(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
一方の放熱板と、この放熱板の上に接合された発熱素子と、この発熱素子の上に接合された電極ブロックと、この電極ブロックの上に接合された他方の放熱板とを備え、前記２つの放熱板の間を樹脂でモールドして成る半導体装置において、
前記電極ブロックの上面に設けられた凸部または凹部からなる嵌合部と、
前記他方の放熱板の下面に前記嵌合部と嵌合するように設けられた凹部または凸部からなる被嵌合部と、
少なくとも前記電極ブロックの嵌合部を除く上面および前記他方の放熱板の被嵌合部を除く下面に塗布され、前記樹脂との密着性を有するポリアミド樹脂とを備え、
前記嵌合部が凸部であると共に前記被嵌合部が凹部であるとき、または、前記嵌合部が凹部であると共に前記被嵌合部が凸部であるときに、前記凹部の深さ寸法が前記凸部の突出寸法よりも大きくなるように構成され、
前記嵌合部および前記被嵌合部は、凸部を凹部内に接合材料を介して嵌合させるように構成され、
前記電極ブロックの前記嵌合部を除く上面と前記他方の放熱板の前記被嵌合部を除く下面とが直接接触するように構成されたことを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
前記ポリアミド樹脂は、前記電極ブロックの表面における前記樹脂と接触する面、前記他方の放熱板の表面における前記樹脂と接触する面、前記発熱素子の表面における前記樹脂と接触する面、および、前記一方の放熱板の表面における前記樹脂と接触する面に塗布されていることを特徴とする請求項１記載の半導体装置。
【請求項３】
一方の放熱板の上に発熱素子を接合すると共に、この発熱素子の上に凸部または凹部からなる嵌合部が上面に設けられた電極ブロックを接合する工程と、
少なくとも前記電極ブロックの嵌合部を除く上面に、樹脂との密着性を有するポリアミド樹脂を塗布する工程と、
前記嵌合部と嵌合するように設けられた凹部または凸部からなる被嵌合部が下面に形成された他方の放熱板の、少なくとも前記被嵌合部を除く下面に前記ポリアミド樹脂を塗布する工程と、
前記嵌合部が凸部であると共に前記被嵌合部が凹部であるとき、または、前記嵌合部が凹部であると共に前記被嵌合部が凸部であるときに、前記凹部の深さ寸法が前記凸部の突出寸法よりも大きくなるように構成された前記嵌合部および前記被嵌合部を接合する際には、凸部を凹部内に接合材料を介して嵌合させて接合することにより、前記電極ブロックの前記嵌合部を除く上面と前記他方の放熱板の前記被嵌合部を除く下面とが直接接触するように構成する工程とを備えて成る半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、発熱素子と、この発熱素子の両面に接合された一対の放熱板とを備えて成る半導体装置及びその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
例えば高耐圧・大電流用の半導体チップ（発熱素子）は、使用時の発熱が大きいため、チップからの放熱性を向上させるための構成が必要になる。この構成の一例として、チップの両面に一対の放熱板を例えば半田層を介して接合する構成が、従来より、考えられており、この構成によれば、チップの両面から放熱できるので、放熱性が向上する。
【０００３】
上記した構成の半導体装置の一例を、図５に示す。この図５に示すように、半導体装置１は、一対のヒートシンク（放熱板）２、３の間に半導体チップ４と電極ブロック５を挟んで構成されている。ヒートシンク２と半導体チップ４の間、半導体チップ４と電極ブロック５の間、電極ブロック５とヒートシンク３の間は、それぞれ半田６により接合されている。そして、このような構成の半導体装置１は、樹脂７でモールドされている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
上記従来構成においては、半導体チップ４及びヒートシンク２、３等と樹脂７の熱膨脹係数の差が大きいため、両者の接触部に大きな熱応力が作用し、この熱応力が樹脂７の密着力よりも大きくなると、樹脂７が剥離してしまうことがある。そして、樹脂７が剥離すると、半導体チップ４とヒートシンク２、３の接合部（半田層）に大きなストレスがかかるようになり、急激に接合部（半田層）が劣化してしまう。この傾向は、温度差が大きいほど顕著である。
【０００５】
さて、樹脂７の剥離を防止する対策として、樹脂７の密着力を強くする対策が考えられる。この対策として、樹脂７が密着する表面、即ち、ヒートシンク２の上面、ヒートシンク３の下面、半導体チップ４及び電極ブロック５の表面に、樹脂７との密着性を高めるコーティング樹脂である例えばポリアミド樹脂８（図５中のやや太い実線参照）を塗布することが考えられている。
【０００６】
ここで、樹脂モールドする直前の状態、即ち、一対のヒートシンク２、３間に半導体チップ４及び電極ブロック５を半田接合した構成の状態で、ポリアミド樹脂８を塗布しようとした場合、ヒートシンク２、３の隙間が例えば１〜２ｍｍ程度しかなく、かなり狭いため、ポリアミド樹脂８を漏れなく均一に塗布することが困難であった。
【０００７】
そこで、本発明者は、図６に示すように、ヒートシンク２上に半導体チップ４と電極ブロック５を半田付けした構成に対して、ヒートシンク３を半田付けする前の段階で、ポリアミド樹脂８を塗布する方法を考えた。具体的には、ヒートシンク２上に半導体チップ４と電極ブロック５を半田付けした構成の上面にポリアミド樹脂８を塗布すると共に、ヒートシンク３の下面にポリアミド樹脂８を塗布した。この場合、電極ブロック５の上面と、ヒートシンク３の下面における上記電極ブロック５を接合する部分とには、マスクを施すことにより、ポリアミド樹脂８を塗布しないようにしている。
【０００８】
そして、上記したようにポリアミド樹脂８を塗布して乾燥させた後、電極ブロック５の上面にヒートシンク３の下面を半田付けする。これにより、樹脂７でモールドする前の状態の構成が得られる（図５参照）。しかし、この構成の場合、ヒートシンク３における電極ブロック５を半田付けした部分に、ポリアミド樹脂８の未塗布部分がどうしてもできてしまうという不具合がある。そして、このような未塗布部分が存在すると、モールド樹脂７とヒートシンク２、３等との密着性を十分確保できなくなり、加熱・冷却されたときに生ずる熱応力によって樹脂７が剥離するおそれがある。
【０００９】
従って、上記未塗布部分を再塗布する作業が必要になり、この再塗布作業においては、ヒートシンク２、３の隙間が狭いため、やはり作業性が悪く、塗布状態の確認も困難であるという問題点がある。
【００１０】
そこで、本発明の目的は、コーティング樹脂を容易に塗布することができると共に、その塗布状態を容易に確認することができ、また、未塗布部分の発生を防止することができる半導体装置及びその製造方法を提供することにある。
【００１１】
【課題を解決するための手段】
請求項１の発明においては、電極ブロックの上面に凸部または凹部からなる嵌合部を設け、他方の放熱板の下面に前記嵌合部と嵌合するように凹部または凸部からなる被嵌合部を設け、少なくとも前記電極ブロックの嵌合部を除く上面および前記他方の放熱板の被嵌合部を除く下面に前記樹脂との密着性を有するポリアミド樹脂を塗布し、更に、前記嵌合部が凸部であると共に前記被嵌合部が凹部であるとき、または、前記嵌合部が凹部であると共に前記被嵌合部が凸部であるときに、前記凹部の深さ寸法が前記凸部の突出寸法よりも大きくなるように構成され、前記嵌合部および前記被嵌合部は、凸部を凹部内に接合材料を介して嵌合させるように構成され、前記電極ブロックの前記嵌合部を除く上面と前記他方の放熱板の前記被嵌合部を除く下面とが直接接触するように構成した。この構成の場合、他方の放熱板を電極ブロックに接合する前の状態で、ポリアミド樹脂の塗布を実行すれば、ポリアミド樹脂を容易に塗布することができると共に、その塗布状態を容易に確認することができる。そして、塗布後、他方の放熱板を電極ブロックに接合するときには、嵌合部が凸部であると共に被嵌合部が凹部であるとき、または、前記嵌合部が凹部であると共に前記被嵌合部が凸部であるときに、前記凹部の深さ寸法が前記凸部の突出寸法よりも大きくなるように構成し、凹部に凸部を接合部材を介して接合する構成としたので、凹部と凸部との寸法差によって生まれる間隙が、接合材料の存在スペースとなるので、嵌合部と被嵌合部との接合を担う接合材料が凹部からはみ出すことを防止できると共に、電極ブロックの嵌合部を除く上面と、他方の放熱板の被嵌合部を除く下面とを離間させることなく直接接触させることができる。従って、接合材料が介在した凹凸形状によって、接合強度の向上（且つ放熱性能の向上）が図られた電極ブロックと他方の放熱板との接合構造を実現することができ、更に、この接合構造において、電極ブロック及び他方の放熱板の表面に塗布されたポリアミド樹脂のコーティング層が互いに直接当接するようになり、ポリアミド樹脂の未塗布部分の発生を防止することができる。
【００１２】
この場合、請求項２の発明のように、前記ポリアミド樹脂は、前記電極ブロックの表面における前記樹脂と接触する面、前記他方の放熱板の表面における前記樹脂と接触する面、前記発熱素子の表面における前記樹脂と接触する面、および、前記一方の放熱板の表面における前記樹脂と接触する面に塗布されていることが好ましい。
【００１３】
請求項３の発明によれば、一方の放熱板の上に発熱素子を接合すると共に、この発熱素子の上に凸部または凹部からなる嵌合部が上面に設けられた電極ブロックを接合する工程と、少なくとも前記電極ブロックの嵌合部を除く上面に、樹脂との密着性を有するポリアミド樹脂を塗布する工程と、前記嵌合部と嵌合するように設けられた凹部または凸部からなる被嵌合部が下面に形成された他方の放熱板の、少なくとも前記被嵌合部を除く下面に前記ポリアミド樹脂を塗布する工程と、前記嵌合部が凸部であると共に前記被嵌合部が凹部であるとき、または、前記嵌合部が凹部であると共に前記被嵌合部が凸部であるときに、前記凹部の深さ寸法が前記凸部の突出寸法よりも大きくなるように構成された前記嵌合部および前記被嵌合部を接合する際には、凸部を凹部内に接合材料を介して嵌合させて接合することにより、前記電極ブロックの前記嵌合部を除く上面と前記他方の放熱板の前記被嵌合部を除く下面とが直接接触するように構成する工程とを備えたので、請求項１の発明と同様な作用効果を得ることができる。
【００１４】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の第１の実施例について、図１ないし図３を参照しながら説明する。まず、図１に示すように、本実施例の半導体装置１１は、半導体チップ  （発熱素子）１２と、下側ヒートシンク（一方の放熱板）１３と、上側ヒートシンク（他方の放熱板）１４と、ヒートシンクブロック（電極ブロック）１５とを備えて構成されている。
【００１５】
上記半導体チップ１２は、例えばＩＧＢＴやサイリスタ等のパワー半導体素子から構成されている。半導体チップ１２の形状は、本実施例の場合、図２（ａ）に示すように、例えば矩形状の薄板状である。また、下側ヒートシンク１３、上側ヒートシンク１４及びヒートシンクブロック１５は、例えばＣｕやＡｌ等の熱伝導性及び電気伝導性の高い金属で構成されている。
【００１６】
そして、下側ヒートシンク１３は、図２（ａ）に示すように、全体として例えばほぼ長方形状の板材であり、端子部１３ａが後方へ向けて延びるように突設されている。また、上側ヒートシンク１４は、図２（ｄ）に示すように、全体として例えばほぼ長方形状の板材で構成されており、端子部１４ａが後方へ向けて延びるように突設されている。この上側ヒートシンク１４の下面には、図１及び図３に示すように、被嵌合部である例えば凹部１４ｂが形成されている。
【００１７】
更に、ヒートシンクブロック１５は、図２（ａ）に示すように、半導体チップ１２よりも１回り小さい程度の大きさの矩形状の板材である。このヒートシンクブロック１５の上面には、嵌合部である例えば矩形状の凸部１５ａが形成されている。
【００１８】
上記構成の場合、図１に示すように、半導体チップ１２は、下側ヒートシンク１３の上に接合部材である例えば半田１６を介して接合されている。そして、ヒートシンクブロック１５は、半導体チップ１２の上に接合部材である例えば半田１６を介して接合されている。
【００１９】
更に、上側ヒートシンク１４は、ヒートシンクブロック１５の上に接合部材である例えば半田１６を介して接合されている。この場合、上側ヒートシンク１４の下面の凹部１４ｂ内に、ヒートシンクブロック１５の上面の凸部１５ａを嵌合させていると共に、凹部１４ｂの内底面と凸部１５ａの上面との間を半田１６で接合している。尚、このように、ヒートシンクブロック１５に凸部１５ａを設けていると共に、上側ヒートシンク１４に凹部１４ｂを設けている理由については、後述する半導体装置１１の製造方法のところで説明する。
【００２０】
そして、上記構成においては、半導体チップ１２の両面からヒートシンク１３、１４（及びヒートシンクブロック１５）を介して放熱される構成となっている。また、下側ヒートシンク１３及び上側ヒートシンク１４は、半導体チップ１２の各主電極（例えばコレクタ電極やエミッタ電極等）に半田１６を介して電気的にも接続されている。
【００２１】
尚、下側ヒートシンク１３の端子部１３ａと、上側ヒートシンク１４の端子部１４ａは、互いの位置がずれるように、即ち、対向しないように構成されている。また、上記構成の場合、下側ヒートシンク１３の上面と上側ヒートシンク１４の下面との間の距離は、例えば１〜２ｍｍ程度になるように構成されている。
【００２２】
一方、図１に示すように、ヒートシンク１３、１４の表面、並びに、チップ１２及びヒートシンクブロック１５の周囲部分には、コーティング樹脂である例えばポリアミド樹脂１７が、やや太い実線で示すように塗布されている。尚、上記ポリアミド樹脂１７の塗布方法については、後述する半導体装置１１の製造方法のところで説明する。
【００２３】
更に、図１に示すように、一対のヒートシンク１３、１４の隙間、並びに、チップ１２及びヒートシンクブロック１５の周囲部分には、樹脂（例えばエポキシ樹脂等）１８がモールド（充填封止）されている。この場合、前記ポリアミド樹脂１７のコーティング層によって、樹脂１８とヒートシンク１３、１４との密着力、樹脂１８とチップ１２との密着力、並びに、樹脂１８とヒートシンクブロック１５との密着力が強化されている。
【００２４】
また、チップ１２の制御電極（例えばゲートパッド等）にワイヤーボンディングされたリードフレーム１９ａ、１９ｂ（図１及び図２参照）も、上記樹脂１８によってモールドされている。尚、リードフレーム１９ａ、１９ｂとチップ１２の制御電極とを接続するワイヤー２０は、例えばＡｌやＡｕ等製のワイヤーである。また、ワイヤー２０やリードフレーム１９ａ、１９ｂの表面にも、ポリアミド樹脂１７が塗布されている（図１には図示しない）。
【００２５】
次に、上記した構成の半導体装置１１の製造方法（即ち、製造工程）について、図２を参照して説明する。まず、図２（ａ）及び（ｂ）に示すように、下側ヒートシンク１３の上面に、半導体チップ１２とヒートシンクブロック１５を半田付けする工程を実行する。この場合、下側ヒートシンク１３の上面に半田箔２１を介してチップ１２を載せると共に、このチップ１２の上に半田箔２１を介してヒートシンクブロック１５を載せる。この後、加熱装置（リフロー装置）によって上記半田箔２１、２１を溶融させてから、硬化させる。
【００２６】
続いて、図２（ｃ）に示すように、チップ１２の制御電極（例えばゲートパッド等）とリードフレーム１９ａ、１９ｂとをワイヤーボンディングする工程を実行する。これにより、ワイヤー２０によってチップ１２の制御電極とリードフレーム１９ａ、１９ｂとが接続される。
【００２７】
次に、ヒートシンクブロック１５の上に上側ヒートシンク１４を半田付けするのであるが、その前に、ポリアミド樹脂１７をヒートシンク１３、１４やヒートシンクブロック１５等に塗布する工程を実行する。この場合、下側ヒートシンク１３に半導体チップ１２及びヒートシンクブロック１５を半田付けした構成の表面（上面）に対してポリアミド樹脂１７を塗布する場合には、図３においてやや太い実線で示すように、ヒートシンクブロック１５の凸部１５ａを除く表面に、ポリアミド樹脂１７を塗布する。このとき、ワイヤー２０やリードフレーム１９ａ、１９ｂの表面にも、ポリアミド樹脂１７が塗布される。
【００２８】
尚、ヒートシンクブロック１５の凸部１５ａ等にポリアミド樹脂１７を塗布しないようにするには、上記凸部１５ａを周知の方法でマスクすれば良い。また、ポリアミド樹脂１７を塗布する具体的方法としては、ポリアミド樹脂塗布用のディスペンサのノズルからポリアミド樹脂を滴下したり、噴霧したりする塗布方法や，ディッピング塗布方法等を使用すれば良い。
【００２９】
また、上側ヒートシンク１４の表面（下面）に対してポリアミド樹脂１７を塗布する場合には、図３においてやや太い実線で示すように、上側ヒートシンク１４の凹部１４ｂを除く表面に、ポリアミド樹脂１７を塗布する。尚、上側ヒートシンク１４の凹部１４ｂ等にポリアミド樹脂１７を塗布しないようにするには、上記凹部１４ｂを周知の方法でマスクすれば良い。また、ポリアミド樹脂１７を塗布する具体的方法としては、上述した塗布方法を適宜使用すれば良い。
【００３０】
この後、塗布したポリアミド樹脂１７が乾燥したら、図２（ｄ）に示すように、ヒートシンクブロック１５の上に上側ヒートシンク１４を半田付けする工程を実行する。この場合、図２（ｄ）に示すように、ヒートシンクブロック１５の上に半田箔２１を介して上側ヒートシンク１４を載せる。即ち、ヒートシンクブロック１５の凸部１５ａを上側ヒートシンク１４の凹部１４ｂ内に半田箔２１を介装しながら嵌合する。そして、加熱装置によって上記半田箔２１を溶融させてから、硬化させる。
【００３１】
このとき、上側ヒートシンク１４の上に例えば重り等（図示しない）を載置することにより、上側ヒートシンク１４を下方へ向けて加圧するように構成されている。これと共に、上側ヒートシンク１４と下側ヒートシンク１３との間に、スペーサ治具（図示しない）を取り付けることにより、上側ヒートシンク１４と下側ヒートシンク１３との間の距離を予め決めた設定距離に保持するように構成されている。
【００３２】
尚、半田箔２１が溶融する前の状態では、上側ヒートシンク１４と下側ヒートシンク１３との距離は、スペーサ治具の設定距離よりも大きくなるように構成されている。そして、半田箔２１が溶融すると、重り等の加圧力により、溶融した半田層の部分が薄くなり、上側ヒートシンク１４と下側ヒートシンク１３との距離がスペーサ治具の設定距離と等しくなる。このとき、半田層は、適度な薄さまで薄くなるように構成されている。そして、溶融した半田層が硬化すれば、チップ１２とヒートシンク１３、１４とヒートシンクブロック１５の接合及び電気的接続が完了する。
【００３３】
また、上記構成においては、図３に示すように、ヒートシンクブロック１５の凸部１５ａを上側ヒートシンク１４の凹部１４ｂ内に嵌合させて接合する構成であるので、図１に示すように、ヒートシンクブロック１５及び上側ヒートシンク１４の各表面のポリアミド樹脂１７のコーティング層が互いに直接当接するようになり、ポリアミド樹脂１７の未塗布部分の発生が防止される。更に、上記構成の場合、図３に示すように、凹部１４ｂの深さ寸法Ａが凸部１５ａの突出寸法Ｂよりも少し大きくなるように構成したので、凹部１４ｂの内底部に凸部１５ａの上面部を接合部材である半田１６層を介して接合できる。そして、上記寸法Ａ、Ｂは、上記半田１６層の厚みが、十分な接合強度を有する厚みであって、なるべく薄い厚みとなるように設定されている。
【００３４】
次に、図１に示すように、ヒートシンク１３、１４の隙間、並びに、チップ１２及びヒートシンクブロック１５の周囲部分等を、樹脂１８でモールドする工程を実行する。この場合、上述したように半田付けし且つポリアミド樹脂１７を塗布したヒートシンク１３、１４、チップ１２及びヒートシンクブロック１５等の構成を、図示しない成形型の内部に収容すると共に、樹脂１８を注入（充填）する。これにより、一対のヒートシンク１３、１４の隙間、並びに、チップ１２及びヒートシンクブロック１５の周囲部分等に、樹脂１８が充填される。そして、上記樹脂１８が硬化した後、成形型内から半導体装置１１を取り出せば、半導体装置１１が完成する。
【００３５】
このような構成の本実施例においては、ヒートシンクブロック１５の上面に凸部（嵌合部）１５ａを設けると共に、上側ヒートシンク１４の下面に上記凸部１５ａと嵌合するように凹部（被嵌合部）１４ｂを設け、そして、ヒートシンク１３、１４や半導体チップ１２等の表面における樹脂１８と接触する面に、樹脂１８との密着性を高めるポリアミド樹脂（コーティング樹脂）１７を塗布するように構成した。
【００３６】
この構成によれば、上側ヒートシンク１４をヒートシンクブロック１５に接合する前の状態で、図３に示すように、ポリアミド樹脂１７の塗布作業を実行すれば、ポリアミド樹脂１７を容易に塗布することができると共に、作業者は、その塗布状態（塗布漏れの有無や塗布むらの程度等）を容易に確認することができる。そして、ポリアミド樹脂１７の塗布後、上側ヒートシンク１４をヒートシンクブロック１５に接合するときには、ヒートシンクブロック１５の凸部１５ａを上側ヒートシンク１４の凹部１４ｂに嵌合させて半田付けするように構成したので、ヒートシンクブロック１５及び上側ヒートシンク１４の各表面のポリアミド樹脂１７のコーティング層が直接当接するようになる（図１参照）。従って、従来構成（図５参照）とは異なり、ポリアミド樹脂１７の未塗布部分の発生をほぼ確実に防止することができる。
【００３７】
また、上記実施例においては、上側ヒートシンク１４の凹部１４ｂの深さ寸法Ａがヒートシンクブロック１５の凸部１５ａの突出寸法Ｂよりも少し大きくなるように構成したので、凹部１４ｂに凸部１５ａを半田１６（接合部材）を介して接合することができ、その接合強度も十分なものにし得る。更に、上記実施例の場合、ヒートシンクブロック１５及び上側ヒートシンク１４の各表面のポリアミド樹脂１７のコーティング層が確実に直接当接するようになる。
【００３８】
尚、上記実施例においては、一対のヒートシンク１３、１４及びチップ１２等にポリアミド樹脂１７を塗布するように構成したので、ヒートシンク１３、１４及びチップ１２等と樹脂１８との密着力を強くすることができる。
【００３９】
また、上記実施例においては、ヒートシンクブロック１５に凸部１５ａを設けると共に、上側ヒートシンク１４に凹部１４ｂを設けるように構成したが、これに代えて、ヒートシンクブロック１５に凹部を設けると共に、上側ヒートシンク１４に凸部を設けるように構成しても良い。
【００４０】
更にまた、ヒートシンク１３、１４、チップ１２、ヒートシンクブロック１５等を接合する接合部材として半田箔２１を用いたが、これに限られるものではなく、半田ペースト等を用いるように構成しても良い。また、上記実施例では、コーティング樹脂としてポリアミド樹脂１７を塗布したが、これに限られるものではなく、ヒートシンク１３、１４等と樹脂１８との密着力を強くする機能を有する樹脂であれば、他の樹脂でも良い。
【００４１】
図４は、本発明の第２の実施例を示すものである。第１の実施例と同一部分には、同一符号を付している。この第２の実施例では、図４に示すように、ポリアミド樹脂１７を、ヒートシンク１３、１４の端面部の表面にまで塗布するように構成している。
【００４２】
これ以外の第２の実施例の構成は、第１の実施例の構成と同じ構成となっている。従って、第２の実施例においても、第１の実施例とほぼ同じ作用効果を得ることができる。特に、第２の実施例によれば、ヒートシンク１３、１４と樹脂１８との密着力をより一層強くすることができる。
【００４３】
尚、上記各実施例の場合、リードフレーム１９ａ、１９ｂの表面にも、ポリアミド樹脂１７を塗布するように構成しても良い。この構成では、リードフレーム１９ａ、１９ｂと樹脂１８との密着力をより一層強くすることが可能である。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１の実施例を示す半導体装置の縦断面図
【図２】半導体装置の製造工程を示す図
【図３】半導体装置の分解縦断面図
【図４】本発明の第２の実施例を示す図１相当図
【図５】従来構成を示す図１相当図
【図６】図３相当図
【符号の説明】
１１は半導体装置、１２は半導体チップ、１３は下側ヒートシンク（一方の放熱板）、１４は上側ヒートシンク（他方の放熱板）、１４ｂは凹部（被嵌合部）、１５はヒートシンクブロック（電極ブロック）、１５ａは凸部（嵌合部）、１６は半田、１７はポリアミド樹脂（コーティング樹脂）、１８は樹脂を示す。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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