(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
キク科に属する植物の根を、一部の根が地上部側に残存するように切断する切断工程と、
切断した根からラテックスを採取するラテックスの採取工程と、
前記切断工程により根が切断された植物を、蒸散を抑制する処置が施された状態で栽培する蒸散抑制栽培工程と、
蒸散抑制栽培工程により栽培した植物を用いて再度、切断工程、ラテックスの採取工程を行う工程とを含むラテックスの採取方法。
【請求項２】
前記切断工程において、地上部側に残存する根の長さが５．０ｃｍ以下となるように根を切断する請求項１記載のラテックスの採取方法。
【請求項３】
前記キク科に属する植物が、Ｔａｒａｘａｃｕｍ属に属する植物である請求項１又は２記載のラテックスの採取方法。
【請求項４】
前記キク科に属する植物が、ロシアンタンポポ（Ｔａｒａｘａｃｕｍ  ｋｏｋｓａｇｈｙｚ）である請求項１又は２記載のラテックスの採取方法。
【請求項５】
請求項１〜４のいずれかに記載のラテックスの採取方法により得られるラテックスから得られるゴムと、添加剤とを混練して混練物を得る混練工程、前記混練物から生タイヤを成形する生タイヤ成形工程、及び前記生タイヤを加硫する加硫工程を含む空気入りタイヤの製造方法。
【請求項６】
請求項１〜４のいずれかに記載のラテックスの採取方法により得られるラテックスから得られるゴムと、添加剤とを混練して混練物を得る混練工程、前記混練物から生ゴム製品を成形する生ゴム製品成形工程、及び前記生ゴム製品を加硫する加硫工程を含むゴム製品の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ラテックスの採取方法、キク科に属する植物の栽培方法、空気入りタイヤの製造方法、及びゴム製品の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
キク科に属する植物であるロシアンタンポポからラテックスを採取する試みが行われている。例えば、特許文献１では、ロシアンタンポポに、ジャスモン酸又はその誘導体を塗布することでラテックスの生産量を増大できることが開示されている。
しかしながら、ラテックスの採取方法やロシアンタンポポの栽培方法については詳細に検討されていない。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２０１０−１４２１７３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
ロシアンタンポポからのラテックスの採取は、根を粉砕し、有機溶媒を用いて抽出することが一般的であり、一度ラテックスを採取した植物個体を再利用することができなかった。すなわち、同一個体のキク科に属する植物から繰り返しラテックスを採取することができなかった。
本発明は、前記課題を解決し、植物を再利用することが可能な、キク科に属する植物からのラテックスの採取方法、及びキク科に属する植物の栽培方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明者らは、鋭意検討した結果、ロシアンタンポポの根を切断してラテックスを採取する際に、根の先端部ではラテックスの採取量が多い一方で、地上部に近い部分ではラテックスがほとんど採取できないことを発見した。そこで、ラテックス採取時に採取効率の低い地上部付近の根をあえて残し、地上部付近の根を残した植物をもう一度土に植え直すことで植物体の再生を試みることにした。その際、ラテックス採取時に根を切断していることから、植物体の吸水力の低下が起こる可能性がある。それに対して、根が切断された植物を再度栽培する際には、蒸散を抑制する処置が施された状態で栽培することにより、根が切断されたキク科に属する植物を好適に栽培できることを見出した。具体的には、例えば、植物体内に存在する水分の蒸散量を抑えるため、地上部の中心部の葉を残し、それ以外の葉を切断・除去することにより、根が切断されたキク科に属する植物を好適に栽培できる。そして、根が切断された後に再度栽培したキク科に属する植物から再度ラテックスを採取できることも確認し、本発明を完成した。
【０００６】
すなわち、本発明は、キク科に属する植物の根を、一部の根が植物に残存するように切断する切断工程を含むラテックスの採取方法に関する。
【０００７】
上記切断工程において、植物に残存する根の長さが５．０ｃｍ以下となるように根を切断することが好ましい。
【０００８】
上記キク科に属する植物が、Ｔａｒａｘａｃｕｍ属に属する植物であることが好ましい。
【０００９】
上記キク科に属する植物が、ロシアンタンポポ（Ｔａｒａｘａｃｕｍ  ｋｏｋｓａｇｈｙｚ）であることが好ましい。
【００１０】
本発明はまた、キク科に属する植物の根を、一部の根が植物に残存するように切断する切断工程と、
上記切断工程により根が切断された植物を、蒸散を抑制する処置が施された状態で栽培する蒸散抑制栽培工程とを含むキク科に属する植物の栽培方法に関する。
【００１１】
上記切断工程において、植物に残存する根の長さが５．０ｃｍ以下となるように根を切断することが好ましい。
【００１２】
上記蒸散を抑制する処置が、葉を切断する処置であることが好ましい。
【００１３】
上記蒸散を抑制する処置が、植物に残存する葉の長さが２．０〜４．０ｃｍとなるように葉を切断する処置であることが好ましい。
【００１４】
上記蒸散抑制栽培工程において、栽培温度が１６〜３０℃であることが好ましい。
【００１５】
上記蒸散抑制栽培工程において、葉の位置での照度が７０００〜２００００ｌｘであることが好ましい。
【００１６】
上記蒸散抑制栽培工程において、日長条件が１２時間以上であることが好ましい。
【００１７】
上記キク科に属する植物が、Ｔａｒａｘａｃｕｍ属に属する植物であることが好ましい。
【００１８】
上記キク科に属する植物が、ロシアンタンポポ（Ｔａｒａｘａｃｕｍ  ｋｏｋｓａｇｈｙｚ）であることが好ましい。
【００１９】
本発明はまた、上記ラテックスの採取方法により得られるラテックスから得られるゴムと、添加剤とを混練して混練物を得る混練工程、上記混練物から生タイヤを成形する生タイヤ成形工程、及び上記生タイヤを加硫する加硫工程を含む空気入りタイヤの製造方法に関する。
【００２０】
本発明はまた、上記ラテックスの採取方法により得られるラテックスから得られるゴムと、添加剤とを混練して混練物を得る混練工程、上記混練物から生ゴム製品を成形する生ゴム製品成形工程、及び上記生ゴム製品を加硫する加硫工程を含むゴム製品の製造方法に関する。
【発明の効果】
【００２１】
本発明のラテックスの採取方法は、キク科に属する植物の根を、一部の根が植物に残存するように切断する切断工程を含むラテックスの採取方法であるので、ラテックスの採取量が多い根の先端部側からラテックスを採取することとなり、ラテックス採取時の採取効率が高い。また、一部の根が植物に残存するように根を切断するため、切断工程により根が切断された植物を再度栽培することにより、植物を再利用することも可能となる。
【００２２】
本発明のキク科に属する植物の栽培方法は、キク科に属する植物の根を、一部の根が植物に残存するように切断する切断工程と、上記切断工程により根が切断された植物を、蒸散を抑制する処置が施された状態で栽培する蒸散抑制栽培工程とを含むキク科に属する植物の栽培方法であるので、上記切断工程により根が切断された植物を、蒸散を抑制する処置が施された状態で栽培することにより、根の切断に伴い吸水力が低下した植物であっても継続的に栽培することができ、植物を再利用することが可能となる。そのため、同一個体のキク科に属する植物から繰り返しラテックスを採取することが可能となり、１個体から複数回ラテックスを採取することにより、１個体あたりのラテックスの採取量を増やすことができる。
【００２３】
また、種子からキク科に属する植物を栽培し、ラテックスを採取できるような大きさになるまでに相当な栽培期間が必要となるが、例えば、ロシアンタンポポでは３ヶ月以上の栽培期間が必要となるが、本発明のように、根が切断された、すなわち、一度ラテックスの採取を行った植物を再度栽培することにより、種子から栽培する場合に比べて、ラテックスの採取が可能になるまでの期間を短くすることができる。
【００２４】
本発明の空気入りタイヤの製造方法は、本発明のラテックスの採取方法により得られるラテックスから得られるゴムと、添加剤とを混練して混練物を得る混練工程、上記混練物から生タイヤを成形する生タイヤ成形工程、及び上記生タイヤを加硫する加硫工程を含む空気入りタイヤの製造方法であるので、ラテックス採取時の採取効率が高い手法で得られたラテックスから空気入りタイヤを製造するため、植物資源を有効に利用でき、環境に配慮して空気入りタイヤを製造することができる。
【００２５】
本発明のゴム製品の製造方法は、本発明のラテックスの採取方法により得られるラテックスから得られるゴムと、添加剤とを混練して混練物を得る混練工程、上記混練物から生ゴム製品を成形する生ゴム製品成形工程、及び上記生ゴム製品を加硫する加硫工程を含むゴム製品の製造方法であるので、ラテックス採取時の採取効率が高い手法で得られたラテックスからゴム製品を製造するため、植物資源を有効に利用でき、環境に配慮してゴム製品を製造することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２６】
【図１】葉を切断する前のロシアンタンポポの一例を示す写真である。
【図２】葉を切断した後、土に植えた状態のロシアンタンポポの一例を示す写真である。
【図３】茎と根の境界部の一例を示す写真である。
【発明を実施するための形態】
【００２７】
本発明のラテックスの採取方法は、キク科に属する植物の根を、一部の根が植物に残存するように切断する切断工程を含むラテックスの採取方法である。
【００２８】
本発明のキク科に属する植物の栽培方法は、キク科に属する植物の根を、一部の根が植物に残存するように切断する切断工程と、上記切断工程により根が切断された植物を、蒸散を抑制する処置が施された状態で栽培する蒸散抑制栽培工程とを含むキク科に属する植物の栽培方法である。
【００２９】
本発明の方法（ラテックスの採取方法、キク科に属する植物の栽培方法）が適用できるキク科（Ａｓｔｅｒａｃｅａｅ）に属する植物としては、特に限定されないが、Ｓｏｎｃｈｕｓ属、Ｓｏｌｉｄａｇｏ属、Ｈｅｌｉａｎｔｈｕｓ属、Ｔａｒａｘａｃｕｍ属、Ｌａｃｔｕｃａ属に属する植物等が挙げられる。
【００３０】
Ｓｏｎｃｈｕｓ属に属する植物としては、ノゲシ（Ｓｏｎｃｈｕｓ  ｏｌｅｒａｃｅｕｓ）、オニノゲシ（Ｓｏｎｃｈｕｓ  ａｓｐｅｒ）、ハチジョウナ（Ｓｏｎｃｈｕｓ  ｂｒａｃｈｙｏｔｕｓ）、タイワンハチジョウナ（Ｓｏｎｃｈｕｓ ａｒｖｅｎｓｉｓ）等が挙げられる。
【００３１】
Ｓｏｌｉｄａｇｏ属に属する植物としては、セイタカアワダチソウ（Ｓｏｌｉｄａｇｏ  ａｌｔｉｓｓｉｍａ）、アキノキリンソウ（Ｓｏｌｉｄａｇｏ  ｖｉｒｇａｕｒｅａ  ｓｕｂｓｐ．  ａｓｉａｔｉｃａ）、ミヤマアキノキリンソウ（Ｓｏｌｉｄａｇｏ  ｖｉｒｇａｕｒｅａ  ｓｕｂｓｐ．  ｌｅｉｐｃａｒｐａ）、キリガミネアキノキリンソウ（Ｓｏｌｉｄａｇｏ  ｖｉｒｇａｕｒｅａ  ｓｕｂｓｐ．  ｌｅｉｐｃａｒｐａ  ｆ．  ｐａｌｕｄｏｓａ）、オオアキノキリンソウ（Ｓｏｌｉｄａｇｏ  ｖｉｒｇａｕｒｅａ  ｓｕｂｓｐ．  ｇｉｇａｎｔｅａ）、オオアワダチソウ（Ｓｏｌｉｄａｇｏ  ｇｉｇａｎｔｅａ  Ａｉｔ．  ｖａｒ．  ｌｅｉｏｐｈｙｌｌａ  Ｆｅｒｎａｌｄ）等が挙げられる。
【００３２】
Ｈｅｌｉａｎｔｈｕｓ属に属する植物としては、ヒマワリ（Ｈｅｌｉａｎｔｈｕｓ  ａｎｎｕｕｓ）、シロタエヒマワリ（Ｈｅｌｉａｎｔｈｕｓ  ａｒｇｏｐｈｙｌｌｕｓ）、ヘリアンサス・アトロルベンス（Ｈｅｌｉａｎｔｈｕｓ  ａｔｒｏｒｕｂｅｎｓ）、ヒメヒマワリ（Ｈｅｌｉａｎｔｈｕｓ  ｄｅｂｉｌｉｓ）、コヒマワリ（Ｈｅｌｉａｎｔｈｕｓ  ｄｅｃａｐｅｔａｌｕｓ）、ジャイアントサンフラワー（Ｈｅｌｉａｎｔｈｕｓ  ｇｉｇａｎｔｅｕｓ）等が挙げられる。
【００３３】
Ｔａｒａｘａｃｕｍ属に属する植物としては、タンポポ（Ｔａｒａｘａｃｕｍ）、エゾタンポポ（Ｔａｒａｘａｃｕｍ  ｖｅｎｕｓｔｕｍ  Ｈ．Ｋｏｉｄｚ）、シナノタンポポ（Ｔａｒａｘａｃｕｍ  ｈｏｎｄｏｅｎｓｅ  Ｎａｋａｉ）、カントウタンポポ（Ｔａｒａｘａｃｕｍ  ｐｌａｔｙｃａｒｐｕｍ  Ｄａｈｌｓｔ）、カンサイタンポポ（Ｔａｒａｘａｃｕｍ  ｊａｐｏｎｉｃｕｍ）、セイヨウタンポポ（Ｔａｒａｘａｃｕｍ  ｏｆｆｉｃｉｎａｌｅ  Ｗｅｂｅｒ）、ロシアンタンポポ（Ｔａｒａｘａｃｕｍ  ｋｏｋｓａｇｈｙｚ）、Ｔａｒａｘａｃｕｍ  ｂｒｅｖｉｃｏｒｎｉｃｕｌａｔｕｍ等が挙げられる。
【００３４】
Ｌａｃｔｕｃａ属に属する植物としては、レタス（Ｌａｃｔｕｃａ  ｓａｔｉｖａ）、アキノノゲシ（Ｌａｃｔｕｃａ  ｉｎｄｉｃａ）等が挙げられる。
【００３５】
なかでも、本発明の方法（ラテックスの採取方法、キク科に属する植物の栽培方法）は、Ｔａｒａｘａｃｕｍ属に属する植物に好適に適用でき、ロシアンタンポポ（Ｔａｒａｘａｃｕｍ ｋｏｋｓａｇｈｙｚ）により好適に適用できる。
【００３６】
（ラテックスの採取方法）
まず、ラテックスの採取方法について説明する。
本発明のラテックスの採取方法は、キク科に属する植物の根を、一部の根が植物に残存するように切断する切断工程を含む。
【００３７】
＜切断工程＞
切断工程では、キク科に属する植物の根を、一部の根が植物に残存するように切断する。
【００３８】
幼植物の場合、根を切断してもラテックスの採取量が少ないことから、切断工程に供するキク科に属する植物は、ある程度成長した植物である成植物であることが好ましい。なお、植物は、水耕栽培のものでも土耕栽培のものでもよい。
【００３９】
植物の根を切断する方法としては特に限定されず、ハサミやナイフ等を用いて切断すればよい。
【００４０】
ここで根の切断は、植物に残存する根の長さが５．０ｃｍ以下となるように根を切断することが好ましく、４．０ｃｍ以下となるように根を切断することがより好ましく、３．５ｃｍ以下となるように根を切断することが更に好ましい。５．０ｃｍを超えると、ラテックスの採取量が低下するおそれがある。また、植物に残存する根の長さが２．０ｃｍ以上となるように根を切断することが好ましく、植物に残存する根の長さが２．５ｃｍ以上となるように根を切断することがより好ましく、植物に残存する根の長さが２．８ｃｍ以上となるように根を切断することが更に好ましい。２．０ｃｍ未満であると、根が切断された植物体が十分な吸水をすることができず、枯死する可能性が高くなり、植物を再利用できなくなるおそれがある。
なお、本明細書において、植物に残存する根の長さとは、茎と根の境界部から根の先端までの長さを意味する。また、茎と根の境界部から外挿した線を図３に示す。
【００４１】
なお、根の切断は、１本の根において１箇所のみを切断してもよいし、根の先端から地上部に向かって複数箇所を順に切断することとしてもよい。
【００４２】
＜ラテックスの採取工程＞
ラテックスの採取工程では、切断した根からラテックスを採取する。例えば、根を切断した部分からにじみ出る乳液を回収すればよい。この際に、ラテックスの採取量を増やす目的で、根の先端から地上部に向かって順に、根の切断、ラテックスの採取を繰り返すことが好ましい。にじみ出る乳液を回収する方法としては、特に限定されず、例えば、スパチュラ等の器具で適宜回収すればよい。
【００４３】
なお、もちろん切断した根を粉砕し、有機溶媒を用いて抽出することによりラテックスを採取してもよいが、にじみ出る乳液を回収することにより、有機溶媒による抽出方法に比べて、不純物量が少ないラテックスを効率よく採取できる。
【００４４】
どのような方法によりラテックスを採取するかは、採取量を重視するか品質を重視するかにより適宜決定すればよい。
【００４５】
（キク科に属する植物の栽培方法）
次に、キク科に属する植物の栽培方法について説明する。
本発明のキク科に属する植物の栽培方法は、上記切断工程により根が切断された植物を、蒸散を抑制する処置が施された状態で栽培する蒸散抑制栽培工程を含む。
【００４６】
＜蒸散抑制栽培工程＞
蒸散抑制栽培工程では、上記切断工程により根が切断された植物を、蒸散を抑制する処置が施された状態で栽培する。
【００４７】
上記切断工程により根が切断された植物は、根の切断に伴い吸水力が低下しているため、継続的に栽培するためには、植物体内水分の蒸散量を抑えるための蒸散を抑制する処置が施された状態で栽培することが必要である。
【００４８】
蒸散を抑制する処置としては、特に限定されず、蒸散抑制剤の使用や葉を切断する処置等が挙げられる。蒸散抑制剤を使用することにより、葉やけ（蒸散不足により葉に熱が蓄積し、葉の細胞が死ぬ現象）が起こるおそれがあるため、より安定的に植物を栽培できるという理由から、葉を切断する処置が好ましい。
【００４９】
蒸散を抑制する処置は、上記切断工程の前に行ってもよく、上記切断工程の後に行ってもよい。
【００５０】
葉を切断する処置としては、特に限定されないが、葉の一部を残すように葉を切断することが好ましく、中心部、すなわち、茎と根の境界部近傍の葉を残すように葉を切断することがより好ましい。
【００５１】
葉を切断する場合、植物に残存する葉の長さが２．０〜４．０ｃｍとなるように葉を切断することが好ましく、植物に残存する葉の長さが２．５〜３．５ｃｍとなるように葉を切断することがより好ましい。４．０ｃｍを超えると、根からの吸水量よりも葉からの蒸散量が多くなり、植物体の乾燥が進み、枯死する可能性が高くなる。一方、２．０ｃｍ未満では、生長速度の速い若い葉の部分を傷つけてしまうおそれがある。
なお、本明細書において、葉とは、茎も含む概念であり、植物に残存する葉の長さとは、茎と根の境界部から葉の先端までの長さを意味する。
【００５２】
蒸散抑制栽培工程では、上記切断工程により根が切断された植物を、蒸散を抑制する処置が施された状態で栽培すればよく、その他の栽培条件等は特に限定されない。その他の栽培条件の一例を紹介すると以下の通りである。
【００５３】
蒸散抑制栽培工程において、栽培温度は好ましくは１６〜３０℃であり、上限はより好ましくは２６℃、更に好ましくは２３℃である。この温度範囲を外れると、植物の生育に悪影響を与えるおそれがある。
【００５４】
蒸散抑制栽培工程において、葉の位置での照度は、好ましくは７０００〜２００００ｌｘである。光源としては特に限定されず、白色蛍光灯で十分である。照度は７０００ｌｘ未満であると光合成が十分できず、植物の生育に悪影響を与えるおそれがある。２００００ｌｘを超えても同様に植物の生育に悪影響を与えるおそれがある。ただし、通常の栽培であれば７０００〜８０００ｌｘの照度があれば十分である。
【００５５】
蒸散抑制栽培工程において、日長条件が１２時間以上であることが好ましく、１４時間以上であることがより好ましい。日長条件が１２時間未満であると、光合成が十分にできず植物の栽培生育に悪影響を与えるおそれがある。日長条件の上限値は特に限定されないが、好ましくは１８時間である。
なお、本明細書において、日長条件とは、２４時間のうち、葉の位置での照度が上記好ましい範囲内となる時間を意味する。
【００５６】
蒸散抑制栽培工程では、水耕栽培でも土耕栽培でもよいが、根に適当な圧力（刺激）を与えることでラテックスの採取部位である主根の形成を促すという理由から、土耕栽培が好ましい。
【００５７】
蒸散抑制栽培工程により、上記切断工程により根が切断された植物を継続的に栽培することが可能となる。
蒸散抑制栽培工程により栽培した植物が、再度ラテックスの採取が可能な状態となったか否かは、切断後に展開した葉の枚数により判断すればよい。再度ラテックスが採取可能な段階としては、展開した葉の枚数が好ましくは１０枚以上、より好ましくは３０枚以上になった段階である。
【００５８】
蒸散抑制栽培工程により栽培した植物を用いて再度、切断工程、ラテックスの採取工程を行うことにより、すなわち、切断工程、ラテックスの採取工程、蒸散抑制栽培工程を順に繰り返すことにより、同一個体のキク科に属する植物から繰り返しラテックスを採取することが可能となり、１個体から複数回ラテックスを採取することにより、１個体あたりのラテックスの採取量を増やすことができる。
【００５９】
（ゴム製品の製造方法）
本発明のゴム製品の製造方法は、上記ラテックスの採取方法により得られるラテックスから得られるゴムと、添加剤とを混練して混練物を得る混練工程、上記混練物から生ゴム製品を成形する生ゴム製品成形工程、及び上記生ゴム製品を加硫する加硫工程を含むゴム製品の製造方法である。
【００６０】
ゴム製品としては、ゴム（好ましくは天然ゴム）を使用して製造できるゴム製品であれば特に限定されず、例えば、空気入りタイヤ、ゴムクローラ、ゴム防舷材、手袋、医療用ゴムチューブ等が挙げられる。
【００６１】
ゴム製品が空気入りタイヤの場合、すなわち、本発明のゴム製品の製造方法が本発明の空気入りタイヤの製造方法の場合、上記生ゴム製品成形工程は、上記混練物から生タイヤを成形する生タイヤ成形工程に、上記加硫工程は、上記生タイヤを加硫する加硫工程に相当する。すなわち、本発明の空気入りタイヤの製造方法は、上記ラテックスの採取方法により得られるラテックスから得られるゴムと、添加剤とを混練して混練物を得る混練工程、上記混練物から生タイヤを成形する生タイヤ成形工程、及び上記生タイヤを加硫する加硫工程を含む空気入りタイヤの製造方法である。
【００６２】
＜混練工程＞
混練工程では、上記ラテックスの採取方法により得られるラテックスから得られるゴムと、添加剤とを混練して混練物を得る。
【００６３】
上記ラテックスの採取方法により得られるラテックスから得られるゴムは、上記ラテックスの採取方法により採取したラテックスを以下の固化工程に供することにより得られる。
【００６４】
＜固化工程＞
上記ラテックスの採取方法により採取したラテックスは、固化工程に供される。固化する方法としては、特に限定されず、エタノール、メタノール、アセトン等のポリイソプレノイド（天然ゴム）を溶解しない溶媒にラテックスを添加する方法やラテックスに酸を添加する方法等が挙げられる。固化工程を行うことにより、ラテックスからゴム（天然ゴム）を固形分として回収できる。得られたゴム（天然ゴム）は、必要に応じて乾燥してから使用すればよい。
【００６５】
添加剤としては特に限定されず、ゴム製品の製造に用いられる添加剤を使用できる。例えば、ゴム製品が空気入りタイヤの場合、例えば、上記ラテックスから得られたゴム以外のゴム成分、カーボンブラック、シリカ、炭酸カルシウム、アルミナ、クレー、タルクなどの補強用充填剤、シランカップリング剤、酸化亜鉛、ステアリン酸、加工助剤、各種老化防止剤、オイルなどの軟化剤、ワックス、硫黄などの加硫剤、加硫促進剤等が挙げられる。
【００６６】
混練工程における混練は、オープンロール、バンバリーミキサー、密閉式混練機などのゴム混練装置を用いて行えばよい。
【００６７】
＜生ゴム製品成形工程（タイヤの場合は生タイヤ成形工程）＞
生ゴム製品成形工程では、混練工程により得られた混練物から生ゴム製品（タイヤの場合は生タイヤ）を成形する。
生ゴム製品の成形方法としては特に限定されず、生ゴム製品の成形に用いられる方法を適宜適用すればよい。例えば、ゴム製品が空気入りタイヤの場合、混練工程により得られた混練物を、各タイヤ部材の形状に合わせて押し出し加工し、タイヤ成型機上にて通常の方法にて成形し、各タイヤ部材を貼り合わせ、生タイヤ（未加硫タイヤ）を成形すればよい。
【００６８】
＜加硫工程＞
加硫工程では、生ゴム製品成形工程により得られた生ゴム製品を加硫することにより、ゴム製品が得られる。
生ゴム製品を加硫する方法としては特に限定されず、生ゴム製品の加硫に用いられる方法を適宜適用すればよい。例えば、ゴム製品が空気入りタイヤの場合、生ゴム製品成形工程により得られた生タイヤ（未加硫タイヤ）を加硫機中で加熱加圧して加硫することにより空気入りタイヤが得られる。
【実施例】
【００６９】
実施例に基づいて、本発明を具体的に説明するが、本発明はこれらのみに限定されるものではない。
【００７０】
ロシアンタンポポ（Ｔａｒａｘａｃｕｍ  ｋｏｋｓａｇｈｙｚ  ＫＡＺ０８−０１５株）の種子を２日間以上４℃で春化処理を行った後、土植えした。
【００７１】
土植え後、２３℃で、明条件１６時間、暗条件８時間の条件下で３カ月栽培した。明条件時の葉の位置での照度は７０００〜８０００ｌｘを維持した。暗条件時の葉の位置での照度は１ｌｘ以下を維持した。
【００７２】
播種後３カ月栽培したロシアンタンポポの根を切断し、ラテックスを採取した。根の切断は根の先端から開始し、植物に残存する根の長さが３．０ｃｍとなるまで５ｍｍ程度の間隔で切断し、ラテックスを採取した。
【００７３】
採取したラテックスをエタノールに５時間浸漬し、天然ゴムを固化させた。
【００７４】
固化させた天然ゴムは一晩室温で乾燥させたのち、重量平均分子量を測定した。
【００７５】
ラテックスを採取したロシアンタンポポは、植物に残存する葉の長さが３．０ｃｍとなるように葉を切断した（図２参照）。葉を切断した後、元の土植えに戻した。
【００７６】
土植えしなおしたロシアンタンポポは前述の条件（２３℃、日長条件１６時間）で再度２カ月栽培した。
【００７７】
２カ月の再栽培期間の後、再度前述の方法と同様に根からラテックスを採取した。採取したラテックスは前述の方法と同様に処理し、得られた天然ゴムの重量平均分子量を測定した。
【００７８】
（比較例）
比較として、播種後５カ月間ラテックスの採取をしなかったロシアンタンポポから前述の方法と同様に根からラテックスを採取した。採取したラテックスは前述の方法と同様に処理し、得られた天然ゴムの重量平均分子量を測定した。
【００７９】
得られたゴムの重量平均分子量（Ｍｗ、ポリスチレン換算）は、下記（１）〜（７）の条件で、ゲルパーミエーションクロマトグラフ（ＧＰＣ）法により測定した。
（１）装置：東ソー社製ＨＬＣ−８０２０
（２）分離カラム：東ソー社製ＧＭＨ−ＸＬ
（３）測定温度：４０℃
（４）キャリア：テトラヒドロフラン
（５）流量：０．６ｍＬ／分
（６）検出器：示差屈折、ＵＶ（２１５ｎｍ）
（７）分子量標準：標準ポリイソプレン、標準ポリスチレン
【００８０】
５カ月間ラテックスの採取を行わなかったロシアンタンポポから採取したゴムの重量平均分子量は、約２６０万で、途中ラテックスの採取を行い、再度栽培したロシアンタンポポから採取したゴムの重量平均分子量は約２３０万であった。このことから、途中でラテックスを採取した植物体からも、一度もラテックスを採取していない植物体と同等のゴムを採取できることが確認できた。
【００８１】
また、途中でラテックスを採取した植物体から再度得られた天然ゴム量（すなわち、２度目の採取により得られた天然ゴム量）と、一度もラテックスを採取していない植物体から得られた天然ゴム量は同程度であった（３ｍｇ前後）。このように、１個体から複数回ラテックスを採取することにより、１個体あたりのラテックスの採取量を増やすことができる。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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