(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
帯状金属体と、
前記帯状金属体の周囲に多層に配置された、大きさが異なる複数の筒状金属体と、
前記複数の筒状金属体のうち最も内側に位置する筒状金属体と前記帯状金属体との間ならびに隣り合う前記筒状金属体どうしの間に位置し、なおかつ、夫々の前記筒状金属体の側壁部に対し対称な位置関係で積層配置された誘電体膜および導電性物質層と、
を有する多層ストリップ線路型容量素子。
【請求項２】
前記帯状金属体および前記複数の筒状金属体を内側から順番に、第１番目、第２番目、…第ｎ番目（但し、ｎは３以上の整数）の金属体と呼ぶことにして、第ｎ番目の金属体の内部には、複数の第（ｎ−１）番目の金属体がその内側の金属体と共にアレイ状に配置されている、請求項１に記載の多層ストリップ線路型容量素子。
【請求項３】
前記帯状金属体および前記複数の筒状金属体を内側から順番に、第１番目、第２番目、…第ｎ番目（但し、ｎは３以上の整数）の金属体と呼ぶことにして、第ｍ（但し、ｍは２以上ｎ−１以下の整数）の金属体から、前記誘電体膜、前記導電性物質層の順、または、前記導電性物質層、前記誘電体膜の順、または、前記誘電体膜、前記導電性物質層、前記誘電体膜の順に積層配置されている、請求項１または２に記載の多層ストリップ線路型容量素子。
【請求項４】
前記帯状金属体および前記複数の筒状金属体を内側から順番に、第１番目、第２番目、…第ｎ番目（但し、ｎは３以上の整数）の金属体と呼ぶことにして、奇数番目の金属体のみが全て、または、偶数番目の金属体のみが全て、または、全ての金属体、が弁作用を有する金属によって形成されている、請求項１から３のいずれかに記載の多層ストリップ線路型容量素子。
【請求項５】
前記弁作用を有する金属が、アルミニウム、タンタル、ニオブまたはチタンのいずれかである、請求項４に記載の多層ストリップ線路型容量素子。
【請求項６】
前記誘電体膜が金属酸化膜である、請求項１から５のいずれかに記載の多層ストリップ線路型容量素子。
【請求項７】
前記導電性物質層が導電性高分子層を含む、請求項１から６のいずれかに記載の多層ストリップ線路型容量素子。
【請求項８】
前記導電性物質層が、導電性高分子層、カーボングラファイト層および銀ペースト層を含んでおり、前記誘電体膜が表面に形成された金属体からこの隣りの金属体に向かって、前記導電性高分子層、前記カーボングラファイト層、前記銀ペースト層の順に積層されている、請求項１から６のいずれかに記載の多層ストリップ線路型容量素子。
【請求項９】
前記導電性高分子層は、ポリピロール、ポリチオフェンおよびポリアニリン並びにそれらの誘導体からなる群から選ばれた１以上の化合物によって形成されたものである、請求項７または８に記載の多層ストリップ線路型容量素子。
【請求項１０】
前記帯状金属体および前記複数の筒状金属体の夫々の両端部には、引出端子が形成されている、請求項１から９のいずれかに記載の多層ストリップ線路型容量素子。
【請求項１１】
前記帯状金属体および前記複数の筒状金属体のうちの任意の２以上の金属体に形成された引出端子どうしが一体化されている、請求項１０に記載の多層ストリップ線路型容量素子。
【請求項１２】
前記複数の筒状金属体の層数が２つである容量素子であって、最も外側に位置する筒状金属体の両端部と前記帯状金属体の両端部のみに引出端子が形成されている、請求項１から９のいずれかに記載の多層ストリップ線路型容量素子。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、印刷回路基板上などに設けられた電源分配回路を介して漏洩する電磁波の抑制を目的として、主に、電源デカップリング用素子として用いられる多層ストリップ線路型容量素子に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、パソコンなどのデジタル情報機器や携帯電話機などの携帯情報端末は、高性能化・高機能化に伴って、回路動作は極めて高速化されている。クロックが１００ＭＨｚを超える程度に高速化されると、ＬＳＩから印刷回路基板の電源配線へ流出されるノイズ（高周波振動）を、従来公知の積層セラミックコンデンサや３端子コンデンサのみでは十分に抑制することが困難である。そのため、ノイズの増大により誤動作や受信障害が発生する可能性が高くなる。この点に対処しうる容量素子として、本出願人は、既にストリップ線路型の素子を提案した（例えば、特開２００３−１０１３１１号公報、特開２００３−１２４０６６号公報、特開２００５−０３３８１３号公報参照）。【０００３】
図１は、特許文献１にて開示されたストリップ線路型容量素子の断面図であり、図２は、図１のＡ−Ａ線での断面図である。同図に示すように、金属板１１０の表面には、酸化物からなる誘電体膜１２０が形成されている。金属板１１０は、エッチングにより粗面化することで表面積が２００倍程度に拡大されたアルミニウムからなる。誘電体膜１２０上には、導電性高分子層１３１、導電性カーボンペースト層１３２および銀ペースト層１３３が形成されている。導電性高分子層１３１、導電性カーボンペースト層１３２および銀ペースト層１３３により導電体層１３０が形成されている。金属板１１０の長手方向両端部には陽電極引出端子１１１および１１２が接続されている。導電体層１３０の一方の表面には、銅箔からなる金属板１４０が重ねられ、金属板１４０の長手方向両端部は陰電極引出端子１４１および１４２となっている。【０００４】
上述した特許文献に開示されたストリップ線路型容量素子は、アルミニウム金属板の表面積が拡大されて容量の増大が図られている。しかし、誘電体膜が単層であるため、単位面積当たりの容量が不足するなどの問題があり、多様な用途に応じられないという欠点があった。また、この従来例素子は、使用電圧に方向性がある有極性であり、かつ、正側電極が負側電極にかこまれる構造である。そのため、用途が限定されるという問題があった。つまり、引出端子１１１、１１２を電源側、引出端子１４１、１４２をグランド側に接続する場合には、この素子を使用できる回路が正電位を電源とする回路に限定されていた。無極性の電解コンデンサは、従来から知られているが（例えば、特開２０００−３５９１６９号公報）、従来の無極性の電解コンデンサは、２端子構造であるため高周波での特性が劣化するという問題があった。
【発明の開示】
【０００５】
本発明の課題は上述した従来技術の問題点を解決することである。その目的は、第１に、従来のストリップ線路型の素子よりも単位面積当たりの容量を増大させること、第２に、高周波特性に優れた無極性型の電解コンデンサを提供できるようにすることである。
【０００６】
本発明の容量素子は、帯状金属体と、複数の筒状金属体と、誘電体膜および導電性物質層とを有する。複数の筒状金属体はそれぞれ大きさが異なり、帯状金属体の周囲に多層に配置されている。そして、誘電体膜および導電性物質層が、複数の筒状金属体のうち最も内側に位置する金属体と帯状金属体との間ならびに、隣り合う前記筒状金属体どうしの間に配置される。なおかつ、誘電体膜および導電性物質層は、夫々の筒状金属体の側壁部に対し対称な位置関係で積層配置されている。
【０００７】
本発明によれば、各筒状金属体の側壁部に対して誘電体膜と導電性物質層とが対称な位置関係で配置されているため、誘電体膜が有極性である場合、帯状金属体から最外層の筒状金属体までの間に必ず反対極性のコンデンサが形成されることになる。すなわち、誘電体膜は逆方向電圧の印加されるコンデンサと順方向電圧の印加されるコンデンサとが直列に接続されたものとなる。そのため、無極性な容量素子として使用することが可能になる。また、筒状金属体の側壁部を基準に誘電体膜と導電性物質層とが対称に配置された構成とすることにより、筒状金属体の筒の内側面と外側面に同時に同じ層を形成することが可能になるので製造工程が簡素化される。さらに、本発明によれば、誘電体膜と導電性物質層との積層膜が、帯状金属体と最内層の筒状金属体との間ならびに隣り合う筒状金属体どうしの間に形成されている、つまり、コンデンサが多層に形成されることになる。そのため、コンデンサを並列接続することにより、単位面積当たりの容量の大きいコンデンサを実現させることができる。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
【図１】従来例の軸方向での断面図。
【図２】図１に対して垂直な断面図。
【図３】本発明の多層ストリップ線路型容量素子の第１の実施の形態を示す一部を断面図で表した斜視図。
【図４】本発明の多層ストリップ線路型容量素子の第２の実施の形態を示す一部を断面図で表した斜視図。
【図５】本発明の多層ストリップ線路型容量素子の第３の実施の形態を示す一部を断面図で表した斜視図。
【図６】本発明の第１、第２の実施の形態の等価回路図。
【図７】本発明の第１の実施の形態の等価回路図。
【図８】本発明の第２の実施の形態の等価回路図。
【図９】本発明の実施例１の断面図（内部金属体に直交する方向での断面図）。
【図１０】図９に対して垂直な断面図（内部金属体に沿った方向での断面図）。
【図１１】本発明の実施例２の断面図（内部金属体に直交する方向での断面図）。
【図１２】図１１に対して垂直な断面図（内部金属体に沿った方向での断面図）。
【図１３】本発明の実施例３の断面図（内部金属体に直交する方向での断面図）。
【図１４】図１３に対して垂直な断面図（内部金属体に沿った方向での断面図）。
【図１５】本発明の実施例３の使用例を示す等価回路図。
【図１６】本発明の実施例４の断面図（内部金属体に直交する方向での断面図）。
【図１７】本発明の実施例５の断面図（内部金属体に直交する方向での断面図）。
【図１８】本発明の実施例５の使用例を示す等価回路図。
【図１９】本発明の実施例６の上面図。
【図２０】本発明の実施例６の正面図。
【図２１】本発明の実施例６の側面図。
【図２２】本発明の実施例７の上面図。
【図２３】本発明の実施例７の正面図。
【図２４】本発明の実施例７の側面図。
【図２５】本発明の実施例７の使用例を示す等価回路図。
【図２６】本発明の実施例８の上面図。
【図２７】本発明の実施例８の正面図。
【図２８】本発明の実施例８の側面図。
【図２９】本発明の実施例８の使用例を示す等価回路図。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００９】
次に、本発明の実施の形態について図面を参照して詳細に説明する。図３、図４、図５は、それぞれ本発明の第１、第２、第３の実施の形態を示す、一部を断面図にて表した斜視図である。【００１０】
図３に示すように、多層ストリップ線路型容量素子１００は、筒状の第１筒金属体４と、第１筒金属体４の内部に配置される内部金属体１と、第１筒金属体４の外側に配置される第２筒金属体７と、第１筒金属体４と内部金属体１の間隙に設けられる誘電体膜３および導電性物質層２と、第１筒金属体４と第２筒金属体７の間隙に設けられる誘電体膜５および導電性物質層６と、内部金属体１の両端部に設けられる引出端子１ａ、１ｂと、第１筒金属体４の両端部に設けられる引出端子４ａ、４ｂと、第２筒金属体７の両端部に設けられる引出端子７ａ、７ｂと、を有する。ここで、誘電体膜３、５および導電性物質層２、６の、第１筒金属体４に対する位置関係は第１筒金属体４の側壁部を基準として対称となっている。すなわち、第１筒金属体４から内側に誘電体膜３および導電性物質層２がこの順番で配置され、第１筒金属体４から外側に誘電体膜５および導電性物質層６がこの順番に配置されている。【００１１】
内部金属体１は、帯状（ストリップ状）の金属体であり、長板状、棒（丸棒あるいは角棒）状のいずれであってもよい。また、第１、第２筒金属体４、７の形状は、円筒形、楕円筒形、角筒形のいずれであってもよい。内部金属体１と第２筒金属体７は、アルミニウム、銅、銀、金などの高導電率材料を用いて形成することが望ましい。電極の寄生インピーダンスを極力低く抑えるためである。第１筒金属体４については、弁作用を示す金属（以下、弁作用金属と称す）を用いる場合にはその条件が優先される。しかし、そうでない場合には内部金属体１と第２筒金属体７と同じ選択基準で材料の選択が行なわれる。【００１２】
図６は、第１の実施の形態の多層ストリップ線路型容量素子１００の等価回路図である。図６に示すように、内部金属体１、第１筒金属体４および第２筒金属体７にはそれぞれインダクタンスＬ１、Ｌ４およびＬ７が形成される。そして、内部金属体１と第１筒金属体４との間にコンデンサＣ１１、Ｃ１２が、第１筒金属体４と第２筒金属体７との間にコンデンサＣ２１、Ｃ２２が形成される。図１、図２に示される従来例では、コンデンサＣ１１、Ｃ１２を有するのみであるが、本発明によると、コンデンサＣ２１、Ｃ２２が追加される。したがって、コンデンサＣ１１、Ｃ１２とコンデンサＣ２１、Ｃ２２とを並列接続することにより、第１筒金属体４の周囲に大きな容量が形成されることになる。さらに、コンデンサＣ１１、Ｃ１２とコンデンサＣ２１、Ｃ２２とが並列接続される態様では、インダクタンスＬ１とＬ７も並列接続される。そのため、インダクタンスも低減され、特性インピーダンスの低インピーダンス化が可能となる。【００１３】
ここで、引出端子１ａ、４ａ、７ａを入力端子とし、引出端子１ｂ、４ｂ、７ｂを出力端子とすると、コンデンサＣ１１、Ｃ１２とインダクタンスＬ１、Ｌ４からなるフィルタ、コンデンサＣ２１、Ｃ２２とインダクタンスＬ４、Ｌ７からなるフィルタが構成される。これら引出端子の接続を組合せることにより多様なフィルタを１つの素子で構成することが可能となる。例えば、第１筒金属体４を正極に接続し、内部金属体１と第２筒金属体７を共通に接地すると、コンデンサＣ１１、Ｃ１２とコンデンサＣ２１、Ｃ２２は図２５のように加算され、静電容量が概略２倍に向上し、フィルタ機能が向上する。【００１４】
誘電体膜３、５は、金属酸化膜であってよい。誘電体膜３、５が、金属酸化膜であるとき、第１筒金属体４を弁作用金属とすることができ、誘電体膜を陽極酸化膜とすることができる。弁作用金属としてはアルミニウム、タンタル、ニオブ、チタンが挙げられるがこれに限定されない。第１筒金属体４の表面はエッチングされ、その表面積は例えば２００倍に拡大されている。誘電体膜３、５が、弁作用金属である第１筒金属体４の陽極酸化によって形成された絶縁膜であり、なおかつ、導電性物質層２、６の少なくとも誘電体膜と接する部分が固体電解質材料により構成されているとき、等価回路図は図７のように示される。すなわち、内部金属体１と第１筒金属体４の間、第１筒金属体４と第２筒金属体７の間に形成されるコンデンサＣ１１、Ｃ１２、Ｃ２１、Ｃ２２は、第１筒金属体４側を正極とする電解コンデンサとなる。【００１５】
金属体間に電解コンデンサを形成しない場合、誘電体膜３、５は高誘電率誘電体によって形成することもできる。あるいは、有機誘電体によって形成することもできる。【００１６】
金属体間に電解コンデンサを形成する場合、導電性物質層２、６は、少なくとも誘電体膜３、５と接する部分は、導電性高分子によって形成される。好ましい材料としては、ポリピロール、ポリチオフェン、ポリアニリンなどが挙げられる。また、それらの誘導体であってもよい。また、単一の材料ではなく、複数の材料の混合物であってもよい。【００１７】
導電性物質層２、６は、内部金属体１または第２筒金属体７との接触抵抗を低く抑えるために、導電性高分子とこれらの金属体との間に、より導電性の高い材料からなる導電性層を形成することが好ましい。本発明においては、カーボングラファイト層と銀ペースト層との積層膜が有利に用いられる。【００１８】
内部金属体１の両端部に設けられる引出端子１ａ、１ｂと、第１筒金属体４の両端部に設けられる引出端子４ａ、４ｂと、第２筒金属体７の両端部に設けられる引出端子７ａ、７ｂは金属製である。よって、これらは、レーザ溶接、抵抗溶接、超音波溶接、ろう付け、かしめなどの手段を用いて金属体１、４、７に固着される。あるいは、引出端子と金属体１、４、７との接続方法に導電性接着材やメッキによる金属析出を利用することもできる。内部金属体１については、別体の金属端子を設けることなく内部金属体１の延長部を端子として利用してもよい。引出端子は、実装される形態に適した形状に加工したものが用いられる。そして、適宜はんだ付けのための表面処理がほどこされる。【００１９】
図４において、図３の部分と同等の部分には同一の参照番号が付せられているので、重複する説明は省略する（図５の場合も同様である）。図４に示す第２の実施の形態は、第１の実施の形態に対し導電性物質層２、６と誘電体膜３、５との形成位置を交代したものである。すなわち、図４の第２の実施形態においては、第１筒金属体４から内部金属体１に向かって、導電性物質層２、誘電体膜３の順に配置され、第１筒金属体４から第２筒金属体７に向かって、導電性物質層６、誘電体膜５の順に配置されている。いずれにしても、第１筒金属体４の側壁部を基準として、導電性物質層と誘電体膜との配置位置は対称となっている。【００２０】
金属体間に形成されるコンデンサが電解コンデンサでない場合、あるいは電解コンデンサであっても極性を無視すると、第２の実施の形態の等価回路図は図６に示したものとなる。金属体間に電解コンデンサが形成される場合、内部金属体１と第２筒金属体７とは弁作用金属を用いて形成される。内部金属体１と第２筒金属体７の表面はエッチングされてその表面積が例えば２００倍程度に拡大されている。そして、その表面には陽極酸化により形成された誘電体膜３、５が形成されている。【００２１】
第２の実施の形態の金属体間に電解コンデンサが形成された場合の等価回路図を図８に示す。図７に示される第１の実施の形態の場合と比較して電解コンデンサの極性が反転している。【００２２】
引出端子１ａ、１ｂ、７ａ、７ｂを接地し、引出端子４ａを入力端子（電源側端子）、引出端子４ｂを出力端子（負荷側端子）として用いる場合、図７の等価回路を形成する多層ストリップ線路型容量素子は、正電圧電源の回路への適用が適している。これに対し、図８の等価回路の多層ストリップ線路型容量素子は、負電圧電源の回路への適用に向いている。【００２３】
また、図７、図８に示す第１、第２の実施の形態の多層ストリップ線路型容量素子において、第１筒金属体４の両引出端子をオープンにし、内部金属体１と第２筒金属体７の引出端子のみを利用する構成とする。この構成によれば、コンデンサＣ１１（Ｃ１２）またはコンデンサＣ２１（Ｃ２２）のいずれか一方が順方向電圧を印加されることとなり、無極性な容量素子としての使用が可能になる。【００２４】
図５に示す第３の実施の形態は、第１の実施の形態に対し、内部金属体１と導電性物質層２との間に誘電体膜８を、また、第２筒金属体７と導電性物質層６との間に誘電体膜９を挿入したものである。すなわち、第３の実施の形態においては、第１筒金属体４から内部金属体１に向かって、誘電体膜３、導電性物質層２、誘電体膜８の順に配置され、第１筒金属体４から第２筒金属体７に向かって、誘電体膜５、導電性物質層６、誘電体膜９の順に配置されている。この場合にも、第１筒金属体４の側壁部を基準として、誘電体膜と導電性物質層との配置位置は対称となっている。【００２５】
金属体間に電解コンデンサが形成される場合、内部金属体１、第１筒金属体４および第２筒金属体７は弁作用金属を用いて形成される。内部金属体１、第１筒金属体４および第２筒金属体７の表面はエッチングによりその表面積の拡大が図られている。そして、それぞれの表面には陽極酸化により形成された誘電体膜８、３、５および９が形成されている。【００２６】
「実施例１」
図９は、実施例１の内部金属体１の長手方向に垂直な断面図であり、図１０は、図９に対して垂直な断面図である。図９に示すように、筒状の第１筒金属体４の内部に内部金属体１が設けられ、第１筒金属体４の外部に筒状の第２筒金属体７が設けられている。第１筒金属体４と内部金属体１の間隙に、誘電体膜３および導電性物質層２が配置され、第１筒金属体４と第２筒金属体７の間隙に、誘電体膜５および導電性物質層６が配置されている。本実施例では、第１筒金属体４が弁作用を有するアルミニウムで形成され、誘電体膜３、５が酸化アルミニウムで形成されている。さらに、導電性物質層２、６が、誘電体膜３、５側から順に導電性高分子（ポリチオフェン）、カーボングラファイト、銀ペーストを積層した積層体で形成されている。【００２７】
次に、本実施例の製造工程について説明する。【００２８】
エッチング処理により粗面化されて表面積が約２００倍に拡大された長さ２０ｍｍ、幅１３ｍｍ、厚さ１１０μｍのアルミニウム箔を２枚用意する。この２枚を重ねて、間隔１０ｍｍの２本の直線に沿って溶接する。そして、１０ｍｍの溶接間隔の外側の部分を切断することで両側部が接続された概略筒状の弁作用金属を得た。【００２９】
上記の弁作用金属に対し、両側部が接続された２枚のアルミ箔どうしが接触しないように筒状の内部空間を少し広げ、ホウ酸アンモニウム水溶液中で電圧１０Ｖによる陽極酸化を行い、洗浄および乾燥を行なう。これにより、金属酸化被膜（酸化アルミニウム）からなる誘電体膜３、５を弁作用金属の内外表面に形成した。【００３０】
次に、この弁作用金属の両端部に、マスク樹脂であるヘキサフルオロプロピレンからなる樹脂を塗布して絶縁性の土手を形成する。これにより、マスク処理後の弁作用金属（第１筒金属体４）を得た。【００３１】
さらに、濃度１０質量％のドデシルベンゼンスルホン酸第二鉄を含むエタノール溶液を作る。この溶液にマスク処理後の弁作用金属を浸漬して取り出した後、空気中、室温で３０分間乾燥させた。それから、これを５０質量％のエチレンジオキシチオフェンを含む水溶液に浸漬し、取り出して３０分間空気中に保持し、前記エチレンジオキシチオフェンの重合を行った。その後、水、メタノールで洗浄し、８０℃で乾燥した。以上の操作を４回繰り返し、第１筒金属体４の内側の誘電体膜３および第１筒金属体４の外側の誘電体膜５がそれぞれ導電性高分子で被覆されるようにした。この導電性高分子は、ドデシルベンゼンスルホン酸がドーパントとして用いられたポリエチレンジオキシチオフェンからなる。これにより、欠陥のない導電性高分子層を有する第１筒金属体４を得た。この第１筒金属体４を、カーボングラファイト含有の溶剤溶液に浸漬し、取り出し室温で乾燥させた。さらに、カーボングラファイトの表面が硬化したところで、第１筒金属体４を銀ペーストに浸漬し、取り出し６０℃で１５分間乾燥させた。そのまま、室温で３時間放置した。ここまでで、導電性高分子とカーボングラファイトと銀ペーストからなる導電性物質層２、６が形成された第１筒金属体４を得た。【００３２】
この第１筒金属体４の筒の内側に、銀ペーストを塗布した金属板（内部金属板１）を挿入し、第１筒金属体４の外側に薄い金属箔（第２筒金属体７）を銀ペーストにて貼り付け、６０℃で３０分間乾燥硬化させた。これにより、内部金属体１から第２筒金属体７までの構成材料が形成された第１筒金属体４を得た。この第１筒金属体４をテトラヒドロフランに浸漬し、マスク樹脂であるヘキサフルオロプロピレンを溶解させ、土手上の導電性高分子、カーボングラファイト、銀ペーストを共に除去する。更に、第１筒金属体４の両端部外側の誘電体膜５を切削して除去することで、切削部４０が形成された、本実施例の多層ストリップ線路型容量素子１００を得た。【００３３】
ここで、第１筒金属体４の溶接部は第１筒金属体４の内側部分と外側部分の導電性物質等が電気的に導通しないように絶縁処理できれば、材料どうしを隙間なく溶接する必要はない。その溶接間隔は、使用する最大周波数の波長に比べ、無視できる距離であればよい。たとえば導波管において遮断モードとなる条件を勘案し波長の２分の１より明らかに小さい間隔、より好ましくは波長の４分の１より短い間隔であればよい。導電性物質は誘電体膜の欠損が許容できる場合には欠損修復、短絡防止機能を有する物質を選定する必要はなく、導電性を有していればよい。【００３４】
なお、本実施例の等価回路は、図６ないし図７に示したものと同様である。【００３５】
「実施例２」
図１１は、実施例２の内部金属体１の長手方向に垂直な断面図であり、図１２は図１１に垂直な断面図である。本実施例は、実施例１に対して、誘電体膜３、５と導電性物質層２、６の位置関係を逆にしたものである。すなわち、第１筒金属体４の内側に向かって導電性物質層２、誘電体膜３の順に配置され、第１筒金属体４の外側に向かって導電性物質層６、誘電体膜５の順に配置されている。【００３６】
本実施例では、内部金属体１と第２筒金属体７に、弁作用金属であるアルミニウムが用いられている。【００３７】
次に、本実施例の製造工程について説明する。【００３８】
エッチング処理により粗面化されて表面積が約２００倍に拡大された厚さ１１０μｍのアルミニウム箔を用意する。このアルミ箔を幅８ｍｍ、長さ３０ｍｍに形成することで、内部金属体１となる短冊状の弁作用金属（内部金属体１）を得た。【００３９】
また、幅１５ｍｍ、長さ２０ｍｍの上記のアルミ箔を２枚用意する。この２枚を重ねて、間隔１２ｍｍの２本の直線に沿って溶接する。そして、１２ｍｍの溶接間隔の外側の部分を切断することで、両側部が接続された概略筒状の弁作用金属（第２筒金属体７）を得た。【００４０】
上記の２つの弁作用金属に対し、ホウ酸アンモニウム水溶液中で電圧１０Ｖによる陽極酸化を行い、洗浄および乾燥を行なう。これにより、金属酸化被膜（酸化アルミニウム）からなる誘電体膜３、５を各々の弁作用金属の内外表面に形成した。なお、筒状の弁作用金属を陽極酸化する際は、２枚のアルミ箔どうしが接触しないように筒状の内部空間を少し広げておく。【００４１】
次に、短冊状の弁作用金属の両端部および筒状の弁作用金属の外側表面に、マスク樹脂であるヘキサフルオロプロピレンからなる樹脂を塗布して絶縁性の土手を形成する。これにより、マスク処理後の短冊状の弁作用金属（内部金属体１）、筒状の弁作用金属（第２筒金属体７）を得た。【００４２】
さらに、濃度１０質量％のドデシルベンゼンスルホン酸第二鉄を含むエタノール溶液を作る。この溶液にマスク処理後の両弁作用金属を浸漬して取り出した後、空気中、室温で３０分間乾燥させた。それから、これを５０質量％のエチレンジオキシチオフェンを含む水溶液に浸漬し、取り出して３０分間空気中に保持し、前記エチレンジオキシチオフェンの重合を行った。その後、水、メタノールで洗浄し、８０℃で乾燥した。以上の操作を４回繰り返し、内部金属体１の表面の誘電体膜３および第２筒金属体７の内側の誘電体膜５がそれぞれ導電性高分子で被覆されるようにした。この導電性高分子は、ドデシルベンゼンスルホン酸がドーパントとして用いられたポリエチレンジオキシチオフェンからなる。これにより、欠陥のない導電性高分子層を有する内部金属体１および第２筒金属体７を得た。これらの内部金属体１および第２筒金属体７を、カーボングラファイト含有の溶剤溶液に浸漬し、取り出し室温で乾燥させた。さらに、カーボングラファイトの表面が硬化したところで、内部金属体１および第２筒金属体７を銀ペーストに浸漬し、取り出し６０℃で１５分間乾燥させた。そのまま、室温で３時間放置した。ここまでで、導電性高分子とカーボングラファイトと銀ペーストからなる導電性物質層２が形成された内部金属体と、同じ３つの材料からなる導電性物質層６が形成された第２筒金属体７を得た。【００４３】
この内部金属体１の表面に銀ペーストを塗布し、これを第１筒金属体４の内側に挿入する。そして、この第１筒金属体４の外側に銀ペーストを塗布し、これを第２筒金属体７の筒の内側に挿入した。その後、６０℃で３０分間乾燥硬化させた。これにより、内部金属体１から第２筒金属体７までの構成材料が形成された。これをテトラヒドロフランに浸漬し、マスク樹脂であるヘキサフルオロプロピレンを溶解させ、マスク樹脂上の導電性高分子、カーボングラファイト、銀ペーストを共に除去する。更に、内部金属体１の両端部の誘電体膜３および第２筒金属体７の両端部外側の誘電体膜５を切削して除去することで、切削部７０が形成された、本実施例の多層ストリップ線路型容量素子１００を得た。【００４４】
なお、本実施例の等価回路は、図６、図８に示したものと同様である。【００４５】
「実施例３」
図１３は、実施例３の内部金属体１の長手方向に直交する断面図であり、図１４は、図１３に直交する断面図である。図１３、図１４に示されるように、第１筒金属体４と内部金属体１の間隙に第１筒金属体４から内側へ誘電体膜３、導電性物質層２および誘電体膜８がこの順番に配置されている。さらに、第１筒金属体４と第２筒金属体７との間隙に第１筒金属体４から外側へ誘電体膜５、導電性物質層および誘電体膜９がこの順番で配置されている。【００４６】
本実施例においては、内部金属体１、第１筒金属体４および第２筒金属体７に弁作用金属であるアルミニウムが用いられている。【００４７】
次に、本実施例の製造工程について説明する。【００４８】
エッチング処理により粗面化されて表面積が約２００倍に拡大された厚さ１１０μｍのアルミニウム箔を用意する。このアルミ箔を幅８ｍｍ、長さ３０ｍｍに形成することで、内部金属体１となる短冊状の弁作用金属（内部金属体１）を得た。【００４９】
また、幅１５ｍｍ、長さ２０ｍｍの上記のアルミ箔を４枚用意する。このうちの２枚を重ねて、間隔１０ｍｍの２本の直線に沿って溶接する。そして、１０ｍｍの溶接間隔の外側の部分を切断することで、両側部が接続された概略筒状の弁作用金属（第１筒金属体４）を得た。また、上記のアルミ箔を２枚重ねて、間隔１２ｍｍの２本の直線に沿って溶接する。そして、１２ｍｍの溶接間隔の外側の部分を切断することで、両側部が接続された概略筒状の弁作用金属（第２筒金属体７）を得た。【００５０】
上記の３種の弁作用金属に対し、ホウ酸アンモニウム水溶液中で電圧１０Ｖによる陽極酸化を行い、洗浄および乾燥を行なう。これにより、金属酸化被膜（酸化アルミニウム）からなる誘電体膜３、５、８、９を各々の弁作用金属の内外表面に形成した。なお、２種類の筒状の弁作用金属を陽極酸化する際は、２枚のアルミ箔どうしが接触しないように筒状の内部空間を少し広げておく。【００５１】
次に、短冊状の弁作用金属の両端部、一方の筒状の弁作用金属（第１筒金属体４）の両端部および、もう一方の筒状の弁作用金属（第２筒金属体７）の外側表面に、マスク樹脂であるヘキサフルオロプロピレンからなる樹脂を塗布して絶縁性の土手を形成する。これにより、マスク処理後の短冊状の弁作用金属（内部金属体１）と２種の筒状の弁作用金属（第１筒金属体４、第２筒金属体７）を得た。【００５２】
さらに、濃度１０質量％のドデシルベンゼンスルホン酸第二鉄を含むエタノール溶液を作る。この溶液にマスク処理後の３種の弁作用金属を浸漬して取り出した後、空気中、室温で３０分間乾燥させた。それから、これらを５０質量％のエチレンジオキシチオフェンを含む水溶液に浸漬し、取り出して３０分間空気中に保持し、前記エチレンジオキシチオフェンの重合を行った。その後、水、メタノールで洗浄し、８０℃で乾燥した。以上の操作を４回繰り返し、内部金属体１の表面の誘電体膜８、第１筒金属体４の内側表面の誘電体膜３、第１筒金属体４の外側表面の誘電体膜５、および第２筒金属体７の内側の誘電体膜９がそれぞれ導電性高分子で被覆されるようにした。この導電性高分子は、ドデシルベンゼンスルホン酸がドーパントとして用いられたポリエチレンジオキシチオフェンからなる。これにより、欠陥のない導電性高分子層を有する内部金属体１、第１筒金属体４および第２筒金属体７を得た。これらを、カーボングラファイト含有の溶剤溶液に浸漬し、取り出し室温で乾燥させた。さらに、カーボングラファイトの表面が硬化したところで、内部金属体１、第１筒金属体４および第２筒金属体７を銀ペーストに浸漬し、取り出し６０℃で１５分間乾燥させた。そのまま、室温で３時間放置した。ここまでで、導電性高分子とカーボングラファイトと銀ペーストからなる導電性物質層２が形成された内部金属体１、同じ３つの材料からなる導電性物質層２，６が形成された第１筒金属体４、ならびに同じ３つの材料からなる導電性物質層６が形成された第２筒金属体７を得た。【００５３】
この内部金属体１の表面に銀ペーストを塗布し、これを第１筒金属体４の内側に挿入する。そして、この第１筒金属体４の外側に銀ペーストを塗布し、これを第２筒金属体７の筒の内側に挿入した。その後、６０℃で３０分間乾燥硬化させた。これにより、内部金属体１から第２筒金属体７までの構成材料が形成された。これをテトラヒドロフランに浸漬し、マスク樹脂であるヘキサフルオロプロピレンを溶解させ、マスク樹脂上の導電性高分子、カーボングラファイト、銀ペーストを共に除去する。更に、内部金属体１の両端部の誘電体膜８、第１筒金属体４の両端部外側の誘電体５および第２筒金属体７の両端部外側の誘電体膜９を切削して除去することで、切削部４０、７０が形成された、本実施例の多層ストリップ線路型容量素子１００を得た。【００５４】
図１５は、本実施例の使用例を示す概略回路図である。同図に示すように、内部金属体１、導電性物質層２、第１筒金属体４、導電性物質層６および第２筒金属体７にはインダクタンスＬ１、Ｌ２、Ｌ４、Ｌ６、Ｌ７が寄生している。そして、内部金属体１と導電性物質層２との間には、コンデンサＣ１１、Ｃ１２が形成される。導電性物質層６と第１筒金属体４の間には、コンデンサＣ２１、Ｃ２２が形成される。第１筒金属体４と導電性物質層６との間には、コンデンサＣ３１、Ｃ３２が形成される。導電性物質層６と第２筒金属体７との間には、コンデンサＣ４１、Ｃ４２が形成される。内部金属体１、第１筒金属体４、第２筒金属体７のそれぞれの両端が引出端子１ａ、１ｂ；４ａ、４ｂ；７ａ、７ｂを形成している。引出端子４ａが電源２００の正極２０１に、引出端子４ｂがＬＳＩ３００の電極端子３０１に接続される。さらに、引出端子１ａ、７ａが電源２００の負極２０２に共通に接続され、引出端子１ｂ、７ｂがＬＳＩ３００のグランド端子３０２に共通に接続される。【００５５】
このような接続形態では、ＬＳＩ３００の電極端子３０１と電源２００の正極２０１との間がインダクタンスＬ４によって分離される。その上、ＬＳＩ３００の電極端子３０１から電源２００の正極２０１へ伝播するノイズは、第１筒金属体４と内部金属体１の間に形成されるフィルタおよび、第１筒金属体４と第２筒金属体７の間に形成されるフィルタによって減衰される。【００５６】
内部金属体１と第１筒金属体４との間に形成されるコンデンサＣ１１、Ｃ２１とコンデンサＣ１２、Ｃ２２はそれぞれ極性が反対方向となっている。同様に、第１筒金属体４と第２筒金属体７との間に形成されるコンデンサＣ３１、Ｃ４１とコンデンサＣ３２、Ｃ４２はそれぞれ極性が反対方向となっている。そのため、本実施例の多層ストリップ線路型容量素子１００は、それ自体無極性である。すなわち、図１５に示す回路に使用できると共に、ＬＳＩ３００が、負電圧を電源電圧とする集積回路であっても、電源２００の極性を反転させるのみで同じ回路構成において多層ストリップ線路型容量素子１００を使用することができる。図１５に示す回路接続では、コンデンサＣ２１、Ｃ２２、Ｃ３１、Ｃ３２は順方向電圧が印加されるが、コンデンサＣ１１、Ｃ１２、Ｃ４１、Ｃ４２は逆方向電圧が印加される。逆方向電圧が印加されるコンデンサＣ１１、Ｃ１２、Ｃ４１、Ｃ４２は短絡状態となって機能しない。したがって、フィルタとして寄与するのは、コンデンサＣ２１、Ｃ２２、Ｃ３１、Ｃ３２のみである。【００５７】
「実施例４」
図１６は、実施例４の内部金属体１の長手方向に垂直な断面図である。本実施例は、図１６に示すように、第２筒金属体７の内部に、第１筒金属体４と内部金属体１との組み合わせを複数組（本実施例では４組）アレイ状に配置したものである。【００５８】
本実施例の製造工程を簡単に説明する。実施例１と同様の方法を用いて、第１筒金属体４となる筒状の弁作用金属の内外表面に誘電体膜３、５を形成する。この弁作用金属の両端部にマスク樹脂を塗布して絶縁性の土手を形成する。マスク処理後の弁作用金属（第１筒金属体４）を導電性高分子で被覆した後、更にカーボングラファイトと銀ペーストを塗布する。この第１筒金属体４の筒の内側に、銀ペーストを塗布した金属板（内部金属板１）を挿入する。【００５９】
このようにして得た内部金属体１が配置された第１筒金属体４を４個並べ、４つの第１筒金属体４の外側に薄い金属箔（第２筒金属体７）を銀ペーストにて貼り付ける。次に、マスク樹脂を、この上の導電性高分子、カーボングラファイト、銀ペーストと共に除去する。更に、第１筒金属体４の両端部外側の誘電体膜５を切削することで、切削部（図示なし）が形成された、本実施例の多層ストリップ線路型容量素子１００を得た。【００６０】
本実施例によれば、狭い領域に配置された複数の電源配線の入力側（電源側）と出力側（負荷側）とを一つの素子によって分離することが可能になり、高密度実装に資することができる。【００６１】
本実施例においては、第１筒金属体４に弁作用金属を用いていたが、内部金属体１と第２筒金属体７との両方に弁作用金属を用いるようにしてもよい。或いは、全ての金属体に弁作用金属を用いるようにしてもよい。【００６２】
「実施例５」
図１７は、実施例５の内部金属体１の長手方向に垂直な断面図である。実施例１〜４では、筒金属体は二つであったが、本実施例では、第２筒金属体の外側に更に二つの筒金属体が配置される。すなわち、図１７に示すように、内側から順に、内部金属体１、第１筒金属体４、第２筒金属体７、第３筒金属体１２、第４筒金属体１５が間隔をおいて設けられている。内部金属体１と第１筒金属体４との間に導電性物質層２、誘電体膜３が形成される。第１筒金属体４と第２筒金属体７との間に誘電体膜５、導電性物質層６が形成される。第２筒金属体７と第３筒金属体１２との間に導電性物質層１０、誘電体膜１１が形成される。第３筒金属体１２と第４筒金属体１５との間に誘電体膜１３、導電性物質層１４が形成されている。本実施例においても、隣接する金属体間における導電性物質層と誘電体膜との配置位置は、第１、第２、第３筒金属体のいずれの筒金属体の側壁部を基準にして見ても対称となっている。本実施例においては、第１、第３筒金属体４、１２に弁作用金属が用いられている。【００６３】
次に、本実施例の製造方法について説明する。【００６４】
エッチング処理により粗面化されて表面積が約２００倍に拡大された厚さ１１０μｍのアルミニウム箔を２枚用意する。これらのアルミ箔を幅１３ｍｍ、長さ３０ｍｍに形成するとともに互いに重ねて、間隔１０ｍｍの２本の直線に沿って溶接する。そして、１０ｍｍの溶接間隔の外側の部分を切断することで、両側部が接続された概略筒状の弁作用金属（第１筒金属体４）を得た。また、幅１６ｍｍ、長さ２０ｍｍの上記のアルミ箔を２枚重ねて、間隔１４ｍｍの２本の直線に沿って溶接する。そして、１４ｍｍの溶接間隔の外側の部分を切断することで、両側部が接続された概略筒状の弁作用金属（第３筒金属体１２）を得た。【００６５】
これらとは別に、平坦な表面を有する厚さ８０μｍのアルミニウム箔により、長さ３５ｍｍ、幅８ｍｍの短冊状の金属体（内部金属体１）を得る。また、これと同じアルミニウム箔を幅１５ｍｍ、長さ２５ｍｍに形成するとともに互いに重ねて、間隔１２ｍｍの２本の直線に沿って溶接する。そして、１２ｍｍの溶接間隔の外側の部分を切断することで、両側部が接続された概略筒状の弁作用金属（第２筒金属体７）を得た。【００６６】
次に、２種の筒状の弁作用金属（第１筒金属体４、第３筒金属体１２）に対し、ホウ酸アンモニウム水溶液中で電圧１０Ｖによる陽極酸化を行い、洗浄および乾燥を行なう。これにより、金属酸化被膜（酸化アルミニウム）からなる誘電体膜３、５と１１、１３を各々の弁作用金属の内外表面に形成した。なお、これらの弁作用金属を陽極酸化する際は、粗面化された２枚のアルミ箔どうしが接触しないように筒状の内部空間を少し広げておく。【００６７】
次に、これらの筒状の弁作用金属の両端部に、マスク樹脂であるヘキサフルオロプロピレンからなる樹脂を塗布して絶縁性の土手を形成する。これにより、マスク処理後の筒状の弁作用金属（第１筒金属体４、第３筒金属体７）を得た。【００６８】
さらに、濃度１０質量％のドデシルベンゼンスルホン酸第二鉄を含むエタノール溶液を作る。この溶液に前記マスク処理後の弁作用金属を浸漬して取り出した後、空気中、室温で３０分間乾燥させた。それから、これらを５０質量％のエチレンジオキシチオフェンを含む水溶液に浸漬し、取り出して３０分間空気中に保持し、前記エチレンジオキシチオフェンの重合を行った。その後、水、メタノールで洗浄し、８０℃で乾燥した。以上の操作を４回繰り返し、第１筒金属体４の内側表面の誘電体膜３、第１筒金属体４の外側表面の誘電体膜５、第３筒金属体１２の内側表面の誘電体膜１１、第１筒金属体４の外側表面の誘電体膜１３がそれぞれ導電性高分子で被覆されるようにした。この導電性高分子は、ドデシルベンゼンスルホン酸がドーパントとして用いられたポリエチレンジオキシチオフェンからなる。これにより、欠陥のない導電性高分子層を有する第１筒金属体４および第３筒金属体１２を得た。これらを、カーボングラファイト含有の溶剤溶液に浸漬し、取り出し室温で乾燥させた。さらに、カーボングラファイトの表面が硬化したところで、第１筒金属体４および第３筒金属体１２を銀ペーストに浸漬し、取り出し６０℃で１５分間乾燥させた。そのまま、室温で３時間放置した。ここまでで、導電性高分子とカーボングラファイトと銀ペーストからなる導電性物質層２，６が形成された第１筒金属体４、同じ３つの材料からなる導電性物質層１０，１４が形成された第３筒金属体１２を得た。【００６９】
この第１筒金属体４の筒の内側に、銀ペーストを塗布した短冊状の金属体（内部金属体１）を挿入する。そして、この第１筒金属体４の外側面に銀ペーストを塗布し、これを第２筒金属体７の筒の内側に挿入した。さらに、この第２筒金属体７の外側面に銀ペーストを塗布し、これを第３筒金属体１２の筒の内側に挿入した。さらに、この第３筒金属体１２の外側の銀ペースト層に薄い金属箔（第４筒金属体１５）を銀ペーストにて貼り付け、その後、６０℃で３０分間乾燥硬化させた。これにより、内部金属体１から第４筒金属体１５までの構成材料が形成された。これをテトラヒドロフランに浸漬し、マスク樹脂であるヘキサフルオロプロピレンを溶解させ、土手上の導電性高分子、カーボングラファイト、銀ペーストを共に除去する。更に、第１筒金属体４の両端部外側の誘電体５および第３筒金属体１２の両端部外側の誘電体膜１３を切削して除去することで、切削部（不図示）が形成された、本実施例の多層ストリップ線路型容量素子１００を得た。【００７０】
図１８は、本実施例の使用例を示す等価回路図である。同図に示されるように、内部金属体１には等価インダクタンスＬ１が、第１筒金属体４には等価インダクタンスＬ４が、第２筒金属体７にはインダクタンスＬ７が、第３筒金属体１２にはインダクタンスＬ１２が、第４筒金属体１５にはインダクタンスＬ１５が寄生している。そして、内部金属体１と第１筒金属体４との間にはコンデンサＣ１１、Ｃ１２が、第１筒金属体４と第２筒金属体７との間にはコンデンサＣ２１、Ｃ２２が、第２筒金属体７と第３筒金属体１２との間にはコンデンサＣ３１、Ｃ３２が、第３筒金属体１２と第４筒金属体１５との間にはコンデンサＣ４１、Ｃ４２が、形成されている。ここで、内部金属体１、第１筒金属体４、第２筒金属体７、第３筒金属体１２、第４筒金属体１５の両端にはそれぞれ引出端子１ａ、１ｂ；４ａ、４ｂ；７ａ、７ｂ；１２ａ、１２ｂ；１５ａ、１５ｂが設置されているものとする。引出端子４ａと１２ａとが電源２００の正極２０１に共通に、引出端子４ｂと１２ｂとがＬＳＩ３００の電極端子３０１に共通にそれぞれ接続されている。さらに、引出端子１ａ、７ａおよび１５ａが電源２００の負極２０２に共通に接続され、引出端子１ｂ、７ｂおよび１５ｂがＬＳＩ３００のグランド端子３０２に共通に接続されている。本実施例によれば、実施例１などより大きい容量を利用することができ、より高いノイズ減衰効果を得ることができる。【００７１】
また、引出端子４ａと１２ａ、引出端子４ｂと１２ｂ、さらには、引出端子１ａ、７ａおよび１５ａ、引出端子１ｂ、７ｂおよび１５ｂを一体化してプリント基板への実装を容易にすることも可能である。【００７２】
本実施例では、第１筒金属体４、第３筒金属体１２に弁作用金属を用いていたが、逆に内部金属体１、第２筒金属体７、第４筒金属体１５に弁作用金属を用いてもよい。或いは、内部金属体１、第１〜第４筒金属体４、７、１２、１５の全てを弁作用金属により形成してもよい。なお、本発明においては、筒金属体の層数は２以上であれば特に限定されない。そして、内側から数えて偶数番目の金属体に弁作用金属を用いるか、または奇数番目の金属体に弁作用金属を用いる。或いは、全て金属体を弁作用金属により形成する。【００７３】
「実施例６」
次に、実施例１の多層ストリップ線路型容量素子に引出端子を形成する実施例について説明するが、他の実施例の容量素子についても同様に引出端子を設置することができる。【００７４】
図１９〜図２１は、本発明の実施例６を示す図であって、図１９は上面図、図２０は正面図、図２１は側面図である。実施例１にて作製した多層ストリップ線路型容量素子の内部金属体１の両端に金属からなる引出端子１ａ、１ｂが、第１筒金属体４の両端に引出端子４ａ、４ｂが、第２筒金属体７の両端に引出端子７ａ、７ｂが電気的に接続される。なお、これらの引出端子は各金属体に銀ペーストで接着した。ここで、例えば添え字ａの付せられている引出端子を入力端子、添え字ｂの付せられている引出端子を出力端子として用いることができる。なお、内部金属体１の引出端子１ａ、１ｂは内部金属体１と一体で構成することもできる。６本の入出力用の引出端子１ａ、１ｂ；４ａ、４ｂ；７ａ、７ｂの配置は筒金属の両端部で入力端子と出力端子が分離されていることが好ましい。しかし、厳密な配置（左右や前後）は実装状態に照らし自由に設計できることは言うまでもない。これにより、プリント基板等への実装が容易となる。【００７５】
「実施例７」
図２２〜図２４は、本発明の実施例７を示す図であって、図２２は上面図、図２３は正面図、図２４は側面図である。本実施例においては、内部金属体１、第１筒金属体４、第２筒金属体７の両端部に具備する引出端子１ａ、１ｂ；４ａ、４ｂ；７ａ、７ｂのうち、内部金属体１および第２筒金属体７に接続される引出端子１ａと引出端子７ａとが一体化され、引出端子１ｂと引出端子７ｂとが一体化されている。すなわち、引出端子７ａが引出端子１ａあるいはその近傍の内部金属体１に銀ペーストで接続され、引出端子７ｂが引出端子１ｂあるいはその近傍の内部金属体１に銀ペーストで接続されている。また、引出端子１ａと７ａが、また引出端子１ｂと７ｂが一体化された金属片を用いることも可能である。【００７６】
図２５は、本実施例の使用回路例を示す等価回路である。引出端子１ａと７ａを、また引出端子１ｂと７ｂを一体化したことにより、コンデンサＣ１１とＣ２１が、またコンデンサＣ１２とＣ２２が並列に加算される。そしてプリント基板のパッド数を減少でき、プリント基板等への実装が容易となる。この回路接続は、本容量素子を有極性として使用する場合の例である。図２５では、第１筒金属体４の引出端子４ａが電源２００の正極２０１への配線に接続され、内部金属体１の引出端子１ａと第２筒金属体７の引出端子７ａが電源２００の負極２０２への配線に接続されている。引出端子４ｂがＬＳＩ３００の電源端子３０１への配線に接続され、引出端子１ｂと引出端子７ｂがＬＳＩ３００のグランド端子３０２へ接続される。この回路では、ＬＳＩ３００の電源３０１で発生した高周波ノイズは、コンデンサＣ１１とＣ２１およびコンデンサＣ１２とＣ２２で合成される等価容量とインダクタンスＬ４、Ｌ１、Ｌ７で合成される等価インダクタンスとによるフィルタで濾波される。そのため、前記ノズルは電源２００側配線には殆ど伝達されない。【００７７】
「実施例８」
図２６〜図２８は、本発明の実施例８を示す図であって、図２６は上面図、図２７は正面図、図２８は側面図である。本実施例においては、第１筒金属体４には引出端子は設置されておらず、内部金属体１と第２筒金属体７との両端部にのみ引出端子１ａ、１ｂ；７ａ、７ｂが設置される。【００７８】
図２９は、実施例８の使用例を示す等価回路図である。図２９に示される回路は、多層ストリップ線路型容量素子を無極性の素子として使用する例である。この図では、第１筒金属体４の両端はオープンにされ、引出端子１ａが電源２００の正極２０１への配線に接続され、引出端子７ａが電源２００の負極２０２への配線に接続されている。そして、引出端子１ｂがＬＳＩ３００の電源端子３０１への配線に接続され、引出端子７ｂがＬＳＩ３００のグランド端子３０２へ接続される。このように接続すると、極性を有するコンデンサＣ１１、Ｃ１２とコンデンサＣ２１、Ｃ２２がそれぞれの陽極（第１筒金属体４）で接続される。この場合、内部金属体１と第２筒金属体７間に電圧が印加されたとき、コンデンサＣ１１（Ｃ１２）あるいはコンデンサＣ２１（Ｃ２２）のいずれか一方に順方向電圧が、他方に逆方向電圧がかかる。図２９の配線接続では、コンデンサＣ１１、Ｃ１２は逆方向接続で短絡状態となるが、コンデンサＣ２１、Ｃ２２は順方向接続である。そのため、コンデンサＣ２１、Ｃ２２のみ機能する。また、引出端子数を減少できるので、プリント基板のパッド数を減少でき、プリント基板等への実装が容易となる。この回路では、ＬＳＩ３００の電源３０１の配線で発生した高周波ノイズは、コンデンサＣ２１、Ｃ２２と、インダクタンスＬ１、Ｌ４、Ｌ７で合成される等価インダクタンスとからなるフィルタで濾波され、電源２００側にほとんど伝達されない。【００７９】
本実施例によれば、多層ストリップ線路型容量素子の接続に方向性がない、無極性という機能が実現できるため、従来使用できなかった負極性電源にも使用が可能となる。また、素子の配置方向を考えなくてもよくなり実装容易性が向上するという効果も得られる。【００８０】
「産業上の利用可能性」
本発明の容量素子の活用例として、電源分配配線に適用することが挙げられる。例えば、ＬＳＩやデジタル電子回路、アナログ電子回路で発生し、電源分配配線を経由して拡散する高周波電磁波（電流、電圧）を抑制する電源デカップリングに使用されることが挙げられる。また、無極性の電気的特性を活かした使用形態としては、電源配線に使用できる外、以下の利用例が挙げられる。【００８１】
印加方向不明の直流電源や商用電源の電圧、周波数、電流を監視するための分圧／分流回路後のセンサ出力のうち、低電圧の交流信号が流れる信号線に挿入される高周波遮断フィルタや平滑回路に使用できる。【００８２】
あるいは、二電源オペアンプ出力に挿入する高周波遮断フィルタに使用できる。また、差動信号回路に使用する高周波遮断フィルタにも使用できる。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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【図２７】
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【図２８】
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【図２９】
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