(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
回路またはコンポーネントを保護するためのクランピング回路（10）において、
前記保護される回路またはコンポーネントに結合されるように構成されている入力／出力ノード（12）と、
前記入力／出力ノード（12）に接続されている陽極を有する第１のダイオード（Ｄ１）と、
前記入力／出力ノード（12）に接続されている陰極を有する第２のダイオード（Ｄ２）と、
第１のノード（14）を構成している前記第１のダイオード（Ｄ１）の陰極と第２のノード（16）を構成している前記第２のダイオード（Ｄ２）の陽極との間に接続されている第３のダイオード（Ｄ３）と、
第１のノード（14）において前記第１のダイオードの陰極に第１の正の電位を供給するための第１の装置と、
第２のノード（16）において前記第２のダイオードの陽極に第２の負の電位を供給するための第２の装置と、
第１のノード（14）に接続されている前記第１のダイオードの陰極と接地電位との間にそれぞれ接続されている第１のキャパシタ（Ｃ１）および第１の抵抗（Ｒ３）と、
第２のノード（16）に接続されている前記第２のダイオードの陽極と接地電位との間にそれぞれ接続されている第２のキャパシタ（Ｃ２）および第２の抵抗（Ｒ４）とを具備していることを特徴とするクランピング回路。
【請求項２】
さらに、前記第３のダイオードと並列に接続されているさらに別のキャパシタを含んでいる請求項１記載のクランピング回路。
【請求項３】
ツェナーダイオードが第３のダイオード（Ｄ３）として使用され、そのツェナーダイオード（Ｄ３）の陽極または陰極が前記第１のノード（14）に接続される請求項１記載のクランピング回路。
【請求項４】
前記第１の装置は第１の正の電源（＋Ｖ）および第１の抵抗（Ｒ１）を含んでいる請求項１記載のクランピング回路。
【請求項５】
前記第２の装置は第２の負の電源（−Ｖ）および第２の抵抗（Ｒ２）を含んでいる請求項６記載のクランピング回路。
【請求項６】
第３のダイオード（Ｄ３）はツェナーダイオードであり、その陽極は前記第１のダイオード（Ｄ１）の陰極に接続されている請求項１記載のクランピング回路。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明はクランピング回路、特に無線周波数クランピング回路に関する。
【背景技術】
【０００２】
クランピング回路は、過剰で潜在的に有害な電流および電圧に対して電子コンポーネント、回路、システムを保護するために使用される。無線周波数システムでは、例えばクランピング回路は過電圧からアナログデジタル（Ａ／Ｄ）変換器を保護するために使用されている。
【０００３】
１つの通常のクランピング方法は、保護された回路または回路コンポーネントを過度に高いエネルギの有害なソースから隔離するためのスイッチの使用を含んでいる。しかしながら、この方法は検出器を必要とし、それ故比較的高価になる傾向がある。さらに、多くの場合、適切な保護を行うのに十分な高速の応答時間を実現することは困難である。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
したがって、好ましい方法は、過電圧を接地電位に分路するためのダイオードの使用を含んでいる。しかしながら、技術で知られているこのようなダイオード方法は線形について問題を生じる。即ち、これらの装置はしばしば劣化なしにはクランピングしきい値より下で信号を正確に通過させることができない。
【０００５】
したがって、良好な線形と最少の費用で過電圧および電流から回路、コンポーネント、およびシステムを保護するための改良されたシステムまたは方法が技術で必要とされている。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
技術の必要性は本発明のクランピング回路により解決される。本発明のクランピング回路は、保護された回路またはコンポーネントに結合されるように構成されている入力／出力ノードと、入力／出力ノードに接続された陽極を有する第１のダイオードと、入力／出力ノードに接続された陰極を有する第２のダイオードと、第１のダイオードの陰極と第２のダイオードの陽極との間に接続された第３のダイオードと、第３のダイオードを導通させながら、第１のダイオードを逆バイアスするために第１のダイオードの陰極に第１の電位を供給するための第１の構成と、第３のダイオードを導通させながら、第２のダイオードを逆バイアスするために第２のダイオードの陽極に第２の電位を供給するための第２の構成と、第１のダイオードの陰極と接地電位との間に接続されている第１のキャパシタと、第２のダイオードの陽極と接地電位との間に接続されている第２のキャパシタとを含んでいる。
【０００７】
図示の実施形態では、第３のダイオードの陽極は第１のダイオードの陰極に接続され、第１の構成は第１の電源と第１のダイオードの陰極との間に接続されている第１の抵抗を含み、第２の構成は第２の電源と第２のダイオードの陽極との間に接続されている第２の抵抗を含んでいる。図示の実施形態はさらに第１のダイオードの陰極と接地電位との間に接続された第３の抵抗と、第２のダイオードの陽極と接地電位との間に接続された第４の抵抗とを含んでいる。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００８】
図示の実施形態および例示的な応用を本発明の有効な特徴を開示するために添付図面を参照にして説明する。  
本発明を特定の応用の例示的な実施形態を参照にしてここで説明するが、本発明はそれに限定されないことを理解すべきである。当業者はその技術的範囲内の付加的な変形、応用、および実施形態と、本発明が特に有用である付加的な分野について認識するであろう。
【０００９】
図１は本発明の教示にしたがって構成されたクランピング回路の例示的な実施形態の概略図である。図１に示されているように、本発明のクランピング回路10は、保護される回路またはコンポーネント（図示せず）に結合されるように構成されている入力／出力ノード12を含んでいる。第１のダイオードＤ１は入力／出力ノード12に接続される陽極を有している。第２のダイオードＤ２は入力／出力ノード12に接続される陰極を有している。第３のダイオードＤ３はノード14における第１のダイオードＤ１の陰極とノード16における第２のダイオードＤ２の陽極との間に接続されている。図示されている実施形態では、第３のダイオードＤ３の陽極はノード14に接続されている。第１の電源は第１の抵抗Ｒ１を介してノード14に第１の電位を供給し、第２の電源は第２の抵抗Ｒ２を介してノード16に第２の電位を供給する。第１のキャパシタＣ１はノード14と接地電位との間に接続されている。第２のキャパシタＣ２はノード16と接地電位との間に接続されている。図示の実施形態はさらに、ノード14と接地電位との間に接続されている第３の抵抗Ｒ３と、ノード16と接地電位との間に接続されている第４の抵抗Ｒ４とを含んでいる。当業者は所定の応用の要求に基づいて、示されているエレメントのコンポーネント値を選択する。
【００１０】
動作において、ＲＦ入力信号は保護される装置（図示せず）の入力端子に与えられ、その信号は本発明のクランプ10の入力／出力ノード12に分路される。入力信号のピーク電圧がクランピングしきい値よりも下であるならば、第１および第２のダイオードＤ１とＤ２はそれらのそれぞれの供給電圧により逆バイアスされ、電圧降下はダイオードＤ３を横切って生じる。これはＤ１とＤ２をオフ状態に維持し、所望の信号が分路されることを防止する。
【００１１】
オーバードライブ状態の期間中は、過電圧を有するＲＦ信号が存在するとき、正のサイクルで、第１のダイオードＤ１が導通して第３のダイオードの陽極にさらに正の電圧を与える。負のサイクルで、第２のダイオードＤ２が導通して第３のダイオードＤ３の陰極にさらに負の電圧を与える。両方の場合に、これはＤ１の陰極およびＤ２陽極の電圧の変化を制限するために第３のダイオードＤ３にさらに大きい電流で導通させる。当業者は大きい過電圧電流が小さいバイアス電圧の電流で分路されることを可能にするために第３のダイオードＤ３が第１および第２のキャパシタＣ１とＣ２と共に動作することを認識するであろう。
【００１２】
通常の駆動レベル（以下クリッピング）中、回路10は高い分路インピーダンスをＲＦ信号に提供し、典型的な５０オームシステムでは損失は１ｄＢの何分の１かの小さい割合だけが存在する。小さいバイアス電流（例えば３ミリアンペア）が第３のダイオードＤ３を流れ、第１および第２のダイオードＤ１とＤ２の両者に対して逆バイアスを与える。対称であるために、Ｄ３を横切る電圧降下の半分はＤ１とＤ２に対する逆バイアス量になる。Ｄ３に対して１Ｎ４１４８を使用して、約０．３Ｖの逆バイアス電圧がＤ１とＤ２に与えられる。逆バイアス電圧値はリミッタのクリッピングレベルを設定する。この値はＤ３の（例えばツェナーダイオードへの）変化または以下の図２で示されているようにＤ３と直列する別のダイオードを付加することにより変更されることができる。しかしながら、Ｄ３のダイナミックインピーダンスは、入力信号レベルが初期クランプレベルより増加するときに出力レベルが増加する量に影響する。
【００１３】
図２は第３のダイオードが間に存在するノードの接地電位に接続されて直列に接続されている２つのダイオードで構成されている別の実施形態を示している。
【００１４】
最良のモードでは、Ｄ１とＤ２は導通するときに低い漏洩電流と低いダイナミックインピーダンスを有する高速度シリコンダイオードである。低い漏洩電流は小信号レベルで３次のインターセプト点（ＩＰ３）を提供する。抵抗の低いダイナミックは入力が増加するときにパワーの増加を減少させる。
【００１５】
前述したように、大信号レベルが与えられるとき、Ｄ１は正の半サイクルで導通し、Ｄ２は導通して負の半サイクルで出力電圧スイングを制限する。正の電圧スイング中、Ｄ１は導通し、Ｃ１の電圧は上昇し始める。Ｃ１値はこの電圧が１つの半サイクル中に上昇できる量を減少するように選択されなければならない。Ｄ３が存在しない場合には、整流されたＲＦは（Ｒ１とＲ３を通るバイアス電流に等しい）少量の平均電流だけがＤ１を流れるまでゆっくりＣ１を充電する。したがって、Ｄ３が存在しないならば、最適の制限を行う唯一の方法は高いバイアス電流を使用することである。回路中のＤ３により、Ｄ３は大きな電流で導通し、効率的にこれらの点を共に接続するので、正の半サイクル中のＣ１の正電圧の増加は負の半サイクル中のＣ２の負の電圧の増加により打消される。
【００１６】
別の代わりの実施形態はさらに高いレベルにクランピング電圧を上昇するために第３のダイオードをツェナーダイオードにしている。この場合には、導通は順方向導通の代わりにツェナー絶縁破壊により生じるように、第３のダイオードの接続は反対にされる。
【００１７】
さらに別の実施形態では、キャパシタが第３のキャパシタとして、または第１および第２のキャパシタの代りとして第３のダイオードと並列に配置される。例示的な応用では、本発明のクランプはフルスケールより下のレベルで高い３次インターセプト点（ＩＰ３）を与えながら、装置を損傷から保護する。典型的な応用では、クランピング回路10からのＲＦ出力信号は変成器の入力に与えられ、その変成器はアナログデジタル変換器を差動的に駆動する。したがってＲＦ端子はＤＣ接地電位に存在する。ＤＣ電圧が存在する応用では、阻止用キャパシタが使用されることができ、高い値の抵抗（典型的に１Ｋオーム）が入力／出力ノードと接地電位との間に配置され、阻止キャパシタが入力／出力ノードとＤＣ電圧との間に存在する。
【００１８】
したがって、特定の応用に対する特定の実施形態を参照にして本発明をここで説明した。当業者はその技術的範囲内で付加的な変形、応用、実施形態を認識するであろう。
【００１９】
それ故、特許請求の範囲は、本発明の技術的範囲内の全てのこのような応用、変形、実施形態を含むことを意図している。
【図面の簡単な説明】
【００２０】
【図１】本発明の教示にしたがって構成されたクランピング回路の例示の実施形態の概略図。
【図２】第３のダイオードＤ３が間に存在するノードで接地電位に接続されている直列に接続される２つのダイオードで構成されている代わりの実施形態を示す図。
【図１】
0004728222.tif 000002
【図２】
0004728222.tif 000003