(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
二枚の銅箔と、該二枚の銅箔の間に設けた表面及び裏面がフッ素樹脂で覆われたガラス不織布からなる複合材料とを含む積層体である両面回路用基板であって、二枚の銅箔の複合材料と接する面の二次元粗さＲａが０．２μｍ以下であり、かつ複合材料の銅箔と接する面のＥＳＣＡで観察される酸素原子の存在割合が１．０％以上であり、３０℃〜４０℃の範囲におけるＺ軸方向の線膨張率が１２０ｐｐｍ／℃以下である、両面回路用基板。
【請求項２】
複合材料が、表面改質された複合材料である請求項１に記載の両面回路用基板。
【請求項３】
二枚の銅箔と、該二枚の銅箔の間にｎ枚のフッ素樹脂からなるフィルム及びｎ−１枚のガラス不織布を交互に設けた交互層とを含む積層体である両面回路用基板であって、ｎが２乃至１０の整数であり、二枚の銅箔のフッ素樹脂からなるフィルムと接する面の二次元粗さＲａが０．２μｍ以下であり、かつフッ素樹脂からなるフィルムの銅箔と接する面のＥＳＣＡで観察される酸素原子の存在割合が１．０％以上であり、３０℃〜４０℃の範囲におけるＺ軸方向の線膨張率が１２０ｐｐｍ／℃以下である、両面回路用基板。
【請求項４】
フッ素樹脂からなるフィルムが、銅箔と接する面が表面改質されたフィルムである請求項３に記載の両面回路用基板。
【請求項５】
請求項１乃至４のいずれか一項に記載の両面回路用基板であって、該両面回路用基板から二枚の銅箔を除いた絶縁体層におけるガラス不織布の含有量が１０質量％以上である両面回路用基板。
【請求項６】
前記フッ素樹脂は、テトラフルオロエチレン・パーフルオロアルキルビニルエーテル共重合体（ＰＦＡ）又はテトラフルオロエチレン・ヘキサフルオロプロピレン共重合体（ＦＥＰ）を含む、請求項１乃至５のいずれか一項に記載の両面回路用基板。
【請求項７】
前記両面回路用基板に対して９０度方向への銅箔の引きはがし強さが０．８Ｎ／ｍｍ以上である請求項１乃至６のいずれか一項に記載の両面回路用基板。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、高周波伝送特性及び銅箔と樹脂層との密着性に優れ、かつＺ軸方向の線膨張率及び弾性率の低い高周波回路に適した両面回路用基板に関する。
【背景技術】
【０００２】
一般的にプリント配線基板には、エポキシ樹脂やポリイミド樹脂が広く用いられているが、数十ギガヘルツレベルの高周波領域の用途で用いられるプリント配線基板には、誘電特性や吸湿性の観点から銅箔上にフッ素樹脂の絶縁層を形成した積層体が主に用いられている。
【０００３】
一般にフッ素樹脂は金属との接着力が高くないため、接着性を向上させるために金属の表面を粗化させる必要がある。しかしながら、１ギガヘルツ以上の高周波になると信号は金属の表面を伝わりやすくなることが知られており（表皮効果）、伝送線路となる金属箔表面の凹凸が大きい場合、電気信号は導体の内部ではなく凹凸部の表面を迂回して伝わるため、伝送損失が大きくなるという問題が生じる。特許文献１の実施例には、表面粗度（Ｒｚ）が０．６〜０．７μｍの金属箔を用いた積層体が例示されている。しかしながら高周波回路においては、例えば１５ギガヘルツの場合、電気信号は金属表面から０．５μｍの深さを伝わると言われており、更に周波数が高くなるにつれて、その深度は浅くなるため、このレベルの粗度では不十分である。
【０００４】
また、フッ素樹脂は一般的に線膨張率が１００ｐｐｍ／℃以上と高く、寸法安定性に問題がある。特許文献２及び３には、フッ素樹脂フィルムとガラスクロスを組み合わせる方法が記載されている。特許文献２では接着性を高めるために、接着剤付き銅箔が使用されているが、接着剤は一般的に誘電特性に劣るエポキシ樹脂であるため高周波用途には適していない。また特許文献３の実施例では三井金属株式会社製の３ＥＣ（厚さ１８μｍ）という銅箔が使用されているが、この銅箔の表面粗度（Ｒｚ）は同社の技術資料によれば５μｍ以上であり、高周波領域での使用には適していない。特許文献４の実施例では表面粗度（Ｒａ）が０．２μｍの両面が粗化処理されていない銅箔が使用されているが、フッ素樹脂製の絶縁基板との接着のために、テトラフルオロエチレン−パーフルオロアルキルビニルエーテルと液晶ポリマー樹脂とのブレンド体の複合フィルムである接着用樹脂フィルムを使用している。
【０００５】
特許文献５には低粗度銅箔と特殊な表面処理を行ったフッ素樹脂フィルムとガラスクロスからなる銅張積層板の伝送損失が十分低いことが記載されているが、この構造の場合、ＸＹ方向の線膨張率は１５ｐｐｍ／℃前後と低いものの、Ｚ軸方向の線膨張率は常温において２５０ｐｐｍ／℃前後と非常に高い。この様なＺ軸方向の線膨張率の高い基板の場合、基板の貫通孔にメッキを施し、基板の表面と裏面とを導通させた後、−４５℃から１２５℃のヒートショック試験にかけると１０００サイクル前後でスルーホールが破断する故障が発生する場合がある。またガラス補強材を用いた一般的な銅張積層板は、補強材の割合を増やせば増やすほど、誘電体層の弾性率が高くなる傾向がある。一方高周波基板においては、半導体チップを実装する際、誘電率の上昇を抑えるために誘電率の高いエポキシ樹脂を原料とするアンダーフィル材を使用しないことが一般的だが、基板の弾性率が高い場合においては、アンダーフィル材を使用しないと基板と半導体チップ間で発生する応力を十分緩和することが出来ず、半導体チップの破壊や脱落が問題となる。そこで高周波回路用基板においては弾性率の十分低い基板が求められている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２００９−２４６２０１号公報
【特許文献２】特開平１−３１７７２７号公報
【特許文献３】特開平５−２６９９１８号公報
【特許文献４】特開２００７−９８６９２号公報
【特許文献５】ＷＯ２０１６／０２１６６６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
本発明は、上記の点に鑑みてなされたものであり、高周波回路における電気信号の伝送損失を低減することができると同時に、表面粗度の低い銅箔とフッ素樹脂との密着性が高く、面方向のみならずＺ軸方向の線膨張率が十分低く、更に弾性率も十分低い両面回路用基板を提供することを目的とするものである。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明者らは、銅箔、フッ素樹脂及びガラス不織布（ガラスペーパー）の積層体である両面回路用基板において、該銅箔のフッ素樹脂と接する面の二次元粗さＲａが特定の値以下とし、かつ該フッ素樹脂の銅箔と接する面の酸素原子の存在割合が特定の値以上とすることにより、表面粗度の低い銅箔に対しても接着性が高く、その結果高周波数における伝送損失が低く、更に面方向に加えてＺ軸方向の線膨張率も低く、弾性率も十分低い両面回路基板が得られることを見出し、本発明を完成した。
【０００９】
即ち本発明は、
（１）二枚の銅箔と、該二枚の銅箔の間に設けた表面及び裏面がフッ素樹脂で覆われたガラス不織布からなる複合材料とを含む積層体である両面回路用基板であって、二枚の銅箔の複合材料と接する面の二次元粗さＲａが０．２μｍ以下であり、かつ複合材料の銅箔と接する面のＥＳＣＡで観察される酸素原子の存在割合が１．０％以上である、両面回路用基板、
（２）複合材料が、表面改質された複合材料である前項（１）に記載の両面回路用基板、
（３）二枚の銅箔と、該二枚の銅箔の間にｎ枚のフッ素樹脂からなるフィルム及びｎ−１枚のガラス不織布を交互に設けた交互層とを含む積層体である両面回路用基板であって、ｎが２乃至１０の整数であり、二枚の銅箔のフッ素樹脂からなるフィルムと接する面の二次元粗さＲａが０．２μｍ以下であり、かつフッ素樹脂からなるフィルムの銅箔と接する面のＥＳＣＡで観察される酸素原子の存在割合が１．０％以上である、両面回路用基板、
（４）フッ素樹脂からなるフィルムが、銅箔と接する面が表面改質されたフィルムである前項（３）に記載の両面回路用基板、
（５）前項（１）乃至（４）のいずれかに記載の両面回路用基板であって、該両面回路用基板から二枚の銅箔を除いた絶縁体層におけるガラス不織布の含有量が１０質量％以上である両面回路用基板、
（６）フッ素樹脂の成分がテトラフルオロエチレン・パーフルオロアルキルビニルエーテル共重合体（ＰＦＡ）又はテトラフルオロエチレン・ヘキサフルオロプロピレン共重合体（ＦＥＰ）である前項（１）乃至（５）のいずれかに記載の両面回路用基板、
（７）基板に対して９０度方向への銅箔の引きはがし強さが０．８Ｎ／ｍｍ以上である前項（１）乃至（６）のいずれかに記載の両面回路用基板、
に関する。
【発明の効果】
【００１０】
本発明の回路基板は表面粗度が極めて低い銅箔を用いているため、高周波帯においても伝送損失が極めて少なく、さらにフッ素樹脂フィルム層と金属との接着及び寸法安定性に優れる。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
本発明の両面回路用基板に用いられる銅箔とは、フッ素樹脂と接する面の表面粗度（Ｒａ）が０．２μｍ以下の範囲内にあることが好ましく、０．１５μｍ以下の範囲内にあることがより好ましい。表面粗度が０．２μｍを超えると伝送損失が大きくなり、両面回路用基板の実用性能を満足しないことがある。銅箔の種類には電解箔と圧延箔があるが、本発明の両面回路用基板にはどちらの銅箔も用いることができる。銅箔の厚さは好ましくは５乃至５０μｍであり、より好ましくは８乃至４０μｍである。
【００１２】
銅箔のフッ素樹脂と接する面は、未処理でも、表面処理を施されていてもよい。表面処理の具体例としては、例えばニッケル、鉄、亜鉛、金、銀、アルミニウム、クロム、チタン、パラジウムまたは錫より選ばれる１種以上の金属によるメッキ処理が挙げられ、ニッケル、鉄、亜鉛、金またはアルミニウムより選ばれる１種以上によるメッキ処理が好ましく、ニッケル又はアルミニウムによるメッキ処理がより好ましく、場合によりニッケル、鉄、亜鉛、金又は錫より選ばれる１種以上の金属メッキ処理が好ましい。、また未処理の銅箔表面もしくは前記の金属によってメッキ処理された銅箔表面に、シランカップリング剤などの薬剤で表面改質を処してもよい。
【００１３】
本発明の両面回路用基板に用いられるガラス不織布とは、ガラスの短繊維を少量のバインダー化合物（樹脂あるいは無機物）で固着したもの、あるいはバインダー化合物を使用せずにガラス短繊維を絡ませることによってその形状を維持しているもの、であり、市販のものが使用できる。ガラス短繊維の直径は好ましくは０．５乃至３０μｍであり、繊維長は好ましくは５乃至３０ｍｍである。バインダー化合物の具体例としては、エポキシ樹脂、アクリル樹脂、セルロース、ポリビニルアルコール、フッ素樹脂等の樹脂や、シリカ化合物等の無機物が挙げられる。バインダー化合物の使用量はガラス短繊維に対して通常３〜１５質量％である。ガラス短繊維の材質としてはＥガラス、Ｃガラス、Ａガラス、Ｓガラス、Ｄガラス、ＮＥガラス、低誘電率ガラスなどが挙げられる。ガラス不織布の厚さは通常５０μｍ乃至１０００μｍであり、１００μｍ乃至〜９００μｍであることが好ましい。尚、本願におけるガラス不織布の厚さは、ＪＩＳ  Ｐ８１１８：１９９８に準じ、（株）小野測器製のデジタルゲージＤＧ−９２５（荷重１１０グラム、面径１０ｍｍ）を用いて測定した値を意味する。フッ素樹脂との親和性を高めるために、ガラス不織布にシランカップリング剤処理を施してもよい。
【００１４】
ガラス不織布の多くは空隙率が８０％以上と非常に高いので、後述するフッ素樹脂からなるフィルムより厚いものを使用し、圧力によって圧縮して用いることが好ましい。
【００１５】
フッ素樹脂としては、ポリテトラフルオロエチレン〔ＰＴＦＥ〕、ポリクロロトリフルオロエチレン〔ＰＣＴＦＥ〕、エチレン−ＴＦＥ共重合体〔ＥＴＦＥ〕、エチレン−クロロトリフルオロエチレン〔ＥＣＴＦＥ〕共重合体、ＣＴＦＥ−ＴＦＥ共重合体、ＴＦＥ−ＨＦＰ共重合体〔ＦＥＰ〕、ＴＦＥ−ＰＡＶＥ共重合体〔ＰＦＡ〕、及び、ポリビニリデンフルオライド〔ＰＶｄＦ〕からなる群より選択される少なくとも１種であることが好ましく、電気特性（誘電率・誘電正接）や耐熱性などの観点から、ＰＦＡ及び／又はＦＥＰであることがより好ましく、ＰＦＡであることが更に好ましい。
【００１６】
ＰＦＡは、ＴＦＥに基づく重合単位（ＴＦＥ単位）、及び、ＰＡＶＥに基づく重合単位（ＰＡＶＥ単位）を含む共重合体である。
上記ＰＦＡにおいて、ＰＡＶＥは特に限定されず、例えば、下記一般式（１）：
ＣＦ２＝ＣＦ−ＯＲｆ１    （１）
で表されるパーフルオロ不飽和化合物が挙げられる。式中、Ｒｆ１は、パーフルオロ有機基を表す。
【００１７】
尚、本明細書において、「パーフルオロ有機基」とは、炭素原子に結合する水素原子の全てがフッ素原子に置換された有機基を意味すし、パーフルオロ有機基はエーテル結合性の酸素原子を有していてもよい。
【００１８】
上記ＰＡＶＥとしては、例えば、上記一般式（１）において、Ｒｆ１が炭素数１乃至１０のパーフルオロアルキル基であるものが好ましく、炭素数が１乃至５のパーフルオロアルキル基であるものがより好ましい。
【００１９】
上記ＰＡＶＥとしては、パーフルオロ（メチルビニルエーテル）〔ＰＭＶＥ〕、パーフルオロ（エチルビニルエーテル）〔ＰＥＶＥ〕、パーフルオロ（プロピルビニルエーテル）〔ＰＰＶＥ〕、及び、パーフルオロ（ブチルビニルエーテル）からなる群より選択される少なくとも１種であることがより好ましく、ＰＭＶＥ、ＰＥＶＥ及びＰＰＶＥからなる群より選択される少なくとも１種であることが更に好ましく、耐熱性に優れる点でＰＰＶＥであることが特に好ましい。
【００２０】
上記ＰＦＡは、ＰＡＶＥ単位が１乃至１０モル％であるものが好ましく、３乃至６モル％であるものがより好ましい。また、上記ＰＦＡは、全重合単位に対して、ＴＦＥ単位及びＰＡＶＥ単位が合計で９０乃至１００モル％であることが好ましい。
【００２１】
上記ＰＦＡは、ＴＦＥ単位、ＰＡＶＥ単位、並びに、ＴＦＥ及びＰＡＶＥと共重合可能な単量体に基づく重合単位を含む共重合体であってもよい。ＴＦＥ及びＰＡＶＥと共重合可能な単量体としては、ヘキサフルオロプロピレン、ＣＸ１Ｘ２＝ＣＸ３（ＣＦ２）ｎＸ４（式中、Ｘ１、Ｘ２及びＸ３は同一であっても異なってもよく、水素原子又はフッ素原子を表す。Ｘ４は水素原子、フッ素原子又は塩素原子を表す。ｎは２乃至１０の整数を表す。）で表されるビニル単量体、ＣＦ２＝ＣＦ−ＯＣＨ２−Ｒｆ２（式中、Ｒｆ２は炭素数１乃至５のパーフルオロアルキル基を表す。）で表されるアルキルパーフルオロビニルエーテル誘導体からなる群より選択される少なくとも１種が好ましい。
【００２２】
上記アルキルパーフルオロビニルエーテル誘導体としては、Ｒｆ２が炭素数１乃至３のパーフルオロアルキル基であるものが好ましく、ＣＦ２＝ＣＦ−ＯＣＨ２−ＣＦ２ＣＦ３がより好ましい。
【００２３】
ＰＦＡが、ＴＦＥ及びＰＡＶＥと共重合可能な単量体に基づく重合単位を有するものである場合、ＰＦＡは、ＴＦＥ及びＰＡＶＥと共重合可能な単量体に由来する単量体単位が０乃至１０モル％であり、ＴＦＥ単位及びＰＡＶＥ単位が合計で９０乃至１００モル％であることが好ましい。より好ましくは、ＴＦＥ及びＰＡＶＥと共重合可能な単量体に由来する単量体単位が０．１乃至１０モル％であり、ＴＦＥ単位及びＰＡＶＥ単位が合計で９０乃至９９．９モル％である。
【００２４】
ＦＥＰは、テトラフルオロエチレンに基づく重合単位（ＴＦＥ単位）、及びヘキサフルオロプロピレンに基づく重合単位（ＨＦＰ単位）を含む共重合体である。
【００２５】
ＦＥＰとしては、特に限定されないが、ＴＦＥ単位とＨＦＰ単位とのモル比（ＴＦＥ単位／ＨＦＰ単位）が７０乃至９９／３０乃至１である共重合体が好ましく、８０乃至９７／２０乃至３である共重合体がより好ましい。ＴＦＥ単位が少なすぎると機械物性が低下する傾向があり、多すぎると融点が高くなりすぎ成形性が低下する傾向がある。
【００２６】
ＦＥＰは、ＴＦＥ及びＨＦＰと共重合可能な単量体に由来する単量体単位が０．１乃至１０モル％であり、ＴＦＥ単位及びＨＦＰ単位が合計で９０乃至９９．９モル％である共重合体であることも好ましい。ＴＦＥ及びＨＦＰと共重合可能な単量体としては、ＰＡＶＥ、アルキルパーフルオロビニルエーテル誘導体等が挙げられる。
【００２７】
上述した共重合体の各単量体の含有量は、ＮＭＲ、ＦＴ−ＩＲ、元素分析、蛍光Ｘ線分析を単量体の種類によって適宜組み合わせることで算出できる。
上記フッ素樹脂は、メルトフローレート（ＭＦＲ）が１．０ｇ／１０分以上であることが好ましく、２．５ｇ／１０分以上であることがより好ましく、１０ｇ／１０分以上であることが更に好ましい。ＭＦＲの上限は、例えば、１００ｇ／１０分である。
上記ＭＦＲは、ＡＳＴＭ  Ｄ３３０７に準拠して、温度３７２℃、荷重５．０ｋｇの条件下で測定し得られる値である。
【００２８】
フッ素樹脂の融点は、３２０℃以下であることが好ましく、３１０℃以下であることがより好ましい。融点は、耐熱性および両面基盤を作製する上での加工性も鑑みると２６０℃以上が好ましく、２６５℃以上がより好ましい。
【００２９】
上記融点は、ＤＳＣ（示差走査熱量測定）装置を用い、１０℃／分の速度で昇温したときの融解ピークに対応する温度である。
【００３０】
フッ素樹脂の材料形態としてフィルムを用いる場合は、上記溶融加工可能なフッ素樹脂又は該フッ素樹脂を含む組成物を、溶融押出し成形法、溶媒キャスト法又はスプレー法等の公知の方法で成型することにより得られる。フッ素樹脂からなるフィルム１枚の厚さは好ましくは１０乃至１００μｍであり、より好ましくは２０乃至８０μｍである。
【００３１】
本発明の両面回路用基板に用いられる複合材料としては、表面及び裏面がフッ素樹脂で覆われたガラス不織布を用いることができる。フッ素樹脂とガラス不織布から複合材料を得る方法としては、例えば、
Ｉ．あらかじめ成形され表面処理がなされたフッ素樹脂のフィルムとガラス不織布を加熱下で圧着する方法、
ＩＩ．ダイスなどから押し出されたフッ素樹脂の溶融物とガラス不織布と加熱下で複合化及び成型する方法、
等が挙げられるが、生産性を考慮した場合、Ｉの方法が好ましい。
【００３２】
加熱下で圧着（熱圧着）する場合は、通常２５０〜４００℃の範囲内で、１〜２０分間、０．１〜１０メガパスカルの圧力で行うことが出来る。熱圧着温度に関しては、高温になると樹脂のしみ出しや、厚みの不均一化が起こる懸念があり、３５０℃未満であることが好ましく、３４０℃以下であることがより好ましい。熱圧着はプレス機を用いてバッチ式に行うこともでき、また高温ラミネーターを用いて連続的に行うこともできる。プレス機を用いる場合は空気の挟み込みを防ぎ、フッ素樹脂のガラス不織布内への含浸性を高めるために、真空プレス機を用いることが好ましい。フッ素樹脂のガラス不織布への含浸性が低い場合は、スルーホールを形成する際、メッキ液がガラスクロス内に浸透し、スルーホール間にショートを生ぜしめるといった問題が発生し易い。ただし、本明細書では、フッ素樹脂からなるフィルムが、ガラス不織布に対し、十分に含浸している、十分に含浸していないにかかわらず、フッ素樹脂フィルム及びガラス不織布から構成される交互層を、複合材料の一形態とする。
【００３３】
本発明の両面回路用基板に用いられる複合材料及びフッ素樹脂からなるフィルムにおける、銅箔と接する表面のＥＳＣＡで観測した酸素原子の存在割合が１．０％以上であることを特徴とする。銅箔と接する表面のＥＳＣＡで観察した酸素原子の存在割合は１．２％以上が好ましく、１．８％以上がより好ましく、２．５％以上が更に好ましい。上限に関しては特に規定はないが、生産性やその他の物性への影響を鑑みると、１５％以下であることが好ましい。銅箔と接する表面のＥＳＣＡで観測した窒素原子の存在割合は特に規定されないが、０．１％以上あることが好ましい。
【００３４】
銅箔と接する表面のＥＳＣＡで観測した酸素原子の存在割合を１．０％以上とするためには、複合材料の表面（のフッ素樹脂面）及びフッ素樹脂からなるフィルムの表面の改質が必要である。尚、複合材料の場合は、予め表面改質したフッ素樹脂からなるフィルムを、上記の方法によりガラス不織布と圧着して表面が改質された複合材料を得ることもできる。
【００３５】
表面改質は、従来公知のコロナ放電処理やグロー放電処理、プラズマ放電処理、スパッタリング処理などによる放電処理が採用できる。例えば、放電雰囲気中に酸素ガス、窒素ガス、水素ガスなどを導入することで表面自由エネルギーをコントロールできる他、有機化合物が含まれている不活性ガス（たとえば窒素ガス、ヘリウムガス、アルゴンガスなど）雰囲気に改質すべき表面を曝し、電極間に高周波電圧をかけることにより放電を起こさせ、これにより表面に活性種を生成し、ついで有機化合物の官能基を導入もしくは重合性有機化合物をグラフト重合することによって表面改質を行うことができる。
【００３６】
ここで用いられる有機化合物としては酸素原子を含有する重合性または非重合性有機化合物であり、たとえば酢酸ビニル、ギ酸ビニルなどのビニルエステル類；グリシジルメタクリレートなどのアクリル酸エステル類；ビニルエチルエーテル、ビニルメチルエーテル、グリシジルメチルエーテルなどのエーテル類；酢酸、ギ酸などのカルボン酸類；メチルアルコール、エチルアルコール、フェノール、エチレングリコールなどのアルコール類；アセトン、メチルエチルケトンなどのケトン類；酢酸エチル、ギ酸エチルなどのカルボン酸エステル類；アクリル酸、メタクリル酸などのアクリル酸類などがあげられる。これらのうち改質された表面が失活しにくい（寿命が長い）点、安全性の面で取扱いが容易な点から、ビニルエステル類、アクリル酸エステル類、ケトン類が好ましく、特に酢酸ビニル、グリシジルメタクリレートが好ましい。
【００３７】
有機化合物の濃度はその表面改質されるフッ素樹脂や有機化合物の種類等によって異なるが、通常０．１乃至３．０容量％、好ましくは０．１乃至１．０容量％である。放電条件は目的とする表面改質の度合い、フッ素樹脂の種類、有機化合物の種類や濃度などによって適宜選定すればよいが、通常、荷電密度が０．３乃至９．０Ｗ・ｓｅｃ／ｃｍ２、好ましくは０．３乃至３．０Ｗ・ｓｅｃ／ｃｍ２の範囲で放電処理する。処理温度は０乃至１００℃の範囲の任意の温度で行なうことができる。
【００３８】
次に本発明の両面回路用基板を作製する方法を説明する。
【００３９】
本発明の両面回路用基板を得る方法としては、例えば
Ａ法；二枚の銅箔と前記の複合材料を、二次元粗さが０．２μｍ以下である銅箔面が複合材料と対向する様に銅箔−複合材料−銅箔をこの順番で重ね合せて積層体を形成した後に加熱下で圧着する方法、
Ｂ法；ｎ枚のフッ素樹脂からなるフィルム及びｎ−１枚のガラス不織布を交互に重ね合せてフッ素樹脂からなるフィルムとガラス不織布の交互層を得た後、該積層体の最上層フッ素樹脂からなるフィルムの上及び最下層のフッ素樹脂からなるフィルムの下に、二次元粗さが０．２μｍ以下である銅箔面がフッ素樹脂からなるフィルムと対向する様にそれどれ銅箔を設け、積層体を形成した後に加熱下で圧着する方法、等が挙げられる。
【００４０】
前記のＡ法は一枚の複合材料を用いた最も単純な調製方法であるが、二枚の銅箔の間に複数枚の複合材料を用いて両面回路用基板を調製してもよい。複数の複合材料を用いる場合は複合材料の銅箔と接する面のＥＳＣＡで観察した酸素原子の存在割合が１．０％以上でありさえすれば、他の複合材材料と接する面のＥＳＣＡで観察した酸素原子の存在割合は１．０％未満であっても構わない。
【００４１】
尚、前記のＡ法は両面のみに銅箔を設けた両面回路基板の調製方法であるが、三枚以上の銅箔を用いて得られる三層以上の多層基板や、両面に銅箔を有する二層基板の銅箔上に、更にフッ素樹脂層（及びガラス不織布）を積層した構成の回路用基板も本発明の両面回路用基板の範疇に含まれる。
【００４２】
前記のＢ法をより具体的に説明すると、例えば二枚のフッ素樹脂からなるフィルム及び一枚のガラス不織布を用いて両面回路用基板を調製する場合は、銅箔の二次元粗さが０．２μｍ以下である面とフッ素樹脂からなるフィルムのＥＳＣＡで観察した酸素原子の存在割合が１．０％以上である面とが対向する様に銅箔−フッ素樹脂からなるフィルム−ガラス不織布−フッ素樹脂からなるフィルム−銅箔をこの順番で重ね合せた後に加熱下で圧着する方法である。この場合、フッ素樹脂フィルムのガラス不織布と対向する面のＥＳＣＡで観察した酸素原子の存在割合は１．０％未満であっても構わない。また、例えば三枚のフッ素樹脂からなるフィルム及び二枚のガラス不織布を用いて両面回路用基板を調製する場合は、銅箔の二次元粗さが０．２μｍ以下である面とフッ素樹脂からなるフィルムのＥＳＣＡで観察した酸素原子の存在割合が１．０％以上である面とが対向する様に、銅箔−フッ素樹脂からなるフィルム−ガラス不織布−フッ素樹脂からなるフィルム−ガラス不織布−フッ素樹脂からなるフィルム−銅箔をこの順番で重ね合せた後に加熱下で圧着する方法である。
【００４３】
尚、前記のＢ法は両面に銅箔を設けた両面回路基板の調製方法であるが、両面に銅箔を有する二層基板の銅箔上に、更にフッ素樹脂層（及びガラス不織布）を積層した回路用基板や、ｎ枚のフッ素樹脂からなるフィルム及びｎ−１枚のガラス不織布を介して銅箔を積層した構成の多層基板も本発明の両面回路用基板の範疇に含まれる。
【００４４】
前記のＡ法及びＢ法における熱圧着は、複合材料を得る方法の部分に記載した熱圧着の諸条件に準じた方法で行えばよい。
【００４５】
上記の表面処理を行ったフッ素樹脂からなるフィルムは、単体では表面粗度が０．２μｍ以下の銅箔に対して十分な接着強度は持ちえず、熱圧着時に銅箔から染み出し、厚みの均一化も図れないが、ガラス不織布を併用することにより、或いはガラス不織布との複合材料とすることにより、線膨張率が十分下がり、さらに樹脂の染み出しも低減し、表面粗度Ｒａが０．２μｍ以下である銅箔に対しても高い接着性を発現する。
【００４６】
本発明の両面回路用基板に用いられるフッ素樹脂からなるフィルムの枚数ｎは通常２乃至１０の整数であり、２乃至８の整数であることが好ましく、２乃至６の整数であることがより好ましい。フッ素樹脂フィルムの厚さやガラス不織布の種類や厚さ、及びｎの値を変えることによって本発明の誘電体層のＸＹ方向の線膨張率を変えることが出来るが、線膨張率の値は５乃至５０ｐｐｍ／℃の範囲内が好ましく、１０乃至４０ｐｐｍ／℃の範囲内がより好ましい。誘電体層の線膨張率が５０ｐｐｍ／℃を超えると銅箔と誘電体層との密着性が低くなり、また銅箔エッチング後に基板の反りや波打ちなどの不具合を生じやすくなる。
【００４７】
本発明の両面回路用基板から銅箔を除いた絶縁体層の弾性率は、常温において５ＧＰａ以下が好ましく、４ＧＰａ以下がより好ましい。高周波基板では誘電特性の悪化を防ぐために、半導体チップと基板の間に応力緩和剤であるアンダーフィルを加えないことが多いが、そのような場合、基板の弾性率が５ＧＰａを超えると、基板上に発生する応力を十分緩和することができず、半導体チップに損傷を及ぼす可能性が高い。
本発明の両面回路用基板から銅箔を除いた絶縁体層におけるガラス不織布の含有量は通常１０乃至９０質量％、好ましくは１５乃至８５質量％である。
【００４８】
本発明において高周波回路とは、単に高周波信号のみを伝送する回路からなるものだけでなく、高周波信号を低周波信号に変換して、生成された低周波信号を外部へ出力する伝送路や、高周波対応部品の駆動のために供給される電源を供給するための伝送路等、高周波信号ではない信号を伝送する伝送路も同一平面上に併設された回路も含まれる。
【実施例】
【００４９】
以下、実施例及び比較例に基づいて本発明をより具体的に説明するが、本発明は以下の実施例に限定されるものではない。尚、実施例における測定及び評価は以下に記載の装置及び方法で行った。
【００５０】
（銅箔表面の二次元粗さＲａ）
（株）小坂研究所製のＳＥ−５００を用い、触針法で測定した。
【００５１】
（フッ素樹脂表面のＥＳＣＡ分析）
Ｘ線光電子分光装置（（株）島津製作所製のＥＳＣＡ−７５０）により測定した。
【００５２】
（銅箔とフッ素樹脂間の接着強度）
ＪＩＳ  Ｃ５０１６−１９９４に準拠して、毎分５０ｍｍの速度で銅箔を銅箔除去面に対して９０°の方向に引きはがしながら、引っ張り試験機により、銅箔の引きはがし強さを測定し、得られた値を接着強度とした。
【００５３】
（絶縁体層の弾性率）
作製した両面基板の銅箔をエッチングした後、引張試験機（（株）島津製作所製ＡＧＳ−Ｘ）により測定した。
【００５４】
（両面回路用基板の誘電率、誘電正接）
作製した両面基板の銅箔をエッチングした後、空洞共振器（関東電子応用開発株式会社製）により１ＧＨｚにて測定し、ネットワークアナライザー（アジレントテクノロジー株式会社製、型式８７１９ＥＴ）にて解析した。
【００５５】
（両面回路用基板の伝送損失）
エッチングにより、長さ１０ｃｍのマイクロストリップラインを作製し、ネットワークアナライザーを用いて４０ＧＨｚにおける伝送損失を測定した。
【００５６】
（絶縁体層のＺ軸方向の線膨張率）
レーザー熱膨張計（ＬＩＸ−２Ｍ；アドバンス理工（株）製）により測定した。
【００５７】
実施例１
表面粗度Ｒａが０．０８μｍである厚さ１８μｍの無粗処理電解銅箔（福田金属箔粉工業株式会社製  製品名ＣＦ−Ｔ９ＤＡ−ＳＶ−１８）２枚、厚さ５０μｍの両面に表面処理（コロナ放電装置の放電電極とロール状接地電極の近傍に酢酸ビニルが０．１３容量％含まれる窒素ガスを流しながら、フィルムをロール状接地電極に添わせて連続的に通過させ、荷電密度１．７ｗ・ｓ／ｃｍ２でフィルムの両面をコロナ放電処理した）がなされ、ＥＳＣＡ表面分析によるＯの存在割合が２．６２％であるテトラフルオロエチレン・パーフルオロアルキルビニルエーテル共重合体（ＰＦＡ）フィルム（ＴＦＥ／ＰＰＶＥ＝９８．５／１．５（モル％）、ＭＦＲ：１４．８ｇ／１０分、融点：３０５℃）を２枚、厚さ４２３μｍのガラス不織布（オリベスト株式会社製ＳＹＳ０５３）１枚を用意し、銅箔のマット面を内側、にして（すなわち、マット面がＰＦＡフィルムに接するように配置する）、銅箔／ＰＦＡフィルム／ガラス不織布／ＰＦＡフィルム／銅箔の順に積層した。この積層体を真空プレス機を用いて３２５℃で３０分間熱プレスすることにより、厚さが１２５μｍである本発明の両面基板１を作製した。
【００５８】
実施例２
実施例１において２枚のＰＦＡフィルムの厚さを一方は５０μｍとし、他方は２５μｍとして、後は実施例１と同じにして、厚さが１００μｍである本発明の両面基板２を作製した。
【００５９】
実施例３
実施例１において、２枚のＰＦＡフィルムをそれぞれＦＥＰフィルムに変更し、実施例１と同様の両面処理を行ったものを用いた以外は同様にして、厚さが１２５μｍである両面基板３を作製した。
【００６０】
比較例１
実施例１においてガラス不織布の代わりに厚さが厚さ４３μｍのガラスクロス（株式会社製有沢製作所製ＩＰＣスタイル名１０７８）に代えた以外は同様にして、厚さが１２０μｍである両面基板４を作製した。
【００６１】
上記両面基板１，２，３，４を用い、銅箔とフッ素樹脂層の引きはがし強さを測定した。また銅箔をエッチングし、絶縁体層の弾性率、誘電率、誘電正接及びＺ軸方向の線膨張率を測定した。更にマイクロストリップラインを作製し４０ＧＨｚでの伝送損失を測定した。
【００６２】
【表１】
0006275200.tif 000002
【００６３】
本発明によれば、線膨張率が小さく、銅箔引きはがし強さが強く、しかも高周波における伝送損失が少ない両面回路用基板を容易に製造出来るため、工業的に極めて有用である。