Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】令和3年11月22日(2021.11.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
撮像素子の撮像面と撮像レンズの光軸に直交する直交面の間の角度を変更するように、前記撮像素子を前記撮像レンズの光軸と直交する面に対して傾ける角度制御手段と、
前記角度を変更する前に画像内でユーザーによって特定された特定領域の位置情報を取得する取得手段と、
前記角度と前記位置情報に基づいて、前記撮像素子の前記角度が変更された後の前記画像内での前記特定領域の位置を判定する判定手段と、
前記判定手段の判定結果に基づいて、前記画像内での前記特定領域の位置を変更する変更手段と、を備えることを特徴とする制御装置。
【請求項２】
前記変更手段は、前記位置情報に基づく前記特定領域の位置から前記撮像光学系の光軸までの距離が所定値より大きい場合、前記角度と前記位置情報に基づいて前記特定領域の位置を変更し、前記距離が前記所定値より小さい場合、前記角度と前記位置情報に基づいて前記特定領域を変更しないことを特徴とする請求項１に記載の制御装置。
【請求項３】
前記特定領域は、物体を隠匿する領域であることを特徴とする請求項１または２に記載の制御装置。
【請求項４】
前記判定手段は、前記撮像素子の前記角度が変更された後において、前記物体が隠匿されるように、前記画像内での前記特定領域の位置を判定することを特徴とする請求項３に記載の制御装置。
【請求項５】
前記特定領域は、画像解析の対象となる領域、および圧縮伸張処理が施される領域の少なくとも１つであることを特徴とする請求項１または２に記載の制御装置。
【請求項６】
請求項１から５のいずれか１項に記載の制御装置を有することを特徴とする撮像装置。
【請求項７】
撮像素子の撮像面と撮像レンズの光軸に直交する直交面の間の角度を変更するように、前記撮像素子を前記撮像レンズの光軸と直交する面に対して傾ける角度制御ステップと、
前記角度を変更する前に、画像内でユーザーによって特定された特定領域の位置情報を取得する取得ステップと、
前記角度と前記位置情報に基づいて、前記撮像素子の前記角度が変更された後の前記画像内での前記特定領域の位置を判定する判定ステップと、
前記判定ステップの判定結果に基づいて、前記画像内での前記特定領域の位置を変更する変更ステップと、を備えることを特徴とする制御装置の制御方法。
【請求項８】
コンピュータを、請求項１から５のいずれか１項に記載の制御装置として機能させるためのプログラム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】制御装置、撮像装置、制御方法およびプログラム
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
本発明は、焦点面を調整可能な制御装置、これを備える撮像装置、制御装置の制御方法およびプログラムに関する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
本発明は、撮像面の角度を変更してもユーザーによる対象位置の再設定を要することなく、プライバシーマスク機能、検出機能、または領域データ削減機能を効果的に利用可能な制御装置、これを備える撮像装置、制御装置の制御方法およびプログラムを提供することを目的とする。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
本発明の一側面としての制御装置は、撮像素子の撮像面と撮像レンズの光軸に直交する直交面の間の角度を変更するように、撮像素子を撮像レンズの光軸と直交する面に対して傾ける角度制御手段と、角度を変更する前に画像内でユーザーによって特定された特定領域の位置情報を取得する取得手段と、角度と位置情報に基づいて、撮像素子の角度が変更された後の画像内での特定領域の位置を判定する判定手段と、判定手段の判定結果に基づいて、画像内での特定領域の位置を変更する変更手段と、を備えることを特徴とする。
本発明の一側面としての制御装置の制御方法は、撮像素子の撮像面と撮像レンズの光軸に直交する直交面の間の角度を変更するように、撮像素子を撮像レンズの光軸と直交する面に対して傾ける角度制御ステップと、角度を変更する前に、画像内でユーザーによって特定された特定領域の位置情報を取得する取得ステップと、角度と位置情報に基づいて、撮像素子の角度が変更された後の画像内での特定領域の位置を判定する判定ステップと、判定ステップの判定結果に基づいて、画像内での特定領域の位置を変更する変更ステップと、を備えることを特徴とする。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
本発明によれば、撮像面の角度を変更してもユーザーによる対象位置の再設定を要することなく、プライバシーマスク機能、検出機能、または領域データ削減機能を効果的に利用可能な制御装置、これを備える撮像装置、制御装置の制御方法およびプログラムを提供することができる。
【手続補正書】
【提出日】令和3年11月24日(2021.11.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
画像を表示する表示手段と、
前記表示手段に表示された前記画像の少なくとも一部を隠すように、前記画像の倍率を変更するためのオブジェクトを表示する表示制御手段と、を有し、
前記表示制御手段は、前記画像が表示された領域がタッチされている間、前記オブジェクトを非表示にすることを特徴とする画像処理装置。
【請求項２】
前記表示制御手段は、前記タッチが終了したことに基づき、前記オブジェクトを前記表示手段に表示することを特徴とする請求項１に記載の画像処理装置。
【請求項３】
前記表示制御手段は、前記タッチが所定の時間継続されている場合、前記オブジェクトとは異なるオブジェクトを前記表示手段に表示することを特徴とする請求項１または２に記載の画像処理装置。
【請求項４】
前記表示制御手段は、前記タッチが終了したことに基づき、前記異なるオブジェクトを非表示にすることを特徴とする請求項３に記載の画像処理装置。
【請求項５】
前記タッチは、前記画像の表示位置を変更することができるタッチであることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか一項に記載の画像処理装置。
【請求項６】
前記画像を印刷する印刷手段をさらに有し、
前記表示手段は、前記印刷手段により印刷される前の前記画像を表示することを特徴とする請求項１乃至５のいずれか一項に記載の画像処理装置。
【請求項７】
前記表示制御手段は、前記印刷手段により印刷に関する設定を行う印刷設定画面を前記表示手段に表示することを特徴とする請求項６に記載の画像処理装置。
【請求項８】
前記画像処理装置に接続された外部メモリから前記画像に対応するデータを取得する取得手段をさらに有し、
前記表示手段は、前記取得手段が取得した前記データに基づき前記画像を表示することを特徴とする請求項１乃至７のいずれか一項に記載の画像処理装置。
【請求項９】
前記表示手段は、第１の大きさの前記画像と前記第１の大きさよりも小さな第２の大きさの前記画像を表示することができ、
前記表示制御手段は、前記第１の大きさの前記画像の少なくとも一部を隠すように前記オブジェクトを表示し、前記第２の大きさの前記画像を隠さないように前記オブジェクトを表示することを特徴とする請求項１乃至８のいずれか一項に記載の画像処理装置。
【請求項１０】
画像処理装置の制御方法であって、
画像と、前記画像の少なくとも一部を隠すように前記画像の表示倍率を変更するためのオブジェクトとを表示手段に表示する第１の表示制御工程と、
前記表示手段に表示された前記画像に対するタッチを受け付ける受付工程と、
前記画像が表示された領域での前記タッチが受け付けられている間、前記オブジェクトを非表示にする第２の表示制御工程と、を有することを特徴とする画像処理装置の制御工程。
【請求項１１】
請求項１０に記載の画像処理装置の制御方法をコンピュータに実行させるためのコンピュータプログラム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
上記課題を解決すべく本画像処理装置は、画像を表示する表示手段と、前記表示手段に表示された前記画像の少なくとも一部を隠すように、前記画像の倍率を変更するためのオブジェクトを表示する表示制御手段と、を有し、前記表示制御手段は、前記画像が表示された領域がタッチされている間、前記オブジェクトを非表示にすることを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】令和3年11月19日(2021.11.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
撮像装置であって、
撮像手段と、
前記撮像装置の本体に着脱可能なレンズ装置を装着する装着手段と、
前記撮像装置の本体に設けられた、オートフォーカスとマニュアルフォーカスとを切り換える第１の切換手段と、
前記装着手段に装着されたレンズ装置にオートフォーカスとマニュアルフォーカスを切り換える第２の切換手段があるか否かを判定する判定手段と、
前記判定手段によって前記第２の切換手段があると判定された場合、前記第１の切換手段ではなく、前記第２の切換手段に従って、オートフォーカスとマニュアルフォーカスを切り換えるように制御する制御手段と
を有することを特徴とする撮像装置。
【請求項２】
前記第１の切換手段と第２の切換手段の何れの設定を優先するかを設定する設定手段を備え、
前記制御手段は、
前記装着手段に装着されたレンズ装置のフォーカス方式が電子式フォーカスである場合、前記設定手段で設定された前記第１の切換手段または第２の切換手段の何れかに従って、オートフォーカスとマニュアルフォーカスを切り換えるように制御することを特徴とする請求項１に記載の撮像装置。
【請求項３】
前記制御手段は、
前記装着手段に装着されたレンズ装置のフォーカス方式が電子式フォーカスである場合、前記判定手段の判定に依らず、前記第１の切換手段に従って、オートフォーカスとマニュアルフォーカスを切り換えるように制御することを特徴とする請求項１に記載の撮像装置。
【請求項４】
前記制御手段は、
前記装着手段に装着されたレンズ装置のフォーカス方式が電子式フォーカスである場合、前記第１の切換手段または第２の切換手段の何れかによってマニュアルフォーカスに切り換えられたことに応じて、マニュアルフォーカスで前記レンズ装置の動作を制御することを特徴とする請求項１に記載の撮像装置。
【請求項５】
前記第１の切換手段は、前記撮像装置の本体の外面に設けられ、外部から視認可能であることを特徴とする請求項１から請求項４の何れか１項に記載の撮像装置。
【請求項６】
前記第１の切換手段は、レバースイッチであることを特徴とする請求項１から請求項５の何れか１項に記載の撮像装置。
【請求項７】
現在のフォーカスモードが、オートフォーカスとマニュアルフォーカスの何れかを示す表示手段をさらに有することを特徴とする請求項１から６の何れか１項に記載の撮像装置。
【請求項８】
前記判定手段によって前記第２の切換手段があると判定された場合、前記第１の切換手段によってフォーカスモードが切り換えられようとしたことに応じて、前記第２の切換手段でフォーカスモード切り替えるよう通知する通知手段をさらに有することを特徴とする請求項１に記載の撮像装置。
【請求項９】
前記制御手段によって切り換えられた後のフォーカスモードを表示する表示手段をさらに有することを特徴とする請求項１から８のいずれか１項に記載の撮像装置。
【請求項１０】
撮像手段と、前記撮像装置の本体に着脱可能なレンズ装置を装着する装着手段と、前記撮像装置の本体に設けられた、オートフォーカスとマニュアルフォーカスとを切り換える第１の切換手段と、を有する撮像装置の制御方法であって、
前記装着手段に装着されたレンズ装置にオートフォーカスとマニュアルフォーカスを切り換える第２の切換手段があるか否かを判定する判定工程と、
前記判定工程によって前記第２の切換手段があると判定された場合、前記第１の切換手段ではなく、前記第２の切換手段に従って、オートフォーカスとマニュアルフォーカスを切り換えるように制御する制御工程と
を有することを特徴とする制御方法。
【請求項１１】
撮像手段と、前記撮像装置の本体に着脱可能なレンズ装置を装着する装着手段と、前記撮像装置の本体に設けられた、オートフォーカスとマニュアルフォーカスとを切り換える第１の切換手段と、を有する撮像装置のコンピュータに、
前記装着手段に装着されたレンズ装置にオートフォーカスとマニュアルフォーカスを切り換える第２の切換手段があるか否かを判定する判定工程と、
前記判定工程によって前記第２の切換手段があると判定された場合、前記第１の切換手段ではなく、前記第２の切換手段に従って、オートフォーカスとマニュアルフォーカスを切り換えるように制御する制御工程と
を実行させるためのプログラム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
本発明の撮像装置の一つは、撮像手段と、前記撮像装置の本体に着脱可能なレンズ装置を装着にする装着手段と、前記撮像装置の本体に設けられた、オートフォーカスとマニュアルフォーカスとを切り換える第１の切換手段と、前記装着手段に装着されたレンズ装置にオートフォーカスとマニュアルフォーカスを切り換える第２の切換手段があるか否かを判定する判定手段と、前記判定手段によって前記第２の切換手段があると判定された場合、前記第１の切換手段ではなく、前記第２の切換手段に従って、オートフォーカスとマニュアルフォーカスを切り換えるように制御する制御手段とを有することを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４８】
一方、装着されたレンズにレンズ側スイッチがない場合は、カメラ側スイッチフラグを有効にする（Ｓ４０８）。さらに、カメラ側スイッチ１１８の設定状態を確認し（Ｓ４０９）、ＡＦの設定であれば現在のフォーカスモードをＡＦに設定（Ｓ４１０）する。また、設定がＭＦであればフォーカスモードをＭＦに設定する（Ｓ４１１）。
【手続補正書】
【提出日】令和3年11月26日(2021.11.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
レンズの光軸に直交する面と撮像素子の撮像面の間のあおり角度を変更するあおり角制御手段と、
前記撮像素子を傾けることによって第１の面に合焦した際のあおり角と、前記第１の面との距離とに基づき、第１の角度を取得する取得手段と、
被写体の高さ情報と、前記第１の面との距離と、前記第１の角度と、に基づき、前記被写体の高さに対応する第２の面に合焦するときのあおり角を判定する判定手段と、を備えることを特徴とする撮像装置。
【請求項２】
前記取得手段は、前記被写体の高さ情報と、前記第１の面との距離と、前記第１の角度と、に基づき、被写体との距離を取得する、ことを特徴とする請求項１に記載の撮像装置。
【請求項３】
前記取得手段は、前記被写体との距離に基づき、前記被写体にフォーカスを合わせる際の焦点距離を取得する、ことを特徴とする請求項２に記載の撮像装置。
【請求項４】
前記取得手段は、前記被写体との距離と、前記第１の角度と、前記被写体にフォーカスを合わせる際の焦点距離に基づき、前記第２の面に合焦するときのあおり角を取得する、ことを特徴とする請求項３に記載の撮像装置。
【請求項５】
前記被写体の高さ情報を記憶する記憶手段を備える、ことを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載の撮像装置。
【請求項６】
前記記憶手段は、前記第２の面に合焦するときのあおり角、または、前記被写体にフォーカスを合わせる際の焦点距離を記憶し、
前記取得手段は、動作モードとして複数のモードを有し、前記モードを変更した際に、前記記憶手段に記憶されたあおり角度または焦点距離に基づき、モード変更後のあおり角度および焦点距離の調整量を取得する、ことを特徴とする請求項５に記載の撮像装置。
【請求項７】
レンズの光軸に直交する面と撮像素子の撮像面の間のあおり角度を変更するあおり角制御ステップと、
前記撮像素子を傾けることによって第１の面に合焦した際のあおり角と、前記第１の面との距離とに基づき、第１の角度を取得する取得ステップと、
被写体の高さ情報と、前記第１の面との距離と、前記第１の角度と、に基づき、前記被写体の高さに対応する第２の面に合焦するときのあおり角を判定する判定ステップと、を有することを特徴とする撮像装置の制御方法。
【請求項８】
請求項１に記載の撮像装置から画像を取得して表示する情報処理装置であって、
前記被写体の高さに対応する第２の面に合焦する場合の被写界深度を前記画像に重畳するユーザーインターフェースを有することを特徴とする情報処理装置。
【請求項９】
前記ユーザーインターフェースは、前記画像に重畳された被写界深度を操作することにより、被写界深度を変更することを特徴とする請求項８に記載の情報処理装置。
【請求項１０】
前記ユーザーインターフェースは、撮像空間の奥行き情報に基づき、前記撮像空間の一部のみの前記被写界深度を前記画像に重畳する、ことを特徴とする請求項８または９に記載の情報処理装置。
【請求項１１】
請求項１から６のうちいずれか１項に記載の撮像装置の各手段としてコンピュータを機能させるためのコンピュータプログラム。
【請求項１２】
請求項１１に記載のコンピュータプログラムを記憶したコンピュータで読み取り可能な記憶媒体。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
上記目的を達成するために、本発明は、レンズの光軸に直交する面と撮像素子の撮像面の間のあおり角度を変更するあおり角制御手段と、前記撮像素子を傾けることによって第１の面に合焦した際のあおり角と、前記第１の面との距離とに基づき、第１の角度を取得する取得手段と、被写体の高さ情報と、前記第１の面との距離と、前記第１の角度と、に基づき、前記被写体の高さに対応する第２の面に合焦するときのあおり角を判定する判定手段と、を備えることを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図２】
2020088768.tif 000001
【手続補正４】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図４】
2020088768.tif 000002
【手続補正５】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図７】
2020088768.tif 000003
【手続補正６】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図８】
2020088768.tif 000004
【手続補正書】
【提出日】令和3年11月26日(2021.11.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
音源の位置、および、複数の収音手段の位置および指向性を特定する特定手段と、
前記特定手段により特定される前記複数の収音手段の各々の指向性により判定される方向と、前記特定手段により特定される前記音源の位置及び前記複数の収音手段の各々の位置により判定される方向とに基づいて、前記複数の収音手段による収音に基づく複数の音響信号の中から音響信号を選択する選択手段と、を備え、
前記特定手段により特定される前記複数の収音手段に含まれる収音手段の指向性により判定される方向の利得は、他の方向の利得よりも大きいことを特徴とする信号処理装置。
【請求項２】
前記特定手段は、収音手段について、前記特定手段により特定される前記収音手段の指向性により判定される方向と、前記特定手段により特定される前記音源の位置及び前記収音手段の位置により判定される方向との差をさらに特定し、
前記音響信号は、前記特定手段により特定される差に基づいて選択されることを特徴とする請求項１に記載の信号処理装置。
【請求項３】
前記特定手段は、他の収音手段の方向との差よりも差が小さい収音手段を特定し、
前記特定手段により特定される収音手段による収音に基づく音響信号が選択されることを特徴とする請求項２に記載の信号処理装置。
【請求項４】
前記音響信号は、前記特定手段により特定される前記複数の収音手段の各々の位置と、前記特定手段により特定される前記音源の位置との距離にさらに基づいて選択されることを特徴とする請求項１乃至３の何れか１項に記載の信号処理装置。
【請求項５】
前記音響信号は、前記特定手段により特定される各収音手段の指向性により判定される前記方向からずれた位置における収音に関する周波数特性にさらに基づいて選択されることを特徴とする請求項１乃至４の何れか１項に記載の信号処理装置。
【請求項６】
前記音響信号は、前記音源が発する目的音が含まれる時間区間の前記複数の音響信号の各々の周波数特性にさらに基づいて選択されることを特徴とする請求項１乃至５の何れか１項に記載の信号処理装置。
【請求項７】
前記音響信号の選択に関する内容を表示部に表示させる表示処理手段をさらに備えることを特徴とする請求項１乃至６の何れか１項に記載の信号処理装置。
【請求項８】
前記音源が発する目的音以外の雑音を、前記選択された音響信号において抑制する処理を行う処理手段をさらに備えることを特徴とする請求項１乃至７の何れか１項に記載の信号処理装置。
【請求項９】
前記選択手段により選択される音響信号に基づいて再生信号を生成する生成手段をさらに備えることを特徴とする請求項１乃至８の何れか１項に記載の信号処理装置。
【請求項１０】
２つの音響信号が選択される場合、前記再生信号は前記２つの音響信号に基づいて生成されることを特徴とする請求項９に記載の信号処理装置。
【請求項１１】
前記音響信号は、前記特定手段により特定される前記複数の収音手段の各々の指向性の鋭さにさらに基づいて選択されることを特徴とする請求項１に記載の信号処理装置。
【請求項１２】
前記音源の位置は、学習済み画像認識処理に基づいて特定されることを特徴とする請求項１乃至１１の何れか１項に記載の信号処理装置。
【請求項１３】
音源の位置、および、複数の収音手段の位置および指向性を特定する特定工程と、
前記特定工程において特定される前記複数の収音手段の各々の指向性により判定される方向と、前記特定工程において特定される前記音源の位置及び前記複数の収音手段の各々の位置により判定される方向とに基づいて、前記複数の収音手段による収音に基づく複数の音響信号の中から音響信号を選択する選択工程と、
を有し、
前記特定工程において特定される前記複数の収音手段に含まれる収音手段の指向性により判定される前記方向の利得は、他の方向の利得よりも大きいことを特徴とする信号処理方法。
【請求項１４】
コンピュータを、請求項１乃至１２の何れか１項に記載の信号処理装置として機能させるためのプログラム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
上記の目的を達成する本発明に係る信号処理装置は、
音源の位置、および、複数の収音手段の位置および指向性を特定する特定手段と、
前記特定手段により特定される前記複数の収音手段の各々の指向性により判定される方向と、前記特定手段により特定される前記音源の位置及び前記複数の収音手段の各々の位置により判定される方向とに基づいて、前記複数の収音手段による収音に基づく複数の音響信号の中から音響信号を選択する選択手段と、を備え、
前記特定手段により特定される前記複数の収音手段に含まれる収音手段の指向性により判定される方向の利得は、他の方向の利得よりも大きいことを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】令和3年11月18日(2021.11.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
被写体像を撮像して画像信号を出力する撮像素子と、
前記画像信号を垂直方向に複数の領域に分割する分割手段と、
前記複数の領域のそれぞれの信号レベルに基づいて、フリッカを検出する検出手段と、
前記撮像素子に複数回の撮像を行わせる制御手段であって、前記複数回の撮像におけるそれぞれの撮像ごとに蓄積時間または感度を変更して、前記複数回の撮像を行わせる制御手段と、を備え、
前記検出手段は、前記複数回の撮像のそれぞれにおける蓄積時間または感度の差に基づいて、前記複数回の撮像により得られる複数の画像信号のそれぞれの信号レベルを調整することにより、前記複数の画像信号からフリッカを検出することを特徴とする撮像装置。
【請求項２】
前記検出手段は、前記複数回の撮像のそれぞれにおける蓄積時間または感度の差に基づく前記複数の画像信号の信号レベルの差を補正して、前記複数の画像信号からフリッカを検出することを特徴とする請求項１に記載の撮像装置。
【請求項３】
前記検出手段は、前記複数の画像信号のうちの基準となる画像信号に対する他の画像信号の蓄積時間または感度の比の逆数を前記他の画像信号に掛けることにより、前記複数の画像信号の信号レベルの差を補正して、前記複数の画像信号からフリッカを検出することを特徴とする請求項２に記載の撮像装置。
【請求項４】
前記複数回の撮像により得られた明るさの異なる複数の画像信号を合成することによりＨＤＲ（ハイダイナミックレンジ）画像を合成する合成手段をさらに備えることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の撮像装置。
【請求項５】
被写体像を撮像して画像信号を出力する撮像素子を備える撮像装置を制御する方法であって、
前記画像信号を垂直方向に複数の領域に分割する分割工程と、
前記複数の領域のそれぞれの信号レベルに基づいて、フリッカを検出する検出工程と、
前記撮像素子に複数回の撮像を行わせる制御工程であって、前記複数回の撮像におけるそれぞれの撮像ごとに蓄積時間または感度を変更して、前記複数回の撮像を行わせる制御工程と、を有し、
前記検出工程では、前記複数回の撮像のそれぞれにおける蓄積時間または感度の差に基づいて、前記複数回の撮像により得られる複数の画像信号のそれぞれの信号レベルを調整することにより、前記複数の画像信号からフリッカを検出することを特徴とする撮像装置の制御方法。
【請求項６】
請求項５に記載の制御方法の各工程をコンピュータに実行させるためのプログラム。
【請求項７】
請求項５に記載の制御方法の各工程をコンピュータに実行させるためのプログラムを記憶したコンピュータが読み取り可能な記憶媒体。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
本発明に係わる撮像装置は、被写体像を撮像して画像信号を出力する撮像素子と、前記画像信号を垂直方向に複数の領域に分割する分割手段と、前記複数の領域のそれぞれの信号レベルに基づいて、フリッカを検出する検出手段と、前記撮像素子に複数回の撮像を行わせる制御手段であって、前記複数回の撮像におけるそれぞれの撮像ごとに蓄積時間または感度を変更して、前記複数回の撮像を行わせる制御手段と、を備え、前記検出手段は、前記複数回の撮像のそれぞれにおける蓄積時間または感度の差に基づいて、前記複数回の撮像により得られる複数の画像信号のそれぞれの信号レベルを調整することにより、前記複数の画像信号からフリッカを検出することを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】令和3年11月18日(2021.11.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電力変換回路を構成する少なくともひとつの半導体素子（５１）と、前記半導体素子に電気的に接続された少なくともひとつの主端子（５５）と、を有する半導体モジュール（５０）を複数備える半導体モジュール群（５０Ｇｒ）と、
前記半導体素子を有しておらず、少なくとも一部の前記半導体モジュールと並んで配置された、少なくともひとつのダミーモジュール（６０）と、
冷媒が流通する流路をそれぞれ備え、前記半導体モジュールおよび前記ダミーモジュールの並び方向において、前記半導体モジュールおよび前記ダミーモジュールのそれぞれを両面側から挟むように配置された複数の熱交換部（７１）を有する冷却器（７０）と、
コンデンサ（３０）と、
前記コンデンサと前記主端子とを電気的に接続する少なくともひとつのバスバー（１００）と、を備え、
前記ダミーモジュールは、少なくともひとつの金属体（６１）と、前記金属体に連なっており、前記バスバーに接続された少なくともひとつのダミー端子（６３）と、を有し、
前記金属体は、前記ダミーモジュールにおいて前記熱交換部により挟まれる面の少なくとも一部をなしており、
前記ダミー端子は、前記バスバーにおける前記コンデンサの接続部に対して、前記バスバーに接続されたすべての前記主端子よりも近い位置で、前記バスバーに接続されている電力変換装置。
【請求項２】
前記ダミーモジュールは、前記冷却器における前記冷媒の導入口に対してもっとも近い前記熱交換部により挟まれている請求項１に記載の電力変換装置。
【請求項３】
前記ダミーモジュールは、前記金属体を封止する封止樹脂体（６２）を有し、
前記ダミー端子は、前記封止樹脂体の外に突出して前記バスバーに接続され、
前記金属体は、前記封止樹脂体における前記熱交換部により挟まれる両面の少なくともひとつから露出している請求項１または請求項２に記載の電力変換装置。
【請求項４】
前記半導体モジュールのそれぞれは、前記主端子を複数有し、
前記半導体モジュール群は、前記主端子として、複数の正極端子（５５ＤＰ、５５Ｐ）と、複数の負極端子（５５ＳＮ、５５Ｎ）と、有し、
前記コンデンサは、正極および負極を有し、
前記バスバーは、前記コンデンサの正極と前記正極端子とに接続された正極バスバー（１００Ｐ）と、前記コンデンサの負極と前記負極端子とに接続された負極バスバー（１００Ｎ）と、を有し、
前記ダミーモジュールは、前記金属体として、第１金属体（６１Ｐ）と、前記第１金属体と電気的に分離された第２金属体（６１Ｎ）と、有するとともに、前記ダミー端子として、前記第１金属体に連なり、前記封止樹脂体の外に突出して前記正極バスバーに接続された第１ダミー端子（６３Ｐ）と、前記第２金属体に連なり、前記封止樹脂体の外に突出して前記負極バスバーに接続された第２ダミー端子（６３Ｎ）と、を有し、
前記第１金属体および前記第２金属体のそれぞれは、前記封止樹脂体における前記熱交換部により挟まれる両面の少なくともひとつから露出している請求項３に記載の電力変換装置。
【請求項５】
前記封止樹脂体は、前記両面のひとつである第１面（６２ａ）と、前記両面の他のひとつであり、前記第１面とは反対の面である第２面（６２ｂ）と、を有し、
前記第１面および前記第２面のそれぞれにおいて、前記第１金属体と前記第２金属体とがともに露出している請求項４に記載の電力変換装置。
【請求項６】
前記封止樹脂体は、前記両面のひとつである第１面（６２ａ）と、前記両面の他のひとつであり、前記第１面とは反対の面である第２面（６２ｂ）と、を有し、
前記第１面および前記第２面のうち、前記第１面には前記第１金属体のみが露出し、前記第２面には前記第２金属体のみが露出している請求項４に記載の電力変換装置。
【請求項７】
前記第１金属体および前記第２金属体は、厚肉部（６１０Ｐ、６１０Ｎ）と、前記厚肉部に連なり、前記厚肉部よりも前記並び方向の厚みが薄い薄肉部（６１１Ｐ、６１１Ｎ）と、をそれぞれ有し、
前記並び方向において、前記第１金属体の厚肉部（６１０Ｐ）が前記第２金属体の薄肉部（６１１Ｎ）と対向し、前記第１金属体の薄肉部（６１１Ｐ）が前記第２金属体の厚肉部（６１０Ｎ）と対向するように、前記第１金属体および前記第２金属体が配置され、
前記第１金属体の厚肉部および薄肉部が前記第１面から露出し、前記第２金属体の厚肉部および薄肉部が前記第２面から露出している請求項６に記載の電力変換装置。
【請求項８】
前記封止樹脂体は、前記両面のひとつである第１面（６２ａ）と、前記両面の他のひとつであり、前記第１面とは反対の面である第２面（６２ｂ）と、を有し、
前記第１金属体および前記第２金属体は、前記第１面および前記第２面のうち、前記第１面のみから露出している請求項４に記載の電力変換装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
そして、ダミーモジュールは、少なくともひとつの金属体（６１）と、金属体に連なっており、バスバーに接続された少なくともひとつのダミー端子（６３）と、を有し、
金属体は、ダミーモジュールにおいて熱交換部により挟まれる面の少なくとも一部をなしており、
ダミー端子は、バスバーにおけるコンデンサの接続部に対して、バスバーに接続されたすべての主端子よりも近い位置で、バスバーに接続されている。
【手続補正書】
【提出日】令和3年11月17日(2021.11.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項４】
前記六方晶窒化ホウ素膜を形成する工程は、被処理基板の温度を６００〜８００℃の範囲として行われる、請求項１から請求項３のいずれか一項に記載の方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項５】
前記六方晶窒化ホウ素膜を形成する工程は、圧力を１３〜２６００Ｐａの範囲として行われる、請求項１から請求項４のいずれか一項に記載の方法。
【手続補正３】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項６】
前記六方晶窒化ホウ素膜を形成する工程において、前期プラズマ生成領域で生成されるプラズマは、誘導結合プラズマである、請求項１から請求項５のいずれか一項に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】令和3年11月22日(2021.11.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】
グラフェン構造体を形成する方法であって、
被処理基板を準備する工程と、
プラズマを用いずに前記被処理基板を加熱しつつ、炭素含有ガスを含む第１の処理ガスを前記被処理基板に供給して前処理を行う工程と、
前記前処理後の前記被処理基板の表面に、炭素含有ガスを含む第２の処理ガスのプラズマを用いたプラズマＣＶＤにより前記被処理基板の表面にグラフェン構造体を形成する工程と、
を含む、方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１０】
前記被処理基板は、その表面が絶縁体、半導体、または活性化処理されていない金属である、請求項９に記載の方法。
【手続補正３】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１４】
グラフェン構造体を形成する装置であって、
被処理基板を収容する処理容器と、
前記被処理基板を加熱する加熱機構と、
前記処理容器の天壁を構成する誘電体材料からなるマイクロ波透過板を介して前記処理容器の上に配置された、スロットを有する平面スロットアンテナと、
マイクロ波を前記スロットおよび前記マイクロ波透過板を介して前記処理容器内に導入するマイクロ波導入機構と、
前記処理容器内に炭素含有ガスおよび酸化性ガスを含む処理ガスを供給するガス導入機構と、
前記処理容器内を排気する排気機構と、
前記加熱機構、前記マイクロ波導入機構、前記ガス導入機構、および前記排気機構を制御する制御部と
を有し、
前記制御部は、
被処理基板が前記処理容器に搬入された後、プラズマを用いずに前記被処理基板を加熱しつつ、炭素含有ガスを含む第１の処理ガスを前記被処理基板に供給して前処理を行う工程と、
前記前処理後の前記被処理基板の表面に、炭素含有ガスを含む第２の処理ガスのプラズマを用いたプラズマＣＶＤにより前記被処理基板の表面にグラフェン構造体を形成する工程と、
が行われるように、前記加熱機構、前記マイクロ波導入機構、前記ガス導入機構、および前記排気機構を制御する、装置。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
本開示の一態様に係る方法は、グラフェン構造体を形成する方法であって、被処理基板を準備する工程と、プラズマを用いずに前記被処理基板を加熱しつつ、炭素含有ガスを含む第１の処理ガスを前記被処理基板に供給して前処理を行う工程と、前記前処理後の前記被処理基板の表面に、炭素含有ガスを含む第２の処理ガスのプラズマを用いたプラズマＣＶＤにより前記被処理基板の表面にグラフェン構造体を形成する工程と、を含む。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
＜グラフェン構造体の形成方法の一実施形態＞
最初に、グラフェン構造体の形成方法の一実施形態について説明する。
上述した特許文献１，２では、結晶性の良好なグラフェンを、極力低い温度で効率よく成長させるため、下地としてＮｉ等のグラフェンの成長を促進する触媒となる触媒金属膜を形成し、触媒金属層を、還元性ガスであるＨ２ガスと窒素含有ガスであるＮ２ガスのプラズマにより活性化した後、グラフェンをプラズマＣＶＤ（ＰＥ−ＣＶＤ）により成長させている。
【手続補正書】
【提出日】令和3年12月2日(2021.12.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
Ａｒａ４構造、Ａｒａ６構造、またはそれらの組み合わせを含むＬＡＭエピトープに特異的に結合する、モノクローナル抗−リポアラビノマンナン（抗−ＬＡＭ）抗体、またはその抗原結合部分において、前記抗−ＬＡＭ抗体が、配列番号１またはその抗原断片との少なくとも８０％の同一性を有するＣＤＲ１軽鎖可変領域、配列番号２またはその抗原断片との少なくとも８０％の同一性を有するＣＤＲ２軽鎖可変領域、配列番号３もしくは配列番号２６またはその抗原断片との少なくとも８０％の同一性を有するＣＤＲ３軽鎖可変領域、配列番号４またはその抗原断片との少なくとも８０％の同一性を有するＣＤＲ１重鎖可変領域、配列番号５またはその抗原断片との少なくとも８０％の同一性を有するＣＤＲ２重鎖可変領域、および配列番号６もしくは配列番号２３またはその抗原断片との少なくとも８０％の同一性を有するＣＤＲ３重鎖可変領域を含むことを特徴とするモノクローナル抗−リポアラビノマンナン抗体、またはその抗原結合部分。
【請求項２】
請求項１に記載のモノクローナル抗−ＬＡＭ抗体またはその抗原結合部分において、前記抗体が、配列番号２１および配列番号２３のアミノ酸配列を含む重鎖可変領域、ならびに配列番号２４および配列番号２６のアミノ酸配列を含む軽鎖可変領域を含むことを特徴とするモノクローナル抗−ＬＡＭ抗体またはその抗原結合部分。
【請求項３】
請求項１に記載のモノクローナル抗−ＬＡＭ抗体またはその抗原結合部分において、前記抗−ＬＡＭ抗体が、ｓｃＦｖ−ＩｇＧ、ＩｇＡまたはＩｇＭ抗体であることを特徴とするモノクローナル抗−ＬＡＭ抗体またはその抗原結合部分。
【請求項４】
少なくとも１つのＬＡＭエピトープを検出するためのキットにおいて、
（ａ）ＬＡＭ分子上に存在するエピトープに特異的に結合する第１の抗−ＬＡＭ抗体；
（ｂ）前記第１の抗−ＬＡＭ抗体が結合される支持体；
（ｃ）前記ＬＡＭ分子における異なる結合部位、次に前記第１の抗−ＬＡＭ抗体により結合された前記結合部位に特異的に結合する、レポーター分子で標識された検出抗体；および
（ｄ）緩衝液
を含み、ここで前記第１の抗−ＬＡＭ抗体および前記検出抗体の少なくとも１つが請求項１に記載のモノクローナル抗−ＬＡＭ抗体であることを特徴とするキット。
【請求項５】
請求項４に記載のキットにおいて、前記検出抗体がＬＡＭに特異的に結合する第２の抗−ＬＡＭ抗体であることを特徴とするキット。
【請求項６】
請求項５に記載のキットにおいて、前記第１の抗−ＬＡＭ抗体および前記第２の抗−ＬＡＭ抗体の少なくとも１つがｓｃＦｖ−ＩｇＧまたはＩｇＭ抗体であり、かつ配列番号１またはその抗原断片との少なくとも８０％の同一性を有するＣＤＲ１軽鎖可変領域、配列番号２またはその抗原断片との少なくとも８０％の同一性を有するＣＤＲ２軽鎖可変領域、配列番号３もしくは配列番号２６またはその抗原断片との少なくとも８０％の同一性を有するＣＤＲ３軽鎖可変領域、配列番号４またはその抗原断片との少なくとも８０％の同一性を有するＣＤＲ１重鎖可変領域、配列番号５またはその抗原断片との少なくとも８０％の同一性を有するＣＤＲ２重鎖可変領域、および配列番号６もしくは配列番号２３またはその抗原断片との少なくとも８０％の同一性を有するＣＤＲ３重鎖可変領域を含むことを特徴とするキット。
【請求項７】
請求項６に記載のキットにおいて、前記第１の抗−ＬＡＭ抗体および前記第２の抗−ＬＡＭ抗体の少なくとも１つが、配列番号２１および配列番号２３のアミノ酸配列を含む重鎖可変領域、ならびに配列番号２４および配列番号２６のアミノ酸配列を含む軽鎖可変領域を含むことを特徴とするキット。
【請求項８】
個体から得られた試料における活動性結核感染を検出する方法において、
（ａ）前記試料を、ＬＡＭ分子上に存在するエピトープに特異的に結合する第１の抗体と接触させるステップと；
（ｂ）前記試料を、前記ＬＡＭ分子における異なる結合部位、次に前記第１の抗体により結合された前記結合部位に特異的に結合する検出抗体と接触させるステップと；
（ｃ）前記検出抗体の前記ＬＡＭ分子における異なる結合部位への結合を検出するステップと、
を含み、ここで前記第１の抗体によるＬＡＭの捕捉が活動性結核感染を示し、かつ
前記抗体の少なくとも１つが、請求項１に記載のモノクローナル抗−ＬＡＭ抗体であることを特徴とする方法。
【請求項９】
請求項８に記載の方法において、前記検出抗体がＬＡＭに特異的に結合する抗−ＬＡＭ抗体であることを特徴とする方法。
【請求項１０】
請求項９に記載の方法において、前記少なくとも第１の抗体および前記検出抗体が各々、配列番号１またはその抗原断片との少なくとも８０％の同一性を有するＣＤＲ１軽鎖可変領域、配列番号２またはその抗原断片との少なくとも８０％の同一性を有するＣＤＲ２軽鎖可変領域、配列番号３もしくは配列番号２６またはその抗原断片との少なくとも８０％の同一性を有するＣＤＲ３軽鎖可変領域、配列番号４またはその抗原断片との少なくとも８０％の同一性を有するＣＤＲ１重鎖可変領域、配列番号５またはその抗原断片との少なくとも８０％の同一性を有するＣＤＲ２重鎖可変領域、および配列番号６もしくは配列番号２３またはその抗原断片との少なくとも８０％の同一性を有するＣＤＲ３重鎖可変領域を含むことを特徴とする方法。
【請求項１１】
請求項９に記載の方法において、前記第１の抗体および前記検出抗体の少なくとも１つが、ｓｃＦｖ−ＩｇＧまたはＩｇＭ抗体であり、かつ配列番号１またはその抗原断片との少なくとも８０％の同一性を有するＣＤＲ１軽鎖可変領域、配列番号２またはその抗原断片との少なくとも８０％の同一性を有するＣＤＲ２軽鎖可変領域、配列番号３もしくは配列番号２６またはその抗原断片との少なくとも８０％の同一性を有するＣＤＲ３軽鎖可変領域、配列番号４またはその抗原断片との少なくとも８０％の同一性を有するＣＤＲ１重鎖可変領域、配列番号５またはその抗原断片との少なくとも８０％の同一性を有するＣＤＲ２重鎖可変領域、および配列番号６もしくは配列番号２３またはその抗原断片との少なくとも８０％の同一性を有するＣＤＲ３重鎖可変領域を含むことを特徴とする方法。
【請求項１２】
請求項８に記載の方法において、前記個体がヒトであることを特徴とする方法。
【請求項１３】
個体における結核感染を治療するための組成物において、請求項１に記載の少なくとも１つのモノクローナル抗−ＬＡＭ抗体を含むことを特徴とする組成物。
【請求項１４】
請求項１３に記載の組成物と、少なくとも１つの抗生物質とを含む組み合わせ医薬。
【請求項１５】
請求項１３に記載の組成物において、前記結核感染が多剤耐性（ＭＤＲ−ＴＢ）結核感染であることを特徴とする組成物。
【請求項１６】
請求項１に記載のモノクローナル抗−ＬＡＭ抗体またはその抗原結合部分において、前記抗体が、ヒト抗体、ヒト化抗体、またはキメラ抗体であることを特徴とするモノクローナル抗−ＬＡＭ抗体またはその抗原結合部分。
【手続補正書】
【提出日】令和3年11月22日(2021.11.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
所定の剛性を有する枠体と、
該枠体の外側面に設けられ、同外側面との間に樹脂を収容可能な所定の収容部を形成するアンカー部と、
該アンカー部を埋めて前記収容部に収容されるようにして前記外側面を被覆して設けられた、所定の形状の型部を有する樹脂層とを備える
樹脂型枠。
【請求項２】
前記枠体は、金属製、木製若しくは強化プラスチック製のいずれか一つである
請求項１に記載の樹脂型枠。
【請求項３】
前記アンカー部は複数設けられ、同アンカー部の屈曲又は湾曲した曲部によって前記収容部が形成されると共に、前記曲部の延長方向が互いに交差するように配置されている
請求項１又は請求項２に記載の樹脂型枠。
【請求項４】
前記収容部は、前記外側面に段配置された断面視略半円状の凸部分の外周面と前記外側面とが近接する方向へ狭小となるように形成された隙間部である
請求項１又は請求項２に記載の樹脂型枠。
【請求項５】
前記収容部は、前記外側面から突出した複数の凸状部に形成されている径小部である
請求項１又は請求項２に記載の樹脂型枠。
【請求項６】
前記収容部は、前記外側面よりも窪んだ窪み部である
請求項１又は請求項２に記載の樹脂型枠。
【請求項７】
外側面にアンカー部が設けられた所定の剛性を有する枠体を、成形型に対し所定の空間を以て取付ける枠体取付け工程と、
該枠体取付け工程で形成された前記空間に前記アンカー部が埋まるように樹脂を充填することで、前記アンカー部が前記外側面との間に形成している収容部内に前記樹脂を収容すると共に前記外側面を前記樹脂で被覆し、その後に固化させて、前記成形型で模られた型部を有する樹脂層を前記枠体と一体に成形する成形工程とを備える
樹脂型枠の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】令和3年11月26日(2021.11.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
金属材料を利用する高速製造技術によって多孔質構造体を形成する段階であって、前記高速製造技術が、直接金属製造、直接金属レーザー焼結、及び固体自由形状製造からなる群から選択される、段階と；
熱処理によって前記多孔質構造体を処理して、前記多孔質構造体に付着する複数の微粒子の間の結合強度を増加させ、前記多孔質構造体が、前記多孔質構造体の表面積を実質的に減少させることがない段階と；
前記熱処理のための時間及び温度を選択する段階と；
を含む方法であって、
前記時間が３０分と３００分との間であり、前記温度が、８００℃と１２００℃との間である、方法。
【請求項２】
熱処理が、１より大きく５未満の、首径に対する平均微粒子直径の比率を提供する、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
熱処理が、高真空炉処理、抵抗熱処理、放射熱処理、電子ビーム走査、レーザービーム走査、及びそれらの組み合わせからなる群から選択される、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記選択する段階が、前記多孔質構造体の所望の粗さ、及び摩擦を少なくとも実質的に維持しつつ、前記複数の微粒子と、前記多孔質構造体との間の結合を向上するように構成される、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
前記選択する段階が、前記多孔質構造体の粗さを増加させつつ、前記複数の微粒子と前記多孔質構造体との間の結合を向上させるように構成される、請求項１に記載の方法。
【請求項６】
複数の微粒子が、金属、セラミック、金属−セラミック（サーメット）、ガラス、ガラス−セラミック、ポリマー、複合材料、及びそれらの組み合わせからなる群から選択される粉末を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項７】
金属材料が、チタン、チタン合金、ジルコニウム、ジルコニウム合金、ニオブ、ニオブ合金、タンタル、タンタル合金、ニッケル−クロム（例えば、ステンレス鋼）、コバルト−クロム合金、及びそれらの組み合わせからなる群から選択される、請求項１に記載の方法。
【請求項８】
多孔質構造体が、チタン合金を含み、チタン合金構造体の熱処理の温度が、８００℃より大きく、１２００℃までの間である、請求項７に記載の方法。
【請求項９】
多孔質構造体が、３０分から３００分まで熱的に処理される、請求項１に記載の方法。
【請求項１０】
熱処理が、大気圧未満での不活性ガス炉、又は真空において実施される、請求項１に記載の方法。
【請求項１１】
熱処理が、０．０２ｔｏｒｒ未満の酸素分圧を備える不活性ガス炉、又は真空において実施される、請求項１に記載の方法。
【請求項１２】
熱処理の時間、及び温度が、少なくとも複数の微粒子のサイズ、及び複数の微粒子の固体拡散係数に基づいて決定される、請求項１に記載の方法。
【請求項１３】
熱処理の時間、及び温度が、少なくとも多孔質構造体の所望のアスペクト比に基づいて決定される、請求項１に記載の方法。
【請求項１４】
熱処理の時間、及び温度が、少なくとも多孔質構造体の表面の所望の摩擦に基づいて決定される、請求項１に記載の方法。
【請求項１５】
選択する段階が、処理前の前記多孔質構造体の摩擦値を決定する段階と、処理後の前記多孔質構造体の摩擦値を決定する段階と、処理前の摩擦値が処理後の摩擦値と少なくとも実質的に同一になるまで前記処理の時間、及び温度を調節する段階と、を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項１６】
選択する段階が、処理前の前記多孔質構造体の摩擦値を決定する段階と、処理後の前記多孔質構造体の摩擦値を決定する段階と、処理後の摩擦値が処理前の前記摩擦値よりも高くなるまで前記処理の時間、及び温度を調節する段階と、を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項１７】
前記処理に関して選択された時間、及び温度は、処理前の摩擦値が処理後の摩擦値の０％から１５％未満以内であることをもたらす、請求項１に記載の方法。
【請求項１８】
摩擦値は、前記多孔質構造体が類似の構成要素に対して連接されるときに、摩擦係数を含む、請求項１７に記載の方法。
【請求項１９】
構造体の摩擦、及び又は粗さが、ピンオンディスク試験装置を用いて、又は斜面法を用いて測定される、請求項１７に記載の方法。
【請求項２０】
高速製造技術によって形成されたチタン合金多孔質構造体を形成する段階であって、前記高速製造技術が、直接金属製造、直接金属レーザー焼結、及び固体自由形状製造からなる群から選択される、段階と；
熱処理によって前記多孔質構造体を処理して、前記多孔質構造体に付着する複数の微粒子の間の結合強度を増加させ、前記多孔質構造体が、前記多孔質構造体の表面積を実質的に減少させることがない段階であって、前記熱処理が、大気圧未満での不活性ガス炉、又は真空において実施される、段階と；
前記熱処理のための時間及び温度を選択する段階と；
を含む方法であって、
前記時間が３０分と３００分との間であり、前記温度が、８００℃と１２００℃との間であり、前記熱処理の時間、及び温度が、少なくとも多孔質構造体の表面の所望の摩擦に基づいて決定される、方法。
【手続補正書】
【提出日】令和3年12月1日(2021.12.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
軸方向一方側端部が閉塞された有底筒状のハウジングを有するモータ部と、
前記ハウジングの開口部を閉塞すると共に、突状の接地部を有するヒートシンクと、
前記接地部に固定されると共に、前記接地部に接地された部分がレジストを塗布していない非塗布部として構成されている基板と、
前記基板の前記ヒートシンクと対向する面に実装される発熱素子と、
前記ヒートシンクと前記発熱素子との間に設けられた伝熱部材と、
を備え、
前記接地部は、前記ヒートシンクの外周部において周方向に延在された第１接地部を有しており、
前記第１接地部に接地される前記非塗布部には、グランドパターンが形成され、
前記発熱素子が、前記基板の板厚方向から見て、前記第１接地部の内側に配置されている回転電機。
【請求項２】
前記第１接地部の長手方向の長さが、前記ヒートシンクの周方向の全周の長さの１／２以上に設定されていることを特徴とする請求項１に記載の回転電機。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
本発明の１またはそれ以上の実施形態は、軸方向一方側端部が閉塞された有底筒状のハウジングを有するモータ部と、前記ハウジングの開口部を閉塞すると共に、突状の接地部を有するヒートシンクと、前記接地部に固定されると共に、前記接地部に接地された部分がレジストを塗布していない非塗布部として構成されている基板と、前記基板の前記ヒートシンクと対向する面に実装される発熱素子と、前記ヒートシンクと前記発熱素子との間に設けられた伝熱部材と、を備え、前記接地部は、前記ヒートシンクの外周部において周方向に延在された第１接地部を有しており、前記第１接地部に接地される前記非塗布部には、グランドパターンが形成され、前記発熱素子が、前記基板の板厚方向から見て、前記第１接地部の内側に配置されている回転電機である。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正書】
【提出日】令和3年11月16日(2021.11.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３０】
図４には、ランド３６に端子２０の導電路接続部２２が接続された状態が示される。可撓性基板３０の左側縁に接続された端子２０の端子接続部２１は、可撓性基板３０の左側縁から左方（延出方向の一例）に突出しており、可撓性基板３０の右側縁に接続された端子２０の端子接続部２１は、可撓性基板３０の右側縁から右方（延出方向の一例）に突出している。