(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
ウエハを保持する静電チャックステージを備えるウエハ処理装置において、
前記静電チャックステージにおける前記ウエハの保持面のうち、該ウエハにより覆われていない面を遮蔽する遮蔽手段を備え、
前記遮蔽手段は、前記保持面上に保持されるウエハの外径に対応し、前記保持面を遮蔽する遮蔽部材を複数備え、該各遮蔽部材の各々は前記保持面上に保持されるウエハの形状に対応した開口部が形成されるとともに前記対応するウエハと同じ厚みとなっており、
前記ウエハの上面端部が湾曲形状を有しており、
前記遮蔽部材に形成された前記開口部の内側面が、前記ウエハの上面側を覆うようにして内側に延出する庇部を有し、該庇部は前記ウエハの上面端部の前記湾曲形状に対応する形状を有し、
前記各遮蔽部材は、前記開口部を分割した状態とする、複数の遮蔽部材構成部品を組み合わせてなることを特徴とするウエハ処理装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ウエハ処理装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体製造プロセスに用いられるウエハ処理装置は、シリコン等からなる半導体ウェハを固定した状態でスパッタリングやプラズマ処理等を行っている。このような場合、通常、チャック装置と呼ばれる固定手段が用いられる。特に近年では、静電気の力を利用して半導体ウェハを吸着する、いわゆる静電チャックが提案されている。
【０００３】
このような静電チャックのうち、例えばプラズマ処理する際に用いられる静電チャックとして、誘電体セラミックス板の電極面が台座上に直接あるいは間接的にロー付けされた構造の静電チャック（静電チャックステージ）において、該ロー付け部のロー材層が介在する部分の隙間を絶縁体リングで遮蔽し、プラズマ放電の回り込みを防止した技術が知られている（例えば、特許文献１参照）。
ところで一般に、半導体装置の試作・開発段階では２インチの半導体ウエハが用いられている。一方、半導体装置を量産する段階では、生産性の向上し低コスト化を図ることからより大きいサイズ、例えば３インチ以上の半導体ウエハが用いられる。
【特許文献１】特開平８−３１６２９９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、従来の静電チャックステージは、ある特定のサイズのウエハに対して最適化された構造となっているため、試作・開発時点で使用する静電チャックは２インチの半導体ウエハにしか対応していない。そのため量産段階に移行する際には、半導体ウエハに対応した静電チャックステージを別途付け替える必要が生じていた。したがって、静電チャックステージの交換の手間やコストが必要となったり、静電チャックステージの変更したことによりウエハ処理の条件が変動し、量産品の信頼性を低下させるため、試作・開発段階及び量産段階においてウエハ処理装置を兼用するのは難しかった。
【０００５】
本発明はこのような事情に鑑みてなされたもので、同一の静電チャックステージにより、異なる外径のウエハ処理を可能とする、ウエハ処理装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明のウエハ処理装置は、ウエハを保持する静電チャックステージを備えるウエハ処理装置において、前記静電チャックステージにおける前記ウエハの保持面のうち、該ウエハにより覆われていない面を遮蔽する遮蔽手段を備えることを特徴とする。
【０００７】
本発明のウエハ処理装置によれば、例えば使用されるウエハの外形が異なる開発・試作段階及び量産段階におけるウエハを静電チャックステージに保持する場合でも、静電チャックステージ上にウエハを保持した際に、ウエハにより覆われていない面が遮蔽手段によって覆われるので、静電チャックステージの表面が露出するのが防止される。よって、ウエハにプラズマ処理を行う際に静電チャックステージの表面がプラズマによるダメージを受けることがない。
したがって、開発・試作段階及び量産段階において静電チャックステージを併用することができるので、量産段階に移行する際の静電チャックステージの変更が不要となって、静電チャックステージの変更に起因した条件変動によるウエハ処理の不具合を防止し、低コストな処理が可能となる。
【０００８】
また、上記ウエハ処理装置においては、前記遮蔽手段は、前記保持面上に保持されるウエハの外径に対応し、前記保持面を遮蔽する遮蔽部材を複数備え、該各遮蔽部材には前記保持面上に保持されるウエハの形状に対応した開口部がそれぞれ形成されているのが好ましい。
このようにすれば、異なる外径のウエハを静電チャックステージ上に保持する際に、各遮蔽部材に形成された開口部内にウエハを配置することで、前記保持面におけるウエハに覆われていない領域を簡便かつ確実に覆うことができる。
【０００９】
また、上記ウエハ処理装置においては、前記遮蔽部材は、対応するウエハと略同等の厚みとなっているのが好ましい。
このようにすれば、前記開口部内に配置されたウエハと遮蔽部材との上面の高さが等しくなるので、例えばウエハにプラズマ処理を施す際に、前記遮蔽部材によってプラズマ処理が遮られることがない。
【００１０】
また、上記ウエハ処理装置においては、前記各遮蔽部材は、前記開口部を分割した状態とする、複数の遮蔽部材構成部品を組み合わせてなるのが好ましい。
このようにすれば、前記各遮蔽部材構成部品を前記保持面に沿って進退させることでウエハに覆われていない面のみを容易に遮蔽することができ、特にウエハを保持面上に配置した後に遮蔽を行う際の遮蔽部材の位置合わせを容易とすることができる。
【００１１】
このとき、前記遮蔽部材に形成された前記開口部の内側面が、前記ウエハの上面側を覆うようにして内側に延出する庇部を有していてもよい。
このようにすれば、前記遮蔽部材構成部品がウエハに接触した場合に、ウエハの内側面がウエハの上面側を覆う庇部を有しているので、静電チャックステージ上に予めウエハが保持されている場合、前記ウエハの下側に遮蔽部材構成部品が入り込むのを防止するとともに、上記庇部によってウエハの位置を規制することができる。よって、特に静電チャックステージ上にウエハを配置する場合の位置合わせが簡便となる。
【００１２】
あるいは、上記ウエハ処理装置においては、前記遮蔽部材に形成された前記開口部の内側面は、前記保持面上に前記遮蔽部材が配置された際に上側に向かって鋭角をなす傾斜面となっていてもよい。
このようにすれば、前記開口部の内側面が傾斜面となっているので、該傾斜面に沿って開口部内にウエハを落とし込むことができ、特に遮蔽部材を保持面上に配置した後に開口部内にウエハを配置する際のウエハの位置合わせを容易とすることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１３】
以下に、本発明のウエハ処理装置の一実施形態としてのプラズマエッチング装置について説明する。なお、各実施形態においては、図面を参照しながら説明するが、各図において、各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、各部材毎に縮尺を異ならせてある。図１は、プラズマエッチング装置（以下、エッチング装置と称す。）の概略構成を示す図であり、この装置は半導体チップ等の半導体装置を製造する際に、シリコン等からなる半導体ウエハに対してエッチング処理を行うものである。
【００１４】
図１に示すように、エッチング装置１は、チャンバ１１と一対の電極１３，１４と、プラズマ処理を行う半導体ウエハを保持するための静電チャックステージ１０と、を備えている。そして、前記チャンバ１１内にエッチングガスを導入するとともに、前記電極１３，１４間に高周波電圧を印加し、チャンバ１１内にプラズマを発生させることによりエッチング処理を可能としている。
【００１５】
エッチング処理を行う際には、前記静電チャックステージ１０により半導体ウエハＷを固定している。この静電チャックステージ１０は、台座１０Ｂと、該台座１０Ｂ上にロウ付けされ、背面側に形成された電極部を含む誘電体セラミックスを主要部とする静電吸着部１０Ａとから構成されている。なお、上記静電吸着部１０Ａに含まれる電極部の構成としては単極方式、双極方式のいずれのものであってもよい。
【００１６】
上記誘電体セラミックスとしては、誘電体セラミックスの焼結体、あるいは誘電体セラミックの膜、つまり溶射によって誘電体セラミックスの被膜を形成したもの、あるいはスパッタリング、ＣＶＤ等の薄膜処理によって形成したもの、あるいはその他の成膜処理によって形成されたもの、いずれでも選択できる。チタン酸アルミナ、チタン酸バリウム等の高誘電率セラミックスから、窒化ケイ素、窒化アルミ、アルミナ、サファイア、炭化ケイ素、成膜形成されたダイヤモンド等、絶縁体セラミックスがこの範疇にいる。
【００１７】
また、前記静電吸着部１０Ａは、平面視（半導体ウエハの上面に対して垂直方向から視た場合）した状態で円形からなるものであって、前記静電チャックステージ１０における半導体ウエハを保持する保持面１０ａの外形と半導体ウエハＷの外形とは相似関係となっている。
【００１８】
上記静電チャックステージ１０を使用する際には、前記静電吸着部１０Ａ上に半導体ウエハＷを載置した状態で前記静電吸着部１０Ａに含まれる電極部と前記半導体ウエハＷとの間に電圧を印加することにより、前記半導体ウエハＷを静電力によって静電チャックステージ１０の保持面１０ａに吸着させることができる。前記保持面１０ａには、ウエハの温度調整を行うために不活性ガスを流すガス溝等が同心円状に設けられていて、これによりウエハを例えば冷却することで均一な温度分布のもとでウエハ処理（プラズマ処理）を行うことが可能となっている。
【００１９】
また、前記エッチング装置１は、前記電極１３及び前記静電チャックステージ１０を連通するウエハ離脱用ピン１７を備えていて、プラズマエッチング処理の終了後に前記ウエハ離脱用ピン１７を突き上げることにより、静電チャックステージ１０から半導体ウエハＷを浮かせて、容易な離脱を可能としている。
【００２０】
ところで、このようなエッチング装置を含むウエハ処理装置は、ユーザによって種々なウエハサイズに対して処理が行われていることから、種々のサイズのウエハの処理に対応できるウエハ処理装置の提供が望まれている。しかしながら、従来静電チャックステージは特定のサイズのウエハに対して最適化された構造となっていた。具体的には、半導体装置の試作・開発段階で使用される静電チャックステージは、２インチの半導体ウエハにしか対応していなかった。
【００２１】
一方、半導体装置の量産段階では、より大きいサイズ、少なくとも３インチ以上の半導体ウエハを用いて多数の半導体装置を形成することにより、生産性の向上、及び低コスト化を図っている。そのため、試作・開発段階で用いた２インチに対応する静電チャックステージを、量産段階でそのまま流用することができなかった。その理由としては、例えば静電チャックステージに対応したサイズよりも小さいウエハを使用すると、ウエハが載っていない静電チャックステージの保持面の一部が露出してしまい、エッチング処理時のプラズマに曝されることでダメージを受けてしまうからである。
【００２２】
また、本実施形態のエッチング装置１は、静電チャックステージ１０上に外径の異なる半導体ウエハ（ウエハ）を保持した際に、前記静電チャックステージ１０における前記半導体ウエハの保持面１０ａのうち、半導体ウエハに覆われていない面を遮蔽する遮蔽手段２０を備えている。
【００２３】
ここで、上記遮蔽手段２０の具体的な構成について説明する。遮蔽手段２０は前記保持面１０ａ上に保持される半導体ウエハの外径に対応するカバー部材（遮蔽部材）を複数備えている。具体的に本実施形態では、２，３，４，６，８インチの半導体ウエハに対応する５つのカバー部材を備えている。なお、図１中符号２２は２インチのウエハに対応し、符号２３は３インチのウエハ、符号２４は４インチのウエハ、符号２６は６インチのウエハ、符号２８は８インチのウエハに対応するカバー部材を示すものである。なお、以下の説明においては、各カバー部材２２，２３，２４，２６，２８を総称してカバー部材２１とも呼ぶ。
【００２４】
本実施形態では、上記遮蔽手段２０は第一カバー部材収納部２０Ａと第二カバー部材収納部２０Ｂとから構成されていて、これら第一、第二カバー部材収納部２０Ａ，Ｂはチャンバ１１の側面に対向配置するようにして設けられている。また、前記第一、第二カバー部材収納部２０Ａ，Ｂとチャンバ１１との境界部分には、静電チャックステージ１０の保持面１０ａと略同一の高さの面に開閉可能なシャッターＳが設けられている。また、前記チャンバ１１には真空ポンプ（図示せず）が設けられていて、これによりチャンバ１１内を真空状態に保つことが可能となっている。また、上記第一、第二カバー部材収納部２０Ａ，Ｂ内は、前記チャンバ１１の下部側において連結していてチャンバ１１内と同様に真空状態になっている。
【００２５】
ここで、上記カバー部材２１の構成について説明する。図２に示すように、カバー部材２１は対応する半導体ウエハサイズと同等の厚みを有したリング形状からなるもので、前記静電チャックステージ１０の保持面１０ａの外径に比べて、同等あるいは僅かに大きくなっている。これにより、カバー部材２１が保持面１０ａ上に配置された際に、保持面１０ａの端部が露出することがなく、したがってプラズマ処理に曝されてダメージを受けることがない。なお、本実施形態では説明を簡略化するために、処理される半導体ウエハの厚みはサイズによらず同じものとし、上記各カバー部材２２，２３，２４，２６，２８の厚みは全て同じとする。
【００２６】
上記カバー部材２１は、上述したように対応する外径の半導体ウエハの厚みと略同じことから、半導体ウエハとカバー部材との上面の高さが等しくなるために、カバー部材２２によりエッチング処理が妨げられるのを防止している。
【００２７】
また、前記カバー部材２１における前記保持面１０ａとは反対側の表面側（上面側）には、保護膜３０が設けられている。この保護膜３０はプラズマ処理によるカバー部材２１の表面荒れを防止するもので、これによりアーキング等の異常放電を防止することができる。なお、前記保護膜３０を形成する方法としては、ＣＶＤ法や、スパッタ法等の公知の方法を採用することができ、具体的に本実施形態ではＡｌ２Ｏ３からなる膜を成膜している。また、カバー部材を構成する材料としてアルミを採用した場合には、陽極酸化などによる表面処理を行うことで、保護層をアルマイトから構成するようにしてもよい。
【００２８】
本実施形態では、前記カバー部材２１は前記半導体ウエハと同一材料のシリコンから構成しており、これにより半導体ウエハとカバー部材２１との間における温度分布のバラツキを無くし、特に前記カバー部材２１に接触する部分においてウエハの温度を変化させることがなく、したがって均一なエッチング処理を可能としている。
【００２９】
また、前記カバー部材２１の中心部には、開口部Ｈがそれぞれ形成されている。上述した半導体ウエハの形状（外径）に対応した大きさ、すなわち上記２，３，４，６，８インチの開口部Ｈが各カバー部材２１（２２，２３，２４，２６，２８）に形成されたものとなっている。なお、前記ウエハの外形に対応する開口部Ｈの径は、該開口部内に半導体ウエハが配置された際にウエハの外側面と開口部の内側面とが接触する部分における外径を表すものである。
【００３０】
本実施形態では、上記各カバー部材２１（２２，２３，２４，２６，２８）は、開口部Ｈを二分割した状態とする、カバー部材構成部品（遮蔽構成部品）２１Ａ（２２Ａ，２３Ａ，２４Ａ，２６Ａ，２８Ａ），２１Ｂ（２２Ｂ，２３Ｂ，２４Ｂ，２６Ｂ，２８Ｂ）をそれぞれ組み合わせることで構成するようになっている。例えば、２インチに対応するカバー部材２２は、上記カバー部材構成部品２２Ａ，２２Ｂとを組み合わせることで構成される。
【００３１】
このように、上記カバー部材構成部品２１Ａ，２１Ｂを組み合わせることで、静電チャックステージ１０上にカバー部材２１を載置し、該カバー部材２１の開口部Ｈ内に半導体ウエハを配置させた状態とすることで、前記静電チャックステージ１０の保持面１０ａのうち、半導体ウエハに覆われていない面を確実に遮蔽できる。
【００３２】
なお、上記第一カバー部材収納部２０Ａには、上記カバー部材構成部品２１Ａが収納されている。そして、第二カバー部材収納部２０Ｂには、上記カバー部材構成部品２１Ｂが収納されている。各収納部２０Ａ，２０Ｂ内には、例えば上下動する収納棚（図示せず）が設けられていて、各サイズに対応するカバー部材構成部品がそれぞれ収容されたものとなっている。
すなわち、第一、第二カバー部材収納部２０Ａ，２０Ｂに収容された第一、第二カバー部材構成部品２１Ａ，２１Ｂは、前記シャッターＳを開閉することでチャンバ１１内に出し入れ可能となっている。
【００３３】
次に、静電チャックステージ１０の保持面１０ａ上にカバー部材２１を配置する際について説明する。なお、以下の説明ではエッチング処理を行うに際し、２インチの半導体ウエハＷを用いる場合について説明する。すなわち、カバー部材２１を用いる場合について説明する。
【００３４】
ところで、半導体ウエハＷに対してエッチング処理を行うに際し、前記保持面１０ａ上に半導体ウエハＷあるいはカバー部品２１のいずれを先に配置するようにしてもよい。
はじめに、静電チャックステージ１０上にカバー部材２１を配置し、その後、半導体ウエハＷを配置する場合について説明する。
【００３５】
このように先にカバー部材２１を配置する場合、前記カバー部材２１に設けられている開口部Ｈの内側面は、図３に示すように、前記保持面１０ａ上にカバー部材２１が配置された際に上側に向かって鋭角（０°〜９０°、好ましくは４５°程度）をなす傾斜面となっているのが望ましい。この場合における開口部Ｈの外形は、該開口部Ｈ内に半導体ウエハを配置した際、開口部Ｈの内側面に接触している部分における半導体ウエハの外形により定まるものとする。ここで、図４はカバー部材２１を配置する際の平面図であり、図５はカバー部材２１を配置する際の側断面である。
【００３６】
はじめに、前記第一、第二カバー部材収納部２０Ａ，Ｂ内に収納されたもののうち、静電チャックステージ１０上に保持するウエハサイズ（２インチ）に対応したカバー部材構成部品２２Ａ，２２Ｂを選択し、例えば各サイズのカバー部材構成部品を備えた収納棚を上下動させることで静電チャックステージ１０の保持面１０ａと略同じ高さまで移動させ、前記シャッターＳを開く（図１参照）。そして、エッチング装置１内のアーム（図示せず）によってチャンバ１１内にカバー部材構成部品２１Ａ，２１Ｂを取り込んだ後、シャッターＳを閉じる。
【００３７】
そして、図４（ａ）に示すように、前記保持面１０ａ上に沿ってカバー部材構成部品２２Ａ，２２Ｂを移動する。そして、各部品２２Ａ，２２Ｂを当接させることにより、図４（ｂ）に示すように前記保持面１０ａ上にカバー部材２１（２２Ａ，２２Ｂ）が配置される。
【００３８】
続いて、カバー部材２１により遮蔽された保持面１０ａ上に、チャンバ１１内のアーム（図示せず）を用いて、図５（ａ）に示すように該カバー部材２１に形成された開口部Ｈ内に半導体ウエハＷを配置する。このとき、前記カバー部材２１に設けられている開口部Ｈの内側面は、前記保持面１０ａ上にカバー部材２１が配置された際に上側に向かって鋭角をなす傾斜面となっているので、半導体ウエハＷを配置した際に、図５（ｂ）に示すように半導体ウエハＷが傾斜面に沿って開口部Ｈ内に落とし込まれ、したがってウエハの位置合わせを容易に行うことができる。
【００３９】
なお、上記実施形態では、２インチの半導体ウエハＷに対し処理を行う場合について説明したが、前記第一、第二カバー部材収納部２０Ａ，２０Ｂから半導体ウエハのサイズに対応するカバー部材構成部品２１Ａ，２１Ｂを取り出し、保持面１０ａ上にカバー部材２１を載置することで、異なるサイズ（３，４，６，８インチ）の半導体ウエハにエッチング処理を施すことができる。また、上記実施形態では、エッチング装置は、２，３，４，６，８インチの半導体ウエハに対応したものとなっているが、本発明はこのウエハサイズに限定されることはなく、各サイズのウエハに対応したカバー部材を用いることで種々のサイズのウエハに対してエッチング処理を行うことができる。また、静電チャックステージ１０の外径を例えば１０インチに設定しておくことにより、カバー部材を用いることなく１０インチのウエハ処理を可能とするようにしてもよい。
【００４０】
したがって、本実施形態に係るエッチング装置１によれば、静電チャックステージ１０上に２インチの半導体ウエハを保持した際に、半導体ウエハが接触しない面が遮蔽手段２０、すなわちにカバー部材２１によって覆われる。
また、静電チャックステージ１０上に外径の異なる半導体ウエハを保持する場合においても、各ウエハに対応したカバー部材２１により静電チャックステージの表面が露出することを確実に防止できる。よって、半導体ウエハにプラズマ処理等を行った際に、静電チャックステージ１０の表面がプラズマに曝されることがなく、したがってダメージを受けることがない。また、カバー部材２１の表面には、Ａｌ２Ｏ３からなる保護膜３０が形成されているので、カバー部材２１の表面のプラズマによる荒れによるアーキング等の異常放電の発生を防止し、エッチング処理時の信頼性を向上させることができる。
【００４１】
また、エッチング装置１は、使用される半導体ウエハが小さい開発・試作段階と、使用される半導体ウエハのサイズが大きい量産段階との間においても、上述した遮蔽手段２０が備える各サイズに対応したカバー部材２１で保持面１０ａを遮蔽することで、保持面１０ａがプラズマによりダメージ受けることがなく、静電チャックステージを併用できる。
したがって、開発・試作段階から量産段階へ移行する際のステージの交換コストを不要にし、さらにステージの変更によりウエハ処理の条件が変動し、量産品の信頼性を低下させるといった不具合を防止することで、信頼性の高いエッチング処理を行うことができる。
【００４２】
次に、静電チャックステージ１０上に半導体ウエハを配置した後、カバー部材２１を配置する場合について説明する。このとき、半導体ウエハＷは、前記カバー部材２１に設けられている開口部Ｈの内側面は、図６に示すように、前記保持面１０ａ上にカバー部材２１が配置された際に半導体ウエハＷの上面側を覆うようにして内側に延出する庇部５０を有しているのが好ましい。なお、この場合における開口部Ｈの外形は、半導体ウエハが配置された際に、開口部Ｈの内側面に接触している部分における半導体ウエハの外形により定まるものとする。
【００４３】
このとき、図７（ａ）に示すように、静電チャックステージ１０上に所望のサイズの半導体ウエハＷを配置した後、該ウエハに対応するカバー部材構成部品２１Ａ，２１Ｂをチャンバ１１内に取り込み保持面１０ａ上に配置する。すると、カバー部材構成部品２１Ａ，２１Ｂが半導体ウエハＷに接触し移動させることでウエハの位置あわせを行うことができる。このとき、図７（ｂ）に示すように、カバー部材構成部品２１Ａ，２１Ｂが半導体ウエハＷに接触した際には、内側面の上部側が庇状（庇部５０）となるになっているので、半導体ウエハＷの下側へのカバー部材構成部品２１Ａ，２１Ｂの入り込みを防止できる。よって、カバー部材構成部品２１Ａ，２１Ｂのみの位置合わせを行うことで、図７（ｃ）に示すように保持面１０ａ上におけるウエハの位置を定めることができ、ウエハの位置合わせが容易となる。
【００４４】
上述した実施形態では、遮蔽部材としてのカバー部材を複数のカバー部材構成部品（遮蔽部材構成部品）により構成した場合について説明したが、図８に示すようにカメラ等に用いられる絞り構造を有したカバー部材２１´を採用してもよい。この場合、上記実施形態と異なり、カバー部材２１´は１つの部材から構成されたものとなっている。
【００４５】
上記カバー部材２１´は、例えば小さいサイズの半導体ウエハに対応させる場合、図８（ａ）中矢印方向にカバー部材２１´を絞り込むことで、図８（ｂ）に示すようにカバー部材２１´の開口部Ｈの径を小さくすることができる。一方、より大きなサイズに対応させる場合、図８（ａ）に示した矢印と反対方向にカバー部材２１´を開くことで開口部Ｈの径を拡げるようにする。このような構造のカバー部材２１´を採用することにより、１つのカバー部材２１´により複数の半導体ウエハに対応した処理を行うことが可能となる。
【００４６】
なお、本発明は上記実施形態に限定されることなく、その発明の趣旨を逸脱しない範囲においては種々に変更することが可能である。例えば、上記実施形態では、ウエハ処理装置として、エッチング装置に適応した場合について説明したが、本発明のウエハ処理装置は、半導体製造工程において行われる、スパッタ、リソグラフィー、エッチング、及び高温イオン注入工程等の処理を行う際に上記静電チャックステージによる半導体ウエハの保持を必要とする装置に適応することができる。また、半導体ウエハのみでなく、ガラスウエハ上の表面処理等に使用することもできる。
【図面の簡単な説明】
【００４７】
【図１】本実施形態に係るプラズマエッチング装置の概略構成を示す図である。
【図２】カバー部材の構成を示す図である。
【図３】開口部の内側面が傾斜面となるカバー部材の側断面形状を示す図である。
【図４】図２に示したカバー部材を配置する際の平面図である。
【図５】図２に示したカバー部材を配置する際の断面図である。
【図６】開口部の内側面が庇状となるカバー部材の側断面形状を示す図である。
【図７】図６に示したカバー部材を配置する際の説明図である。
【図８】カバー部材の他の形態を示す図である。
【符号の説明】
【００４８】
Ｗ…半導体ウエハ（ウエハ）、Ｈ…開口部、１…ウエハ処理装置、１０…静電チャックステージ、１０ａ…保持面、２０…遮蔽手段、２１…カバー部材（遮蔽部材）、２２，２３，２４，２６，２８…カバー部材（遮蔽部材）、２１Ａ，２１Ｂ…カバー部材構成部品（遮蔽構成部品）、２２Ａ，２３Ａ，２４Ａ，２６Ａ，２８Ａ…カバー部材構成部品（遮蔽構成部品）、２２Ｂ，２３Ｂ，２４Ｂ，２６Ｂ，２８Ｂ…カバー部材構成部品（遮蔽構成部品）、５０…庇部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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