(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
積層された複数のセラミック層をもって構成され、かつ互いに対向する第１および第２の主面と互いに対向する第１および第２の側面とを有する、セラミック積層体と、
前記第１の側面上に形成され、かつ前記第１の側面の幅よりも狭い帯状を有する、４個の第１の外部端子電極と、
前記第２の側面上に形成され、かつ前記第２の側面の幅よりも狭い帯状を有する、４個の第２の外部端子電極と、
前記セラミック積層体の内部にそれぞれ形成され、かつ前記セラミック積層体の主面方向に並ぶように配置される、４組の第１および第２の内部電極と
を備え、
前記第１の内部電極は、特定の前記セラミック層を挟んで前記第２の内部電極と対向する第１の対向部と、前記第１の対向部から前記第１の側面に向かって引き出されかつ前記第１の外部端子電極に電気的に接続された第１の引出し部と、前記第１の対向部から前記第２の側面には達しないが前記第２の側面上の前記第２の外部端子電極に向かって部分的に突出した第１の突起部とを有し、
前記第２の内部電極は、特定の前記セラミック層を挟んで前記第１の内部電極と対向する第２の対向部と、前記第２の対向部から前記第２の側面に向かって引き出されかつ前記第２の外部端子電極に電気的に接続された第２の引出し部と、前記第２の対向部から前記第１の側面には達しないが前記第１の側面上の前記第１の外部端子電極に向かって部分的に突出した第２の突起部とを有し、
前記第１の引出し部の幅は、前記第１の対向部の幅より狭く、
前記第２の引出し部の幅は、前記第２の対向部の幅より狭く、
前記第１の突起部の幅は、前記第２の外部端子電極の幅より狭く、
前記第２の突起部の幅は、前記第１の外部端子電極の幅より狭く、
前記第１の突起部の幅は、前記第１の対向部の幅より狭く、
前記第２の突起部の幅は、前記第２の対向部の幅より狭く、
前記第１の突起部の両側辺は、前記セラミック層を挟んで対向する前記第２の引出し部の両側辺の外側に位置し、かつ、前記第２の引出し部の側辺とも、前記第２の引出し部の付け根部分のコーナーとも積層方向に沿って重なっておらず、
前記第２の突起部の両側辺は、前記セラミック層を挟んで対向する前記第１の引出し部の両側辺の外側に位置し、かつ、前記第１の引出し部の側辺とも、前記第１の引出し部の付け根部分のコーナーとも積層方向に沿って重なっていない、
積層セラミックコンデンサアレイ。
【請求項２】
複数の前記第１の内部電極と複数の前記第２の内部電極とが積層方向に交互に配置されている、請求項１に記載の積層セラミックコンデンサアレイ。
【請求項３】
複数の前記第１の内部電極は互いに同一面内に位置され、複数の前記第２の内部電極は、前記第１の内部電極が配置された面とは異なる、互いに同一面内に位置される、請求項１または２に記載の積層セラミックコンデンサアレイ。
【請求項４】
同一面内に、第１の内部電極と第２の内部電極とが交互に位置されている、請求項１または２に記載の積層セラミックコンデンサアレイ。
【請求項５】
前記第１および第２の突起部の各辺は、丸みを帯びたコーナーを有する、請求項１ないし４のいずれかに記載の積層セラミックコンデンサアレイ。
【請求項６】
前記第１および第２の対向部の各辺は、それぞれ、前記第１および第２の引出し部側において、丸みを帯びたコーナーを有する、請求項１ないし５のいずれかに記載の積層セラミックコンデンサアレイ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、積層セラミックコンデンサアレイに関するもので、特に、積層セラミックコンデンサアレイにおける内部応力に起因する構造欠陥発生を抑制するための技術に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
積層セラミック電子部品は、複数のセラミック層が互いの間の界面に沿って内部電極を位置させた状態で積層された構造を有するセラミック積層体を備えている。積層セラミック電子部品を製造するに当たり、セラミック積層体は焼成工程を経て得られるものであるので、セラミック積層体を得るための焼成工程では、セラミック層と内部電極とが同時に焼成されることになる。このとき、セラミック層を構成するセラミックと内部電極を構成する金属との間での焼結収縮挙動の違いにより、得られたセラミック積層体においてクラックなどの構造欠陥が生じることがある。このことを、積層セラミックコンデンサを例として、以下に、より詳細に説明する。
【０００３】
積層セラミックコンデンサにおいて、セラミック層を構成するセラミックとしてＢａＴｉＯ３が、また、内部電極を構成する金属としてＮｉがそれぞれよく用いられている。これらＢａＴｉＯ３とＮｉとの関係で見ると、通常、Ｎｉの方が熱収縮率が高い。したがって、焼成後、室温までの冷却過程において、セラミック層は相対的に低い熱収縮率をもって収縮しようとし、他方、内部電極は相対的に高い熱収縮率をもって収縮しようとする。
【０００４】
しかしながら、焼成により両者は一体化されているため、互いに自由に収縮することができない。この結果、セラミック層が本来の収縮量より大きく収縮し、これによって、セラミック層に圧縮応力が加わり、他方、内部電極が本来の収縮量より小さく収縮し、これによって、内部電極に引張応力が加わる。そして、これら圧縮応力や引張応力が内部応力としてセラミック積層体の内部に残留し、経時後にクラックを発生させることがある。
【０００５】
ところで、電子機器の小型化・高性能化に伴い、積層セラミック電子部品についても、小型化・高性能化が要求されている。たとえば積層セラミックコンデンサについては、セラミック層および内部電極の厚みを薄くし、それぞれの積層枚数を増やすことにより、小型化かつ大容量化を図ることが要求されている。
【０００６】
このように、セラミック層や内部電極の積層枚数が増えることにより、セラミック積層体内部に残留する内部応力も積算して大きくなる傾向にある。そして、内部応力は、内部電極とセラミック層との境界となる部分、すなわち内部電極の周辺部に集中しやすい。
【０００７】
図９は、たとえば特開平６−３１４６３４号公報（特許文献１）に記載されるものであって、この発明にとって興味ある従来の積層セラミック電子部品の一例としてのコンデンサアレイ１の内部構造を示す平面図である。ここで、（ａ）と（ｂ）とは、互いに異なる断面に沿って示したものである。
【０００８】
コンデンサアレイ１は、積層された複数のセラミック層２をもって構成され、かつ互いに対向する第１および第２の主面（図９では図示されない。）と互いに対向する第１および第２の側面３および４とを有する、直方体形状のセラミック積層体５を備えている。セラミック積層体５の第１の主面上には、たとえば４個の第１の外部端子電極６が並んで形成され、第２の側面４上には、たとえば４個の第２の外部端子電極７が並んで形成されている。
【０００９】
セラミック積層体５の内部には、図９（ａ）に示されるように、４個の第１の外部端子電極６にそれぞれ電気的に接続される４個の第１の内部電極８が形成されるとともに、図９（ｂ）に示されるように、４個の第２の外部端子電極７にそれぞれ電気的に接続される４個の第２の内部電極９が形成される。
【００１０】
第１の内部電極８は、特定のセラミック層２を挟んで第２の内部電極９と対向する第１の対向部１０と、第１の対向部１０から第１の側面３に向かって引き出されかつ第１の外部端子電極６に電気的に接続された第１の引出し部１１とを有している。他方、第２の内部電極９は、特定のセラミック層２を挟んで第１の内部電極８と対向する第２の対向部１と、第２の対向部１２から第２の側面４に向かって引き出されかつ第２の外部端子電極７に電気的に接続された第２の引出し部１３とを有している。引出し部１１および１３の各幅は、それぞれ、対向部１０および１２の幅より狭くされている。
【００１１】
図１０は、図９（ａ）に示したセラミック積層体５の一部を拡大して示したものである。図１０には、第１の内部電極８として、第１の対向部１０の一部が図示されるとともに、第２の内部電極９として、第２の引出し部１３が破線で図示されている。また、第２の内部電極９における第２の対向部１２は第１の対向部１０と重なり合っている。
【００１２】
図１０からわかるように、第１の対向部１０の、第１の引出し部１１側とは逆側の端辺１４は、第２の対向部１２の、第２の引出し部１３側の端辺１５と重なり合っており、そのため、これら端辺１４および１５部分に内部応力が集中しやすい。また、第２の引出し部１３の両側辺１６および１７部分にも内部応力が集中しやすい。これらの結果、図１０において円で囲んだ、第２の引出し部１３の付け根部分のコーナー１８に内部応力が最も集中することになり、このコーナー１８部分を起点としてクラックが発生しやすくなる。
【００１３】
なお、図１０では図示されない第１の引出し部１１側についても、上記と同様のことが言える。
【特許文献１】特開平６−３１４６３４号公報（図１）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１４】
そこで、この発明の目的は、上述の問題を解決し得る積層セラミックコンデンサアレイを提供しようとすることである。
【課題を解決するための手段】
【００１５】
この発明は、積層された複数のセラミック層をもって構成され、かつ互いに対向する第１および第２の主面と互いに対向する第１および第２の側面とを有するセラミック積層体と、第１の側面上に形成され、かつ第１の側面の幅よりも狭い帯状を有する、４個の第１の外部端子電極と、第２の側面上に形成され、かつ第２の側面の幅よりも狭い帯状を有する、４個の第２の外部端子電極と、セラミック積層体の内部にそれぞれ形成され、かつセラミック積層体の主面方向に並ぶように配置される、４組の第１および第２の内部電極とを備える、積層セラミックコンデンサアレイに向けられるものであって、上述した技術的課題を解決するため、次のような構成を備えることを特徴としている。
【００１６】
第１の内部電極は、特定のセラミック層を挟んで第２の内部電極と対向する第１の対向部と、第１の対向部から第１の側面に向かって引き出されかつ第１の外部端子電極に電気的に接続された第１の引出し部と、第１の対向部から第２の側面には達しないが第２の側面上の第２の外部端子電極に向かって部分的に突出した第１の突起部とを有する。
【００１７】
他方、第２の内部電極は、特定のセラミック層を挟んで第１の内部電極と対向する第２の対向部と、第２の対向部から第２の側面に向かって引き出されかつ第２の外部端子電極に電気的に接続された第２の引出し部と、第２の対向部から第１の側面には達しないが第１の側面上の第１の外部端子電極に向かって部分的に突出した第２の突起部とを有している。
【００１８】
上記第１の引出し部の幅は、第１の対向部の幅より狭く、また、第２の引出し部の幅は、第２の対向部の幅より狭い。また、上記第１の突起部の幅は、第２の外部端子電極の幅より狭く、第２の突起部の幅は、第１の外部端子電極の幅より狭い。また、第１の突起部の幅は、第１の対向部の幅より狭く、第２の突起部の幅は、第２の対向部の幅より狭い。
【００１９】
そして、第１の突起部の両側辺は、セラミック層を挟んで対向する第２の引出し部の両側辺の外側に位置し、かつ、第２の引出し部の側辺とも、第２の引出し部の付け根部分のコーナーとも積層方向に沿って重なっておらず、また、第２の突起部の両側辺は、セラミック層を挟んで対向する第１の引出し部の両側辺の外側に位置し、かつ、第１の引出し部の側辺とも、第１の引出し部の付け根部分のコーナーとも積層方向に沿って重なっていない。
【００２０】
この発明に係る積層セラミック電子部品において、複数の第１の内部電極と複数の第２の内部電極とが積層方向に交互に配置されていてもよい。
【００２１】
また、複数の第１の内部電極は互いに同一面内に位置され、複数の第２の内部電極は、第１の内部電極が配置された面とは異なる、互いに同一面内に位置されても、あるいは、同一面内に、第１の内部電極と第２の内部電極とが交互に位置されていてもよい。
【００２２】
この発明に係る積層セラミック電子部品において、第１および第２の突起部の各辺は、丸みを帯びたコーナーを有することが好ましい。
【００２３】
さらに、第１および第２の対向部の各辺は、それぞれ、第１および第２の引出し部側において、丸みを帯びたコーナーを有することが好ましい。
【発明の効果】
【００２４】
この発明によれば、第１および第２の内部電極の各々について、対向部が互いに対向する部分において、突起部が存在するので、一方の対向部の各端辺が他方の引出し部の付け根部分のコーナーと重ならないようにすることができる。また、各突起部の両側辺が各引出し部の両側辺の外側に位置するため、各突起部の両側辺が、各引出し部の側辺とも、各引出し部の付け根部分のコーナーとも重ならないようにすることができる。これらのことから、特定の箇所での内部応力の集中を緩和することができ、内部応力に起因するクラック等の構造欠陥発生を抑制することができる。
【００２５】
この発明による上述した効果は、たとえば積層セラミックコンデンサのように、複数の第１の内部電極と複数の第２の内部電極とが積層方向に交互に配置されているとき、セラミック積層体の内部に残留する内部応力が大きくなる傾向にあるため、より顕著に発揮される。
【００２６】
また、この発明に係る積層セラミックコンデンサアレイのように、複数組の第１および第２の内部電極が、セラミック積層体の主面方向に並ぶように配置されているとき、内部電極の数が多く、かつ内部電極の周辺部が多く存在することになり、それゆえ、残留内部応力が全体として大きくなりやすいため、上述したこの発明による効果がより顕著に発揮される。
【００２７】
また、上述のように、複数組の第１および第２の内部電極がセラミック積層体の主面方向に並ぶように配置されている場合であって、同一面内に、第１の内部電極と第２の内部電極とが交互に位置されている場合には、第１および第２の引出し部の一方が、特定の面内において、第１および第２の側面の一方に偏って配置されることがなくなり、隣り合うセラミック層同士の接合部分のバランスが取れるため、積層セラミック電子部品の信頼性を向上させることができる。
【００２８】
また、第１および第２の突起部の各辺が丸みを帯びたコーナーを有すると、突起部先端のコーナーに集中する内部応力を緩和することができる。
【００２９】
また、第１および第２の対向部の各辺が、それぞれ、第１および第２の引出し部側において、丸みを帯びたコーナーを有していると、第１および第２の対向部の間で、一方の対向部のコーナーと他方の対向部のコーナーとを重ならないようにすることができるため、対向部のコーナーにおける内部応力の集中を有利に緩和することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３０】
図１ないし図４は、この発明の第１の実施形態による積層セラミックコンデンサアレイ２１を説明するためのものである。ここで、図１は、コンデンサアレイ２１の外観を示す斜視図であり、図２は、コンデンサアレイ２１の外観を示す平面図である。図３は、コンデンサアレイ２１の内部構造を示す平面図であって、（ａ）と（ｂ）とは、互いに異なる断面に沿って示したものである。
【００３１】
コンデンサアレイ２１は、積層された複数のセラミック層２２をもって構成され、かつ互いに対向する第１および第２の主面２３および２４と互いに対向する第１および第２の側面２５および２６と互いに対向する第１および第２の端面２７および２８とを有する、直方体形状のセラミック積層体２９を備えている。
【００３２】
セラミック層２２は、たとえば、ＢａＴｉＯ３、ＣａＴｉＯ３、ＳｒＴｉＯ３、ＣａＺｒＯ３などを主成分とする誘電体セラミックから構成される。なお、これら主成分に、Ｍｎ化合物、Ｆｅ化合物、Ｃｒ化合物、Ｃｏ化合物、Ｎｉ化合物などの副成分が添加されていてもよい。また、セラミック層２２の厚みは、たとえば１〜１０μｍとされることが好ましい。
【００３３】
セラミック積層体２９の第１の側面２５上には、４個の第１の外部端子電極３０が並んで形成される。他方、第２の側面２６上には、４個の第２の外部端子電極３１が並んで形成されている。第１の外部端子電極３０は、第１の側面２５の幅よりも狭い帯状を有している。第２の外部端子電極３１は、第２の側面２６の幅よりも狭い帯状を有している。
【００３４】
これら外部端子電極３０および３１の導電成分として、たとえば、Ｃｕ、Ｎｉ、Ａｇ、Ｐｄ、Ａｇ−Ｐｄ合金、Ａｕなどを用いることができる。外部端子電極３０および３１は、上記のような金属を焼結金属として含む下地導体膜と、この下地導体膜上に形成されためっき膜とにより構成されることができる。めっき膜を構成する金属としては、たとえば、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｓｎ、Ａｕなどを用いることができる。また、Ｎｉ−Ｓｎ、Ｎｉ−Ａｕ、Ｃｕ−Ｎｉ−Ａｕなどの複数層からなるめっき膜であってもよい。めっき膜の厚みは、１層当たり、１〜１０μｍであることが好ましい。上述した下地導体膜とめっき膜との間に、エポキシ樹脂などの熱硬化性樹脂とＡｇなどの金属フィラーとを含む導電性樹脂層が設けられてもよい。また、外部端子電極３０および３１は、直接、めっきにより形成されてもよい。
【００３５】
セラミック積層体２９の内部には、図３に示すように、第１および第２の内部電極３２および３３がそれぞれ形成される。この実施形態では、取得静電容量を大きくするため、複数の第１の内部電極３２と複数の第２の内部電極３３とが積層方向に交互に配置されている。また、４組の第１および第２の内部電極３２および３３が、セラミック積層体２９の主面方向に並ぶように配置されている。この実施形態では、４個の第１の内部電極３２は、図３（ａ）に示すように、互いに同一面内に位置され、４個の第２の内部電極３３は、図３（ｂ）に示すように、第１の内部電極３２が配置された面とは異なる、互いに同一面内に位置されている。
【００３６】
第１の内部電極３２は、特定のセラミック層２２を挟んで第２の内部電極３３と対向する第１の対向部３４と、第１の対向部３４から第１の側面２５に向かって引き出されかつ第１の外部端子電極３０に電気的に接続された第１の引出し部３５と、第１の対向部３４から第２の側面２６には達しないが第２の側面２６上の第２の外部端子電極３１に向かって部分的に突出した第１の突起部３６とを有している。
【００３７】
第２の内部電極３３は、特定のセラミック層２２を挟んで第１の内部電極３２と対向する第２の対向部３７と、第２の対向部３７から第２の側面２６に向かって引き出されかつ第２の外部端子電極３１に電気的に接続された第２の引出し部３８と、第２の対向部３７から第１の側面２５には達しないが第１の側面２５上の第１の外部端子電極３０に向かって部分的に突出した第２の突起部３９とを有している。
【００３８】
上述した第１の引出し部３５の幅は、第１の対向部３４の幅より狭くされ、同様に、第２の引出し部３８の幅は、第２の対向部３７の幅より狭くされる。また、上述した第１の突起部３６の幅は、第２の外部端子電極３１の幅より狭くされ、第２の突起部３９の幅は、第１の外部端子電極３０の幅より狭くされる。また、第１の突起部３６の幅は、第１の対向部３４の幅より狭くされ、第２の突起部３９の幅は、第２の対向部３７の幅より狭くされる。
【００３９】
内部電極３２および３３に含まれる導電成分としては、たとえば、Ｎｉ、Ｃｕ、Ａｇ、Ｐｄ、Ａｇ−Ｐｄ合金、Ａｕなどを用いることができる。また、内部電極３２および３３の各々の厚みは、０．５〜２．０μｍであることが好ましい。
【００４０】
図４は、図３（ａ）に示したセラミック積層体２９の一部を拡大して示す図である。図４には、第１の内部電極３２における第１の対向部３４の一部および第１の突起部３６が示されている。また、図４には、第２の内部電極３３における第２の対向部３７の一部および第２の引出し部３８が破線で示されている。
【００４１】
図４からわかるように、第１の突起部３６の両側辺４０および４１は、セラミック層２２を挟んで対向する第２の引出し部３８の両側辺４２および４３の外側に位置し、かつ、第２の引出し部３８の側辺とも、第２の引出し部３８の付け根部分のコーナーとも積層方向に沿って重なっていない。図４では図示しないが、第２の突起部３９の両側辺も、同様に、第１の引出し部３５の両側辺の外側に位置し、かつ、第１の引出し部３５の側辺とも、第１の引出し部３５の付け根部分のコーナーとも積層方向に沿って重なっていない。
【００４２】
図４に示すように、第１の内部電極３２には第１の突起部３６が存在するので、第１の対向部３４の第１の対向部３４の端辺４４が第２の引出し部３８の付け根部分のコーナーと重ならないようにすることができる。また、第１の突起部３６の両側辺４０および４１が第２の引出し部３８の両側辺４２および４３の外側に位置するため、第１の突起部３６の両側辺４０および４１が、第２の引出し部３８の両側辺４２および４３とも、第２の引出し部３８の付け根部分のコーナーとも重ならないようにすることができる。
【００４３】
これらのことから、第２の引出し部３８の付け根部分のコーナーにおいて内部応力が集中することを緩和できる。同様のことが、第２の突起部３９と第１の引出し部３５との間についても言える。これらの結果、セラミック積層体２９において、内部応力に起因するクラック等の構造欠陥発生を抑制することができる。
【００４４】
次に、上述したコンデンサアレイ２１の製造方法の一例について説明する。
【００４５】
まず、セラミック層２２となるべきセラミックグリーンシート、外部端子電極３０および３１のための導電性ペースト、ならびに内部電極３２および３３のための導電性ペーストがそれぞれ用意される。これらセラミックグリーンシートおよび各導電性ペーストには、バインダおよび溶剤が含まれるが、これらについては、公知の有機バインダおよび有機溶剤を用いることができる。
【００４６】
次に、セラミックグリーンシート上に、たとえばスクリーン印刷法などにより所定のパターンをもって導電性ペーストが印刷される。これによって、内部電極３２および３３となるべき導電性ペースト膜が形成されたセラミックグリーンシートが得られる。
【００４７】
次に、上述のように導電性ペースト膜が形成されたセラミックグリーンシートを所定の順序で積層し、その上下に導電性ペースト膜が形成されていない外層用セラミックグリーンシートを所定枚数積層することによって、生の状態のマザー積層体が得られる。生のマザー積層体は、必要に応じて、静水圧プレスなどの手段により積層方向に圧着される。
【００４８】
次に、生のマザー積層体は所定のサイズにカットされ、それによって、セラミック積層体２９の生の状態のものが切り出される。
【００４９】
次に、生のセラミック積層体２９が焼成される。焼成温度は、セラミックグリーンシートに含まれるセラミック材料や導電性ペースト膜に含まれる金属材料にもよるが、たとえば９００〜１３００℃に選ばれることが好ましい。焼成雰囲気としては、大気、Ｎ２、水蒸気＋Ｎ２などの雰囲気が、導電性ペーストに含まれる金属等の種類によって使い分けられる。
【００５０】
次に、焼結後のセラミック積層体２９の第１および第２の側面２５および２６上に、導電性ペーストを塗布し、焼き付けることによって、第１および第２の外部端子電極３０および３１が形成される。外部端子電極３０および３１を形成するための焼付け温度は、７００〜９００℃に選ばれることが好ましく、焼付けの雰囲気としては、外部端子電極３０および３１に含まれる金属の種類に応じて、大気、Ｎ２、水蒸気＋Ｎ２などの雰囲気が使い分けられる。第１および第２の外部端子電極３０および３１は、図１および図２に示されるように、好ましくは、第１および第２の側面２５および２６の各々から第１および第２の主面２３および２４の各々の一部にまで延びるように形成される。
【００５１】
次に、必要に応じて、外部端子電極３０および３１の表面にめっき膜が形成され、コンデンサアレイ２１が完成される。
【００５２】
図５は、この発明の第２の実施形態によるコンデンサアレイ２１ａを説明するための図３に相当する図である。図５において、図３に示した要素に相当する要素には同様の参照符号を付し、重複する説明は省略する。
【００５３】
図５に示したコンデンサアレイ２１ａでは、（ａ）および（ｂ）の各々に示すように、同一面内に第１の内部電極３２と第２の内部電極３３とが交互に位置されていることを特徴としている。このような構成を採用することにより、特定の面内において、第１および第２の引出し部３５および３８のいずれか一方が第１および第２の側面２５および２６のいずれか一方に偏って配置されることがなくなり、隣り合うセラミック層２２同士の接合部分のバランスが取れるため、コンデンサアレイ２１ａの信頼性が向上する。
【００５４】
図６は、この発明の第３の実施形態によるコンデンサアレイ２１ｂを説明するための図３に相当する図である。図６において、図３に示した要素に相当する要素には同様の参照符号を付し、重複する説明は省略する。
【００５５】
図６に示したコンデンサアレイ２１ｂでは、第１および第２の突起部３６および３９の各辺は、丸みを帯びたコーナー４７を有することを特徴としている。このような構成を採用することにより、突起部３６および３９の各々先端のコーナー４７に集中しやすい内部応力を緩和することができる。
【００５６】
なお、上述したような第１および第２の突起部３６および３９が丸みを帯びたコーナー４７を有する構成は、図５に示したコンデンサアレイ２１ａにおいても採用することができる。
【００５７】
図７および図８は、この発明の第４の実施形態によるコンデンサアレイ２１ｃを説明するための図３および図４にそれぞれ相当する図である。図７および図８において、図３、図４または図６に示した要素に相当する要素には同様の参照符号を付し、重複する説明は省略する。
【００５８】
図７および図８に示したコンデンサアレイ２１ｃでは、図６に示したコンデンサアレイ２１ｂの場合と同様、第１および第２の突起部３６および３９の各辺が丸みを帯びたコーナー４７を有するという特徴に加えて、第１および第２の対向部３４および３７の各辺が、それぞれ、第１および第２の引出し部３５および３８側において、丸みを帯びたコーナー４８を有することを特徴としている。
【００５９】
このような構成が採用されることにより、図６に示したコンデンサアレイ２１ｂの場合と同様の効果が奏されるとともに、図８によく示されるように、第１の対向部３４の第１の突起部３６側のコーナー４９と第２の対向部３７の第２の引出し部３８側のコーナー４８とが重なり合わないため、この部分における内部応力集中を有利に緩和することができる。
【００６０】
図８では図示しないが、第２の対向部３７の第２の突起部３９側のコーナーと第１の対向部３４の第１の引出し部３５側のコーナーとについても同様のことが言える。
【００６１】
なお、図７および図８を参照して説明した構成は、図５に示したコンデンサアレイ２１ａにも適用することができる。
【００６４】
次に、この発明による効果を確認するために実施した実験例について説明する。
【００６５】
この発明の範囲内の実施例に係る試料として、図７および図８に示した第４の実施形態が有する設計に基づいてコンデンサアレイを作製した。
【００６６】
まず、ＢａＴｉＯ３系のセラミック粉末を含むセラミックスラリーを成形、乾燥し、セラミックグリーンシートを作製した。次に、スクリーン印刷によりセラミックグリーンシート上にＮｉを含む導電性ペーストを印刷し、所定の内部電極となるべき導電性ペースト膜を形成した。このとき、この発明の範囲内の実施例に係る試料としては、内部電極にそれぞれ突起部を有するものを作製したが、さらに、比較例に係る試料として、内部電極に突起部を有しないものも作製した。
【００６７】
次に、セラミックグリーンシートを積層、圧着し、マザー積層体を作製し、マザー積層体から生のセラミック積層体を切り出し、生のセラミック積層体を最高温度１２００℃、２時間の条件で焼成した。
【００６８】
次に、焼結したセラミック積層体の側面にＣｕを含む導電性ペーストを塗布し、最高温度８５０℃、イン‐アウト１時間の条件で焼付け、外部端子電極の下地導体膜を形成した。次に、この下地導体膜上に、Ｎｉめっき膜およびＳｎめっき膜を順次形成した。
【００６９】
以上のようにして、サイズ２．０ｍｍ×１．２５ｍｍ×０．８５ｍｍ、セラミック層厚み１．６μｍ、内部電極厚み１．０μｍ、有効なセラミック層の積層枚数２５０枚の実施例および比較例の各々に係るコンデンサアレイを作製した。
【００７０】
次に、実施例および比較例の各々１００００個ずつについて、温度４０℃、湿度９５％、１０Ｖ、１０００時間の条件で耐湿負荷試験を行なった。その後、各試料について、アジレントテクノロジー社製の「４ｃｈ高抵抗計４３４９Ｂ」を用いて、ＩＲ（絶縁抵抗）を測定し、ＩＲが１０６Ωを下回っていたものをクラックが発生しているものとみなし、不良と判断した。その結果、１００００個の試料中、比較例では７個の試料について不良と判断されたのに対し、実施例では不良と判断されたものが無かった。
【図面の簡単な説明】
【００７１】
【図１】この発明の第１の実施形態によるコンデンサアレイ２１の外観を示す斜視図である。
【図２】図１に示したコンデンサアレイ２１の外観を示す平面図である。
【図３】図１に示したコンデンサアレイ２１の内部構造を示す平面図である。
【図４】図３（ａ）に示したセラミック積層体２９の一部を拡大して示す平面図である。
【図５】この発明の第２の実施形態によるコンデンサアレイ２１ａを説明するための図３に相当する図である。
【図６】この発明の第３の実施形態によるコンデンサアレイ２１ｂを説明するための図３に相当する図である。
【図７】この発明の第４の実施形態によるコンデンサアレイ２１ｃを説明するための図３に相当する図である。
【図８】図７（ａ）に示したセラミック積層体２９の一部を拡大して示す平面図である。
【図９】この発明にとって興味ある従来のコンデンサアレイ１の内部構造を示す平面図である。
【図１０】図９（ａ）に示したセラミック積層体５の一部を拡大して示す平面図である。
【符号の説明】
【００７２】
２１，２１ａ，２１ｂ，２１ｃ  コンデンサアレイ
２２  セラミック層
２３，２４  主面
２５，２６  側面
２９  セラミック積層体
３０．３１  外部端子電極
３２，３３  内部電極
３４，３７  対向部
３５，３８  引出し部
３６，３９  突起部
４０，４１  突起部の側辺
４２，４３  引出し部の側辺
４７，４８  丸みを帯びたコーナー
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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