(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
真空処理室（１）を有しかつ該真空処理室にプラズマ放電装置ならびにガス供給装置を備えた真空処理装置であって、該プラズマ放電装置が、平行で相並んだジェット軸（Ａ）を有する少なくとも２つのプラズマ放電路（５，９）を有しており、かつ、堆積用の配置が面（１３）に沿って置かれており、該面が、前もって決められた距離をもって該ジェット軸（Ａ）の横に並んでかつ放電の縦方向の部分に沿って広がっており、さらにガス吸引装置を備えた真空処理装置において、該プラズマ放電路がプラズマジェット放電路であり、該ガス供給装置（１５）および該吸引装置（１７）が真空室（１）に、ジェット軸（Ａ）に対して平行なガス流（Ｇ）が該室（１）の中を通って発生するように配置されていることを特徴とする、真空処理装置。
【請求項２】
少なくとも１つの堆積用の配置が１つもしくは複数の加工品（１３ａ）のための加工品基体の配置によって形成されていることを特徴とする、請求項１に記載の装置。
【請求項３】
少なくとも１つの堆積用の配置が隙間のない平面状の配置によって粉末捕集面として形成されていることを特徴とする、請求項１に記載の装置。
【請求項４】
前記プラズマジェット放電路（５，９）が、低電圧−大電流−アーク放電路として形成されていることを特徴とする、請求項１から３のいずれかに記載の装置。
【請求項５】
前記プラズマジェット放電路（５，９）が、相互に無関係に操作可能な低電圧−大電流−アーク放電路として形成されていることを特徴とする、請求項４に記載の装置。
【請求項６】
前記プラズマジェット放電路（５，９）が、冷陰極を有する低電圧−大電流−アーク放電路として形成されていることを特徴とする、請求項４または５に記載の装置。
【請求項７】
前記プラズマジェット放電路（５，９）が、熱陰極（５）を有する、低電圧−大電流−アーク放電路として形成されていることを特徴とする、請求項４または５に記載の装置。
【請求項８】
ガス供給装置（１５）がガスタンク装置と結合されており、このガスタンク装置の中に炭素、ホウ素、窒素、および／または水素が入れられていることを特徴とする、請求項１から７のいずれかに記載の装置。
【請求項９】
ガスタンク装置の中に、さらにケイ素含有のガスが入れられていることを特徴とする、請求項８に記載の装置。
【請求項１０】
２つより多くのプラズマジェット放電路が存在しかつ該堆積用の配置が該放電路の一部の間を通り抜けて広がっていることを特徴とする、請求項１から９のいずれかに記載の装置。
【請求項１１】
ジェット軸の脇に並んで堆積用の配置が１つずつ存在することを特徴とする、請求項１から１０のいずれかに記載の装置。
【請求項１２】
ｃＢＮ、α−Ａｌ２Ｏ３、Ｃ３Ｎ４、ダイヤモンド材料、微晶質のケイ素化合物、およびμＣ−Ｓｉ：Ｈの少なくとも１つからなる準安定材料の堆積のための、請求項１から１１のいずれかに記載の装置の使用。
【請求項１３】
真空法によって堆積させる材料の製造のための方法であって、真空雰囲気下で平行で相並んだジェット軸を有する少なくとも２つのプラズマ放電を発生させ、かつ、該材料のための堆積面を真空雰囲気下で、該ジェット軸の横に並んで配置し、かつ、反応性ガスを該真空雰囲気中に注入し、かつ、ガスを該真空雰囲気から吸引する方法において、
該プラズマ放電路をプラズマジェット放電路として発生させ、かつ真空雰囲気下でジェット軸に対して平行に方向づけられたガス流を発生させることを特徴とする方法。
【請求項１４】
堆積面として１つ以上の加工品の表面を使用し、かつ前記材料を膜として堆積させることを特徴とする、請求項１３記載の方法。
【請求項１５】
前記材料として粉末を堆積面に堆積させることを特徴とする、請求項１３記載の方法。
【請求項１６】
ケイ素化合物を前記堆積面の上に堆積する、請求項１３から１５のいずれかに記載の方法。
【請求項１７】
微晶質のケイ素μＣ−Ｓｉ：Ｈ、を前記堆積面の上に堆積し、反応性ガスとしてシランを使用することを特徴とする、請求項１６に記載の方法。
【請求項１８】
前記堆積面の上に、ｃＢＮ、α−Ａｌ２Ｏ３、Ｃ３Ｎ４および、ダイヤモンドの少なくとも１つからなる準安定の材料堆積することを特徴とする、請求項１３から１７のいずれかに記載の方法。
【請求項１９】
前記プラズマジェットを低電圧アーク放電として、実施することを特徴とする、請求項１３から１８のいずれかに記載の方法。
【請求項２０】
前記プラズマジェットを低電圧アーク放電として、冷陰極放電を用いて、実施することを特徴とする、請求項１９に記載の方法。
【請求項２１】
前記プラズマジェットを低電圧アーク放電として、熱陰極放電を用いて、実施することを特徴とする、請求項１９に記載の方法。
【請求項２２】
前記堆積面を、該面に沿って前もって決められた最小のプラズマ密度−変動が現われるように真空雰囲気下でかつプラズマジェットに対して配置することを特徴とする、請求項１３から２１のいずれかに記載の方法。
【請求項２３】
前記ジェット軸の両側に１つずつの堆積面を配置することを特徴とする、請求項１３から２２のいずれかに記載の方法。
【請求項２４】
２つより多くのプラズマジェットを生じさせかつ前記堆積面を該ジェットの一部の間に広げて配置することを特徴とする、請求項１３から２２のいずれかに記載の方法。
【請求項２５】
それぞれにプラズマジェットのすぐそばにある範囲内ですぐそばにあるプラズマジェットのプラズマ密度最大値に対して、前記堆積面に沿って最大で２０％のプラズマ密度が現われることを特徴とする、請求項１３から２４のいずれかに記載の方法。
【請求項２６】
それぞれにプラズマジェットのすぐそばにある範囲内ですぐそばにあるプラズマジェットのプラズマ密度最大値に対して、前記堆積面に沿って最大で１０％のプラズマ密度が現われることを特徴とする、請求項２５に記載の方法。
【請求項２７】
それぞれにプラズマジェットのすぐそばにある範囲内ですぐそばにあるプラズマジェットのプラズマ密度最大値に対して、前記堆積面に沿って最大で５％のプラズマ密度が現われることを特徴とする、請求項２６に記載の方法。
【請求項２８】
前記プラズマジェット放電が相互に無関係に操作可能であることを特徴とする、請求項１３から２７のいずれかに記載の方法。
【請求項２９】
前記堆積面の配置の際に、該堆積面のプラズマ密度最大値がそれぞれにすぐそばにある放射プラズマ密度最大値の２０％となる、請求項１３から２８のいずれかに記載の方法。
【請求項３０】
前記堆積面の配置の際に、５００℃の堆積面の温度で該堆積面における堆積速度を少なくとも４００ｎｍ／分に調整することを特徴とする、請求項２９に記載の方法。
【請求項３１】
プラズマ密度分布をジェット軸に平行な少なくとも１つの磁場によって調整することを特徴とする、請求項１３から３０のいずれかに記載の方法。
【請求項３２】
複数の加工品を前記面に沿って配置することを特徴とする、請求項１４または請求項１４に従属する限りで請求項１６〜３１のいずれかに記載の方法。
【請求項３３】
複数の加工品を前記面に沿って配置し、かつ、回転軸を中心に回転させるか、および／または直線的に前記ジェット軸に対して少なくとも近似的に平行に動かすことを特徴とする、請求項３２に記載の方法。
【請求項３４】
複数の加工品は直線的に前記ジェット軸に対して少なくとも近似的に平行に往復して動かすことを特徴とする、請求項３３に記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、請求項９に記載の上位概念による真空処理のための方法ないしは請求項１０に記載の上位概念による粉末の製造のための方法を基本とする。
【０００２】
【従来の技術】
その際、本発明によれば請求項１に記載の上位概念による真空処理装置ならびに請求項８による真空処理装置の使用が得られる。
【０００３】
本発明の目的は、反応性プラズマを利用して、即ちプラズマＣＶＤによって、材料を堆積面に堆積させることであり、これは、たとえその材料が、製造するのがごく一般的に極めて困難である材料、即ち準安定の材料、例えばｃＢＮ、α−Ａｌ2Ｏ3、Ｃ3Ｎ4または、殊にダイヤモンド材料であったとしてもであり、あるいはしかしながら、原則的には材料を、Ｓｉ含有の化合物、特に微晶質のμＣ−Ｓｉ：Ｈが堆積されなければならない場合には殊に、できるだけ低い温度で、かつできるだけ高い堆積速度で堆積させることである。
【０００４】
ＵＳ  ５  ７５３  ０４５に同じ、本発明と同一出願人のＥＰ−０  ７２４  ０２６から、少なくとも１つの加工品の真空処理のための方法が公知であり、この方法の場合には該加工品は、真空雰囲気下でプラズマジェットによって励起された反応性ガスにさらされる。この場合には被覆すべき加工品表面は、プラズマジェット軸に対して、プラズマジェット軸中の最大密度の最大で２０％のプラズマ密度が優勢である位置にずらして配置される。この方法によって、殊に準安定の材料からなる、殊にダイヤモンド、ｃＢＮ、α−Ａｌ2Ｏ3またはＣ3Ｎ4からなる、得るのが困難な被覆を堆積させることが可能になる。「準安定の材料」の定義については、"Ｌｅｈｒｂｕｃｈ  ｄｅｒ  ａｎｏｒｇａｎｉｓｃｈｅｎ  Ｃｈｅｍｉｅ"、Ｈｏｈｌｅｍａｎｎ−Ｗｉｂｅｒｇ、Ｗａｌｔｅｒ  Ｇｒｕｙｅｒ、Ｂｅｒｌｉｎ、Ｎｅｗ  Ｙｏｒｋ、１９７６、第８１〜９０版、１８３ページ以降、が参照される。
【０００５】
本発明と同一出願人によるスイス国特許明細書７９４／９９によれば、−ＥＰ−０  ７２４  ０２６による−上記の方法が意外にも、一方では表面の高速被覆にも、もう一方では捕集表面（Ａｕｆｆａｎｇｏｂｅｒｆｌａｅｃｈｅ）上の粉末-ないしはクラスター状の材料の生成にも適当であることが公知となっている。
【０００６】
この公知の方法においては、この方法を用いて、一方で、比較的小さな、殊に平面的な広がりをもつ加工品表面しか均質に処理する、殊に被覆することができないこと、その一方で、単位時間あたりに得られる粉末-ないしはクラスター量がぜひとも高められていてほしかったことが欠点である。したがって、殊にダイヤモンド被覆について、比較的大きな面積で均一な膜厚分布を、しかもできるだけ高い被覆速度で、実現することが、なお所望される。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】
本発明の課題は、上記内容を実現することである。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
この目的のために−本発明による装置の基礎ともなる−本発明による加工品の処理のための方法は、真空雰囲気下で本質的に平行なジェット軸を有する少なくとも２つのプラズマジェットを生成すること、および少なくとも１つの処理すべき加工品表面を、真空雰囲気下で、該プラズマジェットから前もって決められたプラズマ密度分布が得られる面に沿って配置することが特徴である。その一方で上記の粉末製造のための方法が、本発明によれば、真空雰囲気下で本質的に平行なジェット軸を有する少なくとも２つのプラズマジェットを生成させ、かつ粉末のための捕集面を真空雰囲気下で、該補集面においてプラズマジェットから前もって決められたプラズマ密度分布が得られるように配置することが特徴である。
【０００９】
この場合、上記の公知の方法の場合に、殊にプラズマジェットの軸に対してプラズマジェットが同軸円筒であることに基づいて、反応種（ｒｅａｋｔｉｖｅ  Ｓｐｅｚｉｅｓ）の濃度がジェット軸からの半径方向の距離に複雑に依存していることが認識されていた。殊にダイヤモンド材料の生成にとって決定的に重要な、原子状水素の局所的な濃度が、公知の方法の場合にプラズマジェット軸からの半径方向の距離に対して考慮される場合には、図１に示されたモデル計算によれば、（ａ）で示された一次の距離依存関係を採用することによってかつ（ｂ）で示された二次の距離依存関係を採用することによって、半径方向距離の増加にともなう濃度の減少が示されている。
【００１０】
図１の場合には上述のとおり、上記の濃度関数は、距離ｘminをもってプラズマジェット軸Ａに平行に配置されている平面Ｅに沿って示されたものであり、また上記の濃度関数は、該平面Ｅ上の、ジェット軸Ａに垂直な直線ｇに沿って考察されたものである。距離尺度は、ｘminで標準化されており、平面Ｅ上の最大濃度に対する濃度尺度は、距離ｘminの位置Ｓにおけるものである。
【００１１】
この図の表示から、公知の方法の場合に堆積の分布に関して、注目される加工品表面または、それぞれに同様の表面を有する複数の加工品が、ジェット軸Ａを中心に回転対称に配置されない場合に、殊に被覆すべき加工品表面が比較的大きい場合に問題が生じる理由が明らかである。
【００１２】
これらの問題は、ここに提案する、本発明による方法によって大いに縮小される。
定義
本明細書では、本発明により加工品の処理、殊に被覆、について言及している場合には、「加工品基体面」という表現を使用する。粉末-ないしはクラスター生成について言及している場合には、「捕集面（Ａｕｆｆａｎｇｆｌａｅｃｈｅ）」という表現を使用する。まとめて「加工品基体面」ならびに「捕集面」について言及している場合には、総括的に「堆積面」ないしは「堆積用の配置」という表現を使用する。
【００１３】
本発明による方法の特に有利な実施態様の場合には、堆積面に準安定の材料、本発明の場合には有利にｃＢＮ、α−Ａｌ2Ｏ3、Ｃ3Ｎ4または、および殊に、ダイヤモンド、が堆積される。
【００１４】
本発明による方法の別の有利な実施態様の場合にはケイ素化合物、本発明の場合には有利に微晶質のケイ素μＣ−Ｓｉ：Ｈ、が、堆積面に堆積され、かつ、本発明の場合には有利に反応性ガスとしてシランが使用される。
【００１５】
有利な実施態様の場合には、本発明ではプラズマジェットが低電圧アーク放電として、一層有利には大電流アーク放電として、実施され、これには有利に冷陰極放電が用いられ、しかし殊に有利に熱陰極放電が用いられる。
【００１６】
さらに堆積面は、前もって決められた最小のプラズマ密度-変動がこの面に沿って現われるように、真空下でプラズマジェットに対して配置される。このことは殊に、前記の堆積面に沿って、それぞれにすぐそばにあるプラズマジェットのプラズマ密度最大値の最大で２０％、有利に最大で１０％、有利にそれどころか最大で５％のプラズマ密度が現われることによって達成され、その際、さらにこれらプラズマジェットは、同様に操作することができ、即ち、その場合にはこれらプラズマジェットは、それらの軸に本質的に同じ最大プラズマ密度を有している。しかし、例えば前もって与えられた成形体の、堆積面に沿って得られるプラズマ密度分布をそれぞれの放電の的確な調整によって、即ちプラズマジェットごとに固有の最大プラズマ密度の的確な調整によって最適化することは、有利である。このためにさらに、プラズマジェット放電が相互に無関係に操作可能であることが提案され、このことによって、ケースごとに固有に前記の最適化を行なう可能性が開かれる。
【００１７】
本発明によってさらに意外にも、ここに提案している方法を用いて材料堆積が著しく高い堆積速度で実現可能であり、かつこのことが最大で５００℃の堆積位置での温度で実現可能であることがわかった。したがって本発明による方法は、堆積面の配置の際に、該堆積面のプラズマ密度最大値がすぐそばにある放射プラズマ密度最大値の２０％となるように、有利に最大で５００℃の前記の温度で該堆積面における堆積速度が少なくとも４００ｎｍ／分に調整されることによって有利に実施される。
【００１８】
別の有利な実施態様の場合には、プラズマ密度分布は、ジェット軸に平行な少なくとも１つの磁場によって調整される。
【００１９】
別の有利な実施態様の場合には、ジェット軸に対して本質的に平行なガス流が生じる。
【００２０】
殊に加工品の表面の処理の場合には重要なことでありうることであるが、複数の処理すべき加工品における被覆の作用−殊に膜厚の分布−をなお一層均一化するために、加工品を回転軸を中心に回転させるか、および／または直線的にジェット軸に対して少なくとも近似的に平行に動かす、有利に往復して動かすことがさらに提案される。
【００２１】
さらに本発明による方法によって、真空雰囲気下に少なくとも１つの第１の堆積面をプラズマジェット間に配置し、かつ少なくとも１つの第２の堆積面をプラズマジェットと処理室の内壁の間に配置することによって、同時に処理可能な加工品ないしは堆積される粉末量に関してなお別の効果を達成することができることが判明した。
【００２２】
したがって、プラズマジェット間に存在する第１の堆積面には、これが粉末生成のためであれ、加工品被覆のためであれ、両面に材料が堆積され、その一方で、第２の堆積面には、これが同様に粉末生成のためであれ、加工品の処理、例えば殊に被覆のためであれ、片面にのみ材料が堆積される。したがって加工品に関しては、２つ以上の面で被覆すべき加工品、例えば刃物またはドリル、は第１の堆積面に沿って配置することができ、これに対して、片面の処理、殊に被覆、のみを必要とする加工品、例えばスローアウェイチップ（Ｗｅｎｄｅｓｃｈｎｅｉｄｐｌａｔｔｅ）、は第２の堆積面に沿って配置することができる。こうすることによって方法ないしは該方法のために用意された装置の効果が、極めて著しく高められる。
【００２３】
本発明による装置は、請求項１記載の特徴によって特徴付けられる。該装置の有利な実施態様は、請求項２から７にて特徴付けられており、該装置の使用は、請求項８にて特徴付けられている。
【００２４】
次に本発明を例えばさらなる図および実施例につき詳説する。
【００２５】
【発明の実施の形態】
図２には、概略的な縦断面図で、本発明による方法を実施するための、本発明による装置が示されている。真空室１の中に少なくとも２つの、図３〜６に示されているように有利に少なくとも６つの、プラズマジェット３が発生している。有利にこれらプラズマジェット３は、図２に示されているように、同じ電極ギャップでの大電流-低電圧放電によって形成され、かつ、有利にそれぞれに１つの熱陰極５を用いて、直接もしくは間接に加熱され、例えば図示されているように有利に加熱電流回路を介して加熱電流ＩHによって直接加熱される。これら熱陰極５は、例えば図２に示されているとおり、１つの陰極室列８の中で個々の陰極室８ａを用いて運転され、この陰極室８ａは、（図示されていない）作業ガス（Ａｒｂｅｉｔｓｇａｓ）、例えばアルゴン、が注入されており、かつ、絞り７を介して前記の室１の内部と連絡している。
【００２６】
しかし原則的にプラズマジェットの生成のために他の陰極の種類が使用されてもよく、高純度の被覆が生成されなければならない場合、また昇華した熱陰極の原子によって不純物が発生するのを防止しなければならない場合に、例えばホロー陰極が使用される。
【００２７】
図２にはさらに電極ギャップ-陽極９および放電用発電機１１の符号がつけられている。
【００２８】
図２に示された装置の場合には、うち３つが見えている、有利に少なくとも６つのプラズマジェット３の間に、堆積用の配置が１つもしくは複数の面１３に沿って存在しており、この面１３は、この面１３における、ひいては堆積用の配置における所望のプラズマ密度分布に応じて、ジェット軸Ａからの前もって決められた距離をあけて、プラズマジェット３の間を横切っている。この堆積面１３は、本発明による加工品の処理の場合には、１つもしくは複数の加工品を収容するための加工品基体面によって定義され、あるいはこの堆積面１３は、本発明によってこの面において粉末−ないしはクラスター生成が求められる場合には、捕集面によって形成される。
【００２９】
反応性ガスは、ガス注入装置１５によって室１の中に注入され、使用済みの反応性ガスは、ポンプ口１７で吸引される。有利に−かつＧで示されているとおり−室１の中を通る、プラズマジェットの軸Ａに平行なガス流が目標とされる。
【００３０】
ヘルムホルツ・コイル１９を用いて室１の中にさらに、ジェット軸Ａに本質的に平行な磁場Ｈが生成され、この磁場Ｈによってさらに局所的なプラズマ密度分布を調整することができる。
【００３１】
図３〜６には、概略的な平面図で、プラズマジェット３の配置が、本発明によれば該配置の間に通されておりかつ加工品基体１３ａまたは捕集面によって定義されている堆積面１３とともに示されている。
【００３２】
図５には、同様に平面図で、６つのプラズマジェット３の別の配置が、堆積面１３とともに示されており、この堆積面１３は、該堆積面に両面で所望のプラズマ密度分布が、この場合には最小の不均一さで、得られるように通っている。
【００３３】
図５にはさらに、プラズマジェット３の間を通っている、両面で作用を受ける堆積面１３とともに、プラズマジェット３と圧力容器ないしは室の壁との間にさらなる堆積面１４をいかに配置することができかが破線で示されており、この堆積面１４は、片面でのみ処理にさらされている。同様に、加工品処理のために、１つの堆積面１３では２面もしくは全面を処理すべき、殊に被覆すべき、加工品が用意され、複数の堆積面１３ａでは片面のみを処理すべき、殊に被覆すべき、加工品が用意される。
【００３４】
図７には、２つの離れているプラズマジェットから得られるプラズマ密度分布が加熱電流Iに対して示されている。図７の図面平面に平行な、ある範囲内の平面状の堆積面を、この面でのプラズマ密度最大値がジェット軸Ａでの最大プラズマ密度の２０％となるように置いた場合に、この面に沿った、定性的にｄによって記入されたプラズマ密度分布が得られる。図１と同じ表現で、そのようなプラズマ密度分布が、図８にモデル化されて、同様にアークジェット軸間隔ｘに対するプラズマ密度の一次の依存関係が採用された場合には（ａ）によって、二次として採用された場合には（ｂ）によって示されている。
【００３５】
定めた堆積面において利用されたプラズマ密度が、ジェット軸Ａでの最大プラズマ密度に対して少なければ少ないほど、プラズマ密度分布は、より均一に、即ちより等分布になる。しかし、約２０％のみのプラズマ密度利用率であると同時に、それにもかかわらず、少なくとも４００ｎｍ／分の著しく高い堆積速度が最大で５００℃の温度で達成可能であることは、驚くべきことである。
【００３６】
図３および図６でωで示されているように、殊に被覆の場合の、実現された堆積分布のさらなる均一化が、加工品を、有利にジェット軸Ａに対して本質的に垂直な軸Ａrを中心にして回転させるか、および／または、図６に示されているとおり、複数のジェット軸に沿って直線的に、図６で両方向矢印Ｆで示されているように、動かすことによって達成することが可能である。
【００３７】
【発明の効果】
上記の本発明による装置ないしは本発明による方法を用いて、冒頭で述べたとおり、加工品の処理の枠内で、得るのが困難な被覆を堆積させることが可能となり、この場合、殊にダイヤモンド被覆を大きな面積で十分に一定の膜厚分布で堆積させること、ないしは著しく高い堆積速度および低い温度で被覆を反応性堆積させることが可能となり、この場合、殊にケイ素化合物からなる、殊に微晶質のμＣ−Ｓｉ：Ｈからなる被覆も堆積させることが可能となり、この場合、有利に反応性ガスとしてのシランの使用下で堆積が行なわれる。しかしその一方で、前記の堆積面での放電量の相応の調整によって前記の材料を粉末ないしはクラスターとして堆積させることも可能である。
【図面の簡単な説明】
【図１】  （ａ）で示された一次の距離依存関係を採用しかつ（ｂ）で示された二次の距離依存関係を採用した場合のモデル計算による、半径方向距離の増加にともなう原子状水素の局所的な濃度の減少を示す。
【図２】  概略的に、側面図で、本発明による方法を実施するための、本発明による装置を示す。
【図３】  同様に概略的に、平面図で、本発明による方法を実施するための、本発明による装置でのプラズマジェットと堆積面の、本発明による配置を示す。
【図４】  同様に概略的に、平面図で、本発明による方法を実施するための、本発明による装置でのプラズマジェットと堆積面の、本発明による配置を示す。
【図５】  同様に概略的に、平面図で、本発明による方法を実施するための、本発明による装置でのプラズマジェットと堆積面の、本発明による配置を示す。
【図６】  同様に概略的に、平面図で、本発明による方法を実施するための、本発明による装置でのプラズマジェットと堆積面の、本発明による配置を示す。
【図７】  距離尺度に対して、２つのプラズマジェットのジェット軸を通りかつ該ジェット軸に対して垂直な直線に沿う形でかつ熱陰極-低電圧放電の加熱電流Ｉとともにパラメーター表示することによって、プラズマ密度分布ならびに（ｄ）ジェット軸に平行な平面状の堆積面において得られるプラズマ密度分布を示す。
【図８】  図１と同様の表示で、２つの用意されたプラズマジェット軸に対して平行でありかつ該プラズマジェット軸から離れている平面状の堆積面に沿った、モデル化された、本発明によるプラズマ密度分布を示す。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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