(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
積層セラミックコンデンサの製造方法であって、
（ａ）チタン酸バリウムからなるセラミック原料を含むセラミックグリーンシートと内部電極とを交互に積層して積層体を形成する工程、
（ｂ）前記積層体を焼成して、焼結体を得る工程、ならびに
（ｃ）前記焼結体の端面に、外部電極を形成して、積層セラミックコンデンサを得る工程を包含し、
前記チタン酸バリウムは、Ｘ線回折チャートにおいて、(００２)面による回折線と(２００)面による回折線とを有し、
(００２)面による回折線のピーク角度２θ(002)と(２００)面による回折線のピーク角度２θ(200)との中間点の角度における回折強度Ｉbに対する、２θ(200)におけるピーク強度Ｉ(200)の比：Ｉ(200)/Ｉbが、２〜７．２であり、
かつ前記チタン酸バリウムの平均粒径ｒ（μｍ）が０．２〜０．５の範囲であり、比表面積Ｓａ(ｍ2/g）が３．６〜１０の範囲であり、その積ｒ・Ｓａが、１〜２である、方法。
【請求項２】
前記工程（ａ）が、前記セラミック原料を仮焼し、次いで粉砕する工程を包含し、前記粉砕後のセラミック粉末の比表面積Ｓｂ(ｍ2/ｇ)が、Ｓｂ≦１．２Ｓａ、かつ０＜Ｓｂ≦６を満たす、請求項１記載の方法。
【請求項３】
前記粉砕後のセラミック粉末の個数基準の５０％累積度数分布粒子径Ｄ５０をα(μｍ)、１０％累積度数分布粒子径Ｄ１０をβ(μｍ)、９０％累積度数分布粒子径Ｄ９０をγ(μｍ)で表す場合、前記α、βおよびγが、０．７α≦β、γ≦１．５α、０．４≦α≦０．７、０．３≦β≦０．５、γ≦０．８を満たしている、請求項２記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、チタン酸バリウムを主成分とする誘電体層を有する積層セラミックコンデンサの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
積層セラミックコンデンサは、誘電体層と内部電極層とが交互に積層された構成を有する。この積層セラミックコンデンサは、小型、大容量、高信頼性の電子部品として広く利用されている。
このようなコンデンサの誘電体材料としては、比誘電率が高く、誘電損失が小さく、かつ温度特性が良好なことが要求される。
【０００３】
このような要求に応えるものとして、Ｘ線回折チャートにおいて、（００２)面による回折線のピーク角度２θ(002)と（２００)面による回折線のピーク角度２θ(200)との中間点の角度における回折強度（Ｉb）に対する２θ(200)でのピーク強度Ｉ(200)の比（Ｉ(200)／Ｉb））が４〜１６のチタン酸バリウムを用いる提案がなされている（例えば、特許文献１）。
【０００４】
しかし、上記の方法において、粒径のばらつきが大きい粒子を用いて誘電体層を形成した場合、得られる積層セラミックコンデンサは、直流電圧を印加した際の静電容量の低下（以下、ＤＣバイアス特性という）が大きくなることがある。
このような積層セラミックコンデンサを回路内に実装して直流電圧を印加した場合、静電容量が大きく低下し、設計のとおりの機能が発揮されないという問題が生じる。
そこで、誘電体層の原料の比誘電率を低くすることにより、優れたＤＣバイアス特性を有する積層セラミックコンデンサを作製することも考えられる。しかし、この場合には、積層セラミックコンデンサの大容量化を実現することができない。
【特許文献１】特開２００１−３４５２３０号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
本発明は、比誘電率が高く、誘電損失が低く、ＤＣバイアス特性に優れた積層セラミックコンデンサの製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上記目的に鑑み、本発明は、
（ａ）チタン酸バリウムからなるセラミック原料を含むセラミックグリーンシートと内部電極とを交互に積層して積層体を形成する工程、
（ｂ）前記積層体を焼成して、焼結体を得る工程、ならびに
（ｃ）前記焼結体の端面に、外部電極を形成して、積層セラミックコンデンサを得る工程を包含する、積層セラミックコンデンサの製造方法に関する。ここで、前記チタン酸バリウムは、Ｘ線回折チャートにおいて、(００２)面による回折線と(２００)面による回折線とを有し、(００２)面による回折線のピーク角度２θ(002)と(２００)面による回折線のピーク角度２θ(200)との中間点の角度における回折強度Ｉbに対する、２θ(200)におけるピーク強度Ｉ(200)の比：Ｉ(200)／Ｉbが、２〜７．２であり、かつ前記チタン酸バリウムの平均粒径ｒ（μｍ）が０．２〜０．５の範囲であり、比表面積Ｓａ(ｍ2/g）が３．６〜１０の範囲であり、その積ｒ・Ｓａが、１〜２である。
【０００７】
上記方法において、上記工程（ａ）が、上記セラミック原料を仮焼し、次いで粉砕する工程を包含し、粉砕後のセラミック粉末の比表面積Ｓｂ（ｍ2／ｇ）が、Ｓｂ≦１．２Ｓａ、かつ０＜Ｓｂ≦６を満たすことが好ましい。
上記方法において、粉砕後のセラミック粉末の個数基準の５０％累積度数分布粒子径Ｄ５０がα（μｍ）、１０％累積度数分布粒子径Ｄ１０がβ（μｍ）、９０％累積度数分布粒子径Ｄ９０がγ（μｍ）で表される場合、前記α、βおよびγは、０．７α≦β、γ≦１．５α、０．４≦α≦０．７、０．３≦β≦０．５、γ≦０．８を満たしていることが好ましい。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００８】
本発明の積層セラミックコンデンサの製造方法は、以下の３つの工程からなる。
最初に、チタン酸バリウムを主成分とするセラミック原料からなるセラミックグリーンシートと内部電極とが交互に積層されて積層体が形成される（工程（ａ））。
以下に、積層体の形成方法の１例を示す。
まず、主成分であるチタン酸バリウムを分散媒である水に分散させた分散液を、混合手段を用いて湿式混合し、脱水し、乾燥して、セラミック原料を得る。
【０００９】
本発明において、チタン酸バリウムとしては、常温付近で正方晶系であるものが用いられる。このチタン酸バリウムは、Ｘ線回折法により、図１のＸ線回折パターンに示されるように、２θ＝４４．９°付近に(００２)面による回折ピークが、２θ＝４５．４゜付近に(２００)面による回折ピークが、それぞれ観察される。ここで、(００２)面による回折線のピーク角度２θ(002)と(２００)面による回折線のピーク角度２θ(200)との中間点の角度を２θb（つまり、２θb＝（２θ(002)＋２θ(200)）／２）としたとき、２θbでの回折強度Ｉbに対する、２θ(200)でのピーク強度Ｉ(200)の比（Ｉ(200)／Ｉb)は、２〜７．２である。さらに、上記チタン酸バリウムの平均粒径ｒ（μｍ）は０．２〜０．５の範囲であり、比表面積Ｓａ(ｍ2/g）は３．６〜１０の範囲であり、その積Ｓａ・ｒが１〜２である。
【００１０】
Ｉ(200)／Ｉbが２よりも小さくなると、チタン酸バリウムの比誘電率が小さくなる。また、Ｉ(200)／Ｉbが７．２を超えるチタン酸バリウムについては、その作製が困難となる。
また、積Ｓａ・ｒが、１よりも小さい場合、および２よりも大きい場合には、ＤＣバイアス特性が劣る。
ここで、Ｓａおよびｒの範囲は、Ｓａ＝３．６〜１０ｍ2／ｇ、ｒ＝０．２〜０．５μｍであり、好ましくはＳａ＝３．６〜７ｍ2／ｇ、ｒ＝０．２〜０．５μｍであり、特に好ましくはＳａ＝３．６〜５ｍ2／ｇ、ｒ＝０．２〜０．４μｍである。
【００１１】
また、本発明において、副成分として、ＭｇＯ、ＳｉＯ2、Ｍｎ3Ｏ4、希土類酸化物(Ｄｙ2Ｏ3、Ｈｏ2Ｏ3、Ｅｒ2Ｏ3、Ｙｂ2Ｏ3等）が添加されることが好ましい。これらの副成分は、おのおの、積層セラミックコンデンサの信頼性を向上させる第２相（コアシェル構造のシェル部）を構成する成分の一部として機能する。また、副成分は、チタン酸バリウム１００モルあたり０．１モル〜１０モルの範囲で添加されることが好ましい。副成分の粒径は、０．０５〜１μｍの範囲にあることが好ましい。
【００１２】
上記脱水後の乾燥は、１２０℃以下、好ましくは１００℃〜１２０℃の範囲で行われることが好ましい。
また、混合手段としては、ボールミル等を用いることができる。ボールミルを用いる場合、混合時にチタン酸バリウムが粉砕されすぎて粒度分布が大きくなることを防止するために、粒径０．５ｍｍ以下のジルコニアボールを用いることが好ましい。
次に、得られたセラミック原料を、仮焼することが好ましい。この仮焼は、好適には８００℃〜１０００℃の温度範囲で行われる。得られた仮焼体は、巨視的にみると軽く固まった状態にある。Ｘ線回折法により、この仮焼体を分析することにより得られた結果によると、原料粒子同士が反応し、若干固溶した状態になっていると考えられる。
【００１３】
次に、上記仮焼体を分散媒である水に分散した分散液を、粉砕手段を用いて、湿式粉砕し、脱水した後、乾燥する。例えば、粉砕手段として、ボールミル等を用いることができる。また、ボールミルを用いる場合、過剰な粉砕を防止するために、粉砕媒体として粒径０．５ｍｍ以下のジルコニアボールが使用されることが好ましい。また、脱水後の乾燥は、１２０℃以下、好ましくは１００℃〜１２０℃の範囲で行われることが好ましい。
【００１４】
次いで、粉砕後のセラミック粉末を、有機バインダなどと混合して、誘電体層形成用スラリーを調製する。粉砕後のセラミック粉末は、アルコールと混合されて、その表面がアルコールで被覆されることが好ましい。次いで、アルコールで表面が被覆されたセラミック粉末を、分散媒、有機バインダ、および可塑剤と混合して、スラリーを作製する。上記アルコールは、粉砕後のセラミック粉末が凝集しないように添加されるが、その添加量は、バインダ、分散媒および可塑剤の合計量を超えないことが好ましい。
【００１５】
また、上記スラリーにおいて、アルコールで表面を被覆されたセラミック粉末は５０重量％〜８０重量％の範囲にあることが好ましく、有機バインダは５重量％〜１０重量％の範囲にあることが好ましく、可塑剤は５重量％〜１０重量％の範囲にあることが好ましい。但し、残りは、分散媒が占める。
上記スラリーの調製に際して、粉砕後のセラミック粉末を被覆するためのアルコールとしては、エタノール等が用いられる。有機バインダとしては、ポリビニルブチラール樹脂等が用いられる。分散媒としては、ｎ−酢酸ブチル等が用いられる。可塑剤としては、ベンジルブチルフタレート等が用いられる。
【００１６】
上記のようにして得られたスラリーから、誘電体層となるセラミックグリーンシートを作製する。スラリーからセラミックグリーンシートを作製する方法としては、例えば、ドクターブレード法等が用いられる。
次いで、上記セラミックグリーンシートと内部電極とを積層して積層体を形成する。
【００１７】
以下に、セラミックグリーンシートと内部電極との積層方法の一例を示す。
セラミックグリーンシートの片面上に、所定のパターンとなるように内部電極ペーストをスクリーン印刷する。用いられる内部電極ペーストは、例えば、銅、ニッケルまたはコバルトなどの卑金属からなる。
上記のようにして作製された異なるパターンの内部電極を印刷した２種のセラミックシートを交互に積層し、熱圧着して、一体化する。
【００１８】
ここで、熱圧着は、８０〜１４０℃の温度範囲、８０〜２００ｋｇｆ／ｃｍ2の圧力範囲で行うことが好ましい。
こののち、所定の大きさに、切断して、積層体を作製する。また、内部電極とセラミックグリーンシートとの積層数は、静電容量などに応じて適宜設定する。
【００１９】
次に、得られた積層体に脱バインダ処理を施したのち、焼成して、焼結体が得られる（工程（ｂ））。焼成温度は、１１００℃〜１３００℃の範囲にあることが好ましい。また、焼成雰囲気は、内部電極の酸化を防止するため、還元性雰囲気とすることが好ましい。例えば、還元性雰囲気としては、Ｎ2とＨ2との混合気体を雰囲気として用いることができる。
【００２０】
最後に、得られた焼結体の内部電極が露出した端面に、外部電極を形成することにより、図２に示されるような積層セラミックコンデンサが得られる（工程(ｃ)）。ここで、図２において、１０はチタン酸バリウムを主成分とする誘電体層、１１および１２は内部電極、１３および１４はそれぞれ内部電極１１および１２に接続された外部電極である。
【００２１】
上記外部電極の形成は、内部電極が露出した表面に外部電極ペーストを塗布し、窒素雰囲気下で焼き付けることにより行われる。ここで、外部電極ペーストとしては、例えば、銅からなるもの等を用いることができる。
また、対向する一対の内部電極の間に挟まれた誘電体層の厚みは、１〜３μｍの範囲にあることが好ましく、内部電極の厚みは、１〜２μｍの範囲にあることが好ましい。
【００２２】
積層セラミックコンデンサは、実際の回路で使用される場合、必ず直流電圧が印加される。この直流電圧印加により、ほとんどのコンデンサの静電容量は減少する。本発明では、セラミック原料の主成分であるチタン酸バリウムとして、Ｉ(200)／Ｉbが２〜７．２の範囲にあり、かつＳａ・ｒが１〜２の範囲にはいるような粒径のそろったものを使用することにより、直流電圧の印加による静電容量の減少率、つまりＤＣバイアス特性を、小さくすることができる。
【００２３】
作製された積層セラミックコンデンサの誘電体層は、チタン酸バリウムがコア部となり、上記のような副成分およびチタン酸バリウムがシェル部となっている、コアシェル構造を有する粒子から構成される。コアシェル構造を有する粒子には、コア部の表面全体がシェル部で被覆されているもの、すべてのコア部表面がシェル部で被覆されることなくコア部の表面の一部が露出しているものが含まれる。
【００２４】
さらに、上記工程（ａ）において、粉砕後のセラミック粉末の比表面積Ｓｂが、Ｓｂ≦１．２Ｓａ（但し、０＜Ｓｂ≦６ｍ2／ｇ、好ましくは２≦Ｓｂ≦６ｍ2／ｇであり、Ｓａは上記数値範囲を満たす）であることが好ましい。これにより、工程（ｂ）における焼成時に、チタン酸バリウム以外の成分がチタン酸バリウムまたは副成分と反応しやすくなり、焼結性が向上する。このため、チタン酸バリウムおよび上記のような副成分からなる粒子が、均一なコアシェル構造を形成することが可能となり、優れた特性を有する誘電体層を得ることができる。
【００２５】
さらに、上記粉砕後のセラミック粉末は、粉砕後のセラミック粉末の個数基準の５０％累積度数分布粒子径Ｄ５０をα、１０％累積度数分布粒子径Ｄ１０をβ、９０％累積度数分布粒子径Ｄ９０をγとするとき、０．７α≦β、かつγ≦１．５α（但し、０．４μｍ≦α≦０．７μｍ、０．３μｍ≦β≦０．５μｍ、γ≦０．８μｍ、Ｓａは上記範囲にある）を満たすことが好ましい。
ＤＣバイアス特性は粉砕後のセラミック粉末の粒径のばらつきにも影響を受けるため、チタン酸バリウムの粒径をそろえるだけでなく、粉砕後のセラミック粉末の粒径分布を狭くすることにより、ＤＣバイアス特性をさらに向上させることが可能となる。
【００２６】
次に、チタン酸バリウムの平均粒径の測定法について説明する。
チタン酸バリウム粉末を走査型電子顕微鏡を用いて観察し、その観察面にランダムに１０本の直線を引く。１０本の各直線の長さと、各直線に乗るチタン酸バリウムの粒子数を測定する。各直線の長さをチタン酸バリウムの粒子数で割ることにより、チタン酸バリウムの粒径を計算する。次いで、１０本の直線における平均値を計算する。本発明においては、この平均値を平均粒径とした。
【００２７】
また、チタン酸バリウムまたは粉砕後のセラミック粉末の比表面積は、以下のようにして測定される。
まず、以下のＢＥＴ吸着等温式：
ｘ／[Ｖ(１−ｘ)]＝１／(ＶmＣ)＋ｘ(Ｃ−１)／(ＶmＣ)    （１）
により、単分子層としてＨｅが全表面に吸着したときの吸着量Ｖm（ｃｍ3／ｇ）を求める。具体的には、横軸ｘおよび縦軸ｘ／[Ｖ(１−ｘ)]で表されたＨｅの実際の吸着等温線の相対圧の低い領域の３点を選び、この３点を通る直線を求める。このとき、得られた直線の傾きが(Ｃ−１)／(ＶmＣ)となり、切片が１／(ＶmＣ)となる。従って、この得られた直線の傾きの値および切片の値から、吸着量Ｖmが計算される。ここで、上記式（１）において、ｘは相対圧（吸着平衡圧／飽和蒸気圧）であり、Ｖは相対圧ｘでのＨｅの吸着量（ｃｍ3／ｇ）であり、ＣはＨｅの第１層における吸着熱と第２層における吸着熱との差を示すパラメータである。
【００２８】
次に、上記のようにして得られた単分子層吸着量Ｖmから、以下の式：
Ｓ＝ｓＶmＫA／Ｖ0      （２）
を用いて、比表面積Ｓ(ｍ2／ｇ)が求められる。ここで、ｓはＨｅ１分子あたりの占有断面積(ｍ2)であり、ＫAはアボガドロ数であり、Ｖ0は１モルあたりのＨｅの体積（２２４１４ｃｍ3）である。
【実施例】
【００２９】
《実施例１》
主成分であるチタン酸バリウム１００モルあたり、副成分であるＭｇＯを１．０モル、Ｄｙ2Ｏ3を０．３モル、Ｈｏ2Ｏ3を０．３モル、ＳｉＯ2を０．６モル、Ｍｎ3Ｏ4を０．０５モルの割合となるように、各粉末を秤量した。このとき、チタン酸バリウムとしては、以下の表１に示されるような、Ｉ(200)／Ｉb値、比表面積（Ｓａ）値、平均粒径ｒを有するものを用いた。また、表１に、Ｓａ・ｒの値も示している。
【００３０】
次に、これらの主成分および副成分を、ジルコニアボールを備えたボールミルに純水とともに入れ、湿式混合し、脱水し、乾燥して、セラミック原料を得た。
次いで、得られた乾燥粉末を、高純度のアルミナルツボに入れ、空気中で２時間仮焼して、仮焼物を得た。
上記仮焼物を、ジルコニアボールを備えたボールミルに純水とともに入れ、湿式粉砕後、脱水し、乾燥した。
ここで、粉砕後のセラミック粉末の比表面積（Ｓｂ）の値を表１に示す。
【００３１】
【表１】
0004622518.tif 000002
【００３２】
次に、上記粉砕後のセラミック粉末とエタノールとを混合して、セラミック粉末の表面をエタノールで被覆した。次に、表面をエタノールで被覆されたセラミック粉末を、有機バインダであるポリビニルブチラール樹脂、分散媒であるｎ−酢酸ブチル、および可塑剤であるベンジルブチルフタレートと混合して、スラリーを得た。得られたスラリーを、ドクターブレード法により、ポリエチレンテレフタレート（以下、ＰＥＴと略す）シート上で、セラミックグリーンシートに成形した。
【００３３】
上記のようにして得られたセラミックグリーンシートの片面に、平均粒径約０．４μｍのＮｉ粉末からなる内部電極ペーストを、所望のパターンになるように、スクリーン印刷した。
次いで、ＰＥＴシートを取り除いたのち、片面に内部電極を備えるセラミックグリーンシートを、内部電極がグリーンシートを介して対向するように、３枚重ね合わせ、熱圧着（温度：８０〜１００℃；圧力：８０〜１５０ｋｇ／ｃｍ2）して一体化した。その後、この一体化したものを、横２．４ｍｍ、縦１．３ｍｍの大きさに切断して、積層体を得た。ここで、この積層体において、積層体の表面に露出する内部電極の端部が反対方向に入れ違いになるように、上記セラミックグリーンシートを積層した。
【００３４】
上記積層体を、ジルコニア粉末を敷いたジルコニア製の鞘に入れ、雰囲気炉中において、窒素気流中で３５０℃まで加熱して、有機バインダを燃焼させることにより、脱バインダ処理を行った。その後、積層体を、Ｎ2＋Ｈ2ガスの気流中、１２５０℃で２時間焼成して、焼結体を得た。
最後に、得られた焼結体の内部電極の露出した端面に、銅粒子からなる外部電極ペーストを塗布した。塗布した外部電極ペーストを、メッシュ型の連続ベルト炉内で、窒素雰囲気下９００℃で焼結体に焼き付けることにより、外部電極を形成して、積層セラミックコンデンサを得た。ここで、得られた積層セラミックコンデンサにおいて、対向する一対の内部電極の間に挟まれた誘電体層の厚みは、２μｍであった。
【００３５】
上記のようにして得られた種々の積層セラミックコンデンサの静電容量Ｃ0および誘電損失ｔａｎδを、測定電圧１Ｖおよび測定周波数１ｋＨｚの条件下で測定した。得られた静電容量Ｃ0から、比誘電率εrを計算した。
さらに、直流電圧を印加しない場合の静電容量Ｃ0に対する直流電流を印加した場合の静電容量ＣVの変化率（この変化率は、１００×(ＣV−Ｃ0)／Ｃ0で表される）によって表されるＤＣバイアス特性を、以下のように測定した。
【００３６】
まず、試料である積層セラミックコンデンサを、１５０℃で１時間熱処理し、次いで、２５℃で２４時間放置したのち、静電容量Ｃ0を上記のような条件下で測定した。次いで、３．１５Ｖの直流電圧を印加した状態での静電容量ＣVを、Ｃ0を測定したのと同じ条件で測定した。得られたＣ0およびＣVから、計算式１００×(ＣV−Ｃ0)／Ｃ0を用いて、ＤＣバイアス特性を計算した。
得られた比誘電率εr、誘電損失ｔａｎδおよびＤＣバイアス特性を表２に示す。
【００３７】
【表２】
0004622518.tif 000003
【００３８】
表１および表２から明らかなように、Ｉ(200)／Ｉbが２〜７．２の範囲にあり、Ｓａ・ｒが１〜２の範囲にある試料No.３〜６、１０、１１、１３〜１６、１８、１９、および２２の積層セラミックコンデンサは、比誘電率が高く、誘電損失が低く、かつ優れたＤＣバイアス特性を示す。さらに、上記試料のうち、試料No.１８以外のものは、Ｓｂ≦１．２Ｓａ（但し、０＜Ｓｂ≦６ｍ2／ｇ、好ましくは２≦Ｓｂ≦６ｍ2／ｇ)を満たしており、これらは、−３０％より小さなＤＣバイアス特性を示した。                              
【００３９】
また、実際の回路で使用した場合に、所定の回路特性が得られるように、ＤＣバイアス特性は、−３０％より小さいことが好ましい。
さらに、試料No.３〜６、１０、１１、１３〜１６、１９および２２の積層セラミックコンデンサについては、粉砕後のセラミック粉末の粒度分布についても、測定を行った。粒度分布の測定は、レーザー回折方式の粒度分布計を用いて測定した。得られた結果を、表３に示す。
【００４０】
【表３】
0004622518.tif 000004
【００４１】
表３から明らかなように、粉砕後のセラミック粉末のＤ５０をα、Ｄ１０をβ、Ｄ９０をγとした場合に、０．７α≦β、かつγ≦１．５α（但し、α、β、およびγは、それぞれ、０．４μｍ≦α≦０．７μｍ、０．３μｍ≦β≦０．５μｍ、およびγ≦０．８μｍである）を満たす試料３、５、６、１１、１４、１５、１９および２２は、ＤＣバイアス特性が−２０％よりも小さくなっている。
【００４２】
一方、試料No.４は、上記のようなαとβとの関係を満たしていない。αとβとの関係を満たさない場合、細かい粒子が多く存在し、粒子径のばらつきが大きくなるため、上記関係を満たす試料と比較して、ＤＣバイアス特性があまり向上していない。
また、試料No.１６は、０．４μｍ≦α≦０．７μｍ、および０．３μｍ≦β≦０．５μｍを満たさず、これらの範囲よりも、大きい値になっている。この場合、粒子径のばらつきが小さくても、平均粒径が上記範囲を満たさない場合には、ＤＣバイアス特性を向上させる効果が低下することが理解される。
【００４３】
以上のように、本発明により、主成分であるチタン酸バリウムの粒径が小さく、その平均粒径ができるだけ均一なものを用いることにより、比誘電率が高く、誘電損失が小さく、かつ優れたＤＣバイアス特性を有する積層セラミックコンデンサを作製することができる。さらに、粉砕後のセラミック粉末の平均粒径が原料のチタン酸バリウムに近く、その粒径ができるだけ均一なものを用いることにより、より優れたＤＣバイアス特性を有する積層セラミックコンデンサを作製することも可能である。
【００４４】
また、本実施例においては、希土類酸化物としてＤｙ2Ｏ3およびＨｏ2Ｏ3を用いた積層セラミックコンデンサを用いたが、Ｄｙ2Ｏ3、Ｈｏ2Ｏ3、Ｅｒ2Ｏ3、およびＹｂ2Ｏ3からなる群から選択される少なくとも１種の希土類酸化物を副成分として含むものでも、同様の効果が得られる。
さらに、本実施例において、印加した直流電圧は３．１５Ｖであったが、異なる電圧を印加した場合でも、本発明の製造方法によって作製された積層セラミックコンデンサは、高い比誘電率、低い誘電損失および良好なＤＣバイアス特性を示した。
【００４５】
さらに、上記実施例において、対向する一対の内部電極の間に挟まれた誘電体層の厚みを２．０μｍとしたが、その厚みが１〜３μｍの範囲にあれば、チタン酸バリウムおよび粉砕後のセラミック粉末の粒径および粒度を上記の範囲を満たすように調節することにより、良好なＤＣバイアス特性を得ることができる。
【産業上の利用可能性】
【００４６】
本発明の製造方法により、比誘電率が高く、誘電損失が小さく、かつ優れたＤＣバイアス特性を有する積層セラミックコンデンサを提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００４７】
【図１】本発明において用いられるチタン酸バリウムのＸ線回折チャートを示す。
【図２】本発明の製造方法によって作製される積層セラミックコンデンサの一部切欠き斜視図を示す。
【図１】
0004622518.tif 000005
【図２】
0004622518.tif 000006