(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
１フィールドを、走査電極と維持電極とからなる表示電極対を有する放電セルで初期化放電を発生させる初期化期間と、前記放電セルで書込み放電を発生させる書込み期間と、前記書込み放電を発生させた放電セルで維持放電を発生させる維持期間とを有する複数のサブフィールドで構成するとともに、前記サブフィールドには、画像表示を行う全ての放電セルに対して初期化放電を発生させる初期化電圧を印加する全セル初期化サブフィールドと、直前のサブフィールドで維持放電を発生させた放電セルで選択的に初期化放電を発生させる選択初期化サブフィールドとを含んで構成して画像信号の表示を行うプラズマディスプレイパネルの駆動方法であって、
前記プラズマディスプレイパネルに通電する時間の累積時間を計測するステップを備え、
前記累積時間が長くなると、前記１フィールドの前記全セル初期化サブフィールドの数を増加させるように制御することを特徴とするプラズマディスプレイパネルの駆動方法。
【請求項２】
１フィールドを、走査電極と維持電極とからなる表示電極対を有する放電セルで初期化放電を発生させる初期化期間と、前記放電セルで書込み放電を発生させる書込み期間と、前記書込み放電を発生させた放電セルで維持放電を発生させる維持期間とを有する複数のサブフィールドで構成するとともに、前記サブフィールドには、画像表示を行う全ての放電セルに対して初期化放電を発生させる初期化電圧を印加する全セル初期化サブフィールドと、直前のサブフィールドで維持放電を発生させた放電セルで選択的に初期化放電を発生させる選択初期化サブフィールドとを含んで構成して画像信号の表示を行うプラズマディスプレイパネルの駆動方法であって、
前記プラズマディスプレイパネル周辺の温度にもとづき前記プラズマディスプレイパネルのとりうる最低推定温度および最高推定温度を推定するステップを備え、
前記最低推定温度および前記最高推定温度にもとづき、前記最高推定温度が高温しきい値より高い時には前記最低推定温度が低温しきい値よりも低い時より前記１フィールドの前記全セル初期化サブフィールドの数を多くするように制御することを特徴とするプラズマディスプレイパネルの駆動方法。
【請求項３】
走査電極および維持電極とからなる表示電極対を有する放電セルを複数備えたプラズマディスプレイパネルと、前記プラズマディスプレイパネルに通電した時間の累積時間を計測する累積時間計測回路と、１フィールドを、初期化期間において画像表示を行う全ての放電セルに対して初期化放電を発生させる全セル初期化サブフィールドと、初期化期間において直前のサブフィールドで維持放電を発生した放電セルで選択的に初期化放電を発生させる選択初期化サブフィールドとを有するサブフィールド構成で前記プラズマディスプレイパネルを駆動する駆動回路とを備え、
前記駆動回路は、前記累積時間計測回路が計測した累積時間が長くなると、前記１フィールドの前記全セル初期化サブフィールドの数を増加するように制御することを特徴とするプラズマディスプレイ装置。
【請求項４】
走査電極および維持電極とからなる表示電極対を有する放電セルを複数備えたプラズマディスプレイパネルと、前記プラズマディスプレイパネルの周囲の温度を測定する温度センサの温度から前記プラズマディスプレイパネルのとりうる最低推定温度および最高推定温度を推定する温度推定回路と、１フィールドを、初期化期間において画像表示を行う全ての放電セルに対して初期化放電を発生させる全セル初期化サブフィールドと、初期化期間において直前のサブフィールドで維持放電を発生した放電セルで選択的に初期化放電を発生させる選択初期化サブフィールドを有するサブフィールド構成で前記プラズマディスプレイパネルを駆動する駆動回路とを備え、
前記駆動回路は、前記温度推定回路の前記最低推定温度および前記最高推定温度にもとづき、前記最高推定温度が高温しきい値より高い時には前記最低推定温度が低温しきい値よりも低い時より前記１フィールドの前記全セル初期化サブフィールドの数を多くするように制御することを特徴とするプラズマディスプレイ装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、壁掛けテレビや大型モニターに用いられるプラズマディスプレイ装置およびプラズマディスプレイパネルの駆動方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
プラズマディスプレイパネル（以下、「パネル」と略記する）として代表的な交流面放電型パネルは、対向配置された前面板と背面板との間に多数の放電セルが形成されている。
【０００３】
前面板は、１対の走査電極と維持電極とからなる表示電極対が前面ガラス基板上に互いに平行に複数対形成され、それら表示電極対を覆うように誘電体層および保護層が形成されている。背面板は、背面ガラス基板上に複数の平行なデータ電極と、それらを覆うように誘電体層と、さらにその上にデータ電極と平行に複数の隔壁とがそれぞれ形成され、誘電体層の表面と隔壁の側面とに蛍光体層が形成されている。
【０００４】
そして、表示電極対とデータ電極とが立体交差するように前面板と背面板とが対向配置されて密封され、内部の放電空間には、例えば分圧比で５％のキセノンを含む放電ガスが封入されている。ここで表示電極対とデータ電極との対向する部分に放電セルが形成される。このような構成のパネルにおいて、各放電セル内でガス放電により紫外線を発生させ、この紫外線で赤色（Ｒ）、緑色（Ｇ）および青色（Ｂ）の各色の蛍光体を励起発光させてカラー表示を行っている。
【０００５】
パネルを駆動する方法としてはサブフィールド法、すなわち、１フィールド期間を複数のサブフィールド（以下、ＳＦとも略記する）に分割した上で、発光させるサブフィールドの組み合わせによって階調表示を行う方法が一般的である。
【０００６】
各サブフィールドは、初期化期間、書込み期間および維持期間を有し、初期化期間では初期化放電を発生し、続く書込み動作に必要な壁電荷を各電極上に形成する。初期化動作には、全ての放電セルで初期化放電を発生させる初期化動作（以下、「全セル初期化動作」と略記する）と、維持放電を行った放電セルで初期化放電を発生させる初期化動作（以下、「選択初期化動作」と略記する）とがある。
【０００７】
書込み期間では、表示を行うべき放電セルにおいて選択的に書込み放電を発生し壁電荷を形成する。そして維持期間では、走査電極と維持電極とからなる表示電極対に交互に維持パルスを印加し、書込み放電を起こした放電セルで維持放電を発生させ、対応する放電セルの蛍光体層を発光させることにより画像表示を行う。
【０００８】
また、サブフィールド法の中でも、緩やかに変化する電圧波形を用いて初期化放電を行い、さらに維持放電を行った放電セルに対して選択的に初期化放電を行うことで、階調表示に関係しない発光を極力減らしコントラスト比を向上させた新規な駆動方法が開示されている。
【０００９】
具体的には、例えば複数のサブフィールドのうち、１つのサブフィールドの初期化期間において全ての放電セルを放電させる全セル初期化動作を行い、他のサブフィールドの初期化期間においては維持放電を行った放電セルのみ初期化する選択初期化動作を行う。その結果、表示に関係のない発光は全セル初期化動作の放電にともなう発光のみとなりコントラストの高い画像表示が可能となる（例えば、特許文献１参照）。
【００１０】
このように駆動することによって、画像の表示に関係のない発光、すなわち映像を表示しないときの黒表示領域の輝度（以下、「黒輝度」と略記する）は全セル初期化動作における微弱発光だけとなり、コントラストの高い画像表示が可能となる。
【００１１】
一方、パネルの高精細度化や大画面化にともなって放電セル数が増加し、また、動画擬似輪郭の改善等、画像表示品質を向上させるためにサブフィールド数を増加させる等、今後ますます書込み動作の高速化が要求されている。
【００１２】
ところで、全ての放電セルを初期化させる全セル初期化動作は、上述したように書込み動作に必要な壁電荷を形成するとともに、放電遅れを小さくし、書込み放電を安定して発生させるためのプライミングを発生させるという働きをも併せ持っている。したがって、高速書込み動作のためにはプライミングを増やすという方法が有効である。しかし、単純に１フィールド期間内の全セル初期化動作を行うサブフィールドの数（以下、「全セル初期化回数」と記す）を増やすと、黒輝度が上がってコントラストが低下し、画像表示品質が低下する。
【００１３】
そこで、表示すべき画像信号の平均画像レベル（ＡＰＬ：Ａｖｅｒａｇｅ  Ｐｉｃｔｕｒｅ  Ｌｅｖｅｌ）にもとづいて、各サブフィールドの初期化期間における初期化動作を、全セル初期化動作または選択初期化動作のいずれかに決定して全セル初期化回数を増減させ、黒輝度の上昇を抑えながら安定した高速書込みが可能なパネルの駆動方法が提案されている（例えば、特許文献２参照）。
【００１４】
しかしながら、全セル初期化動作により形成される壁電荷やプライミングは放電開始電圧等の放電特性に大きく左右され、放電特性はパネルの温度に依存して変化するため、上述した駆動方法を用いても、黒輝度の上昇を抑えながら安定した高速書込みが可能なパネル駆動を行うことができる温度範囲がある程度制限されるという問題点があった。加えて、パネルの放電特性はパネルの通電累積時間に依存して変化するため、プラズマディスプレイ装置の使用初期から通電累積時間によらずに上述した制御を最適な条件で行うことも容易ではなかった。
【特許文献１】特開２０００−２４２２２４号公報
【特許文献２】特開２００５−２１５１３２号公報
【発明の開示】
【００１５】
本発明は、１フィールド期間に、初期化期間において画像表示を行う全ての放電セルに
対して初期化放電を発生させる全セル初期化サブフィールドと、初期化期間において直前
のサブフィールドで維持放電を発生した放電セルで選択的に初期化放電を発生させる選択
初期化サブフィールドとを備えたパネルの駆動方法であって、全セル初期化サブフィール
ドの数を増減できるとともに、全セル初期化サブフィールドで初期化放電を発生させるた
めの初期化電圧を可変できるように構成し、パネルに通電した時間の累積時間にもとづき
、１フィールドの全セル初期化サブフィールドの数を制御することを特徴とする。この方法により、広い温度範囲にわたって、かつ使用初期から通電累積時間によらずに、黒輝度の上昇を抑えながら安定した高速書込みが可能なパネルの駆動方法を提供することができる。
【００１６】
また本発明のパネルの駆動方法は、パネル周辺の温度にもとづきパネルのとりうる最低
推定温度および最高推定温度を推定し、最低推定温度および最高推定温度と累積時間とに
もとづき、１フィールドの全セル初期化サブフィールドの数を制御してもよい。
【００１７】
また本発明のパネルの駆動方法は、画像信号の１フィールド期間または１フレーム期間
における平均輝度を検出し、その平均輝度と累積時間とにもとづき、１フィールドの全セル初期化サブフィールドの数を制御してもよい。
【００１８】
また本発明のプラズマディスプレイ装置は、走査電極および維持電極とからなる表示電
極対を有する放電セルを複数備えたパネルと、パネルに通電した時間の累積時間を計測す
る累積時間計測回路と、１フィールドを、初期化期間において画像表示を行う全ての放電
セルに対して初期化放電を発生させる全セル初期化サブフィールドと、初期化期間におい
て直前のサブフィールドで維持放電を発生した放電セルで選択的に初期化放電を発生させ
る選択初期化サブフィールドとを有するサブフィールド構成でパネルを駆動する駆動回路
とを備え、駆動回路は累積時間計測回路が計測した累積時間にもとづき、１フィールドの全セル初期化サブフィールドの数を制御することを特徴とする。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１９】
以下、本発明の実施の形態におけるプラズマディスプレイ装置について、図面を用いて説明する。
【００２０】
（実施の形態１）
図１は、本発明の実施の形態１におけるパネル１０の構造を示す分解斜視図である。ガラス製の前面板２１上には、走査電極２２と維持電極２３とからなる表示電極対２８が複数形成されている。そして走査電極２２と維持電極２３とを覆うように誘電体層２４が形成され、その誘電体層２４上に保護層２５が形成されている。背面板３１上にはデータ電極３２が複数形成され、そして、データ電極３２を覆うように誘電体層３３が形成され、さらにその上に井桁状の隔壁３４が形成されている。そして、隔壁３４の側面および誘電体層３３上には赤色（Ｒ）、緑色（Ｇ）および青色（Ｂ）の各色に発光する蛍光体層３５が設けられている。
【００２１】
これら前面板２１と背面板３１とは、微小な放電空間を挟んで表示電極対２８とデータ電極３２とが交差するように対向配置され、その外周部をガラスフリット等の封着材によって封着されている。そして放電空間には、例えばネオンとキセノンの混合ガスが放電ガスとして封入されている。本実施の形態においては、輝度向上のためにキセノン分圧を１０％とした放電ガスが用いられている。放電空間は隔壁３４によって複数の区画に仕切られており、表示電極対２８とデータ電極３２とが交差する部分に放電セルが形成されている。そしてこれらの放電セルが放電、発光することにより画像が表示される。
【００２２】
なお、パネル１０の構造は上述したものに限られるわけではなく、例えばストライプ状の隔壁を備えたものであってもよい。
【００２３】
図２は、本発明の実施の形態１におけるパネル１０の電極配列図である。パネル１０には、行方向に長いｎ本の走査電極ＳＣ１〜ＳＣｎ（図１の走査電極２２）およびｎ本の維持電極ＳＵ１〜ＳＵｎ（図１の維持電極２３）が配列され、列方向に長いｍ本のデータ電極Ｄ１〜Ｄｍ（図１のデータ電極３２）が配列されている。そして、１対の走査電極ＳＣｉ（ｉ＝１〜ｎ）および維持電極ＳＵｉ（ｉ＝１〜ｎ）と１つのデータ電極Ｄｊ（ｊ＝１〜ｍ）とが交差した部分に放電セルが形成され、放電セルは放電空間内にｍ×ｎ個形成されている。
【００２４】
図３は、本発明の実施の形態１におけるパネル１０を駆動するための駆動回路の回路ブロック図である。プラズマディスプレイ装置１は、パネル１０、画像信号処理回路５１、データ電極駆動回路５２、走査電極駆動回路５３、維持電極駆動回路５４、タイミング発生回路５５、ＡＰＬ検出回路５７、温度推定回路５８および各回路ブロックに必要な電源を供給する電源回路（図示せず）を備えている。
【００２５】
画像信号処理回路５１は、入力された画像信号ｓｉｇをサブフィールド毎の発光・非発光を示す画像データに変換する。データ電極駆動回路５２はサブフィールド毎の画像データを各データ電極Ｄ１〜Ｄｍに対応する信号に変換し各データ電極Ｄ１〜Ｄｍを駆動する。
【００２６】
ＡＰＬ検出回路５７は画像信号ｓｉｇの平均輝度レベル（以下、「ＡＰＬ」と略記する）を検出する。具体的には、例えば画像信号ｓｉｇの輝度値を１フィールド期間または１フレーム期間にわたって累積する等の一般に知られた手法を用いることによってＡＰＬを検出する。
【００２７】
温度推定回路５８は、温度を検出するために用いられる熱電対等の一般に知られた素子からなる温度センサ８１を有し、温度センサ８１で検出されたパネル１０周辺の温度、本実施の形態では筐体内部の温度からパネル１０のとりうる最高温度および最低温度の推定値（以下、単に「最高推定温度」、「最低推定温度」と表記する）を算出し、その結果をタイミング発生回路５５に出力する。
【００２８】
タイミング発生回路５５は、水平同期信号Ｈ、垂直同期信号Ｖ、ＡＰＬ検出回路５７が検出したＡＰＬおよび温度推定回路５８が推定した最高推定温度および最低推定温度をもとにして各回路ブロックの動作を制御する各種のタイミング信号を発生し、それぞれの回路ブロックへ供給する。走査電極駆動回路５３は、初期化期間において走査電極ＳＣ１〜ＳＣｎに印加する初期化電圧波形を発生するための初期化波形発生回路３００を有し、タイミング信号にもとづいて各走査電極ＳＣ１〜ＳＣｎをそれぞれ駆動する。維持電極駆動回路５４は、タイミング信号にもとづいて維持電極ＳＵ１〜ＳＵｎを駆動する。
【００２９】
図４Ａ、図４Ｂは、本発明の実施の形態１におけるプラズマディスプレイ装置１の温度センサ８１の取り付け位置を示す図であり、図４Ａはプラズマディスプレイ装置１の背面図、図４Ｂはプラズマディスプレイ装置１の断面図を拡大した図である。パネル１０の背面には熱伝導シート８６が密着して設けられ、さらに熱伝導シート８６に密着してアルミシャーシ８７が設けられている。そして、アルミシャーシ８７には各駆動回路を備えた回路基板８９がボス材８８を介して取り付けられており、パネル１０とは反対側の回路基板８９の表面に温度センサ８１が取り付けられている。したがって、パネル１０と温度センサ８１とは空気層を挟んで隔てられており、温度センサ８１はパネル１０と直接に接触しない位置に配置され、パネル１０と直接には熱的に結合しない構成となっている。
【００３０】
このように、本実施の形態では、温度センサ８１は、パネル１０と熱伝導シート８６とアルミシャーシ８７とのいずれとも直接に接触しない位置に設けられている。そして、パネル１０と温度センサ８１との間にボス材８８によって形成された空気層を挟むことで、パネル１０に温度センサ８１が直に接触しないようにし、温度センサ８１がパネル１０の局所的な熱を検出しないようにしている。なお、温度センサ８１は、パネル１０と直接には熱的に結合しない構成であれば他の位置に取り付けてあってもよい。
【００３１】
次に、パネル１０を駆動するための駆動電圧波形とその動作について説明する。プラズマディスプレイ装置１は、サブフィールド法、すなわち１フィールド期間を複数のサブフィールドに分割し、サブフィールド毎に各放電セルの発光・非発光を制御することによって階調表示を行う。それぞれのサブフィールドは初期化期間、書込み期間および維持期間を有する。
【００３２】
初期化期間では初期化放電を発生し、続く書込み放電に必要な壁電荷を各電極上に形成する。このときの初期化動作には、全ての放電セルで初期化放電を発生させる全セル初期化動作と、維持放電を行った放電セルで初期化放電を発生させる選択初期化動作とがある。
【００３３】
書込み期間では、発光させるべき放電セルで選択的に書込み放電を発生し壁電荷を形成する。そして維持期間では、輝度重みに比例した数の維持パルスを表示電極対２８に交互に印加して、書込み放電を発生した放電セルで維持放電を発生させて発光させる。このときの比例定数を輝度倍率と呼ぶ。なお、サブフィールド構成の詳細については後述することとし、ここではサブフィールドにおける駆動電圧波形とその動作について説明する。
【００３４】
図５は、本発明の実施の形態１におけるパネル１０の各電極に印加する駆動電圧波形図である。図５には、全セル初期化動作を行うサブフィールド（第１ＳＦ）と選択初期化動作を行うサブフィールド（第２ＳＦ）とを示している。
【００３５】
まず、全セル初期化動作を行うサブフィールド（第１ＳＦ）について説明する。
【００３６】
初期化期間前半部では、データ電極Ｄ１〜Ｄｍ、維持電極ＳＵ１〜ＳＵｎにそれぞれ０（Ｖ）を印加し、走査電極ＳＣ１〜ＳＣｎには、維持電極ＳＵ１〜ＳＵｎに対して放電開始電圧以下の電圧Ｖｉ１から、放電開始電圧を超える電圧に向かって緩やかに上昇する傾斜波形電圧を印加する（以下、初期化期間の前半部において走査電極ＳＣ１〜ＳＣｎに印加する、緩やかに上昇する電圧の最大値を「初期化電圧Ｖｒ」として引用する）。
【００３７】
この傾斜波形電圧が上昇する間に、走査電極ＳＣ１〜ＳＣｎと維持電極ＳＵ１〜ＳＵｎ、データ電極Ｄ１〜Ｄｍとの間でそれぞれ微弱な初期化放電が起こる。そして、走査電極ＳＣ１〜ＳＣｎ上部に負の壁電圧が蓄積されるとともに、データ電極Ｄ１〜Ｄｍ上部および維持電極ＳＵ１〜ＳＵｎ上部には正の壁電圧が蓄積される。ここで、電極上部の壁電圧とは電極を覆う誘電体層２４、誘電体層３３上、保護層２５上、蛍光体層３５上等に蓄積された壁電荷により生じる電圧を表す。
【００３８】
このときの初期化放電では、続く初期化期間の後半部において壁電圧の最適化を図ることを見越して、過剰に壁電圧を蓄えておく。こうして蓄えられる過剰な壁電圧は初期化電圧Ｖｒによって制御することができる。そして詳細は後述するが、初期化電圧Ｖｒの値は常に一定の電圧ではなく、必要に応じて変化させる。
【００３９】
初期化期間後半部では、維持電極ＳＵ１〜ＳＵｎに正の電圧Ｖｅ１を印加し、走査電極ＳＣ１〜ＳＣｎには、維持電極ＳＵ１〜ＳＵｎに対して放電開始電圧以下となる電圧Ｖｉ３から放電開始電圧を超える電圧Ｖｉ４に向かって緩やかに下降する傾斜波形電圧（以下、「ランプ電圧」とも記す）を印加する。この間に、走査電極ＳＣ１〜ＳＣｎと維持電極ＳＵ１〜ＳＵｎ、データ電極Ｄ１〜Ｄｍとの間でそれぞれ微弱な初期化放電が起こる。そして、走査電極ＳＣ１〜ＳＣｎ上部の負の壁電圧および維持電極ＳＵ１〜ＳＵｎ上部の正の壁電圧が弱められ、データ電極Ｄ１〜Ｄｍ上部の正の壁電圧は書込み動作に適した値に調整される。以上により、全ての放電セルに対して初期化放電を行う全セル初期化動作が終了する。
【００４０】
そしてこのときの放電は、初期化期間の前半部において蓄えられた過剰な壁電圧に依存するので、初期化電圧Ｖｒが低く初期化期間前半部の初期化放電が弱いと、初期化期間後半部の初期化放電も弱くなる。逆に初期化電圧Ｖｒが高いと、両方の初期化放電が強くなる。
【００４１】
続く書込み期間では、維持電極ＳＵ１〜ＳＵｎに電圧Ｖｅ２を、走査電極ＳＣ１〜ＳＣｎに電圧Ｖｃを印加する。
【００４２】
次に、１行目の走査電極ＳＣ１に負の走査パルス電圧Ｖａを印加するとともに、データ電極Ｄ１〜Ｄｍのうち１行目に発光させるべき放電セルのデータ電極Ｄｋ（ｋ＝１〜ｍ）に正の書込みパルス電圧Ｖｄを印加する。このときデータ電極Ｄｋ上と走査電極ＳＣ１上との交差部の電圧差は、外部印加電圧の差（Ｖｄ−Ｖａ）にデータ電極Ｄｋ上の壁電圧と走査電極ＳＣ１上の壁電圧の差とが加算されたものとなり放電開始電圧を超える。そして、データ電極Ｄｋと走査電極ＳＣ１との間および維持電極ＳＵ１と走査電極ＳＣ１との間に書込み放電が起こり、走査電極ＳＣ１上に正の壁電圧が蓄積され、維持電極ＳＵ１上に負の壁電圧が蓄積され、データ電極Ｄｋ上にも負の壁電圧が蓄積される。
【００４３】
このようにして、１行目に発光させるべき放電セルで書込み放電を起こして各電極上に壁電圧を蓄積する書込み動作が行われる。一方、書込みパルス電圧Ｖｄを印加しなかったデータ電極Ｄ１〜Ｄｍと走査電極ＳＣ１との交差部の電圧は放電開始電圧を超えないので、書込み放電は発生しない。以上の書込み動作を走査電極ＳＣｎのｎ行目の放電セルに至るまで行い、書込み期間が終了する。
【００４４】
続く維持期間では、まず走査電極ＳＣ１〜ＳＣｎに正の維持パルス電圧Ｖｓを印加するとともに維持電極ＳＵ１〜ＳＵｎに０（Ｖ）を印加する。すると書込み放電を起こした放電セルでは、走査電極ＳＣｉ上と維持電極ＳＵｉ上との電圧差が維持パルス電圧Ｖｓに走査電極ＳＣｉ上の壁電圧と維持電極ＳＵｉ上の壁電圧との差が加算されたものとなり放電開始電圧を超える。
【００４５】
そして、走査電極ＳＣｉと維持電極ＳＵｉとの間に維持放電が起こり、このとき発生した紫外線により蛍光体層３５が発光する。そして走査電極ＳＣｉ上に負の壁電圧が蓄積され、維持電極ＳＵｉ上に正の壁電圧が蓄積される。さらにデータ電極Ｄｋ上にも正の壁電圧が蓄積される。書込み期間において書込み放電が起きなかった放電セルでは維持放電は発生せず、初期化期間の終了時における壁電圧が保たれる。
【００４６】
続いて、走査電極ＳＣ１〜ＳＣｎには０（Ｖ）を、維持電極ＳＵ１〜ＳＵｎには維持パルス電圧Ｖｓをそれぞれ印加する。すると、維持放電を起こした放電セルでは、維持電極ＳＵｉ上と走査電極ＳＣｉ上との電圧差が放電開始電圧を超えるので再び維持電極ＳＵｉと走査電極ＳＣｉとの間に維持放電が起こり、維持電極ＳＵｉ上に負の壁電圧が蓄積され走査電極ＳＣｉ上に正の壁電圧が蓄積される。以降同様に、走査電極ＳＣ１〜ＳＣｎと維持電極ＳＵ１〜ＳＵｎとに交互に輝度重みに輝度倍率を乗じた数の維持パルスを印加し、表示電極対２８の電極間に電位差を与えることにより、書込み期間において書込み放電を起こした放電セルで維持放電が継続して行われる。
【００４７】
そして、維持期間の最後には走査電極ＳＣ１〜ＳＣｎに電圧Ｖｓを印加してから所定時間Ｔｈ１後に維持電極ＳＵ１〜ＳＵｎに電圧Ｖｅ１を印加することで、走査電極ＳＣ１〜ＳＣｎと維持電極ＳＵ１〜ＳＵｎとの間にいわゆる細幅パルス状の電圧差を与えて、データ電極Ｄｋ上の正の壁電圧を残したまま、走査電極ＳＣｉおよび維持電極ＳＵｉ上の壁電圧の一部または全部を消去している。
【００４８】
次に、選択初期化動作を行うサブフィールドの動作（第２ＳＦ）について説明する。
【００４９】
選択初期化動作を行う初期化期間では、維持電極ＳＵ１〜ＳＵｎに電圧Ｖｅ１を、データ電極Ｄ１〜Ｄｍに０（Ｖ）をそれぞれ印加し、走査電極ＳＣ１〜ＳＣｎに電圧Ｖｉ３’から電圧Ｖｉ４に向かって緩やかに下降するランプ電圧を印加する。
【００５０】
すると前のサブフィールドの維持期間で維持放電を起こした放電セルでは微弱な初期化放電が発生し、走査電極ＳＣｉ上および維持電極ＳＵｉ上の壁電圧が弱められる。またデータ電極Ｄｋに対しては、直前の維持放電によってデータ電極Ｄｋ上に十分な正の壁電圧が蓄積されているので、この壁電圧の過剰な部分が放電され、書込み動作に適した壁電圧に調整される。
【００５１】
一方、前のサブフィールドで維持放電を起こさなかった放電セルについては放電することはなく、前のサブフィールドの初期化期間終了時における壁電荷がそのまま保たれる。このように選択初期化動作は、直前のサブフィールドの維持期間で維持動作を行った放電セルに対して選択的に初期化放電を行う動作である。
【００５２】
続く書込み期間の動作は全セル初期化動作を行うサブフィールドの書込み期間の動作と同様であるため説明を省略する。続く維持期間の動作も維持パルスの数を除いて同様である。
【００５３】
次に、本実施の形態におけるパネル１０の駆動方法のサブフィールド構成について説明をする。本実施の形態においては、１フィールドを１０のサブフィールド（第１ＳＦ、第２ＳＦ、・・・、第１０ＳＦ）に分割し、各サブフィールドはそれぞれ（１、２、３、６、１１、１８、３０、４４、６０、８０）の輝度重みを持つと仮定して説明するが、サブフィールド数や各サブフィールドの輝度重みが上記の値に限定されるものではない。
【００５４】
なお、本実施の形態においては、画像信号のＡＰＬにもとづき、上述のサブフィールド数および輝度重み以外のサブフィールド構成を切換えるとともに、温度センサ８１の検出した筐体内部の温度にもとづきさらにサブフィールド構成を切換えている。以下、温度にもとづくサブフィールド構成を「駆動モード」と略記する。
【００５５】
まず、ＡＰＬとサブフィールド構成との関係を説明する。図６Ａ、図６Ｂは、本発明の実施の形態１におけるサブフィールド構成を示す図であり、サブフィールドのそれぞれは、初期化期間に全セル初期化動作を行うサブフィールド（以下、「全セル初期化サブフィールド」と略記する）か、初期化期間に選択初期化動作を行うサブフィールド（以下、「選択初期化サブフィールド」と略記する）かのどちらかである。なお、図６Ａ、図６Ｂ、図７Ａ、図７Ｂ、図７Ｃは、パネル１０の駆動波形の１フィールドの概略を示すもので、各サブフィールドの各々の期間における波形の詳細は図５に示すとおりである。
【００５６】
本実施の形態においては表示すべき画像信号のＡＰＬにもとづいてサブフィールド構成を切換えている。図６Ａは、ＡＰＬが６％未満の画像信号時に使用する構成であり、第１ＳＦのみ全セル初期化サブフィールドであり、第２ＳＦ〜第１０ＳＦは選択初期化サブフィールドである。図６Ｂは、ＡＰＬが６％以上の画像信号時に使用する構成であり、第１ＳＦおよび第４ＳＦは全セル初期化サブフィールド、第２ＳＦ、第３ＳＦと第５ＳＦ〜第１０ＳＦは選択初期化サブフィールドとなっている。すなわち、ＡＰＬがしきい値６％未満の場合には全セル初期化回数は１回、しきい値６％以上の場合には全セル初期化回数が２回のサブフィールド構成となっている。すなわち、全セル初期化サブフィールドの数が増減できるように構成されている。以下の（表１）に上述のサブフィールド構成とＡＰＬとの関係を示した。
【００５７】
【表１】
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【００５８】
なお、本実施の形態では、ＡＰＬが高くなると全セル初期化サブフィールドの数を増やす方法について主として述べたが、初期化電圧を高くしても同様な効果が得られる。
【００５９】
上記は、通常用いられる駆動モード（以下、「常温駆動モード」と表記する）であるが、本実施の形態においては、常温駆動モード以外に、低温駆動モード、高温駆動モードを備えている。
【００６０】
図７Ａ、図７Ｂ、図７Ｃは、本発明の実施の形態１におけるサブフィールド構成を示す図であり、例として、ＡＰＬが６％以上の画像信号時に使用する３つの駆動モードに対するサブフィールド構成を示している。
【００６１】
図７Ａは、低温駆動モードの一例である。低温駆動モードは、パネル１０の温度が低温であっても安定した画像表示を行うことができる駆動モードであり、例えば、プラズマディスプレイ装置１が低温の環境下に設置され、かつ電源が投入された直後等、パネル１０の温度が上昇する前に用いられる駆動モードである。
【００６２】
本実施の形態における低温駆動モードは、第１ＳＦおよび第４ＳＦでは全セル初期化動作を行い、その他のサブフィールドでは選択初期化動作を行う。そして、このときの初期化電圧Ｖｒは、常温駆動モードと後述する高温駆動モードとのそれぞれの初期化電圧値ＶｒＣよりも高い電圧値ＶｒＨに設定されている。
【００６３】
図７Ｂは上述した常温駆動モードである。常温駆動モードは通常使用する駆動モードである。本実施の形態においては第１ＳＦおよび第４ＳＦで全セル初期化動作を行い、それ以外のサブフィールドでは選択初期化動作を行う。そして、このときの初期化電圧Ｖｒは低温駆動モードの初期化電圧値ＶｒＨよりも低い電圧値ＶｒＣに設定されている。
【００６４】
次に、図７Ｃは高温駆動モードの一例である。高温駆動モードは、パネル１０の温度が高温であっても安定した画像表示を行うことができる駆動モードであり、例えば、プラズマディスプレイ装置１が温度の高い環境下に設置され、またはパネル１０が高温になった場合に用いる駆動モードである。
【００６５】
本実施の形態における高温駆動モードは、第１ＳＦ、第４ＳＦおよび第６ＳＦで全セル初期化動作を行い、その他のサブフィールドでは選択初期化動作を行う。このときの初期化電圧Ｖｒは、常温駆動モードと同じく電圧値ＶｒＣである。このように高温駆動モードは低温駆動モードと常温駆動モードとに比べて全セル初期化動作の回数が多く設定されている。このように、全セル初期化サブフィールドで初期化放電を発生させるための初期化電圧が可変できるように構成されている。
【００６６】
次に、低温駆動モード、常温駆動モード、高温駆動モードの３つの駆動モードを切換えて用いる理由について説明する。
【００６７】
パネル１０が低温になると、放電開始電圧が上昇する等により全セル初期化動作における初期化放電が不安定になる傾向がある。そして初期化放電が不安定になると発光すべきでない放電セルが発光する等の誤放電現象が発生することがある。そしてこの誤放電は全セル初期化サブフィールドにおける初期化電圧Ｖｒを上げることで低減することができる。
【００６８】
そこで、本実施の形態では、低温駆動モードにおける全セル初期化動作時の初期化電圧Ｖｒを常温駆動モードにおける電圧値ＶｒＣよりも高い電圧値ＶｒＨに設定し、パネル１０が低温であっても安定した全セル初期化動作を行い、安定した画像表示を行っている。
【００６９】
一方パネル１０が高温になると、書込み期間において、いずれかの走査電極の放電セルで書込み放電を発生させている間に、選択されていない走査電極の放電セルの壁電荷が奪われ、本来書込み放電を発生させたいときに壁電圧が不足して書込み放電が発生しないという書込み不良が発生することがある。
【００７０】
そこで、本実施の形態では、高温駆動モードにおける全セル初期化動作の回数を増やすことにより、不足している壁電荷を補充して書込み不良の発生を防いでいる。これにより、パネル１０が高温になった場合であっても安定した画像表示ができるようになる。
【００７１】
このように、パネル１０が高温あるいは低温になると、誤放電や書込み不良等の放電不良が発生する恐れがあり、これら放電不良による表示品質の低下を招く恐れがあるが、本実施の形態においてはこれらの放電不良を低減するために、常温駆動モード、高温駆動モード、低温駆動モードの３つの駆動モードを、タイミング発生回路５５で切換えて用いている。
【００７２】
次に、駆動モードを切換える方法について説明する。パネル１０の温度は、プラズマディスプレイ装置１の置かれている環境温度に影響されるのはもちろんであるが、パネル１０を駆動する回路が発する熱、パネル１０自身が発する熱、さらにそれらの熱を左右する画像信号等によって複雑に変動する。そのためパネル１０全体にわたってパネル１０の温度を正確に検出することは難しく、刻々と変化する表示画像に影響されることなくパネル１０の温度を検出するためには、多数の温度センサ８１をパネル１０の各部に配置する必要があり、現実的ではない。
【００７３】
そこで本実施の形態においては、パネル１０の温度を直接に検出するのではなく、パネル１０の表示画面内に、低温駆動モードによる駆動が必要な領域が発生する可能性があるか、あるいは高温駆動モードによる駆動が必要な領域が発生する可能性があるかを推定し、その結果により駆動モードを切換えて、放電不良を抑えた画像表示を行っている。
【００７４】
図８Ａ、図８Ｂは、本発明の実施の形態１における温度センサ８１が検出した筐体内部の温度（以下、「センサ温度」と略記する）θｓとパネル１０の温度（以下、「パネル温度」と略記する）θｐとの関係を測定した結果を示す図であり、縦軸は温度を、横軸は時間を表す。この測定では、センサ温度θｓがパネル１０の局所的な温度の影響を受けにくくするために、回路基板上に、かつパネル１０に密着しないように温度センサ８１を配置した。
【００７５】
パネル１０のとりうる最低温度を推定するためには、パネル１０の温度が最も低く抑えられるような画像、すなわち全セル非発光パタンを表示し、このときパネル１０の最も低温になる領域の温度を測定し、センサ温度θｓとの差を調べればよい。
【００７６】
図８Ａは、全セル非発光パタンを表示したときのパネル温度θｐとセンサ温度θｓとを示す図である。プラズマディスプレイ装置１の電源投入後、センサ温度θｓは緩やかに上昇する。一方、パネル温度θｐはさらに緩やかに上昇する。これはパネル１０で放電がほとんど発生しないのでパネル１０自身の発熱が少ないためである。そして本実施の形態においては、１０分〜２０分の後、センサ温度θｓとパネル温度θｐとの差がほぼ一定となり、そのときのパネル温度θｐはセンサ温度θｓよりも約７℃低いことが分かった。そこで本実施の形態では、低温補正値ΔθＬを７℃として、センサ温度θｓから低温補正値ΔθＬを引いた温度を最低推定温度θＬとした。
【００７７】
パネル１０のとりうる最高温度を推定するためには、パネル１０の温度が最も高くなるような画像、すなわち全セル発光パタンを表示し、このときパネル１０の最も高温となる領域の温度を測定し、センサ温度θｓとの差を調べればよい。
【００７８】
図８Ｂは、全セル発光パタンを表示したときのパネル温度θｐとセンサ温度θｓとを示す図である。プラズマディスプレイ装置１の電源投入後、センサ温度θｓは急激に上昇する。一方、パネル温度θｐはさらに急激に上昇する。これは駆動回路の消費電力が大きいことに加えて放電によりパネル１０自身も発熱するためである。そして本実施の形態においても、１０分〜２０分の後、センサ温度θｓとパネル温度θｐとの差がほぼ一定となり、そのときのパネル温度θｐはセンサ温度θｓよりも約１０℃高いことが分かった。そこで本実施の形態では高温補正値ΔθＨを１０℃として、センサ温度に高温補正値ΔθＨを加算した温度を最高推定温度θＨとした。
【００７９】
そして本実施の形態においては、最低推定温度θＬ、最高推定温度θＨを
θＬ（ｔ）＝θｓ（ｔ）−ΔθＬｏ
θＨ（ｔ）＝θｓ（ｔ）＋ΔθＨｏ
として求める。ここで、センサ温度θｓ、最低推定温度θＬ、最高推定温度θＨが時間ｔの関数であることを明示するためにそれぞれθｓ（ｔ）、θＬ（ｔ）、θＨ（ｔ）と記した。また、ΔθＬｏ、ΔθＨｏは低温補正値ΔθＬ、高温補正値ΔθＨであり、本実施の形態においては、それぞれ上記の７℃および１０℃ある。
【００８０】
図９は、本発明の実施の形態１における最低推定温度θＬ（ｔ）、最高推定温度θＨ（ｔ）と低温しきい値ＴｈＬ、高温しきい値ＴｈＨとの関係を示した概略図である。図面に示すように、最低推定温度θＬ（ｔ）があらかじめ設定されている低温しきい値ＴｈＬ未満であれば低温駆動モードを用いてパネル１０を駆動し、最高推定温度θＨ（ｔ）があらかじめ設定されている高温しきい値ＴｈＨ以上であれば高温駆動モードを用いてパネル１０を駆動し、それ以外のときは常温駆動モードでパネル１０を駆動している。
【００８１】
このように本実施の形態においては、画像のＡＰＬにもとづきサブフィールド構成を切換えるとともに、センサ温度θｓにもとづき駆動モードを切換えている、したがって、ＡＰＬの高い画像表示時には黒表示領域が無いか、わずかの面積であると考えられるので、全セル初期化回数を増やしプライミングを増やすことによって書込み放電の安定化を図っている。逆に、ＡＰＬの低い画像表示時には黒の画像表示領域が広いと考えられるため全セル初期化回数を減らし、黒輝度を抑えてコントラストの高い画像表示を行っている。
【００８２】
そして、センサ温度θｓにもとづいて駆動モードを切換えているので、パネル１０が低温の場合であっても初期化電圧Ｖｒを高く設定して初期化放電を安定させ、上述したＡＰＬによるサブフィールド構成の切換えを可能としている。またパネル１０が高温であっても全セル初期化回数を増やし書込み不良の発生を防ぐことで、ＡＰＬによるサブフィールド構成の切換えを可能としている。
【００８３】
次に、全セル初期化動作における初期化電圧Ｖｒを制御する方法について説明する。初期化電圧Ｖｒを変化させるには、例えば、図５の走査電極ＳＣ１の電圧Ｖｉ１を増加すること、または電圧Ｖｉ１から電圧Ｖｉ２の上昇傾斜を急にして電圧Ｖｉ２を大きくすること等、様々な方法が考えられる。以下に、その一例について図面を用いて説明する。
【００８４】
図１０は、本発明の実施の形態１における走査電極駆動回路５３の回路図である。走査電極駆動回路５３は、維持パルスを発生させる維持パルス発生回路１００、初期化波形を発生させる初期化波形発生回路３００、走査パルスを発生させる走査パルス発生回路４００を備えている。
【００８５】
維持パルス発生回路１００は、走査電極２２を駆動するときの電力を回収して再利用するための電力回収回路１１０と、走査電極２２を電圧Ｖｓにクランプするためのスイッチング素子ＳＷ１と、走査電極２２を０（Ｖ）にクランプするためのスイッチング素子ＳＷ２とを有する。また、走査パルス発生回路４００は、書込み期間において走査パルスを走査電極２２に順次印加する。なお、走査パルス発生回路４００は、初期化期間および維持期間では維持パルス発生回路１００または初期化波形発生回路３００の電圧波形をそのまま出力する。
【００８６】
初期化波形発生回路３００は、ミラー積分回路３１０、ミラー積分回路３２０を備え、上述した初期化波形を発生させるとともに、全セル初期化動作における初期化電圧Ｖｒの制御を行う。ミラー積分回路３１０は、ＦＥＴ１とコンデンサＣ１と抵抗Ｒ１とを有し、所定の初期化電圧Ｖｒまでランプ状に緩やかに上昇する傾斜波形電圧を発生し、ミラー積分回路３２０は、ＦＥＴ２とコンデンサＣ２と抵抗Ｒ２とを有し、電圧Ｖｉ４までランプ状に緩やかに低下する傾斜波形電圧を発生する。なお、図１０には、ミラー積分回路３１０、ミラー積分回路３２０のそれぞれの入力端子を端子ＩＮ１、端子ＩＮ２として示している。
【００８７】
なお、本実施の形態では、初期化波形発生回路３００として実用的であり比較的構成が簡単なＦＥＴを用いたミラー積分回路を採用しているが、何らこの構成に限定されるものではなく、初期化電圧Ｖｒを制御しつつ傾斜波形電圧を発生することができる回路であればどのような回路であってもよい。
【００８８】
次に、初期化波形発生回路３００の動作について説明する。図１１は、本発明の実施の形態１における全セル初期化期間における走査電極駆動回路５３の動作を説明するためのタイミングチャートである。なお、ここでは、全セル初期化動作を行う駆動電圧波形をＴ１〜Ｔ４で示した４つの期間に分割し、それぞれの期間について説明する。
【００８９】
また、電圧Ｖｉ１、電圧Ｖｉ３は全て電圧Ｖｓに等しいものとして説明する。なお、以下の説明においてスイッチング素子を導通させる動作をオン、遮断させる動作をオフと表記する。
【００９０】
（期間Ｔ１）
まず、維持パルス発生回路１００のスイッチング素子ＳＷ１をオンにする。するとスイッチング素子ＳＷ１を介して走査電極２２に電圧Ｖｓが印加される。そして、その後スイッチング素子ＳＷ１をオフにする。
【００９１】
（期間Ｔ２）
次に、ミラー積分回路３１０の入力端子ＩＮ１を「ハイレベル」にする。具体的には入力端子ＩＮ１に、例えば電圧１５（Ｖ）を印加する。すると、抵抗Ｒ１からコンデンサＣ１に向かって一定の電流が流れ、ＦＥＴ１のソース電圧がランプ状に上昇し、走査電極駆動回路５３の出力電圧もランプ状に上昇し始める。そしてこの電圧上昇は、入力端子ＩＮ１が「ハイレベル」の間継続する。
【００９２】
この出力電圧が必要な初期化電圧Ｖｒまで上昇したら、その後、入力端子ＩＮ１を「ローレベル」にする。
【００９３】
このようにして、放電開始電圧以下となる電圧Ｖｓ（本実施の形態では、電圧Ｖｉ１、電圧Ｖｉ３と等しい）から、放電開始電圧を超える初期化電圧Ｖｒに向かって緩やかに上昇するランプ電圧を走査電極２２に印加する。
【００９４】
このとき、入力端子ＩＮ１を「ハイレベル」にする時間ｔｒを長くすると初期化電圧Ｖｒを高くすることができ、時間ｔｒを短くすると初期化電圧Ｖｒを低くすることができる。
【００９５】
（期間Ｔ３）
次に、維持パルス発生回路１００のスイッチング素子ＳＷ１をオンにする。すると走査電極２２の電圧が電圧Ｖｓまで低下する。そしてその後スイッチング素子ＳＷ１をオフにする。
【００９６】
（期間Ｔ４）
次に、ミラー積分回路３２０の入力端子ＩＮ２を「ハイレベル」にする。具体的には入力端子ＩＮ２に、例えば電圧１５（Ｖ）を印加する。すると、抵抗Ｒ２からコンデンサＣ２に向かって一定の電流が流れ、ＦＥＴ２のドレイン電圧がランプ状に下降し、走査電極駆動回路５３の出力電圧もランプ状に下降し始める。そして、出力電圧が負の電圧Ｖｉ４に至った後、入力端子ＩＮ２を「ローレベル」とする。
【００９７】
以上のようにして、走査電極２２に対して、放電開始電圧以下となる電圧Ｖｉ１から放電開始電圧を超える初期化電圧Ｖｒに向かって緩やかに上昇するランプ電圧を印加し、その後、電圧Ｖｉ３から電圧Ｖｉ４に向かって緩やかに下降するランプ電圧を印加する。
【００９８】
図１１において、初期化電圧ＶｒＨを印加するには、図１０の走査電極駆動回路５３の入力端子ＩＮ１を「ハイレベル」にする時間ｔｒを長くし、初期化電圧ＶｒＣを印加するには、時間ｔｒを短くすることで実現することができる。
【００９９】
（実施の形態２）
次に、パネル１０の累積使用時間が長くなるにつれて放電特性が変化する影響を考慮して、プラズマディスプレイ装置１の使用初期から累積使用時間によらずに上述した制御を最適な条件で行うことができる実施の形態について説明する。
【０１００】
本実施の形態におけるパネル１０の構造、駆動電圧波形の概要等は実施の形態１と同様である。実施の形態２が実施の形態１と異なる点は、プラズマディスプレイ装置１に電源が投入された時間の合計（以下、「通電累積時間」と略記する）を計測する累積時間計測回路を備え、画像信号のＡＰＬおよびセンサ温度θｓとともにパネル１０の通電累積時間にもとづいて少なくとも全セル初期化回数または初期化電圧を制御している点である。
【０１０１】
図１２は、本発明の実施の形態２におけるプラズマディスプレイ装置１の回路ブロック図である。累積時間計測回路８３は、単位時間毎に数値が一定量増加する一般に知られた積算機能を有し、通電累積時間を計測してタイミング発生回路５５に出力する。すなわちパネル１０に通電する時間の累積時間を計測するステップを備えている。
【０１０２】
また、タイミング発生回路５５は、パネル１０の周辺の温度にもとづきパネル１０のとりうる最低推定温度および最高推定温度を推定するステップを備えている。すなわち、タイミング発生回路５５は、温度推定回路５８から出力される最低推定温度θＬ（ｔ）、最高推定温度θＨ（ｔ）にもとづき駆動モードを決定し、その駆動モードで画像信号のＡＰＬにもとづきサブフィールド構成を切換えるとともに、通電累積時間が長くなるにつれて初期化電圧Ｖｒが高くなるように制御している。そして、パネル１０を駆動するための各種のタイミング信号を生成し、それぞれの回路ブロックへ出力する。
【０１０３】
その他の回路ブロックについては実施の形態１と同様である。
【０１０４】
次に、通電累積時間と初期化電圧Ｖｒとの関係について説明する。図１３は、本発明の実施の形態２におけるパネル１０の通電累積時間と放電開始電圧との関係を示した模式図であり、パネル１０の通電累積時間が大きくなるにつれて放電開始電圧は徐々に高くなる傾向があることを示している。このように放電特性が経時変化するため、通電累積時間の短いパネル１０の放電開始電圧を基準にして初期化電圧Ｖｒを設定すると、通電累積時間が長くなるにつれて放電開始電圧が上昇し、放電開始電圧に対して初期化電圧Ｖｒが相対的に低くなるので初期化放電も弱くなり、十分な壁電圧が形成できなくなる、あるいはプライミングが不足する等、初期化放電が不十分になる恐れがある。逆に、放電特性の経時変化を見越して初期化電圧Ｖｒをあらかじめ高めに設定してしまうと、通電累積時間の短いパネル１０では初期化放電が必要以上に強くなってしまい、画像の表示に関係のない発光が強くなって黒輝度が上昇しコントラストを低下させる恐れがある。
【０１０５】
しかしながら、本実施の形態においては、累積時間計測回路８３を備え、通電累積時間を計測し、通電累積時間が長くなるにつれて初期化電圧Ｖｒが高くなるように制御している。そのため、プラズマディスプレイ装置１の製造初期から通電累積時間によらず、初期化放電を不安定にさせることなく、かつコントラストの高い画像を表示することができる。
【０１０６】
通電累積時間にもとづき初期化電圧Ｖｒを制御する方法としては、通電累積時間の増加にともない連続的に初期化電圧Ｖｒも増加させる等、様々な方法があるが、本実施の形態においては、複数の累積時間しきい値を設け、累積時間計測回路８３から出力される通電累積時間と累積時間しきい値とを比較し、通電累積時間が累積時間しきい値を超える毎に初期化電圧Ｖｒを増加させている。図１４Ａ、図１４Ｂは、本発明の実施の形態２における初期化電圧の制御方法とコントラスト比の推移を示す図であり、図１４Ａは通電累積時間と初期化電圧Ｖｒとの関係を示し、図１４Ｂは通電累積時間とコントラスト比との関係を示している。このように、本実施の形態においては、６５０時間、８５０時間、１０００時間の３つの累積時間しきい値を設け、通電累積時間が６５０時間を超えると初期化電圧Ｖｒを５（Ｖ）増加させる。この初期化電圧の増加は、常温駆動モードはもちろん、低温駆動モード、高温駆動モードについても行い、またＡＰＬの値にかかわらず行う。そして、通電累積時間が８５０時間を超えると初期化電圧Ｖｒをさらに５（Ｖ）増加させる。そして、通電累積時間が１０００時間を超えると初期化電圧Ｖｒをさらに５（Ｖ）増加させる。
【０１０７】
このように本実施の形態においては、通電累積時間の増加にともなう放電開始電圧の増加にしたがって初期化電圧Ｖｒも増加させるので、通電累積時間にかかわらずコントラストが高く安定して画像表示が可能となっている。
【０１０８】
なお、本実施の形態では低温駆動モード、常温駆動モード、高温駆動モードの全ての駆動モードにおいて、累積時間しきい値を一律に設定し、初期化電圧Ｖｒも一律に上昇させるものとして説明したが、本発明は何らこの構成に限定するものではない。例えば駆動モードのそれぞれに対して個別に累積時間しきい値を設定してもよく、また、駆動モードのそれぞれに対して個別の電圧幅で初期化電圧Ｖｒを上昇させてもよい。
【０１０９】
また、初期化電圧Ｖｒが高ければ経時変化による放電開始電圧の上昇の影響を受けにくいと考えられるので、初期化電圧Ｖｒが高いほど初期化電圧の上げ幅を小さくするような構成としてもかまわない。
【０１１０】
また、本実施の形態においては、通電累積時間と累積時間しきい値とを比較して初期化電圧Ｖｒを増加させる動作はプラズマディスプレイ装置１の電源投入時に行い、画像表示中に通電累積時間が累積時間しきい値を超えても初期化電圧Ｖｒを増加させない構成としている。これは、画像表示中に黒輝度が変化するのを避けるためである。しかし、黒輝度の変化があまり大きくない程度に徐々に初期化電圧Ｖｒを上げるのであれば、通電累積時間が累積時間しきい値以上になった時点で初期化電圧Ｖｒを高くしてもよい。
【０１１１】
以上、実施の形態で２は、累積時間が長くなると初期化電圧Ｖｒを増加させる方法について主として述べたが、全セル初期化サブフィールドの数を増加させても同様な効果が得られる。
【０１１２】
なお、本発明の実施の形態１、実施の形態２において、全セル初期化回数を増減させる際にヒステリシス特性を持たせると、黒輝度の頻繁な変動を抑制できるのでさらに画像表示品質を向上させることができる。
【０１１３】
まず駆動モードを切換える際にヒステリシス特性を持たせる方法について説明する。図１５Ａ、図１５Ｂは、本発明の実施の形態における最高推定温度θＨと高温しきい値ＴｈＨとの関係の一例を示す図である。１フィールド期間内に、常温駆動モードでは全セル初期化回数が２回、高温駆動モードでは全セル初期化回数が３回あるので、図１５Ａに示すように最高推定温度θＨが高温しきい値ＴｈＨを挟んで頻繁に変動すると全セル初期化回数も頻繁に変動し黒輝度の変化が目立ちやすくなる。そこで本実施の形態においては、図１５Ｂに示すように、２つの高温しきい値ＴｈＨ１、ＴｈＨ２を設け、常温駆動モードから高温駆動モードへ切換えるときの高温しきい値ＴｈＨ１を、高温駆動モードから常温駆動モードへ切換える高温しきい値ＴｈＨ２よりも高く設定してヒステリシス特性を持たせることで、駆動モードの頻繁な切換えを防いでいる。低温しきい値についても同様に、ヒステリシス特性を持たせることも可能である。
【０１１４】
ＡＰＬにもとづいて全セル初期化回数を増減させる際にも同様の考え方でヒステリシス特性を持たせることができる。図１６Ａ、図１６Ｂは、本発明の実施の形態におけるＡＰＬと全セル初期化回数との関係の一例を示す図である。１フィールド期間内に、ＡＰＬが６％以上の場合には全セル初期化回数が２回、６％未満の場合には全セル初期化回数が１回あるので、図１６Ａに示すようにＡＰＬが６％を挟んで頻繁に変動すると全セル初期化回数も頻繁に変動する。そこで、図１６Ｂに示すように、ＡＰＬに対して２つのしきい値、例えば５％と７％とを設け、全セル初期化回数が１回から２回に増加させるときのしきい値を７％、全セル初期化回数が２回から１回に減少させるときのしきい値を５％と設定することでヒステリシス特性を持たせることができる。
【０１１５】
このように、全セル初期化回数を変更するときにヒステリシス特性を持たせることにより、全セル初期化回数が頻繁に変化しなくなり、黒輝度が頻繁に変動することを防ぐことができる。
【０１１６】
また、実施の形態２においては、パネル１０の通電累積時間だけでなく画像信号のＡＰＬおよびセンサ温度θｓにももとづいて全セル初期化回数および初期化電圧を制御する方法について説明したが、実施の形態２はパネル１０の通電累積時間にもとづく制御が主眼であるので、画像信号のＡＰＬまたはセンサ温度θｓにももとづく制御、またはその両方にもとづく制御を省略してもよい。
【０１１７】
また、本発明の実施の形態では、放電ガスのキセノン分圧を１０％としたが、他のキセノン分圧であってもそのパネル１０に応じた駆動電圧に設定すればよい。
【０１１８】
さらに、本発明の実施の形態において用いた具体的な各数値は、単に一例を挙げたに過ぎず、パネル１０の特性やプラズマディスプレイ装置１の仕様等に合わせて、適宜最適な値に設定することが望ましい。
【産業上の利用可能性】
【０１１９】
本発明は、広い温度範囲にわたって、かつ使用初期から通電累積時間によらずに、黒輝度の上昇を抑えながら安定した高速書込みが可能とできるので、壁掛けテレビや大型モニターに用いられるパネルの駆動方法およびプラズマディスプレイ装置として有用である。
【図面の簡単な説明】
【０１２０】
【図１】本発明の実施の形態１におけるパネルの構造を示す分解斜視図
【図２】同パネルの電極配列図
【図３】同パネルを駆動するための駆動回路の回路ブロック図
【図４Ａ】本発明の実施の形態１におけるプラズマディスプレイ装置の温度センサの取り付け位置を示す図
【図４Ｂ】本発明の実施の形態１におけるプラズマディスプレイ装置の温度センサの取り付け位置を示す図
【図５】同パネルの各電極に印加する駆動電圧波形図
【図６Ａ】本発明の実施の形態１におけるサブフィールド構成を示す図
【図６Ｂ】本発明の実施の形態１におけるサブフィールド構成を示す図
【図７Ａ】本発明の実施の形態１におけるサブフィールド構成を示す図
【図７Ｂ】本発明の実施の形態１におけるサブフィールド構成を示す図
【図７Ｃ】本発明の実施の形態１におけるサブフィールド構成を示す図
【図８Ａ】本発明の実施の形態１における温度センサが検出した筐体内部の温度とパネルの温度との関係を測定した結果を示す図
【図８Ｂ】本発明の実施の形態１における温度センサが検出した筐体内部の温度とパネルの温度との関係を測定した結果を示す図
【図９】本発明の実施の形態１における最低推定温度、最高推定温度と低温しきい値、高温しきい値との関係を示した概略図
【図１０】本発明の実施の形態１における走査電極駆動回路の回路図
【図１１】本発明の施の形態１における全セル初期化期間における走査電極駆動回路の動作を説明するためのタイミングチャート
【図１２】本発明の実施の形態２におけるプラズマディスプレイ装置の回路ブロック図
【図１３】本発明の実施の形態２におけるパネルの通電累積時間と放電開始電圧との関係を示した模式図
【図１４Ａ】本発明の実施の形態２における初期化電圧の制御方法を示す図
【図１４Ｂ】本発明の実施の形態２における初期化電圧の制御方法によるコントラスト比の推移を示す図
【図１５Ａ】本発明の実施の形態における最高推定温度と高温しきい値との関係の一例を示す図
【図１５Ｂ】本発明の実施の形態における最高推定温度と高温しきい値との関係の一例を示す図
【図１６Ａ】本発明の実施の形態におけるＡＰＬと全セル初期化回数との関係の一例を示す図
【図１６Ｂ】本発明の実施の形態におけるＡＰＬと全セル初期化回数との関係の一例を示す図
【符号の説明】
【０１２１】
１    プラズマディスプレイ装置
１０    パネル
２１    （ガラス製の）前面板
２２    走査電極
２３    維持電極
２４，３３    誘電体層
２５    保護層
２８    表示電極対
３１    背面板
３２    データ電極
３４    隔壁
３５    蛍光体層
５１    画像信号処理回路
５２    データ電極駆動回路
５３    走査電極駆動回路
５４    維持電極駆動回路
５５    タイミング発生回路
５７    ＡＰＬ検出回路
５８    温度推定回路
８１    温度センサ
８３    累積時間計測回路
８６    熱伝導シート
８７    アルミシャーシ
８８    ボス材
８９    回路基板
１００    維持パルス発生回路
１１０    電力回収回路
３００    初期化波形発生回路
３１０，３２０    ミラー積分回路
４００    走査パルス発生回路
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４Ａ】
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【図４Ｂ】
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【図５】
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【図６Ａ】
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【図６Ｂ】
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【図７Ａ】
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【図７Ｂ】
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【図７Ｃ】
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【図８Ａ】
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【図８Ｂ】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４Ａ】
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【図１４Ｂ】
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【図１５Ａ】
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【図１５Ｂ】
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【図１６Ａ】
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【図１６Ｂ】
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