(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の支持部材と、
第１の熱剥離シートと、
第２の支持部材と、
第２の熱剥離シートと、
基板を有する半導体素子ウエハとから成り、
前記第１の支持部材、前記第１の熱剥離シート、前記第２の支持部材、前記第２の熱剥離シート、前記半導体素子ウエハの順で積層された第１のワーク部材を形成するワーク部材形成工程と、
前記ワーク部材形成工程の後、前記第１のワーク部材に於ける前記基板の第１の面を研削して、前記基板を所定の厚みまで研削加工する研削工程と、
前記研削工程の後、少なくとも前記第１の熱剥離シートを第１の所定の温度に加熱して、前記第１のワーク部材から少なくとも前記第１の支持部材を除去し、第２のワーク部材とする第１の除去工程と、
前記第１の除去工程の後、前記第２のワーク部材に於ける前記基板の前記第１の面を改質若しくは洗浄する表面処理工程と、
前記表面処理工程の後、少なくとも前記第２の熱剥離シートを第２の所定の温度に加熱して、前記第２のワーク部材から少なくとも前記第２の支持部材を除去する第２の除去工程とを有し、
前記第１の所定の温度が、前記第２の所定の温度よりも低いことを特徴とする半導体素子の製造方法。
【請求項２】
前記第１の所定の温度と前記第２の所定の温度との温度差が、２５℃以上且つ１１０℃以下であることを特徴とする請求項１に記載の半導体素子の製造方法。
【請求項３】
前記第２の熱剥離シートは、少なくとも前記半導体素子ウエハと向き合う面が、第２の所定の温度で剥離する面であることを特徴とする請求項１及び請求項２に記載の半導体素子の製造方法。
【請求項４】
前記表面処理工程の後、前記第２の除去工程に先駆けて、少なくとも前記基板の前記第１の面に機能膜を形成する、機能膜形成工程を更に有することを特徴とする請求項１乃至請求項３の何れか１項に記載の半導体素子の製造方法。
【請求項５】
前記表面処理工程の後、前記第２の除去工程に先駆けて、少なくとも前記基板に改質部を形成する、改質部形成工程を更に有することを特徴とする請求項１乃至請求項４の何れか１項に記載の半導体素子の製造方法。
【請求項６】
前記第２の除去工程の後、前記第２の熱剥離シートを残した状態で、前記半導体素子ウエハを個々の半導体素子に分離する、分離工程を更に有することを特徴とする請求項１乃至請求項５の何れか１項に記載の半導体素子の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体素子の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体素子の１つに半導体発光素子が有る。例えば、特許文献１では、フェイスアップ素子（ＦＵ素子）の様な、主に素子の半導体層側から光を取り出す素子について、基板の裏面側に反射層（機能膜）を形成する構成が提案されている。この様な半導体素子の構成に於いては、半導体発光素子ウエハの状態から個々の半導体発光素子への分離を容易とするために、該反射層を形成する前に、該裏面側に研削加工を施して、基板自体の厚みを所定の厚さまで薄くする工程を有することが一般的である。この様な研削加工を行う場合、所定の支持台へ該ウエハを仮固定する必要が有る。例えば、特許文献２では、少なくとも片面に熱剥離粘着剤層を有した両面粘着シートを、仮固定用の部材として利用することが提案されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開平１１−１２６９２３号公報
【特許文献２】特開２０１４−０１１２４２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかし乍ら、基板の裏面側に研削加工を施した後、該裏面側に反射層を形成するに充たっては、該裏面側に対して、ウェットエッチング等に拠る表面処理が必要な場合が有る。該研削加工用の支持台は、該研削加工に耐えるべく、所定の形状や大きさを有しており、該支持台に該ウエハを貼付した状態のまま、該表面処理を行う装置内へ収納することが、一般的には困難である。従って、該表面処理を実施する際には、該ウエハを該支持台から一旦剥がし、該表面処理工程に適した支持部材に対して再度仮固定する必要が有る。その際の仮固定用の部材として、特許文献２の様に熱剥離粘着剤層を有した両面粘着シートを利用することが考えられるが、該ウエハを該支持台から剥がして該支持部材に貼り替えるまでの間、該粘着シートの様な比較的柔らかい部材で該ウエハを保持することとなるため、その間に該ウエハが破損する虞が有る。
【０００５】
本発明に於いては、前述の様な懸念事項を解消可能とする、半導体素子の製造方法について提案する。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明は、半導体素子の製造方法であって、第１の支持部材と、第１の熱剥離シートと、第２の支持部材と、第２の熱剥離シートと、基板を有する半導体素子ウエハとから成り、第１の支持部材、第１の熱剥離シート、第２の支持部材、第２の熱剥離シート、半導体素子ウエハの順で積層された第１のワーク部材を形成するワーク部材形成工程と、ワーク部材形成工程の後、第１のワーク部材に於ける基板の第１の面を研削して、基板を所定の厚みまで研削加工する研削工程と、研削工程の後、少なくとも第１の熱剥離シートを第１の所定の温度に加熱して、第１のワーク部材から少なくとも第１の支持部材を除去し、第２のワーク部材とする第１の除去工程と、第１の除去工程の後、第２のワーク部材に於ける基板の第１の面を改質若しくは洗浄する表面処理工程と、表面処理工程の後、少なくとも第２の熱剥離シートを第２の所定の温度に加熱して、第２のワーク部材から少なくとも第２の支持部材を除去する第２の除去工程とを有し、第１の所定の温度が、第２の所定の温度よりも低いことを特徴とする。
【０００７】
前述の半導体素子の製造方法に於いては、第１の所定の温度と第２の所定の温度との温度差が、２０℃以上且つ１１０℃以下であることが望ましい。
【０００８】
前述の半導体素子の製造方法に於いては、第２の熱剥離シートは、少なくとも半導体素子ウエハと向き合う面が、第２の所定の温度で剥離する面であることが望ましい。
【０００９】
前述の半導体素子の製造方法に於いては、表面処理工程の後、第２の除去工程に先駆けて、少なくとも基板の第１の面に機能膜を形成する、機能膜形成工程を更に有しても良い。
【００１０】
前述の半導体素子の製造方法に於いては、表面処理工程の後、第２の除去工程に先駆けて、少なくとも基板に改質部を形成する、改質部形成工程を更に有しても良い。
【００１１】
前述の半導体素子の製造方法に於いては、第２の除去工程の後、第２の熱剥離シートを残した状態で、半導体素子ウエハを個々の半導体素子に分離する、分離工程を更に有しても良い。
【発明の効果】
【００１２】
本発明の半導体素子の製造方法に於いては、各支持部材を、熱剥離シートで仮固定しておき、工程の過程で各支持部材を段階的に逐次除去していく作業とすることで、各支持部材を貼り替える作業を廃止している。従って、半導体素子ウエハを、各工程に適した各支持部材へ貼り替える作業に起因する、半導体素子ウエハの破損を抑制することとなる。
【００１３】
また、本発明の半導体素子の製造方法に於いては、第１の所定の温度と第２の所定の温度との温度差を、２０℃以上且つ１１０℃以下とすることで、各支持部材を段階的に逐次除去することが確実に行えるとともに、半導体素子に対する熱の影響を抑制することとなる。
【００１４】
また、本発明の半導体素子の製造方法に於いては、第２の熱剥離シートを、少なくとも半導体素子ウエハと向き合う面が、第２の所定の温度で剥離する面とすることで、半導体素子から熱剥離シートを除去する際、容易に除去することが可能となる。
【００１５】
また、半導体素子の基板に機能膜を形成する場合は、その際に支持部材が有った方が望ましいため、表面処理工程に引き続いて機能膜形成工程を経て、その後、第２の除去工程を行う様にすれば、工程を必要以上に煩雑にすることなく設定可能となる。
【００１６】
また、半導体素子ウエハの基板に分離用の改質部を形成する場合は、その際に支持部材が有った方が望ましいため、表面処理工程に引き続いて改質部形成工程を経て、その後、第２の除去工程を行う様にすれば、工程を必要以上に煩雑にすることなく設定可能となる。
【００１７】
また、半導体素子ウエハの分離工程を有する場合は、通常、分離後の半導体素子の散逸を抑制するためにダイシングテープを利用するため、第２の熱剥離シートを残して、該ダイシングテープの代用としても良い。
【図面の簡単な説明】
【００１８】
【図１】図１は本発明の製造方法に於ける第１のワーク部材６０及びワーク部材形成工程Ｓ１００を示す概略図である。（実施例１）
【図２】図２は本発明の製造方法の研削工程Ｓ１１０を示す概略図である。（実施例１）
【図３】図３は本発明の製造方法の第１の除去工程Ｓ１２０を示す概略図である。（実施例１）
【図４】図４は本発明の製造方法の表面処理工程Ｓ１３０を示す概略図である。（実施例１）
【図５】図５は本発明の製造方法の機能膜形成工程Ｓ１４０を示す概略図である。（実施例１）
【図６】図６は本発明の製造方法の改質部形成工程Ｓ１５０を示す概略図である。（実施例１）
【図７】図７は本発明の製造方法の第２の除去工程Ｓ１６０を示す概略図である。（実施例１）
【図８】図８は本発明の製造方法の分離工程Ｓ１７０を示す概略図である。（実施例１）
【図９】図９は本発明の製造方法の工程フローを示す図である。（実施例１）
【発明を実施するための形態】
【００１９】
以下、本発明の実施例を図面に基づいて説明する。なお、実施例では、フリップチップ型の半導体発光素子（ＦＣ素子）を例に採り、その構成と製造方法について説明する。また、全ての図は、半導体発光素子の製造方法及び各工程等を判り易くするために模式的に描いている。
【実施例１】
【００２０】
（第１のワーク部材６０）
先ず、実施例１の半導体素子の製造方法に於いて使用する第１のワーク部材６０について説明する。
【００２１】
図１に示す様に、第１のワーク部材６０は、後述する半導体発光素子ウエハ１０、第２の熱剥離シート２０、第２の支持部材３０、第１の熱剥離シート４０、第１の支持部材５０とから成る。
【００２２】
半導体発光素子ウエハ１０は、基板１１と、半導体素子層１５とから成る。基板１１は窒化ガリウム（ＧａＮ）から成る略円形の薄い板状の部材であり、後述する研削工程にて研削される側の面となる第１の面１２と、該第１の面１２と反対側の面であって、半導体素子層１５が形成される側の面となる第２の面１３とを有する。半導体素子層１５は、基板１１と同じ材質である窒化ガリウム系の半導体層から成る。この半導体発光素子ウエハ１０は、直径３インチ（約７５ｍｍ）程度の大きさであり、厚みは約０．１ｍｍである。
【００２３】
第２の熱剥離シート２０は可撓性を有する薄い板状の部材であり、基材２１と熱剥離粘着剤２２と接着剤２４とから成る両面粘着シートであって、所謂両面粘着テープの構造を有している。熱剥離粘着剤２２は、基材２１に於いて、前述の半導体発光素子ウエハ１０に於ける半導体素子層１５側となる面に層状に形成され、熱剥離面２３を成している。この熱剥離粘着剤２２は、１５０℃まで加熱されると粘着力が弱まる様に設定されている。接着剤２４は、基材２１に於いて、熱剥離粘着剤２２が形成されている面とは反対側の面であって、後述する第２の支持部材３０側となる面に層状に形成され、接着面２５を成している。この接着剤２４は、後述する第１の所定の温度及び第２の所定の温度では接着力が低下しないものであれば良く、この実施例１では２００℃以上の耐熱性を有し、第２の所定の温度に対して、５０℃以上の温度差を有する。第２の熱剥離シート２０の外形形状は、半導体発光素子ウエハ１０の半導体素子層１５の全面を被覆可能な大きさであれば良く、厚みは約０．１５ｍｍである。
【００２４】
第２の支持部材３０はサファイア（Ａｌ２Ｏ３）等の硬質の材料から成る薄い板状の部材で、半導体発光素子ウエハ１０の半導体素子層１５の全面を被覆可能な大きさを有し、厚みは約０．６ｍｍである。また、第２の支持部材３０は、後述する表面処理工程Ｓ１３０に於けるバスケット１１０に収納可能な大きさに設定される。
【００２５】
第１の熱剥離シート４０は可撓性を有する薄い板状の部材であり、基材４１と熱剥離粘着剤４２と接着剤４４とから成る両面粘着シートであって、所謂両面粘着テープの構造を有している。熱剥離粘着剤４２は、基材４１に於いて、前述の第２の支持部材３０側となる面に層状に形成され、熱剥離面４３を成している。この熱剥離粘着剤４２は、１２０℃まで加熱されると粘着力が弱まる様に設定されている。接着剤４４は、基材２１に於いて、熱剥離粘着剤４２が形成されている面とは反対側の面であって、後述する第１の支持部材５０側となる面に層状に形成され、接着面４５を成している。この接着剤４４は、後述する第１の所定の温度及び第２の所定の温度では接着力が低下しないものであれば良く、この実施例１では２００℃以上の耐熱性を有し、第２の所定の温度に対して、５０℃以上の温度差を有する。第１の熱剥離シート４０の外形形状は、第２の支持部材３０の全面を被覆可能な大きさであれば良く、厚みは約０．１５ｍｍである。
【００２６】
第１の支持部材５０はセラミック等の硬質の材料から成り、後述する研削工程Ｓ１１０での研削作業に耐えられる様、或る程度の厚みを有する板状の部材で、直径２５０ｍｍ程度の円形を成しており、厚みは２０ｍｍ程度である。
【００２７】
（ワーク部材形成工程Ｓ１００）
次に、図１及び図９に示すワーク部材形成工程Ｓ１００について説明する。
【００２８】
第１の支持部材５０、第１の熱剥離シート４０、第２の支持部材３０、第２の熱剥離シート２０、半導体発光素子ウエハ１０の順で積層し、第１のワーク部材６０を形成する。
【００２９】
具体的には、先ず、第１の支持部材５０を用意する。この第１の支持部材５０は、後述する研削装置８０に備え付けられる治工具である。
【００３０】
次いで、第１の支持部材５０に対して、第１の熱剥離シート４０の接着剤４４側の接着面４５が密着する様に、第１の熱剥離シート４０を貼り付ける。
【００３１】
次いで、第１の熱剥離シート４０の熱剥離粘着剤４２側の熱剥離面４３に対して、第２の支持部材３０が密着する様に貼り付ける。即ち、第１の熱剥離シート４０に於ける第２の支持部材３０と向き合う面が、第１の所定の温度で剥離する熱剥離面４３となっている。この時、第２の支持部材３０が密着している面の全面が、第１の熱剥離シート４０で被覆されていることが望ましい。
【００３２】
次いで、第２の支持部材３０に於ける、第１の熱剥離シート４０で被覆されていない側の面に対して、第２の熱剥離シート２０の接着剤２４側の接着面２５が密着する様に、第２の熱剥離シート２０を貼り付ける。
【００３３】
次いで、第２の熱剥離シート２０の熱剥離粘着剤２２側の熱剥離面２３に対して、半導体発光素子ウエハ１０に於ける半導体素子層１５側が密着する様に貼り付ける。即ち、第２の熱剥離シート２０に於ける半導体発光素子ウエハ１０と向き合う面が、第２の所定の温度で剥離する熱剥離面２３となっている。この時、半導体素子層１５側が密着している面の全面が、第２の熱剥離シート２０で被覆されていることが望ましい。
【００３４】
この様にして、第１のワーク部材６０が形成される。
【００３５】
（研削工程Ｓ１１０）
次に、図２及び図９に示す研削工程Ｓ１１０について説明する。
【００３６】
図２に示す様に、先ず、第１のワーク部材６０を、研削装置８０の支持台８１に固定する。
【００３７】
次いで、研削装置８０の回転部８２を回転させながら第１のワーク部材６０に於ける基板１１に当接させ、基板１１が所望の厚みｔとなるまで、基板１１の第１の面１２を研削する。
【００３８】
次いで、第１のワーク部材６０を研削装置８０の支持台８１から取り外し、研削作業で発生した屑等を除去するべく、第１のワーク部材６０を洗浄する。
【００３９】
（第１の除去工程Ｓ１２０）
次に、図３及び図９に示す第１の除去工程Ｓ１２０について説明する。
【００４０】
図３に示す様に、先ず、第１のワーク部材６０を加熱器９０の上に置き、第１の支持部材５０を加熱器９０に仮固定する。
【００４１】
次いで、加熱器９０を用いて、第１の熱剥離シート４０の熱剥離粘着剤４２が第１の所定の温度となる様に、第１のワーク部材６０の雰囲気温度を一定の温度まで昇温させ、数秒から数分間、加熱する。この実施例１に於いては、第１の所定の温度を１２０℃とし、該一定の温度での加熱時間を１０秒としている。
【００４２】
次いで、第１の所定の温度に至る加熱により、第１の熱剥離シート４０の熱剥離粘着剤４２の粘着力が弱まったところで、第１の熱剥離シート４０より上方側に積層されている、半導体発光素子ウエハ１０と、第２の熱剥離シート２０と、第２の支持部材３０とから成る第２のワーク部材７０を、第１のワーク部材６０から取り外す。即ち、第１のワーク部材６０から、第１の支持部材５０と第１の熱剥離シート４０とを除去して、第２のワーク部材７０とする。
【００４３】
（表面処理工程Ｓ１３０）
次に、図４及び図９に表面処理工程Ｓ１３０について説明する。
【００４４】
図４に示す様に、先ず、第２のワーク部材７０をバスケット１１０の内部に収納する。このバスケット１１０はメッシュ状の部材から形成されており、その材質は、後述する溶液１２０によって変質及び溶解しない耐性を有していれば良く、特に限定されない。また、バスケット１１０の大きさは、第２のワーク部材７０が収納可能な大きさであれば良い。
【００４５】
次いで、第２のワーク部材７０が収納されたバスケット１１０を、予め溶液１２０で満たされた容器１００の内部へ挿入する。この容器１００は、溶液１２０によって変質及び溶解しない耐性を有していれば良く、この実施例１では、外径が約９０ｍｍ、高さが約１２０ｍｍの円筒形を成す、ガラス製のビーカを使用している。バスケット１１０は前述した様にメッシュ状の部材から成るため、バスケット１１０の内部にも溶液１２０が浸入する。この様にして、第２のワーク部材７０全体を、溶液１２０に浸漬させる。
【００４６】
次いで、攪拌装置１３０を用いて溶液１２０を攪拌させながら、第２のワーク部材７０に於ける基板１１の第１の面１２の表面を改質若しくは洗浄する。
【００４７】
この表面処理はＨＡＣＥ（Ｈｅａｔｉｎｇ  Ａｓｓｉｓｔｅｄ  Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｅｔｃｈｉｎｇ）処理と呼ばれるものであり、ウェットエッチングの一種である。このＨＡＣＥ処理は、特に、後述する様な、ＡＬＤ（Ａｔｏｍｉｃ  Ｌａｙｅｒ  Ｄｅｐｓｉｔｉｏｎ：原子層堆積）装置を用いて、後述する機能膜１４０である反射防止膜を基板１１に形成する場合、基板１１に対する機能膜１４０の密着性を向上させる前処理として有用である。なお、ＨＡＣＥ処理に於ける溶液１２０はＴＭＡＨ（水酸化テトラメチルアンモニウム）の濃度が２２％の水溶液であり、６０℃に加熱して使用している。また、溶液１２０に第２のワーク部材７０を浸漬する時間は、６０分間としている。
【００４８】
表面処理が終了したら、バスケット１１０毎、第２のワーク部材７０を容器１００から取り出し、第２のワーク部材７０に付着した溶液１２０や、該表面処理で発生した残渣等を除去する洗浄を行う。
【００４９】
（機能膜形成工程Ｓ１４０）
次に、図５及び図９に機能膜形成工程Ｓ１４０について説明する。
【００５０】
図５に示す様に、先ず、第２のワーク部材７０をＡＬＤ装置の支持台１５０に仮固定する。
【００５１】
次いで、ＡＬＤ装置を用いて、第２のワーク部材７０に於ける基板１１の第１の面１２の表面に機能膜１４０を形成する。この機能膜１４０は、例えばアルミナ（Ａｌ２Ｏ３）の様な、アルミニウムを含有する金属材料から成る反射防止膜である。なお、ＡＬＤ装置を用いて機能膜１４０を形成する場合、機能膜１４０の材料の回り込み性が優れることから、図５に示す様に、半導体発光素子ウエハ１０の側面部にも機能膜１４０が形成される。仮に、半導体発光素子ウエハ１０のみをＡＬＤ装置内に置いて機能膜１４０を形成した場合、半導体素子層１５の表面まで機能膜１４０の材料が回り込んで堆積する可能性が懸念されるところ、第２のワーク部材７０では、半導体素子層１５の表面の全面を被覆する様に第２の熱剥離シート２０が貼り付けられているため、半導体素子層１５の表面に機能膜１４０の材料が回り込んで堆積することが抑制される。
【００５２】
機能膜１４０が形成されたら、ＡＬＤ装置の支持台１５０から第２のワーク部材７０を取り外す。
【００５３】
（改質部形成工程Ｓ１５０）
次に、図６及び図９に改質部形成工程Ｓ１５０について説明する。
【００５４】
図６に示す様に、先ず、第２のワーク部材７０をレーザ照射装置の支持台１６０に仮固定する。
【００５５】
次いで、基板１１の内部に向かって、レーザ光を照射し、基板１１の内部に改質部１４を形成する。この改質部１４は、後述する分離工程Ｓ１７０に於いて、半導体発光素子ウエハ１０を個々の半導体発光素子へ分離する際、分離を容易とするために、各半導体発光素子の境界となる部分に形成される。この改質によって、改質部１４は、基板１１の他の部位よりも機械強度的に脆弱化される。
【００５６】
基板１１の内部に改質部１４が形成されたら、レーザ照射装置の支持台１６０から第２のワーク部材７０を取り外す。
【００５７】
（第２の除去工程Ｓ１６０）
次に、図７及び図９に示す第２の除去工程Ｓ１６０について説明する。
【００５８】
図７に示す様に、先ず、第２のワーク部材７０を加熱器９０の上に置き、第２の支持部材３０を加熱器９０に仮固定する。
【００５９】
次いで、加熱器９０を用いて、第２の熱剥離シート２０の熱剥離粘着剤２２が第２の所定の温度となる様に、第２のワーク部材７０の雰囲気温度を一定の温度まで昇温させ、数秒から数分間、加熱する。この実施例１に於いては、第２の所定の温度を１５０℃とし、該一定の温度での加熱時間を１０秒としている。なお、第１の所定の温度と第２の所定の温度との温度差は、２０℃以上且つ１１０℃以下に設定することが望ましい。半導体素子への熱履歴の影響を考慮した場合、より望ましくは、該温度差を２５℃以上且つ４０℃以下とすることが望ましく、この実施例１では、該温度差を３０℃としている。なお、第２の所定の温度の上限は、２５０℃未満とすることが望ましく、より望ましくは、２００℃未満とすることが望ましい。
【００６０】
次いで、第２の所定の温度による加熱により、第２の熱剥離シート２０の熱剥離粘着剤２２の粘着力が弱まったところで、第２の熱剥離シート２０より上方側に積層されている半導体発光素子ウエハ１０を、第２のワーク部材７０から取り外す。即ち、第２のワーク部材７０から、第２の支持部材３０と第２の熱剥離シート２０とを除去する。
【００６１】
次いで、後述する分離工程Ｓ１７０に向けて、半導体発光素子ウエハ１０を、ダイシングテープ１７０の上に貼り付け、仮固定する。
【００６２】
（分離工程Ｓ１７０）
次に、図８及び図９に示す分離工程Ｓ１７０について説明する。
【００６３】
図８に示す様に、先ず、ダイシングテープ１７０が貼り付けられた半導体発光素子ウエハ１０を分離装置の支持台１８０の上に置き、ダイシングテープ１７０を分離装置の支持台１８０に仮固定する。
【００６４】
次いで、分離装置の刃１９０を用いて、前述した基板１１の内部に形成された改質部１４に沿う様に、半導体発光素子ウエハ１０を、個々の半導体発光素子に分離する。
【００６５】
以上の様にして、半導体発光素子が製造される。
【００６６】
以上、図１から図９に基づいて、半導体発光素子の製造方法を説明してきたが、本発明を実施する上では、下記の様に、更に製造方法及び構成の一部を適宜変更可能である。以下、箇条書きに列記する。
・半導体発光素子の製造方法を例示しているが、この製造方法は、半導体発光素子に限らず、電力制御システム用の、所謂パワーデバイス向けの半導体素子等、各種の半導体素子ウエハに適用可能である。また、半導体発光素子としては、フリップチップ型の素子に限らず、フェイスアップ型の素子（ＦＵ素子）にも適用可能である。
・基板１１の材質として、窒化ガリウム（ＧａＮ）を例示しているが、これに限らず、サファイア（Ａｌ２Ｏ３）や炭化珪素（ＳｉＣ）等を用いても良く、特に限定されない。
・半導体素子層１５の材質として、窒化ガリウム（ＧａＮ）を例示しているが、これに限らず、窒素化合物系を始めとして、その他の材質から成る半導体層でも良く、特に限定されない。
・第２の熱剥離シート２０は、半導体素子層１５の側に熱剥離粘着剤２２を形成しているが、半導体素子層１５との熱剥離を考慮しなければ、半導体素子層１５の側に接着剤２４を形成し、第２の支持部材３０の側に熱剥離粘着剤２２を形成することとしても良い。また、接着剤２４を熱剥離粘着剤２２に置換して、第２の熱剥離シート２０の両面に熱剥離粘着剤２２を形成しても良い。更に、第２の熱剥離シート２０の両面に熱剥離粘着剤２２を形成する場合は、第１の熱剥離シート４０の熱剥離粘着剤４２が剥離する第１の所定の温度よりも高い温度であれば、熱剥離粘着剤２２が剥離する第２の所定の温度を、半導体素子層１５の側と第２の支持部材３０の側とで、異ならせても良い。また、熱剥離粘着剤２２は、第２の所定の温度として１５０℃まで加熱されると粘着性が弱まる様に設定されているが、半導体発光素子ウエハ１０の耐熱性を考慮して、この温度を適宜変更しても良い。
・第２の支持部材３０の材質として、サファイア（Ａｌ２Ｏ３）を例示しているが、表面処理工程Ｓ１３０の溶液１２０に耐えられ、第２のワーク部材７０の支持搬送時に半導体発光素子ウエハ１０の破損を抑制し得る様な硬質の材質であれば、材質は特に限定されない。また、第２の支持部材３０の大きさは、半導体発光素子ウエハ１０の全面を被覆可能且つバスケット１１０に収納可能であれば、特に限定されない。
・第１の熱剥離シート４０は、第２の支持部材３０の側に熱剥離粘着剤４２を形成しているが、第２の支持部材３０との熱剥離を考慮しなければ、第２の支持部材３０の側に接着剤４４を形成し、第１の支持部材５０の側に熱剥離粘着剤４２を形成することとしても良い。また、接着剤４４を熱剥離粘着剤４２に置換して、第１の熱剥離シート４０の両面に熱剥離粘着剤４２を形成しても良い。更に、第１の熱剥離シート４０の両面に熱剥離粘着剤４２を形成する場合は、第２の熱剥離シート２０の熱剥離粘着剤２２が剥離する第２の所定の温度よりも低い温度であれば、熱剥離粘着剤４２が剥離する第１の所定の温度を、第２の支持部材３０の側と第１の支持部材５０の側とで、異ならせても良い。また、熱剥離粘着剤２２は、第１の所定の温度として１２０℃まで加熱されると粘着性が弱まる様に設定されているが、第１の除去工程Ｓ１１０以前の工程で受ける熱を考慮して、この温度を適宜変更しても良い。
・第１の支持部材５０の材質として、セラミックを例示しているが、研削工程Ｓ１１０での研削作業に耐えられる様な硬質の材質であれば、材質は特に限定されない。また、第１の支持部材５０の大きさも、研削工程Ｓ１１０での研削作業に耐えられる寸法であれば、特に限定されない。また、第１の支持部材５０は、研削装置８０の治工具そのものとして例示しているが、該治工具に対して取り付けられる部材や、該治工具に代わって支持台８１に取り付けられる部材としても良い。
・第１のワーク部材６０について、各構成部材の最終的な積層順序が変わらなければ、ワーク部材形成工程Ｓ１００に於ける形成順序を任意に変更しても良い。
・加熱器９０としては、ホットプレートや熱風乾燥器、恒温槽等、適宜、加熱可能な装置を用いれば良い。
・第１の除去工程Ｓ１２０に於いて、第１の支持部材５０と第１の熱剥離シート４０とを除去しているが、第２のワーク部材７０と共にバスケット１１０への収納が可能であれば、第１の熱剥離シートを除去せず、第１の支持部材５０のみを除去することとしても良い。
・バスケット１１０を使用せず、容器１００の内部に第２のワーク部材７０を直接収納する態様としても良い。
・機能膜１４０として、アルミナ（Ａｌ２Ｏ３）から成る反射防止膜を例示しているが、反射防止機能を有すれば、他の材質としても良い。また、本発明の実施例１の様な、フリップチップ型の半導体発光素子（ＦＣ素子）の場合は、機能膜１４０を、蛍光体層（波長変換層）や、光散乱層（光拡散層）等としても良い。また、フェイスアップ型の半導体発光素子（ＦＵ素子）の場合は、機能膜１４０を、ＤＢＲ（Ｄｉｓｔｒｉｂｕｔｅｄ  Ｂｒａｇｇ  Ｒｅｆｌｅｃｔｏｒ）の様な反射膜としても良い。更に、所謂縦型の半導体発光素子や、縦型の半導体素子の場合は、機能膜１４０を、電極層としても良い。
・第２の除去工程Ｓ１６０にて、半導体発光素子ウエハ１０から第２の熱剥離シート２０と第２の支持部材３０とを除去した際、半導体発光素子ウエハ１０をダイシングテープ１７０に貼り付ける前に、半導体発光素子ウエハ１０に対して有機洗浄等の洗浄を行っても良い。
・第２の除去工程Ｓ１６０にて、半導体発光素子ウエハ１０から第２の支持部材３０のみを除去し、第２の熱剥離シート２０を剥離せずに残して、ダイシングテープ１７０の代用としても良い。
【産業上の利用可能性】
【００６７】
本発明は、フリップチップ型の半導体発光素子を実施例に採り、その製造方法について説明しているが、本発明を適用可能な半導体素子としては、これに限られるものではない。
【符号の説明】
【００６８】
１０      ・・・  半導体発光素子ウエハ（実施例１）
１１      ・・・  （半導体発光素子ウエハ１０に於ける）基板
１２      ・・・  （基板１１に於ける）第１の面
１３      ・・・  （基板１１に於ける）第２の面
１４      ・・・  （基板１１に於ける）改質部
１５      ・・・  （半導体発光素子ウエハ１０に於ける）半導体素子層
２０      ・・・  第２の熱剥離シート
２１      ・・・  （第２の熱剥離シート２０の）基材
２２      ・・・  （第２の熱剥離シート２０の）熱剥離粘着剤
２３      ・・・  （第２の熱剥離シート２０の）熱剥離面
２４      ・・・  （第２の熱剥離シート２０の）接着剤
２５      ・・・  （第２の熱剥離シート２０の）接着面
３０      ・・・  第２の支持部材
４０      ・・・  第１の熱剥離シート
４１      ・・・  （第１の熱剥離シート４０の）基材
４２      ・・・  （第１の熱剥離シート４０の）熱剥離粘着剤
４３      ・・・  （第１の熱剥離シート４０の）熱剥離面
４４      ・・・  （第１の熱剥離シート４０の）接着剤
４５      ・・・  （第１の熱剥離シート４０の）接着面
５０      ・・・  第１の支持部材
６０      ・・・  第１のワーク部材
７０      ・・・  第２のワーク部材
８０      ・・・  研削装置
８１      ・・・  （研削装置８０に於ける）支持台
８２      ・・・  （研削装置８０に於ける）回転部
９０      ・・・  加熱器
１００    ・・・  容器
１１０    ・・・  バスケット
１２０    ・・・  溶液
１３０    ・・・  攪拌装置
１４０    ・・・  機能膜
１５０    ・・・  ＡＬＤ装置の支持台
１６０    ・・・  レーザ照射装置の支持台
１７０    ・・・  ダイシングテープ
１８０    ・・・  分離装置の支持台
１９０    ・・・  分離装置の刃
Ｓ１００  ・・・  ワーク部材形成工程
Ｓ１１０  ・・・  研削工程
Ｓ１２０  ・・・  第１の除去工程
Ｓ１３０  ・・・  表面処理工程
Ｓ１４０  ・・・  機能膜形成工程
Ｓ１５０  ・・・  改質部形成工程
Ｓ１６０  ・・・  第２の除去工程
Ｓ１７０  ・・・  分離工程
ｔ        ・・・  厚み
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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