(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体レーザ素子が発光する半導体レーザ光を、集光レンズを介してアルミニウム又はアルミニウム合金よりなるワークの表面であるワーク表面に照射してレーザ溶接を実施するレーザ溶接方法において、
焦点距離４０ｍｍ以上２５０ｍｍ以下の上記集光レンズを用いて上記半導体レーザ光を集光して、略長方形状をなす領域であって、その領域内での平均エネルギー密度が３０ｋＷ／ｃｍ2以上３００ｋＷ／ｃｍ2未満であり、かつ、長手方向の長さと、該長手方向に直交する方向の幅との比率である縦横比が、２：１を超えて、２０：１以下の範囲にある照射スポットを、上記ワーク表面に形成すると共に、
該ワーク表面において、上記照射スポットの形成位置を上記長手方向に沿って相対移動させるに当たり、
上記半導体レーザ光を発光する半導体レーザ溶接装置として、複数の半導体レーザ素子を一列に配列したＬＤバーを、該ＬＤバーにおける上記半導体レーザ素子の配列方向と略直交する方向に、複数積層してなるＬＤスタックよりなる略長方形状を呈する発光面を有してなり、複数個の該発光面から発光された上記半導体レーザ光を、光ファイバを介さずに直接的に上記ワーク表面に照射するよう構成したものを用いることにより、上記ＬＤスタックの上記発光面の形状を活用して略長方形状をなす領域である上記照射スポットを形成することを特徴とするレーザ溶接方法。
【請求項２】
請求項１において、上記半導体レーザ光の波長は、７００ｎｍ以上１０００ｎｍ以下であることを特徴とするレーザ溶接方法。
【請求項３】
請求項１又は２において、上記アルミニウム合金は、ＪＩＳ１０００系、ＪＩＳ３０００系、ＪＩＳ５０００系又はＪＩＳ６０００系のいずれかであることを特徴とするレーザ溶接方法。
【請求項４】
請求項１〜３のいずれか１項において、上記照射スポットにおける上記平均エネルギー密度は、５０ｋＷ／ｃｍ2以上１００ｋＷ／ｃｍ2以下であることを特徴とするレーザ溶接方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、アルミニウム又はアルミニウム合金よりなるワークに、レーザ光を照射してレーザ溶接を実施するレーザ溶接方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、例えば、アルミニウムやアルミニウム合金よりなるワークをレーザ溶接する場合には、３００ｋＷ／ｃｍ2（一般的には、１０００ｋＷ／ｃｍ2以上）を超えるような高い平均エネルギー密度のレーザ光を照射している（特許文献１及び２参照。）。
【０００３】
【特許文献１】特開２００２−３６１４５４号公報
【特許文献２】特開２００２−１４８４９１号公報
【０００４】
しかしながら、上記従来のレーザ溶接方法においては、次のような問題がある。すなわち、上記のように高い平均エネルギー密度のレーザ光を、アルミニウムやアルミニウム合金よりなるワークに照射すると、溶融材料が周囲に飛散する、いわゆるスパッタや、金属材料が蒸発して気化する、いわゆるプラズマプルーム等が発生するおそれが高い。
【０００５】
そして、レーザ溶接時にスパッタやプラズマプルーム等が発生すると、レーザ溶接を行う溶接装置における集光レンズ等、光学系の汚損や損傷を生じるおそれがある。また、レーザ溶接を施したワークでは、形成した溶接ビードの表面が不整なものとなり、溶接強度が低下するおそれがある。
さらに、プラズマプルームが発生すると、このプラズマプルームはレーザ光のエネルギーを吸収する性質があるため、ワークに供給する溶接エネルギーが不足するという問題も発生する。
【０００６】
このプラズマプルームを除去するには、例えば、レーザ溶接箇所にアシストガスを吹き付けることがある。しかし、このアシストガスの供給量や供給方向等が適切でないと、アシストガスによる有効な効果が得られないばかりでなく、アシストガス自体が、溶融金属の酸化や、不良なビード形状の原因になるおそれもある。
また、上記のスパッタの対策としては、例えば、レーザ装置の光学系に保護ガラスを設けるという対策があるが、この保護ガラスにスパッタが付着すると発光するレーザ光のエネルギー密度が低下し、エネルギー効率が低下するという問題がある。
以上のように、従来のレーザ溶接方法においては、レーザ溶接時に発生するスパッタやプラズマプルーム等に起因して、様々な問題が生じていた。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
本発明は、上記従来の問題点に鑑みてなされたものであり、アルミニウム又はアルミニウム合金のレーザ溶接において、スパッタやプラズマプルーム等を抑制して良好な形状の溶接ビードを形成し得るレーザ溶接方法を提供しようとするものである。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明は、半導体レーザ素子が発光する半導体レーザ光を、集光レンズを介してアルミニウム又はアルミニウム合金よりなるワークの表面であるワーク表面に照射してレーザ溶接を実施するレーザ溶接方法において、
焦点距離４０ｍｍ以上２５０ｍｍ以下の上記集光レンズを用いて上記半導体レーザ光を集光して、略長方形状をなす領域であって、その領域内での平均エネルギー密度が３０ｋＷ／ｃｍ2以上３００ｋＷ／ｃｍ2未満であり、かつ、長手方向の長さと、該長手方向に直交する方向の幅との比率である縦横比が、２：１を超えて、２０：１以下の範囲にある照射スポットを、上記ワーク表面に形成すると共に、
該ワーク表面において、上記照射スポットの形成位置を上記長手方向に沿って相対移動させるに当たり、
上記半導体レーザ光を発光する半導体レーザ溶接装置として、複数の半導体レーザ素子を一列に配列したＬＤバーを、該ＬＤバーにおける上記半導体レーザ素子の配列方向と略直交する方向に、複数積層してなるＬＤスタックよりなる略長方形状を呈する発光面を有してなり、複数個の該発光面から発光された上記半導体レーザ光を、光ファイバを介さずに直接的に上記ワーク表面に照射するよう構成したものを用いることにより、上記ＬＤスタックの上記発光面の形状を活用して略長方形状をなす領域である上記照射スポットを形成することを特徴とするレーザ溶接方法にある（請求項１）。
【０００９】
本発明のレーザ溶接方法は、アルミニウム又はアルミニウム合金よりなる上記ワークに上記半導体レーザ光を照射して、レーザ溶接を実施する方法である。そして、このレーザ溶接方法においては、焦点距離４０ｍｍ以上２５０ｍｍ以下の上記集光レンズを用い、上記ワーク表面において、上記略長方形状もしくは上記略楕円形状を呈すると共に、その平均エネルギー密度が３０ｋＷ／ｃｍ2以上３００ｋＷ／ｃｍ2未満の上記照射スポットを形成する。さらに、上記ワーク表面において、上記照射スポットの形成位置を該照射スポットの長手方向に沿って相対移動させる。
【００１０】
そのため、上記レーザ溶接方法によれば、適切な形状を呈すると共に、適切な平均エネルギー密度を呈する上記照射スポットにより、レーザ溶接時のスパッタやプラズマプルーム等の発生を抑えて、良好な外観の溶接ビードを形成することができる。
【００１１】
特に、上記のごとく略長方形状もしくは略楕円形状を呈する上記半導体レーザ光の照射スポットの形成位置を、その長手方向に沿って相対移動させてレーザ溶接を実施するので、形成する溶接ビード上の各点に対して、瞬間的には比較的小さなエネルギー密度の半導体レーザ光を、比較的長い時間に渡って照射することができ、結果として充分な溶接エネルギーを与えることができる。
そしてそれ故、例えば、１本の光ファイバを介して半導体レーザ光を照射した時のような上記照射スポットにおける急加熱や、加熱後の急冷を抑制でき、これにより、溶接歪み等を抑えて良好な溶接ビードを形成できる。さらに、長手方向に細長い上記の照射スポットを、その長手方向に移動させてレーザ溶接を実施するので、レーザ溶接の特徴である溶接ビードの幅が狭い微細なレーザ加工を実現できる。
【００１２】
なお、上記照射スポットの平均エネルギー密度が、３０ｋＷ／ｃｍ2未満では、上記ワークの母材の溶融が不十分となるか、あるいは、溶接速度が低下して非効率となるおそれがある。一方、上記平均エネルギー密度が３００ｋＷ／ｃｍ2以上になると、上記ワーク表面からの溶融深さが深い、いわゆる深溶込み型溶接となるおそれがあり、この場合には、スパッタやプラズマプルーム等が発生し、溶接ビードの外観が不良となるおそれが高い。
【００１３】
さらに、使用する上記集光レンズの焦点距離が４０ｍｍ未満であると、上記半導体レーザ溶接装置における上記発光面と上記ワーク表面との距離が短くなり、両者が干渉するおそれがある。一方、焦点距離が３００ｍｍを超えると、半導体レーザ光の回折等に起因して上記照射スポットが拡大してその平均エネルギー密度が低下し、エネルギー効率が低下するおそれがある。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１４】
本発明においては、レーザ溶接する上記ワークの材質の組み合わせとしては、同一組成のアルミニウム又はアルミニウム合金でも良く、異なる組成のアルミニウム又はアルミニウム合金の組み合わせであっても良い。
また、上記照射スポットにおける平均エネルギー密度としては、さらに好ましくは、３０ｋＷ／ｃｍ2〜２００ｋＷ／ｃｍ2とするのが良い。
【００１５】
また、上記半導体レーザ光を発光する半導体レーザ溶接装置としては、複数の半導体レーザ素子を一列に配列したＬＤバーを、該ＬＤバーにおける上記半導体レーザ素子の配列方向と略直交する方向に、複数積層してなるＬＤスタックよりなる略長方形状を呈する発光面を有してなり、複数個の該発光面から発光された上記半導体レーザ光を、光ファイバを介さずに直接的に、上記ワーク表面に照射するように構成してあるものを用いる。
【００１６】
従来、例えば、光ファイバを介するために半導体レーザ光の照射形状は略円形状であったが、この場合には、上記略長方形状に構成された上記発光面の形状を積極的に活用して、上記略長方形状もしくは略楕円形状を呈する上記照射スポット形状を効率良く形成することができる。
【００１８】
また、上記照射スポットにおける上記長手方向の長さと、該長手方向に直交する方向の幅との比率である縦横比は、２：１を超えて、２０：１以下の範囲にある。これにより、上記照射スポットの形状をさらに適切なものとして、さらに良好な溶接ビードを形成することができる。
【００１９】
上記縦横比が、２：１以下であると、上記平均エネルギー密度を下げざるを得ず、上記照射スポットが相対移動する前後方向において急加熱や急冷が生じるおそれがある。一方、上記縦横比が、２０：１を超えると、平均エネルギー密度が低下して、溶接ができなかったり、溶接時に歪が生じるおそれがある。
なお、上記縦横比は、３：１〜１５：１がより好ましく、さらに好ましくは、８：１〜１２：１とするのが良い。
【００２０】
また、上記半導体レーザ光の波長は、７００ｎｍ以上１０００ｎｍ以下であることが好ましい（請求項２）。
この場合には、アルミニウム又はアルミニウム合金よりなる上記ワーク表面での吸収率が高いため、エネルギー効率良くレーザ溶接を実施することができる。
より好ましくは、上記半導体レーザ光の波長は、８００ｎｍ以上９５０ｎｍ以下とするのが良い。
【００２１】
また、上記アルミニウム合金は、ＪＩＳ１０００系、ＪＩＳ３０００系、ＪＩＳ５０００系又はＪＩＳ６０００系のいずれかであることが好ましい（請求項３）。
この場合には、レーザ溶接時に、スパッタやプラズマプルーム等が発生しやすいため、本発明の半導体レーザ溶接方法が特に有効となる。
なお、ここで、ＪＩＳとは、日本工業規格をいい、上記のＪＩＳＸ０００系のアルミニウム合金とは、日本工業規格によって規格化されたＸ０００番台にあるアルミニウム合金材料をいう。
【００２２】
また、上記照射スポットにおける上記平均エネルギー密度は、５０ｋＷ／ｃｍ2以上１００ｋＷ／ｃｍ2以下であることが好ましい（請求項４）。
この場合には、上記照射スポットにおける上記平均エネルギー密度の範囲をさらに適切にして、レーザ溶接時のスパッタやプラズマプルーム等をさらに抑制して、一層良好な外観を呈する溶接ビードを得ることができる。
【実施例】
【００２３】
（実施例１）
本例は、アルミニウム合金に対するレーザ溶接方法に関する例である。本例の内容について、図１〜図７を用いて説明する。
本例のレーザ溶接方法は、図１に示すごとく、半導体レーザ溶接装置１を構成する半導体レーザ素子１１（図２参照。）が発光する半導体レーザ光を、図示しない集光レンズを介してアルミニウム又はアルミニウム合金よりなるワーク２０の表面であるワーク表面２０１に照射してレーザ溶接を実施するものである。
【００２４】
本例のレーザ溶接方法では、焦点距離４０ｍｍ以上２５０ｍｍ以下の集光レンズを用いて半導体レーザ光を集光して、略長方形状もしくは略楕円形状をなす領域であって、その領域内での平均エネルギー密度が３０ｋＷ／ｃｍ2以上３００ｋＷ／ｃｍ2未満である照射スポット１５０（図４及び図５参照。）を、ワーク表面２０１に形成すると共に、該ワーク表面２０１において、照射スポット１５０の形成位置をその長手方向に沿って相対移動させる。
以下に、この内容について詳しく説明する。
【００２５】
本例の半導体レーザ溶接装置１は、図１に示すごとく、波長８０８ｎｍの半導体レーザ光を発光する発光部１０を有する装置である。発光部１０は、図２及び図３に示すごとく、複数の半導体レーザ素子１１を一列上に配列したＬＤバー１２を、該ＬＤバー１２における半導体レーザ素子１１の配列方向と略直交する方向に、複数積層してなるＬＤスタック１５よりなる。該ＬＤスタック１５は、略長方形状を呈する発光面１００を形成している。そして、上記半導体レーザ溶接装置１では、略長方形状を呈する発光面１００を有する１個のＬＤスタック１５から半導体レーザ光を発光して、ワーク表面に略長方形状もしくは略楕円形状の照射スポット１５０を形成する。
【００２６】
この半導体レーザ溶接装置１は、同図に示すごとく、溶接台１０３に載置すると共に、押さえ部材１０１で固定したワーク２０を、レーザ溶接するように構成してある。なお、溶接台１０３は、ワーク２０を載置した状態で、ワーク表面２０１に形成した照射スポット１５０の長手方向に移動するように構成してある。半導体レーザ溶接装置１では、溶接台１０３の上記の移動動作により、ワーク表面２０１において、相対的に、照射スポット１５０の形成位置をその長手方向に沿って移動できる。
【００２７】
また、この半導体レーザ溶接装置１は、図１に示すごとく、溶接箇所に向けてシールドガスを供給するアシストガスノズル１０２を有する。なお、本例では、このシールドガスとしてアルゴンガスを用い、そのアルゴンガスを流量２０リットル／分の割合で吹き付けした。なお、本例では、スパッタ、プラズマプルームから集光レンズ（図示略）を保護する作用を得るため、溶接箇所の側方から窒素ガスを吹き付けした。
【００２８】
上記半導体レーザ溶接装置１は、集光レンズを介して集光した半導体レーザ光を、光ファイバ等を介さずに直接、ワーク表面２０１に照射するように構成してある。
なお、本例では、集光レンズとしては、焦点距離ｆ＝１００ｍｍと２００ｍｍのものを準備した。
【００２９】
ｆ＝１００ｍｍの集光レンズを装着した半導体レーザ溶接装置１が発光する半導体レーザ光は、垂直面へのレーザ照射時に、図４に示すエネルギー分布を呈する。なお、同図（Ａ）は、エネルギーの分布を、その大きさを高さにより表現して３次元表示したものである。そして、同図（Ｂ）は、ほぼガウス分布を呈する半導体レーザ光のエネルギー分布について、最大出力の１／ｅ２以上（ｅは自然対数の底。）、すなわち最大エネルギーのおよそ８６％以上のエネルギーを呈する領域を表示したものである。
同図に示すごとく、本例の半導体レーザ溶接装置１では、ｆ＝１００ｍｍの集光レンズを用いると、平均エネルギー密度が１７９ｋＷ／ｃｍ2であって、L×Wが０．６７ｍｍ×２．５ｍｍの照射スポット１５０が形成される。
【００３０】
また、ｆ＝２００ｍｍの集光レンズを装着したときには、垂直面へのレーザ照射時に、図５に示すエネルギー分布を呈する。なお、同図（Ａ）は、エネルギーの分布を、その大きさを高さにより表現して３次元表示したものである。そして、同図（Ｂ）は、ほぼガウス分布を呈する半導体レーザ光のエネルギー分布について、最大出力の１／ｅ２以上、すなわち最大エネルギーのおよそ８６％以上のエネルギーを呈する領域を表示したものである。
同図に示すごとく、本例の半導体レーザ溶接装置１では、ｆ＝２００ｍｍの集光レンズを用いると、平均エネルギー密度が５１ｋＷ／ｃｍ2であって、L×Wが１．２８ｍｍ×４．６ｍｍの照射スポット１５０が形成される。
【００３１】
本例では、上記の半導体レーザ溶接装置１を用い、１ｍｍ厚の板状のアルミニウム合金（ＡＡ５０２２及びＡＡ６０１６）よりなるワーク２０について、レーザ溶接を実施した。ここでは、ワーク表面２０１におけるレーザ照射位置の移動速度である溶接速度を実験条件に設定して、継手を形成せずに母材をそのまま溶加材なしで溶接する、いわゆるメルトラン溶接を行った。なお、本例では、上記のワーク２０をレーザ溶接するに当たって、半導体レーザ溶接装置１のレーザ出力を３ｋＷに設定した。
【００３２】
以上の実験の結果を、図６及び図７に示す。なお、これらの図では、横軸に溶接速度を規定すると共に、縦軸には、板状のワーク２０の溶接裏面における溶接ビード幅である裏面ビード幅を規定している。また、図６には、ＡＡ５０２２よりなるワークについての実験結果を示し、図７には、ＡＡ６０１６よりなるワークについての実験結果を示している。さらにまた、両図では、実線ａに焦点距離１００ｍｍの集光レンズでの結果を示し、一点鎖線ｂには、焦点距離２００ｍｍの集光レンズでの結果を示してある。
【００３３】
図６及び図７によれば、ｆ＝２００ｍｍの集光レンズを用いた場合の方が、裏面ビード幅が広くなっている。そして、ｆ＝２００ｍｍの集光レンズの場合では、照射した半導体レーザ光がワーク２０を貫通し得る最大の溶接速度である貫通溶接速度（すなわち、裏面ビード幅が０ｍｍとなる溶接速度。）が、ＡＡ５０２２では９ｍ／分、ＡＡ６０１６では６ｍ／分と、アーク溶接に比べて格段に速くなった。
すなわち、本例のように略長方形状もしくは略楕円形状を呈する照射スポット１５０によるレーザ溶接では、照射スポット１５０の幅（長手方向に直交する方向の寸法。）が上記裏面ビード幅に、照射スポットの長手方向の寸法が上記貫通溶接速度に影響を与えていることが解る。
【００３４】
そして、上記の知見に基づけば、半導体レーザ光による照射スポット１５０における長手方向の長さと、該長手方向に直交する方向の幅との縦横比を４：１とすれば貫通溶接速度を６ｍ／分以上と大幅に向上でき、レーザ溶接作業の効率を向上することができる。
【００３６】
（実施例２）
本例は、実施例１の半導体レーザ溶接方法に基づいて、アルミニウム合金Ａ５１８２よりなる板厚１ｍｍの板状体についてメルトラン溶接を実施した例である。本例の内容について、表１を用いて説明する。
表１に示すごとく、本例では、数点の溶接条件を設定してレーザ溶接を実施し、そのときの貫通溶接速度、スパッタやプラズマプルームの発生の有無及び溶接ビードの外観の良否を調べている。
【００３７】
なお、同表中の各項目のうち、出力（ｋW）は、半導体レーザ溶接装置で設定したレーザ出力であり、平均エネルギー密度（ｋＷ／ｃｍ2）は、照射スポットにおける平均のエネルギー密度であり、Ｌ（ｍｍ）は、照射スポットの長手方向の長さを、Ｗ（ｍｍ）は、照射スポットの幅を、焦点距離（ｍｍ）は、使用した集光レンズの焦点距離を示しており、貫通溶接速度（ｍ／分）は、照射した半導体レーザ光がワークを貫通し得る最大の溶接速度である。
【００３８】
表１中、本例の試験データは、試験番号４〜６、１０〜１３及び１６〜２０に示すものである。これらの試験データは、集光レンズの焦点距離が４０ｍｍ以上２５０ｍｍ以下であって、かつ、上記照射スポットにおける長手方向と該長手方向に直交する方向の比率である縦横比が２：１を超えて２０：１以下の範囲にあり、かつ、その平均エネルギー密度が３０ｋＷ／ｃｍ2以上３００ｋＷ／ｃｍ2未満であるという好ましい溶接条件のもとで得られたものである。
【００３９】
同表に示すごとく、本例の上記各試験番号に基づく溶接条件によれば、効率良く溶接作業を実施し得る貫通溶接速度である２ｍ／分以上が実現されており、かつ、スパッタ及びプラズマプルームの発生が抑制されて良好な外観を呈する溶接ビードが得られている。
なお、その他の構成及び作用効果については実施例１と同様である。
【００４０】
【表１】
0004728583.tif 000002
【００４１】
（比較例１）
本例は、実施例１を基にして、好ましい範囲から外れた溶接条件に沿って半導体レーザ溶接を実施した比較例である。この比較例の内容について、表１を用いて説明する。
本例の試験データは、表１における試験番号１〜３、７〜９、１４、１５及び２１に示してある。
【００４２】
同表に示すごとく、本例の各溶接条件では、集光レンズの焦点距離が４０ｍｍ以上２５０ｍｍ以下であること、照射スポットにおける平均エネルギー密度が３０ｋＷ／ｃｍ2以上３００ｋＷ／ｃｍ2未満であることのうちの少なくとも１つが満たされていない。
【００４３】
試験番号１〜３、８、９及び１５の溶接条件では、ワーク表面に形成した照射スポットにおける平均エネルギー密度が不足しているため、ワークの母材を十分に溶融できない場合（同表中、未溶融と表示。）や、貫通溶融速度が不足（適正な貫通溶融速度は２ｍ／分以上。）する場合が生じる。そのため、これらの溶接条件では、溶接作業を実施できないか、あるいは、効率良く溶接作業を実施することができないおそれが高い。なお、同表中では、問題となる現象に×印を付してある。
【００４４】
試験番号７、１４の溶接条件では、焦点距離が適正な範囲を下回っていると共に、照射スポットの縦横比が１となっている。そのため、これらの溶接条件下の半導体レーザ溶接では、スパッタ及びプラズマプルームが発生し、これに起因して溶接ビードの外観が不良となっている。
試験番号２１は、照射スポットの縦横比が１であって、かつ、焦点距離が適正範囲を下回っているのに加えて、さらに、平均エネルギー密度が過大である。そのため、この溶接条件下での半導体レーザ溶接では、スパッタ及びプラズマプルームが発生し、それ故、溶接ビードの外観が不良となっている。
【００４５】
以上のごとく、溶接条件が適正な範囲から外れた比較例では、効率良く溶接作業を実施できないか、あるいは、スパッタやプラズマプルーム等の発生により溶接ビードの外観が不良となるおそれが高い。
なお、その他の構成及び作用効果については実施例１と同様である。
【図面の簡単な説明】
【００４６】
【図１】実施例１における、半導体レーザ溶接装置を示す説明図。
【図２】実施例１における、ＬＤバーを示す説明図。
【図３】実施例１における、ＬＤスタックを示す説明図。
【図４】実施例１における、照射スポットにおけるエネルギー分布を示す説明図（焦点距離＝１００ｍｍ）。
【図５】実施例１における、照射スポットにおけるエネルギー分布を示す説明図（焦点距離＝２００ｍｍ）。
【図６】実施例１における、ＡＡ５０２２よりなるワークについての溶接速度と裏面ビード幅との関係を示すグラフ。
【図７】実施例１における、ＡＡ６０１６よりなるワークについての溶接速度と裏面ビード幅との関係を示すグラフ。
【符号の説明】
【００４７】
１  半導体レーザ溶接装置
１０  発光部
１００  発光面
１０１  押さえ部材
１０２  アシストガスノズル
１０３  溶接台
１１  半導体レーザ素子
１２  ＬＤバー
１５  ＬＤスタック
１５０  照射スポット
２０  ワーク
２０１  ワーク表面
【図１】
0004728583.tif 000003
【図２】
0004728583.tif 000004
【図３】
0004728583.tif 000005
【図４】
0004728583.tif 000006
【図５】
0004728583.tif 000007
【図６】
0004728583.tif 000008
【図７】
0004728583.tif 000009