(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
非プロトン性極性溶媒中、４級アンモニウム塩水溶液共存下、インジウムメタルにより、芳香族ジニトロ化合物を還元して下記一般式［７］、下記一般式［８］又は下記一般式［９］で表される芳香族ジアミンを製造することを特徴とする芳香族ジアミンの製造方法。
【化１】
0004635162.tif 000019
（式中、Ｒ１は、−ＣＨ２−Ｏ−ＣＯ−Ｄ、−ＣＨ２−ＯＣＨ２−Ｄ、−ＣＯ−Ｏ−ＣＨ２−Ｄ又は−ＣＯＮＨ−ＣＨ２−Ｄであり、Ｄは、置換基を有していないフリル基、チエニル基、ピロリル基又はフェニル基である。）
【化２】
0004635162.tif 000020
（式中、Ｒ１は、−ＣＨ２−Ｏ−ＣＯ−Ｄ、−ＣＨ２−ＯＣＨ２−Ｄ、−ＣＯ−Ｏ−ＣＨ２−Ｄ又は−ＣＯＮＨ−ＣＨ２−Ｄであり、Ｄは、置換基を有していないフリル基、チエニル基、ピロリル基又はフェニル基である。）
【化３】
0004635162.tif 000021
（ただし、式中、Ｒ５及びＲ９は、−Ｏ−ＣＨ２−Ｄ、−Ｏ−ＣＯ−Ｄ又は−ＮＨＣＯ−Ｄであり、Ｄは、置換基を有していないフリル基、チエニル基又はピロリル基であり、Ｙは酸素若しくは硫黄又は−Ｃ（ＣＦ３）２−であり、ｎ１は０又は１である。）
【請求項２】
非プロトン性極性溶媒中、４級アンモニウム塩水溶液共存下、インジウムメタルにより、少なくとも２つのニトロ基を有する芳香族ジニトロ化合物を還元して２つのアミノ基を有する下記式で表される芳香族ジアミンを製造することを特徴とする芳香族ジアミンの製造方法。
【化４】
0004635162.tif 000022
【請求項３】
還元反応を５５℃以下で行い、芳香族ジニトロ化合物の消失を確認した後、６０℃以上で還元反応を完結させることを特徴とする請求項１または２に記載の製造方法。
【請求項４】
下記一般式［７］で表される芳香族ジアミン化合物。
【化５】
0004635162.tif 000023
（式中、Ｒ１は、−ＣＨ２−Ｏ−ＣＯ−Ｄ、−ＣＨ２−ＯＣＨ２−Ｄ、−ＣＯ−Ｏ−ＣＨ２−Ｄ又は−ＣＯＮＨ−ＣＨ２−Ｄであり、Ｄは、置換基を有していないフリル基、チエニル基、ピロリル基又はフェニル基である。）
【請求項５】
下記式で表される芳香族ジアミン化合物。
【化６】
0004635162.tif 000024
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、芳香族ポリアミンの製造方法に関する。さらに詳しくは、医薬品や感光性ポリマー合成などの中間体として重要な少なくとも１つのシスー共役ジエニル基を有する芳香族ポリアミンの製造方法に関する。さらに本発明は、医薬品や感光性ポリマー合成などの中間体として芳香族ジアミン化合物に関する。
【０００２】
【従来の技術】
芳香族アミノ化合物の製造法としては白金、ニッケル、パラジウムなどの貴金属触媒を用いた接触還元、亜鉛、鉄、スズ、塩化スズなどによる還元、硫化ナトリウム、硫化アンモニウムなど硫化物による還元などがよく用いられている。しかし、これらの製造方法は多くの欠点や問題点があり適用範囲が極めて狭い。すなわち、欠点とは、
１）アゾベンゼン誘導体など副生成物ができ易く低収率である。
２）還元反応後に生成してくる硫黄などの分離が困難で後処理が煩雑。
３）ハロゲン原子、カルボニル基、ニトリル基などの官能基が共存すると該官能基が反応したり脱離したりしてニトロ基を選択的に還元することが困難。
【０００３】
従って、少なくとも２つ以上のニトロ基を有する芳香族ポリニトロ化合物にこれらの還元法を適用して、少なくとも２つ以上のアミノ基を有する芳香族ポリアミノ化合物が製造できるのは極く単純な芳香族ポリニトロ化合物に限定され、エステル基、アルケニル基、ジエニル基などの官能基が共存する芳香族ポリニトロ化合物への適用はほとんど不可能に近い状況であった。
【０００４】
最近、ハロゲン原子、カルボニル基、ニトリル基などの官能基が共存する芳香族モノニトロ化合物を温和な条件でニトロ基のみを選択的に還元する方法が開発されている。例えば、
１）塩化第二鉄触媒共存下、Ｎ，Ｎ−ジメチルヒドラジンによる４−ニトロ安息香酸メチルなどの４−アミノ安息香酸メチルへの還元。
S. R. Boothroyd and M. A. Kerr, Tetrahedron Lett., 36, 2411(1995).
２）酸化鉄−酸化マグネシウム触媒共存下、ヒドラジンによる４−クロルニトロベンゼンなどの４−クロルアニリンへの還元。
P. S. Kumbhar, J. Sanchez-Valente, and F. Figueras, Tetrahedron Lett., 39, 2573-2574(1998).
３）ジエチルクロロホスファイト／３級アミンによる４−ニトロベンズアルデヒドなどの４−アミノベンズアルデヒドへの還元。
B. Fischer and L. Sheihet, J. Org. Chem., 63, 393-395(1998).
さらには、
４）塩化アンモニウム飽和水溶液を含むエチルアルコール中、インジウム金属粉末による、ハロゲン原子、カルボキシル基、カルボン酸エステル、ニトリル基などが共存するニトロベンゼン誘導体のアニリン誘導体への還元。
C. D. Moody and M. R. Pitts, Synlett., 1028(1998).
【０００５】
しかし、これらの還元法の芳香族ジニトロ化合物への適用は報告されておらず、エステル基、アルケニル基、ジエニル基などの官能基が共存する芳香族ポリニトロ化合物へ適用できる還元法の出現が強く求められている。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
本発明は、医薬品や感光性ポリマー合成などの中間体である芳香族ポリアミン、特に、少なくとも１つのシスー共役ジエニル基またはフェニル基を有する芳香族ジアミンを、相当する芳香族ポリニトロ化合物、特に芳香族ジニトロ化合物から、温和な条件の還元反応により高収率で製造する方法を提供することを目的とする。
さらに本発明の目的は、医薬品や感光性ポリマー合成などの中間体である新規芳香族ジアミン化合物を提供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
本発明者らは、上記の課題を解決すべく鋭意研究を重ねた結果、芳香族ジニトロ化合物を非プロトン性極性溶媒中、４級アンモニウム塩水溶液共存下、インジウムメタルにより還元することにより、温和な条件下で、従来の合成法と比べて、極めて高収率で芳香族ジアミン等の芳香族ポリアミンが得られることを見出し、この知見に基づいて本発明を完成するに至った。
【０００８】
すなわち、本発明は、非プロトン性極性溶媒中、４級アンモニウム塩水溶液共存下インジウムメタルにより、少なくとも２つのニトロ基を有する芳香族ポリニトロ化合物を還元して少なくとも２つのアミノ基を有する芳香族ポリアミンを製造することを特徴とする芳香族ポリアミンの製造方法に関する。
【０００９】
上記製造方法において、芳香族ポリアミンは、少なくとも１つのシスー共役ジエニル基を有するものであることができる。
【００１０】
さらに、上記製造方法において、芳香族ポリアミンは一般式［１］又は一般式［２］で表される芳香族ジアミンであることができる。
【００１１】
【化４】
0004635162.tif 000002
（式中、Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3及びＲ4の少なくとも１つはシスー共役ジエニル基又はフェニル基を含む１価の有機基であり、残余は、それぞれ独立に水素、炭素数１〜２０のアルキル基又は炭素数１〜２０のアルコキシル基であり、Ｘ1及びＸ2はそれぞれ独立に酸素若しくは硫黄、又は炭素数１〜４の置換基を有していてもよいアルキレン基、アルキリデン基若しくはアルキレンオキシ基であり、Ａｒ1及びＡｒ2はそれぞれ独立に２価の芳香族基であり、ｌ1、ｌ2、ｍ1及びｍ2はそれぞれ独立に０又は１である。ただし、ｌ1及び／又はｌ2が１のとき，ｍ1及び／又はｍ2も１である。）
【００１２】
【化５】
0004635162.tif 000003
（式中、Ｒ5、Ｒ6、Ｒ7、Ｒ8、Ｒ9、Ｒ10、Ｒ11及びＲ12の少なくとも１つはシスー共役ジエニル基を含む１価の有機基であり、残余は、それぞれ独立に水素、炭素数１〜２０のアルキル基又は炭素数１〜２０のアルコキシル基であり、Ｙは酸素若しくは硫黄、又は炭素数１〜４の置換基を有していてもよいアルキレン基、アルキリデン基若しくはアルキレンオキシ基であり、ｎ1は０又は１である。）
【００１３】
上記製造方法においてシスー共役ジエニル基は、フリル基、チエニル基又はピロリル基であることができる。
【００１４】
また、上記製造方法は、還元反応を５５℃以下で行い、芳香族ポリニトロ化合物の消失を確認した後、６０℃以上で還元反応を完結させることができる。
【００１５】
さらに本発明は下記一般式［３］で表される芳香族ジアミン化合物に関する。
【化６】
0004635162.tif 000004
（式中、Ｒ13、Ｒ14、Ｒ15及びＲ16のいずれか１つは、シスー共役ジエニル基またはフェニル基を含む１価の有機基であり、残余は水素であり、−Ｐｈ−はフェニレン基である。）
【００１６】
【発明の実施の形態】
本発明の製造方法は、原料として少なくとも２つのニトロ基を有する芳香族ポリニトロ化合物を用いる。少なくとも２つのニトロ基を有する芳香族ポリニトロ化合物としては、例えば、一般式［４］又は一般式［５］で表される芳香族ポリニトロ化合物を挙げることができる。
【化７】
0004635162.tif 000005
一般式［４］中の、Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3、Ｒ4、Ｘ1、Ｘ2、Ａｒ1、Ａｒ2、ｌ1、ｌ2、ｍ1及びｍ2は一般式［１］中の各記号と同義である。また、一般式［５］中の、Ｒ5、Ｒ6、Ｒ7、Ｒ8、Ｒ9、Ｒ10、Ｒ11、Ｒ12、Ｙ及びｎ1は一般式［２］中の各記号と同義である。
【００１７】
上記芳香族ポリニトロ化合物は、例えば、以下の方法により合成することができる。
（１）市販の3,5−ジニトロベンゾイルクロリドなどのポリニトロ置換ベンゾイルクロリドとフルフリルアルコールなどのシス−共役ジエニル基を含むアルコールとのエステル化反応。
（２）市販の3,5−ジニトロベンジルアルコールなどのポリニトロアレーン構造を有するアルコールと2-フロイルクロリドなどのシス−共役ジエニル基を含む酸クロリドとのエステル化反応。
（３）市販の3,5−ジヒドロキシベンジルアルコールなどのポリヒドロキシベンジルアルコール誘導体と4-フルオロニトロベンゼンなどのハロゲン置換ニトロベンゼンとのエーテル化反応の後、残存するアルコールの上記(2)のエステル化反応による共役ジエニル基の導入。
【００１８】
本発明の製造方法においては、芳香族ポリアミンは、少なくとも１つのシスー共役ジエニル基を有するものであることができる。シスー共役ジエニル基を有する芳香族ポリニトロ化合物は、一般に、シスー共役ジエニル基を還元することなしにニトロ基のみを選択的に還元することが難しい。しかるに、本発明の製造方法であれば、シスー共役ジエニル基を有する芳香族ポリニトロ化合物であっても、シスー共役ジエニル基を還元することなしにニトロ基のみを選択的に還元することができる。
【００１９】
シスー共役ジエニル基としては、フリル基、チエニル基、ピロリル基、ピラニル基、イソベンゾフラニル基、インドリジニル基、キノリジニル基等を挙げることができ、中でも、フリル基、チエニル基またはピロリル基であることが好ましい。
【００２０】
さらに、本発明の製造方法において、芳香族ポリアミンは上記一般式［１］又は一般式［２］で表される芳香族ジアミンであることができる。
一般式［１］中、Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3及びＲ4の少なくとも１つはシスー共役ジエニル基を含む１価の有機基であり、残余は、それぞれ独立に水素、炭素数１〜２０のアルキル基又は炭素数１〜２０のアルコキシル基である。また、一般式［２］中、Ｒ5、Ｒ6、Ｒ7、Ｒ8、Ｒ9、Ｒ10、Ｒ11及びＲ12の少なくとも１つはシスー共役ジエニル基を含む１価の有機基であり、残余は、それぞれ独立に水素、炭素数１〜２０のアルキル基又は炭素数１〜２０のアルコキシル基である。
一般式［１］及び一般式［２］において、シスー共役ジエニル基を含む１価の有機基としては、例えば、−ＣＨ2Ｏ−ＣＯ−Ｄ、−Ｏ−ＣＯ−Ｄ、−ＣＯ−Ｏ−ＣＨ2−Ｄ、−ＣＨ2Ｏ−ＣＨ2−Ｄ、−Ｏ−ＣＨ2−Ｄ、−ＮＨ−ＣＯ−Ｄ、−ＣＯ−ＮＨ−ＣＨ2−Ｄ等を挙げることができる。但し、Ｄはシスー共役ジエニル基を表す。
炭素数１〜２０のアルキル基としては、例えば、メチル基、エチル基、イソプロピル基、ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、デシル基、ラウリル基、等を挙げることができる。これらの中でも、メチル基、エチル基、イソプロピル基、ブチル基、ペンチル基等であることが好ましい。
炭素数１〜２０のアルコキシル基としては、例えば、メトキシ基、エトキシ基、イソプロピルオキシ基、ブトキシ基、ペンチルオキシ基、ヘキシルオキシ基、ラウリルオキシ基等を挙げることができる。これらの中でも、メトキシ基、エトキシ基、イソプロピルオキシ基、ブトキシ基、ペンチルオキシ基等であることが好ましい。
【００２１】
一般式［１］中、Ｘ1及びＸ2はそれぞれ独立に酸素若しくは硫黄、又は炭素数１〜４の置換基を有していてもよいアルキレン基、アルキリデン基若しくはアルキレンオキシ基である。一般式［２］中、Ｙは酸素又は硫黄であるか、炭素数１〜４の置換基を有していてもよいアルキレン基、アルキリデン基又はアルキレンオキシ基である。炭素数１〜４の置換基を有していてもよいアルキレン基、アルキリデン基又はアルキレンオキシ基としては、例えば、メチレン基、エチレン基、プロピレン基、イソプロピリデン基、ブチレン基、1,1,1,3,3,3-ヘキサフルオロイソプロピリデン基、メチレンオキシ基、エチレンオキシ基、プロピレンオキシ基、ブチレンオキシ基等を挙げることができる。
【００２２】
一般式［１］中、Ａｒ1及びＡｒ2はそれぞれ独立に２価の芳香族基であり、２価の芳香族基としては、例えば、フェニレン基(1,4-又は1,3-)、ナフチレン基(1,4-)等を挙げることができる。
一般式［１］中、ｌ1、ｌ2、ｍ1及びｍ2はそれぞれ独立に０又は１である。ただし、ｌ1及び／又はｌ2が１のとき，ｍ1及び／又はｍ2も１である。ｌ1、ｌ2、ｍ1及びｍ2は、好ましくはｌ1＝ｌ2＝ｍ1＝ｍ2＝１またはｌ1＝ｌ2＝ｍ1＝ｍ2＝０である。
一般式［２］中、ｎ1は０又は１である。
【００２３】
一般式［１］又は一般式［２］で表される芳香族ジアミンの具体例を以下に示す。
【化８】
0004635162.tif 000006
【化９】
0004635162.tif 000007
【化１０】
0004635162.tif 000008
【００２４】
本発明に用いられる非プロトン性極性溶媒としては、例えば、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド（ＤＭＦ）、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、Ｎ−メチル−２−ピロリドン、γ−ブチロラクトン、ジメチルスルホキシドなどを挙げることができ、これらを単独又は混合して用いることができる。非プロトン性極性溶媒としては、ＤＭＦが好ましい。
本発明に用いられる４級アンモニウム塩としては、塩化アンモニウム、臭化アンモニウム、よう化アンモニウム、硫酸アンモニウム、硝酸アンモニウム、テトラメチルアンモニウムクロリド、テトラメチルアンモニウムブロミド、テトラエチルアンモニウムクロリド、テトラエチルアンモニウムブロミドなどを挙げることができ、これらを単独又は混合して用いることができる。４級アンモニウム塩としては、塩化アンモニウムが好ましい。
４級アンモニウム塩水溶液の量は、インジウムメタル１ｇ当り、４級アンモニウム塩飽和水溶液として１〜１０ml、より好ましくは、２〜５mlとすることが適当である。
【００２５】
本発明の方法では、インジウムメタルにより芳香族ポリニトロ化合物を還元する。インジウムメタル量の量は、芳香族ポリニトロ化合物１ｇ当り、０．６〜２０ｇ、好ましくは１．５〜１０ｇ、より好ましくは３〜６ｇとすることが適当である。
還元温度は、室温〜８５℃、好ましくは４０〜７５℃、より好ましくは４５〜５５℃とすることが適当である。４０℃以上とすることで還元反応の速度が速くなり比較的短時間に反応を終了させることができ、７５℃以下であれば副反応も起こりにくく、高い収量で芳香族ポリアミン化合物を得ることができる。還元反応は、芳香族ポリニトロ化合物が反応して消失したことを確認後、６０〜７０℃にて反応を完結させるのが良い。芳香族ポリニトロ化合物の消失は、例えば、薄層クロマトグラフィー（ＴＬＣ）により確認することができる。なお、生成した芳香族ポリアミン化合物の酸化や着色を防ぐため、上記還元反応は、不活性ガス、例えば、アルゴンガスあるいは窒素ガス、雰囲気下で行うことが望ましい。
【００２６】
本発明は、下記一般式［３］で表される新規芳香族ジアミン化合物を包含する。
【化１１】
0004635162.tif 000009
式中、Ｒ13、Ｒ14、Ｒ15及びＲ16のいずれか１つは、シスー共役ジエニル基またはフェニル基を含む１価の有機基であり、シスー共役ジエニル基またはフェニル基を含む１価の有機基は、例えば、−ＣＨ2Ｏ−ＣＯ−Ｄまたは−ＣＨ2Ｏ−ＣＨ2−Ｄである（但し、Ｄはシスー共役ジエニル基またはフェニル基を表す）。さらに、シスー共役ジエニル基は、フリル基、チエニル基又はピロリル基であることが好ましい。
本発明の新規芳香族ジアミン化合物の具体例は、前記1-(9)〜1-(16)で表される化合物である。特に、実施例３、４及び６で合成された化合物が好ましい。
【００２７】
本発明の新規芳香族ジアミン化合物は、下記一般式[６]に示す芳香族ジニトロ化合物を原料として前記本発明の芳香族ポリアミンの製造方法を用いて製造することができる。
【００２８】
【化１２】
0004635162.tif 000010
式中、Ｒ13、Ｒ14、Ｒ15及びＲ16は、一般式［３］と同義である。
一般式［６］で表されるジニトロ化合物は、前記一般式［４］で示される芳香族ポリニトロ化合物と同様の方法で、市販または公知の化合物を原料として合成することができる。
【００２９】
【実施例】
以下、実施例により本発明を具体的に説明するが、本発明はこれら実施例のみに限定されるものではない。
下記の表に実施例で得られた芳香族ポリアミンの構造式と収率を示す。
【００３０】
【表１】
0004635162.tif 000011
【００３１】
実施例１：３，５−ジアミノベンジル−２−フロエートの製造
３，５−ジニトロベンジル−２−フロエートの製造：攪拌機、水冷式還流冷却管、温度計及び滴下ロートを備えた５００mlセパラブルフラスコ中で、３，５−ジニトロベンジルアルコール３７．０ｇをピリジン１００mlに溶解した。０〜５℃に冷却しながら、２−フロイルクロリド５３．１ｇを滴下した。滴下終了後、反応液を室温に戻し、２時間攪拌した。４００mlの水を加え、析出した固体をろ過した。得られた個体をエチルアルコール／水（８０／２０、容積比）から再結晶し、３，５−ジニトロベンジル−２−フロエート４７ｇを得た。収率８６％。融点１１６．０〜１１７．７℃。
【００３２】
３，５−ジアミノベンジル−２−フロエートの製造：攪拌機、水冷式還流冷却管、温度計及び窒素ガス導入管を備えた１リットルのセパラブルフラスコ中で、３，５−ジニトロベンジル−２−フロエート２３．６ｇを３００mlのＮ，Ｎ−ジメチルホルムアミド（ＤＭＦ）に溶解した。この溶液にインジウム金属粉末１３０ｇを分散し、窒素気流下、１９５mlの塩化アンモニウム飽和水溶液を加え５２℃で４時間還元反応を行った。反応は薄層クロマトグラフィー（ＴＬＣ）で追跡した。反応終了後、反応液に酢酸エチル８００ml及び水４００mlを加え、固体をろ別した。ろ液を分液し、酢酸エチル層を２００mlの水及び１５０mlの飽和食塩水で洗浄した後、硫酸マグネシウムで乾燥した。減圧下、酢酸エチルを留去し、３，５−ジアミノベンジル−２−フロエートの粗結晶１５．０３ｇを得た。収率８０％。イソプロピルアルコールから再結晶し、融点１１９．０〜１２１.１℃の淡黄色プリズム状結晶を得た。
【００３３】
IR(KBr disc): 3419, 3349, 3218,3142,1707, 1600, 1476, 1353, 1209, 1174, 1122, 1077, 947, 771 and 754 cm-1
1HNMR(500MHz, CDCl3): δ 3.61(bs, NH2), 5,16(s, 2H), 6.00(t, J=1.66Hz, 1H), 6.18(d, J=1.66Hz, 2H), 6.50(dd, J=3.32, 1.66Hz, 1H), 7.21(dd J= 3.32, 0.66Hz, 1H), 7.58(dd, J=1.66, 0.66Hz, 1H)
13CNMR(500MHz, CDCl3): δ 66.6, 101.6, 105.7, 111.8, 118.1, 137.9, 144.7, 146.3, 147.7, 158.6
MS: 232(M+)
0004635162.tif 000012
【００３４】
実施例２：３，５−ジアミノ安息香酸フルフリルエステルの製造
３，５−ジニトロ安息香酸フルフリルエステルの製造：攪拌機、水冷式還流冷却管、温度計及び滴下ロートを備えた１リットルのセパラブルフラスコ中で、フルフリルアルコール２９．４ｇをＤＭＦ２００ml及びピリジン８０mlに溶解した。１５〜１７℃に冷却しながら、２５０mlのＤＭＦに３，５−ジニトロベンゾイルクロリド６９．１５ｇを溶解した溶液を滴下した。滴下終了後、反応液を室温に戻し、３時間半攪拌した。１．５規定塩酸８００mlを加え析出した固体をろ過した。得られた個体を少量の冷メタノールで洗浄後、減圧乾燥して８２．０２ｇの３，５−ジニトロ安息香酸フルフリルエステルを得た。収率９４％。
【００３５】
３，５−ジアミノ安息香酸フルフリルエステルの製造：攪拌機、水冷式還流冷却管、温度計及び窒素ガス導入管を備えた２リットルのセパラブルフラスコ中で、３，５−ジニトロ安息香酸フルフリルエステル４３．８ｇを５００mlのＤＭＦに溶解した。この溶液にインジウム金属粉末２００ｇを分散し、窒素気流下、３００mlの塩化アンモニウム飽和水溶液を加え５２〜５３℃で２時間還元反応を行ない、ＴＬＣで３，５−ジニトロ安息香酸フルフリルエステルが完全に反応したことを確認した後、さらに、６２〜６３℃で１時間反応を続けた。反応終了後、実施例１と同様の後処理を行い、３，５−ジアミノ安息香酸フルフリルエステルの粗結晶３１．４ｇを得た。収率９０％。イソプロピルアルコールから再結晶し、融点１３２．６〜１３４．３℃の淡黄色針状結晶を得た。
【００３６】
IR(KBr disc): 3431, 3332, 3212, 3117(w), 3061(w), 2955(w), 1713(s), 1628, 1501, 1465, 1379, 1351, 1293, 1228(s), 1198, 1152, 1097, 1015, 981, 918, 861, 822(w), 769 cm-1
1HNMR(500MHz, CDCl3): δ 3.66(s, NH2), 5,25(s, 2H), 6.17(t, J=1.98Hz, 1H), 6.37(dd, J=3.30, 1.98Hz, 1H), 6.46(d, J=3.30Hz, 1H), 6.78(d, J= 1.98Hz, 2H), 7.44(dd, J=1.98, 0.66Hz, 1H)
13CNMR(500MHz, CDCl3): δ 58.4, 105.7, 107.0, 110.5, 110.6, 131.7, 143.2, 147.4, 149.6, 166.4(-CO-O)
0004635162.tif 000013
【００３７】
実施例３：３，５−ビス（４−アミノフェノキシ）ベンジル−２−フロエートの製造
３，５−ビス（４−ニトロフェノキシ）ベンジルアルコールの製造：攪拌機、水冷式還流冷却管、温度計及び滴下ロートを備えた５００mlのセパラブルフラスコに、３，５−ジヒロキシベンジルアルコール２８ｇ，炭酸カリウム６０．７２ｇ及びＮ，Ｎ−ジメチルアセタミド３００mlを加え、８３〜８４℃に加熱し、４−フルオロニトロベンゼン５６．４ｇを５時間かけて滴下した。滴下終了後、さらに４時間半８５℃で攪拌し反応を完結させた。反応終了後、析出した固体をろ別し、酢酸エチルでよく洗浄した。ろ液と酢酸エチル洗浄液とを合わせ、減圧蒸留により酢酸エチル及び大部分のＮ，Ｎ−ジメチルアセタミドを留去して粘調な油状液体を得た。油状液体に酢酸エチル５００mlを加え飽和食塩水１００mlで３回洗浄した後、硫酸ナトリウムで乾燥した。減圧下、酢酸エチルを留去して粗生成物７７．４５ｇの固体を得た。固体にメタノール７５０mlを加え５時間還流した後、メタノールに不溶な固体をろ別した。ろ液からメタノールを減圧下に留去して３，５−ビス（４−ニトロフェノキシ）ベンジルアルコール５４．５４ｇを得た。収率７１％。融点１３７〜１４０℃。
３，５−ビス（４−ニトロフェノキシ）ベンジル−２−フロエートの製造：攪拌機、水冷式還流冷却管、温度計及び滴下ロートを備えた１リットルのセパラブルフラスコ中で、３，５−ビス（４−ニトロフェノキシ）ベンジルアルコール３８．２ｇをＤＭＦ３３０ml及びピリジン１００mlに溶解した。１１〜１２℃に冷却しながら、２−フロイルクロリド１５．６６ｇを滴下した。滴下終了後、反応液を室温に戻し、４時間攪拌した。実施例２の３，５−ジニトロ安息香酸フルフリルエステルの製造の時と同様の後処理を行い、３，５−ビス（４−ニトロフェノキシ）ベンジル−２−フロエート４６．８５ｇを得た。収率９８％。融点１２１〜１２４℃
【００３８】
３，５−ビス（４−アミノフェノキシ）ベンジル−２−フロエートの製造：攪拌機、水冷式還流冷却管、温度計及び窒素ガス導入管を備えた１リットルのセパラブルフラスコ中で、３，５−ビス（４−ニトロフェノキシ）ベンジル−２−フロエート４６．８５ｇを３００mlのＤＭＦに溶解した。この溶液にインジウム金属粉末１３６ｇを分散し、窒素気流下、２０４mlの塩化アンモニウム飽和水溶液を加え５０〜５１℃で１２時間還元反応を行ない、ＴＬＣで３，５−ビス（４−ニトロフェノキシ）ベンジル−２−フロエートが完全に反応したことを確認した後、さらに、６８〜７０℃で１時間半反応を続けた。反応終了後、実施例１と同様の後処理を行い、４１．０ｇの油状粗生成物を得た。油状粗生成物をカラムクロマトグラフィーにより精製し、３，５−ビス（４−アミノフェノキシ）ベンジル−２−フロエート３１．９５ｇを得た。収率８０％。イソプロピルアルコールから再結晶し、融点１１７〜１２１℃の淡黄色プリズム状結晶を得た。
【００３９】
IR(KBr disc): 3417, 3332, 3231, 1719, 1613, 1592, 1507, 1475, 1453, 1400, 1305, 1213, 1122, 1008, 965, 838 and 763 cm-1
1HNMR(500MHz, CDCl3): δ 3.59(bs, -NH2), 5.18(s, 2H), 6.49(t, J=2.37Hz, 1H), 6.50(dd, J=3.72, 1.69Hz, 1H), 6.61(d, J=2.37Hz, 2H), 6.66 & 6.86(ABq, J=8.79Hz, 4H,4H), 7.16(dd, J=3.72, 1.01Hz, 1H), 7.57(dd, J=1.69, 1.01Hz, 1H)
13CNMR(500MHz, CDCl3): δ 65.9, 105.9, 111.8, 116.2, 118.2, 121.5, 138.1, 143.0, 144.4, 146.5, 147.9, 158.3, 160.3
MS: 416(M+)
0004635162.tif 000014
【００４０】
実施例４：３，５−ビス（４−アミノフェノキシ）ベンジルフルフリルエーテルの製造
３，５−ビス（４−ニトロフェノキシ）ベンジルヨージドの製造：攪拌機、水冷式還流冷却管及び滴下ロートを備えた１リットルのセパラブルフラスコ中に、実施例３で製造した３，５−ビス（４−ニトロフェノキシ）ベンジルアルコール５１．３４ｇ、テトラエチルアンモニウムヨージド６８．８５ｇ及びクロロホルム４００mlを加えた。この混合液を攪拌しながら室温下、三弗化ほう素ジエチルエーテル錯体２８．５２ｇを滴下した。滴下後、6時間半還流した。反応液を室温に冷却し、炭酸水素ナトリウムの飽和水溶液１８０mlを加え、クロロホルム層を分液した。クロロホルム層を１０％チオ硫酸ナトリウム水溶液２００mlで２回、飽和食塩水２００mlで２回洗浄した後、硫酸ナトリウムで乾燥した。クロロホルムを減圧下で留去し、粗生成物５９．６８ｇの固体を得た。粗生成物をシリカゲルカラムクロマトグラフィーにより精製し、３，５−ビス（４−ニトロフェノキシ）ベンジルヨージド４３．３３ｇの薄黄色結晶を得た。収率６６％。融点１５９．５〜１６２．５℃
【００４１】
３，５−ビス（４−ニトロフェノキシ）ベンジルフルフリルエーテルの製造：攪拌機、水冷式還流冷却管及び温度計を備えた１リットルのセパラブルフラスコ中に、３，５−ビス（４−ニトロフェノキシ）ベンジルヨージド４３．３３ｇ、フルフリルアルコール８．６２ｇ及び使用直前に蒸留したテトラヒドロフラン４００mlを加えた。この混合液に水素化ナトリウム２．３３ｇの粉末を２０℃に保ちながら加えていった。反応液を室温に戻し１時間半攪拌した。反応液からテトラヒドロフランを減圧下留去し、残さに酢酸エチル３００mlを加え、１０％チオ硫酸ナトリウム水溶液１２０mlで１回、飽和食塩水１２０mlで２回洗浄した後、硫酸マグネシウムで乾燥した。減圧下酢酸エチルを留去して３，５−ビス（４−ニトロフェノキシ）ベンジルフルフリルエーテル３９．２８ｇの粘調液体を得た。収率９７％。
【００４２】
３，５−ビス（４−アミノフェノキシ）ベンジルフルフリルエーテルの製造：攪拌機、水冷式還流冷却管、温度計及び窒素ガス導入管を備えた１リットルのセパラブルフラスコ中で、３，５−ビス（４−ニトロフェノキシ）ベンジルフルリルエーテル３９．２０ｇを３００mlのＤＭＦに溶解した。この溶液にインジウム金属粉末１３６ｇを分散し、窒素気流下、２０４mlの塩化アンモニウム飽和水溶液を加え５１〜５３℃で１１時間還元反応を行ない、ＴＬＣで３，５−ビス（４−ニトロフェノキシ）ベンジルフルフリルエーテルが完全に反応したことを確認した後、さらに、６２〜６４℃で１時間反応を続けた。反応終了後、実施例１と同様の後処理を行い、３３．２８ｇの油状粗生成物を得た。油状粗生成物をカラムクロマトグラフィーにより精製し、３，５−ビス（４−アミノフェノキシ）ベンジルフルフリルエーテル２４．５３ｇを得た。収率７２％。イソプロピルアルコールから再結晶し、融点８２〜８４℃の淡黄色プリズム状結晶を得た。
【００４３】
IR(KBr disc): 3429, 3327, 3220, 3116, 2921(vw), 2860(vw), 1635, 1595, 1507(vs), 1458, 1355, 1323, 1301, 1275, 1213, 1150, 1122, 1070, 994, 912, 838 and 743 cm-1
1HNMR(500MHz, CDCl3): δ3.54(bs, 4H), 4.39(s, 2H), 4.43(s, 2H), 6.27(d, J=3.1Hz, 1H), 6.32(dd, J=3.1, 1.7Hz, 1H), 6.47(t, J=2.1Hz, 1H), 6.55(d,J=2.1Hz, 2H), 6.65&6.85(Abq, J=8.6Hz, 4H,4H), 7.39(dd, J=1.7, 0.7Hz, 1H)
13CNMR(500MHz, CDCl3): δ 63.8, 71.4, 105.7, 109.4, 109.9, 110.2, 116.2, 121.2, 140.6, 142.7, 142.8, 148.1, 151.5, 160.2
0004635162.tif 000015
【００４４】
実施例５：３，３′−ジアミノ−４，４′−ジ−２−フロイルアミノビフェニルの製造
３，３′−ジニトロ−４，４′−ジ−２−フロイルアミノビフェニルの製造：攪拌機、水冷式還流冷却管、温度計及び滴下ロートを備えた５００mlのセパラブルフラスコ中で、３，３′−ジニトロ−４，４′−ジアミノビフェニル１０．９６ｇをＤＭＦ２００mlに溶解したのち、ピリジン２０mlを加えた。１３〜１４℃に冷却しながら、２−フロイルクロリド１２．５３ｇを滴下した。滴下終了後、反応溶液を室温に戻し、５時間攪拌を続けた。２規定塩酸８０ml、次いで水１００mlを加え、析出した固体をろ過した・固体をよく水洗した後、減圧乾燥して３，３′−ジニトロ−４，４′−ジ−２−フロイルアミノビフェニル１５．０ｇを得た。収率８１％
【００４５】
３，３′−ジアミノ−４，４′−ジ−２−フロイルアミノビフェニルの製造：攪拌機、水冷式還流冷却管、温度計及び窒素ガス導入管を備えた１リットルのセパラブルフラスコ中で、３，３′−ジニトロ−４，４′−ジ−２−フロイルアミノビフェニル１４．８ｇ、インジウム金属粉末５２ｇ及び４００mlのＤＭＦを仕込んだ。この分散溶液に、窒素気流下、７８mlの塩化アンモニウム飽和水溶液を加え５２〜５３℃で２０時間還元反応を行ない、ＴＬＣで３，３′−ジニトロ−４，４′−ジ−２−フロイルアミノビフェニルが完全に反応したことを確認した後、さらに、６４〜６５℃で２時間反応を続けた。反応終了後、実施例１と同様の後処理を行い、１２．０ｇの粉末状粗生成物を得た。粗生成物をカラムクロマトグラフィーにより精製し、３，３′−ジアミノ−４，４′−ジ−２−フロイルアミノビフェニル９．０２ｇを得た。収率７０％。Ｎ−メチル−２−ピロリドン／酢酸エチル（２５／７５、容積比）から再結晶し、分解点２５６〜２５９℃の黄色針状結晶を得た。
【００４６】
IR(KBr disc): 3439, 3340, 3198, 3129, 1649, 1587, 1465, 1409, 1310, 1223, 1167, 1013, 883, 860, 797, 759 cm-1
1HNMR(400MHz, d6-DMSO): δ 5.01(s, -NH2), 6.68(dd, J=3.42, 1.95 Hz, 2H), 6.80(m,2H), 7.00(d, J=1.95 Hz, 2H), 7.22 (d, J=8.3 Hz, 2H), 7.29(d, J=3.41 Hz, 2H), 7.91(d, J=1.95, 2H), 9.58(s, -CONH-)
13CNMR(400MHz, d6-DMSO): δ 112.0, 114.0, 114.4, 114.7, 121.9, 126.8, 138.8, 143.1, 145.4, 147.7, 156.4
MS; 402(M+)
0004635162.tif 000016
【００４７】
実施例６：３，５−ビス（４−アミノフェノキシ）ベンジルベンゾエートの製造
３，５−ビス（４−ニトロフェノキシ）ベンジルベンゾエートの製造：攪拌機、水冷式還流冷却管、温度計及び滴下ロートを備えた２００mlの四つ口フラスコ中で、実施例３で製造した３，５−ビス（４−ニトロフェノキシ）ベンジルアルコール５．４３ｇをＤＭＦ４０mlに溶解したのち、ピリジン１０mlを加えた。混合液を１８℃に冷却しながら、ベンゾイルクロリド２．４ｇを滴下した。滴下終了後、反応溶液を室温に戻し、２時間攪拌を続けた。２規定塩酸５０ml、次いで水１００mlを加え、析出した固体をろ過した・固体をよく水洗した後、減圧乾燥して３，５−ビス（４−ニトロフェノキシ）ベンジルベンゾエート６．３５ｇを得た。収率９３％
【００４８】
３，５−ビス（４−アミノフェノキシ）ベンジルベンゾエートの製造：攪拌機、水冷式還流冷却管、温度計及び窒素ガス導入管を備えた２００mlの四つ口フラスコ中で、３，５−ビス（４−ニトロフェノキシ）ベンジルベンゾエート５．１３ｇ、インジウム金属粉末１６．９ｇ及び４５mlのＤＭＦを仕込んだ。この分散溶液に、窒素気流下、２５．４mlの塩化アンモニウム飽和水溶液を加え５０〜５１℃で６時間還元反応を行ない、ＴＬＣで３，５−ビス（４−ニトロフェノキシ）ベンジルベンゾエートが完全に反応したことを確認した後、さらに、６１〜６２℃で１時間半反応を続けた。反応終了後、実施例１と同様の後処理を行い、４．３８ｇの油状粗生成物を得た。粗生成物をカラムクロマトグラフィーにより精製し、ガラス状の３，５−ビス（４−アミノフェノキシ）ベンジルベンゾエート３．１６ｇを得た。収率７０％。
【００４９】
IR(KBr disc): 3445, 3364, 3219, 3041, 1715, 1616, 1594, 1506, 1450, 1373, 1274, 1211, 1122, 1070, 1025, 966, 832 and 713 cm-1
1HNMR(500MHz, CDCl3): δ 3.60(bs, -NH2), 5,21(s, 2H), 6.49(bs, 1H), 6.63(d, J=1.66Hz, 2H), 6.66 & 6.87(ABq, J=8.64Hz, 4H, 4H), 7.44(t J=7.64Hz, 2H), 7.56(t, J=7.64Hz, 1H), 8.02(d, J=7.64Hz, 2H)
13CNMR(500MHz, CDCl3): δ 66.0, 105.7, 109.6, 116.2, 121.3, 128.3, 129.7, 129.9, 133.0, 138.5, 143.0, 147.9, 160.3, 166.2
0004635162.tif 000017
【００５０】
実施例７：３，５−ビス（４−アミノフェノキシ）ベンジルアルコールの製造
攪拌機、水冷式還流冷却管、温度計及び窒素ガス導入管を備えた２００mlの四つ口フラスコ中で、実施例３で製造した３，５−ビス（４−ニトロフェノキシ）ベンジルアルコール５．７３ｇ、インジウム金属粉末２０ｇ及び６０mlのＤＭＦを仕込んだ。この分散溶液に、窒素気流下、３０mlの塩化アンモニウム飽和水溶液を加え５２〜５３℃で７時間還元反応を行ない、ＴＬＣで３，５−ビス（４−ニトロフェノキシ）ベンジルアルコールが完全に反応したことを確認した後、さらに、６２〜６３℃で２時間反応を続けた。反応終了後、実施例１と同様の後処理を行い、４．９２ｇの油状粗生成物を得た。粗生成物をカラムクロマトグラフィーにより精製し、ガラス状の３，５−ビス（４−アミノフェノキシ）ベンジルアルコール３．８９ｇを得た。収率８１％。室温で放置しておくと結晶化した。
イソプロピルアルコールより再結晶し、融点１００．２〜１０１．９℃の淡黄色プリズム状結晶を得た。
【００５１】
IR(KBr disc): 3411, 3334, 3200, 1612, 1599, 1504, 1451, 1316, 1211, 1117, 1017, 970 and 841 cm-1
1HNMR(500MHz, CDCl3): δ 2.17(s, -OH), 3.55(bs, -NH2), 4.52(s, 2H), 6.48 (t, J=1.83 Hz, 1H), 6.53(d, J=1,83 Hz, 2H), 6.65 & 6.85 (ABq, J=8.71 Hz, 4H, 4H)
13CNMR(500MHz, CDCl3): δ 64.9, 105.5, 108.6, 116.2, 121.3, 142.9, 143.6, 148.0, 160.3
0004635162.tif 000018
【００５２】
比較例１
実施例３の３，５−ビス（４−ニトロフェノキシ）ベンジル−２−フロエートの還元において３，５−ビス（４−ニトロフェノキシ）ベンジル−２−フロエート１１．９ｇをＤＭＦに代えてエチルアルコール１３０mlと酢酸エチル１００mlに溶解し、インジウム金属粉末４０ｇと塩化アンモニウム飽和水溶液６０mlを加え還流下７時間還元反応を行った。実施例３と同様の後処理を行い黒色タール状粗生成物１０ｇを得た。ＴＬＣから多数の生成物の混合物であることが判明した。粗生成物のシリカゲルカラムクロマトグラフィー精製を２回繰り返し、２．６ｇの３，５−ビス（４−アミノフェノキシ）ベンジル−２−フロエートを得た。
収率２５％。
【００５３】
比較例２
実施例５の３，３′−ジニトロ−４，４′−ジ−２−フロイルアミノビフェニルの還元においてＤＭＦに代えてエチルアルコール１５０mlとＮ−メチル−２−ピロリドン２００mlに溶解し８０℃にて１時間攪拌し還元反応を行った。ＴＬＣで３，３′−ジニトロ−４，４′−ジ−２−フロイルアミノビフェニルが完全に反応したことを確認した。反応溶液を室温まで冷却した後、固形物をろ別した。ろ液を減圧下約１／２に濃縮した後、水６００mlを加え、析出した固体をろ過して粗生成物６．０ｇを得た。粗生成物をシリカゲルカラムクロマトグラフィーにより精製し、３，３′−ジアミノ−４，４′−ジ−２−フロイルアミノビフェニル４．０ｇを得た。収率２３％。
【００５４】
【発明の効果】
本発明の製造方法によれば、医薬品や感光性ポリマー合成などの中間体である芳香族ポリアミン、特に、少なくとも１つのシスー共役ジエニル基を含有する芳香族ジアミンを、相当する芳香族ポリニトロ化合物、特に芳香族ジニトロ化合物から、温和な条件の還元反応により高収率で製造することができる。
さらに、本発明によれば、医薬品や感光性ポリマー合成などの中間体として有用な新規芳香族ジアミンを提供することができる。