(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
一方の電極となる金属箔を準備する金属箔準備工程と、
誘電体微粒子を溶剤に分散した誘電体微粒子分散液を準備する分散液準備工程と、
前記金属箔の上に前記誘電体微粒子分散液を塗布し乾燥する誘電体微粒子層形成工程と、
前記誘電体微粒子層を圧縮する圧縮工程と、
前記圧縮された誘電体微粒子層を焼成する焼成工程と、
前記焼成された誘電体層の上に他方の電極を形成する電極形成工程と、を有し、
前記誘電体微粒子層は、誘電体微粒子層形成工程後、焼成工程前に、圧縮操作され、 
前記金属箔準備工程後、誘電体微粒子層形成工程の前に、金属箔上に誘電体前駆体溶液を塗布し乾燥、仮焼成して下地層を形成する下地層形成工程が設けられてなることを特徴とするコンデンサの製造方法。
【請求項２】
一方の電極となる金属箔を準備する金属箔準備工程と、
誘電体微粒子を溶剤に分散した誘電体微粒子分散液を準備する分散液準備工程と、
前記金属箔の上に前記誘電体微粒子分散液を塗布し乾燥する誘電体微粒子層形成工程と、
前記誘電体微粒子層を圧縮する圧縮工程と、
前記圧縮された誘電体微粒子層を焼成する焼成工程と、
前記焼成された誘電体層の上に他方の電極を形成する電極形成工程と、を有し、
前記誘電体微粒子層は、誘電体微粒子層形成工程後、焼成工程前に、圧縮操作され、圧縮された誘電体微粒子層の表面上に誘電体前駆体溶液を塗布し乾燥、仮焼成して被覆層を形成する被覆層形成工程が設けられてなることを特徴とするコンデンサの製造方法。
【請求項３】
前記分散液準備工程において、バインダー樹脂の含有率は実質的に零である請求項１または請求項２に記載のコンデンサの製造方法。
【請求項４】
前記圧縮工程における圧縮力は、４４Ｎ／ｍｍ2以上である請求項１ないし請求項３のいずれかに記載のコンデンサの製造方法。
【請求項５】
コンデンサ形成用の転写シートを予め作製し、この転写シートを用いて転写法により誘電体層と電極層との積層体を形成し、しかる後、焼成してなるコンデンサの製造方法であって、
前記転写シートの作製は、
支持体の上に電極層を形成する電極層形成工程と、
誘電体微粒子を溶剤に分散した誘電体微粒子分散液を準備する分散液準備工程と、
前記電極層の上に誘電体微粒子分散液を塗布し乾燥する誘電体微粒子層形成工程と、
前記一体化された電極層と誘電体微粒子層を圧縮する圧縮工程と、を有し、 
前記圧縮工程後、圧縮された誘電体微粒子層の表面上に誘電体前駆体溶液を塗布し乾燥、仮焼成して被覆層を形成する被覆層形成工程が設けられてなることを特徴とするコンデンサの製造方法。
【請求項６】
前記分散液準備工程において、バインダー樹脂の含有率は実質的に零である請求項５に記載のコンデンサの製造方法。
【請求項７】
前記圧縮工程における圧縮力は、４４Ｎ／ｍｍ2以上である請求項５または請求項６に記載のコンデンサの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、誘電体微粒子層を焼成した誘電体層を有するコンデンサの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
プリント配線板等の樹脂基板に埋め込むことが可能なコンデンサとしては、例えば、誘電体粒子含有樹脂層を有するコンデンサが知られている。このようなコンデンサにおける誘電体層は、一般に、誘電体微粒子をポリイミド等のバインダー、すなわち、つなぎのための有機化合物樹脂中に分散させた誘電体含有樹脂を基体上に、塗布し乾燥、予備焼成、本焼成を行うことにより形成されるか、あるいは、基体上に、誘電体前駆体を塗布し乾燥、予備焼成、本焼成を行うことにより形成されている。
【０００３】
通常のセラミックコンデンサ製造工程においては、誘電体微粒子をバインダー樹脂と混練し、ペーストとし、それを塗布したり、あるいはシート化して、電極層と積層する工法が使用されているのが一般的である。
【０００４】
しかしながら、バインダー樹脂を使用して誘電体微粒子を含有させるコンデンサは、電極間に低誘電率の樹脂が存在するため、また誘電体微粒子の含有率を高く出来ないことから、容量が極めて低く、その用途は限られているのが現状である。
【０００５】
この一方で、誘電体前駆体を塗布して製造されるコンデンサでは、塗布、予備焼成という一連の工程を数回繰り返し、ある程度以上の誘電体層の膜厚を確保しなくては、短絡という問題が確実に回避できない。また、誘電体前駆体は高価な化合物であり、工程が長く煩雑でありことと合わせて、高コストの原因となっており、広く工業的に使用されるには至っていないのが現状である。
【０００６】
また、通常のセラミックコンデンサのように、バインダー樹脂と誘電体微粒子を混練したスラリーを使用すると、誘電体の焼結工程において最初にバインダーが分解、脱離し、空隙の大きな誘電体微粒子群の層がいったん形成された後に、焼結反応に至る。なお、通常のバインダー樹脂量は少なくとも１０％である。このため、焼結の際の誘電体層の収縮率が１０〜２０％と大きい。このため、例えば、可撓性金属箔等の基体とラミネートしてコンデンサを形成しようとしても、収縮率の差により誘電体膜が剥離してしまうことがあった。
【０００７】
【特許文献１】特開２００２−３４４１００号公報
【特許文献２】特開平５−２４７６５８号公報
【特許文献３】特開２００５−７９４２６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
本発明はこのような実状のものに創案されたものであって、その目的は、誘電体微粒子の含有率が高く、容量の向上、およびそれに伴う用途の拡大を可能とするコンデンサを提供することにある。さらには、焼成に際して誘電体層が剥離することなく、歩留まりが良く、信頼性の高いコンデンサを提供することにある。さらには、簡単な工程で安価に得ることができて広く工業的に適用され得るコンデンサを提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
このような課題を解決するために、本発明のコンデンサの製造方法は、一方の電極となる金属箔を準備する金属箔準備工程と、誘電体微粒子を溶剤に分散した誘電体微粒子分散液を準備する分散液準備工程と、前記金属箔の上に前記誘電体微粒子分散液を塗布し乾燥する誘電体微粒子層形成工程と、前記誘電体微粒子層を圧縮する圧縮工程と、前記圧縮された誘電体微粒子層を焼成する焼成工程と、前記焼成された誘電体層の上に他方の電極を形成する電極形成工程と、を有し、前記誘電体微粒子層は、誘電体微粒子層形成工程後、焼成工程前に、圧縮操作され、前記金属箔準備工程後、誘電体微粒子層形成工程の前に、金属箔上に誘電体前駆体溶液を塗布し乾燥、仮焼成して下地層を形成する下地層形成工程が設けられてなるように構成される。
【００１０】
また、本発明のコンデンサの製造方法は、一方の電極となる金属箔を準備する金属箔準備工程と、誘電体微粒子を溶剤に分散した誘電体微粒子分散液を準備する分散液準備工程と、前記金属箔の上に前記誘電体微粒子分散液を塗布し乾燥する誘電体微粒子層形成工程と、前記誘電体微粒子層を圧縮する圧縮工程と、前記圧縮された誘電体微粒子層を焼成する焼成工程と、前記焼成された誘電体層の上に他方の電極を形成する電極形成工程と、を有し、前記誘電体微粒子層は、誘電体微粒子層形成工程後、焼成工程前に、圧縮操作され、圧縮された誘電体微粒子層の表面上に誘電体前駆体溶液を塗布し乾燥、仮焼成して被覆層を形成する被覆層形成工程が設けられてなるように構成される。
【００１２】
また、本発明の好ましい態様として、前記分散液準備工程において、バインダー樹脂の含有率は実質的に零となるように構成される。
【００１３】
また、本発明の好ましい態様として、前記圧縮工程における圧縮力は、４４Ｎ／ｍｍ2以上となるように構成される。
【００１４】
また、本発明は、コンデンサ形成用の転写シートを予め作製し、この転写シートを用いて転写法により誘電体層と電極層との積層体を形成し、しかる後、焼成してなるコンデンサの製造方法であって、前記転写シートの作製は、支持体の上に電極層を形成する電極層形成工程と、誘電体微粒子を溶剤に分散した誘電体微粒子分散液を準備する分散液準備工程と、前記電極層の上に誘電体微粒子分散液を塗布し乾燥する誘電体微粒子層形成工程と、前記一体化された電極層と誘電体微粒子層を圧縮する圧縮工程と、を有し、前記圧縮工程後、圧縮された誘電体微粒子層の表面上に誘電体前駆体溶液を塗布し乾燥、仮焼成して被覆層を形成する被覆層形成工程が設けられてなるように構成される。
【発明の効果】
【００１５】
本発明のコンデンサにおける誘電体層は、金属箔ないしは電極層の上に、誘電体微粒子を分散させた溶液を塗布、乾燥させた後、圧縮する処理を受けているので、強固な誘電体微粒子膜（層）となる。
【００１６】
このように形成される誘電体微粒子層は誘電体微粒子含有率が高く、その後の焼成過程における収縮が小さい。このため、金属箔や電極層からの剥離の発生が極めて少なく、また焼成誘電体粒子からなるため、容量の大きなコンデンサを、簡単な工程で安価に得ることができる。
【００１７】
また、転写法が適用できる転写シートタイプとすることにより、上記の効果に加えて多層化が容易に行なえ、さらに適用範囲も広がる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１８】
以下、本発明を実施するための最良の形態について詳細に説明する。
本発明のコンデンサの製造方法は、いわゆる転写法の使用の有無により、２つの製造方法に大別される。しかしながら、発明の要部は、金属箔ないしは電極層の上に、誘電体微粒子を分散させた溶液を塗布、乾燥させた後、圧縮する処理を行なうという点で共通している。
【００１９】
まず、最初に、積層操作に転写法を用いない本発明のコンデンサの製造方法（第１の実施形態）について説明する。
【００２０】
〔第１の実施形態の説明〕
本発明のコンデンサの製造方法は、（１）一方の電極となる金属箔を準備する金属箔準備工程と、（２）誘電体微粒子を溶剤に分散した誘電体微粒子分散液を準備する分散液準備工程と、（３）前記金属箔の上に誘電体微粒子分散液を塗布し乾燥する誘電体微粒子層形成工程と、（４）前記一体化された金属箔と誘電体微粒子層を圧縮する圧縮工程と、（５）前記圧縮された誘電体微粒子層（圧縮誘電体微粒子層）を焼成する焼成工程と、（６）前記焼成された誘電体層の上に他方の電極を形成する電極形成工程と、を有し構成されている。
【００２１】
以下、各工程ごとに、詳細に説明する。
【００２２】
（１）金属箔準備工程 
一方の電極となる金属箔を準備する金属箔準備工程が実施される。
本発明に用いられる金属箔としては板厚５〜１００μｍのものが好ましい。
【００２３】
金属箔材料としては導電性材料で有れば特に限定されないが、特に、Ａｌ、Ｎｉ、Ｐｔ、Ｃｕ、ＳＵＳが好ましい。これらの中でも特に、安価なＣｕ、Ｎｉが好ましい。
【００２４】
Ｃｕ、Ｎｉ等の酸化しやすい材料の場合には、その表面に、Ｐｔ、Ａｕ等の耐酸化性皮膜を形成することも可能である。これらの耐酸化性皮膜は、スパッタや蒸着法によっても成膜可能であるが、電気めっき、無電解めっき等の湿式成膜法が特に好ましい。また、後述のように酸化しやすい材料をそのまま使用することも可能である。
【００２５】
使用する金属箔は、後工程で行なわれる塗布後の熱処理（焼成等）温度よりも高温で予備熱処理を施しておくことが好ましい。このように金属箔の準備段階で金属箔に予め熱履歴を与えておくことにより、後工程の焼成等による加熱によって生じる金属の再結晶化（表面が凹凸になる）を防止することができ、金属箔の表面粗さの増大によるコンデンサ短絡、リーク電流増加を防止することができる。
【００２６】
さらに、金属箔のみの状態で、圧縮処理を施しておくのも好ましい態様である。圧縮処理によりコンデンサ短絡の原因となる凸部を押しつぶすことが可能となる。特に表面の平滑な金属ロールを用いての圧縮処理が好ましい。例えば、精密加工された金属ロールの表面粗度Ｒｚ（JIS B0601に規定の最大高さ）は０．０１〜０．１μｍ程度であり、圧縮処理によって、この程度の表面粗さの金属箔に加工することが好ましい。この際、金属箔は柔らかいことが好ましく、ニッケル等の場合には熱処理により軟化させておくことが望ましい。特に、ビッカース硬度５０〜１５０の軟化状態が良好な転写特性を得るために好ましい。コンデンサ短絡、リーク不良の原因は、表面の凸部の存在に大きく左右されるため、凸部を効率的に除去できるため、コンデンサ用金属箔の前処理として非常に有効である。
【００２７】
また、金属箔の表面平滑処理は、上記の金属ロールによる方法以外にも、公知のバフ研磨、電解研磨や化学研磨等の方法で行なってもよいし、いくつかの方法を併用することもよい。
【００２８】
また、金属箔を用いることで、誘電体微粒子が後述する圧縮工程において、金属箔中にめり込むことにより強い密着強度が得られる。この効果をより得るためにも、金属箔はビッカース硬度５０〜１５０と柔らかいことが好ましい。
【００２９】
＜好ましい態様としての下地層形成工程＞
上述した金属箔準備工程後で、かつ後述する誘電体微粒子層形成工程の前に、金属箔上に誘電体前駆体溶液を塗布し乾燥、仮焼成して下地層を形成する下地層形成工程を設けることが好ましい。すなわち、金属箔と誘電体微粒子層との密着強度、焼成温度低下のために、箔表面上に下地層を予め形成しておいてから、後述する誘電体微粒子を塗布、乾燥、圧縮することが好ましい。
【００３０】
下地層は、誘電体層と金属箔とを接合可能な公知の下地性を有する材料の中から選択して用いることができる。下地層の厚さは、１０μｍ以下、好ましくは１μｍ以下、特に好ましくは０．００５〜０．５μｍとされる。下地層としては、誘電体微粒子層の焼結温度低減や、容量向上の観点から、誘電体前駆体を用いるのが好ましく、特に、誘電体前駆体溶液を塗布し形成することが好ましい。
【００３１】
誘電体前駆体溶液としては、有機化合物を溶解したゾルゲル原料溶液やＭＯＤ（有機金属分解法）原料溶液がある。例えば、金属アルコキシド、有機酸塩をトルエンやキシレン等の有機溶媒に溶解し、この液を基板に塗布し、熱分解によって酸化物薄膜を得る方法である。すなわち本発明における誘電体前駆体とは、焼成反応を経て誘電体となる一連の化合物をいう。本発明の下地膜としては完全に焼成する（本焼成）を行う前の段階で、後述する誘電体微粒子溶液を塗布する。すなわち、ゾルゲル原料溶液やＭＯＤ原料溶液を塗布し予備焼成させて誘電体層前駆体仮焼き膜を成膜する。塗布、乾燥の工程は所望の膜厚が得られるまで複数回繰り返してもよいが、本発明において前駆体層は下地層であるため、例えば、０．０１〜０．３μｍ程度の膜厚で十分であり、通常は１回の塗布で完了する。誘電体微粒子層の、本焼成の際に、下地膜も本焼成されることで強い密着強度が得られる。
【００３２】
なお、ゾルゲル法とＭＯＤ法とは完全に別個に用いられる方法ではなく、相互に組み合わせて使用することが一般的である。例えば、ＰＺＴから成る薄膜を形成する際、Ｐｂ源（ソース）として酢酸鉛を用い、Ｔｉ、Ｚｒ源としてその金属アルコキシドを用いて溶液を調製することができる。あるいは、ゾルゲル法とＭＯＤ法の二つの方法を総称してゾルゲル法と呼ぶ場合もあり、いずれの場合も誘電体前駆体溶液を基板に塗布し、仮焼成することによって下地層を形成することができる。
【００３３】
なお、仮焼成は２００〜４００℃程度の温度で行い、ホットプレートあるいはロール・ツー・ロール処理の場合には加熱したロール表面に押し当てながら通すことで仮焼成は完了する。
【００３４】
（２）誘電体微粒子含有の分散液準備工程 
誘電体微粒子を溶剤に分散した誘電体微粒子分散液を準備する分散液準備工程が実施される。
【００３５】
含有される誘電体微粒子の材料としては、特に制限はなく、種々の誘電体材料を使用することができる。例えば、チタン酸カルシウム、チタン酸ストロンチウムおよび／またはチタン酸バリウム（ＢＴ）などを含む主成分を有し、耐還元性を有することが好ましい。
【００３６】
主成分として、例えばＢａＴｉＯ3が用いられる。この場合、ＢａとＴｉとの原子比ｍ（Ｂａ／Ｔｉ＝ｍ）は、０．９５＜ｍ＜１．０１であることが好ましい。このような主成分に対し、Ｙ、Ｓｉ、Ｍｇ、Ｍｎ、Ｃｒ、Ｖ、の酸化物および／または焼成により酸化物になる化合物から選ばれる少なくとも１種が含有されていることが好ましい。より好ましくは、ＢａＴｉＯ3１００モルに対して、Ｙ2Ｏ3が０．２〜５モル、ＳｉＯ2が０．２〜５モル、ＭｇＯが０〜３モル含有されるようにするのがよい。さらに好ましくは、ＭｎＯまたはＣｒ2Ｏ3が０．２〜５モル含有されるようにするのがよい。さらにＶ2Ｏ5が０．２モル以下含有されるようにすることも好ましい。なお、このような組成の他に、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｇｄ、Ｍｏ、Ｓｒ、Ｙｂの中から選ばれた少なくとも一種の元素を含有するようにしてもよい。
【００３７】
含有される誘電体微粒子の粒径は、０．００３〜５μｍ、好ましくは、０．０１〜０．５μｍとされる。０．００３μｍ未満では分散が困難となる傾向が生じ、また５μｍを超えると焼結が困難となる傾向が生じる。また、粒径の異なる粒子を混合することで、より塗膜中の誘電体含有率を上げることができる。これは、大きな粒径の粒子間に小さな粒径の粒子が入り込むことができるためである。
【００３８】
分散液の調整に際し、バインダー樹脂の含有率は実質的に零とすることが好ましい。本発明でいう実質的に零とは、５重量％未満、好ましくは１重量％未満の含有率をいう。バインダー樹脂含有率＝０であることが最も好ましい。バインダー樹脂含有率が５重量％以上では、実質的な誘電体占有率が低下し焼成の際の縮率が大きくなり膜にひび割れが生じやすくなってしまう。
【００３９】
また、前記の誘電体前駆体を誘電体微粒子に対して、誘電体前駆体焼成後の重量換算で、０．１〜５重量％加えることも可能である、誘電体微粒子間のつなぎとして作用し、塗膜強度向上、焼成温度低減に効果がある。
【００４０】
また、適当な分散剤を誘電体微粒子に対して重量換算で、０．０１〜１重量％加えることも可能である。
【００４１】
誘電体微粒子を分散する溶剤としては、既知の各種液体を使用することができる。なお、溶剤といっても、誘電体微粒子を溶かすものではなく、慣用に従い溶剤という用語を用いている。例えば、液体として、トルエン等の芳香族炭化水素類、メタノール、エタノール等のアルコール類、アセトン、メチルエチルケトン等のケトン類等を挙げることができる。なかでも、極性を有する液体が好ましく、特にアルコール類のような水と親和性のあるものが良好であり好適である。これら液体は、単独でも２種以上の混合したものでも使用することができる。また、液体の種類により、分散剤を使用することもできる。また、液体として、水も使用可能である。用いる液体の量は、誘電体微粒子の分散液が塗布に適した粘度を有するようにすればよい。例えば、誘電体微粒子１００重量部に対して、液体１００〜１００，０００重量部程度とされる。
【００４２】
誘電体微粒子の液体中への分散は、公知の分散手法、例えば、ジルコニアビーズ等のメディアを用いサンドグラインダーミル法等により分散することができる。界面活性剤、分散剤等の添加剤を配合してもよい。
【００４３】
（３）誘電体微粒子層形成工程 
前述した金属箔の上に、直接あるいは下地層を介して誘電体微粒子分散液を塗布し乾燥する誘電体微粒子層形成工程が実施される。
【００４４】
塗布は、公知の方法、例えば、ブレード法、スプレーコート法、バーコート法、ディップ法などの塗布法によって行うことができる。塗布後に行なわれる乾燥処理における乾燥温度は分散に用いた液体の種類により適宜選定することができが、１０〜１５０℃程度の乾燥温度が好ましい。
【００４５】
乾燥温度が１０℃未満では空気中の水分の結露が起こりやすくなり、１５０℃を越えると塗膜に膜厚むらが出やすくなってしまう。塗布、乾燥後の誘電体微粒子含有層の厚みは、コンデンサ仕様、次工程の圧縮条件にもよるが、０．１〜１０μｍ程度とすればよい。
【００４６】
（４）誘電体微粒子層の圧縮工程 
前記一体化された金属箔と誘電体微粒子層を圧縮する圧縮工程が実施される。すなわち、形成された誘電体微粒子含有層を圧縮し、圧縮誘電体微粒子層を形成する操作が行われる。誘電体微粒子含有層を圧縮することにより、塗膜中の誘電体微粒子の含有率や、膜の強度を向上させることができる。すなわち、誘電体微粒子層を圧縮することで誘電体微粒子相互間の接触点が増え接触面が増加する。このため、塗膜強度が格段と向上する。誘電体微粒子は、元々凝集しやすい性質があるので圧縮することで強固な膜となる。
【００４７】
圧縮操作は、４４Ｎ／ｍｍ2以上の圧縮力で行うことが好ましい。４４Ｎ／ｍｍ2未満の低圧での操作であれば、誘電体微粒子含有層を十分に圧縮することができず、塗膜中の誘電体微粒子の含有率を高めることができず、塗膜強度が得られにくく、密着強度も弱い。特に、１３５Ｎ／ｍｍ2以上の圧縮力がより好ましく、さらには、１８０Ｎ／ｍｍ2の圧縮力が好ましい。圧縮力が高いほど、塗膜中の誘電体微粒子の含有率が上昇し、塗膜強度が向上し、金属箔との密着性も向上する。圧縮力を高くするほど装置の耐圧を上げなくてはならないことと、誘電体微粒子の割れが生じるため、一般には１０００Ｎ／ｍｍ2までの圧縮力が適当である。
【００４８】
圧縮操作の手段は、特に限定されることない。例えば、シートプレス、ロールプレス等により行うことができるが、特に、ロールプレス機を用いて行うことが好ましい。ロールプレスは均一に高い圧力がかけられ、また、ロール・ツー・ロールで生産できることから生産性が上がり好適である。
【００４９】
ロールプレス機のロールは、強い圧力がかけられることから金属ロールが好適である。また、ロール表面が柔らいと、圧縮時に微粒子がロールに転写することがあるので、ロール表面を硬質膜で処理することが好ましい。
【００５０】
誘電体微粒子のロールへの張り付き防止のために、別途、フィルムを準備し、誘電体微粒子層とロールの間に挿入してもよい。
【００５１】
＜好ましい態様としての被覆層（上地層）形成工程＞
前述した圧縮工程の後、後述する焼成工程の前に、圧縮された誘電体微粒子層（圧縮誘電体微粒子層）の表面上に、誘電体前駆体溶液を塗布し乾燥、仮焼成して被覆層（上地層）を形成する被覆層形成工程を設けることも好ましい態様である。
【００５２】
その際に使用される誘電体前駆体溶液としては、前述した下地層と同様に有機化合物を溶解したゾルゲル原料溶液やＭＯＤ（有機金属分解法）原料溶液がある。
【００５３】
この工程の処理により、誘電体前駆体溶液が圧縮誘電体微粒子層の空隙に侵透することで膜中の誘電体含有量を更に増加させることができ、さらには誘電体微粒子層の焼成温度を低下させることができる。被覆層の膜厚は０．０１〜０．３μｍ程度であり、通常は１回の塗布で完了する。
【００５４】
（５）圧縮された誘電体微粒子層（圧縮誘電体微粒子層）を焼成する焼成工程 
上記圧縮工程に次いで圧縮された誘電体微粒子層（圧縮誘電体微粒子層）を焼成する焼成工程が実施される。焼成工程とは誘電体微粒子を相互に結合し全体として高誘電率化するための工程である。
【００５５】
焼成工程における好適な焼成温度は、誘電体層を構成する種類等により異なり、例えば、誘電体層が、
（ｉ）ＢａＴｉＯ3や、（Ｂａ,Ｃａ）（Ｔｉ,Ｚｒ）Ｏ3を主成分として構成される場合には、７００〜１２８０℃に設定されることが好ましい。
【００５６】
（ii）（Ｃａ,Ｓｒ）（Ｔｉ,Ｚｒ）Ｏ3を主成分として構成される場合には、６００〜１４００℃に設定されることが好ましい。
【００５７】
焼成工程は、還元雰囲気中で行なわれることが望ましい。還元雰囲気は、例えば、Ｎ2と０．５〜１０ｖｏｌ％のＨ2混合ガスを水蒸気中に流通させることにより形成すればよい。酸素分圧は、１０-50〜１０-5Ｐａとすることが好ましい
【００５８】
還元雰囲気で焼成した場合、焼成後にはリカバリーアニールを施すことが好ましい。アニールは、誘電体層を再酸化するための処理であり、これにより絶縁抵抗の加速寿命を著しく長くすることができる。
【００５９】
アニール雰囲気の酸素分圧は、１０-9Ｐａ以上、特に１０-9〜１Ｐａ、温度は、１１００℃以下、特に５００〜１１００℃とすることが好ましい。温度が５００℃未満であると誘電体層の再酸化が不十分となり、絶縁抵抗の加速寿命が短くなり、１１００℃を超えると金属箔の酸化が進行し、静電容量が低下するだけでなく、誘電体素地と反応し、加速寿命も短くなる。雰囲気ガスにはＮ2と加湿したＨ2ガス、あるいはＮ2または真空雰囲気を用いることが好ましい。
【００６０】
また、前記圧縮工程において、熱圧縮を行うことで焼成工程を兼用することも可能である。すなわち、６００〜１２００℃に加温した金属ロールを用いて圧縮処理を行うことで、工程短縮に加えて、より低温での焼成が可能となる。その際の雰囲気は、前記同様、還元雰囲気とすることが好ましい。
【００６１】
（６）電極形成工程 
このような焼成処理を完了した後、焼成された誘電体層の上に他方の電極（以下、「上部電極」と称す）を形成する電極形成工程が実施される。
【００６２】
上部電極に用いられる材料としては、特に限定はないが、白金、ロジウム、パラジウム、金、銀、ニッケル、銅、チタン、モリブデン、又はアルミニウム等を主成分とした単体金属、これらのうちの２つ以上からなる合金が好ましい。特に白金が好ましいが、低コストである銅、ニッケルも好ましく用いることができる。
【００６３】
電極形成に際しては、印刷、スパッタ、蒸着、無電解めっき等の公知の形成方法が用いられる。また印刷後に焼成することで導体化するペーストも用いることができる。
【００６４】
上述してきた本発明のコンデンサは、金属箔上に、誘電体微粒子焼結層（誘電体層）、および電極が、順次、積層して形成されているものである。
【００６５】
さらに、上述してきた本発明のコンデンサは、下部金属箔、誘電体微粒子焼結層（誘電体層）、上部金属箔のような積層構造も可能である。この場合には、下部金属箔の上に形成された誘電体微粒子層を焼結させた後に、上部金属箔を圧着することで得られる。
【００６６】
誘電体微粒子焼結層と上部金属箔の密着強度向上のために、誘電体微粒子焼結層、上部金属箔のいずれかに、前述した誘電体前駆体溶液を塗布した層を設け、焼成することも可能である。上部金属箔の上にさらに誘電体微粒子焼結層、第３の金属箔、さらに誘電体微粒子焼結層、第４の金属箔、…と多層積層することも可能である。
【００６７】
〔第２の実施形態の説明〕
次いで、積層操作に転写法を用いる本発明のコンデンサの製造方法（第２の実施形態）について説明する。
【００６８】
本発明のコンデンサの製造方法は、コンデンサ形成用の転写シートを予め作製し、この転写シートを用いて転写法により電極層と誘電体層との積層体を形成し、しかる後、焼成してなるコンデンサの製造方法であって、前記転写シートの作製は、
（２−１）支持体の上に電極層を形成する電極層形成工程と、（２−２）誘電体微粒子を溶剤に分散した誘電体微粒子分散液を準備する分散液準備工程と、（２−３）前記電極層の上に誘電体微粒子分散液を塗布し乾燥する誘電体微粒子層形成工程と、（２−４）前記一体化された電極層と誘電体微粒子層を圧縮する圧縮工程と、を有し構成されている。
【００６９】
以下、発明要部となる転写シートの作製を各工程ごとに、詳細に説明する。
【００７０】
（２−１）支持体の上に電極層を形成する電極層形成工程 
例えば、ＰＥＴ等の樹脂キャリアフィルムからなる支持体を準備し、この上に、より好ましい態様としてシリコンコート等の易剥離処理を行なった後に、電極層を形成する。
【００７１】
電極層は、蒸着法やスパッタ法等の真空成膜法、塗布法等、いずれの手法を用いて形成してもよい。その後、例えばメタルマスク等を用いて所定の形状にパターニングする。パターニング形状は、いわゆる積層コンデンサ製造の基本構造として周知となっているように、互い違いのパターンを形成しておき、所定の位置で切断すると、１層おきに電極が外部に露出する構造が得られるパターンとするのがよい。
【００７２】
電極層の材料としては、ＮｉまたはＮｉ合金が好ましい。Ｎｉ合金としては、Ｍｎ、Ｃｒ、Ｃｏ、Ａｌ、Ｗ等の１種以上とＮｉとの合金が好ましく、合金中のＮｉ含有量は９５重量％以上であることが好ましい。
【００７３】
また、導電性微粒子含有ペーストを用い、印刷法で電極層を形成することも可能であり、この場合には、ＮｉまたはＮｉ合金中には、Ｐ、Ｃ、Ｎｂ、Ｆｅ、Ｃｌ、Ｂ、Ｌｉ、Ｎａ、Ｋ、Ｆ、Ｓ等の各種微量成分（焼結材）が０．１重量％以下含有されてもよい。平均粒子径は、０．４μｍ以下、特に、０．０１〜０．２μｍとすることが望ましい。また、誘電体層に使用する誘電体微粒子、例えば、酸化チタン系、チタン酸系複合酸化物、あるいは、これらの混合物等を０．１〜４０ｗｔ％含有していても良い。
【００７４】
（２−２）誘電体微粒子含有の分散液準備工程 
工程の詳細は、上記（２）誘電体微粒子含有の分散液準備工程の実施形態の場合に説明した内容と同じであるので、ここでの詳細な説明は省略する。
【００７５】
（２−３）誘電体微粒子層形成工程 
前述した電極層の上に、誘電体微粒子分散液を塗布し乾燥する誘電体微粒子層形成工程が実施される。
【００７６】
工程の詳細は、上記（３）誘電体微粒子層形成工程の実施形態の場合に説明した内容と実質的に同じであるので、ここでの詳細な説明は省略する。
【００７７】
（２−４）誘電体微粒子層の圧縮工程 
前記支持体と一体化された電極層と誘電体微粒子層を圧縮する圧縮工程が実施される。
【００７８】
工程の詳細は、上記（４）誘電体微粒子層の圧縮工程の実施形態の場合に説明した内容と実質的に同じであるので、ここでの詳細な説明は省略する。なお、圧縮工程後に、上述した被覆層（上地層）を形成するようにしてもよい。
【００７９】
（２−５）コンデンサ構造の要部をなす積層体の形成 
次いで、このように形成された転写シートを用いて転写法によりコンデンサ構造の要部をなす積層体が形成される。
【００８０】
具体的には、例えば、上記の転写シートを２枚準備して、誘電体微粒子層同士を向かい合わせて重ねた状態で、加温・加圧した後に支持体フィルムを剥離する。あるいは、この積層状態からさらに、別の転写シートを用いて、さらに積層を数十〜数百回重ねて積層体構造を形成する。具体的実施態様は後述の実施例を参照されたい。
【００８１】
このように積層された積層構造体を、電極パターンに合わせて個々のチップに切断分離した後に、焼成し、端部に電極を形成することにより、積層コンデンサが得られる。端部の電極形成は焼成前にすることもできる。
【００８２】
その他の態様として、例えば、転写フィルムに分散塗布カレンダーで圧縮処理された誘電体微粒子層（圧縮誘電体微粒子層）形成しておき、このものを金属箔に転写するようにしてもよい。あるいは、転写フィルムに分散塗布カレンダーで圧縮処理された誘電体微粒子層（圧縮誘電体微粒子層）形成しておき、この一方で、別の転写フィルムに分散塗布カレンダーで圧縮処理された導電性膜（電極膜）を形成しておき、これらの転写フィルムに形成された転写物を交互に転写していき積層された積層構造体を形成することもできる。この場合における導電性膜（電極膜）は、上記電極層と同じ材料とすればよい。
【実施例】
【００８３】
以下、具体的実施例を挙げて、本発明をさらに詳細に説明する。
【００８４】
〔実施例１〕
電解Ｎｉ箔（厚３０μｍ、純度９９．９９％）を還元雰囲気中、１０００℃で事前に熱処理した。熱処理後にバフ研磨、さらに化学研磨を行うことで表面の平滑化を図った。そして、下地層形成のために、高純度化学研究所製、高純度アルコラートを原料とするＢＴ用ＭＯＤ前駆導体溶液をバーコーターで０．２μｍ厚に塗布した。８０℃で乾燥させた後、２５０℃の大気中ホットプレート上で仮焼成した。このＭＯＤ仮焼き下地層を有するＮｉ箔を金属箔として用いた。
【００８５】
平均一次粒径が１５０ｎｍのＢＴ微粒子１００重量部にエタノール３００重量部を加え、メディアをジルコニアビーズとして分散機にて分散した。得られた塗液を上記のＮｉ箔上に、バーコーターを用いて塗布し、５０℃の温風を送って乾燥した。得られた誘電体微粒子含有膜付きの箔を、「圧縮前ＢＴ箔」と称する。誘電体微粒子含有膜の厚みは１．７μｍであった。
【００８６】
次に、圧縮前ＢＴ箔を金属ロール間に挟み単位面積当たり３４７Ｎ／ｍｍ2の圧力で、ロールを回転させ５ｍ／分の送り速度で圧縮した。このようにして、圧縮ＢＴ箔を得た。圧縮後のＢＴ塗膜の厚みは１．５μｍであった。
【００８７】
圧縮ＢＴ箔を還元雰囲気で焼成後、スパッタ法にて上部電極を形成し、コンデンサを得た。焼成温度は１０００〜１３００℃で変化させ、１２００℃焼成の場合に最大の容量が得られた。コンデンサは容量密度、２μＦ／ｃｍ2という高容量であった。
【００８８】
なお、圧縮圧力を変化させたところ、１８０Ｎ／ｍｍ2以上では、上記とほぼ同じ特性が得られた。しかし、歩留まり（短絡不良）が低下する傾向が見られ、４４Ｎ／ｍｍ2未満では特に顕著となった。
【００８９】
〔比較例１〕
上記実施例１における「圧縮前ＢＴ箔」をそのまま圧縮処理しなかった。
【００９０】
その結果、誘電体膜の脱落が多数生じ、全てが短絡で評価不能であった。これは、誘電体微粒子同士はもちろん、誘電体と金属箔間の密着強度が弱いためであった。
【００９１】
〔実施例２〕
６０μmのキャリアフィルム（ＰＥＴ）上に、シリコンコートにて易剥離処理を行った後、蒸着法にて、ニッケルを０．５μｍの厚さに成膜した。なお、メタルマスクを用い、所望の電極形状にパターニングしたニッケル電極層とした。
【００９２】
１００ｎｍのＢＴ粉１００重量部に対して、メタノール２００重量部加え、分散したものを、スプレーコート法により１μｍ厚に塗布し、７０℃で乾燥させた後、連続ロールで圧縮処理した。
【００９３】
圧縮処理は１９０Ｎ／ｍｍ2で、ロール送り速度は２ｍ／分、ロール温度１００℃であり、圧縮後のＢＴ層膜厚は０．８μｍであった。その後、長さ３００ｍｍに切断した。
【００９４】
別途準備した２０μｍのキャリアフィルム（ＰＥＴ）上に、シリコンコートにて易剥離処理を行った後、メタルマスクを用い所定の電極形状にパターニングされたニッケルを０．５μｍの厚さに蒸着法にて成膜した。Ｎｉパターン付きＰＥＴフィルム上に前記と同様の条件で、転写用電極付き圧縮ＢＴ層を形成し、切断した。
【００９５】
そして、前記６０μｍフィルム上の圧縮ＢＴ層へ転写した。すなわち、転写用電極付き圧縮ＢＴ層付き２０μｍフィルムを、６０μｍフィルム上の圧縮ＢＴ層と重ね、１００℃で１０Ｎ／ｍｍ2にて押圧した後、２０μｍＰＥＴフィルムを剥離した。
【００９６】
さらに、別の転写用電極付き圧縮ＢＴ層付き２０μｍフィルムを、前記１層転写済みフィルム上に、上下のニッケル電極パターンの位置合わせを行ってから、１００℃で１０Ｎ／ｍｍ2にて押圧した後、剥離した。これを４００回繰り返すことで積層構造を得た。
【００９７】
電極パターンに合わせて個々のチップに切断分離した後に、焼成、端部に電極を形成し、積層セラミックコンデンサを得た。焼成温度は、１０００℃と従来の１０重量％のバインダを含んだグリーンシートを用いた工法によるコンデンサと比べて低く、はがれや短絡も少なかった。これは、焼成前の誘電体層の未焼結段階での誘電体密度が高いため、かつ電極との密着強度が高いためであると考えられる。
【産業上の利用可能性】
【００９８】
本発明のコンデンサの製造方法は、電子機器の実装の分野に広く利用できる。