(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
実装基板と、この実装基板上に配置された外部電極と、この外部電極を介して前記実装基板上に実装された電子部品と、この電子部品を前記実装基板上において被覆したモールド樹脂とを備え、前記電子部品は、部品基板と、この部品基板の下面に配置されている素子と、前記部品基板の下面側を覆う部品カバーを有し、前記部品カバーは前記素子と向かいあう部分にキャビティがあり、前記外部電極の接合部分を除く前記キャビティに対向する部品カバーの下面には、前記モールド樹脂より弾性率の小さい保護体を設けた電子部品パッケージ。
【請求項２】
保護体は、樹脂、またはゴムにより形成した請求項１に記載の電子部品パッケージ。
【請求項３】
部品カバーの素子と向かいあう部分に凹部を設け、この凹部により前記キャビティを形成した請求項１に記載の電子部品パッケージ。
【請求項４】
素子の下方を素子カバーで覆いキャビティを形成した請求項１に記載の電子部品パッケージ。
【請求項５】
素子の外周に接着部を設け、この接着部を介して部品基板と部品カバーとを接合するとともに前記接着部で囲まれた部分に前記キャビティを形成した請求項１に記載の電子部品パッケージ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は電子部品パッケージに関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来の電子部品パッケージの一例である、表面弾性波（以下ＳＡＷという。）装置のパッケージは、図１９に示すように、部品基板１０１と、この部品基板１０１の下面に形成したＩＤＴ電極１０２と、このＩＤＴ電極１０２と対向する部分に凹部１０３を有する部品カバー１０４と、この部品カバー１０４と実装基板１０５とを接合する外部電極１０６とを有する。なお、この出願の発明に関連する先行技術文献情報としては、例えば特許文献１〜４が知られている。
【特許文献１】特開２０００−２６１２８４号公報
【特許文献２】特開２００１−２４４７８５号公報
【特許文献３】特開２００３−１１０３９１号公報
【特許文献４】特開２００５−３１８１５７号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
しかしながら、前記従来の電子部品パッケージでは、モールド樹脂加工時の圧力衝撃に耐え切れないことがあった。
【０００４】
それは、前記部品カバー１０４には、この部品カバー１０４と複数のＩＤＴ（Ｉｎｔｅｒｄｉｇｉｔａｌ  Ｔｒａｎｓｄｕｃｅｒ）電極１０２とが接触しないように、凹部１０３が設けられており、この凹部１０３がある部分は部品カバー１０４が非常に薄くなっているため、このＳＡＷ装置を前記実装基板１０５上に実装してモールド樹脂で被覆する場合、前記部品カバー１０４と実装基板１０５との間に入り込んだモールド樹脂の圧力が非常に大きいことに起因し、部品カバー１０４が損傷してしまうのであった。
【０００５】
そこで本発明は、電子部品パッケージの外圧に対する強度を上げ、損傷を防止することを目的としたものである。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
そしてこの目的を達成するために、本発明は、実装基板上に配置された外部電極を介して実装基板上に実装された電子部品をモールド樹脂で覆った電子部品パッケージにおいて、電子部品は部品基板の下面に配置されている素子を覆いキャビティを形成する部品カバーを有し、部品カバーの下面における外部電極の接合部分を除くキャビティに対向する部分にモールド樹脂より弾性率の小さい保護体を設けたものである。
【発明の効果】
【０００７】
上記構成によれば、部品カバーに凹部が設けられて厚みが薄くなっていても、部品カバーの下面にはモールド樹脂より弾性率の小さい保護体を設けているため、この保護体がモールド樹脂充填時に下方から印加される圧力を受けて弾性変形し、この圧力を横方向に分散させることができる。従って、外部から電子部品に与えられる応力を緩衝することができる。
【０００８】
上記の結果として、本発明は、電子部品パッケージの圧力に対する強度を上げ、損傷を防止することができるのである。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００９】
（実施の形態１）
実施の形態１の電子部品パッケージについて、電子部品としてアンテナ共用器用弾性波装置（以下ＳＡＷデュプレクサ１という。）を例に挙げて説明する。
【００１０】
この電子部品パッケージを構成するＳＡＷデュプレクサ１は、図１で示すように、他の電子部品２ａ〜２ｃとともに実装基板３上に配置され、モールド樹脂４で被覆されている。ＳＡＷデュプレクサ１は図２に示すように、実装基板３と、この実装基板３上に配置された外部電極５を介して実装基板３上に実装され、モールド樹脂４で被覆されている。
【００１１】
またＳＡＷデュプレクサ１は、部品基板６と、この部品基板６の下面に配置されている複数の素子としてのＩＤＴ電極７と、部品基板６の下面側を覆い、かつＩＤＴ電極７と向かい合う部分に凹部８を有する部品カバー９とを備え、この部品カバー９の下面には樹脂製の保護体１０を設けている。なお、外部電極５とは、図８に示すグランド端子１２、受信端子１３、アンテナ端子１４、送信端子１５が接合される実装基板３に設けられた電極を示すが、詳細は後述する。
【００１２】
以下にこの電子部品パッケージの製造方法を説明する。
【００１３】
はじめに、図３に示すように、部品基板６の下面に、ＩＤＴ電極７と溝１１とを形成し図４のＳＡＷデュプレクサ１の回路を形成する。なお、ＩＤＴ電極７の両端部には、短絡電極を平行に配置した反射器を配置するのが一般的であるが、簡略化した。また、溝１１はドライエッチング加工により形成する。部品基板６の材料としてはＬｉＴａＯ3あるいはＬｉＮｂＯ3、またＩＤＴ電極７の材料としてはアルミ等の金属材料を用いる。
【００１４】
一方、ＩＤＴ電極７を酸化や湿気による腐食から守るため、図２に示すように、部品基板６の下面側にはシリコン製の部品カバー９を設ける。なお、図２は図３におけるＡ−Ａ断面を示したものである。
【００１５】
また、部品カバー９には図５に示すように、先に述べたＩＤＴ電極７と向かい合う部分にドライエッチング加工で凹部８を形成することによって、部品カバー９とＩＤＴ電極７との間に図２に示すようにＩＤＴ電極７が部品カバー９と接触するのを回避するキャビティ１６を形成することができ、ＩＤＴ電極７の振動空間を確保することができる。なお、図２および図５のように一つ或いは隣接する二つのＩＤＴ電極７毎にキャビティ１６を設けることによって、部品カバー９が薄くなる部分の面積を小さくすることができ、その結果として外圧に対する強度を上げることができる。
【００１６】
次に、部品基板６に部品カバー９を接着する工程を示す。
【００１７】
まず、図３で示す部品基板６の下面（ＩＤＴ電極７が設けられている面）側に感光性樹脂を塗布し、次に図７で示すようなマスク１８をのせる。図７のマスク１８の黒い部分は図３のＩＤＴ電極７と図６の貫通孔１７に相当する部分であり、この部分に孔が開いているため、マスク１８上から露光し洗浄すると、マスク１８上の黒い部分だけ感光性樹脂が硬化して残り、白い部分には残らない。
【００１８】
次に、マスク１８を外して図３の部品基板６の下面全体にＳｉＯ2を塗布し、感光性樹脂を溶解、除去することにより、感光性樹脂のない部分、すなわちＩＤＴ電極７と貫通孔１７以外の部分にのみＳｉＯ2が残る。この残ったＳｉＯ2を介して、部品基板６と部品カバー９とを常温で直接原子間結合すれば、図６に示すようなＳＡＷデュプレクサ１を形成することができる。なお、本実施の形態１では部品カバー９を接着する工程は真空で行ったが、部品カバー９と部品基板６とは接着剤を用いて接着することもでき、その場合は窒素雰囲気あるいは酸素雰囲気で行うことができる。なお、酸素雰囲気で行う場合でも、本実施の形態１における図２のキャビティ１６は非常に小さな空間であるため、キャビティ１６内の酸素量も微量であり、この程度の酸素量であればＩＤＴ電極７表面に薄い金属酸化皮膜が形成されるだけで、むしろ酸化しにくくなるという効果がある。
【００１９】
次に、図６で示すように、この部品カバー９に、図２で示す外部電極５と部品基板６とを接続するための貫通孔１７を形成する。この貫通孔１７はドライエッチング加工で形成することができる。なお、図６は図３におけるＢ−Ｂ断面を示したものである。この貫通孔１７をスパッタ、ハンダペースト印刷等により金属材料で埋めることにより、ＩＤＴ電極と外部電極との電気的接続をとることができるようになる。
【００２０】
次に、図８の白い部分、すなわち、部品カバー９の下面に設けられた外部電極５と接合する受信端子１３、アンテナ端子１４、送信端子１５、グランド端子１２を配置する場所を除いた部分に、図２に示す樹脂製の保護体１０を設ける。この保護体１０はエポキシ樹脂あるいはポリイミド樹脂に、シリコーンゴムなどのゴムを添加したゴム変性可撓性樹脂を、印刷等により形成する。
【００２１】
そして部品基板６と部品カバー９を接着した後、図８で示すように、部品カバー９の下面に設けたグランド端子１２、受信端子１３、アンテナ端子１４および送信端子１５を、図２で示すように実装基板３の外部電極５と接合させＳＡＷデュプレクサ１を実装基板３上に実装する。
【００２２】
最後に、モールド樹脂４でＳＡＷデュプレクサ１を被覆する工程を説明する。
【００２３】
まず、図１のＳＡＷデュプレクサ１と複数の電子部品２ａ〜２ｃとを実装した被覆前の複合型電子部品を金型に入れ、次にこの金型に加熱したモールド樹脂４を注入し、その後冷却して成形する。本実施の形態１では、モールド樹脂４にはフィラーを分散させたエポキシ樹脂を用い、モールド樹脂４の注入条件は樹脂温度を１７５℃、注入圧力５０〜１００ａｔｍとした。
【００２４】
このモールド樹脂４が部品カバー９と実装基板３の間に充填される時、部品カバー９には非常に大きな上向きの圧力が印加されるが、図２に示す部品カバー９の下面に設けられた樹脂製の保護体１０がモールド樹脂４より弾性率が小さいため、このモールド樹脂４から圧力を受けると変形して、その圧力を横方向に分散させる。従って、部品パッケージの下からＳＡＷデュプレクサ１に与えられる応力を緩衝することができる。
【００２５】
また、保護体１０を設けることで、ＳＡＷデュプレクサ１と実装基板３との間の空間が小さくなり、その空間に入り込むモールド樹脂４量を減らすことができる。よって、モールド樹脂４からの応力を抑制することができる。
【００２６】
上記の結果として、本実施の形態１では、ＳＡＷデュプレクサ１のパッケージの圧力に対する強度を上げ、損傷を防止することができるのである。
【００２７】
なお、この実施形態では、保護膜を前述したように図８の白い部分、すなわち、部品カバー９の下面における外部電極５の接合部分（グランド端子１２、受信端子１３、アンテナ端子１４、送信端子１５）を配置する場所を除いた全ての部分に設けたが、少なくとも外部電極５の接合部分を除くキャビティ１６に対向する部分に設けることで同様の作用効果を得ることができるのである。
【００２８】
また、本実施の形態１では、図３に示したように部品基板６上に複数のＩＤＴ電極７を形成しており、図５に示したように一つあるいは二つのＩＤＴ電極７毎に凹部８を形成しているが、このように凹部８を複数形成することで、全てのＩＤＴ電極７を覆うように一つの凹部を設ける場合と比較し、ＳＡＷデュプレクサ１の損傷を有効に抑制することができる。
【００２９】
すなわち、複数の凹部８を設けることによって、キャビティ１６は分割され、複数のキャビティ１６間には仕切り壁１９が形成される。そしてこの仕切り壁１９が支柱となって、外部応力を分散することができるのである。したがって、部品基板６あるいは部品カバー９の割れを抑制することができるのである。なお、この仕切り壁１９はキャビティ１６内に、別途樹脂等により任意に形成してもよい。
【００３０】
また、この複数のキャビティ１６は完全に分割して形成してもよいが、隣接するキャビティ１６間をトンネル状の連通路（特に図示せず）により一部連結してもよい。このように連通路を設けることによって、キャビティ１６の一部に過剰な外圧が印加された場合、その外圧を、連通路を介して他のキャビティ１６へと分散させることができる。そしてその結果、電子部品パッケージの外圧に対する強度を向上させることができるのである。
【００３１】
なお、この連通路は、部品基板６上に設けてもよいし、部品カバー９上に設けてもよい。そして、連通路を部品基板６上に設ける場合は、図３に示す部品基板６の下面の溝１１を連通路として利用してもよい。
【００３２】
（実施の形態２）
以下、本発明に係る実施の形態２について図を用いて説明する。
【００３３】
なお、この実施の形態２と前述した実施の形態１との主な違いは、キャビティ１６を形成する手段として素子（ＩＤＴ電極７）の下方を覆う素子カバー２０を用いた点であり、他の類似する構成については同じ符号を用いて説明することとしその説明を簡略化する。
【００３４】
この電子部品パッケージにおいても図１で示すように、実装基板３上に他の電子部品２ａ〜２ｃとともにＳＡＷデュプレクサ１が実装され、モールド樹脂４で被覆された構造としている。
【００３５】
また、電子部品パッケージを構成するＳＡＷデュプレクサ１は図９に示すように、部品基板６と、この部品基板６の下面に配置されている複数の素子としてのＩＤＴ電極７と、ＩＤＴ電極７の下面側を覆う素子カバー２０と、素子カバー２０を含む部品基板６の下面の全体を覆う部品カバー９と、この部品カバー９の下面に設けられた樹脂製の保護体１０とを備えた構造となっている。なお、外部電極５とは上述した実施の形態１と同様に図８に示すグランド端子１２、受信端子１３、アンテナ端子１４、送信端子１５が接合される実装基板３に設けられた電極を指す。
【００３６】
なお、ＩＤＴ電極７と素子カバー２０との間にキャビティ１６を形成することで、弾性波の振動空間を確保するとともに、この振動空間を気密状態に維持している。また、本実施の形態２では、この素子カバー２０を一または二つのＩＤＴ電極７毎に設けている。
【００３７】
そして、部品基板６の材料としてＬｉＴａＯ3、またＩＤＴ電極の材料としてアルミニウム、部品カバー９の材料としてはフィラーを含有するエポキシ樹脂を用いた。このフィラーとしては酸化シリコンを用い、その含有率は約８０ｗｔ％とした。また、素子カバー２０の枠部２０ａは感光性ポリイミド、素子カバー２０の蓋部２０ｂは感光層をポリエステルとポリエチレンとで挟んだ三層構造の感光性ドライフィルムを用いた。その他部品基板６の材料としてはＬｉＮｂＯ3、ＩＤＴ電極７の材料としてはアルミニウム以外の金属も用いることができる。
【００３８】
以下にＳＡＷデュプレクサ１の製造方法を説明する。
【００３９】
はじめに、図１０に示すように、部品基板６の下面全体にアルミニウムを蒸着スパッタし、その後、図１１（ａ）に示すようにドライエッチング加工でＩＤＴ電極７などの電極パターンを形成する。
【００４０】
この次に、図１１（ｂ）のように部品基板６上に感光性ポリイミド層２１をスピンコートで塗布し、部品基板６の上方に、素子カバー２０の枠部２０ａに相当する部分を光が通るようにしたマスク２２を乗せ、露光し現像すると、図１１（ｃ）のように素子カバー２０の枠部２０ａが形成でき、その後、図１１（ｄ）のように、枠部２０ａを介して、部品基板６の上方に、感光性ドライフィルム２３を乗せ、さらにこの感光性ドライフィルム２３の上方に、素子カバー２０の蓋部２０ｂに相当する部分を光が通るようにしたマスク２４を乗せ、露光して現像すると、図１１（ｅ）のように、枠部２０ａと蓋部２０ｂからなる素子カバー２０が形成される。
【００４１】
次に、図１１（ｆ）のように、部品基板６上において、素子カバー２０を覆うように感光性レジスト（ネガ型）２５を塗布し、この感光性レジスト２５の上方に、後述の外部端子接続部（図１２（ｂ）の２６）に相当する部分が露光しないようにマスク２８でマスキングし、露光して現像すると、図１２（ａ）のように、感光性レジスト２５に、外部端子接続部２６に相当する部分に孔２９を設けることができる。
【００４２】
次に、図１２（ｂ）のように、孔２９の部分にＣｕを無電解めっきで充填し、外部端子接続部２６を形成し、その後、図１２（ｃ）のように、感光性レジスト２５を溶解し、部品基板６を金型に入れ、図１２（ｄ）のように、部品基板６上において、素子カバー２０と外部端子接続部２６とを覆うように液体のエポキシ樹脂（後に部品カバー９となる）を流し込み、熱硬化させる。
【００４３】
次に図１２（ｅ）のように、この部品カバー９を形成するエポキシ樹脂を、外部端子接続部２６が露呈するまで研磨し、部品カバー９を形成する。そして、図１２（ｆ）のように外部端子接続部２６上に外部電極５と接合する電極（グランド端子１２、受信端子１３、アンテナ端子１４、送信端子１５）を配置すれば、ＳＡＷデュプレクサ１が完成する。
【００４４】
次に、図９で示すように、部品カバー９の下面の外部電極５と接合する電極（グランド端子１２、受信端子１３、アンテナ端子１４、送信端子１５）を配置する場所を除いた面に、樹脂製の保護体１０を設ける。この保護体１０は、特にキャビティ１６に対向するように設けることが望ましい。また、この保護体１０はエポキシ樹脂あるいはポリイミド樹脂に、シリコーンゴムなどのゴムを添加したゴム変性可撓性樹脂を、印刷等により形成したものである。
【００４５】
最後に、実装基板３に実装したＳＡＷデュプレクサ１をモールド樹脂４で被覆しパッケージングする工程を説明する。
【００４６】
まず、図１に示されるようなＳＡＷデュプレクサ１とその他の電子部品２ａ〜２ｃとを実装した複合型電子部品を金型に入れ、次にこの金型に加熱・加圧したモールド樹脂４を注入し、その後冷却して形成する。本実施の形態２では、モールド樹脂４にはフィラーを分散させたエポキシ樹脂を用い、モールド樹脂４の注入条件は樹脂温度を１７５℃、注入圧力を５０〜１００ａｔｍとした。また、このモールド樹脂４のフィラーには酸化シリコンを用い、その混合率は８０ｗｔ％〜９０ｗｔ％とした。
【００４７】
上記の構成とすることにより電子部品パッケージは、モールド樹脂４で加工時の外圧に対する強度が向上し、電子部品の損傷を防止することができる。その理由を以下に説明する。
【００４８】
それは、図９に示すようにモールド樹脂４が部品カバー９と実装基板３との間に充填される時、部品カバー９には非常に大きな上向きの圧力が印加されるが、樹脂製の保護体１０はモールド樹脂４より弾性率が小さい（軟らかい）ため、このモールド樹脂４から圧力を受けると変形して、その圧力を多方向に分散させることができるためである。従って、保護体１０によって、部品カバー９および素子カバー２０の下方からＳＡＷデュプレクサ１に印加される応力を緩衝することができるのである。
【００４９】
また、保護体１０を設ければ、ＳＡＷデュプレクサ１と実装基板３との間の空間が小さくなり、その空間に入り込むモールド樹脂４量を減らすことができる。よって、モールド樹脂４からの応力を抑制することができるのである。
【００５０】
なお、この実施形態では、保護膜１０を前述したように図８の白い部分、すなわち、部品カバー９の下面における外部電極５の接合部分（グランド端子１２、受信端子１３、アンテナ端子１４、送信端子１５）を配置する場所を除いた全ての部分に設けたが、少なくとも外部電極５の接合部分を除くキャビティ１６に対向する部分に設けることで同様の作用効果を得ることができるのである。
【００５１】
また、部品カバー９を、フィラーを含有するエポキシ樹脂としたことによって、電子部品の損傷を抑制し、外圧に対する信頼性を向上させることができる。
【００５２】
これは、電子部品に外圧が印加された時、部品カバー９は、一方ではその樹脂の部分によって、ある程度の弾性変形が可能となり、外圧を多方向へ分散することができ、他方ではフィラーの部分によって部品カバー９の外形を維持することが可能となり、過剰な弾性変形を抑制することが出来るから、その結果として電子部品パッケージの外圧に対する強度が増し、ＩＤＴ電極７の損傷を低減することができるのである。
【００５３】
また、部品カバー９にフィラーを含有させることによって、部品カバー９は樹脂のみで形成する場合よりも疎水性を示し、ＩＤＴ電極７が湿気により腐食するのを抑制することができる。
【００５４】
なお、本実施の形態２では、部品基板６上に複数のＩＤＴ電極７を形成しており、一つあるいは二つのＩＤＴ電極７毎に素子カバー２０を形成しているが、このように素子カバー２０を複数形成することで、全てのＩＤＴ電極７を覆うように一つの素子カバー２０を設ける場合と比較し、ＳＡＷデュプレクサ１の損傷を有効に抑制することができる。
【００５５】
すなわち、複数の素子カバー２０を設けることによって、キャビティ１６は分割され、複数のキャビティ１６間には仕切り壁１９が形成される。そしてこの仕切り壁１９が支柱となって、外部応力を分散することができるのである。したがって、部品基板６あるいは部品カバー９および素子カバー２０の割れを抑制することができるのである。なお、この仕切り壁１９はキャビティ１６内に、別途樹脂等により任意に形成してもよい。
【００５６】
また、この複数のキャビティ１６は完全に分割して形成してもよいが、隣接するキャビティ１６間をトンネル状の連通路（特に図示せず）により一部連結してもよい。このように連通路を設けることによって、キャビティ１６の一部に過剰な外圧が印加された場合、その外圧を、連通路を介して他のキャビティ１６へと分散させることができる。その結果として電子部品パッケージの外圧に対する強度を向上させることができるのである。
【００５７】
また、本実施の形態２では、電子部品の低背化のため、部品カバー９は部品基板６より薄いものとする。したがって、部品カバー９は特に割れやすく、この部品カバー９の損傷に伴って、素子カバー２０も損傷しやすくなっている。よって、この部品カバー９の強度を向上させる必要があるため、上述のような構成および手段が要求されるのである。
【００５８】
（実施の形態３）
以下、本発明に係る実施の形態３について図を用いて説明する。
【００５９】
なお、この実施の形態３と前述した実施の形態１との主な違いは、図１３に示すようにキャビティ１６を形成する手段として、素子（ＩＤＴ電極７）の外周に接着部３０を設け、この接着部３０を介して部品基板６と部品カバー９とを接合し、この接着部３０で囲まれた部分をキャビティ１６として用いた点であり、他の類似する構成については同じ符号を用いて説明することとしその説明を簡略化する。
【００６０】
この電子部品パッケージにおいても図１で示すように、実装基板３上に他の電子部品２ａ〜２ｃとともにＳＡＷデュプレクサ１が実装され、それらがモールド樹脂４で被覆された構造としている。
【００６１】
そして、電子部品パッケージを構成するＳＡＷデュプレクサ１は図１３に示すように、部品基板６と、この部品基板６の下面に配置されている複数の素子としてのＩＤＴ電極７と、部品基板６の下面側を覆う部品カバー９とを備え、この部品カバー９の下面には樹脂製の保護体１０を設けている。なお、外部電極５は上述した実施の形態１の図８と同様の図１７に示すグランド端子１２、受信端子１３、アンテナ端子１４、送信端子１５が接合される実装基板３に設けられた電極を指す。
【００６２】
また、この部品カバー９とＩＤＴ電極７との間には接着部３０が設けられ、部品カバー９と部品基板６を接合した際に接着部３０の厚みによりキャビティ１６が形成される。部品カバー９の下面には、モールド樹脂４より弾性率の小さい（軟らかい）保護体１０を設けている。なお、接着部３０は、部品基板６側に設けた第１の接着部（図１５の３０ａ）と、部品カバー９側に設けた第２の接着部（図１６の３０ｂ）とが接合したものである。
【００６３】
以下に本実施の形態における電子部品パッケージの製造方法を説明する。
【００６４】
はじめに図１５（ａ）に示すよう、部品基板６の下面全体にアルミを蒸着スパッタし、その後、ドライエッチング加工により図１４に示すようにＩＤＴ電極７などの電極パターンを形成する。
【００６５】
次に図１５（ｂ）のように部品基板６の下面全体にレジスト３１を塗布し、図１５（ｃ）のように電極（図１７の受信端子１３、アンテナ端子１４、送信端子１５、グランド端子１２が接続される電極部分及び図１４における全てのＩＤＴ電極７を囲む部品基板６の外周領域）が見えるようにパターニングする。これは、次の工程において、ＩＤＴ電極７の間際までアルミが蒸着されるのを防止し、このＩＤＴ電極７の振動空間を十分確保するためである。
【００６６】
そして、このパターニングしたレジスト３１の上面に図１５（ｄ）のようにアルミを蒸着し、電極（図１７の受信端子１３、アンテナ端子１４、送信端子１５、グランド端子１２が接続される電極部分及び図１４における全てのＩＤＴ電極７を囲む部品基板６の外周領域）の下面に第１の接着部３０ａを設ける。その後、図１５（ｅ）に示すように下から研磨し、第１の接着部３０ａの高さに揃える。この時、蒸着後の表面は凹凸が大きいことから、第１の接着部３０ａの下面も少し研磨し、表面（下面）を滑らかにしておくことが好ましい。これは、後述の、部品カバー９との接着性を高めるためである。
【００６７】
次に、部品基板６をレジスト３１の剥離液などに浸漬し、レジスト３１を溶解させると、図１５（ｆ）のように、第１の接着部３０ａがＩＤＴ電極７よりすこし高めになるように形成することができる。
【００６８】
一方、図１３に示すように、ＩＤＴ電極７を酸化や湿気による腐食から守るため、部品基板６の下面側にはシリコン製の部品カバー９を設ける。この部品カバー９の製造方法を、図１６を用いて以下に説明する。
【００６９】
まず、図１６（ａ）のように、部品カバー９の上面全体にレジスト３１を塗布し、図１６（ｂ）のように第１の接着部３０ａと接合する部分以外にレジスト３１が残るようにパターニングし、その後、図１６（ｃ）のように部品カバー９の上面全体に第２の接着部３０ｂとなるアルミを蒸着する。
【００７０】
次に、図１６（ｄ）のように部品カバー９の上面を研磨し、第２の接着部３０ｂの高さに揃える。このとき、第１の接着部３０ａと同様に、第２の接着部３０ｂの上面も少し研磨し、表面（上面）を滑らかにしておくことが好ましい。その後、部品カバー９をレジスト３１の剥離液などに浸漬し、レジスト３１を溶解させると、図６（ｅ）のような部品カバー９が完成する。
【００７１】
次に、この部品カバー９と部品基板６とを接合する方法を以下に説明する。
【００７２】
まず、図１６（ｆ）のように部品基板６の下方に設けた第１の接着部３０ａと、部品カバー９の上面に設けた第２の接着部３０ｂとが接合するように位置決めを行い、次にこの第１の接着部３０ａと第２の接着部３０ｂのそれぞれの接合面をプラズマ処理して洗浄する。そしてその後、２００℃に加熱しながら軽く押圧し、図１６（ｇ）のように第１の接着部３０ａと第２の接着部３０ｂとを直接原子間結合させ、接着部３０を形成する。
【００７３】
次に、図１８で示すように、部品カバー９の下面に設けられる電極（図１４のグランド端子１２、受信端子１３、アンテナ端子１４、送信端子１５）と部品基板６に設けられた各電極とを接続するための貫通孔１７をドライエッチング加工により形成する。その後、この貫通孔１７の内側にＴｉ、Ｎｉ、Ａｕを順次蒸着し、さらにその蒸着膜の内部にはんだを印刷して充填し、外部端子接続部３２を形成する。
【００７４】
次に、図１３で示すように、部品カバー９の下面であり、外部電極５と接合する電極を配置する場所を除いた全ての面に、樹脂製の保護体１０を設ける。この保護体１０はエポキシ樹脂あるいはポリイミド樹脂に、シリコーンゴムなどのゴムを添加したゴム変性可撓性樹脂を、印刷等により形成したものである。その後、図１７に示すように、部品カバー９の下面における斜線の四角の位置に外部電極５と接合する電極（図１４のグランド端子１２、受信端子１３、アンテナ端子１４、送信端子１５）を配置すれば、ＳＡＷデュプレクサ１が完成する。
【００７５】
そして最後に、図１で示すように、実装基板３に実装したＳＡＷデュプレクサ１をモールド樹脂４で被覆しパッケージングする工程を説明する。
【００７６】
まず、ＳＡＷデュプレクサ１とその他の電子部品２ａ〜２ｃとを実装した複合型電子部品を金型に入れ、次にこの金型に加熱したモールド樹脂４を注入し、その後冷却して成形する。本実施の形態では、モールド樹脂４にはフィラーを分散させたエポキシ樹脂を用い、モールド樹脂４の注入条件は樹脂温度を１７５℃、注入圧力５０〜１００ａｔｍとした。また、このモールド樹脂４のフィラーには酸化シリコンを用い、その混合率は８０ｗｔ％〜９０ｗｔ％とした。
【００７７】
上記の構成とすることにより電子部品パッケージは、モールド樹脂４で加工時の外圧に対する強度が向上し、電子部品の損傷を防止することができるのである。その理由を以下に説明する。
【００７８】
それは、図１３に示すようにモールド樹脂４が部品カバー９と実装基板３の間に充填される時、部品カバー９には非常に大きな上向きの圧力が印加されるが、樹脂製の保護体１０はモールド樹脂４より弾性率が小さい（軟らかい）ため、このモールド樹脂４から圧力を受けると変形して、その圧力を横方向に分散させることができるためである。従って、保護体１０によって、部品カバー９の下方からＳＡＷデュプレクサ１に印加される応力を緩衝することができるのである。
【００７９】
また、保護体１０を設ければ、ＳＡＷデュプレクサ１と実装基板３との間の空間が小さくなり、その空間に入り込むモールド樹脂４量を減らすことができる。よって、モールド樹脂４からの応力を抑制することができるのである。
【００８０】
なお、保護膜を部品カバー９の下面から外部電極５と接合される受信端子１３、アンテナ端子１４、送信端子１５、グランド端子１２を配置する場所を除いた部分全体に設けたが、少なくとも外部電極５の接合部分を除くキャビティ１６に対向する部分に設けることで同様の作用効果を得ることができるのである。
【００８１】
また、本実施の形態３では、複数のＩＤＴ電極７の間には接着部３０があり、この接着部３０はキャビティ１６を細かく仕切る仕切り壁の役割を果たしている。そしてＳＡＷデュプレクサ１の上下からモールド樹脂４などからの外圧が印加された時、この仕切り壁が支柱となってその応力を分散することができ、ＳＡＷデュプレクサ１のパッケージの外圧に対する強度を向上させることができるのである。
【００８２】
また、本実施の形態３では、電子部品の低背化のため、部品カバー９は部品基板６より薄い物とする。したがって、部品カバー９は特に割れやすく、この部品カバー９の強度を向上させる必要があるため、上述のような構成および手段が要求されるのである。
【産業上の利用可能性】
【００８３】
本発明にかかる電子部品パッケージは、電子部品パッケージの外圧に対する強度を向上させ、電子部品の損傷を防止することができるため、高圧条件でのトランスファモールド加工工程などに大いに利用できるものである。
【図面の簡単な説明】
【００８４】
【図１】電子部品パッケージの斜視図
【図２】実施の形態１における電子部品パッケージの断面図
【図３】実施の形態１における電子部品パッケージを構成する部品基板の下面図
【図４】電子部品パッケージを構成するＳＡＷデュプレクサの回路図
【図５】実施の形態１における電子部品パッケージを構成する部品カバーの下面図
【図６】実施の形態１のＳＡＷデュプレクサの断面図
【図７】実施の形態１における部品カバーを形成するマスクの上面図
【図８】実施の形態１における部品カバーの下面図
【図９】実施の形態２における電子部品パッケージの断面図
【図１０】実施の形態２における電子部品パッケージを構成する部品基板の下面図
【図１１】実施の形態２におけるＳＡＷデュプレクサの製造工程図
【図１２】実施の形態２におけるＳＡＷデュプレクサの製造工程図
【図１３】実施の形態３における電子部品パッケージの断面図
【図１４】実施の形態４における電子部品パッケージを構成する部品基板の下面図
【図１５】実施の形態３におけるＳＡＷデュプレクサの製造工程図
【図１６】実施の形態３におけるＳＡＷデュプレクサの製造工程図
【図１７】実施の形態３における部品カバーの下面図
【図１８】実施の形態３のＳＡＷデュプレクサの断面図
【図１９】従来の電子部品パッケージの断面図
【符号の説明】
【００８５】
１  ＳＡＷデュプレクサ（電子部品）
３  実装基板
４  モールド樹脂
５  外部電極
６  部品基板
７  ＩＤＴ電極（素子）
８  凹部
９  部品カバー
１０  保護体
１６  キャビティ
２０  素子カバー
３０  接着部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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