(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
単位画素領域を有する基板と、
前記単位画素領域上に位置して、ソース電極とドレイン電極を有する薄膜トランジスタと、
前記ソース電極とドレイン電極上に位置して、前記ソース電極とドレイン電極のうちいずれか一つを露出させるビアホールを有するビアホール絶縁膜と、
前記ビアホールに露出した前記ソース電極またはドレイン電極に接し前記ビアホール領域を含む第１部分、前記ビアホール絶縁膜上に延びた前記第１部分以外からなる第２部分を有する第１電極と、
前記第１電極の第１部分上において前記第１電極の第２部分に比べて上部に突出し前記ビアホール上を含む領域に設けた第１バンクパターンと、
前記第１電極の前記第１部分及び第２部分上に位置する発光層と、
を備え、
前記第１電極は、前記薄膜トランジスタを含む単位画素領域に対応するパターン形状を有し、前記第１部分は前記第１電極の前記パターン形状の内側に位置し前記ビアホールの内壁面に形成され、前記ソース電極またはドレイン電極に接する部分を有し、前記第２部分は前記ビアホールの周縁から前記パターン形状の外周縁に亘って前記ビアホール絶縁膜上に延びている部分からなっていて、
前記第１電極と相互に離隔されて位置して、前記第１電極の第２部分に比べて上部に突出された第２バンクパターンを含むことを特徴とする有機電界発光表示装置。
【請求項２】
前記第１バンクパターンは有機膜で構成されることを特徴とする請求項１に記載の有機電界発光表示装置。
【請求項３】
前記有機膜はＢＣＢ膜、アクリル系高分子膜及びポリイミド膜で構成された群から選択される一つであることを特徴とする請求項２に記載の有機電界発光表示装置。
【請求項４】
前記第１バンクパターンは前記第１電極の第２部分に対して０．２ないし１０μｍの高さを有することを特徴とする請求項１に記載の有機電界発光表示装置。
【請求項５】
前記第１電極の第１部分上に突出する前記第１バンクパターンは突出側壁に裾拡がり状にテーパー付けられたエッジを有することを特徴とする請求項１に記載の有機電界発光表示装置。
【請求項６】
前記テーパー付けられたエッジのテーパーは前記第１電極の第２部分の上表面に対する傾斜角度が４５度以下であることを特徴とする請求項５に記載の有機電界発光表示装置。
【請求項７】
前記第２バンクパターンは前記第１電極の左右に位置することを特徴とする請求項１に記載の有機電界発光表示装置。
【請求項８】
前記第２バンクパターンは前記第１電極の少なくとも隅を取り囲む形態を有することを特徴とする請求項１に記載の有機電界発光表示装置。
【請求項９】
前記第２バンクパターンは前記第１電極全体を取り囲む形態を有することを特徴とする請求項１に記載の有機電界発光表示装置。
【請求項１０】
前記第１バンクパターンは前記第２バンクパターンに連結されていることを特徴とする請求項１に記載の有機電界発光表示装置。
【請求項１１】
前記第２バンクパターンは有機膜で構成されることを特徴とする請求項１に記載の有機電界発光表示装置。
【請求項１２】
前記有機膜はＢＣＢ膜、アクリル系高分子膜及びポリイミド膜で構成された群から選択される一つのであることを特徴とする請求項１１に記載の有機電界発光表示装置。
【請求項１３】
前記第２バンクパターンは前記第１電極の第２部分に対して０．２ないし１０μｍの高さを有することを特徴とする請求項１に記載の有機電界発光表示装置。
【請求項１４】
前記ビアホール絶縁膜は有機膜、無機膜またはこれらの複合膜で構成されることを特徴とする請求項１に記載の有機電界発光表示装置。
【請求項１５】
前記第１電極は前記第２部分の外周縁に裾拡がり状にテーパー付けられたエッジを有することを特徴とする請求項１に記載の有機電界発光表示装置。
【請求項１６】
前記テーパー付けられたエッジのテーパーは前記ビアホール絶縁膜の上表面に対する傾斜角度が２０度以下であることを特徴とする請求項１５に記載の有機電界発光表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は有機電界発光表示装置に係り、特にアクティブマトリックス有機電界発光表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
一般に有機電界発光表示装置（ｏｒｇａｎｉｃ  light-emitting  ｄｉｓｐｌａｙ）は蛍光性有機化合物を電気的に励起させて発光するようにする自発光型表示装置であって、マトリックス状に配置されたＮ×Ｍ個の画素を駆動する方式によってパッシブマトリックス（ｐａｓｓｉｖｅ  ｍａｔｒｉｘ）方式とアクティブマトリックス（ａｃｔｉｖｅ  ｍａｔｒｉｘ）方式に分けられるが、前記アクティブマトリックス方式の有機電界発光表示装置は前記パッシブマトリックス方式に比べて電力消耗が少なくて大面積の具現に適していて高解像度を有する長所がある。
【０００３】
図１１は、従来のアクティブマトリックス有機電界発光表示装置及びその製造方法を説明するための断面図であって、単位画素に限定して示した図面である。
【０００４】
図１１を参照すると、基板１００上にバッファー層１０５を形成する。前記基板１００のバッファー層１０５上に通常の方法により活性層１１０、ゲート絶縁膜１２０、ゲート１３０、層間絶縁膜１４０及びソース／ドレイン電極１４５を有する薄膜トランジスタを形成する。前記薄膜トランジスタを含む基板全面にビアホール絶縁膜１５５を形成して、前記ビアホール絶縁膜１５５内に前記ソース／ドレイン電極１４５のうちいずれか一つを露出させるビアホール１５０を形成する。
【０００５】
続いて、前記ビアホール１５０内に露出したソース／ドレイン電極１４５に接する画素電極１７０を形成する。この時、前記画素電極１７０は前記ビアホール１５０の底及び側壁に沿って形成されるので、前記ビアホール１５０内で屈曲を有する形態に形成される。続いて、前記ビアホール１５０内の折れ曲がった画素電極１７０を覆う画素定義膜１７５を形成するが、前記画素定義膜１７５は前記ビアホール１５０と相互に離隔された位置で前記画素電極１７０を露出させる開口部１７８を有するように形成する。続いて、前記開口部１７８内に露出した画素電極１７０上に有機発光層１８０を形成して、前記有機発光層１８０上に対向電極（ｏｐｐｏｓｉｔｅ  ｅｌｅｃｔｒｏｄｅ）１９０を形成する。
【０００６】
前記有機発光層１８０を形成することにおいて、前記開口部１７８底の隅すなわち、前記画素定義膜１７５と前記画素電極１７０が接触する部分Pには前記有機発光層１８０の成膜不良が現れやすい。これは有機電界発光表示装置の駆動において、有機発光層１８０の劣化を誘発させることができる。また、前記有機発光層１８０は前記開口部１７８の縁で前記画素定義膜１７５と接するようになる。一般に前記画素定義膜１７５は有機膜で形成するが、前記有機膜は高温でアウトガスを放出すると知られている。前記アウトガスは前記画素定義膜１７５と接する前記有機発光層１８０の劣化を誘発させることになる。
【０００７】
図１２は、有機電界発光表示装置において不良が発生したことを示す写真である。図１２を参照すると、上述したような問題点により単位画素領域ａに位置した開口部ｂの縁に沿って有機発光層が劣化されたことが分かる。これを画素縮小不良（ｐｉｘｅｌ  ｓｈｒｉｎｋａｇｅ）とも言う。これは有機電界発光表示装置の収率（ｙｉｅｌｄ）において深刻な影響を及ぼす。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
本発明が解決しようとする技術的課題は、有機発光層の劣化が抑制された有機電界発光表示装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
前記技術的課題を達成するために本発明は有機電界発光表示装置を提供する。前記有機電界発光表示装置は単位画素領域を有する基板、前記単位画素領域上に位置して、ソース電極とドレイン電極を有する薄膜トランジスタを含む。前記ソース電極とドレイン電極上に前記ソース電極とドレイン電極のうちいずれか一つを露出させるビアホールを有するビアホール絶縁膜が位置する。前記ビアホールに露出したソース電極またはドレイン電極に接して第１部分、前記ビアホール絶縁膜上に延びた第２部分を有する第１電極が配置される。前記第１電極の第１部分上に位置して, 前記第１電極の第２部分に比べて上部に突出させる第１バンクパターンが位置する。前記第１電極上に発光層が位置する。
【００１０】
前記第１バンクパターンは有機膜で構成されたことが望ましい。前記有機膜はＢＣＢ（ｂｅｎｚｏｃｙｃｌｏｂｕｔｅｎｅ）膜、アクリル系高分子膜及びポリイミド膜で構成された群から選択される一つのであることが望ましい。前記第１バンクパターンは前記第１電極の第２部分に対して０．２ないし１０μｍの高さを有することが望ましい。また、前記第１バンクパターンは前記第１電極上部でテーパー付けられたエッジを有することが望ましい。前記テーパー付けられたエッジのテーパーは４５度以下であることが望ましい。
【００１１】
前記有機電界発光表示装置は前記第１電極と相互に離隔されて位置して、前記第１電極の第２部分に比べて上部に突出された第２バンクパターンをさらに含むことが望ましい。前記第２バンクパターンは前記第１電極の左右に位置することができる。一方、前記第２バンクパターンは前記第１電極の少なくとも隅を取り囲む形態を有することができる。他の一方、前記第２バンクパターンは前記第１電極全体を取り囲む形態を有することができる。前記第２バンクパターンと前記第１バンクパターンは相互に連結することができる。前記第２バンクパターンは有機膜で構成されたことが望ましい。前記有機膜はＢＣＢ膜、アクリル系高分子膜及びポリイミド膜で構成された群から選択される一つであることが望ましい。前記第２バンクパターンは前記第１電極の第２部分に対して０．２ないし１０μｍの高さを有することが望ましい。前記ビアホール絶縁膜は有機膜、無機膜またはこれらの複合膜で構成されたことが望ましい。前記第１電極はテーパー付けられたエッジを有することが望ましい。前記テーパー付けられたエッジのテーパーは２０度以下であることが望ましい。
【発明の効果】
【００１２】
前述したように本発明によると、第１バンクパターンが占める面積を最小化することによって発光層の成膜不良及び第１バンクパターンから放出されるアウトガスによる発光層の劣化現象を抑制することができる。また、第１バンクパターンを第１電極の第２部分に比べて突出するように形成することによって、発光層の形成において第１電極及び既に形成された発光層の不良を防ぐことができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１３】
以下、本発明をさらに具体的に説明するために本発明による望ましい実施形態を添付した図面を参照してさらに詳細に説明する。しかし、本発明はここで説明される実施形態に限られなくて他の形態に具体化されることもある。むしろここで紹介される実施形態は開示された内容が徹底して完全になりえるように、そして当業者に本発明の思想が十分に伝えられることができるようにするために提供されることである。図面において、層が他の層または基板"上"にあると言及される場合にそれは他の層または基板上に直接形成されることができたりまたはそれらの間に第３の層が介在することもできる。明細書全体にかけて同一な参照番号は同一な構成要素を示す。
【００１４】
図１は、本発明の第１実施形態による有機電界発光表示装置を示した平面図である。
【００１５】
図１を参照すると、一方向に配列されたスキャンライン３２５、前記スキャンライン３２５と相互に絶縁されながら交差するデータライン３３５及び前記スキャンライン３２５と相互に絶縁されながら交差して前記データライン３３５には平行した共通電源ライン３３１が位置する。前記スキャンライン３２５及び前記データライン３３５の交差により単位画素領域が定義される。前記スキャンライン３２５は駆動する単位画素を選択し、前記データライン３３５は前記選択された単位画素にデータ信号を印加する役割をする。
【００１６】
前記各単位画素領域には前記スキャンライン３２５に印加された信号によって前記データライン３３５に印加されたデータ信号をスイッチングするスイッチング薄膜トランジスタ３４０、前記スイッチング薄膜トランジスタ３４０を介して入力されるデータ信号すなわち、データ電圧と前記共通電源ライン３３１に印加された電圧差による電荷を蓄積するキャパシター３４５及び前記キャパシター３４５に蓄積された電荷による信号の入力を受けて前記第１電極３７０に電流を流してくれる画素駆動薄膜トランジスタ３５０が位置する。前記画素駆動薄膜トランジスタ３５０と前記第１電極３７０はビアホール３６０ａを介して相互に電気的に連結される。前記第１電極３７０上には発光層（図示せず）が位置して、前記発光層上には対向電極（図示せず）が位置する。これで、前記第１電極３７０、前記発光層、前記対向電極は有機電界発光ダイオードを構成する。前記第１電極３７０は開口率の向上のために前記薄膜トランジスタ３４０、３５０と前記キャパシター３４５上にも位置することが望ましい。
【００１７】
フールカラー有機電界発光表示装置において前記単位画素領域は赤色単位画素領域Ｒ、緑色単位画素領域Ｇ及び青色単位画素領域Ｂに分けられるが、前記赤色単位画素領域Ｒには赤色発光層、前記緑色単位画素領域Ｇには緑色発光層、前記青色単位画素領域Ｂには青色発光層が位置する。
【００１８】
前記ビアホール３６０ａ上には第１バンクパターン３７５ａが位置する。前記第１バンクパターン３７５ａは前記ビアホール絶縁膜上に延びた第１電極３７０に比べて上部に突出される。前記第１電極３７０の左右には第２バンクパターン３７５ｂがストライプ形態で位置することが望ましい。前記第２バンクパターン３７５ｂも、前記ビアホール絶縁膜上に延びた第１電極３７０に比べて上部に突出される。
【００１９】
図２ないし図６は、図１の切断線Ｉ−Ｉ′に沿って取られた本発明の第１実施形態による有機電界発光表示装置及びその製造方法を説明するための断面図である。
【００２０】
図２を参照すると、赤色Ｒ、緑色Ｇ及び青色Ｂ単位画素領域を有する基板３００を提供する。前記基板３００上に緩衝膜３０５を形成することが望ましい。前記緩衝膜３０５上に活性層３１０、ゲート絶縁膜３１５、ゲート３２０、層間絶縁膜３２５及びソース／ドレイン電極３３０を通常の方法によって形成する。これで、前記各単位画素領域上に活性層３１０、ゲート３２０及びソース／ドレイン電極３３０で構成された画素駆動薄膜トランジスタ３５０を形成することができる。前記ゲート３２０を形成することにおいて、データライン３３５を共に形成する。
【００２１】
続いて、前記画素駆動薄膜トランジスタ３５０が形成された基板上にビアホール絶縁膜３６０を形成して、前記ビアホール絶縁膜３６０内に前記画素駆動薄膜トランジスタ３５０のソース／ドレイン電極３３０のうちいずれか一つを露出させるビアホール３６０ａを形成する。前記ビアホール絶縁膜３６０は有機膜または無機膜で形成したりこれらの複合膜で形成することができる。前記ビアホール絶縁膜３６０を無機膜で形成する場合はシリコーン窒化膜（ＳｉＮｘ）を用いて形成することが望ましくて、有機膜で形成する場合ＢＣＢ膜を用いて形成することが望ましい。また、前記ビアホール絶縁膜３６０有・無機複合膜で形成する場合はシリコーン窒化膜（ＳｉＮｘ）と前記ＢＣＢ（ｂｅｎｚｏｃｙｃｌｏｂｕｔｅｎｅ）膜を順に積層して形成することが望ましい。
【００２２】
続いて、前記ビアホール３６０ａが形成された基板３００上に第１電極物質を積層して、これをパターニングして各単位画素領域に第１電極３７０を形成する。これで、前記第１電極３７０は前記ビアホール３６０ａの底に位置している前記露出したソース電極またはドレイン電極３３０に接して、前記ビアホール絶縁膜３６０上に延びる。また、前記第１電極３７０は前記ビアホールに露出した前記ソース電極またはドレイン電極に接する第１部分と前記ビアホール絶縁膜上に延びた第２部分を有する。前記第１電極３７０はテーパー付けられたエッジを有することが望ましい。前記テーパーは２０度以下であることが望ましい。一方、前記第１電極３７０はアノードまたはカソードであることができるが、前記第１電極３７０がアノードである場合、ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ  Ｔｉｎ  Ｏｘｉｄｅ）またはＩＺＯ（Ｉｎｄｉｕｍ  Ｚｉｎｃ  Ｏｘｉｄｅ）を用いて形成したり、アルミニウム−ネオジム（ＡｌＮｄ）とＩＴＯを順に積層して形成することができる。前記第１電極３７０がカソードである場合、Ｍｇ、Ｃａ、Ａｌ、Ａｇ、Ｂａまたはこれらの合金を用いて形成することができる。更に説明すると、前記第１電極３７０は、図１及び図２などにも示されているように、開口率向上のために、薄膜トランジスタ３４０、３５０やキャパシタ３４５を含む単位画素領域に対応する矩形のパターン形状をもって広面積を得ることができるパターンを有する。そして、前記ビアホール３６０ａは、前記第１電極３７０の矩形パターンの内側に位置していて、前記第１電極３７０の前記第１部分は前記ビアホール３６０ａの内壁面に形成されている部分からなり、前記第２部分は前記ビアホール３６０ａの内壁面の上周縁から前記矩形パターンの外周縁に亘って前記ビアホール絶縁膜３６０上に延びている部分からなっている。前記テーパーは、図２や図３などにも示されているように、前記第１電極３７０の第２部分のパターンの外周縁に向かって前記第１電極３７０の厚さが薄くなるようにその上表面を裾拡がり状に傾斜させて形成されたものであり、前記テーパーの角度は前記ビアホール絶縁膜３６０の上表面に対する裾拡がり傾斜角となるテーパー傾斜角で定義される。
【００２３】
続いて、前記第１電極３７０を含んだ基板３００全面にバンク膜を形成するが、前記第１電極３７０が位置したビアホール３６０ａを十分に充填することができる程度の厚さに形成する。前記バンク膜は有機膜または無機膜で形成することができるが、望ましくは有機膜で形成する。さらに望ましくは前記バンク膜はＢＣＢ膜、アクリル系高分子膜及びポリイミド膜で構成された群から選択される一つである。前記有機膜は流動性（ｆｌｏｗａｂｉｌｉｔｙ）が優れるので、前記バンク膜を前記基板全体に平坦に形成することができる。
【００２４】
続いて、前記バンク膜をパターニングして第１バンクパターン３７５ａを形成する。 前記第１バンクパターン３７５ａは前記第１電極３７０が位置したビアホール３６０ａを充填する。すなわち, 前記第１バンクパターン３７５ａは前記第１電極３７０の第１部分上に位置する。また、前記第１バンクパターン３７５ａは前記第１電極３７０の第２部分に比べて上部に突出されて、前記ビアホール３６０ａ周辺の第１電極３７０、すなわち、前記第１電極３７０の第２部分を露出させる。前記露出した第１電極３７０は発光領域を定義する。これで、前記赤色単位画素領域Ｒには赤色発光領域ＥＲが、前記緑色単位画素領域Ｇには緑色発光領域ＥＧが、前記青色単位画素領域Ｂには青色発光領域ＥＢが定義される。
このように、前記第１バンクパターン３７５ａの突出パターンは、前記第１電極３７０の第２部分を露出させた状態でビアホール３６０ａ上にあり、この例では、その周縁近傍を囲む程度の最小化されたパターン面積とされている。
【００２５】
前記第１バンクパターン３７５ａは前記第１電極３７０の第２部分の上表面に対して０．２ないし１０μｍの高さを有するように形成することが望ましい。前記第１バンクパターン３７５ａが０．２μｍ未満の高さを有する場合には前記ビアホール３６０ａを十分に充填することが容易でなく、前記第１バンクパターン３７５ａの高さが１０μｍを超過する場合には後続する工程で形成される第２電極の過度な屈曲を誘発することになる。前記第１バンクパターン３７５ａは前記第１電極３７０上部でテーパー付けられたエッジを有するように形成することが望ましい。更に説明すると、前記テーパーは、図２や図３などに示されているように、前記突出パターンを有する前記第１バンクパターン３７５ａの突出周壁に裾拡がり状に形成されていて、テーパーの角度は、前記第１電極３７０の第２部分の上表面に対する裾拡がり傾斜角となるテーパ傾斜角で定義される。そして、前記テーパーの傾斜角度は４５度以下であることが望ましい。
【００２６】
前記第１バンクパターン３７５ａを形成すると同時に前記第１電極３７０左右に前記第１電極３７０と所定間隔離隔された第２バンクパターン３７５ｂを形成することが望ましい。前記第２バンクパターン３７５ｂは前記第１電極３７０の第２部分に対して０．２ないし１０μｍの高さを有することが望ましい。さらに望ましくは前記第２バンクパターン３７５ｂは前記第１バンクパターン３７５ａと同じ高さを有するように形成する。これは前記バンク膜を基板全体において平坦に形成することによって具現されることができる。
【００２７】
図３を参照すると、第１高精細マスク５００ａのオープニングを前記赤色単位画素領域Ｒにアラインしながら、前記第１高精細マスク５００ａを前記第１バンクパターン３７５ａ上に密着させる。前記第２バンクパターン３７５ｂを形成した場合、前記第２バンクパターン３７５ｂ上にも前記第１高精細マスク５００ａが密着する。そうしてから、前記第１高精細マスク５００ａのオープニングを介して赤色発光有機物を蒸着することによって、前記赤色単位画素領域Ｒの第１電極３７０上に赤色発光層４００Ｒを形成する。前記赤色発光層４００Ｒを形成する前にすべての単位画素領域Ｒ、Ｇ、Ｂの第１電極３７０上に第１電荷注入層（図示せず）及び／または第１電荷輸送層（図示せず）をさらに形成することが望ましい。
【００２８】
この時、前記第１高精細マスク５００ａは前記第１バンクパターン３７５ａによって前記緑色発光領域ＥＧと青色発光領域ＥＢの第１電極３７０と所定間隔離隔されながら密着する。したがって、前記第１高精細マスク５００ａによって前記第１電極３７０が汚染されることを防ぐことができる。
【００２９】
図４を参考にすると、第２高精細マスク５００ｂのオープニングを前記緑色単位画素領域Ｇにアラインしながら、前記第２高精細マスク５００ｂを前記第１バンクパターン３７５ａ上に密着させる。前記第２バンクパターン３７５ｂを形成した場合、前記第２バンクパターン３７５ｂ上にも前記第２高精細マスク５００ｂが密着する。そうしてから、前記第２高精細マスク５００ｂのオープニングを介して緑色発光有機物を蒸着することによって、前記緑色単位画素領域Ｇの前記第１電極３７０上に緑色発光層４００Ｇを形成する。
【００３０】
この時、前記第２高精細マスク５００ｂは前記第１バンクパターン３７５ａによって前記赤色発光領域ＥＲの赤色発光層４００Ｒ及び前記青色発光領域ＥＢの第１電極３７０と所定間隔離隔されながら密着する。したがって、前記第２高精細マスク５００ｂによって前記赤色発光領域ＥＲの赤色発光層４００Ｒ及び前記青色発光領域ＥＢの第１電極３７０が汚染されることを防ぐことができるだけでなく、前記赤色発光領域ＥＲの赤色発光層４００Ｒが押される現象を防ぐことができる。しかし、この場合前記赤色単位画素領域Ｒにおいて、前記第１バンクパターン３７５ａ上に形成された赤色発光層４００Ｒは前記第２高精細マスク５００ｂと密着するので、汚染されたり押される現象が発生することができるが、これは発光領域でないので大きい問題にならない。
【００３１】
図５を参考にすると、第３高精細マスク５００ｃのオープニングを前記青色単位画素領域Ｂにアラインしながら、前記第３高精細マスク５００ｃを前記第１バンクパターン３７５ａ上に密着させる。前記第２バンクパターン３７５ｂを形成した場合、前記第２バンクパターン３７５ｂ上にも前記第３高精細マスク５００ｃが密着する。そうしてから、前記第３高精細マスク５００ｃのオープニングを介して青色発光有機物を蒸着することによって、前記青色単位画素領域Ｂの前記第１電極３７０上に青色発光層４００Ｂを形成する。
【００３２】
この時、前記第３高精細マスク５００ｃは前記第１バンクパターン３７５ａによって前記赤色発光領域ＥＲの赤色発光層４００Ｒ及び前記緑色発光領域ＥＧの緑色発光層４００Ｇと所定間隔離隔されながら密着する。したがって、前記第３高精細マスク５００ｃによって前記赤色発光領域ＥＲの赤色発光層４００Ｒ及び前記緑色発光領域ＥＧの緑色発光層４００Ｇが汚染されて、押される現象を防ぐことができる。しかし、この場合前記第１バンクパターン３７５ａ上に形成された赤色発光層４００Ｒ及び緑色発光層４００Ｇは前記第３高精細マスク５００ｃと密着するので、汚染されたり押される現象が発生することがあるが、これは発光領域でないので大きい問題にならない。
以上のようにして、前記赤色発光層４００Ｒ、緑色発光層４００Ｇ及び青色発光層４００Ｂは、図５に示されているように、いずれもそれぞれ対応する前記ビアホール３６０ａや第１電極３７０の第１部分上の前記第１バンクパターン３７５ａ上、及び第１電極３７０の第２部分上を覆って被着形成されている。
【００３３】
前述したように、前記第１バンクパターン３７５ａを前記第１電極３７０が位置したビアホール３６０ａを充填するように形成することによって、前記発光層４００Ｒ、４００Ｇ、４００Ｂが前記ビアホール３６０ａ内で折れ曲がった形態に形成されることを防ぐことができる。
【００３４】
これと同時に、前記第１バンクパターン３７５ａを前記ビアホール周辺の第１電極３７０を露出させるように形成することにより言い換えると、前記第１バンクパターン３７５ａが占める面積を最小化することによって、前記発光領域ＥＲ、ＥＧ、ＥＢの面積すなわち、開口率を向上させることができ、前記発光層４００Ｒ、４００Ｇ、４００Ｂと前記第１バンクパターン３７５ａとの接触面積を減らすことができる。これで、前記発光層４００Ｒ、４００Ｇ、４００Ｂが前記有機膜で形成された第１バンクパターン３７５ａと接触することによって現れることができる劣化現象すなわち、前記有機膜から発生するアウトガスによって現れる劣化現象を最小化できる。また、前記第１バンクパターン３７５ａをテーパー付けられたエッジを有するように形成することによって、前記第１バンクパターン３７５ａのエッジ部Ｑで前記発光層４００Ｒ、４００Ｇ、４００Ｂの成膜不良を最小化できる。この時、前記発光層４００Ｒ、４００Ｇ、４００Ｂは前記第１電極３７０のエッジ部にも形成される。したがって、前記第１電極３７０をテーパー付けられたエッジを有するように形成することによって、前記第１電極３７０エッジ部での前記発光層４００Ｒ、４００Ｇ、４００Ｂの成膜不良も最小化できる。
【００３５】
これと共に、前記第１バンクパターン３７５ａを前記ビアホール絶縁膜３６０上に延びた第１電極３７０に比べて上部に突出されるように形成することによって、前記高精細マスク５００ａ、５００ｂ、５００ｃを用いて前記発光層４００Ｒ、４００Ｇ、４００Ｂを形成することにおいて、第１電極３７０及び前記発光層４００Ｒ、４００Ｇ、４００Ｂの汚染及び前記高精細マスクにより押される現象を防ぐことができる。前記第２バンクパターン３７５ｂは前記第１バンクパターン３７５ａを補助して前記高精細マスク５００ａ、５００ｂ、５００ｃを支える役割をする。
【００３６】
図６を参考にすると、前記発光層４００Ｒ、４００Ｇ、４００Ｂ上に第２電極４２０を形成する。前記第２電極４２０を形成する前に前記発光層４００Ｒ、４００Ｇ、４００Ｂ上に第２電荷輸送層及び／または第２電荷注入層を形成することが望ましい。
【００３７】
前記第２電極４２０は前記第１電極３７０をアノードで形成した場合カソードで形成して、前記第１電極３７０をカソードで形成した場合アノードで形成する。前記第１電極３７０、前記第２電極４２０及びその間に介在した前記有機膜は有機電界発光ダイオードを形成する。
【００３８】
図７ないし図１０は、本発明の第２ないし第５実施形態それぞれによる有機電界発光表示装置を示した平面図であって、第１電極、ビアホール、第１バンクパターン及び第２バンクパターンに限定して示した図面である。
【００３９】
図７を参照すると、第１電極３７０はその真ん中の部分でビアホール３６０ａと重なる。前記ビアホール３６０ａと重なった前記第１電極３７０上に第１電極３７０に比べて上部に突出された第１バンクパターン３７５ａが位置する。また、前記第１電極３７０と相互に離隔されながら前記第１電極３７０の四隅を取り囲む第２バンクパターン３７５ｂが位置する。
【００４０】
図８を参照すると、第１電極３７０はその真ん中の部分でビアホール３６０ａと重なる。前記第１電極３７０と相互に離隔されながら前記第１電極３７０を取り囲み、前記第１電極３７０に比べて上部に突出された第２バンクパターン３７５ｂが位置する。また、前記ビアホール３６０ａと重なった前記第１電極３７０上に前記第１電極３７０に比べて上部に突出された第１バンクパターン３７５ａが位置する。前記第１バンクパターン３７５ａは前記第１電極３７０を横切るように延びて前記第２バンクパターン３７５ｂに連結される。
【００４１】
図９を参照すると、第１電極３７０はその縁部分でビアホール３６０ａと重なる。前記ビアホール３６０ａと重なった前記第１電極３７０上に前記第１電極３７０に比べて上部に突出された第１バンクパターン３７５ａが位置する。また、前記第１電極３７０と相互に離隔されながら前記第１電極３７０の四隅を取り囲み、前記第１電極３７０に比べて上部に突出された第２バンクパターン３７５ｂが位置する。また、前記第１バンクパターン３７５ａは前記第２バンクパターン３７５ｂに連結される。
【００４２】
図１０を参照すると、第１電極３７０はその縁部分でビアホール３６０ａと重なる。前記ビアホール３６０ａと重なった前記第１電極３７０上に前記第１電極３７０に比べて上部に突出された第１バンクパターン３７５ａが位置する。また、前記第１電極３７０と相互に離隔されながら前記第１電極３７０を取り囲み、前記第１電極３７０に比べて上部に突出された第２バンクパターン３７５ｂが位置する。また、前記第１バンクパターン３７５ａは前記第２バンクパターン３７５ｂに連結される。
【図面の簡単な説明】
【００４３】
【図１】本発明の第１実施形態による有機電界発光表示装置を示した平面図である。
【図２】図１の切断線Ｉ−Ｉ′に沿って取られた本発明の第１実施形態による有機電界発光表示装置及びその製造方法を説明するための断面図である。
【図３】図１の切断線Ｉ−Ｉ′に沿って取られた本発明の第１実施形態による有機電界発光表示装置及びその製造方法を説明するための断面図である。
【図４】図１の切断線Ｉ−Ｉ′に沿って取られた本発明の第１実施形態による有機電界発光表示装置及びその製造方法を説明するための断面図である。
【図５】図１の切断線Ｉ−Ｉ′に沿って取られた本発明の第１実施形態による有機電界発光表示装置及びその製造方法を説明するための断面図である。
【図６】図１の切断線Ｉ−Ｉ′に沿って取られた本発明の第１実施形態による有機電界発光表示装置及びその製造方法を説明するための断面図である。
【図７】本発明の第２ないし第５実施形態それぞれによる有機電界発光表示装置を示した平面図である。
【図８】本発明の第２ないし第５実施形態それぞれによる有機電界発光表示装置を示した平面図である。
【図９】本発明の第２ないし第５実施形態それぞれによる有機電界発光表示装置を示した平面図である。
【図１０】本発明の第２ないし第５実施形態それぞれによる有機電界発光表示装置を示した平面図である。
【図１１】従来のアクティブマトリックス有機電界発光表示装置及びその製造方法を説明するための断面図である。
【図１２】有機電界発光表示装置において不良が発生したことを示す写真である。
【符号の説明】
【００４４】
３００  基板
３７０  第１電極
３６０ａ  ビアホール
３７５ａ  第１バンクパターン
３７５ｂ  第２バンクパターン
【図１】
0004786893.tif 000002
【図２】
0004786893.tif 000003
【図３】
0004786893.tif 000004
【図４】
0004786893.tif 000005
【図５】
0004786893.tif 000006
【図６】
0004786893.tif 000007
【図７】
0004786893.tif 000008
【図８】
0004786893.tif 000009
【図９】
0004786893.tif 000010
【図１０】
0004786893.tif 000011
【図１１】
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【図１２】
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