(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも一方の端部に開口が形成された側管と、前記開口に気密に接合された接合部材とを有する外囲器と、
前記外囲器内に収納された光電面であって、外部から入射した光に応じて光電子を該外囲器の内部に放出する光電面とを備える電子管において、
前記開口、及び前記接合部材の前記開口との接合部分には、チタンからなる金属膜、白金からなる金属膜、及び金からなる金属膜が接合方向に向けてこの順で積層されてなる多層金属膜がそれぞれ形成されており、
前記側管と前記接合部材とは、それぞれの前記多層金属膜間にインジウムを含む接合材料を挟むことによって接合されており、
前記開口と前記多層金属膜との間、及び前記接合部分と前記多層金属膜との間には、それぞれ、アルミニウム又は酸化シリコンからなる中間層が形成されていることを特徴とする電子管。
【請求項２】
前記接合部材は、その内面において前記光電面が形成されていることを特徴とする請求項１記載の電子管。
【請求項３】
前記光電面はアルカリ金属を含有することを特徴とする請求項１又は２記載の電子管。
【請求項４】
外部から入射した光に応じて光電子を外囲器の内部に放出する光電面を前記外囲器内に備える電子管の製造方法において、
前記外囲器の一部を構成する、一方の端部に開口が形成された側管を準備するステップと、
前記開口に、アルミニウム又は酸化シリコンからなる中間層、チタンからなる金属膜、白金からなる金属膜、及び金からなる金属膜をこの順に形成するステップと、
前記外囲器の一部を構成する、前記開口に接合するための接合部材を準備するステップと、
前記接合部材の前記開口との接合部分に、アルミニウム又は酸化シリコンからなる中間層、チタンからなる金属膜、白金からなる金属膜、及び金からなる金属膜をこの順に形成するステップと、
前記側管の内部、又は前記接合部材の内部に前記光電面を形成するステップと、
前記側管の前記開口と前記接合部材とを、インジウムを含む接合材料を挟むことによって接合するステップと、を備えることを特徴とする電子管の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、外部からの光の入射に応じて光電子を発生させる電子管及びその製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来から光センサとして光電管や光電子増倍管（ＰＭＴ：Photomultiplier Tube）等の電子管が知られている。これらの電子管は、光を電子に変換する光電面（Photocathode）と陽極とを真空容器内に備えて構成される。このような電子管の例としては、光電面が内面に形成されたコンポーネントと、電子増倍部とが形成されたコンポーネントと、陽極が内面に形成されたコンポーネントとが接合されてなる光電子増倍管がある（下記特許文献１参照）。
【０００３】
ところで、近年における光センサの用途の多様化により、電子管の小型化の要望が強くなってきている。一方では、光学的機能を有するマイクロデバイスの例として、シリコン基板とガラス板とのそれぞれに接着層を形成して、それらの接着層を半田層で接合することにより製造されるマイクロパッケージ構造が知られている（下記特許文献２参照）。
【特許文献１】米国特許第５，５６８，０１３号明細書
【特許文献２】特開２００３−１７５５００号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、光電面を有する電子管の小型化をすすめるためには、光電面に含まれるアルカリ金属等による腐食性を考慮しながら、いかに真空容器の気密性を維持するかが問題となる。また、上記のマイクロパッケージ構造における接合方法では、接着層に含まれるクロム等の酸化されやすい金属が、接合に至るまでの各加熱処理により接着層の表面に析出して、酸化膜を形成するために半田層との接合性が悪くなることがあり、気密性の維持が困難であった。
【０００５】
そこで、本発明は、かかる課題に鑑みて為されたものであり、小型化された真空容器内部における気密性を十分に維持することが可能な電子管及びその製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上記課題を解決するため、本発明の電子管は、少なくとも一方の端部に開口が形成された側管と、開口に気密に接合された接合部材とを有する外囲器と、外囲器内に収納された光電面であって、外部から入射した光に応じて光電子を該外囲器の内部に放出する光電面とを備える電子管において、開口、及び接合部材の開口との接合部分には、チタンからなる金属膜、白金からなる金属膜、及び金からなる金属膜が接合方向に向けてこの順で積層されてなる多層金属膜がそれぞれ形成されており、側管と接合部材とは、それぞれの多層金属膜間にインジウムを含む接合材料を挟むことによって接合されており、開口と多層金属膜との間、及び接合部分と多層金属膜との間には、それぞれ、アルミニウム又は酸化シリコンからなる中間層が形成されている。
【０００７】
このような電子管によれば、側管と接合部材とが、チタン、白金、及び金をこの順で含む多層金属膜の間にインジウムを含む接合材を挟むことによって接合されて外囲器が構成され、この外囲器の内部に外部からの光に応じて光電子を放出する光電面が備えられる。このような構成により、接合部分において酸化されやすい金属が析出することなく、外囲器を小型化する場合であっても外囲器の接合部分における気密性が安定して保たれる。
【０００８】
また、接合部材は、その内面において光電面が形成されていることが好ましい。このように接合部材の内面に光電面を形成することで、光電面の作製から外囲器の接合における環境温度を同程度とすることができ、効率的に製造できるからである。
【０００９】
また、光電面はアルカリ金属を含有することも好ましい。この場合、気密性が十分に維持された外囲器内において光電面の感度も併せて確保され、小型化された電子管の安定した動作が可能となる。
【００１０】
また、開口と多層金属膜との間、及び接合部分と多層金属膜との間には、それぞれ、アルミニウム又は酸化シリコンからなる中間層が更に形成されていることも好ましい。このような中間層を備えることで、電子管内部の真空度を高めるために各構成部材のガス抜きのための高温の熱処理を行った場合でも、良好な多層金属膜の構造を維持することができる。
【００１１】
本発明の電子管の製造方法は、外部から入射した光に応じて光電子を外囲器の内部に放出する光電面を外囲器内に備える電子管の製造方法において、外囲器の一部を構成する、一方の端部に開口が形成された側管を準備するステップと、開口に、アルミニウム又は酸化シリコンからなる中間層、チタンからなる金属膜、白金からなる金属膜、及び金からなる金属膜をこの順に形成するステップと、外囲器の一部を構成する、開口に接合するための接合部材を準備するステップと、接合部材の開口との接合部分に、アルミニウム又は酸化シリコンからなる中間層、チタンからなる金属膜、白金からなる金属膜、及び金からなる金属膜をこの順に形成するステップと、側管の内部、又は接合部材の内部に光電面を形成するステップと、側管の開口と接合部材とを、インジウムを含む接合材料を挟むことによって接合するステップと、を備える。
【００１２】
このような電子管の製造方法によれば、側管の開口及び接合部材において、チタン、白金、及び金をこの順で含む多層金属膜が形成される一方で、側管又は接合部材の内部に光電面が形成された後、その多層金属膜の間にインジウムを含む接合材を挟むことによって、側管と接合部材とが接合される。このような製造方法により、接合部分における酸化されやすい金属が析出することなく、外囲器を小型化する場合であっても外囲器の接合部分における気密性が安定して保たれる。
【発明の効果】
【００１３】
本発明による電子管及びその製造方法によれば、小型化された真空容器内部における気密性を十分に維持することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１４】
以下、図面を参照しつつ本発明に係る電子管及びその製造方法の好適な実施形態について詳細に説明する。なお、図面の説明においては同一又は相当部分には同一符号を付し、重複する説明を省略する。また、各図面は説明用のために作成されたものであり、説明の対象部位を特に強調するように描かれている。そのため、図面における各部材の寸法比率は、必ずしも実際のものとは一致しない。
【００１５】
図１は、本発明の電子管の一実施形態である光電子増倍管１の構成を示す斜視図である。同図に示すように、光電子増倍管１は、透過型の電子増倍管であって、上側基板２とフレーム３と下側基板４とにより構成された外囲器５を有し、外囲器５の内部に光電面６、電子増倍部７、及びアノード８を収納して構成されている。この光電子増倍管１は、光電面６への光の入射方向と電子増倍部７での電子の走行方向とが交差する光電子増倍管である。つまり、光電子増倍管１は、矢印Ａで示された方向から光が入射されると、光電面６から放出された光電子が電子増倍部７に入射し、矢印Ｂで示された方向に該光電子が走行していくことにより二次電子をカスケード増倍する。以下、各構成要素について詳細に説明する。
【００１６】
図１の光電子増倍管１のＩＩ−ＩＩ線に沿った分解断面図である図２に示すように、上側基板２及び下側基板４は、矩形状のガラス製の平板であり、フレーム３は、基板面に沿って接合された、２つの中空四角柱状の枠状部材から構成されている。これらの枠状部材のそれぞれは、上側基板２及び下側基板４の周縁部に、各基板の四辺と枠状部材の四辺とが平行になるように接続されている。
【００１７】
すなわち、フレーム３は、枠状部材としてのフレーム３ａとフレーム３ｂとから構成されている。より詳細には、上側基板２に接続されたフレーム３ａは、上側基板２の周縁部の面上に接合されたシリコン（Ｓｉ）製のフレーム本体９ａと、フレーム本体９ａ上にチタン（Ｔｉ）からなる金属膜１１ａ、白金（Ｐｔ）からなる金属膜１２ａ、及び金（Ａｕ）からなる金属膜１３ａが、下側基板４に向かってこの順で積層されてなる多層金属膜１０ａとを有している。このフレーム本体９ａと多層金属膜１０ａとの間には、アルミニウム又は酸化シリコン（ＳｉＯ２）からなる中間層１５ａが設けられている。同様に、下側基板４に接続されたフレーム３ｂは、下側基板４の周縁部の面上に接合されたＳｉ製のフレーム本体９ｂと、フレーム本体９ｂ上にチタンからなる金属膜１１ｂ、白金からなる金属膜１２ｂ、及び金からなる金属膜１３ｂが、上側基板２に向かってこの順で積層されてなる多層金属膜１０ｂとを有している。このフレーム本体９ｂと多層金属膜１０ｂとの間には、アルミニウム又は酸化シリコン（ＳｉＯ２）からなる中間層１５ｂが設けられている。各金属膜の膜厚は、例えば、金属膜１１ａ，１１ｂが30nm、金属膜１２ａ，１２ｂが20nm、金属膜１３ａ，１３ｂが1μｍである。このように、フレーム３ａ，３ｂは、それぞれ、フレーム本体９ａ，９ｂの基板２，４と反対側の端部によって規定される開口を形成し、それぞれの開口には多層金属膜１０ａ，１０ｂが形成された構造を有している。
【００１８】
これらのフレーム３ａとフレーム３ｂとは、多層金属膜１０ａと多層金属膜１０ｂとの間にインジウム（Ｉｎ）を含む接合材料（例えば、Ｉｎ、ＩｎとＳｎとの合金、ＩｎとＡｇとの合金等を含む）で挟むことによって接合されて、内部が気密に保たれている。ここで、図２には、多層金属膜１０ｂ上に接合材料からなる接合層１４が形成されているが、多層金属膜１０ａ上に接合層を形成してもよい。そして、本実施形態においては、上側基板２と接合されたフレーム３ａ、又は下側基板４と接合されたフレーム３ｂのどちらか一方を側管とした場合、他方が接合部材となる。このような構成において、フレーム３ａを含む上側基板２は、側管としての下側基板４を含むフレーム３ｂの開口に気密に封着される接合部材としての役割を有し、フレーム３ｂを含む下側基板４は、側管としての上側基板２を含むフレーム３ａの開口に気密に封着される接合部材としての役割を有する。そのために、それぞれの多層金属膜１０ａ，１０ｂは、それぞれ、フレーム３ｂ，３ａの開口との接合部分、換言すれば、基板２，４の周縁部に形成されている。
【００１９】
なお、フレーム３は、フレーム３ａとフレーム３ｂとの２部材からなるのではなく、Ｓｉ製の１部材からなるものであってもよい。この場合、側管としてフレーム３は、接合部材である上側基板２及び下側基板４と直接接合されることになる。このような直接接合の場合は、上側基板２及び下側基板４とフレーム３との両方の接合に、多層金属膜と接合層を用いてもよく、どちらか一方のみに用いてもよい。特に、陽極接合により下側基板４とフレーム３とを接合した後に、多層金属膜と接合層による接合により光電面６を有する上側基板２とフレーム３との接合を行うのが好ましい。ただし、後述する光電子増倍管１の製造工程を考慮すればわかるように、光電面６に電気的に接続されたＳｉ層１７を形成する際は、フレーム３ａとフレーム３ｂの２部材を備えることが好ましい。
【００２０】
このような外囲器５における上側基板２の内面２ｒには、外部から入射した光に応じて光電子を外囲器５内部に向けて放出するアルカリ金属を含有する透過型の光電面６が形成されている。この場合、上側基板２は、外部から入射した光を光電面６に向けて透過させる透過窓として機能する。この光電面６は、上側基板２の内面２ｒの長手方向（図２の左右方向）の端部寄りにおいて内面２ｒに沿って形成されている。上側基板２には、表面２ｓから内面２ｒにかけて貫通する孔１６が設けられており、孔１６の内面２ｒ側には光電面６に電気的に接続されたＳｉ層１７が形成されている。孔１６には、光電面端子１８が配置され、該光電面端子１８はＳｉ層１７に電気的に接触することにより光電面６に電気的に接続されている。
【００２１】
下側基板４の内面４ｒには、内面４ｒに沿って電子増倍部７とアノード８が形成されている。電子増倍部７は、下側基板４の長手方向に向けて互いに沿うように立設された複数の壁部を有し、これらの壁部の間には溝部が形成されている。この壁部の側壁及び底部には二次電子放出材料からなる二次電子放出面が形成されている。電子増倍部７は、外囲器５内において光電面６に対向する位置に配置されている。この電子増倍部７から離間した位置にアノード８が設けられる。さらに、下側基板４には、表面４ｓから内面４ｒに向けて貫通する孔１９，２０，２１がそれぞれ設けられている。孔１９には光電面側端子２２が、孔２０には陽極側端子２３が、孔２１には陽極端子２４が、それぞれ挿入されている。光電面側端子２２及び陽極側端子２３は、それぞれ、電子増倍部７の両端部に電気的に接触しているので、光電面側端子２２及び陽極側端子２３に所定の電圧を印加することで下側基板４の長手方向に電位差を生じさせることができる。また、陽極端子２４は、アノード８に電気的に接触しているので、アノード８に到達した電子を信号として外部に取り出すことができる。
【００２２】
以上説明した光電子増倍管１の動作について説明する。上側基板２を透過して光電面６に光が入射すると、光電面６から下側基板４に向けて光電子が放出される。この放出された光電子は、光電面６に対向する電子増倍部７に到達する。電子増倍部７の長手方向には光電面側端子２２及び陽極側端子２３への電圧の印加によって電位差が生じているので、電子増倍部７に到達した光電子はアノード８側に向かう。その後、光電面６から電子増倍部７に到達した光電子は、電子増倍部７の側壁及び底部に衝突しながらカスケード増倍されて、二次電子を発生させながらアノード８に到達する。発生した二次電子はアノード８から陽極端子２４を介して外部に取り出される。
【００２３】
次に、図３及び図４を参照しながら、本発明にかかる光電子増倍管の製造方法について説明する。
【００２４】
まず、図３を参照してフレーム３ｂを含む下側基板４の製造方法について説明する。最初に、矩形平板状のＳｉ基板２５を用意し、Ｓｉ基板２５の面上に電子増倍部７用の２つの端子２９ａ，２９ｂとアノード８用の端子２９ｃとをアルミニウムのパターニングにより形成する。その後、端子２９ａ及び端子２９ｂを含む面、及び端子２９ｃを含む面のそれぞれにおいて直方体状の島状部２７，２８を形成するように、凹部２６を反応性イオンエッチング（ＲＩＥ：Reactive Ion Etching）により加工する（図３（ａ））。
【００２５】
次に、予め端子を挿入するための孔１９，２０，２１が設けられたガラス製の下側基板４を用意し、Ｓｉ基板２５と下側基板４とを端子２９ａ，２９ｂ，２９ｃを挟み込むようにして陽極接合により接合する。そして、Ｓｉ基板２５の表面に、チタン、白金、金をこの順で蒸着することによって金属膜１１ｂ，１２ｂ，１３ｂからなる多層金属膜１０ｂを生成し、エッチング加工又はリフトオフ加工により、多層金属膜１０ｂをＳｉ基板２５の表面の縁部に形成させる（図３（ｂ））。
【００２６】
その後、ＲＩＥ加工により、島状部２７，２８の周りの凹部２６（図３（ａ）参照）をＳｉ基板２５の表面に貫通させて、それぞれの島状部２７，２８を電子増倍部７及びアノード８として、Ｓｉ基板２５の周縁部をフレーム本体９ｂとして形成する（図３（ｃ））。なお、その後、フレーム本体９ｂのガス抜きのために、フレーム本体９ｂを高温熱処理する場合がある。その際、処理温度によっては多層金属膜１０ｂを維持するのが困難となる場合がある。そのため、多層金属膜１０ｂの形成の際に、Ｓｉ基板２５の表面と多層金属膜１０ｂとの間に、アルミニウム又は酸化シリコン（ＳｉＯ２）からなる中間層を設けるのが好適である。
【００２７】
電子増倍部７、アノード８、及びフレーム本体９ｂを形成した後、フレーム３ａを含む上側基板２の開口に接合するための接合層１４を、接合部分である多層金属膜１０ｂの表面にマスク蒸着させる（図３（ｄ））。このとき、接合層１４としては、Ｉｎ、又はＩｎとＳｎの合金やＩｎとＡｇの合金等のＩｎを含んだ材料が用いられる。なお、接合層１４の形成は、上記接合材料を含む金属ペーストを印刷した後、金属ペーストに含まれるバインダーを加熱により除去することによって形成してもよい。
【００２８】
接合層１４を形成した後、電子増倍部７の壁部の側壁及び底部に、Ｓｂ、ＭｇＯ等をマスク蒸着させた後にアルカリ金属を導入することによって二次電子放出面を形成する（図３（ｅ））。以上のような工程により、外囲器５の一部を構成する、一方の端部が下側基板４に接合され、他方の端部に開口が形成されたフレーム３ｂが用意される。
【００２９】
図４に移って、フレーム３ａを含む上側基板２の製造方法について説明する。
【００３０】
まず、矩形平板状のＳｉ基板３０を用意し、Ｓｉ基板３０の面上に光電面６用の端子３３をアルミニウムのパターニングにより形成する。その後、端子３３を含む面において直方体状の島状部３２を形成するように、凹部３１をＲＩＥにより加工する（図４（ａ））。
【００３１】
次に、予め端子を挿入するための孔１６が設けられたガラス製の上側基板２を用意し、Ｓｉ基板３０と上側基板２とを端子３３を挟み込むようにして陽極接合により接合する。そして、Ｓｉ基板３０の表面に、チタン、白金、金をこの順で蒸着することによって金属膜１１ａ，１２ａ，１３ａからなる多層金属膜１０ａを生成し、エッチング加工又はリフトオフ加工により、多層金属膜１０ａをＳｉ基板３０の表面の縁部に形成させる（図４（ｂ））。
【００３２】
その後、ＲＩＥ加工により、島状部３２の周りの凹部３１（図４（ａ）参照）をＳｉ基板３０の表面に貫通させて、島状部３２をＳｉ層１７として、Ｓｉ基板３０の周縁部をフレーム本体９ａとして形成する（図４（ｃ））。なお、その後、フレーム本体９ａのガス抜きのために、フレーム本体９ａを高温熱処理する場合がある。その際、処理温度によっては多層金属膜１０ａを維持するのが困難となる場合がある。そのため、多層金属膜１０ａの形成の際に、Ｓｉ基板３０の表面と多層金属膜１０ａとの間に、アルミニウム又は酸化シリコン（ＳｉＯ２）からなる中間層を設けるのが好適である。
【００３３】
Ｓｉ層１７及びフレーム本体９ｂを形成した後、上側基板２上におけるＳｉ層１７に対して中央部側の面上に、アンチモン（Ｓｂ）を含む光電面材料をマスク蒸着させる。その後、アルカリ金属を導入することにより光電面６を形成する（図４（ｄ））。以上のような工程により、外囲器５の一部を構成する、一方の端部が上側基板２に接合され、他方の端部に開口が形成されたフレーム３ａが用意される。
【００３４】
最後に、環境温度を上述した光電面６及び二次電子放出面の作製温度に近い温度に保った状態で、フレーム３ａとフレーム３ｂとを互いの開口部を合わせることによって接合させる（図４（ｅ））。これによって、多層金属膜１０ａ，１０ｂの間に接合層１４を挟んだ状態にされるので、Ｉｎ等の接合材と多層金属膜１０ａ，１０ｂとが接合されることによって、フレーム３ａとフレーム３ｂとが真空封着される。
【００３５】
以上説明した光電子増倍管１においては、フレーム（側管）３ａ，３ｂのそれぞれと基板（接合部材）４，２とが、チタン、白金、及び金をこの順で含む多層金属膜１０ａ，１０ｂの間にインジウムを含む接合材を挟むことによって接合されて外囲器５が構成され、この外囲器５の内部に外部からの光に応じて光電子を放出する光電面６が備えられる。このような構成により、接合部分におけるＣｒ等の酸化によって安定化する金属の析出が防止され、外囲器５を小型化する場合であっても外囲器５の接合部分における気密性が安定して保たれる。特に、光電面が内部に配置された電子管である光電子増倍管１は、光電面材料の成分であるアルカリ金属による腐食性が問題となるので、多層金属膜１０ａ，１０ｂの間に接合層１４を挟む構造は、気密性維持の点で有意義である。
【００３６】
また、光電子増倍管１の製造にあたっても、フレーム３ａとフレーム３ｂとの接合部分における酸化しやすい金属が析出することなく、外囲器５を小型化する場合であっても製造後における外囲器５の接合部分における気密性が安定して保たれる。また、上側基板２は、その内面において光電面６が形成されているので、光電面６の作製から外囲器５の接合時の環境温度を同程度とすることができ、効率的に製造することができる。
【００３７】
さらに、製造過程において内部構造を組立てる必要がなく、ハンドリングが容易なため作業時間が短い。外囲器５と内部構造が一体的に構成されているので容易に小型化できる。また、内部には個々の部品が存在しないため、電気的、機械的な結合が不要である。
【００３８】
ここで、図５は、光電子増倍管１における多層金属膜１０ａの積層方向の元素分析結果を示すグラフ、図６は、多層金属膜としてクロム（Ｃｒ）及び金（Ａｕ）をこの順で積層させたものを用いた比較例である光電子増倍管における、多層金属膜の積層方向の元素分析結果を示すグラフである。なお、元素分析は、オージェ電子分光分析装置（ＡＥＳ）を用いて行った。これらの図に示すように、比較例においては、多層金属膜の表面側にＣｒが析出し、外囲器においてエアリークが発生し易い状況にあることがわかる。これに対して本実施形態にかかる光電子増倍管１においては、多層金属膜１０ａの表面においてＡｕ以外の金属の析出が防止されており、外囲器の気密が効果的に維持されている。
【００３９】
また、表１には、本発明の実施例１〜２及び比較例１〜５における良品率を示す。ここでの良品率は、光電面の活性状態が製造工程後においても保たれているか否かによって判定した。
【表１】
0004699134.tif 000002
【００４０】
ここで、実施例１は、光電子増倍管１における接合材としてＩｎＳｎシート材を用いた場合の例であり、実施例２は、下側基板４がガラスである実施例１に対して下側基板４をＳｉ製とした場合の例である。また、比較例１〜５は、光電子増倍管１における多層金属膜の材料を他の材料に置換した場合の例である。なお、表１に示された多層金属膜の組成は、多層金属膜が上側基板上又は下側基板上において記載された順で成膜されていることを意味し、各元素記号の括弧内はその膜厚（ｎｍ）を示す。また、比較例４及び５においては、下側の多層金属膜上にＩｎを真空蒸着することにより、膜厚１０μｍの接合層を成膜した。
【００４１】
これらの結果により、多層金属膜がＴｉ、Ｐｔ、Ａｕの順で形成された実施例１及び実施例２においては、良品率が100％で極めて高いことがわかる。これに対して、Ｃｒ、Ｎｉ、Ｃｕ等を含み、上記順序とは異なる順序で成膜された多層金属膜を有する比較例１〜５においては、良品率が０％〜２１％程度にまで低下している。このことから、多層金属膜にＣｒを含む構成は、真空封止には向いていないことが明らかになった。
【００４２】
なお、本発明は、前述した実施形態に限定されるものではない。例えば、外囲器５の内部に備える光電面としては、反射型の光電面を用いてもよい。また、光電面は、電子増倍部７及びアノード８が設けられた下側基板４側に設けられていてもよい。
【００４３】
また、上記実施形態の電子管は光電子増倍管であるが、本発明は、電子増倍部を有しない光電管等の電子管にも適用可能である。
【図面の簡単な説明】
【００４４】
【図１】本発明の電子管の一実施形態である光電子増倍管の構成を示す斜視図である。
【図２】図１の光電子増倍管のＩＩ−ＩＩ線に沿った分解断面図である
【図３】図１の光電子増倍管の製造方法を説明するための断面図である。
【図４】図１の光電子増倍管の製造方法を説明するための断面図である。
【図５】図１光電子増倍管における多層金属膜の積層方向の元素分析結果を示すグラフである。
【図６】本発明の比較例における多層金属膜の積層方向の元素分析結果を示すグラフである。
【符号の説明】
【００４５】
１…光電子増倍管、２…上側基板（接合部材）、４…下側基板（接合部材）、３ａ，３ｂ…フレーム、５…外囲器、６…光電面、１０ａ，１０ｂ…多層金属膜、１４…接合層、１５ａ，１５ｂ…中間層。
【図１】
0004699134.tif 000003
【図２】
0004699134.tif 000004
【図３】
0004699134.tif 000005
【図４】
0004699134.tif 000006
【図５】
0004699134.tif 000007
【図６】
0004699134.tif 000008