(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
上面に回路部品を実装したモジュール基板と、
上記モジュール基板の外周部上面に形成されたグランド電極と、
上記回路部品を包み込むように上記モジュール基板の上面全面に形成された絶縁樹脂層と、
上記回路部品の周囲を取り囲むように上記グランド電極上に実装され、外周面が上記絶縁樹脂層で覆われた状態で上記絶縁樹脂層の中に埋設され、上記モジュール基板の外形寸法より微小寸法だけ小さい外形寸法を持ちかつ上記回路部品より高さが高い枠状の側面シールド板と、
上記絶縁樹脂層の上面に形成され、上記側面シールド板の上端部と接続された上面シールド層と、を備えたことを特徴とする回路モジュール。
【請求項２】
上記回路部品は複数の回路部品よりなり、
上記複数の回路部品の間を仕切るように上記側面シールド板の内側であって、かつモジュール基板上に中間シールド板が配置され、
上記中間シールド板は上記絶縁樹脂層の中に埋設されていることを特徴とする請求項１に記載の回路モジュール。
【請求項３】
上面に複数の回路部品を実装し、かつ上記複数の回路部品の間にグランド電極が形成されたモジュール基板と、
上記複数の回路部品を包み込むように上記モジュール基板の上面全面に形成された絶縁樹脂層と、
上記複数の回路部品の間を仕切るように上記グランド電極に実装され、上記絶縁樹脂層の中に埋設された中間シールド板と、
上記絶縁樹脂層の上面であって、上記中間シールド板で仕切られた一方の領域のみに形成され、上記中間シールド板の上端部と接続された上面シールド層と、を備えたことを特徴とする回路モジュール。
【請求項４】
上記モジュール基板の下面にグランド端子電極が形成され、
上記グランド端子電極がビアホール導体を介して上記グランド電極と接続されていることを特徴とする請求項１乃至３のいずれかに記載の回路モジュール。
【請求項５】
上面に配線電極とその配線電極の周囲を取り囲むグランド電極とが形成された集合基板状態のモジュール基板を準備する工程と、
上記モジュール基板の配線電極上に回路部品を実装する工程と、
上記回路部品の周囲を取り囲むように上記グランド電極上に子基板状態の上記モジュール基板の外形寸法より微小寸法だけ小さい外形寸法を持ちかつ上記回路部品より高さが高い枠状の側面シールド板を実装する工程と、
上記回路部品を包み込み、かつ上記側面シールド板が埋設されるように上記モジュール基板の上面全面に絶縁樹脂層を形成する工程であって、上記側面シールド板の外周面が上記絶縁樹脂層で覆われた状態とする工程と、
上記絶縁樹脂層の上面に、上記側面シールド層と接続された上面シールド層を形成する工程と、
上記集合基板状態のモジュール基板及び絶縁樹脂層を子基板状態に分割する工程と、を含むことを特徴とする回路モジュールの製造方法。
【請求項６】
上記回路部品は複数の回路部品よりなり、
上記複数の回路部品の間を仕切るように上記側面シールド板の内側であって、かつモジュール基板上に中間シールド板を配置する工程を含むことを特徴とする請求項５に記載の回路モジュールの製造方法。
【請求項７】
上記絶縁樹脂層を形成する工程と上記上面シールド層を形成する工程との間に、
上記絶縁樹脂層の上面を研磨して上記側面シールド板の上端部を露出させる工程を設け、
上記側面シールド板の上端部が露出した上記絶縁樹脂層の上面に上記上面シールド層を形成することで、上記上面シールド層を上記側面シールド板の上端部と接続することを特徴とする請求項５または６に記載の回路モジュールの製造方法。
【請求項８】
上面に配線電極とその配線電極の間にグランド電極とが形成された集合基板状態のモジュール基板を準備する工程と、
上記モジュール基板の配線電極上に複数の回路部品を実装する工程と、
上記複数の回路部品の間を仕切るように上記グランド電極上に中間シールド板を実装する工程と、
上記複数の回路部品を包み込み、かつ上記中間シールド板が埋設されるように上記モジュール基板の上面全面に絶縁樹脂層を形成する工程と、
上記絶縁樹脂層の上面であって、上記中間シールド板で仕切られた一方の領域のみに、上記中間シールド板の上端部と接続された上面シールド層を形成する工程と、
上記集合基板状態のモジュール基板及び絶縁樹脂層を子基板状態に分割する工程と、を含むことを特徴とする回路モジュールの製造方法。
【請求項９】
上記絶縁樹脂層を形成する工程と上記上面シールド層を形成する工程との間に、
上記絶縁樹脂層の上面を研磨して上記中間シールド板の上端部を露出させる工程を設け、
上記中間シールド板の上端部が露出した上記絶縁樹脂層の上面に上記上面シールド層を形成することで上記上面シールド層を上記中間シールド板の上端部と接続することを特徴とする請求項８に記載の回路モジュールの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、部品内蔵基板を用いた回路モジュール、特に電磁シールド機能を備えた回路モジュールおよびその製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来、携帯電話、自動車電話などの無線機器やその他の各種通信機器に用いられる電圧制御発振器（ＶＣＯ）やアンテナスイッチなどの回路モジュールにおいて、モジュール基板の上に搭載された回路部品から発生する電磁波の漏洩を防止し、あるいは外部から侵入する電磁波を遮蔽するために、周囲をシールドケースで覆った構造の回路モジュールが知られている。また、１つの回路モジュール内で回路部品間の干渉を防止するために、間にシールド板を設ける構造も知られている。
【０００３】
一方、近年、回路部品を絶縁樹脂層に埋没する部品内蔵基板を用いた回路モジュールも利用が進んでいる。このような回路モジュールにおいても、シールドの必要性は変わらない。一般に部品内蔵基板を用いた回路モジュールは、集合基板状態で部品の埋没などを行い、最後に子基板に分割して個々の回路モジュールになる。その際、部品内蔵基板の上面にシールド用の電極を形成するのは比較的容易だが、例えば回路モジュールの側面シールドのような水平方向の電磁波に対するシールドの形成は容易ではない。
【０００４】
図１９は電磁シールド機能を持つ回路モジュールの一例であり、配線基板６０の表面にグランド電極６１や入出力電極６２が形成され、裏面に端子電極６３が形成されている。配線基板６０の内部にはインナービア６４や内部配線６５が形成されている。回路部品６６をグランド電極６１や入出力電極６２にはんだまたは導電性接着剤などの導電性接合材６７で接合した後、回路部品６６を包み込むように配線基板６０の上を絶縁樹脂層６８で覆い、絶縁樹脂層６８の外表面および配線基板６０の周面を電磁シールド層６９で覆ったものである。
【０００５】
このような構造の回路モジュールを製造するには、集合基板状態の配線基板６０を準備し、その配線基板６０に回路部品６６を搭載し、絶縁樹脂層６８で封止した後、子基板に分割し、最後に電磁シールド層６９を設けることになる。絶縁樹脂層６８の上面については、集合基板状態でシールド層６９を形成することが可能であるが、絶縁樹脂層６８と配線基板６０の側面については、子基板に分割した後で形成しなければならない。その結果、生産性が悪く、品質ばらつきも発生しやすいという問題がある。
【０００６】
特許文献１には、部品搭載面の四方を覆うシールド層が形成され、かつ生産性に優れた回路モジュールが提案されている。
図２０は特許文献１に示された回路モジュールの製造工程の一例である。
まず集合基板状態の多層配線基板７０を準備し（ａ）、この配線基板７０に対してはんだまたは導電性接着剤７１を印刷し（ｂ）、回路部品７２を実装し（ｃ）、絶縁樹脂層７３を形成し（ｄ）、上面にシールド層７４を形成した後、熱処理にて絶縁樹脂層７３を硬化させ（ｅ）、配線基板７０上のグランド電極７５が露出する高さまで絶縁樹脂層７３に切断溝７６を設け（ｆ）、切断溝７６に導電性物質７７を充填して熱硬化させ（ｇ）、その後で切断溝７６にそって切断することで、個片化するものである。
【０００７】
上記構造の回路モジュールでは、幅狭な切断溝７６の中に導電性物質７７を隙間なく充填することが容易ではなく、溝７６の内部に空気溜まりなどが発生して充填不良となることがある。その結果、シールド性に悪影響を及ぼす可能性があった。
また、子基板分割（個片化）時の切断工程に加えて、シールド層形成時の切断溝７６の加工工程が追加されるため、工程数が増え、生産性を低下させる可能性があった。特に、切断溝７６によってグランド電極７５の電極面を露出させているが、切断溝７６の加工時に電極７５も同時に切断される可能性があるため、切断溝７６の深さを精密に管理する必要があり、生産性をさらに低下させる原因となっていた。
なお、回路モジュール内で回路部品間にシールドを設ける構成を部品内蔵基板に適用した例は見当たらない。
【特許文献１】特開２００５−１５９２２７号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
そこで、本発明の目的は、製造が容易で水平方向のシールド性を有する回路モジュールおよびその製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
請求項１に係る回路モジュールは、上面に回路部品を実装したモジュール基板と、上記モジュール基板の外周部上面に形成されたグランド電極と、上記回路部品を包み込むように上記モジュール基板の上面全面に形成された絶縁樹脂層と、上記回路部品の周囲を取り囲むように上記グランド電極上に実装され、外周面が上記絶縁樹脂層で覆われた状態で上記絶縁樹脂層の中に埋設され、上記モジュール基板の外形寸法より微小寸法だけ小さい外形寸法を持ちかつ上記回路部品より高さが高い枠状の側面シールド板と、上記絶縁樹脂層の上面に形成され、上記側面シールド板の上端部と接続された上面シールド層と、を備えたことを特徴とする。
【００１０】
請求項３に係る回路モジュールは、上面に複数の回路部品を実装し、かつ上記複数の回路部品の間にグランド電極が形成されたモジュール基板と、上記複数の回路部品を包み込むように上記モジュール基板の上面全面に形成された絶縁樹脂層と、上記複数の回路部品の間を仕切るように上記グランド電極に実装され、上記絶縁樹脂層の中に埋設された中間シールド板と、上記絶縁樹脂層の上面であって、上記中間シールド板で仕切られた一方の領域のみに形成され、上記中間シールド板の上端部と接続された上面シールド層と、を備えたことを特徴とする。
【００１１】
請求項５に係る回路モジュールの製造方法は、上面に配線電極とその配線電極の周囲を取り囲むグランド電極とが形成された集合基板状態のモジュール基板を準備する工程と、上記モジュール基板の配線電極上に回路部品を実装する工程と、上記回路部品の周囲を取り囲むように上記グランド電極上に子基板状態の上記モジュール基板の外形寸法より微小寸法だけ小さい外形寸法を持ちかつ上記回路部品より高さが高い枠状の側面シールド板を実装する工程と、上記回路部品を包み込み、かつ上記側面シールド板が埋設されるように上記モジュール基板の上面全面に絶縁樹脂層を形成する工程であって、上記側面シールド板の外周面が上記絶縁樹脂層で覆われた状態とする工程と、上記絶縁樹脂層の上面に、上記側面シールド層と接続された上面シールド層を形成する工程と、上記集合基板状態のモジュール基板及び絶縁樹脂層を子基板状態に分割する工程と、を含むことを特徴とする。
【００１２】
請求項８に係る回路モジュールの製造方法は、上面に配線電極とその配線電極の間にグランド電極とが形成された集合基板状態のモジュール基板を準備する工程と、上記モジュール基板の配線電極上に複数の回路部品を実装する工程と、上記複数の回路部品の間を仕切るように上記グランド電極上に中間シールド板を実装する工程と、上記複数の回路部品を包み込み、かつ上記中間シールド板が埋設されるように上記モジュール基板の上面全面に絶縁樹脂層を形成する工程と、上記絶縁樹脂層の上面であって、上記中間シールド板で仕切られた一方の領域のみに、上記中間シールド板の上端部と接続された上面シールド層を形成する工程と、上記集合基板状態のモジュール基板及び絶縁樹脂層を子基板状態に分割する工程と、を含むことを特徴とする。
【００１３】
本発明にかかる回路モジュールの製造方法について説明する。
まずモジュール基板を準備し、モジュール基板上に回路部品を実装し、回路部品の周囲を取り囲むようにモジュール基板上に枠状の側面シールド板を搭載する。回路部品の実装と側面シールド板の搭載とを同時に実施してもよい。集合基板状態のモジュール基板を使用した場合には、井桁状に組まれた側面シールド板をモジュール基板の子基板上にそれぞれ搭載してもよい。搭載方法として、例えばはんだ付けや導電性接着剤により固定してもよい。次に、回路部品を包み込み、かつ側面シールド板が埋設されるようにモジュール基板の上面全面に絶縁樹脂層を形成し、絶縁樹脂層の上面に、側面シールド板の上端部と接続されるように上面シールド層を形成する。絶縁樹脂層の形成方法としては、例えばプリプレグ（未硬化）状態の絶縁樹脂層をモジュール基板上に圧着し、硬化させてもよいし、モジュール基板上に絶縁樹脂をモールドし、硬化させてもよい。絶縁樹脂層の形成により、絶縁樹脂層と側面シールド板とが密着する。その後、絶縁樹脂層の上面に上面シールド層となる電極をめっき等によって形成する。なお、絶縁樹脂層および上面シールド層の形成方法は任意である。
本発明における側面シールド板とは、金属材料で形成されたものに限らず、樹脂などの絶縁性枠体の内面または外面に電極膜を形成したものでもよい。側面シールド板が、網目状あるいは多数の貫通穴を備えた材料で形成されていてもよい。
【００１４】
上記のように、絶縁樹脂層の上面は上面シールド層によって覆われており、側面は側面シールド板によって覆われているため、従来のように切断溝に導電性物質を充填する方法と異なり、充填不良によるシールド性の低下といった不具合がなく、絶縁樹脂層が厚い場合でも高いシールド効果を得ることができる。
また、集合基板状態のモジュール基板を用いて製造する場合、回路部品の実装、側面シールド板の搭載、絶縁樹脂層の形成、上面シールド層の形成といったすべての工程を集合基板状態で実施できるので、子基板に分割した後で側面シールド層を形成する必要がなく、生産性が良好となる。
【００１５】
上記製造方法では、回路部品の周囲を取り囲むようにモジュール基板上に枠状の側面シールド板を搭載したが、複数の回路部品をモジュール基板に搭載した場合には、複数の回路部品の間を仕切るようにモジュール基板に中間シールド板を搭載してもよい。例えば、いずれかの回路部品がノイズを発生しやすい部品または輻射の影響を受けやすい部品である場合、その回路部品を中間シールド板によって他の部品から隔離することができるので、回路部品同士の電磁波による相互干渉を防止できる。なお、上面シールド層は少なくとも中間シールド板で仕切られた一方の領域にのみ形成してもよい。
中間シールド板は、それ単独で用いてもよいが、側面シールド板と併用することもできる。この場合には、側面シールド板の内側に中間シールド板を配置することで、側面シールド板と中間シールド板の両方の効果を発揮できる。
【００１６】
絶縁樹脂層を形成したとき、絶縁樹脂層の一部が側面シールド板あるいは中間シールド板の上端部を覆ってしまい、その上面に上面シールド層を形成しても、上面シールド層と側面シールド板あるいは中間シールド板の上端とが安定して接続されるとは限らない。
そこで、絶縁樹脂層を形成する工程と上面シールド層を形成する工程との間に、絶縁樹脂層の上面を研磨して側面シールド板あるいは中間シールド板の上端部を露出させる工程を設けるのがよい。絶縁樹脂層の上面を研磨することで露出した側面シールド板あるいは中間シールド板の上端部は新鮮な断面であるため、その上に上面シールド層を形成すれば、上面シールド層と側面シールド板あるいは中間シールド板とを確実に接続することができる。
【００１７】
モジュール基板の上面にグランド電極を形成し、側面シールド板あるいは中間シールド板の下端部をグランド電極と接続してもよい。
モジュール基板の上面にグランド電極が形成されている場合、そのグランド電極と側面シールド板あるいは中間シールド板とを接続することで、側面シールド板や中間シールド板および上面シールド層をグランド電位に接続できるので、シールド性がさらに向上する。また、グランド電極と側面シールド板あるいは中間シールド板との接続にはんだを使用すれば、側面シールド板あるいは中間シールド板の固定も同時に行うことができる。
【００１８】
モジュール基板の下面にグランド端子電極を形成し、グランド端子電極をビアホール導体を介してモジュール基板の上面のグランド電極と接続してもよい。
回路モジュールをマザーボード等の実装基板に実装したとき、回路モジュールのグランド端子電極はマザーボードのグランド用ランドに接続される。したがって、回路モジュールの側面シールド板や中間シールド板および上面シールド層を確実にグランド電位に接続でき、シールド性が向上する。
【発明の効果】
【００１９】
以上のように、本発明に係る回路モジュールによれば、回路部品の周囲を取り囲む枠状の側面シールド板をモジュール基板上に搭載し、側面シールド板を絶縁樹脂層に埋設したので、絶縁樹脂層を形成した後で側面シールド層を形成する場合に比べて容易に製造できるとともに、従来のように切断溝の中に導電性物質を充填して側面シールド層を形成する場合のようなシールド不良を防止できる。
また、複数の回路部品の間を仕切る中間シールド板をモジュール基板上に搭載し、中間シールド板を絶縁樹脂層に埋設したので、絶縁樹脂層を形成した後で中間シールド層を形成する場合に比べて容易に製造できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２０】
以下に、本発明の実施の形態を、実施例を参照して説明する。
【実施例１】
【００２１】
図１〜図４は本発明にかかる回路モジュールの第１実施例を示す。
回路モジュールＡは、樹脂多層基板などの絶縁性基板よりなる四角形のモジュール基板１を備えている。モジュール基板１の上面には入出力用などの配線電極２とグランド電極３とが形成され、配線電極２に対して複数の回路部品４（４ａ〜４ｃ）が接続されている。この例では、回路部品４ａ，４ｂがパワーアンプ用トランジスタのような能動部品であり、回路部品４ｃはチップコンデンサのような受動部品であるが、これに限定されるものではない。回路部品４ａは配線電極２に対してバンプを介してフェースダウン実装されており、回路部品４ｂ，４ｃは配線電極２にはんだ付けされている。
【００２２】
グランド電極３は配線電極２を取り囲むように枠状に形成されており、その上に枠状の側面シールド板５が搭載され、電気的かつ機械的に接合されている。側面シールド板５は例えば導電性の金属板で矩形枠状に形成されており、その外形寸法はモジュール基板１の外形寸法よりやや小さく設定されている。なお、図２に示す配線電極２のパターン形状は一例に過ぎず、配線電極２に接続される回路部品４も図示のものに限るものではない。また、モジュール基板１は単層構造であってもよい。
【００２３】
配線電極２のうちグランド用の配線電極は、図３に示すようにビアホール導体６を介してモジュール基板１の裏面中央部に形成されたシールド電極７に接続されている。モジュール基板１の裏面外周部には、シールド電極７を取り囲むように複数の端子電極８が環状に配列されており、一部の端子電極８はビアホール導体９ａ，９ｂおよび、内部電極１０を介して他の配線電極２と接続されている。さらに、枠状のグランド電極３は、ビアホール導体１１を介して他の端子電極８と接続されている。なお、モジュール基板１の内部配線構造は、図３に示すものに限るものではない。
【００２４】
モジュール基板１の上面には、全ての回路部品４を包み込むように絶縁樹脂層２０が形成されている。絶縁樹脂層２０は例えば熱硬化性樹脂または熱硬化性樹脂と無機フィラーとの混合物よりなる樹脂組成物であり、絶縁樹脂層２０の厚み（＝側面シールド板５の高さ）は回路部品４の最大高さより厚く、上面は平坦面に形成されている。絶縁樹脂層２０の上面には、銅箔などよりなる上面シールド層２１が形成され、上面シールド層２１は側面シールド板５の上端部に電気的に接続されている。
【００２５】
上記のように、モジュール基板１の上面に搭載された回路部品４の周囲および上面が側面シールド板５と上面シールド層２１とで覆われているので、回路部品４や内部配線等からの輻射及び外来ノイズに対して十分なシールド効果が得られる。さらに、回路モジュールＡの裏面中央部にもシールド電極７が形成されているので、さらにシールド性が良好となる。
【００２６】
ここで、上記構成よりなる回路モジュールの製造方法の一例を、図５，図６を参照して説明する。
図５の（ａ）は、モジュール基板１を準備した状態を示す。なお、図５では単一のモジュール基板１を例にして説明するが、実際には図６に示すように複数の子基板を集合した集合基板１Ｍを準備する。
図５の（ｂ）および図６は、モジュール基板１上の配線電極２に対して回路部品４を実装すると同時に、グランド電極３の上に側面シールド板５を実装した状態を示す。側面シールド板５は、図６に示すようにモジュール基板１Ｍの各子基板上に１個ずつ実装される。図６において、子基板の境界線ＢＬを破線で示す。なお、回路部品４の実装方法は、はんだ付けに限らず、バンプを用いてフェースダウン実装してもよいし、回路部品４を固定した後、ワイヤボンディングしてもよい。また、側面シールド板５とグランド電極３との接合方法は、はんだ付けや導電性接着剤など任意の電気的かつ機械的接合方法を用いることができる。
図５の（ｃ）は、モジュール基板１の上面全面に回路部品４および側面シールド板５を包み込むように絶縁樹脂層２０を形成した状態を示す。絶縁樹脂層２０の形成方法としては、例えばプリプレグ（未硬化）状態の絶縁樹脂層２０をモジュール基板１上に圧着し、その後で硬化させてもよいし、モジュール基板１上に絶縁樹脂をモールドし、硬化させてもよい。絶縁樹脂層２０を形成することにより、回路部品４および側面シールド板５が絶縁樹脂層２０の中に埋設される。すなわち、絶縁樹脂層２０の一部は側面シールド板５の外側にも回り込む。この状態で、絶縁樹脂層２０を熱硬化させる。
図５の（ｄ）は、絶縁樹脂層２０の上面を研磨して側面シールド板５の上端部を露出させた状態を示す。絶縁樹脂層２０の上面を研磨することで、側面シールド板５の上端部の一部も研磨されるので、露出した側面シールド板５の上端部は酸化されていない新鮮な断面となる。
図５の（ｅ）は、研磨後の絶縁樹脂層２０の上面に上面シールド層２１を形成した状態を示す。上面シールド層２１の形成方法としては、例えばめっき法、導電ペーストの塗布・焼き付け、スパッタ、蒸着など任意の方法で形成できる。図５の（ｄ）のように絶縁樹脂層２０の上面を研磨することで、側面シールド板５の上端部の新鮮な断面が現れるので、上面シールド２１と確実に接続することができる。
上面シールド層２１を形成した後、集合基板状態のモジュール基板１および絶縁樹脂層２０をダイシングなどにより子基板に分割することにより、回路モジュールＡを得ることができる。
【００２７】
上記のように、側面シールド板５を集合基板状態のモジュール基板１に搭載した後で絶縁樹脂層２０を形成するので、絶縁樹脂層２０を形成した後で側面シールドを形成する方法に比べて、容易に側面シールドを形成することができ、生産性を大幅の向上させることができる。
しかも、側面シールド板５は外部からのノイズを遮蔽すべき部品あるいはノイズを発生する可能性のある部品の周囲を取り囲んでいるので、シールド性に優れた回路モジュールを実現できる。
【実施例２】
【００２８】
図７，図８は第２実施例にかかる回路モジュールＢを示し、特に側面シールド板の形成方法の他の例を示す。
第１実施例では、図６に示すようにモジュール基板１Ｍの子基板上に枠状に形成された側面シールド板５を個別に搭載した例を示したが、絶縁樹脂層２０の圧着時（プリプレグを用いた場合）に側面シールド板５が位置ずれを起こす可能性がある。そこで、第２実施例では、井桁状に組まれた側面シールド板５Ｍを使用することで、絶縁樹脂層２０の圧着時の側面シールド板の位置ずれを抑制できる方法を提案している。
【００２９】
図７は、集合基板状態のモジュール基板１Ｍの上に井桁状に組まれた側面シールド板５Ｍを搭載した状態を示す。
図７において、子基板の境界線ＢＬを破線で示す。側面シールド板５Ｍの最外周を取り囲む板材は１枚板で構成されているが、子基板同士の間を仕切る板材は微小な間隔をあけて平行配置した２枚板で構成されている。側面シールド板５Ｍをモジュール基板１Ｍに接合し、絶縁樹脂層２０を圧着固定し、上面研磨、上面シールドを形成した後、境界線ＢＬに沿って子基板に分割する。子基板同士の間を分割する境界線ＢＬは２枚板の中間を通っているので、子基板に分割する際に、側面シールド板５Ｍの一部も切断され、図８に示すように、絶縁樹脂層２０のコーナー部に側面シールド板５ｂの切断端面１２が露出することになる。
【００３０】
この実施例では、側面シールド板５Ｍを井桁状に組んだ状態で集合基板状態のモジュール基板１Ｍに搭載し、その後で子基板に分割するため、側面シールド板５ｂの倒れや位置ずれを防止でき、生産性よく回路モジュールＢを得ることができる。
【実施例３】
【００３１】
図９は第３実施例にかかる回路モジュールＣを示す。なお、第１実施例と同一部分あるいは対応部分には同一符号を付して重複説明を省略する。
この回路モジュールＣでは、多数の貫通穴１３を持つ側面シールド板５ｃを使用した点を特徴としている。未硬化状態の絶縁樹脂層２０を側面シールド板５ｃの上方より圧着したとき、側面シールド板５ｃの外側の絶縁樹脂層２０と内側の絶縁樹脂層２０とが貫通穴１３を介して結合されるので、絶縁樹脂層２０と側面シールド板５ｃとの連結強度が高くなり、絶縁樹脂層２０と側面シールド板５ｃとの剥離を防止できる。
なお、側面シールド板５ｃに多数の貫通穴１３が形成されていても、穴径が電磁波の波長に対して十分小さければシールド性に影響はない。
【実施例４】
【００３２】
図１０は第４実施例にかかる回路モジュールＤを示す。なお、第１実施例と同一部分あるいは対応部分には同一符号を付して重複説明を省略する。
この回路モジュールＤでは、平面視Ｌ字形の枠状側面シールド板５ｄを使用している。側面シールド板５ｄの内側に回路部品４が配置され、外側には回路部品４が搭載されていない。なお、側面シールド板５ｄの外側に、ノイズを発生しにくい部品または輻射の影響を受けにくい部品を搭載してもよい。
【００３３】
このように、回路部品４の実装位置に応じて側面シールド板５ｄを任意の形に形成できるので、ノイズを発生しやすい回路部品４や輻射の影響を受けやすい回路部品４だけを容易にシールドできる。
なお、図１０に示す側面シールド板５ｄは単なる一例に過ぎず、例えば平面視コ字形やクランク形など任意に変更できる。
【実施例５】
【００３４】
図１１，図１２は第５実施例にかかる回路モジュールＥを示す。なお、第１実施例と同一部分あるいは対応部分には同一符号を付して重複説明を省略する。
この回路モジュールＥでは、枠型の側面シールド板５の内側に、追加の中間シールド板１４をノイズ発生源となる部品あるいは輻射の影響を受けやすい部品４ａを取り囲むように取り付けてある。中間シールド板１４の上端も上面シールド層２１と接続されている。中間シールド板１４の例えばコーナー部に相当するモジュール基板１には、グランド電極として機能するビアホール導体１５が形成され、シールド板１４はビアホール導体１５を介して裏面のシールド電極７に接続されている。
【００３５】
この実施例の回路モジュールＥでは、側面シールド板５の内側に、回路部品４ａ〜４ｃ間を仕切る中間シールド板１４が追加されているため、モジュールＥの外周にのみ側面シールド板５を設ける場合と比べ、ノイズをモジュールＥ外に放射しにくくなり、モジュール基板１上に実装された回路部品４ａ〜４ｃ同士のノイズや輻射による相互干渉を防止できる。
なお、第５実施例では、絶縁樹脂層２０の上面全面に上面シールド層２１を形成したが、上面シールド層２１をノイズ発生源となる部品あるいは輻射の影響を受けやすい部品４ａの上面にのみ設けてもよい。つまり、側面シールド板５と中間シールド板１４とで囲まれた領域のみ上面シールド層２１を設けてもよい。
【実施例６】
【００３６】
図１３，図１４は第６実施例にかかる回路モジュールＦを示す。なお、第１実施例と同一部分あるいは対応部分には同一符号を付して重複説明を省略する。
この回路モジュールＦは、第５実施例の回路モジュールＥの変形例であり、中間シールド板１４に代えて、回路部品４ａを取り囲むように複数のビアホール導体１６を設けたものである。これらビアホール導体１６は、モジュール基板１だけでなく絶縁樹脂層２０も貫通しており、上端は上面シールド層２１に、下端はシールド電極７にそれぞれ接続されている。
この実施例の効果は、第５実施例と同様である。
【実施例７】
【００３７】
図１５，図１６は第７実施例にかかる回路モジュールＧを示す。なお、第１実施例と同一部分あるいは対応部分には同一符号を付して重複説明を省略する。
この回路モジュールＧは、第５実施例の回路モジュールＥの変形例であり、側面シールド板５を省略し、回路部品４ａと回路部品４ｂ，４ｃ間を仕切る平面視Ｌ字形の中間シールド板１４を設け、回路部品４ａの上部にのみ中間シールド板１４と接続された上面シールド層２１ａを設けたものである。この場合には、外部からの電磁波の侵入や外部への電磁波の漏洩は防止できないが、モジュール基板１上に実装された回路部品４ａ〜４ｃ同士のノイズや輻射による相互干渉を防止できる。
なお、図１５では平面視Ｌ字形の中間シールド板１４を用いたが、一部の部品を他の部品と仕切ることができるものであれば、平面視Ｉ形やコ字形など任意の形状とすることができる。また、回路部品４ａの上部にのみ上面シールド層２１ａを設けたが、全面的に上面シールド層を設けてもよい。
【００３８】
上記の各実施例においては、側面シールド板あるいは中間シールド板の上端部を上面シールド層と接続しているが、わずかな隙間を空けて両者を配置してもほぼ同等の効果を得ることができる。但し、その場合は上面シールド層をビアホールなどの何らかの別の手段でグランドに接続する必要がある。
【実施例８】
【００３９】
図１７，図１８は第８実施例にかかる回路モジュールＨを示す。
この回路モジュールＨは、配線層（モジュール基板）３０と部品実装層４０との２層で構成されている。下層の配線層３０は、底面に配線電極３１を備えるとともに、配線電極３１を取り囲む枠状の側面シールド板３２を備え、配線電極３１および側面シールド板３２が絶縁樹脂層３３の中に埋設されている。なお、ここでは配線層３０の配線電極３１が１層にのみ設けられた例を示したが、多層に設けられていてもよいことは勿論である。一方、上層の部品実装層４０は、底面に配線電極４１を備え、配線電極４１の上に複数の回路部品４２が実装され、配線電極４１および回路部品４２を取り囲むように枠状の側面シールド板４３が設けられている。配線電極４１、回路部品４２および側面シールド板４３は、絶縁樹脂層４４の中に埋設されている。絶縁樹脂層４４の上面には、側面シールド板４３と導通する上面シールド層４５が形成されている。
【００４０】
上記構造の回路モジュールＨでは、配線層３０と部品実装層４０とにそれぞれ側面シールド板３２，４３を設けるとともに、上面に上面シールド層４５を設けることで、回路部品４２から発生する電磁波の漏洩を防止し、あるいは外部から侵入する電磁波を遮蔽できる。特に、部品実装層４０だけでなく、配線層３０にも側面シールド板３２を設けたので、高さ方向の全域に亘ってかつ全周の側面シールドを行うことができ、シールド性がさらに向上する。
【図面の簡単な説明】
【００４１】
【図１】本発明にかかる回路モジュールの第１実施例を示し、絶縁樹脂層の内部を透視した斜視図である。
【図２】図１に示す回路モジュールの絶縁樹脂層を省略した平面図である。
【図３】図２の階段状切断線III −III に沿った断面図である。
【図４】図１に示す回路モジュールのモジュール基板の底面図である。
【図５】図１に示す回路モジュールの製造工程を示す断面図である。
【図６】集合基板状態のモジュール基板に回路部品と側面シールド板とを実装した状態の平面図である。
【図７】本発明の第２実施例における集合基板状態のモジュール基板に回路部品と側面シールド板とを実装した状態の平面図である。
【図８】図７に示す集合基板から作製された回路モジュールの斜視図である。
【図９】本発明にかかる回路モジュールの第３実施例の斜視図である。
【図１０】本発明にかかる回路モジュールの第４実施例の斜視図である。
【図１１】本発明にかかる回路モジュールの第５実施例の絶縁樹脂層を省略した平面図である。
【図１２】図１１に示す回路モジュールの断面図である。
【図１３】本発明にかかる回路モジュールの第６実施例の絶縁樹脂層を省略した平面図である。
【図１４】図１３に示す回路モジュールの断面図である。
【図１５】本発明にかかる回路モジュールの第７実施例の絶縁樹脂層を省略した平面図である。
【図１６】図１５に示す回路モジュールの断面図である。
【図１７】本発明にかかる回路モジュールの第８実施例の内部を透視した斜視図である。
【図１８】図１５に示す回路モジュールの分解斜視図である。
【図１９】従来の回路モジュールの一例の断面図である。
【図２０】従来の回路モジュールの他の例の製造工程図である。
【符号の説明】
【００４２】
Ａ〜Ｈ            回路モジュール
１                モジュール基板
２                配線電極
３                グランド電極
４，４ａ〜４ｃ    回路部品
５                側面シールド板
８                端子電極
２０              絶縁樹脂層
２１              上面シールド層
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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