(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
格子状に設定された複数の分割予定ラインを含む基板の表面側の領域に機能層が積層され、該分割予定ラインで区画された複数の領域に該機能層を含むデバイスが形成されている被加工物の加工方法であって、
該機能層に対して吸収性を有する波長のレーザー光線を被加工物の該機能層を備える表面側から照射し、該分割予定ラインに沿った２条のレーザー加工溝を形成する溝形成ステップと、
該溝形成ステップを実施した後、被加工物の該表面側に保護部材を貼着する保護部材貼着ステップと、
該保護部材貼着ステップを実施した後、該基板に対して透過性を有する波長のレーザー光線を被加工物の裏面側から該２条のレーザー加工溝に挟まれた中間領域に向けて照射することで、該中間領域の該機能層を該基板から剥離し、該基板の内部に改質層を形成する透過レーザー照射ステップと、
該透過レーザー照射ステップを実施した後、被加工物に外力を付与し、該改質層を起点に被加工物を破断して複数のデバイスチップに分割する分割ステップと、を備え、
該透過レーザー照射ステップは、
該基板の該表面の近傍又は外側に該透過性を有する波長のレーザー光線の集光点を位置付け、該機能層を該基板から剥離する機能層剥離ステップと、
該機能層剥離ステップを実施した後、該基板の内部に該透過性を有する波長のレーザー光線の集光点を位置付け、該基板の内部に該改質層を形成する改質層形成ステップと、を含むことを特徴とする被加工物の加工方法。
【請求項２】
該透過レーザー照射ステップを実施した後に、被加工物の該裏面側にエキスパンドテープを貼着し、該保護部材を被加工物から剥離して、該基板から剥離された該機能層を該保護部材と共に除去する貼り替えステップを実施することを特徴とする請求項１記載の被加工物の加工方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、Ｌｏｗ−ｋ膜等の機能層を備える被加工物の加工方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
携帯電話機に代表される電子機器では、ＩＣ等の電子回路（デバイス）を備えるデバイスチップが必須の部品となっている。デバイスチップは、例えば、シリコン等の材料でなるウェーハ（基板）の表面をストリートと呼ばれる複数の分割予定ラインで区画し、各領域にデバイスを形成した後、このストリートに沿ってウェーハを分割することで製造できる。
【０００３】
近年、デバイスの配線間を誘電率の低い絶縁膜（Ｌｏｗ−ｋ膜）で絶縁する技術が実用化されている。配線間の絶縁にＬｏｗ−ｋ膜を用いることで、プロセスの微細化により配線の間隔が狭くなっても、配線間に生じる静電容量を小さく抑え、信号の遅延を抑制できる。これにより、デバイスの処理能力は高く維持される。
【０００４】
上述したＬｏｗ−ｋ膜は、通常、多層に積層されており、その機械的強度は低い。そのため、例えば、ウェーハを切削ブレードで切削してデバイスチップに分割しようとすると、Ｌｏｗ−ｋ膜はウェーハから剥離してしまう。これに対し、レーザー光線を照射してＬｏｗ−ｋ膜の一部を除去した後にウェーハを切削する加工方法が提案されている（例えば、特許文献１参照）。
【０００５】
この加工方法では、まず、ウェーハの表面側からストリートに沿ってレーザー光線を照射し、Ｌｏｗ−ｋ膜の一部をアブレーションによって除去する。その後、Ｌｏｗ−ｋ膜が除去された領域を切削ブレードで切削すれば、Ｌｏｗ−ｋ膜の剥離の可能性を低く抑えながらウェーハを分割できる。
【０００６】
また、デバイスチップの抗折強度を高め、分割予定ラインの幅を狭くするという目的で、Ｌｏｗ−ｋ膜をアブレーションによって除去してから切削ブレードを用いずにウェーハを分割する加工方法も提案されている（例えば、特許文献２参照）。この加工方法では、Ｌｏｗ−ｋ膜の除去後、ウェーハに吸収され難い波長のレーザー光線を集光してウェーハの内部に多光子吸収による改質層を形成し、この改質層を起点にウェーハを破断している。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特開２００３−３２０４６６号公報
【特許文献２】特開２０１２−８９７０９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
ところが、アブレーションによってＬｏｗ−ｋ膜を除去すると、発生する熱等の影響で付近のウェーハの一部が変質する。上述した改質層を起点とする亀裂は、変質した領域を避けて伸展するので、この場合、Ｌｏｗ−ｋ膜が除去された領域でウェーハを適切に分割できず、Ｌｏｗ−ｋ膜の剥離及びデバイスの不良が発生し易かった。
【０００９】
本発明はかかる問題点に鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、機能層の剥離を防止できる被加工物の加工方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明によれば、格子状に設定された複数の分割予定ラインを含む基板の表面側の領域に機能層が積層され、該分割予定ラインで区画された複数の領域に該機能層を含むデバイスが形成されている被加工物の加工方法であって、該機能層に対して吸収性を有する波長のレーザー光線を被加工物の該機能層を備える表面側から照射し、該分割予定ラインに沿った２条のレーザー加工溝を形成する溝形成ステップと、該溝形成ステップを実施した後、被加工物の該表面側に保護部材を貼着する保護部材貼着ステップと、該保護部材貼着ステップを実施した後、該基板に対して透過性を有する波長のレーザー光線を被加工物の裏面側から該２条のレーザー加工溝に挟まれた中間領域に向けて照射することで、該中間領域の該機能層を該基板から剥離し、該基板の内部に改質層を形成する透過レーザー照射ステップと、該透過レーザー照射ステップを実施した後、被加工物に外力を付与し、該改質層を起点に被加工物を破断して複数のデバイスチップに分割する分割ステップと、を備え、該透過レーザー照射ステップは、該基板の該表面の近傍又は外側に該透過性を有する波長のレーザー光線の集光点を位置付け、該機能層を該基板から剥離する機能層剥離ステップと、該機能層剥離ステップを実施した後、該基板の内部に該透過性を有する波長のレーザー光線の集光点を位置付け、該基板の内部に該改質層を形成する改質層形成ステップと、を含むことを特徴とする被加工物の加工方法が提供される。
【００１１】
本発明において、該透過レーザー照射ステップを実施した後に、被加工物の該裏面側にエキスパンドテープを貼着し、該保護部材を被加工物から剥離して、該基板から剥離された該機能層を該保護部材と共に除去する貼り替えステップを実施することが好ましい。
【発明の効果】
【００１２】
本発明に係る被加工物の加工方法では、機能層に対して吸収性を有する波長のレーザー光線を被加工物の表面側から照射し、分割予定ラインに沿う２条のレーザー加工溝を形成した後に、基板に対して透過性を有する波長のレーザー光線を被加工物の裏面側から２条のレーザー加工溝に挟まれた中間領域に向けて照射し、この中間領域に残存する機能層を基板から剥離するので、中間領域付近で基板を変質させることなく機能層を除去できる。
【００１３】
そのため、基板に対して透過性を有する波長のレーザー光線を被加工物の裏面側から中間領域に向けて照射し、基板の内部に改質層を形成してから、被加工物に外力を付与することで、改質層から中間領域に亀裂を伸展させて被加工物を複数のデバイスチップに分割できる。すなわち、本発明に係る被加工物の加工方法によれば、機能層が除去された中間領域で被加工物を適切に分割して、機能層の剥離を防止できる。
【図面の簡単な説明】
【００１４】
【図１】図１（Ａ）は、被加工物を模式的に示す斜視図であり、図１（Ｂ）は、被加工物の一部を模式的に示す断面図である。
【図２】図２（Ａ）は、溝形成ステップを模式的に示す斜視図であり、図２（Ｂ）は、溝形成ステップを模式的に示す断面図である。
【図３】保護部材貼着ステップを模式的に示す斜視図である。
【図４】図４（Ａ）は、透過レーザー照射ステップの機能層剥離ステップを模式的に示す斜視図であり、図４（Ｂ）は、機能層剥離ステップを模式的に示す断面図である。
【図５】透過レーザー照射ステップの改質層形成ステップを模式的に示す断面図である。
【図６】貼り替えステップを模式的に示す斜視図である。
【図７】図７（Ａ）及び図７（Ｂ）は、分割ステップを模式的に示す一部断面側面図であり、図７（Ｃ）は、分割ステップを模式的に示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１５】
添付図面を参照して、本発明の実施形態について説明する。本実施形態に係る被加工物の加工方法は、溝形成ステップ（図２（Ａ）及び図２（Ｂ）参照）、保護部材貼着ステップ（図３参照）、透過レーザー照射ステップ（図４（Ａ）、図４（Ｂ）及び図５参照）、貼り替えステップ（図６参照）及び分割ステップ（図７（Ａ）、図７（Ｂ）及び図７（Ｃ）参照）を含む。
【００１６】
溝形成ステップでは、被加工物の表面側から機能層に吸収され易い波長（機能層に対して吸収性を有する波長）のレーザー光線を照射し、分割予定ラインに沿う２条のレーザー加工溝を形成する。保護部材貼着ステップでは、被加工物の表面側に保護部材を貼り付ける。
【００１７】
透過レーザー照射ステップでは、被加工物の裏面側からウェーハ（基板）に吸収され難い波長（ウェーハに対して透過性を有する波長）のレーザー光線を照射して、２条のレーザー加工溝に挟まれた中間領域に残存する機能層をウェーハから剥離し（機能層剥離ステップ）、また、ウェーハの内部に改質層を形成する（改質層形成ステップ）。
【００１８】
貼り替えステップでは、被加工物の裏面側にエキスパンドテープを貼り付け、保護部材を被加工物から剥離して、ウェーハから剥離された機能層を保護部材と共に除去する。分割ステップでは、被加工物に外力を付与し、改質層を起点に被加工物を破断して複数のデバイスチップに分割する。以下、本実施形態に係る被加工物の加工方法について詳述する。
【００１９】
図１（Ａ）は、本実施の形態で加工される被加工物を模式的に示す斜視図であり、図１（Ｂ）は、被加工物の一部を模式的に示す断面図である。図１（Ａ）及び図１（Ｂ）に示すように、被加工物１１は、基材となるウェーハ（基板）１３と、ウェーハ１３の表面１３ａ側に積層された機能層１５とを備える。
【００２０】
ウェーハ１３は、例えば、シリコン等の半導体材料や、サファイア等のセラミックでなる円形の板状物である。一方、機能層１５は、配線として機能する金属膜や、配線間を絶縁する絶縁膜（Ｌｏｗ−ｋ膜を含む）、半導体膜等を含んで構成されている。機能層１５中のＬｏｗ−ｋ膜としては、例えば、ＳｉＯＦ、ＳｉＯＢ等の無機材料でなる無機絶縁膜や、ポリイミド系、パレリン系のポリマー等でなる有機絶縁膜を用いることができる。
【００２１】
被加工物１１の表面１１ａ（ウェーハ１３の表面１３ａ）側は、格子状に設定された複数の分割予定ライン（ストリート）１７で複数の領域に区画されており、各領域には、ＩＣ、ＬＥＤ等のデバイス１９が形成されている。各デバイス１９は、上述した機能層１５を構成要素として含んでいる。また、機能層１５の一部は、分割予定ライン１７と重なる領域にも配置されている。
【００２２】
本実施形態に係る被加工物の加工方法では、まず、分割予定ラインに沿う２条のレーザー加工溝を形成する溝形成ステップを実施する。図２（Ａ）は、溝形成ステップを模式的に示す斜視図であり、図２（Ｂ）は、溝形成ステップを模式的に示す断面図である。この溝形成ステップは、例えば、図２（Ａ）に示すレーザー加工装置２で実施される。
【００２３】
レーザー加工装置２は、被加工物１１を保持するチャックテーブル４を備えている。チャックテーブル４は、モータ等の回転機構（不図示）と連結されており、鉛直方向（Ｚ軸方向）に平行な回転軸の周りに回転する。また、チャックテーブル４の下方には、移動機構（不図示）が設けられており、チャックテーブル４は、この移動機構によって水平方向（Ｘ軸方向、Ｙ軸方向）に移動する。
【００２４】
チャックテーブル４の上面は、被加工物１１の裏面１１ｂ（ウェーハ１３の裏面１３ｂ）側を保持する保持面となっている。この保持面には、チャックテーブル４の内部に形成された流路を通じて吸引源（不図示）の負圧が作用し、被加工物１１を吸引する吸引力が発生する。
【００２５】
チャックテーブル４の上方には、レーザー加工ユニット６が配置されている。レーザー加工ユニット６と隣接する位置には、被加工物１１を撮像するためのカメラ８が設置されている。レーザー加工ユニット６は、レーザー発振器（不図示）でパルス発振されたレーザー光線Ｌ１を集光して、分割予定ライン１７と重なる領域の機能層１５に照射する。レーザー発振器は、機能層１５に吸収され易い波長（吸収性を有する波長）のレーザー光線Ｌ１を発振できるように構成されている。
【００２６】
本実施形態に係る溝形成ステップでは、まず、被加工物１１の裏面１１ｂとチャックテーブル４の保持面とが対面するように被加工物１１をチャックテーブル４に載置し、保持面に吸引源の負圧を作用させる。これにより、被加工物１１は、表面１１ａ側が上方に露出した状態でチャックテーブル４に保持される。
【００２７】
次に、チャックテーブルを移動、回転させて、レーザー加工ユニット６の位置を加工開始位置（例えば、加工対象となる分割予定ライン１７の端部）の上方に合わせる。そして、レーザー加工ユニット６から被加工物１１の表面１１ａに向けてレーザー光線Ｌ１を照射させつつ、チャックテーブル４を加工対象の分割予定ライン１７に平行な方向（図２（Ａ）では、Ｘ軸方向）に移動させる。
【００２８】
この時、レーザー光線Ｌ１の集光点Ｐ１の位置を、ウェーハ１３の表面１３ａの近傍に合わせる。これにより、被加工物１１の表面１１ａ側に形成された機能層１５を加工対象の分割予定ライン１７に沿ってアブレーションさせ、機能層１５の一部を除去した１条のレーザー加工溝２１を形成できる。
【００２９】
加工対象の分割予定ライン１７に沿って１条のレーザー加工溝２１を形成した後には、同じ分割予定ライン１７内で離れた位置（図２（Ａ）及び図２（Ｂ）では、Ｙ軸方向に離れた位置）に別の１条のレーザー加工溝２１を形成する。この手順を繰り返し、例えば、全ての分割予定ライン１７にそれぞれ２条のレーザー加工溝２１が形成されると、溝形成ステップは終了する。
【００３０】
溝形成ステップの後には、被加工物１１の表面１１ａ側に保護部材を貼り付ける保護部材貼着ステップを実施する。図３は、保護部材貼着ステップを模式的に示す斜視図である。図３に示すように、保護部材２３は、樹脂等の材料でなる円形のフィルム状部材であり、その表面２３ａ側には、接着力を持つ糊層が設けられている。
【００３１】
また、保護部材２３は、例えば、被加工物１１の表面１１ａ全体を覆うことができる大きさに形成されている。保護部材貼着ステップでは、図３に示すように、保護部材２３の表面２３ａを被加工物１１の表面１１ａに接触させて、被加工物１１に保護部材２３を貼り付ける。
【００３２】
保護部材貼着ステップの後には、被加工物１１の裏面１１ｂ側からウェーハ１３に吸収され難い波長（透過性を有する波長）のレーザー光線を照射する透過レーザー照射ステップを実施する。この透過レーザー照射ステップは、各分割予定ライン１７において２条のレーザー加工溝２１に挟まれた中間領域に残存する機能層１５をウェーハ１３から剥離する機能層剥離ステップと、ウェーハ１３の内部に改質層を形成する改質層形成ステップとを含む。
【００３３】
図４（Ａ）は、透過レーザー照射ステップの機能層剥離ステップを模式的に示す斜視図であり、図４（Ｂ）は、機能層剥離ステップを模式的に示す断面図である。機能層剥離ステップは、例えば、図４（Ａ）に示すレーザー加工装置１２で実施される。レーザー加工装置１２の基本的な構成は、溝形成ステップで使用されるレーザー加工装置２と同様である。
【００３４】
すなわち、レーザー加工装置１２は、レーザー発振器（不図示）でパルス発振されたレーザー光線Ｌ２を集光し、チャックテーブル１４上の被加工物１１に照射するレーザー加工ユニット１６を備えている。レーザー加工ユニット１６と隣接する位置には、被加工物１１を撮像するためのカメラ１８が設置されている。ただし、レーザー加工装置１２のレーザー発振器は、ウェーハ１３に吸収され難い波長（透過性を有する波長）のレーザー光線Ｌ２を発振できるように構成されている。
【００３５】
機能層剥離ステップでは、まず、被加工物１１に貼り付けた保護部材２３の裏面２３ｂとチャックテーブル１４の保持面とが対面するように被加工物１１をチャックテーブル１４に載置し、保持面に吸引源の負圧を作用させる。これにより、被加工物１１は、裏面１１ｂ側が上方に露出した状態でチャックテーブル１４に保持される。
【００３６】
次に、被加工物１１を保持したチャックテーブル１４を移動、回転させて、レーザー加工ユニット１６の位置を加工開始位置の上方に合わせる。加工開始位置は、例えば、加工対象の分割予定ライン１７において２条のレーザー加工溝２１に挟まれた中間領域の端部である。
【００３７】
そして、レーザー加工ユニット１６から被加工物１１の裏面１１ｂに向けてレーザー光線Ｌ２を照射させつつ、チャックテーブル１４を加工対象の分割予定ライン１７に平行な方向（図４（Ａ）のＸ軸方向）に移動させる。すなわち、被加工物１１の裏面１１ｂ側から２条のレーザー加工溝２１に挟まれた中間領域に向けてレーザー光線Ｌ２を照射する。この時、レーザー光線Ｌ２の集光点Ｐ２の位置を、ウェーハ１３の表面１３ａの近傍又は外側（図４（Ｂ）では、表面１３ａの下方）に合わせる。
【００３８】
これにより、加工対象の分割予定ライン１７において２条のレーザー加工溝２１に挟まれた中間領域に残存する機能層１５をウェーハ１３から剥離できる。なお、ウェーハ１３から剥離された機能層１５ａ（図５参照）は、保護部材２３の表面２３ａ側に設けられた糊層に付着する。この手順を繰り返し、例えば、全ての分割予定ライン１７において中間領域に残存する機能層１５がウェーハ１３から剥離されると、機能層剥離ステップは終了する。
【００３９】
この機能層剥離ステップでは、ウェーハ１３に吸収され難い波長のレーザー光線Ｌ２を用いて機能層１５を剥離するので、アブレーションによって発生する熱でウェーハ１３が変質してしまうことはない。なお、レーザー光線Ｌ２のパワーやスポット径等の条件は、機能層１５を適切に剥離できるように調整される。
【００４０】
機能層剥離ステップの後には、引き続いて改質層形成ステップを実施する。図５は、透過レーザー照射ステップの改質層形成ステップを模式的に示す断面図である。改質層形成ステップは、機能層剥離ステップと同じレーザー加工装置１２で実施される。
【００４１】
改質層形成ステップでは、まず、被加工物１１を保持したチャックテーブル１４を移動、回転させて、レーザー加工ユニット１６の位置を加工開始位置の上方に合わせる。加工開始位置は、例えば、加工対象の分割予定ライン１７において機能層１５が剥離された領域（中間領域）の端部である。
【００４２】
そして、レーザー加工ユニット１６から被加工物１１の裏面１１ｂに向けてレーザー光線Ｌ２を照射させつつ、チャックテーブル１４を加工対象の分割予定ライン１７に平行な方向（図４（Ａ）のＸ軸方向）に移動させる。すなわち、被加工物１１の裏面１１ｂ側から機能層１５が剥離された領域に向けてレーザー光線Ｌ２を照射する。この時、レーザー光線Ｌ２の集光点Ｐ３の位置を、ウェーハ１３の内部（図５において、表面１３ａと裏面１３ｂとの間）に合わせる。
【００４３】
これにより、加工対象の分割予定ライン１７の機能層１５が剥離された領域に沿って、多光子吸収による改質層２５を形成できる。例えば、全ての分割予定ライン１７に沿って改質層２５が形成されると、改質層形成ステップは終了する。
【００４４】
機能層剥離ステップ及び改質層形成ステップを含む透過レーザー照射ステップの後には、被加工物１１の裏面１１ｂ側にエキスパンドテープを貼り付け、保護部材２３を被加工物１１から剥離する貼り替えステップを実施する。図６は、貼り替えステップを模式的に示す斜視図である。
【００４５】
貼り替えステップでは、図６に示すように、被加工物１１より大径のエキスパンドテープ２７を被加工物１１の裏面１１ｂ側に貼り付ける。また、エキスパンドテープ２７の外周部分に環状のフレーム２９を固定する。更に、被加工物１１の表面１１ａから保護部材２３を剥離する。
【００４６】
上述のように、ウェーハ１３から剥離された機能層１５ａは、保護部材２３の表面２３ａ側に設けられた糊層に付着している。そのため、被加工物１１の表面１１ａから保護部材２３を剥離することで、ウェーハ１３から剥離された機能層１５ａを保護部材２３と共に除去できる。
【００４７】
貼り替えステップの後には、被加工物１１に外力を付与し、改質層２５を起点に被加工物１１を破断して複数のデバイスチップに分割する分割ステップを実施する。図７（Ａ）及び図７（Ｂ）は、分割ステップを模式的に示す一部断面側面図であり、図７（Ｃ）は、分割ステップを模式的に示す断面図である。分割ステップは、例えば、図７（Ａ）及び図７（Ｂ）に示す拡張装置２２で実施される。
【００４８】
拡張装置２２は、被加工物１１を支持する被加工物支持ユニット２４と、被加工物１１の裏面１１ｂ側に貼着されたエキスパンドテープ２７を拡張する円筒状の拡張ドラム２６とを備えている。拡張ドラム２６の内径は、被加工物１１の径より大きく、拡張ドラム２６の外径は、フレーム２９の内径より小さい。
【００４９】
被加工物支持ユニット２４は、フレーム２９を支持する環状のフレーム支持テーブル２８を含む。フレーム支持テーブル２８の上面は、フレーム２９を載せる支持面となっている。このフレーム支持テーブル２８の外周部分には、フレーム２９を固定する複数のクランプ３０が設けられている。
【００５０】
被加工物支持ユニット２４の下方には、昇降機構３２が設けられている。昇降機構３２は、基台（不図示）に固定されたシリンダケース３４と、シリンダケース３４に挿入されたピストンロッド３６とを備えている。ピストンロッド３６の上端部には、フレーム支持テーブル２８が固定されている。この昇降機構３２により、フレーム支持テーブル２８の上面（支持面）は、拡張ドラム２６の上端と同等の高さの基準位置と、拡張ドラム２６の上端より下方の拡張位置との間で移動する。
【００５１】
分割ステップでは、まず、図７（Ａ）に示すように、基準位置に合わせたフレーム支持テーブル２８の上面にフレーム２９を載せ、クランプ３０でこのフレーム２９を固定する。これにより、拡張ドラム２６の上端は、被加工物１１の外周縁とフレーム２９の内周縁との間に存在するエキスパンドテープ２７に接触する。
【００５２】
次に、昇降機構３２で被加工物支持ユニット２４を下降させ、図７（Ｂ）に示すように、フレーム支持テーブル２８の上面を拡張ドラム２６の上端より下方の拡張位置に移動させる。これにより、拡張ドラム２６はフレーム支持テーブル２８に対して相対的に上昇し、エキスパンドテープ２７は拡張ドラム２６で押し上げられて拡張する。
【００５３】
上述のように、被加工物１１には、破断の起点となる改質層２５が分割予定ライン１７に沿って形成されている。そのため、エキスパンドテープ２７を拡張して外力を付与すると、被加工物１１は、改質層２５を起点に複数のデバイスチップ３１に分割される。本実施形態に係る被加工物の加工方法では、分割予定ライン１７の機能層１５が剥離された領域（中間領域）でウェーハ１３が殆ど変質しないので、図７（Ｃ）に示すように、改質層２５からこの領域に亀裂を伸展させて被加工物１１を適切に分割できる。
【００５４】
以上のように、本実施形態に係る被加工物の加工方法では、機能層１５に吸収され易い波長（吸収性を有する波長）のレーザー光線Ｌ１を被加工物１１の表面１１ａ側から照射し、分割予定ライン１７に沿う２条のレーザー加工溝２１を形成した後に、ウェーハ（基板）１３に吸収され難い波長（透過性を有する波長）のレーザー光線Ｌ２を被加工物１１の裏面１１ｂ側から２条のレーザー加工溝２１に挟まれた中間領域に向けて照射し、この中間領域に残存する機能層１５をウェーハ１３から剥離するので、中間領域付近でウェーハ１３を変質させることなく機能層１５を除去できる。
【００５５】
そのため、ウェーハ１３に吸収され難い波長のレーザー光線Ｌ２を被加工物１１の裏面１１ｂ側から機能層１５が剥離された領域（中間領域）に向けて照射し、ウェーハ１３の内部に改質層２５を形成してから、被加工物１１に外力を付与することで、改質層２５から機能層１５が剥離された領域に亀裂を伸展させて被加工物１１を複数のデバイスチップ３１に分割できる。すなわち、本実施形態に係る被加工物の加工方法によれば、機能層１５が除去された領域で被加工物を適切に分割して、機能層１５の剥離を防止できる。
【００５６】
なお、本発明は上記実施形態の記載に限定されず、種々変更して実施可能である。例えば、溝形成ステップでは、被加工物１１の裏面１１ｂ側に大径の粘着テープを貼り付け、この粘着テープの外周部分に環状のフレームを固定したフレームユニットの態様で、被加工物１１にレーザー加工溝２１を形成しても良い。
【００５７】
また、上記実施形態の機能層剥離ステップ及び改質層形成ステップでは、全ての分割予定ライン１７の中間領域に残存する機能層１５をウェーハ１３から剥離した後に、各分割予定ライン１７に沿って改質層２５を形成しているが、任意の分割予定ライン１７の中間領域に残存する機能層１５をウェーハ１３から剥離した直後に、この分割予定ライン１７に沿って改質層２５を形成することもできる。
【００５８】
その他、上記実施形態に係る構造、方法等は、本発明の目的の範囲を逸脱しない限りにおいて適宜変更して実施できる。
【符号の説明】
【００５９】
１１  被加工物
１１ａ  表面
１１ｂ  裏面
１３  ウェーハ（基板）
１３ａ  表面
１３ｂ  裏面
１５，１５ａ  機能層
１７  分割予定ライン（ストリート）
１９  デバイス
２１  レーザー加工溝
２３  保護部材
２３ａ  表面
２３ｂ  裏面
２５  改質層
２７  エキスパンドテープ
２９  フレーム
３１  デバイスチップ
Ｌ１，Ｌ２  レーザー光線
Ｐ１，Ｐ２，Ｐ３  集光点
２  レーザー加工装置
４  チャックテーブル
６  レーザー加工ユニット
８  カメラ
１２  レーザー加工装置
１４  チャックテーブル
１６  レーザー加工ユニット
１８  カメラ
２２  拡張装置
２４  被加工物支持ユニット
２６  拡張ドラム
２８  フレーム支持テーブル
３０  クランプ
３２  昇降機構
３４  シリンダケース
３６  ピストンロッド
【図１】
0006440558.tif 000002
【図２】
0006440558.tif 000003
【図３】
0006440558.tif 000004
【図４】
0006440558.tif 000005
【図５】
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【図６】
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【図７】
0006440558.tif 000008