(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板に向かって基板面と平行に延びる板ばね部と、
前記板ばね部の先端部に接続され、前記基板と接触して導通させる接点部と、
前記基板の中央部側にあたる前記接点部の前面と前記接点部の両側面と前記接点部の上面とを覆うカバー部と、
を備えた基板のアース機構であって、
前記板ばね部が弾性変形していない状態で前記接点部が前記基板に接触する接触位置と前記板ばね部の配置位置とが前記基板面に直交する方向に略同一位置になるように配置されたことを特徴とする基板のアース機構。
【請求項２】
前記板ばね部が弾性変形していない状態で前記接点部が前記基板に接触する接触位置と前記板ばね部の配置位置との間における前記基板面に直交する方向のオフセット値が、±１ｍｍ以内になるように配置されたことを特徴とする請求項１記載の基板のアース機構。
【請求項３】
前記接点部は、前記板ばね部の幅方向の略中心位置に配置されたことを特徴とする請求項１記載の基板のアース機構。
【請求項４】
前記カバー部は、前記接点部が前記基板に接触する位置から少なくとも前記基板の中央部に向かう方向に、前記基板面と所定の隙間を空けた状態で前記接点部を覆うことを特徴とする請求項１記載の基板のアース機構。
【請求項５】
荷電粒子ビームを用いてパターンが描画される基板を昇降可能に載置するステージと、
前記基板が昇降することで前記基板と接触し、前記基板と導通する接点部と、
前記基板に向かって基板面と平行に延び、先端付近で前記接点部を接続する板ばね部と、
前記基板の中央部側にあたる前記接点部の前面と前記接点部の両側面と前記接点部の上面とを覆うカバー部と、
を備え、
前記板ばね部が弾性変形していない状態で前記接点部が前記基板に接触する接触位置と前記板ばね部の配置位置とが前記ステージの昇降方向に対して略同一位置になるように配置されたことを特徴とする荷電粒子ビーム描画装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板のアース機構及び荷電粒子ビーム描画装置に係り、例えば、電子ビームを用いて描画される基板のアース機構及び描画装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体デバイスの微細化の進展を担うリソグラフィ技術は半導体製造プロセスのなかでも唯一パターンを生成する極めて重要なプロセスである。近年、ＬＳＩの高集積化に伴い、半導体デバイスに要求される回路線幅は年々微細化されてきている。これらの半導体デバイスへ所望の回路パターンを形成するためには、高精度の原画パターン（レチクル或いはマスクともいう。）が必要となる。ここで、電子線（電子ビーム）描画技術は本質的に優れた解像性を有しており、高精度の原画パターンの生産に用いられる。
【０００３】
図１６は、従来の可変成形型電子線描画装置の動作を説明するための概念図である。
可変成形型電子線描画装置（ＥＢ（Ｅｌｅｃｔｒｏｎ  ｂｅａｍ）描画装置）における第１のアパーチャ４１０には、電子線３３０を成形するための矩形例えば長方形の開口４１１が形成されている。また、第２のアパーチャ４２０には、第１のアパーチャ４１０の開口４１１を通過した電子線３３０を所望の矩形形状に成形するための可変成形開口４２１が形成されている。荷電粒子ソース４３０から照射され、第１のアパーチャ４１０の開口４１１を通過した電子線３３０は、偏向器により偏向され、第２のアパーチャ４２０の可変成形開口４２１の一部を通過して、所定の一方向（例えば、Ｘ方向とする）に連続的に移動するステージ上に搭載された試料３４０に照射される。すなわち、第１のアパーチャ４１０の開口４１１と第２のアパーチャ４２０の可変成形開口４２１との両方を通過できる矩形形状が、Ｘ方向に連続的に移動するステージ上に搭載された試料３４０の描画領域に描画される。第１のアパーチャ４１０の開口４１１と第２のアパーチャ４２０の可変成形開口４２１との両方を通過させ、任意形状を作成する方式を可変成形方式という。
【０００４】
ここで、電子ビーム描画装置でマスク基板等の試料が描画されていくと、かかる試料面に形成された層を構成する材料、例えば、クロム（Ｃｒ）を用いた遮光膜層が帯電してしまう。かかる状態のまま描画を行なうとかかる帯電による電荷の影響により描画するために照射された電子ビームの軌道が曲げられてしまい、所望する位置に描画することができなくなってしまうといった問題が生じる。或いは、ビームがぼけてしまうといった問題が生じる。そこで、通常、かかる帯電した層を接地して、アースすることが行なわれる（例えば、特許文献１参照）。
【特許文献１】特開２００５−０３２９６３号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
上述したように、電子ビーム描画装置では、帯電したマスク基板等に接地してアースすることにより描画精度の向上を図っている。ここで、かかるアース機構の一例としては、接点部となる刃先のついたブレードやピンを基板表面に押し付け、基板表面に塗布されたレジスト膜を削って、その下に位置する帯電層に接地させている。
【０００６】
図１７は、従来の電子ビーム描画装置におけるアース機構の構成を上面から示す概念図である。
図１８は、従来の電子ビーム描画装置におけるアース機構の構成を正面から示す概念図である。
従来のアース機構５１０では、板ばね５１６の先端部に２５°の接触角に形成され刃先のついたブレード５１４を設置して、下方から基板１０１を上昇させることでブレードに試料となる基板１０１を押し付けて、さらに、基板１０１を上昇させることで板ばね５１６の弾性力で基板表面のレジスト材を切り込んでいた。そして、レジスト材の下に形成された帯電層となるＣｒ層に接地して導通させていた。そして、ブレード５１４とレジストが接触する時点での接触位置と板ばね５１６とのオフセット量ｄとして、２ｍｍに設定していた。また、かかるブレード５１４は板ばね５１６の幅方向の端部（中心からδの位置）に取り付けていた。かかるような構成でＣｒ層に接地させると、レジスト材を削るためにパーティクルが発生し、かかるパーティクルが描画された基板に付着してしまうといった問題があった。
【０００７】
図１９は、従来の電子ビーム描画装置におけるアース機構で接地した場合の基板に付着するパーティクルの様子を示す図である。
図１９に示すように、基板の描画領域に多数のパーティクルが付着している様子がわかる。
【０００８】
図２０は、従来の電子ビーム描画装置におけるアース機構で接地した場合の基板に形成されたブレードのブレード痕の様子を示す図である。
図２０に示すように、従来のアース機構で接地していく場合、１つのアース箇所では１つのブレードでレジスト材を切り込んでいるのにも拘らず、複数（ここでは、２つ）のブレード痕が残っていることがわかる。ブレード痕が複数形成されるということは、その分だけ削られるレジスト材の量も増えていることが想定される。
【０００９】
以上のように、帯電した層を接地するためには、上層のレジスト材を削って、その下の帯電層に接地しなければならないが、その場合でもできるだけ基板に付着するパーティクル量を低減することが求められている。
【００１０】
そこで、本発明は、かかる問題点を克服し、より基板に付着するパーティクル量を低減させるアース機構およびかかる機構を搭載した装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本発明の一態様の基板のアース機構は、
基板に向かって基板面と平行に延びる板ばね部と、
板ばね部の先端部に接続され、基板と接触して導通させる接点部と、
前記基板の中央部側にあたる前記接点部の前面と前記接点部の両側面と前記接点部の上面とを覆うカバー部と、
を備えた基板のアース機構であって、
板ばね部が弾性変形していない状態で接点部が基板に接触する接触位置と板ばね部の配置位置とが基板面に直交する方向に略同一位置になるように配置されたことを特徴とする。
【００１２】
特に、板ばね部が弾性変形していない状態で接点部が基板に接触する接触位置と板ばね部の配置位置との間における基板面に直交する方向のオフセット値が、±１ｍｍ以内になるように配置されると好適である。
【００１３】
後述するように、かかるオフセット値によって、レジスト材を接点部が引きずる長さ（引きずり量）が変わってくることを発明者等は見出した。そして、接点部が基板に接触を開始する接触位置と板ばねの配置位置とが略同一位置、すなわち、オフセット値が、±１ｍｍ以内になるように配置されることで、従来に比べ、引きずり量を大幅に低減することができる。
【００１４】
さらに、接点部は、板ばね部の幅方向の略中心位置に配置されたことを特徴とする。
【００１５】
接点部が板ばね部の幅方向の略中心位置に配置されることにより板ばね部のねじれを抑制することができる。
【００１６】
また、基板のアース機構は、さらに、接点部が基板に接触する位置から少なくとも基板の中央部に向かう方向に、基板面と所定の隙間を空けた状態で接点部を覆うカバー部を備えたことを特徴とする。
【００１７】
かかる構成により、接点部が基板に接触した後、さらにレジスト材を引きずることにより発生したパーティクルを基板の描画エリアに飛ばさないようにすることができる。
【００１８】
また、本発明の一態様の荷電粒子ビーム描画装置は、
荷電粒子ビームを用いてパターンが描画される基板を昇降可能に載置するステージと、
基板が昇降することで基板と接触し、基板と導通する接点部と、
基板に向かって基板面と平行に延び、先端付近で接点部を接続する板ばね部と、
前記基板の中央部側にあたる前記接点部の前面と前記接点部の両側面と前記接点部の上面とを覆うカバー部と、
を備え、
板ばね部が弾性変形していない状態で接点部が基板に接触する接触位置と板ばね部の配置位置とがステージの昇降方向に対して略同一位置になるように配置されたことを特徴とする。
【００１９】
上述したように、接点部が基板に接触を開始する接触位置と板ばねの配置位置とが略同一位置になるように配置されることで、従来に比べ、引きずり量を大幅に低減することができる。
【発明の効果】
【００２０】
本発明の一態様によれば、引きずり量を大幅に低減することができるので、発生するパーティクル量を低減することができる。その結果、基板に付着するパーティクル量を低減させることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２１】
以下、各実施の形態では、荷電粒子ビームの一例として、電子ビームを用いた構成について説明する。但し、荷電粒子ビームは、電子ビームに限るものではなく、イオンビーム等の他の荷電粒子を用いたビームでも構わない。
【００２２】
まず、第１の態様に関する実施例を示す。
実施の形態１．
図１は、実施の形態１における描画装置の構成を示す概念図である。
図１において、荷電粒子ビーム描画装置の一例として可変成形型電子線描画装置である描画装置１００は、電子鏡筒１０２、描画室１０３、ＸＹステージ１０５、電子銃２０１、照明レンズ２０２、第１のアパーチャ２０３、投影レンズ２０４、偏向器２０５、第２のアパーチャ２０６、対物レンズ２０７、偏向器２０８、アース機構２１０を備えている。そして、アース機構２１０は、カバー２１２（カバー部の一例）、ブレード２１４（接点部、或いは電極の一例）、板ばね２１６（板ばね部の一例）、固定具２１８を備えている。
【００２３】
そして、電子鏡筒１０２内には、電子銃２０１、照明レンズ２０２、第１のアパーチャ２０３、投影レンズ２０４、偏向器２０５、第２のアパーチャ２０６、対物レンズ２０７、偏向器２０８が配置されている。描画室１０３には、アース機構２１０、ＸＹステージ１０５が配置され、ＸＹステージ１０５には、基板１０１を昇降可能に支持する支持ピン１０６が配置され、支持ピン１０６上に試料となる基板１０１が配置されている。図１では、本実施の形態１を説明する上で必要な構成部分以外については記載を省略している。描画装置１００にとって、通常、必要なその他の構成が含まれることは言うまでもない。
【００２４】
電子銃２０１から照射された荷電粒子ビームの一例となる電子ビーム２００は、照明レンズ２０２により集光され、矩形例えば長方形の穴を持つ第１のアパーチャ２０３全体を照明する。ここで、電子ビーム２００をまず矩形例えば長方形に成形する。そして、第１のアパーチャ２０３を通過した第１のアパーチャ像の電子ビーム２００は、投影レンズ２０４により第２のアパーチャ２０６上に投影される。かかる第２のアパーチャ２０６上での第１のアパーチャ像の位置は、偏向器２０５によって制御され、ビーム形状と寸法を変化させることができる。そして、第２のアパーチャ２０６を通過した第２のアパーチャ像の電子ビーム２００は、対物レンズ２０７により焦点を合わせ、偏向器２０８により偏向されて、移動可能に配置されたＸＹステージ１０５上の試料となる基板１０１の所望する位置に照射される。
【００２５】
また、電子鏡筒１０２内およびＸＹステージ１０５が配置された描画室１０３内は、図示していない真空ポンプにより真空引きされ、大気圧よりも低い圧力となる真空雰囲気となっている。
【００２６】
図２は、実施の形態１におけるアース機構の構成を上面から示す概念図である。
図３は、実施の形態１におけるアース機構の構成を正面から示す概念図である。
板ばね２１６は、固定具２１８でＸＹステージ１０５上に固定されている。そして、板ばね２１６は、試料となる基板１０１に向かって基板面と平行に延びている。そして、板ばね２１６の先端部には例えば１５°の接触角に形成され刃先のついたブレード２１４が接続される。ブレード２１４は、板ばね２１６の幅方向の略中心位置に配置されている。また、板ばね２１６が弾性変形していない状態でブレード２１４が基板１０１に接触する接触位置と板ばね２１６の配置位置とが基板面に直交する方向に略同一位置になるように配置される。すなわち、ブレード２１４が基板１０１に接触する接触位置と板ばね２１６の配置位置とが同じ高さになるように配置されている。また、カバー２１２は、基板面と所定の隙間ｔを空けた状態でブレード２１４の基板の中央部側にあたる前面と両側面と上面とを覆っている。ブレード２１４が基板に接触する位置から少なくとも基板の中央部に向かう方向に、基板面と所定の隙間ｔを空けた状態でブレード２１４を覆っている。
【００２７】
図４は、実施の形態１における基板の一例を示す図である。
ここでは、基板１０１として、マスク基板を用いる場合について説明する。マスク基板は、１辺がＬ、例えば１５２ｍｍ角の基板を用いる。そして、基板の１辺に２つのアース機構２１０が配置されることになる。マスク基板は、前後左右にＬ１の寸法を空けて、その内側（Ｌ２×Ｌ２）の領域が描画領域１０となる。ここでは、例えば、Ｌ１＝６ｍｍ、Ｌ２＝１４０ｍｍをとる。すなわち、基板の端から６ｍｍの位置と基板の端から１４６ｍｍの位置との間が描画エリアとなる。
【００２８】
図５は、実施の形態１におけるブレードと基板とが接触開始した状態を示す概念図である。
図５では、電子ビームで描画される基板１０１の一例として、ガラス基板２０上に、遮光膜となるクロム（Ｃｒ）膜２２が形成され、その上にレジスト膜２４が形成されている基板を示している。そして、ＸＹステージ１０５上の支持ピン１０６が光軸方向（Ｚ方向）に上昇することでブレード２１４が基板と接触する。図５では、ブレード２１４が、基板との接触開始位置となるレジスト膜２４と接触点Ｐで接触した様子を示している。ここでは、まだ、板ばね２１６が弾性変形していない状態となる。上述したように、かかる接触位置Ｐと板ばね２１６の配置位置とがＸＹステージ１０５の昇降方向（すなわち、高さ方向）に対して略同一位置になるように配置されている。
【００２９】
図６は、実施の形態１におけるブレードと基板とが導通した状態を示す概念図である。
図５に示した状態からさらに支持ピン１０６をＺ方向に上昇（リフトアップ）させると、ブレード２１４が、持ち上げられ、板ばね２１６が弾性変形する。そして、図６に示すように、板ばね２１６の弾性力でブレード２１４がレジスト膜２４を切り込みながら下層のＣｒ膜２２と接触して導通する。ここでは図示していないが、Ｃｒ膜２２の表面にＣｒ酸化膜（ＣｒＯｘ）の層が形成されている場合には、かかるＣｒ酸化膜も切り込んでいく。Ｃｒ膜２２と接触して導通することで、ブレード２１４が接点となってアース（地絡）させることができる。その結果、Ｃｒ膜２２に帯電した電荷を逃がすことができる。ここで、ブレード２１４がレジスト膜２４を切り込む際、ブレード２１４が引きずられることになる。図６では、接触開始点Ｐから接触位置が引きずられることで移動し、導通される位置では、点Ｑが接触点となる。かかる引きずりによりパーティクルが発生してしまうことになる。
【００３０】
ここで、発明者らは、接触開始位置の高さと板ばね配置高さとのオフセット量によって、引きずり量が異なることを見出した。
図７は、実施の形態１における接触開始高さと板ばね配置高さとを示す概念図である。
図８は、実施の形態１における接触開始位置と導通位置とを示す概念図である。
図７に示すように、本実施の形態１ではブレード２１４が試料となる基板１０１と接触を開始する位置の高さと板ばね２１６の配置高さとが略同一に構成されている。そして、図１８に示した従来のアース機構５１０では、接触を開始する位置の高さと板ばね２１６の配置高さとはオフセット量ｄ（例えば２ｍｍ）だけずれて配置されていた。そして、リフト量として１ｍｍだけ基板１０１を上方に移動させる場合、図８に示すように、接触点は、接触開始点Ｐから１ｍｍリフト後の点Ｑまで引きずられる。以下、接触開始位置の高さと板ばね配置高さとのオフセット量と引きずり量との関係を示す。
【００３１】
図９は、実施の形態１における接触開始位置の高さと板ばね配置高さとのオフセット量と引きずり量との関係を示す図である。
図９に示すように、従来、２ｍｍのオフセット量を持たせて板ばね５１６を配置していた場合、９５μｍの引きずり量になっていた。これに対して、実施の形態１では、オフセット量を±１ｍｍ以内になるように板ばね２１６を配置する。すなわち、板ばね２１６が弾性変形していない状態でブレード２１４が基板に接触する接触位置と板ばね２１６の配置位置との間における基板面に直交する方向（高さ方向、すなわちＺ方向）のオフセット値が、±１ｍｍ以内になるように配置すると好適である。これにより、従来に比べ、引きずり量を大幅に低減することができる。例えば、オフセット量を値「０」にできれば、引きずり量を２０μｍに低減することができる。その結果、レジスト材を引きずることにより発生するパーティクルを大幅に低減させることができる。
【００３２】
図１０は、実施の形態１におけるパーティクルの飛散角度と初速度との関係を示す図である。
図３に示したように、実施の形態１では、ブレード２１４にカバー２１２をかぶせている。ここでは、かかるカバー２１２の効果をシミュレーションにより評価した。図１０において、基板１０１として図４で示した基板を用いるとする。図４においてＬ１＝６ｍｍ、Ｌ２＝１４０ｍｍとすると、基板の端から６ｍｍの位置と基板の端から１４６ｍｍの位置の間が描画領域となる。そして、図１０では、パーティクルがある初速度とある角度で飛散した場合に、パーティクルが基板の端から６ｍｍの位置に届く初速度と角度を線で示している。同様に、パーティクルが基板の端から１４６ｍｍの位置に届く初速度と角度を線で示している。よって、かかる２つの線の内側が描画領域となる。よって、かかる領域にパーティクルが届かないようにすることが望ましい。そこで、図１０では、図３に示すカバー２１２と基板との隙間ｔを変化させることで、かかるパーティクルに対するカバー２１２の効果をシミュレーションにより評価した。ここでは、ブレード２１４の接触位置とカバー２１２の内側までの距離を２．５ｍｍとした。図１０に示すように、隙間ｔが小さくなるほどカバー効果があることがわかる。よって、ブレード２１４にカバー２１２をかぶせることで基板へ飛散するパーティクルを低減することができる。特に、隙間ｔを０．５ｍｍ以内とすることで、大幅に飛散するパーティクルを低減することができる。
【００３３】
図１１は、実施の形態１におけるアース機構で接地した場合の基板に付着するパーティクルの様子を示す図である。
図１９で示した従来のアース機構５１０に比べ、実施の形態１におけるアース機構２１０で接地した場合、図１１に示すように、基板の描画領域に付着するパーティクル量が大幅に低減した様子がわかる。
【００３４】
図１２は、実施の形態１におけるアース機構で接地した場合に基板に付着したパーティクルの分布を示す図である。
図１２では、従来のアース機構５１０で接地した場合に基板に付着したパーティクルの分布も比較のために示している。ここでは、基板Ａと基板Ｂの２種類の基板に対して、従来のアース機構（図１２では、旧ブレードと示す）と実施の形態１のアース機構（図１２では、新ブレードと示す）でそれぞれ３０回クランプして接地した場合に基板に付着したパーティクルの分布を示している。図１２に示すように、パーティクルの絶対量も低減させることができると共に、各サイズのパーティクルをも低減させることができる。
【００３５】
図１３は、図１２のグラフを表で示した図である。
図１３では、３０回クランプした場合の各サイズのパーティクルの増加数とクランプ１回あたりの各サイズのパーティクルの増加数とを示している。図１２と同様、図１３に示すように、実施の形態１におけるアース機構で接地することによりパーティクルの絶対量も低減させることができると共に、各サイズのパーティクルをも低減させることができる。
【００３６】
図１４は、実施の形態１におけるアース機構で接地した場合の基板に形成されたブレードのブレード痕の様子を示す図である。
従来のアース機構で接地していく場合、図２０に示したように１つのブレードでレジスト材を切り込んでいるのにも拘らず、複数（ここでは、２つ）のブレード痕が残っていた。これに対し、実施の形態１におけるアース機構で接地した場合には、図１４に示すように、１つのブレード痕となった。発明者らは、従来のブレード５１４が板ばね５１６の幅方向の端部（中心からδの位置）に取り付けていたため、ブレード５１４が基板と接触後、基板を上昇させると板ばね５１６がねじれ変形を起こすことによって、ブレード痕が複数になることを見出した。そこで、実施の形態１では、ブレード２１４を板ばね２１６の幅方向の略中心位置に配置したことによってかかる板ばね２１６のねじれを抑制することができた。よって、ブレード２１４の位置ずれを抑制することができる。その結果、図１４に示すように、１つのブレード痕にすることができた。具体的には、板ばね２１６の幅方向の中心からのオフセット値が、±１ｍｍ以内になるように配置すると好適である。以上のように、ブレード痕の数を減らすことによりその分だけ削られるレジスト材の量を低減することができる。
【００３７】
以上のように、実施の形態１によれば、一方でブレード２１４の引きずり量を大幅に低減することができるので、発生するパーティクル量を低減することができる。また、他方で板ばね２１６のねじれを抑制したことでブレード２１４の位置ずれを抑制することができるので、発生するパーティクル量を低減することができる。そして、さらに、カバー２１２でブレード２１４を覆うことで、発生したパーティクルの基板への飛散を抑制することができる。その結果、基板に付着するパーティクル量を低減させることができる。
【００３８】
ここで、上述した説明では、接点として、ブレード２１４を用いたがこれに限るものではない。
図１５は、実施の形態１における他の接点部の一例を示す図である。
図１５に示すように、基板へ導通させる接点は、ブレード２１４に限るものではなくブレード２１４の代わりにピン２２４を用いても構わない。かかるピン２２４を用いた場合でも板ばね２１６の配置高さは、ピン２２４と基板との接触開始高さに略同一になるように配置することが望ましい点は、同様である。また、板ばね２１６の幅方向の略中心にピン２２４を配置することが望ましい点は、同様である。また、カバー２１２を設けると良い点も同様である。
【００３９】
以上、具体例を参照しつつ実施の形態について説明した。しかし、本発明は、これらの具体例に限定されるものではない。例えば、上述した実施の形態では、板ばね２１６を用いているが、これに限るものではなく、板や棒状部材の先端部にブレード２１４やピン２２４を取り付け、基板１０１により押し上げられた際、板や棒状部材の根元を軸として回転し、基板１０１にある程度付勢できる構造であればよい。例えば、板や棒状部材の根元にゼンマイを取り付け、ゼンマイの反発力で基板１０１をブレード２１４等で付勢してもよい。
【００４０】
また、装置構成や制御手法等、本発明の説明に直接必要しない部分等については記載を省略したが、必要とされる装置構成や制御手法を適宜選択して用いることができる。例えば、描画装置１００を制御する制御部構成については、記載を省略したが、必要とされる制御部構成を適宜選択して用いることは言うまでもない。
【００４１】
その他、本発明の要素を具備し、当業者が適宜設計変更しうる全ての基板のアース機構、荷電粒子ビーム描画装置、及びは、荷電粒子ビーム描画方法は、本発明の範囲に包含される。
【図面の簡単な説明】
【００４２】
【図１】実施の形態１における描画装置の構成を示す概念図である。
【図２】実施の形態１におけるアース機構の構成を上面から示す概念図である。
【図３】実施の形態１におけるアース機構の構成を正面から示す概念図である。
【図４】実施の形態１における基板の一例を示す図である。
【図５】実施の形態１におけるブレードと基板とが接触開始した状態を示す概念図である。
【図６】実施の形態１におけるブレードと基板とが導通した状態を示す概念図である。
【図７】実施の形態１における接触開始高さと板ばね配置高さとを示す概念図である。
【図８】実施の形態１における接触開始位置と導通位置とを示す概念図である。
【図９】実施の形態１における接触開始位置の高さと板ばね配置高さとのオフセット量と引きずり量との関係を示す図である。
【図１０】実施の形態１におけるパーティクルの飛散角度と初速度との関係を示す図である。
【図１１】実施の形態１におけるアース機構で接地した場合の基板に付着するパーティクルの様子を示す図である。
【図１２】実施の形態１におけるアース機構で接地した場合に基板に付着したパーティクルの分布を示す図である。
【図１３】図１２のグラフを表で示した図である。
【図１４】実施の形態１におけるアース機構で接地した場合の基板に形成されたブレードのブレード痕の様子を示す図である。
【図１５】実施の形態１における他の接点部の一例を示す図である。
【図１６】従来の可変成形型電子線描画装置の動作を説明するための概念図である。
【図１７】従来の電子ビーム描画装置におけるアース機構の構成を上面から示す概念図である。
【図１８】従来の電子ビーム描画装置におけるアース機構の構成を正面から示す概念図である。
【図１９】従来の電子ビーム描画装置におけるアース機構で接地した場合の基板に付着するパーティクルの様子を示す図である。
【図２０】従来の電子ビーム描画装置におけるアース機構で接地した場合の基板に形成されたブレードのブレード痕の様子を示す図である。
【符号の説明】
【００４３】
１０  描画領域
２０  ガラス基板
２２  Ｃｒ膜
２４  レジスト膜
１００  描画装置
１０１  基板
１０２  電子鏡筒
１０３  描画室
１０５  ＸＹステージ
１０６  支持ピン
２００  電子ビーム
２０１  電子銃
２０２  照明レンズ
２０３，４１０  第１のアパーチャ
２０４  投影レンズ
２０５，２０８  偏向器
２０６，４２０  第２のアパーチャ
２０７  対物レンズ
２１０，５１０  アース機構
２１２  カバー
２１４，５１４  ブレード
２１６，５１６  板ばね
２１８  固定具
３３０  電子線
３４０  試料
４１１  開口
４２１  可変成形開口
４３０  荷電粒子ソース
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図１４】
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【図２０】
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