(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
被加工物の研磨方法であって、
炭化珪素、サファイア、窒化珪素、または、窒化ガリウムの結晶を被加工物とし、
酸素を含む加工雰囲気の圧力を大気圧よりも高く設定し、前記加工雰囲気の中で、チタニアの粒子を含むスラリーを用いて、紫外線を照射しながら前記被加工物を研磨することを特徴とする研磨方法。
【請求項２】
請求項１に記載の研磨方法であって、前記スラリー中の前記チタニアの含有量を０．１ｗｔ％から１０．０ｗｔ％の範囲内に設定することを特徴とする研磨方法。
【請求項３】
請求項１に記載の研磨方法であって、前記紫外線の強度を５ｍＷ／ｃｍ2以上に設定することを特徴とする研磨方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】  本発明は、被加工物表面を鏡面研磨する研磨方法と、その方法を実施する研磨装置に関し、特に、炭化珪素（ＳｉＣ）やサファイア等の超硬質の物質に対しても、高能率に、かつ、高品位に研磨することを可能にしたものである。
【背景技術】
【０００２】  半導体の製造分野では、従来から、Ｓｉウエハを鏡面研磨するために、工作物と研磨液との固液反応を利用した化学的機械研磨技術（Chemical Mechnical Polishing：ＣＭＰ）が用いられている。  本発明者は、先に、研磨加工における環境の制御が可能なベルジャー型のＣＭＰ装置を開発し、加工雰囲気や加圧力等の加工条件が研磨結果に及ぼす影響について考察している（下記特許文献１）。【０００３】  図１５は、このベルジャー内に空気、酸素ガス、窒素ガスまたはアルゴンガスを封入し、それらのガス圧力を変えてベルジャー内でＳｉ基板の研磨を行ったときの加工レートの変化を示している。図１５の縦軸にはＳｉの加工レート（ｎｍ／ｍｉｎ）を示し、横軸にはベルジャー内の封入ガスの圧力（ｋＰａ）を大気圧との差分（０を大気圧とし、＋側は大気圧からの増加分、−側は大気圧からの減少分）で示している。また、封入ガスが空気の場合を菱形、酸素ガスの場合を三角形、窒素ガスの場合を四角形、アルゴンガスの場合を丸で表示している。なお、ここでは、研磨布（パッド）として、商品名ＩＣ１０００／ＳＵＢＡ４００（φ２００ｍｍ）を使用し、スラリー（研磨液）として、Ｓｉ用のコロイダルシリカ（商品名Ｃｏｍｐｏｌ−８０）を使用している。  図１５から明らかなように、研磨雰囲気として空気または酸素ガスを選定し、それらの高圧下でＳｉ基板を研磨すると、大気圧下で研磨する場合の２倍から２．５倍の速さで研磨することが可能になる。【特許文献１】特開２００３−２２５８５９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】  近年、次世代のデバイス用基板として炭化珪素（ＳｉＣ）やサファイアが注目を集めている。ＳｉＣは、Ｃ原子が４個のＳｉ原子に取り囲まれ、また、Ｓｉ原子が４個のＣ原子に取り囲まれ、Ｓｉ原子とＣ原子とが堅い共有結合で結ばれている。このＳｉＣは、ダイアモンドに次ぐ硬度をもち、耐薬品性にも優れている。そのため、通常のシリコン基板デバイスでは使用できない高温での環境や放射線などの過酷な状況下においても動作可能な半導体用基板として用いることができる。  しかし、ＳｉＣは、その物性故に研磨加工が極めて難しい。従来のＣＭＰで鏡面研磨を実施した場合は、Ｓｉを研磨するときの加工レートの数％以下の速度でしか研磨することができない。また、研磨速度を速めるために、ダイヤモンド砥粒を用いて研磨すると、表面にスクラッチや加工変質層が残り、高い品位の研磨面が得られない。【０００５】  また、単結晶サファイア（Ａｌ2Ｏ3）は、光透過性に優れており、光学機器用レンズやＬＥＤ用基板等の材料として欠かせないものであるが、このサファイアも、ダイヤモンド、炭化珪素に次ぐ修正モース硬度を有しており、薬品に対する耐性が高く、加工が極めて難しい。【０００６】
本発明は、こうした状況を改善するために創案したものであり、ＳｉＣやサファイアのような難加工材を高能率で、かつ、高品位の面に研磨することができる研磨方法を提供することを目的としている。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明は、被加工物の研磨方法であって、炭化珪素、サファイア、窒化珪素、または、窒化ガリウムの結晶を被加工物とし、酸素を含む加工雰囲気の圧力を大気圧よりも高く設定し、前記加工雰囲気の中で、チタニアの粒子を含むスラリーを用いて、紫外線を照射しながら前記被加工物を研磨することを特徴とする。
光触媒のチタニア（ＴｉＯ2）は、酸素を含む雰囲気中で紫外線の照射を受けて活性酸素を生成し、この活性酸素は、被加工物の強固な原子結合を弱める（あるいは切断する）ため、機械的な研磨処理で被加工物表面を擦り取ることが容易になる。また、高圧の酸素は、容器内での活性酸素の発生を助長する。これらの作用が相俟って、研磨の加工レートは、大幅に向上する。本発明の研磨方法では、炭化珪素、サファイア、窒化珪素、あるいは窒化ガリウムのような難加工材に対して高い加工レートでの研磨が可能である。
【００１０】
また、本発明の研磨方法では、スラリー中のＴｉＯ2の含有量を０．１ｗｔ％から１０．０ｗｔ％の範囲内に設定している。
この範囲のＴｉＯ2を含むスラリーを用いることで、平滑な加工研磨面を高能率で得ることができる。
【００１１】  また、本発明の研磨方法では、紫外線の強度を５ｍＷ／ｃｍ2以上に設定している。  この強度以上の紫外線を照射すれば、スラリー中のＴｉＯ２は、高い加工レートの実現に十分な活性酸素を生成する。
【発明の効果】
【００１３】
本発明の研磨方法では、ＳｉＣやサファイアのような難加工材を対象とする場合でも、高能率、かつ、高品位での研磨が可能である。
【図面の簡単な説明】
【００１４】
【図１】本発明の実施形態における研磨装置を一部破断した状態で示す斜視図
【図２】本発明の実施形態における研磨装置の要部を示す模式図
【図３】本発明の実施形態における研磨方法でＳｉＣを研磨したときの加工レートと比較例の加工レートとを示すグラフ
【図４】光触媒を用いない場合のＳｉＣの加工レートを示すグラフ
【図５】本発明の実施形態における研磨方法でＳｉＣを研磨したときの加工レートと、ＵＶ照射を行わずに研磨したときの加工レートとを対比した図
【図６】本発明の実施形態における研磨方法で研磨したＳｉＣのラインプロファイルを示す図
【図７】図６に表示したラインプロファイルのライン位置を示す図
【図８】本発明の実施形態の研磨方法でＳｉＣを研磨したときのスラリーへのＴｉＯ２添加量と、加工レート及び表面粗さとの関係を示す表
【図９】本発明の実施形態における研磨方法で研磨したＳｉＣのＡＦＭ像（その１）
【図１０】本発明の実施形態における研磨方法で研磨したＳｉＣのＡＦＭ像（その２）
【図１１】本発明の実施形態の研磨方法でＳｉＣを研磨したときの紫外線強度と、加工レート及び表面粗さとの関係を示す表
【図１２】本発明の実施形態における研磨方法でサファイアを研磨したときの加工レートと、ＵＶ照射を行わずに研磨したときの加工レートとを対比した図
【図１３】本発明の実施形態における研磨方法で研磨したサファイアのＡＦＭ像（ａ）と、通常方法で研磨したサファイアのＡＦＭ像（ｂ）とを示す図
【図１４】ダイヤモンド砥粒で研磨した試料（ＳｉＣ）表面のＡＦＭ像
【図１５】従来の研磨方法での加工レートを示すグラフ
【符号の説明】
【００１５】  ２０    ベルジャー  ２０１  蓋体  ２０２  容器本体  ２２    研磨布（パッド）  ２３    定盤  ２４    スラリー供給部  ２５    試料  ２６    押圧プレート  ２７    アーム  ２８    ローラ  ２９    覗き窓  ３１    スラリー供給ポンプ  ３２    真空ポンプ  ３３    ガスボンベ  ３４    モータ  ３５    紫外線光源  ４１    締め付けボルト  ４２    バルブ  ４３    バルブ  ４４    パイプ  ４５    パイプ  ４６    ゲージ  ４７    パッキング材
【発明を実施するための最良の形態】
【００１６】  図１は、本発明の実施形態における研磨装置の斜視図であり、ベルジャーの一部を切り欠いてその内部を示している。また、図２は、この研磨装置の要部を模式的に図示している。  この装置は、蓋体２０１と容器本体２０２とから成るベルジャー２０と、ベルジャー２０内を排気する真空ポンプ３２と、ベルジャー２０内に雰囲気ガスを供給するガスボンベ３３と、ベルジャー２０内にスラリーを供給するスラリー供給ポンプ３１とを備え、ベルジャー２０の中には、研磨布（パッド）２２と、パッド２２が貼設された定盤２３と、供給されたスラリーをパッド２２上に滴下するスラリー供給部２４と、研磨すべき試料２５を自重でパッド２２に押圧する押圧プレート２６と、円弧状のアーム２７に支持されたローラ２８とを備え、また、ベルジャー２０の下方に、定盤２３を回転駆動するモータ３４を有し、また、ベルジャー２０の覗き窓２９から紫外線を照射する紫外線光源３５を有している。【００１７】  ベルジャー２０は、加圧、減圧に耐える圧力容器構造を有し、蓋体２０１は、閉成時に締め付けボルト４１によって容器本体２０２に気密に固定される。  真空ポンプ３２によるベルジャー２０の減圧、及び、ガスボンベ３３によるベルジャー２０の加圧は、バルブ４２、４３により調節が可能である。ベルジャー２０内の圧力は、ゲージ４６により測定できる。  スラリー供給ポンプ３１は、スラリーをベルジャー２０に送り込むパイプ４４とベルジャー２０からスラリーを回収するパイプ４５とに接続している。スラリーは、スラリー供給ポンプ３１とベルジャー２０とを循環しており、スラリー供給ポンプ３１から送り出されたスラリーが、スラリー供給部２４を通じてパッド２２上に供給され、ベルジャー２０に溜まったスラリーが、スラリー供給ポンプ３１によって吸引される。【００１８】  研磨する試料２５は、パッド２２上に置かれ、その上に押圧プレート２６が載る。押圧プレート２６の試料２５に接する面には、加工する試料面を均一に加工するためにパッキング材４７（図２）が設けられている。円弧状のアーム２７は、定盤２３の中心軸上に位置するローラ２８と、定盤２３の周縁部近傍に位置するローラ（不図示）とを保持しており、これらのローラは、アーム２７に回転自在に支持されている。  パッド２２を固定した定盤２３がモータ３４に駆動されて回転すると、押圧プレート２６は、二つのローラ２８に接して自転を始める。試料２５は、押圧プレート２６によりパッド２２方向に押されながら、押圧プレート２６とともにパッド２２上を回転する。そのため、試料２５のパッド２２に接する面が研磨される。【００１９】  ここでは、試料２５として単結晶ＳｉＣ基板を使用している。また、ガスボンベ３３から酸素ガスまたは空気をベルジャー２０内に供給している。また、スラリーにはコロイダルシリカを使用している。  本発明の研磨方法では、このスラリー中に光触媒であるチタニア（ＴｉＯ２）粒子を混入する。  ＴｉＯ２粒子は、酸素中で紫外線光源３５から紫外線が照射されると、光触媒反応により、酸化力が強い活性酸素を生成する。この活性酸素の作用でＳｉＣの加工レートは飛躍的に向上する。このとき、活性酸素がＳｉＣ基板表面のＳｉ原子及び���原子と結び付き、そのために、強固であったＳｉとＣとの共有結合が弱まり（あるいは切断され）、ＳｉＣ基板に接触するパッド２２の機械的な力によって、基板表面のＳｉ及びＣが容易に擦り取られるものと考えられる。【００２０】  次に、研磨方法の詳細とその結果について説明する。  試料２５である単結晶ＳｉＣ基板には、改良レーリー法等で生成された単結晶ＳｉＣをダイヤモンド外周刃等でスライシングし、さらに、ダイヤモンド砥粒で前加工のポリシングを施したものを使用している。試料２５は、４Ｈ−ＳｉＣ形であり、研磨面は（０００１面）であり、試料直径は２インチである。図１４には、ダイヤモンド砥粒でポリシングした状態の試料表面のＡＦＭ（原子間力顕微鏡）像を示している。【００２１】  この試料２５に対する平滑鏡面化及びダメージ層の除去のための仕上げポリシングを図１の装置で実施した。実施条件は次の通りである。  パッド２２は、商品名ＩＣ１０００（Ｋ−ＧＲＹ）／ＳＵＢＡ４００(ニッタ・ハース製)（φ２００ｍｍ）を使用した。  スラリーは、粒子径数１０ｎｍ前後の軟質な二酸化ケイ素（ＳｉＯ２）粒子（コロイダルシリカ）が水溶液に５ｗｔ％分散された商品名Ｈｏｒｉｚｏｎｏｒ−ＳｉＣ（Ｄ−ｐｒｏｃｅｓｓ製）を使用し、このスラリーに平均粒径が０．８μｍのＴｉＯ２粒子を添加した。  定盤２３の回転数は９０（ｒｐｍ）に設定した（試料２５とパッド２２との相対速度は４０ｍ／ｍｉｎ前後）。  押圧プレート２６の押圧力は１８０ｇ／ｃｍ2に設定した。  また、各試料についての加工時間は２時間とした。【００２２】  仕上げポリシングは、前記実施条件の下で、スラリーに０．５ｗｔ％のＴｉＯ２を添加し、ベルジャー２０の覗き窓２９から紫外線強度を１００ｍＷ／ｃｍ2に設定した紫外線を照射しながら実施した。  図３は、このときに、ガスボンベ３３からベルジャー２０内に封入する酸素ガスあるいは空気の圧力を種々に変えた場合のＳｉＣ基板の加工レートを示し、それとともに、比較のため、ベルジャー２０内に窒素ガス及びアルゴンガスを封入し、その他の条件は全て同一にして研磨を実施した場合のＳｉＣ基板の加工レートを併せて示している。【００２３】  図３の縦軸にはＳｉＣの加工レート（μｍ／ｈ）を示し、横軸にはベルジャー内の封入ガスの圧力（ｋＰａ）を大気圧との差分（０を大気圧）で示している。また、封入ガスが酸素ガスの場合を四角形、空気の場合を菱形、アルゴンガスの場合を三角形、窒素ガスの場合を丸で表示している。  図４は、比較のため、スラリーへのＴｉＯ２の添加、及び、紫外線照射は行わずに、その他の条件は図３の場合と全て同じに設定してＳｉＣを研磨したときの加工レートを示している。【００２４】  図３及び図４から次のことが分かる。即ち、酸素ガス及び空気の雰囲気中（即ち、酸素を含む加工雰囲気中）でＳｉＣを研磨する場合は、加工雰囲気の圧力を高めることで加工レートは上昇するが、それに加えて、スラリー中に光触媒を添加し、紫外線を照射しながら研磨することにより、加工レートは２倍程度向上する。また、このＳｉＣ加工面の表面粗さＲａ（算術平均粗さ）を測定した結果は０．３ｎｍ以下であり、平滑な鏡面が得られている。  一方、酸素を含まない窒素ガスや��ルゴンガス雰囲気中では、スラリー中に光触媒を添加すると、むしろ加工レートは低下する。【００２５】  図５は、研磨加工レートに及ぼす光触媒反応の影響を加工雰囲気別に示している。ここでは、大気中と同一条件で研磨した結果を「封入ガス：なし」として表し、それ以外は、研磨時の各加工雰囲気の圧力を５００ＫＰａに設定している。また、スラリーへのＴｉＯ２の添加、及び、紫外線照射を行わずに研磨したときの加工レートを「ＵＶ照射なし」として示し、一方、スラリーへのＴｉＯ２の添加、及び、紫外線照射を行いながら研磨したときの加工レートを「ＵＶ照射あり」として示している。なお、光触媒には、平均粒径が０．５μｍのアナターゼ型ＴｉＯ２を使用し、前述したコロイダルシリカを含むスラリー中に、このＴｉＯ２を０．５ｗｔ％加えている。また、押圧プレート２６の押圧力は５００ｇ／ｃｍ2に設定している。その他の研磨条件は図３の場合と同じである。  これらの測定結果は、酸素を含む加工雰囲気の圧力を高めた状態の下で、スラリーにＴｉＯ２を添加し、紫外線照射を行いながら研磨すると加工レートが大幅に上昇すること、特に、加工雰囲気として酸素を選択した場合は、加工レートの上昇が顕著であることを示している。  これは、加工雰囲気中に存在する酸素が、ＴｉＯ２の光触媒反応による活性酸素の発生を助長し、その活性酸素の作用でＳｉ−Ｃ結合が切れ易くなり、加工レートが飛躍的に向上すると考えられる。【００２６】  また、光触媒反応は、研磨面を平滑化する上でも効果を有している。図５に示す、酸素５００ＫＰａの加工雰囲気中で「ＵＶ照射なし」により研磨した加工面と、同一加工雰囲気中で「ＵＶ照射あり」により研磨した加工面とのＲａを比較すると、「ＵＶ照射なし」のＲａは０．３０４ｎｍであるが、「ＵＶ照射あり」のＲａは０．２８１ｎｍであり、「ＵＶ照射あり」の方が、表面粗さが小さい。  また、図６は、酸素５００ＫＰａの加工雰囲気中で「ＵＶ照射あり」により研磨した加工面のラインプロファイルを示している。これは、ＡＦＭを用いて、図７に示す２．３５μｍ四方の研磨面を横断する３本の平行な直線上の凹凸を測定し、その凹凸の平均値をグラフ化したものであり、横軸は直線の始端から終端までをμｍ単位で表し、縦軸は高さ方向の凹凸をｐｍ（ピコメートル）単位で表している。このラインプロファイルから研磨面が極めて平滑であることが分かる。【００２７】  また、図８として示す表は、スラリーへのＴｉＯ２添加量を変えてＳｉＣ基板を研磨したときの加工レートＲＲ（μｍ／ｈ）とＳｉＣ加工面の表面粗さＲａとの関係を示している。ここでは、加工雰囲気ガスとして酸素ガスを選定し、ベルジャー２０内の圧力を５００ＫＰａに設定している。また、ベルジャー２０の覗き窓２９から照射する紫外線強度は１００ｍＷ／ｃｍ2に設定している。その他の実施条件は図３の場合と同じである。  図８の表から明らかなように、ＴｉＯ２の添加量が増えると、活性酸素の発生量が増加し、それに伴って加工レートが上昇する。但し、ＴｉＯ２粒子の量が多くなり過ぎると、研磨品質の低下する可能性がある。図８の表から、スラリーへのＴｉＯ２の添加量が少なくとも０．１ｗｔ％〜１０．０ｗｔ％の範囲内であれば��ＳｉＣ基板を高い加工レートで、かつ、加工面を良好な状態に研磨できることが分かる。  図９は、図８の表のＮｏ．２の試料におけるＳｉＣ加工面のＡＦＭ像を示し、図１０は、図８の表のＮｏ．４の試料におけるＳｉＣ加工面のＡＦＭ像を示している。【００２８】  また、図１１として示す表は、ＴｉＯ２を含むスラリーに照射する紫外線の強度を変えてＳｉＣ基板を研磨したときの加工レートＲＲ（μｍ／ｈ）とＳｉＣ加工面の表面粗さＲａとの関係を示している。ここでは、加工雰囲気ガスとして酸素ガスを選定し、ベルジャー２０内の圧力を５００ＫＰａに設定している。また、スラリーへのＴｉＯ２の添加量は０．５ｗｔ％に設定している。その他の研磨条件は図３の場合と同じである。  図１１の表から明らかなように、紫外線強度が増すと、ＴｉＯ２による活性酸素の発生量が増加し、それに伴って加工レートが上昇する。但し、活性酸素の発生量が飽和すると、それ以上紫外線強度を増やしても、加工レートの上昇は得られない。図１１の表から、紫外線強度が５ｍＷ／ｃｍ2以上であれば、ＳｉＣ基板を高い加工レートで、かつ、加工面を良好な状態に研磨できることが分かる。図９のＡＦＭ像は、図１１の表のＮｏ．３の試料におけるＳｉＣ加工面の加工状態である。【００２９】  このように、被加工物の研磨に際して、酸素を含む加工雰囲気の圧力を大気圧よりも高く設定し、紫外線を照射しながら、光触媒を分散したスラリーを用いて研磨処理を行うことにより、ＳｉＣのような難加工材であっても、高能率、かつ、高品位に仕上げ加工することができる。【００３０】  次に、サファイアの研磨について説明する。  サファイアに対しても、ＳｉＣと同様に、酸素を含む加工雰囲気の圧力を大気圧より高く設定し、紫外線を照射しながら、光触媒を分散したスラリーを用いて研磨することにより、高品位の研磨面を高能率で得ることができる。【００３１】  図１２は、加工雰囲気や加工条件を変えて単結晶サファイア基板を研磨したときの加工レートを示している。図１２では、大気中において、コロイダルシリカスラリーで研磨したときの加工レートを「大気下：ＳｉＯ２」として示し、純水にＴｉＯ２粒子（０．５ｗｔ％）を混合したスラリーで研磨したときの加工レートを「大気下：ＴｉＯ２」として示し、また、コロイダルシリカスラリーに０．５ｗｔ％のＴｉＯ２粒子を添加し、「ＵＶ照射あり」で研磨したときの加工レートを「大気下：ＴｉＯ２（０．５ｗｔ％）＋ＵＶ」として示している。また、ベルジャー内を５００ＫＰａの酸素で満たし、コロイダルシリカスラリーで研磨したときの加工レートを「酸素５００ＫＰａ：ＳｉＯ２」として示し、また、コロイダルシリカスラリーに０．５ｗｔ％のＴｉＯ２粒子を添加し、「ＵＶ照射あり」で研磨したときの加工レートを「酸素５００ＫＰａ：ＳｉＯ２＋ＴｉＯ２＋ＵＶ」として示している。【００３２】  なお、ここでは、サファイア基板のＣ面を研磨面としている。また、パッドは、ＳｉＣの研磨と同じものを使用し、押圧プレートの押圧力は５００ｇ／ｃｍ2、回転数は９０ｒｐｍ、加工時間は１時間に設定している。また、コロイダルシリカスラリーには、砥粒濃度５ｗｔ％、砥粒径７０ｎｍ、ｐ.Ｈ７．５の「Ｄ−ｐｒｏｃｅｓ��社製、Ｈｏｒｉｚｏｎｏｒ−Ａｌ2Ｏ3」を使用し、光触媒には、平均粒径が１４０ｎｍのアナターゼ型ＴｉＯ２を使用している。  図１２から明らかなように、圧力を高めた酸素雰囲気の下で、スラリーにＴｉＯ２を添加し、紫外線照射を行いながらサファイア単結晶を研磨する場合には、加工レートが大幅に上昇する。【００３３】  また、図１３（ａ）は「酸素５００ＫＰａ：ＳｉＯ２＋ＴｉＯ２＋ＵＶ」による研磨面のＡＦＭ像を示しており、この研磨面のＲａは０．３７４ｎｍである。また、図１３（ｂ）は「大気下：ＳｉＯ２」による研磨面のＡＦＭ像を示しており、この研磨面のＲａは０．３２４ｎｍである。従って、「酸素５００ＫＰａ：ＳｉＯ２＋ＴｉＯ２＋ＵＶ」では、「大気下：ＳｉＯ２」の場合の２倍の加工レートで、「大気下：ＳｉＯ２」での表面粗さと遜色が無い平滑鏡面化した研磨面が得られている。【００３４】  なお、ここでは、ＳｉＣ及びサファイアの研磨について説明したが、本発明は、ＳｉＮやＧａＮなどの難加工材を始め、その他の材料を研磨する場合にも適用できることを確認している。  また、研磨に使用するスラリーの砥粒がコロイダルシリカの場合、その粒子径は、１０ｎｍ〜数１００ｎｍであることが望ましい。また、スラリーの砥粒は、コロイダルシリカ以外のヒュームドシリカ、セリア、アルミナ等であっても良い。【００３５】  また、ここでは平均粒径が０．８μｍや０．５μｍのＴｉＯ２をスラリーに含めた例を説明したが、活性酸素の発生はＴｉＯ２の表面積に依り、粒径に直接関係する訳ではないので、本発明では、平均粒径が数ｎｍ〜数ミクロンのＴｉＯ２であっても使用できる。  また、パッドは、柔らくても硬くても良く、不織布や人工皮革などを使用しても問題ない。
【産業上の利用可能性】
【００３６】  本発明は、ＳｉＣやサファイアのような難加工材の高能率、かつ、高品位での研磨を可能にするものであり、半導体製造分野を始めとして、難加工材の処理に携わる各分野において広く利用することができる。
【図１】
0004752072.tif 000002
【図２】
0004752072.tif 000003
【図３】
0004752072.tif 000004
【図４】
0004752072.tif 000005
【図５】
0004752072.tif 000006
【図６】
0004752072.tif 000007
【図７】
0004752072.tif 000008
【図８】
0004752072.tif 000009
【図９】
0004752072.tif 000010
【図１０】
0004752072.tif 000011
【図１１】
0004752072.tif 000012
【図１２】
0004752072.tif 000013
【図１３】
0004752072.tif 000014
【図１４】
0004752072.tif 000015
【図１５】
0004752072.tif 000016