(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板の一方の面に、配線電極およびダイパッドを、第１メッキ下地電極層とメッキ中間電極層と第１メッキ被覆電極層とによって設けると共に、前記基板の他方の面に、端子電極を第２メッキ下地電極層と第２メッキ被覆電極層とによって設けることで、電子部品実装基板を製造する工程
を有し、
前記電子部品実装基板を製造する工程は、
前記基板の前記一方の面に形成された第１金属箔についてパターニングすることによって前記第１メッキ下地電極層を形成し、前記基板の前記他方の面に形成された第２金属箔についてパターニングすることによって前記第２メッキ下地電極層を形成する、金属箔パターニング工程と、
前記基板の前記一方の面において前記第１メッキ下地電極層を取り囲み、前記第１メッキ下地電極層の厚さよりも高くなるように、マスク部材を形成する、マスク部材形成工程と、
前記マスク部材を型枠にして前記第１メッキ下地電極層に導電部材をメッキすることによって、前記第１メッキ下地電極層上に前記メッキ中間電極層を形成する、第１メッキ工程と、
前記基板の前記一方の面から前記マスク部材を除去する、マスク除去工程と、
前記基板の前記一方の面において、前記第１メッキ下地電極層の側面と、前記メッキ中間電極層の側面および上面とを被覆するように、前記導電部材と異なる他の導電部材でメッキして前記第１メッキ被覆電極層を形成すると共に、前記基板の前記他方の面において、前記第２メッキ下地電極層の側面および上面を被覆するように前記他の導電部材でメッキして前記第２メッキ被覆電極層を形成する、第２メッキ工程と
を含む、
電子部品実装基板の製造方法。
【請求項２】
前記金属箔パターニング工程の実施後であって前記第１メッキ工程の実施よりも前に、前記基板の前記他方の面において前記第２メッキ下地電極層を被覆するように、レジスト膜を形成する、レジスト膜形成工程と、
前記第１メッキ工程の実施後であって前記第２メッキ工程の実施よりも前に、前記基板の前記他方の面から前記レジスト膜を除去する、レジスト膜除去工程と
を含む、
請求項１に記載の電子部品実装基板の製造方法。
【請求項３】
前記金属箔パターニング工程の実施前に、前記基板において前記第１金属箔と前記第２金属箔との間を電気的に接続するコンタクトホールを形成する、コンタクトホール形成工程
を含む、
請求項１または２に記載の電子部品実装基板の製造方法。
【請求項４】
前記ダイパッド上に接着剤で半導体素子を接合した後に、前記半導体素子と前記配線電極との間を、ボンディングワイヤで接合する接合工程と
を含む、
請求項１から３のいずれかに記載の電子部品実装基板の製造方法。
【請求項５】
前記基板の前記一方の面において、前記ボンディングワイヤ、前記配線電極、前記ダイパッド、及び、前記半導体素子を、モールド樹脂によって封止する、封止工程と、
前記基板の前記他方の面において、前記端子電極に半田ボールを形成する、半田ボール形成工程と
を含む、
請求項４に記載の電子部品実装基板の製造方法。
【請求項６】
金属箔パターニング工程では、前記第１金属箔および前記第２金属箔として形成された銅箔についてパターニングし、
前記第１メッキ工程では、前記マスク部材を除去する前に、銅メッキを行った後に、ニッケルメッキを行い、
前記第２メッキ工程では、金メッキを行う、
請求項１から５のいずれかに記載の電子部品実装基板の製造方法。
【請求項７】
前記第１メッキ工程では、無電解メッキによって、前記銅メッキと前記ニッケルメッキとを行い、
前記第２メッキ工程では、無電解メッキによって、前記金メッキを行う、
請求項６に記載の電子部品実装基板の製造方法。
【請求項８】
前記配線電極および前記ダイパッドについては、
前記第１メッキ下地電極層の厚みが２０〜３０μｍになるように形成し、
前記メッキ中間電極層の厚みが５〜７μｍになるように形成し、
前記第１メッキ被覆電極層の厚みが０．１〜５μｍになるように形成し、
前記端子電極については、
前記第２メッキ下地電極層の厚みが２０〜３０μｍになるように形成し、
前記第２メッキ被覆電極層の厚みが０．１〜５μｍになるように形成する、
請求項７に記載の電子部品実装基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、ＧＨｚ帯等の超高周波用のＭＭＩＣ（Ｍicrowave Ｍonolithic ＩＣ）に適用して好適な電子部品実装基板及びその製造方法に関するものである。詳しくは、電子部品実装用の基板に複合電極を備え、メッキ下地電極層とメッキ中間電極層を芯材とし、これら電極層を他の導電部材から成るメッキ被覆電極層で被覆し全体を包み込んで複合電極を構成して、ＧＨｚ帯等の高周波対応の電子部品のワイヤボンディングに最適な配線電極等を構成できるようにしたものである。
【０００２】
【従来の技術】
近年、半導体装置の製造技術の発展に伴い、ＧＨｚ帯等の超高周波用の半導体集積回路装置を製造するに至っている。この種の半導体集積回路装置は携帯電話機等に組み込む場合を想定している。高周波対応の半導体装置では、動作周波数の低い半導体装置に比べて、半導体素子と配線電極とを接続する場合を一つに例を取っても、高周波信号による高周波抵抗を考慮する必要がある。これは高周波抵抗が増加すると高周波増幅利得が低下してしまい、受信感度等に悪影響を与える。この原因を除くために高周波抵抗を低くする。
【０００３】
図７は従来例に係る電子部品実装基板１０の配線電極２の構造例を示す断面図である。図７に示す電子部品実装基板１０は動作周波数が低い電子部品を実装するための基板１を有している。この基板１には少なくとも片面金属箔を有した有機基板等が使用され、電子部品をワイヤボンディング法により接続するための配線電極２が設けられている。
【０００４】
この配線電極２は銅箔をパターニングして形成された銅層２Ａを芯材にして、順次、ニッケルメッキ及び金メッキを施して形成されるものである。つまり、配線電極２は芯材の銅層２Ａをニッケル層３及び金層４が包括する形状になっている。ニッケル層３はワイヤボンディング時にキャピラリの衝撃を受け止めるために設けられる。キャピラリとは金線等によりワイヤボンディングする際に使用される治具をいい、金属又はセラミックスで構成された治具先端で金線を強力に配線電極２等に加圧するようになされる。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
ところで、ＧＨｚ帯等の超高周波用の半導体集積回路装置の製造に、通常の配線電極２の構造をそのまま適用すると、以下のような問題がある。
▲１▼  この構造によれば、ニッケル層３及び金層４が芯材の銅層２Ａを包括する形状になっているので、ＧＨｚ帯等の高周波信号を配線電極２に通電したとき、配線電極２の表面に高周波電流が流れ、高周波抵抗が一段と大きくなる。ニッケルの欠点は電気抵抗が銅や金に比べて３倍以上大きいことである。
▲２▼  この高周波抵抗が増加すると高周波増幅利得等が低下して受信感度や送信出力等を低下させる原因となる。金層４は価格的にも厚くできないので、通常数μｍ以下になされ、高周波使用時にニッケル層３の影響が出る。特に、１ＧＨｚ以上で使用される高周波パッケージでこのニッケル層３の影響が著しい。
▲３▼  因みにワイヤボンディング法において、配線電極２からニッケル層３を省略すると、金層４の下部の銅層２Ａが軟弱なことから、キャピラリの熱圧着力が金層４及び銅層２Ａに吸収されて接続不良の原因となる。
【０００６】
そこで、この発明はこのような従来の課題を解決したものであって、電子部品実装用の基板に設ける電極構造を工夫して、ＧＨｚ帯等の高周波対応電子部品のワイヤボンディングに最適な配線電極等を構成できるようにした電子部品実装基板及びその製造方法を提供することを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
上述した課題は、電子部品を実装するための金属箔を有した基板と、この基板に設けられた電極とを備え、この電極は基板の金属箔をパターニングして形成されたメッキ下地電極層と、このメッキ下地電極層上に導電部材をメッキ積層されたメッキ中間電極層と、これらのメッキ下地電極層及びメッキ中間電極層を他の導電部材で被覆し全体を包み込んだメッキ被覆電極層とを有することを特徴とする電子部品実装基板によって解決される。
【０００８】
本発明に係る電子部品実装基板によれば、当該メッキ下地電極層とメッキ中間電極層を芯材とし、これら電極層を他の導電部材から成るメッキ被覆電極層で被覆し全体を包み込んだ構造の複合電極を形成することができる。しかも、メッキ下地電極層及びメッキ被覆電極層に抵抗の小さい銅や金等の導電部材を使用し、メッキ中間電極層に比較的硬いニッケル等の導電部材を使用することにより、ＧＨｚ帯等の高周波対応の電子部品のワイヤボンディングに最適な電極構造を提供することができる。
【０００９】
本発明に係る電子部品実装基板の製造方法は少なくとも一方の面に金属箔を有した絶縁性の基板に電極を製造する方法であって、基板の金属箔をパターニングしてメッキ下地電極層を形成する工程と、メッキ下地電極を取り囲むように、かつ、該メッキ下地電極層の厚さよりも高くなるようにマスク部材を形成する工程と、このマスク部材を型枠にしてメッキ下地電極層に所望の導電部材をメッキする工程とを含むことを特徴とするものである。
【００１０】
本発明に係る電子部品実装基板の製造方法によれば、少なくとも一方の面に金属箔を有した絶縁性の基板に電極を形成する場合、マスク部材の高さをｈとし、メッキ下地電極の厚みをｔとすると、メッキ下地電極上に、サイドエッジが垂直に切り立った所望の導電部材から成る（ｈ−ｔ）の厚みのメッキ中間電極を積み上げることができる。しかも、メッキ下地電極層上のみに導電部材が積層され、メッキ下地電極層の側面にはメッキされない。
【００１１】
従って、マスク部材を除去した後に、このメッキ下地電極の側面、メッキ中間電極の側面及び該メッキ中間電極の上面を覆うように更に、他の導電部材をメッキすることにより、当該メッキ下地電極とメッキ中間電極を芯材とし、これら電極を他の導電部材で被覆した複合電極構造を実現することができる。
【００１２】
本来、電気抵抗の低い銅層等を有効に使用した複合電極構造の配線電極や端子電極を形成すること、及び、その複合電極形状を制御することにより、インピーダンス制御を配慮した高周波用の電子部品実装基板を提供することができるようになる。
【００１３】
【発明の実施の形態】
続いて、この発明に係る電子部品実装基板及びその製造方法の一実施の形態について、図面を参照しながら説明をする。
（１）実施形態
図１は本発明に係る実施形態としての電子部品実装基板１００の電極構造例を示す断面図である。
この実施形態では電子部品実装用の基板に複合電極構造の電極を備え、メッキ下地電極層とメッキ中間電極層を芯材とし、これら電極層を他の導電部材から成るメッキ被覆電極層で被覆し全体を包み込んで、ＧＨｚ帯等の高周波対応の電子部品のワイヤボンディングに最適な電極構造を提供できるようにしたものである。
【００１４】
図１に示す電子部品実装基板１００は電子部品を実装するための基板１１を有している。この基板１１には少なくとも片面金属箔を有した有機基板等が使用され、電子部品を接続するための電極１２が設けられている。この電極１２は金属箔の一例となる銅箔をパターニングして形成されたメッキ下地電極層１２Ａを有している。このメッキ下地電極層１２Ａ上にはメッキ中間電極層１２Ｂが設けられ、導電部材の一例となるニッケルをメッキして積層されたものである。
【００１５】
これらのメッキ下地電極層１２Ａ及びメッキ中間電極層１２Ｂはメッキ被覆電極層１２Ｃによって被覆され全体を包み込むようになされる。メッキ被覆電極層１２Ｃは他の導電部材の一例となる金メッキによって構成される。
【００１６】
次に、電子部品実装基板１００の形成方法について説明をする。図２Ａ〜Ｄは電子部品実装基板１００の形成例を示す断面図である。
この実施形態では少なくとも一方の面に絶縁性の基板の一例となる銅箔１１Ａを有した有機基板１１に電極１２を製造する場合を前提とする。これを製造条件にして、図２Ａに示す片面銅箔付き有機基板１１上にレジスト膜１８を選択的に形成する。レジスト膜１８は例えば以下のように形成する。有機基板１１の銅箔１１Ａの全面に図示しないレジストを塗布する。その後、電極パターンを焼き付けたレチクルをマスクにしてレジストを露光する。その後、レジストを現像する。これにより、レジスト膜１８が形成される。
【００１７】
そして、図２Ａに示したレジスト膜１８をマスクにして余分な銅箔１１Ａを選択的にエッチングして除去する。これにより、図２Ｂに示す有機基板１１の一方の面にメッキ下地電極層１２Ａを形成することができる。その後、図２Ｃに示すメッキ下地電極層１２Ａを取り囲むように、かつ、このメッキ下地電極層１２Ａの厚さよりも高くなるようにマスク部材１９を形成する。このマスク部材１９は例えば以下のように形成する。
【００１８】
まず、メッキ下地電極層１２Ａを有した有機基板１１の全面にフォトレジストを形成する。フォトレジストにはメッキ下地電極層１２Ａの厚さよりも厚いドライフィルムが使用される。その後、電極パターンを焼き付けたレチクルをマスクにしてドライフィルムを露光する。その後、ドライフィルムを現像する。これにより、メッキ下地電極層１２Ａを取り囲み、このメッキ下地電極層１２Ａの厚さよりも高くなったマスク部材１９を形成することができる。
【００１９】
その後、図２Ｃに示したマスク部材１９を型枠にしてメッキ下地電極上に所望の導電部材を無電解メッキする。このとき、無電解メッキ液にはニッケルメッキ液が使用される。厚いフォトレジストを使用してメッキを行うので、断面形状が安定したメッキ中間電極層１２Ｂが得られる。
【００２０】
これにより、図２Ｄに示すメッキ下地電極層１２Ａ上にメッキ中間電極層１２Ｂを形成することができる。その後、ドライフィルムを除去し、これらのメッキ下地電極層１２Ａ及びメッキ中間電極層１２Ｂを無電解メッキする。このとき、無電解メッキ液には無電解金メッキ液が使用される。このメッキによってメッキ下地電極層１２Ａ及びメッキ中間電極層１２Ｂがメッキ被覆電極層１２Ｃによって被覆され全体を包み込むようになされる。
【００２１】
この結果、電極断面の外周面の金層がニッケル層を介さずに直接銅箔面に接続された構造となり、図１に示したメッキ被覆電極層１２Ｃにより覆われた電極１２が完成する。この電極１２を形成した基板１１には電子部品が実装される。例えば、電子部品にはワイヤーボンディング可能な半導体チップである。
【００２２】
このように、本発明に係る実施形態としての電子部品実装基板１００によれば、当該メッキ下地電極層１２Ａとメッキ中間電極層１２Ｂを芯材とし、これら電極層を他の導電部材から成るメッキ被覆電極層１２Ｃで被覆し全体を包み込んだ複合電極構造の配線電極や端子電極を形成することができる。
【００２３】
しかも、メッキ下地電極層１２Ａ及びメッキ被覆電極層１２Ｃに抵抗の小さい銅や金等の導電部材を使用し、メッキ中間電極層１２Ｂに比較的硬いニッケル等の導電部材を使用することにより、ＧＨｚ帯等の高周波対応の電子部品のワイヤボンディングに最適な電子部品実装基板１００を提供することができる。
【００２４】
（２）実施例
図３は本発明に係る実施例としての半導体素子実装基板２００の構成例を示す断面図である。
この実施例では電子部品実装基板の一例となる半導体素子実装基板２００を構成し、この基板２００に複合電極構造の配線電極を備え、ワイヤボンディング時の衝撃をメッキ中間電極層１２Ｂで阻止できるようにすると共に、従来方式の配線電極よりも高周波抵抗を低減できるようにしたものである。
【００２５】
図３に示す半導体素子実装基板２００は絶縁性の基板の一例となる有機基板２１を使用したワイヤボンディング方法によるＰＢＧＡ（プラスティック・ボール・グリッドアレイ）である。有機基板２１にはプリプレグや、両面銅箔基板等を加工したものが使用される。有機基板２１の一方の面には配線電極２２Ａ，２２Ｃ、ダイパッド２２Ｂ等が設けられ、その裏面には複数の端子電極２３が設けられる。配線電極２２Ａ，２２Ｃと端子電極２３とは基板２１中のコンタクトホール２４を介在して電気的に接続されている。
【００２６】
配線電極２２Ａ，２２Ｃ及びダイパッド２２Ｂは、銅箔及び銅メッキから成るメッキ下地電極層１２Ａとニッケルメッキから成るメッキ中間電極層１２Ｂを芯材とし、これら電極層を金メッキから成るメッキ被覆電極層１２Ｃで被覆し全体を包み込んだ複合電極構造を有している。
【００２７】
配線電極２２Ａ等の総膜厚は銅箔を含む銅層が２０〜３０μｍ、ニッケル層が５〜７μｍ、金層が０．１〜５μｍ程度である。表皮効果を受けやすい配線電極表面、例えば、５μｍは金や銅といった電気抵抗の低い金属層で構成する必要があるためである。ニッケル層は厚く（５μｍ以上）メッキしないと応力受容効果が少ないためである。
【００２８】
端子電極２３は銅箔及び銅メッキから成るメッキ下地電極層１２Ａを、金メッキから成るメッキ被覆電極層１２Ｃで被覆し全体を包み込んだ複合電極構造を有している。端子電極２３の総膜厚は銅箔を含む銅層が２０〜３０μｍ、金層が０．１〜０．５μｍ程度である。
【００２９】
このダイパッド２２Ｂには半導体素子２５が接着剤１７等により接合（ダイボンド）されている。半導体素子２５には例えば、ＧＨｚ帯の高周波信号を取り扱う高周波トランジスタ回路等が内蔵されている。このダイパッド２２Ｂの表面の周囲又は一辺に沿って配線電極２２Ａ，２２Ｃが設けられ、このダイパッド２２Ｂの裏面には複数の端子電極２３が設けられる。
【００３０】
この有機基板２１の表面に端子電極２３を設け、裏面に一部の配線電極２２Ａ，２２Ｃを設ける場合もある。端子電極２３の各々には半田ボール（バンプ電極）２７が形成されている。この半田ボール２７はプリント配線基板等に対して当該半導体素子実装基板２００をフェイス・ツウ・フェイス接合するために設けられる。
【００３１】
このダイパッド２２Ｂに接合され支持された半導体素子２５と、ダイパッド２２Ｂの周囲又は一辺に沿って設けられた配線電極２２Ａ，２２Ｃと端子電極２３等との間がボンディングワイヤ２０及びコンタクトホール２４を介在して電気的に接続される。この例ではダイパッド２２Ｂ上の半導体素子２５とその周囲の配線電極２２Ａ，２２Ｃとの間がボンディングワイヤ２０によって接続される。
【００３２】
このワイヤボンディング時に、複合電極構造におけるニッケル組成のメッキ中間電極層１２Ｂが衝撃を受け止めるようになされる。ボンディング後の半導体素子２５や、ボンディングワイヤ２０及び配線電極２２Ａ，２２Ｃ，半導体素子実装基板２００はモールド樹脂２６によって封止される。ボンディングワイヤ２０の材質は金であり、合金線の場合は金にＳｉ、Ｃａ又はＰｄの金属を微量添加したものである。
【００３３】
続いて、半導体素子実装基板２００の製造方法について説明をする。図４〜図６は半導体素子実装基板２００の形成例（その１〜３）を示す断面図である。
この実施例では両面に銅箔１１Ａ，１１Ｂを有した有機基板２１の一方の面に配線電極２２Ａ，２２Ｃを形成し、他方の面に端子電極２３を形成し、その後、半導体素子２５を実装する場合を想定する。
その際の配線電極２２Ａ，２２Ｃは銅箔及び銅メッキから成るメッキ下地電極層１２Ａとニッケルメッキから成るメッキ中間電極層１２Ｂを芯材とし、これら電極層を金メッキから成るメッキ被覆電極層１２Ｃで被覆し全体を包み込んだ複合電極構造とする。
【００３４】
端子電極２３は銅箔及び銅メッキから成るメッキ下地電極層１２Ａを、金メッキから成るメッキ被覆電極層１２Ｃで被覆し全体を包み込んだ複合電極構造とすることを前提とする。
これを製造条件にして、まず、図４Ａに示す両面銅箔を有した有機基板（銅貼り積層基板）２１を準備する。この有機基板２１には中間配線層を有したプリプレグを含む場合もある。この有機基板２１は０．１ｍｍ〜２ｍｍのエポキシやＢＴレジンのような樹脂に３μｍ〜１２μｍの銅箔が両面に接着されているものである。
【００３５】
図４Ｂで有機基板２１にコンタクトホール２４を形成する。コンタクトホール２４は有機基板２１の一方の面に形成される配線電極２２Ａ，２２Ｃとその裏面に形成される端子電極２３とを電気的に接続するためである。このとき、ドリル又はレーザー光を使用して有機基板２１にスルーホールを開孔し、スルーホールメッキと呼ばれている銅メッキ（無電解メッキ＋電解）によりスルーホールを銅で満たす。
【００３６】
このとき、両面銅箔にも厚み２０μｍ〜３０μｍ程度の銅メッキが積層される。銅メッキは硫酸銅系無電解銅メッキ液をメッキ浴漕で７０℃に加温し、その中に有機基板２１を３０分間程度浸漬するようになされる。このメッキ条件により、１μｍ程度の銅メッキを形成することができる。この方法で両面の銅箔を接続導通可能な銅充填スルーホールによりコンタクトホール２４を形成することができる。なお、メッキ液中への浸漬時間が短いと薄く、長いと厚くメッキされる。
【００３７】
図４Ｃにおいて、有機基板２１の表裏の銅箔１１Ａ，１１Ｂをパターニングしてメッキ下地電極層１２Ａを形成する。このとき、有機基板２１の表裏に図示しないレジスト膜を選択的に形成する。レジスト膜は例えば次のように形成する。有機基板２１の銅箔１１Ａ，１１Ｂの全面にレジストを塗布する。その後、配線電極パターンや端子電極パターンを焼き付けたレチクルをマスクにしてレジストを露光する。その後、レジストを現像する。これにより、有機基板２１の表裏にレジスト膜を形成することができる。
【００３８】
そして、レジスト膜をマスクにして余分な銅箔１１Ａ，１１Ｂを選択的にエッチングして除去する。これにより、図４Ｃに示す有機基板２１の一方の面には配線電極２２Ａ，２２Ｃの一部となるメッキ下地電極層１２Ａを形成すること、及び、他方の面には端子電極２３の一部となるメッキ下地電極層１２Ａを形成することができる。このとき、ダイパッド２２も同様に下地層が形成される。
【００３９】
その後、図５Ａにおいて、有機基板２１で配線電極２２Ａ，２２Ｃを形成する側のメッキ下地電極層１２Ａを取り囲むように、かつ、該メッキ下地電極層１２Ａの厚さよりも高くなるようにマスク部材２９を形成する。このマスク部材２９は例えば以下のように形成する。このとき、ダイパッド２２も同様にマスク部材２９が形成される。
【００４０】
まず、有機基板２１の裏面にはレジストを全面に塗布してニッケルメッキ阻止用のレジスト膜２８を形成する。その後、ドライフィルムを現像する。メッキ下地電極層１２Ａを有した有機基板２１の全面にフォトレジストの壁を形成する。フォトレジストにはメッキ下地電極層１２Ａの厚さよりも厚いドライフィルムを使用する。ドライフィルムの厚みは３５μｍ〜４０μｍ程度である。
【００４１】
その後、配線電極パターンやダイパッドパターンを焼き付けたレチクルをマスクにしてドライフィルムを露光する。このときの配線電極パターンの幅はメッキ下地電極層１２Ａの幅よりも３５μｍ程度広めに設計しておくとよい。メッキ下地電極層１２Ａの両脇に銅メッキが及ぶからである。これにより、メッキ下地電極層１２Ａを取り囲み、このメッキ下地電極層１２Ａの厚さよりも高くなったマスク部材２９を形成することができる。マスク部材２９の壁の高さは３５μｍ〜４０μｍである。
【００４２】
ここでマスク部材２９の高さをｈとし、メッキ下地電極層１２Ａの厚みをｔとすると、メッキ下地電極層１２Ａ上に、サイドエッジが垂直に切り立ったニッケルメッキから成る、最大で（ｈ−ｔ）の厚みのメッキ中間電極層１２Ｂを積み上げることができる。
【００４３】
その後、図５Ａに示したマスク部材２９を型枠にしてメッキ下地電極層１２Ａに所望の導電部材をメッキする。ここでは、無電解メッキ液に関して導電部材の一例となる銅メッキ液及びニッケルメッキ液が使用される。銅メッキについては上述した通りである。
【００４４】
ニッケルメッキは無電解ニッケルメッキ液（ワールドメタル社製：商品名トップケミカルアロイ６６）等をメッキ浴漕で６５℃に加温し、その中に有機基板２１を３０分間程度浸漬するようになされる。これにより、５μｍ程度のニッケルメッキを形成することができる。このとき、ダイパッド２２も同様にニッケルメッキが施される。
【００４５】
厚いフォトレジストを使用して順に銅メッキ及びニッケルメッキを行うので、断面形状が安定したメッキ中間電極層１２Ｂが得られる。これにより、図５Ｂに示す銅箔及び銅メッキから成るメッキ下地電極層１２Ａ上にニッケルメッキから成るメッキ中間電極層１２Ｂを形成することができる。その後、ドライフィルムをアルカリの水溶液を使用して除去する。有機基板２１の裏面のレジスト膜２８も全面除去する。この例ではメッキ側面がドライフィルム（レジスト膜）の効果により幅が規制されてシャープに切れているのが特徴である。
【００４６】
そして、図５Ｃにおいて、これらのメッキ下地電極層１２Ａ及びメッキ中間電極層１２Ｂを無電解メッキする。このとき、メッキ液には他の導電部材の一例となる無電解金メッキ液が使用される。金メッキは無電解金メッキ液（日立化成製：商品名ＨＧＳ−２０００）等をメッキ浴漕で６５℃に加温し、その中に有機基板２１を２０分間程度浸漬するようになされる。
【００４７】
これにより、０．３μｍ程度の金メッキを形成することができる。この金メッキによってメッキ下地電極層１２Ａ及びメッキ中間電極層１２Ｂが、厚み０．１μｍ〜０．５μｍ程度のメッキ被覆電極層１２Ｃによって被覆され、全体を包み込むようになされる。これにより、メッキ被覆電極層１２Ｃにより覆われた複合電極構造の配線電極２２Ａ，２２Ｃや端子電極２３が形成される。この複合電極構造では金と銅箔とが電極側面でニッケルを介さずに直接接続するようになる（図１参照）。
【００４８】
その後、図６Ａに示すダイパッド２２Ｂ上に半導体素子２５（ＬＳＩチップ）を接合する。半導体素子２５は接着剤１７等によりダイパッド２２Ｂに接合（ダイボンド）される。そして、ダイパッド２２Ｂに接合された半導体素子２５と配線電極２２Ａ，２２Ｃを図示しないキャピラリによって自動接合される。キャピラリは熱圧着式又は超音波熱圧着式の自動ボンダに取り付けられ、ボンディングワイヤ２０を半導体素子２５のパッド電極や、有機基板２１上の配線電極２２Ａ，２２Ｃに対して熱圧着又は超音波熱圧着するようになされる。
【００４９】
そして、図６Ｂに示す有機基板２１の表面のボンディングワイヤ２０、配線電極２２Ａ，２２Ｃの一部又は全部、ダイパッド２２Ｂ及び半導体素子２５をエポキシ樹脂などのモールド樹脂２６によって封止する。このとき、モールド樹脂射出整形装置に半導体素子２５を接合した有機基板２１等をセットし、所定の形状の金型を使用して樹脂封止をする。そして、有機基板２１の裏面の複数の端子電極２３に半田ボール２７を形成する。半田ボール２７はプリント基板１１に接続するためのものである。その後、電気的な測定検査をした後に、図３に示した半導体素子実装基板２００が完成する。
【００５０】
このように、本発明に係る電子部品実装基板及びその製造方法によれば、両面に銅箔を有した有機基板２１に配線電極２２Ａ，２２Ｃや端子電極２３を形成する場合、メッキ下地電極層１２Ａ上にサイドエッジが垂直に切り立ったニッケルメッキから成るメッキ中間電極層１２Ｂを積み上げることができる。しかも、メッキ下地電極層１２Ａ上のみにニッケルメッキが積層され、このメッキ下地電極層１２Ａの側面には銅メッキがなされるが、その側面にはニッケルメッキがなされない。
【００５１】
従って、マスク部材２９を除去した後に、このメッキ下地電極層１２Ａの側面、メッキ中間電極層１２Ｂの側面及び該メッキ中間電極層１２Ｂの上面を覆うように更に、無電解金メッキを施すことにより、当該メッキ下地電極層１２Ａとメッキ中間電極層１２を芯材とする、これら積層電極を金メッキで被覆した複合電極構造の配線電極２２Ａ，２２Ｃを再現性良く形成することができる。
【００５２】
この複合電極構造の配線電極２２Ａ，２２Ｃは銅箔を核にして単純にニッケルメッキ及び金メッキを施す場合に比べて、ニッケルメッキがメッキ下地電極層１２Ａ上のみに積層され、メッキ下地電極層１２Ａの側面には施されないので、高周波電流は電気抵抗の高いニッケルメッキ層には流れずに、銅箔であるメッキ下地電極層１２Ａ及び金メッキ層から成るメッキ被覆電極層１２Ｃに流れるようになる（表皮効果）。
【００５３】
また、ニッケルメッキによるメッキ中間電極層１２Ｂはワイヤボンディング時に上面からの応力に対してメッキ下地電極層１２Ａ等の所定の形状を維持するようになされる。これにより、電気抵抗の高いニッケル層の影響を受け難く、ＧＨｚ帯等の高周波特性を向上させた高周波対応の半導体素子実装基板２００を提供することができる。特に、高周波回路形成において、配線電極２２Ａ，２２Ｃのインピーダンス特性が優れているので、安定したインダクタ（コイル素子）を形成することができる。
【００５４】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明に係る電子部品実装基板によれば、電子部品実装用の基板に設けられた電極は、この基板の金属箔をパターニングして形成されたメッキ下地電極層と、このメッキ下地電極層上に導電部材をメッキ積層されたメッキ中間電極層と、このメッキ下地電極層及びメッキ中間電極層を他の導電部材で被覆し全体を包み込んだメッキ被覆電極層とを有するものである。
【００５５】
この構成によって、当該メッキ下地電極層とメッキ中間電極層を芯材とし、これら電極層を他の導電部材から成るメッキ被覆電極層で被覆し全体を包み込んだ構造の複合電極を形成することができる。しかも、メッキ下地電極層及びメッキ被覆電極層に抵抗の小さい銅や金等の導電部材を使用し、メッキ中間電極層に比較的硬いニッケル等の導電部材を使用することにより、ＧＨｚ帯等の高周波対応の電子部品のワイヤボンディングに最適な電極構造を提供することができる。
【００５６】
本発明に係る電子部品実装基板の製造方法によれば、少なくとも一方の面に金属箔を有した絶縁性の基板に電極を形成する際に、この基板の金属箔をパターニングしてメッキ下地電極を形成し、その後、このメッキ下地電極層を取り囲むように、かつ、このメッキ下地電極の厚さよりも高くなるようにマスク部材を形成し、更に、このマスク部材を型枠にしてメッキ下地電極層に所望の導電部材をメッキするようになされる。
【００５７】
この構成によって、メッキ下地電極層上のみに一方の導電部材が積層され、メッキ下地電極層の側面にはそれがメッキされないので、サイドエッジが垂直に切り立った所望の導電部材から成る所定の厚みのメッキ中間電極層をメッキ下地電極層上に積み上げることができる。従って、当該メッキ下地電極層とメッキ中間電極層を芯材とし、これら電極層を他の導電部材で被覆し全体を包み込んだ構造の電極を製造することができる。
この発明はＧＨｚ帯等の超高周波用のＭＭＩＣに適用して極めて好適である。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明に係る実施形態としての電子部品実装基板１００の電極構造例を示す断面図である。
【図２】Ａ〜Ｄは電子部品実装基板１００の形成例を示す断面図である。
【図３】本発明に係る実施例としての半導体素子実装基板２００の構成例を示す断面図である。
【図４】Ａ〜Ｃは半導体素子実装基板２００の形成例（その１）を示す断面図である。
【図５】Ａ〜Ｃは半導体素子実装基板２００の形成例（その２）を示す断面図である。
【図６】Ａ及びＢは半導体素子実装基板２００の形成例（その３）を示す断面図である。
【図７】従来例に係る電子部品実装基板１０の配線電極２の構造例を示す断面図である。
【符号の説明】
１１，２１・・・有機基板（基板）、１２・・・電極、１２Ａ・・・メッキ下地電極層、１２Ｂ・・・メッキ中間電極層、１２Ｃ・・・メッキ被覆電極層、２２Ａ，２２Ｃ・・・配線電極、２２Ｂ・・・ダイパッド、２３・・・端子電極、２４・・・コンタクトホール、２５・・・半導体素子、２６・・・モールド樹脂、２７・・・半田ボール、１００・・・電子部品実装基板、２００・・・半導体素子実装基板
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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