(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
初期外観を有する対象物を用意し、
複数のレーザパルスグループを生成し、
前記複数のレーザパルスグループ内のレーザパルスは、前記対象物の前記初期外観を修正するように構成され、
前記複数のレーザパルスグループのうちの少なくとも１つのグループは、レーザパルスビームを変調して、それぞれ少なくとも１つのレーザパルスを含む複数のビームレットを形成することにより生成され、
前記複数のグループのうちの少なくとも１つのグループが、互いに重なり合わないスポット領域で前記対象物に当たるように、前記対象物上に前記複数のレーザパルスグループを連続的に照射し、
複数のスキャンラインからなる複数のラインセットを連続的に形成し、
それぞれのラインセット内のそれぞれのスキャンラインは、第１の方向に延び、
それぞれのラインセット内のスキャンラインは、互いに重なることなく、前記第１の方向とは異なる第２の方向に沿って互いに離れた位置にあり、
前記複数のラインセットのうち少なくとも１つのラインセット内の少なくとも１つのスキャンラインは、前記複数のラインセットのうち他のラインセット内の前記第２の方向に沿った２つのスキャンラインの間に位置しており、
前記複数のラインセット内のそれぞれのラインセットを形成する際に、複数のレーザパルスグループのそれぞれが、複数のスポット領域からなるパターンで前記対象物に当たり、前記パターン内の前記スポット領域のいずれも互いに重なり合わないように、複数のレーザパルスグループを前記対象物上に連続的に照射し、
前記スポット領域からなる前記パターンは、前記第２の方向に沿って互いに離れた位置にある１対の隣接スポット領域を含み、
前記連続的に照射されるレーザパルスグループ間の対応するスポット領域は、前記第１の方向に沿って互いに離れた位置にあり、
前記パターン内の隣接するスポット領域間の前記第２の方向に沿った距離は、前記連続的に照射されるレーザパルスグループ間の対応するスポット領域間の前記第１の方向における距離よりも大きい、
方法。
【請求項２】
前記対象物は、基板と、該基板に隣接するパッシベーション層とを含む、請求項１の方法。
【請求項３】
前記基板は金属を含み、前記パッシベーション層は前記金属の酸化物を含む、請求項２の方法。
【請求項４】
前記レーザパルスのうちの少なくとも１つのレーザパルスは、３０００ｎｍよりも短い波長を有する光を含む、請求項１の方法。
【請求項５】
前記複数のグループのうちの少なくとも１つのグループは、多くても２０個のレーザパルスを含む、請求項１の方法。
【請求項６】
前記複数のグループのうちの少なくとも２つのグループは、同じ数のレーザパルスを含む、請求項１の方法。
【請求項７】
前記複数のグループのうちの少なくとも１つのグループ内の少なくとも２つのレーザパルスは、同時に前記対象物に当たる、請求項１の方法。
【請求項８】
前記複数のグループのうちの少なくとも１つのグループ内の少なくとも２つのレーザパルスは、連続的に前記対象物に当たる、請求項１の方法。
【請求項９】
前記連続的に照射されるレーザパルスグループ間の対応するスポット領域は、前記第１の方向において互いに重なり合う、請求項１の方法。
【請求項１０】
前記連続的に照射されるレーザパルスグループ間の対応するスポット領域は、前記第１の方向において互いに重なり合わない、請求項１の方法。
【請求項１１】
前記複数のラインセットのうち少なくとも１つのラインセット内の少なくとも１つのスキャンラインは、前記複数のラインセットのうち他のラインセット内のスキャンラインと重なり合う、請求項１の方法。
【請求項１２】
前記複数のラインセットのうち少なくとも１つのラインセット内の少なくとも１つのスキャンラインは、前記複数のラインセットのうちいずれのラインセット内のいずれのスキャンラインとも重なり合わない、請求項１の方法。
【請求項１３】
前記複数のグループのうちの前記少なくとも１つのグループ内において、前記レーザパルスのうち少なくとも２つのレーザパルスは、前記スポット領域のうちの１つの幅よりも長い距離だけ互いに離間したスポット領域で前記対象物に当たる、請求項１の方法。
【請求項１４】
前記少なくとも１つのレーザパルスグループ内の少なくとも２つのレーザパルスは、異なるサイズを有するスポット領域で前記対象物に当たる、請求項１の方法。
【請求項１５】
前記複数のグループ内のレーザパルスは、前記対象物上に可視マークを生成するように構成されており、
前記マークの少なくとも一部の色の明るさのファクターの大きさＬ＊は、前記初期外観の色の明るさのファクターの大きさよりも大きい、請求項１の方法。
【請求項１６】
前記ビームを変調する際に、前記ビーム内の少なくとも１つのレーザパルスを回折する、請求項１の方法。
【請求項１７】
対象物上に複数のレーザパルスを照射するように構成されたレーザシステムと、
前記レーザシステムに連結されたコントローラであって、
請求項１から１６のいずれか一項に記載された方法を行うように前記レーザシステムを制御する命令を実行するように構成されたプロセッサと、
前記命令を格納するように構成されたメモリと、
を備えたコントローラと、
を備える、装置。
【請求項１８】
前記レーザシステムは、レーザパルスビームを生成するように構成されたレーザ源を備える、請求項１７の装置。
【請求項１９】
前記レーザシステムは、前記レーザパルスビームを変調してそれぞれ少なくとも１つのレーザパルスを含む複数のビームレットを形成するように構成されたビームレット生成器を備える、請求項１８の装置。
【請求項２０】
前記ビームレット生成器は、光回折素子及び音響光学偏向器からなる群より選択される少なくとも１つである、請求項１９の装置。
【請求項２１】
前記複数のレーザパルスは、第１のレーザパルスグループと第２のレーザパルスグループとを含み、前記第１のレーザパルスグループのビームレットの変調及び前記第２のレーザパルスグループの変調とにより、前記第１のレーザパルスグループ内のパルス数が前記第２のレーザパルスグループ内のパルス数と異なる、請求項１７の装置。
【発明の詳細な説明】
【背景】
【０００１】
電子デバイス（例えば、携帯電話、携帯型メディアプレーヤ、携帯情報端末、コンピュータ、モニタなど）のような民生製品には、商業的な目的、法規制上の目的、外観上の目的、又は機能的な目的のための情報がマーキングされている。例えば、電子デバイスには、通し番号、モデル番号、著作権情報、英数字文字、ロゴ、操作上の指示、装飾線、パターンなどがマーキングされているのが通常である。マークに対して求められる属性としては、形状、色、光学濃度、及びマークの外観に影響を与え得る他の属性が挙げられる。
【０００２】
製品又は対象物上にマークを付けるためには、例えば、対象物自体の性質、マークに求められる外観、マークに求められる耐久性などに応じて数多くのプロセスが用いられる。金属対象物や高分子対象物などに可視マークを生成するためにレーザを用いるマーキングプロセスが開発されている。従来のマーキングプロセスは、レーザパルスビームを照射してスポット領域で対象物上に当てることと、マークを付ける領域内でビームをラスタスキャンすることとを含むものとして理解される。このように、従来のマーキングプロセスにより形成されるマークは、一般的に、連続的に形成されて互いに重なり合う一連のスキャンラインにより構成され、各スキャンラインは、連続的に形成されて互いに重なり合う一連のスポット領域から形成される。従来においては、一定のパルスエネルギーを維持しつつ、（パルス間の時間が５００ｎｓから１μｓの範囲となるように）パルス繰り返し率を増加させたり、（例えば、所望のバイトサイズを維持するために）スキャン速度を増加させたりすることにより、このようなマーキングプロセスのスループットを増加させていた。しかしながら、本発明者等は、このスループット増大プロセスが機能するのは、マーキングプロセス中に対象物上に連続的に照射されるレーザパルスが急速に蓄積されることによって、対象物に物理的又は化学的にダメージを与え得る、あるいは対象物の外観を好ましくない形態に変化させ得る欠点（例えば、クラック、材料の反り、改質結晶構造、ピットなど）が実際に生じてしまうまでの時点においてのみであることを発見した。さらに、本発明者等は、そのように対象物上に連続的に照射されるレーザパルスが急速に蓄積されることによって、最終的に形成されるマークの外観が損なわれることがあることを発見した。このように、スループットが高く、これらの問題を回避することができ、対象物上に連続的に照射されるレーザパルスが急速に蓄積されることに関連する他の問題を回避することができるレーザマーキングプロセスがあれば望ましいであろう。
【図面の簡単な説明】
【０００３】
【図１】図１は、マーキングプロセスによりマークが施される対象物及びこの対象物にマークを施すマーキングプロセスを行うように構成された装置の一実施形態を模式的に示すものである。
【図２】図２は、図１に関して述べられた装置を用いて対象物上に形成可能な例示的なマークの平面図である。
【図３】図３から図６は、マーキングプロセス中にレーザパルスグループ内のレーザパルスが対象物に当たったときに対象物上に形成され得るスポット領域セットの実施形態を模式的に示すものである。
【図４】図３から図６は、マーキングプロセス中にレーザパルスグループ内のレーザパルスが対象物に当たったときに対象物上に形成され得るスポット領域セットの実施形態を模式的に示すものである。
【図５】図３から図６は、マーキングプロセス中にレーザパルスグループ内のレーザパルスが対象物に当たったときに対象物上に形成され得るスポット領域セットの実施形態を模式的に示すものである。
【図６】図３から図６は、マーキングプロセス中にレーザパルスグループ内のレーザパルスが対象物に当たったときに対象物上に形成され得るスポット領域セットの実施形態を模式的に示すものである。
【図７】図７及び図８は、一実施形態におけるマーキングプロセスを模式的に示すものである。
【図８】図７及び図８は、一実施形態におけるマーキングプロセスを模式的に示すものである。
【図９】図９は、図７及び図８に関して述べたマーキングプロセスの結果として生成されるスポット領域の例示的な構成を模式的に示すものである。
【図１０】図１０及び図１１は、他の実施形態におけるマーキングプロセスの結果として生成されるスポット領域の例示的な構成を模式的に示すものである。
【図１１】図１０及び図１１は、他の実施形態におけるマーキングプロセスの結果として生成されるスポット領域の例示的な構成を模式的に示すものである。
【図１２】図１２は、一実施形態において、図２に示されるマークの一部においてマーキングプロセスの結果として生成されるスポット領域の例示的な構成を模式的に示すものである。
【図１３】図１３及び図１４は、図１に示されるレーザシステムの異なる実施形態を模式的に示すものである。
【図１４】図１３及び図１４は、図１に示されるレーザシステムの異なる実施形態を模式的に示すものである。
【図１５】図１５及び図１６は、図１４に示されるビームレット生成器の異なる実施形態を模式的に示すものである。
【図１６】図１５及び図１６は、図１４に示されるビームレット生成器の異なる実施形態を模式的に示すものである。
【図１７】図１７から図２０は、さらに他の実施形態におけるマーキングプロセスを模式的に示すものである。
【図１８】図１７から図２０は、さらに他の実施形態におけるマーキングプロセスを模式的に示すものである。
【図１９】図１７から図２０は、さらに他の実施形態におけるマーキングプロセスを模式的に示すものである。
【図２０】図１７から図２０は、さらに他の実施形態におけるマーキングプロセスを模式的に示すものである。
【図示された実施形態の詳細な説明】
【０００４】
以下の実施形態では当業者が本発明を製造及び使用できるのに十分な詳細が述べられる。本開示に基づいて他の実施形態が明らかになるであろうし、特許請求の範囲により規定される本発明の範囲を逸脱することなくプロセス的及び機械的な変更が可能であることを理解すべきである。以下の説明では、本発明を完全に理解できるように、たくさんの具体的な詳細が述べられる。しかしながら、これらの具体的な詳細がなくても本発明を実施することができることは明らかであろう。本発明を不明瞭にすることを避けるために、既知のシステム構成及プロセス工程は、詳細には述べられていない場合がある。同様に、本システムの実施形態を示す図面は、半図解であり、縮尺が一致していない。特に、一部の寸法は、説明を簡略化するためのものであり、図面において非常に誇張されて示されている。特に示している場合を除き、値の範囲が記載されているときは、その範囲は、その範囲の上限と下限の間にあるサブレンジだけではなく、その上限及び下限を含むものである。加えて、複数の実施形態が共通の特徴を有するように開示され述べられているが、図示、説明、及びその理解を簡単かつ容易にするために、通常、互いに同様の又は類似の特徴は類似の参照番号にて説明される。
【０００５】
図１を参照すると、対象物１００などの対象物は、基板１０２と膜又は層１０４とを含んでいる。基板１０２は、金属又は金属合金のような材料から形成され得る。例えば、基板は、アルミニウム、チタン、亜鉛、マグネシウム、ニオビウム、タンタルなどの金属、又はアルミニウム、チタン、亜鉛、マグネシウム、ニオビウム、タンタルなどのうち１以上のものを含有する合金から形成され得る。層１０４は金属酸化物のような材料であり得る。一実施形態においては、層１０４は、基板１０２内に存在する１以上の金属の酸化物を含んでいるが、基板１０２内に存在しない金属の酸化物を含んでいてもよい。層１０４は、任意の好適なプロセスによって形成することができる。例えば、層１０４は、物理蒸着プロセス、化学蒸着プロセス、（例えば、クロム酸、硫酸、シュウ酸、スルホサリチル酸、リン酸、ホウ酸塩浴又は酒石酸塩浴など、プラズマなど、又はこれらの組み合わせへの暴露を含む）陽極酸化プロセスなど、又はこれらの組み合わせによって形成することができる。一般的に、層１０４の厚さは、約５０μｍ以下であり得る。一実施形態においては、層１０４は、摩耗、酸化、又は他の腐食から基板１０２の面（例えば面１０６）を保護する役割を有する。このように、本明細書において、層１０４は、「パッシベーション層」又は「パッシベーション膜」とも言うことができる。
【０００６】
図示された実施形態において、層１０４は、基板１０２と隣り合っている（すなわち直接接触している）。しかしながら、他の実施形態においては、層１０４は、基板１０２に隣接しているが基板１０２に接触していない状態であってもよい。例えば、基板１０２と層１０４との間に介在層（例えば、層１０４とは異なる組成又は層１０４とは異なる構造の自然酸化物層など）を配置してもよい。対象物１００は、金属基板１０２を含むものとして述べてきたが、基板１０２が重合体（例えば、高濃度ポリエチレン、アクリロニトリル−ブタジエン−スチレン、ポリプロピレン、ポリエチレンテレフタレート、ポリ塩化ビニル、熱可塑性エラストマーなど）などの材料から形成されていてもよいことは理解できよう。さらに、対象物１００は、層１０４を含むものとして図示されているが、層１０４を省略してもよいことは理解できよう。実施形態によっては、対象物１００として米国特許出願第１２／７０４，２９３号、第１２／８２３，８９５号、第１２／８５９，４９８号、第１２／８７１，５８８号、第１２／８７１，６１９号、第１２／９０９，７５９号、及び米国仮出願第６１／６６９，７８０号のいずれかに例示的に述べられているものを用いてもよい。それぞれの文献の内容は参照により本明細書に組み込まれる。
【０００７】
対象物１００は上述のように構成されているが、パーソナルコンピュータ、ラップトップコンピュータ、タブレットコンピュータ、携帯情報端末、携帯型メディアプレーヤ、テレビ、コンピュータモニタ、電話、携帯電話、電子書籍、リモコン、ポインティングデバイス（例えばコンピュータマウス）、ゲームコントローラ、サーモスタット、食器洗い器、冷蔵庫、電子レンジなどのようなデバイスのためのハウジングの少なくとも一部として対象物１００を用いてもよいし、あるいは、他のデバイスや製品のボタンとして対象物１００を用いてもよいし、あるいは標識や記章などとして対象物１００を用いてもよい。対象物１００は上述のように構成されているが、視覚的外観を呈する面（例えば、層１０４の第１の面１０８）を含んでいる。このように、面１０８での対象物１００の外観は、（例えば、材料の組成、分子幾何構造、結晶構造、電子構造、マイクロ構造、ナノ構造、面１０６の組織（texture）など、又はこれらの組み合わせをはじめとする）基板１０２の特性、（例えば、材料の組成、厚さ、分子幾何構造、結晶構造、電子構造、マイクロ構造、ナノ構造、第１の面１０８の組織、第１の面１０８とは反対側の第２の面１１０の組織など、又はこれらの組み合わせをはじめとする）層１０４の特性、面１０６と面１１０との界面の特性、この界面における又はその近傍における基板１０２及び／又は層１０４の特性など、又はこれらの組み合わせの間における相互作用の結果として特徴付けることができる。
【０００８】
本発明の実施形態によれば、対象物１００の一部の外観（本明細書においては「初期外観（preliminary visual appearance）」ともいう）を修正して、初期外観とは異なるとともに対象物１００の面１０８で目に見える修正外観を呈するマーク（例えば、図２に示されるマーク２００）を対象物１００上に形成することができる。マーク２００は、対象物１００の面１０８に形成してもよく、対象物１００の面１０８の下方に（例えば、面１０８と面１１０との間に、あるいは面１１０と面１０６との界面に、あるいは面１０６の下方に、あるいはこれに類似するところに、あるいはこれらを組み合わせたところに）形成してもよく、あるいはこれらを組み合わせてもよい。マーク２００は縁部２０２を含み得る。縁部２０２は、一般的に、修正外観が初期外観に接続する対象物１００上の位置を縁取るものである。マーク２００は単一の特定の形態で示されているが、マーク２００が任意の形状を有していてもよく、２以上のマークを設けてもよいことは理解できよう。いくつかの例においては、マーク２００は、文字であってもよいし、図であってもよいし、これに類似するものであってもよいし、あるいはこれらの組み合わせであってもよい。マーク２００は、製品名、製造者名、商標、著作権情報、設計場所、組立場所、モデル番号、通し番号、ライセンス番号、政府認可、基準適合情報、電子コード、ロゴ、証明マーク、広告、ユーザがカスタマイズ可能な特徴など、又はこれらの組み合わせなどの情報を伝えるものであり得る。
【０００９】
一実施形態においては、初期外観と修正外観のいずれもＣＩＥ１９７６  Ｌ＊  ａ＊  ｂ＊（ＣＩＥＬＡＢとしても知られる）を用いて説明することができる。ＣＩＥＬＡＢは、国際証明委員会（フランス国際証明委員会）により規定された色空間規格である。ＣＩＥＬＡＢは、人間の目に見える色について記述しており、基準として用いられるデバイス非依存型モデルとしての役割を有するように作成された。ＣＩＥＬＡＢ規格の３つの座標軸は、１）色の明るさのファクターの大きさ（Ｌ＊＝０は完全な黒となり、Ｌ＊＝１００は拡散した完全な白を示す）、２）赤／マゼンダと緑との間の位置（ａ＊が負であれば緑を示し、正であればマゼンダを示す）、及び３）黄色と青との間の位置（ｂ＊が負であれば青を示し、正であれば黄色を示す）を表している。GretagMacbeth（登録商標）社により販売されているCOLOREYE（登録商標）XTH分光光度計のような分光光度計を用いてＣＩＥＬＡＢ規格に対応する形式で測定を行うことができる。類似の分光光度計がX-Rite（商標）社から入手可能である。
【００１０】
一実施形態においては、マーク２００の修正外観は対象物１００の初期外観よりも暗くなることがある。例えば、対象物１００は、明るさのファクターの大きさＬ＊が約８０の初期外観を有する場合があり、マーク２００は、所望の明るさのファクターの大きさＬ＊が３７未満、３６未満、又は３５未満、又は３４未満（又は少なくとも実質的に３４に等しい）の修正外観を有する場合がある。他の例示の実施形態においては、対象物１００は、明るさのファクターの大きさＬ＊が約２５の初期外観を有することがあり、マーク２００は、所望の明るさのファクターの大きさＬ＊が２０未満又は１５未満（又は少なくとも実質的に１５に等しい）の修正外観を有する場合がある。しかしながら、マーク２００は、対象物１００の特性及びマーク２００を形成するために用いられる特定のプロセスに応じて、任意のＬ＊値、ａ＊値、ｂ＊値を有していてもよいことは理解できよう。さらに、マーク２００の修正外観は、少なくとも実質的にマーク２００の領域にわたって均一であるか、あるいは（例えば、Ｌ＊値、ａ＊値、ｂ＊値のうち１以上の値について）変化し得る。
【００１１】
一般的に、マーク２００は、レーザ光のパルス（本明細書においては「レーザパルス」ともいう）のグループを連続的に対象物１００に照射するプロセスによって形成され、グループ内のレーザパルスは対象物１００上に可視マーク（例えばマーク２００）を生成するように構成され得る。図１に例示的に示されるように、本明細書で述べられるマーキングプロセスを行うための装置は、レーザパルスを生成し、このレーザパルスを対象物１００に向けて矢印１１４で示される方向に沿って照射するように構成されたレーザシステム１１２を含み得る。一実施形態においては、レーザシステム１１２は、マーキングプロセス中に対象物１００を支持するように構成されたステージ又はチャック１１６（総称して「対象物サポート」という）を必要に応じて含んでいる。他の実施形態においては、本装置は、対象物サポート１１６に連結され、マーキングプロセス中にレーザシステム１１２に対して対象物１００を移動（例えば、回転又は直線上を平行移動）させる１以上のモータ、アクチュエータなど、又はこれらの組み合わせ（図示せず）をさらに含み得る。
【００１２】
図示されていないが、レーザシステム１１２は、レーザパルスを生成するように構成された１以上のレーザ源、レーザパルスを修正（例えば、整形、拡大、集束など、又はこれらの組み合わせ）可能なビーム修正システム、対象物１００上又は対象物１００内のルートに沿ってレーザパルスをスキャン可能なビームステアリングシステム（例えば、１以上のガルボミラー、ファーストステアリングミラー、音響光学偏向器など、又はこれらの組み合わせ）など、又はこれらの組み合わせを含み得る。レーザシステム１１２によって生成されるレーザパルスは、ガウス形であってもよく、あるいは、本装置は、レーザパルスを所望の形に再整形するように構成されたビーム整形光学系を必要に応じて含んでいてもよい。
【００１３】
所望の外観を有するマーク２００を形成するためにレーザパルスの特性（例えば、パルス波長、パルス持続時間、平均パワー、ピークパワー、スポットフルエンス、スキャン速度、パルス繰り返し率、スポット形状、スポット径など、又はこれらの組み合わせ）を選択することができる。例えば、パルス波長は、電磁スペクトルの紫外領域、可視領域、又は赤外領域（例えば、３４３ｎｍ、３５５ｎｍ、５３２ｎｍ、１０３０ｎｍ、１０６４ｎｍなどのように２３８ｎｍから１０．６μｍの範囲）にあり得る。（例えば、最大値の半分での全幅、すなわちＦＷＨＭに基づく）パルス持続時間は、０．１ピコ秒（ｐｓ）から１０００ナノ秒（ｎｓ）の範囲（例えば、一実施形態においては０．５ｐｓから１０ｎｓの範囲、他の実施形態においては５ｐｓから１０ｎｓの範囲）にあり得る。レーザパルスの平均パワーは、０．０５Ｗから４００Ｗの範囲にあり得る。スキャン速度は、１０ｍｍ／ｓから１０００ｍｍ／ｓの範囲にあり得る。パルス繰り返し率は、１０ｋＨｚから１ＭＨｚの範囲にあり得る。（例えば、１／ｅ2法により測定される）スポット径は、３μｍから１ｍｍの範囲（例えば、５μｍから３５０μｍの範囲、１０μｍから１００μｍの範囲など）にあり得る。例えば、基板１０２を形成している材料、層１０４を形成している材料、マーク２００の所望の外観、レーザシステム１１２の特定の構成（例えば、より詳細については以下に述べる１以上の変調素子を有するビームレットを含み得る）など、又はこれらの組み合わせに応じて、上述したレーザパルスの特性のいずれかを上述した範囲内であるいは範囲外で任意の方法により変更できることは理解できよう。いくつかの実施形態においては、マーキングが施される対象物１００やマーク２００の所望の外観などに応じて、対象物１００上に照射されるレーザパルスは、米国特許出願第１２／７０４，２９３号、第１２／８２３，８９５号、第１２／８５９，４９８号、第１２／８７１，５８８号、第１２／８７１，６１９号、第１２／９０９，７５９号、及び米国仮出願第６１／６６９，７８０のいずれかに例示的に述べられているようなレーザパルス特性を有し得る。それぞれの文献の内容は参照により本明細書に組み込まれる。
【００１４】
上述したように、照射されるそれぞれのレーザパルスが対応するスポット領域で対象物１００に当たるようにレーザパルスグループを連続的に対象物１００に照射するプロセスによりマーク２００を形成してもよい。一般的には、スポット領域に近接した対象物１００の部分の少なくとも１つの特性（例えば、化学組成、分子幾何構造、結晶構造、電子構造、マイクロ構造、ナノ構造など、又はこれらの組み合わせ）が所望の方法で修正又は変更されるように上述したレーザパルス特性を選択する。この修正の結果、スポット領域の位置に対応する位置における対象物１００の初期外観も修正される。このように、複数のレーザパルスグループが対象物１００上に照射された後、対象物１００の外観が修正されマーク２００が形成される。
【００１５】
図３を参照すると、レーザパルスグループは、対象物１００に当たって対象物１００上にスポット領域セット（本明細書においては「スポットセット」ともいう）をスポットセット３００のように生成するレーザパルスを２つだけ含み得る。第１のスポット領域３０２ａと第２のスポット領域３０２ｂのそれぞれは、スポット領域３０２ａ及び３０２ｂの中心を通る共通線又は共通軸（本明細書においては「スポット間軸」ともいう）に沿って測定される１／ｅ2のスポット径（本明細書においては「スポット幅」ともいう）ｄを有している。加えて、第２のスポット領域３０２ｂは、第１のスポット領域３０２ａからスポット離間距離ａ１だけ離れている。すなわち、ａ１＞ｄである。スポットセット３００内のスポット領域３０２ａと３０２ｂとの間の中心間距離は「スポット離間ピッチ」ａ２ということもできる。図３は、スポットセット３００内のスポット領域が円形であるものとして示しているが、スポットセット内のいずれのスポット領域も他の任意の形状（例えば、楕円形、三角形など）を有していてもよいことは理解できよう。
【００１６】
本発明者等は特定の理論に拘束されることを望んでいないが、上述した従来のスループット向上プロセスに関連したマークの外観における欠陥や劣化は、少なくとも部分的には、対象物１００上で重なり合ったスポット領域又は空間的に比較的近いスポット領域に連続的に照射される２以上のレーザパルスが急速に蓄積されることにより対象物内に生じる高い熱負荷の結果であると考えている。しかしながら、本発明の実施形態によれば、スポットセット３００などのスポットセット内の近接する又は隣り合うスポット領域間のスポット離間距離ａ１の大きさは、あるスポット領域（例えばスポット領域３０２ａ）で対象物１００に当たるレーザパルスにより対象物１００内に生じる熱が、他のスポット領域（例えばスポット領域３０２ｂ）が形成される対象物１００の領域に伝達されることを効果的に確実に防止するするように選択される。このように、スポットセット内のスポット領域間のスポット離間距離ａ１は、スポットセットの生成プロセス中に、スポットセット内のスポット領域における対象物１００の異なる部分が少なくとも実質的に熱的な意味で互いに確実に独立するように選択される。スポット領域を対象物上において空間的に互いに相対的に離れた部分に確実に位置させることによって、（例えば、層１０４内にクラックを生成することにより、又は層１０４の基板１０２からの少なくとも部分的な剥離を誘発することにより、又は同様のことにより、あるいはこれらの組み合わせにより）対象物１００にダメージを与えてしまう可能性があるか、対象物１００の外観を悪く変えてしまうか、同様のことを引き起こすか、あるいはこれらの組み合わせたものを引き起こしてしまう高い熱負荷に関連した上記制限をも克服しつつ、所望の外観を有するマークを従来のマーキングプロセスよりも速く形成するように、本発明の実施形態によるマーキングプロセスを適用することができる。
【００１７】
スポット離間距離ａ１の大きさが、各スポット領域に関連付けられたレーザパルスのフルエンス、対象物１００の１以上の部分の熱伝導率、対象物１００上の各スポット領域のサイズ及び形状など、又はこれらの組み合わせのような１以上のファクターに依存していてもよいことは理解できよう。例えば、対象物１００が陽極処理金属（例えば、アルミニウムやその合金からなる基板１０２と陽極酸化アルミニウムからなる層１０４とを有するもの）である実施形態においては、スポット領域３０２ａと３０２ｂとの間のスポット離間距離ａ１は、３μｍから３ｍｍの範囲（例えば、約５μｍ、約１０μｍなど、あるいは１５０μｍから３ｍｍの範囲内、２００μｍから３ｍｍの範囲内、３００μｍから３ｍｍの範囲内、４００μｍから３ｍｍの範囲内、５００μｍから３ｍｍの範囲内など）にあり得る。実施形態によっては、スポット離間距離ａ１は、スポット径ｄよりも大きく、スポット径ｄの６倍よりも小さくてもよい（すなわち、６ｄ＞ａ１＞ｄ）。他の実施形態においては、スポット離間距離ａ１は、スポット径ｄよりも小さくてもよく、あるいはスポット径ｄの６倍よりも大きくてもよい（すなわちａ１＞６ｄ又はａ１＜ｄ）。
【００１８】
一実施形態においては、スポット領域３０２ａを生成するレーザパルスが、スポット領域３０２ｂを生成するレーザパルスと同時に対象物１００に当たってもよい。しかしながら、他の実施形態においては、スポット領域３０２ａを生成するレーザパルスは、スポット領域３０２ｂを生成するレーザパルスの前又は後に対象物１００に当たってもよい。そのような実施形態においては、スポット領域３０２ａの生成とスポット領域３０２ｂの生成との間の時間は、０．１μｓから３０μｓの範囲（例えば、一実施形態においては、１μｓから２５μｓの範囲内、他の実施形態においては、２μｓから２０μｓの範囲内）にあり得る。レーザシステム１１２の構成、スポット離間距離ａ１などのファクターによっては、スポット領域３０２ａの生成とスポット領域３０２ｂの生成との間の時間は、０．１μｓより短くてもよいし、３０μｓよりも長くてもよい。
【００１９】
図３は、２つのスポット領域だけ（すなわち、第１のスポット領域３０２ａと第２のスポット領域３０２ｂ）を含んでいるスポットセット３００を示しているが、１つのレーザパルスグループが、対象物１００に当たって有利な又は好適なスポット領域のパターンを形成するように互いに空間的に配置される３つ以上のスポット領域（例えば、１０以上のスポット領域）を有するセットを生成する３つ以上のレーザパルス（例えば、１０以上のレーザパルス）を含んでいてもよいことは理解できよう。例えば、１つのレーザパルスグループが、対象物１００に当たって、図４に示されるように、空間的に直線状のパターンに配置される第１のスポット領域３０２ａ、第２のスポット領域３０２ｂ、及び第３のスポット領域４０２を有するスポットセット４００のようなスポットセットを生成する３つのレーザパルスを含み得る。他の例においては、１つのレーザパルスグループが、対象物１００に当たって、図５に示されるように、空間的に三角形のパターンに配置される第１のスポット領域３０２ａ、第２のスポット領域３０２ｂ、及び第３のスポット領域５０２を有するスポットセット５００のようなスポットセットを生成する３つのレーザパルスを含み得る。さらに他の例においては、１つのレーザパルスグループが、対象物１００に当たって、図６に示されるように、空間的に正方形又は矩形のパターンに配置される第１のスポット領域３０２ａ、第２のスポット領域３０２ｂ、第３のスポット領域６０２ａ、及び第４のスポット領域６０２ｂを有するスポットセット６００のようなスポットセットを生成する４つのレーザパルスを含み得る。スポットセット内では、近接する又は隣り合うスポット領域のうちの１対のスポット領域の間（例えば、図４においてはスポット領域３０２ｂとスポット領域４０２との間、図５においてはスポット領域３０２ｂとスポット領域５０２との間、図６においてはスポット領域３０２ｂとスポット領域６０２ｂとの間）の離間距離は、近接する又は隣り合うスポット領域の他の１対のスポット領域の間（例えば、図４においてはスポット領域３０２ａとスポット領域４０２との間、図５においてはスポット領域３０２ａとスポット領域５０２との間、図６においてはスポット領域６０２ａとスポット領域６０２ｂとの間）の離間距離と同じであってもよく、異なっていてもよい。
【００２０】
上述したように、複数のレーザパルスグループを対象物１００上に連続的に照射することを含むプロセスによりマーク２００を形成してもよい。例えば、図７を参照すると、第１のレーザパルスグループが対象物１００上に照射されて第１のスポットセット（例えば、上述したスポットセット３００）が生成された後、付加的なレーザパルスグループが対象物１００上に連続的に照射されて、矢印７００で示される方向（本明細書においては「スキャン方向」ともいう）に沿って互いに離れた付加的なスポットセットを生成するように、レーザシステム１１２を駆動してもよいし、対象物サポート１１６を移動してもよいし、あるいはその両方を行ってもよい。例えば、第２のレーザパルスグループが対象物１００上に照射されて、（例えば、スポット領域７０２ａ及び７０２ｂを含む）第２のスポットセット７０２が生成される。その後、第３のレーザパルスグループが対象物１００上に照射されて、（例えば、スポット領域７０４ａ及び７０４ｂを含む）第３のスポットセット７０４が生成される。続いて第４のレーザパルスグループと第５のレーザパルスグループが連続的に対象物１００上に照射されて、（例えば、スポット領域７０６ａ及び７０６ｂを含む）第４のスポットセット７０６と（例えば、スポット領域７０８ａ及び７０８ｂを含む）第５のスポットセット７０８が生成される。
【００２１】
図示された実施形態においては、あるスポットセットにおけるスポット領域の空間的配置は、他のスポットセットにおけるスポット領域の空間的配置と同一である。しかしながら、他の実施形態においては、あるスポットセットにおけるスポット領域の空間的配置は、他のスポットセットにおけるスポット領域の空間的配置と異なっていてもよい。さらに、あるレーザパルスグループ内のレーザパルスのレーザパルス特性は、他のレーザパルスグループ内のレーザパルスのレーザパルス特性と同一であっても異なっていてもよい。スキャン方向７００はスポットセット３００，７０２，７０４，７０６，７０８のそれぞれのスポット間軸と垂直であるように図示されているが、スキャン方向７００がスポットセットのいずれか又はすべてのスポット間軸に対して斜めの方向（又は平行な方向）に沿って延びていてもよいことは理解できよう。このように、ラインセット（例えばラインセット７１０）内のスキャンライン（例えば、スキャンライン７１０ａ及び７１０ｂ）をスポット離間距離ａ１以下であり得るライン離間距離ａ３だけ離してもよい。あるスキャンライン７１０ａにおけるスポット領域（例えばスポット領域７０２ａ）とラインセット７１０における他のスキャンライン７１０ｂにおいて対応するスポット領域（例えばスポット領域７０２ｂ）との間の中心間距離を「ラインセットピッチ」ａ４ということができる。
【００２２】
レーザパルスグループをスキャン方向７００に沿って連続的に照射するプロセスを必要に応じて継続して繰り返し、対象物１００上に（例えば、スキャンライン７１０ａと７１０ｂを含む）スキャンラインセット７１０（「ラインセット」ともいう）を形成してもよい。議論のために、１つのラインセットを形成するプロセスを「スキャンプロセス」といい、スキャンライン内のスポット領域はスキャン方向７００に沿って互いに揃えられている。一般的に、互いに重なり合うスポット領域によって得られるスキャンラインが形成されるように、異なるレーザパルスグループ内のレーザパルスを対象物１００上に照射してもよい。隣り合うスポット領域が重なり合う程度（すなわち、「バイトサイズ」又は「スキャンピッチ」）をスキャンライン内で重なり合うスポット領域間のスキャン方向７００に沿って測定される中心間距離として定義することができる。バイトサイズはスキャン方向７００に沿って一定であってもよいし、変化してもよい。同一のスキャンライン内で連続的に形成されるスポット領域の生成と生成との間の時間が、上述した同一のスポットセット内で隣り合う又は近接するスポット領域の生成と生成の間の時間よりも長くなるように、レーザパルス特性（例えば、パルス繰り返し率、スキャン速度など、又はこれらの組み合わせ）を選択することができる。同一のスキャンライン内で生成されるスポット領域を相対的に互いに時間的に確実に離すことにより、（例えば、層１０４内にクラックを生成することにより、又は層１０４の基板１０２からの少なくとも部分的な剥離を誘発することにより、又は同様のことにより、あるいはこれらの組み合わせにより）対象物１００にダメージを与えてしまう可能性があるか、対象物１００の外観を悪く変えてしまうか、同様のことを引き起こすか、あるいはこれらの組み合わせたものを引き起こしてしまう高い熱負荷に関連した上記制限をも克服しつつ、所望の外観を有するマークを従来のマーキングプロセスよりも速く形成するように、本発明の実施形態に係るマーキングプロセスを適用することができる。
【００２３】
図８を参照すると、第１のラインセット（例えば、上述したラインセット７１０）が形成された後、付加的なラインセットを形成して先に形成されたスキャンラインから矢印８００により示される方向（本明細書において「フィル方向」ともいう）に沿って離れた位置に付加的なスキャンラインを生成できるように、レーザシステム１１２を駆動してもよいし、対象物サポート１１６を移動してもよい。例示的に示されているように、図７に関して述べられたスキャンプロセスを繰り返して、スキャンライン８０２ａと８０２ｂを含むラインセット８０２のような第２のラインセットを形成してもよい。一般的に、第２のラインセット８０２内の得られるスキャンライン（例えばスキャンライン８０２ａ）が第１のラインセット７１０内の対応するスキャンライン（例えばスキャンライン７１０ａ）と重なり合うように、異なるレーザパルスグループ内のレーザパルスを対象物１００上に照射してもよい。隣り合うスキャンラインが重なり合う程度（すなわち「ラインピッチ」）は、隣り合うスキャンラインにおいて近接する又は隣り合うスポット領域のフィル方向８００に沿って測定される中心間距離として定義することができる。一実施形態においては、ラインピッチは、ラインセットピッチａ４の整数の約数であり得る。隣り合う１対のスキャンライン間のラインピッチは、スキャン方向７００に沿って一定であってもよいし、変化してもよい。さらに、隣り合うスキャンラインの複数対の間のラインピッチは、フィル方向８００に沿って一定であってもよいし、変化してもよい。図示された実施形態においては、第２のラインセット８０２のスキャンライン８０２ａ及び８０２ｂを形成しているスポットセットは、第１のラインセット７１０のスキャンライン７１０ａ及び７１０ｂを形成するスポットセットと同一である。しかしながら、他の実施形態においては、第２のラインセット８０２のスキャンライン８０２ａ及び８０２ｂを形成するスポットセットが、第１のラインセット７１０のスキャンライン７１０ａ及び７１０ｂを形成するスポットセットと異なっていてもよい。さらに、第２のラインセット８０２におけるスポット領域（例えばスポット領域８０４）の生成と第１のラインセット７１０における対応するスポット領域（例えばスポット領域７０６ａ）の生成との間の時間が、上述した同一のスポットセット内で隣接する又は隣り合うスポット領域の生成と生成の間の時間よりも長くなるように、第２のラインセット８０２の形成に関連する第２のスキャンプロセスの特性（例えば、パルス繰り返し率、スキャン速度、ラインピッチ、バイトサイズなど、又はこれらの組み合わせ）を選択することができる。近接する又は隣り合うスキャンライン（例えば、スキャンライン７１０ａとスキャンライン８０２ａ）内で生成された対応するスポット領域を相対的に互いに時間的に確実に話すことにより、（例えば、層１０４内にクラックを生成することにより、又は層１０４の基板１０２からの少なくとも部分的な剥離を誘発することにより、又は同様のことにより、あるいはこれらの組み合わせにより）対象物１００にダメージを与えてしまう可能性があるか、対象物１００の外観を悪く変えてしまうか、同様のことを引き起こすか、あるいはこれらの組み合わせたものを引き起こしてしまう高い熱負荷に関連した上記制限をも克服しつつ、所望の外観を有するマークを従来のマーキングプロセスよりも速く形成するように、本発明の実施形態に係るマーキングプロセスを適用することができる。図９を参照すると、第２のラインセット８０２が形成された後、付加的なスキャンプロセスを行って付加的なラインセットを生成することができるように、レーザシステム１１２を駆動してもよいし、対象物サポート１１６を移動してもよい。例示的に示されているように、上述したプロセスを繰り返して（例えば、スキャンライン９００ａ及び９００ｂを含む）第３のラインセット９００と（例えば、スキャンライン９０２ａ及び９０２ｂを含む）第４のラインセット９０２とを形成してもよい。一実施形態においては、第４のラインセット９０２の前に第３のラインセット９００を形成してもよい。しかしながら、他の実施形態においては、第３のラインセット９００の前に第４のラインセット９０２を形成してもよい。上記で例示的に説明したようにスキャンラインの形成時に、第１のラインセット７１０から、第２のラインセット８０２、第３のラインセット９００、第４のラインセット９０２までのスキャンラインを含む複合スキャンライン９０４が生成される。さらに、ラインセット（例えば第１のラインセット７１０）のスキャンライン（例えば、スキャンライン７１０ａと７１０ｂ）間の空間は、所望の数のオフセットスキャンライン（例えば３つのスキャンライン）で占められており、スキャンライン領域が形成されている。
【００２４】
上記で図７〜図９に関して例示的に説明したマーキングプロセスの実施形態においては、レーザパルスを照射して対象物１００に当てて、同一のスキャンライン内のスポット領域が互いに重なり合い、隣り合うスキャンラインのスポット領域も互いに重なり合っている複合スキャンラインが生成される。しかしながら、他の実施形態においては、レーザパルスを照射して対象物１００に当てて、同一のスキャンライン内のスポット領域が互いに重なり合っていないか、あるいは近接する又は隣り合うスキャンラインのスポット領域が互いに重なり合っていないか、あるいは同一のスキャンライン内のスポット領域が互いに重なり合っておらず近接する又は隣り合うスキャンラインのスポット領域も互いに重なり合っていない複合スキャンラインを生成することができる。
【００２５】
例えば、図１０を参照すると、複合スキャンライン１０００は、上記で例示的に述べた２つのスキャンプロセスを行うマーキングプロセスにより形成することができる。しかしながら、図示された実施形態においては、（例えば、スキャンライン１００２ａ及び１００２ｂを含む）ラインセット１００２と（例えば、スキャンライン１００４ａ及び１００４ｂを含む）ラインセット１００４を形成するように、各スキャンプロセスにおけるレーザパルス特性を選択することができ、このとき、同一のスキャンライン内のスポット領域は互いに重なり合っておらず、異なるスキャンラインのスポット領域も互いに重なり合っていない。図示されるように、上述した同一のスキャンライン内で近接する又は隣り合うスポット領域間のスキャンピッチ（ここではｐ１とする）は、上述したスポット領域のスポット幅ｄよりも大きい。しかしながら、他の実施形態においては、スキャンピッチｐ１はスポット幅ｄと等しくてもよい。上述した近接する又は隣り合うスキャンラインのスポット領域間のラインピッチ（ここではｐ２とする）は、上述したスポット領域のスポット幅ｄよりも大きい。しかしながら、他の実施形態においては、ラインピッチｐ２はスポット幅ｄと等しくてもよい。図示された実施形態においては、スキャンピッチｐ１は、スキャン方向７００に沿って一定であり、ラインピッチｐ２と等しい。ラインピッチｐ２は、フィル方向８００に沿って一定である。さらに、４つのスポット領域が同一のスポット領域（例えばスポット領域１００６）から等しい距離だけ離れることができるように、ラインセット１００２及び１００４内のスポット領域は互いに位置合わせがなされる。しかしながら、他の実施形態においては、スキャンピッチｐ１がスキャン方向７００に沿って変化してもよく、あるいはラインピッチｐ２がフィル方向８００に沿って変化してもよく、あるいはこれら両方であってもよい。さらに別の実施形態においては、スキャンピッチｐ１が、ラインピッチｐ２よりも大きくてもよいし、小さくてもよい。
【００２６】
他の例においては、図１１を参照すると、上記で例示的に述べた２つのスキャンプロセスを行うマーキングプロセスにより複合スキャンライン１１００を形成することができる。しかしながら、図示された実施形態においては、（例えば、スキャンライン１１０２ａ及び１１０２ｂを含む）ラインセット１１０２と（例えば、スキャンライン１１０４ａ及び１１０４ｂを含む）ラインセット１１０４を形成するように、各スキャンプロセスにおけるレーザパルス特性を選択することができ、このとき、同一のスキャンライン内のスポット領域は互いに重なり合っておらず、異なるスキャンラインのスポット領域も互いに重なり合っていない。図示された実施形態においては、ラインピッチｐ２は、スキャン方向７００とフィル方向８００との間の角度で測定される。図示された実施形態においては、スキャンピッチｐ１はスキャン方向７００に沿って一定であり、ラインピッチｐ２に等しい。図示された実施形態においては、ラインピッチｐ２のコサイン（すなわち、ｃｏｓ（ｐ２））はフィル方向８００に沿って一定である。さらに、６つのスポット領域が同一のスポット領域（例えばスポット領域１１０６）から等しい距離だけ離れることができるように、ラインセット１００２及び１００４内のスポット領域は互いに位置合わせがなされる。しかしながら、他の実施形態においては、スキャンピッチｐ１がスキャン方向７００に沿って変化してもよく、あるいはラインピッチｐ２のコサインががフィル方向８００に沿って変化してもよく、あるいはこれら両方であってもよい。さらに別の実施形態においては、スキャンピッチｐ１が、ラインピッチｐ２よりも大きくてもよいし、小さくてもよい。
【００２７】
上述した複合スキャンラインのいずれかを形成するプロセスを必要に応じて繰り返してマーク２００を形成してもよい。このように、マーク２００は、広い意味で、（例えば、互いに重なり合う又は互いに離間した）相互オフセットスポット領域の集合として特徴付けることができ、マーク２００内の近接する又は隣り合うスポット領域の任意の方向に沿って測定した中心間距離（本明細書においては「スポットピッチ」ともいう）は、上述したスポット離間距離ａ１よりも短い。重なり合うスポット領域のみから形成される視覚的に望ましいマークを所望の高いスループットで形成することができるが、スポット領域の少なくとも一部が重なり合っていない場合においても、マーキングプロセスのスループットをさらに増加させて、マーク内のスポット領域の数を減らしてもよいことは理解できよう。一般的に、対象物１００上にレーザパルスを照射してマーク２００が形成される対象物１００の領域内にスポット領域を生成するようにレーザシステム１１２を構成してもよい。マーク２００の縁部２０２は任意の方法により規定することができる。例えば、一実施形態においては、例えば、レーザシステム１１２内に、あるいは対象物１００の表面１０８上に、あるいはレーザシステム１１２と対象物１００との間にマーク２００のマスク又はステンシル（図示せず）を設けてもよい。このように、縁部２０２を形成するために、レーザパルスを（例えば、上述した方法で）マスク上とマスクの内部に照射するようにレーザシステム１１２を構成することができる。対象物１００に当たったレーザパルスは、上述したスポット領域を生成し、初期外観を変えて修正外観を形成する。しかしながら、マスクに当たったレーザパルスは、スポット領域を生成することを妨げられるので、初期外観を変えることにより修正外観を形成することがない。
【００２８】
他の実施形態においては、マスクやステンシルを用いることなく縁部２０２を規定してもよい。例えば、一実施形態においては、対象物１００上にレーザパルスを選択的に照射してマーク２００の所望の位置に対応する対象物１００上の位置にのみスポット領域を生成するようにレーザシステム１１２を制御することができる。例えば、図１２を参照すると、対象物１００上にレーザパルスを選択的に照射してマーク２００の所望の位置（例えば、意図したマーク縁部１２０２の一方の側の位置）に少なくとも実質的に対応する対象物１００上の位置にのみ（例えば、実線の丸で示される）スポット領域の配列１２００を生成するようにレーザシステム１１２を制御することができる。一実施形態においては、レーザシステム１１２を制御して一連の複合スキャンライン（例えば、複合スキャンライン１２０４ａ，１２０４ｂ，１２０４ｃ，１２０４ｄ）を形成することによりスポット領域の配列１２００を生成することができる。このとき、それぞれの複合スキャンラインは、２つのラインセット（例えば、スキャンライン１２０６ａ，１２０６ｂを含む第１のラインセットとスキャンライン１２０８ａ，１２０８ｂを含む第２のラインセット）を含んでいる。しかしながら、得られるスポット領域が所望のマーク位置に少なくとも実質的に対応する対象物１００の位置に生成される際に、スキャンプロセス中の時々にのみレーザパルスを照射するようにレーザシステム１１２を制御することができる。このように、所望のマーク位置の内部又は所望のマーク位置に十分に近い場所に（例えば、スポット領域１２１０ａのような実線の丸として示されている）スポット領域を生成するように対象物１００上にレーザパルスを照射し、かつ、（例えば、スポット領域１２１０ｂのような破線の丸として示されている）スポット領域を形成するような対象物１００上の位置にレーザパルスを照射しないようにレーザシステム１１２を制御することができる。
【００２９】
図１２は、スポット領域の配列１２００が上記で図１１に関して述べた方法で形成されているものとして示しているが、スポット領域の配列１２００が、任意の好適な方法又は所望の方法により（例えば、図９又は図１０に関して述べられた方法又はその他の構成により）形成されていてもよいことは理解できよう。同様に、図１２は、複合スキャンライン１２０４ａ，１２０４ｂ，１２０４ｃ，１２０４ｄのそれぞれが図１１に関して例示的に述べられたようなスポット領域の配列を有しているように示しているが、複合スキャンライン１２０４ａ，１２０４ｂ，１２０４ｃ，１２０４ｄのいずれも、上記で図９又は図１０に関して例示的に述べたようなスポット領域の配列やその他の好適な配列又は所望の配列を有していてもよいことは理解できよう。図１２は、スポット領域の配列１２００が少なくとも実質的に６回回転対称性を有しているものとして示しているが、配列１２００の回転対称性は、ｎを２，３，４，５，７，８などとしたときに任意の位数ｎの回転対称性であってもよいことは理解できよう。図１２は、スポット領域の配列１２００がマークの全領域にわたって均一であるものとして示しているが、スポット領域の配列１２００はマークの全領域にわたって変化してもよいことは理解できよう。
【００３０】
対象物１００上にマーク２００を生成するために行い得るマーキングプロセスの種々の実施形態について例示的に述べてきたが、次に、これらのマーキングプロセスの実施形態を行うことができる、図１に示されるレーザシステム１１２の例示的な実施形態について図１３から図１６を参照して説明する。
【００３１】
図１３を参照すると、レーザシステム１１２は、第１のレーザ源１３００ａ及び第２のレーザ源１３００ｂのような２つのレーザ源とコントローラ１３０４とを含むレーザシステム１３００として設けられていてもよい。図示されていないが、レーザシステム１３００は、上述したビーム修正システム、ビームステアリングシステムなど、又はこれらの組み合わせのような補助システムをさらに含み得る。
【００３２】
一般的に、第１のレーザ源１３０２ａは、（例えば、破線１３０６ａにより示されるように）レーザパルスビームを生成可能である。同様に、第２のレーザ源１３０２ｂは、（例えば、破線１３０６ｂにより示されるように）レーザパルスビームを生成可能である。必要に応じて上述した補助システムによりビーム１３０６ａ内のレーザパルスを整形、拡大、集束、スキャンなどした後に照射して対象物１００に当ててもよい。同様に、必要に応じて上述した補助システムによりビーム１３０６ｂ内のレーザパルスを整形、拡大、集束、スキャンなどした後に照射して対象物１００に当ててもよい。共通の補助システムにより又は異なる組の補助システムによりビーム１３０６ａ，１３０６ｂ内のレーザパルスを整形、拡大、集束、スキャンなどすることができる。レーザシステム１３００は、２つのレーザ源のみを含むものとして示されているが、レーザシステム１３００が３つ以上のレーザ源を含んでいてもよいことは理解できよう。
【００３３】
コントローラ１３０４は、レーザ源１３００ａ及び１３００ｂと所望の補助システムとを制御して、１つのグループ内の少なくとも２つのレーザパルスが上記で例示的に述べたスポット領域で（例えば、同時に又は連続的に）対象物１００に当たるようにレーザパルスグループを連続的に対象物１００上に照射し得る。例えば、図３に示されるスポット領域１３０２ａに対応する対象物上のスポット領域を生成するようにビーム１３０６ａ内のレーザパルスを対象物１００に当ててもよい。同様に、図３に示されるスポット領域１３０２ｂに対応する対象物上のスポット領域を生成するようにビーム１３０６ｂ内のレーザパルスを対象物１００に当ててもよい。
【００３４】
図示されるように、コントローラ１３０４は、メモリ１３１０に対して通信可能に連結されるプロセッサ１３０８を含み得る。一般的に、プロセッサ１３０８は、様々な制御機能を規定する演算ロジック（図示せず）を含んでいてもよく、ハードワイヤード状態機械（hardwired state machine）のような専用ハードウェアやプログラム命令を実行するプロセッサの形態及び／又は当業者が思いつくであろう異なる形態を有していてもよい。演算ロジックは、デジタル回路、アナログ回路、ソフトウェア、又はこれらの種類のハイブリッド結合を含み得る。一実施形態においては、プロセッサ１３０８は、演算ロジックに従ってメモリ１３１０に格納された命令を実行するように構成された１以上の演算処理装置を含み得るプログラマブルマイクロコントローラ、マイクロプロセッサ、又は他のプロセッサを含んでいる。メモリ９１０は、半導体、磁気、及び／又は光学の種類のうち１以上のタイプを含んでいてもよく、加えて／あるいは、揮発性及び／又は不揮発性のものであってもよい。一実施形態においては、メモリ１３１０は、演算ロジックにより実行可能な命令を格納する。これに代えて、あるいはこれに加えて、メモリ１３１０は、演算ロジックにより操作されるデータを格納し得る。ある構成においては、演算ロジック及びメモリは、図１に関して述べた装置の構成要素の動作的な側面を管理及び制御するロジックを行うコントローラ／プロセッサの形態に含まれている。他の構成においては、これらは分離され得る。
【００３５】
図１４を参照すると、レーザシステム１１２は、レーザ源１４０２と、ビームレット生成器１４０４と、上述したコントローラ１３０４とを含むレーザシステム１０００として設けられていてもよい。図示されていないが、レーザシステム１４００は、上述したビーム修正システム、ビームステアリングシステムなど、又はこれらの組み合わせのような補助システムをさらに含み得る。
【００３６】
レーザシステム１３００と同様に、レーザシステム１４００内のレーザ源１４０２は、（例えば、破線１４０６により示されるように）レーザパルスビームを生成可能である。ビームレット生成器１４０４は、レーザパルスビーム１４０６を受けて（例えば、破線１４０８ａ，１４０８ｂで示されるように）対応するレーザパルスビームレットを生成するように構成されている。一実施形態においては、ビームレット１４０８ａ，１４０８ｂは、例えば、ビーム１４０６を時間的に変調することにより、あるいはビーム１４０６を空間的に変調することにより、あるいはこれに類似する方法により、あるいはこれらの組み合わせによりビーム１４０６から生成される。そのようなビーム１４０６の変調は、ビーム１４０６の少なくとも一部を回折することにより、あるいはビーム１４０６の少なくとも一部を反射することにより、あるいはビーム１４０６の少なくとも一部を屈折することにより、あるいはこれに類似する方法により、あるいはこれらの組み合わせにより行うことができる。したがって、ビームレット生成器１４０４は、ミラー（例えば、スピンドルミラー、ＭＥＭＳミラーなど）、音響光学偏向器（ＡＯＤ）、電気光学偏向器（ＥＯＤ）など又はこれらの組み合わせのような時間的変調素子、光回折素子（ＤＯＥ）のような空間的変調素子、マルチレンズアレイのような光屈折素子など、又はこれらの組み合わせを含んでいてもよい。しかしながら、ビームレット生成器１４０４が変調素子を任意に組み合わせたものを含んでいてもよいことは理解できよう。また、変調素子は、（例えば、ＤＯＥなどと同様の）受動変調素子及び（例えば、スピンドルミラー、ＡＯＤ、ＥＯＤなどと同様の）能動変調素子として分類できる。能動変調素子は、コントローラ１３０４の制御下でビーム１４０６を変調するように駆動され得るものであり、受動変調素子は、ビーム１４０６の変調を行うためにコントローラ１３０４により駆動される必要はない。
【００３７】
必要に応じて上述した補助システムによりビームレット１４０８ａ，１４０８ｂ内のレーザパルスを整形、拡大、集束、スキャンなどした後に照射して対象物１００に当ててもよい。同一の補助システムにより、あるいは異なるセットの補助システムによりビームレット１４０８ａ，１４０８ｂ内のレーザパルスを整形、拡大、集束、スキャンなどしてもよい。ビームレット生成器１００４は、２つのビームレット１４０８ａ，１４０８ｂのみを生成するように構成されているものとして示されているが、レーザシステム１４００のビームレット生成器１４０４が必要に応じて３つ以上のビームレットを生成するように構成されていてもよいことは理解できよう。
【００３８】
ビームレット生成器１４０４の構成によっては、コントローラ１３０４は、レーザ源１４０２及びビームレット生成器１４０４の一方又は双方と所望の補助システムとを制御して、１つのグループ内の少なくとも２つのレーザパルスが上記で例示的に述べたスポット領域で（例えば、同時に又は連続的に）対象物１００に当たるようにレーザパルスグループを連続的に対象物１００上に照射し得る。例えば、図３に示されるスポット領域３０２ａに対応する対象物上のスポット領域を生成するようにビームレット１４０８ａ内のレーザパルスを対象物１００に当ててもよい。同様に、図３に示されるスポット領域３０２ｂに対応する対象物上のスポット領域を生成するようにビームレット１４０８ｂ内のレーザパルスを対象物１００に当ててもよい。
【００３９】
ＤＯＥのような空間的変調素子によりビーム１４０６がビームレット生成器１４０４で変調される実施形態においては、コントローラ１３０４は、１つのグループ内の少なくとも２つのレーザパルスが上記で例示的に述べたスポット領域で同時に（又は実質的に同時に）対象物１００に当たるように単にレーザ源１４０２及び所望の補助システムを制御してもよい。ビーム１４０６が時間的変調素子によりビームレット生成器１４０４で変調される実施形態においては、コントローラ１３０４は、１つのグループ内の少なくとも２つのレーザパルスが上記で例示的に述べたスポット領域で連続的に対象物１００に当たるように所望の補助システムとともにレーザ源１４０２及びビームレット生成器１４０４を調整して制御してもよい。
【００４０】
レーザシステム１４００は、１つだけのレーザ源１４０２と１つだけのビームレット生成器１４０４とを含むものとして示されているが、レーザシステム１４００は、任意の数だけ付加的なレーザ源を含んでいてもよいし、任意の数だけ付加的なビームレット生成器を含んでいてもよいし、あるいはこれら両方を含んでいてもよいことは理解できよう。そのような実施形態においては、任意の数のレーザ源からのビームを同一のビームレット生成器によって変調してもよく、あるいは異なるビームレット生成器によって変調してもよい。他の実施形態においては、任意の数のレーザ源からのビームをビームレット生成器により変調しなくてもよい。
【００４１】
図１４に示されるレーザシステム１４００に関連してビームレット生成器１４０４を例示的に述べたが、次にレーザシステム１１２内のビームレット生成器１４０４のいくつかの実施形態について図１５から図１６を参照して説明する。
【００４２】
図１５を参照すると、ビームレット生成器１４０４は、能動変調素子１５０２と、オプションのビームマスク１５０４と、オプションのリレーレンズ１５０６と、上述した補助システムの１つ以上（包括的にボックス１５１８で示されている）とを含むビームレット生成器１５００として設けられていてもよい。
【００４３】
図示された実施形態においては、変調素子１５０２はＡＯＤとして設けられており、ビームマスク１５０４は、必要に応じてＡＯＤ１５０２を通過した０次ビーム１５０８を（必要であれば）ブロックするために設けられる。しかしながら、変調素子１５０２をスピンドルミラー、ＥＯＤなど、又はこれらの組み合わせとして設けてもよいことは理解できよう。
【００４４】
変調素子１５０２は、（例えば、変調素子１５０２の一部として組み込まれた信号源からコントローラ１３０４の制御の下で）変調素子１５０２に送られた信号の特性（例えば、図示された実施形態においてはＲＦ周波数）に対応する角度でビーム１４０６内のパルスを偏向（図示された実施形態では０次ビーム１５０８から離れるように回折）する。変調素子１５０２に送られる信号特性をレーザ源１４０２によって生成されビーム１４０６内を伝搬するレーザパルスと調整することにより、コントローラ１３０４は、多くの偏向されたビーム経路のうちの１つの経路（例えば、図示された実施形態においては、２つの１次偏向ビーム経路１５１０ａ及び１５１０ｂのうちの１つの経路）に沿ってビーム１４０６内の個々のレーザパルスを選択的に照射することができる。２つの偏向ビーム経路１５１０ａ及び１５１０ｂのみが図示されているが、変調素子１５０２の特性、変調素子１５０２に送られる信号の特性、ビーム１４０６内のレーザパルスのパルス繰り返し率、ビーム１４０６内のレーザパルスの平均パワー（例えば、これは１０Ｗから４００Ｗの範囲内となり得る）など、又はこれらの組み合わせに応じて任意の数の偏向ビーム経路を生成してもよいことは理解できよう。偏向ビーム経路に沿って伝搬するレーザパルスを必要であれば処理して（例えば、リレーレンズ１５０６により集束して）、さらに対応する経路（例えば、経路１５１２ａ及び１５１２ｂ）に沿って伝搬させた後、必要に応じて（例えば、ボックス１５１８で示されるような）上述した１以上の補助システムにより整形、拡大、集束、スキャンなどしてもよい。
【００４５】
図示されていないが、ビームレット生成器１５００は、経路１５１０ａ，１５１０ｂ，１５１２ａ，１５１２ｂのうち１つ以上の経路内でパルスをさらに変調するように構成された能動変調素子１６０２、受動変調素子など、又はこれらの組み合わせのような１以上の変調素子など、又はこれらの組み合わせをさらに含んでいてもよい。その後、さらに変調されたこれらのパルスを必要に応じて（例えば、ボックス１５１８で示されるような）上述した１以上の補助システムにより整形、拡大、集束、スキャンなどしてもよい。
【００４６】
図１６を参照すると、ビームレット生成器１４０４は、受動変調素子１６０２（例えば、ＤＯＥ）とオプションの集束レンズ１６０４とを含むビームレット生成器１６００として設けられていてもよい。変調素子１６０２は、ビーム１４０６内の各パルスを、対応する数の回折ビーム経路（例えば、回折ビーム経路１６０６ａ及び１６０６ｂ）のうちの１つに沿って伝搬するパルスグループに分割する。２つの回折ビーム経路１６０６ａ及び１６０６ｂのみが図示されているが、変調素子１６０２の特性、ビーム１４０６内のパルスの平均パワー（例えば、これは１０Ｗから４００Ｗの範囲内となり得る）など、又はこれらの組み合わせに応じて任意の数の回折ビーム経路を生成してもよいことは理解できよう。回折ビーム経路１６０６ａ及び１６０６ｂに沿って伝搬するレーザパルスを必要に応じて集束レンズ１６０４により集束される前又は集束された後に上述した補助システム（図示せず）のうちの１以上の補助システムにより処理（例えば、整形、拡大、スキャンなど）してもよい。図示された実施形態においては、集束レンズ１６０４と対象物１００との間の距離ｄBFLを変更することにより、対象物１００上の隣り合うスポット領域間のスポット離間距離ａ１を調整することができる。
【００４７】
図示されていないが、ビームレット生成器１６００は、回折ビーム経路のうちの１つ以上の経路（例えば、回折ビーム経路１６０６ａ，１６０２ｂの一方又は双方）内のパルスをさらに変調するように構成された能動変調素子１５０２、受動変調素子１６０２など、又はこれらの組み合わせのような１以上の付加的な変調素子をさらに含んでいてもよい。さらに変調されたこれらのパルスは、集束レンズ１６０４内に入射し、集束された後、対象物１００上に照射される。これに加えて、あるいはこれに代えて、付加的な変調素子のうち１以上の変調素子を設けて、ビームレットのうちの１以上のビームレット（例えばビームレット１４０８ａ及び１４０８ｂ）内のパルスをさらに変調してもよい。
【００４８】
上記で例示的に述べたように、ビームレット生成器１４０４により生成されたビームレット（例えば、ビームレット１４０８ａ及び１４０８ｂ）内のレーザパルスは、レーザ源１４０２により生成されたビーム１４０６内のレーザパルスから得られるものである。しかしながら、あるビームレット内のレーザパルスの１以上の特性（例えば、平均パワー、ピークパワー、スポット形状、スポットサイズなど）は、他のビームレット内のレーザパルスの対応する１以上の特性と異なることがある。このレーザパルス特性における相違は、ビームレット生成器１４０４内の変調素子（例えば、ＡＯＤ、ＥＯＤなど）の変調特性に起因すると考えられる。これらの相違によって、あるビームレット内のレーザパルスは、他のビームレット内のレーザパルスとは異なる方法で対象物１００の初期外観を対応するスポット領域で修正し得る。
【００４９】
例えば、図１７を参照すると、ビームレット生成器１４０４は、４つのレーザパルスビームレットを対象物１００に照射することができ、４つのレーザパルスのグループが対象物１００に当たってスポット領域１７０２ａ，１７０２ｂ，１７０２ｃ，１７０２ｄを含むスポットセット１７００が対象物１００上に生成される。ビームレットのうちの２以上のビームレット又はすべてのビームレットの内部のレーザパルスが異なる特性を有する場合、あるスポット領域（例えばスポット領域１７０２ａ）での対象物１００の修正外観が、スポット領域１７０２ｂ，１７０２ｃ，１７０２ｄのうちの２以上のビームレット又はすべてのビームレットでの対象物１００の修正外観と異なることがある。実施形態によっては、スポットセット１７００内のスポット領域間の修正外観の相違がそれほどでもなくなるように各スポット領域を十分に小さくしてもよい。さらに、（例えば、スポット領域１７０２ａから形成されるスキャンライン１７０４aと、スポット領域１７０２ｂから形成されるスキャンライン１７０４ｂと、スポット領域１７０２ｃから構成されるスキャンライン１７０４ｃと、スポット領域１７０２ｄから構成されるスキャンライン１７０４ｄとを含む）ラインセット１７０４を形成するスキャンプロセスを行った後、ラインセット１７０４におけるスキャンライン間の修正外観の相違がそれほどでもなくなるように各スポット領域のスポット幅を十分に小さくしてもよい。しかしながら、上記で図８及び図９に関して述べた方法で上述したスキャンプロセスを繰り返す場合、得られる複合スキャンラインは、１つだけのビームレット内のレーザパルスによって生成されるスポット領域１７０２ａから構成されるスキャンラインのみを含むスキャンライン領域と、１つだけのビームレット内のレーザパルスによって生成されるスポット領域１７０２ｂから構成されるスキャンラインのみを含むスキャンライン領域と、１つだけのビームレット内のレーザパルスによって生成されるスポット領域１７０２ｃから構成されるスキャンラインのみを含むスキャンライン領域と、１つだけのビームレット内のレーザパルスによって生成されるスポット領域１７０２ｄから構成されるスキャンラインのみを含むスキャンライン領域とを効果的に含むことになる。スポット領域１７０２ａ，１７０２ｂ，１７０２ｃ，１７０２ｄにより得られる修正外観における相違、スポットセット内のスポット領域間のスポット離間距離ａ１、マーク２００内のスポット領域間のスキャンピッチ、マーク２００内のスキャンライン間のラインピッチなどのファクターによっては、複合スキャンラインの様々なスキャンライン領域間の修正外観の違いが顕著なものとなり得る。
【００５０】
一実施形態においては、上述した複合スキャンラインの様々なスキャンライン領域間の修正外観の違いは好ましくないことがある。したがって、図１８から図２０を参照すると、さらに他の実施形態に係るマーキングプロセスを行って、１つだけのビームレット内のレーザパルスにより生成されたスポット領域から構成されるスキャンラインのみを含む１以上のスキャンライン領域を有する複合スキャンラインを生成することに関連して生じる悪影響をなくすか、あるいは低減することができる。図１８を参照すると、第１のラインセット（例えば上述のラインセット１７０４）が形成された後、上述したラインピッチよりも大きな量だけ（例えば、上述したラインセットピッチに１ラインピッチを追加した量に少なくとも実質的に等しい量だけ）、先に形成された第１のラインセット１７０４からオフセットした位置に第２のラインセット１８００を形成するように、（例えば、図８に関して述べた方法で）レーザシステム１１２を駆動してもよいし、対象物サポート１１６を移動してもよい。一実施形態においては、第２のラインセット１８００は、スポット領域１７０２ａから構成されるスキャンライン１８０２ａと、スポット領域１７０２ｂから構成されるスキャンライン１８０４ｂと、スポット領域１７０２ｃから構成されるスキャンライン１８０２ｃと、スポット領域１７０２ｄから構成されるスキャンライン１８０２ｄとを含み得る。さらに、第２のラインセット１８００は、スキャンライン１８０２ａ，１８０２ｂ，１８０２ｃがそれぞれスキャンライン１７０４ｂ，１７０４ｃ，１７０４ｄから上述したラインピッチだけオフセットされるように第１のラインセット１７０４からオフセットされる。
【００５１】
その後、図１９を参照すると、上述したスキャンプロセスを繰り返して、上述したラインピッチよりも大きな量だけ（例えば、上述したラインセットピッチに１ラインピッチを追加した量に少なくとも実質的に等しい量だけ）、第２のラインセット１８００からオフセットした位置に第３のラインセット１９００を形成してもよい。図示されるように、第３のラインセット１９００は、スポット領域１７０２ａから構成されるスキャンライン１９０２ａと、スポット領域１７０２ｂから構成されるスキャンライン１９０４ｂと、スポット領域１７０２ｃから構成されるスキャンライン１９０４ｃと、スポット領域１７０２ｄから構成されるスキャンライン１９０４ｄとを含んでいる。第３のラインセット１９００は、スキャンライン１９０２ａ，１９０２ｂ，１９０２ｃがそれぞれスキャンライン１８０２ｂ，１８０２ｃ，１８０２ｄから上述したラインピッチだけオフセットされるように第２のラインセット１８００からオフセットされている。
【００５２】
続いて、図２０を参照すると、スキャンプロセスを繰り返して、上述したラインピッチよりも大きな量だけ（例えば、上述したラインセットピッチに１ラインピッチを追加した量に少なくとも実質的に等しい量だけ）、第３のラインセット１９００からオフセットした位置に第４のラインセット２０００を形成する。図示されるように、第４のラインセット２０００は、スポット領域１７０２ａから構成されるスキャンライン２００２ａと、スポット領域１７０２ｂから構成されるスキャンライン２００２ｂと、スポット領域１７０２ｃから構成されるスキャンライン２００２ｃと、スポット領域１７０２ｄから構成されるスキャンライン２００２ｄとを含んでいる。第４のラインセット２０００は、スキャンライン２００２ａ，２００２ｂ，２００２ｃがそれぞれスキャンライン１９０２ｂ，１９０２ｃ，１９０２ｄから上述したラインピッチだけオフセットされるように第３のラインセット１９００からオフセットされている。さらに図２０に示されるように、スキャンライン２００２ａ，２００２ｂ，２００２ｃは、上述したラインピッチだけ第１のラインセット１７０４のスキャンライン１７０２ｄからオフセットされている。マークが所望の形になるまで上述したプロセスを必要に応じて繰り返してもよい。
【００５３】
図１７から図２０に関して述べたマーキングプロセスにおいて、ラインセットは、先に形成されたラインセットからフィル方向に（例えば、矢印８００により示される方向に沿って）オフセットするように繰り返し生成される。その結果、マーキングプロセス中に生成されたあるスキャンライン（「ストレイライン（stray lines）」ともいう）は、マーキングプロセス中に生成された時期によっては、複合スキャンラインに含まれていない場合がある。例えば、スキャンライン１７０４ａ，１７０４ｂ，１８０２ａのようなストレイラインは、複合スキャンライン２００４内に含まれない。さらに、ラインセット２０００の生成後に追加でラインセットが生成されない場合には、スキャンライン１９０２ｄ，２００２ｃ，２００２ｄも複合スキャンライン２００４に含まれず、ストレイラインとなる。対象物１００の初期外観を修正することによってストレイラインがマーク２００の外観を悪くしてしまうような実施形態においては、レーザシステム１１２は、ストレイラインを生成するような対象物１００上の位置ではレーザパルスを対象物１００上に照射しないように制御され得る。
【００５４】
図７から図９に関して述べたマーキングプロセスと同様に、図１７から図２０に関して述べたマーキングプロセスによって、第１のラインセット１７０４から第２のラインセット１８００、第３のラインセット１９００、第４のラインセット２０００までのスキャンラインから構成される複合スキャンラインが生成される。しかしながら、図示された実施形態によれば、複合スキャンライン２００４内のスキャンライン領域は、スポット領域１７０２ａ，１７０２ｂ，１７０２ｃ，１７０２ｄから構成されるスキャンラインを含んでいる。例えば、複合スキャンライン２００４は、スキャンライン１７０２ｃ，１８０２ｂ，１９０２ａ，１７０２ｄから構成されるスキャンライン領域２００６を含んでおり、これらのスキャンライン１７０２ｃ，１８０２ｂ，１９０２ａ，１７０２ｄは、それぞれスポット領域１７０２ｃ，１７０２ｄ，１７０２ａ，１７０２ｂから構成されている。ラベルを付していないが、複合スキャンライン２００４は、スキャンライン１８０２ｃ，１９０２ｂ，２００２ａ，１８０２ｄから構成される隣接スキャンライン領域も含んでおり、これらのスキャンライン１８０２ｃ，１９０２ｂ，２００２ａ，１８０２ｄは、それぞれスポット領域１７０２ｃ，１７０２ｄ，１７０２ａ，１７０２ｂから構成されている。それぞれのスキャンライン領域は、異なるビームレット（例えば、ビームレット生成器１４０４により生成可能なビームレットの一部又は全部）内のレーザパルスにより生成されたスポット領域から構成されるスキャンラインを含んでいるので、複合スキャンラインの様々なスキャンライン領域間で修正外観が異なるという不都合な悪影響をなくすことができるか、あるいは有利に低減することができる。
【００５５】
上記は、本発明の実施形態を例示するものであって、本発明を限定するものと解釈すべきではない。本発明のいくつかの実施形態について説明してきたが、本発明の新規な教示及び効果から大きく逸脱することなく実施形態の中で多くの修正が可能であることは、当業者であれば容易に理解できるであろう。これらの点から、上記は、本発明を例示するものであって、開示された本発明の特定の実施形態に限定されるものと解釈すべきではなく、開示された実施形態の修正は、他の実施形態とともに、添付した特許請求の範囲に含まれることを意図されていることは理解できよう。本発明は、以下の特許請求の範囲に含まれる均等物とともに、以下の特許請求の範囲により規定されるものである。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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