(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
金属支持基板と、前記金属支持基板の上に形成されるベース絶縁層と、前記ベース絶縁層の上に形成され、電子部品と接続される端子部を有する導体パターンと、前記電子部品が実装される実装位置を位置決めするための位置決めマークとを備え、
前記位置決めマークは、
前記ベース絶縁層の上に、前記導体パターンとは独立して設けられ、前記端子部と間隔を隔てて隣接配置されるマーク導体層と、
前記マーク導体層と前記金属支持基板とを接続する接続部と
を備え、
前記ベース絶縁層には、開口部が形成されており、
前記接続部は、前記ベース絶縁層の前記開口部内に充填されるとともに、前記開口部内における前記金属支持基板の上面と接触し、
前記マーク導体層は、前記接続部の上に、前記接続部と一体的に連続するように形成されていることを特徴とする、配線回路基板。
【請求項２】
前記位置決めマークは、さらに、前記マーク導体層の上に形成されるマークめっき層を備えていることを特徴とする、請求項１に記載の配線回路基板。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、配線回路基板、詳しくは、ＴＡＢ用テープキャリアや回路付サスペンション基板などの配線回路基板に関する。
【背景技術】
【０００２】
ＴＡＢ用テープキャリアや回路付サスペンション基板などの配線回路基板では、例えば、ステンレス箔などからなる金属支持層と、その金属支持層の上に形成される、ポリイミド樹脂などからなるベース絶縁層と、電子部品と接続される端子部を有し、ベース絶縁層上に形成される、銅箔などからなる導体パターンと、ベース絶縁層の上に、その導体パターンを被覆するポリイミド樹脂などからなるカバー絶縁層とを備えている。そして、このような配線回路基板は、各種の電気機器や電子機器の分野において、広く用いられている。
【０００３】
また、このような配線回路基板には、電子部品を実装する際に配線回路基板を位置決めするための位置決めマークが設けられており、配線回路基板に電子部品を実装する際には、この位置決めマークを画像認識カメラに認識させて、電子部品の端子部が導体パターンの端子部と接続されるように、配線回路基板を適切な位置に位置決めしている。
例えば、電子部品パターンおよびＩＣマークが形成されるプリント基板において、パターン認識装置により、これら電子部品パターンおよびＩＣマークの位置を認識することにより、電子部品と電子部品パターンとのずれが生じないようにしながら、電子部品をプリント基板の上に実装することが提案されている（例えば、特許文献１参照。）。
【０００４】
しかるに、上記したような特許文献１のＩＣマークを含む位置決めマークは、通常、電解めっきにより、導体パターンからめっきリードを介して連続して形成されるマーク導体層と、そのマーク導体層の上に形成される金めっき層とを含んでおり、この金めっき層の映像を、画像認識カメラに取得させて、位置決めマークを認識させることにより、位置決めしている。
【特許文献１】特開平３−２３２３００号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかし、図６に示すように、導体パターン４６、より具体的には、端子部４７から、めっきリード４０が連続して設けられるマーク導体層４１を含む位置決めマーク４２では、めっきリード４０のうち、カバー絶縁層４３から露出するめっきリード４０にも金めっき層４４が形成されるので、画像認識カメラ４５により、マーク導体層４１の上の金めっき層４４の映像と、めっきリード４０の上の金めっき層４４の映像とが、識別されることなく、まとめて位置決めマーク４２として認識される。
【０００６】
そうすると、まとめて認識された金めっき層４４の映像から求められる、位置決めマーク４２の基準位置Ｃ２（例えば、中心位置Ｃ２）は、本来の位置決めマーク４２の基準位置Ｃ１（例えば、中心位置Ｃ１、すなわち、画像認識カメラ４５によって、マーク導体層４１の上の金めっき層４４のみが認識されることにより、本来求められるべき適正な基準位置Ｃ１）から、ずれを生じる。
【０００７】
その結果、電子部品の実装において、配線回路基板は、適正な基準位置Ｃ１からずれた基準位置Ｃ２を基準として位置決めされるため、電子部品の端子部と、配線回路基板の導体パターンの端子部とを、確実に接続することができないという不具合を生じる。
本発明の目的は、正確に位置決めマークを認識して、正確に電子部品が実装される実装位置を位置決めすることができ、電子部品を適切な実装位置に実装することのできる、配線回路基板を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記の目的を達成するために、本発明の配線回路基板は、金属支持基板と、前記金属支持基板の上に形成されるベース絶縁層と、前記ベース絶縁層の上に形成され、電子部品と接続される端子部を有する導体パターンと、前記電子部品が実装される実装位置を位置決めするための位置決めマークとを備え、前記位置決めマークは、前記ベース絶縁層の上に、前記導体パターンとは独立して設けられ、前記端子部と間隔を隔てて隣接配置されるマーク導体層と、前記マーク導体層と前記金属支持基板とを接続する接続部とを備え、前記ベース絶縁層には、開口部が形成されており、前記接続部は、前記ベース絶縁層の前記開口部内に充填されるとともに、前記開口部内における前記金属支持基板の上面と接触し、前記マーク導体層は、前記接続部の上に、前記接続部と一体的に連続するように形成されていることを特徴としている。
【０００９】
また、本発明の配線回路基板では、前記位置決めマークは、さらに、前記マーク導体層の上に形成されるマークめっき層を備えていることが好適である。
【発明の効果】
【００１０】
本発明の配線回路基板では、位置決めマークの形成において、金属支持基板から接続部を介して給電して、マーク導体層を形成することができるので、めっきリードを形成せずに、導体パターンとは独立してマーク導体層を設けることができる。そのため、マークめっき層の形成においては、マーク導体層の上にのみマークめっき層が形成され、マーク導体層の周辺部に、マークめっき層が形成されることを防止することができる。
【００１１】
その結果、位置決めマークは、その形状が、マーク導体層のみの形状に基づくマークめっき層の形状により形成されるので、画像認識カメラに、正確に位置決めマークを認識させて、正確に位置決めすることができる。その結果、電子部品を適切な実装位置に実装することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１２】
図１は、本発明の配線回路基板の一実施形態を示す部分平面図、図２は、図１に示す配線回路基板における実装領域を示す拡大図であって、（ａ）は、部分拡大平面図、（ｂ）は、配線回路基板の幅方向（配線回路基板の長手方向に直交する方向。以下、単に幅方向という場合がある。）に沿う方向の部分拡大断面図、図３は、図１に示す配線回路基板の一実施形態の製造工程を示す工程図であって、左側図は、配線回路基板の長手方向に沿う方向の部分断面図、右側図は、配線回路基板の幅方向に沿う方向の部分断面図である。なお、図１および図２（ａ）において、マークめっき層１７および金属めっき層１９は省略されている。
【００１３】
図１において、この配線回路基板１は、回路付サスペンション基板やＴＡＢテープキャリアなどとして用いられる配線回路基板であって、図３（ｅ）に示すように、金属支持基板２と、金属支持基板２の上に形成されるベース絶縁層３と、ベース絶縁層３の上に形成される導体パターン４と、ベース絶縁層３の上に、導体パターン４を被覆するように形成されるカバー絶縁層５とを備えている。
【００１４】
また、導体パターン４は、図１に示すように、図示しない電子部品と接続される端子部１０と、端子部１０から長手方向に延びる配線１１とを、一体的に備えている。
配線回路基板１は、長手方向に延びるように形成されており、この配線回路基板１には、長手方向に沿って間隔を隔てて配置される複数の実装領域６が設けられている。
各実装領域６は、図示しない電子部品を実装するための実装部７と、位置決めマーク部８とを備えている。
【００１５】
実装部７は、配線回路基板１の略中央に配置されており、この実装部７には、端子部１０が形成されている。
端子部１０は、ベース絶縁層２の上において、実装（載置）される電子部品の端子部に対応するように配置されている。すなわち、端子部１０は、長手方向に間隔を隔てて配置され、一方側端子部１０Ａと、他方側端子部１０Ｂとを備えている。
【００１６】
一方側端子部１０Ａは、幅方向に互いに間隔を隔てて複数設けられており、各配線１１の一端部がそれぞれ接続されるように、長手方向に延びる平面視略矩形状の角ランドとして形成されている。
他方側端子部１０Ｂは、幅方向に互いに間隔を隔てて複数設けられており、各配線１１の他端部がそれぞれ接続されるように、長手方向に延びる平面視略矩形状の角ランドとして形成されている。
【００１７】
この端子部１０では、各一方側端子部１０Ａと長手方向において対向するにように、各一方側端子部１０Ｂが配置され、長手方向に対向する各一方側端子部１０Ａおよび他方側端子部１０Ｂが、１組となるように配列されており、この各１組の端子部１０が、実装部７において、幅方向に沿って整列配置されている。
端子部１０は、各一方側端子部１０Ａの幅が、各他方側端子部１０Ｂの幅と同一であって、例えば、１５０〜５００μｍ、好ましくは、２００〜３００μｍ、各一方側端子部１０Ａ間の間隔が、各他方側端子部１０Ｂ間の間隔と同一であって、例えば、１５０〜５００μｍ、好ましくは、２００〜３００μｍ、各一方側端子部１０Ａの長さが、各他方側端子部１０Ｂの長さと同一であって、例えば、０．５〜５ｍｍ、好ましくは、０．７〜２ｍｍに設定されている。
【００１８】
また、各端子部１０に接続される配線１１の幅は、端子部１０の幅より幅狭であって、例えば、１５〜５００μｍ、好ましくは、５０〜２５０μｍ、各配線１１間の間隔は、例えば、１５〜５００μｍ、好ましくは、２００〜３００μｍに設定されている。
また、実装部７には、実装される電子部品の大きさに応じて、カバー絶縁層５が開口される第１開口部１２が形成されており、この第１開口部１２により、実装部７が区画されている。
【００１９】
第１開口部１２は、平面視略矩形状で、端子部１０（すべての一方側端子部１０Ａおよび他方側端子部１０Ｂ）を囲むように大きな１つの開口として形成されている。第１開口部１２は、その幅方向に間隔を隔てて対向配置される両側端縁が、位置決めマーク部８が形成される領域が確保されるように、配線回路基板１の全幅より幅狭となるように形成されている。また、第１開口部１２は、その長手方向に間隔を隔てて対向配置される両側端縁が、それぞれ、一方側端子部１０Ａに接続される配線１１および他方側端子部１０Ｂに接続される配線１１を幅方向に沿って横切るように形成されている。そして、この第１開口部１２は、すべての端子部１０およびその周辺のベース絶縁層３を露出させている。
【００２０】
また、実装部７において、図３（ｅ）に示すように、端子部１０の表面（端子部１０の上面および側面）と、カバー絶縁層５から露出する配線１１の表面（配線１１の上面および側面）とには、これらを被覆するように、金属めっき層１９が形成されている。
金属めっき層１９は、カバー絶縁層５の第１開口部１２から露出する端子部１０と配線１１とを保護して、その耐食性を向上させている。
【００２１】
なお、導体パターン４は、図示しないが、ベース絶縁層２が適宜の位置において開口される第４開口部において、金属支持基板２と接触し、電気的に接続されている。
位置決めマーク部８は、図１に示すように、各実装領域６において、実装部７の近傍に設けられ、実装部７の幅方向一方外側に配置されている。より具体的には、位置決めマーク部８は、導体パターン４とは独立して設けられ、実装部７の端子部１０の幅方向最外側（右側）の一方側端子部１０Ａと、間隔を隔てて隣接配置されている。
【００２２】
位置決めマーク部８では、図２（ａ）および図２（ｂ）に示すように、カバー絶縁層５が開口される、第２開口部１３が形成されており、この第２開口部１３により、位置決めマーク部８が区画されている。
第２開口部１３は、平面視略正方形状に、後述する位置決めマーク９を囲むように形成されている。
【００２３】
この位置決めマーク部８は、図示しない電子部品が実装される実装位置を位置決めするための位置決めマーク９を備えている。
位置決めマーク９は、第２開口部１３から完全に露出されるように、第２開口部１３の内周縁から間隔を隔てて、平面視において第２開口部１３の略中央に設けられており、接続部１５と、接続部１５およびベース絶縁層２の上に形成されるマーク導体層１４と、そのマーク導体層１４の上に形成されるマークめっき層１７とを備えている。
【００２４】
接続部１５は、位置決めマーク９の略中央に配置され、その下端面が金属支持基板２の上面と接触するように、ベース絶縁層３が平面視円形状に開口される第３開口部１６内に充填されており、平面視円形状に形成されている。
マーク導体層１４は、接続部１５の上で、かつ、ベース絶縁層３の上に形成されている。また、マーク導体層１４は、接続部１５よりやや大きい平面視円形状に形成され、接続部１５に対して同心円上に配置されている。マーク導体層１４の周縁は、カバー絶縁層５における第２開口部１３の内周縁と間隔を隔てて配置されている。
【００２５】
また、接続部１５とマーク導体層１４とは、厚み方向において一体的に連続して形成されており、接続部１５は、マーク導体層１４と金属支持基板２とを電気的に接続している。
マークめっき層１７は、後述する画像認識カメラ１８による位置決めマーク９の位置決めにおいて、その周辺部に形成されるベース絶縁層３とのコントラストを明確にして、画像認識カメラ１８に認識させるものであって、マーク導体層１４の上に形成されている。より具体的には、マークめっき層１７は、マーク導体層１４の上面および側面（周側面）に、形成され、マーク導体層１４を被覆するように形成されている。
【００２６】
位置決めマーク部８において、第２開口部１３の１辺の長さは、例えば、２１０〜４０００μｍ、好ましくは、３００〜２０００μｍに設定されている。また、位置決めマーク９において、接続部１５の直径は、例えば、５０〜５００μｍ、好ましくは、１００〜２００μｍ、マーク導体層１４の直径は、例えば、１００〜２０００μｍ、好ましくは、２００〜１０００μｍに設定されている。
【００２７】
次に、この配線回路基板１の製造方法について、図３を参照して、説明する。
この方法では、まず、図３（ａ）に示すように、金属支持基板２を用意する。
金属支持基板２としては、例えば、ステンレス、４２アロイ、アルミニウム、銅−ベリリウム、りん青銅などの金属が用いられる。好ましくは、ステンレスが用いられる。なお、ステンレスには、ＡＩＳＩ（米国鉄鋼協会）の規格に基づいて、例えば、ＳＵＳ３０１、ＳＵＳ３０４、ＳＵＳ３０５、ＳＵＳ３０９、ＳＵＳ３１０、ＳＵＳ３１６、ＳＵＳ３１７、ＳＵＳ３２１、ＳＵＳ３４７などが用いられる。また、その厚みは、例えば、３〜１００μｍ、好ましくは、１０〜７０μｍ、さらに好ましくは、１５〜６０μｍである。
【００２８】
この方法では、次いで、図３（ｂ）に示すように、金属支持基板２の上に、第３開口部１６および図示しない第４開口部が開口されるパターンで、ベース絶縁層３を形成する。
ベース絶縁層３は、例えば、ポリイミド樹脂、ポリアミドイミド樹脂、アクリル樹脂、ポリエーテルニトリル樹脂、ポリエーテルスルホン樹脂、ポリエチレンテレフタレート樹脂、ポリエチレンナフタレート樹脂、ポリ塩化ビニル樹脂などの樹脂からなる。耐熱性の観点からは、好ましくは、ポリイミド樹脂からなる。ベース絶縁層３の厚みは、例えば、３〜５０μｍ、好ましくは、５〜３０μｍである。
【００２９】
ベース絶縁層３を上記したパターンとして形成するには、特に制限されず、公知の方法が用いられる。例えば、感光性樹脂（感光性ポリアミド酸樹脂）のワニスを、金属支持基板２の表面に塗布し、塗布されたワニスを乾燥して、ベース皮膜を形成する。次いで、ベース皮膜を、フォトマスクを介して露光した後、必要により加熱後、現像によりパターンを形成させ、その後、例えば、減圧下、２５０℃以上で加熱することにより、硬化（イミド化）させる。
【００３０】
この方法では、次いで、図３（ｃ）に示すように、ベース絶縁層３の上面に、導体パターン４を形成すると同時に、位置決めマーク部８において、金属支持基板２の上面に、接続部１５と、かつ、接続部１５およびベース絶縁層３の上にマーク導体層１４とを形成する。
導体パターン４と、接続部１５およびマーク導体層１４とは、例えば、銅、ニッケル、金、はんだ、またはこれらの合金などの導体からなり、好ましくは、銅からなる。
【００３１】
導体パターン４と、接続部１５およびマーク導体層１４とは、例えば、サブトラクティブ法、アディティブ法などの公知のパターンニング法、好ましくは、アディティブ法によって、上記したパターンに、同時に形成する。
アディティブ法では、まず、ベース絶縁層３の全面（上面および側面）およびベース絶縁層３から露出する金属支持基板２の上面に、導体薄膜を形成する。導体薄膜は、スパッタリング、好ましくは、クロムスパッタリングおよび銅スパッタリングにより、クロム薄膜と銅薄膜とを積層する。
【００３２】
次いで、この導体薄膜の上面に、導体パターン４およびマーク導体層１４と逆パターンでめっきレジストを形成した後、金属支持基板２を陰極として、金属支持基板２から第３開口部１６および図示しない第４開口部を介して給電する電解めっきにより、めっきレジストから露出する導体薄膜の上面に、上記した導体パターン４と接続部１５およびマーク導体層１４とを、連続して同時に形成する。
【００３３】
すなわち、金属支持基板２から図示しない第４開口部を介して給電すると、めっきの成長によりベース絶縁層３の上に導体パターン４が形成される。また、これとは独立して、金属支持基板２から第３開口部１６を介して給電すると、まず、第３開口部１６内において、めっきの成長により接続部１５が充填されるように形成され、さらにめっきが成長すると、接続部１５の上からベース絶縁層３の上に広がるように、連続してマーク導体層１４が形成される。
【００３４】
その後、めっきレジストおよびそのめっきレジストが積層されていた部分の導体薄膜を除去する。
このようにして形成される導体パターン４の厚みは、例えば、マーク導体層１４の厚みと同一であって、例えば、３〜５０μｍ、好ましくは、５〜２０μｍである。また、接続部１５の厚みは、ベース絶縁層３の厚みと同一である。
【００３５】
この方法では、次いで、図３（ｄ）に示すように、ベース絶縁層３の上に、導体パターン４を被覆するように、かつ、実装部７の第１開口部１２および位置決めマーク部８の第２開口部１３が開口されるパターンで、カバー絶縁層５を形成する。
カバー絶縁層５は、ベース絶縁層３で例示した樹脂と同様の樹脂からなる。
カバー絶縁層５を上記したパターンで形成するには、特に制限されず、公知の方法が用いられる。例えば、感光性樹脂（感光性ポリアミド酸樹脂）のワニスを、ベース絶縁層３、導体パターン４およびマーク導体層１４の表面の全面に塗布し、塗布されたワニスを乾燥して、カバー皮膜を形成する。次いで、カバー皮膜を、フォトマスクを介して露光した後、必要により加熱後、現像によりパターンを形成させ、その後、例えば、減圧下、２５０℃以上で加熱することにより、硬化（イミド化）させる。
【００３６】
このようにして形成される形成されるカバー絶縁層５は、その厚みが、３〜５０μｍ、好ましくは、５〜２０μｍである。
この方法では、次いで、図３（ｅ）に示すように、カバー絶縁層５の第１開口部１２から露出する端子部１０および配線１１の表面に金属めっき層１９を形成すると同時に、マーク導体層１４の表面（上面および側面）にマークめっき層１７を形成する。
【００３７】
金属めっき層１９とマークめっき層１７とは、例えば、ニッケル、金、はんだ、またはこれらの合金などの導体からなり、好ましくは、金からなる。
金属めっき層１９とマークめっき層１７とは、例えば、電解めっきまたは無電解めっきにより、好ましくは、金属支持基板２を陰極として、金属支持基板２から第３開口部１６および図示しない第４開口部を介して給電する電解めっきにより、同時に形成する。
【００３８】
このようにして形成される金属めっき層１９の厚みは、マークめっき層１７の厚みと同一であって、例えば、０．０２〜５μｍ、好ましくは、０．５〜３μｍである。
そして、このようにして得られる配線回路基板１では、図２（ｂ）に示すように、その実装部７の位置決めマーク９の映像を、画像認識カメラ１８に取得させて、この画像認識カメラ１８によって、位置決めマーク９の基準位置Ｃ１（例えば、中心位置Ｃ１）を認識させる。
【００３９】
次いで、位置決めマーク９の中心位置Ｃ１に基づいて、配線回路基板１と図示しない電子部品とを互いに位置決めしながら、実装部７に対応する実装位置に電子部品を実装（載置）して、端子部１０と、図示しない電子部品の端子部とを接続する。
そして、この配線回路基板１では、位置決めマーク９の形成において、金属支持基板２から給電すれば、接続部１５およびマーク導体層１４を順次形成することができるので、図６（ａ）および図６（ｂ）に示すような導体パターン４６から連続するめっきリード４０を形成せずに、導体パターン４とは独立してマーク導体層１４を設けることができる。
【００４０】
そのため、マークめっき層１７の形成においては、マーク導体層１４の上にのみマークめっき層１７が形成され、マーク導体層１４の周辺部に、マークめっき層１７が形成されることを防止することができる。
そのため、位置決めマーク９は、その平面視における形状が、マーク導体層１４のみの形状、すなわち、マーク導体層１４の円形状と同一の円形状のマークめっき層１７の形状に、形成されるので、画像認識カメラ１８に、正確に位置決めマーク９を認識させて、正確に電子部品の実装位置を位置決めすることができる。その結果、電子部品を適切な実装位置に実装することができる。
【００４１】
また、この配線回路基板１では、位置決めマーク９が、マーク導体層１４の上に形成されるマークめっき層１７を備えている。そのため、位置決めマーク９の周辺部に形成されるベース絶縁層３とのコントラストを明確にして、画像認識カメラ１８に、より一層正確に位置決めマーク９を認識させることができる。
また、この配線回路基板１では、マーク導体層１４と接続部１５とが、一体的に連続して形成されている。そのため、マーク導体層１４と接続部１５とをともに１つの工程で形成することができるので、製造工程の簡略化を図ることができる。
【００４２】
図４は、本発明の配線回路基板の他の実施形態（第２実施形態）の実装領域の部分拡大平面図、図５は、本発明の配線回路基板の他の実施形態（第３実施形態）の実装領域を示す拡大図であって、（ａ）は、部分拡大平面図、（ｂ）は、幅方向に沿う方向の部分拡大断面図である。また、上記した各部に対応する部分については、以降の各図面において同一の参照符号を付し、その詳細な説明を省略する。
【００４３】
次に、本発明の配線回路基板の他の実施形態について、図４および図５を参照して説明する。
上記説明においては、配線回路基板１の各実装領域６では、位置決めマーク部８における位置決めマーク９の形状を、平面視円形状に形成したが、その形状は、特に制限されない。
【００４４】
図４において、位置決めマーク９は、例えば、平面視正方形状に形成されている。すなわち、図４の点線に示すように、位置決めマーク９の接続部１５が、平面視正方形状に形成されており、図４の実線に示すように、位置決めマーク９のマーク導体層１４が、接続部１５よりやや大きい平面視正方形状に形成されている。
位置決めマーク９において、接続部１５の１辺の長さは、例えば、５０〜５００μｍ、好ましくは、１００〜２００μｍ、マーク導体層１４の１辺の長さは、例えば、１００〜２０００μｍ、好ましくは、２００〜１０００μｍに設定されている。
【００４５】
また、上記説明においては、位置決めマーク部８において、マーク導体層１４の周縁を、カバー絶縁層５における第２開口部１３の内周縁と、間隔を隔てて配置したが、これに制限されず、例えば、図５（ａ）および図５（ｂ）に示すように、マーク導体層１４の周縁が、カバー絶縁層５に被覆されていてもよい。より具体的には、マーク導体層１４の周縁の上面および側面に、カバー絶縁層５が形成されており、カバー絶縁層５における第２開口部１３の内周縁から、マーク導体層１４の略中央の上面が露出している。
【００４６】
また、この位置決めマーク部８では、位置決めマーク９のマークめっき層１７は、カバー絶縁層５における第２開口部１３の内周縁から露出するマーク導体層１４の上面に、形成されている。
マークめっき層１７は、平面視円形状であり、その直径は、例えば、１００〜２０００μｍ、好ましくは、２００〜１０００μｍに設定されている。
【実施例】
【００４７】
以下に実施例を示し、本発明をさらに具体的に説明するが、本発明は、何ら実施例に限定されることはない。
実施例１
厚み５０μｍの金属支持基板を用意した（図３（ａ）参照）。
次いで、金属支持基板の表面に、感光性ポリアミド酸樹脂のワニスを、スピンコーターを用いて均一に塗布し、次いで、塗布されたワニスを、９０℃で１５分加熱することにより、ベース皮膜を形成した。その後、そのベース皮膜を、フォトマスクを介して、７００ｍＪ／ｃｍ２で露光させ、１９０℃で１０分加熱した後、アルカリ現像液を用いて現像した。その後、１．３３Ｐａに減圧した状態で、３８５℃で硬化させることにより、感光性ポリイミドからなるベース絶縁層を、第３開口部および第４開口部が開口されるパターンで、形成した（図３（ｂ）参照）。
【００４８】
位置決めマーク部における、第３開口部は、円形状であり、その直径は、０．１ｍｍであった。また、ベース絶縁層の厚みは、１０μｍであった。
次いで、アディティブ法により、ベース絶縁層の上面に、導体パターンを形成すると同時に、位置決めマーク部において、金属支持基板の上面に、接続部と、接続部およびベース絶縁層の上に、マーク導体層とを形成した（図３（ｃ）参照）。
【００４９】
アディティブ法では、まず、ベース絶縁層の全面（上面および側面）およびベース絶縁層から露出する金属支持基板の上面に、クロムスパッタリングおよび銅スパッタリングにより、厚み３０ｎｍのクロム薄膜と厚み７０ｎｍの銅薄膜とからなる導体薄膜を積層した。
次いで、導体薄膜の上面に、めっきレジストを形成した後、金属支持基板を陰極として、金属支持基板から給電することにより、電解銅めっきした。その後、めっきレジストおよびそのめっきレジストが積層されていた部分の導体薄膜を除去した。
【００５０】
また、位置決めマーク部において、接続部は、円形状であり、その直径が、１００μｍ、マーク導体層は、円形状であり、その直径が、５００μｍであった。
また、導体パターンの厚みは、マーク導体層の厚みと同一であり、１２μｍであった。また、接続部の厚みは、ベース絶縁層の厚みと同一であった。
次いで、ベース絶縁層、導体パターンおよびマーク導体層の表面に、感光性ポリアミド酸樹脂のワニスを、スピンコーターを用いて均一に塗布し、次いで、塗布されたワニスを、９０℃で１５分加熱することにより、カバー皮膜を形成した。その後、そのカバー皮膜を、フォトマスクを介して、７００ｍＪ／ｃｍ２で露光させ、１９０℃で１０分加熱した後、アルカリ現像液を用いて現像した。その後、１．３３Ｐａに減圧した状態で、３８５℃で硬化させることにより、ベース絶縁層の上に、導体パターンを被覆するように、かつ、実装部の第１開口部および位置決めマーク部の第２開口部が開口されるパターンで、感光性ポリイミドからなるカバー絶縁層を、形成した（図３（ｄ）参照）。
【００５１】
位置決めマーク部における、カバー絶縁層の第２開口部は、正方形状であり、その１辺の長さは、０．８ｍｍであった。また、位置決めマーク部における、カバー絶縁層における第２開口部の周端縁は、マーク導体層の周縁と、間隔を隔てるように形成した。また、カバー絶縁層の厚みは、５μｍであった。
次いで、カバー絶縁層の第１開口部から露出する端子部および配線の表面に金属めっき層を形成すると同時に、マーク導体層の表面にマークめっき層を、電解金めっきにより形成した（図３（ｅ）参照）。
【００５２】
電解金めっきでは、金属支持基板を陰極として、金属支持基板から給電することにより、金からなる金属めっき層と金からなるマークめっき層とを、同時に形成した。金属めっき層の厚みは、マークめっき層の厚みと同一であって、２．５μｍであった。
これにより、配線回路基板を得た。
実施例２
カバー絶縁層の形成において、位置決めマーク部におけるカバー絶縁層が、マーク導体層の周縁を被覆するように、形成した以外は、実施例１と同様にして、配線回路基板を得た（図５（ａ）および（ｂ）参照）。
【００５３】
なお、位置決めマーク部における、カバー絶縁層から露出するマークめっき層は、円形状であり、その直径は、０．５ｍｍであった。
（評価）
実施例１および実施例２により得られた配線回路基板において、画像認識カメラに、位置決めマークのマークめっき層を認識させることにより、正確に電子部品の実装位置を位置決めできることを確認した。
【図面の簡単な説明】
【００５４】
【図１】本発明の配線回路基板の一実施形態を示す部分平面図である。
【図２】図１に示す配線回路基板における実装領域を示す拡大図であって、（ａ）は、部分拡大平面図、（ｂ）は、幅方向に沿う方向の部分拡大断面図である。
【図３】図３は、図１に示す配線回路基板の一実施形態の製造工程を示す工程図であって、左側図は、配線回路基板の長手方向に沿う方向の部分断面図、右側図は、配線回路基板の幅方向に沿う方向の部分断面図であって、（ａ）は、金属支持基板を用意する工程、（ｂ）は、金属支持基板の上に、第３開口部が開口されるパターンで、ベース絶縁層を形成する工程、（ｃ）は、ベース絶縁層の上面に、導体パターンを形成すると同時に、位置決めマーク部において、接続部と、マーク導体層とを形成する工程、（ｄ）は、ベース絶縁層の上に、導体パターンを被覆するように、かつ、実装部の第１開口部および位置決めマーク部の第２開口部が開口されるパターンで、カバー絶縁層を形成する工程、（ｅ）は、カバー絶縁層の第１開口部から露出する配線および端子部の表面に金属めっき層を形成すると同時に、マーク導体層の表面にマークめっき層を形成する工程を示す。
【図４】本発明の配線回路基板の他の実施形態（第２実施形態）の実装領域の部分拡大平面図である。
【図５】本発明の配線回路基板の他の実施形態（第３実施形態）の実装領域を示す拡大図であって、（ａ）は、部分拡大平面図、（ｂ）は、幅方向に沿う方向の部分拡大断面図である。
【図６】従来の配線回路基板の部分平面図であって、（ａ）は、部分拡大平面図、（ｂ）は、幅方向に沿う方向の部分拡大断面図である。
【符号の説明】
【００５５】
１    配線回路基板
２    金属支持基板
３    ベース絶縁層
４    導体パターン
９    位置決めマーク
１０  端子部
１４  マーク導体層
１５  接続部
１７  マークめっき層
【図１】
0004812481.tif 000002
【図２】
0004812481.tif 000003
【図３】
0004812481.tif 000004
【図４】
0004812481.tif 000005
【図５】
0004812481.tif 000006
【図６】
0004812481.tif 000007