(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
組成式：１００（Ｂａ1-xＣａx）mＴｉＯ3＋ａＭｎＯ＋ｂＮｂ2Ｏ5＋ｃＳｉＯ2＋ｄＲｅ2Ｏ3（但し、ＲｅはＹ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、及びＹｂの中から選ばれる少なくとも１種の金属元素であり、ａ、ｂ、ｃ、及びｄはモル比を表わす）で表わされる、誘電体セラミック組成物であって、
０．０１≦ａ≦５、
０．０５≦ｂ≦２、
０．４≦ｃ≦８、
０．０５≦ｄ≦２．５、
０．０１≦ｘ≦０．２０、
０．９９≦ｍ≦１．０３
の範囲内にある、誘電体セラミック組成物。
【請求項２】
複数の誘電体セラミック層と、該誘電体セラミック層間に形成された内部電極と、該内部電極に電気的に接続された外部電極とを備える、積層セラミックコンデンサにおいて、前記誘電体セラミック層が請求項１に記載の誘電体セラミック組成物で構成されていることを特徴とする、積層セラミックコンデンサ。
【請求項３】
前記内部電極は、Ｎｉ、Ｎｉ合金、Ｃｕ、及びＣｕ合金の中から選ばれる少なくとも１種の導電性材料で構成されていることを特徴とする、請求項２に記載の積層セラミックコンデンサ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、誘電体セラミック組成物、及びこの誘電体セラミック組成物を用いて構成される積層セラミックコンデンサに関する。
【背景技術】
【０００２】
従来より、ＮｉおよびＮｉ合金を内部電極として使用するために、低酸素分圧下で焼成しても、半導体化せず、しかも静電容量の温度特性が平坦な積層コンデンサ用誘電体材料として、例えば、ＢａＴｉＯ3を主成分とし、副成分としてＲｅ2Ｏ3（但し、ＲｅはＴｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、及びＥｒの内の１種類以上）、Ｃｏ2Ｏ3、ＢａＯ、ＭｎＯ、及びＭｇＯを添加した誘電体セラミック組成物（特許文献１〜３参照）、ＢａＴｉＯ3を主成分とし、副成分としてＲｅ（但し、ＲｅはＹ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、及びＹｂの内の少なくとも１種類）、Ｃａ、Ｍｇ、及びＳｉを添加した誘電体セラミック組成物（特許文献４参照）、（Ｂａ、Ｃａ）ＴｉＯ3を主成分とし、副成分としてＲｅ2Ｏ3（但し、ＲｅはＹ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、及びＹｂの内の１種類以上）、ＭｇＯ、及びＭｎＯを添加した誘電体セラミック組成物（特許文献５参照）等のセラミック組成物が、既に多数提案されている。
【特許文献１】特開平５−９０６６号公報
【特許文献２】特開平５−９０６７号公報
【特許文献３】特開平５−９０６８号公報
【特許文献４】特開２００１−３９７６５号公報
【特許文献５】特開２０００−５８３７８号公報  そして、従来、これらの誘電体セラミック組成物を用いた積層セラミックコンデンサは、誘電体セラミック層厚みに対して印加電圧が小さい、すなわち低電界強度の電圧直流下で使用されることが多かった。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
近年のエレクトロニクス技術の発展により、電子機器の高機能化、及び高集積化が進展する中、積層セラミックコンデンサの使用条件はますます厳しいものとなっている。
【０００４】
特に、電子機器の高集積化により、高周波で動作するＣＰＵ等、発熱体の近傍に実装された積層セラミックコンデンサの周辺温度は従来よりもますます高くなり、信頼性に対する影響が懸念されている。
【０００５】
その一方、前述したような積層セラミックコンデンサの小型大容量化の要求を満たすために、誘電体セラミック層をより薄層化し、かつ多層化する必要も生じている。
【０００６】
このような状況の中で、積層セラミックコンデンサには小型大容量化と、絶縁耐力および信頼性の向上の両立が求められており、それに用いる高誘電率で、比誘電率の温度特性が平坦で、誘電体セラミック層を薄層化しても、絶縁耐力と信頼性に優れる、誘電体セラミック組成物が必要とされている。
【０００７】
しかし、従来の誘電体セラミック組成物は、低電界強度の直流電圧下で使用されることを前提に設計されていたので、用いられる積層セラミックコンデンサの薄層化が進んで、高電界強度の直流電圧下で使用されると、絶縁抵抗、絶縁耐力、および信頼性が極端に低下し、また、印加直流電界に対する静電容量の変化率（以下ＤＣバイアス変化率）が大きくなるという問題があった。
【０００８】
ＤＣバイアス変化率が大きいと、積層セラミックコンデンサの実効容量が低下してしまい、設計の段階で必要としていた静電容量を満たさなくなるため、回路が正常に動作しなくなるという不具合が発生することが懸念される。
【０００９】
このため、従来の誘電体セラミック組成物を、誘電体セラミック層を薄層化した積層セラミックコンデンサに適用する際には、ＤＣバイアス変化率を考慮して、その薄層化の程度に応じて、予め定格電圧を下げる、すなわち印加できる直流電圧を下げる必要があった。
【００１０】
ここで、従来技術として挙げた特許文献１〜５は、静電容量の温度特性が平坦で、薄層化しても信頼性に優れた積層セラミックコンデンサに用いることのできる誘電体セラミック組成物を提供しようとするものである。
【００１１】
しかし、従来の誘電体セラミック組成物では、ＤＣバイアス変化率を小さくしようとすると、特許文献５に示されるように、比誘電率εｒが３０００未満に低下してしまうため、積層セラミックコンデンサの小型大容量化と、ＤＣバイアス変化率の改善を両立させることができなかった。
【００１２】
そこで、この発明の目的は、上述したような問題を解決し得る、すなわち、比誘電率の温度特性が平坦で、誘電体セラミック層を薄層化しても、絶縁耐力と信頼性に優れ、また比誘電率εｒが３５００以上でありながら、ＤＣバイアス変化率の絶対値が２０％以下と小さい、誘電体セラミック組成物、及びこの誘電体セラミック組成物を用いて構成される積層セラミックコンデンサを提供しようとすることである。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
上述した技術的課題を解決するため、この発明の誘電体セラミック組成物は、組成式：１００（Ｂａ1-xＣａx）mＴｉＯ3＋ａＭｎＯ＋ｂＮｂ2Ｏ5＋ｃＳｉＯ2＋ｄＲｅ2Ｏ3（但し、ＲｅはＹ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、及びＹｂの中から選ばれる少なくとも１種の金属元素であり、ａ、ｂ、ｃ、及びｄはモル比を表わす）で表わされる、誘電体セラミック組成物であって、０．０１≦ａ≦５、０．０５≦ｂ≦２、０．４≦ｃ≦８、０．０５≦ｄ≦２．５、０．０１≦ｘ≦０．２０、０．９９≦ｍ≦１．０３の範囲内にある。
【００１４】
また、この発明の積層セラミックコンデンサは、複数の誘電体セラミック層と、該誘電体セラミック層間に形成された内部電極と、該内部電極に電気的に接続された外部電極とを備える、積層セラミックコンデンサにおいて、前記誘電体セラミック層が上述した誘電体セラミック組成物で構成されていることを特徴としている。
【００１５】
また、前記内部電極は、Ｎｉ、Ｎｉ合金、Ｃｕ、及びＣｕ合金の中から選ばれる少なくとも１種の導電性材料で構成されていることを特徴としている。
【発明の効果】
【００１６】
この発明によれば、２０℃での値を基準とした比誘電率の温度変化率の絶対値が１０％以内と小さく、誘電体セラミック層を薄層化しても、絶縁耐力と信頼性に優れ、また比誘電率εｒが３５００以上でありながら、ＤＣバイアス変化率の絶対値が２０％以下と小さい、誘電体セラミック組成物を得ることができる。
【００１７】
従って、この発明に係る誘電体セラミック組成物を積層セラミックコンデンサに適用することにより、電子機器の高機能化、及び高集積化により厳しくなっている使用条件に対しても、優れた信頼性を確保することができる。
【００１８】
さらに、積層セラミックコンデンサの小型大容量化と、ＤＣバイアス変化率の改善を両立させることができ、電気的特性が安定で、かつ優れたものとすることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１９】
図１は、この発明に係る誘電体セラミック組成物を用いて構成される積層セラミックコンデンサ１を図解的に示す断面図である。
【００２０】
積層セラミックコンデンサ１は、積層体２を備えている。積層体２は、積層される複数の誘電体セラミック層３と、複数の誘電体セラミック層３の間の特定の複数の界面に沿ってそれぞれ形成される複数の内部電極４及び５とをもって構成される。内部電極４及び５は、積層体２の外表面にまで到達するように形成されるが、積層体２の一方の端面６にまで引き出される内部電極４と、他方の端面７にまで引き出される内部電極５とが、積層体２の内部において交互に配置されている。
【００２１】
積層体２の外表面上であって、端面６及び７上には、外部電極８及び９がそれぞれ形成されている。また、必要に応じて、外部電極８及び９上には、Ｎｉ、Ｃｕ等からなる第１のめっき層１０及び１１がそれぞれ形成され、さらにその上には、はんだ、Ｓｎ等からなる第２のめっき層１２及び１３がそれぞれ形成されている。
【００２２】
次に、上述のような積層セラミックコンデンサ１の製造方法について、製造工程順に説明する。
【００２３】
まず、誘電体セラミック組成物のための原料粉末を用意し、これをスラリー化し、このスラリーをシート状に成形して、誘電体セラミック層３のためのグリーンシートを得る。ここで、誘電体セラミック原料粉末として、後に詳細に説明するように、この発明に係る誘電体セラミック組成物のための原料粉末が用いられる。
【００２４】
次に、グリーンシートの特定のものの各一方主面に、内部電極４及び５を形成する。内部電極４及び５は、Ｎｉ、Ｎｉ合金、Ｃｕ、及びＣｕ合金の中から選ばれる少なくとも１種の導電性材料により構成されるが、特にＮｉまたはＮｉ合金により構成されることが好ましい。これら内部電極４及び５は、通常、上述のような導電性材料により構成される導電性ペーストを用いて、スクリーン印刷法や転写法により形成されるが、これらに限らずどのような方法によって形成されてもよい。
【００２５】
次に、内部電極４または５を形成した誘電体セラミック層３のためのグリーンシートを必要数積層すると共に、これらグリーンシートを、内部電極が形成されない適当数のグリーンシートによって挟んだ状態とし、これを熱圧着することによって、生の積層体を得る。
【００２６】
次に、この生の積層体を、所定の還元性雰囲気中で所定の温度にて焼成し、それによって、図１に示すような焼結後の積層体２を得る。
【００２７】
その後、積層体２の両端面６および７上に、内部電極４及び５とそれぞれ電気的に接続されるように、外部電極８及び９を形成する。これら外部電極８及び９の材料としては、Ｎｉ、Ｎｉ合金、Ｃｕ、Ｃｕ合金、Ａｇ、またはＡｇ合金等を用いることができる。外部電極８及び９は、通常、金属粉末にガラスフリットを添加して得られた導電性ペーストを、積層体２の両端面６及び７上に塗布し、これを焼き付けることによって形成される。
【００２８】
なお、外部電極８及び９となるべき導電性ペーストは、通常、上述のように焼結後の積層体２に塗布され、焼き付けられるが、焼成前の生の積層体に塗布しておき、積層体２を得るための焼成と同時に焼き付けられてもよい。
【００２９】
次に、外部電極８及び９上に、Ｎｉ、Ｃｕ等のめっきを施し、第１のめっき層１０および１１を形成する。最後に、これら第１のめっき層１０及び１１上に、はんだ、Ｓｎ等のめっきを施し、第２のめっき層１２及び１３を形成し、積層セラミックコンデンサ１を完成させる。
【００３０】
このような積層セラミックコンデンサ１において、誘電体セラミック層３は、組成式：１００（Ｂａ1-xＣａx）mＴｉＯ3＋ａＭｎＯ＋ｂＮｂ2Ｏ5＋ｃＳｉＯ2＋ｄＲｅ2Ｏ3（但し、ＲｅはＹ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、及びＹｂの中から選ばれる少なくとも１種の金属元素であり、ａ、ｂ、ｃ、及びｄはモル比を表わす）で表わされる、誘電体セラミック組成物により構成される。
【００３１】
但し、上記の組成式において、ｘ、ｍ、ａ、ｂ、ｃ、及びｄは、０．０１≦ａ≦５、０．０５≦ｂ≦２、０．４≦ｃ≦８、０．０５≦ｄ≦２．５、０．０１≦ｘ≦０．２０、０．９９≦ｍ≦１．０３の範囲内にある。
【００３２】
この誘電体セラミック組成物は、還元性雰囲気中で焼成しても、半導体化することなく、焼結することができる。
【００３３】
また、この誘電体セラミック組成物を用いて、前記積層セラミックコンデンサ１における誘電体セラミック層３を構成するようにすれば、２０℃での値を基準とした比誘電率の温度変化率の絶対値が１０％以内と小さく、誘電体セラミック層を薄層化しても、絶縁耐力と信頼性に優れ、また比誘電率εｒが３５００以上でありながら、ＤＣバイアス変化率の絶対値が２０％以下と小さくすることができる。
【００３４】
このような誘電体セラミック組成物の出発原料は、（Ｂａ1-xＣａx）mＴｉＯ3で表わされる化合物、Ｍｎ化合物、Ｎｂ化合物、Ｓｉ化合物、及びＲｅ化合物（但し、Ｒｅは、Ｙ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、及びＹｂの中から選ばれる少なくとも１種の金属元素）を含むものであるが、誘電体セラミック組成物の原料粉末の製造方法としては、（Ｂａ1-xＣａx）mＴｉＯ3で表わされる化合物を実現し得るものであれば、どのような方法を用いてもよい。
【００３５】
例えば、（Ｂａ1-xＣａx）mＴｉＯ3で表わされる化合物を心材、それ以外の成分を添加成分と呼ぶ場合、ＢａＣＯ3、ＣａＣＯ3、及びＴｉＯ2を混合する工程と、心材を合成するためにこの混合物を熱処理する工程と、得られた心材に添加成分を加えて混合する工程とを備える製造方法によって、誘電体セラミック組成物の原料粉末を得ることができる。
【００３６】
また、水熱合成法、加水分解法、あるいはゾル−ゲル法等の湿式合成法によって心材を合成する工程と、得られた心材に添加成分を加えて混合する工程とを備える製造方法によっても、誘電体セラミック組成物の原料粉末を得ることができる。
【００３７】
また、添加成分であるＭｎ化合物、Ｎｂ化合物、Ｓｉ化合物、及びＲｅ化合物（但し、ＲｅはＹ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、及びＹｂの中から選ばれる少なくとも１種の金属元素）としては、前記誘電体セラミック組成物を構成できるものであれば、酸化物粉末に限らず、アルコキシドや有機金属等の溶液を用いてもよく、これら用いられる添加成分の形態によって、得られた誘電体セラミック組成物の特性が損なわれることはない。
【００３８】
また、上述したような誘電体セラミック組成物は、焼成されて、図１に示した積層セラミックコンデンサ１の誘電体セラミック層３となるが、このような焼成工程において、内部電極４及び５に含まれるＮｉ、Ｎｉ合金、Ｃｕ、及びＣｕ合金のような金属は、誘電体セラミック層３中に拡散する場合もあるが、上記の誘電体セラミック組成物によれば、このような金属成分が拡散しても、その電気的特性に実質的な影響がないことを確認している。
【００３９】
次に、この発明を実施例に基づいてより具体的に説明する。この実施例は、この発明に係る組成範囲の限定の根拠を与えるためのものでもある。
【実施例】
【００４０】
この実施例において、前記図１に示すような積層セラミックコンデンサを作製した。
【００４１】
まず、心材である（Ｂａ1-xＣａx）mＴｉＯ3の出発原料として、高純度のＢａＣＯ3、ＣａＣＯ3、及びＴｉＯ2の各粉末を準備し、以下の表１に示すＣａの含有量、すなわち「Ｃａ変性量：ｘ」、および「（Ｂａ、Ｃａ）／Ｔｉ比：ｍ」が得られるように、前記の各出発原料粉末を調合した。
【００４２】
この調合粉末をボールミルを用いて湿式混合し、均一に分散させた後、乾燥処理を施して調整粉末を得た。
【００４３】
得られた調整粉末を１０００℃以上の温度で仮焼し、平均粒径０．２０μｍの表１に示すＡ〜Ｎの１３種類の心材粉末を得た。なお、平均粒径は、走査型電子顕微鏡によって粉末を観察し、３００個の粒子の粒子径を測長して求めた。
【００４４】
【表１】
0004812246.tif 000002
【００４５】
また、添加成分の出発原料として、Ｎｂ2Ｏ5、ＭｎＣＯ3、ＳｉＯ2、及びＲｅ2Ｏ3（但し、ＲｅはＹ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、及びＹｂの中から選ばれる少なくとも１種の金属元素）の各粉末を準備し、以下の表２及び表３に示すｘ、ｍ、ａ、ｂ、ｃ、及びｄにそれぞれ選ばれた、組成式：１００（Ｂａ1-xＣａx）mＴｉＯ3＋ａＭｎＯ＋ｂＮｂ2Ｏ5＋ｃＳｉＯ2＋ｄＲｅ2Ｏ3で表わされる組成が得られるように、前記Ａ〜Ｎの心材粉末と、前記各添加成分の出発原料粉末を調合した。
【００４６】
【表２】
0004812246.tif 000003
【００４７】
【表３】
0004812246.tif 000004
【００４８】
次に、この調合粉末をボールミルを用いて湿式混合し、均一に分散させた後、乾燥処理を施して、誘電体セラミック組成物の原料粉末を得た。
【００４９】
次に、この誘電体セラミック原料粉末にポリビニルブチラール系のバインダ、可塑剤及びエタノール等の有機溶剤を加え、ボールミルにより湿式混合して誘電体セラミック組成物のスラリーを得た。このスラリーをポリエチレンテレフタレート等からなるキャリアフィルム上にシート状に成形して、誘電体セラミック組成物のグリーンシートを得た。得られたグリーンシートの厚みは２．８μｍであった。
【００５０】
次に、得られたグリーンシート上に、Ｎｉを主成分とする導電性ペーストを用いて内部電極パターンを印刷した後、互いに対向して複数の静電容量を構成するように２１層積み重ね、さらにその上下面に内部電極パターンが形成されないセラミックグリーンシートを適当数積み重ねて熱圧着し、生の積層体を得た。
【００５１】
この生の積層体をＮ2雰囲気中で３５０℃、３時間保持して脱バインダし、その後、Ｎ2−Ｈ2−Ｈ2Ｏの混合ガスを用いて、Ｎｉ内部電極が酸化しない酸素分圧１０-12〜１０-9ＭＰａの還元雰囲気中で、表４及び表５に示す温度でそれぞれ２時間保持して焼成し、積層体を得た。
【００５２】
焼成後の積層体の両端面に、Ａｇを主成分とし、Ｂ2Ｏ3−ＳｉＯ2−ＢａＯ系のガラスフリットを含有する導電性ペーストを塗布し、Ｎ2雰囲気中において６００℃の温度で焼き付け、内部電極と電気的に接続された外部電極を形成した。
【００５３】
このようにして得られた積層セラミックコンデンサの外形寸法は、幅が５．０ｍｍ、長さが５．７ｍｍ、及び厚さ２．４ｍｍであった。また、有効な誘電体セラミック層の層数は２０であり、１層当たりの対向電極面積は１６．３ｍｍ2であり、セラミック誘電体層の厚さは２μｍであった。
【００５４】
これら得られた試料について、静電容量Ｃ（ｎＦ）及び誘電損失ｔａｎδ（％）を、自動ブリッジ式測定器を用い、２０℃において０．５Ｖrms、１２０Ｈｚの交流電圧を印加して測定し、得られた静電容量Ｃと、内部電極面積及びセラミック誘電体層厚さから比誘電率εｒを算出した。
【００５５】
さらに、２０℃において０．５Ｖrms、１２０Ｈｚの交流電圧に対して５Ｖの直流電圧を重畳した場合の静電容量ＣDCを測定し、直流電圧を重畳しない場合の静電容量Ｃを基準としたＤＣバイアス変化率ΔＣDC（％）を、ΔＣDC＝（（ＣDC−Ｃ）／Ｃ）×１００の式に基づいて算出した。
【００５６】
また、−２５℃〜＋８５℃の範囲内で、温度を変化させながら静電容量を測定し、２０℃での静電容量Ｃを基準として、変化の絶対値が最大となった静電容量ＣTCについて、その際の温度変化率ΔＣTC（％）を、ΔＣTC＝（（ＣTC−Ｃ）／Ｃ）×１００の式に基づいて算出した。
【００５７】
また、絶縁抵抗Ｒ（Ω）を、絶縁抵抗計を用い、２０℃において１０Ｖの直流電圧を１分間印加して測定し、得られた絶縁抵抗Ｒから抵抗率ρ（Ω・ｍ）を算出した。
【００５８】
また、高温負荷試験として、温度１５０℃において２５Ｖの直流電圧を印加して、その絶縁抵抗ＲLifeの経時変化を測定し、各試料の絶縁抵抗値が１０5Ω以下になった時点を故障とし、それらの平均故障時間ＭＴＴＦ（時間）を求めた。
【００５９】
以上の電気的特性の評価結果を表４及び表５に示す。
【００６０】
【表４】
0004812246.tif 000005
【００６１】
【表５】
0004812246.tif 000006
【００６２】
表４及び表５に示した各電気的特性についての好ましい範囲は、比誘電率εｒについては、３５００以上であり、誘電損失ｔａｎδについては、５％以下であり、ＤＣバイアス変化率ΔＣDCについては、その絶対値が２０％以下であり、温度変化率ΔＣTCについては、その絶対値が１０％以下であり、抵抗率ρについては、これをｌｏｇ（ρ／Ω・ｍ）で表わした場合に１１以上であり、平均故障時間ＭＴＴＦについては、１００時間以上である。
【００６３】
以下に、この発明において、前記の組成範囲に限定した理由について説明する。
【００６４】
表１〜５において、試料番号に＊を付したものは、この発明に係る組成範囲から外れた試料である。
【００６５】
まず、ｘ＜０．０１の場合は、試料１に示すように、ＭＴＴＦが１００時間未満となる。他方、ｘ＞０．２０の場合は、試料２に示すように、εｒが３５００未満となり、またΔＣTCの絶対値が１０％を超える。
【００６６】
次に、ｍ＜０．９９０の場合は、試料３に示すように、ｌｏｇ（ρ／Ω・ｍ）が１１未満となり、またＭＴＴＦが測定できない程度まで著しく短くなる。他方、ｍ＞１．０３の場合は、試料４に示すように、εｒが３５００未満となり、ｔａｎδが５％を超え、ΔＣTCの絶対値が１０％を超え、ｌｏｇ（ρ／Ω・ｍ）が１１未満となり、またＭＴＴＦが測定できない程度まで著しく短くなる。
【００６７】
次に、ａ＜０．０１の場合は、試料５に示すように、ｌｏｇ（ρ／Ω・ｍ）が１１未満となり、またＭＴＴＦが測定できない程度まで著しく短くなる。他方、ａ＞５の場合は、試料６に示すように、ΔＣTCの絶対値が１０％を超え、またｌｏｇ（ρ／Ω・ｍ）が１１未満となる。
【００６８】
次に、ｂ＜０．０５の場合は、試料７に示すように、ΔＣDCの絶対値が２０％を超える。他方、ｂ＞２の場合は、試料８に示すように、ΔＣTCの絶対値が１０％を超える。
【００６９】
次に、ｃ＜０．４の場合は、試料９に示すように、εｒが３５００未満となり、ｔａｎδが５％を超え、ΔＣTCの絶対値が１０％を超え、ｌｏｇ（ρ／Ω・ｍ）が１１未満となり、またＭＴＴＦが１００時間未満となる。他方、ｃ＞８の場合は、試料１０に示すように、ΔＣTCの絶対値が１０％を超え、またＭＴＴＦが１００時間未満となる。
【００７０】
次に、ｄ＜０．０５の場合は、試料１１に示すように、ＭＴＴＦが１００時間未満となる。他方、ｄ＞２．５の場合は、ΔＣTCの絶対値が１０％を超える。
【００７１】
これらに対して、表４及び表５に示すように、この発明の範囲内にある試料１３〜６７に係る誘電体セラミック組成物によれば、εｒを３５００以上と大きく、ｔａｎδを５％以下と小さく、ＤＣバイアス変化率ΔＣDCについては、その絶対値が２０％以下と小さく、温度変化率ΔＣTCについては、その絶対値が１０％以下と小さく、抵抗率ρについては、これをｌｏｇ（ρ／Ω・ｍ）で表わした場合に１１以上と高く、平均故障時間ＭＴＴＦについては、１００時間以上と長くすることができる。
【図面の簡単な説明】
【００７２】
【図１】この発明に係る誘電体セラミック組成物を用いて構成される積層セラミックコンデンサ１を図解的に示す断面図である。
【符号の説明】
【００７３】
１  積層セラミックコンデンサ
２  積層体
３  誘電体セラミック層
４、５  内部電極
８、９  外部電極
１０、１１  第一めっき層
１２、１３  第二めっき層
【図１】
0004812246.tif 000007