(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
表示セルと複数の放電チャンネルに分割されるプラズマセルとを重ねた積層構造を有するガス放電表示パネルを初期エージングするに際し、
上記放電チャンネル内に配された放電電極に初期エージング電圧を印加すると共に、円筒の中心を通るシャフトにより支持されて回転される回転円筒体で、その表面に磁場発生素子がスパイラル状に形成されている回転円筒体を、上記ガス放電表示パネルに垂直な方向である上記ガス放電表示パネルの上または下の少なくとも一方に、上記シャフトが上記放電電極と並行となる向きで配置し、上記シャフトを回転させることにより、上記スパイラル状の磁場発生素子の上記ガス放電表示パネルに近接する部分を上記放電チャンネルの一端から他端へ移動させる
ことを特徴とするガス放電表示パネルの初期エージング処理方法。
【請求項２】
表示セルと複数の放電チャンネルに分割されるプラズマセルとを重ねた積層構造を有するガス放電表示パネルの初期エージング処理装置であって、
上記放電チャンネル内に配された放電電極に初期エージング電圧を印加する電圧印加手段と、
円筒の中心を通るシャフトにより支持されて回転される回転円筒体で、その表面に磁場発生素子がスパイラル状に形成されている回転円筒体と、
上記ガス放電表示パネルに垂直な方向である上記ガス放電表示パネルの上または下の少なくとも一方に、上記シャフトが上記放電電極と並行となる向きで配置された上記回転円筒体を、上記シャフトを回転させることにより、上記スパイラル状の磁場発生素子の上記ガス放電表示パネルに近接する部分を上記放電チャンネルの一端から他端へ移動させる磁場走査手段を有する
ことを特徴とするガス放電表示パネルの初期エージング処理装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
この発明は、ガス放電表示パネル（プラズマアドレス表示装置）の初期エージング処理方法および初期エージング処理装置に関する。詳しくは、放電電極の両端の放電開始時期に差が生じることを抑制し、均一な放電状態を実現し易くしたガス放電表示パネルの初期エージング処理方法および初期エージング処理装置に係るものである。
【０００２】
【従来の技術】
液晶方式のディスプレイを高解像度化及び高コントラスト化するための手法としては、各表示画素毎にトランジスタ等の能動素子を設け、これを駆動する方法、いわゆるアクティブマトリクスアドレス方式がある。この場合、薄膜トランジスタの如き半導体素子を多数設ける必要があることから、特にディスプレイを大面積化したときにどうしてもコスト高になるという問題が生じる。
そこで、この問題を解決する手段として、プラズマ放電を利用する方法が提案されている。
【０００３】
図８は、プラズマ放電を利用して液晶を駆動するガス放電表示パネルの構造を示す図である。図８に示すように、表示セル２１と、プラズマセル２２とが、ガラス等からなる誘電体シート１６を介して隣接配置され、それに偏光板１１とバックライト１８が配置されてなるものである。
【０００４】
このガス放電表示パネル１においては、ガラス基板１２ａと誘電体シート１６は互いに気密封止され、プラズマセル２２を構成する。プラズマセル２２が隔壁１７により互いに平行な複数のライン状の放電チャンネル９に分割されており、気密封止された放電チャンネル９には電離可能な気体が封入されている。また、各放電チャンネル９には互いに平行な一対の放電電極８ａ，８ｋが設けられており、これら電極８ａおよび８ｋが放電チャンネル９内の気体をイオン化してプラズマ放電を発生する為のアノード及びカソードとして機能する。一方、表示セル２１は誘電体シート１６とガラス基板１２とによって液晶層１５が挟持されて構成される。ガラス基板１２の内表面にはカラーフィルタ１３と透明なデータ電極１４が形成されている。この透明なデータ電極１４は列方向に沿って配列され、行方向に沿って配列した放電チャンネル９と直交しており、これらの交差部分が各画素に対応している。
【０００５】
プラズマ放電が行われる放電チャンネル９を順次切り替え走査するとともに、液晶層を挟んで対向する透明なデータ電極１４にこれと同期してデータ信号を印加することにより、液晶層１５が駆動される。
【０００６】
上述したプラズマ放電により画像を表示するガス放電表示パネル１の製造プロセスにおいて、プラズマ放電を均一、安定させるために、放電チャンネル９内に放電ガスを所定圧力で封入して、初期エージング電圧を印加し、放電チャンネル９内で放電させることにより放電電極を活性化させる初期エージング処理が行われる。図９は、一つの放電チャンネル９の初期エージング処理時の状態を示している。放電チャンネル９（気密性空間）内に放電ガス（例えば、キセノン等）を所定圧力で充填した状態で、アノード８ａとカソード８ｋとの間に、放電駆動回路１０より初期エージング電圧を印加し、放電チャンネル９内で放電させることによって、初期エージング処理を行う。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上述したように、ガス放電表示パネルの製造プロセスにおいて、放電チャンネルに所定圧力で電離可能な気体を封入し、放電電極に初期エージング電圧を印加することにより、放電電極を活性化させる場合、表示パネルが大型化すると放電チャンネルの長さ方向の距離Ｌが長くなるため、放電電極の両端の放電開始の時期に差が生じ、初期エージングによる放電電極両端の活性化状態の終了時間が異なってくるので、均一な放電状態を実現しにくい。その結果、放電電極の劣化が著しい個所が、ガス放電表示パネルの表示品位や寿命の低下につながる不具合があった。
【０００８】
そこで、この発明は、放電電極の両端の放電開始時期に差が生じ、電極両端の活性化状態の終了時間が異なることを抑制し、均一な放電状態を実現し易くするガス放電表示パネルの初期エージング処理方法および装置を提供することを目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】
この発明に係る初期エージング処理方法は、表示セルと複数の放電チャンネルに分割されるプラズマセルとを重ねた積層構造を有するガス放電表示パネルを初期エージングするに際し、放電チャンネル内に配された放電電極に初期エージング電圧を印加すると共に、円筒の中心を通るシャフトにより支持されて回転される回転円筒体で、その表面に磁場発生素子がスパイラル状に形成されている回転円筒体を、ガス放電表示パネルに垂直な方向であるガス放電表示パネルの上または下の少なくとも一方に、シャフトが放電電極と並行となる向きで配置し、シャフトを回転させることにより、スパイラル状の磁場発生素子のガス放電表示パネルに近接する部分を放電チャンネルの一端から他端へ移動させるものである。
【００１０】
また、この発明に係る初期エージング処理装置は、表示セルと複数の放電チャンネルに分割されるプラズマセルとを重ねた積層構造を有するガス放電表示パネルの初期エージング処理装置であって、放電チャンネル内に配された放電電極に初期エージング電圧を印加する電圧印加手段と、円筒の中心を通るシャフトにより支持されて回転される回転円筒体で、その表面に磁場発生素子がスパイラル状に形成されている回転円筒体と、ガス放電表示パネルに垂直な方向であるガス放電表示パネルの上または下の少なくとも一方に、シャフトが放電電極と並行となる向きで配置された回転円筒体を、シャフトを回転させることにより、スパイラル状の磁場発生素子のガス放電表示パネルに近接する部分を放電チャンネルの一端から他端へ移動させる磁場走査手段を有するものである。
【００１１】
この発明においては、初期エージングをする際、放電チャンネル内に配された放電電極に初期エージング電圧を印加すると共に、円筒の中心を通るシャフトにより支持されて回転される回転円筒体で、その表面に磁場発生素子がスパイラル状に形成されている回転円筒体を、ガス放電表示パネルに垂直な方向であるガス放電表示パネルの上または下の少なくとも一方に、シャフトが放電電極と並行となる向きで配置し、シャフトを回転させることにより、スパイラル状の磁場発生素子のガス放電表示パネルに近接する部分を放電チャンネルの一端から他端へ移動させるものであり、磁場によって放電の開始を促すことができ、放電チャンネルの両端の放電開始時期に差が生じ、放電電極両端の活性化状態の終了時間が異なることを抑制することが可能となる。これによって、放電チャンネルの全体に渡って均一な放電状態を実現でき、放電電極の局部的な劣化によるガス放電表示パネルの表示品位および寿命の低下を抑制することが可能となる。
【００１２】
【発明の実施の形態】
以下、図面を参照しながら、この発明の実施の形態について説明する。
図１は、実施の形態としての初期エージング処理装置１００の構成を示している。この初期エージング処理装置１００はコンベア式の磁場走査機構を有するものである。
図１に示す初期エージング処理装置１００は、磁場走査機構２０ａ，２０ｂとガス放電表示パネル１を保持するパネル保持機構１９から構成されている。なお、この場合、ガス放電表示パネル１は、上述の図８に示すように構成された表示セル２１およびプラズマセル２２からなっており、バックライト１８は含まれていない。
【００１３】
また、図１に示すように、磁場走査機構２０ａ，２０ｂの間にガス放電表示パネル１が配置される。パネル保持機構１９は、初期エージング処理をする際に、放電チャンネル（気密性空間）内に放電ガスを所定圧力で封入したガス放電表示パネル１をその放電チャンネル９の長さ方向が磁場発生素子２ａ，２ｂの走査方向と同方向となるように保持する。
【００１４】
また、図１に示すように、磁場走査機構２０ａ，２０ｂはコンベア３で構成されているが、各コンベア３の対称的な位置に磁場発生素子２ａ，２ｂ（例えば永久磁石または電磁石）が配置されている。これにより、磁場走査機構２０ａ，２０ｂに配置された磁場発生素子２ａ，２ｂの間に、ガス放電表示パネル１に垂直な方向に磁力線が貫く磁場５ａｂが形成される。また、コンベア３の回転により、磁場発生素子２ａ，２ｂがガス放電表示パネル１の放電チャンネル９の一端から他端へ所定速度で移動し、また、元の位置に戻る。
【００１５】
図２は、初期エージング処理装置１００の平面図である。図２に示すように、ガス放電表示パネル１の寸法に合わせた大きさの磁場発生素子２０ａ，２０ｂを採用することにより、一回の走査でガス放電表示パネル１の全放電チャンネル９の走査が可能となる。
【００１６】
次に、初期エージング処理装置１００を用いた初期エージング処理の手順について説明する。
初期エージング処理をする際は、放電電極としてのアノード８ａ、カソード８ｋを放電駆動回路１０に接続し、初期エージング電圧を印加すると共に（図９参照）、磁場走査機構２０ａ，２０ｂにより、磁場発生素子２ａ，２ｂの間に形成した磁場５ａｂを放電チャンネルの一端から他端まで移動させる。放電チャンネル９に磁場をかけることで、放電チャンネル９内の荷電粒子に外力を与え、荷電粒子の運動を活発にさせることができ、また、プラズマの分布のかたよりを直すことができ、これにより、放電の開始を促すことができる。放電チャンネル９の放電が開始した後所定時間が経過したら、アノード８ａ、カソード８ｋへの初期エージング電圧の印加を止めて、初期エージング処理を終る。
【００１７】
このように本実施の形態においては、二つのコンベア式の磁場走査機構２０ａ，２０ｂに配置された磁場発生素子２ａ，２ｂの間に磁場５ａｂが形成され、初期エージング処理をする際に、この磁場５ａｂがガス放電表示パネル１の放電チャンネル９に沿って走査するものであり、ガス放電表示パネル１の放電チャンネル９が長くても、放電チャンネル９の両端の放電開始の時期の差を縮めることができ、電極両端の活性化状態の終了時間が異なることを抑制することが可能となる。これによって、放電チャンネル９の全長に渡って均一な放電状態を実現し易く、放電電極（アノード８ａ、カソード８ｋ）の局部的な劣化によるガス放電表示パネル１の表示品位および寿命の低下を抑制することが可能となる。
【００１８】
なお、上述実施の形態においては、二つのコンベア式の磁場走査機構２０ａ，２０ｂに配置された磁場発生素子２ａ，２ｂの間に磁場５ａｂが形成され、初期エージング処理をする際に、この磁場５ａｂがガス放電表示パネル１の放電チャンネル９に沿って走査するものであるが、これに限定されるものではない。例えば、図３〜図７に示すような磁場走査機構を用いて、磁場を放電チャンネル９に沿って走査させてもよい。
【００１９】
図３は、磁場走査機構の他の例１の構成を示している。この場合、磁場走査機構は一つのコンベア式磁場走査機構２０ａのみを備える。磁場走査機構２０ａを構成するコンベア３に磁場発生素子２ａが配置され、この磁場発生素子２ａにより、磁場５ａが形成される。また、コンベア３の回転により、磁場発生素子２ａが放電チャンネル９の一端から他端へ所定速度で移動し、また、元の位置に戻る。
【００２０】
図４は、磁場走査機構の他の例２の構成を示している。この場合、磁場走査機構は一つのコンベア式磁場走査機構３０のみを備える。磁場走査機構３０を構成するコンベア３に磁場発生素子２ｃが配置され、この磁場発生素子２ｃにより、磁場５ｃが形成される。また、コンベア３の回転により、磁場発生素子２ｃが放電チャンネル９の一端から他端へ所定速度で移動し、また、元の位置に戻る。処理する際に、図３に示す他の例１との違いは、コンベア３の内側にガス放電表示パネル１を配置していることにある。
【００２１】
上述した図３、図４の例の場合、一つの磁場発生素子２ａまたは２ｃで必要強度の磁場を形成するために、より強力な磁場発生素子２ａまたは２ｃを用いることが必要であるが、磁場走査機構自体が簡単になる利点がある。
【００２２】
図５は、磁場走査機構の他の例３の構成を示している。この場合、磁場走査機構４０は、シャフト７により支持される回転円筒体６の表面に磁場発生素子２ｄをスパイラル状に形成し、回転円筒体６の回転により磁場５ｄを放電チャンネル９の一端から他端へ移動するようにしたものである。例えば、回転円筒体６の一回転に対して、磁場５ｄはガス放電表示パネル１の放電チャンネル９の一端から他端まで走査する。
【００２３】
図６は、磁場走査機構４０を用いた場合の平面図である。回転円筒体６の着磁幅ｄを変化させることによって、一回に走査される放電チャンネル９の数を変えることができる。次の放電チャンネルを走査する場合には、磁場走査機構４０またはガス放電表示パネル１の位置を変えればよい。なお、ガス放電表示パネル１の寸法に合わせて、磁場走査機構４０を所定個数並列に組み合わせて使用してもよい。
【００２４】
図７は、磁場走査機構の他の例４の構成を示している。この例では、磁場走査機構は二つの回転円筒式磁場走査機構４０ａ，４０ｂから構成される。この場合、磁場走査機構４０ａ，４０ｂの間にガス放電表示パネル１が配置される。磁場走査機構４０ａを構成する回転円筒体６ａの表面にＮ極の磁場発生素子２ｄがスパイラル状に形成され、同様に磁場走査機構４０ｂを構成する回転円筒体６ｂの表面にＳ極の磁場発生素子２eがスパイラル状に形成されている。回転円筒体６ａと６ｂの同期回転により磁場５ｄeが放電チャンネル９の一端から他端へ移動する。
【００２５】
【発明の効果】
この発明によれば、初期エージング処理をする際、放電チャンネル内に配された放電電極に初期エージング電圧を印加すると共に、円筒の中心を通るシャフトにより支持されて回転される回転円筒体で、その表面に磁場発生素子がスパイラル状に形成されている回転円筒体を、ガス放電表示パネルに垂直な方向であるガス放電表示パネルの上または下の少なくとも一方に、シャフトが放電電極と並行となる向きで配置し、シャフトを回転させることにより、スパイラル状の磁場発生素子のガス放電表示パネルに近接する部分を放電チャンネルの一端から他端へ移動させるものであり、磁場によって放電の開始を促すことができ、放電電極の両端の放電開始時期に差が生じ、放電電極両端の活性化状態の終了時間が異なることを抑制することができる。これによって、放電チャンネルの全体に渡って均一な放電状態を実現し易く、放電電極の局部的な劣化によるガス放電表示パネルの表示品位および寿命の低下を抑制できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】初期エージング処理装置の構成を示す図である。
【図２】初期エージング処理装置の平面図である。
【図３】磁場走査機構の他の例１を示す図である。
【図４】磁場走査機構の他の例２を示す図である。
【図５】磁場走査機構の他の例３を示す図である。
【図６】磁場走査機構の他の例３の平面図である。
【図７】磁場走査機構の他の例４を示す図である。
【図８】ガス放電表示パネルの構成を示す図である。
【図９】放電チャンネルを説明するための図である。
【符号の説明】
１・・・ガス放電表示パネル、２ａ，２ｂ，２ｃ，２ｄ，２ｅ・・・磁場発生素子、３・・・コンベア、５ａ，５ａｂ，５ｃ，５ｄ，５ｄｅ・・・磁場、６，６ａ，６ｂ・・・回転円筒体、７・・・シャフト、８ａ・・・アノード、８ｋ・・・カソード、９・・・放電チャンネル、１０・・・放電駆動回路、１９・・・パネル保持機構、２０ａ，２０ｂ，３０，４０，４０ａ，４０ｂ・・・磁場走査機構、１００・・・初期エージング処理装置
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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