(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
表面に半導体装置が形成されたウェーハの外周を研削するウェーハ外周研削方法において、
前記ウェーハの半導体装置が形成された表面側にウェーハの外径よりも小径の保護シートを貼付する保護シート貼付工程と、
前記保護シートの外縁の位置を検出する保護シート外縁検出工程と、
検出した前記保護シートの外縁の位置のデータを基に、前記保護シートの外縁の近傍まで前記ウェーハの外周を研削するように研削砥石の切り込み量を設定する切り込み量設定工程と、
前記ウェーハを回転させるとともに、前記設定された切り込み量で前記ウェーハの外周を研削する外周研削工程と、
を有することを特徴とするウェーハ外周研削方法。
【請求項２】
前記保護シート外縁検出工程では、前記ウェーハを回転させて、回転角度に対応した回転中心に対する前記保護シートの外縁の位置を検出することを特徴とする請求項１に記載のウェーハ外周研削方法。
【請求項３】
前記切り込み量設定工程では、前記ウェーハの回転中心を中心とした前記保護シートの外接円に所定量近接した位置まで前記ウェーハの外周を研削するように切り込み量を設定し、
前記外周研削工程では、設定された前記切込み量で前記ウェーハの外周を研削することを特徴とする請求項１又は請求項２に記載のウェーハ外周研削方法。
【請求項４】
前記切り込み量設定工程では、前記保護シートの外接円に所定量近接した位置まで前記ウェーハの外周を研削するように切込み量を設定し、
前記外周研削工程では、設定された前記切り込み量で研削するように、前記ウェーハの回転角度に対応させて前記ウェーハと前記研削砥石との相対的位置を制御することを特徴とする請求項１又は請求項２に記載のウェーハ外周研削方法。
【請求項５】
前記切り込み量設定工程では、前記保護シートの外縁に所定量近接した位置まで前記ウェーハの外周を研削するように前記研削砥石の切込み量を設定し、
前記外周研削工程では、設定された前記切り込み量で研削するように、前記ウェーハの回転角度に対応させて前記ウェーハと前記研削砥石との相対的位置を制御することを特徴とする請求項１又は請求項２に記載のウェーハ外周研削方法。
【請求項６】
前記外周研削工程では、前記保護シートの外接円の中心と前記ウェーハを載置して回転する載置台の回転中心とを合致させた状態で前記ウェーハの外周を研削することを特徴とする請求項４又は請求項５に記載のウェーハ外周研削方法。
【請求項７】
表面に半導体装置が形成されたウェーハであって、該半導体装置が形成された表面側に該ウェーハの外径よりも小径の保護シートが貼付されたウェーハの外周を研削するウェーハ外周研削装置において、
研削砥石と、
前記ウェーハを載置して回転するとともに、前記研削砥石に対して相対的に接離移動する載置台と、
前記保護シートの外縁の位置を検出する保護シート外縁検出手段と、
検出した前記保護シートの外縁の位置のデータを基に、前記保護シートの外縁の近傍まで前記ウェーハの外周を研削するように前記研削砥石の切り込み量を設定するとともに、設定した切り込み量で前記ウェーハの外周を研削するように前記載置台と前記研削砥石との相対的位置を制御する制御手段と、
を有することを特徴とするウェーハ外周研削装置。
【請求項８】
前記保護シート外縁検出手段は、
照明装置と、光学的検出装置とを有し、
前記ウェーハを回転させて、回転角度に対応した回転中心に対する前記保護シートの外縁の位置を検出することを特徴とする請求項７に記載のウェーハ外周研削装置。
【請求項９】
前記制御手段は、
前記ウェーハの回転中心を中心とした前記保護シートの外接円に所定量近接した位置まで前記ウェーハの外周を研削するように前記研削砥石の切り込み量を設定するとともに、
設定した前記切込み量で前記ウェーハの外周を研削するように前記載置台と前記研削砥石との相対的位置を制御することを特徴とする請求項７又は請求項８に記載のウェーハ外周研削装置。
【請求項１０】
前記制御手段は、
前記保護シートの外接円に所定量近接した位置まで前記ウェーハの外周を研削するように前記研削砥石の切込み量を設定するとともに、
設定した前記切り込み量で研削するように、前記ウェーハの回転角度に対応させて前記ウェーハと前記研削砥石との相対的位置を制御することを特徴とする請求項７又は請求項８に記載のウェーハ外周研削装置。
【請求項１１】
前記制御手段は、
前記保護シートの外縁に所定量近接した位置まで前記ウェーハの外周を研削するように前記研削砥石の切込み量を設定するとともに、
設定した前記切り込み量で研削するように、前記ウェーハの回転角度に対応させて前記ウェーハと前記研削砥石との相対的位置を制御することを特徴とする請求項７又は請求項８に記載のウェーハ外周研削装置。
【請求項１２】
前記保護シートの外接円の中心と前記ウェーハを載置して回転する載置台の回転中心とが合致するように、前記ウェーハを前記載置台に載置して、前記ウェーハの外周を研削することを特徴とする請求項１０又は請求項１１に記載のウェーハ外周研削装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明はウェーハ外周研削方法及びウェーハ外周研削装置に関するもので、特に表面に半導体装置や電子部品等が形成されたウェーハの裏面を研削して薄化する前に、ウェーハの外周を研削するウェーハ外周研削方法及びウェーハ外周研削装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体製造工程等において、表面に半導体装置や電子部品等が形成されたウェーハは、プロービング工程で電気試験が行われた後、ダイシング工程で個々のチップ（ダイ、又はペレットとも言われる）に分割され、次に個々のチップはダイボンディング工程で部品基台にダイボンディングされる。ダイボンディングされた後はワイヤボンディングされ、ワイヤボンディングされた後は、樹脂モールドされて、半導体装置や電子部品等の完成品となる。
【０００３】
ところが、近年薄型ＩＣカード等に組み込まれる半導体装置は厚さの極めて薄いものが要求され、そのために表面に半導体装置や電子部品等が形成されたウェーハをダイシング工程で個々のチップに分割する前に、ウェーハの裏面を研削してウェーハの厚さを薄くするバックグラインド工程が用いられるようになってきた。
このバックグラインド工程では、半導体装置や電子部品等が形成されたウェーハの表面側を載置台に固定して、ウェーハの裏面を研削加工するため、表面の半導体装置や電子部品等の損傷や汚染を防止する目的で、ウェーハの表面側に保護シートを貼付してから載置台に固定する。このときの貼付した保護シートを所定のサイズに切断する方法として種々の提案がなされている（例えば、特許文献１参照。）。
【特許文献１】特開２０００−３５３６８２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
ところで、半導体装置や電子部品等の素材であるウェーハは、外周のエッジ部が尖っていると、半導体装置や電子部品等を形成する数多くの工程を経る中で外周エッジ部に微細な欠けや割れが発生し、その微細な破片が悪さをしたり、エッジ部に発生したマイクロクラックが内部に進行してダメージを与えたりするため、外周のエッジ部分を面取りしてシャープなエッジをなくしているのが一般的である。
【０００５】
しかし、前述した薄型ＩＣカード等に搭載するために行うバックグラインド工程では、１００μｍ以下まで薄型化加工を行う。このような場合は、前述の特許文献１の図３に示すように、面取りされた外周部分が逆に鋭いナイフエッジになってしまう。
【０００６】
この問題を解決するために、バックグラインド工程に先立って保護シートが貼付されたウェーハ外周部の面取り部分を研削加工で除去することが考えられる。しかし、前述の特許文献１に記載されたような状態では、ウェーハの外周ギリギリに保護シートを切断した場合、ウェーハの外周を研削して面取り部分を除去しようとした時に、保護シートまでも研削することになる。
【０００７】
ところで、ウェーハの表面保護に用いられる保護シートはＰＶＣ（ポリ塩化ビニル）やＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレート）等の樹脂の表面にアクリル系粘着剤を塗布又はコーティングしたものが一般的である。そのため、この保護シートまで研削すると樹脂や粘着剤が研削砥石の砥粒に絡み付いて目詰まりを起こし、研削性能を低下させる。
【０００８】
また、ウェーハに貼付した広い保護シートをウェーハの外周研削の領域より内側の領域で刃物で切断し、ウェーハの外周研削時に一緒に研削されないようにした場合は、ウェーハ表面に傷がつくという問題が生じる。
【００１１】
本発明はこのような事情に鑑みてなされたもので、表面に半導体装置や電子部品等が形成されたウェーハを裏面研削で薄化加工する前に、ナイフエッジ対策として予めウェーハの外周を研削するときに、表面保護領域に貼付された保護シートを研削することなしに、保護シートの外縁ギリギリまでウェーハの外周を研削することができるウェーハ外周研削方法及びウェーハ外周研削装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
本発明は前記目的を達成するために、請求項１に記載の発明は、表面に半導体装置が形成されたウェーハの外周を研削するウェーハ外周研削方法において、前記ウェーハの半導体装置が形成された表面側にウェーハの外径よりも小径の保護シートを貼付する保護シート貼付工程と、前記保護シートの外縁の位置を検出する保護シート外縁検出工程と、検出した前記保護シートの外縁の位置のデータを基に、前記保護シートの外縁の近傍まで前記ウェーハの外周を研削するように研削砥石の切り込み量を設定する切り込み量設定工程と、
前記ウェーハを回転させるとともに、前記設定された切り込み量で前記ウェーハの外周を研削する外周研削工程と、有することを特徴とするウェーハ外周研削方法を提供する。
【００１３】
請求項１の発明によれば、ウェーハの半導体装置が形成された表面側にウェーハの外径よりも小径の保護シートを貼付し、保護シートの外縁の位置を検出し、検出した保護シートの外縁の位置のデータを基に、保護シートの外縁の近傍までウェーハの外周を研削するように研削砥石の切り込み量を設定し、設定された切り込み量でウェーハの外周を研削するので、保護シートを研削することなしに、保護シートの外縁ギリギリまでウェーハの外周を研削することができる。
【００１４】
また、請求項１の発明において、前記保護シート外縁検出工程では、前記ウェーハを回転させて、回転角度に対応した回転中心に対する前記保護シートの外縁の位置を検出するのが好適である。
【００１５】
また、前記切り込み量設定工程では、前記ウェーハの回転中心を中心とした前記保護シートの外接円に所定量近接した位置まで前記ウェーハの外周を研削するように切り込み量を設定し、前記外周研削工程では、設定された前記切込み量で前記ウェーハの外周を研削することができる。
【００１６】
また、前記切り込み量設定工程では、前記保護シートの外接円に所定量近接した位置まで前記ウェーハの外周を研削するように切込み量を設定し、前記外周研削工程では、設定された前記切り込み量で研削するように、前記ウェーハの回転角度に対応させて前記ウェーハと前記研削砥石との相対的位置を制御することができる。この場合、前記外周研削工程では、前記保護シートの外接円の中心と前記ウェーハを載置して回転する載置台の回転中心とを合致させた状態で前記ウェーハの外周を研削するのが好適である。
【００１７】
また、前記切り込み量設定工程では、前記保護シートの外縁に所定量近接した位置まで前記ウェーハの外周を研削するように前記研削砥石の切込み量を設定し、前記外周研削工程では、設定された前記切り込み量で研削するように、前記ウェーハの回転角度に対応させて前記ウェーハと前記研削砥石との相対的位置を制御することができる。この場合も、前記外周研削工程では、前記保護シートの外接円の中心と前記ウェーハを載置して回転する載置台の回転中心とを合致させた状態で前記ウェーハの外周を研削するのが好適である。
【００１８】
請求項７に記載の発明は、表面に半導体装置が形成されたウェーハであって、該半導体装置が形成された表面側に該ウェーハの外径よりも小径の保護シートが貼付されたウェーハの外周を研削するウェーハ外周研削装置において、研削砥石と、前記ウェーハを載置して回転するとともに、前記研削砥石に対して相対的に接離移動する載置台と、前記保護シートの外縁の位置を検出する保護シート外縁検出手段と、検出した前記保護シートの外縁の位置のデータを基に、前記保護シートの外縁の近傍まで前記ウェーハの外周を研削するように前記研削砥石の切り込み量を設定するとともに、設定した切り込み量で前記ウェーハの外周を研削するように前記載置台と前記研削砥石との相対的位置を制御する制御手段と、を有することを特徴とするウェーハ外周研削装置を提供する。
【００１９】
請求項７の発明によれば、半導体装置が形成された表面側にウェーハの外径よりも小径の保護シートが貼付されたウェーハに対し、保護シートの外縁の位置を検出し、検出した保護シートの外縁の位置のデータを基に、保護シートの外縁の近傍までウェーハの外周を研削するように研削砥石の切り込み量を設定し、設定された切り込み量でウェーハの外周を研削することができるので、保護シートを研削することなしに、保護シートの外縁ギリギリまでウェーハの外周を研削することができる。
【００２０】
また、請求項７の発明において、前記保護シート外縁検出手段は、照明装置と、光学的検出装置とを有し、前記ウェーハを回転させて、回転角度に対応した回転中心に対する前記保護シートの外縁の位置を検出するのが好適である。
【００２１】
また、前記制御手段は、前記ウェーハの回転中心を中心とした前記保護シートの外接円に所定量近接した位置まで前記ウェーハの外周を研削するように前記研削砥石の切り込み量を設定するとともに、設定した前記切込み量で前記ウェーハの外周を研削するように前記載置台と前記研削砥石との相対的位置を制御することができる。
【００２２】
また、前記制御手段は、前記保護シートの外接円に所定量近接した位置まで前記ウェーハの外周を研削するように前記研削砥石の切込み量を設定するとともに、設定した前記切り込み量で研削するように、前記ウェーハの回転角度に対応させて前記ウェーハと前記研削砥石との相対的位置を制御することができる。この場合、前記保護シートの外接円の中心と前記ウェーハを載置して回転する載置台の回転中心とが合致するように、前記ウェーハを前記載置台に載置して、前記ウェーハの外周を研削するのが好適である。
【００２３】
また、前記制御手段は、前記保護シートの外縁に所定量近接した位置まで前記ウェーハの外周を研削するように前記研削砥石の切込み量を設定するとともに、設定した前記切り込み量で研削するように、前記ウェーハの回転角度に対応させて前記ウェーハと前記研削砥石との相対的位置を制御することができる。この場合も、前記保護シートの外接円の中心と前記ウェーハを載置して回転する載置台の回転中心とが合致するように、前記ウェーハを前記載置台に載置して、前記ウェーハの外周を研削するのが好適である。
【発明の効果】
【００２４】
以上説明したように本発明のウェーハ外周研削方法及びウェーハ外周研削装置によれば、表面に半導体装置や電子部品等が形成されたウェーハを裏面研削で薄化加工する前に、ナイフエッジ対策として予めウェーハの外周を研削するときに、表面保護領域に貼付された保護シートを研削することなしに、保護シートの外縁ギリギリまでウェーハの外周を研削することができ、裏面研削工程における有効なナイフエッジ対策を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２５】
以下添付図面に従って本発明に係るウェーハ外周研削方法及びウェーハ外周研削装置の好ましい実施の形態について詳説する。尚、各図において同一部材には同一の番号または記号を付している。
【００２６】
最初に、本発明の実施の形態に係るウェーハ外周研削装置について説明する。図１はウェーハ外周研削装置の構成を表す正面図である。ウェーハ外周研削装置１０は、マシンベース１１、研削砥石１２、砥石上下駆動手段１３、砥石回転手段１４、載置台１５、回転テーブル１６、Ｙテーブル１７、保護シート外縁検出手段１８、及び制御手段１９等から構成されている。
【００２７】
砥石回転手段１４は、砥石１２を取り付ける図示しないスピンドル及びモータとからなり、砥石１２を所定の速度で回転させる。砥石上下駆動手段１３は図示しないＺテーブル、ボールねじ、及びモータからなり、マシンベース１１上に取り付けられて、砥石１２を取り付けた砥石回転手段１４を図のＺ方向に駆動する。
【００２８】
載置台１５は、図示しない吸着機構を有しており、ウェーハＷを吸着載置する。回転テーブル１６は図示しないスピンドル、モータ、ロータリーエンコーダからなり、載置台１５を回転中心Ｃの周りに回転させる。Ｙテーブル１７は、図示しないテーブル、ボールねじ、モータ、リニアエンコーダ等からなり、マシンベース１１上に取り付けられて、ウェーハＷを載置した載置台１５及び回転テーブル１６を図のＹ方向に駆動する。
【００２９】
載置台１５の外周部上方には保護シート外縁検出手段１８が設けられている。保護シート外縁検出手段１８は、照明装置１８Ｂと光学的検出手段１８Ａからなり、ウェーハＷの表面に貼付された保護シートＳの外縁を検出できるようになっている。なお、保護シートＳとして着色シートを用いると外縁検出が容易である。
【００３０】
光学的検出手段１８Ａは、ＣＣＤ撮像装置が好適に用いられ、撮像した画像から保護シートＳの外縁を検出することができる。光学的検出手段１８Ａはまた、ＣＣＤラインセンサを用いることもできる。
【００３１】
制御手段１９は、図示しない入出力制御回路部、ＣＰＵ，メモリ、カメラコントローラ、モータ駆動回路部等を有しており、ウェーハ外周研削装置１０各部の動作をコントロールする。
【００３２】
ウェーハ外周研削装置１０はこのような構成により、ウェーハＷの表面に貼付された保護シートＳの外縁の位置情報を取得するとともに、ウェーハＷを高速回転する研削砥石１２に向けて切り込み送りをかけながら回転させ、ウェーハＷの外周を所定量研削することができる。
【００３３】
次に、本発明の実施の形態に係るウェーハ外周研削方法について説明する。本発明のウェーハ外周研削方法は、表面に半導体装置や電子部品等が形成されたウェーハの表面側に表面を保護する保護シートを貼付し、次いで裏面側を加工してウェーハＷの厚さを薄くしたときの、ウェーハ周縁面取り部のナイフエッジ化を防止するためのウェーハ外周研削方法を好適に提供するものである。
【００３４】
図２は、本発明のウェーハ外周研削方法の実施の形態の説明に供する概念図である。本発明のウェーハ外周研削方法では、最初に図２（ａ）に示すように、予めウェーハＷの外径よりも小径で保護すべき領域をカバーするサイズの保護シートＳを切断して用意し、半導体装置や電子部品等が形成されたウェーハの表面側に貼付する（保護シート貼付工程）。
【００３５】
保護シートＳの貼付は、内部に空気だまりができないように、ローラ等を用いて貼り付ける。
【００３６】
次に、図２（ｂ）に示すように、表面に保護シートＳが貼付されたウェーハＷをウェーハ外周研削装置１０の載置台１５に吸着固定し、回転させながら保護シート外縁検出手段１８によって回転角度に対応した保護シートＳ外縁の回転中心Ｃからの位置データを取得し、制御手段１９に送信する。
【００３７】
取得した保護シートＳの外縁の位置データは、図３に示すように、ウェーハＷの回転中心Ｃを原点とし、回転角度θと回転中心Ｃからの距離ｒによる極座標で表される（保護シート外縁検出工程）。
【００３８】
制御手段１９では、取得した保護シートＳの外縁の位置データを基に、保護シートＳの外縁近傍までウェーハＷの外周を研削するように研削砥石１２の切り込み量を演算して設定する。
【００３９】
研削されたウェーハＷの外周から保護シートＳの外縁までの距離は、大き過ぎると後工程の薄化加工におけるナイフエッジ対策が良好でなく、また加工圧力による撓みのために面精度が悪化する。また、ギリギリの近傍まで研削した場合は、保護シートＳごと研削してしまう危険性がある。そのため、切り込み量の設定は最適な値に設定する必要がある（切り込み量設定工程）。
【００４０】
次に、切り込み量の設定方法について説明する。図４は切り込み量設定方法の一例である。図４において、ＡはウェーハＷの中心であり、ＣはウェーハＷの回転中心である。ウェーハＷを載置台１５に載置するときに、正確にウェーハＷの中心Ａを回転中心Ｃに一致させることは困難であり、また保護シートＳの中心も回転中心Ｃと一致する訳ではなく、保護シートＳの形状も円形に貼付される訳でもない。そのため、通常は図４に示すように、ウェーハＷの中心Ａと回転中心Ｃとは偏心している。
【００４１】
制御手段１９では、取得した保護シートＳの外縁位置データから回転中心Ｃを中心とした保護シートＳの外接円３１を求め、この外接円３１の半径をｔとした時に回転中心Ｃから [ｔ＋α] の距離だけ離間した位置を研削砥石１２の切り込み位置として設定する。αの値は、保護シートＳの外縁検出精度、回転精度、回転テーブル１６及びＹテーブル１７
の制御精度等を勘案して十分小さい値を設定する。
【００４２】
この場合、ウェーハＷの回転角度をｉとしたときの回転中心ＣからウェーハＷ外周までの距離をＲi  とすると、ウェーハＷの外周からの切り込み量は[ Ｒi−（ｔ＋α）] で表される。
【００４３】
また、図４に示すような、オリエンテーションフラット（以下オリフラと称することがある）が形成されたウェーハＷの場合は、保護シートＳにもフラット部が形成されているので、ウェーハＷの外周部とは別に、ウェーハＷのオリフラ部に対しては、保護シートＳのフラット部のコーナー部及び直線部の近傍までウェーハＷを研削するのが好ましい。
【００４４】
図５は、切り込み量設定方法の他の例である。図５に示す例では、保護シートＳは円形ではなく、貼付された時に変形して楕円形状になっている。制御手段１９は、取得した保護シートＳの外縁位置データから保護シートＳの外接円３２を求める。この外接円３２のプラスα分外側を研削砥石１２の切り込み位置として設定する。
【００４５】
従って、回転角度ｉに対応した回転中心Ｃから保護シートＳの外接円３２までの距離をｔi とし、回転中心ＣからウェーハＷ外周までの距離をＲi  とすると、研削砥石１２の切り込み位置は回転中心Ｃから[ｔi＋α] 離間した位置となり、ウェーハＷの外周からの切り込み量は[ Ｒi−（ｔi＋α）] で表される。
【００４６】
図６は、切り込み量設定方法の更に別の例である。図６に示す例でも、保護シートＳは円形ではなく、貼付された時に変形して楕円形状になっている。制御手段１９は、取得した保護シートＳの外縁位置データから保護シートＳの外縁位置プラスα分外側を研削砥石１２の切り込み位置として設定する。
【００４７】
従って、回転角度ｉに対応した回転中心Ｃから保護シートＳの外縁までの距離をｒi とし、回転中心ＣからウェーハＷ外周までの距離をＲi  とすると、研削砥石１２の切り込み位置は回転中心Ｃから[ｒi＋α] 離間した位置となり、ウェーハＷの外周からの切り込み量は[ Ｒi−（ｒi＋α）] で表される。
【００４８】
図６に示す例においても、ウェーハＷがオリフラ付であるので、ウェーハＷのオリフラ部に対しては、保護シートＳのフラット部のコーナー部及び直線部の近傍までウェーハＷを研削することになる。
【００４９】
なお、図４及び図６ではオリフラ付のウェーハＷを示し、図５ではノッチ付のウェーハＷを示しているが、特にそれらに限定されるものではない。また図４、５、６は、説明の都合上、実際の寸法関係とはかけ離れた誇張した寸法で記載した概念図である。また、本発明において切り込み量の設定は、前述した図４、５、６に示す３つの例に限定されるものではない。
【００５０】
次に、ウェーハＷを回転させるとともに、高速回転する研削砥石１２との相対的距離を接近させ、ウェーハＷの外周を設定された切込み量だけ研削し、最終切り込み位置で終了する。図２（ｃ）及び図２（ｄ）はこの状態を表したものである。図２（ｃ）は研削途中を示し、図２（ｄ）は最終切り込み位置に到達した状態を表している（外周研削工程）。
【００５１】
表面に貼付された保護シートＳの外縁近傍まで外周研削されたウェーハＷは、この後図７に示すように、バックグラインダに投入され、高速回転するカップ型砥石９１によって裏面が研削され、最終の厚さまで薄化加工される。
【００５２】
なお、前述の実施の形態では、保護シート外縁検出工程におけるウェーハＷの載置台と
外周研削工程におけるウェーハＷの載置台とを同一の載置台１５としたが、保護シート外縁検出工程を外周研削位置とは別の位置で別の載置台で行い、保護シート外縁検出後にウェーハＷを外周研削工程の載置台１５に載せ代えてもよい。前出図５に示すように、保護シートＳの外接円の近傍まで研削するように切り込み量を設定して研削する場合は、保護シートＳの外縁の外接円の中心と載置台１５の回転中心Ｃとが合致するようにウェーハＷを載置すれば、切り込み最終位置が一定となり研削送りの制御が容易になる。
【００５３】
また、前出図６に示すように、保護シートＳの外縁の近傍まで研削するように切り込み量を設定して研削する場合も、保護シートＳの外縁の外接円の中心と載置台１５の回転中心Ｃとが合致するようにウェーハＷを載置すれば、ウェーハＷの外周加工中の切り込み位置の変化量を最小にすることが可能となり、加工精度を向上することができる。
【００５４】
また、保護シート外縁検出工程におけるウェーハＷの載置台と外周研削工程におけるウェーハＷの載置台とを同一の載置台１５とした場合でも、保護シートＳの外接円の中心と載置台１５の回転中心Ｃとを合致するようにウェーハＷを載置し直すことも有効である。
【００５５】
また、ウェーハＷの外周を最終切り込み位置まで研削した後に、研削されたウェーハＷの外周位置を前述の保護シート外縁検出手段１８で検出し、所定の位置に研削されているか否かを検査するようにしてもよい。この場合、検査の結果を研削装置側にフィードバックし、補正動作を行わせたり、あるいはアラームを発するようにするのが好適である。
【００５６】
図８は、以上説明した内容を概念的に表したもので、ウェーハＷの元の形状と、そのまま裏面研削して薄化した状態を２点鎖線で示している。また、貼付された保護シートＳの外縁近傍まで外周研削した状態を点線で示し、更に外周研削後に裏面研削した状態を実線で示している。図８に示すように、ウェーハＷの元の形状のまま裏面研削して薄化加工すると、薄化されたウェーハＷの外周は図のＮで示すようなナイフエッジが形成されてしまう。
【００５７】
一方、保護シートＳの外縁近傍まで外周研削した後に裏面研削して薄化した場合は、図の実線で示すように、外周部にナイフエッジＮは形成されない。また、外周研削を保護シートＳの外縁近傍までとしているので、外周研削時に保護シートＳまで研削してしまうことがなく、研削砥石１２に目詰まりを発生させることもない。
【００５８】
以上説明したように、本発明のウェーハ外周研削方法及びウェーハ外周研削装置によれば、表面に半導体装置や電子部品等が形成されたウェーハＷを裏面研削で薄化加工する前に、ナイフエッジ対策として予めウェーハＷの外周を研削するときに、表面保護領域に貼付された保護シートＳの外縁位置を検出して研削砥石の切り込み量を設定するので、保護シートＳを研削することなしに、保護シートＳの外縁ギリギリまでウェーハＷの外周を研削することができる。このため、裏面研削工程で薄化加工を施したときに、ウェーハ周縁にナイフエッジＮが形成されることがない。
【００５９】
なお、前述したウェーハ外周研削装置の実施の形態では、研削砥石１２を上下方向に移動可能とし、ウェーハＷをＹ方向の切り込み方向に移動可能としたが、本発明はこれに限らず、ウェーハＷと研削砥石１２とが相対的に上下方向の位置合わせと切り込み及び後退移動が行われる構造であればよく、種々の形態をとることができる。
【図面の簡単な説明】
【００６０】
【図１】本発明の実施の形態に係るウェーハ外周研削装置を表す正面図
【図２】本発明の実施の形態に係るウェーハ外周研削方法の説明に供する概念図
【図３】保護シート外縁の検出データを説明する極座標図
【図４】切込み量設定方法の一例を示す概念図
【図５】切込み量設定方法の他の例を示す概念図
【図６】切込み量設定方法の別の例を示す概念図
【図７】裏面研削工程を表す正面図
【図８】本発明の効果を説明する概念図
【符号の説明】
【００６１】
１０…ウェーハ外周研削装置、１２…研削砥石、１５…載置台、１８…保護シート外縁検出手段、１８Ａ…光学的検出装置、１８Ｂ…照明装置、１９…制御手段、３１…ウェーハの回転中心を中心とした保護シートの外接円、３２…保護シートの外接円、Ｃ…回転中心、Ｎ…ナイフエッジ、Ｓ…保護シート、Ｗ…ウェーハ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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