(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１導電型の半導体基板内に、第１導電型の第１不純物領域（３）と第２導電型の第２不純物領域（４）とが並んだ構造が２回以上繰返された繰返し構造を有する半導体装置において、
前記繰返し構造の最端部に位置する前記第１および第２の不純物領域（３，４）のいずれかである低濃度領域（３，４）が、前記繰返し構造を構成するすべての前記第１および第２不純物領域（３，４）の中で最も低い不純物濃度もしくは最も少ない総合的な実効電荷量を有し、
前記低濃度領域（３，４）の不純物濃度が、前記低濃度領域（３，４）よりも前記繰返し構造の中央部側にある前記第１および第２不純物領域（３，４）のいずれかである高濃度領域（３，４）の不純物濃度の３０％以上７０％以下であり、
前記低濃度領域（３，４）と前記高濃度領域（３，４）との間に位置する前記第１および第２の不純物領域（３，４）のいずれかである中間濃度領域（３，４）の不純物濃度が、前記低濃度領域（３，４）の不純物濃度よりも高く、かつ前記高濃度領域（３，４）の不純物濃度よりも低い、半導体装置。
【請求項２】
前記半導体基板は互いに対向する第１主面と第２主面とを有しており、
前記繰返し構造を構成する複数の前記第１不純物領域（３）の少なくとも１つの前記第１主面側の少なくとも一部に、前記第１不純物領域（３）と主たるｐｎ接合を構成するように第２導電型の第３不純物領域（５）が形成されており、
前記繰返し構造の前記第２主面側には第１導電型の第４不純物領域（１）が形成されていることを特徴とする、請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】
前記第１不純物領域（３）と主たるｐｎ接合を構成する前記第３不純物領域（５）は、絶縁ゲート型電界効果トランジスタ部のボディ領域であることを特徴とする、請求項２に記載の半導体装置。
【請求項４】
繰返し構造の最端部に位置する前記低濃度領域（３，４）は、能動素子を構成しないことを特徴とする、請求項１に記載の半導体装置。
【請求項５】
特定の一方向に延在する前記第１不純物領域（３）の端近くの上部の少なくとも一部に形成された第２導電型の第３不純物領域（５）と、
前記特定の一方向とは逆方向の前記第１不純物領域（３）の端近くの上部の少なくとも一部に形成された第１導電型の第４不純物領域（５４）と、
前記第３不純物領域（５）に電気的に接続された第１電極と、
前記第４不純物領域（５４）に電気的に接続された第２電極と、をさらに備え、
前記第１および第２電極はともに前記第１主面上に形成されていることを特徴とする、請求項１に記載の半導体装置。
【請求項６】
前記半導体基板は互いに対向する第１主面と第２主面とを有し、かつ前記第１主面に複数の溝（２３）を有し、
前記繰返し構造は、前記第１および第２不純物領域（３，４）が前記溝（２３）を挟んで並ぶ構造が２回以上繰返された構造を有することを特徴とする、請求項１に記載の半導体装置。
【請求項７】
前記複数の溝（２３）に囲まれた前記半導体基板のメサ部分の一方側面に前記第１不純物領域（３）が形成されており、他方側面に前記第２不純物領域（４）が形成されており、かつ前記第１不純物領域（３）の前記第１主面側の少なくとも一部に、前記第１不純物領域（３）と主たるｐｎ接合を構成するように第２導電型の第３不純物領域（５）が形成されていることを特徴とする、請求項６に記載の半導体装置。
【請求項８】
前記第１不純物領域（３）と主たるｐｎ接合を構成する前記第３不純物領域（５）は、絶縁ゲート型電界効果トランジスタ部のボディ領域であることを特徴とする、請求項７に記載の半導体装置。
【請求項９】
繰返し構造の最端部に位置する前記低濃度領域（３，４）は、能動素子を構成しないことを特徴とする、請求項６に記載の半導体装置。
【請求項１０】
前記複数の溝（２３）の最端部に位置する溝（２３）は、前記第１主面において複数の第１の孔（２３ａ）が所定方向に沿って間隔をあけて配置された点線状の表面パターンを有する第１の点線状溝であり、前記低濃度領域（３，４）は前記第１の点線状溝（２３）の一方側壁に位置するよう形成されていることを特徴とする、請求項６に記載の半導体装置。
【請求項１１】
前記第１の点線状溝（２３）を構成する前記複数の第１の孔（２３ａ）の前記第１主面における一方側壁の長さの総和が、前記第１の点線状溝（２３）よりも中央部側において連続的に延びる溝（２３）の前記第１主面における一方側壁の長さの３０％以上７０％以下であることを特徴とする、請求項１０に記載の半導体装置。
【請求項１２】
前記第１の点線状溝（２３）と前記連続的に延びる溝（２３）との間に位置する溝が、前記第１主面において複数の第２の孔（２３ａ1，２３ａ2）が所定方向に沿って間隔をあけて配置された点線状の表面パターンを有する第２の点線状溝（２３）であり、
前記第２の点線状溝（２３）を構成する前記複数の第２の孔（２３ａ1，２３ａ2）の前記第１主面における一方側壁の長さの総和が、前記第１の点線状溝（２３）を構成する前記複数の第１の孔（２３ａ3）の前記第１主面における一方側壁の長さの総和よりも大きく、かつ前記第２の点線状溝（２３）よりも中央部側において連続的に延びる溝（２３）の前記第１主面における一方側壁の長さよりも小さいことを特徴とする、請求項１１に記載の半導体装置。
【請求項１３】
前記複数の溝（２３）に囲まれた前記半導体基板のメサ部分の一方側面に前記第１不純物領域（３）が形成されており、他方側面に前記第２不純物領域（４）が形成されており、かつ前記第１不純物領域（３）の前記第１主面側の少なくとも一部に、前記第１不純物領域（３）と主たるｐｎ接合を構成するように第２導電型の第３不純物領域（５）が形成されていることを特徴とする、請求項１０に記載の半導体装置。
【請求項１４】
前記第１不純物領域（３）と主たるｐｎ接合を構成する前記第３不純物領域（５）は、絶縁ゲート型電界効果トランジスタ部のボディ領域であることを特徴とする、請求項１３に記載の半導体装置。
【請求項１５】
繰返し構造の最端部に位置する前記低濃度領域（３，４）は、能動素子を構成しないことを特徴とする、請求項１０に記載の半導体装置。
【請求項１６】
前記半導体基板は互いに対向する第１主面と第２主面とを有し、かつ前記第１主面に互いに隣り合う第１および第２の溝（２３）を含む複数の溝を有し、
前記第１の溝（２３）の両側壁の各々には前記第１不純物領域（３）が形成され、かつ前記第２の溝（２３）の両側壁の各々には前記第２不純物領域（４）が形成された構造が２回以上繰返されていることを特徴とする、請求項１に記載の半導体装置。
【請求項１７】
前記複数の溝（２３）に囲まれた前記半導体基板のメサ部分の一方側面に前記第１不純物領域（３）が形成されており、他方側面に前記第２不純物領域（４）が形成されており、かつ前記第１不純物領域（３）の前記第１主面側の少なくとも一部に、前記第１不純物領域（３）と主たるｐｎ接合を構成するように第２導電型の第３不純物領域（５）が形成されていることを特徴とする、請求項１６に記載の半導体装置。
【請求項１８】
前記第１不純物領域（３）と主たるｐｎ接合を構成する前記第３不純物領域（５）は、絶縁ゲート型電界効果トランジスタ部のボディ領域であることを特徴とする、請求項１７に記載の半導体装置。
【請求項１９】
繰返し構造の最端部に位置する前記低濃度領域（３，４）は、能動素子を構成しないことを特徴とする、請求項１６に記載の半導体装置。
【請求項２０】
前記複数の溝（２３）の最端部に位置する溝（２３）は、前記第１主面において複数の第１の孔（２３ａ）が所定方向に沿って間隔をあけて配置された点線状の表面パターンを有する第１の点線状溝（２３）であり、前記低濃度領域（３，４）は前記第１の点線状溝（２３）の一方側壁に位置するよう形成されていることを特徴とする、請求項１６に記載の半導体装置。
【請求項２１】
前記第１の点線状溝（２３）を構成する前記複数の第１の孔（２３ａ）の前記第１主面における一方側壁の長さの総和が、前記第１の点線状溝（２３）よりも中央部側において連続的に延びる溝（２３）の前記第１主面における一方側壁の長さの３０％以上７０％以下であることを特徴とする、請求項２０に記載の半導体装置。
【請求項２２】
前記第１の点線状溝（２３）と前記連続的に延びる溝（２３）との間に位置する溝（２３）が、前記第１主面において複数の第２の孔（２３ａ1，２３ａ2）が所定方向に沿って間隔をあけて配置された点線状の表面パターンを有する第２の点線状溝（２３）であり、
前記第２の点線状溝（２３）を構成する前記複数の第２の孔（２３ａ1，２３ａ2）の前記第１主面における一方側壁の長さの総和が、前記第１の点線状溝（２３）を構成する前記複数の第１の孔（２３ａ3）の前記第１主面における一方側壁の長さの総和よりも大きく、かつ前記第２の点線状溝（２３）よりも中央部側において連続的に延びる溝（２３）の前記第１主面における一方側壁の長さよりも小さいことを特徴とする、請求項２１に記載の半導体装置。
【請求項２３】
前記複数の溝（２３）に囲まれた前記半導体基板のメサ部分の一方側面に前記第１不純物領域（３）が形成されており、他方側面に前記第２不純物領域（４）が形成されており、かつ前記第１不純物領域（３）の前記第１主面側の少なくとも一部に、前記第１不純物領域（３）と主たるｐｎ接合を構成するように第２導電型の第３不純物領域（５）が形成されていることを特徴とする、請求項２０に記載の半導体装置。
【請求項２４】
前記第１不純物領域（３）と主たるｐｎ接合を構成する前記第３不純物領域（５）は、絶縁ゲート型電界効果トランジスタ部のボディ領域であることを特徴とする、請求項２３に記載の半導体装置。
【請求項２５】
繰返し構造の最端部に位置する前記低濃度領域（３，４）は、能動素子を構成しないことを特徴とする、請求項２０に記載の半導体装置。
【請求項２６】
第１導電型の半導体基板内に、第１導電型の第１不純物領域（３）と第２導電型の第２不純物領域（４）とが並んだ構造が２回以上繰返された繰返し構造を有する半導体装置の製造方法において、
前記繰返し構造の最端部に位置する前記第１および第２の不純物領域（３，４）のいずれかである低濃度領域（３，４）が、前記繰返し構造を構成するすべての前記第１および第２不純物領域（３，４）の中で最も低い不純物濃度もしくは最も少ない総合的な実効電荷量を有することとなるように、前記低濃度領域（３，４）の不純物濃度が、前記低濃度領域（３，４）よりも前記繰返し構造の中央部側にある前記第１および第２不純物領域（３，４）のいずれかである高濃度領域（３，４）の不純物濃度の３０％以上７０％以下となるように、かつ前記低濃度領域（３，４）と前記高濃度領域（３，４）との間に位置する前記第１および第２の不純物領域（３，４）のいずれかである中間濃度領域（３，４）の不純物濃度が前記低濃度領域（３，４）の不純物濃度よりも高く、かつ前記高濃度領域（３，４）の不純物濃度よりも低くなるように、前記低濃度領域（３，４）と、前記高濃度領域（３，４）および前記中間濃度領域（３，４）を含むそれ以外の他の前記第１および第２不純物領域（３，４）とが独立に濃度を変えて形成されることを特徴とする、半導体装置の製造方法。
【請求項２７】
前記低濃度領域（３，４）と他の前記第１および第２不純物領域（３，４）とを独立に濃度を変えて形成するために、前記低濃度領域（３，４）と他の前記第１および第２不純物領域（３，４）とを独立に濃度を変えたイオン注入と熱処理とにより形成することを特徴とする、請求項２６に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項２８】
前記低濃度領域（３，４）と他の前記第１および第２不純物領域（３，４）とを独立に濃度を変えて形成するために、前記低濃度領域（３，４）と他の前記第１および第２不純物領域（３，４）とを独立に濃度を変えたイオン注入と多段階のエピタキシャル成長とにより形成することを特徴とする、請求項２６に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項２９】
前記低濃度領域（３，４）と他の前記第１および第２不純物領域（３，４）とを独立に濃度を変えて形成するために、前記低濃度領域（３，４）と他の前記第１および第２不純物領域（３，４）とを、独立に濃度を変えかつ多段階に注入エネルギーを変えたイオン注入により形成することを特徴とする、請求項２６に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項３０】
前記低濃度領域（３，４）と他の前記第１および第２不純物領域（３，４）とを独立に濃度を変えて形成するために、イオン注入用マスク（３１ｑ）の第１の開口部から注入された不純物イオンにより他の前記第１および第２不純物領域（３，４）を形成し、前記第１の開口部よりも開口総面積の小さい第２の開口部から注入された不純物イオンにより前記低濃度領域（３，４）を形成することを特徴とする、請求項２６に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項３１】
前記第２の開口部は、互いに分離された複数の微小開口部が密に配置された構成を有しており、
熱処理を施すことにより、複数の前記微小開口部の各々から注入された不純物イオンが一体となって最終的な仕上がり平均不純物濃度が他の前記第１および第２不純物領域（３，４）よりも低い前記低濃度領域（３，４）を形成することを特徴とする、請求項３０に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項３２】
前記半導体基板の第１主面に、１本以上の溝（２３）と、１本以上の前記溝（２３）の外側に並んで位置しかつ複数の第１の孔（２３ａ）が所定方向に沿って間隔をあけて配置されることにより前記第１主面において点線状の表面パターンを有する点線状溝（２３）とを、同時に形成する工程と、
１本以上の前記溝（２３）および前記点線状溝（２３）の各々の一方側壁に、同時にイオン注入することにより、前記点線状溝（２３）の一方側壁に前記低濃度領域（３，４）と、１本以上の前記溝（２３）の一方側壁に他の前記第１または第２不純物領域（３，４）とを同時に形成する工程と、をさらに備えたことを特徴とする、請求項２６に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項３３】
前記半導体基板の第１主面に２以上の溝（２３）を形成する工程と、
２以上の前記溝（２３）の一方側壁に、前記第１または第２不純物領域（３，４）を形成するために不純物をイオン注入する工程と、
２以上の前記溝（２３）のうち最端部に位置する溝（２３）以外を充填層により埋め込んだ状態で、最端部に位置する前記溝（２３）の一方側壁に、すでに注入された不純物とは逆導電型の不純物をイオン注入することにより、すでに注入された不純物の濃度を実質的に低濃度化して前記低濃度領域（３，４）を形成する工程と、をさらに備えたことを特徴とする、請求項２６に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項３４】
前記半導体基板の第１主面に１本以上の溝（２３）を形成する工程と、
１本以上の前記溝（２３）の各一方側壁に前記第１または第２不純物領域（３，４）を形成するために第１の注入量でイオン注入をする工程と、
１本以上の前記溝（２３）の各々を充填層により埋め込んだ状態で、１本以上の前記溝（２３）の外側に新たに最端部溝（２３）を形成する工程と、
前記最端部溝（２３）の一方側壁に前記低濃度領域（３，４）を形成するために前記第１の注入量よりも少ない第２の注入量でイオン注入をする工程と、をさらに備えたことを特徴とする、請求項２６に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項３５】
前記半導体基板の第１主面に互いに隣り合う第１および第２の溝（２３）を含む２本以上の溝（２３）と、２本以上の前記溝（２３）の外側に並んで位置しかつ複数の第１の孔（２３ａ）が所定方向に沿って間隔をあけて配置されることにより前記第１主面において点線状の表面パターンを有する点線状溝（２３）とを形成する工程と、
前記第１の溝（２３）の両側壁の各々に前記第１不純物領域（３）を形成するために第１の不純物をイオン注入する工程と、
前記第２の溝（２３）の両側壁の各々に前記第２不純物領域（４）を形成するために第２の不純物をイオン注入する工程と、をさらに備え、
前記低濃度領域（３，４）は前記第１または第２不純物のイオン注入と同時の注入により前記点線状溝（２３）の両側壁に形成されることを特徴とする、請求項２６に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項３６】
複数の第１の溝（２３）よりなる第１の溝群を前記半導体基板の第１主面に形成する工程と、
前記第１の溝（２３）の各々の両側壁に前記第１不純物領域（３）を形成するためのイオン注入をする工程と、
複数の第２の溝（２３）よりなる第２の溝群を、前記第１の溝（２３）と前記第２の溝（２３）とが交互に位置するように前記第１主面に形成する工程と、
前記第２の溝（２３）の各々の両側壁に前記第２不純物領域（４）を形成するためのイオン注入をする工程と、
交互に配置された前記第１および第２の溝（２３）のうち最端部に位置する溝（２３）以外を充填層により埋め込んだ状態で、最端部に位置する前記溝（２３）の両側壁に、すでに注入された不純物と逆導電型の不純物を注入することにより、すでに注入された不純物の濃度を実質的に低濃度化して前記低濃度領域（３，４）を形成する工程と、をさらに備えたことを特徴とする、請求項２６に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項３７】
複数の第１の溝（２３）よりなる第１の溝群を前記半導体基板の第１主面に形成する工程と、
前記第１の溝（２３）の各々の両側壁に前記第１不純物領域（３）を形成するためのイオン注入をする工程と、
前記第１の溝（２３）の各々を充填層で埋め込んだ状態で、複数の第２の溝（２３）よりなる第２の溝群を、前記第１の溝（２３）と前記第２の溝（２３）とが交互に位置するように前記第１主面に形成する工程と、
前記第２の溝（２３）の各々の両側壁に前記第２不純物領域（４）を形成するためのイオン注入をする工程と、
前記第１および第２の溝（２３）の各々を充填層で埋め込んだ状態で、交互に配置された前記第１および第２の溝（２３）の最端部に位置する溝（２３）の外側に新たに最端部溝（２３）を形成する工程と、
前記最端部溝（２３）の両側壁に、前記第１または第２導電型の不純物イオンを注入することにより、前記第１または第２不純物領域（３，４）よりも不純物濃度の低い前記低濃度領域（３，４）を形成する工程と、をさらに備えたことを特徴とする、請求項２６に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項３８】
複数の第１の溝（２３）よりなる第１の溝群と、複数の第２の溝（２３）よりなる第２の溝群とを、前記第１の溝（２３）と前記第２の溝（２３）とが交互に位置するように同時に前記半導体基板の第１主面に形成する工程と、
前記第２の溝群を第１の充填層で埋め込んだ状態で、前記第１の溝群を構成する複数の前記第１の溝（２３）の各々の両側壁に前記第１不純物領域（３）を形成するためのイオン注入をする工程と、
前記第１の溝群を第２の充填層で埋め込んだ状態で、前記第２の溝群を構成する複数の前記第２の溝（２３）の各々の両側壁に前記第２不純物領域（４）を形成するためのイオン注入をする工程と、
前記第１の溝群を構成する複数の前記第１の溝（２３）と前記第２の溝群を構成する複数の前記第２の溝（２３）との中で最端部に位置する最端部溝（２３）以外のすべての溝を第３の充填層で埋め込んだ状態で、前記最端部溝（２３）の両側壁にすでに注入された不純物と逆導電型の不純物イオンを注入することにより、すでに注入された不純物の濃度を低濃度化して前記低濃度領域（３，４）を形成する工程と、をさらに備えたことを特徴とする、請求項２６に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項３９】
複数の第１の溝（２３）よりなる第１の溝群と、複数の第２の溝（２３）よりなる第２の溝群とを、前記第１の溝（２３）と前記第２の溝（２３）とが交互に位置するように同時に前記半導体基板の第１主面に形成する工程と、
前記第２の溝群を第１の充填層で埋め込んだ状態で、前記第１の溝群を構成する複数の前記第１の溝（２３）の各々の両側壁に前記第１不純物領域（３）を形成するためのイオン注入をする工程と、
前記第１の溝群を第２の充填層で埋め込んだ状態で、前記第２の溝群を構成する複数の前記第２の溝（２３）の各々の両側壁に前記第２不純物領域（４）を形成するためのイオン注入をする工程と、をさらに備え、
前記第１の溝群を構成する複数の前記第１の溝（２３）と前記第２の溝群を構成する複数の前記第２の溝（２３）との中で最端部に位置する最端部溝（２３）は、前記第１主面において複数の孔（２３ａ）が所定方向に沿って間隔をあけて配置された点線状の表面パターンを有する点線状溝（２３）であることを特徴とする、請求項２６に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項４０】
前記半導体基板の第１主面に２以上の溝（２３）を形成する工程と、
２以上の前記溝（２３）の一方側壁に、前記第１または第２不純物領域（３，４）を形成するために不純物をイオン注入する工程と、
２以上の前記溝（２３）のうち最端部に位置する溝（２３）を充填層により埋め込んだ状態で、最端部に位置する前記溝（２３）以外の溝（２３）の一方側壁に、すでに注入された不純物と同じ導電型の不純物をイオン注入することにより、すでに注入された不純物の濃度を実質的に高濃度化して、最端部に位置する前記溝（２３）側壁の前記第１または第２不純物領域（３，４）を相対的に低濃度領域とする工程と、をさらに備えたことを特徴とする、請求項２６に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項４１】
複数の第１の溝（２３）よりなる第１の溝群を前記半導体基板の第１主面に形成する工程と、
前記第１の溝の各々の両側壁に前記第１不純物領域（３）を形成するためのイオン注入をする工程と、
複数の第２の溝（２３）よりなる第２の溝群を、前記第１の溝（２３）と前記第２の溝（２３）とが交互に位置するように前記第１主面に形成する工程と、
前記第２の溝（２３）の各々の両側壁に前記第２不純物領域（４）を形成するためのイオン注入をする工程と、
交互に配置された前記第１および第２の溝（２３）のうち最端部に位置する溝（２３）を充填層により埋め込んだ状態で、最端部に位置する前記溝（２３）以外の溝（２３）の両側壁に、すでに注入された不純物と同じ導電型の不純物を注入することにより、すでに注入された不純物の濃度を実質的に高濃度化して、最端部に位置する前記溝（２３）側壁の前記第１または第２不純物領域（３，４）を相対的に低濃度領域とする工程と、をさらに備えたことを特徴とする、請求項２６に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項４２】
複数の第１の溝（２３）よりなる第１の溝群と、複数の第２の溝（２３）よりなる第２の溝群とを、前記第１の溝（２３）と前記第２の溝（２３）とが交互に位置するように同時に前記半導体基板の第１主面に形成する工程と、
前記第２の溝群を第１の充填層で埋め込んだ状態で、前記第１の溝群を構成する複数の前記第１の溝（２３）の各々の両側壁に前記第１不純物領域（３）を形成するためのイオン注入をする工程と、
前記第１の溝群を第２の充填層で埋め込んだ状態で、前記第２の溝群を構成する複数の前記第２の溝（２３）の各々の両側壁に前記第２不純物領域（４）を形成するためのイオン注入をする工程と、
前記第１の溝群を構成する複数の前記第１の溝（２３）と前記第２の溝群を構成する複数の前記第２の溝（２３）との中で最端部に位置する最端部溝（２３）を第３の充填層で埋め込んだ状態で、前記最端部溝（２３）以外の溝（２３）の両側壁にすでに注入された不純物と同じ導電型の不純物イオンを注入することにより、すでに注入された不純物の濃度を高濃度化して、最端部溝（２３）の側壁の前記第１または第２不純物領域（３，４）を相対的に低濃度領域とする工程と、をさらに備えたことを特徴とする、請求項２６に記載の半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体装置およびその製造方法に関するもので、特に、電力半導体装置の性能の改良や、歩留りの改善に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
従来型ＭＯＳ−ＦＥＴ（Metal Oxide Semiconductor - Field Effect Transistor）の一様なｎ型ドリフト層の代りに、ＲＥＳＵＲＦ(Reduced SURface Field)効果と呼ばれる電界緩和現象を応用した微細なｐ型とｎ型層の繰返し構造を用いた素子が、たとえばＵＳＰ６，０４０，６００などで提唱されている。この素子において、オン状態では、従来構造の一様なｎドリフト層の濃度より１桁程度高い不純物濃度のｎ型ドリフト層により低オン抵抗が得られ、オフ状態では、ｎ／ｐ層の３次元的な多重ＲＥＳＵＲＦ効果により全体の電界が緩和される。これにより、単独の高濃度ｎ型ドリフト層のみで通常得られる主耐圧の数倍の耐圧を実現でき、原理的には、主耐圧と比オン抵抗の関係を限定したＳｉ限界（比抵抗率は主耐圧の２.５乗に比例するＲｏｎ、ｓｐ＝５．９３×１０-9ＢＶ2.5）を切ることができるＳＴＭ（Super Trench power MOS-FET）構造が得られる。
【０００３】
しかしながら、実素子においては、チップの端の部分で、この微細なｐ型とｎ型層の繰返し構造を無限に繰返すことができないために、繰返しが途切れる終端構造「Termination」部分での主耐圧の低下が激しいという問題があった。以下、このような観点から、従来技術とその問題点について説明する。
【０００４】
図１４８は、従来の半導体装置の第１の構成を概略的に示す断面図であり、具体的な能動素子構造としてＭＯＳ−ＦＥＴを想定した場合に相当する構成を示す。図１４８を参照して、ＭＯＳ−ＦＥＴのｎ+ドレイン領域１０１の第１主面側にｎ-エピタキシャル層１０２が形成されている。このｎ-エピタキシャル層１０２内に、ｎ型ドリフト領域１０３とｐ型不純物領域１０４とが交互に繰返されたｐｎ繰返し構造が形成されている。
【０００５】
なお、このｐｎ繰返し構造における素子中央付近は説明の便宜上省略しているが、通常、この部分に数百から数万組のｎ型ドリフト領域１０３とｐ型不純物領域１０４との組合せが繰返し存在する。１組のｎ型ドリフト領域１０３のｎ型不純物濃度とｐ型不純物領域１０４のｐ型不純物濃度とは、実質的に同一となるように設定されている。
【０００６】
ｐ型不純物領域１０４の第１主面側には、ｐ型ボディ領域１０５が形成されている。このｐ型ボディ領域１０５はｎ型ドリフト領域１０３の第１主面側の少なくとも一部上にも位置しており、ｎ型ドリフト領域１０３と主たるｐｎ接合を構成している。このｐ型ボディ領域１０５内の第１主面には、ＭＯＳ−ＦＥＴのｎ+ソース領域１０６と、ｐ型ボディ領域１０５への低抵抗コンタクトをとるためのｐ+コンタクト領域１０７とが並んで形成されている。
【０００７】
ｎ型ドリフト領域１０３とｎ+ソース領域１０６とに挟まれたｐ型ボディ領域１０５にゲート絶縁膜１０８を介して対向するように第１主面上にゲート電極１０９が形成されている。このゲート電極１０９に正電圧が印加されると、ゲート電極１０９に対向するｐ型ボディ領域１０５がｎ型に反転してチャネル領域が形成される。
【０００８】
ｎ+ソース領域１０６とｐ+コンタクト領域１０７とに電気的に接続するように、第１主面上に、たとえばアルミニウム（Ａｌ）を含む材質よりなるソース電極１１０が形成されている。
【０００９】
ｎ+ドレイン領域１０１に接するように第２主面上にドレイン金属配線１１１が形成されている。
【００１０】
なお実素子においては、ソース電極部分は、第１主面上の層間絶縁膜に設けられたコンタクトホールを通じて、かつバリアメタルを介してｎ+ソース領域１０６およびｐ+コンタクト領域１０７に電気的に接続されている。しかし、本願においては、その部分は重要ではないため全ての図においてソース電極部分は簡略化されて実線を交えて表現されている。
【００１１】
また実素子においては、ｎ+ドレイン領域１０１は有効素子部分の厚みに比べて数倍から数十倍厚いが、簡略化のため図においてはｎ+ドレイン領域１０１が有効素子部分よりも薄いように表現されている。これらに限らず、図中の各寸法は、表現の簡略化のために、縮尺や寸法比率などはデフォルメされており、必ずしも正確なものではない。
【００１２】
ｐｎ繰返し構造の終端構造として、たとえばｐ型不純物領域１１５よりなる多重のガードリング構造が設けられている。
【００１３】
この構成において、ｎ型ドリフト領域１０３とｐ型不純物領域１０４との各々は、ｐｎ繰返し構造の中央部と端部とで実質的に同一の不純物濃度を有している。
【００１４】
図１４９は、従来の半導体装置の第２の構成を概略的に示す断面図である。図１４９を参照して、この構成においては、ｎ-エピタキシャル層１０２が埋め込み多層エピタキシャル構造を有しており、ｐ型不純物領域１０４が半導体基板の深さ方向に一体化した複数のｐ型領域１０４ａから構成されている。この構成においても、ｐ型不純物領域１０４の各々は、ｐｎ繰返し構造の中央部と端部とで実質的に同一の不純物濃度を有している。
【００１５】
ただし、各ｐ型不純物領域１０４の上下方向の濃度分布はもともとある構造で、これは製造方法に起因する濃度分布であり、本発明で議論する横方向の繰返し部分での濃度勾配とは無関係である。また、図中では、簡単のために、上下方向の濃度勾配は２段階でしか描いていないが、実際には、この濃度は連続的に変化するものである。
【００１６】
この従来例における製造方法の特徴は、埋め込み層形成の工程を簡略化する目的で、ｐ型層と濃度がバランスする程度に比較的高濃度のｎ-エピタキシャル層１０２を使う点である。このようにｎ-エピタキシャル層１０２内にｐ型の埋め込み拡散層１０４ａを形成してから熱処理をかけるため、ｐ型不純物領域１０４が良く知られた串刺し団子状になる。
【００１７】
図１５０は、従来の半導体装置の第３の構成を概略的に示す断面図である。図１５０を参照して、この構成においては、ｎ型ドリフト領域１０３とｐ型不純物領域１０４とを1組として、その1組のｐｎ組合せの間に、埋込み物１２４で充填された溝１２３が配置されている。
【００１８】
この図１５０に相当する構造の電界集中の様子を示したのが、図１５１である。この図において黒い部分が電界集中の高い部分を示しているが、ｐｎ繰返し構造が途切れる部分（矢印で示す領域）で電界が集中していることが分かる。
【００１９】
ただし、この図１５１では、終端構造部分は、ＦＬＲ（Field Limiting Ring）もしくはＦＦＲ（Floating Field Ring）と呼ばれる多重のガードリングではなく、ＦＰ（Field Plate）構造を採用している。
【００２０】
なお、図１４９および図１５０に示す構成のうち上記した以外の構成は、図１４８に示す構成とほぼ同じであるため、同一の部材については同一の符号を付し、その説明を省略する。
【００２１】
【発明が解決しようとする課題】
上述のように第１〜第３の従来例では、ｐｎ繰返し構造が途切れる部分に、ガードリング、ＦＬＲ、ＪＴＥ（Junction Termination Extension）、ＦＰなどの通常の終端構造を組み合せた構造がある。しかし、このような終端構造を組み合せただけでは、ｐｎ繰返し構造が途切れる部分では、ｐｎ繰返し構造の中央部で得られるセル内の高耐圧よりも遥かに低い耐圧しか得られない。このため、素子は動作するものの、結果として、主耐圧とオン抵抗のトレードオフ関係が改善されないという問題があった。
【００２２】
また、ｐｎ繰返し構造の途切れた部分の外側で、ｐ型層とn型層の特殊な濃度設定をすることにより、主セル部分の高耐圧を損なわない方法として、次の先行例１の内容が発表されている。しかし、この手法によっても、後述の理由により、実現が難しいという問題がある。
【００２３】
上記先行例１は、たとえば、ＩＳＰＳＤ  ２０００（International Symposium on Power Semiconductor Devices & ICs)で発表された、CPES(Center for Power Electronics Systems),Virginia Polytechnic Institute and State University,“Junction Termination Technique for Super Junction Devices”である。
【００２４】
この先行例１は、ｐｎ繰返し構造の終端構造そのものの改変を示したものである。
【００２５】
また上記先行例１には、図１５２に示す構成が示されている。図１５２を参照して、ｐ層２０４とｎ層２０３の繰返しが途切れる部分から、ｎ層の厚み（深さ）Ｒを半径とする１/４円の扇型になるような、実効的な導電型および濃度が低濃度のｐ-領域とみなせるものが形成される。しかし、実際にｐ-領域を、このような濃度分布を持って形成することはできない。このため、実効的なｐ-領域の濃度分布が、図１５３に示したような減衰曲線になる必要がある。
【００２６】
これを実現するためには、図１５４に示すＳＪＴ（Super Junction Termination）構造のように、ｎ型領域２０３の濃度も幅も一定にし、かつｐ型領域２０４の濃度は一定で幅を変更する構成が用いられている。これにより、実効的な濃度を変えたのと同じ効果を引出すことができると先行例１には記されている。
【００２７】
また、その際に要求されているのは、あくまで、図１５５に示したような等ポテンシャル面が等間隔の扇形に並ぶような形であり、かつ表面に露出している電界強度分布がジグザグであり、その山と山、谷と谷同志が同じ高さと深さになることである。
【００２８】
またこの先行例１では、ｐi領域２０４とｎi領域２０３との各濃度が、単一の拡散層内で上下左右に一様であることを仮定している。しかし、ｐｎ濃度比の関係であるとは言え、濃度の絶対値が大きく変化する場合には、関係式が成立しなくなるか、その関係を記述するのが極めて煩雑になり近似の精度も落ちるため、先行例１の本来の効果を発揮しにくいという問題点もある。
【００２９】
具体的には、先行例１の本文に、２頁目右欄〜３頁目左欄の“Along the SJT surface,…in the following calculation.”という記述がなされている。この記述では、最表面の電界分布が臨界破壊電界に到達しないように各部分の濃度と幅に代表される体積が先行例１中の（５）式を満足するように設定されれば良いことになっている。
【００３０】
換言すれば、この先行例１は、ＳＪＴ、すなわち「超接合終端構造」という文字通りに、繰返しセル部分の超接合構造を、いかに終端構造部分まで延長して、終端構造をも含んだ形での素子全体の設計を開示しているものであり、中央の繰返しセル部分と終端構造とが一対一に対応して不可分になっているものであり、非常に限定的な構造であるが、本発明では、繰返しセル部と一般的な終端構造部分との「繋ぎ方」を記述したものであって、本質的に異なっている。
【００３１】
図１５３の動径方向のｐ型アクセプター濃度分布で要求される分布を、ｐｎ層の繰返しによって形成した場合に、最表面の電界分布が、ジグザグ状になるが、その山と山、谷と谷が全て同じであれば、最大の耐圧が得られる。そのため、図１５５に示したように等ポテンシャル面(線)が等間隔で扇型に分布するように、ｎ、ｐ領域２０３、２０４の濃度を一定とした場合には、各領域２０３、２０４の幅で調整する必要がある。
【００３２】
またＳＪＴは、以下の２点の問題点があるため実用的ではないと考えられる。
まず、ＳＪＴ構造を構成するための濃度規定が複雑で、設計にあたっては事前に終端構造部とは違う繰返しセル部の濃度配置を詳細に検討した上で、それに合致する個別の設計を、ＳＪＴ部分に施す必要があり、加えて、半導体チップの物理的・機械的な最終端まで構造を作り込む難しさがある。一方、本発明は、繰返しセル部の最終端近傍の相対濃度を、比較的単純な算術で調整するだけで良いので、設計も製造方法も簡便であるという利点がある。
【００３３】
２点目は、ＳＪＴ構造は、埋込み多層エピタキシャル成長法による製造の場合にのみ実現可能であり、トレンチ側壁拡散を用いる場合には、事実上製造できないなど、汎用性に欠ける点もある。
【００３４】
さらに、先行例１の本文中にもあるように、この手法は多層エピタキシャル構造への応用が原理的には可能ではあるけれど、トレンチ方式を応用した素子構造には製造技術上、適用不可能であるため汎用性にかけるという問題もある。
【００３５】
次に、ＵＳＰ５，４３８，２１５に開示された技術を先行例２として図１５６を用いて説明する。
【００３６】
図１５６を参照して、縦型ＭＯＳ−ＦＥＴは、低ｎドーピングされた内部領域３０１を有している。半導体基体の上側表面３０２内には反対の導電型（ｐ）のベース領域３０３が設けられている。ベース領域３０３内には第１導電型（ｎ）
のソース領域３０４が埋め込まれている。表面３０２上に絶縁されてゲート電極３０８が配置されている。他方の表面３０６には内部領域３０１と同じ導電型の高ドーピングされたドレイン領域３０７が設けられている。
【００３７】
内部領域３０１内には逆電圧の際に広がる空間電荷領域の範囲内に補助半導体領域３１１、３１２が配置されている。内部領域とは反対の導電型の少なくとも２つの領域３１１が設けられている。領域３１１間には内部領域３０１と同じ導電型（ｎ）を有し内部領域よりも高くドーピングされた補助領域３１２が配置されている。その補助領域は単一の領域によってあらゆる側から取囲まれている。この単一の領域は領域３１２と同様に内部領域と同じ導電型を有しているが、内部領域よりも高ドーピングされている。
【００３８】
この構成においては、能動セルが形成されている部分が低濃度のｎ-領域３０１の中に埋め込まれる構成を示しているが、この外周部分の不純物濃度についての記載は特になく、セル部分の構成方法についてのみ議論されている。
【００３９】
また一般的には、この先行例２のｐｎ繰返し構造を形成していない部分の不純物濃度は、従来構造（ｐｎ繰返しのない構造）のパワーＭＯＳ−ＦＥＴで設定される素子耐圧に製造マージン程度の余裕をみた値から逆算される不純物濃度に設定されると推定される。しかし、それでは、ｐｎ繰返し構造における終端構造部分の電界分布は三角形になり、セル部分で実現している台形状の電界分布と異なる。このため、上記先行例１と同じく、繰返しセル内部と終端構造部分との電界分布の違いが大きくなり、従来型のＭＯＳ−ＦＥＴ構造に比べて、主耐圧とオン抵抗の関係は改善されるものの、本来セル部分で得られる高耐圧を実現し得ないという問題があった。
【００４０】
【課題を解決するための手段】
本発明の目的は、３次元多重ＲＥＳＵＲＦ効果に基づく半導体装置において、主耐圧とオン抵抗の間のトレードオフ関係を改善する構造と、その構造を実現できる製造方法とを提供することである。
【００４１】
本発明の半導体装置は、第１導電型の半導体基板内に、第１導電型の第１不純物領域と第２導電型の第２不純物領域とが並んだ構造が２回以上繰返された繰返し構造を有する半導体装置において、繰返し構造の最端部（outermost portion）に位置する第１および第２の不純物領域のいずれかである低濃度領域が、繰返し構造を構成するすべての第１および第２不純物領域の中で最も低い不純物濃度もしくは最も少ない総合的な実効電荷量を有し、低濃度領域の不純物濃度が、低濃度領域よりも繰返し構造の中央部側にある第１および第２不純物領域のいずれかである高濃度領域の不純物濃度の３０％以上７０％以下であり、低濃度領域と高濃度領域との間に位置する第１および第２の不純物領域のいずれかである中間濃度領域の不純物濃度が低濃度領域の不純物濃度よりも高く、かつ高濃度領域の不純物濃度よりも低いことを特徴とするものである。
【００４２】
本発明の半導体装置によれば、繰返し構造の最端部の濃度を一部、中央部分よりも低濃度化したことにより、中央部のセル繰返し部分で用いている強い「３次元的な多重ＲＥＳＵＲＦ効果」を徐々に緩める「緩衝領域」を設けることで、ガードリングやフィールド・プレートなどで構成された従来型のいわゆる「終端構造（Termination structure）」部分との接続を容易にし、強い「３次元的な多重ＲＥＳＵＲＦ効果」部分といわゆる「終端構造」部分との接続の「不整合」によって起こる主耐圧低下を抑制できる。
【００４３】
また低濃度領域の不純物濃度を高濃度領域の不純物濃度の３０％以上７０％以下に調整することにより、ｐｎ繰返し構造の中央部から半導体基板の第１導電型領域への濃度勾配を連続的とみなせる範囲で調整することが可能となる。
【００４４】
また低濃度領域の不純物濃度よりも高く、かつ高濃度領域の不純物濃度よりも低い不純物濃度を有する中間濃度領域を設けることにより、さらにｐｎ繰返し構造の中央部から半導体基板の第１導電型領域への濃度勾配を連続的に変化させることが可能となる。
【００４５】
上記半導体装置において好ましくは、半導体基板は互いに対向する第１主面と第２主面とを有しており、繰返し構造を構成する複数の第１不純物領域の少なくとも１つの第１主面側の少なくとも一部に、第１不純物領域と主たるｐｎ接合を構成するように第２導電型の第３不純物領域が形成されており、繰返し構造の第２主面側には第１導電型の第４不純物領域が形成されている。
【００４６】
このように、本発明は縦型構造を有する素子に適用することができる。
上記半導体装置において好ましくは、第１不純物領域と主たるｐｎ接合を構成する第３不純物領域は、絶縁ゲート型電界効果トランジスタ部のボディ領域である。
【００４７】
このように、本発明はＭＯＳ−ＦＥＴを有する素子に適用することができる。
上記半導体装置において好ましくは、繰返し構造の最端部に位置する低濃度領域は、能動素子を構成しない。
【００４８】
これにより、スイッチング動作時に不安定になりやすい濃度勾配をつけた低濃度領域には、ＭＯＳ−ＦＥＴなどの素子を形成せずに、耐圧だけを保持させることができ、安定したスイッチング動作を得ることもできる。
【００４９】
上記半導体装置において好ましくは、特定の一方向に延在する第１不純物領域の端近くの上部の少なくとも一部に形成された第２導電型の第３不純物領域と、特定の一方向とは逆方向の第１不純物領域の端近くの上部の少なくとも一部に形成された第１導電型の第４不純物領域と、第３不純物領域に電気的に接続された第１電極と、第４不純物領域に電気的に接続された第２電極とがさらに備えられ、第１および第２電極はともに第１主面上に形成されている。
【００５０】
このように、本発明は横型構造を有する素子に適用することができる。
上記半導体装置において好ましくは、半導体基板は互いに対向する第１主面と第２主面とを有し、かつ第１主面に複数の溝を有し、繰返し構造は、第１および第２不純物領域が溝を挟んで並ぶ構造が２回以上繰返された構造を有する。
【００５１】
このように、本発明は溝を有する素子、たとえばＳＴ（Super Trench）系の素子に適用することができる。
【００５２】
上記半導体装置において好ましくは、複数の溝に囲まれた半導体基板のメサ部分の一方側面に第１不純物領域が形成されており、他方側面に第２不純物領域が形成されており、かつ第１不純物領域の前記第１主面側の少なくとも一部に、第１不純物領域と主たるｐｎ接合を構成するように第２導電型の第３不純物領域が形成されている。
【００５３】
このように、本発明はＳＴ系のメサ領域を持つような素子に適用することができる。
【００５４】
上記半導体装置において好ましくは、第１不純物領域と主たるｐｎ接合を構成する第３不純物領域は、絶縁ゲート型電界効果トランジスタ部のボディ領域である。
【００５５】
このように、本発明はＳＴ系の素子においてＭＯＳ−ＦＥＴを有する素子、すなわちＳＴＭ（Super Trench power MOS-FET）に適用することができる。
【００５６】
上記半導体装置において好ましくは、繰返し構造の最端部に位置する低濃度領域は、能動素子を構成しない。
【００５７】
これにより、ＳＴ系の素子において、スイッチング動作時に不安定になりやすい濃度勾配をつけた低濃度領域には、ＭＯＳ−ＦＥＴなどの素子を形成せずに、耐圧だけを保持させることができ、安定したスイッチング動作を得ることもできる。
【００５８】
上記半導体装置において好ましくは、複数の溝の最端部に位置する溝は、第１主面において複数の第１の孔が所定方向に沿って間隔をあけて配置された点線状の表面パターンを有する第１の点線状溝であり、低濃度領域は第１の点線状溝の一方側壁に位置するよう形成されている。
【００５９】
このように、本発明は点線状溝を有する素子、すなわちＤＬＴ（Dotted Line Trench）構造を有する素子に適用することができ、製造工程を簡略化することができる。
【００６０】
上記半導体装置において好ましくは、第１の点線状溝を構成する複数の第１の孔の第１主面における一方側壁の長さの総和が、第１の点線状溝よりも中央部側において連続的に延びる溝の第１主面における一方側壁の長さの３０％以上７０％以下である。
【００６１】
このように、ＤＬＴ構造を有する素子において、点線状溝の穴の長さと間隔を調整することにより、低濃度領域の不純物濃度を調整することができる。これにより、ｐｎ繰返し構造の中央部から半導体基板の第１導電型領域への濃度勾配を連続的とみなせる範囲で調整することが可能となる。
【００６２】
上記半導体装置において好ましくは、第１の点線状溝と連続的に延びる溝との間に位置する溝が、第１主面において複数の第２の孔が所定方向に沿って間隔をあけて配置された点線状の表面パターンを有する第２の点線状溝であり、第２の点線状溝を構成する複数の第２の孔の第１主面における一方側壁の長さの総和が、第１の点線状溝を構成する複数の第１の孔の第１主面における一方側壁の長さの総和よりも大きく、かつ第２の点線状溝よりも中央部側において連続的に延びる溝の第１主面における一方側壁の長さよりも小さい。
【００６３】
このように、ＤＬＴ構造を有する素子において、点線状溝を段階的に設けることにより、さらにｐｎ繰返し構造の中央部から半導体基板の第１導電型領域への濃度勾配を連続的とみなすことができる。
【００６４】
上記半導体装置において好ましくは、複数の溝に囲まれた半導体基板のメサ部分の一方側面に第１不純物領域が形成されており、他方側面に第２不純物領域が形成されており、かつ第１不純物領域の第１主面側の少なくとも一部に、第１不純物領域と主たるｐｎ接合を構成するように第２導電型の第３不純物領域が形成されている。
【００６５】
このように、本発明はＤＬＴ構造を持ち、かつＳＴ系のメサ領域を持つような素子に適用することができる。
【００６６】
上記半導体装置において好ましくは、第１不純物領域と主たるｐｎ接合を構成する第３不純物領域は、絶縁ゲート型電界効果トランジスタ部のボディ領域である。
【００６７】
このように、本発明はＤＬＴ構造を持つＳＴ系の素子においてＭＯＳ−ＦＥＴを有する素子、すなわちＳＴＭ（Super Trench power MOS-FET）に適用することができる。
【００６８】
上記半導体装置において好ましくは、繰返し構造の最端部に位置する低濃度領域は、能動素子を構成しない。
【００６９】
これにより、ＤＬＴ構造を持つＳＴ系の素子において、スイッチング動作時に不安定になりやすい濃度勾配をつけた低濃度領域には、ＭＯＳ−ＦＥＴなどの素子を形成せずに、耐圧だけを保持させることができ、安定したスイッチング動作を得ることもできる。
【００７０】
上記半導体装置において好ましくは、半導体基板は互いに対向する第１主面と第２主面とを有し、かつ第１主面に互いに隣り合う第１および第２の溝を含む複数の溝を有し、第１の溝の両側壁の各々には第１不純物領域が形成され、かつ第２の溝の両側壁の各々には第２不純物領域が形成された構造が２回以上繰返されている。
【００７１】
このように、本発明はツイン・トレンチ構造を持つ素子に適用することができる。
【００７２】
上記半導体装置において好ましくは、複数の溝に囲まれた半導体基板のメサ部分の一方側面に第１不純物領域が形成されており、他方側面に第２不純物領域が形成されており、かつ第１不純物領域の第１主面側の少なくとも一部に、第１不純物領域と主たるｐｎ接合を構成するように第２導電型の第３不純物領域が形成されている。
【００７３】
このように、本発明はツイン・トレンチ構造を持つ素子に適用することができる。
【００７４】
上記半導体装置において好ましくは、第１不純物領域と主たるｐｎ接合を構成する第３不純物領域は、絶縁ゲート型電界効果トランジスタ部のボディ領域である。
【００７５】
このように、本発明はツイン・トレンチ構造を持つ素子においてＭＯＳ−ＦＥＴを有する素子に適用することができる。
【００７６】
上記半導体装置において好ましくは、繰返し構造の最端部に位置する低濃度領域は、能動素子を構成しない。
【００７７】
これにより、ツイン・トレンチ構造を持つ素子において、スイッチング動作時に不安定になりやすい濃度勾配をつけた低濃度領域には、ＭＯＳ−ＦＥＴなどの素子を形成せずに、耐圧だけを保持させることができ、安定したスイッチング動作を得ることもできる。
【００７８】
上記半導体装置において好ましくは、複数の溝の最端部に位置する溝は、第１主面において複数の第１の孔が所定方向に沿って間隔をあけて配置された点線状の表面パターンを有する第１の点線状溝であり、低濃度領域は第１の点線状溝の一方側壁に位置するよう形成されている。
【００７９】
このように、本発明はツイン・トレンチ構造を持ち、かつＤＬＴ構造を有する素子に適用することができ、製造工程を簡略化することができる。
【００８０】
上記半導体装置において好ましくは、第１の点線状溝を構成する複数の第１の孔の第１主面における一方側壁の長さの総和が、第１の点線状溝よりも中央部側において連続的に延びる溝の第１主面における一方側壁の長さの３０％以上７０％以下である。
【００８１】
このように、ツイン・トレンチ構造を持ち、かつＤＬＴ構造を有する素子において、点線状溝の穴の長さと間隔を調整することにより、低濃度領域の不純物濃度を調整することができる。これにより、ｐｎ繰返し構造の中央部から半導体基板の第１導電型領域への濃度勾配を連続的とみなせる範囲で調整することが可能となる。
【００８２】
上記半導体装置において好ましくは、第１の点線状溝と連続的に延びる溝との間に位置する溝が、第１主面において複数の第２の孔が所定方向に沿って間隔をあけて配置された点線状の表面パターンを有する第２の点線状溝であり、第２の点線状溝を構成する複数の第２の孔の第１主面における一方側壁の長さの総和が、第１の点線状溝を構成する複数の第１の孔の第１主面における一方側壁の長さの総和よりも大きく、かつ第２の点線状溝よりも中央部側において連続的に延びる溝の前記第１主面における一方側壁の長さよりも小さい。
【００８３】
このように、ツイン・トレンチ構造を持ち、かつＤＬＴ構造を有する素子において、点線状溝を段階的に設けることにより、さらにｐｎ繰返し構造の中央部から半導体基板の第１導電型領域への濃度勾配を連続的とみなすことができる。
【００８４】
上記半導体装置において好ましくは、複数の溝に囲まれた半導体基板のメサ部分の一方側面に第１不純物領域が形成されており、他方側面に第２不純物領域が形成されており、かつ第１不純物領域の前記第１主面側の少なくとも一部に、第１不純物領域と主たるｐｎ接合を構成するように第２導電型の第３不純物領域が形成されている。
【００８５】
このように、本発明はツイン・トレンチ構造およびＤＬＴ構造を持ち、かつＳＴ系のメサ領域を持つような素子に適用することができる。
【００８６】
上記半導体装置において好ましくは、第１不純物領域と主たるｐｎ接合を構成する第３不純物領域は、絶縁ゲート型電界効果トランジスタ部のボディ領域である。
【００８７】
このように、本発明はツイン・トレンチ構造およびＤＬＴ構造を持つ素子においてＭＯＳ−ＦＥＴを有する素子に適用することができる。
【００８８】
上記半導体装置において好ましくは、繰返し構造の最端部に位置する低濃度領域は、能動素子を構成しない。
【００８９】
これにより、ツイン・トレンチ構造およびＤＬＴ構造を持つＳＴ系の素子において、スイッチング動作時に不安定になりやすい濃度勾配をつけた低濃度領域には、ＭＯＳ−ＦＥＴなどの素子を形成せずに、耐圧だけを保持させることができ、安定したスイッチング動作を得ることもできる。
【００９０】
本発明の半導体装置の製造方法は、第１導電型の半導体基板内に、第１導電型の第１不純物領域と第２導電型の第２不純物領域とが並んだ構造が２回以上繰返された繰返し構造を有する半導体装置の製造方法において、繰返し構造の最端部に位置する第１および第２の不純物領域のいずれかである低濃度領域が、繰返し構造を構成するすべての第１および第２不純物領域の中で最も低い不純物濃度もしくは最も少ない総合的な実効電荷量を有することとなるように、かつ低濃度領域の不純物濃度が、低濃度領域よりも繰返し構造の中央部側にある第１および第２不純物領域のいずれかである高濃度領域の不純物濃度の３０％以上７０％以下となるように、かつ低濃度領域と高濃度領域との間に位置する第１および第２の不純物領域のいずれかである中間濃度領域の不純物濃度が低濃度領域の不純物濃度よりも高く、かつ高濃度領域の不純物濃度よりも低くなるように、低濃度領域と、高濃度領域および中間濃度領域を含むそれ以外の他の第１および第２不純物領域とが独立に濃度を変えて形成されることを特徴とするものである。
【００９１】
本発明の半導体装置の製造方法によれば、繰返し構造の最端部が中央部よりも低濃度化されているため、繰返し構造と半導体基板の第１導電型の領域とで構成されるｐｉｎダイオードのｉ層の濃度を低くすることができる。これにより、繰返し構造の最端部で得られる耐圧が中央部で得られる耐圧よりも大きくなるようにｉ層の濃度を調整することが可能となる。よって、従来例よりもセル部分での耐圧の向上を図ることができる。
【００９２】
上記半導体装置の製造方法において好ましくは、低濃度領域と他の第１および第２不純物領域とを独立に濃度を変えて形成するために、低濃度領域と他の第１および第２不純物領域とが独立に濃度を変えたイオン注入と熱処理とにより形成される。
【００９３】
このようにイオン注入を用いて形成されるため、工程を簡略化でき、かつ制御性よく低濃度領域を形成することができる。また、この方法は低耐圧素子の製法に適している。
【００９４】
上記半導体装置の製造方法において好ましくは、低濃度領域と他の第１および第２不純物領域とを独立に濃度を変えて形成するために、低濃度領域と他の第１および第２不純物領域とが独立に濃度を変えたイオン注入と多段階のエピタキシャル成長とにより形成される。
【００９５】
多段階のエピタキシャル成長を用いているため、原理的には無限にエピタキシャル層を積み重ねることができる。よって、この方法は高耐圧素子の製造方法に適している。
【００９６】
上記半導体装置の製造方法において好ましくは、低濃度領域と他の第１および第２不純物領域とを独立に濃度を変えて形成するために、前記低濃度領域と他の第１および第２不純物領域とが、独立に濃度を変えかつ多段階に注入エネルギーを変えたイオン注入により形成される。
【００９７】
多段階のイオン注入を用いているため、工程を簡略化でき、かつ制御性よく低濃度領域を形成することができる。また、この方法は低耐圧素子の製法に適している。
【００９８】
上記半導体装置の製造方法において好ましくは、低濃度領域と他の第１および第２不純物領域とを独立に濃度を変えて形成するために、イオン注入用マスクの第１の開口部から注入された不純物イオンにより他の第１および第２不純物領域が形成され、第１の開口部よりも開口総面積の小さい第２の開口部から注入された不純物イオンにより低濃度領域が形成される。
【００９９】
このように開口面積のことなる開口部を使うことにより、単一のイオン注入工程により、高濃度領域と低濃度領域とを同時に形成することができ、工程の簡略化を図ることができる。
【０１００】
上記半導体装置の製造方法において好ましくは、第２の開口部は、互いに分離された複数の微小開口部が密に配置された構成を有しており、熱処理を施すことにより、複数の微小開口部の各々から注入された不純物イオンが一体となって最終的な仕上がり平均不純物濃度が他の第１および第２不純物領域よりも低い低濃度領域が形成される。
【０１０１】
このように互いに分離された複数の微小開口部が密に配置された構成を用いることにより、容易に開口面積の異なる開口部を形成することができる。
【０１０２】
上記半導体装置の製造方法において好ましくは、半導体基板の第１主面に、１本以上の溝と、１本以上の溝の外側に並んで位置しかつ複数の第１の孔が所定方向に沿って間隔をあけて配置されることにより第１主面において点線状の表面パターンを有する点線状溝とを同時に形成する工程と、１本以上の溝および点線状溝の各々の一方側壁に、同時にイオン注入することにより、点線状溝の一方側壁に低濃度領域と、１本以上の溝の一方側壁に他の第１または第２不純物領域とを同時に形成する工程と、がさらに備えられている。
【０１０３】
このようにＳＴＭ構造において、点線状溝を用いることにより、単一のイオン注入工程により、高濃度領域と低濃度領域とを同時に形成することができ、工程の簡略化を図ることができる。
【０１０４】
上記半導体装置の製造方法において好ましくは、半導体基板の第１主面に２以上の溝を形成する工程と、２以上の溝の一方側壁に、第１または第２不純物領域を形成するために不純物をイオン注入する工程と、２以上の溝のうち最端部に位置する溝以外を充填層により埋め込んだ状態で、最端部に位置する溝の一方側壁に、すでに注入された不純物とは逆導電型の不純物をイオン注入することにより、すでに注入された不純物の濃度を実質的に低濃度化して低濃度領域を形成する工程と、がさらに備えられている。
【０１０５】
このようにＳＴＭ構造においても、カウンタードープすることにより、繰返し構造の最端部の不純物領域の低濃度化を実現することができる。
【０１０６】
上記半導体装置の製造方法において好ましくは、半導体基板の第１主面に１本以上の溝を形成する工程と、１本以上の溝の各一方側壁に第１または第２不純物領域を形成するために第１の注入量でイオン注入をする工程と、１本以上の溝の各々を充填層により埋め込んだ状態で、１本以上の溝の外側に新たに最端部溝を形成する工程と、最端部溝の一方側壁に低濃度領域を形成するために第１の注入量よりも少ない第２の注入量でイオン注入をする工程と、がさらに備えられている。
【０１０７】
このようにＳＴＭ構造において、ｐｎ繰返し構造の中央部と最端部との溝を分けて作り、かつ別々にイオン注入することもできる。
【０１０８】
上記半導体装置の製造方法において好ましくは、半導体基板の第１主面に互いに隣り合う第１および第２の溝を含む２本以上の溝と、２本以上の溝の外側に並んで位置しかつ複数の第１の孔が所定方向に沿って間隔をあけて配置されることにより第１主面において点線状の表面パターンを有する点線状溝とを、同時に形成する工程と、第１の溝の両側壁の各々に第１不純物領域を形成するために第１の不純物をイオン注入する工程と、第２の溝の両側壁の各々に第２不純物領域を形成するために第２の不純物をイオン注入する工程とがさらに備えられ、低濃度領域は第１または第２不純物のイオン注入と同時の注入により点線状溝の両側壁に形成される。
【０１０９】
このようにツイントレンチ構造においても、点線状溝を用いることにより、単一のイオン注入工程により、高濃度領域と低濃度領域とを同時に形成することができ、工程の簡略化を図ることができる。
【０１１０】
上記半導体装置の製造方法において好ましくは、複数の第１の溝よりなる第１の溝群を半導体基板の第１主面に形成する工程と、第１の溝の各々の両側壁に第１不純物領域を形成するためのイオン注入をする工程と、複数の第２の溝よりなる第２の溝群を、第１の溝と第２の溝とが交互に位置するように第１主面に形成する工程と、第２の溝の各々の両側壁に第２不純物領域を形成するためのイオン注入をする工程と、交互に配置された第１および第２の溝のうち最端部に位置する溝以外を充填層により埋め込んだ状態で、最端部に位置する前記溝の両側壁に、すでに注入された不純物と逆導電型の不純物を注入することにより、すでに注入された不純物の濃度を実質的に低濃度化して低濃度領域を形成する工程とがさらに備えられている。
【０１１１】
このようにツイン・トレンチ構造においても、カウンタードープすることにより、繰返し構造の最端部の不純物領域の低濃度化を実現することができる。
【０１１２】
上記半導体装置の製造方法において好ましくは、複数の第１の溝よりなる第１の溝群を前記半導体基板の第１主面に形成する工程と、第１の溝の各々の両側壁に第１不純物領域を形成するためのイオン注入をする工程と、第１の溝の各々を充填層で埋め込んだ状態で、複数の第２の溝よりなる第２の溝群を、第１の溝と第２の溝とが交互に位置するように第１主面に形成する工程と、第２の溝の各々の両側壁に第２不純物領域を形成するためのイオン注入をする工程と、第１および第２の溝の各々を充填層で埋め込んだ状態で、交互に配置された第１および第２の溝の最端部に位置する溝の外側に新たに最端部溝を形成する工程と、最端部溝の両側壁に、第１または第２導電型の不純物イオンを注入することにより、第１または第２不純物領域よりも不純物濃度の低い低濃度領域を形成する工程とがさらに備えられている。
【０１１３】
このようにツイン・トレンチ構造において、繰返し構造の中央部と最端部との溝を分けて作り、かつ別々にイオン注入することもできる。
【０１１４】
上記半導体装置の製造方法において好ましくは、複数の第１の溝よりなる第１の溝群と、複数の第２の溝よりなる第２の溝群とを、第１の溝と第２の溝とが交互に位置するように同時に半導体基板の第１主面に形成する工程と、第２の溝群を第１の充填層で埋め込んだ状態で、第１の溝群を構成する複数の第１の溝の各々の両側壁に第１不純物領域を形成するためのイオン注入をする工程と、第１の溝群を第２の充填層で埋め込んだ状態で、第２の溝群を構成する複数の第２の溝の各々の両側壁に第２不純物領域を形成するためのイオン注入をする工程と、第１の溝群を構成する複数の第１の溝と第２の溝群を構成する複数の第２の溝との中で最端部に位置する最端部溝以外のすべての溝を第３の充填層で埋め込んだ状態で、最端部溝の両側壁にすでに注入された不純物と逆導電型の不純物イオンを注入することにより、すでに注入された不純物の濃度を低濃度化して低濃度領域を形成する工程とがさらに備えられている。
【０１１５】
このようにBi-Pitch注入においても、カウンタードープすることにより、繰返し構造の最端部の不純物領域の低濃度化を実現することができる。
【０１１６】
上記半導体装置の製造方法において好ましくは、複数の第１の溝よりなる第１の溝群と、複数の第２の溝よりなる第２の溝群とを、第１の溝と第２の溝とが交互に位置するように同時に半導体基板の第１主面に形成する工程と、第２の溝群を第１の充填層で埋め込んだ状態で、第１の溝群を構成する複数の第１の溝の各々の両側壁に第１不純物領域を形成するためのイオン注入をする工程と、第１の溝群を第２の充填層で埋め込んだ状態で、第２の溝群を構成する複数の第２の溝の各々の両側壁に第２不純物領域を形成するためのイオン注入をする工程とがさらに備えられ、第１の溝群を構成する複数の第１の溝と第２の溝群を構成する複数の第２の溝との中で最端部に位置する最端部溝は、第１主面において複数の孔が所定方向に沿って間隔をあけて配置された点線状の表面パターンを有する点線状溝である。
【０１１７】
このようにBi-Pitch注入を用いる場合においても、点線状溝を用いることにより、単一のイオン注入工程により、高濃度領域と低濃度領域とを同時に形成することができ、工程の簡略化を図ることができる。
【０１１８】
上記半導体装置の製造方法において好ましくは、半導体基板の第１主面に２以上の溝を形成する工程と、２以上の溝の一方側壁に、第１または第２不純物領域を形成するために不純物をイオン注入する工程と、２以上の溝のうち最端部に位置する溝を充填層により埋め込んだ状態で、最端部に位置する溝以外の溝の一方側壁に、すでに注入された不純物と同じ導電型の不純物をイオン注入することにより、すでに注入された不純物の濃度を実質的に高濃度化して、最端部に位置する溝側壁の前記第１または第２不純物領域を相対的に低濃度領域とする工程と、がさらに備えられている。
【０１１９】
このようにＳＴＭ構造においても、同じ導電型の不純物を中央部の溝側壁に再度イオン注入することにより、中央部の不純物濃度を高めて、繰返し構造の最端部の不純物領域を相対的に低濃度化することができる。
【０１２０】
上記半導体装置の製造方法において好ましくは、複数の第１の溝よりなる第１の溝群を半導体基板の第１主面に形成する工程と、第１の溝の各々の両側壁に第１不純物領域を形成するためのイオン注入をする工程と、複数の第２の溝よりなる第２の溝群を、第１の溝と前記第２の溝とが交互に位置するように第１主面に形成する工程と、第２の溝の各々の両側壁に第２不純物領域を形成するためのイオン注入をする工程と、交互に配置された第１および第２の溝のうち最端部に位置する溝を充填層により埋め込んだ状態で、最端部に位置する溝以外の溝の両側壁に、すでに注入された不純物と同じ導電型の不純物を注入することにより、すでに注入された不純物の濃度を実質的に高濃度化して、最端部に位置する溝側壁の第１または第２不純物領域を相対的に低濃度領域とする工程とがさらに備えられている。
【０１２１】
このようにツイン・トレンチ構造においても、同じ導電型の不純物を中央部の溝側壁に再度イオン注入することにより、中央部の不純物濃度を高めて、繰返し構造の最端部の不純物領域を相対的に低濃度化することができる。
【０１２２】
上記半導体装置の製造方法において好ましくは、複数の第１の溝よりなる第１の溝群と、複数の第２の溝よりなる第２の溝群とを、第１の溝と第２の溝とが交互に位置するように同時に半導体基板の第１主面に形成する工程と、第２の溝群を第１の充填層で埋め込んだ状態で、第１の溝群を構成する複数の第１の溝の各々の両側壁に第１不純物領域を形成するためのイオン注入をする工程と、第１の溝群を第２の充填層で埋め込んだ状態で、第２の溝群を構成する複数の第２の溝の各々の両側壁に第２不純物領域を形成するためのイオン注入をする工程と、第１の溝群を構成する複数の第１の溝と第２の溝群を構成する複数の第２の溝との中で最端部に位置する最端部溝を第３の充填層で埋め込んだ状態で、最端部溝以外の溝の両側壁にすでに注入された不純物と同じ導電型の不純物イオンを注入することにより、すでに注入された不純物の濃度を高濃度化して、最端部溝の側壁の第１または第２不純物領域を相対的に低濃度領域とする工程とがさらに備えられている。
【０１２３】
このようにBi-Pitch注入においても、同じ導電型の不純物を中央部の溝側壁に再度イオン注入することにより、中央部の不純物濃度を高めて、繰返し構造の最端部の不純物領域を相対的に低濃度化することができる。
【０１２４】
【発明の実施の形態】
実施の形態として、説明を簡単化するために、主に、縦型ＭＯＳ−ＦＥＴを構成する場合を例にとって説明する。図中、同一の英数字または記号を割り付けた部分は、同じ領域もしくは、同じ動作・役割を持つ領域を示しており、同一番号に英数字の副番をつけたものは、副番のない領域と類似の動作・役割を持つものであることを示している。
【０１２５】
（本願の実施の形態における考え方）
本願の実施の形態における考え方に対応する図面は、特に記載されていないが、以下に示すどの実施の形態においても、この考え方が適用されている。
【０１２６】
すなわち、ｎ型不純物領域３とｐ型不純物領域４とのｐｎ繰返し構造の最端部に位置する不純物領域の不純物濃度は、概ね、ｐｉｎダイオード構造と見なせる程度に、低濃度に設定されている。これにより、ｐｎ繰返し構造の最端部に位置する不純物領域の不純物濃度は、ｐｎ繰返し構造を構成する全ての不純物領域の中で最も低い不純物濃度を有している。
【０１２７】
またｎ-エピタキシャル層２の不純物濃度は、通常の同主耐圧級の素子に比べて、概ね、一桁程度低い濃度に設定されている。これにより、ｐｉｎダイオードを形成することができ、三角形の電界強度分布を持つｐ+／ｎ-の接合のみの場合に比べて、台形に近い電界強度分布形状を得ることができる。このため、ｎ-エピタキシャル層２の厚みを、通常の同主耐圧級の素子と比較して半分程度にすることができる。
【０１２８】
一方、セル部分の耐圧は、従来型のＭＯＳ−ＦＥＴ構造の場合とは異なり、ａ×２×１０5Ｖ／ｃｍをｎ-エピタキシャル層１の厚みにかけた値になる。ここで、定数ａは、実験的に求められる数字で、０.６〜１.２程度の数字である。
【０１２９】
（実施の形態１）
図１には、具体的な能動素子構造としてＭＯＳ−ＦＥＴを想定した場合に相当する構成を示す。図１を参照して、ＭＯＳ−ＦＥＴのｎ+ドレイン領域１の第１主面側にｎ-エピタキシャル層２が形成されている。このｎ-エピタキシャル層２内に、ｎ型ドリフト領域３とｐ型不純物領域４とが交互に繰返されたｐｎ繰返し構造が形成されている。
【０１３０】
なお、このｐｎ繰返し構造における素子中央付近は説明の便宜上省略しているが、ｐｎ繰返し間隔（ピッチ）は、１〜２０μｍ程度であるため、素子の電流定格にもよるが、通常、この部分に数百から数万組のｎ型ドリフト領域３とｐ型不純物領域４との組合せが繰返し存在する。組合された１組のｎ型ドリフト領域３のｎ型不純物濃度とｐ型不純物領域４のｐ型不純物濃度とは、実質的に同一となるように設定されている。
【０１３１】
ｐ型不純物領域４の第１主面側には、ｐ型ボディ領域５が形成されている。このｐ型ボディ領域５はｎ型ドリフト領域３の第１主面側の少なくとも一部上にも位置しており、ｎ型ドリフト領域３と主たるｐｎ接合を構成している。このｐ型ボディ領域５内の第１主面には、ＭＯＳ−ＦＥＴのｎ+ソース領域６と、ｐ型ボディ領域５への低抵抗コンタクトをとるためのｐ+コンタクト領域７とが並んで形成されている。
【０１３２】
ｎ型ドリフト領域３とｎ+ソース領域６とに挟まれたｐ型ボディ領域５にゲート絶縁膜８を介して対向するように第１主面上にゲート電極層９が形成されている。このゲート電極層９に正電圧が印加されると、ゲート電極層９に対向するｐ型ボディ領域５がｎ型に反転してチャネル領域が形成される。ゲート絶縁膜８はたとえばシリコン酸化膜よりなっており、ゲート電極層９はたとえば不純物が高濃度で導入された多結晶シリコンよりなっている。
【０１３３】
ｎ+ソース領域６およびｐ+コンタクト領域７に電気的に接続するように、第１主面上に、たとえばアルミニウム（Ａｌ）を含む材質よりなるソース電極１０が形成されている。
【０１３４】
ｎ+ドレイン領域１に接するように第２主面上にはドレイン金属配線１１が形成されている。
【０１３５】
なお実素子においては、ソース電極部分は、第１主面上の層間絶縁膜に設けられたコンタクトホールを通じて、かつバリアメタルを介してｎ+ソース領域６およびｐ+コンタクト領域７に電気的に接続されている。しかし、本発明においては、その部分は重要ではないため全ての図においてソース電極部分は簡略化されて実線を交えて表現されている。
【０１３６】
また実素子においては、ｎ+ドレイン領域１は有効素子部分の厚みに比べて数倍から数十倍厚いが、簡略化のため図においてはｎ+ドレイン領域１が有効素子部分よりも薄いように表現されている。これらに限らず、図中の各寸法は、表現の簡略化のために、縮尺や寸法比率などはデフォルメされており、必ずしも正確なものではない。
【０１３７】
本実施の形態においては、ｐｎ繰返し構造の終端構造として、ｐ型不純物領域１５よりなる多重のガードリング構造が設けられているが、本発明はこの部分の構造を特に限定するものではなく、このガードリング構造は他の終端構造であってもよい。なお、後述する他の実施の形態の終端構造においても上記と同様である。
【０１３８】
本実施の形態の構成は、ｎ型ドリフト領域３とｐ型不純物領域４とのｐｎ繰返し構造における不純物濃度の設定に特徴を有している。
【０１３９】
このｐｎ繰返し構造の終焉部分である最端部に位置する１組のｎ型ドリフト領域３およびｐ型不純物領域４が、ｐｎ繰返し構造を構成するすべてのｎ型ドリフト領域３およびｐ型不純物領域４の中で最も低い不純物濃度（もしくは最も少ない総合的な実効電荷量）を有している。つまり、ｐｎ繰返し構造を構成するｎ型ドリフト領域３とｐ型不純物領域４とは、中央部側ほど高い不純物濃度（もしくは多い総合的な実効電荷量）を有し、かつ端部側ほど低い不純物濃度（もしくは少ない総合的な実効電荷量）を有している。
【０１４０】
なお、本実施の形態においては、ｐ型不純物領域４がｐｎ繰返し構造の左右両側の最端部に位置している構成について示したが、ｎ型ドリフト領域３がｐｎ繰返し構造の左右両側の最端部に位置していてもよい。また、ｐｎ繰返し構造の一方の最端部にｐ型不純物領域４が位置し、他方の最端部にｎ型ドリフト領域３が位置していてもよい。
【０１４１】
本実施の形態においては、ｐｎ繰返し構造は３段階の濃度変化（もしくは総合的な実効電荷量の変化）を有している。中央部側のｎ型ドリフト領域３とｐ型不純物領域４とは高濃度領域であり、最端部の１組のｎ型ドリフト領域３とｐ型不純物領域４とは低濃度領域であり、中央部側と最端部との間に位置する１組のｎ型ドリフト領域３とｐ型不純物領域４とは中濃度領域である。
【０１４２】
なお、これらの不純物濃度の違いは本願においては図のハッチングにより区別される。つまり、ｐｎ繰返し構造において、ハッチングは高濃度（もしくは総合的な実効電荷量が多い）ほど密に、低濃度（もしくは総合的な実効電荷量が少ない）ほど疎になるよう用いられている。なお、後述の実施の形態においては、ハッチングのない領域も図示されているが、これはｐｎ繰返し構造の中で最も不純物濃度の低い（もしくは総合的な実効電荷量が最も少ない）領域を意味している。
【０１４３】
具体的には、高濃度領域３、４の不純物濃度（もしくは総合的な実効電荷量）を１００％にした場合、３分割すると中濃度領域３、４の不純物濃度（もしくは総合的な実効電荷量）を６７％、低濃度領域３、４の不純物濃度（もしくは総合的な実効電荷量）を３３％とするのが一般的である。しかし、数値シミュレーションや実験結果からは、必ずしも３等分する必要はない。事実上、それぞれの濃度（もしくは総合的な実効電荷量）にある幅が許容されており、中濃度領域３、４の不純物濃度（もしくは総合的な実効電荷量）は８０〜６０％程度であればよく、低濃度領域３、４の不純物濃度（もしくは総合的な実効電荷量）は４５〜２０％程度であればよい。
【０１４４】
本実施の形態においては、ｐｎ繰返し構造の最端部のｎ型ドリフト領域３とｐ型不純物領域４とが、ｐｎ繰返し構造を構成するすべてのｎ型ドリフト領域３およびｐ型不純物領域４の中で最も低い不純物濃度（もしくは最も少ない総合的な実効電荷量）を有している。このため、ｐｎ繰返し構造の最端部に形成されることの多いｐｉｎダイオード構造と、繰返しセル部分との中間濃度の緩衝領域ができるので、それぞれの領域で発生している電界分布の形状の差が緩和されるので、繰返しセル部分と従来型の終端構造部分が直接接続された場合に比べて、接続部分での主耐圧低下が大幅に抑制される。
【０１４５】
次に、本発明と先行例との差異について説明する。
上述の様に、先行例１の主旨は、繰返しセル部分の超接合構造を、いかに終端構造部分まで延長して、終端構造をも含んだ形での素子全体の設計方法の指針を示すことにある。一方、本発明の主旨は、「先行例１の言うところの超接合効果に類似する、３次元多重ＲＥＳＵＲＦ効果が効いている部分と、従来構造であるｐｉｎダイオードのような平坦な台形型の電界分布を持つ終端構造部分とを接続するに当り、高不純物濃度のセル内と低不純物濃度の終端部分との間に電界の緩衝領域を設ける構造とそれの製造方法」である。このため、先行例１と本発明とは、セル部分で実現されている高い耐圧を終端部分で損なわないようにする、という目的と効果を同じくするが、全く違った観点から構成したものである。
【０１４６】
また加えて、先行例１の構造は、いわゆる終端構造部分の表面部分の構造の細かい規定をも含めた構造であって、いわゆる終端構造部分が何であるかと問わない本発明とは、前提条件が異なっている。一方、本発明では、終端構造に、上記「接合終端構造」に限らず、一般的に知られる多重のガードリング構造（ＦＬＲ、ＦＦＲ）や、フィールド・プレート（ＦＰ）構造などの様々な構造の組合せが可能であり、汎用性が高いものである。
【０１４７】
このように本発明は、従来型の多重ガードリングやフィールド・プレートなどによって構成される終端構造を含むｐｉｎダイオード部分のｉ層の濃度が、ｐｎ繰返し構造で得られる耐圧よりも高くなるように低濃度に設定することを前提としており、先行例１に示されたように終端構造部分にまで超接合構造を持ち込むものではない。また、本発明は、図１４８〜図１５０の従来例や先行例２のように、セル内部の３次元多重ＲＥＳＵＲＦ構造部分と従来構造の終端構造とを単純に結合させたものでもなく、濃度変化が極端にならないように中間濃度の緩衝層を設けたものである。
【０１４８】
（実施の形態２）
図２を参照して、本実施の形態の構成は、図１に示す構成と比較して、ｎ型ドリフト領域３とｐ型不純物領域４との１つの組合わせ（以下ｐｎ組合せと称する）を１単位とせず、ｎ型ドリフト領域３とｐ型不純物領域４とを独立かつ交互に４段階で端部側に向かって濃度を下げる構成とした点において異なる。つまり、ｐｎ繰返し構造の最端部に位置するｐ型不純物領域４が最も低い不純物濃度を有する極低濃度領域である。この最端部のｐ型不純物領域４に隣り合うｎ型ドリフト領域３が次に低い不純物濃度を有する低濃度領域である。このｎ型ドリフト領域３の中央部側に隣り合うｐ型不純物領域４が中央部分の高濃度領域よりは低いが低濃度領域よりも高い不純物濃度を有する中濃度領域である。
【０１４９】
なお、これ以外の構成については、上述した実施の形態１の構成とほぼ同じであるため、同一の部材については同一の符号を付し、その説明を省略する。
【０１５０】
本実施の形態では、多段階かつ小刻みに濃度を低減して行くことで、事実上、切れ目のない連続的な変化と見なすことができる利点がある。上述の実施の形態１においてｐｎ組合せを１単位として４段階で低濃度化した構成よりも、電界分布形状は多少歪むことにはなるが、終端部分の濃度勾配をつける部分の面積を節約できる利点がある。
【０１５１】
ただし、素子の全体面積が十分に大きい場合には、これらの終端部分の構造に費やす面積は十分小さく、面積の節約に影響がないと見なすこともできる。よって、その場合には、実施の形態１のようにｐｎ組合せを１単位として低濃度化して行く方が、より安定した電界分布形状を得ることができる。
【０１５２】
逆に、１ｍｍ角程度の比較的小さい素子面積の場合に、ｐｎ組合せを１単位とすると終端部分の構造に費やす面積の素子全体に占める割合が高くなり、オン抵抗が上昇する（悪くなる）等の害がある。よって、その場合は、本実施の形態のように、ｐｎ組合せを１単位とせずに、ｎ型ドリフト領域３とｐ型不純物領域４とを独立に低濃度化して行く構成が有効である。
【０１５３】
また、本実施の形態のように４段階に濃度勾配をつける場合の各領域の濃度設定は、高濃度領域３、４の不純物濃度を１００％にした場合、中濃度領域４と低濃度領域３と極低濃度領域４との各不純物濃度を均等に割り付けて７５％、５０％、２５％とするのが理想的である。しかし、実施の形態１においても説明したように必ずしも不純物濃度を均等に低減させる必要はなく、それぞれの不純物濃度にはある幅が許容される。
【０１５４】
（実施の形態３）
図３を参照して、本実施の形態の構成は、実施の形態１の構成と比較して、ｐｎ繰返し構造の最端部の低濃度化領域がｐｎ組合せを１単位とした一組だけである点で異なる。つまり、ｐｎ繰返し構造の最端部に位置する一組のｐｎ組合せ３、４は互いに同じ不純物濃度を有し、かつ中央部の高濃度領域３、４よりも低い不純物濃度を有しいている。
【０１５５】
また、本実施の形態のように１段階にのみ濃度勾配をつける場合の各領域の濃度設定は、高濃度領域３、４の不純物濃度を１００％にした場合、低濃度領域３、４の各不純物濃度は３０％以上７０％以下であることが好ましい。
【０１５６】
なお、これ以外の構成については、上述した実施の形態１の構成とほぼ同じであるため、同一の部材については同一の符号を付し、その説明を省略する。
【０１５７】
後述のように、低濃度領域を形成することが製造上難しい場合や、工程増加に伴う工期の延長やコスト増加を伴う場合が多い。それらの製造上の欠点を避けるために、低濃度領域の数を少なくすることも必要である。
【０１５８】
（実施の形態４）
図４を参照して、本実施の形態の構成は、実施の形態１の構成と比較して、ｐｎ繰返し構造の最端部の低濃度化領域がｐ型不純物領域４のみである点で異なる。つまり、ｐｎ繰返し構造の最端部のｐ型不純物領域４だけが低濃度領域であり、それ以外のｐｎ繰返し構造を構成するｎ型ドリフト領域３とｐ型不純物領域４とはすべて高濃度領域である。
【０１５９】
なお、これ以外の構成については、上述した実施の形態１の構成とほぼ同じであるため、同一の部材については同一の符号を付し、その説明を省略する。
【０１６０】
本実施の形態は、上述した実施の形態３の構成をさらに簡略化した構造であるため、比較的低容量、すなわち低電圧で低電流で素子面積の小さい素子に特に有効であり、かつ製造方法を簡略化することもできる。
【０１６１】
（実施の形態５）
図５を参照して、本実施の形態の構成は、図２に示す３段階の低濃度化の手法と、図１に示すｐｎ組合せを１単位とする濃度低減の手法とを組み合せた例である。つまり、ｐｎ繰返し構造の最端部の１組のｐｎ組合せ３、４がｐｎ繰返し構造の中で最も低い不純物濃度を有する極低濃度領域である。この極低濃度領域の隣の１組のｐｎ組合せ３、４が次に低い不純物濃度を有する低濃度領域である。この低濃度領域の隣の１組のｐｎ組合せ３、４が、中央部のｐｎ組合せ３、４より低くかつ低濃度領域より高い不純物濃度を有する中濃度領域である。
【０１６２】
本実施の形態の構成は、実施の形態１〜４の構成と比較して、ＭＯＳ−ＦＥＴ部分の構成において異なる。つまり、実施の形態１〜４の構成においては、ｎ型ドリフト層３を挟んだ両側に対称にＭＯＳ−ＦＥＴ構造が形成されているが、本実施の形態ではｎ型ドリフト層３の片側にのみＭＯＳ−ＦＥＴ構造が形成されている。
【０１６３】
なお、これ以外の構成については、上述した実施の形態１の構成とほぼ同じであるため、同一の部材については同一の符号を付し、その説明を省略する。
【０１６４】
セル繰返し周期が小さい方が、ｐｎ繰返し構造による３次元的な多重ＲＥＳＵＲＦ効果がより有効に働くことがわかっている。また、先のＲＥＳＵＲＦ効果を有効にする観点から、小さいセルピッチが要求される。
【０１６５】
本実施の形態では、ｎ型ドリフト領域３の片側にのみＭＯＳ−ＦＥＴ構造が形成されているため、セルピッチを縮小することができる。このため、ＭＯＳ−ＦＥＴの総チャネル幅（面積）は幾分犠牲にはなるが、対称にＭＯＳ−ＦＥＴを形成する場合（実施の形態１〜４）と比較して総合的なチャネル幅を変えることなく、半分のセルピッチにまで縮小することができ、ｐｎ繰返し構造の性能向上を図ることができる。
【０１６６】
（実施の形態６）
次に、多層エピタキシャル層を想定した構造に本発明を適用した構造を、実施の形態６〜８で説明する。
【０１６７】
図６を参照して、本実施の形態においては、半導体基板の深さ方向に積層して形成された複数（たとえば３つ）のｐ型不純物領域４ａが一体化して、ｐｎ繰返し構造を構成するｐ型不純物領域４をなしている。複数のｐ型不純物領域４の中で、ｐｎ繰返し構造の最端部に位置するｐ型不純物領域４が最も低い不純物濃度を有しており、低濃度領域とされている。また、複数のｐ型不純物領域４のそれぞれに挟まれるｎ-エピタキシャル層２の各ｎ型領域がｐｎ繰返し構造を構成するｎ型不純物領域をなしている。
【０１６８】
なお、これ以外の構成については、上述した実施の形態１の構成とほぼ同じであるため、同一の部材については同一の符号を付し、その説明を省略する。
【０１６９】
本実施の形態においても、実施の形態１と同様、ｐｎ繰返し構造の中で最端部のｐ型不純物領域４が最も低い不純物濃度を有しているため、この最端部で得られる耐圧が高くなり、セル部分での耐圧の向上を図ることができる。
【０１７０】
なお、図６では、図面の簡単化のために、終端部の両側各１段階だけを低濃度化した構成が示されている。しかし、実施の形態１〜５に示したように終端部分の濃度勾配層は多段階であってもよい。多段階の場合には１段階より高い耐圧が得られるが、後述のように工程フローの説明に示すように工程が煩雑になるという難点もある。
【０１７１】
また、図６に示すようにｐ型不純物領域４は半導体基板の深さ方向の濃度分布を内包した構造であるが、本発明で議論しているのは、繰返しのある横方向の巨視的な濃度の対称性であるので、この深さ方向の濃度分布により生じる問題は無視できる。
【０１７２】
更に、図６においては、簡略化のためｐ型不純物領域４の濃度勾配を２段階でしか描いていないが、実際には、ｐ型不純物領域４の濃度は無段階かつ連続的に変化するものであり、かつ基板の深さ方向に周期的に変化するものである。
【０１７３】
本実施の形態における構成（図６）は、後述の実施の形態７、８の構成と比較して、ｐ型不純物領域４のｐ型不純物濃度がバランスする程度に高濃度化されたｎ-エピタキシャル層２が基板として用いられる点において異なる。その結果、本実施の形態においては、ｐ型不純物領域４の断面における不純物分布は、良く知られた串刺し団子形状になる。
【０１７４】
（実施の形態７および８）
これまでの埋め込み多層エピタキシャル層におけるｐｎ繰返し構造は、図７に示すように半導体基板の深さ方向に積層して形成された複数（たとえば３つ）のｐ型不純物領域４ａが一体化して、ｐｎ繰返し構造を構成するｐ型不純物領域４をなしている。また、半導体基板の深さ方向に積層して形成された複数（たとえば３つ）のｎ型不純物領域３ａが一体化して、ｐｎ繰返し構造を構成するｎ型ドリフト領域３をなしている。このため、ｐ型不純物領域４とｎ型不純物領域３との各々は、基板の深さ方向に周期的に変化する不純物濃度分布を有している。
【０１７５】
これら複数のｐ型不純物領域４の各々の平均的な不純物濃度は実質的に同じであり、複数のｎ型ドリフト領域３の各々の平均的な不純物濃度も実質的に同じである。
【０１７６】
この構成が、上述の実施の形態６の構成と相違する点は、上記のようにｐｎ繰返し構造をなす各ｐ型またはｎ型領域が一定の平均濃度を有することと、ｎ型ドリフト領域３がｐ型不純物領域４と同ように注入エネルギーを変えた複数回のイオン注入工程で形成されるため半導体基板の深さ方向に濃度分布を内包した構造となることである。
【０１７７】
図７においても、図６と同じく、ｎ型ドリフト領域３とｐ型不純物領域４との半導体基板の深さ方向の濃度勾配は、簡単のために２段階でしか描いていないが、実際には無段階かつ連続的に変化するものである。また、図７に示すようにｐｎ繰返し構造を構成するｐ型不純物とｎ型不純物との両方を同時に拡散する方法で形成される構成は、図６に示すような串刺し団子形状にはならない。
【０１７８】
これに対して、図８に示す実施の形態７の構成は、埋め込み多層エピタキシャル層におけるｐｎ繰返し構造の最端部のｐ型不純物領域４が１段階だけ低濃度化されている点において図７の従来の構成と異なる。
【０１７９】
また、図９に示す実施の形態８の構成は、埋め込み多層エピタキシャル層におけるｐｎ繰返し構造の最端部のｐ型不純物領域４とｎ型ドリフト層３との１組のｐｎ組合せが１段階だけ低濃度化されている点において図７の従来の構成と異なる。
【０１８０】
なお、これ以外の図８および図９の構成については、図７に示す構成とほぼ同じであるため、同一の部材については同一の符号を付し、その説明を省略する。
【０１８１】
実施の形態７および８においても、実施の形態１と同様、ｐｎ繰返し構造の中で最端部のｐ型不純物領域４（およびｎ型ドリフト層３）が最も低い不純物濃度を有しているため、この最端部で得られる耐圧が高くなり、セル部分での耐圧の向上を図ることができる。
【０１８２】
（実施の形態９〜１２）
次に、ＭＯＳ−ＦＥＴではなくダイオードに本発明を適用した構造を、実施の形態９〜１２で説明する。
【０１８３】
図１、図６および図９におけるＭＯＳ−ＦＥＴをダイオードに変えた構成をそれぞれ実施の形態９、１０、１１として図１０、図１１および図１２に示す。
【０１８４】
図１０〜図１２を参照して、ｐｎ繰返し構造全体の第１主面側にｐ型不純物領域２１が形成されており、アノード電極２２と電気的に接続されている。
【０１８５】
なお、図１０のこれ以外の構成については図１に示す構成と、図１１のこれ以外の構成については図６に示す構成と、図１２のこれ以外の構成については図９に示す構成とほぼ同じであるため、同一の部材については同一の符号を付し、その説明を省略する。
【０１８６】
また図１３に示す実施の形態１２の構成は、図５に示す構成と比較して、ｐｎ組合せの間に溝２３が設けられている点と、ＭＯＳ−ＦＥＴがダイオードに変えられている点とにおいて異なる。なお、ＭＯＳ−ＦＥＴをダイオードに変えるために、ｐｎ繰返し構造全体の第１主面側にｐ型不純物領域２１が形成されてアノード電極２２と電気的に接続されている。
【０１８７】
また、ｐｎ繰返し構造の濃度設定については、図５に示す構成と同様、ｐｎ繰返し構造の端部において３段階の低濃度化の手法が用いられている。
【０１８８】
これ以外の図１３の構成については、図５に示す構成とほぼ同じであるため、同一の部材については同一の符号を付し、その説明を省略する。
【０１８９】
実施の形態９〜１２においても、実施の形態１と同様、ｐｎ繰返し構造の中で最端部のｐ型不純物領域４（およびｎ型ドリフト層３）が最も低い不純物濃度を有しているため、この最端部で得られる耐圧が高くなり、ダイオードのセル部分での耐圧の向上を図ることができる。
【０１９０】
これらの実施の形態９〜１２に示す構成は、上部構造が能動素子ではない構成であるが、低オン電圧で、高速のスイッチングが可能な素子として機能する。
【０１９１】
（実施の形態１３〜１６）
次に、上記と同じくダイオード構造であるが、上部がショットキー接合のものに本発明を適用した構造を、実施の形態１３〜１６で説明する。
【０１９２】
図１０、図１１、図１２および図１３におけるダイオードをショットキーダイオードに変えた構成をそれぞれ実施の形態１３、１４、１５および１６として図１４、図１５、図１６および図１７に示す。
【０１９３】
図１４〜図１７を参照して、半導体基板の第１主面に金属よりなるアノード電極２２が電気的に接続されており、その接続部分に金属シリサイド層２１ａが形成されている。
【０１９４】
なお、図１４のこれ以外の構成については図１０に示す構成と、図１５のこれ以外の構成については図１１に示す構成と、図１６のこれ以外の構成については図１２に示す構成と、図１７のこれ以外の構成については図１３に示す構成とほぼ同じであるため、同一の部材については同一の符号を付し、その説明を省略する。
【０１９５】
実施の形態１３〜１６においても、実施の形態１と同様、ｐｎ繰返し構造の中で最端部のｐ型不純物領域４（およびｎ型ドリフト層３）が最も低い不純物濃度を有しているため、この最端部で得られる耐圧が高くなり、ショットキーダイオードのセル部分での耐圧の向上を図ることができる。
【０１９６】
（実施の形態１７）
本実施の形態においては図６に示す構成の製造方法の一例を図１８〜図２５を用いて説明する。
【０１９７】
図１８を参照して、砒素もしくはアンチモンを含む高濃度のｎ+基板１上に、通常のエピタキシャル法にて、ｎ-エピタキシャル層２が形成される。このｎ-エピタキシャル層２は、多重ＲＥＳＵＲＦ効果を使わない従来構造のＭＯＳ−ＦＥＴで使用するｎ型ドリフト層濃度に比べて高濃度かつ一様な不純物濃度をもつ一層のみで形成される。
【０１９８】
この後、写真製版技術により所定のパターンを有するレジストパターン３１ａがｎ-エピタキシャル層２上に形成される。このレジストパターン３１ａをマスクとして硼素イオンを高エネルギーでイオン注入をすることにより、ｐｎ繰返し構造の中央部となる領域の深い位置に硼素イオンの注入領域４ａが形成される。
【０１９９】
なお、図１８には、レジストパターン３１ａの下には下敷きシリコン酸化膜がなく、フォトレジスト直付けの場合を示したが、必要に応じて下敷きシリコン酸化膜が設けられてもよい。
【０２００】
図１９を参照して、上記レジストパターン３１ａをマスクとして、硼素イオンを中エネルギーでイオン注入をすることにより、ｐｎ繰返し構造の中央部となる領域の中程度に深い位置に硼素イオンの注入領域４ａが形成される。
【０２０１】
図２０を参照して、上記レジストパターン３１ａをマスクとして、硼素イオンを低エネルギーでイオン注入をすることにより、ｐｎ繰返し構造の中央部となる領域の浅い位置に硼素イオンの注入領域４ａが形成される。この後、レジストパターン３１ａはたとえばアッシングなどにより除去される。
【０２０２】
ただし、上記の深い位置への注入（図１８）と中間位置への注入（図１９）と浅い位置への注入（図２０）との各注入の順序は入れ替えることができる。
【０２０３】
図２１を参照して、写真製版技術により所定のパターンを有するレジストパターン３１ｂがｎ-エピタキシャル層２上に形成される。このレジストパターン３１ｂをマスクとして硼素イオンを高エネルギーでイオン注入をすることにより、ｐｎ繰返し構造の最端部となる領域の深い位置に硼素イオンの注入領域４ａが形成される。
【０２０４】
なお、図２１には、レジストパターン３１ａの下には下敷きシリコン酸化膜がなく、フォトレジスト直付けの場合を示したが、必要に応じて下敷きシリコン酸化膜が設けられてもよい。
【０２０５】
図２２を参照して、上記レジストパターン３１ｂをマスクとして、硼素イオンを中エネルギーでイオン注入をすることにより、ｐｎ繰返し構造の最端部となる領域の中程度に深い位置に硼素イオンの注入領域４ａが形成される。
【０２０６】
図２３を参照して、上記レジストパターン３１ｂをマスクとして、硼素イオンを低エネルギーでイオン注入をすることにより、ｐｎ繰返し構造の最端部となる領域の浅い位置に硼素イオンの注入領域４ａが形成される。この後、レジストパターン３１ｂはたとえばアッシングなどにより除去される。
【０２０７】
図２１〜図２３の工程でｐｎ繰返し構造の最端部に注入される硼素イオンの注入濃度は、中央部に注入された硼素イオンの注入濃度の半分程度とされる。
【０２０８】
ただし、上記の深い位置への注入（図２１）と中間位置への注入（図２２）と浅い位置への注入（図２３）との各注入の順序は入れ替えることができる。さらに、これらの最端部への低濃度の注入工程は、前述の中央部への高濃度の注入工程と全体的に入れ替えることもできる。
【０２０９】
本実施の形態では、簡単のために、ｐｎ繰返し構造の最端部に低濃度のｐ層を一列だけ形成する場合を例にとったが、本実施の形態はこの場合に特に限定されるものではない。
【０２１０】
図２４を参照して、写真製版技術により所定のパターンを有するレジストパターン３１ｃがｎ-エピタキシャル層２上に形成される。このレジストパターン３１ｃをマスクとして硼素イオンを極低エネルギーでイオン注入をすることにより、ｐｎ繰返し構造の中央部および最端部と終端構造であるガードリング部となる各領域の非常に浅い位置に硼素イオンの注入領域５、１５が形成される。この後、レジストパターン３１ｃはたとえばアッシングなどにより除去される。
【０２１１】
図２５を参照して、高温で長時間の熱処理が施される。これにより、硼素イオンの注入領域５、１５が適当な大きさに拡散されてガードリング部分１５とｐ型ボディ領域５とが形成される。これと同時に、半導体基板の深さ方向に並んだ複数の硼素イオンの注入領域４ａが周囲に拡散されて一体化し、ｐｎ繰返し構造を構成するｐ型不純物領域４が形成される。この後、ＭＯＳ−ＦＥＴ構成部や電極などが形成されて、図６に示す半導体装置が完成する。
【０２１２】
現在の高エネルギーイオン注入技術を持ってしても、最大の加速エネルギーは、数Ｍｅｖ程度である。このため、軽元素である硼素であっても、Ｓｉ中の飛程は１０μｍ以内であり、余り深い位置に注入できない。よって、本実施の形態の製造方法で実現できる素子構造は、２００Ｖ程度以下の比較的低耐圧のものに限定される。
【０２１３】
しかし、高エネルギーイオン注入機という高価な製造装置とそれに伴う厚膜のフォトレジストと写真製版工程は使うものの、後述の埋め込み多層エピ方式や、トレンチ方式に比べて工程が簡略であるという利点がある。
【０２１４】
（実施の形態１８）
本実施の形態においては図８に示す構成の製造方法の一例を図２６〜図３２を用いて説明する。
【０２１５】
本実施の形態の製造方法は、まず図１８〜図２０に示す実施の形態１７の工程と同様の工程を経る。ただし、ｎ-エピタキシャル層２は、多重ＲＥＳＵＲＦ効果を使わない従来構造のＭＯＳ−ＦＥＴで使用するｎ型ドリフト層濃度に比べて低濃度かつ一様な不純物濃度をもつ一層のみで形成される。
【０２１６】
この後、図２６を参照して、写真製版技術により所定のパターンを有するレジストパターン３１ｄがｎ-エピタキシャル層２上に形成される。このレジストパターン３１ｄをマスクとして燐イオンを高エネルギーでイオン注入をすることにより、ｐｎ繰返し構造の中央部となる領域の深い位置に燐イオンの注入領域３ａが形成される。
【０２１７】
なお、図２６には、レジストパターン３１ｄの下には下敷きシリコン酸化膜がなく、フォトレジスト直付けの場合を示したが、必要に応じて下敷きシリコン酸化膜が設けられてもよい。
【０２１８】
図２７を参照して、上記レジストパターン３１ｄをマスクとして、燐イオンを中エネルギーでイオン注入をすることにより、中央部となる領域の中程度に深い位置に燐イオンの注入領域３ａが形成される。
【０２１９】
図２８を参照して、上記レジストパターン３１ｄをマスクとして、燐イオンを低エネルギーでイオン注入をすることにより、中央部となる領域の浅い位置に燐イオンの注入領域３ａが形成される。この後、レジストパターン３１ｄはたとえばアッシングなどにより除去される。
【０２２０】
ただし、上記の深い位置への注入（図２６）と中間位置への注入（図２７）と浅い位置への注入（図２８）との各注入の順序は入れ替えることができる。さらに、これらの中央部への燐イオンの注入工程は、前述の中央部への硼素イオンの注入工程と全体的に入れ替えることもできる。
【０２２１】
図２９を参照して、写真製版技術により所定のパターンを有するレジストパターン３１ｅがｎ-エピタキシャル層２上に形成される。このレジストパターン３１ｅをマスクとして硼素イオンを高エネルギーでイオン注入をすることにより、ｐｎ繰返し構造の最端部となる領域の深い位置に硼素イオンの注入領域４ａが形成される。
【０２２２】
なお、図２９には、レジストパターン３１ａの下には下敷きシリコン酸化膜がなく、フォトレジスト直付けの場合を示したが、必要に応じて下敷きシリコン酸化膜が設けられてもよい。
【０２２３】
図３０を参照して、上記レジストパターン３１ｅをマスクとして、硼素イオンを中エネルギーでイオン注入をすることにより、ｐｎ繰返し構造の最端部となる領域の中程度に深い位置に硼素イオンの注入領域４ａが形成される。
【０２２４】
図３１を参照して、上記レジストパターン３１ｅをマスクとして、硼素イオンを低エネルギーでイオン注入をすることにより、ｐｎ繰返し構造の最端部となる領域の浅い位置に硼素イオンの注入領域４ａが形成される。この後、レジストパターン３１ｅはたとえばアッシングなどにより除去される。
【０２２５】
図２９〜図３１の工程でｐｎ繰返し構造の最端部に注入される硼素イオンの注入濃度は、中央部に注入された硼素イオンの注入濃度の半分程度とされる。
【０２２６】
ただし、上記の深い位置への注入（図２９）と中間位置への注入（図３０）と浅い位置への注入（図３１）との各注入の順序は入れ替えることができる。さらに、これらのｐｎ繰返し構造の最端部への低濃度の注入工程は、前述の中央部への高濃度の硼素イオンまたは燐イオンの注入工程と全体的に入れ替えることもできる。
【０２２７】
本実施の形態では、簡単のために、ｐｎ繰返し構造の最端部に低濃度のｐ層を一列だけ形成する場合を例にとったが、本実施の形態はこの場合に特に限定されるものではない。
【０２２８】
図３２を参照して、図２４に示す実施の形態１７と同様の工程を経ることにより、ガードリング部分１５とｐ型ボディ領域５とが形成される。これと同時に、半導体基板の深さ方向に並んだ複数の硼素イオンの注入領域４ａと複数の燐イオンの注入領域３ａとが周囲に拡散されて一体化し、ｐｎ繰返し構造を構成するｐ型不純物領域４とｎ型ドリフト領域３とが形成される。この後、ＭＯＳ−ＦＥＴ構成部や電極などが形成されて、図８に示す半導体装置が完成する。
【０２２９】
なお図３２では、接続されたｎ型ドリフト領域３とｐ型不純物領域４とを簡単のために低濃度と高濃度との２段階で表示しているが、それらの不純物濃度は実際には無段階かつ連続的に変化し、かつ基板の深さ方向に周期的に変化する。また、ｐｎ繰返し構造の最端部の低濃度のｐ型不純物領域４は、不純物濃度の高い部分において幾分外周に広がるうねった断面形状になるが、簡略化のために詳細は省いている。
【０２３０】
実施の形態１７では、比較的高濃度のｎ型エピタキシャル層２にｐ型不純物領域４が硼素のイオン注入で形成される。これに対して、本実施の形態では、低濃度のｎ型エピタキシャル層２を用いて、ｎ型ドリフト領域３とｐ型不純物領域４との各埋め込み拡散領域３ａ、４ａが独立に形成される。このため、ｐｎ繰返し構造の外周部分のｎ型エピタキシャル層２の濃度が低くなりｐｉｎダイオードが構成される。
【０２３１】
また、ｎ型ドリフト領域３とｐ型不純物領域４とがイオン注入によって形成されるので、実施の形態１７と比較してｎ型ドリフト領域３とｐ型不純物領域４との濃度バランスがとりやすい。このため、本実施の形態における製造方法は低耐圧素子の中にあっても比較的高耐圧素子に適した方法である。
【０２３２】
しかし、ｎ型ドリフト領域３とｐ型不純物領域４とのイオン注入工程を独立に行うので、実施の形態１７に比べて、工程数が増えるという欠点もある。このため、素子に要求される性能やコストに合わせて、これらの方法を使い分けることが好ましい。
【０２３３】
（実施の形態１９）
本実施の形態においては図９に示す構成の製造方法の一例を図３３〜図４２を用いて説明する。ただし、以下の方法によれば、図１〜図５に示す構造を作ることも可能である。
【０２３４】
本実施の形態の製造方法は、まず図１８〜図２０に示す実施の形態１７の工程と同様の工程を経る。ただし、ｎ-エピタキシャル層２は、多重ＲＥＳＵＲＦ効果を使わない従来構造のＭＯＳ−ＦＥＴで使用するｎ型ドリフト層濃度に比べて低濃度かつ一様な不純物濃度をもつ一層のみで形成される。
【０２３５】
この後、図３３を参照して、写真製版技術により所定のパターンを有するレジストパターン３１ｆがｎ-エピタキシャル層２上に形成される。このレジストパターン３１ｆをマスクとして燐イオンを高エネルギーでイオン注入をすることにより、ｐｎ繰返し構造の中央部となる領域の深い位置に燐イオンの注入領域３ａが形成される。
【０２３６】
なお、図３３には、レジストパターン３１ｆの下には下敷きシリコン酸化膜がなく、フォトレジスト直付けの場合を示したが、必要に応じて下敷きシリコン酸化膜が設けられてもよい。
【０２３７】
図３４を参照して、上記レジストパターン３１ｆをマスクとして、燐イオンを中エネルギーでイオン注入をすることにより、中央部となる領域の中程度に深い位置に燐イオンの注入領域３ａが形成される。
【０２３８】
図３５を参照して、上記レジストパターン３１ｆをマスクとして、燐イオンを低エネルギーでイオン注入をすることにより、中央部となる領域の浅い位置に燐イオンの注入領域３ａが形成される。この後、レジストパターン３１ｆはたとえばアッシングなどにより除去される。
【０２３９】
ただし、上記の深い位置への注入（図３３）と中間位置への注入（図３４）と浅い位置への注入（図３５）との各注入の順序は入れ替えることができる。さらに、これらの中央部への燐イオンの注入工程は、前述の中央部への硼素イオンの注入工程と全体的に入れ替えることもできる。
【０２４０】
図３６を参照して、ここからが低濃度化の必要な構成の製造工程となる。写真製版技術により所定のパターンを有するレジストパターン３１ｇがｎ-エピタキシャル層２上に形成される。このレジストパターン３１ｇをマスクとして燐イオンを高エネルギーでイオン注入をすることにより、ｐｎ繰返し構造の最端部よりも１段だけ中央部(手前）となる領域の深い位置に燐イオンの注入領域３ａが形成される。
【０２４１】
なお、図３６には、レジストパターン３１ｇの下には下敷きシリコン酸化膜がなく、フォトレジスト直付けの場合を示したが、必要に応じて下敷きシリコン酸化膜が設けられてもよい。
【０２４２】
図３７を参照して、上記レジストパターン３１ｇをマスクとして、燐イオンを中エネルギーでイオン注入をすることにより、ｐｎ繰返し構造の最端部よりも１段だけ中央部となる領域の中程度に深い位置に燐イオンの注入領域３ａが形成される。
【０２４３】
図３８を参照して、上記レジストパターン３１ｇをマスクとして、燐イオンを低エネルギーでイオン注入をすることにより、ｐｎ繰返し構造の最端部よりも１段だけ中央部となる領域の浅い位置に燐イオンの注入領域３ａが形成される。この後、レジストパターン３１ｇはたとえばアッシングなどにより除去される。
【０２４４】
図３６〜図３８の工程でｐｎ繰返し構造の最端部に注入される燐イオンの注入濃度は、中央部に注入された燐イオンの注入濃度の半分程度とされる。
【０２４５】
ただし、上記の深い位置への注入（図３６）と中間位置への注入（図３７）と浅い位置への注入（図３８）との各注入の順序は入れ替えることができる。さらに、これらのｐｎ繰返し構造の最端部よりも１段だけ中央部への燐イオンの注入工程は、前述の中央部への硼素イオンまたは燐イオンの注入工程と全体的に入れ替えることもできる。
【０２４６】
図３９を参照して、写真製版技術により所定のパターンを有するレジストパターン３１ｈがｎ-エピタキシャル層２上に形成される。このレジストパターン３１ｈをマスクとして硼素イオンを高エネルギーでイオン注入をすることにより、ｐｎ繰返し構造の最端部となる領域の深い位置に硼素イオンの注入領域４ａが形成される。
【０２４７】
なお、図３９には、レジストパターン３１ｈの下には下敷きシリコン酸化膜がなく、フォトレジスト直付けの場合を示したが、必要に応じて下敷きシリコン酸化膜が設けられてもよい。
【０２４８】
図４０を参照して、上記レジストパターン３１ｈをマスクとして、硼素イオンを中エネルギーでイオン注入をすることにより、ｐｎ繰返し構造の最端部となる領域の中程度に深い位置に硼素イオンの注入領域４ａが形成される。
【０２４９】
図４１を参照して、上記レジストパターン３１ｈをマスクとして、硼素イオンを低エネルギーでイオン注入をすることにより、ｐｎ繰返し構造の最端部となる領域の浅い位置に硼素イオンの注入領域４ａが形成される。この後、レジストパターン３１ｈはたとえばアッシングなどにより除去される。
【０２５０】
図３９〜図４１の工程でｐｎ繰返し構造の最端部に注入される硼素イオンの注入濃度は、中央部に注入された硼素イオンの注入濃度の半分程度とされる。
【０２５１】
ただし、上記の深い位置への注入（図３９）と中間位置への注入（図４０）と浅い位置への注入（図４１）との各注入の順序は入れ替えることができる。さらに、これらのｐｎ繰返し構造の最端部への低濃度の硼素イオンの注入工程は、前述の中央部への高濃度の硼素イオンまたは燐イオンの注入工程もしくはｐｎ繰返し構造の最端部よりも１段だけ中央部への低濃度の燐イオンの注入工程と全体的に入れ替えることもできる。
【０２５２】
本実施の形態では、簡単のために、ｐｎ繰返し構造の最端部に低濃度のｐ層とｎ層とからなるｐｎ組合せを一列だけ形成する場合を例にとったが、特に限定するものではない。
【０２５３】
図４２を参照して、図２４に示す実施の形態１７と同様の工程を経ることにより、ガードリング部分１５とｐ型ボディ領域５とが形成される。これと同時に、半導体基板の深さ方向に並んだ複数の硼素イオンの注入領域４ａと複数の燐イオンの注入領域３ａとが周囲に拡散されて一体化し、ｐｎ繰返し構造を構成するｐ型不純物領域４とｎ型ドリフト領域３とが形成される。この後、ＭＯＳ−ＦＥＴ構成部や電極などが形成されて、図９に示す半導体装置が完成する。
【０２５４】
なお図４２では、接続されたｎ型ドリフト領域３とｐ型不純物領域４とを簡単のために低濃度と高濃度との２段階で表示しているが、これらの不純物濃度は実際には無段階かつ連続的に変化し、かつ基板の深さ方向に周期的に変化する。また、ｐｎ繰返し構造の最端部の低濃度のｐ型不純物領域４は、不純物濃度の高い部分において幾分外周に広がるうねった断面形状になるが、簡略化のために詳細は省いている。
【０２５５】
（実施の形態２０）
実施の形態２０として、埋め込み領域の形成に多層エピタキシャル層を使って図６の構成を製造する工程フローを図４３〜図５３を用いて詳述する。
【０２５６】
図４３を参照して、砒素もしくはアンチモンを含む高濃度のｎ+基板１に、通常のエピタキシャル法にて、初段のｎ-エピタキシャル層２ａが形成される。このｎ-エピタキシャル層２ａは、多重ＲＥＳＵＲＦ効果を使わない従来構造のＭＯＳ−ＦＥＴで使用するｎ型ドリフト層濃度に比べて低濃度かつ一様な不純物濃度をもつ一層のみで形成される。写真製版技術により所定のパターンを有するレジストパターン３１ｉがｎ-エピタキシャル層２ａ上に形成される。
【０２５７】
なお、図４３には、レジストパターン３１ｉの下には下敷きシリコン酸化膜がなく、フォトレジスト直付けの場合を示したが、必要に応じて下敷きシリコン酸化膜が設けられてもよい。
【０２５８】
図４４を参照して、このレジストパターン３１ｉをマスクとして硼素イオンを通常のエネルギーでイオン注入をすることにより、ｐｎ繰返し構造の中央部となる領域の比較的浅い位置（深くても構わないが高いエネルギーは一般的に出しにくい）に硼素イオンの高濃度の注入領域４ａが形成される。この後、レジストパターン３１ｉはたとえばアッシングなどにより除去される。
【０２５９】
図４５を参照して、写真製版技術により所定のパターンを有するレジストパターン３１ｋがｎ-エピタキシャル層２ａ上に形成される。このレジストパターン３１ｋをマスクとして硼素イオンを通常のエネルギーでイオン注入をすることにより、ｐｎ繰返し構造の最端部となる領域の比較的浅い位置に硼素イオンの低濃度の注入領域４ａが形成される。この後、レジストパターン３１ｋはたとえばアッシングなどにより除去される。
【０２６０】
なお、図４５には、レジストパターン３１ｋの下には下敷きシリコン酸化膜がなく、フォトレジスト直付けの場合を示したが、必要に応じて下敷きシリコン酸化膜が設けられてもよい。
【０２６１】
図４６を参照して、上記高濃度と低濃度との両方の硼素イオンの注入領域４ａを基板中に埋め込むために、図４３の工程で説明したと同様にしてエピタキシャル成長により低濃度のｎ-エピタキシャル層２ｂが形成される。厳密には、このエピタキシャル成長工程での熱処理により、各注入領域４ａは周囲に多少拡散して断面形状が円形になる。その拡散した様子を、エピタキシャル成長界面を点線で示して、その上部に広がる（浮き上がる）形で図示しているが、この浮き上がり自体は積極的に利用するものでもなく、また浮き上がりが害をなすものでもない。
【０２６２】
以下の工程では、上記初段のｎ-エピタキシャル層２ａの形成に始まって、高濃度の硼素イオン注入領域４ａの形成と、低濃度の硼素イオン注入領域４ａの形成と、２段目のｎ-エピタキシャル層２ｂの形成との各過程が、基本的には所望の回数だけで繰返される。
【０２６３】
図４７を参照して、写真製版技術により所定のパターンを有するレジストパターン３１ｌがｎ-エピタキシャル層２ｂ上に形成される。このレジストパターン３１ｌをマスクとして硼素イオンを通常のエネルギーでイオン注入をすることにより、ｐｎ繰返し構造の中央部となる領域の比較的浅い位置に硼素イオンの高濃度の注入領域４ａが形成される。この後、レジストパターン３１ｌはたとえばアッシングなどにより除去される。
【０２６４】
なお、図４７には、レジストパターン３１ｌの下には下敷きシリコン酸化膜がなく、フォトレジスト直付けの場合を示したが、必要に応じて下敷きシリコン酸化膜が設けられてもよい。
【０２６５】
図４８を参照して、写真製版技術により所定のパターンを有するレジストパターン３１ｍがｎ-エピタキシャル層２ｂ上に形成される。このレジストパターン３１ｍをマスクとして硼素イオンを通常のエネルギーでイオン注入をすることにより、ｐｎ繰返し構造の最端部となる領域の比較的浅い位置に硼素イオンの低濃度の注入領域４ａが形成される。この後、レジストパターン３１ｍはたとえばアッシングなどにより除去される。
【０２６６】
なお、図４８には、レジストパターン３１ｍの下には下敷きシリコン酸化膜がなく、フォトレジスト直付けの場合を示したが、必要に応じて下敷きシリコン酸化膜が設けられてもよい。
【０２６７】
この後、上記高濃度と低濃度との両方の硼素イオンの注入領域４ａを基板中に埋め込むために、図４３の工程で説明したと同様にしてエピタキシャル成長により低濃度のｎ-エピタキシャル層２ｃが形成される。厳密には、このエピタキシャル成長工程での熱処理により、各注入領域４ａは周囲に多少拡散して断面形状が円形になる。その拡散した様子を、エピタキシャル成長界面を点線で示して、その上部に広がる（浮き上がる）形で図示しているが、この浮き上がり自体は積極的に利用するものでもなく、また浮き上がりが害をなすものでもない。
【０２６８】
図４９を参照して、写真製版技術により所定のパターンを有するレジストパターン３１ｎがｎ-エピタキシャル層２ｃ上に形成される。このレジストパターン３１ｎをマスクとして硼素イオンを通常のエネルギーでイオン注入をすることにより、ｐｎ繰返し構造の中央部となる領域の比較的浅い位置に硼素イオンの高濃度の注入領域４ａが形成される。この後、レジストパターン３１ｎはたとえばアッシングなどにより除去される。
【０２６９】
なお、図４９には、レジストパターン３１ｎの下には下敷きシリコン酸化膜がなく、フォトレジスト直付けの場合を示したが、必要に応じて下敷きシリコン酸化膜が設けられてもよい。
【０２７０】
図５０を参照して、写真製版技術により所定のパターンを有するレジストパターン３１ｏがｎ-エピタキシャル層２ｃ上に形成される。このレジストパターン３１ｏをマスクとして硼素イオンを通常のエネルギーでイオン注入をすることにより、ｐｎ繰返し構造の最端部となる領域の比較的浅い位置に硼素イオンの低濃度の注入領域４ａが形成される。この後、レジストパターン３１ｏはたとえばアッシングなどにより除去される。
【０２７１】
なお、図５０には、レジストパターン３１ｏの下には下敷きシリコン酸化膜がなく、フォトレジスト直付けの場合を示したが、必要に応じて下敷きシリコン酸化膜が設けられてもよい。
【０２７２】
図５１を参照して、上記高濃度と低濃度との両方の硼素イオンの注入領域４ａを基板中に埋め込むために、図４３の工程で説明したと同様にしてエピタキシャル成長により最終段の低濃度のｎ-エピタキシャル層２ｄが形成される。これにより、ｎ-エピタキシャル層２ａ〜２ｄにより、多層エピタキシャル層２が構成される。
【０２７３】
厳密には、このエピタキシャル成長工程での熱処理により、各注入領域４ａは周囲に多少拡散して断面形状が円形になる。その拡散した様子を、エピタキシャル成長界面を点線で示して、その上部に広がる（浮き上がる）形で図示しているが、この浮き上がり自体は積極的に利用するものでもなく、また浮き上がりが害をなすものでもない。
【０２７４】
図５２を参照して、写真製版技術により所定のパターンを有するレジストパターン３１ｐがｎ-エピタキシャル層２ｄ上に形成される。このレジストパターン３１ｐをマスクとして硼素イオンを極低エネルギーでイオン注入をすることにより、ｐｎ繰返し構造の中央部および最端部と終端構造であるガードリング部となる各領域の非常に浅い位置に硼素イオンの注入領域５、１５が形成される。この後、レジストパターン３１ｐはたとえばアッシングなどにより除去される。
【０２７５】
図５３を参照して、高温で長時間の熱処理が施される。これにより、硼素イオンの注入領域５、１５が適当な大きさに拡散されてガードリング部分１５とｐ型ボディ領域５とが形成される。これと同時に、半導体基板の深さ方向に並んだ複数の硼素イオンの注入領域４ａが周囲に拡散されて一体化し、ｐｎ繰返し構造を構成するｐ型不純物領域４が形成される。この後、ＭＯＳ−ＦＥＴ構成部や電極などが形成されて、図６に示す半導体装置が完成する。
【０２７６】
なお、図４５、図４８および図５０の工程でｐｎ繰返し構造の最端部に注入される硼素イオンの注入濃度は、中央部に注入された硼素イオンの注入濃度の半分程度とされる。
【０２７７】
また、本実施の形態においても、ｐｎ繰返し構造の最端部を一段階だけ低濃度化する場合を例にとって説明したが、上述の他の例のように、低濃度化の段階を複数にすることも可能である。そうすることにより、工程はより複雑化して製造コストが上昇するという難点はあるものの、素子の耐圧性能が改善されるという大きな利点がある。よって、要求される製品の価格対性能の関係に合わせて、低濃度化を多段階化しても良く、本実施の形態は決して１段階の構造や製法に限定するものではない。
【０２７８】
本実施の形態の製造方法では、エピタキシャル層の層数さえ重ねれば、原理的には、無限に積み上げることができる。このため、この製造方法により得られる半導体装置は、数百Ｖ程度の中耐圧から数千Ｖの高耐圧まで対応できるものである。逆に、後述のように、埋め込み拡散領域４ａを深さ方向に接続するために、必ず、ある程度の高温の熱処理工程が必要になる。この高温の熱処理では深さ方向（上下方向）への拡散と同時に横方向にも拡散するので、ｐｎ繰返し周期を縮めることができないために、３００Ｖ程度より下の低耐圧領域での性能が出しにくい難点がある。
【０２７９】
（実施の形態２１）
実施の形態２１として、埋め込み領域の形成に多層エピタキシャル層を使い、かつｐｎ繰返し構造の最端部の拡散に短冊パターンを使って図６の構成を製造する工程フローを図５４〜図６３を用いて詳述する。
【０２８０】
図５４を参照して、砒素もしくはアンチモンを含む高濃度のｎ+基板１上に、通常のエピタキシャル法にて、初段のｎ-エピタキシャル層２ａが形成される。このｎ-エピタキシャル層２ａは、多重ＲＥＳＵＲＦ効果を使わない従来構造のＭＯＳ−ＦＥＴで使用するｎ型ドリフト層濃度に比べて低濃度かつ一様な不純物濃度をもつ一層のみで形成される。写真製版技術により所定のパターンを有するレジストパターン３１ｑがｎ-エピタキシャル層２ａ上に形成される。
【０２８１】
このレジストパターン３１ｑのｐｎ繰返し構造の中央部となる領域上には単一の孔からなる第１の開孔パターンが形成され、ｐｎ繰返し構造の最端部となる領域上には複数の微細孔からなる第２の開孔パターンが形成される。第２の開孔パターンにおけるすべての微細孔の開孔面積の和は、第１の開孔パターンの開孔面積よりも小さくなるように設定されている。
【０２８２】
なお、図５４には、レジストパターン３１ｑの下には下敷きシリコン酸化膜がなく、フォトレジスト直付けの場合を示したが、必要に応じて下敷きシリコン酸化膜が設けられてもよい。
【０２８３】
図５５を参照して、このレジストパターン３１ｑをマスクとして硼素イオンが通常のエネルギーでイオン注入される。これにより、ｐｎ繰返し構造の中央部となる領域に硼素イオンの高濃度の注入領域４ａが、またｐｎ繰返し構造の最端部となる領域に硼素イオンの低濃度の注入領域４ａが各々、比較的浅い位置に形成される。つまり、上記の実施の形態１９、２０などとは異なり、本実施の形態では低濃度化したいｐｎ繰返し構造の最端部にも、中央部と同じ注入工程で同時に不純物が注入される。
【０２８４】
図６３は、上記のイオン注入直後におけるｐｎ繰返し構造の最端部の不純物の注入の様子を示している。図６３を参照して、ｐｎ繰返し構造の最端部上の第２の開孔パターンは複数の微細孔から形成されているため、各微細孔の真下に硼素イオンの注入領域４ａ1が形成されることになる。この状態から不純物拡散のための熱処理が施される。
【０２８５】
複数の微細孔を非常に微細に形成しておけば、僅かな熱処理であっても、図６４に示すように複数の硼素イオンの注入領域４ａ1が周囲に拡散して広がり、互いに相重なりあって一体として低濃度の注入領域４ａを構成する。また、少しの熱処理で簡単に横拡散で各注入領域４ａ1が重なり、全体としての濃度が均質化される。この低濃度の注入領域４ａは、形状や濃度に多少のうねりを有していても、巨視的には一様な比較的低濃度な拡散領域４ａとみなすことができる。また、上記の熱処理自体は、後工程のエピタキシャル成長工程により兼ねることもできるし、エピタキシャル成長前に独立にかけることもできる。
【０２８６】
ここで、第２の開孔パターンにおけるすべての微細孔の開孔面積の和が第１の開孔パターンの開孔面積よりも小さくなるように設定されている。このため、これらの開孔パターンの双方へ同時にイオン注入がされても、中央部となる領域には高濃度、またｐｎ繰返し構造の最端部となる領域には低濃度の各注入領域４ａを形成することができる。
【０２８７】
この後、レジストパターン３１ｑはたとえばアッシングなどにより除去される。
【０２８８】
図５６を参照して、上記高濃度と低濃度との両方の硼素イオンの注入領域４ａを基板中に埋め込むために、図５４の工程で説明したと同様にしてエピタキシャル成長により低濃度のｎ-エピタキシャル層２ｂが形成される。厳密には、このエピタキシャル成長工程での熱処理により、各注入領域４ａは周囲に多少拡散して断面形状が円形になる。その拡散した様子を、エピタキシャル成長界面を点線で示して、その上部に広がる（浮き上がる）形で図示しているが、この浮き上がり自体は積極的に利用するものでもなく、また浮き上がりが害をなすものでもない。
【０２８９】
以下の工程では、上記初段のｎ-エピタキシャル層２ａの形成に始まって、高濃度の硼素イオン注入領域４ａの形成と、低濃度の硼素イオン注入領域４ａの形成と、２段目のｎ-エピタキシャル層２ｂの形成との各過程が、基本的には所望の回数だけで繰返される。
【０２９０】
図５７を参照して、図５４と同様、写真製版技術により所定のパターンを有するレジストパターン３１ｒがｎ-エピタキシャル層２ａ上に形成される。このレジストパターン３１ｒのｐｎ繰返し構造の中央部となる領域上には単一の孔からなる第１の開孔パターンが形成され、ｐｎ繰返し構造の最端部となる領域上には複数の微細孔からなる第２の開孔パターンが形成される。第２の開孔パターンにおけるすべての微細孔の開孔面積の和は、第１の開孔パターンの開孔面積よりも小さくなるように設定されている。
【０２９１】
なお、図５７には、レジストパターン３１ｒの下には下敷きシリコン酸化膜がなく、フォトレジスト直付けの場合を示したが、必要に応じて下敷きシリコン酸化膜が設けられてもよい。
【０２９２】
この後、このレジストパターン３１ｒをマスクとして硼素イオンが通常のエネルギーでイオン注入される。これにより、ｐｎ繰返し構造の中央部となる領域に硼素イオンの高濃度の注入領域４ａが、またｐｎ繰返し構造の最端部となる領域に硼素イオンの低濃度の注入領域４ａが各々、比較的浅い位置に形成される。この後、レジストパターン３１ｒはたとえばアッシングなどにより除去される。
【０２９３】
図５８を参照して、上記と同様のエピタキシャル成長が行われることにより、低濃度のｎ-エピタキシャル層２ｃが形成される。厳密には、このエピタキシャル成長工程での熱処理により、各注入領域４ａは周囲に多少拡散して断面形状が円形になる。
【０２９４】
この後、さらに上記と同様な単一の写真製版と、単一のイオン注入とにより、ｐｎ繰返し構造の中央部となる領域に硼素イオンの高濃度の注入領域４ａが、またｐｎ繰返し構造の最端部となる領域に硼素イオンの低濃度の注入領域４ａが各々、比較的浅い位置に形成される。この後、レジストパターン３１ｓはたとえばアッシングなどにより除去される。
【０２９５】
図５９を参照して、上記と同様のエピタキシャル成長が行われることにより、低濃度のｎ-エピタキシャル層２ｄが形成される。厳密には、このエピタキシャル成長工程での熱処理により、各注入領域４ａは周囲に多少拡散して断面形状が円形になる。
【０２９６】
図６０を参照して、写真製版技術により所定のパターンを有するレジストパターン３１ｔがｎ-エピタキシャル層２ｄ上に形成される。このレジストパターン３１ｔをマスクとして硼素イオンを極低エネルギーでイオン注入をすることにより、ｐｎ繰返し構造の中央部および最端部と終端構造であるガードリング部となる各領域の非常に浅い位置に硼素イオンの注入領域５、１５が形成される。この後、レジストパターン３１ｔはたとえばアッシングなどにより除去される。
【０２９７】
なお慣習的には、写真製版時には、下敷きシリコン酸化膜があった方が望ましいが、特に限定するものではいので、図面においては簡単のために省略した。
【０２９８】
図６１を参照して、高温で長時間の熱処理が施される。これにより、硼素イオンの注入領域５、１５が適当な大きさに拡散されてガードリング部分１５とｐ型ボディ領域５とが形成される。これと同時に、半導体基板の深さ方向に並んだ複数の硼素イオンの注入領域４ａが周囲に拡散されて一体化し、ｐｎ繰返し構造を構成するｐ型不純物領域４が形成される。
【０２９９】
図６２を参照して、通常の写真製版技術およびイオン注入技術によりｐ型ボディ領域５内に、ＭＯＳ−ＦＥＴのｎ+ソース領域６と、ｐ型ボディ領域５への低抵抗コンタクトをとるためのｐ+コンタクト領域７とが形成される。
【０３００】
ただし、ｎ+ソース領域６は砒素もしくは燐によって、またｐ+コンタクト領域７は硼素によってそれぞれ形成されるので、写真製版工程とイオン注入工程とをｎ+ソース領域６とｐ+コンタクト領域７とで独立に行なう必要がある。また、後述のゲート領域の形成との順序は特に規定するものではなく、性能や用途に応じて、順序を入れ替えたりすることができる。
【０３０１】
最後に、ＭＯＳ−ＦＥＴ構造を完成させることにより図６に示す半導体装置が完成する。ただし、図６では、層間絶縁膜を介したコンタクトホールは省略し、Ａｌ配線などは簡略化して単純な直線の配線で示している。
【０３０２】
なお、本実施の形態においても、ｐｎ繰返し構造の最端部を１段階だけ低濃度化する場合を例にとって説明したが、上述の他の例のように、低濃度化の段階を複数にすることも可能である。そうすることにより、工程はより複雑化して製造コストが上昇するという難点はあるものの、素子の耐圧性能が改善されるという大きな利点がある。このため、要求される製品の価格対性能の関係に合わせて多段階化しても良く、決して、本実施の形態は一段階の構造や製法に限定されるものではない。
【０３０３】
本実施の形態で用いられる多層方式の製造方法は、前述の実施の形態２０の場合と同様に、数百Ｖ程度の中耐圧から数千Ｖの高耐圧まで対応できるものであるが、３００Ｖ程度より下の低耐圧領域での性能が出しにくい難点を有する。一方で、実施の形態２０と比べて、工夫により、ｐｎ繰返し構造の最端部を中央部と同時に形成できるので、製造工程を半減できる利点がある。
【０３０４】
（溝のある場合の実施の形態の説明）
直接の実施の形態ではないが、以下に、溝のある場合の中央部におけるｐｎ繰返し構造を作る工程フローについて簡単に説明し、その後に、この溝のある構造とその製造方法を応用した本発明の実施の形態の説明に移る。
【０３０５】
また、この溝のある構造ＳＴＭ(Super Trench power MOS-FET)には、上述の埋め込み多層エピタキシャル構造とその製造方法に比べて、工程数が少ないだけでなく、繰返し周期を極限まで縮め易いので素子の主耐圧とオン抵抗のトレードオフ関係が非常に良いという利点があり、原理的にも製造技術的にも、低耐圧から高耐圧までの広い範囲で有効であるという利点もある。
【０３０６】
トレンチ側壁に斜めイオン注入で拡散層を作る工程フローについて、図６５〜図６９を用いて順に説明する。
【０３０７】
図６５を参照して、まず通常の方法で、ＣＶＤ法により形成されたシリコン酸化膜などをマスク材料４１として異方性エッチングを行なうことにより、半導体基板の第１主面に複数の溝２３が形成される。
【０３０８】
図６６を参照して、ストライプ状に形成した溝２３の片方の側壁にのみ硼素イオンが注入され、硼素イオン注入領域４が形成される。
【０３０９】
図６７を参照して、ストライプ状に形成した溝２３の反対の側壁にのみ燐イオンが注入され、燐イオン注入領域３が形成される。ただし、この図６６と図６７の工程は入れ替わっても構わない。
【０３１０】
図６８を参照して、熱処理により硼素イオン注入領域４と燐イオン注入領域３とが同時に拡散して所望の不純物濃度プロファイルを有するｐ型不純物領域４とｎ型ドリフト領域３とが形成される。
【０３１１】
図６９を参照して、ＣＶＤ法により形成されたシリコン酸化膜などの絶縁物２４で溝２３の埋め込みが行われる。
【０３１２】
ＳＴＭ構造は、上述のように埋め込み多層エピタキシャル構造に比べて、性能面でも、製造コスト面でも優れたものである。しかし、溝２３の片側の側壁のみへの斜めイオン注入というＬＳＩ（Large Scale Integrated circuit）でもあまり使われない手法が用いられる。このため、ｐｎ繰返し構造の最端部の低濃度化にあたっては、上述の埋め込み多層エピタキシャル工程の場合と比べて、工程が複雑になり、条件出しの難易度が上がるという難点もある。よって、製品として要求される価格対性能の指標により、この実施の形態を始めとする数種類の製造方法の中から適当なものを選択して本発明の半導体装置を作成することが好ましい。
【０３１３】
（実施の形態２２）
実施の形態２２として、ＳＴＭ構造で、拡散層を低濃度化する最端部の溝を中央部の溝とは別に掘り直す場合の製造方法を図７０〜７８を用いて詳述する。
【０３１４】
以下の図７０〜７２に示した工程は、前述の図６５〜６７と工程フローと基本的に同じである。
【０３１５】
図７０を参照して、まず通常の方法で、ＣＶＤ法により形成されたシリコン酸化膜などをマスク材料４１ａとして異方性エッチングを行なうことにより、半導体基板の第１主面に複数の溝２３が形成される。これらの複数の溝２３には、最終仕上り状態で最端部に位置する溝は含まれていない。
【０３１６】
図７１を参照して、ストライプ状に形成した複数の溝２３のすべての片方の側壁にのみ硼素イオンが注入され、硼素イオン注入領域４が形成される。
【０３１７】
図７２を参照して、ストライプ状に形成した複数の溝２３のすべての反対の側壁にのみ燐イオンが注入され、燐イオン注入領域３が形成される。ただし、この図７１と図７２の工程は入れ替わっても良く、基本的にはその順序に意味合いはない。
【０３１８】
図７３を参照して、一旦、全ての溝２３が、ＣＶＤ法に形成されたシリコン酸化膜などの膜４１ｂで埋め込まれて、表面が平坦化される。ここまでが、従来のＳＴＭ構造の製法に相当する部分であり、以下が、本実施の形態に関連する工程である。
【０３１９】
最端部に溝を形成するために、溝２３の埋め込みに使用した膜４１ｂの所望の位置に、通常の写真製版と異方性ドライエッチングとにより窓が開口される。
【０３２０】
図７４を参照して、膜４１ｂに開口された窓を通して、半導体基板に異方性エッチングをすることにより最端部の溝２３が形成される。
【０３２１】
図７５を参照して、最端部の溝２３の片方の側壁にのみ硼素イオンが注入され、硼素イオン注入領域４が形成される。この際、硼素イオンは、中央部に注入した硼素イオンの注入濃度の半分程度の濃度で注入される。
【０３２２】
図７６を参照して、最端部の溝２３の反対の側壁にのみ燐イオンが注入され、燐イオン注入領域３が形成される。この際、燐イオンは、中央部に注入した燐イオンの注入濃度の半分程度の濃度で注入される。なお、燐注入の工程は、先の硼素注入の工程と入れ替えられてもよく、その順序に意味合いはない。
【０３２３】
図７７を参照して、溝２３間に挟まれたメサ領域が所望の濃度分布を持つように、素子全体に熱処理が施される。これにより、硼素イオン注入領域４と燐イオン注入領域３とが周囲に拡散してｐ型不純物領域４とｎ型ドリフト領域３とが形成される。最端部の溝２３の側壁から拡散したｐ型不純物領域４とｎ型ドリフト領域３とは、上述のように中央部の不純物濃度よりも低く設定されているので、仕上り状態でも中央部の不純物濃度よりも低くなる。ここまでが、本実施の形態に係る部分である。
【０３２４】
後工程としては、図７８に示したように、溝２３内に絶縁膜２４が埋め込まれる。ただし、この絶縁膜の埋込み工程と、先の熱処理工程とは入れ替えられてもよい。また、終端構造であるガードリング部やＭＯＳ−ＦＥＴのｐ型ボディ領域などの比較的深い拡散領域を形成する工程は、図示しなかったが、上記の工程のどこか、もしくは後工程のどこかに適宜挿入することができる。
【０３２５】
なお、本実施の形態においては、最端部の１本の溝２３だけに低濃度化を施す場合を例にとって説明したが、上述の他の例や、後述の図８８のＳＴＭの構造例に示したように、低濃度化の段階を複数にすることも可能である。そうすることにより、工程はより複雑化して製造コストが上昇するという難点はあるものの、素子の耐圧性能が改善されるという大きな利点がある。よって、要求される製品の価格対性能の関係に合わせて、多段階化しても良く、決して、本実施の形態は一段階の構造や製法に限定されるものではない。
【０３２６】
（実施の形態２３）
実施の形態２３として、ＳＴＭ構造で、拡散層を低濃度化する最端部の溝の側壁に逆導電型のイオン注入、すなわちカウンターイオン注入をする場合の製造方法を図７９〜８６を用いて詳述する。
【０３２７】
図７９を参照して、まず通常の方法で、ＣＶＤ法により形成されたシリコン酸化膜などをマスク材料４１ｃとして異方性エッチングを行なうことにより、半導体基板の第１主面に複数の溝２３が同時に形成される。これらの複数の溝２３には、最終仕上り状態で繰返し構造の最端部に位置する溝が含まれている。
【０３２８】
図８０を参照して、ストライプ状に形成した複数の溝２３のすべての片方の側壁にのみ同じ注入濃度で硼素イオンが注入され、硼素イオン注入領域４が形成される。
【０３２９】
図８１を参照して、ストライプ状に形成した複数の溝２３のすべての反対の側壁にのみ同じ注入濃度で燐イオンが注入され、燐イオン注入領域３が形成される。ただし、この図８０と図８１の工程は入れ替わっても良く、基本的にはその順序に意味合いはない。
【０３３０】
図８２を参照して、一旦、全ての溝２３が、ＣＶＤ法に形成されたシリコン酸化膜などの膜４１ｄで埋め込まれる。ここまでが、従来のＳＴＭ構造の製法に相当する部分であり、以下が、本実施の形態に関連する工程である。
【０３３１】
この後、最端部に位置する溝２３上に窓を有するフォトレジストパターン３１ｕが写真製版技術により形成される。このレジストパターン３１ｕをマスクとしてエッチングが行なわれる。このエッチング工程においては、形成されている溝２３の絶対的な深さ、アスペクト比などに応じて、湿式または乾式のエッチングを使い分けるか、あるいはその両方を組み合せるかが選択される。
【０３３２】
この後、レジストパターン３１ｕはたとえばアッシングなどにより除去される。
【０３３３】
図８３を参照して、上記のエッチングにより、最端部に位置する溝２３内の埋込み物が除去される。
【０３３４】
図８４を参照して、最端部の溝２３の片方の側壁にのみ、前工程で注入した硼素（ｐ型）と逆導電型の燐イオン（ｎ型）が注入され、燐イオン注入領域３ｂが形成される。この燐イオンの注入により、最端部の溝２３側壁に形成されるｐ型不純物領域４の仕上がり状態が中央部に注入した不純物濃度の半分程度の不純物濃度となるように制御される。
【０３３５】
図８５を参照して、最端部の溝２３の反対の側壁にのみ、前工程で注入した燐（ｎ型）と逆導電型の硼素イオン（ｐ型）が注入され、硼素イオン注入領域４ｂが形成される。この硼素イオンの注入により、最端部の溝２３側壁に形成されるｎ型不純物領域３の仕上がり状態が中央部に注入した不純物濃度の半分程度の不純物濃度となるように制御される。
【０３３６】
なお、硼素注入の工程は、先の燐注入の工程と入れ替えられてもよく、その順序に意味合いはない。ここまでが、本実施の形態の特徴的な部分である。以下は、他の実施の形態を同じ流れになるが、簡単に記述する。
【０３３７】
図８６を参照して、溝２３間に挟まれたメサ領域が所望の濃度分布を持つように、素子全体に熱処理が施される。これにより、硼素イオン注入領域４と燐イオン注入領域３とが周囲に拡散してｐ型不純物領域４とｎ型ドリフト領域３とが形成される。最端部の溝２３の側壁から拡散したｐ型不純物領域４とｎ型ドリフト領域３とは、上述のように中央部の不純物濃度よりも低く設定されているので、仕上り状態でも中央部の不純物濃度よりも低くなる。
【０３３８】
後工程としては、図７８に示したように、溝２３内に絶縁膜２４が埋め込まれる。ただし、この絶縁膜２４の埋込み工程と、先の熱処理工程とは入れ替えられてもよい。また、終端構造であるガードリング部やＭＯＳ−ＦＥＴのｐ型ボディ領域などの比較的深い拡散領域を形成する工程は、図示しなかったが、上記の工程のどこか、もしくは後工程のどこかに適宜挿入することができる。
【０３３９】
なお、本実施の形態においては、最端部の１本の溝２３だけに低濃度化を施す場合を例にとって説明したが、上述の他の例や、後述の図８８のＳＴＭの構造例に示したように、低濃度化の段階を複数にすることも可能である。そうすることにより、工程はより複雑化して製造コストが上昇するという難点はあるものの、素子の耐圧性能が改善されるという大きな利点がある。よって、要求される製品の価格対性能の関係に合わせて、多段階化しても良く、決して、本実施の形態は一段階の構造や製法に限定されるものではない。
【０３４０】
本実施の形態の方法の利点は、実施の形態２２の溝２３を２回掘る場合に比べて、工程が簡単になることである。トレンチエッチは、確立された技術ではあるが、この素子に要求される深さが通常のＬＳＩの分離工程で使用されるものに比べて非常に深い場合が多く、処理時間が長くなるという問題がある。その点、本実施の形態に示した工程を使えば、カウンタードープする部分では、埋め込み酸化膜を除去するだけであるので、工程の処理時間も短く簡便であるという利点がある。一方で、高アスペクト比の溝内に埋め込んだシリコン酸化膜を除去するのは、湿式、乾式を問わず、条件出しが難しいという難点もある。
【０３４１】
（実施の形態２４）
実施の形態２４として、繰返し構造の最端部の溝を点線トレンチ構造（以下、ＤＬＴ:Dotted Line Trenchと呼ぶ）をトレンチ並行ゲート構造のＳＴＭに適用し、ｐｎ繰返し構造の最端部のｐ層またはｎ層の１本のみを低濃度化した場合の構成および製造方法を図８７〜９１を用いて詳述する。なお、図８８は、図８７に示すトレンチ並行ゲート構造のＳＴＭにおいて最端部の溝にＤＬＴ構造を適用した構成を示す３次元鳥瞰図である。
【０３４２】
図８７および図８８を参照して、本実施の形態の構成は、図５に示す構成と比較して、１組のｐ型不純物領域４とｎ型ドリフト領域３とからなるｐｎ組合せの間に溝２３が設けられている点と、ｐｎ繰返し構造の最端部において低濃度化されたｐｎ組み合わせが１段階のみである点と、複数の溝２３の最端部に位置する溝２３がＤＬＴ構造を有している点とにおいて異なる。
【０３４３】
主に図８８を参照して、ここでＤＬＴ構造の溝とは、複数の孔２３ａが所定の方向に沿って間隔をあけて配置され、それにより第１主面において点線状の表面パターンを有する溝のことである。なお、各溝２３内は、たとえばシリコン酸化膜などからなる絶縁膜２４により埋め込まれている。
【０３４４】
これ以外の構成については、図５に示す構成とほぼ同じであるため、同一の部材については同一の符号を付し、その説明を省略する。
【０３４５】
本実施の形態の特徴は、製造方法と密接に関係しており、工程増を一切なくして、従来構造のＳＴＭの製造工程のままで、主耐圧の高い素子を実現できることである。また、上述した他の実施の形態において、ｐｎ繰返し構造の最端部に多段階の濃度勾配をつける場合には、製造工程がさらに増加し複雑になるという難点があったが、本実施の形態以降に示すＤＬＴ構造においては、パターン寸法の制約はあるものの、概ね、多段階化しても製造工程の増加が一切なく、非常に容易に実現できるという大きな利点がある。
【０３４６】
図８７および図８８の構成を作るに際して、ＤＬＴ構造の溝２３における各孔２３ａの側壁の長さＬＡと間隔の長さＬＢとの関係（有効側壁面積）で、ｐｎ繰返し構造の最端部における低濃度領域の仕上り濃度が決まる。具体的には、図中に示した長さＬＡとＬＢとの比率で、低濃度化比率Ｒｌｃは次式で近似的に定義できる。
【０３４７】
Ｒｌｃ＝ＬＡ／（ＬＡ＋ＬＢ）
例えば、ＬＡ＝２μｍ、ＬＢ＝２μｍとすれば、Ｒｌｃ＝５０％となり、ｐｎ繰返し構造の最端部における低濃度領域の不純物濃度を５０％にまで下げたのとほぼ同じ効果が得られる。厳密には、この不純物濃度はイオン注入後の総熱処理量、温度および時間によって変化する。しかし、大雑把には、注入しない領域（孔２３ａが形成されていない領域）の幅ＬＢ＝２μｍと同じだけ不純物が拡散するように調整すれば、注入される直線部分（孔２３ａが形成されている領域）の中央位置にある不純物原子は、注入しない領域の中央部分まで到達する。同時に注入される直線部分の端（孔２３ａの端）にあった不純物原子は、隣の直線部分の端にまで到達する。このため、注入される直線部分ＬＡの濃度も注入しない領域ＬＢの濃度も平均化されて、概ね、注入直後の濃度の５０％程度にまで下がる。図８７および図８８に示すように１段階の低濃度化の場合、このＲｌｃは３０％以上７０％以下であることが好ましい。
【０３４８】
一般に、シリコン中の不純物濃度プロファイルは、ガウス分布もしくは誤差関数（Error function）で定義される形であるが、これらの分布をリニアスケールで見た場合には、殆ど、一次関数、すなわち三角形の分布と見なすことができる。したがって、上記の近似では、事実上、大きなずれが発生しないので、非常に簡便に濃度を点線の長さＬＡと間隔ＬＢとの比率によって調整することができる。
【０３４９】
なお、この比率の計算には、長さＬＡ、ＬＢと直交方向の寸法、すなわち溝２３の幅は関係しない。
【０３５０】
上記の説明をより直感的に理解できるように表したのが、以下の図８９〜９１である。図８９は、注入直後、もしくは熱処理不足の状態を示しており、ＤＬＴ構造の溝２３の側壁に、まだ高濃度領域３、４が残っており、点線状の拡散領域３、４がつながっていない状態を示している。
【０３５１】
次に図９０は、注入後に少し熱処理を加えることにより、横方向拡散で不純物領域３、４を拡散させた状態を示している。この熱処理により、ＤＬＴ構造の溝２３の側壁から高濃度領域３、４が拡散して他の高濃度領域３、４とつながる。しかし、ＤＬＴ構造の溝２３の側壁に近い部分には高濃度の領域がまだ残っている。この程度の状態でも、大きな問題は無いが、後述の図９１に示すように、全体が均質化するまで熱処理で拡散させることが望ましい。
【０３５２】
そこで、図９１は、注入後に十分に熱処理を加えることにより、横方向拡散で、ＤＬＴ構造の溝２３の側壁から高濃度領域３、４を十分に拡散させて他の高濃度領域３、４とつなげるとともに、ＤＬＴ構造の溝２３の側壁の濃度もほぼ均質化した状態を示している。
【０３５３】
また表１にＤＬＴ構造を３００Ｖ級ＳＴＭに適用した場合の改善効果を示した。
点線トレンチ構造の実施の形態と従来例の耐圧比較
【０３５４】
【表１】
0004785335.tif 000002
【０３５５】
実素子において、終端部分のない無限繰返し構造を作ることはできないので、表１中の「中央セル部のみのシミュレーション」は、理想的な場合として、セル部分の主耐圧を、数値シミュレーションを使って計算した場合の値を示している。この場合において、３２５Ｖの主耐圧が得られたので、その耐圧値を１００％として、他の実測値と比較した。
【０３５６】
一方、「従来例の均一濃度の実測」は、本実施の形態に示すＤＬＴ構造を使わない場合で、得られた耐圧は２７５Ｖと低く、上記の理想的なセルのみの耐圧値の８４.６％しか出ていないことがわかる。そこで、本実施の形態に示したＤＬＴ構造を用い、点線部分の比率が約半分である６０％の構造を試作したところ、３０１Ｖが得られた。これは理想的なセル部分のみの主耐圧の９２.６％であり、主耐圧が大幅に向上していることがわかる。
【０３５７】
また、詳細は省略するが、点線の多重化、すなわち濃度勾配を多段階化することにより、より理想値に近い値が得られることが実験よりわかっている。
【０３５８】
（実施の形態２５）
実施の形態２５として、実施の形態２４と同じく、ＤＬＴ構造の溝をトレンチ並行ゲート構造のＳＴＭに適用し、ｐｎ繰返し構造の左右両側の最端部のｐｎ組合せを３段階に低濃度化した場合を図９２および図９３を用いて詳述する。なお、図９３は、図９２の繰返し構造の最端部の３本の溝にＤＬＴ構造を適用した構成を示す３次元鳥瞰図である。
【０３５９】
図９２および図９３を参照して、本実施の形態の構成は、図８７および図８８に示す構成と比較して、ｐｎ繰返し構造の最端部のｐｎ組合せが３段階に低濃度化されている点と、繰返し構造の最端部の３本の溝にＤＬＴ構造を適用した点とが異なる。
【０３６０】
本実施の形態においては、実施の形態２４で説明した低濃度化比率の理論に基づき、ｐｎ繰返し構造の最端部のｐｎ組合せを３段階に低濃度化するために、ＤＬＴ構造を有する最端部の３本の溝２３の点線の長さおよび間隔が調整されている。つまり、複数の孔２３ａ3よりなるＤＬＴ構造の溝２３の低濃度化比率Ｒｌｃは複数の孔２３ａ2よりなるＤＬＴ構造の溝２３の低濃度化比率Ｒｌｃより小さく、複数の孔２３ａ2よりなるＤＬＴ構造の溝２３の低濃度化比率Ｒｌｃは複数の孔２３ａ1よりなるＤＬＴ構造の溝２３の低濃度化比率Ｒｌｃよりも小さい。
【０３６１】
なお、これ以外の構成については、図５に示す構成とほぼ同じであるため、同一の部材については同一の符号を付し、その説明を省略する。
【０３６２】
本実施の形態では、溝２３の点線の長さおよび間隔を調整することにより、容易に多段階の濃度勾配をつけることができる。
【０３６３】
（実施の形態２６）
実施の形態２６として、ＤＬＴ構造の溝をトレンチ並行ゲート構造のＳＴＭに適用した場合のプロセスフローを図９４および図９５を用いて詳述する。
【０３６４】
本実施の形態の製造方法は、図７９〜図８１に示す工程と同様の工程を経る。これにより、第１主面に複数の溝２３が形成され、各溝２３の一方側壁に硼素イオン注入領域４が、他方壁面に燐イオン注入領域３がそれぞれ形成される。ただし、図７９の工程において、繰返し構造の左右両側の最端部の溝２３がＤＬＴ構造となるように形成される。
【０３６５】
この後、図９４を参照して、溝２３間に挟まれたメサ領域が所望の濃度分布を持つように全体に熱処理が施される。この熱処理により、繰返し構造の最端部のＤＬＴ構造の溝２３側壁の硼素イオン注入領域４と燐イオン注入領域３とが拡散して低濃度化するとともに均一化して、中央部のメサ領域の不純物濃度よりも低くなる。
【０３６６】
図９５を参照して、各溝２３内に絶縁物２４が埋め込まれる。ただし、絶縁物埋込み工程と、先の熱処理工程は入れ替えられてもよい。
【０３６７】
また、ガードリングやＭＯＳ−ＦＥＴのｐ型ボディ領域などの比較的深い拡散領域を形成する工程は、図示しなかったが、上記の工程のどこか、もしくは、これらの工程後のどこかに適宜挿入することができる。
【０３６８】
また本実施の形態では、ｐｎ繰返し構造の左右両側の最端部において各１組のｐｎ組合せだけを低濃度化する場合を例にとったが、この製造工程を使うことにより何段階の濃度勾配をつける場合でも、工程フローは上記と全く同じで良い。これにより、製造工程を増大させることなく、多段階の濃度勾配を有する高耐圧の素子を製造することができる。
【０３６９】
（実施の形態２７）
実施の形態２７として、中央部がツイン・トレンチ（Twin trench）構造で、かつ能動素子部分がＭＯＳ−ＦＥＴ構造になった構成を図９を用いて、また繰返し構造の最端部の溝を２度掘りで作る製造方法を図９７〜図１０５を用いて詳述する。
【０３７０】
図９６を参照して、本実施の形態の構成は、図８７の構成と比較して、メサ部分がツイン・トレンチ構造を有している点と、ｐｎ繰返し構造の左右両側の最端部の低濃度化が１対のｐ型不純物領域４と１対のｎ型不純物領域３とから構成されている点とで異なっている。
【０３７１】
ここで、ツイン・トレンチ構造とは、溝２３の両側壁の各々に同じ導電型の不純物領域がそれぞれ存在する構成のことである。
【０３７２】
また、ｐｎ繰返し構造の左右両側の最端部には、中央部よりも低い不純物濃度（中央部の半分程度の不純物濃度）を有する１対のｐ型不純物領域４と１対のｎ型不純物領域３とが形成されている。
【０３７３】
なお、これ以外の構成については、図８７に示す構成とほぼ同じであるため、同一の部材については同一の符号を付し、その説明を省略する。
【０３７４】
次に本実施の形態の製造方法について説明する。
図９７を参照して、まず通常の方法で、ＣＶＤ法により形成されたシリコン酸化膜などをマスク材料４１ｅとして異方性エッチングを行なうことにより、半導体基板の第１主面に複数の溝２３よりなる第１の溝群が形成される。この第１の溝群には、最終仕上り状態で繰返し構造の最端部に位置する溝が含まれていない。
【０３７５】
図９８を参照して、第１の溝群を構成する複数の溝２３のすべての両側壁に比較的高濃度で燐イオンが注入され、燐イオン注入領域３が形成される。この後、膜４１ｅがエッチングなどにより除去される。
【０３７６】
図９９を参照して、通常の方法で、ＣＶＤ法によりシリコン酸化膜などの膜４１ｆが第１の溝群の複数の溝２３のすべてを埋め込むように形成される。この膜４１ｆが写真製版技術およびエッチング技術によりパターニングされる。パターニングされた膜４１ｆをマスク材料として異方性エッチングが行なわれる。これにより、第１の溝群の各溝２３と交互に位置するように第２の溝群を構成する複数の溝２３が形成される。この第２の溝群には、最終仕上り状態で繰返し構造の最端部に位置する溝が含まれていない。
【０３７７】
図１００を参照して、第２の溝群を構成する複数の溝２３のすべての両側壁に比較的高濃度で硼素イオンが注入され、硼素イオン注入領域４が形成される。この後、膜４１ｆがエッチングなどにより除去される。ただし、この図９８と図１００の工程は入れ替わっても良く、基本的にはその順序に意味合いはない。ここまでが、従来方式のツイン・トレンチ構造の製造方法である。以下の工程が、本実施の形態の特徴的な工程である。
【０３７８】
図１０１を参照して、通常の方法で、ＣＶＤ法によりシリコン酸化膜などの膜４１ｇが第１および第２の溝群の複数の溝２３のすべてを埋め込むように形成される。この膜４１ｇが写真製版技術およびエッチング技術によりパターニングされ、ｐｎ繰返し構造の最端部の１段手前となる領域上が開口される。パターニングされた膜４１ｇをマスク材料として異方性エッチングが行なわれる。これにより、繰返し構造の最端部の１段手前となる領域に第１の最端部溝２３が形成される。
【０３７９】
図１０２を参照して、第１の最端部溝２３の両側壁に比較的低濃度で燐イオンが注入され、燐イオン注入領域３が形成される。この後、膜４１ｇがエッチングなどにより除去される。
【０３８０】
図１０３を参照して、通常の方法で、ＣＶＤ法によりシリコン酸化膜などの膜４１ｈが第１および第２の溝群の複数の溝２３と第１の最端部溝２３とのすべてを埋め込むように形成される。この膜４１ｈが写真製版技術およびエッチング技術によりパターニングされ、繰返し構造の最端部となる領域上が開口される。パターニングされた膜４１ｈをマスク材料として異方性エッチングが行なわれる。これにより、繰返し構造の最端部となる領域に第２の最端部溝２３が形成される。
【０３８１】
図１０４を参照して、第２の最端部溝２３の両側壁に比較的低濃度で硼素イオンが注入され、硼素イオン注入領域４が形成される。この後、膜４１ｈがエッチングなどにより除去される。ただし、この図１０２と図１０４の工程は入れ替わっても良く、基本的にはその順序に意味合いはない。
【０３８２】
図１０５を参照して、通常の方法で、ＣＶＤ法によりシリコン酸化膜などの膜２４がすべての溝２３を埋め込むように形成される。この後、溝２３間に挟まれたメサ領域が所望の濃度分布を持つように、素子全体に熱処理が施される。これにより、硼素イオン注入領域４と燐イオン注入領域３とが周囲に拡散してｐ型不純物領域４とｎ型ドリフト領域３とが形成される。第１および第２の最端部溝２３の側壁から拡散したｐ型不純物領域４とｎ型ドリフト領域３とは、上述のように中央部の不純物濃度よりも低く設定されているので、仕上り状態でも中央部の不純物濃度よりも低くなる。ただし、この熱処理工程と、先の絶縁膜２４の埋込み工程とは入れ替えられてもよい。
【０３８３】
この後、終端構造であるガードリング部やＭＯＳ−ＦＥＴ部が形成されて、図９６に示す半導体装置が完成する。
【０３８４】
本実施の形態におけるツイン・トレンチ構造では、ＳＴＭ構造に比べて、ｐｎ繰返し構造の周期長が２倍になり、３次元多重ＲＥＳＵＲＦ効果が効き難くなるため、理想的な場合でも高濃度領域で主耐圧が低くなる傾向がある。また、製造上でも、深いトレンチを２回形成するという工程の複雑さがある。
【０３８５】
一方、ツイン・トレンチ構造では、溝の両側壁に同じイオン種が打ち込まれるので、反対側への反跳イオンの拡散による実効濃度の低下という複雑な物理現象を考慮する必要がない。このため、溝形状についても、多少の湾曲や傾斜がついても、大勢に影響しないなど、製造上のマージン（process window）が大きいなどの利点がある。
【０３８６】
（実施の形態２８）
実施の形態２８として、中央部がツイン・トレンチ（Twin trench）構造で、かつ能動素子部分がＭＯＳ−ＦＥＴ構造になった構成（図９６）における繰返し構造の最端部の溝をカウンタードープ法、すなわち逆導電型イオン種の２度注入で低濃度化して作る製造方法について図１０６〜図１１５を用いて詳述する。
【０３８７】
図１０６を参照して、まず通常の方法で、ＣＶＤ法により形成されたシリコン酸化膜などをマスク材料４１ｉとして異方性エッチングを行なうことにより、半導体基板の第１主面に複数の溝２３よりなる第１の溝群が形成される。この第１の溝群には、最終仕上り状態で繰返し構造の最端部に位置する溝が含まれている。
【０３８８】
図１０７を参照して、第１の溝群を構成する複数の溝２３のすべての両側壁に比較的高濃度で燐イオンが注入され、燐イオン注入領域３が形成される。この後、膜４１ｉがエッチングなどにより除去される。
【０３８９】
図１０８を参照して、通常の方法で、ＣＶＤ法によりシリコン酸化膜などの膜４１ｊが第１の溝群の複数の溝２３のすべてを埋め込むように形成される。この膜４１ｊが写真製版技術およびエッチング技術によりパターニングされる。パターニングされた膜４１ｊをマスク材料として異方性エッチングが行なわれる。これにより、第１の溝群の各溝２３と交互に位置するように第２の溝群を構成する複数の溝２３が形成される。この第２の溝群には、最終仕上り状態で繰返し構造の最端部に位置する溝が含まれている。
【０３９０】
図１０９を参照して、第２の溝群を構成する複数の溝２３のすべての両側壁に比較的高濃度で硼素イオンが注入され、硼素イオン注入領域４が形成される。この後、膜４１ｊがエッチングなどにより除去される。ただし、この図１０７と図１０９の工程は入れ替わっても良く、基本的にはその順序に意味合いはない。ここまでが、従来方式のツイン・トレンチ構造の製造方法である。以下の工程が、本実施の形態の特徴的な工程である。
【０３９１】
図１１０を参照して、通常の方法で、ＣＶＤ法によりシリコン酸化膜などの膜４１ｋが複数の溝２３のすべてを埋め込むように形成される。
【０３９２】
図１１１を参照して、この膜４１ｋが写真製版技術およびエッチング技術によりパターニングされ、繰返し構造の最端部の１段手前に位置する第１の最端部溝２３上が開口される。パターニングされた膜４１ｋをマスク材料として異方性エッチングが行なわれる。これにより、第１の最端部溝２３内の埋込み物が除去される。
【０３９３】
図１１２を参照して、第１の最端部溝２３の両側壁に比較的低濃度で硼素イオンが注入され、硼素イオン注入領域４ｂが形成される。この後、膜４１ｋがエッチングなどにより除去される。
【０３９４】
図１１３を参照して、通常の方法で、ＣＶＤ法によりシリコン酸化膜などの膜４１ｌがすべての溝２３を埋め込むように形成される。この膜４１ｌが写真製版技術およびエッチング技術によりパターニングされ、繰返し構造の最端部に位置する第２の最端部溝２３上が開口される。パターニングされた膜４１ｌをマスク材料として異方性エッチングが行なわれる。これにより、第２の最端部溝２３内の埋込み物が除去される。
【０３９５】
図１１４を参照して、第２の最端部溝２３の両側壁に比較的低濃度で燐イオンが注入され、燐イオン注入領域３ｂが形成される。この後、膜４１ｌがエッチングなどにより除去される。ただし、この図１１２と図１１４の工程は入れ替わっても良く、基本的にはその順序に意味合いはない。
【０３９６】
図１１５を参照して、通常の方法で、ＣＶＤ法によりシリコン酸化膜などの膜２４がすべての溝２３を埋め込むように形成される。この後、溝２３間に挟まれたメサ領域が所望の濃度分布を持つように、素子全体に熱処理が施される。これにより、硼素イオン注入領域４と燐イオン注入領域３とが周囲に拡散してｐ型不純物領域４とｎ型ドリフト領域３とが形成される。第１および第２の最端部溝２３の側壁ではカウンタードープにより逆導電型の不純物同士が打消し合う。このため、第１および第２の最端部溝２３の側壁に位置する不純物領域３、４の不純物濃度は、中央部の不純物濃度よりも低くなる。ただし、この熱処理工程と、先の絶縁膜２４の埋込み工程とは入れ替えられてもよい。
【０３９７】
この後、終端構造であるガードリング部やＭＯＳ−ＦＥＴ部が形成されて、図９６に示す半導体装置が完成する。
【０３９８】
本実施の形態におけるツイン・トレンチ構造では、ＳＴＭ構造に比べて、ｐｎ繰返し構造の周期長が２倍になり、３次元多重ＲＥＳＵＲＦ効果が効き難くなるため、理想的な場合でも高濃度領域で主耐圧が低くなる傾向がある。また、製造上でも、深いトレンチを２回形成するという工程の複雑さがある。
【０３９９】
一方、ツイン・トレンチ構造では、溝の両側壁に同じイオン種が打ち込まれるので、反対側への反跳イオンの拡散による実効濃度の低下という複雑な物理現象を考慮する必要がなく、溝の上から下まで均一な濃度プロファイルが得られる。このため、溝形状についても、多少の湾曲や傾斜がついても、大勢に影響しないなど、製造上のマージン（process window）が大きいなどの利点がある。
【０４００】
（実施の形態２９）
図１１６を参照して、本実施の形態の構成は、図９６に示す構成と比較して、中央部がツイン・トレンチ構造で、かつ能動素子部分がＭＯＳ−ＦＥＴ構造である点において共通するが、ｐｎ繰返し構造の最端部の１対のｐ型不純物領域４のみが低濃度化されている点において異なる。
【０４０１】
なお、これ以外の構成については、図９６に示す構成とほぼ同じであるため、同一の部材については同一の符号を付し、その説明を省略する。
【０４０２】
本実施の形態の構成は、ｐｎ繰返し構造の最端部のｐ型不純物領域のみを１段階だけ低濃度化した構成であるため、製造が簡便であるという利点を有する。本実施の形態の構成は、上述の実施の形態２７か実施の形態２８の製法により実現できるが、後述の実施の形態３３によっても実現できる。
【０４０３】
（実施の形態３０）
図１１７を参照して、本実施の形態の構成は、図９６に示す構成と比較して、中央部がツイン・トレンチ構造である点では共通するが、能動素子部分がＭＯＳ−ＦＥＴ構造ではなくｐｉｎダイオード構造である点と、繰返し構造の最端部の１対のｐ型不純物領域４のみが低濃度化されている点とにおいて異なる。
【０４０４】
ｐｉｎダイオードは、ｐｎ繰返し構造全体の第１主面側にｐ型不純物領域２１を形成し、アノード電極２２と電気的に接続することで構成されている。
【０４０５】
なお、これ以外の構成については、図９６に示す構成とほぼ同じであるため、同一の部材については同一の符号を付し、その説明を省略する。
【０４０６】
本実施の形態の構成は、上述の実施の形態２７か実施の形態２８の製法により実現できるが、後述の実施の形態３３によっても実現できる。
【０４０７】
（実施の形態３１）
図１１８を参照して、本実施の形態の構成は、図９６に示す構成と比較して、中央部がツイン・トレンチ構造である点では共通するが、能動素子部分がＭＯＳ−ＦＥＴ構造ではなくショットキー・バリアー・ダイオード構造である点と、ｐｎ繰返し構造の最端部の１対のｐ型不純物領域４のみが低濃度化されている点とにおいて異なる。
【０４０８】
ショットキー・バリアー・ダイオードは、ｐｎ繰返し構造全体の第１主面側が金属シリサイド層２１ａを介してアノード電極２２と電気的に接続されることで構成されている。
【０４０９】
なお、これ以外の構成については、図９６に示す構成とほぼ同じであるため、同一の部材については同一の符号を付し、その説明を省略する。
【０４１０】
本実施の形態の構成は、上述の実施の形態２７か実施の形態２８の製法により実現できるが、後述の実施の形態３３によっても実現できる。
【０４１１】
（実施の形態３２）
図１１９を参照して、本実施の形態の構成は、図９６に示す構成と比較して、中央部がツイン・トレンチ構造で、かつ能動素子部分がＭＯＳ−ＦＥＴ構造である点において共通するが、ｐｎ繰返し構造の最端部の１対のｐ型不純物領域４上に能動素子が設けられていない点において異なる。
【０４１２】
ｐｎ繰返し構造の最端部の１対のｐ型不純物領域４上には、ｐ型不純物領域２１が形成されており、ソース電極１０と電気的に接続されている。
【０４１３】
なお、これ以外の構成については、図９６に示す構成とほぼ同じであるため、同一の部材については同一の符号を付し、その説明を省略する。
【０４１４】
（実施の形態３３）
実施の形態３３として、ツイン・トレンチ構造にＤＬＴ構造を適用し、一回のイオン注入にてｐｎ繰返し構造の中央部の高濃度領域と最端部の低濃度領域とを同時に作る製造方法について図１０６〜図１１０を用いて詳述する。
【０４１５】
図１０６を参照して、まず通常の方法で、ＣＶＤ法により形成されたシリコン酸化膜などをマスク材料４１ｉとして異方性エッチングを行なうことにより、半導体基板の第１主面に中央部の複数の溝２３とその外側のＤＬＴ構造の溝２３とからなる第１の溝群が同時に形成される。なお、ＤＬＴ構造の溝２３は１本以上何本でもよい。
【０４１６】
図１０７を参照して、第１の溝群を構成する複数の溝２３のすべての両側壁に燐イオンが注入され、燐イオン注入領域３が形成される。この後、膜４１ｉがエッチングなどにより除去される。
【０４１７】
図１０８を参照して、通常の方法で、ＣＶＤ法によりシリコン酸化膜などの膜４１ｊが第１の溝群の複数の溝２３のすべてを埋め込むように形成される。この膜４１ｊが写真製版技術およびエッチング技術によりパターニングされる。パターニングされた膜４１ｊをマスク材料として異方性エッチングが行なわれる。これにより、第１の溝群の各溝２３と交互に位置するように、第２の溝群を構成する中央部の複数の溝２３とその外側のＤＬＴ構造の溝２３とが形成される。なお、ＤＬＴ構造の溝２３は１本以上何本でもよい。
【０４１８】
図１０９を参照して、第２の溝群を構成する複数の溝２３のすべての両側壁に硼素イオンが注入され、硼素イオン注入領域４が形成される。この後、膜４１ｊがエッチングなどにより除去される。ただし、この図１０７と図１０９の工程は入れ替わっても良く、基本的にはその順序に意味合いはない。
【０４１９】
図１１０を参照して、通常の方法で、ＣＶＤ法によりシリコン酸化膜などの膜４１ｋが複数の溝２３のすべてを埋め込むように形成される。
【０４２０】
この後、溝２３間に挟まれたメサ領域が所望の濃度分布を持つように全体に熱処理が施される。この熱処理により、繰返し構造の最端部のＤＬＴ構造の溝２３側壁の硼素イオン注入領域４と燐イオン注入領域３とが拡散して低濃度化するとともに均一化して、中央部のメサ領域の不純物濃度よりも低くなる。
【０４２１】
なお、絶縁物埋込み工程と、先の熱処理工程は入れ替えられてもよい。
また、ガードリングやＭＯＳ−ＦＥＴのｐ型ボディ領域などの比較的深い拡散領域を形成する工程は、図示しなかったが、上記の工程のどこか、もしくは、これらの工程後のどこかに適宜挿入することができる。
【０４２２】
（実施の形態３４）
実施の形態３４として、ｐｎ繰返し周期だけがBi-pitchになっており、注入時にだけｐ型不純物領域とｎ型ドリフト領域とを打ち分ける製造方法について図１２０〜１２８を用いて詳述する。
【０４２３】
まず本実施の形態の製造方法は、図７９に示す工程を経る。これにより、半導体基板の第１主面に複数の溝２３が形成される。
【０４２４】
この後、図１２０を参照して、通常の方法で、ＣＶＤ法によりシリコン酸化膜などの膜４１ｍがすべての溝２３を埋め込むように形成される。
【０４２５】
図１２１を参照して、この膜４１ｍが写真製版技術およびエッチング技術によりパターニングされ、複数の溝２３のうち１本おきの溝２３上が開口される。パターニングされた膜４１ｍをマスク材料として異方性エッチングが行なわれる。これにより、１本おきの溝２３内の埋込み物が除去される。埋込み物が除去された１本おきの溝２３の両側壁に比較的高濃度で燐イオンが注入され、燐イオン注入領域３が形成される。この後、膜４１ｍがエッチングなどにより除去される。
【０４２６】
図１２２を参照して、通常の方法で、ＣＶＤ法によりシリコン酸化膜などの膜４１ｎがすべての溝２３を埋め込むように形成される。この膜４１ｎが写真製版技術およびエッチング技術によりパターニングされ、別の１本おきの溝２３上が開口される。パターニングされた膜４１ｎをマスク材料として異方性エッチングが行なわれる。これにより、別の１本おきの溝２３内の埋込み物が除去される。
【０４２７】
埋込み物が除去された別の１本おきの溝２３の両側壁に比較的高濃度で硼素イオンが注入され、硼素イオン注入領域４が形成される。この後、膜４１ｎがエッチングなどにより除去される。ただし、この図１２１と図１２２の工程は入れ替わっても良く、基本的にはその順序に意味合いはない。
【０４２８】
図１２３を参照して、通常の方法で、ＣＶＤ法によりシリコン酸化膜などの膜４１ｏがすべての溝２３を埋め込むように形成される。ここまでが、従来構造のツイン・トレンチ構造と同じBi-pitchの周期性をもつ構造を形成する工程であり、以下の工程が、本実施の形態に係るｐｎ繰返し構造の最端部の低濃度化構造を形成する工程である。
【０４２９】
図１２４を参照して、この膜４１ｏが写真製版技術およびエッチング技術によりパターニングされ、繰返し構造の最端部の１段手前に位置する第１の最端部溝２３上が開口される。パターニングされた膜４１ｏをマスク材料として異方性エッチングが行なわれる。これにより、第１の最端部溝２３内の埋込み物が除去される。
【０４３０】
図１２５を参照して、第１の最端部溝２３の両側壁に比較的低濃度（燐イオン注入領域３の不純物濃度の半分程度の濃度）で硼素イオンが注入され、硼素イオン注入領域４ｂが形成される。この後、膜４１ｏがエッチングなどにより除去される。
【０４３１】
図１２６を参照して、通常の方法で、ＣＶＤ法によりシリコン酸化膜などの膜４１ｐがすべての溝２３を埋め込むように形成される。この膜４１ｐが写真製版技術およびエッチング技術によりパターニングされ、繰返し構造の最端部に位置する第２の最端部溝２３上が開口される。パターニングされた膜４１ｐをマスク材料として異方性エッチングが行なわれる。これにより、第２の最端部溝２３内の埋込み物が除去される。
【０４３２】
図１２７を参照して、第２の最端部溝２３の両側壁に比較的低濃度（硼素燐イオン注入領域４の不純物濃度の半分程度の濃度）で燐イオンが注入され、燐イオン注入領域３ｂが形成される。この後、膜４１ｐがエッチングなどにより除去される。ただし、この図１２５と図１２７の工程は入れ替わっても良く、基本的にはその順序に意味合いはない。
【０４３３】
図１２８を参照して、通常の方法で、ＣＶＤ法によりシリコン酸化膜などの膜２４がすべての溝２３を埋め込むように形成される。この後、溝２３間に挟まれたメサ領域が所望の濃度分布を持つように、素子全体に熱処理が施される。これにより、硼素イオン注入領域４と燐イオン注入領域３とが周囲に拡散してｐ型不純物領域４とｎ型ドリフト領域３とが形成される。第１および第２の最端部溝２３の側壁ではカウンタードープにより逆導電型の不純物同士が打消し合う。このため、第１および第２の最端部溝２３の側壁に位置する不純物領域３、４の不純物濃度は、中央部の不純物濃度よりも低くなる。ただし、この熱処理工程と、先の絶縁膜２４の埋込み工程とは入れ替えられてもよい。
【０４３４】
この後、終端構造であるガードリング部やＭＯＳ−ＦＥＴ部が形成されて、図９６に示す半導体装置が完成する。
【０４３５】
なお、低濃度化する領域を、多段階に設定する場合には、上記のカウンター・ドープの工程が複数回繰返されればよい。
【０４３６】
（実施の形態３５）
実施の形態３５として、溝は一回堀でBi-pitch注入だけでｐ型不純物領域とｎ型ドレイン領域とを打ち分ける方法に、繰返し構造の最端部にＤＬＴ構造の溝を適用した製造法について図１２０〜図１２３を用いて詳述する。
【０４３７】
図１２０を参照して、まず半導体基板の第１主面に、中央部の複数の溝２３とその外側のＤＬＴ構造の溝２３とからなる第１の溝群と、中央部の複数の溝２３とその外側のＤＬＴ構造の溝２３とからなる第２の溝群とが形成される。第１の溝群の各溝２３と第２の溝群の各溝２３は交互に位置するよう形成される。なお、第１および第２の溝群の各ＤＬＴ構造の溝２３は１本以上何本でもよい。
【０４３８】
この後、通常の方法で、ＣＶＤ法によりシリコン酸化膜などの膜４１ｍがすべての溝２３を埋め込むように形成される。
【０４３９】
図１２１を参照して、この膜４１ｍが写真製版技術およびエッチング技術によりパターニングされ、複数の溝２３のうち１本おきの溝２３上が開口される。パターニングされた膜４１ｍをマスク材料として異方性エッチングが行なわれる。これにより、１本おきの溝２３内の埋込み物が除去される。埋込み物が除去された１本おきの溝２３の両側壁に比較的高濃度で燐イオンが注入され、燐イオン注入領域３が形成される。この後、膜４１ｍがエッチングなどにより除去される。
【０４４０】
図１２２を参照して、通常の方法で、ＣＶＤ法によりシリコン酸化膜などの膜４１ｎがすべての溝２３を埋め込むように形成される。この膜４１ｎが写真製版技術およびエッチング技術によりパターニングされ、別の１本おきの溝２３上が開口される。パターニングされた膜４１ｎをマスク材料として異方性エッチングが行なわれる。これにより、別の１本おきの溝２３内の埋込み物が除去される。
【０４４１】
埋込み物が除去された別の１本おきの溝２３の両側壁に比較的高濃度で硼素イオンが注入され、硼素イオン注入領域４が形成される。この後、膜４１ｎがエッチングなどにより除去される。ただし、この図１２１と図１２２の工程は入れ替わっても良く、基本的にはその順序に意味合いはない。
【０４４２】
図１２３を参照して、通常の方法で、ＣＶＤ法によりシリコン酸化膜などの膜４１ｏがすべての溝２３を埋め込むように形成される。
【０４４３】
この後、溝２３間に挟まれたメサ領域が所望の濃度分布を持つように全体に熱処理が施される。この熱処理により、繰返し構造の最端部のＤＬＴ構造の溝２３側壁の硼素イオン注入領域４と燐イオン注入領域３とが拡散して低濃度化するとともに均一化して、中央部のメサ領域の不純物濃度よりも低くなる。
【０４４４】
なお、絶縁物埋込み工程と、先の熱処理工程は入れ替えられてもよい。
また、ガードリングやＭＯＳ−ＦＥＴのｐ型ボディ領域などの比較的深い拡散領域を形成する工程は、図示しなかったが、上記の工程のどこか、もしくは、これらの工程後のどこかに適宜挿入することができる。
【０４４５】
（実施の形態３６）
実施の形態３６として、ＳＴＭ構造に、繰返し構造の最端部の低濃度領域を高エネルギーの多段階イオン注入により形成する製造方法を図１２９〜１３６を用いて詳述する。
【０４４６】
本実施の形態の製造方法は、まず図７０〜図７２に示す工程を経る。これにより、複数の溝２３と、各溝２３の側壁に形成された燐イオン注入領域３および硼素イオン注入領域４とが形成される。
【０４４７】
この後、図１２９を参照して、通常の方法で、ＣＶＤ法によりシリコン酸化膜などの膜４１ｑがすべての溝２３を埋め込むように形成される。ここまでは、前述の他の実施の形態に示した方法と同じである。この後、熱処理を施して溝２３の側壁から各注入領域３、４を拡散させてもよいが、この例では熱処理は施されていない。
【０４４８】
図１３０を参照して、写真製版技術により所定のパターンを有するレジストパターン３１ｖが膜４１ｑ上に形成される。このレジストパターン３１ｖをマスクとして燐イオンを高エネルギーでイオン注入をすることにより、ｐｎ繰返し構造の最端部もしくはそれよりも１段だけ手前となる領域の深い位置に燐イオンの注入領域３ａが形成される。
【０４４９】
なお、図１３０では、厚い埋め込み膜４１ｑ越しに、レジストパターン３１ｖをマスクとして注入する場合を記載したが、必要に応じて、膜４１ｑをエッチングしてから注入することもできるし、レジストパターン３１ｖも除去して、膜４１ｑのパターンのみをマスクとして注入することもできる。
【０４５０】
図１３１を参照して、上記レジストパターン３１ｖをマスクとして、燐イオンを中エネルギーでイオン注入をすることにより、ｐｎ繰返し構造の最端部もしくはそれよりも１段だけ手前となる領域の中程度に深い位置に燐イオンの注入領域３ａが形成される。
【０４５１】
図１３２を参照して、上記レジストパターン３１ｖをマスクとして、燐イオンを低エネルギーでイオン注入をすることにより、ｐｎ繰返し構造の最端部もしくはそれよりも１段だけ手前となる領域の浅い位置に燐イオンの注入領域３ａが形成される。この後、レジストパターン３１ｖはたとえばアッシングなどにより除去される。
【０４５２】
図１３０〜図１３２の工程でｐｎ繰返し構造の最端部もしくはそれよりも１段だけ手前となる領域に注入される燐イオンの注入濃度は、中央部に注入された燐イオンの注入濃度の半分程度とされる。
【０４５３】
ただし、上記の深い位置への注入（図１３０）と中間位置への注入（図１３１）と浅い位置への注入（図１３２）との各注入の順序は入れ替えることができる。さらに、これらのｐｎ繰返し構造の最端部もしくはそれよりも１段だけ手前となる領域のへの燐イオンの注入工程は、前述の中央部への硼素イオンまたは燐イオンの注入工程と全体的に入れ替えることもできる。
【０４５４】
なお、この例では、３段階のエネルギーでの注入例を記したが、耐圧が低いクラスの素子でエピタキシャル層が薄い場合には、２段階あるいは１段階でもよく、また逆に、耐圧が高いクラスの素子でエピタキシャル層の厚い場合には、４段階以上の回数に分けて注入する場合もある。このため、本実施の形態は段階を３段階に固定するものではない。
【０４５５】
図１３３を参照して、写真製版技術により所定のパターンを有するレジストパターン３１ｗが膜４１ｑ上に形成される。このレジストパターン３１ｗをマスクとして硼素イオンを高エネルギーでイオン注入をすることにより、ｐｎ繰返し構造の最端部もしくはそれよりも１段だけ手前となる領域の深い位置に硼素イオンの注入領域４ａが形成される。
【０４５６】
なお、図１３３では、厚い埋め込み膜４１ｑ越しに、レジストパターン３１ｗをマスクとして注入する場合を記載したが、必要に応じて、膜４１ｑをエッチングしてから注入することもできるし、レジストパターン３１ｗも除去して、膜４１ｑのパターンのみをマスクとして注入することもできる。
【０４５７】
図１３４を参照して、上記レジストパターン３１ｗをマスクとして、硼素イオンを中エネルギーでイオン注入をすることにより、ｐｎ繰返し構造の最端部もしくはそれよりも１段だけ手前となる領域の中程度に深い位置に硼素イオンの注入領域４ａが形成される。
【０４５８】
図１３５を参照して、上記レジストパターン３１ｗをマスクとして、硼素イオンを低エネルギーでイオン注入をすることにより、ｐｎ繰返し構造の最端部もしくはそれよりも１段だけ手前となる領域の浅い位置に硼素イオンの注入領域４ａが形成される。この後、レジストパターン３１ｗはたとえばアッシングなどにより除去される。
【０４５９】
図１３３〜図１３５の工程でｐｎ繰返し構造の最端部もしくはそれよりも１段だけ手前となる領域に注入される硼素イオンの注入濃度は、中央部に注入された硼素イオンの注入濃度の半分程度とされる。
【０４６０】
ただし、上記の深い位置への注入（図１３３）と中間位置への注入（図１３４）と浅い位置への注入（図１３５）との各注入の順序は入れ替えることができる。さらに、これらの最端部もしくはそれよりも１段だけ手前となる領域への低濃度の硼素イオンの注入工程は、前述の中央部への高濃度の硼素イオンまたは燐イオンの注入工程、もしくはｐｎ繰返し構造の最端部もしくはそれよりも１段だけ手前となる領域への低濃度の燐イオンの注入工程と全体的に入れ替えることもできる。
【０４６１】
なお、これらの工程も、上述の燐イオン注入領域３ａと同様に、３段階に固定されるものではなく、これより多くても、また少なくてもよい。
【０４６２】
本実施の形態では、簡単のために、ｐｎ繰返し構造の最端部に低濃度のｐ層とｎ層とからなるｐｎ組合せを一列だけ形成する場合を例にとったが、特に限定するものではない。
【０４６３】
図１３６を参照して、熱処理が施され、それにより半導体基板の深さ方向に並んだ複数の硼素イオンの注入領域４ａと複数の燐イオンの注入領域３ａとの各々が周囲に拡散されて一体化し、ｐｎ繰返し構造を構成するｐ型不純物領域４とｎ型ドリフト領域３とが形成される。この後、ＭＯＳ−ＦＥＴ構成部や電極などが形成される。
【０４６４】
なお図１３６では、簡単のために、接続されたｎ型ドリフト領域３とｐ型不純物領域４とを低濃度と高濃度との２段階で表示しているが、実際には無段階かつ連続的に濃度は変化する。また、ｐｎ繰返し構造の最端部の低濃度のｐ型不純物領域４は、不純物濃度の高い部分において幾分外周に広がるうねった断面形状になるが、簡略化のために詳細は省いている。
【０４６５】
（実施の形態３７）
実施の形態３７として、ＳＴＭ構造のｐｎ繰返し構造の最端部の低濃度化に際して高エネルギーイオン注入を多段階に行う場合で、かつｐ型不純物領域がｐｎ繰返し構造の最端部に位置する場合の製造方法を図１３７〜図１４０を用いて詳述する。
【０４６６】
本実施の形態の製造方法は、まず図７０〜図７２に示す工程を経た後、さらに図１２９〜図１３２の工程を経る。これにより、複数の溝２３と、各溝２３の両側壁に形成された燐イオン注入領域３および硼素イオン注入領域４と、各溝２３を埋め込む膜４１ｑと、ｐｎ繰返し構造の最端部の１段手前に位置する燐イオン注入領域３ａとが形成される。
【０４６７】
図１３７を参照して、写真製版技術により所定のパターンを有するレジストパターン３１ｘが膜４１ｑ上に形成される。このレジストパターン３１ｘをマスクとして硼素イオンを高エネルギーでイオン注入をすることにより、ｐｎ繰返し構造の最端部となる領域の深い位置に硼素イオンの注入領域４ａが形成される。
【０４６８】
なお、図１３７では、厚い埋め込み膜４１ｑ越しに、レジストパターン３１ｘをマスクとして注入する場合を記載したが、必要に応じて、膜４１ｑをエッチングしてから注入することもできるし、レジストパターン３１ｘも除去して、膜４１ｑのパターンのみをマスクとして注入することもできる。
【０４６９】
図１３８を参照して、上記レジストパターン３１ｘをマスクとして、硼素イオンを中エネルギーでイオン注入をすることにより、ｐｎ繰返し構造の最端部となる領域の中程度に深い位置に硼素イオンの注入領域４ａが形成される。
【０４７０】
図１３９を参照して、上記レジストパターン３１ｘをマスクとして、硼素イオンを低エネルギーでイオン注入をすることにより、ｐｎ繰返し構造の最端部となる領域の浅い位置に硼素イオンの注入領域４ａが形成される。この後、レジストパターン３１ｘはたとえばアッシングなどにより除去される。
【０４７１】
図１３７〜図１３９の工程でｐｎ繰返し構造の最端部に注入される硼素イオンの注入濃度は、中央部に注入された硼素イオンの注入濃度の半分程度とされる。
【０４７２】
ただし、上記の深い位置への注入（図１３７）と中間位置への注入（図１３８）と浅い位置への注入（図１３９）との各注入の順序は入れ替えることができる。さらに、これらの最端部への低濃度の硼素イオンの注入工程は、前述の中央部への高濃度の硼素イオンまたは燐イオンの注入工程もしくはｐｎ繰返し構造の最端部よりも１段だけ中央部への低濃度の燐イオンの注入工程と全体的に入れ替えることもできる。
【０４７３】
なお、これらの工程も、上述の燐イオン注入領域３ａと同様に、３段階に固定されるものではなく、これより多くても、また少なくてもよい。
【０４７４】
本実施の形態では、簡単のために、ｐｎ繰返し構造の最端部に低濃度のｐ層とｎ層とからなるｐｎ組合せを一列だけ形成する場合を例にとったが、特に限定するものではない。
【０４７５】
図１４０を参照して、熱処理が施され、それにより半導体基板の深さ方向に並んだ複数の硼素イオンの注入領域４ａと複数の燐イオンの注入領域３ａとの各々が周囲に拡散されて一体化し、ｐｎ繰返し構造を構成するｐ型不純物領域４とｎ型ドリフト領域３とが形成される。この後、ＭＯＳ−ＦＥＴ構成部や電極などが形成される。
【０４７６】
なお図１４０は、簡単のために、接続されたｎ型ドリフト領域３とｐ型不純物領域４とを低濃度と高濃度との２段階で表示しているが、実際には無段階かつ連続的に濃度は変化する。また、ｐｎ繰返し構造の最端部の低濃度のｐ型不純物領域４は、不純物濃度の高い部分において幾分外周に広がるうねった断面形状になるが、簡略化のために詳細は省いている。
【０４７７】
（実施の形態３８〜４０）
実施の形態３８〜４０として、ｐｎ繰返し構造の最端部に能動素子を形成しない構成を図１４１〜１４３に示した。
【０４７８】
図１４１を参照して、実施の形態３８の構成は、図３の構成と比較して、ｐｎ繰返し構造の左右両側の最端部においてｐ型不純物領域４とｎ型ドリフト領域３との１組（一段階）だけ低濃度化した点において共通するが、その低濃度化された領域上に能動素子であるＭＯＳ−ＦＥＴが形成されていない点において異なる。
【０４７９】
ｐｎ繰返し構造の最端部の低濃度のｐ型不純物領域４およびｎ型ドリフト領域３上には、ｐ型不純物領域５が形成されておりソース電極１０と電気的に接続されているが、ＭＯＳ−ＦＥＴの構成要素であるｎ+ソース領域６やゲート電極層９は形成されていない。
【０４８０】
なお、これ以外の構成については、図３に示す構成とほぼ同じであるため、同一の部材については同一の符号を付し、その説明を省略する。
【０４８１】
図１４２を参照して、実施の形態３９の構成は、図８７の構成と比較して、トレンチ並行ゲート構造ＳＴＭにおけるｐｎ繰返し構造の最端部においてｐ型不純物領域４とｎ型ドリフト領域３との１組（一段階）だけ低濃度化した点において共通するが、その低濃度化された領域上に能動素子であるＭＯＳ−ＦＥＴが形成されていない点において異なる。
【０４８２】
ｐｎ繰返し構造の最端部の低濃度のｐ型不純物領域４およびｎ型ドリフト領域３上には、ｐ型不純物領域２１が形成されておりソース電極１０と電気的に接続されているが、ＭＯＳ−ＦＥＴの構成要素であるｎ+ソース領域６やゲート電極層９は形成されていない。
【０４８３】
なお、これ以外の構成については、図８７に示す構成とほぼ同じであるため、同一の部材については同一の符号を付し、その説明を省略する。
【０４８４】
図１４３を参照して、実施の形態４０の構成は、図６の構成と比較して、埋め込み多層エピタキシャル構造におけるｐｎ繰返し構造の最端部においてｐ型不純物領域４だけ低濃度化した点において共通するが、その低濃度化された領域上に能動素子であるＭＯＳ−ＦＥＴが形成されていない点において異なる。
【０４８５】
ｐｎ繰返し構造の最端部の低濃度のｐ型不純物領域４上には、ｐ型不純物領域５が形成されておりソース電極１０と電気的に接続されているが、ＭＯＳ−ＦＥＴの構成要素であるｎ+ソース領域６やゲート電極層９は形成されていない。
【０４８６】
なお、これ以外の構成については、図６に示す構成とほぼ同じであるため、同一の部材については同一の符号を付し、その説明を省略する。
【０４８７】
（実施の形態４１）
実施の形態４１として、ＳＯＩ（Semiconductor On Insulator）基板に実装された横型パワーＭＯＳＦＥＴのｐｎ繰返し構造の最端部を低濃度化した構成を図１４４および図１４５を用いて詳述する。
【０４８８】
図１４４および図１４５を参照して、シリコン基板５１上にシリコン酸化膜などの絶縁膜５２を介して半導体層６０が形成されている。そしてこの半導体層６０に、本発明の最端部が低濃度化されたｐｎ繰返し構造を有する横型パワーＭＯＳＦＥＴが形成されている。
【０４８９】
この半導体層６０には、ｐｎ繰返し構造を構成するようにｐ型不純物領域４とｎ型不純物領域３とが交互に繰返し形成されている。そして、このｐｎ繰返し構造の最端部が図１４５に示すように１組ｐｎ組合せを１単位として２段階で低濃度化されている。
【０４９０】
なお、ｐ型領域５は、ｎ型不純物領域３とｐｎ接合を構成するように、かつｐ型不純物領域４と電気的に接続されるように形成されている。また、ｎ+ソース領域６は、ｐ型領域５の一部をｎ型不純物領域３との間で挟むように形成されている。ゲート電極層９は、ｎ型不純物領域３とｎ+ソース領域６とに挟まれるｐ型領域５にゲート絶縁膜８を介して対向するように形成されている。このゲート電極層９は、第１主面上においてｐｎ繰返し方向に沿って延在している。
【０４９１】
ｐｎ繰返し構造のｐ型領域５とは逆側に、ｎ+領域５４とｎｂ領域５３とが形成されており、ｎ+領域５４はドレイン電極に電気的に接続されている。
【０４９２】
なお、上記のｐｎ繰返し構造において、ｐ型不純物領域４とｎ型不純物領域３との間に溝が設けられてもよく、この場合、図１４６および図１４７に示すように絶縁物２４などで埋め込まれた溝２３がｐ型不純物領域４とｎ型不純物領域３との間に位置することになる。
【０４９３】
（実施の形態４２）
上記の実施の形態２３、２８および３４では、繰返し構造の端部に位置する溝の側壁にカウンターイオン注入（カウンタードープ）することによりｐｎ繰返し構造の最端部の低濃度領域が形成されている。これとは逆に、ｐｎ繰返し構造の中央部に位置する溝の側壁にすでに注入された不純物と同じ導電型の不純物をさらに注入することにより、中央部のｐｎ繰返し構造のｐ層４とｎ層３とを高濃度化して、それにより繰返し構造の最端部の溝側壁の不純物領域が相対的に低濃度領域とされてもよい。以下、そのことを具体的に説明する。
【０４９４】
実施の形態２３においては、まず図７９〜図８１の工程を経ることにより、溝２３の側壁に比較的低濃度のｐ型不純物領域４とｎ型不純物領域３とが形成される。この後、ｐｎ繰返し構造の中央部の溝２３内の埋込み物が除去される。そして、この中央部の溝２３の一方側壁のｐ型不純物領域４にさらにｐ型不純物が注入されるとともに、他方側壁のｎ型不純物領域３にさらにｎ型不純物が注入される。これにより、繰返し構造の中央部の溝２３側壁のｐ型不純物領域４とｎ型不純物領域３とが高濃度化され、それにより繰返し構造の最端部の溝２３側壁の不純物領域３、４が相対的に低濃度領域とされる。
【０４９５】
また、実施の形態２８においては、まず図１０６〜図１１０の工程を経ることにより、溝２３の側壁に比較的低濃度のｐ型不純物領域４とｎ型不純物領域３とが形成される。この後、ｐｎ繰返し構造の中央部の溝２３内の埋込み物が除去される。そして、この中央部の溝２３の両側壁のｐ型不純物領域４にさらにｐ型不純物が注入されるとともに、中央部の別の溝２３の両側壁のｎ型不純物領域３にさらにｎ型不純物が注入される。これにより、繰返し構造の中央部の溝２３側壁のｐ型不純物領域４とｎ型不純物領域３とが高濃度化され、それにより繰返し構造の最端部の溝２３側壁の不純物領域３、４が相対的に低濃度領域とされる。
【０４９６】
また、実施の形態３４においては、まず図１２０〜図１２３の工程を経ることにより、溝２３の側壁に比較的低濃度のｐ型不純物領域４とｎ型不純物領域３とが形成される。この後、ｐｎ繰返し構造の中央部の溝２３内の埋込み物が除去される。そして、この中央部の溝２３の両側壁のｐ型不純物領域４にさらにｐ型不純物が注入されるとともに、中央部の別の溝２３の両側壁のｎ型不純物領域３にさらにｎ型不純物が注入される。これにより、繰返し構造の中央部の溝２３側壁のｐ型不純物領域４とｎ型不純物領域３とが高濃度化され、それにより繰返し構造の最端部の溝２３側壁の不純物領域３、４が相対的に低濃度領域とされる。
【０４９７】
なお、上記実施の形態２〜４２においては、ｐｎ繰返し構造の最端部に位置する不純物領域の濃度を中央部よりも低くする場合について説明したが、実施の形態１で説明したようにｐｎ繰返し構造の最端部に位置する不純物領域の総合的な実効電荷量が中央部よりも少なくされても同様の効果を得ることができる。
【０４９８】
【発明の効果】
本発明を用いることにより、特に素子耐圧が２０〜６０００Ｖの広い範囲の３次元的な多重ＲＥＳＵＲＦ原理を応用した電力半導体装置の主耐圧が改善でき、主耐圧とオン抵抗のトレードオフ関係も改善できるので、電力損失が少なく、チップサイズも小さく、安価なものが得られる。
【０４９９】
また、ＤＬＴ構造の溝とそれに対応する製造方法を使うことで、さらに低コストで、歩留りの良い半導体装置が出来る。
【０５００】
本発明は、特に素子耐圧が２０〜６０００Ｖの広い範囲の３次元的な多重ＲＥＳＵＲＦ原理を応用した電力半導体装置およびその製造方法に有利に適用され得る。
【０５０１】
なお、今回開示された実施の形態はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は上記した説明ではなく特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。
【図面の簡単な説明】
【図１】  本発明の実施の形態１における半導体装置の構成を概略的に示す断面図である。
【図２】  本発明の実施の形態２における半導体装置の構成を概略的に示す断面図である。
【図３】  本発明の実施の形態３における半導体装置の構成を概略的に示す断面図である。
【図４】  本発明の実施の形態４における半導体装置の構成を概略的に示す断面図である。
【図５】  本発明の実施の形態５における半導体装置の構成を概略的に示す断面図である。
【図６】  本発明の実施の形態６における半導体装置の構成を概略的に示す断面図である。
【図７】  従来方式の埋込み多層エピタキシャル構造を概略的に示す断面図である。
【図８】  本発明の実施の形態７における半導体装置の構成を概略的に示す断面図である。
【図９】  本発明の実施の形態８における半導体装置の構成を概略的に示す断面図である。
【図１０】  本発明の実施の形態９における半導体装置の構成を概略的に示す断面図である。
【図１１】  本発明の実施の形態１０における半導体装置の構成を概略的に示す断面図である。
【図１２】  本発明の実施の形態１１における半導体装置の構成を概略的に示す断面図である。
【図１３】  本発明の実施の形態１２における半導体装置の構成を概略的に示す断面図である。
【図１４】  本発明の実施の形態１３における半導体装置の構成を概略的に示す断面図である。
【図１５】  本発明の実施の形態１４における半導体装置の構成を概略的に示す断面である。
【図１６】  本発明の実施の形態１５における半導体装置の構成を概略的に示す断面図である。
【図１７】  本発明の実施の形態１６における半導体装置の構成を概略的に示す断面図である。
【図１８】  本発明の実施の形態１７における半導体装置の製造方法の第１工程を示す概略断面図である。
【図１９】  本発明の実施の形態１７における半導体装置の製造方法の第２工程を示す概略断面図である。
【図２０】  本発明の実施の形態１７における半導体装置の製造方法の第３工程を示す概略断面図である。
【図２１】  本発明の実施の形態１７における半導体装置の製造方法の第４工程を示す概略断面図である。
【図２２】  本発明の実施の形態１７における半導体装置の製造方法の第５工程を示す概略断面図である。
【図２３】  本発明の実施の形態１７における半導体装置の製造方法の第６工程を示す概略断面図である。
【図２４】  本発明の実施の形態１７における半導体装置の製造方法の第７工程を示す概略断面図である。
【図２５】  本発明の実施の形態１７における半導体装置の製造方法の第８工程を示す概略断面図である。
【図２６】  本発明の実施の形態１８における半導体装置の製造方法の第１工程を示す概略断面図である。
【図２７】  本発明の実施の形態１８における半導体装置の製造方法の第２工程を示す概略断面図である。
【図２８】  本発明の実施の形態１８における半導体装置の製造方法の第３工程を示す概略断面図である。
【図２９】  本発明の実施の形態１８における半導体装置の製造方法の第４工程を示す概略断面図である。
【図３０】  本発明の実施の形態１８における半導体装置の製造方法の第５工程を示す概略断面図である。
【図３１】  本発明の実施の形態１８における半導体装置の製造方法の第６工程を示す概略断面図である。
【図３２】  本発明の実施の形態１８における半導体装置の製造方法の第７工程を示す概略断面図である。
【図３３】  本発明の実施の形態１９における半導体装置の製造方法の第１工程を示す概略断面図である。
【図３４】  本発明の実施の形態１９における半導体装置の製造方法の第２工程を示す概略断面図である。
【図３５】  本発明の実施の形態１９における半導体装置の製造方法の第３工程を示す概略断面図である。
【図３６】  本発明の実施の形態１９における半導体装置の製造方法の第４工程を示す概略断面図である。
【図３７】  本発明の実施の形態１９における半導体装置の製造方法の第５工程を示す概略断面図である。
【図３８】  本発明の実施の形態１９における半導体装置の製造方法の第６工程を示す概略断面図である。
【図３９】  本発明の実施の形態１９における半導体装置の製造方法の第７工程を示す概略断面図である。
【図４０】  本発明の実施の形態１９における半導体装置の製造方法の第８工程を示す概略断面図である。
【図４１】  本発明の実施の形態１９における半導体装置の製造方法の第９工程を示す概略断面図である。
【図４２】  本発明の実施の形態１９における半導体装置の製造方法の第１０工程を示す概略断面図である。
【図４３】  本発明の実施の形態２０における半導体装置の製造方法の第１工程を示す概略断面図である。
【図４４】  本発明の実施の形態２０における半導体装置の製造方法の第２工程を示す概略断面図である。
【図４５】  本発明の実施の形態２０における半導体装置の製造方法の第３工程を示す概略断面図である。
【図４６】  本発明の実施の形態２０における半導体装置の製造方法の第４工程を示す概略断面図である。
【図４７】  本発明の実施の形態２０における半導体装置の製造方法の第５工程を示す概略断面図である。
【図４８】  本発明の実施の形態２０における半導体装置の製造方法の第６工程を示す概略断面図である。
【図４９】  本発明の実施の形態２０における半導体装置の製造方法の第７工程を示す概略断面図である。
【図５０】  本発明の実施の形態２０における半導体装置の製造方法の第８工程を示す概略断面図である。
【図５１】  本発明の実施の形態２０における半導体装置の製造方法の第９工程を示す概略断面図である。
【図５２】  本発明の実施の形態２０における半導体装置の製造方法の第１０工程を示す概略断面図である。
【図５３】  本発明の実施の形態２０における半導体装置の製造方法の第１１工程を示す概略断面図である。
【図５４】  本発明の実施の形態２１における半導体装置の製造方法の第１工程を示す概略断面図である。
【図５５】  本発明の実施の形態２１における半導体装置の製造方法の第２工程を示す概略断面図である。
【図５６】  本発明の実施の形態２１における半導体装置の製造方法の第３工程を示す概略断面図である。
【図５７】  本発明の実施の形態２１における半導体装置の製造方法の第４工程を示す概略断面図である。
【図５８】  本発明の実施の形態２１における半導体装置の製造方法の第５工程を示す概略断面図である。
【図５９】  本発明の実施の形態２１における半導体装置の製造方法の第６工程を示す概略断面図である。
【図６０】  本発明の実施の形態２１における半導体装置の製造方法の第７工程を示す概略断面図である。
【図６１】  本発明の実施の形態２１における半導体装置の製造方法の第８工程を示す概略断面図である。
【図６２】  本発明の実施の形態２１における半導体装置の製造方法の第９工程を示す概略断面図である。
【図６３】  図５５の一部を拡大して示す部分拡大断面図である。
【図６４】  図５５の一部を拡大して示す部分拡大断面図である。
【図６５】  本発明の溝のある場合の実施の形態における半導体装置の製造方法の第１工程を示す概略断面図である。
【図６６】  本発明の溝のある場合の実施の形態における半導体装置の製造方法の第２工程を示す概略断面図である。
【図６７】  本発明の溝のある場合の実施の形態における半導体装置の製造方法の第３工程を示す概略断面図である。
【図６８】  本発明の溝のある場合の実施の形態における半導体装置の製造方法の第４工程を示す概略断面図である。
【図６９】  本発明の溝のある場合の実施の形態における半導体装置の製造方法の第５工程を示す概略断面図である。
【図７０】  本発明の実施の形態２２における半導体装置の製造方法の第１工程を示す概略断面図である。
【図７１】  本発明の実施の形態２２における半導体装置の製造方法の第２工程を示す概略断面図である。
【図７２】  本発明の実施の形態２２における半導体装置の製造方法の第３工程を示す概略断面図である。
【図７３】  本発明の実施の形態２２における半導体装置の製造方法の第４工程を示す概略断面図である。
【図７４】  本発明の実施の形態２２における半導体装置の製造方法の第５工程を示す概略断面図である。
【図７５】  本発明の実施の形態２２における半導体装置の製造方法の第６工程を示す概略断面図である。
【図７６】  本発明の実施の形態２２における半導体装置の製造方法の第７工程を示す概略断面図である。
【図７７】  本発明の実施の形態２２における半導体装置の製造方法の第８工程を示す概略断面図である。
【図７８】  本発明の実施の形態２２における半導体装置の製造方法の第９工程を示す概略断面図である。
【図７９】  本発明の実施の形態２３における半導体装置の製造方法の第１工程を示す概略断面図である。
【図８０】  本発明の実施の形態２３における半導体装置の製造方法の第２工程を示す概略断面図である。
【図８１】  本発明の実施の形態２３における半導体装置の製造方法の第３工程を示す概略断面図である。
【図８２】  本発明の実施の形態２３における半導体装置の製造方法の第４工程を示す概略断面図である。
【図８３】  本発明の実施の形態２３における半導体装置の製造方法の第５工程を示す概略断面図である。
【図８４】  本発明の実施の形態２３における半導体装置の製造方法の第６工程を示す概略断面図である。
【図８５】  本発明の実施の形態２３における半導体装置の製造方法の第７工程を示す概略断面図である。
【図８６】  本発明の実施の形態２３における半導体装置の製造方法の第８工程を示す概略断面図である。
【図８７】  本発明の実施の形態２４における半導体装置の構成を概略的に示す断面図である。
【図８８】  本発明の実施の形態２４における半導体装置の構成を概略的に示す斜視図である。
【図８９】  本発明の実施の形態２４における半導体装置の製造方法の第１工程を示す概略断面図である。
【図９０】  本発明の実施の形態２４における半導体装置の製造方法の第２工程を示す概略断面図である。
【図９１】  本発明の実施の形態２４における半導体装置の製造方法の第３工程を示す概略断面図である。
【図９２】  本発明の実施の形態２５における半導体装置の構成を概略的に示す断面図である。
【図９３】  本発明の実施の形態２５における半導体装置の構成を概略的に示す斜視図である。
【図９４】  本発明の実施の形態２６における半導体装置の製造方法の第１工程を示す概略斜視図である。
【図９５】  本発明の実施の形態２６における半導体装置の製造方法の第２工程を示す概略斜視図である。
【図９６】  本発明の実施の形態２７における半導体装置の構成を概略的に示す断面図である。
【図９７】  本発明の実施の形態２７における半導体装置の製造方法の第１工程を示す概略斜視図である。
【図９８】  本発明の実施の形態２７における半導体装置の製造方法の第２工程を示す概略斜視図である。
【図９９】  本発明の実施の形態２７における半導体装置の製造方法の第３工程を示す概略斜視図である。
【図１００】  本発明の実施の形態２７における半導体装置の製造方法の第４工程を示す概略斜視図である。
【図１０１】  本発明の実施の形態２７における半導体装置の製造方法の第５工程を示す概略斜視図である。
【図１０２】  本発明の実施の形態２７における半導体装置の製造方法の第６工程を示す概略斜視図である。
【図１０３】  本発明の実施の形態２７における半導体装置の製造方法の第７工程を示す概略斜視図である。
【図１０４】  本発明の実施の形態２７における半導体装置の製造方法の第８工程を示す概略斜視図である。
【図１０５】  本発明の実施の形態２７における半導体装置の製造方法の第９工程を示す概略斜視図である。
【図１０６】  本発明の実施の形態２８における半導体装置の製造方法の第１工程を示す概略斜視図である。
【図１０７】  本発明の実施の形態２８における半導体装置の製造方法の第２工程を示す概略斜視図である。
【図１０８】  本発明の実施の形態２８における半導体装置の製造方法の第３工程を示す概略斜視図である。
【図１０９】  本発明の実施の形態２８における半導体装置の製造方法の第４工程を示す概略斜視図である。
【図１１０】  本発明の実施の形態２８における半導体装置の製造方法の第５工程を示す概略斜視図である。
【図１１１】  本発明の実施の形態２８における半導体装置の製造方法の第６工程を示す概略斜視図である。
【図１１２】  本発明の実施の形態２８における半導体装置の製造方法の第７工程を示す概略斜視図である。
【図１１３】  本発明の実施の形態２８における半導体装置の製造方法の第８工程を示す概略斜視図である。
【図１１４】  本発明の実施の形態２８における半導体装置の製造方法の第９工程を示す概略斜視図である。
【図１１５】  本発明の実施の形態２８における半導体装置の製造方法の第１０工程を示す概略斜視図である。
【図１１６】  本発明の実施の形態２９における半導体装置の構成を概略的に示す断面図である。
【図１１７】  本発明の実施の形態３０における半導体装置の構成を概略的に示す断面図である。
【図１１８】  本発明の実施の形態３１における半導体装置の構成を概略的に示す断面図である。
【図１１９】  本発明の実施の形態３２における半導体装置の構成を概略的に示す断面図である。
【図１２０】  本発明の実施の形態３４における半導体装置の製造方法の第１工程を示す概略斜視図である。
【図１２１】  本発明の実施の形態３４における半導体装置の製造方法の第２工程を示す概略斜視図である。
【図１２２】  本発明の実施の形態３４における半導体装置の製造方法の第３工程を示す概略斜視図である。
【図１２３】  本発明の実施の形態３４における半導体装置の製造方法の第４工程を示す概略斜視図である。
【図１２４】  本発明の実施の形態３４における半導体装置の製造方法の第５工程を示す概略斜視図である。
【図１２５】  本発明の実施の形態３４における半導体装置の製造方法の第６工程を示す概略斜視図である。
【図１２６】  本発明の実施の形態３４における半導体装置の製造方法の第７工程を示す概略斜視図である。
【図１２７】  本発明の実施の形態３４における半導体装置の製造方法の第８工程を示す概略斜視図である。
【図１２８】  本発明の実施の形態３４における半導体装置の製造方法の第９工程を示す概略斜視図である。
【図１２９】  本発明の実施の形態３６における半導体装置の製造方法の第１工程を示す概略斜視図である。
【図１３０】  本発明の実施の形態３６における半導体装置の製造方法の第２工程を示す概略斜視図である。
【図１３１】  本発明の実施の形態３６における半導体装置の製造方法の第３工程を示す概略斜視図である。
【図１３２】  本発明の実施の形態３６における半導体装置の製造方法の第４工程を示す概略斜視図である。
【図１３３】  本発明の実施の形態３６における半導体装置の製造方法の第５工程を示す概略斜視図である。
【図１３４】  本発明の実施の形態３６における半導体装置の製造方法の第６工程を示す概略斜視図である。
【図１３５】  本発明の実施の形態３６における半導体装置の製造方法の第７工程を示す概略斜視図である。
【図１３６】  本発明の実施の形態３６における半導体装置の製造方法の第８工程を示す概略斜視図である。
【図１３７】  本発明の実施の形態３７における半導体装置の製造方法の第１工程を示す概略斜視図である。
【図１３８】  本発明の実施の形態３７における半導体装置の製造方法の第２工程を示す概略斜視図である。
【図１３９】  本発明の実施の形態３７における半導体装置の製造方法の第３工程を示す概略斜視図である。
【図１４０】  本発明の実施の形態３７における半導体装置の製造方法の第４工程を示す概略斜視図である。
【図１４１】  本発明の実施の形態３８における半導体装置の構成を概略的に示す断面図である。
【図１４２】  本発明の実施の形態３９における半導体装置の構成を概略的に示す断面図である。
【図１４３】  本発明の実施の形態４０における半導体装置の構成を概略的に示す断面図である。
【図１４４】  本発明の実施の形態４１における半導体装置の構成を概略的に示す斜視図である。
【図１４５】  図１４４の構成におけるｐｎ繰返し構造の断面を示す図である。
【図１４６】  図１４４の構成におけるｐｎ繰返し構造の間に溝を設けた構成を概略的に示す斜視図である。
【図１４７】  図１４６の構成におけるｐｎ繰返し構造の断面を示す図である。
【図１４８】  従来の半導体装置の第１の構成を概略的に示す断面図である。
【図１４９】  従来の半導体装置の第２の構成を概略的に示す断面図である。
【図１５０】  従来の半導体装置の第３の構成を概略的に示す断面図である。
【図１５１】  図１５０の従来例に相当するデバイスシミュレーションによる繰返し終端部への電界集中の様子を示す図である。
【図１５２】  先行例１に開示された半導体装置の構成を概略的に示す断面図である。
【図１５３】  先行例１の動径のｐ型アクセプター濃度分布を示す図である。
【図１５４】  先行例１に開示された半導体装置のｐｎ繰返し構造を概略的に示す断面図である。
【図１５５】  先行例１に開示された半導体装置の構成とポテンシャルラインとを併せて示す断面図である。
【図１５６】  ＵＳＰ５，４３８，２１５に開示された半導体装置の構成を概略的に示す断面図である。
【符号の説明】
１  エピタキシャル層（ｎ+ドレイン領域、基板）、２，２ａ〜２ｄ  エピタキシャル層、３  ｎ型不純物領域、４  ｐ型不純物領域、５  ｐ型ボディ領域、６  ｎ+ソース領域、７  ｐ+コンタクト領域、８  ゲート絶縁膜、９  ゲート電極層、１０  ソース電極、１１  ドレイン金属配線、１５  ガードリング部分、２１  ｐ型不純物領域、２１ａ  金属シリサイド層、２２  アノード電極、２３  溝、２３ａ，２３ａ1，２３ａ2，２３ａ3  孔、２３  溝、２４  絶縁物、３１ａ〜３１ｉ，３１ｋ〜３１ｘ  レジストパターン、４１，４１ａ，４１ｃ，４１ｅ〜４１ｐ  マスク材料、４１ｂ，４１ｄ，４１ｑ  膜、５１  シリコン基板、５２  絶縁膜、５３  ｎｂ領域、５４  ｎ+領域、６０  半導体層。
【図１】
0004785335.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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【図２７】
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【図２８】
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【図２９】
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【図３０】
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【図３１】
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【図３２】
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【図３３】
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【図３４】
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【図３５】
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【図３６】
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【図３７】
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【図３８】
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【図３９】
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【図４０】
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【図４１】
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【図４２】
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【図４３】
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【図４４】
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