(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体チップの主面に電極および配線を有する半導体デバイスと、
前記半導体チップの主面側に、前記半導体デバイスの特定の電極と空間を隔てて当該特定の電極の側方および上方を覆って配置される第１の樹脂構造体と、
前記第１の樹脂構造体の側方および上方と接しつつ、前記第１の樹脂構造体の外側を覆い、当該第１の樹脂構造体の誘電率以下の誘電率を有する第２の樹脂構造体と、
前記第２の樹脂構造体の外側を覆い、当該第２の樹脂構造体より透湿性が小さい絶縁膜と、
を備えたことを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
多層の配線が前記第２の樹脂構造体の上方に設けられていることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】
半導体チップの主面に電極および配線を有する半導体デバイスと、
前記半導体チップの主面側に、前記半導体デバイスの特定の電極と空間を隔てて当該特定の電極の側方および上方を覆って配置される第１の樹脂構造体と、
前記第１の樹脂構造体の側方および上方と接しつつ、前記第１の樹脂構造体の外側を覆い、前記第１の樹脂構造体より透湿性が小さい絶縁膜と、
前記第１の樹脂構造体および前記絶縁膜の外側を覆い、前記第１の樹脂構造体の誘電率以下の誘電率を有する第２の樹脂構造体と、
を備えたことを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
前記半導体デバイス、前記第１の樹脂構造体、前記第２の樹脂構造体、および前記絶縁膜がすべてエポキシ系熱硬化樹脂体により封止され、パッケージ化されていることを特徴とする請求項１から３のいずれか１項に記載の半導体装置。
【請求項５】
前記第２の樹脂構造体および前記絶縁膜の外側が、前記第１の樹脂構造体および前記第２の樹脂構造体の誘電率以下の誘電率を有する樹脂で構成された第３の樹脂構造体で覆われていることを特徴とする請求項４に記載の半導体装置。
【請求項６】
前記特定の電極は、ひさしを含み、断面がＹ型形状あるいはＴ型形状となっているとともに、前記ひさしの下部に、別の中空構造を有することを特徴とする請求項１から５のいずれか１項に記載の半導体装置。
【請求項７】
請求項１または請求項５に記載の半導体装置の製造方法であって、
半導体基板の主面に電極および配線を有する半導体デバイスを形成する工程と、
前記半導体デバイスの特定の電極の側方を、非接触に囲う第１の樹脂層を、半導体基板の主面側に形成する工程と、
前記特定の電極の上方に配置される第２の樹脂層を、前記第１の樹脂層の上面に接合させた後に硬化させ、前記特定の電極と空間を隔てて配置する工程と、 
前記第１の樹脂層および前記第２の樹脂層の上方と側方に、前記第１の樹脂層および前記第２の樹脂層の樹脂の誘電率より低い誘電率を持つ樹脂により、第３の樹脂層を形成する工程と、
前記第３の樹脂層の上面と側面を、当該第３の樹脂層よりも透湿性が小さい絶縁膜で覆う工程と、
を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項８】
請求項３に記載の半導体装置の製造方法であって、
半導体基板の主面に電極および配線を有する半導体デバイスを形成する工程と、
前記半導体デバイスの特定の電極の側方を非接触に囲う第１の樹脂層を、半導体基板の主面側に形成する工程と、
前記特定の電極の上方に配置される第２の樹脂層を、前記第１の樹脂層の上面に接合させた後に硬化させ、前記特定の電極と空間を隔てて配置する工程と、
前記第１の樹脂層および前記第２の樹脂層の上方と側方を、前記第１の樹脂層および前記第２の樹脂層よりも透湿性が小さい絶縁膜で覆う工程と、
前記絶縁膜の外側を、前記第１の樹脂層および前記第２の樹脂層の誘電率以下の誘電率を有する樹脂で覆う工程と、
を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体デバイスの電極の周りに中空構造を有する半導体装置およびその製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
半導体装置の高集積化と小型化を実現するために、半導体チップ上に樹脂膜と金属配線を繰り返し積層する多層配線構造が用いられている。しかし、樹脂膜により、例えば電界効果トランジスタ(ＦＥＴと略称。以下同様)のゲートとソース間、あるいはゲートとドレイン間の寄生容量が増加し、半導体デバイスの高周波特性が劣化する。【０００３】
また、多層配線を用いずに半導体チップをパッケージに収納した構造の半導体装置においても、小型化、低価格化のために、セラミックなどの絶縁体の中空容器内に半導体チップを搭載する構造より、半導体チップを樹脂モールドにより封止したパッケージ構造が望まれる場合があるが、中空封止の場合に比べると樹脂モールド封止に使用される樹脂の誘電率によって寄生容量（浮遊容量に同じ。以下同様）が増加し、利得などの高周波特性の劣化が生じる。
そこでこれら高周波特性の劣化の改善のため、半導体チップ上に中空構造を形成することで寄生容量の増加を抑制する構造の半導体装置が提案されている(例えば、特許文献１、特許文献２参照）。【０００４】
半導体チップ上の中空構造は、例えば（ａ）半導体基板の主面にＦＥＴを形成した後、（ｂ）その半導体基板の主面上に、ＦＥＴのゲート電極と接触せずにゲート電極の側方を囲う第１の樹脂層を形成し、（ｃ）さらにゲート電極に接触せずゲート電極の上方を覆う第２の樹脂層を第１の樹脂構造の上面に接合させて中空構造を形成し、その後に加熱処理を行って樹脂構造を硬化させる。（ｄ）中空構造を形成する、樹脂より透湿性の小さい絶縁膜で中空構造を覆い、中空構造の耐湿性を向上させる、等の工程により形成される。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開平５-３３５３４３号公報
【特許文献２】特開２０１６-３９３１９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
中空構造の形成において、第２の樹脂層を第１の樹脂層の上に接合（前記（ｃ）に示した工程参照）させる際の圧力が弱かったり不均一だったりした場合には、密着性が弱くなるという課題がある。密着性が弱い部分では、接合が剥離して中空構造内への水分の侵入経路が形成され、半導体デバイスの耐湿性を劣化させてしまうという問題がある。
また、この半導体チップをパッケージに搭載した場合には、高温高圧で樹脂モールド封止する際に、密着性の弱い部分が破壊され、中空構造内にモールド樹脂が侵入してしまうという問題がある。【０００７】
この発明は上述のような課題を解決するためのもので、半導体チップ上に中空構造を有する半導体装置において、耐湿性の劣化、あるいは中空構造の破壊を防止する構造の半導体装置、およびその製造方法を得ることを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
この発明に係る半導体装置は、
半導体チップの主面に電極および配線を有する半導体デバイスと、
前記半導体チップの主面側に、前記半導体デバイスの特定の電極と空間を隔てて当該特定の電極の側方および上方を覆って配置される第１の樹脂構造体と、
前記第１の樹脂構造体の側方および上方と接しつつ、前記第１の樹脂構造体の外側を覆い、当該第１の樹脂構造体の誘電率以下の誘電率を有する第２の樹脂構造体と、
前記第２の樹脂構造体の外側を覆い、当該第２の樹脂構造体より透湿性が小さい絶縁膜と、を備えたことを特徴とするものである。
【発明の効果】
【０００９】
この発明の半導体装置は、電極に接触しない樹脂構造体により中空構造を形成し、この樹脂構造体の中空構造の外側を、この中空構造を構成する樹脂構造体の誘電率以下の誘電率を備えた樹脂で覆うようにしたので、樹脂構造体の接合が剥離して中空構造内への水分の侵入経路が形成されることがなく、半導体デバイスの耐湿性の劣化、あるいは中空構造の破壊を防ぐことができる。また、電極と配線間の寄生容量を低減できるため、半導体装置の高周波特性を向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】この発明の実施の形態１に係る半導体装置の一例を示す断面図である。
【図２】図１のＣＳ１−ＣＳ２に沿った断面図である。
【図３】この発明の実施の形態１に係る半導体装置のウェハの製造工程を説明するための一連の図のうち、第１番目の図である。
【図４】この発明の実施の形態１に係る半導体装置のウェハの製造工程を説明するための一連の図のうち、第２番目の図である。
【図５】この発明の実施の形態１に係る半導体装置のウェハの製造工程を説明するための一連の図のうち、第３番目の図である。
【図６】この発明の実施の形態２に係る半導体装置の一例を示す断面図である。
【図７】この発明の実施の形態３に係る半導体装置の一例を示す断面図である。
【図８】この発明の実施の形態４に係る半導体装置の一例を示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
実施の形態１．
本発明の実施の形態１に係る半導体装置について以下図を用いて説明する。図１は本実施の形態１に係る半導体装置の一例を示す図である。また、図２は図１のＣＳ１−ＣＳ２に沿った断面図である。
【００１２】
本実施の形態１に係る半導体装置においては、半導体チップ１の主面に、半導体デバイス２が形成されている。半導体デバイス２は、ひさしを含むＹ型又はＴ型のゲート電極３と、ソース電極４と、ドレイン電極５、および配線６を有する電界効果トランジスタ(ＦＥＴ)である。ＦＥＴの他に、ダイオードなど他のデバイスが形成される場合もあり、半導体デバイス２は、窒化シリコン膜（例えばＳｉＮ）などの絶縁膜７により覆われている。
【００１３】
また、半導体デバイス２のゲート電極３は、ポリイミドなどが用いられた第１の樹脂層９および第２の樹脂層１０によって、側方（ゲート電極の側面と同程度の面積を持つ面であってゲート電極の側面に平行な面、の集合からなるゲート電極の外側の空間部分）と（ゲート電極の）上方を覆い、第１の樹脂層９および第２の樹脂層１０で形成された樹脂構造体（図中、符号Ａで示す部分。以下、第１の樹脂構造体と呼ぶ）は、ゲート電極３には接触せず、中空構造８を形成している。この第１の樹脂構造体Ａの材料には、上記では比誘電率が３程度のポリイミドを用いた場合を前提として説明したが、比誘電率が２．５〜２．７程度のベンゾシクロブテン樹脂（以下ではＢＣＢ（ＢＣＢ；Benzocyclobutene）樹脂と呼ぶ）を用いても良い。なお、以下では、上記中空構造内の電極（上記の例では、ゲート電極）を特定の電極と呼ぶことがある。
【００１４】
上記の第１の樹脂構造体Ａの外側は、ＢＣＢ樹脂を用いた第２の樹脂構造体Ｂにより覆われている。このように、この第２の樹脂構造体Ｂの材料には、第１の樹脂構造体Ａに用いられた樹脂と同じか、第１の樹脂構造体Ａに用いられた樹脂よりも低い誘電率を持つ樹脂を使用する。
配線１２が第１の樹脂構造体Ａの上方に第２の樹脂構造体Ｂを挟んで（介して）形成されており、 第２の樹脂構造体Ｂの外側は、第２の樹脂構造体Ｂに用いる樹脂より透湿性（単位時間、単位面積当たり、透過する水分量の値。例えば、１ｍ２当たり２４時間で何ｇの水分が透過するかを表す値）が小さい窒化シリコン膜（例えばＳｉＮ）などの絶縁膜１１および配線１２によりに覆われている。
【００１５】
次に、本実施の形態１に関わる半導体装置のウェハの製造工程を説明する（図３〜図５参照）。
まず、図３に示すように、上述した半導体チップ１に相当する半導体基板１５の主面に半導体デバイス２を形成し、絶縁膜７で半導体デバイス２を覆う。そして半導体基板１５の主面上と半導体デバイス２上に、感光性ポリイミドなどの感光性樹脂を塗布して樹脂膜を形成した後、露光と現像により樹脂膜をパターニングすることで、ゲート電極３に接触せず、ゲート電極３の側方を囲う第１の樹脂層９を形成する。この際、樹脂構造の上方に配線を形成する箇所も、同様にパターニングし開口しておくことができる。
【００１６】
次に、図４に示すように、半硬化状態の感光性ポリイミドのシートを第１の樹脂層９の上面に貼って中空構造を封止する第２の樹脂層１０とし、露光と現像により樹脂膜をパターニングすることで、配線のコンタクト部など、必要箇所に開口を設けた後に加熱処理を行って、第１の樹脂層９および第２の樹脂層１０を硬化させる。
【００１７】
次に、図５に示すように、半導体基板１５の主面上、あるいは第１の樹脂構造体Ａ上にＢＣＢ樹脂を塗布して樹脂膜を形成し硬化させた後に、ドライエッチングで開口部、あるいは不要部を除去して第２の樹脂構造体Ｂを形成する。その後、配線１２を形成し、さらに窒化シリコン膜（例えばＳｉＮ）などの絶縁膜１１（図示せず）で、第２の樹脂構造体Ｂの側面、あるいは上方の露出部を覆うことで、図１の半導体装置を製造することができる。
【００１８】
次に、本実施の形態１に係る半導体装置の作用について以下説明する。本実施の形態１に係る半導体装置においては、上述の第１の樹脂構造体Ａに密着性が弱い部分があっても、第２の樹脂構造体Ｂがこの弱い部分を補強することで、第１の樹脂構造体Ａの接合が剥離して中空構造内への水分の侵入経路が形成されることを防ぐため、半導体デバイス２の耐湿性の劣化を防止することができる。
【００１９】
また、本実施の形態１に係る半導体装置の第２の樹脂構造体Ｂの樹脂の誘電率が第２の樹脂層１０の樹脂の誘電率よりも低いことで、第１の樹脂構造体Ａのみを形成した場合よりも、ゲート電極３と配線１２間、あるいはドレイン電極５と配線１２間の寄生容量を低減できる。このような構成とすることにより、半導体装置の高周波特性を向上させることができる。
【００２０】
実施の形態２．
本発明の実施の形態２に係わる半導体装置について図を用いて以下説明する。
図６は実施の形態２に係る半導体装置の一例を示す断面図である。半導体チップ１の主面に、半導体デバイス２が形成されている。
【００２１】
半導体デバイス２は、ひさしを含むＹ型又はＴ型のゲート電極３と、ソース電極４と、ドレイン電極５および配線６を有する電界効果トランジスタ（ＦＥＴ）である。ＦＥＴの他にダイオードなど他のデバイスを形成する場合もある。ここで、半導体デバイス２は窒化シリコン膜（例えばＳｉＮ）などの絶縁膜７により覆われている。
【００２２】
半導体デバイス２のゲート電極３は、ポリイミドなどが用いられた第１の樹脂層９および第２の樹脂層１０によって側方と上方を覆われ、第１の樹脂層９および第２の樹脂層１０で形成された第１の樹脂構造体Ａはゲート電極３には接触せず、中空構造８が形成されている。第１の樹脂構造体Ａの材料には、上記はポリイミドを用いたが、ＢＣＢ樹脂などを用いても良い。また、第１の樹脂構造体Ａのすぐ外側は、第１の樹脂構造体Ａに用いた樹脂より透湿性が小さい窒化シリコン膜（例えばＳｉＮ）などの絶縁膜１１に覆われている。
【００２３】
半導体チップ１は、パッケージのフレーム２１に搭載され、ワイヤ２２（図では、ワイヤ２２ａ及びワイヤ２２ｂ）によって、半導体チップ１とフレーム２１が電気的に接続されている。
また、この半導体チップ１においては、上述の絶縁膜１１の外側に、第１の樹脂構造体Ａに用いられた樹脂よりも誘電率が同じかそれよりも低い、第２の樹脂構造体Ｂが塗布され、その後、比誘電率が４程度のエポキシ系熱硬化樹脂体２３により封止されてパッケージ化される。
【００２４】
また、本実施の形態２の半導体装置では、図６に示すように、第２の樹脂構造体Ｂが第１の樹脂構造体Ａを保護する構造となっている。そして、この構造により、上述のエポキシ系熱硬化樹脂体により高温高圧環境下でモールド封止される際に、第１の樹脂構造体Ａの密着性の弱い部分が破壊されて第１の樹脂構造体Ａの中空構造内にモールド樹脂が侵入することを防ぐことができる。
【００２５】
本実施の形態２の半導体装置では、特に、第２の樹脂構造体Ｂの誘電率をエポキシ系熱硬化樹脂体２３よりも低くすることで、第１の樹脂構造体Ａのみを形成した場合よりも、ゲート電極３と配線６間の寄生容量の低減効果が大きくなる。このことにより、本実施の形態２の半導体装置では、高周波特性を向上させることができる。
なお、以上においては、絶縁膜１１の外側を覆う樹脂構造体として誘電率が第１の樹脂構造体Ａ以下の誘電率を持つ第２の樹脂構造体を例に説明したが、この第２の樹脂構造体に代えて、誘電率がそれよりも低い、例えば比誘電率が２程度の、フッ素樹脂に代表される第３の樹脂構造体Ｃ（図示せず）を塗布した場合には、さらにその効果が増すことは言うまでもない。
【００２６】
実施の形態３．
次に、本発明の実施の形態３に係る半導体装置について図を用いて説明する。
図７において、半導体チップ１の主面に、半導体デバイス２が形成されている。この半導体デバイス２は、ひさしを含むＹ型又はＴ型のゲート電極３と、ソース電極４と、ドレイン電極５および配線６を有する電界効果トランジスタ(ＦＥＴ)である。ＦＥＴの他にダイオードなど他のデバイスを形成する場合もある。
【００２７】
また、上記の半導体デバイス２は窒化シリコン膜（例えばＳｉＮ）などの絶縁膜７により覆われている。この半導体デバイス２のゲート電極３は、ポリイミドなどが用いられた第１の樹脂層９および第２の樹脂層１０によって側方と上方を覆われ、第１の樹脂層９および第２の樹脂層１０で形成された第１の樹脂構造体Ａはゲート電極３には接触せず、中空構造８が形成されている。
【００２８】
上記においては、本実施の形態３に係る半導体装置における第１の樹脂構造体Ａの材料に、比誘電率が３程度のポリイミドを用いた場合を前提に説明したが、比誘電率が２．５〜２．７程度のＢＣＢ樹脂などを用いても良い。
【００２９】
本実施の形態においては、第１の樹脂構造体Ａの外側が、ＢＣＢ樹脂を用いた第２の樹脂構造体Ｂにより覆われている。第２の樹脂構造体Ｂの材料には、ＢＣＢ樹脂以外の比誘電率が２．５〜２．７程度の樹脂を用いても良く、第１の樹脂構造体Ａに用いられた樹脂と同じか、第１の樹脂構造体Ａに用いられた樹脂よりも低い誘電率を持つ樹脂を使用する。
また、第２の樹脂構造体Ｂの外側は、第２の樹脂構造体Ｂに用いる樹脂より透湿性が小さい窒化シリコン膜（例えばＳｉＮ）などの絶縁膜１１が覆っている。
【００３０】
また、本実施の形態３に係る半導体装置においては、半導体チップ１はパッケージのフレーム２１に搭載され、ワイヤ２２（図では、ワイヤ２２ａ及びワイヤ２２ｂ）によって半導体チップ１とフレーム２１が電気的に接続され、その後、実施の形態２で説明したのと同じエポキシ系熱硬化樹脂体２３により封止されてパッケージ化されている。
【００３１】
次に、本実施の形態３に係る半導体装置の作用について以下説明する。上述のエポキシ系熱硬化樹脂体２３により、高温高圧環境下でモールド封止される際に、第２の樹脂構造体Ｂが第１の樹脂構造体Ａを保護する。これにより、第１の樹脂構造体Ａの密着性の弱い部分が破壊されて中空構造内にモールド樹脂が侵入することを防ぐことができる。
【００３２】
また、第２の樹脂構造体Ｂの誘電率がエポキシ系熱硬化樹脂体２３よりも低いことで、第１の樹脂構造体Ａのみを形成した場合よりも、ゲート電極３と配線６間、あるいはゲート電極３とワイヤ２２間の寄生容量を低減することができる。これにより、本実施の形態３に係る半導体装置の高周波特性を向上させることが可能となる。
【００３３】
実施の形態４．
次に、本発明の実施の形態４に係る半導体装置について以下図８を用いて説明する。
本実施の形態４に係る半導体装置は、おおよそ、上述した実施の形態２と実施の形態３とを組み合わせた構造となっている。
この実施の形態においては、実施の形態２の場合と異なり（具体的には図８に示すように）、第１の樹脂構造体Ａの外側に、第１の樹脂構造体Ａに用いられた樹脂よりも低い誘電率を持つ第２の樹脂構造体Ｂが設けられている。そして、この第２の樹脂構造体Ｂより透湿性が小さい、窒化シリコン膜（例えばＳｉＮ）などの絶縁膜１１が、この第２の樹脂構造体Ｂの外側を覆っている。
さらに、この絶縁膜１１の外側には、誘電率が第１の樹脂構造体Ａよりも低い、例えば比誘電率が２程度の、フッ素樹脂に代表される第３の樹脂構造体Ｃが塗布されている。
なお、本実施の形態４に係る半導体装置の作用と効果は、上述した実施の形態２、あるいは実施の形態３と同様であるので、ここではその説明を省略する。
【００３４】
なお、本発明は、その発明の範囲内において、各実施の形態を自由に組み合わせたり、各実施の形態を適宜、変更、省略することが可能である。
【符号の説明】
【００３５】
１  半導体チップ、２  半導体デバイス、３  ゲート電極、４  ソース電極、５  ドレイン電極、６、１２  配線、７、１１  絶縁膜、８  中空構造、９  第１の樹脂層、１０  第２の樹脂層、１５  半導体基板、２１  フレーム、２２、２２ａ、２２ｂ  ワイヤ、２３  エポキシ系熱硬化樹脂体、Ａ  第１の樹脂構造体、Ｂ  第２の樹脂構造体、Ｃ  第３の樹脂構造体
【要約】
半導体装置において、半導体チップ（１）の主面に電極および配線を有する半導体デバイス（２）と、この半導体チップ（１）の主面側に配置され、前記半導体デバイス（２）の特定の電極（３）の側方および上方において当該特定の電極（３）との間で中空構造（８）を構成する第１の樹脂構造体（Ａ）と、前記第１の樹脂構造体（Ａ）の外側を覆い、当該第１の樹脂構造体（Ａ）の誘電率以下の誘電率を有する第２の樹脂構造体（Ｂ）と、前記第２の樹脂構造体（Ｂ）の外側を覆い、当該第２の樹脂構造体（Ｂ）より透湿性が小さい絶縁膜（１１）と、を備えるようにした。【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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