(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
ハイドライド気相エピタキシャル法（ＨＶＰＥ）を利用した窒化物膜の製造方法において、
ｎ型不純物であるＶＩ族元素が均質に含有された少なくとも１つのＩＩＩ族金属ソースを用意するステップと、
ガス供給方向から順次位置した外側反応室と内側反応室に前記用意した少なくとも１つのＩＩＩ族金属ソースと基板を順次配置し、前記各反応室を成長温度に加熱するステップと、
前記外側反応室に塩化水素ガスとキャリアガスを供給することによって、金属塩化物が形成されるように前記ＩＩＩ族金属ソースと反応させ、前記金属塩化物を前記基板に搬送させるステップと、
前記搬送させた金属塩化物を前記内側反応室に供給される窒素ソースガスと反応させることによって、前記基板上に前記ｎ型不純物がドープされた窒化物膜を形成するステップと、
を含むことを特徴とする窒化物膜の製造方法。
【請求項２】
前記不純物は、Ｓｅ及びＴｅのうち、少なくとも１つの金属であることを特徴とする請求項１に記載の窒化物膜の製造方法。
【請求項３】
前記ｎ型不純物は、Ｔｅであることを特徴とする請求項１または請求項２に記載の窒化物膜の製造方法。
【請求項４】
前記Ｔｅは、前記ＩＩＩ族金属ソースに０．０１ｇ／ｍｏｌ以上含有され、前記窒化物膜は、前記ｎ型不純物の濃度が５×１０２０／ｃｍ３であることを特徴とする請求項３に記載の窒化物膜の製造方法。
【請求項５】
前記少なくとも１つのＩＩＩ族金属ソースは、前記ｎ型不純物が含有されたＩＩＩ族単一金属ソースであることを特徴とする請求項１〜４のいずれか１項に記載の窒化物膜の製造方法。
【請求項６】
前記少なくとも１つのＩＩＩ族金属ソースは、前記ＩＩＩ族単一金属ソースと異なる少なくとも１種のＩＩＩ族金属からなる他の金属ソースをさらに含むことを特徴とする請求項５に記載の窒化物膜の製造方法。
【請求項７】
前記他の金属ソースは、Ａｌ及びＩｎのうち、少なくとも１つの金属又は合金ソースであることを特徴とする請求項６に記載の窒化物膜の製造方法。
【請求項８】
前記ＩＩＩ族金属ソースは、前記ｎ型不純物金属が含有され、複数種のＩＩＩ族金属からなる合金ソースであることを特徴とする請求項１〜４のいずれか１項に記載の窒化物膜の製造方法。
【請求項９】
前記少なくとも１つのＩＩＩ族金属ソースは、Ｔｅが含有されたＡｌ−Ｇａ合金ソースであり、前記窒化物膜は、Ｔｅがドープされたｎ型ＡｌＧａＮであることを特徴とする請求項８に記載の窒化物膜の製造方法。
【請求項１０】
前記少なくとも１つのＩＩＩ族金属ソースは、前記合金ソースを構成する元素と異なる少なくとも１種のＩＩＩ族金属からなる他の金属ソースをさらに含むことを特徴とする請求項８に記載の窒化物膜の製造方法。
【請求項１１】
前記他の金属ソースは、Ｉｎ金属ソースであることを特徴とする請求項１０に記載の窒化物膜の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、窒化物膜の製造方法に関するものであって、より詳細には、特定導電型、特にｎ型不純物を有する窒化物膜の製造方法及びこれを利用して製造された窒化物構造物に関する。
【背景技術】
【０００２】
一般に、ＩＩＩ族窒化物半導体は、可視光全体領域だけでなく、紫外線領域に至る広い範囲の光を発することができるという特性を有し、青緑色を実現するための発光素子物質として大きく注目されつつある。
【０００３】
ＩＩＩ族窒化物半導体は、発光素子を製造するか、又は伝導性を有する基板を提供するために、特定導電型（例、ｐ型又はｎ型）を有するように形成されることが要求され、多様な方法が用いられている。例えば、ｎ型ＧａＮの場合には、ｎ型不純物としてモノシラン（ＳｉＨ4）のようなガスをＴＭＧ及びＮＨ3ガスと同時に供給する有機金属化学気相成長法（Ｍｅｔａｌ  Ｏｒｇａｎｉｃ  Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｖａｐｏｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ：ＭＯＣＶＤ）が主に用いられる。
【０００４】
しかしながら、窒素の平衡蒸気圧が極めて高いため、ｎ型不純物であるＳｉ原子のようなＩＶ族元素は、Ｇａ原子を置換する過程で窒素原子が結晶から離脱しやすい。したがって、このような窒素原子の離脱によって欠陥が多くなると、デバイス特性が低下するという問題がある。
【０００５】
このような問題を解決するために、ＴｅのようなＶＩ族元素をｎ型不純物として活用する方案が摸索されている。上記のＭＯＣＶＤ法又はＭＢＥ法では、Ｔｅ不純物ソースとしてＤＥＴｅ［ジエチレン−Ｔｅ（ｄｉｅｔｈｙｌｅｎ−Ｔｅ）］を用いることができるが、ドーピング自体が困難であり、かつ、反応室内に残留物質が残って、後工程の実行に支障を引き起こすという問題がある。
【０００６】
非特許文献１では、高いエネルギーでイオン注入する方案を提案している。しかしながら、図１のグラフに示すように、注入されたイオンは、少なくとも１２００℃で熱処理されなければ活性化されない。なお、高いエネルギーのイオン注入過程でＧａＮ結晶が損傷されるので、１４００℃以上の高温熱処理工程が要求されるという問題がある。
【０００７】
【非特許文献１】アール．ジ．ウィルソン他、「ＧａＮに注入したＳ、Ｓｅ、Ｔｅ、Ｂｅ、ＭｇおよびＣの再分布と活性化」、ジャーナル・オブ・バキュアム・サイエンス・テクノロジー、Ａ．第１７巻第４号、７月／８月（１９９９年）［Ｒ．Ｇ．Ｗｉｌｌｓｏｎ，ｅｔ  ａｌ．，″Ｒｅｄｉｓｔｒｕｂｕｔｉｏｎ  ａｎｄ  ａｃｔｉｖａｔｉｏｎ  ｏｆ  ｉｍｐｌａｎｔｅｄ  Ｓ，Ｓｅ，Ｔｅ，Ｂｅ，Ｍｇ  ａｎｄ  Ｃ  ｉｎ  ＧａＮ″，Ｊ．Ｖａｃ．Ｓｃｉ．Ｔｅｃｈｎｏｌ．Ａ．１７（４），Ｊｕｌ／Ａｕｇ  １９９９］
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
本発明は、上記のような従来の問題点を解消するためのものであって、その目的は、不純物原子の特性に制限されず、充分なキャリア密度及び電気伝導度を得ることができる新しいドーピング工程と結合されたハイドライド気相エピタキシャル法（ＨＶＰＥ）を利用した窒化物膜の製造方法を提供することにある。
【０００９】
本発明の他の目的は、上記の方法で製造できる充分な厚さを有し、かつ、高い電気伝導度を有する窒化物構造物を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
上記の目的を達成すべく、本発明の一側面によれば、ハイドライド気相エピタキシャル法（ＨＶＰＥ）を利用した窒化物膜の製造方法において、ガス供給方向から順次位置した外側反応室と内側反応室に不純物が含有された少なくとも１つのＩＩＩ族金属ソースと基板を順次配置し、前記各反応室を成長温度に加熱するステップと、前記外側反応室に塩化水素ガスとキャリアガスを供給することによって、金属塩化物が形成されるように前記ＩＩＩ族金属ソースと反応させ、前記金属塩化物を前記基板に搬送させるステップと、前記搬送させた金属塩化物を前記内側反応室に供給される窒素ソースガスと反応させることによって、前記基板上に前記不純物がドープされた窒化物膜を形成するステップと、を含む窒化物膜の製造方法を提供する。
【００１１】
本発明は、不純物がドープされた窒化物、特にＴｅのようなＶＩ族元素不純物がドープされた窒化物を高温の熱処理工程がなくても製造でき、かつ、残留物を発生させないという長所を提供する。
【００１２】
本発明は、不純物が含有される金属ソースの形態によって、他の実施例に区分することができる。
【００１３】
一実施例では、前記少なくとも１つのＩＩＩ族金属ソースは、前記不純物が含有されたＩＩＩ族の単一金属ソースであり得る。
【００１４】
例えば、前記少なくとも１つのＩＩＩ族金属ソースは、Ｔｅが含有されたＧａソースであり得るが、この場合に前記窒化物膜は、Ｔｅがドープされたｎ型ＧａＮであり得る。必要によって、前記少なくとも１つのＩＩＩ族金属ソースは、前記単一金属ソースの他に、異なる少なくとも１種のＩＩＩ族金属からなる他の金属ソースをさらに含むことができる。このような他の金属ソースは、Ａｌ及びＩｎのうち、少なくとも１つの金属又は合金ソースであり得る。
【００１５】
これとは異なり、本発明の他の実施例において、前記ＩＩＩ族金属ソースは、前記不純物金属が含有され、複数種のＩＩＩ族金属からなる合金ソースであり得る。
【００１６】
例えば、前記少なくとも１つのＩＩＩ族金属ソースは、Ｔｅが含有されたＡｌ−Ｇａ合金ソースであり得る。この場合に、前記窒化物膜は、Ｔｅがドープされたｎ型ＡｌＧａＮである。本実施例でも、前記少なくとも１つのＩＩＩ族金属ソースは、前記合金ソースを構成する元素と異なるＩｎのような少なくとも１種のＩＩＩ族金属からなる他の金属ソースをさらに含むことができる。
【００１７】
本発明は、ｎ型窒化物膜の製造のための不純物としてＶＩ族元素金属を使用する場合に、極めて有用に適用され得る。例えば、このようなＶＩ族元素金属不純物には、Ｓｅ及びＴｅのうち、少なくとも１つを使用することができる。
【００１８】
本発明は、ＶＩ族元素金属の他にも、ｎ型不純物としてＩＶ族元素金属を使用することができる。例えば、このようなＩＶ族元素金属不純物は、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｓｎ及びＰｂで構成されたグループから選択された少なくとも１種の金属であり得る。
【００１９】
本発明の他の観点では、特定導電型を有する不純物の濃度が厚さ方向に均一な１０16〜１０20／ｃｍ3であり、５μｍ以上の厚さを有するＩＩＩ族窒化物からなる窒化物構造物を提供する。
【００２０】
なお、前記ＩＩＩ族窒化物構造物は、ＨＶＰＥ工程を介して比較的速い成長速度が保障されるので、基板に必要な充分な厚さである５０μｍ以上の厚さを有する窒化物膜であり得る。
【００２１】
本発明の好ましい実施例では、厚さ方向に沿って均一な濃度分布を有するように、Ｔｅ不純物でドープされたｎ型窒化物薄膜を提供する。
【００２２】
また、本発明に係る窒化物構造物は、少なくとも４×１０2（Ωｃｍ）-1の電気伝導度を有することが好ましい。前記不純物はＴｅの場合に、このような伝導度の条件は、前記Ｔｅ不純物を２×１０18〜１０20／ｃｍ3の濃度を有するようにドープすることにより得られることができる。
【発明の効果】
【００２３】
本発明によると、ハイドライド気相エピタキシャル法（ＨＶＰＥ）に用いられるＩＩＩ族金属ソース（又は合金ソース）に導電型付与に必要な不純物元素を少量添加することによって、不純物原子の特性に制約されず、かつ、充分なキャリア密度及び電気伝導度を得ることができる窒化物膜の製造方法を提供することができる。
【００２４】
本発明に係る方法は、追加的な熱処理工程を必要とせず、かつ、残留物を発生させず、成長工程と共に行われるため、工程効率を大きく向上させることができる。特に、本発明は、厚膜工程に有利であるＨＶＰＥ工程を使用するので、厚さ方向に沿って均一なドーピング濃度を有し、かつ、優れた伝導性を有するｎ型導電型窒化物基板のような厚膜製造技術として注目されるものと期待される。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２５】
以下、本発明の好ましい実施例を図面を参照してより詳細に説明する。
【００２６】
図２は、本発明に係るハイドライド気相エピタキシャル法（ＨＶＰＥ）を利用した窒化物膜の製造方法を説明するためのフローチャートである。
【００２７】
図２に示すように、本発明の製造方法は、ＨＶＰＥ反応室に不純物が含有された少なくとも１つのＩＩＩ族金属ソースと基板をそれぞれ配置するステップＳ２１から開始される。一般に、少なくとも１つのＩＩＩ族金属ソースと基板は、ガス供給方向に沿って順次配置される。
【００２８】
本発明では、ＩＩＩ族金属ソースは、所望の不純物が微量添加された合金として提供される。ｎ型窒化物膜を製造するための金属ソースは、不純物であるＩＶ族又はＶＩ族元素をＩＩＩ族金属とともに合金形態で提供されることができる。例えば、Ｔｅがドープされたｎ型ＧａＮを製造するために、金属ソースには、Ｔｅを少量添加したＧａソースを使用する。ここで、添加されるＩＶ族又はＶＩ族元素の量は、所望のドーピング濃度に応じて調節され得る。
【００２９】
前記基板は、代表的にサファイアが用いられるが、この他にも、ＳｉＣ、Ｓｉ、ＭｇＡｌ2Ｏ4、ＭｇＯ、ＬｉＡｌＯ2及びＬｉＧａＯ2で構成されたグループから選択された物質からなる基板が用いられることができる。
【００３０】
次に、ステップＳ２２では、前記不純物が含有された少なくとも１つのＩＩＩ族金属ソースと基板が配置された反応室を反応に必要な温度に加熱する。
【００３１】
一般に、ＩＩＩ族金属ソースは、塩化物を生成する反応のために、約７００〜９００℃に加熱し、基板は、窒化物を成長させるための反応のために、約９００〜１０９０℃に加熱する。
【００３２】
次に、ステップＳ２３では、前記ＩＩＩ族金属ソースとして塩化水素（例、ＨＣｌ）ガスとキャリアガスを供給する。本工程において、塩化水素ガスは、ＩＩＩ族金属ソースと反応して、ＩＩＩ族金属塩化物を生成する（ＨＣｌ＋Ｇａ→ＧａＣｌ＋１／２Ｈ2）。この過程において、金属ソースに添加された不純物は、その種類に応じて適切な反応を介して特定塩化物を形成する。
【００３３】
ＳｉのようなＩＶ族不純物の場合、ＳｉがＧａの一部が置換された形態、すなわち（Ｇａ、Ｓｉ）Ｃｌとして金属塩化物が形成されるものと理解することができる。しかしながら、ＶＩ族不純物の場合には、その反応過程が明らかに解明されなかった。但し、本発明者は、この反応過程を約２つのケースに分けて予想することができる。例えば、Ｔｅが添加されたＧａソース（Ｇａ：Ｔｅ）の場合には、Ｓｉと同様に（Ｇａ、Ｔｅ）Ｃｌ形態で提供されるか、又はＧａＣｌと別にＴｅＣｌnの塩化物を形成するものと推測することができる。
【００３４】
また、本工程では、前記塩化水素ガスとともに生成された塩化物を基板まで搬送するキャリアガスを供給する。前記キャリアガスとしては、窒素（Ｎ2）ガス又はアルゴン（Ａｒ）ガスのような不活性ガスが用いられることができる。
【００３５】
最終的に、ステップＳ２４では、前記搬送した金属塩化物を窒素ソースガスと反応させることによって、前記基板上に前記不純物がドープされた窒化物膜を形成する。窒素ソースガスとしては、代表的にアンモニア（ＮＨ3）ガスを使用することができる。高温においてアンモニアガスは、搬送された金属塩化物と反応することによって、基板上に所望の窒化物膜が成長される。前記窒化物膜の成長過程において、不純物を含有した塩化物がアンモニアガスとともに反応することによって、窒化物膜内に均一に添加され得る。
【００３６】
本発明は、ＨＶＰＥ工程で用いられる金属ソースに所望の不純物を添加した合金形態で用いることができる。使用可能な不純物は、その導電型に限定されない。特に、本発明は、ＴｅのようなＶＩ族元素不純物がドープされた窒化物を成長するときに極めて有益に作用できる。すなわち、本発明によれば、従来のイオン注入工程とは異なり、結晶損傷と活性化のための高温の熱処理工程がなくても製造することができ、全体厚さにおいて均質なドーピング濃度分布を示すことができる。
【００３７】
なお、従来のＭＯＣＶＤ工程などを利用した窒化物膜工程で引き起こされるＤＥＴｅソースによる残留物問題を解決できるという長所がある。
【００３８】
もちろん、本発明は、ｎ型窒化物膜の製造のための不純物としてＶＩ族元素金属を使用する場合に、極めて有利に適用され得る。例えば、このようなＶＩ族元素金属不純物には、Ｓｅ及びＴｅのうち、少なくとも１つを使用することができる。しかしながら、これに限定されず、他のｎ型不純物であるＩＶ族元素金属を使用することができる。例えば、このようなＩＶ族元素金属不純物は、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｓｎ及びＰｂで構成されたグループから選択された少なくとも１種の金属であり得る。
【００３９】
図３は、本発明の一実施例による窒化物膜の製造工程に採用できるＨＶＰＥ装置を示す断面図である。
【００４０】
図３に示すように、ＨＶＰＥ装置３０は、ガス供給方向から順次位置した外側反応室３１ａと内側反応室３１ｂに区分された反応室３１と、前記反応室３１を取り囲む加熱装置３２とを含む。前記外側反応室３１ａには、不純物が含有された少なくとも１つのＩＩＩ族金属ソース３３が配置され、前記内側反応室３１ｂには、基板３４が配置される。
【００４１】
上述のように、第１供給管３５ａを介して外側反応室３１ａのＩＩＩ族金属ソース３３として塩化水素（例、ＨＣｌ）ガスとＮ2又はＡｒのような不活性キャリアガスを供給することによって、窒化物膜３７の成長に必要な金属塩化物を生成し、前記金属塩化物を基板に搬送させることができる。ここで、前記金属塩化物は、ＩＩＩ族金属塩化物の他にも、多様な形態で不純物の塩化物を含む。一方、第２供給管３５ｂを介して内側反応室３１ｂの基板３５に前記搬送した金属塩化物をＮＨ3のような窒素ソースガスと反応させることによって、前記基板３５上に不純物がドープされた窒化物膜３７を形成する。
【００４２】
ここで、例示したＨＶＰＥ装置は、反応室及びガスの経路が水平方向に進まれる形態を例に挙げたが、当業者にとって自明なように、垂直方向に配列された構造の反応装置も使用され得る。
【００４３】
本発明で採用された不純物が含有される金属ソース３３は、多様な形態で具現されることができる。
【００４４】
一実施例では、不純物が含有されたＩＩＩ族の単一金属ソースを使用することができる。例えば、前記ＩＩＩ族金属ソースは、Ｔｅが含有されたＧａソースであり得る。この場合にも、基板上には、Ｔｅがドープされたｎ型ＧａＮが成長され得る。ＡｌＧａＮ又はＡｌＧａＩｎＰのような３種又は４種の化合物半導体を製造する場合には、不純物が塗布された単一金属ソースの他に、Ａｌ又はＩｎのような他のＩＩＩ族金属ソースをさらに配置することができる。
【００４５】
これとは異なり、前記ＩＩＩ族金属ソースは、前記不純物金属が含有され、複数種のＩＩＩ族金属からなる合金ソースであり得る。例えば、前記ＩＩＩ族金属ソースは、Ｔｅが含有されたＡｌ−Ｇａ合金ソースであり得る。この場合に、基板上には、Ｔｅがドープされたｎ型ＡｌＧａＮが成長され得る。本実施例では、独立的に２つ以上の金属ソースに対する流量を調節せず、合金ソースでＡｌとＧａの原子分率を調整することによって、所望の組成比を満す窒化物を得ることができるという長所を提供する。
【００４６】
本発明に係る窒化物膜の成長方法は、結晶を損傷させないか、又は追加的な熱処理なしにドーピングが困難な不純物も窒化物膜に容易にドーピングさせ得る。特に、金属ソースに含有された不純物の量を調節する方式により、窒化物膜のドーピング濃度を比較的正確に制御できるという長所を提供する。
【００４７】
以下、本発明の具体的な実施例にて、本発明の作用と効果をさらに詳細に説明する。
【００４８】
（実施例）
本実施例の合金ソースは、Ｇａ金属にＡｌとＴｅを溶融させた後に、９００℃の温度で飽和させることによって、所望のＴｅが少量含有されたＡｌとＧａの合金ソースを用意した。本実施例で用いられた合金ソースは、ＡｌとＧａの割合をＡｌ組成比が１６％を有するように維持する条件でＴｅの原子分率（ｇ／ｍｏｌ）を０．００３、０．００８、０．０１２、０．０１６、０．０１８、０．０３５、０．０４３に異にして、７個製造された。
【００４９】
アンドープＧａＮが形成されたサファイア基板を、超音波洗浄器を利用して、アセトンとメタノール溶液で有機洗浄した後に、酸化膜を除去するためにフッ酸溶液に１分間エッチングした。前記サファイア基板を反応室に用意した前記合金ソースとともにそれぞれ配置した。
【００５０】
前記反応室を結晶成長温度である１０９０℃に加熱させた後に、ＨＣｌを２０ｓｃｃｍに、アンモニアを５００ｓｃｃｍに供給して、約４０分間成長させた後に、ＴｅがドープされたＡｌ0.16Ｇａ0.84Ｎを製造した。
【００５１】
これと同じ工程条件で、異なるＴｅ原子分率を有する残りの６個の合金ソースを使用して、６個の追加的なＴｅがドープされたＡｌ0.16Ｇａ0.84Ｎを製造した。
【００５２】
本実施例で製造されたＴｅがドープされたＡｌ0.16Ｇａ0.84Ｎのキャリア濃度、電気伝導度及びキャリア移動度を測定して、図４ａ〜図４ｃのグラフで示した。
【００５３】
まず、図４ａに示すように、合金ソースのＴｅ原子分率（０．００３〜０．０４５）が増加するに伴い、キャリア濃度が９×１０16〜７×１０19／ｃｍ3が増加したことを確認することができる。また、図４ｂに示すように、電気的伝導性の側面でもＴｅの原子分率が０．０１の地点から増加されて、Ｔｅの原子分率が０．０４５のときには、３．２５×１０3（Ωｃｍ）-1の高い伝導度を有するものと確認され、図４ｃのように、キャリア移動度も、Ｔｅ原子分率が０．０１以上である場合に高い水準を維持しているものと確認された。
【００５４】
このように、本発明に係る不純物がドープされた金属ソースを利用することによって、優れた導電型を有する窒化物膜を成長させ得ることが確認された。また、Ｔｅの場合、０．０１のＴｅ原子分率から優れたｎ型特性を有する窒化物膜を得ることができるということが分かる。
【００５５】
これと別途に実施したＳｉに対した類似実験では、Ｓｉの原子分率を０．１０２〜０．２１８ｇ／ｍｏｌに変換させた場合に、ドーピング濃度は、２×１０16〜３×１０17／ｃｍ3を有することを確認することができる。
【００５６】
本発明に係る製造方法は、ＨＶＰＥ工程を利用するので、ＭＯＣＶＤ又はＭＢＥ工程で期待しがたい厚さに不純物がドープされた窒化物膜を製造することができる。特に、このような長所は、フリースタンディング用基板のためのｎ型窒化物基板を製造するのに極めて有用に適用されることができる。また、ＨＶＰＥ工程を利用して厚膜窒化物膜を製造しても、従来のようにイオン注入／熱処理工程を介して不純物をドープする方法とは異なり、特定導電型を有する不純物が厚さ方向に沿って均一な濃度分布を有するように窒化物膜を製造することができる。
【００５７】
したがって、本発明の他の観点では、特定導電型を有する不純物の濃度が厚さ方向に均一な１０16〜１０20／ｃｍ3であり、５μｍ以上の厚さを有するＩＩＩ族窒化物からなる窒化物構造物を提供する。前記ＩＩＩ族窒化物構造物は、基板として使用できるように５０μｍ以上の厚さを有する窒化物膜であり得る。
【００５８】
上述のように、本発明によれば、ドーピング工程が困難なＴｅ不純物でドープされたｎ型窒化物基板を提供することができ、高い伝導度を保障することができる。本発明に係る窒化物構造物は、少なくとも４×１０2（Ωｃｍ）-1の電気伝導度を有することが好ましい。前記不純物は、Ｔｅの場合に、このような伝導度条件は、前記Ｔｅ不純物を２×１０18〜１０20／ｃｍ3の濃度を有するようにドープすることにより得られることができる。
【００５９】
以上、本発明を実施の形態を用いて説明したが、本発明の技術的範囲は上記実施の形態に記載の範囲には限定されない。上記実施の形態に、多様な変更または改良を加えることが可能であることが当業者に明らかである。その様な変更または改良を加えた形態も本発明の技術的範囲に含まれ得ることが、特許請求の範囲の記載から明らかである。
【図面の簡単な説明】
【００６０】
【図１】従来のイオン注入法で製造されたｎ型窒化物膜における熱処理温度に応じるＴｅ濃度を示すグラフである。
【図２】本発明に係る窒化物膜の製造方法を説明するためのフローチャートである。
【図３】本発明の一実施例による窒化物膜の製造工程に採用可能なＨＶＰＥ装置を示す断面図である。
【図４ａ】本発明によって製造された窒化物膜のＴｅ不純物の濃度、伝導度及びキャリア移動度を示すグラフである。
【図４ｂ】本発明によって製造された窒化物膜のＴｅ不純物の濃度、伝導度及びキャリア移動度を示すグラフである。
【図４ｃ】本発明によって製造された窒化物膜のＴｅ不純物の濃度、伝導度及びキャリア移動度を示すグラフである。
【符号の説明】
【００６１】
３１  反応炉
３１ａ  外側反応室
３１ｂ  内側反応室
３２  加熱装置
３３  不純物含有ＩＩＩ族金属ソース
３４  基板
３５ａ  第１供給線路
３５ｂ  第２供給線路
【図１】
0004699420.tif 000002
【図２】
0004699420.tif 000003
【図３】
0004699420.tif 000004
【図４ａ】
0004699420.tif 000005
【図４ｂ】
0004699420.tif 000006
【図４ｃ】
0004699420.tif 000007