(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
液晶を介して対向配置される一対の基板のうちの一方の基板に、
画素電極と対向電極を有する表示装置において、
透過領域と反射領域を有し、
前記画素電極と前記対向電極のうち、一方の電極は他方の電極よりも前記一方の基板の側から見て上層に形成されており、
前記一方の基板から、前記一方の電極までの距離が、前記透過領域よりも前記反射領域で大きく、
前記一方の電極間の平面距離が、前記反射領域よりも前記透過領域で大きく、
表示領域内に前記透過領域と前記反射領域との中間領域を有し、
前記中間領域が前記一方の電極で覆われており、
前記中間領域を覆う前記一方の電極は、前記透過領域側における幅が前記反射領域側における幅よりも大きいことを特徴とする表示装置。
【請求項２】
前記一方の電極は画素電極であり、前記他方の電極は対向電極であり、
前記対向電極は、前記透過領域と前記反射領域に渡り形成された透明導電体と、前記反射領域に形成された金属とから成り、
前記画素電極は、前記対向電極と絶縁膜で離間された透明電極から成ることを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
【請求項３】
前記一方の電極は対向電極であり、前記他方の電極は画素電極であり、
前記画素電極は、前記透過領域と前記反射領域に渡り形成された透明導電体と、前記反射領域に形成された金属とから成り、
前記対向電極は、前記画素電極と絶縁膜で離間された透明電極から成ることを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
【請求項４】
前記液晶の初期配向方向が前記他方の電極が有する前記金属電極の端部の延在方向と略平行であることを特徴とする請求項２又は請求項３に記載の表示装置。
【請求項５】
前記中間領域を覆う前記一方の電極は、その幅が、前記透過領域での前記一方の電極間の距離と前記反射領域での前記一方の電極間の距離の和より大きいことを特徴とする請求項１から請求項４の何れか１項に記載の表示装置。
【請求項６】
前記中間領域を覆う前記一方の電極は、前記透過領域側の幅が前記透過領域での電極間の距離より大きく、前記反射領域側の幅が前記反射領域での電極間の距離より大きいことを特徴とする請求項１から請求項５の何れか１項に記載の表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、表示装置、特に液晶表示装置に係る。
【背景技術】
【０００２】
横電界方式と称される液晶表示装置は、液晶を介して対向配置される各基板の一方の基板の液晶側の面の画素領域に、画素電極とこの画素電極との間に電界を発生せしめる対向電極とを備え、該電界のうち基板とほぼ平行な成分によって液晶を挙動させる構成となっている。
【０００３】
そして、このような構成をアクティブマトリクス型のものに適用させたものは、まず、前記一方の基板の液晶側の面に、並設された複数のゲート信号線とこれら各ゲート信号線と交差するようにして並設された複数のドレイン信号線とで囲まれた各領域を前記画素領域としている。
【０００４】
そして、これら各画素領域に、ゲート信号線からの走査信号によって作動する薄膜トランジスタと、この薄膜トランジスタを介してドレイン信号線からの映像信号が供給される前記画素電極と、該映像信号に対して基準となる信号が供給される前記対向電極とが備えられている。
【０００５】
ここで、画素電極と対向電極はそれぞれ一方向に延在する帯状のパターンとして形成され、それら各電極は２個あるいはそれ以上の個数で形成して交互に配置させるのが通常である。一例として、米国特許第６４６２７９９が知られている。
【０００６】
また、その変形として、画素電極と対向電極一方が平面状で、他方が線状で、該他方が該一方に絶縁膜を介して重畳する構成も知られている。一例として、米国特許第６２３３０３４が知られている。
【０００７】
【特許文献１】米国特許第６４６２７９９号
【特許文献２】米国特許第６２３３０３４号
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
しかしながら、このように構成された液晶表示装置は、その表示面の垂直方向に対して大きな角度を有する方向から表示を鮮明に観測できる特性、すなわち、広視野角に優れた特性を有するが、高速応答性に対して改善が望まれていた。
【０００９】
本発明は、このような事情に基づいてなされたもので、その目的は広視野角特性および高速応答性に優れた液晶表示装置を提供することにある。
さらに、本発明の他の目的は、透過領域と反射領域を合わせ持つ広視野角で高画質の表示装置を提供することにある。
本発明の前記並びにその他の目的と新規な特徴は、本明細書の記述及び添付図面によって明らかになるであろう。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本願において開示される発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、以下のとおりである。
【００１１】
（１）本発明による液晶表示装置は、たとえば、液晶を介して対向配置される基板のうち一方の基板の液晶側の面に、並設された複数のゲート信号線とこれらゲート信号線と交差して並設された複数のドレイン信号線とで囲まれた領域を画素領域とし、
この画素領域に、ゲート信号線からの走査信号によって作動するスイッチング素子と、このスイッチング素子を介してドレイン信号線からの映像信号が供給される画素電極と、この画素電極との間に電界を生じせしめる対向電極とを備え、
前記画素領域は区分された各領域からなり、一方の領域には絶縁膜の下層に該領域の僅かな周辺を除く中央に形成された透光性の材料からなる対向電極と該絶縁膜の上層に該対向電極に重畳されて一方向に延在し該方向に交差する方向に並設される電極群からなる画素電極が形成され、
他方の領域には絶縁層の下層に一方向に延在し該方向に交差する方向に並設される電極群からなる対向電極と該絶縁膜の上層に一方向に延在し該方向に交差する方向に並設される電極群からなり、前記対向電極と交互に配置される画素電極が形成されていることを特徴とするものである。
【００１２】
（２）本発明による液晶表示装置は、たとえば、液晶を介して対向配置される基板のうち一方の基板の液晶側の面に、並設された複数のゲート信号線とこれらゲート信号線と交差して並設された複数のドレイン信号線とで囲まれた領域を画素領域とし、
この画素領域に、ゲート信号線からの走査信号によって作動するスイッチング素子と、このスイッチング素子を介してドレイン信号線からの映像信号が供給される画素電極と、この画素電極との間に電界を生じせしめる対向電極とを備え、
前記画素領域は区分された各領域からなり、一方の領域には絶縁膜の下層に該領域の僅かな周辺を除く中央に形成された透光性の材料からなる画素電極と該絶縁膜の上層に該画素電極に重畳されて一方向に延在し該方向に交差する方向に並設される電極群からなる対向電極が形成され、
他方の領域には絶縁層の下層に一方向に延在し該方向に交差する方向に並設される電極群からなる画素電極と該絶縁膜の上層に一方向に延在し該方向に交差する方向に並設される電極群からなり、前記画素電極と交互に配置される対向電極が形成され、
前記各領域の各対向電極はドレイン信号線を被って形成されていることを特徴とするものである。
【００１３】
（３）本発明による液晶表示装置は、たとえば、（２）の構成を前提にし、前記各領域に形成される前記絶縁膜のそれぞれは無機材料からなる保護膜と有機材料からなる保護膜との順次積層体から構成され、かつ対向電極のそれぞれは透光性の材料から構成されていることを特徴とするものである。
【００１４】
（４）本発明による液晶表示装置は、たとえば、液晶を介して対向配置される基板のうち一方の基板の液晶側の面に、並設された複数のゲート信号線とこれらゲート信号線と交差して並設された複数のドレイン信号線とで囲まれた領域を画素領域とし、
この画素領域に、ゲート信号線からの走査信号によって作動するスイッチング素子と、このスイッチング素子を介してドレイン信号線からの映像信号が供給される画素電極と、この画素電極との間に電界を生じせしめる対向電極とを備え、
前記画素領域は区分された各領域からなり、一方の領域には絶縁膜の下層に該領域の僅かな周辺を除く中央に形成された反射電極を兼ねる対向電極と該絶縁膜の上層に該対向電極に重畳されて一方向に延在し該方向に交差する方向に並設される電極群からなる画素電極が形成され、
他方の領域には絶縁層の下層に一方向に延在し該方向に交差する方向に並設される電極群からなる対向電極と該絶縁膜の上層に一方向に延在し該方向に交差する方向に並設される電極群からなり、前記対向電極と交互に配置される画素電極が形成されていることを特徴とするものである。
【００１５】
（５）本発明による液晶表示装置は、たとえば、液晶を介して対向配置される基板のうち一方の基板の液晶側の面に、並設された複数のゲート信号線とこれらゲート信号線と交差して並設された複数のドレイン信号線とで囲まれた領域を画素領域とし、
この画素領域に、ゲート信号線からの走査信号によって作動するスイッチング素子と、このスイッチング素子を介してドレイン信号線からの映像信号が供給される画素電極と、この画素電極との間に電界を生じせしめる対向電極とを備え、
前記画素領域は区分された各領域からなり、一方の領域には絶縁膜の下層に該領域の僅かな周辺を除く中央に形成された反射電極を兼ねる対向電極と該絶縁膜の上層に該対向電極に重畳されて一方向に延在し該方向に交差する方向に並設される電極群からなる画素電極が形成され、
他方の領域には絶縁層の下層に一方向に延在し該方向に交差する方向に並設される電極群からなる対向電極と該絶縁膜の上層に一方向に延在し該方向に交差する方向に並設される電極群からなり、前記対向電極と交互に配置される画素電極が形成され、
前記絶縁膜は前記他方の領域においてその層厚が前記一方の領域よりも厚く形成されていることによって、前記一方の領域の液晶層の層厚から前記他方の領域のそれよりも約３倍となっていることを特徴とするものである。
【００１６】
（６）本発明による液晶表示装置は、たとえば、（５）の構成を前提として、前記一方の領域における絶縁膜は無機材料からなる保護膜で形成され前記他方の領域における絶縁膜は無機材料からなる保護膜と有機材料からなる保護膜との順次積層体から形成されているともに、前記対向電極は少なくともドレイン信号線を被っているものも含むことを特徴とするものである。
【００１７】
（７）本発明による液晶表示装置は、たとえば、液晶を介して対向配置される基板のうち一方の基板の液晶側の面に、並設された複数のゲート信号線とこれらゲート信号線と交差して並設された複数のドレイン信号線とで囲まれた領域を画素領域とし、
この画素領域に、ゲート信号線からの走査信号によって作動するスイッチング素子と、このスイッチング素子を介してドレイン信号線からの映像信号が供給される画素電極と、この画素電極との間に電界を生じせしめる対向電極とを備え、
前記画素領域は区分された各領域からなり、一方の領域には絶縁膜の下層に該領域の僅かな周辺を除く中央に形成された反射電極を兼ねる対向電極と該絶縁膜の上層に該対向電極に重畳されて一方向に延在し該方向に交差する方向に並設される電極群からなる画素電極が形成され、
他方の領域には絶縁層の下層に一方向に延在し該方向に交差する方向に並設される電極群からなる対向電極と該絶縁膜の上層に一方向に延在し該方向に交差する方向に並設される電極群からなり、前記対向電極と交互に配置される画素電極が形成され、
前記絶縁膜は前記一方の領域においてその層厚が前記他方の領域よりも厚く形成されていることを特徴とするものである。
【００１８】
（８）本発明による液晶表示装置は、たとえば、（７）の構成を前提として、前記他方の領域における絶縁膜は無機材料からなる保護膜で形成され前記一方の領域における絶縁膜は無機材料からなる保護膜と有機材料からなる保護膜との順次積層体から形成されていることを特徴とするものである。
【００１９】
（９）本発明による表示装置は、たとえば、液晶を介して対向配置される一対の基板のうちの一方の基板に、画素電極と対向電極を有する表示装置において、透過領域と反射領域を有し、基板から最上層の電極までの距離が透過領域で反射領域より大きく、前記最上層の電極間の平面距離が透過領域で反射領域より大きいことを特徴とするものである。
【００２０】
（１０）本発明による表示装置は、たとえば、（９）の構成を前提として、前記透過領域と反射領域に渡り形成された透明導電体による対向電極を有し、前記反射領域に形成された金属の対向電極を有し、最上層に形成され前記対向電極と絶縁膜で離間された透明電極による画素電極を有することを特徴とするものである。
【００２１】
（１１）本発明による表示装置は、たとえば、（９）の構成を前提として、前記透過領域と反射領域に渡り形成された透明導電体による画素電極を有し、前記反射領域に形成された金属の画素電極を有し、最上層に形成され前記対向電極と絶縁膜で離間された透明電極による対向電極を有することを特徴とするものである。
【００２２】
（１２）本発明による表示装置は、たとえば、（９）の構成を前提として、表示領域内に前記透過領域と反射領域の境界があることを特徴とするものである。
【００２３】
（１３）本発明による表示装置は、たとえば、（１２）の構成を前提として、初期配向方向が前記透過領域と反射領域の境界の延在方向と略平行であることを特徴とするものである。
【００２４】
（１４）本発明による表示装置は、たとえば、（１２）の構成を前提として、前記透過領域と反射領域の境界が前記最上層の電極で覆われ、ノーマリーブラックモードであることを特徴とするものである。
【００２５】
（１５）本発明による表示装置は、たとえば、（１４）の構成を前提として、前記透過領域と反射領域の境界を覆う最上層の電極は、透過領域側の幅が反射領域側の幅より大きいことを特徴とするものである。
【００２６】
（１６）本発明による表示装置は、たとえば、（１５）の構成を前提として、前記透過領域と反射領域の境界を覆う最上層の電極は、その幅が、透過領域での最上層の電極間の距離と反射領域での最上層の電極間の距離の和より大きいことを特徴とするものである。
【００２７】
（１７）本発明による表示装置は、たとえば、（１５）の構成を前提として、前記透過領域と反射領域の境界を覆う最上層の電極は、透過領域側の幅が透過領域での電極間の距離より大きく、反射領域側の幅が反射領域での電極間の距離より大きいことを特徴とするものである。
【００２８】
（１８）本発明による表示装置は、たとえば、液晶を介して対向配置される一対の基板のうちの一方の基板に、画素電極と対向電極を有する表示装置において、画素電極と対向電極の双方が線状に平行に延在する第１の領域と、画素電極と対向電極の一方が線状で、他方が該一方と絶縁膜を介して重畳する平面状である第２の領域が各画素に設けられていることを特徴とするものである。
【００２９】
（１９）本発明による表示装置は、たとえば、（１８）の構成を前提として、前記第１の領域と第２の領域で、前記線状の電極間の距離が異なることを特徴とするものである。
【００３０】
（２０）本発明による表示装置は、たとえば、（１９）の構成を前提として、前記第１の領域で前記第２の領域より電極間の距離が大きいことを特徴とするものである。
ば、広視野角特性および高速応答性に優れたものを得ることができる。
【００３１】
なお、本発明は以上の構成に限定されず、本発明の技術思想を逸脱しない範囲で種々の変更が可能である。
【発明の効果】
【００３２】
本願において開示される発明のうち代表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、下記のとおりである。
本発明によれば、広視野角特性および高速応答性に優れた液晶表示装置を提供することが可能となる。
また、本発明によれば、透過領域と反射領域を合わせ持つ広視野角で高画質の表示装置を提供することが可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３３】
以下、本発明による液晶表示装置の実施の形態を、以下実施例として図面を参照して説明をする。
【００３４】
実施例１．
《全体の構成》
図２は、本発明による液晶表示装置の一実施例を示す構成図である。同図は等価回路で示しているが実際の幾何学配置に対応させて描いている。
【００３５】
液晶を介して互いに対向配置される一対の透明基板ＳＵＢ１、ＳＵＢ２があり、該液晶は一方の透明基板ＳＵＢ１に対する他方の透明基板ＳＵＢ２の固定を兼ねるシール材ＳＬによって封入されている。
【００３６】
シール材ＳＬによって囲まれた前記一方の透明基板ＳＵＢ１の液晶側の面には、そのｘ方向に延在しｙ方向に並設されたゲート信号線ＧＬとｙ方向に延在しｘ方向に並設されたドレイン信号線ＤＬとが形成されている。
【００３７】
各ゲート信号線ＧＬと各ドレイン信号線ＤＬとで囲まれた領域は画素領域を構成するとともに、これら各画素領域のマトリクス状の集合体は液晶表示部ＡＲを構成するようになっている。
【００３８】
また、ｘ方向に並設される各画素領域のそれぞれにはそれら各画素領域内に走行された共通の対向電圧信号線ＣＬが形成されている。この対向電圧信号線ＣＬは各画素領域の後述する対向電極ＣＴに映像信号に対して基準となる電圧を供給するための信号線となるものである。
【００３９】
各画素領域には、その片側のゲート信号線ＧＬからの走査信号によって作動される薄膜トランジスタＴＦＴと、この薄膜トランジスタＴＦＴを介して片側のドレイン信号線ＤＬからの映像信号が供給される画素電極ＰＸが形成されている。
この画素電極ＰＸは、前記対向電圧信号線ＣＬと接続された対向電極ＣＴとの間に電界を発生させ、この電界によって液晶の光透過率を制御させるようになっている。
【００４０】
前記ゲート信号線ＧＬのそれぞれの一端は前記シール材ＳＬを超えて延在され、その延在端は垂直走査駆動回路Ｖの出力端子が接続される端子を構成するようになっている。また、前記垂直走査駆動回路Ｖの入力端子は液晶表示パネルの外部に配置されたプリント基板からの信号が入力されるようになっている。
【００４１】
垂直走査駆動回路Ｖは複数個の半導体装置からなり、互いに隣接する複数のゲート信号線どおしがグループ化され、これら各グループ毎に一個の半導体装置があてがわれるようになっている。
【００４２】
同様に、前記ドレイン信号線ＤＬのそれぞれの一端は前記シール材ＳＬを超えて延在され、その延在端は映像信号駆動回路Ｈｅの出力端子が接続される端子を構成するようになっている。また、前記映像信号駆動回路Ｈｅの入力端子は液晶表示パネルの外部に配置されたプリント基板からの信号が入力されるようになっている。
【００４３】
この映像信号駆動回路Ｈｅも複数個の半導体装置からなり、互いに隣接する複数のドレイン信号線どおしがグループ化され、これら各グループ毎に一個の半導体装置があてがわれるようになっている。
【００４４】
また、ｘ方向に併設された各画素領域に共通な前記対向電圧信号線ＣＬは図中右側の端部で共通に接続され、その接続線はシール材ＳＬを超えて延在され、その延在端において端子ＣＬＴを構成している。この端子ＣＬＴからは映像信号に対して基準となる電圧が供給されるようになっている。
【００４５】
前記各ゲート信号線ＧＬは、垂直走査回路Ｖからの走査信号によって、その一つが順次選択されるようになっている。
また、前記各ドレイン信号線ＤＬのそれぞれには、映像信号駆動回路Ｈｅによって、前記ゲート信号線ＧＬの選択のタイミングに合わせて映像信号が供給されるようになっている。
【００４６】
なお、上述した実施例では、垂直走査駆動回路Ｖおよび映像信号駆動回路Ｈｅは透明基板ＳＵＢ１に搭載された半導体装置を示したものであるが、たとえば透明基板ＳＵＢ１とプリント基板との間を跨って接続されるいわゆるテープキャリア方式の半導体装置であってもよく、さらに、前記薄膜トランジスタＴＦＴの半導体層が多結晶シリコン（ｐ−Ｓｉ）から構成される場合、透明基板ＳＵＢ１面に前記多結晶シリコンからなる半導体素子を配線層とともに形成されたものであってもよい。
【００４７】
《画素の構成》
図１（ａ）は、前記画素領域の構成の一実施例を示す平面図である。また、同図（ａ）のｂ−ｂ線における断面を図１（ｂ）に、ｃ−ｃ線における断面を図１（ｃ）に示している。
各図において、透明基板ＳＵＢ１の液晶側の面に、まず、ｘ方向に延在しｙ方向に並設される一対のゲート信号線ＧＬが形成されている。
【００４８】
これらゲート信号線ＧＬは後述の一対のドレイン信号線ＤＬとともに矩形状の領域を囲むようになっており、この領域を画素領域として構成するようになっている。
そして、この画素領域はそのほぼ中央を図中ｘ方向に走行する仮想の線で画される二つの領域（図中上方の領域を領域Ａ、下方の領域を領域Ｂとする）に区分されるようになっている。
【００４９】
また、ゲート信号線ＧＬと平行に対向電圧信号線ＣＬが形成され、この対向電圧信号線ＣＬはたとえば画素領域の領域Ａ側においてその上部に位置づけられるようになっている。
【００５０】
さらに、この対向電圧信号線ＣＬは、画素領域内において後述のドレイン信号線ＤＬに隣接しかつ該ドレイン信号線ＤＬに延在して形成されるとともに、それらは画素領域の領域Ｂの上部にて互いに接続されるパターンとして形成されている。
【００５１】
すなわち、画素領域の領域Ａにおいてその四方辺に、領域Ｂにおいて下側の部分を除く三方辺に対向電圧信号線ＣＬが一体に形成されている。
さらに、画素領域の領域Ｂにはそのほぼ中央に図中ｙ方向に延在するたとえば１個の対向電極ＣＴが対向電圧信号線ＣＬと一体に形成されている。
【００５２】
この領域Ｂにおいては、ドレイン信号線ＤＬに隣接して配置される対向電圧信号線ＣＬも対向電極ＣＴとして機能し、上述した対向電極ＣＴと合わせて合計３個の対向電極ＣＴが形成されている。
【００５３】
そして、画素領域の領域ＡにはたとえばITO(Indium Tin Oxide)、ITZO(Indium Tin Zinc Oxide)、IZO(Indium Zinc Oxide)等からなる透光性の導電膜が形成されその四辺のそれぞれは対向電圧信号線ＣＬに重畳されて形成されることにより該対向電圧信号線ＣＬと電気的に接続されている。
この透光性の導電膜はこの領域Ａにおいて対向電極ＣＴとして機能するようになっている。
【００５４】
このようにゲート信号線ＧＬおよび対向電圧信号線ＣＬ（対向電極ＣＴ）が形成された透明基板ＳＵＢ１の表面にはたとえばＳｉＮからなる絶縁膜ＧＩが該ゲート信号線ＧＬおよび対向電圧信号線ＣＬ（対向電極）をも被って形成されている。
【００５５】
この絶縁膜ＧＩは、後述のドレイン信号線ＤＬの形成領域においては前記ゲート信号線ＧＬおよび対向電圧信号線ＣＬに対する層間絶縁膜としての機能を、後述の薄膜トランジスタＴＦＴの形成領域においてはそのゲート絶縁膜としての機能を、後述の容量素子Ｃｓｔｇの形成領域においてはその誘電体膜としての機能を有するようになっている。
そして、この絶縁膜ＧＩの表面であって、前記ゲート信号線ＧＬの一部に重畳するようにしてたとえばアモルファスＳｉからなる半導体層ＡＳが形成されている。
【００５６】
この半導体層ＡＳは、薄膜トランジスタＴＦＴのそれであって、その上面にドレイン電極ＳＤ１およびソース電極ＳＤ２を形成することにより、ゲート信号線ＧＬの一部をゲート電極とする逆スタガ構造のMIS型トランジスタを構成することができる。
【００５７】
ここで、前記ドレイン電極ＳＤ１およびソース電極ＳＤ２はドレイン信号線ＤＬの形成の際に同時に形成されるようになっている。
【００５８】
すなわち、ｙ方向に延在されｘ方向に並設されるドレイン信号線ＤＬが形成され、その一部が前記半導体層ＡＳの上面にまで延在されてドレイン電極ＳＤ１が形成され、また、このドレイン電極ＳＤ１と薄膜トランジスタＴＦＴのチャネル長分だけ離間されてソース電極ＳＤ２が形成されている。
【００５９】
このソース電極ＳＤ２は半導体層ＡＳ面から画素領域側の絶縁膜ＧＩの上面に及んで延在され画素電極ＰＸが一体に形成されている。
この画素電極ＰＸは、まず、領域Ｂにおいて、その領域における各対向電極ＣＴのそれぞれの間にｙ方向に延在されて２個形成され、それらは領域Ａとの境界に形成された対向電圧信号線ＣＬ上にて互いに一体的に接続されている。
【００６０】
これにより、画素領域の領域Ｂにおいては、対向電極ＣＴと画素電極ＰＸとが交互に、すなわち、一方のドレイン信号線ＤＬ側から、対向電極ＣＴ、画素電極ＰＸ、対向電極ＣＴ、画素電極ＰＸ、対向電極ＣＴというように形成されている。
【００６１】
また、該画素電極ＰＸは、領域Ａにおいて、その領域における対向電極ＣＴに重畳するようにｙ方向に延在されｘ方向に並設された複数の電極群からなり、それら各電極は領域Ｂとの境界に形成された前記対向電圧信号線ＣＬ上にて互いに一体的に接続されている。
【００６２】
この領域Ａにおける画素電極ＰＸの本数は領域Ｂにおける画素電極ＰＸのそれよりも多く形成されている。領域Ａにおいては、該画素電極ＰＸはその辺部（エッジ部）と対向電極ＣＴとの間に集中して電界が発生するからである。
【００６３】
該対向電圧信号線ＣＬ上において各画素電極ＰＸの接続部は比較的大きな面積を有し、この部分において該対向電圧信号線ＣＬとの間に前記絶縁膜ＧＩを誘電体膜とする容量素子Ｃｓｔｇが形成されるようになっている。
【００６４】
この容量素子Ｃｓｔｇは、たとえば画素電極ＰＸに供給された映像信号を比較的長く蓄積させる等の機能をもたせるようになっている。
【００６５】
このように薄膜トランジスタＴＦＴ、ドレイン信号線ＤＬ、ドレイン電極ＳＤ１、ソース電極ＳＤ２、および画素電極ＰＸが形成された透明基板ＳＵＢ１の表面にはたとえばＳｉＮからなる保護膜ＰＳＶが形成されている。この保護膜ＰＳＶは前記薄膜トランジスタＴＦＴの液晶との直接の接触を回避する膜で、該薄膜トランジスタＴＦＴの特性劣化を防止せんとするようになっている。
【００６６】
なお、前記保護膜ＰＳＶとしては、たとえば樹脂からなる有機材料層、あるいは無機材料層と有機材料層との積層体で構成してもよい。このようにした場合、その表面を平坦化できその上に形成する配向膜のラビング性を良好にできる。
【００６７】
そして、この保護膜ＰＳＶの上面には配向膜（図示せず）が形成されている。
この配向膜は液晶と直接に当接する膜で、その表面に形成されたラビングによって該液晶の分子の初期配向方向を決定づけるようになっている。
【００６８】
このように構成された液晶表示装置は、各画素領域に領域Ａと領域Ｂとを備え、領域Ａにおいては、画素電極ＰＸの絶縁膜ＧＩを介した直下にその周辺をも含めて対向電極ＣＴとの間に電界を発生せしめるようになる。この場合、画素電極ＰＸと対向電極ＣＴとの間の距離は前記絶縁膜ＧＩのほぼ厚さ分となり、比較的強度の大きな電界を形成することができることから高速応答性を向上させることができるようになる。
【００６９】
なお、液晶を駆動させる電界は前記画素電極ＰＸと対向電極ＣＴの間に発生する電界のうち透明基板ＳＵＢ１とほぼ平行な成分である。このことから、この領域Ａにおける各画素電極ＰＸは隣接する画素電極ＰＸとの間の距離を比較的狭くし、画素電極ＰＸと対向電極ＣＴとの間に透明基板ＳＵＢ１とほぼ平行な成分の電界を多くするように構成している。したがって、領域Ａにおける画素電極ＰＸは領域Ｂにおける画素電極ＰＸの本数よりも多くの本数で形成されている。
【００７０】
一方、領域Ｂにおいては、画素電極ＰＸと対向電極ＣＴは前記絶縁膜ＧＩを介してそれらが交互に配置されそれらの離間距離が比較的大きいことから、画素電極ＰＸと対向電極ＣＴの間に発生する電界は透明基板ＳＵＢ１にほぼ平行な成分が多くなる。このことは、液晶の前記成分による挙動の性質から広視野角特性に優れたものとなる。
【００７１】
このように、領域ＡとＢで電極の本数を制御することにより、広視野角、高速応答、高開口率の両立を図ることができる。
したがって、このように構成された液晶表示装置は、広視野角特性および高速応答性を共に備えたものとして画像表示がされるようになる。
【００７２】
実施例２．
図３は、本発明による液晶表示装置の他の実施例を示す構成図で、図１に対応した図となっている。
図１の場合と比較して異なる構成は、画素領域の領域Ａにおいて画素電極ＰＸは保護膜ＰＳＶの上面に形成していることにある。
【００７３】
この場合、該画素電極ＰＸは画素領域の中央をｘ方向に走行する対向電圧信号線ＣＬ上で互いに共通に接続され、その接続部の一部は保護膜ＰＳＶ、絶縁膜ＧＩに貫通して形成されたスルーホールＴＨを通して該対向電圧信号線ＣＬに電気的に接続されている。
【００７４】
また、前記画素電極ＰＸは金属等の非透光性の材料で形成しても、またＩＴＯ等の透光性の材料で形成してもよいことはもちろんである。
このように構成した場合にも、広視野角特性および高速応答性を得られることができる。
【００７５】
実施例３．
図４は、本発明による液晶表示装置の他の実施例を示す構成図で、図１に対応した図となっている。
図１の場合と比較して異なる構成は、画素領域の領域Ａおよび領域Ｂにおいて各画素電極ＰＸは保護膜ＰＳＶの上面に形成していることにある。
【００７６】
これにより、領域間で本数が大幅に異なり、エッチングの残渣の生じ易い画素電極ＰＸを最上層とできるため、ドレイン信号線ＤＬや対向電極ＣＴ等の他の導電層との短絡不良を低減することができる。
【００７７】
この場合、薄膜トランジスタＴＦＴに近接して配置される画素電極ＰＸの一端は保護膜ＰＳＶ、絶縁膜ＧＩに貫通して形成されたスルーホールＴＨを通して該薄膜トランジスタＴＦＴのソース電極に電気的に接続されている。
【００７８】
また、前記画素電極ＰＸは金属等の非透光性の材料で形成しても、またＩＴＯ等の透光性の材料で形成してもよいことはもちろんである。
このように構成した場合にも、広視野角特性および高速応答性を得られることができる。
【００７９】
実施例４．
図５は、本発明による液晶表示装置の他の実施例を示す構成図で、図１に対応した図となっている。
図１の場合と比較して異なる構成は、まず、画素電極ＰＸが絶縁膜ＧＩの上面に形成され、対向電極ＣＴが保護膜ＰＳＶの上面に形成されていることにある。
【００８０】
すなわち、画素電極ＰＸは、領域Ｂにおいて、薄膜トランジスタＴＦＴのソース電極ＳＤ２と一体に形成され、領域Ａとの境界部にて互いに電気的な接続がされている。領域Ａにおける画素電極ＰＸはその領域の僅かな周辺を除く中央部にて矩形状に形成され、その材料はたとえばＩＴＯ等の透光性の導電層から構成されている。
保護膜ＰＳＶは、たとえばＳｉＮ等の無機材料からなる保護膜ＰＳＶ１と樹脂等の有機材料からなる保護膜ＰＳＶ２の順次積層体から構成されている。
【００８１】
対向電極ＣＴは、領域Ｂにおいて各画素電極ＰＸを間に配置させるように形成され、領域Ａにおいて前記画素電極ＰＸと重畳するようにしてｙ方向に延在しｘ方向に並設される多数の電極群から構成されている。
【００８２】
また、これら各対向電極ＣＴは、ゲート信号線ＧＬを被う部分、ドレイン信号線ＤＬを被う部分、および領域Ａと領域Ｂとを画する部分に形成された同一の材料層に一体的に形成されている。
【００８３】
ここで、ドレイン信号線ＤＬを被う前記材料層は上述した対向電極ＣＴと同様に対向電極ＣＴの機能を有するとともに、ドレイン信号線ＤＬからの電界による電気力線を終端させるようにして隣接する画素電極ＰＸへの該電気力線の終端を回避している。該画素電極ＰＸへの該電気力線の終端はそれがノイズとして表示に影響を及ぼすからである。
【００８４】
このため、ドレイン信号線ＤＬを被う前記材料層はその中心軸が該ドレイン信号線のそれとほぼ一致づけられ、その幅は該ドレイン信号線のそれよりも大きくなるように形成されている。
【００８５】
また、前記対向電極ＣＴは金属等の非透光性の材料で形成しても、またＩＴＯ等の透光性の材料で形成してもよいことはもちろんである。
このように構成した場合にも、広視野角特性および高速応答性を得られることができる。
【００８６】
本実施例では対向電極ＣＴを最上層としたことにより、領域Ａ、Ｂで該対向電極ＣＴを一体かつマトリクス状に形成できるため、給電抵抗を低減することができる。さらに、ドレイン信号線ＤＬ上の対向電極ＣＴを各領域毎に開口率への影響なく最適化することができ、開口率が向上する。
【００８７】
実施例５．
図６は、本発明による液晶表示装置の他の実施例を示す構成図で、図１に対応した図となっている。
図１の場合と比較して異なる構成は、画素領域の領域Ａにおける対向電極ＣＴを光反射率の良好な金属層に代え、この領域Ａを画素領域の光反射部として形成している。すなわち、前記対向電極ＣＴに反射電極を兼ねるようにして形成している。
ちなみに領域Ｂは図１の場合と同様の構成を用い光透過部としている。
【００８８】
なお、領域Ａの対向電極ＣＴは対向電圧信号線ＣＬと一体に形成するようにしてもよく、この実施例ではそのように構成している。
【００８９】
また、この実施例では、画素領域の領域Ａおよび領域Ｂにおける各画素電極ＰＸは該画素領域の上部に形成された対向電圧信号線ＣＬに重畳させて形成する容量素子Ｃｓｔｇの他方の電極から、領域Ａに及んで形成する電極と領域Ｂにまで及んで形成する電極とで構成するようにしている。
【００９０】
また、前記画素電極ＰＸは金属等の非透光性の材料で形成しても、またＩＴＯ等の透光性の材料で形成してもよいことはもちろんである。
このように構成した場合にも、広視野角特性および高速応答性を得られることができる。
本実施例では、領域Ａを反射領域とすることで、領域Ｂを反射領域とした場合より透過率と反射率の双方を向上でき、一見相反する高反射率、高開口率を同時に実現できる。
【００９１】
実施例６．
図７は、本発明による液晶表示装置の他の実施例を示す構成図で、図６に対応した図となっている。
図６の場合と比較して異なる構成は、画素領域の領域Ａにおける画素電極ＰＸと領域Ｂにおける画素電極ＰＸは、それぞれ該各領域の境界部に形成された対向電圧信号線ＣＬに重畳させて形成する容量素子Ｃｓｔｇの他方の電極から、それぞれ領域Ａに及んで形成する電極と領域Ｂに及んで形成する電極とで構成するようにしている。
【００９２】
このように構成した場合、容量素子Ｃｓｔｇの他方の電極は画素領域のほぼ中央をｘ方向に延在するように形成され、これが遮光膜としての機能を有するようになる。このため、領域Ａおよび領域Ｂのそれぞれの表示において光の混在をなくすことができるようになる。
【００９３】
また、前記画素電極ＰＸは金属等の非透光性の材料で形成しても、またＩＴＯ等の透光性の材料で形成してもよいことはもちろんである。
このように構成した場合にも、広視野角特性および高速応答性を得られることができる。
【００９４】
実施例７．
図８は、本発明による液晶表示装置の他の実施例を示す構成図で、図７に対応した図となっている。
図７の場合と比較して異なる構成は、光反射部を構成する領域Ａと光透過部を構成する領域Ｂとを逆にして構成したものである。
このような構成は、実施例５においても同様に適用できることはもちろんである。
【００９５】
画素電極ＰＸの多い領域Ａでは、画素電極ＰＸ間のエッチング残渣の発生率は領域Ｂより相対的に高いものとなる。そして、薄膜トランジスタＴＦＴの近傍は構造が複雑なため、より発生しやすい。しかし、本実施例では、反射領域が薄膜トランジスタＴＦＴ側にあるため、残渣発生部は反射部となるため、反射率の低下を招くことはなく、反射率を安定して確保することができる。
【００９６】
実施例８．
図９は、本発明による液晶表示装置の他の実施例を示す構成図で、図６に対応した図となっている。
図６の場合と比較して、画素領域の領域Ａは同様の構成となっている。しかし、領域Ｂにおいては、保護膜ＰＳＶ１の上面に保護膜ＰＳＶ２が形成され、この保護膜ＰＳＶ２の上面に対向電極ＣＴが形成されている。
【００９７】
光反射部である領域Ａにおいて光は液晶層を２回通過するのに対し、光透過部である領域Ｂにおいて１回通過することによる光透過率の差異による不都合を回避するため、該領域Ｂにおいては１次の複屈折モードにし領域Ａにおいては２次の複屈折モードにするように構成されている。
【００９８】
すなわち、複屈折モードで表示する場合、一般に、一軸性複屈折性媒体を直交配置した２枚の偏光板の間に挿入した際の光透過率Ｔ／Ｔ０は次式（１）で表される。
【００９９】
[数１]
Ｔ／Ｔ０＝ｓｉｎ２（２χｅｆｆ）・ｓｉｎ２（πｄｅｆｆ・Δｎ／λ）
……（１）
【０１００】
ここで、χｅｆｆは液晶組成物の実効的な光軸方向（光軸と変更透過軸とのなす角）、ｄｅｆｆは複屈折性を有する実効的な液晶組成物層の厚み、Δｎは屈折率異方性、λは光の波長を示している。
【０１０１】
ここで、液晶組成物層の光軸方向を実効的な値とした理由は、実際のセル内で界面上で液晶分子は固定されており、電界印加時にはセル内で全ての液晶分子が互いに平行かつ一様に配向しているのではなく、特に界面近傍では大きな変形が起こっていることから、それらの平均値として一様状態を想定した際の見かけの値で取り扱うことにしたからである。
【０１０２】
たとえば低電圧印加時に暗状態に高電圧印加時に明状態となるノーマリクローズ特性を得るため、偏光板の配置として一方の偏光板の透過軸（あるいは吸収軸）を液晶分子配向方向（ラビング方向）にほぼ平行に、他方の偏光板の透過軸を該液晶分子配向方向にほぼ垂直にすればよいことになる。
【０１０３】
電界無印加時には上式（１）のχｅｆｆが０であるのでＴ／Ｔ０は０となる。
一方、電界印加時にはその強度に応じてχｅｆｆの値が増大し、４５°の際に最大となる。
【０１０４】
この場合、光の波長をたとえば０．５５５μｍとすると無彩色でかつ透過率を最大とするには実効的なｄｅｆｆ・Δｎを２分の１波長である０．２８μｍとすればよい。
【０１０５】
このことは、１次の複屈折モードを用いる領域Ｂの液晶層に対して２次の複屈折モードを用いる領域Ａの液晶層の厚さは約３倍、すなわち２．５倍から３．５倍程度とすることによって、それら各領域の表示を最適なものとすることができる。
【０１０６】
なお、図９において、対向電極ＣＴはドレイン信号線ＤＬを被うようにして形成されるものを含み、上述したように該ドレイン信号線ＤＬからの電界による電気力線を終端させる機能をももたせている。この対向電極ＣＴは保護膜ＰＳＶ２、保護膜ＰＳＶ１、および絶縁膜ＧＩを貫通するスルーホールを通して、領域Ａに形成され領域Ｂ側に若干延在されて形成されている対向電極ＣＴに電気的な接続がなされている。
【０１０７】
実施例９．
図１０は、本発明による液晶表示装置の他の実施例を示す構成図で、図９に対応した図となっている。
図９の場合と比較して異なる構成は、まず、画素領域の領域Ｂに形成した保護膜ＰＳＶ２を領域Ａにも形成し、この領域Ａの該保護膜ＰＳＶ２にその僅かな周辺を除く中央部に開口を設けた構成としている。
【０１０８】
そして、該保護膜ＰＳＶ２の表面に形成する対向電極は領域Ａ側のドレイン信号線ＤＬおよびゲート信号線ＧＬをも被って形成している。
このことから、ドレイン信号線ＤＬはその全体にわたってシールド機能を有する対向電極ＣＴに被われ、開口率の向上、縦スメアの低減等の効果を奏するようになる。
【０１０９】
実施例１０．
図１１は、本発明による液晶表示装置の他の実施例を示す構成図で、図１０（ａ）に対応した図となっている。
図１０（ａ）の場合と比較して異なる構成は、保護膜ＰＳＶ２の上面に形成される対向電極ＣＴを金属のような非透光性の材料層で構成したことにある。
【０１１０】
これにより、この対向電極ＣＴは低抵抗の材料を選択し、直接に対向電圧信号を供給することができるため、スルーホールが存在しない構成とすることができる。
また、対向電極ＣＴ自体をブラックマトリクスとしての機能を兼ねることができるようになる。
【０１１１】
実施例１１．
図１２は、本発明による液晶表示装置の他の実施例を示す構成図で、図１１に対応した図となっている。
図１１の場合と比較して異なる構成は、保護膜ＰＳＶ２の上面に形成される対向電極ＣＴと、領域Ａにおいて絶縁膜ＧＩの下層に形成される対向電極ＣＴとを保護膜ＰＳＶ２、保護膜ＰＳＶ１、および絶縁膜ＧＩを貫通するスルーホールＴＨを通して接続されている。
【０１１２】
図１１に示したように、保護膜ＰＳＶ２の上面に形成される対向電極ＣＴに直接に対向電圧信号を供給することによって、図１１に示した対向電圧信号線ＣＬを形成しなくてもよい効果を奏する。
【０１１３】
実施例１２．
図１３は、本発明による液晶表示装置の他の実施例を示す構成図で、図７に対応した図となっている。
図７の場合と比較して異なる構成は、光反射部である領域Ａにおいてその保護膜ＰＳＶ１の上面に保護膜ＰＳＶ２が形成されていることにある。
【０１１４】
光反射部の液晶層の厚さを光透過部のそれよりも小さく構成するためである。
光反射部において光を液晶層を２回通過することから、その分だけ液晶層の層厚を小さくするようにしたものである。
【０１１５】
これにより、領域Ａ、Ｂの双方を一次の複屈折モードを用いて表示を行うことができる。これには保護膜ＰＳＶ２の厚みが液晶層の厚みの１／２〜３／２であることが望ましい。領域Ａ、Ｂそれぞれの透過率、反射率を最大化するためである。
【０１１６】
実施例１３．
図１４は、本発明による液晶表示装置の他の実施例を示す構成図で、図１３に対応した図となっている。
図１３の場合と比較して異なる構成は、光反射部である領域Ａに形成された保護膜ＰＳＶ２の上面に画素電極ＰＸを形成した構成としていることにある。この画素電極ＰＸは透光性の材料層で構成してもよい。
【０１１７】
この場合、各画素電極ＰＸは光透過部である領域Ｂとの境界部で互いに電気的接続がなされているとともに、保護膜ＰＳＶ１に形成されたスルーホールを通して領域Ｂの画素電極ＰＸと電気的な接続がなされている。
【０１１８】
実施例１４．
図１５は、本発明による液晶表示装置の他の実施例を示す構成図で、図１４に対応した図となっている。
図１４の場合と比較して異なる構成は、画素領域の領域Ａにおいて、画素電極ＰＸはドレイン信号線ＤＬと同層に形成され、対向電極ＣＴは保護膜ＰＳＶ２の表面に形成されている。
【０１１９】
この場合の対向電極ＣＴは該領域におけるドレイン信号線ＤＬをも被って形成され、たとえば非透光性の金属から構成されて反射電極を兼ねるようになっている。
この結果、領域Ａの対向電極ＣＴと領域Ｂの対向電極ＣＴはそれぞれ層を異ならしめ、それぞれの対応する画素電極ＰＸとの関係で最適設定が可能となる。
【０１２０】
また、この実施例では、領域Ｂにおける保護膜ＰＳＶ２の開口部の側壁面に領域Ａに形成されている保護膜ＰＳＶ２上の対向電極ＣＴが延在され、該側壁面を被った構成となっている。
【０１２１】
対向電極ＣＴはたとえば金属等の非透光性の材料で形成されていることから遮光膜として機能し、該保護膜ＰＳＶ２の側壁面におけるリバースチルトドメインの発生を抑制することができる。
【０１２２】
実施例１５．
図１６は、本発明による液晶表示装置の他の実施例を示す構成図で、図６に対応した図となっている。
図６の場合と比較して、画素領域の領域Ａにおいては図６の場合と同様であるが、領域Ｂにおいては、その部分における対向電極ＣＴは該領域の僅かな周辺を除いた中央部にたとえばＩＴＯ等の透光性の材料で形成され、画素電極ＰＸは領域Ａの各画素電極ＰＸをそれぞれそのまま延在させて構成されていることにある。
【０１２３】
実施例１６．
図１７は、本発明による液晶表示装置の他の実施例を示す構成図で、図１６に対応した図となっている。
【０１２４】
図１６の場合と比較して異なる構成は、保護膜ＰＳＶ１の上面に有機材料からなる保護膜ＰＳＶ２が形成され、かつ、画素領域の領域Ｂにおいてその僅かな周辺を除く中央部に開口が形成された構成となっている。
【０１２５】
実施例１７．
図１８は、本発明による液晶表示装置の他の実施例を示す構成図で、図１７に対応した図となっている。
図１７の場合と比較して異なる構成は、画素領域の領域Ｂにおける画素電極ＰＸの本数が一部取り除かれた構成となっている。
【０１２６】
実施例１８．
図１９は、本発明による液晶表示装置の他の実施例を示す構成図で、図１８に対応した図となっている。
図１８の場合と比較して、画素領域の領域Ｂにおける画素電極ＰＸの数は領域Ａにおけるそれよりも少なく構成されているが、該画素電極ＰＸのそれぞれの間隔を等しく設定するようになっている。
【０１２７】
実施例１９．
図２０は、本発明による液晶表示装置の他の実施例を示す構成図で、図１９に対応した図となっている。
図１９の場合と比較して異なる構成は、画素領域の領域Ａにおいて、画素電極ＰＸをドレイン信号線ＤＬと同層に形成するとともに、金属等の非透光性の材料で構成している。
【０１２８】
そして、保護膜ＰＳＶ１の上面に有機材料からなる保護膜ＰＳＶ２をさらに形成し、その上面に対向電極ＣＴを形成している。この場合の対向電極ＣＴはその領域のドレイン信号線ＤＬを被うようにして形成し、金属等の非透光性の材料で構成している。
【０１２９】
実施例２０．
図２１は、本発明による液晶表示装置の他の実施例を示す図である。(a)は画素の平面図、（ｂ）、（ｃ）、（ｄ）はそれぞれ図２１中のｂ−ｂ、ｃ−ｃ、ｄ−ｄ部での模式断面図である。
【０１３０】
図２１(ｂ）に示すように、ＴＦＴからの信号はＳＤを経由し、スルーホールＴＨにより絶縁膜ＰＡＳの上に形成された画素電極ＰＸに接続される。この画素電極ＰＸは透明電極で形成される。一例として、ＩＴＯやＩＺＯ、ＩＴＺＯなどが有り、本実施例ではＩＴＯを用いている。
ＰＸの下方には、絶縁膜を介して透明対向電極ＣＴＴが形成されている。このＣＴＴも、透明電極で形成され、本実施例ではＩＴＯで形成している。
【０１３１】
図２１（ｃ）では、段差が見て取れる。基板ＳＵＢ上に透明対向電極ＣＴＴが形成され、その一部に金属対向電極ＣＴＭが形成されている。ＣＴＴおよびＣＴＭ上には、絶縁膜を介して画素電極ＰＸが形成されている。これにより、ＣＴＭの形成部では反射型として、またＣＴＭの非形成部ではＣＴＴによる透過型として働くように、画素内に２つの領域を有して構成される。図では、反射型領域をＲ−３，透過型領域をＲ−１，そして中間の領域をＲ−２として示している。
【０１３２】
反射型領域では、表示面側から液晶表示装置に入った光が、ＣＴＭで反射され、再び表示側に光が出て行く。したがって、光が液晶層を通る回数が、透過型領域での１回に対し、２回となる。このため、光の利用効率を最大化するためには、反射型領域での液晶層の層厚を透過型領域より減らすことが望ましい。このため、本実施例では、金属対向電極ＣＴＭと透明対向電極ＣＴＴを反射型領域で積層すすることにより、反射型領域で基板ＳＵＢから画素電極ＰＸまでの距離を遠く、すなわち液晶層の厚みを薄くなるように構成した。図ではＣＴＴの上にＣＴＭが重畳しているが、むろん逆の構成でも良い。
【０１３３】
図２１(ｄ）は映像信号線ＤＬ近傍の断面図である。ＣＴＴの端部にＣＴＭが重畳している、これにより、透明電極によるＣＴＴへの給電抵抗を、金属電極によるＣＴＭで多方面から給電することにより低減している。それらの上にはゲート絶縁膜ＧＩが重畳し、映像信号線ＤＬが形成されている。そしてさらに絶縁膜ＰＡＳが形成され、画素電極ＰＸが形成されている。画素電極ＰＸはＧＩの上に形成しても良い。
【０１３４】
図２１(ａ)で、ＣＴＭの一部は映像信号線ＤＬの下に延在し、画素間のＣＴＭを接続している。すなわち、共通信号線ＣＬを兼ねた構成となっている。
【０１３５】
ＰＸは、図では複数の屈曲した形状の部材がその端部で相互に接続される構成となっている。これにより、平面的に、ＰＸ間に露出したＣＴＴあるいはＣＴＭとＰＸの間に電界を形成し、表示を行うようになっている。本実施例で、ＰＸが屈曲しているのは、いわゆるマルチドメインの効果を奏する目的であり、電界の向きを複数にすることにより視野角の拡大を図ることができる。
【０１３６】
本実施例では、透過領域と反射領域を合わせ持つ広視野角の液晶表示装置が実現できる。
【０１３７】
実施例２１．
図２２は、図２１に対応し、画素と初期配向方向の関係を示す図である。ＲＵＢは初期配向方向であり、屈曲した電極の２方向とそれぞれ絶対値としてほぼ同じ角度θをなし、かつ屈曲した電極とＲＵＢに対する方向がそれぞれ異なるように構成されている。これにより、マルチドメインの効果を最大化できる。
また、ＣＴＭの端部とＲＵＢがほぼ平行になるように形成されている。このようにした場合、段差部での配向処理を円滑に行うことができ、コントラスト比の向上が実現する。
【０１３８】
実施例２２．
図２３は図２１に対応する別の実施例であり、（ｂ）は図２３（ａ）中のｂ−ｂ線部の模式断面図である。
画素電極ＰＸ間の距離は、透過領域Ｒ−１でＬ１、反射領域Ｒ−３でＬ２となっている。透過領域では基板ＳＵＢから画素電極ＰＸまでの距離が、反射領域より小さくなるように構成されている。換言すると、液晶層の厚みが透過領域では反射領域より厚くなるように構成されている。これにより、液晶の駆動電圧は、透過領域では反射領域より低いものとなる。これは、液晶層の電圧に対する輝度上昇の特性が液晶層の層厚に依存するからである。したがって、Ｌ１とＬ２を同じとすると、透過部と反射部で電圧に対する輝度の特性、いわゆるＢ−Ｖカーブが大幅に異なったものとなってしまう。
【０１３９】
そこで本実施例では、画素電極ＰＸ間の距離を透過領域でのＬ１に対し反射領域でのＬ２が小さくなる、すなわちＬ１＞Ｌ２になるように構成した。
これにより、電界強度を調整することで、透過部と反射部でのＢ−Ｖカーブをより近づけたものとすることができ、透過と反射の両方に好適な液晶表示装置とすることができた。
【０１４０】
実施例２３．
図２４は図２１に対応する別の実施例であり、（ｂ）は図２４（ａ）中のｂ−ｂ線部の模式断面図である。
【０１４１】
中間の領域Ｒ−２部は、反射領域と透過領域のどちらともつかないため、ドメインの原因となる。そこで、段差部を画素電極ＰＸで覆っている。このとき、電圧無印加で黒表示となるノーマリーブラックモードとすることで、画素電極ＰＸを透明電極で構成しても、段差部上は画素電極ＰＸにより同電位となるため、ドメインの発生を防止でき、コントラスト比の高い表示が実現できる。
さらに本実施例では、電圧を印加した際のドメインの防止も実現した。
【０１４２】
本実施例では、段差部上の画素電極ＰＸの、透過領域Ｒ−１側の幅をＬ３，反射領域Ｒ−３側の幅をＬ４としたとき、Ｌ３＞Ｌ４とした。透過領域では反射領域より低電圧で液晶が駆動されるため、段差部上の画素電極ＰＸの中心を段差からずらしてＬ３＞Ｌ４の関係を満たすように配置することで、段差部をより効率的に一定電位に維持できるようになり、ドメインの発生を抑制することができた。
【０１４３】
また、段差上の画素電極の幅Ｌ５は、Ｌ５＞Ｌ１，Ｌ５＞Ｌ２とした上で、さらにＬ５＞（Ｌ１＋Ｌ２）とすることが望ましい。より安定して段差部上のＰＸを一定電位に保つことが出来るからである。
【０１４４】
また同様に、Ｌ３＞Ｌ１，Ｌ４＞Ｌ２が望ましい。
本実施例では、図から明らかなように、金属対向電極ＣＴＭの端部を、画素電極ＰＸと同様の屈曲形状として構成した。これにより、段差部がＰＸの屈曲形状と平行になるため、より広い範囲で安定して上記関係を維持できるようになり、さらにドメインを抑制することが出来た。
本実施例は、対向電極ＣＴＴあるいはＣＴＭの上層に画素電極ＰＸが構成される構造としたが、ＣＴＴとＰＸの層関係が逆転した構造でも適用可能である。その際は、段差部上に形成した透明対向電極ＣＴＴが、本実施例で説明した段差部上に構成した画素電極ＰＸと同様の関係を満たせばよい。
【０１４５】
実施例２４．
図２５は図２１に対応する別の実施例であり、（ｂ）は図２５（ａ）中のｂ−ｂ線部の模式断面図である。
【０１４６】
本実施例では、段差の生成を、絶縁層によって行ったことを特徴とする。これにより、金属対向電極ＣＴＭの膜厚以上に、自由に段差を調整でき、透過領域と反射領域の最適化がより容易に実現できる。
【０１４７】
本実施例では絶縁膜ＧＩを用いて段差を形成した。また、絶縁膜による段差は金属電極の形状と独立して形成できるという利点がある。そこで、図２５（ａ）に示すように、ＧＩの端部を図２４（ａ）の金属対向電極ＣＴＭと同様の形状とした。これにより、実施例２３の思想を適用して、実施例２３の効果を奏することができる。さらに、金属対向電極ＣＴＭの端部は段差形成として利用する必要がなくなるため、他の目的に最適化できる。
例えば、図２５（ａ）はＧＬと平行にして歩留りの向上を図った例である。
【０１４８】
また図２６は、図２５（ａ）に対応し、金属対向電極ＣＴＭを透過領域での遮光層として利用し、この領域を段差部より透過領域側に延在することで、段差部を遮光し、よりドメインの解消を図った例である。
【０１４９】
上記各実施例は、それぞれの思想を単体で用いても、あるいは組み合わせて用いても良いことは言うまでも無い。各実施例に分けて説明しているのは、より説明と当業者の理解を容易にするためだからである。
【０１５０】
また、これらの表示装置を用いて、モニタ、ＴＶ，あるいは携帯電話等を構成することにより、該モニタ、ＴＶ，あるいは携帯電話の表示性能の向上が実現できる。
【０１５１】
以上説明したことから明らかになるように、本発明による液晶表示装置によれば、広視野角で高速応答の表示装置が実現する。また、広視野角で透過領域と反射領域を合わせ持つ、高画質な表示装置が実現する。
【０１５２】
以上、本発明者によってなされた発明を、前記実施例に基づき具体的に説明したが、本発明は、前記実施例に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲において種々変更可能であることは勿論である。
【産業上の利用可能性】
【０１５３】
本発明は、上述のように表示装置に適用され、表示装置製造産業、特に液晶表示装置製造産業において実用可能性がある。
【図面の簡単な説明】
【０１５４】
【図１】本発明による液晶表示装置の画素の一実施例を示す構成図である。
【図２】本発明による液晶表示装置の一実施例を示す構成図である。
【図３】本発明による液晶表示装置の画素の他の実施例を示す構成図である。
【図４】本発明による液晶表示装置の画素の他の実施例を示す構成図である。
【図５】本発明による液晶表示装置の画素の他の実施例を示す構成図である。
【図６】本発明による液晶表示装置の画素の他の実施例を示す構成図である。
【図７】本発明による液晶表示装置の画素の他の実施例を示す構成図である。
【図８】本発明による液晶表示装置の画素の他の実施例を示す平面図である。
【図９】本発明による液晶表示装置の画素の他の実施例を示す構成図である。
【図１０】本発明による液晶表示装置の画素の他の実施例を示す構成図である。
【図１１】本発明による液晶表示装置の画素の他の実施例を示す平面図である。
【図１２】本発明による液晶表示装置の画素の他の実施例を示す平面図である。
【図１３】本発明による液晶表示装置の画素の他の実施例を示す構成図である。
【図１４】本発明による液晶表示装置の画素の他の実施例を示す構成図である。
【図１５】本発明による液晶表示装置の画素の他の実施例を示す構成図である。
【図１６】本発明による液晶表示装置の画素の他の実施例を示す構成図である。
【図１７】本発明による液晶表示装置の画素の他の実施例を示す構成図である。
【図１８】本発明による液晶表示装置の画素の他の実施例を示す構成図である。
【図１９】本発明による液晶表示装置の画素の他の実施例を示す構成図である。
【図２０】本発明による液晶表示装置の画素の他の実施例を示す構成図である。
【図２１】本発明による液晶表示装置の画素の他の実施例を示す構成図である。
【図２２】本発明による液晶表示装置の画素の他の実施例を示す構成図である。
【図２３】本発明による液晶表示装置の画素の他の実施例を示す構成図である。
【図２４】本発明による液晶表示装置の画素の他の実施例を示す構成図である。
【図２５】本発明による液晶表示装置の画素の他の実施例を示す構成図である。
【図２６】本発明による液晶表示装置の画素の他の実施例を示す構成図である。
【符号の説明】
【０１５５】
Ａ…領域
ＡＲ…液晶表示部
ＡＳ…半導体層
Ｂ…領域
ＣＬ…対向電圧信号線
ＣＬＴ…端子
Ｃｓｔｇ…容量素子
ＣＴ…対向電極
ＣＴＭ…金属対向電極
ＤＬ…ドレイン信号線
ＧＩ…絶縁膜
ＧＬ…ゲート信号線
Ｈｅ…映像信号駆動回路
ＰＳＶ…保護膜
ＰＳＶ１…保護膜
ＰＳＶ２…保護膜
ＰＸ…画素電極
ＲＵＢ…初期配向方向
ＳＤ１…ドレイン電極
ＳＤ２…ソース電極
ＳＬ…シール材
ＳＵＢ…基板
ＳＵＢ１，ＳＵＢ２…透明基板
ＴＦＴ…薄膜トランジスタ
ＴＨ…スルーホール
Ｖ…垂直走査駆動回路
【図１】
0004711439.tif 000002
【図２】
0004711439.tif 000003
【図３】
0004711439.tif 000004
【図４】
0004711439.tif 000005
【図５】
0004711439.tif 000006
【図６】
0004711439.tif 000007
【図７】
0004711439.tif 000008
【図８】
0004711439.tif 000009
【図９】
0004711439.tif 000010
【図１０】
0004711439.tif 000011
【図１１】
0004711439.tif 000012
【図１２】
0004711439.tif 000013
【図１３】
0004711439.tif 000014
【図１４】
0004711439.tif 000015
【図１５】
0004711439.tif 000016
【図１６】
0004711439.tif 000017
【図１７】
0004711439.tif 000018
【図１８】
0004711439.tif 000019
【図１９】
0004711439.tif 000020
【図２０】
0004711439.tif 000021
【図２１】
0004711439.tif 000022
【図２２】
0004711439.tif 000023
【図２３】
0004711439.tif 000024
【図２４】
0004711439.tif 000025
【図２５】
0004711439.tif 000026
【図２６】
0004711439.tif 000027