(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
荷電粒子ビームにより描画される基板の表面周縁領域及び周面上部領域を覆う導電性の導電枠体であって、前記導電枠体の内周の一部に設けられた切欠き部と、その切欠き部に対して前記導電枠体の枠幅方向に並んで隣接するように前記導電枠体の上面の外周側に設けられた凹部とを有する導電枠体と、
前記切欠き部を通過して前記導電枠体の枠内に突出するように前記凹部上に設けられた導電部材本体と、前記基板の表面と導通する接触部と、前記導電枠体の長手方向に延びて前記切欠き部の内壁と前記導電部材との隙間の上部を覆うツバ部とを有する導電部材と、を備えることを特徴とする基板カバー。
【請求項２】
前記ツバ部は、前記凹部の内壁と前記導電部材との隙間の上部を覆うことを特徴とする請求項１に記載の基板カバー。
【請求項３】
前記導電部材は、前記切欠き部の前記内壁と前記導電部材との前記隙間の前記導電枠体の内周側を覆うバンク部を有することを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の基板カバー。
【請求項４】
前記接触部は、基板カバーが取り付けられた前記基板をその裏面から支持する複数の支持点のうち一つの支持点に対向する前記基板の表面の位置に接触することを特徴とする請求項１乃至請求項３のいずれか一項に記載の基板カバー。
【請求項５】
前記導電枠体の裏面からその導電枠体を貫通して前記導電部材の内部の途中まで侵入し、前記導電枠体に前記導電部材を固定する固定部材をさらに備えることを特徴とする請求項１乃至請求項４のいずれか一項に記載の基板カバー。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板カバーに関する。
【背景技術】
【０００２】
近年の大規模集積回路（ＬＳＩ）の高集積化及び大容量化に伴って、半導体デバイスに要求される回路線幅は益々微小になってきている。半導体デバイスに所望の回路パターンを形成するためには、リソグラフィ技術が用いられており、このリソグラフィ技術では、マスク（レチクル）と称される原画パターンを用いたパターン転写が行われている。このパターン転写に用いる高精度なマスクを製造するためには、優れた解像度を有する荷電粒子ビーム描画装置が用いられている。
【０００３】
荷電粒子ビーム描画装置は、チャンバ内においてマスクやブランクなどの基板を支持するステージを移動させつつ、ステージ上の基板に荷電粒子光学系により荷電粒子ビームを偏向して照射し、ステージ上の基板にパターンを描画するものである。なお、描画精度向上のためには、荷電粒子光学系と基板との間隔をできるだけ狭くすることが望ましく、その間隔は数ミリ程度（例えば２ｍｍ程度）に設定されている。
【０００４】
このような荷電粒子ビーム描画装置において、荷電粒子ビームにより基板に描画を行う場合、基板上に形成された導電性材料、例えば、クロム（Ｃｒ）などの遮光層上のレジストが帯電してしまう。この状態で描画を続けると、帯電した基板が作り出す電界によって荷電粒子ビームの軌道が曲げられるため、所望位置に描画をすることができなくなり、描画精度が低下してしまう。
【０００５】
この描画精度の低下を抑えるため、基板上に置いて基板帯電を防止する基板カバーが開発されている。基板カバーのフレームは基板の表面周縁領域を覆う枠形状に形成されている。このフレーム上には、基板の表面と接触するピンを有する導電プレートが複数設けられており、それらの導電プレートはアースに接続されている。このような基板カバーが基板上に置かれると、アースに接続された導電プレートのピンが基板の表面に接触し、基板帯電が防止される。また、基板の周縁近傍で散乱した電子は基板カバーにより捕捉されるため、基板の周縁付近の帯電も防止される。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特許第５４０３９８１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかしながら、前述のように荷電粒子光学系と基板との間隔が非常に狭くなってきているため、基板カバーの厚さがフレーム上の導電プレートによって現状のまま厚い状態であると、基板上に置かれた基板カバーの導電プレートが描画時に荷電粒子光学系の下端と接触することになり、正常な描画を行うことは不可能となる。また、荷電粒子光学系や基板カバーが破損することも懸念される。このため、基板カバーの厚さを薄くすることが求められている。
【０００８】
本発明が解決しようとする課題は、基板帯電を防止することに加え、厚さを抑えることができる基板カバーを提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明の実施形態に係る基板カバーは、荷電粒子ビームにより描画される基板の表面周縁領域及び周面上部領域を覆う導電性の導電枠体であって、導電枠体の内周の一部に設けられた切欠き部と、その切欠き部に対して導電枠体の枠幅方向に並んで隣接するように導電枠体の上面の外周側に設けられた凹部とを有する導電枠体と、切欠き部及び導電枠体の枠内に突出するように凹部上に設けられた導電性の導電部材であって、基板の表面と導通する接触部と、切欠き部の内壁と導電部材との隙間の上部を覆うツバ部とを有する導電部材とを備える。
【００１０】
また、上記実施形態に係る基板カバーにおいて、ツバ部は、凹部の内壁と導電部材との隙間の上部を覆うことが望ましい。
【００１１】
また、上記実施形態に係る基板カバーにおいて、導電部材は、切欠き部の内壁と導電部材との隙間の導電枠体の内周側を覆うバンク部を有することが望ましい。
【００１２】
また、上記実施形態に係る基板カバーにおいて、接触部は、基板カバーが取り付けられた基板をその裏面から支持する複数の支持点のうち一つの支持点に対向する基板の表面の位置に接触することが望ましい。
【００１３】
また、上記実施形態に係る基板カバーにおいて、導電枠体の裏面からその導電枠体を貫通して導電部材の内部の途中まで侵入し、導電枠体に導電部材を固定する固定部材をさらに備えることが望ましい。
【発明の効果】
【００１４】
本発明の一態様によれば、基板帯電を防止することに加え、基板カバーの厚さを抑えることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１５】
【図１】実施の一形態に係る荷電粒子ビーム描画装置の概略構成を示す図である。
【図２】実施の一形態に係る基板カバーの概略構成を示す平面図である。
【図３】実施の一形態に係る基板カバーの電極部と基板との導通確認を説明するための説明図である。
【図４】実施の一形態に係る基板カバーの導電枠体を示す平面図である。
【図５】実施の一形態に係る基板カバーの電極部を示す断面図（図２のＡ１−Ａ１線断面図）である。
【図６】実施の一形態に係る電極部の導電部材の一部を拡大して示す平面図である。
【図７】実施の一形態に係る電極部の導電部材の一部を拡大して示す正面図（基板側から見た正面図）である。
【図８】実施の一形態に係る導電部材のツバ部及びバンク部による基板帯電防止を説明するための説明図である。
【発明を実施するための形態】
【００１６】
実施の一形態について図面を参照して説明する。
【００１７】
図１に示すように、実施の一形態に係る荷電粒子ビーム描画装置１は、荷電粒子ビームとして電子ビームＢを用いた可変成形型の描画装置の一例であり、電子ビームＢによる描画を行う描画部２と、その描画部２を制御する制御部３とを備えている。なお、荷電粒子ビームは電子ビームＢに限られるものではなく、イオンビームなどの他の荷電粒子ビームであっても良い。
【００１８】
描画部２は、描画対象となる基板Ｗを収容する描画チャンバ（描画室）２ａと、その描画チャンバ２ａにつながる光学鏡筒２ｂとを有している。光学鏡筒２ｂは、描画チャンバ２ａの上面に設けられており、電子光学系（荷電粒子光学系の一例）により電子ビームＢを成形及び偏向し、描画チャンバ２ａ内の基板Ｗに対して照射する。描画チャンバ２ａ及び光学鏡筒２ｂは気密性を有しており、それら両方の内部は減圧されて真空状態にされる。
【００１９】
描画チャンバ２ａ内には、マスクやブランクなどの基板Ｗを支持するステージ１１やそのステージ１１を移動させるステージ移動機構１２が設けられている。このステージ移動機構１２は、水平面内で互いに直交するＸ軸方向とＹ軸方向（以下、単にＸ方向及びＹ方向という）にステージ１１を移動させる機構である。なお、基板Ｗとしては、例えば、石英基板の表面上にクロム（Ｃｒ）などの遮光層及びその遮光層上にレジスト層を形成した基板を用いる。
【００２０】
ここで、前述の基板Ｗ上には、描画中の基板Ｗの電子チャージや基板Ｗの描画領域上の電界歪み（基板Ｗの周縁近傍での描画位置エラー）を防止する基板カバー１３が置かれている。この基板カバー１３は、例えば、基板Ｗがステージ１１上に置かれる前に、描画チャンバ２ａの外（例えば、基板カバー１３を収納する収納室など）で基板Ｗ上に置かれ、基板Ｗと共にステージ１１上に載置される。
【００２１】
光学鏡筒２ｂ内には、電子ビームＢを出射する電子銃などの出射部２１と、その電子ビームＢを集光する照明レンズ２２と、ビーム成形用の第１の成形アパーチャ２３と、投影用の投影レンズ２４と、ビーム成形用の成形偏向器２５と、ビーム成形用の第２の成形アパーチャ２６と、基板Ｗ上にビーム焦点を結ぶ対物レンズ２７と、基板Ｗに対するビームショット位置を制御するための副偏向器２８及び主偏向器２９とが配置されている。これらの各部が電子光学系を構成する。この電子光学系の下端とステージ１１上の基板Ｗとの間隔（離間距離）は、描画精度の向上のため、数ミリ程度（例えば２ｍｍ程度）に設定されている。なお、電子光学系の下端の幅（直径）は構成部品によっても異なるが、例えば８０〜３００ｍｍ程度になっている。
【００２２】
この描画部２では、電子ビームＢが出射部２１から出射され、照明レンズ２２により第１の成形アパーチャ２３に照射される。この第１の成形アパーチャ２３は例えば矩形状の開口を有している。これにより、電子ビームＢが第１の成形アパーチャ２３を通過すると、その電子ビームの断面形状は矩形状に成形され、投影レンズ２４により第２の成形アパーチャ２６に投影される。なお、この投影位置は成形偏向器２５により偏向可能であり、投影位置の変更により電子ビームＢの形状と寸法を制御することができる。その後、第２の成形アパーチャ２６を通過した電子ビームＢは、その焦点が対物レンズ２７によりステージ１１上の基板Ｗに合わされて照射される。このとき、ステージ１１上の基板Ｗに対する電子ビームＢのショット位置は副偏向器２８及び主偏向器２９により変更可能である。
【００２３】
制御部３は、描画データを記憶する描画データ記憶部３ａと、その描画データを処理してショットデータを生成するショットデータ生成部３ｂと、描画部２を制御する描画制御部３ｃとを備えている。なお、ショットデータ生成部３ｂや描画制御部３ｃは、電気回路などのハードウエアにより構成されても良く、また、各機能を実行するプログラムなどのソフトウエアにより構成されても良く、あるいは、それらの両方の組合せにより構成されても良い。
【００２４】
描画データ記憶部３ａは、基板Ｗにパターンを描画するための描画データを記憶する記憶部である。この描画データは、半導体集積回路の設計者などによって作成された設計データ（レイアウトデータ）が荷電粒子ビーム描画装置１用のフォーマットに変換されたデータであり、外部装置から描画データ記憶部３ａに入力されて保存されている。描画データ記憶部３ａとしては、例えば、磁気ディスク装置や半導体ディスク装置（フラッシュメモリ）などを用いることが可能である。
【００２５】
ショットデータ生成部３ｂは、描画データにより規定される描画パターンをストライプ状（短冊状）の複数のフレーム領域（長手方向がＸ方向であり、短手方向がＹ方向である）に分割し、さらに、各フレーム領域を行列状の多数のサブ領域に分割する。加えて、ショットデータ生成部３ｂは、各サブ領域内の図形の形状や大きさ、位置などを決定し、さらに、図形を一回のショットで描画不可能である場合には、描画可能な複数の部分領域に分割し、ショットデータを生成する。なお、フレーム領域の短手方向（Ｙ方向）の長さは電子ビームＢを主偏向で偏向可能な長さに設定されている。
【００２６】
描画制御部３ｃは、前述の描画パターンを描画する際、ステージ移動機構１２によりステージ１１をフレーム領域の長手方向（Ｘ方向）に移動させつつ、電子ビームＢを主偏向器２９により各サブ領域に位置決めし、副偏向器２８によりサブ領域の所定位置にショットして図形を描画する。その後、一つのフレーム領域の描画が完了すると、ステージ１１をＹ方向にステップ移動させてから次のフレーム領域の描画を行い、これを繰り返して基板Ｗの描画領域の全体に電子ビームＢによる描画を行う（描画動作の一例）。なお、描画中には、ステージ１１が一方向に連続的に移動しているため、描画原点がステージ１１の移動に追従するように、主偏向器２９によってサブ領域の描画原点をトラッキングさせている。
【００２７】
このように電子ビームＢは、副偏向器２８と主偏向器２９によって偏向され、連続的に移動するステージ１１に追従しながら、その照射位置が決められる。ステージ１１のＸ方向の移動を連続的に行うとともに、そのステージ１１の移動に電子ビームＢのショット位置を追従させることで、描画時間を短縮することができる。ただし、第１の実施形態では、ステージ１１のＸ方向の移動を連続して行っているが、これに限るものではなく、例えば、ステージ１１を停止させた状態で一つのサブ領域の描画を行い、次のサブ領域に移動するときは描画を行わないステップアンドリピート方式の描画方法を用いても良い。
【００２８】
次に、基板カバー１３について図２乃至図８を参照して詳しく説明する。
【００２９】
図２に示すように、基板カバー１３は、基板Ｗの周縁形状に対応する枠形状の導電枠体（導電フレーム）１３ａと、基板Ｗの表面に接触する複数（図２では三つ）の電極部１３ｂ、１３ｃ及び１３ｄとを備えている。これらの電極部１３ｂ、１３ｃ及び１３ｄは、基板カバー１３が基板Ｗ上に置かれる前に、収納室などで導電枠体１３ａを三点で支持する支持部として機能するため、導電枠体１３ａの荷重が略等分布となるように配置されている。
【００３０】
図３に示すように、三つの電極部１３ｂ、１３ｃ及び１３ｄは、基板カバー１３が基板Ｗ上に置かれた状態で、いずれも基板Ｗの表面に点接触している。このうち二つの電極部１３ｂ及び１３ｃは導電枠体１３ａに導通しており、一つの電極部１３ｄは導電枠体１３ａと絶縁されている。電極部１３ｄは、基板カバー１３が基板Ｗ上に置かれた状態で、二つの電極部１３ｂ及び１３ｃの少なくとも一方が基板Ｗの表面に導通しているか否かを確認するための導通確認部として機能する。
【００３１】
二つの電極部１３ｂ及び１３ｃは、導電枠体１３ａを介して第１の電気回路３１に接続されている。この第１の電気回路３１は、電源３１ａと、その電源３１ａに接続された電源配線３１ｂと、グランドに接続されたグランド配線３１ｃと、導電枠体１３ａに接続された導電配線３１ｄと、導電枠体１３ａの接地及び電圧印加を切り替えるスイッチ３１ｅとを有している。なお、電極部１３ｂ又は１３ｃと基板Ｗとの導通を確認する場合以外には、グランド配線３１ｃ及び導電配線３１ｄがスイッチ３１ｅにより接続され、各電極部１３ｂ及び１３ｃは導電枠体１３ａと共に接地されている。
【００３２】
電極部１３ｄは、導電枠体１３ａに接続されず、第２の電気回路３２に接続されている。この第２の電気回路３２は、抵抗Ｒ２及びＲ３と反転増幅型のオペアンプ３２ａにより構成されており、電圧を測定する測定器３３に接続されている。電極部１３ｂ又は１３ｃと電極部１３ｄとの間に印加された印加電圧は、第２の電気回路３２により増幅され、測定器３３により測定される。
【００３３】
前述の導通確認のためには、電源配線３１ｂ及び導電配線３１ｄがスイッチ３１ｅにより接続される。これにより、電極部１３ｂ又は１３ｃと電極部１３ｄとの間に電圧が印加される。このとき、電極部１３ｂ及び１３ｃの少なくとも一方が基板Ｗの表面に接触していれば、測定器３３により電圧を測定することができる。例えば、第２の電気回路３２によって増幅された出力電圧が測定器３３により測定され、この測定値から電極部１３ｂ及び１３ｃの少なくとも一方が基板Ｗの表面に導通しているか否かが判断される。
【００３４】
図４に示すように、導電枠体１３ａは、基板Ｗの描画領域を露出させる開口部Ｈ１を有し、少なくとも基板Ｗの表面周縁領域及び周面上部領域（側面上部領域）を覆う枠形状に形成されている。この導電枠体１３ａは、基板Ｗの表面周縁領域を覆うヒサシ部４１と、枠の内周に位置する複数の切欠き部４２と、それらの切欠き部４２に個別に隣接して枠の外周側に位置する複数の凹部４３とを有している。
【００３５】
ヒサシ部４１は、導電枠体１３ａの枠形状に沿うように形成されており、基板Ｗ側に延びて基板Ｗの表面周縁領域（例えば周縁絶縁領域）を覆う。また、各切欠き部４２は、それぞれ枠の内周に位置するように、ヒサシ部４１を含む導電枠体１３ａの一部分を切欠いて形成されており、導電枠体１３ａの内周の各部に個別に設けられている。各凹部４３は、それぞれ各切欠き部４２に対して導電枠体１３ａの枠幅方向に並んで隣接し、それらの切欠き部４２につながるように導電枠体１３ａの上面の外周側に形成されている。なお、枠幅とは、枠体の全体の幅ではなく、枠体の太さに寄与する幅、すなわち枠体の一辺を構成する部材の幅である。
【００３６】
図５乃至図７に示すように、電極部１３ｄは、本体となる導電部材（導電プレート）５１と、導電枠体１３ａを支持するための支持部材５２と、外部との電気的な接続を行うための接続部材５３と、導電枠体１３ａに導電部材５１を固定する第１の固定部材５４と、導電部材５１に支持部材５２及び接続部材５３を固定する第２の固定部材５５とを備えている。
【００３７】
導電部材５１は、図５に示すように、導電枠体１３ａの凹部４３に第１の絶縁部材５６を介して設けられており、導電枠体１３ａと絶縁されている。この導電部材５１は、切欠き部４２から露出する基板Ｗの少なくとも表面周縁領域を覆う長方形などの板形状に形成されており、切欠き部４２及び導電枠体１３ａの枠内に突出するように凹部４３上に設けられている。導電部材５１は、基板Ｗの表面に接触するピンなどの接触部５１ａと、導電枠体１３ａ側に延びて導電枠体１３ａまでの隙間を覆うツバ部５１ｂと（図６及び図７参照）、導電枠体１３ａの基板Ｗ側の先端面までの隙間を覆うバンク部５１ｃと（図６及び図７参照）を有している。この導電部材５１は、切欠き部４２から露出する基板Ｗの表面周縁領域を覆う長さ以上であって、接触部５１ａが基板Ｗの表面周縁領域以外の領域に接触することが可能となる長さで基板Ｗの表面上に延びている。
【００３８】
接触部５１ａは、図５に示すように、導電部材５１の基板Ｗ側の端部、すなわち導電部材５１における導電枠体１３ａの枠内に突出した部分に設けられており、その先端が基板Ｗの表面に接触するように形成されている。この接触部５１ａは、基板カバー１３が基板Ｗ上に置かれた状態で基板Ｗの表面、すなわち基板Ｗ上のレジスト層を貫通して遮光層に接触し、基板Ｗの表面と導通する。また、接触部５１ａは、基板カバー１３が置かれた基板Ｗがステージ１１上に設けられた状態で、その基板Ｗを裏面から支持する複数の支持ピン（支持点）１１ａのうち一つの支持ピン１１ａと同一直線上に位置しており、その一つの支持ピン１１ａに対向する基板Ｗの表面の位置（対向点）に接触する。
【００３９】
ツバ部５１ｂは、図６及び図７に示すように、導電部材５１の短手方向の両端であって導電部材５１の上面側にそれぞれ設けられており、導電部材５１の長手方向に沿うように形成されている。これらのツバ部５１ｂは、導電枠体１３ａ側に略水平に延びて導電枠体１３ａとの隙間（例えば、０．２〜０．５ｍｍ程度の隙間）を覆い、その隙間に電子が入り込むことを防いでいる。なお、詳しくは、ツバ部５１ｂは、切欠き部４２の内壁と導電部材５１との隙間（第１の隙間）の上部、さらに、必要に応じて、第１の絶縁部材５６に電子が照射されることを防ぐために、凹部４３の内壁（内側面）と導電部材５１との隙間（第２の隙間）の上部を覆っている。したがって、第１の絶縁部材５６が凹部４３に対して十分に小さい場合には、凹部４３上にツバ部５１ｂを設けなくても良い。また、第１の絶縁部材５６が導電部材に置き換えられている場合には、遮蔽が不要となり、凹部４３上にツバ部５１ｂを設けなくても良い。
【００４０】
バンク部５１ｃは、図６及び図７に示すように、導電部材５１の基板Ｗ側の端部に設けられており、ツバ部５１ｂの長手方向と直交するように各ツバ部５１ｂの下にそれぞれ形成されている。これらのバンク部５１ｃは、導電枠体１３ａの基板Ｗ側の先端面との隙間（例えば、０．２〜０．５ｍｍ程度の隙間）を覆い、その隙間に電子が入り込むことを防いでいる。なお、詳しくは、バンク部５１ｃは、切欠き部４２の内壁と導電部材５１との隙間の導電枠体１３ａの内周側（第３の隙間）を覆っている。
【００４１】
図５に戻り、支持部材５２は、基板カバー１３が基板Ｗに置かれる前に、例えば収納室などで導電枠体１３ａを支持する三点の支持点のうちの一つの支持点として機能する。この支持部材５２の下端部は半球状に形成されている。
【００４２】
接続部材５３は、基板カバー１３が置かれた基板Ｗがステージ１１上に載置された状態で、ステージ１１上の板バネ１１ｂに接触する。この板バネ１１ｂは第２の電気回路３２に電気的に接続されている。したがって、導電部材５１は接続部材５３及び板バネ１１ｂを介して第２の電気回路３２と導通することになる。
【００４３】
第１の固定部材５４は、導電枠体１３ａの裏面からその導電枠体１３ａを貫通して導電部材５１の内部の途中まで侵入し、導電枠体１３ａに導電部材５１を固定する。この第１の固定部材５４は、第２の絶縁部材５７により導電枠体１３ａと絶縁されている。第１の固定部材５４としては、例えばボルトなどを用いることが可能である。
【００４４】
第２の固定部材５５は、導電部材５１の上面からその導電部材５１及び接続部材５３を貫通して支持部材５２の内部の途中まで侵入し、導電部材５１に支持部材５２及び接続部材５３を固定する。第２の固定部材５５としては、例えばボルトなどを用いることが可能である。
【００４５】
この第２の固定部材５５の上面の高さは、導電部材５１における導電枠体１３ａ上の表面の高さよりも低くなっている。詳述すると、導電部材５１における基板Ｗと反対側の端部が下方に向かう段差を有しており、この段差部分に第２の固定部材５５が設けられ、第２の固定部材５５の上面の高さは導電部材５１における導電枠体１３ａ上の表面の高さよりも低くなっている。
【００４６】
前述の導電部材５１や支持部材５２、接続部材５３、第１の固定部材５４、第２の固定部材５５は、導電性を有する材料により形成されている。この材料としては、例えば、非磁性の金属（例えば、チタン合金など）や導電性セラミックス、あるいは、セラミックスに導電性材料をコートしたものなどを用いることが可能である。
【００４７】
ここで、他の電極部１３ｂ及び１３ｃも前述の電極部１３ｄと基本的に同じ構造である。ただし、他の電極部１３ｂ及び１３ｃでは、電極部１３ｄの第１の絶縁部材５６及び第２の絶縁部材５７のどちらか一方又は両方が導電性を有する部材に替えられ、各電極部１３ｂ及び１３ｃは導電枠体１３ａに導通している。
【００４８】
このため、前述のように導電枠体１３ａが第１の電気回路３１に直接接続されている場合には（図３参照）、各電極部１３ｂ及び１３ｃの接続部材５３や板バネ１１ｂは不要となる。一方、導電枠体１３ａが第１の電気回路３１に直接接続されていない場合には、各電極部１３ｂ及び１３ｃの接続部材５３が接触する板バネ１１ｂを設け、それらの板バネ１１ｂを第１の電気回路３１に電気的に接続するようにしても良い。
【００４９】
このような構成の基板カバー１３は収納室などで基板Ｗ上に置かれ、その後、基板カバー１３が置かれた基板Ｗがステージ１１上に載置される。次いで、二つの電極部１３ｂ及び１３ｃの少なくとも一方が基板Ｗの表面に導通しているか否かが確認され、その導通が確認されると、ステージ１１上の基板Ｗに対する描画が開始される。この描画中、二つの電極部１３ｂ及び１３ｃの少なくとも一方が接地しているため、基板Ｗの表面も接地して基板Ｗの表面の帯電が防止される。さらに、基板Ｗの周縁近傍で散乱した電子も基板カバー１３により捕捉されるため、基板Ｗの周縁付近での帯電も防止される。特に、切欠き部４２における導電枠体１３ａと導電部材５１との隙間が各ツバ部５１ｂ及び各バンク部５１ｃにより覆われており、電子がそれらの隙間に侵入することが抑えられている。
【００５０】
例えば、図８に示すように、電子Ｂａはツバ部５１ｂ及びバンク部５１ｃにより導電部材５１と導電枠体１３ａとの隙間に侵入することが抑止されている。バンク部５１ｃは電子Ｂａが所定の角度範囲Ｒ１（例えば、基板Ｗの表面から３０度程度までの範囲）で侵入することを防いでおり、ツバ部５１ｂは電子Ｂａが残りの所定の角度範囲Ｒ２（例えば３０度から９０度程度までの範囲）で侵入することを防いでいる。このようなツバ部５１ｂ及びバンク部５１ｃの存在によって、導電枠体１３ａと導電部材５１との隙間に対する電子の侵入が抑えられ、基板Ｗの外周面の帯電が防止される。
【００５１】
また、導電部材５１は凹部４３に設けられており、凹部４３に設けられた導電部材５１は切欠き部４２を通って基板Ｗ側に延びている。すなわち、導電部材５１は導電枠体１３ａの上面を超えて（オーバーラップして）基板Ｗ側に延びることはなくなるため、その分基板カバー１３の厚さを薄くすることが可能となる。詳述すると、導電枠体１３ａに切欠き部４２が存在しない場合には、凹部４３に設けられた導電部材５１は導電枠体１３ａの上面を超えて基板Ｗ側に延びることになる。このとき、導電部材５１及び導電枠体１３ａが接触しないようにそれらの間には間隔を設けるため、その間隔と導電部材５１の厚さ分だけ、基板カバー１３の厚さが厚くなってしまう。一方、導電枠体１３ａに切欠き部４２が存在する場合には、前述のように凹部４３に設けられた導電部材５１は切欠き部４２を通って基板Ｗ側に延びている。このため、導電枠体１３ａの上面を超えることはなく、切欠き部４２が存在しない場合の導電枠体１３ａの上面と導電部材５１とのオーバーラップが無くなるため、基板カバー１３の厚さを薄くすることができる。したがって、前述のように基板Ｗの帯電を防止しつつ、基板カバー１３の厚さを薄くすることが可能となる。
【００５２】
以上説明したように、実施形態によれば、導電枠体１３ａの内周に切欠き部４２を形成し、その切欠き部４２に隣接する凹部４３に、切欠き部４２から露出する基板Ｗの表面周縁領域を覆う板形状の導電部材５１を設けることによって、導電部材５１が切欠き部４２を通過して基板Ｗ側に延びるため、切欠き部４２が存在せずに導電部材５１が導電枠体１３ａの上面を超える場合（オーバーラップの場合）に比べ、基板カバー１３の厚さを薄くすることが可能となる。さらに、導電枠体１３ａ側に延びて導電枠体１３ａまでの隙間を覆うツバ部５１ｂを導電部材５１に設けることによって、そのツバ部５１ｂにより電子が導電部材５１と導電枠体１３ａとの隙間に侵入することが抑えられるため、基板Ｗの帯電を防止することが可能となる。これらのことから、基板Ｗの帯電を防止することに加え、基板カバー１３の厚さを薄くすることができる。
【００５３】
さらに、導電部材５１に導電枠体１３ａの基板Ｗ側の先端面までの隙間を覆うバンク部５１ｃを設けることによって、そのバンク部５１ｃにより電子が導電部材５１と導電枠体１３ａとの隙間に侵入することがより確実に抑えられるため、基板Ｗの帯電を確実に防止することができる。
【００５４】
また、接触部５１ａは、基板カバー１３が取り付けられた基板Ｗをその裏面から支持する複数の支持ピン（支持点）１１ａのうち一つの支持ピン１１ａに対向する基板Ｗの表面の位置に接触することから、接触部５１ａが支持ピン１１ａに対向しない基板Ｗの表面の位置に接触した場合に比べ、基板Ｗの撓みや歪みを抑えることができる。
【００５５】
また、第１の固定部材５４を導電枠体１３ａの裏面からその導電枠体１３ａに貫通させて導電部材５１の内部の途中まで侵入させ、この第１の固定部材５４により導電枠体１３ａに導電部材５１を固定する。このとき、第１の固定部材５４が導電部材５１の上面から露出することはなく、振動などによる第１の固定部材５４と導電部材５１との摩擦などによりパーティクルが生じた場合でも、導電部材５１の上面から外部に出るようなことがなく、基板Ｗの表面がパーティクルによって汚染されることはない。したがって、第１の固定部材５４が導電部材５１を貫通してその上面から露出している場合に比べ、基板Ｗの汚染を防止することができる。
【００５６】
なお、前述の実施形態においては、第１の固定部材５４を導電部材５１の上面から露出しないように設けているが、これに限るものではなく、パーティクルの問題が生じない場合など、第１の固定部材５４を導電部材５１の上面から露出させるようにしても良い。
【００５７】
以上、本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。
【符号の説明】
【００５８】
１      荷電粒子ビーム描画装置
２      描画部
２ａ    描画チャンバ
２ｂ    光学鏡筒
３      制御部
３ａ    描画データ記憶部
３ｂ    ショットデータ生成部
３ｃ    描画制御部
１１    ステージ
１１ａ  支持ピン
１１ｂ  板バネ
１２    ステージ移動機構
１３    基板カバー
１３ａ  導電枠体
１３ｂ  電極部
１３ｃ  電極部
１３ｄ  電極部
２１    出射部
２２    照明レンズ
２３    第１の成形アパーチャ
２４    投影レンズ
２５    成形偏向器
２６    第２の成形アパーチャ
２７    対物レンズ
２８    副偏向器
２９    主偏向器
３１    第１の電気回路
３１ａ  電源
３１ｂ  電源配線
３１ｃ  グランド配線
３１ｄ  導電配線
３１ｅ  スイッチ
３２    第２の電気回路
３２ａ  オペアンプ
３３    測定器
４１    ヒサシ部
４２    切欠き部
４３    凹部
５１    導電部材
５１ａ  接触部
５１ｂ  ツバ部
５１ｃ  バンク部
５２    支持部材
５３    接続部材
５４    第１の固定部材
５５    第２の固定部材
５６    第１の絶縁部材
５７    第２の絶縁部材
Ｂ      電子ビーム
Ｂａ    電子
Ｈ１    開口部
Ｒ１    角度範囲
Ｒ２    角度範囲
Ｗ      基板
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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