(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
アクティブマトリクス型の発光装置であって、
マトリクス状に配置された複数の発光ユニットが、第１の電極及び第２の電極の間に有機化合物を含む層を有する発光素子をそれぞれ備え、
前記第１の電極は、前記発光素子ごとに分断されており、
前記有機化合物を含む層が、発光物質を含む層と、前記第１の電極及び前記発光物質を含む層の間に設けられたドナー性物質及びアクセプター性物質を含む層とを含み、
隣接し異なる色を呈する発光ユニット間にのみ、逆テーパー形状の隔壁を有し、
前記逆テーパー形状の隔壁は、少なくとも前記発光ユニットごとに分断され、
前記第２の電極は、前記発光ユニットごとの前記逆テーパー形状の隔壁の無い部分において前記隣接し異なる色を呈する発光ユニット間で導通している発光装置。
【請求項２】
請求項１において、
前記隔壁を介して隣接し、異なる色を呈する第１の発光ユニットと第２の発光ユニットを有し、
前記隔壁の上面形状における長辺の長さは、前記第１の発光ユニットにおける、前記第２の発光ユニットに対向する辺の長さの９０％以上である発光装置。
【請求項３】
請求項１又は請求項２において、
前記隔壁を介して隣接し異なる色を呈する発光ユニット間における、前記有機化合物を含む層が分断されている発光装置。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれか一項において、
一方向に連続して設けられた同じ色を呈する発光ユニットは、同一の層からなる前記第２の電極を有し、
前記複数の発光ユニットを備える発光部の外側で、前記第２の電極と共通配線とが電気的に接続する発光装置。
【請求項５】
請求項４において、
前記共通配線が、前記発光部の外側に周設されている発光装置。
【請求項６】
請求項１乃至請求項５のいずれか一項において、
前記ドナー性物質は、アルカリ金属、アルカリ土類金属、希土類金属、アルカリ金属化合物、アルカリ土類金属化合物、又は希土類金属化合物である発光装置。
【請求項７】
請求項１乃至請求項６のいずれか一項において、
前記有機化合物を含む層は、
発光物質を含む層を備えた第１の層と、
発光物質を含む層を備えた第２の層と、
前記第１の層と前記第２の層の間に形成された中間層と、を有する発光装置。
【請求項８】
請求項１乃至請求項７のいずれか一項に記載の発光装置を表示部に有する電子機器。
【請求項９】
請求項１乃至請求項７のいずれか一項に記載の発光装置を照明部に有する照明装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
有機エレクトロルミネッセンス（Ｅｌｅｃｔｒｏｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ、以下ＥＬとも記す）を用いた発光装置、電子機器及び照明装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
薄型軽量化が容易であること、入力信号に対し高速に応答可能であること、直流低電圧電源を用いて駆動可能であること等の特徴を有する、有機化合物を発光体として用いた発光素子は、次世代のフラットパネルディスプレイや照明への応用が検討されている。特に、発光素子をマトリクス状に配置した表示装置は、従来の液晶表示装置と比較して、視野角が広く視認性が優れる点に優位性があると考えられている。
【０００３】
有機化合物を発光体として用いた発光素子（有機ＥＬ素子）の発光機構は以下の通りである。まず、一対の電極間に発光性の有機化合物を含む層（ＥＬ層）を挟んで電圧を印加することにより、陰極から注入された電子および陽極から注入された正孔がＥＬ層に輸送され、電流が流れる。そして、注入された電子及び正孔がＥＬ層中の発光性の有機化合物を励起状態に至らしめ、励起された発光性の有機化合物から発光を得る。励起状態には一重項励起と三重項励起が知られ、発光はどちらの励起状態を経ても可能であると考えられている。
【０００４】
発光素子を構成するＥＬ層は、少なくとも発光層を有する。また、ＥＬ層は、発光層の他に、正孔注入層、正孔輸送層、電子輸送層、電子注入層などを有する積層構造とすることもできる。
【０００５】
フルカラーの画像を表示する装置を作製する場合には、少なくとも赤、緑、青の３色の光を発する発光素子をマトリクス状に配置することが必要となる。その方法としては、色ごとにＥＬ層の必要な部分を塗り分けて発光色が異なる発光素子を設ける方法（以下、塗り分け方式と記す）、すべての発光素子を白色発光とし、それぞれにカラーフィルタを重ねて白色光を透過させることによって各々の色を得る方法（以下、カラーフィルタ方式と記す）や、すべての発光素子を青又は青より短波長の発光とし、それぞれに色変換層を重ねて青色光又は青より短波長の光を透過させることによって各々の色を得る方法（以下、色変換方式と記す）などがある。例えば、特許文献１には、カラーフィルタ方式を用いた有機ＥＬ表示装置の記載がある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２００４−２２７８５４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
有機ＥＬ素子を用いたディスプレイや照明の実用化に向け、有機ＥＬ素子を用いた発光装置の低消費電力化が求められている。また、鮮やかな色の発光ができ、輝度ムラの少ない高品質な発光装置が求められている。
【０００８】
発光装置を構成する有機ＥＬ素子は、素子ごとに分離して設けられた第１の電極と、該第１の電極に重なる第２の電極との間に、発光物質を含む層（発光層）を含むＥＬ層を備える。消費電力の低い発光装置を作製するためには、発光素子の駆動電圧が低いことが求められる。例えば、ＥＬ層に導電性の高い層を備えることで、発光素子の駆動電圧を低くすることができる。
【０００９】
しかし、複数の有機ＥＬ素子を備えた発光装置の場合、ＥＬ層が、第１の電極と発光層との間に導電性の高い層を有すると、隣接する発光素子に、導電性の高い層を介して電流が回り込む現象が生じやすい。このような発光状態の発光素子からの電流の回り込みによって、隣接する非発光状態の発光素子が発光してしまう恐れがある。特に、隣接し異なる色を呈する発光ユニットにおいて発光素子が意図せず発光すると、発光装置における所望の色の表示や、鮮やかな色の表示が困難になる。
【００１０】
したがって、本発明の一態様は、消費電力が低く、かつ鮮やかな色の発光ができ、輝度ムラの少ない高品質な発光装置を提供することを課題とする。
【００１１】
また、該発光装置を用いた電子機器又は照明装置を提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
異なる色を呈する２つの発光ユニット間において、導電性の高い層を介して、発光状態の発光素子から、非発光状態の発光素子へ電流が回り込むことを抑制するためには、これらの間に電流経路が存在しない、電流経路の最短距離が長い、又は最短距離の電流経路の幅が狭ければ良い。本発明の一態様は、第１の電極と発光層との間に導電性の高い層を設けると共に、隣接し異なる色を呈する発光ユニット間にのみ逆テーパー形状の隔壁を設け、該発光ユニット間において、ＥＬ層（少なくとも導電性の高い層）を該隔壁によって分断する構成である。
【００１３】
このような構成とすることで、隣接し異なる色を呈する発光ユニット間において、発光状態の一方の発光素子から、非発光状態の他方の発光素子への電流の回り込みを抑制することができる。よって、非発光状態の発光素子の意図しない発光を抑制することができる。
【００１４】
かつ、隣接し同じ色を呈する発光ユニット間では、逆テーパー形状の隔壁が設けられていない。よって、該第２の電極の抵抗が高くなることを抑制することができる。また、第２の電極の抵抗に起因した電位降下による発光不良から、発光装置の輝度ムラが生じることを抑制することができる。
【００１５】
具体的には、本発明の一態様は、複数の発光ユニットが、第１の電極及び第２の電極の間に有機化合物を含む層（ＥＬ層）を有する発光素子をそれぞれ備え、第１の電極は、発光素子ごとに分断されており、ＥＬ層が、発光物質を含む層（発光層）と、第１の電極及び発光層の間に設けられたドナー性物質及びアクセプター性物質を含む層とを含み、隣接し異なる色を呈する発光ユニット間にのみ、逆テーパー形状の隔壁を有する発光装置である。
【００１６】
上記発光装置は、隔壁を介して隣接し異なる色を呈する第１の発光ユニットと第２の発光ユニットを有し、隔壁の上面形状における長辺の長さは、第１の発光ユニットにおける、第２の発光ユニットに対向する辺の長さの９０％以上であることが好ましい。
【００１７】
上記構成とすることで、第１の発光ユニットの発光素子から第２の発光ユニットの発光素子までの最短距離の電流経路の幅を十分に狭くすることができる。
【００１８】
上記発光装置では、隔壁を介して隣接し異なる色を呈する発光ユニット間における、ＥＬ層（少なくとも、ドナー性物質及びアクセプター性物質を含む層）は分断されていることが好ましい。
【００１９】
上記構成では、隔壁を介して隣接し異なる色を呈する発光ユニット間において、一方の発光ユニットのＥＬ層から他方の発光ユニットのＥＬ層までの電流経路が存在しないため、特に好ましい。
【００２０】
上記発光装置では、一方向に連続して設けられた同じ色を呈する発光ユニットは、同一の層からなる第２の電極を有し、複数の発光ユニットを備える発光部の外側で、第２の電極と共通配線とが電気的に接続することが好ましい。
【００２１】
上記構成とすることで、第２の電極の抵抗に起因した電位降下による発光不良から、発光装置の輝度ムラが生じることを抑制することができる。
【００２２】
上記発光装置では、共通配線が、発光部の外側に周設されていることが好ましい。
【００２３】
上記構成とすることで、発光装置の作製工程中や、発光装置を使用する際に発生する静電気等による高電圧が発光部を構成する発光素子やトランジスタ等の素子への静電破壊（ＥＳＤ；Ｅｌｅｃｔｒｏ  Ｓｔａｔｉｃ  Ｄｉｓｃｈａｒｇｅ）を引き起こすことを抑制できる。
【００２４】
上記発光装置では、ドナー性物質は、アルカリ金属、アルカリ土類金属、希土類金属、アルカリ金属化合物、アルカリ土類金属化合物、又は希土類金属化合物であることが好ましい。
【００２５】
上記発光装置では、有機化合物を含む層は、発光性の有機化合物を含む層を備えた第１の層と、発光性の有機化合物を含む層を備えた第２の層と、第１の層と第２の層の間に形成された中間層と、を有することが好ましい。
【００２６】
また、本発明の一態様は、上記発光装置を表示部に有する電子機器である。また、本発明の一態様は、上記発光装置を照明部に有する照明装置である。
【００２７】
上記発光装置はＥＬ層に導電性の高い層を含むため、消費電力の低い電子機器又は照明装置を実現することができる。
【００２８】
また、隣接し異なる色を呈する発光ユニット間にのみ逆テーパー形状の隔壁を有するため、これら発光ユニット間において、発光状態の一方の発光素子から、非発光状態の他方の発光素子への電流の回り込みを抑制することができる。よって、非発光状態の発光素子の意図しない発光を抑制することができる。
【００２９】
かつ、隣接し同じ色を呈する発光ユニット間では、逆テーパー形状の隔壁が設けられていない。よって、該第２の電極の抵抗が高くなることを抑制することができる。また、第２の電極の抵抗に起因した電位降下による発光不良から、発光装置の輝度ムラが生じることを抑制することができる。
【００３０】
よって、鮮やかな色の発光ができ、輝度ムラの少ない高品質な電子機器又は照明装置を実現することができる。
【発明の効果】
【００３１】
本発明の一態様は、消費電力が低く、かつ鮮やかな色の発光ができ、輝度ムラの少ない高品質な発光装置を提供することができる。
【００３２】
また、該発光装置を用いた電子機器又は照明装置を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００３３】
【図１】本発明の一態様の発光装置の一例を示す図。
【図２】本発明の一態様の発光装置の一例を示す図。
【図３】本発明の一態様の発光装置の一例を示す図。
【図４】本発明の一態様の発光装置の一例を示す図。
【図５】本発明の一態様の発光装置の一例を示す図。
【図６】本発明の一態様のＥＬ層の一例を示す図。
【図７】本発明の一態様の電子機器の一例を示す図。
【図８】本発明の一態様の照明装置の一例を示す図。
【図９】本発明の一態様の発光装置の一例を示す図。
【図１０】実施例１に係る断面図。
【図１１】実施例１に係る断面写真及び発光写真。
【図１２】実施例のＥＬ層を示す図。
【図１３】実施例２に係る上面図。
【図１４】実施例２に係る断面写真。
【図１５】実施例２の構成例の発光写真。
【図１６】実施例２の比較例の発光写真。
【発明を実施するための形態】
【００３４】
実施の形態について、図面を用いて詳細に説明する。但し、本発明は以下の説明に限定されず、本発明の趣旨及びその範囲から逸脱することなくその形態及び詳細を様々に変更し得ることは当業者であれば容易に理解される。従って、本発明は以下に示す実施の形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。なお、以下に説明する発明の構成において、同一部分又は同様な機能を有する部分には同一の符号を異なる図面間で共通して用い、その繰り返しの説明は省略する。
【００３５】
（実施の形態１）
本実施の形態では、本発明の一態様の発光装置について、図１乃至図３を用いて説明する。
【００３６】
本発明の一態様の発光装置は、複数の発光ユニットを有する。各発光ユニットは、第１の電極及び第２の電極の間に有機化合物を含む層（ＥＬ層）を有する発光素子を備える。該第１の電極は、発光素子ごとに分断されている。該ＥＬ層が、発光物質を含む層と、該第１の電極及び該発光物質を含む層の間に設けられた導電性の高い層とを含むことから、本発明の一態様では、駆動電圧の低い発光素子、又は消費電力の低い発光装置を実現することができる。
【００３７】
また、本発明の一態様の発光装置は、隣接し異なる色を呈する発光ユニット間にのみ、逆テーパー形状の隔壁を有する。よって、本発明の一態様では、上述のようにＥＬ層が導電性の高い層を含む構成であっても、隣接し異なる色を呈する発光ユニット間において、発光状態の一方の発光素子から、非発光状態の他方の発光素子へ電流が回り込むことを抑制することができる。よって、非発光状態の発光ユニットが意図せず発光することを抑制することができ、鮮やかな色の発光ができる発光装置を実現することができる。
【００３８】
かつ、隣接し同じ色を呈する発光ユニット間では、該逆テーパー形状の隔壁が設けられていない。よって、第２の電極の抵抗が高くなることを抑制することができる。そして、第２の電極の抵抗に起因した電位降下による発光不良から、発光装置の輝度ムラが生じることを抑制することができる。
【００３９】
図１（Ａ）に、本発明の一態様の発光装置における、逆テーパー形状の隔壁１５０（の上面形状）と発光ユニットの位置関係の一例を示す。また、図１（Ｂ）（Ｃ）は、それぞれ図１（Ａ）のＡ−Ｂ間、Ｃ−Ｄ間の断面図である。
【００４０】
なお、本実施の形態では、発光装置は、Ｒ（赤）、Ｇ（緑）、Ｂ（青）の３色の発光ユニットで１つの色を表現する構成とするが、色要素としてはＲＧＢ以外の色を用いてもよく、例えば、イエロー、シアン、マゼンタなどで構成されてもよい。本実施の形態において、各発光ユニットが備えるＥＬ層の構成は同一である（例えば、白色の光を発する構成とする）。各発光ユニットは、カラーフィルタや色変換層（図示しない）を備え、例えば、赤色の発光ユニットは、赤色のカラーフィルタを有し、赤色の光を発する。
【００４１】
図１（Ｂ）に示すように、赤色の発光ユニット１６０Ｒは、絶縁表面１００上に、発光素子１３０（第１の電極１１８、ＥＬ層１２０及び第２の電極１２２）を有する。また、第１の電極１１８の端部は、テーパー形状を有した絶縁層１２４で覆われている。同様に、緑色の発光ユニット１６０Ｇ及び青色の発光ユニット１６０Ｂも、絶縁表面１００上にそれぞれ発光素子を有する。各発光素子が有するＥＬ層は、発光物質を含む層と、該第１の電極及び該発光物質を含む層の間に設けられた導電性の高い層とを含む。よって、本発明の一態様では、駆動電圧の低い発光素子、又は消費電力の低い発光装置を実現することができる。
【００４２】
導電性の高い層としては、可視光に対する透光性を有し、導電性の高い物質（例えば、インジウム錫酸化物（Ｉｎ２Ｏ３−ＳｎＯ２、ＩＴＯ））を含む層や、ドナー性物質及びアクセプター性物質を含む層をその例に挙げることができる。ドナー性物質及びアクセプター性物質を含む層としては、具体的には、有機化合物に、アルカリ金属、アルカリ土類金属、希土類金属、アルカリ金属化合物、アルカリ土類金属化合物、又は希土類金属化合物を添加した層や、ポリ（３，４−エチレンジオキシチオフェン）／ポリ（スチレンスルホン酸）（ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ）等の導電性高分子を含む層を用いることができる。また、ドナー性物質及びアクセプター性物質を含む層は、同一膜中にドナー性物質及びアクセプター性物質を含有する場合だけでなく、ドナー性物質を含む層とアクセプター性物質を含む層とが積層されていても良い。その他、発光素子の具体的な構成及び発光素子に用いることができる材料については、実施の形態３、４で詳述する。
【００４３】
図１（Ａ）（Ｂ）に示す発光装置では、赤色の発光ユニット１６０Ｒ及び緑色の発光ユニット１６０Ｇの間、緑色の発光ユニット１６０Ｇ及び青色の発光ユニット１６０Ｂの間など、隣接し異なる色を呈する発光ユニット間には、逆テーパー形状の隔壁１５０が絶縁層１２４の上に設けられている。
【００４４】
本明細書中において、逆テーパー形状とは、底部よりも絶縁表面に平行な方向にせり出した側部、または上部を有した形状である。
【００４５】
隔壁１５０は、無機絶縁材料、有機絶縁材料、金属材料を用いて形成することができる。例えば、有機絶縁材料としては、ネガ型やポジ型の感光性を有する樹脂材料、非感光性の樹脂材料などを用いることができる。また、金属材料としては、チタン、アルミニウムなどを用いることができる。
【００４６】
図１（Ｂ）に示す隔壁１５０は、例えば、ネガ型の感光性を有する有機膜を形成し、露光、現像処理を行うことにより形成することができる。ここで、有機膜の下部に向かって露光強度が低下するよう露光強度を調整することにより、隔壁１５０を逆テーパー形状とすることができる。または、無機材料からなる膜を形成し、所望の領域にパターニングを行い、無機材料からなる膜を加工することで形成することができる。無機材料からなる膜は、例えば、酸化シリコン、窒化シリコンなどの無機絶縁材料、または、チタン、アルミニウムなどの導電材料などを用いて形成することができる。
【００４７】
このような逆テーパー形状の隔壁は、その上方から成膜された膜を、該隔壁を境に物理的に分断することができる。例えば、図１（Ｂ）に示すように、隔壁１５０上に成膜されたＥＬ層１２０は、隔壁１５０を境に電気的に分断される。よって、隔壁１５０を介して、発光素子から隣接する発光素子に電流が流れることを抑制することができる。
【００４８】
なお、隔壁１５０として導電性の材料を用いる場合には、少なくともＥＬ層１２０の導電性の高い層と隔壁１５０とが接しないことが好ましい。また、第２の電極１２２は、隔壁１５０と接して設けられるとより好ましい。このような構成を適用することで、隔壁１５０を介して発光素子から隣接する発光素子に電流が流れ、意図しない発光が起こることを抑制しつつ、第２の電極１２２は、隔壁１５０を介して導通し電流経路が確保されるため、第２の電極１２２の抵抗に起因した電位降下を抑制できる。
【００４９】
なお、隔壁１５０の形状はＥＬ層（少なくとも導電性の高い層）を分断することができる形状であれば良い。
【００５０】
図１（Ｄ）に、本発明の一態様に適用することができる隔壁の断面形状の他の例を示す。図１（Ｄ）に示すＴ字形状の隔壁１５０は、脚部１５０ａと台部１５０ｂとからなる。
【００５１】
脚部１５０ａと台部１５０ｂからなる隔壁１５０の形成方法としては、例えば、まず、有機絶縁材料からなる膜を形成し、その上に無機絶縁材料からなる膜を形成する。その後、所望の領域にパターニングを行い、無機絶縁材料からなる膜を加工したのち、該無機絶縁材料からなる膜をマスク（所謂ハードマスク）として、有機絶縁材料からなる膜の加工を行う。有機絶縁材料からなる膜の加工は、ウェットエッチング、ドライエッチングなどを用いることで形成することができる。なお、有機絶縁材料からなる膜により形成した部分は、脚部１５０ａとなり、無機絶縁材料からなる膜により形成した部分は、台部１５０ｂとなる。
【００５２】
脚部１５０ａに使用できる材料としては、例えば、ネガ型やポジ型の感光性を有する樹脂材料、非感光性の樹脂材料などを用いることができる。また、台部１５０ｂに遮光性の材料を用いた場合には、台部１５０ｂを遮光膜として用いて、脚部１５０ａを露光などにより形成してもよい。
【００５３】
台部１５０ｂに使用できる材料としては、たとえば、酸化シリコン、窒化シリコンなどの無機絶縁材料、または、チタン、アルミニウムなどの導電性の金属材料などを用いることができる。
【００５４】
なお、脚部１５０ａに無機絶縁材料、かつ台部１５０ｂに感光性の有機材料を用いて作製しても良い。また、脚部１５０ａ及び台部１５０ｂにエッチング速度の異なる無機材料を組み合わせて用いても良い。また、脚部１５０ａ及び台部１５０ｂにそれぞれ反対の感光性を有する有機樹脂膜を用いても良い。また、図１（Ｄ）では隔壁１５０が２層構造である場合を示したが、単層でも良いし、３層以上の多層構造であっても良い。
【００５５】
また、隔壁１５０が遮光性の材料で設けられると、発光素子からの発光が、隣接する発光ユニットへ漏れることを特に抑制することができ、好ましい。
【００５６】
＜隣接し異なる色を呈する発光ユニット間について＞
以下では、赤色の発光ユニット１６０Ｒ及び緑色の発光ユニット１６０Ｇの間の隔壁１５０を例に用いて、説明する。また、図３に、赤色の発光ユニット１６０Ｒの発光素子が発光状態、かつ緑色の発光ユニット１６０Ｇの発光素子が非発光状態であるときのＥＬ層の電流経路を矢印で示す。
【００５７】
図１（Ａ）（Ｂ）に示す発光装置は、赤色の発光ユニット１６０Ｒ及び緑色の発光ユニット１６０Ｇの間に隔壁１５０を有する。該隔壁１５０の上面形状における長辺の長さは、赤色の発光ユニット１６０Ｒにおける、緑色の発光ユニット１６０Ｇに対向する辺の長さと概略等しい（又は、緑色の発光ユニット１６０Ｇにおける、赤色の発光ユニット１６０Ｒに対向する辺の長さと概略等しい）。
【００５８】
図１（Ｃ）に示すように、隔壁１５０が設けられていない領域では、ＥＬ層は分断されていないが、図１（Ｂ）に示すように、隔壁１５０が設けられている領域では、ＥＬ層が分断されている。
【００５９】
このような構成を適用することで、隔壁１５０を設けない構成（図３（Ａ））に比べて、赤色の発光ユニット１６０ＲのＥＬ層から隣接する緑色の発光ユニット１６０ＧのＥＬ層までの電流経路の最短距離を長くすることができる（図３（Ｂ））。よって、発光状態の赤色の発光ユニット１６０Ｒの発光素子から、非発光状態の緑色の発光ユニット１６０Ｇの発光素子へ電流が回り込むことを抑制することができ、非発光状態の発光ユニットが意図せず発光することを抑制することができる。
【００６０】
隔壁１５０の上面形状は、上記に限られない。図２（Ａ）乃至（Ｄ）に、本発明の一態様の発光装置における、逆テーパー形状の隔壁１５０と発光ユニットの位置関係の他の例を示す。
【００６１】
図２（Ａ）に示す発光装置は、赤色の発光ユニット１６０Ｒ及び緑色の発光ユニット１６０Ｇの間に隔壁１５０を有する。該隔壁１５０の上面形状における長辺の長さは、赤色の発光ユニット１６０Ｒにおける、緑色の発光ユニット１６０Ｇに対向する辺の長さの５０％である（又は、緑色の発光ユニット１６０Ｇにおける、赤色の発光ユニット１６０Ｒに対向する辺の長さの５０％である）。
【００６２】
このような構成を適用することで、隔壁１５０を設けない構成（図３（Ａ））に比べて、赤色の発光ユニット１６０ＲのＥＬ層から隣接する緑色の発光ユニット１６０ＧのＥＬ層までの最短距離の電流経路の幅Ｌを狭くすることができる（図３（Ｃ））。よって、発光状態の赤色の発光ユニット１６０Ｒの発光素子から、非発光状態の緑色の発光ユニット１６０Ｇの発光素子へ、導電性の高い層を通って電流が回り込むことを抑制することができ、非発光状態の発光ユニットが意図せず発光することを抑制することができる。
【００６３】
図２（Ｂ）に示すように、該隔壁１５０の上面形状における長辺の長さは、赤色の発光ユニット１６０Ｒにおける、緑色の発光ユニット１６０Ｇに対向する辺の長さの９０％以上である（又は、緑色の発光ユニット１６０Ｇにおける、赤色の発光ユニット１６０Ｒに対向する辺の長さの９０％以上である）ことが好ましい。隔壁１５０の上面形状における長辺が長いことで、赤色の発光ユニット１６０ＲのＥＬ層から隣接する緑色の発光ユニット１６０ＧのＥＬ層までの最短距離の電流経路の幅を特に狭くすることができるからである。
【００６４】
また、図２（Ｃ）に示すように、隣接し異なる色を呈する発光ユニット間に、複数の隔壁１５０が設けられていても良い。
【００６５】
また、図１及び図２（Ａ）乃至（Ｃ）の構成では、赤色の発光ユニット１６０Ｒの第２の電極と隣接する緑色の発光ユニット１６０Ｇの第２の電極が導通している。このような構成とすることで、第２の電極の抵抗に起因した電位降下による発光不良から、発光装置の輝度ムラが生じることを抑制することができる。
【００６６】
また、図２（Ｄ）は、隔壁１５０を介して、赤色の発光ユニット１６０ＲのＥＬ層と隣接する緑色の発光ユニット１６０ＧのＥＬ層とが分断されており、赤色の発光ユニット１６０ＲのＥＬ層から隣接する緑色の発光ユニット１６０ＧのＥＬ層までの電流経路が存在しない構成である（図３（Ｄ））。よって、発光状態の赤色の発光ユニット１６０Ｒの発光素子から、非発光状態の緑色の発光ユニット１６０Ｇの発光素子へ電流が回り込むことを特に抑制することができるため、さらに好ましい構成と言える。
【００６７】
＜一方向に連続して設けられた同じ色を呈する発光ユニット間について＞
図１（Ａ）（Ｂ）に示す発光装置では、赤色の発光ユニット１６０Ｒ及び赤色の発光ユニット１６１Ｒの間、緑色の発光ユニット１６０Ｇ及び緑色の発光ユニット１６１Ｇの間、青色の発光ユニット１６０Ｂ及び青色の発光ユニット１６１Ｂの間など、一方向に連続して設けられた同じ色を呈する発光ユニット間には、絶縁層１２４のみが形成され、絶縁層１２４上に逆テーパー形状の隔壁１５０が設けられていない。
【００６８】
よって、第２の電極の抵抗に起因した電位降下による発光不良から、発光装置の輝度ムラが生じることを抑制することができる。
【００６９】
以上のように、本発明の一態様の発光装置は、第１の電極と発光層との間に導電性の高い層を設けると共に、隣接し異なる色を呈する発光ユニット間にのみ逆テーパー形状の隔壁を設ける構成である。該構成を適用することで、消費電力が低く、かつ鮮やかな色の発光ができ、輝度ムラの少ない高品質な発光装置を提供することができる。
【００７０】
本実施の形態は、他の実施の形態と適宜組み合わせることができる。
【００７１】
（実施の形態２）
本実施の形態では、本発明の一態様の発光装置について、図４を用いて説明する。本実施の形態では、実施の形態１で説明した発光ユニットを含む発光部の外側に、共通配線を有する本発明の一態様の発光装置について詳述する。
【００７２】
本発明の一態様の発光装置において、一方向に連続して設けられた同じ色を呈する発光ユニットは、同一の層からなる第２の電極を有する。共通配線は、該第２の電極と電気的に接続し、該第２の電極に共通電位を与える。該構成を適用することで、第２の電極の電位降下を抑制し、輝度ムラの少ない高品質な発光装置を提供することができる。
【００７３】
図４（Ａ）乃至（Ｃ）に、本発明の一態様の発光装置における、逆テーパー形状の隔壁１５０、第２の電極１２２及び共通配線１７０の位置関係の一例について示す。なお、図４（Ａ）乃至（Ｃ）では、隔壁１５０上に設けられた導電膜（第２の電極１２２を形成する際に設けられた膜）を省略して示している。
【００７４】
図４（Ａ）乃至（Ｃ）に示すように、共通配線１７０は発光部８０２の外側に設けられている。なお、発光素子のＥＬ層は、少なくとも発光部８０２に形成されているものとする。
【００７５】
また、図４（Ａ）（Ｂ）に示すように、上面形状において、共通配線１７０は、その長軸が、隔壁１５０の長軸と概略垂直となるように設けられていれば良い。
【００７６】
特に、図４（Ｂ）に示すように、上面形状において、一対の共通配線１７０を、その長軸が隔壁の長軸と概略垂直になるように設けると、一方向に連続して設けられた同じ色を呈する発光ユニットについて、第２の電極の電位の面内分布を改善することができる。よって、発光装置の輝度ムラを抑制することができ、好ましい。
【００７７】
また、図４（Ａ）（Ｂ）のように、隣接し異なる色を呈する発光ユニット間に隔壁１５０を有し、かつこれらの発光ユニット間で第２の電極が導通しない構成である場合でも、共通配線１７０を備えることで、隣接し異なる色を呈する発光ユニット間の第２の電極に共通電位を印加することができる。
【００７８】
または、図４（Ｃ）に示すように、発光部８０２を取り囲むように共通配線１７０を設けても良い。このような構成とすることで、発光装置の作製工程中や、発光装置を使用する際に発生する静電気等による高電圧が発光部を構成する発光素子やトランジスタ等の素子への静電破壊（ＥＳＤ；Ｅｌｅｃｔｒｏ  Ｓｔａｔｉｃ  Ｄｉｓｃｈａｒｇｅ）を引き起こすことを抑制することができる。
【００７９】
また、図４（Ｃ）に示すように、隣接し異なる色を呈する発光ユニット間に隔壁１５０を有し、かつこれらの発光ユニット間で第２の電極が導通する構成である場合は、発光部８０２を取り囲むように、共通配線１７０と第２の電極１２２とが電気的に接続する構成とすることで、発光部８０２全体において、第２の電極の電位の面内分布を改善することができる。よって、発光装置の輝度ムラを抑制することができ、好ましい。
【００８０】
共通配線１７０は、発光ユニットを構成する配線や電極等と同一の層を含んで構成することで、工程を増やすことなく、共通配線を設けることができる。例えば、発光素子の第１の電極と同一の層で構成することができる。また、発光ユニットがトランジスタを含む場合は、該トランジスタの電極等と同一の層で構成することができる。
【００８１】
以上のように、本発明の一態様の発光装置は、第２の電極と電気的に接続する共通配線を設ける構成である。該構成を適用することで、第２の電極の電位降下を抑制し、輝度ムラの少ない高品質な発光装置を提供することができる。
【００８２】
本実施の形態は、他の実施の形態と適宜組み合わせることができる。
【００８３】
（実施の形態３）
本発明の一態様の発光装置について、図５、９を用いて説明する。図９は、発光装置を示す平面図であり、図５（Ａ）（Ｂ）は、それぞれ、図９を鎖線Ｅ−Ｆで切断した断面図である。なお、図９では、絶縁層１０４等、一部の構成を省略して示している。また、図５（Ａ）（Ｂ）では、隔壁の構成以外は同一である。
【００８４】
本実施の形態の発光装置は、発光部に複数の発光ユニットを有する。各発光ユニットは、第１の電極及び第２の電極の間にＥＬ層を有する発光素子を備える。該第１の電極は、発光素子ごとに分断されている。該ＥＬ層が、発光物質を含む層と、該第１の電極及び該発光物質を含む層の間に設けられた導電性の高い層とを含むことから、発光素子の駆動電圧が低く、消費電力の低い発光装置を実現することができる。
【００８５】
また、本実施の形態の発光装置は、隣接し異なる色を呈する発光ユニット間にのみ逆テーパー形状の隔壁を有する。よって、ＥＬ層が導電性の高い層を含む構成であっても、隣接し異なる色を呈する発光ユニット間において、発光状態の一方の発光素子から、非発光状態の他方の発光素子へ電流が回り込むことを抑制することができる。よって、非発光状態の発光ユニットが意図せず発光することを抑制することができ、鮮やかな色の発光ができる発光装置を実現することができる。
【００８６】
かつ、隣接し同じ色を呈する発光ユニット間では、該逆テーパー形状の隔壁が設けられていない。さらに、第２の電極と電気的に接続する共通配線を有する。よって、第２の電極の抵抗が高くなることを抑制することができる。したがって、第２の電極の電位降下を抑制し、輝度ムラの少ない高品質な発光装置を実現することができる。
【００８７】
本実施の形態に係るアクティブマトリクス型の発光装置は、基板８０１上に、発光部８０２、駆動回路部８０３（ゲート側駆動回路部）、駆動回路部８０４（ソース側駆動回路部）、コンタクト部８０７及び固定部８０５を有する。発光部８０２、駆動回路部８０３、８０４及びコンタクト部８０７は、基板８０１、８０６及び固定部８０５で形成された空間に封止されている。
【００８８】
なお、本実施の形態の発光装置における、発光部８０２及びコンタクト部８０７は、図４（Ｃ）に示す構成からなるものとする。
【００８９】
基板８０１上には、駆動回路部８０３、８０４に外部からの信号（ビデオ信号、クロック信号、スタート信号、またはリセット信号等）や電位を伝達する外部入力端子を接続するための引き回し配線が設けられる。ここでは、外部入力端子としてＦＰＣ８０８（Ｆｌｅｘｉｂｌｅ  Ｐｒｉｎｔｅｄ  Ｃｉｒｃｕｉｔ）を設ける例を示している。なお、ＦＰＣ８０８にはプリント配線基板（ＰＷＢ）が取り付けられていてもよい。本明細書における発光装置は、発光装置本体だけでなく、発光装置本体にＦＰＣまたはＰＷＢが取り付けられた状態のものも範疇に含むものとする。
【００９０】
駆動回路部８０３、８０４は、トランジスタを複数有する。図５では、駆動回路部８０３が、ｎチャネル型のトランジスタ１５２及びｐチャネル型のトランジスタ１５３を組み合わせたＣＭＯＳ回路を有する例を示している。駆動回路部の回路は、種々のＣＭＯＳ回路、ＰＭＯＳ回路又はＮＭＯＳ回路で形成することができる。また、本実施の形態では、発光部が形成された基板上に駆動回路が形成されたドライバー一体型を示すが、本発明はこの構成に限定されるものではなく、発光部が形成された基板とは別の基板に駆動回路を形成することもできる。
【００９１】
発光部８０２は、スイッチング用のトランジスタと、電流制御用のトランジスタ１４０と、電流制御用のトランジスタ１４０の配線（ソース電極またはドレイン電極）に電気的に接続された第１の電極１１８とを含む複数の発光ユニットにより形成されている。また、第１の電極１１８の端部を覆って絶縁層１２４が形成されている。また、実施の形態１に示した隔壁１５０を絶縁層１２４上に有する。
【００９２】
発光素子１３０は、第１の電極１１８、有機化合物を含む層（ＥＬ層）１２０、及び第２の電極１２２によって構成されている。
【００９３】
コンタクト部８０７では、第２の電極１２２と、共通配線１７０とが電気的に接続されている。本実施の形態では、共通配線１７０を、第１の電極１１８と同一工程で作製する例（第１の電極１１８と同一の材料で形成する例）を示したが、共通配線１７０の材料はこれに限定されない。例えば、トランジスタ１４０、１５２、１５３に含まれる導電層と同一の材料で形成しても良い。
【００９４】
≪材料≫
以下に本発明の一態様の発光装置に用いることができる材料の一例を記す。
【００９５】
［基板８０１、８０６］
基板としては、ガラス、石英、有機樹脂などの材料を用いることができる。発光素子１３０からの光を取り出す側の基板は、該光に対する透光性を有する材料を用いる。
【００９６】
基板として有機樹脂を用いる場合、有機樹脂としては、例えば、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）等のポリエステル樹脂、ポリアクリルニトリル樹脂、ポリイミド樹脂、ポリメチルメタクリレート樹脂、ポリカーボネート（ＰＣ）樹脂、ポリエーテルスルフォン（ＰＥＳ）樹脂、ポリアミド樹脂、シクロオレフィン樹脂、ポリスチレン樹脂、ポリアミドイミド樹脂、又はポリ塩化ビニル樹脂などを用いることができる。また、ガラス繊維に有機樹脂を含浸した基板や、無機フィラーを有機樹脂に混ぜた基板を使用することもできる。
【００９７】
なお、基板８０１に含まれる不純物が基板８０１上に設けられる各素子に拡散することを抑制するため、基板８０１の表面には絶縁層１０４が設けられている。
【００９８】
［トランジスタ］
本発明の一態様の発光装置に用いるトランジスタ（トランジスタ１４０、１５２、１５３等）の構造は特に限定されない。トップゲート型のトランジスタを用いても良いし、逆スタガ型などのボトムゲート型のトランジスタを用いても良い。また、トランジスタに用いる材料についても特に限定されない。
【００９９】
ゲート電極１０６は、例えば、モリブデン、チタン、クロム、タンタル、タングステン、アルミニウム、銅、ネオジム、スカンジウム等の金属材料又はこれらの元素を含む合金材料を用いて、単層で又は積層して形成することができる。
【０１００】
ゲート絶縁層１０８は、例えば、プラズマＣＶＤ法やスパッタリング法等を用いて、酸化シリコン、窒化シリコン、酸化窒化シリコン、窒化酸化シリコン又は酸化アルミニウムを単層で又は積層して形成することができる。
【０１０１】
半導体層１１０は、シリコンや酸化物半導体を用いて形成することができる。シリコンとしては、単結晶シリコンや多結晶シリコンなどがあり、酸化物半導体としては、Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ系金属酸化物などを、適宜用いることができる。ただし、半導体層１１０としては、Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ系金属酸化物である酸化物半導体を用いて、オフ電流の低い半導体層とすることで、後に形成される発光素子１３０のオフ時のリーク電流が抑制できるため、好ましい。
【０１０２】
ソース電極層１１２ａ及びドレイン電極層１１２ｂとしては、例えば、Ａｌ、Ｃｒ、Ｃｕ、Ｔａ、Ｔｉ、Ｍｏ、Ｗから選ばれた元素を含む金属膜、又は該元素を含む金属窒化物膜（窒化チタン膜、窒化モリブデン膜、窒化タングステン膜）等を用いることができる。また、Ａｌ、Ｃｕなどの金属膜の下側又は上側の一方又は双方にＴｉ、Ｍｏ、Ｗなどの高融点金属膜又はそれらの金属窒化物膜（窒化チタン膜、窒化モリブデン膜、窒化タングステン膜）を積層させた構成としても良い。また、ソース電極層１１２ａ及びドレイン電極層１１２ｂは、導電性の金属酸化物で形成しても良い。導電性の金属酸化物としては酸化インジウム（Ｉｎ２Ｏ３等）、酸化スズ（ＳｎＯ２等）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、ＩＴＯ、酸化インジウム酸化亜鉛（Ｉｎ２Ｏ３−ＺｎＯ等）又はこれらの金属酸化物材料に酸化シリコンを含ませたものを用いることができる。
【０１０３】
第１の絶縁層１１４は、トランジスタを構成する半導体への不純物の拡散を抑制する効果を奏する。第１の絶縁層１１４としては、酸化シリコン膜、酸化窒化シリコン膜、酸化アルミニウム膜などの無機絶縁膜を用いることができる。
【０１０４】
第２の絶縁層１１６としては、トランジスタ起因の表面凹凸を低減するために平坦化機能を有する絶縁膜を選択するのが好適である。例えば、ポリイミド、アクリル、ベンゾシクロブテン等の有機材料を用いることができる。また、上記有機材料の他に、低誘電率材料（ｌｏｗ−ｋ材料）等を用いることができる。なお、これらの材料で形成される絶縁膜を複数積層させることで、第２の絶縁層１１６を形成してもよい。
【０１０５】
［絶縁層１２４］
絶縁層１２４は、第１の電極１１８の端部を覆って設けられている。絶縁層１２４の上層に形成される第２の電極１２２の被覆性を良好なものとするため、絶縁層１２４の上端部又は下端部に曲率を有する曲面が形成されるようにするのが好ましい。例えば、絶縁層１２４の上端部又は下端部に曲率半径（０．２μｍ〜３μｍ）を有する曲面を持たせるのが好ましい。また、絶縁層１２４の材料としては、ネガ型の感光性樹脂、あるいはポジ型の感光性樹脂などの有機化合物や、酸化シリコン、酸窒化シリコン等の無機化合物を用いることができる。また、絶縁層１２４を遮光性の材料で設けると、発光素子からの発光が、隣接する発光ユニットへ漏れることを抑制することができ、好ましい。
【０１０６】
［発光素子］
第１の電極１１８は、光を取り出す側と反対側に設けられ、反射性を有する材料を用いて形成される。反射性を有する材料としては、アルミニウム、金、白金、銀、ニッケル、タングステン、クロム、モリブデン、鉄、コバルト、銅、又はパラジウム等の金属材料を用いることができる。そのほか、アルミニウムとチタンの合金、アルミニウムとニッケルの合金、アルミニウムとネオジムの合金などのアルミニウムを含む合金（アルミニウム合金）や銀と銅の合金などの銀を含む合金を用いることもできる。銀と銅の合金は、耐熱性が高いため好ましい。
【０１０７】
ＥＬ層１２０は、発光物質を含む層（発光層）と、第１の電極及び発光層の間に設けられた導電性の高い層と、を少なくとも有する。そのほか、電子輸送性の高い物質を含む層、正孔輸送性の高い物質を含む層、電子注入性の高い物質を含む層、正孔注入性の高い物質を含む層、バイポーラ性の物質（電子輸送性及び正孔輸送性が高い物質）を含む層等を適宜組み合わせた積層構造を構成することができる。ＥＬ層の構成例は実施の形態４で詳細に説明する。
【０１０８】
第２の電極１２２に用いることができる透光性を有する材料としては、酸化インジウム、インジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）、インジウム亜鉛酸化物、酸化亜鉛、ガリウムを添加した酸化亜鉛などを用いることができる。
【０１０９】
また、第２の電極１２２として、金、白金、ニッケル、タングステン、クロム、モリブデン、鉄、コバルト、銅、パラジウム、又はチタン等の金属材料を用いることができる。又は、それら金属材料の窒化物（例えば、窒化チタン）等を用いてもよい。又は、グラフェン等を用いても良い。なお、金属材料（又はその窒化物）を用いる場合、透光性を有する程度に薄くすればよい。
【０１１０】
なお、本実施の形態においては、トップエミッション構造の発光装置について例示したが、ボトムエミッション構造（下面射出構造）又はデュアルエミッション構造（両面射出構造）の発光装置としても良い。
【０１１１】
［カラーフィルタ・ブラックマトリクス］
基板８０６には、発光素子１３０と重なる位置にカラーフィルタ１６６が設けられている。カラーフィルタ１６６は、発光素子１３０からの発光色を調色する目的で設けられる。例えば、白色発光の発光素子を用いてフルカラーの表示装置とする場合には、異なる色のカラーフィルタを設けた複数の発光ユニットを用いる。その場合、赤色（Ｒ）、緑色（Ｇ）、青色（Ｂ）の３色を用いても良いし、これに黄色（Ｙ）を加えた４色とすることもできる。
【０１１２】
また、隣接するカラーフィルタ１６６の間にはブラックマトリクス１６４が設けられている。ブラックマトリクス１６４は隣接する発光ユニットの発光素子１３０からの光を遮光し、隣接する発光ユニット間における混色を抑制する。ここで、カラーフィルタ１６６の端部を、ブラックマトリクス１６４と重なるように設けることにより、光漏れを抑制することができる。ブラックマトリクス１６４は、発光素子１３０からの発光を遮光する材料を用いることができ、金属や、有機樹脂などの材料を用いて形成することができる。なお、ブラックマトリクス１６４は、駆動回路部８０３などの発光部８０２以外の領域に設けても良い。
【０１１３】
また、カラーフィルタ１６６及びブラックマトリクス１６４を覆うオーバーコート１６８が形成されている。オーバーコート１６８は、発光素子１３０からの発光を透過する材料から構成され、例えば無機絶縁膜や有機絶縁膜を用いることができる。なお、オーバーコート１６８は不要なら設けなくても良い。
【０１１４】
［固定部８０５］
基板８０１、８０６は固定部８０５においてシール材等によって接着されている。シール材としては、熱硬化樹脂、又は光硬化樹脂などの有機樹脂や、低融点ガラスを含むガラスフリットなどを用いることができる。また、シール材に乾燥剤が含まれていても良い。例えば、アルカリ土類金属の酸化物（酸化カルシウムや酸化バリウム等）のように、化学吸着によって水分を吸収する物質を用いることができる。その他の乾燥剤として、ゼオライトやシリカゲル等のように、物理吸着によって水分を吸着する物質を用いてもよい。乾燥剤が含まれていると、封止領域内の水分などの不純物を低減し、発光素子１３０の信頼性が向上するため好ましい。
【０１１５】
また、発光素子１３０は、基板８０１、８０６及びシール材で囲まれた封止領域１６９内に設けられている。当該封止領域１６９は、希ガス又は窒素ガスなどの不活性ガス、又は有機樹脂などの固体で充填されていてもよく、減圧雰囲気となっていてもよい。封止領域１６９をガスや固体で充填する場合や、減圧雰囲気とする場合でも、封止領域内を水や酸素などの不純物が低減されている状態とすると発光素子の信頼性が向上するため好ましい。
【０１１６】
また、隔壁にスペーサとしての機能をもたせることができる。例えば、図５（Ｂ）に示すように、オーバーコート１６８やブラックマトリクス１６４等を介して、基板８０６と隔壁１５１とが接する構成を適用することができる。
【０１１７】
なお、本実施の形態では、カラーフィルタ方式を用いた発光装置を例に説明したが、本発明の構成はこれに限られない。例えば、塗り分け方式や、色変換方式を適用しても良い。
【０１１８】
本実施の形態は、他の実施の形態と適宜組み合わせることができる。
【０１１９】
（実施の形態４）
本実施の形態では、本発明の一態様の発光装置に適用することができるＥＬ層の構成例について、図６を用いて説明する。
【０１２０】
本発明の一態様では、ＥＬ層が、発光物質を含む層（発光層）と、導電性の高い層とを含む。よって、本発明の一態様では、駆動電圧の低い発光素子、又は消費電力の低い発光装置を実現することができる。
【０１２１】
ＥＬ層には公知の物質を用いることができ、低分子系化合物及び高分子系化合物のいずれを用いることもできる。なお、ＥＬ層を形成する物質には、有機化合物のみから成るものだけでなく、無機化合物を一部に含む構成も含めるものとする。
【０１２２】
図６（Ａ）では、第１の電極１１８及び第２の電極１２２の間にＥＬ層１２０を有する。そして、ＥＬ層１２０が、発光層７０３と、第１の電極１１８及び発光層７０３の間に設けられた導電性の高い層とを含む。
【０１２３】
図６（Ａ）に示すＥＬ層１２０は、第１の電極１１８側から、正孔注入層７０１、正孔輸送層７０２、発光層７０３、電子輸送層７０４、及び電子注入層７０５の順で積層されている。
【０１２４】
例えば、正孔注入層７０１に、ポリ（３，４−エチレンジオキシチオフェン）／ポリ（スチレンスルホン酸）（ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ）等の導電性高分子を用いることで、正孔注入層７０１を導電性の高い層とすることができる。
【０１２５】
ＥＬ層は、図６（Ｂ）に示すように、第１の電極１１８と第２の電極１２２との間に複数積層されていても良い。この場合、積層された第１のＥＬ層１２０ａと第２のＥＬ層１２０ｂとの間には、電荷発生層７０９を設けることが好ましい。このような構成を有する発光素子は、エネルギーの移動や消光などの問題が起こり難く、材料の選択の幅が広がることで高い発光効率と長い寿命とを併せ持つ発光素子とすることが容易である。また、一方のＥＬ層で燐光発光、他方で蛍光発光を得ることも容易である。この構造は上述のＥＬ層の構造と組み合わせて用いることができる。
【０１２６】
また、それぞれのＥＬ層の発光色を異なるものにすることで、発光素子全体として、所望の色の発光を得ることができる。例えば、２つのＥＬ層を有する発光素子において、第１のＥＬ層の発光色と第２のＥＬ層の発光色を補色の関係になるようにすることで、発光素子全体として白色発光する発光素子を得ることも可能である。なお、補色とは、混合すると無彩色になる色同士の関係をいう。つまり、補色の関係にある色を発光する物質から得られた光を混合すると、白色発光を得ることができる。また、３つ以上のＥＬ層を有する発光素子の場合でも同様である。
【０１２７】
ＥＬ層１２０は、図６（Ｃ）に示すように、第１の電極１１８と第２の電極１２２との間に、正孔注入層７０１、正孔輸送層７０２、発光層７０３、電子輸送層７０４、電子注入バッファー層７０６、電子リレー層７０７、及び第２の電極１２２と接する複合材料層７０８を有していても良い。
【０１２８】
第２の電極１２２と接する複合材料層７０８を設けることで、特にスパッタリング法を用いて第２の電極１２２を形成する際に、ＥＬ層１２０が受けるダメージを低減することができるため、好ましい。
【０１２９】
電子注入バッファー層７０６を設けることで、複合材料層７０８と電子輸送層７０４との間の注入障壁を緩和することができるため、複合材料層７０８で生じた電子を電子輸送層７０４に容易に注入することができる。
【０１３０】
電子注入バッファー層７０６と複合材料層７０８との間に、電子リレー層７０７を形成することが好ましい。電子リレー層７０７は、必ずしも設ける必要は無いが、電子輸送性の高い電子リレー層７０７を設けることで、電子注入バッファー層７０６へ電子を速やかに送ることが可能となる。
【０１３１】
複合材料層７０８と電子注入バッファー層７０６との間に電子リレー層７０７が挟まれた構造は、複合材料層７０８に含まれるアクセプター性物質と、電子注入バッファー層７０６に含まれるドナー性物質とが相互作用を受けにくく、互いの機能を阻害しにくい構造である。したがって、駆動電圧の上昇を抑制することができる。
【０１３２】
例えば、電子注入バッファー層７０６に、ドナー性物質及びアクセプター性物質を含む層（具体的には、有機化合物に、アルカリ金属、アルカリ土類金属、希土類金属、アルカリ金属化合物、アルカリ土類金属化合物、又は希土類金属化合物を添加した層）を用いることで、電子注入バッファー層７０６を導電性の高い層とすることができる。
【０１３３】
以下に、それぞれの層に用いることができる材料を例示する。
【０１３４】
正孔注入層７０１は、正孔注入性の高い物質を含む層である。正孔注入性の高い物質としては、例えば、モリブデン酸化物、チタン酸化物、バナジウム酸化物、レニウム酸化物、ルテニウム酸化物、クロム酸化物、ジルコニウム酸化物、ハフニウム酸化物、タンタル酸化物、銀酸化物、タングステン酸化物、マンガン酸化物等の金属酸化物を用いることができる。また、フタロシアニン（略称：Ｈ２Ｐｃ）、銅（ＩＩ）フタロシアニン（略称：ＣｕＰｃ）等のフタロシアニン系の化合物を用いることができる。
【０１３５】
また、低分子の有機化合物である４，４’，４’’−トリス（Ｎ，Ｎ−ジフェニルアミノ）トリフェニルアミン（略称：ＴＤＡＴＡ）、４，４’，４’’−トリス［Ｎ−（３−メチルフェニル）−Ｎ−フェニルアミノ］トリフェニルアミン（略称：ＭＴＤＡＴＡ）、４，４’−ビス［Ｎ−（４−ジフェニルアミノフェニル）−Ｎ−フェニルアミノ］ビフェニル（略称：ＤＰＡＢ）、４，４’−ビス（Ｎ−｛４−［Ｎ’−（３−メチルフェニル）−Ｎ’−フェニルアミノ］フェニル｝−Ｎ−フェニルアミノ）ビフェニル（略称：ＤＮＴＰＤ）、１，３，５−トリス［Ｎ−（４−ジフェニルアミノフェニル）−Ｎ−フェニルアミノ］ベンゼン（略称：ＤＰＡ３Ｂ）、３−［Ｎ−（９−フェニルカルバゾール−３−イル）−Ｎ−フェニルアミノ］−９−フェニルカルバゾール（略称：ＰＣｚＰＣＡ１）、３，６−ビス［Ｎ−（９−フェニルカルバゾール−３−イル）−Ｎ−フェニルアミノ］−９−フェニルカルバゾール（略称：ＰＣｚＰＣＡ２）、３−［Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−（９−フェニルカルバゾール−３−イル）アミノ］−９−フェニルカルバゾール（略称：ＰＣｚＰＣＮ１）等の芳香族アミン化合物等を用いることができる。
【０１３６】
さらに、高分子化合物（オリゴマー、デンドリマー、ポリマー等）を用いることもできる。例えば、ポリ（Ｎ−ビニルカルバゾール）（略称：ＰＶＫ）、ポリ（４−ビニルトリフェニルアミン）（略称：ＰＶＴＰＡ）、ポリ［Ｎ−（４−｛Ｎ’−［４−（４−ジフェニルアミノ）フェニル］フェニル−Ｎ’−フェニルアミノ｝フェニル）メタクリルアミド］（略称：ＰＴＰＤＭＡ）、ポリ［Ｎ，Ｎ’−ビス（４−ブチルフェニル）−Ｎ，Ｎ’−ビス（フェニル）ベンジジン］（略称：Ｐｏｌｙ−ＴＰＤ）などの高分子化合物が挙げられる。また、ポリ（３，４−エチレンジオキシチオフェン）／ポリ（スチレンスルホン酸）（ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ）、ポリアニリン／ポリ（スチレンスルホン酸）（ＰＡｎｉ／ＰＳＳ）等の酸を添加した高分子化合物を用いることができる。
【０１３７】
特に、正孔注入層７０１として、正孔輸送性の高い有機化合物にアクセプター性物質を含有させた複合材料を用いることが好ましい。正孔輸送性の高い物質にアクセプター性物質を含有させた複合材料を用いることにより、第１の電極１１８からの正孔注入性を良好にし、発光素子の駆動電圧を低減することができる。これらの複合材料は、正孔輸送性の高い物質とアクセプター物質とを共蒸着することにより形成することができる。該複合材料を用いて正孔注入層７０１を形成することにより、第１の電極１１８からＥＬ層１２０への正孔注入が容易となる。
【０１３８】
複合材料に用いる有機化合物としては、芳香族アミン化合物、カルバゾール誘導体、芳香族炭化水素、高分子化合物（オリゴマー、デンドリマー、ポリマー等）など、種々の化合物を用いることができる。なお、複合材料に用いる有機化合物としては、正孔輸送性の高い有機化合物であることが好ましい。具体的には、１０−６ｃｍ２／Ｖｓ以上の正孔移動度を有する物質であることが好ましい。但し、電子よりも正孔の輸送性の高い物質であれば、これら以外のものを用いてもよい。以下では、複合材料に用いることのできる有機化合物を具体的に列挙する。
【０１３９】
複合材料に用いることのできる有機化合物としては、例えば、ＴＤＡＴＡ、ＭＴＤＡＴＡ、ＤＰＡＢ、ＤＮＴＰＤ、ＤＰＡ３Ｂ、ＰＣｚＰＣＡ１、ＰＣｚＰＣＡ２、ＰＣｚＰＣＮ１、４，４’−ビス［Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−フェニルアミノ］ビフェニル（略称：ＮＰＢ又はα−ＮＰＤ）、Ｎ，Ｎ’−ビス（３−メチルフェニル）−Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−［１，１’−ビフェニル］−４，４’−ジアミン（略称：ＴＰＤ）、４−フェニル−４’−（９−フェニルフルオレン−９−イル）トリフェニルアミン（略称：ＢＰＡＦＬＰ）等の芳香族アミン化合物や、４，４’−ジ（Ｎ−カルバゾリル）ビフェニル（略称：ＣＢＰ）、１，３，５−トリス［４−（Ｎ−カルバゾリル）フェニル］ベンゼン（略称：ＴＣＰＢ）、９−［４−（１０−フェニル−９−アントリル）フェニル］−９Ｈ−カルバゾール（略称：ＣｚＰＡ）、９−フェニル−３−［４−（１０−フェニル−９−アントリル）フェニル］−９Ｈ−カルバゾール（略称：ＰＣｚＰＡ）、１，４−ビス［４−（Ｎ−カルバゾリル）フェニル］−２，３，５，６−テトラフェニルベンゼン等のカルバゾール誘導体を用いることができる。
【０１４０】
また、２−ｔｅｒｔ−ブチル−９，１０−ジ（２−ナフチル）アントラセン（略称：ｔ−ＢｕＤＮＡ）、２−ｔｅｒｔ−ブチル−９，１０−ジ（１−ナフチル）アントラセン、９，１０−ビス（３，５−ジフェニルフェニル）アントラセン（略称：ＤＰＰＡ）、２−ｔｅｒｔ−ブチル−９，１０−ビス（４−フェニルフェニル）アントラセン（略称：ｔ−ＢｕＤＢＡ）、９，１０−ジ（２−ナフチル）アントラセン（略称：ＤＮＡ）、９，１０−ジフェニルアントラセン（略称：ＤＰＡｎｔｈ）、２−ｔｅｒｔ−ブチルアントラセン（略称：ｔ−ＢｕＡｎｔｈ）、９，１０−ビス（４−メチル−１−ナフチル）アントラセン（略称：ＤＭＮＡ）、９，１０−ビス［２−（１−ナフチル）フェニル］−２−ｔｅｒｔ−ブチルアントラセン、９，１０−ビス［２−（１−ナフチル）フェニル］アントラセン、２，３，６，７−テトラメチル−９，１０−ジ（１−ナフチル）アントラセン等の芳香族炭化水素化合物を用いることができる。
【０１４１】
さらに、２，３，６，７−テトラメチル−９，１０−ジ（２−ナフチル）アントラセン、９，９’−ビアントリル、１０，１０’−ジフェニル−９，９’−ビアントリル、１０，１０’−ビス（２−フェニルフェニル）−９，９’−ビアントリル、１０，１０’−ビス［（２，３，４，５，６−ペンタフェニル）フェニル］−９，９’−ビアントリル、アントラセン、テトラセン、ルブレン、ペリレン、２，５，８，１１−テトラ（ｔｅｒｔ−ブチル）ペリレン、ペンタセン、コロネン、４，４’−ビス（２，２−ジフェニルビニル）ビフェニル（略称：ＤＰＶＢｉ）、９，１０−ビス［４−（２，２−ジフェニルビニル）フェニル］アントラセン（略称：ＤＰＶＰＡ）等の芳香族炭化水素化合物を用いることができる。
【０１４２】
また、電子受容体としては、７，７，８，８−テトラシアノ−２，３，５，６−テトラフルオロキノジメタン（略称：Ｆ４−ＴＣＮＱ）、クロラニル等の有機化合物や、遷移金属酸化物を挙げることができる。また、元素周期表における第４族乃至第８族に属する金属の酸化物を挙げることができる。具体的には、酸化バナジウム、酸化ニオブ、酸化タンタル、酸化クロム、酸化モリブデン、酸化タングステン、酸化マンガン、酸化レニウムは電子受容性が高いため好ましい。中でも特に、酸化モリブデンは大気中でも安定であり、吸湿性が低く、扱いやすいため好ましい。
【０１４３】
なお、上述したＰＶＫ、ＰＶＴＰＡ、ＰＴＰＤＭＡ、Ｐｏｌｙ−ＴＰＤ等の高分子化合物と、上述した電子受容体を用いて複合材料を形成し、正孔注入層７０１に用いてもよい。
【０１４４】
正孔輸送層７０２は、正孔輸送性の高い物質を含む層である。正孔輸送性の高い物質としては、例えば、ＮＰＢ、ＴＰＤ、ＢＰＡＦＬＰ、４，４’−ビス［Ｎ−（９，９−ジメチルフルオレン−２−イル）−Ｎ−フェニルアミノ］ビフェニル（略称：ＤＦＬＤＰＢｉ）、４，４’−ビス［Ｎ−（スピロ−９，９’−ビフルオレン−２−イル）−Ｎ―フェニルアミノ］ビフェニル（略称：ＢＳＰＢ）等の芳香族アミン化合物を用いることができる。ここに述べた物質は、主に１０−６ｃｍ２／Ｖｓ以上の正孔移動度を有する物質である。但し、電子よりも正孔の輸送性の高い物質であれば、これら以外のものを用いてもよい。なお、正孔輸送性の高い物質を含む層は、単層のものだけでなく、上記物質からなる層が二層以上積層したものとしてもよい。
【０１４５】
また、正孔輸送層７０２には、ＣＢＰ、ＣｚＰＡ、ＰＣｚＰＡのようなカルバゾール誘導体や、ｔ−ＢｕＤＮＡ、ＤＮＡ、ＤＰＡｎｔｈのようなアントラセン誘導体を用いても良い。
【０１４６】
また、正孔輸送層７０２には、ＰＶＫ、ＰＶＴＰＡ、ＰＴＰＤＭＡ、Ｐｏｌｙ−ＴＰＤなどの高分子化合物を用いることもできる。
【０１４７】
発光層７０３は、蛍光を発光する蛍光性化合物や燐光を発光する燐光性化合物を用いることができる。
【０１４８】
発光層７０３に用いることができる蛍光性化合物としては、例えば、青色系の発光材料として、Ｎ，Ｎ’−ビス［４−（９Ｈ−カルバゾール−９−イル）フェニル］−Ｎ，Ｎ’−ジフェニルスチルベン−４，４’−ジアミン（略称：ＹＧＡ２Ｓ）、４−（９Ｈ−カルバゾール−９−イル）−４’−（１０−フェニル−９−アントリル）トリフェニルアミン（略称：ＹＧＡＰＡ）、４−（１０−フェニル−９−アントリル）−４’−（９−フェニル−９Ｈ−カルバゾール−３−イル）トリフェニルアミン（略称：ＰＣＢＡＰＡ）などが挙げられる。また、緑色系の発光材料として、Ｎ−（９，１０−ジフェニル−２−アントリル）−Ｎ，９−ジフェニル−９Ｈ−カルバゾール−３−アミン（略称：２ＰＣＡＰＡ）、Ｎ−［９，１０−ビス（１，１’−ビフェニル−２−イル）−２−アントリル］−Ｎ，９−ジフェニル−９Ｈ−カルバゾール−３−アミン（略称：２ＰＣＡＢＰｈＡ）、Ｎ−（９，１０−ジフェニル−２−アントリル）−Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−トリフェニル−１，４−フェニレンジアミン（略称：２ＤＰＡＰＡ）、Ｎ−［９，１０−ビス（１，１’−ビフェニル−２−イル）−２−アントリル］−Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−トリフェニル−１，４−フェニレンジアミン（略称：２ＤＰＡＢＰｈＡ）、Ｎ−［９，１０−ビス（１，１’−ビフェニル−２−イル）］−Ｎ−［４−（９Ｈ−カルバゾール−９−イル）フェニル］−Ｎ−フェニルアントラセン−２−アミン（略称：２ＹＧＡＢＰｈＡ）、Ｎ，Ｎ，９−トリフェニルアントラセン−９−アミン（略称：ＤＰｈＡＰｈＡ）などが挙げられる。また、黄色系の発光材料として、ルブレン、５，１２−ビス（１，１’−ビフェニル−４−イル）−６，１１−ジフェニルテトラセン（略称：ＢＰＴ）などが挙げられる。また、赤色系の発光材料として、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラキス（４−メチルフェニル）テトラセン−５，１１−ジアミン（略称：ｐ−ｍＰｈＴＤ）、７，１４−ジフェニル−Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラキス（４−メチルフェニル）アセナフト［１，２−ａ］フルオランテン−３，１０−ジアミン（略称：ｐ−ｍＰｈＡＦＤ）などが挙げられる。
【０１４９】
また、発光層７０３に用いることができる燐光性化合物としては、例えば、青色系の発光材料として、ビス［２−（４’，６’−ジフルオロフェニル）ピリジナト−Ｎ，Ｃ２’］イリジウム（ＩＩＩ）テトラキス（１−ピラゾリル）ボラート（略称：ＦＩｒ６）、ビス［２−（４’，６’−ジフルオロフェニル）ピリジナト−Ｎ，Ｃ２’］イリジウム（ＩＩＩ）ピコリナート（略称：ＦＩｒｐｉｃ）、ビス｛２−［３’，５’−ビス（トリフルオロメチル）フェニル］ピリジナト−Ｎ，Ｃ２’｝イリジウム（ＩＩＩ）ピコリナート（略称：Ｉｒ（ＣＦ３ｐｐｙ）２（ｐｉｃ））、ビス［２−（４’，６’−ジフルオロフェニル）ピリジナト−Ｎ，Ｃ２’］イリジウム（ＩＩＩ）アセチルアセトナート（略称：ＦＩｒ（ａｃａｃ））などが挙げられる。また、緑色系の発光材料として、トリス（２−フェニルピリジナト−Ｎ，Ｃ２’）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：Ｉｒ（ｐｐｙ）３）、ビス（２−フェニルピリジナト−Ｎ，Ｃ２’）イリジウム（ＩＩＩ）アセチルアセトナート（略称：Ｉｒ（ｐｐｙ）２（ａｃａｃ））、ビス（１，２−ジフェニル−１Ｈ−ベンゾイミダゾラト）イリジウム（ＩＩＩ）アセチルアセトナート（略称：Ｉｒ（ｐｂｉ）２（ａｃａｃ））、ビス（ベンゾ［ｈ］キノリナト）イリジウム（ＩＩＩ）アセチルアセトナート（略称：Ｉｒ（ｂｚｑ）２（ａｃａｃ））、トリス（ベンゾ［ｈ］キノリナト）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：Ｉｒ（ｂｚｑ）３）などが挙げられる。また、黄色系の発光材料として、ビス（２，４−ジフェニル−１，３−オキサゾラト−Ｎ，Ｃ２’）イリジウム（ＩＩＩ）アセチルアセトナート（略称：Ｉｒ（ｄｐｏ）２（ａｃａｃ））、ビス［２−（４’−パーフルオロフェニルフェニル）ピリジナト］イリジウム（ＩＩＩ）アセチルアセトナート（略称：Ｉｒ（ｐ−ＰＦ−ｐｈ）２（ａｃａｃ））、ビス（２−フェニルベンゾチアゾラト−Ｎ，Ｃ２’）イリジウム（ＩＩＩ）アセチルアセトナート（略称：Ｉｒ（ｂｔ）２（ａｃａｃ））、（アセチルアセトナト）ビス［２，３−ビス（４−フルオロフェニル）−５−メチルピラジナト］イリジウム（ＩＩＩ）（略称：Ｉｒ（Ｆｄｐｐｒ−Ｍｅ）２（ａｃａｃ））、（アセチルアセトナト）ビス［２−（４−メトキシフェニル）−３，５−ジメチルピラジナト］イリジウム（ＩＩＩ）（略称：Ｉｒ（ｄｍｍｏｐｐｒ）２（ａｃａｃ））などが挙げられる。また、橙色系の発光材料として、トリス（２−フェニルキノリナト−Ｎ，Ｃ２’）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：Ｉｒ（ｐｑ）３）、ビス（２−フェニルキノリナト−Ｎ，Ｃ２’）イリジウム（ＩＩＩ）アセチルアセトナート（略称：Ｉｒ（ｐｑ）２（ａｃａｃ））、（アセチルアセトナト）ビス（３，５−ジメチル−２−フェニルピラジナト）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：Ｉｒ（ｍｐｐｒ−Ｍｅ）２（ａｃａｃ））、（アセチルアセトナト）ビス（５−イソプロピル−３−メチル−２−フェニルピラジナト）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：Ｉｒ（ｍｐｐｒ−ｉＰｒ）２（ａｃａｃ））などが挙げられる。また、赤色系の発光材料として、ビス［２−（２’−ベンゾ［４，５−α］チエニル）ピリジナト−Ｎ，Ｃ３’］イリジウム（ＩＩＩ）アセチルアセトナート（略称：Ｉｒ（���ｔｐ）２（ａｃａｃ））、ビス（１−フェニルイソキノリナト−Ｎ，Ｃ２’）イリジウム（ＩＩＩ）アセチルアセトナート（略称：Ｉｒ（ｐｉｑ）２（ａｃａｃ））、（アセチルアセトナト）ビス［２，３−ビス（４−フルオロフェニル）キノキサリナト］イリジウム（ＩＩＩ）（略称：Ｉｒ（Ｆｄｐｑ）２（ａｃａｃ））、（アセチルアセトナト）ビス（２，３，５−トリフェニルピラジナト）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：Ｉｒ（ｔｐｐｒ）２（ａｃａｃ））、（ジピバロイルメタナト）ビス（２，３，５−トリフェニルピラジナト）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：Ｉｒ（ｔｐｐｒ）２（ｄｐｍ））、２，３，７，８，１２，１３，１７，１８−オクタエチル−２１Ｈ，２３Ｈ−ポルフィリン白金（ＩＩ）（略称：ＰｔＯＥＰ）等の有機金属錯体が挙げられる。また、トリス（アセチルアセトナト）（モノフェナントロリン）テルビウム（ＩＩＩ）（略称：Ｔｂ（ａｃａｃ）３（Ｐｈｅｎ））、トリス（１，３−ジフェニル−１，３−プロパンジオナト）（モノフェナントロリン）ユーロピウム（ＩＩＩ）（略称：Ｅｕ（ＤＢＭ）３（Ｐｈｅｎ））、トリス［１−（２−テノイル）−３，３，３−トリフルオロアセトナト］（モノフェナントロリン）ユーロピウム（ＩＩＩ）（略称：Ｅｕ（ＴＴＡ）３（Ｐｈｅｎ））等の希土類金属錯体は、希土類金属イオンからの発光（異なる多重度間の電子遷移）であるため、燐光性化合物として用いることができる。
【０１５０】
なお、発光層７０３としては、上述した発光性の有機化合物（ゲスト材料）を他の物質（ホスト材料）に分散させた構成としてもよい。ホスト材料としては、各種のものを用いることができ、発光性の物質よりも最低空軌道準位（ＬＵＭＯ準位）が高く、最高被占有軌道準位（ＨＯＭＯ準位）が低い物質を用いることが好ましい。
【０１５１】
ホスト材料としては、具体的には、トリス（８−キノリノラト）アルミニウム（ＩＩＩ）（略称：Ａｌｑ）、トリス（４−メチル−８−キノリノラト）アルミニウム（ＩＩＩ）（略称：Ａｌｍｑ３）、ビス（１０−ヒドロキシベンゾ［ｈ］キノリナト）ベリリウム（ＩＩ）（略称：ＢｅＢｑ２）、ビス（２−メチル−８−キノリノラト）（４−フェニルフェノラト）アルミニウム（ＩＩＩ）（略称：ＢＡｌｑ）、ビス（８−キノリノラト）亜鉛（ＩＩ）（略称：Ｚｎｑ）、ビス［２−（２−ベンゾオキサゾリル）フェノラト］亜鉛（ＩＩ）（略称：ＺｎＰＢＯ）、ビス［２−（２−ベンゾチアゾリル）フェノラト］亜鉛（ＩＩ）（略称：ＺｎＢＴＺ）などの金属錯体、２−（４−ビフェニリル）−５−（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−１，３，４−オキサジアゾール（略称：ＰＢＤ）、１，３−ビス［５−（ｐ−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−１，３，４−オキサジアゾール−２−イル］ベンゼン（略称：ＯＸＤ−７）、３−（４−ビフェニリル）−４−フェニル−５−（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−１，２，４−トリアゾール（略称：ＴＡＺ）、２，２’，２’’−（１，３，５−ベンゼントリイル）トリス（１−フェニル−１Ｈ−ベンゾイミダゾール）（略称：ＴＰＢＩ）、バソフェナントロリン（略称：ＢＰｈｅｎ）、バソキュプロイン（略称：ＢＣＰ）などの複素環化合物や、ＣｚＰＡ、ＤＮＡ、ＤＰＰＡ、ｔ−ＢｕＤＮＡ、ＤＰＡｎｔｈ、３，６−ジフェニル−９−［４−（１０−フェニル−９−アントリル）フェニル］−９Ｈ−カルバゾール（略称：ＤＰＣｚＰＡ）、９，９’−ビアントリル（略称：ＢＡＮＴ）、９，９’−（スチルベン−３，３’−ジイル）ジフェナントレン（略称：ＤＰＮＳ）、９，９’−（スチルベン−４，４’−ジイル）ジフェナントレン（略称：ＤＰＮＳ２）、３，３’，３’’−（ベンゼン−１，３，５−トリイル）トリピレン（略称：ＴＰＢ３）、６，１２−ジメトキシ−５，１１−ジフェニルクリセンなどの縮合芳香族化合物、Ｎ，Ｎ−ジフェニル−９−［４−（１０−フェニル−９−アントリル）フェニル］−９Ｈ−カルバゾール−３−アミン（略称：ＣｚＡ１ＰＡ）、４−（１０−フェニル−９−アントリル）トリフェニルアミン（略称：ＤＰｈＰＡ）、Ｎ，９−ジフェニル−Ｎ−［４−（１０−フェニル−９−アントリル）フェニル］−９Ｈ−カルバゾール−３−アミン（略称：ＰＣＡＰＡ）、Ｎ，９−ジフェニル−Ｎ−｛４−［４−（１０−フェニル−９−アントリル）フェニル］フェニル｝−９Ｈ−カルバゾール−３−アミン（略称：ＰＣＡＰＢＡ）、２ＰＣＡＰＡ、ＮＰＢ（またはα−ＮＰＤ）、ＴＰＤ、ＤＦＬＤＰＢｉ、ＢＳＰＢなどの芳香族アミン化合物などを用いることができる。
【０１５２】
また、ホスト材料は複数種用いることができる。例えば、結晶化を抑制するためにルブレン等の結晶化を抑制する物質をさらに添加してもよい。また、ゲスト材料へのエネルギー移動をより効率良く行うためにＮＰＢ、あるいはＡｌｑ等をさらに添加してもよい。
【０１５３】
ゲスト材料をホスト材料に分散させた構成とすることにより、発光層７０３の結晶化を抑制することができる。また、ゲスト材料の濃度が高いことによる濃度消光を抑制することができる。
【０１５４】
また、発光層７０３として高分子化合物を用いることができる。具体的には、青色系の発光材料として、ポリ（９，９−ジオクチルフルオレン−２，７−ジイル）（略称：ＰＦＯ）、ポリ［（９，９−ジオクチルフルオレン−２，７−ジイル）−ｃｏ−（２，５−ジメトキシベンゼン−１，４−ジイル）］（略称：ＰＦ−ＤＭＯＰ）、ポリ｛（９，９−ジオクチルフルオレン−２，７−ジイル）−ｃｏ−［Ｎ，Ｎ’−ジ−（ｐ−ブチルフェニル）−１，４−ジアミノベンゼン］｝（略称：ＴＡＢ−ＰＦＨ）などが挙げられる。また、緑色系の発光材料として、ポリ（ｐ−フェニレンビニレン）（略称：ＰＰＶ）、ポリ［（９，９−ジヘキシルフルオレン−２，７−ジイル）−ａｌｔ−ｃｏ−（ベンゾ［２，１，３］チアジアゾール−４，７−ジイル）］（略称：ＰＦＢＴ）、ポリ［（９，９−ジオクチル−２，７−ジビニレンフルオレニレン）−ａｌｔ−ｃｏ−（２−メトキシ−５−（２−エチルヘキシロキシ）−１，４−フェニレン）］などが挙げられる。また、橙色〜赤色系の発光材料として、ポリ［２−メトキシ−５−（２’−エチルヘキソキシ）−１，４−フェニレンビニレン］（略称：ＭＥＨ−ＰＰＶ）、ポリ（３−ブチルチオフェン−２，５−ジイル）（略称：Ｒ４−ＰＡＴ）、ポリ｛［９，９−ジヘキシル−２，７−ビス（１−シアノビニレン）フルオレニレン］−ａｌｔ−ｃｏ−［２，５−ビス（Ｎ，Ｎ’−ジフェニルアミノ）−１，４−フェニレン］｝、ポリ｛［２−メトキシ−５−（２−エチルヘキシロキシ）−１，４−ビス（１−シアノビニレンフェニレン）］−ａｌｔ−ｃｏ−［２，５−ビス（Ｎ，Ｎ’−ジフェニルアミノ）−１，４−フェニレン］｝（略称：ＣＮ−ＰＰＶ−ＤＰＤ）などが挙げられる。
【０１５５】
また、発光層を複数設け、それぞれの層の発光色を異なるものにすることで、発光素子全体として、所望の色の発光を得ることができる。例えば、発光層を２つ有する発光素子において、第１の発光層の発光色と第２の発光層の発光色を補色の関係になるようにすることで、発光素子全体として白色発光する発光素子を得ることも可能である。また、発光層を３つ以上有する発光素子の場合でも同様である。
【０１５６】
電子輸送層７０４は、電子輸送性の高い物質を含む層である。電子輸送性の高い物質としては、例えば、Ａｌｑ、Ａｌｍｑ３、ＢｅＢｑ２、ＢＡｌｑなど、キノリン骨格又はベンゾキノリン骨格を有する金属錯体等が挙げられる。また、この他ＺｎＰＢＯ、ＺｎＢＴＺなどのオキサゾール系、チアゾール系配位子を有する金属錯体なども用いることができる。さらに、金属錯体以外にも、ＰＢＤ、ＯＸＤ−７、ＴＡＺ、ＢＰｈｅｎ、ＢＣＰなども用いることができる。ここに述べた物質は、主に１０−６ｃｍ２／Ｖｓ以上の電子移動度を有する物質である。また、電子輸送層は、単層のものだけでなく、上記物質からなる層が二層以上積層したものとしてもよい。
【０１５７】
電子注入層７０５は、電子注入性の高い物質を含む層である。電子注入層７０５には、リチウム、セシウム、カルシウム、フッ化リチウム、フッ化セシウム、フッ化カルシウム、リチウム酸化物等のようなアルカリ金属、アルカリ土類金属、又はそれらの化合物を用いることができる。また、フッ化エルビウムのような希土類金属化合物を用いることができる。また、上述した電子輸送層７０４を構成する物質を用いることもできる。
【０１５８】
なお、上述した正孔注入層７０１、正孔輸送層７０２、発光層７０３、電子輸送層７０４、電子注入層７０５は、それぞれ、蒸着法（真空蒸着法を含む）、インクジェット法、塗布法等の方法で形成することができる。
【０１５９】
図６（Ｂ）に示す電荷発生層７０９は上述の複合材料で形成することができる。また、電荷発生層７０９は複合材料からなる層と他の材料からなる層との積層構造でもよい。この場合、他の材料からなる層としては、電子供与性物質と電子輸送性の高い物質とを含む層や、透明導電膜からなる層などを用いることができる。
【０１６０】
図６（Ｃ）に示す複合材料層７０８は、前述の、正孔輸送性の高い有機化合物にアクセプター性物質を含有させた複合材料を用いることができる。
【０１６１】
電子注入バッファー層７０６には、アルカリ金属、アルカリ土類金属、希土類金属、およびこれらの化合物（アルカリ金属化合物（酸化リチウム等の酸化物、ハロゲン化物、炭酸リチウムや炭酸セシウム等の炭酸塩を含む）、アルカリ土類金属化合物（酸化物、ハロゲン化物、炭酸塩を含む）、または希土類金属の化合物（酸化物、ハロゲン化物、炭酸塩を含む））等の電子注入性の高い物質を用いることが可能である。
【０１６２】
また、電子注入バッファー層７０６が、電子輸送性の高い物質とドナー性物質を含んで形成される場合には、電子輸送性の高い物質に対して質量比で、０．００１以上０．１以下の比率でドナー性物質を添加することが好ましい。なお、ドナー性物質としては、アルカリ金属、アルカリ土類金属、希土類金属、およびこれらの化合物（アルカリ金属化合物（酸化リチウム等の酸化物、ハロゲン化物、炭酸リチウムや炭酸セシウム等の炭酸塩を含む）、アルカリ土類金属化合物（酸化物、ハロゲン化物、炭酸塩を含む）、または希土類金属の化合物（酸化物、ハロゲン化物、炭酸塩を含む））の他、テトラチアナフタセン（略称：ＴＴＮ）、ニッケロセン、デカメチルニッケロセン等の有機化合物を用いることもできる。なお、電子輸送性の高い物質としては、先に説明した電子輸送層７０４の材料と同様の材料を用いて形成することができる。
【０１６３】
電子リレー層７０７は、電子輸送性の高い物質を含み、該電子輸送性の高い物質のＬＵＭＯ準位は、複合材料層７０８に含まれるアクセプター性物質のＬＵＭＯ準位と、電子輸送層７０４に含まれる電子輸送性の高い物質のＬＵＭＯ準位との間となるように形成する。また、電子リレー層７０７がドナー性物質を含む場合には、当該ドナー性物質のドナー準位も複合材料層７０８に含まれるアクセプター性物質のＬＵＭＯ準位と、電子輸送層７０４に含まれる電子輸送性の高い物質のＬＵＭＯ準位との間となるようにする。具体的なエネルギー準位の数値としては、電子リレー層７０７に含まれる電子輸送性の高い物質のＬＵＭＯ準位は−５．０ｅＶ以上、好ましくは−５．０ｅＶ以上−３．０ｅＶ以下とするとよい。
【０１６４】
電子リレー層７０７に含まれる電子輸送性の高い物質としてはフタロシアニン系の材料又は金属−酸素結合と芳香族配位子を有する金属錯体を用いることが好ましい。
【０１６５】
電子リレー層７０７に含まれるフタロシアニン系材料としては、具体的にはＣｕＰｃ、ＳｎＰｃ（Ｐｈｔｈａｌｏｃｙａｎｉｎｅ  ｔｉｎ（ＩＩ）  ｃｏｍｐｌｅｘ）、ＺｎＰｃ（Ｐｈｔｈａｌｏｃｙａｎｉｎｅ  ｚｉｎｃ  ｃｏｍｐｌｅｘ）、ＣｏＰｃ（Ｃｏｂａｌｔ（ＩＩ）ｐｈｔｈａｌｏｃｙａｎｉｎｅ，  β−ｆｏｒｍ）、ＦｅＰｃ（Ｐｈｔｈａｌｏｃｙａｎｉｎｅ  Ｉｒｏｎ）及びＰｈＯ−ＶＯＰｃ（Ｖａｎａｄｙｌ  ２，９，１６，２３−ｔｅｔｒａｐｈｅｎｏｘｙ−２９Ｈ，３１Ｈ−ｐｈｔｈａｌｏｃｙａｎｉｎｅ）のいずれかを用いることが好ましい。
【０１６６】
電子リレー層７０７に含まれる金属−酸素結合と芳香族配位子を有する金属錯体としては、金属−酸素の二重結合を有する金属錯体を用いることが好ましい。金属−酸素の二重結合はアクセプター性（電子を受容しやすい性質）を有するため、電子の移動（授受）がより容易になる。また、金属−酸素の二重結合を有する金属錯体は安定であると考えられる。したがって、金属−酸素の二重結合を有する金属錯体を用いることにより発光素子を低電圧でより安定に駆動することが可能になる。
【０１６７】
金属−酸素結合と芳香族配位子を有する金属錯体としてはフタロシアニン系材料が好ましい。具体的には、ＶＯＰｃ（Ｖａｎａｄｙｌ  ｐｈｔｈａｌｏｃｙａｎｉｎｅ）、ＳｎＯＰｃ（Ｐｈｔｈａｌｏｃｙａｎｉｎｅ  ｔｉｎ（ＩＶ）  ｏｘｉｄｅ  ｃｏｍｐｌｅｘ）及びＴｉＯＰｃ（Ｐｈｔｈａｌｏｃｙａｎｉｎｅ  ｔｉｔａｎｉｕｍ  ｏｘｉｄｅ  ｃｏｍｐｌｅｘ）のいずれかは、分子構造的に金属−酸素の二重結合が他の分子に対して作用しやすく、アクセプター性が高いため好ましい。
【０１６８】
なお、上述したフタロシアニン系材料としては、フェノキシ基を有するものが好ましい。具体的にはＰｈＯ−ＶＯＰｃのような、フェノキシ基を有するフタロシアニン誘導体が好ましい。フェノキシ基を有するフタロシアニン誘導体は、溶媒に可溶である。そのため、発光素子を形成する上で扱いやすいという利点を有する。また、溶媒に可溶であるため、成膜に用いる装置のメンテナンスが容易になるという利点を有する。
【０１６９】
電子リレー層７０７はさらにドナー性物質を含んでいても良い。ドナー性物質としては、アルカリ金属、アルカリ土類金属、希土類金属及びこれらの化合物（アルカリ金属化合物（酸化リチウムなどの酸化物、ハロゲン化物、炭酸リチウムや炭酸セシウムなどの炭酸塩を含む）、アルカリ土類金属化合物（酸化物、ハロゲン化物、炭酸塩を含む）、又は希土類金属の化合物（酸化物、ハロゲン化物、炭酸塩を含む））の他、テトラチアナフタセン（略称：ＴＴＮ）、ニッケロセン、デカメチルニッケロセンなどの有機化合物を用いることができる。電子リレー層７０７にこれらドナー性物質を含ませることによって、電子の移動が容易となり、発光素子をより低電圧で駆動することが可能になる。
【０１７０】
電子リレー層７０７にドナー性物質を含ませる場合、電子輸送性の高い物質としては上記した材料の他、複合材料層７０８に含まれるアクセプター性物質のアクセプター準位より高いＬＵＭＯ準位を有する物質を用いることができる。具体的なエネルギー準位としては、−５．０ｅＶ以上、好ましくは−５．０ｅＶ以上−３．０ｅＶ以下の範囲にＬＵＭＯ準位を有する物質を用いることが好ましい。このような物質としては例えば、ペリレン誘導体や、含窒素縮合芳香族化合物などが挙げられる。なお、含窒素縮合芳香族化合物は、安定であるため、電子リレー層７０７を形成する為に用いる材料として、好ましい材料である。
【０１７１】
ペリレン誘導体の具体例としては、３，４，９，１０−ペリレンテトラカルボン酸二無水物（略称：ＰＴＣＤＡ）、３，４，９，１０−ペリレンテトラカルボキシリックビスベンゾイミダゾール（略称：ＰＴＣＢＩ）、Ｎ，Ｎ’−ジオクチル−３，４，９，１０−ペリレンテトラカルボン酸ジイミド（略称：ＰＴＣＤＩ−Ｃ８Ｈ）、Ｎ，Ｎ’−ジヘキシル−３，４，９，１０−ペリレンテトラカルボン酸ジイミド（略称：Ｈｅｘ  ＰＴＣ）等が挙げられる。
【０１７２】
また、含窒素縮合芳香族化合物の具体例としては、ピラジノ［２，３−ｆ］［１，１０］フェナントロリン−２，３−ジカルボニトリル（略称：ＰＰＤＮ）、２，３，６，７，１０，１１−ヘキサシアノ−１，４，５，８，９，１２−ヘキサアザトリフェニレン（略称：ＨＡＴ（ＣＮ）６）、２，３−ジフェニルピリド［２，３−ｂ］ピラジン（略称：２ＰＹＰＲ）、２，３−ビス（４−フルオロフェニル）ピリド［２，３−ｂ］ピラジン（略称：Ｆ２ＰＹＰＲ）等が挙げられる。
【０１７３】
その他にも、７，７，８，８−テトラシアノキノジメタン（略称：ＴＣＮＱ）、１，４，５，８−ナフタレンテトラカルボン酸二無水物（略称：ＮＴＣＤＡ）、パーフルオロペンタセン、銅ヘキサデカフルオロフタロシアニン（略称：Ｆ１６ＣｕＰｃ）、Ｎ，Ｎ’−ビス（２，２，３，３，４，４，５，５，６，６，７，７，８，８，８−ペンタデカフルオロオクチル）−１，４，５，８−ナフタレンテトラカルボン酸ジイミド（略称：ＮＴＣＤＩ−Ｃ８Ｆ）、３’，４’−ジブチル−５，５’’−ビス（ジシアノメチレン）−５，５’’−ジヒドロ−２，２’：５’，２’’−テルチオフェン（略称：ＤＣＭＴ）、メタノフラーレン（例えば、［６，６］−フェニルＣ６１酪酸メチルエステル）等を用いることができる。
【０１７４】
なお、電子リレー層７０７にドナー性物質を含ませる場合、電子輸送性の高い物質とドナー性物質との共蒸着などの方法によって電子リレー層７０７を形成すれば良い。
【０１７５】
以上により、本実施の形態のＥＬ層を作製することができる。
【０１７６】
本実施の形態は、他の実施の形態と自由に組み合わせることができる。
【０１７７】
（実施の形態５）
本実施の形態では、本発明の一態様の発光装置を用いて完成させた様々な電子機器および照明器具の一例について、図７、図８を用いて説明する。
【０１７８】
発光装置を適用した電子機器として、例えば、テレビジョン装置（テレビ、又はテレビジョン受信機ともいう）、コンピュータ用などのモニタ、デジタルカメラ、デジタルビデオカメラ、デジタルフォトフレーム、携帯電話機（携帯電話、携帯電話装置ともいう）、携帯型ゲーム機、携帯情報端末、音響再生装置、パチンコ機などの大型ゲーム機などが挙げられる。これらの電子機器および照明器具の具体例を図７に示す。
【０１７９】
図７（Ａ）は、テレビジョン装置の一例を示している。テレビジョン装置７１００は、筐体７１０１に表示部７１０３が組み込まれている。表示部７１０３により、映像を表示することが可能であり、発光装置を表示部７１０３に用いることができる。また、ここでは、スタンド７１０５により筐体７１０１を支持した構成を示している。
【０１８０】
テレビジョン装置７１００の操作は、筐体７１０１が備える操作スイッチや、別体のリモコン操作機７１１０により行うことができる。リモコン操作機７１１０が備える操作キー７１０９により、チャンネルや音量の操作を行うことができ、表示部７１０３に表示される映像を操作することができる。また、リモコン操作機７１１０に、当該リモコン操作機７１１０から出力する情報を表示する表示部７１０７を設ける構成としてもよい。
【０１８１】
なお、テレビジョン装置７１００は、受信機やモデムなどを備えた構成とする。受信機により一般のテレビ放送の受信を行うことができ、さらにモデムを介して有線又は無線による通信ネットワークに接続することにより、一方向（送信者から受信者）又は双方向（送信者と受信者間、あるいは受信者間同士など）の情報通信を行うことも可能である。
【０１８２】
図７（Ｂ）はコンピュータであり、本体７２０１、筐体７２０２、表示部７２０３、キーボード７２０４、外部接続ポート７２０５、ポインティングデバイス７２０６等を含む。なお、コンピュータは、発光装置をその表示部７２０３に用いることにより作製される。
【０１８３】
図７（Ｃ）は携帯型遊技機であり、筐体７３０１と筐体７３０２の２つの筐体で構成されており、連結部７３０３により、開閉可能に連結されている。筐体７３０１には表示部７３０４が組み込まれ、筐体７３０２には表示部７３０５が組み込まれている。また、図７（Ｃ）に示す携帯型遊技機は、その他、スピーカ部７３０６、記録媒体挿入部７３０７、ＬＥＤランプ７３０８、入力手段（操作キー７３０９、接続端子７３１０、センサ７３１１（力、変位、位置、速度、加速度、角速度、回転数、距離、光、液、磁気、温度、化学物質、音声、時間、硬度、電場、電流、電圧、電力、放射線、流量、湿度、傾度、振動、におい又は赤外線を測定する機能を含むもの）、マイクロフォン７３１２）等を備えている。もちろん、携帯型遊技機の構成は上述のものに限定されず、少なくとも表示部７３０４および表示部７３０５の両方、又は一方に発光装置を用いていればよく、その他付属設備が適宜設けられた構成とすることができる。図７（Ｃ）に示す携帯型遊技機は、記録媒体に記録されているプログラム又はデータを読み出して表示部に表示する機能や、他の携帯型遊技機と無線通信を行って情報を共有する機能を有する。なお、図７（Ｃ）に示す携帯型遊技機が有する機能はこれに限定されず、様々な機能を有することができる。
【０１８４】
図７（Ｄ）は、携帯電話機の一例を示している。携帯電話機７４００は、筐体７４０１に組み込まれた表示部７４０２の他、操作ボタン７４０３、外部接続ポート７４０４、スピーカ７４０５、マイク７４０６などを備えている。なお、携帯電話機７４００は、発光装置を表示部７４０２に用いることにより作製される。
【０１８５】
図７（Ｄ）に示す携帯電話機７４００は、表示部７４０２を指などで触れることで、情報を入力することができる。また、電話を掛ける、或いはメールを作成するなどの操作は、表示部７４０２を指などで触れることにより行うことができる。
【０１８６】
表示部７４０２の画面は主として３つのモードがある。第１は、画像の表示を主とする表示モードであり、第２は、文字等の情報の入力を主とする入力モードである。第３は表示モードと入力モードの２つのモードが混合した表示＋入力モードである。
【０１８７】
例えば、電話を掛ける、或いはメールを作成する場合は、表示部７４０２を文字の入力を主とする文字入力モードとし、画面に表示させた文字の入力操作を行えばよい。この場合、表示部７４０２の画面のほとんどにキーボード又は番号ボタンを表示させることが好ましい。
【０１８８】
また、携帯電話機７４００内部に、ジャイロ、加速度センサ等の傾きを検出するセンサを有する検出装置を設けることで、携帯電話機７４００の向き（縦か横か）を判断して、表示部７４０２の画面表示を自動的に切り替えるようにすることができる。
【０１８９】
また、画面モードの切り替えは、表示部７４０２を触れること、又は筐体７４０１の操作ボタン７４０３の操作により行われる。また、表示部７４０２に表示される画像の種類によって切り替えるようにすることもできる。例えば、表示部に表示する画像信号が動画のデータであれば表示モード、テキストデータであれば入力モードに切り替える。
【０１９０】
また、入力モードにおいて、表示部７４０２の光センサで検出される信号を検知し、表示部７４０２のタッチ操作による入力が一定期間ない場合には、画面のモードを入力モードから表示モードに切り替えるように制御してもよい。
【０１９１】
表示部７４０２は、イメージセンサとして機能させることもできる。例えば、表示部７４０２に掌や指で触れ、掌紋、指紋等を撮像することで、本人認証を行うことができる。また、表示部に近赤外光を発光するバックライト又は近赤外光を発光するセンシング用光源を用いれば、指静脈、掌静脈などを撮像することもできる。
【０１９２】
図７（Ｅ）は卓上照明器具であり、照明部７５０１、傘７５０２、可変アーム７５０３、支柱７５０４、台７５０５、電源７５０６を含む。なお、卓上照明器具は、発光装置を照明部７５０１に用いることにより作製される。なお、照明器具には天井固定型の照明器具又は壁掛け型の照明器具なども含まれる。
【０１９３】
図８は、発光装置を、室内の照明装置８１１として用いた例である。発光装置は大面積化も可能であるため、大面積の照明装置として用いることができる。その他、ロール型の照明装置８１２として用いることもできる。なお、図８に示すように、室内の照明装置８１１を備えた部屋で、図７（Ｅ）で説明した卓上照明器具８１３を併用してもよい。
【０１９４】
以上のようにして、発光装置を適用して電子機器や照明器具を得ることができる。発光装置の適用範囲は極めて広く、あらゆる分野の電子機器に適用することが可能である。
【０１９５】
なお、本実施の形態に示す構成は、先の実施の形態に示した構成を適宜組み合わせて用いることができる。
【実施例１】
【０１９６】
本実施例では、本発明の一態様を適用した画像表示装置について図１０乃至図１２を用いて説明する。なお、本実施例の画像表示装置における、隔壁の上面形状と発光ユニットの位置関係は、図１（Ａ）の構成に相当する。
【０１９７】
＜本実施例の画像表示装置の作製方法＞
まず、基板加熱処理として、６５０℃でガラス基板２００（旭硝子社製  商品名ＡＮ１００）を加熱した。
【０１９８】
次に、ガラス基板２００上に下地層２０４を形成した。下地層２０４は、ＣＶＤ法を用いて成膜された厚さ１００ｎｍの窒化シリコン膜と、厚さ１５０ｎｍの酸化窒化シリコン膜とを積層した多層膜からなる。
【０１９９】
次に、下地層２０４上にゲート電極２０６を形成した。ゲート電極２０６は、スパッタリング法を用いて成膜された、厚さ３０ｎｍの窒化タンタル膜と、厚さ２００ｎｍの銅膜と、厚さ３０ｎｍのタングステン膜とを積層した多層膜からなる。
【０２００】
次に、ゲート電極２０６上にゲート絶縁層２０８を形成した。ゲート絶縁層２０８は、ＣＶＤ法を用いて成膜された、厚さ５０ｎｍの窒化シリコン膜と、厚さ２７０ｎｍの酸化窒化シリコン膜とを積層した多層膜からなる。
【０２０１】
そして、ゲート絶縁層２０８上に半導体層２１０を形成した。半導体層２１０としては、スパッタリング法を用いて成膜された厚さ３５ｎｍのＩｎ−Ｇａ−Ｚｎ系酸化物膜を用いた。Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ系酸化物膜は、Ｉｎ：Ｇａ：Ｚｎ＝１：１：１の原子比のＩｎ−Ｇａ−Ｚｎ系酸化物ターゲットを用いて形成した。成膜条件は、酸素及びアルゴン雰囲気下（酸素流量比率５０％）、圧力０．６Ｐａ、電源電力５ｋＷ、基板温度２００℃とした。
【０２０２】
半導体層２１０の形成後、窒素雰囲気下、４５０℃で１時間の加熱処理を行い、その後、窒素及び酸素雰囲気下（酸素流量比率５０％）、４５０℃で１時間の加熱処理を行った。
【０２０３】
次に、ソース電極２１２ａ及びドレイン電極２１２ｂを形成した。ソース電極２１２ａ及びドレイン電極２１２ｂは、スパッタリング法を用いて成膜された、厚さ５０ｎｍのタングステン膜と、厚さ４００ｎｍのアルミニウム膜と、厚さ１００ｎｍのチタン膜とを積層した多層膜からなる。
【０２０４】
ソース電極２１２ａ及びドレイン電極２１２ｂの形成後、酸素雰囲気下、３００℃で１時間の加熱処理を行った。
【０２０５】
次に、スパッタリング法を用いて成膜された厚さ４００ｎｍの酸化シリコン膜と、ＣＶＤ法を用いて成膜された厚さ２００ｎｍの窒化酸化シリコン膜と、を積層した多層膜からなる、第１の層間絶縁層２１３を設け、酸素雰囲気下、３００℃で１時間の加熱処理を行った。
【０２０６】
そして、スピンコータを用いて形成された厚さ１．５μｍのポリイミド膜からなる、第２の層間絶縁層２１４を形成し、酸素雰囲気下、３００℃で１時間の加熱処理を行った。
【０２０７】
次に、第２の層間絶縁層２１４上に、導電層２１５を形成した。導電層２１５は、スパッタリング法を用いて成膜された、厚さ１００ｎｍのチタン膜と、厚さ４００ｎｍのアルミニウム膜と、厚さ１００ｎｍのチタン膜とを積層した多層膜からなる。
【０２０８】
その後、スピンコータを用いて形成された厚さ１．５μｍのポリイミド膜からなる、第３の層間絶縁膜２１６を形成し、酸素雰囲気下、２７０℃で１時間の加熱処理を行った。
【０２０９】
そして、第３の層間絶縁膜２１６上に発光素子の第１の電極２１８を形成した。第１の電極２１８は、厚さ５０ｎｍのチタン膜と、厚さ２００ｎｍのアルミニウム膜と、厚さ８ｎｍのチタン膜とを積層した多層膜からなる。
【０２１０】
発光素子は、第１の電極２１８上に、珪素を含むインジウムスズ酸化物（ＩＴＳＯ）からなるマイクロキャビティ構造（図示しない）を備える。本実施例の画像表示装置は、赤色の画素（Ｒ）、緑色の画素（Ｇ）、及び青色の画素（Ｂ）の３色の画素を備える。ここで、赤色の画素（Ｒ）には、厚さ８０ｎｍのＩＴＳＯ膜、緑色の画素（Ｇ）には、厚さ４０ｎｍのＩＴＳＯ膜を形成した。なお、青色の画素（Ｂ）には、ＩＴＳＯ膜を形成しなかった（つまり、青色の画素におけるＩＴＳＯ膜は、厚さ０ｎｍ）。
【０２１１】
次に、第１の電極２１８の端部を覆う絶縁層２２４を形成した。絶縁層２２４としては、スピンコータを用いて、厚さ１．５μｍのポリイミド膜を形成した。その後、酸素雰囲気下、２５０℃で１時間の加熱処理を行った。絶縁層２２４の幅は、１２μｍとした（図１１（Ａ）の幅Ｌ１参照）。
【０２１２】
次に、絶縁層２２４上に、感光性ポリイミド樹脂からなる隔壁２５０を形成した。隔壁２５０の幅は、５μｍ（図１１（Ａ）の幅Ｌ２参照）、長さは、７０μｍ、高さ（厚さ）は、１．５μｍとした。
【０２１３】
この時点での本実施例の画像表示装置の断面図の一例を図１０に示す。
【０２１４】
また、この時点での本実施例の画像表示装置の、走査型透過電子顕微鏡（ＳＴＥＭ：Ｓｃａｎｎｉｎｇ  Ｔｒａｎｓｍｉｓｓｉｏｎ  Ｅｌｅｃｔｒｏｎ  Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｙ）による断面写真を図１１（Ａ）に示す。
【０２１５】
そして、蒸着法によりＥＬ層２２０を形成した。ＥＬ層２２０の構成を図１２に示す。また、本実施例で用いた材料の構造式を以下に示す。
【０２１６】
【化１】
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【０２１７】
ＥＬ層２２０を形成するための前処理としては、基板表面を洗浄後、減圧下、１５０℃で１時間の乾燥処理を行った。
【０２１８】
まず、９−フェニル−３−［４−（１０−フェニル−９−アントリル）フェニル］−９Ｈ−カルバゾール（略称：ＰＣｚＰＡ）と酸化モリブデン（ＶＩ）とを共蒸着することで、第１の正孔注入層３０１ａを形成した。その膜厚は、１０ｎｍとし、ＰＣｚＰＡと酸化モリブデンの比率は、質量比で２：１（＝ＰＣｚＰＡ：酸化モリブデン）となるように調節した。なお、共蒸着法とは、一つの処理室内で、複数の蒸発源から同時に蒸着を行う蒸着法である。
【０２１９】
次に、第１の正孔注入層３０１ａ上に、ＰＣｚＰＡを膜厚２０ｎｍとなるように成膜し、第１の正孔輸送層３０２ａを形成した。
【０２２０】
次に、第１の正孔輸送層３０２ａ上に、９−［４−（１０−フェニル−９−アントリル）フェニル］−９Ｈ−カルバゾール（略称：ＣｚＰＡ）と、Ｎ，Ｎ’−ビス（３−メチルフェニル）−Ｎ，Ｎ’−ビス〔３−（９−フェニル−９Ｈ−フルオレン−９−イル）フェニル〕−ピレン−１，６−ジアミン（略称：１，６ｍＭｅｍＦＬＰＡＰｒｎ）とを共蒸着することで、青色発光層３０３ａを形成した。その膜厚は、３０ｎｍとし、ＣｚＰＡと１，６ｍＭｅｍＦＬＰＡＰｒｎの比率は、質量比で９：１（ＣｚＰＡ：１，６ｍＭｅｍＦＬＰＡＰｒｎ）となるように調節した。
【０２２１】
次に、青色発光層３０３ａ上に、ＣｚＰＡを膜厚１０ｎｍとなるように成膜し、さらに、バソフェナントロリン（略称：ＢＰｈｅｎ）を膜厚１０ｎｍとなるように成膜することで、第１の電子輸送層３０４ａを形成した。
【０２２２】
次に、第１の電子輸送層３０４ａ上に、リチウム（Ｌｉ）を膜厚０．２ｎｍとなるように蒸着し、さらに、銅フタロシアニン（略称：ＣｕＰｃ）を膜厚２ｎｍとなるように蒸着することで、中間層３０５を形成した。
【０２２３】
次に、中間層３０５上に、ＰＣｚＰＡと酸化モリブデン（ＶＩ）とを共蒸着することで、第２の正孔注入層３０１ｂを形成した。その膜厚は、１０ｎｍとし、ＰＣｚＰＡと酸化モリブデンの比率は、質量比で２：１（＝ＰＣｚＰＡ：酸化モリブデン）となるように調節した。
【０２２４】
次に、第２の正孔注入層３０１ｂ上に、４−フェニル−４’−（９−フェニルフルオレン−９−イル）トリフェニルアミン（略称：ＢＰＡＦＬＰ）を２０ｎｍの膜厚となるように成膜し、第２の正孔輸送層３０２ｂを形成した。
【０２２５】
次に、２−［３−（ジベンゾチオフェン−４−イル）フェニル］ジベンゾ［ｆ，ｈ］キノキサリン（略称：２ｍＤＢＴＰＤＢｑ−ＩＩ）、４−フェニル−４’−（９−フェニル−９Ｈ−カルバゾール−３−イル）トリフェニルアミン（略称：ＰＣＢＡ１ＢＰ）、及び（アセチルアセトナト）ビス（６−ｔｅｒｔ−ブチル−４−フェニルピリミジナト）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｉｒ（ｔＢｕｐｐｍ）２（ａｃａｃ）］）を共蒸着し、第２の正孔輸送層３０２ｂ上に緑色発光層３０３ｂを形成した。ここで、２ｍＤＢＴＰＤＢｑ−ＩＩ、ＰＣＢＡ１ＢＰ、及び［Ｉｒ（ｔＢｕｐｐｍ）２（ａｃａｃ）］の質量比は、０．７４：０．１８：０．０８（＝２ｍＤＢＴＰＤＢｑ−ＩＩ：ＰＣＢＡ１ＢＰ：［Ｉｒ（ｔＢｕｐｐｍ）２（ａｃａｃ）］）となるように調節した。また、緑色発光層３０３ｂの膜厚は２０ｎｍとした。
【０２２６】
さらに、２ｍＤＢＴＰＤＢｑ−ＩＩと、（ジピバロイルメタナト）ビス（２，３，５−トリフェニルピラジナト）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｉｒ（ｔｐｐｒ）２（ｄｐｍ）］）とを共蒸着し、緑色発光層３０３ｂ上に赤色発光層３０３ｃを形成した。ここで、２ｍＤＢＴＰＤＢｑ−ＩＩ、及び［Ｉｒ（ｔｐｐｒ）２（ｄｐｍ）］の質量比は、０．９４：０．０６（＝２ｍＤＢＴＰＤＢｑ−ＩＩ：［Ｉｒ（ｔｐｐｒ）２（ｄｐｍ）］）となるように調節した。また、赤色発光層３０３ｃの膜厚は２０ｎｍとした。
【０２２７】
次に、赤色発光層３０３ｃ上に、２ｍＤＢＴＰＤＢｑ−ＩＩを膜厚１５ｎｍとなるように成膜し、さらに、ＢＰｈｅｎを膜厚２０ｎｍとなるように成膜することで、第２の電子輸送層３０４ｂを形成した。
【０２２８】
次に、第２の電子輸送層３０４ｂ上に、フッ化リチウム（ＬｉＦ）を厚さ１ｎｍとなるように蒸着することで、電子注入層３０６を形成した。
【０２２９】
そして、マグネシウム（Ｍｇ）と銀（Ａｇ）とを共蒸着し、１５ｎｍの膜厚となるように成膜し、さらに、ＩＴＯを７０ｎｍの膜厚となるように成膜することで、第２の電極２２２を形成した。ＭｇとＡｇの比率は、質量比で１：１０（＝Ｍｇ：Ａｇ）となるように調節した。
【０２３０】
以上により、発光素子を形成した。なお、上記の通り、各画素が備えるＥＬ層２２０は同一の構成であるが、マイクロキャビティ構造により、赤色の画素の発光素子は赤色の光を発し、緑色の画素の発光素子は、緑色の光を発し、青色の画素の発光素子は青色の光を発する。
【０２３１】
また、対向基板である、カラーフィルタが設けられたガラス基板（旭硝子社製  商品名ＡＮ１００）に、シール材として、紫外光硬化樹脂（ナガセケムテックス社製  ＸＮＲ５５１６Ｚ）を塗布した。
【０２３２】
そして、ガラス基板２００と、カラーフィルタが設けられたガラス基板とを貼り合わせた。張り合わせは、１００〜２００００Ｐａの圧力を加えて行った。
【０２３３】
そして、高圧水銀ランプを１分間照射することで、シール材を硬化した。
【０２３４】
その後、クリーンオーブン内にて、８０℃で、１時間の加熱処理を行った。
【０２３５】
最後に、スクライブマシーンで分断することで、本実施例の画像表示装置を得た。具体的には、４分割し、上記作製方法で作製した画像表示装置を４つ得た。
【０２３６】
以上により、本発明の一態様を適用した画像表示装置を作製することができた。
【０２３７】
図１１（Ｂ）に、本実施例の画像表示装置に含まれる１つの発光ユニットの発光時の写真を示す。図１１（Ｂ）に示すように、発光ユニットの発光が確認できた。
【実施例２】
【０２３８】
本実施例では、本発明の一態様を適用した画像表示装置について、図１２乃至図１６を用いて説明する。
【０２３９】
（画像表示装置の構成及び作製方法）
本発明の一態様を適用した画像表示装置（構成例）と、本発明の一態様を適用していない画像表示装置（比較例）の構成及び作製方法について説明する。
【０２４０】
まず、トランジスタが設けられた支持基板上に発光素子の下部電極を形成した。下部電極は、厚さ２００ｎｍのランタンを含むアルミニウム−ニッケル合金膜と、厚さ６ｎｍのチタン膜とを積層した多層膜からなる。
【０２４１】
なお、構成例及び比較例が備えるトランジスタの構成は等しい。具体的には、単結晶シリコン膜を半導体層に用いたトランジスタを備える。
【０２４２】
発光素子は、下部電極上に、珪素を含むインジウム錫酸化物（ＩＴＳＯ）からなるマイクロキャビティ構造を備える。構成例及び比較例は、赤色の画素（Ｒ）、緑色の画素（Ｇ）、及び青色の画素（Ｂ）の３色の画素を備える。構成例では、赤色の画素（Ｒ）に、厚さ８０ｎｍのＩＴＳＯ膜、緑色の画素（Ｇ）に、厚さ４０ｎｍのＩＴＳＯ膜を有する。比較例では、赤色の画素（Ｒ）に、厚さ９０ｎｍのＩＴＳＯ膜、緑色の画素（Ｇ）に、厚さ４５ｎｍのＩＴＳＯ膜を備える。なお、構成例及び比較例において、青色の画素（Ｂ）には、ＩＴＳＯ膜を形成しなかった（つまり、青色の画素におけるＩＴＳＯ膜は、厚さ０ｎｍ）。
【０２４３】
次に、下部電極の端部を覆う絶縁層を形成した。構成例では、絶縁層として、膜厚１．８μｍのポリイミド層を形成した。比較例では、絶縁層として、膜厚１．５μｍのポリイミド層を形成した。
【０２４４】
次に、構成例のみ、絶縁層上に膜厚１．５μｍの隔壁を形成した。隔壁には、ネガ型のレジスト（日本ゼオン株式会社製ＺＮＰ２４６４）を用いた。
【０２４５】
ここで、構成例及び比較例における複数の発光ユニット４０１の上面図を図１３（Ａ）（Ｂ）に示す。図１３（Ａ）は構成例であり、絶縁層４０３上に隔壁４０５を備えている。図１３（Ｂ）は比較例であり、絶縁層４０３上に隔壁４０５を備えていない。
【０２４６】
図１３（Ａ）（Ｂ）において、発光ユニット４０１の短辺の長さＬ３は１３．５μｍであり、長辺の長さＬ４は５０．５μｍである。また、図１３（Ａ）（Ｂ）において、隣接する発光ユニット４０１間の幅Ｌ５、Ｌ６はそれぞれ５μｍである。図１３（Ａ）において、隔壁４０５の長辺の長さは発光ユニット４０１の長辺の長さＬ４と等しく、５０．５μｍであり、短辺の長さＬ７は３μｍである。
【０２４７】
そして、ＥＬ層２２０を形成した。ＥＬ層２２０の構成を図１２に示す。なお、第１の電極２１８は、前述の下部電極に相当し、第２の電極２２２は、後述する上部電極に相当する。ＥＬ層２２０に用いた材料は、先の実施例で用いた材料であるため、構造式は省略する。以下に、ＥＬ層２２０の作製方法について、詳述する。
【０２４８】
まず、ＰＣｚＰＡと酸化モリブデン（ＶＩ）とを共蒸着することで、第１の正孔注入層３０１ａを形成した。その膜厚は、２０ｎｍとし、ＰＣｚＰＡと酸化モリブデンの比率は、質量比で２：１（＝ＰＣｚＰＡ：酸化モリブデン）となるように調節した。
【０２４９】
次に、第１の正孔注入層３０１ａ上に、ＰＣｚＰＡを膜厚２０ｎｍとなるように成膜し、第１の正孔輸送層３０２ａを形成した。
【０２５０】
次に、第１の正孔輸送層３０２ａ上に、ＣｚＰＡと、１，６ｍＭｅｍＦＬＰＡＰｒｎとを共蒸着することで、青色発光層３０３ａを形成した。その膜厚は、３０ｎｍとし、ＣｚＰＡと１，６ｍＭｅｍＦＬＰＡＰｒｎの比率は、質量比で１：０．０５（ＣｚＰＡ：１，６ｍＭｅｍＦＬＰＡＰｒｎ）となるように調節した。
【０２５１】
次に、青色発光層３０３ａ上に、ＣｚＰＡを膜厚５ｎｍとなるように成膜し、さらに、ＢＰｈｅｎを膜厚１５ｎｍとなるように成膜することで、第１の電子輸送層３０４ａを形成した。
【０２５２】
次に、第１の電子輸送層３０４ａ上に、酸化リチウムを膜厚０．１ｎｍとなるように蒸着し、さらに、ＣｕＰｃを膜厚２ｎｍとなるように蒸着することで、中間層３０５を形成した。
【０２５３】
次に、中間層３０５上に、ＰＣｚＰＡと酸化モリブデン（ＶＩ）とを共蒸着することで、第２の正孔注入層３０１ｂを形成した。その膜厚は、２０ｎｍとし、ＰＣｚＰＡと酸化モリブデンの比率は、質量比で２：１（＝ＰＣｚＰＡ：酸化モリブデン）となるように調節した。
【０２５４】
次に、第２の正孔注入層３０１ｂ上に、ＢＰＡＦＬＰを２０ｎｍの膜厚となるように成膜し、第２の正孔輸送層３０２ｂを形成した。
【０２５５】
次に、２ｍＤＢＴＰＤＢｑ−ＩＩ、ＰＣＢＡ１ＢＰ、及び［Ｉｒ（ｔＢｕｐｐｍ）２（ａｃａｃ）］を共蒸着し、第２の正孔輸送層３０２ｂ上に緑色発光層３０３ｂを形成した。ここで、２ｍＤＢＴＰＤＢｑ−ＩＩ、ＰＣＢＡ１ＢＰ、及び［Ｉｒ（ｔＢｕｐｐｍ）２（ａｃａｃ）］の質量比は、０．８：０．２：０．０６（＝２ｍＤＢＴＰＤＢｑ−ＩＩ：ＰＣＢＡ１ＢＰ：［Ｉｒ（ｔＢｕｐｐｍ）２（ａｃａｃ）］）となるように調節した。また、緑色発光層３０３ｂの膜厚は２０ｎｍとした。
【０２５６】
さらに、２ｍＤＢＴＰＤＢｑ−ＩＩと、［Ｉｒ（ｔｐｐｒ）２（ｄｐｍ）］とを共蒸着し、緑色発光層３０３ｂ上に赤色発光層３０３ｃを形成した。ここで、２ｍＤＢＴＰＤＢｑ−ＩＩ、及び［Ｉｒ（ｔｐｐｒ）２（ｄｐｍ）］の質量比は、１：０．０６（＝２ｍＤＢＴＰＤＢｑ−ＩＩ：［Ｉｒ（ｔｐｐｒ）２（ｄｐｍ）］）となるように調節した。また、赤色発光層３０３ｃの膜厚は２０ｎｍとした。
【０２５７】
次に、赤色発光層３０３ｃ上に、２ｍＤＢＴＰＤＢｑ−ＩＩを膜厚１５ｎｍとなるように成膜し、さらに、ＢＰｈｅｎを膜厚１５ｎｍとなるように成膜することで、第２の電子輸送層３０４ｂを形成した。
【０２５８】
次に、第２の電子輸送層３０４ｂ上に、ＬｉＦを厚さ１ｎｍとなるように蒸着することで、電子注入層３０６を形成した。
【０２５９】
そして、ＥＬ層上に上部電極である第２の電極２２２を形成した。上部電極は、厚さ１５ｎｍのマグネシウム−銀合金膜と、厚さ７０ｎｍのＩＴＯ膜とを積層した多層膜からなる。
【０２６０】
以上により、発光素子を形成した。
【０２６１】
次に、支持基板と、カラーフィルタが設けられた対向基板とを、シール材を用いて貼り合わせた。
【０２６２】
以上のように、構成例及び比較例を作製した。
【０２６３】
図１４（Ａ）に、構成例が備える絶縁層及び隔壁の断面写真を示す。図１４（Ａ）の点線で示す箇所において、ＥＬ層が分断されている。また、図１４（Ｂ）に、比較例が備える絶縁層の断面写真を示す。図１４（Ｂ）では、ＥＬ層が分断されている箇所は無い。
【０２６４】
また、図１５に、構成例の青色の画素を発光させた時の写真を示す。図１５（Ａ）は、輝度が５ｃｄ／ｍ２の場合の写真であり、図１５（Ｂ）は、輝度が１５０ｃｄ／ｍ２の場合の写真である。図１６に、比較例の青色の画素を発光させた時の写真を示す。図１６（Ａ）は、輝度が５ｃｄ／ｍ２の場合の写真であり、図１６（Ｂ）は、輝度が１５０ｃｄ／ｍ２の場合の写真である。
【０２６５】
図１６に示す通り、比較例では、青色の画素だけでなく、赤色の画素及び緑色の画素も発光していることがわかる。一方、図１５に示す通り、構成例では、青色の画素のみが発光している。かつ、図１５では、青色の画素の発光不良は見られなかった。
【０２６６】
本実施例の結果から、隣接し異なる色を呈する発光ユニット間に逆テーパー形状の隔壁を設け、該発光ユニット間において、ＥＬ層（少なくとも導電性の高い層）を該隔壁によって分断することで、非発光状態の発光素子の意図しない発光を抑制できることが示された。かつ、隣接し同じ色を呈する発光ユニット間では、上部電極の抵抗に起因した電位降下による発光不良を抑制できることが示された。
【０２６７】
（参考例）
上記実施例で用いた（アセチルアセトナト）ビス（６−ｔｅｒｔ−ブチル−４−フェニルピリミジナト）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｉｒ（ｔＢｕｐｐｍ）２（ａｃａｃ）］）の合成方法について説明する。
【０２６８】
【化２】
0006275371.tif 000003
【０２６９】
［ステップ１；４−ｔｅｒｔ−ブチル−６−フェニルピリミジン（略称：ＨｔＢｕｐｐｍ）の合成］
ステップ１の合成スキームを（ａ−１）に示す。
【０２７０】
【化３】
0006275371.tif 000004
【０２７１】
まず、４，４−ジメチル−１−フェニルペンタン−１，３−ジオン２２．５ｇとホルムアミド５０ｇを、還流管を付けたナスフラスコに入れ、内部を窒素置換した。この反応容器を加熱することで反応溶液を５時間還流させた。その後、この溶液を水酸化ナトリウム水溶液に注ぎ、ジクロロメタンにて有機層を抽出した。得られた有機層を水、飽和食塩水で洗浄し、硫酸マグネシウムにて乾燥させた。乾燥した後の溶液を濾過した。この溶液の溶媒を留去した後、得られた残渣を、ヘキサン：酢酸エチル＝１０：１（体積比）を展開溶媒とするシリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製し、ピリミジン誘導体ＨｔＢｕｐｐｍを得た（無色油状物、収率１４％）。
【０２７２】
［ステップ２；ジ−μ−クロロ−ビス［ビス（６−ｔｅｒｔ−ブチル−４−フェニルピリミジナト）イリジウム（ＩＩＩ）］（略称：［Ｉｒ（ｔＢｕｐｐｍ）２Ｃｌ］２）の合成］
ステップ２の合成スキームを（ａ−２）に示す。
【０２７３】
【化４】
0006275371.tif 000005
【０２７４】
次に、２−エトキシエタノール１５ｍＬと水５ｍＬ、上記ステップ１で得たＨｔＢｕｐｐｍ１．４９ｇ、塩化イリジウム水和物（ＩｒＣｌ３・Ｈ２Ｏ）１．０４ｇを、還流管を付けたナスフラスコに入れ、フラスコ内をアルゴン置換した。その後、マイクロ波（２．４５ＧＨｚ  １００Ｗ）を１時間照射し、反応させた。溶媒を留去した後、得られた残渣をエタノールで吸引濾過、洗浄し、複核錯体［Ｉｒ（ｔＢｕｐｐｍ）２Ｃｌ］２を得た（黄緑色粉末、収率７３％）。
【０２７５】
［ステップ３；［Ｉｒ（ｔＢｕｐｐｍ）２（ａｃａｃ）］の合成］
ステップ３の合成スキームを（ａ−３）に示す。
【０２７６】
【化５】
0006275371.tif 000006
【０２７７】
さらに、２−エトキシエタノール４０ｍＬ、上記ステップ２で得た複核錯体［Ｉｒ（ｔＢｕｐｐｍ）２Ｃｌ］２  １．６１ｇ、アセチルアセトン０．３６ｇ、炭酸ナトリウム１．２７ｇを、還流管を付けたナスフラスコに入れ、フラスコ内をアルゴン置換した。その後、マイクロ波（２．４５ＧＨｚ  １２０Ｗ）を６０分間照射し、反応させた。溶媒を留去し、得られた残渣をエタノールで吸引濾過し、水、エタノールで洗浄した。この固体をジクロロメタンに溶解させ、セライト（和光純薬工業株式会社、カタログ番号：５３１−１６８５５）、アルミナ、セライトの順で積層した濾過補助剤を通して濾過した。溶媒を留去して得られた固体をジクロロメタンとヘキサンの混合溶媒にて再結晶することにより、目的物を黄色粉末として得た（収率６８％）。
【０２７８】
上記ステップ３で得られた黄色粉末の核磁気共鳴分光法（１Ｈ−ＮＭＲ）による分析結果を下記に示す。この結果から、本合成例において、［Ｉｒ（ｔＢｕｐｐｍ）２（ａｃａｃ）］が得られたことがわかった。
【０２７９】
１Ｈ−ＮＭＲ．δ（ＣＤＣｌ３）：１．５０（ｓ，１８Ｈ），１．７９（ｓ，６Ｈ），５．２６（ｓ，１Ｈ），６．３３（ｄ，２Ｈ），６．７７（ｔ，２Ｈ），６．８５（ｔ，２Ｈ），７．７０（ｄ，２Ｈ），７．７６（ｓ，２Ｈ），９．０２（ｓ，２Ｈ）。
【符号の説明】
【０２８０】
１００    絶縁表面
１０４    絶縁層
１０６    ゲート電極
１０８    ゲート絶縁層
１１０    半導体層
１１２ａ    ソース電極層
１１２ｂ    ドレイン電極層
１１４    絶縁層
１１６    絶縁層
１１８    第１の電極
１２０    ＥＬ層
１２０ａ    ＥＬ層
１２０ｂ    ＥＬ層
１２２    第２の電極
１２４    絶縁層
１３０    発光素子
１４０    トランジスタ
１５０    隔壁
１５０ａ    脚部
１５０ｂ    台部
１５１    隔壁
１５２    トランジスタ
１５３    トランジスタ
１６０Ｂ    発光ユニット
１６０Ｇ    発光ユニット
１６０Ｒ    発光ユニット
１６１Ｂ    発光ユニット
１６１Ｇ    発光ユニット
１６１Ｒ    発光ユニット
１６４    ブラックマトリクス
１６６    カラーフィルタ
１６８    オーバーコート
１６９    封止領域
１７０    共通配線
２００    ガラス基板
２０４    下地層
２０６    ゲート電極
２０８    ゲート絶縁層
２１０    半導体層
２１２ａ    ソース電極
２１２ｂ    ドレイン電極
２１３    第１の層間絶縁層
２１４    第２の層間絶縁層
２１５    導電層
２１６    第３の層間絶縁膜
２１８    第１の電極
２２０    ＥＬ層
２２２    第２の電極
２２４    絶縁層
２５０    隔壁
３０１ａ    第１の正孔注入層
３０１ｂ    第２の正孔注入層
３０２ａ    第１の正孔輸送層
３０２ｂ    第２の正孔輸送層
３０３ａ    青色発光層
３０３ｂ    緑色発光層
３０３ｃ    赤色発光層
３０４ａ    第１の電子輸送層
３０４ｂ    第２の電子輸送層
３０５    中間層
４０１    発光ユニット
４０３    絶縁層
４０５    隔壁
３０６    電子注入層
７０１    正孔注入層
７０２    正孔輸送層
７０３    発光層
７０４    電子輸送層
７０５    電子注入層
７０６    電子注入バッファー層
７０７    電子リレー層
７０８    複合材料層
７０９    電荷発生層
８０１    基板
８０２    発光部
８０３    駆動回路部
８０４    駆動回路部
８０５    固定部
８０６    基板
８０７    コンタクト部
８１１    照明装置
８１２    照明装置
８１３    卓上照明器具
７１００    テレビジョン装置
７１０１    筐体
７１０３    表示部
７１０５    スタンド
７１０７    表示部
７１０９    操作キー
７１１０    リモコン操作機
７２０１    本体
７２０２    筐体
７２０３    表示部
７２０４    キーボード
７２０５    外部接続ポート
７２０６    ポインティングデバイス
７３０１    筐体
７３０２    筐体
７３０３    連結部
７３０４    表示部
７３０５    表示部
７３０６    スピーカ部
７３０７    記録媒体挿入部
７３０８    ＬＥＤランプ
７３０９    操作キー
７３１０    接続端子
７３１１    センサ
７３１２    マイクロフォン
７４００    携帯電話機
７４０１    筐体
７４０２    表示部
７４０３    操作ボタン
７４０４    外部接続ポート
７４０５    スピーカ
７４０６    マイク
７５０１    照明部
７５０２    傘
７５０３    可変アーム
７５０４    支柱
７５０５    台
７５０６    電源
【図１】
0006275371.tif 000007
【図２】
0006275371.tif 000008
【図３】
0006275371.tif 000009
【図４】
0006275371.tif 000010
【図５】
0006275371.tif 000011
【図６】
0006275371.tif 000012
【図７】
0006275371.tif 000013
【図８】
0006275371.tif 000014
【図９】
0006275371.tif 000015
【図１０】
0006275371.tif 000016
【図１１】
0006275371.tif 000017
【図１２】
0006275371.tif 000018
【図１３】
0006275371.tif 000019
【図１４】
0006275371.tif 000020
【図１５】
0006275371.tif 000021
【図１６】
0006275371.tif 000022