(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
基部および前記基部に周期的に設けられて周囲と屈折率が異なる柱状の複数の格子要素を備えるフォトニック結晶から構成され、共振部が第１方向に延在して設けられたフォトニック結晶共振器と、
前記フォトニック結晶共振器の上に配置され、前記第１方向とは異なる第２方向に延在して前記共振部と異なる層で交差し、交差する箇所で前記共振部と光結合する光導波路と
を備え、
前記第１方向と前記第２方向との交差角度は、前記格子要素の配列における２つの格子ベクトルの和ベクトルと、前記２つの格子ベクトルのいずれか一方の格子ベクトルとのなす角度とされている
ことを特徴とする光回路。
【請求項２】
請求項１記載の光回路において、
前記格子要素は、三角格子または四角格子に配列されている
ことを特徴とする光回路。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、フォトニック結晶共振器に光結合する光導波路を備える光回路に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、インターネットにおける爆発的なトラフィックの増加に対応するため、ノード間を結ぶ伝送には光が用いられ、低損失性を生かして大容量化が実現されている。また、ボード間、ラック間と言った近距離の伝送においても、光の高速性を生かして電気の配線の置き換えが進んでいる。さらには、ＬＳＩ（Large Scale Integration）のチップ間、チップ内においても、電気配線のボトルネックが指摘され、光による配線の可能性の検討が進められている。このような光配線の光源として、マイクロキャビティレーザが用いられている。マイクロキャビティレーザは、大規模な光集積回路あるいはＬＳＩとの集積化を目指したミクロンオーダのサイズのレーザである。
【０００３】
このような中で、フォトニック結晶共振器を持つマイクロキャビティレーザが、注目を集めている（非特許文献１，非特許文献２，非特許文献３参照）。特に、非特許文献２では、非特許文献１などに示されたデバイスにおいて現れる、デバイスの温度上昇とキャリアの拡散という特性低下の２つの主要因を、埋め込みヘテロ（buried heterostructure；ＢＨ）構造により解消する手段が提案されている。
【０００４】
ここで、上述したマイクロキャビティレーザについて、図８を用いて説明する。図８は、マイクロキャビティレーザの構成を示す平面図（ａ）および断面図（ｂ）である。断面図は、光が導波する方向に垂直な面を示している。このマイクロキャビティレーザは、まず、ＩｎＰ基板からなる基部８０１と、基部８０１に設けられた柱状の複数の中空構造８０２とからなるフォトニック結晶８０３に、線欠陥光導波路８０４を設けている。中空構造８０２は、例えば平面視で三角格子状に配列している。また、線欠陥光導波路８０４は、周期的な間隔で設けられた中空構造８０２の中に、線状に連続した部分の中空構造８０２をなくした構造であり、この領域に光が導波する。
【０００５】
上述した構成のフォトニック結晶８０３の線欠陥光導波路８０４は、共振部８２１と、共振部８２１を挾む２つのミラー領域８２２とから構成され、共振部８２１の線欠陥光導波路８０４に、活性媒質８０５が設けられて（埋め込まれて）いる。活性媒質８０５は、ＩｎＧａＡｓ層からなるコア層の上下を、ＩｎＧａＡｓＰからなるクラッド層で覆った構成とされている。このように、ミラー領域８２２に挾まれた共振部８２１により、フォトニック結晶共振器が構成される。
【０００６】
このマイクロキャビティレーザは、活性媒質８０５が、基部８０１に埋め込まれたＢＨ構造となっているため、活性媒質８０５の励起に伴い生じる熱を効率的に放出でき、かつ共振部８２１への高いキャリア閉じ込めを実現できる。
【０００７】
さらに、ＢＨ構造を用いたレーザをフォトニック結晶線欠陥光導波路と結合させることにより、面内光出力も可能とする構造が提案されている（非特許文献３参照）。フォトニック結晶を用いたマイクロキャビティレーザは、将来の平面光集積回路用の光源として有望視されている。また、同類の構造が光メモリなど光情報処理用のデバイスとしても注目を集めている（非特許文献４参照）。
【０００８】
また、光配線を用いた光処理デバイスの高集積化・高密度実装化には、基板上の光回路で用いられている光を、他の基板上の他の処理が行われる光回路に導波させることが必要となる。例えば、マイクロキャビティレーザなどで用いられるフォトニック結晶共振器で共振する光を、他の基板上に設けられた光導波路を用いて取り出すようにすればよい。例えば、フォトニック結晶共振器の直上に、光導波路を近接かつ該共振器の延在方向に沿うように配置する技術が提案されている（非特許文献５，非特許文献６参照）。
【０００９】
非特許文献５では、図９に示すように、ＩｎＰ基板に空気穴を三角格子状に設けたフォトニック結晶の線欠陥領域に設けたフォトニック結晶共振器９０１に、光導波路９０２を組み合わせている。光導波路９０２は、シリコン基部９０３の上に形成された酸化シリコンからなる下部クラッド層９０４と、下部クラッド層９０４の上に形成されたコア９０５と、これらの上に形成されたベンゾシクロブテン（ＢＣＢ）からなる上部クラッド層９０６を備える。
【００１０】
フォトニック結晶共振器９０１の共振部と光導波路９０２のコア９０５とが、各々の光導波方向を同一として重ね合わさる状態に、光導波路９０２の上にフォトニック結晶共振器９０１が配置されている。このように配置することで、フォトニック結晶共振器９０１で共振する光を、光導波路９０２に結合させて取り出すようにしている。
【００１１】
上述したように光結合させた光回路構成によれば、フォトニック結晶共振器で共振する光を、他の基板上に設けた光回路に導波させてさらに別の光処理を行わせるなどの、光処理デバイスの高集積化・高密度実装が実現できるようになる。
【先行技術文献】
【非特許文献】
【００１２】
【非特許文献１】K. Nozaki et al. , "Room temperature continuous wave operation and controlled spontaneous emission in ultrasmall photonic crystal nanolaser", Optics Express, vol.15, no.12, pp.7506-7514, 2007.
【非特許文献２】S. Matsuo et al. , "High-speed ultracompact buried heterostructure photonic-crystal laser with 13 fJ of energy consumed per bit transmitted", Nature Photonics, vol.4, pp.648-654, 2010.
【非特許文献３】S. Matsuo et al. , "20-Gbit/s directly modulated photonic crystal nanocavity laser with ultra-low power consumption", Opt. Express, vol.19, no.3, pp.2242-2250, 2011.
【非特許文献４】K. Nozaki et al. ,"Ultralow-power all-optical RAM based on nanocavities", Nature Photonics, vol.6, pp.248-252, 2012.
【非特許文献５】Y. Halioua  et al. ,"Hybrid InP-based photonic crystal lasers on silicon on insulator wires", APPLIED PHYSICS LETTERS,vol.95, 201119, 2009.
【非特許文献６】Min Qiu, "Vertically coupled photonic crystal optical filters",OPTICS LETTERS, vol.30, no.12, pp.1476-1478, 2005.
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１３】
しかしながら、上述した光回路の構成では、フォトニック結晶共振器と光導波路との間で、光結合の高い効率を得ることが容易ではないという問題がある。上述した技術において、フォトニック結晶共振器の共振部と光導波路との光結合の効率は、これらの位置合わせの状態に大きく影響する。このため、高い光結合効率を得るためには、フォトニック結晶共振器の共振部と光導波路とを、非常に高い精度で位置合わせする必要がある。しかしながら、この位置合わせに高い精度を得ることが容易ではない。
【００１４】
例えば、フォトニック結晶共振器を構成するフォトニック結晶の格子定数が４２２ｎｍの場合、フォトニック結晶共振器の共振部は、幅が約６００ｎｍと非常に細い。また、上述したような光回路を構成するＳｉコアによる光導波路では、コア幅が数１００ｎｍと非常に細い。このように細いコアと共振部とを、各々の光導波方向を同一として重ね合わせて高い結合効率を得るためには、位置合わせの制度を少なくとも数１０ｎｍ以下とする必要がある。しかしながら、このような高い位置合わせ精度を実現することは容易ではなく、上述した技術では、フォトニック結晶共振器と光導波路との間で、光結合の高い効率を得ることが容易ではないという問題があった。
【００１５】
本発明は、以上のような問題点を解消するためになされたものであり、フォトニック結晶共振器と光導波路との間における光結合の高い効率が、より容易に得られるようにすることを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１６】
本発明に係る光回路は、基部および基部に周期的に設けられて周囲と屈折率が異なる柱状の複数の格子要素を備えるフォトニック結晶から構成され、共振部が第１方向に延在して設けられたフォトニック結晶共振器と、フォトニック結晶共振器の上に配置され、第１方向とは異なる第２方向に延在して共振部と異なる層で交差し、交差する箇所で共振部と光結合する光導波路とを備える。
【００１７】
上記光回路において、第１方向と第２方向との交差角度は、格子要素の配列における２つの格子ベクトルの和ベクトルと、２つの格子ベクトルのいずれか一方の格子ベクトルとのなす角度とされている。なお、格子要素は、三角格子または四角格子に配列されていればよい。
【発明の効果】
【００１８】
以上説明したことにより、本発明によれば、フォトニック結晶共振器と光導波路との間における光結合の高い効率が、より容易に得られるという優れた効果が得られる。
【図面の簡単な説明】
【００１９】
【図１】図１は、本発明の実施の形態における光回路の構成を示す平面図である。
【図２】図２は、本発明の実施の形態における光回路の構成を示す斜視図である。
【図３】図３は、フォトニック結晶共振器１０１と光導波路１５１との光結合構造に関する原理を説明する説明図である。
【図４】図４は、三角格子に格子要素１０３を配列したフォトニック結晶共振器１０１における線欠陥光導波路１０４を拡大した平面図である。
【図５】図５は、光導波路１５１がｘ軸方向に位置ずれしたときの、共振部１２１とコア１５２との光結合効率を、計算機シミュレーションにより導出した結果を示す特性図である。
【図６】図６は、第１方向と前記第２方向と交差角度に対する許容度について説明する説明図である。
【図７】図７は、共振部１２１とコア１５２との間隔に対する結合効率の関係について示す特性図である。
【図８】図８は、マイクロキャビティレーザの構成を示す平面図（ａ）および断面図（ｂ）である。
【図９】図９は、フォトニック結晶共振器の上に光導波路を配置して光結合させている光回路の構成を示す斜視図である。
【発明を実施するための形態】
【００２０】
以下、本発明の実施の形態について図１，２を参照して説明する。図１は、本発明の実施の形態における光回路の構成を示す平面図である。また、図２は、本発明の実施の形態における光回路の構成を示す斜視図である。この光回路は、フォトニック結晶共振器１０１と光導波路１５１とを備える。
【００２１】
フォトニック結晶共振器１０１は、基部１０２および基部１０２に設けられた複数の格子要素１０３を備えるフォトニック結晶から構成されている。格子要素１０３は、例えば中空の円柱であり、平面視で三角格子状に配列している。各格子要素１０３は、同一形状とされている。このようなフォトニック結晶において、格子要素１０３を形成しない部分（線欠陥部）による線欠陥光導波路１０４を備える。
【００２２】
線欠陥光導波路１０４は、共振部１２１と、共振部１２１を挾む２つのミラー領域１２２とから構成されている。共振部１２１を設けることで、共振器としている。共振部１２１の線欠陥光導波路１０４には、基部１０２とは屈折率の異なる材料からなる媒質部１０５が設けられて（埋め込まれて）いる。ここで、線欠陥光導波路１０４は、第１方向に延在しており、共振部１２１も第１方向に延在している。図１，図２では、ｚ軸方向を第１方向としている。なお、媒質部１０５を、活性な媒質から構成することで、フォトニック結晶共振器１０１をレーザとすることができる。
【００２３】
上述した構成のフォトニック結晶共振器１０１の上に、光導波路１５１が配置されている。図１，図２では、フォトニック結晶共振器１０１の平面の法線方向であるｙ軸方向の上に、光導波路１５１が配置されている。なお、図１，図２では、光導波路１５１を構成するコア１５２を示し、クラッドなどの他の構成は省略している。光導波路１５１は、例えばシリコン（Ｓｉ）からなるコア１５２によるＳｉ細線導波路であってもよい。Ｓｉ細線導波路は、例えばＳｉ基板上に設けた絶縁膜（例えばＳｉＯ2）を下部クラッドとして形成されていればよい。あるいは、Ｓｉ基板に中空構造で形成されるようにしてもよい。
【００２４】
ここで、本発明では、光導波路１５１のコア１５２は、上述した第１方向とは異なる第２方向に延在して共振部１２１と異なる層で交差し、交差する箇所で共振部１２１と光結合している。図２では、第１方向と第２方向との交差角度をφとしている。また、ここでは、フォトニック結晶共振器１０１の平面と平行な面上の層に、光導波路１５１が形成されている。
【００２５】
上述した実施の形態によれば、後述するとおり、フォトニック結晶共振器１０１と光導波路１５１との位置ずれに対する許容度が増すため、高い位置合わせ精度を要することなく、両者の光学的な結合を得ることができるようになる。
【００２６】
以下、より詳細に説明する。まず、図３を用いてフォトニック結晶共振器１０１と光導波路１５１との光結合構造に関する原理を説明する。なお以下では、基部１０２およびコア１５２を、ＩｎＰから構成した場合を例に説明する。
【００２７】
図３の（ａ−１）は、フォトニック結晶共振器１０１のモード形状を「波数空間」にプロットしたものであり、図３の（ａ−２）は、コア１５２が延在する方向をｚ軸に合わせ、コア幅４００ｎｍとした光導波路１５１のモード形状を、同じく「波数空間」にプロットしたものである。
【００２８】
図３の（ａ−１）に示すように、フォトニック結晶共振器１０１は、規格化波数ｋｚ＝０．５付近にｋｘ軸に平行な方向の線状のモードを有することが分かる。一方で、図３の（ａ−２）に示すように、光導波路１５１（コア１５２）も、ｋｚ＝０．５付近にｋｘ軸に平行な方向の線状のモードを有することが分かる。両者の位置が波数空間上で合致するように配置されたとき、両者のモードは最大の結合効率で結合させることができる。この条件は、実空間上においてｚ軸方向のフィールドの、節と節との間隔がフォトニック結晶共振器１０１とコア１５２の両者で一致することを意味する。
【００２９】
図３の（ａ−３）示すフォトニック結晶共振器１０１のモードにおいて、枠３０１の位置にコア１５２（光導波路１５１）を配置することで、両モード間の重なり具合が最も良くなり、両モード間で最大の結合効率が実現される。なお、枠３０１の幅は、媒質部１０５（共振部１２１）の幅におよそ一致する。
【００３０】
ところで、図３の（ａ−１）に示すように、ｋｚ＝０．５付近に存在するフォトニック結晶共振器１０１のモードは、図３の（ａ−１）に示すＫベクトルのｋｘ＝０近傍と、図３の（ｂ−１）に示すＫ’ベクトルのｋｘ＝０．５近傍との２つのピークが存在することが分かる。特に、ｋｘ＝０．５近傍のピークの方が強度は強い。
【００３１】
以上のことより、以下に示すように両者を配置することで、両者のモードが高い結合効率で結合できるようになる。まず、図３の（ａ−２）中のＫベクトルの長さをＫ’ベクトルの方向に合わせるために、光導波路１５１のモードを図３の（ｂ−２）に示すように傾け、ベクトルを長くするためにｘ軸上における光導波路１５１（コア１５２）の幅・厚みを広げる。このように光導波路１５１のモードのピークが、フォトニック結晶共振器１０１のモードのうちｋｘ＝０．５近傍のピークと合致するように配置すれば、両者のモードが高い結合効率で結合できるようになる。
【００３２】
上述した関係とするためには、実空間上では、図３の（ｂ−３）に示すように、枠３０２の位置にコア１５２（光導波路１５１）を配置し、共振部１２１が延在する第１方向とは異なる第２方向に光導波路１５１を延在させ、光導波路１５１を共振部１２１と異なる層で交差させるようにすればよい。交差する箇所で、共振部１２１と光導波路１５１とが光結合する。
【００３３】
ここで、実空間上における、第１方向と第２方向との交差角度φは、図３の（ｂ−１）に示す波数空間におけるｋｚ軸からの傾きに相当する。フォトニック結晶共振器１０１のモードのｋｘ＝０．５近傍のピークは、図３の（ｂ−１）に示すように、波数空間上におけるφ＝３０°の位置に存在する。このため、図３の（ｂ−２）に示すように、波数空間上で光導波路１５１のモードをφ＝３０°傾ける、すなわち、実空間上では光導波路１５１の延在方向を、共振部１２１の延在方向（ｚ軸方向）から３０°傾けることで、両者の間に最大の結合効率が得られるようになる。
【００３４】
ここで、φ＝３０°の意味について、図４を用いて説明する。図４は、三角格子に格子要素１０３を配列したフォトニック結晶共振器１０１における線欠陥光導波路１０４を拡大した平面図である。図４では、三角格子の状態を点線で示している。この三角格子の２つの格子ベクトル４０１，４０２のなす角度は、６０°である。格子ベクトル４０１は、第１方向であり、図４ではｚ軸方向としている。格子ベクトル４０１と格子ベクトル４０２との和ベクトル４０３は、ｚ軸方向から３０°傾いたベクトルとなる。従って、光導波路１５１を、第１方向から、「格子要素１０３の配列における２つの格子ベクトルの和ベクトルのなす角度」だけ異なる第２方向に延在させれば、最大の結合効率が得られるようになる。
【００３５】
次に、フォトニック結晶共振器１０１と光導波路１５１との位置ずれに対する結合効率の許容度について説明する。以下では、フォトニック結晶共振器１０１と光導波路１５１との位置ずれに対する結合効率を見積もることで、本発明による位置ずれ耐性の強さを証明する。始めに、第１方向に垂直なｘ方向に対して光導波路１５１がずれた場合の許容度を評価する。ｘ方向は、線欠陥光導波路１０４の幅方向となる。
【００３６】
以下では、基部１０２がＩｎＰから構成され、コア１５２が、Ｓｉから構成されている場合を例にする。Ｓｉは、ＩｎＰよりも屈折率が大きいため、図３を用いて説明したマッチングのためには、コア１５２の幅は、ＩｎＰより構成した場合よりも細いことが要求される。このため、光導波路の延在方向と共振部の延在方向とを一致させた状態で光結合する場合、光導波路（コア）の位置ずれに誤差に対する光結合の許容度は、ＩｎＰを用いた場合よりもさらに厳しい状況であることに留意されたい。
【００３７】
図５は、光導波路１５１がｘ軸方向にオフセット（位置ずれ）したときの、フォトニック結晶共振器１０１（共振部１２１）と光導波路１５１（コア１５２）との光結合効率を、計算機シミュレーションにより導出した結果を示す特性図である。図５において、横軸は、光導波路のｘ軸方向のオフセット量、縦軸は結合効率を示している。なお、フォトニック結晶共振器１０１において光が強く閉じ込められている媒質部１０５の寸法は、ｘ軸方向に（幅）３５０ｎｍ、ｚ軸方向に（長さ）約３．８μｍとした。また、コア１５２は、幅４２０ｎｍとし、共振部１２１とコア１５２とのｙ軸方向の距離は、３００ｎｍで一定とした。また、第１方向と前記第２方向と交差角度は、最大の結合効率が得られる３０°とした。
【００３８】
図５のグラフ中の灰色としている領域は、フォトニック結晶共振器１０１において光が強く閉じ込められている媒質部１０５の幅の２倍のオフセット量となる領域を示している。図５に示すように、媒質部１０５の幅を超えた領域においても、６０％以上の高い結合効率を得られることが分かる。光導波路の延在方向と共振部の延在方向とを一致させた状態で光結合する場合では、位置ずれ精度として数１０ｎｍ以上を要することを考えると、１桁程度高い位置ずれ許容度を有していることが分かる。
【００３９】
なお、図５のグラフ中の破線は、共振部１２１のｚ軸方向の境界位置を示している。この例では、ｘ軸方向のオフセットを約１０００ｎｍよりも大きくすると、コア１５２共振部１２１を覆うことができなくなり、両者の光学的結合は得られない。このように、位置ずれによる結合効率の減少は、共振部１２１の延在方向の長さに依存しており、延在方向の長さがより長い共振部１２１を用いれば、さらに高い位置ずれ許容度を得ることができる。
【００４０】
続いて、第１方向と前記第２方向と交差角度に対する許容度を評価する。図６の（ａ）は、波数空間上でのフォトニック結晶共振器１０１の共鳴モードを示す分布図であり、図６の（ｂ）は、第１方向と前記第２方向と交差角度φに対する、フォトニック結晶共振器１０１のＱ値を計算機シミュレーションにより導出した結果を示している。ここで、フォトニック結晶共振器１０１のＱ値が小さくなるに従い、共振部１２１で共鳴するモードが光導波路１５１に効率よく結合している（すなわち両者の結合効率が高い）ことを示している。
【００４１】
なお、媒質部１０５は、ｘ軸方向に３５０ｎｍ、ｚ軸方向に約３．８μｍとした。また、コア１５２はＳｉから構成して幅４２０ｎｍとした。また、共振部１２１とコア１５２とのｙ軸方向の距離は、３００ｎｍで一定とした。また、コア１５２における共振部１２１の幅方向のオフセットは０とした。
【００４２】
図６の（ｂ）に示すように、角度φ＝３０°で最小のＱ値（すなわち最大結合効率）が得られている。また、角度ずれが±１０°程度であれば、結合効率はほとんど変化しないことが分かる。このように、本発明の光回路による結合構造は、第１方向と前記第２方向と交差角度が、最大結合効率が得られる角度よりある程度ずれても、高い結合効率が得られる。言い換えると、交差角度についても高い合わせ制度を必要とせずに高い結合効率が得られる。なお、別の見方をすれば、第１方向と前記第２方向と交差角度の調整によって、フォトニック結晶共振器１０１のＱ値が微調整が可能であることを示している、とも言える。
【００４３】
次に、共振部１２１とコア１５２との間隔に対する結合効率の関係について図７を用いて説明する。図７は、また、コア１５２における共振部１２１の幅方向のオフセットが０の時の、共振部１２１とコア１５２とのｙ軸方向の間隔Δｙに対する、フォトニック結晶共振器１０１のＱ値の関係を示す特性図である。図７の（ａ）は、第１方向と第２方向との交差角度φ＝０°の場合を示し、図７の（ｂ）はφ＝３０°の場合を示している。図７の（ａ）と、図７の（ｂ）と比較すると、両者ではほぼ同じ特性を持っていることが分かる。このことは、本発明の構成としても、光導波路を共振部の延在方向に沿うように配置する構成と、同程度のΔｙ方向の制御性が得られることを意味する。
【００４４】
以上に説明したように、本発明では、共振部が第１方向に延在して設けられたフォトニック結晶共振器の上に、第１方向とは異なる第２方向に延在して共振部と異なる層で交差する光導波路を配置した。この結果、本発明によれば、フォトニック結晶共振器と光導波路との位置ずれに対する、光結合効率の許容度、特にフォトニック結晶基板に平行な面内のいずれの方向に対する許容度が増す。このため、高い位置合わせ精度を要することなく、両者の光学的な結合を得ることができるようになり、フォトニック結晶共振器と光導波路との間における光結合の高い効率が、より容易に得られるようになる。
【００４５】
特に、第１方向と第２方向との交差角度を、フォトニック結晶の格子要素の配列における２つの格子ベクトルの和ベクトルのなす角度とすることで、最も高い結合効率が得られるようになる。さらには、光導波路を共振部の延在方向に沿うように配置する構成とする場合では、フォトニック結晶共振器のＱ値は、フォトニック結晶共振器と光導波路との間隔を調整することで制御していたが、これに加え、第１方向と第２方向との交差角度を変化させるようにしても、調整することができるようになる。
【００４６】
なお、本発明は以上に説明した実施の形態に限定されるものではなく、本発明の技術的思想内で、当分野において通常の知識を有する者により、多くの変形および組み合わせが実施可能であることは明白である。例えば、共振部１２１は、媒質部１０５を設ける構成に限るものではなく、線欠陥光導波路１０４の幅を部分的に変調した構成としてもよい。また、線欠陥光導波路１０４を、格子要素１０３で終端した構成としてもよく、フォトニック結晶線欠陥を用いた種々のフォトニック結晶共振器を用いることができる。
【００４７】
また、上述では、格子要素１０３を平面視で三角格子状に配列した場合について説明したが、これに限るものではなく、四角格子（正方格子）に配列してもよい。この場合、格子要素の配列における２つの格子ベクトルの和ベクトルのなす角度は４５°であり、第１方向と第２方向との交差角度を４５°とすれば、最も高い結合効率が得られるようになる。また、格子要素１０３は、基部１０２と屈折率が異なる部分であればよく、中空に限らず、基部１０２と異なる屈折率の材料から構成された円柱形状であってもよい。
【符号の説明】
【００４８】
１０１…フォトニック結晶共振器、１０２…基部、１０３…格子要素、１０４…線欠陥光導波路、１０５…媒質部、１２１…共振部、１２２…ミラー領域、１５１…光導波路、１５２…コア。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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