(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
電気絶縁性の基板の一方の主面上に、アンテナコイル、前記アンテナコイルを介して情報の送受信を行うＩＣチップ、前記アンテナコイルに接続された接続パターンおよび前記接続パターンに接続された静電容量調整パターンを備え、他方の主面上に、前記一方の主面上の静電容量調整パターンに対応して設けられ、ジャンパ線および接続パターンを介して前記アンテナコイルと接続された静電容量調整パターンを備える、第１のモジュール基板および第２のモジュール基板を作製する工程と、
金属基板の一方の主面に、ペースト状の磁性材料を塗布する工程と、
前記金属基板の一方の主面に、塗布された磁性材料を介して、前記他方の主面側を磁性材料側にして前記第１のモジュール基板を積層する工程と、
金属基板の他方の主面に、ペースト状の磁性材料を塗布する工程と、
前記金属基板の他方の主面に、塗布された磁性材料を介して、前記他方の主面側を磁性材料側にして前記第２のモジュール基板を積層して一体化する工程と
を具備したことを特徴とする非接触式データキャリアインレットの製造方法。
【請求項２】
請求項１記載の方法で製造された非接触式データキャリアインレットが複数個配設された状態のシートをロール状に巻回して作製することを特徴とする非接触式データキャリアインレットロールの製造方法。
【請求項３】
請求項１記載の方法で製造された非接触式データキャリアインレットを外装で覆うことにより作製することを特徴とする非接触式データキャリアの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、非接触で情報の交信を行う非接触式データキャリアの構成部品となる非接触式データキャリアインレットの製造方法、複数の非接触式データキャリアインレットがロール状の基材に設けられた非接触式データキャリアインレットロールの製造方法および非接触式データキャリアの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来の非接触式データキャリアは、所定の周波数帯で交信可能なアンテナコイルを有する非接触式データキャリアインレットを備えて構成されている（例えば、特許文献１参照）。この従来の非接触式データキャリアを用いる場合、利用者は、各用途毎に非接触式データキャリアを所持していた。
【特許文献１】特開２０００−１３７７７７号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
上記したように、従来の非接触式データキャリアを用いる場合、利用者は、各用途毎に非接触式データキャリアを所持しなければならず不便であった。
【０００４】
また、従来の非接触式データキャリアにおいて、例えば、異なる周波数帯で交信するアンテナコイルを有する２つの非接触式データキャリアインレットを、並べて配設するか、一方のアンテナコイル内に他方を配設して、非接触式データキャリアを構成することも考えられる。
【０００５】
しかしながら、非接触式データキャリアにおいて、例えば、カード状に形成されるものは、そのサイズが定められているため、上記したように、異なる周波数帯の非接触式データキャリアを並べて配設する場合などには、配置面積などの制限を受ける。さらに、所定の設置面積に、非接触式データキャリアを並べて配設するので、非接触式データキャリアのコイル径が小さくなり、条件によっては動作距離が短くなる場合がある。
【０００６】
そこで、本発明は、上記課題を解決するためになされたもので、非接触式データキャリアの両面に、それぞれ個々のアンテナコイルおよびＩＣチップを有するモジュール基板を備え、アンテナコイルなどを配置するための面積を有効に確保することができ、２つの非接触式データキャリアの機能を備えることで使い勝手を向上させることができる非接触式データキャリアインレットの製造方法、非接触式データキャリアインレットロールの製造方法および非接触式データキャリアの製造方法の提供を目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１４】
上記目的を達成するために、本発明に係る非接触式データキャリアインレットの製造方法は、電気絶縁性の基板の一方の主面上に、アンテナコイル、前記アンテナコイルを介して情報の送受信を行うＩＣチップ、前記アンテナコイルに接続された接続パターンおよび前記接続パターンに接続された静電容量調整パターンを備え、他方の主面上に、前記一方の主面上の静電容量調整パターンに対応して設けられ、ジャンパ線および接続パターンを介して前記アンテナコイルと接続された静電容量調整パターンを備える、第１のモジュール基板および第２のモジュール基板を作製する工程と、金属基板の一方の主面に、ペースト状の磁性材料を塗布する工程と、前記金属基板の一方の主面に、塗布された磁性材料を介して、前記他方の主面側を磁性材料側にして前記第１のモジュール基板を積層する工程と、金属基板の他方の主面に、ペースト状の磁性材料を塗布する工程と、前記金属基板の他方の主面に、塗布された磁性材料を介して、前記他方の主面側を磁性材料側にして前記第２のモジュール基板を積層して一体化する工程とを具備したことを特徴とする。
【００１５】
この非接触式データキャリアインレットの製造方法によれば、２つのモジュール基板を、金属基板の両面に磁性体層が形成された磁性体層モジュールを介して配置した非接触式データキャリアインレットを作製することができる。これによって、一方から導入されたリーダライタの送受信用の磁界は、磁性体層を通って、前記の導入された側に導かれるとともに、金属基板によって遮断されるので他方側に及ぼす影響を防止することができる。
【００１６】
また、上記した非接触式データキャリアインレットの製造方法で製造された非接触式データキャリアインレットが複数個配設された状態のシートをロール状に巻回して、非接触式データキャリアインレットロールを作製してもよい。さらに、上記した非接触式データキャリアインレットの製造方法で製造された非接触式データキャリアインレットを外装で覆うことにより、非接触式データキャリアを作製してもよい。
【発明の効果】
【００１７】
本発明の非接触式データキャリアインレットの製造方法、非接触式データキャリアインレットロールの製造方法および非接触式データキャリアの製造方法によれば、非接触式データキャリアの両面に、それぞれ個々のアンテナコイルおよびＩＣチップを有するモジュール基板を備え、アンテナコイルなどを配置するための面積を有効に確保することができ、２つの非接触式データキャリアの機能を備えることで使い勝手を向上させることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１８】
以下、本発明を実施するための最良の形態を図面に基づき説明する。
【００１９】
（第１の実施の形態）
図１は、本発明の第１の実施形態に係る非接触式データキャリアインレット１０の一方の側面側を示す平面図である。また、図２は、非接触式データキャリアインレット１０を構成するアンテナコイルＡおよびＩＣチップＣを備えたモジュール基板２０の一方の面側を示す平面図、図３は、モジュール基板２０における一方の側面側からの断面図、図４は、非接触式データキャリアインレット１０を構成するアンテナコイルＡおよびＩＣチップＣを備えたモジュール基板２０の他方の面側を示す平面図である。また、図５は、非接触式データキャリアインレット１０の構成を機能的に示すブロック図である。さらに、図６は、第１の実施形態に係る非接触式データキャリアインレット１０を外装で覆うことにより構成された非接触式データキャリア４０の一方の面側を示す平面図、図７は、図６の非接触式データキャリア４０における一方の側面側からの断面図である。
【００２０】
なお、図２および図４において、アンテナコイルＡを含む導体パターンをハッチングで示しており、手前側の面に形成された導体パターンと、その裏面に形成された導体パターンとのハッチングの傾斜方向を変えて区別している。
【００２１】
図１に示すように、非接触式データキャリアインレット１０は、モジュール基板２０を磁性体層３０の両面に一体的に積層して構成されている。
【００２２】
また、図２〜図５に示すように、モジュール基板２０は、基材フィルムＰ１と、基材フィルムＰ１上に形成されたアンテナコイルＡと、基材フィルムＰ１上でアンテナコイルＡに並列に接続された一対の接続パターン２１ａ、２１ｂと、基材フィルムＰ１上に実装されたＩＣチップＣと、一対の接続パターン２１ａ、２１ｂにそれぞれ接続され、基材フィルムＰ１を介して対をなす複数の静電容量調整パターン２２ａ、２２ｂ、２３ａ、２３ｂ、２４ａ、２４ｂ、２５ａ、２５ｂを主に備えている。
【００２３】
基材フィルムＰ１は、電気絶縁性を有する基材であって、例えば、ＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレート）などで構成されるが、この他にも、例えば、フェノール樹脂、ユリア樹脂、メラミン樹脂、ポリテトラフルオロエチレン、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリスチレン、ポリエーテルサルフォン、ポリフェニレンスルフィド、ＰＢＴ、ポリアリレート、シリコン樹脂、ジアリルフタレート、ポリイミドなどで構成することもできる。ここでは、基材フィルムＰ１は、矩形に形成されているが、この形状に限られるものではない。
【００２４】
アンテナコイルＡは、この基材フィルムＰ１の一方の面２６ａ上を複数回周回して形成されている。さらに、一対の接続パターン２１ａ、２１ｂは、基材フィルムＰ１上のアンテナコイルＡにそれぞれ接続されて、基材フィルムＰ１の一方の面２６ａおよび他方の面２６ｂ上にそれぞれ延設されている。具体的には、アンテナコイルＡの一端部２７ａは、一方の接続パターン２１ａの基端部分に接続されており、この部位にさらにＩＣチップＣの接続バンプ２８の一方が接続されている。
【００２５】
一方、アンテナコイルＡの他端部２７ｂは、カシメ部２９ａを介して、基材フィルムＰ１の他方の面２６ｂ上に配線されるジャンパ線（端子間接続パターン）Ｙの一端部に接続され、さらにジャンパ線Ｙの他端部は、カシメ部２９ｂを介して、基材フィルムＰ１の一方の面２６ａ上に配線される配線パターン２９ｃの基端部に接続されている。配線パターン２９ｃの先端部には、ＩＣチップＣの接続バンプ２８の他方が接続されている。さらに、上記したジャンパ線Ｙの他端部は、基材フィルムＰ１の他方の面２６ｂ上で接続パターン２１ｂの基端部に接続されている。
【００２６】
また、静電容量調整パターン２２ａ、２２ｂ、２３ａ、２３ｂ、２４ａ、２４ｂ、２５ａ、２５ｂは、基材フィルムＰ１を挟んで、一方の面２６ａおよび他方の面２６ｂに対向して対をなすように、接続パターン２１ａ、２１ｂの各先端部に形成されている。各一対の静電容量調整パターン２２ａ、２２ｂ、２３ａ、２３ｂ、２４ａ、２４ｂ、２５ａ、２５ｂは、それぞれが略円形状に形成されており、コンデンサパターンとして機能し、それぞれの間は、コンデンサ２２、２３、２４、２５として機能する。なお、ここでは、各一対の静電容量調整パターン２２ａ、２２ｂ、２３ａ、２３ｂ、２４ａ、２４ｂ、２５ａ、２５ｂの形状を略円形状としているが、特にこの形状は限定されるものではなく、矩形（四角形）状などに形成されていてもよい。
【００２７】
また、上記したＩＣチップＣには、電源バックアップ不要で、かつ書き換え可能な不揮発性メモリや無線交信のためのＲＦ回路の他、コンデンサ１５なども搭載されている（図５参照）。このように基材フィルムＰ１上でそれぞれ接続されるアンテナコイルＡ、ＩＣチップＣ内のコンデンサ１５、および静電容量調整パターン２２ａ、２２ｂ、２３ａ、２３ｂ、２４ａ、２４ｂ、２５ａ、２５ｂによって、図５に示すようにアンテナ全体の共振回路が構成される。
【００２８】
ここで、各静電容量調整パターン２２ａ、２２ｂ、２３ａ、２３ｂ、２４ａ、２４ｂ、２５ａ、２５ｂの少なくとも一方のパターンを取り除くことで、各静電容量調整パターン２２ａ、２２ｂ、２３ａ、２３ｂ、２４ａ、２４ｂ、２５ａ、２５ｂのコンデンサとしての機能を除去することができ、静電容量を調整することができる。また、例えば、接続パターン２１ａ、２１ｂの一部を取り除いて断線させることでも、静電容量を調整することができる。この場合には、静電容量調整パターン２２ａ、２２ｂ、２３ａ、２３ｂ、２４ａ、２４ｂ、２５ａ、２５ｂのすべてを取り除いたときと同様の効果が得られる。なお、本実施形態では、いずれの組の静電容量調整パターンも取り除かない状態で、共振周波数の目標値の一例である１３.５６ＭＨｚに近似する周波数が得られる態様を例示している。また、共振周波数の設定値は、１３.５６ＭＨｚに限られるものではない。
【００２９】
また、ここでは、モジュール基板として、静電容量調整パターン２２ａ、２２ｂ、２３ａ、２３ｂ、２４ａ、２４ｂ、２５ａ、２５ｂを備えたモジュール基板２０を一例として説明したが、この構成に限られるものではない。例えば、静電容量調整パターンを有さず、基材フィルム上に、アンテナコイルと、このアンテナコイルを介して情報の送受信を行うＩＣチップＣとを備える構成でもよい。つまり、モジュール基板の構成は、特に限定されるものではなく、少なくとも、アンテナコイルと、このアンテナコイルを介して情報の送受信を行うＩＣチップＣとを備え、所定の周波数帯で交信可能な構成を有するものであればよい。
【００３０】
また、磁性体層３０の両面に積層されるモジュール基板２０は、それぞれ異なる周波数帯で交信可能なように、アンテナコイルなどを構成してもよいし、同じ周波数帯で交信可能なように、アンテナコイルなどを構成してもよく、用途に適合するように適宜に設定される。また、モジュール基板２０において、磁性体層３０が形成される側は、特に限定されるものではないが、基材フィルムＰ１における電磁波の減衰を考慮すると、電磁波がアンテナ側から導入すように、基材フィルムＰ１の他方の面２６ｂに磁性体層３０が形成されるのが好ましい。
【００３１】
磁性体層３０は、透磁率の高い磁性体で構成され、磁性体として、具体的には、Ｍｎ−Ｍｇ−Ｚｎフェライト、Ｍｎ−Ｚｎフェライト、Ｎｉ−Ｚｎフェライト、六方晶系フェライトなどが好適である。また、磁性体層３０の形成において、上記したフェライトなどの磁性粉末と樹脂バインダを混合したペーストを用いてもよい。この樹脂バインダとしては、熱可塑性樹脂を主体とし、必要により磁性粉末と樹脂との親和力を向上させるシラン系、チタネート系、アルミ系などのカップリング剤、樹脂の流動性を高めるフタル酸系、スルホン酸系、リン酸系、エポキシ系などの可塑剤、混合物の流動性を高めるステアリン酸、ステアリン酸塩、脂肪酸アミド、ワックス類などの滑剤及び充填物の酸化を防止するヒーンダードフェノル系、硫黄系、リン系などの酸化防止剤を適宜添加したものが好適である。
【００３２】
ここで、上記した磁性体の中で、例えば、Ｎｉ−Ｚｎフェライトなどのように、電気抵抗の高い磁性体を用いる場合には、絶縁部材として作用させることができるため、モジュール基板２０と磁性体層３０とを直接積層する構成を採ることができる。一方、例えば、Ｍｎ−Ｚｎフェライトなどのように、比較的電気抵抗の低い磁性体を用いる場合には、モジュール基板２０は、例えば、電気絶縁層を介して磁性体層３０の両面に積層される。
【００３３】
また、図６および図７に示すように、上記した非接触式データキャリアインレット１０を、外装で覆うことにより非接触式データキャリア４０が構成される。本実施形態では、矩形の塩化ビニル樹脂製の一対の保護フィルム４１ａ、４１ｂを用いて、非接触式データキャリアインレット１０を両側から挟み込むようにラミネート（カード）加工を施すことで、カード型の非接触式データキャリア４０が構成されている。
【００３４】
なお、図７には、磁性体層３０を介して、それそれモジュール基板２０のジャンパ線Ｙが対向するように構成されているが、この構成に限らず、例えば、それそれモジュール基板２０のジャンパ線Ｙが対向しないように構成してもよい。
【００３５】
ここで、カード型の形態以外に、例えば、パウチ加工を施して得られるパウチ型の非接触式データキャリア、ラベル加工を施して得られる粘着層やそれを覆う離形紙などを備えたラベル型の非接触式データキャリア、さらには、ＰＰＳ（ポリフェニレンサルファイド）やＰＳＦ（ポリサルホン）などの、いわゆるエンジニアリングプラスチックスを用いて成形品加工を施して得た耐熱性の高いタイプの非接触式データキャリアなどを構成することもできる。
【００３６】
次に、上記した非接触式データキャリアインレット１０の製造方法について、図を参照して説明する。なお、ここでは、静電容量調整パターン２２ａ、２２ｂ、２３ａ、２３ｂ、２４ａ、２４ｂ、２５ａ、２５ｂを形成しないタイプの非接触式データキャリアインレット１０の製造方法について説明する。
【００３７】
まず、非接触式データキャリアインレット１０の構成部品であるモジュール基板２０の製造方法について、図８ａ〜図８ｇ、図９ａおよび図９ｂを参照して説明する。
【００３８】
図８ａ〜図８ｇは、モジュール基板２０の基本的な製造工程を模式的に示す図、図９ａおよび図９ｂは、図８ａ〜図８ｇの製造工程に用いる製造装置を概略的に示す図である。
【００３９】
まず、図８ａ、図９ａに示すように、例えば３０〜４０μｍ程度の厚さのＰＥＴ製の基材フィルムＰ１がロール状に巻回されたＰＥＴロールＲ１から巻き出しローラ５０によって、基材フィルムＰ１の連続的な送り出しを開始する。
【００４０】
続いて、図８ｂ、図９ａに示すように、この送り出された基材フィルムＰ１の両側面に、貼付ローラ５１ａ、５１ｂを用て、接着シートＳ１、Ｓ２が巻回されたロール５２ａ、５２ｂおよび銅などの金属シートＫ１、Ｋ２が巻回されたロール５３ａ、５３ｂから接着シートおよび金属シートを引き出し、接着シートＳ１、Ｓ２を介して金属シートＫ１、Ｋ２を貼り付ける。
【００４１】
さらに、図８ｃ、図９ａに示すように、基材フィルムＰ１の両面にそれぞれ貼り付けられた金属シートＫ１、Ｋ２上の所定位置にローラ５４ａ、５４ｂを用いてレジストＴを印刷する。
【００４２】
続いて、図８ｄ、図９ａに示すように、金属シートＫ１、Ｋ２上にレジストＴが印刷された基材フィルムＰ１は、エッチング槽５５に導かれエッチング処理が施される。
【００４３】
続いて、図８ｅ、図９ａに示すように、レジスト洗浄・乾燥室５６で、レジストＴを洗浄して除去する。これにより、図８ｅに示すように、一方の面２６ａにアンテナコイルＡが形成され、かつ他方の面２６ｂにジャンパ線Ｙが形成される。
【００４４】
続いて、図８ｆ、図９ａに示すように、カシメ機５７によって、アンテナコイルＡおよびジャンパ線Ｙが形成された基材フィルムＰ１のアンテナコイルＡの他端部２７ｂを、カシメ部２９ａを介して、基材フィルムＰ１の他方の面２６ｂ上に配線されるジャンパ線（端子間接続パターン）Ｙの一端部に接続する。さらに、基材フィルムＰ１の配線パターン２９ｃの基端部を、カシメ部２９ｂを介して、ジャンパ線Ｙの他端部に接続する。
【００４５】
このようにして、アンテナコイルＡの所定部位にジャンパ線Ｙが接続された基材フィルムＰ１を、巻き取りローラ５８によって巻き取り、アンテナロールＲ２を形成する。
【００４６】
続いて、図８ｇ、図９ｂに示すように、アンテナロールＲ２から巻き出しローラ５９によって、アンテナコイルＡとジャンパ線Ｙとが導通された基材フィルムＰ１の連続的な送り出しを開始する。そして、実装装置６０によって、この送り出された基材フィルムＰ１上のアンテナコイルＡの形成面側にＩＣチップＣを配設し、圧着装置６１によって、ＩＣチップＣを圧着して実装する。
【００４７】
さらに、図９ｂに示すように、ＩＣチップＣが実装された基材フィルムＰ１を、巻き取りローラ６２によって巻き取り、モジュール基板２０が複数縦横に並べられた状態のモジュール基板ロールＲ３を形成する。
【００４８】
上記したモジュール基板ロールＲ３の製造方法は、一例を示したものであり、これに限られるものではない。例えば、上記した製造方法では、アンテナコイルＡやジャンパ線Ｙを形成するための金属シートＫ１、Ｋ２を接着シートＳ１、Ｓ２を介して基材フィルムＰ１に貼り付けているが、蒸着によって基材フィルムＰ１に金属シートＫ１、Ｋ２を接合してもよいし、また、スパッタリングで下地を形成した後、メッキ槽を利用して金属層を形成してもよい。さらに、アンテナコイルＡやジャンパ線Ｙを形成する際、例えば、シルク印刷によって銀ペーストで基材フィルムＰ１上に、アンテナコイルＡやジャンパ線Ｙを形成するスクリーン印刷方式などを採用してもよい。
【００４９】
次に、このモジュール基板２０が複数縦横に並べられた状態のモジュール基板ロールＲ３を用いて、非接触式データキャリアインレット１０を製造する方法について、図１０ａ、図１０ｂ、図１１ａ、図１１ｂおよび図１２を参照して説明する。
【００５０】
図１０ａおよび図１０ｂは、非接触式データキャリアインレット１０の基本的な製造工程を模式的に示す図、図１１ａおよび図１１ｂは、図１０ａおよび図１０ｂの製造工程に用いる製造装置を概略的に示す図である。図１２は、非接触式データキャリアインレットロールＲ４における非接触式データキャリアインレット１０が複数縦横に並べられた状態を示す図である。
【００５１】
図１０ａ、図１１ａに示すように、モジュール基板ロールＲ３から巻き出しローラ７０によって、モジュール基板２０の連続的な送り出しを開始する。
【００５２】
続いて、この送り出されたモジュール基板２０の一方の面に、カレンダローラ７１ａ、７１ｂを備えた磁性体塗布装置７１によって、磁性体層３０が形成される。
【００５３】
続いて、図１１ａに示すように、加圧装置７２により、磁性体層３０の厚さが、例えば１００〜２５０μｍ程度に調整される。
【００５４】
続いて、図１０ｂ、図１１ａに示すように、モジュール基板ロールＲ３から巻き出しローラ７３によって、モジュール基板２０を連続的に送り出し、ローラ７４によって、厚さが調整された磁性体層３０上にモジュール基板２０を導いて積層する。
【００５５】
続いて、磁性体層３０を介して２つのモジュール基板２０が積層された積層体は、乾燥炉７５に導かれ、磁性体層３０の乾燥処理が行われる。
【００５６】
図１１ａに示すように、磁性体層３０が乾燥処理された積層体、つまり、非接触式データキャリアインレット１０は、巻き取りローラ７６によって巻き取られ、非接触式データキャリアインレットロールＲ４を形成する。この際、形成される非接触式データキャリアインレットロールＲ４のロール長は、例えば５〜５００ｍ程度である。このようにして、図１２に示すような、非接触式データキャリアインレット１０が複数縦横に並べられた状態の非接触式データキャリアインレットロールＲ４が形成される。
【００５７】
次に、図１１ｂに示すように、非接触式データキャリアインレットロールＲ４から巻き出しローラ８０によって、非接触式データキャリアインレット１０が複数縦横に並べられた状態のシートの連続的な送り出しを開始する。
【００５８】
続いて、この送り出されたシートは、裁断装置８１により、所定の位置を基準として所定サイズに裁断され、非接触式データキャリアインレット１０が作製される。なお、非接触式データキャリアインレット１０が打ち抜かれた後のシートは、回収ローラ８２によって巻き取られ、回収ロールＲ５となる。
【００５９】
ここでは、静電容量調整パターン２２ａ、２２ｂ、２３ａ、２３ｂ、２４ａ、２４ｂ、２５ａ、２５ｂを形成しないタイプの非接触式データキャリアインレット１０の製造方法について説明したが、静電容量調整パターン２２ａ、２２ｂ、２３ａ、２３ｂ、２４ａ、２４ｂ、２５ａ、２５ｂや接続パターン２１ａ、２１ｂは、アンテナコイルＡやジャンパ線Ｙを形成する工程において、同様の方法で形成することができる。
【００６０】
上記したように、第１の実施の形態の非接触式データキャリアインレット１０および非接触式データキャリア４０によれば、両面にそれぞれ個々のアンテナコイルＡおよびＩＣチップＣを有するモジュール基板２０を備え、アンテナコイルＡなどを配置するための面積を有効に確保することができる。また、２つの非接触式データキャリアの機能を備えることで、例えば、表面側と裏面側の情報の使用する用途を変えて利用することができ、使い勝手を向上させることができる。
【００６１】
さらに、２つのモジュール基板２０を磁性体層３０を介して配置しているので、一方から導入されたリーダライタの送受信用の磁界は、磁性体層３０を通って、前記の導入された側に導かれるようになり、他方側にその影響をほとんど及ぼすことはない。これによって、独立した２つの非接触式データキャリアとしての機能を有効に利用することができる。
【００６２】
（第２の実施の形態）
図１３は、本発明の第２の実施形態に係る非接触式データキャリアインレット１００の一方の側面側を示す平面図である。図１４は、第２の実施形態に係る非接触式データキャリアインレット１００を外装で覆うことにより構成された非接触式データキャリア１３０における一方の側面側からの断面図である。なお、第１の実施形態に係る非接触式データキャリアインレット１０および非接触式データキャリア４０と同一の構成部分には同一符号を付して、重複する説明を簡略または省略する。
【００６３】
図１３に示すように、非接触式データキャリアインレット１００は、モジュール基板２０を、金属シート１１０の両面に磁性体層３０が形成された磁性体層モジュール１２０の両面に一体的に積層して構成されている。
【００６４】
金属シート１１０は、金属基板として機能し、例えば、鉄、アルミニウム、ステンレスなどの導電材料で構成され、その厚さは、１０〜１００μｍ程度である。
【００６５】
また、図１４に示すように、上記した非接触式データキャリアインレット１００を、外装で覆うことにより非接触式データキャリア１３０が構成される。本実施形態では、矩形の塩化ビニル樹脂製の一対の保護フィルム１３１ａ、１３１ｂを用いて、非接触式データキャリアインレット１００を両側から挟み込むようにラミネート（カード）加工を施すことで、カード型の非接触式データキャリア１３０が構成されている。
【００６６】
なお、図１４には、磁性体層モジュール１２０を介して、それそれモジュール基板２０のジャンパ線Ｙが対向するように構成されているが、この構成に限らず、例えば、それそれモジュール基板２０のジャンパ線Ｙが対向しないように構成してもよい。
【００６７】
ここで、カード型の形態以外に、例えば、パウチ加工を施して得られるパウチ型の非接触式データキャリア、ラベル加工を施して得られる粘着層やそれを覆う離形紙などを備えたラベル型の非接触式データキャリア、さらには、ＰＰＳ（ポリフェニレンサルファイド）やＰＳＦ（ポリサルホン）などの、いわゆるエンジニアリングプラスチックスを用いて成形品加工を施して得た耐熱性の高いタイプの非接触式データキャリアなどを構成することもできる。
【００６８】
次に、モジュール基板２０が複数縦横に並べられた状態のモジュール基板ロールＲ３を用いて、非接触式データキャリアインレット１００を製造する方法について、図１５ａ〜図１５ｄ、図１６ａおよび図１６ｂを参照して説明する。なお、モジュール基板２０の製造方法は、第１の実施の形態で説明したとおりである。また、ここでは、モジュール基板ロールＲ３において、静電容量調整パターン２２ａ、２２ｂ、２３ａ、２３ｂ、２４ａ、２４ｂ、２５ａ、２５ｂが形成されたタイプの非接触式データキャリアインレット１０を使用した場合について示している。
【００６９】
図１５ａ〜図１５ｄは、非接触式データキャリアインレット１００の基本的な製造工程を模式的に示す図、図１６ａおよび図１６ｂは、図１５ａ〜図１５ｄの製造工程に用いる製造装置を概略的に示す図である。
【００７０】
図１６ａに示すように、金属シート１１０がロール状に巻回された金属シートロールＲ６から巻き出しローラ１５０によって、金属シート１１０の連続的な送り出しを開始する。
【００７１】
続いて、図１５ａおよび図１６ａに示すように、この送り出された金属シート１１０の一方の面に、カレンダローラ１５１ａ、１５１ｂを備えた磁性体塗布装置１５１によって、磁性体層３０が形成される。
【００７２】
続いて、図１６ａに示すように、加圧装置１５２により、磁性体層３０の厚さが、例えば１００〜２５０μｍ程度に調整される。
【００７３】
続いて、図１５ｂ、図１６ａに示すように、モジュール基板ロールＲ３から巻き出しローラ１５３によって、モジュール基板２０を連続的に送り出し、ローラ１５４によって、厚さが調整された磁性体層３０上にモジュール基板２０を導いて積層する。
【００７４】
続いて、金属シート１１０とモジュール基板２０とが磁性体層３０を介して積層された積層体は、乾燥炉１５５に導かれ、磁性体層３０の乾燥処理が行われる。
【００７５】
図１６ａに示すように、磁性体層３０が乾燥処理された積層体は、巻き取りローラ１５６によって巻き取られ、非接触式データキャリアインレット構成部材ロールＲ７を形成する。なお、積層体を巻き取りローラ１５６によって巻き取る際、金属シート１１０側が外側になるように巻き取られる。
【００７６】
次に、図１６ｂに示すように、非接触式データキャリアインレット構成部材ロールＲ７から巻き出しローラ１６０によって、金属シート１１０とモジュール基板２０とが磁性体層３０を介して積層された積層体の連続的な送り出しを開始する。なお、非接触式データキャリアインレット構成部材ロールＲ７は、金属シート１１０側が外側になるように巻き取られているので、巻き出しローラ１６０によって、積層体を送り出す際、上側は金属シート１１０となる。
【００７７】
続いて、図１５ｃおよび図１６ｂに示すように、この送り出された積層体の金属シート１１０上に、カレンダローラ１６１ａ、１６１ｂを備えた磁性体塗布装置１６１によって、磁性体層３０が形成される。
【００７８】
続いて、図１６ｂに示すように、加圧装置１６２により、磁性体層３０の厚さが、例えば１００〜２５０μｍ程度に調整される。
【００７９】
続いて、図１５ｄ、図１６ｂに示すように、モジュール基板ロールＲ３から巻き出しローラ１６３によって、モジュール基板２０を連続的に送り出し、ローラ１６４によって、厚さが調整された磁性体層３０上にモジュール基板２０を導いて積層する。
【００８０】
続いて、磁性体層３０を介してモジュール基板２０をさらに積層した積層体は、乾燥炉１６５に導かれ、磁性体層３０の乾燥処理が行われる。
【００８１】
図１６ｂに示すように、磁性体層３０が乾燥処理された積層体は、つまり、非接触式データキャリアインレット１００は、巻き取りローラ１６６によって巻き取られ、非接触式データキャリアインレットロールＲ８を形成する。この際、形成される非接触式データキャリアインレット構成部材ロールＲ７のロール長は、例えば５〜５００ｍ程度である。なお、このようにして形成された非接触式データキャリアインレットロールＲ８は、非接触式データキャリアインレット１０の場合と同様に、図１２に示すような、非接触式データキャリアインレット１００が複数縦横に並べられた状態となっている。
【００８２】
また、以降の工程は、第１の実施の形態で図１１ｂを参照して説明した、各非接触式データキャリアインレット１００を、裁断装置５１により、所定の位置を基準として所定サイズに裁断する工程が行われる。これによって、単体の非接触式データキャリアインレット１００が作製される。
【００８３】
上記したように、第２の実施の形態の非接触式データキャリアインレット１００および非接触式データキャリア１３０によれば、両面にそれぞれ個々のアンテナコイルＡおよびＩＣチップＣを有するモジュール基板２０を備え、アンテナコイルＡなどを配置するための面積を有効に確保することができる。また、２つの非接触式データキャリアの機能を備えることで、例えば、表面側と裏面側の情報の使用する用途を変えて利用することができ、使い勝手を向上させることができる。
【００８４】
また、２つのモジュール基板２０を、金属シート１１０の両面に磁性体層３０が形成された磁性体層モジュール１２０を介して配置しているので、一方から導入されたリーダライタの送受信用の磁界は、磁性体層３０を通って、前記の導入された側に導かれるとともに、金属シート１１０によって遮断され、他方側に影響を及ぼすことはない。これによって、独立した２つの非接触式データキャリアとしての機能を有効に利用することができる。
【００８５】
さらに、一方から導入されたリーダライタの送受信用の磁界は、磁性体層３０を通って、前記の導入された側に導かれるので、導電体である金属シート１１０を設けても、金属シート１１０内部における渦電流の発生を抑制することができる。これによって、渦電流の発生よって生じる、リーダライタへの応答不良などの問題を回避することができる。
【００８６】
以上、本発明を第１および第２の実施の形態により具体的に説明したが、本発明はこれらの実施形態にのみ限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能である。
【００８７】
例えば、上述した実施形態では、磁性体層の形成にカレンダロールを用いていたが、これに代えて、磁性体を滴下できるような塗布装置を用いて磁性体層を形成してもよいし、静電塗装などを利用して磁性体層を形成してもよい。
【００８８】
また、アンテナコイルＡおよびジャンパ線Ｙが形成された基材フィルムＰ１のアンテナコイルＡの他端部２７ｂを、基材フィルムＰ１の他方の面２６ｂ上に配線されるジャンパ線（端子間接続パターン）Ｙの一端部に接続する場合や、基材フィルムＰ１の配線パターン２９ｃの基端部をジャンパ線Ｙの他端部に接続する場合に、カシメによって導通させることに限られるものではない。例えば、スルーホールを形成し、そのスルーホールの内壁面にスパッタなどで導電層を形成して、基材フィルムＰ１の一方の面２６ａ側と他方の面２６ｂ側とを導通させるように構成してもよい。
【００８９】
さらに、上記した第１および第２の実施の形態では、非接触式データキャリアインレットや非接触式データキャリアに、アンテナコイルＡを備えた電磁誘導方式を採用した一例を示したが、用途によって、非接触式データキャリアインレットや非接触式データキャリアに、ダイポールアンテナなどを備えた電波方式を採用してもよい。
【図面の簡単な説明】
【００９０】
【図１】本発明の第１の実施形態に係る非接触式データキャリアインレットの一方の側面側を示す平面図。
【図２】図１の非接触式データキャリアインレットを構成するアンテナコイルおよびＩＣチップを備えたモジュール基板の一方の面側を示す平面図。
【図３】図２のモジュール基板における一方の側面側からの断面図。
【図４】図１の非接触式データキャリアインレットを構成するアンテナコイルおよびＩＣチップを備えたモジュール基板の他方の面側を示す平面図。
【図５】非接触式データキャリアインレットの構成を機能的に示すブロック図。
【図６】図１の非接触式データキャリアインレットを外装で覆うことにより構成された非接触式データキャリアの一方の面側を示す平面図。
【図７】図５の非接触式データキャリアにおける一方の側面側からの断面図。
【図８ａ】モジュール基板を製造するための工程を説明するための断面図。
【図８ｂ】モジュール基板を製造するための工程を説明するための断面図。
【図８ｃ】モジュール基板を製造するための工程を説明するための断面図。
【図８ｄ】モジュール基板を製造するための工程を説明するための断面図。
【図８ｅ】モジュール基板を製造するための工程を説明するための断面図。
【図８ｆ】モジュール基板を製造するための工程を説明するための断面図。
【図８ｇ】モジュール基板を製造するための工程を説明するための断面図。
【図９ａ】図８ａ〜図８ｆに示した製造工程を実施するための装置を概略的に示す図。
【図９ｂ】図８ｇに示した製造工程を実施するための装置を概略的に示す図。
【図１０ａ】図１の非接触式データキャリアインレットを製造するための工程を説明するための断面図。
【図１０ｂ】図１の非接触式データキャリアインレットを製造するための工程を説明するための断面図。
【図１１ａ】図１０ａおよび図１０ｂに示した製造工程を実施するための装置を概略的に示す図。
【図１１ｂ】図１０ａおよび図１０ｂに示した製造工程を実施するための装置を概略的に示す図。
【図１２】作製された非接触式データキャリアインレットロールを示す平面図。
【図１３】本発明の第２の実施形態に係る非接触式データキャリアインレットの一方の側面側を示す平面図。
【図１４】図１３の非接触式データキャリアインレットを外装で覆うことにより構成された非接触式データキャリアの一方の面側を示す平面図。
【図１５ａ】図１３の非接触式データキャリアインレットを製造するための工程を説明するための断面図。
【図１５ｂ】図１３の非接触式データキャリアインレットを製造するための工程を説明するための断面図。
【図１５ｃ】図１３の非接触式データキャリアインレットを製造するための工程を説明するための断面図。
【図１５ｄ】図１３の非接触式データキャリアインレットを製造するための工程を説明するための断面図。
【図１６ａ】図１５ａ〜図１５ｄに示した製造工程を実施するための装置を概略的に示す図。
【図１６ｂ】図１５ａ〜図１５ｄに示した製造工程を実施するための装置を概略的に示す図。
【符号の説明】
【００９１】
１０…非接触式データキャリアインレット、２０…モジュール基板、２１ａ，２１ｂ…接続パターン、２２，２３，２４，２５…コンデンサ、２２ａ，２２ｂ，２３ａ，２３ｂ，２４ａ，２４ｂ，２５ａ，２５ｂ…静電容量調整パターン、２６ａ…一方の面、２６ｂ…他方の面、２７ａ…一端部、２８…接続バンプ、２９ａ…カシメ部、３０…磁性体層、４０…非接触式データキャリア、４１ａ，４１ｂ…保護フィルム、Ａ…アンテナコイル、Ｃ…チップ、３０…磁性体層、Ｐ１…基材フィルム、Ｙ…ジャンパ線。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８ａ】
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【図８ｂ】
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【図８ｃ】
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【図８ｄ】
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【図８ｅ】
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【図８ｆ】
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【図８ｇ】
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【図９ａ】
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【図９ｂ】
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【図１０ａ】
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【図１０ｂ】
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【図１１ａ】
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【図１１ｂ】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５ａ】
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【図１５ｂ】
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【図１５ｃ】
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【図１５ｄ】
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【図１６ａ】
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【図１６ｂ】
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