(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
放射線画像を取得するための撮像用変換素子と前記撮像用変換素子に接続される撮像用スイッチ素子とを有する撮像画素と、放射線の入射を検知する検知用変換素子と前記検知用変換素子に接続される検知用スイッチ素子と有する検知画素と、を含む放射線撮像装置であって、
前記撮像用スイッチ素子に接続された制御線と、
前記検知用スイッチ素子に接続され、前記撮像画素又は前記制御線に重なるように配置された信号線と、
前記撮像用スイッチ素子と前記検知用スイッチ素子を駆動する駆動部と、
前記検知用スイッチ素子に対してオン又はオフ電圧を印加させた場合に、前記撮像用スイッチ素子に対し該電圧と逆極性の電圧を印加するように前記駆動部を制御する制御部と、
を有することを特徴とする放射線撮像装置。
【請求項２】
前記制御部は、前記オン又はオフ電圧を印加するタイミングと前記逆極性の電圧を印加するタイミングが重複するように前記駆動部を制御することを特徴とする請求項１に記載の放射線撮像装置。
【請求項３】
前記制御部は、前記オン又はオフ電圧を印加するタイミングと前記逆極性の電圧を印加するタイミングが同時になるように前記駆動部を制御することを特徴とする請求項１又は２に記載の放射線撮像装置。
【請求項４】
前記駆動部は、前記撮像用スイッチ素子を導通状態にするオン電圧と、撮像用スイッチ素子を非導通状態にする第一のオフ電圧と、前記第一のオフ電圧よりも前記オン電圧との差が大きい第二のオフ電圧を前記撮像用スイッチ素子に対し印加することを特徴とする請求項１から３のいずれか１項に記載の放射線撮像装置。
【請求項５】
前記駆動部は、前記逆極性の電圧の大きさを前記オン又はオフ電圧が印加される検知スイッチ素子との距離に基づいて撮像用スイッチ素子に印加する前記逆極性の電圧の大きさを規定していることを特徴とする請求項１から４のいずれか１項に記載の放射線撮像装置。
【請求項６】
前記信号線は、更に、前記撮像用スイッチ素子と接続されていることを特徴とする請求項１から５のいずれか１項に記載の放射線撮像装置。
【請求項７】
前記検知画素は、撮像用変換素子と前記撮像用変換素子に接続される撮像用スイッチ素子とを更に有することを特徴とする請求項１から６のいずれか１項に記載の放射線撮像装置。
【請求項８】
前記検知用変換素子によって検知された放射線の量に基づいて、放射線の入射量を測定することを特徴とする請求項１から７のいずれか１項に記載の放射線撮像装置。
【請求項９】
放射線画像を取得するための撮像用変換素子と前記撮像用変換素子に接続される撮像用スイッチ素子とを有する撮像画素と、放射線の入射を検知する検知用変換素子と前記検知用変換素子に接続される検知用スイッチ素子と有する検知画素と、を含む放射線撮像装置であって、
前記撮像用スイッチ素子に接続された制御線と、
前記検知用スイッチ素子に接続され、前記撮像画素又は前記制御線に重なるように配置された信号線と、
前記撮像用スイッチ素子と前記検知用スイッチ素子を駆動する駆動部と、
撮像用スイッチ素子を導通状態にするオン電圧と、撮像用スイッチ素子を非導通状態にする第一のオフ電圧と、前記第一のオフ電圧よりも前記オン電圧との差が大きい第二のオフ電圧と、を印加するように前記駆動部を制御する制御部と、を有することを特徴とする放射線撮像装置。
【請求項１０】
前記制御部は、放射線が照射されている期間に前記撮像用スイッチ素子に対して前記第二のオフ電圧を印加するように前記駆動部を制御することを特徴とする請求項９に記載の放射線撮像装置。
【請求項１１】
前記検知画素は、撮像用変換素子と前記撮像用変換素子に接続される撮像用スイッチ素子とを更に有することを特徴とする請求項１から１０のいずれか１項に記載の放射線撮像装置。
【請求項１２】
放射線画像を取得するための撮像用変換素子と前記撮像用変換素子に接続される撮像用スイッチ素子とを有する撮像画素と、放射線の入射を検知する検知用変換素子と前記検知用変換素子に接続される検知用スイッチ素子と有する検知画素と、前記撮像用スイッチ素子に接続された制御線と、前記検知用スイッチ素子に接続され、前記撮像画素又は前記制御線に重なるように配置された信号線と、前記撮像用スイッチ素子と前記検知用スイッチ素子を駆動する駆動部を含む放射線撮像装置の制御方法であって、
前記検知用スイッチ素子に対してオン又はオフ電圧を印加させるように駆動部を制御する工程と、
前記撮像用スイッチ素子に対し該電圧と逆極性の電圧を印加するように前記駆動部を制御する工程と、
を有することを特徴とする放射線撮像装置の制御方法。
【請求項１３】
放射線を発生する放射線源と、
請求項１から１１のいずれか１項に記載の放射線撮像装置と、
を有する放射線撮像システム。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、本発明は、放射線撮像装置および放射線撮像システムに関する。
【背景技術】
【０００２】
Ｘ線等の放射線による医療画像診断や非破壊検査に用いる放射撮像装置として、ＴＦＴ（薄膜トランジスタ）等のスイッチと光電変換素子等の変換素子とを組み合わせた画素アレイを有するマトリクス基板を有する放射線撮像装置が実用化されている。
【０００３】
近年、放射線撮像装置の多機能化が検討されている。その一つとして、放射線の照射をモニタする機能を内蔵することが検討されている。この機能によって、例えば、放射線源からの放射線の照射が開始されたタイミングの検知、放射線の照射を停止されるべきタイミングの検知、放射線の照射量または積算照射量の検知が可能になる。
【０００４】
特許文献１には、放射線画像を取得するための撮像画素と、放射線を検知するための検知画素とを備えた放射線撮像装置が開示されている。そして、当該検知画素と接続されたスイッチ素子を介して放射線を検知するための信号を読み出す構成が開示されている。そして、検知用画素の信号を読み出す際にスイッチ素子の導通状態を切り替えるために駆動電圧を導通電圧及び非導通電圧に適宜切り替える。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２０１２−１５９１３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、特許文献１の放射線撮像装置では、当該駆動電圧切り替えの際に、制御線の電圧の変化に伴いスイッチ素子へ接続される制御線と信号線の間の寄生素子（寄生容量）に起因して信号線の電位変動が生じるおそれがある。そのため、当該信号線の電位変動により放射線の照射の検知精度が不十分となる場合があった。
本発明は、放射線検知用画素のスイッチ素子への制御信号の切り替えに起因して信号線に発生する電位変動を抑制し、放射線の照射を精度よく読み出すために有利な技術を提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の一つの側面は、放射線画像を取得するための撮像用変換素子と前記撮像用変換素子に接続される撮像用スイッチ素子とを有する撮像画素と、放射線の入射を検知する検知用変換素子と前記検知用変換素子に接続される検知用スイッチ素子と有する検知画素と、を含む放射線撮像装置であって、前記撮像用スイッチ素子に接続された制御線と、前記検知用スイッチ素子に接続され、前記撮像画素又は前記制御線に重なるように配置された信号線と、前記撮像用スイッチ素子と前記検知用スイッチ素子を駆動する駆動部と、前記検知用スイッチ素子に対してオン又はオフ電圧を印加させた場合に、前記撮像用スイッチ素子に対し該電圧と逆極性の電圧を印加するように前記駆動部を制御する制御部と、を有することを特徴とする放射線撮像装置。
【発明の効果】
【０００８】
本発明は、放射線検知用画素のスイッチ素子への制御信号の切り替えに起因して信号線に発生する電位変動を抑制し、放射線の照射を精度よく読み出すために有利な技術を提供する。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】第一の実施形態における放射線撮像装置の構成を示す図である。
【図２】放射線撮像装置を含む放射線撮像システムの構成例を示す図である。
【図３】第一の実施形態における放射線撮像装置の撮像画素を示す図である。
【図４】第一の実施形態における放射線撮像装置の検知画素を示す図である。
【図５】第一の実施形態における放射線撮像装置の動作を示す図である。
【図６】第二の実施形態における放射線撮像装置の動作を示す図である。
【図７】第三の実施形態における放射線撮像装置の構成を示す図である。
【図８】放射線撮像装置の応用例を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
以下、添付図面を参照しながら例示的な実施形態を通して説明する。なお、各実施形態において、放射線とは、放射線崩壊によって放出される粒子（光子を含む）の作るビームであるα線、β線、γ線などの他に、同程度以上のエネルギーを有するビーム、例えばＸ線や粒子線、宇宙線なども、含まれるものとする。
【００１１】
（第一の実施形態）
図１を用いて第一の実施形態について説明する。図１は第一の実施形態における放射線撮像装置の構成を示す図である。ここで、図１には９行９列の画素が設けられている例を示すが、１０００×１０００画素が設けられていても良いし、５０００×５０００画素が設けられてもよい。
【００１２】
図１の放射線撮像装置２００は、放射線画像の取得のための複数の撮像画素１と、放射線の入射を検知する検知用変換素子６と変換素子に接続されるスイッチ素子７とを夫々が有する複数の検知画素２を有する。更に、放射線撮像装置２００は、検知信号線１２と、駆動部５２と、制御部５５を少なくとも有している。
【００１３】
なお、以下の説明では、複数の撮像画素１および複数の検知画素２において、信号線１０が延びる方向に並ぶ画素の配列を列方向とし、列方向と直行する方向に並ぶ画素の配列を行方向とする。
【００１４】
撮像画素１は、放射線画像の取得のための画素であり、撮像用変換素子４と第一のスイッチ素子５を含んで構成される。検知画素２は、放射線の入射を検知するための機能を有する画素であり、撮像用変換素子４と第一のスイッチ素子５、検知用変換素子６と第二のスイッチ素子７を含んで構成される。このため、本実施形態では検知画素２は、放射線の入射を検知するための機能と、放射線画像の取得のための機能を有している。検知画素２を、撮像用変換素子４と第一のスイッチ素子５、検知用変換素子６と第二のスイッチ素子７を含む構成で記載したが、この限りではない。例えば、検知画素２を、検知用変換素子６と第二のスイッチ素子７のみの構成にしても良い。この場合の検知画素２の検知用変換素子６は、撮像画素１の撮像用変換素子４と同等の大きさで配置しても良く、詳細については第三の実施形態で説明する。なお、本発明における撮像用スイッチ素子は、本実施形態における第一のスイッチ素子５に相当する。また、本発明における検知用スイッチ素子は、本実施形態における第二のスイッチ素子７に相当する。
【００１５】
撮像用変換素子４および検知用変換素子６は、放射線を光に変換するシンチレータ（不図示）および光を電気信号に変換する光電変換素子とで構成されうる。シンチレータは、一例として、撮像領域を覆うようにシート状に形成され、複数の撮像画素１および複数の検知画素２によって共有されうる。あるいは、撮像用変換素子４および検知用変換素子６は、放射線を直接に電気信号に変換する変換素子で構成されうる。
【００１６】
第一のスイッチ素子５および第二のスイッチ素子７は、例えば、非晶質シリコンまたは多結晶シリコンなどの半導体で活性領域が構成された薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）を含みうる。
【００１７】
撮像用変換素子４は、第一のスイッチ素子５及び信号線１０（Ｓ１〜Ｓ９）を介して、読出部５１へ接続されている。検知用変換素子６は、第二のスイッチ素子７及び検知信号線１２を介して、読出部５１へ接続されている。また、検知信号線１２は、複数の撮像画素１のうち一部の撮像画素１と重なるように配置されている。また、検知信号線１２は、複数の制御線（第一の制御線および第二の制御線）のうち一部の制御線と重なるように配置されている。
【００１８】
全ての画素は共通のバイアス配線１１に接続されており、バイアス電源５３から所定のバイアス電圧が印加されている。所定の行に配置された第一のスイッチ素子５は、第一の制御線８（Ｖｇ１〜Ｖｇ９）に接続されている。第二のスイッチ素子７は第二の制御線９（Ｖｄ１〜Ｖｄ３）と接続されている。
【００１９】
また、図１には、放射線を検知する際の放射線検知領域（ＲＯＩ）が９か所設けられている（図１中のＲ１〜Ｒ９）。この放射線検知領域（ＲＯＩ）の中には検知画素２が配置されておいる。また、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３の検知画素２は、共通の検知信号線１２（図１中Ｄ１）に接続されている。同様に、Ｒ４、Ｒ５、Ｒ６の検知画素２は共通の検知信号線１２（図１中Ｄ２）に接続され、Ｒ７、Ｒ８、Ｒ９の検知画素２は共通の検知信号線１２（図１中Ｄ３）に接続されている。
【００２０】
図１には放射線検知領域（ＲＯＩ）が３×３の９領域配置されているが、この限りではない。例えば、放射線検知領域（ＲＯＩ）を５×５の２５領域設けてもよいし、１０×１０の１００領域設けてもよい。放射線検知領域（ＲＯＩ）については、基板上に均等になるように配置してもよいし、特定の範囲に偏るように放射線検知領域（ＲＯＩ）を配置してもよい。また、本実施形態では各放射線検知領域（ＲＯＩ）の中に検知画素２が１画素ずつ配置されている例を示したが、１つの放射線検知領域（ＲＯＩ）の中に検知画素２を複数配置しても良い。この場合、検知画素２は、行又は列方向に複数接続しても配置してもよい。なお、撮像画素１及び検知画素２の配置は、一例であり、当該配置に限定されるものではない。
【００２１】
読出部５１は、複数の検知部１３２と、マルチプレクサ１４４と、アナログデジタル変換器１４６（以下、ＡＤＣ）とを含みうる。複数の信号線１０および複数の検知信号線１２のそれぞれは、読出部５１の複数の検知部１３２のうち対応する検知部１３２に接続される。ここで、１つの信号線１０または検知信号線１２は、１つの検知部１３２に対応する。検知部１３２は、例えば、差動増幅器、サンプルホールド回路を含む。マルチプレクサ１４４は、複数の検知部１３２を所定の順番で選択し、選択した検知部１３２からの信号をＡＤＣ１４６に供給する。ＡＤＣ１４６は、供給された信号をデジタル信号に変換して出力する。ＡＤＣ１４６の出力は、信号処理部２２４に供給され、信号処理部２２４によって処理される。信号処理部２２４は、ＡＤＣ１４６の出力に基づいて、放射線撮像装置２００に対する放射線の照射を示す情報を出力する。具体的には、信号処理部２２４は、例えば、放射線撮像装置２００に対する放射線の照射を検知したり、放射線の照射量および／または積算照射量を演算したりする。
【００２２】
駆動部５２は、第一の制御線８を介して複数の撮像画素１を駆動する。更に駆動部５２は、第二の制御線９を介して複数の検知画素２を駆動する。駆動部５２と第一の制御線８及び第二の制御線９は、電気的に接続されている。
【００２３】
制御部５５は、駆動部５２および読出部５１を制御する。制御部５５は、信号処理部２２４からの情報に基づいて、例えば、露出（撮像画素１による照射された放射線に対応する電荷の蓄積）の開始および終了を制御する。つまり、制御部５５は、検知用変換素子６で検知された放射線の量に基づいて放射線の入射量を測定し得る。
【００２４】
図２には、放射線撮像装置２００を含む放射線撮像システムの構成が例示されている。放射線撮像システムは、放射線撮像装置２００の他、コントローラ１００２、インターフェース１００３、放射線源インターフェース１００４、放射線源１００５を備えている。
【００２５】
コントローラ１００２には、線量Ａ、照射時間Ｂ（ｍｓ）、管電流Ｃ（ｍＡ）、管電圧Ｄ（ｋＶ）、放射線をモニタすべき領域である放射線検知領域（ＲＯＩ）などが入力されうる。放射線源１００５に付属された爆射スイッチが操作されると、放射線源１００５から放射線が放射される。放射線撮像装置２００の制御部５５は、例えば、放射線検知領域（ＲＯＩ）に配置された検知画素２から読み出された信号の積分値が線量Ａ’に到達したら、インターフェース１００３を介して放射線源インターフェース１００４に曝射停止信号を送る。これに応答して、放射線源インターフェース１００４は、放射線源１００５に放射線の放射を停止させる。ここで、線量Ａ’は、線量Ａ、放射線照射強度、各ユニット間の通信ディレイ、処理ディレイ等に基づいて、制御部５５によって決定されうる。放射線の照射時間が照射時間Ｂに達した場合は、放射線源１００５は、爆射停止信号の有無にかかわらず、放射線の照射を停止する。
【００２６】
次に、図３を用いて撮像画素の構成について説明する。図３（ａ）は撮像画素１の平面図、図３（ｂ）は撮像画素１のＡ−Ａ‘の断面図である。
【００２７】
本実施形態における撮像画素１は、撮像用変換素子４と、撮像用変換素子４の電荷に応じた電気信号を出力する第一のスイッチ素子５とを含む。撮像用変換素子４は、ガラス基板等の絶縁性の基板１００の上に設けられた第一のスイッチ素子５の上に第一の層間絶縁層１１０を挟んで積層されて配置されている。第一のスイッチ素子５は、基板１００の上に、基板１００側から順に、制御電極１０１と、第一の絶縁層１０２と、第一の半導体層１０３と、第一の半導体層１０３よりも不純物濃度の高い第一の不純物半導体層１０４と、第１主電極１０５と、第二主電極１０６と、を含む。第一の不純物半導体層１０４はその一部領域で第一主電極１０５及び第二主電極１０６と接しており、その一部領域と接する第一の半導体層１０３の領域の間の領域が、第一のスイッチ素子５のチャネル領域となる。制御電極１０１は制御線と電気的に接合されており、第一主電極１０５は信号線１０と電気的に接合されており、第二主電極１０６は変換素子の個別電極１１１と電気的に接合されている。なお、本実施形態では第一主電極１０５と第二主電極１０６と信号線１０と同じ導電層で一体的に構成されており、第一主電極１０５が信号線１０の一部をなしている。第一主電極１０５、第二主電極１０６、及び信号線１０上には、信号線１０側から順に、第二の絶縁層１０７、第一の層間絶縁層１１０が配置されている。本実施形態では、スイッチ素子として非晶質シリコンを主材料とした半導体層及び不純物半導体層を用いた逆スタガ型のスイッチ素子を用いたが、本発明はそれに限定されるものではない。例えば、多結晶シリコンを主材料としたスタガ型のスイッチ素子を用いたり、有機ＴＦＴ、酸化物ＴＦＴ等をスイッチ素子として用いたりすることができる。第一の層間絶縁層１１０は、第一のスイッチ素子５を覆うように、基板１００と複数の個別電極１１１との間に配置されており、コンタクトホールを有している。撮像用変換素子４の個別電極１１１と第二主電極１０６とが、第一の層間絶縁層１１０に設けられたコンタクトホールにおいて、電気的に接合される。撮像用変換素子４は、第一の層間絶縁層１１０の上に、第一の層間絶縁層側から順に、個別電極１１１と、第二の不純物半導体層１１２と、第二の半導体層１１３と、第三の不純物半導体層１１４と、共通電極１１５と、を含む。撮像用変換素子４の共通電極１１５上には、第三の絶縁層１１６が配置されている。また、撮像用変換素子４の共通電極１１５は、第二の層間絶縁層１２０上に配置されたバイアス配線１１が電気的に接合される。そして、バイアス配線１１の上には保護膜としての第四の絶縁層１２１が配置されている。
【００２８】
次に、図４を用いて検知画素の構成について説明する。図４（ａ）は検知画素２の平面図、図４（ｂ）はＢ−Ｂ’の断面図である。
【００２９】
本実施形態における検知画素２は、撮像用変換素子４と第一のスイッチ素子５、検知用変換素子６と第二のスイッチ素子７を含む。検知用変換素子６は、第一の層間絶縁層１１０の上層に、撮像画素１の撮像用変換素子４と同様の構造で積層されている。撮像用変換素子４及び検知用変換素子６の共通電極１１５には第二の層間絶縁層１２０上に配置されたバイアス配線１１が電気的に接合される。また、検知用変換素子６の個別電極１１１は、第一の層間絶縁層１１０に設けられたコンタクトホール介して、検知信号線１２に接続されている。又、検知信号線１２上には検知信号線１２側から順に、第二の絶縁層１０７、第一の層間絶縁層１１０が配置されている。
【００３０】
尚、本実施形態における撮像画素１に対して、検知画素２は撮像用変換素子４の開口面積が小さくなっている為、検知画素２からの信号量が減少してしまう。これによる影響は、検知部１３２のゲインを調整すること、あるいは、撮像される画像を補正することによって、低減することができる。当該補正は、検知画素２の周囲の撮像画素１の値を用いて補間する処理等により実現可能である。尚、本実施形態では、撮像用変換素子４及び検知用変換素子６はＰＩＮ型のセンサとしているが、これに限られるものではなく、ＭＩＳ型、ＴＦＴ型のセンサを使用してもよい。
【００３１】
次に、本実施形態の放射線撮像装置の動作を、図５のタイミングチャートを用いて説明する。以下の説明において、撮像画素１を駆動する第一の制御線８に印加される電圧をＶｇ１〜Ｖｇ９とし、検知画素２を駆動する第二の制御線９に印加される電圧をＶｄ１〜Ｖｄ３とする。なお、当該信号レベルと導通状態の組み合わせは、回路構成及びスイッチ素子の導電型の組み合わせによって決定し得る。また、図５中に示す読出部５１、駆動部５２の動作は上述したように制御部５５の制御に基づいて動作する。図５中では、ハイレベルは「Ｖｏｎ」と表記し、ローレベルは「Ｖｏｆｆ」で示す。Ｖｏｎ電圧は第一のスイッチ素子５及び第二のスイッチ素子７を導通状態にする電圧を示す。また、Ｖｏｆｆ１電圧は第一のスイッチ素子５及び第二のスイッチ素子７が非導通状態にする電圧を示す。また、Ｖｏｆｆ２は、Ｖｏｆｆ１に対して、Ｖｏｎとは逆極性の電圧である。つまり、Ｖｏｆｆ２はＶｏｆｆ１よりもＶｏｎを基準とした電位差が大きい非導通時の電圧である。なお、本発明における「オン電圧」は本実施形態における「Ｖｏｎ」に相当する。また、本発明における「オフ電圧」は本実施形態における「Ｖｏｆｆ」に相当する。
【００３２】
まず、図５中のＴ１の期間について説明する。期間Ｔ１は、放射線の照射の開始を待つ期間である。本実施形態では、放射線撮像装置２００の電源が投入され、放射線画像の撮像が可能な状態となってから放射線源１００５の曝射スイッチが操作され、放射線の照射が検知されるまでの期間が期間Ｔ１である。Ｔ１の期間は、第一のスイッチ素子５及び第二のスイッチ素子７に順次Ｖｏｎの電圧を印加していき、撮像用変換素子４及び検知用変換素子６の個別電極１１１を信号線１０及び検知信号線１２の電位にリセットしておく。なお、第二のスイッチ素子７は常にＶｏｎを印加した状態であってもよい。これによって、ダーク電流による電荷が撮像素子１の変換素子に長時間にわたって蓄積されることが防止される。期間Ｔ１の長さは、撮像手法・条件等により大きく異なるが、例えば、数ｓｅｃ〜数ｍｉｎでありうる。
【００３３】
次に、図５中のＴ２の期間について説明する。期間Ｔ２は、放射線が照射されている期間である。一例として、期間Ｔ２は、放射線の照射の開始が検知されてから放射線の曝射量が最適線量となるまでの期間である。期間Ｔ２は、放射線の照射量をモニタする期間であるとも言える。期間Ｔ２では、Ｖｄ１〜Ｖｄ３に断続的にＶｏｎが印加され、検知画素２の第二のスイッチ７が断続的に導通状態にされる。ここで、第二のスイッチ素子７にＶｏｎ又はＶｏｆｆを印加する際に、第二の制御線９と検知信号線１２の間の寄生容量を介して検知信号線１２の電位を変動させる場合がある。例えば、Ｖｏｎ又はＶｏｆｆの印加に基づいて瞬間的に第二の制御線９から検知信号線１２に寄生容量を介して電荷が注入され検知信号線１２の電位が変動させられる。この場合に、検知信号線１２に現れる寄生容量に基づく電荷が検知信号線１２を介して読出部５１へ転送されてしまう。ここで、寄生容量は、検知信号線１２の材料、物理的な構造、他の配線等との距離、他の配線間の物質の誘電率等に起因する容量成分を示す。
【００３４】
このため、駆動部５２は、検知用スイッチ素子に対してＶｏｎ又はＶｏｆｆ（オン又はオフ電圧）を印加させた場合に、撮像用スイッチ素子に対し該電圧と逆極性の電圧を印加する。図５の期間Ｔ２に示すように、駆動部５２は、Ｖｄ１〜Ｖｄ３にＶｏｎが印加されたタイミングと重複するように、Ｖｇ１〜Ｖｇ９にＶｏｎと逆極性のＶｏｆｆ２を印加する。ここで、重複するタイミングとは、同時であることが好ましいが、これに限られるものではない。例えば、検知信号線１２に接続された第二のスイッチ７の一つにＶｏｎ又はＶｏｆｆが印加されることにより寄生容量に起因して注入される電荷を実質的に抑制できるようなタイミングであれば、完全に一致していなくてもよい。また、「実質的に抑制できる」とは、検知画素２からの信号を検知システムとして検知精度を充足する程度に寄生容量に起因する電荷の影響を抑制できる程度であればよい。図１で述べたとおり、当該電圧が印加される撮像用スイッチ素子が配置される撮像画素は、オン又はオフ電圧が印加される検知用スイッチ素子に接続された検知信号線１２と重なって配置されている。そのため、当該逆極性の電圧の印加により、撮像画素と検知信号線１２との間の寄生容量を介して、電荷を発生させ、検知用スイッチを駆動した際に発生する電荷を打ち消すように作用する。また、検知信号線１２と重なるように配置された第一の制御線と検知信号線１２との間の寄生容量を介して、検知用スイッチを駆動した際に発生する電荷を打ち消すように作用させることもできる。
【００３５】
また、Ｖｏｎ、Ｖｏｆｆ１、Ｖｏｆｆ２の各電圧は、第二の制御線９と検知信号線１２との間の容量に基づいて規定されている。ここで式を用いて、本実施形態における寄生容量の影響と各電圧について式を用いて説明する。例えば、Ｖｄ１にＶｏｎ電圧を印加した時に寄生容量を介して検知信号線１２に現れる電荷をＱ、第二の制御線９と検知信号線１２の間の寄生容量をＣｇｓ、同時にＶｏｎを印加する第二の制御線の本数をｎとすると、電荷Ｑは式１のように表わされる。
【００３６】
Ｑ＝Ｃｇｓ×（Ｖｏｎ−Ｖｏｆｆ）×ｎ    式１
電荷Ｑを打ち消すために、駆動部５２は、Ｖｄ１〜３にＶｏｎ電圧が印加されるのと同時に、Ｖｇ１〜９にＶｏｆｆ２電圧を印加する。ここで、Ｖｏｆｆ２電圧の大きさは、検知信号線１２に重なる撮像画素又は制御線との間の寄生容量をＣｇｓ’，同時にＶｏｆｆ２を印加する第一の制御線の本数をｍとすると、逆極性の電圧を印加することで発生する電荷Ｑ’は式２で表わされる。
【００３７】
Ｑ’＝Ｃｇｓ’×（Ｖｏｆｆ−Ｖｏｆｆ２）×ｍ    式２
上式に基づいて、Ｑ’によりＱが実質的に抑制できる程度の電圧に設定し得る。そして、Ｖｄ１〜Ｖｄ３において、第二のスイッチ素子７のオン期間が終了したタイミングで検知部１３２によりサンプルホールドを行い、検知信号線１２の電荷をリセットする。当該制御により、読出部５１は、検知用変換素子６の信号を寄生容量に起因して発生した電荷を抑制し、必要な検知信号を高い精度で読みだすことができる。そして、読出部５１で読み出された放射線照射量が設定値に達した後、制御部５５は外部に通信ＩＦ１００３を介して信号を送り、放射線の照射の制御等を行うことができる。さらに、駆動部５２から撮像画素１と検知画素２に印加する電圧を同一の方向から印加している。そのため、行方向の配線時定数の影響が他の実施形態と比較して少なくなる。よって、当該制御部の動作により寄生容量の影響が精度良く抑制され得る。
【００３８】
次に、図５中のＴ３の期間について説明する。期間Ｔ３は、放射線の照射が終了した後に、放射線により撮像画素１に蓄積された信号を読み出す期間である。期間Ｔ３では、駆動部Ｖｄ１〜Ｖｄ３がローレベルにされる。期間Ｔ３では、検知信号線１２がフローティングになることを防ぐために、検知信号線１２を固定電位に接続することが好ましい。また、第一の制御線８を走査する為に、Ｖｇ１〜Ｖｇ９に順次Ｖｏｎ電圧を印加し、信号線１０を介して撮像用変換素子４に蓄積された信号を読出部５１へ転送される。
【００３９】
第一の実施形態では、上述したように、放射線検出用画素は、放射線照射中（期間Ｔ２に相当）に順次読み出しを行う。そのため、撮像画素の読み出しよりも高い頻度で、小さな信号を取得するため寄生容量の影響が検知信号に現れやすい。そのため、制御部５５が、検知信号線１２に接続された検知用スイッチ７のうち少なくとも１つの検知用スイッチ７に対してオン電圧又はオフ電圧を駆動部５２に印加させる。この場合に、駆動部５２は、該電圧を受けるスイッチ素子と逆極性の電圧を撮像用スイッチ素子に印加している。この場合における撮像用スイッチ素子が配置された撮像画素又は、該撮像用スイッチが接続された制御線は検知信号線と重なるように配置されている。これにより、放射線検知用画素のスイッチ素子への制御信号の切り替えに起因して検知信号線に発生する電位変動を抑制し得る。更に、寄生容量に起因する電荷の読み出しを抑制し得るため、検知部１３２が有する各回路のダイナミックレンジの圧迫を抑制し得る。そして、第一の実施形態の放射線撮像装置では、放射線の照射を高い精度で読み出すことができ、より適切な線量制御および露出制御の実現に寄与し得る。
【００４０】
（第二の実施形態）
第二の実施形態について図６を用いて説明する。図６は第二の実施形態に係る放射線撮像装置の動作を示す図である。なお、本実施形態の放射線撮像装置の構成は、第一の実施形態と同様である。第一の実施形態と異なる点は、放射線の照射されている期間に、複数の制御線（Ｖｇ１〜Ｖｇ９）のうち一部の制御線に対してのみ、逆極性の電圧を印加する点で異なる。具体的には、駆動部は、オン又はオフ電圧が印加される検知スイッチ素子との距離に基づいて撮像用スイッチ素子に印加する前記逆極性の電圧の大きさを規定している。
【００４１】
まず、図６中のＴ１の期間について説明する。期間Ｔ１は、第一の実施形態と同様に、放射線の照射の開始を待つ期間である。まずＴ１の期間は実施形態１と同じく放射線曝射前の準備期間である。実施形態１と異なる点は、放射線源と放射線撮像装置が同期しており、放射線の曝射タイミングを取得できる例を示す。この場合、定期的に定電位にリセットする駆動を行う。そして、放射線を曝射する情報が放射線源から伝達された場合、図３のＴ２の区間に遷移する。なお、本実施形態において、Ｔ１の期間の動作はこれに限定されるものでなく、第一の実施形態と同様の動作であってもよい。
【００４２】
次に、図６中のＴ２の期間について説明する。期間Ｔ２は、放射線が照射されている期間である。本実施形態では、複数の制御線（Ｖｇ１〜Ｖｇ９）のうち一部の制御線に対してのみ逆極性の電圧を印加する。一例として、図６中では、Ｖｄ１にＶｏｎ電圧を印加する場合に、Ｖｇ１〜Ｖｇ３に同時にＶｏｆｆ２電圧を印加している。そして、その後Ｖｄ２、Ｖｄ３にＶｏｎ電圧を順次印加している。この場合、各制御線に印加する電圧は、全ての制御線に印加する場合よりもＶｏｆｆ２の値を大きくすることが好ましい。以上のように、本実施形態では、検知スイッチ素子との距離に基づいて撮像用スイッチ素子に印加する前記逆極性の電圧の大きさを規定している。このため、実施形態１と比較して、配線時定数の影響が少なくなり、寄生容量の影響を精度良く抑制することが可能である。ここで、Ｖｄの夫々に電圧を印加する場合にＶｏｆｆ２を印加する第一の制御線の本数は、駆動部５２の電圧分解能と精度を考慮して決定し得る。Ｔ３の期間は実施形態１と同様である為、詳細な説明は割愛する。
【００４３】
（第三の実施形態）
次に、第三の実施形態について図７を用いて説明する。図７は第三の実施形態に係る放射線撮像装置の構成を示す図である。本実施形態と第一の実施形態との差異は、図７に示すように、検知画素２が、検知用変換素子６と第二のスイッチ素子７の組み合わせから成り、撮像用変換素子４と第一のスイッチ素子５を含まない点である。また、検知画素２は撮像用画素と信号線が共通である。この構成によると、検知用変換素子６の面積を大きく配置できるため放射線の検知感度の向上を図ることができる。さらに、検知用変換素子６は第二のスイッチ素子７を介して信号線１０に接続されている。この場合において、検知画素２には撮像用変換素子４が配置されていないため欠陥画素となってしまうが、隣接する撮像画素の出力や画像データからデータを補完することで補正可能である。また、第一の実施形態よりも、第二の制御線の本数を減らすことができる。
【００４４】
また、実施形態２のように信号線と検知信号線を共通化する場合は、第二の実施形態に示すように、Ｖｄ１〜３にＶｏｎ電圧を印加するタイミングが重複しないように制御することが好ましい。そのため、検知画素と撮像用画素が共通の構成でも各実施形態の動作を実現し得る。また、検知画素内に撮像用変換素子と第一のスイッチ素子を含まない構造であっても、各実施形態の動作を実現し得る。
【００４５】
また、本実施形態では、ひとつの放射線検知領域（ＲＯＩ）に検知画素が複数配置されている。この場合、検知画素２は、放射線検知領域の中で行方向又は列方向叉は斜め方向の少なくとも規則的な配置であることが望ましい。ここで、規則的な配置とは、連続的に配置されている場合だけでなく、放射線検知領域内に所定の間隔で撮像画素１と検知画素２が配置されている場合も含み得る。このため、読出部５１は、放射線検知領域に配置された複数の検知画素から取得される信号に応じた値を加算又は平均化した値に基づいて夫々の放射線検知領域の放射線の入射量を算出（取得）する。当該加算又は平均化処理は、信号処理部２２４がＡＤＣ１４６から取得したデジタル信号を処理することにより行われ得る。また、当該当該加算又は平均化処理は、これに限られるものではなく、検知部１３２が、差動増幅器に入力された複数の検知画素２から取得したアナログ信号を加算叉は平均した値をＡＤＣ１４６に供給することによっても放射線の入射量を算出（取得）し得る。そして、制御部５５は、駆動部５２を制御することにより検知領域内の検知画素２を同時に読み出すこともできる。この場合には、上述したように電位変動の影響がより大きくなり得る。そのため、各実施形態で示す動作による効果がより大きくなり得る。
【００４６】
（応用実施形態）
次に、図８を参照しながら、放射線撮像装置２００を放射線検知システムに応用した例を説明する。
【００４７】
放射線源であるＸ線チューブ６０５０で発生したＸ線６０６０は、患者あるいは被験者６０６１の胸部６０６２を透過し、放射線撮像装置２００に入射する。この入射したＸ線には患者６０６１の体内部の情報が含まれている。Ｘ線の入射に対応して変換部３で放射線を電荷に変換して、電気的情報を得る。この情報はデジタルデータに変換され信号処理手段となるイメージプロセッサ６０７０により画像処理され制御室の表示手段となるディスプレイ６０８０で観察できる。
【００４８】
また、この情報は電話回線６０９０等の伝送処理手段により遠隔地へ転送でき、別の場所のドクタールームなど表示手段となるディスプレイ６０８１に表示もしくは光ディスク等の記録手段に保存することができ、遠隔地の医師が診断することも可能である。また記録手段となるフィルムプロセッサ６１００により記録媒体となるフィルム６１１０に記録することもできる。
【００４９】
なお、本発明の実施形態は、コンピュータや制御コンピュータがプログラム（コンピュータプログラム）を実行することによって実現することもできる。また、プログラムをコンピュータに供給するための手段、例えばかかるプログラムを記録したＣＤ−ＲＯＭ等のコンピュータが読み取り可能な記録媒体又はかかるプログラムを伝送するインターネット等の伝送媒体も本発明の実施形態として適用することができる。また、上記のプログラムも本発明の実施形態として適用することができる。上記のプログラム、記録媒体、伝送媒体およびプログラムプロダクトは、本発明の範疇に含まれる。
【００５０】
以上、本発明を実施形態に基づいて詳述してきたが、本発明はこれらの特定の実施形態に限られるものではなく、この発明の要旨を逸脱しない範囲の様々な形態も本発明の範疇に含まれる。更に、上述した各実施形態は本発明の一実施の形態を示すものにすぎず、各実施形態を適宜組み合わせることも可能である。
【符号の説明】
【００５１】
１  撮像画素
２  検知画素
４  撮像用変換素子
５  撮像用スイッチ素子
６  検知用変換素子
７  検知用スイッチ素子
１２  検知信号線
５２  駆動部
５５  制御部
２００  放射線撮像装置
【図１】
0006436754.tif 000002
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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