(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
下記式（１）：
【化１】
0006275679.tif 000014
（式中、ＸはＳ又はＯを表し、
Ｌ１はＣ６−Ｃ３０アリーレン基を表し、
Ａｒ１はフェニル基、ナフチル基、ビフェニル基又は（ジフェニルアミノ）フェニル基を表し、
ＸがＳである場合、Ａｒ２はフェニル基、ナフチル基、ビフェニル基又は（ジフェニルアミノ）フェニル基を表し、
ＸがＯである場合、Ａｒ２はフェニル基、ナフチル基、ビフェニル基又は（ジフェニルアミノ）フェニル基を表し、又はＡｒ２、Ｎ及びＬ１が一緒に置換又は無置換のカルバゾール部分を形成し、
Ａｒ１及びＡｒ２の少なくとも一つは、（ジフェニルアミノ）フェニル基である）で表される複素環化合物。
【請求項２】
上記カルバゾール部分は、Ｃ６−Ｃ１５アリール基で置換されている、請求項１に記載の複素環化合物。
【請求項３】
上記カルバゾール部分は、フェニル基、ナフチル基、又はビフェニル基で置換されている、請求項２に記載の複素環化合物。
【請求項４】
Ｌ１はフェニレン基を表す、請求項１に記載の複素環化合物。
【請求項５】
上記式（１）の化合物は、下記化合物：
【化２】
0006275679.tif 000015
からなる群より選ばれる、請求項４に記載の複素環化合物。
【請求項６】
上記式（１）の化合物は、下記化合物：
【化３】
0006275679.tif 000016
からなる群より選ばれる、請求項１に記載の複素環化合物。
【請求項７】
基材と、
上記基材に形成された陽極と、
上記陽極に形成された陰極と、
上記陽極と上記陰極の間に形成された少なくとも一層の発光層とを含み、
上記発光層は、リン光性ドーパント、及び請求項１に記載の複素環化合物をホスト材料として含む、有機エレクトロルミネセント装置。
【請求項８】
上記リン光性ドーパントは、ルテニウム、ロジウム、パラジウム、銀、レニウム、オスミウム、イリジウム、白金及び金からなる群より選ばれる少なくとも一種の金属を含む有機金属錯体である、請求項７に記載の有機エレクトロルミネセント装置。
【請求項９】
上記発光層は、３ｗｔ％〜１５ｗｔ％範囲の上記リン光性ドーパントを含む、請求項７に記載の有機エレクトロルミネセント装置。
【請求項１０】
さらに、上記陽極及び上記発光層の間に形成された少なくとも一層の正孔補助層を含み、上記少なくとも一層の正孔補助層は、正孔注入層及び正孔輸送層からなる群より選ばれる、請求項７に記載の有機エレクトロルミネセント装置。
【請求項１１】
上記少なくとも一層の正孔補助層は、請求項１に記載の複素環化合物を含む、請求項１０に記載の有機エレクトロルミネセント装置。
【請求項１２】
さらに、上記発光層及び上記陰極の間に形成された少なくとも一層の電子補助層を含み、上記少なくとも一層の電子補助層は、電子輸送層及び電子注入層からなる群より選ばれる、請求項７に記載の有機エレクトロルミネセント装置。
【請求項１３】
上記少なくとも一層の電子補助層は、請求項１に記載の複素環化合物を含む、請求項１２に記載の有機エレクトロルミネセント装置。
【請求項１４】
さらに、上記陽極及び上記発光層の間、又は、上記発光層及び上記陰極の間に形成されたエキシトンブロック層を含む、請求項７に記載の有機エレクトロルミネセント装置。
【請求項１５】
上記エキシトンブロック層は、請求項１に記載の複素環化合物を含む、請求項１４に記載の有機エレクトロルミネセント装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、有機エレクトロルミネセント装置の複素環化合物に関し、特に中心骨格にジベンゾチオフェン又はジベンゾフラン分子構造を有する複素環化合物、及びその化合物を用いたリン光型有機エレクトロルミネセント装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、有機エレクトロルミネセント装置（ＯＬＥＤ）は、他のディスプレー技術、例えば、液晶ディスプレー（ＬＣＤ）及び発光ダイオード（ＬＥＤ）より競争力を有する、発光型ディスプレイ技術とされている。ＯＬＥＤ装置は、優れた輝度、高効率および低駆動電圧に加え、フルカラーの表示能力及びより長い操作安定性を有するため、商業的に魅力がある。
【０００３】
典型的なＯＬＥＤは陽極と陰極の間に挟まれる少なくとも一つの発光層を有する。電流を印加する場合、陽極は正孔を、陰極は電子を、一層又は多層の有機層に注入する。注入された正孔及び電子は、それぞれ逆荷電の電極に移行（ｍｉｇｒａｔｅ）する。電子及び正孔が同じ分子に局在すると、「エキシトン（ｅｘｃｉｔｏｎ）」が形成され、エキシトンは励起エネルギー状態を有する局在化の電子−正孔対である。エキシトンが発光メカニズムにより緩和すると、光を放射する。これらの装置の電荷輸送能力及び発光効率を改善するため、発光層の周りに一層又は多層の付加層、例えば、電子輸送層及び／又は正孔輸送層、あるいは電子阻止層及び／又は一層又は多層の正孔阻止層を含ませる。ホスト材料の他、ゲスト材料をドープすることにより、装置性能を強化させ、色度を調整することは、先行技術文献によってよく知られている。様々なＯＬＥＤ材料及び装置構成は、特許文献１、特許文献２及び特許文献３に記載されており、その全体が本明細書に参考として組み込まれている。
【０００４】
最近、三重項状態（リン光）により発光する発光材料を有するＯＬＥＤは、非特許文献１、非特許文献２、及び特許文献４に記載され、その全体が本明細書に参考として組み込まれている。
【０００５】
特に、ホスト材料の非発光三重項励起状態はゲストのリン光体（ドーパント）より高い必要があるため、リン光型ＯＬＥＤのホスト材料の選択はより困難になる。また、ホスト材料は、高効率ＯＬＥＤに使用するための良好な電荷輸送性質を有することを必要しており、特許文献５には、良好な正孔輸送を有するＣＢＰ（４，４’−ビス（Ｎ−カルバゾリル）−１，１’−ビフェニル）をホスト材料とすることが開示されているが、その電子輸送性質は好ましくない。そのため、トリ（２−フェニルピリジン）イリジウム（以下、Ｉｒ（ｐｐｙ）３とも称する）（緑色リン光エミッター）  、ホスト材料としてのＣＢＰの使用は、電子電荷の平衡注入を妨害し、電子輸送層へ流れる正孔の過多を引き起こし、発光効率が低下する。さらに、ＣＢＰの低い分子量のため、結晶しがちであり、ＯＬＥＤ装置に使用することは適切ではない。
【０００６】
上記問題を解決するための手段の一つは、例えば特許文献６に開示しているように、発光層及び電子輸送層の間に正孔阻止層を導入することであり、この正孔阻止層により発光層中に正孔が有効に累積し、且つ正孔及び電子が再結合する可能性が増加することに寄与する。現在、一般的に使用される正孔阻止材料には、２，９−ジメチル−４，７−ジフェニル−１，１０−フェナントロリン（本明細書ではＢＣＰとも称する）及びフェニルフェノラート−ビス（２−メチル−８−キノリノラト−Ｎ１，０８）アルミニウム（本明細書ではＢＡｌｑとも称する）が含まれる。しかし、ＢＣＰは室温で結晶し易く、且つ正孔阻止材料としての信頼性が不足し、なおかつその装置の寿命は極めて短く、ＢＡｌｑは十分な正孔阻止能力を有しない。
【０００７】
高発光及び高効率ＯＬＥＤに対して、ホスト材料は非発光の高い三重項状態エネルギー及び平衡した電子電荷（正孔／電子）注入／輸送特性を有する必要がある。また、ホスト材料は、良好な電気化学安定性、高耐熱性、及び優れた薄膜安定性も備える必要がある。しかしながら、全ての性質を実際に満足できる化合物は現在まで知られていない。
【０００８】
特許文献７、特許文献８、特許文献９、特許文献１０、特許文献１１及び特許文献１２の開示のように、カルバゾール又はトリアリールアミンのような優れた正孔輸送性質を有する分子部分を導入し、及びピリミジン又はトリアジン等のような優れた電子輸送性質を有する他の部分を一つ又は同様な分子骨格に導入してリン光ホスト材料とする試みがあった。
【０００９】
ジベンゾチオフェン（ＤＢＴ）及びジベンゾフラン（ＤＢＦ）は、高い三重項状態エネルギー及び高移動率を有する複素環部分を有しており、可視領域で強い吸收を有しない。このような化合物の共平面性（ｃｏ−ｐｌａｎａｒｉｔｙ）は分子間相互作用について非常に有利である。特許文献１３、特許文献１４、特許文献１５及び特許文献１６には、発光装置に用いられたベンゾジチオフェン又はジベンゾフランの使用が開示されている。
【００１０】
しかしながら、高い輝度と操作安定性、および低減された駆動電圧を有するＯＬＥＤの開発は、依然として必要とされている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１１】
【特許文献１】米国特許第４７６９２９２号公報
【特許文献２】米国特許第５８４４３６３号公報
【特許文献３】米国特許第５７０７７４５号公報
【特許文献４】米国特許第７２７９７０４号公報
【特許文献５】特開２００１−３１３１７８号公報
【特許文献６】特開２００２−３０５０８３号公報
【特許文献７】国際公開ＷＯ２００３／７８４５１号公報
【特許文献８】国際公開ＷＯ２００５／７６６６８号公報
【特許文献９】国際公開ＷＯ２００８／１２３１８９号公報
【特許文献１０】米国特許第２００６−５１６１６号公報
【特許文献１１】特開２００８−２８０３３０号公報
【特許文献１２】特開２００９−２１３３６号公報
【特許文献１３】米国特許第８００７９２７号公報
【特許文献１４】米国特許第８４０９７２９号公報
【特許文献１５】米国特許第２０１４０１５１６４９号
【特許文献１６】韓国特許第２０１１００８５７８４号
【非特許文献】
【００１２】
【非特許文献１】Ｎａｔｕｒｅ，１９９８，Ｎｏ．３９５，ｐ．１５１．
【非特許文献２】Ａｐｐｌ．  Ｐｈｙｓ．  Ｌｅｔｔ．，１９９９，Ｎｏ．３，ｐ．４
【発明の概要】
【００１３】
本発明は、中心骨格にジベンゾチオフェン又はジベンゾフラン分子構造を有する複素環化合物、及びその複素環化合物を含むＯＬＥＤを提供する。
【００１４】
本発明の複素環化合物は、下記式（１）で表される：
【化１】
0006275679.tif 000002
式中、
Ｘはヘテロ原子を表し、
Ｌ１はＣ６−Ｃ３０アリーレン基を表し、
Ａｒ１はＣ６−Ｃ９アリール基、ジ−（Ｃ６−Ｃ９）アリールアミノ基、或いは少なくとも一つのＣ１−Ｃ３０アルキル基で置換又は非置換のＣ６−Ｃ１５アリール基を表し、
Ａｒ２はＣ６−Ｃ９アリール基、ジ−（Ｃ６−Ｃ９）アリールアミノ基、或いは少なくとも一つのＣ１−Ｃ３０アルキル基で置換又は非置換のＣ６−Ｃ１５アリール基を表し、又はＡｒ２、Ｎ及びＬ１が一緒に置換又は非置換のカルバゾール部分を形成し、
Ａｒ１及びＡｒ２の少なくとも一つは、１０〜１５個の炭素原子を有する芳香族炭化水素部分を備える。
【００１５】
本発明のＯＬＥＤは、基材と、基材に形成された陽極と、陽極に形成された陰極と、陽極と陰極の間に形成された少なくとも一層の発光層とを含み、発光層はリン光性ドーパント及び本発明の複素環化合物をホスト材料として含む。
【００１６】
本発明によれば、上記式（１）の複素環化合物は発光主体として、発光層に存在する。例えば、上記式（１）の複素環化合物はドーパント及び他の主体と組み合わせることで、有機エレクトロルミネセント装置の発光効率を向上させ、駆動電圧を低下させることが可能である。
【図面の簡単な説明】
【００１７】
【図１】本発明の一つの具体的な実施形態にかかる有機エレクトロルミネセント装置の断面図である。
【図２】本発明の他の具体的な実施形態にかかる有機エレクトロルミネセント装置の断面図である。
【図３】本発明のもう一つの具体的な実施形態にかかる有機エレクトロルミネセント装置の断面図である。
【図４】本発明の緑色リン光発光装置にかかるエレクトロルミネセントスペクトルを示す図である。
【図５】本発明の赤色リン光発光装置にかかるエレクトロルミネセントスペクトルを示す図である。
【図６】本発明の緑色リン光発光装置にかかる電流密度に対する輝度を示すプロット図である。
【図７】本発明の赤色リン光発光装置にかかる電流密度に対する輝度を示すプロット図である。
【発明を実施するための形態】
【００１８】
以下、特定な具体的な実施形態により本発明を説明するが、当業者は本発明の明細書の開示内容により本発明の他の利点及び効果を想到できる。
【００１９】
本発明の複素環化合物は、下記式（１）で表される：
【化２】
0006275679.tif 000003
式中、
Ｘはヘテロ原子を表し、
Ｌ１はＣ６−Ｃ３０アリーレン基を表し、
Ａｒ１はＣ６−Ｃ９アリール基、ジ−（Ｃ６−Ｃ９）アリールアミノ基、或いは少なくとも一つのＣ１−Ｃ３０アルキル基で置換又は非置換のＣ６−Ｃ１５アリール基を表し、
Ａｒ２はＣ６−Ｃ９アリール基、ジ−（Ｃ６−Ｃ９）アリールアミノ基、或いは少なくとも一つのＣ１−Ｃ３０アルキル基で置換又は非置換のＣ６−Ｃ１５アリール基を表し、又はＡｒ２、Ｎ及びＬ１が一緒に置換又は非置換のカルバゾール部分を形成し、
Ａｒ１及びＡｒ２の少なくとも一つは、１０〜１５個の炭素原子を有する芳香族炭化水素部分を備える。
【００２０】
一つの具体的な実施形態においては、上記カルバゾール部分は、２，９−カルバゾリレン又は３，９−カルバゾリレンである。
【００２１】
一つの具体的な実施形態においては、上記カルバゾール部分は、Ｃ６−Ｃ１５アリール基で置換される。好ましくは、上記複素環化合物において、上記カルバゾール部分は、フェニル基、ナフチル基、又はビフェニル基で置換される。
【００２２】
一つの具体的な実施形態においては、上記複素環化合物において、Ａｒ１及びＡｒ２はそれぞれ独立に置換又は非置換である。
【００２３】
さらに具体的な実施形態においては、置換されたＡｒ１及びＡｒ２の置換基はそれぞれ独立に、Ｃ６−Ｃ９アリール基、ジ−（Ｃ６−Ｃ９）アリールアミノ基、又は少なくとも一つのＣ１−Ｃ３０アルキル基から選ばれる。一つの具体的な実施形態においては、上記Ｃ１−Ｃ３０アルキル基はメチル基、上記Ｃ６−Ｃ９アリール基はフェニル基、上記ジ−（Ｃ６−Ｃ９）アリールアミノ基はジフェニルアミノ基である。
【００２４】
上記置換基は置換基の任意の位置によって連結できる。例えば、上記ジフェニルアミノ基はパラ位（ｐａｒａ−ｐｏｓｉｔｉｏｎ）  によってそのフェニル基に連結する。しかし、上記ジアリールアミノ基はオルト位（ｏｒｔｈｏ−ｐｏｓｉｔｉｏｎ）  によってそのフェニル基に連結しない。
【００２５】
上記複素環化合物の一つの具体的な実施形態においては、Ａｒ１及びＡｒ２はそれぞれ独立に、フェニル基、ナフチル基、ビフェニル基、ジメチルフルオレニル基又は（ジフェニルアミノ）フェニル基を表す。
【００２６】
一つの具体的な実施形態においては、ＸはＳ又はＯを表し、Ｌ１はフェニレン基を表し、Ａｒ１及びＡｒ２はそれぞれ独立に、フェニル基、ナフチル基、ビフェニル基、ジメチルフルオレニル基又は（ジフェニルアミノ）フェニル基を表す。一つの具体的な実施形態においては、Ａｒ１はジメチルフルオレニル基を表し、Ａｒ２はフェニル基、ナフチル基、ビフェニル基又は（ジフェニルアミノ）フェニル基を表す。
【００２７】
一つの具体的な実施形態においては、ＸはＳ又はＯを表し、Ａｒ１はフェニル基、ナフチル基、ビフェニル基、ジメチルフルオレニル基又は（ジフェニルアミノ）フェニル基を表し、Ａｒ２、Ｎ及びＬ１が一緒に置換又は非置換のカルバゾール部分を形成する。上記式（１）で表される複素環化合物の好ましい実例は以下のように示すが、これらに限定されない。
【００２８】
【表１−１】
0006275679.tif 000004
【表１−２】
0006275679.tif 000005
【表１−３】
0006275679.tif 000006
【表１−４】
0006275679.tif 000007
【表１−５】
0006275679.tif 000008
【表１−６】
0006275679.tif 000009
【表１−７】
0006275679.tif 000010
【００２９】
以下、式（１）で表される化合物の典型な合成経路の一つを説明し、これは文献に記載された鈴木カップリング（Ｓｕｚｕｋｉ  ｃｏｕｐｌｉｎｇ）及びハートウィグのアミノ化作用（Ｈａｒｔｗｉｇ  ａｍｉｎａｔｉｏｎ）の条件に基づくものである。
【００３０】
【化３】
0006275679.tif 000011
【００３１】
本発明のＯＬＥＤは、基材と、基材に形成された陽極と、陰極と、陽極及び陰極の間に形成された少なくとも一層の発光層とを含み、発光層はリン光性ドーパント及びホスト材料とする上記複素環化合物を含む。
【００３２】
本発明のＯＬＥＤは、さらに陽極及び発光層の間に形成された少なくとも一層の正孔補助層を含み、少なくとも一層の正孔補助層は正孔注入層及び正孔輸送層からなる群より選ばれる。例えば、本発明のＯＬＥＤは、さらに正孔注入層及び／又は正孔輸送層を含む。
【００３３】
本発明のＯＬＥＤの一つの具体的な実施形態においては、少なくとも一層の正孔補助層は上記複素環化合物を含む。
【００３４】
本発明のＯＬＥＤは、さらに発光層及び陰極の間に形成された少なくとも一層の電子補助層を含み、少なくとも一層の電子補助層は電子輸送層及び電子注入層からなる群より選ばれる。例えば、本発明のＯＬＥＤは、さらに電子輸送層及び／又は電子注入層を含む。
【００３５】
本発明のＯＬＥＤの一つの具体的な実施形態においては、少なくとも一層の電子補助層は上記複素環化合物を含む。
【００３６】
本発明のＯＬＥＤは、さらに陽極及び発光層の間、又は、発光層及び陰極の間に形成されたエキシトンブロック層を含む。例えば、エキシトンブロック層は正孔補助層（例えば、正孔注入層及び正孔輸送層）及び発光層の間に形成される。他の実例としては、エキシトンブロック層は電子補助層（例えば、電子輸送層及び電子注入層）及び発光層の間に形成される。
【００３７】
本発明のＯＬＥＤの一つの具体的な実施形態においては、エキシトンブロック層は上記複素環化合物を含む。
【００３８】
発光層に用いられるリン光性ドーパントは、ルテニウム、ロジウム、パラジウム、銀、レニウム、オスミウム、イリジウム、白金、及び金から選ばれる少なくとも一種の金属を含む有機金属錯体であることが好ましい。これらの有機金属錯体は前記特許文献に記載されており、適切な錯体を前記特許文献から選び、本発明に使用できる。
【００３９】
発光層に用いられるリン光性ドーパントの含有量は、３ｗｔ％（重量％）〜１５ｗｔ％の範囲内であることが好ましい。
【００４０】
（本発明の好ましい具体的な実施形態）
以下、図式を参照しながら本発明の有機エレクトロルミネセント装置の構造を説明するが、これらに限定しない。
【００４１】
図１は、本発明の一つの具体的な実施形態にかかる有機エレクトロルミネセント装置を示す概略図である。有機エレクトロルミネセント装置１００は、基材１１０、陽極１２０、正孔注入層１３０、正孔輸送層１４０、発光層１５０、電子輸送層１６０、電子注入層１７０、及び陰極１８０を含む。これらの層を順に沈着して、有機エレクトロルミネセント装置１００を製造できる。
【００４２】
図２は、本発明の他の具体的な実施形態にかかる有機エレクトロルミネセント装置を示す概略図である。有機エレクトロルミネセント装置２００は、基材２１０、陽極２２０、正孔注入層２３０、正孔輸送層２４０、エキシトンブロック層２４５、発光層２５０、電子輸送層２６０、電子注入層２７０、及び陰極２８０を含む。
【００４３】
図３は、本発明の他の具体的な実施形態にかかる有機エレクトロルミネセント装置を示す概略図である。有機エレクトロルミネセント装置３００は、基材３１０、陽極３２０、正孔注入層３３０、正孔輸送層３４０、発光層３５０、エキシトンブロック層３５５、電子輸送層３６０、電子注入層３７０、及び陰極３８０を含む。
【００４４】
図１〜３に示す構造の有機エレクトロルミネセント装置を逆方向によって製造できる。その逆方向の構造では、必要に応じて一層又は多層を増加又は取り除くことができる。
【００４５】
正孔注入層、正孔輸送層、エキシトンブロック層、正孔阻止層、発光層、電子注入層に用いられる材料は他の引用文献に記載された材料から選ばれる。
【００４６】
また、全体が参考として本明細書に組み込まれた米国特許第５８４４３６３号には、可撓性且つ透明の基板−陽極の組合が開示されている。全体が参考として本明細書に組み込まれた米国特許第２００３０２３０９８０号に開示されている実例のように、ｐ−ドープト正孔輸送層は５０：１のモル比でｍ−ＭＴＤＡＴＡにＦ４−ＴＣＮＱがドープされている。全体が参考として本明細書に組み込まれた米国特許第２００３０２３０９８０号に開示されている実例のように、ｎ−ドープト電子輸送層は１：１のモル比でＢｐｈｅｎにＬｉがドープされている。全体が参考として本明細書に組み込まれた米国特許第５７０３４３６及び５７０７７４５号には、陰極の実例は、透明で導電性のスパッター堆積ＩＴＯ層が覆っている金属（例えば、マグネシウム：銀）薄層を有する陰極が含まれることが開示されている。阻止層の原理及び使用は、全体が参考として本明細書に組み込まれた米国特許第６０９７１４７号と米国特許第２００３０２３０９８０号に開示されている。全体が参考として本明細書に組み込まれた米国特許第２００４０１７４１１６号は注入層の実例を提供している。保護層の説明は、全体が参考として本明細書に組み込まれた米国特許第２００４０１７４１１６号に開示されている。
【００４７】
詳細に記載されていない構造及び材料を使用してもよく、例えば、全体が参考として本明細書に組み込まれた米国特許第５２４７１９０号に開示されている重合性材料（ＰＬＥＤｓ）構成のＯＬＥＤを挙げることができる。さらに、単層の有機層を有するＯＬＥＤを使用してもよい。全体が参考として本明細書に組み込まれた米国特許第５７０７７４５号のようにＯＬＥＤを積み重ねてもよい。
【００４８】
他に詳細な説明がない限り、各具体的な実施形態の任意の層は、任意の適切な方法で沈着できる。上記有機層の沈着として、好ましい方法は、例えば、全体が参考として本明細書に組み込まれた米国特許第６０１３９８２及び６０８７１９６号に開示されている熱蒸着法（ｔｈｅｒｍａｌ  ｅｖａｐｏｒａｔｉｏｎ）、インクジェット法（ｉｎｋ−ｊｅｔ）；例えば、全体が参考として本明細書に組み込まれた米国特許第６３３７１０２号に開示されている有機気相沈着法（ＯＶＰＤ）；例えば、全体が参考として本明細書に組み込まれた米国特許第１０／２３３，４７０号に開示されている有機蒸気噴射印刷（ｏｒｇａｎｉｃ  ｖａｐｏｒ  ｊｅｔ  ｐｒｉｎｔｉｎｇ、ＯＶＪＰ）による沈着法がある。他の適切な沈着方法はスピンコーティング法及び他の溶液を主とする方法を含む。溶液を主とする方法は、窒素又は不活性ガス雰囲気で行うことが好ましい。他の層に対し、好ましい方法は熱蒸着法を含む。好ましいパターン化方法は、例えば全体が参考として本明細書に組み込まれた米国特許第６２９４３９８と６４６８８１９号に開示されているマスクに介する沈着、冷間圧接；及び沈着法に関するパターン化、例えば、インクジェット法及びＯＶＪＤを含む。勿論、他の方法を使用してもよい。沈着する材料を改質して特定の沈着法に適合させることも可能である。
【００４９】
本発明の有機エレクトロルミネセント装置は、単一の装置、その構造がアレイに配置した装置、又はＸ−Ｙマトリックスに配置し、且つ陽極と陰極を有する装置に適用できる。既存の装置に対して、上記発光層におけるリン光性ドーパントと組合せて使用する場合、本発明は、有機エレクトロルミネセント装置の発光効率及び駆動安定性を著しく改善でき、さらに、フルカラー又は多色パネルに適用する場合、本発明の有機エレクトロルミネセント装置はさらに優れる。
【実施例】
【００５０】
以下、実施例を参照して本発明をより詳細に説明するが、これらの実施例に限定されない。本発明の実質的な内容を超えていない限り、本発明を簡約して様々な態様で実施できる。
【００５１】
合成例１
８０℃で、ジベンゾチオフェン−４−ボロン酸（１０ｇ）、１，４−ジブロモベンゼン（９．４ｇ）、テトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（２．４２ｇ）、トルエン（１２０ｍＬ）、エタノール（１６ｍＬ）、水（４６ｍＬ）及び炭酸カリウム（１４．４４ｇ）を混合させ、５時間攪拌した。薄層クロマトグラフィーで反応を監視して、反応が完了した後、水（１００ｍＬ）で上記反応混合物をクエンチして酢酸エチル（１００ｍＬ）で抽出し、水（３ｘ３０ｍＬ）で有機層を抽出し、無水硫酸ナトリウムで乾燥させた。収集した酢酸エチル層を珪藻土カラムクロマトグラフィーに通過させてさらに純化した。続いて、真空で酢酸エチル層をロータリーエバポレーターにて乾燥まで蒸発させて１３．５２ｇの４−（４’−ブロモフェニル）ジベンゾチオフェンを製造した。４−（４’−ブロモフェニル）ジベンゾチオフェン（１０ｇ）、ビス（４−ビフェニル）アミノ（１３．０８ｇ）、ビス（ジベンジリデンアセトン）パラジウム（０）（０．１５２ｇ）、ナトリウムｔｅｒｔ−ブトキシド（６．５２ｇ）、トルエン（１２５ｍＬ）、トリ（ｔｅｒｔ−ブチル）ホスフィン（０．２７４ｇ）を混合し、窒素ガス雰囲気で還流し、薄層クロマトグラフィーで反応を監視した。反応が完了した後、水（５０ｍＬ）で反応混合物をクエンチして酢酸エチル（１００ｍＬ）で抽出した。水（３ｘ３０ｍＬ）で有機層を抽出して無水硫酸ナトリウムで乾燥させた。収集した酢酸エチル層を珪藻土カラムクロマトグラフィーに通過させてさらに純化した。続いて、真空で酢酸エチル層をロータリーエバポレーターにて乾燥まで蒸発させた。さらに、２００ｍＬのメタノールを添加することにより、残留物を沈澱させ、真空でろ過し、乾燥させた。ＨＰＬＣ純度が９９％を超える黄色固体として１０．３８ｇの化合物１−１（４４％）を得た。化合物１−１の融点は２７８．３℃、ガラス転移温度は１０２．９  ℃である。
１Ｈ  ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３，δ）：８．１６−８．１１（ｍ，２Ｈ）；７．７９−７．７７（ｍ，１Ｈ）；７．５８−７．３９（ｍ，１８Ｈ）；７．３３−７．２２（ｍ，８Ｈ）。
【００５２】
合成例２
２５０ｍＬのフラスコに、４−（４’−ブロモフェニル）ジベンゾチオフェン（１０ｇ）、Ｎ−フェニル−２−ナフタレンアミン（Ｎ−Ｐｈｅｎｙｌｎａｐｈｔｈａｌｅｎ−２−ａｍｉｎｅ、７．７５ｇ）、ビス（ジベンジリデンアセトン）パラジウム（０）（０．５９ｇ）、ナトリウムｔｅｒｔ−ブトキシド（６．５ｇ）、トルエン（１５０ｍＬ）、トリ（ｔｅｒｔ−ブチル）ホスフィン（０．５５ｇ）を混合し、窒素ガス雰囲気で還流し、薄層クロマトグラフィーで反応を監視した。反応が完了した後、水（５０ｍＬ）で反応混合物をクエンチして酢酸エチル（７０ｍＬ）で抽出した。水（３ｘ５０ｍＬ）で有機層を抽出して無水硫酸ナトリウムで乾燥させた。収集した酢酸エチル層を珪藻土カラムクロマトグラフィーに通過させてさらに純化した。続いて、真空で酢酸エチル層をロータリーエバポレーターにて乾燥まで蒸発させた。さらに、残留物をメタノール（１００ｍＬ）の中に沈澱させ、真空でろ過し、乾燥させた。ＨＰＬＣ純度が９９％を超える黄色固体として７ｇの化合物１−３（４９％）を得た。
化合物１−３の融点は２０２．２１℃、ガラス転移温度は８２．０８℃である。
１Ｈ  ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３，δ）：８．３０−８．１７（ｍ，１Ｈ）；８．１６−８．１０（ｍ，１Ｈ）；７．８８−７．８３（ｍ，１Ｈ）；７．８２−７．７６（ｍ，２Ｈ）；７．６８−７．６３（ｍ，  ３Ｈ）；７．５８−７．３０（ｍ，９Ｈ）；７．２９−７．２２（ｍ，５Ｈ）；７．１４−７．０８（ｍ，１Ｈ）。
【００５３】
合成例３
８０℃で、４−ジベンゾフランボロン酸（１３．３ｇ）、１，４−ジブロモベンゼン（１０ｇ）、テトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（３．０２ｇ）、トルエン（１５８ｍＬ）、エタノール（６５ｍＬ）、水（６５ｍＬ）及び炭酸カリウム（２１．６９ｇ）を混合し、５時間攪拌し、薄層クロマトグラフィーで反応を監視した。反応が完了した後、水（１００ｍＬ）で反応混合物をクエンチして酢酸エチル（１００ｍＬ）で抽出した。水（３ｘ３０ｍＬ）で有機層を抽出して無水硫酸ナトリウムで乾燥させた。収集した酢酸エチル層を珪藻土カラムクロマトグラフィーに通過させてさらに純化した。続いて、真空で酢酸エチル層をロータリーエバポレーターにて乾燥まで蒸発させて１３．７ｇの４−（４’−ブロモフェニル）ジベンゾフランを製造した。
５００ｍＬのフラスコに、４−（４’−ブロモフェニル）ジベンゾフラン（１０ｇ）、ビス（４−ビフェニル）アミノ（１２．７ｇ）、ビス（ジベンジリデンアセトン）パラジウム（０）（０．６２ｇ）、ナトリウムｔｅｒｔ−ブトキシド（６．９ｇ）、キシレン（１５０ｍＬ）、トリ（ｔｅｒｔ−ブチル）ホスフィン（０．５８ｇ）を混合し、窒素ガス雰囲気で還流し、薄層クロマトグラフィーで反応を監視した。反応が完了した後、水（５０ｍＬ）で反応混合物をクエンチして酢酸エチル（７０ｍＬ）で抽出した。水（３ｘ５０ｍＬ）で有機層を抽出して無水硫酸ナトリウムで乾燥させた。収集した酢酸エチル層を珪藻土カラムクロマトグラフィーに通過させてさらに純化した。続いて、真空で酢酸エチル層をロータリーエバポレーターにて乾燥まで蒸発させた。さらに、残留物をメタノール（１００ｍＬ）の中に沈澱させ、真空でろ過し、乾燥させた。ＨＰＬＣ純度が９９％を超える淡黄色固体として７．６７ｇの化合物１−７（４４％）を得た。
化合物１−７のガラス転移温度は９６．５７℃である。
１Ｈ  ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３，δ）：８．００（ｄ，１Ｈ）；７．９８−７．８７（ｍ，３Ｈ）；７．６３−７．５３（ｍ，１０Ｈ）；７．４９−７．３８（ｍ，１５Ｈ）。
【００５４】
合成例４  
５００ｍＬのフラスコに、４−（４’−ブロモフェニル）ジベンゾフラン（４．２ｇ）、Ｎ−（４−ビフェニル）−（９，９−ジメチルフルオレン−２−イル）アミノ（５ｇ）、ビス（ジベンジリデンアセトン）パラジウム（０）（０．２４ｇ）、ナトリウムｔｅｒｔ−ブトキシド（２．６５ｇ）、トルエン（７５ｍＬ）、トリ（ｔｅｒｔ−ブチル）ホスフィン（０．２２ｇ）を混合し、窒素ガス雰囲気で還流した。反応が完了した後、水（５０ｍＬ）で反応混合物をクエンチして酢酸エチル（７０ｍＬ）で抽出した。水（３ｘ５０ｍＬ）で有機層を抽出して無水硫酸ナトリウムで乾燥させた。収集した酢酸エチル層を珪藻土カラムクロマトグラフィーに通過させてさらに純化した。続いて、真空で酢酸エチル層をロータリーエバポレーターにて乾燥まで蒸発させ、獲得ＨＰＬＣ純度が９９％を超える黄色固体として３．４５ｇの化合物１−１３（４４％）を得た。
化合物１−１３のガラス転移温度は１１０．５℃である。
１Ｈ  ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３，δ）：８．０１−７．９９（ｄ，１Ｈ）；７．９２−７．８８（ｍ，３Ｈ）；７．６９−７．５５（ｍ，１１Ｈ）；７．４９−７．２６（ｍ，１７Ｈ）；７．２０−７．１８（ｄｄ，１Ｈ）。
【００５５】
合成例５  
８０℃で、４−ジベンゾフランボロン酸（１３．３ｇ）、１，３−ジブロモベンゼン（１０ｇ）、テトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（３．０２ｇ）、トルエン（１５８ｍＬ）、エタノール（６５ｍＬ）、水（６５ｍＬ）及び炭酸カリウム（２１．６９ｇ）を混合し、５時間攪拌し、薄層クロマトグラフィーで反応を監視した。反応が完了した後、水（１００ｍＬ）で反応混合物をクエンチして酢酸エチル（１００ｍＬ）で抽出した。水（３ｘ３０ｍＬ）で有機層を抽出して無水硫酸ナトリウムで乾燥させた。収集した酢酸エチル層を珪藻土カラムクロマトグラフィーに通過させてさらに純化した。続いて、真空で酢酸エチル層をロータリーエバポレーターにて乾燥まで蒸発させて１３．７ｇの４−（３’−ブロモフェニル）ジベンゾフランを製造した。
４−（３’−ブロモフェニル）ジベンゾフラン（７．４ｇ）、Ｎ−（４−ビフェニル）−（９，９−ジメチルフルオレン−２−イル）アミノ（１０ｇ）、ビス（ジベンジリデンアセトン）パラジウム（０）（０．４６ｇ）、ナトリウムｔｅｒｔ−ブトキシド（５．１ｇ）、トルエン（１１０ｍＬ）、トリ（ｔｅｒｔ−ブチル）ホスフィン（０．４３ｇ）を混合し、窒素ガス雰囲気で還流し、薄層クロマトグラフィーで反応を監視した。反応が完了した後、水（５０ｍＬ）で反応混合物をクエンチして酢酸エチル（７０ｍＬ）で抽出し、水（３ｘ５０ｍＬ）で有機層を抽出して無水硫酸ナトリウムで乾燥させた。収集した酢酸エチル層を珪藻土カラムクロマトグラフィーに通過させてさらに純化した。続いて、真空で酢酸エチル層をロータリーエバポレーターにて乾燥まで蒸発させ、ＨＰＬＣ純度が９９％を超える黄色固体として６．１２ｇの化合物１−１７（４４％）を得た。
化合物１−１７のガラス転移温度は１０３．１１℃である。
１Ｈ  ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３，δ）：８．０９−７．９３（ｄ，１Ｈ）；７．９２−７．８９（ｄ，１Ｈ）；７．７３−７．７２（ｔ，１Ｈ）；７．７１−７．６０（ｍ，６Ｈ）；７．５７−７．３０（ｍ，２２Ｈ）；７．２９−７．２（ｄ，ｄ，２Ｈ）。
【００５６】
合成例６
８０℃でジベンゾ［ｂ，ｄ］チオフェン−４−イルボロン酸（１０ｇ、３８．４ｍｍｏｌ）、１，３−ジブロモベンゼン（９．５ｇ、４０．３３ｍｍｏｌ）、テトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（２．３ｇ、２．０１ｍｍｏｌ）、トルエン（１３０ｍＬ）、エタノール（１７ｍＬ）、Ｈ２Ｏ（４５ｍＬ）及び炭酸カリウム（１３．９ｇ、１００ｍｍｏｌ）を混合し、５時間攪拌し、薄層クロマトグラフィーで反応を監視した。反応が完了した後、水（１００ｍＬ）で反応混合物をクエンチして酢酸エチル（１００ｍＬ）で抽出し、水（３ｘ３０ｍＬ）で有機層を抽出して無水硫酸ナトリウムで乾燥させた。収集した酢酸エチル層を珪藻土カラムクロマトグラフィーに通過させてさらに純化した。続いて、真空で酢酸エチル層をロータリーエバポレーターにて乾燥まで蒸発させ、４−（３−ブロモフェニル）ジベンゾ［ｂ，ｄ］チオフェン（８．２ｇ）を製造した。
４−（３−ブロモフェニル）ジベンゾ［ｂ，ｄ］チオフェン（８．２ｇ）（３．５ｇ、１０．３１ｍｍｏｌ）、ビス（４−ビフェニル）アミノ（３．４８ｇ、１０．８３ｍｍｏｌ）、ビス（ジベンジリデンアセトン）パラジウム（０）（０．１９ｇ、０．３２ｍｍｏｌ）、ナトリウムｔｅｒｔ−ブトキシド（２ｇ、２１．６５ｍｍｏｌ）、キシレン（４０ｍＬ）、トリｔｅｒｔ−ブチルホスフィン（０．１７ｇ、０．８６ｍｍｏｌｅ）を混合し、窒素ガス雰囲気で還流し、薄層クロマトグラフィーで反応を監視した。反応が完了した後、水（３０ｍＬ）で反応混合物をクエンチして酢酸エチル（５０ｍＬ）で抽出し、水（３ｘ３０ｍＬ）で有機層を抽出して無水硫酸ナトリウムで乾燥させた。収集した酢酸エチル層を珪藻土カラムクロマトグラフィーに通過させてさらに純化した。続いて、真空で酢酸エチル層をロータリーエバポレーターにて乾燥まで蒸発させ、ＨＰＬＣ純度が９９％を超える黄色固体として３．０ｇの化合物１−２１（５０％）を得た。
化合物１−２１の融点は１９１．２２℃、ガラス転移温度は９３．２１℃である。
１Ｈ  ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３，δ）：８．１８−８．１０（ｍ，２Ｈ）；７．８２−７．７８（ｍ，１Ｈ）；７．６２−７．４９（ｍ，６Ｈ）；７．４８−７．３８（ｍ，１１Ｈ）；７．３４−７．２２（ｍ，９Ｈ）。
【００５７】
合成例７
２５０ｍＬのフラスコに、４−（３’−ブロモフェニル）ジベンゾチオフェン（５ｇ）、Ｎ−（４−ビフェニル）−（９，９−ジメチルフルオレン−２−イル）アミノ（６．３９ｇ）、ビス（ジベンジリデンアセトン）パラジウム（０）（０．２９ｇ）、ナトリウムｔｅｒｔ−ブトキシド（３．２７ｇ）、トルエン（９５ｍＬ）、トリ（ｔｅｒｔ−ブチル）ホスフィン（０．２８ｇ）を混合し、窒素ガス雰囲気で還流し、薄層クロマトグラフィーで反応を監視した。反応が完了した後、水（５０ｍＬ）で反応混合物をクエンチして酢酸エチル（７０ｍＬ）で抽出し、水（３ｘ５０ｍＬ）で有機層を抽出して無水硫酸ナトリウムで乾燥させた。収集した酢酸エチル層を珪藻土カラムクロマトグラフィーに通過させてさらに純化した。続いて、真空で酢酸エチル層をロータリーエバポレーターにて乾燥まで蒸発させ、ＨＰＬＣ純度が９９％を超える黄色固体として３．０ｇの化合物１−２９（３２％）を得た。
化合物１−２９の融点は２０２．８２℃、ガラス転移温度は１０７．６５℃である。
１Ｈ  ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３，δ）：７．７７−７．４３（ｍ，１Ｈ）；７．６８−７．６２（ｍ，３Ｈ）；７．６２−７．５８（ｍ，３Ｈ）；７．５５−７．４７（ｍ，５Ｈ）；７．４６−７．２３（ｍ，２０Ｈ）；７．２０−７．１６（ｍ，１Ｈ）。
【００５８】
合成例８
４−（３’−ブロモフェニル）ジベンゾフラン（２．７ｇ）、ビス（４−ビフェニル）アミノ（３．１ｇ）、ビス（ジベンジリデンアセトン）パラジウム（０）（０．１４ｇ）、ナトリウムｔｅｒｔ−ブトキシド（１．６ｇ）、キシレン（４０ｍＬ）、トリｔｅｒｔ−ブチルホスフィン（０．１３ｇ）を混合し、窒素ガス雰囲気で還流し、薄層クロマトグラフィーで反応を監視した。反応が完了した後、水（３０ｍＬ）で反応混合物をクエンチして酢酸エチル（５０ｍＬ）で抽出し、水（３ｘ３０ｍＬ）で有機層を抽出して無水硫酸ナトリウムで乾燥させた。収集した酢酸エチル層を珪藻土カラムクロマトグラフィーに通過させてさらに純化した。続いて、真空で酢酸エチル層をロータリーエバポレーターにて乾燥まで蒸発させ、さらに、２００ｍＬのメタノールを添加することにより残留物を沈澱させ、真空でろ過し、乾燥させた。ＨＰＬＣ純度が９９％を超える黄色固体として３ｇの化合物１−３２（６３％）を得た。
化合物１−３２の融点は１７７℃、ガラス転移温度は８６．８℃である。
１Ｈ  ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３，δ）：７．９７−７．９４（ｄ，１Ｈ）；７．９２−７．８８（ｍ，１Ｈ）；７．７７−７．７４（ｔ，１Ｈ）；７．６４−７．５４（ｍ，１０Ｈ）；７．５１−７．３０（ｍ，１５Ｈ）；７．３０−７．２６（ｍ，１Ｈ）。
【００５９】
合成例９
４−（３’−ブロモフェニル）ジベンゾ［ｂ，ｄ］チオフェン（２．６ｇ）、Ｎ１−（ナフタレン−１−イル）−Ｎ４，Ｎ４−ジフェニルベンゼン−１，４−ジアミン（３．５５ｇ）、ビス（ジベンジリデンアセトン）パラジウム（０）（０．１５ｇ）、ナトリウムｔｅｒｔ−ブトキシド（１．７ｇ）、トルエン（５０ｍＬ）、トリｔｅｒｔ−ブチルホスフィン（０．１４ｇ）を混合し、窒素ガス雰囲気で還流し、薄層クロマトグラフィーで反応を監視した。反応が完了した後、水（３０ｍＬ）で反応混合物をクエンチして酢酸エチル（５０ｍＬ）で抽出し、水（３ｘ３０ｍＬ）で有機層を抽出して無水硫酸ナトリウムで乾燥させた。収集した酢酸エチル層を珪藻土カラムクロマトグラフィーに通過させてさらに純化した。続いて、真空で酢酸エチル層をロータリーエバポレーターにて乾燥まで蒸発させ、さらに、２００ｍＬのメタノールを添加することにより残留物を沈澱させ、真空でろ過し、乾燥させた。ＨＰＬＣ純度が９９％を超える黄色固体として２ｇの化合物１−４０（４０％）を得た。
化合物１−４０の融点は１６７．０１℃、ガラス転移温度は９９．９３℃である。
１Ｈ  ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３，δ）：８．１４−８．０６（ｍ，７Ｈ）；７．９３−７．９０（ｄ，３Ｈ）；７．７１−７．７３（ｍ，１Ｈ）；７．６８−７．６２（ｔ，２Ｈ）；７．６２−７．５８（ｍ，２Ｈ）；７．５５−７．４７（ｍ，４Ｈ）；７．４６−７．６７（ｍ，３Ｈ）；７．５２−７．３９（ｍ，１９Ｈ）。
【００６０】
合成例１０
２５０ｍＬフラスコに、４−（４’−ブロモフェニル）ジベンゾ［ｂ，ｄ］フラン（１０ｇ）、テトラヒドロフラン（９０ｍＬ）を混合し、窒素ガス雰囲気で攪拌して−７８℃まで冷却し、−７８℃でｎ−ブチルリチウム（１８．８ｍＬ、２．５Ｍでｎ−ヘキサンの中）を入れて−７８℃で２時間攪拌した。２時間後、ボロン酸トリメチル（１６ｇ）を入れて、反応を一晩室温で平衡させ、薄層クロマトグラフィーで反応を監視した。反応が完了した後、２Ｎ塩酸溶液（６０ｍＬ）を反応混合物に添加して１時間攪拌し、水（５０ｍＬ）で反応混合物をクエンチして酢酸エチル（７０ｍＬ）で抽出し、水（３ｘ５０ｍＬ）で有機層を抽出して無水硫酸ナトリウムで乾燥させた。続いて、真空で酢酸エチル層をロータリーエバポレーターにて乾燥まで蒸発させて４−（ジベンゾフラン−４’−イル）フェニルボロン酸（５ｇ）を製造した。
４−（ジベンゾフラン−４’−イル）フェニルボロン酸（５ｇ）、２−ブロモカルバゾール（４．７ｇ）、テトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（１ｇ）、トルエン（６４ｍＬ）、エタノール（７ｍＬ）、水（２０ｍＬ）及び炭酸カリウム（６．６ｇ）を混合させ、還流下で攪拌し、薄層クロマトグラフィーで反応を監視した。反応が完了した後、水（１００ｍＬ）で反応混合物をクエンチして酢酸エチル（１００ｍＬ）で抽出し、水（３ｘ３０ｍＬ）で有機層を抽出して無水硫酸ナトリウムで乾燥させた。収集した酢酸エチル層を珪藻土カラムクロマトグラフィーに通過させてさらに純化した。続いて、真空で酢酸エチル層をロータリーエバポレーターにて乾燥まで蒸発させてＨＰＬＣ純度が９９％を超える化合物１−４４（１ｇ、３９％）を製造した。
化合物１−４４の融点は２４６．３５℃、ガラス転移温度は９５．２４℃である。
１Ｈ  ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３，δ）：８．３４−８．２７（ｍ，１Ｈ）；８．２６−８．０２（ｍ，３Ｈ）；７．９８−７．８８（ｍ，２Ｈ）；７．８６−７．８０（ｍ，１Ｈ）；７．５８−７．６６（ｄ，２Ｈ）；７．６０−７．４０（ｍ，７Ｈ）；７．３８−７．３０（ｍ，１Ｈ）；７．２９−７．２１（ｍ，７Ｈ）；７．２０−７．１０（ｍ，１Ｈ）。
【００６１】
合成例１１
２５０ｍＬフラスコに、還流下でジベンゾ［ｂ，ｄ］チオフェン−４−イルボロン酸（５ｇ、２０．３１ｍｍｏｌ）、３−ブロモカルバゾール（４．９ｇ、２１．３３ｍｍｏｌ）、テトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（１．２ｇ、１．０１ｍｍｏｌ）、トルエン（６０ｍＬ）、エタノール（８ｍＬ）、Ｈ２Ｏ（２０ｍＬ）及び炭酸カリウム（７．４ｇ、５３．３３ｍｍｏｌ）を混合し、５時間攪拌し、薄層クロマトグラフィーで反応を監視した。反応が完了した後、水（３０ｍＬ）で反応混合物をクエンチして酢酸エチル（５０ｍＬ）で抽出し、水（３ｘ３０ｍＬ）で有機層を抽出して無水硫酸ナトリウムで乾燥させた。収集した酢酸エチル層を珪藻土カラムクロマトグラフィーに通過させてさらに純化した。続いて、真空で酢酸エチル層をロータリーエバポレーター中にて乾燥まで蒸発させて２−（ジベンゾ［ｂ，ｄ］チオフェン−４−イル）−９Ｈ−カルバゾール（３ｇ）を製造した。
２−（ジベンゾ［ｂ，ｄ］チオフェン−４−イル）−９Ｈ−カルバゾール（２ｇ、５８．７２ｍｍｏｌ）、２−ブロモナフタレン（１．３ｇ、６．２９ｍｍｏｌ）、ビス（ジベンジリデンアセトン）パラジウム（０）（０．１ｇ、０．１７ｍｍｏｌ）、ナトリウムｔｅｒｔ−ブトキシド（１．１ｇ、１１．４４ｍｍｏｌ）、トルエン（３０ｍＬ）、トリ（ｔｅｒｔ−ブチル）ホスフィン（０．０９ｇ、０．４５ｍｍｏｌｅ）を混合し、窒素ガス雰囲気で還流し、薄層クロマトグラフィーで反応を監視した。反応が完了した後、水（２０ｍＬ）で反応混合物をクエンチして酢酸エチル（５０ｍＬ）で抽出し、水（３ｘ２０ｍＬ）で有機層を抽出して無水硫酸ナトリウムで乾燥させた。収集した酢酸エチル層を珪藻土カラムクロマトグラフィーに通過させてさらに純化した。続いて、真空で酢酸エチル層をロータリーエバポレーターにて乾燥まで蒸発させた。さらに、２００ｍＬメタノールを添加することにより残留物を沈澱させ、真空でろ過し、乾燥させた。ＨＰＬＣ純度が９９％を超える黄色固体として１ｇの化合物１−４７（３６％）を得た。
化合物１−４７の融点は１８７．５１℃、ガラス転移温度は１０１．３１℃である。
１Ｈ  ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３，δ）：８．５６−８．５３（ｄ，１Ｈ）；８．２５−８．１４（ｍ，３Ｈ）；７．１３−７．０９（ｍ，２Ｈ）；８．０２−７．９２（ｍ，２Ｈ）；７．８５−７．７９（ｍ，２Ｈ）；７．７６−７．７２（ｍ，１Ｈ）；７．６４−７．５７（ｍ，５Ｈ）；７．５３−７．４２（ｍ，４Ｈ）；７．３７−７．３１（ｍ，１Ｈ）。
【００６２】
合成例１２
１５０ｍＬフラスコに、２−（ジベンゾ［ｂ，ｄ］フラン−４−イル）−９Ｈ−カルバゾール（３．５ｇ）、４−ブロモトリフェニルアミン（３．７ｇ）、ビス（ジベンジリデンアセトン）パラジウム（０）（０．１８ｇ）、ナトリウムｔｅｒｔ−ブトキシド（２ｇ）、トルエン（５３ｍＬ）、トリ（ｔｅｒｔ−ブチル）ホスフィン（０．１７ｇ）を混合し、窒素ガス雰囲気で還流し、薄層クロマトグラフィーで反応を監視した。反応が完了した後、水（３０ｍＬ）で反応混合物をクエンチして酢酸エチル（５０ｍＬ）で抽出し、水（３ｘ３０ｍＬ）で有機層を抽出して無水硫酸ナトリウムで乾燥させた。収集した酢酸エチル層を珪藻土カラムクロマトグラフィーに通過させてさらに純化した。続いて、真空で酢酸エチル層をロータリーエバポレーターにて乾燥まで蒸発させた。さらに、メタノールを添加することにより残留物を沈澱させ、真空下でろ過及び乾燥させた。ＨＰＬＣ純度が９９％を超える黄色固体として３．５ｇの化合物１−５０（５７％）を得た。
化合物１−５０の融点は２８３．３℃、ガラス転移温度は９４．６４℃である。
１Ｈ  ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３，δ）：８．２９−８．２７（ｄ，１Ｈ）；８．２０−８．１８（ｄ，１Ｈ）；８．０１−８．００（ｍ，２Ｈ）；７．９５−７．９４（ｍ，１Ｈ）；７．８５−７．８３（ｄ，１Ｈ）；７．７１−７．６９（ｍ，１Ｈ）；７．５５−７．５４（ｄ，１Ｈ）；７．５０−７．４３（ｍ，７Ｈ）；７．３９−７．３６（ｔ，１Ｈ）；７．３１−７．２０（ｍ，１０Ｈ）；７．０８−７．０７（ｔ，２Ｈ）。
【００６３】
緑色リン光装置
実施例１  
使用する前、基板を蒸着システムに装着する前に予め溶剤で油を除去し、ＵＶオゾンで洗浄した。次に、基板を真空蒸着チャンバーに移し、全ての他の層を基板上に沈着した。１０−６Ｔｏｒｒ程度の真空で、加熱したボートから沈着法で、図１に示す下記層を以下の順で沈着した：
ａ）正孔注入層、厚さ３０ｎｍ、ＨＡＴ−ＣＮ；
ｂ）正孔輸送層、厚さ１１０ｎｍ、Ｎ，Ｎ’−テトラ（４−ビフェニル）ベンジジン（ＨＴ１）；
ｃ）発光層、厚さ３０ｎｍ、５ｗｔ％ＧＤをドープしたＰＨ１及び化合物１−１を含み（ＰＨ１は電子豊富なリン光主体（ｅ−Ｒａｙ  Ｏｐｔｏｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ  Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ  Ｃｏ．，Ｌｔｄ．、台湾））、ＰＨ１と化合物１−１の体積比は１：１が最も好ましい；
ｄ）電子輸送層、厚さ３０ｎｍ、１：１の割合でリチウムキノレートをドープした下記式ＥＴの化合物；
ｅ）電子注入層、厚さ１ｎｍ、ＬｉＦ；及び
ｆ）陰極、厚さ約１５０ｎｍ、Ａｌを含む。
装置の構造は、ＩＴＯ／ＨＡＴ−ＣＮ（３０ｎｍ）／ＨＴ１（１１０ｎｍ）／ＰＨ１：化合物１−１：５％ＧＤ（３０ｎｍ）／ＥＴ：Ｌｉｑ（３０ｎｍ）／ＬｉＦ（１ｎｍ）／Ａｌ（１５０ｎｍ）で示す。
【化４】
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これらの層を沈着した後、上記装置を沈着チャンバーから封止用乾燥箱に移し、次にＵＶ硬化型エポキシ樹脂と水分ゲッターを含むガラス蓋で上記装置を封止した。上記有機エレクトロルミネセント装置は３ｍｍ２の発光面積を有する。得られた有機エレクトロルミネセント装置を外部電源に連接して直流電圧を印加し、表１における発光特性を測定した。
室温で定電流源（ＫＥＩＴＨＬＥＹ  ２４００  Ｓｏｕｒｃｅ  Ｍｅｔｅｒ，Ｋｅｉｔｈｌｅｙ  Ｉｎｓｔｒｕｍｅｎｔｓ，Ｉｎｃ．，Ｃｌｅｖｅｌａｎｄ，Ｏｈｉｏ製）及び光度計（ＰＨＯＴＯ  ＲＥＳＥＡＲＣＨ  ＳｐｅｃｔｒａＳｃａｎ  ＰＲ６５０，Ｐｈｏｔｏ  Ｒｅｓｅａｒｃｈ，Ｉｎｃ．，Ｃｈａｔｓｗｏｒｔｈ，Ｃａｌｉｆ．製）により作成した装置の全てについてＥＬ特性を評価した。国際照明委員会（Ｃｏｍｍｉｓｓｉｏｎ  Ｉｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌｅｄｅ  ｌ’Ｅｃｌａｉｒａｇｅ；ＣＩＥ）のコーディネートで色を表した。
【００６４】
実施例２〜７及び比較例１
発光層の化合物１−１を表１の適宜な化合物に替えた以外、実施例１の層構造と同様に緑色リン光ＯＬＥＤ装置を作成した。
【００６５】
紅色リン光装置
実施例８  
紅色リン光ドーパントを発光層に使用した以外、実施例１の層構造と同様に紅色リン光装置を作成した。装置構造は、ＩＴＯ／ＨＡＴ−ＣＮ（２０ｎｍ）／ＨＴ１（１６０ｎｍ）／ＰＨ１：  化合物１−１：３％ＲＤ（３０ｎｍ）／ＥＴ：Ｌｉｑ（３０ｎｍ）／ＬｉＦ（１ｎｍ）／Ａｌ（１５０ｎｍ）で示す。
【００６６】
実施例９〜１０及び比較例２
発光層の化合物１−１を表１の適宜な化合物に替えた以外、実施例１の層構造と同様に紅色リン光ＯＬＥＤ装置を作成した。
【００６７】
これらの例で作成したＯＬＥＤの発射光のピーク波長、最大発光効率及び駆動電圧は、表２に示した。図４及び図５は上記装置である実施例１〜１０及び比較例１、２のＥＬスペクトルを示し、図６及び図７は電流密度に対する輝度のプロットを示した。
【００６８】
【表２】
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【００６９】
本発明は、上記具体的な実施形態、方法及び実施例に限定するものではなく、また、全ての具体的な実施形態及び方法は、本発明の範囲と思想に含まれる。
【産業上の利用可能性】
【００７０】
上記の詳細な説明のように、本発明のＥＬ装置に用いられた材料を使用するＯＬＥＤは、高い発光効率、高い熱安定性、及び十分に低い駆動電圧を有するため、極めて有用である。そのため、本発明のＯＬＥＤは、平面パネル型ディスプレー、携帯電話ディスプレー、面状発光の特性を利用する光源、標示板（ｓｉｇｎ−ｂｏａｒｄｓ）に適用でき、且つ高い技術的な価値を有する。
【符号の説明】
【００７１】
１００、２００、３００    有機エレクトロルミネセント装置
１１０、２１０、３１０    基材
１２０、２２０、３２０    陽極
１３０、２３０、３３０    正孔注入層
１４０、２４０、３４０    正孔輸送層
１５０、２５０、３５０    発光層
１６０、２６０、３６０    電子輸送層
１７０、２７０、３７０    電子注入層
１８０、２８０、３８０    陰極
２４５、３５５     エキシトンブロック層
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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