(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
導電パターンが形成され、積層された複数の配線板と、
前記複数の配線板の少なくとも一つに実装された電子部品と、
前記電子部品と該電子部品が実装された前記配線板との間に一部が充填されて該電子部品を封止する封止樹脂とを備えた部品内蔵回路モジュール基板であって、
前記電子部品が実装された少なくとも一つの前記配線板は、前記電子部品が実装される面（以下、「実装面」という。）において、前記電子部品に対向する領域のうち前記電子部品に接続されるための部分（以下、「接続端子部分」という。）を除く部分の表面粗さが、前記電子部品に対向する領域以外の領域（以下、「非対向領域」という。）の表面粗さよりも小さく、
前記導電パターンは、
前記実装面において前記電子部品に対向する領域の中央部に形成され、前記接続端子部分から離れて延在する島状導電パターンと、
前記実装面において前記電子部品に対向する領域の少なくとも前記接続端子部分に形成され、前記島状導電パターンの周囲を取り囲む端子電極と、
を含み、
前記島状導電パターンの表面粗さは、前記端子電極の表面粗さよりも小さいことを特徴とする、部品内蔵回路モジュール基板。
【請求項２】
前記実装面において、前記島状導電パターンの表面粗さは、前記非対向領域のうち前記導電パターンが形成されている部分を除く部分の表面粗さよりも小さいことを特徴とする、請求項１に記載の部品内蔵回路モジュール基板。
【請求項３】
前記電子部品が実装された前記配線板は、その主面から後退した凹部に前記実装面が形成され、該実装面に前記島状導電パターンが形成されていることを特徴とする、請求項２に記載の部品内蔵回路モジュール基板。
【請求項４】
前記導電パターンは、少なくとも一つの前記接続端子と前記島状導電パターンとが接続されていることを特徴とする、請求項１乃至３のいずれか一つに記載の部品内蔵回路モジュール基板。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、部品内蔵回路モジュール基板に関し、詳しくは、複数の配線板を備え、少なくとも１つの配線板に実装された電子部品が樹脂で封止されている部品内蔵回路モジュール基板に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、多層基板内にＩＣチップ等の電子部品が実装され封止された部品内蔵回路モジュール基板が提案されている。
【０００３】
例えば図９の断面図に示す部品内蔵回路モジュール基板は、セラミック多層基板２１０にキャビティ２２２が形成され、キャビティ２２２内にＩＣチップ２３０が実装されている。キャビティ２２２内には、熱硬化性樹脂２４０が充填され、キャビティ２２２内の隙間を埋めている。セラミック多層基板２１０及び熱硬化性樹脂２４０上には、樹脂配線基板２７０が接着され、樹脂配線基板２７０には電子部品２８０が実装されている（例えば、特許文献１参照）。
【０００４】
また、基板が樹脂で密着され多層とされる場合、基板上の電極の表面が鏡面状であると剥離等の問題が発生するため、一般に、電極の表面は、薬液等による化学処理や研磨等の物理処理によって、意図的に粗くされている。
【特許文献１】特開２００５−４５０１３号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
基板上に実装されたＩＣチップなどの半導体チップ（能動素子）を樹脂でモールドして封止する場合、半導体チップと該半導体チップが載置されている基板との隙間が非常に小さいため、樹脂モールド時に樹脂の流れ込みが悪い上、半導体チップと基板との間のバンプ等の接続部分が樹脂の流動を妨げるため、樹脂に空隙が発生することがある。
【０００６】
このような半導体チップを封止する樹脂に空隙が発生すると、以下のような問題が発生する。
（１）樹脂で封止された半導体チップ内に生じる熱が十分に拡散されなくなり、半導体チップが故障する原因となる。
（２）空隙内に水分やガスが残っていると、リフロー時に空隙が膨張して、樹脂や半導体チップの剥離が生じたり、この剥離に伴って剥離部分に溶融した半田が進入することによりショート不良を招いたりする。
（３）空隙による応力集中のため、樹脂で封止された半導体チップやその接続バンプなどに過大な応力がかかり、故障の原因となる。
【０００７】
本発明は、かかる実情に鑑みて、配線板と電子部品との間に充填される樹脂に空隙が発生することを防止することができる、部品内蔵回路モジュール基板を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明は、上記課題を解決するため、以下のように構成した部品内蔵回路モジュール基板を提供する。
【０００９】
部品内蔵回路モジュール基板は、（ａ）導電パターンが形成され、積層された複数の配線板と、（ｂ）前記複数の配線板の少なくとも一つに実装された電子部品と、（ｃ)前記電子部品と該電子部品が実装された前記配線板との間に一部が充填されて該電子部品を封止する封止樹脂とを備える。前記電子部品が実装された少なくとも一つの前記配線板は、前記電子部品が実装される面（以下、「実装面」という。）において、前記電子部品に対向する領域のうち前記電子部品に接続されるための部分（以下、「接続端子部分」という。）を除く部分の表面粗さが、前記電子部品に対向する領域以外の領域（以下、「非対向領域」という。）の表面粗さよりも小さい。
【００１０】
上記構成によれば、配線板に実装された電子部品を封止樹脂で封止する際、電子部品が実装される実装面において、電子部品に対向する領域のうち電子部品に接続されるための接続端子部分を除く部分の表面粗さが、電子部品に対向する領域以外の非対向領域の表面粗さよりも小さいため、配線板と電子部品との間では、流動化した封止樹脂の充填が容易になり、流動化した封止樹脂に空隙が発生することを防止することができる。
【００１１】
なお、配線板には、セラミックや樹脂等の種々の材料を用いることができる。配線板は、材料異なるものを組み合わせて用いても、同じ材料のもののみを用いてもよい。
【００１２】
さらに、前記導電パターンは、（ｉ）前記実装面において前記電子部品に対向する領域の中央部に形成され、前記接続端子部分から離れて延在する島状導電パターンと、（ii）前記実装面において前記電子部品に対向する領域の少なくとも前記接続端子部分に形成され、前記島状導電パターンの周囲を取り囲む端子電極とを含む。前記島状導電パターンの表面粗さは、前記端子電極の表面粗さよりも小さい。
【００１３】
この場合、島状導電パターンの表面粗さを相対的に小さくすることで、島状導電パターンと電子部品との間に、流動化した封止樹脂が容易に流れ込むことができる。一方、実装面に形成された導電パターンの端子電極については、表面粗さを相対的に大きくして、封止樹脂の剥離等の問題が生じないようにすることができる。
【００１４】
また、電子部品の動作に伴って生じる熱を、島状導電パターンを介して効率良く拡散して、電子部品の冷却効率を向上することができる。
【００１５】
好ましくは、前記実装面において、前記島状導電パターンの表面粗さは、前記非対向領域のうち前記導電パターンが形成されている部分を除く部分の表面粗さよりも小さい。
【００１６】
この場合、島状導電パターンの表面粗さを相対的に小さくすることで、島状導電パターンと電子部品との間に、流動化した封止樹脂が容易に流れ込むことができる。一方、非対向領域のうち導電パターンが形成されている部分を除く部分については、表面粗さを相対的に大きくして、封止樹脂の剥離等の問題が生じないようにすることができる。
【００１７】
好ましくは、前記電子部品が実装された前記配線板は、その主面から後退した凹部に前記実装面が形成され、該実装面に前記島状導電パターンが形成されている。
【００１８】
この場合、島状導電パターンは配線板の主面から後退した凹部内に形成されているので、島状導電パターンの表面にマスク等を配置することなく配線板の主面を研磨して、島状導電パターンの表面粗さを保持しつつ、配線板の主面の表面粗さを大きくすることができる。そのため、配線板の剥離等の問題が生じないようにすることができる。
【００１９】
また、電子部品を凹部に実装する場合、電子部品と島状導電パターンとの間の隙間を大きくして、流動化した封止樹脂を充填するときに、電子部品と島状導電パターンとの間の隙間における封止樹脂の流動性をさらに向上することができる。
【００２０】
好ましくは、前記導電パターンは、少なくとも一つの前記接続端子と前記島状導電パターンとが接続されている。
【００２１】
この場合、島状導電パターンが浮遊電極となることを防止することができる。特に、接続パターンが、接地される接続端子に接続される場合、島状導電パターンが接地され、電子部品に悪影響を与える不良ノイズを除去することができる。
【発明の効果】
【００２２】
本発明によれば、配線板と電子部品との間に、流動化した封止樹脂を充填することが容易になり、流動化した封止樹脂に空隙が発生することを防止することができる。これによって、部品内蔵回路モジュール基板の信頼性を向上することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２３】
以下、本発明について、図１〜図８を参照しながら説明する。
【００２４】
＜実施例１＞  図１及び図２を参照しながら、実施例１の部品内蔵回路モジュール基板について説明する。
【００２５】
図１（ａ）乃至（ｃ）は、実施１の部品内蔵回路モジュール基板の製造方法を模式的に示した断面図である。図１（ａ）乃至（ｃ）では、配線基板１０上にＩＣチップ１６を実装した後、封止樹脂２０で封止する工程を示している。図２は、配線基板１０の平面図である。
【００２６】
実施例１の部品内蔵回路モジュール基板の製造方法について説明する。
【００２７】
図１（ａ）に示すように、プリント配線基板、セラミック基板、転写用キャリア等の配線基板１０の上面１１に、金属材料を用いて上面側配線層１２と島状電極１３とを形成する。図２に示すように、島状電極１３は、後の工程で実装されるＩＣチップ１６に対向する領域のうち、端子電極１４を除く部分に、端子電極１４から離れて延在している。なお、図２では、上面側配線層１２に含まれる端子電極１４のみを図示している。
【００２８】
島状電極１３の表面粗さは、配線基板１０の上面１１の他の部分の表面粗さよりも小さくなるように形成する。詳しくは、配線基板１０の上面１１に上面側配線層１２と島状電極１３とを形成した後、島状電極１３のみをマスキングして化学処理を行い、島状電極１３以外の部分の表面を粗化する。この化学処理には、薬液として、例えば硫酸に過酸化水素を加えた溶液を用いる。
【００２９】
上面側配線層１２と島状電極１３は、配線基板１０となるセラミック基板と同時焼成して作製しても、配線基板１０となるセラミック基板を焼成後、その上面に配線パターンを形成した後、再度焼成して形成してもよい。あるいは、配線基板１０の表面に導電膜を形成し、この導電膜をフォトリソグラフィによってパターニングして上面側配線層１２と島状電極１３を形成することもできる。
【００３０】
次いで、図１（ｂ）に示すように、フリップチップボンディングにより、ＩＣチップ１６を、バンプ１８を介して上面側配線層１２の端子電極１４に接続し、配線基板１０上に実装する。ＩＣチップ１６は、導電性接着剤等を用いて端子電極１４に接続してもよい。
【００３１】
次いで、図１（ｃ）に示すように、配線基板１０上かつＩＣチップ１６の周囲に熱硬化性樹脂を充填して封止樹脂２０を形成し、ＩＣチップ１６を封止する。
【００３２】
詳しくは、ＩＣチップ１６が実装された配線基板１０を金型内に収納して熱硬化性樹脂を充填する。あるいは、配線基板１０及びＩＣチップ１６上に未硬化の熱硬化性樹脂の樹脂シートを配置し、真空プレスによって加圧する。これによって、未硬化の熱硬化性樹脂を配線基板１０及びＩＣチップ１６の表面に密着させるようにする。このとき、配線基板１０上の島状電極１３は、配線基板１０の他の部分よりも表面粗さが小さいので、この島状電極１３の表面とＩＣチップ１６との間の空間に、熱硬化性樹脂が隙間なく流れ込む。
【００３３】
充填後、熱硬化性樹脂を加熱して硬化させる。熱硬化性樹脂としては、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂、シリコン樹脂等が使用できる。
【００３４】
次いで、封止樹脂２０の表面２２に、配線等の導電パターンが形成された樹脂配線板（図示せず)を配置して、ＩＣチップ１６を内蔵した部品内蔵回路モジュール基板が完成する。
【００３５】
実施例１の部品内蔵回路モジュール基板は、配線基板１０の上面１１に、ＩＣチップ１６が対向する位置に島状電極１３が形成され、島状電極１３の表面粗さは他の部分よりも小さい。そのため、島状電極１３とＩＣチップ１６との間において熱硬化性樹脂の流動性が向上し、空隙が生じないように熱効果性樹脂を充填することができる。
【００３６】
したがって、空隙に起因してＩＣチップ１６に生じる熱の拡散が不十分になって、ＩＣチップ１６が故障することを防止できる。また、空隙内に残った水分やガスがリフロー時に膨張して、ＩＣチップ１６や封止樹脂２０が剥離したり、剥離部分ではんだフラッシュが生じてショートを招いたりすることを防止することができる。また、空隙による応力集中のためＩＣチップ１６やバンプ１８に過大な応力がかかることを防止することができる。
【００３７】
さらに、ＩＣチップ１６に近接して島状電極１３を形成したので、ＩＣチップ１６の動作に伴う熱を、封止樹脂２０と島状電極１３とを介して配線基板１０に効率良く拡散できる。したがって、ＩＣチップ１６の冷却効率を向上できて、ＩＣチップ１６の信頼性を向上することができる。
【００３８】
一方、島状電極１３以外の配線基板１０の表面や上面側配線層１２の表面は粗い面であるため、封止樹脂２０の密着力を確保でき、封止樹脂２０が配線基板１０の上面１１や上面側配線層１２の表面から剥離することもない。
【００３９】
実施例１では、島状電極１３を上面側配線層１２に対して絶縁したが、上面側配線層１２のうちのいずれかの端子電極１４に電気的に接続してもよい。これにより、島状電極１３が浮遊電極となることを防止できる。特に、島状電極１３をグランド端子に接続することにより、ＩＣチップ１６に対するノイズを効果的に除去できる。
【００４０】
＜実施例２＞  実施例２の部品内蔵回路モジュール基板について、図３〜図８を参照しながら説明する。
【００４１】
図３（ａ）の断面図、図３（ｂ）の平面図に示すように、実施例２の部品内蔵回路モジュール基板は、複数のセラミック基板で構成されたセラミック多層基板１１０を備える。
【００４２】
セラミック多層基板１１０は、絶縁層１１２に形成された層間接続用の導電性ビア１１４、この導電性ビア１１４にそれぞれ接続される内層配線層１１６、上面側配線層１１８及び下面側配線層１２０、さらに上面側にＩＣチップ１３０を実装して収納するためのキャビティ１２２を有している。セラミック多層基板１１０は、例えばガラスセラミック材料を絶縁層１１２として用いれば、９００℃〜１０００℃程度の比較的低温で焼成が可能であるので、導電性ビア１１４や内層配線層１１６を形成する材料と同時焼成して作製できる。なお、上面側配線層１１８及び下面側配線層１２０等も同時焼成して作製することもできるが、セラミック多層基板１１０を同時焼成後、その上面と下面に配線パターン形成した後、再度焼成して形成してもよい。
【００４３】
なお、導電性ビア１１４と内層配線層１１６の材料としては、銀（Ａｇ）、銅（Ｃｕ）、金（Ａｕ）、ニッケル（Ｎｉ）、パラジウム（Ｐｄ）、銀−パラジウム合金及び金−パラジウム合金等、ガラスセラミック材料と同時に焼成可能な導体材料を使用できる。上面側配線層１１８及び下面側配線層１２０には、配線パターンを形成するだけでなく、回路配線板にこの部品内蔵回路モジュール基板を実装するための端子電極も形成されている。
【００４４】
キャビティ１２２は、ＩＣチップ１３０の外形寸法より大きい形状に形成されている。このキャビティ１２２の底部表面１２３には、このＩＣチップ１３０と接続するための電極パッド１２４と、島状電極１２５が形成されている。このようなキャビティ１２２を有するセラミック多層基板１１０は、例えばＩＣチップ１３０を収納するキャビティ１２２となる開口部を設けたグリーンシートと、電極パッド１２４及び島状電極１２５を形成したグリーンシートとを積層して焼成することにより作製できる。
【００４５】
キャビティ１２２内には、ＩＣチップ１３０が実装されている。ＩＣチップ１３０にはバンプ１３２が形成されており、このバンプ１３２とキャビティ１２２の底部表面１２３に形成されている電極パッド１２４とがフリップチップボンディングにより接続されている。
【００４６】
キャビティ１２２がＩＣチップ１３０と対向する面に配置されている島状電極１２５は、内層配線層１１６のグランド端子に接続されている。
【００４７】
ＩＣチップ１３０が実装されたキャビティ１２２内に熱硬化性樹脂１４０を充填して、この熱硬化性樹脂１４０の表面をセラミック多層基板１１０の表面と略同一平面になるように平坦化している。
【００４８】
セラミック多層基板１１０の表面に、樹脂配線板１７０が接着されている。この樹脂配線板１７０は、絶縁性接着層１５２と配線層１５４とからなるシート１５０、及びこのシート１５０上に積層された絶縁性接着層１６２と配線層１６４とからなる積層用シート１６０から構成されている。セラミック多層基板１１０に対しては、絶縁性接着層１５２により接着されるとともに、導電性樹脂１５６によりセラミック多層基板１１０の上面側配線層１１８の一部である端子電極に電気的に接続されている。なお、この絶縁性接着層１５２、１６２は層間絶縁層の役割も果たしている。
【００４９】
配線層１５４、１６４は、例えば絶縁性接着層１５２、１６２上に貼り付けた銅箔をエッチングすることにより形成される。この場合、銅箔の厚さを１０μｍ以下にすれば、配線幅と配線ピッチをそれぞれ２０μｍ〜３０μｍとすることができ、セラミック多層基板１１０に比べて高密度配線が可能である。
【００５０】
さらに、この部品内蔵回路モジュール基板は、キャビティ１２２が形成された領域部上を含めた樹脂配線板１７０の表面に、さらに電子部品１８０が実装されている。この電子部品１８０としては、チップコンデンサ、チップ抵抗等の受動部品またはＩＣチップ１３０とは別のＩＣチップを実装してもよい。これらの電子部品１８０の実装方法として、受動部品の場合にはハンダリフロー接続や導電性接着剤による接続が可能であり、ＩＣチップの場合にはフリップチップ実装やワイヤボンディング実装等を用いることができる。図３では、電子部品１８０としてチップコンデンサを実装した場合を例として示しており、チップコンデンサと樹脂配線板１７０の配線層１６４とはハンダ１８２により接続されている。
【００５１】
実施例２の部品内蔵回路モジュール基板は、キャビティ１２２が形成された領域部を含めた樹脂配線板１７０の表面にも種々の電子部品を実装できるので、実装可能な面積が広がるとともに、キャビティ１２２内に実装したＩＣチップ１３０と樹脂配線板１７０上に実装した電子部品１８０とを最短距離で配線できる。その結果、部品内蔵回路モジュール基板の高周波特性が向上し、電流の急激な変化によって発生するノイズ等も抑制できる。
【００５２】
次に、実施例２の部品内蔵回路モジュール基板の製造方法について、図４〜図８を参照しながら説明する。
【００５３】
図４（ａ）乃至（ｃ）は、キャビティ１２２が形成されたセラミック多層基板１１０にＩＣチップ１３０を実装し、平坦化のための熱硬化性樹脂１４０を充填する工程を説明するための断面図である。
【００５４】
まず、図４（ａ）に示すように、セラミック多層基板１１０に、レーザー加工やパンチング加工等でキャビティ１２２となる開口部を設け、銀（Ａｇ）や銅（Ｃｕ）等からなる導体ペーストにより配線パターンを形成したグリーンシートと、同様に導体ペーストにより配線パターンを形成したグリーンシートとを積層して焼成する。
【００５５】
キャビティ１２２の底部表面１２３には、ＩＣチップ１３０のバンプ１３２に対応する位置に電極パッド１２４を形成し、また、ＩＣチップ１３０のバンプ１３２が形成されていない面に対向する位置に島状電極１２５を形成する。さらに、内層配線層１１６、上面側配線層１１８、下面側配線層１２０、これらを接続する導電性ビア１１４を同時に形成する。
【００５６】
次いで、キャビティ１２２の底部表面１２３にレジスト膜を形成し、このレジスト膜をパターニングして、島状電極１２５上のレジスト膜の部分を残して他の部分を除去する。そして、化学処理を行って、島状電極１２５以外の部分の表面を粗化する。この化学処理には、例えば硫酸に過酸化水素を加えた溶液を用いることができる。この化学処理を行った後、島状電極１２５上のレジスト膜を除去する。
【００５７】
図４（ｂ）は、キャビティ１２２中にＩＣチップ１３０をフリップチップ実装法により実装した状態を示す断面図である。
【００５８】
次に、図４（ｃ）に示すように、キャビティ１２２内の空隙部に熱硬化性樹脂１４０を充填する。この熱硬化性樹脂１４０の充填は、キャビティ１２２及びＩＣチップ１３０上に未硬化のペースト状の熱硬化性樹脂１４０を配置し、真空プレスによって加圧して、熱硬化性樹脂１４０をセラミック基板のキャビティ１２２の表面及びＩＣチップ１３０の表面に密着させて行う。このとき、キャビティ１２２の底部表面１２３の島状電極１２５は、キャビティ１２２内の他の部分よりも表面粗さが小さいので、この島状電極１２５の表面とＩＣチップ１３０との間の空間にも熱硬化性樹脂１４０が隙間なく流入する。この後、熱硬化性樹脂１４０を所定温度に加熱することにより、熱硬化性樹脂１４０を硬化させる。この熱硬化性樹脂１４０の充填量は、キャビティ１２２の容積とＩＣチップ１３０の体積との差分に相当する量となるように制御する。これにより、キャビティ１２２上に形成された熱硬化性樹脂１４０の表面とセラミック多層基板１１０の表面との段差を絶縁性接着層１５２の厚さ以下にでき、樹脂配線板１７０をセラミック多層基板１１０上に接着するときに充分な接着強度が確保される。また、接着後の樹脂配線板１７０は平坦な面を得られるので、接着後に金属層をエッチングして配線層１５４を形成することが容易となる。さらに、樹脂配線板１７０上に電子部品１８０を実装するときの実装も容易となる。
【００５９】
なお、熱硬化性樹脂１４０としては、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂、シリコン樹脂等が使用できる。
【００６０】
図５（ａ）乃至（ｃ）は、このように熱硬化性樹脂１４０により平坦化したセラミック多層基板１１０上に形成される第１層目の樹脂配線板となるシート１５０を作製する工程を説明するための断面図である。
【００６１】
図５（ａ）に示すように、例えば銅箔からなる金属層５４１を貼り付けた絶縁性接着層１５２からなるシート１５０を用いて、図５（ｂ）に示すようにドリリング加工やパンチング加工等により開口部５６１を形成する。
【００６２】
次いで、図５（ｃ）に示すように、開口部５６１に銀（Ａｇ）や銅（Ｃｕ）を主成分とする導電性樹脂１５６を印刷方式や描画方式等で充填する。これにより、開口部５６１に導電性樹脂１５６が充填されたシート１５０が作製される。なお、絶縁性接着層１５２は、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂またはシリコン樹脂等の熱硬化性の接着材料を用いる。これをシート状にして絶縁性接着層１５２とし、金属層５４１に貼り付けて使用してもよいし、金属層５４１面に接着材料を所定の厚さに塗布して絶縁性接着層１５２としてもよい。
【００６３】
次に、図５（ｃ）に示すシート１５０を、図４（ｃ）に示すセラミック多層基板１１０の上面に位置合せした後、これを上下面から加圧、加熱して絶縁性接着層１５２によりセラミック多層基板１１０に接着するとともに、上面側配線層１１８と導電性樹脂１５６とを電気的に接続する。なお、この導電性樹脂１５６が接着性を有していれば、より強固な接続ができる。
【００６４】
加圧、加熱する条件としては、例えば金型を用いて、温度１７０℃、圧力８０ｋＰａで予備的な加圧、加熱処理した後、温度２００℃、圧力２ＭＰａ、減圧雰囲気下でさらに加圧、加熱処理すれば、強固な接着を行える。この状態を図６（ａ）に示す。
【００６５】
その後、図６（ｂ）に示すように、シート１５０の樹脂配線板上の金属層５４１をエッチング等により不要部分を除去して配線層１５４を形成する。これによりシート１５０は単層構成からなる樹脂配線板として機能するので、この状態で部品内蔵回路モジュール基板として使用することもできる。また、配線層１５４上にコンデンサや抵抗等の受動部品、あるいはＩＣ等の機能部品を実装することで、より高機能の部品内蔵回路モジュール基板として使用することもできる。
【００６６】
実施例２では、さらに多層構成の樹脂配線板１７０をセラミック多層基板１１０上に積層した構成の部品内蔵回路モジュール基板を作製する。
【００６７】
図７は、多層構成とするためにシート１５０上に積層する積層用シート１６０を作製する工程を説明するための断面図である。この積層用シート１６０は金属層６４１と絶縁性接着層１６２とで構成されており、図５で説明したシート１５０と同じ構成である。これを図７（ａ）に示す。
【００６８】
次に、シート１５０の配線層１５４と接続する個所に開口部６６１を形成する。この開口部６６１の形成はシート１５０の場合と同じ方法で行うことができる。開口部６６１を形成した状態を図７（ｂ）に示す。この後、開口部６６１に導電性樹脂１６６を充填する。この充填もシート１５０の場合と同じ材料、同じ方法で行えばよい。導電性樹脂１６６を充填してシート１５０に貼り付け可能な形状とした状態を図７（ｃ）に示す。
【００６９】
次に、シート１５０の配線層１５４の所定の位置と積層用シート１６０の導電性樹脂１６６とを位置合せした後、加圧、加熱して接着するとともに、導電性樹脂１６６と配線層１５４との電気的接続も行う。この接着は、シート１５０をセラミック多層基板１１０上に接着する方法と同じ方法で行うことができる。
【００７０】
その後、積層用シート１６０の金属層６４１の不要領域をエッチング除去して配線層１６４を形成する。この状態を図８に示す。配線層１６４に、チップコンデンサ１８０を実装して、図３に示すような部品内蔵回路モジュール基板が完成する。なお、チップコンデンサ１８０に替えて、例えばコンデンサ、抵抗またはインダクタ等の受動部品やＩＣ等を実装することもできる。
【００７１】
実施例２の部品内蔵回路モジュール基板は、セラミック多層基板１１０のキャビティ１２２内にＩＣチップ１３０を内蔵し、このキャビティ１２２上の樹脂配線板１７０表面にも種々の電子部品１８０を実装できるので実装密度を向上できるだけでなく、例えばＩＣとチップコンデンサとを最短配線距離で接続できるので、ＩＣの高速動作や高周波回路化対応が容易にできる。
【００７２】
実施例２の部品内蔵回路モジュール基板は、キャビティ１２２の底部表面１２３に、ＩＣチップ１３０が対向する位置に島状電極１２５を形成し、この島状電極１２５の表面粗さを他の部分よりも小さくしたので、この島状電極１２５とＩＣチップ１３０との間に熱硬化性樹脂１４０を空隙が生じることなく配置できる。したがって、空隙に起因してＩＣチップ１３０に生じる熱の拡散が不十分になって、ＩＣチップ１３０が故障することを防止できる。また、空隙内に蓄積した水分やガスが、シート１５０，１６０のセラミック多層基板１１０への圧着時における加熱によって膨張して、ＩＣチップ１３０や熱硬化性樹脂１４０が剥離する不都合や、この剥離部分にバンプ１３２のはんだフラッシュが生じてショートを招く不都合を防止できる。また、ＩＣチップ１３０や、このＩＣチップのバンプ１３２に過大な応力を与えて故障が生じることを防止できる。
【００７３】
さらに、ＩＣチップ１３０に近接して島状電極１２５を形成したので、このＩＣチップ１３０の動作に伴う熱を、熱硬化性樹脂１４０と島状電極１２５とを介してセラミック多層基板１１０に効率良く拡散できる。したがって、ＩＣチップ１３０の冷却効率を向上できて、ＩＣチップ１３０の故障をさらに効果的に防止できる。また、島状電極１２５以外のキャビティ１２２の底部表面１２３や電極パッド１２４の表面を粗面にしたので、熱硬化性樹脂１４０の密着力を確保できて、熱硬化性樹脂１４０がキャビティ１２２の底部表面１２３や電極パッド１２４の表面から剥離することもない。
【００７４】
また、島状電極１２５を内層配線層１１６のグランド端子に接続したので、この島状電極１２５が浮遊電極となることを防止でき、しかも、ＩＣチップ１３０に対するノイズを効果的に除去できる。
【００７５】
なお、実施例２では、キャビティ内にＩＣを１個のみ実装する場合について説明したが、本発明はこれに限定されない。例えば、ＩＣと受動部品とを混在して実装してもよいし、複数個のＩＣを実装する構成としてもよい。また、キャビティも１個のみに限定されることはなく、複数個配置してもよい。
【００７６】
また、実施例２では、樹脂配線板として、単層構成と二層構成の場合について説明したが、本発明はこれに限定されない。さらに多層化する構成であっても、同様な方法により作製可能である。また、セラミック多層基板についても、グリーンシートを２枚貼り合せて作製する方法に限定されない。例えば、３枚以上のグリーンシートを貼り合せて、さらに多層構成のセラミック多層基板としてもよい。
【００７７】
＜まとめ＞  以上に説明したように、部品内蔵回路モジュールは、基板に実装されるＩＣチップに対向する面に表面粗さの小さい島状電極が形成されているので、配線板と電子部品との間に充填される樹脂に空隙が発生することを防止することができる。
【００７８】
なお、本発明は、上記実施の形態に限定されるものではなく、種々変更を加えて実施することが可能である。
【図面の簡単な説明】
【００７９】
【図１】部品内蔵回路モジュール基板の製造方法を示した模式断面図である。(実施例１)
【図２】セラミック基板の平面図である。(実施例１)
【図３】部品内蔵回路モジュール基板の（ａ）断面図、（ｂ）平面図である。(実施例２)
【図４】セラミック多層基板にＩＣチップを実装し、熱硬化性樹脂を充填する工程を説明する断面図である。(実施例２)
【図５】第１層目の樹脂配線板を作製する工程を示す断面図である。(実施例２)
【図６】セラミック多層基板上にシートを接着した状態を示す断面図である。(実施例２)
【図７】第２層目の樹脂配線板を作製する工程を示す断面図である。(実施例２)
【図８】第２層目の樹脂配線板が接着され、完成した状態を示す断面図である。(実施例２)
【図９】部品内蔵回路モジュール基板の断面図である。(従来例)
【符号の説明】
【００８０】
１０  配線基板(セラミック基板)
１１  上面(実装面)
１２  上面側配線層(導電パターン)
１３  島状電極(導電パターン、島状導電パターン)
１６  ＩＣチップ(電子部品)
１８  バンプ
２０  封止樹脂
１２２  キャビティ(凹部)
１２３  底部表面(実装面)
１２５  島状電極(導電パターン、島状導電パターン)
１３０  ＩＣチップ(電子部品)
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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