(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
透明性を有する電磁波シールドフィルタであって、透明基材上に、接着剤除去処理抵抗層と、接着剤層と、開口部を有する導電体層とがこの順番で形成されてなり、かつ前記導電体層の開口部において前記接着剤層が形成されていないことを特徴とする、電磁波シールドフィルタ。
【請求項２】
前記導電体層の少なくとも開口部に、さらに透明樹脂層が形成された、請求項１に記載の電磁波シールドフィルタ。
【請求項３】
請求項１に記載の電磁波シールドフィルタの製造方法であって、
透明基材上に、接着剤除去処理抵抗層と、接着剤層と、開口部を有する導電体層とがこの順番で形成された複合体を用意し、
次いで、この複合体を、前記導電体層の開口部における前記接着剤層を除去することからなる接着剤層除去処理に付すことを特徴とする、電磁波シールドフィルタの製造方法。
【請求項４】
請求項１に記載の電磁波シールドフィルタがディスプレイの観察者側に配置されていることを特徴とする、ディスプレイ。
【請求項５】
請求項１に記載の電磁波シールドフィルタを具備することを特徴とする、電磁波シールド構成体。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、例えばブラウン管（ＣＲＴ）、プラズマ（ＰＤＰ）、液晶、エレクトロ・ルミネセンス（ＥＬ）等を利用したディスプレイから発生する電磁波のシールド性と透明性を有する電磁波シールドフィルタ、および該フィルタを用いたディスプレイ、ならびに電磁波シールド構成体に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
近年各種の電気設備や電子応用設備の利用が増加するのに伴い、電磁気的なノイズ妨害（Electro-Magnetic Interference；ＥＭＩ）も増加の一途をたどっている。ノイズは大きく分けて伝導ノイズと放射ノイズに分けられる。このような伝導ノイズの対策としては、ノイズフィルタなどを用いる方法がある。一方、放射ノイズの対策としては、電磁気的に空間を絶縁する必要があるため、筐体を金属体または高導電体にするとか、回路基板と回路基板との間に金属板を挿入するとか、ケーブルを金属箔で巻き付けるなどの方法が採られている。これらの方法では、回路や電源ブロックのＥＭＩシールド効果を期待できるが、ＣＲＴ、ＰＤＰなどのディスプレイ前面より発生するＥＭＩシールド用途としては、不透明であるため必ずしも適したものではなかった。
【０００３】
ＥＭＩシールド性と透明性を両立させる方法として、透明性基材上に金属または金属酸化物を蒸着して薄膜導電層を形成する方法（特開平１−２７８８００号公報、特開平５−３２３１０１号公報参照）が提案されている。一方、良導電性繊維を透明基材に埋め込んだＥＭＩシールド材（特開平５−３２７２７４号公報、特開平５−２６９９１２号公報参照）や金属粉末等を含む導電性樹脂を透明基板上に直接印刷したＥＭＩシールド材料（特開昭６２−５７２９７号公報、特開平２−５２４９９号公報参照）、さらには、厚さが２ｍｍ程度のポリカーボネート等の透明基板上に透明樹脂層を形成し、その上に無電解めっき法により銅のメッシュパターンを形成したシールド材料（特開平５−２８３８８９号公報参照）が提案されている。さらに、透明基材上に接着剤層を介して金属箔、樹脂層を積層する構成のシールド材料（特開平１０−４１６８２号公報、特開２００３−１５２３８５号公報参照）が提案されている。
【特許文献１】特開平１−２７８８００号公報
【特許文献２】特開平５−３２３１０１号公報
【特許文献３】特開平５−３２７２７４号公報
【特許文献４】特開平５−２６９９１２号公報
【特許文献５】特開昭６２−５７２９７号公報
【特許文献６】特開平２−５２４９９号公報
【特許文献７】特開平５−２８３８８９号公報
【特許文献８】特開平１０−４１６８２号公報
【特許文献９】特開２００３−１５２３８５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
ＥＭＩシールド性と透明性を両立させる方法として、上記特開平１−２７８８００号公報、特開平５−３２３１０１号公報に示されている透明性基材上に金属または金属酸化物を蒸着して薄膜導電層を形成する方法は、透明性が達成できる程度の膜厚（数１００Å〜２０００Å）にすると導電層の表面抵抗が大きくなりすぎるため、１ＧＨｚで要求される３０ｄＢ以上のシールド効果に対して２０ｄＢ以下と不十分であった。
【０００５】
良導電性繊維を透明基材に埋め込んだＥＭＩシールド材（特開平５−３２７２７４号公報、特開平５−２６９９１２号公報）では、１ＧＨｚのＥＭＩシールド効果は４０〜５０ｄＢと十分大きいが、電磁波漏れのないように導電性繊維を規則配置させるために必要な繊維径が３５μｍと太すぎるため、繊維が見えてしまい（以後、視認性という）ディスプレイ用途には適したものではなかった。
【０００６】
また、特開昭６２−５７２９７号公報、特開平２−５２４９９号公報の金属粉末等を含む導電性樹脂を透明基板上に直接印刷したＥＭＩシールド材料の場合も同様に、印刷精度の限界からライン幅は、１００μｍ前後となり視認性が発現するため適したものではなかった。さらに特開平５−２８３８８９号公報に記載の厚さが２ｍｍ程度のポリカーボネート等の透明基板上に透明樹脂層を形成し、その上に無電解めっき法により銅のメッシュパターンを形成したシールド材料では、無電解めっきの密着力を確保するために、透明基板の表面を粗化する必要がある。この粗化手段として、一般にクロム酸や過マンガン酸などの毒性の高い酸化剤を使用しなければならず、そして、この方法はＡＢＳ以外の樹脂では満足できる粗化を行うことが困難であった。この方法により、ＥＭＩシールド性と透明性は達成できたとしても、透明基板の厚さを小さくすることは困難で、フィルム化には適していない。
【０００７】
一般に、透明基板が厚いと、ディスプレイに密着させることができないため、そこからの電磁波の漏洩が大きくなる。また、製造面においては、シールド材料を巻物等にすることができないため嵩高くなることや自動化に適していないために製造コストがかさむという欠点もある。
【０００８】
ディスプレイ前面から発生する電磁波のシールド性については、１ＧＨｚにおける３０ｄＢ以上のＥＭＩシールド機能ばかりでなく、良好な可視光透過性、さらに可視光透過率が大きいだけでなく、電磁波の漏れを防止するためディスプレイ面に密着して貼付けられる接着性、シールド材の存在を目視で確認することができない特性である非視認性が必要とされる。また、接着性についてはガラスや汎用ポリマー板に対し比較的低温で容易に貼付き、長期間にわたって良好な密着性を有することが必要である。しかしながら、これらの特性を十分に満たすものは得られていなかった。
【０００９】
さらに、特開平１０−４１６８２号公報、特開平２００３−１５２３８５号公報に示される、透明基材上に接着剤層を介して金属箔、樹脂層を積層する構成のシールド材料は、可視光透過率を高めるために、接着層自体の透明性が必要とされ、また接着層と樹脂層の屈折率差を０．１４以下としなければならず、接着剤もしくは樹脂材料の選択に制限があり、必ずしも最適な材料が選択できない問題があった。
【００１０】
そこで、本発明者らは、特願２００５−１６２７００号明細書により、エッチングや物理的除去により接着層を除去するプロセスが提案した。しかし、この方法には、除去すべき接着剤層が大面積である場合、除去作業の効率性および均一性について未だ改良の余地があった。
【００１１】
本発明はかかる点に鑑み、ＥＭＩシールド性と透明性、非視認性および良好な特性を有する電磁波シールド性と透明性を有する電磁波シールドフィルタにおいて、光線透過率を向上させることを目的として、接着層を均一性良く除去するための方法を提供し、透明性が極めて高く、電磁波シールド性に優れたディスプレイ用フィルタを提供する。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
上記課題を解決するために、本発明による電磁波シールドフィルタは、透明性を有する電磁波シールドフィルタであって、透明基材上に、接着剤除去処理抵抗層（以下、本願明細書において「ストッパー層」と記載されることがある）と、接着剤層と、開口部を有する導電体層とがこの順番で形成されてなり、かつ前記導電体層の開口部において前記接着剤層が形成されていないこと、を特徴とするものである。
【００１３】
このような本発明による電磁波シールドフィルタでは、前記導電体層の少なくとも開口部に、さらに透明樹脂層を形成することができる。
【００１４】
また、本発明による電磁波シールドフィルタの製造方法は、上記の電磁波シールドフィルタの製造方法であって、透明基材上に、ストッパー層と、接着剤層と、開口部を有する導電体層とが形成された複合体を用意し、次いで、この複合体を、前記メッシュ層の開口部における前記接着剤層を除去することからなる接着剤層除去処理に付すこと、を特徴とするものである。
【００１５】
そして、本発明によるディスプレイは、上記の電磁波シールドフィルタがディスプレイの観察者側に配置されていること、を特徴とするものである。
【００１６】
また、本発明による電磁波シールド構成体は、上記の電磁波シールドフィルタを具備すること、を特徴とするものである。
【００１７】
上記の本発明による電磁波シールドフィルタは、好ましくは下記いずれかの態様を包含する。
【００１８】
（１）前記のストッパー層および前記接着剤層とを同一条件の接着剤層除去処理に付した場合において、前記ストッパー層の除去速度が前記接着剤層の除去速度の１／２以下である、電磁波シールドフィルタ。
【００１９】
（２）前記のストッパー層が、透明である、電磁波シールドフィルタ。
【００２０】
（３）前記のストッパー層が、無機酸化膜、無機窒化膜、無機炭化膜、無機酸化窒化膜、無機酸化炭化膜、無機酸化窒化炭化膜のいずれかである、電磁波シールドフィルタ。
【００２１】
（４）前記のストッパー層が、ケイ素、アルミニウム、クロム、マグネシウム、カルシウム、チタン、ニオブ、モリブデン、タンタル、インジウム、錫およびジルコニウムからなる群から選ばれた無機元素の、無機酸化物、無機窒化物、無機炭化物、無機酸化炭化物、無機酸化窒化物、無機炭化窒化物、無機酸化炭化窒化物のいずれかからなる、電磁波シールドフィルタ。
【００２２】
（５）前記のストッパー層が、膜厚が５ｎｍから１００μｍのものである、電磁波シールドフィルタ。
【００２３】
（６）前記のストッパー層が、表面平均粗さＲａが５０ｎｍ以下のものである、電磁波シールドフィルタ。
【００２４】
（７）前記のストッパー層が、表面最大高低差Ｐ−Ｖが５００ｎｍ以下のものである、電磁波シールドフィルタ。
【００２５】
（８）前記のストッパー層が、前記透明基材との屈折率差が０．１５以下のものである、電磁波シールドフィルタ。
【００２６】
（９）前記のストッパー層が、前記透明基材との屈折率差が０．１５以上のものである、電磁波シールドフィルタ。
【００２７】
（１０）前記の透明基材と前記透明樹脂層との屈折率の差が０．１４以下のものである、電磁波シールドフィルタ。
【００２８】
（１１）前記の透明樹脂層が、接着性を有するものである、電磁波シールドフィルタ。
【００２９】
（１２）前記の透明基材が、前記のストッパー層側の表面に凹凸面が形成されたものである、電磁波シールドフィルタ。
【００３０】
（１３）前記の開口部を有する導電体層が、ケミカルエッチングプロセスによって幾何学図形状の開口部が形成された、ライン幅が４０μｍ以下、ライン間隔が２００μｍ以上、ライン厚みが４０μｍ以下のものである、電磁波シールドフィルタ。
【００３１】
（１４）前記の開口部を有する導電体層が、少なくともその表面が黒化処理された銅である、電磁波シールドフィルタ。
【００３２】
（１５）前記の開口部を有する導電体層が常磁性金属である、電磁波シールドフィルタ。
【００３３】
（１６）前記の透明基材が、ポリエチレンテレフタレートフィルム、ポリエチレンナフタレートフィルム、ポリイミドフィルム、環状ポリオレフィン樹脂フィルム、ノルボルネン樹脂フィルム、エポキシ（メタ）アクリレート樹脂フィルム、ウレタン（メタ）アクリレート樹脂フィルム、（メタ）アクリレート樹脂フィルム、ポリオルガノシルセスキオキサン含有シリコーン樹脂フィルムのいずれかである、電磁波シールドフィルタ。
【００３４】
（１７）前記のストッパー層が、蒸着法、スパッタ法、イオンプレーティング法、圧力勾配型プラズマガンを用いたイオンプレーティング法、プラズマＣＶＤ法、ホットワイヤーＣＶＤ法、大気圧プラズマＣＶＤ法、表面波プラズマＣＶＤ法のいずれ１つ方法により形成された、電磁波シールドフィルタ。
【００３５】
（１８）前記のストッパー層がゾルゲル法により形成された、電磁波シールドフィルタ。
【００３６】
（１９）前記のストッパー層がスプレー熱分解法により形成された、電磁波シールドフィルタ。
【００３７】
（２０）前記のストッパー層が化学溶液相法により形成された、電磁波シールドフィルタ。
【００３８】
そして、上記の本発明による電磁波シールドフィルタの製造方法は、好ましくは下記いずれかの態様を包含する。
【００３９】
（１）ストッパー層を有する透明基材と、接着剤を塗布した開口部を有する導電体層とを接合することにより、前記複合体を用意する、電磁波シールドフィルタの製造方法。
【００４０】
（２）さらに、前記導電体層の開口部における接着剤層を、前記導電体層面側から接着剤層除去処理に付すことにより除去する、電磁波シールドフィルタの製造方法。
【００４１】
（３）ストッパー層を有する透明基材と導電体層とを接着剤によって接合した後、これをケミカルエッチング処理に付して前記導電体層に開口部を形成することにより、前記複合体を用意し、その後、前記導電体層の開口部における接着剤層を、前記導電体層面側から接着剤層除去処理に付すことにより除去する、電磁波シールドフィルタの製造方法。
【００４２】
（４）ストッパー層を有する透明基材と開口部を有する導電体層とを接着剤によって接合することにより、前記複合体を用意し、その後、前記導電体層の開口部における接着剤層を、前記導電体層面側から接着剤層除去処理に付すことにより除去する、電磁波シールドフィルタの製造方法。
【００４３】
（５）前記の接着剤層除去処理が、（１）プラズマエッチング法、（２）反応性プラズマエッチング法、（３）反応性エッチング法、（４）光エッチング法（５）研磨法、（６）サンドブラスト処理、（７）ドライアイスブラスト処理、（８）高圧力流体除去法（９）火炎処理（１０）コロナ処理（１１）オゾン処理（１２）フォトフィソグラフィー法の少なくとも１つ以上を含む、電磁波シールドフィルタの製造方法。
【発明の効果】
【００４４】
本発明による電磁波シールドフィルタは、透明性を有する電磁波シールドフィルタであって、透明基材上に、ストッパー層と、接着剤層と、開口部を有する導電体層とが形成されてなり、かつ前記導電体層の開口部において前記接着剤層が形成されていないことから、導電体層の開口部における光透過性が特に優れるものである。従って、ディスプレイ前面に配置された際、ディスプレイの表示品質を良好に保持したまま、電磁波を遮蔽可能なものである。
【００４５】
本発明における電磁波シールドフィルタでは、接着剤層が透明性の高いものである必要がないことから広範な接着剤を使用することができる。よって、従来は透明性等の観点で使用することが出来なかった接着剤を使用することができ、具体的用途等に応じた最適な接着剤を使用することができるので、耐久性の高い電磁波シールドフィルタを容易に得ることができる。このような本発明では、場合により、例えば光透過性が７０％以下のような不透明な接着剤や、着色された接着剤を使用することができる。
【００４６】
また、適当な接着剤を使用することにより、接着剤層の厚さを従来より薄くしても十分な接着強度が得られるので、電磁波シールドフィルタの重量および薄さを低減することができ、かつ製造コストを抑制することができる。
【００４７】
そして、導電体層の少なくとも開口部にさらに透明樹脂層を形成する場合には、接着剤層とこの透明樹脂層との屈折率を同一ないし近似させる必要がないことから、従来は屈折率等の観点で不適当であった透明樹脂材料をも本発明では使用することが出来る。よって、電磁波シールドフィルタの重量、薄さおよび製造コストをさらに低減することが出来るようになる。
【００４８】
一般的な接着剤は複数成分の混合物からなっており、そして接着剤層の形成に際して接着剤を溶媒等に希釈することが通常行われることから、これらの各成分が電磁波シールドフィルタの他の構成材料（例えば、導電体層の開口部に形成される透明樹脂層や、透明基材、着色層等）に作用して、上記他の構成材料を変質ないし劣化させたり、反対に、上記他の構成材料によって接着剤層が劣化する場合があって、導電体層の開口部の光透過性が低下したり接着強度等が著しく低下することがあった。しかし、本発明による電磁波シールドフィルタでは、接着剤の量ならび表面積が従来よりも著しく少ないことから、導電体層の開口部における光透過性の低下あるいは変質による着色および接着強度等の低下等が効果的に防止されて、光透過性および耐久性が著しく向上したものとなっている。
【００４９】
さらに、本発明による電磁波シールドフィルタでは、ストッパー層が接着剤層の下層（即ち、接着剤層の透明基材側の層）として形成されていることから、透明基材層が接着剤層除去処理によって露出することがない。このことから、透明基材層の特性、特に表面特性および光学的特性等が接着剤層除去処理によって変化することが有効に防止される。
【００５０】
そして、このストッパー層が存在することにより、上記の通りに透明基材層の特性変化が有効に防止されることから、接着剤層除去処理の最適条件および許容範囲が拡大化（広域化）する。このことにより、接着剤層の除去処理を効率的、均一的にかつ確実に行うことができる。この効果は、大判の電磁波シールドフィルタを製造する場合おいて特に顕著に認められる。
【００５１】
このストッパー層は、接着剤層除去処理に対する抵抗性が高いものなので、接着剤層除去処理により露出した部分のストッパー層の特性劣化が防止されている。よって、本発明によれば、透明性等の光学的特性が優れた電磁波シールドフィルタが提供される。
【発明を実施するための最良の形態】
【００５２】
以下に、本発明を詳細に説明する。  
図１は、本発明による電磁波シールドフィルタについて、基本的な形態例を例示する断面図である。
【００５３】
図１に示される本発明による電磁波シールドフィルタ１は、最も基本的な形態であり、透明基材２上に、ストッパー層３と、接着剤層４と、開口部を有する導電体層５とが形成されたものであって、かつ前記導電体層５の開口部５Ｘにおいて前記接着剤層４が形成されていないものである。なお、透明基材２と、ストッパー層３と、接着剤層４と、開口部を有する導電体層５とからなる構造物を、本明細書において「複合体」と言う場合がある。
【００５４】
このような本発明による電磁波シールドフィルタ１では、好ましくは、前記導電体層５の少なくとも開口部５Ｘに、さらに透明樹脂層６を形成することができる。この透明樹脂層６は、図１に示されるように、前記導電体層５の開口部５Ｘを埋めたうえ、導電体層５と接着剤層４との合計の厚さよりも厚く形成すると共に、さらに導電体層５の非開口部５Ｙにおける導電体層５の上にも形成することができる。この際、透明樹脂層６の厚さは、この透明樹脂層６の表面が平坦になるように、導電体層５の厚さおよび接着剤層４の厚さを考慮して、導電体層の開口部５Ｘと非開口部５Ｙとの両部位において異ならせることが好ましい。
【００５５】
図１に示される本発明による電磁波シールドフィルタ１には、必要に応じて他の構成材等を形成することも可能である。図２は、図１の電磁波シールドフィルタ１の前記透明樹脂層６の表面に基材７を形成したものについて示すものである。
【００５６】
以下、本発明の電磁波シールドフィルタについて、透明基材２から各層毎に順に説明する。
【００５７】
〔透明基材〕
透明基材２は、電磁波シールドフィルタの基材として必要な要件を満たすものであれば、任意のものを使用することができ、例えば光透過性、機械的強度、耐熱性、絶縁性、その他等を勘案したうえで、用途に応じたものを適宜選択して用いることができる。例えば、各種の樹脂材料および無機材料、例えばガラス、等を用いることができる。
【００５８】
樹脂材料の具体例としては、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）などのポリエステル類、ポリエチレン樹脂、ポリプロピレン樹脂、ポリスチレン樹脂、エチレン酢酸ビニル共重合樹脂（ＥＶＡ）などのポリオレフィン類、環状ポリオレフィン樹脂、ノルボルネン樹脂、トリアセチルセルロース樹脂、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデンなどのビニル系樹脂、ポリサルホン樹脂、ポリエーテルサルホン樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポリアミド樹脂、ポリイミド樹脂、アクリル樹脂、ウレタンアクリレート樹脂、アクリレート樹脂、メタアクリレート樹脂、ポリオルガノシルセスキオキサンを含むシリコーン樹脂、ウレタン樹脂、エポキシ樹脂などを挙げることができる。このうち透明性、耐熱性、取り扱いやすさ、価格の点からポリエチレンテレフタレートフィルムが最も適している。また、耐久性の点からは、ポリエチレンナフタレートフィルム、ポリイミドフィルム、環状ポリオレフィン樹脂フィルム、ノルボルネン樹脂フィルム、エポキシ（メタ）アクリレート樹脂フィルム、ウレタン（メタ）アクリレート樹脂フィルム、（メタ）アクリレート樹脂フィルム、ポリオルガノシルセスキオキサン含有シリコーン樹脂フィルムが好ましい。
【００５９】
また、これら樹脂中には、必要に応じて適宜、紫外線吸収剤、充填剤、可塑剤、帯電防止剤などの添加剤を加えることができる。
【００６０】
ガラスとしては、石英ガラス、ホウケイ酸ガラス、ソーダライムガラスなどがあり、より好ましくは熱膨脹率が小さく寸法安定性および高温加熱処理における作業性に優れ、また、ガラス中にアルカリ成分を含まない無アルカリガラス等が挙げられ、ディスプレイの前面基板等とする電極基板と兼用することもできる。
【００６１】
本発明では、全可視光透過率が７０％以上のものが特に好ましい。透明基材は、必ずしも無色透明のものである必要はなく、本発明の目的を妨げない程度に着色していても良く、さらに単層で使うこともできるが、２層以上を組み合わせた多層フィルムとして使ってもよい。
【００６２】
透明基材の厚さは、用途に応じて決定することができる。透明樹脂から成る透明基材の場合は、５〜５００μｍ、好ましくは１０〜１００μｍ、さらに好ましくは２５〜５０μｍ、である。一方、透明基材がガラスである場合には、通常０．４ｍｍ〜５ｍｍ程度が好適である。いずれの材料に於いても、上記未満の厚さとなると機械的強度が不足して反りや弛み、破断などが起こり、上記を超える厚さとなると過剰性能でコスト高となる上、薄型化が難しくなる。
【００６３】
なお、透明基材としては、これらの無機材料、有機材料等からなるシート（乃至はフィルム）、板などが適用でき、また、透明基材は、前面基板および背面基板等からなるディスプレイ本体の一構成要素である前面基板と兼用しても良いが、前面基板の前に配置する前面フィルタとして電磁波シールドフィルタを用いる形態では、薄さ、軽さの点で、板よりもシートが優れており、また割れない等の点でも、ガラス板よりも樹脂シートが優れていることは言うまでもない。また、電磁波シールドフィルタを連続的に製造し生産性を向上できる点では、透明基材は、導電体層の形成等の少なくとも製造初期の段階に於いては、連続帯状のシートの形態で取り扱うことが好ましい。
【００６４】
樹脂材料からなる透明基材の場合、適宜その表面に、コロナ放電処理、プラズマ処理、オゾン処理、フレーム処理、プライマー処理、予熱処理、除塵埃処理、蒸着処理、アルカリ処理などの公知の易接着処理を行うことができる。
【００６５】
〔導電体層〕
導電体層５は、本発明による電磁波シールドフィルタに必須のものであって、本発明によるフィルタの電磁波シールド機能を担うとともに、開口部を有することにより導電体層が光不透過性材料からなる場合においても、十分な光透過性を示すものである。
【００６６】
導電体層は、電磁波遮蔽機能を発現するに足る導電性を有する物質であれば、特に制限は無い。通常は、導電性が良い点で金属層が好ましい。導電体層としては、銅、アルミニウム、ニッケル、鉄、金、銀、ステンレス、タングステン、クロム、チタンなどの金属の内の１種または２種以上を組み合わせた合金を使用することができる。導電性、回路加工の容易さ、価格の点から銅、アルミニウムまたはニッケルが適しており、厚みが３〜４０μｍの金属箔であることが好ましい。厚みが４０μｍ超過では、ライン幅の形成が困難であったり、視野角が狭くなるためであり、厚みが３μｍ未満では、表面抵抗が大きくなり、シールド効果に劣るためである。
【００６７】
導電性材料が、銅であり、少なくともその表面が黒化処理されたものであると、コントラストが高くなり好ましい。また、導電性材料が経時的に酸化され退色されることが防止できる。黒化処理は、開口部の形成前後で行えば良いが、通常形成後において、プリント配線板分野で行われている方法を用いて行うことができる。好ましい方法としては、例えば、亜塩素酸ナトリウム、水酸化ナトリウム、燐酸三ナトリウム等の水溶液中で処理する方法を挙げることができる。この際に使用する水溶液は、亜塩素酸ナトリウム濃度が３１ｇ／ｌ、水酸化ナトリウム濃度が１５ｇ／ｌ、燐酸三ナトリウムが濃度が１２ｇ／ｌのものが特に好ましく、処理条件は９５℃で２分間が最も好ましい。
【００６８】
導電性材料が、常磁性金属であると、磁場シールド性に優れるために好ましい。
【００６９】
導電体層の厚さを薄くする必要がある場合には、真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレート法、化学蒸着法、無電解・電気めっき法などの薄膜形成技術のうちの１または２個以上の方法を組み合わせることにより達成できる。導電性材料の膜厚は、４０μｍ以下のものが適用できるが、薄いほどディスプレイの視野角が広がりＥＭＩシールド材料として好ましく、１８μｍ以下とすることがさらに好ましい。
【００７０】
導電体層の開口部は、任意の幾何学図形、例えば正三角形、二等辺三角形、直角三角形などの三角形、正方形、長方形、ひし形、平行四辺形、台形などの四角形、（正）六角形、（正）八角形、（正）十二角形、（正）二十角形などの（正）ｎ角形、円、だ円、星形などを組み合わせた模様であり、これらの単位の単独の繰り返しあるいは２種類以上の組み合わせで使うこともできる。ＥＭＩシールド性の観点からは三角形が最も有効であるが、可視光透過性からは同一のライン幅なら（正）ｎ角形のｎ数が大きいほど開口率が上がり可視光透過性が大きくなるので有利である。
【００７１】
このような幾何学図形を描く方法としては、上記導電性材料付きの透明基材をケミカルエッチングプロセスによって作製するのが、加工性の点から効果的である。その他に、幾何学図形を描いたマスクを用いて透明プラスチック基材上に配した感光性樹脂層を露光、現像し無電解めっきや電気めっきを組み合わせて幾何学図形を形成する方法などがある。
【００７２】
このような幾何学図形は、好ましくはライン幅は４０μｍ以下、ライン間隔は２００μｍ以上、ライン厚みは４０μｍ以下の範囲とされる。また、幾何学図形の非視認性の観点からライン幅は２５μｍ以下、可視光透過率の点からライン間隔は５００μｍ以上、ライン厚み１８μｍ以下がさらに好ましい。ライン間隔は、大きいほど可視光透過率は向上するが、この値が大きくなり過ぎるとＥＭＩシールド性が低下するため、１ｍｍ以下とするのが好ましい。なお、ライン間隔は、幾何学図形等の組合わせ等で複雑となる場合、繰り返し単位を基準としてその面積を正方形の面積に換算し、その一辺の長さをライン間隔とする。
【００７３】
〔接着剤層〕
接着剤層４は、導電体層５を接着固定するものである。本発明による電磁波シールドフィルタでは、導電体層の開口部においてこの接着剤層４が形成されていないので、接着剤層４によって電磁波シールドフィルタの透明性が低下することがない。本発明において、接着剤層は、透明性を考慮せずに任意の接着剤によって形成できることから、従来の透明接着剤では実現することが困難であった高度の接着強度を得ることができる。
【００７４】
接着剤層４を形成する接着剤は、特に限定されるものでは無く公知の接着剤を適宜採用することができる。例えば、ウレタン系接着剤、アクリル系接着剤、エポキシ系接着剤、ゴム系接着剤等が挙げられ、なかでも、ウレタン系接着剤が接着力等の点で好ましい。なお、この様なウレタン系接着剤としては、二液硬化型ウレタン樹脂系接着剤等があり、二液硬化型ウレタン樹脂系接着剤としては、ポリエーテルポリオール、ポリエステルポリオール、アクリルポリオール等の各種ヒドロキシル基含有化合物と、トリレンジイソシアネートやヘキサメチレンジイソシアネート等の各種ポリイソシアネート化合物を含む二液硬化型ウレタン樹脂を利用した接着剤を挙げることができる。
【００７５】
接着剤層の具体的な形成方法は、特に限定されるものでは無く、公知の方法が適宜採用される。例えば、ロールコート、コンマコート、グラビアコート等の塗工法、スクリーン印刷、グラビア印刷等の印刷法が挙げられる。なお、接着剤層の厚み（乾燥時）は特に制限は無いが、導電体層５の非開口部において、通常、１〜２０μｍであるが、接着力、コスト、作業性等の点でより好ましくは１〜１０μｍである。
【００７６】
本発明においては、前記の通り、接着剤層は、光学的特性、即ち光線透過率を向上させるため、透明基材上のストッパー層の全面ではなく、その一部でかつ導電性材料と接する部分のみ形成させる。このための方法として、導電性材料で被覆されない接着層を除去する方法が考えられるが、所定の位置で除去を停止させるためのストッパー層をあらかじめ設け、除去工程を行う方法が良い。このような構成とすることで、画像表示部、即ちディスプレイパネルとして組み立てられた際に、表示部の光線透過率が高くなり、結果として明るく鮮明な表示が可能となる。また、接着剤材料の無駄なコーティング部がなくなり材料コストの低減やフィルター部品の軽量化を図ることが可能となる。
【００７７】
このような形態を実現する方法としては、（１）幾何学図形がケミカルエッチングされた導電性材料に対して接着剤を塗布して透明基材と貼り合わせる方法、（２）透明基板に接着剤を塗布し導電性材料と貼り合わせた後、ケミカルエッチングで導電性材料に幾何学図形を形成し、接着剤層を導電性材料面側から除去する方法があげられる。いずれの方法においても幾何学図形形成部に接着層がはみ出す可能性があるため、接着層の除去工程は有効な効果が得られる。
【００７８】
〔接着剤層除去処理〕
接着剤層除去処理は、前記の開口部を有する導電性材料をマスクとして用い、以下の手法により接着剤層を除去する方法で行うことができる。（１）プラズマエッチング法、（２）反応性プラズマエッチング法、（３）反応性エッチング法、（４）光エッチング法、（５）研磨法、（６）サンドブラスト処理、（７）ドライアイスブラスト処理、（８）高圧力流体除去法、（９）火炎処理、（１０）コロナ処理、（１１）オゾン処理による除去方法、（１２）フォトリソグラフィ法など任意の方法を用いることができる。
【００７９】
前記（１）プラズマエッチング法の具体的な方法としては、減圧下、大気圧下または加圧下において、アルゴン、ヘリウム、水素などの導電性材料はエッチングされず、接着剤のみが除去可能な、少なくとも１種のガスまたは２種類以上の混合ガスを導入し、プラズマ放電、グロー放電、アーク放電、マグネトロン放電、マイクロ波放電、表面波プラズマ放電、コロナ放電等の方式により放電を形成し、接着剤を除去する方法である。分解、エッチングされた接着剤を速やかに処理層から取り除くように装置が構成されていれば、いずれの処理圧力を適宜選択することが可能である。また、プラズマ放電形式は、処理圧力に応じて、任意の放電形式を適宜用いることが可能である。
【００８０】
前記（２）反応性プラズマエッチング法を行う場合は、前記処理ガスに少なくとも１種類以上の反応性ガス、好ましくは酸素、窒素、二酸化炭素、アンモニア、ＮＦ３、ＣＦ４、ＳＦ６を導入し、プラズマ放電、グロー放電、アーク放電、マグネトロン放電、マイクロ波放電、表面波プラズマ放電、コロナ放電等の方式により放電を形成し、物理的作用による除去のみならず、化学的反応性をもあわせて利用するものである。この方法では、処理速度の向上という利点が得られる。また、前述のアルゴン、ヘリウム、水素などプラズマプラズマエッチングに用いられるガスを混合して同時に使用しても良い。
【００８１】
前記（３）反応性エッチングを行う方法としては、減圧下において、ホットワイヤー法を用いることが可能である。更に具体的には、タングステン等の高融点金属をワイヤー状またはメッシュ状に形成し、これら金属ワイヤーまたはメッシュに電力を投入し、高温加熱させて使用する。この際、金属ワイヤーまたはメッシュから発生される熱エネルギー、光エネルギー、電子線エネルギーにより、エッチング処理のため供給されたガスがイオンや電子、ラジカル等に分解され、基材表面でエッチングを生じさせることが可能である。エッチング処理ガスとしては、窒素、アンモニア、水素、ヘリウム、アルゴンなどを少なくとも１種類もしくは２種類以上混合して用いることが可能である。
【００８２】
また、（４）光エッチングにおいても同様に、ＣＯ２レーザー、Ａｒレーザー、Ｈｅ−Ｎｅレーザー、エキシマレーザー等を用い、エッチングガスを導入、励起分解させイオン、電子、ラジカル等これら活性反応種を形成させ、基板表面での接着剤層を除去することが可能となる。
【００８３】
（１）から（４）に記載の方法は、ドライエッチング法に分類されるものであるが、このようなドライエッチング法は、接着剤除去のために特殊な薬液や研磨剤等を用いる必要がなく、基板表面に残留物が残らないため、清浄に基材の加工処理が可能で、本発明の除去方法としては好ましい方法である。
【００８４】
（５）研磨法では、基材表面に研磨剤を供給し、基材の表面を研磨することにより接着剤を除去する方法である。
【００８５】
（６）サンドブラスト法では、前述の研磨法同様基材表面での回転動作により接着剤を除去するか、または微小粒子を基材表面に高圧で衝突させ除去する方法が可能である。これら方法を用いた後に、純水や薬液による洗浄工程を用いても良い。これら方式では研磨剤種類や引加圧力の調整により最適の処理条件の最適化が容易に行えるため、除去方法として適した方法である。
【００８６】
（７）ドライアイスブラスト法は、ブラスト材料として固体のドライアイスを用い、コンプレッサー等加圧源により基材上に０．１〜１０ｍｍサイズのドライアイスを高圧で衝突させ接着剤を除去する方法である。ドライアイスブラスト法では高圧型の場合で１〜１０ＭＰａ、標準型で０．1〜１ＭＰａ、低圧型で０．０１〜０．１ＭＰａの圧を印加する。また、基材へのダメージを抑えるため必要がある場合は、ドライアイス源に液化炭酸ガスを用い、窒素加圧により微粒子状に供給するパウダーショット法も本方式に含む。いずれの方法も基材衝突後、ドライアイスや炭酸ガスは気化し基材上に残留しない点で好ましい方法である。
【００８７】
（８）高圧力流体除去法は、純水や薬液、洗浄液などの液体に１ＭＰａ以上の高圧を印加し、基材表面で高圧処理を行う方法である。液体の供給圧力は好ましくは１ＭＰａ以上、更に好ましくは５ＭＰａ以上、更に好ましくは１０ＭＰａ以上であることが好ましい。また高圧液体の供給は連続供給でも間欠供給でもよい。ロール状の基材に対して本処理を行う場合、基材はドラムまたはローラーなど高圧衝撃に対して安定して保持することが可能で、かつ高圧を十分かけることができる機構で支えられ、除去物を効率よく取り除くため、その高圧液体の基材への入射角は０度から９０度であることが好ましい。また、除去効果をさらに高めるため、液体温度は４０℃から８０℃の範囲で高温に温度調節されていてもよい。また、薬液や洗浄液としては、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、メタノール、エタノール、イソプロピルアルコール（ＩＰＡ）などのアルコール類、アセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン（ＭＩＢＫ）、酢酸エチル、トルエン、シクロヘキサノンなどの有機溶剤を用いることが可能である。また、純水や薬液、洗浄液は複数混合して使用したり、複数同一または異なる行程を繰り返し行ったり、最終工程でリンス行程や基材乾燥行程を有していてもよい。本方式は効率よく接着剤が除去できるだけでなく、基材へのダメージも少なく、純水や薬液以外の不純物が混入しないため、好ましい方法である。
【００８８】
（９）火炎処理は、火炎により接着剤を分解、除去する方法で、必要に応じて純水や薬液など液体による除去工程を行ってもよい。本方式は装置コストが安価な利点を有している。
【００８９】
（１０）コロナ処理は、大気中でコロナ放電を形成し、接着剤を分解、除去する方法で、コロナ放電後に、純水や薬液による洗浄工程を用いても良い。本方式は、装置コストが安価な利点を有している。
【００９０】
（１１）オゾン処理は、オゾン発生装置によりオゾンを発生させ基材表面に供給し、接着剤を分解、除去する方法である。オゾン処理後、必要に応じて純水や薬液による除去工程を行っても良い。本方式は分解性が高く高速で処理できる利点を有している。
【００９１】
（１２）フォトリソグラフィ法としては、接着剤に紫外線や電子線に対して感光性の官能基を含有させる方法を用いることが可能である。この際、除去部にはポジ型感光性材料を用い、金属箔を遮光マスクとして使用することができ、露光部のみを効率よく除去することが可能となる。
【００９２】
〔ストッパー層〕
次に、ストッパー層３について説明する。このストッパー層３は、図１に示されるように、透明基材２と接着剤層４との中間位置に透明基材２の表面を覆うように形成されるものである。このストッパー層３は、接着剤層除去処理に対する抵抗性が高いものなので、接着剤層除去処理の影響がストッパー層３を超えてその下層である透明基材２の表面にまでおよぶことが防止される。よって、透明基材層が接着剤層除去処理によって浸食されたり、透明基材層の特性、特に表面特性および光学的特性等が接着層除去処理によって変化することが有効に防止されている。
【００９３】
これにより、透明基材ならびに本発明による電磁波シールドフィルタの機械的特性および光学的特性、特に光透過性、が接着層除去処理によって劣化することが防止される。そして、このストッパー層３が形成されている場合には、接着層除去処理の処理条件を透明基材の特性劣化等を考慮して定める必要がないことから、ストッパー層が形成されていない場合に比べて、接着剤層除去処理の最適条件および許容範囲が拡大化することになる。したがって、接着剤層の除去処理をより一層効率的、均一的にかつ確実に行うことができるようになる。
【００９４】
ストッパー層は、その除去速度が接着剤層の１／２以下、好ましくは１／１０以下、更に好ましくは１／２０以下であることが好ましい。このような除去速度が得られれば、ストッパー層として有効に機能させることが可能である。ここで、ストッパー層の除去速度が接着剤層の１／２以下であるということは、具体的には、ストッパー層および接着剤層とを同一条件の接着剤層除去処理に付した場合において、前記ストッパー層の除去速度が前記接着剤層の除去速度の１／２以下であることを意味する。なお、ストッパー層および接着剤層の減少速度の評価は、各除去処理条件において、典型的には実施例に示されるような処理条件において、単位時間当たりの膜厚の減少により求められる。
【００９５】
さらに、ストッパー層は、光透過部である導電体層の開口部に用いられることから透明であること、好ましくは可視光領域での平均透過率が７０％以上であることが好ましい。このような除去速度比と透明性を有するためには、前記ストッパー層が無機酸化膜、無機窒化膜、無機炭化膜、無機酸化窒化膜、無機酸化炭化膜、無機酸化窒化炭化膜のいずれであって、その無機元素がケイ素、アルミニウム、クロム、マグネシウム、カルシウム、チタン、ニオブ、モリブデン、タンタル、インジウム、錫およびジルコニウムのいずれか１以上を含む膜であることが好ましい。これら材料は十分な除去耐性と可視光領域での光線透過率を有し、また作製方法も簡便であるという利点を有しているため、ストッパー層として好適である。
【００９６】
本発明による電磁波シールドフィルタの製造にあたり、ストッパー層を形成する方法としては、好ましくは、蒸着法、スパッタ法、イオンプレーティング法、圧力勾配型プラズマガンを用いたイオンプレーティング法、プラズマＣＶＤ法、ホットワイヤーＣＶＤ法、大気圧プラズマＣＶＤ法、表面波プラズマＣＶＤ法など真空成膜法によって行なうことができる。中でも、プラズマＣＶＤ法または圧力勾配型イオンプレーティング法がより好ましい。これらの各方法を、本明細書において乾式法という。
【００９７】
また、ストッパー層３の形成は、上記の真空成膜法によるほか、ゾルゲル法、スプレー熱分解法または化学溶液液層法によっても行なうことができる。これらの各方法を、本明細書において湿式法という。
【００９８】
本発明の好ましいゾルゲル法としては、水溶性高分子と１種類以上の金属アルコキシドまたは／およびその加水分解物を含む水溶液あるいは水／アルコール混合溶液を塗布し、その後、加熱乾燥する方法を挙げることができる。水溶性高分子としては、例えばポリビニルアルコールを用いることができ、金属アルコキシドとしては、例えばテトラエトキシシラン、トリイソプロポキシアルミニウム、もしくはチタニウムテトライソプロポキシド、またはそれらの混合物を用いることができる。
【００９９】
スプレー熱分解法とは、金属酸化物膜を構成する金属塩を含有した溶液を高温の基材に噴霧することにより金属酸化膜を得る方法であり、基材を加熱し供給させる溶媒を蒸発に蒸発させ、金属源の熱分解反応により金属酸化物膜を得る方式である。具体的には、例えば特開２００２−１４５６１５公報に開示されるよう、ＴｉＯ２前駆体を含む溶液に過酸化水素またはアルミニウムアセチルアセトナートを添加して原料溶液を調整し、高温保持された基板に上記原料溶液を間歇噴霧することによりＴｉＯ２前駆体をＴｉＯ２に熱分解し、基材上にＴｉＯ２薄膜を得る方法を用いることができる。
【０１００】
また、化学溶液液層法とは、金属源として金属塩または金属錯体が溶解した金属酸化物膜形成用溶液と、金属酸化物膜形成温度以上の温度まで加熱した基板とを接触させることにより基材上に金属酸化膜を得る方法である。前記金属酸化物形成用溶液には酸化剤または還元剤の少なくとも一方、添加剤としてセラミックス微粒子、補助イオン源、および界面活性剤等を含有していてもよい。具体的には酸化セリウム膜（ＣｅＯ２）を形成する場合、金属源として硝酸セリウム（Ｃｅ（ＮＯ３）３）、還元剤としてボランージメチルアミン錯体（別名：ジメチルアミンボラン、ＤＭＡＢ）、溶媒として水を用意し、スプレーやディッピング、ロールコーティング等により１５０〜６００度程度の金属酸化物膜形成温度以上に加熱された基板上に供給して膜を形成する方法である。
【０１０１】
ストッパー層の膜厚は、膜厚が５ｎｍから１００μｍとすることが好ましい。この膜厚は、形成方法により最適領域が異なる。すなわち、ストッパー層を、乾式法で形成する場合は、最適膜厚は、５ｎｍから１０００ｎｍ、好ましくは５ｎｍから３００ｎｍ、更に好ましくは５ｎｍから１００ｎｍがよい。５ｎｍ未満であると、ストッパー層を基材全面が被覆させることができず、十分なストッパー効果が得られない。一方、１０００ｎｍ超過では生産性の面やクラック発生が生じるため好ましくない。また、ストッパー層を湿式法で形成する場合は、最適膜厚は５００ｎｍから１００μｍ、好ましくは１μｍから５０μｍ、さらに好ましくは１μｍから３０μｍである。最小必要膜厚としては前述の通り５ｎｍ以上あればよいが、湿式の場合０．５μｍ未満で均一に形成することが難しいため便宜的に５００ｎｍ以上の膜厚が必要とした。また、１００μｍ超過では生産性の面から好ましくない。また、本発明においては、必要に応じて複数の形成方法を併用してもよい。
【０１０２】
形成されたストッパー層は、表面平均粗さＲａは５０ｎｍ以下または表面最大高低差Ｐ−Ｖが５００ｎｍ以下とすることがよい。このように表面が均一であると、接着剤層除去に際して均一かつ確実にストッパー効果が得られる。また、光学的散乱を起こさず、透明性の高いフィルムを得ることができる。
【０１０３】
また、ストッパー層と透明基材との屈折率差が０．１５以下とすることが好ましい。このように透明基材とストッパー層の屈折率差が小さいことで、透明性の高いフィルムを得ることができる。
【０１０４】
一方、ストッパー層と透明基材との屈折率差が０．１５以上としても良い。この場合、光学反射を利用して反射防止効果を得ることが可能となる。この場合、基材に対して単層で低屈折率層または高屈折率層を形成しても良いし、三層構成（低屈折率層／高屈折率層／中屈折率層）、四層構成（低屈折率層／高屈折率層／低屈折率層／高屈折率層）など従来公知の任意の層構成を適用可能である。なお低屈折率層としては例えば、ＳｉＯ２が高屈折率材料としてはＴｉＯ２、ＮｂＯ２、Ｓｉ３Ｎ４、中屈折率層としてはＩＴＯなどを適宜用いることができる。
【０１０５】
〔透明樹脂層〕
透明樹脂層６を形成する透明樹脂としては、透明な樹脂であれば特に限定はなく、導電体層５との密着性や、導電体層５とストッパー層３の両者に接する場合は該ストッパー層との密着性等をも勘案して公知の樹脂を適宜採用することができる。
【０１０６】
この透明樹脂層６が接着性を有するものである場合には、その接着性を利用して、本発明による電磁波シールドフィルタを、ＣＲＴ、ＰＤＰ、液晶、ＥＬなどのディスプレイに直接貼り付けて使用したり、アクリル板、ガラス板等の板やシートに貼り付けてディスプレイに使用することができる。
【０１０７】
透明樹脂の種類としては、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂やビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、テトラヒドロキシフェニルメタン型エポキシ樹脂、ノボラック型エポキシ樹脂、レゾルシン型エポキシ樹脂、ポリアルコール・ポリグリコール型エポキシ樹脂、ポリオレフィン型エポキシ樹脂、脂環式やハロゲン化ビスフェノールなどのエポキシ樹脂を使うことができる。これらは、好適な可視光透過率を発現する。
【０１０８】
エポキシ樹脂以外では天然ゴム、ポリイソプレン、ポリ１，２−ブタジエン、ポリイソブテン、ポリブテン、ポリ−２−ヘプチル−１，３−ブタジエン、ポリ−２−ｔ−ブチル−１，３−ブタジエン、ポリ−１，３−ブタジエンなどの（ジ）エン類、ポリオキシエチレン、ポリオキシプロピレン、ポリビニルエチルエーテル、ポリビニルヘキシルエーテル、ポリビニルブチルエーテルなどのポリエーテル類、ポリビニルアセテート、ポリビニルプロピオネートなどのポリエステル類、ポリウレタン、エチルセルロース、ポリ塩化ビニル、ポリアクリロニトリル、ポリメタクリロニトリル、ポリスルホン、ポリスルフィド、フェノキシ樹脂などを挙げることができる。
【０１０９】
さらに、上記の樹脂以外に、ポリエチルアクリレート、ポリブチルアクリレート、ポリ−２−エチルヘキシルアクリレート、ポリ−ｔ−ブチルアクリレート、ポリ−３−エトキシプロピルアクリレート、ポリオキシカルボニルテトラメタクリレート、ポリメチルアクリレート）、ポリイソプロピルメタクリレート、ポリドデシルメタクリレート、ポリテトラデシルメタクリレート、ポリ−ｎ−プロピルメタクリレート、ポリ−３，３，５−トリメチルシクロヘキシルメタクリレート、ポリエチルメタクリレート、ポリ−２−ニトロ−２−メチルプロピルメタクリレート、ポリテトラカルバニルメタクリレート、ポリ−１，１−ジエチルプロピルメタクリレート、ポリメチルメタクリレートなどのポリ（メタ）アクリル酸エステルが使用可能である。これらのアクリルポリマーは必要に応じて、２種以上共重合してもよいし、２種類以上をブレンドして使うこともできる。
【０１１０】
また、アクリル樹脂とアクリル以外との共重合樹脂としてはエポキシアクリレート、ウレタンアクリレート、ポリエーテルアクリレート、ポリエステルアクリレートなども使うこともできる。特に接着性の点から、エポキシアクリレート、ポリエーテルアクリレートが優れており、エポキシアクリレートとしては、１，６−ヘキサンジオールジグリシジルエーテル、ネオペンチルグリコールジグリシジルエーテル、アリルアルコールジグリシジルエーテル、レゾルシノールジグリシジルエーテル、アジピン酸ジグリシジルエステル、フタル酸ジグリシジルエステル、ポリエチレングリコールジグリシジルエーテル、トリメチロールプロパントリグリシジルエーテル、グリセリントリグリシジルエーテル、ペンタエリスリトールテトラグリシジルエーテル、ソルビトールテトラグリシジルエーテル等の（メタ）アクリル酸付加物が挙げられる。エポキシアクリレートは分子内に水酸基を有するため接着性向上に有効であり、これらの共重合樹脂は必要に応じて、２種以上併用することができる。接着剤の主成分となるポリマーの重量平均分子量は、１，０００以上のものが使われる。分子量が１，０００未満であると組成物の凝集力が低すぎるために被着体への密着性が低下する。
【０１１１】
硬化剤としてはトリエチレンテトラミン、キシレンジアミン、ジアミノジフェニルメタンなどのアミン類、無水フタル酸、無水マレイン酸、無水ドデシルコハク酸、無水ピロメリット酸、無水ベンゾフェノンテトラカルボン酸などの酸無水物、ジアミノジフェニルスルホン、トリス（ジメチルアミノメチル）フェノール、ポリアミド樹脂、ジシアンジアミド、エチルメチルイミダゾールなどを使うことができる。これらは単独で用いてもよいし、２種以上混合して用いてもよい。これらの架橋剤の添加量は上記ポリマー１００重量部に対して０．１〜５０重量部、好ましくは１〜３０重量部の範囲で選択するのがよい。この添加量が、０．１重量部未満であると硬化が不十分となり、５０重量部を越えると過剰架橋となり、接着性に悪影響を与える場合がある。本発明で使用する透明樹脂層の樹脂組成物には必要に応じて、希釈剤、可塑剤、酸化防止剤、充填剤や粘着付与剤などの添加剤を配合してもよい。そして、この接着剤の樹脂組成物は、透明プラスチック基材の表面に導電性材料で描かれた幾何学図形を設けた構成材料の基材の一部または全面を被覆するために、塗布され、溶媒乾燥、加熱硬化工程をへたのち、本発明での透明樹脂層にすることができす。
【０１１２】
上記で得られた透明樹脂層は、接着性を有するものである場合には、ＣＲＴ、ＰＤＰ、液晶、ＥＬなどのディスプレイに直接貼り付け使用したり、他の基材７、例えばアクリル板、ガラス板等の板やシートに貼り付けてディスプレイに使用することができる。
【実施例】
【０１１３】
＜電磁波シールドフィルタ１の作製例＞
幅６００ｍｍのロール状の透明プラスチック基材として厚さ５０μｍの透明ＰＥＴフィルムを用い、その上に接着剤除去ストッパー層となる層を後述のストッパー層１（ＰＥＣＶＤ法）によるＳｉＯＸ膜形成）により形成した。次いでこの基材をその上に接着剤層となるエポキシ系接着シート（ニカフレックスＳＡＦ；ニッカン工業（株）製）を介して導電性材料である厚さ１８μｍの電解銅箔の粗化面がエポキシ系接着シート側になるようにして、１８０℃、３０ｋｇｆ／ｃｍ２の条件で加熱ラミネートして接着させた。
【０１１４】
得られた銅箔付きＰＥＴフィルムにフォトリソ工程（レジストフィルム貼付け−露光−現像−ケミカルエッチング−レジストフィルム剥離）を経て、ライン幅２５μｍ、ライン間隔５００μｍの銅格子パターンの幾何学図形をＰＥＴフィルム上に形成し構成材料１を得た。
【０１１５】
この構成材料１を後述の接着剤除去方法１（反応性プラズマエッチング処理）を行い、電解銅箔により被覆されていない接着剤層が、その基材幅方向中心部の断面形状が図３に示す通りジャストエッチとなるよう除去した。この際、基材幅方向端部より１００ｍｍ位置での断面形状を測定し、図３から図７のいずれの断面形状を有しているか評価した。この反応性プラズマエッチング処理された構成材料１上に後述の透明樹脂組成物を乾燥塗布厚が約４０μｍになるように塗布、乾燥して電磁波シールド性と透明性を有する本発明による電磁波シールドフィルタ１を得た。
【０１１６】
そして、本発明による電磁波シールドフィルタ１をロールラミネータを使用し市販のアクリル板（コモグラス；（株）クラレ製、厚み３ｍｍ）に１１０℃、２０ｋｇｆ／ｃｍ２の条件で加熱圧着した。
【０１１７】
＜電磁波シールドフィルタ２の作製例＞
幅６００ｍｍのロール状の透明プラスチック基材として厚さ２５μｍの透明ＰＥＴフィルムを用い、その上に接着剤除去ストッパー層となる層を後述のストッパー層２（イオンプレーティング法によるＳｉＯＸ膜形成）により形成した。この上に導電性材料である厚み２５μｍのアルミニウム箔を、接着剤層となるパイララックスＬＦ−０２００（デュポン・ジャパンリミテッド製、アクリル系接着フィルム）を介して、ロールラミネータにより１７０℃、２０ｋｇ／ｃｍ２の条件でラミネートした。このアルミ付きＰＥＴフィルムに、電磁波シールドフィルタ１の作製例と同様のフォトリソ工程を経て、ライン幅２５μｍ、ライン間隔２５０μｍのアルミ格子パターンの幾何学図形をＰＥＴフィルム上に形成し構成材料２を得た。
【０１１８】
この構成材料２に後述の接着層除去方法１（反応性プラズマエッチング処理）を行い、アルミニウム箔により被覆されていない接着剤層を除去した。その基材幅方向中心部の断面形状が図３に示す通りジャストエッチとなるよう除去した。この際基材幅方向端部より１００ｍｍ位置での断面形状を測定し、図３から図７のいずれの断面形状を有しているか評価した。この反応性プラズマエッチング処理された構成材料２の上に後述の透明樹脂組成物を乾燥塗布厚が約３０μｍになるように塗布、乾燥して電磁波シールド性と透明性を有する本発明による電磁波シールドフィルタ２を得た。
【０１１９】
そして、本発明による電磁波シールドフィルタ２を市販のアクリル板に１１０℃、３０ｋｇｆ／ｃｍ２、３０分の条件で熱プレス機を使って加熱圧着した。
【０１２０】
＜透明樹脂組成物１＞
ＴＢＡ−ＨＭＥ（日立化成工業（株）製；高分子量エポキシ樹脂、Ｍｗ＝３０万）１００重量部、ＹＤ−８１２５（東都化成（株）製；ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂）２５重量部、ＩＰＤＩ（日立化成工業（株）製；マスクイソシアネート）１２．５重量部、２−エチル−４−メチルイミダゾール  ０．３重量部、メチルエチルケトン（ＭＥＫ）３３０重量部、シクロヘキサノン  １５重量部および上記接着剤の成分を、ＭＥＫとシクロヘキサノンに溶解させて、透明樹脂組成物１のワニスを作製した。
【０１２１】
＜透明樹脂組成物２＞
ＹＰ−３０（東都化成（株）製；フェノキシ樹脂、Ｍｗ＝６万）１００重量部、ＹＤ−８１２５（東都化成（株）製；ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂）１０重量部、ＩＰＤＩ（日立化成工業（株）製；マスクイソシアネート）５重量部、２−エチル−４−メチルイミダゾール  ０．３重量部、ＭＥＫ  ２８５重量部、シクロヘキサノン  ５重量部および上記接着剤の成分を、ＭＥＫとシクロヘキサノンに溶解させて、透明樹脂組成物２のワニスを作製した。
【０１２２】
＜透明樹脂組成物３＞
ＹＰ−３０（東都化成（株）製；フェノキシ樹脂、Ｍｗ＝６万）１００重量部、ＹＤ−８１２５（東都化成（株）製；ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂）１０重量部、ＩＰＤＩ（日立化成工業（株）製；マスクイソシアネート）５重量部、２−エチル−４−メチルイミダゾール  ０．３重量部、ＭＥＫ  ２８５重量部、シクロヘキサノン  ５重量部および上記接着剤の成分を、ＭＥＫとシクロヘキサノンに溶解させて、透明樹脂組成物３のワニスを作製した。
【０１２３】
＜接着剤層除去処理方法１（反応性プラズマエッチング）＞
長尺状のロール基材に対して連続処理可能な基材搬送機構と処理室を有する、巻取式プラズマ処理装置を用意し、基材の金属層側をプラズマ処理面としてセットした。真空排気ポンプを用いて、装置内を１×１０−３Ｐａまで減圧し、その後、反応性プラズマ処理ガスとして、酸素とアルゴンをそれぞれ１ｓｌｍ、３００ｓｃｃｍ導入、基材の搬送を開始し、処理室の圧力を３０Ｐａと一定圧力となるよう排気系を調整した。電極間に４０ｋＨｚの周波数を有する電源を用い、投入電力２ｋＷにてプラズマ放電を形成し反応性プラズマエッチングを行った。なお、この際、接着層が完全に除去された段階でエッチングが終了するよう基材搬送速度を調整した。
【０１２４】
＜接着剤層除去処理方法２：プラズマエッチング（１）＞
長尺状のロール基材に対して連続処理可能な基材搬送機構と処理室を有する、巻取式プラズマ処理装置を用意し、基材の金属層側をプラズマ処理面としてセットした。真空排気ポンプを用いて、装置内を１×１０−３Ｐａまで減圧し、その後、反応性プラズマ処理ガスとして、アルゴンを１ｓｌｍ、３００ｓｃｃｍ導入、基材の搬送を開始し、処理室の圧力を３０Ｐａと一定圧力となるよう排気系を調整した。電極間に４０ｋＨｚの周波数を有する電源を用い、投入電力２ｋＷにてプラズマ放電を形成し反応性プラズマエッチングを行った。なお、この際、接着層が完全に除去された段階でエッチングが終了するよう基材搬送速度を調整した。
【０１２５】
＜接着剤層除去処理３：高圧力流体除去法＞
長尺状のロール基材に対して連続処理可能な基材搬送機構と処理室を有する、巻取式除去装置を用意し、基材の金属面側を処理面としてセットした。処理部はドラム上に連続供給される基材に対して、基材面への入射角度３０度、１２ＭＰａの高圧力でスプレー状に純水が供給され、この高圧力で衝突する圧力により物理的に接着層を除去した。なお、純水は４０℃に温度調節されて供給された。また除去行程の後、リンス行程、乾燥行程をおこない、再びロール状に巻き取った。
【０１２６】
＜接着剤層除去処理方法４：大気圧プラズマエッチング＞
長尺状のロール基材に対して連続処理可能な基材搬送機構と処理室を有する、巻取式プラズマ処理装置を用意し、基材の金属層側をプラズマ処理面としてセットした。真空排気ポンプを用いて、装置内を１×１０−３Ｐａまで減圧し、その後、プラズマエッチングガスとして、アルゴンを１ｓｌｍ、ヘリウム３００ｓｃｃｍ導入、基材の搬送を開始し、処理室の圧力を１気圧になるよう排気系を調整した。電極間に投入電力０．５ｋＷの電力を投入し、プラズマ放電を形成し大気圧プラズマエッチングを行った。なお、この際、接着層が完全に除去された段階でエッチングが終了するよう基材搬送速度を調整した。
【０１２７】
＜接着剤層除去処理方法５：反応性エッチング＞
長尺状のロール基材に対して連続処理可能な基材搬送機構と処理室を有する、巻取式プラズマ処理装置を用意し、基材の金属層側を処理面としてセットした。処理室にはタングステンワイヤーを用いたホットワイヤー源を基材とガス供給口の間、基材から平均５０ｍｍの位置に設置した。基材は基材搬送機構により順次搬送され、基材は０℃に温度調節されたドラム上で処理された。真空排気ポンプを用いて、装置内を１×１０−３Ｐａまで減圧し、その後、反応性プラズマ処理ガスとして、アンモニアと水素をそれぞれ５００ｓｃｃｍ、３００ｓｃｃｍずつ導入、基材の搬送を開始し、処理室の圧力を３０Ｐａと一定圧力となるよう排気系を調整した。スライダックによりタングステンワイヤーは１５００℃まで加熱され、アンモニア、水素は活性化され、基材表面でエッチング反応により接着層を除去した。なお成膜は、接着層が完全に除去された段階でエッチングが終了するよう基材搬送速度を調整した。
【０１２８】
＜接着剤層除去処理方法６：光エッチング＞
長尺状のロール基材に対して連続処理可能な基材搬送機構と処理室を有する、巻取式エッチング処理装置を用意し、基材の金属層側をエッチング処理面としてセットした。処理室には光エッチング光源としてＣＯ２レーザーを用意した。基材搬送装置により順次搬送処理室にされ、除去部にＣＯ２レーザーを照射し、接着層を除去した。
【０１２９】
＜接着剤層除去処理方法７：研磨法＞
長尺状のロール基材に対して連続処理可能な基材搬送機構と処理室を有する、巻取式研磨処理装置を用意し、基材の金属層側をエッチング処理面としてセットした。処理室では基材を支持するドラムを備え、このドラム上に供給された基材に対して研磨剤をショットブラスト法により衝撃を与え、物理的に接着層を除去した。接着層除去後、基材は洗浄、乾燥行程を経てロール状に巻き取った。
【０１３０】
＜接着層除去方法８：ドライアイスブラスト法＞
長尺状のロール基材に対して連続処理可能な基材搬送機構と処理室を有する、巻取式ドライアイスブラスト処理装置を用意し、基材の金属層側をブラスト処理面としてセットした。処理室では基材を支持するドラムを備え、このドラム上に供給された基材に対して固体状ドライアイスをブラスト処理材としてショットブラスト法により衝撃を与え、物理的に接着層を除去した。
【０１３１】
＜接着剤層除去処理方法９：火炎処理法＞
長尺状のロール基材に対して連続処理可能な基材搬送機構と処理室を有する、巻取式火炎処理装置を用意し、基材の金属層側を火炎処理面としてセットした。処理室では基材を支持する０℃に温度調節されたドラムを備え、このドラム上に供給された基材に対して火炎放射処理を行い、接着層を除去した。
【０１３２】
＜接着剤層除去処理方法１０：コロナ処理＞
長尺状のロール基材に対して連続処理可能な基材搬送機構と処理室を有する、巻取式コロナ処理装置を用意し、基材の金属層側をコロナ放電処理面としてセットした。処理室では基材を支持するドラムを備え、このドラム上に供給された基材に対してコロナ放電処理を行い、接着層を除去した。
【０１３３】
＜接着剤層除去処理方法１１：オゾン処理＞
長尺状のロール基材に対して連続処理可能な基材搬送機構と処理室を有する、巻取式オゾン処理装置を用意し、基材の金属層側をオゾン処理面としてセットした。処理室では基材を支持するドラムを備え、このドラム上に供給された基材に対してオゾン処理を行い、接着層を除去した。
【０１３４】
＜接着剤層除去処理方法１２：フォトリソ法＞
長尺状のロール基材に対して連続処理可能な基材搬送機構と露光室、現像室、リンス室を有する、巻取式フォトリソ処理装置を用意し、基材の金属層側を処理面としてセットした。基材搬送機構により基材は順次搬送され、露光室では高圧水銀灯により紫外線照射を行い、ついて現像室でアルカリ現像を、最後にリンス室で水洗処理され、乾燥室で基材乾燥を行い、接着層を除去した。
【０１３５】
＜ストッパー層作製方法１：プラズマＣＶＤ法による酸化珪素膜形成＞
基材フィルムとしてロール状の二軸延伸ポリエステルフィルム（東洋紡績（株）製、Ａ４３００、厚み５０μｍ、幅６００ｍｍ、長さ５０００ｍ）を準備し、これを図８に示す巻取り式の化学気相蒸着装置１０１のチャンバー内１０２に装着した。次に、化学気相蒸着装置のチャンバー内を、油回転ポンプおよび油拡散ポンプにより、到達真空度４．０×１０-３Ｐａまで減圧した。
【０１３６】
また、原料ガスとして、テトラエトキシシラン（ＴＥＯＳ）（信越化学工業（株）製、ＫＢＥ−０４）、および酸素ガス（大陽日酸（株）製、純度９９．９９９９％以上）を準備した。
【０１３７】
次に、コーティングドラム１０５の近傍に、コーティングドラムと対向するように１枚の電極板１１３を配置し、このコーティングドラムと電極板との間に４０ｋＨｚの高周波電圧を印加した（投入電力２．５ｋＷ）。そして、チャンバー内の電極板近傍にガス導入口１０９を設け、ＴＥＯＳを流量０．２ｓｌｍで、酸素ガスを流量４ｓｌｍで導入し、真空ポンプとチャンバーとの間にあるバルブの開閉度を制御することにより、成膜時のチャンバー内の圧力を６．７Ｐａに保って、基材フィルム２上に酸化珪素の薄膜を形成した。基材フィルムの走行速度は、酸化珪素薄膜の膜厚が５００Åとなるように８ｍ／分に設定した。また、形成した薄膜の膜厚は、走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ；日立製作所（株）製、Ｓ−５０００Ｈ）を用い、断面測定を行うことにより求めた。
【０１３８】
＜ストッパー層作製方法２：イオンプレーティング法による酸化珪素膜形成＞
基材フィルムとしてロール状の二軸延伸ポリエチレンテレフタレートフィルム（東洋紡績（株）製、Ａ４３００、厚み５０μｍ、幅６００ｍｍ、長さ５０００ｍ）を準備し、これを図９に示されるような帰還電極を備えた巻取り式のホローカソード（圧力勾配）型イオンプレーティング装置２０１のチャンバー２０２内に装着した。次に、チャンバー内を、油回転ポンプおよび油拡散ポンプにより、到達真空度１×１０−４Ｐａまで減圧した。
【０１３９】
また、蒸発源として二酸化珪素（（株）高純度化学研究所製、純度９９．９７％、粒径２〜５ｍｍ）を準備し、陽極（ハース）１０８上に載置した。
【０１４０】
次に、チャンバーのコーティングドラム２０４の近傍に酸素ガスを流量５ｓｃｃｍで導入し、真空ポンプとチャンバーとの間にあるバルブの開閉度を制御することにより、成膜時のチャンバー内の圧力を８×１０−２Ｐａに保った。そして、アルゴンガスを導入したホローカソード型プラズマガン２０７を用い、陽極（ハース）上の蒸発源にプラズマ流を収束させて照射することにより蒸発させ、高密度プラズマにより蒸発分子をイオン化させて、基材フィルム上に酸化珪素（ＳｉＯｙ  （ｙ＝１．５））の薄膜を形成した。基材フィルムの走行速度は、酸化珪素薄膜の膜厚が５００Åとなるように８０ｍ／分に設定した。また、形成した薄膜の膜厚は、走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ；日立製作所（株）製、Ｓ−５０００Ｈ）を用い、断面測定を行うことにより求めた。
【０１４１】
＜ストッパー層作製方法３：スパッタリング法による酸化窒化珪素膜形成＞
基材フィルムとして６０ｃｍ幅の巻き取り状の２軸延伸ポリエチレンテレフタレートフィルム（東洋紡績（株）製  ＰＥＴフィルムＡ４３００、厚み５０μｍ、幅６００ｍｍ、長さ１０００ｍ）を準備し、図１０に示すような構成の巻取り式デュアルカソード型スパッタリング装置３０１のチャンバー３０２内に装着した。このスパッタリング装置３０１は、真空チャンバー３０２と、この真空チャンバー３０２内に配設された基材フィルムの供給ロール３０３ａ、巻き取りロール３０３ｂ、コーティングドラム３０４と、仕切り板３０９，３０９で真空チャンバー３０２と仕切られた成膜チャンバー３０５、この成膜チャンバー３０５に配設されたターゲット載置台３０６、ターゲットに電圧を印加するための電源３０７、プラズマ発光モニター３０８と、バルブ３１１を介して成膜チャンバー３０５に接続された真空排気ポンプ３１０と、窒素ガスの流量を制御するためのガス流量制御装置３１２と、酸素ガス、アルゴンガスの供給量を調整するためのバルブ３１３，３１４とを備えている。
【０１４２】
次に、珪素（単結晶、電気抵抗率０．０２Ωｃｍ）をターゲット材として成膜チャンバー３０５内のターゲット載置台３０６に搭載した。このターゲットと基材フィルムとの距離（ＴＳ距離）は１０ｃｍに設定した。次に、成膜時の添加ガスとして酸素ガス（大陽日酸（株）製（純度９９．９９９５％以上））、窒素ガス（大陽日酸（株）製（純度９９．９９９９％以上））、および、アルゴンガス（大陽日酸（株）製（純度９９．９９９９％以上））を準備した。
【０１４３】
次に、真空チャンバー３０２、成膜チャンバー３０５内を真空排気ポンプ３１０により到達真空度２．０×１０-３Ｐａまで減圧した。次いで、成膜チャンバー３０５内に酸素ガスを流量０．５ｓｃｃｍ、アルゴンガスを流量１５０ｓｃｃｍでそれぞれ導入した。また窒素ガスを同時に供給した。供給する窒素ガス流量は、プラズマ発光モニタ（フォンアルデンネ社製、ＰＥＭ−０５）を用いプラズマ放電中のＳｉ発光強度が一定となるよう制御しながら最適流量を供給した。また真空排気ポンプ３１０と成膜チャンバー３０５との間にあるバルブ３１１の開閉度を制御することにより、成膜チャンバー３０５の圧力を０．１Ｐａに保ち、基材フィルムを走行させ、デュアルマグネトロンスパッタリング法により、投入電力３ｋＷで基材フィルム上に酸化窒化珪素膜からなるストッパー層を形成した。形成した薄膜の膜厚は５０ｎｍとなるよう基材を毎分０．１ｍで走行させた。膜厚は、走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ；日立製作所（株）製、Ｓ−５０００Ｈ）を用い、断面測定を行うことにより求めた。
【０１４４】
＜ストッパー層作製方法４：蒸着（ＰＶＤ）法によるＡｌＯｘ膜形成＞
基材フィルムとしてロール状の二軸延伸ポリエチレンテレフタレートフィルム（東洋紡績（株）製、Ａ４３００、厚み５０μｍ、幅６００ｍｍ、長さ５０００ｍ）を準備し、これを図１１に示されるようなＥＢガンを備えた巻取り式蒸着装置４０１の真空チャンバー４０２内に装着した。次に、チャンバー内を、油回転ポンプおよび油拡散ポンプにより、到達真空度１×１０−４Ｐａまで減圧した。
【０１４５】
また、蒸発源４０４としてアルミニウム（（株）高純度化学研究所製、純度９９．９７％、ブロック状）を準備し、陽極（ハース）上に載置した。
【０１４６】
次に、チャンバーのコーティングドラム４０３の近傍に酸素ガスを流量１ｓｌｍで導入し、真空ポンプとチャンバーとの間にあるバルブの開閉度を制御することにより、成膜時のチャンバー内の圧力を１×１０−２Ｐａに保った。そして、ＥＢガンを用い、０．７Ａ×３５ｋＶのパワーでるつぼ４１０上の蒸発源に電子線を収束、スキャンさせて照射することにより溶融、蒸発させて、基材フィルム上に酸化アルミの薄膜を形成した。基材フィルムの走行速度は、酸化珪素薄膜の膜厚が５００Åとなるように８０ｍ／分に設定した。また、形成した薄膜の膜厚は、走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ；日立製作所（株）製、Ｓ−５０００Ｈ）を用い、断面測定を行うことにより求めた。
【０１４７】
＜ストッパー層作製方法５；プラズマＣＶＤ法によるＳｉＯｘ膜形成＞
ストッパー層作製方法１において、原料ガスとしてＴＥＯＳの代わりにＨＭＤＳＯ（ヘキサメチルジシロキサン、東レダウコーニングシリコーン製、ＳＨ２００−０．６５ｃＳｔ）および酸素ガス（大陽日酸（株）、純度９９．９９９９％）を準備した。
【０１４８】
成膜に際して、ＨＭＤＳＯ流量を０．２ｓｌｍ、酸素ガスを１ｓｌｍ導入し成膜を行った。基材のフィルムの走行速度は酸化炭化珪素膜の膜厚が５００Åとなるように１０ｍ／ｍｉｎに設定した他は、作製方法１と全く同様に作製した。
【０１４９】
＜ストッパー層作製方法６；プラズマＣＶＤ法による窒化炭化珪素膜形成＞
ストッパー層作製方法１において、原料ガスとしてＴＥＯＳの代わりにＨＭＤＳ（ヘキサメチルジシラザン、信越化学製）および窒素ガス（大陽日酸（株）、純度９９．９９９９％）を準備した。成膜に際して、ＨＭＤＳ流量を０．２ｓｌｍ、窒素ガスを１ｓｌｍ導入し成膜を行った。基材のフィルムの走行速度は酸化炭化珪素膜の膜厚が５００Åとなるように１０ｍ／ｍｉｎに設定した他は、作製方法１と全く同様に作製した。
【０１５０】
＜ストッパー層作製方法７；プラズマＣＶＤ法による酸化窒化炭化珪素膜形成＞
ストッパー層作製方法１において、原料ガスとしてＴＥＯＳの代わりにＨＭＤＳ（ヘキサメチルジシラザン、信越化学製）、酸素ガス大陽日酸（株）、純度９９．９９９９％）、窒素ガス（大陽日酸（株）、純度９９．９９９９％）を準備した。成膜に際して、ＨＭＤＳ流量を０．２ｓｌｍ、酸素ガスを０．２ｓｌｍ、窒素ガスを１ｓｌｍ導入し成膜を行った。基材のフィルムの走行速度は酸化炭化珪素膜の膜厚が５００Åとなるように１０ｍ／ｍｉｎに設定した他は、作製方法１と全く同様に作製した。
【０１５１】
＜ストッパー層作製方法８：スパッタリング法による酸化クロム膜形成＞
ストッパー層作製方法３において、ターゲット材として珪素の代わりにクロムを用いた他は、作製方法３と全く同様に作製した。
【０１５２】
＜ストッパー層作製方法９：イオンプレーティング法による酸化マグネシウム膜形成＞
ストッパー層作製方法２において、蒸発源として二酸化珪素の代わりに酸化マグネシウムを用いた他は、作製方法２と全く同様に酸化マグネシウム膜（ＭｇＯ）を形成した。
【０１５３】
＜ストッパー層作製方法１０〜１４：スパッタリング法による酸化膜形成＞
ストッパー層作製方法３において、ターゲット材として珪素の代わりに、Ｔｉ、Ｎｂ，Ｃａ，Ｍｏ，Ｔａ）を用い各酸化膜を形成した他は、作製方法３と全く同様に作製した。
【０１５４】
＜ストッパー層作製方法１５：イオンプレーティング法によるＩＴＯ膜形成＞
ストッパー層作製方法２において、蒸発源として二酸化珪素の代わりにＩＴＯを用いた他は、作製方法２と全く同様にＩＴＯ膜を形成した。
【０１５５】
＜ストッパー層作製方法１６；ゾルゲル法による酸化炭化珪素膜形成＞
以下の組成の材料を用意した。
・水溶性ポリマー：ポリビニルアルコール（重合度２４００、鹸化度９８％）
・金属アルコキシド：テトラアルコキシシラン（ＴＥＯＳ）
・希釈溶媒：水／メタノール混合溶媒
・加水分解触媒：０．１ｍｏｌ／ｌＨＣｌ溶液
上記各成分を重量組成比が、水溶性ポリマー／金属アルコキシド＝５０：５０（重量部）となるように混合し、塗布液とした。この酸化珪素薄膜層の上に下記組成の塗布液Ａを０．３μｍの厚みでマイクログラビア法により塗布した後、１８０℃の乾燥オーブンにて乾燥を行い、接着層除去ストッパー層を形成した。
【０１５６】
＜ストッパー層作製方法１７；スプレー熱分解法による酸化チタン膜形成＞
チタン前駆体として四塩化チタン及びチタンオキシアセチルアセトナートをエタノール溶媒に溶解し、過酸化水素及びアルミニウムアセチルアセトナートを添加した後、アルコールで希釈し、超音波洗浄機で１０分間混合させ、それぞれ０．２質量％溶液、３．０質量％の原料溶液を調製した。これをロールコーター装置において、塗工ドラム温度１５０℃として、窒素ガスをキャリアガスとして、基材上にスプレーコーティングを行い、ＴｉＯ２薄膜を作製し、接着層除去ストッパー層とした。
【０１５７】
＜ストッパー層作成方法１８；化学溶液液層法によるＺｒＯｘ膜形成＞
塩化ジルコニウム（ＩＶ）（関東化学社製）０．１ｍｏｌ／ｌの水溶液１０００ｇに過酸化水素水１０ｇを加え、更に還元剤であるボランージメチルアミン錯体（関東化学社製）を１．０ｍｏｌ／ｌとなるよう添加し、金属酸化物膜形成用溶液を得た。
【０１５８】
基材フィルムとしてロール状の二軸延伸ポリエチレンテレフタレートフィルム（東洋紡績（株）製、Ａ４３００、厚み５０μｍ、幅６００ｍｍ、長さ５０００ｍ）を準備し、これをスプレー式のコーティング機構を備えた巻取り式コーティング装置に装着した。次に、コーティング部ドラムの温度を１５０℃まで加熱し、この基材に金属酸化物膜形成用溶液をスプレー塗布し、水洗、乾燥した後、金属酸化膜が形成された基材をロール状に巻き取った。基材フィルムの走行速度は、酸化珪素薄膜の膜厚が５００Åとなるように設定した。また、形成した薄膜の膜厚は、走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ；日立製作所（株）製、Ｓ−５０００Ｈ）を用い、断面測定を行うことにより求めた。
【０１５９】
（実施例１）
透明樹脂組成物１を使用し、電磁波シールドフィルタ１の作製例の手順で得た接着フィルムを実施例１とした。
【０１６０】
（実施例２）
透明樹脂組成物２を使用し、電磁波シールドフィルタ２の作製例の手順で得た接着フィルムを実施例２とした。
【０１６１】
（実施例３）
ストッパー層として、ストッパー層作製方法３（スパッタ法による酸化窒化珪素膜形成）を行い、透明樹脂組成物としてフェノール−ホルムアルデヒド樹脂（Ｍｗ＝５万）を使い、その他の条件は全て実施例１と同様にして得た接着フィルムを実施例３とした。
【０１６２】
（実施例４）
ストッパー層として、ストッパー層作製方法５（プラズマＣＶＤ法による酸化炭化膜形成）を行い、透明樹脂組成物としてポリジメチルシロキサン（Ｍｗ＝４．５万、ｎ＝１．４３）を使い、接着層除去方法として接着層除去方法２：プラズマエッチングを用い、その他の条件は全て実施例２と同様にして得た接着フィルムを実施例４とした。
【０１６３】
（実施例５）
ストッパー層として、ストッパー層作製方法６（プラズマＣＶＤ法による窒化炭化珪素膜形成）を行い、透明樹脂組成物としてポリビニリデンフルオライド（Ｍｗ＝１２万、ｎ＝１．４２）を使い、接着層除去方法として接着層除去方法３：高圧力流体除去法を用い、その他の条件は全て実施例１と同様にして得た接着フィルムを実施例５とした。
【０１６４】
（実施例６）
ストッパー層として、ストッパー層作製方法７（プラズマＣＶＤ法による酸化窒化炭化珪素膜形成）を行い、接着層除去方法として、接着層除去方法４：大気圧プラズマエッチング法を用い、その他の条件は全て実施例１と同様にして得た接着フィルムを実施例６とした。
【０１６５】
（実施例７）
ストッパー層として、ストッパー層作製方法４（蒸着法による酸化アルミ膜形成）を行い、接着層除去方法として、接着層除去方法５：反応性エッチング法を用い、その他の条件は全て実施例１と同様にして得た接着フィルムを実施例７とした。
【０１６６】
（実施例８）
ストッパー層として、ストッパー層作製方法８（蒸着法による酸化クロム膜形成）を行い、接着層除去方法として、接着層除去方法６：光エッチングを用い、その他の条件は全て実施例１と同様にして得た接着フィルムを実施例８とした。
【０１６７】
（実施例９）
ストッパー層として、ストッパー層作製方法９（イオンプレーティング法によるＩＴＯ膜形成）を行い、接着層除去方法として、接着層除去方法７：研磨法を用い、その他の条件は全て実施例２と同様にして得た接着フィルムを実施例９とした。
【０１６８】
（実施例１０）
ストッパー層として、ストッパー層作製方法１０（スパッタリング法による酸化チタン膜形成）を行い、接着層除去方法として、接着層除去方法８：ドライアイスブラスト法を用い、その他の条件は全て実施例２と同様にして得た接着フィルムを実施例１０とした。
【０１６９】
（実施例１１）
ストッパー層として、ストッパー層作製方法１１（スパッタリング法による酸化ビオブ膜形成）を行い、接着層除去方法として、接着層除去方法９：火炎処理法を用い、その他の条件は全て実施例１と同様にして得た接着フィルムを実施例１１とした。
【０１７０】
（実施例１２）
ストッパー層として、ストッパー層作製方法１２（スパッタリング法による酸化カルシウム膜形成）を行い、接着層除去方法として、接着層除去方法１０：コロナ処理を用い、その他の条件は全て実施例２と同様にして得た接着フィルムを実施例１２とした。
【０１７１】
（実施例１３）
ストッパー層として、ストッパー層作製方法１３（スパッタリング法による酸化モリブデン膜形成）を行い、接着層除去方法として、接着層除去方法１１：オゾン処理を用い、その他の条件は全て実施例１と同様にして得た接着フィルムを実施例１３とした。
【０１７２】
（実施例１４）
ストッパー層として、ストッパー層作製方法１４（スパッタリング法による酸化タンタル膜形成）を行い、接着層除去方法として、接着層除去方法１２：フォトリソ法を用い、その他の条件は全て実施例１と同様にして得た接着フィルムを実施例１４とした。
【０１７３】
（実施例１５）
ストッパー層として、ストッパー層作製方法１５（イオンプレーティング法によるＩＴＯ膜形成）を行い、導電性材料として黒化処理された銅を使い、それ以外の条件は全て実施例１と同様にして得た接着フィルムを実施例１５とした。
【０１７４】
（実施例１６）
ストッパー層として、ストッパー層作製方法１６（ゾルゲル膜による酸化炭化珪素膜形成）を行い、実施例１で形成した格子パターンの代わりに正３角形の繰り返しパターンを作製した。
【０１７５】
（実施例１７）
除去ストッパー層として、ストッパー層作製方法１７（スプレー熱分解法による酸化チタン膜形成）を行い、実施例１で形成した格子パターンの代わりに正６角形の繰り返しパターンを作製した。
【０１７６】
（実施例１８）
ストッパー層として、ストッパー層作製方法１８（化学溶液液層法による酸化ジルコニウム膜形成）を行い、実施例１で形成した格子パターンの代わりに正８角形と正方形よりなる繰り返しパターンを作製した。
【０１７７】
（実施例１９）
ストッパー層として、ストッパー層作製方法２（イオンプレーティング法による酸化珪素膜形成）を行い、ライン幅を２５μｍから３５μｍにし、それ以外の条件は全て実施例１と同様にして得た接着フィルムを実施例１９とした。
【０１７８】
（実施例２０）
ストッパー層として、ストッパー層作製方法２（イオンプレーティング法による酸化珪素膜形成）を行い、ライン幅を２５μｍから１２μｍにし、それ以外の条件は全て実施例２と同様にして得た接着フィルムを実施例２０とした。
【０１７９】
（実施例２１）
ストッパー層として、ストッパー層作製方法２（イオンプレーティング法による酸化珪素膜形成）を行い、ライン間隔を５００μｍから８００μｍにし、それ以外の条件は全て実施例１と同様にして得た接着フィルムを実施例２１とした。
【０１８０】
（実施例２２）
ストッパー層として、ストッパー層作製方法２（イオンプレーティング法による酸化珪素膜形成）を行い、ライン間隔を５００μｍから２５０μｍにし、それ以外の条件は全て実施例１と同様にして得た接着フィルムを実施例２２とした。
【０１８１】
（実施例２３）
ストッパー層として、ストッパー層作製方法２（イオンプレーティング法による酸化珪素膜形成）を行い、ライン厚みを２５μｍから３５μｍにし、それ以外の条件は全て実施例２と同様にして得た接着フィルムを実施例２３とした。
【０１８２】
（実施例２４）
透明プラスチック基板にポリエチレンナフタレートフィルム（ＰＥＮフィルム、帝人デュポンフィルム（株）製、Ｑ６５Ａ、厚み１００ｕｍ、幅６００ｍｍ、長さ５０００ｍ）を用いた以外は実施例１と同様に行い、実施例２４とした。
【０１８３】
（実施例２５）
透明プラスチック基板に透明ポリイミドフィルム（三菱瓦斯化学（株）製、ネオプリムＬ−３５３０、厚み１００μｍ）を用いた以外は実施例１と同様に行い、実施例２５とした。
【０１８４】
（実施例２６）
透明プラスチック基板に環状ポリオレフィンフィルム（日本ゼオン製、ゼオノア）を用いた以外は実施例１と同様に行い、実施例２６とした。
【０１８５】
（実施例２７）
透明プラスチック基板にノルボルネン樹脂フィルム（ＪＳＲ製、アートン）を用いた以外は、実施例１と同様に行い、実施例２７とした。
【０１８６】
（実施例２８）
透明プラスチック基板に、エポキシメタアクリレート樹脂硬化物（厚み１００μｍ）を用いた以外は、実施例１と同様に行い、実施例２８とした。
【０１８７】
（実施例２９）
透明プラスチック基板に、ウレタンメタアクリレート樹脂硬化物（厚み１００μｍ）を用いた以外は、実施例１と同様に行い、実施例２９とした。
【０１８８】
（実施例３０）
透明プラスチック基板に、ポリオルガノシルセスキオキサン含有シリコーン樹脂基板（新日鐵化学（株）製、ＨＴ基板、厚み１００μｍ）を用いた以外は、実施例１と同様に行い、実施例３０とした。
【０１８９】
（比較例１）
ストッパー層を設けなかった以外は、実施例１と同様にして得た接着フィルムを比較例１とした。
【０１９０】
（比較例２）
ストッパー層を設けなかった以外は、実施例２と同様にして得た接着フィルムを比較例２とした。
【０１９１】
（比較例３）
ストッパー層を設けなかった以外は、実施例３と同様にして得た接着フィルムを比較例３とした。
【０１９２】
（比較例４）
ストッパー層を設けなかった以外は、実施例４と同様にして得た接着フィルムを比較例４とした。
【０１９３】
（比較例５）
ストッパー層を設けなかった以外は、実施例５と同様にして得た接着フィルムを比較例５とした。
【０１９４】
（比較例６）
ストッパー層を設けなかった以外は、実施例１５と同様にして得た接着フィルムを比較例６とした。
【０１９５】
（比較例７）
ストッパー層を設けなかった以外は、実施例１６と同様にして得た接着フィルムを比較例７とした。
【０１９６】
（比較例８）
ストッパー層を設けなかった以外は、実施例１７と同様にして得た接着フィルムを比較例８とした。
【０１９７】
（比較例９）
ストッパー層を設けなかった以外は、実施例１８と同様にして得た接着フィルムを比較例９とした。
【０１９８】
（比較例１０）
ライン幅を２５μｍから５０μｍにし、ストッパー層を設けなかった以外は、全て実施例１と同様にして得た接着フィルムを比較例１０とした。
【０１９９】
（比較例１１）
ライン幅を２５μｍから３５μｍにし、ストッパー層を設けなかった以外は、全て実施例１と同様にして得た接着フィルムを比較例１１とした。
【０２００】
（比較例１２）
ライン幅を２５μｍから１２μｍにし、ストッパー層を設けなかった以外は、全て実施例２と同様にして得た接着フィルムを比較例１２とした。
【０２０１】
（比較例１３）
ライン間隔を５００μｍから８００μｍにし、ストッパー層を設けなかった以外は、全て実施例１と同様にして得た接着フィルムを比較例１３とした。
【０２０２】
（比較例１４）
ライン間隔を５００μｍから２５０μｍにし、ストッパー層を設けなかった以外は、全て実施例１と同様にして得た接着フィルムを比較例１４とした。
【０２０３】
（比較例１５）
ライン間隔を２５０μｍから１５０μｍにし、ストッパー層を設けなかった以外は、全て実施例２と同様にして得た接着フィルムを比較例１５とした。
【０２０４】
（比較例１６）
ライン厚を２５μｍから７０μｍにし、ストッパー層を設けなかった以外は、それ以外の条件は全て実施例２と同様にして得た接着フィルムを比較例１６とした。
【０２０５】
（比較例１７）
ライン厚を２５μｍから３５μｍにし、ストッパー層を設けなかった以外は、それ以外の条件は全て実施例２と同様にして得た接着フィルムを比較例１７とした。
【０２０６】
（比較例１８）
透明プラスチック基材として厚み６０μｍの充填剤入りポリエチレンフィルム（可視光透過率２０％以下）を使い、ストッパー層を設けなかった以外は、その他の条件は全て実施例１と同様にして得たフィルムを比較例１８とした。
【０２０７】
（比較例１９）
実施例１のストッパー層の代わりに、接着剤２による代替層を形成した以外は実施例１と同様にして得たフィルムを比較例１９とした。
【０２０８】
（比較例２０）
実施例２のストッパー層の代わりに、接着剤１による代替層を形成した以外は実施例２と同様にして得たフィルムを比較例２０とした。
【０２０９】
（比較例２１）
実施例３のストッパー層の代わりに、ポリビニリデンフルオライド（Ｍｗ＝１２万、ｎ＝１．４２）による代替層を形成した以外は実施例３と同様にして得たフィルムを比較例２１とした。
【０２１０】
（比較例２２）
実施例４のストッパー層の代わりに、フェノール−ホルムアルデヒド樹脂（Ｍｗ＝５万）による代替層を形成した以外は実施例４と同様にして得たフィルムを比較例２２とした。
【０２１１】
（比較例２３）
実施例５のストッパー層の代わりに、ポリジメチルシロキサン（Ｍｗ＝４．５万、ｎ＝１．４３）を用い、その他の条件は実施例５と同様にして得た接着フィルムを比較例２３とした。
【０２１２】
以上のようにして得られた接着フィルム用いた構成物の接着層除去後断面形状測定を行い、ジャストエッジ（図３）、アンダーエッジ（図４）、オーバーエッジ（図５）、オーバーエッジ、テーパー（図６）、オーバーエッジ、逆テーパー（図７）のいずれに相当するかを分類した。
【０２１３】
ＥＭＩシールド性、可視光透過率、非視認性、加熱処理前後の接着特性、退色特性を測定した。結果を、表１〜表４に示す。
【表１】
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【表２】
0004699123.tif 000003
【表３】
0004699123.tif 000004
【表４】
0004699123.tif 000005
【０２１４】
なお、ＥＭＩシールド性は、同軸導波管変換器（日本高周波（株）製、ＴＷＣ−Ｓ−０２４）のフランジ間に試料を挿入し、スペクトロアナライザー（ＹＨＰ製、８５１０Ｂベクトルネットワークアナライザー）を用い、周波数１ＧＨｚで測定した。可視光透過率の測定は、ダブルビーム分光光度計（（株）日立製作所製、２００−１０型）を用いて、４００〜８００ｎｍの透過率の平均値を用いた。非視認性は、アクリル板に貼付けた接着フィルムを０．５ｍ離れた場所から目視して導電性材料で描かれた幾何学図形を認識できるかどうかで評価し、認識できないものを非常に良、良好とし、認識できるものを不良とした。接着力は、引張り試験器（東洋ボールドウィン（株）製、テンシロンＵＴＭ−４−１００）を使用し、幅１０ｍｍ、９０°方向、剥離速度５０ｍｍ／分で測定した。屈折率は、屈折計（（株）アタゴ光学機械製作所製、アッベ屈折計）を使用し、２５℃で測定した。
【０２１５】
以上から明らかなように、本発明により得られる電磁波シールドフィルタは、被着体に密着して使用できるので電磁波漏れがなくＥＭＩシールド性が特に良好である。また、可視光透過率、非視認性などの光学特性が良好で、しかも長時間にわたって高温での接着特性の変化が少なく良好であって、非常に優れた特性を有するものである。
【図面の簡単な説明】
【０２１６】
【図１】本発明による電磁波シールドフィルタの断面図。
【図２】本発明による電磁波シールドフィルタの断面図。
【図３】接着剤層除去処理後の処理断面構造（ジャストエッジ）を示す図。
【図４】接着剤層除去処理後の処理断面構造（アンダーエッジ）を示す図。
【図５】接着剤層除去処理後の処理断面構造（オーバーエッジ）を示す図。
【図６】接着剤層除去処理後の処理断面構造（オーバーエッジ、テーパー）を示す図。
【図７】接着剤層除去処理後の処理断面構造（オーバーエッジ、逆テーパー）を示す図。
【図８】巻取り式プラズマＣＶＤ装置の概要を示す図。
【図９】巻取り式ホロカソード型イオンプレーティング装置の概要を示す図。
【図１０】巻取り式デュアルカソード型スパッタリング装置の概要を示す図。
【図１１】巻取り式蒸着装置の概要を示す図。
【符号の説明】
【０２１７】
１  電磁波シールドフィルタ
２  透明基材
３  ストッパー層
４  接着剤層
５  導電体層
６  透明樹脂層
【図１】
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【図２】
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【図３】
0004699123.tif 000008
【図４】
0004699123.tif 000009
【図５】
0004699123.tif 000010
【図６】
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【図７】
0004699123.tif 000012
【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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