(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
処理対象物を内部に搬入する開口部が設けられた成膜チャンバーと、
前記成膜チャンバーの前記開口部を覆って前記成膜チャンバーに連結され、内部を乾燥ガスで充填されたフードと、
前記処理対象物を搭載する支持装置が対向する２つの主面にそれぞれ配置され、一方の前記主面が前記成膜チャンバーの内部に位置し且つ他方の前記主面が前記フードの内部に位置する状態で前記開口部を閉じるゲート弁と、
前記ゲート弁が前記開口部を閉じている第１の位置と前記ゲート弁が前記開口部を閉じていない第２の位置との間で前記フードの内部において前記ゲート弁を移動させる調整装置と、
前記フードの内部に前記乾燥ガスを供給する乾燥ガス供給装置と
を備え、
前記乾燥ガス供給装置が、少なくとも前記開口部が前記ゲート弁によって閉じられていない状態で前記フードの内部を前記乾燥ガスで満たすことを特徴とする成膜装置。
【請求項２】
前記調整装置が、前記２つの主面のいずれかが前記開口部と対向するように前記第２の位置で前記ゲート弁の向きを調整することを特徴とする請求項１に記載の成膜装置。
【請求項３】
前記調整装置が、
前記第１の位置と前記第２の位置との間で前記ゲート弁を移動させる移動機構と、
前記第２の位置において前記ゲート弁を回転させる回転機構と
を備えることを特徴とする請求項２に記載の成膜装置。
【請求項４】
前記第１の位置において、前記フードの内部に位置する前記支持装置に搭載された処理済みの前記処理対象物を未処理の前記処理対象物に交換することを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の成膜装置。
【請求項５】
未処理の前記処理対象物を前記フードの内部に収納し、処理済みの前記処理対象物を前記フードの内部から取り出すために開閉するシャッターが、前記フードに設置されていることを特徴とする請求項４に記載の成膜装置。
【請求項６】
前記フードの内部に、前記支持装置に搭載される前の未処理の前記処理対象物を収納する領域を有することを特徴とする請求項１乃至５のいずれか１項に記載の成膜装置。
【請求項７】
前記成膜チャンバーが、前記支持装置に搭載された前記処理対象物を移載される搬送装置を備え、前記搬送装置が前記成膜チャンバーの内部に定義された処理領域まで前記処理対象物を搬送することを特徴とする請求項１乃至６のいずれか１項に記載の成膜装置。
【請求項８】
前記成膜チャンバーに前記処理領域が複数定義され、前記搬送装置が複数の前記処理領域に渡って前記処理対象物を前記成膜チャンバー内で搬送することを特徴とする請求項７に記載の成膜装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、成膜チャンバー内で処理対象物に膜を形成する成膜装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
処理対象物の成膜処理においては、製品の品質を低下させないために、成膜処理を開始する前の成膜チャンバー内の真空度が重要である。一方、成膜チャンバー内の真空引きに要する時間は短いことが好ましい。このため、処理対象物を成膜チャンバーに格納する際に成膜チャンバーの内部が水分を含んだ大気に曝されることなどによる、真空引きに要する時間の増大が問題になっている。また、自動車ヘッドライトのリフレクターなどの製造では、反射用の鏡面仕上げや金属質感を持たせるために、射出成形された樹脂部品の表面にアルミニウムなどの金属を成膜する。この場合、樹脂材料からの放出ガスが多いために、真空引きの時間を含めた成膜工程に要する製造時間（タクトタイム）が増大する。
【０００３】
このため、成膜チャンバーの前段にロードロックチャンバー（ＬＣ）を設置し、真空引きしたロードロックチャンバーから処理対象物を成膜チャンバーに搬送する方法が提案されている（例えば特許文献１参照。）。これにより、成膜チャンバーの内部を高真空に維持することができる。
【０００４】
或いは、時間をかけて真空引きすることによるタクトタイムの増大をカバーするために、成膜装置を大型化して１回ごとに処理する処理対象物を増加させてスループットを向上する方法が考えられる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開平０７−１６１６６１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、成膜装置にロードロックチャンバーを追加する方法では、ロードロックチャンバーや排気系装置、ゲート弁などを成膜装置に追加するために製造コストが上昇する。更に、処理対象物の搬送機構が複雑化する。また、成膜装置を大型化してスループットを向上する方法では、成膜装置やこれに付帯する設備などの初期コストが上昇する。更に、処理対象物を射出成形する成形装置と成膜装置のスループットが合わずに、成形装置と成膜装置を連動させたり、装置の連動によって工程を自動化したりすることが困難である。このため、タスクタイムの短縮や製造コストの低減が制限される。
【０００７】
上記問題点に鑑み、本発明は、製造コストの上昇が抑制され、且つタスクタイムの短縮が可能な成膜装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明の一態様によれば、（ア）処理対象物を内部に搬入する開口部が設けられた成膜チャンバーと、（イ）成膜チャンバーの開口部を覆って成膜チャンバーに連結され、内部を乾燥ガスで充填されたフードと、（ウ）処理対象物を搭載する支持装置が対向する２つの主面にそれぞれ配置され、一方の主面が成膜チャンバーの内部に位置し且つ他方の主面がフードの内部に位置する状態で開口部を閉じるゲート弁と、（エ）ゲート弁が開口部を閉じている第１の位置とゲート弁が開口部を閉じていない第２の位置との間でフードの内部においてゲート弁を移動させる調整装置と、フードの内部に乾燥ガスを供給する乾燥ガス供給装置とを備え、乾燥ガス供給装置が、少なくとも開口部がゲート弁によって閉じられていない状態でフードの内部を乾燥ガスで満たす成膜装置が提供される。
【発明の効果】
【０００９】
本発明によれば、製造コストの上昇が抑制され、且つタスクタイムの短縮が可能な成膜装置を提供できる。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】本発明の実施形態に係る成膜装置の構成を示す模式図である。
【図２】本発明の実施形態に係る成膜装置の構成を示す他の模式図である。
【図３】本発明の実施形態に係る成膜装置のゲート弁の向きを調整する方法の例を示す模式的な平面図であり、図３（ａ）は調整前の状態を示し、図３（ｂ）は調整中の状態を示し、図３（ｃ）は調整後の状態を示す。
【図４】本発明の実施形態に係る成膜装置におけるワークの交換方法の例を示す模式図であり、図４（ａ）は処理済みのワークを成膜装置から取り出す状態を示し、図４（ｂ）は未処理のワークを成膜装置に格納する状態を示す。
【図５】本発明の実施形態に係る成膜装置における成膜チャンバー内でのワークホルダの搬送方法の例を示す模式図であり、図５（ａ）はワークホルダを搬送装置に移載した状態を示し、図５（ｂ）はワークホルダを処理領域に搬送する状態を示す。
【図６】本発明の実施形態に係る成膜装置における搬送装置の例を示す模式的な平面図である。
【図７】本発明の実施形態に係る成膜装置の第１の処理領域における処理の例を示す模式図である。
【図８】本発明の実施形態に係る成膜装置の第２の処理領域における処理の例を示す模式図である。
【図９】本発明の実施形態に係る成膜装置を成形装置と連動させる例を示す模式図である。
【図１０】本発明の実施形態に係る成膜装置に未処理のワークを供給する例を示す模式図である。
【図１１】本発明の実施形態の変形例に係る成膜装置の構成を示す模式図である。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
図面を参照して、本発明の実施形態を説明する。以下の図面の記載において、同一又は類似の部分には同一又は類似の符号を付している。ただし、図面は模式的なものであることに留意すべきである。又、以下に示す実施形態は、この発明の技術的思想を具体化するための装置や方法を例示するものであって、この発明の実施形態は、構成部品の構造、配置などを下記のものに特定するものでない。この発明の実施形態は、特許請求の範囲において、種々の変更を加えることができる。
【００１２】
本発明の実施形態に係る成膜装置１は、処理対象物（以下において「ワーク１００」という。）に対して成膜処理を行う装置である。成膜装置１は、図１に示すように、成膜チャンバー１０、成膜チャンバー１０に連結するフード２０、フード２０の内部を矢印のように平行移動するゲート弁３０、及びゲート弁３０のフード２０内での動きを調整する調整装置４０を備える。
【００１３】
成膜チャンバー１０の内部において、ワーク１００に膜が形成される。成膜チャンバー１０には、ワーク１００を内部に搬入するための開口部１５が設けられている。ゲート弁３０によって開口部１５が開閉される。図１は、ゲート弁３０によって開口部１５が閉じられている状態を示している。
【００１４】
フード２０は、成膜チャンバー１０の開口部１５を覆って、成膜チャンバー１０に連結されている。フード２０には、フード２０の内部に乾燥ガス２００を供給する乾燥ガス供給装置２１が設置されている。これにより、フード２０の内部が乾燥ガス２００で充填されている。乾燥ガス２００には、ドライエアーや乾燥窒素ガスなどを使用可能である。
【００１５】
ゲート弁３０は、互いに対向する２つ主面３００を有する。２つの主面３００に、ワーク１００を搭載する支持装置５０がそれぞれ配置されている。なお、図１に示した例では、ワーク１００が収容されたワークホルダ１１０が支持装置５０に搭載されている。ワークホルダ１１０は、例えば上面に開口部を有する凹形状であり、凹部の内部にワーク１００が収容される。
【００１６】
既に述べたように、開口部１５の開閉はゲート弁３０によって行われる。図１に示したように、開口部１５がゲート弁３０によって閉じられた状態では、ゲート弁３０の一方の主面３００が成膜チャンバー１０の内部に位置し、且つ他方の主面３００がフード２０の内部に位置する。即ち、一方の主面３００に配置された支持装置５０が成膜チャンバー１０内に配置され、他方の主面３００に配置された支持装置５０がフード２０内に配置される。
【００１７】
一方、ゲート弁３０によって開口部１５が閉じられていない状態を図２に示す。図１、図２に示したように、ゲート弁３０がフード２０の内部を移動することによって、開口部１５の開閉が行われる。
【００１８】
ゲート弁３０の移動は、調整装置４０によって調整される。即ち、図１に示すように開口部１５がゲート弁で閉じられている第１の位置２０１と、図２に示すように開口部１５がゲート弁で閉じられていない第２の位置２０２との間で、調整装置４０の移動機構４１が、ゲート弁３０をフード２０の内部で水平方向に移動させる。
【００１９】
更に、第２の位置２０２において、ゲート弁３０の２つの主面３００のいずれかが開口部１５と対向するように、調整装置４０がゲート弁３０の向きを調整する。即ち、図３（ａ）〜図３（ｃ）に示すように、調整装置４０の回転機構４２が、垂直方向を回転軸としてゲート弁３０を回転させる。以下において、開口部１５と対向する主面３００を、「成膜チャンバー側の主面」という。また、成膜チャンバー側の主面３００と対向する主面３００を「フード側の主面」という。
【００２０】
図３（ａ）は、調整装置４０によるゲート弁３０の向きを調整する前の状態を示す。成膜チャンバー１０での処理が完了した処理済みのワーク１００Ａを収容したワークホルダ１１０Ａを搭載した支持装置５０が配置された主面３００が、成膜チャンバー側の主面３００である。一方、未処理のワーク１００Ｂを収容したワークホルダ１１０Ｂを搭載した支持装置５０が配置された主面３００が、フード側の主面３００である。
【００２１】
図３（ｂ）は、調整装置４０によるゲート弁３０の向きの調整が行われている状態を示す。即ち、矢印で示したように、回転機構４２がゲート弁３０を回転させている。
【００２２】
図３（ｃ）は、調整装置４０によってゲート弁３０の向きを調整した後の状態を示す。処理済みのワーク１００Ａを収容したワークホルダ１１０Ａを搭載した支持装置５０が配置された主面３００が、フード側の主面３００になっている。そして、未処理のワーク１００Ｂを収容したワークホルダ１１０Ｂを搭載した支持装置５０が配置された主面３００が、成膜チャンバー側の主面３００になっている。
【００２３】
上記のように調整装置４０によってゲート弁３０の向きを調整することにより、処理済みのワーク１００がフード側の主面３００に搭載され、未処理のワーク１００が成膜チャンバー側の主面３００に搭載された状態になる。
【００２４】
なお、成膜装置１では、ゲート弁３０のフード側の主面３００において、成膜チャンバー１０における成膜処理が完了した処理済みのワーク１００が成膜処理前の未処理のワーク１００に交換される。このワーク１００の交換は、ゲート弁３０が第１の位置２０１に位置する状態においてフード２０の内部で行われる。
【００２５】
即ち、図４（ａ）に示すように、処理済みのワーク１００Ａが、ゲート弁３０のフード側の主面３００に配置された支持装置５０に搭載されたワークホルダ１１０から取り出される。その後、図４（ｂ）に示すように、未処理のワーク１００Ｂが、フード側の主面３００に配置された支持装置５０に搭載されたワークホルダ１１０に収容される。上記のワーク１００の交換は、例えばロボットアームなどによって行われる。なお、ワーク１００の交換は、ワーク１００を収容したワークホルダ１１０ごと行ってもよい。
【００２６】
図４（ａ）、図４（ｂ）に示すように、処理済みのワーク１００Ａをフード２０の内部から取り出し、未処理のワーク１００Ｂをフード２０の内部に収納するために開閉するシャッター２３が、フード２０に設置されている。ワーク１００の出し入れのとき以外はシャッター２３が閉じられ、更に、乾燥ガス供給装置２１によってフード２０の内部に乾燥ガス２００を供給することによって、フード２０の内部に乾燥ガス２００を充満させる。例えば、乾燥ガス供給装置２１はフード２０の内部に乾燥ガス２００を常時供給する。内部を乾燥ガス２００で充満させる上で、フード２０は小型であるほど好ましい。
【００２７】
成膜装置１では、シャッター２３が閉じてフード２０の内部が乾燥ガス２００で充満した状態において、開口部１５が開かれる。このため、ゲート弁３０の向きを調整している期間においても、水分を含んだ大気が成膜チャンバー１０内に導入されることを防止できる。そして、成膜チャンバー１０の内部が水分を含んだ大気に曝されないように、ゲート弁３０が第１の位置２０１に位置して開口部１５を閉じた状態において、シャッター２３が開いてワーク１００の交換が行われる。
【００２８】
なお、ゲート弁３０によって開口部１５が閉じられ状態においてワーク１００を交換するため、成膜チャンバー１０に格納されたワーク１００の成膜処理の間にワーク１００の交換を行うことが可能である。このように成膜処理とワーク交換を並行して行うことによって、複数のワーク１００に対する成膜処理の効率が向上し、タスクタイムを抑制することができる。
【００２９】
成膜チャンバー１０の内部には、支持装置５０に搭載されたワーク１００を成膜チャンバー１０の内部に定義された所定の処理領域まで搬送する搬送装置１１が設置されている。搬送装置１１は、ワーク１００が搭載される搬送テーブル１１１、搬送テーブル１１１を上下方向に昇降させる昇降機構１１２、及び搬送テーブル１１１に搭載されたワークホルダ１１０を成膜チャンバー１０内で水平方向に移動させる運搬機構１１３を備える。
【００３０】
図５（ａ）に示すように、ワークホルダ１１０の下方に搬送テーブル１１１を差し入れた状態で、昇降機構１１２によって搬送テーブル１１１を上方に持ち上げる。これにより、ワーク１００がワークホルダ１１０ごと搬送テーブル１１１に移載される。そして、図５（ｂ）に示すように、運搬機構１１３によってワークホルダ１１０を搭載した搬送テーブル１１１を成膜チャンバー１０内の処理領域まで移載する。例えば、図６に示すように、搬送テーブル１１１の側面にかみ合わせた運搬機構１１３のギヤを回転させることによって、搬送テーブル１１１を成膜チャンバー１０内で移動させる。
【００３１】
なお、成膜チャンバー１０内部の処理領域は１箇所に限られず、複数の処理領域が定義されていてもよい。図７に、ワーク１００の成膜処理がそれぞれ行われる２つの処理領域が内部に配置された成膜チャンバー１０の例を示す。図７に示した成膜チャンバー１０内では、搬送装置１１が、第１の処理領域１０１と第２の処理領域１０２に渡ってワーク１００を搬送する。
【００３２】
例えば、第１の処理領域１０１でワーク１００について第１の処理が行われる。第１の処理の後、ワーク１００が第２の処理領域１０２に搬送されて第２の処理が行われる。このように、２つの処理領域が定義された成膜チャンバー１０を有する成膜装置１によれば、第１の処理領域１０１における第１の処理と第２の処理領域１０２における第２の処理とを、真空連続によって行うことができる。このため、処理ごとにチャンバー内を高真空にする必要がなく、処理時間を短縮できる。また、ワーク１００を大気に曝すことがないため、例えばワーク１００に形成した膜が酸化するのを防止できる。
【００３３】
なお、第１の処理領域１０１での処理と第２の処理領域１０２での処理の順番は任意である。したがって、第２の処理領域１０２において処理を行った後に、第１の処理領域１０１において処理を行ってもよい。
【００３４】
以下に、図７に示した成膜チャンバー１０の場合を例にして、成膜装置１による成膜処理について説明する。ワーク１００は、例えば、射出成形された樹脂部品である。ここでは、第１の処理領域１０１においてスパッタ法による成膜処理を行い、第２の処理領域１０２においてプラズマ化学気相成長（ＣＶＤ）法による成膜処理を行う場合を例示的に説明する。例えば、スパッタ法によってワーク１００に酸化しやすい第１の膜（例えばアルミニウム膜など）を形成した後、真空連続で、第１の膜の酸化を防止する第２の膜（例えば酸化シリコン膜など）を第１の膜を覆ってプラズマＣＶＤ法によって形成する。例えば、自動車ヘッドランプのリフレクターの製造などにおける、樹脂部品の表面にアルミニウム膜を形成する場合などに上記の成膜方法は有効である。
【００３５】
まず、未処理のワーク１００を収容したワークホルダ１１０を搭載した支持装置５０が成膜チャンバー１０内に配置されるように、成膜チャンバー１０の開口部１５がゲート弁３０によって閉じられる。成膜チャンバー１０の内部が排気された後、図７に示すように、成膜チャンバー１０内に格納されたワークホルダ１１０が、搬送装置１１によって第１の処理領域１０１に搬送される。
【００３６】
そして、第１の処理領域１０１においてスパッタ法によるワーク１００の成膜処理が行われる。第１の処理領域１０１においてターゲット１２３がターゲット電極１２２上に取り付けられている。ターゲット電極１２２は高周波（ＲＦ）電力或いは直流（ＤＣ）電力を供給するスパッタ電源１２１に接続される。図７に示したように、第１のガス供給装置１２４からアルゴン（Ａｒ）ガスなどの不活性ガス１２０が成膜チャンバー１０内に導入される。スパッタ電源１２１からターゲット電極１２２に電力を供給し放電させ、ターゲット１２３の表面近傍の気相中にプラズマを形成する。プラズマ中で加速された不活性ガス１２０の正イオンがターゲット１２３の表面に衝突し、スパッタリングによりターゲット原子が放出される。ターゲット１２３の表面から放出された原子がワーク１００の表面に被着・堆積されて、第１の膜が形成される。その後、不活性ガス１２０は排気装置１４０によって成膜チャンバー１０の内部から排気される。
【００３７】
次いで、図８に示すように、搬送装置１１によって、ワークホルダ１１０が第１の処理領域１０１から第２の処理領域１０２に搬送される。
【００３８】
第２の処理領域１０２におけるプラズマＣＶＤ法による成膜処理では、第２のガス供給装置１３３によって、ワーク１００に形成する膜の原料ガスを含むプロセスガス１３０が成膜チャンバー１０内に導入される。第２の処理領域１０２には、ワーク１００と対向するカソード電極１３２が配置されている。搬送テーブル１１１はアノード電極として機能し、交流電源１３１によって搬送テーブル１１１とカソード電極１３２間に所定の交流電力が供給される。これにより、成膜チャンバー１０内の原料ガスを含むプロセスガス１３０がプラズマ化される。形成されたプラズマにワーク１００を曝すことにより、ワーク１００に成膜した第１の膜の表面に所望の第２の膜が形成される。その後、プロセスガス１３０は排気装置１４０によって成膜チャンバー１０の内部から排気される。
【００３９】
既に述べたように、成膜チャンバー１０に格納されたワーク１００の成膜処理の間に、ワーク１００の交換が行われる。例えば図４（ａ）、図４（ｂ）を参照して説明した方法によって、ワーク１００の交換が行われる。
【００４０】
成膜処理の後、図示を省略するが、搬送装置１１によって、成膜チャンバー１０内に配置された支持装置５０にワークホルダ１１０が移載される。そして、調整装置４０によって、ゲート弁３０が第１の位置２０１から第２の位置２０２に移動する。
【００４１】
第２の位置２０２において、図３（ａ）〜図３（ｃ）を参照して説明した方法などにより、ゲート弁３０の向きが調整される。即ち、未処理のワーク１００を収容したワークホルダ１１０を搭載する支持装置５０が配置された主面３００を、成膜チャンバー１０の開口部１５に対向させる。
【００４２】
次いで、ゲート弁３０を第１の位置２０１に移動させることによって開口部１５を閉じる。これにより、未処理のワーク１００を収容したワークホルダ１１０を搭載した支持装置５０が、成膜チャンバー１０内に配置される。一方、フード２０内に配置された支持装置５０には、直前の成膜処理によって膜が形成されたワーク１００を収容したワークホルダ１１０が搭載された状態になる。
【００４３】
その後、新たな未処理のワーク１００に対して、第１の処理領域１０１でのスパッタ法による成膜処理と第２の処理領域１０２でのプラズマＣＶＤ法による成膜処理が行われる。そして、成膜処理と並行して、処理済みのワーク１００と未処理のワーク１００が交換される。以降、すべての未処理のワーク１００について成膜処理が終了するまで、上記の工程が繰り返される。
【００４４】
上記のように、ゲート弁３０の向きを調整している期間は、大気圧のフード２０の内部に対して成膜チャンバー１０の開口部１５は開放状態である。しかし、この期間中は、フード２０の内部には乾燥ガス２００が充満している。即ち、少なくとも成膜チャンバー１０の開口部１５がゲート弁３０によって閉じられていない状態のフード２０の内部は、乾燥ガス供給装置２１によって乾燥ガス２００によって満たされる。このため、成膜チャンバー１０の内部も大気圧であり、且つ乾燥ガス２００で満たされた状態である。したがって、成膜チャンバー１０の内部が水分を含んだ大気に曝されることが防止される。
【００４５】
なお、フード２０内の乾燥ガス２００は、排気機構２２を介して外部に排気される。フード２０内を乾燥ガス２００によって満たしておくことが乾燥ガス２００を供給する目的であるから、フード２０の内部を強制的に真空に排気する必要はない。このため、フード２０に真空排気装置を設置する必要はなく、成膜装置１による製造コストの増大を抑制できる。
【００４６】
また、成膜装置１では、第１の位置２０１に位置するゲート弁３０によって開口部１５が閉じられている状態でワーク１００を交換することにより、複数のワーク１００に対する連続した成膜処理を効率的に行うことができる。なお、成膜処理に要する時間はワーク１００の交換に要する時間よりも一般的に長いため、ワーク１００の交換によって成膜処理のスループットを低下させることがない。
【００４７】
ところで、凹形状のワークホルダ１１０を使用することにより、ワークホルダ１１０の凹部の側壁部が障壁となり、第１の処理領域１０１と第２の処理領域１０２の一方での処理が、他方の処理領域での処理に影響を及ぼすことが抑制される。例えば、一方の処理領域でスパッタ処理を行う場合、スパッタリングにより生じたターゲット原子がワークホルダ１１０の凹部の内側から他の処理領域に拡散するのを抑制することができる。
【００４８】
実施形態に係る成膜装置１は、例えば図９に示すように、ワーク１００を射出成形する成形装置２と連動させ、射出成形と成膜処理を連続して行う場合に有効である。
【００４９】
図９に示した例では、成形装置２によって射出成形されたワーク１００が搬送ホルダ６に移載され、搬送路３によって成膜装置１に搬送される。そして、ロボットアームなどによって、ワーク１００が搬送ホルダ６から成膜装置１のフード２０内に移動され、第１の位置２０１にあるゲート弁３０の支持装置５０に搭載される。このとき、ゲート弁３０の支持装置５０に搭載されていた成膜処理済みのワーク１００が成膜装置１から取り出される。例えば、ワーク１００が搬送ホルダ７に移載され、搬出ベルト４によって成膜処理ラインから取り出される。
【００５０】
これに対し、成形装置２と成膜装置１を連動させない場合には、成形装置によって所定量のワーク１００に対する射出成形を行い、その後、成膜装置によってワーク１００の成膜処理が行われる。即ち、射出成形、ワーク１００のストック、ワーク１００の表面を保護するためのアンダーコート、ワーク１００のストック、成膜処理、のように一連の工程が進行する。一方、図９に示した構成のように成形装置２と成膜装置１を連動させることによって、射出成形の後すぐに成膜処理を行うことができる。これにより、ストックされたワーク１００に異物が付着して品質が低下することが防止したり、ストックのために広いスペースを確保する必要をなくしたりするなどの効果がある。また、成形装置２から成膜装置１へのワーク１００の移動にロボットアームを使用することによって自動化が進み、人件費やタスクタイムを低減できる。
【００５１】
なお、未処理のワーク１００を成膜装置１に供給する方法として、所定の待機場所にワーク１００を待機させておき、この待機場所からワーク１００を成膜装置１に格納してもよい。例えば、図１０に示すように、成膜処理前のワーク１００をパレット５上に配置しておく。そして、パレット５からワーク１００をロボットアームなどによってフード２０内のゲート弁３０に搭載する。
【００５２】
このようにパレット５を使用する方法は、例えば成形装置２と成膜装置１のスループットが異なる場合に有効である。即ち、成形装置２のスループットの方が高い場合には、射出成形されたワーク１００をパレット５に待機させることによって、成形装置２と成膜装置１を連動させることができる。
【００５３】
以上に説明したように、本発明の実施形態に係る成膜装置１では、ゲート弁３０の対向する２つの主面３００にそれぞれ配置された支持装置５０にワーク１００を搭載する。これにより、ゲート弁３０によって成膜チャンバー１０の開口部を閉じた状態において、処理済みのワーク１００と未処理のワーク１００を交換できる。このため、他のワーク１００の成膜処理中に、支持装置５０に搭載された処理済みのワーク１００を未処理のワーク１００に交換できる。したがって、装置の大型化などを必要とせずに、成膜装置１のスループットを向上できる。このため、成形装置などと連動させて自動化することも容易である。その結果、処理全体のスループットが向上するとともに、人件費の抑制も可能である。このように、成膜装置１は、成形装置２などの他の製造装置と連動させる場合に特に有効である。
【００５４】
更に、ゲート弁３０の向きを調整するために開口部１５を開放する場合には、乾燥ガス２００に満たされたフード２０の内部で開口部が解放される。このため、成膜チャンバー１０の内部が水分を含む大気に曝されない。その結果、ロードロックチャンバーなどを使用しなくても、真空引きに要する時間の増大が抑制される。また、成膜チャンバー１０の内部を清掃する期間の間隔を長くすることができる。
【００５５】
したがって、成膜装置１によれば、製造コストの上昇が抑制され、且つタスクタイムの短縮が可能な成膜装置を提供することができる。
【００５６】
＜変形例＞
図１１に示すように、成膜処理前のワーク１００を収納する収納領域２１０をフード２０の内部に設定してもよい。即ち、支持装置５０に搭載される前に、未処理のワーク１００を一時的にフード２０内の収納領域２１０に保管する。そして、収納領域２１０に収納されたワーク１００について、成膜処理を順次行う。フード２０の内部は乾燥ガス２００が充填されているため、成膜処理前のワーク１００が大気に曝されて劣化することを防止できる。
【００５７】
（その他の実施形態）
上記のように、本発明は実施形態によって記載したが、この開示の一部をなす論述及び図面はこの発明を限定するものであると理解すべきではない。この開示から当業者には様々な代替実施形態、実施例及び運用技術が明らかとなろう。
【００５８】
上記では、第１の処理領域１０１においてスパッタ法成膜処理を行い、第２の処理領域１０２においてプラズマＣＶＤ法による成膜処理を行う例を説明した。しかし、第１の処理領域１０１や第２の処理領域１０２における処理の組み合わせは上記に限られない。また、成膜チャンバー１０内に２つの処理領域が定義された例を示したが、成膜チャンバー１０に定義された処理領域が３以上である場合にも、本発明は適用可能である。なお、成膜チャンバー１０内での成膜処理が、プラズマＣＶＤ法、スパッタ法、或いは蒸着法などの１種類である場合にも、本発明は有効である。
【００５９】
また、フード２０の内部にヒータなどの加熱装置を配置することによって、成膜処理前にワーク１００の予備加熱が可能である。
【００６０】
このように、本発明はここでは記載していない様々な実施形態等を含むことは勿論である。したがって、本発明の技術的範囲は上記の説明から妥当な特許請求の範囲に係る発明特定事項によってのみ定められるものである。
【符号の説明】
【００６１】
１…成膜装置
２…成形装置
５…パレット
１０…成膜チャンバー
１１…搬送装置
１５…開口部
２０…フード
２１…乾燥ガス供給装置
２２…排気機構
２３…シャッター
３０…ゲート弁
４０…調整装置
４１…移動機構
４２…回転機構
５０…支持装置
１００…ワーク
１０１…第１の処理領域
１０２…第２の処理領域
１１０…ワークホルダ
２００…乾燥ガス
２０１…第１の位置
２０２…第２の位置
２１０…収納領域
３００…主面
【図１】
0006354533.tif 000002
【図２】
0006354533.tif 000003
【図３】
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【図４】
0006354533.tif 000005
【図５】
0006354533.tif 000006
【図６】
0006354533.tif 000007
【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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