(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
（Ａ）ポリアルキレンオキシド骨格ビスマレイミド化合物、（Ｂ）一般式（１）で示される官能基を少なくとも１つ有しかつカルボキシ基を少なくとも１つ有する化合物、及び（Ｃ）一般式（１）で示される官能基を少なくとも１つ有しかつ水酸基を少なくとも１つ有する化合物を必須成分とする樹脂組成物であって、
前記化合物（Ｂ）と前記化合物（Ｃ）の配合比は、重量比において化合物（Ｂ）／化合物（Ｃ）が０．０５以上２０未満であることを特徴とする樹脂組成物。
【化１】
0004835229.tif 000004
Ｒ１は、水素原子又はメチル基である。
【請求項２】
さらに（Ｄ）エポキシ樹脂を含む請求項１記載の樹脂組成物。
【請求項３】
さらに（Ｅ）エポキシ樹脂硬化剤を含む請求項２記載の樹脂組成物。
【請求項４】
前記（Ｄ）エポキシ樹脂が室温で液状である請求項２又は３に記載の樹脂組成物。
【請求項５】
請求項１〜４のいずれか１項に記載の樹脂組成物をダイアタッチ材料として用いて作製されることを特徴とする半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、樹脂組成物及び樹脂組成物を使用して作製した半導体装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
電子機器の小型化、軽量化、高性能化の市場動向において、半導体素子の高集積化が年々進み、又半導体装置の表面実装化が促進されている。近年は従来のＱＦＰ、ＳＯＰ等に代表される表面実装型半導体装置からエリア実装型半導体装置と呼ばれるボールグリッドアレイ（以下、ＢＧＡという）、又は更に小型化を追求したチップサイズパッケージ（以下、ＣＳＰという）に移行している。これは従来の半導体装置では多ピン化や半導体素子の高速化への対応が限界に近づいてきたため開発されたものである。構造としては、ビスマレイミド・トリアジン（以下、ＢＴという）樹脂／銅箔回路基板に代表される硬質回路基板、又はポリイミド樹脂フィルム／銅箔回路基板に代表されるフレキシブル回路基板の片面上に半導体素子を搭載し、その後半導体素子搭載面、即ち基板の片面のみがエポキシ樹脂組成物で成形・封止されている。近年、環境負荷物質を使用しない一環として無鉛半田への代替化が進められている。無鉛半田は、従来の有鉛半田に比べ融点が高いため表面実装時の半田処理温度は、従来よりも２０℃程度高い２６０℃が必要とされる。無鉛半田対応のための半田処理温度の変更により、エポキシ樹脂封止材と有機基板との界面での剥離、半導体素子と樹脂ペーストとの界面での剥離に起因するエリア実装型半導体装置の不良の問題が生じてきた。このため、２６０℃での表面実装時の耐半田性の向上を目指して、様々な改良が進められてきた（例えば、特許文献１参照。）。そのいずれにおいても完全な解決策とはならず、更なる改良が望まれている。
【０００３】
更に、パッケージの小型化と半導体素子の高集積化とを両立させるため、狭い半導体素子搭載面に対し面積の大きな半導体素子を搭載する傾向にある。そのため、フィレットと金線のボンディングパッドまでの距離が非常に近くなり、ダイアタッチペーストのレジンブリードがグランドボンド（半導体素子からダイパッドへのワイヤボンド）不良の原因となり問題となっている。
【特許文献１】特開２０００−２７３３２６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
本発明は、十分な低応力性を有しかつ良好な接着性、ブリード性を示す樹脂組成物及び該樹脂組成物を半導体用ダイアタッチ材料として使用することで信頼性に優れた半導体装置を提供することである。特に有機基板との接着性に優れるものである。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
このような目的は、下記［１］〜［５］に記載の本発明により達成される。
［１］（Ａ）ポリアルキレンオキシド骨格ビスマレイミド化合物、（Ｂ）一般式（１）で示される官能基を少なくとも１つ有しかつカルボキシ基を少なくとも１つ有する化合物、及び（Ｃ）一般式（１）で示される官能基を少なくとも１つ有しかつ水酸基を少なくとも１つ有する化合物を必須成分とすることを特徴とする樹脂組成物。
【０００６】
【化１】
0004835229.tif 000002
Ｒ1は、水素原子又はメチル基である。
【０００７】
［２］さらに（Ｄ）エポキシ樹脂を含む［１］項に記載の樹脂組成物。
［３］さらに（Ｅ）エポキシ樹脂硬化剤を含む［２］項に記載の樹脂組成物。
［４］前記（Ｄ）エポキシ樹脂が室温で液状である［２］又は［３］項に記載の樹脂組成物。
［５］［１］〜［４］項のいずれか１項に記載の樹脂組成物をダイアタッチ材料として用いて作製されることを特徴とする半導体装置。
【発明の効果】
【０００８】
本発明により、低応力性、接着性、ブリード性に優れた樹脂組成物及び該樹脂組成物を半導体用ダイアタッチ材料として使用した信頼性に優れた半導体装置を提供することが可能となる。特に有機基板との密着性に優れるものである。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００９】
本発明は、ポリアルキレンオキシド骨格ビスマレイミド化合物、一般式（１）で示される官能基を少なくとも１つ有しかつカルボキシ基を少なくとも１つ有する化合物、及び一般式（１）で示される官能基を少なくとも１つ有しかつ水酸基を少なくとも１つ有する化合物を使用することで、低応力性、接着性、ブリード性に優れた樹脂組成物及び該樹脂組成物を半導体用ダイアタッチ材料として使用した信頼性に優れた半導体装置を提供するものである。
以下、本発明について詳細に説明する。
【００１０】
本発明では（Ａ）ポリアルキレンオキシド骨格ビスマレイミド化合物を使用するが、これはフィラーを配合しても良好な流動性を示し、かつ良好な接着性を得られるからである。官能基としてマレイミド基を有することで特に熱ラジカル開始剤とともに使用すると、加熱下良好な反応性を示すとともにイミド環の有する極性により例えば、銀メッキ、Ｎｉ−Ｐｄメッキといった難接着性の金属表面に対しても、有機基板に対しても良好な接着性を示す。また１分子内に２個の官能基を有するがこれは１官能の場合には期待する接着力向上効果が十分でなく、３官能以上の場合には分子量が大きくなるため、粘度が高くなり樹脂組成物の高粘度化につながり、さらに硬化後に架橋度が高くなり高弾性率化につながる。ここで２官能のマレイミド化合物としては芳香族アミンを原料とするものが良く知られているが、一般に芳香族系のマレイミド化合物は結晶性が強いため室温で液状のものを得ることが難しい。またこのようなマレイミド化合物はジメチルホルムアミド、Ｎ−メチルピロリドンといった高沸点の極性溶媒には可溶であるが、このような溶媒を使用した場合には、樹脂組成物の加熱硬化の際にボイドが発生するので使用できない。化合物(Ａ)は室温で液状であるため、溶媒を使用する必要がなく、希釈の必要がある場合でも一般的に使用される液状のビニル化合物と良好な親和性を示すため、液状のビニル化合物での希釈が可能である。なかでも（メタ）アクリロイル基を有するビニル化合物は化合物（Ａ）と共重合可能なので希釈剤として好適に使用可能である。更に、芳香環を含まない構造であることが好ましく硬化物の低弾性率化に大きく寄与する。主鎖のアルキレンオキシドユニットはｎ＝１０以下であることが好ましい。ｎ＝１０以上であると粘度が高くなりすぎ実用上好ましくない。
このような化合物（Ａ）としては、アミド基とカルボキシ基を有する化合物でアミド基とカルボキシ基を有する化合物の間に炭素数１〜１０の炭化水素基を有する化合物（グリシン、アラニン、アミノカプロン酸など）と無水マレイン酸又はその誘導体を反応することによりマレイミド化アミノ酸を合成し、これとアルキレンオキシドジオール、ポリアルキレンエステルジオールなど反応させることにより入手可能である。例えば、ポリテトラメチレングリコール−ジ（２−マレイミドアセテート）などが挙げられる。
【００１１】
本発明では一般式（１）で示される官能基を少なくとも１つ有しかつカルボキシ基を少なくとも１つ有する化合物（Ｂ）を使用する。これは反応性の希釈剤として有用であり、かつ吸湿後の接着力の低下を防ぐことができるからである。
化合物（Ｂ）の一般式（１）で示される官能基は、反応性部位として炭素−炭素の２重結合を有するため化合物（Ａ）と共重合可能であり、反応性が高いために硬化時の加熱又はその後のワイヤボンド時の加熱において揮発しにくくボイドの発生を抑制できる。
反応性を持たない希釈剤を用いると、加熱により他の樹脂組成物の成分と反応することがないために、硬化時の加熱又はその後のワイヤボンド時の加熱において、希釈剤が揮発してボイドの原因になったり、その成分が半導体素子上、ダイパッド上に付着し、しばしばワイヤボンド不良の原因となったり、封止材料のダイパッドへの接着力を低下させ剥離やクラックの原因となったりするため好ましくない。
耐半田性の評価は、通常リフロー前にパッケージを高温高湿状態に曝し、パッケージが十分水分を含んだ状態で行うため、ダイアタッチ材は硬化直後に比べて高温高湿状態に曝された後のほうが接着性が極端に低下するが、カルボキシ基を有することによって吸湿後の密着力低下を最小限に抑えることができる。
化合物（Ｂ）としては、例えば、２−（メタ）アクリロイロキシエチルコハク酸、２−（メタ）アクリロイロキシエチルフタル酸、２−（メタ）アクリロイロキシエチルヘキサヒドロフタル酸などが挙げられる。
【００１２】
本発明では一般式（１）で示される官能基を少なくとも１つ有しかつ水酸基を少なくとも１つ有する化合物（Ｃ）を用いる。これは反応性の希釈剤として有用であり、かつ優れたブリード性を示すことが可能となるからである。
化合物（Ｃ）の一般式（１）で示される官能基は、反応性部位として炭素−炭素の２重結合を有するため化合物（Ａ）と共重合可能であり、反応性が高いために硬化時の加熱又はその後のワイヤボンド時の加熱において揮発しにくくボイドの発生を抑制できる。
反応性を持たない希釈剤を用いると、加熱により他の樹脂組成物の成分と反応することがないために、硬化時の加熱又はその後のワイヤボンド時の加熱において、希釈剤が揮発してボイドの原因になったり、その成分が半導体素子上、ダイパッド上に付着し、しばしばワイヤボンド不良の原因となったり、封止材料のダイパッドへの接着力を低下させ剥離やクラックの原因となったりするため好ましくない。
また、水酸基を有することにより優れたブリード性を示すことが可能となる。ここでブリードとは、樹脂組成物をリードフレームや有機基板等の被着体に塗布した時又は加熱硬化中に樹脂組成物の樹脂成分が被着体表面に広がる現象を指し、しばしばブリードがグランドボンド（半導体素子からダイパッドへのワイヤボンド）不良の原因となったり、封止材料のダイパッドへの接着力を低下させ剥離の原因、クラックの原因となったりするため好ましくない現象である。ここでブリード性に優れるというのはブリードが発生しにくいということで、すなわち上述したような問題が起こりにくいということである。
化合物（Ｃ）としては、例えば、２−ヒドロキシエチル（メタ）アクリレート、２−ヒドロキシプロピル（メタ）アクリレート、２−ヒドロキシブチル（メタ）アクリレート、２−ヒドロキシ−３−フェノキシプロピル（メタ）アクリレート、２−アクリロイロキシ−２−ヒドロキシエチルフタル酸、グリセリンジ（メタ）アクリレート、１，４−シクロヘキサンジメタノールモノアクリレートなどが挙げられる。
【００１３】
化合物（Ｂ）と化合物（Ｃ）とを併用することにより、初めて優れた接着性とブリード性の両立が可能となる。化合物（Ｂ）と化合物（Ｃ）の配合比は特に限定されるわけではないが化合物（Ｂ）／化合物（Ｃ）が０．０５以上２０未満であることが好ましい。より好ましくは０．１以上１０未満で、さらに好ましくは０．３以上５未満である。下限値未満であると化合物（Ｂ）の接着性の効果が、上限値以上であると化合物（Ｃ）のブリード性の効果が出にくくなり好ましくない。
【００１４】
本発明で用いるエポキシ樹脂（Ｄ）としては、ビスフェノールＡ、ビスフェノールＦといったビスフェノール類をグリシジルエーテル化したもの、フェノールノボラック、クレゾールノボラックといったフェノール類をグリシジルエーテル化したもの、アミノフェノールのエポキシ化物、脂肪族グリシジルエーテル類、水素添加により脂肪族環にしたグリシジルエーテル類、脂環式エポキシ化合物などが挙げられる。特にダイアタッチペーストの粘度が高くなりすぎないために室温で液状のエポキシ樹脂を用いることが好ましく、低粘度の脂肪族グリシジルエーテル類、水素添加により脂肪族環にしたグリシジルエーテル類、脂環式エポキシ化合物などが挙げられる。
【００１５】
本発明で用いるエポキシ樹脂硬化剤（Ｅ）としては、脂肪族（ポリ）アミン、芳香族（ポリ）アミン、イミダゾール類、酸無水物、フェノールノボラックやビスフェノールＡやビスフェノールＦなどのフェノール化合物、ポリアミド樹脂、ポリスルフィド樹脂、ジシアンジアミドなどが挙げられる。特に保存性と反応性を両立させる目的から、イミダゾール類、フェノール化合物、ジシアンジアミドの中から選ばれる１つ以上を用いることが好ましい。
【００１６】
化合物（Ａ）、化合物（Ｂ）及び化合物（Ｃ）の反応開始剤として熱ラジカル開始剤を使用することも可能である。通常熱ラジカル重合開始剤として用いられるものであれば特に限定しないが、望ましいものとしては、急速加熱試験（試料１ｇを電熱板の上にのせ、４℃／分で昇温した時の分解開始温度）における分解温度が４０〜１４０℃となるものが好ましい。分解温度が４０℃未満だと、樹脂組成物の常温における保存性が悪くなり、１４０℃を越えると硬化時間が極端に長くなるため好ましくない。
【００１７】
これを満たす熱ラジカル重合開始剤の具体例としては、メチルエチルケトンパーオキサイド、メチルシクロヘキサノンパーオキサイド、メチルアセトアセテートパーオキサイド、アセチルアセトンパーオキサイド、１，１−ビス（ｔ−ブチルパーオキシ）３，３，５−トリメチルシクロヘキサン、１，１−ビス（ｔ−ヘキシルパーオキシ）シクロヘキサン、１，１−ビス（ｔ−ヘキシルパーオキシ）３，３，５−トリメチルシクロヘキサン、１，１−ビス（ｔ−ブチルパーオキシ）シクロヘキサン、２，２−ビス（４，４−ジ−ｔ−ブチルパーオキシシクロヘキシル）プロパン、１，１−ビス（ｔ−ブチルパーオキシ）シクロドデカン、ｎ−ブチル４，４−ビス（ｔ−ブチルパーオキシ）バレレート、２，２−ビス（ｔ−ブチルパーオキシ）ブタン、１，１−ビス（ｔ−ブチルパーオキシ）−２−メチルシクロヘキサン、ｔ−ブチルハイドロパーオキサイド、Ｐ−メンタンハイドロパーオキサイド、１，１，３，３−テトラメチルブチルハイドロパーオキサイド、ｔ−ヘキシルハイドロパーオキサイド、ジクミルパーオキサイド、２，５−ジメチル−２，５−ビス（ｔ−ブチルパーオキシ）ヘキサン、α、α’−ビス（ｔ−ブチルパーオキシ）ジイソプロピルベンゼン、ｔ−ブチルクミルパーオキサイド、ジ−ｔ−ブチルパーオキサイド、２，５−ジメチル−２，５−ビス（ｔ−ブチルパーオキシ）ヘキシン−３、イソブチリルパーオキサイド、３，５，５−トリメチルヘキサノイルパーオキサイド、オクタノイルパーオキサイド、ラウロイルパーオキサイド、桂皮酸パーオキサイド、ｍ−トルオイルパーオキサイド、ベンゾイルパーオキサイド、ジイソプロピルパーオキシジカーボネート、ビス（４−ｔ−ブチルシクロヘキシル）パーオキシジカーボネート、ジ−３−メトキシブチルパーオキシジカーボネート、ジ−２−エチルヘキシルパーオキシジカーボネート、ジ−ｓｅｃ−ブチルパーオキシジカーボネート、ジ（３−メチル−３−メトキシブチル）パーオキシジカーボネート、ジ（４−ｔ−ブチルシクロヘキシル）パーオキシジカーボネート、α、α’−ビス（ネオデカノイルパーオキシ）ジイソプロピルベンゼン、クミルパーオキシネオデカノエート、１，１，３，３，−テトラメチルブチルパーオキシネオデカノエート、１−シクロヘキシル−１−メチ−ルエチルパーオキシネオデカノエート、ｔ−ヘキシルパーオキシネオデカノエート、ｔ−ブチルパーオキシネオデカノエート、ｔ−ヘキシルパーオキシピバレート、ｔ−ブチルパーオキシピバレート、２，５−ジメチル−２，５−ビス（２−エチルヘキサノイルパーオキシ）ヘキサン、１，１，３，３−テトラメチルブチルパーオキシ−２−エチルへキサノエート、１−シクロヘキシル−１−メチルエチルパーオキシ−２−エチルヘキサノエート、ｔ−ヘキシルパーオキシ−２−エチルヘキサノエート、ｔ−ブチルパーオキシ−２−エチルヘキサノエート、ｔ−ブチルパーオキシイソブチレート、ｔ−ブチルパーオキシマレイックアシッド、ｔ−ブチルパーオキシラウレート、ｔ−ブチルパーオキシ−３，５，５−トリメチルヘキサノエート、ｔ−ブチルパーオキシイソプロピルモノカーボネート、ｔ−ブチルパーオキシ−２−エチルヘキシルモノカーボネート、２，５���ジメチル−２，５−ビス（ベンゾイルパーオキシ）ヘキサン、ｔ−ブチルパーオキシアセテート、ｔ−ヘキシルパーオキシベンゾエート、ｔ−ブチルパーオキシ−ｍ−トルオイルベンゾエート、ｔ−ブチルパーオキシベンゾエート、ビス（ｔ−ブチルパーオキシ）イソフタレート、ｔ−ブチルパーオキシアリルモノカーボネート、３，３’，４，４’−テトラ（ｔ−ブチルパーオキシカルボニル）ベンゾフェノン等が挙げられるが、これらは単独或いは硬化性を制御するため２種類以上を混合して用いることもできる。特に限定されるわけではないが樹脂組成物中０．００１〜３重量％含有されるのが好ましい。
【００１８】
本発明の樹脂組成物は、通常蛍光灯等の照明下で使用されるので光重合開始剤が含まれていると使用中に反応により粘度上昇が観察されるため実質的に光重合開始剤を含有することはできない。実質的にとは、粘度上昇が観察されない程度で光重合開始剤が微量に存在してもよく、好ましくは、含有しないことである。
【００１９】
本発明では、種々のフィラーを使用することも可能である。使用する分野が半導体用途のためハロゲンイオン、アルカリ金属イオン等のイオン性不純物量が１０ｐｐｍ以下であることが望ましい。また要求特性により銀、金、銅、ニッケルなどの金属フィラー、シリカ、窒化アルミ、窒化ボロンなどの無機フィラーをあるいは焼成フェノール粒子、ポリイミド粒子等の有機フィラーを単独又は併用して使用可能である。形状としてはフレーク状、繊維状、樹脂状、不定形あるいは球状のものを単独又は混合して用いることができる。さらに粒径に関しては通常平均粒径が２〜１０μｍ、最大粒径は５０μｍ程度のものが好ましく、比較的細かいフィラーと粗いフィラーを混合して用いてもよい。
【００２０】
本発明では、良好な接着性を得る目的でシラン系のカップリング剤を使用することが可能である。なかでもＳ−Ｓ結合を有するシランカップリング剤は銀粉とともに使用すると被着体との接着力向上のみならず、銀粉とも反応するため樹脂組成物硬化物の凝集力も向上するので特に優れた接着性を得ることが可能となるので好ましい。このようなＳ−Ｓ結合を有するシランカップシング剤としては、ビス（トリメトキシシリルプロピル）テトラスルフィド、ビス（トリエトキシシリルプロピル）テトラスルフィド、ビス（トリブトキシシリルプロピル）テトラスルフィド、ビス（ジメトキシメチルシリルプロピル）テトラスルフィド、ビス（ジエトキシメチルシリルプロピル）テトラスルフィド、ビス（ジブトキシメチルシリルプロピル）テトラスルフィド、ビス（トリメトキシシリルプロピル）ジスルフィド、ビス（トリエトキシシリルプロピル）ジスルフィド、ビス（トリブトキシシリルプロピル）ジスルフィド、ビス（ジメトキシメチルシリルプロピル）ジスルフィド、ビス（ジエトキシメチルシリルプロピル）ジスルフィド、ビス（ジブトキシメチルシリルプロピル）ジスルフィドなどが挙げられる。またＳ−Ｓ結合を有するシランカップシング剤とともにグリシジル基を有するシランカップリング剤を使用することがさらに好ましい。グリシジル基を有するシランカップリング剤としては、２−（３，４エポキシシクロヘキシル）エチルトリメトキシシラン、３−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、３−グリシドキシプロピルメチルジエトキシシラン、３−グリシドキシプロピルトリエトキシシランなどが挙げられる。
【００２１】
本発明の樹脂組成物には、必要により、消泡剤、界面活性剤、各種重合禁止剤、酸化防止剤等の添加剤を用いることができる。
本発明の樹脂組成物は、例えば各成分を予備混合した後、３本ロールを用いて混練した後真空下脱泡することにより製造することができる。
本発明の樹脂組成物を用いて半導体装置を製作する方法は、公知の方法を用いることができる。例えば、市販のダイボンダーを用いて、リードフレームまたは有機基板の所定の部位に樹脂組成物をディスペンス塗布した後、半導体素子（以下チップということもある。）をマウントし、加熱硬化する。その後、ワイヤーボンディングして、エポキシ樹脂を用いてトランスファー成形することによって半導体装置を作製する。
【実施例】
【００２２】
［実施例１］
化合物（Ａ）としては、ポリテトラメチレングリコール−ジ（２−マレイミドアセテート）（大日本インキ化学工業（株）製、ルミキュアＭＩＡ−２００、以下ＭＩＡ−２００）を、化合物（Ｂ）としては、２−メタクリロイルオキシエチルコハク酸（共栄社化学（株）製、ライトエステルＨＯ−ＭＳ、以下ＨＯ−ＭＳ）を、化合物（Ｃ）としては、グリセリンジメタクリレート（共栄社化学（株）製、ライトエステルＧ−１０１Ｐ、以下Ｇ−１０１Ｐ）、熱ラジカル開始剤（Ｄ）としてはジクミルパーオキサイド（日本油脂（株）製、パークミルＤ、急速加熱試験における分解温度：１２６℃、以下開始剤）、シランカップリング剤としてグリシジル基を有するもの（信越化学工業（株）製、ＫＢＭ−４０３Ｅ、以下ＫＢＭ−４０３Ｅ）、銀粉としては平均粒径８μｍ、最大粒径３０μｍのフレーク状銀粉（以下銀粉）を用いた。
上記成分を表１のように配合し、３本ロールを用いて混練し、脱泡することで樹脂組成物を得た。配合割合は重量部である。
【００２３】
［実施例２及び３］
実施例１以外で使用した成分は、エポキシ樹脂（Ｄ）としては、ビスフェノールＡとエピクロルヒドリンとの反応によって得られるジグリシジルビスフェノールＡ（エポキシ当量１８０、室温で液状、以下ビスＡエポキシ）、エポキシ樹脂硬化剤（Ｅ）として、２，４−ジアミノ−６−〔２'−メチルイミダゾリル−（１'）〕−エチル−ｓ−トリアジン（四国化成工業（株）製、キュアゾール２ＭＺ−Ａ、以下２ＭＺ−Ａ）、ジシアンジアミド（以下ＤＤＡ）、であり、表１のように配合し、実施例１と同様に樹脂組成物を得た。
得られた樹脂組成物を以下の方法により評価した。評価結果を表１に示す。
【００２４】
［比較例１〜５］
ポリテトラメチレングリコールジアクリレート（新中村化学工業（株）製、ＮＫエステルＡ−ＰＴＭＧ−６５、以下Ａ−ＰＴＭＧ−６５）、１，６−ヘキサンジオールジメタクリレート（共栄社化学（株）製、ライトエステル１、６ＨＸ、以下１、６ＨＸ）、クレジルグリシジルエーテル（エポキシ当量１８５、以下ＣＧＥ）、ビスフェノールＡ（大日本インキ化学工業（株）製、ＤＩＣ−ＢＰＦ、以下ＢＰＦ）
表１に示す割合で配合し実施例１、２と同様に樹脂組成物を得た。
得られた樹脂組成物を以下の方法により評価した。評価結果を表１に示す。
【００２５】
評価方法
・接着強度：表１に記載の樹脂組成物を用いて、６×６ｍｍのシリコンチップを有機基板（基板：住友ベークライト（株）製  ＥＬＣ−４７８１を用いて回路形成し、ソルダーレジスト：太陽インキ製造（株）製  ＰＳＲ−４０００−ＡＵＳ３０８で被覆した。）にマウントし、１７５℃オーブン中１５分硬化した。硬化後及び吸湿処理（８５℃、８５％、７２時間）後に自動接着力測定装置を用い２６０℃での熱時ダイシェア強度を測定した。２６０℃熱時ダイシェア強度が５０Ｎ／チップ以上の場合を合格とした。接着強度の単位はＮ／チップである。
・吸湿後接着強度劣化率：（硬化後接着強度−吸湿後接着強度）／硬化後接着強度×１００とし、５０％以下の場合を合格とした。単位は％である。
・樹脂硬化物の弾性率：表１に記載の樹脂組成物をテフロン（登録商標）シート上に幅４ｍｍ、長さ約５０ｍｍ、厚さ２００μｍに塗布し、１７５℃オーブン中１５分硬化した後、粘弾性測定装置を用いて試験長２０ｍｍ、−１００℃から３００℃まで昇温速度５℃／分、１０Ｈｚで引張りの粘弾性を測定し、室温（２５℃）と２５０℃での貯蔵弾性率を求めた。
・ブリード：表１に示す樹脂組成物を用い、６×６ｍｍのシリコンチップを銀スポットメッキ銅フレーム（ダイパッド部に銀メッキあり）にマウントし、１７５℃オーブン中１５分硬化した。硬化物のブリードを光学顕微鏡にて観察し、各試験片での最長の長さをもってブリードとした。ブリードの長さが５０μｍ以下のものを合格とした。ブリードの単位はμｍ。
・耐リフロー性：表１に示す樹脂組成物を用い、下記の基板にシリコンチップをマウントし、１７５℃１５分間硬化し接着した。これを封止材料（スミコンＥＭＥ−Ｇ７７０ｔｙｐｅＬＥ、住友ベークライト（株）製）を用い封止し、パッケージを作製した。８５℃、相対湿度６０％、１６８時間吸湿処理した後、ＩＲリフロー処理（２６０℃、１０秒、３回リフロー）を行った。処理後のパッケージを超音波探傷装置（透過型）により剥離の程度を測定した。パッケージ全体の剥離面積が１０％未満の場合を合格とした。剥離面積の単位は％である。
パッケージ：ＢＧＡ（３５×３５ｍｍ）
基板：住友ベークライト（株）製  ＥＬＣ−４７８１を用いて、回路形成し、下記ソ          ルダーレジストにて被覆した。
ソルダーレジスト：太陽インキ製造（株）製  ＰＳＲ−４０００−ＡＵＳ３０８
チップサイズ：１０×１０ｍｍ
樹脂組成物の硬化条件：オーブン中１７５℃、１５分
【００２６】
【表１】
0004835229.tif 000003
【産業上の利用可能性】
【００２７】
本発明の樹脂組成物は、良好な低応力性、良好な接着性、ブリード性を示すことからこれらが同時に要求される半導体素子の接着用として好適に用いることができる。