(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
透明導電性粒子によって形成された粒子層の前記粒子間の空隙に樹脂劣化防止剤を含む樹脂が存在し、体積抵抗率が５×１０-2Ωｃｍ以下であり、前記樹脂劣化防止剤がアミン系、ヒンダードアミン系、フェノール系、ホスファイト系、又はチオエーテル系樹脂劣化防止剤である透明導電膜。
【請求項２】
前記透明導電性粒子が錫ドープ酸化インジウム(ＩＴＯ)、フッ素ドープ酸化スズ(ＦＴＯ)、アンチモンドープ酸化スズ(ＡＴＯ)、アルミニウムドープ酸化亜鉛(ＡＺＯ)又はガリウムドープ酸化亜鉛(ＧＺＯ)の金属酸化物粒子である請求項１記載の透明導電膜。
【請求項３】
前記樹脂が熱硬化性樹脂又は紫外線硬化性樹脂である請求項１又は２記載の透明導電膜。
【請求項４】
請求項１ないし３いずれか１項に記載の透明導電膜が支持用透明基材上に形成された透明導電体。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電気抵抗値が低く、高温下で長時間保持したときの電気抵抗値の上昇を抑制することができる透明導電膜に関する。また本発明は、転写用基材の上面に作製した透明導電膜を支持用透明基材に転写することにより製造される透明導電体に関する。
【背景技術】
【０００２】
ＬＣＤ(Liquid Crystal Display)やＰＤＰ(Plasma Display Panel)、有機ＥＬ(ElectroLuminescence)、タッチパネル等の画像表示装置の透明電極には透明導電膜が用いられている。この透明導電膜は、ＩＴＯ等からなる透明導電材料によって構成されることが多い。このような透明導電膜は、通常スパッタリング法により形成される（例えば、特許文献１参照）。従来透明導電膜はガラス基材に成膜されていた。しかしスパッタリング装置は高価であり、かつ、成膜の効率が悪く、また、その膜は屈曲に対して、ひび割れし易い等の問題があった。
【０００３】
このひび割れの問題を解決するため、ひび割れの起こりにくい屈曲性に優れた透明導電膜を形成する方法として、スパッタリング法に代わって、導電膜形成用塗料を可撓性のある基材に塗布する方法が提案されている。近年では、デバイスの軽量化、フレキシブル化が求められているため、基材としてポリエチレンテレフタレート(ＰＥＴ)やポリエチレンナフタレート(ＰＥＮ)等の可撓性樹脂フィルムが用いられ、透明導電膜はこのフィルム上に形成され、その用途が増加している（例えば、特許文献２及び３参照）。
【０００４】
しかし、塗料を塗布して得られる透明導電膜には、導電性が低いという問題と、電子機器に使用した場合、熱的耐久性が十分でないという問題がある。具体的には、８０℃の高温下で長時間保持した時に電気抵抗値が高くなる問題がある。この電気抵抗値の上昇は、大気中の酸化性ガスの吸着に起因していることが分かっている。前者の問題に対しては、特許文献２の導電性フィルムの製造方法では、導電性微粒子の分散液を支持体上に塗布、乾燥して形成された導電性微粒子含有層（粒子層）をシートプレス、ロールプレス等により圧縮し、導電性微粒子の圧縮層からなる透明導電層を形成する。圧縮することで導電性微粒子相互間の接触点を増加させ、これにより透明導電膜の電気抵抗値を低減している。一方、後者の問題に対しては、特許文献２の導電性フィルムの製造方法では、上記透明導電層上に高分子樹脂成分を含む接着剤層（樹脂層）を形成する。この接着剤層組成物は、得られた導電性微粒子の圧縮層中の導電性微粒子相互間の空隙に含浸する。その結果、高温高湿環境下であっても導電性微粒子の表面に水和物が形成されることが抑制され、電気抵抗値を低く維持する。即ち、圧縮層である透明導電層を樹脂で封止することで熱的環境中に暴露される透明導電性粒子の面積を小さくしている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００４−３１５９５１号公報（段落［０００２］）
【特許文献２】特開２００７−２５７９６４号公報（段落［００３２］、[００３９]〜[００４５]、[００５４]）
【特許文献３】特開２０１０−２７７９２７号公報（段落［００３４］）
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、特許文献２の導電性フィルムのように、圧縮層である透明導電層を樹脂で封止した状態でも、この方法で得られた透明導電膜を電子機器に用いた場合、この透明導電膜はまだ十分な熱的耐久性が得られなかった。
【０００７】
本発明の目的は、電気抵抗値が低く、高温下で長時間保持したときの電気抵抗値の上昇を抑制することができる耐熱性のある透明導電膜及びこの明導電膜を有する透明導電体を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明者らは、透明導電層である圧縮層を樹脂で封止しても、得られた透明導電膜の熱的耐久性が十分に得られない要因を分析した。その結果、封止する樹脂自体が熱や機械的衝撃、光によって生じたアルキルラジカルによって劣化するとともに、このアルキルラジカルが酸素と反応して生じるパーオキシラジカルや過酸化物がＩＴＯ粒子表面のキャリア電子を捕捉することで、電気抵抗値が上昇することが分かった。そこで、封止する樹脂に樹脂劣化防止剤を添加することで、キャリア電子が捕捉されるのを抑制し、更に高温下で長時間保持したときの抵抗安定性を向上させることを見い出し、本発明に到達した。
【０００９】
本発明の第１の観点は、透明導電性粒子によって形成された粒子層の前記粒子間の空隙に樹脂劣化防止剤が存在し、体積抵抗率が５×１０-2Ωｃｍ以下であり、前記樹脂劣化防止剤がアミン系、ヒンダードアミン系、フェノール系、ホスファイト系、又はチオエーテル系樹脂劣化防止剤である透明導電膜である。
【００１０】
本発明の第２の観点は、第１の観点に基づく発明であって、前記透明導電性粒子が錫ドープ酸化インジウム(ＩＴＯ)、フッ素ドープ酸化スズ(ＦＴＯ)、アンチモンドープ酸化スズ(ＡＴＯ)、アルミニウムドープ酸化亜鉛(ＡＺＯ)又はガリウムドープ酸化亜鉛（ＧＺＯ）の金属酸化物粒子であることにある。
【００１１】
本発明の第３の観点は、第１又は第２の観点に基づく発明であって、前記樹脂が熱硬化性樹脂又は紫外線硬化性樹脂であることにある。
【００１３】
本発明の第４の観点は、第１ないし第３いずれかの観点に基づく透明導電膜が支持用透明基材上に形成された透明導電体である。
【発明の効果】
【００１４】
本発明の第１の観点の透明導電膜は、体積抵抗率が５×１０−２Ωｃｍ以下であるため、電気抵抗値が低く、導電性に優れる。透明導電性粒子によって形成された粒子層の空隙に存在する樹脂が樹脂劣化防止剤を含むため、透明導電膜を熱的環境の高温下で長時間保持しても、発生したパーオキシラジカル又は過酸化物はすぐに樹脂劣化防止剤に捕捉され、これにより透明導電性粒子表面のキャリア電子が捕捉されず、電気抵抗値の上昇が抑制される。更に粒子層中の粒子間の空隙に樹脂が存在するため、粒子とその周囲の屈折率の差を小さくすることができ、ヘイズを低減し、光の透過率を向上させることができる。
また、樹脂劣化防止剤として、アミン系、ヒンダードアミン系、フェノール系、ホスファイト系、又はチオエーテル系樹脂劣化防止剤を採択することによって、より確実に上記樹脂の劣化を防止することができる。
【００１５】
本発明の第２の観点では、透明導電性粒子が錫ドープ酸化インジウム(ＩＴＯ)、フッ素ドープ酸化スズ(ＦＴＯ)、アンチモンドープ酸化スズ(ＡＴＯ)、アルミニウムドープ酸化亜鉛(ＡＺＯ)又はガリウムドープ酸化亜鉛(ＧＺＯ)の金属酸化物粒子であるため、この導電膜は透明性と導電性に優れる。
【００１６】
本発明の第３の観点では、樹脂として、熱硬化性樹脂又は紫外線硬化性樹脂を採択することにより、加熱処理又は紫外線照射処理によって簡便に樹脂を硬化させることができる。
【００１８】
本発明の第４の観点では、上記透明導電膜が支持用透明基材上に形成された透明導電体は、電気抵抗値が低く、高温下で長時間保持したときの電気抵抗値の上昇を抑制することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１９】
【図１】第１実施形態の透明導電体の製造工程を示す模式図である。図１（ａ）は粒子層の形成を示す図であり、図１（ｂ）は圧縮層の形成を示す図であり、図１（ｃ）は樹脂液の塗布・乾燥と樹脂層の形成を示す図であり、図１（ｄ）は支持用透明基材の貼り合わせを示す図であり、図１（ｅ）は樹脂の硬化と転写用基材の剥離を示す図であり、図１（ｆ）は転写用基材を剥離した後の透明導電体を示す図である。
【図２】第２実施形態の透明導電体の製造工程を示す模式図である。図２（ａ）は粒子層の形成を示す図であり、図２（ｂ）は粒子層の加熱処理を示す図であり、図２（ｃ）は樹脂液の塗布・乾燥と樹脂層の形成を示す図であり、図２（ｄ）は支持用透明基材の貼り合わせを示す図であり、図２（ｅ）は樹脂の硬化と転写用基材の剥離を示す図であり、図２（ｆ）は転写用基材を剥離した後の透明導電体を示す図である。
【図３】第３実施形態の透明導電体の製造工程を示す模式図である。図３（ａ）は粒子層の形成を示す図であり、図３（ｂ）は圧縮層の形成を示す図であり、図３（ｃ）は圧縮層の加熱処理を示す図であり、図３（ｄ）は樹脂液の塗布・乾燥と樹脂層の形成を示す図であり、図３（ｅ）は支持用透明基材の貼り合わせを示す図であり、図３（ｆ）は樹脂の硬化と転写用基材の剥離を示す図であり、図３（ｇ）は転写用基材を剥離した後の透明導電体を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００２０】
＜本発明の第１の実施形態＞
次に本発明の第１の実施形態を図１（ａ）〜（ｆ）に基づいて説明する。第１の実施形態では、後述する圧縮処理を行って圧縮層を形成するが、この圧縮層を加熱処理しないことに特徴がある。
【００２１】
〔粒子層の形成〕
図１（ａ）に示すように、転写用基材１の上面に透明導電性粒子と分散媒からなる透明導電膜形成用塗料である塗布液を塗布し乾燥して粒子層２を形成する。転写用基材１としては、後述する圧縮工程の圧縮力を大きくしても割れることがない可撓性樹脂フィルムが用いられる。本発明の透明導電体の製造工程中、粒子層を転写基材から別の支持用透明基材に転写するため、転写用基材に無色透明でない樹脂フィルムや金属箔を用いることができる。樹脂フィルムとしては、例えば、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）等のポリエステルフィルム、ポリエチレンやポリプロピレン等のポリオレフィンフィルム、ポリイミド（ＰＩ）フィルム等が例示される。
【００２２】
透明導電性粒子としては、透明導電性粒子が錫ドープ酸化インジウム(ＩＴＯ)、フッ素ドープ酸化スズ(ＦＴＯ)、アンチモンドープ酸化スズ(ＡＴＯ)、アルミニウムドープ酸化亜鉛(ＡＺＯ)又はガリウムドープ酸化亜鉛(ＧＺＯ)等の金属酸化物粒子を用いることができる。特に、ＩＴＯ粒子がより優れた導電性を示すため好ましい。透明導電性粒子のＤ５０平均粒子径は、１μｍ以下であり、好ましくは２０ｎｍ〜２００ｎｍである。この粒子径はレーザー回折型粒度分布測定装置により測定される。
【００２３】
分散媒としては、水や、メタノール、エタノール、２−ブタノール、１−プロパノール等のアルコール系溶液、エチレンジアミン、２−アミノエタノール、１−ブチルアミン等のアミン系溶液、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、ホルムアミド等のアミド系溶液、これらの混合溶液等が用いられる。
【００２４】
塗布液は、透明導電性粒子と分散媒のみから構成され、それ以外に導電性を妨げる樹脂や分散剤を含まない、１８０℃〜３００℃まで加熱したときの質量減少が５％以下である塗布液であることが好ましい。その理由は、樹脂や分散剤は、乾燥後も膜中に残留し、後述する加熱によってガスが発生し得るからである。これによりこの塗布液を塗布して形成される透明導電膜の抵抗値を更に下げることができる。塗布液は、塗布液１００質量％に対して１〜７０質量％、好ましくは１０〜５０質量％の割合で透明導電性粒子を分散媒に混合し、ミキサーで攪拌することにより調製する。透明導電性粒子の含有量が１質量％未満では透明導電膜として必要な厚さにならず、また導電性が得られない。７０質量％を越えると塗布液の粘度が高くなり過ぎ、塗布が困難となる。また必要に応じて塗布液をホモジェナイザーやビーズミル粉砕機等に入れて、この塗料中で凝集した透明導電性粒子を解砕処理することができる。
【００２５】
塗布液の塗布は、スプレーコーティング、ディスペンサコーティング、スピンコーティング、ナイフコーティング、スリットコーティング、インクジェットコーティング、スクリーン印刷、オフセット印刷、ダイコーティング等の各種の湿式塗工法を採用することができる。特に、転写用基材１がフィルム状又はシート状の基材の場合のコーティングには、スロットダイコーター、コンマコータ−、リップコーター、グラビアコーター等が好適に使用される。図１（ａ）では、塗布液をスロットダイコーター３で塗布している。
【００２６】
なお、転写用基材１に塗布液を塗布する前に、後述する支持用透明基材上の透明導電膜から転写用基材１を剥離しやすくするために転写用基材１の上面にテフロン(商標)加工（フッ素処理）、シリコーン加工を施すか、又は非粘着性オイルを塗布してもよい。
【００２７】
一方、塗布液の転写用基材への濡れ性が良好でなく、転写用基材上で塗布が均一に行われない場合には、分散液の濡れ性や粒子層との密着性を向上させるために、転写用基材１表面にプライマー層を設けたり、コロナ処理、プラズマ処理などの表面処理を行ってもよい。
【００２８】
塗布液の乾燥は、風乾、真空乾燥、加熱乾燥のいずれでも良いが、上述した分散媒を除去するため、分散媒の沸点より５〜７０℃低い温度範囲で０．５〜１０分間、好ましくは、沸点より３０〜６０℃低い温度で不活性雰囲気下、１分以上行うことが好ましい。沸点との差が７０℃以上になると、乾燥が不十分になり易い。乾燥が不十分であると、後述する圧縮層の加熱工程で、ガスが発生し、圧縮層にクラックを生じ易くなり、圧縮層が転写用基材から剥離し易くなる。沸点との差が５℃未満になると、分散媒が急激に揮発し、膜にムラが生じやすくなる。
【００２９】
〔圧縮処理による圧縮層の形成〕
圧縮処理としては、シートプレス処理、カレンダロールを用いたカレンダ処理が挙げられる。図１（ｂ）では、カレンダ処理の例を示す。図１（ｂ）に示すように、粒子層２を上面に形成した転写用基材１をカレンダ処理して粒子層２を圧縮層４にする。粒子層２を圧縮して圧縮層４にすると、透明導電性粒子相互間の接触点が増え接触面が増加し、電気抵抗値が低下し、導電性に優れる。また圧縮により、透明導電性粒子が高充填化され、光学特性が向上する。光学特性においては、特に粒子間空隙による散乱光が減少することにより、光散乱強度を表す値であるヘイズ値が著しく減少し、透明性が高くなる。
【００３０】
カレンダ処理は、粒子層の上面に離型処理又はハードコート処理の施されたカバーフィルム（図示せず）を重ね合せ、この状態で一対のカレンダロール５の間を通して、ロール圧力１００〜２０００ｋｇ／ｃｍ、送り出し速度０．１〜１０ｍ／分の条件で圧力を加える。カレンダロールを通過後、カバーフィルムを剥離する。これにより転写用基材１上に圧縮層４が形成される。
【００３１】
〔樹脂液の塗布・乾燥と樹脂層の形成〕
次に、図１（ｃ）に示すように、転写用基材１上の圧縮層４に樹脂液を塗布して樹脂液を圧縮層中の透明導電性粒子間の空隙に含浸する。この樹脂液を乾燥して圧縮層４上に樹脂層７を形成する。塗布方法としては、スプレーコーティング、ディスペンサコーティング、スピンコーティング、ナイフコーティング、スリットコーティング、インクジェットコーティング、スクリーン印刷、オフセット印刷、ダイコーティング等が例示される。図１（ｃ）は、スプレーコーター８を用いた塗布法の例を示す。
【００３２】
樹脂液は、樹脂と樹脂劣化防止剤と溶剤とを含む。樹脂としては、エポキシ樹脂、ポリウレタン樹脂、シリコーン樹脂等の熱硬化性樹脂又はアクリル樹脂、エポキシアクリレート樹脂、シリコーン樹脂等の紫外線硬化性樹脂が例示される。樹脂とともに硬化開始剤を用いることが好ましい。こうした樹脂としては、樹脂層になったときに後述する支持用透明基材に対して接着性があるものが選択される。樹脂劣化防止剤は、樹脂が光や熱によって分解・劣化する際に生じるアルキルラジカル(Ｒ・：Ｒはアルキル鎖)やパーオキシラジカル(ＲＯＯ・)、過酸化物(ＲＯＯＨ)を捕捉または分解することで、樹脂の劣化が加速度的に進行するのを防止すると同時に、アルキルラジカルやパーオキシラジカル、過酸化物から生じるＯＨラジカルが透明導電性粒子表面に吸着しキャリア電子を吸引することで透明導電膜の抵抗値が増加するのを抑制する。この樹脂劣化防止剤としては、アミン系、ヒンダードアミン系、フェノール系、ホスファイト系、又はチオエーテル系樹脂劣化防止剤が例示され、アミン系、フェノール系、又はチオエーテル系樹脂劣化防止剤が特に好ましい。溶剤としては、上記樹脂及び樹脂劣化防止剤を溶解する溶剤であれば特に限定されないが、メチルイソブチルケトン、プロピレングリコールモノメチルエーテル(ＰＧＭＥ)、エタノール等が例示される。樹脂は、樹脂液１００質量％に対して、１０〜８０質量％、好ましくは２０〜５０質量％の割合で混合する。紫外線により硬化する場合、硬化開始剤は樹脂１００質量部に対して０．１〜１０質量部混合する。また樹脂劣化防止剤は、樹脂１００質量部に対して、０．５〜８質量部混合する。残部は溶剤である。この混合は混合物をミキサーで攪拌することにより行われる。樹脂劣化防止剤は樹脂層になったときにその樹脂層に白濁や着色を生じさせないようにその種類とその混合量を決めることが好ましい。
【００３３】
樹脂液を乾燥すると、樹脂液中の溶剤が除去される。樹脂液の乾燥は、風乾、真空乾燥、加熱乾燥のいずれでも良いが、上述した溶剤を除去するため、溶剤の沸点より５〜８０℃低い温度範囲で０．５〜１０分間、好ましくは、沸点より２０〜７０℃低い温度で不活性雰囲気下、１分以上行うことが好ましい。
【００３４】
〔支持用透明基材の貼り合わせ〕
次に、図１（ｄ）に示すように、転写用基材１上の樹脂層７の上面に支持用透明基材１０を貼り合わせる。支持用透明基材としては、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、ポリカーボネート、アクリル等の可撓性樹脂フィルムやガラスが用いられる。支持用透明基材１０の貼り合わせは、支持用透明基材と樹脂層の間に気泡が入らないように行う。また支持用透明基材１０の樹脂層７との接着面には接着を容易にするために、ウレタン樹脂等のプライマー層を設けたり、この接着面にコロナ処理、プラズマ処理などの表面処理を行ってもよい。
【００３５】
〔樹脂の硬化と転写用基材の剥離と透明導電体の形成〕
次に、図１（ｅ）に示すように、転写用基材１上の樹脂層７に含まれる樹脂を硬化させて樹脂層７付きの圧縮層４を透明導電膜９にする。樹脂がエポキシ樹脂等の熱硬化性樹脂であれば、樹脂が硬化するまで加熱する。硬化条件は、支持用透明基材が熱的損傷を受けない範囲であり、樹脂が硬化すれば限定されないが、不活性雰囲気下で８０〜１２０℃で１〜６０分間が好ましい。樹脂が紫外線で硬化するアクリル樹脂やエポキシアクリレート樹脂等の紫外線硬化性樹脂であれば、支持用透明基材側から紫外線を照射する。樹脂が硬化する条件であれば、紫外線の強度や波長には限定はないが、強度は０．５〜１０Ｊ／ｃｍ２の出力が好ましい。これにより圧縮層が樹脂により封止され、圧縮層中の粒子間に樹脂を含浸させることで、粒子とその周囲の屈折率の差を小さくすることができ、ヘイズを低減し、光の透過率を上げることができる。
【００３６】
最後に、転写用基材１を透明導電膜９を構成する圧縮層４から剥離する。転写用基材１の剥離は、転写用基材１と圧縮層４の間に分離爪を入れて剥離する方法、転写用基材１の端部を圧縮層４の端部から分離した後、分離した間に圧縮空気を送り込んで剥離する方法、転写用基材１に粘着テープを貼り付け、転写用基材１を剥離する方法、又は上記方法を組み合わせた方法等により転写用基材１を透明導電膜９を構成する圧縮層４から剥離する。これにより、図１（ｆ）に示すように、支持用透明基材１０上に透明導電膜９を残存させた透明導電体１１を得る。このようにして得られた透明導電膜はその体積抵抗率が５×１０−２Ωｃｍ以下の範囲にある。
【００３７】
＜本発明の第２の実施形態＞
次に本発明の第２の実施形態を図２（ａ）〜（ｆ）に基づいて説明する。第２の実施形態では、前述した圧縮処理（カレンダ処理）を行わず、即ち圧縮層を形成せずに、粒子層を加熱処理をすることに特徴がある。
【００３８】
〔粒子層の形成〕
図２（ａ）に示すように、第１の実施形態と同様にして、粒子層２を形成する。
【００３９】
〔粒子層の加熱処理〕
続いて、第１の実施形態で行ったカレンダ処理をせずに、図２（ｂ）に示すように、粒子層を加熱処理する。具体的には、転写用基材１上の粒子層２を不活性ガス雰囲気又は還元雰囲気下で２００℃以上、基材が損傷しない温度以下で加熱処理する。粒子層を加熱処理することにより、粒子層中の粒子がネッキングする。加熱処理の方法としては、電気炉加熱、赤外線加熱、マイクロ波加熱、フラッシュランプアニール、レーザー焼成等が挙げられる。図２（ｂ）は、転写用基材１の上面に形成された粒子層２の加熱方法として、フラッシュランプ６により加熱する例を示す。
【００４０】
フラッシュランプアニール処理において、照射エネルギー密度及び照射時間は、粒子層２の初期抵抗を低下させることができればよく、特に限定されないが、照射エネルギー密度は、０．５〜３０Ｊ／ｃｍ２の範囲、照射時間は５０μsから５ｍｓまでの範囲であることが好ましく、更には、照射エネルギー密度は、１〜２０Ｊ／ｃｍ２の範囲、照射時間は１００μｓから１０００μsまでの範囲であることが特に好ましい。本発明において、照射エネルギー密度は、フラッシュランプアニール処理で、粒子層の単位面積に照射されるトータルのエネルギーを単位面積当りにした値をいう。照射エネルギー密度が０．５Ｊ／ｃｍ２未満であるか又は照射時間が５０μｓより短いと、粒子層２の導電性が向上しない。３０Ｊ／ｃｍ２を超えるか又は照射時間が５０ｍｓを超えると、転写用基材１が熱的損傷を受けるとともに、粒子層２が吹き飛んでしまう。また、照射回数は１回である必要は無く、粒子層２や転写用基材１に熱的損傷を与えない範囲で複数回照射することができる。例えば、ロール  トゥ  ロール（ロール状に巻いたフィルム基板巻き戻す過程で蒸着、スパッタリング、コーティングなどの方式でフィルム上に連続的に成膜する生産方式。）での処理を行う際に、１パルスに付き、照射面積の１／３ずつオーバーラップさせながら連続照射することによって、単位面積当たり３回照射されることになり、ロール  トゥ  ロールでのフラッシュランプアニール処理のムラを低減することができる。
【００４１】
〔樹脂液の塗布・乾燥と樹脂層の形成〕
次に、図２（ｃ）に示すように、第１の実施形態の圧縮層の代わりに、転写用基材１上の粒子層２に樹脂液を塗布して樹脂液を粒子層中の透明導電性粒子間の空隙に含浸する。この樹脂液を乾燥して粒子層２上に樹脂層７を形成する。この樹脂液の塗布方法、樹脂液の乾燥方法及び樹脂層の形成方法は、第１の実施形態と同じである。
【００４２】
〔支持用透明基材の貼り合わせ〕
次に、図２（ｄ）に示すように、転写用基材１上の樹脂層７の上面に支持用透明基材１０を貼り合わせる。この支持用透明基材の貼り合わせ方法は、第１の実施形態と同じである。
【００４３】
〔樹脂の硬化と転写用基材の剥離と透明導電体の形成〕
次に、図２（ｅ）に示すように、転写用基材１上の樹脂層７に含まれる樹脂を硬化させて樹脂層７付きの粒子層２を透明導電膜９にする。第１の実施形態の樹脂層付きの圧縮層の代わりに樹脂層付きの粒子層を透明導電膜とする以外は、第１の実施形態と同じである。続いて、図２（ｆ）に示すように、第１の実施形態と同様にして、支持用透明基材１０上に透明導電膜９を残存させた透明導電体１１を得る。このようにして得られた透明導電膜はその体積抵抗率が５×１０−２Ωｃｍ以下の範囲にある。
【００４４】
＜本発明の第３の実施形態＞
次に本発明の第３の実施形態を図３（ａ）〜（ｇ）に基づいて説明する。第３の実施形態では、第１の実施形態のカレンダ処理を行うとともに、第２の実施形態の加熱処理を行うことに特徴がある。
【００４５】
〔粒子層の形成〕
図３（ａ）に示すように、第１の実施形態と同様に、粒子層２を形成する。
【００４６】
〔圧縮処理による圧縮層の形成〕
次いで、図３（ｂ）に示すように、第１の実施形態と同様にして、粒子層２を上面に形成した転写用基材１を圧縮処理（カレンダ処理）して粒子層２を圧縮層４にする
【００４７】
〔圧縮層の加熱処理〕
続いて、図３（ｃ）に示すように、第２の実施形態の粒子層の代わりに、圧縮層４を加熱処理する。この加熱処理方法は第２の実施形態と同じである。
【００４８】
〔樹脂液の塗布・乾燥と樹脂層の形成〕
次に、図３（ｄ）に示すように、第２の実施形態の粒子層の代わりに、転写用基材１上の圧縮層４に樹脂液を塗布して樹脂液を圧縮層中の透明導電性粒子間の空隙に含浸する。この樹脂液を乾燥して圧縮層４上に樹脂層７を形成する。この樹脂液の塗布方法、樹脂液の乾燥方法及び樹脂層の形成方法は、第１の実施形態と同じである。
【００４９】
〔支持用透明基材の貼り合わせ〕
次に、図３（ｅ）に示すように、転写用基材１上の樹脂層７の上面に支持用透明基材１０を貼り合わせる。この支持用透明基材の貼り合わせは、第１の実施形態と同じである。
【００５０】
〔樹脂の硬化と転写用基材の剥離と透明導電体の形成〕
次に、図３（ｆ）に示すように、第１の実施形態と同様にして、転写用基材１上の樹脂層７に含まれる樹脂を硬化させて樹脂層７付きの圧縮層４を透明導電膜９にする。続いて、図３（ｇ）に示すように、第１の実施形態と同様にして、支持用透明基材１０上に透明導電膜９を残存させた透明導電体１１を得る。このようにして得られた透明導電膜はその体積抵抗率が５×１０−２Ωｃｍ以下の範囲にある。
【００５１】
次いで、透明導電膜の評価方法について説明する。
(a) 透明導電膜の表面抵抗率
透明導電膜の表面抵抗率を以下の手順にて測定した。試料となる透明導電体を５０×５０ｍｍにカットし、抵抗測定器（三菱油化（株）社製、製品名：Ｌｏｒｅｓｔａ ＡＰ ＭＣＰ−Ｔ４００）を使用し、透明導電膜の予め定められた測定点で測定し、その測定値を透明導電膜の表面抵抗率とした。転写用基材を剥離した直後の表面抵抗率（初期抵抗率）と、加湿等の湿度制御を行わない大気中、８０℃の温度で５００時間保持した後の表面抵抗率（高温試験後抵抗率）の２つの抵抗率を測定した。高温試験後抵抗率を初期抵抗率で除することにより加熱による表面抵抗率の変化率を求める。
(b) 透明導電膜の膜厚
透明導電膜の膜厚を蛍光Ｘ線膜厚測定装置（セイコーインスツルメント（株）社製、製品名：ＳＦＴ９４００）を用い測定した。膜厚は膜厚既知の透明導電膜から検量線を作成し、試料の特性Ｘ線の検出強度から重量換算での膜厚を算出する。
(c) 体積抵抗率
上記(a)で求められた表面抵抗率（初期抵抗率）に上記(b)で算出された膜厚を乗算することにより、体積抵抗率を算出する。
【実施例】
【００５２】
次に本発明の実施例を比較例とともに詳しく説明する。
【００５３】
＜実施例１＞
分散媒のエタノール４０．０ｇに平均粒径１２０ｎｍのＩＴＯ粒子１０ｇを添加し、超音波ホモジェナイザーで３０分間分散し、ＩＴＯ導電膜形成用塗料である塗布液を調製した。この塗布液をスロットダイコーターを用いて、転写用基材である１００ｍｍ×３００ｍｍの長方形のポリイミドフィルム（東レ・デュポン（株）社製、製品名：カプトン２００ＥＮ）の上に塗布した。塗布した塗布液を２５℃の大気中で５分間乾燥を行って転写用基材上に粒子層を形成した。この粒子層を上面に形成した転写用基材をカレンダ処理した。具体的にはカレンダロール圧力１０００ｋｇ／ｃｍ、送り出し速度１ｍ／分で粒子層に圧力を上記転写用基材に加えることで、粒子層を圧縮層にした。得られた圧縮層の層厚を蛍光Ｘ線を用いて測定したところ、重量換算膜厚は０．３μｍであった。
【００５４】
この圧縮層をアルバック理工／赤外線ゴールドイメージ炉Ｐ６１６Ｃを用いて、窒素雰囲気下で３００℃の温度で１時間加熱処理した。溶剤のメチルイソブチルケトンに紫外線硬化性樹脂であるエポキシアクリレート樹脂（日立化成(株)社製、製品名：ヒタロイド７６６３）と硬化開始剤（ＢＡＳＦ(株)社製、製品名：イルガキュア１８４）とアミン系樹脂劣化防止剤（川口化学工業社製、製品名：アンテージＤＤＡ）を溶解して樹脂液を調製した。紫外線硬化性樹脂は樹脂液に対して２５質量％含ませ、硬化開始剤は１質量％、樹脂劣化防止剤は１質量％、樹脂に対してそれぞれ含ませた。この樹脂液を加熱処理した圧縮層上にスプレーコーティングし、樹脂液を圧縮層中のＩＴＯ粒子間の空隙に含浸した。この樹脂液を熱風乾燥機を用いて、大気雰囲気下で９０℃の温度で１分間乾燥し、圧縮層上に溶剤を十分に除去した樹脂層を形成した。
【００５５】
予め表面にウレタン樹脂のプライマー層が設けられた支持用透明基材のＰＥＴフィルムを上記樹脂層に貼り合わせた。貼り合わせ後、支持用透明基材側から１．４Ｊ／ｃｍ２の出力で紫外線を照射して、エポキシアクリレート樹脂を硬化させた。これにより樹脂層付きの圧縮層を透明導電膜にした。更に、この透明導電膜を構成する圧縮層からポリイミドフィルムの転写用基材を剥離してＩＴＯ透明導電体を得た。この透明導電膜の表面抵抗率を上述した方法で測定した。その結果、初期抵抗率は１６５Ω/□であり、高温試験後抵抗率は２４５Ω／□であった。変化率は１．５であった。
【００５６】
＜実施例２＞
実施例１と同様に、ポリイミドフィルム上に圧縮層を形成し、３００℃１時間の赤外線加熱を行った。熱硬化樹脂である２液型のエポキシ樹脂(三菱ガス化学製、製品名：マクシーブ)の主剤及び硬化剤をそれぞれ固形分が２５質量％になるようにエタノールで希釈した。希釈した硬化剤側にヒンダードアミン系樹脂劣化防止剤（ＡＤＥＫＡ社製、製品名：アデカスタブＬＡ−５７）を、この樹脂劣化防止剤を硬化剤の固形分に対して１０質量％含ませた硬化剤の希釈液を調製した。主剤の希釈液と樹脂劣化防止剤を含ませた硬化剤の希釈液を同量ずつ混合し、混合後６０分以内に実施例１と同様に圧縮層上に塗布した。このとき、樹脂劣化防止剤は樹脂固形分に対して、５質量％である。塗布・乾燥後、予め表面にウレタン樹脂のプライマー層が設けられた支持用透明基材のＰＥＴフィルムを上記樹脂層に貼り合わせた。貼り合わせ後、大気中１２０℃１０分間加熱することで、エポキシ樹脂を硬化させ、樹脂層付きの圧縮層を透明導電膜にした。更に、この透明導電膜を構成する圧縮層からポリイミドフィルムの転写用基材を剥離してＩＴＯ透明導電体を得た。得られた圧縮層の層厚を蛍光Ｘ線を用いて測定したところ、重量換算膜厚は０．３μｍであった。このＩＴＯ透明導電体に対して実施例１と同じ加熱処理を行った。この透明導電体の透明導電膜の初期抵抗率は１６２Ω／□であり、高温試験後抵抗率は２７５Ω／□であった。変化率は１．７であった。
【００５７】
＜実施例３＞
実施例１のアミン系樹脂劣化防止剤をフェノール系樹脂劣化防止剤（川口化学工業社製、製品名：アンテージＷ−５００）に変更し、この樹脂劣化防止剤を実施例１と同じ紫外線硬化性樹脂に対して８質量％含ませた樹脂液を調製した。この樹脂液を実施例１と同様に圧縮層上に塗布した。得られた圧縮層の層厚を蛍光Ｘ線を用いて測定したところ、重量換算膜厚は０．３μｍであった。それ以外は、実施例１と同じ塗布液、同じ転写用基材、同じ支持用透明基材を用いて実施例１と同様の方法で、ＩＴＯ透明導電体を得た。このＩＴＯ透明導電体に対して実施例１と同じ加熱処理を行った。この透明導電体の透明導電膜の初期抵抗率は１６８Ω／□であり、高温試験後抵抗率は２５３Ω／□であった。変化率は１．５であった。
【００５８】
＜実施例４＞
実施例１のアミン系樹脂劣化防止剤をホスファイト系樹脂劣化防止剤（ＡＤＥＫＡ社製、製品名：アデカスタブＨＰ−１０）に変更し、この樹脂劣化防止剤を実施例１と同じ紫外線硬化性樹脂に対して３質量％含ませた樹脂液を調製した。この樹脂液を実施例１と同様に圧縮層上に塗布した。得られた圧縮層の層厚を蛍光Ｘ線を用いて測定したところ、重量換算膜厚は０．３μｍであった。それ以外は、実施例１と同じ塗布液、同じ転写用基材、同じ支持用透明基材を用いて実施例１と同様の方法で、ＩＴＯ透明導電体を得た。このＩＴＯ透明導電体に対して実施例１と同じ加熱処理を行った。この透明導電膜の初期抵抗率は１７０Ω／□であり、高温試験後抵抗率は３０６Ω／□であった。変化率は１．８であった。
【００５９】
＜実施例５＞
実施例１のアミン系樹脂劣化防止剤をチオエーテル系樹脂劣化防止剤（ＡＤＥＫＡ社製、製品名：アデカスタブＡＯ−４１２Ｓ）に変更し、この樹脂劣化防止剤を実施例１と同じ紫外線硬化性樹脂に対して０．５質量％含ませた樹脂液を調製した。この樹脂液を実施例１と同様に圧縮層上に塗布した。得られた圧縮層の層厚を蛍光Ｘ線を用いて測定したところ、重量換算膜厚は０．３μｍであった。それ以外は、実施例１と同じ塗布液、同じ転写用基材、同じ支持用透明基材を用いて実施例１と同様の方法で、ＩＴＯ透明導電体を得た。このＩＴＯ透明導電体に対して実施例１と同じ加熱処理を行った。この透明導電体の透明導電膜の初期抵抗率は１６７Ω／□であり、高温試験後抵抗率は２８３Ω／□であった。変化率は１．７であった。
【００６０】
＜実施例６＞
分散媒のエタノール４０．０ｇに平均粒径５０ｎｍのＡＴＯ粒子１０ｇを添加し、超音波ホモジェナイザーで３０分間分散し、塗布液を調製した。この塗布液を実施例１と同様にポリイミドフィルム上に塗布、カレンダ処理し粒子層を圧縮層にした。得られた圧縮層の層厚を蛍光Ｘ線を用いて測定したところ、重量換算膜厚は０．４μｍであった。
この圧縮層をアルバック理工／赤外線ゴールドイメージ炉P616Cを用いて、窒素雰囲気下で４００℃の温度で１時間加熱処理した。その後、実施例1と同様にＡＤＥＫＡ株式会社製樹脂劣化防止剤  アデカスタブＡＯ−８０を樹脂固形分に対し０．３質量％添加した紫外線硬化性樹脂を加熱処理した圧縮層上に塗布、乾燥し、ＰＥＴフィルムを貼り合わせた。貼り合わせ後、支持用透明基材側から紫外線を照射して、樹脂を硬化させた。これにより樹脂層付きの圧縮層を透明導電膜にした。更に、この透明導電膜を構成する圧縮層からポリイミドフィルムの転写用基材を、剥離してＩＴＯ透明導電体を得た。この透明導電膜の表面抵抗率を上述した方法で測定した。その結果、初期抵抗率は８７７Ω/□であり、高温試験後抵抗率は１０６１Ω／□であった。変化率は１．２であった。
【００６１】
＜実施例７＞
分散媒のエタノール４０．０ｇに平均粒径１００ｎｍのＡＺＯ粒子１０ｇを添加し、超音波ホモジェナイザーで３０分間分散し、塗布液を調製した。この塗布液を実施例１と同様にポリイミドフィルム上に塗布、カレンダ処理し粒子層を圧縮層にした。得られた圧縮層の層厚を蛍光Ｘ線を用いて測定したところ、重量換算膜厚は０．５μｍであった。
この圧縮層をアルバック理工／赤外線ゴールドイメージ炉P616Cを用いて、窒素雰囲気下で４００℃の温度で１時間加熱処理した。その後、実施例１と同様にＡＤＥＫＡ株式会社製樹脂劣化防止剤  アデカスタブＰＥＰ−３６を樹脂固形分に対し５質量％添加した紫外線硬化性樹脂を加熱処理した圧縮層上に塗布、乾燥し、ＰＥＴフィルムを貼り合わせた。貼り合わせ後、支持用透明基材側から紫外線を照射して、樹脂を硬化させた。これにより樹脂層付きの圧縮層を透明導電膜にした。更に、この透明導電膜を構成する圧縮層からポリイミドフィルムの転写用基材を、剥離してＩＴＯ透明導電体を得た。この透明導電膜の表面抵抗率を上述した方法で測定した。その結果、初期抵抗率は７９１Ω/□であり、高温試験後抵抗率は１５００Ω／□であった。変化率は１．９であった。
【００６２】
＜実施例８＞
分散媒のエタノール４０．０ｇに平均粒径３０ｎｍのＧＺＯ粒子１０ｇを添加し、超音波ホモジェナイザーで３０分間分散し、塗布液を調製した。この塗布液を実施例１と同様にポリイミドフィルム上に塗布、カレンダ処理し粒子層を圧縮層にした。得られた圧縮層の層厚を蛍光Ｘ線を用いて測定したところ、重量換算膜厚は０．５μｍであった。
この圧縮層をアルバック理工／赤外線ゴールドイメージ炉P616Cを用いて、窒素雰囲気下で４００℃の温度で１時間加熱処理した。その後、実施例1と同様に川口化学製樹脂劣化防止剤  アンテージ３Ｃを樹脂固形分に対し１５質量％添加した紫外線硬化性樹脂を加熱処理した圧縮層上に塗布、乾燥し、ＰＥＴフィルムを貼り合わせた。貼り合わせ後、支持用透明基材側から紫外線を照射して、樹脂を硬化させた。これにより樹脂層付きの圧縮層を透明導電膜にした。更に、この透明導電膜を構成する圧縮層からポリイミドフィルムの転写用基材を、剥離してＩＴＯ透明導電体を得た。この透明導電膜の表面抵抗率を上述した方法で測定した。その結果、初期抵抗率は９８０Ω/□であり、高温試験後抵抗率は１９８４Ω／□であった。変化率は２．０であった。
【００６３】
＜実施例９＞
実施例１と同様に分散媒のエタノール４０．０ｇに平均粒径１２０ｎｍのＩＴＯ粒子１０ｇを添加し、超音波ホモジェナイザーで３０分間分散し、塗布液を調製し、ポリイミドフィルム上に塗布した。その層厚を蛍光Ｘ線を用いて測定したところ、重量換算膜厚は０．３μｍであった。
得られた粒子層にカレンダ処理は施さず、アルバック理工／赤外線ゴールドイメージ炉P616Cを用いて、窒素雰囲気下で５００℃の温度で１時間加熱処理した。その後、実施例１と同様にＡＤＥＫＡ株式会社製樹脂劣化防止剤  アデカスタブＡＯ-４０を樹脂固形分に対し１０質量％添加した紫外線硬化性樹脂を加熱処理した圧縮層上に塗布、乾燥し、ＰＥＴフィルムを貼り合わせた。貼り合わせ後、支持用透明基材側から紫外線を照射して、樹脂を硬化させた。これにより樹脂層付きの圧縮層を透明導電膜にした。更に、この透明導電膜を構成する圧縮層からポリイミドフィルムの転写用基材を、剥離してＩＴＯ透明導電体を得た。この透明導電膜の表面抵抗率を上述した方法で測定した。その結果、初期抵抗率は１１０１Ω/□であり、高温試験後抵抗率は１９６０Ω／□であった。変化率は１．８であった。
【００６４】
＜実施例１０＞
実施例１と同様に分散媒のエタノール４０．０ｇに平均粒径１２０ｎｍのＩＴＯ粒子１０ｇを添加し、超音波ホモジェナイザーで３０分間分散し、塗布液を調製し、ポリイミドフィルム上に塗布した。その層厚を蛍光Ｘ線を用いて測定したところ、重量換算膜厚は０．３μｍであった。
得られた粒子層に実施例１と同様にカレンダ処理し粒子層を圧縮層にした。その後、実施例１と同様に川口化学工業株式会社製樹脂劣化防止剤  アンテージＬＤＡ−Ｍを樹脂固形分に対し７．５質量％添加した紫外線硬化性樹脂を圧縮層上に塗布、乾燥し、ＰＥＴフィルムを貼り合わせた。貼り合わせ後、支持用透明基材側から紫外線を照射して、樹脂を硬化させた。これにより樹脂層付きの圧縮層を透明導電膜にした。更に、この透明導電膜を構成する圧縮層からポリイミドフィルムの転写用基材を剥離してＩＴＯ透明導電体を得た。この透明導電膜の表面抵抗率を上述した方法で測定した。その結果、初期抵抗率は２２３Ω/□であり、高温試験後抵抗率は３３０Ω／□であった。変化率は１．５であった。
【００６５】
＜比較例１＞
樹脂層を圧縮層上に形成しない以外、実施例１と同じ塗布液、同じ転写用基材、同じ支持用透明基材を用いてＩＴＯ透明導電体を得た。この例では樹脂層がないため、圧縮層が透明導電膜であった。得られた圧縮層の層厚を蛍光Ｘ線を用いて測定したところ、重量換算膜厚は０．３μｍであった。このＩＴＯ透明導電体に対して実施例１と同じ加熱処理を行った。この透明導電体の透明導電膜の初期抵抗率は１８９Ω／□であり、高温試験後抵抗率は３８９７Ω／□であった。変化率は２０．６であった。
【００６６】
＜比較例２＞
樹脂劣化防止剤を含有しない以外、実施例１と同じ紫外線硬化性樹脂と溶剤を用いて樹脂液を調製した。この樹脂液により実施例１と同様の方法で樹脂層を圧縮層上に形成した。得られた圧縮層の層厚を蛍光Ｘ線を用いて測定したところ、重量換算膜厚は０．３μｍであった。それ以外、実施例１と同じ塗布液、同じ転写用基材、同じ支持用透明基材を用いてＩＴＯ透明導電体を得た。このＩＴＯ透明導電体に対して実施例１と同じ加熱処理を行った。この透明導電体の透明導電膜の初期抵抗率は１６２Ω／□であり、高温試験後抵抗率は４１２Ω／□であった。変化率は２．５であった。
【００６７】
＜比較例３＞
実施例９と同様に塗布液を調製し、ポリイミドフィルム上に塗布した。その層厚を蛍光Ｘ線を用いて測定したところ、重量換算膜厚は０．３μｍであった。
得られた粒子層にカレンダ処理は施さず、アルバック理工／赤外線ゴールドイメージ炉P616Cを用いて、窒素雰囲気下で５００℃の温度で１時間加熱処理した。その後、比較例２と同様に樹脂劣化防止剤を添加していない紫外線硬化性樹脂を加熱処理した圧縮層上に塗布、乾燥し、ＰＥＴフィルムを貼り合わせた。貼り合わせ後、支持用透明基材側から紫外線を照射して、樹脂を硬化させた。これにより樹脂層付きの圧縮層を透明導電膜にした。更に、この透明導電膜を構成する粒子層からポリイミドフィルムの転写用基材を、剥離してＩＴＯ透明導電体を得た。この透明導電膜の表面抵抗率を上述した方法で測定した。その結果、初期抵抗率は１０３７Ω/□であり、高温試験後抵抗率は２４４７Ω／□であった。変化率は２．４であった。
【００６８】
＜比較例４＞
実施例１と同様に分散媒のエタノール４０．０ｇに平均粒径１２０ｎｍのＩＴＯ粒子１０ｇを添加し、超音波ホモジェナイザーで３０分間分散し、塗布液を調製し、ポリイミドフィルム上に塗布した。その層厚を蛍光Ｘ線を用いて測定したところ、重量換算膜厚は０．３μｍであった。
得られた粒子層に紫外線硬化性樹脂を圧縮層上に塗布、乾燥し、ＰＥＴフィルムを貼り合わせた。貼り合わせ後、支持用透明基材側から紫外線を照射して、樹脂を硬化させた。これにより樹脂層付きの粒子層を透明導電膜にした。更に、この透明導電膜を構成する圧縮層からポリイミドフィルムの転写用基材を剥離してＩＴＯ透明導電体を得た。この透明導電膜の表面抵抗率を上述した方法で測定した。その結果、初期抵抗率は５２１００Ω/□であり、高温試験後抵抗率は１１４６００Ω／□であった。変化率は２．２であった。
【００６９】
実施例１〜１０、比較例１〜４の概要を表１に示し、実施例１〜１０、比較例１〜４で得られた透明導電体の透明導電膜の初期抵抗率と高温試験後抵抗率とその変化率と透明導電膜の膜厚とその体積抵抗率を表２に示す。
【００７０】
【表１】
0006428122.tif 000002
【００７１】
【表２】
0006428122.tif 000003
【００７２】
＜評価＞
圧縮層上に樹脂層のない比較例１の透明導電膜では、体積抵抗率が０．５７×１０−２Ω・ｃｍと低かったが、変化率が２０．６倍と極めて高かった。また樹脂劣化防止剤を含まない樹脂層を有する比較例２、３の透明導電膜では、体積抵抗率がそれぞれ０．４９×１０−２Ω・ｃｍ及び０．４９×１０−２Ω・ｃｍと低かったが、変化率がそれぞれ２．５及び２．４と依然として大きかった。カレンダ処理と、加熱処理の双方を実施しない比較例4では、体積抵抗率が１．５６Ωｃｍと大きく、変化率も２．２と依然として大きかった。
これに対して、圧縮層上に樹脂劣化防止剤を含む樹脂層を有する実施例１〜１０の透明導電膜では、体積抵抗率が４．９０×１０−２Ω・ｃｍ以下と低いうえ、かつ変化率は１．２〜２．０倍と比較例の変化率より小さく、実施例１〜１０の透明導電膜が高温下で長時間保持したときの電気抵抗値の上昇を抑制することが分かった。
【産業上の利用可能性】
【００７３】
本発明の透明導電膜を備えた透明導電体は、電子ペーパ、ＬＣＤ、ＰＤＰ、ＬＥＤ、ＬＤ又はＥＬ等の表示装置又はタッチパネル、太陽電池の電極などに利用できる。
【符号の説明】
【００７４】
１  転写用基材
２  粒子層
３  スロットダイコーター
４  圧縮層
５  カレンダロール
６  フラッシュランプ
７  樹脂層
８  スプレーコーター
９  透明導電膜
１０  支持用透明基材
１１  透明導電体
【図１】
0006428122.tif 000004
【図２】
0006428122.tif 000005
【図３】
0006428122.tif 000006