(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
スリット光に対して基板を走査しながら前記基板のショット領域の走査露光を行う露光装置であって、
前記スリット光を入射可能な入射領域において前記基板の高さを計測する第１計測部と、
前記第１計測部による計測に先立って、前記入射領域の手前で前記基板の高さを計測する第２計測部と、
前記ショット領域の走査露光中における前記基板の高さを制御する制御部と、
を含み、
前記制御部は、
走査露光を開始する前記ショット領域の端部側における前記ショット領域の第１区間では、前記第１区間の走査露光中における前記基板の高さを、前記ショット領域の外側領域での前記第１計測部による計測結果に基づいて制御し、
前記第１区間より後に走査露光が行われる前記ショット領域の第２区間では、前記第２区間の走査露光中における前記基板の高さを、前記第２計測部による計測結果に基づいて制御する、ことを特徴とする露光装置。
【請求項２】
前記制御部は、前記ショット領域の走査露光を開始する前の、走査露光を伴わずに前記基板を移動させている期間に前記外側領域で前記第１計測部が計測した計測結果に基づいて、前記第１区間の走査露光中における前記基板の高さを制御する、ことを特徴とする請求項１に記載の露光装置。
【請求項３】
前記制御部は、前記期間において前記基板が等速での移動を開始した後に前記外側領域で前記第１計測部が計測した計測結果に基づいて、前記第１区間の走査露光中における前記基板の高さを制御する、ことを特徴とする請求項２に記載の露光装置。
【請求項４】
前記制御部は、前記外側領域の走査露光中に当該外側領域で前記第１計測部が計測した計測結果に基づいて、前記第１区間の走査露光中における前記基板の高さを制御する、ことを特徴とする請求項１に記載の露光装置。
【請求項５】
前記外側領域は、前記外側領域の走査露光中に前記第１計測部による計測が行われた複数の計測箇所を有し、
前記制御部は、前記複数の計測箇所のうち走査露光を開始する前記ショット領域の端部に最も近い計測箇所についての前記第１計測部による計測結果に基づいて、前記第１区間の走査露光中における前記基板の高さを制御する、ことを特徴とする請求項４に記載の露光装置。
【請求項６】
前記制御部は、
前記外側領域の走査露光が行われていない場合には、前記ショット領域の走査露光を開始する前の、走査露光を伴わずに前記基板を移動させている期間に得られた前記外側領域での前記第１計測部による計測結果に基づいて、前記第１区間の走査露光中における前記基板の高さを制御し、
前記外側領域の走査露光が既に行われている場合には、前記外側領域の走査露光中に得られた前記外側領域での前記第１計測部による計測結果に基づいて、前記第１区間の走査露光中における前記基板の高さを制御する、ことを特徴とする請求項１に記載の露光装置。
【請求項７】
前記外側領域は、走査露光を開始する前記ショット領域の端部側において当該ショット領域と隣り合うショット領域である、ことを特徴とする請求項１乃至６のうちいずれか１項に記載の露光装置。
【請求項８】
請求項１乃至７のうちいずれか１項に記載の露光装置を用いて基板を露光する工程と、
前記工程で露光を行われた前記基板を現像する工程と、
を含むことを特徴とする物品の製造方法。
【請求項９】
スリット光が入射可能である入射領域において基板の高さを計測する第１計測部と、前記第１計測部による計測に先立って、前記入射領域の手前で前記基板の高さを計測する第２計測部とを有する露光装置において、スリット光に対して前記基板を走査しながら前記基板のショット領域の走査露光を行う露光方法であって、
走査露光を開始する前記ショット領域の端部側における前記ショット領域の第１区間において、前記第１区間の走査露光中における前記基板の高さを、前記ショット領域の外側領域での前記第１計測部による計測結果に基づいて制御する工程と、
前記第１区間より後に走査露光が行われる前記ショット領域の第２区間において、前記第２区間の走査露光中における前記基板の高さを、前記第２計測部による計測結果に基づいて制御する工程と、
を含むことを特徴とする露光方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、露光装置、露光方法、および物品の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体デバイスなどの製造工程（リソグラフィ工程）で用いられる装置の１つとして、スリット光に対して基板を走査しながら基板のショット領域の走査露光を行う露光装置がある。このような露光装置は、スリット光を入射可能な入射領域の手前で基板の表面高さの計測（フォーカス計測）を行い、その計測結果に基づいて基板の表面を投影光学系の結像面（フォーカス面）に配置しながらショット領域の走査露光を行う。
【０００３】
露光装置では、スループットを向上させることが求められており、スループットを向上させるには、ショット領域の走査露光の合間における基板ステージのステップ移動に要する時間を短縮することが好ましい。特許文献１には、ショット領域の端部またはその近傍におけるフォーカス計測が省略されるように、フォーカス計測を開始させるショット領域の位置を決定することにより、基板ステージのステップ移動に要する時間を短縮させる方法が提案されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００９−９４２５６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
特許文献１に記載された方法では、スループットが向上するようにフォーカス計測を開始させるショット領域の位置を決定すると、フォーカス計測が行われない区間がショット領域に生じうる。この区間では、フォーカス計測の結果に基づいて基板の表面をフォーカス面に配置させる制御が行われないため、フォーカス精度が許容範囲に収まらないことがある。つまり、特許文献１に記載された方法では、スループットの向上とフォーカス精度の向上との両立が不十分になりうる。
【０００６】
そこで、本発明は、スループットの向上とフォーカス精度の向上とを両立させるために有利な露光装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記目的を達成するために、本発明の一側面としての露光装置は、スリット光に対して基板を走査しながら前記基板のショット領域の走査露光を行う露光装置であって、前記スリット光を入射可能な入射領域において前記基板の高さを計測する第１計測部と、前記第１計測部による計測に先立って、前記入射領域の手前で前記基板の高さを計測する第２計測部と、前記ショット領域の走査露光中における前記基板の高さを制御する制御部と、を含み、前記制御部は、走査露光を開始する前記ショット領域の端部側における前記ショット領域の第１区間では、前記第１区間の走査露光中における前記基板の高さを、前記ショット領域の外側領域での前記第１計測部による計測結果に基づいて制御し、前記第１区間より後に走査露光が行われる前記ショット領域の第２区間では、前記第２区間の走査露光中における前記基板の高さを、前記第２計測部による計測結果に基づいて制御する、ことを特徴とする。
【０００８】
本発明の更なる目的又はその他の側面は、以下、添付図面を参照して説明される好ましい実施形態によって明らかにされるであろう。
【発明の効果】
【０００９】
本発明によれば、例えば、スループットの向上とフォーカス精度の向上とを両立させるために有利な露光装置を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】第１実施形態の露光装置１００の構成を示す概略図である。
【図２】計測部における複数の計測点の配置を示す図である。
【図３】計測部による計測が行われる計測点と、スリット光を入射可能な入射領域との位置関係を示す図である。
【図４】基板上の複数のショット領域に対する従来の走査露光を説明するための図である。
【図５】基板上の複数のショット領域に対する従来の走査露光を説明するための図である。
【図６】基板上の複数のショット領域に対する第１実施形態の走査露光を説明するための図である。
【図７】基板上の複数のショット領域に対する第２実施形態の走査露光を説明するための図である。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
以下、添付図面を参照して、本発明の好適な実施の形態について説明する。なお、各図において、同一の部材ないし要素については同一の参照番号を付し、重複する説明は省略する。
【００１２】
＜第１実施形態＞
本発明に係る第１実施形態の露光装置１００について、図１を参照しながら説明する。図１は、第１実施形態の露光装置１００の構成を示す概略図である。第１実施形態の露光装置１００は、スリット光を用いて基板１５を走査露光するステップ・アンド・スキャン方式の走査露光装置である。そして、露光装置１００は、照明光学系１１と、マスクステージ１３と、投影光学系１４と、基板ステージ１６と、計測部１７と、第１検出部１８と、第２検出部１９と、制御部２０とを含みうる。制御部２０は、例えばＣＰＵやメモリなどを含み、露光装置１００の各部を制御する。即ち、制御部２０は、マスク１２に形成されたパターンを基板１５に転写する処理（基板１５を走査露光する処理）を制御する。
【００１３】
照明光学系１１は、それに含まれるマスキングブレードなどの遮光部材により、エキシマレーザなどの光源（不図示）から射出された光を、例えばＸ方向に長い帯状または円弧状のスリット光に整形し、そのスリット光でマスク１２の一部を照明する。マスク１２および基板１５は、マスクステージ１３および基板ステージ１６によってそれぞれ保持されており、投影光学系１４を介して光学的にほぼ共役な位置（投影光学系１４の物体面および像面）にそれぞれ配置される。投影光学系１４は、所定の投影倍率（例えば１／２倍や１／４倍）を有し、マスク１２に形成されたパターンをスリット光により基板上に投影する。以下では、スリット光を入射可能な領域を入射領域２１と称する。
【００１４】
マスクステージ１３および基板ステージ１６は、投影光学系１４の光軸（スリット光の光軸）と垂直な方向（例えばＹ方向）に移動可能に構成されており、互いに同期しながら投影光学系１４の投影倍率に応じた速度比で相対的に走査される。これにより、スリット光（入射領域２１）に対して基板を走査しながら、マスク１２のパターンを基板上のショット領域１５ａに転写することができる。そして、このような走査露光を、基板ステージ１６をステップ移動させながら、基板１５における複数のショット領域１５ａの各々について順次繰り返すことにより、１枚の基板１５における露光処理を完了させることができる。
【００１５】
第１検出部１８は、例えばレーザ干渉計を含み、マスクステージ１３の位置を検出する。第１検出部１８に含まれるレーザ干渉計は、例えば、レーザ光をマスクステージ１３に設けられた反射板１３ａに照射し、反射板１３ａで反射されたレーザ光によってマスクステージ１３における基準位置からの変位を検出する。これにより、第１検出部１８は、検出した変位に基づいてマスクステージ１３の現在位置を取得することができる。
【００１６】
また、第２検出部１９は、例えばレーザ干渉計を含み、基板ステージ１６の位置を検出する。第２検出部１９に含まれるレーザ干渉計は、例えば、レーザ光を基板ステージ１６に設けられた反射板１６ａに照射し、反射板１６ａで反射されたレーザ光によって基板ステージ１６における基準位置からの変位を検出する。これにより、第２検出部１９は、検出した変位に基づいて基板ステージ１６の現在位置を取得することができる。そして、第１検出部１８と第２検出部１９とによってそれぞれ取得されたマスクステージ１３と基板ステージ１６との現在位置に基づいて、マスクステージ１３と基板ステージ１６とのＸＹ方向における駆動が制御部２０によって制御される。ここで、第１検出部１８および第２検出部１９は、レーザ干渉計を用いて、マスクステージ１３の位置および基板ステージ１６の位置をそれぞれ検出しているが、それに限られるものではなく、例えばエンコーダを用いてもよい。
【００１７】
計測部１７は、投影光学系１４の結像面（フォーカス面）に基板１５の表面（以下では単に基板１５と称する）を一致させるため、基板ステージ１６が移動している状態で基板の高さを計測する。第１実施形態の計測部１７は、基板１５に光を斜めから照射する斜入射型であり、光を基板１５に照射する照射系１７ａと、基板１５で反射された光を受光する受光系１７ｂとを含みうる。
【００１８】
照射系１７ａは、例えば、光源７０と、コリメータレンズ７１と、スリット部材７２と、光学系７３と、ミラー７４とを含みうる。光源７０は、例えばランプや発光ダイオードなどによって構成され、基板上のレジストが感光しない波長の光を射出する。コリメータレンズ７１は、光源７０から射出された光を、断面の光強度分布がほぼ均一となる平行光にする。スリット部材７２は、互いの斜面が相対するように貼り合わせられた一対のプリズムによって構成されており、貼り合わせ面７２ａには、複数の開口（例えば９個のピンホール）が形成されたクロム等の遮光膜が設けられている。光学系７３は、両側テレセントリック光学系であり、スリット部材７２における複数の開口を通過した９本の光束を、ミラー７４を介して基板上に入射させる。このとき、光学系７３は、開口が形成されている面７２ａと基板面を含む面とがシャインプルーフの条件を満足するように構成されている。
【００１９】
本実施形態において、ミラー７４は、照射系１７ａから射出された各光束を基板に入射させる角度φ（光束と投影光学系１４の光軸との間の角度）が例えば７０度以上になるように構成されている。また、照射系１７ａは、図２に示すように、基板面と平行な方向（ＸＹ方向）において、スリット光の走査方向（Ｙ方向）に対して角度θ（例えば２２．５度）を成す方向から９本の高速を基板に入射させるように構成されている。このように９本の光束を基板１５に入射させることにより、９つの計測点３０において基板面の高さを個別に計測することができる。
【００２０】
受光系１７ｂは、例えば、ミラー７５と、受光光学系７６と、補正光学系７７と、光電変換部７８と、処理部７９とを含みうる。ミラー７５は、基板１５で反射された９本の光束を受光光学系７６に導く。受光光学系７６は、両側テレセントリック光学系であり、９本の光束に対して共通に設けられたストッパ絞りを含む。そして、受光光学系７６に含まれるストッパ絞りによって、基板上に形成された回路パターンに起因して発生する高次の回折光（ノイズ光）が遮断される。補正光学系７７は、９本の光束に対応するように複数（９つ）のレンズを有しており、９本の光束を光電変換部７８の受光面に結像して当該受光面にピンホール像をそれぞれ形成する。光電変換部７８は、例えば、９本の光束に対応するように複数（９つ）の光電変換素子を含む。光電変換素子としては、ＣＣＤラインセンサなどが用いられうる。また、処理部７９は、光電変換部７８の受光面における各ピンホール像の位置の変化に基づいて、各計測点３０での基板面の高さを算出する。
【００２１】
このように照射系１７ａおよび受光系１７ｂを構成することにより、計測部１７は、光電変換部７８の受光面における各ピンホール像の位置の変化に基づいて、各計測点３０で基板１５の高さを計測することができる。そして、制御部２０は、基板１５の高さが目標高さ（フォーカス面（目標値））になるように、計測部１７による計測結果に基づいて基板ステージ１６を制御することができる（基板１５の高さを制御することができる）。ここで、受光系１７ｂでは、基板上の各計測点３０と光電変換部７８の受光面とが互いに共役になるように倒れ補正が行われる。そのため、光電変換部７８の受光面における各ピンホール像の位置が、各計測点３０の局所的な傾きによっては変化しない。
【００２２】
次に、基板上のショット領域１５ａの走査露光中における基板１５の高さの計測について図３を参照しながら説明する。図３は、計測部１７によって基板１５の高さをそれぞれ計測する９つの計測点３０と、スリット光を入射可能な入射領域２１との位置関係を示す図である。図３において、入射領域２１は、破線で囲まれた矩形上の領域である。計測点３０ａ１〜３０ａ３（計測点３０ａ）は、計測部１７の第１計測部により、入射領域２１の内側において基板１５の高さの計測を行う計測点３０である。即ち、計測点３０ａでは、基板上に設定された複数の計測箇所４０のうち入射領域２１の内側に配置された計測箇所４０の高さが、第１計測部によって計測される。計測箇所４０とは、計測部１７による高さの計測が行われるように設定された基板上の箇所のことである。
【００２３】
また、計測点３０ｂ１〜３０ｂ３（計測点３０ｂ）および計測点３０ｃ１〜３０ｃ３（計測点３０ｃ）は、計測部１７の第２計測部により、入射領域２１の手前で基板１５の高さの計測を行う計測点３０である。即ち、計測点３０ｂおよび計測点３０ｃでは、入射領域２１の内側において行われる第１計測部による計測点３０ａでの計測箇所４０の高さの計測に先立って、計測箇所４０の高さが第２計測部によって計測される。計測点３０ｂおよび計測点３０ｃは、例えば、第１計測部による計測が行われる計測点３０ａからスリット光の走査方向（±Ｙ方向）に距離Ｌｐだけ離れた位置にそれぞれ配置される。そして、計測点３０ｂでの計測および計測点３０ｃでの計測は、スリット光の走査方向、即ち基板１５の移動方向に応じて切り換えられる。
【００２４】
例えば、矢印Ｆの方向に基板１５を移動させて走査露光を行う場合では、入射領域２１の内側における計測点３０ａより先に計測点３０ｂが基板上の計測箇所４０に配置される。そのため、制御部２０は、第２計測部による計測点３０ｂでの計測結果に基づいて、第２計測部による計測が行われた計測箇所４０に入射領域２１が配置されたときの当該計測箇所４０の高さが目標高さになるように基板１５の高さを制御する。一方で、矢印Ｒの方向に基板１５を移動させて走査露光を行う場合では、入射領域２１の内側における計測点３０ａより先に計測点３０ｃが基板上の計測箇所４０に配置される。そのため、制御部２０は、第２計測部による計測点３０ｃでの計測結果に基づいて、第２計測部による計測が行われた計測箇所４０に入射領域２１が配置されたときの当該計測箇所４０の高さが目標高さになるように基板１５の高さを制御する。
【００２５】
ここで、第２計測部による計測点３０ｂまたは３０ｃでの計測箇所４０の高さの計測は、入射領域２１の外側において行われる。そのため、第２計測部による計測箇所４０の高さの計測結果に基づいて、入射領域２１が配置された当該計測箇所４０の高さが目標高さになるように基板１５の高さを制御したとしても、制御誤差が生じうる。そのため、露光装置１００は、入射領域２１が配置された計測箇所４０の高さを第１計測部によって計測し、第１計測部による計測結果と第２計測部による計測結果との差に基づいて制御誤差を補正している。このように第１計測部と第２計測部とを併用することにより、基板１５の高さを精度よく制御することができる。
【００２６】
［複数のショット領域１５ａに対する従来の走査露光について］
次に、基板上の複数のショット領域１５ａに対する従来の走査露光について図４を参照しながら説明する。図４（ａ）は、基板上の複数のショット領域１５ａに対して走査露光を行う場合における複数の計測点３０の位置とスリット光（入射領域２１）の基板上における走査経路２１ａとを示す図である。図４（ａ）には、走査露光が終了したショット領域１５ａ１と、ショット領域１５ａ１の次に走査露光が行われるショット領域１５ａ２と、ショット領域１５ａ２の次に走査露光が行われるショット領域１５ａ３とが図示されている。ここでは、ショット領域１５ａ２の走査露光を行う場合について説明する。また、図４（ｂ）は、ショット領域１５ａ２の走査露光を行う場合のＹ方向における基板ステージ１６の移動速度と時刻との関係を示す図である。図４（ｂ）における黒丸（●）は、第２計測部（計測点３０ｂ）による計測箇所４０での計測タイミングを示している。
【００２７】
まず、制御部２０は、ショット領域１５ａ１の走査露光が終了した後、即ち、入射領域２１からショット領域１５ａ１が抜け出した後、ショット領域１５ａ２の走査露光を開始するために基板ステージ１６をステップ移動させる。Ｙ方向については、図４（ｂ）に示すように、時刻ｔ１から時刻ｔ２までの期間において基板ステージ１６を減速させ、時刻ｔ２から時刻ｔ３までの期間において基板ステージ１６を加速させる。そして、時刻ｔ３において、基板ステージ１６の等速移動が開始されるとともに、第２計測部（計測点３０ｂ）によるショット領域１５ａ２の計測箇所４０での計測が開始される。
【００２８】
図４（ｂ）における時刻ｔ４では、入射領域２１にショット領域１５ａ２が差し掛かり、スリット光によるショット領域１５ａ２の走査露光が開始される。そして、時刻ｔ４から時刻ｔ５までの期間において、ショット領域１５ａ２の走査露光が行われる。このとき、制御部２０は、第２計測部（計測点３０ｂ）によって計測されたショット領域１５ａ２の各計測箇所４０の高さに基づいて、入射領域２１に配置された各計測箇所４０の高さが目標高さになるように基板１５の高さを制御する。
【００２９】
例えば、ショット領域１５ａ２の計測箇所４０ａ（４０ａ１〜４０ａ３）が計測点３０ｂに配置されたとき、制御部２０は、第２計測部に計測箇所４０ａの高さを計測させる。また、計測箇所４０ｂ（４０ｂ１〜４０ｂ３）が計測点３０ｂに配置されたとき、制御部２０は、第２計測部に計測箇所４０ｂの高さを計測させる。そして、制御部２０は、計測箇所４０ａが入射領域２１に配置されるまでに計測箇所４０ａの高さが目標高さになるように、第２計測部による計測箇所４０ａの計測結果に基づいて基板１５の高さを制御する。次いで、制御部２０は、計測箇所４０ｂが入射領域２１に配置されるまでに計測箇所４０ｂの高さが目標高さになるように、第２計測部による計測箇所４０ｂの計測結果に基づいて基板１５の高さを制御する。
【００３０】
露光装置１００では、スループットを向上させるため、例えばショット領域１５ａ１の走査露光が終了してからショット領域１５ａ２の走査露光を開始するまでに要する時間を短くすることが好ましい。即ち、基板ステージ１６のステップ移動に要する時間を短くすることが好ましい。基板ステージ１６のステップ移動に要する時間を短くする方法としては、例えば、図５に示すように、走査露光を開始するショット領域１５ａ２の端部側に配置された幾つかの計測箇所４０において第２計測部（計測点３０ｂ）による計測を省略する方法がある。図５（ａ）は、ショット領域１５ａ２の端部側に配置された計測箇所４０ａの第２計測部による計測を省略したときのスリット光の基板上における走査経路２１ｂを示す図である。図５（ｂ）は、ショット領域１５ａ２の走査露光を行う場合のＹ方向における基板ステージ１６の移動速度と時刻との関係を示す図である。このように幾つかの計測箇所４０において第２計測部による計測を省略することにより、第２計測部による計測を開始してからショット領域１５ａ２の走査露光を開始するまでの間の期間（時刻ｔ３から時刻ｔ４までの期間）を短くすることができる。即ち、基板ステージ１６のステップ移動に係るスリット光の走査経路２１ｂ（基板ステージ１６の移動距離）を短くし、基板ステージ１６のステップ移動に要する時間を短くすることができる。
【００３１】
［本実施形態における走査露光について］
走査露光を開始するショット領域１５ａ２の端部側に配置された幾つかの計測箇所４０において第２計測部による計測を省略する方法では、第２計測部による計測が行われない区間（第１区間）がショット領域１５ａ２に生じることとなる。図５（ａ）では、計測箇所４０ａにおいて第２計測部による計測が省略されており、走査露光を開始する端部と計測箇所４０ｂとの間の区間Ｌｓが、第２計測部による計測が行われない第１区間に相当する。したがって、この第１区間では、第２計測部による計測結果に基づいた基板１５の高さの制御が行われないため、入射領域２１において基板１５の高さを目標高さにすることが困難になりうる。そこで、本実施形態の露光装置１００は、第１区間の走査露光中における基板１５の高さを、ショット領域１５ａ２の外側領域で第１計測部が計測した計測結果に基づいて制御する。また、本実施形態の露光装置１００は、第１区間より後に走査露光が行われるショット領域１５ａ２の第２区間では、第２区間の走査露光中における基板１５の高さを、各計測箇所４０で第２計測部が計測した計測結果に基づいて制御する。
【００３２】
次に、第１区間の走査露光中における基板１５の高さを、ショット領域１５ａ２の外側領域での第１計測部による計測結果に基づいて制御する方法について、図６を参照しながら説明する。図６（ａ）は、基板上の複数のショット領域１５ａに対して走査露光を行う場合の計測部１７による計測箇所４０での計測を説明するための図である。図６（ｂ）は、ショット領域１５ａ２の走査露光を行う場合のＹ方向における基板ステージ１６の移動速度と時刻との関係を示す図である。
【００３３】
制御部２０は、例えば、ショット領域１５ａ２の走査露光を開始する前の、走査露光を伴わずに基板１５を移動させている期間（基板ステージ１６をステップ移動させる期間）において、第１計測部（計測点３０ａ）に外側領域での計測を行わせる。このとき、制御部２０は、図６（ｂ）に示すように、基板が等速での移動を開始した後（時刻ｔ３以降）において、第１計測部に計測を行わせることが好ましい。このように基板を等速で移動させている状態では、第２計測部に計測を行わせるよりも第１計測部に計測を行わせた方が、走査露光を開始するショット領域１５ａ２の端部に近い箇所での計測結果を得ることができる。図６（ａ）においては、基板１５が等速での移動を開始した時刻ｔ３に、外側領域の計測箇所５０ａ（５０ａ１〜５０ａ３）において第１計測部による計測が行われている。このように第１計測部による計測が行われる外側領域の計測箇所５０ａは、第１区間における基板１５の高さの制御に反映させるため、走査露光を開始するショット領域１５ａ２の端部にできるだけ近い方が好ましい。そして、制御部２０は、第１区間の走査露光中における基板の高さを、外側領域の計測箇所５０ａでの第１計測部による計測結果に基づいて制御する。これにより、第２計測部による計測結果に基づいた基板の高さの制御が行われない第１区間の走査露光中においても、基板１５の高さを精度よく制御することができる。
【００３４】
上述したように、第１実施形態の露光装置１００は、第２計測部による基板の高さの計測が行われない第１区間の走査露光中において、ショット領域１５ａ２の外側領域での第１計測部による計測結果に基づいて基板１５の高さを制御する。これにより、第１区間の走査露光中においても、基板１５の高さを精度よく制御してフォーカス精度を向上させることができる。つまり、第１実施形態の露光装置１００は、ショット領域１５ａ２の計測箇所を省略することによってスループットを向上させるとともに、第１区間におけるフォーカス精度も向上させることができる。
【００３５】
＜第２実施形態＞
本発明に係る第２実施形態の露光装置について説明する。第１実施形態の露光装置１００は、基板ステージ１６のステップ移動の間において、ショット領域１５ａ２の外側領域で第１計測部に基板の高さを計測させ、その計測結果に基づいて、第１区間の走査露光中における基板１５の高さを制御した。それに対し、第２実施形態の露光装置は、ショット領域１５ａ２の外側領域の走査露光中に得られた当該外側領域での第１計測部による計測結果に基づいて、第１区間の走査露光中における基板１５の高さを制御する。第２実施形態の露光装置は、第１実施形態の露光装置１００と装置構成が同様であるため、ここでは装置構成の説明を省略する。
【００３６】
図７は、ショット領域１５ａ２の走査露光を行う場合における複数の計測点３０の位置とスリット光（入射領域２１）の基板上における走査経路２１ｂとを示す図である。図７には、ショット領域１５ａ１〜１５ａ９が図示されている。ショット領域１５ａ２は、走査露光をこれから行う対象のショット領域１５ａである。ショット領域１５ａ１、１５ａ４、１５ａ５、１５ａ７は、ショット領域１５ａ２より前に既に走査露光が行われたショット領域１５ａである。また、ショット領域１５ａ３、１５ａ６、１５ａ８、１５ａ９は、ショット領域１５ａ２の後に走査露光が行われるショット領域１５ａである。ここで、図７では、図をわかり易くするため、計測点３０ｃの図示を省略している
制御部２０は、ショット領域１５ａ２の走査露光を開始する前において、ショット領域１５ａ２の外側領域（例えばショット領域１５ａ５）の走査露光中に得られた当該外側領域での第１計測部による計測結果を取得する。例えば、外側領域（ショット領域１５ａ５）が、第１計測部（計測点３０ａ）による計測が行われた複数の計測箇所６０を有している場合を想定する。この場合では、制御部２０は、複数の計測箇所６０のうち、走査露光を開始するショット領域１５ａ２の端部に最も近い計測箇所６０ａについての第１計測部による計測結果を取得するとよい。当該端部に近い計測箇所の方が、第１区間における基板１５の高さに対する誤差が小さくなるからである。そして、制御部２０は、第１区間の走査露光中における基板１５の高さを、取得した外側領域での第１計測部による計測結果に基づいて制御する。これにより、第２計測部による計測結果に基づいて基板１５の高さの制御が行われない第１区間の走査露光中においても、基板１５の高さを精度よく制御することができる。
【００３７】
ここで、制御部２０は、走査露光を開始するショット領域１５ａ２の端部側において当該ショット領域１５ａ２と隣り合うショット領域（外側領域）の走査露光が行われているか否かに応じて、第１区間における基板１５の高さの制御方法を切り替えてもよい。例えば、外側領域の走査露光が行われていない場合には、制御部２０は、第１実施形態のように、基板ステージのステップ移動の間に得られた外側領域での第１計測部による計測結果に基づいて、第１区間の走査露光中における基板１５の高さを制御するとよい。一方で、外側領域の走査露光が既に行われている場合には、制御部２０は、外側領域の走査露光中に得られた当該外側領域での第１計測部による計測結果を取得し、その計測結果に基づいて、第１区間の走査露光中における基板１５の高さを制御するとよい。
【００３８】
＜物品の製造方法の実施形態＞
本発明の実施形態にかかる物品の製造方法は、例えば、半導体デバイス等のマイクロデバイスや微細構造を有する素子等の物品を製造するのに好適である。本実施形態の物品の製造方法は、基板に塗布された感光剤に上記の露光装置を用いて潜像パターンを形成する工程（基板を露光する工程）と、かかる工程で潜像パターンが形成された基板を現像する工程とを含む。更に、かかる製造方法は、他の周知の工程（酸化、成膜、蒸着、ドーピング、平坦化、エッチング、レジスト剥離、ダイシング、ボンディング、パッケージング等）を含む。本実施形態の物品の製造方法は、従来の方法に比べて、物品の性能・品質・生産性・生産コストの少なくとも１つにおいて有利である。
【００３９】
以上、本発明の好ましい実施形態について説明したが、本発明はこれらの実施形態に限定されないことはいうまでもなく、その要旨の範囲内で種々の変形および変更が可能である。
【符号の説明】
【００４０】
１１：照明光学系、１２：マスク、１３：マスクステージ、１４：投影光学系、１５：基板、１６：基板ステージ、１７：計測部、２０：制御部、１００：露光装置
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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