(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板処理面を下向けにして基板下面に第１処理液を供給する液処理工程を含んで行う第１チャンバと、
前記基板処理面を上向けにして基板上面に第２処理液を供給する液処理工程を含んで行う第２チャンバと、
前記第１及び第２チャンバ間に前記基板を反転して、移送する移送ユニットと、を含み、
前記第１処理液は、前記第１チャンバでの液処理工程時に結晶が生成され得る薬液、又は、前記第２チャンバでの液処理工程時に前記第２処理液と互いに反応して結晶が生成され得る薬液であり、
前記第１処理液は、前記基板のエッチング工程又はＰＲ（フォトレジスト）ストリップ工程を行う溶液であり、
前記第２処理液は、ＳＣ１溶液であることを特徴とする工程分離型基板処理装置。
【請求項２】
前記第１処理液は、ＳＰＭ、Ｈ３ＰＯ４のいずれか１つを含む薬液であり、
前記第２処理液は、ＳＣ１溶液を含む薬液であることを特徴とする請求項１に記載の工程分離型基板処理装置。
【請求項３】
前記第１チャンバは、更に、前記基板上面を加熱する加熱手段を含むことを特徴とする請求項２に記載の工程分離型基板処理装置。
【請求項４】
前記第２チャンバでの液処理工程は洗浄工程であり、
前記第２チャンバは、前記洗浄工程遂行後、乾燥工程を更に行うことを特徴とする請求項１に記載の工程分離型基板処理装置。
【請求項５】
前記第１チャンバで行われる工程は、更に、洗浄及び乾燥工程を含み、
前記第１チャンバで処理される基板は、完全乾燥以前状態で前記第２チャンバへ移送されることを特徴とする請求項１に記載の工程分離型基板処理装置。
【請求項６】
前記第１チャンバ及び第２チャンバは、上下に配置され、
前記移送ユニットは、前記第１及び第２チャンバ間に前記基板を移送することを特徴とする請求項１に記載の工程分離型基板処理装置。
【請求項７】
前記第１チャンバ及び第２チャンバは、左右平行に配置され、
前記移送ユニットは、前記第１及び第２チャンバ間に前記基板を移送することを特徴とする請求項１に記載の工程分離型基板処理装置。
【請求項８】
更に、前記基板を洗浄及び乾燥する工程を行う第３チャンバを含み、
前記移送ユニットは、第１、第２及び第３チャンバ間に前記基板を移送する移送ユニットであることを特徴とする請求項１に記載の工程分離型基板処理装置。
【請求項９】
第１チャンバで基板処理面を下向けにして基板下面に、第１処理液を供給する第１液処理ステップと、
前記基板を前記第１チャンバから第２チャンバへ移送する基板移送ステップと、
第２チャンバで前記基板処理面を上向けにして基板上面に、第２処理液を供給する第２液処理ステップと、を含み、
前記第１処理液は、前記第１チャンバでの液処理工程時に結晶が生成され得る薬液又は前記第２チャンバでの液処理工程時に前記第2処理液と互いに反応して結晶が生成され得る薬液であり、
前記第１処理液は、前記基板のエッチング工程又はＰＲ（フォトレジスト）ストリップ工程を行う溶液であり、
前記第２処理液は、ＳＣ１溶液であることを特徴とする工程分離型基板処理方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体ウエハーのような基板処理装置及び処理方法に関し、更に詳しくは、エッチング工程のような液処理工程と洗浄工程を分離し、異なるチャンバで行うことができる工程分離型基板処理装置及び処理方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
一般に、半導体素子は、シリコンウエハーのような基板に対して、写真工程（photo process）、エッチング工程（etching process）、イオン注入工程（ion implantation process）、そして、蒸着工程（Deposition process）などのような様々な工程を通して形成される。
【０００３】
そして、それぞれの工程を行う過程で、基板に付着された各種汚染物を除去するために、洗浄工程が行われる。洗浄工程は、薬液（chemical）で基板上の汚染物質を除去する薬液処理工程、純水（pure water）で基板上に残留する薬液を除去する洗浄工程（wet cleaning process）、そして、乾燥流体を供給し、基板表面に残留する純水を除去する乾燥工程（drying process）を含む。
【０００４】
更に詳しく説明すると、半導体素子の製造工程で、エッチング工程は、基板に形成された処理対象膜上に所定のパターンでレジスト膜が形成され、このレジスト膜をマスクとしてエッチング、イオン注入などの処理が、前記処理対象膜に施され、不要になったレジスト膜を基板上から除去する。
【０００５】
前記工程のための基板処理方式は、大きく乾式（Dry）処理方式と、湿式（Wet）処理方式とに区分される。この中で、湿式処理方式は、種々の薬液を用いた方式であり、複数の基板を同時に処理するバッチ式（batch type）装置と、一枚単位で基板を処理する枚葉式（single wafer type）装置とに区分される。
【０００６】
バッチ式処理装置は、洗浄液が収納された洗浄槽に複数の基板を一度に浸漬し、汚染源を除去する。しかし、従来のバッチ式処理装置は、基板の大型化に伴い、その対応が容易でなく、洗浄液の使用が多いという短所がある。
【０００７】
また、バッチ式処理装置で工程中に基板が破損される場合には、洗浄槽内にある基板全体に影響を及ぼすことになるので、多量の基板不良が生ずる恐れがあった。
【０００８】
バッチ式ウエハー洗浄方法は、一度に複数枚のウエハーを洗浄するため、洗浄時間が短く、高い処理率を有していることから生産効率が高いが、ウエハー間のクロス（cross）汚染により洗浄効率が劣り、ウエハーを複数枚入れ、一度に処理することでウエハー処理後、工程結果が均一にならなく、多量の洗浄液を使用することによってコストアップとなり、環境汚染を誘発するという問題点があった。
【０００９】
また、枚葉式ウエハー洗浄方法は、単一のウエハーに対して、少量の洗浄液を用いて洗浄する方法であり、洗浄効率が低い代わりに、ウエハー間のクロス汚染がなく、ウエハーを一枚ずつ入れ、同条件で処理するので、工程後、ウエハー間処理後、工程結果が均一になり、高清浄度雰囲気で洗浄が行われるので、洗浄効率が高いという長所がある。
【００１０】
特に、ウエハーの大口径化に伴い、バッチ式洗浄方法には限界があり、高集積化されて行く半導体素子においては、洗浄効率が更に重要になり、枚葉式洗浄方法の利用が次第に増加してきており、最近には、枚葉式処理装置が好まれている。
【００１１】
枚葉式処理装置は、一枚の基板単位で処理する方式であり、高速回転させた基板表面に、処理液及び洗浄液又は乾燥ガスを噴射することで、基板の回転による遠心力と洗浄液の噴射に伴う圧力を利用して汚染源を除去するスピン方式（spinning method）でエッチング及び洗浄が進められる。
【００１２】
通常、枚葉式処理装置は、基板が収納され、洗浄工程が行われるチャンバと、基板を固定させた状態で回転するスピンチャック及び基板に薬液とリンス液及び乾燥ガスなどを含む洗浄液を供給するためのノズルアセンブリーを含む。
【００１３】
即ち、従来の一般的な枚葉式装置の場合、基板をチャンバに挿入後、エッチング、洗浄及び乾燥工程など、前述した一連の工程を一つのチャンバ内で行うことを特徴とする。
【００１４】
最近には、レジスト膜の除去方法としてＳＰＭ処理がよく利用されており、ＳＰＭ処理は、硫酸と過酸化水素水とを混合し得た高温のＳＰＭ（Sulfuric Acid Hydrogen Peroxide Mixture）をレジスト膜に供給することで、行なわれる。
【００１５】
一般に、ＳＰＭ工程の場合、ＳＰＭ処理後、ＳＣ１（ＮＨ４ＯＨ／Ｈ２Ｏ２／Ｈ２Ｏ）処理工程を行った後、乾燥することを特徴としているが、ＳＰＭは酸であり、ＳＣ１はアルカリ性薬液を用いているので、一つのチャンバ内で工程を行う場合、結晶が生じることがある。
【００１６】
このようなチャンバ内に酸−アルカリ結晶が発生した場合、結晶による排気部又は排液部に詰まり現象が生じ、チャンバ内部結晶が基板に再付着することによる汚染が非常に深刻な問題になる恐れがある。
【００１７】
これは、基板処理装置全体の寿命又はメンテナンスに非常に否定的な要因になり、特に基板の結晶再付着は全体的な基板生産収率を落とす致命的な要因になる。
【００１８】
しかも、ＮＨ４Ｆ及びＨＦを含むＬＡＬＢＯＥ（Low ammonium fluoride low surface tension Buffered oxide etchant）のようなフッ化アンモニウムが含まれた薬液を用いる場合、当該薬液のみを使用する工程中にも結晶の析出が生じることがある。
【００１９】
このような結晶が生成され得る工程の場合、後続の他の液処理工程又は洗浄及び乾燥工程に影響を及ぼし、前述した枚葉式装置で結晶による様々な問題が生じており、これに対する解決が求められていた。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００２０】
本発明は、前述したような点を勘案して案出されたものであり、従来の枚葉式基板処理装置において、処理液工程時、結晶生成に伴う問題点を克服するために結晶生成を抑制できるように工程を分離して処理できる工程分離型基板処理装置及び処理方法を提供することに目的がある。
【課題を解決するための手段】
【００２１】
前記技術的課題を達成するための本発明に係る工程分離型基板処理装置は、基板に第１処理液を供給する液処理工程を含んで行う第１チャンバと、前記基板に第２処理液を供給する液処理工程を含んで行う第２チャンバと、前記第１及び第２チャンバ間に前記基板を移送する移送ユニットと、を含み、前記第１チャンバと第２チャンバで行われる工程は、チャンバ内結晶生成を抑制するように分離されていることを特徴とする。
【００２２】
また、前記第１処理液は、液処理工程時結晶が生成され得る薬液であるか、前記第１処理液と第２処理液は、互いに反応して結晶が生成され得る薬液であることを特徴とする。
【００２３】
従って、前記第１処理液は、エッチング工程を行うエッチング溶液又はＰＲストリップ処理が可能な薬液であり、前記第２処理液は、ＳＣ１溶液であることを特徴とする。具体的に、前記第１処理液は、ＨＦ、ＬＡＬ、ＳＰＭ、Ｈ３ＰＯ４のいずれか１つを含む薬液であり、前記第２処理液は、ＳＣ１溶液を含む薬液である。
【００２４】
また、前記第１チャンバは、更に、基板を加熱する加熱手段を含むことを特徴とする。
【００２５】
しかも、前記第２チャンバは、洗浄工程遂行後、乾燥工程を更に行うことを特徴とする。
【００２６】
または、前記第１チャンバで行われる工程は、更に、洗浄及び乾燥工程を含み、前記第１チャンバで処理される基板は、完全乾燥以前状態で前記第２チャンバへ移送されることを特徴とする。
【００２７】
また、前記第１チャンバ及び第２チャンバは、上下に配置されるか、前記第１チャンバ及び第２チャンバは、左右平行に配置され、前記移送ユニットは、前記第１及び第２チャンバ間に前記基板を移送することを特徴とする。
【００２８】
また、前記第１チャンバの液処理工程は、基板下面の液処理工程であり、前記移送ユニットは、前記第１及び第２チャンバ間に前記基板を反転して、移送する反転移送ユニットであることを特徴とする。このとき、用いられる前記第１処理液はＳＰＭ又はＨ３ＰＯ４であり、前記第２処理液はＳＣ１である。
【００２９】
また、更に、前記基板を洗浄及び乾燥する工程を行う第３チャンバを含み、前記移送ユニットは、第１、第２及び第３チャンバ間に前記基板を移送する移送ユニットで構成されてもよい。
【００３０】
前記技術的課題を達成するための本発明に係る工程分離型基板処理方法は、第１チャンバで行われる基板に、第１処理液を供給する第１液処理ステップと、前記基板を前記第１チャンバから第２チャンバへ移送する基板移送ステップと、第２チャンバで行われる前記基板に、第２処理液を供給する第２液処理ステップと、を含み、前記第１液処理ステップと第２液処理ステップで行われる工程は、チャンバ内結晶生成を抑制するように分離されていることを特徴とする。
【発明の効果】
【００３１】
本発明に係る工程分離型基板処理装置及び基板処理方法は、エッチング工程のような基板の液処理工程とＰＲストリップのような基板処理工程又は洗浄及び乾燥工程が別途のチャンバで行われるので、従来の枚葉式基板処理装置で全工程を処理することに比べて、チャンバ内結晶生成に伴う基板汚染を基本的に防止することができる長所がある。
【００３２】
また、フッ化アンモニウムが含まれた処理液を用いる工程も、他の工程と分離し、それぞれのチャンバで行われているので、結晶が生成され得る工程とその他の工程が分離され、結晶による基板汚染を防止する効果を奏する。
【００３３】
また、第１チャンバで基板の下面を処理し、液処理工程時に発生するヒューム（fume）がチャンバ内部の上部に発散することが抑制され、このようなヒュームをチャンバ下部から引き抜けば、従来基板の上面を液処理することに比べて、チャンバ内部雰囲気をより清潔に保持することができるので、基板処理の清浄度が高められる効果を奏する。
【００３４】
また、第１チャンバから第２チャンバへと基板を移送する移送ユニットを、基板を反転できる反転移送ユニットで構成すれば、第２チャンバでは基板の処理面を上部にして、従来方式に従って効率的に洗浄及び乾燥して、基板の収率が挙げられる効果を奏する。
【図面の簡単な説明】
【００３５】
【図１】本発明の一実施例に係る工程分離型基板処理装置の構造を概略的に示した図である。
【図２】本発明の一実施例に係る工程分離型基板処理装置で第１及び第２チャンバを上下に構成し、ＳＰＭ工程と洗浄工程を分離した例を示した図である。
【図３】本発明の一実施例に係る工程分離型基板処理装置で第１及び第２チャンバを上下に構成し、塩化アンモニウム包含処理液（ＬＡＬ）工程と他の工程を分離した例を示した図である。
【図４】本発明の一実施例に係る工程分離型基板処理装置で第１及び第２チャンバを水平に構成した例を示した図である。
【図５】本発明の一実施例に係る工程分離型基板処理装置で第１、第２及び第３チャンバを含み、それぞれの工程を分離して構成した例を示した図である。
【図６】本発明の一実施例に係る工程分離型基板処理方法で処理される基板処理工程を説明するための図である。
【発明を実施するための形態】
【００３６】
以下、本発明の分離型基板処理装置及び処理方法を詳しく説明する。
【００３７】
図１を参照すれば、本発明の一実施例に係る工程分離型基板処理装置は、基板に第１処理液を供給する液処理工程を含んで行う第１チャンバ１００、前記基板に第２処理液を供給する液処理工程を含んで行う第２チャンバ２００及び前記第１及び第２チャンバ１００、２００間に前記基板を移送する移送ユニット３００を含む。
【００３８】
前記第１チャンバ１００と第２チャンバ２００は、基板に第１、第２処理液を供給し、液処理工程を行う内部空間を有する要素であり、従来の枚葉式基板処理装置で提供されるチャンバ形態で提供されてもよい。
【００３９】
また、前記第１チャンバ１００及び第２チャンバ２００は、それぞれ処理液供給装置を含み、基板の液処理工程を行うことができ、前記第１チャンバ１００と第２チャンバ２００で行われる工程は、チャンバ内結晶生成を抑制できるように分離されていることを特徴とする。
【００４０】
従って、前記第１処理液は、液処理工程時、結晶が生成され得る薬液であるか、前記第１処理液と第２処理液は互いに反応して結晶が生成され得る薬液であってもよい。
【００４１】
図２を参照すれば、前記第１チャンバ１００内で、基板に供給される第１処理液は、エッチング工程を行うエッチング溶液又はＰＲストリップ処理が可能な処理液であってもよく、前記第２処理液は、ＳＣ１溶液であることを特徴とする。
【００４２】
前述したように、ＳＰＭ処理液は酸性であり、ＳＣ１処理液はアルカリ性であるため、それらを用いた工程を前記第１チャンバ１００及び第２チャンバ２００で、それぞれ行っているので、結晶生成を基本的に抑制することができる。
【００４３】
図３を参照すれば、Ｈ４Ｆ及びＨＦを含むＬＡＬＢＯＥ（Low ammonium fluoride low surface tension Buffered oxide etchant）のようなフッ化アンモニウムが含まれた薬液を用いる場合、それ自体から結晶析出が生じ得るので、このような薬液を第１処理液にして別途の第１チャンバ１００で行い、他の工程は、第２チャンバ２００で行っているので、他の工程における結晶生成による影響を遮断することができる。
【００４４】
また、前記第１チャンバ１００は、更に基板を加熱する加熱手段４００を含んでいてもよく、この時、前記第１チャンバ１００で行われる第１処理液がＳＰＭ処理液の場合、基板に供給されるＳＰＭ処理液が加熱されるので、前記第１チャンバ１００で高温ＳＰＭエッチング工程を行うことができる。
【００４５】
前記加熱手段４００は、基板及び供給されるＳＰＭ処理液を、エッチング効率が挙げられるように温度を上昇する役割を果たし、様々な形状のヒーター又はこれと類似な手段で提供されてもよい。
【００４６】
また、前記第１チャンバ１００で行われる工程は、更に洗浄及び乾燥工程を含んでいてもよく、前記第１チャンバで処理される基板は、完全乾燥以前状態で前記第２チャンバへ移送されることを特徴とする。
【００４７】
前記第１チャンバ１００は、湿式エッチング工程を処理し、湿式エッチング工程は、最終洗浄及び乾燥ステップ以前に、エッチング工程から出る有機物又は金属副産物を一次的に除去する洗浄及び乾燥工程が含まれるのが一般的である。このような湿式エッチング工程での洗浄及び乾燥は、全ての残留物が除去された状態ではなく、最終洗浄及び乾燥工程で残りの残留物を除去するようになる。
【００４８】
本発明に係る工程分離型基板処理装置は、湿式エッチング工程と最終洗浄及び乾燥が、それぞれ異なるチャンバで行われているので、湿式エッチング工程から一次的に洗浄及び乾燥時、基板が完全乾燥されてしまえば、基板に残留物が固着される問題が生じる恐れがある。
【００４９】
従って、第１チャンバで基板は、完全乾燥状態でない濡れた状態で第２チャンバに移送され、最終洗浄ステップと乾燥ステップへと進められることが好ましく、第２チャンバで洗浄効果を上げることができる長所がある。
【００５０】
図２〜図３を参照すれば、前記第１チャンバ１００及び第２チャンバ２００は上下に配置され、前記移送ユニット３００は前記第１及び第２チャンバ間に前記基板を上下に互いに移送する構造で提供されてもよい。
【００５１】
図４を参照すれば、前記第１チャンバ１００及び第２チャンバ２００は、左右平行に配置され、前記移送ユニット３００は前記第１及び第２チャンバ間に前記基板を平行に移送する構造であってもよい。
【００５２】
このような第１チャンバ１００及び第２チャンバ２００の配置は、それぞれのチャンバが行う工程に応じて、チャンバの高さが変わるので、全体システムの高さを均一に構成するために上下又は平行に配置することが好ましい。
【００５３】
例えば、ＳＰＭ工程を処理するチャンバは、その他の洗浄及び乾燥工程を処理するチャンバに比べて、内部空間を更に必要としており、ＳＰＭ工程を処理するチャンバを上下に構成し、洗浄及び乾燥工程を処理するチャンバを別途に上下に構成すれば、左右チャンバの高さが変わるので、ＳＰＭ工程を処理する第１チャンバと洗浄及び乾燥工程を処理する第２チャンバを上下配置し、全体的なチャンバシステムの高さを均一にすることができる。
【００５４】
また、前記第１チャンバ１００の液処理工程は、基板下面の液処理工程であり、前記移送ユニット３００は前記第１及び第２チャンバ間に前記基板を反転して移送する反転移送ユニット３１０であることを特徴とする。
【００５５】
前述のように、前記第１チャンバ１００は、主に湿式エッチング工程が行われており、エッチング工程は、その特性上、基板表面の特定成分を処理液で除去することになるので、相当なヒュームが発生することになり、ヒュームが上昇しながらチャンバ内部が汚染される原因になる。
【００５６】
従って、このような基板処理面を下向けにして処理すれば、ヒュームの上昇を抑制でき、チャンバ下部からヒュームを排気すれば、基板処理面を上面にする従来方式に比べ、チャンバ内部を清潔に保持管理することができる。
【００５７】
また、前記第２チャンバ２００は、主に洗浄工程を行っており、洗浄工程は基板の処理面を上面にし、洗浄処理することが効率的であるため、第１チャンバ１００で処理された基板を反転し、処理面を上面にし、第２チャンバ２００に挿入することが必要である。
【００５８】
従って、前記移送ユニット３００を、基板を反転し、移送する反転移送ユニット３１０にて提供し、第１チャンバ１００及び第２チャンバ２００を介して基板のエッチング及び洗浄乾燥工程が行われる構成である。
【００５９】
本発明は、第１処理液によるヒューム発生量のような薬液特性によって基板を平行状態で移送する正常移送方法と、基板を反転して移送する反転移送方法のいずれか１つの方法を選択することができる。下記表１に処理液の種類による基板移送方法を分類して例示した。
【表１】
0006275090.tif 000002
【００６０】
また、図５を参照すれば、前記基板を洗浄及び乾燥する工程を行う第３チャンバ５００を更に含む構成であってもよく、この時、前記第２チャンバ２００は前記基板に第２処理液を供給する液処理工程を行う。
【００６１】
即ち、第１チャンバ１００では、ＳＰＭのような第１処理液を供給する液処理工程であるエッチング工程を行い、前記第２チャンバ２００はＳＣ１のような第２処理液を供給する液処理工程を行い、別途として前記第３チャンバ５００で最終洗浄及び乾燥工程を分離し、基板処理工程を行うように構成される。
【００６２】
このような構成により各工程に別途のチャンバを細分し、担当するようにしているので、基板処理工程間における結晶生成を抑制し、基板の清浄度を上げることができ、基板処理装置のメンテナンスが容易になる長所がある。
【００６３】
以下、本発明の一実施例に係る工程分離型基板処理装置を活用した工程分離型基板処理方法について説明する。第１チャンバで行われる基板に第１処理液を供給する第１液処理ステップ、第２チャンバで行われる前記基板に第２処理液を供給する第２液処理ステップを含み、前記第１液処理ステップと第２液処理ステップで行われる工程は、チャンバ内の結晶生成を抑制できるように分離されていることを特徴とする。
【００６４】
また、前記第２チャンバで行われる洗浄及び乾燥ステップを更に含み、第１チャンバではエッチング工程又はＰＲストリップ工程を主に処理し、第２チャンバでは残りの液処理工程及び洗浄工程を処理し、前記基板を前記第１チャンバから第２チャンバへと移送する基板移送ステップを通して全体的な基板処理工程を行うことができる。
【００６５】
さらに、別途の第３チャンバで行われる洗浄ステップを含み、第１チャンバではエッチング工程又はＰＲストリップ工程を主に処理し、第２チャンバでは残りの液処理工程を行い、第３チャンバで最終洗浄工程を処理することができる。
【００６６】
この時、前記基板移送ステップは、前記基板を前記第１チャンバ、第２チャンバ及び第３チャンバへと移送する構成であってもよい。
【００６７】
図６を参照して、例えば、第１チャンバではエッチング工程１０ステップを処理するようになり、第２チャンバではＰＲ除去２０又はＰＲストリップ３０のような液処理ステップを処理するか、最終洗浄４０ステップまで含んで処理が可能であり、最終洗浄ステップは別途の第３チャンバで処理する構成であってもよい。
【００６８】
また、前記第１チャンバで第１処理液を供給する第１液処理ステップは、基板の下面を処理し、前記基板移送ステップは、基板を反転する基板反転移送ステップで構成し、前述したエッチング及び洗浄工程を行うことができる。
【００６９】
このような工程分離型基板処理方法において、前記第１チャンバで行われる第１液処理ステップは、エッチング工程又はＰＲストリップ工程を含み、前記第２チャンバで行われる第２液処理ステップはＳＣ１処理工程を含んでいてもよい。
【００７０】
また、前記第１チャンバで行われる第１液処理ステップは、高温ＳＰＭエッチング工程であり、前記第１チャンバで別途の加熱装置により基板及びＳＰＭを加熱することを特徴とする。
【００７１】
また、前記第１チャンバでの基板の洗浄及び乾燥ステップを更に含み、前記第１チャンバで洗浄及び乾燥処理される基板は、完全乾燥以前状態に基板移送ステップが行われる。
【００７２】
前述するように、エッチング工程は、エッチング中に発生する異質物を一次的に除去する洗浄及び乾燥が必須であり、この時、基板が完全乾燥されれば異質物が固着化され、最終洗浄が難しくなる問題がある。
【００７３】
従って、エッチング工程１０で、エッチング、洗浄及び乾燥において、完全乾燥しない状態を保持し、次の工程２０、３０、４０に基板が移送されることが好ましい。
【００７４】
以上、添付図面を参照して、本発明の実施例を説明したが、本発明が属する技術分野の当業者は、本発明のその技術的思想や必須特徴を変更することなく、他の具体的な形態を実施できることを理解することができるものである。
【００７５】
従って、以上で記述した実施例は、全ての面で例示的なものであり、限定的でないものとして理解すべきであり、本発明の範囲は、前記詳細な説明は、後述する特許請求の範囲により示され、特許請求の範囲の意味及び範囲、そしてその等価概念から想到される全ての変更又は変形された形態は本発明の範囲に属されるものとする。
【符号の説明】
【００７６】
１００  第１チャンバ
２００  第２チャンバ
３００  移送ユニット
３１０  反転移送ユニット
４００  加熱手段
５００  第３チャンバ。
【図１】
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【図２】
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【図３】
0006275090.tif 000005
【図４】
0006275090.tif 000006
【図５】
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【図６】
0006275090.tif 000008