(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
金属製のヒートシンク（１０）と、一面に樹脂よりなる樹脂部材（４０）が設けられたセラミック基板（２０）とを用意し、
接着剤（３０）を介して前記ヒートシンク（１０）と前記セラミック基板（２０）の前記一面とを対向させるとともに、前記樹脂部材（４０）を前記接着剤（３０）に接触させた状態で、前記接着剤（３０）を硬化することにより、前記ヒートシンク（１０）と前記セラミック基板（２０）とを接着する電子装置の製造方法において、
前記樹脂部材（４０）を前記セラミック基板（２０）の前記一面に設けた後、前記樹脂部材（４０）を加熱処理し、その後、前記接着剤（３０）による接着を行うことを特徴とする電子装置の製造方法。
【請求項２】
前記樹脂部材（４０）を１００℃〜１１０℃で定重量となるまで乾燥させたときの当該定重量に対する、前記樹脂部材（４０）が吸収した水分量の百分率を吸水率としたとき、
前記樹脂部材（４０）の加熱処理は、前記樹脂部材（４０）の前記吸水率が３％未満となるように前記樹脂部材（４０）を加熱するものであることを特徴とする請求項１に記載の電子装置の製造方法。
【請求項３】
前記加熱処理を行った後、３０分以内に前記接着剤（３０）による接着を行うことを特徴とする請求項２に記載の電子装置の製造方法。
【請求項４】
前記加熱処理を行った後、前記接着剤（３０）による接着を行うまでの間、前記樹脂部材（４０）を乾燥雰囲気に保持しておくことを特徴とする請求項２に記載の電子装置の製造方法。
【請求項５】
前記接着剤（３０）の接着は、シリコーン樹脂よりなる前記接着剤（３０）を加熱して硬化することにより行うものであり、
前記接着剤（３０）による接着は、前記接着剤（３０）の加熱における昇温速度を４０℃／分以下として前記接着剤（３０）を加熱・硬化させるものであることを特徴とする請求項１ないし４のいずれか１つに記載の電子装置の製造方法。
【請求項６】
前記昇温速度を２０℃／分以下とすることを特徴とする請求項５に記載の電子装置の製造方法。
【請求項７】
前記接着剤（３０）の接着は、シリコーン樹脂よりなる前記接着剤（３０）を加熱して硬化することにより行うものであり、
前記接着剤（３０）による接着は、前記接着剤（３０）に対して８０〜１２０℃で１分以上２０分以下の予備加熱を行った後、当該予備加熱以上の温度で加熱して前記接着剤（３０）を硬化させることにより行うことを特徴とする請求項１ないし４のいずれか１つに記載の電子装置の製造方法。
【請求項８】
金属製のヒートシンク（１０）と、
一面が前記ヒートシンク（１０）と対向した状態で配置されたセラミック基板（２０）と、
前記ヒートシンク（１０）と前記セラミック基板（２０）との間に介在し、前記ヒートシンク（１０）と前記セラミック基板（２０）とを接着する接着剤（３０）とを備える電子装置において、
前記セラミック基板（２０）の前記一面には、樹脂よりなる樹脂部材（４０）が設けられ、この樹脂部材（４０）を介して前記セラミック基板（２０）は前記接着剤（３０）に接触しており、
前記樹脂部材（４０）を１００℃〜１１０℃で定重量となるまで乾燥させたときの当該定重量に対する、前記樹脂部材（４０）が吸収した水分量の百分率を吸水率としたとき、
前記樹脂部材（４０）は、前記吸水率が３％未満の樹脂よりなることを特徴とする電子装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、セラミック基板の一面に樹脂部材を設け、この樹脂部材とヒートシンクとを接着剤を介して接着してなる電子装置およびそのような電子装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来より、この種の一般的な電子装置としては、金属製のヒートシンクと、一面に樹脂よりなる樹脂部材が設けられたセラミック基板とを用意し、接着剤を介してヒートシンクとセラミック基板の一面とを対向させるとともに、樹脂部材を接着剤に接触させた状態で、接着剤を硬化することにより、ヒートシンクとセラミック基板とを接着してなるものが提案されている。
【０００３】
このような電子装置においては、セラミック基板には多くの電子部品が搭載されるが、近年、装置の高機能化に伴い、電子部品のパイパワー化が進んでいる。この場合、セラミック基板上のパワー素子の熱は、当該基板から接着剤を介してヒートシンクへ放熱されるが、パワー素子の温度を効率よく低減するためには、その熱経路である接着剤中のボイドを低減する必要がある。
【０００４】
このボイドを低減する方法として、従来では、特許文献１に記載されているように、シリコンを含む結合基板の製造方法において、結合面のＯＨ基を増加させた後，水分の低減工程を通し、結合させるという方法が提案されている。
【特許文献１】特開２００６−８０３１４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、上記特許文献１に記載の方法によっても、樹脂部材のように、接合面に吸水性の高い材料が含まれる場合には、当該樹脂部材中に含まれる水分が、接着剤中に出てくることによりボイドを形成するため、接着剤中のボイドを十分に低減することができないという問題がある。
【０００６】
本発明は、上記問題に鑑みてなされたものであり、セラミック基板の一面に樹脂部材を設け、この樹脂部材とヒートシンクとを接着剤を介して接着してなる電子装置において、接着剤中のボイドの発生を極力防止し、放熱性の低下を抑制することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記目的を達成するため、請求項１に記載の発明では、接着剤（３０）を介してヒートシンク（１０）と樹脂部材（４０）が設けられているセラミック基板（２０）の一面とを対向させるとともに、樹脂部材（４０）を接着剤（３０）に接触させた状態で、接着剤（３０）を硬化することにより、ヒートシンク（１０）とセラミック基板（２０）とを接着する電子装置の製造方法において、樹脂部材（４０）をセラミック基板（２０）の一面に設けた後、樹脂部材（４０）を加熱処理し、その後、接着剤（３０）による接着を行うことを特徴としている。
【０００８】
それによれば、接着剤（３０）による接着を行う前に、樹脂部材（４０）を加熱処理して樹脂部材（４０）に吸水された水分を低減できるため、接着剤（３０）中のボイドの発生を極力防止し、放熱性の低下を抑制することができる。
【０００９】
ここで、請求項２に記載の発明のように、樹脂部材（４０）を１００℃〜１１０℃で定重量となるまで乾燥させたときの当該定重量に対する、前記樹脂部材（４０）が吸収した水分量の百分率を吸水率としたとき、樹脂部材（４０）の加熱処理は、樹脂部材（４０）の吸水率が３％未満となるように樹脂部材（４０）を加熱するものであることが好ましい。
【００１０】
本発明者の実験によれば、樹脂部材（４０）の吸水率を３％未満とし、この状態で接着剤（３０）による接着を行えば、接着剤（３０）中のボイドの大幅な低減が可能となる。
【００１１】
この場合、樹脂部材（４０）の吸水率を３％未満とした状態を維持しつつ、接着剤（３０）による接着を行うためには、請求項３に記載の発明のように、加熱処理を行った後、３０分以内に接着剤（３０）による接着を行うことが好ましい。
【００１２】
また、樹脂部材（４０）の吸水率を３％未満とした状態を維持しつつ、接着剤（３０）による接着を行うためには、請求項４に記載の発明のように、加熱処理を行った後、接着剤（３０）による接着を行うまでの間、樹脂部材（４０）を乾燥雰囲気に保持しておくことが好ましい。
【００１３】
また、請求項５に記載の発明のように、接着剤（３０）の接着を、シリコーン樹脂よりなる接着剤（３０）を加熱して硬化することにより行う場合、接着剤（３０）による接着は、接着剤（３０）の加熱における昇温速度を４０℃／分以下として接着剤（３０）を加熱・硬化させるものにすれば、接着剤（３０）中のボイドの低減のために好ましい。また、この場合、請求項６に記載の発明のように、昇温速度を２０℃／分以下とすれば、より好ましい。
【００１４】
また、請求項７に記載の発明のように、接着剤（３０）の接着を、シリコーン樹脂よりなる接着剤（３０）を加熱して硬化することにより行う場合、接着剤（３０）による接着は、接着剤（３０）に対して８０〜１２０℃で１分以上２０分以下の予備加熱を行った後、当該予備加熱以上の温度で加熱して接着剤（３０）を硬化させることにより行うようにすれば、接着剤（３０）中のボイドの低減のために好ましい。
【００１５】
また、請求項８に記載の発明では、金属製のヒートシンク（１０）と、一面がヒートシンク（１０）と対向した状態で配置されたセラミック基板（２０）と、ヒートシンク（１０）とセラミック基板（２０）との間に介在し、ヒートシンク（１０）とセラミック基板（２０）とを接着する接着剤（３０）とを備える電子装置において、セラミック基板（２０）の一面には、樹脂よりなる樹脂部材（４０）が設けられ、この樹脂部材（４０）を介してセラミック基板（２０）は接着剤（３０）に接触しており、樹脂部材（４０）を１００℃〜１１０℃で定重量となるまで乾燥させたときの当該定重量に対する、樹脂部材（４０）が吸収した水分量の百分率を吸水率としたとき、樹脂部材（４０）は、吸水率が３％未満の樹脂よりなることを特徴としている。
【００１６】
本発明の電子装置は、実験的に見出されたものであり、樹脂部材（４０）の吸水率が３％未満であれば、接着剤（３０）中のボイドの大幅な低減が可能となるため、接着剤（３０）中のボイドの発生を極力防止し、放熱性の低下を抑制することができる。
【００１７】
なお、特許請求の範囲およびこの欄で記載した各手段の括弧内の符号は、後述する実施形態に記載の具体的手段との対応関係を示す一例である。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１８】
以下、本発明の実施形態について図に基づいて説明する。なお、以下の各実施形態相互において、互いに同一もしくは均等である部分には、説明の簡略化を図るべく、図中、同一符号を付してある。
【００１９】
（第１実施形態）
図１は、本発明の第１実施形態に係る電子装置Ｓ１の概略断面構成を示す図である。この電子装置Ｓ１は、大きくは、接着剤３０を介してヒートシンク１０にセラミック基板２０の一面を対向させるとともに、セラミック基板２０の一面に樹脂部材４０を設け、この樹脂部材４０を介してセラミック基板２０を接着剤３０に接触させたものである。
【００２０】
ヒートシンク１０は、その上に搭載されたセラミック基板２０およびセラミック基板２０上の部品５０、５１に発生する熱を放熱する板状のものであり、放熱性に優れた鉄、銅、モリブデン、アルミニウムなどの金属材料よりなる。
【００２１】
セラミック基板２０は、アルミナなどのセラミックよりなる配線基板であり、単層でも多層でもよい。セラミック基板２０は、その一面（図１中の下面）をヒートシンク１０に対向させた状態でヒートシンク１０上に搭載されている。
【００２２】
また、セラミック基板２０の他面（図１中の上面）には、上記部品５０、５１が搭載されている。これら部品５０、５１は、ＩＣチップやコンデンサ素子、抵抗素子などの表面実装部品などであり、Ａｇペーストやはんだなどの図示しないダイマウント材を介して、セラミック基板２０の他面に搭載され接着されている。
【００２３】
また、図示しないが、これら部品５０、５１とセラミック基板２０との間、これら部品５０、５１と外部との間、および、セラミック基板２０と外部との間は、たとえばワイヤボンディングなどにより電気的に接続されている。
【００２４】
ヒートシンク１０とセラミック基板２０との間に介在する接着剤３０としては、ＵＶ硬化型接着剤、熱硬化型接着剤、エポキシ系接着剤、ウレタン系接着剤、シリコーン系接着剤等があげられる。この接着剤３０により、ヒートシンク１０とセラミック基板２０とが接着されている。
【００２５】
なお、図１では、接着剤３０中にボイドＢが存在しているが、本実施形態では、このボイドＢは極力低減されている。具体的には、後述するボイド率（図３参照）が５％未満となっている。
【００２６】
樹脂部材５０は、ＵＶ硬化型樹脂、熱硬化型樹脂、エポキシ系樹脂、ウレタン系樹脂などの樹脂よりなるもので、セラミック基板２０の一面に塗布して硬化させることにより層状をなして形成されている。そして、セラミック基板２０は、この樹脂部材４０の部分にて接着剤３０を介してヒートシンク１０に接着されている。
【００２７】
ここで、本実施形態では、樹脂部材４０は、吸水率が３％未満の樹脂として構成されている。この吸水率は、樹脂部材４０を１００℃〜１１０℃で定重量となるまで乾燥させたときの当該定重量に対する当該樹脂部材４０が吸収した水分量の百分率である。
【００２８】
具体的には、樹脂部材４０を１００℃〜１１０℃で定重量ｍ１となるまで乾燥させた後、大気中に２４時間放置し、この放置後の樹脂部材４０の重量をｍ２とする。当該大気放置によって樹脂部材４０は、水分を吸収して重くなるが、この場合の吸水率は、当該放置後の樹脂部材４０の重量の増加分（ｍ２−ｍ１）を当該乾燥による定重量ｍ１で除して１００を乗じた値、すなわち［（ｍ２−ｍ１）／ｍ１］×１００である。
【００２９】
次に、本実施形態の電子装置Ｓ１の製造方法について述べる。まず、セラミック基板２０の一面に塗布・硬化などにより樹脂部材４０を設け、他面に部品５０、５１を搭載する。また、ヒートシンク１０を用意する。
【００３０】
次に、セラミック基板２０とともに樹脂部材４０をオーブンなどに入れて、加熱処理する。このとき、当該加熱処理によって樹脂部材４０中の水分を除去することにより、樹脂部材４０の上記吸水率が３％未満となるように、樹脂部材４０の加熱を行う。この加熱処理工程における３％未満の根拠については後述する。
【００３１】
この加熱処理工程の加熱条件については、次のようにして求められる。上記具体例と同様に、樹脂部材４０を１００℃〜１１０℃で定重量ｍ１となるまで乾燥させた後、大気中に２４時間放置する工程において、当該放置後の樹脂部材４０の重量の増加分（ｍ２−ｍ１）を当該乾燥による定重量ｍ１で除して１００を乗じた値を、吸水率とする。
【００３２】
そして、塗布して硬化した直後の樹脂部材４０の重量は、上記定重量ｍ１であり、当該硬化直後の樹脂部材４０を更に大気中に２４時間放置した後の重量ｍ２を求めることで、当該放置後の樹脂部材４０の吸水率を求めておく。そして、当該放置後の重量ｍ２である樹脂部材４０を、さらに加熱処理する。
【００３３】
そして、当該加熱処理後の樹脂部材４０の重量ｍ３と上記定重量ｍ１との差分を求めれば、上記放置後の吸水率に比べて低くなった加熱処理後の吸水率［（ｍ３−ｍ１）／ｍ１］×１００が求められる。このとき、当該加熱処理の条件、すなわち加熱温度や加熱時間を調整し、加熱処理後の吸水率が３％未満となるような加熱条件を求める。
【００３４】
そして、本実施形態の加熱処理工程では、求められた加熱条件にて加熱処理を行うものである。加熱条件の一例を述べると、加熱温度は７０℃以上、望ましくは８０℃〜１８０℃の間であり、加熱時間は数分から１０分程度である。
【００３５】
こうして、加熱処理工程を行った後、ヒートシンク１０または樹脂部材４０に接着剤を印刷などで塗布し、ヒートシンク１０とセラミック基板２０とを貼り合わせる。続いて、接着剤３０を硬化することで、接着剤３０によるヒートシンク１０とセラミック基板２０との接着を行い、本実施形態の電子装置Ｓ１ができあがる。
【００３６】
上記製造方法によれば、接着剤３０による接着を行う前に、樹脂部材４０を加熱処理して樹脂部材４０に吸水された水分を低減できるため、接着剤３０中のボイドの発生を極力防止し、放熱性の低下を抑制することができる。
【００３７】
次に、樹脂部材４０の吸水率が３％未満となるように加熱処理工程を行う根拠について述べる。この根拠は次に述べる検討例の結果に基づく。
【００３８】
この検討例において、樹脂部材４０としては一般的なエポキシ樹脂を用いた。この樹脂部材４０をセラミック基板２０に塗布・硬化して設けた後、吸水率が実質的に０となるまで加熱処理を行った。そして、この加熱処理工程後に樹脂部材４０の大気放置を行い、樹脂部材４０の吸水率の変化を調べた結果を図２に示す。
【００３９】
図２は、加熱処理工程後の大気放置時間（単位：分）と吸水率（単位：重量％）との関係を示す図である。図２に示されるように、加熱処理直後は、吸水率は０であり、大気放置時間の増加とともに、樹脂部材４０が水分を吸収して、吸水率が増加していく。本例では、大気放置時間が３０分までは、吸水率は３％未満であり、３０分を超えると３％以上となることがわかった。
【００４０】
また、図３は、上記大気放置時間（単位：分）とボイド率（単位：％）との関係を調査した結果を示す図である。ここで、大気放置時間は、樹脂部材４０の加熱処理工程後に接着剤３０を印刷するまでの時間に相当する。
【００４１】
また、図３において、ボイド率は、接着剤３０の硬化後において接着剤３０中に存在する上記ボイドＢ（上記図１参照）の発生割合を示すものである。ここでは、ボイド率は、接着完了後の接着剤３０による接合部を強制的に剥離させ、その剥離面に占めるボイドＢの面積比率を画像処理などにより求め、百分率で示したものとした。
【００４２】
図３に示されるように、大気放置時間の増加、すなわち加熱処理工程後から接着剤印刷までの放置時間の増加とともに、ボイド率が増加していく。つまり、図２、図３より、吸水率の増加とともにボイド率が増加していく。また、加熱処理を行わない（図３中の「加熱無し」）場合では、加熱処理を行った場合に比べて、大幅にボイド率が大きくなっている。
【００４３】
そして、図３に示されるように、大気放置時間が３０分以下のとき、すなわち吸水率が３％未満の状態で接着剤３０の印刷を行ったときには、５％未満という実用レベルにて問題ない低いボイド率が実現されている。これら図２、図３に示されるような検討結果が、樹脂部材４０の吸水率が３％未満となるように加熱処理工程を行う根拠である。
【００４４】
また、これら図２、図３より、樹脂部材４０の吸水率を３％未満とした状態を維持しつつ、接着剤３０による接着を行うためには、加熱処理工程を行った後、３０分以内に接着剤３０による接着を行うことが好ましいといえる。
【００４５】
また、樹脂部材４０の吸水率を３％未満とした状態を維持しつつ、接着剤３０による接着を行うためには、加熱処理工程を行った後、接着剤３０による接着を行うまでの間、樹脂部材４０を乾燥雰囲気に保持しておいてもよい。
【００４６】
具体的に、乾燥雰囲気とは、エアコンや減圧ポンプなどで、たとえば湿度が１０％以下まで除湿されたガス中である。除湿されたガスとしては空気でもよいし、不活性ガスなどであってもよい。
【００４７】
また、本実施形態の電子装置Ｓ１は、樹脂部材４０の吸水率が３％未満であるため、上記同様の理由から接着剤３０中のボイドの大幅な低減が可能となる。そのため、本電子装置Ｓ１によれば、接着剤３０中のボイドの発生を極力防止し、放熱性の低下を抑制することができる。
【００４８】
（第２実施形態）
本発明の第２実施形態は、上記第１実施形態に示した製造方法において、接着剤３０の接着を、シリコーン樹脂よりなる接着剤３０を加熱して硬化することにより行うものとし、さらに、接着剤３０の加熱における昇温速度を４０℃／分以下（好ましくは２０℃／分以下）として接着剤３０を加熱・硬化させるものである。
【００４９】
この接着剤３０の加熱における昇温速度を規定する根拠は、次に述べるような本発明者が行った検討結果に基づくものである。
【００５０】
ここで、接着剤３０および樹脂部材４０中の水分が、接着剤加熱によって接着剤３０が軟らかいうちに急激に膨張することでボイドが発生すると考えられる。そこで、昇温速度をある程度遅くしてやれば、水分の急激な膨張を抑制し、ボイドが低減できると考え、適切な昇温速度を求めることとした。これが昇温速度に着目した理由である。
【００５１】
そして、この検討例において、樹脂部材４０としては一般的なエポキシ樹脂を用い、接着剤３０としては一般的なシリコーン樹脂よりなる接着剤を用いた。
【００５２】
そして、樹脂部材４０をセラミック基板２０に塗布・硬化して設けた後、上記実施形態では行っていた加熱処理工程は行わずに、ヒートシンク１０とセラミック基板２０との貼り合わせ、接着剤３０の加熱硬化による接着を行った。そして、このとき、接着剤３０の加熱における昇温速度を種々変えていき、上記ボイド率との関係を調べた。その結果を図４に示す。
【００５３】
図４は、接着剤３０の加熱における昇温速度（単位：℃／分）とボイド率（単位：％）との関係を示す図である。図４では、各昇温速度におけるボイド率の値の平均値（図中の白三角プロット）を線で結んでいる。昇温速度の増加とともに、ボイド率が増加していくことがわかる。
【００５４】
そして、図４に示されるように、昇温速度が４０℃／分以下のときには、５％未満という実用レベルにて問題ない低いボイド率が実現されている。また、昇温速度が２０℃／分であれば、ばらつきを含めても、より確実にボイド率５％未満を実現している。
【００５５】
つまり、接着剤３０の加熱における昇温速度を４０℃／分以下（好ましくは２０℃／分以下）として接着剤３０を加熱・硬化させることにより、樹脂部材４０の上記加熱処理を行わずとも、図４に示されるように、ボイド率の大幅な低減が図れる。
【００５６】
そのため、樹脂部材４０の上記加熱処理と組み合わせれば、より大きなボイド低減効果が期待できる。これらのことを根拠として、本実施形態の製造方法では、上記したように、吸水率が３％未満となるように樹脂部材４０を加熱処理し、その後、接着剤の塗布、ヒートシンク１０とセラミック基板２０との貼り合わせを行い、次に、昇温速度４０℃／以下で接着剤３０を加熱・硬化するものである。
【００５７】
（第３実施形態）
本発明の第３実施形態は、上記第１実施形態に示した製造方法において、接着剤３０の接着を、シリコーン樹脂よりなる接着剤３０を加熱して硬化することにより行うものとし、さらに、この接着剤３０による接着を、接着剤３０に対して８０〜１２０℃で１分以上２０分以下の予備加熱を行った後、当該予備加熱以上の温度で加熱して接着剤３０を硬化させることにより行うものである。
【００５８】
このように接着剤３０の加熱において予備加熱を行う根拠は、次に述べるような本発明者が行った検討結果に基づくものである。この検討例において、樹脂部材４０としては一般的なエポキシ樹脂を用い、接着剤３０としては一般的なシリコーン樹脂よりなる接着剤を用いた。
【００５９】
そして、樹脂部材４０をセラミック基板２０に塗布・硬化して設けた後、上記実施形態では行っていた加熱処理工程は行わずに、ヒートシンク１０とセラミック基板２０との貼り合わせ、接着剤３０の加熱・硬化による接着を行った。
【００６０】
図５は、接着剤３０の加熱・硬化工程における温度プロファイルを示す図である。この温度プロファイルは、ワークをセットした加熱炉内の温度を示すものである。この工程では、温度を上げていき、温度Ｔ１にて一定時間（たとえば１分〜２０分）、予備加熱を行い、そこからさらに温度を上げていき、温度Ｔ２にて接着剤３０の本硬化を行い、接着を完了させる。なお、このプロファイルにおける昇温部分の昇温速度は、上記同様４０℃／分以下でもよいが、それ以外の速度でもよい。
【００６１】
このような温度プロファイルにて、予備加熱温度Ｔ１を種々変更していき、上記ボイド率との関係を調べた。その結果を図６に示す。図６は、予備加熱温度（単位：℃）とボイド率（単位：％）との関係を調査した結果を示す図である。図６では、各予備加熱温度におけるボイド率の値の平均値（図中の黒丸プロット）を線で結んでいる。
【００６２】
そして、図６に示されるように、予備加熱温度を８０℃以上１２０℃以下とすれば、５％未満という実用レベルにて問題ない低いボイド率が実現しやすいことが、確認された。また、予備加熱温度を９０℃以上１１０℃以下とすれば、より低いボイド率が実現できることがわかる。
【００６３】
つまり、接着剤３０に対して８０〜１２０℃で１分以上２０分以下の予備加熱を行った後、当該予備加熱以上の温度で加熱して接着剤３０を硬化させることにより、樹脂部材４０の上記加熱処理を行わずとも、図６に示されるように、ボイド率の大幅な低減が図れる。
【００６４】
そのため、樹脂部材４０の上記加熱処理と組み合わせれば、より大きなボイド低減効果が期待できる。これらのことを根拠として、本実施形態の製造方法では、上記したように、吸水率が３％未満となるように樹脂部材４０を加熱処理し、その後、接着剤の塗布、ヒートシンク１０とセラミック基板２０との貼り合わせを行い、次に、接着剤３０に対して上記予備加熱・本硬化を行うものである。
【００６５】
なお、予備加熱の温度Ｔ１は８０〜１２０℃、時間は１分〜２０分であるが、生産性を考慮すると、予備加熱の時間Ｔ１は９０℃〜１１０℃、時間は１分〜１０分が好ましい。また、本硬化の温度Ｔ２は、予備加熱温度Ｔ１よりも高く１２０〜２００℃であり、本硬化の時間はたとえば１０分以上である。
【００６６】
（他の実施形態）
なお、樹脂部材４０としては、当該樹脂部材４０を構成する樹脂の固有の性質として３％未満であるものを用いてもよい。この場合、上記加熱処理は不要である。
【００６７】
また、上記加熱処理工程によって樹脂部材４０の吸水率が３％未満にならなくてもよい。あらかじめ、試験的にボイド率と加熱処理温度や加熱時間との関係を調べておき、実用レベル（たとえば５％未満）までボイド率が低減可能な条件で加熱処理を行うものであれば、加熱処理後の樹脂部材４０の吸水率が３％以上であってもかまわない。
【００６８】
また、１個のヒートシンクに対して複数個のセラミック基板を接着する場合、あるいは、１個のセラミック基板に対して複数個のヒートシンクを接着する場合においても、上記した各実施形態が適用可能である。また、上記図１では、セラミック基板２０の他面に部品５０、５１が搭載されていたが、このような実装形態に限定されるものではなく、また、当該部品は無いものであってもよい。
【図面の簡単な説明】
【００６９】
【図１】本発明の第１実施形態に係る電子装置の概略断面図である。
【図２】加熱処理工程後の大気放置時間と吸水率との関係を示す図である。
【図３】大気放置時間とボイド率との関係を示す図である。
【図４】接着剤の加熱における昇温速度とボイド率との関係を示す図である。
【図５】接着剤の加熱・硬化工程における温度プロファイルを示す図である。
【図６】予備加熱温度とボイド率との関係を示す図である。
【符号の説明】
【００７０】
１０  ヒートシンク
２０  セラミック基板
３０  接着剤
４０  樹脂部材
【図１】
0004835599.tif 000002
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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