【手続補正書】
【提出日】令和3年11月10日(2021.11.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光電変換により電荷を生成する光電変換部と、保持する電荷の量に応じた信号を出力する出力部と、前記光電変換部の電荷を前記出力部に転送する転送トランジスタと、を各々が含む複数の画素が、複数の行及び複数の列に渡って配された画素部と、
前記複数の画素の動作を制御する画素制御部と、を有し、
前記画素部は、各々が１つ以上の前記画素を含む複数の画素ブロックを有し、
前記画素制御部は、前記複数の画素ブロックの各々に対応して、対応する画素ブロックに属する前記画素に供給される制御信号を選択する選択回路を有し、前記複数の画素ブロックの各々に定められた露光期間に応じた制御信号を、前記複数の画素ブロックの各々に属する前記画素に供給し、前記複数の画素の各々から、前記光電変換部がリセット状態のときの第１の信号と、前記露光期間の間に前記光電変換部に蓄積された電荷に基づく第２の信号と、を読み出すように構成されており、
前記露光期間及び前記第２の信号の読み出しを行う期間を除く期間は、前記光電変換部のリセット期間であり、
前記第１の信号の読み出しを行う期間及び前記第２の信号の読み出しを行う期間において、前記転送トランジスタはオフ状態である
ことを特徴とする光電変換装置。
【請求項２】
前記選択回路の各々は、前記対応する画素ブロックに属する前記画素の前記転送トランジスタに供給される制御信号を生成するための少なくとも２つの信号レベル保持部を有する
ことを特徴とする請求項１記載の光電変換装置。
【請求項３】
光電変換により電荷を生成する光電変換部と、保持する電荷の量に応じた信号を出力する出力部と、前記光電変換部の電荷を前記出力部に転送する転送トランジスタと、を各々が含む複数の画素が、複数の行及び複数の列に渡って配された画素部と、
前記複数の画素の動作を制御する画素制御部と、を有し、
前記画素部は、各々が１つ以上の前記画素を含む複数の画素ブロックを有し、
前記画素制御部は、前記複数の画素ブロックの各々に対応して、対応する画素ブロックに属する前記画素に供給される制御信号を選択する選択回路を有し、前記複数の画素ブロックの各々に定められた露光期間に応じた制御信号を、前記複数の画素ブロックの各々に属する前記画素に供給するように構成されており、
前記露光期間及び前記露光期間の間に前記光電変換部に蓄積された電荷に基づく信号の読み出しを行う期間を除く期間は、前記光電変換部のリセット期間であり、
前記選択回路の各々は、前記対応する画素ブロックに属する前記画素の前記転送トランジスタに供給される制御信号を生成するための少なくとも２つの信号レベル保持部を有する
ことを特徴とする光電変換装置。
【請求項４】
前記選択回路が有する前記２つの信号レベル保持部のうち前段に配された第１の信号レベル保持部は、リードタイミングを示す制御信号の立ち上がりから、有効なリセットタイミングを示す制御信号の立ち上がりまでの期間の間、出力信号のレベルをＨレベルに保持する
ことを特徴とする請求項２又は３記載の光電変換装置。
【請求項５】
前記選択回路が有する前記２つの信号レベル保持部のうち後段に配された第２の信号レベル保持部は、前記第１の信号レベル保持部の出力信号及び前記光電変換部の前記リセット期間の開始のタイミングを示すタイミング制御信号に応じて、出力信号のレベルをＨレベルに保持する
ことを特徴とする請求項４記載の光電変換装置。
【請求項６】
前記タイミング制御信号は、総ての前記選択回路において共通に入力される
ことを特徴とする請求項５記載の光電変換装置。
【請求項７】
少なくとも前記画素部が設けられた第１の基板と、
少なくとも前記選択回路が設けられた第２の基板と、を有し、
前記第１の基板と前記第２の基板とが積層されてなる
ことを特徴とする請求項１乃至６のいずれか１項に記載の光電変換装置。
【請求項８】
前記画素制御部と前記画素部とを接続する複数の画素制御線の各々は、前記第１の基板と前記第２の基板との境界において、１つの接続点を介して接続されており、前記第１の基板において、同じ前記画素ブロックの同じ行に配された複数の前記画素を接続する共通信号線に接続されている
ことを特徴とする請求項７記載の光電変換装置。
【請求項９】
前記第１の基板と前記第２の基板とは、前記第１の基板に配された前記複数の画素ブロックのうちの少なくとも１つと前記第２の基板に配された前記選択回路のうちの少なくとも１つとが重なるように積層されている
ことを特徴とする請求項７又は８記載の光電変換装置。
【請求項１０】
平面視において、前記画素部が設けられた領域と前記選択回路が設けられた領域とが重なっていない
ことを特徴とする請求項１乃至８のいずれか１項に記載の光電変換装置。
【請求項１１】
前記画素制御部から前記画素の前記転送トランジスタに制御信号を供給する信号線の長さが総て等しい
ことを特徴とする請求項１乃至１０のいずれか１項に記載の光電変換装置。
【請求項１２】
前記複数の画素ブロックは、複数の行及び複数の列を構成するように前記画素部に配されている
ことを特徴とする請求項１乃至１１のいずれか１項に記載の光電変換装置。
【請求項１３】
光電変換により電荷を生成する光電変換部と、保持する電荷の量に応じた信号を出力する出力部と、前記光電変換部の電荷を前記出力部に転送する転送トランジスタと、を各々が含む複数の画素が、複数の行及び複数の列に渡って配された画素部と、
前記複数の画素の動作を制御する画素制御部と、を有し、
前記画素部は、各々が１つ以上の前記画素を含む複数の画素ブロックを有し、
前記画素制御部は、前記複数の画素ブロックの各々に対応して、対応する画素ブロックに属する前記画素に供給される制御信号を選択する選択回路を有し、
少なくとも前記画素部は第１の基板に設けられており、
少なくとも前記選択回路は第２の基板に設けられており、
前記第１の基板と前記第２の基板とは、前記第１の基板に配された前記複数の画素ブロックのうちの少なくとも１つと前記第２の基板に配された前記選択回路のうちの少なくとも１つとが重なるように積層されており、
前記画素制御部は、前記複数の画素ブロックの各々に定められた露光期間に応じた制御信号を、前記複数の画素ブロックの各々に属する前記画素に供給するように構成されており、
前記画素制御部は、前記複数の画素の各々から、前記光電変換部がリセット状態のときの第１の信号と、前記露光期間の間に前記光電変換部に蓄積された電荷に基づく第２の信号と、を読み出すように構成されており、
前記第１の信号の読み出しを行う期間、前記第２の信号の読み出しを行う期間、及び前記露光期間を除く期間のうちの少なくとも一部は、前記光電変換部がリセット状態である前記光電変換部のリセット期間である
ことを特徴とする光電変換装置。
【請求項１４】
請求項１乃至１３のいずれか１項に記載の光電変換装置と、
前記光電変換装置の前記画素から出力される信号を処理する信号処理部と
を有することを特徴とする撮像システム。
【請求項１５】
前記信号処理部は、前記露光期間の長さの異なる前記画素ブロックから取得した信号に基づき、高ダイナミックレンジ画像を合成する
ことを特徴とする請求項１４記載の撮像システム。
【請求項１６】
移動体であって、
請求項１乃至１３のいずれか１項に記載の光電変換装置と、
前記光電変換装置からの信号に基づく視差画像から、対象物までの距離情報を取得する距離情報取得手段と、
前記距離情報に基づいて前記移動体を制御する制御手段と
を有することを特徴とする移動体。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
また、本発明の他の一観点によれば、光電変換により電荷を生成する光電変換部と、保持する電荷の量に応じた信号を出力する出力部と、前記光電変換部の電荷を前記出力部に転送する転送トランジスタと、を各々が含む複数の画素が、複数の行及び複数の列に渡って配された画素部と、前記複数の画素の動作を制御する画素制御部と、を有し、前記画素部は、各々が１つ以上の前記画素を含む複数の画素ブロックを有し、前記画素制御部は、前記複数の画素ブロックの各々に対応して、対応する画素ブロックに属する前記画素に供給される制御信号を選択する選択回路を有し、前記複数の画素ブロックの各々に定められた露光期間に応じた制御信号を、前記複数の画素ブロックの各々に属する前記画素に供給するように構成されており、前記露光期間及び前記露光期間の間に前記光電変換部に蓄積された電荷に基づく信号の読み出しを行う期間を除く期間は、前記光電変換部のリセット期間であり、前記選択回路の各々は、前記対応する画素ブロックに属する前記画素の前記転送トランジスタに供給される制御信号を生成するための少なくとも２つの信号レベル保持部を有する光電変換装置が提供される。
また、本発明の他の一観点によれば、光電変換により電荷を生成する光電変換部と、保持する電荷の量に応じた信号を出力する出力部と、前記光電変換部の電荷を前記出力部に転送する転送トランジスタと、を各々が含む複数の画素が、複数の行及び複数の列に渡って配された画素部と、前記複数の画素の動作を制御する画素制御部と、を有し、前記画素部は、各々が１つ以上の前記画素を含む複数の画素ブロックを有し、前記画素制御部は、前記複数の画素ブロックの各々に対応して、対応する画素ブロックに属する前記画素に供給される制御信号を選択する選択回路を有し、少なくとも前記画素部は第１の基板に設けられており、少なくとも前記選択回路は第２の基板に設けられており、前記第１の基板と前記第２の基板とは、前記第１の基板に配された前記複数の画素ブロックのうちの少なくとも１つと前記第２の基板に配された前記選択回路のうちの少なくとも１つとが重なるように積層されており、前記画素制御部は、前記複数の画素ブロックの各々に定められた露光期間に応じた制御信号を、前記複数の画素ブロックの各々に属する前記画素に供給するように構成されており、前記画素制御部は、前記複数の画素の各々から、前記光電変換部がリセット状態のときの第１の信号と、前記露光期間の間に前記光電変換部に蓄積された電荷に基づく第２の信号と、を読み出すように構成されており、前記第１の信号の読み出しを行う期間、前記第２の信号の読み出しを行う期間、及び前記露光期間を除く期間のうちの少なくとも一部は、前記光電変換部がリセット状態である前記光電変換部のリセット期間である光電変換装置が提供される。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１９３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１９３】
また、選択回路１３０１及びその制御信号は、図１５や図２０に示した構成例に限定されるものではなく、各実施形態において説明した効果と同様の効果を実現できる範囲で適宜修正や変更が可能である。