(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
下面にＮ型電極が形成されたＮ型半導体基板と、
このＮ型半導体基板上に形成された、Ｎ型ＩｎＰからなるＮ型クラッド層、活性層およびＰ型ＩｎＰからなるＰ型クラッド層が積層されてなるメサ部と、
このメサ部の両側に位置するＮ型クラッド層と、前記メサ部の両側に形成されたＦｅがドープされて高抵抗化されたＩｎＰからなる高抵抗ブロック層と、この高抵抗ブロック層上かつ前記メサ部両側に形成されたＮ型ＩｎＰブロック層とを有する電流ブロック層と、
前記メサ部および電流ブロック層上に形成されたＰ型ＩｎＰ層と、
このＰ型ＩｎＰ層上に、Ｐ型ＩｎＧａＡｓコンタクト層を介して形成されたＰ型電極と、を備えた半導体レーザの製造方法であって、
前記高抵抗ブロック層を、成長とハロゲン系ガスを用いた異方性エッチングとを繰り返すことにより前記メサ部の両側に平坦に埋め込み、前記メサ部と前記Ｎ型ＩｎＰブロック層との接触長が０．０５μｍ以上になるようにしたことを特徴とする半導体レーザの製造方法。
【請求項２】
下面にＮ型電極が形成されたＮ型半導体基板と、
このＮ型半導体基板上に形成された、Ｎ型ＩｎＰからなるＮ型クラッド層、活性層およびＰ型ＩｎＰからなるＰ型クラッド層が積層されてなるメサ部と、
このメサ部の両側に位置するＮ型クラッド層と、前記メサ部の両側に形成されたＦｅがドープされて高抵抗化されたＩｎＰからなる高抵抗ブロック層と、この高抵抗ブロック層上かつ前記メサ部両側に形成されたＮ型ＩｎＰブロック層とを有する電流ブロック層と、
前記メサ部および電流ブロック層上に形成されたＰ型ＩｎＰ層と、
このＰ型ＩｎＰ層上に、Ｐ型ＩｎＧａＡｓコンタクト層を介して形成されたＰ型電極と、を備えた光変調器の製造方法であって、
前記高抵抗ブロック層を、成長とハロゲン系ガスを用いた異方性エッチングとを繰り返すことにより前記メサ部の両側に平坦に埋め込み、前記メサ部と前記Ｎ型ＩｎＰブロック層との接触長が０．０５μｍ以上になるようにしたことを特徴とする光変調器の製造方法。
【請求項３】
下面にＮ型電極が形成されたＮ型半導体基板と、
このＮ型半導体基板上に形成された、Ｎ型ＩｎＰからなるＮ型クラッド層、活性層およびＰ型ＩｎＰからなるＰ型クラッド層が積層されてなるメサ部と、
このメサ部の両側に位置するＮ型クラッド層と、前記メサ部の両側に形成されたＦｅがドープされて高抵抗化されたＩｎＰからなる高抵抗ブロック層と、この高抵抗ブロック層上かつ前記メサ部両側に形成されたＮ型ＩｎＰブロック層とを有する電流ブロック層と、
前記メサ部および電流ブロック層上に形成されたＰ型ＩｎＰ層と、
このＰ型ＩｎＰ層上に、Ｐ型ＩｎＧａＡｓコンタクト層を介して形成されたＰ型電極と、を備えた光変調器付半導体レーザの製造方法であって、
前記高抵抗ブロック層を、成長とハロゲン系ガスを用いた異方性エッチングとを繰り返すことにより前記メサ部の両側に平坦に埋め込み、前記メサ部と前記Ｎ型ＩｎＰブロック層との接触長が０．０５μｍ以上になるようにしたことを特徴とする光変調器付半導体レーザの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
この発明は、半導体レーザ、光変調器および光変調器付半導体レーザ、並びにそれらの製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
活性領域を高抵抗層で埋め込んだ半導体レーザは、寄生容量を低減できることから、高速変調用レーザとして用いられている。図１５は、この種の半導体レーザの一例を示す断面図である。図中、１はＮ型ＩｎＰ基板、２はＮ型ＩｎＰからなるＮ型クラッド層（例えば、厚さ１μｍ、キャリア濃度Ｐ＝１×１０18ｃｍ-3）、３はＩｎＧａＡｓＰ歪量子井戸活性層、４はＰ型ＩｎＰからなるＰ型クラッド層（例えば、厚さ０．５μｍ、キャリア濃度Ｐ＝１×１０18ｃｍ-3）、５はＦｅがドープされて高抵抗化されたＩｎＰからなる高抵抗ブロック層、６はＮ型ＩｎＰブロック層、７はＰ型ＩｎＰ層、８はＰ型ＩｎＧａＡｓコンタクト層、９はＰ型電極（Ｔｉ／Ｐｔ／Ａｕ）、１０はＮ型電極（Ａｕ／Ｇｅ／Ｎｉ／Ａｕ）である。
この半導体レーザでは、メサ部はウエットエッチングで形成されているので、なだらかな末広がりの形状となっている。
【０００３】
また、図１６は、従来の半導体レーザの他の一例を示す断面図である。図において、１はＮ型ＩｎＰ基板、２はＮ型ＩｎＰからなるＮ型クラッド層（例えば、厚さ１μｍ、キャリア濃度Ｐ＝１×１０18ｃｍ-3）、３はＩｎＧａＡｓＰ歪量子井戸活性層、４はＰ型ＩｎＰからなるＰ型クラッド層（例えば、厚さ０．５μｍ、キャリア濃度Ｐ＝１×１０18ｃｍ-3）、５はＦｅがドープされて高抵抗化されたＩｎＰからなる高抵抗ブロック層、６はＮ型ＩｎＰブロック層、７はＰ型ＩｎＰ層、８はＰ型ＩｎＧａＡｓコンタクト層、９はＰ型電極（Ｔｉ／Ｐｔ／Ａｕ）、１０はＮ型電極（Ａｕ／Ｇｅ／Ｎｉ／Ａｕ）である。
この半導体レーザでは、メサ部はドライエッチングで形成されているので、垂直な形状となっている。
【０００４】
図１５、１６に示した従来の半導体レーザは、何れもメサ部の両端に積層されたＮ型ＩｎＰ基板１またはＮ型クラッド層２、高抵抗ブロック層５、Ｎ型ＩｎＰブロック層６を電流ブロック層として、ＩｎＧａＡｓＰ歪量子井戸活性層３に集中的に電流を注入できるようになっている。しかし、Ｐ型クラッド層４とＮ型ＩｎＰブロック層６との接点の幅が非常に狭くなっていることから、かかる接点領域からのリーク電流が流れ易くなり、往々にしてレーザ発振特性の悪化（例えば、しきい値の増加、レーザ効率の悪化）するという問題が生じる。
【０００５】
また、図１５、１６に示した従来の半導体レーザは、何れもＩｎＧａＡｓＰ歪量子井戸活性層３を光吸収層として用いることにより、光変調器とすることも可能である。しかしながら、この場合、ＩｎＧａＡｓＰ歪量子井戸活性層３とＮ型ＩｎＰブロック層６との距離が近く、高抵抗ブロック層５が薄いため、寄生容量が大きくなり、高速特性が悪化するという問題が生じる。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
そこで、前述のような従来技術の有する問題点に鑑み、この発明は、電流ブロック層中のＮ型ＩｎＰ層とメサ部との接触長を十分にとることにより、この部分からリーク電流が流れるのを抑え、良好なレーザ発振特性を備えた半導体レーザ、良好な光変調器特性を備えた光変調器および良好なレーザ発振特性と良好な光変調器特性を備えた光変調器付半導体レーザを提供することを目的とする。
また、この発明は、このような優れた特性を有する半導体レーザ、光変調器および光変調器付半導体レーザの製造方法を提供することも目的としている。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
前記目的を達成するため、この発明は次のような特徴を備えている。
【０００８】
すなわち、請求項１に記載の発明は、下面にＮ型電極が形成されたＮ型半導体基板と、このＮ型半導体基板上に形成された、Ｎ型ＩｎＰからなるＮ型クラッド層、活性層およびＰ型ＩｎＰからなるＰ型クラッド層が積層されてなるメサ部と、このメサ部の両側に位置するＮ型クラッド層と、前記メサ部の両側に形成されたＦｅがドープされて高抵抗化されたＩｎＰからなる高抵抗ブロック層と、この高抵抗ブロック層上かつ前記メサ部両側に形成されたＮ型ＩｎＰブロック層とを有する電流ブロック層と、前記メサ部および電流ブロック層上に形成されたＰ型ＩｎＰ層と、このＰ型ＩｎＰ層上に、Ｐ型ＩｎＧａＡｓコンタクト層を介して形成されたＰ型電極と、を備えた半導体レーザであって、前記メサ部と前記Ｎ型ＩｎＰブロック層との接触長が０．０５μｍ以上になるようにしたものである。
【０００９】
請求項２に記載の発明は、下面にＮ型電極が形成されたＮ型半導体基板と、このＮ型半導体基板上に形成された、Ｎ型ＩｎＰからなるＮ型クラッド層、活性層およびＰ型ＩｎＰからなるＰ型クラッド層が積層されてなるメサ部と、このメサ部の両側に位置するＮ型クラッド層と、前記メサ部の両側に形成されたＦｅがドープされて高抵抗化されたＩｎＰからなる高抵抗ブロック層と、この高抵抗ブロック層上かつ前記メサ部両側に形成されたＮ型ＩｎＰブロック層とを有する電流ブロック層と、前記メサ部および電流ブロック層上に形成されたＰ型ＩｎＰ層と、このＰ型ＩｎＰ層上に、Ｐ型ＩｎＧａＡｓコンタクト層を介して形成されたＰ型電極と、を備えた光変調器であって、前記メサ部と前記Ｎ型ＩｎＰブロック層との接触長が０．０５μｍ以上になるようにしたものである。
【００１０】
請求項３に記載の発明は、下面にＮ型電極が形成されたＮ型半導体基板と、このＮ型半導体基板上に形成された、Ｎ型ＩｎＰからなるＮ型クラッド層、活性層およびＰ型ＩｎＰからなるＰ型クラッド層が積層されてなるメサ部と、このメサ部の両側に位置するＮ型クラッド層と、前記メサ部の両側に形成されたＦｅがドープされて高抵抗化されたＩｎＰからなる高抵抗ブロック層と、この高抵抗ブロック層上かつ前記メサ部両側に形成されたＮ型ＩｎＰブロック層とを有する電流ブロック層と、前記メサ部および電流ブロック層上に形成されたＰ型ＩｎＰ層と、このＰ型ＩｎＰ層上に、Ｐ型ＩｎＧａＡｓコンタクト層を介して形成されたＰ型電極と、を備えた光変調器付半導体レーザであって、前記メサ部と前記Ｎ型ＩｎＰブロック層との接触長が０．０５μｍ以上になるようにしたものである。
【００１１】
請求項４に記載の発明は、下面にＮ型電極が形成されたＮ型半導体基板と、このＮ型半導体基板上に形成された、Ｎ型ＩｎＰからなるＮ型クラッド層、活性層およびＰ型ＩｎＰからなるＰ型クラッド層が積層されてなるメサ部と、このメサ部の両側に位置するＮ型クラッド層と、前記メサ部の両側に形成されたＦｅがドープされて高抵抗化されたＩｎＰからなる高抵抗ブロック層と、この高抵抗ブロック層上かつ前記メサ部両側に形成されたＮ型ＩｎＰブロック層とを有する電流ブロック層と、前記メサ部および電流ブロック層上に形成されたＰ型ＩｎＰ層と、このＰ型ＩｎＰ層上に、Ｐ型ＩｎＧａＡｓコンタクト層を介して形成されたＰ型電極と、を備えた半導体レーザの製造方法であって、前記高抵抗ブロック層を、成長とハロゲン系ガスを用いた異方性エッチングとを繰り返すことにより前記メサ部の両側に平坦に埋め込み、前記メサ部と前記Ｎ型ＩｎＰブロック層との接触長が０．０５μｍ以上になるようにした方法である。
【００１２】
請求項５に記載の発明は、下面にＮ型電極が形成されたＮ型半導体基板と、このＮ型半導体基板上に形成された、Ｎ型ＩｎＰからなるＮ型クラッド層、活性層およびＰ型ＩｎＰからなるＰ型クラッド層が積層されてなるメサ部と、このメサ部の両側に位置するＮ型クラッド層と、前記メサ部の両側に形成されたＦｅがドープされて高抵抗化されたＩｎＰからなる高抵抗ブロック層と、この高抵抗ブロック層上かつ前記メサ部両側に形成されたＮ型ＩｎＰブロック層とを有する電流ブロック層と、前記メサ部および電流ブロック層上に形成されたＰ型ＩｎＰ層と、このＰ型ＩｎＰ層上に、Ｐ型ＩｎＧａＡｓコンタクト層を介して形成されたＰ型電極と、を備えた光変調器の製造方法であって、前記高抵抗ブロック層を、成長とハロゲン系ガスを用いた異方性エッチングとを繰り返すことにより前記メサ部の両側に平坦に埋め込み、前記メサ部と前記Ｎ型ＩｎＰブロック層との接触長が０．０５μｍ以上になるようにした方法である。
【００１３】
請求項６に記載の発明は、下面にＮ型電極が形成されたＮ型半導体基板と、このＮ型半導体基板上に形成された、Ｎ型ＩｎＰからなるＮ型クラッド層、活性層およびＰ型ＩｎＰからなるＰ型クラッド層が積層されてなるメサ部と、このメサ部の両側に位置するＮ型クラッド層と、前記メサ部の両側に形成されたＦｅがドープされて高抵抗化されたＩｎＰからなる高抵抗ブロック層と、この高抵抗ブロック層上かつ前記メサ部両側に形成されたＮ型ＩｎＰブロック層とを有する電流ブロック層と、前記メサ部および電流ブロック層上に形成されたＰ型ＩｎＰ層と、このＰ型ＩｎＰ層上に、Ｐ型ＩｎＧａＡｓコンタクト層を介して形成されたＰ型電極と、を備えた光変調器付半導体レーザの製造方法であって、前記高抵抗ブロック層を、成長とハロゲン系ガスを用いた異方性エッチングとを繰り返すことにより前記メサ部の両側に平坦に埋め込み、前記メサ部と前記Ｎ型ＩｎＰブロック層との接触長が０．０５μｍ以上になるようにした方法である。
【００１４】
【発明の実施の形態】
以下、図面を参照してこの発明の実施の形態を説明する。
【００１５】
実施の形態１．
図１はこの発明にかかる半導体レーザの構成を示す断面図である。図中、１はＮ型ＩｎＰ基板、２はＮ型ＩｎＰからなるＮ型クラッド層（例えば、厚さ１μｍ、キャリア濃度Ｐ＝１×１０18ｃｍ-3）、３はＩｎＧａＡｓＰ歪量子井戸活性層、４はＰ型ＩｎＰからなるＰ型クラッド層（例えば、厚さ０．５μｍ、キャリア濃度Ｐ＝１×１０18ｃｍ-3）、５はＦｅがドープされて高抵抗化されたＩｎＰからなる高抵抗ブロック層、６はＮ型ＩｎＰブロック層、７はＰ型ＩｎＰ層、８はＰ型ＩｎＧａＡｓコンタクト層、９はＰ型電極（Ｔｉ／Ｐｔ／Ａｕ）、１０はＮ型電極（Ａｕ／Ｇｅ／Ｎｉ／Ａｕ）である。
【００１６】
この半導体レーザでは、下面にＮ型電極１０が形成されたＮ型ＩｎＰ基板１上に、Ｎ型クラッド層２とＰ型クラッド層４との間にＩｎＧａＡｓＰ歪量子井戸活性層３が積層されてメサ部をなしている。このメサ部の両側には、埋め込み成長させた高抵抗ブロック層５を備えている。さらに、前記メサ部の両側の高抵抗ブロック層５上にはＮ型ＩｎＰブロック層６が形成され、Ｎ型クラッド層２、高抵抗ブロック層５およびＮ型ＩｎＰブロック層６で電流ブロック層を構成している。特に、Ｎ型ＩｎＰブロック層６は、Ｐ型クラッド層４との接触長Ｌが０．０５μｍ以上となるように形成されている。加えて、前記メサ部の上面とＮ型ＩｎＰブロック層６を覆うようにＰ型ＩｎＰ層７が形成されている。また、Ｐ型ＩｎＰ層７の上面には、Ｐ型ＩｎＧａＡｓコンタクト層８を介してＰ型電極９が形成されている。
【００１７】
この半導体レーザでは、Ｐ型クラッド層４とＮ型ＩｎＰブロック層６との接触長Ｌが０．０５μｍ以上となるように構成されているため、Ｐ型クラッド層４とＮ型ＩｎＰブロック層６との接触面積が従来のものよりもかなり広くなっている。したがって、メサ部に電流を集中させることができ、メサ部からのリーク電流を抑制できる。この結果、しきい値の低下やレーザ効率の向上がみられ、良好なレーザ発振特性が得られる。
また、この半導体レーザでは、Ｎ型ＩｎＰブロック層６をＩｎＧａＡｓＰ歪量子井戸活性層３から離れた位置に形成している。したがって、高抵抗ブロック層５を厚く形成できるため、寄生容量が小さくなり、高速特性を向上させることができる。
【００１８】
次に、この発明にかかる半導体レーザの製造方法について説明する。図２ないし図１３はこの半導体レーザの製造工程を説明するための図である。
【００１９】
まず、図２に示すように、上面が（００１）面であるＮ型ＩｎＰ基板１上に、ＭＯＣＶＤ法でＮ型ＩｎＰからなるＮ型クラッド層２、ＩｎＧａＡｓＰ歪量子井戸活性層３、Ｐ型ＩｎＰからなるＰ型クラッド層４を成長させる（第１の工程）。次に、図３に示すように、Ｐ型クラッド層４上にＳｉＯ2 絶縁膜１１を形成し、パターニングする（第２の工程）。次に、図４に示すように、メタン系ドライエッチング等により、ＳｉＯ2 絶縁膜１１の両側の半導体層をＮ型クラッド層２の途中まで除去することで垂直なメサ部を形成する（第３の工程）。次に、図５に示すように、ＭＯＣＶＤ法で塩化水素（ＨＣｌ）ガスを流しながら、Ｆｅがドープされて高抵抗化されたＩｎＰからなる高抵抗ブロック層５ａを薄く（例えば、０．１μｍ程度の厚さになるように）成長させる（第４の工程）。ここで、この発明では、Ｎ型ＩｎＰ基板１の上面を（００１）面に形成しているので、Ｎ型クラッド層２、高抵抗ブロック層５ａ等各層の上面が（００１）面になるように形成される。塩化水素ガスを流しながら高抵抗ブロック層５ａを成長させると、その上面である（００１）面と比べ、メサ部側面と接する（１１０）面の成長速度が遅くなり、メサ部側面を覆う高抵抗ブロック層５ａの層厚を薄くすることができる。
【００２０】
次に、高抵抗ブロック層５ａの成長を中断させ、ＭＯＣＶＤ炉内でホスヒン（ＰＨ3 ）と塩化水素ガスを流す。塩化水素ガスにはＩｎＰ層をエッチングする性質があり、特に、（００１）面のエッチングレートは、（１１０）面のエッチングレートに比べて非常に遅くなる（図１４参照）。したがって、高抵抗ブロック層５ａのＮ型クラッド層２の厚さ方向へのエッチングは殆どなされないうちに、高抵抗ブロック層５ａのメサ部側面方向へのエッチングが終了してしまう。この性質を用いることにより、メサ部側面を覆うＩｎＰ層のみを選択的にエッチングでき、図６に示す構造を完成することができる（第５の工程）。
なお、ここでは、塩化水素ガスを用いたが、他のハロゲン系ガスを用いても同様の効果が得られる。また、異方性エッチングが可能な他の面方向でも同様の効果が得られる。しかしながら、万一、ドライエッチングではなくウエットエッチングにより本発明の方法を行った場合、各層は等方向にエッチングされるので、図６に示した構造を得ることはできない。
【００２１】
次に、図７に示すように、ＭＯＣＶＤ法で塩化水素ガスを流しながらＦｅがドープされて高抵抗化されたＩｎＰからなる高抵抗ブロック層５ｂを薄く（例えば、０．１μｍ程度の厚さで）成長させる（第６の工程）。そして、高抵抗ブロック層５ｂの成長を中断させ、ＭＯＣＶＤ炉内でホスヒンと塩化水素ガスを流し、メサ部側面を覆う高抵抗ブロック層５ｂのみを選択的にエッチングして、図８に示す構造を完成する（第７の工程）。その後、第６と第７の工程を繰り返し、メサ部側面を覆う高抵抗ブロック層のみをエッチングし、高抵抗ブロック層５をメサ部両側に平坦に埋め込み成長させ、図９に示す構造を完成する（第８の工程）。
【００２２】
次に、図１０に示すように、ＭＯＣＶＤ炉内において高抵抗ブロック層５上にＮ型ＩｎＰブロック層６を成長させる（第９の工程）。ここでは、前工程で高抵抗ブロック層５が平坦に形成されているため、特別な工夫を施すことなく、前記メサ部とＮ型ＩｎＰブロック層６との接触長Ｌを０．０５μｍ以上にすることができる。その後、図１１に示すように、ＳｉＯ2 絶縁膜１１を除去する（第１０の工程）。次いで、図１２に示すように、ＭＯＣＶＤ法を用いてＰ型ＩｎＰ層７およびＰ型ＩｎＧａＡｓコンタクト層８を成長させる（第１１の工程）。そして最後に、図１３に示すように、Ｐ型電極（Ｔｉ／Ｐｔ／Ａｕ）９およびＮ型電極（Ａｕ／Ｇｅ／Ｎｉ／Ａｕ）１０を形成する（第１２の工程）。
【００２３】
以上のような工程を経ることにより、この発明による半導体レーザを完成させることができる。
【００２４】
実施の形態２．
これまで半導体レーザについて説明したが、この発明では図１に示したものと同様の層構成で光変調器とすることもできる。すなわち、半導体レーザでは活性層として用いたＩｎＧａＡｓＰ歪量子井戸層５を光吸収層として動作させることで、かかる光吸収層の光吸収率がＰ型電極９およびＮ型電極１０に印加される電圧に対応して変化し、光変調器として機能する。
このように構成された光変調器は、前述した半導体レーザと同様の理由により、リーク電流が流れるのを抑制できるので、良好な光変調器特性が得られる。
【００２５】
なお、この光変調器も、実施の形態１において説明した半導体レーザの製造方法と同様の方法により製造することができる。
【００２６】
実施の形態３．
実施の形態２で説明したように、この発明にかかる半導体レーザは光変調器としても機能する。したがって、実施の形態１に示した半導体レーザと実施の形態２に示した光変調器を同一の半導体基板上に一体的に形成することにより、半導体レーザとしての機能と光変調器としての機能を合わせもつ光変調器付半導体レーザを構成することも可能である。例えば、Ｐ型電極を半導体レーザ部と光変調器部とで分離させ、各制御電圧を独立して印加するように構成すれば、半導体レーザから出力されるレーザ光を光変調器により変調して出力できる。
この光変調器付半導体レーザも、前述の半導体レーザと同様の理由により、リーク電流が流れるのを抑制できるので、良好なレーザ発振特性および光変調器特性が得られる。
【００２７】
なお、この光変調器付半導体レーザも、実施の形態１において説明した半導体レーザの製造方法と同様の方法により製造することができる。
【００２８】
【発明の効果】
この発明は、以上説明したような構成を備えているので、以下に示すような効果を奏する。
【００２９】
すなわち、請求項１に記載の発明によれば、電流ブロック層中のＮ型ＩｎＰ層とメサ部との接触長を十分にとることにより、この部分からのリーク電流を抑制できるので、良好なレーザ発振特性を備えた半導体レーザが得られる。
また、この半導体レーザでは、Ｎ型ＩｎＰブロック層をＩｎＧａＡｓＰ歪量子井戸活性層から離れた位置に形成し、高抵抗ブロック層を厚く形成しているため、寄生容量が小さくなり、高速特性を向上させることができる。
【００３０】
請求項２に記載の発明によれば、電流ブロック層中のＮ型ＩｎＰ層とメサ部との接触長を十分にとることにより、この部分からのリーク電流を抑制できるので、良好な光変調器特性を備えた光変調器が得られる。
また、この光変調器では、Ｎ型ＩｎＰブロック層をＩｎＧａＡｓＰ歪量子井戸活性層から離れた位置に形成し、高抵抗ブロック層を厚く形成しているため、寄生容量が小さくなり、高速特性を向上させることができる。
【００３１】
請求項３に記載の発明によれば、電流ブロック層中のＮ型ＩｎＰ層とメサ部との接触長を十分にとることにより、この部分からのリーク電流を抑制できるので、良好なレーザ発振特性および光変調器特性を備えた光変調器付半導体レーザが得られる。
また、この光変調器付半導体レーザでは、Ｎ型ＩｎＰブロック層をＩｎＧａＡｓＰ歪量子井戸活性層から離れた位置に形成し、高抵抗ブロック層を厚く形成しているため、寄生容量が小さくなり、高速特性を向上させることができる。
【００３２】
請求項４に記載の発明によれば、良好なレーザ発振特性および高速特性を備えた半導体レーザの製造方法が得られる。
【００３３】
請求項５に記載の発明によれば、良好な光変調器特性および高速特性を備えた光変調器の製造方法が得られる。
【００３４】
請求項６に記載の発明によれば、良好な光変調器特性、レーザ発振特性および高速特性を備えた光変調器付半導体レーザの製造方法が得られる。
【図面の簡単な説明】
【図１】  この発明にかかる半導体レーザの構成を示す断面図である。
【図２】  この発明にかかる半導体レーザの製造工程を説明するための図である。
【図３】  この発明にかかる半導体レーザの製造工程を説明するための図である。
【図４】  この発明にかかる半導体レーザの製造工程を説明するための図である。
【図５】  この発明にかかる半導体レーザの製造工程を説明するための図である。
【図６】  この発明にかかる半導体レーザの製造工程を説明するための図である。
【図７】  この発明にかかる半導体レーザの製造工程を説明するための図である。
【図８】  この発明にかかる半導体レーザの製造工程を説明するための図である。
【図９】  この発明にかかる半導体レーザの製造工程を説明するための図である。
【図１０】  この発明にかかる半導体レーザの製造工程を説明するための図である。
【図１１】  この発明にかかる半導体レーザの製造工程を説明するための図である。
【図１２】  この発明にかかる半導体レーザの製造工程を説明するための図である。
【図１３】  この発明にかかる半導体レーザの製造工程を説明するための図である。
【図１４】  ＩｎＰ層のエッチングレートの面方位依存性を示すグラフである。
【図１５】  従来の半導体レーザの構成を示す断面図である。
【図１６】  従来の半導体レーザの構成を示す断面図である。
【符号の説明】
１  Ｎ型ＩｎＰ基板、    ２  Ｎ型クラッド層、    ３  ＩｎＧａＡｓＰ歪量子井戸活性層、    ４  Ｐ型クラッド層、    ５  高抵抗ブロック層、    ６  Ｎ型ＩｎＰブロック層、    ７  Ｐ型ＩｎＰ層、    ８  Ｐ型ＩｎＧａＡｓコンタクト層、    ９  Ｐ型電極、    １０  Ｎ型電極、    １１  ＳｉＯ2 絶縁膜。
【図１】
0004786802.tif 000002
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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