(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
下記式：
【化１】
0004719341.tif 000025
（式中、
ｘは、０.００５〜１の範囲で選択され、
ｙは、０.９９５〜０の範囲で選択され、そして
ｘ＋ｙは、１であり、そして
Ａｒ1及びＡｒ2は、互いに独立して、下記式：
【化２】
0004719341.tif 000026
の基のいずれかを表し、そして
ｍ及びｎは、１〜１０の数であり、そして
Ｒ1及びＲ2は、互いに独立して、Ｈ、Ｃ1−Ｃ18アルキル、−Ｃ（Ｏ）Ｏ−Ｃ1−Ｃ18アルキル、ペルフルオロ−Ｃ1−Ｃ12アルキル、非置換Ｃ6−Ｃ12アリール又はＣ1−Ｃ12アルキル、Ｃ1−Ｃ12アルコキシ若しくはハロゲンの１〜３個で置換されたＣ6−Ｃ12アリール、あるいはＣ1−Ｃ12アルキル−Ｃ6−Ｃ12アリール又はＣ6−Ｃ12アリール−Ｃ1−Ｃ12アルキルを表し、
Ｒ3及びＲ4は、水素、Ｃ1−Ｃ12アルキル、Ｃ1−Ｃ12アルコキシ、非置換Ｃ6−Ｃ12アリール又はＣ1−Ｃ12アルキル、Ｃ1−Ｃ12アルコキシ若しくはハロゲンの１〜３個で置換されたＣ6−Ｃ12アリール、あるいはペルフルオロ−Ｃ1−Ｃ12アルキルを表し、そして
Ｒ5は、Ｃ1−Ｃ12アルキル、Ｃ1−Ｃ12アルコキシ、非置換Ｃ6−Ｃ12アリール又はＣ1−Ｃ12アルキル、Ｃ1−Ｃ12アルコキシ若しくはハロゲンの１〜３個で置換されたＣ6−Ｃ12アリール、あるいはペルフルオロ−Ｃ1−Ｃ12アルキルを表す）で示される単位を含むことを特徴とする、ジケトピロロピロールをベースとしたポリマー又はコポリマー。
【請求項２】
請求項１記載のＤＰＰポリマーを製造するための方法であって、
式（II）：
【化３】
0004719341.tif 000027
｛式中、
Ｒ1及びＲ2は、請求項１と同義であり、そして
Ｒ8は、ハロゲン又は下記式：
【化４】
0004719341.tif 000028
（式中、
ａは、２又は３である）のＥを意味する｝で示されるＤＰＰ誘導体を、下記式（III）：
【化５】
0004719341.tif 000029
のホウ酸誘導体と反応させるか、
−Ｒ8が、ハロゲンでないとき−、下記式（IIIａ）：
【化６】
0004719341.tif 000030
（式中、
Ｈａｌは、ハロゲンを表し、そして
Ｒ3及びＲ4は、請求項１と同義である）で示される化合物と反応させ、そして
場合により、下記式（IV）：
【化７】
0004719341.tif 000031
（式中、
Ｈａｌは、ハロゲンを表し、そして
Ｒ6及びＲ7は、互いに独立して、水素、Ｃ1−Ｃ12アルキル、Ｃ1−Ｃ12アルコキシ、非置換Ｃ6−Ｃ12アリール又はＣ1−Ｃ12アルキル、Ｃ1−Ｃ12アルコキシ若しくはハロゲンの１〜３個で置換されたＣ6−Ｃ12アリール、あるいはペルフルオロ−Ｃ1−Ｃ12アルキルを表す）で示されるジハロフェニル化合物と反応させることを含むをことを特徴とする方法。
【請求項３】
請求項１記載のポリマーまたはコポリマーを含む電子及び光子装置。
【請求項４】
エレクトロルミネッセンス装置用フィルムであって、前記フィルムが、請求項１記載のポリマー又はコポリマーによって形成されたエレクトロルミネッセンス装置用フィルム。
【請求項５】
前記エレクトロルミネッセンス装置用フィルムの厚みが、１０〜１００ｎｍである請求項４記載のエレクトロルミネッセンス装置用フィルム。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
本発明は、下記式：
【０００２】
【化８】
0004719341.tif 000002
【０００３】
（式中、
ｘは、０.００５〜１、好適には０.０１〜１の範囲で選択され、
ｙは、０.９９５〜０、好適には０.９９〜０の範囲で選択され、そして
ｘ＋ｙは、１であり、そして
Ａｒ1及びＡｒ2は、互いに独立して、下記式：
【０００４】
【化９】
0004719341.tif 000003
【０００５】
の基のいずれかを表し、そして
ｍ及びｎは、１〜１０の数であり、そして
Ｒ1及びＲ2は、互いに独立して、Ｈ、Ｃ1−Ｃ18アルキル、−Ｃ（Ｏ）Ｏ−Ｃ1−Ｃ18アルキル、ペルフルオロ−Ｃ1−Ｃ12アルキル、非置換Ｃ6−Ｃ12アリール又はＣ1−Ｃ12アルキル、Ｃ1−Ｃ12アルコキシ若しくはハロゲンの１〜３個で置換されたＣ6−Ｃ12アリール、あるいはＣ1−Ｃ12アルキル−Ｃ6−Ｃ12アリール又はＣ6−Ｃ12アリール−Ｃ1−Ｃ12アルキルを表し、
Ｒ3及びＲ4は、好適には水素、Ｃ1−Ｃ12アルキル、Ｃ1−Ｃ12アルコキシ、非置換Ｃ6−Ｃ12アリール又はＣ1−Ｃ12アルキル、Ｃ1−Ｃ12アルコキシ若しくはハロゲンの１〜３個で置換されたＣ6−Ｃ12アリール、あるいはペルフルオロ−Ｃ1−Ｃ12アルキルを表し、そして
Ｒ5は、好適にはＣ1−Ｃ12アルキル、Ｃ1−Ｃ12アルコキシ、非置換Ｃ6−Ｃ12アリール又はＣ1−Ｃ12アルキル、Ｃ1−Ｃ12アルコキシ若しくはハロゲンの１〜３個で置換されたＣ6−Ｃ12アリール、あるいはペルフルオロ−Ｃ1−Ｃ12アルキルを表す）で示される単位を含むことを特徴とする、ジケトピロロピロールをベースとするポリマー又はコポリマー、そのようなポリマー又はコポリマーの配合物、そのようなポリマー又はコポリマーを含むエレクトロルミネッセンス（「ＥＬ」）装置（類）の使用又は製造に関する。
【０００６】
ＥＰ−Ａ ７８７，７３０は、下記式（Ｉａ）：
【０００７】
【化１０】
0004719341.tif 000004
【０００８】
（式中、
Ｑ1及びＱ2は、互いに独立して、重合性反応基を表し、そして
Ｑ3及びＱ4は、互いに独立して、水素、Ｃ12−Ｃ24アルキル、Ｃ6−Ｃ24アルキル（これはＯ又はＳにより、１箇所以上中断されている）を表すか、又は下記式：
【０００９】
【化１１】
0004719341.tif 000005
【００１０】
（式中、
Ｑ5は、Ｃ4−Ｃ18アルキル又はＣ5−Ｃ10シクロアルキルを表す）の基である）で示されるＤＰＰの重合により得ることができるポリアクリラート及びポリウレタンを記載している。
【００１１】
化合物Ｉａは、光−及び電子伝導性ポリマーの製造のために用いることができることが述べられているが、相当する例は与えられていない。更に、ＤＰＰに基づくポリマーを含むＥＬ装置をどのように製造するかについて、及びそれぞれのＤＰＰ−モノマーをそれぞれのＤＰＰ−ポリマーにどのように選択するかについて教示されていない。
【００１２】
Macromol. Chem. Phys. 200 (1999) 106-112は、２官能性モノマーのＤＰＰ−誘導体類（ここで、官能基は、ＤＰＰ−分子のＮ−原子に結合している）と、ジイソシアナート類又はジオール類又はジカルボン酸類との共重合により得ることができる蛍光ＤＤＰ−ポリマーを記載している。記載されたポリマーがＥＬ装置で用いることができるかどうかは教示されていない。
【００１３】
JACS 115(1993) 11735-11743は、光屈折性、すなわち表示光導電性、及び２次非線形光学活性を示すＤＰＰ−ポリマーを記載している。光導電性は、ＥＬ装置に類似の装置を用いて測定、すなわちレーザービームで装置を照射し、次いでこの照射から得られた電流を測定するけれども、エレクトロルミネッセンスに関しては測定されていない。更に、他のＤＰＰ−ポリマーをどのように選択するかについて教示していない。
【００１４】
Adv. Mater 4(1992) 36-37は、ポリ（ｐ−フェニレン）に基づく、青光を発光するＥＬ装置を記載している。しかしながら、用いたポリマーをどのように改変するかについて教示していない。更にエレクトロルミネッセンスのλmaxは、青色の領域である。
【００１５】
したがって、本発明の目的は、好適には青色領域ではないエレクトロルミネッセンスのλmax、すなわち４００〜４７０ｎでなく、好適には５００〜８００、更に好適には６００〜７５０nmであるエレクトロルミネッセンスのλmaxを示す、新規なＤＰＰ−に基づくポリマー及びコポリマー、並びに電子及び光子装置、例えば、ダイオード類、発光ダイオード類、光ダイオード類、場効果トランジスター、ポリマー格子トリオード類、発光電子化学電池、光カップラー及びレーザー中でのその使用を提供することである。更に、新規なポリマーのエレクトロルミネッセンスの強度は、ポリ（１，４−フェニレン）に関して改善されるべきである。更に、新規なポリマーの、スピン被覆及び溶液被覆により薄いフィルムへの加工性は、ポリ（１，４−フェニレン）に関して改善されるべきである。
【００１６】
したがって、上述のＤＤＰに基づくポリマーが見出された。
【００１７】
更に、本発明のポリマー類を含む配合物、本発明のポリマー類を含むＥＬ装置及びＤＰＰＩの使用並びにそのポリマー類もまた見出されている。
【００１８】
好適には、Ａｒ1は、下記式：
【００１９】
【化１２】
0004719341.tif 000006
【００２０】
の基、好適には下記式：
【００２１】
【化１３】
0004719341.tif 000007
【００２２】
の基、更に好適には下記式：
【化１４】
0004719341.tif 000008
【００２３】
の基を表し、そして
Ａｒ2は、下記式：
【００２４】
【化１５】
0004719341.tif 000009
【００２５】
の基、好適には下記式：
【００２６】
【化１６】
0004719341.tif 000010
【００２７】
の基を表す。
【００２８】
好適には、Ｒ1及びＲ2は、互いに独立して、Ｈ、Ｃ1−Ｃ12アルキル、−Ｃ（Ｏ）Ｏ−Ｃ1−Ｃ12アルキル、ペルフルオロ−Ｃ1−Ｃ12アルキル、非置換Ｃ6−Ｃ12アリール又はＣ1−Ｃ12アルキル、Ｃ1−Ｃ12アルコキシ、若しくはハロゲンの１〜３個で置換されたＣ6−Ｃ12アリール、あるいはＣ1−Ｃ12アルキル−Ｃ6−Ｃ12アリール又はＣ6−Ｃ12アリール−Ｃ1−Ｃ12アルキルを表し、
【００２９】
Ｒ3及びＲ4は、好適には水素、Ｃ1−Ｃ12アルキル、Ｃ1−Ｃ12アルコキシ、非置換Ｃ6−Ｃ12アリール、又はＣ1−Ｃ12アルキル、Ｃ1−Ｃ12アルコキシ、若しくはハロゲンの１〜３個で置換されたＣ6−Ｃ12アリール、あるいはペルフルオロ−Ｃ1−Ｃ12アルキルを表し、そして
Ｒ5は、好適には、Ｃ1−Ｃ12アルキル、Ｃ1−Ｃ12アルコキシ、非置換Ｃ6−Ｃ12アリール又はＣ1−Ｃ12アルキル、Ｃ1−Ｃ12アルコキシ、若しくはハロゲンの１〜３個で置換されたＣ6−Ｃ12アリール、あるいはペルフルオロ−Ｃ1−Ｃ12アルキルを表す。
【００３０】
好適な実施態様は、下記式：
【００３１】
【化１７】
0004719341.tif 000011
【００３２】
（式中、
Ｒ6及びＲ7は、互いに独立して、水素、Ｃ1−Ｃ12アルキル、Ｃ1−Ｃ12アルコキシ、非置換Ｃ6−Ｃ12アリール又はＣ1−Ｃ12アルキル、Ｃ1−Ｃ12アルコキシ、若しくはハロゲンの１〜３個で置換されたＣ6−Ｃ12アリール、あるいはペルフルオロ−Ｃ1−Ｃ12アルキルを表す）の単位、
更に好適には、下記式：
【００３３】
【化１８】
0004719341.tif 000012
【００３４】
（式中、
Ｃ1−Ｃ18アルキルは、メチル、エチル、n−、i−プロピル、n−、i−、sec.−、tert.−ブチル、n−、i−、ネオ−ペンチル、n−ヘキシル、n−ヘプチル、n−オクチル、２−エチルヘキシル、n−ノニル、n−デシル、３，７−ジメチルオクチル、n−ウンデシル、n−ドデシル、n−トリデシル、n−テトラデシル、n−ペンタデシル、n−ヘキサデシル、n−ヘプタデシル、n−オクタデシルを表し、好適にはＣ1−Ｃ12アルキル、例えばメチル、エチル、n−、i−プロピル、n−、i−、sec.−、tert.−ブチル、n−、i−、ネオ−ペンチル、n−ヘキシル、n−ヘプチル、n−オクチル、２−エチルヘキシル、n−ノニル、n−デシル、３，７−ジメチルオクチル、n−ウンデシル又はn−ドデシルを表す）の単位を含むコポリマーに関する。
【００３５】
ペルフルオロ−Ｃ1−Ｃ12アルキルは、全部又は部分的なフルオロ化Ｃ1−Ｃ12アルキル、例えばフルオロメチル、トリフルオロメチル、ペンタフルオロエチル、ヘプタフルオロプロピル又はノナフルオロブチルを表す。
【００３６】
Ｃ1−Ｃ12アルコキシは、メトキシ、エトキシ、n−、i−プロポキシ、n−、i−、sec．−若しくはtert.−ブトキシ、n−、i−ペントキシ、n−ヘキソキシ、n−ヘプトキシ−、n−オクトキシ、２−エチルヘキソキシ、n−ノノキシ、n−デコキシ、３，７−ジメチルオクトキシ、n−ウンデコキシ、n−ドデコキシ、好適にはＣ4−Ｃ12アルコキシ、例えばn−、i−、sec.−若しくはtert.−ブトキシ、n−、i−ペントキシ、n−ヘキソコシ、n−ヘプトキシ−、n−オクトキシ、２−エチルヘキソキシ、n−ノノキシ、n−デコキシ、３，７−ジメチルオクトキシ、n−ウンデコキシ、n−ドデコキシを表す。
【００３７】
Ｃ6−Ｃ12アリールは、典型的にはフェニル、１−ナフチル、２−ナフチル、又は４−ビフェニルである。
【００３８】
Ｃ1−Ｃ12アルキル−Ｃ6−Ｃ12アリールは、例えば２−、３−、４−メチル−フェニル、２−、３−、４−エチル−フェニル、２−、３−、４−ｎ−プロピル−フェニル、２−、３−、４−ｉ−プロピル−フェニル、２−、３−、４−ｎ−ブチル−フェニル、２−、３−、４−tert.−ブチル−フェニル、１−、２−メチル−ナフチル、１−、２−エチル−ナフチル、１−、２−ｎ−プロピル−ナフチル、１−、２−ｉ−プロピル−ナフチル、１−、２−ｎ−ブチル−ナフチル、１−、２−tert.−ブチル−フェニルを表す。
【００３９】
Ｃ6−Ｃ12アリール−Ｃ1−Ｃ12アルキルは、例えばベンジル、２−ベンジル−２−プロピル、β−フェニル−エチル、α，α−ジメチルベンジル、ω−フェニル−ブチル、ω，ω−ジメチル−ω−フェニル−ブチル、ω−フェニル−ドデシル、ω−フェニル−オクタデシル、ω−フェニル−エイコシル又はω−フェニル−ドデシル、好適にはＣ7−Ｃ18アラルキル、例えばベンジル、２−ベンジル−２−プロピル、β−フェニル−エチル、α，α−ジメチルベンジル、ω−フェニル−ブチル、ω，ω−ジメチル−ω−フェニル−ブチル、ω−フェニル−ドデシル又はω−フェニル−オクタデシル、特に好適にはＣ7−Ｃ12アラルキル、例えばベンジル、２−ベンジル−２−プロピル、β−フェニル−エチル、α，α−ジメチルベンジル、ω−フェニル−ブチル、又はω，ω−ジメチル−ω−フェニル−ブチルを表す。
【００４０】
本発明のポリマー及びコポリマー（以後、用語、ポリマーは、コポリマーも含む）は、通常、１，０００〜１，０００，０００g/mol、好適には２，０００〜１００，０００g/mol、最も好適には２，０００〜５０，０００g/molの分子量Ｍwを有する。
【００４１】
本発明の好適な実施態様は、下記式：
【００４２】
【化１９】
0004719341.tif 000013
【００４３】
の単位を含むＤＰＰポリマーを製造するための方法であって、
式（II）：
【００４４】
【化２０】
0004719341.tif 000014
【００４５】
｛式中、
Ｒ1及びＲ2は、上記と同義であり、そして
Ｒ8は、ハロゲン、例えばクロロ若しくはブロモ、好適にはブロモ又は下記式：
【００４６】
【化２１】
0004719341.tif 000015
【００４７】
（式中、
ａは、２又は３である）のＥを意味する｝のＤＰＰ誘導体を、下記式（III）：
【００４８】
【化２２】
0004719341.tif 000016
【００４９】
のホウ酸誘導体と反応させるか、あるいは
−Ｒ8がハロゲンでないとき−、下記式（IIIａ）：
【００５０】
【化２３】
0004719341.tif 000017
【００５１】
（式中、
Ｈａｌは、ハロゲンを表し、そして
Ｒ3及びＲ4は、請求項１と同義である）で示される化合物と反応させ、そして
場合により、下記式（IV）：
【００５２】
【化２４】
0004719341.tif 000018
【００５３】
（式中、
Ｈａｌは、ハロゲンを表し、そして
Ｒ6及びＲ7は、互いに独立して、水素、Ｃ1−Ｃ12アルキル、Ｃ1−Ｃ12アルコキシ、非置換Ｃ6−Ｃ12アリール又はＣ1−Ｃ12アルキル、Ｃ1−Ｃ12アルコキシ若しくはハロゲンの１〜３個で置換されたＣ6−Ｃ12アリール、あるいはペルフルオロ−Ｃ1−Ｃ12アルキルを表す）で示されるジハロフェニル化合物と反応させることを含む方法に関する。
【００５４】
好適には、この反応は、有機溶媒、例えばベンゼン、トルエン、キシレンのような芳香族炭化水素、テトラヒドロフラン若しくはジオキサン、又はそれらの混合物、最も好適にはトルエンの存在下に実施される。通常、溶媒の量は、ホウ酸誘導体IIIの１モル当り１〜１０リットルの範囲から選択される。
【００５５】
反応は、窒素又はアルゴンのような不活性雰囲気下に実施するのもまた好適である。
【００５６】
更に、反応を、アルカリ金属水酸化物又は炭酸塩、例えばＮａＯＨ、ＫＯＨ、Ｎａ2ＣＯ3、Ｋ2ＣＯ3などの水性塩基の存在下に行うのが好適であり、好適には水性Ｋ2ＣＯ3溶液が選択される。通常、化合物IIIに対する塩基のモル比は、０.５:１〜５０:１の範囲で選択される。
【００５７】
一般に、反応温度は、４０〜１８０℃の範囲で選択され、好適には還流条件下である。
【００５８】
好適には、反応時間は、１〜８０時間の範囲から選択され、更に好適には２０〜７２時間から選択される。
【００５９】
好適な実施態様において、結合反応又は重縮合反応のための通常の触媒が用いられ、好適にはＰｄに基づく触媒、例えば既知のテトラキス（トリアリールホスホニウム）−パラジウム、好適には（ｐｈ3Ｐ）4Ｐｄ及びその誘導体である。通常、触媒は、１００：１〜１０：１、好適には５０：１〜３０：１の触媒に対する本発明のＤＰＰポリマーのモル比で加えられる。
【００６０】
また好適には、触媒は、溶液又は懸濁液で加えられる。好適には、適切な有機溶媒、例えば上述したもの、好適にはベンゼン、トルエン、キシレン、ＴＨＦ、ジオキサン、最も好適にはトルエン、又はその混合物が用いられる。溶媒の量は、通常、ホウ酸誘導体IIIのモル当り１〜１０リットルの範囲で選択される。
【００６１】
得られた本発明のＤＰＰポリマーは、周知の方法で単離することができる。好適には、反応混合物を室温に冷却した後、それをアセトン中へ注ぎ、次いで得られた沈殿物を好適には濾別し、洗浄し、次いで乾燥する。
【００６２】
ＤＰＰ誘導体IIは既知であり、当分野の既知の方法、例えばUS 4,579,949又はUS 4,585,878に記載されている方法、例えば適切なニトリル又はシッフ塩基の２モルとコハク酸ジエステルの１モルとを塩基及び有機溶媒の存在下に反応させることにより、製造することができる。
【００６３】
本発明の別の実施態様は、本発明のポリマーを含むエレクトロルミネッセンス装置に関する。
【００６４】
最も最近の有機エレクトロルミネッセンス装置の典型的な構成は：
（ｉ）アノード／孔輸送層／電子輸送層／カソード、
ここで、本発明のポリマーは、正孔輸送化合物（それは、発光及び孔輸送層を形成するように利用される）としてか、又は電子輸送化合物（それは、発光及び孔輸送層を形成するように利用することができる）としてかのいずれかとして用いられる、及び
（ii）アノード／孔輸送層／発光層／場合により電子輸送層／カソード、
ここで、本発明のポリマーは、それらがこの構成において正孔又は電子輸送特性又は電子輸送特性を示すかどうかにかかわらず、発光層を形成する。
【００６５】
発光層は、エネルギー供与体（類）及び電子受容体（類）のための、２種以上の本発明のポリマーからなることができる。
【００６６】
この装置は、数種の方法で製造することができる。通常、真空蒸発は、製造のために広く用いられる。好適には、有機層は、商業的に入手し得るインジューム−スズ−オキシド（「ＩＴＯ」）又はフルオロ化−スズ−オキシド（「ＦＴＯ」）ガラス基質上に室温で上記の順序で薄層化され、それはこの構成においてアノードとして働く。膜厚は、好適には、１〜１０，０００nm、更に好適には、１〜５，０００nm、更に好適には、１〜１，０００nm、より好適には１〜５００nmの範囲である。カソード金属、例えばＡｌ、Ｃａ、Ｍｇ／Ａｇ合金及び３０〜２００nmの二層システムは、有機層のトップ上に薄層化される。付着の間の真空は、好適には０．１３３３Ｐａ（１×１０-3トル）、更に好適には１．３３３×１０-3Ｐａ（１×１０-5トル）、より好適には１．３３３×１０-4Ｐａ（１×１０-6トル）である。
【００６７】
アノードとして、金属、例えば金、銀、銅、アルミニウム、インジウム、鉄、亜鉛、錫、クロム、チタン、バナジウム、コバルト、ニッケル、鉛、マンガン、タングステンなど、金属の合金、例えばマグネシウム／銅、マグネシウム／銀、マグネシウム／アルミニウム、アルミニウム／インジウムなど、半導体、例えばＳｉ、Ｇｅ、ＧａＡｓなど、金属酸化物、例えばＩＴＯ、ＦＴＯ、ＺｎＯなど、金属化合物、例えばＣｕＩなど、更に電気伝導性ポリマー、例えばポリアセチレン、ポリアニリン、ポリチオフェン、ポリピロール、ポリパラフェニレンなど、好適にはＩＴＯ又はＦＴＯ、最も好適にはガラス基質上のＩＴＯ又はＦＴＯのような高い作用を有する通常のアノード材料を用いることができる。
【００６８】
それらの電極材料のうち、金属、金属合金及び金属化合物が、例えばスパッタリングの方法により電極へ転換される。電極のための材料として金属又は金属合金を用いる場合に、電極は、真空付着の方法によっても形成することができる。電極を形成する材料として金属又は金属合金を用いる場合に、電極は、更に、化学メッキ（例えば、電気化学ハンドブック、３８３〜３８７頁、丸善 １９８５参照）により形成することができる。導電性ポリマーを用いる場合に、電極は、陰極酸化重合方法の手段により導電性被覆で予め準備されている基質の上のフィルム中にそれを形成させることにより製造することができる。基質上に形成されるべき電極の厚さは、特定の値に限定されないが、基質が発光板として用いられるときには、電極の厚さは、透明性を保証するために、好適には１nm〜１００nm、更に好適には５〜５０nmの範囲である。
【００６９】
好適な実施態様において、ＩＴＯは、１０nm（１００Å）〜１μ（１００００Å）、好適には２０nm（２００Å）〜５００nm（５０００Å）の範囲のＩＴＯフィルムを有する基質上で用いられる。一般的に、ＩＴＯフィルムのシート抵抗は、１００Ω/cm2以下、好適には５０Ω/cm2以下の範囲から選択される。そのようなアノードは、商業的に、例えば Geomatech Co.Ltd.，Sanyo Vacuum Co. Ltd., Nippon Sheet Glass Co. Ltd.のような日本の製造社から入手できる。
【００７０】
基質として、導電性又は電気的絶縁性材料のいずれかを用いることができる。導電性基質を用いる場合、発光層又は正孔輸送層は、直接にその上に形成されるが、一方電気的絶縁基質を用いる場合、電極は、初めにその上に形成され、次いで発光層又は正孔輸送層が、重ねられる。
【００７１】
基質は、透明、半−透明又は不透明のいずれかであり得る。しかしながら、表示平面として、基質を用いる場合に、基質は、透明又は半−透明でなければならない。
【００７２】
透明な電気的絶縁基質は、例えば無機化合物、例えばガラス、石英など、有機ポリマー化合物、例えばポリエチレン、ポリプロピレン、ポリメチルメタクリラート、ポリアクリロニトリル、ポリエステル、ポリカーボナート、ポリビニルクロリド、ポリビニルアルコール、ポリビニルアセタートなどである。それらの基質のそれぞれは、電極を有するそれを上述の方法の一つにより準備することにより、透明な導電基質へ転換することができる。
【００７３】
半−透明な電気絶縁基質の例として、無機化合物、例えばアルミナ、ＹＳＺ（イットリウム安定化ジルコニウム）など、有機ポリマー化合物、例えばポリエチレン、ポリプロピレン、ポリスチレン、エポキシ樹脂などが存在する。それらの基質のそれぞれは、電極を有するそれを上述の方法の一つにより準備することにより、半−透明な導電基質へ転換することができる。
【００７４】
不透明な電気絶縁基質の例として、金属、例えばアルミニウム、インジウム、鉄、ニッケル、亜鉛、錫、クロム、チタン、銅、銀、金、白金など、金属合金、例えばブロンズ、ステンレス鋼など、半導体、例えばＳｉ、Ｇｅ、ＧａＡｓなど、導電性ポリマー、例えばポリアニリン、ポリチオフェン、ポリピロール、ポリアセチレン、ポリパラフェニレンなどが存在する。
【００７５】
基質は、上に記載した材料の一つを所望の寸法に形成することにより得ることができる。基質は、滑らか表面を有することが好適である。しかしながら、粗い表面であっても、２０μｍ未満でない曲率を有する丸い非平面を有するならば、実際の使用にはどのような問題もない。基質の厚さとして、それが十分な機械的強度を保証する限り、制限はない。
【００７６】
カソードとして、例えばアルカリ金属、アルカリ土類金属、１３属の元素、銀及び銅、並びにそれらの合金又は混合物、例えばナトリウム、リチウム、カリウム、ナトリウム−カリウム合金、マグネシウム、マグネシウム−銀合金、マグネシウム−銅合金、マグネシウム−アルミニウム合金、マグネシウム−インジウム合金、アルミニウム、アルミニウム−アルミニウムオキシド合金、アルミニウム−リチウム合金、インジウム、カルシウムのような低い作用効果を有する材料、及びEP−A 499,011に例示されている材料、例えば導電性ポリマー、例えばポリピロール、ポリチオフェン、ポリアニリン、ポリアセチレンなど、好適にはＡｌ、Ｇａ、Ｍｇ／Ａｇ合金、又はＬｉ−Ａｌ組成物が用いることができる。
【００７７】
そのようなカソードは、上述した既知の真空付着技法により、前述の電子輸送層上に析出させることができる。
【００７８】
本発明の好適な実施態様において、発光層は、孔輸送層と電子輸送層（場合により）それぞれカソードの間で用いることができる。通常、孔輸送層の上に本発明のＤＰＰポリマーの薄いフィルムを形成させることにより製造される。
【００７９】
該薄いフィルムを形成する方法として、例えば真空付着法、スピン−被覆法、流延法、ラングミュア−ブロジェット（ＬＢ）法などがある。それらの方法のうち、真空付着法、スピン−被覆法及び流延法は、操作及びコストの点から、特に好適である。
【００８０】
本発明のＤＰＰポリマーを用い、真空付着法により薄いフィルムを形成する場合に、真空析出が実施される条件は、通常、化合物の特性、形状及び結晶状態に強く依存する。しかしながら、最適条件は、例えば加熱ボートの温度、１００〜４００℃の範囲、基質温度−１００〜３５０℃、圧力１.３３×１０4Ｐａ（１×１０2トル）〜１.３３×１０-4Ｐａ（１Ｘ１０-6トル）及び付着速度１pm〜６nm/secの範囲で選択される。
【００８１】
有機ＥＬ素子において、それの発光層の厚さは、その発光特性を決定するファクターの一つである。例えば、発光層が十分に厚くなければ、該発光層を挟む二つの電極の間に、短い回路が容易に生起することができ、ＥＬ発光は得られない。一方、発光層が過剰に厚ければ、その高い電気抵抗のために、発光層の内部に大きな電圧低下が起こり、そのためにＥＬ発光のための閾値電圧が増大する。したがって、有機発光層の厚さを５nm〜５μmの範囲に制限することが必要である。好適な厚さは、１０nm〜５００nmの範囲である。
【００８２】
スピン被覆法及び流延法を用いて発光層を形成する場合に、被覆は、本発明のＤＰＰポリマーを、適切な有機溶媒、例えばベンゼン、トルエン、キシレン、テトラヒドロフラン、メチルテトラヒドロフラン、Ｎ，Ｎ−ジメチル孔ムアミド、ジクロロメタン、ジメチルスルホキシドなどに０．０００１〜９０重量％の濃度で溶解することにより調製した溶液を用いて実施することができる。ここで、本発明のＤＰＰポリマーの濃度が高ければ、得られたフィルムの厚さは厚くなり、一方濃度が低ければ、得られたフィルムはより薄くなる。しかしながら、濃度が９０重量％を超えると、溶液は、通常粘稠であり、もはや平滑かつ均一なフィルムを形成しない。一方、概して、濃度が０．０００１％未満であれば、フィルムを形成する効率が低すぎて経済的ではない。したがって、本発明のＤＰＰポリマーの好適な濃度は、０．０１〜８０重量％の範囲内である。
【００８３】
スピン被覆又は流延法を用いる場合に、発光層を形成するための溶液中にポリマー結合剤を加えることにより、得られた層の均一性及び機械的強度を更に改善することができる。それが、ＤＰＰＩが溶解する溶媒中に溶解されるならば、原理的に、どのようなポリマー結合剤も用いることができる。そのようなポリマー結合剤の例は、ポリカーボナート、ポリビニルアルコール、ポリメタクリラート、ポリメチルメタクリラート、ポリエステル、ポリビニルアセタート、エポキシ樹脂などである。発光層を形成するための溶液は、本発明のＤＰＰポリマー、ポリマー結合剤及び溶媒のどのような濃度であってもよい。しかしながら、もし、ポリマー結合剤及び本発明のポリマーの固体含量が、９９重量％を超えるならば、溶液の流動性は、通常低いので、均一性において優れた発光層を形成することはできない。他方、もし本発明のＤＰＰの含量が、ポリマー結合剤のそれよりも実質的に小さいならば、一般的に、該層の電気抵抗は非常に大きいので高い電圧がそれに印加されないかぎり、光を発光しない。更に、層中の本発明のＤＰＰポリマーの濃度がこの場合小さいので、その発光効率は、比較的低い。したがって、ポリマー結合剤の本発明のＤＰＰポリマーに対する好適な組成比は、１０：１〜１：５０重量での範囲から選択され、溶液中での両方の成分からなる固体含量は、好適には、０．０１〜８０重量％、更に好適には約０．１〜６０重量％の範囲である。
【００８４】
スピン被覆又は流延法により発光層を形成する場合に、該層の厚さは、真空付着法により発光層を形成する場合と同じ方法で選択することができる。すなわち、層の厚さは、好適には５nm〜５μｍ、更に好適には１０nm〜５００μｍの範囲から選択される。
【００８５】
正孔輸送層として、既知の有機孔輸送化合物、例えば
ポリビニルカルバゾール：
【００８６】
【化２５】
0004719341.tif 000019
【００８７】
J. Amer. Chem. Soc. 90 (1968) 3925に開示されたトリフェニルアミン誘導体（ＴＰＤ）
【００８８】
【化２６】
0004719341.tif 000020
【００８９】
（式中、Ｚ1及びＺ2は、それぞれ水素原子又はメチルを表す）
J. Appl. Phys. 65(9) (1989) 3610に開示された化合物：
【００９０】
【化２７】
0004719341.tif 000021
【００９１】
スチルベンに基づく化合物：
【００９２】
【化２８】
0004719341.tif 000022
【００９３】
（式中、Ｔ及びＴ1は、有機基を表す）
ポリ（ジオキシエチレンチエニレン）（ＰＥＤＯＴ）
ヒドラゾンに基づく化合物：
【００９４】
【化２９】
0004719341.tif 000023
【００９５】
などである。
【００９６】
正孔輸送材料として用いられる化合物は、上記の表に限定されない。正孔を輸送する特性を有するいかなる化合物も、トリアゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、イミダゾール誘導体、ポリアリールアルカン誘導体、ピラゾリン誘導体、ピラゾロン誘導体、フェニレン誘導体、アリールアミン誘導体、アミノ置換カルコン誘導体、オキサゾール誘導体、スチルベンアントラセン誘導体、フルオレノン誘導体、ヒドラゾン誘導体、スチルベン誘導体、アニリン誘導体のコポリマー、電子伝導性オリゴマー、特にチオフェンオリゴマー、ポリフィリン化合物、芳香族第三アミン化合物、スチルベニルアミン化合物などのような正孔輸送材料として用いることができる。
【００９７】
特に、芳香族第三アミン化合物、例えばＮ，Ｎ，Ｎ′，Ｎ′−テトラフェニル−４，４′−ジアミノビフェニル、Ｎ，Ｎ′−ジフェニル−Ｎ，Ｎ′−ビス（３−メチルフェニル）−４，４′−ジアミノビフェニル（ＴＰＤ）、２，２′−ビス（ジ−ｐ−トリルアミノフェニル）プロパン、１，１′−ビス（４−ジ−トリルアミノフェニル）−４−フェニルシクロヘキサン、ビス（４−ジメチルアミノ−２−メチルフェニル）フェニルメタン、ビス（４−ジ−ｐ−トリルアミノフェニル）フェニル−メタン、Ｎ，Ｎ′−ジフェニル−Ｎ，Ｎ′−ジ（４−メトキシフェニル）−４，４′−ジアミノビフェニル、Ｎ，Ｎ，Ｎ′，Ｎ′−テトラフェニル−４，４′ジアミノジフェニルエーテル、４，４′−ビス（ジフェニルアミノ）クオータフェニル、Ｎ，Ｎ，Ｎ−トリ（ｐ−トリル）アミン、４−（ジ−ｐ−トリルアミノ）−４′−［４−（ジ−ｐ−トリルアミノ）スチリル］スチルベン、４−Ｎ，Ｎ−ジフェニルアミノ−（２−ジフェニルビニル）ベンゼン、３−メトキシ−４′−Ｎ，Ｎ−ジフェニルアミノスチルベン、Ｎ−フェニルカルバゾールなどを用いることができる。
【００９８】
更に、４，４′−ビス〔Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−フェニルアミノ〕ビフェニル（US 5,061,569に開示されている）、３つのトリフェニルアミン単位が、星の輝きのように窒素に結合している化合物、例えば４，４′，４″−トリス〔Ｎ−（３−メチルフェニル）−Ｎ−フェニルアミノ〕トリフェニルアミン（EP−A 508,562に記載されている）。
【００９９】
正孔輸送層は、アノード上に少なくとも１種の正孔輸送材料を含む有機フィルムにより形成することができる。正孔輸送層は、真空付着法、スピン被覆法、流延法、ＬＢ法などにより製造することができる。それらの方法のうち、真空付着法、スピン被覆法及び流延法は、容易さとコストの点から特に好適である。
【０１００】
真空付着法を用いる場合に、付着のための条件は、発光層の形成のために記載したのと同じ方法で選択される（上記参照）。一つ以上の正孔輸送材料からなる正孔輸送層を形成することが所望ならば、所望の化合物を用いて共付着方法を実施することができる。
【０１０１】
スピン被覆法又は流延法により正孔輸送層を形成する場合に、層は、発光層の形成のために記載した条件下で形成することができる（上記参照）。
【０１０２】
ポリマー結合剤を含む溶液を用いて発光層を形成する場合に、平滑な、かつより均一な正孔輸送層は、結合剤及び少なくとも１種の正孔輸送材料を含む溶液を用いて形成することができる。そのような溶液を用いる被覆は、ポリマー結合剤を用いる発光層の形成の場合と同じ方法で実施することができる。少なくとも１種の正孔輸送材料が溶解する溶媒にそれが溶解するならば、いかなるポリマー結合剤も用いることができる。適切なポリマー結合剤及び適切かつ好適な濃度は、発光層の形成を記載したときに上に与えた。正孔輸送層の厚さは、好適には０.５〜１０００nm、好適には１〜１００nm、更に好適には２〜５０nmの範囲で選択される。
【０１０３】
電子−輸送層のための電子輸送材料として、カソードから高い電子注入効率及び高い電子移動性を有することが好適である。以下の材料が、電子輸送材料のために例示することができる：トリス（８−ヒドロキシキノリノアト）−アルミニウム（III）及びその誘導体、ビス（１０−ヒドロキシベンゾ〔ｈ〕キノリノールアト）ベリリウム（II）及びその誘導体、オキサジアゾール誘導体、例えば２−（４−ビフェニル）−５−（４−tert.−ブチルフェニル）−１，３，４−オキサジアゾール及びその二量体システム、例えば１，３−ビス（４−tert.−ブチルフェニル−１，３，４）オキサジアゾリル）−ビフェニレン及び１，３−ビス（４−tert.−ブチルフェニル−１，３，４−オキサジアゾリル）フェニレン、トリアゾール誘導体、フェナントロリン誘導体又はペリレンテトラカルボン酸誘導体、例えばAppl. Phys. Lett. 48 (2) (1986) 183に記載されているもの。
【０１０４】
電子輸送層は、正孔輸送層又は発光層上に少なくとも１種の電子輸送材料を含む有機フィルムを調製することにより形成することができる。電子輸送層は、真空付着法、スピン被覆法、流延法、ＬＢ法などにより形成することができる。
【０１０５】
ポリマー結合剤を含む溶液を用いて、発光層又は正孔輸送層を形成する場合に、平滑かつより均一な電子輸送層は、結合剤及び少なくとも１種の輸送材料を含む溶液を用いて形成することができる。
【０１０６】
一般的に、本発明のポリマーは、１０3〜１０6［１０3cm2mol-1］のモル吸光係数を示す。
【０１０７】
更に好適な実施態様は、電子及び光子装置、例えば、ダイオード、発光ダイオード、光ダイオード、磁場−効果トランジスター、ポリマー格子トリオード、発光電子化学電池、光カップラー及びレーザーでの本発明のポリマーの使用に関する。
【０１０８】
本発明の別の実施態様は、本発明のポリマーを含む、電子及び光子装置、例えばダイオード、発光ダイオード、光ダイオード、磁場−効果トランジスター、ポリマー格子トリオード、発光電子化学電池、光カップラー及びレーザーに関する。
【０１０９】
本発明のポリマーは、改善された加工性及び改善されたエレクトロルミネッセンス強度（ポリ（１，４−フェニレン）に関して１０2〜１０4のファクター）を示す。
【０１１０】
【実施例】
実施例１：ｘモルの１，４−ジケト−２，５−ジ（ｎ−ヘキシル）−３，６−ジ（４−ブロモフェニル）ピロロ−［３.４−c］ピロール（US 4,579,949の例えば実施例２５又は４４に記載された方法により調製された）、（ｘ＋ｙ）モルの２，５−ジ−ｎ−ヘキシルベンゼン−１，４−ビス（ボロン酸）（Makromol. Chem. 191 (1990) 1991により調製された）ｙモルの２，５−ジブロモ−１，４−ジ−ｎ−ヘキシルベンゼン（Synthesis (1988) 386-388）をトルエン（５ml/mmolボロン酸誘導体）中に窒素下で溶解し、１Ｎの水中の炭酸カリウム溶液（５ml/mmolボロン酸誘導体）を加えた。この溶液を還流まで加熱し、トルエン中のテトラキストリフェニル−ホスフィノ−Ｐｄ（０）（ｘ/３５モル）（５ml/mmolボロン酸誘導体）を加えた。この混合物を、２４時間還流し、室温に冷却し、アセトン中へ注いだ。ろ過した後、ポリマーを、アセトン及び水性ＨＣｌで順次洗浄した。最後に、固体、粉末を得た。これは、クロロホルム、トルエン及びキシレンに溶解する。熱特性：融点なし、２５０℃以上で徐徐に分解。組成及び特徴的性質は、下記表１を参照：
【０１１１】
1Ｈ−ＮＭＲ；（ＣＤＣｌ3）：δ（ppm）：０．７−１．８（ｎ−ヘキシルのＣＨ2、ＣＨ3）、２.６３（ＤＰＰのとなりのフェニレンのｎ−ヘキシルのα−ＣＨ2）、２.４２（別のフェニレンのとなりのフェニレンのｎ−ヘキシルのα−ＣＨ2）、３.８４ （ＤＰＰのｎ−ヘキシルのα−ＣＨ2）、７.１９（ｍ、フェニレンのＣＨ）、７.５５（ｄ、ＤＰＰのＣＨ）、７.９３（ｄ、ＤＰＰのＣＨ）。
ＵＶ／ＶＩＳ吸収（ＣＨＣｌ3）:λmax＝４８８nm
ホトルミネッセンス（ＣＨＣｌ3）:λmax＝５４４nm
【０１１２】
実施例２：４３３.９mgの１，４−ジケト−２，５−ジ（ｉ−ペンチル）−３，６−ジ（４−ブロモフェニル）ピロロ−［３.４−c］ピロール、５００.０mgの２，５−ジ−ｉ−ペントキシベンゼン−１，４−ビス（ホウ酸）及び３０２.０mgの２，５−ジブロモ−１，４−ジ−ｉ−ペントキシベンゼンを、テトラヒドロフラン２０ml中に窒素雰囲気下で溶解し、水中のＮａＨＣＯ3の１Ｎ溶液２０mlを加えた。この溶液を還流まで加熱し、テトラヒドロフラン５ml中の１７mgのテトラキストリフェニルホスフィノ−Ｐｄ（０）を加えた。この混合物を７２時間還流し、室温に冷却した後、メタノール中へ注いだ。ろ過した後、ポリマーを水で洗浄し、メタノールを添加してクロロホルムから再結晶した。Ｍw＝４５００g/molの分子量を有する粉末を得た（ポリマー１１：表１参照）
【０１１３】
1Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3）：δ（ppm）:０.７−１.６（ｉ−ペンチルのＣＨ2、ＣＨ3）、３.８９（ＤＰＰでのｉ−ペンチルのα−ＣＨ2）、３.９５（フェニレンのｉ−ペントキシのα−ＣＨ2）、６.９並びに７.０、７.６、７.７６及び７.９（ＤＰＰ及びフェニレンの芳香族プロトン）。
ＵＶ／ＶＩＳ吸収（ＣＨＣｌ3）：λmax＝４９３、３０５nm
フルオレセンス：λmax＝５５８nm
【０１１４】
表１：（コ）ポリマーの組成及び特徴的性質
【０１１５】
【表１】
0004719341.tif 000024
【０１１６】
Ｐwは、Ｍw／Ｍとして定義され、ここで、Ｍは、ｘ及びｙによる秤量したモノマーのそれぞれの相当するモノマーの分子量である。
ｘは、ＣＤＣｌ3中での本発明のポリマーの1Ｈ−ＮＭＲスペクトロスコピーにより決定した。
分子量は、サイズ排除クロマトグラフィ（「ＳＥＣ」）（Waters/Millipore UV detector 481及びＳＥＣカラム組み合せLatek/styragel ５０/１０００nm pore size）を用いて決定した。
全ての測定は、テトラヒドロフラン中、４５℃で実施した。カラムは、商業的に入手し得るポリスチレン標準により測定した。
【０１１７】
実施例３：８３mgのポリマー１を、４.５mlのクロロホルムに溶解した。インジウム−スズ−オキシド（ＩＴＯ）（１００nm）及びポリ（ジオキシエチレンチエニレン）（「ＰＥＤＯＴ」）／ＰＳＳ（バイトロンＰ（Baytron）Ｐ（商標）：Bayer AGから）（５０nm）で被覆したガラス基質を用い、そしてスピン被覆を用いて、ポリマー１のフィルム（フィルムの厚さ：１００nm）で被覆した；被覆条件は、１５００回転／分、１０秒、加速時間は、１秒、２０００回転／分、２０秒、加速時間１秒、そして１０００回転／分、３０秒、減速時間２秒。続いて、このフィルムを、付着法（圧力：６・１０-6ｍｂａｒ）を用いて、厚さ５０nmのＡｌの層で被覆した。
【０１１８】
エレクトロルミネッセンス測定は、自作のサンプルホルダーを有するHP 16442A試験固定装置を用いて、窒素雰囲気下で実施した。電圧は、０〜２０Ｖの範囲から選択し、電流は、HP 4155A半導体パラメーターアナライザーで検出し、光力は、Hamamatsu S2281-01シリコンホトダイオードを用いて測定した。エレクトロルミネッセンススペクトルは、１５０g/mmの光格子を有するＬＮ／ＣＣＤ検出器を用いて測定した。１５Ｖで、光力は、３・１０-2mW/cm2、電流密度：２・１０-1Ａ／cm2であり、そしてλmax＝６２３nm。
【０１１９】
実施例４：１２０mgのポリマー２を、５.５mlのクロロホルムに溶解し、スピン−被覆を用いて、１００nmの厚さのフィルムを、ＩＴＯ（１００nm）及びＰＥＤＯＴ（５０nm）上に調製した；被覆条件は、１５００回転／分、１０秒、加速時間は、１秒、２０００回転／分、２０秒、加速時間１秒、そして１０００回転／分、３０秒、減速時間２秒。続いて、このフィルムを、付着法（圧力：６・１０-6ｍｂａｒ）を用いて、厚さ５０nmのＡｌの層で被覆した。
【０１２０】
エレクトロルミネッセンス特性は、実施例２記載のように測定した。１５Ｖで、光力は、８・１０-2mW/cm2、電流密度：５・１０-2Ａ／cm2であり、そしてλmax＝６２３nm。
【０１２１】
実施例５：８０mgのポリマー３を６mlのクロロホルムに溶解した。スピン−被覆を用いて、１００nmの厚さのフィルムを、ＩＴＯ（１００nm）及びＰＥＤＯＴ（５０nm）上に調製した；被覆条件は、１２００回転／分、１０秒、加速時間は、３秒、１８００回転／分、２０秒、加速時間３秒、そして１０００回転／分、３０秒、減速時間２秒。続いて、このフィルムを、付着法（圧力：６・１０-6ｍｂａｒ）を用いて、厚さ５０nmのＡｌの層で被覆した。
【０１２２】
エレクトロルミネッセンス特性は、実施例２記載のように測定した。１５Ｖで、光力は、５・１０-3mW/cm2、電流密度：５．５・１０-2Ａ/cm2であり、そしてλmax＝６２３nm。
【０１２３】
実施例６：８３mgのポリマー５を６mlのクロロホルムに溶解した。スピン−被覆を用いて、１００nmの厚さのフィルムを、ＩＴＯ（１００nm）及びＰＥＤＯＴ（５０nm）上に調製した；被覆条件は、１８００回転／分、１０秒、加速時間は、１秒、２２００回転／分、２０秒、加速時間１秒、そして１０００回転／分、３０秒、減速時間２秒。続いて、このフィルムを、付着法（圧力：６・１０-6ｍｂａｒ）を用いて、厚さ５０nmのＡｌの層で被覆した。
【０１２４】
エレクトロルミネッセンス特性は、実施例２記載のように測定した。１５Ｖで、光力は、８・１０-4mW/cm2、電流密度：２・１０-3Ａ/cm2であり、そしてλmax＝６２３nm。
【０１２５】
実施例７：１２０mgのポリマー６を６mlのクロロホルムに溶解した。スピン−被覆を用いて、１００nmの厚さのフィルムを、ＩＴＯ（１００nm）及びＰＥＤＯＴ（５０nm）上に調製した；被覆条件は、１５００回転／分、１０秒、加速時間は、１秒、２０００回転／分、２０秒、加速時間１秒、そして１０００回転／分、３０秒、減速時間２秒。続いて、このフィルムを、付着法（圧力：６・１０-6ｍｂａｒ）を用いて、厚さ５０nmのＡｌの層で被覆した。
【０１２６】
エレクトロルミネッセンス特性は、実施例２記載のように測定した。１５Ｖで、光力は、５・１０-4mW/cm2、電流密度：１．５・１０-3Ａ/cm2であり、そしてλmax＝６２３nm。
【０１２７】
実施例８：実施例３の同じ方法を、Ａｌに代えてＣａ（１００nm）析出したことを除いて、実施した。
【０１２８】
エレクトロルミネッセンス特性は、実施例２記載のように測定した。１５Ｖで、光力は、４・１０-3mW/cm2、電流密度：３・１０-3Ａ/cm2であり、そしてλmax＝６２３nm。
【０１２９】
実施例９：８５mgのポリマー１を、５mlのクロロホルムに溶解した。スピン−被覆を用いて、１００nmの厚さのフィルムを、ＩＴＯ（１００nm）及びＰＥＤＯＴ（５０nm）上に調製した；被覆条件は、１８００回転／分、１０秒、加速時間は、１秒、２０００回転／分、２０秒、加速時間１秒、そして１０００回転／分、３０秒、減速時間２秒。続いて、このフィルムを、付着法（圧力：６・１０-6ｍｂａｒ）を用いて、厚さ５０nmのＡｌの層で被覆した。
【０１３０】
１４Ｖでのエレクトロルミネッセンス特性（窒素下）は、λmax＝６２３nm、光力：３・１０-3mW/cm2、電流密度：９・１０-1Ａ/cm2。
【０１３１】
実施例１０：７０mgのポリマー３を６mlのクロロホルムに溶解した。スピン−被覆を用いて、７５nmの厚さのフィルムを、ＩＴＯ（１００nm）及びＰＥＤＯＴ（５０nm）上に調製した；被覆条件は、１５００回転／分、１０秒、加速時間は、１秒、２０００回転／分、２０秒、加速時間１秒、そして１０００回転／分、３０秒、減速時間２秒。続いて、このフィルムを、付着法（圧力：６・１０-6ｍｂａｒ）を用いて、厚さ５０nmのＡｌの層で被覆した。
【０１３２】
２０Ｖでのエレクトロルミネッセンス特性（窒素下）は、λmax＝６２３nm、光力：４・１０-4mW/cm2、電流密度：４・１０-2Ａ／cm2。
【０１３３】
実施例１１：１００mgのポリマー２を、５.５mlのクロロホルムに溶解した。スピン−被覆を用いて、７５nmの厚さのフィルムを、ＩＴＯ（１００nm）及びＰＥＤＯＴ（５０nm）上に調製した；被覆条件は、１８００回転／分、１０秒、加速時間は、１秒、２２００回転／分、２０秒、加速時間１秒、そして１０００回転／分、３０秒、減速時間２秒。続いて、このフィルムを、付着法（圧力：６・１０-6ｍｂａｒ）を用いて、厚さ５０nmのＡｌの層で被覆した。
【０１３４】
２０Ｖでのエレクトロルミネッセンス特性（窒素下）は、λmax＝６２３nm、光力：２・１０-4mW/cm2、電流密度：６・１０-2Ａ/cm2。
【０１３５】
実施例１２：８８mgのポリマー１を４mlのクロロホルムに溶解した。スピン−被覆を用いて、１００nmの厚さのフィルムを、ＩＴＯ（１００nm）及びＰＥＤＯＴ（〜５０nm）上に調製した；被覆条件は、１５００回転／分、１０秒、加速時間は、１秒、２０００回転／分、２０秒、加速時間１秒、そして１０００回転／分、３０秒、減速時間２秒。続いて、このフィルムを、付着法（圧力：６・１０-6ｍｂａｒ）を用いて、厚さ５０nmのＡｌの層で被覆した。
【０１３６】
２０Ｖでのエレクトロルミネッセンス特性（窒素下）は、λmax＝７２７nmを有する広いＥＩ−スペクトル、光力：２・１０-4mW/cm2、電流密度：１・１０-1Ａ/cm2。
【０１３７】
実施例１３：８８mgのポリマー１を４mlのクロロホルムに溶解した。スピン−被覆を用いて、１００nmの厚さのフィルムを、ＩＴＯ（１００nm）及びＰＥＤＯＴ（５０nm）上に調製した；被覆条件は、１５００回転／分、１０秒、加速時間は、１秒、２０００回転／分、２０秒、加速時間１秒、そして１０００回転／分、３０秒、減速時間２秒。続いて、このフィルムを、付着法（圧力：６・１０-6ｍｂａｒ）を用いて、厚さ５０nmのＡｌの層で被覆した。
【０１３８】
２０Ｖでのエレクトロルミネッセンス特性（窒素下）は、λmax＝７２７nmを有する広いＥＩ−スペクトル、光力：１．５・１０-4mW/cm2、電流密度：３・１０-1Ａ/cm2。