(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
フリップチップボンディングに用いる半導体接合用接着フィルムであって、
少なくとも基材フィルムと、前記基材フィルムに積層された粘着層と、前記粘着層に積層された半導体接合用接着剤層とを有し、
前記粘着層の２５℃における貯蔵弾性率が０．６〜１０ＭＰａ、８０℃における貯蔵弾性率が０．３〜１ＭＰａである
ことを特徴とする半導体接合用接着フィルム。
【請求項２】
基材フィルムは、粘着層と接する面の十点平均粗さ（Ｒｚ）が１〜２０μｍであることを特徴とする請求項１記載の半導体接合用接着フィルム。
【請求項３】
粘着層は、炭素数が１〜１８の（メタ）アクリル酸アルキルエステル由来の成分を含む水酸基価が１０〜６０ｍｇＫＯＨ／ｇのＵＶ非硬化型又はＵＶ硬化型（メタ）アクリルポリマーと、架橋剤とを含有することを特徴とする請求項１又は２記載の半導体接合用接着フィルム。
【請求項４】
粘着層は、ＵＶ非硬化型（メタ）アクリルポリマー１００重量部と、架橋剤としてイソシアネート架橋剤５〜２０重量部とを含有することを特徴とする請求項３記載の半導体接合用接着フィルム。
【請求項５】
粘着層は、ＵＶ硬化型（メタ）アクリルポリマー１００重量部と、架橋剤として光開始剤０．１〜５重量部とを含有し、ＵＶ硬化型モノマー及びＵＶ硬化型オリゴマーを含有しないことを特徴とする請求項３記載の半導体接合用接着フィルム。
【請求項６】
基材フィルムの、粘着層と接する面とは反対側の面に、ダイシングテープが貼り合わせられていることを特徴とする請求項１、２、３、４又は５記載の半導体接合用接着フィルム。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ダイシング加工性及びバンプ追従性を保持しつつ、ダイシング後にピックアップされた半導体接合用接着剤層付き半導体チップを基板等の所定位置へ正確にアライメントできる半導体接合用接着フィルムに関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体ウエハをダイシングして個々の半導体チップに分割し、得られた半導体チップを基板等の上に実装（ダイボンディング）するために、半導体接合用接着フィルムが用いられている。
【０００３】
半導体接合用接着フィルムは、基材フィルム上に、粘着層を介して半導体接合用接着剤層が積層されているフィルムである。
通常、まず、半導体接合用接着フィルムの半導体接合用接着剤層を半導体ウエハに貼り合わせ、この状態で半導体接合用接着剤層ごと半導体ウエハをダイシングする。なお、基材フィルムの粘着層と接する面とは反対側の面に、更にダイシングテープを貼り合わせた状態でダイシングを行う場合もある。
その後、半導体接合用接着剤層付き半導体チップを粘着層から剥がしてピックアップし、半導体接合用接着剤層を介して半導体チップを基板等の上に実装する。このとき、半導体接合用接着剤層付き半導体チップは、カメラ、センサー等によって半導体チップ上のアライメントマークが自動認識され、基板等の所定位置へ正確にアライメントされる。
【０００４】
半導体接合用接着フィルムに求められる性能として、例えば、半導体接合用接着フィルムの半導体接合用接着剤層を半導体ウエハに貼り合わせる時に、半導体ウエハのバンプを潰したりバンプ周辺部にボイドを発生させたりしないこと（いわゆる、バンプ追従性）、半導体ウエハに強固に接着し、粘着層又は半導体接合用接着剤層に起因する切削屑を発生させることなくダイシングを良好に実施できること（いわゆる、ダイシング加工性）、ダイシング後の半導体接合用接着剤層付き半導体チップに対するピックアップのしやすさ等が挙げられる。
【０００５】
ダイシングテープとしては、例えば、特許文献１に、基材と粘着剤層とを備えるダイシングテープが記載されている。また、特許文献２には、接着層と粘着層と支持フィルムとがこの順で積層されてなる半導体用フィルムが記載されている。しかしながら、特許文献１及び特許文献２に記載されたダイシングテープ等は、基材フィルムと粘着層との間の密着性が弱く層間剥離したり、半導体ウエハに貼り合わせる時に半導体ウエハのバンプを潰したりバンプ周辺部にボイドを発生させたりすることがあった。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２００７−１６１５９号公報
【特許文献２】特開２００３−１４２５０５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
基材フィルムと粘着層との間の密着性を向上させる方法はいくつかあり、例えば、表面凹凸の大きい基材フィルムを用いる方法が挙げられる。
しかしながら、表面凹凸の大きい基材フィルムを用いると基材フィルムと粘着層との間の密着性は向上するものの、粘着層に基材フィルムの表面凹凸に由来する凹凸が生じてしまい、これが半導体接合用接着剤層付き半導体チップの接着剤層表面に転写してしまう現象が発生した。接着剤層表面に凹凸が転写されると、接着剤層表面の凹凸がアライメントマークと誤認識され、アライメントエラーが生じることがあった。
本発明は、上記問題点を解決するため、ダイシング加工性及びバンプ追従性を保持しつつ、ダイシング後にピックアップされた半導体接合用接着剤層付き半導体チップを基板等の所定位置へ正確にアライメントできる半導体接合用接着フィルムを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明は、フリップチップボンディングに用いる半導体接合用接着フィルムであって、少なくとも基材フィルムと、前記基材フィルムに積層された粘着層と、前記粘着層に積層された半導体接合用接着剤層とを有し、前記粘着層の２５℃における貯蔵弾性率が０．６〜１０ＭＰａ、８０℃における貯蔵弾性率が０．３〜１ＭＰａである半導体接合用接着フィルムである。
以下、本発明を詳述する。
【０００９】
本発明者らは、フリップチップボンディングに用いる、少なくとも基材フィルムと、前記基材フィルムに積層された粘着層と、前記粘着層に積層された半導体接合用接着剤層とを有する半導体接合用接着フィルムにおいて、アライメントエラーを抑制するためには粘着層の２５℃及び８０℃における貯蔵弾性率を所定値以上にする必要があることを見出した。貯蔵弾性率が低すぎると粘着層が軟らかくなりすぎて、粘着層に基材フィルムの表面凹凸に由来する凹凸が生じてしまい、これが半導体接合用接着剤層付き半導体チップの接着剤層表面に転写してしまう現象が発生する。
また、本発明者らは、粘着層の貯蔵弾性率を上げすぎてもダイシング加工性又はバンプ追従性が損なわれることを見出した。貯蔵弾性率が高すぎると粘着層が硬くなりすぎて、粘着層に起因する切削屑が発生しやすくなったり、半導体ウエハのバンプ潰れ又はバンプ周辺部のボイドが発生しやすくなったりしてしまう。
【００１０】
本発明の半導体接合用接着フィルムは、フリップチップボンディングに用いるものであり、少なくとも基材フィルムと、上記基材フィルムに積層された粘着層と、上記粘着層に積層された半導体接合用接着剤層とを有する。
【００１１】
上記基材フィルムは、上記粘着層と接する面の十点平均粗さ（Ｒｚ）が１〜２０μｍであることが好ましい。
上記基材フィルムの十点平均粗さ（Ｒｚ）を上記範囲に調整することにより、上記基材フィルムと上記粘着層との間の密着性を向上させ、層間剥離を抑制することができる。
上記基材フィルムの十点平均粗さ（Ｒｚ）が１μｍ未満であると、上記基材フィルムと上記粘着層との間の密着性が低下することがある。上記基材フィルムの十点平均粗さ（Ｒｚ）が２０μｍを超えると、上記基材フィルムと上記粘着層との間にボイドを噛みこむことがある。上記基材フィルムの十点平均粗さ（Ｒｚ）のより好ましい下限は５μｍ、より好ましい上限は１８μｍである。
なお、十点平均粗さ（Ｒｚ）とは、ＪＩＳＢ０６０１の表面粗さ規格に基づいて求められる十点平均粗さ（Ｒｚ）を意味する。
【００１２】
上記基材フィルムは特に限定されず、例えば、ポリエチレンテレフタレートフィルム、ポリブチレンテレフタレートフィルム等のポリエステル系フィルムや、ポリテトラフルオロエチレンフィルム、ポリエチレンフィルム、ポリプロピレンフィルム、ポリメチルペンテンフィルム、ポリビニルアセテートフィルム等のポリオレフィン系フィルムや、ポリ塩化ビニルフィルム、ポリイミドフィルム、ＡＢＳ（アクリロニトリル−ブタジタン−スチレン）フィルム等のプラスチックフィルム等が挙げられる。なかでも、上記粘着層への密着性に優れるため、ポリエステル系フィルムが好ましい。
【００１３】
上記基材フィルムの厚みは特に限定されないが、好ましい下限が５μｍ、好ましい上限が１００μｍである。上記厚みが５μｍ未満であると、半導体接合用接着フィルムのハンドリング性が低下することがある。上記厚みが１００μｍを超えると、半導体接合用接着フィルムのダイシング加工性が低下することがある。上記厚みのより好ましい下限は１０μｍ、より好ましい上限は８０μｍである。
【００１４】
上記粘着層は、２５℃における貯蔵弾性率が０．６〜１０ＭＰａ、８０℃における貯蔵弾性率が０．３〜１ＭＰａである。
上記粘着層の貯蔵弾性率を上記範囲に調整することにより、ダイシング加工性及びバンプ追従性を保持しつつ、ダイシング後にピックアップされた半導体接合用接着剤層付き半導体チップを基板等の所定位置へ正確にアライメントすることができる。
なお、２５℃及び８０℃における貯蔵弾性率は、動的粘弾性測定装置（例えば、アイティ計測社製のＤＶＡ−２００）を用いて、１０Ｈｚ及び歪み０．１％の条件で２５℃及び８０℃において測定することができる。
【００１５】
上記２５℃における貯蔵弾性率が０．６ＭＰａ未満であると、上記粘着層が軟らかくなりすぎて、半導体接合用接着フィルム製造時、上記粘着層と上記基材フィルムとを貼り合わせる工程において上記粘着層に上記基材フィルムの表面凹凸に由来する凹凸が生じてしまい、これが半導体接合用接着剤層付き半導体チップの接着剤層表面に転写してしまう現象が発生する。これによって実装時、半導体接合用接着剤層付き半導体チップの半導体チップ上のアライメントマークを自動認識する工程において、接着剤層表面の凹凸がアライメントマークと誤認識され、アライメントエラーが生じることがある。上記２５℃における貯蔵弾性率が１０ＭＰａを超えると、上記粘着層が硬くなりすぎて、ダイシングの際、上記粘着層に起因する切削屑が発生しやすくなる。上記２５℃における貯蔵弾性率の好ましい下限は１ＭＰａ、好ましい上限は７ＭＰａである。
【００１６】
上記８０℃における貯蔵弾性率が０．３ＭＰａ未満であると、半導体接合用接着フィルムの半導体接合用接着剤層を半導体ウエハに貼り合わせる工程（熱ラミネート工程）において、上記粘着層が熱によって軟化し、上記基材フィルムの表面凹凸が上記粘着層を介して接着剤層表面に転写してしまう現象が発生する。これによって実装時、半導体接合用接着剤層付き半導体チップの半導体チップ上のアライメントマークを自動認識する工程において、接着剤層表面の凹凸がアライメントマークと誤認識され、アライメントエラーが生じることがある。上記８０℃における貯蔵弾性率が１ＭＰａを越えると、半導体ウエハのバンプ潰れ又はバンプ周辺部のボイドが発生しやすくなってしまう。上記８０℃における貯蔵弾性率の好ましい下限は０．４ＭＰａ、好ましい下限は０．９ＭＰａである。
【００１７】
上記粘着層は、上記範囲の貯蔵弾性率を有していれば特に限定されず、上記粘着層を構成する樹脂を選択することで、上記粘着層の貯蔵弾性率を上記範囲に調整することができる。
なかでも、上記粘着層は、炭素数が１〜１８の（メタ）アクリル酸アルキルエステル由来の成分を含む水酸基価が１０〜６０ｍｇＫＯＨ／ｇのＵＶ非硬化型又はＵＶ硬化型（メタ）アクリルポリマーと、架橋剤とを含有することが好ましい。
このような粘着層においては、貯蔵弾性率が上記範囲に調整されやすくなる。
【００１８】
上記炭素数が１〜１８の（メタ）アクリル酸アルキルエステルとして、例えば、（メタ）アクリル酸メチル、（メタ）アクリル酸エチル、（メタ）アクリル酸ｎ−プロピル、（メタ）アクリル酸イソプロピル、（メタ）アクリル酸ｎ−ブチル、（メタ）アクリル酸ｓｅｃ−ブチル、（メタ）アクリル酸ｔ−ブチル、（メタ）アクリル酸−ペンチル、（メタ）アクリル酸ｎ−オクチル、（メタ）アクリル酸イソオクチル、（メタ）アクリル酸２−エチルヘキシル、（メタ）アクリル酸イソノニル、（メタ）アクリル酸イソミリスチル等が挙げられる。これらは単独で用いられてもよく、２種以上が併用されてもよい。アルキル基の炭素数が１８を越えると、上記粘着層のガラス転移温度が高くなり、上記粘着層としての適性が損なわれることがある。なかでも、貯蔵弾性率が上記範囲に調整されやすいことから、炭素数が１〜９の（メタ）アクリル酸アルキルエステルが好ましい。
なお、（メタ）アクリル酸アルキルエステルとは、アクリル酸アルキルエステル及びメタクリル酸アルキルエステルを意味する。
【００１９】
上記ＵＶ非硬化型又はＵＶ硬化型（メタ）アクリルポリマーは、上記炭素数が１〜１８の（メタ）アクリル酸アルキルエステル由来の成分を含んでいれば、更に、その他の成分を含んでいてもよい。
上記その他の成分として、例えば、（メタ）アクリル酸シクロヘキシル、（メタ）アクリル酸イソボルニル等の脂環式構造を有する（メタ）アクリル酸エステルや、官能基含有（メタ）アクリル酸エステルが挙げられる。上記官能基含有（メタ）アクリル酸エステルとして、例えば、４−ヒドロキシブチル（メタ）アクリレート、グリセロールモノ（メタ）アクリレート、１，６−ヘキサンジオール（メタ）アクリレート、ヒドロキシエチル（メタ）アクリレート、ポリプロピレングリコールモノ（メタ）アクリレート等の水酸基含有（メタ）アクリル酸エステルや、Ｎ−メチル（メタ）アクリルアミド等のアミド基含有（メタ）アクリル酸エステルや、（メタ）アクリロイルオキシエチルイソシアネート、メタ−イソプロぺニル−α，α−ジメチルベンジルイソシアネート、（メタ）アクリロイルイソシアネート、アリルイソシアネート等のイソシアネート基含有（メタ）アクリル酸エステルや、グリシジル（メタ）アクリレート等のエポキシ基含有（メタ）アクリル酸エステルや、（メタ）アクリル酸等のカルボキシル基含有（メタ）アクリル酸エステルや、（メタ）アクリル酸アミノエチル等のアミノ基含有（メタ）アクリル酸エステル等が挙げられる。なかでも、貯蔵弾性率を上記範囲に調整するとともに上記粘着層の粘着力を制御するために、架橋性官能基として水酸基を有する、水酸基含有（メタ）アクリル酸エステルを含有することが好ましい。
【００２０】
上記ＵＶ非硬化型又はＵＶ硬化型（メタ）アクリルポリマーの水酸基価は１０〜６０ｍｇＫＯＨ／ｇであることが好ましい。上記水酸基価が１０ｍｇＫＯＨ／ｇ未満であると、上記架橋剤により上記ＵＶ非硬化型又はＵＶ硬化型（メタ）アクリルポリマーを架橋しても上記粘着層の貯蔵弾性率が充分に上がらないことがある。上記水酸基価が６０ｍｇＫＯＨ／ｇを超えると、上記ＵＶ非硬化型又はＵＶ硬化型（メタ）アクリルポリマーを架橋したあとに上記粘着層の貯蔵弾性率が高くなりすぎたり、上記ＵＶ非硬化型又はＵＶ硬化型（メタ）アクリルポリマーの未反応の水酸基によって上記粘着層の粘着力が強くなりすぎて上記半導体接合用接着剤層を上記粘着層から剥離することが困難となったりすることがある。上記水酸基価のより好ましい下限は２０ｍｇＫＯＨ／ｇ、より好ましい上限は５８ｍｇＫＯＨ／ｇである。
なお、ＵＶ非硬化型又はＵＶ硬化型（メタ）アクリルポリマーの水酸基価とは、ＵＶ非硬化型又はＵＶ硬化型（メタ）アクリルポリマー１ｇ中に含まれる水酸基をアセチル化するために要する水酸化カリウムのｍｇ数を意味する。
【００２１】
上記架橋剤は特に限定されないが、例えば、熱架橋剤、光開始剤等が挙げられる。上記熱架橋剤として、例えば、イソシアネート架橋剤、アジリジン架橋剤、エポキシ架橋剤、金属キレート架橋剤等が挙げられる。なかでも、貯蔵弾性率及び粘着力を制御しやすいことから、イソシアネート架橋剤が好ましい。
【００２２】
上記光開始剤として、例えば、ベンゾイン、ベンゾフェノン、ベンジル、チオキサントン及びこれらの誘導体等の従来公知の光反応開始剤が挙げられる。具体的には、例えば、ベンゾインメチルエーテル、ベンゾインエチルエーテル、ベンゾインイソブチルエーテル、ミヒラーケトン、（４−（メチルフェニルチオ）フェニル）フェイルメタノン、２，２−ジメトキシ−１，２−ジフェニルエタン−１−オン、１−ヒドロキシ−シクロヘキシル−フェニル−ケトン、２−ヒドロキシ−２−メチル−１−フェニル−プロパン−１−オン、１−（４−（２−ヒドロキシエトキシ）−フェニル）−２−ヒドロキシ−２−メチル−１−プロパン−１−オン、２−メチル−１−（（４−メチルチオ）フェニル）−２−モルフォリノプロパン−１−オン、２−ベンジル−２−ジメチルアミノ−１−（４−モルフォリノフェニル）−ブタノン−１、ビス（２，４，６−トリメチルベンゾイル）−フェニルフォスフィンオキサイド、ビス（２，６−ジメトキシベンゾイル）−２，４，４−トリメチル−ペンチルフォスフィンオキサイド、２，４，６−トリメチルベンゾイル−ジフェニル−フォスフィンオキサイド、２，４−ジエチルチオキサントン、２−クロロチオキサントン等が挙げられる。
また、上記光開始剤として、２５０〜８００ｎｍの波長の光を照射することにより活性化されるものが挙げられ、例えば、メトキシアセトフェノン等のアセトフェノン誘導体化合物；ベンゾインプロピルエーテル、ベンゾインイソブチルエーテル等のベンゾインエーテル系化合物；ベンジルジメチルケタール、アセトフェノンジエチルケタール等のケタール誘導体化合物；フォスフィンオキシド誘導体化合物；ビス（η５−シクロペンタジエニル）チタノセン誘導体化合物、ベンゾフェノン、ミヒラーケトン、クロロチオキサントン、ドデシルチオキサントン、ジメチルチオキサントン、ジエチルチオキサントン、α−ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトン、２−ヒドロキシメチルフェニルプロパン等の光ラジカル重合開始剤が挙げられる。
これらの光開始剤は単独で用いられてもよく、２種以上が併用されてもよい。
【００２３】
上記粘着層は、上記ＵＶ非硬化型（メタ）アクリルポリマー１００重量部と、上記架橋剤として上記イソシアネート架橋剤５〜２０重量部とを含有することが好ましい。上記イソシアネート架橋剤の含有量が５重量部未満であると、上記ＵＶ非硬化型（メタ）アクリルポリマーの架橋が不充分となり、上記半導体接合用接着剤層を上記粘着層から剥離する際に糊残りが生じたり、上記粘着層の貯蔵弾性率が低くなったりすることがある。上記イソシアネート架橋剤の含有量が２０重量部を超えると、上記粘着層の貯蔵弾性率が高くなりすぎることがある。
【００２４】
また、上記粘着層は、上記ＵＶ硬化型（メタ）アクリルポリマー１００重量部と、上記架橋剤として上記光開始剤０．１〜５重量部とを含有し、ＵＶ硬化型モノマー及びＵＶ硬化型オリゴマーを含有しないことも好ましい。上記光開始剤の含有量が０．１重量部未満であると、上記ＵＶ硬化型（メタ）アクリルポリマーの架橋が不充分となり、上記半導体接合用接着剤層を上記粘着層から剥離する際に糊残りが生じたり、上記粘着層の貯蔵弾性率が低くなったりすることがある。上記光開始剤の含有量が５重量部を超えると、上記粘着層の貯蔵弾性率が高くなりすぎることがある。
また、上記粘着層が上記ＵＶ硬化型（メタ）アクリルポリマーを含有する場合には、ＵＶ硬化型モノマー及び／又はＵＶ硬化型オリゴマー（例えば、ウレタンアクリレートオリゴマー）を含有すると、上記粘着層の架橋密度が高くなって貯蔵弾性率が高くなりすぎることがある。このため、上記粘着層はＵＶ硬化型モノマー及びＵＶ硬化型オリゴマーを含有しないことが好ましい。
【００２５】
上記ＵＶ硬化型（メタ）アクリルポリマーを合成する方法は特に限定されず、例えば、官能基含有（メタ）アクリルポリマーに、その官能基と反応可能であり、かつ、（メタ）アクリロイル基を有する化合物を反応させる方法が挙げられる。具体的には、例えば、次の（１）〜（５）の場合が挙げられる。
（１）水酸基含有アクリルポリマーに対しては、アミド基、イソシアネート基、エポキシ基及びカルボキシル基からなる群より選択される少なくとも１つを有し、かつ、（メタ）アクリロイル基を有する化合物を反応させればよい。
（２）カルボキシル基含有アクリルポリマーに対しては、エポキシ基又はイソシアネート基を有し、かつ、（メタ）アクリロイル基を有する化合物を反応させればよい。
（３）エポキシ基含有アクリルポリマーに対しては、カルボキシル基又はアミド基を有し、かつ、（メタ）アクリロイル基を有する化合物を反応させればよい。
（４）アミノ基含有アクリルポリマーに対しては、エポキシ基を有し、かつ、（メタ）アクリロイル基を有する化合物を反応させればよい。
（５）イソシアネート基含有アクリルポリマーに対しては、水酸基又はカルボキシル基を有し、かつ、（メタ）アクリロイル基を有する化合物を反応させればよい。
【００２６】
上記粘着層が上記ＵＶ硬化型（メタ）アクリルポリマーと上記光開始剤とを含有する場合、ＵＶ照射によって上記ＵＶ硬化型（メタ）アクリルポリマーを架橋させることで、貯蔵弾性率を上記範囲に調整することができる。ＵＶ照射の方法は特に限定されず、例えば、超高圧水銀灯を用いて、３６５ｎｍ付近の紫外線を積算光量１００〜３０００ｍＪ／ｃｍ２で照射する方法等が挙げられる。
また、上記粘着層が上記ＵＶ硬化型（メタ）アクリルポリマーと上記光開始剤とを含有する場合、上記粘着層は、上記ＵＶ硬化型（メタ）アクリルポリマー及び上記光開始剤以外の成分として更にイソシアネート架橋剤、アジリジン架橋剤、エポキシ架橋剤、金属キレート等の熱架橋剤や、粘着付与剤等を含有してもよい。上記粘着層が上記熱架橋剤を含有する場合は、上記ＵＶ硬化型（メタ）アクリルポリマーを熱架橋した後、ＵＶ照射によって光硬化させることができる。
【００２７】
上記粘着層の厚みは特に限定されないが、好ましい下限が３μｍ、好ましい上限が２００μｍである。上記厚みが３μｍ未満であると、上記粘着層の粘着力が不充分となり、ダイシングの際に上記半導体接合用接着剤層と上記粘着層との界面で剥離することがある。上記厚みが２００μｍを超えると、半導体接合用接着フィルムのダイシング加工性が低下することがある。上記厚みのより好ましい下限は５μｍ、より好ましい上限は１５０μｍである。
【００２８】
上記半導体接合用接着剤層は、半導体ウエハを基板等の上に実装する際に一般的に用いられる接着剤層であれば特に限定されないが、例えば、熱可塑性樹脂、ホットメルト型接着樹脂、硬化性樹脂を含有する硬化性樹脂組成物等により形成されることが好ましい。
上記熱可塑性樹脂は特に限定されず、例えば、ポリ（メタ）アクリル酸エステル樹脂、ポリエステル樹脂、ポリビニルアルコール樹脂、ポリ酢酸ビニル樹脂等が挙げられる。これらは単独で用いられてもよく、２種以上が併用されてもよい。
【００２９】
上記ホットメルト型接着樹脂として、例えば、アクリル酸ブチル等を主なモノマー単位とするポリ（メタ）アクリル酸エステル樹脂等が挙げられる。
【００３０】
上記硬化性樹脂組成物に含まれる硬化性樹脂は特に限定されず、例えば、エポキシ樹脂、ポリウレタン樹脂等の熱硬化性樹脂や、感光性オニウム塩等の光カチオン触媒により重合するエポキシ樹脂、感光性ビニル基を有するアクリル樹脂等の光硬化性樹脂等が挙げられる。これらは単独で用いられてもよく、２種以上が併用されてもよい。なかでも、上記硬化性樹脂組成物は、エポキシ樹脂と、エポキシ基と反応する官能基を有する高分子ポリマーと、硬化剤とを含むことが好ましい。このような組成物を用いることにより、硬化物の接合信頼性が高くなる。
【００３１】
上記エポキシ樹脂は特に限定されないが、ビスフェノール骨格を主鎖に有するエポキシ樹脂や、多環式炭化水素骨格を主鎖に有するエポキシ樹脂が好ましい。ビスフェノール骨格を主鎖に有するエポキシ樹脂を用いることにより、優れた接着性が得られる。また、多環式炭化水素骨格を主鎖に有するエポキシ樹脂を用いることにより、硬化物が剛直になり分子の運動が阻害されるため、硬化物の機械的強度、耐熱性及び耐湿性が高くなる。
【００３２】
上記ビスフェノール骨格を主鎖に有するエポキシ樹脂は特に限定されず、例えば、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂等が挙げられる。これらは単独で用いられてもよく、２種以上が併用されてもよい。
また、上記多環式炭化水素骨格を主鎖に有するエポキシ樹脂は特に限定されず、例えば、ジシクロペンタジエンジオキシド、ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂、ナフタレン型エポキシ樹脂、テトラヒドロキシフェニルエタン型エポキシ樹脂、テトラキス（グリシジルオキシフェニル）エタン、３，４−エポキシ−６−メチルシクロヘキシルメチル−３，４−エポキシ−６−メチルシクロヘキサンカルボネート等が挙げられる。これらは単独で用いられてもよく、２種以上が併用されてもよい。なかでも、ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂、ナフタレン型エポキシ樹脂が好ましい。
【００３３】
上記ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂として、例えば、ジシクロペンタジエン骨格を有するフェノールノボラックエポキシ樹脂等が挙げられる。上記ナフタレン型エポキシ樹脂として、例えば、１−グリシジルナフタレン、２−グリシジルナフタレン、１，２−ジグリジジルナフタレン、１，５−ジグリシジルナフタレン、１，６−ジグリシジルナフタレン、１，７−ジグリシジルナフタレン、２，７−ジグリシジルナフタレン、トリグリシジルナフタレン又は１，２，５，６−テトラグリシジルナフタレン等が挙げられる。
【００３４】
上記多環式炭化水素骨格を主鎖に有するエポキシ樹脂の重量平均分子量の好ましい下限は５００、好ましい上限は１０００である。上記重量平均分子量が５００未満であると、硬化物の機械的強度、耐熱性又は耐湿性を充分に高めることができないことがある。上記重量平均分子量が１０００を超えると、硬化物が剛直になりすぎて、脆くなることがある。
【００３５】
上記エポキシ基と反応する官能基を有する高分子ポリマーは特に限定されず、例えば、アミノ基、ウレタン基、イミド基、水酸基、カルボキシル基、エポキシ基等を有するポリマーが挙げられる。なかでも、エポキシ基を有する高分子ポリマーが好ましい。エポキシ基を有する高分子ポリマーを用いることにより、硬化物の可撓性が高くなる。また、多環式炭化水素骨格を主鎖に有するエポキシ樹脂とエポキシ基を有する高分子ポリマーとを併用することにより、上記多環式炭化水素骨格を主鎖に有するエポキシ樹脂により硬化物の機械的強度、耐熱性及び耐湿性を高めることができるとともに、上記エポキシ基を有する高分子ポリマーにより硬化物の可撓性が高くなる。
【００３６】
上記エポキシ基を有する高分子ポリマーは、末端及び側鎖（ペンダント位）のうちの少なくとも一方にエポキシ基を有することが好ましい。
上記エポキシ基を有する高分子ポリマーとして、例えば、エポキシ基含有アクリルゴム、エポキシ基含有ブタジエンゴム、ビスフェノール型高分子量エポキシ樹脂、エポキシ基含有フェノキシ樹脂、エポキシ基含有アクリルポリマー、エポキシ基含有ウレタン樹脂、エポキシ基含有ポリエステル樹脂等が挙げられる。これらは単独で用いられてもよく、２種以上が併用されてもよい。なかでも、硬化物の機械的強度及び耐熱性を高めることができるため、エポキシ基含有アクリルポリマーが好ましい。
【００３７】
上記硬化剤は特に限定されず、例えば、トリアルキルテトラヒドロ無水フタル酸等の加熱硬化型酸無水物系硬化剤、フェノール系硬化剤、アミン系硬化剤、ジシアンジアミド等の潜在性硬化剤、カチオン系触媒型硬化剤等が挙げられる。これらは単独で用いられてもよく、２種以上が併用されてもよい。
上記加熱硬化型酸無水物系硬化剤のうち、常温で液状の硬化剤として、例えば、メチルテトラヒドロ無水フタル酸、メチルヘキサヒドロ無水フタル酸、メチルナジック酸無水物、トリアルキルテトラヒドロ無水フタル酸等が挙げられる。これらは単独で用いられてもよく、２種以上が併用されてもよい。なかでも、疎水化されているので、メチルナジック酸無水物、トリアルキルテトラヒドロ無水フタル酸が好ましい。
【００３８】
上記硬化性樹脂組成物は、硬化速度、硬化物の物性等を調整するために、上記硬化剤とともに硬化促進剤を含有していてもよい。上記硬化促進剤は特に限定されず、例えば、イミダゾール系硬化促進剤、３級アミン系硬化促進剤等が挙げられる。これらは単独で用いられてもよく、２種以上が併用されてもよい。なかでも、硬化速度、硬化物の物性等を容易に調整できるため、イミダゾール系硬化促進剤が好ましい。
上記イミダゾール系硬化促進剤は特に限定されず、例えば、イミダゾールの１位をシアノエチル基で保護した１−シアノエチル−２−フェニルイミダゾール、イソシアヌル酸で塩基性を保護した商品名「２ＭＡＯＫＰＷ」（四国化成工業社製）等が挙げられる。
【００３９】
上記加熱硬化型酸無水物系硬化剤と上記硬化促進剤（例えば、イミダゾール系硬化促進剤）とを併用する場合は、上記加熱硬化型酸無水物系硬化剤の添加量をエポキシ基に対して理論的に必要な当量以下とすることが好ましい。上記加熱硬化型酸無水物系硬化剤の添加量が過剰であると、硬化物から水分により塩素イオンが溶出しやすくなるおそれがある。例えば、熱水を用いて、硬化物から溶出成分を抽出した際に、抽出水のｐＨが４〜５程度まで低くなり、エポキシ樹脂から引き抜かれた塩素イオンが多量に溶出してしまうことがある。
【００４０】
上記アミン系硬化剤と上記硬化促進剤（例えば、イミダゾール系硬化促進剤）とを併用する場合は、上記アミン系硬化剤の添加量をエポキシ基に対して理論的に必要な当量以下とすることが好ましい。上記アミン系硬化剤の添加量が過剰であると、硬化物から水分により塩素イオンが溶出しやすくなるおそれがある。例えば、熱水を用いて、硬化物から溶出成分を抽出した際に、抽出水のｐＨが高く、抽出水が塩基性となり、エポキシ樹脂から引き抜かれた塩素イオンが多量に溶出してしまうことがある。
【００４１】
上記半導体接合用接着剤層の厚みは特に限定されないが、好ましい下限が５μｍ、好ましい上限が２００μｍである。上記厚みが５μｍ未満であると、半導体チップと基板との間を上記半導体接合用接着剤層が充分に充填できず、ボイドが生じることがある。上記厚みが２００μｍを超えると、半導体チップと基板とを接合した際に過剰な接着剤がはみ出し、周囲を汚染することがある。
上記厚みのより好ましい下限は１０μｍ、より好ましい上限は１００μｍである。
【００４２】
本発明の半導体接合用接着フィルムにおいては、上記基材フィルムの、上記粘着層と接する面とは反対側の面に、ダイシングテープが貼り合わせられていてもよい（即ち、ダイシングテープと一体化していてもよい）。これにより、本発明の半導体接合用接着フィルムをダイシングテープとして好適に用いることができる。
上記ダイシングテープは、半導体ウエハをダイシングする際に一般的に用いられるダイシングテープであれば特に限定されないが、基材と、上記基材の片面に積層された粘着剤層とを有することが好ましい。
上記ダイシングテープの基材は特に限定されず、例えば、ポリエチレンテレフタレートフィルム等のポリエステル系フィルムや、ポリテトラフルオロエチレンフィルム、ポリエチレンフィルム、ポリプロピレンフィルム、ポリメチルペンテンフィルム、ポリビニルアセテートフィルム等のポリオレフィン系フィルムや、ポリ塩化ビニルフィルム、ポリイミドフィルム等のプラスチックフィルム等が挙げられる。なかでも、エクスパンド性に優れており、環境負荷が小さいため、ポリオレフィン系フィルムが好ましい。
【００４３】
上記ダイシングテープの粘着剤層を構成する粘着剤として、例えば、アクリル系粘着剤、特殊合成ゴム系粘着剤、合成樹脂系粘着剤、ゴム系粘着剤等が挙げられる。なかでも、比較的安価な感圧タイプのアクリル系粘着剤が好ましい。
【００４４】
上記ダイシングテープは特に限定されず、各社から市販されているが、具体的には例えば、ＰＥテープ＃６３１８−Ｂ（積水化学工業社製、厚み７０μｍのポリエチレンフィルムの片面に、厚み１０μｍのゴム系粘着剤層が形成されている粘着フィルム）等が挙げられる。
【００４５】
本発明の半導体接合用接着フィルムの製造方法は特に限定されず、例えば、下記の方法が挙げられる。
まず、ＵＶ非硬化型又はＵＶ硬化型（メタ）アクリルポリマーと架橋剤とを配合して溶剤で希釈した希釈液を離型フィルム上に塗布し、加熱乾燥して離型フィルム上に粘着層（未架橋）を形成する。次いで、乾燥後の粘着層（未架橋）に基材フィルムをラミネートし、基材フィルムの片面に粘着層（未架橋）を転写させた後、ＵＶ非硬化型又はＵＶ硬化型（メタ）アクリルポリマーを架橋させ、粘着層付き基材フィルムを作製する。更に、エポキシ樹脂等を含有する硬化性樹脂溶液を離型フィルム上に塗布し、加熱乾燥して離型フィルム上に半導体接合用接着剤層を形成した後、この半導体接合用接着剤層に粘着層付き基材フィルムの粘着層をラミネートする。更に、基材フィルムの粘着層と接する面とは反対側の面に、ダイシングテープを貼り合わせてもよい。
【００４６】
本発明の半導体接合用接着フィルムを用いた半導体装置の製造方法は特に限定されず、例えば、上記基材フィルムの、上記粘着層と接する面とは反対側の面に、上記ダイシングテープが貼り合わせられている（即ち、上記ダイシングテープと一体化している）半導体接合用接着フィルムを用意し、本発明の半導体接合用接着フィルムの上記半導体接合用接着剤層を半導体ウエハに貼り合わせる工程（１）、上記半導体接合用接着剤層ごと上記半導体ウエハをダイシングする工程（２）、上記半導体接合用接着剤層付き半導体チップを上記粘着層から剥がしてピックアップする工程（３）、及び、上記半導体接合用接着剤層を介して半導体チップを基板又は他の半導体チップの上に実装する工程（４）を有する方法等が挙げられる。
【００４７】
上記工程（１）において本発明の半導体接合用接着フィルムの上記半導体接合用接着剤層を半導体ウエハに貼り合わせる方法は特に限定されず、ラミネーターを用いた一般的な貼り合わせ方法を用いることができる。なかでも、充分なバンプ追従性を得るためには、真空ラミネーターを用いることが好ましい。
【００４８】
上記工程（２）において上記半導体接合用接着剤層ごと上記半導体ウエハをダイシングする方法は特に限定されず、例えば、ダイシング装置（例えば、ディスコ社製のＤＦＤ６３６１）を用いて上記半導体接合用接着剤層ごと上記半導体ウエハを個々の半導体チップに分割する方法等が挙げられる。
このとき、ダイシングを１段階で行ってもよいが、ダイシングによる上記半導体ウエハの破損を防ぐ観点から、ダイシングを２段階（ステップカット）で行うことが好ましい。また、ダイシングでは、一枚の刃でダイシングするシングルカット、二枚の刃でダイシングするステップカット、二枚の刃でダイシングするベベルカット等を用いることができる。ベベルカットでは、上記半導体ウエハの表面を切断するために、断面がＶ字形状の刃が用いられる。なかでも、ダイシングによる上記半導体ウエハの破損を防ぐ観点から、ステップカットが好ましい。
【００４９】
また、上記工程（２）において上記半導体接合用接着剤層ごと上記半導体ウエハをダイシングする方法として、レーザー光を照射する方法を用いてもよい。レーザー光の照射により上記半導体接合用接着剤層ごと上記半導体ウエハをダイシングする場合、レーザー光は上記粘着層に至るように照射される。
【００５０】
上記工程（３）において上記半導体接合用接着剤層付き半導体チップを上記粘着層から剥がしてピックアップする方法は特に限定されず、例えば、上記ダイシングテープを引き延ばして、分割された個々の半導体チップの間隔を拡張した後、半導体チップの裏面側からニードルで突き上げたり、半導体チップの表面側から真空ピールしたり、超音波振動を利用したりすることにより、上記半導体接合用接着剤層付き半導体チップを上記粘着層から剥がす方法等が挙げられる。
【００５１】
上記工程（４）において上記半導体接合用接着剤層を介して半導体チップを基板又は他の半導体チップの上に実装する方法は特に限定されず、ダイボンダーを用いた一般的な実装方法を用いることができる。
【発明の効果】
【００５２】
本発明によれば、ダイシング加工性及びバンプ追従性を保持しつつ、ダイシング後にピックアップされた半導体接合用接着剤層付き半導体チップを基板等の所定位置へ正確にアライメントできる半導体接合用接着フィルムを提供することができる。
【発明を実施するための形態】
【００５３】
以下に実施例を挙げて本発明の態様を更に詳しく説明するが、本発明はこれら実施例のみに限定されない。
【００５４】
（実施例１〜６、比較例１〜４）
（使用した基材フィルム）
基材フィルムとして次のフィルムを用いた。
・ＰＢＴ（オージーフィルム社製「ＳＳ−５０」、厚み５０μｍ、粘着層と接する面の十点平均粗さＲｚ＝１６μｍ）
【００５５】
（ＵＶ非硬化型（メタ）アクリルポリマーの合成）
（ポリマーＡ）
温度計、攪拌機、冷却管を備えた反応器を用意し、この反応器内に、アクリル酸２−エチルヘキシル５０重量部、アクリル酸ブチル４７．５重量部、アクリル酸０．５重量部、メタクリル酸２−ヒドロキシエチル２重量部、ラウリルメルカプタン０．０１重量部と、酢酸エチル１８０重量部とを加えた後、反応器を加熱して還流を開始した。続いて、上記反応器内に、重合開始剤として１，１−ビス（ｔ−ヘキシルパーオキシ）−３，３，５−トリメチルシクロヘキサン０．０１重量部を添加し、還流下で重合を開始させた。次に、重合開始から１時間後及び２時間後にも、１，１−ビス（ｔ−ヘキシルパーオキシ）−３，３，５−トリメチルシクロヘキサンを０．０１重量部ずつ添加し、更に、重合開始から４時間後にｔ−ヘキシルパーオキシピバレートを０．０５重量部添加して重合反応を継続させた。そして、重合開始から８時間後に、ＵＶ非硬化型（メタ）アクリルポリマーを得た。得られたＵＶ非硬化型（メタ）アクリルポリマーの水酸基価は８．６ｍｇＫＯＨ／ｇであった。
【００５６】
（ポリマーＢ）
モノマー組成をアクリル酸２−エチルヘキシル５０重量部、アクリル酸ブチル４４．５重量部、アクリル酸０．５重量部、メタクリル酸２−ヒドロキシエチル５重量部とした以外はポリマーＡと同様にして、ＵＶ非硬化型（メタ）アクリルポリマーを得た。得られたＵＶ非硬化型（メタ）アクリルポリマーの水酸基価は２１．５ｍｇＫＯＨ／ｇであった。
【００５７】
（ポリマーＣ）
モノマー組成をアクリル酸２−エチルヘキシル８７．５重量部、アクリル酸０．５重量部、メタクリル酸２−ヒドロキシエチル１２重量部とした以外はポリマーＡと同様にして、ＵＶ非硬化型（メタ）アクリルポリマーを得た。得られたＵＶ非硬化型（メタ）アクリルポリマーの水酸基価は５１．６ｍｇＫＯＨ／ｇであった。
【００５８】
（ポリマーＤ）
モノマー組成をアクリル酸２−エチルヘキシル５０重量部、アクリル酸ブチル３４．５重量部、アクリル酸０．５重量部、メタクリル酸２−ヒドロキシエチル１５重量部とした以外はポリマーＡと同様にして、ＵＶ非硬化型（メタ）アクリルポリマーを得た。得られたＵＶ非硬化型（メタ）アクリルポリマーの水酸基価は６４．５ｍｇＫＯＨ／ｇであった。
【００５９】
（ＵＶ硬化型（メタ）アクリルポリマーの合成）
（ポリマーＥ）
温度計、攪拌機、冷却管を備えた反応器を用意し、この反応器内に、アクリル酸２−エチルヘキシル７０重量部、メタクリル酸２−ヒドロキシエチル３０重量部、ラウリルメルカプタン０．０１重量部と、酢酸エチル１８０重量部とを加えた後、反応器を加熱して還流を開始した。続いて、上記反応器内に、重合開始剤として１，１−ビス（ｔ−ヘキシルパーオキシ）−３，３，５−トリメチルシクロヘキサン０．０１重量部を添加し、還流下で重合を開始させた。次に、重合開始から１時間後及び２時間後にも、１，１−ビス（ｔ−ヘキシルパーオキシ）−３，３，５−トリメチルシクロヘキサンを０．０１重量部ずつ添加し、更に、重合開始から４時間後にｔ−ヘキシルパーオキシピバレートを０．０５重量部添加して重合反応を継続させた。そして、重合開始から８時間後に、（メタ）アクリルポリマーを得た。更に、得られた（メタ）アクリルポリマーを含む酢酸エチル溶液の樹脂固形分１００重量部に対して、２−イソシアナトエチルメタクリレート２０重量部を加えて反応させ、側鎖に水酸基とメタクリレート基とを有するＵＶ硬化型（メタ）アクリルポリマーを得た。得られたＵＶ硬化型（メタ）アクリルポリマーの水酸基価は５３．４ｍｇＫＯＨ／ｇであった。
【００６０】
（ポリマーＦ）
モノマー組成をアクリル酸イソボルニル７０重量部、メタクリル酸２−ヒドロキシエチル３０重量部とした以外はポリマーＡと同様にして、（メタ）アクリルポリマーを得た。更に、得られた（メタ）アクリルポリマーを含む酢酸エチル溶液の樹脂固形分１００重量部に対して、２−イソシアナトエチルメタクリレート２０重量部を加えて反応させ、側鎖に水酸基とメタクリレート基とを有するＵＶ硬化型（メタ）アクリルポリマーを得た。得られたＵＶ硬化型（メタ）アクリルポリマーの水酸基価は５２．５ｍｇＫＯＨ／ｇであった。
【００６１】
（ポリマーＧ）
モノマー組成をアクリル酸２−エチルヘキシル８８重量部、メタクリル酸２−ヒドロキシエチル１２重量部とした以外はポリマーＡと同様にして、（メタ）アクリルポリマーを得た。更に、得られた（メタ）アクリルポリマーを含む酢酸エチル溶液の樹脂固形分１００重量部に対して、２−イソシアナトエチルメタクリレート１０重量部を加えて反応させ、側鎖に水酸基とメタクリレート基とを有するＵＶ硬化型（メタ）アクリルポリマーを得た。得られたＵＶ硬化型（メタ）アクリルポリマーの水酸基価は１５．５ｍｇＫＯＨ／ｇであった。
【００６２】
（粘着層付き基材フィルムの作製）
表１に示す材料を表１に示す重量比で配合し、酢酸エチルで希釈して固形分２０％の希釈液を作製した。得られた希釈液を、アプリケーターを用いて離型フィルム上に厚み５μｍとなるように塗布し、１１０℃のオーブン内で３分間加熱乾燥し、離型フィルム上に粘着層（未架橋）を形成した。乾燥後の粘着層（未架橋）に基材フィルム（ＰＢＴ）をラミネートし、基材フィルムの片面に粘着層（未架橋）を転写させた。
実施例１〜４、比較例１、比較例３においては、作製したフィルムを４０℃オーブン内で３日間養生してＵＶ非硬化型（メタ）アクリルポリマーを架橋させ、粘着層付き基材フィルムを作製した。
実施例５、比較例２、比較例４においては、作製したフィルムに１６０Ｗの超高圧水銀灯を用いて、光を３６５ｎｍにおいて１０００ｍＪ／ｃｍ２のエネルギーとなるように照射し、ＵＶ硬化型（メタ）アクリルポリマーを光硬化させ、粘着層付き基材フィルムを作製した。
実施例６においては、作製したフィルムを４０℃オーブン内で３日間養生してＵＶ硬化型（メタ）アクリルポリマーを架橋させた後、更に１６０Ｗの超高圧水銀灯を用いて、光を３６５ｎｍにおいて１０００ｍＪ／ｃｍ２のエネルギーとなるように照射し、ＵＶ硬化型（メタ）アクリルポリマーを光硬化させ、粘着層付き基材フィルムを作製した。
【００６３】
（粘着層の貯蔵弾性率の測定）
厚さ０．５ｍｍ、幅５ｍｍ×３ｃｍの粘着層を試験サンプルとして別途用意し、アイティ計測社製のＤＶＡ−２００を用いて、１０Ｈｚ及び歪み０．１％の条件で試験サンプルの２５℃及び８０℃における貯蔵弾性率を求めた。
【００６４】
（半導体接合用接着剤層の作製）
Ｇ−２０５０Ｍ（日油社製、エポキシ含有アクリルポリマー、重量平均分子量２０万）１２重量部と、１００４ＡＦ（三菱化学社製、ビスフェノール型エポキシ樹脂）３５重量部と、ＹＬ９８０（三菱化学社製、ビスフェノール型エポキシ樹脂）１５重量部と、ＹＨ−３０９（三菱化学社製、酸無水物系硬化剤）３５重量部と、２ＭＡＯＫ−ＰＷ（四国化成工業社製、イミダゾール硬化剤）３重量部と、ＹＡ０５０Ｃ−ＳＰＪ（アドマテックス社製、無機フィラー）５０重量部と、ＳＥ１０５０−ＳＰＪ（アドマテックス社製、無機フィラー）５０重量部とを配合し、得られた配合物を溶剤としてのメチルエチルケトン（ＭＥＫ）に固形分６０％となるように添加し、攪拌して硬化性樹脂溶液を得た。得られた硬化性樹脂溶液を離型フィルムの上に厚み３０μｍになるようにアプリケーターを用いて塗布し、１１０℃のオーブン内で３分間加熱乾燥し、離型フィルム上に半導体接合用接着剤層を形成した。
【００６５】
（半導体接合用接着フィルムの作製）
半導体接合用接着剤層に、上記の粘着層付き基材フィルムの粘着層を２５℃でラミネートし、ラミネート体を得た。ラミネート体を円形（８インチウエハサイズ）に切り抜いた後、基材フィルムの粘着層と接する面とは反対側の面に、ダイシングテープとしてのＰＥテープ＃６３１８−Ｂ（積水化学工業社製、厚み７０μｍのポリエチレンフィルムの片面に、厚み１０μｍのゴム系粘着剤層が形成されている粘着フィルム）をゴム系粘着剤層側から貼り合わせた。その後、ダイシングテープを円形（８インチウエハより大きく、ダイシングフレームに搭載できるサイズ）に切り抜いた。このようにして、離型フィルム／半導体接合用接着剤層／粘着層／基材フィルム／ダイシングテープがこの順で積層された半導体接合用接着フィルムを作製した。
【００６６】
＜評価＞
得られた半導体接合用接着フィルムについて、次の工程で評価を行った。結果を表１に示した。
【００６７】
（１）ラミネート
半導体接合用接着フィルムの離型フィルムを剥離し、半導体接合用接着剤層を露出させた。露出した接着剤層を、直径８インチの半田バンプ付きシリコンウエハ（厚み１００μｍ、ＷＡＬＴＳ−ＴＥＧ  ＭＢ５０−０１０１ＪＹ、ハンダの溶融温度２３５℃、ウォルツ社製、バンプ高さ４５μｍ）のバンプ電極を有する面に、真空ラミネーター（商品名「ＡＴＭ−８１２Ｍ」、タカトリ社製）を用いて８０℃、真空度１００Ｐａで貼り合わせた。
【００６８】
（２）ダイシング
半導体接合用接着フィルムのダイシングテープをダイシングフレームにマウントし、シリコンウエハの裏面から、ダイシング装置ＤＦＤ６３６１（ディスコ社製）を用い、回転数４００００ｒｐｍ、送り速度２０ｍｍ／秒で７．３ｍｍ×７．３ｍｍのチップサイズにダイシングした。なお、ダイシングの際の切り込み深さは、基材フィルムがダイシングテープと接する面まで切り込むように設定した。
ダイシング後、半導体接合用接着フィルムの断面を顕微鏡を用いて観察し、以下の基準でダイシング加工性の評価を行った。
○：接着剤層及び粘着層に起因する切削屑がない。
△：接着剤層及び粘着層に起因する切削屑がわずかに存在する。
×：接着剤層及び粘着層に起因する切削屑が多数の半導体チップにおいて存在する。
【００６９】
（３）ピックアップ
ダイシング後、ダイボンダーｂｅｓｔｅｍ  Ｄ−０２（キャノンマシーナリー社製）を用いて、突き上げ速度５ｍｍ／秒、ピックアップ温度２３℃の条件で、分割された半導体チップのピックアップを行った。この工程において粘着層と接着剤層とを剥離し、半導体接合用接着剤層付き半導体チップを得た。
ピックアップした半導体接合用接着剤層付き半導体チップを取り出し、接着剤層表面を顕微鏡にて観察し、バンプ周辺部以外の部分について、以下の基準で凹凸転写性の評価を行った。
○：接着剤層表面が平滑である。
△：接着剤層表面に基材フィルムの表面凹凸由来の凹凸がうっすらと散見される。
×：接着剤層表面に基材フィルムの表面凹凸由来の凹凸がくっきりと多数見られる。
また同時に、バンプ周辺部の観察を行い、以下の基準でバンプ追従性について評価した。
○：バンプ周辺部の接着剤層はバンプによく追従しており、バンプ潰れ又はボイドが無い。
△：バンプ潰れはないが、バンプ周辺部にボイドが見られる。
×：バンプ潰れがあり、かつ、バンプ周辺部にボイドがみられる。
【００７０】
（４）実装
ピックアップした半導体接合用接着剤層付き半導体チップを、Ｎｉ／Ａｕ電極を有する基板（ＷＡＬＴＳ−ＫＩＴ  ＭＢ５０−０１０１ＪＹ、ウォルツ社製）上に、ボンディング装置（東レエンジニアリング社製、ＦＣ−３０００）を用いてフリップチップ実装した。このとき、半導体チップ上のアライメントマークを自動認識する工程において、以下の基準でアライメントマーク認識性の評価を行った。
○：半導体チップ上のアライメントマークが１０個中１０個とも自動認識可能であった。
△：１０個中６〜９個の割合で自動認識可能であった。
×：１０個中５個以下の割合で自動認識された。
【００７１】
【表１】
0006364314.tif 000002
【産業上の利用可能性】
【００７２】
本発明によれば、ダイシング加工性及びバンプ追従性を保持しつつ、ダイシング後にピックアップされた半導体接合用接着剤層付き半導体チップを基板等の所定位置へ正確にアライメントできる半導体接合用接着フィルムを提供することができる。