(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
アンカリングを破壊する閾値電界Ｅｃ以上の電界を印加することにより液晶をホメオトロピック状態とすることを含む双安定性のネマティック液晶マトリクス・スクリーン（５８）を備えるディスプレイ・デバイスであって、前記ディスプレイ・デバイスは、前記マトリクス・スクリーンの各画素に対する制御信号を生成しかつ印加するアドレス指定手段（５６）を含み、
前記制御信号は、０．１Ｖ／μｓから０．００５Ｖ／μｓの範囲にある勾配を呈する傾斜して立ち上がるエッジ（Ｆｍ）を有し、かつ前記立ち上がりエッジ（Ｆｍ）が３００μｓより長い持続期間τＲを呈することを特徴とするデバイス。
【請求項２】
ディスプレイ・デバイスが、前記双安定性に対応する２つの安定した状態を備え、前記２つの状態のうちの一方の状態は、前記液晶の分子が少なくとも実質的に互いに平行であって、均一またはわずかにねじれており、前記２つの状態のうちの他方の状態は、プラスまたはマイナス１８０°の程度のねじれだけ前記一方の状態と異なることを特徴とする請求項１に記載のデバイス。
【請求項３】
前記アドレス指定手段（５６）は、前記２つの状態のうちのいずれかの状態を選択するための２つの段階を含む信号を生成し、第１の段階が前記立ち上がりエッジを含む閾値電界Ｅｃ以上の電界を印加することにより液晶をホメオトロピック状態とする信号であり、第２の段階が前記２つの安定した状態のうち一方の状態又は他方の状態を選択する信号であることを特徴とする請求項２に記載のデバイス。
【請求項４】
前記２つの状態のうち一方の状態を選択する信号は、前記アドレス指定手段により生成された、前記選択段階の降下エッジにおける２つの連続する電圧レベルの低下が閾値△Ｖを超えない信号であり、前記２つの状態のうち他方の状態を選択する信号は、前記アドレス指定手段により生成された、前記選択段階の降下エッジにおける２つの連続する電圧レベルの低下が閾値△Ｖより大きな少なくとも１つの急な低下を含む信号であることを特徴とする請求項３に記載のデバイス。
【請求項５】
前記立ち上がりエッジ（Ｆｍ）が、３００μｓから２０ｍｓの持続期間τＲを呈することを特徴とする請求項１から４のいずれか一項に記載のデバイス。
【請求項６】
前記アドレス指定手段（５６）により生成された前記制御信号は、アンカリングを破壊する閾値電界Ｅｃ以上の電界を印加することにより液晶をホメオトロピック状態とする段階の終わりで傾斜する降下エッジ（Ｆｄ）も有することを特徴とする請求項１から５のいずれか一項に記載のデバイス。
【請求項７】
前記降下エッジ（Ｆｄ）の前記勾配は、前記立ち上がりエッジ（Ｆｍ）の前記勾配と同じ大きさであることを特徴とする請求項６に記載のデバイス。
【請求項８】
各画素は、導電状態と非導電状態との間で切り替えられることができるそれぞれのトランジスタによって制御されることを特徴とする請求項１から７のいずれか一項に記載のデバイス。
【請求項９】
前記デバイスは、行及び列のマトリクス状に複数の画素を備え、前記制御信号は、行信号と列信号の間の電圧差に対応し、前記行信号は複数の電圧レベルを有し、前記行信号の最終電圧レベルを印加し終えるのと同時に、前記列信号を印加し終え、前記列信号の持続時間は前記行信号の前記最終電圧レベルの持続時間より短いことを特徴とする請求項１から７のいずれか一項に記載のデバイス。
【請求項１０】
前記デバイスは、行及び列のマトリクス状に複数の画素を備え、前記制御信号は、行信号と列信号の間の電圧差に対応し、前記アドレス指定手段は、全ての行および列信号に共通電圧ＶＭを加えることを特徴とする請求項１から７、又は９のいずれか一項に記載のデバイス。
【請求項１１】
前記ディスプレイ・デバイスが前記双安定性に対応する２つの安定した状態を備え、
前記制御信号は、少なくとも第１のステップを含み、前記第１のステップの間に、前記制御信号は、少なくとも複数の画素を集合的に同一の状態に切り替え、前記第１のステップは、連続的に２つの段階として、前記立ち上がりエッジを含む閾値電界Ｅｃ以上の電界を印加することにより液晶をホメオトロピック状態とする信号である第１の段階と、前記同一の状態を選択するための第２の段階とを備え、
前記制御信号は、少なくとも第２のステップを含み、前記第２のステップの間に、ディスプレイ全体が、各画素を、２つの安定した状態のうちの一方の状態又は他方の状態から選択された安定状態に切り替えるために多重化された行毎のモードでアドレス指定され、前記多重化されたモードは、１つの行が選択され、その後、次の行が選択され最後の行まで選択され、各行が選択されるそれぞれの時において、選択された前記行内の全ての前記画素に前記制御信号が同時に印加される順次のアドレス指定モードを備えることを特徴とする請求項１乃至７、９又は１０のいずれか一項に記載のデバイス。
【請求項１２】
前記第１のステップの信号は、前記複数の画素を、前記液晶の分子が少なくとも実質的に互いに平行であって、均一またはわずかにねじれた状態と、プラスまたはマイナス１８０°の程度のねじれだけ異なる状態に切り替えることを特徴とする請求項１１に記載のデバイス。
【請求項１３】
前記第２のステップの信号は、所定の選択された画素を、前記液晶の分子が少なくとも実質的に互いに平行である均一な状態に切り替えることを特徴とする請求項１１から１２のいずれか一項に記載のデバイス。
【請求項１４】
前記第２のステップの信号は、傾斜して立ち上がるエッジを表すことを特徴とする請求項１１から１３のいずれか一項に記載のデバイス。
【請求項１５】
前記第１のステップの信号は、前記マトリクス・スクリーンの全ての画素に同時に印加されることを特徴とする請求項１１から１４のいずれか一項に記載のデバイス。
【請求項１６】
前記デバイスは、行及び列のマトリクス状に複数の画素を備え、前記制御信号は、行信号と列信号の間の電圧差に対応し、前記アドレス指定手段（５６）は、単一の方形波パルスの形態の列信号を生成することを特徴とする請求項１乃至７、又は９乃至１５のいずれか一項に記載のデバイス。
【請求項１７】
前記デバイスは、行及び列のマトリクスの形態における複数の画素を備え、前記制御信号は、前記行信号と前記列信号の間の電圧差に対応し、
前記アドレス指定手段（５６）は、２つの電圧ＶＬ（ｔ）または０Ｖから１つの電圧を切り替えて行信号を生成する複数のアナログ・スイッチ（Ｃｏ１からＣｏ４）と、３つの電圧＋Ｃ（ｔ）、−Ｃ（ｔ）、または０Ｖから１つの電圧を切り替えて列信号を生成する複数のアナログ・スイッチ（Ｃｏ５からＣｏ１０）とを備えることを特徴とする請求項１乃至７、又は９乃至１６のいずれか一項に記載のデバイス。
【請求項１８】
前記アドレス指定手段（５６）は、行の数の２倍に、列の数の３倍を加えた数に等しい数のアナログ・スイッチを備えることを特徴とする請求項１７に記載のデバイス。
【請求項１９】
前記アナログ・スイッチ（Ｃｏ１からＣｏ４）は、時間で変化するアナログ信号（ＶＬ（ｔ））が供給され、前記アナログ・スイッチ（Ｃｏ５からＣｏ１０）は、時間で変化するアナログ信号（＋Ｃ（ｔ）、及び−Ｃ（ｔ））が供給されることを特徴とする請求項１７または１８に記載のデバイス。
【請求項２０】
前記アドレス指定手段（５６）は、一定電圧（Ｖ１、Ｖ２）によって給電される前記アナログ・スイッチ（Ｃｏ１からＣｏ４）と、一定電圧（＋Ｃ、Ｖｏ＋Ｃ、−Ｃ、Ｖｏ−Ｃ）によって給電される前記アナログ・スイッチ（Ｃｏ５からＣｏ１０）とを含むことを特徴とする請求項１７又は１８のいずれか一項に記載のデバイス。
【請求項２１】
前記アドレス指定手段（５６）は、各行に関して、２つの相補的トランジスタ（６０、６２）を含む制御回路を備え、相補的トランジスタの主導電経路は、接地と、交互に電圧Ｖ１またはＶ２を受けることができる電源端子（６４）との間に直列に接続されることを特徴とする請求項１７に記載のデバイス。
【請求項２２】
電源端子（６４）は、正信号のための電圧Ｖ１およびＶ２と、負信号のための電圧０ＶおよびＶ１−Ｖ２を受けることを特徴とする請求項２１に記載のデバイス。
【請求項２３】
前記アドレス指定手段（５６）は、各列に関して、３つのトランジスタ（７０、７２、７８）を有する制御回路を備え、その２つのトランジスタ（７０、７２）は、交互に電圧＋ＣまたはＶ０＋Ｃを受けるのに適した電源端子（７４）と、交互に電圧−ＣまたはＶ０−Ｃを受けるのに適した電源端子（７６）との間に直列に接続された主導電経路を有し、第３のトランジスタ（７８）は、その主導電経路が、２つの前記トランジスタ（７０、７２）の共通点と、交互に電圧０ＶとＶ０を受けるのに適した電源端子（７９）との間に配置されることを特徴とする請求項１７に記載のデバイス。
【請求項２４】
アンカリングを破壊する閾値電界Ｅｃ以上の電界を印加することにより液晶をホメオトロピック状態とすることを含む双安定性のネマティック液晶マトリクス・スクリーンを電気的に制御する方法において、マトリクス・スクリーンに、０．１Ｖ／μｓから０．００５Ｖ／μｓの範囲にあり、持続時間が３００μｓより長い勾配を呈する傾斜して立ち上がるエッジを有する制御信号を生成しかつ印加することを含むことを特徴とする方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、液晶ディスプレイ・デバイスの分野に関し、より詳細には、本発明は、双安定性ネマティック・ディスプレイの切り替えを制御するためのデバイスおよび方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
本発明の目的
本発明の全般的な目的は、特許文献１に記載される双安定性ディスプレイ・デバイスを改善することである。それらのデバイスは、一般に「ＢｉＮｅｍ」デバイスと呼ばれる。
この用語は、本特許出願に関連して使用される。そのようなデバイスの構造は、以下により詳細に記載される。
【０００３】
使用される液晶の物理的な性質に応じて、ネマティック、コレステリック、スメクティック、強誘電などであるデバイス間で区別される。本発明が関連するネマティック・ディスプレイにおいて、アキラル（ａｃｈｉｒａｌ）である、または例えばカイラル・ドーパント（ｃｈｉｒａｌ  ｄｏｐａｎｔ）を添加することによってカイラルにされたネマティック結晶が使用される。このように、同時に均一または数ミクロンメートルより大きいカイラル・ピッチでわずかにねじれた状態が得られる。基板によって画定される表面近傍における液晶の方向付けおよびアンカリングは、前記基板に適用される配向処理または層によって自体が画定される。電界が存在しない場合、これは、均一またはわずかにねじれたネマティック組織を課す。
【０００４】
現在まで提案されかつ作られたほとんどのデバイスは、単安定性である。電界が存在しない場合、ただ１つの状態がデバイスにおいて表される。それは、全セル・エネルギーの絶対最小値に対応する。電界の下、組織は連続的に変形され、その光学特性は、印加される電圧の関数として変化する。電界がオフに切り替えられたとき、ネマティック液晶は、単一の単安定性の状態に再び戻る。そのようなシステムの中で、当業者は、ツイステッド・ネマティック（ＴＮ）、スーパー・ツイステッド・ネマティック（ＳＴＮ）、電気制御された複屈折（ＥＣＢ）ネマティック、垂直配向されたネマティック（ＶＡＮ）、面内スイッチング（ＩＰＳ）ネマティックなどの広く知られている動作モードを認めるであろう。
【０００５】
ネマティック・ディスプレイの他のクラスは、双安定性、複数安定性、または準安定性であるネマティック・ディスプレイのクラスである。そのような状況の下で、電界が存在しない状態で安定または準安定である少なくとも２つの異なる状態は、セル内に表されることができる。２つの状態間の切り替えは、適切な電気信号を印加することによって実施される。いったん画像が書き込まれると、画像は、双安定性のために電界が存在しない状態で記憶されたままである。双安定性ディスプレイのこのメモリは、多数の適用において非常に魅力的である。第１に、画像が遅いレート（すなわち、画像が変更されるべきときだけ）でリフレッシュされることを可能にし、携帯可能な機器におけるエネルギー消費の低減に関して非常に好ましい。第２に、メモリは、列の数とは無関係である画像品質を有して、非常に高い比で多重化が実行されることを可能にする。
【０００６】
いわゆる「ＢｉＮｅｍ」双安定性スクリーンの説明（図１）
新規な双安定性ディスプレイが、特許文献１に記載され、かつＢｉＮｅｍディスプレイと呼ばれる。
【０００７】
そのディスプレイは、図１に概略的に示される。
【０００８】
それは、少なくとも一方が透明である２つのプレートまたは基板２０、３０間に配置された、カイラルにされたまたはコレステリックのネマティック液晶層１０によって構成される。それぞれ基板２０、３０上に配置された電極２２、３２は、それらの間にあるカイラルにされたネマティック液晶１０に電気制御信号を印加するように作用する。電極２２、３２は、所望の方向に液晶分子１０を向けるように作用するアンカリング層２４、３４を担持する。マスタ・プレート上で、分子アンカリング２４は強くかつわずかに傾斜される。スレーブ・プレート３０上で、アンカリングは弱くかつ平らである。これら表面２２、３２上での分子１０のアンカリング２４、３４は、単安定性である。
【０００９】
デバイスは、光学システムも有する。
【００１０】
より正確には、図１の左側および右側は、概略的に２つ状態を示し、各状態は安定し、液晶の分子によって占められることができ、一方、図１の中央は、強い電界の下で安定であるが電界が無ければ不安定である壊れた状態を示す。この状態は、ディスプレイを制御するプロセスの間に、液晶分子によって一時的に占められる。
【００１１】
液晶は、印加される電界が無ければ安定である図１の左および右にそれぞれ示される２つの状態を有し、これらの状態は、ねじれ（Ｔ）かつわずかにねじれまたは均一（Ｕ）である。マスタ・プレート２０上およびスレーブ・プレート３０上でのアンカリング方向間の角度は、小さくまたはゼロである。２つの状態は、約１８０°の絶対値を有するねじれだけ異なり、ネマティックの自発ピッチｐ０は、セルの厚みｄの４倍に近くなるように選択される（ｐ０≒４ｄ）ので、状態ＵおよびＴのエネルギーは本質的に等しい。電界が印加されなければ、より低いエネルギーの他の状態は存在せず、ＵおよびＴは、正に双安定性である。
【００１２】
ＢｉＮｅｍ構造の利点は、ＵおよびＴ状態の両方において、分子は、（平らな）プレートにほぼ平行であり、したがって任意の補償フィルムなしで良好な視角を得ることを可能にすることである。反射構成におけるＢｉＮｅｍディスプレイの光学性能は、例えば特許文献２に記載される。
【００１３】
ＢｉＮｅｍ組織間の切り替え方法
２つの双安定性の状態ＵおよびＴは、トポロジ的に異なる。連続して体積を変形することによって、一方の状態から他方の状態へ変換することはできない。したがって、Ｕ状態からＴ状態への変換またはその逆の変換は、強い外部電界によってまたは転移（ｄｉｓｉｎｃｌｉｎａｔｉｏｎ）のラインを移動することによって、表面へのアンカリングが壊される必要がある。この第２の現象は、第１の現象よりかなり遅くかつ無視されることができるので、以下に詳細には記載されない。
【００１４】
アンカリングを破壊するために、即ち、アンカリングを破壊する閾値電界Ｅｃ以上の電界を印加することにより液晶をホメオトロピック状態とするために、閾値電界Ｅｃ以上の電界を印加する必要がある。この電界は、図１に概略的に示されるように、表面近傍における液晶の再方向付けが、ホメオトロピック（ｈｏｍｅｏｔｒｏｐｉｃ）である組織に達することを可能にするのに十分に長い時間の長さにわたって印加されるべきである。この最短時間は、印加される電界強度、および液晶ならびに配向層の物理特性にも応じる。アンカリングを破壊する閾値電界Ｅｃ以上の電界を印加することにより液晶をホメオトロピック状態とする電圧Ｖｃは、Ｖｃ＝Ｅｃ・ｄとして定義され、ここで、ｄは、液晶セルの厚みである。ＢｉＮｅｍのための典型的なＶｃの値は、１６ボルト（Ｖ）である。
【００１５】
アンカリングは、分子が前記表面の近傍のプレートに対して垂直であり、かつ表面によって分子に及ぼされる戻りトルクがゼロであるときに、「壊された」と呼ばれる。これらの条件が満足されたとき、壊された表面３４の近傍のネマティック分子は、電界がオフに切り替えられると不安定な平衡の状態であり、それら分子は、それらの最初の方向付けに戻ることができるか、またはそれら分子は、１８０°のねじれだけ初期の状態とは異なる新たな状態を生じるように、反対方向に戻ることができる。
【００１６】
最終的な状態は、特に信号がゼロに戻される途中の印加される電気信号の波形によって決定される。パルスの電圧における連続する降下は、図１の左に概略的に示されるＵ状態を生じ、一方、電界における急な降下は、図１の右に概略的に示されるようなＴ状態を促進する。切り替えをこの方法で実行されることを可能にする物理的な機構は、例えば特許文献１に記載されている。
【００１７】
実際の実施
一般に、ＢｉＮｅｍタイプの液晶画素の切り替えは、２つの段階（アンカリングを破壊する閾値電界Ｅｃ以上の電界を印加することにより液晶をホメオトロピック状態とする第１の段階、および状態を選択する第２の段階）で実行される。
【００１８】
第１の段階：アンカリングを破壊する閾値電界Ｅｃ以上の電界を印加することにより液晶をホメオトロピック状態とする段階であり、Ｃで参照される。
【００１９】
Ｃ段階は、スレーブ・プレート３０に、アンカリングを破壊する閾値電界Ｅｃ以上の電界を印加することにより液晶をホメオトロピック状態とするために適している電気信号を印加することからなる。一般に、Ｃ段階が短くなると、印加される信号に必要なピーク強度がより大きくなる。
【００２０】
所定の強度および持続期間に関して、この信号の波形の詳細（勾配、中間レベル、など）は、アンカリングが実際に壊されるなら、以下の段階が行われる途中で決定する作用を有さない。
【００２１】
第２の段階：選択段階であり、Ｓで参照される。
【００２２】
Ｓ段階の間に印加される電圧は、２つの双安定性の状態ＵまたはＴの一方または他方を選択することを可能しなければならない。上述の作用を考慮すれば、それは、一方の状態または他方の状態への変換を決定する、各画素の端子に印加される電気パルスの降下する波形である。
【００２３】
Ｔ状態への変換を得るために、
・段階Ｃ：アンカリングを破壊する閾値電界Ｅｃ以上の電界を印加することにより液晶をホメオトロピック状態とする
アンカリングを破壊する閾値電界Ｅｃ以上の電界を印加することにより液晶をホメオトロピック状態とする段階Ｃの間、スレーブ・プレート３０に、アンカリングを破壊する閾値電界Ｅｃ以上の電界を印加することにより液晶をホメオトロピック状態とする電界より大きい電界を加えるパルスを印加し、かつ図１の中央に示されるように、画素における分子が上昇される必要がある長さの時間を待機する必要がある。この電界は、液晶層１０の弾性および電気特性と、電界がセルのスレーブ・プレート３０上に付着されたアンカリング層３４と相互作用する方法とに応じる。それは、マイクロメータ当たり約１０ボルトまで、数ボルトの範囲にわたって変化する。分子の持ち上げ時間は、回転粘度γに比例し、かつ使用される材料１０の誘電異方性に反比例し、また印加される電界の二乗に反比例する。実際、この時間は、マイクロメータ当たり約２０ボルトの電界に関して数マイクロ秒に下げられることができる。
・段階Ｓ：状態を選択する
その後、それは、数マイクロ秒または多くとも数十マイクロ秒で制御電圧における急な降下を確立することによって、電界を急速に降下させることに十分である。ΔＶ以上である強度を介する電圧におけるこの急な降下は、液晶における十分な強度の流体力学効果を生じることができるようなものである。状態Ｔを生成するために、この降下ΔＶは、必ず印加される電圧を、アンカリングを破壊する閾値電界Ｅｃ以上の電界を印加することにより液晶をホメオトロピック状態とする電圧Ｖｃより大きな値から前記電圧より低い値にさせなければならない。
【００２４】
状態Ｔへ変換するために適した信号の例は、強度Ｐ１＞ＶｃおよびＰ１≧ΔＶの方形波タイプの信号である。その持続期間は、状態Ｔを選択するように作用するＰ１≧ΔＶでＰ１から０への降下する状態で（例えば図２）、アンカリングを破壊する閾値電界Ｅｃ以上の電界を印加することにより液晶をホメオトロピック状態とするのに十分でなければならない。
【００２５】
状態Ｔへ変換するための他の信号の例は、２つのレベルを有する信号であり、信号は、持続期間τ１でありかつＰ１＞Ｖｃの場合に強度Ｐ１のアンカリングを破壊する閾値電界Ｅｃ以上の電界を印加することにより液晶をホメオトロピック状態とするための第１のシーケンスに続き、Ｐ２≧ΔＶおよびＰ２＞Ｖｃ、またはＰ１−Ｐ２≧ΔＶおよびＰ２＜Ｖｃのいずれかであるように、持続期間τ２であり強度Ｐ２の選択目的の第２のシーケンスを含む。降下のために印加された電界が必要とする時間は、その持続期間の１０分の１より短く、または長いパルス（１ミリ秒（ｍｓ）より長いパルス）のために３０マイクロ秒（μｓ）より短くなければならない。
【００２６】
Ｕ状態への変換を得るために、
・段階Ｃ：アンカリングを破壊する閾値電界Ｅｃ以上の電界を印加することにより液晶をホメオトロピック状態とする
アンカリングを破壊する閾値電界Ｅｃ以上の電界を印加することにより液晶をホメオトロピック状態とする段階Ｃの間、Ｔ状態に書き込む上述の状態におけるように、分子を持ち上げるために十分である長さの時間にわたって、スレーブ・プレート３０に、アンカリングを破壊する閾値電界Ｅｃ以上の電界を印加することにより液晶をホメオトロピック状態とする電界より大きい電界を印加する必要がある。
・段階Ｓ：状態を選択する
その後、印加される電圧を遅く降下させることが適切である。特許文献１は、そのような「遅い降下」を達成する２つの方法を提案する。信号が、パルスの持続期間の３倍より長い降下時間（図３）を有する傾斜の持続期間τ２が続く、持続期間τ１でありかつ強度Ｐ１のパルスであるか、または階段降下が課される。
【００２７】
状態Ｕへ変換するための信号の例は、２つのレベルを有する信号であり、持続期間τ１でありかつ強度Ｐ１（Ｐ１＞Ｖｃ）の第１のシーケンスに続き、Ｐ２＜ΔＶおよびＰ１−Ｐ２＜ΔＶであるように、持続期間τ２であり強度Ｐ２の選択目的の第２のシーケンスを含む。２つのレベルを有する階段降下は、デジタル電子装置を使用して実施がより容易である。それにもかかわらず、２個より多いいくつか数のレベルを介する降下を考案することも全く可能である。
【００２８】
したがって、Ｕ状態またはＴ状態のいずれかを得ることは、画素の端子に２つのレベルを有する簡単な信号を印加することだけによって可能である。第１のレベル（Ｐ１、τ１）は、アンカリングを破壊する閾値電界Ｅｃ以上の電界を印加することにより液晶をホメオトロピック状態とする段階に対応し、一方、第２のレベル（Ｐ２、τ２）は、Ｐ２の値を決定することによって状態が選択されることを可能にする。この信号は、図４に示されている。値Ｐ２Ｔは、（所定のＰ１に関する）Ｔへの変換を可能にするＰ２の値に対応し、一方、値Ｐ２Ｕは、（所定のＰ１に関する）Ｕ状態への変換を可能にするＰ２の値に対応する。
【００２９】
典型的な値は、Ｐ１＝２０Ｖ、Ｐ２Ｕ＝７Ｖから９Ｖ、およびτ１＝τ２＝１ｍｓに関してΔＶ＝９Ｖから１３Ｖである。
【００３０】
多重化によるＢｉＮｅｍのアドレス指定
一般的な多重化
中間解像度のマトリクス・スクリーンに関して、当業者は、各画素にそれぞれ独立した制御電極を接続が存在することには疑問の余地が無いことを知っている。なぜならそれは、画素毎に１つの接続を必要とするからであり、スクリーンが複雑になると技術的に不可能である。通常の液晶技術での場合のように、使用される電気光学効果が線形では無いときに、多重化技術を使用することによって接続の数を低減することが可能である。画素は、それぞれｍ個の画素のｎ個のグループとしてマトリクス・システムで編成される。例えば、マトリクス・スクリーンのためのｎ個の行およびｍ個の列が存在するか、またはデジタル・ディスプレイのためにｎ個のデジットおよびｍ個のデジットが存在する。通常の場合のように、順次のアドレス指定モードで、１つの行が同時に選択され、その後、次の行が選択されなど、最後の行まで選択される。毎回、ある行が選択され、列信号が、行における全ての画素に同時に加えられる。この方法は、１つの行をアドレス指定するために必要な時間に、行の数のｎ倍した時間に等しい時間間隔において、全ての画像をアドレス指定されることを可能にする。この方法を用いて、ｍ＋ｎ個の接続は、ｍ×ｎ個の画素のスクリーンをアドレス指定するのに十分である。ここで、ｍは、考慮しているマトリクスにおける列の数である。そのような多重化されたマトリクス・スクリーンは、図５に示される。
【００３１】
任意の１つの画素によって見られる電気信号は、それらの交差に画素を有する、行に印加される信号と列に印加される信号との間の差異である。
【００３２】
図５で示される原理に基づくスクリーンは、「パッシブ」スクリーンであると呼ばれる。行電極は、行における全ての画素に共通であり、列電極は、列における全ての画素に共通である。
【００３３】
導電電極は、透明でなければならない。全ての製造業者によって使用される材料は、インジウムがドープされた酸化すず（ＩＴＯ）である。
【００３４】
ＢｉＮｅｍに加えられる多重化
多重化されるために、画素信号は、全ての画素に共通である行信号と、その符号に応じて、Ｕ状態またはＴ状態のいずれかを得るように作用する列信号とに再分割される必要がある。図６は、適切な画素信号が実施されることを可能にする例示的な行および列信号を示す。
【００３５】
行信号（図６ａ）は、２つのレベルを含む。第１のレベルは、時間τ１に関する電圧Ａ１を与え、一方、第２のレベルは、時間τ２に関する電圧Ａ２を与える。列信号（Ｕ状態への変換に関する図６ｂ、およびＴ状態への変換に関する図６）は、強度Ｃであり、かつ時間期間τ２の間だけに印加され、画素をクリアする（すなわち、Ｕ状態を得る）ことが望まれるか、または画素を書き込む（すなわち、Ｔ状態を得る）ことが望まれるかに応じて、正または負のいずれかである。時間τ３は、２つの行パルス間に及ぶ。図６ｄおよび図６ｅは、それぞれクリアされる（Ｕ状態への変換）画素の端子、および書き込まれる（Ｔ状態への変換）画素の端子に印加される信号を示す。
【００３６】
これらの信号は、以下の条件を満足しなければならない。
Ａ１＝Ｐ１、Ａ２−Ｃ＝Ｐ２Ｕ、Ａ２＋Ｃ＝Ｐ２Ｔ。
【００３７】
上記数値例を使用して、１つの可能な解は以下の通りである。
τ１＝τ２＝１ｍｓで、Ｐ２Ｕ＝８ＶかつＰ２Ｔ＝１３Ｖであるなら、Ａ１＝２０Ｖ、Ａ２＝１０．５Ｖ、Ｃ＝２．５Ｖである。
【００３８】
そのような信号は、非常に単純であり、かつ全てのそれらのパラメータが、スクリーンの特徴に調整されることを容易にする。
【００３９】
画素信号の降下するエッジの波形に基づく切り替えの原理は、ＢｉＮｅｍに特定的である。
【００４０】
液晶材料が直流（ＤＣ）電圧を受けたときに、所定の液晶材料が被る電気分解による劣化の問題を解決するために、ゼロまたはほぼゼロの平均値を有する信号を、画素に加えることがしばしば有利である。図６の理論的な信号をゼロの平均値を有する対称の信号に変換するために技術は、特許文献３に記載される。
【００４１】
列信号の持続期間の低減
ＢｉＮｅｍをアドレス指定する間に干渉信号を低減するために、特許文献３は、行アドレス指定信号における第２のレベルの持続期間より短い持続期間に、列信号の持続期間を低減することを推奨する。この低減は、その波形への修正に関連付けられることもできる。強度Ｃ’の方形波形信号である、列信号の持続期間を低減することによって得られる信号の一例は、図７に概略的に示される。最大強度Ｃ”の傾斜形状波形を有する、列信号の持続期間を低減することによって得られる信号の一例は、図８に概略的に示される。強度Ｃ１およびＣ２の階段波形を有する、列信号の持続期間を低減することによって得られる信号の一例は、図９に概略的に示される。
【特許文献１】米国特許第６３２７０１７号
【特許文献２】Ｃ．Ｊｏｕｂｅｒｔ、ｐｒｏｃｅｅｄｉｎｇｓ  ＳＩＤ  ２００２、頁３０−３３
【特許文献３】仏国特許第０２０１４４８号
【特許文献４】仏国特許第０２０４９４０号
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００４２】
本発明の目的は、従来技術を改善するための新規な手段を提案することである。
【課題を解決するための手段】
【００４３】
本発明に関連して、この目的は、アンカリングを破壊する閾値電界Ｅｃ以上の電界を印加することにより液晶をホメオトロピック状態とすることを含む双安定性のネマティック液晶マトリクス・スクリーンを備えるディスプレイ・デバイスによって達成され、ディスプレイ・デバイスは、マトリクス・スクリーンの各画素に対する制御信号を生成しかつ印加するのに適したアドレス指定手段を含み、制御信号は、マイクロ秒当たり（Ｖ／μｓ）０．５Ｖから０．０００１Ｖ／μｓの範囲にある勾配を呈する傾斜して立ち上がるエッジを有することを特徴とする。
【００４４】
特に多重化モードおよび同時モードで使用可能である、従来の鋭く立ち上がるエッジを置き換える傾斜を有するそのようなアドレス指定信号の利点は、以下に記載される。
【００４５】
本発明に関連して、用語「マトリクス」スクリーンは、行および列の画素の通常の配置だけに限定されるように考えられるべきである。それは、ｍ個の関連する素子のｎ個のグループ、例えばそれぞれｍ個の素子からなるｎデジットの形態での、画素の任意の配置を包含する。
【００４６】
本発明は、アンカリングを破壊する閾値電界Ｅｃ以上の電界を印加することにより液晶をホメオトロピック状態とすることを含む双安定性のネマティック液晶マトリクス・スクリーンを電気的に制御する方法も提供し、その方法は、マトリクス・スクリーンに、傾斜して立ち上がるエッジを有するアドレス指定および制御信号を生成しかつ印加することを含むことを特徴とする。
【００４７】
本発明の有利な特徴によれば、本発明のスクリーンは、２つの状態を使用し、一方の状態は、分子が互いに少なくとも実質的に平行である均一であるまたはわずかにねじれたものであり、他方の状態は、プラスまたはマイナス１８０°程度のねじれにだけ第１の状態とは異なる。
【００４８】
本発明の他の特徴、目的、および利点は、非限定的な例として与えられる添付の図面を参照して行われる以下の詳細な記載を読むと明らかになろう。
【００４９】
多数の変形形態が、本発明に関連して想定されることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００５０】
本発明の変形形態１
本発明による第１の変形形態の記載が最初に続き、記載は、添付の図１０、図１１、および図１２を参照する。
【００５１】
図１０から図１２において分かるように、本発明に関連して、アンカリングを破壊する閾値電界Ｅｃ以上の電界を印加することにより液晶をホメオトロピック状態とするものである（段階Ｃ）信号の立ち上がりエッジＦｍは、傾斜の形態である。この傾斜の持続期間は、τＲと書かれる。
【００５２】
本発明の第１の変形形態における画素の端子へ印加のための制御信号の例が、Ｕ状態への変換に関して図１０に示され、かつＴ状態への変換に関して図１１に示される。
【００５３】
図１０ａは、Ｕ変換に関して図３の信号を再生し、かつ本発明の変形形態１を含む。この例において、信号の降下エッジは、直線的な傾斜によって作られる。
【００５４】
図１０ｂは、Ｕ変換に関して図６ｄの信号を再生し、かつ本発明の変形形態１を含む。
この例において、信号の降下エッジは、単一の中間レベルを有する階段状の信号によって作られる。
【００５５】
図１０ｃは、Ｕ変換に関して図７ｂの信号を再生し、かつ本発明の変形形態１を含む。
この例において、信号の降下エッジは、２つの連続するレベルを有する階段状の信号によって作られる。
【００５６】
図１０ｄは、Ｕ変換に関して図８ｄの信号を再生し、かつ本発明の変形形態１を含む。
この例において、信号の降下エッジは、降下する傾斜が続き、次に急激な降下エッジが続く中間レベルを有する信号によって作られる。
【００５７】
図１０ｅは、Ｕ変換に関して図９ｄの信号を再生し、かつ本発明の変形形態１を含む。
この例において、信号の降下エッジは、３つの連続するレベルを有する階段状の信号によって作られる。
【００５８】
図１０に示される各信号に関して、２つの連続する降下するエッジのレベル間の低下は、限界閾値ΔＶを超えてはならない。
【００５９】
図１１ａは、Ｔ変換に関して図２の信号を再生し、かつ本発明の変形形態１を含む。この例において、信号の降下エッジは、急激なエッジによって作られる。
【００６０】
図１１ｂは、Ｔ変換に関して図６ｅの信号を再生し、かつ本発明の変形形態１を含む。
この例において、信号の降下エッジは、単一の中間レベルを含む階段状の信号によって作られる。
【００６１】
図１１ｃは、Ｔ変換に関して図７ｅの信号を再生し、かつ本発明の変形形態１を含む。
この例において、信号の降下エッジは、２つの連続するレベルを含む階段状の信号によって作られ、これらのレベルの第２のレベルは、第１のレベルより強度が大きい。
【００６２】
図１１ｄは、Ｔ変換に関して図８ｅの信号を再生し、かつ本発明の変形形態１を含む。
この例において、信号の降下エッジは、それ自体急激な降下エッジが続く、立ち上がり傾斜が続く中間レベルを含む信号によって作られる。
【００６３】
図１１ｅは、Ｔ変換に関して図９ｅの信号を再生し、かつ本発明の変形形態１を含む。
この例において、信号の降下エッジは、後続のレベルへ各レベルから増大する強度の３つの連続するレベルを含む階段状の信号によって作られる。
【００６４】
図１１に示される各信号に関して、降下するエッジは、限界閾値ΔＶより大きい少なくとも１つの急激な低下を含む。
【００６５】
より一般的には、ＢｉＮｅｍが多重化モードであるとき、本発明の変形形態１は、アンカリングを破壊する閾値電界Ｅｃ以上の電界を印加することにより液晶をホメオトロピック状態とする信号における従来の急な立ち上がりエッジを、持続期間τＲの傾斜する信号に置き換えることからなる。
【００６６】
対応する行信号は、図１２に概略的に図示される。それは、傾斜して立ち上がるエッジと、単一の中間レベルを有する階段状の降下するエッジとを有する。行信号は、ただ単一のレベル、すなわちＡ１＝Ａ２を十分に同様に有する。
【００６７】
第１のレベルが「同時である」（以下参照）であると呼ばれる２つレベルのモードにおいて、図１２の行信号は、標準の多重化モードの場合のように、一度に行毎の代わりに、複数の行に同時に印加されることができる。
【００６８】
多重化モードにおいて、関連する列信号は、Ｕ変換に関して、図７ｂ（単一の正の方形波パルス）、図８ｂ（傾斜して立ち上がるエッジおよび急に降下するエッジを有する正の信号）、または図９ｂ（２つのレベルを有する正の方形パルス、第２のレベルは、第１のレベルより大きな強度である）に示されるようなものであり、およびＴ変換に関して、図７ｃ（単一の負の方形波パルス）、図８ｃ（傾斜して立ち上がるエッジおよび急に降下するエッジを有する負の信号）、または図９ｃ（２つのレベルを有する負の方形パルス、第２のレベルは、第１のレベルより大きな強度である）に示されるようなものである。
【００６９】
本発明の変形形態２
本発明による第２の変形形態の記載が続き、記載は、添付の図１３、図１４、および図１５を参照する。
【００７０】
図１３から図１５において、傾斜波形を呈する、アンカリングを破壊する閾値電界Ｅｃ以上の電界を印加することにより液晶をホメオトロピック状態とするものである（段階Ｃ）信号の同じ立ち上がりエッジＦｍが見られることができる。この傾斜の持続期間は、τＲと書かれる。
【００７１】
本発明の第２の変形形態は、ＢｉＮｅｍの多重化されたアドレス指定モードから始めて記載されることができる。本発明のこの第２の変形形態は、レベルＡ１とＡ２との間の行信号の従来の急な降下するエッジを、持続期間τＲ’の傾斜の形態における降下エッジＦｄに置き換えることを推奨する。
【００７２】
上述の変形形態１（傾斜する立ち上がりエッジ）に重ねられる本発明の変形形態２における行信号は、図１３に概略的に示される。この信号は、アンカリングを破壊する閾値電界Ｅｃ以上の電界を印加することにより液晶をホメオトロピック状態とするためのレベルが続く傾斜する立ち上がりエッジと、レベルが続く傾斜する降下エッジと、選択する目的のための急激な低下とを含む。
【００７３】
第１のレベルが同時である（以下参照）であると呼ばれる２つレベルのモードにおいて、図１３の行信号は、標準の多重化モードの場合のように、一度に行毎の代わりに、複数の行に同時に印加されることができる。
【００７４】
多重化モードにおいて、関連する列信号は、Ｕ変換に関して、図７ｂ（単一の正の方形波パルス）、図７ｂ（傾斜して立ち上がるエッジおよび急に降下するエッジを有する正の信号）、または図９ｂ（２つのレベルを有する正のパルス、第２のレベルは、第１のレベルより大きな強度である）に示されるようなものであり、およびＴ変換に関して、図７ｃ（単一の負の方形波パルス）、図８ｃ（傾斜して立ち上がるエッジおよび急に降下するエッジを有する負の信号）、または図９ｃ（２つのレベルを有する負のパルス、第２のレベルは、第１のレベルより大きな強度である）に示されるようなものである。
【００７５】
図１４は、Ｕ変換に関する変形形態１に重ねられる変形形態２における画素信号を示す。
【００７６】
図１４ａは、図１０ｂの信号を再生し、かつ変形形態２を重ねる。
【００７７】
図１４ｂは、図１０ｃの信号を再生し、かつ変形形態２を重ねる。
【００７８】
図１４ｃは、図１０ｄの信号を再生し、かつ変形形態２を重ねる。
【００７９】
図１４ｄは、図１０ｅの信号を再生し、かつ変形形態２を重ねる。
【００８０】
この場合も、図１４に示される各信号に関して、降下エッジにおける２つの連続するレベル間の低下は、限界閾値ΔＶを超えてはならない。
【００８１】
図１５は、Ｔ変換に関する変形形態１に重ねられる変形形態２における画素信号の例を示す。
【００８２】
図１５ａは、図１１ｂの信号を再生し、かつ変形形態２を重ねる。
【００８３】
図１５ｂは、図１１ｃの信号を再生し、かつ変形形態２を重ねる。
【００８４】
図１５ｃは、図１１ｄの信号を再生し、かつ変形形態２を重ねる。
【００８５】
図１５ｄは、図１１ｅの信号を再生し、かつ変形形態２を重ねる。
【００８６】
この場合も、図１５に示される各信号に関して、降下エッジは、限界閾値ΔＶを超える強度の少なくとも１つの急激な低下を含む。
【００８７】
他の列信号
図７ｃ、図８ｃ、および図９ｃに示される列信号に加えて、図１６に示されるような列信号は、本発明の両方の変形形態における多重化モードで使用されることができる。この列信号は、傾斜する立ち上がりエッジ、および急な降下エッジによって終了するレベルを有する持続期間τＣのパルスを含む。
【００８８】
図１２に示されるような行信号とともに本発明の変形形態１に加えられるような、列信号に関するこの波形に対応する画素信号は、Ｕ変換に関して図１７ａに示され、Ｔ変換に関して図１７ｂに示される。
【００８９】
図１７ａに示される信号は、傾斜する立ち上がりエッジ、アンカリングを破壊する閾値電界Ｅｃ以上の電界を印加することにより液晶をホメオトロピック状態とするためのレベル、急激な降下エッジ・セグメント、レベル・セグメント、傾斜する降下エッジ・セグメント、他のレベル・セグメント、および最終的な急激な降下エッジを有する。
【００９０】
図１７ａに示される信号の降下エッジにおける２つの連続するレベル間の低下は、限界閾値ΔＶを超えてはならない。
【００９１】
図１７ｂに示される信号は、傾斜する立ち上がりエッジ、アンカリングを破壊する閾値電界Ｅｃ以上の電界を印加することにより液晶をホメオトロピック状態とするためのレベル、急激な降下エッジ・セグメント、レベル・セグメント、傾斜する降下エッジ・セグメント、および最終的な急激な降下エッジを有する。
【００９２】
図１７ｂに示される信号における降下エッジは、限界閾値ΔＶより大きい強度の少なくとも１つの急激な低下（好ましくは最後の降下エッジ）を含む。
【００９３】
勾配Ｆｍの数値に関する関心の範囲
従来のＢｉＮｅｍのアドレス指定において、パルスは、１ミリ秒から数ミリ秒までの程度の持続期間を有して通常使用されることを想起されたい。アンカリングが壊される画素への印加に関する電圧Ｐ１の強度は、１．５マイクロメートル（μｍ）から２μｍの厚みを有するセルに関して１０Ｖから３０Ｖの程度である。
【００９４】
本発明に関連して、アドレス指定パルスの持続期間を過剰に延長することなく、以下に記載される利点を提供する立ち上がりエッジＦｍに関する傾斜の範囲は、０．５Ｖ／μｓから０．０００１Ｖ／μｓであり、好ましくは０．１Ｖ／μｓから０．００５Ｖ／μｓであり、すなわち、２０Ｖの電圧Ｐ１に関して、４０μｓから２００ｍｓの持続期間τＲであり、好ましくは２００μｓから４ｍｓである。この持続期間τＲは、好ましくは３００μｓより長い。降エッジの傾斜Ｆｄ（変形形態２）に関して、強度の程度は同一である。
【００９５】
多重化のオプション：ゼロの平均値を得る
直流電圧を受けて電気分解によって所定の液晶材料が劣化する危険性を考慮するために、ゼロの平均値を有する信号を画素に印加することが有利である。
【００９６】
第１のオプションは、互いに続く反対極性の信号を使用することである（特許文献３に記載される）。このオプション１を使用する本発明の変形形態１の行信号の一例は、図１８に示される。当然、相補的であるように選択され、かつ上述の波形の１つを有するように選択される列信号は、同様に行信号のように交互に反対極性を有さなければならない。
【００９７】
第２のオプション（また特許文献３に記載される）は、各画像に関する信号（行および列）の符号を反転する。図１９は、対称の結果を達成するためのこの第２のオプションに対応する変形形態１による行信号を示す。
【００９８】
上記例における行信号を供給する回路は、対称の信号を供給する必要のために、２Ａ１の全体の偏位を与える±Ａ１の電圧を供給する必要がある。行回路のかなりの単純化は、その最大偏位が２Ａ１より小さい値に低減されるなら、達成されることができる。これを行うために、行信号の動作中間点ＶＭ、および第２の極性の間に同期して対応する列信号の動作中間点ＶＭを変更することで十分である。したがって開始点が図１８に示されるようであれば、この考えは、行信号および列信号を対称にする段階の間に全ての行信号および列信号に共通電圧ＶＭを加えることであり、ここでＶＭの値は、２つの対称的な段階の間で変化する。この第３のオプションは、また特許文献３に記載され、かつ本発明の変形形態１の信号への前のオプションと同じ方法で適用される。
【００９９】
図２０は、例として、Ｕ変換のための方形タイプの列信号（図７ｂ）とともに、本発明の変形形態１に適用されるとき、電圧ＶＭを使用して得られる行回路の電圧偏位の低減を示す（図２０ａは、行信号を示し、図２０ｂは、列信号を示し、かつ図２０ｃは、結果としての画素信号を示す）。図２０ｃに示される画素信号は、図１０ｃに示される上述の信号すなわちＶＭで得られるような信号と比較して、変更されないままである。
【０１００】
信号ＶＭは、対称化の第１の段階の間にＶＭ１に等しく、かつ信号ＶＭは、対称化の第２の段階の間にＶＭ２に等しい。
【０１０１】
変形形態において、時間間隔が、対称化の２つの段階の間に追加されることができる。
【０１０２】
当然、変形形態１と組み合わせて適用される本発明の変形形態２は、ゼロ平均値を得る目的のために様々な対称化操作と両立する。
【０１０３】
多重化オプション：行アドレス指定パルス間の時間の重なりを有するアドレス指定
特許文献４は、行パルス間の時間の重なりを有するＢｉＮｅｍスクリーンのためのアドレス指定モードを記載する。関連する信号（例えば、２レベルの信号）は、まだアンカリングを破壊する閾値電界Ｅｃ以上の電界を印加することにより液晶をホメオトロピック状態とする段階および選択段階を備え、その全体の持続期間はτＬである。
【０１０４】
後続の行信号Ｌ２は、従来のように先行する行信号Ｌ１の始まりから持続期間τＬだけもはやオフセットされないが、より短い持続期間τＤだけオフセットし、
τＣ≦τＤ≦τＬであり、ここでτＣは、列信号の持続期間である。
【０１０５】
画像が表示されることができる速度を主に増加することを目的としたこのアドレス指定の方法は、ＢｉＮｅｍに特定的であり、切り替えは、画素信号の降下エッジの波形にだけ応じる。
【０１０６】
特許文献４に記載される時間の重なりを有するアドレス指定は、本発明の変形形態１および２で説明される信号と両立する。図２１は、例えば方形波形状の列信号、および同時にアドレス指定される３つの連続する行を有する、本発明の変形形態１に適用されるアドレス指定のこのモードの例を示す。図２１の第１の４つの行は、スクリーンの４つの連続する行に印加される行信号を示し、図２１における第５の行は、対応する列信号を示す。
【０１０７】
当然、上述された任意の列信号波形が使用されることができる。
【０１０８】
アドレス指定のこのモードは、ゼロ平均値を得るように対称化方法と組み合わされることもできる。
【０１０９】
アドレス指定のこのモードは、アドレス指定の画素パルスの持続期間は、１ｍｓから数ｍｓの範囲にある「従来の」持続期間より一般に長い。したがって、より浅い傾斜は、この例において許容されることができる。長いアドレス指定パルスの例における傾斜の一般的な値は、２０ｍｓの持続期間τＲを与える０．００１Ｖ／μｓである。
【０１１０】
本発明の利点
本発明の主な利点は、以下に説明されるように、引き出される電流Ｉｉｎｓを制限し、一方、アンカリングを破壊する閾値電界Ｅｃ以上の電界を印加することにより液晶をホメオトロピック状態とする信号において上昇する間に画素をアドレス指定することにある。
【０１１１】
到達されるべき画素端子間の、アンカリングを破壊する閾値電界Ｅｃ以上の電界を印加することにより液晶をホメオトロピック状態とするための電圧の強度は、Ｖ０と記載される（図２および図３においてＰ１として呼ばれ、かつ図６から図９に示されるように多重化された信号に関してはＡ１として呼ばれる）。
【０１１２】
一例として、単一の画素ディスプレイは、容量Ｃｐおよび直列抵抗Ｒｐ（ＩＴＯ電極のため）を有していると考えられる。この画素は、図２２に示されるように、相補型の金属シリコン上の酸化物（ＣＭＯＳ）スイッチ、および電圧Ｖ０の定電圧源を有するドライバ回路によって制御されると仮定される。
【０１１３】
制御信号の周波数は、ｆと記載される。双安定性の液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）に関して、この周波数は、スクリーン上に表示されるデータを更新することが望ましい周波数と理論的に等しい。しかしながら、スクリーンをアドレス指定するために必要な時間、より詳細には行パルスの持続期間に関連する以下の計算において、長い時間は、液晶電気分解の問題のために考慮されるべきではない。計算の目的のために、１０ヘルツ（Ｈｚ）の周波数が選択される。
【０１１４】
図２２に示されるタイプの回路を用いて、明らかの方法で、電圧源Ｖ０によって供給される画素当たりの平均電力消費Ｐｍｅａｎおよび平均電流Ｉｍｅａｎは、以下のように与えられる。
【数１】
0004802090.tif 000002
【０１１５】
画素の端子に印加される矩形信号および傾斜する信号にために、電圧源Ｖ０によって供給される最大瞬間電流を与えるための計算が続く。
【０１１６】
従来の矩形信号のための最大瞬間電流
従来の矩形制御パルスに応答する画素のための瞬間充電電流が決定される。図２３に与えられる等価回路は、ゼロの立ち上がり時間および強度Ｖ０を有する矩形の印加される信号Ｖ（ｔ）のためのものである。
【０１１７】
パルスの印加後、瞬間ｔで画素を通って流れる電流は、指数的に減少する。
【数２】
0004802090.tif 000003
【０１１８】
最大電流は、ｔ＝０で生じかつＶ０／Ｒｐに等しい。充電パルスは、短くほぼ３ＲｐＣｐに等しい持続期間を有する。これらの信号は、図２４に示される。
【０１１９】
この計算は、印加される矩形信号の傾斜の持続期間が、画素の時定数、すなわちＲｐＣｐより非常に短いなら正しい。
【０１２０】
信号が、本発明による浅い傾斜を有するときの最大瞬間電流
この例において、最大強度Ｖ０でτＲに等しい立ち上がり時間を有する浅い傾斜を有するパルスである。
【０１２１】
パルスの開始時から（ｔ＜τＲ）瞬間ｔで画素を通って流れる電流は、以下の形態（図２５参照）である。
【数３】
0004802090.tif 000004
【０１２２】
瞬間電流は、ｔ＝τＲで最大値であり、Ｖ０Ｃｐ／τＲにほぼ等しい。
【０１２３】
この電流ピークの持続期間は、ほぼτＲに等しい。
【０１２４】
この計算は、傾斜の持続期間τＲが、画素の時定数ＲｐＣｐより約３倍大きいならまだ正しいままである。
【０１２５】
２つの例間の比較
【数４】
0004802090.tif 000005
であれば、以下が適用される。
【０１２６】
Ｉｍｅａｎ＝ｆＣｐＶ０
Ｉｉｎｓ（ｓｑｕａｒｅ）＝Ｖ０／Ｒｐ
【数５】
0004802090.tif 000006
【０１２７】
ＢｉＮｅｍタイプの双安定性画素の例とともに様々な数値な適用が続き、
Ｒｐ＝１０００Ω
ここで、Ｃｐ／単位面積＝１５平方センチメートル当たりナノファラッド（ｎＦ／ｃｍ２）
ｆ＝１０Ｈｚ、
τＲ＝４００μｓ
例１：容量Ｃｐ＝１５ｎＦ、すなわちＲｐＣｐ＝１５μｓであると仮定して、面積＝１ｃｍ２の単一の直接アドレス指定される画素。したがって、
τＲ≫ＲｐＣｐ：４００μｓ≫１５μｓ
【数６】
0004802090.tif 000007
【０１２８】
例２：多重化モードのＢｉＮｅｍディスプレイにおける行
行寸法：２ｍｍ×２０ｍｍ、すなわち４０ｍｍ２＝０．４ｃｍ２の面積。
【０１２９】
Ｃｐ＝６ｎＦ、
ＲｐＣｐ＝６μｓ
以下を仮定する。τＲ≫ＲｐＣｐ：４００μｓ≫６μｓ
【数７】
0004802090.tif 000008
【０１３０】
したがって、従来の矩形信号から、４００μｓ持続期間の傾斜を呈する本発明による信号への変更は、２０倍以上に瞬間最大電流を低減することが分かり得る。より一般的には、改善は、傾斜の持続期間τＲに比例する。
【０１３１】
消費を減少する他の利点は、トランジスタに必要なサイズを減少すること、したがってアドレス指定する電子装置の価格が低減されることができることを意味する、行および列電圧切り替えを実行するために必要なシリコンの面積を減少することである。
【０１３２】
本発明の第１の実施形態
本発明の変形形態１を使用するシステムの記載が続く。記載される例は、図２６に示される種類のバッテリまたは任意の他のエネルギー蓄積構成部品を有さない無線スマート・カードのためのＢｉＮｅｍタイプのディスプレイを使用する、ディスプレイ・モジュールを含む。このデバイスにおいて、エネルギーは、誘導ループ５０および電源回路５２によって供給される（断続的に）。この回路は、マイクロコントローラ５４、ドライバ回路５６、およびＢｉＮｅｍディスプレイ５８に接続される。
【０１３３】
ループ５０が、エミッタ・デバイスに近接して配置されるとき、ループ５０は、電源回路５２を給電し、電源回路５２は、マイクロコントローラ５４およびドライバ回路５６に安定化された直流電圧を供給する。ループ５０が給電される限り、コントローラ５４は、ドライバ回路５６を介して双安定性ディスプレイを更新することができる。これら動作に消費される電力は、ループ５０を介して伝達されるエネルギーの量は、数ミリワット（ｍＷ）程度の電源に制限されるので、小さいままでなければならない。
【０１３４】
時間の残りで、システムは給電されない。ＢｉＮｅｍディスプレイ５８から読み取られることができる情報は、したがって、最新の更新の結果である情報である。
【０１３５】
全ての状況下で、電源回路は、最大瞬間電流ＩＭＡＸを供給し、その値より上で、指定された公称電圧をもはや維持できない。ドライバ回路５６によって消費される電流が、少しの間でも許容可能な最大値を超えるなら、電圧低下が生じ（図２７参照）、倫理回路またはマイクロコントローラ５４が適切に動作することは、もはや保証されない。その後一般的なシステム障害が生じることがある。
【０１３６】
従来のＢｉＮｅｍディスプレイは、初期的に矩形である信号で動作する。それが消費する最大瞬間電力は、高いことがある。
【０１３７】
上述された最大瞬間電力の計算は、以下を与える。
【０１３８】
Ｉｉｎｓ（ｓｑｕａｒｅ）＝Ｖ０／Ｒｐ
したがってＶ０＝２０Ｖ、およびＲｐ＝１０００Ω（上記数値例）で、  Ｉｉｎｓ＝２０ｍＡ
一方、平均電流Ｉｍｅａｎは、
Ｉｍｅａｎ＝ｆＣｐＶ０＝０．００３ｍＡ  Ｃｐ＝１５ｎＦに関して
電源が供給できなければならない最大瞬間電流Ｉｉｎｓは、画素が、主に制御信号の切り替えの間に充電および放電するので、Ｉｍｅａｎより非常に大きい。従来の矩形制御信号を用いて、電流は、全てのときにゼロまたはほぼゼロであるが、電圧を切り替えるとき毎に著しいピークを呈する。
【０１３９】
電流消費ピークの間、必要な電力が、エネルギー源から利用可能な瞬間電力を超えることができることは明らかである。
【０１４０】
数値的に作用する例
一般に、上述された誘導ループ５０で利用可能な出力は、２０ｍＷの程度である。
【０１４１】
方形波タイプの信号のための最大瞬間電力は、
Ｐ（ｉｎｓ  ｍａｘ，ｓｑｕａｒｅ）＝Ｒｐ・Ｉｉｎｓ（ｓｑｕａｒｅ）２＝４００ｍＷである。
【０１４２】
標準の誘導ループは、そのようなレベルの瞬間電力を供給できないことは明らかである。
【０１４３】
一般に、この困難性は、電源回路５２にエネルギー蓄積構成部品（コンデンサ、インダクタ、または蓄積バッテリ）を追加することによって解決される。この構成部品は、回路が、その消費のピークの間に必要とするエネルギーを蓄積する。
【０１４４】
しかしながら、非常に薄い最大厚みに従わなければならないスマート・カードへの適用において、小型化の制約は、非常に厳しくエネルギー蓄積構成部品を追加することができない。または、シリコン上のモノリシック集積回路に必要な容量を集積することができない（経済的に言って不合理である数十平方ミリメートル（ｍｍ２）のシリコンを充てることが必要である）。
【０１４５】
本発明は、ディスプレイの瞬間電力要件が低減されることを可能にすることによって、この問題に対する解決方法を提供することを求める。
【０１４６】
数値的に作用する例
τＲ＝２．５ｍｓを仮定する。
【０１４７】
そのような傾斜を処理する本発明による信号のための最大瞬間電力は、以下によって与えられる。
【数８】
0004802090.tif 000009
【０１４８】
この電力は、誘導ループ５０によって供給される。
【０１４９】
本発明で記載される信号を生成すること
記載を簡略化するために、記載される例は、２つの列Ｃ１およびＣ２によって掛けられる２つの行Ｌ１およびＬ２を備える（多重化されるモードにおいてアドレス指定可能である４つの画素を与える）、ＢｉＮｅｍディスプレイ・マトリクス５８に接続されるドライバ回路５６に関連する。これは、図２８に示される。
【０１５０】
正の単一極性の多重化スキームが、行Ｌ１およびＬ２に使用され、かつ双極性スキーマが、ＶＭが一定である列Ｃ１およびＣ２に使用される（図２９に示される）ことが仮定される。図２９に示される信号とともにこの多重化スキーマは、固定概念に関する任意の選択に対応し、上述される他の変形形態は、提案された実施の性質を変更することなく使用されることができる。図２９に概略的に示されるように、示される信号は、行Ｌ１と列Ｃ１との交差でのＵ状態に対応し、かつディスプレイの行と列との他の交差でのＴ状態に対応することが理解されるべきである。
【０１５１】
制御回路５６は、次に図３０に示されるような、１０個のアナログ・スイッチＣｏ１からＣｏ１０によって構成されることができる（より一般的には、スイッチの数は、行の数の２倍に、列の数の３倍を加えたものである）。
【０１５２】
・各列信号は、スイッチＣｏ１からＣｏ４によって２つの電圧ＶＬ（ｔ）または０Ｖの１つを切り替えることによって得られる。
【０１５３】
・各列制御信号は、スイッチＣｏ５からＣｏ１０を介して３つの電圧＋Ｃ（ｔ）、−Ｃ（ｔ）、または０Ｖの１つを切り替えることによって得られる。
【０１５４】
この例において、図３１に示されるように、時間で変わるアナログ信号ＶＬ（ｔ）、＋Ｃ（ｔ）、および−Ｃ（ｔ）を提供することが必要である。これらのアナログ信号は、当然、多重化段階と同期される。
【０１５５】
アナログ・スイッチＣｏは、トランジスタを使用して作られることができることが知られている。液晶ディスプレイのためのドライバ回路５６は、従来、ＭＯＳ技術またはトランジスタのためのそのような技術の変形形態を使用し、そのトランジスタは、それらが切り替えることができる最大電圧によって特徴付けられる。
【０１５６】
それにもかかわらず、これに関連して、ドライバ回路５６は、ランプ信号ＶＬ（ｔ）およびＣ（ｔ）が切り替え段階による使用のために生成されることを可能にするデバイスを含まなければならないことが理解されるべきである。
【０１５７】
この困難性は、第２の実施を使用することによって、複雑性、したがってシリコンの表面積、またはドライバ回路の製造コストを低減するように回避されることができる。
【０１５８】
この第２の実施において、ドライバ回路５６は、切り替え段階Ｃｏを供給するためだけに定電圧を生成する回路を含む。
【０１５９】
この実施は、ランプを生成するためのトランジスタの特徴を利用する。トランジスタは、通常、オン／オフ・スイッチとして「デジタル」電子回路設計者によって使用される。
制御電極は、絶縁体を構成する電圧から、トランジスタが抵抗器のように伝導する電圧まで急激に変化する。それにもかかわらず、これら２つの電圧間は、トランジスタが、その端子に印加される電圧の広い範囲にわたって定電流ｉを通す制御電圧のための中間電圧が存在する。トランジスタが、コンデンサの容量Ｃと直列に生成器に接続されるなら、コンデンサの端子両端間の電圧は、以下の傾斜を有するランプであり、
【数９】
0004802090.tif 000010
【０１６０】
ここで、ランプは、キャパシタが、生成器の電圧まで充電されるときに終端する。
【０１６１】
この原理に基づく行回路が図３２に示される。その行回路は、２つのＭＯＳトランジスタ６０および６２だけを備える。これらの２つのトランジスタ６０、６２の主要な導電経路は、接地と、電圧Ｖ１またはＶ２のいずれかを受けることができる電源供給端子６４との間に直列に接続される。これら２つのトランジスタの制御電極は、共通に接続される。
行電極に接続されるこの回路からの出力は、トランジスタ６０および６２のドレイン／ソース共通点から取られる。トランジスタ６０は、電源端子に接続される。トランジスタ６２は、グランドに接続される。
【０１６２】
図３３は、この回路に関連する信号を示す。より詳細には、図３３ａは、トランジスタ６０および６２の制御電極に印加される制御信号を示し、図３３ｂは、トランジスタ６０および６２の共通ドレイン／ソース端子から取られる結果としての行信号を示し、図３３ｃは、均一な状態を得るためにディスプレイに印加される共通信号を示し、かつ図３３ｄは、ねじれた状態を得るためにディスプレイに印加される共通信号を示す。
【０１６３】
本質的に、図３３ａに示される制御信号は、両方のトランジスタ６０および６２がオフされる（行電圧がゼロである）間の第１の状態Ｅ１、トランジスタ６０が導電である（電圧Ｖ１に到達するように次第に増大する行電圧）第２の状態Ｅ２、両方のトランジスタ６０および６２がオフされる（行電圧が値Ｖ１のままである）間の第３の状態Ｅ３、トランジスタ６２が導電である（電圧Ｖ２に到達するように次第に低減する行電圧）第４の状態Ｅ４、トランジスタ６０が導電である（行電圧がＶ２で維持される）第５の状態Ｅ５、トランジスタ６２が導電である（行電圧がゼロに低下する）第６の状態Ｅ６、およびトランジスタ６０および６２がオフである（行電圧がゼロに維持される）第７の状態Ｅ７を含む。
【０１６４】
立ち上がりランプ（状態Ｅ２）およびレベルＶ１（状態Ｅ３）の間に、電源は電圧Ｖ１を供給する。第１の降下ランプ（状態Ｅ４）の間、電源は、Ｖ１からＶ２へ切り替わる必要がある。それは、状態Ｅ５に対応するレベルの間に、Ｖ２にとどまる。電源は、次にゼロに戻る。
【０１６５】
第２の状態（状態Ｅ５）の無い変形形態は、動作が、定電源電圧Ｖ１を使用することによって単純化されることが可能である。
【０１６６】
ランプの傾斜は、トランジスタ６０および６２の制御電極の電圧を調整することによって調整可能である。
【０１６７】
この回路は、信号の極性は、画素の端子の両端間がゼロである平均電圧値を得るように、１つの画像から他の画像へ変更されることを可能にする。制御信号および電源電圧だけが、適合される必要がある。電源電圧は、正の信号に関して０、Ｖ１、およびＶ２であり、負の信号に関して０．Ｖ１−Ｖ２、およびＶ１である。
【０１６８】
両方のトランジスタ６０および６２は、行信号の終わりに降下する間の大きな電流、およびランプの間の消散する電力を受けることができるように寸法設定される必要がある。
正の信号のために、大きな電流は、トランジスタ６２を通過し、信号が負であるときに後続の画像のために、それはトランジスタ６０を通過する。それにもかかわらず、これらの大きな電流は、デバイスの電源で引かれないことが理解されるべきである。これらの電流は、画素放電によって構成される容量のためである。
【０１６９】
この原理に基づく列回路は、図３４に示される。それは、３つのＭＯＳトランジスタ７０、７２、および７８を有する。
【０１７０】
トランジスタ６０および６２と比較できる方法で、２つのトランジスタ７０および７２の主要な導電経路は、電圧＋Ｃまたは電圧Ｖ０＋Ｃのいずれかを受けることに適する電源供給端子７４と、電圧−Ｃまたは電圧Ｖ０−Ｃのいずれかを受けることに適する電源供給端子７６との間に直列に接続される。トランジスタ７０および７２の制御電極は、共通に接続される。共通電極に接続される回路からの出力は、２つの相補的なトランジスタ７０および７２の相互接続されたソースから取られる。トランジスタ７０は、電源端子７４に隣接する。トランジスタ７２は、電源端子７６に隣接する。
【０１７１】
トランジスタ７８の主要な導電経路は、回路の出力（トランジスタ７０および７２のソースを構成する共通の点）と、電圧０およびＶ０の一方または他方を受けることができる電源端子との間に接続される。
【０１７２】
トランジスタ７０および７２は、それらが、導電状態であるように制御されているときに、列ランプの定電流を供給する。それらトランジスタは、サイズが小さいことがある。
トランジスタ７８は、信号の終わりの電流を通過することができなければならない。トランジスタ７８は、オン／オフ・スイッチとして動作する。正の信号を用いて表示される画像のために、この回路は、電圧＋Ｃ、０、および−Ｃを給電される。負の信号によって表示される画像のために、電圧は、Ｖ０＋Ｃ、Ｖ０、およびＶ０−Ｃである。
【０１７３】
本発明の第２の実施形態
液晶セルのパラメータ、電圧およびアドレス指定モード、ならびに動作温度は、全てＢｉＮｅｍセルの切り替えに影響することがある要因を構成する。これら要因の値に応じて、１つの状態が「容易に」得られることができ、一方、他の状態は得るのが「困難に」なることが理解されるべきである。例えば、これは、特に温度要因に適用され、温度要因は、液晶の特性に影響を与えることが良く知られており、したがってＴ状態への切り替えの起源を構成する流体力学的な流れの特徴に影響を与えることが良く知られている。
【０１７４】
さらに、ＢｉＮｅｍセルの切り替えは、液晶を分子の整列方向に移動させる。この切り替えは、切り替えられるべき領域が大きいときにより容易に起こる。したがって、複数の行の同時の切り替え（行の「パケット」）、または実際に表示全体の切り替え（「集合的な」切り替え）は、行毎の切り替えより容易である。
【０１７５】
組み合わせにおけるこれら２つの観察は、以下の２つのステップでＢｉＮｅｍディスプレイをアドレス指定することを得策にする。
【０１７６】
・ディスプレイの画素が、「困難な」状態をとるようにパケットまたは集合的に切り替えられる（傾斜する立ち上がりエッジを使用して）「同時の」第１のステップと、
・ディスプレイ全体が、「困難な」状態をとるべきディスプレイのこれらの画素を切り替えるように（傾斜するまたは傾斜しないことがある立ち上がりエッジで）、従来の多重化モードでアドレス指定される第２のステップとである。
【０１７７】
この２ステップのアドレス指定モードを使用するとき、第１のステップの間にいくつかの数の行の同時の切り替えは、電子装置を大きな量の電流を引き出させる。
【０１７８】
１つの解決方法は、複数の行に同時に印加される信号Ｖｓｉｍｕｌとして、本発明による立ち上がりエッジの信号を使用することからなる。形式１の適用において、ディスプレイ全体にわたり同時に傾斜する信号を使用することは、引き出されるピーク電流を要因Ｆ（ｃｏｌ）＝τＲ／ＲＣ（ｄｉｓｐｌａｙ）だけ低減されることを可能にする。行の各パケットが、表面積の一部ｒを示すものであり、ここで、ｒ＝全ての行の全面積を行のパケットの面積で割ったものである、行のパケットに対する同時の信号を使用することは、引き出されるピーク電流がさらなる要因ｒによって低減されることを可能にする。したがって、Ｆ（ｐａｃｋｅｔ）＝Ｆ（ｃｏｌ）／ｒである。
【０１７９】
傾斜の勾配は、例えばディスプレイの動作温度など様々な要因の値に応じて異なることがある。
【０１８０】
本発明による２つのステップでのアドレス指定の実施は、図３５に示され、Ｔ変換に関するタイプの集合的な信号の例をとる。２つの行ｎおよびｎ＋１は、この非限定例に含まれ、原理は、ディスプレイ全体に一般化されることができる。複数の行に同時に印加される行信号Ｖｓｉｍｕｌのパラメータ（ＶｓＴ、τＲ、τ’ｐ）は、集合的な切り替えモードに適合され、かつ所定のパラメータに応じて変更することができる。この場合、Ｖｓｉｍｕｌは、ただ１つのレベルだけを有するが、十分に良好に２つ以上を有することができる。多重化信号のパラメータ（Ｖ’１、Ｖ’２、τ’１、τ’２、Ｖ’Ｃ、τ’Ｃ）は、同様に適合され、かつ簡単な多重化モードで使用される値とは異なる値をとることができる。
【０１８１】
本発明による２つのステップのアドレス指定の実施は、図３６に示され、Ｕ変換タイプの集合的な信号の例を用いる。２つの行ｎおよびｎ＋１は、この非限定例に含まれ、原理は、ディスプレイ全体に一般化されることができる。複数の行に同時に印加される行信号Ｖｓｉｍｕｌのパラメータ（ＶｓＵ１、ＶｓＵ２、τＲ、τ”ｐ）は、集合的な切り替えモードに適合され、かつ様々なパラメータに応じて変更することができる。多重化信号のパラメータ（Ｖ”１、Ｖ”２、τ”１、τ”２、Ｖ”Ｃ、τ”Ｃ）は、同様に適合され、かつ簡単な多重化モードで使用される値とは異なる値をとることができる。
【０１８２】
異なる状態のための同時の切り替えは、ｐ行の「パケット」で実施されることができ、これらは、ディスプレイの全ての行がアドレス指定されるまで、多重化モードにその後アドレス指定され、次にｐ行の後続のパケットは、集合的にアドレス指定され、その後多重化モードされ、以下同様に続く。
【０１８３】
異なる状態のための同時に切り替えは、ディスプレイの全ての行の集合的に実行されることもでき、次にディスプレイは、従来の方法でその全ての行に多重化モードでアドレス指定されることができる。
【０１８４】
図３５に示されるアドレス指定は、４８０行×６４０列のＢｉＮｅｍディスプレイで実施される。表Ｉは、ディスプレイの全てに集合的に印加されるＶｓｉｍｕｌに使用されるパラメータに関する値を与える。これらの値は、ディスプレイが使用される温度とともに変化する。
【表１】
0004802090.tif 000011
【０１８５】
Ｔ＝０°に関して、同時ステップの持続期間は、６０ｍｓであり、観察者によって見えかつ可視的に好ましくないディスプレイ全体にわたって光学擾乱を導くことが分かる。
【０１８６】
例えば（上述のように全ての４８０の代わりに）４８行のパケットにおける同一のディスプレイをアドレス指定することは、１つのパケットに関する同時のステップの持続期間を低減することを可能にし、生じた光学擾乱における対応する低減を導き、一方、同一の電流を維持するままである。切り替えられる面積の容量は、１０分の１に分割され、立ち上がり時間τＲは、同様に１０分の１に分割され、一方、同じ瞬間電流を保存する。表ＩＩは、４８行のパケットによって同時の切り替えの例を与え、一方、表１の例におけるように同様の瞬間電流を保存する。
【表２】
0004802090.tif 000012
【０１８７】
信号Ｖｓｉｍｕｌは、正の単極性の信号、負の単極性の信号、または必ずしも対称的ではない双極性であることができる。重要な点は、ディスプレイの行が、その正確な波形ではなくその機能であり、多重化信号を印加する前に十分に画定された状態（液晶状態）にそれらをするように、集合的にまたはパケットに切り替え、一方、ディスプレイの電子装置が、本発明によって傾斜を使用することによって許容可能である瞬間電流と有したままであることを同時に確実にする。
【０１８８】
従来の受動的なディスプレイ・デバイスにおいて、電圧ランプは、増幅器段階が続くデジタル・アナログ変換器などの従来の方法を使用して容易に生成される。信号は、次に、行ドライバ段を介してスクリーン行に印加される。
【０１８９】
デジタル・ドライバ回路を用いて、デジタル・アナログ変換器は、そこに集積される。
【０１９０】
当然、本発明は、上述の特定の実施形態に制限されない。それは、その精神内で任意の変形形態に拡張される。
【０１９１】
特に、本発明は、能動的なディスプレイを作るように、受動的なディスプレイを作るために同様に良好に適用されることができ、各画素は、それぞれの構成部品、例えばトランジスタによって制御され、構成部品は、それ自体が導電状態と非導電状態との間で切り替えられることができる。
【図面の簡単な説明】
【０１９２】
【図１】従来技術のＢｉＮｅｍスクリーンの図である。
【図２】そのようなＢｉＮｅｍスクリーンをＴ状態に切り替えるための方形波形の画素信号の一例を示す。
【図３】そのようなＢｉＮｅｍスクリーンをＵ状態に切り替えるために傾斜して降下するエッジを有する画素信号の一例を示す。
【図４】画素の端子に印加されるパルスの第２のレベルの値Ｐ２に応じて、そのようなＢｉＮｅｍスクリーンにおける画素の状態が選択されることを可能にする、２つのレベルを有する画素信号の一例を示す。
【図５】多重化されたマトリクス・スクリーンを示す図である。
【図６】多重化されたＢｉＮｅｍスクリーンにおける画素のための行および列信号の一例を示す。
【図７】列信号の持続期間が、干渉信号を低減するために低減される、多重化されたＢｉＮｅｍスクリーンにおける画素のための行および列信号の変形例を示す。
【図８】列信号の持続期間が、干渉信号を低減するために低減される、多重化されたＢｉＮｅｍスクリーンにおける画素のための行および列信号の変形例を示す。
【図９】列信号の持続期間が、干渉信号を低減するために低減される、多重化されたＢｉＮｅｍスクリーンにおける画素のための行および列信号の変形例を示す。
【図１０】本発明の第１の変形形態に関連する、画素をＵ状態に変換するために用いられる本発明による５つのタイプの画素信号を示す図である。
【図１１】本発明の第１の変形形態に関連する、画素をＴ状態に変換するために用いられる本発明による５つのタイプの画素信号を示す図である。
【図１２】これに関連する、本発明による行信号の図である。
【図１３】本発明の第２の変形形態に関連する、本発明による行信号の図である。
【図１４】本発明の第２の変形形態に関連する、Ｕ状態に変換するために用いられる本発明による４つのタイプの画素信号を示す図である。
【図１５】本発明の第２の変形形態に関連する、Ｔ状態に変換するために用いられる本発明による４つのタイプの画素信号を示す図である。
【図１６】本発明の変形形態による列信号の図である。
【図１７ａ】Ｕ状態を得るための正信号を示す、図１２の行信号を使用する画素信号を示す。
【図１７ｂ】Ｔ状態を得るための負信号を示す、図１６の列信号を使用する画素信号を示す。
【図１８】本発明の変形形態による、交互に極性を反転することによって得られるゼロの中間値を有する行信号の図である。
【図１９】ある行から次の行への交互に極性を反転することによってゼロの中間値を呈する本発明による他の変形形態の図である。
【図２０】行ドライバの偏位を低減するように電圧ＶＭを使用する本発明による、ディスプレイのための行、列、および画素信号の例を示す。
【図２１】方形波形状の列信号に関連する、行パルス間の時間の重なりに関連する本発明による４つの行信号を示す。
【図２２】強度Ａおよび周波数ｆの従来の方形波を受けるＢｉＮｅｍ画素のための等価回路図である。
【図２３】ゼロの立ち上がり時間を有する従来印加される方形波信号のための画素のための等価回路図である。
【図２４】画素を充電する対応するパルスの前記従来の方形波信号のネットを示す。
【図２５】傾斜して立ち上がるエッジを呈する本発明による制御信号を用いる、画素を通って流れる電流を示す。
【図２６】エネルギー蓄積手段を有さないディスプレイ・モジュールのブロック図である。
【図２７】引き出された電流が最大許容値を超えるときに、そのようなモジュールにおいて発生する可能性がある電圧低下を示す図である。
【図２８】２×２ディスプレイおよび関連するドライバ・モジュールの図である。
【図２９】そのようなディスプレイとともに使用するための一定の重ねられる電圧ＶＭを用いる、行に関する正の単極性の多重化および列に関する双極性の多重化の任意の図である。
【図３０】前記ディスプレイのための切り替え制御回路を表す。
【図３１】回路のための可変解析信号を示す。
【図３２】行信号を生成するための本発明の変形形態による制御回路を示す。
【図３３】図３３ａは均一な効果またはねじれた効果を得るためのトランジスタ制御信号を示し、図３３ｂは均一な効果またはねじれた効果を得るための結果としての行信号を示し、図３３ｃは均一な効果またはねじれた効果を得るための関連する列信号を示し、図３３ｄは均一な効果またはねじれた効果を得るための関連する列信号を示す。
【図３４】列信号を生成するための本発明の変形形態による制御回路を示す図である。
【図３５】Ｔモードへの変換の第１のレベルを含む、本発明による２つのレベルを有するモードにおいてアドレス指定されるディスプレイのための行および列信号を示す。
【図３６】Ｕモードへの変換の第１のレベルを含む、本発明による２つのセットを有するモードによってアドレス指定されるディスプレイのための行および列信号を示す。
【符号の説明】
【０１９３】
５０  誘導ループ
５２  電源回路
５４  マイクロコントローラ
５６  ドライバ回路
５８  ＢｉＮｅｍディスプレイ
７０、７２、７８  トランジスタ
【図１】
0004802090.tif 000013
【図２】
0004802090.tif 000014
【図３】
0004802090.tif 000015
【図４】
0004802090.tif 000016
【図５】
0004802090.tif 000017
【図６】
0004802090.tif 000018
【図７】
0004802090.tif 000019
【図８】
0004802090.tif 000020
【図９】
0004802090.tif 000021
【図１０】
0004802090.tif 000022
【図１１】
0004802090.tif 000023
【図１２】
0004802090.tif 000024
【図１３】
0004802090.tif 000025
【図１４】
0004802090.tif 000026
【図１５】
0004802090.tif 000027
【図１６】
0004802090.tif 000028
【図１７ａ】
0004802090.tif 000029
【図１７ｂ】
0004802090.tif 000030
【図１８】
0004802090.tif 000031
【図１９】
0004802090.tif 000032
【図２０】
0004802090.tif 000033
【図２１】
0004802090.tif 000034
【図２２】
0004802090.tif 000035
【図２３】
0004802090.tif 000036
【図２４】
0004802090.tif 000037
【図２５】
0004802090.tif 000038
【図２６】
0004802090.tif 000039
【図２７】
0004802090.tif 000040
【図２８】
0004802090.tif 000041
【図２９】
0004802090.tif 000042
【図３０】
0004802090.tif 000043
【図３２】
0004802090.tif 000044
【図３１】
0004802090.tif 000045
【図３３】
0004802090.tif 000046
【図３４】
0004802090.tif 000047
【図３５】
0004802090.tif 000048
【図３６】
0004802090.tif 000049