(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
配線間のショート箇所を検出するために用いられる検査回路であって、
それぞれ一方向に延在するとともに、互いに間隔を隔てて設けられた複数の第一の配線と、
それぞれ一方向に延在するとともに、前記複数の第一の配線と同一層において、それぞれ、前記複数の第一の配線の間に間隔を隔てて設けられた複数の第二の配線と、
前記第一の配線および前記第二の配線とは異なる層の前記第一の配線および前記第二の配線と重なる領域において、それぞれ前記複数の第一の配線および前記複数の第二の配線と交差する方向に延在するとともに、互いに間隔を隔てて設けられた複数の第三の配線と、
前記複数の第二の配線と前記複数の第三の配線とをそれぞれ接続する複数の第一のビアと、
前記複数の第一の配線と電気的に接続された第一の検査パッドと、
前記複数の第三の配線と電気的に接続された第二の検査パッドと、
を含むことを特徴とする検査回路。
【請求項２】
請求項１に記載の検査回路において、
前記複数の第二の配線は、互いに平行に延在することを特徴とする検査回路。
【請求項３】
請求項１または２に記載の検査回路において、
前記複数の第三の配線は、互いに平行に延在することを特徴とする検査回路。
【請求項４】
請求項１乃至３いずれかに記載の検査回路において、
前記複数の第一の配線は、互いに平行に延在することを特徴とする検査回路。
【請求項５】
請求項１乃至３いずれかに記載の検査回路において、
前記第一の配線および前記第二の配線は、互いに平行に延在することを特徴とする検査回路。
【請求項６】
請求項４または５に記載の検査回路において、
前記複数の第三の配線は、互いに平行に延在するとともに、前記複数の第一の配線と垂直な方向に延在することを特徴とする検査回路。
【請求項７】
請求項１乃至６いずれかに記載の検査回路において、
前記第一の検査パッドと、前記第二の検査パッドとの間に電圧を印加する第一の電源をさらに含むことを特徴とする検査回路。
【請求項８】
請求項１乃至７いずれかに記載の検査回路において、
前記複数の第三の配線と同一層の前記第一の配線および前記第二の配線と重なる領域において、それぞれ前記複数の第一の配線および前記複数の第二の配線と交差する方向に延在するとともに、前記第三の配線の間に間隔を隔てて設けられた複数の第四の配線と、
前記第一の配線と前記第四の配線とをそれぞれ接続する複数の第二のビアと、
をさらに含むことを特徴とする検査回路。
【請求項９】
請求項８に記載の検査回路において、
前記複数の第四の配線は、互いに平行に延在することを特徴とする検査回路。
【請求項１０】
請求項８または９に記載の検査回路において、
前記複数の第三の配線および前記複数の第四の配線は、互いに平行に延在することを特徴とする検査回路。
【請求項１１】
請求項９または１０に記載の検査回路において、
前記複数の第一の配線は、互いに平行に延在するとともに、前記複数の第四の配線は、前記複数の第一の配線と垂直な方向に延在することを特徴とする検査回路。
【請求項１２】
請求項８乃至１１いずれかに記載の検査回路において、
前記複数の第二の配線と電気的に接続された第三の検査パッドと、
前記複数の第四の配線と電気的に接続された第四の検査パッドと、
をさらに含むことを特徴とする検査回路。
【請求項１３】
請求項１２に記載の検査回路において、
前記第三の検査パッドと前記第四の検査パッドとの間に電圧を印加する第二の電源をさらに含むことを特徴とする検査回路。
【請求項１４】
請求項１乃至１３いずれかに記載の検査回路を用いて、配線間のショート箇所を検出する検査方法であって、
前記第一の検査パッドと、前記第二の検査パッドとの間に電圧を印加する工程と、
前記検査回路上にレーザービームを走査させて前記検査回路に流れる電流経路を走査像として取得する工程と、
を含むことを特徴とする検査方法。
【請求項１５】
請求項１２または１３に記載の検査回路を用いて、配線間のショート箇所を検出する検査方法であって、
前記第一の検査パッドと、前記第二の検査パッドとの間に電圧を印加する工程と、
前記検査回路上にレーザービームを走査させて前記検査回路に流れる電流経路を第一の走査像として取得する工程と、
前記第三の検査パッドと、前記第四の検査パッドとの間に電圧を印加する工程と、
前記検査回路上にレーザービームを走査させて前記検査回路に流れる電流経路を第二の走査像として取得する工程と、
を含むことを特徴とする検査方法。
【請求項１６】
請求項１乃至１３いずれかに記載の検査回路を含むことを特徴とする半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、配線間のショート箇所を検出するための検査回路およびそれを用いた検査方法、ならびに当該検査回路を含む半導体装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体装置の配線形成プロセスとして、ダマシン工法が知られている。ダマシン工法では、配線溝に銅等の金属材料を埋め込み、配線溝外部に露出した金属材料をＣＭＰ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ  Ｐｏｌｉｓｈｉｎｇ）により除去することにより配線が形成される。この後、配線上にＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｖａｐｏｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）により、ＳｉＮ、ＳｉＣＮ等のキャップ膜を形成する。このようなキャップ膜は、配線を構成する銅が上層の層間絶縁膜中にイオンドリフトして、配線間リークが生じるのを防止する目的で設けられる。
【０００３】
しかし、ＣＭＰで形成された配線表面には、欠陥等の影響により界面準位が形成されているため、キャップ膜との界面にリーク電流の伝導経路が形成されてしまう。また、配線間に強い電界が生じると、銅がイオン化し、銅イオンがバリアメタルとキャップ膜の破れた箇所から層間絶縁膜中に浸入する。層間絶縁膜中に浸入した銅イオンは、電界から受ける力を駆動力として、アノード側からカソード側へ移動する。その後、銅イオンは、カソード近傍で電子を受け取って析出する。この析出した銅がパイルアップして電界強度が増加し、ショート故障が発生することがある。このようなショート故障の原因や発生箇所を検査するために、検査回路を用いたＴＤＤＢ（time dependent dielectric breakdown）等の電気特性の解析が行われる。
【０００４】
図８は、従来の検査回路（ＴＥＧ）の構成の一例を示す図である。図８（ａ）に示すように、従来の検査回路は、一対の櫛型の配線パターン２および配線パターン４が対向して設けられた構成を有する。配線パターン２および配線パターン４は、層間絶縁膜５中に形成されており、配線パターン２は検査パッド２０に、配線パターン４は検査パッド２２にそれぞれ接続されている。
【０００５】
検査は、検査パッド２０と検査パッド２２との間に電圧を印加した場合のリーク電流の推移を観測することによりおこなう。検査パッド２０と検査パッド２２との間に電位差を与え、ショートが発生した時点で故障と判断し、電圧の印加を終了する。その後、ショート箇所の特定および解析を行う。
【０００６】
ここで、図示したように、たとえば配線パターン２と配線パターン４との間にショート箇所３０が発生した場合を想定する。この状態で、検査パッド２０と検査パッド２２との間に電圧を印加すると、図８（ｂ）において破線（実際の電流経路４０）で示すように、ショート箇所３０を介して配線パターン２と配線パターン４の間に電流が流れる。
【０００７】
電流経路は、レーザービームを走査させた際の電流変化を輝度変化で表示するＯＢＩＲＣＨ（Optical Beam Induced Resistance Change）法を用いることにより、像として観察することができる。しかし、レーザービームの径は約１．３μｍであり、通常、配線パターン２と配線パターン４の櫛歯部分の配線間隔よりも大きいため、ＯＢＩＲＣＨ法を用いた場合、電流経路は図８（ｂ）の斜線（観測電流経路４２）のように観察される。
【特許文献１】特開平１１−２３６６８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
そのため、ＯＢＩＲＣＨ法を用いた像からは、ショート箇所３０を特定することができず、ショート箇所３０が含まれる範囲を大きなブロックでしか検出することができなかった。このようなブロックからショート箇所を特定するのは容易ではなく、解析に非常に時間がかかるという課題が生じていた。これによって半導体装置の製造コストも嵩み、プロセスへのフィードバックが充分に行えないという課題もあった。
【０００９】
本発明は、こうした事情に鑑みてなされたものであり、配線間のショート箇所の絞り込みを効率よく行い、ショート箇所の特定を容易に行うことができる技術を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明によれば、配線間のショート箇所を検出するために用いられる検査回路であって、それぞれ一方向に延在するとともに、互いに間隔を隔てて設けられた複数の第一の配線と、それぞれ一方向に延在するとともに、複数の第一の配線と同一層において、それぞれ、複数の第一の配線の間に間隔を隔てて設けられた複数の第二の配線と、第一の配線および第二の配線とは異なる層の第一の配線および第二の配線と重なる領域において、それぞれ複数の第一の配線および複数の第二の配線と交差する方向に延在するとともに、互いに間隔を隔てて設けられた複数の第三の配線と、複数の第二の配線と複数の第三の配線とをそれぞれ接続する複数の第一のビアと、複数の第一の配線と電気的に接続された第一の検査パッドと、複数の第三の配線と電気的に接続された第二の検査パッドと、を含むことを特徴とする検査回路が提供される。
【００１１】
本発明の検査回路は、第一の検査パッドと、第二の検査パッドとの間に電圧を印加する第一の電源をさらに含むことができる。
【００１２】
このように構成された検査回路において、たとえばいずれかの第一の配線と第二の配線との間にショート箇所がある場合に、第一の検査パッドと、第二の検査パッドとの間に電圧を印加すると、ショート箇所および第二の配線と第三の配線とを接続する第一のビアを介して第一の検査パッドと第二の検査パッドとの間に電流が流れる。ここで、第二の配線と第三の配線とは、複数の第一のビアで接続されているが、ショート箇所に最も近い位置にある第一のビアを流れる電流が最も大きくなる。たとえば第一の検査パッドから第一の配線に電流が流れる場合、電流はショート箇所近傍の第一のビアを介して第三の配線から第二の検査パッドの方向に流れる。第三の配線は、第一の配線と交差する方向に延在するので、第一のビアを経由した後、電流経路の方向が変化することになる。ＯＢＩＲＣＨ法を用いて電流経路をレーザービームを走査させて走査像として取得すると、電流経路の方向が変化した領域にショート箇所があることになり、ショート箇所を効率よく絞り込むことができる。
【００１３】
本発明の検査回路において、複数の第一の配線は、互いに略平行に延在するように形成することができる。また、本発明の検査回路において、複数の第二の配線は、互いに略平行に延在するように形成することができる。さらに、本発明の検査回路において、複数の第一の配線および複数の第二の配線は、互いに略平行に延在するように形成することができる。
【００１４】
また、複数の第一の配線は、等間隔で形成することができる。また、複数の第二の配線は、等間隔で形成することができる。さらに、複数の第一の配線および複数の第二の配線は、等間隔で形成することができる。
【００１５】
本発明の検査回路において、複数の第三の配線は、互いに略平行に延在するように形成することができる。また、第三の配線は、等間隔で形成することができる。
【００１６】
以上のように、複数の配線を略平行に形成することにより、小さいスペースに効率よく複数の配線を配置することができ、検査回路を小型化することができる。また、複数の第一の配線、複数の第二の配線、および複数の第三の配線を規則性を有するように形成することにより、配線周囲の環境の影響によるショート発生等の物理現象の解析を行うことができる。
【００１７】
本発明の検査回路において、複数の第三の配線は、互いに略平行に延在するとともに、複数の第一の配線と略垂直な方向に延在するように形成することができる。このような構成とすることにより、小さいスペースに効率よく複数の配線を配置することができ、検査回路を小型化することができる。  また、電流経路の変化点の検出を行いやすくすることができる。これにより、ショート箇所を効率よく検出することができる。
【００１８】
本発明の検査回路は、複数の第三の配線と同一層の第一の配線および第二の配線と重なる領域において、それぞれ複数の第一の配線および複数の第二の配線と交差する方向に延在するとともに、第三の配線の間に間隔を隔てて設けられた複数の第四の配線と、第一の配線と第四の配線とをそれぞれ接続する複数の第二のビアと、をさらに含むことができる。
【００１９】
このような構成とすれば、上述したように、第一の検査パッドと、第二の検査パッドとの間に電圧を印加してショート箇所の絞り込みを行う際に、第一の配線と第四の配線とが第二のビアで接続された構成を被験対象とすることができ、実際の製品レイアウトにより近い配線パターンの解析を行うことができる。
【００２０】
本発明の検査回路は、複数の第二の配線と電気的に接続された第三の検査パッドと、複数の第四の配線と電気的に接続された第四の検査パッドと、をさらに含むことができる。
【００２１】
本発明の検査回路は、第三の検査パッドと第四の検査パッドとの間に電圧を印加する第二の電源をさらに含むことができる。
【００２２】
このように構成された検査回路において、たとえばいずれかの第一の配線と第二の配線との間にショート箇所がある場合に、第三の検査パッドと、第四の検査パッドとの間に電圧を印加すると、ショート箇所および第一の配線と第四の配線とを接続する第二のビアを介して第三の検査パッドと第四の検査パッドとの間に電流が流れる。ここでも、ショート箇所に最も近い位置にある第二のビアを流れる電流が最も大きくなる。たとえば第三の検査パッドから第二の配線に電流が流れる場合、電流はショート箇所近傍の第二のビアを介して第四の配線から第四の検査パッドの方向に流れる。第四の配線は、第二の配線と交差する方向に延在するので、第二のビアを経由した後、電流経路の方向が変化することになる。ＯＢＩＲＣＨ法を用いて電流経路をレーザービームを走査させて走査像として取得すると、電流経路の方向が変化した領域にショート箇所があることになり、ショート箇所を効率よく絞り込むことができる。上述したように、第一の検査パッドと第二の検査パッドとの間に電圧を印加した場合も、電流経路を走査像として取得することができるが、第三の検査パッドと第四の検査パッドとの間に電圧を印加した場合とは電流経路が異なるため、異なる領域が絞り込まれる。そのため、第一の検査パッドと第二の検査パッドとの間に電圧を印加した場合の走査像と、第三の検査パッドと第四の検査パッドとの間に電圧を印加した場合の走査像を取得することにより、これらの領域の重なり部分にショート箇所があることになり、ショート箇所をより効率よく絞り込むことができる。
【００２３】
本発明の検査回路において、複数の第四の配線は、互いに略平行に延在するように形成することができる。また、本発明の検査回路において、複数の第三の配線および複数の第四の配線は、互いに略平行に延在するように形成することができる。また、複数の第四の配線は、等間隔で形成することができる。
【００２４】
本発明の検査回路において、複数の第一の配線は、互いに略平行に延在するように形成することができ、複数の第四の配線は、複数の第一の配線と略垂直な方向に延在するように形成することができる。
【００２５】
本発明によれば、上述したいずれかの検査回路を用いて、配線間のショート箇所を検出する検査方法が提供される。この方法は、第一の検査パッドと、第二の検査パッドとの間に電圧を印加する工程と、検査回路上にレーザービームを走査させて検査回路に流れる電流経路を走査像として取得する工程と、を含む。
【００２６】
本発明によれば、上述したいずれかの検査回路を用いて、配線間のショート箇所を検出する検査方法が提供される。この方法は、第一の検査パッドと、第二の検査パッドとの間に電圧を印加する工程と、検査回路上にレーザービームを走査させて検査回路に流れる電流経路を第一の走査像として取得する工程と、第三の検査パッドと、第四の検査パッドとの間に電圧を印加する工程と、検査回路上にレーザービームを走査させて検査回路に流れる電流経路を第二の走査像として取得する工程と、を含む。
【００２７】
本発明によれば、上述したいずれかの検査回路を含むことを特徴とする半導体装置が提供される。半導体装置は、実際の製品を生産する前の製品サンプルの半導体チップを含むことができ、たとえば、検査回路を半導体チップのコーナーに設けることができる。これにより、実配線パターンに不良が生じた場合等に、検査回路を用いて原因の解析を行うことができる。
【発明の効果】
【００２８】
本発明によれば、配線間のショート箇所の絞り込みを効率よく行うことができ、ショート箇所の特定を容易に行うことができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２９】
以下、本発明の実施の形態について、図面を用いて説明する。なお、すべての図面において、同様な構成要素には同様の符号を付し、適宜説明を省略する。
【００３０】
以下の実施の形態において、検査回路１００は、たとえば、実際の製品を生産する前の製品サンプルの半導体チップ中に導入することができる。図７は、半導体チップ２０２中に検査回路１００が形成された構成の半導体装置２００を示す図である。ここでは、検査回路１００は、半導体チップ２０２のコーナーに形成される。このようにしておけば、半導体チップの実配線パターンにおいて不良が生じた場合に、検査回路１００を用いて原因の解析を行うことができる。
【００３１】
（第一の実施の形態）
図１は、本実施の形態における検査回路１００の構成を示す図である。検査回路１００は、実配線パターンに対応した構成を有する。
【００３２】
図１（ａ）は、検査回路１００の上面図を示す。検査回路１００は、櫛型の第一の配線パターン１０２と、櫛型の第二の配線パターン１０４と、櫛型の第三の配線パターン１０６と、第一の配線パターン１０２に電気的に接続された第一のパッド１２０と、第二の配線パターン１０４に電気的に接続された第二のパッド１２２と、第三の配線パターン１０６に電気的に接続された第三のパッド１２４とを含む。第一の配線パターン１０２と第二の配線パターン１０４とは同じ層に形成される。第一の配線パターン１０２と、第二の配線パターン１０４とは、互いに対向して設けられ、一方の配線パターンの櫛歯部分が他方の配線パターンの櫛歯部分の間に配置するよう入れ子状に形成されている。本実施の形態において、第一の配線パターン１０２、第二の配線パターン１０４、および第三の配線パターン１０６において、それぞれ、櫛歯部分の配線は、互いに略平行に形成されるとともに等間隔で形成される。また、第一の配線パターン１０２と第二の配線パターン１０４の櫛歯部分の配線は、互いに略平行に形成されるとともに、等間隔で形成される。
【００３３】
第三の配線パターン１０６は、第一の配線パターン１０２および第二の配線パターン１０４とは異なる層に形成される。第三の配線パターン１０６の櫛歯部分は、第一の配線パターン１０２および第二の配線パターン１０４の櫛歯部分と交差するように形成される。本実施の形態において、第三の配線パターン１０６の櫛歯部分は、第一の配線パターン１０２および第二の配線パターン１０４の櫛歯部分と略垂直に交差するように形成される。第三の配線パターン１０６は、第二の配線パターン１０４との複数の交差部分で、それぞれビア１０８を介して電気的に接続される。また、第一のパッド１２０と第三のパッド１２４との間には、電源１２８およびスイッチ１２８ａが設けられ、第一のパッド１２０と第三のパッド１２４との間に電圧を印加可能となっている。
【００３４】
図１（ｂ）は、図１（ａ）のＡ−Ａ’断面図である。図１（ｂ）に示すように、第三の配線パターン１０６は、層間絶縁膜（不図示）を挟んで、第一の配線パターン１０２および第二の配線パターン１０４の上層に形成される。なお、他の例において、第三の配線パターン１０６は、第一の配線パターン１０２および第二の配線パターン１０４の下層に形成されてもよい。本実施の形態において、第二の配線パターン１０４と第三の配線パターン１０６とは、複数のビア１０８を介して電気的に接続される。
【００３５】
図２は、図１に示した検査回路１００を模式的に示す図である。ここで、図２（ａ）に示すように、第一の配線パターン１０２と第二の配線パターン１０４の間にショート箇所１３０が形成されている場合を例として説明する。このような場合に、スイッチ１２８ａを閉じて、第一のパッド１２０と第三のパッド１２４との間に電圧を印加すると、電流は、第一のパッド１２０から第一の配線パターン１０２に沿って図中縦方向に流れ、ショート箇所１３０を通った後、ショート箇所１３０に最も近いビア１０８を介して第三の配線パターン１０６に沿って図中横方向に第三のパッド１２４方向に流れる。
【００３６】
ここで、第二の配線パターン１０４と第三の配線パターン１０６とは、複数のビア１０８を介して電気的に接続されているので、電流は電流経路１４０だけでなく、他の経路も介して流れると考えられる。しかし、ショート箇所１３０に最も近いビアに最も大きな電流が流れると考えられる。そのため、図２（ｂ）に示す電流経路１４０を通って流れる電流の大きさが最も大きくなる。
【００３７】
このような場合に、ＯＢＩＲＣＨ法を用いると、電流経路は、図中斜線で示したように、第一のパッド１２０から図中縦方向に延在し、ある地点で図中右方向に延在して第三のパッド１２４に延在する略Ｌ字型の領域１４２として観察される。上述したように、ショート箇所１３０に最も近いビアに最も大きな電流が流れるため、ＯＢＩＲＣＨ法により得られる像のコントラストから、領域１４２を特定することができる。本実施の形態において、ショート箇所１３０の近くのビア１０８を介して電流経路の方向が変化する。そのため、電流経路の変化地点を検出することにより、ショート箇所１３０を検出することができる。この観察結果から、ショート箇所１３０は、縦方向の観察電流経路および横方向の観察電流経路の交点領域１４４となる。これにより、ショート箇所１３０の絞り込みを効率よく行うことができ、ショート箇所の特定を迅速に行うことができる。このようにショート箇所を特定することにより、たとえば配線材料として銅を用いた場合、銅が層間絶縁膜中に浸入したり蓄積したりする等の物理現象の解析を行うことができ、設計された配線パターンにおけるＴＤＤＢの弱点となる部位を突き止めることができる。これにより、その部位の設計を改善することにより、半導体装置の信頼性を向上させることができる。
【００３８】
（第二の実施の形態）
図３は、本実施の形態における検査回路１００の構成を示す図である。本実施の形態において、検査回路１００は、第一の実施の形態で図１に示した検査回路１００に加えて、櫛型の第四の配線パターン１１０と、第四の配線パターン１１０に電気的に接続された第四のパッド１２６とをさらに含む。第四の配線パターン１１０は、第三の配線パターン１０６と同じ層に形成される。第三の配線パターン１０６と、第四の配線パターン１１０とは、互いに対向して設けられ、一方の配線パターンの櫛歯部分が他方の配線パターンの櫛歯部分の間に配置するよう入れ子状に形成される。第四の配線パターン１１０の櫛歯部分は、第一の配線パターン１０２および第二の配線パターン１０４の櫛歯部分と交差するように形成される。本実施の形態において、第四の配線パターン１１０の櫛歯部分は、第一の配線パターン１０２および第二の配線パターン１０４の櫛歯部分と略垂直に交差するように形成される。第四の配線パターン１１０は、第一の配線パターン１０２との複数の交差部分で、それぞれビア１０９を介して電気的に接続される。また、第二のパッド１２２と第四のパッド１２６との間には、電源１２９およびスイッチ１２９ａが設けられ、第二のパッド１２２と第四のパッド１２６との間に電圧を印加可能となっている。
【００３９】
本実施の形態において、第四の配線パターン１１０の櫛歯部分の配線は、互いに略平行に形成されるとともに等間隔で形成される。また、第三の配線パターン１０６と第四の配線パターン１１０の櫛歯部分の配線は、互いに略平行に形成されるとともに等間隔で形成される。
【００４０】
次に、図４〜図６を参照して、配線間のショート箇所を検出するための動作を説明する。
図４は、第一の配線パターン１０２と第二の配線パターン１０４との間にショート箇所１３０が形成されている状態を示す図である。このような場合に、図５に示すように、スイッチ１２８ａを閉じて第一のパッド１２０と第三のパッド１２４との間に電圧を印加すると、ショート箇所１３０を介して電流経路１４０に沿って第一のパッド１２０と第三のパッド１２４との間に電流が流れる。このような場合に、ＯＢＩＲＣＨ法を用いると、電流経路は、一点破線で囲った領域１４２として観察される。これにより、ショート箇所１３０がＸ方向（図中横方向）およびＹ方向（図中縦方向）の観測電流経路の交点領域１４４に含まれることがわかる。
【００４１】
また、図６に示すように、スイッチ１２９ａを閉じて第二のパッド１２２と第四のパッド１２６との間に電圧を印加すると、ショート箇所１３０を介して電流経路１４６に沿って第二のパッド１２２と第四のパッド１２６との間に電流が流れる。このような場合に、ＯＢＩＲＣＨ法を用いると、電流経路は、一点破線で囲った領域１４８として観察される。これにより、ショート箇所１３０がＸ方向およびＹ方向の観測電流経路の交点領域１５０に含まれることがわかる。
【００４２】
以上のような方法を用いると、図５に示した交点領域１４４と図６に示した交点領域１５０との重なり部分にショート箇所１３０が含まれることがわかる。これにより、ショート箇所１３０の絞り込みをさらに行うことができ、ショート箇所１３０の特定を迅速に行うことができる。
【００４３】
また、本実施の形態における検査回路１００の構成によれば、第一のパッド１２０と第三のパッド１２４の間、または第二のパッド１２２と第四のパッド１２６の間のいずれか一方に電圧を印加することにより、ビアが形成された配線間のＴＤＤＢの解析を行うことができる。これにより、実際の製品レイアウトにより近い配線パターンの解析を行うことができる。
【００４４】
以上、図面を参照して本発明の実施の形態および実施例について述べたが、これらは本発明の例示であり、上記以外の様々な構成を採用することもできる。
【００４５】
たとえば、以上の実施の形態において、検査回路１００が半導体チップ中に導入された形態を示したが、検査回路は、半導体ウェハのスクライブライン上に形成してもよい。
【図面の簡単な説明】
【００４６】
【図１】本発明の実施の形態における検査回路の構成を示す図である。
【図２】図１に示した検査回路を模式的に示す図である。
【図３】本発明の実施の形態における検査回路の構成を示す図である。
【図４】配線間のショート箇所を検出するための動作を説明する図である。
【図５】配線間のショート箇所を検出するための動作を説明する図である。
【図６】配線間のショート箇所を検出するための動作を説明する図である。
【図７】半導体チップ中に検査回路が形成された構成の半導体装置を示す図である。
【図８】従来の検査回路（ＴＥＧ）の構成の一例を示す図である。
【符号の説明】
【００４７】
１００  検査回路
１０２  第一の配線パターン
１０４  第二の配線パターン
１０６  第三の配線パターン
１０８  ビア
１０９  ビア
１１０  第四の配線パターン
１２０  第一のパッド
１２２  第二のパッド
１２４  第三のパッド
１２６  第四のパッド
１２８  電源
１２８ａ  スイッチ
１２９  電源
１２９ａ  スイッチ
１３０  ショート箇所
１４０  電流経路
１４４  交点領域
１４６  電流経路
１５０  交点領域
【図１】
0004727943.tif 000002
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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