル、トリエチレングリコールモノメチルエーテルアセテート、トリエチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、トリエチレングリコールモノブチルエーテルアセテート、トリエチレングリコールジアセテート、テトラエチレングリコールジメチルエーテル、テトラエチレングリコールジエチルエーテル、テトラエチレングリコールジブチルエーテル、テトラエチレングリコールモノメチルエーテルアセテート、テトラエチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、テトラエチレングリコールモノブチルエーテルアセテート、テトラエチレングリコールジアセテート、プロピレングリコールジアセテート、ジプロピレングリコールジアセテート、ジプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、ジプロピレングリコールモノエチルエーテルアセテート、ジプロピレングリコールモノブチルエーテルアセテート、トリプロピレングリコールジメチルエーテル、トリプロピレングリコールジエチルエーテル、トリプロピレングリコールジブチルエーテル、トリプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、トリプロピレングリコールモノエチルエーテルアセテート、トリプロピレングリコールモノブチルエーテルアセテート、トリプロピレングリコールジアセテート、テトラプロピレングリコールジメチルエーテル、テトラプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、テトラプロピレングリコールジアセテート、ブチレングリコールジアセテート、グリセリントリアセテート等を前記溶媒として用いることがさらにより好ましい。
【００５８】
さらにまた、前記溶媒は、より優れた撥水性を付与できるとの理由で、炭化水素類、エステル類、エーテル類、ケトン類、ラクトン系溶媒、カーボネート系溶媒、多価アルコールの誘導体の中で水酸基を持たないもの、水、または、それらの混合液が好ましい。さらに、洗浄液、特に水系洗浄液との置換性を考慮すると、水酸基を持たない多価アルコールの誘導体、水、または、それらの混合液が好ましい。なお、前記保護膜形成剤を多く溶解させるために、前記溶媒にアルコール類を含ませても良い。なお、この場合の該アルコール類の濃度は、保護膜形成用薬液１００質量％に対して、１０質量％以下が好ましく、特に５質量％以下、さらには３質量％以下が好ましい。
【００５９】
また、保護膜形成用薬液には、前記保護膜形成剤による保護膜の形成を促進させるために、触媒が添加されても良い。触媒の添加量は、保護膜形成剤の総量１００質量％に対して、０．０１〜５０質量％が好ましい。
【００６０】
保護膜形成用薬液は、温度を高くすると、より短時間で前記保護膜を形成しやすくなる。均質な保護膜を形成しやすい温度は、１０℃以上、該薬液の沸点未満であり、特には１５℃以上、該薬液の沸点よりも１０℃低い温度以下で保持されることが好ましい。前記薬液の温度は、凹凸パターンの少なくとも凹部に保持されているときも当該温度に保持されることが好ましい。なお、該薬液の沸点は該保護膜形成用薬液に含まれる成分のうち、質量比で最も量の多い成分の沸点を意味する。
【００６１】
前記保護膜形成工程の後で、該凹凸パターンの少なくとも凹部に残った前記薬液を、該薬液とは異なる洗浄液（以下、「洗浄液Ｂ」と記載する場合がある）に置換（以下、「後洗浄工程」と記載する場合がある）した後に、乾燥工程に移ってもよい。前記洗浄液Ｂの例としては、水系洗浄液、有機溶媒、前記水系洗浄液と有機溶媒の混合物、または、それらに酸、アルカリ、界面活性剤のうち少なくとも１種が混合されたもの、並びに、それらに保護膜形成用薬液に用いられる保護膜形成剤が該薬液よりも低濃度になるように含有されたもの等が挙げられる。前記洗浄液Ｂは、パーティクルや金属不純物の除去の観点から、水、有機溶媒、または前記水と有機溶媒の混合物がより好ましい。
【００６２】
また、後洗浄工程では、前記洗浄液Ｂへの置換を２回以上行ってもよい。すなわち、保護膜形成用薬液から１種類目の洗浄液Ｂに置換した後、１種類目の洗浄液Ｂとは異なる複数種類の洗浄液Ｂに順次置換した後、乾燥工程に移ってもよい。
【００６３】
前記洗浄液Ｂの好ましい例の一つである有機溶媒の例としては、炭化水素類、エステル類、エーテル類、ケトン類、含ハロゲン溶媒、スルホキシド系溶媒、アルコール類、多価アルコールの誘導体、窒素元素含有溶媒等が挙げられる。
【００６４】
上記有機溶媒の具体例としては、前記洗浄液Ａや、前記保護膜形成用薬液に用いられることのある有機溶媒と同様のものが挙げられる。
【００６５】
また、本発明の薬液によりウェハ表面に形成された保護膜は、前記洗浄液Ｂとして有機溶媒を用いると、前記後洗浄工程によって撥水性がほとんど低下しない傾向がある。
【００６６】
保護膜形成用薬液により撥水化された凹部４に液体が保持された場合の模式図を図４に示す。図４の模式図のウェハは、図１のａ−ａ’断面の一部を示すものである。凹凸パターン表面は前記薬液により保護膜１０が形成され撥水化されている。そして、該保護膜１０は、液体９が凹凸パターンから除去されるときもウェハ表面に保持される。
【００６７】
ウェハの凹凸パターンの少なくとも凹部表面に、保護膜形成用薬液により保護膜１０が形成されたとき、該表面に水が保持されたと仮定したときの接触角は５０〜１３０°であると、パターン倒れが発生し難いため好ましい。接触角は９０°に近いほど該凹部に働く毛細管力が小さくなり、パターン倒れが更に発生し難くなるため、６０〜１２０°が更に好ましく、６５〜１１５°が特に好ましい。また、毛細管力は２．１ＭＮ／ｍ２以下であることが好ましい。該毛細管力が２．１ＭＮ／ｍ２以下であれば、パターン倒れが発生し難いため好ましい。また、該毛細管力が小さくなると、パターン倒れは更に発生し難くなるため、該毛細管力は１．６ＭＮ／ｍ２以下が更に好ましく、１．４ＭＮ／ｍ２以下が特に好ましい。さらに、液体との接触角を９０°付近に調整して毛細管力を限りなく０．０ＭＮ／ｍ２に近づけることが理想的である。
【００６８】
次に、前記乾燥工程に記したように、前記薬液により保護膜が形成された凹部４に保持された液体を乾燥により凹凸パターンから除去する工程が行われる。このとき、凹部に保持されている液体は、保護膜形成工程で用いた前記薬液、後洗浄工程で用いた前記洗浄液Ｂ、または、それらの混合液でも良い。前記混合液は、保護膜形成用薬液に含まれる保護膜形成剤が該薬液よりも低濃度になるように含有されたものであり、該混合液は、前記薬液を洗浄液Ｂに置換する途中の状態の液でも良いし、あらかじめ前記保護膜形成剤を洗浄液Ｂに混合して得た混合液でも良い。ウェハの清浄度の観点から、特に、水、有機溶媒、または、水と有機溶媒の混合物が好ましい。また、前記凹凸パターン表面から液体が一旦除去された後で、前記凹凸パターン表面に洗浄液Ｂを保持させて、その後、乾燥しても良い。
【００６９】
なお、前記薬液による表面処理後の洗浄処理（後洗浄工程）を行う場合、該工程の時間、すなわち洗浄液Ｂが保持される時間は、前記凹凸パターン表面のパーティクルや不純物の除去の観点から、１０秒間以上、より好ましくは２０秒間以上行うことが好ましい。前記凹凸パターン表面に形成された保護膜の撥水性能の維持効果の観点から、洗浄液Ｂとして有機溶媒を用いると、該後洗浄を行ってもウェハ表面の撥水性を維持し易い傾向がある。一方、前記洗浄処理の時間が長くなりすぎると、生産性が悪くなるため１５分間以内が好ましい。
【００７０】
前記乾燥工程では、凹凸パターンに保持された液体が乾燥により除去される。当該乾燥は、スピン乾燥法、ＩＰＡ（２−プロパノール）蒸気乾燥、マランゴニ乾燥、加熱乾燥、温風乾燥、真空乾燥などの周知の乾燥方法によって行うことが好ましい。
【００７１】
次に、前記膜除去工程に記したように、保護膜１０を除去する工程が行われる。前記撥水性保護膜を除去する場合、該撥水性保護膜中のＣ−Ｃ結合、Ｃ−Ｆ結合を切断することが有効である。その方法としては、前記結合を切断できるものであれば特に限定されないが、例えば、ウェハ表面を光照射すること、ウェハを加熱すること、ウェハをオゾン曝露すること、ウェハ表面にプラズマ照射すること、ウェハ表面にコロナ放電すること等が挙げられる。
【００７２】
光照射で前記保護膜１０を除去する場合、該保護膜１０中のＣ−Ｃ結合、Ｃ−Ｆ結合の結合エネルギーである８３ｋｃａｌ／ｍｏｌ、１１６ｋｃａｌ／ｍｏｌに相当するエネルギーである３４０ｎｍ、２４０ｎｍよりも短い波長を含む紫外線を照射することが好ましい。この光源としては、メタルハライドランプ、低圧水銀ランプ、高圧水銀ランプ、エキシマランプ、カーボンアークなどが用いられる。紫外線照射強度は、メタルハライドランプであれば、例えば、照度計（コニカミノルタセンシング製照射強度計ＵＭ−１０、受光部ＵＭ−３６０〔ピーク感度波長：３６５ｎｍ、測定波長範囲：３１０〜４００ｎｍ〕）の測定値で１００ｍＷ／ｃｍ２以上が好ましく、２００ｍＷ／ｃｍ２以上が特に好ましい。なお、照射強度が１００ｍＷ／ｃｍ２未満では前記保護膜１０を除去するのに長時間要するようになる。また、低圧水銀ランプであれば、より短波長の紫外線を照射することになるので、照射強度が低くても短時間で前記保護膜１０を除去できるので好ましい。
【００７３】
また、光照射で前記保護膜１０を除去する場合、紫外線で前記保護膜１０の構成成分を分解すると同時にオゾンを発生させ、該オゾンによって前記保護膜１０の構成成分を酸化揮発させると、処理時間が短くなるので特に好ましい。この光源として、低圧水銀ランプやエキシマランプなどが用いられる。また、光照射しながらウェハを加熱してもよい。
【００７４】
ウェハを加熱する場合、４００〜１０００℃、好ましくは、５００〜９００℃でウェハの加熱を行うことが好ましい。この加熱時間は、１０秒〜６０分間、好ましくは３０秒〜１０分間の保持で行うことが好ましい。また、当該工程では、オゾン曝露、プラズマ照射、コロナ放電などを併用してもよい。また、ウェハを加熱しながら光照射を行ってもよい。
【００７５】
加熱により前記保護膜１０を除去する方法は、ウェハを熱源に接触させる方法、熱処理炉などの加熱された雰囲気にウェハを置く方法などがある。なお、加熱された雰囲気にウェハを置く方法は、複数枚のウェハを処理する場合であっても、ウェハ表面に前記保護膜１０を除去するためのエネルギーを均質に付与しやすいことから、操作が簡便で処理が短時間で済み処理能力が高いという工業的に有利な方法である。
【００７６】
ウェハをオゾン曝露する場合、低圧水銀灯などによる紫外線照射や高電圧による低温放電等で発生させたオゾンをウェハ表面に供することが好ましい。ウェハをオゾン曝露しながら光照射してもよいし、加熱してもよい。
【００７７】
前記膜除去工程では、前記の光照射、加熱、オゾン曝露、プラズマ照射、コロナ放電を組み合わせることによって、効率的にウェハ表面の保護膜を除去することができる。
【実施例】
【００７８】
ウェハの表面を凹凸パターンを有する面とすること、凹凸パターンの少なくとも凹部に保持された洗浄液を他の洗浄液で置換することは、他の文献等にて種々の検討がなされ、既に確立された技術であるので、本発明では、保護膜形成用薬液の評価を中心に行った。また、下記の式
Ｐ＝２×γ×ｃｏｓθ／Ｓ
（式中、γは凹部に保持されている液体の表面張力、θは凹部表面と凹部に保持されている液体のなす接触角、Ｓは凹部の幅である。）
から明らかなようにパターン倒れは、洗浄液のウェハ表面への接触角、すなわち液滴の接触角と、洗浄液の表面張力に大きく依存する。凹凸パターン２の凹部４に保持された洗浄液の場合、液滴の接触角と、パターン倒れと等価なものとして考えてよい該凹部に働く毛細管力とは相関性があるので、前記式と保護膜１０の液滴の接触角の評価から毛細管力を導き出してもよい。なお、実施例において、前記洗浄液として、水系洗浄液の代表的なものである水を用いた。
【００７９】
しかしながら、表面に凹凸パターンを有するウェハの場合、該凹凸パターン表面に形成された前記保護膜１０自体の接触角を正確に評価できない。
【００８０】
水滴の接触角の評価は、ＪＩＳ  Ｒ  ３２５７「基板ガラス表面のぬれ性試験方法」にもあるように、サンプル（基材）表面に数μｌの水滴を滴下し、水滴と基材表面のなす角度の測定によりなされる。しかし、パターンを有するウェハの場合、接触角が非常に大きくなる。これは、Ｗｅｎｚｅｌ効果やＣａｓｓｉｅ効果が生じるからで、接触角が基材の表面形状（ラフネス）に影響され、見かけ上の水滴の接触角が増大するためである。
【００８１】
そこで、本実施例では前記薬液を表面が平滑なウェハに供して、ウェハ表面に保護膜を形成して、該保護膜を表面に凹凸パターン２が形成されたウェハ１の表面に形成された保護膜１０とみなし、種々評価を行った。なお、本実施例では、表面が平滑なウェハとして、表面が平滑なシリコンウェハ上に窒化チタン層を有する「窒化チタン膜付きウェハ」(表中でＴｉＮと表記) 、表面が平滑なシリコンウェハ上にタングステン層を有する「タングステン膜付きウェハ」（表中でＷと表記）、及び、表面が平滑なシリコンウェハ上にルテニウム層を有する「ルテニウム膜付きウェハ」（表中でＲｕと表記）を用いた。
【００８２】
詳細を下記に述べる。以下では、保護膜形成用薬液が供されたウェハの評価方法、該保護膜形成用薬液の調製、そして、ウェハに該保護膜形成用薬液を供した後の評価結果が述べられる。
【００８３】
〔保護膜形成用薬液が供されたウェハの評価方法〕
保護膜形成用薬液が供されたウェハの評価方法として、以下の（１）〜（４）の評価を行った。
【００８４】
（１）ウェハ表面に形成された保護膜の接触角評価
保護膜が形成されたウェハ表面上に純水約２μｌを置き、水滴とウェハ表面とのなす角（接触角）を接触角計（協和界面科学製：ＣＡ−Ｘ型）で測定した。ここでは保護膜の接触角が５０〜１３０°の範囲であったものを合格とした。
【００８５】
（２）毛細管力の評価
下式を用いてＰを算出し、毛細管力（Ｐの絶対値）を求めた。
Ｐ＝２×γ×ｃｏｓθ／Ｓ
（式中、γは凹部に保持されている液体の表面張力、θは凹部表面と凹部に保持されている液体のなす接触角、Ｓは凹部の幅である。）
なお、本実施例では、パターン形状の一例として、線幅（凹部の幅）が４５ｎｍのラインアンドスペース形状のパターンのウェハを想定した。凹部の幅が４５ｎｍのパターンでは、気液界面が凹凸パターンを通過するときの洗浄液が水の場合はパターンが倒れやすく、２−プロパノールの場合はパターンが倒れ難い傾向がある。ウェハ表面が例えば、窒化チタンやタングステンやルテニウムである場合、該表面に対する２−プロパノールの接触角はともに０．５°であり、同様に水の接触角はともに２°である。また、他のチタン元素やタングステン元素やルテニウム元素を含む物質（例えば、チタン、酸化チタン、酸化タングステン、酸化ルテニウム等）においても同程度である。凹部の幅が４５ｎｍ、ウェハ表面が窒化チタン（窒化チタン膜付きウェハ）やタングステン（タングステン膜付きウェハ）やルテニウム（ルテニウム膜付きウェハ）の場合、洗浄液が、２−プロパノール（表面張力：２２ｍＮ／ｍ）では毛細管力は０．９８ＭＮ／ｍ２となる。一方、水銀を除く液体の中で表面張力が最も大きい水（表面張力：７２ｍＮ／ｍ）では毛細管力は３．２ＭＮ／ｍ２となる。
【００８６】
（３）保護膜の除去性
以下の条件でメタルハライドランプのＵＶ光をサンプルに２時間照射し、膜除去工程における保護膜の除去性を評価した。照射後に水滴の接触角が３０°以下となったものを合格とした。
・ランプ：アイグラフィックス製Ｍ０１５−Ｌ３１２（強度：１．５ｋＷ）
・照度：下記条件における測定値が１２８ｍＷ／ｃｍ２
・測定装置：紫外線強度計（コニカミノルタセンシング製、ＵＭ−１０）
・受光部：ＵＭ−３６０
（受光波長：３１０〜４００ｎｍ、ピーク波長：３６５ｎｍ）
・測定モード：放射照度測定
【００８７】
（４）保護膜除去後のウェハの表面平滑性評価
原子間力電子顕微鏡（セイコ−電子製：ＳＰＩ３７００、２．５μｍ四方スキャン）によって表面観察し、ウェハ洗浄前後の表面の中心線平均面粗さ：Ｒａ（ｎｍ）の差ΔＲａ（ｎｍ）を求めた。なお、Ｒａは、ＪＩＳ  Ｂ  ０６０１で定義されている中心線平均粗さを測定面に対し適用して三次元に拡張したものであり、「基準面から指定面までの偏差の絶対値を平均した値」として次式で算出した。
【００８８】
0006428802.tif 000006
ここで、ＸＬ、ＸＲ、ＹＢ、ＹＴは、それぞれ、Ｘ座標、Ｙ座標の測定範囲を示す。Ｓ０は、測定面が理想的にフラットであるとした時の面積であり、（ＸＲ−ＸＬ）×（ＹＢ−ＹＴ）の値とした。また、Ｆ（Ｘ，Ｙ）は、測定点（Ｘ，Ｙ）における高さ、Ｚ０は、測定面内の平均高さを表す。
【００８９】
保護膜形成前のウェハ表面のＲａ値、及び保護膜を除去した後のウェハ表面のＲａ値を測定し、両者の差（ΔＲａ）が±１ｎｍ以内であれば、洗浄によってウェハ表面が浸食されていない、および、前記保護膜の残渣がウェハ表面にないとし、合格とした。
【００９０】
［比較例１−１］
（Ｉ−１）保護膜形成用薬液の調製
撥水性保護膜形成剤としてオクタデシルホスホン酸〔Ｃ１８Ｈ３７Ｐ（Ｏ）（ＯＨ）２〕；０．００２ｇ、溶媒としてプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート（以降「ＰＧＭＥＡ」と記載する）；９９．９９８ｇを混合し、１８時間撹拌して、保護膜形成用薬液の総量に対する前記保護膜形成剤の濃度（以降「保護膜形成剤濃度」と記載する）が２０質量ｐｐｍの保護膜形成用薬液を得た。
【００９１】
（Ｉ−２）ウェハの洗浄工程（前処理工程）
前処理工程２として、平滑な窒化チタン膜付きウェハ（表面に厚さ５０ｎｍの窒化チタン層を有するシリコンウェハ）を室温で１質量％の過酸化水素水に１分間浸漬し、次いで純水に１分間浸漬し、さらに前処理工程３として、イソプロピルアルコール（以下「ｉＰＡ」と記載する）に１分間浸漬した。
【００９２】
（Ｉ−３）ウェハ表面への保護膜形成工程〜乾燥工程
保護膜形成工程として、窒化チタン膜付きウェハを、２０℃にて、上記「（Ｉ−１）保護膜形成用薬液の調製」で調製した保護膜形成用薬液に、１０分間浸漬させることにより該ウェハ表面に保護膜を形成させた。その後、後洗浄工程として、該窒化チタン膜付きウェハをｉＰＡに１分間浸漬し、乾燥工程として、窒化チタン膜付きウェハをｉＰＡから取出し、エアーを吹き付けて、表面のｉＰＡを除去した。
【００９３】
得られた窒化チタン膜付きウェハを上記「保護膜形成用薬液が供されたウェハの評価方法」に記載した要領で評価したところ、表１に示すとおり、表面処理前の初期接触角が１０°未満であったものが、表面処理後の接触角は１０６°となり、優れた撥水性付与効果を示した。また、上記「毛細管力の評価」に記載した式を使って水が保持されたときの毛細管力を計算したところ、毛細管力は０．９ＭＮ／ｍ２となり、毛細管力は小さかった。また、ＵＶ照射後の接触角は１０°未満であり保護膜は除去できた。さらに、ＵＶ照射後のウェハのΔＲａ値は±０．５ｎｍ以内であり、洗浄時にウェハは浸食されず、さらにＵＶ照射後に保護膜の残渣は残らないことが確認できた。
【００９４】
【表１】
0006428802.tif 000007
【００９５】
［比較例１−２〜１−２５、１−７５〜１−８４、実施例２６〜７４］
比較例１−１で用いた保護膜形成剤、保護膜形成用薬液の溶媒、保護膜形成剤濃度、保護膜形成工程の時間、保護膜形成工程の温度、後洗浄工程の洗浄液を適宜変更して、ウェハの表面処理を行い、さらにその評価を行った。結果を表１〜表３に示す。
【００９６】
【表２】
0006428802.tif 000008
【００９７】
【表３】
0006428802.tif 000009
【００９８】
なお、表中で、「Ｃ１２Ｈ２５Ｐ（Ｏ）（ＯＨ）２」はドデシルホスホン酸を意味し、「Ｃ１０Ｈ２１Ｐ（Ｏ）（ＯＨ）２」はデシルホスホン酸を意味し、「Ｃ１０Ｈ２１Ｐ（Ｏ）（ＯＣ２Ｈ５）２」はデシルホスホン酸ジエチルを意味し、「Ｃ８Ｈ１７Ｐ（Ｏ）（ＯＨ）２」はオクチルホスホン酸を意味し、「Ｃ６Ｆ１３−Ｃ２Ｈ４−Ｐ（Ｏ）（ＯＨ）２」はパーフルオロヘキシルエチルホスホン酸を意味し、「Ｃ４Ｆ９−Ｃ２Ｈ４−Ｐ（Ｏ）（ＯＨ）２」はパーフルオロブチルエチルホスホン酸を意味し、「Ｃ６Ｈ１３Ｐ（Ｏ）（ＯＨ）２」はヘキシルホスホン酸を意味し、「Ｃ４Ｈ９Ｐ（Ｏ）（ＯＨ）２」はブチルホスホン酸を意味し、「Ｃ６Ｈ５Ｐ（Ｏ）（ＯＨ）２」はフェニルホスホン酸を意味する。また、「ＰＧＭＥ」は、プロピレングリコールモノメチルエーテルを意味し、「ＤＥＧＭＥ」はジエチレングリコールモノメチルエーテルを意味し、「ＤＥＧＤＥＥ」はジエチレングリコールジエチルエーテルを意味し、「ＤＥＧＥＥＡ」はジエチレングリコールモノエチルエーテルアセテートを意味し、「ＧＢＬ」はγ―ブチロラクトンを意味し、「ＰＧＤＡ」はプロピレングリコールジアセテートを意味し、「ＴＰＧＤＭＥ」はトリプロピレングリコールジメチルエーテルを意味し、「１３ＢＧＤＡ」は１，３−ブチレングリコールジアセテートを意味し、「１４ＢＧＤＡ」は１，４−ブチレングリコールジアセテートを意味し、「ＤＰＧＭＥＡ」はジプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートを意味し、「ＴＥＧＢＭＥ」はトリエチレングリコールブチルメチルエーテルを意味し、「ＴＥＧＤＭＥ」はトリエチレングリコールジメチルエーテルを意味する。さらに、「ＰＧＭＥＡ／ｉＰＡ」は、ＰＧＭＥＡとｉＰＡを質量比で９９．５：０．５で混合した溶媒を意味し、さらに、「ＤＥＧＥＥＡ／ｉＰＡ」は、ＤＥＧＥＥＡとｉＰＡを質量比で９９．５：０．５で混合した溶媒を意味し、「ＤＥＧＥＥＡ／ｉＰＡ／水」は、ＤＥＧＥＥＡとｉＰＡと水を質量比で９４．９：０．１：５で混合した溶媒を意味し、「ＧＢＬ／ｉＰＡ」は、ＧＢＬとｉＰＡを質量比で９５：５で混合した溶媒を意味し、「ＧＢＬ／ｉＰＡ／水」は、ＧＢＬとｉＰＡと水を質量比で９５：４：１で混合した溶媒を意味し、「ＰＧＤＡ／ｉＰＡ」は、ＰＧＤＡとｉＰＡを質量比で９９．５：０．５で混合した溶媒を意味し、「ＰＧＤＡ／ｉＰＡ／水」は、ＰＧＤＡとｉＰＡと水を質量比で９４．９：０．１：５で混合した溶媒を意味し、「ＴＰＧＤＭＥ／ｉＰＡ」は、ＴＰＧＤＭＥとｉＰＡを質量比で９９．５：０．５で混合した溶媒を意味し、「１３ＢＧＤＡ／ｉＰＡ」は、１３ＢＧＤＡとｉＰＡを質量比で９９．５：０．５で混合した溶媒を意味し、「１３ＢＧＤＡ／ｉＰＡ／水」は、１３ＢＧＤＡとｉＰＡと水を質量比で９４．９：０．１：５で混合した溶媒を意味し、「１４ＢＧＤＡ／ｉＰＡ」は、１４ＢＧＤＡとｉＰＡを質量比で９９．５：０．５で混合した溶媒を意味し、「ＤＰＧＭＥＡ／ｉＰＡ」は、ＤＰＧＭＥＡとｉＰＡを質量比で９９．５：０．５で混合した溶媒を意味し、「ＤＰＧＭＥＡ／ｉＰＡ／水」は、ＤＰＧＭＥＡとｉＰＡと水を質量比で９４．９：０．１：５で混合した溶媒を意味し、「ＴＥＧＢＭＥ���ｉＰＡ」は、ＴＥＧＢＭＥとｉＰＡを質量比で９９．５：０．５で混合した溶媒を意味し、「ＴＥＧＢＭＥ／ｉＰＡ／水」は、ＴＥＧＢＭＥとｉＰＡと水を質量比で９４．９：０．１：５で混合した溶媒を意味し、「ＧＢＬ／ＤＰＧＭＥＡ／ｉＰＡ」は、ＧＢＬとＤＰＧＭＥＡとｉＰＡを質量比で４９．７５：４９．７５：０．５で混合した溶媒を意味し、「ＧＢＬ／ＤＰＧＭＥＡ／ｉＰＡ／水」は、ＧＢＬとＤＰＧＭＥＡとｉＰＡと水を質量比で４７．４５：４７．４５：０．１：５で混合した溶媒を意味し、「ＧＢＬ／ＰＧＭＥＡ／ｉＰＡ」は、ＧＢＬとＰＧＭＥＡとｉＰＡを質量比で４９．７５：４９．７５：０．５で混合した溶媒を意味し、「ＧＢＬ／ＰＧＭＥＡ／ｉＰＡ／水」は、ＧＢＬとＰＧＭＥＡとｉＰＡと水を質量比で４７．４５：４７．４５：０．１：５で混合した溶媒を意味し、「ＤＥＧＥＥＡ／ＰＧＭＥ−３」は、ＤＥＧＥＥＡとＰＧＭＥを質量比で９７：３で混合した溶媒を意味し、「ＤＥＧＥＥＡ／ｉＰＡ−２」は、ＤＥＧＥＥＡとｉＰＡを質量比で９８：２で混合した溶媒を意味し、「ＴＥＧＢＭＥ／ｉＰＡ−２」は、ＴＥＧＢＭＥとｉＰＡを質量比で９８：２で混合した溶媒を意味し、「ＧＢＬ／ＤＰＧＡ／ｉＰＡ／水」は、ＧＢＬとＤＰＧＡとｉＰＡと水を質量比で４７．４５：４７．４５：０．１：５で混合した溶媒を意味し、「ＧＢＬ／１３ＢＧＤＡ／ｉＰＡ／水」は、ＧＢＬと１３ＢＧＤＡとｉＰＡと水を質量比で４７．４５：４７．４５：０．１：５で混合した溶媒を意味し、「ＧＢＬ／ＴＥＧＢＭＥ／ｉＰＡ／水」は、ＧＢＬとＴＥＧＢＭＥとｉＰＡと水を質量比で４７．４５：４７．４５：０．１：５で混合した溶媒を意味し、「ＧＢＬ／ＤＥＧＥＥＡ／ｉＰＡ／水」は、ＧＢＬとＤＥＧＥＥＡとｉＰＡと水を質量比で４７．４５：４７．４５：０．１：５で混合した溶媒を意味し、「ＤＥＧＥＥＡ／ＰＧＭＥ−１０」は、ＤＥＧＥＥＡとＰＧＭＥを質量比で９０：１０で混合した溶媒を意味する。
【００９９】
［比較例１−８５］
（ＩＩ−１）保護膜形成用薬液の調製
撥水性保護膜形成剤としてオクタデシルホスホン酸〔Ｃ１８Ｈ３７Ｐ（Ｏ）（ＯＨ）２〕；０．００２ｇ、有機溶媒としてＰＧＭＥＡ；９９．９９８ｇを混合し、１８時間撹拌して、保護膜形成剤濃度が２０質量ｐｐｍの保護膜形成用薬液を得た。
【０１００】
（ＩＩ−２）ウェハの洗浄工程（前処理工程）
前処理工程２として、平滑なタングステン膜付きウェハ（表面に厚さ５０ｎｍのタングステン層を有するシリコンウェハ）を室温で１質量％のアンモニア水に１分間浸漬し、次いで純水に１分間浸漬し、さらに前処理工程３として、ｉＰＡに１分間浸漬した。
【０１０１】
（ＩＩ−３）ウェハ表面への保護膜形成工程〜乾燥工程
保護膜形成工程として、タングステン膜付きウェハを、２０℃にて、上記「（ＩＩ−１）保護膜形成用薬液の調製」で調製した保護膜形成用薬液に、１０分間浸漬させた。その後、後洗浄工程として、該タングステン膜付きウェハをｉＰＡに１分間浸漬した。乾燥工程として、タングステン膜付きウェハをｉＰＡから取出し、エアーを吹き付けて、表面のｉＰＡを除去した。
【０１０２】
得られたタングステン膜付きウェハを上記「保護膜形成用薬液が供されたウェハの評価方法」に記載した要領で評価したところ、表４に示すとおり、表面処理前の初期接触角が１０°未満であったものが、表面処理後の接触角は６８°となり、撥水性付与効果を示した。また、上記「毛細管力の評価」に記載した式を使って水が保持されたときの毛細管力を計算したところ、毛細管力は１．２ＭＮ／ｍ２となり、毛細管力は小さかった。また、ＵＶ照射後の接触角は１０°未満であり保護膜は除去できた。さらに、ＵＶ照射後のウェハのΔＲａ値は±０．５ｎｍ以内であり、洗浄時にウェハは浸食されず、さらにＵＶ照射後に保護膜の残渣は残らないことが確認できた。
【０１０３】
【表４】
0006428802.tif 000010
【０１０４】
［比較例１−８６〜１−８８、実施例８９〜１０９］
比較例１−８５で用いた保護膜形成剤、溶媒、保護膜形成剤濃度、保護膜形成工程の温度を適宜変更して、ウェハの表面処理を行い、さらにその評価を行った。結果を表４に示す。
【０１０５】
［比較例１−１１０］
（ＩＩＩ−１）保護膜形成用薬液の調製
撥水性保護膜形成剤としてオクタデシルホスホン酸〔Ｃ１８Ｈ３７Ｐ（Ｏ）（ＯＨ）２〕；０．００２ｇ、有機溶媒としてＰＧＭＥＡ；９９．９９８ｇを混合し、１８時間撹拌して、保護膜形成剤濃度が２０質量ｐｐｍの保護膜形成用薬液を得た。
【０１０６】
（ＩＩＩ−２）ウェハの洗浄工程（前処理工程）
前処理工程２として、平滑なルテニウム膜付きウェハ（表面に厚さ３００ｎｍのルテニウム層を有するシリコンウェハ）を室温で、１質量％のアンモニア水に１分間浸漬し、次いで純水に１分間浸漬し、さらに前処理工程３として、ｉＰＡに１分間浸漬した。
【０１０７】
（ＩＩＩ−３）ウェハ表面への保護膜形成工程〜乾燥工程
保護膜形成工程として、ルテニウム膜付きウェハを、２０℃にて、上記「（ＩＩＩ−１）保護膜形成用薬液の調製」で調製した保護膜形成用薬液に、１０分間浸漬させた。その後、後洗浄工程として、該ルテニウム膜付きウェハをｉＰＡに１分間浸漬した。乾燥工程として、ルテニウム膜付きウェハをｉＰＡから取出し、エアーを吹き付けて、表面のｉＰＡを除去した。
【０１０８】
得られたルテニウム膜付きウェハを上記「保護膜形成用薬液が供されたウェハの評価方法」に記載した要領で評価したところ、表５に示すとおり、表面処理前の初期接触角が１０°未満であったものが、表面処理後の接触角は７２°となり、撥水性付与効果を示した。また、上記「毛細管力の評価」に記載した式を使って水が保持されたときの毛細管力を計算したところ、毛細管力は１．０ＭＮ／ｍ２となり、毛細管力は小さかった。また、ＵＶ照射後の接触角は１０°未満であり保護膜は除去できた。さらに、ＵＶ照射後のウェハのΔＲａ値は±０．５ｎｍ以内であり、洗浄時にウェハは浸食されず、さらにＵＶ照射後
に保護膜の残渣は残らないことが確認できた。
【０１０９】
【表５】
0006428802.tif 000011
【０１１０】
［比較例１−１１１〜１−１１４、実施例１１５〜１３６］
比較例１−１１０で用いた保護膜形成剤、溶媒、保護膜形成剤濃度、保護膜形成工程の温度を適宜変更して、ウェハの表面処理を行い、さらにその評価を行った。結果を表５に示す。
【０１１１】
［比較例１］
窒化チタン膜付きウェハに保護膜形成用薬液を供さなかった以外は、比較例１−１と同じとした。すなわち、本比較例では、保護膜が形成されていないウェハ表面を評価した。評価結果は表６に示すとおり、ウェハの接触角は１４°と低く、水が保持されたときの毛細管力は３．１ＭＮ／ｍ２と大きかった。
【０１１２】
【表６】
0006428802.tif 000012
【０１１３】
［比較例２］
先ず、保護膜形成剤としてシランカップリング剤であるトリメチルシリルクロリド〔（ＣＨ３）３ＳｉＣｌ〕；３ｇ、及び、溶媒として、トルエン；９７ｇを混合し、約５分間撹拌して、保護膜形成剤濃度が３００００質量ｐｐｍの保護膜形成用薬液を得た。続いて、比較例１−１と同様の方法で、窒化チタン膜付きウェハの洗浄、及び表面処理を行った。評価結果は表６に示すとおり、表面処理後の接触角は１８°となり、撥水性付与効果は見られなかった。また、水が保持されたときの毛細管力は３．０ＭＮ／ｍ２となり、毛細管力は大きかった。
【０１１４】
［比較例３］
保護膜形成剤としてヘキサメチルジシラザン〔［（ＣＨ３）３Ｓｉ］２ＮＨ〕を用いた以外は比較例２と同じとした。結果は表６に示すとおり、表面処理後の接触角は２０°となり、撥水性付与効果は見られなかった。また、水が保持されたときの毛細管力は３．０ＭＮ／ｍ２となり、毛細管力は大きかった。
【０１１５】
［比較例４］
保護膜形成剤としてトリメチルシリルジメチルアミン〔（ＣＨ３）３ＳｉＮ（ＣＨ３）２〕を用いた以外は比較例２と同じとした。結果は表６に示すとおり、表面処理後の接触角は２０°となり、撥水性付与効果は見られなかった。また、水が保持されたときの毛細管力は３．０ＭＮ／ｍ２となり、毛細管力は大きかった。
【０１１６】
［比較例５］
タングステン膜付きウェハに保護膜形成用薬液を供さなかった以外は、比較例１−８５と同じとした。すなわち、本比較例では、保護膜が形成されていないウェハ表面を評価した。評価結果は表６に示すとおり、ウェハの接触角は１４°と低く、水が保持されたときの毛細管力は３．１ＭＮ／ｍ２と大きかった。
【０１１７】
［比較例６］
先ず、保護膜形成剤としてシランカップリング剤であるトリメチルシリルクロリド〔（ＣＨ３）３ＳｉＣｌ〕；３ｇ、及び、溶媒として、トルエン；９７ｇを混合し、約５分間撹拌して、保護膜形成剤濃度が３００００質量ｐｐｍの保護膜形成用薬液を得た。続いて、比較例１−８５と同様の方法で、タングステン膜付きウェハの洗浄、及び表面処理を行った。評価結果は表６に示すとおり、表面処理後の接触角は１４°となり、撥水性付与効果は見られなかった。また、水が保持されたときの毛細管力は３．１ＭＮ／ｍ２となり、毛細管力は大きかった。
【０１１８】
［比較例７］
保護膜形成剤としてヘキサメチルジシラザン〔［（ＣＨ３）３Ｓｉ］２ＮＨ〕を用いた以外は比較例６と同じとした。評価結果は表６に示すとおり、表面処理後の接触角は８°となり、撥水性付与効果は見られなかった。また、水が保持されたときの毛細管力は３．２ＭＮ／ｍ２となり、毛細管力は大きかった。
【０１１９】
［比較例８］
保護膜形成剤としてトリメチルシリルジメチルアミン〔（ＣＨ３）３ＳｉＮ（ＣＨ３）２〕を用いた以外は比較例６と同じとした。評価結果は表６に示すとおり、表面処理後の接触角は１０°となり、撥水性付与効果は見られなかった。また、水が保持されたときの毛細管力は３．２ＭＮ／ｍ２となり、毛細管力は大きかった。
【０１２０】
［比較例９］
ルテニウム膜付きウェハに保護膜形成用薬液を供さなかった以外は、比較例１−１１０と同じとした。すなわち、本比較例では、保護膜が形成されていないウェハ表面を評価した。評価結果は表６に示すとおり、ウェハの接触角は１４°と低く、水が保持されたときの毛細管力は３．１ＭＮ／ｍ２と大きかった。
【０１２１】
［比較例１０］
先ず、保護膜形成剤としてシランカップリング剤であるトリメチルシリルクロリド〔（ＣＨ３）３ＳｉＣｌ〕；３ｇ、及び、溶媒として、トルエン；９７ｇを混合し、約５分間撹拌して、保護膜形成剤濃度が３００００質量ｐｐｍの保護膜形成用薬液を得た。続いて、比較例１−１１０と同様の方法で、ルテニウム膜付きウェハの洗浄、及び表面処理を行った。評価結果は表６に示すとおり、表面処理後の接触角は１４°となり、撥水性付与効果は見られなかった。また、水が保持されたときの毛細管力は３．１ＭＮ／ｍ２となり、毛細管力は大きかった。
【０１２２】
［比較例１１］
保護膜形成剤としてヘキサメチルジシラザン〔［（ＣＨ３）３Ｓｉ］２ＮＨ〕を用いた以外は比較例１０と同じとした。評価結果は表６に示すとおり、表面処理後の接触角は２０°となり、撥水性付与効果は見られなかった。また、水が保持されたときの毛細管力は３．０ＭＮ／ｍ２となり、毛細管力は大きかった。
【０１２３】
［比較例１２］
保護膜形成剤としてトリメチルシリルジメチルアミン〔（ＣＨ３）３ＳｉＮ（ＣＨ３）２〕を用いた以外は比較例１０と同じとした。評価結果は表６に示すとおり、表面処理後の接触角は２２°となり、撥水性付与効果は見られなかった。また、水が保持されたときの毛細管力は３．０ＭＮ／ｍ２となり、毛細管力は大きかった。
【符号の説明】
【０１２４】
１    ウェハ
２    ウェハ表面の凹凸パターン
３    パターンの凸部
４    パターンの凹部
５    凹部の幅
６    凸部の高さ
７    凸部の幅
８    凹部４に保持された保護膜形成用薬液
９    凹部４に保持された液体
１０  保護膜
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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