(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の受光センサ部を有する基板上に、ゲート絶縁膜を介し、受光センサ部が露出されるように、転送電極を形成する工程と、
前記転送電極を含む前記基板表面に、反射防止膜及びストッパー膜を兼ねる第１の絶縁膜を形成する工程と、
前記第１の絶縁膜上部に、前記転送電極によって形成された段差部を埋めこむように第２の絶縁膜を形成する工程と、
前記第１の絶縁膜をストッパーとして、前記第２の絶縁膜の表面をＣＭＰ法により平坦化する工程と、
前記転送電極の所望の位置が露出されるように、前記転送電極上部に形成された第１の絶縁膜に開口部を形成する工程と、
前記開口部を埋め込むように、配線材料膜を形成する工程と、
前記配線材料膜上にレジスト膜を形成する工程と、
前記開口部上及び、所望の位置のレジスト膜が残るように、前記レジスト膜を露光・現像する工程と、
露光現像された前記レジスト膜を用いて、配線材料膜をパターニングし、開口部にて転送電極に接続される接続配線を形成する工程と
を有する固体撮像装置の製造方法。
【請求項２】
前記接続配線を形成した後、接続配線によって形成された段差部を埋めこむように、基板上全面に第３の絶縁膜を形成し、前記第３の絶縁膜表面を平坦化する工程と、
前記第３の絶縁膜上部にレジスト膜を形成し、前記レジスト膜を露光・現像する工程と、
前記第３の絶縁膜上部の露光現像された前記レジスト膜を用いて、前記接続配線を被覆するように前記第３の絶縁膜をパターニングする工程と
を有する請求項１に記載の固体撮像装置の製造方法。
【請求項３】
前記第３の絶縁膜を形成した後、さらに、前記前記第３の絶縁膜上部であって、受光センサ部を除く部分に、遮光膜を形成する工程を有する
請求項２に記載の固体撮像装置の製造方法。
【請求項４】
前記第２の絶縁膜を平坦化する工程の後であって、前記開口部を形成する工程の前に、さらに、前記第１の絶縁膜及び第２の絶縁膜上部に第４の絶縁膜を形成する工程を有する
請求項２記載の固体撮像装置の製造方法。
【請求項５】
複数の受光センサ部を有する基板上に、ゲート絶縁膜を介し、受光センサ部が露出されるように、転送電極を形成する工程と、
前記転送電極を含む前記基板表面に、反射防止膜及びストッパー膜を兼ねる第１の絶縁膜を形成する工程と、
前記第１の絶縁膜上部に、前記転送電極によって形成された段差部を埋めこむように第２の絶縁膜を形成する工程と、
前記第１の絶縁膜をストッパーとして、前記第２の絶縁膜の表面をＣＭＰ法により平坦化する工程と、
前記転送電極の所望の位置が露出されるように、前記転送電極上部に形成された第１の絶縁膜に開口部を形成する工程と、
前記開口部を埋め込むように、配線材料膜を形成する工程と、
前記配線材料膜上にレジスト膜を形成する工程と、
前記開口部上及び、所望の位置のレジスト膜が残るように、前記レジスト膜を露光・現像する工程と、
露光現像された前記レジスト膜を用いて、配線材料膜をパターニングし、開口部にて転送電極に接続される接続配線を形成する工程と
を有する電子機器の製造方法。
【請求項６】
前記接続配線を形成した後、接続配線によって形成された段差部を埋めこむように、基板上全面に第３の絶縁膜を形成し、前記第３の絶縁膜表面を平坦化する工程と、
前記第３の絶縁膜上部にレジスト膜を形成し、前記レジスト膜を露光・現像する工程と、
前記第３の絶縁膜上部の露光現像された前記レジスト膜を用いて、前記接続配線を被覆するように前記第３の絶縁膜をパターニングする工程と
を有する請求項５に記載の電子機器の製造方法。
【請求項７】
前記第３の絶縁膜を形成した後、さらに、前記前記第３の絶縁膜上部であって、受光センサ部を除く部分に、遮光膜を形成する工程を有する
請求項６に記載の電子機器の製造方法。
【請求項８】
前記第２の絶縁膜を平坦化する工程の後であって、前記開口部を形成する工程の前に、さらに、前記第１の絶縁膜及び第２の絶縁膜上部に第４の絶縁膜を形成する工程を有する
請求項６記載の電子機器の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、固体撮像装置の製造方法に関し、特に、ＣＣＤ（Charge Coupled Device）型の固体撮像装置及び、それを用いた電子機器の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
エリアセンサや、デジタルスチルカメラ等に用いられるＣＣＤ型固体撮像装置は、受光センサ部からの信号電荷を転送するための電荷転送電極を有する。電荷転送電極は、半導体基板に形成された電荷転送路上に複数個隣接して配置され、順次駆動される。
【０００３】
この電荷転送電極は、固体撮像装置の大画面化や高速転送を実現するために、その抵抗の低抵抗化が求められている。また、同時に光が受光センサ部に効率的に入射するために、電荷転送電極は、できるだけ高さが低く、また、その線幅が狭いことが望ましい。電荷転送電極が低ければ低いほど、広角から入射する光が、電荷転送電極に蹴られることがなく受光センサ部に入射する。さらに、電荷転送電極の幅が狭ければ、受光センサ部の開口面積をより多く広げることが可能となるため、より多くの光を受光センサ部に取り込むことができる。
【０００４】
下記特許文献１では、配線による、光のけられを少しでも抑制し、受光センサ部への光の入射量を多くするために、電荷転送電極間を、低抵抗な材料による接続配線によって配線することを提案している。
【０００５】
図１９〜図２２を用いて、従来例の固体撮像装置及びその製造方法を説明する。
【０００６】
図１９は、従来例における固体撮像装置１０１の、画素部の要部平面構成である。従来例における固体撮像装置１０１では、図１９に示すように、フォトダイオードからなる受光センサ部１０４が、水平方向及び垂直方向に複数配置されている。そして、受光センサ部１０４の水平方向に隣接して、垂直方向に延びる転送チャネル１０２が配置されている。転送チャネル１０２は、水平方向に並ぶ受光センサ部１０４間に延在している。転送チャネル１０２は、信号電荷を垂直方向に転送するポテンシャル分布を生成する。
【０００７】
垂直方向に伸びる転送チャネル１０２上には、転送電極１０３が配列している。転送電極１０３は、レイアウト形状の面から、第１転送電極１０３ａと、第２転送電極１０３ｂとに分けられる。この従来例では、第１転送電極１０３ａと、第２転送電極１０３ｂが同一の層からなる単層転送電極構造を採用している。転送電極１０３は、例えば、ポリシリコンにより形成される。
【０００８】
そして、上述した第１転送電極１０３ａと第２転送電極１０３ｂは、転送チャネル１０２上において、垂直方向に交互に繰り返し配列されている。転送電極１０３と、転送チャネル１０２とにより、垂直方向に並ぶ受光センサ部１０４の列毎に、共通配置された垂直転送部が構成される。
【０００９】
また、第２転送電極１０３ｂは、転送チャネル１０２上において、浮島状、すなわち、水平方向に連結されずに分離した形状をもつ。第２転送電極１０３ｂは、受光センサ部１０４に隣接して配置されている。そして、第１転送電極１０３ａ及び第２転送電極１０３ｂには、上層に形成される接続配線１０６と接続されるコンタクト部１１６が形成されている。
【００１０】
第１転送電極１０３ａ上には、絶縁膜を介在させて、水平方向に延在する２本の接続配線１０６が配置されている。この２本の接続配線１０６は、シャント（ｓｈｕｎｔ）配線を構成するものであり、接続配線１０６は、接続先の違いにより、接続配線１０６ａと、接続配線１０６ｂに分けられる。例えば、接続配線１０６ａは、転送チャネル１０２上において、第１転送電極１０３ａと、開口部１１２に形成されたコンタクト部１１６により接続されている。接続配線１０６ｂは、転送チャネル１０２上において、第２転送電極１０３ｂと、コンタクト部１１６により接続されている。
【００１１】
以上の構成を有する固体撮像装置１０１では、転送チャネル１０２上において垂直方向に交互に繰り返し並んだ第１転送電極１０３ａ、第２転送電極１０３ｂには、接続配線１０６を通じて、垂直方向に沿って位相の異なる４相の転送パルスφＶ１，φＶ２，φＶ３，φＶ４が供給される。転送パルスφＶ１〜φＶ４は、例えば、−７Ｖ〜０Ｖである。また、受光センサ部１０４に隣接する浮島状の第２転送電極１０３ｂには、転送パルスφＶ１，φＶ３のほかに、接続配線１０６ｂを通じて受光センサ部１０４に蓄積された信号電荷を転送チャネル１０２へ転送するための読み出しパルスφＲが供給される。読み出しパルスφＲは、例えば、＋１２Ｖ〜＋１５Ｖである。
【００１２】
次に、図２０、図２１を用いて、図に示した従来例の固体撮像装置１０１の製造方法について説明する。図２０、図２１に示す断面構成は、図１９のａ−ａ線上に沿う断面構成である。
【００１３】
まず、図２０Ａに示すように、転送チャネル１０２が形成された半導体基板１０７上に、熱酸化法あるいはＣＶＤ（chemical vapor deposition）法により、ゲート絶縁膜１０８を介してポリシリコンからなる転送電極１０３を形成する。そして、転送電極１０３を被覆するように、例えば、窒化シリコン膜１１０、酸化シリコン膜１１１を、ＣＶＤ法により形成する。続いて、接続部となる位置の窒化シリコン膜１１０、酸化シリコン膜１１１を除去して転送チャネル１０２上の転送電極１０３の一部を露出させるように、開口部１１２を形成する。
【００１４】
次に、図２０Ｂに示すように、スパッタリング法あるいは、ＣＶＤ法により、チタン膜及び窒化チタン膜からなるバリアメタル膜１１８を形成したのち、例えばタングステン膜１１３を成膜する。このタングステン膜１１３は、後の工程において、接続配線１０６とされるものである。このとき、成膜されたタングステン膜１１３は、ポリシリコンからなる転送電極１０３の形状を踏襲して成膜される為、表面に段差を有する。
【００１５】
次に、図２０Ｃに示すように、接続配線１０６を形成するためのレジスト膜１１４をタングステン膜１１３表面に塗布する。その後、図２０Ｄに示すように、レジスト膜１１４を露光・現像することにより、接続配線１０６の形成部分のレジスト膜１１４のみが残される。ところで、このとき、タングステン膜１１３上に形成されたレジスト膜１１４は、タングステン膜１１３の段差に起因して、膜厚がばらついている。そうすると、レジスト膜１１４の露光時において、下地の段差部から、不均一な光が反射されるため、同一露光量でも、現像されるレジスト膜１１４の線幅Ｗａ，Ｗｂがばらついてしまう。
図２１Ｅに示すように、レジスト膜１１４をマスクとして、接続配線１０６が形成されるが、線幅Ｗａ，Ｗｂのばらついたレジスト膜１１４によりパターニング形成されるので、接続配線１０６の配線幅Ｗｃ，Ｗｄもばらついてしまう。
【００１６】
さらに、このような従来例における製造工程においては、ポリシリコンからなる転送電極１０３の側壁には段差があるので、他の部分に比較し、バリアメタル膜１１８や、タングステン膜１１３からなる配線材料膜が厚く形成される。このため、バリアメタル膜１１８、タングステン膜１１３をエッチングして接続配線１０６を形成するときに、図２１Ｅに示すように、接続配線１０６の側壁部分に、残膜１１８ａが形成されてしまう。この余分な残膜１１８ａを取るために、オーバーエッチングをかけた場合には、先に、露出されていた酸化シリコン膜１１１が膜べりしてしまい、半導体基板１０７が露出してしまうおそれがある。
【００１７】
また、この従来例に示すような固体撮像装置１０１では、第１転送電極１０３ａ上には、第１転送電極１０３ａ、及び第２転送電極１０３ｂに接続される２本の接続配線１０６ａ，１０６ｂが構成される。図２２に、図１９の固体撮像装置のｂ−ｂ線上に沿う断面構成を示す。このように、第１転送電極１０３ａ上に、２本の接続配線１０６ａ，１０６ｂを構成する場合には、１本１本の接続配線１０６ａ，１０６ｂを、より細い接続配線１０６とする必要がある。そのため、段差によるレジスト膜１１４の膜厚がばらつくと、設計上細い接続配線１０６の幅がより細くなってしまったり、隣接する接続配線１０６との距離が狭くなりすぎたりする。これにより、図２２に示すように、例えば接続配線１０６を構成する膜がエッチングされずに残り、これが、ショートの原因となってしまう。
【００１８】
さらに、図２１Ｅに示した工程の後、図２１Ｆに示すように、酸化シリコンからなる絶縁膜１１７を成膜する。そして、図２１Ｇに示すように、遮光膜１１９を成膜し、受光センサ部１０４の遮光膜１１９及び絶縁膜１１７が除去される。
このようにして形成された固体撮像装置１０１では、接続配線１０６の線幅がばらついて形成されるので、これに起因して、遮光膜１１９の開口及び、光の入射経路の幅がばらついてしまう。そうすると、受光センサ部１０４に入射される入射光量がばらつき、感度やスミア量のばらつきとなって、画として現れてしまう。
【００１９】
【特許文献１】特開２００６−４１３６９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００２０】
上述の点に鑑み、本発明は、転送電極上に、微細な接続配線を形成可能であり、かつ、スミア特性が良好で、白キズ、暗電流特性が良好な、信頼性の高い固体撮像装置の製造方法を提供するものである。
【課題を解決するための手段】
【００２１】
上記課題を解決し、本発明の目的を達成するため、本発明の固体撮像装置及び電子機器の製造方法は、以下の工程を有する。まず、複数の受光センサ部を有する基板上に、ゲート絶縁膜を介し、受光センサ部が露出されるように、転送電極を形成する工程を有する。次に、転送電極を含む前記基板表面に、反射防止膜及びストッパー膜を兼ねる第１の絶縁膜を形成する工程を有する。次に、第１の絶縁膜上部に、転送電極によって形成された段差部を埋めこむように第２の絶縁膜を形成する工程を有する。次に、第１の絶縁膜をストッパーとして、第２の絶縁膜の表面をＣＭＰ法により平坦化する工程を有する。次に、転送電極の所望の位置が露出されるように、転送電極上部に形成された第１の絶縁膜に開口部を形成する工程を有する。次に、開口部を埋め込むように、配線材料膜を形成する工程を有する。次に、配線材料膜上にレジスト膜を形成する工程を有する。次に、開口部上及び、所望の位置のレジスト膜が残るように、レジスト膜を露光・現像する工程を有する。次に、露光現像されたレジスト膜を用いて、配線材料膜をパターニングし、開口部にて転送電極に接続される接続配線を形成する工程を有する。
ここでいう、開口部とは、配線材料膜が埋め込まれることにより、転送電極と、接続配線とを接続するコンタクト部となるものである。
【００２２】
本発明の固体撮像装置及び電子機器の製造方法では、転送電極を被覆して形成される第１の絶縁膜は、転送電極の段差に影響されないように、平坦になされる。これにより、次の工程において形成される開口部を精度良く形成できる。また、第１の絶縁膜が、転送電極の段差に影響されずに平坦になされるため、配線材料膜をパターニングする際も、精度良くパターニングでき、所望の接続配線を精度良く形成することができる。また、このため、受光センサ部の開口面積のばらつきを低減することができる。
【発明の効果】
【００２３】
本発明の固体撮像装置の製造方法によれば、開口部や接続配線が精度良く形成可能であるから、微細な接続配線も形成可能となり、かつ、受光センサ部の開口のばらつきも低減される。これにより、スミア特性が良好で、白キズ、暗電流特性が良好な、信頼性の高い固体撮像装置を得ることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２４】
以下、図面を参照して本発明の実施の形態を説明する。
【００２５】
図１Ａ，Ｂは、本発明の第１の実施形態に係る固体撮像装置１の製造方法で形成される固体撮像装置の、要部の平面構成であり、ＣＣＤ型の固体撮像装置である。図１Ａは、単層のポリシリコンからなる転送電極３のみを図示したものであり、図１Ｂは、転送電極３上に絶縁膜を介し、コンタクト部５を通じて接続される接続配線６を図示したものである。
【００２６】
図１Ａに示すように、本実施形態の固体撮像装置１は、図示しない半導体基板内に、フォトダイオードからなる受光センサ部４が、水平方向及び垂直方向に複数配置されている。そして、受光センサ部４の水平方向に隣接して、垂直方向に延びる転送チャネル２が半導体基板内に構成されている。転送チャネル２は、水平方向に並ぶ受光センサ部４間に延在して構成され、信号電荷を垂直方向に転送するポテンシャル分布を生成する。
【００２７】
垂直方向に伸びる転送チャネル２が構成される半導体基板上には、絶縁膜を介して転送電極３が配列している。転送電極３は、レイアウト形状の面から、第１転送電極３ａと、第２転送電極３ｂとに分けられる。この本実施形態例では、第１転送電極３ａと、第２転送電極３ｂが同一の層からなる単層転送電極構造を採用している。以下の説明において、転送電極３として説明する場合には、第１転送電極３ａと、第２転送電極３ｂとを両方含むこととする。
【００２８】
そして、上述した第１転送電極３ａ，第２転送電極３ｂは、転送チャネル２上において、垂直方向に交互に繰り返し配列されている。転送電極３と、転送チャネル２とにより、垂直方向に並ぶ受光センサ部４の列毎に、共通配置された図示しない垂直転送部が構成される。
【００２９】
また、第２転送電極３ｂは、転送チャネル２上において、浮島状、すなわち、水平方向に連結されずに分離した形状をもつ。第２転送電極３ｂは、受光センサ部４に隣接して配置されている。第１転送電極３ａ、第２転送電極３ｂには、上層に形成される接続配線６とのコンタクト部５となる開口部８が形成されている。
【００３０】
図１Ｂに示すように、第１転送電極３ａ上には、絶縁膜を介在させて、水平方向に延在する２本の接続配線６が配置されている。本実施形態例において、この２本の接続配線６は、シャント（ｓｈｕｎｔ）配線を構成するものであり、低抵抗の材料で形成されるものである。この接続配線６は、接続先の違いにより、接続配線６ａと、接続配線６ｂに分けられる。例えば、接続配線６ａは、転送チャネル２上において、開口部８に形成されるコンタクト部５により、第１転送電極３ａと接続されている。接続配線６ｂは、転送チャネル２上において、開口部８に形成されるコンタクト部５により、第２転送電極３ｂと接続されている。
【００３１】
以上の構成を有する固体撮像装置１では、転送チャネル２上において垂直方向に交互に繰り返し並んだ第１転送電極３ａ、第２転送電極３ｂには、接続配線６を通じて、垂直方向に沿って位相の異なる４相の転送パルスφＶ１，φＶ２，φＶ３，φＶ４が供給される。転送パルスはφＶ１〜φＶ４、例えば、−７Ｖ〜０Ｖである。また、受光センサ部４に隣接する浮島状の第２転送電極３ｂには、転送パルスφＶ１，φＶ３のほかに、接続配線６ｂを通じて受光センサ部４に蓄積された信号電荷を転送チャネル２へ転送するための読み出しパルスφＲが供給される。読み出しパルスφＲは、例えば、＋１２Ｖ〜＋１５Ｖである。
【００３２】
以上の構成を有する固体撮像装置１においては、受光センサ部４に光が入射すると、光電変換により、入射光量に応じた信号電荷が生成され、半導体基板内で、一定期間蓄積される。そして、シャント配線を構成する接続配線６ｂを通じて、第２転送電極３ｂに読み出しパルスφＲが供給されると、図示しない読み出しゲート部のポテンシャル分布が変化し、蓄積された信号電荷が転送チャネル２に読み出される。
【００３３】
信号電荷が転送チャネル２に読み出された後、接続配線６を通じて、垂直方向に並ぶ転送電極３に、４相の転送パルスφＶ１〜φＶ４が供給される。４相の転送パルスφＶ１〜φＶ４により、転送チャネル２のポテンシャル分布が制御されて信号電荷が垂直方向に転送される。
【００３４】
図示はしないが、このような固体撮像装置１においては、信号電荷が垂直方向に転送されたあと、水平転送部により水平方向に転送されて、出力部により信号電荷量に応じた電圧に変換されて出力される。
【００３５】
次に、図２〜図６を用いて、図１Ｂに示した本実施形態例の固体撮像装置１の製造方法について説明する。図２〜図６に示す断面構成は、図１Ｂのａ−ａ線上に沿う断面構成である。
【００３６】
まず、図２Ａに示すように、半導体基板７上の、転送チャネル２が表面に形成された位置に、ゲート絶縁膜９を介して、転送電極３が形成される。図２Ａでは、図１Ｂのａ−ａ線上に沿う断面構成であるので、第２転送電極３ｂの断面が図示されている。この転送電極３は、例えばポリシリコンから構成され、厚さは２００〜３００ｎｍ程度に形成される。この転送電極３は、例えばポリシリコンを全体に成膜し、転送電極３以外の部分を除去することにより形成される。このとき形成される転送電極３の平面図は、図１Ａで示した通りである。また、図２Ａでは、第２転送電極３ｂの断面構成を用いて説明しているが、上述したように、転送電極３は、単層電極構造を有するので、第１転送電極３ａも第２転送電極３ｂと同じ工程で、同じ層に形成される。
【００３７】
そして、転送電極３が形成された後に、後の工程において酸化シリコン膜除去時のストッパーとなる窒化シリコン膜１０（第１の絶縁膜）を形成する。この窒化シリコン膜１０は、ＣＶＤ法により成膜し、３０ｎｍ〜７０ｎｍ程度の厚みに形成される。この窒化シリコン膜１０は、半導体基板７への光の入射光を増やすための反射防止膜も兼ねる。このため、第１の絶縁膜の材料は、屈折率が高く、且つ、後の工程で受光センサ部４の埋め込みに使用する絶縁膜材料とのエッチング条件における選択比がとれればよく、窒化シリコン以外の材料でもよい。そのような第１の絶縁膜の材料としては、ＡｌＯ２等が挙げられる。屈折率は高ければ高いほど好ましいが、反射防止膜としての効果を得るには、例えば、絶縁膜材料として用いられる酸化シリコン（ＳｉＯ２）の屈折率１．４５より２０％以上高い、概ね１．８以上の屈折率であることが好ましい。
【００３８】
次に、図２Ｂに示すように、半導体基板７上の転送電極３が被覆され、かつ、前工程において、ポリシリコンが除去された部分が埋め込まれるように、例えば、酸化シリコンよりなる絶縁膜１１（第２の絶縁膜）を形成する。このとき、埋め込まれる絶縁膜１１は、下層に形成された転送電極３の凹凸に影響され、表面に段差を有する。
【００３９】
そこで、次に、図２Ｃに示すように、絶縁膜１１表面をＣＭＰ（chemical mechanical polishing）法により研磨し、絶縁膜１１を平坦化する。ＣＭＰ法による平坦化においては、下層の窒化シリコン膜１０がストッパーとなるので、転送電極３上の窒化シリコン膜１０が露出されたときに平坦化が終了する。ところで、本実施形態例においては、図２Ｂにおいて、埋め込む絶縁膜１１の材料に、酸化シリコンを用いた例としたが、酸化シリコン以外の材料であってもよく、後の絶縁膜除去時に、窒化シリコン膜１０と、エッチングの選択比がとれる材料であればよい。例えば、このような材料としては、ＰＳＧ（リンシリケートガラス）やＢＰＳＧ（ボロンリンシリケートガラス）等が挙げられる。また、ＰＳＧ，ＢＰＳＧのような材料は、８００℃程度の高温で熱処理により、平坦化できるため、この場合は、ＣＭＰ法の平坦化は不要である。
【００４０】
その後、露出された窒化シリコン膜１０を被覆するように、再度、全面に酸化シリコンからなる絶縁膜１２（第４の絶縁膜）を薄く成膜し、図２Ｄに示すように、転送電極３と、接続配線６とを接続するコンタクト部５が構成される開口部８を形成する。開口部８は、リソグラフィー法でパターニングし、その後、ドライエッチング法で、転送電極３上の所望の位置の窒化シリコン膜１０及び絶縁膜１２を除去し、転送電極３の接続配線６と接続される部分を露出させて形成される。
【００４１】
ところで、このような開口部８の形成時おいては、図２Ｃに示す工程により、絶縁膜１１の表面が平坦にされているので、表面に段差が無い状態で開口部８を形成するためのパターニングが行われる。このため、図２Ｄに示す工程で、開口部８を形成するためのリソグラフィー法においては、絶縁膜１２上に形成されるレジスト膜の膜厚や形状がばらつかないため、開口部８を精度良く形成することができる。したがって、開口部８のサイズを面内で一定にでき、開口部８のサイズが小さくなってしまうことを防ぐ。後の工程で、開口部８に配線材料膜が埋め込まれることにより、コンタクト部５が形成されるが、上述の製造工程では、そのコンタクト部５において、接続配線６との接合不良や、歩留まり低下を起こすことがない。転送電極３と接続配線６との接続の信頼性を向上させることができる。
【００４２】
次に、図３Ｅに示すように、開口部８が埋め込まれるように配線材料膜１４を形成する。本実施形態例では、まず、チタン（Ｔｉ）膜及び窒化チタン（ＴｉＮ）膜からなるバリアメタル膜１３を形成した後に、タングステン（Ｗ）からなる配線材料膜１４を形成する。開口部８に配線材料膜１４が埋め込まれることにより、コンタクト部５が形成される。また、配線材料膜１４は、後の工程において、接続配線６とされるものである。タングステンからなる接続配線６と、ポリシリコンからなる転送電極３との間に、チタン膜と窒化チタン膜からなるバリアメタル膜１３を形成することにより、後の工程において、熱処理が８００℃以上の高温であっても、転送電極３を構成するポリシリコンと、接続配線６との間において、バリアメタル膜１３により、反応が抑制される。これにより、安定したコンタクト抵抗を確保できる。そして、コンタクト抵抗を安定させることができるので、配線抵抗が安定的に低くできるメリットが享受できるとともに、信頼性の高い配線構造を実現できる。
【００４３】
本実施形態例では、配線材料膜１４として、タングステンを用いる構成としたが、これに限定されるものではなく、アルミニウム（Ａｌ）、チタン（Ｔｉ）、銅（Ｃｕ）、タンタル（Ｔａ）、コバルト（Ｃｏ）やそれらの窒化物、珪化物、またはそれらの積層であっても何ら問題はない。
【００４４】
次に、図３Ｆに示すように、配線材料膜１４上にレジスト膜１５を形成する。このとき、受光センサ部４の上部においては、転送電極３となるポリシリコンが除去された後、平坦な絶縁膜１１が埋め込まれているので、配線材料膜１４も平坦に形成され、かつ、レジスト膜１５も平坦に形成される。
【００４５】
そして、図３Ｇに示すように、接続配線６が形成される部分に、レジスト膜１５がパターニングされるように露光・現像する。本実施形態例では、レジスト膜１５が平坦に形成されているため、レジスト膜１５が、所望の位置に精度良くパターン形成される。
【００４６】
そして、露光・現像されたレジスト膜１５をマスクとして、ドライエッチング法により、絶縁膜１２が露出するまで、不要な配線材料膜１４とバリアメタル膜１３を除去する。これにより、図４Ｈに示すように、転送電極３にコンタクト部５を通じて接続された接続配線６が形成される。
【００４７】
本実施形態例では、前述したように、受光センサ部４の上部において、転送電極３となるポリシリコンが除去された後、平坦な絶縁膜１１が埋め込まれているため、配線材料膜１４及びレジスト膜１５が平坦に形成される。これにより、レジスト膜１５の露光・現像が精度良くなされ、所望の接続配線６の線幅が微小であるときも精度良く形成することができる。
【００４８】
ところで、図７に、以上の工程によって接続配線６を形成したときの、図１Ｂのｂ−ｂ線上における断面構成を示す。本実施形態例によれば、図７に示すように、２本の接続配線６ａ，６ｂが、微小な間隔を隔てて隣接される場合においても、安定的にパターニングできる。このため、少しでもずれてしまうとショートしてしまうような微細な配線においても、配線幅が変動しにくく、安定して接続配線６ａ，６ｂを形成できる。
【００４９】
次に、図４Ｉに示すように、接続配線６を埋め込むように、例えば酸化シリコンからなる絶縁膜１６（第３の絶縁膜）を形成する。この絶縁膜１６は、後の工程で形成される遮光膜との耐圧を確保するために形成される膜である。この絶縁膜１６は、好ましくは、ＨＤＰ（high density plasma）法で成膜することにより、接続配線６と、前の工程で形成されていた絶縁膜１２との段差部分に、容易に埋め込み形成することができる。
接続配線６を埋め込むように、絶縁膜１６を形成した場合、接続配線６が形成された部分の絶縁膜１６表面は段差を有する。
【００５０】
そこで、図４Ｊに示すように、段差を有する絶縁膜１６表面をＣＭＰ法により平坦化する。
【００５１】
その後、平坦化された絶縁膜１６上に、図５Ｋに示すようにレジスト膜１７を塗布し、接続配線６上であって、受光センサ部４を除く部分に、レジスト膜１７がパターン形成されるように、レジスト膜１７を露光・現像する。レジスト膜１７の線幅Ｗ２は、第２転送電極上の接続配線６ａの線幅Ｗ１よりも大きく形成する。また、第１転送電極３ａ上では、２本の接続配線６ａ，６ｂを両方含む線幅よりも大きく形成する。また、レジスト膜１７の線幅Ｗ２は、転送電極３の線幅Ｗ３よりも小さく形成する。図８に、このとき露光・現像されるレジスト膜の平面概略構成を示す。このレジスト膜１７の線幅Ｗ２は、接続配線６を被覆する絶縁膜の厚さを規定するものであり、同時に、受光センサ部４の開口面積にも影響を及ぼすものである。本実施形態例では、平坦化された絶縁膜１６上に、レジスト膜１７が形成されるので、レジスト膜１７の露光・現像は、精度良くなされる。これにより、レジスト膜１７は、所望の位置に、精度良く形成される。
【００５２】
そして、図５Ｌに示すように、ドライエッチング法により、窒化シリコン膜１０が露出されるまで、積層された余分な絶縁膜１１，１２，１６を除去する。このとき、下層の窒化シリコン膜１０をストッパーとして使用することで、精度良く残膜を管理しながら、絶縁膜１１，１２，１６の除去が可能となる。本実施形態例では、レジスト膜１７の線幅Ｗ２が、接続配線６の線幅Ｗ１よりも大きいため、接続配線６を埋め込むように形成された絶縁膜１６は、接続配線６の側面及び上面を被覆するように形成される。また、前段の工程において、絶縁膜１６が平坦化されているので、レジスト膜１７も平坦に形成でき、露光・現像が精度良くなされる。これにより、露光・現像されてパターン形成されたレジスト膜１７の線幅Ｗ２の微小な調節も可能となる。このため、接続配線６の側面に成膜される絶縁膜１６をより薄く構成することができる。
【００５３】
その後、図５Ｍに示すように、前工程で、露出された窒化シリコン膜１０が被覆されるように、全体に酸化シリコンからなる絶縁膜１８を薄く成膜する。この酸化シリコンからなる絶縁膜１８は、次の工程において用いられるエッチングガスで、窒化シリコン膜１０がエッチングされるのを防ぐために成膜されるものである。
【００５４】
そして、図６Ｎに示すように、例えば、アルミニウム（Ａｌ）やタングステン（Ｗ）からなる遮光膜１９を全体に成膜した後、受光センサ部４の絶縁膜１８及び遮光膜１９を、リソグラフィー法により除去する。図９に、本実施形態例で形成される遮光膜１９の概略平面図を示す。
リソグラフィー法において、遮光膜１９をエッチングする場合には、エッチングガスとして、例えば、塩素ガス（Ｃｌ２）及びフッ化硫黄ガス（ＳＦ６）を用いることができる。これらのガスは、窒化シリコン膜１０に対するエッチング速度が速いが、本実施形態例では、前工程で、窒化シリコン膜１０上に酸化シリコンからなる絶縁膜１８が形成されているので、窒化シリコン膜１０がエッチングされるのを防ぐことができ、窒化シリコン膜１０がエッチングされないので、窒化シリコン膜１０を反射防止膜として用いることができる。
【００５５】
本実施形態例では、図５Ｋ、及び図５Ｌの工程において、接続配線６側面に形成される絶縁膜１６を、より薄く形成することができるので、遮光膜１９と半導体基板７との間の距離が縮まる。これにより、遮光膜１９下を周り込んで、転送チャネル２へ入る光を軽減することができるので、スミア特性が向上する。
さらに、接続配線６の側面に成膜される絶縁膜１６を薄く形成することができることにより、受光センサ部４の開口面積を大きく取ることができる。
【００５６】
また、接続配線６を形成した後に、受光センサ部４のポリシリコンを除去する製造方法と違い、受光センサ部４のポリシリコン形状に合わせて受光センサ部４にイオン注入する場合でも、接続配線６を形成する前にイオン注入できるので、メタルコンタミの懸念が無い。
【００５７】
本実施形態例では、接続配線６を形成した後の工程、すなわち、図４Ｊに示す工程において、絶縁膜１６を形成し、ＣＭＰ法により平坦化する例とした。この工程に変えて、厚いレジスト膜を用いたレジストエッチバック法を用いることができる。
その場合には、まず、図１０Ａに示すように、絶縁膜１６を形成した後に、図１０Ｂに示すように、絶縁膜１６を平坦化せずに、その上部に厚いレジスト膜２１を形成する。次に、レジスト膜２１と絶縁膜１６とのエッチングの選択比が１：１となるエッチング条件で、レジストエッチバックする。そうすることにより、図１０Ｃに示すように、絶縁膜１６が平坦化される。その後の工程は、上述した図５Ｋ〜図６Ｎの工程と同様である。
【００５８】
次に、図１１、図１２を用いて、本発明の第２の実施形態における固体撮像装置の製造方法を説明する。本実施形態で形成される固体撮像装置の要部の概略平面構成は、図１と同様であるから、重複説明を省略する。また、図１１、図１２において、図２〜図６に対応する部分には、同一符号を付し、重複説明を省略する。
本実施形態例は、コンタクト部及び接続配線が、デュアルダマシン法により形成される例である。
【００５９】
まず、本実施形態例においては、第１の実施形態における図２Ａ〜図２Ｃの工程と同様の工程が行われる。
次に、図２Ｃで絶縁膜１１を平坦化したあと、図１１Ａに示すように、さらに、絶縁膜２０を形成する。この絶縁膜２０の厚みは、およそ５ｎｍ〜５００ｎｍに形成される。そして、転送電極３上の所望の位置に、コンタクト部５となる開口部８が形成されるように、絶縁膜２０がエッチングされ、転送電極３が露出される。この開口部８は、後の工程において、配線材料膜が埋め込まれることにより、転送電極３と、接続配線６とを接続するコンタクト部５となるものである。
【００６０】
次に、図１１Ｂに示すように、接続配線６が形成される位置の絶縁膜２０が、エッチングされ、接続配線６用の配線溝２２が形成される。この配線溝２２は、後の工程において、配線材料膜が埋め込まれることにより、接続配線６となるものである。したがって、この配線溝２２は、図１Ｂで示す接続配線６ａ，６ｂが形成されるパターンに形成されるものである。
【００６１】
ところで、このような開口部８及び配線溝２２の形成時おいては、図２Ｃに示す工程により、絶縁膜１１表面が平坦化されている。このため、その上部に形成される絶縁膜２０の表面も段差が無い状態で、開口部８及び配線溝２２を開口するためのパターニングが行われる。これにより、開口部８及び配線溝２２を形成するときのリソグラフィー法におけるレジスト膜の膜厚や形状がばらつかず、かつ、開口部８及び配線溝２２が精度良く形成できる。したがって、開口部８及び配線溝２２のサイズを面内で一定にでき、開口部８及び配線溝２２のサイズが小さくなってしまうことによる接続配線６ａ，６ｂ間の接合不良を低減でき、歩留まり低下を起こすことがない。転送電極３と接続配線６との接続の信頼性を向上させることができる。
【００６２】
次に、図１１Ｃに示すように、開口部８、配線溝２２に、配線材料膜１４を埋め込み形成する。本実施形態例では、まず、チタン（Ｔｉ）膜、及び窒化チタン（ＴｉＮ）膜からなるバリアメタル膜１３を形成した後に、タングステン（Ｗ）からなる配線材料膜１４を形成する。この配線材料膜１４が、開口部８及び配線溝２２に埋め込まれることにより、コンタクト部５、及び接続配線６が形成される。そして、接続配線６、及びコンタクト部５を構成するタングステンと、転送電極３を構成するポリシリコンとの間に、チタン膜と窒化チタン膜からなるバリアメタル膜１３を形成することにより、後の工程において、熱処理が８００℃以上の高温であっても、ポリシリコンとタングステンとの間で、バリアメタル膜１３により熱が抑制され、安定したコンタクト抵抗を確保できる。そして、コンタクト抵抗を安定させることができるので、配線抵抗が安定的に低くできるメリットが享受できるとともに、信頼性の高い配線構造を実現できる。
【００６３】
本実施形態例では、配線材料膜１４として、タングステンを用いる構成としたが、これに限定されるものではなく、アルミニウム（Ａｌ），チタン（Ｔｉ），銅（Ｃｕ），タンタル（Ｔａ），コバルト（Ｃｏ）やそれらの窒化物、珪化物、またはそれらの積層であっても何ら問題はない。
【００６４】
その後、図１１Ｄに示すように、配線材料膜１４及びバリアメタル膜１３を、ＣＭＰ法により、絶縁膜２０が露出するまで研磨する。
【００６５】
以上の工程により、転送電極３と接続配線６とを接続するコンタクト部５と、接続配線６が形成される。
【００６６】
次に、図１２Ｅに示すように、接続配線６を被覆するように、酸化シリコンよりなる絶縁膜２３を形成する。このとき、下地の接続配線６及び絶縁膜２０は、平坦に形成されているので、この工程で形成される絶縁膜２３も平坦に形成される。
【００６７】
その後、平坦に形成された絶縁膜２３上にレジスト膜２４を塗布し、図１２Ｆに示すように、接続配線６上にレジストパターンが形成されるように、レジスト膜２４を露光・現像する。レジスト膜２４の線幅Ｗ２は、接続配線６の線幅Ｗ１よりも大きく形成する。また、第１転送電極上では、２本の接続配線６ａ，６ｂを両方含む線幅よりも大きく形成する。また、レジスト膜２４の線幅Ｗ２は、転送電極３の線幅Ｗ３よりも小さく形成する。このとき露光・現像されるレジスト膜２４のレジストパターンの平面構成は、第１の実施形態と同様であり、図８で示したものと同一である。
【００６８】
そして、図１２Ｇに示すように、ドライエッチング法により、窒化シリコン膜１０が露出されるまで、積層された余分な絶縁膜１１，２０，２３を除去する。このとき、下層の窒化シリコン膜１０をストッパーとして使用することで、精度良く残膜を管理しながら、絶縁膜１１，２０，２３の除去が可能となる。本実施形態例では、レジスト膜２４の線幅Ｗ２が、接続配線６の線幅Ｗ１よりも大きいため、絶縁膜２３は、接続配線６の側面及び上面を被覆するように形成される。また、前段の工程において、絶縁膜２０が平坦化され、その上層の絶縁膜２３も平坦に形成されているので、レジスト膜２４も平坦に形成でき、露光・現像が精度良くできる。これにより、露光・現像されて形成されるレジストパターンの線幅の微小な調節も可能となる。このため、接続配線６の側面に成膜される絶縁膜をより薄く構成することができる。
【００６９】
この後の工程は、第１の実施形態の図５Ｍ、図６Ｎの工程と同様の工程にて遮光膜が形成され、固体撮像装置が完成される。
【００７０】
本実施形態例においても、第１の実施形態例と同様の効果を得ることができる。
【００７１】
次に、図１３、図１４を用いて、本発明の第３の実施形態における固体撮像装置の製造方法を説明する。本実施形態例で形成される固体撮像装置は、図１と同様であるから、重複説明を省略する。また、本実施形態例においては、図２Ａ〜図４Ｈで示す、接続配線６を形成する工程までは同一であるから、重複説明を省略し、その後の工程から説明する。
【００７２】
図２Ａ〜図４Ｈにおける工程を経て、図１３Ａに示すように接続配線６が形成された後、図１３Ｂに示すように、接続配線６を埋め込むように、レジスト膜２５を形成し、接続配線６上にレジスト膜２５がパターン形成されるように、レジスト膜２５を露光・現像する。レジスト膜２５の線幅Ｗ２は、第２転送電極３ｂ上の接続配線６ａの線幅Ｗ１よりも大きく形成する。また、第１転送電極３ａ上では、２本の接続配線６ａ，６ｂを両方含む線幅よりも大きく形成する。また、レジスト膜２５の線幅Ｗ２は、転送電極３の線幅Ｗ３よりも小さく形成する。このとき露光・現像されるレジスト膜２５の平面概略構成は、図８で示した、レジスト膜の平面構成と同様である。
【００７３】
そして、図１３Ｃに示すように、窒化シリコン膜１０をストッパーとして、窒化シリコン膜１０が露出されるまで、絶縁膜１１，１２をエッチングし、レジスト膜２５を除去する。
【００７４】
次に、図１４Ｄに示すように、全体に酸化シリコンからなる絶縁膜２６を成膜する。
【００７５】
そして、その後、図１４Ｅに示すように、全体にタングステン（Ｗ）又はアルミニウム（Ａｌ）からなる遮光膜１９を形成し、受光センサ部４の窒化シリコン膜１０が露出されるまで、受光センサ部４に成膜された絶縁膜２６及び遮光膜１９をリソグラフィー法により除去する。本実施形態例で形成される遮光膜１９の概略平面図は、図９に示した遮光膜１９の平面構成と同様である。
本実施形態例においては、以上の工程により、固体撮像装置１が形成される。
【００７６】
本実施形態例では、第１及び第２の実施形態と比較し、接続配線６の周囲に形成される絶縁膜を、リソグラフィー法を用いずに形成するため、工程数を減少させることができる。
【００７７】
本実施形態例においても、第１及び第２の実施形態と同様に、コンタクト部５となる開口部８を形成する際に、表面が平坦化された状態で加工ができるので、開口部８のサイズがばらつかず、微細な加工も可能となる。また、接続配線６の加工時においても、表面が平坦化された状態で加工がなされるので、接続配線６の線幅がばらつかず、精度良く加工できる。
【００７８】
上述した第１〜第３の実施形態における固体撮像装置の製造方法は、図１で示した固体撮像装置の他、次に示す図１５〜図１７に示す固体撮像装置にも適用できる。
【００７９】
まず、図１５Ａ，Ｂに示す固体撮像装置３１は、浮島状に形成された第２転送電極３ｂのみに開口部８が形成され、接続配線６は、コンタクト部５を通じて第２転送電極３ｂのみに接続される例である。図１５Ａは、転送電極３のみを図示したものであり、図１５Ｂは、転送電極３及び接続電極６を図示したものである。図１５Ａ，Ｂにおいてにおいて、図１Ａ，Ｂと同一部分には同一符号を付し重複説明を省略する。
【００８０】
本実施形態例においては、交互に繰り返し並んだ第１転送電極３ａには、転送パルスφＶ２，φＶ４が交互に供給される。また、受光センサ部４に隣接する浮島状の第２転送電極３ｂには、接続配線６を介して、転送パルスφＶ１，φＶ３が交互に供給される。
【００８１】
このような固体撮像装置３１においては、信号電荷が転送チャネル２に読み出された後、第１転送電極３ａには、転送パルスφＶ２，φＶ４が供給され、第２転送電極３ｂには、接続配線６を通じて、転送パルスφＶ１，φＶ３が供給される。そして、４相の転送パルスφＶ１〜φＶ４により、信号電荷が垂直方向に読み出される。
【００８２】
図１５に示す固体撮像装置３１は、第１〜第３の実施形態と同様の工程で形成することができる。図１５に示すように、浮島状の第２転送電極３ｂのみに、コンタクト部５が構成され、接続配線６が形成される場合においても、第１〜第３の実施形態と同様、絶縁膜を平坦化した後に、接続配線６を形成することにより、接続配線６の配線幅の微細化が可能となる。
その他、第１〜第３の実施形態と同様の効果を得る。
【００８３】
また、第１〜第３の実施形態では、接続配線をタングステン（Ｗ）で構成する例としたが、接続配線を、ポリシリコンで形成する例としてもよい。
【００８４】
次に、図１６に示す固体撮像装置４１は、図１の固体撮像装置１とは、転送電極の形状が異なるものである。図１６Ａは、転送電極のみを図示したものであり、図１６Ｂは、転送電極及び接続配線を図示したものである。
【００８５】
この固体撮像装置４１では、受光センサ部４を除く部分に、垂直方向に第１転送電極４３ａ、第２転送電極４３ｂが複数交互に形成されている。そして、この第１転送電極４３ａ及び第２転送電極４３ｂは、単層に形成された単層電極構造とされている。また、隣接する第１転送電極４３ａ及び第２転送電極４３ｂ間には、ギャップ部４４が設けられており、垂直方向に、第１転送電極４３ａ，及び第２転送電極４３ｂは分離されている。
【００８６】
図１６Ａに示すように、第１転送電極４３ａ及び第２転送電極４３ｂには、開口部４８が構成されている。そして、図１６Ｂに示すように、第１転送電極４３ａ、及び第２転送電極４３ｂの上層に、絶縁膜を介して形成される接続配線４６ａ，４６ｂと、それぞれ開口部４８に形成されたコンタクト部４５を通じて接続されている。この接続配線４６ａ，４６ｂは、低抵抗の材料で形成されることにより、シャント配線を構成するものである。
【００８７】
第１転送電極４３ａに通じる接続配線４６ａには転送パルスφＶ２，φＶ４が、及び、第２転送電極４３ｂに通じる接続配線４６ｂには転送パルスφＶ１，φＶ３が供給される。この４相の転送パルスφＶ１〜φＶ４により、受光センサ部４で蓄積された信号電荷が垂直方向に読み出される。
【００８８】
図１６に示す固体撮像装置４１においても、第１〜第３の実施形態と同様の工程を採用して形成することができる。すなわち、第１〜第３の実施形態と同様、転送電極４３上の絶縁膜を平坦化した後に、コンタクト部４５となる開口部４８を形成し、接続配線４６を形成することにより、接続配線４６の配線幅の微細化が可能となる。
その他、第１〜第３の実施形態の製造方法を適用することにより、第１〜第３の実施形態と同様の効果を得る。
【００８９】
上述した固体撮像装置１，３１，４１は、４相駆動の固体撮像装置であったが、これに限られるものではない。
【００９０】
次に、図１７に示す固体撮像装置において、転送電極を３本にし、６相駆動とした例を示す。図１７Ａは、固体撮像装置５１において、転送電極のみを図示したものであり、図１７Ｂは、転送電極及び接続配線を図示したものであり。図１７において、図１と同一部分には同一符号を付し、重複説明を省略する。
【００９１】
図１７Ａに示す固体撮像装置５１は、転送チャネル２上に、第１転送電極５３ａ、第２転送電極５３ｂ、第３転送電極５３ｃが、垂直方向に交互に繰り返し配列されて構成される。この第１転送電極５３ａ、第２転送電極５５ｂ、第３転送電極５５ｃは、受光センサ部４以外の位置に形成され、また、単層に形成される単層電極構造をとされている。
第１転送電極５３ａは、垂直方向に並ぶ受光センサ部４間を通って水平方向に連結されており、第２転送電極５３ｂは、転送チャネル２上において、浮島状、すなわち、水平方向に連結されずに分離した形状を有する。また、第３転送電極５３ｃは、第２転送電極５３ｂと同様に、転送チャネル２において、浮島状、すなわち、水平方向に連結されずに分離した形状を有する。浮島状に形成された第２転送電極５３ｂ及び第３転送電極５３ｃが、水平方向に連結されずに分離して形成されることにより、第２転送電極５３ｂ、及び第３転送電極５３ｃが形成されない部分に、受光センサ部４が構成される。
【００９２】
そして、図１７Ｂに示すように、第１転送電極５３ａ、第２転送電極５３ｂ、第３転送電極５３ｃには、それぞれ開口部５８が形成されている。図１７Ｂで示すように、第１転送電極５３ａ、第２転送電極５３ｂ、第３転送電極５３ｃのそれぞれに、接続配線５６ａ，５６ｂ，５６ｃが、開口部５８に形成されたコンタクト部５５を通じて接続されている。そして、コンタクト部５５を通じて、転送電極５３に接続された接続配線５６（５６ａ，５６ｂ，５６ｃ）は、絶縁膜を介して第１転送電極上に、水平方向に延在するように、３本並列して構成されている。この接続配線５６は、低抵抗の材料で構成することにより、シャント配線とされるものである。
【００９３】
転送チャネル２上において、垂直方向に交互に繰り返し並んだ第１転送電極５３ａ，第２転送電極５３ｂ、第３転送電極５３ｃには、接続配線５６を通じて、垂直方向に沿って位相の異なる６相の転送パルスφＶ１，φＶ２，φＶ３，φＶ４，φＶ５，φＶ６が供給される。
【００９４】
このような固体撮像装置５１においても、第１〜第３の実施形態と同様の工程を採用して形成することができる。すなわち、第１〜第３の実施形態と同様、転送電極５３上の絶縁膜を平坦化した後に、開口部５８を形成し、接続配線５６を形成することにより、接続配線５６の配線幅の微細化が可能となり、精度良く、微細な接続配線５６を形成することができる。
その他、第１〜第３の実施形態の製造方法を適用することにより、第１〜第３の実施形態と同様の効果を得る。
【００９５】
上述の説明では、全て、転送電極が単層に形成された単層電極構造とした例を用いて説明したが、転送電極が２層に積層されて構成され、２層に積層された転送電極に接続配線を形成する場合にも、第１〜第３の実施形態は適用することができる。
【００９６】
すなわち、本発明は、転送配線にコンタクト部を通じて接続される接続配線を形成する工程を有する固体撮像装置の製造方法に適用できる。
【００９７】
本発明の固体撮像装置の製造方法で形成された固体撮像装置は、例えば、カメラ等の電子機器に適用できる。
図１８に、本発明の電子機器の製造方法で形成されたカメラの概略構成図を示す。本実施形態例に係るカメラは、静止画撮影又は、動画撮影可能なビデオカメラの例である。
【００９８】
本実施形態例に係るカメラは、イメージセンサ１０，１００，又は２００と、光学系５１０と、メカニカルシャッタ装置５１１と、信号処理回路５１２とを有する。光学系５１０は、被写体からの像光（入射光）をイメージセンサ１０，１００又は２００の撮像面上に結像させる。これにより、イメージセンサ１０、１００、又は２００内に、一定期間当該信号電荷が蓄積される。メカニカルシャッタ装置５１１は、イメージセンサ１０、１００又は２００への光照射期間および遮光期間を制御する。
【００９９】
信号処理回路５１２は、各種の信号処理を行う。信号処理が行われた映像信号は、メモリなどの記憶媒体に記憶され、あるいはモニタに出力される。上記実施形態では、可視光の光量に応じた信号電荷を物理量として検知する単位画素が行列状に配置されてなるイメージセンサ１０、１００又は２００に適用した場合を例に挙げて説明したが、本発明はイメージセンサ１０、１００又は２００への適用に限られるものではなく、画素アレイ部の画素列ごとにカラム回路を配置してなるカラム方式の固体撮像装置全般に対して適用可能である。
【０１００】
また、本発明は、可視光の入射光量の分布を検知して画像として撮像する固体撮像装置への適用に限らず、赤外線やＸ線、あるいは粒子等の入射量の分布を画像として撮像する固体撮像装置や、広義の意味として、圧力や静電容量など、他の物理量の分布を検知して画像として撮像する指紋検出センサ等の固体撮像装置（物理量分布検知装置）全般に対して適用可能である。
【０１０１】
さらに、本発明は、画素アレイ部の各単位画素を行単位で順に走査して各単位画素から画素信号を読み出す固体撮像装置に限らず、画素単位で任意の画素を選択して、当該選択画素から画素単位で信号を読み出すＸ−Ｙアドレス型の固体撮像装置に対しても適用可能である。
【０１０２】
なお、固体撮像装置はワンチップとして形成された形態であってもよいし、撮像部と、信号処理部または光学系とがまとめてパッケージングされた撮像機能を有するモジュール状の形態であってもよい。
また、本発明は、固体撮像装置への適用に限られるものではなく、撮像装置にも適用可能である。ここで、撮像装置とは、デジタルスチルカメラやビデオカメラ等のカメラシステムや、携帯電話機などの撮像機能を有する電子機器のことを言う。なお、電子機器に搭載される上記モジュール状の形態、即ちカメラモジュールを撮像装置とする場合もある。
ビデオカメラやデジタルスチルカメラ、さらには携帯電話機等のモバイル機器向けカメラモジュールなどの撮像装置において、その固体撮像装置を、前述の実施形態に係る製造方法で形成したイメージセンサ１０、１００又は２００を用いることで、当該イメージセンサ１０、１００又は２００では、簡単な構成で、良質な画像を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【０１０３】
【図１】Ａ，Ｂ  本発明の固体撮像装置の製造方法で形成される固体撮像装置の、転送電極の構成を示す図と、転送電極及び接続配線を示す図である。
【図２】Ａ，Ｂ，Ｃ，Ｄ  本発明の第１の実施形態における固体撮像装置の製造方法の概略工程図（その１）である。
【図３】Ｅ，Ｆ，Ｇ  本発明の第１の実施形態における固体撮像装置の製造方法の概略工程図（その２）である。
【図４】Ｈ，Ｉ，Ｊ  本発明の第１の実施形態における固体撮像装置の製造方法の概略工程図（その３）である。
【図５】Ｋ，Ｌ，Ｍ  本発明の第１の実施形態における固体撮像装置の製造方法の概略工程図（その４）である。
【図６】Ｎ  本発明の第１の実施形態における固体撮像装置の製造方法の概略工程図（その５）である。
【図７】第１の実施形態で形成される固体撮像装置のｂ−ｂ線上に沿う断面構成を示す図である。
【図８】レジスト膜が形成されるパターンを示す概略平面図である。
【図９】遮光膜が形成されるパターンを示す概略平面図である。
【図１０】Ａ，Ｂ，Ｃ  第１の実施形態における固体撮像装置の製造方法の他の例の工程図である。
【図１１】Ａ，Ｂ，Ｃ，Ｄ  本発明の第２の実施形態における固体撮像装置の製造方法の概略工程図（その１）である。
【図１２】Ｅ，Ｆ，Ｇ  本発明の第２の実施形態における固体撮像装置の製造方法の概略工程図（その２）である。
【図１３】Ａ，Ｂ，Ｃ  本発明の第３の実施形態における固体撮像装置の製造方法の概略工程図（その１）である。
【図１４】Ｄ，Ｅ  本発明の第３の実施形態における固体撮像装置の製造方法の概略工程図（その２）である。
【図１５】Ａ，Ｂ  第１〜第３の実施形態で形成される固体撮像装置の他の例を示す要部の概略平面構成図である。
【図１６】Ａ，Ｂ  第１〜第３の実施形態で形成される固体撮像装置の他の例を示す要部の概略平面構成図である。
【図１７】Ａ，Ｂ  第１〜第３の実施形態で形成される固体撮像装置の他の例を示す要部の概略平面構成図である。
【図１８】本発明の固体撮像装置が用いられるカメラの概略構成図である。
【図１９】従来例における固体撮像装置の画素部要部の概略平面構成図である。
【図２０】Ａ，Ｂ，Ｃ，Ｄ  従来例における固体撮像装置の製造方法の概略工程図（その１）である。
【図２１】Ｅ，Ｆ，Ｇ  従来例における固体撮像装置の製造方法の概略工程図（その２）である。
【図２２】図１９のｂ−ｂ線上に沿う断面構成図である。
【符号の説明】
【０１０４】
１，３１，４１，５１・・固体撮像装置、２・・転送チャネル、３・・転送電極、３ａ・・第１転送電極、３ｂ・・第２転送電極、３ｃ・・第３転送電極、４・・受光センサ部、５・・コンタクト部、６（６ａ，６ｂ，）・・接続配線、７・・半導体基板、８・・開口部、９，１１，１２，１６，１８・・絶縁膜、１０・・窒化シリコン膜、１３・・バリアメタル膜、１４・・配線材料膜、１５，１７・・レジスト膜、１９・・遮光膜
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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