(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
台座と、
この台座に固定され、前記台座と共に密閉空間を構成する封止体と、
前記密閉空間内で銀を含む接着剤を介して金属基体に接着され、電極に接続された配線を備える電子部品本体と、
を有し、
前記台座は、前記封止体側にニッケルメッキ層が形成され、該ニッケルメッキ層は実質的にリンを含まない電子部品。
【請求項２】
前記ニッケルメッキ層はホウ素を含む請求項１記載の電子部品。
【請求項３】
前記ニッケルメッキ層は０．１重量％から２．０重量％のホウ素を含む請求項２記載の電子部品。
【請求項４】
前記ニッケルメッキ層は電気メッキ層である請求項１記載の電子部品。
【請求項５】
前記ニッケルメッキ層の上層として金メッキ層を有する請求項１乃至４いずれか記載の電子部品。
【請求項６】
前記封止体は、前記台座側に実質的にリンを含まないニッケルメッキ層が形成されている請求項１乃至５いずれか記載の電子部品。
【請求項７】
台座と、
この台座に固定され、前記台座と共に密閉空間を構成し、透光部を有する封止体と、
前記密閉空間内に設けられた保持台と、
この保持台に銀を含む接着剤を介して接着され、電極に接続された配線を備える受光素子と、
この受光素子及び前記透光部へレーザ光を発する発光素子と、
を有し、
前記台座は、前記封止体側にニッケルメッキ層が形成され、該ニッケルメッキ層は実質的にリンを含まないレーザ装置。
【請求項８】
請求項７に記載されたレーザ装置を有し、前記透光部から発した光を走査する走査手段をさらに有する光書込み装置。
【請求項９】
請求項８記載の光書込み装置を有し、前記走査手段により走査される光により潜像が形成される感光体をさらに有する画像形成装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、レーザ装置等の電子部品、レーザ装置を用いた光書込み装置及び該光書込み装置を用いた画像形成装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
電子部品、例えばレーザ装置においては、台座（アイレット）に封止体（キャップ）が固定され、台座と封止体とにより密閉空間が構成され、この密閉空間内に電子部品本体であるレーザ発光素子等が配置されている。
【０００３】
特許文献１においては、半導体発光素子の発光出射方向に受光素子の受光面が平行となるように発光素子と受光素子とを同一パッケージに組み込んだ受光素子組込み半導体発光装置が開示されている。
【０００４】
特許文献２においては、アイレットにリンを含有する無電解ニッケルメッキ層を形成する電子部品用金属部材が開示されている。
【０００５】
特許文献３においては、アイレットと一体に形成された放熱台にサブマウントを導電性のペーストである銀ペーストによりダイボンドした半導体レーザ装置が開示されている。
【０００６】
【特許文献１】特開昭５７−１６０１８９号公報（特許請求の範囲）
【特許文献２】特開平１１−３５４６８５号公報（特許請求の範囲）
【特許文献３】特開２００１−２６７６７４号公報（段落００４８）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
台座と、この台座に固定され、前記台座と共に密閉空間を構成する封止体と、前記密閉空間内で銀を含む接着剤を介して金属基体に接着された電子部品本体とを有する電子部品において、電子部品本体のアノードとカソードとの間に微小電流が漏れる不具合を生じることがある。
【０００８】
本願発明者らは、微小電流が漏れる原因として、銀マイグレーションがあることをつき止めた。銀マイグレーションとは、直流電界のもとで電気化学反応によって、銀がイオン化して絶縁層に析出する現象である。通常は雰囲気の水分により生じるといわれている。
【０００９】
しかしながら、本願発明者らは、銀マイグレーションの原因がさらに別のところにあることを発見した。即ち、特許文献２で示すように、台座にリンを含有する無電解ニッケルメッキ層が形成されていると、台座に封止体を抵抗溶接やロー付けにより固定する場合の熱により無電解ニッケルメッキ層のリンが密閉空間内に放出される。密閉空間内に放出されたリンは、著しい吸湿性を有する結果、密閉空間内の水分を吸収してイオン化する。このイオン化されたリン酸が銀ペーストの銀をイオン化し、銀マイグレーションが生じると考えられる。
【００１０】
本発明の目的は、銀マイグレーションが生じる可能性を少なくすることができる電子部品を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
請求項１に係る本発明は、台座と、この台座に固定され、前記台座と共に密閉空間を構成する封止体と、前記密閉空間内で銀を含む接着剤を介して金属基体に接着され、電極に接続された配線を備える電子部品本体と、を有し、前記台座は、前記封止体側にニッケルメッキ層が形成され、該ニッケルメッキ層は実質的にリンを含まない電子部品である。なお、ここで、実質的にリンを含まないというのは、自然界に含むリンを除くという意味であり、数ppm以下（10 ppm未満）である。
【００１２】
請求項２に係る本発明は、前記ニッケルメッキ層はホウ素を含む請求項１記載の電子部品である。
【００１３】
請求項３に係る本発明は、前記ニッケルメッキ層は０．１重量％から２．０重量％のホウ素を含む請求項２記載の電子部品である。
【００１４】
請求項４に係る本発明は、前記ニッケルメッキ層は電気メッキ層である請求項１記載の電子部品である。
【００１５】
請求項５に係る本発明は、前記ニッケルメッキ層の上層として金メッキ層を有する請求項１乃至４いずれか記載の電子部品である。
【００１６】
請求項６に係る本発明は、前記封止体は、前記台座側に実質的にリンを含まないニッケルメッキ層が形成されている請求項１乃至５いずれか記載の電子部品である。
【００１７】
請求項７に係る本発明は、台座と、この台座に固定され、前記台座と共に密閉空間を構成し、透光部を有する封止体と、前記密閉空間内に設けられた保持台と、この保持台に銀を含む接着剤を介して接着され、電極に接続された配線を備える受光素子と、この受光素子及び前記透光部へレーザ光を発する発光素子と、を有し、前記台座は、前記封止体側にニッケルメッキ層が形成され、該ニッケルメッキ層は実質的にリンを含まないレーザ装置である。
【００１８】
請求項８に係る本発明は、請求項７に記載されたレーザ装置を有し、前記透光部から発した光を走査する走査手段をさらに有する光書込み装置である。
【００１９】
請求項９に係る本発明は、請求項８記載の光書込み装置を有し、前記走査手段により走査される光により潜像が形成される感光体をさらに有する画像形成装置である。
【発明の効果】
【００２０】
請求項１に係る本発明によれば、リンを実質的に含むニッケルメッキ層を有する電子部品と比較して、銀マイグレーションが生じる可能性を少なくすることができる電子部品を提供することができる。
【００２１】
請求項２に係る本発明によれば、ホウ素を含む無電解ニッケルメッキによりリンを実質的に含まないニッケルメッキ層を得ることができる。
【００２２】
請求項３に係る本発明によれば、密閉空間内のイオン電解物質を略皆無にすることができる。
【００２３】
請求項４に係る本発明によれば、電気メッキすることによりリンを実質的に含まないニッケルメッキ層を得ることができる。
【００２４】
請求項５に係る本発明によれば、耐久性が向上し、接触抵抗等を低減して電気特性を向上させることができる。
【００２５】
請求項６に係る本発明によれば、台座側及び封止体側の双方の接触部分を同程度の高融点にすることができ、抵抗溶接等の熱により台座と封止体とを固定する場合に結合部分に合金層が形成されて結合を強くし、且つ安定させることができる。
【００２６】
請求項７に係る本発明によれば、リンを実質的に含むニッケルメッキ層を有する電子部品と比較して、銀マイグレーションが生じる可能性を少なくすることができるレーザ装置を提供することができる。
【００２７】
請求項８に係る本発明によれば、リンを実質的に含むニッケルメッキ層を有する電子部品と比較して、銀マイグレーションが生じる可能性を少なくすることができる光書込み装置を提供することができる。
【００２８】
請求項９に係る本発明によれば、リンを実質的に含むニッケルメッキ層を有する電子部品と比較して、銀マイグレーションが生じる可能性を少なくすることができる画像形成装置を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２９】
次に本発明の実施形態を図面に基づいて説明する。
図１において、本発明の実施形態に係る画像形成装置１０の概要が示されている。画像形成装置１０は、画像形成装置本体１２を有し、この画像形成装置本体１２内に像形成手段１４が搭載され、この画像形成装置本体１２の上部に後述する排出部１６が設けられていると共に、この画像形成装置本体１２の下部に例えば２段の給紙ユニット１８，１８が配置されている。さらに、画像形成装置本体１２の下方には、オプションとして複数の給紙ユニットが配置できるようにしてある。
【００３０】
それぞれの給紙ユニット１８は、給紙ユニット本体２０と、用紙が収納される給紙カセット２２とを有する。給紙カセット２２の奥端近傍上部にはピックアップロール２４が配置され、このピックアップロール２４の後方にリタードロール２６及びフィードロール２８が配置されている。
【００３１】
主搬送路３２は、フィードロール２８から排出口３４までの用紙通路であり、この主搬送路３２は、画像形成装置本体１２の裏側（図１の左側面）近傍にあって、最下端の給紙ユニット１８から後述する定着装置３６まで略鉛直に形成されている部分を有する。この主搬送路３２の定着装置３６の上流側に後述する転写装置４２と像担持体４４が配置され、さらに転写装置４２と像担持体４４の上流側にレジストロール３８が配置されている。さらに、主搬送路３２の排出口３４の近傍には排出ロール４０が配置されている。
【００３２】
したがって、給紙ユニット１８の給紙カセット２２からピックアップロール２４により送り出された用紙は、リタードロール２６及びフィードロール２８の協働により捌かれて最上部の用紙のみ主搬送路３２に導かれ、レジストロール３８により一時停止され、タイミングをとって後述する転写装置４２と像担持体４４との間を通って現像剤像が転写され、この転写された現像剤像が定着装置３６により定着され、排出ロール４０により排出口３４から排出部１６へ排出される。
【００３３】
ただし、両面印刷の場合は、反転路に戻される。即ち、主搬送路３２の排出ロール４０の手前は二股に分かれ、その分かれた部分に切換装置４６が設けられていると共に、分けられた部分からレジストロール３８まで戻る反転路４８が形成されている。この反転路４８には搬送ロール５０ａ〜５０ｃが設けられており、両面印刷の場合には、切換装置４６が反転路４８を開く側に切り換えられ、排出ロール４０に用紙の後端手前がかかる時点で排出ロール４０が反転し、用紙が反転路４８に導かれ、レジストロール３８、転写装置４２と像担持体４４及び定着装置３６を通って排出口３４から排出部１６へ排出されるものである。
【００３４】
排出部１６は、画像形成装置本体１２に対して回動自在の傾斜部５２を有する。この傾斜部５２は、排出口部分が低く、正面方向（図１の右方向）に向けて徐々に高くなるよう傾斜しており、排出口部分を下端とし、高くなった先端を上端としている。この傾斜部５２は下端を中心に回動自在であるよう画像形成装置本体１２に支持されている。図１で２点鎖線で示すように、傾斜部５２を上方に回転して開いたときには、開放部５４が形成され、この開放部５４を介して後述するプロセスカートリッジ６４が脱着できるようにしてある。
【００３５】
像形成手段１４は、例えば電子写真方式のもので、感光体からなる像担持体４４と、この像担持体４４を一様帯電する例えば帯電ロールからなる帯電装置５６と、帯電装置５６により帯電された像担持体４４に、光により潜像を書き込む光書込み装置５８と、この光書込み装置５８により形成された像担持体４４の潜像を現像剤により可視化する現像機６０と、この現像機６０による現像剤像を用紙に転写する例えば転写ロールからなる転写装置４２と、像担持体４４に残存する現像剤をクリーニングする例えばブレードからなるクリーニング装置６２と、転写装置４２により転写された用紙上の現像剤像を用紙に定着させる定着装置３６とから構成されている。
【００３６】
プロセスカートリッジ６４は、像担持体４４、帯電装置５６、現像機６０及びクリーニング装置６２を一体化したものである。このプロセスカートリッジ６４は、排出部１６の傾斜部５２に直近下方に配置されており、前述したように、傾斜部５２を開いたときに形成される開放部５４を介して着脱される。
【００３７】
図２において、光書込み装置５８が示されている。光書込み装置５８には、ハウジング６６内にレーザ光を発するレーザ装置６８が設けられている。レーザ装置６８が発するレーザ光は、コリメータレンズ７０によって平行光にされ、回転多面鏡７２によって反射される。回転多面鏡７２は、例えば６つの偏向面（鏡面）を有し、図示しないモータにより所定の等角速度で回転しつつ、コリメータレンズ７４によって平行光にされたレーザ光をｆθレンズ７６に向けて反射する。回転多面鏡７２によって反射されたレーザ光は、ｆθレンズ７６を透過することにより、像担持体４４上のイメージエリアを主走査方向に略等速度で走査するようにされている。
【００３８】
図３及び図４において、電子部品であるレーザ装置６８が示されている。レーザ装置６８は、台座７８と、この台座７８の一面に固定された封止体８０とを有する。封止体８０は、封止体本体であるキャップ８２とを有する。このキャップ８２の上面中心には透光部８４が形成されている。この透光部８４は、例えば円形又は多角形の封止ガラス８６により封止されている。封止体８０の下面にはフランジ部８８が形成され、このフランジ部８８が台座７８に抵抗溶接、ろう付け等により固定されており、台座７８及び封止体８０により密閉空間９０が構成されている。
【００３９】
密閉空間９０内には電子部品本体９２が配置されている。電子部品本体９２は、この実施形態においては、放熱台９４と、この放熱台９４に固定された受光素子９６と、この受光素子９６に固定された発光素子９８とから構成されている。放熱台９４、受光素子９６及び発光素子９８とは略平行に積層されている。
【００４０】
金属基体である保持台９４は、台座７８と一体形成され、鉄及びニッケルを主成分とした合金で構成されている。この保持台９４と受光素子９６とは、導電性、熱伝導性、接着性等を考慮して銀ペースト部９７によりダイボンドされている。受光素子９６は、シリコンを主体とした半導体であり、発光素子９８から発するモニタ光を受けて発光素子９８の光量をモニタするために設けられている。発光素子９８は、ガリウムヒ素等を主体とした半導体であり、この発光素子９８から発したレーザ光が封止ガラス８６を介して透光部８４から出力される。受光素子９６及び発光素子９８とは、例えばＡｕ−Ｓｎ合金からなるろう材によりダイボンドされている。
【００４１】
第１のリード１００と第２のリード１０２とは、台座７８に絶縁された状態で密閉空間９０に突出している。第１のリード１００には、金属からなる第１の接続線（ワイヤ）１０４を介して受光素子９６のアノードに接続されている。第２のリード１０２は、金属からなる第２の接続線（ワイヤ）１０６を介して発光素子９８のカソードに接続されている。第３のリード１０８は、台座７８に接続され、受光素子９６のカソード及び発光素子９８のアノードの共通電極となっている。
【００４２】
図５において、レーザ装置６８を駆動するための駆動回路が示されている。第１のリード１００は、抵抗１１０を介して接地されている。第２のリード１０２は、第１の電流調節部１１２及び第２の電流調節部１１４を介して接地されている。共通電極を構成する第３のリード１０８は、定電圧源、例えばプラス５Ｖに接続されている。
【００４３】
抵抗１１０の両端子間に発生した電圧はＡＤ変換部１１６によりデジタル信号に変換される。このデジタル信号は、基準部１１８で発生される基準となるデジタル電圧値と比較部１２０により比較される。この比較部１２０で比較した結果は、例えばＣＰＵからなるコントローラ１２２に入力される。コントローラ１２２では、入力結果に応じたデジタル電流調節値が出力される。このデジタル電流調節値は、第１のＤＡ変換部１２４及び第２のＤＡ変換部１２６とに入力されてアナログ電流調節値に変換される。第１のＤＡ変換部１２４で変換されたアナログ電流調節値により第１の電流調節部１１２を流れる電流が調節される。また、第２のＤＡ変換部１２６で変換されたアナログ電流調節値が乗算型ＤＡ変換器１２８に入力される。乗算型ＤＡ変換器１２８においては、入力されるレーザ光強度変換信号が入力され、この入力されたレーザ光強度変換信号を第２のＤＡ変換部１２６から入力されるアナログ電流調節値を出力する。このアナログ電流調節値に基づいて第２の電流調節部１１４に流れる電流が調節される。
【００４４】
上記駆動回路において、レーザ変調信号が入力されると、発光素子９８に電流が流れ、発光素子９８からレーザ光が出力される。このとき、受光素子９６にはモニタ光が入力され、モニタ光の光量に応じた電流が受光素子９６を介して流れる。この電流が電圧に変換されて比較部１２０により基準値と比較され、コントローラ１２２により調節値が演算され、第１の電流調節部１１２及び第２の電流調節部１１４に流れる電流が調節される。即ち、温度等により発光素子９８から発するレーザ光の光量が変化するが、これを受光素子９６でモニタし、フィードバックをかけることにより温度等により変化せず、所定の光量のレーザ光を発することができるようになっている。
【００４５】
図６及び図７において、台座７８とキャップ８２との接合部分の詳細が示されている。台座７８は、鉄及びニッケルを主体とする基材１３０の上に第１のメッキ層としてニッケルメッキ層１３２が形成されている。このニッケルメッキ層１３２は、リンが実質的に含まれておらず、即ち、リンの含有量は数ｐｐｍ以下である。例えばホウ素を含有したニッケル−ホウ素（Ｎｉ−Ｂ）メッキ液に基材を浸漬させて０．１重量％から２．０重量％のホウ素を含む無電解ニッケルメッキ層とする。あるいは電気メッキによりリンが実質的に含まれないニッケルメッキ層を形成することが可能である。
【００４６】
台座７８の第２のメッキ層としては金メッキ層１３４が形成されている。金メッキ層１３４は、例えばニッケルメッキ層１３２が形成された基材１３０に金を含有するメッキ層に浸漬することにより形成される。この金メッキ層１３４は、0.1μmから1.0μmの厚さに形成される。
【００４７】
一方、キャップ８２は、単純な形状を有することから、基材１３６に電気メッキによるニッケルメッキ層１３８が形成されている。そして、台座７８とキャップ８２とは、例えば抵抗溶接により接合される。抵抗溶接時の接合部分の温度は１４００°Ｃから１４５０°Ｃとする。金メッキ層１３４の溶融温度が１０００°Ｃから１１００°Ｃであるのに対し、台座７８のニッケルメッキ層１３２とキャップ８２のニッケルメッキ層１３８との溶融温度が共に１４００°Ｃ〜１４５０°Ｃであるから、抵抗溶接時には、図７に示すように、ニッケルメッキ層１３２とニッケルメッキ層１３８とが接触して合金接合し、強固な接合組織を形成することができる。しかもニッケルメッキ層１３２の硬度が例えばビッカーズ硬度で７００〜８００であり、歪みの少ない接合を行うことができる。例えば接合部分に凹凸を付けた場合でも接触面積を少なく維持することができ、接触部分の抵抗を少なくすることができ、抵抗による発熱も少なくすることができる。
【００４８】
このように接合された台座７８とキャップ８２との接合部分にはリンが実質的に含まれないので、リン成分が密閉空間９０内に放出されることが実質的に無く、銀マイグレーションが生じる可能性を少なくすることができる。
【００４９】
図８において、台座７８とキャップ８２との接合部分に関する比較例が示されている。この比較例は、台座７８の第１のメッキ層としてリンを含む無電解ニッケルメッキ層１４０が形成されている。即ち、無電解ニッケルメッキ層１４０は、ニッケル−リン（Ｎｉ−Ｐ）メッキ液に基材を浸漬させてリンが１０重量％程度含まれている。無電解ニッケルメッキ層１４０の溶融温度は９００°Ｃ程度である。台座７８の第２のメッキ層は金メッキである点では、上記実施形態と同様であるが、無電解ニッケルメッキ層１４０の接触抵抗が大きくなるために厚さを1.0μm以上としてある。
【００５０】
抵抗溶接時の接合部分の温度は１２００°Ｃ程度とする。このため、無電解ニッケルメッキ層１４０が優先的に溶融し、無電解ニッケルメッキ層１４０のリンが金メッキ層１３４に溶け出し、さらにこの溶け出したリン成分の一部が２５０°Ｃ以上で昇華し、リン酸（Ｐ２Ｏ５）として密閉空間９０に放出される。この放出されたリン酸は著しい吸湿性を有し、密閉空間９０内の水分を吸収し、次のようにイオン化する。
Ｐ２Ｏ５＋３Ｈ２Ｏ→２Ｈ３ＰＯ４
Ｈ３ＰＯ４⇔Ｈ＋＋Ｈ２ＰＯ４−
Ｈ２ＰＯ４−⇔Ｈ＋＋ＨＰＯ４２−
ＨＰＯ４２−⇔Ｈ＋＋ＰＯ４３−
【００５１】
一方、放熱台９４と受光素子９６を接合する銀ペースト部９７においては、有機物を抱き込み樹脂が介在する中に存在するＡｇ元素には歪が残ることからペースト材からＡｇ原子団が解離しやすい状態となっている。この場合、銀ペーストの主成分である銀（Ａｇ）は、イオン半径が大きく（１．２Å）ので、通常であれば解離が抑えられると考えられるが、上記のように、密閉空間には３価のリン酸イオンが存在するので、銀の解離が促進される。受光素子は印加された逆バイアス電圧により、カソード端子がアノード端子より電位が高いためこの電界により、解離した銀イオンは、受光素子９６のカソードからアノードへ向かい、銀として析出し、このような解離と析出を繰り返す。これにより図９の点線で囲まれた領域に銀の析出が連なり、その結果、カソードとアノードとの絶縁間距離は短くなり、或いは無くなる。この現象が銀マイグレーションである。
【００５２】
このように、受光素子９６の絶縁間距離が短くなったり、無くなったりすると、受光素子９６は、端子間にリーク電流が発生し、発光素子９８からのモニタ光の光量を正しく検出することができなくなり、結果としてフィードバックが効かなくなり、発光素子９８の発光光量が低下する。このように発光素子９８の発光光量が低下すると、画像形成装置による画像形成濃度が低下し、さらには画像が形成されなくなる。
【００５３】
それに対し、前述した本発明に係る実施形態によれば、台座７８のニッケルメッキ層１３２は実質的にリンを含まないので、銀マイグレーションの発生を防止することができる。また、抵抗溶接時に台座７８のニッケルメッキ層１３２とキャップ８２のニッケルメッキ層１３８との間に合金が形成され、接合強度を大きくすることができる。さらに、金メッキ層１３４の厚さを薄くしても接合部分の抵抗を小さくすることができるので、経済的な効果がある。
【００５４】
図１０において、本発明の他の実施形態が示されている。前述した実施形態においては、受光素子９６が発光素子９８に重ねられていたのに対し、この実施形態においては、発光素子９８下方の台座７８に受光素子９６が固定されており、受光素子９６は、発光素子９８の下方で発光素子９８から発するモニタ光を受けるようになっている。この場合、Ｍで示すように、受光素子９６のアノードとカソード（台座７８の共通電極部分）とが銀ペースト部９７を介して接合されており、銀マイグレーションが発生するおそれがある。
しかしながら、前述したように、台座７８のニッケルメッキ層に実質的にリンを含まないようにすることにより銀マイグレーションの発生を防止することができる。
【図面の簡単な説明】
【００５５】
【図１】本発明の実施形態に係る画像形成装置を示す側面図である。
【図２】本発明の実施形態に係る光書込み装置を示す斜視図である。
【図３】本発明の実施形態に係るレーザ装置を示す断面図である。
【図４】本発明の実施形態に係るレーザ装置を示し、図３のＡ−Ａ線断面図である。
【図５】本発明の実施形態に係るレーザ装置を駆動する駆動回路を示す回路図である。
【図６】本発明の実施形態に係るレーザ装置における台座７８とキャップ８２とを示す接合前の断面図である。
【図７】本発明の実施形態に係るレーザ装置における台座７８とキャップ８２とを示す接合後の断面図である。
【図８】比較例における台座７８とキャップ８２とを示す接合後の断面図である。
【図９】比較例におけるレーザ装置にあって銀マイグレーションの発生状態を示す側面図である。
【図１０】本発明の他の実施形態に係るレーザ装置の主要部を示す側面図である。
【符号の説明】
【００５６】
１０    画像形成装置
５８    光書込み装置
６８    レーザ装置
７８    台座
８０    封止体
８２    キャップ
８４    透光部
８６    封止ガラス
９０    密閉空間
９２    電子部品本体
９４    保持台
９６    受光素子
９８    発光素子
１００  第１のリード
１０２  第２のリード
１０４  第１の接続線
１０６  第２の接続線
１０８  第３のリード
１３２  ニッケルメッキ層
１３４  金メッキ層
【図１】
0004802867.tif 000002
【図２】
0004802867.tif 000003
【図３】
0004802867.tif 000004
【図４】
0004802867.tif 000005
【図５】
0004802867.tif 000006
【図６】
0004802867.tif 000007
【図７】
0004802867.tif 000008
【図８】
0004802867.tif 000009
【図９】
0004802867.tif 000010
【図１０】
0004802867.tif 000011