(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
パワー半導体デバイスが搭載されるべき、複数のセラミック層を積層してなるセラミック多層基板であって、
(ａ)前記セラミック多層基板本体の内部に配設された、冷媒を流通させるための冷媒流路と、
(ｂ)前記冷媒流路と前記パワー半導体デバイスとを熱的に接続するための、前記セラミック層の積層方向に延び、かつ、前記冷媒流路中に突出したビアホール導体と
を備えていることを特徴とするセラミック多層基板。
【請求項２】
前記ビアホール導体の先端部に金属板が接続されていることを特徴とする、請求項１記載のセラミック多層基板。
【請求項３】
前記冷媒流路の内壁面の少なくとも一部に金属膜が配設されており、該金属膜が前記ビアホール導体に接続されていることを特徴とする、請求項１または２記載のセラミック多層基板。
【請求項４】
前記冷媒流路が、前記セラミック層の積層方向または該積層方向に直交する方向に複数設けられていることを特徴とする、請求項１〜３のいずれかに記載のセラミック多層基板。
【請求項５】
前記セラミック層が、低温焼結セラミック材料によって形成されており、前記ビアホール導体は、銀または銅を主成分とする金属材料によって形成されていることを特徴とする、請求項１〜４のいずれかに記載のセラミック多層基板。
【請求項６】
前記セラミック多層基板中には、インダクタまたはコンデンサを構成する内部電極が設けられていることを特徴とする、請求項１〜５のいずれかに記載のセラミック多層基板。
【請求項７】
パワー半導体デバイスが搭載されるべき、複数のセラミック層を積層してなるセラミック多層基板の製造方法であって、
(ａ)複数の未焼成セラミック層を積層してなる未焼成セラミック積層体の内部に、前記未焼成セラミック層が焼結する温度では実質的に焼結しない所定パターンの難焼結性部材が配設され、かつ、
前記未焼成セラミック積層体の表面から、内部に配設された前記難焼結性部材にまで達するビアホール導体が配設された構造を有する未焼成複合積層体を形成する工程と、
(ｂ)前記未焼成複合積層体を、前記未焼成セラミック層が焼結し、前記難焼結性部材が実質的に焼結しない温度で焼成する工程と、
(ｃ)焼成済み複合積層体から前記難焼結性部材を取り除くことにより、内部に、冷媒を流通させるための冷媒流路を形成するとともに、前記冷媒流路に前記ビアホール導体の一部を露出させて、冷媒流路と、搭載されるパワー半導体デバイスとを熱的に接続するためのビアホール導体とを備えたセラミック多層基板を得る工程と
を備えることを特徴とする、セラミック多層基板の製造方法。
【請求項８】
前記(ａ)の未焼成複合積層体を形成する工程において、前記未焼成複合積層体の表面に、さらに、前記未焼成セラミック層が焼結する温度では実質的に焼結しない補助層を設ける工程を備えていることを特徴とする、請求項７のセラミック多層基板の製造方法。
【請求項９】
パワー半導体デバイスが搭載されるべき、複数のセラミック層を積層してなるセラミック多層基板の製造方法であって、
(ａ)複数の未焼成セラミック層を積層してなる未焼成セラミック積層体と、前記未焼成セラミック積層体の両主面側に配設された、前記未焼成セラミック層が焼結する温度では実質的に焼結しない材料からなる補助層とを備え、前記未焼成セラミック積層体の一方の主面側から、他方の主面側の前記補助層にまで達するビアホール導体を備えた補助層付き未焼成セラミック積層体を形成する工程と、
(ｂ)前記補助層付き未焼成セラミック積層体の、前記ビアホール導体が達している方の前記補助層が配設された面に、凸部を有する型を合わせてプレスし、前記補助層付き未焼成セラミック積層体に凹部を形成する工程と、
(ｃ)前記凹部が形成された前記補助層付き未焼成セラミック積層体を、前記未焼成セラミック層が焼結し、前記補助層が実質的に焼結しない温度で焼成する工程と、
(ｄ)焼成後の補助層付きセラミック積層体から前記補助層を取り除くことにより、前記他方の主面に凹部を有し、該凹部にビアホール導体が露出した焼成済みセラミック積層体を得る工程と、
(ｅ)前記焼成済みセラミック積層体の前記凹部が形成された面に、予め用意しておいた他の焼成済みセラミック積層体を接合し、前記凹部を封止して冷媒流路を形成することにより、内部に冷媒を流通させるための冷媒流路を備え、かつ、前記冷媒流路と前記パワー半導体デバイスとを熱的に接続するためのビアホール導体を備えたセラミック多層基板を得る工程と
を備えることを特徴とする、セラミック多層基板の製造方法。
【請求項１０】
前記(ａ)の補助層付き未焼成セラミック積層体を形成する工程において、前記未焼成セラミック積層体の一方の主面側から、他方の主面側の前記補助層にまで達するビアホール導体が、
(ａ)前記補助層の表面にまで達している状態、
(ｂ)前記補助層の厚み方向の途中にまで達している状態、
(ｃ)前記補助層を貫通している状態
のいずれかの状態にあることを特徴とする、請求項９記載のセラミック多層基板の製造方法。
【請求項１１】
複数のセラミック層を積層してなるセラミック多層基板上にパワー半導体デバイスが搭載されているパワー半導体モジュールであって、  
前記セラミック多層基板として、内部に、冷媒を流通させるための冷媒流路と、前記冷媒流路と前記パワー半導体デバイスとを熱的に接続するための、前記冷媒流路中に突出したビアホール導体とを備えたセラミック多層基板が用いられていること
を特徴とする、パワー半導体モジュール。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本願発明は、セラミック多層基板、その製造方法、およびパワー半導体モジュールに関し、詳しくは、動作中に多量の熱を発生するパワー半導体デバイスを冷却するための冷却機構を備えたセラミック多層基板、その製造方法、およびパワー半導体モジュールに関する。
【背景技術】
【０００２】
パワーアンプやＣＰＵ（Ｃｅｎｔｒａｌ  Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ  Ｕｎｉｔ：中央演算処理装置）のような、いわゆるパワー半導体デバイスは、その動作中に多量の熱を発生するため、その熱を効率よく逃がすことが必要になる。
そのための方法としては、基板上に搭載されたパワー半導体デバイスに放熱フィンを設け、空冷する方法（いわゆる空冷式のパワー半導体モジュール）が一般的に用いられている。
【０００３】
一方、冷却能力をさらに向上させるため、冷媒流路を有する基板上にパワー半導体デバイスを搭載する方式（いわゆる水冷式のパワー半導体モジュール）が提案されている。
この水冷式のパワー半導体モジュールにおいては、半導体を搭載するための基板として、アルミニウムや銅のような金属板に冷媒流路を付加してなる金属基板を用いるのが一般的であるが、図２１に示すように、セラミック基板中に冷媒流路を形成したものも提案されている（特許文献１）。
【０００４】
このセラミック多層基板は、図２１に示すように、内部に冷媒流路５２を備えたセラミック基板５１の表面に回路５３を形成し、その上に半導体部品５４を搭載した構造を有している。そして、このセラミック多層基板においては、セラミック基板５１の内部に冷媒流路５２が形成されており、金属板に冷媒流路を付加したものに比べて軽量であるという利点を有しているとともに、製造が容易でコスト的にも有利であるとされている。
【０００５】
しかしながら、セラミック材料は金属材料に比べて熱伝導率が小さく、上記のセラミック多層基板のように、セラミック基板５１中に冷媒流路５２を形成しただけでは、セラミック基板５１そのものの熱伝導率が低いため、搭載された半導体部品（パワー半導体デバイス）５４を必ずしも十分に冷却することができないという問題点がある。
【特許文献１】特開２００２−３２９９３８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本願発明は、上記課題を解決するものであり、内部に冷媒流路を備え、冷却能力に優れているばかりでなく、製造が容易で、経済性にも優れたセラミック多層基板、その製造方法、および、該セラミック多層基板を用いたパワー半導体モジュールを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記課題を解決するために、本願発明（請求項１）のセラミック多層基板は、
パワー半導体デバイスが搭載されるべき、複数のセラミック層を積層してなるセラミック多層基板であって、
(ａ)前記セラミック多層基板本体の内部に配設された、冷媒を流通させるための冷媒流路と、
(ｂ)前記冷媒流路と前記パワー半導体デバイスとを熱的に接続するための、前記セラミック層の積層方向に延び、かつ、前記冷媒流路中に突出したビアホール導体と
を備えていることを特徴としている。
【０００８】
また、請求項２のセラミック多層基板は、請求項１の発明の構成において、前記ビアホール導体の先端部に金属板が接続されていることを特徴としている。
【０００９】
請求項３のセラミック多層基板は、請求項１または２発明の構成において、前記冷媒流路の内壁面の少なくとも一部に金属膜が配設されており、該金属膜が前記ビアホール導体に接続されていることを特徴としている。
【００１０】
請求項４のセラミック多層基板は、請求項１〜３のいずれかの発明の構成において、前記冷媒流路が、前記セラミック層の積層方向または該積層方向に直交する方向に複数設けられていることを特徴としている。
【００１１】
また、請求項５のセラミック多層基板は、請求項１〜４のいずれかに記載の発明の構成において、前記セラミック層が、低温焼結セラミック材料によって形成されており、前記ビアホール導体は、銀または銅を主成分とする金属材料によって形成されていることを特徴としている。
【００１２】
また、請求項６のセラミック多層基板は、請求項１〜５のいずれかに記載の発明の構成において、前記セラミック多層基板中には、インダクタまたはコンデンサを構成する内部電極が設けられていることを特徴としている。
【００１３】
また、本願発明（請求項７）のセラミック多層基板の製造方法は、
パワー半導体デバイスが搭載されるべき、複数のセラミック層を積層してなるセラミック多層基板の製造方法であって、
(ａ)複数の未焼成セラミック層を積層してなる未焼成セラミック積層体の内部に、前記未焼成セラミック層が焼結する温度では実質的に焼結しない所定パターンの難焼結性部材が配設され、かつ、
前記未焼成セラミック積層体の表面から、内部に配設された前記難焼結性部材にまで達するビアホール導体が配設された構造を有する未焼成複合積層体を形成する工程と、
(ｂ)前記未焼成複合積層体を、前記未焼成セラミック層が焼結し、前記難焼結性部材が実質的に焼結しない温度で焼成する工程と、
(ｃ)焼成済み複合積層体から前記難焼結性部材を取り除くことにより、内部に、冷媒を流通させるための冷媒流路を形成するとともに、前記冷媒流路に前記ビアホール導体の一部を露出させて、冷媒流路と、搭載されるパワー半導体デバイスとを熱的に接続するためのビアホール導体とを備えたセラミック多層基板を得る工程と
を備えることを特徴としている。
【００１４】
また、請求項８のセラミック多層基板の製造方法は、請求項７の発明の構成において、前記未焼成複合積層体の表面に、さらに、前記未焼成セラミック層が焼結する温度では実質的に焼結しない補助層を設ける工程を備えていることを特徴ととしている。
【００１５】
また、本願発明（請求項９）のセラミック多層基板の製造方法は、
パワー半導体デバイスが搭載されるべき、複数のセラミック層を積層してなるセラミック多層基板の製造方法であって、
(ａ)複数の未焼成セラミック層を積層してなる未焼成セラミック積層体と、前記未焼成セラミック積層体の両主面側に配設された、前記未焼成セラミック層が焼結する温度では実質的に焼結しない材料からなる補助層とを備え、前記未焼成セラミック積層体の一方の主面側から、他方の主面側の前記補助層にまで達するビアホール導体を備えた補助層付き未焼成セラミック積層体を形成する工程と、
(ｂ)前記補助層付き未焼成セラミック積層体の、前記ビアホール導体が達している方の前記補助層が配設された面に、凸部を有する型を合わせてプレスし、前記補助層付き未焼成セラミック積層体に凹部を形成する工程と、
(ｃ)前記凹部が形成された前記補助層付き未焼成セラミック積層体を、前記未焼成セラミック層が焼結し、前記補助層が実質的に焼結しない温度で焼成する工程と、
(ｄ)焼成後の補助層付きセラミック積層体から前記補助層を取り除くことにより、前記他方の主面に凹部を有し、該凹部にビアホール導体が露出した焼成済みセラミック積層体を得る工程と、
(ｅ)前記焼成済みセラミック積層体の前記凹部が形成された面に、予め用意しておいた他の焼成済みセラミック積層体を接合し、前記凹部を封止して冷媒流路を形成することにより、内部に冷媒を流通させるための冷媒流路を備え、かつ、前記冷媒流路と前記パワー半導体デバイスとを熱的に接続するためのビアホール導体を備えたセラミック多層基板を得る工程と
を備えることを特徴としている。
【００１６】
また、請求項１０のセラミック多層基板の製造方法は、請求項９の発明の構成において、
前記未焼成セラミック積層体の一方の主面側から、他方の主面側の前記補助層にまで達するビアホール導体が、
(ａ)前記補助層の表面にまで達している状態、
(ｂ)前記補助層の厚み方向の途中にまで達している状態、
(ｃ)前記補助層を貫通している状態
のいずれかの状態にあることを特徴としている。
【００１７】
また、本願発明（請求項１１）のパワー半導体モジュールは、
複数のセラミック層を積層してなるセラミック多層基板上にパワー半導体デバイスが搭載されているパワー半導体モジュールであって、  
前記セラミック多層基板として、内部に、冷媒を流通させるための冷媒流路と、前記冷媒流路と前記パワー半導体デバイスとを熱的に接続するための、前記冷媒流路中に突出したビアホール導体とを備えたセラミック多層基板が用いられていること
を特徴としている。
【発明の効果】
【００１８】
本願発明（請求項１）のセラミック多層基板は、(ａ)セラミック多層基板本体の内部に配設された、冷媒を流通させるための冷媒流路と、(ｂ)冷媒流路とパワー半導体デバイスとを熱的に接続するための、セラミック層の積層方向に延び、かつ、前記冷媒流路中に突出したビアホール導体とを備えており、パワー半導体デバイスから熱を逃がす機能を果たすビアホール導体（サーマルビアホール導体）が冷媒によって冷却されるため、冷却能力を著しく向上させることが可能になる。その結果、少ないビアホール導体で効率よくパワー半導体デバイスを冷却することが可能になり、冷却性能に優れ、かつ、生産性にも優れたセラミック多層基板を提供することができるようになる。
【００１９】
また、冷媒流路中に、ビアホール導体を突出させるようにしているので、ビアホール導体と冷媒との接触面積を増大させて、冷却性能をさらに向上させることが可能になる。
【００２０】
また、請求項２のセラミック多層基板のように、請求項１の発明の構成において、ビアホール導体の先端部に金属板を接続するようにした場合、金属板によって冷媒との接触面積を増大させることが可能になり、冷却性能をさらに向上させることが可能になる。
【００２１】
請求項３のセラミック多層基板のように、請求項１または２の発明の構成において、冷媒流路の内壁面の少なくとも一部に金属膜を配設し、該金属膜をビアホール導体に接続するようにした場合、冷媒流路の内壁面に形成された面積の広い金属膜を介して、ビアホール導体から冷媒に効率よく熱を伝えて、より冷却性能の高いセラミック多層基板を得ることが可能になる。
【００２２】
また、請求項４のセラミック多層基板のように、請求項１〜３のいずれかに記載の発明の構成において、冷媒流路を、セラミック層の積層方向または該積層方向に直交する方向に複数設けるようにした場合、冷却効率の高いセラミック多層基板を得ることができる。
ただし、本願発明のセラミック多層基板において、冷媒流路の配設方向や、冷媒流路の配設数に特別の制約はなく、例えば、セラミック層の積層方向、あるいは該積層方向に直交する方向に複数の冷媒流路を設けることも可能であり、その具体的な経路は、セラミック多層基板の構造や構成などに応じて、種々の態様とすることが可能である。
【００２３】
また、請求項５のセラミック多層基板のように、請求項１〜４のいずれかに記載の発明の構成において、セラミック層を、低温焼結セラミック材料によって形成するとともに、ビアホール導体として、銀または銅を主成分とする金属材料によって形成するようにした場合、焼成工程を低温で実施して、冷媒流路を備え、冷却効率の高いセラミック多層基板を効率よく製造することが可能になり、本願発明をさらに実効あらしめることができる。
【００２４】
また、請求項６のセラミック多層基板のように、請求項１〜５のいずれかに記載の発明の構成において、セラミック多層基板中に、インダクタまたはコンデンサを構成する内部電極を設けるようにした場合、冷媒流路を備え、冷却効率が高く、しかも、種々の回路要素を備えた高機能、高密度のセラミック多層基板を提供することが可能になる。
【００２５】
また、本願発明（請求項７）のセラミック多層基板の製造方法は、(ａ)未焼成セラミック積層体の内部に、未焼成セラミック層が焼結する温度では実質的に焼結しない所定パターンの難焼結性部材が配設され、かつ、未焼成セラミック積層体の表面から、内部に配設された前記難焼結性部材にまで達するビアホール導体が配設された構造を有する未焼成複合積層体を形成する工程と、(ｂ)未焼成複合積層体を、未焼成セラミック層が焼結し、難焼結性部材が実質的に焼結しない温度で焼成する工程と、(ｃ)焼成済み複合積層体から難焼結性部材を取り除くことにより、内部に、冷媒を流通させるための冷媒流路を形成するとともに、冷媒流路にビアホール導体の一部を露出させて、冷媒流路と、搭載されるパワー半導体デバイスとを熱的に接続するためのビアホール導体とを備えたセラミック多層基板を得る工程とを備えているので、複雑な製造工程を必要とすることなく、冷媒流路と、搭載されるパワー半導体デバイスとを熱的に接続するためのビアホール導体とを備えた、冷却効率の高いセラミック多層基板を効率よく製造することが可能になる。
【００２６】
また、請求項８のセラミック多層基板の製造方法のように、請求項７の発明の構成において、未焼成複合積層体を形成する工程で、未焼成複合積層体の表面に、さらに、未焼成セラミック層が焼結する温度では実質的に焼結しない補助層を設けるようにした場合、補助層付き未焼成複合積層体が、補助層が密着した状態のまま、未焼成セラミック層が焼成されるので、補助層の、セラミック積層体の焼結時の収縮や変形を抑制する力（拘束力）により、焼成工程でセラミック積層体に収縮や変形が生じることを抑制、防止して、形状精度の高いセラミック多層基板を得ることが可能になる。
【００２７】
また、本願発明（請求項９）のセラミック多層基板の製造方法は、(ａ)未焼成セラミック積層体と、その両主面側に配設された、未焼成セラミック層が焼結する温度では実質的に焼結しない材料からなる補助層とを備え、未焼成セラミック積層体の一方の主面側から、他方の主面側の補助層にまで達するビアホール導体を備えた補助層付き未焼成セラミック積層体を形成する工程と、(ｂ)補助層付き未焼成セラミック積層体の、ビアホール導体が達している方の補助層が配設された面に、凸部を有する型を合わせてプレスし、補助層付き未焼成セラミック積層体に凹部を形成する工程と、(ｃ)凹部が形成された補助層付き未焼成セラミック積層体を、未焼成セラミック層が焼結し、補助層が実質的に焼結しない温度で焼成する工程と、(ｄ)焼成後の補助層付きセラミック積層体から補助層を取り除くことにより、他方の主面に凹部を有し、該凹部にビアホール導体が露出した焼成済みセラミック積層体を得る工程と、(ｅ)焼成済みセラミック積層体の凹部が形成された面に、予め用意しておいた他の焼成済みセラミック積層体を接合し、凹部を封止して冷媒流路を形成することにより、内部に冷媒を流通させるための冷媒流路を備え、かつ、冷媒流路とパワー半導体デバイスとを熱的に接続するためのビアホール導体を備えたセラミック多層基板を得る工程とを備えているので、成型時に未焼成セラミック積層体の折損や破断、内部に内部電極パターンなどが配設されている場合には、それらの損傷や破断が発生することを抑制、防止しつつ、所望の凹部を備えた未焼成セラミック積層体を形成することが可能になる。
【００２８】
また、凹部が形成された補助層付き未焼成セラミック積層体を、補助層が密着した状態のまま、未焼成セラミック層が焼結し、補助層が実質的に焼結しない温度で焼成するようにしているので、補助層の、セラミック積層体の焼結時の収縮や変形を抑制する力（拘束力）により、焼成工程でセラミック積層体に収縮や変形が生じることを抑制、防止して、未焼成セラミック積層体の凹部を備えた形状を保持したまま、形状精度の高いセラミック多層基板を得ることが可能になる。
なお、未焼成セラミック積層体の表面に補助層が配設されているので、曲げ加工時に補助層付き未焼成セラミック積層体の補助層に表面割れが発生した場合にも、未焼成セラミック積層体には影響がなく、所望の特性を備えたセラミック多層基板を得ることが可能になる。
【００２９】
また、請求項１０のセラミック多層基板の製造方法のように、請求項９の発明の構成において、(ａ)の補助層付き未焼成セラミック積層体を形成する工程において、未焼成セラミック積層体の一方の主面側から、他方の主面側の補助層にまで達するビアホール導体が、
(ａ)補助層の表面にまで達している状態、
(ｂ)補助層の厚み方向の途中にまで達している状態、
(ｃ)補助層を貫通している状態
のいずれかの状態にあるようにした場合、
ビアホール導体が熱媒流路の内壁面に露出した状態、ビアホール導体が熱媒流路の途中にまで突出した状態、ビアホール導体が熱媒流路を構成する凹部に大きく突出した状態など、ビアホール導体の凹部への露出状態が異なる種々のセラミック多層基板を製造することが可能になり、用途などに応じて、冷媒との接触面積を適宜調整して、目的とする冷却性能を備えたセラミック多層基板を効率よく製造することが可能になる。
【００３０】
また、本願発明（請求項１１）のパワー半導体モジュールは、複数のセラミック層を積層してなるセラミック多層基板上にパワー半導体デバイスが搭載されているパワー半導体モジュールであって、セラミック多層基板として、内部に、冷媒を流通させるための冷媒流路と、冷媒流路とパワー半導体デバイスとを熱的に接続するための、冷媒流路中に突出したビアホール導体とを備えたセラミック多層基板が用いられているので、ビアホール導体を介して、効率よくパワー半導体デバイスが発生する熱を冷媒に伝えることが可能になるため、部品搭載の高密度化を図ることが可能になり、集積度が高く、信頼性の高いパワー半導体モジュールを提供することが可能になる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３１】
以下に本願発明の実施例を示して、本願発明の特徴とするところをさらに詳しく説明する。
【実施例１】
【００３２】
図１は本願発明の一実施例にかかるセラミック多層基板の構成を模式的に示す図、図２はその製造方法を説明するための分解斜視図、図３は製造工程で形成した補助層付き未焼成複合積層体を示す図である。なお、図１〜図３において、同一符号を付した部分は、同一または相当する部分を示す。
【００３３】
このセラミック多層基板Ｓは、図１に示すように、パワーアンプやＣＰＵ（Ｃｅｎｔｒａｌ  Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ  Ｕｎｉｔ：中央演算処理装置）のような、いわゆるパワー半導体デバイス６が搭載されるセラミック多層基板であって、セラミック多層基板Ｓを構成する主たる構造体であるセラミック多層基板本体１の内部には、冷媒を流通させるための冷媒流路２と、冷媒流路２とパワー半導体デバイス６とを熱的に接続するためのビアホール導体３とが配設されている。
【００３４】
また、セラミック多層基板本体１の内部には、例えば、インダクタやコンデンサなどの回路要素を構成する内部電極４が配設されており、また、セラミック多層基板本体１の表面には電極や配線導体などとなる表面導体５が配設されている。また、セラミック多層基板本体１の内部には、セラミック層を介して積層された内部電極４どうし、あるいは内部電極４と表面導体５とを接続する層間接続用ビアホール導体７が配設されている。
【００３５】
また、この実施例のセラミック多層基板Ｓにおいては、３本のビアホール導体３がセラミック層の積層方向と平行に配設されており、ビアホール導体３の下端側が冷媒流路２中に下方に向かって突出し、冷媒流路２を一方の内壁面（上面）から対向する他方の内壁面（下面）にまで達するように配設されている。
【００３６】
さらに、この実施例では、セラミック多層基板Ｓを構成するセラミック材料（セラミック層）として、低温焼結セラミック材料が用いられており、ビアホール導体３の構成材料としては、銅を主成分とする材料が用いられている。なお、本願発明においては、銅を主成分とする材料以外にも熱伝導の良好な種々の材料（例えば、銀（Ａｇ）、銀−パラジウム（Ａｇ−Ｐｄ）、銀−白金（Ａｇ−Ｐｔ）など）を用いることが可能であるが、特に好ましい材料としては、例えば、上記の銅を主成分とする材料以外に、銀を主成分とする材料などが例示される。
【００３７】
上述のように構成されたセラミック多層基板Ｓにおいては、セラミック多層基板本体１の内部に配設された、液体または気体の冷媒を流通させるための冷媒流路２と、冷媒流路２とパワー半導体デバイス６とを熱的に接続するためのビアホール導体３とを備えており、ビアホール導体３はセラミック材料よりも熱伝導率の高い金属材料で形成されているので、特に複雑な構成を必要とすることなく、パワー半導体デバイスを効率よく冷却することができる。
【００３８】
次に、上記構成を有するセラミック多層基板Ｓの製造方法について説明する。
【００３９】
(１)まず、以下の方法により、セラミック材料を含む複数の基板用グリーンシート１１を作製する。
ＣａＯ：１０〜５５重量％、ＳｉＯ2：４５〜７０重量％、Ａｌ2Ｏ3：０〜３０重量％、不純物：０〜１０重量％、及び外掛けでＢ2Ｏ3：５〜２０重量％を含む混合物を１４５０℃で溶融してガラス化し、水中で急冷した後、粉砕して、平均粒径が３．０〜３．５μｍのＣａＯ−ＳｉＯ2−Ａｌ2Ｏ3−Ｂ2Ｏ3系ガラス粉末を作製する。
それから、このガラス粉末：５０〜６５重量％（好ましくは６０重量％）と、不純物が０〜１０重量％のアルミナ粉末：５０〜３５重量％（好ましくは４０重量％）とを混合してセラミック粉末を作製し、このセラミック粉末に溶剤（例えばトルエン、キシレン、水系）、バインダー（例えばアクリルやブチラール系の樹脂）及び可塑剤（例えばＤＯＰやＤＢＰ）を加え、十分に混練・分散させて粘度：２０００〜４００００ｃｐｓのスラリーを作製し、通常のキャスティング法（例えばドクターブレード法）を用いてシート状に成形することにより、例えば厚み０．０１〜０．４ｍｍの、基板用グリーンシート１１（図２参照）を作製する。
この際に組成比や添加剤を調整し、下記の補助層用（拘束層用）グリーンシートよりも、適度に柔らかい性状としておくことにより、後工程の成形加工時に、基板用グリーンシートに亀裂、欠けなどが発生することを抑制、防止することが可能になる。
【００４０】
(２)それから、打抜き型やパンチングマシンなどを用いて基板用グリーンシート１１を所定の寸法にカットし、かつ、層間接続用ビアホール２１（図２参照）、および、冷媒流路２とパワー半導体デバイス６とを熱的に接続するビアホール導体３（図１）を形成するためのビアホール（サーマルビアホール）２２を形成する。
【００４１】
(３)次に、加工した複数枚の基板用グリーンシート１１の層間接続用ビアホール２１と、サーマルビアホール２２に導体ペーストを充填する。
さらに、基板用グリーンシート１１に導体ペーストを印刷することにより内部導体４，表面導体５となる所定の配線パターンを形成する。
このときに用いる導体ペーストとしては、Ａｇ、Ａｇ−Ｐｄ、Ａｇ−Ｐｔ、Ｃｕ粉末などを導電成分とする導体ペーストを使用する。必要に応じて、導体ペーストとともに、あるいは、導体ペーストの代わりに、抵抗ペーストやガラスペーストを印刷することも可能である。ただし、ビアホール（サーマルビアホール）２２に充填する導電ペーストとしては、熱伝導度の高い材料（銅や銀など）を主たる成分とする導電ペーストを用いることが望ましい。
【００４２】
(４)また、基板用グリーンシート１１の焼成温度では焼結しないセラミックを含む、複数の補助層用（拘束層用）グリーンシート１２（図２）を作製する。
補助層用（拘束層用）グリーンシート１２は、たとえば、有機ビヒクル中にアルミナ粉末を分散させてスラリーを調製し、これをキャスティング法によってシート状に成形することにより得ることができる。このようにして得られた補助層用（拘束層用）グリーンシート１２の焼結温度は、１５００〜１６００℃であるため、基板用グリーンシート１１が焼結する温度（例えば、８００〜１０００℃）では焼結せず、この補助層用（拘束層用）グリーンシート１２を接合させた状態で基板用グリーンシート１１を焼成することにより、基板用グリーンシート１１の平面方向に関する収縮を抑制しつつ焼結させることが可能になる。
なお、この補助層用（拘束層用）グリーンシート１２としては、プレス時に未焼成複合積層体１０（図２，図３）を傷めることなく加工することができるように、基板用グリーンシート１１よりも、硬くなるように物性を調整したものを用いることが望ましい。
【００４３】
(５)また、上述のように作製した補助層用（拘束層用）グリーンシート１２を所定の形状に加工して、冷媒流路２（図１）を形成するために冷媒流路用グリーンシート（難焼結性部材）１２ａを形成し、この冷媒流路用グリーンシート（難焼結性部材）１２ａに、サーマルビアホール導体充填用のビアホール２２ａを形成し、導電ペーストを充填する。
【００４４】
(６)それから、図２，図３に示すように、複数枚の基板用グリーンシート１１と冷媒流路用グリーンシート（難焼結性部材）１２ａを積層した未焼成複合積層体１０（図３）の両主面（上下）に、補助層用（拘束層用）グリーンシート１２を積層し、圧着することにより、未焼成セラミック積層体の内部に、難焼結性部材が配設された構造を有する補助層付き未焼成複合積層体２０（図３）を形成する。
補助層付き未焼成複合積層体２０のプレスは、１００〜２０００ｋｇ／cm2、好ましくは１０００〜２０００ｋｇ／cm2のプレス圧力で、３０〜１００℃、好ましくは５０〜８０℃の温度で実施する。
【００４５】
(７)そして、補助層付き未焼成複合積層体２０を、基板用グリーンシート１１が焼結する温度、例えば１０００℃以下、好ましくは８００℃から１０００℃の温度で焼成し、両主面に補助層（補助層用グリーンシート）１２を備えた状態の焼結基板１４を得る。なお、このときの８００℃から１０００℃の焼成温度では、補助層用グリーンシート１２および冷媒流路用グリーンシート（難焼結性部材）１２ａが焼結することはない、
なお、導体ペーストにＣｕを用いた場合は酸化防止のため還元雰囲気で焼成する必要があるが、Ａｇ、Ａｇ／Ｐｄ、Ａｇ／Ｐｔを用いた場合には大気焼成が可能である。
【００４６】
(８)それから、焼結していない補助層（補助層用グリーンシート）１２および冷媒流路用グリーンシート（難焼結性部材）１２ａを焼結基板１４の表面および内部から除去することにより、セラミック多層基板本体１の内部に、冷媒を流通させるための冷媒流路２と、ビアホール導体３とを備えたセラミック多層基板Ｓを得る。
なお、補助層（補助層用グリーンシート）１２および冷媒流路用グリーンシート（難焼結性部材）１２ａを除去する方法としては、超音波洗浄やアルミナ砥粒を吹き付ける方法などの物理的処理方法や、エッチングなどの化学的処理方法のどちらの方法を用いてもよく、また、物理的処理方法と化学的処理方法を組み合わせて用いることも可能である。
特に、冷媒流路用グリーンシートの除去は、高圧水流を挿入することが好ましい。
【００４７】
(９)その後、セラミック多層基板Ｓにパワー半導体デバイス６を搭載することにより、図１に示すような、パワー半導体モジュールが得られる。
このパワー半導体モジュールは、冷媒流路２と、パワー半導体デバイス６とを熱的に接続するためのビアホール導体（サーマルビアホール導体）３を備えており、優れた冷却機能を備えていることから、パワー半導体デバイス６の能力を十分に発揮させることができる。
【００４８】
上述の製造方法によれば、未焼成セラミック層の焼結温度では実質的に焼結しない材料からなる冷媒流路用グリーンシート（難焼結性部材）１２ａが内部に配設された未焼成複合積層体１０を形成するとともに、未焼成複合積層体の表面に、未焼成セラミック層の焼結温度では実質的に焼結しない材料からなる補助層用（拘束層用）グリーンシート１２が配設された補助層付き未焼成複合積層体２０を形成し、この補助層付き未焼成複合積層体２０を、補助層１２が密着した状態のまま焼成するようにしているので、冷媒流路用グリーンシート（難焼結性部材）１２ａにより、内部に冷媒流路２が形成されたセラミック多層基板Ｓを容易かつ確実に製造することが可能になる。
【００４９】
また、冷媒流路用グリーンシート（難焼結性部材）１２ａにサーマルビアホール導体充填用のビアホール２２ａを形成し、導体ペーストを充填するようにしているので、冷媒流路２中にビアホール導体（サーマルビアホール導体）３が突出した構成を有するセラミック多層基板Ｓを効率よく製造することが可能になり、冷却効率を大幅に向上させることが可能になる。
【００５０】
また、未焼成複合積層体１０の両主面に補助層用（拘束層用）グリーンシート１２が密着した状態で焼成するようにしているので、補助層１２の、未焼成複合積層体１０を焼結する際の収縮や変形を抑制する力（拘束力）により、焼成工程で複合積層体に収縮や変形が生じることを抑制、防止して、形状精度の高いセラミック多層基板Ｓを得ることが可能になる。
【実施例２】
【００５１】
以下にセラミック多層基板Ｓの製造方法の他の実施例（実施例２）について説明する。
なお、図４〜図９はこの実施例２のセラミック多層基板の製造方法を示す図であり、図１０はこの実施例２のセラミック多層基板にパワー半導体デバイスを搭載した状態を示す図である。なお、図４〜１０において、図１〜３と同一符号を付した部分は、同一または相当する部分を示す。また、図５〜図１０において、図４と同一符号を付した部分は、同一または相当する部分を示す。
【００５２】
(１)まず、上記実施例１の場合と同様の方法で、セラミック基板用のセラミックグリーンシート（基板用グリーンシート）を作製する。
なお、基板用グリーンシートの条件（具体的な製造条件、組成、物性など）は、上記実施例１の場合と同じである。
【００５３】
(２)それから、上記(１)の工程で作製した基板用グリーンシートを打ち抜き型やパンチングマシンなどを用いて所定の寸法にカットし、層間接続用ビアホール２１（図４）を形成する。
【００５４】
(３)上記(２)の工程で加工した複数枚の基板用グリーンシートの層間接続用ビアホール２１に導体ペーストを充填する。さらに、基板用グリーンシート１１に導体ペーストを印刷することにより表面導体５，内部電極４などとなる所定の配線パターンを形成する。
このときに用いる導体ペーストとしては、Ａｇ、Ａｇ−Ｐｄ、Ａｇ−Ｐｔ、Ｃｕ粉末などを導電成分とする導体ペーストを使用する。必要に応じて、導体ペーストとともに、あるいは、導体ペーストの代わりに、抵抗ペーストやガラスペーストを印刷することも可能である。
【００５５】
(４)また、基板用グリーンシートの焼成温度では焼結しないセラミックを含む、複数の補助層用（拘束層用）グリーンシート１２を作製する。
なお、補助層用（拘束層用）グリーンシート１２としては、上記実施例１で用いたものと同じものを用いる。
そして、下側の補助層用（拘束層用）グリーンシート１２に、サーマルビアホール導体充填用のビアホール２２ａ（図４）を形成し、導電ペーストを充填する。
【００５６】
(５)また、上記(４)の工程で作製した補助層用（拘束層用）グリーンシートと同じグリーンシートを、所定の形状に打ち抜き加工したグリーンシート（型形成用グリーンシート）２５（図４）の主面２５ａ（図４）を、固定面（平板）２４に高い圧力で圧着させることにより、プレス（変形）用の型３０（図４）を作製する。
【００５７】
なお、型形成用グリーンシート２５は、型３０の凸部構成部材であり、この凸部構成部材が、固定面（平板）２４に圧着されて、型３０の凸部（型）３２となる。なお、凸部３２は補助層用（拘束層用）グリーンシートと同じグリーンシートから形成されており、ある程度の弾力性を有しているため、補助層付き未焼成セラミック積層体２０ａが損傷することを抑制しつつ、補助層付き未焼成セラミック積層体２０ａに、冷媒流路となる凹部３１ａ（図５）を成形することが可能になる。
なお、型３０を作製するのに用いられる平板２４としては、適度な硬さを有する材料（樹脂や金属）からなるものを用いることが好ましい。また、複数種類の材料を複合させた複合材料からなる平板を用いることも可能である。
【００５８】
(６)それから、図４に示すように、複数枚の基板用グリーンシート１１を積層した基板用セラミックグリーンシート積層体（未焼成セラミック積層体）１０ａの両主面（上下）に、補助層用（拘束層用）グリーンシート１２を複数枚積層して補助層１２を形成することにより、補助層付き未焼成セラミック積層体２０ａを形成する。
【００５９】
(７)次に、図５に示すように、補助層付き未焼成セラミック積層体２０ａにプレス（変形）用の型３０を貼り付け、可撓性フィルム８を用いて真空パックし、静水圧プレスの方法により、水９を介して補助層付き未焼成セラミック積層体２０ａの、型３０と接しない方の主面から等方的に圧力がかかるようにプレスすることにより補助層付き未焼成セラミック積層体２０ａを変形させる。
なお、プレス方法は静水圧プレスの方法に限らず、図６に示すように、弾性体９ａ（例えばシリコンラバー）を介して平板状の圧着用金型９ｂによりプレスして、補助層付き未焼成セラミック積層体２０ａに凹部３１ａを形成するようにすることも可能である。
【００６０】
このプレス工程において、水９または弾性体９ａは補助層付き未焼成セラミック積層体２０ａの、型３０と接しない方の主面の凹凸形状に沿うように変形するため、補助層付き未焼成セラミック積層体２０ａは水９または弾性体９ａからの圧力によって滑らかに変形し、意図する形状を有する補助層付き未焼成セラミック積層体２０ａを形成することができる。
なお、型３０による補助層付き未焼成セラミック積層体２０ａのプレスは、１００〜２０００ｋｇ／cm2、好ましくは１０００〜２０００ｋｇ／cm2のプレス圧力で、３０〜１００℃、好ましくは５０〜８０℃の温度で実施する。
【００６１】
このとき、プレス用の型３０を構成する凸部３２（打ち抜き加工された補助層用（拘束層用）グリーンシート２５）は、予め平板２４に高い圧力で圧着させているため、上述のようにある程度の弾力性を有している一方で、補助層付き未焼成セラミック積層体２０ａを変形させるのに十分な硬さを有している。
また、補助層付き未焼成セラミック積層体２０ａの主要部を構成する基板用グリーンシート１１は、プレス用の型３０の凸部３２よりも柔らかいため、未焼成セラミック積層体１０ａを容易かつ確実に変形させることができる。
【００６２】
(８)次に、変形させた圧着体（型３０を含む補助層付き未焼成セラミック積層体２０ａ）から固定面として使用した平板２４を剥がし、補助層１２ならびに凸部３２を付けたまま、未焼成セラミック積層体１０ａが焼結する温度、例えば１０００℃以下、好ましくは８００〜１０００℃の温度で焼成する。
なお、導体ペーストにＣｕ粉末などの卑金属粉末を導電成分とするものを用いた場合には、酸化防止のため還元雰囲気で焼成することが必要になるが、Ａｇ、Ａｇ−Ｐｄ、Ａｇ−Ｐｔなどの貴金属粉末を導電成分とする導電ペーストを用いた場合には大気中で焼成することも可能である。
【００６３】
(９)それから、焼結していない補助層を焼結基板の表面から除去することにより、図７に示すような、一方の面（上面）に凸部３３ａ、他方の面（下面）に凹部３１ａを備え、下面の凹部３１ａには、ビアホール導体（サーマルビアホール導体）３が突出した構造を有する焼結基板（一方の焼結基板）１４ａを得る。
なお、補助層を除去する方法としては、超音波洗浄やアルミナ砥粒を吹き付ける方法などの物理的処理方法や、エッチングなどの化学的処理方法のどちらの方法を用いてもよく、また、物理的処理方法と化学的処理方法を組み合わせて用いることも可能である。
【００６４】
(10)また、上記焼結基板（セラミック基板）１４ａを形成する方法と同様の方法により、図８に示すように、ビアホール導体を備えていない点を除いては、焼結基板１４ａ（図７）とほぼ同様の、一方の面（下面）に凸部３３ｂ、他方の面（上面）に凹部３１ｂを備えた構造を有する焼結基板（他方の焼結基板）１４ｂを作製する。
【００６５】
(11)それから、図９に示すように、一方の焼結基板１４ａと、他方の焼結基板（セラミック基板）１４ｂとを、凹部３１ａ，３１ｂが形成された面が対向するような態様で、例えば、樹脂やガラス等の接合材を介して接合することにより、内部に、冷媒を流通させるための冷媒流路２と、冷媒流路２と搭載されるパワー半導体デバイス６（図１０）とを熱的に接続するためのビアホール導体３とを備えたセラミック多層基板Ｓを得る。
【００６６】
(12)その後、セラミック多層基板Ｓにパワー半導体デバイス６を搭載することにより、図１０に示すような、パワー半導体モジュールを得る。
このパワー半導体モジュールは、冷媒流路２とパワー半導体デバイス６とを熱的に接続するためのビアホール導体（サーマルビアホール導体）３を備えており、優れた冷却機能を備えていることから、パワー半導体デバイス６の能力を十分に発揮させることができる。
【００６７】
この実施例２のセラミック多層基板の製造方法によれば、未焼成セラミック積層体１０ａの両主面側に補助層１２が密着した状態で、凸部３２を有する型を合わせてプレスし、補助層付き未焼成セラミック積層体２０ａの型３０を合わせた面に凹部３１ａを形成するようにしているので、成型時に未焼成セラミック積層体や、その内部に配設された内部電極パターンなどに折損や破断が発生することを抑制、防止しつつ、所望の凹部を備えた未焼成セラミック積層体を形成することが可能になる。
なお、焼結基板１４ａおよび１４ｂの凹部３１ａおよび３１ｂの内面形状は、上述のような製造方法から、図７〜１０に示すように、丸みを帯びた形状となるのが一般的である。
【００６８】
また、サーマルビアホール導体充填用のビアホール２２ａを設けて、導電ペーストを充填した補助層１２を未焼成セラミック積層体１０ａと積層して補助層付き未焼成セラミック積層体２０ａを形成し、これを一体に焼成した後、補助層１２を除去するようにしているので、容易に、冷媒流路２に下端側が突出したビアホール導体３を形成することが可能で、効率よく冷却性能の高いセラミック多層基板Ｓを製造することができる。
【００６９】
また、凹部３１ａが形成された補助層付き未焼成セラミック積層体２０ａを、補助層１２が密着した状態のまま、未焼成セラミック積層体１０ａが焼結し、補助層１２が実質的に焼結しない温度で焼成するようにしているので、補助層１２の、セラミック積層体の焼結時の収縮や変形を抑制する力（拘束力）により、焼成工程でセラミック積層体に収縮や変形が生じることを抑制、防止して、凹部３１ａを備えた形状を保持したまま、形状精度の高いセラミック基板（一方の焼結基板）１４ａを得ることが可能になり、この一方の焼結基板１４ａと、上述の他方の焼結基板１４ｂとを、接合することにより、内部に、冷媒を流通させるための冷媒流路２とビアホール導体３とを備えたセラミック多層基板Ｓを効率よく製造することができる。
【００７０】
なお、上記実施例では、セラミック多層基板本体１を構成する、一方の焼結基板（セラミック基板）１４ａと、他方の焼結基板（セラミック基板）１４ｂのいずれにも凹部（３１ａ，３１ｂ）が形成されている場合を例にとって説明したが、図１１(ａ)に示すように、ビアホール導体３を備えた一方の焼結基板（セラミック基板）１４ａには凹部３１ａが形成されているが、他方の焼結基板（セラミック基板）１４ｂには凹部が形成されておらず、平坦であるような構成とすることも可能である。
【００７１】
また、図１１(ｂ)に示すように、ビアホール導体３を備えた一方の焼結基板（セラミック基板）１４ａには凹部を形成せず、他方の焼結基板（セラミック基板）１４ｂに凹部３１ｂを形成するように構成することも可能である。
なお、図１１(ａ)，(ｂ)において、図１０と同一符号を付した部分は、同一または相当する部分を示している。
【００７２】
［変形例］
また、図１２〜図２０は、本願発明の実施例にかかるセラミック多層基板Ｓの変形例を示す図である。
【００７３】
図１２のセラミック多層基板Ｓは、ビアホール導体３の下端面のみが冷媒流路２に露出した構造を有している。このセラミック多層基板Ｓにおいては、冷媒流路２へのビアホール導体３の露出面積は小さいが、製造が容易であり、それほど大きな冷却能力が要求されない場合には十分に実用が可能である。
【００７４】
図１３のセラミック多層基板Ｓは、ビアホール導体３の下端部が少し冷媒流路２に突出した構造を有している。このセラミック多層基板Ｓにおいては、冷媒流路２へのビアホール導体３の露出面積はそれほど大きくはないが、図１２のセラミック多層基板Ｓよりも冷媒流路２へのビアホール導体３の露出面積は大きく、それだけ冷却能力も大きくなる。
【００７５】
図１４のセラミック多層基板Ｓは、ビアホール導体３の下端部が、冷媒流路の内壁面の一部に配設された金属膜３４に接続された構造を有しており、冷媒と金属膜３４の接触面積が大きく、その分だけ大きな冷却能力を得ることができる。
この金属膜は、上述した製法において、基板用グリーンシートと補助層用グリーンシートの間に焼成後に金属膜となる導体ペーストを所定のパターンで形成しておくことにより、形成できる。
【００７６】
図１５のセラミック多層基板Ｓは、冷媒流路２の内壁面の全体に形成された金属膜３４にビアホール導体３の下端部が接続された構造を有するものであり、冷媒と金属膜の接触面積が大きく、十分な冷却能力を実現することができる。
【００７７】
図１６のセラミック多層基板Ｓは、冷媒流路の内壁面の全体に金属膜３４が形成され、かつ、ビアホール導体３が、上記金属膜３４と接続されているとともに、下端部が金属膜３４から突出するように配設された構造を有している。このセラミック多層基板Ｓの場合、金属膜３４およびビアホール導体３の下端部が冷媒と十分に接触するため、大きな冷却能力を得ることができる。
【００７８】
図１７のセラミック多層基板Ｓは、冷媒流路２の上面と下面の全体に金属膜３４が形成され、かつ、ビアホール導体３の下端部が、上記冷媒流路２の上面の金属膜３４と下面の金属膜３４の両方に接続された構造を有しており、金属膜３４およびビアホール導体３の下端部が冷媒と十分に接触するため、大きな冷却能力を得ることができる。
【００７９】
図１８のセラミック多層基板Ｓは、左右に配設された２つの冷媒流路２ａ，２ｂと、２本のビアホール導体３とを備えており、２本のビアホール導体３の下端部が、それぞれの冷媒流路２ａ，２ｂに露出した構造を有している。なお、冷媒流路２およびビアホール導体３の数はそれぞれ３以上に増やすことも可能である。
【００８０】
図１９のセラミック多層基板Ｓは、上下に配設された２つの冷媒流路２ａ，２ｂと２本のビアホール導体３とを備え、２本のビアホール導体３の下端部が、上側の冷媒流路２ａを貫通して、下側の冷媒流路２にまで達するような構造を有している。なお、この構成の場合においても、冷媒流路２およびビアホール導体３の数はそれぞれ３以上に増やすことも可能である。
【００８１】
また、図２０のセラミック多層基板Ｓは、ビアホール導体３の下端部が、冷媒流路２に突出しており、かつ、冷媒流路２に突出したビアホール導体３の下端部が、冷媒流路２に配設された金属膜（金属板）３４に接続された構造を有している。このセラミック多層基板においても、冷媒と金属膜の接触面積は大きく、十分な冷却能力を確保することができる。
この金属板は、上述した製法において、２つの補助層用グリーンシートの間に焼成後に金属板となる導体ペーストを所定のパターンに設けておくことにより、形成できる。
【００８２】
なお、本願発明のセラミック多層基板は、上記実施例の構成に限定されるものではなく、セラミック多層基板本体の内部に配設された冷媒流路の具体的な構成や経路、配設数、冷媒流路とパワー半導体デバイスとを熱的に接続するためのビアホール導体の構成材料や配設態様などに関し、発明の範囲内において、種々の応用、変形を加えることが可能である。
【産業上の利用可能性】
【００８３】
本願発明のセラミック多層基板は、セラミック多層基板本体の内部に配設された、冷媒を流通させるための冷媒流路と、冷媒流路とパワー半導体デバイスとを熱的に接続するためのビアホール導体とを備えているので、パワー半導体デバイスから熱を逃がす機能を果たすビアホール導体（サーマルビアホール導体）が冷媒によって確実に冷却されるため、冷却効率を著しく向上させることが可能になる。その結果、複雑な構造を必要とせず、効率よくパワー半導体デバイスを冷却することが可能で、冷却性能に優れ、かつ、生産性にも優れたセラミック多層基板を提供することが可能になる。
したがって、本願発明のセラミック多層基板は、パワーアンプやＣＰＵ（Ｃｅｎｔｒａｌ  Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ  Ｕｎｉｔ：中央演算処理装置）のような、いわゆるパワー半導体デバイスが搭載されるセラミック多層基板として、広く利用することが可能である。
【図面の簡単な説明】
【００８４】
【図１】本願発明の一実施例（実施例１）にかかるセラミック多層基板の構成を模式的に示す図である。
【図２】本願発明の一実施例（実施例１）にかかるセラミック多層基板の製造方法を説明するための分解斜視図である。
【図３】本願発明の一実施例（実施例１）にかかるセラミック多層基板の製造工程で形成した補助層付き未焼成複合積層体を示す図である。
【図４】本願発明の一実施例（実施例２）にかかるセラミック多層基板の製造方法の一工程を示す図である。
【図５】本願発明の一実施例（実施例２）にかかるセラミック多層基板の製造方法の他の一工程を示す図である。
【図６】本願発明の一実施例（実施例２）にかかるセラミック多層基板の製造方法のさらに他の一工程を示す図である。
【図７】本願発明の一実施例（実施例２）にかかるセラミック多層基板の製造方法のさらに他の一工程を示す図である。
【図８】本願発明の一実施例（実施例２）にかかるセラミック多層基板の製造方法のさらに他の一工程を示す図である。
【図９】本願発明の一実施例（実施例２）にかかるセラミック基板の製造方法のさらに他の一工程を示す図である。
【図１０】本願発明の一実施例（実施例２）のセラミック多層基板にパワー半導体デバイスを搭載した状態を示す図である。
【図１１】(ａ)、(ｂ)は、本願発明の実施例（実施例２）にかかるセラミック多層基板の変形例を示す図である。
【図１２】本願発明の実施例にかかるセラミック多層基板の他の変形例を示す図である。
【図１３】本願発明の実施例にかかるセラミック多層基板のさらに他の変形例を示す別の図である。
【図１４】本願発明の実施例にかかるセラミック多層基板のさらに他の変形例を示すさらに別の図である。
【図１５】本願発明の実施例にかかるセラミック多層基板のさらに他の変形例を示すさらに別の図である。
【図１６】本願発明の実施例にかかるセラミック多層基板のさらに他の変形例を示すさらに別の図である。
【図１７】本願発明の実施例にかかるセラミック多層基板のさらに他の変形例を示すさらに別の図である。
【図１８】本願発明の実施例にかかるセラミック多層基板のさらに他の変形例を示すさらに別の図である。
【図１９】本願発明の実施例にかかるセラミック多層基板のさらに他の変形例を示すさらに別の図である。
【図２０】本願発明の実施例にかかるセラミック多層基板のさらに他の変形例を示すさらに別の図である。
【図２１】従来のセラミック多層基板およびパワー半導体モジュールを示す図である。
【符号の説明】
【００８５】
１        セラミック多層基板本体
２，２ａ，２ｂ        冷媒流路
３        ビアホール導体（サーマルビアホール導体）
４        内部電極
５        表面導体
６        パワー半導体デバイス
７        層間接続用ビアホール導体
８        可撓性フィルム
９        水
９ａ      弾性体
９ｂ      平板状の圧着用金型
１０      未焼成複合積層体
１０ａ    未焼成セラミック積層体
１１      基板用グリーンシート
１２      補助層用（拘束層用）グリーンシート（補助層）
１２ａ    冷媒流路用グリーンシート（難焼結性部材）
１４      焼結基板
１４ａ    一方の焼結基板（セラミック基板）
１４ｂ    他方の焼結基板（セラミック基板）
２０      補助層付き未焼成複合積層体
２０ａ    補助層付き未焼成セラミック積層体
２１      層間接続用ビアホール
２２      ビアホール（サーマルビアホール）
２２ａ    サーマルビアホール導体充填用のビアホール
２４      固定面（平板）
２５      グリーンシート（型形成用グリーンシート）
２５ａ    型形成用グリーンシートの主面
３０      プレス（変形）用の型
３１ａ、３１ｂ      凹部
３２      型の凸部（型）
３３ａ，３３ｂ      凸部
３４      金属膜
Ｓ        セラミック多層基板
【図１】
0004710460.tif 000002
【図２】
0004710460.tif 000003
【図３】
0004710460.tif 000004
【図４】
0004710460.tif 000005
【図５】
0004710460.tif 000006
【図６】
0004710460.tif 000007
【図７】
0004710460.tif 000008
【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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