(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
アノード電極、カソード電極、及び映像を表示するための、前記アノード電極と前記カソードの間の有機発光層と、を有する表示領域と、
前記表示領域にスキャン信号を伝達するように構成された回路部を有し、前記表示領域の外側に位置するゲートインパネル領域と、
前記回路部を覆うように構成された平坦化膜と、
前記ゲートインパネル領域の外側、かつ前記カソード電極の外側に位置する導電性パターンと、
前記平坦化膜の複数の部分を露出させる複数のアウトガス開口を有する、平坦化膜上の第１電極であって、前記第１電極は、前記アノード電極と同じ材料からできている、第１電極と、
前記第１電極上に形成されたバンクパターンであって、前記バンクパターンは、前記アウトガス開口のすべてを覆うように構成され、前記カソード電極及び前記第１電極を相互接続させるように構成されたコンタクト開口を有し、前記アウトガス開口は、前記平坦化膜からアウトガスされた物質を前記バンクパターンに排出するための開口であり、前記複数のアウトガス開口は、前記コンタクト開口の両側に位置する、バンクパターンと、を含む装置。
【請求項２】
前記第１電極の一部は、第１の位置で、前記カソード電極の一部に接触しており、前記第１電極の他の一部は、第２の位置で、前記導電性パターンに接触しており、少なくとも１つの前記アウトガス開口は、前記第１の位置と前記第２の位置の間に位置し、前記カソード電極は、前記導電性パターンに接触しておらず、前記カソード電極は、前記第１電極により、前記導電性パターンに電気的に接続している、請求項１に記載の装置。
【請求項３】
前記カソード電極は、前記導電性パターンに向けて延びており、第１電極は、前記カソード電極よりさらに、前記導電性パターンに向けて延びている、請求項２に記載の装置。
【請求項４】
前記カソード電極は、前記導電性パターンに重なっていない、請求項３に記載の装置。
【請求項５】
前記カソード電極は、前記第１電極の一部と重なっており、前記第１電極の他の一部は、前記導電性パターンに重なっている、請求項４に記載の装置。
【請求項６】
前記平坦化膜の終端部は、前記導電性パターンの一部を覆っている、請求項２に記載の装置。
【請求項７】
表示領域において前記平坦化膜上に形成された第２電極と前記第１電極との間に形成された第２アウトガス開口をさらに有する、請求項１に記載の装置。
【請求項８】
前記第２アウトガス開口は、前記ゲートインパネル領域と前記表示領域の境界にある、請求項７に記載の装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、有機発光ダイオード表示装置に関し、特に信頼性を向上させることができる有機発光ダイオード表示装置およびその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
最近、陰極線管(Cathode Ray Tube)の短所である重さと体積を減らすことができる各種平板表示装置が開発されている。
【０００３】
このような平板表示装置としては、液晶表示装置(Liquid Crystal Display：LCD)、電界放出表示装置(Field Emission Display：FED)、プラズマディスプレイパネル(Plasma Display Panel：PDP)及び電界発光素子(Electroluminescence Device：EL)等がある。
【０００４】
電界発光素子は、発光層の材料によって無機電界発光素子と有機電界発光素子(以下、OLEDと称する)に大別され、自ら発光する自発光素子として、応答速度が速く、発光効率、輝度および視野角が大きいという長所がある。
【０００５】
OLEDは、電界発光する有機電界発光化合物層と、前記有機電界発光化合物層を挟んで対向するカソード電極およびアノード電極を含む。
【０００６】
前記有機電界発光化合物層は、正孔注入層(Hole injection layer：HIL)、正孔輸送層(Hole transport layer：HTL)、発光層(Emission layer：EML)、電子輸送層(Electron transport layer：ETL)および電子注入層(Electron injection layer：EIT)を含む。
【０００７】
OLEDは、カソード電極と陰極に注入された正孔と電子が発光層(EML)における再結合時の励起過程で励起子(excition)が形成され、励起子からのエネルギーによって発光する。有機発光ダイオード表示装置は、OLEDの発光層から発生する光の量を電気的に制御して映像を表示する。
【０００８】
前記有機発光ダイオード表示装置は、薄膜トランジスタ(TFT)と、前記薄膜トランジスタ上に形成された平坦化膜と、前記薄膜トランジスタに接続されたアノード電極と、前記薄膜トランジスタとアノード電極上に形成されたバンクパターンと、前記バンクパターンとアノード電極上に形成された有機電界発光化合物層と、前記有機電界発光化合物層上に形成されたカソード電極とを含む。
【０００９】
前記有機発光ダイオード表示装置の基板上には、バッファー層、半導体アクティブパターン、ゲート絶縁膜、ゲート金属パターン、層間絶縁膜、ソース／ドレーン金属パターン、保護膜が形成される。前記ゲート金属パターンは、薄膜トランジスタのゲート電極を含む。
【００１０】
前記ソース／ドレーン金属パターンは、薄膜トランジスタのソース電極とドレーン電極を含む。アノード電極は、保護層を貫通するコンタクトホールを介して薄膜トランジスタのドレーン電極に接続される。
【００１１】
一方、前記有機発光ダイオード表示装置は、映像を表示する表示領域と、前記表示領域のエッジを取囲む非表示領域に区分することができる。前記非表示領域には、前記表示領域に形成された多数の駆動ラインに駆動電圧を提供する回路部およびグラウンド接続部などを設けることができる。
【００１２】
このような非表示領域の回路部上にも、表示領域と同様に薄膜トランジスタと、平坦化膜およびアノード電極などが形成される。
【００１３】
この時、前記非表示領域の回路部に形成された平坦化膜内に残留物質が時間経過によってアウトガッシング(Out-gassing)形態で発生し、前記表示領域に形成された有機電界発光化合物層に影響を及ぼし、前記有機電界発光化合物層の劣化を誘発することになる。
【００１４】
前記有機電界発光化合物層の劣化によって不良が発生し、製品の信頼性を低下させるおそれがある。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１５】
本発明は、上記した問題点を解決するためのものとして、非表示領域の回路部に形成されたアノード電極上にホールを形成して、前記回路部で発生するアウトガッシングの表示領域への移動を最小化することで、表示領域の有機発光ダイオードの劣化を防止できる有機発光ダイオード表示装置およびその製造方法を提供することを目的とする。
【００１６】
また、本発明は、製品の信頼性を向上させることができる有機発光ダイオード表示装置およびその製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１７】
上記技術的課題を達成するために、本発明の有機発光ダイオード表示装置は、基板上に定義され、映像を表示するように構成された表示領域と、前記表示領域を囲むように定義され、前記表示領域に含まれたピクセルに信号を提供するように構成された非表示領域と、前記基板の非表示領域に形成された第１薄膜トランジスタと、前記基板の表示領域に形成された第２薄膜トランジスタと、前記第１および第２薄膜トランジスタの上部に形成された平坦化膜と、前記非表示領域内の前記平坦化膜上に形成され、少なくとも１つの第１開口を含む第１電極と、前記平坦化膜上に形成され、前記第２薄膜トランジスタの電極に連結される第２電極と、前記第２電極と第１電極の上に形成され、前記第２電極の一部を露出させるように構成され、第１電極に隣接するように配置されたバンクパターンと、前記第２電極上に形成された有機発光層と、前記有機発光層上に形成された第３電極と、を含む。
【００１８】
上記技術的課題を達成するために、本発明の有機発光ダイオード表示装置の製造方法は、映像を表示する表示領域と、前記表示領域の外側に位置する非表示領域とに区分される基板を提供する段階と、前記基板の非表示領域および表示領域にそれぞれ第１および第２薄膜トランジスタを形成する段階と、前記第１および第２薄膜トランジスタが形成された基板上に、前記第２薄膜トランジスタの電極の一部を露出させる第１コンタクトホールを備えた平坦化膜を形成する段階と、前記第１コンタクトホールを備えた平坦化膜上に透明電極を形成する段階と、前記第１コンタクトホールが設けられた前記平坦化膜上にあり、前記第１薄膜トランジスタに対面する、少なくとも１つの第１開口を含む第１電極と、前記第２薄膜トランジスタの前記電極に連結される第２電極と、を形成する段階と、前記第２電極の一部を露出させるように構成され、第１電極に隣接するように配置されたバンクパターンを、前記第２電極と第１電極の上に形成する段階と、前記第２電極上に有機発光層を形成する段階と、前記有機発光層上に第３電極を形成する段階と、を含む。
【００１９】
上記技術的課題を達成するために、本発明の有機発光ダイオード表示装置は、基板上に定義され、映像を表示するように構成された表示領域と、前記表示領域を囲むように定義され、前記表示領域に含まれたピクセルに信号を提供するように構成された非表示領域と、前記基板の非表示領域に形成された第１薄膜トランジスタと、前記基板の表示領域に形成された第２薄膜トランジスタと、前記第１および第２薄膜トランジスタの上部に形成された平坦化膜と、前記非表示領域内の前記平坦化膜上に形成された第１電極と、前記平坦化膜上に形成され、前記第２薄膜トランジスタの電極に連結される第２電極と、前記第２電極と第１電極の上に形成され、前記第２電極の一部を露出させるように構成され、第１電極に隣接するように配置されたバンクパターンと、前記第２電極上に形成された有機発光層と、前記有機発光層上に形成された第３電極と、を含み、前記第１電極は、前記平坦化膜からアウトガスされた物質を、前記バンクパターンに排出されるように導く構成である。
【発明の効果】
【００２０】
本発明の有機発光ダイオード表示装置およびその製造方法によれば、非表示領域の回路部に形成されたアノード電極にホールを形成して、前記回路部で発生するアウトガッシングを前記ホールを介して放出することで、前記アウトガッシングの表示領域への移動を防止し、表示領域の有機発光ダイオードの劣化を防止することができる。
【００２１】
また、本発明の有機発光ダイオード表示装置およびその製造方法によれば、表示領域の有機発光ダイオードの劣化を防止して製品の信頼性を向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【００２２】
【図１】本発明の実施例に係る有機発光ダイオード表示装置の平面図を概略的に現わした図面である。
【図２】図１のピクセルの回路構成を現わした図面である。
【図３】図１のI〜I’に沿って切断した断面図である。
【図４−１０】図１の有機発光ダイオード表示装置を工程順に現わした図面である。
【図１１】本発明の別の実施例に係る図１のI〜I’領域の断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２３】
以下、添付された図面を参照しながら、本発明の実施例を詳しく説明する。
【００２４】
図１は本発明の実施例に係る有機発光ダイオード表示装置の平面図を概略的に現わした図面であり、図２は図１のピクセルの回路構成を現わした図面である。
【００２５】
図１および図２に示すように、本発明の実施例に係る有機発光ダイオード表示装置１０００は、基板１９０上に形成され、映像を表示する表示領域AAと、前記表示領域AAのエッジに形成され、前記表示領域AAに駆動電圧を提供する回路部が実装された非表示領域(Non-Display Area：NDA)を含む。
【００２６】
前記非表示領域NDAは、パッド部PAを介して外部から提供される多数の信号および多数の電圧を前記表示領域AAに提供する多数の配線が形成された配線部WAと、前記表示領域AAに形成されたピクセルSPのデータラインと電気的に連結されるICとを含む。
【００２７】
また、前記非表示領域NDAは、GIP(Gate In Panel)形態で基板１９０上に形成され、前記ピクセルSPのスキャンラインにスキャン信号を提供する回路部をさらに含む。
【００２８】
前記表示領域AAは、マトリックス形態で配置されたピクセルSPを含む。前記ピクセルSPは、配線部WAに含まれたデータラインを介して前記ICに連結され、前記配線部WAに含まれたスキャンラインを介して前記回路部と連結され、配線部WAに含まれた電源配線を介して電源端に連結される。
【００２９】
前記ピクセルSPは、スイッチングトランジスタ、駆動トランジスタ、キャパシターおよび有機発光ダイオードを含む２Ｔ(Transistor)１Ｃ(Capacitor)構造、またはトランジスタおよびキャパシターがさらに追加された構造にすることができる。
【００３０】
２Ｔ１Ｃ構造の場合、ピクセルSPに含まれた素子は図２のように連結することができる。
【００３１】
スイッチングトランジスタＳ１は、スキャン信号が供給されるスキャンラインSLにゲートが連結され、データ信号が供給されるデータラインDLに一端が連結され、第１ノードＮ１に他端が連結される。
【００３２】
駆動トランジスタＴ１は、前記第１ノードＮ１にゲートが連結され、高電位電源が供給される第１電源配線VDDに一端が連結され、有機発光ダイオードDに他端が連結される。
【００３３】
キャパシターCstは、第１ノードＮ１に一端が連結され、前記第１電源配線VDDに他端が連結される。前記有機発光ダイオードDは、前記駆動トランジスタＴ１の他端にアノードが連結され、低電位電源が供給される第２電源配線GNDにカソードが連結される。
【００３４】
上記説明では、ピクセルSPに含まれるトランジスタＳ１、Ｔ１がP-Typeに構成されたものを例として説明したが、本発明の実施例はこれに限定されない。
【００３５】
また、第１電源配線VDDを介して供給される高電位電源は第２電源配線GNDを介して供給される低電位電源より高いが、第１電源配線VDDおよび第２電源配線GNDを介して供給される電源のレベルは、駆動方法によりスイッチング可能である。
【００３６】
上述したピクセルSPは、次のように動作することができる。
【００３７】
スキャンラインSLを介してスキャン信号が供給されると、スイッチングトランジスタＳ１がターンオンされる。次に、データラインDLを介して供給されたデータ信号がターンオンされたスイッチングトランジスタＳ１を経て第１ノードに供給されると、前記データ信号はキャパシターCstにデータ電圧として保存される。
【００３８】
次に、スキャン信号が遮断され、スイッチングトランジスタＳ１がターンオフされると、駆動トランジスタＴ１はキャパシターCstに保存されたデータ電圧に対応して駆動される。
【００３９】
次に、第１電源配線VDDを介して供給された高電位電源が第２電源配線GNDを介して流れると、有機発光ダイオードDは光を発光することになる。なお、これは駆動方法の一例であり、本発明の実施例はこれに限定されない。
【００４０】
前記パッド部PAは基板１９０の外郭領域に位置する。前記パッド部PAは異方性導電フィルムなどによって外部基板と連結され、外部から供給される各種駆動信号および電源などを前記表示領域AA、IC、回路部などに伝達するように配線部WAに連結される。
【００４１】
前記配線部WAは、前記パッド部PAから供給された各種駆動信号および電源などを表示領域AA、IC、回路部などに伝達する。前記配線部WAには、ICにデータ信号を伝達するデータリンク配線と、回路部にクロック信号などを伝達するクロック信号配線と、表示領域AAに高電位電圧と低電位電圧を伝達する電源配線VDD、GNDが含まれる。
【００４２】
以下、低電位電源を伝達する配線をグラウンド配線と称する。
【００４３】
図３は、図１のI〜I’に沿って切断した断面図である。
【００４４】
図１および図３に示すように、本発明の実施例に係る有機発光ダイオード表示装置１０００は、表示領域AAと非表示領域NDAとに区分される。ここで、前記非表示領域NDAはGIP領域とGND Contact領域を含む。
【００４５】
前記有機発光ダイオード表示装置１０００は、基板１００上に形成された第１および第２薄膜トランジスタTFT-１、TFT-２と、前記第１および第２薄膜トランジスタTFT-１、TFT-２上に形成された保護層１３５と、平坦化膜１４０と、第１電極１７５と、第２電極１４５と、バンクパターン１５０と、有機電界発光化合物層１５５と、第３電極１６０とを含む。第２及び第３電極１４５、１６０は、アノード電極又はカソード電極である。第２電極１４５がアノード電極であるときは、第３電極１６０はカソード電極であり、第２電極１４５がカソード電極であるときは、第３電極１６０はアノード電極である。
【００４６】
この時、前記第１薄膜トランジスタTFT-１は前記非表示領域NDA中のGIP領域に形成され、前記第２薄膜トランジスタTFT-２は前記表示領域AAに形成される。
【００４７】
また、前記基板１００上にはバッファー層１０５と、半導体アクティブパターン１１０ａ、１１０ｂと、ゲート絶縁膜１２７と、ゲート金属パターンと、層間絶縁膜１３０と、ソース／ドレーン金属パターンと、保護層１３５と、スペーサー１６５が形成される。
【００４８】
前記ゲート金属パターンは前記第１および第２薄膜トランジスタTFT-１、TFT-２のゲート電極１１５ａ、１１５ｂを含み、前記ソース／ドレーン金属パターンは前記第１および第２薄膜トランジスタTFT-１、TFT-２の第４及び第５電極１２０ａ、１２０ｂと、第６及び第７電極１２５ａ、１２５ｂと、導電性パターン１７０を含む。第４、第５、第６及び第７電極１２０ａ、１２０ｂ、１２５ａ、１２５ｂは、ドレーン電極又はソース電極である。第４電極１２０ａがソース電極であるときは、第６電極１２５ａはドレーン電極であり、第４電極１２０ａがドレーン電極であるときは、第６電極１２５ａは、ソース電極である。また、第５電極１２０ｂがソース電極であるときは、第７電極がドレーン電極であり、第５電極１２０ｂがドレーン電極であるときは、第７電極１２５ｂは、ソース電極である。
【００４９】
前記第２電極１４５は、第１コンタクトホールH１を介して前記第２薄膜トランジスタTFT-２の第７電極１２５ｂと電気的に接続される。第１コンタクトホールは、前記表示領域AA内で、前記平坦化膜１４０と前記保護膜１３５を貫通するように形成される。ここで、第２電極１４５がアノード電極であるときは、第７電極はドレーン電極であり、第２電極１４５がカソード電極であるときは、第７電極はソース電極である。
【００５０】
前記第１薄膜トランジスタTFT-１は、バッファー層１０５上に形成された第１半導体アクティブパターン１１０ａと、前記ゲート絶縁膜１２７を挟んで前記第１半導体アクティブパターン１１０ａ上に形成された第１ゲート電極１１５ａと、前記層間絶縁膜１３０を挟んで前記第１ゲート電極１１５ａ上に形成され、相互一定間隔離隔された第４及び第６電極１２０ａ、１２５ａとを含む。
【００５１】
前記第２薄膜トランジスタTFT-２は、前記バッファー層１０５上に形成された第２半導体アクティブパターン１１０ｂと、前記ゲート絶縁膜１２７を挟んで前記第２半導体アクティブパターン１１０ｂ上に形成された第２ゲート電極１１５ｂと、前記層間絶縁膜１３０を挟んで前記第２ゲート電極１１５ｂ上に形成され、相互一定間隔離隔された第５及び第７電極１２０ｂ、１２５ｂとを含む。
【００５２】
前記第１電極１７５は、前記非表示領域NDAに形成される。
特に、前記第１電極１７５は、第２コンタクトホールH２を介して、前記GND Contact領域で前記導電性パターン１７０と電気的に接続される。少なくとも１つの第１開口H３が前記非表示領域NDA中のGIP領域で前記第１電極１７５に形成される。複数の第１開口がGIP領域で前記第１電極１７５に形成される場合、それらは互いに一定間隔離隔される。
【００５３】
前記第２電極１４５は、前記表示領域AA上に形成され、前記第１電極１７５と同一材料および同一工程によって形成されるが、前記第１電極１７５とは電気的に連結されない。
【００５４】
前記GIP領域で前記第１電極１７５に形成された第１開口H３によって、前記GIP領域の平坦化膜１４０からアウトガスされた物質を、前記バンクパターン１５０に排出されるように導くことが可能になる。
【００５５】
これによって、前記GIP領域の平坦化膜１４０からアウトガスされた物質が、表示領域AAの有機電界発光化合物層１５５に影響を及ぼす程度を最小化し、前記有機電界発光化合物層１５５の劣化を防止することができる。
【００５６】
従って、本発明による有機発光ダイオード表示装置の信頼性を向上させることができる。
【００５７】
上記に記載した第１電極１７５の形態は、前記GIP領域の平坦化膜１４０からアウトガスされた物質を、前記バンクパターン１５０に排出されるように導く第１電極の一例である。
【００５８】
図４〜図１０は、図１の有機発光ダイオード表示装置を工程順に現わした図面である。
【００５９】
図４に示すように、基板１００上に第１および第２薄膜トランジスタTFT-１、TFT-２を形成する段階を実施する。
【００６０】
まず、CVD(Chemical Vapor Deposition technique)によって酸化シリコン(SiO2)または窒化シリコン(SiNx)を蒸着して基板１００上にバッファー層１０５を形成した後、その上にCVDによってn+p Si:Hを蒸着して結晶化し、ポリシリコン(P-So)からなる第１および第２アクティブパターンを形成する。
【００６１】
次に、前記第１および第２アクティブパターンにp+イオンをドーピングして、第１および第２半導体アクティブパターン１１０ａ、１１０ｂを形成する。
【００６２】
前記第１および第２半導体アクティブパターン１１０ａ、１１０ｂ上に酸化シリコン(SiO2)または窒化シリコン(SiNx)を蒸着して、前記第１および第２半導体アクティブパターン１１０ａ、１１０ｂを覆うようにバッファー層１０５上にゲート絶縁膜１２７を蒸着する。
【００６３】
次に、アルミニウム(Al)、アルミニウムネオジム(AlNd)、モリブデン(Mo)中のいずれか１つの金属または２つ以上の金属や合金をスパッタリング(Sputtering)によって蒸着した後、フォトリソグラフィ(Photolithograph)工程によってパターニングして第１および第２ゲート電極１１５ａ、１１５ｂを形成する。
【００６４】
前記第１および第２ゲート電極１１５ａ、１１５ｂを覆うように、CVDによって酸化シリコン(SiO2)または窒化シリコン(SiNx)を前記ゲート絶縁膜１２７上に蒸着して層間絶縁膜１３０を形成する。
【００６５】
次に、フォトリソグラフィ工程によって層間絶縁膜１３０とゲート絶縁膜１２７で前記第４、第５、第６及び第７電極１２０ａ、１２０ｂ、１２５ａ、１２５ｂの位置をエッチングして前記第１および第２半導体アクティブパターン１１０ａ、１１０ｂのそれぞれの一部を露出させるコンタクトホールを、前記層間絶縁膜１３０およびゲート絶縁膜１２７に形成する。
【００６６】
続いて、CVDによってモリブデン(Mo)、クロム(Cr)、銅(Cu)等から選択された金属、これの積層または合金からなるソース／ドレーン金属を蒸着する。フォトリソグラフィ工程によって前記ソース／ドレーン金属を蒸着して、ホールを介してそれぞれ第１および第２半導体アクティブパターン１１０ａ、１１０ｂに接続される第４、第５、第６及び第７電極１２０ａ、１２０ｂ、１２５ａ、１２５ｂを前記層間絶縁膜１３０上に形成する。
【００６７】
これと同時に、外部の接地部と電気的に接続される導電性パターン１７０が、前記非表示領域NDA中のGND Contact領域に位置した層間絶縁膜１３０上に形成される。
【００６８】
続いて、前記第４、第５、第６及び第７電極１２０ａ、１２０ｂ、１２５ａ、１２５ｂを覆うように、CVDによって酸化シリコン(SiO2)または窒化シリコン(SiNx)を前記層間絶縁膜１３０上に蒸着、または有機材料を前記層間絶縁膜１３０上に塗布して保護膜１３５を形成する。
【００６９】
続いて、フォトリソグラフィ工程によって前記保護膜１３５をパターニングして、前記第７電極１２５ｂを露出させる第１コンタクトホールH１および前記非表示領域NDAに形成された導電性パターン１７０の一部を露出させる第２コンタクトホールH２を形成する。
【００７０】
続いて、図５に示すように、前記保護膜１３５上には、ポリイミド、ベンゾシクロブテン系樹脂(benzocyclobutene series resin)、アクリレート(acrylate)等の有機物などを液状形態でコーティングした後硬化させるスピンコーティング(spin coating)法によって形成された平坦化膜１４０が形成される。
【００７１】
前記平坦化膜１４０は、前記第１コンタクトホールH１に対応して前記第７電極１２５ｂの一部を露出させるようにパターニングされる。
【００７２】
続いて、図６に示すように、前記平坦化膜１４０が形成された基板１００上に、スパッタリング法によってITO(Indium Tin Oxide)、TO(Tin Oxide)、ITZO(Indium Tin Zinc Oxide)、IZO(Indium Zinc Oxide)等から選択された透明導電膜２００を全面蒸着する。
【００７３】
続いて、銀金属層(図示しない)および透明導電膜を前記基板１００上に順次形成する。
【００７４】
続いて、前記透明導電膜２００、銀金属層(図示しない)および透明導電膜を、フォトリソグラフィ工程によって図７に示すように、前記表示領域AAでの第２電極１４５と非表示領域NDAでの第１電極１７５とにパターニングする。
【００７５】
前記第２電極１４５および第１電極１７５は、透明導電膜、銀金属層および透明導電膜からなる三重構造に形成されている。
【００７６】
前記表示領域AAに形成された第２電極１４５は、前記第１コンタクトホールH１を介して前記第７電極１２５ｂと電気的に接続される。
【００７７】
前記非表示領域NDAに形成された第１電極１７５は、前記フォトリソグラフィ工程によって形成された少なくとも１つ以上の第１開口H３を介して一定間隔離隔された少なくとも２つ以上の電極パターンを含む。
【００７８】
前記少なくとも１つ以上の第１開口H３は、円形、菱形、四角形の形態にすることができるが、これに限定されない。また、前記第１電極１７５の２つ以上の電極パターンの間隔は、前記第１開口H３の幅によって決定される。
【００７９】
前記第１電極１７５に含まれた少なくとも２つ以上の電極パターンの中、前記非表示領域NDAのGND Contact領域に配置された電極パターンは、前記導電性パターン１７０と電気的に接続されてグラウンドGNDの役割をする。
【００８０】
図８に示すように、前記第２電極１４５および第１電極１７５が形成された基板１００上に、ポリイミドまたはフォトレジスト等の感光性有機材料を全面塗布した後、フォトリソグラフィ工程によって前記有機材料をパターニングして、発光セルを区画するためのバンクパターン１５０を形成する。
【００８１】
続いて、図９に示すように、前記バンクパターン１５０が形成された基板１００上に、酸化シリコン(SiO2)または窒化シリコン(SiNx)を利用したスペーサー１６５を形成する。続いて、前記スペーサー１６５が形成された基板１００上に、有機電界発光化合物層１５５を形成する。
【００８２】
この時、前記有機電界発光化合物層１５５は、正孔注入層、正孔輸送層、発光層、電子輸送層および電子注入層を含む。
【００８３】
前記有機電界発光化合物層１５５は、表示領域AAで第２電極１４５上に位置する。
【００８４】
続いて、図１０に示すように、前記有機電界発光化合物層１５５が形成された基板１００上に、アルミニウム(Al)等の金属を全面蒸着した後、フォトリソグラフィ工程によって前記金属をパターニングして、第３電極１６０を形成する。
【００８５】
前記第３電極１６０は、前記非表示領域NDAで前記第１電極１７５と電気的に接続され、前記表示領域AAで前記有機電界発光化合物層１５５上に位置する。
【００８６】
このように、本発明による有機発光ダイオード表示装置は、非表示領域NDA上に少なくとも１つ以上の第１開口H３を形成して、前記非表示領域NDAの平坦化膜１４０からアウトガスされた物質が前記第１開口H３を介して前記非表示領域NDAのバンクパターン１５０に排出されるようにする。
【００８７】
従って、本発明による有機発光ダイオード表示装置は、非表示領域NDAからアウトガスされた物質の表示領域AAへの移動を防止して、前記表示領域AAに形成された有機電界発光化合物層１５５の劣化を防止することができる。
【００８８】
図１１は、本発明の別の実施例に係る図１に図示されたI〜I’領域の断面図である。図１１において、上述した有機発光ダイオード表示装置と同一な構成要素に対しは同一図面符号を付与し、それに対する詳細な説明を省略することにする。
【００８９】
図１１に示すように、有機発光ダイオード表示装置は、映像が表示される表示領域AAと、前記表示領域AAのエッジに位置した非表示領域NDAとに区分される。
【００９０】
前記非表示領域NDAには、少なくとも１つ以上の第１開口H３が第１電極２７５に形成される。
【００９１】
また、前記非表示領域NDAには、第２開口H４がさらに形成される。この第２開口は、前記表示領域AA内の外側のピクセルSPの第２電極１４５と前記第１電極２７５の間に形成される。
【００９２】
前記第２開口H４によって、前記表示領域AA内の外側のピクセルSPの第２電極１４５と第１電極２７５の一定間隔Aは、一例として１ピクセル以上に離隔されることができる。
【００９３】
前記非表示領域NDAに前記第１及び第２開口H３、H４が形成されることで、前記非表示領域NDAの平坦化膜１４０からアウトガスされた物質が、前記第１及び第２開口H３、H４を介して前記非表示領域NDAのバンクパターン１５０に排出される。
【００９４】
従って、本発明による有機発光ダイオード表示装置は、非表示領域NDAからアウトガスされた物質の表示領域AAへの移動を防止して、前記表示領域AAに形成された有機電界発光化合物層１５５の劣化を防止することができる。
【００９５】
有機発光ダイオード表示装置の構造は、上述した実施例に限定されるものではなく、非表示領域にホールを有する任意のアレイ構造も含む。
【００９６】
本発明はその技術的思想や特徴を変更することなく、他の具体的な形態で実施できることは、本発明が属する技術分野の当業者にとって自明である。
【００９７】
従って、以上で記述した実施例は例示であり、本発明はそれらの実施例に限定されるものではない。本発明の範囲は、詳細な説明よりは下記の特許請求の範囲によって定められるべきであり、特許請求の範囲の意味および範囲、そして等価概念から導出される全ての変更および変形された形態が、本発明の範囲に含まれるものと解釈されなければならない。
【符号の説明】
【００９８】
１００  基板
１４０  平坦化膜
１４５  第２電極
１５０  バンクパターン
１５５  有機電界発光化合物層
１６０  第３電極
１７５、２７５  第１電極
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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