(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、
前記基板に設けられた第一導体層及び第二導体層を有する導体層と、
前記第一導体層に設けられた第一電子素子と、
前記第一電子素子に設けられた第二電子素子と、
前記第二導体層に設けられた基端部と、前記基端部と一体に形成され、前記第二電子素子のおもて面電極に導電性接着剤を介して接続されたヘッド部とを有する接続子と、
を備え、
前記基端部の前記第二導体層に載置される面積は、前記ヘッド部の前記第二電子素子に載置される面積よりも大きくなり、
前記基端部は前記ヘッド部よりも前記基板側に位置付けられ、前記接続子の重心位置が前記接続子の前記基端部側にあることを特徴とする電子装置。
【請求項２】
前記第一電子素子及び前記第二電子素子はパワー半導体素子であり、
前記第一電子素子の発熱量は前記第二電子素子の発熱量よりも大きいことを特徴とする請求項１に記載の電子装置。
【請求項３】
前記第一電子素子の上方に設けられ、前記第二電子素子の下方に設けられる１つ以上の第三電子素子をさらに備えることを特徴とする請求項１又は２のいずれかに記載の電子装置。
【請求項４】
前記ヘッド部は、前記第二電子素子側に突出した第二凸部と、前記第二凸部から前記第二電子素子側に突出した第一凸部とを有していることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の電子装置。
【請求項５】
前記ヘッド部は、前記第二電子素子側に突出した第二凸部を有し、
前記基端部は支持面を有し、
前記第二凸部の平面形状は長円形であり、
前記支持面の平面形状は矩形であることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載の電子装置。
【請求項６】
前記基端部は、支持面と、前記支持面の周縁に設けられた凹部と、を有することを特徴とする請求項１乃至５のいずれか１項に記載の電子装置。
【請求項７】
前記基端部は、おもて面側に曲がって延びた屈曲部を有し、
前記凹部は、少なくとも前記屈曲部までおもて面側に延びていることを特徴とする請求項６に記載の電子装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電子装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来から、２段以上重ねた電子素子を含み、封止樹脂等の封止部で封止された電子装置が知られている。このように電子素子を２段以上重ねた場合には、電子素子と導体層とを複数のワイヤで接続する態様が用いられていた。しかしながら、上方の電子素子が発熱した場合の放熱は、ワイヤ又は下方の電子素子を介して行われることから下方の電子素子に比べて十分なものではなかった。【０００３】
この点、放熱性を高めるために、電子素子の間にインターポーザを設けることが提案されている（例えば、特開２０１３−２２２９０５参照）。しかしながら、このようなインターポーザを設けることは一つ余分な部材が必要となることから、このような部材を設けることなく、簡易な構成で放熱性を高めることが期待されていた。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
このような点に鑑み、本発明は、電子素子からの発熱を効率よく放熱できる電子装置を提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明による電子装置は、
基板と、
前記基板に設けられた第一導体層及び第二導体層を有する導体層と、
前記第一導体層に設けられた第一電子素子と、
前記第一電子素子に設けられた第二電子素子と、
前記第二導体層に設けられた基端部と、前記基端部と一体に形成され、前記第二電子素子のおもて面電極に導電性接着剤を介して接続されたヘッド部とを有する接続子と、
を備え、
前記基端部の前記第二導体層に載置される面積が、前記ヘッド部の前記第二電子素子に載置される面積よりも大きくなり、
前記基端部が前記ヘッド部よりも前記基板側に位置付けられ、前記接続子の重心位置が前記接続子の前記基端部側にある。【０００６】
本発明による電子装置において、
前記第一電子素子及び前記第二電子素子はパワー半導体素子であり、
前記第一電子素子の発熱量は前記第二電子素子の発熱量よりも大きくてもよい。【０００７】
本発明による電子装置は、
前記第一電子素子の上方に設けられ、前記第二電子素子の下方に設けられる１つ以上の第三電子素子をさらに備えてもよい。【０００８】
本発明による電子装置において、
前記ヘッド部は、前記第二電子素子側に突出した第二凸部と、前記第二凸部から前記第二電子素子側に突出した第一凸部とを有してもよい。【０００９】
本発明による電子装置において、
前記ヘッド部は、前記第二電子素子側に突出した第二凸部を有し、
前記基端部は支持面を有し、
前記第二凸部の平面形状は長円形であり、
前記支持面の平面形状は矩形であってもよい。【００１０】
本発明による電子装置において、
前記基端部は、支持面と、前記支持面の周縁に設けられた凹部と、を有してもよい。【００１１】
本発明による電子装置において、
前記基端部は、おもて面側に曲がって延びた屈曲部を有し、
前記凹部は、少なくとも前記屈曲部までおもて面側に延びてもよい。
【発明の効果】
【００１２】
本発明では、接続子の基端部の第二導体層上に載置される面積が、接続子のヘッド部の第二電子素子上に載置される面積よりも大きくなっている。また、接続子の重心位置が接続子の基端部の上方にあることから、接続子のヘッド部が傾くことを防止できる。これらのことから、第一電子素子又は第二電子素子から出た熱を第二導体層へと安定した状態で効率よく伝達して逃がすことができる。【００１３】
また、前述したように接続子の重心位置が接続子の基端部の上方にあることから、接続子のヘッド部が傾くことを防止でき、その結果、ヘッド部での周縁部の導電性接着剤の厚さが薄くなることによる信頼性の低下を防止できる。
【図面の簡単な説明】
【００１４】
【図１】図１は、本発明の実施の形態による半導体装置の斜視図である。
【図２】図２は、本発明の実施の形態による半導体装置の一部を拡大した側方図である。
【図３】図３は、本発明の実施の形態で用いられる接続子を示した底面図である。
【図４】図４は、本発明の実施の形態で用いられる接続子を示した斜視図である。
【図５】図５は、本発明の第１の実施の形態で用いられる第一凸部の一態様を示した側方図である。
【図６】図６は、本発明の第１の実施の形態で用いられる第一凸部の別の態様を示した側方図である。
【図７】図７（ａ）は、第三半導体素子が１つだけ設けられた態様を示した側方断面図であり、図７（ｂ）は、第三半導体素子が２つ設けられた態様を示した側方断面図である。
【図８】図８は、本発明の実施の形態で用いられる接続子の一変形例を示した底面図である。
【図９】図９は、本発明の実施の形態で用いられる接続子の別の変形例を示した底面図である。
【図１０】図１０は、本発明の実施の形態で用いられる第二半導体素子のおもて面電極の形状を説明するための平面図である。
【図１１】図１１は、本発明の実施の形態による半導体装置の側方図である。
【発明を実施するための形態】
【００１５】
実施の形態
《構成》
図１に示すように、本実施の形態の電子装置の一例である半導体装置は、例えば絶縁性材料からなる基板５と、基板５上に設けられ、銅等からなる導体層７０と、を有してもよい。基板５の裏面には、銅等からなる放熱板７９が設けられてもよい。半導体装置は、封止樹脂等からなる封止部８０（図１１参照）と、封止部８０内に設けられた電子素子の一例である半導体素子９１，９２と、を有してもよい。封止部８０からは導体層７０に接続された端子（図示せず）が外部に突出していてもよい。
【００１６】
導体層７０は、基板５上に設けられた第一導体層７１及び第二導体層７２を有してもよい。また、半導体素子９１，９２は、第一導体層７１上に設けられ、第一電子素子の一例である第一半導体素子９１と、第一半導体素子９１の上方に設けられ、第二電子素子の一例である第二半導体素子９２と、を有してもよい。本実施の形態では、電子装置として半導体装置を用い、第一電子素子として第一半導体素子９１を用い、第二電子素子として第二半導体素子９２を用いた態様を用いて説明するが、これに限られるものではなく、特に半導体である必要はない。
【００１７】
図２に示すように、半導体装置は、第二導体層７２にはんだ等の導電性接着剤７５を介して設けられた基端部４５と、基端部４５と一体に形成され、第二半導体素子９２のおもて面に導電性接着剤７５を介して設けられたヘッド部４０とを有する接続子５０を有してもよい。第一半導体素子９１の裏面と第一導体層７１及び第二半導体素子９２の裏面と第一半導体素子９１のおもて面とは、はんだ等の導電性接着剤７５を介して接続されてもよい。
【００１８】
基端部４５の第二導体層７２上に載置される面積は、ヘッド部４０の第二半導体素子９２上に載置される面積よりも大きくなってもよい。一例としては、基端部４５の第二導体層７２上に載置される面積は後述する支持面４６の面積であり、ヘッド部４０の第二半導体素子９２上に載置される面積は後述する第二凸部４２の面積である。基端部４５はヘッド部４０よりも下方（基板５側）に位置付けられ、接続子５０の重心位置が接続子５０の基端部４５側にあってもよい（図４及び図１１参照）。なお、図１１に示した半球状の凸部は、シュミレーションした結果、算出された重心の位置を示している。
【００１９】
第一半導体素子９１はカスコード接続されるスイッチング素子であり、第二半導体素子９２は制御素子であってもよい。この場合には、スイッチング素子の発熱量は、制御素子の発熱量よりも大きくなっていてもよい。一例としては、第一半導体素子９１は炭化ケイ素パワーデバイス又は窒化ガリウムパワーデバイスであり、第二半導体素子９２はＭＯＳＦＥＴであってもよい。また、第二半導体素子９２は、集積回路、スイッチング素子又は整流素子であってもよい。図１に示すように、導体層７０は第三導体層７３を有してもよい。この第三導体層７３は、一例として、第二半導体素子９２がスイッチング素子の場合に利用されることになる。また、第一半導体素子９１及び第二半導体素子９２の各々はパワー半導体素子であってもよい。
【００２０】
本実施の形態のような接続子５０を用いることで、配線抵抗を小さくすることができる。なお、一般的にワイヤはアルミから形成されているが、接続子５０は銅を含む材料（銅のみを含む。）で形成することができる。このように銅を含む材料を採用することで、配線抵抗をさらに小さくすることができ、ひいては、スイッチング素子から出されるノイズを低減できる。特に第一半導体素子９１がカスコード接続されるスイッチング素子（炭化ケイ素パワーデバイス又は窒化ガリウムパワーデバイス）である場合には、スイッチの切り替え速度が高速となるので、ノイズの影響が大きくなる傾向にある。この点、銅を含む材料からなる接続子５０を採用することで、前述したノイズの影響を減らすことができる。また、配線抵抗を小さくできる分、スイッチング素子の切り替え速度を遅くしても電流が流れることになり、この結果からもノイズの発生を低減できる。
【００２１】
また、図７（ａ）（ｂ）に示すように、半導体素子（電子素子）は３段以上に積み重ねられてもよく、第一半導体素子９１の上方に設けられ、第二半導体素子９２の下方に設けられる１つ以上の第三半導体素子（第三電子素子）９３が設けられてもよい。このように３段以上となった場合には熱がより籠りやすくなる。このため、本実施の形態の接続子５０を採用することの技術的意義は大きくなる。図７（ａ）では、第三半導体素子９３が１つだけ設けられた態様を示しており、図７（ｂ）では、第三半導体素子９３ａ，９３ｂが２つ設けられた態様を示している。これらに限られることはなく、第三半導体素子は３つ以上設けられてもよい。
【００２２】
図３に示すように、ヘッド部４０は、第二半導体素子９２側に突出する第一凸部４１を有してもよい。第一凸部４１は、導電性接着剤７５に対して沈み込み、第二半導体素子９２のおもて面に点で接触してもよい。基端部４５は、導体層７０に接触する又は導体層７０上の導電性接着剤７５に設けられる支持面４６を有してもよい。
【００２３】
ヘッド部４０は、図３に示すように、第一凸部４１の他に第二半導体素子９２側に突出する第二凸部４２を有してもよいし、図８に示すように、第二凸部４２だけを有し第一凸部４１を有さなくてもよい。また、図９に示すように、第一凸部４１だけを有し第二凸部４２を有さなくてもよい。ヘッド部４０が第一凸部４１及び第二凸部４２を有する場合には、第二凸部４２から第二半導体素子９２側に第一凸部４１が突出することになる。
【００２４】
図３に示すように、基端部４５は、支持面４６の周縁に設けられた凹部４７を有してもよい。凹部４７は、支持面４６の全体を取り囲むように設けられてもよいが、図３に示すように、支持面４６のうち、基端側の３辺を連続的に取り囲むようにして形成されてもよい。また、凹部４７は、支持面４６を連続的にではなく断続的に取り囲むように形成されてもよい。また、基端部４５はおもて面側（図４の上方側）に曲がって延びた屈曲部４８を有してもよい。凹部４７は、支持面４６からおもて面側に延びた屈曲部４８に沿っておもて面側に延びてもよい。このように凹部４７が屈曲部４８に沿っておもて面側に延びている態様を採用した場合には、屈曲部４８に設けられた凹部４７に沿って導電性接着剤７５を設けることができ、フェレットを形成しやすくなる点で有益である。
【００２５】
また、屈曲部４８に凹部４７の先端（上端）が設けられている場合には、屈曲部４８を形成する際に凹部４７の形状が潰れてしまうことがある。この点、図４に示すように、屈曲部４８よりも高い位置に凹部４７の端部を位置づけることで、屈曲部４８を形成する際に凹部４７の形状が潰れてしまうことを未然に防止できる。
【００２６】
基端部４５の幅方向（図３の上下方向）の中心とヘッド部４０の幅方向の中心とを結んだ直線を第一方向（図３の左右方向）とした場合に、支持面４６の第一方向に沿った長さは第二凸部４２の第一方向に沿った長さよりも長くなっていてもよい（図３参照）。一例としては、支持面４６の第一方向に沿った長さは第二凸部４２の第一方向に沿った長さの２倍〜３倍となってもよい。
【００２７】
第一凸部４１は、ヘッド部４０の幅方向の中心に位置付けられてもよい。
【００２８】
第二半導体素子９２のおもて面電極のうち、ヘッド部４０と接続される第一おもて面電極９２ａの平面形状は縦長形状となっていてもよく、一例としては長方形となってもよいし、図１０に示すように、第二おもて面電極９２ｂが設けられる部分だけ凹んだ切欠き付き長方形となってもよい。第二おもて面電極９２ｂは、例えば第二半導体素子９２がスイッチング素子である場合に利用される。封止部８０から外部に出ている制御端子（図示せず）が第三導体層７３に接続され、この第三導体層７３にワイヤ１９（図１参照）を介して第二おもて面電極９２ｂが接続されてもよい。この制御端子は、第二半導体素子９２を制御するために用いられてもよい。
【００２９】
図３に示すように、第二凸部４２の平面形状は長円形となってもよい。また、支持面４６の平面形状は矩形になってもよい。第二半導体素子９２のおもて面電極９２ａの平面形状に合わせて、第二凸部４２の平面形状を長方形又は切欠き付き長方形とすることも考えられるが、角を有する形状を採用すると、第二凸部４２と第二半導体素子９２との間に設けられた導電性接着剤７５（図２参照）にクラックが入る可能性がある。この点、第二凸部４２の平面形状を長円形とすることで、第二凸部４２と第二半導体素子９２との間に設けられた導電性接着剤７５にクラックが入ることを未然に防止できる。
【００３０】
なお、接続子５０が銅を含む材料（銅のみを含む。）からなり、導体層７０も銅を含む材料（銅のみを含む。）からなる場合のように、接続子５０と導体層７０とが同じ材料又は実質同じ材料からなる場合には、接続子５０の熱膨張と導体層７０の熱膨張との差が小さくなる。このため、支持面４６の平面形状が正方形又は長方形のような矩形となる場合でも、接続子５０の基端部４５と第二導体層７２との間に設けられた導電性接着剤７５（図２参照）にクラックは入り難い。また、接続子５０のヘッド部４０側では第一半導体素子９１及び第二半導体素子９２が発熱するのに対して、接続子５０の基端部４５側ではそのような発熱がないことから、その意味でも、接続子５０の基端部４５と第二導体層７２との間に設けられた導電性接着剤７５にクラックは入り難い。他方、支持面４６の平面形状を矩形とすることで、支持面４６の大きさを極力大きくすることができ、より確実に基端部４５側に重心を位置づけることができるようになる。この点から、第二凸部４２の平面形状を長円形とし、他方、支持面４６の平面形状を矩形とする態様を採用することは有益である。
【００３１】
第二半導体素子９２のおもて面電極９２ａの平面形状と第一凸部４１の平面形状とは対応するようになってもよい。例えば、おもて面電極９２ａの平面形状が長方形となり、第二凸部４２の平面形状が長円形となっている場合には、おもて面電極９２ａの長方形の短辺Ｌ１（図１０参照）が第二凸部４２の長円形の短径Ｒ１（図３参照）に対応し、及び／又は、おもて面電極９２ａの長方形の長辺Ｌ２が第二凸部４２の長円形の長径Ｒ２（図３参照）に対応してもよい。ここで「対応」するとは、全体の長さの±５％の範囲になっていることを意味し、Ｌ１＝（１±０．１）×Ｒ１となり、Ｌ２＝（１±０．１）×Ｒ２となることを意味している。図１０に示すように第二おもて面電極９２ｂが切欠き付き長方形となっている場合には、おもて面電極９２ａの切欠き付き長方形の短辺Ｌ１が第二凸部４２の長円形の短径Ｒ１に対応し、おもて面電極９２ａの切欠き付き長方形の長辺Ｌ２は第二凸部４２の長円形の長径Ｒ２に対応していなくてもよいし、又は、おもて面電極９２ａの切欠き付き長方形のうち切欠きが設けられていない箇所に対応する長辺が第二凸部４２の長円形の長径Ｒ２に対応してもよい。なお、本実施の形態における「長円形」には、図３に示されるように、直線部分と半円形又は円弧とを有する形状も含まれている。
【００３２】
《作用・効果》
次に、上述した構成からなる本実施の形態による作用・効果のうち、まだ説明していないものを中心に説明する。
【００３３】
本実施の形態において、接続子５０の基端部４５の第二導体層７２上に載置される面積が、接続子５０のヘッド部４０の第二半導体素子９２上に載置される面積よりも大きくなり（図３参照）、図４及び図１１に示すように、接続子５０の重心位置が接続子５０の基端部４５の上方にある態様を採用した場合には、接続子５０のヘッド部４０が傾くことを防止できる。このため、第一半導体素子９１及び／又は第二半導体素子９２から出た熱を第二導体層７２へと安定した状態で効率よく伝達して逃がすことができる。
【００３４】
また、図４及び図１１に示すように、接続子５０の重心位置が接続子５０の基端部４５の上方にある態様を採用することで、接続子５０のヘッド部４０が傾くことを防止でき、その結果、ヘッド部４０での周縁部のはんだ厚が薄くなることによる信頼性の低下を防止できる。
【００３５】
本実施の形態のように、２つ以上の半導体素子が積み重ねられ、最も上方に位置する半導体素子（第二半導体素子９２）にヘッド部４０が載置される態様では、ヘッド部と基端部とが同一又は実質同一の高さに位置する態様と比較して、重心が上方に移動することから、接続子５０が不安定になる。この点、本実施の形態のように、基端部４５の第二導体層７２上に載置される面積を大きくし、接続子５０の重心位置が接続子５０の基端部４５の上方にある態様とすることで、接続子５０が不安定になることを極力防止できる。
【００３６】
また、第一凸部４１を採用することで、第一凸部４１が設けられていない箇所に導電性接着剤７５を位置付けることができ、信頼性の低下を防止できる。特に接続子５０の重さによってヘッド部４０が導電性接着剤７５に対して沈み込み、第一凸部４１と第二半導体素子９２のおもて面とが接触する態様においては、第一凸部４１の厚み（高さ）を適切な値にすることで、ヘッド部４０と第二半導体素子９２のおもて面との間に適切な厚みの導電性接着剤７５を設けることができる。
【００３７】
また、図３に示すように、ヘッド部４０が第二半導体素子９２側に突出する第二凸部４２を有し、第一凸部４１が第二凸部４２から第二半導体素子９２側に突出する態様を採用した場合には、第一凸部４１が設けられていない箇所ではんだ等の導電性接着剤７５の厚みを一定程度厚くすることができ、さらに第一凸部４１及び第二凸部４２が設けられていない箇所で導電性接着剤７５の厚みをさらに厚くすることができる。特に接続子５０の重さによってヘッド部４０が導電性接着剤７５に対して沈み込み、第一凸部４１と第二半導体素子９２のおもて面とが接触する態様においては、第一凸部４１及び第二凸部４２の厚み（高さ）を適切な値にすることで、ヘッド部４０と半導体素子９１，９２のおもて面との間に適切な厚みの導電性接着剤７５を設けることができる。また、第二凸部４２の幅を適切な値にすることで、電流経路の幅を確保することができる。
【００３８】
基端部４５は、支持面４６で導体層７０に接触するか又は（硬化する前の）導電性接着剤７５にバランスよく浮くことができる。支持面４６が導体層７０に接触する場合には、より確実に、接続子５０のバランスが崩れることを防止できる。他方、支持面４６が導電性接着剤７５に浮いている場合には、導電性接着剤７５が固まったときに、基端部４５と導体層７０とをより確実に接着できるし、導電性接着剤７５の厚みを確保できることから、導電性接着剤７５にクラックが入ることを防止できる。
【００３９】
基端部４５が導体層７０にはんだ等の導電性接着剤７５を介して接続される態様において、基端部４５が、図３に示すように、支持面４６と、支持面４６の周縁に設けられた凹部４７とを有する態様を採用した場合には、凹部４７に導電性接着剤７５を入れ込むことができ、導電性接着剤７５によるフィレット（例えばはんだフェレット）を形成しやすくできる。このため、導電性接着剤７５の量が不十分となって、導電性接着剤７５が硬化した後で、クラックが入ってしまうことを防止できる。特に支持面４６が導体層７０に接触するほど接続子５０が重い場合には、このような凹部４７を設けることで、導電性接着剤７５によって基端部４５と導体層７０とを接着できる点で有益である。また、このような場合には、図４に示すように、凹部４７が屈曲部４８に沿っておもて面側に延びている態様を採用することも有益である。この態様を採用することで、より厚みの厚い導電性接着剤７５によってフィレットを形成できるためである。
【００４０】
また、第二半導体素子９２のおもて面に塗布できる導電性接着剤７５の量や、第二半導体素子９２のおもて面に載置できるヘッド部４０の大きさに制約がある。この点、導電性接着剤７５と必要な接触面積分だけの（面内方向の）大きさからなる第二凸部４２を設けることで、導電性接着剤７５との適切な接触面積を確保でき、導電性接着剤７５の量を適切なものにすることができる。
【００４１】
また、図３に示すように、第二半導体素子９２のおもて面電極９２ａの平面形状が縦長形状となり、第二凸部４２の平面形状が長円形となっている場合であって、おもて面電極９２ａの長手方向に沿って第二凸部４２の長円形の長辺が設けられる場合には、おもて面電極９２ａと第二凸部４２を通過する電流経路の幅を広くすることができる点で有益である。また、第二凸部４２の平面形状を長円形とすることで、ヘッド部４０が傾く可能性を低減できる。特に、ヘッド部４０の幅方向（図３の上下方向）に沿って長円形の長径が設けられる態様では、ヘッド部４０が幅方向で傾く可能性を低減できる点で有益である。
【００４２】
第一凸部４１がヘッド部４０の幅方向（図３の上下方向）の中心に位置付けられる態様を採用することによっても、ヘッド部４０が幅方向で傾くことを防止できる。特に接続子５０の重さによってヘッド部４０が導電性接着剤７５に対して沈み込み、第一凸部４１と第二半導体素子９２のおもて面とが接触する態様においては、第一凸部４１を中心として幅方向でヘッド部４０が傾いてしまう可能性がある。この点、本態様を採用することで、幅方向でヘッド部４０が傾いてしまう可能性を低減できる。
【００４３】
図５及び図６に示すように、第一凸部４１が、その根元側に位置し、縦断面形状が直線となった直線部４１ａと、直線部４１ａの先端側に位置し、縦断面形状が半球又は円弧となった半球形状部４１ｂとを有する態様を採用した場合には、半球形状部４１ｂにおける径を小さくことができる。このため、ヘッド部４０が導電性接着剤７５に沈み込んで第一凸部４１が第二半導体素子９２のおもて面と接触する場合でも、より小さな面積（点）で第一凸部４１と第二半導体素子９２のおもて面とを接触させることができる。この結果、ヘッド部４０と第二半導体素子９２のおもて面との間に位置する導電性接着剤７５を増やすことができ、ひいては、硬化した際に導電性接着剤７５にクラックが入る等の不具合が発生することを未然に防止できる。
【００４４】
図６に示すように、直線部４１ａとして先端に向かって幅の狭くなったテーパー状となっている態様を採用した場合には、先端側で導電性接着剤７５を増やすことができる。このため、第二半導体素子９２に近い先端側において、硬化した際に導電性接着剤７５にクラックが入る等の不具合が発生することを未然に防止できる。また、先端側に向かって徐々に導電性接着剤７５の量を増やすことができるので、第一凸部４１の周りに均等かつ確実に導電性接着剤７５を位置付けることができる。このため、接続子５０の重さによってヘッド部４０が導電性接着剤７５に対して沈み込み、第一凸部４１と半導体素子９１，９２のおもて面とが接触する態様であっても、ヘッド部４０が傾いてしまう可能性を低減できる。なお、図５に示すように、直線部４１ａは円柱形状となっていてもよい。
【００４５】
最後になったが、上述した実施の形態の記載及び図面の開示は、請求の範囲に記載された発明を説明するための一例に過ぎず、上述した実施の形態の記載又は図面の開示によって請求の範囲に記載された発明が限定されることはない。また、出願当初の請求項の記載はあくまでも一例であり、明細書、図面等の記載に基づき、請求項の記載を適宜変更することもできる。
【符号の説明】
【００４６】
５          基板
４０        ヘッド部
４１        第一凸部
４２        第二凸部
４５        基端部
４６        支持面
４７        凹部
４８        屈曲部
５０        接続子
７０        導体層
７１        第一導体層
７２        第二導体層
７５        導電性接着剤
９１        第一半導体素子（第一電子素子）
９２        第二半導体素子（第二電子素子）
９２ａ      第一おもて面電極（おもて面電極）
９２ｂ      第二おもて面電極（おもて面電極）
９３        第三半導体素子（第三電子素子）
【要約】
電子装置は、基板５と、第一導体層７１に設けられた第一電子素子９１と、前記第一電子素子９１に設けられた第二電子素子９２と、第二導体層７２に設けられた基端部４５と、前記第二電子素子９２のおもて面電極９２ａに導電性接着剤７５を介して接続されたヘッド部４０とを有する接続子５０と、を有している。前記基端部４５の前記第二導体層７２上に載置される面積は、前記ヘッド部４０の前記第二電子素子９２上に載置される面積よりも大きくなる。前記基端部４５は前記ヘッド部４０よりも基板５側に位置付けられ、前記接続子５０の重心位置が前記接続子５０の前記基端部４５側にある。【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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