(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体素子の回路形成面の裏面にダイアタッチ層が形成された半導体装置を製造するダイアタッチフィルム付きの半導体装置の製造方法であって、
複数の前記半導体素子が作り込まれた半導体ウェハの前記回路形成面に保護シートを貼付ける保護シート貼付工程と、
前記保護シートが貼付けられた半導体ウェハの前記裏面を機械研削することにより前記半導体ウェハを薄化するウェハ薄化工程と、
ウェハ薄化工程後の前記半導体ウェハをプラズマ処理によって個片の半導体素子に分割するプラズマダイシング工程と、
前記個片の半導体素子の前記裏面にダイアタッチ層を個片毎に転写するダイアタッチ層転写工程と、
前記ダイアタッチ層転写工程後の前記半導体ウェハを加熱することにより、前記ダイアタッチ層を仮硬化させるキュア工程と、
前記半導体ウェハのダイアタッチ層形成側にダイボンディングシートを貼付けた後、前記保護シートを前記回路形成面から除去する工程とを含み、
前記ダイアタッチ層転写工程において、外周に前記ダイアタッチ層を転写するための転写面が設けられた転写ローラの前記転写面に前記ダイアタッチ層となる樹脂膜を形成し、前記樹脂膜が形成された前記転写ローラを型に押しつけて転動させることにより前記樹脂膜を前記半導体ウェハにおける半導体素子の配列パターンに応じたパターンの個片膜に分割し、次いで前記転写ローラを前記半導体ウェハの前記裏面側で転動させることにより、前記個片膜を各半導体素子に転写することを特徴とするダイアタッチフィルム付きの半導体装置の製造方法。
【請求項２】
半導体素子の回路形成面の裏面にダイアタッチ層が形成された半導体装置を製造するダイアタッチフィルム付きの半導体装置の製造方法であって、
複数の前記半導体素子が作り込まれた半導体ウェハを前記回路形成面側から前記各半導体素子を区分するスクライブラインに沿ってハーフカットすることにより分割溝を形成するハーフカット工程と、
前記ハーフカット後の前記半導体ウェハの前記回路形成面に保護シートを貼付ける保護シート貼付工程と、
前記保護シートが貼付された半導体ウェハの前記裏面を前記分割溝が露呈するまで機械研削することによりにより前記半導体ウェハを個片の半導体素子に分割する個片分割工程と、
前記個片の半導体素子の前記裏面にダイアタッチ層を個片毎に転写するダイアタッチ層転写工程と、
前記ダイアタッチ層転写工程後の前記半導体ウェハを加熱することにより、前記ダイアタッチ層を仮硬化させるキュア工程と、
前記半導体ウェハのダイアタッチ層形成側にダイボンディングシートを貼付した後、前記保護シートを前記回路形成面から除去する工程とを含み、
前記ダイアタッチ層転写工程において、外周に前記ダイアタッチ層を転写するための転写面が設けられた転写ローラの前記転写面に前記ダイアタッチ層となる樹脂膜を形成し、前記樹脂膜が形成された前記転写ローラを型に押しつけて転動させることにより前記樹脂膜を前記半導体ウェハにおける半導体素子の配列パターンに応じたパターンの個片膜に分割し、次いで前記転写ローラを前記半導体ウェハの前記裏面側で転動させることにより、前記個片膜を各半導体素子に転写することを特徴とするダイアタッチフィルム付きの半導体装置の製造方法。
【請求項３】
半導体素子の回路形成面の裏面にダイアタッチ層が形成された半導体装置を製造するダイアタッチフィルム付きの半導体装置の製造方法であって、
複数の前記半導体素子が作り込まれた半導体ウェハの前記回路形成面に保護シートを貼付ける保護シート貼付工程と、
保護シート貼付工程後の前記半導体ウェハに対して前記回路形成面の裏面側から前記各半導体素子を区分するスクライブラインに沿ってレーザ光を照射することにより前記スクライブライン近傍の半導体ウェハの内部に周囲よりも機械的強度が弱い改質層を形成する改質層形成工程と、
改質層形成工程後の前記半導体ウェハの各半導体素子の前記裏面にダイアタッチ層を個片毎に転写するダイアタッチフィルム転写工程と、
前記ダイアタッチ層転写工程後の前記半導体ウェハを加熱することにより、前記ダイアタッチ層を仮硬化させるキュア工程と、
前記キュア工程後において、前記保護シートを引き延ばすことにより前記半導体ウェハを前記改質層を起点として前記スクライブラインに沿って個片の半導体素子に分割する個片分割工程とを含み、
前記ダイアタッチ層転写工程において、外周に前記ダイアタッチ層を転写するための転写面が設けられた転写ローラの前記転写面に前記ダイアタッチ層となる樹脂膜を形成し、前記樹脂膜が形成された前記転写ローラを型に押しつけて転動させることにより前記樹脂膜を前記半導体ウェハにおける半導体素子の配列パターンに応じたパターンの個片膜に分割し、次いで前記転写ローラを前記半導体ウェハの前記裏面側で転動させることにより、前記個片膜を各半導体素子に転写することを特徴とするダイアタッチフィルム付きの半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体素子の回路形成面の裏面にダイアタッチ層が形成された半導体装置を製造するダイアタッチフィルム付きの半導体装置の製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
電子機器の基板に実装される半導体装置として、半導体素子の回路形成面の裏面に、基板への固着用の接着剤としてのダイアタッチ層が予め形成されたダイアタッチフィルム（以下，「ＤＡＦ」と略記）付きの半導体装置が知られている。このように予めダイアタッチ層を形成しておくことにより、基板やリードフレームへの実装に先立って接着剤の塗布工程を省略できるという利点がある。このようなダイアタッチフィルム付きの半導体装置は、従来より各種の製造方法によって製造されている（例えば特許文献１〜４参照）。
【０００３】
特許文献１および２に示す例では、ＤＡＦを貼付した状態の半導体ウェハをＤＡＦとともに半導体素子毎に切断することにより、ダイアタッチ層を備えた半導体装置を製造するようにしている。また特許文献３に示す例では、半導体ウェハに個片分割用の切断溝を回路形成面側から形成した後に、裏面を機械研削することにより個片の半導体素子に分割し、この状態でダイアタッチ層が設けられたチップ固定用接着シートを貼付し、次いでチップ固定用接着シートを個片毎に切断するようにしている。そして特許文献４に示す例では、まずダイシングテープが貼付された半導体ウェハに対して回路形成面の裏面側からスクライブラインに沿ってレーザ光を照射することにより半導体ウェハの内部に機械的強度が弱い改質層を形成し、次いで半導体ウェハの裏面にＤＡＦを貼付した後に、ダイシングテープを引き延ばすことにより、半導体ウェハを改質層に沿って破断させて個片に分割するとともに、ＤＡＦを引きちぎる形で切断するようにしている。
【特許文献１】特開平６−３０２６２９号公報
【特許文献２】特開２００５−３３２９８２号公報
【特許文献３】特開２００５−２０９９４０号公報
【特許文献４】特開２００５−３４０４２３号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら上述の各特許文献に示すような先行技術においては以下に述べるような問題点があった。まず特許文献１，２に示す例では、半硬化状態の軟らかいダイアタッチ層を硬質の半導体ウェハとともに機械的にダイシングすることから切断の難度が高く、この切断難度に起因する切断品質不良の問題が避けられなかった。また特許文献３に示す例においても、既に半導体ウェハに切断溝を形成した後にＤＡＦのみを切断することから、切断後のＤＡＦの形状を個片の半導体ウェハに精度良く合わせることが難しく、ＤＡＦが半導体素子の外形からはみ出す不具合が生じていた。また特許文献４に示す例においては、ＤＡＦを引きちぎる形で個片に分割することから切断精度や品質の確保は困難であった。さらに、ＤＡＦの切断にレーザ照射を用いる場合には、装置コストの増大・工程の複雑化とともに、レーザ切断時にＤＡＦとダイシングテープとがレーザ光の熱によって融着し、ダイシングテープを剥離する際の不具合を誘発するという問題が発生していた。このように、上述の先行技術例を含む従来技術においては、ＤＡＦの切断品質が確保されたＤＡＦ付の半導体装置を簡便・安価な方法で製造することが困難であるという課題があった。
【０００５】
そこで本発明は、ダイアタッチフィルムの切断品質が確保された半導体装置を簡便・安価な方法で製造することができるダイアタッチフィルム付の半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
請求項１に記載のダイアタッチフィルム付きの半導体装置の製造方法は、半導体素子の回路形成面の裏面にダイアタッチ層が形成された半導体装置を製造するダイアタッチフィルム付きの半導体装置の製造方法であって、複数の前記半導体素子が作り込まれた半導体ウェハの前記回路形成面に保護シートを貼付ける保護シート貼付工程と、前記保護シートが貼付けられた半導体ウェハの前記裏面を機械研削することにより前記半導体ウェハを薄化するウェハ薄化工程と、ウェハ薄化工程後の前記半導体ウェハをプラズマ処理によって個片の半導体素子に分割するプラズマダイシング工程と、前記個片の半導体素子の前記裏面にダイアタッチ層を個片毎に転写するダイアタッチ層転写工程と、前記ダイアタッチ層転写工程後の前記半導体ウェハを加熱することにより、前記ダイアタッチ層を仮硬化させるキュア工程と、前記半導体ウェハのダイアタッチ層形成側にダイボンディングシートを貼付けた後、前記保護シートを前記回路形成面から除去する工程とを含み、前記ダイアタッチ層転写工程において、外周に前記ダイアタッチ層を転写するための転写面が設けられた転写ローラの前記転写面に前記ダイアタッチ層となる樹脂膜を形成し、前記樹脂膜が形成された前記転写ローラを型に押しつけて転動させることにより前記樹脂膜を前記半導体ウェハにおける半導体素子の配列パターンに応じたパターンの個片膜に分割し、次いで前記転写ローラを前記半導体ウェハの前記裏面側で転動させることにより、前記個片膜を各半導体素子に転写する。
【０００７】
請求項２に記載のダイアタッチフィルム付きの半導体装置の製造方法は、半導体素子の回路形成面の裏面にダイアタッチ層が形成された半導体装置を製造するダイアタッチフィルム付きの半導体装置の製造方法であって、複数の前記半導体素子が作り込まれた半導体ウェハを前記回路形成面側から前記各半導体素子を区分するスクライブラインに沿ってハーフカットすることにより分割溝を形成するハーフカット工程と、前記ハーフカット後の前記半導体ウェハの前記回路形成面に保護シートを貼付ける保護シート貼付工程と、前記保護シートが貼付された半導体ウェハの前記裏面を前記分割溝が露呈するまで機械研削することによりにより前記半導体ウェハを個片の半導体素子に分割する個片分割工程と、前記個片の半導体素子の前記裏面にダイアタッチ層を個片毎に転写するダイアタッチ層転写工程と、前記ダイアタッチ層転写工程後の前記半導体ウェハを加熱することにより、前記ダイアタッチ層を仮硬化させるキュア工程と、前記半導体ウェハのダイアタッチ層形成側にダイボンディングシートを貼付した後、前記保護シートを前記回路形成面から除去する工程とを含み、前記ダイアタッチ層転写工程において、外周に前記ダイアタッチ層を転写するための転写面が設けられた転写ローラの前記転写面に前記ダイアタッチ層となる樹脂膜を形成し、前記樹脂膜が形成された前記転写ローラを型に押しつけて転動させることにより前記樹脂膜を前記半導体ウェハにおける半導体素子の配列パターンに応じたパターンの個片膜に分割し、次いで前記転写ローラを前記半導体ウェハの前記裏面側で転動させることにより、前記個片膜を各半導体素子に転写する。
【０００８】
請求項３に記載のダイアタッチフィルム付きの半導体装置の製造方法は、半導体素子の回路形成面の裏面にダイアタッチ層が形成された半導体装置を製造するダイアタッチフィルム付きの半導体装置の製造方法であって、複数の前記半導体素子が作り込まれた半導体ウェハの前記回路形成面に保護シートを貼付ける保護シート貼付工程と、保護シート貼付工程後の前記半導体ウェハに対して前記回路形成面の裏面側から前記各半導体素子を区分するスクライブラインに沿ってレーザ光を照射することにより前記スクライブライン近傍の半導体ウェハの内部に周囲よりも機械的強度が弱い改質層を形成する改質層形成工程と、改質層形成工程後の前記半導体ウェハの各半導体素子の前記裏面にダイアタッチ層を個片毎に転写するダイアタッチフィルム転写工程と、前記ダイアタッチ層転写工程後の前記半導体ウェハを加熱することにより、前記ダイアタッチ層を仮硬化させるキュア工程と、前記キュア工程後において、前記保護シートを引き延ばすことにより前記半導体ウェハを
前記改質層を起点として前記スクライブラインに沿って個片の半導体素子に分割する個片分割工程とを含み、前記ダイアタッチ層転写工程において、外周に前記ダイアタッチ層を転写するための転写面が設けられた転写ローラの前記転写面に前記ダイアタッチ層となる樹脂膜を形成し、前記樹脂膜が形成された前記転写ローラを型に押しつけて転動させることにより前記樹脂膜を前記半導体ウェハにおける半導体素子の配列パターンに応じたパターンの個片膜に分割し、次いで前記転写ローラを前記半導体ウェハの前記裏面側で転動させることにより、前記個片膜を各半導体素子に転写する。
【発明の効果】
【０００９】
本発明によれば、個片の半導体素子にダイアタッチ層を個片毎に転写するダイアタッチ層転写工程において、転写ローラの転写面にダイアタッチ層となる樹脂膜を形成し、樹脂膜が形成された転写ローラを型に押しつけて転動させて樹脂膜を半導体素子の配列パターンに応じたパターンの個片膜に分割し、次いで転写ローラを半導体ウェハの裏面側で転動させて個片膜を各半導体素子に転写することにより、従来方法における不具合を解消して、ダイアタッチフィルムの切断品質が確保された半導体装置を簡便・安価な方法で製造することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１０】
（実施の形態１）
次に本発明の実施の形態を図面を参照して説明する。図１は本発明の実施の形態１のダイアタッチフィルム付の半導体装置の製造方法を示すフロー図、図２、図３，図４、図５は本発明の実施の形態１のダイアタッチフィルム付の半導体装置の製造方法の工程説明図である。
【００１１】
まずダイアタッチフィルム付の半導体装置の製造方法について、図１に沿って各図を参照しながら説明する。このダイアタッチフィルム付の半導体装置の製造方法は、半導体素子の回路形成面の裏面にダイアタッチ層が形成された半導体装置を製造するものである。
【００１２】
図１において、まず半導体ウェハに保護シートを貼付ける保護シート貼付工程が実行される（ＳＴ１）。すなわち、図２（ａ）に示すように、複数の半導体素子が作り込まれた半導体ウェハ１の回路形成面１ａに剥離可能な保護シート２を貼付ける。次いで、裏面研削が実行される（ＳＴ２）。すなわち保護シート２が貼付けられた半導体ウェハの裏面１ｂを機械研削することにより、半導体ウェハ１を薄化する。これにより、当初約７５０μｍの厚みの半導体ウェハ１は、図２（ｂ）に示すように、６０μｍ程度の厚みｔまで薄化される（ウェハ薄化工程）。
【００１３】
次に、マスク形成工程が実行される（ＳＴ３）。すなわち、ウェハ薄化工程の後、機械研削面には５〜２０μｍ程度の厚みのレジスト膜が、樹脂膜貼付けやスピンコートによる樹脂塗布などの方法によって形成される。次いで、レジスト膜において個々の半導体素子を区画するスクライブラインに対応した部分のみを、フォトリソグラフィーやレーザ加工などの方法によって除去する。これにより、図２（ｃ）に示すように、プラズマダイシングのためのマスク、すなわちスクライブライン３ａによって区画された領域を覆うマスク３が、半導体ウェハ１の裏面１ｂに形成される。
【００１４】
次いでウェハ薄化工程後の半導体ウェハ１を、プラズマ処理によって個片の半導体素子に分割するプラズマダイシング工程が実行される（ＳＴ４）。図３は、このプラズマダイシングのために用いられるドライエッチング装置１０の構成を示している。図３において、真空チャンバ１１の内部は減圧雰囲気下でプラズマ処理を行う処理室１２となっており、真空排気装置１５を駆動することにより、処理室１２の内部はプラズマ処理のための圧力まで減圧される。処理室１２の内部には、高周波電極１３およびシャワー電極１４が上
下対向して配設されている。高周波電極１３の上面には、処理対象の半導体ウェハ１が保護シート２を下面側にしてマスク３を上面に向けた姿勢で載置される。
【００１５】
高周波電極１３には高周波電源装置１６が電気的に接続されている。シャワー電極１４は接地部１８に接地されており、高周波電源装置１６を駆動することによって高周波電極１３とシャワー電極１４との間には高周波電圧が印加される。シャワー電極１４の下面には、複数のガス噴出孔１４ａが開口しており、ガス噴出孔１４ａはフッ素系のプラズマ処理用ガスを供給するガス供給部１７に接続されている。
【００１６】
プラズマ処理に際しては、まず高周波電極１３上に半導体ウェハ１を載置し、処理室１２内を真空排気装置１５によって真空排気しながらガス供給部１７によって処理室１２内にフッ素系のプラズマ発生用ガス（ここでは六フッ化硫黄（ＳＦ６）とヘリウムの混合ガス）を半導体ウェハ１に対して吹き付け、この状態で高周波電極１３とシャワー電極１４との間に高周波電圧を印加する。これによりフッ素系ガスがプラズマ化することによるフッ素ラジカルとイオンが発生し、このフッ素ラジカルの化学作用と加速されたイオンの物理作用によってプラズマダイシングが行われる。
【００１７】
すなわちフッ素系ガスのプラズマを半導体ウェハ１に上面から照射することにより、図２（ｄ）に示すように、半導体ウェハ１においてマスク３で覆われていないスクライブライン３ａの部分がフッ素ラジカルの化学作用と加速されたイオンの物理作用によって除去される。そして半導体ウェハ１の全厚みを貫通するダイシング溝１ｃを形成することにより、図２（ｅ）に示すように、半導体ウェハ１を個々の半導体装置毎に複数の半導体素子１ｄに分割する。
【００１８】
次に、ＤＡＦ転写工程が実行される（ＳＴ５）。ここでは個片の半導体素子１ｄの裏面１ｂに、図５に示す方法によってダイアタッチ層である個片膜４＊を個片毎に転写する。まず図５（ａ）に示すように、外周にダイアタッチ層を転写するための転写面２１ａが設けられた円筒形状の転写ローラ２１の転写面２１ａに、ダイアタッチ層となる樹脂膜４を形成する。樹脂膜４の形成方法としては、図５（ａ）に示すように、ノズル２２から吐出させた樹脂を転写面２１ａにスキージ２３によって延展することにより樹脂膜４を形成する方法や、予め膜状に成形された樹脂を転写面２１ａに貼着する方法等、各種の方法を用いることができる。
【００１９】
次いで樹脂膜４を分割するためのパターニングが行われる。このパターンニングには、板部材２４に半導体素子１ｄの配列パターンに応じたパターンで格子歯部２５を設けた構成の型２６を用いる。すなわち図５（ｂ）に示すように、転写面２１ａに樹脂膜４が形成された転写ローラ２１を型２６に押しつけて転動させることにより、樹脂膜４に格子歯部２５によって切れ目４ａを入れて、図５（ｃ）に示すように、樹脂膜４を半導体ウェハ１における半導体素子１ｄの配列パターンに応じたパターンの個片膜４＊に分割する。
【００２０】
次いで転写面２１ａに個片膜４＊が形成された転写ローラ２１を、図５（ｄ）に示すように、半導体ウェハ１の裏面１ｂ側で転動させることにより、個片膜４＊を各半導体素子１ｄに転写する。これにより、図４（ａ）に示すように、保護シート２に保持された状態の各個片の半導体素子１ｄの裏面１ｂ側には、ダイアタッチ層の個片膜４＊が転写により貼着される（ダイアタッチ層転写工程）。
【００２１】
この個片の半導体素子１ｄを保護シート２に保持させた状態の半導体ウェハ１はキュア工程に送られる（ＳＴ６）。ここではダイアタッチ層転写工程後の半導体ウェハ１は図４（ｂ）に示すように、キュア装置１９のワーク載置部２０に載置され、半導体ウェハ１を加熱することによりダイアタッチ層の個片膜４＊を仮硬化させる（キュア工程）。
【００２２】
この後キュア工程後の半導体ウェハ１はダイボンディングシート貼付け工程に送られる（ＳＴ７）。ここでは半導体ウェハ１のダイアタッチ層形成側にダイボンディングシート６を貼付ける。すなわち図４（ｃ）に示すように、各半導体素子１ｄは保護シート２に貼り付けられた状態のまま、ウェハリング５に展張されたダイボンディングシート６に仮硬化した個片膜４＊を介して転写される。
【００２３】
この後、保護シート２を回路形成面１ａから除去する保護シート除去工程に送られる（ＳＴ８）。すなわち図４（ｄ）に示すように、複数の半導体素子１ｄをダイボンディングシート６に貼付けた状態で、分割された複数の半導体素子１ｄから保護シート２を剥離する。これにより、半導体素子１ｄは回路形成面１ａを上向きにして裏面側をダイアッタチ層である個片膜４＊を介してダイボンディングシート６に保持された状態となる。
【００２４】
半導体素子１ｄを基板に実装するダイボンディング工程においては、半導体素子１ｄを搭載ノズルによって回路形成面１ａ側から吸着保持して個片膜４＊をダイボンディングシート６から剥離させる。そして半導体素子１ｄを保持した搭載ノズルを基板上に移動させて、部品搭載動作を行わせることにより、半導体素子１ｄを仮硬化状態のダイアッタチ層である個片膜４＊を介して基板に搭載する。
【００２５】
（実施の形態２）
図６は本発明の実施の形態２のダイアタッチフィルム付きの半導体装置の製造方法を示す工程説明図である。本実施の形態２は、実施の形態１と同様に半導体素子の回路形成面の裏面にダイアタッチ層が形成された半導体装置を製造するものであり、半導体ウェハを薄化して個片の半導体素子に分割する過程（実施の形態１における（ＳＴ２）〜（ＳＴ３）を、以下に示す各工程によって実行するようにしたものである。
【００２６】
まず図６（ａ）に示すように、実施の形態１に示す半導体ウェハ１と同様に複数の半導体素子が作り込まれた半導体ウェハ３１を回路形成面３１ａ側から、ダイシングソー３２によって各半導体素子を区分するスクライブラインに沿ってハーフカットすることにより、分割溝３１ｃを形成する（ハーフカット工程）。次いで図６（ｂ）に示すように、ハーフカット後の半導体ウェハ３１の回路形成面３１ａに、実施の形態１と同様の保護シート２を貼付ける（保護シート貼付工程）。
【００２７】
この後、保護シート２に保持された半導体ウェハ３１は個片分割工程に送られる。すなわち図６（ｃ）に示すように、保護シート２が貼付された半導体ウェハ３１の裏面３１ｂを、研削ツール３３によって分割溝３１ｃが露呈するまで機械研削することにより。半導体ウェハ３１を個片の半導体素子３１ｄに分割する。これにより、図６（ｄ）に示すように、半導体ウェハ３１は、分割溝３１ｃによって分割された複数の半導体素子３１ｄを保護シート２によって保持した状態となる。
【００２８】
これ以降の工程は、実施の形態１において図１に示す（ＳＴ５）〜（ＳＴ８）と同様である。すなわち、個片の半導体素子３１の裏面３１ｂにダイアタッチ層を個片毎に転写するダイアタッチ層転写工程と、ダイアタッチ層転写工程後の半導体ウェハ３１を加熱することにより、ダイアタッチ層を仮硬化させるキュア工程と、半導体ウェハ３１のダイアタッチ層形成側にダイボンディングシート６を貼付した後、保護シート２を回路形成面３１ａから除去する工程が実行される。そしてダイアタッチ層転写工程において、実施の形態１と同様に、図５に示す方法によって個片膜４＊を各半導体素子３１ｄに転写する。
【００２９】
（実施の形態３）
図７，図８は本発明の実施の形態３のダイアタッチフィルム付きの半導体装置の製造方
法を示す工程説明図である。本実施の形態３は、実施の形態１と同様に半導体素子の回路形成面の裏面にダイアタッチ層が形成された半導体装置を製造するものであり、半導体ウェハの分割およびＤＡＦ転写を以下に示す各工程によって実行するようにしている。
【００３０】
まず図７（ａ）に示すように、実施の形態１に示す半導体ウェハ１と同様に複数の半導体素子が作り込まれた半導体ウェハ４１を、回路形成面４１ａを下向きにして、ウェハリング４５に展張された保護シート４６に貼付ける（保護シート貼付工程）。次いで半導体ウェハ４１はウェハリング４５とともに改質層形成工程に送られる。すなわち図７（ｂ）に示すように、保護シート貼付工程後の半導体ウェハ４１に対して、回路形成面の裏面４１ｂ側から各半導体素子４１ｄを区分するスクライブライン４１ｃ（図７（ｃ）参照）に沿って、レーザ照射装置４７によってレーザ光を照射する。このレーザ光照射においては、半導体ウェハ４１の厚み方向の内部に集光点を合わせてレーザ光を照射する。これにより、図７（ｂ）に示すように、スクライブライン４１ｃ近傍の半導体ウェハ４１の内部には、微小なクラックが内包され周囲よりも機械的強度が弱い改質層４１ｅが形成される。
【００３１】
この後、図８（ａ）に示すように、改質層形成工程後の半導体ウェハ４１の各半導体素子４１ｄの裏面４１ｂに、ダイアタッチ層を個片毎に転写する（ダイアタッチ層転写工程）。このダイアタッチ層転写工程においては、実施の形態１と同様に、図５に示す方法によって個片膜４＊を各半導体素子４１ｄの位置毎に転写する。この後、実施の形態１と同様のキュア工程が実行されて個片膜４＊を仮硬化させた後、ウェハ分割工程が実行される。
【００３２】
すなわち半導体ウェハ４１は、ウェハリング４５に保持された状態で分割装置に送られる。分割に際しては図８（ｂ）に示すように、保護シート４６の下面側にリング部材４８を当接させて上方に押し上げる。これにより、保護シート４６は膜方向に引き延ばされ、保護シート４６に貼付された半導体ウェハ４１には引張り方向の力が作用し、半導体ウェハ４１は、図８（ｃ）に示すように、スクライブライン４１ｃに沿って形成された改質層４１ｅに沿って個片の半導体素子４１ｄに分割される。すなわちウェハ分割工程においては、キュア工程後において保護シート４６を引き延ばすことにより半導体ウェハ４１を改質層４１ｅを起点としてスクライブライン４１ｃに沿って個片の半導体素子４１ｄに分割する。
【００３３】
この後、キュア工程後の半導体ウェハ４１は、実施の形態１における（ＳＴ７）、（ＳＴ８）と同様に、ダイボンディングシート貼付け工程および保護シート除去工程に順次送られる。すなわち、各半導体素子４１ｄは保護シート４６に貼り付けられた状態のまま、仮硬化した個片膜４＊を介してダイボンディングシートに転写される。そしてこの後、分割された複数の半導体素子４１ｄから保護シート４６を剥離する。これにより、実施の形態１と同様に、半導体素子４１ｄは回路形成面４１ａを上向きにして裏面側をダイアッタチ層である個片膜４＊を介してダイボンディングシートに保持された状態となる。
【００３４】
上記説明したように、各実施の形態１，２，３に記載のダイアタッチフィルム付の半導体装置の製造方法では、個片の半導体素子にダイアタッチ層を個片毎に転写するダイアタッチ層転写工程において、転写ローラの転写面にダイアタッチ層となる樹脂膜を形成し、樹脂膜が形成された転写ローラを型に押しつけて転動させて樹脂膜を半導体素子の配列パターンに応じたパターンの個片膜に分割し、次いで転写ローラを半導体ウェハの裏面側で転動させて個片膜を各半導体素子に転写するようにしている。
【００３５】
これにより、軟らかいダイアタッチ層を硬質の半導体ウェハとともに機械的にダイシングする際の切断難度に起因する切断品質不良や、ダイシング後にダイアタッチフィルムのみを切断する場合に生じるダイアタッチ層のはみ出しなど、従来方法における不具合を解
消して、ダイアタッチフィルムの切断品質が確保された半導体装置を簡便・安価な方法で製造することができる。
【産業上の利用可能性】
【００３６】
本発明のダイアタッチフィルム付の半導体装置の製造方法は、ダイアタッチフィルムの切断品質が確保された半導体装置を簡便・安価な方法で製造することができるという効果を有し、半導体ウェハから切り出した半導体素子を基板に実装するダイボンディングの分野に有用である。
に有用である。
【図面の簡単な説明】
【００３７】
【図１】本発明の実施の形態１のダイアタッチフィルム付の半導体装置の製造方法を示すフロー図
【図２】本発明の実施の形態１のダイアタッチフィルム付の半導体装置の製造方法の工程説明図
【図３】本発明の実施の形態１のダイアタッチフィルム付の半導体装置の製造方法の工程説明図
【図４】本発明の実施の形態１のダイアタッチフィルム付の半導体装置の製造方法の工程説明図
【図５】本発明の実施の形態１のダイアタッチフィルム付の半導体装置の製造方法の工程説明図
【図６】本発明の実施の形態２のダイアタッチフィルム付きの半導体装置の製造方法を示す工程説明図
【図７】本発明の実施の形態３のダイアタッチフィルム付きの半導体装置の製造方法を示す工程説明図
【図８】本発明の実施の形態３のダイアタッチフィルム付きの半導体装置の製造方法を示す工程説明図
【符号の説明】
【００３８】
１、３１、４１  半導体ウェハ
１ａ、３１ａ、４１ａ  回路形成面
１ｄ、３１ｄ、４１ｄ  半導体素子
２、４６  保護シート
４  樹脂膜
４＊  個片膜（ダイアタッチ層）
６  ダイボンディングシート
２１  転写ローラ
２１ａ  転写面
２６  型
４１ｃ  スクライブライン
４１ｅ  改質層
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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