(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
基準電位がシステムのアース電位に対して浮動である電力用のスイッチング素子を備え、前記基準電位にコイルの一端が接続され、前記コイルは、前記スイッチング素子がＯＮ時に当該コイルに流れた電流により、前記スイッチング素子がＯＦＦになった直後も前記スイッチング素子がＯＮのときと同じ向きに当該コイルに電流が流れるように接続されている電力変換装置であって、
前記スイッチング素子のドライブ回路は、前記スイッチング素子に対して非絶縁で接続されるレベルシフト回路を備え、
前記レベルシフト回路は、
前記スイッチング素子をＯＮさせるときにＬｏｗ信号で前記スイッチング素子をＯＦＦさせるときにＨｉｇｈ信号であるドライブ信号が入力される、又は前記スイッチング素子をＯＮさせるときにＨｉｇｈ信号で前記スイッチング素子をＯＦＦさせるときにＬｏｗ信号であるドライブ信号が入力されるドライブ信号入力部と、
少なくとも前記スイッチング素子をＯＮするときに入力される前記ドライブ信号に対する正負逆の誤点弧防止信号が前記スイッチング素子をＯＮするときに入力される誤点弧防止信号入力部と、
前記誤点弧防止信号に対応する信号及び前記ドライブ信号に対応する信号のどちらか一方を前記基準電位に対して反転させる反転手段と、
前記誤点弧防止信号に対応する信号及び前記ドライブ信号に対応する信号のどちらか他方の信号と前記反転手段で反転された反転信号とにより前記スイッチング素子の駆動信号を前記基準電位に対して生成する生成手段と
を備えている電力変換装置。
【請求項２】
前記ドライブ信号は負論理の信号である請求項１に記載の電力変換装置。
【請求項３】
前記誤点弧防止信号はEnable信号又はDisable である請求項１に記載の電力変換装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電力変換装置に係り、詳しくは電力用のスイッチング素子のドライブ回路に特徴を有する電力変換装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
電力変換装置として、例えば、図５に示すような降圧型のＤＣ／ＤＣコンバータがある。ＤＣ／ＤＣコンバータは、２個の電力用のスイッチング素子Ｑ１，Ｑ２が直流電源５１に直列に接続されている。スイッチング素子Ｑ１のソース及びスイッチング素子Ｑ２のドレインの接続点と、直流電源５１のマイナス端子との間にはコイルＬ及びコンデンサＣが直列に接続されている。コイルＬ及びコンデンサＣの接続点と、直流電源５１のマイナス端子との間に負荷５２が接続されている。スイッチング素子Ｑ１は上アームドライブ回路５３によりスイッチング制御され、スイッチング素子Ｑ２は下アームドライブ回路５４によりスイッチング制御される。そして、スイッチング素子Ｑ１及びスイッチング素子Ｑ２が交互にＯＮになるように制御されて、負荷５２にはスイッチング素子Ｑ１のＯＮ・ＯＦＦ周期の内のＯＮ期間に対応する電圧が出力される。このようなＤＣ／ＤＣコンバータにおいて、上アームドライブ信号を非絶縁で伝達する場合、ドライブ信号がスイッチングによる電圧変動により誤ＯＮし、その結果、スイッチング素子Ｑ１が誤点弧する可能性がある。
【０００３】
従来、ＧＮＤ電位の変動により、パワー素子駆動回路が制御信号を誤認識して誤動作を引き起こすことがあったため、ＧＮＤ電位の変動による制御信号の誤認識を防止するようにした電力用半導体装置が提案されている（例えば、特許文献１参照。）。特許文献１は、モータ等の誘導性負荷を駆動する電力変換装置におけるＰ側およびＮ側の駆動用パワー素子の双方の制御を同時に行う機能を有する電力用半導体装置に関するものである。そして、パワー素子駆動回路へ駆動信号を供給する入力信号処理回路と、Ｐ側およびＮ側の駆動回路の間にレベルシフト回路を挿入して、Ｐ側およびＮ側の駆動回路のＧＮＤ線と、入力信号処理回路のＧＮＤ線とを電気的に絶縁した。
【特許文献１】特開２００３−１８９６３２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
特許文献１の構成では、Ｐ側およびＮ側の駆動回路のＧＮＤ線と、入力信号処理回路のＧＮＤ線とを電気的に絶縁するため、パワー素子駆動回路と入力信号処理回路とにそれぞれ独立した電源が必要になる。
【０００５】
本発明は、前記従来の問題に鑑みてなされたものであって、その目的は、スイッチング素子に対して非絶縁で接続されるドライブ回路を備えた構成で、電力用のスイッチング素子の誤点弧を防止することができる電力変換装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
前記の目的を達成するため、請求項１に記載の発明は、基準電位がシステムのアース電位に対して浮動（フローティング）である電力用のスイッチング素子を備え、前記基準電位にコイルの一端が接続され、前記コイルは、前記スイッチング素子がＯＮ時に当該コイルに流れた電流により、前記スイッチング素子がＯＦＦになった直後も前記スイッチング素子がＯＮのときと同じ向きに当該コイルに電流が流れるように接続されている電力変換装置である。そして、前記スイッチング素子のドライブ回路は、前記スイッチング素子に対して非絶縁で接続されるレベルシフト回路を備えている。前記レベルシフト回路は、前記スイッチング素子をＯＮさせるときにＬｏｗ信号で前記スイッチング素子をＯＦＦさせるときにＨｉｇｈ信号であるドライブ信号が入力される、又は前記スイッチング素子をＯＮさせるときにＨｉｇｈ信号で前記スイッチング素子をＯＦＦさせるときにＬｏｗ信号であるドライブ信号が入力されるドライブ信号入力部と、少なくとも前記スイッチング素子をＯＮするときに入力されるドライブ信号に対する正負逆の誤点弧防止信号が前記スイッチング素子をＯＮするときに入力される誤点弧防止信号入力部と、前記誤点弧防止信号に対応する信号及び前記ドライブ信号に対応する信号のどちらか一方を前記基準電位に対して反転させる反転手段と、前記誤点弧防止信号に対応する信号及び前記ドライブ信号に対応する信号のどちらか他方の信号と前記反転手段で反転された反転信号とにより前記スイッチング素子の駆動信号を前記基準電位に対して生成する生成手段とを備えている。
【０００７】
この発明では、スイッチング素子の駆動信号は、ドライブ信号だけでなく、ドライブ信号と誤点弧防止信号とに基づいて生成される。誤点弧防止信号はスイッチング素子をＯＮさせるときに入力されるドライブ信号に対して正負逆の信号としてスイッチング素子をＯＮするときに入力される。すなわちドライブ信号がスイッチング素子をＯＮする時にHighである場合は、誤点弧防止信号は少なくともスイッチング素子をＯＮする時にLow であり、ドライブ信号がスイッチング素子をＯＮする時にLow である場合は、誤点弧防止信号は少なくともスイッチング素子をＯＮする時にHighである。そして、誤点弧防止信号に対応する信号及びドライブ信号に対応する信号のどちらか一方の信号が反転された反転信号と、他方の信号とにより駆動信号が生成される。そのため、スイッチング素子がＯＦＦとなるべきときにドライブ信号が基準電位の変動によってスイッチング素子をＯＮさせる状態になっても、誤点弧防止信号の作用により、駆動信号はスイッチング素子をＯＮさせる信号にならずにＯＦＦさせる信号になる。従って、スイッチング素子に対して非絶縁で接続されるドライブ回路を備えた構成で、電力用のスイッチング素子の誤点弧を防止することができる。
【０００８】
請求項２に記載の発明は、請求項１に記載の発明において、前記ドライブ信号は負論理の信号である。ここで、「負論理の信号」とは、負（Low ）で入力された場合にスイッチング素子をＯＮさせる信号を意味する。以下、この明細書では同様の意味で使用する。通常誤点弧が起こりやすい場合である、アース電位に対して浮動である電力用スイッチング素子に対してドライブ信号が負論理の信号であるときにこの発明を適用することで、効果的に誤点弧を防止することができる。
【０００９】
請求項３に記載の発明は、請求項１に記載の発明において、前記誤点弧防止信号がEnable信号又はDisable である。ここで、「Enable信号」とは、電力変換装置が動作中にHighとなる信号である。「Disable 信号」とは逆にLow となる信号である。これらの信号は通常の電力変換装置がもともと備えている信号である。以下、この明細書では同様の意味で使用する。この発明では、誤点防止用に追加した信号が、Enable・Disable 信号を兼用することができる。
【発明の効果】
【００１０】
本発明によれば、スイッチング素子に対して非絶縁で接続されるドライブ回路を備えた構成で、電力用のスイッチング素子の誤点弧を防止することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１１】
以下、本発明を降圧型のＤＣ／ＤＣコンバータに具体化した一実施形態を図１（ａ），（ｂ）にしたがって説明する。
図１（ａ）に示すように、ＤＣ／ＤＣコンバータ１０は、２個の電力用のスイッチング素子Ｑ１，Ｑ２が直流電源１１に直列に接続されている。スイッチング素子Ｑ１のソース及びスイッチング素子Ｑ２のドレインの接続点と、直流電源１１のマイナス端子との間にはコイル（リアクトル）Ｌ及びコンデンサＣが直列に接続されている。コンデンサＣの一方の端子にはプラス側の出力端子１２ａが設けられ、他方の端子にはマイナス側の出力端子１２ｂが設けられている。そして、両出力端子１２ａ，１２ｂ間に負荷３０が接続されるようになっている。
【００１２】
スイッチング素子Ｑ１，Ｑ２にはそれぞれｎチャネルのＭＯＳＦＥＴが使用されている。スイッチング素子Ｑ１のゲートとソース間には上アームドライブ回路１３が接続されている。スイッチング素子Ｑ２のゲートとソース間には下アームドライブ回路１４が接続されている。上アームドライブ回路１３及び下アームドライブ回路１４は、スイッチング素子Ｑ１がＯＮのときにはスイッチング素子Ｑ２がＯＦＦになり、スイッチング素子Ｑ１がＯＦＦのときにはスイッチング素子Ｑ２がＯＮになるようにスイッチング素子Ｑ１，Ｑ２をそれぞれ制御するように構成されている。上アームドライブ回路１３及び下アームドライブ回路１４には図示しない制御信号生成回路からの制御信号が入力されるとともに、その制御信号に基づいてスイッチング素子Ｑ１，Ｑ２のゲート及びソースに信号が出力されるようになっている。
【００１３】
次ぎに、上アームドライブ回路１３について詳述する。図１（ｂ）に示すように、上アームドライブ回路１３は、スイッチング素子Ｑ１に対して非絶縁で接続されるレベルシフト回路１５を備えている。レベルシフト回路１５は、ドライブ信号入力部１６と、誤点弧防止信号入力部１７と、反転手段としてのＮＯＴ回路１８と、生成手段としてのＮＡＮＤ回路１９とを備えている。そして、ＮＡＮＤ回路１９の出力がドライブ信号出力部２０に入力されるようになっている。
【００１４】
ドライブ信号出力部２０は、上アーム用フローティング電源のプラス側２１ａとマイナス側２１ｂとの間にトランジスタＱ３，Ｑ４が直列に接続されている。トランジスタＱ３にはｐチャネルのＭＯＳＦＥＴが、Ｑ４にはｎチャネルのＭＯＳＦＥＴがそれぞれ使用されるとともに、トランジスタＱ３のソースがスイッチング素子Ｑ１のゲートに接続され、トランジスタＱ４のソースがスイッチング素子Ｑ１のソースに接続されている。また、トランジスタＱ３，Ｑ４のゲートはそれぞれＮＡＮＤ回路１９の出力側に接続されている。
【００１５】
ドライブ信号入力部１６は、電源とアースとの間に抵抗Ｒ１とトランジスタＱ６が直列に接続されて構成されている。トランジスタＱ６にはｎチャネルのＭＯＳＦＥＴが使用されており、そのドレインが抵抗Ｒ１に接続されるとともにソースが接地されている。そして、抵抗Ｒ１とソースとの接続点がＮＡＮＤ回路１９の入力側に接続されている。トランジスタＱ６のゲートには、ドライブ信号としての負論理の上アームドライブ信号Ｓｄが入力されるようになっている。
【００１６】
誤点弧防止信号入力部１７は、電源とアースとの間に抵抗Ｒ２とトランジスタＱ５が直列に接続されて構成されている。トランジスタＱ５にはｎチャネルのＭＯＳＦＥＴが使用されており、そのドレインが抵抗Ｒ２に接続されるとともにソースが接地されている。そして、抵抗Ｒ２とソースとの接続点がＮＯＴ回路１８を介してＮＡＮＤ回路１９の入力側に接続されている。トランジスタＱ５のゲートには、誤点弧防止信号Ｓｐとして正論理のEnable信号が入力されるようになっている。つまり誤点弧防止信号ＳｐとしてのEnable信号は動作中常にHighである。
【００１７】
ＮＯＴ回路１８は、誤点弧防止信号Ｓｐに対応する信号を基準電位に対して反転させる反転手段を構成する。ＮＡＮＤ回路１９は、上アームドライブ信号Ｓｄに対応する信号と、ＮＯＴ回路１８で反転された反転信号とによりスイッチング素子Ｑ１の駆動信号を生成する生成手段を構成する。ＮＯＴ回路１８及びＮＡＮＤ回路１９はいずれもフローティング電源で駆動されるようになっている。
【００１８】
なお、従来の上アームドライブ回路１３は誤点弧防止信号入力部１７、ＮＯＴ回路１８及びＮＡＮＤ回路１９を備えず、ドライブ信号入力部１６の出力がドライブ信号出力部２０のトランジスタＱ３，Ｑ４のゲートに入力されるようになっている。
【００１９】
次ぎに前記のように構成されたＤＣ／ＤＣコンバータ１０の作用を説明する。上アームドライブ回路１３及び下アームドライブ回路１４には図示しない制御信号生成回路からの制御信号が入力されるとともに、その制御信号に基づいてスイッチング素子Ｑ１，Ｑ２のゲート及びソースに信号が出力されるようになっている。そして、スイッチング素子Ｑ１とスイッチング素子Ｑ２とが交互にＯＮになるように制御される。
【００２０】
スイッチング素子Ｑ１がＯＮでスイッチング素子Ｑ２がＯＦＦの状態において、直流電源１１から電流がスイッチング素子Ｑ１、コイルＬに流れてコイルＬに電磁エネルギーが蓄えられるとともにコンデンサＣの充電も行われ、静電エネルギーが蓄えられる。次ぎにスイッチング素子Ｑ１がＯＦＦでスイッチング素子Ｑ２がＯＮになると、コイルＬの電磁エネルギーがスイッチング素子Ｑ２を介して放出され、電流がスイッチング素子Ｑ２からコイルＬに向かうように流れる。この期間、負荷はコイルＬとコンデンサＣの蓄積エネルギーによって連続的に給電を受ける。
【００２１】
スイッチング素子Ｑ１がＯＮでスイッチング素子Ｑ２がＯＦＦのとき、直流電源１１→スイッチング素子Ｑ１→コイルＬの向きに電流が発生している。このとき、誤点弧防止信号ＳｐはHighであり、トランジスタＱ５がＯＮとなってＮＯＴ回路１８への入力はLow 、ＮＡＮＤ回路１９へのＮＯＴ回路１８からの入力はHighになる。また、上アームドライブ信号ＳｄはLow であり、トランジスタＱ６がＯＦＦとなってドライブ信号入力部１６からのＮＡＮＤ回路１９への入力はHighになる。その結果、ＮＡＮＤ回路１９の出力はLow になり、トランジスタＱ３がＯＮ、トランジスタＱ４がＯＦＦとなっている。
【００２２】
スイッチングのため、スイッチング素子Ｑ１をＯＦＦ、スイッチング素子Ｑ２をＯＮにすると、ＧＮＤ→スイッチング素子Ｑ２→コイルＬの向きに電流が発生し、スイッチング素子Ｑ１のソース電位がＧＮＤより低くなる。このとき、上アームドライブ信号ＳｄはHighなので、ＮＡＮＤ回路１９への入力信号がLow であることを期待される。しかし、スイッチング素子Ｑ１のソース電位がＧＮＤより低く、上アーム用フローティング電源のマイナス側２１ｂがＧＮＤより低電位となる。つまりＮＡＮＤ回路１９の基準電位がＧＮＤより低電位になる。したがってＮＡＮＤ回路１９へのドライブ信号入力部１６からの入力信号が誤認識でHighとなってしまう。そのため、ＮＡＮＤ回路１９の出力がLow になり、トランジスタＱ３がＯＮとなってスイッチング素子Ｑ１のゲート信号がＯＮとなる可能性がある。しかし、誤点弧防止信号ＳｐがHighであり、ＮＯＴ回路１８の基準電位もＧＮＤより低電位になるので、誤点弧防止信号入力部１７の出力であるLow 信号即ちＮＯＴ回路１８への入力信号も誤認識でHighとなり、ＮＯＴ回路１８からＮＡＮＤ回路１９への入力信号はLow が入力される。その結果、ＮＡＮＤ回路１９の出力はHighとなってトランジスタＱ３はＯＦＦとなり、スイッチング素子Ｑ１のゲート信号が誤ＯＮしなくなる。
【００２３】
この実施形態によれば、以下に示す効果を得ることができる。
（１）ＤＣ／ＤＣコンバータ１０は基準電位がシステムのアース（ＧＮＤ）電位に対して浮動であるスイッチング素子Ｑ１を備えており、スイッチング素子Ｑ１のドライブ回路である上アームドライブ回路１３は、スイッチング素子Ｑ１に対して非絶縁で接続されるレベルシフト回路１５を備えている。レベルシフト回路１５は、ドライブ信号入力部１６と、スイッチング素子Ｑ１をＯＮするときに入力される上アームドライブ信号Ｓｄに対する正負逆の誤点弧防止信号Ｓｐが入力される誤点弧防止信号入力部１７と、誤点弧防止信号Ｓｐに対応する信号を基準電位に対して反転させるＮＯＴ回路１８を備えている。また、レベルシフト回路１５は、上アームドライブ信号Ｓｄに対応する信号と、ＮＯＴ回路１８で反転された反転信号とによりスイッチング素子Ｑ１の駆動信号を生成するＮＡＮＤ回路１９を備えている。従って、上アームのスイッチング素子Ｑ１のソース電位がＧＮＤ電位より低くなった場合の誤点弧を確実に防止することができる。
【００２４】
（２）上アームドライブ信号Ｓｄは負論理の信号である。つまり、誤点弧の起こりやすい場合に適用することで効果的に誤点弧を防止することができる。
（３）誤点弧防止信号Ｓｐが正論理のEnable信号である。従って、ＤＣ／ＤＣコンバータ１０がスイッチング素子Ｑ１のスイッチングを停止する状態にあるとき、誤点弧防止信号Ｓｐが入力されるトランジスタＱ５とその上流の抵抗Ｒ２には電流が流れないため、誤点弧防止信号Ｓｐを負論理の信号とした場合に比較して、損失（発熱）が小さくなる。
【００２５】
（４）誤点弧防止信号ＳｐがEnable・Disable 信号を兼用することができる。
（５）従来の上アームドライブ回路を生かして、誤点弧防止信号入力部１７、ＮＯＴ回路１８及びＮＡＮＤ回路１９を追加することで誤点弧を防止するレベルシフト回路１５を構成した。従って、従来の構成を生かすことができる。
【００２６】
実施形態は前記に限定されるものではなく、例えば、次のように具体化してもよい。
○  降圧型のＤＣ／ＤＣコンバータ１０に限らず、基準電位がシステムのアース（ＧＮＤ）電位に対して浮動である電力用のスイッチング素子を備えた電力変換装置に適用してもよい。例えば、図２に示すような昇圧型のＤＣ／ＤＣコンバータ４０に適用したり、図３に示すようなインバータ４１に適用したりしてもよい。インバータ４１は、６個のスイッチング素子Ｑ１１，Ｑ１２，Ｑ１３，Ｑ１４，Ｑ１５，Ｑ１６と、３組の上アームドライブ回路４２，４３，４４及び下アームドライブ回路４５，４６，４７を備えている。
【００２７】
○  上アームドライブ回路１３及び下アームドライブ回路１４を備え、上アームのスイッチング素子Ｑ１及び下アームのスイッチング素子Ｑ２が交互にＯＮ、ＯＦＦ制御される構成の電力変換装置に限らず、基準電位がシステムのアース電位に対して浮動である電力用のスイッチング素子を備えた電力変換装置に適用してもよい。例えば、図４に示すように、下アームのスイッチング素子Ｑ２に代えてダイオードＤを設けてもよい。ダイオードＤは、アノードが直流電源１１のマイナス端子側に、カソードがスイッチング素子Ｑ１に接続される。この構成においては、下アームドライブ回路１４を設けなくても上アームドライブ回路１３が前記実施形態と同様に駆動されることにより、同様の出力が得られ、構成が簡単になるとともに制御も簡単になる。
【００２８】
○  上アームドライブ信号Ｓｄが正論理の信号であってもよい。ＤＣ／ＤＣコンバータ１０がスイッチング素子Ｑ１のスイッチングを停止する状態にあるとき、上アームドライブ信号Ｓｄが入力されるトランジスタＱ６とその上流の抵抗Ｒ１には電流が流れないため、上アームドライブ信号Ｓｄを負論理の信号とした場合に比較して、損失（発熱）が小さくなる。
【００２９】
○  誤点弧防止信号Ｓｐは正論理のEnable信号に限らず、負論理のEnable信号であってもよい。しかし、正論理のEnable信号の方が、電力変換装置（ＤＣ／ＤＣコンバータ１０）を停止する状態において損失が少なくなる。
【００３０】
○  誤点弧防止信号Ｓｐは正論理のEnable信号に限らず、上アームドライブ信号Ｓｄと同期したパルス信号でもよい。つまり、上アームドライブ信号Ｓｄが負論理の場合、スイッチング素子Ｑ１をＯＮする時に入力される上アームドライブ信号ＳｄはLowであるので、誤点弧防止信号Ｓｐは少なくとも上アームドライブ信号ＳｄがLowを出力する時にHighを出力すればよい。
【００３１】
誤点弧防止信号Ｓｐが、上アームドライブ信号ＳｄがLow のときHighであり、上アームドライブ信号ＳｄがHighのときLow である信号とした場合、スイッチング素子Ｑ１がＯＮのときは、上記実施形態と同じ動作をする。スイッチング素子Ｑ１がＯＦＦのときは誤点弧防止信号ＳｐはLow であり、トランジスタＱ５がＯＦＦとなってＮＯＴ回路１８へはHighを出力する。ここで、ＮＯＴ回路１８の基準電位はＧＮＤより低電位であるが、このＧＮＤに対してHighの信号はＮＯＴ回路１８の基準電位から見てもHighと認識される為、ＮＯＴ回路１８で誤認識が起こらない。そしてＮＯＴ回路１８からＮＡＮＤ回路１９への入力信号はLow になる。結果として上記実施形態と同じである。
【００３２】
○  誤点弧防止信号Ｓｐに対応する信号をＮＯＴ回路１８により基準電位に対して反転させる代わりに、上アームドライブ信号Ｓｄに対応する信号を基準電位に対して反転させるようにしてもよい。例えば、上アームドライブ信号Ｓｄを正論理にしてドライブ信号入力部１６とＮＡＮＤ回路１９との間にＮＯＴ回路１８を設け、誤点弧防止信号Ｓｐを負論理にして誤点弧防止信号入力部１７の出力をＮＡＮＤ回路１９に入力する構成とする。
【００３３】
○  反転手段で反転された誤点弧防止信号Ｓｐに対応する信号及び上アームドライブ信号Ｓｄに対応する信号のどちらか一方の信号と、反転されない他方の信号とによりスイッチング素子Ｑ１の駆動信号を生成する生成手段はＮＡＮＤ回路１９に限らない。生成手段は、最終的にドライブ信号出力部２０からスイッチング素子Ｑ１を適正に駆動する駆動信号を生成する構成であればよい。
【００３４】
○  スイッチング素子Ｑ１，Ｑ２を構成するトランジスタ及びトランジスタＱ３，Ｑ４，Ｑ５，Ｑ６は、ＭＯＳＦＥＴに限らず、例えば、ＩＧＢＴ（Insulated Gate Bipolar Transistor ）であってもよい。ＩＧＢＴを使用する場合は、ＭＯＳＦＥＴのソースが接続される部分にエミッタを接続し、ドレインが接続される部分にコレクタを接続する。
【００３５】
以下の技術的思想（発明）は前記実施形態から把握できる。
（１）請求項１〜請求項３のいずれか一項に記載の発明において、前記反転手段はＮＯＴ回路であり、前記生成手段はＮＡＮＤ回路である。
【００３６】
（２）基準電位がシステムのアース電位に対して浮動である電力用のスイッチング素子を備えた電力変換装置におけるスイッチング素子への駆動信号発生方法であって、
前記スイッチング素子への駆動信号を、前記スイッチング素子のＯＮ、ＯＦＦに対応するドライブ信号と、前記スイッチング素子をＯＮするときに入力されるドライブ信号に対する正負逆の誤点弧防止信号とに基づいて、かつ前記誤点弧防止信号に対応する信号及び前記ドライブ信号に対応する信号のどちらか一方を前記基準電位に対して反転手段により反転させた反転信号と、前記誤点弧防止信号に対応する信号及び前記ドライブ信号に対応する信号のどちらか他方の信号とが同じレベルのときにスイッチング素子をＯＮにするように生成する生成手段により生成し、前記反転手段及び前記生成手段をその基準電位が前記システムのアース電位に対して浮動の状態で作動させる電力変換装置におけるスイッチング素子への駆動信号発生方法。
【図面の簡単な説明】
【００３７】
【図１】一実施形態を示し、（ａ）はＤＣ／ＤＣコンバータの回路図、（ｂ）は上アームドライブ回路の回路図。
【図２】別の実施形態の回路図。
【図３】別の実施形態の回路図。
【図４】別の実施形態の回路図。
【図５】従来技術の回路図。
【符号の説明】
【００３８】
Ｑ１，Ｑ２，Ｑ１１，Ｑ１２，Ｑ１３，Ｑ１４，Ｑ１５，Ｑ１６…スイッチング素子、Ｓｄ…ドライブ信号としての上アームドライブ信号、Ｓｐ…誤点弧防止信号、１０…電力変換装置としてのＤＣ／ＤＣコンバータ、１３，４２，４３，４４…ドライブ回路としての上アームドライブ回路、１５…レベルシフト回路、１６…ドライブ信号入力部、１７…誤点弧防止信号入力部、１８…反転手段としてのＮＯＴ回路、１９…生成手段としてのＮＡＮＤ回路。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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