(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
圧電基板上にＣｕからなる金属層を含むＩＤＴ電極及び第１の配線パターンを形成する工程と、
前記ＩＤＴ電極及び第１の配線パターンを形成した後に、圧電基板上にＩＤＴ電極及び第１の配線パターンを覆うように絶縁膜を形成する工程と、
前記絶縁膜上に感光性樹脂を塗布し、感光性樹脂層を形成する工程と、
前記感光性樹脂層を加熱硬化した後にパターニングする工程と、
前記感光性樹脂層をパターニングする工程後に、前記絶縁膜上の第２の感光性樹脂層を形成する工程と、
前記第２の感光性樹脂層に開口部を形成し、該開口部に露出している前記絶縁膜を部分的にエッチングしかつ前記ＩＤＴ電極上に絶縁膜を残存させる工程と、
前記ＩＤＴ電極が設けられている領域とは異なる領域であって、前記絶縁膜及び絶縁膜上に設けられている前記感光性樹脂膜からなる絶縁層が設けられている領域において、該絶縁層上に第２の配線パターンを形成する工程と備えることを特徴とする、弾性表面波装置の製造方法。
【請求項２】
前記第２の配線パターンが、前記第１の配線パターンと異なる電位に接続される配線パターンであって、該第１の配線パターンと前記絶縁層を介して立体交差するように、前記第１，第２の配線パターンが設けられている、請求項１に記載の弾性表面波装置の製造方法。
【請求項３】
前記圧電基板上に前記ＩＤＴ電極及び第１の配線パターンを形成する工程において第３の配線パターンを形成し、
前記ＩＤＴ電極及び前記第１の配線パターンを覆うように、絶縁膜を形成する工程において、前記第３の配線パターンをも覆うように絶縁膜を形成し、
前記絶縁膜の部分的エッチングに際し、前記第３の配線パターンを部分的に露出させる開口を形成し、
前記開口内において、前記第３の配線パターンに電気的に接続されるように、かつ前記開口の周囲の絶縁膜及び絶縁膜に積層されている感光性樹脂膜からなる絶縁層上に至る第４の配線パターンを形成する工程をさらに備えることを特徴とする、請求項１または２に記載の弾性表面波装置の製造方法。
【請求項４】
前記絶縁膜がＳｉＯ２膜である、請求項１〜３に記載の弾性表面波装置の製造方法。
【請求項５】
前記絶縁膜が、周波数温度特性改善用の膜であることを特徴とする、請求項１〜４に記載の弾性表面波装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、圧電基板上にＩＤＴ電極及び温度特性改善用のＳｉＯ２膜が形成されている弾性表面波装置の製造方法に関し、より詳細には、圧電基板上における配線パターンの形成工程及び配線パターンの構造が改良された弾性表面波装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
携帯電話機では、送信側周波数帯と、受信側周波数帯とが近接している。他方、携帯電話のＲＦ段の帯域フィルタとして弾性表面波フィルタが広く用いられている。送信側周波数帯と受信側周波数帯とが近接しているため、このような用途に用いられる弾性表面波フィルタでは、周波数温度特性が良好であること、特に温度による周波数特性の変化が小さいことが強く求められる。【０００３】
そこで、例えば、下記の特許文献１には、ＳｉＯ２からなる周波数温度特性改善膜を圧電基板上に形成した構造が開示されている。図７（ａ）に平面図で、及び図７（ａ）中のＡ−Ａ線に沿う断面図である図７（ｂ）に示すように、弾性表面波フィルタ１０１では、圧電基板１０２上に、ＩＤＴ電極１０３及び反射器１０４，１０５が形成されている。そして、ＩＤＴ電極１０３、反射器１０４，１０５を覆うようにＳｉＯ２からなる膜１０６が形成されている。【０００４】
実際には、ＩＤＴ電極１０３を外部と電気的に接続するために、ＳｉＯ２膜の一部に開口を設け、開口において露出している電極部分をボンディングワイヤーなどにより外部と電気的に接続する必要がある。【０００５】
他方、近年、弾性表面波フィルタ装置においても、回路構成が複雑化してきている。すなわち、減衰量の拡大を図ったり、平衡−不平衡変換機能を実現したりするために、複数の弾性表面波フィルタを接続したり、弾性表面波フィルタに弾性表面波共振子を接続したりした構成などが広く用いられている。【０００６】
例えば、特許文献２には、図８に示す回路構成を有する弾性表面波フィルタ装置が開示されている。図８に示すように、弾性表面波フィルタ装置１１１では、不平衡端子１１２に並列に第１，第２の縦結合共振子型弾性表面波フィルタ１１３，１１４が接続されている。縦結合共振子型弾性表面波フィルタ１１３は、一端子対弾性表面波共振子１１５を介して平衡端子１１７に接続されている。他方、第２の縦結合共振子型弾性表面波フィルタ１１４は、一端子対弾性表面波共振子１１６を介して第２の平衡端子１１８に接続されている。【０００７】
このような回路構成を実現する際に、特許文献２では、図９に模式的平面図で示す配線パターンが形成されている。すなわち、圧電基板１２１上に、上記不平衡端子１１２、第１，第２の平衡端子１１７，１１８、第１，第２の縦結合共振子型弾性表面波フィルタ１１３，１１４及び一端子対弾性表面波共振子１１５，１１６が形成されており、これらが配線パターンにより接続されている。【０００８】
ところで、配線パターンによる接続部分において、異なる電位に接続する配線パターン同士が交差する部分が存在する。例えば、図９において、縦結合共振子型弾性表面波フィルタ１１３と一端子対弾性表面波共振子１１５とを電気的に接続している配線パターン１２２は、縦結合共振子型弾性表面波フィルタ１１３の中央のＩＤＴをグラウンド電位に接続する配線パターン１２３と交差しているが、配線パターン１２２，１２３間の短絡を防止するために、感光樹脂からなる絶縁層１２４が形成されている。【０００９】
同様に、第２の縦結合共振子型弾性表面波フィルタ１１４と一端子対弾性表面波共振子１１６とを接続している配線パターン１２５と、第２の縦結合共振子型弾性表面波フィルタの中央のＩＤＴをアース電位に接続している配線パターン１２６も、感光樹脂よりなる絶縁層１２７を介して立体交差されている。【００１０】
図１０は、この立体交差部分を示す図９のＢ−Ｂ線に沿う断面図である。【００１１】
図９から明らかなように、弾性表面波フィルタ装置１１１では、上記のように、アース電位に接続される配線パターン１２３，１２６や、弾性表面波フィルタと弾性表面波共振子とを電気的に接続する配線パターン１２２，１２５、不平衡端子や第１，第２の平衡端子と他の電極部分とを接続する配線パターンなどが存在し、圧電基板１２１上における配線パターンの構成が複雑化している。そのため、上記のような立体交差部分がいくつかの位置に設けられることになる。
【特許文献１】特開２００４−２５４２９１号公報
【特許文献２】特開２００４−２８２７０７号公報
【発明の開示】
【００１２】
上述のように、特許文献１に記載の弾性表面波フィルタでは、周波数温度特性を改善するために、圧電基板上においてＩＤＴ電極を覆うようにＳｉＯ２膜１０６が形成されていた。
【００１３】
これに対して、特許文献２に記載の弾性表面波フィルタ装置１１１では、圧電基板上の配線パターンが交差する部分、特に異なる電位に接続される配線パターンが交差する部分において、両者の短絡を防止するために絶縁層として、感光性樹脂からなる絶縁層１２４，１２７がフォトリソグラフィー法を用いて形成されていた。
【００１４】
従って、携帯電話機のＲＦ段等に用いられる弾性表面波フィルタ装置では、周波数温度特性を改善するためにＳｉＯ２膜を形成しなければならず、かつ配線パターンが複雑化してきた場合には、ＳｉＯ２膜とは別に、感光性樹脂をパターニングすることにより、配線パターン間の短絡を防止するための絶縁層を形成しなければならなかった。そのため、弾性表面波装置の製造工程が煩雑となり、コストが高くつかざるを得なくなってきている。
【００１５】
また、感光性樹脂を塗布し、パターニングする場合、感光性樹脂を硬化するために高温に加熱しなければならなかった。そのため、圧電基板表面が高温により劣化し、所望とする特性が得られ難いという問題もあった。
【００１６】
さらに、ＩＤＴ電極などが、Ｃｕのような腐食し易い金属からなる場合、感光性樹脂のパターニングに用いられる現像液によりＩＤＴ電極などが腐食し易いという問題もあった。
【００１７】
本発明の目的は、上述した従来技術の現状に鑑み、周波数温度特性を改善するためのＳｉＯ２膜が形成されており、かつ比較的簡単な工程で得ることができ、さらに製造時の熱処理などによる圧電基板の特性の劣化が生じ難く、腐食し易い金属などによりＩＤＴ電極を形成した場合であっても、製造工程中にＩＤＴ電極などの腐食が生じ難い、弾性表面波装置の製造方法を提供することにある。
【００１８】
本発明の他の目的は、前記目的に加え、さらに、絶縁膜を介して異なる電位に接続される複数の配線パターンが立体交差しており、該複数の配線パターン間の短絡が生じ難く、従って配線パターンの高密度化及び装置全体の小型化を容易に図ることができる弾性表面波装置の製造方法を提供することにある。
【００１９】
本発明によれば、圧電基板上にＣｕからなる金属層を含むＩＤＴ電極及び第１の配線パターンを形成する工程と、前記ＩＤＴ電極及び第１の配線パターンを形成した後に、圧電基板上にＩＤＴ電極及び第１の配線パターンを覆うように絶縁膜を形成する工程と、前記絶縁膜上に感光性樹脂を塗布し、感光性樹脂層を形成する工程と、前記感光性樹脂層を加熱硬化した後にパターニングする工程と、前記感光性樹脂層をパターニングする工程後に、前記絶縁膜上の第２の感光性樹脂層を形成する工程と、前記第２の感光性樹脂層に開口部を形成し、該開口部に露出している前記絶縁膜を部分的にエッチングしかつ前記ＩＤＴ電極上に絶縁膜を残存させる工程と、前記ＩＤＴ電極が設けられている領域とは異なる領域であって、前記絶縁膜及び絶縁膜上に設けられている前記感光性樹脂膜からなる絶縁層が設けられている領域において、該絶縁層上に第２の配線パターンを形成する工程と備えることを特徴とする、弾性表面波装置の製造方法が提供される。
【００２０】
本発明に係る弾性表面波装置の製造方法のある特定の局面では、前記第２の配線パターンが、前記第１の配線パターンと異なる電位に接続される配線パターンであって、該第１の配線パターンと前記絶縁層を介して立体交差するように、前記第１，第２の配線パターンが設けられている。
【００２１】
本発明に係る弾性表面波装置の製造方法の他の特定の局面によれば、前記圧電基板上に前記ＩＤＴ電極及び第１の配線パターンを形成する工程において第３の配線パターンを形成し、前記ＩＤＴ電極及び前記第１の配線パターンを覆うように、絶縁膜を形成する工程において、前記第３の配線パターンをも覆うように絶縁膜を形成し、前記絶縁膜の部分的エッチングに際し、前記第３の配線パターンを部分的に露出させる開口を形成し、前記開口内において、前記第３の配線パターンに電気的に接続されるように、かつ前記開口の周囲の絶縁膜及び絶縁膜に積層されている感光性樹脂膜からなる絶縁層上に至る第４の配線パターンを形成する工程をさらに備えられている。
【００２２】
本発明に係る弾性表面波装置の製造方法の別の特定の局面によれば、前記絶縁膜がＳｉＯ２膜である。
【００２３】
本発明に係る弾性表面波装置の製造方法のさらに別の特定の局面によれば、前記絶縁膜が、周波数温度特性改善用の膜である。
【００２９】
本発明に係る弾性表面波装置の製造方法によれば、負の周波数温度特性を有する圧電基板上にＩＤＴ電極及び第１の配線パターンを形成した後に、絶縁膜を成膜し、絶縁膜上に感光性樹脂を塗布し、感光性樹脂層を形成する。そして、感光性樹脂層をパターニングした後、上記ＩＤＴ電極上に絶縁膜を残存するように、絶縁膜を部分的にエッチングする。そして、ＩＤＴ電極が設けられている領域とは異なる領域において、絶縁膜及び絶縁膜上に設けられている感光性樹脂膜からなる絶縁層が設けられている部分において、該絶縁層上に、第１の配線パターンと異なる電位に接続される第２の配線パターンを形成する。
【００３０】
従って、第１，第２の配線パターンが、上記絶縁膜及び感光性樹脂膜からなる絶縁層を介して隔てられているため、第１，第２の配線パターン間の短絡を確実に防止することができる。
【００３１】
しかも、絶縁膜がＩＤＴ電極を覆うように形成されているので、弾性表面波装置の周波数温度特性を改善することができる。
【００３２】
また、上記感光性樹脂膜を形成し、パターニングし、絶縁膜をＩＤＴ電極上に残存させるように部分的にエッチングした後、ＩＤＴ電極が設けられている領域とは異なる領域において上記絶縁層上に第２の配線パターンを形成すればよいため、工程の簡略化を図ることができる。
【００３３】
さらに、ＩＤＴ電極がＣｕなどの腐食され易い金属材料により構成されていたとしても、ＩＤＴ電極が絶縁膜により覆われているため、感光性樹脂層を形成するための現像液に接触しない。よって、ＩＤＴ電極の腐食を防止することができる。
【００３４】
第２の配線パターンが、第１の配線パターンと絶縁膜を介して立体交差するように、第１，第２の配線パターンが設けられている場合には、第１，第２の配線パターンが交差するように配置しなければならない部分において、第１，第２の配線パターン間の短絡を確実に防止することができる。
【００３５】
絶縁膜が、第３の配線パターンをも覆うように形成されており、絶縁膜の部分エッチングに際し、第３の配線パターンを部分的に露出させる開口が形成され、開口において、第３の配線パターンに第４の配線パターンが電気的に接続されるように、かつ第４の配線パターンが開口の周囲において、上記絶縁層上に至るように形成される場合には、本発明に従って、第３の配線パターンを第４の配線パターンにより外部に取り出すことができる。従って、ＩＤＴ電極に接続される第３の配線パターンを形成しておくことにより、ＩＤＴ電極を第４の配線パターンを経由して外部と電気的に接続することができる。
【００３６】
また、上記絶縁膜がＳｉＯ２膜である場合には、ＳｉＯ２膜は正の周波数温度特性をしめす。従って、圧電基板が負の周波数温度特性を有する材料である場合には、上記絶縁膜としてＳｉＯ２膜を用いることにより、弾性表面波装置の周波数温度特性を改善することができる。
【００３７】
絶縁膜が周波数温度特性改善用の膜である場合には、絶縁膜により、配線パターン間を絶縁し得るだけでなく、周波数温度特性をも改善することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００４３】
【図１】図１は、本発明の一実施形態に係る弾性表面波フィルタ装置の模式的平面図である。
【図２】図２（ａ）及び（ｂ）は、本発明の一実施形態の弾性表面波フィルタ装置の要部を示す部分拡大平面図及び（ａ）中のＥ−Ｅ線に沿う断面図である。
【図３】図３（ａ）〜（ｆ）は、本発明の一実施形態の弾性表面波フィルタ装置の製造方法の各工程を示す部分正面断面図である。
【図４】図４（ａ）〜（ｆ）は、本発明の一実施形態の弾性表面波フィルタ装置の製造方法の各工程を示す部分正面断面図である。
【図５】図５（ａ）〜（ｆ）は、比較例としての従来法による弾性表面波フィルタ装置の製造方法を説明するための各正面断面図である。
【図６】図６（ａ）〜（ｆ）は、比較例としての従来法による弾性表面波フィルタ装置の製造方法を説明するための各正面断面図である。
【図７】図７（ａ）及び（ｂ）は、従来の弾性表面波フィルタの一例を説明するための平面図及び（ａ）中のＡ−Ａ線に沿う断面図である。
【図８】図８は、従来の弾性表面波フィルタ装置の回路構成を示す模式的回路図である。
【図９】図９は、従来の弾性表面波フィルタ装置の模式的平面図である。
【図１０】図１０は、図９に示したＢ−Ｂ線に沿う断面図である。
【符号の説明】
【００４４】
１…弾性表面波フィルタ装置
２…圧電基板
３…不平衡端子
４，５…第１，第２の平衡端子
６…第１の縦結合共振子型弾性表面波フィルタ
７…第２の縦結合共振子型弾性表面波フィルタ
７ａ〜７ｃ…ＩＤＴ電極
８，９…一端子対弾性表面波共振子
１０…ＳｉＯ２膜
１０ａ〜１０ｈ…開口
１１…感光性樹脂膜
１２…感光性樹脂膜
１３…第１の配線パターン
１４…第２の配線パターン
１５…電極パッド
１６…第３の配線パターン
１７…第４の配線パターン
１８…第５の配線パターン
２１…フォトレジスト層
２２…フォトレジスト層
２２ａ…開口
【発明を実施するための最良の形態】
【００４５】
以下、図面を参照しつつ、本発明の具体的な実施形態を説明することにより本発明を明らかにする。【００４６】
図１は本発明の一実施形態に係る弾性表面波フィルタ装置の電極構造を示す模式的平面図である。弾性表面波フィルタ装置１は、負の周波数温度特性を有する圧電基板２を有する。負の周波数温度特性を有する圧電基板２としては、本実施形態では、ＬｉＴａＯ３またはＬｉＮｂＯ３などの圧電単結晶基板が用いられている。もっとも、圧電基板２は、圧電セラミックスにより構成されていてもよい。【００４７】
ＬｉＴａＯ３やＬｉＮｂＯ３は負の周波数温度特性を有し、後述のＳｉＯ２膜は正の周波数温度特性を有し、ＳｉＯ２膜の形成により、周波数温度特性を改善することができる。【００４８】
圧電基板２上には、不平衡端子３を構成する電極パッドと、第１，第２の平衡端子４，５を構成する電極パッドとが形成されている。【００４９】
不平衡端子３に並列に、第１，第２の縦結合共振子型弾性表面波フィルタ６，７が接続されている。【００５０】
第１の縦結合共振子型弾性表面波フィルタ６は、一端子対弾性表面波共振子８を介して第１の平衡端子４に電気的に接続されている。他方、第２の縦結合共振子型弾性表面波フィルタ７は、一端子対弾性表面波共振子９を介して第２の平衡端子５に電気的に接続されている。【００５１】
縦結合共振子型弾性表面波フィルタ６と、縦結合共振子型弾性表面波フィルタ７とは、位相が１８０°逆転されており、従って、弾性表面波フィルタ装置１は、平衡−不平衡変換機能を有する。【００５２】
また、本実施形態の弾性表面波フィルタ装置１では、圧電基板２上の大部分の領域がＳｉＯ２膜１０で被覆されている。ＳｉＯ２膜１０は、エッチングにより形成された開口１０ａ〜１０ｈを有する。【００５３】
ＳｉＯ２膜１０は、正の周波数温度特性を示す。従って、ＳｉＯ２膜１０を縦結合共振子型弾性表面波フィルタ６，７のＩＤＴ電極６ａ〜６ｃ，７ａ〜７ｃ及び弾性表面波共振子８，９のＩＤＴ電極８ａ，９ａを覆うように形成することにより、周波数温度特性を改善することができる。またＳｉＯ２膜は周波数温度特性改善用ではなく、周波数調整に用いる膜でもよい。【００５４】
ところで、この種の弾性表面波フィルタ装置では、第１，第２の縦結合共振子型弾性表面波フィルタ６，７が複数のＩＤＴ電極６ａ〜６ｃ，７ａ〜７ｃを有し、他方、第１，第２の縦結合共振子型弾性表面波フィルタ６，７は、弾性表面波共振子８，９に電気的に接続されている。従って、図示のように、複雑な電気的接続のための複数の配線パターンが形成されている。また、異なる電位に接続される一方の配線パターンと他方の配線パターンとは電気的に絶縁されねばならない。本実施形態の特徴は、この電気的絶縁が、上記ＳｉＯ２膜１０、すなわち周波数温度特性を改善するためのＳｉＯ２膜１０を用いて行われていることにある。これを、図１の矢印Ｃ及びＤで示す立体交差部分を代表して説明することにより明らかにする。【００５５】
また、図１に示すように、ＳｉＯ２膜１０の一部において、感光性樹脂膜１１，１２が積層されている。本実施形態では、ＳｉＯ２膜１０と、上記感光性樹脂膜１１，１２とが積層されている部分が、ＳｉＯ２膜及び感光性樹脂膜１１，１２を積層してなる絶縁層とされている。【００５６】
図２（ａ）は、矢印Ｃ，Ｄで示されている部分を取り出して示す部分拡大平面図であり、図２（ｂ）は、図２（ａ）のＥ−Ｅ線に沿う断面図である。【００５７】
縦結合共振子型弾性表面波フィルタ７の中央のＩＤＴ電極７ｂの一端に、第１の配線パターン１３が電気的に接続されている。配線パターン１３は、図１に示されている電極パッド１５に電気的に接続されている。電極パッド１５はグラウンド電位に接続される電極パッドである。他方、図１に示すように、ＩＤＴ電極７ａ，７ｃの各一端が第２の配線パターン１４により共通接続されて、一端子対弾性表面波共振子９に電気的に接続されている。この配線パターン１４が第２の配線パターンに相当する。第２の配線パターン１４は、ＳｉＯ２膜１０上に形成されている。もっとも、図１から明らかなように、矢印Ｃで示す立体交差部分では、第２の配線パターン１４は、ＳｉＯ２膜１０及び感光性樹脂膜１２を積層してなる絶縁層上に形成されており、該絶縁膜を介して第１の配線パターン１３と立体交差されている。【００５８】
従って、第１の配線パターン１３と異なる電位に接続される第２の配線パターン１４は、上記絶縁層を介して立体交差しているため、異なる電位に接続される第１，第２の配線パターン１３，１４間の短絡が生じ難い。【００５９】
また、感光性樹脂膜１２は、後述する製造工程から明らかなように、加熱により硬化され、かつ現像液を用いてパターニングすることにより形成されている。この感光性樹脂膜１２を加熱により硬化させるに際し、ＳｉＯ２膜１０が圧電基板の保護層として存在するので、圧電基板２の上記加熱による劣化を抑制することができる。加えて、上記感光性樹脂膜１２をパターニングする際の現像液により、ＩＤＴ電極７ｂや、配線パターン１３が、現像液に直接接触しない。従って、これらの電極材料として腐食し易いＣｕを用いた場合であってもＩＤＴ電極７ｂや配線パターン１３の腐食は生じ難い。【００６０】
他方、図１の矢印Ｄで示す部分では、ＳｉＯ２膜１０に後述する部分的なエッチングを施すことにより、開口１０ｂが形成されている。ＩＤＴ電極７ｂの端部に接続されている第３の配線パターン１６が開口１０ｂに露出している。第３の配線パターン１６は、ＩＤＴ電極７ｂと一体に形成されている。もっとも、第３の配線パターン１６は、ＩＤＴ電極７ｂと異なる電極材料で形成されていてもよい。【００６１】
開口１０ｂにおいて、第３の配線パターン１６が露出されている部分に電気的に接続されるように、第４の配線パターン１７が形成されている。第４の配線パターン１７は開口１０ｂ内からＳｉＯ２膜１０及び感光性樹脂膜１１を積層してなる絶縁層上に至るように形成されている。なお、配線パターン１７をはわせるＳｉＯ２膜及び感光性樹脂膜の断面形状１９は、配線パターン１６の断線を防ぐために、テーパー形状とされていることが好ましい。そして、この絶縁層の下方に、第５の配線パターン１８が配置されている。第５の配線パターン１８は、ＩＤＴ電極７ａ，７ｃを共通接続しており、グラウンド電位に電気的に接続されるように、電極パッド１５に電気的に接続されている。従って、第５の配線パターン１８は、第４の配線パターン１７と上記絶縁層を介して立体交差している。【００６２】
言い換えれば、第４の配線パターン１７と第５の配線パターン１８とは、前述した第１の配線パターン１３と、第２の配線パターン１４との関係と同様に、間に絶縁層を介して電気的に絶縁されている。従って、第４，第５の配線パターン１７，１８間における短絡も生じ難い。【００６３】
加えて、第４の配線パターン１７は、第３の配線パターン１６に開口１０ｂ内において電気的に接続されており、かつ第５の配線パターン１８と立体交差され、外側に引き出されている。従って、本実施形態では、このような立体交差を利用することにより、複数の配線パターン１６，１７，１８の配置密度を高めることができ、弾性表面波装置１の小型化を図ることが可能とされている。【００６４】
次に、具体的な製造方法の実施形態を説明することにより、本実施形態により得られる効果をより具体的に説明する。【００６５】
本製造工程では、図２（ａ）に示した部分を代表して図３及び図４を参照しつつ説明を行うこととする。【００６６】
まず、図３（ａ）に示すように、圧電基板２上に、１層目の電極として、ＩＤＴ電極７ｂ、第１の配線パターン１３、第３の配線パターン１６及び第５の配線パターン１８を含む電極を形成する。電極材料は特に限定されず、Ａｌ、Ｃｕ、Ａｕまたはこれらの金属の合金などを適宜用いることができる。【００６７】
もっとも、上述したように、本実施形態では、感光性樹脂膜１１，１２と、下方に形成された電極とが接触されないため、感光性樹脂膜１１，１２の形成に際しての現像液により、先に形成されていた電極が腐食することがない。従って、上記１層目の電極材料として、腐食し易いＣｕなどを用いることができ、その場合には、腐食し易い電極材料は一般に安価であるため、弾性表面波装置のコストを低減することができる。【００６８】
また、電極は、単一の金属層により形成される必要は必ずしもなく、これらの金属からなる金属層に、さらに密着性等を高めるために、Ｔｉ層やＮｉＣｒ層などを積層した積層金属膜により形成されてもよい。【００６９】
さらに、後述する２層目以降の配線パターン等を構成する電極についても、上記第１層目の電極と同じ電極材料を用いて形成することができる。【００７０】
図３（ａ）に示すＩＤＴ電極及び配線パターン１３，１６，１８は、上記のような金属材料を全面に成膜した後、フォトリソグラフィーなどによりパターニングすることにより形成される。もっとも、電極形成方法は特に限定されるものではない。【００７１】
次に、図３（ｂ）に示すように、圧電基板２上にＳｉＯ２膜１０を全面に成膜する。ＳｉＯ２膜の成膜は、蒸着またはスパッタリングなどの適宜の薄膜形成方法により行い得る。【００７２】
次に、図３（ｃ）に示すように、ＳｉＯ２膜１０上に、全面に感光性樹脂層２１を形成する。しかる後、感光性樹脂層２１を加熱により硬化する。この加熱は、感光性樹脂層２１を構成する樹脂組成物の組成にもよるが、２５０〜３３０℃の高温下で行われる。しかしながら、感光性樹脂層２１と圧電基板２との間にＳｉＯ２膜１０が存在するため、上記加熱により、圧電基板２がほとんど劣化しない。【００７３】
次に、図３（ｄ）に示すように、感光性樹脂層２１をパターニングし、感光性樹脂膜１１，１２を形成する。このパターニングは、感光性樹脂層２１に光を照射し、現像液により現像することにより行い得る。この現像液としては、アルカリ現像などが用いられるが、現像液により、下方に形成されているＩＤＴ電極７ｂや配線パターン１３，１６，１８が腐食することはない。すなわち、ＳｉＯ２膜１０の下方にＩＤＴ電極７ｂ及び配線パターン１３，１６，１８が配置されており、これらの電極と現像液とが直接接触しない。従って、前述したように、電極材料としてＣｕなどの安価であるが、腐食し易い金属を用いることができる。【００７４】
次に、図３（ｅ）に示すように、ＳｉＯ２膜上の全面にポジ型のフォトレジスト層２２を形成する。すなわち、上記開口１０ｂが形成される部分が開口部とされているマスクを用い、露光し、露光されたフォトレジスト層２２を現像する。これによって、図３（ｆ）に示すように、開口２２ａを形成する。しかる後、ドライエッチングプロセスにより、開口２２ａに露出しているＳｉＯ２膜部分を除去する。このようにして、図４（ａ）に示すように、開口１０ｂ内に、第３の配線パターン１６の一部が露出されることになる。【００７５】
次に、図４（ｂ）に示すように、フォトレジスト層２２を除去する。しかる後、図４（ｃ）に示すように、ネガ型のフォトレジスト層２３を全面に形成する。【００７６】
そして、電極を形成したい部分が遮蔽部とされているフォトマスクを用いて露光し、露光されていないレジスト部分を除去する。このようにして、図４（ｄ）に示すように、電極を形成したい部分上において、フォトレジスト層２３が除去される。【００７７】
しかる後、図４（ｅ）に示すように、２層目の電極を構成する電極材料を成膜する。この電極材料による成膜は、１層目の電極と同様に、蒸着またはスパッタリングなどの適宜の薄膜形成方法により行われ得る。そして、図４（ｆ）に示すように、ネガ型のフォトレジスト層２３を、その上面に形成されている電極材料とともにリフトオフする。その結果、上記弾性表面波装置１を得ることができる。【００７８】
図３（ａ）〜（ｆ）及び図４（ａ）〜（ｆ）から明らかなように、本実施形態の製造方法では、フォトリソグラフィーによる各種電極や配線パターンを形成する以外の工程として、上記ＳｉＯ２膜１０の形成及びパターニング、並びに感光性樹脂膜の形成及びパターニングを行うことにより、弾性表面波装置１が得られる。この場合、上記のように、ＳｉＯ２膜１０の形成に先立って形成されたＩＤＴ電極７ｂ及び配線パターン１３，１６，１８などと、感光性樹脂膜１１，１２を形成する際の現像液との接触を防止し、Ｃｕなどの安価な電極材料を用いて、上記ＩＤＴ電極７ｂなどを形成することができる。【００７９】
しかも、ＳｉＯ２膜１０により周波数温度特性を高めることができる。加えて、ＳｉＯ２膜１０及びこれに積層されている感光性樹脂膜１１，１２からなる絶縁層により、異なる電位に接続される配線パターン１３，１４間、及び配線パターン１７，１８間が電気的に絶縁されている。従って、異なる電位に接続される配線パターン間の電気的絶縁性も高められる。【００８０】
すなわち、本実施形態によれば、周波数温度特性を改善するためのＳｉＯ２膜１０を利用して、上記周波数温度特性を改善し得るだけでなく、広い範囲の電極材料を用いて電極を形成して、弾性表面波フィルタ装置のコストの低減を果たし、かつ異なる電位に接続される配線パターン間の短絡を確実に防止することが可能となる。【００８１】
しかも、上記のような工程を経るだけでよいため、煩雑な製造工程を特に必要とするものでもない。【００８２】
図５（ａ）〜（ｆ）及び図６（ａ）〜（ｆ）は、上記実施形態と類似の構造を従来法に従って得る工程を説明するための各部分正面断面図である。ここでは、理解を容易とするために、図３及び図４に示した上記実施形態の製造方法における各部分を示す参照番号に相当する部分については、上記参照番号に２００を加えた参照番号で示すこととする。【００８３】
まず、図５（ａ）に示すように、圧電基板２０２上に１層目の電極としてＩＤＴ電極２０７ｂ及び配線パターン２１１，２１６，２１７を形成する。次に、図５（ｂ）に示すように、ＳｉＯ２膜２１０を形成し、図５（ｃ）に示すように、上面にフォトレジスト層２２１を形成する。ここまでは、上記実施形態と同様である。【００８４】
次に、図５（ｄ）に示すように、フォトレジスト層２２１に露光し、現像することにより、フォトレジスト層２２１をパターニングする。すなわち、フォトレジスト層２２１Ａと、フォトレジスト層が設けられていない領域が形成されることになる。次に、図５（ｅ）に示すように、露出しているＳｉＯ２膜２１０を除去し、さらに、図５（ｆ）に示すように、フォトレジスト層２２１Ａを除去する。ここまでは、上記実施形態とほぼ同様である。【００８５】
次に、図６（ａ）に示すように、感光性樹脂層２３１を全面に形成し、図６（ｂ）に示すように、感光性樹脂層２３１Ａを残す部分を除いて、感光性樹脂層２３１をフォトリソグラフィー法により除去する。この場合、図６（ａ）から（ｂ）に示す状態に至るまでに、感光及び現像処理をする必要がある。【００８６】
しかる後、図６（ｃ）に示すように、またフォトレジスト層２２２を全面に形成した後、図６（ｄ）に示すようにパターニングし、さらに２層目の電極材料を図６（ｅ）に示すように全面に付与する。そして、リフトオフすることにより、図６（ｆ）に示すように、配線パターン２１２，２１７が形成され、従来例の弾性表面波装置が得られる。ここでは、ＳｉＯ２膜をパターニングするだけでなく、上記感光性樹脂層２３１を形成しパターニングする必要がある。従って、製造工程が煩雑にならざるを得ない。また、感光性樹脂層２３１を現像する際、そのための現像液を必要とする必要がある。この種の感光性樹脂は、通常現像に際し、アルカリ現像液を用いて現像する必要がある。従って、電極材料としてＣｕなどを用いた場合、電極の腐食が生じるおそれがある。
【図１】
0004811409.tif 000002
【図２】
0004811409.tif 000003
【図３】
0004811409.tif 000004
【図４】
0004811409.tif 000005
【図５】
0004811409.tif 000006
【図６】
0004811409.tif 000007
【図７】
0004811409.tif 000008
【図８】
0004811409.tif 000009
【図９】
0004811409.tif 000010
【図１０】
0004811409.tif 000011