(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
リソグラフィ装置のエレメント上の堆積物除去のためのクリーニングプロセスであって、アルカリ洗浄液を用いて前記エレメントを処理することを含み、前記エレメントに電圧が印加され、前記電圧は基準電極に関して０Ｖ〜−１．２Ｖの範囲を有する、クリーニングプロセス。
【請求項２】
前記エレメントを前記アルカリ洗浄液内に浸すことを含む、請求項１に記載のクリーニングプロセス。
【請求項３】
前記堆積物はスズ（Ｓｎ）を含む、請求項１または２に記載のクリーニングプロセス。
【請求項４】
前記エレメントは、かすめ入射コレクタ、法線入射コレクタおよび汚染物質バリアからなる群から選択される、請求項３に記載のクリーニングプロセス。
【請求項５】
前記エレメントは、第２の部分よりも相対的に多くの堆積物を含む第１の部分を有し、
前記エレメントに印加された前記電圧は、前記エレメントにわたって勾配を有し、
前記エレメントは、前記第１の部分が前記第２の部分よりも大きい電圧を有するように構成されている、請求項４に記載のクリーニングプロセス。
【請求項６】
前記第１の部分の前記電圧は、約−０．６Ｖ〜−０．９Ｖの範囲を有する、請求項５に記載のクリーニングプロセス。
【請求項７】
前記電圧は、約−０．７Ｖ〜−１．０Ｖの範囲を有する、請求項５に記載のクリーニングプロセス。
【請求項８】
前記洗浄液は、錯化剤をさらに含む、請求項１または２に記載のクリーニングプロセス。
【請求項９】
前記アルカリ洗浄液は、約８〜１５ｐＨの範囲を有する、請求項１または２に記載のクリーニングプロセス。
【請求項１０】
前記アルカリ洗浄液の温度は、約０〜１２０℃の範囲である、請求項１または２に記載のクリーニングプロセス。
【請求項１１】
前記アルカリ洗浄液を用いて前記エレメントを処理すること、
前記クリーニングされたエレメントを洗浄すること、
前記エレメントを乾燥させること、
前記エレメントを評価すること、
任意に、前記エレメントを前記クリーニングプロセスに再導入すること、および、
前記エレメントを前記リソグラフィ装置に再構成すること
を含む、請求項１または２に記載のクリーニングプロセス。
【請求項１２】
リソグラフィ装置のエレメントをクリーニングするクリーニングシステムであって、クリーニングリアクタ、洗浄リアクタおよび乾燥リアクタを含み、前記クリーニングリアクタはアルカリ洗浄液およびデバイスを用いて前記リソグラフィ装置の前記エレメントを処理するように構成され、前記デバイスは基準電極に関して０Ｖ〜１．２Ｖの範囲を有する電位を前記エレメントに対して生成するように構成された、クリーニングシステム。
【請求項１３】
前記洗浄リアクタは、前記処理されたエレメントを洗浄するように構成され、
前記乾燥リアクタは、前記洗浄されたエレメントを乾燥させるように構成されている、請求項１２に記載のクリーニングシステム。
【請求項１４】
評価システムをさらに含み、前記評価システムは、前記乾燥されたエレメントの測定を行い、前記処理されたエレメントが所定の仕様の範囲内であるか否かを決定するように構成されている、請求項１３に記載のクリーニングシステム。
【請求項１５】
請求項１２〜１４のいずれかに記載のクリーニングシステムとリソグラフィ装置との組み合わせ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
[0001]  本発明は、リソグラフィ装置のエレメント上の堆積物除去のためのクリーニングプロセスに関し、特に、エレメント上の堆積物除去のためのex situクリーニングプロセスに関する。
【背景技術】
【０００２】
[0002]  リソグラフィ装置は、所望のパターンを基板上、通常、基板のターゲット部分上に付与する機械である。リソグラフィ装置は、例えば、集積回路（ＩＣ）の製造に用いることができる。その場合、ＩＣの個々の層上に形成される回路パターンを生成するために、マスクまたはレチクルとも呼ばれるパターニングデバイスを用いることができる。このパターンは、基板（例えば、シリコンウェーハ）上のターゲット部分（例えば、ダイの一部、または１つ以上のダイを含む）に転写することができる。通常、パターンの転写は、基板上に設けられた放射感応性材料（レジスト）層上への結像によって行われる。一般には、単一の基板が、連続的にパターニングされる隣接したターゲット部分のネットワークを含んでいる。公知のリソグラフィ装置としては、ターゲット部分上にパターン全体を一度に露光することにより各ターゲット部分を照射するステッパ、および放射ビームによってある特定の方向（「スキャン」方向）にパターンをスキャンすると同時に、この方向に平行または逆平行に基板をスキャンすることにより各ターゲット部分を照射する、スキャナが含まれる。パターンを基板上にインプリントすることにより、パターニングデバイスから基板にパターンを転写することも可能である。
【０００３】
[0003]  リソグラフィ装置において、基板上に結像可能なフィーチャのサイズは投影放射の波長により制限される。デバイスをより高密度に備え、したがってより速い動作速度を有する集積回路を生産するためには、より小さなフィーチャを結像できることが望ましい。近年のリソグラフィ投影装置の殆どが水銀ランプまたはエキシマレーザにより生成される紫外線を使用する一方で、例えば、約１３ｎｍといったより短い波長の放射を使用することが提案されている。このような放射は極端紫外線（ＥＵＶ）または軟Ｘ線と呼ばれ、可能な放射源としては、例えば、レーザ生成プラズマ源、放電プラズマ源、または電子蓄積リングからのシンクロトロン放射が含まれる。
【０００４】
[0004]  ＥＵＶ放射の放射源は、典型的にはプラズマ源、例えば、レーザ生成プラズマ源または放電源である。どのプラズマ源にも共通する特徴は、速いイオンおよび原子の生成であり、これらはプラズマから全方向に放出される。これらの粒子は、通常もろい表面を有する多層ミラーまたはかすめ入射ミラーであるコレクタおよびコンデンサミラーに損傷を与える場合がある。この表面は、プラズマから放出される粒子の衝撃またはスパッタリングによって徐々に劣化され、従ってミラーの寿命は短くなる。スパッタリングの影響は、放射コレクタで特に問題になる。このミラーの目的は、プラズマ源によって全方向に放出された放射を集め、この放射を照明システム内の他のミラーへと誘導することである。放射コレクタは、プラズマ源に非常に近く、かつ当該プラズマ源との照準線上に位置しているので、プラズマから大きな束の高速粒子を受け取る。このシステム中のその他のミラーは、ある程度シールドされ得るので、一般に、プラズマから放出される粒子のスパッタリングによる損傷の程度は小さい。
【０００５】
[0005]  近い将来、極端紫外線（ＥＵＶ）源は、おそらく、ＥＵＶ放射を生成するためにスズ（Ｓｎ）または別の金属蒸気を使用することになるだろう。このスズは、リソグラフィ装置内に漏れることがあり、リソグラフィ装置内のミラー、例えば、放射コレクタのミラー上に堆積する。このような放射コレクタのミラーは、例えば、ルテニウム(Ｒｕ)からなるＥＵＶ反射上層を有することができる。反射Ｒｕ層上の約１０ｎｍを上回るスズ（Ｓｎ）の堆積物は、バルクＳｎと同じ態様でＥＵＶ放射を反射する。ＳｎベースのＥＵＶ源付近では数ｎｍのＳｎ層が非常に急速に堆積されることが想定される。スズの反射係数はルテニウムの反射係数よりもかなり低いので、コレクタの全体の透過率は大幅に減少することがある。放射源からのデブリ、またはこのデブリによって発生される二次粒子が放射コレクタ上に堆積するのを防止するために、汚染物質バリアを使用してもよい。そのような汚染物質バリアまたはトラップはデブリの一部を除去し得るが、依然として、放射コレクタまたはその他の光エレメント上にいくらかのデブリは堆積する。さらに、これらの汚染物質バリアまたはトラップ上にも堆積物が生じ得る。
【発明の概要】
【０００６】
[0006]  リソグラフィ装置の放射コレクタ、またはリソグラフィ装置の放射コレクタと放射源との間の汚染物質バリアのような、リソグラフィ装置のエレメント上の堆積物除去のためのクリーニングプロセス、特にex situクリーニングプロセスを提供することが望ましい。
【０００７】
[0007]  そのため、本発明の一実施形態は、アルカリ洗浄液を用いてエレメントを処理することを含む、リソグラフィ装置のエレメント上の堆積物除去のためのクリーニングプロセスを提供する。アルカリ洗浄液のｐＨは、約８〜１５ｐＨの範囲内であってもよい。
【０００８】
[0008]  一実施形態では、クリーニングプロセスはex situプロセス（すなわち、リソグラフィ装置外）であり、プロセスは、リソグラフィ装置からエレメントを除去することと、アルカリ洗浄液を用いてエレメントを処理することと、リソグラフィ装置内をクリーニングした後にエレメントを再構成することとを含む。
【０００９】
[0009]  一実施形態では、プロセスは、エレメントをアルカリ洗浄液内に浸すことを含む。エレメントを浸すことは、エレメントを部分的にまたは完全に浸すことであってもよい。特定の変形例では、エレメントは、アルカリ洗浄液内に実質的に完全に沈められる。クリーニングプロセス中、洗浄液は、攪拌または加熱されてもよく、あるいは攪拌および加熱の両方が行われてもよい。一実施形態では、アルカリ洗浄液は、約０〜１２０℃の範囲内、とりわけ約１０〜１００℃の範囲内、さらには２０〜９０℃の範囲内の温度を有する。クリーニングされるエレメントは、代替的にまたは追加的に加熱されてもよい。
【００１０】
[0010]  エレメントは、格子スペクトルフィルタ、透過型光フィルタ、多層ミラー、かすめ入射コレクタ、法線入射コレクタ、センサ、光センサ、汚染物質バリア、パターニングデバイス（例えば、マスク）および構成要素（construction element）からなる群から選択されてもよい。汚染物質バリアに関して、特定の実施形態では、汚染物質バリアは静的汚染物質バリアである。
【００１１】
[0011]  除去される堆積物は、例えば、ＥＵＶ源としてのＳｎ源の使用を考慮して、とりわけスズ（Ｓｎ）を含み得る。したがって、アルカリ洗浄液は、一実施形態では、とりわけＳｎをエレメントからエッチングするように構成されている。
【００１２】
[0012]  さらなる実施形態では、電圧がエレメントに印加され、特定の変形例では、電圧は、Ａｇ／ＡｇＣｌ基準電極に対して約０Ｖ〜−１．２Ｖの範囲を有する。そのようなプロセスは、汚染物質バリア、特に、静的汚染物質バリアからスズを除去するために特に有益であり得る。特定の変形例では、電圧は、特に、Ｍｏを含む表面（特に、汚染物質バリアなどのＭｏ表面）を有するエレメントに対して、約−０．７Ｖ〜−１．０Ｖの範囲を有する。
【００１３】
[0013]  汚染物質バリアのようなエレメントは、第２の部分より比較的多い堆積物を含む第１の部分を有してもよく、エレメントに印加される電圧は、エレメントにわたって勾配を有し得る。次いで特に、エレメントは、第１の部分で第２の部分より大きい電圧を有するように構成されてもよい。一実施形態では、第１の部分での電圧は、約−０．６Ｖ〜−０．９Ｖの範囲を有する
【００１４】
[0014]  さらなる実施形態では、洗浄液は、例えば、グルコン酸ナトリウムなどのグルコン酸塩のような錯化剤をさらに含む。錯化剤は、イオン汚染物質、特にＳｎイオンと錯体化させる（錯体を形成する）ために選択される。
【００１５】
[0015]  クリーニングプロセスの一実施形態では、クリーニングプロセスは、（本明細書中に記載されるように）アルカリ洗浄液を用いてエレメントを処理することと、クリーニングされたエレメントを洗浄することと、エレメントを乾燥させることと、エレメントを評価することと、任意に、（当該評価に依存して）エレメントをクリーニングプロセスに再導入することと、エレメントをリソグラフィ装置に再構成することとを含む。
【００１６】
[0016]  本発明の一実施形態では、本明細書中に記載されるように、エレメントをクリーニングするように構成されたクリーニング構成またはシステムが提供される。そのため、本発明の一実施形態は、また、クリーニングリアクタ、洗浄リアクタ(washing reactor)、乾燥リアクタおよび評価システムを含むクリーニング構成またはシステムを提供する。評価システムは、真空認定評価システムを含んでもよい。そのようなクリーニング構成またはシステムは、リソグラフィ装置のex situである。特定の実施形態では、リソグラフィ装置とクリーニング構成との組み合わせが提供される（すなわち、リソグラフィ装置とクリーニングリアクタ、洗浄リアクタ、乾燥リアクタおよび評価システム）。クリーニング構成の部分の一部は、任意であってもよく、例えば、評価システムは任意であってもよい。
【００１７】
[0017]  リソグラフィ装置は、リソグラフィ処理の後にクリーニングされるエレメントを含むことができ、かつ本明細書中に説明されるクリーニング構成またはシステムとの組み合わせに用いられてもよい。かかるリソグラフィ装置は、一実施形態では、放射ビームを調整するように構成された照明システムと、放射ビームの断面にパターンを付与してパターン付けされた放射ビームを形成することが可能であるパターニングデバイスを支持するように構成されたサポートと、基板を保持するように構成された基板テーブルと、基板のターゲット部分にパターン付けされた放射ビームを投影するように構成された投影システムとを含む。上述したように、一変形例では、リソグラフィ装置は、ＥＵＶリソグラフィ装置である。
【００１８】
[0018]  本発明の一実施形態では、リソグラフィシステムであって、放射ビームを調整するように構成された照明システムと、放射ビームの断面にパターンを付与してパターン付けされた放射ビームを形成することが可能であるパターニングデバイスを支持するように構成されたサポートと、基板を保持するように構成された基板テーブルと、基板のターゲット部分にパターン付けされた放射ビームを投影するように構成された投影システムとを含むリソグラフィ装置と、アルカリ洗浄液を用いてリソグラフィ装置のエレメントを処理するように構成されたクリーニングリアクタを含むクリーニングシステムとを含むリソグラフィシステムが提供される。
【図面の簡単な説明】
【００１９】
[0019]  本発明のいくつかの実施形態を、単なる例として、添付の概略図を参照して以下に説明する。これらの図面において同じ参照符号は対応する部分を示す。
【図１】[0020]  図１は、本発明の一実施形態によるリソグラフィ装置を概略的に示す。
【図２】[0021]  図２は、図１の一実施形態によるリソグラフィ投影装置のＥＵＶ照明システムおよび投影光学系の側面図を概略的に示す。
【図３】[0022]  図３は、放射源コレクタモジュールの一実施形態を通る断面図を概略的に示す。
【図４】[0023]  図４は、本発明の一実施形態によるクリーニングシステムを概略的に示す。
【図５】[0024]  図５は、本発明の一実施形態によるクリーニングシステムを概略的に示す。
【図６】[0025]  図６は、本発明のプロセスの実施形態によるコレクタクリーニングプロセスのクリーニング結果を示す。
【発明を実施するための形態】
【００２０】
[0026]  図１は、本発明の一実施形態によるリソグラフィ装置１を概略的に示している。この装置１は、放射を生成するように構成された放射源ＳＯと、放射源ＳＯから受けた放射からの放射ビームＢ（例えば紫外線またはＥＵＶ放射）を調整するように構成された照明システム（イルミネータ）ＩＬとを備える。放射源ＳＯは、別のユニットとして設けられてもよい。サポート（例えば、マスクテーブル）ＭＴは、パターニングデバイス（例えば、マスク）ＭＡを支持するように構成され、かつ特定のパラメータに従ってパターニングデバイスＭＡを正確に位置付けるように構成された第１ポジショニングデバイスＰＭに連結されている。基板テーブル（例えば、ウェーハテーブル）ＷＴは、基板（例えば、レジストコートウェーハ）Ｗを保持するように構成され、かつ特定のパラメータに従って基板Ｗを正確に位置付けるように構成された第２ポジショニングデバイスＰＷに連結されている。投影システム（例えば、屈折投影レンズシステム）ＰＳは、パターニングデバイスＭＡによって放射ビームＢに付けられたパターンを基板Ｗのターゲット部分Ｃ（例えば、１つ以上のダイを含む）上に投影するように構成されている。
【００２１】
[0027]  照明システムとしては、放射を誘導し、整形し、かつ／または制御するために、屈折型、反射型、磁気型、電磁型、静電型、またはその他のタイプの光コンポーネント、あるいはそれらのあらゆる組合せなどのさまざまなタイプの光コンポーネントを含むことができる。
【００２２】
[0028]  サポートは、パターニングデバイスの重量を支えるなどしてパターニングデバイスを支持する。サポートは、パターニングデバイスの配向、リソグラフィ装置の設計、および、パターニングデバイスが真空環境内で保持されているか否かなどの他の条件に応じた態様で、パターニングデバイスを保持する。サポートは、機械式、真空式、静電式またはその他のクランプ技術を使って、パターニングデバイスを保持することができる。サポートは、例えば、必要に応じて固定または可動式にすることができるフレームまたはテーブルであってもよい。サポートは、パターニングデバイスを、例えば、投影システムに対して所望の位置に確実に置くことができる。本明細書において使用される「レチクル」または「マスク」という用語はすべて、より一般的な「パターニングデバイス」という用語と同義であると考えるとよい。
【００２３】
[0029]  本明細書において使用される「パターニングデバイス」という用語は、基板のターゲット部分内にパターンを作り出すように、放射ビームの断面にパターンを与えるために使用できるあらゆるデバイスを指していると、広く解釈されるべきである。なお、留意すべき点として、放射ビームに付与されたパターンは、例えば、そのパターンが位相シフトフィーチャまたはいわゆるアシストフィーチャを含む場合、基板のターゲット部分内の所望のパターンに正確に一致しない場合もある。通常、放射ビームに付けたパターンは、集積回路などのターゲット部分内に作り出されるデバイス内の特定機能層に対応することになる。
【００２４】
[0030]  パターニングデバイスは、透過型であっても、反射型であってもよい。パターニングデバイスの例としては、マスク、プログラマブルミラーアレイ、およびプログラマブルＬＣＤパネルが含まれる。マスクは、リソグラフィでは公知であり、バイナリ、レベンソン型(alternating)位相シフト、およびハーフトーン型(attenuated)位相シフトなどのマスク型、ならびに種々のハイブリッドマスク型を含む。プログラマブルミラーアレイの一例では、小型ミラーのマトリックス配列が用いられており、各小型ミラーは、入射する放射ビームを様々な方向に反射させるように、個別に傾斜させることができる。傾斜されたミラーは、ミラーマトリックスによって反射される放射ビームにパターンを付ける。
【００２５】
[0031]  本明細書において使用される「投影システム」という用語は、使われている露光放射にとって、あるいは液浸液の使用または真空の使用といった他の要因にとって適切な、屈折型、反射型、反射屈折型、磁気型、電磁型、および静電型光学系、またはそれらのあらゆる組合せを含むあらゆる型の投影システムを包含していると広く解釈されるべきである。本明細書において使用される「投影レンズ」という用語はすべて、より一般的な「投影システム」という用語と同義であると考えるとよい。
【００２６】
[0032]  本明細書に示されているとおり、装置は、反射型のもの（例えば、反射型マスクを採用しているもの）である。また、装置は、透過型のもの（例えば、透過型マスクを採用しているもの）であってもよい。
【００２７】
[0033]  リソグラフィ装置は、２つ（デュアルステージ）以上の基板テーブル（および／または２つ以上のマスクテーブル）を有する型のものであってもよい。そのような「マルチステージ」機械においては、追加のテーブルを並行して使うことができ、または予備工程を１つ以上のテーブル上で実行しつつ、別の１つ以上のテーブルを露光用に使うこともできる。
【００２８】
[0034]  また、リソグラフィ装置は、投影システムと基板との間の空間を満たすように、比較的高屈折率を有する液体（例えば水）によって基板の少なくとも一部を覆うことができるタイプのものであってもよい。また、リソグラフィ装置内の別の空間、例えば、パターニングデバイス（例えば、マスク）と投影システムとの間に液浸液を加えてもよい。液浸技術は、投影システムの開口数を増加させるための技術においてよく知られている。本明細書において使用される「液浸」という用語は、基板のような構造物を液体内に沈めなければならないという意味ではなく、単に、露光中、投影システムと基板との間に液体があるということを意味するものである。
【００２９】
[0035]  図１を参照すると、イルミネータＩＬは、放射源ＳＯから放射を受ける。例えば、放射源がエキシマレーザである場合、放射源とリソグラフィ装置は、別個の構成要素であってもよい。そのような場合には、放射源は、リソグラフィ装置の一部を形成しているとはみなされず、また放射は、放射源ＳＯからイルミネータＩＬへ、例えば、適切な誘導ミラーおよび／またはビームエキスパンダを含むビームデリバリシステムを使って送られる。その他の場合においては、例えば、放射源が水銀ランプである場合、放射源は、リソグラフィ装置の一体部分とすることもできる。放射源ＳＯおよびイルミネータＩＬは、必要ならばビームデリバリシステムＢＤとともに、放射システムと呼んでもよい。
【００３０】
[0036]  イルミネータＩＬは、放射ビームの角度強度分布を調節するように構成された調節デバイスを含むことができる。一般に、イルミネータの瞳面内の強度分布の少なくとも外側および／または内側半径範囲（通常、それぞれσ-outerおよびσ-innerと呼ばれる）を調節することができる。さらに、イルミネータＩＬは、インテグレータＩＮおよびコンデンサＣＯといったさまざまな他のコンポーネントを含むことができる。イルミネータを使って放射ビームを調整すれば、放射ビームの断面に所望の均一性および強度分布をもたせることができる。
【００３１】
[0037]  放射ビームＢは、サポート（例えば、マスクテーブル）ＭＴ上に保持されているパターニングデバイス（例えば、マスク）ＭＡ上に入射して、パターニングデバイスによってパターン形成される。パターニングデバイス（例えば、マスク）ＭＡによって反射された後、放射ビームＢは投影システムＰＳを通過し、投影システムＰＳは、基板Ｗのターゲット部分Ｃ上にビームを投影する。第２ポジショニングデバイスＰＷおよび位置センサＩＦ２（例えば、干渉計デバイス、リニアエンコーダ、または静電容量センサ）を使って、例えば、さまざまなターゲット部分Ｃを放射ビームＢの経路内に位置付けるように、基板テーブルＷＴを正確に動かすことができる。同様に、第１ポジショニングデバイスＰＭおよび別の位置センサＩＦ１（例えば、干渉計デバイス、リニアエンコーダ、または静電容量センサ）を使い、例えば、マスクライブラリからマスクを機械的に取り出した後またはスキャン中に、パターニングデバイス（例えば、マスク）ＭＡを放射ビームＢの経路に対して正確に位置付けることもできる。通常、サポート（例えば、マスクテーブル）ＭＴの移動は、第１ポジショニングデバイスＰＭの一部を形成するロングストロークモジュール（粗動位置決め）およびショートストロークモジュール（微動位置決め）を使って達成することができる。同様に、基板テーブルＷＴの移動も、第２ポジショニングデバイスＰＷの一部を形成するロングストロークモジュールおよびショートストロークモジュールを使って達成することができる。ステッパの場合は（スキャナとは対照的に）、サポート（例えば、マスクテーブル）ＭＴは、ショートストロークアクチュエータのみに連結されてもよく、または固定されてもよい。パターニングデバイス（例えば、マスク）ＭＡおよび基板Ｗは、マスクアライメントマークＭ１およびＭ２と、基板アライメントマークＰ１およびＰ２とを使って、位置合わせされてもよい。例示では基板アライメントマークが専用ターゲット部分を占めているが、基板アライメントマークをターゲット部分とターゲット部分との間の空間内に置くこともできる（これらは、スクライブラインアライメントマークとして公知である）。同様に、複数のダイがパターニングデバイス（例えば、マスク）ＭＡ上に設けられている場合、マスクアライメントマークは、ダイとダイの間に置かれてもよい。 
【００３２】
[0038]  例示の装置は、以下に説明するモードのうち少なくとも１つのモードで使用できる。
ａ．  ステップモードでは、サポート（例えば、マスクテーブル）ＭＴおよび基板テーブルＷＴを基本的に静止状態に保ちつつ、放射ビームに付けられたパターン全体を一度に（すなわち、単一静止露光）ターゲット部分Ｃ上に投影する。その後、基板テーブルＷＴは、Ｘおよび／またはＹ方向に移動され、それによって別のターゲット部分Ｃを露光することができる。ステップモードにおいては、露光フィールドの最大サイズによって、単一静止露光時に結像されるターゲット部分Ｃのサイズが限定される。
ｂ．  スキャンモードでは、サポート（例えば、マスクテーブル）ＭＴおよび基板テーブルＷＴを同期的にスキャンする一方で、放射ビームに付けられたパターンをターゲット部分Ｃ上に投影する（すなわち、単一動的露光）。サポート（例えば、マスクテーブル）ＭＴに対する基板テーブルＷＴの速度および方向は、投影システムＰＳの（縮小）拡大率および像反転特性によって決めることができる。スキャンモードにおいては、露光フィールドの最大サイズよって、単一動的露光時のターゲット部分の幅（非スキャン方向）が限定される一方、スキャン動作の長さによって、ターゲット部分の高さ（スキャン方向）が決まる。
ｃ．  別のモードでは、プログラマブルパターニングデバイスを保持した状態で、サポート（例えば、マスクテーブル）ＭＴを基本的に静止状態に保ち、また基板テーブルＷＴを動かす、またはスキャンする一方で、放射ビームに付けられているパターンをターゲット部分Ｃ上に投影する。このモードにおいては、通常、パルス放射源が採用されており、さらにプログラマブルパターニングデバイスは、基板テーブルＷＴの移動後ごとに、またはスキャン中の連続する放射パルスと放射パルスとの間に、必要に応じて更新される。この動作モードは、前述の型のプログラマブルミラーアレイといったプログラマブルパターニングデバイスを利用するマスクレスリソグラフィに容易に適用することができる。
【００３３】
[0039]  上述の使用モードの組合せおよび／またはバリエーション、あるいは完全に異なる使用モードもまた採用可能である。
【００３４】
[0040]  「レンズ」という用語は、文脈によっては、屈折、反射、磁気、電磁気、および静電型光コンポーネントを含む様々な種類の光コンポーネントのいずれか１つまたはこれらの組合せを指すことができる。
【００３５】
[0041]  「汚染物質」という用語は、Ｓｎ堆積物のような堆積物を指すが、リソグラフィ装置の光エレメントまたは他のエレメントの表面に物理的または化学的に吸着した望ましくない種を指すこともできる。特に、「汚染物質」という用語は、金属ハロゲン化物、金属酸化物または金属オキシハロゲン化物を指す。
【００３６】
[0042]  本明細書で使用される「放射」および「ビーム」という用語は、紫外線（ＵＶ）（例えば、３６５ｎｍ、２４８ｎｍ、１９３ｎｍ、１５７ｎｍ、または１２６ｎｍの波長λを有する）、および極端紫外線（ＥＵＶまたは軟Ｘ線）（例えば、５〜２０ｎｍの範囲、例えば１３．５ｎｍの波長を有する）、ならびにイオンビームや電子ビームなどの微粒子ビームを含むあらゆる種類の電磁放射を包含している。一般に、約７８０ｎｍ〜３０００ｎｍ（またはそれ以上）の間の波長を有する放射は、ＩＲ放射と考えられている。ＵＶは、約１００ｎｍ〜４００ｎｍの波長を有する放射を指す。リソグラフィにおいて、これは、通常、水銀放電ランプによって生成することができる波長にも適用される：Ｇ線４３６ｎｍ；Ｈ線４０５ｎｍ；および／またはＩ線３４５ｎｍ。ＶＵＶは真空ＵＶ（すなわち、空気に吸収されるＵＶ）であり、約１００ｎｍ〜２００ｎｍの波長を指す。ＤＵＶは深ＵＶであり、リソグラフィにおいて１２６ｎｍ〜２４８ｎｍのようなエキシマレーザによって生成される波長に対して通常使用される。当業者は、例えば、５ｎｍ〜２０ｎｍの範囲内の波長を有する放射が、少なくとも一部が５ｎｍ〜２０ｎｍの範囲内にある特定の波長帯域を有する放射に関することを理解するであろう。
【００３７】
[0043]  図２は、放射システム４２、照明光学ユニット４４および投影システムＰＳを含む投影装置１をより詳細に示す。放射システム４２は、放電プラズマによって形成され得る放射源ＳＯを含む。ＥＵＶ放射は、電磁スペクトルのＥＵＶ範囲内の放射を放つために非常に高温のプラズマが生成される、例えば、Ｘｅガス、Ｌｉ蒸気あるいはＳｎ蒸気などのガスまたは蒸気によって生成され得る。非常に高温のプラズマは、少なくとも部分的にイオン化されたプラズマを、例えば、放電によって引き起こすことによって生成される。例えば、１０ＰａのＸｅ、Ｌｉ、Ｓｎ蒸気、あるいは任意の他の適したガスまたは蒸気の分圧が、放射の効率的な生成のために必要されることがある。一実施形態では、ＥＵＶ源としてＳｎ源が適用される。放射源ＳＯによって放たれる放射は、放射源チャンバ４７から、放射源チャンバ４７における開口部内またはその後方に位置付けされた汚染物質トラップ４９（汚染物質バリアまたはフォイルトラップとも呼ばれている）または任意選択のガスバリアを介してコレクタチャンバ４８へと進む。汚染物資トラップ４９は、チャネル構造を含んでもよい。汚染物質トラップ４９は、ガスバリア、またはガスバリアとチャネル構造との組み合わせも含んでもよい。本明細書においてさらに述べられる汚染物質トラップまたは汚染物質バリア４９は、当該技術分野において公知であるように、少なくともチャネル構造を含む。
【００３８】
[0044]  コレクタチャンバ４８は、かすめ入射コレクタによって形成され得る放射コレクタ５０を含む。放射コレクタ５０は、上流放射コレクタ側５０ａおよび下流放射コレクタ側５０ｂを有する。コレクタ５０を通った放射は、格子スペクトルフィルタ５１から反射してコレクタチャンバ４８内のアパーチャにおける仮想放射源ポイント５２に合焦することができる。放射ビーム５６は、コレクタチャンバ４８から、法線入射リフレクタ５３および５４を介してサポート（例えば、レチクルまたはマスクテーブル）ＭＴ上に位置付けされたパターニングデバイス（例えば、レチクルまたはマスク）へと照明光学ユニット４４内で反射する。パターン付けされたビーム５７が形成され、これは、投影システムＰＳにおいて反射エレメント５８および５９を介してウェーハステージまたは基板テーブルＷＴ上に結像される。照明光学ユニット４４および投影システムＰＳ内には、通常、図示されたものよりも多くのエレメントが存在し得る。格子スペクトルフィルタ５１は、リソグラフィ装置のタイプに依存し、任意的に存在してもよい。さらに、図示されているものより多くのミラーがあってもよく、例えば、５８および５９よりも１〜４個多くの反射エレメントが存在してもよい。放射コレクタ５０は、従来技術により公知である。
【００３９】
[0045]  集光ミラー５０としてのかすめ入射ミラーの代わりに、法線入射コレクタが適用されてもよい。リフレクタ１４２、１４３および１４６を有する入れ子化されたコレクタとして、本明細書中の一実施形態により詳細に説明され、かつ特に図２に概略的に示されている集光ミラー５０は、本明細書中、コレクタ（または集光ミラー）の一例としてさらに使用されている。したがって、適用可能な箇所においては、かすめ入射コレクタとしての集光ミラー５０は、一般的にコレクタとしても解釈されてもよく、特定の一実施形態では、法線入射コレクタとしても解釈されてもよい。
【００４０】
[0046]  さらに、図２に概略的に示されるような格子５１の代わりに、透過型光フィルタが適用されてもよい。ＥＵＶが透過し、かつＵＶ放射があまり透過せず、またはＵＶ放射を実質的に吸収までもする光フィルタは、当該技術分野では公知である。したがって、「格子スペクトル純度フィルタ」は、本明細書中、格子または透過型フィルタを含む「スペクトル純度フィルタ」としてさらに示される。図２の概略図には示されていないが、例えば集光ミラー５０の上流に構成されたＥＵＶ透過型光フィルタ、または照明ユニット４４および／または投影システムＰＳにおける光ＥＵＶ透過型フィルタが、任意選択の光エレメントとしても含まれてもよい。
【００４１】
[0047]  図２に示される全ての光エレメント（および本実施形態の概略図に示されていない光エレメント）は、例えば、Ｓｎなどの（例えば、放射源ＳＯによって生成される）汚染物質のデポジションを受けやすい。これは、放射コレクタ５０の場合に起こり、格子スペクトルフィルタ５１が存在する場合にも起こる。したがって、本発明の一実施形態のクリーニング方法は、それらの光エレメントに適用されてもよいが、法線入射リフレクタ５３および５４、ならびに反射エレメント５８および５９、または追加のミラー、格子等の他の光エレメントに適用されてもよい。一実施形態では、光エレメントは、集光ミラー５０、（放射源コレクタモジュールとしても知られている）放射システム４２、照明システムＩＬおよび（投影光ボックスＰＯＢとしても知られている）投影システムＰＳからなる群から選択される。一実施形態では、エレメントは、スペクトル純度フィルタ５１であってもよい。したがって、一実施形態では、光エレメントは、（法線入射コレクタまたはかすめ入射コレクタである）集光ミラー５０、（格子または透過型フィルタ）スペクトル純度フィルタ５１、放射システム（光）センサ（図示せず）のような放射システム４２に含まれ得る１つ以上の光エレメント、ミラー５３および５４（または、存在するならば、他のミラー）および照明システム（光）センサ（図示せず）のような照明システム４４に含まれる光エレメント、ミラー５８および５９（または、存在するならば、他のミラー）および投影システム（光）センサ（図示せず）のような投影システムＰＳに含まれる光エレメント、からなる群から選択される。さらなる別の実施形態では、エレメントは、（例えば、図１でマスクとして図示されている）パターニングデバイス（例えば、マスク）、より詳細には、反射多層マスクであってもよい。特定の実施形態では、「光エレメント」という用語は、汚染物質バリア４９をも含む。したがって、光エレメントという用語は、格子スペクトルフィルタ、透過型光フィルタ、多層ミラー、多層ミラー上のコーティングフィルタ、かすめ入射ミラー、（多層コレクタのような）法線入射ミラー、かすめ入射コレクタ、法線入射コレクタ、（ＥＵＶ感応性センサのような）（光）センサ、汚染物質バリア４９、およびパターニングデバイス（例えば、マスク）からなる群から選択される１つ以上のエレメントを指す。
【００４２】
[0048]  さらに、Ｓｎのような堆積物、または他の汚染物質などによって汚染されることがあるのは光エレメントだけではなく、壁面、ホルダ、サポーティングシステム、ガスロック、および汚染物質バリア４９などの構成要素をも含む。この堆積物は、光エレメントの光学特性に直接影響を与えることはないかもしれないが、リデポジションによって、この堆積物は光エレメント上に堆積（すなわち、再堆積）することがあり、それによって、光学特性に影響を与える。したがって、光エレメント上にデポジションされていない堆積物でさえも、リデポジションによって後の工程において光エレメントの表面の汚染へと繋がることがある。これは、反射、透過、均一性などの光学性能の低下へと繋がることがある。同様に、金属ハロゲン化物のハロゲン分子は、光エレメントの表面上で脱着または再吸着し得る。
【００４３】
[0049]  一実施形態では（上記参照）、放射コレクタ５０は、かすめ入射コレクタであってもよい。コレクタ５０は、光軸Ｏに沿って位置合わせされる。放射源ＳＯまたはその像は、光軸Ｏ上に配置される。放射コレクタ５０は、リフレクタ１４２、１４３および１４６（いくつかのＷｏｌｔｅｒ型リフレクタを含むＷｏｌｔｅｒ型リフレクタとしても知られている）を含んでもよい。それらはシェルとも呼ばれることがある。これらのリフレクタ（またはシェル）１４２、１４３、１４６は、入れ子化され、光軸Ｏの周りで回転対称であってもよい。図２では（および他の図においても）、内側リフレクタは参照番号１４２で示され、中間リフレクタは参照番号１４３で示され、かつ外側リフレクタは参照番号１４６で示されている。放射コレクタ５０は、ある容積、すなわち（１つまたは複数の）外側リフレクタ１４６内の容積を取り囲む。通常、（１つまたは複数の）外側リフレクタ１４６内のこの容積は、小さな開口部が存在することもできるが、円周方向で閉じている。全てのリフレクタ１４２、１４３および１４６が、１層の反射層または幾つかの反射層を少なくとも一部に含む表面を含む。したがって、リフレクタ１４２、１４３および１４６（より多くのリフレクタが存在することもあり、３つより多いリフレクタまたはシェルを有する放射コレクタ（集光ミラーとも呼ばれる）５０の実施形態が本明細書中に含まれる）は、少なくとも部分的に、放射源ＳＯからのＥＵＶ放射を反射および集光するように設計され、リフレクタの少なくとも一部は、ＥＵＶ放射を反射および集光するようには設計されないことがある。例えば、リフレクタの裏面の少なくとも一部は、ＥＵＶ放射を反射および集光するようには設計されない。後者の部分を裏面と呼ぶこともできる。これらの反射層の表面上には、さらに、保護のために、または反射層の表面の少なくとも一部の上に設けられる光フィルタとして、キャップ層が存在してもよい。
【００４４】
[0050]  放射コレクタ５０は、通常、放射源ＳＯまたは放射源ＳＯのイメージの近傍に配置される。各リフレクタ１４２、１４３および１４６は、少なくとも２つの隣接する反射面を含んでもよく、放射源ＳＯから離れたほうに位置する反射面は、放射源ＳＯに近いほうに位置する反射面よりも、光軸Ｏに対して小さな角度で配置される。このようにして、かすめ入射コレクタ５０は、光軸Ｏに沿って伝搬する（Ｅ）ＵＶ放射ビームを発生させるように構成される。少なくとも２つのリフレクタは、実質的に同軸に配置され、光軸Ｏの周りで実質的に回転対称に延在してもよい。放射コレクタ５０が、外側リフレクタ１４６の外面上にさらなるフィーチャ、または外側リフレクタ１４６の周りにさらなるフィーチャ、例えば保護ホルダやヒータなどを有することもあることを理解されたい。参照番号１８０は、２つのリフレクタの間、例えば、リフレクタ１４２と１４３との間の空間を示している。各リフレクタ１４２、１４３および１４６は、少なくとも２つの隣接する反射面を含んでもよく、放射源ＳＯから離れたほうに位置する反射面は、放射源ＳＯに近いほうに位置する反射面よりも、光軸Ｏに対して小さな角度で配置される。このようにして、かすめ入射コレクタ５０は、光軸Ｏに沿って伝搬する（Ｅ）ＵＶ放射ビームを発生させるように構成される。少なくとも２つのリフレクタは、実質的に同軸に配置され、光軸Ｏの周りで実質的に回転対称に延在してもよい。放射コレクタ５０が、外側リフレクタ１４６の外面上にさらなるフィーチャ、または外側リフレクタ１４６の周りにさらなるフィーチャ、例えば保護ホルダやヒータなどを有することもあることを理解されたい。
【００４５】
[0051]  使用中、外側１４６および内側１４２／１４３リフレクタの１つまたは複数の上に、堆積物が発見されることがある。放射コレクタ５０は、そのような堆積によって劣化し得る（例えば、放射源ＳＯからのイオン、電子、クラスター、小滴、電極腐食などのデブリによる劣化）。例えばＳｎ源によるＳｎの堆積物は、表面に設けられると、放射コレクタ５０または他の光エレメントの反射に有害であり、そのような光エレメントのクリーニングを必要とする場合がある。
【００４６】
[0052]  図３は、多数の実際の状況であり得るように、光軸Ｏが所定の角度のもとで水平面（例えば、接地）を交差する放射源コレクタモジュールの一実施形態を示す。汚染物質バリア４９は、上流汚染物質バリア側４９ａおよび下流汚染物資バリア側４９ｂを有するように示されている。この汚染物質バリア４９は、静的汚染物質バリアである。そのような静的汚染物質バリア４９は、本明細書において参考により援用される、例えば、ＵＳ６，３５９，９６９またはＵＳ１１／５２７，７２８（２００５年９月２７日付け出願）に記載されている。
【００４７】
[0053]  放射源コレクタモジュールは、追加の回転可能な汚染物質バリア２０２を含んでもよい。回転可能な汚染物質バリア２０２は、汚染物質バリア４９より上流（すなわち、放射源ＳＯにより近く）に配置される。回転可能な汚染物質バリア２０２は、モータ２０４によって光軸Ｏの周りで回転可能である。モータ２０４は、駆動シャフト２０６によって回転可能な汚染物質バリア２０２に連結される。モータ２０４は、汚染物質バリア４９における開口部６３内に部分的に配置され、放射コレクタ５０内に部分的に配置される。放射コレクタ５０は、例えば、複数のロッドを含むサポーティング構造２０５を用いて集光チャンバ４８によって支持されるように示されている。そのような回転可能な汚染物質バリア２０２は、本明細書において参考により援用される、例えば、ＵＳ２００６／０２１９９５８、ＵＳ特許出願番号第１１／２３５，５４７号（２００５年９月２７日付け出願）、またはＵＳ１１／５２７，７２８（２００５年９月２７日付け出願）に記載されている。
【００４８】
[0054]  一実施形態では、モータ２０４の下流には、放射源ＳＯによって生成される放射の遮断部分を出来る限り回避するために光軸Ｏに沿って延在する中空シャフト２０８が連結されている。中空シャフト２０８は、検出信号をセンサ（図示せず）等に入力および出力するためにエネルギーをモータ２０４に供給するように構成された複数のケーブル２１０を収容する。中空シャフト２０８は、放射源コレクタモジュールの内部へまたはそこから任意の所望のガスを供給または排出させるために構成された１つ以上のダクトを収容することもできる。ケーブル２１０は、スケーリングリング２１３を通って放射源コレクタモジュールの外部へと導かれる。なお、他の構成でも適用可能であることは当業者には明らかである。
【００４９】
[0055]  放射コレクタ５０のex situ、すなわち、集光チャンバ４８の外部においてクリーニングすることを望む場合、集光チャンバ４８から放射コレクタ５０を除去する必要がある。同様に、静的汚染物質バリア４９または（回転可能な汚染物質バリア２０２のような）リソグラフィ装置の他のエレメントをクリーニングすることを望む場合、静的汚染物質バリア４９および他のエレメントのそれぞれは、リソグラフィ装置から除去されなければならない。コレクタ５０または静的汚染物質バリア４９のようなエレメントは、とりわけリソグラフィ装置から除去されるように構成され、またはそのように設計された構造で構成され得るが、除去は従来のシステムまたはデバイスによって行われてもよい。
【００５０】
[0056]  そのため、本発明の一実施形態では、本明細書に記載されたようなクリーニング構成またはシステム５００およびクリーニングプロセスが提供される。図４は、クリーニング構成または（任意選択のエレメントを含む）システム５００を概略的に示し、一例として、クリーニングされるエレメント５１０は、静的汚染物質バリア４９である。しかしながら、回転可能な汚染物質２０２または集光ミラー５０のような他のエレメント５１０も図示している。エレメント５１０は、本実施形態において、参照番号５０２で示されるアルカリ洗浄液内に浸されている。アルカリ洗浄液５０２は、クリーニングリアクタ５０１に含まれる。このようにして、リソグラフィ装置のエレメント５１０は、ex situでクリーニングされ得る。特に、エレメント５１０をアルカリ洗浄液５０２内に（完全に）沈めることによってエレメント５１０をクリーニングすることができる。エレメント５１０は、格子スペクトルフィルタ、透過型光フィルタ、多層ミラー、かすめ入射コレクタ、法線入射コレクタ、センサ、光センサ、汚染物質バリア、パターニングデバイス（例えば、マスク）、および構成要素、特に、コレクタ５０または静的汚染物質バリア４９からなる群から選択されてもよい。堆積物は、例えば、洗浄液によって効果的に除去することができるスズ（Ｓｎ）を含む。洗浄液５０２のｐＨは、特に、約１４．５ｐＨのように約８〜１５ｐＨの範囲を有し、洗浄液５０２の温度は、特に、約０〜１２０℃の範囲を有する。洗浄液５０２を、当該技術分野において公知であるシステムまたはデバイスを用いて攪拌することができる。さらに、クリーニングを改善するために超音波が適用されてもよい。洗浄液５０２をバッチ式で更新することも、またはエレメント５１０のクリーニングプロセス中に連続的に更新することもできる。さらに、洗浄液５０２は、空気、酸素または別のガスと拡散され得る。洗浄液５０２を酸素と拡散させることによりＳｎの溶解プロセスを加速することができる。洗浄液は、好ましくは、ＮａＯＨ、ＫＯＨのような塩基、または他の塩基（または塩基の組み合わせ）を追加することによってアルカリ性になった水を含む。したがって、洗浄液は、アルカリ洗浄溶液であってもよい。
【００５１】
[0057]  洗浄液は、錯化剤、特に、Ｓｎイオンを錯体化させるために選択されたクリーニング剤をさらに含んでもよい。このようにして、Ｓｎの除去を向上させることができ、洗浄液５０２を、比較的高い濃度で飽和させることができる。一実施形態では、錯化剤は、グルコン酸ナトリウムまたはグルコン酸カリウムのようなグルコン酸塩を含むが、他の錯化剤が適用されてもよい。他の適した錯化剤は、クエン酸塩、酒石酸塩、酢酸塩、シュウ酸塩、マレイン酸塩、プロピオン酸塩、グリオキシル酸塩およびＥＤＴＡからなる群から選択されてもよい。グルコン酸塩とシュウ酸塩などのように、錯化剤の組み合わせが使用されてもよい。錯化剤の対イオン（すなわち、洗浄液５０２に追加する前）は、特に、ナトリウムおよびカリウムからなる群から選択される。
【００５２】
[0058]  特定の実施形態では、クリーニング構成またはシステム５００は、クリーニングされるエレメント５１０に対して電位を生成するように構成されたシステムまたはデバイスをさらに含んでもよい。例えば、クリーニング構成またはシステムは、基準、作用または補助電極５０４（さらに、洗浄液５０２内である）、とクリーニングされるエレメント５１０との間に電圧を印加するように構成された電圧源５０３をさらに含んでもよい。対向電極５０４は、好ましくは、「不活性」電極であり、すなわち、プロセスの状況下で実質的に不活性である。そのような不活性電極の一例としては、不動態化された金属電極、貴金属電極またはステンレス鋼電極が挙げられる。
【００５３】
[0059]  特定の実施形態では、クリーニングされるエレメント５１０に印加される電圧は、基準電極５１１に対して規定される。本明細書中に述べられる電圧は、Ａｇ／ＡｇＣｌ基準電極に対して印加される。他の基準電極が用いられてもよく、また電圧は相応じて適合され得ることは当業者に明らかである。基準電極５１１を用いて、電源の出力電圧は、エレメント５１０が基準電極５１１に対して規定された電位差を有するように調節される。この構成は、電力供給５０３（電圧源）によって供給される定電圧を有する単純な二電極構成の代わりに選択される。二電極構成では、スズ蓄積(build up)およびエレメント５１０表面上のスズ除去に起因する溶液の変化は、電気化学プロセスの変化、それによるスズ溶解（および静的汚染物質バリアのＭｏフォイルの場合のように、Ｍｏ表面が存在する場合のモリブデン保護）に至ることがある。三電極構成では、溶解速度（およびモリブデン保護または他の表面の保護、下記参照）をクリーニングプロセス中に維持することができる。
【００５４】
[0060]  クリーニングプロセスの特定の実施形態では、Ａｇ／ＡｇＣｌ基準電極５１１に対して約０Ｖ〜−１．２Ｖの範囲を有する電圧がエレメント５１０に印加される。さらなる別の実施形態では、電圧は約−０．６Ｖ〜−１．１Ｖの範囲、とりわけ−０．７Ｖ〜−１．０Ｖの範囲を有する。
【００５５】
[0061]  特に、静的汚染物質バリア４９のような汚染物質バリアの場合、Ｍｏ（ＮｉまたＲｕも）が保護される一方Ｓｎが溶解するというようなプロセスは、これら電圧では価値がある。より高い電圧はＭｏへの攻撃へと繋がることがあるのに対して、より低い電圧はプロセスを大幅に改善するようには見えず、溶解したスズがエレメント５１０の表面上に（再）堆積することがあるため、クリーニングプロセスを妨害する可能性すらあり得る。したがって、特定の実施形態では、Ｎｉ表面、Ｒｕ表面、Ｍｏ表面およびステンレス鋼表面（Ｒｕ表面およびＭｏ表面のような別の表面も含む）からなる群から選択される表面を有するクリーンエレメントにプロセスが適用される。上述したように、そのようなエレメント５１０は、一実施形態においてＲｕトップコーティングを有するＮｉシェルを有し得るコレクタ５０、あるいは、Ｍｏフォイルまたはシャッター、ホルダ等のステンレス鋼部分を有し得る静的フォイルトラップ４９または回転可能な汚染物質バリア２０２であってもよい。特に、Ｍｏ表面を有するエレメント５１０に対する適した電位の範囲は約−０．６〜−１．１Ｖの範囲であり、Ｒｕ表面を有するエレメント５１０に対する適した電位の範囲は約−０．２〜−１．０Ｖの範囲であり、Ｎｉ表面を有するエレメント５１０に対する適した電位の範囲は約０〜−１．０Ｖの範囲であり、ステンレス鋼表面を有するエレメント５１０に対する適した電位の範囲は約０〜−１．０Ｖの範囲である。「Ｍｏ表面」、「Ｒｕ表面」および「Ｎｉ表面」という用語は、表面層（トップコーティングのような）として金属層を有する表面を指すか、あるいは表面として金属を含む合金を有する表面または表面層として金属化合物を有する表面を指す。例えば、「Ｍｏ表面」という用語は、表面層としてＭｏ層、あるいはＭｏ合金またはＭｏ炭化物などを有するエレメント５１０の表面を指すこともできる。回転可能な汚染物質バリア２０２のような汚染物質バリアのための特定の表面材料は、本明細書において参考により援用される、ＵＳ２００６／０２１９９５８に記載されている。「Ｍｏ表面」、「Ｒｕ表面」および「Ｎｉ表面」という用語は、特に、表面層（トップコーティングのような）として金属層を有する表面を指す。
【００５６】
[0062]  当業者に明らかであるように、Ｓｎ源を放射源ＳＯと仮定した場合、上流に構成されたエレメント５１０の部分は、通常、下流に構成されたエレメント５１０の部分よりも多くのＳｎによって汚染される。例えば、静的汚染物質バリア４９は、上流側５０ａおよび下流側５０ｂを有する。同様に、コリメータ５０は、上流側５０ａおよび下流側５０ｂ等を有する。一般に、エレメント５１０の上流側により近い部分の汚染は、エレメント５１０の下流側により近い部分よりも多くのＳｎによって汚染される。したがって、エレメント５１０は、第２の部分より比較的多くの堆積物を含む第１の部分を有し得る。特定の実施形態では、図４において静的汚染物質バリア４９に対して概略的に示されるように、エレメント５１０に印加される電圧は、エレメント５１０にわたって勾配を有し、エレメント５１０は、第２の部分より大きな電圧を第１の部分で有するように構成されている。例えば、図４を参照すると、対向電極５０４により近い部分は、一般的により高い正電圧を有するのに対して、より遠い部分（電圧源５０３との接触に近い）は、一般的により低い負電圧を有する。したがって、一実施形態では、エレメント５１０は、クリーニング構成またはシステム５００において、より汚染された部分（第１の部分）があまり汚染されていない部分（第２の部分）より高い正電位を有するように構成されている。このようにして、クリーニングプロセスをさらに制御することができる。第１の部分での電圧は約０．６Ｖ〜０．９Ｖの範囲を有する。
【００５７】
[0063]  特定の実施形態では、クリーニング構成またはシステム５００は、例えば、データ線または無線のような信号キャリア５０７を介して電圧計５０６から入力信号を受信するように構成され、例えば、データ線または無線のような信号キャリア５０９を介して電圧源５０３を制御するように構成されたコントローラ５０８をさらに含む。このようにして、エレメント５１０に印加された電圧は、上記の規定範囲内で制御することができる。コントローラ５０８は、洗浄液５０２のガス拡散、洗浄液５０２の攪拌、洗浄液５０２のリフレッシュ、洗浄液５０２の温度制御、洗浄液５０２のｐＨ制御、洗浄液５０２内の錯化剤の濃度制御、クリーニングされるエレメント５１０の移動、除去および／または導入などからなる群から選択される１つ以上のプロセスおよびパラメータを制御するようにさらに構成されてもよい。
【００５８】
[0064]  一実施形態では、コントローラ５０８は、メモリを含むことができ、さらに、実行可能命令による、（ｉ）（１）１つ以上のセンサおよび（２）ユーザ入力デバイスからなる群から選択される１つ以上から１つ以上の入力信号を受信し、（ｉｉ）上記で規定されたプロセスおよびパラメータの１つ以上を制御するために１つ以上の出力信号をそれぞれ送信するように構成された入出力ユニットと、実行可能命令に基づいて１つ以上の入力信号を１つ以上の出力信号へと処理するように設計されたプロセッサとを含むことができる。センサは、洗浄液５０２の温度、洗浄液５０２のｐＨ、洗浄液５０２内の錯化剤の濃度、洗浄液５０２内またはクリーニング構成５００の他の箇所におけるエレメント５１０の位置、エレメント５１０の性質（例えば、反射率、ガス放出等）等からなる群から選択される１つ以上のパラメータを検出するように構成されてもよい。
【００５９】
[0065]  図５に示されるような本発明の特定の実施形態では、クリーニング構成またはシステム５００は、上述したように電圧を印加するように構成された任意選択のシステムまたはデバイスを含むクリーニングリアクタ５０１を含み、クリーニングプロセスの後にエレメント５１０を洗浄し、それによって、例えば、エレメント５１０から残りの洗浄液を除去するように構成された１つ以上の（ｎ；ｎは１または１よりも大きい自然数である）洗浄容器５２０、熱風送風器、ＩＲドライヤーなどの当該技術分野で知られている手段を用いてクリーニングされて任意選択として洗浄されたエレメント５１０を乾燥させるように構成されたドライヤー５３０、および任意選択として、リソグラフィ装置１に戻るエレメント５１０の適合性について測定（認定）するように構成された評価システム５４０をさらに含む。例えば、光エレメントの反射率を測定することはできるが、ガス放出なども評価システムにおいて測定することができる。評価システム５４０は、例えば、リソグラフィ装置１内の真空におけるクリーニングされたエレメントの適用に対しての適合性を認定するように構成された真空認定システムであってもよい。例えば、評価システムは、乾燥されたエレメントの測定を行い、エレメントが所定の仕様の範囲内にあるか否かを決定するように構成される。結果によっては、エレメント５１０は、前の処理段階へと再ルーティングされる場合もあり、これは参照番号５４１で示されており、あるいは、エレメント５１０はリソグラフィ装置へと移動されてもよく、これは参照番号５４２で示される。
【００６０】
[0066]  本発明の一実施形態（図示せず）では、本明細書中に説明されるようにリソグラフィ装置とクリーニング構成との組み合わせが提供される。組み合わせは、「リソグラフィシステム」と呼ぶことができる。
実施例
【００６１】
[0067]  実施例１：静的汚染物質バリア４９のクリーニング
【００６２】
[0068]  洗浄液は、各ＳＣＢクリーニング（静的汚染物質バリア４９クリーニング）用に新たに調製され、脱塩水中の１０〜２０ｇ／ｌの水酸化カリウム（ＫＯＨ）である。スズによる溶液の飽和を防ぐために、濃度は、好ましくは、約１０ｇ／ｌＫＯＨより高くなければならない。溶液飽和は、静的汚染物質バリア４９に影響を与えないかもしれないが、静的汚染物質バリア４９の不完全なクリーニングという結果を生じ得る。プロセス溶液のための動作パラメータは以下の通りである。室温：約２０〜３０℃、銀／塩化銀（Ａｇ／ＡｇＣｌ）基準電極（３Ｍ  ＫＣｌ）（標準Ａｇ／ＡｇＣｌ基準電極５１１）に対して約−１．０±０．１Ｖの電圧、連続的空気拡散：約１５〜２５（ｌ／分）、悪い再循環を介する溶液再循環による攪拌：約１５〜２０（ｌ／分）。図４に概略的に示されるいわゆる三電極構成において電圧が印加される。静的汚染物質バリア４９およびステンレス鋼板（対向電極５０４）は、電源５０３に接続されている。基準電極５１１を用いて、電源の出力電圧は、静的汚染物質バリア４９が基準電極５１１に対して規定された電位差を有するように調節される。この構成は、電力供給によって供給される定電圧を有する単純な二電極構成の代わりに選択される。二電極構成では、スズ蓄積(build up)およびスズ除去に起因する静的汚染物質バリア４９表面の構成変化は、電気化学プロセスの変化、それによるスズ溶解および（本実施形態では）モリブデン保護に至ることがある。三電極構成では、溶解速度およびモリブデン保護をクリーニングプロセス中に維持することができる。
【００６３】
[0069]  電圧を印加することが好ましい。電圧の印加がないと、１時間ごとに約５０〜１００ｎｍのオーダーにおいて静的汚染物質バリア４９上のモリブデンフォイルが攻撃されることがある。さらに、Ａｇ／ＡｇＣｌに対して約−０．６Ｖより高い正電圧も、モリブデンに対する攻撃および非常に低いスズ溶解速度へと至ることがある。Ａｇ／ＡｇＣｌに対して約−１．１Ｖより低い負電圧は、モリブデンに対して悪影響をもたらすものではないが、スズ溶解速度を減少することがある。これらの理由のため、約−１．０Ｖの約±１００ｍＶの電圧が好ましい。許容可能なスズ溶解速度を維持するために空気拡散および攪拌を適用することができる。空気拡散または攪拌がないと、スズ溶解速度が低くなることがある。空気拡散および攪拌の変化は、スズ溶解速度の変化に至ることがある。
【００６４】
[0070]  下記の表では、クリーニング速度および対応のクリーニング時間は、Ａｇ／ＡｇＣｌに対して約−１Ｖの電圧、およびそれより約１００ｍＶ低いまたは高い電圧に対して示されている。これらの値は、静的汚染物質バリア４９のサンプル上、スズめっきされたモリブデンフォイル上、およびラボ試験におけるスズフォイル上で測定されたものである。
【表１】
0004802281.tif 000002
【００６５】
[0071]  Ａｇ／ＡｇＣｌに対して−１Ｖの特定の電圧において表で見られるように、４００ｇ（３０μｍ）のスズを有する静的汚染物質バリア４９を、最大３６時間で完全にクリーニングすることができる。１００ｍＶの電圧の変化は、クリーニング時間を２倍にするか、または半分にする。しかしながら、クリーニング時間を減少させるために−１Ｖより高い正電圧を用いることは助言されていない。静的汚染物質バリア４９の形状により、電圧分布が各個別のフォイルにわたって生成されることを避けることはできない。平均印加電圧として、ステンレス鋼板に最も近いフォイルの部分は、より高い正電位を有し、ステンレス鋼板から最も離れている部分は、より低い負電位を有している（図４を参照）。結果的に、Ａｇ／ＡｇＣｌに対して−１Ｖより高い平均電圧を用いることは、約−０．５Ｖ上回った場合、ステンレス鋼板に最も近い部分におけるモリブデン攻撃へと繋がることがある。同様に、ステンレス鋼板から最も離れた部分では、スズ溶解は抑制されるであろう。電圧分布の利点は、スズ溶解速度がフォイルにわたって均一ではないことである。この電圧分布は、スズ厚さ分布と一致している。スズ溶解は、スズの厚さが最も厚い領域で最も速く、逆もまた同じである。電圧分布についてのラボ試験は、平均溶解速度と比較して２〜５倍のスズ溶解速度の上昇を達成することができることを示す。しかしながら、この効果の現実は、本物の静的汚染物質バリア４９をクリーニングすることから決定される必要がある。
【００６６】
[0072]  本実施例では、錯化剤は洗浄液に追加されなかった。
【００６７】
[0073]  実施例２：コレクタ５０のクリーニング
【００６８】
[0074]  コレクタ５０をクリーニングするための２つの溶液および３つのプロセスは、一例として、本明細書中に記載されている。プロセス１は、コレクタ５０を完全にクリーニングすることができるが、接着剤（bonding adhesive）の溶解もする。プロセス２および３では、スズを完全に溶解することはできないが、接着剤は少なくとも７２時間安定したまま残る。
【００６９】
[0075]  プロセス１：以下のプロセス溶液は、各コレクタクリーニング用に新たに調製された、脱塩水中の約８０／１２０ｇ／ｌの水酸化カリウム（ＫＯＨ）である。プロセス溶液のための動作パラメータは以下の通りである。室温：約２０〜３０℃、浴槽再循環：約５〜１０（ｌ／分）。
【００７０】
[0076]  プロセス２：以下のプロセス溶液は、各コレクタクリーニング用に脱塩水中に新たに調製された、約０．０５〜０．１５ｇ／ｌの水酸化カリウム（ＫＯＨ）および約１００〜１２０ｇ／ｌのグルコン酸ナトリウム（ＨＯＣＨ２（ＣＨ（ＯＨ））４ＣＯ２Ｎａ）である。プロセス溶液のための動作パラメータは以下の通りである。ｐＨ１２、室温：約２０〜３０℃、浴槽再循環：約５〜１０（ｌ／分）。
【００７１】
[0077]  プロセス３：プロセス３では、プロセス２と同じ溶液が使用される。約８〜１２時間のクリーニングの後、洗浄液は捨てられ、同じ組成の新しい溶液を用いてクリーニングが続けられる。動作条件はプロセス２と同じである。
【００７２】
[0078]  表２では、コレクタ５０クリーニングのための３つのプロセスに対してクリーニング時間が示されている。これらの値は、２．７ｎｍのスズがスパッタリングされたコレクタ５０サンプルから得られたものである。スズの厚さは、スズによるコレクタ５０表面の均一なカバレージを仮定してＸＲＦで分析されたものである。相対反射率は、測定されたスズの厚さに基づいた理論上の計算である。
【表２】
0004802281.tif 000003
【００７３】
[0079]  クリーニング速度は、時間にわたって一定ではないが、図６に示されるように、全てのプロセスに対して時間は減少する（三角：プロセス１、丸：プロセス２、四角：プロセス３）。プロセス１に対しては、時間にわたるスズの厚さの減少は、以下の三次多項式で表すことができる。
【数１】
0004802281.tif 000004
ここで、ｄ０はクリーニングの前の厚さ（２．７ｎｍ）であり、ｔはクリーニング時間であり、Ｔはスズ除去を完了するための時間（１２時間）である。この挙動は、コレクタ表面上にスズが半球体クラスターとして存在することを仮定して説明することができる。スズ溶解は、クラスターの半径を縮小し、それによってスズ面積はさらなる溶解のために利用できる。溶解速度が面積に従属するため、これは、コレクタ表面全体にわたって平均されたスズ溶解速度における減少を与える。
【００７４】
[0080]  プロセス２の溶解挙動は、上記の関係によっては説明することができない。まず、傾向としてはプロセス１と同様であり、５倍低い溶解速度を有する。約８時間後、スズ溶解速度は、約０．００５ｎｍ／１時間より低い速度に大きく低下する。スズ溶解におけるこの低下の原因は、完全には理解されていない。プロセス３に対するデータは、スズによる溶液の飽和に部分的に起因し得ることを示す。８および７２時間のクリーニングの後に新しい溶液を用いることは、４〜２４時間において追加のスズ溶解０．２〜０．５ｎｍを与える。
【００７５】
[0081]  本明細書において、ＩＣ製造におけるリソグラフィ装置の使用について具体的な言及がなされているが、本明細書記載のリソグラフィ装置が、集積光学システム、磁気ドメインメモリ用のガイダンスパターンおよび検出パターン、フラットパネルディスプレイ、液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）、薄膜磁気ヘッド等の製造といった他の用途を有し得ることが理解されるべきである。当業者にとっては当然のことであるが、そのような別の用途においては、本明細書で使用される「ウェーハ」または「ダイ」という用語はすべて、それぞれより一般的な「基板」または「ターゲット部分」という用語と同義であるとみなしてよい。本明細書に記載した基板は、露光の前後を問わず、例えば、トラック（通常、基板にレジスト層を塗布し、かつ露光されたレジストを現像するツール）、メトロロジーツール、および／またはインスペクションツールで処理されてもよい。適用可能な場合には、本明細書中の開示内容を上記のような基板プロセシングツールおよびその他の基板プロセシングツールに適用してもよい。さらに基板は、例えば、多層ＩＣを作るために複数回処理されてもよいので、本明細書で使用される基板という用語は、すでに多重処理層を包含している基板を表すものとしてもよい。
【００７６】
[0082]  光リソグラフィの関連での本発明の実施形態の使用について上述のとおり具体的な言及がなされたが、当然のことながら、本発明は、他の用途、例えば、インプリントリソグラフィに使われてもよく、さらに状況が許すのであれば、光リソグラフィに限定されることはない。インプリントリソグラフィにおいては、パターニングデバイス内のトポグラフィによって、基板上に創出されるパターンが定義される。パターニングデバイスのトポグラフィは、基板に供給されたレジスト層の中にプレス加工され、基板上では、電磁放射、熱、圧力、またはそれらの組合せによってレジストは硬化される。パターニングデバイスは、レジストが硬化した後、レジスト内にパターンを残してレジストの外へ移動される。
【００７７】
[0083]  以上、本発明の具体的な実施形態を説明してきたが、本発明は、上述以外の態様で実施できることが明らかである。例えば、本発明は、上記に開示した方法を表す１つ以上の機械読取可能命令のシーケンスを含むコンピュータプログラムの形態、またはこのようなコンピュータプログラムが記憶されたデータ記憶媒体（例えば、半導体メモリ、磁気ディスクまたは光ディスク）の形態であってもよい。このコンピュータプログラムは、堆積物除去を制御し、圧力を制御する等のために使用されてもよい。
【００７８】
[0084]  上記の説明は、制限ではなく例示を意図したものである。したがって、当業者には明らかなように、添付の特許請求の範囲を逸脱することなく本記載の発明に変更を加えてもよい。
【００７９】
[0085]  本発明は、実施形態で説明されたようなリソグラフィ装置の適用またはリソグラフィ装置における使用に限定されない。さらに、図面は、通常、本発明を理解するために必要であるエレメントおよび特徴のみを含む。そのうえ、リソグラフィ装置の図面は概略的であり、縮尺どおりではない。本発明は、概略図で示されるエレメントに限定されない（例えば、概略図で示されるミラーの数）。さらに、本発明は、図１および図２、または図３に示される特定の構成に関連して説明されるリソグラフィ装置に限定されない。放射コレクタに対して説明される本発明は、（他の）多層、かすめ入射ミラーまたは他の光エレメントに用いられてもよい。上述の実施形態を組み合わせてもよいことが理解されたい。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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