(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
反応生成物を有する成長室、前記成長室に開閉自在に接続された処理室、及び前記成長室を気密に取り囲むグローブボックス内を同じ不活性ガス雰囲気にする工程と、
前記反応生成物を前記成長室から前記処理室に移した後、前記処理室を閉じて、前記反応生成物を湿らせる工程と、
前記湿らせた反応生成物を大気中に取り出す工程と、
を備えていることを特徴とする半導体製造方法。
【請求項２】
前記反応生成物を前記成長室から前記処理室に移すときに、同時に、前記成長室の中の前記反応生成物が付着した部材を前記処理室に移すことを特徴とする請求項１に記載の半導体製造方法。
【請求項３】
前記反応生成物を湿らせる工程は、前記処理室に設けられた給水ラインからの注水によることを特徴とする請求項１または２に記載の半導体製造方法。
【請求項４】
前記反応生成物は、リンを含むことを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の半導体製造方法。
【請求項５】
材料ガスを加熱分解し、結晶成長を行う成長室と、
前記結晶成長に使用されなかった反応生成物を湿らすための処理室と、
前記成長室と前記処理室を開閉自在に接続する連結部と、
前記反応生成物を前記成長室内から前記処理室へ移すためのグローブが設けられ、前記成長室を気密に取り囲むグローブボックスと、
を備えていることを特徴とする半導体製造装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体製造方法及び半導体製造装置に関し、特に、気相成長法による半導体製造方法及び半導体製造装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
化合物半導体分野では、III−Ｖ族元素を組み合わせた多種多様な混晶半導体が使用されている。特にリン（Ｐ）をＶ族元素にもつ代表的な混晶半導体であるＩｎＧａＡｌＰ、ＩｎＧａＡｓＰ、ＧａＰ、ＧａＡｓＰ、及びＧａＮＰ等は、気相成長装置、とりわけ、量産性に優れたＭＯＣＶＤ（Metal Organic Chemical Vapor Deposition）装置を用いてエピタキシャル結晶成長が行われる。
【０００３】
これらの化合物半導体の多くは、Ｐの蒸気圧が高いため、Ｉｎ、Ｇａ、Ａｌ等のIII族元素に比べて数百倍のＰの蒸気圧を維持した状態でエピタキシャル結晶成長が行われることが多い。従って、ＭＯＣＶＤを含む気相成長では、加熱分解された材料ガスは、一部が結晶成長に使われて、化合物半導体になるものの、結晶成長に使われなかった多くは、成長室内で冷やされて反応生成物として成長室内に堆積する。
【０００４】
エピタキシャル結晶成長を繰り返すと、次第に、反応生成物の堆積量が増加して、成長室内の不純物濃度の悪化等により、エピタキシャル結晶が成長できなくなる。そこで、反応生成物を除去して、適切なエピタキシャル結晶が成長できる状態に戻す、いわゆるメンテナンス作業が行われる。反応生成物には、多くのＰ及びＰの化合物が含まれており、大気に曝されると、Ｐと酸素とが反応して、発火を伴う頻度が高く、反応生成物を除去するメンテナンス作業は危険性の高いものとなる。
【０００５】
メンテナンス作業を安全に行うために、成長室（反応管）内に反応生成物を吹き飛ばす所定の圧力を有する酸素を供給し、続いて、この酸素を加熱して活性化させ、吹き飛ばされた反応生成物中のＰと反応させて、完全燃焼させた後、成長室をエッチング液に浸して、反応生成物をエッチング除去する反応生成物の除去方法が開示されている（例えば、特許文献１参照。）。
【０００６】
しかしながら、エピタキシャル結晶成長を繰り返し行って、厚く堆積した反応生成物は、簡単に成長室の堆積面からは剥離しない。この堆積した反応生成物は、表面では供給された酸素と反応が起こるものの、内部では供給された酸素と簡単に反応が起こらず、内部まで酸素と反応させようとすると多くの時間が必要となる。結晶成長装置の稼働率を上げるために、酸素との反応を途中で打ち切ると、未反応な反応生成物が成長室内面に付着した状態で残されることになる。そして、大気中で成長室を開けて、反応生成物を除去しようとするときに、反応生成物内部のＰと酸素とが反応して、発火を伴う危険な状態になるという問題がある。
【特許文献１】特開２００１−１０７２４２号公報（第２〜３頁、図１）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
本発明は、反応生成物を安全に、効率よく除去する半導体製造方法及び半導体製造装置を提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明の一態様の半導体製造方法は、反応生成物を有する成長室、前記成長室に開閉自在に接続された処理室、及び前記成長室を気密に取り囲むグローブボックス内を同じ不活性ガス雰囲気にする工程と、前記反応生成物を前記成長室から前記処理室に移した後、前記処理室を閉じて、前記反応生成物を湿らせる工程と、前記湿らせた反応生成物を大気中に取り出す工程とを備えていることを特徴とする。
【０００９】
また、本発明の別の態様の半導体製造装置は、材料ガスを加熱分解し、結晶成長を行う成長室と、前記結晶成長に使用されなかった反応生成物を湿らすための処理室と、前記成長室と前記処理室を開閉自在に接続する連結部と、前記反応生成物を前記成長室内から前記処理室へ移すためのグローブが設けられ、前記成長室を気密に取り囲むグローブボックスとを備えていることを特徴とする。
【発明の効果】
【００１０】
本発明によれば、反応生成物を安全に、効率よく除去する半導体製造方法及び半導体製造装置を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１１】
以下、本発明の実施例について、図面を参照しながら説明する。以下に示す図では、同一の構成要素には同一の符号を付している。
【実施例】
【００１２】
本発明の実施例に係る半導体製造方法及び半導体製造装置について、図１乃至図５を参照しながら説明する。
【００１３】
図１は、エピタキシャル結晶成長（以下、結晶成長という）後の成長室を切り欠いて断面図的に示す模式的な半導体製造装置の正面図である。グローブは、背後が見えるように透明に描いてある。図２は半導体製造方法を示すフローチャートである。図３は半導体製造方法の１工程を模式的に示す成長室及び処理室の断面図である。図４は、図３に示す工程に引き続き、半導体製造方法を模式的に示す成長室及び処理室の断面図である。図５は、図４に示す工程に引き続き、半導体製造方法を模式的に示す成長室及び処理室の断面図である。
【００１４】
まず、図１に示すように、半導体製造装置であるＭＯＣＶＤ装置１は、半導体等からなる基板１５上に結晶成長を行う成長室１１、基板１５を成長室１１に出し入れするロードロック室２６、反応生成物５０の発火抑制処理を行う処理室３１、成長室１１と処理室３１とを開閉自在に接続する連結部であるゲートバルブＧＶ２、及び成長室１１を取り囲んで内部を気密に保持できるグローブボックス３６を備えている。図１では、ＭＯＣＶＤ装置１の内、本実施例の説明に必要な構成要素以外の多くの構成要素は省略されている。
【００１５】
成長室１１は、例えば、ステンレススチール（以下、ステンレスという）で形成され、上部チャンバ１２と下部チャンバ１３に分割可能である。下部チャンバ１３は、ロードロック室２６にゲートバルブＧＶ１を介して、また、処理室３１にゲートバルブＧＶ２を介して、接続されている。上部チャンバ１２は、下部チャンバ１３の上部に接続され、接続後は内部を気密に維持することができる。この上部チャンバ１２は、下部チャンバ１３から分離されて、グローブボックス３６のグローブ３７側を開放することが可能である。
【００１６】
成長室１１には、所望の半導体層を結晶成長させるのに必要な材料ガス等供給ライン４１が、下部チャンバ１３の底部の中央部に接続されている。例えば、可視光の発光が可能なＩｎＧａＡｌＰ系のエピタキシャル層を結晶成長させることを例にとる。この場合、材料ガスには、主成分となるIII族のＩｎ、Ｇａ、及びＡｌを含む有機金属化合物、及びＶ族のリン（Ｐ）を含む、例えば、ＰＨ３（ホスフィン）を使用する。その他に、エピタキシャル層をｐ型あるいはｎ型の導電型とするためのドーピング用の材料ガスを使用する。また、キャリアガスや還元用ガスとして使用する水素（Ｈ２）、不活性ガスとして使用する窒素（Ｎ２）、及び、酸化用や大気に開放するときに使用する空気（または、Ｎ２と酸素（Ｏ２）の混合ガス）等のガスがある。これらは、材料ガス等供給ライン４１として図示されている。材料ガス等供給ライン４１は空気作動弁Ｖ１で、個々に開閉制御される。
【００１７】
また、成長室１１の下部チャンバ１３の底部の周辺部には、空気作動弁Ｖ２及び排気ポンプＰ１を有する排気ラインＥ１が接続されている。排気ラインＥ１に入った排気ガスは、空気作動弁Ｖ２及び排気ポンプＰ１を通って、除害装置（図示略）等を経由して、大気中に排出される。
【００１８】
成長室１１の中には、材料ガス等供給ライン４１の導入口に近い側から、基板１５を支持している支持板１７、支持板１７の上部に均熱化を図るための均熱板２２、均熱板２２の上部に抵抗加熱のヒータ２１が配置されている。支持板１７は、中央部を、下部チャンバ１３の底部から回転可能に支持軸１８で支持され、更に、支持板１７は、基板１５を独立に回転させる機構（図示略）を有している。支持軸１８の周囲に配置された、ガス導入管２４から、材料ガス等が導入される。導入された材料ガス等は、下部チャンバ１３の中央部から周辺方向に放射状に流される。結晶成長工程中に、反応生成物５０が下部チャンバ１３の底部等に付着する。
【００１９】
ロードロック室２６は、成長室１１における結晶成長前及び結晶成長後の基板１５の出し入れを行うときに、成長室１１を大気に開放しないようにするために設置されている。ロードロック室２６は、例えば、ステンレスで形成され、空気作動弁Ｖ３を有する窒素・空気供給ライン４３が接続され、空気作動弁Ｖ４及び排気ポンプＰ２を有する排気ラインＥ２が接続されている。また、ロードロック室２６には、基板１５の搬送機構（図示略）があり、基板１５の出し入れを行う。
【００２０】
処理室３１は、反応生成物５０を大気に曝すときに、発火等の反応が起こるのを抑制するための発火抑制処理を行う目的で設置され、反応生成物５０及び反応生成物５０が付着した部材等を収容可能な容積を有している。処理室３１は、例えば、ステンレスで形成され、成長室１１とはゲートバルブＧＶ２を介して接続され、また、大気に開放可能な開閉部（図示略）を有している。処理室３１には、空気作動弁Ｖ５を有する窒素・空気供給ライン４５が接続され、空気作動弁Ｖ７及び排気ポンプＰ３を有する排気ラインＥ３が接続されている。
【００２１】
また、処理室３１には、空気作動弁Ｖ６を有し、純水等を供給する給水ライン４７が上部に接続され、空気作動弁Ｖ８を有する排水ラインＥ４が底部に接続されている。処理室３１内部の給水ライン４７の導入口には、純水を霧状に供給するための着脱可能な噴霧口３３を有している。処理室３１の底面に、純水等を排水ラインＥ４に導く溝（図示略）が形成されている。なお、発火抑制処理後、処理室３１内の水分を除去する目的で、処理室３１のステンレスの外周部に加熱ヒータを設置しても差し支えない。
【００２２】
成長室１１を取り囲むように、気密性の高いゴムまたはプラスチック等で作られたグローブ３７が配設されたグローブボックス３６が形成されている。グローブボックス３６は、例えば、鋼材及び透明樹脂板等で組み立てられ、空気作動弁Ｖ１０を有する窒素・空気供給ライン４９、及び、空気作動弁Ｖ１１及びブロアＢ１を有する排気ラインＥ５が接続されている。グローブボックス３６に配設されたグローブ３７に入れた人手によって、グローブボックス３６内を大気に開放することなく、グローブボックス３６の内部及び開放された成長室１１内部の作業が可能である。また、グローブボックス３６は大気に開放可能な開放扉（図示略）を有している。
【００２３】
上記構成のＭＯＣＶＤ装置１において、基板１５の結晶成長面を下向きにして、基板１５を支持板１７にセットした後、加熱状態にして結晶成長を行う。結晶成長中または待機中、加熱分解された材料ガスの一部が結晶成長または蒸気圧維持に使用される。結晶成長に使用されなかった原料及び蒸気圧維持に使用された原料の一部は下部チャンバ１３の底部等に、反応生成物５０として堆積する。支持板１５付近の高温で加熱分解された原料の多くは、下部チャンバ１３の底部付近で冷やされて、Ｐ及びＰ化合物を含む反応生成物５０となり、下部チャンバ１３の底部、側部、及びガス導入管２４等の部材に付着する。
【００２４】
結晶成長工程を重ねていくと、反応生成物５０の堆積量が増大して、反応生成物５０による成長室１１内の不純物濃度の上昇や反応生成物５０の微粒子の飛散等が起こり、また、成長室１１から排気ラインＥ１へ導入する排気口が狭まり、所望のエピタキシャル結晶が成長できなくなる。そこで、結晶成長に支障を来たす前に、反応生成物５０を除去して、成長室１１内部を結晶成長に適する状態を維持、または、結晶成長に適する状態に戻す作業（メンテナンス作業）が必要となる。
【００２５】
次に、成長室１１内部のメンテナンス作業を説明する。半導体レーザあるいは発光ダイオード用の結晶成長を行う半導体製造方法では、複数回の結晶成長を経た後で、反応生成物５０を除去する。
【００２６】
図２に示すように、メンテナンス作業直前の半導体発光素子用等の結晶成長が終了して、搬送可能な温度に下げられて、ゲートバルブＧＶ１が開かれて、基板１５は成長室１１からロードロック室２６に搬送される（ステップＳ１０）。
【００２７】
成長室１１に接続されているゲートバルブＧＶ１、ＧＶ２を閉じた状態で、成長室１１はＨ２雰囲気にされ、ヒータ２１による加熱により、結晶成長温度より高温にされ、数時間、例えば、２時間のベーキングが行われる（ステップＳ１１)。成長室１１内の、Ｐ等のＶ族元素を可能な限り排気するためである。
【００２８】
成長室１１は、ヒータ２１を切って降温されて、不活性なＮ２雰囲気に置かれる。別に、グローブボックス３６はＮ２雰囲気に置かれる（ステップＳ１２)。
【００２９】
成長室１１の上部チャンバ１２を上げて、成長室１１はＮ２のグローブボックス３６の雰囲気に開放される（ステップＳ１３)。
【００３０】
ＰＨ３等に感度を持つガス検知器（図示略）で、ガスが検知されないことを確認して、成長室１１の材料ガス等供給ライン４１またはグローブボックス３６の窒素・空気供給ライン４９から、グローブボックス３６内に空気が少量ずつ導入される（ステップＳ１４）。下部チャンバ１３の底部等に堆積した反応生成物５０の表面を、徐々に酸化させるためである。なお、空気の代わりに、Ｏ２とＮ２を同時に流すことは差し支えない。
【００３１】
成長室１１内を含めて、グローブボックス３６内は、Ｎ２雰囲気に置かれる。その後、成長室１１の上部チャンバ１２が閉じられ、成長室１１内は、真空に排気された後、Ｎ２雰囲気に置かれる（ステップＳ１５）。
【００３２】
処理室３１は、反応生成物５０等を収容するための収集器５２が、大気に通ずる開閉部（図示略）から入れられて、開閉部は閉じられて、Ｎ２雰囲気に置かれる（ステップＳ１６）。ステップＳ１６は、ステップＳ１５と並行して行われることは差し支えない。
【００３３】
成長室１１の上部チャンバ１２が上げられ、ゲートバルブＧＶ２が開けられて、Ｎ２雰囲気のグローブボックス３６内で、成長室１１と処理室３１とは互いに往来可能な状態に置かれる（ステップＳ１７）。
【００３４】
図３に示すように、下部チャンバ１３の底部等には反応生成物５０が堆積し、処理室３１には、収集器５２が置かれている。なお、グローブボックス３６内のグローブ３７を介して操作可能な範囲に収集器５２を置く余地があるなら、収集器５２は、グローブボックス３６内に置かれても差し支えない。収集するための道具等を使用する場合は、収集器５２と共に、グローブボックス３６内で使用できるように準備しておく。吸引機等を使用する場合も、道具等と同様に準備する。
【００３５】
処理室３１の収集器５２を、成長室１１内または成長室１１近傍に移動させて、成長室１１の下部チャンバ１３の底部等に堆積した反応生成物５０及び反応生成物５０が付着した部材を、収集器５２の中に収容する（ステップＳ１８）。グローブボックス３６内のグローブ３７から人手を入れて、この収容作業を行う。なお、収集するための道具等の使用、あるいは、吸引機等の使用は差し支えない。
【００３６】
図４に示すように、反応生成物５０は収集されて、収集器５２の中に収容されている。また、交換すべき部材である反応生成物５０が付着したガス導入管２４等が収集器５２の中に収容されている。
【００３７】
反応生成物５０等を収容した収集器５２は、Ｎ２雰囲気の処理室３１に、グローブ３７を介した人手によって移され、ゲートバルブＧＶ２が閉じられ、処理室３１は成長室１１から分離される（ステップＳ１９）。なお、処理室３１に移された反応生成物５０は、開口部のより大きな別の収集器（図示略）に移し変えられても差し支えない。反応生成物５０が付着したガス導入管２４等の部材は、別の収集器（図示略）等に移し変えられても差し支えない。
【００３８】
成長室１１と処理室３１とは、ゲートバルブＧＶ２で分離されるので、それぞれ別々に、並行して作業を行うことが可能である。
【００３９】
処理室３１は、Ｎ２雰囲気の中で、排水ラインＥ４が開けられて、給水ライン４７が開けられて、処理室３１内の反応生成物５０及びガス導入管２４等の部材に、上部の噴霧口３３から水シャワ５４が注がれる（ステップＳ２０）。
【００４０】
図５に示すように、水シャワ５４が注がれる直前に、排気ラインＥ３が閉じられて、排水ラインＥ４が開けられる。反応生成物５０が、十分湿るように水シャワ５４を注ぎ、余分な水は、処理室３１の底面及び底面に形成された溝（図示略）を伝い、排水ラインＥ４から流出される。流出した水は、回収される。
【００４１】
処理室３１は、水シャワ５４が閉じられ、排水ラインＥ４が閉じられ、排気ラインＥ３が開けられ、Ｎ２雰囲気に置かれた後、徐々に空気を導入して、開閉部（図示略）を開けて、大気に開放される。十分吸湿した反応生成物５０及びガス導入管２４等の部材が大気中に取り出される（ステップＳ２１）。
【００４２】
取り出された反応生成物５０は、流出した水の中から回収された反応生成物５０と共に、化学的な処理、例えば、王水による溶解等、が行われ、ガス導入管２４等の部材は、必要に応じて、化学的な処理または洗浄等が施される（ステップＳ２２）。
【００４３】
処理室３１は、清掃された後、開閉部は閉じられて、Ｎ２置換後、Ｈ２置換して、その後、Ｈ２雰囲気でベーキングが施される（ステップＳ２３）。
【００４４】
一方、ステップＳ１９でゲートバルブＧＶ２が閉じられた成長室１１は、グローブボックス３６内に開かれた状態で、Ｎ２雰囲気から、空気を少量ずつ導入される（ステップＳ２４）。下部チャンバ１３の底部等に堆積した反応生成物５０がほとんど除去された後、残された微量の反応生成物５０を徐々に酸化させて、その後の大気への開放に備える。
【００４５】
ガス検知器でＰＨ３等のガスが検知されないことを確認して、グローブボックス３６の開放扉（図示略）を開放して、反応生成物５０の付着してないガス導入管２４等の交換部材が成長室１１の所定の位置に設置される（ステップＳ２５）。
【００４６】
成長室１１の上部チャンバ１２が閉じられ、成長室１１内はＮ２置換され、リークチェックが行われる（ステップＳ２６）。
【００４７】
成長室１１は、Ｈ２雰囲気に置換され、ヒータ２１加熱により、結晶成長温度より高温にされて、一定の真空度に達するまでベーキングが行われる（ステップＳ２７)。
【００４８】
成長室１１では、基板１５の搬送が可能な温度に下げられて、ゲートバルブＧＶ１が開かれて、基板１５が支持板１７にセットされ、調整された雰囲気ガスに置かれて、再度、加熱されて結晶成長が開始される。成長室１１内の状態は、成長結晶（図示略）のＰＬ（Photoluminescence）等により評価される（ステップＳ２８)。成長結晶が評価基準に達していることを確認して、メンテナンス作業は終了する。この後、半導体発光素子を作製するための結晶成長が開始される。
【００４９】
上述したように、本実施例では、Ｐを含む材料ガスを加熱分解して基板１５上に結晶成長及び蒸気圧維持を行う成長室１１に、反応生成物５０及び反応生成物５０の付着したガス導入管２４等を収容して、注水することが可能な処理室３１をゲートバルブＧＶ２を介して接続し、成長室１１内の反応生成物５０等の収集、収容作業を行うことが可能なグローブ３７を有するグローブボックス３６で気密可能に取り囲む構成にして、反応生成物５０に注水することにより、Ｐが空気中の酸素と反応して発火することを抑制することが可能となる。すなわち、ＭＯＣＶＤ装置１において、Ｐを含む反応生成物５０を安全に除去する作業を行うことが可能である。
【００５０】
ゲートバルブＧＶ２を介して成長室１１と処理室３１とを分離してあるので、反応生成物５０が除去されて処理室３１に移された段階で、ゲートバルブＧＶ２を閉じることにより、成長室１１は独立して、結晶成長可能な状態に戻す作業を進めることが可能となる。その結果、成長室１１で反応生成物５０を湿らせる作業を行う場合に比較して、短い作業時間で、成長室１１を結晶成長可能な状態に戻すことができ、ＭＯＣＶＤ装置１の稼働率の低下を抑制することができる。
【００５１】
ゲートバルブＧＶ２で封じられた処理室３１においては、注水時、反応生成物５０が飛散したとしても、処理室３１内に限られるので、結晶成長に関わる部材へ及ぼす影響はない。また、注水時間等も必要に応じて、長く取ることができ、反応生成物５０は、大気中に取り出されても、発火しない程度に十分に発火抑制処理されている。
【００５２】
以上、本発明は上記実施例に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲内で種々変形して実施することができる。
【００５３】
例えば、実施例では、成長室をグローブボックスで取り囲む例を示したが、更に、処理室をグローブボックスで取り囲んでも差し支えない。処理室は、グローブ側に開閉部が設けられて、反応生成物を湿らす作業を、その開閉部を通して、グローブを介した人手で補助しながら行うことにより、より短時間に、より少ない水量で行うことが可能となる。また、開閉部を通して反応生成物を湿らすための水を、例えば、噴霧器に入れて持ち込むことが可能となる。噴霧器を持ち込む場合は、処理室に、給水ラインを設置することは必ずしも必要ない。
【００５４】
また、実施例では、給水ラインは純水ラインに接続されているが、必ずしも純水である必要はない。また、噴霧口は、着脱可能である他に、噴出方向が変更可能であっても差し支えない。
【００５５】
また、実施例では、反応生成物等を収容した収集器は、グローブを介した人手によって処理室に移される例を示したが、安定的な運搬あるいはグローブの届かない位置への運搬等のために治具を使用することは差し支えない。その他、処理室に、ゲートバルブの開口付近まで延びる搬送機構、例えば、パンタグラフ機構を有する搬送機等を設置して、成長室と処理室との反応生成物等を移動させることは差し支えない。成長室が大きくなった場合に、安全で安定した搬送が可能となる。
【００５６】
また、半導体製造装置として、ＭＯＣＶＤ装置の例を示したが、Ｐを含む材料ガスを使用するクロライドＶＰＥ装置、ハイドライドＶＰＥ装置、その他のＣＶＤ装置、あるいはその他のＶＰＥ装置等の半導体製造装置であっても差し支えない。
【００５７】
また、基板のフェイスダウン装着、材料ガス等の放射状流れ、抵抗加熱ヒータ採用等のＭＯＣＶＤ装置の例を示したが、ＭＯＣＶＤ装置は、基板表面が上向きに装着されても、材料ガス等が上下方向あるいは左右方向等の１方向に流されても、高周波加熱ヒータを採用していても差し支えない。
【図面の簡単な説明】
【００５８】
【図１】本発明の実施例に係る半導体製造装置のエピタキシャル結晶成長後、成長室を切り欠いて断面図的に示す模式的な正面図。
【図２】本発明の実施例に係る半導体製造方法を概略的に示すフローチャート。
【図３】本発明の実施例に係る半導体製造方法の１工程を模式的に示す成長室及び処理室の断面図。
【図４】本発明の実施例に係る半導体製造方法の図３に示す工程に続く工程を模式的に示す成長室及び処理室の断面図。
【図５】本発明の実施例に係る半導体製造方法の図４に示す工程に続く工程を模式的に示す成長室及び処理室の断面図。
【符号の説明】
【００５９】
１  ＭＯＣＶＤ装置
１１  成長室
１２  上部チャンバ
１３  下部チャンバ
１５  基板
１７  支持板
１８  支持軸
２１  ヒータ
２２  均熱板
２４  ガス導入管
２６  ロードロック室
３１  処理室
３３  噴霧口
３６  グローブボックス
３７  グローブ
４１  材料ガス等供給ライン
４３、４５、４９  窒素・空気供給ライン
４７  給水ライン
５０  反応生成物
５２  収集器
５４  水シャワ
Ｅ１、Ｅ２、Ｅ３、Ｅ５  排気ライン
Ｅ４  排水ライン
Ｐ１、Ｐ２、Ｐ３  排気ポンプ
Ｂ１  ブロア
Ｖ１、Ｖ２、Ｖ３、Ｖ４、Ｖ５、Ｖ６、Ｖ７、Ｖ８、Ｖ１０、Ｖ１１  空気作動弁
ＧＶ１、ＧＶ２  ゲートバルブ
【図１】
0004728757.tif 000002
【図２】
0004728757.tif 000003
【図３】
0004728757.tif 000004
【図４】
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【図５】
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