(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体にて構成されたセンサ構造体（１ａ）を有するセンサチップ（１）と、
前記センサ構造体（１ａ）と対応する位置に凹部（２ａ）が形成され、該凹部（２ａ）の周囲（２ｂ）に接着剤（３）を塗布することで、該接着剤（３）を介して、前記センサチップ（１）に対して固定されるように構成された、前記センサ構造体（１ａ）を覆うための保護キャップ（２）と、を備え、
前記保護キャップ（２）における前記凹部（２ａ）の周囲（２ｂ）は、前記凹部（２ａ）の内枠面（２ｃ）の先端位置の方が外枠面（２ｄ）よりも突き出し、前記内枠面（２ｃ）の前記先端位置が前記センサチップ（１）に隣接ように構成されており、
前記保護キャップ（２）における前記凹部（２ａ）の前記周囲（２ｂ）は、円弧形状とされていることを特徴とする半導体センサ装置。
【請求項２】
前記保護キャップ（２）における前記凹部（２ａ）の前記周囲（２ｂ）は、前記凹部（２ａ）の前記内枠面（２ｃ）の先端位置と前記外枠面（２ｄ）の先端位置とを結ぶように円弧形状とされていることを特徴とする請求項１に記載の半導体センサ装置。
【請求項３】
半導体にて構成されたセンサ構造体（１ａ）を有するセンサチップ（１）と、
前記センサ構造体（１ａ）と対応する位置に凹部（２ａ）が形成され、該凹部（２ａ）の周囲（２ｂ）に接着剤（３）を塗布することで、該接着剤（３）を介して、前記センサチップ（１）に対して固定されるように構成された、前記センサ構造体（１ａ）を覆うための保護キャップ（２）と、を備えてなる半導体センサ装置の製造方法であって、
保護用基材（２０）を用意し、該保護用基材（２０）のうち前記凹部（２ａ）の形成予定位置をマスク材（２１）で覆った状態で等方性エッチングを行うことにより、前記凹部（２ａ）の周囲（２ｂ）をテーパ状もしくは円弧状とする工程と、
前記マスク材（２１）を除去したのち、前記保護用基材（２０）のうち前記凹部（２ａ）の形成予定位置が開口するマスク材で覆った状態でエッチングを行うことにより、前記凹部（２ａ）を形成する工程と、
前記センサ構造体（１ａ）が形成された半導体ウェハ（１０）を用意する工程と、
前記保護用基材（２０）のうち前記凹部（２ａ）の前記周囲（２ｂ）に対して接着剤（３）を塗布する工程と、
前記センサ構造体（１ａ）と前記凹部（２ａ）が一致するように、前記接着剤（３）を介して前記保護用基材（２０）を前記半導体ウェハ（１０）に対して固定する工程と、
前記半導体ウェハ（１０）および前記保護用基材（２０）をチップ単位に分割することにより、前記センサチップ（１）および前記保護キャップ（２）を形成する工程と、を含んでいることを特徴とする半導体センサ装置の製造方法。
【請求項４】
半導体にて構成されたセンサ構造体（１ａ）を有するセンサチップ（１）と、
前記センサ構造体（１ａ）と対応する位置に凹部（２ａ）が形成され、該凹部（２ａ）の周囲（２ｂ）に接着剤（３）を塗布することで、該接着剤（３）を介して、前記センサチップ（１）に対して固定されるように構成された、前記センサ構造体（１ａ）を覆うための保護キャップ（２）と、を備えてなる半導体センサ装置の製造方法であって、
保護用基材（２０）を用意し、該保護用基材（２０）のうち前記凹部（２ａ）の形成予定位置から一定幅分空けた領域を除去することにより、前記凹部（２ａ）の周囲（２ｂ）を段付き形状とする工程と、
前記マスク材（２１）を除去したのち、前記保護用基材（２０）のうち前記凹部（２ａ）の形成予定位置が開口するマスク材で覆った状態でエッチングを行うことにより、前記凹部（２ａ）を形成する工程と、
前記センサ構造体（１ａ）が形成された半導体ウェハ（１０）を用意する工程と、
前記保護用基材（２０）のうち前記凹部（２ａ）の前記周囲（２ｂ）に対して接着剤（３）を塗布する工程と、
前記センサ構造体（１ａ）と前記凹部（２ａ）が一致するように、前記接着剤（３）を介して前記保護用基材（２０）を前記半導体ウェハ（１０）に対して固定する工程と、
前記半導体ウェハ（１０）および前記保護用基材（２０）をチップ単位に分割することにより、前記センサチップ（１）および前記保護キャップ（２）を形成する工程と、を含んでいることを特徴とする半導体センサ装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体で構成されたセンサ構造体を有するセンサチップを保護キャップで覆うように構成された半導体センサ装置およびその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、半導体で構成されたセンサ構造体を有するセンサチップを保護キャップで覆うように構成された半導体センサ装置として、特許文献１に示されるものがある。この半導体センサ装置では、凹部を設けた保護キャップを用意すると共に、その保護キャップの凹部をセンサ構造体に向けて配置し、保護キャップにおける凹部の周囲に備えた粘着剤付きの樹脂テープを貼り付けることで、センサ構造体が形成されたセンサチップと保護キャップとを接着している。
【特許文献１】特開２０００−３１３４９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
しかしながら、保護キャップをセンサチップに接着する際に加圧すると、樹脂テープに付けられた粘着剤が保護キャップの内部、つまりセンサ構造体側に押し出され、粘着剤がセンサ構造体に浸入し、センサ構造体がスティッキングしてしまうなどの問題を発生させる。
【０００４】
本発明は上記点に鑑みて、センサ構造体のスティッキングを防止できる構造の半導体センサ装置およびその製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
上記目的を達成するため、本発明は、半導体にて構成されたセンサ構造体（１ａ）を有するセンサチップ（１）と、センサ構造体（１ａ）と対応する位置に凹部（２ａ）が形成されたセンサ構造体（１ａ）を覆うための保護キャップ（２）とが、保護キャップ（２）の凹部（２ａ）の周囲（２ｂ）に塗布された接着剤（３）を介して固定されるように構成された半導体センサ装置において、保護キャップ（２）における凹部（２ａ）の周囲（２ｂ）は、凹部（２ａ）の内枠面（２ｃ）の先端位置の方が外枠面（２ｄ）よりも突き出し、内枠面（２ｃ）の先端位置がセンサチップ（１）に隣接ように構成されていることを第１の特徴としている。
【０００６】
このように、凹部（２ａ）の内枠面（２ｃ）の先端位置の方が外枠面（２ｄ）よりも突き出した構造とすれば、保護キャップ（２）に対して力が加えられ、その力によって接着剤（３）が押し出されるときに、周囲（２ｂ）の形状に基づき、接着剤（３）が凹部（２ａ）の内側ではなく外側に向かって押し出される。したがって、接着剤（３）が凹部（２ａ）の外側に押し出されることによってセンサ構造体（１ａ）に浸入することが防止でき、センサ構造体（１ａ）がスティッキングしてしまうことを防ぐことが可能となる。
【０００８】
具体的には、保護キャップ（２）における凹部（２ａ）の周囲（２ｂ）を円弧形状としている。この場合、例えば、凹部（２ａ）の内枠面（２ｃ）の先端位置と外枠面（２ｄ）の先端位置とを結ぶような円弧形状とすることができる。
【００１０】
本発明は、保護用基材（２０）を用意し、該保護用基材（２０）のうち凹部（２ａ）の形成予定位置をマスク材（２１）で覆った状態で等方性エッチングを行うことにより、凹部（２ａ）の周囲（２ｂ）をテーパ状もしくは円弧状とする工程と、マスク材（２１）を除去したのち、保護用基材（２０）のうち凹部（２ａ）の形成予定位置が開口するマスク材で覆った状態でエッチングを行うことにより、凹部（２ａ）を形成する工程と、センサ構造体（１ａ）が形成された半導体ウェハ（１０）を用意する工程と、保護用基材（２０）のうち凹部（２ａ）の周囲（２ｂ）に対して接着剤（３）を塗布する工程と、センサ構造体（１ａ）と凹部（２ａ）が一致するように、接着剤（３）を介して保護用基材（２０）を半導体ウェハ（１０）に対して固定する工程と、半導体ウェハ（１０）および保護用基材（２０）をチップ単位に分割することにより、センサチップ（１）および保護キャップ（２）を形成する工程と、を含んだ製造方法により、半導体センサ装置を製造することを第２の特徴としている。
【００１１】
このように、該保護用基材（２０）のうち凹部（２ａ）の形成予定位置をマスク材（２１）で覆った状態で等方性エッチングを行うことにより、凹部（２ａ）の周囲（２ｂ）をテーパ状もしくは円弧状とすることができる。
【００１２】
このようにすれば、凹部（２ａ）の内枠面（２ｃ）の先端位置の方が外枠面（２ｄ）よりも突き出した構造となる。このため、保護キャップ（２）に対して力が加えられ、その力によって接着剤（３）が押し出されるときに、周囲（２ｂ）の形状に基づき、接着剤（３）が凹部（２ａ）の内側ではなく外側に向かって押し出される。したがって、接着剤（３）が凹部（２ａ）の外側に押し出されることによってセンサ構造体（１ａ）に浸入することが防止でき、センサ構造体（１ａ）がスティッキングしてしまうことを防ぐことが可能となる。
【００１３】
また、凹部（２ａ）の周囲（２ｂ）を段付き形状とする場合には、凹部（２ａ）の形成予定位置から一定幅分空けた領域を除去すれば良く、例えば、段付きとされる幅分凹部（２ａ）の形成予定位置よりも段付きとされる幅分だけマスク材（２１）を一回り大きくした状態で異方性エッチング等を行えば良い。この場合にも、上記と同様の効果を得ることができる。
【００１４】
上記各手段の括弧内の符号は、後述する実施形態に記載の具体的手段との対応関係を示すものである。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１５】
以下、本発明の実施形態について図に基づいて説明する。なお、以下の各実施形態相互において、互いに同一もしくは均等である部分には、図中、同一符号を付してある。
【００１６】
（第１実施形態）
図１に、本発明の第１実施形態にかかる半導体加速度センサの断面構成を示す。この半導体加速度センサは、センサチップ１が樹脂モールドされた構造になっている。
【００１７】
センサチップ１は、特開平９−２１１０２２号公報に記載されたものと同様の構成のもので、加速度を受けて変位する可動電極等を備えた梁構造体や可動電極と対向する固定電極を有したセンサ構造体１ａがシリコン基板上に形成されることで構成され、可動電極と固定電極との間の変位に基づいて加速度に応じた検出信号を出力するように構成されている。
【００１８】
センサチップ１の表面には、可動電極、固定電極を外部と電気接続するための複数のパッド１ｂが形成されており、複数のパッド１ｂを通じてセンサ構造体への電圧の印加や検出信号の出力が行われている。
【００１９】
センサチップ１の表面には、センサ構造体１ａを保護するための保護キャップ２が設けられている。保護キャップ２は、耐熱性樹脂シートによって構成され、耐熱性の接着剤３によってセンサチップ１の上に接着されている。保護キャップ２および接着剤３は、後述するワイヤボンディング時、樹脂モールド時などの工程における熱処理温度（例えば１５０℃〜１８０℃）より高い耐熱性を有している。具体的には、耐熱性樹脂シートとしては４００℃程度の耐熱性を有するポリイミド基材を用いることができ、接着剤３としては２３０℃程度の耐熱性を有するシリコーン粘着剤を用いることができる。
【００２０】
図２は、センサチップ１と保護キャップ２との接続箇所の部分拡大図である。この図に示されるように、保護キャップ２には凹部２ａが形成されており、凹部２ａの周囲２ｂに接着剤３を塗布してある。
【００２１】
この凹部２ａの周囲２ｂは、保護キャップ２の底面に対して傾斜するように、断面形状がテーパ状とされている。具体的には、保護キャップ２のうち凹部２ａの内枠面２ｃの先端位置（つまり保護キャップ２の内側の先端位置）よりも、保護キャップ２の外枠面２ｄの先端位置（つまり保護キャップ２の外側の先端位置）の方が高さが低く構成されている。このため、保護キャップ２のうち凹部２ａの内枠面２ｃの先端位置がセンサチップ１と隣接（接触又はほぼ接触）し、保護キャップ２の外枠面２ｄの先端位置がセンサチップ１から離れるような形状とされている。このテーパ状とされた凹部２ａの周囲２ｂとセンサチップ１との間は接着剤３で充填され、保護キャップ２とセンサチップ１とが良好に接合された状態とされている。
【００２２】
また、保護キャップ２には、センサチップ１の表面に形成されたパッド１ｂを露出させるための開口部としてコンタクトホール２０ｃが形成されている。このコンタクトホール２０ｃを通じて、パッド１ｂにボンディングワイヤ４が接続され、ボンディングワイヤ４を介してリードフレーム５と電気的に接続されている。なお、センサチップ１は、リードフレーム５の上に銀ペースト６によって接着固定されており、全体が樹脂７でモールドされている。このような構造により、半導体加速度センサが構成されている。
【００２３】
次に、図１に示す半導体加速度センサの製造方法について説明する。図３にその製造工程を示す。
【００２４】
〔図３（ａ）の工程〕
保護キャップ２を構成するためのポリイミド基材２０を用意する。このとき、後工程でのダイシングカットを容易にするため、例えば、ポリイミド基材２０として厚みが５０〜１５０μｍのものを用意すると好ましい。
【００２５】
〔図３（ｂ）の工程〕
ポリイミド基材２０に対してマスク材２１を配置する。そして、ポリイミド基材２０のうち保護キャップ２における凹部２ａとなる部分以外の領域において、マスク材２１を開口させたのち、マスク材２１で覆った状態でポリイミド基材２０に対して等方性のウェットエッチングを行う。これにより、ポリイミド基材２０のうちマスク材２１が開口している部分に凹部２０ａが形成される。このとき、等方性のウェットエッチングを行っているため、凹部２０ａのうちマスク材２１の開口端部に位置する部分、つまり保護キャップ２における凹部２ａの周囲２ｂに相当する位置がテーパ状となる。
【００２６】
〔図３（ｃ）の工程〕
続いて、マスク材２１を除去した後、新たに図示しないマスク材を配置する。そして、ポリイミド基材２０のうち保護キャップ２における凹部２ａとなる部分において、マスク材を開口させたのち、マスク材２１で覆った状態でポリイミド基材２０に対して異方性のエッチングを行う。これにより、ポリイミド基材２０に対して凹部２０ｂが形成される。これは、後述する図３（ｅ）の工程においてセンサチップ１を構成する半導体ウェハ１０に対して保護キャップ２を構成するポリイミド基材２０を貼り合わせたときに、センサ構造体１ａがポリイミド基材２０と接触しないようにするためである。
【００２７】
なお、ここでは凹部２０ｂの加工をエッチングにより行っているが、エキシマレーザを用いて行っても良い。この場合、そのショット回数によって深さ方向の制御を行う。加工時のスループットを向上させるために、マスクを使用しレーザ光を多少ブロードにしたり、レーザ光を数本に分散あるいはレーザ発振器の台数を増やしたりすると好ましい。
【００２８】
続いて、センサチップ１におけるパッド１ｂが形成される位置にコンタクトホール２０ｃを開ける。コンタクトホール２０ｃの加工はエキシマレーザでもよいし、打ち抜きでもよい。また、その開口の大きさは、ワイヤボンディングできる大きさであれば、パッド１ｂより小さくても大きくてもよい。なお、凹部２０ｂとコンタクトホール２０ｃは、どちらを先に加工しても問題はない。
【００２９】
図４に、ポリイミド基材２０の平面構成を示す。この図に示されるように、凹部２０ｂおよびコンタクトホール２０ｃがアレイ状に配列されて形成されている。この配列は、後述する半導体ウェハ１０に形成される各センサチップ１の位置に対応したものとなっている。なお、ポリイミド基材２０のうち凹部２０ｂおよびコンタクトホール２０ｃよりも外側に備えられているものはアライメントキー２０ｄであり、半導体ウェハ１０との位置合わせのために用いられる。このアライメントキー２０ｄは、例えば、コンタクトホール２０ｃの形成の際に同時に、エキシマレーザを用いて形成される。
【００３０】
〔図３（ｄ）の工程〕
次に、センサ構造体１ａおよびアルミ（Ａｌ）のパッド１ｂが形成された半導体ウェハ１０を用意する。センサ構造体１ａおよびパッド１ｂの形成方法に関しては、周知であるため、ここでは省略する。
【００３１】
図５に、半導体ウェハ１０の平面構成を示す。この図に示すように、各センサチップ１の位置と対応するようにセンサ構造体１ａが形成され、さらにポリイミド基材２０との位置合わせのためにＡｌによってアライメントキー１ｃが形成されている。なお、この図５には、パッド１ｂが省略してある。
【００３２】
〔図３（ｅ）の工程〕
ポリイミド基材２０の表面のうち凹部２０ｂ以外の部分に接着剤３を塗布したのち、センサチップ１を構成する半導体ウェハ１０に接着剤３を介してポリイミド基材２０を接合する。
【００３３】
図６は、この様子を示した拡大図である。まず、図６（ａ）に示すように、ポリイミド基材２０の表面のうち凹部２０ｂ以外の部分、つまり保護キャップ２における凹部２ａの周囲２ｂを含む領域に接着剤３を塗布する。例えば、印刷手法やディスペンスによって接着剤３を塗布する。
【００３４】
そして、接着剤３を介して、半導体ウェハ１０の表面上にポリイミド基材２０を貼り合わせる。このとき、ポリイミド基材２０に形成されたアライメントキー２０ｄと半導体ウェハ１０に形成されたアライメントキー１ｃが合うように、ポリイミド基材２０と半導体ウェハ１０とを位置合わせして貼り合わせ、センサ構造体１ａがポリイミド基材２０の凹部２０ｂ内に収まるようにする。
【００３５】
さらに、図６（ｂ）の矢印で示すように、保護キャップ２を構成するポリイミド基材２０に対して力が加えられ、その力によって接着剤３が押し出される。このとき、接着剤３は逃げやすい方向に押し出されることになる。そして、ポリイミド基材２０のうち保護キャップ２における凹部２ａの周囲２ｂとなる位置がテーパ状とされているため、この傾斜によって接着剤３が凹部２ａの内側ではなく外側に向かって押し出される。したがって、接着剤３が凹部２ａの外側に押し出されることによってセンサ構造体１ａに浸入することが防止でき、センサ構造体１ａがスティッキングしてしまうことを防ぐことが可能となる。
【００３６】
〔図３（ｆ）の工程〕
コンタクトホール２０ｃによって露出されたパッド１ｂなどを基準にして、半導体ウェハ１０に形成されたスクライブパターンに沿ってダイシングカットを行う。図７に、ダイシングブレード８を用いてダイシングカットを行っている状態を示す。このようなダイシングカットにより、切断部９においてポリイミド基材２０および半導体ウェハ１０がチップ単位に分割され、保護キャップ２およびセンサチップ１が構成される。
【００３７】
この後、ダイシングカットによってチップ化されたセンサチップ１を、図１に示すように、リードフレーム５の上に銀ペースト６で接着固定し、さらにワイヤ４によりパッド１ｂとリードフレーム５をボンディングした後、樹脂７でモールドすることにより、半導体加速度センサが完成する。
【００３８】
なお、上記した製造方法において、センサチップ１をリードフレーム５の上に銀ペースト６で固定するときの熱処理、またワイヤ４によるボンディング時の熱処理、さらに樹脂モールド時の熱処理が必要になるが、ポリイミド基材２０におけるポリイミド基材２０の耐熱温度は４００℃程度であるため、ポリイミド基材２０の形状を維持したまま、半導体加速度センサを完成させることができる。
【００３９】
以上説明したように、本実施形態の加速度センサにおいては、ポリイミド基材２０のうち保護キャップ２における凹部２ａの周囲２ｂとなる位置をテーパ状としてある。このため、保護キャップ２を構成するポリイミド基材２０に対して力が加えられ、その力によって接着剤３が押し出されるときに、テーパ状とされた周囲２ｂの傾斜により、接着剤３が凹部２ａの内側ではなく外側に向かって押し出される。したがって、接着剤３が凹部２ａの外側に押し出されることによってセンサ構造体１ａに浸入することが防止でき、センサ構造体１ａがスティッキングしてしまうことを防ぐことが可能となる。
【００４０】
（第２実施形態）
図８は、本発明の第２実施形態にかかる加速度センサにおけるセンサチップ１と保護キャップ２との接続箇所の部分拡大図である。本実施形態の加速度センサの基本構造は、第１実施形態と同様であり、保護キャップ２の構造のみが異なっているため、その異なった部分についてのみ説明する。
【００４１】
図８に示されるように、保護キャップ２には凹部２ａが形成されており、凹部２ａの周囲２ｂに接着剤３を塗布してある。
【００４２】
この凹部２ａの周囲２ｂは、断面円弧状（Ｒ形状）とされている。具体的には、保護キャップ２のうち凹部２ａの内枠面２ｃの先端位置（つまり保護キャップ２の内側の先端位置）よりも、保護キャップ２の外枠面２ｄの先端位置（つまり保護キャップ２の外側の先端位置）の方が高さが低く構成され、保護キャップ２の外枠面２ｄの先端位置がセンサチップ１から離れるような形状とされている。そして、これら各先端位置を結ぶように円弧とされている。この円弧状とされた凹部２ａの周囲２ｂとセンサチップ１との間は、接着剤３で充填され、保護キャップ２とセンサチップ１とが良好に接合された状態とされている。
【００４３】
このような構造においても、保護キャップ２を構成するポリイミド基材２０に対して力が加えられ、その力によって接着剤３が押し出されるときに、円弧状とされた周囲２ｂの傾斜により、接着剤３が凹部２ａの内側ではなく外側に向かって押し出される。したがって、接着剤３が凹部２ａの外側に押し出されることによってセンサ構造体１ａに浸入することが防止でき、センサ構造体１ａがスティッキングしてしまうことを防ぐことが可能となる。
【００４４】
なお、上述した円弧形状は、第１実施形態で示した図２（ｂ）の工程での等方性エッチングのエッチング液などの選択によって得ることができるため、基本的には第１実施形態と同様の製造方法により、本実施形態の構造の半導体加速度センサを得ることが可能である。
【００４５】
（第３実施形態）
図９は、本発明の第３実施形態にかかる加速度センサにおけるセンサチップ１と保護キャップ２との接続箇所の部分拡大図である。本実施形態の加速度センサの基本構造は、第１実施形態と同様であり、保護キャップ２の構造のみが異なっているため、その異なった部分についてのみ説明する。
【００４６】
図９に示されるように、保護キャップ２には凹部２ａが形成されており、凹部２ａの周囲２ｂに接着剤３を塗布してある。
【００４７】
この凹部２ａの周囲２ｂは、段付き形状とされている。具体的には、保護キャップ２のうち凹部２ａの内枠面２ｃの先端位置（つまり保護キャップ２の内側の先端位置）よりも、保護キャップ２の外枠面２ｄの先端位置（つまり保護キャップ２の外側の先端位置）の方が高さが低く構成され、保護キャップ２の外枠面２ｄの先端位置がセンサチップ１から離れるような形状とされている。つまり、保護キャップ２の内壁の方が外壁よりも突出した形状とされている。この段付き形状とされた凹部２ａの周囲２ｂとセンサチップ１との間は、接着剤３で充填され、保護キャップ２とセンサチップ１とが良好に接合された状態とされている。
【００４８】
このような構造においても、保護キャップ２を構成するポリイミド基材２０に対して力が加えられ、その力によって接着剤３が押し出されるときに、段付き形状とされた周囲２ｂの傾斜により、接着剤３が凹部２ａの内側ではなく外側に向かって押し出される。したがって、接着剤３が凹部２ａの外側に押し出されることによってセンサ構造体１ａに浸入することが防止でき、センサ構造体１ａがスティッキングしてしまうことを防ぐことが可能となる。
【００４９】
なお、上述した段付き形状は、凹部２ａの形成予定領域から一定幅空けた外側の領域を除去することで形成される。例えば、第１実施形態で示した図２（ｂ）の工程でのマスク材２１を凹部２ａよりも段付きとする幅分（一定幅分）だけ一回り大きくし、異方性エッチングによって凹部２０ａを形成したり、凹部２ａの形成予定領域から一定幅空けた外側の領域をエキシマレーザで除去するなどの手法により、段付き形状を形成することが可能である。
【００５０】
（他の実施形態）
上記第１実施形態では、保護キャップ２に形成された凹部２ａの周囲２ｂの全体をテーパ状としている。また、第２実施形態では、保護キャップ２に形成された凹部２ａの周囲２ｂの全体を円弧形状としている。しかしながら、これらは単なる一例であり、必ずしも２ａの周囲全体をテーパ状もしくは円弧形状にする必要はない。
【００５１】
図１０は、保護キャップ２に形成された凹部２ａの周囲２ｂの一部をテーパ状とした場合の部分拡大断面図である。この図に示されるように、保護キャップ２に形成された凹部２ａの周囲２ｂのうち保護キャップ２の外枠側のみテーパ状としてある。このようにした場合、センサチップ１と平行な面が構成されるため、センサチップ１と保護キャップ２の固定がより安定することで、接着剤３における保護キャップ２とセンサチップ１との接着強度を高めることが可能となる。このとき凹部２ａの周囲２ｂのうちテーパ状とされる部分の高さＳや幅Ｗは、接着剤３にて保護キャップ２とセンサチップ１との接着強度が得られ、かつ、接着剤３が押し出されるときにテーパ状の部分に押し出されるような条件を満たしていさえすればどのような値であっても構わない。例えば、凹部２ａの周囲２ｂの幅Ｗｔが１０００μｍ程度に設定されるが、そのうち２００μｍ程度がセンサチップ１と平行な面で、８００μｍがテーパ状に構成されていれば、上記条件を満たしていることを確認している。
【００５２】
なお、上記実施形態では、スティッキングが発生し得るセンサ構造体を有するセンサとして加速度センサを例に挙げて説明したが、それ以外のセンサ、例えばヨーレートセンサ等に関しても、本発明を適用することができる。
【図面の簡単な説明】
【００５３】
【図１】本発明の第１実施形態における半導体加速度センサの断面構成を示す図である。
【図２】センサチップ１と保護キャップ２との接続箇所の部分拡大図である。
【図３】図１に示す半導体加速度センサの製造工程を示す断面図である。
【図４】ポリイミド基材２０の平面構成を示した図である。
【図５】半導体ウェハ１０の平面構成を示した図である。
【図６】センサチップ１と保護キャップ２を固定する工程の部分拡大図である。
【図７】ダイシングブレード８を用いてダイシングカットを行っている状態を示した斜視図である。
【図８】本発明の第２実施形態における半導体加速度センサにおけるセンサチップ１と保護キャップ２との接続箇所の部分拡大図である。
【図９】本発明の第３実施形態における半導体加速度センサにおけるセンサチップ１と保護キャップ２との接続箇所の部分拡大図である。
【図１０】本発明の他の実施形態で説明する半導体加速度センサにおけるセンサチップ１と保護キャップ２との接続箇所の部分拡大図である。
【符号の説明】
【００５４】
１…センサチップ、１ａ…センサ構造体、１ｂ…パッド、１ｃ…アライメントキー、２…保護キャップ、２ａ…凹部、２ｂ…周囲、２ｃ…内枠面、２ｄ…外枠面、３…接着剤、４…ボンディングワイヤ、５…リードフレーム、６…銀ペースト、７…樹脂、８…ダイシングブレード、９…切断部、１０…半導体ウェハ、２０…ポリイミド基材、２０ａ…凹部、２０ｂ…凹部、２０ｃ…コンタクトホール、２０ｄ…アライメントキー、２１…マスク材。
【図１】
0004835240.tif 000002
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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