(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板を処理する基板処理装置とネットワークを介して接続し、該基板処理装置における前記基板の処理状況を監視する基板処理監視装置であって、
前記基板の処理を規定する複数の制御項目のそれぞれについて少なくとも設定値、上限値及び下限値の入力を受け付ける入力手段と、
前記入力手段が受け付けた複数の制御項目に対する少なくとも前記設定値、前記上限値及び前記下限値に基づくＰＣＡモデルを生成し、前記ＰＣＡモデルのＰＣＡ出力値を前記基板の処理の異常を検出するための閾値として算出する第一のＰＣＡ算出手段とを有することを特徴とする基板処理監視装置。
【請求項２】
前記複数の制御項目に関する前記基板の処理に基づく実測値を前記基板処理装置よりネットワークを介して受信する実測値受信手段と、
前記複数の制御項目の前記実測値に基づくＰＣＡ出力値を算出する第二のＰＣＡ算出手段と、
前記閾値としてのＰＣＡ出力値と前記実測値に基づくＰＣＡ出力値との比較に応じて前記基板の処理の異常を検出する処理異常検出手段とを有することを特徴とする請求項１記載の基板処理監視装置。
【請求項３】
前記処理異常検出手段は、前記閾値としてのＰＣＡ出力値を前記実測値に基づくＰＣＡ出力値が超える場合に、前記基板の処理に異常が発生していると判断することを特徴とする請求項２記載の基板処理監視装置。
【請求項４】
前記第一のＰＣＡ算出手段は、前記設定値、前記上限値、前記下限値、前記設定値と前記上限値との第一の中間値、及び前記設定値と前記下限値との第二の中間値に基づくＰＣＡモデルを生成し、前記ＰＣＡモデルのＰＣＡ出力値を算出することを特徴とする請求項１乃至３いずれか一項記載の基板処理監視装置。
【請求項５】
前記入力手段は、前記設定値又は前記基板処理装置の制御閾値に基づいて前記上限値及び前記下限値を算出することを特徴とする請求項１乃至４いずれか一項記載の基板処理監視装置。
【請求項６】
基板を処理する基板処理装置と、該基板処理装置における前記基板の処理状況をネットワークを介して監視する基板処理監視装置とを有する基板処理監視システムであって、
前記基板処理監視装置は、
前記基板の処理を規定する複数の制御項目のそれぞれについて少なくとも設定値、上限値及び下限値の入力を受け付ける入力手段と、
前記入力手段が受け付けた複数の制御項目に対する少なくとも前記設定値、前記上限値及び前記下限値に基づくＰＣＡモデルを生成し、前記ＰＣＡモデルのＰＣＡ出力値を前記基板の処理の異常を検出するための閾値として算出する第一のＰＣＡ算出手段とを有することを特徴とする基板処理監視システム。
【請求項７】
コンピュータに、ネットワークを介して接続する基板処理装置における基板の処理状況を監視させる基板処理監視プログラムであって、
前記基板の処理を規定する複数の制御項目のそれぞれについて少なくとも設定値、上限値及び下限値の入力を受け付ける入力手順と、
前記入力手順において受け付けられた複数の制御項目に対する少なくとも前記設定値、前記上限値及び前記下限値に基づくＰＣＡモデルを生成し、前記ＰＣＡモデルのＰＣＡ出力値を前記基板の処理の異常を検出するための閾値として算出する第一のＰＣＡ算出手順とを有することを特徴とする基板処理監視プログラム。
【請求項８】
前記複数の制御項目に関する前記基板の処理に基づく実測値を前記基板処理装置よりネットワークを介して受信する実測値受信手順と、
前記複数の制御項目の前記実測値に基づくＰＣＡ出力値を算出する第二のＰＣＡ算出手順と、
前記閾値としてのＰＣＡ出力値と前記実測値に基づくＰＣＡ出力値との比較に応じて前記基板の処理の異常を検出する処理異常検出手順とを有することを特徴とする請求項７記載の基板処理監視プログラム。
【請求項９】
前記処理異常検出手順は、前記閾値としてのＰＣＡ出力値を前記実測値に基づくＰＣＡ出力値が超える場合に、前記基板の処理に異常が発生していると判断することを特徴とする請求項８記載の基板処理監視プログラム。
【請求項１０】
前記第一のＰＣＡ算出手順は、前記設定値、前記上限値、前記下限値、前記設定値と前記上限値との第一の中間値、及び前記設定値と前記下限値との第二の中間値に基づくＰＣＡモデルを生成し、前記ＰＣＡモデルのＰＣＡ出力値を算出することを特徴とする請求項７乃至９いずれか一項記載の基板処理監視プログラム。
【請求項１１】
前記入力手順は、前記設定値又は前記基板処理装置の制御閾値に基づいて前記上限値及び前記下限値を算出することを特徴とする請求項７乃至１０いずれか一項記載の基板処理監視プログラム。
【請求項１２】
請求項７乃至１１いずれか一項記載の基板処理監視プログラムを記録したコンピュータ読み取り可能な記録媒体。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板処理監視装置、基板処理監視システム、基板処理監視プログラム及び記録媒体に関し、特に基板処理装置における前記基板の処理状況を監視する基板処理監視装置、基板処理監視システム、基板処理監視プログラム及び記録媒体に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体製造装置等の基板処理装置の健康状態の判断には、処理系や搬送系等における多種のパラメータに基づいたＰＣＡやＳＰＣといった統計的手法が用いられる場合がある。すなわち、長期にわたって採取された多種のパラメータの多数のサンプルに基づいてＰＣＡモデル（どのパラメータがどのような値を示した場合に装置や基板等の製品に異常が発生しているか等を示す過去の傾向）が作成され、そのＰＣＡモデルと現状の装置の状態とを比較することにより装置の稼動状態や処理状況が監視及び管理されている。
【０００３】
ＰＣＡによれば、多数のパラメータから算出される一つのＰＣＡ出力値（Ｑ，Ｔ２）を監視することで装置の健康状態を判断することが可能であり、それぞれのパラメータを監視する場合に比べ管理者の作業負担を軽減できるというメリットがある。
【特許文献１】特開２００３−１９７６０９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、長期にわたって採取された多種のパラメータの多数のサンプルに基づいて作成されたＰＣＡモデルでは、あるパラメータの値に誤差程度の変動が生じた場合であってもＰＣＡ出力値（Ｑ，Ｔ２）が極端に変動する場合がある。すなわち、各パラメータの絶対値及び単位が不揃いであるため、単純比較を可能とするために各パラメータの値について標準化が行われる。しかし、パラメータの中には非常に安定していてモデル区間（ＰＣＡモデル作成の対象とされた期間）の標準偏差が非常に小さいものがある。したがって、小さな変動でもその変動が標準偏差より大きな場合はＰＣＡ出力値が大きく変動してしまう。よって、ＰＣＡ出力値による判断では、製品（基板）の品質や装置の破損に影響するような異常処理であるか否かの判断が困難であるという問題がある。
【０００５】
また、ＰＣＡ出力値（Ｑ，Ｔ２）は統計的な意味しかなく、各パラメータが装置のスペック値分変動した場合のＰＣＡ出力値（Ｑ，Ｔ２）の変動割合は一定でない。したがって、ＰＣＡ出力値（Ｑ，Ｔ２）において異常か否かを判断するための閾値を設定することが困難であるという問題がある。
【０００６】
更に、ＰＣＡモデルの作成のためには長期にわたってパラメータ値の採取が必要であり、準備作業にかかる負担が大きいという問題がある。
【０００７】
また、ＰＣＡモデルの特性上、分散が０のパラメータはモデルに組み込めない。したがって、例えば反射波等の正常状態では一定（例えば、常に「０」）の値を示すパラメータはＰＣＡモデルから除かれてしまい、当該パラメータの変動による異常検知が出来なくなってしまうという問題がある。
【０００８】
本発明は、上記の点に鑑みてなされたものであって、基板処理装置による製品の品質管理をＰＣＡモデルに基づいて適切に行うことのできる基板処理監視装置、基板処理監視システム、基板処理監視プログラム及び記録媒体の提供を目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
そこで上記課題を解決するため、本発明は、基板を処理する基板処理装置とネットワークを介して接続し、該基板処理装置における前記基板の処理状況を監視する基板処理監視装置であって、前記基板の処理を規定する複数の制御項目のそれぞれについて少なくとも設定値、上限値及び下限値の入力を受け付ける入力手段と、前記入力手段が受け付けた複数の制御項目に対する少なくとも前記設定値、前記上限値及び前記下限値に基づくＰＣＡモデルを生成し、前記ＰＣＡモデルのＰＣＡ出力値を前記基板の処理の異常を検出するための閾値として算出する第一のＰＣＡ算出手段とを有することを特徴とする。
【００１０】
また、上記課題を解決するため、本発明は、上記基板処理監視装置を有する基板処理監視システム、上記基板処理監視装置における機能をコンピュータに実行させるための基板処理監視プログラム、又は前記基板処理監視プログラムを記録した記録媒体としてもよい。
【発明の効果】
【００１１】
本発明によれば、基板処理装置による製品の品質管理をＰＣＡモデルに基づいて適切に行うことのできる基板処理監視装置、基板処理監視システム、基板処理監視プログラム及び記録媒体を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１２】
以下、図面に基づいて本発明の実施の形態を説明する。図１は、本発明の実施の形態における基板処理装置の概略構成例を示す図である。
【００１３】
図１において、基板処理装置２は、被搬送体としての半導体ウエハ（基板）Ｗに対して成膜処理、拡散処理、エッチング処理等の各種の処理を行なう処理システム５と、この処理システムに対してウエハＷを搬入、搬出させる搬送システム６とにより主に構成される。処理システム５は、真空引き可能になされた移載室８と、ゲートバルブ１０Ａ〜１０Ｄを介して連結された４つの処理チャンバ（処理室）１２Ａ〜１２Ｄよりなり、各処理チャンバ１２Ａ〜１２Ｄにおいて同種の或いは異種の熱処理をウエハＷに対して施すようになっている。各処理チャンバ１２Ａ〜１２Ｄ内には、ウエハＷを載置するためのサセプタ１４Ａ〜１４Ｄがそれぞれ設けられる。また、移載室８内には、屈伸及び旋回自在になされた移載アーム部１６が設けられ、各処理チャンバ１２Ａ〜１２Ｄ間や後述するロードロック室間とウエハＷの受け渡しを行なうようになっている。
【００１４】
一方、搬送システム６は、カセット容器を載置するカセットステージ１８とウエハＷを搬送して受け渡しを行なうための搬送アーム部２０を移動させる搬送ステージ２２よりなる。カセットステージ１８には、容器載置台２４が設けられ、ここに複数、図示例にあっては最大４つのカセット容器２６Ａ〜２６Ｄを載置できるようになっている。各カセット容器２６Ａ〜２６Ｄには、例えば最大２５枚のウエハＷを等ピッチで多段に載置して収容できるようになっている。搬送ステージ２２には、その中心部を長さ方向に沿って延びる案内レール２８が設けられており、この案内レール２８に搬送アーム部２０がスライド移動可能に支持されている。
【００１５】
また、搬送ステージ２２の他端には、ウエハの位置決めを行なう方向位置決め装置としてのオリエンタ３６が設けられ、更に、搬送ステージ２２の途中には、上記移載室８との間を連結するために真空引き可能になされた２つのロードロック室３８Ａ、３８Ｂが設けられる。各ロードロック室３８Ａ、３８Ｂ内には、ウエハＷを載置する被搬送体載置台４０Ａ、４０Ｂが設けられると共に、各ロードロック室３８Ａ、３８Ｂの前後には、移載室８或いは搬送ステージ２２へ連通するためのゲートバルブ４２Ａ、４２Ｂ及び４４Ａ、４４Ｂがそれぞれ設けられる。
【００１６】
基板処理装置２は、更に、処理システム５及び搬送システム６等の動作を制御するシステムコントローラと搬送ステージ２２の一端に配置されたオペレーションコントローラ８８を備える。
【００１７】
オペレーションコントローラ８８は、例えばＬＣＤ（Liquid Crystal Display）からなる表示部を有し、その表示は基板処理装置２の各動作状況や後述されるログ情報等を表示する。
【００１８】
図２は、本発明の実施の形態におけるシステムコントローラの構成例を示す図である。図２において、システムコントローラは、ＥＣ（Equipment Controller）８９と、２つのＭＣ（Module Controller）９０及び９１と、ＥＣ８９及び各ＭＣを接続するスイッチングハブ（ＨＵＢ）９３とを備える。システムコントローラは、ＥＣ８９からＬＡＮ（Local Area Network）１７０を介して、基板処理装置２が設置されている工場全体の製造工程を管理するＭＥＳ（Manufacturing Execution System）としてのＰＣ１７１に接続されている。ＭＥＳは、システムコントローラと連携して工場における工程に関するリアルタイム情報を基幹業務（図示しない）にフィードバックすると共に、工場全体の負荷等を考慮して工程に関する判断を行う。
【００１９】
ＥＣ８９は、各ＭＣを統括して基板処理装置２全体の動作を制御する主制御部（マスタ制御部）である。また、ＥＣ８９は、ＣＰＵ８９１、ＲＡＭ８９２、ＨＤＤ８９３等を有し、オペレーションコントローラ８８においてユーザ等によって指定されたウエハＷの処理方法、すなわち、レシピに対応するプログラムに応じてＣＰＵが各ＭＣに制御信号を送信することにより、処理システム５及び搬送システム６等の動作を制御する。また、ＥＣ８９は、処理システム５や搬送システム６に設置された非図示の各種センサによって検出された情報に基づくログ情報をＨＤＤ８９３に蓄積する。
【００２０】
スイッチングハブ９３は、ＥＣ８９からの制御信号に応じてＥＣ８９の接続先としてのＭＣを切り替える。
【００２１】
ＭＣ９０及び９１は、それぞれ処理システム５及び搬送システム６の動作を制御する副制御部（スレーブ制御部）である。各ＭＣは、ＤＩＳＴ（Distribution）ボード９６によってＧＨＯＳＴネットワーク９５を介してＩ／Ｏ（入出力）モジュール９７又は９８にそれぞれそれ接続される。ＧＨＯＳＴネットワーク９５は、ＭＣが有するＭＣボードに搭載されたＧＨＯＳＴ（General High-Speed Optimum Scalable Transceiver）と称されるＬＳＩによって実現されるネットワークである。ＧＨＯＳＴネットワーク９５には、最大で３１個のＩ／Ｏモジュールを接続可能であり、ＧＨＯＳＴネットワーク９５では、ＭＣがマスタに該当し、Ｉ／Ｏモジュールがスレーブに該当する。
【００２２】
Ｉ／Ｏモジュール９７は、処理システム５における各構成要素（以下、「エンドデバイス」という。）に接続された複数のＩ／Ｏ部１００からなり、各エンドデバイスへの制御信号及び各エンドデバイスからの出力信号の伝達を行う。Ｉ／Ｏモジュール９７においてＩ／Ｏ部１００に接続されるエンドデバイスには、例えば、処理チャンバ１２Ａ〜１２Ｄ等におけるアンモニアガス供給管のＭＦＣ、弗化水素ガス供給管のＭＦＣ、圧力ゲージ、ＡＰＣバルブ、窒素ガス供給管のＭＦＣ、及び移動室８における移載アーム部１６等が該当する。
【００２３】
なお、Ｉ／Ｏモジュール９８はＩ／Ｏモジュール９７と同様の構成を有し、搬送システム６との接続関係も、上述したＭＣ９０及びＩ／Ｏモジュール９７の接続関係と同様の構成であるため、これらの説明を省略する。
【００２４】
また、各ＧＨＯＳＴネットワーク９５には、Ｉ／Ｏ部１００におけるデジタル信号、アナログ信号及びシリアル信号の入出力を制御するＩ／Ｏボード（図示しない）も接続される。
【００２５】
基板処理装置２において、ウエハＷに対して所定の処理を施す際には、ＨＤＤ８９３に格納されている、当該所定の処理のレシピに対応するプログラムに応じてＥＣ８９のＣＰＵ８９１が、スイッチングハブ９３、ＭＣ９０、ＧＨＯＳＴネットワーク９５及びＩ／Ｏモジュール９７におけるＩ／Ｏ部１００を介して所望のエンドデバイスに制御信号を送信することによって処理チャンバ１２Ａ等において当該所定の処理を実行する。
【００２６】
図２のシステムコントローラでは、複数のエンドデバイスがＥＣ８９に直接接続されることなく、複数のエンドデバイスに接続されたＩ／Ｏ部１００がモジュール化されてＩ／Ｏモジュールを構成し、該Ｉ／ＯモジュールがＭＣ及びスイッチングハブ９３を介してＥＣ８９に接続されるため、通信系統を簡素化することができる。
【００２７】
また、ＥＣ８９のＣＰＵ８９１が送信する制御信号には、所望のエンドデバイスに接続されたＩ／Ｏ部１００のアドレス、及びＩ／Ｏ部１００を含むＩ／Ｏモジュールのアドレスが含まれているため、スイッチングハブ９３は制御信号におけるＩ／Ｏモジュールのアドレスを参照し、ＭＣのＧＨＯＳＴ制御信号におけるＩ／Ｏ部１００のアドレスを参照することによって、スイッチングハブ９３やＭＣがＣＰＵ８９１に制御信号の送信先の問いあわせを行う必要を無くすことができ、これにより、制御信号の円滑な伝達を実現することができる。
【００２８】
図２において、ＨＵＢ９３には更に、ＬＡＮを介して基板処理監視サーバ６０が接続されている。基板処理監視サーバ６０は、基板処理装置２におけるウエハＷの処理状況を監視することにより不良なウエハＷの発生を検出するための装置であり、例えば、ＰＣ（Personal Computer）等の汎用的なコンピュータによって実現できる。
【００２９】
本実施の形態における基板処理監視サーバ６０は、基板処理の監視にＰＣＡによる統計力学的手法を用いる。基板処理監視サーバ６０による基板処理の監視処理は、基板処理の異常状態と正常状態とを区別するためのＰＣＡ出力値（以下「ＰＣＡ閾値」という。）の算出処理と、算出されたＰＣＡ閾値に基づく、基盤処理の異常の検出処理とに大きく分けられる。これらの処理の詳細については後述する。
【００３０】
基板処理監視サーバ６０について更に詳しく説明する。図３は、本発明の実施の形態における基板処理監視サーバのハードウェア構成例を示す図である。本実施の形態における基板処理監視サーバ６０は、それぞれバスＢで相互に接続されているドライブ装置６００と、補助記憶装置６０２と、メモリ装置６０３と、ＣＰＵ６０４と、インタフェース装置６０５と、表示装置６０６と、入力装置６０７と等を有するように構成される。
【００３１】
基板処理監視サーバ６０での後述される機能を実現するプログラムは、例えば、フロッピー（登録商標）ディスク、ハードディスク、光磁気ディスク、ＣＤ−ＲＯＭ、ＣＤ−Ｒ、ＣＤ−ＲＷ、ＤＶＤ−ＲＯＭ、ＤＶＤ−ＲＡＭ、ＤＶＤ−ＲＷ、ＤＶＤ＋ＲＷ、磁気テープ、不揮発性のメモリカード、ＲＯＭ等の記録媒体６０１によって提供される。プログラムが記録された記録媒体６０１がドライブ装置６００にセットされると、プログラムが記録媒体６０１からドライブ装置６００を介して補助記憶装置６０２にインストールされる。なお、プログラムは記録媒体６０１からではなくネットワークを介してダウンロードしてもよい。
【００３２】
補助記憶装置６０２は、インストールされたプログラムを格納すると共に、必要なファイルやデータ等を格納する。メモリ装置６０３は、プログラムの起動指示があった場合に、補助記憶装置６０２からプログラムを読み出して格納する。ＣＰＵ６０４は、メモリ装置６０３に格納されたプログラムに従って基板処理監視サーバ６０に係る機能を実行する。ここで、ＣＰＵ６０４によって実行される基板処理監視サーバ６０に係る機能には、ＣＰＵ６０４上で稼動している基板処理監視サーバ６０のＯＳ（Operating System）等の処理の実行に基づくものも含まれる。更に、前記プログラムが基板処理監視サーバ６０に挿入された各種機能拡張ボードや機能拡張ユニットに備わるメモリに書き込まれた後、そのメモリ上のプログラムに基づき、各種機能拡張ボードや機能拡張ユニットに備わるＣＰＵ等が処理の一部又は全部を行い、その処理によって実現されるものも含まれる。
【００３３】
なお、前記プログラムの形態は、オブジェクトコード、インタプリタにより実行されるプログラムコード、ＯＳに供給されるスクリプトデータ等のいずれでもよい。
【００３４】
インタフェース装置６０５はネットワーク（ＬＡＮ）に接続するためのインタフェースとして用いられる。表示装置６０６はプログラムによるＧＵＩ等を表示する。入力装置６０７はキーボード及びマウス等で構成され、様々な操作指示を受け付けるために用いられる。
【００３５】
図４は、本発明の実施の形態における基板処理監視サーバの機能構成例を示す図である。
【００３６】
図４において基板処理監視サーバ６０は、管理値入力部６１、レシピ設定値取得部６２、ＰＣＡ閾値算出部６３、実測値受信部６４、ＰＣＡ出力値算出部６５及び異常検出部６６等より構成される。これらの各部は、基板処理監視サーバ６０にインストールされたプログラムがＣＰＵ６０４に処理されることによって実現される。なお、図４においてＨＵＢ９３は便宜上省略されている。
【００３７】
管理値入力部６１、レシピ設定値取得部６２、及びＰＣＡ閾値算出部６３は、ＰＣＡ閾値算出処理を実行する。また、実測値受信部６４、ＰＣＡ出力値算出部６５及び異常検出部６６は、基板処理の異常検出処理を実行する。なお、各部の詳細な機能については後述するフローチャートにおいて説明する。
【００３８】
以下、基板処理監視サーバ６０の処理手順について説明する。図５は、本発明の実施の形態における基板処理監視サーバによるＰＣＡ閾値算出処理の処理手順を説明するためのフローチャートである。
【００３９】
ステップＳ１０１及びＳ１０２において管理値入力部６１は、ウエハＷに対する処理を規定する複数の制御綱目（パラメータ）のそれぞれについてレシピ設定値、上限値及び下限値の入力を受け付ける。すなわち、まず、ステップＳ１０１において、管理値入力部６１は、ＥＣ８９のＨＤＤ８９３に保存されているレシピにおいて設定されている、ウエハＷの処理を規定する複数の制御項目に対する設定値をＬＡＮを介して取得する。
【００４０】
ここでレシピとは、処理チャンバの基板処理に係る処理情報をいう。更に詳しく説明すると、レシピは、ウエハＷに対するプロセス処理の制御を行うために、処理チャンバ１２Ａ等へのプロセスシーケンス及び制御項目（温度、圧力、ガスの種類及びガス流量、時間等の制御目標値）に関する各処理チャンバに個別の処理プログラムである。
【００４１】
図６は、レシピの一部の例を示す図である。図６におけるレシピ８９２１には、各レシピを識別するためのレシピ名８９２１ａ、作成日８９２１ｂ及び更新日８９２１ｃが記録されている。作成日８９２１ｂや更新日８９２１ｃは、レシピ８９２１の内容が更新されることがあるため記録が必要となる項目である。
【００４２】
ステップ項目８９２１ｄでは、レシピ８９２１によるプロセスシーケンスを構成する各ステップのステップ番号が示されている。ここではステップ１〜４まで示されているが、実際にはより多くのステップが記述されている。また、時間８９２１ｅには、各ステップの所要時間が示されている。それ以降の符号８９２１ｆによって示される箇所には、ステップ毎に各種の制御項目の設定値（以下「レシピ設定値８９２１ｆ」という。）が記述されている。ＥＣ８９のＣＰＵ８９１がレシピ８９２１に基づいて各ステップにおける制御項目の値を基板処理装置２に出力することにより、処理チャンバ１２Ａ等における処理が実行される。
【００４３】
すなわち、ステップＳ１０１ではレシピ設定値８９２１ｆが取得される。但し、管理値入力部６１がＦＴＰ（File Transfer Protocol）等によりファイルとして保存されているレシピ８９２１をそのまま基板処理監視サーバ６０側に取得し、基板処理監視サーバ６０においてレシピ８９２１よりレシピ設定値８９２１ｆを抽出してもよい。
【００４４】
また、ステップＳ１０２では、レシピ８９２１の各制御項目に対する上限値及び下限値が入力される。ここで上限値及び下限値は、基板処理装置２の基板処理においてウエハＷの品質を確保するための範囲を規定する値である。すなわち、上限値は、ウエハＷの品質を確保するための上限の値である。したがって、ある制御項目が所定の値を上回るとウエハＷの品質に悪影響が生じる可能性がある場合、当該所定の値が上限値とされる。また、下限値は、ウエハＷの品質を確保するための下限の値である。したがって、ある制御項目が所定の値を下回るとウエハＷの品質に悪影響が生じる可能性がある場合、当該所定の値が下限値とされる。
【００４５】
なお、上限値及び下限値は、ウエハＷの特性や確保すべき品質のレベルに応じて定めるとよい。または、上限値及び下限値をユーザに入力させるのではなく、管理値入力部６１がレシピ設定値に基づいて自動的に算出してもよい。いずれの場合においても、制御閾値、アラーム閾値、又は装置Ｉ／Ｌ（インターロック）値と呼ばれる、基板処理装置２に固有のスペック値又は限界値（要するに、基板処理装置２の性能の許容範囲の値。以下「制御閾値」という。）の範囲内で上限値及び下限値を定めることが望ましい。
【００４６】
例えば、管理値入力部６１が自動算出する場合、制御閾値やレシピ設定値に対して所定の係数（割合）を乗ずることによって上限値及び下限値を算出するようにしてもよい。
【００４７】
ステップＳ１０２に続いてステップＳ１０３に進み、ＰＣＡ閾値算出部６３は、上限値及びレシピ設定値と、下限値及びレシピ設定値とのそれぞれの中間値を算出する（Ｓ１０３）。すなわち、各制御項目について以下の演算を実行し、中間値１及び２を算出する。
【００４８】
中間値１←（上限値＋レシピ設定値）／２
中間値２←（下限値＋レシピ設定値）／２
ステップＳ１０３に続いてステップＳ１０４に進み、ＰＣＡ閾値算出部６３は、各制御項目の上限値、レシピ設定値、下限値、中間値１及び中間値２のそれぞれを標準化（Ｓｃａｌｉｎｇ  ａｎｄ  ｃｅｎｔｅｒｉｎｇ）し、標準化された上限値、レシピ設定値、下限値、中間値１及び中間値２を入力情報としてＰＣＡ出力値（Ｑ）を算出する。算出された値は、ＰＣＡ閾値７１として補助記憶装置６０２に保存される。なお、ＰＣＡ閾値７１は、制御項目ごとに値を有するのではなく、複数の制御項目のサンプルに基づいて一つの数値が算出される。
【００４９】
すなわち、ステップＳ１０４では、制御項目ごとに５つの値（上限値、レシピ設定値、下限値、中間値１及び中間値２）がサンプルとされることになる。図７は、ＰＣＡ閾値を算出するために用いられるサンプルの例を概念的に示す図である。
【００５０】
図７に示される表６３１は、行方向に値の別（上限値、中間値１、レシピ設定値、中間値２、下限値）がとられ、列方向に制御項目の別がとられており、制御項目ごとに上限値、中間値１、レシピ設定値、中間値２、及び下限値が示されている。表６３１に示されるような情報が、ＰＣＡ閾値７１を算出する際の入力情報とされる。なお、図中各数値は便宜的なものである。また、図７における制御項目は、図６における制御項目と必ずしも対応していないが、これも便宜的なものである。
【００５１】
ところで、標準化とは、各制御項目の絶対値及び単位の不揃いを補正し、単純比較を可能とするための数学的な処理である。標準化により平均値は０、分散は１となる。参考までに標準化の式を図に示す。図８は、標準化の式を示す図である。制御項目ごとに図８の演算がなされる。
【００５２】
以上でＰＣＡ閾値算出処理は終了する。続いて、基板処理監視処理について説明する。図９は、本発明の実施の形態における基板処理監視サーバによる基板処理監視処理の処理手順を説明するためのフローチャートである。ここでは、基板処理装置２においてウエハＷに対する処理が実行されているものとする。
【００５３】
ステップＳ２０１において、実測値受信部６４は、ＥＣ８９に蓄積されているログ情報より各制御項目の実測値、すなわち、ウエハＷが基板処理装置２の処理チャンバ等において実際に処理された際に採取された各制御項目に対応する値をＬＡＮを介して受信する。
【００５４】
図１０は、制御項目の実測値の例を示す図である。図１０における実測値８９２２は、一つの処理チャンバにおける一枚のウエハＷに対する処理に基づく値である。図１０では、秒間隔で各実測値の履歴が示されている。すなわち、列８９２２ａには秒単位の経過時間が記録され、列８９２２ｂにはその際に実行されたステップ（レシピ８９２１で定義されているステップ）のステップ番号が記録されている。また、列８９２２ｃ、列８９２２ｄ、及び列８９２２ｅ等には、計測された圧力、温度、ガスの流量等が記録されている。その他の情報についても記録されるが、ここでは便宜上省略されている。なお、図１０における制御項目は、図６又は図７における制御項目と必ずしも対応していないが、これは便宜的なものである。
【００５５】
ステップＳ２０１に続いてステップＳ２０２に進み、ＰＣＡ出力値算出部６５は、実測値８９２２を入力情報としてＰＣＡ出力値（Ｑ）を算出する。ここでは、複数の制御項目の実測値に基づいて一つの数値がＰＣＡ出力値（Ｑ）として算出される。ここで算出されたＰＣＡ出力値を、以下「実測値に基づくＰＣＡ出力値」という。
【００５６】
ステップＳ２０２に続いてステップＳ２０３に進み、異常検出部６６は、ＰＣＡ閾値７１と実測値に基づくＰＣＡ出力値とを比較することにより基板処理装置２における基板処理において、ウエハＷの品質に影響するような異常が発生しているか否かを判断する（Ｓ２０４）。
【００５７】
すなわち、実測値に基づくＰＣＡ出力値がＰＣＡ閾値よりも大きい場合（Ｓ２０４でＹｅｓ）、異常検出部６６は異常と判断し、それ以外の場合（Ｓ２０４でＮｏ）、異常検出部６６は正常と判断する。異常検出部６６が異常を検出した場合、例えば表示装置６０６に異常を通知するためのアラームを表示させたり、又はブザーを鳴らしたりすることによりユーザに異常を認識させる。
【００５８】
上述したように、本発明の実施の形態における基板処理監視サーバ６０によれば、各制御項目の値が上限値と下限値とによって定められる範囲のばらつきを含んだデータをモデルにしているため、それより小さい誤差範囲の変動でＰＣＡ出力値（Ｑ，Ｔ２）が極端に大きくなることはない。したがって、基板処理装置２における基盤処理の正常又は異常の判断が容易になる。したがって、製品（基板）の品質管理を適切に行うことができる。
【００５９】
また、基板処理装置２における基板処理の処理結果への影響を考慮した管理値（上限値及び下限値）をモデルの入力情報とするため、ＰＣＡ出力値（Ｑ）と基板処理の処理状況との間に関連性を持たせることができる。また、標準化によって各制御項目の値の異常に対するＰＣＡ出力値への感度が同一となるため、各制御項目の値が制御閾値分変動した際のＱ値の変動割合を一定とすることができる。したがって、ＰＣＡ出力値について閾値（ＰＣＡ閾値）を定めることができる。
【００６０】
図１１は、本発明の実施の形態において各制御項目の値に応じたＰＣＡ出力値（Ｑ）の変動を示す図である。図１１のグラフは、横軸に各制御項目の上限値、レシピ設定値、下限値がとられ、縦軸はＰＣＡ出力値（Ｑ）がとられている。すなわち、横軸において、左から３つのＰｒｅｓｓ＋、ＰｒｅｓｓＣ、Ｐｒｅｓｓ−は、制御項目の一つである圧力の上限値、レシピ設定値、下限値を示す。同様に、各制御項目について「＋」、「Ｃ」、又は「−」が付されているが、それぞれ上限値、設定値、下限値を示す。図１１の破線で囲まれた部分に注目すると、本実施の形態によるレシピ設定値、上限値、及び下限値等に基づくＰＣＡモデルの生成方法によれば、いずれの制御項目の上限値又は下限値であってもＰＣＡ出力値（Ｑ）の値は同じになることが分かる。したがって、この値をＰＣＡ閾値として採用することができる。
【００６１】
また、ＰＣＡモデル（ＰＣＡ閾値）の生成には各制御項目の値の実測値（経験値）ではなく、設定値、上限値及び下限値を入力すればよいため、ＰＣＡモデル生成のために長期間サンプルを採取する必要はない。
【００６２】
また、ＰＣＡモデルの生成には、制御項目ごとに上限値及び下限値を入力するため、ある制御項目の値について値が一定となる（分散が０となる）ことはなく、反射波等のほとんど一定の制御項目の値でもＰＣＡモデルに組み込むことができる。したがって、全ての制御項目の値に基づく異常検出が可能となる。なお、上記において中間値１及び２が算出され、ＰＣＡ閾値を算出するためのサンプルとして用いられているが、中間値１及び２は理論上必ずしも必要ではない。したがって、レシピ設定値、上限値及び下限値に基づいてＰＣＡ閾値を算出してもよい。
【００６３】
ところで、基板処理装置２は、例えば、図１２に示されるように構成されていてもよい。図１２は、本発明の実施の形態における第二の基板処理装置の概略構成例を示す図である。
【００６４】
図１２において基板処理装置４は、ウエハＷに反応性イオンエッチング（以下、「ＲＩＥ」という。）処理を施す第１のプロセスシップ２１１と、第１のプロセスシップ２１１と平行に配置され、第１のプロセスシップ２１１においてＲＩＥ処理が施されたウエハＷにＣＯＲ（Chemical Oxide Removal）処理及びＰＨＴ（Post Heat Treatment）処理を施す第２のプロセスシップ２１２と、第１のプロセスシップ２１１及び第２のプロセスシップ２１２がそれぞれ接続された矩形状の共通搬送室としてのローダーユニット２１３とを備える。
【００６５】
ローダーユニット２１３には、第１のプロセスシップ２１１及び第２のプロセスシップ２１２の他、２５枚のウエハＷを収容する容器としてのフープ（Front Opening Unified Pod）２１４がそれぞれ載置される３つのフープ載置台２１５と、フープ２１４から搬出されたウエハＷの位置決めを行うオリエンタ２１６と、ウエハＷの表面状態を計測する第１及び第２のＩＭＳ（Integrated Metrology System、Therma‐Wave，Inc．）２１７，２１８とが接続されている。
【００６６】
第１のプロセスシップ２１１及び第２のプロセスシップ２１２は、ローダーユニット２１３の長手方向における側壁に接続されると共にローダーユニット２１３を挟んで３つのフープ載置台２１５と対向するように配置され、オリエンタ２１６はローダーユニット２１３の長手方向に関する一端に配置され、第１のＩＭＳ２１７はローダーユニット２１３の長手方向に関する他端に配置され、第２のＩＭＳ２１８は３つのフープ載置台２１５と並列に配置される。
【００６７】
ローダーユニット２１３は、内部に配置された、ウエハＷを搬送するスカラ型デュアルアームタイプの搬送アーム機構２１９と、各フープ載置台２１５に対応するように側壁に配置されたウエハＷの投入口としての３つのロードポート２２０とを有する。搬送アーム機構２１９は、フープ載置台２１５に載置されたフープ２１４からウエハＷをロードポート２２０経由で取り出し、取り出したウエハＷを第１のプロセスシップ２１１、第２のプロセスシップ２１２、オリエンタ２１６、第１のＩＭＳ２１７や第２のＩＭＳ２１８へ搬出入する。
【００６８】
第１のＩＭＳ２１７は光学系のモニタであり、搬入されたウエハＷを載置する載置台２２１と、載置台２２１に載置されたウエハＷを指向する光学センサ２２２とを有し、ウエハＷの表面形状、例えば、表面層の膜厚、及び配線溝やゲート電極等のＣＤ（Critical  Dimension）値を測定する。第２のＩＭＳ２１８も光学系のモニタであり、第１のＩＭＳ２１７と同様に、載置台２２３と光学センサ２２４とを有し、ウエハＷの表面におけるパーティクル数を計測する。
【００６９】
第１のプロセスシップ２１１は、ウエハＷにＲＩＥ処理を施す第１の真空処理室としての第１のプロセスユニット２２５と、該第１のプロセスユニット２２５にウエハＷを受け渡すリンク型シングルピックタイプの第１の搬送アーム２２６を内蔵する第１のロード・ロックユニット２２７とを有する。
【００７０】
第１のプロセスユニット２２５は、円筒状の処理チャンバ（処理室）と、処理チャンバ内に配置された上部電極及び下部電極を有する。上部電極及び下部電極の間の距離はウエハＷにＲＩＥ処理を施すための適切な間隔に設定されている。また、下部電極はウエハＷをクーロン力等によってチャックするＥＳＣ２２８をその頂部に有する。
【００７１】
第１のプロセスユニット２２５では、チャンバ内部に処理ガスを導入し、上部電極及び下部電極間に電界を発生させることによって導入された処理ガスをプラズマ化してイオン及びラジカルを発生させ、該イオン及びラジカルによってウエハＷにＲＩＥ処理を施す。
【００７２】
第１のプロセスシップ２１１では、ローダーユニット２１３の内部圧力は大気圧に維持される一方、第１のプロセスユニット２２５の内部圧力は真空に維持される。そのため第１のロード・ロックユニット２２７は、第１のプロセスユニット２２５との連結部に真空ゲートバルブ２２９を備えると共に、ローダーユニット２１３との連結部に大気ゲートバルブ２３０を備えることによって、その内部圧力を調整可能な真空予備搬送室として構成される。
【００７３】
第１のロード・ロックユニット２２７の内部には、略中央部に第１の搬送アーム２２６が設置され、該第１の搬送アーム２２６より第１のプロセスユニット２２５側に第１のバッファ２３１が設置され、第１の搬送アーム２２６よりローダーユニット２１３側には第２のバッファ２３２が設置される。第１のバッファ２３１及び第２のバッファ２３２は、第１の搬送アーム２２６の先端部に配置されたウエハＷを支持する支持部（ピック）２３３が移動する軌道上に配置され、ＲＩＥ処理が施されたウエハＷを一時的に支持部２３３の軌道の上方に待避させることにより、ＲＩＥ未処理のウエハＷとＲＩＥ処理済みのウエハＷとの第１のプロセスユニット２２５における円滑な入れ換えを可能とする。
【００７４】
第２のプロセスシップ２１２は、ウエハＷにＣＯＲ処理を施す第２の真空処理室としての第２のプロセスユニット２３４と、該第２のプロセスユニット２３４に真空ゲートバルブ３５を介して接続された、ウエハＷにＰＨＴ処理を施す第３の真空処理室としての第３のプロセスユニット２３６と、第２のプロセスユニット２３４及び第２のプロセスユニット２３６にウエハＷを受け渡すリンク型シングルピックタイプの第２の搬送アーム２３７を内蔵する第２のロード・ロックユニット２４９とを有する。
【００７５】
図１３は、第２のプロセスユニットの断面図である。図１３（Ａ）は図１２における線||−||に沿う断面図であり、図１３（Ｂ）は図１３（Ａ）におけるＡ部の拡大図である。
【００７６】
図１３（Ａ）において、第２のプロセスユニット２３４は、円筒状の処理チャンバ２３８と、処理チャンバ２３８内に配置されたウエハＷの載置台としてのＥＳＣ２３９と、処理チャンバ２３８の上方に配置されたシャワーヘッド２４０と、処理チャンバ２３８内のガス等を排気するＴＭＰ（Turbo Molecular Pump）２４１と、処理チャンバ２３８及びＴＭＰ２４１の間に配置され、処理チャンバ２３８内の圧力を制御する可変式バタフライバルブとしてのＡＰＣ（Automatic Pressure Control）バルブ２４２とを有する。
【００７７】
ＥＳＣ２３９は、内部に直流電圧が印加される電極板（図示しない）を有し、 直流電圧により発生するクーロン力又はジョンソン・ラーベック（Johnsen−Rahbek）力によってウエハＷを吸着して保持する。また、ＥＳＣ２３９は、その上面から突出自在なリフトピンとしての複数のプッシャーピン２５６を有し、これらのプッシャーピン２５６は、ウエハＷがＥＳＣ２３９に吸着保持されるときにはＥＳＣ２３９に収容され、ＣＯＲ処理が施されたウエハＷを処理チャンバ２３８から搬出するときには、ＥＳＣ２３９の上面から突出してウエハＷを上方へ持ち上げる。
【００７８】
シャワーヘッド２４０は２層構造を有し、下層部２４３及び上層部２４４のそれぞれに第１のバッファ室２４５及び第２のバッファ室２４６を有する。第１のバッファ室２４５及び第２のバッファ室２４６はそれぞれガス通気孔２４７，２４８を介して処理チャンバ２３８内に連通する。ウエハＷにＣＯＲ処理を施す際、第１のバッファ室２４５にはNH３（アンモニア）ガスが後述するアンモニアガス供給管２５７から供給され、該供給されたアンモニアガスはガス通気孔２４７を介して処理チャンバ２３８内へ供給されると共に、第２のバッファ室２４６にはＨＦ（弗化水素）ガスが後述する弗化水素ガス供給管２５８から供給され、該供給された弗化水業ガスはガス通気孔２４８を介して処理チャンバ２３８内へ供給される。
【００７９】
また、図１３（Ｂ）に示すように、ガス通気孔２４７，２４８における処理チャンバ２３８内への開口部は末広がり状に形成される。これにより、アンモニアガスや弗化水素ガスを処理チャンバ２３８内へ効率よく拡散することができる。さらに、ガス通気孔２４７，２４８は断面がくびれ形状を呈するので、処理チャンバ２３８で発生した堆積物がガス通気孔２４７，２４８、引いては、第１のバッファ室２４５や第２のバッファ室２４６へ逆流するのを防止することができる。なお、ガス通気孔２４７，２４８は螺旋状の通気孔であってもよい。
【００８０】
この第２のプロセスユニット２３４は、処理チャンバ２３８内の圧力と、アンモニアガス及び弗化水素ガスの体積流量比を調整することによってウエハＷにＣＯＲ処理を施す。
【００８１】
図１２に戻り、第３のプロセスユニット２３６は、筐体状の処理チャンバ２５０と、処理チャンバ２５０内に配置されたウエハＷの載置台としてのステージヒータ２５１と、該ステージヒータ２５１の周りに配置され、ステージヒータ２５１に載置されたウエハＷを上方に持ち上げるバッファアーム２５２とを有する。
【００８２】
ステージヒータ２５１は、表面にＹ２０３等の酸化皮膜が形成されたアルミからなり、内蔵された電熱線等によって載置されたウエハＷを所定の温度まで加熱する。バッファアーム２５２は、ＣＯＲ処理が施されたウエハＷを一時的に第２の搬送アーム２３７における支持部２５３の軌道の上方に待避させることにより、第２のプロセスユニット２３４や第３のプロセスユニット２３６におけるウエハＷの円滑な入れ換えを可能とする。
【００８３】
この第３のプロセスユニット２３６は、ウエハＷの温度を調整することによってウエハＷにＰＨＴ処理を施す。
【００８４】
第２のロード・ロックユニット２４９は、第２の搬送アーム２３７を内蔵する筐体状の搬送室２７０を有する。また、ローダーユニット２１３の内部圧力は大気圧に維持される一方、第２のプロセスユニット２３４及び第３のプロセスユニット２３６の内部圧力は真空に維持される。モのため、第２のロード・ロックユニット２４９は、第３のプロセスユニット２３６との連結部に真空ゲートバルブ２５４を備えると共に、ローダーユニット２１３との連結部に大気ドアバルブ２５５を備えることによって、その内部圧力を調整可能な真空予備搬送室として構成される。
【００８５】
図１４は、第２のプロセスシップの概略購成を示す斜視図である。
【００８６】
図１４において、第２のプロセスユニット２３４は、第１のバッファ室２４５へアンモニアガスを供給するアンモニアガス供給管２５７と、第２のバッファ室２４６へ弗化水素ガスを供給する弗化水素ガス供給管２５８と、処理チャンバ２３８内の圧力を測定する圧力ゲージ２５９と、ＥＳＣ２３９内に配設された冷却系統に冷媒を供給するチラーユニット２６０とを備える。
【００８７】
アンモニアガス供給管２５７にはＭＦＣ（Mass Flow Controller）（図示しない）が設けられ、該ＭＦＣは第１のバッファ室２４５へ供給するアンモニアガスの流量を調整すると共に、弗化水素ガス供給管２５８にもＭＦＣ（図示しない）が設けられ、該ＭＦＣは第２のバッファ室２４６へ供給する弗化水素ガスの流量を調整する。アンモニアガス供給管２５７のＭＦＣと弗化水素ガス供給管２５８のＭＦＣは協働して、処理チャンバ２３８へ供給されるアンモニアガスと弗化水素ガスの体積流量比を調整する。
【００８８】
また、第２のプロセスユニット２３４の下方には、ＤＰ（Dry Pump）（図示しない）に接続された第２のプロセスユニット排気系２６１が配置される。第２のプロセスユニット排気系２６１は、処理チャンバ２３８とＡＰＣバルブ２４２の間に配設された排気ダクト２６２と連通する排気管２６３と、ＴＭＰ２４１の下方（排気側）に接続された排気管２６４とを有し、処理チャンバ２３８内のガス等を排気する。なお、排気管２６４はＤＰの手前において排気管２６３に接続される。
【００８９】
第３のプロセスユニット２３６は、処理チャンバ２５０へ窒素（N２）ガスを供給する窒素ガス供給管２６５と、処理チャンバ２５０内の圧力を測定する圧力ゲージ２６６と、処理チャンバ２５０内の窒素ガス等を排気する第３のプロセスユニット排気系２６７とを備える。
【００９０】
窒素ガス供給管２６５にはＭＦＣ（図示しない）が設けられ、該ＭＦＣは処理チャンバ２５０へ供給される窒素ガスの流量を調整する。第３のプロセスユニット排気系２６７は、処理チャンバ２５０に連通すると共にＤＰに接続された本排気管２６８と、本排気管２６８の途中に配されたＡＰＣバルブ２６９と、本排気管２６８からＡＰＣバルブ２６９を回避するように分岐し、且つＤＰの手前において本排気管２６８に接続される副排気管２６８ａとを有する。ＡＰＣバルブ２６９は、処理チャンバ２５０内の圧力を制御する。
【００９１】
第２のロード・ロックユニット２４９は、搬送室２７０へ窒素ガスを供給する窒素ガス供給管２７１と、搬送室２７０内の圧力を測定する圧力ゲージ２７２と、搬送室２７０内の窒素ガス等を排気する第２のロード・ロックユニット排気系２７３と、搬送室２７０内を大気開放する大気連通管２７４とを備える。
【００９２】
窒素ガス供給管２７１にはＭＦＣ（図示しない）が設けられ、該ＭＦＣは搬送室２７０へ供給される窒素ガスの流量を調整する。第２のロード・ロックユニット排気系２７３は１本の排気管からなり、該排気管は搬送室２７０に連通すると共に、ＤＰの手前において第３のプロセスユニット排気系２６７における本排気管２６８に接続される。また、第２のロード・ロックユニット排気系２７３及び大気連通管２７４はそれぞれ開閉自在な排気バルブ２７５及びリリーフバルブ２７６を有し、該排気バルブ２７５及びリリーフバルブ２７６は協働して搬送室２７０内の圧力を大気圧から所望の真空度までのいずれかに調整する，
図１５は、第２のロード・ロックユニットのユニット駆動用ドライエア供給系の概略構成を示す図である。
【００９３】
図１５において、第２のロード・ロックユニット２４９のユニット駆動用ドライエア供給系２７７のドライエア供給先としては、大気ドアバルブ２５５が有するスライドドア駆動用のドアバルブシリンダ、N２パージユニットとしての窒素ガス供給管２７１が有するＭＦＣ、大気開放用のリリーフユニットとしての大気連通管２７４が有するリリーフバルブ２７６、真空引きユニットとしての第２のロード・ロックユニット排気系２７３が有する排気バルブ２７５、及び真空ゲートバルブ２５４が有するスライドゲート駆動用のゲートバルブシリンダが該当する。
【００９４】
ユニット駆動用ドライエア供給系２７７は、第２のプロセスシップ２１２が備える本ドライエア供給管２７８から分岐された副ドライエア供給管２７９と、該副ドライエア供給管２７９に接続された第１のソレノイドバルブ２８０及び第２のソレノイドバルブ２８１とを備える。
【００９５】
第１のソレノイドバルブ２８０は、ドライエア供給管２８２，２８３，２８４，２８５の各々を介してドアバルブシリンダ、ＭＦＣ、リリーフバルブ２７６及びゲートバルブシリンダに接続され、これらへのドライエアの供給量を制御することによって各部の動作を制御する。また、第２のソレノイドバルブ２８１は、ドライエア供給管２８６を介して排気バルブ２７５に接続され、排気バルブ２７５へのドライエアの供給量を制御することによって排気バルブ２７５の動作を制御する。
【００９６】
なお、窒素ガス供給管２７１におけるＭＦＣは窒素（Ｎ２）ガス供給系２８７にも接続されている。
【００９７】
また、第２のプロセスユニット２３４や第３のプロセスユニット２３６も、上述した第２のロード・ロックユニット２４９のユニット駆動用ドライエア供給系２７７と同様の構成を有するユニット駆動用ドライエア供給系を備える。
【００９８】
図１２に戻り、基板処理装置４は、第１のプロセスシップ２１１、第２のプロセスシップ２１２及びローダーユニット２１３の動作を制御するシステムコントローラと、ローダーユニット２１３の長手方向に関する一端に配置されたオペレーションコントローラ２８８を備える。
【００９９】
オペレーションコントローラ２８８は、図１におけるオペレーションコントローラ８８と同様に、例えばＬＣＤ（Liquid Crystal Display）からなる表示部を有し、該表示部は基板処理装置４の各構成要素の動作状況やログ情報等を表示する。
【０１００】
図１６は、第二の基板処理装置におけるシステムコントローラの構成例を示す図である。図１６中、図２と同一部分には同一符号を付し、その説明は省略する。
【０１０１】
図１６において、ＭＣ２９０，２９１，２９２は、それぞれ第１のプロセスシップ２１１、第２のプロセスシップ２１２及びローダーユニット２１３の動作を制御する副制御部（スレーブ制御部）である。各ＭＣが、ＤＩＳＴ（Distribution）ボード９６によってＧＨＯＳＴネットワーク９５を介して各Ｉ／Ｏ（入出力）モジュール２９７，２９８，２９９にそれぞれ接続される点は、図２と同様である。
【０１０２】
また、Ｉ／Ｏモジュール２９７、２９８、２９９については、それぞれ第１のプロセスシップ２１１、第２のプロセスシップ２１２又はローダーユニット２１３に対応する点を除き、図２におけるＩ／Ｏモジュール９７又は９８と同様に構成される。
【０１０３】
図１６における基板処理監視サーバ６０によって実行されるＰＣＡ閾値の算出処理や、ＰＣＡ閾値に基づく基盤処理の異常検出処理についても、図２における基板処理サーバ６０５と同様の処理手順によって構成され得る。したがって、図１６における基板処理監視サーバ６０は、図１２における基板処理装置４に関する基板処理についても制御項目のレシピ設定値、上限値及び下限値に基づいてＰＣＡ閾値を算出することができ、算出されたＰＣＡ閾値に基づいて基盤処理の異常処理の検出等を行うことができる。
【０１０４】
以上、本発明の実施例について詳述したが、本発明は係る特定の実施形態に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載された本発明の要旨の範囲内において、種々の変形・変更が可能である。
【図面の簡単な説明】
【０１０５】
【図１】本発明の実施の形態における基板処理装置の概略構成例を示す図である。
【図２】本発明の実施の形態におけるシステムコントローラの構成例を示す図である。
【図３】本発明の実施の形態における基板処理監視サーバのハードウェア構成例を示す図である。
【図４】本発明の実施の形態における基板処理監視サーバの機能構成例を示す図である。
【図５】本発明の実施の形態における基板処理監視サーバによるＰＣＡ閾値算出処理の処理手順を説明するためのフローチャートである。
【図６】レシピの一部の例を示す図である。
【図７】ＰＣＡ閾値を算出するために用いられるサンプルの例を概念的に示す図である。
【図８】標準化の式を示す図である。
【図９】本発明の実施の形態における基板処理監視サーバによる基板処理監視処理の処理手順を説明するためのフローチャートである。
【図１０】制御項目の実測値の例を示す図である。
【図１１】本発明の実施の形態において各制御項目の値に応じたＰＣＡ出力値（Ｑ）の変動を示す図である。
【図１２】本発明の実施の形態における第二の基板処理装置の概略構成例を示す図である。
【図１３】第２のプロセスユニットの断面図である。
【図１４】第２のプロセスシップの概略購成を示す斜視図である。
【図１５】第２のロード・ロックユニットのユニット駆動用ドライエア供給系の概略構成を示す図である。
【図１６】第二の基板処理装置におけるシステムコントローラの構成例を示す図である。
【符号の説明】
【０１０６】
２，４      基板処理装置
５          処理システム
６          搬送システム
８          移載室
１２Ａ〜１２Ｄ          処理チャンバ
１４Ａ〜１４Ｄ          サセプタ
１６          移載アーム部
２０          搬送アーム部
２２          搬送ステージ
２４          容器載置台
２６Ａ〜２６Ｄ          カセット容器
２８          案内レール
３６          オリエンタ（方向位置決め装置）
３８Ａ，３８Ｂ          ロードロック室
４０Ａ，４０Ｂ          被搬送体載置台
４６          搬送アーム本体
４８          フォーク
５０          マッピングアーム
６０          基板処理監視サーバ
６１          管理値入力部
６２          レシピ設定値取得部
６３          ＰＣＡ閾値算出部
６４          実測値受信部
６５          ＰＣＡ出力値算出部
６６          異常検出部
７１          ＰＣＡ閾値
８９          ＥＣ
９０、９１    ＭＣ
９３          ＨＵＢ
９５          ＧＨＯＳＴネットワーク
９６          ＤＩＳＴボード
９７、９８    Ｉ／Ｏモジュール
１００        Ｉ／Ｏ部
１７０        ＬＡＮ
１７１        ＰＣ
２１１        第１のプロセスシップ
２１２        第２のプロセスシップ
２１３        ローダーユニット
２１５        フープ載置台
２１４        フープ
２１６        オリエンタ
２１７、２１８    ＩＭＳ
２１９        搬送アーム機構
２２０        ロードポート
２２１、２２３    載置台
２２２，２２４    光学センサ
２２５        第１のプロセスユニット
２２６        第１の搬送アーム
２２７        第１のロード・ロックユニット
２２８        ＥＳＣ
２２９        真空ゲートバルブ
２３０        大気ゲートバルブ
２３１        第１のバッファ
２３２        第２のバッファ
２３３        支持部
２３４        第２のプロセスユニット
２３６        第３のプロセスユニット
２３７        第２の搬送アーム
２３８        チャンバ
２３９        ＥＳＣ
２４０        シャワーヘッド
２４１        ＴＭＰ
２４２        ＡＰＣバルブ
２４３        下層部
２４４        上層部
２４５        第１のバッファ室
２４６        第２のバッファ室
２４７        ガス通気孔
２４８        ガス通気孔
２５０        チャンバ
２５１        ステージヒータ
２５２        バッファアーム
２５３        支持部
２５４        真空ゲートバルブ
２５５        大気ドアバルブ
２５６        プッシャーピン
２５７        アンモニアガス供給管
２５８        弗化水素ガス供給管
２５９        圧力ゲージ
２６０        チラーユニット
２６１        第２のプロセスユニット排気系
２６２        排気ダクト
２６３、２６４    排気管
２６５        窒素ガス供給管
２６６        圧力ゲージ
２６７        第３のプロセスユニット排気系
２６８        本排気管
２６８ａ      副排気管
２６９        ＡＰＣバルブ
２７０        チャンバ
２７１        窒素ガス供給管
２７２        圧力ゲージ
２７３        第２のロード・ロックユニット排気系
２７４        大気連通管
２７５        排気バルブ
２７６        リリーフバルブ
２７７        ユニット駆動用ドライエア供給系
２７８        本ドライエア供給管
２７９        副ドライエア供給管
２８０        第１のソレノイドバルブ
２８１        第２のソレノイドバルブ
２８２，２８３，２８４，２８５    ドライエア供給管
２８６        ドライエア供給管
２８７        窒素ガス供給系
２８８        オペレーションコントローラ
２９０，２９１，２９２    ＭＣ
２９７、２９８、２９９    Ｉ／Ｏモジュール
８９１        ＣＰＵ
８９２        ＲＡＭ
８９３        ＨＤＤ
８９４        ＣＤ−ＲＯＭ
６００        ドライブ装置
６０１        記録媒体
６０２        補助記憶装置
６０３        メモリ装置
６０４        ＣＰＵ
６０５        インタフェース装置
６０６        表示装置
６０７        入力装置
Ｂ            バス
Ｗ          半導体ウエハ（被搬送体）
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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