(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
（Ａ）一般式（１）で表されるエポキシ樹脂、（Ｂ）フェノール樹脂、（Ｃ）テトラ置換ホスホニウム（Ｘ）と１分子内にフェノール性水酸基を２個以上有する化合物（Ｙ）及び１分子内にフェノール性水酸基を２個以上有する化合物（Ｙ）の共役塩基との分子会合体であって、該共役塩基が前記フェノール性水酸基を１分子内に２個以上有する化合物（Ｙ）から１個の水素を除いたフェノキシド型化合物からなる硬化促進剤、及び（Ｄ）無機充填材を必須成分とすることを特徴とするエポキシ樹脂組成物で、前記分子会合体がテトラ置換ホスホニウム・テトラ置換ボレート（Ｚ）と、１分子内にフェノール性水酸基を２個以上有する化合物（Ｙ）とを、反応させた後、更に沸点６０℃以上の溶媒中で熱反応させて得られるものであり、ハロゲン系難燃剤及び酸化アンチモンを含有しないエポキシ樹脂組成物。
【化１】
0004622030.tif 000007
（式中のＲ１は、炭素数１〜４のアルキル基、ａは０〜３の整数で、Ｒ２は、炭素数１〜４のアルキル基、ｂは０〜４の整数で、それらは互いに同一であっても異なっていてもよい。ｎは平均値で、１〜１０の正数。）
【請求項２】
（Ａ）エポキシ樹脂、（Ｂ）一般式（２）で表されるフェノール樹脂、（Ｃ）テトラ置換ホスホニウム（Ｘ）と１分子内にフェノール性水酸基を２個以上有する化合物（Ｙ）及び１分子内にフェノール性水酸基を２個以上有する化合物（Ｙ）の共役塩基との分子会合体であって、該共役塩基が前記フェノール性水酸基を１分子内に２個以上有する化合物（Ｙ）から１個の水素を除いたフェノキシド型化合物からなる硬化促進剤、及び（Ｄ）無機充填材を必須成分とすることを特徴とするエポキシ樹脂組成物で、前記分子会合体がテトラ置換ホスホニウム・テトラ置換ボレート（Ｚ）と、１分子内にフェノール性水酸基を２個以上有する化合物（Ｙ）とを、反応させた後、更に沸点６０℃以上の溶媒中で熱反応させて得られるものであり、ハロゲン系難燃剤及び酸化アンチモンを含有しないエポキシ樹脂組成物。
【化２】
0004622030.tif 000008
（式中のＲ１は、炭素数１〜４のアルキル基、ａは０〜３の整数で、Ｒ２は、炭素数１〜４のアルキル基、ｂは０〜４の整数で、それらは互いに同一であっても異なっていてもよい。ｎは平均値で、１〜１０の正数。）
【請求項３】
（Ａ）一般式（１）で表されるエポキシ樹脂、（Ｂ）一般式（２）で表されるフェノール樹脂、（Ｃ）テトラ置換ホスホニウム（Ｘ）と１分子内にフェノール性水酸基を２個以上有する化合物（Ｙ）及び１分子内にフェノール性水酸基を２個以上有する化合物（Ｙ）の共役塩基との分子会合体であって、該共役塩基が前記フェノール性水酸基を１分子内に２個以上有する化合物（Ｙ）から１個の水素を除いたフェノキシド型化合物からなる硬化促進剤、及び（Ｄ）無機充填材を必須成分とすることを特徴とするエポキシ樹脂組成物で、前記分子会合体がテトラ置換ホスホニウム・テトラ置換ボレート（Ｚ）と、１分子内にフェノール性水酸基を２個以上有する化合物（Ｙ）とを、反応させた後、更に沸点６０℃以上の溶媒中で熱反応させて得られるものであり、ハロゲン系難燃剤及び酸化アンチモンを含有しないエポキシ樹脂組成物。
【化３】
0004622030.tif 000009
【化４】
0004622030.tif 000010
【請求項４】
１分子内にフェノール性水酸基を２個以上有する化合物（Ｙ）が、ビス（４−ヒドロキシ−３，５−ジメチルフェニル）メタン、４，４’−スルホニルジフェノール、４，４’−イソプロピリデンジフェノール、ビス（４−ヒドロキシフェニル）メタン、ビス（２−ヒドロキシフェニル）メタン、（２−ヒドロキシフェニル）−（４−ヒドロキシフェニル）メタン、１，２−ベンゼンジオール、１，３−ベンゼンジオール、１，４−ベンゼンジオール、１，２，４−ベンゼントリオール、１，６−ジヒドロキシナフタレン、２，２’−ビフェノール、４，４’−ビフェノールの中から選択される１種以上である請求項１〜３いずれか記載のエポキシ樹脂組成物。
【請求項５】
テトラ置換ホスホニウム（Ｘ）が、テトラフェニルホスホニウムである請求項１〜４いずれか記載のエポキシ樹脂組成物。
【請求項６】
請求項１〜５いずれか記載のエポキシ樹脂組成物を用いて半導体素子を封止してなることを特徴とする半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、成形性、耐半田性に優れた半導体封止用エポキシ樹脂組成物、及びこれを用いて半導体素子を封止してなる半導体装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
ダイオード、トランジスタ、ＩＣチップ等の半導体素子を機械的、化学的作用から保護するために、半導体封止用エポキシ樹脂組成物は開発、生産されてきた。このエポキシ樹脂組成物に要求される項目は、半導体素子の種類、半導体装置の構造、使用される環境によって変化しつつあるが、その要求される項目に常温時の保存性、成形時の速硬化性が挙げられる。エポキシ樹脂組成物において、従来から用いられている硬化促進剤としては、２−メチルイミダゾール、１，８−ジアザビシクロ（５，４，０）ウンデセン−７、トリフェニルホスフィン等があるが、これらの硬化促進剤は比較的低温でも硬化促進作用を示すため、これらを用いたエポキシ樹脂組成物は常温時の保存性が不十分で、そのため常温で保存すると、成形時の流動性の低下から充填不良が発生したり、半導体装置内の金線が断線し導通不良が発生する等の問題点が生じる。このためエポキシ樹脂組成物は、冷蔵保存及び冷蔵輸送する必要があり、保存、輸送に多大なコストがかかっているのが現状である。又、生産効率アップの手段の一つとして成形時間を短くすることが挙げられるが、このためには成形時の速硬化性が要求される。従来から用いられている上記の硬化促進剤では、成形時の速硬化性を達成するのに十分な量を添加すると、エポキシ樹脂組成物の常温時の保存性が極端に低下するという問題点がある。
この問題を解決すべく、近年では低温での粘度、流動性の経時変化を抑え、成形時の加熱によってのみ硬化反応を起こす様な、いわゆる潜伏性硬化促進剤の研究が盛んになされている。その手段として、硬化促進剤の活性点をイオン対により保護することで、潜伏性を発現させる提案がなされており、特開平８−４１２９０号公報では種々の有機酸とホスホニウムイオンとの塩構造を有する潜伏性硬化促進剤が提案されている。しかし、このホスホニウム塩は特定の高次の分子構造を有さず、イオン対が比較的容易に外部環境の影響を受けるため、近年の低分子エポキシ樹脂やフェノールアラルキル樹脂を用いるエポキシ樹脂組成物では、常温時の保存性が低下する問題が生じている。
【０００３】
一方、半田処理による信頼性において、エポキシ樹脂組成物の硬化物と半導体装置内部に存在する半導体素子やリードフレーム等の基材との界面の接着性は非常に重要になってきている。この界面の接着性が弱いと、半田処理後に剥離が生じ、更にはこの剥離に起因するクラックが発生する。
更に、エポキシ樹脂組成物中には、難燃剤としてハロゲン系難燃剤、及び酸化アンチモン等が配合されることが多い。しかしながら、高温時に、ハロゲン系難燃剤はハロゲン化物イオン（ラジカル）を発生するため金線の断線等、耐熱不良を引き起こす。又、環境衛生の点からもハロゲン系難燃剤、酸化アンチモン等を使用しない難燃性に優れたエポキシ樹脂組成物が要求されている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
本発明は、常温保存特性、成形性、難燃性耐半田性、及び耐湿信頼性に優れ、実質的にハロゲン系難燃剤、酸化アンチモン等を使用しないため環境に対する安全性が高く、半導体封止用エポキシ樹脂組成物、及びこれを用いて半導体素子を封止してなる半導体装置を提供するものである。
【０００５】
【課題を解決するための手段】
本発明者らは、常温保存特性、速硬化性を向上させるべく鋭意検討した結果、特定の化合物を硬化促進剤として用い、エポキシ樹脂として一般式（１）、その硬化剤として一般式（２）で表されるフェノール樹脂を用いたエポキシ樹脂組成物が、極めて優れた特性を示すことを見出し、この知見に基づいて本発明を完成するに至った。
即ち本発明は、（Ａ）エポキシ樹脂、（Ｂ）フェノール樹脂、（Ｃ）テトラ置換ホスホニウム（Ｘ）と１分子内にフェノール性水酸基を２個以上有する化合物（Ｙ）及び１分子内にフェノール性水酸基を２個以上有する化合物（Ｙ）の共役塩基との分子会合体であって、該共役塩基が前記フェノール性水酸基を１分子内に２個以上有する化合物（Ｙ）から１個の水素を除いたフェノキシド型化合物からなる硬化促進剤、及び（Ｄ）無機充填材を必須成分とするエポキシ樹脂組成物において、前記分子会合体がテトラ置換ホスホニウム・テトラ置換ボレート（Ｚ）と、１分子内にフェノール性水酸基を２個以上有する化合物（Ｙ）とを、反応させた後、更に沸点６０℃以上の溶媒中で熱反応させて得られるものであり、ハロゲン系難燃剤及び酸化アンチモンを含有しないものであり、
［１］エポキシ樹脂（Ａ）が一般式（１）で表されるエポキシ樹脂であることを特徴とするエポキシ樹脂組成物、
［２］フェノール樹脂（Ｂ）が一般式（２）で表されるフェノール樹脂であることを特徴とするエポキシ樹脂組成物、
又は、
［３］エポキシ樹脂（Ａ）が一般式（１）で表されるエポキシ樹脂であり、且つフェノール樹脂（Ｂ）が一般式（２）で表されるフェノール樹脂であることを特徴とするエポキシ樹脂組成物、
【化５】
0004622030.tif 000002
（式中のＲ１は、炭素数１〜４のアルキル基、ａは０〜３の整数で、Ｒ２は、炭素数１〜４のアルキル基、ｂは０〜４の整数で、それらは互いに同一であっても異なっていてもよい。ｎは平均値で、１〜１０の正数。）
【０００６】
【化６】
0004622030.tif 000003
（式中のＲ１は、炭素数１〜４のアルキル基、ａは０〜３の整数で、Ｒ２は、炭素数１〜４のアルキル基、ｂは０〜４の整数で、それらは互いに同一であっても異なっていてもよい。ｎは平均値で、１〜１０の正数。）
［４］１分子内にフェノール性水酸基を２個以上有する化合物（Ｙ）が、ビス（４−ヒドロキシ−３，５−ジメチルフェニル）メタン、４，４’−スルホニルジフェノール、４，４’−イソプロピリデンジフェノール、ビス（４−ヒドロキシフェニル）メタン、ビス（２−ヒドロキシフェニル）メタン、（２−ヒドロキシフェニル）−（４−ヒドロキシフェニル）メタン、１，２−ベンゼンジオール、１，３−ベンゼンジオール、１，４−ベンゼンジオール、１，２，４−ベンゼントリオール、１，６−ジヒドロキシナフタレン、２，２’−ビフェノール、４，４’−ビフェノールの中から選択される１種以上である第［１］〜［３］項記載のエポキシ樹脂組成物、
［５］テトラ置換ホスホニウム（Ｘ）が、テトラフェニルホスホニウムである第［１］〜［４］項記載のエポキシ樹脂組成物、
及び［６］第［１］〜［５］項記載のいずれかのエポキシ樹脂組成物を用いて半導体素子を封止してなることを特徴とする半導体装置、である。
【０００７】
【発明の実施の形態】
本発明に用いられるエポキシ樹脂は、１分子内に２個以上のエポキシ基を有するモノマー、オリゴマー、及びポリマー全般を言い、例えば、一般式（１）で表されるエポキシ樹脂、ビスフェノール型エポキシ樹脂、スチルベン型エポキシ樹脂、オルソクレゾールノボラック型エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、トリフェノールメタン型エポキシ樹脂、アルキル変性トリフェノールメタン型エポキシ樹脂、ナフトール型エポキシ樹脂、トリアジン核含有エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエン変性フェノール型エポキシ樹脂等が挙げられ、これらは単独でも混合して用いてもよい。
これらのエポキシ樹脂の内では、一般式（１）で表されるエポキシ樹脂が好ましい。一般式（１）中のＲ１は、炭素数１〜４のアルキル基、ａは０〜３の整数で、Ｒ２は、炭素数１〜４のアルキル基、ｂは０〜４の整数で、それらは互いに同一であっても異なっていてもよい。ｎは平均値で、１〜１０の正数、好ましくは１〜４の正数、より好ましくは１〜３の正数である。
一般式（１）で表されるエポキシ樹脂の配合量としては、全エポキシ樹脂中に５０重量％以上が好ましく、更に好ましくは７０重量％以上である。５０重量％未満だと燃焼し易くなる。又、一般式（２）で表されるフェノール樹脂を用いたり、無機充填材の配合量を増加すれば、全エポキシ樹脂中の一般式（１）で表されるエポキシ樹脂の配合量を下げても、難燃性が保たれる。
【０００８】
本発明に用いられるフェノール樹脂は、１分子内に２個以上のフェノール性水酸基を有するモノマー、オリゴマー、及びポリマー全般を言い、例えば、一般式（２）で表されるフェノール樹脂、フェノールノボラック樹脂、クレゾールノボラック樹脂、フェノールアラルキル樹脂、ナフトールアラルキル樹脂、トリフェノールメタン樹脂、テルペン変性フェノール樹脂、ジシクロペンタジエン変性フェノール樹脂等が挙げられ、これらは単独でも混合して用いてもよい。これらのフェノール樹脂は、分子量、軟化点、水酸基当量等に制限なく使用することができる。
これらのフェノール樹脂の内では、一般式（２）で表されるフェノール樹脂が好ましい。一般式（２）中のＲ１は、炭素数１〜４のアルキル基、ａは０〜３の整数で、Ｒ２は、炭素数１〜４のアルキル基、ｂは０〜４の整数で、それらは互いに同一であっても異なっていてもよい。ｎは平均値で、１〜１０の正数、好ましくは１〜４の正数、より好ましくは１〜３の正数である。
一般式（２）で表されるフェノール樹脂の配合量としては、全フェノール樹脂中に５０重量％以上が好ましく、更に好ましくは７０重量％以上である。５０重量％未満だと燃焼し易くなる。又、一般式（１）で表されるエポキシ樹脂を用いたり、無機充填材の配合量を増加すれば、全フェノール樹脂中の一般式（２）で表されるフェノール樹脂の配合量を下げても、難燃性が保たれる。
本発明に用いられるエポキシ樹脂とフェノール樹脂の当量比は、好ましくは０．５〜２、特に好ましくは０．７〜１．５である。０．５〜２の範囲を外れると、硬化性、耐湿性等が低下するので好ましくない。
【０００９】
本発明に用いられる硬化促進剤である分子会合体は、テトラ置換ホスホニウム（Ｘ）と１分子内にフェノール性水酸基を２個以上有する化合物（Ｙ）及び１分子内にフェノール性水酸基を２個以上有する化合物（Ｙ）の共役塩基との分子会合体であって、該共役塩基は、前記フェノール性水酸基を１分子内に２個以上有する化合物（Ｙ）から１個の水素を除いたフェノキシド型化合物である。
本発明の分子会合体の構成成分の一つであるテトラ置換ホスホニウム（Ｘ）の置換基については、何ら限定されず、置換基は互いに同一であっても異なっていてもよい。例えば、置換又は無置換のアリール基やアルキル基を置換基に有するテトラ置換ホスホニウムイオンが、熱や加水分解に対して安定であり好ましい。具体的には、テトラフェニルホスホニウム、テトラトリルホスホニウム、テトラエチルフェニルホスホニウム、テトラメトキシフェニルホスホニウム、テトラナフチルホスホニウム、テトラベンジルホスホニウム、エチルトリフェニルホスホニウム、ｎ−ブチルトリフェニルホスホニウム、２−ヒドロキシエチルトリフェニルホスホニウム、トリメチルフェニルホスホニウム、メチルジエチルフェニルホスホニウム、メチルジアリルフェニルホスホニウム、テトラ−ｎ−ブチルホスホニウム等を例示できる。
【００１０】
本発明の分子会合体の構成成分である、１分子内にフェノール性水酸基を２個以上有する化合物（Ｙ）としては、例えば、ビス（４−ヒドロキシ−３，５−ジメチルフェニル）メタン（通称テトラメチルビスフェノールＦ）、４，４’−スルホニルジフェノール、４，４’−イソプロピリデンジフェノール（通称ビスフェノールＡ）、ビス（４−ヒドロキシフェニル）メタン、ビス（２−ヒドロキシフェニル）メタン、（２−ヒドロキシフェニル）−（４−ヒドロキシフェニル）メタン及びこれらの内ビス（４−ヒドロキシフェニル）メタン、ビス（２−ヒドロキシフェニル）メタン、（２−ヒドロキシフェニル）−（４−ヒドロキシフェニル）メタンの３種の混合物（例えば、本州化学工業（株）・製、ビスフェノールＦ−Ｄ）等のビスフェノール類、１，２−ベンゼンジオール、１，３−ベンゼンジオール、１，４−ベンゼンジオール等のジヒドロキシベンゼン類、１，２，４−ベンゼントリオール等のトリヒドロキシベンゼン類、１，６−ジヒドロキシナフタレン等のジヒドロキシナフタレン類の各種異性体、２，２’−ビフェノール、４，４’−ビフェノール等のビフェノール類の各種異性体等の化合物が挙げられる。
更に、他の構成成分である共役塩基は、上記の化合物（Ｙ）から１個の水素を除いたフェノキシド型化合物である。
【００１１】
本発明の分子会合体は、前述のようにホスホニウム−フェノキシド型の塩を構造中に有するが、従来の技術におけるホスホニウム−有機酸アニオン塩型の化合物と異なる点は、本発明の分子会合体では水素結合による高次構造がイオン結合を取り囲んでいる点である。従来の技術における塩では、イオン結合の強さのみにより反応性を制御しているのに対し、本発明の分子会合体では、常温ではアニオンの高次構造による囲い込みが活性点の保護を行う一方、成形の段階においては、この高次構造が崩れることで活性点がむき出しになり、反応性を発現する、いわゆる潜伏性が付与されている。
【００１２】
本発明の分子会合体の製造方法としては、何ら限定されないが、代表的な２方法を挙げることができる。
１つ目は、テトラ置換ホスホニウム・テトラ置換ボレート（Ｚ）と、１分子内にフェノール性水酸基を２個以上有する化合物（Ｙ）とを、高温下で反応させた後、更に沸点６０℃以上の溶媒中で熱反応させる方法である。
２つ目は、１分子内にフェノール性水酸基を２個以上有する化合物（Ｙ）と、無機塩基又は有機塩基と、テトラ置換ホスホニウムハライドとを反応させる方法である。用いるテトラ置換ホスホニウムハライドの置換基については、何ら限定されることはなく、置換基は互いに同一であっても異なっていてもよい。例えば、置換又は無置換のアリール基やアルキル基を置換基に有するテトラ置換ホスホニウムイオンが、熱や加水分解に対して安定であり好ましい。具体的には、テトラフェニルホスホニウム、テトラトリルホスホニウム、テトラエチルフェニルホスホニウム、テトラメトキシフェニルホスホニウム、テトラナフチルホスホニウム、テトラベンジルホスホニウム、エチルトリフェニルホスホニウム、ｎ−ブチルトリフェニルホスホニウム、２−ヒドロキシエチルトリフェニルホスホニウム、トリメチルフェニルホスホニウム、メチルジエチルフェニルホスホニウム、メチルジアリルフェニルホスホニウム、テトラ−ｎ−ブチルホスホニウム等を例示できる。ハライドとしてはクロライドやブロマイドを例示でき、テトラ置換ホスホニウムハライドの価格や吸湿等の特性、及び入手のし易さから選択すれば良く、いずれを用いても差し支えない。
又、本発明の分子化合物の特性を損なわない範囲で、トリフェニルホスフィン、１，８−ジアザビシクロ（５，４，０）ウンデセン−７、２−メチルイミダゾール等の他の硬化促進剤と併用しても何ら問題はない。
本発明の分子会合体の配合量としては、全エポキシ樹脂と全フェノール樹脂の合計量１００重量部当たり、０．２〜２０重量部程度が硬化性、保存性、他特性のバランスがよく好適である。
【００１３】
本発明に用いられる無機充填材の種類については特に制限はなく、一般に封止材料に用いられているものを使用することができる。例えば、溶融破砕シリカ、溶融球状シリカ、結晶シリカ、２次凝集シリカ、アルミナ、チタンホワイト、水酸化アルミニウム、タルク、クレー、ガラス繊維等が挙げられ、特に溶融球状シリカが好ましい。形状は限りなく真球状であることが好ましく、又、粒子の大きさの異なるものを混合することにより充填量を多くすることができる。
この無機充填材の配合量としては、全エポキシ樹脂と全フェノール樹脂の合計量１００重量部あたり２００〜２４００重量部が好ましい。２００重量部未満だと、無機充填材による補強効果が充分に発現しない、或いは燃焼するおそれがあり、２４００重量部を越えると、エポキシ樹脂組成物の流動性が低下し成形時に充填不良等が生じるおそれがあるので好ましくない。特に、無機充填材の配合量が、全エポキシ樹脂と全フェノール樹脂の合計量１００重量部あたり２５０〜１４００重量部であれば、エポキシ樹脂組成物の硬化物の吸湿率が低くなり、半田クラックの発生を防止することができ、更に溶融時のエポキシ樹脂組成物の粘度が低くなるため、半導体装置内部の金線変形を引き起こすおそれがなく、より好ましい。又、無機充填材は、予め充分混合しておくことが好ましい。
【００１４】
本発明のエポキシ樹脂組成物は、（Ａ）〜（Ｄ）成分の他、必要に応じてγ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン等のカップリング剤、カーボンブラック等の着色剤、臭素化エポキシ樹脂、酸化アンチモン、リン化合物等の難燃剤、シリコーンオイル、シリコーンゴム等の低応力成分、天然ワックス、合成ワックス、高級脂肪酸及びその金属塩類もしくはパラフィン等の離型剤、酸化防止剤等の各種添加剤を配合することができる。
本発明のエポキシ樹脂組成物は、（Ａ）〜（Ｄ）成分、及びその他の添加剤等をミキサーを用いて常温混合し、ロール、押出機等の混練機で混練し、冷却後粉砕して得られる。
本発明のエポキシ樹脂組成物を用いて、半導体素子等の電子部品を封止し、半導体装置を製造するには、トランスファーモールド、コンプレッションモールド、インジェクションモールド等の成形方法で硬化成形すればよい。特に、本発明のエポキシ樹脂組成物は、挿入実装及び表面実装対応の半導体装置用に適している。
【００１５】
【実施例】
以下に、本発明の実施例を示すが、本発明はこれにより何ら限定されるものではない。
［分子会合体の合成例］
本州化学工業（株）・製ビスフェノールＦ−Ｄ［ビス（モノヒドロキシフェニル）メタンの異性体混合物の商品名。化合物（Ｙ）に相当する。］３００ｇ（１．５モル）と、テトラフェニルホスホニウム・テトラフェニルボレート（Ｚ）３２９ｇ（０．５モル）とを３Ｌセパラブルフラスコに仕込み、２００℃で３時間反応させた。この反応でのベンゼン留出量は、理論生成量の９７重量％（即ちベンゼン留出率９７％）であった。この反応による粗生成物を微粉砕し、セパラブルフラスコに仕込み、２−プロパノールを粗生成物の仕込み重量の３倍量加え、内温８２．４℃（２−プロパノールの沸点温度）で１．５時間攪拌した。その後、２−プロパノールの大部分を除去し、更に加熱減圧下で低沸点分を除去した。得られた生成物を化合物Ｃ１とした。又、溶媒を重メタノールとして、Ｃ１の1Ｈ−ＮＭＲでの測定を行った。４．８ｐｐｍ付近及び３．３ｐｐｍ付近のピークは溶媒のピークで、６．４〜７．１ｐｐｍ付近のピーク群は、原料であるビスフェノールＦ［（Ｘ）１モルに対するモル数（ａ）］及びこのビスフェノールＦから１個の水素を除いたフェノキシド型の共役塩基［（Ｘ）１モルに対するモル数（ｂ）］のフェニルプロトン、７．６〜８．０ｐｐｍ付近のピーク群は、テトラフェニルホスホニウム基のフェニルプロトンと帰属され、それらの面積比から、モル比が（ａ＋ｂ）／（Ｘ）＝２．２／１であると計算された。
【００１６】
［エポキシ樹脂組成物の製造例］
配合割合は重量部とする。
（実施例１）
式（３）のエポキシ樹脂を主成分とする樹脂（エポキシ当量２７５、融点１０５℃）
７３重量部
【化７】
0004622030.tif 000004
フェノールノボラック樹脂（水酸基当量１０４、軟化点７３℃）
２７重量部
化合物Ｃ１                                                ３．２重量部
溶融球状シリカ（平均粒径１５μｍ）                        ５００重量部
カーボンブラック                                              ２重量部
カルナバワックス                                              ２重量部
を混合し、熱ロールを用いて、９５℃で８分間混練して冷却後粉砕し、エポキシ樹脂組成物を得た。得られたエポキシ樹脂組成物を以下の方法で評価した。結果を表１に示す。
【００１７】
評価方法
スパイラルフロー：ＥＭＭＩ−１−６６に準じたスパイラルフロー測定用の金型を用い、金型温度１７５℃、注入圧力７０ｋｇ／ｃｍ2、硬化時間２分で測定した。スパイラルフローは流動性のパラメータであり、数値が大きい方が流動性が良好である。単位はｃｍ。
ショアＤ硬度：金型温度１７５℃、注入圧力７０ｋｇ／ｃｍ2、硬化時間２分で成形し、型開き１０秒後に測定したショアＤ硬度の値を硬化性とした。ショアＤ硬度は硬化性の指標であり、数値が大きい方が硬化性が良好である。
３０℃保存性：３０℃で１週間保存した後、スパイラルフローを測定し、調製直後のスパイラルフローに対する百分率として表した。単位は％。
難燃性：ＵＬ−９４垂直試験法（試料厚さ１／１６ｉｎｃｈ）に準じて測定した。
耐半田性：トランスファー成形機を用いて、金型温度１７５℃、注入圧力７０ｋｇ／ｃｍ2、硬化時間２分で１４×２０×２．７ｍｍのフラットパッケージを８個成形した。１７５℃、４時間でポストキュアし、８５℃、相対湿度８５％の恒温恒湿槽に１６８時間放置して吸湿させた後、２４０℃の半田浴に３０秒浸漬し、パッケージ外部のクラックを観察した。不良パッケージの個数がｎ個であるとき、ｎ／８と表示する。
耐湿信頼性：トランスファー成形機を用いて、金型温度１７５℃、注入圧力７０ｋｇ／ｃｍ2、硬化時間２分で１６ｐＤＩＰ（チップサイズ３．０ｍｍ×３．５ｍｍ）を成形した。１７５℃、４時間でポストキュアし、その後プレッシャークッカー試験（１２５℃、２．４ｋｇ／ｃｍ2）を行い、回路のオープン不良を５０時間ごとに測定したときの不良発生時間を測定した。単位は時間。
【００１８】
（実施例２〜７、比較例１〜５）
表１の配合に従い、実施例１と同様にしてエポキシ樹脂組成物を得、実施例１と同様にして評価した。結果を表１に示す。
なお、実施例及び比較例で使用したオルソクレゾールノボラック型エポキシ樹脂はエポキシ当量２１０、軟化点６５℃である。一般式（２）のフェノール樹脂としては、式（４）に示したもの（水酸基当量１９９、軟化点７０℃）を使用した。
【化８】
0004622030.tif 000005
【００１９】
【表１】
0004622030.tif 000006
【００２０】
【発明の効果】
本発明のエポキシ樹脂組成物は、半導体封止用として常温保存特性、速硬化性、成形性、難燃性に優れ、実質的にハロゲン、アンチモンを含まないため環境に対する安全性に極めて優れ、これを用いた半導体装置は、挿入実装及び表面実装対応の装置として耐半田性、耐湿信頼性に優れ、有用である。