(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
以下の工程を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法：
（ａ）チップ搭載部と、前記チップ搭載部とそれぞれ一体に形成された複数のタブ吊りリードと、前記チップ搭載部の周囲に配置された複数のリードと、を備えたリードフレームを準備する工程；
（ｂ）前記（ａ）工程の後、複数のパッドが形成された主面を有する半導体チップを、前記チップ搭載部に搭載する工程；
（ｃ）前記（ｂ）工程の後、前記複数のパッドと前記複数のリードとを、複数のワイヤを介してそれぞれ電気的に接続する工程；
（ｄ）前記（ｃ）工程の後、前記複数のタブ吊りリードおよび前記複数のリードのそれぞれの一部が露出するように、前記半導体チップおよび前記複数のワイヤを封止用樹脂で封止し、封止部を形成する工程；
（ｅ）前記（ｄ）工程の後、切断用パンチによって、前記複数のタブ吊りリードのそれぞれを、前記リードフレームから切断する工程；
（ｆ）前記（ｅ）工程の後、切断用パンチによって、前記複数のリードのそれぞれを、前記リードフレームから切断する工程；
ここで、
前記封止部は、前記半導体チップおよび前記複数のワイヤを封止する本体封止部と、前記本体封止部と一体に形成され、前記複数のリードのうちの互いに隣り合うリード間、および前記複数のタブ吊りリードのそれぞれと前記複数のリードのうちの前記複数のタブ吊りリードのそれぞれに隣接する第１リードとの間を封止する周縁封止部とを有しており、
前記本体封止部の平面形状は、角部が面取りされた略四角形であり、
前記複数のタブ吊りリードのそれぞれは、前記チップ搭載部と繋がる一端部と、前記一端部とは反対側の他端部とを有し、
前記複数のタブ吊りリードは、平面視において前記チップ搭載部から前記封止部の前記角部に向かってそれぞれ延在しており、
前記複数のタブ吊りリードのそれぞれの前記他端部は、前記封止部の各角部に位置しており、
前記複数のタブ吊りリードのそれぞれの前記他端部の幅は、前記複数のタブ吊りリードのそれぞれの前記一端部の幅よりも太く形成され、
前記複数のタブ吊りリードのそれぞれの前記他端部における側面は、前記複数のリードのうち、前記側面に対向する隣の前記第１リードの第１側面と並ぶように形成されており、
前記（ｅ）工程では、平面視において前記切断用パンチの辺が前記タブ吊りリードの延在方向と交差するように、前記タブ吊りリードの前記他端部と、前記周縁封止部の一部とを前記切断用パンチによって切断する。
【請求項２】
請求項１記載の半導体装置の製造方法において、
前記複数のタブ吊りリードのそれぞれの前記他端部の前記幅は、前記複数のリードの幅よりも太く形成されていることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項３】
請求項２記載の半導体装置の製造方法において、
前記（ｅ）工程では、下型の受けダイと上型とによって前記リードフレームを挟持した状態で、前記上型に設けられた前記切断用パンチによって、前記複数のタブ吊りリードのそれぞれを切断することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体製造技術に関し、特に、リードフレームを用いて組み立てる半導体装置の歩留り向上に適用して有効な技術に関する。
【０００２】
【従来の技術】
以下に説明する技術は、本発明を研究、完成するに際し、本発明者によって検討されたものであり、その概要は次のとおりである。
【０００３】
小形化を図った半導体装置として、ＱＦＮ（Quad Flat Non-leaded Package) と呼ばれる半導体チップより若干大きい程度の小形半導体パッケージが開発されており、樹脂モールドによって形成された封止部の裏面の周縁部に外部端子となる複数のリードが露出して配置され、このような構造の半導体パッケージは、ペリフェラル形と呼ばれている。
【０００４】
ＱＦＮの組み立てでは、多数個取りのリードフレームを用いて、ダイボンディング、ワイヤボンディング、樹脂封止の各処理が行われ、その後、リード切断が行われて個片化される。
【０００５】
また、ＱＦＮでは、その封止部が、半導体チップを封止する本体封止部とこれの周縁部に一体で形成される周縁封止部とからなり、リード切断時には、本体封止部から突出するそれぞれのリードといっしょに周縁封止部も切断される。
【０００６】
なお、リードフレームを用いて組み立てるＱＦＮの構造については、例えば、特開平１０−１８９８３０号公報や、株式会社プレスジャーナル１９９８年７月２７日発行、「月刊Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ  Ｗｏｒｌｄ増刊号'9９半導体組立・検査技術」、５３〜５７頁に記載されている。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】
ところが、前記した技術のＱＦＮにおいて、本体封止部の周縁角部に周縁封止部（角部に配置されて両側の辺にまたがるような形状の樹脂部）が配置されると、切断用パンチによってリードを切断した際に、角部の周縁封止部は、その強度が弱いため、切断応力によって樹脂の小片が欠け落ちる（脱落する）。
【０００８】
これにより、レジン欠けによる不良（以降、レジン欠け不良という）が発生してＱＦＮの歩留りが低下することが問題となる。
【０００９】
また、レジン欠けによってレジン屑が発生して飛散し、テスト工程などでレジン屑による接続不良が起こり、その結果、製造工程での歩留り低下が問題となる。
【００１０】
本発明の目的は、歩留り向上を図る半導体装置を提供することにある。
【００１１】
本発明の前記ならびにその他の目的と新規な特徴は、本明細書の記述および添付図面から明らかになるであろう。
【００１２】
【課題を解決するための手段】
本願において開示される発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、以下のとおりである。
【００１３】
本発明は、以下の工程を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法：
（ａ）チップ搭載部と、前記チップ搭載部とそれぞれ一体に形成された複数のタブ吊りリードと、前記チップ搭載部の周囲に配置された複数のリードと、を備えたリードフレームを準備する工程；
（ｂ）前記（ａ）工程の後、複数のパッドが形成された主面を有する半導体チップを、前記チップ搭載部に搭載する工程；
（ｃ）前記（ｂ）工程の後、前記複数のパッドと前記複数のリードとを、複数のワイヤを介してそれぞれ電気的に接続する工程；
（ｄ）前記（ｃ）工程の後、前記複数のタブ吊りリードおよび前記複数のリードのそれぞれの一部が露出するように、前記半導体チップおよび前記複数のワイヤを封止用樹脂で封止し、封止部を形成する工程；
（ｅ）前記（ｄ）工程の後、切断用パンチによって、前記複数のタブ吊りリードのそれぞれを、前記リードフレームから切断する工程；
（ｆ）前記（ｅ）工程の後、切断用パンチによって、前記複数のリードのそれぞれを、前記リードフレームから切断する工程；
ここで、
前記封止部は、前記半導体チップおよび前記複数のワイヤを封止する本体封止部と、前記本体封止部と一体に形成され、前記複数のリードのうちの互いに隣り合うリード間、および前記複数のタブ吊りリードのそれぞれと前記複数のリードのうちの前記複数のタブ吊りリードのそれぞれに隣接する第１リードとの間を封止する周縁封止部とを有しており、
前記本体封止部の平面形状は、角部が面取りされた略四角形であり、
前記複数のタブ吊りリードのそれぞれは、前記チップ搭載部と繋がる一端部と、前記一端部とは反対側の他端部とを有し、
前記複数のタブ吊りリードは、平面視において前記チップ搭載部から前記封止部の前記角部に向かってそれぞれ延在しており、
前記複数のタブ吊りリードのそれぞれの前記他端部は、前記封止部の各角部に位置しており、
前記複数のタブ吊りリードのそれぞれの前記他端部の幅は、前記複数のタブ吊りリードのそれぞれの前記一端部の幅よりも太く形成され、
前記複数のタブ吊りリードのそれぞれの前記他端部における側面は、前記複数のリードのうち、前記側面に対向する隣の前記第１リードの第１側面と並ぶように形成されており、
前記（ｅ）工程では、平面視において前記切断用パンチの辺が前記タブ吊りリードの延在方向と交差するように、前記タブ吊りリードの前記他端部と、前記周縁封止部の一部とを前記切断用パンチによって切断する。
【００１５】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態を図面に基づいて詳細に説明する。なお、実施の形態を説明するための全図において、同一の機能を有する部材には同一の符号を付し、その繰り返しの説明は省略する。
【００１６】
図１および図２は本実施の形態のＱＦＮの構造を示す平面図および断面図、図３は図１に示すＱＦＮの組み立てに用いられるリードフレームの構造を示す部分平面図、図４は図１に示すＱＦＮの製造におけるモールド終了後の状態の一例を示す部分平面図、図５は図４のＢ−Ｂ線に対応した箇所でのリード切断状態の一例を示す部分断面図であり、（ａ）は切断前、（ｂ）は切断後、図６は図４のＣ−Ｃ線に対応した箇所でのリード切断状態を示す拡大部分断面図、図７は図１に示すＱＦＮの組み立て手順の一例を示す製造プロセスフロー図である。
【００１７】
図１、図２に示す本実施の形態の半導体装置は、図３に示すリードフレーム１を用いて組み立てるモールドタイプの小形半導体パッケージであり、さらに、封止部３の裏面３ａの周縁部に複数のリード１ａの被接続面１ｄを露出させて配置したペリフェラル形のものでもあり、前記半導体装置の一例として、ＱＦＮ５を取り上げて説明する。
【００１８】
したがって、ＱＦＮ５の各リード１ａは、封止部３に埋め込まれたインナリードと、封止部３の裏面３ａの周縁部に露出するアウタリードとの両者の機能を兼ねている。
【００１９】
図１、図２を用いて、ＱＦＮ５の詳細構成について説明すると、半導体チップ２が搭載されたチップ支持面１ｃを備えるタブ（チップ搭載部）１ｂと、半導体チップ２を樹脂封止する本体封止部３ｂとこれと一体で本体封止部３ｂの周縁部に形成された周縁封止部３ｃとからなる封止部３と、タブ１ｂの周囲に配置され、かつ封止部３の裏面３ａの周縁部に並んで被接続面１ｄを露出して配置された複数のリード１ａと、タブ１ｂを支持するとともに封止部３の裏面３ａの周縁部の４つの角部に露出して配置されたタブ吊りリード１ｅと、半導体チップ２の表面電極であるパッド２ａとこれに対応するリード１ａとを接続する導通部材であるボンディング用のワイヤ４とからなる。
【００２０】
なお、本実施の形態のＱＦＮ５は、図１に示すように、複数のリード１ａのうち、本体封止部３ｂの角部に突出して配置されたタブ吊りリード１ｅが幅広に形成され、かつ突出したタブ吊りリード１ｅの側面が、この側面に対向する隣のリード１ａの側面と平行になるように形成されている。
【００２１】
すなわち、ＱＦＮ５の４つの角部において、本体封止部３ｂから突出したタブ吊りリード１ｅが略扇形（外方に向かって広がった形状）に幅広に形成されているとともに、このタブ吊りリード１ｅの両側の側面が、それぞれの側面の隣のリード１ａの側面と平行になるように形成されている。
【００２２】
これにより、ＱＦＮ５の本体封止部３ｂの角部において、その両側の辺にまたがるようなコーナエッジ部に配置される樹脂の周縁封止部３ｃが形成されなくなるため、本体封止部３ｂの角部近傍に配置される周縁封止部３ｃの強度を高めることができる。
【００２３】
その結果、ＱＦＮ５の組み立てにおけるリード切断工程で、図５に示すような切断用パンチ７によってリード１ａおよびタブ吊りリード１ｅを切断した際のＱＦＮ５の角部での周縁封止部３ｃの小片の脱落を防止でき、レジン欠け不良の発生を低減できる。
【００２４】
したがって、ＱＦＮ５の歩留りの向上を図ることができる。
【００２５】
なお、本実施の形態のＱＦＮ５は、その封止部３が、半導体チップ２を樹脂封止する本体封止部３ｂと、これと一体でその周縁部に形成された周縁封止部３ｃとからなり、周縁封止部３ｃは、モールド時に、図４に示すように、本体封止部３ｂから突出した各リード１ａ間（リード１ａとタブ吊りリード１ｅの間も含む）に封止用樹脂（レジン）が入り込んで形成されたものである。
【００２６】
また、図２に示すように、半導体チップ２は、タブ１ｂのチップ支持面１ｃ上にダイボンド材（例えば、銀ペーストや樹脂ペーストなど）によって固定されている。
【００２７】
さらに、ＱＦＮ５の封止部３の裏面３ａの周縁部に並んで配置された外部端子であるリード１ａの被接続面１ｄには、厚さ１０μｍ程度の半田メッキ層１０が形成されている。
【００２８】
また、タブ１ｂ、タブ吊りリード１ｅおよび各リード１ａは、例えば、銅などの薄板材によって形成され、その厚さは、0.１５〜0.２ｍｍ程度である。
【００２９】
さらに、半導体チップ２のパッド２ａとこれに対応するリード１ａとを接続する導通部材であるワイヤ４は、例えば、金線などである。
【００３０】
また、封止部３は、モールド方法による樹脂封止によって形成され、その際用いられる封止用樹脂（レジン）は、例えば、熱硬化性のエポキシ樹脂などである。
【００３１】
次に、本実施の形態によるＱＦＮ５（半導体装置）の製造方法を図７に示す製造プロセスフロー図にしたがって説明する。
【００３２】
まず、図２に示す半導体チップ２を支持可能なチップ搭載部であるタブ１ｂと、タブ１ｂをその４方向の角部で支持するタブ吊りリード１ｅと、タブ１ｂの周囲に配置され、かつ樹脂封止された際に封止部３の裏面３ａの周縁部に露出する被接続面１ｄを備えた複数のリード１ａとからなり、複数のリード１ａやタブ吊りリード１ｅのうち、それぞれのリード列の角部に配置されたタブ吊りリード１ｅの根元部の側面が、この側面に対向する側面を有したリード１ａの前記側面と平行になるように形成された図３に示すリードフレーム１を準備する（ステップＳ１）。
【００３３】
すなわち、リードフレーム１において各リード列の角部に配置されたタブ吊りリード１ｅの根元部の両側の側面が、それぞれの側面の隣りのリード１ａの側面と平行になるように形成されている。
【００３４】
したがって、本実施の形態のリードフレーム１においては、４つのタブ吊りリード１ｅのそれぞれの根元部が、タブ吊りリード１ｅの本体部と比べて遥かに幅広に形成されている。
【００３５】
なお、図３に示すリードフレーム１において、点線部は、モールド後のモールドライン１ｈを示しており、さらに、１点鎖線部は、リード切断工程における切断ライン１ｊである。
【００３６】
また、リードフレーム１は、１枚のリードフレーム１から複数個のＱＦＮ５を組み立てることが可能な短冊状の細長い多連のものであり、さらに、１枚のリードフレーム１上でマトリクス配列で複数のＱＦＮ５を製造可能とするものである。
【００３７】
したがって、１枚のリードフレーム１には、１個のＱＦＮ５に対応したパッケージ領域であるデバイス領域がマトリクス配列で複数個形成され、さらに、各デバイス領域を区画する領域には、複数のスリット１ｇが設けられており、熱応力や機械的応力などの応力を緩和させている。
【００３８】
なお、リードフレーム１は、例えば、銅（Ｃｕ）などによって形成された薄板材であり、その厚さは、例えば、0.１５〜0.２ｍｍ程度であるが、前記材料や前記厚さなどは、これらに限定されるものではない。
【００３９】
その後、主面２ｂに半導体集積回路が形成された半導体チップ２を準備し、この半導体チップ２の裏面２ｃとリードフレーム１のタブ１ｂのチップ支持面１ｃとを接合するステップＳ２に示すダイボンディング（ペレットボンディングまたはチップマウントともいう）を行う。
【００４０】
すなわち、リードフレーム１のタブ１ｂのチップ支持面１ｃに半導体チップ２を搭載する。
【００４１】
その際、リードフレーム１のタブ１ｂにダイボンド材（例えば、銀ペーストや樹脂ペーストなど）を介して主面２ｂを上方に向けて半導体チップ２を固定する。
【００４２】
続いて、図２に示すように、半導体チップ２のパッド２ａとこれに対応するリード１ａのボンディング面１ｆとをボンディング用のワイヤ４によってワイヤボンディングして接続する（ステップＳ３）。
【００４３】
その後、ステップＳ４に示すモールド（ここでは、トランスファーモールド）によって半導体チップ２を樹脂封止してリードフレーム１のチップ支持面１ｃ側に封止部３を形成する。
【００４４】
その際、半導体チップ２を樹脂封止することによって本体封止部３ｂを形成するとともに、本体封止部３ｂに一体で、かつその周縁部に周縁封止部３ｃを形成する。
【００４５】
すなわち、モールド金型のキャビティから流出した封止用樹脂の流れをダムバー１ｉによって阻止する（塞き止める）ことにより、図４に示すように、モールドライン１ｈ（図３参照）となる本体封止部３ｂの外側に、ダムバー１ｉに密着した周縁封止部３ｃを形成する。
【００４６】
また、本体封止部３ｂの裏面３ａの周縁部には複数のリード１ａの被接続面１ｄを露出させて配置する。
【００４７】
なお、前記キャビティとＱＦＮ５とが１対１に対応した前記モールド金型を用いてモールドを行う。
【００４８】
これによって、リードフレーム１上に複数の封止部３がマトリクス配置で形成される。
【００４９】
その後、封止部３から突出する各リード１ａおよびタブ吊りリード１ｅをリードフレーム１から切断分離するステップＳ５に示すリード切断（個片化）を行う。
【００５０】
その際、図４に示す切断ライン１ｊにおいて、切断用パンチ７によって複数のリード１ａおよびタブ吊りリード１ｅをリードフレーム１から切断するが、切断時には、本体封止部３ｂの角部に突出して配置されたタブ吊りリード１ｅとこれに隣接するリード１ａとの間に周縁封止部３ｃの小片を残留させて、複数のリード１ａおよびタブ吊りリード１ｅを切断分離する。
【００５１】
なお、リード切断工程では、まず、角部の切断を行って、その後、辺の切断を行う。
【００５２】
ただし、その反対に、まず、辺の切断を行い、その後、角部の切断を行ってもよい。
【００５３】
ここで、図５は、本体封止部３ｂの角部でのタブ吊りリード１ｅの切断状態を示したものであり、図５（ａ) は、切断前、図５（ｂ) は、切断後である。
【００５４】
すなわち、図５（ａ),（ｂ）に示すように、下型８の受けダイ９と上型６とによってリードフレーム１を挟持した状態で、上型６に設けられた切断用パンチ７（角部の切断用パンチ７は、ピンチカットパンチともいう）によって、タブ吊りリード１ｅを切断する。
【００５５】
また、図６は、角部のタブ吊りリード１ｅにおける幅方向に対して、タブ吊りリード１ｅと切断用パンチ７と受けダイ９の大きさ関係を示したものであり、タブ吊りリード１ｅは、その根元部では幅広に形成されているため、切断後には、タブ吊りリード１ｅの本体封止部３ｂからの突出部の幅も図１に示すように幅広に形成される。
【００５６】
これにより、本実施の形態のＱＦＮ５では、その４つの角部において、本体封止部３ｂから突出したタブ吊りリード１ｅが略扇形に幅広に形成され、かつタブ吊りリード１ｅの根元部の両側の側面が、それぞれの側面の隣のリード１ａの側面と平行になるように形成されているため、本体封止部３ｂの４つの角部において、その両側の辺にまたがるようなコーナエッジ部に配置される樹脂の周縁封止部３ｃが形成されなくなる。
【００５７】
したがって、本体封止部３ｂの角部近傍に配置される周縁封止部３ｃの強度を高めることができる。
【００５８】
個片化によって、図１および図２に示すＱＦＮ５の完成となる（ステップＳ６）。
【００５９】
なお、本実施の形態のＱＦＮ５の組み立てに用いられるリードフレーム１は、エッチング加工によって形成されたものであっても、また、プレス加工によって形成されたものであってもいずれでもよい。
【００６０】
次に、図８に示す変形例について説明する。
【００６１】
図８に示す変形例は、本体封止部３ｂの一辺の端に配置される端部リード１ｋを本体封止部３ｂの角部に配置し、かつ、それぞれの端部リード１ｋの両側の側面が、それぞれの側面の隣のリード１ａの側面と平行になるように形成したものである。
【００６２】
言い換えると、本体封止部３ｂの角部付近に配置された３本のリード１ａのうち、中央のタブ吊りリード１ｅの両側の端部リード１ｋを、それぞれのリード両側の側面が、それぞれの側面の隣のリード１ａの側面と平行になるように形成したものである。
【００６３】
これにより、図１、図２に示すＱＦＮ５と同様に、本体封止部３ｂの角部において、その両側の辺にまたがるようなコーナエッジ部に配置される樹脂の周縁封止部３ｃが形成されなくなるため、本体封止部３ｂの角部近傍に配置される周縁封止部３ｃの強度を高めることができる。
【００６４】
なお、本体封止部３ｂの角部付近に配置される端部リード１ｋは、半導体チップ２との間で信号の伝達を行う信号リードであってもよく、また、信号の伝達を行わないダミーリードなどであってもよい。
【００６５】
本実施の形態のＱＦＮ５（半導体装置）およびその製造方法では、本体封止部３ｂの４つの角部に突出して配置されたリード１ａ（タブ吊りリード１ｅ、信号リードやダミーリードなどの端部リード１ｋを含む）の側面が、この側面に対向する側面を有した隣のリード１ａの前記側面と平行になるように形成されていることにより、角部の両側の辺にまたがるようなコーナエッジ部に配置される周縁封止部３ｃが形成されなくなるため、本体封止部３ｂの角部近傍に配置される周縁封止部３ｃの強度を高めることができる。
【００６６】
これにより、そのリード切断工程において、切断用パンチ７によってリード１ａを切断した際の角部での周縁封止部３ｃの小片の脱落を防止でき、レジン欠け不良の発生を低減できる。
【００６７】
その結果、ＱＦＮ５の歩留りの向上を図ることができる（ＱＦＮ５におけるレジン欠け不良の発生率を０.5％程度減らすことができる）。
【００６８】
さらに、レジン欠け不良の発生の低減により、レジン欠けポテンシャルを低減でき、その結果、レジン屑の飛散を低減できる。
【００６９】
これにより、レジン屑打痕による不良の発生や、テスト工程などでのレジン屑による接続不良の低減化を図ることができ、ＱＦＮ５の製造段階での歩留りの向上を図ることができる。
【００７０】
以上、本発明者によってなされた発明を発明の実施の形態に基づき具体的に説明したが、本発明は前記発明の実施の形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能であることは言うまでもない。
【００７１】
例えば、前記実施の形態では、本体封止部３ｂの４つ全ての角部において、そのリード１ａの側面が、隣のリード１ａの側面と平行になるように形成されている場合を説明したが、必ずしも４つ全ての角部のリード１ａに行わなくてもよい。
【００７２】
少なくとも、モールド時の樹脂ゲート箇所に対応した角部を除く他の角部に突出して配置されたリード１ａの側面が、この側面に対向する側面を有する隣のリード１ａの前記側面と平行になるように形成されていればよい。
【００７３】
なお、前記実施の形態では、本体封止部３ｂの角部においてそこに配置されるリード１ａの側面が、隣のリード１ａの側面と平行になるように形成されている場合を説明したが、必ずしも平行にならなくてもよく、本体封止部３ｂの角部において少なくとも辺と角部に跨がるような周縁封止部３ｃが形成されていない構造であればよい。
【００７４】
また、前記実施の形態では、リードフレーム１を用いて製造される半導体装置がＱＦＮ５の場合について説明したが、前記半導体装置は、樹脂モールド後にリード切断が行われて組み立てられるものであれば、ＱＦＮ５以外の他の半導体装置であってもよい。
【００７５】
【発明の効果】
本願において開示される発明のうち、代表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、以下のとおりである。
【００７６】
本体封止部の角部に突出して配置されたリードの側面が、この側面に対向するリードの側面と平行になるように形成されていることにより、角部近傍の周縁封止部の強度を高めることができ、半導体装置の歩留りの向上を図ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施の形態の半導体装置の一例であるＱＦＮの構造を示す平面図である。
【図２】図１に示すＱＦＮのＡ−Ａ線に沿った断面の構造を示す断面図である。
【図３】図１に示すＱＦＮの組み立てに用いられるリードフレームの構造を示す部分平面図である。
【図４】図１に示すＱＦＮの製造におけるモールド終了後の状態の一例を示す部分平面図である。
【図５】（ａ),（ｂ) は図１に示すＱＦＮの製造において図４のＢ−Ｂ線に対応した箇所でのリード切断状態の一例を示す部分断面図であり、（ａ）は切断前、（ｂ）は切断後である。
【図６】図４に示すＣ−Ｃ線に対応した箇所でのリード切断状態の一例を示す拡大部分断面図である。
【図７】図１に示すＱＦＮの製造における組み立て手順の一例を示す製造プロセスフロー図である。
【図８】本発明の実施の形態の変形例の半導体装置の構造を示す平面図である。
【符号の説明】
１  リードフレーム
１ａ  リード
１ｂ  タブ（チップ搭載部）
１ｃ  チップ支持面
１ｄ  被接続面
１ｅ  タブ吊りリード
１ｆ  ボンディング面
１ｇ  スリット
１ｈ  モールドライン
１ｉ  ダムバー
１ｊ  切断ライン
１ｋ  端部リード
２  半導体チップ
２ａ  パッド（表面電極）
２ｂ  主面
２ｃ  裏面
３  封止部
３ａ  裏面（半導体装置実装側の面）
３ｂ  本体封止部
３ｃ  周縁封止部
４  ワイヤ（導通部材）
５  ＱＦＮ（半導体装置）
６  上型
７  切断用パンチ
８  下型
９  受けダイ
１０  半田メッキ層
【図１】
0004651218.tif 000002
【図２】
0004651218.tif 000003
【図３】
0004651218.tif 000004
【図４】
0004651218.tif 000005
【図５】
0004651218.tif 000006
【図６】
0004651218.tif 000007
【図７】
0004651218.tif 000008
【図８】
0004651218.tif 000009