(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
ブレンステッド酸と、１級アミンであるブレンステッド塩基とが構成成分であるイオン液体を含有し、
前記ブレンステッド酸が、含フッ素鎖を有し、
前記ブレンステッド塩基が、パーフルオロアルキル鎖及びパーフルオロポリエーテル鎖のいずれかである含フッ素鎖を有し、
前記ブレンステッド酸における前記含フッ素鎖が、パーフルオロポリエーテル鎖であること、及び前記ブレンステッド塩基における前記含フッ素鎖が、前記パーフルオロポリエーテル鎖であること、の少なくともいずれかを満たし、
前記ブレンステッド酸における前記含フッ素鎖の数平均分子量が、１，５００以下であることを特徴とする磁気記録媒体用潤滑剤。
【請求項２】
前記ブレンステッド酸における前記含フッ素鎖の数平均分子量が、５００以下である請求項１に記載の磁気記録媒体用潤滑剤。
【請求項３】
前記ブレンステッド酸が、前記含フッ素鎖を有するスルホン酸、及び前記含フッ素鎖を有するスルホニルイミドのいずれかであり、
前記ブレンステッド塩基が、前記パーフルオロポリエーテル鎖を有する１級アミンである請求項１から２のいずれかに記載の磁気記録媒体用潤滑剤。
【請求項４】
動摩擦係数が、０．３０以下である請求項１から３のいずれかに記載の磁気記録媒体用潤滑剤。
【請求項５】
非磁性支持体と、前記非磁性支持体上に磁性層と、前記磁性層上に請求項１から４のいずれかに記載の磁気記録媒体用潤滑剤とを有することを特徴とする磁気記録媒体。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、磁気記録媒体用潤滑剤、及びそれを用いた磁気記録媒体に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、高度情報社会の進展により、大量の情報を通信、処理、及び保管することが求められている。年間に世界中で生成されるデータ量は１ゼタバイト（１テラバイトの１０億倍）といわれており、それらを保管する記録媒体として、非磁性支持体上に磁性層が形成されてなる磁気記録媒体（例えば、磁気テープ、磁気ディスク）が注目されている。磁気記録媒体は、光ディスクと比較して大容量のデータを保管し、高速に記録、及び再生することができるため、さらなる高性能化が期待されている。
【０００３】
磁気記録媒体、例えば、磁気ディスクの記録容量、及び処理速度を向上させるためには、高効率で記録再生磁場を電気信号に変換させることが必要である。そのためには、ヘッドとディスクとの隙間である磁気ヘッドの浮上量を低下させることが必要である。一方、磁気ヘッドを低浮上化すると、磁気ヘッドとディスクとの摩擦力が大きくなり、互いに摩耗するため、磁気ディスクの信頼性が低下する。そのため、通常、前記磁性層上には、潤滑剤を含有する潤滑剤層が形成されている。磁気ディスクの高信頼性を実現させるためには、繰り返し摺動しても優れた潤滑性を維持できる潤滑剤を設計することが重要である。
【０００４】
磁気記録媒体の潤滑剤に求められる特性は、幅広い温度領域で液体であること、低蒸気圧、高い熱安定性、高い酸化安定性、低表面張力、優れた摩擦特性などである。これらの特性を満たす化学構造として、末端に極性基を持つパーフルオロポリエーテル（ＰＦＰＥ）が使われている（例えば、非特許文献１参照）。
【０００５】
その他に、熱安定性、摩擦特性などの向上を目的として、パーフルオロポリエーテル構造を持つイオン液体型潤滑剤が提案されている（例えば、特許文献１〜４参照）。
【０００６】
しかし、今後、磁気記録媒体における記録密度の増大にともない、潤滑剤層の更なる薄膜化が求められている。そのような薄膜化された潤滑剤層に適用可能な潤滑剤についてはこれまで得られていないのが現状である。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特開平５−９３０５９号公報
【特許文献２】特開平６−４１５６４号公報
【特許文献３】特開２００３−１１３３８８号公報
【特許文献４】特開２００３−１１３３８９号公報
【非特許文献】
【０００８】
【非特許文献１】Ｂ．Ｂｈｕｓｈａｎ，Ｔｒｉｂｏｌｏｇｙ  ａｎｄ  Ｍｅｃｈａｎｉｃｓ  ｏｆ  Ｍａｇｎｅｔｉｃ  Ｓｔｏｒａｇｅ  Ｄｅｖｉｃｅ，  Ｓｐｒｉｎｇｅｒ  （１９９６）
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
本発明は、従来における前記諸問題を解決し、以下の目的を達成することを課題とする。即ち、本発明は、厚みの薄い潤滑剤層を形成した際にも、熱安定性、及び摩擦特性に優れる磁気記録媒体用潤滑剤、及びそれを用いた磁気記録媒体を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
前記課題を解決するための手段としては、以下の通りである。即ち、
＜１＞  ブレンステッド酸と、１級アミンであるブレンステッド塩基とが構成成分であるイオン液体を含有し、
前記ブレンステッド酸が、含フッ素鎖を有し、
前記ブレンステッド塩基が、パーフルオロアルキル鎖及びパーフルオロポリエーテル鎖のいずれかである含フッ素鎖を有し、
前記ブレンステッド酸における前記含フッ素鎖が、パーフルオロポリエーテル鎖であること、及び前記ブレンステッド塩基における前記含フッ素鎖が、前記パーフルオロポリエーテル鎖であること、の少なくともいずれかを満たし、
前記ブレンステッド酸における前記含フッ素鎖の数平均分子量が、１，５００以下であることを特徴とする磁気記録媒体用潤滑剤である。
＜２＞  前記ブレンステッド酸における前記含フッ素鎖の数平均分子量が、５００以下である前記＜１＞に記載の磁気記録媒体用潤滑剤である。
＜３＞  前記ブレンステッド酸が、前記含フッ素鎖を有するスルホン酸、及び前記含フッ素鎖を有するスルホニルイミドのいずれかであり、
前記ブレンステッド塩基が、前記パーフルオロポリエーテル鎖を有する１級アミンである前記＜１＞から＜２＞のいずれかに記載の磁気記録媒体用潤滑剤である。
＜４＞  動摩擦係数が、０．３０以下である前記＜１＞から＜３＞のいずれかに記載の磁気記録媒体用潤滑剤である。
＜５＞  非磁性支持体と、前記非磁性支持体上に磁性層と、前記磁性層上に前記＜１＞から＜４＞のいずれかに記載の磁気記録媒体用潤滑剤とを有することを特徴とする磁気記録媒体である。
【発明の効果】
【００１１】
本発明によると、従来における前記諸問題を解決することができ、厚みの薄い潤滑剤層を形成した際にも、熱安定性、及び摩擦特性に優れる磁気記録媒体用潤滑剤、及びそれを用いた磁気記録媒体を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１】図１は、本発明の一実施の形態に係るハードディスクの一例を示す断面図である。
【図２】図２は、本発明の一実施の形態に係る磁気テープの一例を示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
（磁気記録媒体用潤滑剤）
本発明の磁気記録媒体用潤滑剤は、イオン液体を含有し、更に必要に応じて、その他の成分を含有する。
【００１４】
＜イオン液体＞
前記イオン液体は、ブレンステッド酸と、ブレンステッド塩基とが構成成分である。即ち、前記イオン液体は、ブレンステッド酸と、ブレンステッド塩基とから形成される。
【００１５】
本発明者らは、厚みの薄い潤滑剤層を形成した際にも、熱安定性、及び摩擦特性に優れる磁気記録媒体用潤滑剤を提供するために、鋭意検討を行った。その結果、磁気記録媒体用潤滑剤が含有する、ブレンステッド酸と、ブレンステッド塩基とが構成成分であるイオン液体において、以下の構成１〜５を満たすことにより、厚みの薄い潤滑剤層を形成した際にも、熱安定性、及び摩擦特性に優れる磁気記録媒体用潤滑剤が得られることを見出した。
【００１６】
構成１：前記ブレンステッド酸は、含フッ素鎖を有する。
構成２：前記ブレンステッド塩基は、１級アミンである。
構成３：前記ブレンステッド塩基は、パーフルオロアルキル鎖及びパーフルオロポリエーテル鎖のいずれかである含フッ素鎖を有する。
構成４：前記イオン液体は、前記ブレンステッド酸における前記含フッ素鎖が、パーフルオロポリエーテル鎖であること、及び前記ブレンステッド塩基における前記含フッ素鎖が、前記パーフルオロポリエーテル鎖であること、の少なくともいずれかを満たす。
構成５：前記ブレンステッド酸における前記含フッ素鎖の数平均分子量は、１，５００以下である。
【００１７】
＜＜ブレンステッド酸＞＞
前記ブレンステッド酸は、含フッ素鎖を有する。前記含フッ素鎖は、水素原子を有さない。
前記含フッ素鎖としては、例えば、フッ素原子、全フッ素化炭化水素鎖、パーフルオロポリエーテル鎖などが挙げられる。
前記全フッ素化炭化水素鎖としては、例えば、パーフルオロアルキル鎖、パーフルオロアルキレン鎖などが挙げられる。
前記ブレンステッド酸の１つの鎖中にフッ素原子が１つの場合、前記含フッ素鎖はそのフッ素原子のみから構成される。即ち、前記ブレンステッド酸の１つの鎖中にフッ素原子が１つの場合、そのフッ素原子が、前記含フッ素鎖となる。
【００１８】
前記含フッ素鎖としては、下記一般式（Ｉ−１）で表される含フッ素鎖であることが、溶解性、及び摩擦特性の点で好ましい。
【化１】
0006437392.tif 000002
ただし、前記一般式（Ｉ−１）中、ｘは、０〜２１の整数を表す。ｘの下限値は、１が好ましく、２がより好ましい。ｘの上限値は、２０が好ましく、１１がより好ましく、１０が特に好ましい。前記ｘの範囲は、例えば、以下の範囲が挙げられる。
・０〜２１の整数
・０〜２０の整数
・０〜１１の整数
・０〜１０の整数
・１〜２１の整数
・１〜２０の整数
・１〜１１の整数
・１〜１０の整数
・２〜２１の整数
・２〜２０の整数
・２〜１１の整数
・２〜１０の整数
ここで、ｘが０の場合、前記一般式（Ｉ−１）で表される含フッ素鎖は、フッ素原子となる。ｘが１以上の場合、前記一般式（Ｉ−１）で表される含フッ素鎖は、パーフルオロアルキル鎖となる。
【００１９】
前記パーフルオロポリエーテル鎖としては、下記一般式（Ｉ−２）で表される含フッ素鎖であることが、溶解性、及び摩擦特性の点で好ましい。
【化２】
0006437392.tif 000003
ただし、前記一般式（Ｉ−２）中、ｍは、１〜１０の整数を表し、１〜６の整数が好ましい。ｎは、２〜１０の整数を表し、２〜６の整数が好ましい。
【００２０】
前記ブレンステッド酸としては、例えば、カルボン酸、スルホン酸、スルホニルイミドなどが挙げられる。
前記カルボン酸は、モノカルボン酸であってもよいし、多価カルボン酸であってもよいが、モノカルボン酸が好ましい。
前記スルホン酸は、モノスルホン酸であってもよいし、多価スルホン酸であってもよいが、モノスルホン酸が好ましい。
【００２１】
前記ブレンステッド酸がモノカルボン酸の場合、前記ブレンステッド酸は、片末端にカルボキシル基（カルボン酸基、−ＣＯＯＨ）を有することが好ましい。
前記ブレンステッド酸がモノスルホン酸の場合、前記ブレンステッド酸は、片末端にスルホ基（スルホン酸基、−ＳＯ３Ｈ）を有することが好ましい。
【００２２】
前記ブレンステッド酸は、下記一般式（Ｉ−Ａ）〜下記一般式（Ｉ−Ｆ）のいずれかで表されることが、耐熱性の点で、好ましい。
【化３】
0006437392.tif 000004
ただし、前記一般式（Ｉ−Ａ）及び一般式（Ｉ−Ｂ）中、ｘは、０〜２１の整数を表す。ｙは、０〜６の整数を表し、０〜２の整数が好ましい。前記一般式（Ｉ−Ａ）及び一般式（Ｉ−Ｂ）のｘの例示は、例えば、前記一般式（Ｉ−１）のｘの例示と同じである。
ただし、前記一般式（Ｉ−Ｃ）及び一般式（Ｉ−Ｄ）中、ｍは、１〜１０の整数を表し、１〜６の整数が好ましい。ｎは、２〜１０の整数を表し、２〜６の整数が好ましい。
ただし、前記一般式（Ｉ−Ｅ）中、ｘ１及びｘ２は、それぞれ独立して、０〜２０の整数を表す。ｘ１及びｘ２の例示は、例えば、前記一般式（Ｉ−１）のｘの例示が挙げられる。
ただし、前記一般式（Ｉ−Ｆ）中、ｘ３は、１〜２０の整数を表し、１〜１０の整数が好ましい。
なお、ここで、前記一般式（Ｉ−Ａ）及び一般式（Ｉ−Ｂ）において、−（ＣＨ２）ｙ−鎖は、炭素原子に結合した水素原子を有するため、前記パーフルオロアルキル鎖には含まれない。即ち、−（ＣＨ２）ｙ−鎖は、前記パーフルオロアルキル鎖の一部ではない。
ここで、前記一般式（Ｉ−Ｃ）において、−ＣＨ２ＯＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２−鎖は、炭素原子に結合した水素原子を有するため、前記パーフルオロポリエーテル鎖には含まれない。即ち、−ＣＨ２ＯＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２−鎖は、前記パーフルオロポリエーテル鎖の一部ではない。
ここで、前記一般式（Ｉ−Ｅ）において、ｘ１及びｘ２が０の場合、Ｓに結合するフッ素原子それぞれが、それぞれ単独で含フッ素鎖を構成する。
【００２３】
前記ブレンステッド酸における含フッ素鎖の数平均分子量（Ｍｎ）は、１，５００以下であり、５００以下が好ましく、２００〜５００がより好ましい。
前記数平均分子量は、例えば、１９Ｆ−ＮＭＲ（Ｆｌｕｏｒｉｎｅ  Ｎｕｃｌｅａｒ  Ｍａｇｎｅｔｉｃ  Ｒｅｓｏｎａｎｃｅ）により求められる。
【００２４】
＜＜ブレンステッド塩基＞＞
前記ブレンステッド塩基は、パーフルオロアルキル鎖及びパーフルオロポリエーテル鎖のいずれかである含フッ素鎖を有する。前記含フッ素鎖は、水素原子を有さない。
【００２５】
前記パーフルオロアルキル鎖としては、下記一般式（ＩＩ−１）で表される含フッ素鎖であることが、溶解性、及び摩擦特性の点で好ましい。
【化４】
0006437392.tif 000005
ただし、前記一般式（ＩＩ−１）中、ｘは、１〜２０の整数を表し、１〜１０の整数が好ましい。
【００２６】
前記パーフルオロポリエーテル鎖としては、下記一般式（ＩＩ−２）で表される含フッ素鎖であることが、溶解性、及び摩擦特性の点で好ましい。
【化５】
0006437392.tif 000006
ただし、前記一般式（ＩＩ−２）中、ｍは、１〜１０の整数を表し、１〜６の整数が好ましい。ｎは、２〜１０の整数を表し、２〜６の整数が好ましい。
【００２７】
前記ブレンステッド塩基は、１級アミンである。
前記ブレンステッド塩基は、モノアミンであることが好ましい。
【００２８】
前記ブレンステッド塩基は、下記一般式（ＩＩ−Ａ）〜下記一般式（ＩＩ−Ｂ）のいずれかで表されることが、耐熱性の点で、好ましい。
【化６】
0006437392.tif 000007
ただし、前記一般式（ＩＩ−Ａ）中、ｘは、１〜２０の整数を表し、１〜１０の整数が好ましい。ｙは、０〜６の整数を表し、０〜４の整数が好ましい。
ただし、前記一般式（ＩＩ−Ｂ）中、ｍは、１〜１０の整数を表し、１〜６の整数が好ましい。ｎは、２〜１０の整数を表し、２〜６の整数が好ましい。
なお、ここで、前記一般式（ＩＩ−Ａ）において、−（ＣＨ２）ｙ−鎖は、炭素原子に結合した水素原子を有するため、前記パーフルオロアルキル鎖には含まれない。即ち、−（ＣＨ２）ｙ−鎖は、前記パーフルオロアルキル鎖の一部ではない。
ここで、前記一般式（ＩＩ−Ｂ）において、−ＣＨ２ＯＣＨ２ＣＨ２−鎖は、炭素原子に結合した水素原子を有するため、前記パーフルオロポリエーテル鎖には含まれない。即ち、−ＣＨ２ＯＣＨ２ＣＨ２−鎖は、前記パーフルオロポリエーテル鎖の一部ではない。
【００２９】
前記イオン液体において、前記ブレンステッド酸が、前記含フッ素鎖を有するスルホン酸、及び前記含フッ素鎖を有するスルホニルイミドのいずれかであり、前記ブレンステッド塩基が、前記パーフルオロポリエーテル鎖を有する１級アミンであることが、熱安定性、及び摩擦特性の両方においてより優れる点で、好ましい。
【００３０】
前記イオン液体は、下記一般式（１）〜一般式（４）のいずれかで表されることが好ましく、下記一般式（３）、及び下記一般式（５）のいずれかで表されることがより好ましい。
【化７】
0006437392.tif 000008
ただし、前記一般式（１）〜一般式（５）中、ｍは、１〜１０の整数を表し、１〜６の整数が好ましい。ｎは、２〜１０の整数を表し、２〜６の整数が好ましい。
前記一般式（２）及び一般式（４）中、ｘは、１〜２０の整数を表し、１〜１０の整数が好ましい。ｙは、０〜６の整数を表し、０〜４の整数が好ましい。
前記一般式（３）中、ｘは、０〜２１の整数を表し、１〜１０の整数が好ましい。ｙは、０〜６の整数を表し、０〜４の整数が好ましい。前記一般式（３）のｘの例示は、例えば、前記一般式（Ｉ−１）のｘの例示と同じである。
前記一般式（５）中、ｘ１及びｘ２は、それぞれ独立して、０〜２０の整数を表し、１〜１０の整数が好ましい。ｘ１及びｘ２の例示は、例えば、前記一般式（Ｉ−１）のｘの例示が挙げられる。
【００３１】
前記磁気記録媒体用潤滑剤は、動摩擦係数が、０．３０以下であることが好ましい。前記動摩擦係数は、潤滑剤層の平均厚みを１０Åとした際の動摩擦係数であり、以下の試験により測定される。
−試験−
サンプルを用いて以下の試験条件で摺動回数に対する摩擦係数を測定する。
［試験条件］
自動摩擦測定装置（メーカー：協和界面科学株式会社製、型番：Ｔｒｉｂｏｓｔｅｒ  ＴＳ−５０１）を用い、点接触（３ｍｍ鋼球）、重り：１５ｇ、速度：１．７ｍｍ／ｓｅｃ、距離：２０ｍｍ、繰り返し回数：１００回）の条件で測定する。
【００３２】
＜その他の成分＞
前記その他の成分としては、例えば、公知の潤滑剤、極圧剤、防錆剤、溶剤などが挙げられる。
【００３３】
＜＜公知の潤滑剤＞＞
前記潤滑剤は、前記イオン液体を単独で使用してもよいが、従来公知の潤滑剤と組み合わせて用いてもよい。公知の潤滑剤としては、例えば、長鎖カルボン酸、長鎖カルボン酸エステル、パーフルオロアルキルカルボン酸エステル、カルボン酸パーフルオロアルキルエステル、パーフルオロアルキルカルボン酸パーフルオロアルキルエステル、パーフルオロポリエーテル誘導体などが挙げられる。
【００３４】
＜＜極圧剤＞＞
厳しい条件で潤滑効果を持続させるために、前記磁気記録媒体用潤滑剤は、質量比３０：７０〜７０：３０程度の配合比で極圧剤を併用してもよい。前記極圧剤は、境界潤滑領域において部分的に金属接触が生じたときに、これに伴う摩擦熱によって金属面と反応し、反応生成物皮膜を形成することにより、摩擦・摩耗防止作用を行うものである。前記極圧剤としては、例えば、リン系極圧剤、イオウ系極圧剤、ハロゲン系極圧剤、有機金属系極圧剤、複合型極圧剤などのいずれも使用できる。
【００３５】
＜＜防錆剤＞＞
前記防錆剤としては、通常この種の磁気記録媒体の防錆剤として使用可能であるものであればよく、例えば、フェノール類、ナフトール類、キノン類、窒素原子を含む複素環化合物、酸素原子を含む複素環化合物、硫黄原子を含む複素環化合物などが挙げられる。また、前記防錆剤は、潤滑剤として混合して用いてもよいが、非磁性支持体上に磁性層を形成し、その上部に防錆剤層を塗布した後、潤滑剤層を塗布するというように、２層以上に分けて被着してもよい。
【００３６】
＜＜溶剤＞＞
前記溶剤としては、例えば、有機溶剤などが挙げられる。前記有機溶剤としては、フッ素系溶剤、アルコール系溶剤などが挙げられる。前記アルコール系溶剤としては、例えば、イソプロピルアルコール（ＩＰＡ）、エタノールなどが挙げられる。これらは、１種単独で使用してもよいし、２種以上を併用してもよい。
【００３７】
（磁気記録媒体）
本発明の磁気記録媒体は、非磁性支持体と、磁性層と、本発明の前記磁気記録媒体用潤滑剤とを有し、更に必要に応じて、その他の部材を有する。
前記磁性層は、前記非磁性支持体上に形成されている。即ち、前記磁性層は、前記非磁性支持体上に配されている。
前記磁気記録媒体用潤滑剤は、前記磁性層上に形成されている。即ち、前記磁気記録媒体用潤滑剤は、前記磁性層上に配されている。
【００３８】
前記潤滑剤は、磁性層が非磁性支持体表面に蒸着やスパッタリング等の手法により形成された、所謂、金属薄膜型の磁気記録媒体に適用することが可能である。また、非磁性支持体と磁性層との間に下地層を介した構成の磁気記録媒体にも適用することもできる。このような磁気記録媒体としては、磁気ディスク、磁気テープなどを挙げることができる。
【００３９】
図１は、ハードディスクの一例を示す断面図である。このハードディスクは、基板１１と、下地層１２と、磁性層１３と、カーボン保護層１４と、潤滑剤層１５とが順次積層された構造を有する。
【００４０】
また、図２は、磁気テープの一例を示す断面図である。この磁気テープは、バックコート層２５と、基板２１と、磁性層２２と、カーボン保護層２３と、潤滑剤層２４とが順次積層された構造を有する。
【００４１】
図１に示す磁気ディスクにおいて、非磁性支持体は、基板１１、下地層１２が該当し、図２に示す磁気テープにおいて、非磁性支持体は、基板２１が該当する。非磁性支持体として、Ａｌ合金板やガラス板等の剛性を有する基板を使用した場合、基板表面にアルマイト処理等の酸化皮膜やＮｉ−Ｐ皮膜等を形成して、その表面を硬くしてもよい。
【００４２】
磁性層１３、２２は、メッキ、スパッタリング、真空蒸着、プラズマＣＶＤ等の手法により、連続膜として形成される。磁性層１３、２２としては、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ等の金属や、Ｃｏ−Ｎｉ系合金、Ｃｏ−Ｐｔ系合金、Ｃｏ−Ｎｉ−Ｐｔ系合金、Ｆｅ−Ｃｏ系合金、Ｆｅ−Ｎｉ系合金、Ｆｅ−Ｃｏ−Ｎｉ系合金、Ｆｅ−Ｎｉ−Ｂ系合金、Ｆｅ−Ｃｏ−Ｂ系合金、Ｆｅ−Ｃｏ−Ｎｉ−Ｂ系合金等からなる面内磁化記録金属磁性膜や、Ｃｏ−Ｃｒ系合金薄膜、Ｃｏ−Ｏ系薄膜等の垂直磁化記録金属磁性薄膜が例示される。
【００４３】
特に、面内磁化記録金属磁性薄膜を形成する場合、予め非磁性支持体上にＢｉ、Ｓｂ、Ｐｂ、Ｓｎ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｇｅ、Ｓｉ、Ｔｌ等の非磁性材料を、下地層１２として形成しておき、金属磁性材料を垂直方向から蒸着あるいはスパッタし、磁性金属薄膜中にこれら非磁性材料を拡散せしめ、配向性を解消して面内等方性を確保するとともに、抗磁力を向上するようにしてもよい。
【００４４】
また、磁性層１３、２２の表面に、カーボン膜、ダイヤモンド状カーボン膜、酸化クロム膜、ＳｉＯ２膜等の硬質な保護層を形成してもよい。
【００４５】
このような金属薄膜型の磁気記録媒体に前記磁気記録媒体用潤滑剤を保有させる方法としては、図１及び図２に示すように、磁性層１３、２２の表面や、カーボン保護層１４、２３の表面にトップコートする方法が挙げられる。前記磁気記録媒体用潤滑剤の塗布量としては、０．１ｍｇ／ｍ２〜１００ｍｇ／ｍ２であることが好ましく、０．５ｍｇ／ｍ２〜３０ｍｇ／ｍ２であることがより好ましく、０．５ｍｇ／ｍ２〜２０ｍｇ／ｍ２であることが特に好ましい。
【００４６】
また、図２に示すように、金属薄膜型の磁気テープは、磁性層２２である金属磁性薄膜の他に、バックコート層２５が必要に応じて形成されていてもよい。
【００４７】
バックコート層２５は、樹脂結合剤に導電性を付与するためのカーボン系微粉末や表面粗度をコントロールするための無機顔料を添加し塗布形成されるものである。
【００４８】
また、他の実施の形態として、磁性塗料を非磁性支持体表面に塗布することにより磁性塗膜が磁性層として形成される、所謂、塗布型の磁気記録媒体にも潤滑剤の適用が可能である。塗布型の磁気記録媒体において、非磁性支持体や磁性塗膜を構成する磁性粉末、樹脂結合剤などは、従来公知のものがいずれも使用可能である。
【００４９】
例えば、前記非磁性支持体としては、例えば、ポリエステル類、ポリオレフィン類、セルロース誘導体、ビニル系樹脂、ポリイミド類、ポリアミド類、ポリカーボネート等に代表されるような高分子材料により形成される高分子支持体や、アルミニウム合金、チタン合金等からなる金属基板、アルミナガラス等からなるセラミックス基板、ガラス基板などが例示される。また、その形状も何ら限定されるものではなく、テープ状、シート状、ドラム状等、如何なる形態であってもよい。さらに、この非磁性支持体には、その表面性をコントロールするために、微細な凹凸が形成されるような表面処理が施されたものであってもよい。
【００５０】
前記磁性粉末としては、γ−Ｆｅ２Ｏ３、コバルト被着γ−Ｆｅ２Ｏ３等の強磁性酸化鉄系粒子、強磁性二酸化クロム系粒子、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ等の金属や、これらを含んだ合金からなる強磁性金属系粒子、六角板状の六方晶系フェライト微粒子等が例示される。
【００５１】
前記樹脂結合剤としては、塩化ビニル、酢酸ビニル、ビニルアルコール、塩化ビニリデン、アクリル酸エステル、メタクリル酸エステル、スチレン、ブタジエン、アクリロニトリル等の重合体、あるいはこれら二種以上を組み合わせた共重合体、ポリウレタン樹脂、ポリエステル樹脂、エポキシ樹脂等が例示される。これら結合剤には、磁性粉末の分散性を改善するために、カルボン酸基やカルボキシル基、リン酸基等の親水性極性基が導入されてもよい。
【００５２】
前記磁性塗膜には、前記の磁性粉末、樹脂結合剤の他、添加剤として分散剤、研磨剤、帯電防止剤、防錆剤等が加えられてもよい。
【００５３】
このような塗布型の磁気記録媒体に前記磁気記録媒体用潤滑剤を保有させる方法としては、前記非磁性支持体上に形成される前記磁性塗膜を構成する前記磁性層中に内添する方法、前記磁性層の表面にトップコートする方法、若しくはこれら両者の併用等がある。また、前記磁気記録媒体用潤滑剤を前記磁性塗膜中に内添する場合には、前記樹脂結合剤１００質量部に対して０．２質量部〜２０質量部の範囲で添加される。
【００５４】
また、前記磁気記録媒体用潤滑剤を前記磁性層の表面にトップコートする場合には、その塗布量は０．１ｍｇ／ｍ２〜１００ｍｇ／ｍ２であることが好ましく、０．５ｍｇ／ｍ２〜２０ｍｇ／ｍ２であることがより好ましい。なお、前記磁気記録媒体用潤滑剤をトップコートする場合の被着方法としては、前記イオン液体を溶剤に溶解し、得られた溶液を塗布若しくは噴霧するか、又はこの溶液中に磁気記録媒体を浸漬すればよい。
前記溶剤としては、フッ素系溶剤が好ましい。前記フッ素系溶剤としては、例えば、
ハイドロフルオロエーテル〔例えば、Ｃ３Ｆ７ＯＣＨ３、Ｃ４Ｆ９ＯＣＨ３、Ｃ４Ｆ９ＯＣ２Ｈ５、Ｃ２Ｆ５ＣＦ（ＯＣＨ３）Ｃ３Ｆ７、Ｃ５Ｈ２Ｆ１０〕などが挙げられる。
前記フッ素系溶剤は、市販品であってもよい。前記市販品としては、例えば、３Ｍ社製のＮｏｖｅｃＴＭ  ７０００、７１００、７２００、７３００、７１ＩＰＡ、三井・デュポン  フロロケミカル株式会社製のＶｅｒｔｒｅｌ  ＸＦ、Ｘ−Ｐ１０などが挙げられる。
【００５５】
本発明の前記磁気記録媒体用潤滑剤を用いることにより、厚みの薄い潤滑剤層を形成した際にも、良好な潤滑作用を発揮して摩擦係数を低減することができ、熱的に高い安定性を得ることができる。また、この潤滑作用は、高温、低温、高湿、低湿下等の厳しい条件下においても損なわれることはない。
【００５６】
したがって、前記磁気記録媒体用潤滑剤を適用した磁気記録媒体は、厚みの薄い潤滑剤層を形成した際にも、潤滑作用により、優れた走行性、耐摩耗性、耐久性等を発揮し、さらに、熱的安定性を向上させることができる。
【実施例】
【００５７】
以下、本発明の具体的な実施例について説明する。本実施例では、イオン液体を合成し、イオン液体のフッ素系溶剤への溶解性を測定した。また、イオン液体の熱分解温度を測定した。また、イオン液体を含有する潤滑剤を作製し、摩擦係数を測定した。なお、本発明は、これらの実施例に限定されるものではない。
【００５８】
（実施例１）
＜ＰＦＴＥＧアミン・ＰＦＴＥＧスルホン酸塩の合成＞
＜＜工程１−１＞＞
撹拌子、温度計、及び冷却管を備えたフラスコ中に、ふっ素化トリエチレングリコールモノブチルエーテル（ＰＦＴＥＧ−ＯＨ）（メーカー：ＦｌｕｏｒｏＣｈｅｍ）２１．９ｇ（４０．０ｍｍｏｌ）、及び２−クロロエチルトシラート（メーカー：東京化成工業株式会社）１８．９ｇ（８０．０ｍｍｏｌ）を入れ、溶媒としてメタキシレンヘキサフロライド（メーカー：和光純薬工業株式会社）４０ｇを入れ、室温にて撹拌した。撹拌中に炭酸カリウム（メーカー：和光純薬工業株式会社）１１．１ｇ（８０．３ｍｍｏｌ）、及びテトラブチルアンモニウムヒドロキシド４０％水溶液（メーカー：東京化成工業株式会社）１．１ｇを加え、８０℃で１５時間加熱撹拌を行った。この反応溶液に水とＮｏｖｅｃ７１００（メーカー：住友３Ｍ）加え、分液抽出を行い、Ｎｏｖｅｃ層をエバポレータにて濃縮し、無色透明液体のクロロエチル化ＰＦＴＥＧ溶液  ３８．３ｇを得た。
上記反応のスキームを以下に示した。
【化８】
0006437392.tif 000009
【００５９】
＜＜工程１−２＞＞
撹拌子、温度計、及び冷却管を備えたフラスコ中に、工程１−１にて合成したクロロエチル化ＰＦＴＥＧ溶液３７．３ｇ、フタルイミドカリウム（メーカー：東京化成工業株式会社）２８．３７ｇ（１５３ｍｍｏｌ）、ヨウ化ナトリウム（メーカー：和光純薬工業株式会社）０．３ｇ、及び１８−ｃｒｏｗｎ−６エーテル（メーカー：Ａｌｄｒｉｃｈ）１．６８ｇ（６．３ｍｍｏｌ）を導入し、溶媒としてＤＭＦ（Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、メーカー：関東化学株式会社）１１８ｇを加え、８０℃にて１３時間撹拌した。この反応溶液をエバポレータにて濃縮した後、水／Ｎｏｖｅｃ７１００系での分液抽出を行い、有機層を取り出した。さらにこの有機層を０．２Ｍ水酸化ナトリウム水溶液にて２回洗浄し、得られた有機層を硫酸マグネシウムにて乾燥した。ろ過にて硫酸マグネシウムを除去した後、エバポレータにて濃縮し、減圧乾燥することでフタルイミド化物を収率９０％（工程１−１を含む）で得た。
上記反応のスキームを以下に示した。
【化９】
0006437392.tif 000010
【００６０】
合成したフタルイミド化物は、Ｈ−ＮＭＲ（重クロロホルム中）、ＦＴ−ＩＲ、及びＧＣ−ＭＳにより構造確認を行った。
Ｈ−ＮＭＲ（重クロロホルム中）の結果、ピーク位置はδ：７．８，  ７．７，  ３．９−３．７  ｐｐｍとフタルイミド中芳香環由来、及び炭化水素鎖由来のピークが確認され、積分比の合致を確認した。
ＦＴ−ＩＲからは、１７１１ｃｍ−１、１７７４ｃｍ−１にフタルイミド部位中のカルボニル基由来のピーク発生が確認でき、合成を確認した。
【００６１】
＜＜工程１−３＞＞
撹拌子、Ｙ字管、温度計、及び冷却管を備えたフラスコ中に工程１−２で合成したフタルイミド化物２４．５ｇ（３４ｍｍｏｌ）、抱水ヒドラジン（メーカー：和光純薬工業株式会社）５４ｇ（１．０８ｍｏｌ）、及びエタノール１１０ｍｌを加えた。その後１４時間リフラックス（７０℃以上）しながら撹拌を行った。得られた液体にＮｏｖｅｃ７１００を加え、１ｍｏｌ／Ｌ水酸化ナトリウム水溶液で３回分液洗浄した。得られたＮｏｖｅｃ層を硫酸ナトリウムにて脱水後、ろ過して目的物溶液を得た。得られた溶液を孔径０．２μｍのＰＰ（ポリプロピレン）製メンブレンフィルターにてろ過した後、濃縮することでアミノ化物（ＰＦＴＥＧアミン）を２３．４ｇ得た。
上記反応のスキームを以下に示した。
【化１０】
0006437392.tif 000011
【００６２】
得られたアミンは、ＧＣ−ＭＳ分析により、ＰＦＴＥＧフタルイミド由来のピーク消失を確認し、Ｎｏｖｅｃ７１００（１１質量％）、及びＰＦＴＥＧ−ＯＨ（８質量％）を含む溶液であった。
ＦＴ−ＩＲからは、１７１１ｃｍ−１、１７７４ｃｍ−１に存在したフタルイミド部位中のカルボニル基由来のピークが完全に消失し、３６００−３１００ｃｍ−１付近にアミンのＮＨ由来のピーク発生が確認できたため、合成を確認した。
【００６３】
＜＜工程２−１＞＞
撹拌子、温度計、還流冷却機、及び滴下漏斗を備えた３つ口フラスコ中に、ターシャリーブタノール（メーカー：関東化学株式会社）９０ｇ、及びカリウムターシャリーブトキシド（メーカー：東京化成工業株式会社）７．４２ｇ（６６．３ｍｍｏｌ）を導入し、常温で撹拌しながらＰＦＴＥＧ−ＯＨ  ２９．９ｇ（５５ｍｍｏｌ）を滴下ロートから徐々に滴下し、滴下後も常温で撹拌した。滴下から１時間後、１，３−プロパンスルトン（メーカー：東京化成工業株式会社）８．０８ｇ（６６．２ｍｍｏｌ）、及びターシャリーブタノール１０ｇを徐々に滴下し、滴下後液温を６５℃で維持しながら４時間撹拌した。得られた反応溶液を濃縮し、収率９８％でＰＦＴＥＧスルホン酸の粗生成物を得た。
上記反応のスキームを以下に示した。
【化１１】
0006437392.tif 000012
【００６４】
＜＜工程２−２＞＞
撹拌子を備えたフラスコ中に工程２−１で得られたＰＦＴＥＧスルホン酸の粗生成物７ｇを水６０ｇに溶解し、そこに濃塩酸４０ｇ、及びＮｏｖｅｃ７２００（メーカー：住友３Ｍ）１００ｇを加え、Ｎｏｖｅｃ層を取り出した。Ｎｏｖｅｃ層をエバポレータにて濃縮することでＰＦＴＥＧスルホン酸を収率６４％で得た。
上記反応のスキームを以下に示した。
【化１２】
0006437392.tif 000013
【００６５】
合成したＰＦＴＥＧスルホン酸は、Ｈ−ＮＭＲ（重メタノール中）により、構造確認を行った。ピークの位置が、Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤ３ＯＤ）  δ：３．９、３．７、２．９、２．１ｐｐｍ（ＰＦＴＥＧ鎖に対してα、γ、δ、ε）となり、またその積分比も計算値と一致したためＰＦＴＥＧスルホン酸の合成を確認した。
【００６６】
＜＜工程３＞＞
撹拌子、及び冷却管を備えたフラスコ中に工程１−３と同様の手法で合成したＰＦＴＥＧアミン約６９％溶液１０．５５２ｇ（１２．３ｍｍｏｌ）、工程２−２同様に合成したＰＦＴＥＧスルホン酸８．９３６ｇ（１３．３３ｍｍｏｌ）、溶媒としてＮｏｖｅｃ７１００  ５０ｇを導入し、常温にて３時間撹拌した。得られた溶液をエバポレータにて濃縮後、各種溶媒（水・エーテル・アセトン・ヘキサン）にてデカンテーション精製を行った。洗浄完了は、洗浄液、及び目的物の溶液をｐＨ試験紙に少量付け、ｐＨ＝７が確認できた段階とした。洗浄後の目的物を減圧乾燥し、収率４４％で淡黄色のＰＦＴＥＧアミン・ＰＦＴＥＧスルホン酸塩（下記構造式）を得た。
【化１３】
0006437392.tif 000014
【００６７】
（実施例２）
＜１Ｈ，１Ｈ，２Ｈ，２Ｈ−パーフルオロデシルアミン・ＰＦＴＥＧスルホン酸塩の合成＞
ナス型フラスコに、実施例１の工程２−２と同様に合成したＰＦＴＥＧスルホン酸４．３６ｇ（６．５ｍｍｏｌ）、１Ｈ，１Ｈ，２Ｈ，２Ｈ−パーフルオロデシルアミン（メーカー：Ａｐｏｌｌｏ  Ｓｃｉｅｎｔｉｆｉｃ）３．６１ｇ（７．８ｍｍｏｌ）、及びＮｏｖｅｃ７２００  ５０ｇを加えた後に、撹拌子、及び冷却管を備え、常温下２時間撹拌を行った。その後、エバポレータにて濃縮し、エーテル及びヘキサンによりデカンテーション精製を行った。洗浄により析出した固体をろ別し、減圧乾燥することによって、淡黄色の１Ｈ，１Ｈ，２Ｈ，２Ｈ−パーフルオロデシルアミン・ＰＦＴＥＧスルホン酸塩（下記構造式）７．０６ｇを収率９６％で得た。
【化１４】
0006437392.tif 000015
【００６８】
（実施例３）
＜ＰＦＴＥＧアミン・パーフルオロブタンスルホン酸塩の合成＞
冷却管を備えたフラスコ中に、実施例１の工程１−３と同様に合成したＰＦＴＥＧアミン約６９％溶液６．６８ｇ（７．８０ｍｍｏｌ）、及びパーフルオロブタンスルホン酸（メーカー：東京化成工業株式会社）２．３９ｇ（７．９７ｍｍｏｌ）を導入し、溶媒としてＮｏｖｅｃ７１００を１５ｇ加え、常温で２時間撹拌した。その後、エバポレータにて濃縮し、エーテル：ヘキサン〔１：１（質量比）〕混合溶液、及び水にてデカンテーション精製を行った。洗浄後、ｐＨ試験紙にて、洗液及び目的物溶液がｐＨ＝７を示すことを確認できたので、目的物溶液を減圧乾燥し、淡黄色のＰＦＴＥＧアミン・パーフルオロブタンスルホン酸塩（下記構造式）を収率６８％で得た。
【化１５】
0006437392.tif 000016
【００６９】
（実施例４）
＜１Ｈ，１Ｈ，２Ｈ，２Ｈ−パーフルオロデシルアミン・パーフルオロ−３，６，９−トリオキサトリデカン酸塩の合成＞
冷却管を備えたフラスコ中に、１Ｈ，１Ｈ，２Ｈ，２Ｈ−パーフルオロデシルアミン（メーカー：Ａｐｏｌｌｏ  Ｓｃｉｅｎｔｉｆｉｃ）６．９４ｇ（１５ｍｍｏｌ）、及びパーフルオロ−３，６，９−トリオキサトリデカン酸（メーカー：Ｓｙｎｑｕｅｓｔ）５．６４ｇ（７．９７ｍｍｏｌ）を導入し、溶媒としてＮｏｖｅｃ  ７１００を１５ｇ加え、常温で２時間撹拌した。その後、エバポレータにて濃縮し、エーテル：ヘキサン〔１：１（質量比）〕混合溶液、及びヘキサンにてデカンテーション精製を行った。洗浄後、ｐＨ試験紙にて、洗液及び目的物溶液がｐＨ＝７を示すことを確認できたので、目的物溶液を減圧乾燥し、褐色の１Ｈ，１Ｈ，２Ｈ，２Ｈ−パーフルオロデシルアミン・パーフルオロ−３，６，９−トリオキサトリデカン酸塩（下記構造式）を収率９９％で得た。
【化１６】
0006437392.tif 000017
【００７０】
（実施例５）
＜ＰＦＴＥＧアミン・ビス（パーフルオロブタンスルホニル）イミド酸塩の合成＞
冷却管を備えたフラスコ中に、実施例１の工程１−３と同様に合成したＰＦＴＥＧアミン約６９％溶液６．６８ｇ（７．８０ｍｍｏｌ）、及びビス（パーフルオロブタンスルホニル）イミド（メーカー：和光純薬工業株式会社）４．６３ｇ（７．９７ｍｍｏｌ）を導入し、溶媒としてＮｏｖｅｃ７１００を１００ｇ加え、常温で２時間撹拌した。その後、エバポレータにて濃縮し、エーテル：ヘキサン〔１：１（質量比）〕混合溶液、及び水にてデカンテーション精製を行った。洗浄後、ｐＨ試験紙にて、洗液及び目的物溶液がｐＨ＝７を示すことを確認できたので、目的物溶液を減圧乾燥し、淡黄色のＰＦＴＥＧアミン・ビス（パーフルオロブタンスルホニル）イミド塩（下記構造式）を収率８５％で得た。
【化１７】
0006437392.tif 000018
【００７１】
（比較例１）
＜オクチルアミン・ＰＦＴＥＧスルホン酸塩の合成＞
冷却管を備えたフラスコ中に、実施例１の工程２−２と同様に合成したＰＦＴＥＧスルホン酸３．３５ｇ（５．００ｍｍｏｌ）、及びオクチルアミン（メーカー：和光純薬工業株式会社）０．６７ｇ（５．１５ｍｍｏｌ）を導入し、Ｎｏｖｅｃ７２００を３５ｇ加え、常温で２時間撹拌した。その後、エバポレータにて濃縮し、ヘキサンにてデカンテーション精製を行った。洗浄後、ｐＨ試験紙にて、洗液及び目的物溶液がｐＨ＝７を示すことを確認できたので、目的物溶液を減圧乾燥し、白色のＰＦＴＥＧアミン・パーフルオロブタンスルホン酸塩（下記構造式）を収率５８％で得た。
【化１８】
0006437392.tif 000019
【００７２】
（比較例２）
＜１Ｈ，１Ｈ，２Ｈ，２Ｈ−パーフルオロデシルアミン・パーフルオロブタンスルホン酸塩の合成＞
冷却管を備えたフラスコ中に、１Ｈ，１Ｈ，２Ｈ，２Ｈ−パーフルオロデシルアミン（メーカー：Ａｐｏｌｌｏ  Ｓｃｉｅｎｔｉｆｉｃ）６．９４ｇ（１５ｍｍｏｌ）、及びパーフルオロブタンスルホン酸（メーカー：東京化成工業株式会社）３．６ｇ（１２ｍｍｏｌ）を導入し、溶媒として、ヘキサン：エタノール：Ｎｏｖｅｃ７２００〔１：１：１（質量比）〕の混合溶媒を２００ｇ加え、常温で４時間撹拌した。その後、エバポレータにて濃縮し、ヘキサン：エタノール〔１０：１（質量比）〕の混合溶液、及びヘキサンにてデカンテーション精製を３回行った。その後、目的物溶液を減圧乾燥し、褐色の１Ｈ，１Ｈ，２Ｈ，２Ｈ−パーフルオロデシルアミン・パーフルオロブタンスルホン酸塩（下記構造式）を収率８３％で得た。
【化１９】
0006437392.tif 000020
【００７３】
（比較例３）
＜オクタデシルアミン・パーフルオロヘプタン酸塩の合成＞
冷却管を備えたフラスコ中に、オクタデシルアミン（メーカー：和光純薬工業株式会社）４．８．ｇ（１８ｍｍｏｌ）、及びパーフルオロヘプタン酸（メーカー：東京化成工業株式会社）５．５ｇ（１５ｍｍｏｌ）を導入し、溶媒として、ヘキサン：エタノール〔１：１（質量比）〕の混合溶媒を２００ｇ加え、常温で４時間撹拌した。その後、エバポレータにて濃縮し、ヘキサン：エタノール〔８：２（質量比）〕の混合溶液にて再結晶を行った。その後、吸引ろ過および減圧乾燥し、白色のオクタデシルアミン・パーフルオロブタンスルホン酸塩（下記構造式）を収率７５％で得た。
【化２０】
0006437392.tif 000021
【００７４】
（比較例４）
＜分子量約２０００のＰＦＰＥジオール＞
Ｆｏｍｂｌｉｎ  Ｚ−Ｄｏｌ（メーカー：ソルベイスペシャルティーポリマーズ、下記構造式）（分子量約２０００）を用いた。
【化２１】
0006437392.tif 000022
【００７５】
＜評価＞
実施例１〜５、及び比較例１〜３で得られたイオン液体を用いて以下の評価を行った。結果を表１−１、及び表１−２に示した。
【００７６】
＜＜熱分解温度の測定＞＞
ＴＧ−ＤＴＡ（メーカー名：セイコーインスツル株式会社、型番：ＥＸＳＴＡＲ６０００）により、温度に対する重量減少を測定し、５％重量減少温度を熱分解温度と定義した。測定条件は、昇温速度を１０℃／ｍｉｎ、Ａｉｒ流量を２００ｍＬ／ｍｉｎとした。
【００７７】
＜＜フッ素系溶剤に対する溶解性＞＞
濃度が１質量％となるように各種フッ素系溶剤に添加し、２５℃に保持して撹拌した。溶解性を、以下の評価基準で評価した。
〔評価基準〕
○：フッ素系溶剤に溶解し、放置しても沈殿の発生がない
×：フッ素系溶剤に不溶である、又は一時的に溶解しても放置すると沈殿が発生する
【００７８】
＜＜摩擦特性＞＞
−潤滑剤塗布ハードディスクの作製−
図１に示すような断面構造の磁気ディスクを作製した。ディップコーティングに用いる潤滑剤溶液は、表１−１及び表１−２に示す溶剤を用いて、それぞれの潤滑剤を溶解させて調製した。なお、潤滑剤溶液に濁りがある場合は、シリンジフィルター（０．２μｍ）を使用し濾過した。
ディップコーティングは、潤滑剤溶液を入れたガラス容器から磁気ディスクを速度５０ｍｍ／ｍｉｎにて引き上げて行った。
それぞれの潤滑剤に対してディップ濃度条件を系統的に変えて、膜厚のディップ濃度の依存性を調べた。膜厚はエリプソメトリー（型番：Ｍ−２０００、メーカー：ジェーエーウーラム）により測定した。それぞれの潤滑剤に対してディップ濃度を調整し形成された潤滑剤層の平均厚みが１０Åになるようにした。
【００７９】
−試験−
作製したサンプルを用いて、以下の試験条件で摺動回数に対する摩擦係数を測定することで、摩擦特性を評価した。
［試験条件］
自動摩擦測定装置（メーカー：協和界面科学株式会社製、型番：Ｔｒｉｂｏｓｔｅｒ  ＴＳ−５０１）を用い、点接触（３ｍｍ鋼球）、重り：１５ｇ、速度：１．７ｍｍ／ｓｅｃ、距離：２０ｍｍ、繰り返し回数：１００回）の条件で測定した。
【００８０】
＜＜総合評価＞＞
上記評価結果を、以下にランク分けし、更に、以下の評価基準で、総合評価を行った。
〔ランク分け１：熱分解温度〕
◎：３００℃以上
○：１５０℃以上３００℃未満
×：１５０℃未満
〔ランク分け２：摩擦特性〕
◎：摺動回数１００回における摩擦係数が０．２０未満
○：摺動回数１００回における摩擦係数が０．２０以上０．３０以下
×：摺動回数１００回における摩擦係数が０．３０超
〔評価基準〕
◎：ランク分け１及び２において◎が２つ、かつフッ素系溶剤溶解性がすべての溶剤で○
○：ランク分け１及び２において◎が１つかつ○が１つ、若しくは○が２つ、更にフッ素系溶剤溶解性がすべての溶剤で○
×：ランク分け１及び２において×が１つ若しくは２つ、及び／又はフッ素溶剤溶解性が少なくとも１つの溶剤で×
【００８１】
【表１−１】
0006437392.tif 000023
【００８２】
【表１−２】
0006437392.tif 000024
表１−１及び表１−２中の各フッ素系溶剤は以下のとおりである。
ＮｏｖｅｃＴＭ  ７１００：３Ｍ社製、ハイドロフルオロエーテル（Ｃ４Ｆ９ＯＣＨ３）
ＮｏｖｅｃＴＭ  ７２００：３Ｍ社製、ハイドロフルオロエーテル（Ｃ４Ｆ９ＯＣ２Ｈ５）
ＮｏｖｅｃＴＭ  ７３００：３Ｍ社製、ハイドロフルオロエーテル〔Ｃ２Ｆ５ＣＦ（ＯＣＨ３）Ｃ３Ｆ７〕
Ｖｅｒｔｒｅｌ  ＸＦ：三井・デュポン  フロロケミカル株式会社製、Ｃ５Ｈ２Ｆ１０
比較例１〜３の潤滑剤は、フッ素系溶剤に溶解しないため、溶剤として、エタノール／ヘキサン混合溶剤（Ｅｔｈａｎｏｌ／Ｈｅｘａｎｅ＝３／７（質量比））を用いた。
【００８３】
実施例１〜５の摩擦係数を見ると、摺動回数が１００回でも０．３０以下を維持した。
一方、比較例１〜４は、摺動回数が５０回以上で摩擦係数が０．３０を超えていた。
実施例３は、熱安定性、及び摩擦係数の両方の点でより優れていた。
【産業上の利用可能性】
【００８４】
本発明の磁気記録媒体用潤滑剤は、形成される潤滑剤層の厚みが薄くても、熱安定性、及び摩擦特性に優れることから、高記録密度の磁気記録媒体に好適に用いることができる。
【符号の説明】
【００８５】
１１  基板
１２  下地層
１３  磁性層
１４  カーボン保護層
１５  潤滑剤層
２１  基板
２２  磁性層
２３  カーボン保護層
２４  潤滑剤層
２５  バックコート層
【図１】
0006437392.tif 000025
【図２】
0006437392.tif 000026