(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
内部に陽子ビームの通路を有する環状の真空容器の偏向部に設けられ、加速された陽子を偏向させるための３Ｔ以上の磁場を発生するパルス磁場偏向電磁石において、
前記偏向部において、真空容器の垂直な両外側面に沿って配置され、前記真空容器を挟んで対向に巻き付けられた、偏向コイルの真空容器側の表面と前記偏向コイル内部との電流密度分布の差を抑えて、前記偏向部に一様な磁場を発生させるべく、真空容器側から離れるにつれて、前記偏向コイルの陽子ビームと交差する磁場方向の幅を前記真空容器側の陽子ビームと交差する磁場方向の幅よりも広くしたことを特徴とするパルス磁場偏向電磁石。
【請求項２】
前記偏向コイルの真空容器側の陽子ビームと交差する磁場方向の両側部に段差部を形成して前記偏向コイルの陽子ビームと交差する磁場方向の幅を変化させた請求項１記載のパルス磁場偏向電磁石。
【請求項３】
前記偏向部の偏向コイルを、前記真空容器に沿って巻き付け、その偏向部で対向した前記偏向コイルの陽子ビームと交差する磁場方向の両側部に段差部を形成すると共にヨークで覆い、その偏向コイルに、繰り返し周波数が約１Ｈｚ、立上がり時間が３．５ｍｓｅｃ、電流値が２００ｋＡのパルス電流を印加してヨークを飽和させ、前記真空容器の偏向部に磁束密度が約４Ｔの一様な磁場を発生させる請求項２記載のパルス磁場偏向電磁石。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、真空容器の偏向部に設けられ、加速された陽子を偏向させるための常伝導のパルス磁場偏向電磁石に係り、特に真空容器の偏向部に一様な磁場を発生させることができるパルス磁場偏向電磁石に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
近年、患者への負担の少ない陽子線がん治療装置の普及を図るため、敷地面積の縮小やコストダウンが求められている。陽子線がん治療装置は、陽子シンクロトロンが装置の中核であり、陽子シンクロトロンから高エネルギーとなった陽子ビームを取り出し、この高エネルギーの陽子ビームを、患者のがん細胞に当ててがん細胞のみを確実に破壊するものである。陽子線がん治療装置は、粒子である陽子を利用しているので、他の正常な細胞を傷つけることがなく、しかも放射線の影響もないという利点がある。
【０００３】
装置の中核をなす陽子シンクロトロンの大きさは、真空容器の偏向部に設けられ、加速された陽子を偏向させる偏向電磁石で発生する磁場の強度に反比例する。磁極の飽和を出来るだけ抑制し、常伝導で定常的に発生できる磁場は３Ｔが上限となっている。このため、陽子シンクロトロンは約７ｍ四方の大型のものとなり、価格も高価となる。
【０００４】
磁束密度が３Ｔ以上の磁場を得るには２つの方法がある。１つの方法は、超伝導磁石を利用することである。超伝導磁石は磁束密度が３Ｔ以上の磁場を発生可能であるが、シンクロトロンに適用するとコストが膨大となるため現実的でない。
【０００５】
もう１つの方法は、磁極の飽和を前提とした常伝導のパルス磁場電磁石を用いることである。
【０００６】
従来のパルス磁場電磁石を利用した陽子シンクロトロンとして、例えば、ロシアで５Ｔの磁場を発生する超小型のパルス型陽子シンクロトロンが試作された(L.Pidarde,C.Ronsivalle,A.Vignati,"Preliminary Design of a Technologically Advanced and Compact Synchrotron for Proton Therapy,"1994.11.) 。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、従来のパルス磁場電磁石は、磁束密度が３Ｔ以上の磁場を発生させることができる一方で、そのように発生した磁場は時間的に大きく変動しているため、シンクロトロンに必要となる真空容器の偏向部における磁場の均一性を維持することが困難であるという問題がある。
【０００８】
上述のパルス型陽子シンクロトロンは、小型ではあるものの、真空容器の偏向部の磁場が性能上問題となるほど不均一であったため、未完成となっている。このロシアで試作された陽子線がん治療用の陽子シンクロトロンでは、最大加速エネルギーが２００ＭｅＶで、真空容器の偏向部の中心磁場が５Ｔであったが、真空容器の偏向部の磁場の多重極成分（間隙内の磁場の歪み）が１／１００のオーダーであったため、十分なビームが得られないという解析結果となった。陽子が真空容器の偏向部で十分に偏向されず、真空容器に衝突するなどしてエネルギーが失われてしまうのである。これにより、偏向電磁石で発生する多重極成分を減らし、真空容器の偏向部における磁場の均一性を維持することが要求されている。
【０００９】
そこで、本発明の目的は、真空容器の偏向部に一様な磁場を発生させることができ、加速された陽子の軌道半径を小さくして加速器の小型化・低価格化を図ったパルス磁場偏向電磁石を提供することにある。
【００１０】
【課題を解決するための手段】
本発明は、上記目的を達成するために創案されたものであり、請求項１の発明は、内部に陽子ビームの通路を有する環状の真空容器の偏向部に設けられ、加速された陽子を偏向させるための３Ｔ以上の磁場を発生するパルス磁場偏向電磁石において、前記偏向部において、真空容器の垂直な両外側面に沿って配置され、前記真空容器を挟んで対向に巻き付けられた、偏向コイルの真空容器側の表面と前記偏向コイル内部との電流密度分布の差を抑えて、前記偏向部に一様な磁場を発生させるべく、真空容器側から離れるにつれて、前記偏向コイルの陽子ビームと交差する磁場方向の幅を前記真空容器側の陽子ビームと交差する磁場方向の幅よりも広くしたパルス磁場偏向電磁石である。
【００１１】
請求項２の発明は、前記偏向コイルの真空容器側の陽子ビームと交差する磁場方向の両側部に段差部を形成して前記偏向コイルの陽子ビームと交差する磁場方向の幅を変化させた請求項１記載のパルス磁場偏向電磁石である。
【００１２】
請求項３の発明は、前記偏向部の偏向コイルを、前記真空容器に沿って巻き付け、その偏向部で対向した前記偏向コイルの陽子ビームと交差する磁場方向の両側部に段差部を形成すると共にヨークで覆い、その偏向コイルに、繰り返し周波数が約１Ｈｚ、立上がり時間が３．５ｍｓｅｃ、電流値が２００ｋＡのパルス電流を印加してヨークを飽和させ、前記真空容器の偏向部に磁束密度が約４Ｔの一様な磁場を発生させる請求項２記載のパルス磁場偏向電磁石である。
【００１３】
【発明の実施の形態】
以下に、本発明の好適実施の形態を添付図面にしたがって説明する。
【００１４】
まず、図２で陽子シンクロトロンを説明する。
【００１５】
図２は、本発明の適用例である陽子シンクロトロンの平面図を示したものである。
【００１６】
図２に示すように、陽子シンクロトロン２０は、環状に形成された真空容器２１と、真空容器２１内に入射された陽子ビームを加速する高周波加速空洞２２ａ、２２ｂと、真空容器２１の偏向部２３ａ〜ｄに設けられ、加速された陽子ビームを偏向させるための偏向電磁石２４ａ〜ｄと、偏向された陽子ビームを収束するための収束電極２５ａ〜ｄと、偏向電磁石２４ａ〜ｄに、電流通路２６ａ〜ｄを介してパルス電流を印加するパルス電流供給部２７とを備えている。
【００１７】
図では描いていないが、陽子シンクロトロン２０には、エネルギーが約１ＭｅＶの陽子ビームを陽子シンクロトロン２０に入射させるためのバンデグラーフ(Van de Graaff) 形加速器などが接続されている。
【００１８】
陽子シンクロトロン２０は、入射部２８に入射された約１ＭｅＶの陽子ビームを、高周波加速空洞２２ａ、２２ｂで加速しつつ、偏向部２３で偏向させて真空容器２１内を周回させ、数十ＭｅＶ〜数百ＭｅＶの陽子ビームとして出射部２９から取り出すものである。この陽子シンクロトロン２０を陽子線がん治療装置に組み込み、がん治療に使用する。
【００１９】
さて、図１は、本発明の好適実施の形態であるパルス磁場偏向電磁石の断面図を示したものである。
【００２０】
図１に示すように、本発明のパルス磁場偏向電磁石１は、内部に陽子ビームの通路を有する環状の真空容器２１の偏向部２３に設けられ、加速された陽子を偏向させるための３Ｔ以上の磁場を発生するものであり、偏向部２３において、真空容器２１の垂直な両外側面に沿って配置され、真空容器２１を挟んで対向に巻き付けられた、偏向コイル２の真空容器２１側の表面と偏向コイル２内部との電流密度分布の差を抑えて、偏向部２３に一様な磁場を発生させるべく、真空容器２１側から離れるにつれて、偏向コイル２の真空容器２１の反対側の図示上下の長さ（偏向コイル２の陽子ビームと交差する磁場方向の幅）を真空容器２１側の図示上下の長さ（真空容器２１側の陽子ビームと交差する磁場方向の幅）よりも長く（広く）したものである。
【００２１】
図では、偏向コイル２の上下に、真空容器２１からの距離に応じて偏向コイル２の高さが高くなるように階段状の段差部３ａ〜ｃを形成した例で描いているが、傾斜面を有する段差部３を形成してもよいし、滑らかな曲線状の段差部３を形成してもよい。すなわち、偏向コイル２の真空容器２１側の上下は、パルス電流のコイル２内への浸透深さに応じて高さを変化させればよい。
【００２２】
本実施の形態では、偏向コイル２を、真空容器２１の偏向部２３の周囲に沿って巻き付け、その偏向部２３で対向したコイル２の上下に段差部３ａ〜ｃを形成すると共にヨーク４で覆っている。真空容器２１、偏向コイル２、ヨーク４で囲まれた部分には、間隙５が区画形成される。
【００２３】
偏向コイル２としては、例えば、銅からなる１つの導体を、真空容器２１の偏向部２３の周囲に沿って１巻となるように巻き付けているが、数回巻きとしてもよい。
【００２４】
ヨーク４は、鉄などからなる磁性体で形成されている。ヨーク４は、偏向コイル２で発生した磁束が外部へ漏れるのを防ぐためのものであり、真空容器２１の上下では磁極４ａ，４ｂともなる。
【００２５】
本発明は、偏向コイル２に、後述するパルスの大電流を流すことにより、ヨーク４を飽和させ、真空容器２１の偏向部２３に磁束密度が約４Ｔの一様な磁場を発生させるものである。鉄は磁束密度が約２Ｔで飽和するために、それ以上の磁束密度下では空気と見なせるので、本発明では、磁極４ａ，４ｂの形状は不問であり、さらに言えば、ヨーク４の部分は空気でもよい。
【００２６】
真空容器２１内の真空度は、１０-7Ｐａ以下にしている。真空容器２１の断面は、陽子が周回する軌道に直角方向（図では縦方向）が長くなるように略長穴状に形成されている。加速された陽子は、真空容器２１の偏向部２３において、自身の速度と、偏向コイル２が発生する周回軌道面に対して鉛直方向の磁束密度とによる電磁力によって偏向される。このとき陽子には、周回軌道の中心方向に働く電磁力と、この電磁力に対して反対方向に働く遠心力とがつり合って作用する。真空容器２１の断面形状は、陽子が電磁力や遠心力によって周回軌道の径方向に微動しても、真空容器２１内面に衝突しないようにして決定される。
【００２７】
本発明の作用を説明する。
【００２８】
まず、偏向コイル２にパルス電流を印加する。パルス電流は高周波電流なので偏向コイル２内に電流が一気に浸透することはなく、表皮効果により、パルス電流印加後の時間経過に伴って偏向コイル２内に徐々に浸透していく。この電流の浸透深さは一定である。
【００２９】
このとき、偏向コイル２は真空容器２１を挟んで対向するように配置されているため、従来のようにコイルの高さが一定のままでは、近接効果により、間隙５側の偏向コイル２表面では電流密度が極端に高く、偏向コイル２内部では電流密度が低いという状態となり、偏向コイル２の表面と内部とで電流密度分布の差が広がってしまう。
【００３０】
本発明のパルス磁場偏向電磁石１は、偏向コイル２の真空容器２１の反対側の上下の長さを真空容器２１側の上下の長さよりも長くしているので、すなわち、偏向コイル２の高さを、電流の浸透深さに応じて変えているので、電流が偏向コイル２内に浸透するにつれて偏向コイル２の高く形成した部分（段差部３ａ〜ｃ）にも呼び込まれ、間隙５側の偏向コイル２表面では電流密度が下がる。コイル断面で言えば、電流の浸透深さに応じてコイル断面積が増加するように偏向コイル２の高さを変えているので、偏向コイル２内部の電流密度の減少に伴い、間隙５側の偏向コイル２表面では電流密度が低くなって偏向コイル２全体の電流密度が下がる。
【００３１】
これにより、偏向コイル２の表面と内部とで電流密度分布の差を抑えることができ、真空容器２１の偏向部２３に磁束密度が一様な磁場を発生させることができる。
【００３２】
このパルス磁場偏向電磁石１を加速器に用いれば、加速された陽子に、周回軌道の中心方向に働く強力な電磁力を発生させることができるので、加速された陽子の軌道半径を小さくして加速器の小型化・低価格化を図ることができる。よって、陽子シンクロトロンを２ｍ四方ほどの大きさに小型化し、陽子線がん治療装置の敷地面積の縮小、コストダウンを実現することができる。
【００３３】
このように、本発明のパルス磁場偏向電磁石１は、常伝導で磁束密度が約４Ｔの一様な磁場を発生させることができるので、陽子シンクロトロンの小型化が図れ、医院程度の小さな施設にも陽子線がん治療装置を設置することが可能となり、医療サービスの充実化にも貢献することができる。
【００３４】
次に、本発明に係る偏向コイル２の形状を決定する手順を説明する。
【００３５】
まず、数値解析によって、偏向コイル２にパルス電流を印加したときのコイル２断面の電流密度分布を経時的に求める。
【００３６】
図３は、本発明に係る偏向コイルの形状を決定する数値解析のための概念図である。
【００３７】
図３に示すように、段差部を形成しない偏向コイル３０を想定し、その偏向コイル３０を用いたパルス磁場偏向電磁石１の断面図を、間隙５の中心点（真空容器２１の偏向部２３の中心点）を原点ＯとしてＸ−Ｙ平面としている。
【００３８】
ここでは、陽子の周回軌道の径方向をＸ軸にとり、偏向コイル２によって間隙５内に発生する磁場の方向をＹ軸にとって、間隙５内に発生する座標（ｒ，θ）におけるＹ方向成分の磁束密度Ｂｙとして極座標表示している。なお、図３ではヨーク４を支持部材６で覆ったものを描いている。
【００３９】
図４は、本発明に係る偏向コイルに印加するパルス電流の一例を示す波形図である。図では横軸を時間Ｔにとり、縦軸を電流値Ｉにとってパルス電流波形Ｐを示している。
【００４０】
図４に示すように、本実施の形態では、偏向コイル２に、繰り返し周波数が約１Ｈｚ（時間０から時間ｔ2  までの周期が約１秒）、立上がり時間（時間０から時間ｔ1  まで又は時間ｔ2  からｔ3  まで）が３．５ｍｓｅｃ、電流値Ｉｐが２００ｋＡのパルス電流を印加する。パルス電流波形Ｐは、略１／４正弦波である。本発明では、このパルス電流を偏向コイルに印加することによって、常伝導でヨーク（磁極）を３．５ｍｓｅｃという短時間で瞬時に飽和させ、間隙内に磁束密度が約４Ｔの一様な磁場を発生させるようにしている。
【００４１】
図５は、数値解析によって求めた偏向コイル３０（断面）内の電流密度分布図を示したものである。図５（ａ）はパルス電流印加開始から０．４２ｍｓｅｃ経過時、図５（ｂ）は１．４ｍｓｅｃ経過時、図５（ｃ）は３．５ｍｓｅｃ経過時の電流密度分布の経時変化をそれぞれコンタ（等高線）表示している。
【００４２】
図では、偏向コイル３０の断面右端Ｒがヨーク４側、断面左端Ｌが間隙５側となっている。断面右端Ｒと太線で囲まれた領域Ｄ0 が最も電流密度の低い領域で、以下、太線と実線で囲まれた領域Ｄ1 、実線と点線で囲まれた領域Ｄ2 、点線と一点鎖線で囲まれた領域Ｄ3 、一点鎖線と二点鎖線で囲まれた領域Ｄ4 となるにしたがって電流密度が高くなり、二点鎖線と断面左端Ｌで囲まれた領域Ｄ5 が最も電流密度の高い領域である。なお、図中の断面円状の空間はコイル通電による発熱を冷却するための冷却水流路である。
【００４３】
図５（ａ）〜（ｃ）に示すように、パルス電流印加後の時間経過に伴い、電流はコイル３０断面において内部へと浸透し、間隙５側で電流密度が極端に高く、コイル３０内部で低いという分布となる。電流がコイル３０内に浸透するにつれてコイル３０の表面と内部とで電流密度分布の差が広がっていることがわかる。
【００４４】
この経時的に変化する電流密度分布は、電流の浸透深さに応じてコイルの高さを変えることで意図的に変化させることができ、ひいてはそれによって生じる間隙５内の磁束密度分布をも変化させることが可能となる。
【００４５】
図６は、図５の電流密度分布に基づき、間隙内の磁束密度分布図の経時的変化を求めて示したものである。図では、横軸を間隙５中心点からの距離Ｘ（ｃｍ）にとり、縦軸としては磁束密度Ｂｙを間隙中心点の磁束密度Ｂｙ0 で正規化（Ｂｙ／Ｂｙ0 ）した値にとっている。図中の曲線は、時間０ｍｓｅｃのときＢｙ／Ｂｙ0 が１で横軸に平行な直線であり、時間がたつにつれて曲率が大きくなっている。
【００４６】
図６に示すように、コイル３０では、コイル３０の表面と内部とで電流密度分布の差が広がっていることから、パルス電流印加後の時間経過に伴い、磁束密度分布図が間隙５中心点から離れるにつれて立ち上がっていることがわかる。これは、間隙５内の磁場の歪み（多重極成分）が大きいことを示している。
【００４７】
以上の結果を用いて、本発明に係る偏向コイル２の形状を決定する。偏向コイル３０内部への電流の浸透深さに応じてコイル３０の高さを変えることで、コイル３０内部の電流密度分布をコントロールし、間隙５内の磁場の多重極成分を減少させる。
【００４８】
一例を挙げると、間隙５断面において、その断面の中心の磁束密度Ｂｙ0 に対してコイル側の磁束密度Ｂｙが大きくなる場合は、コイル３０内部側のコイル３０の高さを高くすることで、浸透深さは一定で面積が増加するためコイル３０内部の電流密度が減少し、間隙５内のコイル３０側の磁束密度が小さくなり、間隙５内の磁束密度分布（あるいは磁場）を一様な方向に導くことができる。
【００４９】
図７は、図１に示したパルス磁場偏向電磁石１を用いた真空容器２１の偏向部２３（間隙内）における磁束密度分布図の経時的変化を示したものである。
【００５０】
図７に示すように、図６と比較すると、本発明のパルス磁場偏向電磁石１では、偏向コイル２の上下に段差部３ａ〜ｃを形成しているので、パルス電流印加後の時間経過に伴い、磁束密度分布図が間隙５中心点から離れるにつれて立ち下がっていることがわかる。これは、間隙５内の磁場の歪み（多重極成分）が小さくなったことを示している。
【００５１】
図８は、偏向コイル２（断面）内の電流密度分布図を示したものである。図８（ａ）はパルス電流印加開始から０．４２ｍｓｅｃ経過時、図８（ｂ）は１．４ｍｓｅｃ経過時、図８（ｃ）は２．８ｍｓｅｃ経過時、図８（ｄ）は３．５ｍｓｅｃ経過時の電流密度分布の経時変化をそれぞれコンタ表示している。
【００５２】
図８に示すように、図５と比較すると、本発明のパルス磁場偏向電磁石１では、電流が偏向コイル２内に浸透するにつれて段差部３ａ〜ｃにも呼び込まれることで、偏向コイル２の表面と内部とで電流密度分布の差を抑えていることがわかる。これにより、真空容器２１の偏向部２３に磁束密度が一様な磁場を発生させることができる。
【００５３】
次に、上述した内容を簡略化して本発明を図９〜図１５で説明する。
【００５４】
図９は、簡略化したコイル３０の断面図を示したものである。説明を簡単にするため、図９中のＸ軸上の磁束密度Ｂｙと電流密度についてのみ考慮する。さらに、コイル内Ｘ軸上を４等分し、それぞれの領域に電流が集中しており、コイル３０内Ｘ軸上に４本の無限線電流Ｉが流れていると考える。
【００５５】
コイル３０内Ｘ軸上の電流密度分布の経時的変化を簡略化して描くと、図１０のようになる。図１０（ａ）から図１０（ｃ）の順で時間が経過している。
【００５６】
ここで、無限線電流ＩがＸ軸上に作る磁束密度Ｂは透磁率をμとすると、ビオ・サバールの法則により、（μ／２π）・（Ｉ／ｘ）とあらわせるので、図１０に適用すると、それぞれの無限線電流が作る磁束密度Ｂｙは図１１のようになる。それらを重ね合わせると図１２のようになり、磁束密度Ｂｙ分布図が得られる。
【００５７】
図１２に示すように、コイル３０では高さが一定であるので、パルス電流印加後の経過時間に伴って電流がコイル３０の間隙５側に集中してしまい、磁束密度Ｂｙの曲線の両端が立ち上がってしまうことがわかる。
【００５８】
いま、電流の浸透深さに応じてコイル高さを高くしていくコイル２の場合を図１３〜図１５に示す。時間経過では、図１３〜図１５の各（ａ）、（ｂ）が、図１０〜図１２の各（ｂ）、（ｃ）にあたる。
【００５９】
図１５に示すように、ヨーク４側のコイルの高さを高くする（電流の浸透深さに応じて真空容器２１側のコイル２の上下に段差部３ａ，３ｂを形成する）と、電流がコイル２の間隙５側に集中することがなく、コイル２全体の電流密度（電流）が減少し、磁束密度Ｂｙの曲線の両端の立上がりを抑えることができることがわかる。
【００６０】
図１６は、本発明の第２の実施の形態であるパルス磁場偏向電磁石１６０の断面図とその間隙内の磁束密度分布図の経時的変化を図７と同様にして示したものである。また、図１７は、本発明の第３の実施の形態であるパルス磁場偏向電磁石１７０の断面図とその間隙内の磁束密度分布図の経時的変化を示したものである。
【００６１】
パルス磁場偏向電磁石１６０では、偏向コイル２の真空容器側２１の上下に段差部３ａを形成している。パルス磁場偏向電磁石１７０は、偏向コイル２の真空容器側２１の上下に段差部３ａ，３ｂを形成したものである。
【００６２】
図１６および図１７に示すように、偏向コイル２の上下に、１つの段差部３ａを形成しても、磁束密度Ｂｙの曲線の両端の立上がりを抑えることができ、２つの段差部３ａ，３ｂを形成すればより効果的であることがわかる。このことは、図１８に示したロシアで試作されたパルス磁場偏向電磁石１８０の磁束密度分布図と比較するとより明確になる。
【００６３】
また、多重極成分の経時的変化について本発明とロシアで試作されたパルス磁場偏向電磁石１８０とを比較してみる。
【００６４】
ロシアのパルス磁場偏向電磁石１８０では、多重極成分（ｎ＝２）が１／１００のオーダーになる。これに対し、本発明に係るパルス磁場偏向電磁石１では、多重極成分（ｎ＝２）を１／１００００のオーダーまで減少できる。
【００６５】
このように、電流の浸透深さを考慮してコイルの高さを変化させると、陽子シンクロトロンで性能上有害となる間隙内の磁場の多重極成分を抑制することが可能であることがわかる。
【００６６】
なお、上述の効果はコイル２が１巻であると効果的であるが、数回巻であっても本発明を適用することができる。
【００６７】
本発明は、常伝導のパルス磁場偏向電磁石において性能上有害となる、間隙内の磁場の歪み（多重極成分）をコイル形状を工夫することで抑制させるものである。この磁場は、短パルスの高電流を印加することで鉄（ヨーク）を瞬時に飽和させ、間隙内に鉄の飽和磁束密度約２Ｔを超える４Ｔ程度の磁場を発生させるものである。これほどの磁場で、しかも偏向電磁石を小型化すると従来の技術では間隙内の磁場の歪み（多重極成分）が大きくなりすぎて、陽子線がん治療に十分なビームを得ることができないが、本発明のパルス磁場偏向電磁石１によれば、真空容器の偏向部に一様な磁場を発生させることができる。
【００６８】
また、本発明は偏向部を有する加速器であればいかなる加速器にも適用することができる。例えば、シンクロトロン放射光を取り出すためのＳＯＲ装置(Synchrotoron Orbit Radiation)にも適用可能である。
【００６９】
【発明の効果】
以上説明したことから明らかなように、本発明によれば次のごとき優れた効果を発揮する。
【００７０】
（１）真空容器の偏向部に一様な磁場を発生させることができる。
【００７１】
（２）加速された陽子の軌道半径を小さくすることで、加速器の小型化・低価格化が図れる。
【００７２】
（３）陽子シンクロトロンを小型化し、陽子線がん治療装置の敷地面積の縮小、コストダウンを実現することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の好適実施の形態を示す断面図である。
【図２】本発明の適用例である陽子シンクロトロンの平面図である。
【図３】本発明に係る偏向コイルの形状を決定する数値解析のための概念図である。
【図４】本発明に係る偏向コイルに印加するパルス電流の一例を示す波形図である。
【図５】段差部を形成しない偏向コイル内の電流密度分布図である。
【図６】段差部を形成しない偏向コイルを用いた真空容器の偏向部（間隙内）における磁束密度分布図である。
【図７】  図１に示したパルス磁場偏向電磁石を用いた真空容器の偏向部（間隙内）における磁束密度分布図である。
【図８】  図１に示したパルス磁場偏向電磁石の偏向コイル内の電流密度分布図である。
【図９】段差部を形成しない偏向コイルを簡略化した断面図である。
【図１０】図９に示した簡略化した段差部を形成しない偏向コイル内における電流密度分布図である。
【図１１】図１０に示した各無限線電流による磁束密度分布図である。
【図１２】図１１に示した磁束密度分布を重ね合わせた磁束密度分布図である。
【図１３】本発明に係る偏向コイルを簡略化した断面図である。
【図１４】図１３に示した各無限線電流による磁束密度分布図である。
【図１５】図１４に示した磁束密度分布を重ね合わせた磁束密度分布図である。
【図１６】本発明の第２の実施の形態を用いた真空容器の偏向部における磁束密度分布図である。
【図１７】本発明の第３の実施の形態を用いた真空容器の偏向部における磁束密度分布図である。
【図１８】  従来のパルス磁場偏向電磁石を用いた真空容器の偏向部における磁束密度分布図である。
【符号の説明】
１  パルス磁場偏向電磁石
２  偏向コイル
２１  真空容器
２３  偏向部
【図１】
0004622091.tif 000002
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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