(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
高密度高温プラズマが発生する容器と、この容器内に極端紫外光放射種であるスズを導入するために、スズおよび／またはスズ化合物を含む原料を供給する原料供給手段と、上記容器内で上記供給された原料を加熱・励起し高密度高温プラズマを発生させる加熱・励起手段と、上記容器に接続された排気手段と、上記高密度高温プラズマから放出される極端紫外光を取り出す極端紫外光取り出し部とを有する極端紫外光発生装置において、
上記容器と上記排気手段との間に、上記容器から排出される、スズおよび／またはスズ化合物を含む排出ガスからスズまたはスズ化合物を分離するための処理ユニットを備え、
該処理ユニットは、上流側に水素ラジカルを発生させ、発生させた水素ラジカルとスズおよび／またはスズ化合物を含む排出ガスとを反応させ、上記排出ガスに含まれるスズおよび／またはスズ化合物をスズ水素化物にする水素ラジカル処理部を備え、
該水素ラジカル処理部の下流側に該水素ラジカル処理部から排出されるスズ水素化物を含む排出ガスを、スズが液化する温度以上に加熱して、スズ水素化物を熱分解させ、そこで分解生成したスズを液体スズにして排出ガスから分離する加熱手段を備えたことを特徴とする極端紫外光発生装置。
【請求項２】
上記処理ユニットは、上記液体スズを回収し貯蔵する回収貯蔵容器を有し、上記液体スズを含まない排出ガスを上記排気手段へ送出することを特徴とする請求項１に記載の極端紫外光発生装置。
【請求項３】
高密度高温プラズマが発生する容器と、この容器内に極端紫外光放射種であるスズを導入するために、スズおよび／またはスズ化合物を含む原料を供給する原料供給手段と、上記容器内で上記供給された原料を加熱・励起し高密度高温プラズマを発生させる加熱・励起手段と、上記容器に接続された排気手段と、上記高密度高温プラズマから放出される極端紫外光を取り出す極端紫外光取り出し部とを有する極端紫外光発生装置において、
上記容器と上記排気手段との間に、上記容器から排出される、スズおよび／またはスズ化合物を含む排出ガスからスズまたはスズ化合物を分離するための処理ユニットを備え、
該処理ユニットは、上流側に水素ラジカルを発生させ、発生させた水素ラジカルとスズおよび／またはスズ化合物を含む排出ガスとを反応させ、上記排出ガスに含まれるスズおよび／またはスズ化合物をスズ水素化物にする水素ラジカル処理部を備え、
該水素ラジカル処理部の下流側に該水素ラジカル処理部から排出されるスズ水素化物を含む排出ガスを、スズ水素化物が液化する温度以下に冷却し、スズ水素化物を液体スズ水素化物にして排出ガスから分離する冷却手段を備えたことを特徴とする極端紫外光発生装置。
【請求項４】
上記処理ユニットは、上記液体スズ水素化物を回収し貯蔵する回収貯蔵容器を有し、上記液体スズ水素化物を含まない排出ガスを上記排気手段へ送出することを特徴とする請求項３に記載の極端紫外光発生装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、極端紫外光を放射する極端紫外光発生装置に関する。より詳細には、水素ラジカルを発生させることによって排気装置等の長寿命化を図った、スズを極端紫外光の放射源として用いる極端紫外光発生装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体集積回路の微細化、高集積化に伴い、その製造用の投影露光装置においては解像力の向上が要請されている。その要請に応えるため、露光用光源の短波長化が進められ、エキシマレーザー装置に続く次世代の半導体露光用光源として、波長１３〜１４ｎｍ、特に波長１３．５ｎｍの極端紫外光（以下、ＥＵＶ（Ｅｘｔｒｅｍｅ  Ｕｌｔｒａ  Ｖｉｏｌｅｔ）光という）を放出する極端紫外光発生装置（以下、ＥＵＶ光発生装置という）が開発されている。
【０００３】
ＥＵＶ光発生装置においてＥＵＶ光を発生させる方法はいくつか知られているが、そのうちの１つにＥＵＶ光放射種の加熱・励起により高密度高温プラズマを発生させ、このプラズマから放出されるＥＵＶ光を取り出す方法がある。
このＥＵＶ光発生装置は、高密度高温プラズマの生成方式により、ＬＰＰ（Ｌａｓｅｒ  Ｐｒｏｄｕｃｅｄ  Ｐｌａｓｍａ，レーザー生成プラズマ）方式とＤＰＰ（Ｄｉｓｃｈａｒｇｅ  Ｐｒｏｄｕｃｅｄ  Ｐｌａｓｍａ，放電生成プラズマ）方式とに大きく分けられる。
【０００４】
ＬＰＰ方式のＥＵＶ光発生装置は、固体、液体、気体等のターゲットにパルスレーザーを照射することにより発生する高密度高温プラズマから放射されるＥＵＶ放射光を利用するものである。
一方、ＤＰＰ方式のＥＵＶ光発生装置は、電流駆動によって生成した高密度高温プラズマから放射されるＥＵＶ放射光を利用するものである。ＤＰＰ方式のＥＵＶ光発生装置における放電方式には、Ｚピンチ方式、キャピラリー放電方式、プラズマフォーカス方式、ホローカソードトリガーＺピンチ方式等がある。ＤＰＰ方式のＥＵＶ光発生装置は、ＬＰＰ方式のＥＵＶ光発生装置と比較して、光源装置の小型化、光源システムの消費電力が小さいといった利点あり、実用化への期待も大きい。
【０００５】
上記した両方式のＥＵＶ光発生装置において、波長１３．５ｎｍのＥＵＶ光を放出する放射種、すなわち、高密度高温プラズマ用原料として、現在、１０価前後のキセノン（Ｘｅ）イオンとスズ（Ｓｎ）イオンが知られているが、このうち、スズは、高密度高温プラズマの発生に必要な電気入力と波長１３．５ｎｍのＥＵＶ光出力との比、すなわちＥＵＶ変換効率（＝光出力／電気入力）がキセノンより数倍大きい。このため、量産型大出力ＥＵＶ光源の放射種としてはスズが有力視されている。例えば、特開２００４−２７９２４６号公報に示されるように、ＥＵＶ放射種であるスズを供給するための原料としてガス状のスズ化合物（例えば、スタナンガス：ＳｎＨ４ガス）を使ったＥＵＶ光源の開発が進められている。
【０００６】
しかしながら、スズは、蒸気圧が低く室温では固体であり、光源チャンバー内に導入されるスズおよび／またはスズ化合物を加熱・励起して高密度高温プラズマを発生させる際に、スズに起因する大量のデブリが発生するという問題がある。
ＥＵＶ光発生装置は、光源チャンバー内で発生させた高密度高温プラズマから放出されるＥＵＶ光を、光源チャンバー内に配置された集光鏡を介して外部に放出するが、この集光鏡に、スズに起因するデブリが付着した場合、集光鏡の１３．５ｎｍに対する反射率が低下し、結果として、外部に放出されるＥＵＶ光の強度が低下する。
【０００７】
この問題を解決するために、出願人は特願２００５−１５１８２号において、水素ラジカルと集光鏡に付着したスズとを反応させて、蒸気圧が低いスズを蒸気圧が高いスズ水素化物にすることにより気化させて集光鏡に付着したスズを除去する（集光鏡をクリーニングする）装置および方法を提案した。
ここでいう水素ラジカルとは、水素原子（原子状水素ともいう）のことであり、不対電子を持つため活性化効果が高く、反応性に富んでいる粒子のことである。また、水素ラジカル生成方法としては、例えば１８００℃程度まで加熱したタングステンなどの高融点金属に、水素ガスを接触、分解させて高密度なラジカルを生成する熱触媒方式や、高周波放電やマイクロ波放電で発生させたプラズマ中でイオンと共に生成されるラジカルを利用する放電プラズマ方式などがある。
【０００８】
このクリーニング過程で発生したスズ水素化物や、放電プラズマ部分に供給されるスズを含む原料の少なくとも一部は、光源チャンバーから光源チャンバーに接続される排気装置を介してＥＵＶ光発生装置外に排出される。なお、排気装置は、例えば、ターボ分子ポンプやその下流に接続されるロータリーポンプといった、真空ポンプ等から構成される。ここで、光源チャンバーから排出される排出ガス中には、スズやスズ水素化物、スズ化合物が含まれる。この排出ガス中のスズや、排出ガス中のスズ水素化物やスズ化合物が分解して生じるスズは、排気装置である真空ポンプの回転部分や摺動部分に固体スズとして付着し、排気装置の排気能力を低下させるなど装置不具合の原因となっている。そのため、ＥＵＶ放射種であるキセノンを使用するＥＵＶ光源よりも、ＥＵＶ放射種であるスズを使用するＥＵＶ光発生装置においては、ＥＵＶ光発生装置が具備する排気装置の整備、交換周期を短くせざるを得ないという問題があった。
【０００９】
ＥＵＶ光発生装置が実際に使用される半導体製造分野では、平均修理時間（Ｍｅａｎ  Ｔｉｍｅ  Ｔｏ  Ｒｅｐａｉｒ，ＭＴＴＲ）が製造コストに関わる重要なパラメータとされており、整備にともなう装置停止時間の増加、すなわち平均修理時間の増加は製造コスト増大に直結するため、装置停止を必要最小限にしたいという要望がある。したがって、ＥＵＶ光発生装置を稼動させた状態でＥＵＶ光発生装置が具備する排気装置の整備が実施可能か、もしくは長寿命な排気装置が必要とされている。
【００１０】
【特許文献１】特開２００４−２７９２４６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１１】
この発明が解決しようとする課題は、固体スズが、排気装置である真空ポンプの回転部分や摺動部分に付着することを抑制し、ＥＵＶ光発生装置が具備する排気装置の整備周期および交換周期を長期化することを可能にしたＥＵＶ光発生装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
上記課題を解決するために、この発明の極端紫外光発生装置は、高密度高温プラズマが発生する容器と、この容器内に極端紫外光放射種であるスズを導入するために、スズおよび／またはスズ化合物を含む原料を供給する原料供給手段と、上記容器内で上記供給された原料を加熱・励起し高密度高温プラズマを発生させる加熱・励起手段と、上記容器に接続された排気手段と、上記高密度高温プラズマから放出される極端紫外光を取り出す極端紫外光取り出し部とを有する極端紫外光発生装置において、上記容器と上記排気手段との間に、上記容器から排出される、スズおよび／またはスズ化合物を含む排出ガスからスズまたはスズ化合物を分離するための処理ユニットを備え、該処理ユニットの内部構成には２通りの方式がある。一つは、上流側に水素ラジカルを発生させ、発生させた水素ラジカルとスズおよび／またはスズ化合物を含む排出ガスとを反応させ、上記排出ガスに含まれるスズおよび／またはスズ化合物をスズ水素化物にする水素ラジカル処理部を備え、上記水素ラジカル処理部の下流側に上記水素ラジカル処理部から排出されるスズ水素化物を含む排出ガスを、スズが液化する温度以上に加熱し、スズ水素化物を熱分解させ、そこで分解生成したスズを液体スズにして排出ガスから分離する加熱手段を備えたことを特徴とし、もう一つは、上流側に水素ラジカルを発生させ、発生させた水素ラジカルとスズおよび／またはスズ化合物を含む排出ガスとを反応させ、上記排出ガスに含まれるスズおよび／またはスズ化合物をスズ水素化物にする水素ラジカル処理部を備え、上記水素ラジカル処理部の下流側に上記水素ラジカル処理部から排出されるスズ水素化物を含む排出ガスを、スズ水素化物が液化する温度以下に冷却し、スズ水素化物を液体スズ水素化物にして排出ガスから分離する冷却手段を備えたことを特徴とするものである。
【００１３】
また、上記処理ユニットは、分離した液体スズまたは液体スズ水素化物を、回収し貯蔵する回収貯蔵容器を有し、液体スズまたは液体スズ水素化物を含まない排出ガスを上記排気装置へ送出するように構成してもよい。
【発明の効果】
【００１５】
上記構成により、この発明に係るＥＵＶ光発生装置は、高密度高温プラズマが発生する容器である光源チャンバーから排出されるスズおよび／またはスズ化合物を含む排出ガスが、上記容器に接続された排気手段である排気装置内を通過しないようにするために、光源チャンバーと排気装置の間の処理ユニットにおいて分離処理を行うことにより、スズおよび／またはスズ化合物を含まない排出ガスが上記排気装置内を通過するようにすることができるので、排気装置の整備周期および交換周期を長期化することができる。
また、処理ユニットでスズおよび／またはスズ化合物を、液体スズまたは液体スズ水素化物にして回収し、原料としてリサイクルすることもできるという利点を有する。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１６】
本発明に係るＥＵＶ光発生装置の基本構成及び処理ユニットの各実施形態を図１乃至図６を用いて説明する。
図１は、本発明に係るＤＰＰ方式のＥＵＶ光発生装置の基本構成を示す図である。
同図において、真空容器である光源チャンバー１０内には、例えば、第一電極１１と第二電極１２が、絶縁体１３を挟んで配置される。このように配置された第一電極１１、第二電極１２、絶縁体１３は、ＥＵＶ発生装置の放電部１を構成する。
第一電極１１および第二電極１２はリング状であり、絶縁体１３もリング状であって、貫通穴が略同軸上に位置するよう配置される。ここで、第一電極１１と第二電極１２はパルスパワー電源１５に接続され、絶縁体１３によって電極１１，１２間は電気的に絶縁されている。
第一電極１１および第二電極１２は、例えば、タングステン、モリブデン、タンタルなどの高融点金属から構成される。絶縁体１３は、例えば、窒化ケイ素、窒化アルミニウム、窒化ホウ素等のプラズマ耐性の高いセラミックス等から構成される。
【００１７】
光源チャンバー１０は、第一チャンバー１０ａと第二チャンバー１０ｂとから構成される。第一チャンバー１０ａに接続された原料供給ユニット１４から、ＥＵＶ放射種であるスズを供給するための原料として、例えば、スタナン（ＳｎＨ４）などを放電部１に供給しながら、第一電極１１と第二電極１２の間で放電させると、ＥＵＶ光放射種を含む原料が加熱・励起され、放電部１の略中心（貫通穴の中心）にプラズマＰが発生する。このプラズマＰは、極めて高密度かつ高温でなければリソグラフィに利用する１３．５ｎｍのＥＵＶ光を放出しない。そこで、ＥＵＶ光発生装置では、電源からプラズマに入力するピークパワーを大きくして高密度高温プラズマを発生させるために、瞬間的な放電を繰り返し行うパルス駆動方式を採用している。
すなわち、パルスパワー電源１５から第一電極１１と第二電極１２の間に電力が供給されると、絶縁体１３表面に沿面放電（ｃｒｅｅｐｉｎｇ  ｄｉｓｃｈａｒｇｅ）が発生して第一電極１１と第二電極１２間は実質、短絡状態になり、第一電極１１と第二電極１２間にパルス状の大電流が流れる。その後、ピンチ効果によるジュール加熱によって放電部１の略中心（貫通穴の中心）に高密度高温のプラズマＰが発生し、この高密度高温のプラズマＰからＥＵＶ光が放出される。
【００１８】
放電部１で発生したＥＵＶ光は、第二チャンバー１０ｂ内に配置された集光鏡２を介してＥＵＶ光取り出し部７より放射される。ＥＵＶ光取り出し部７を出射した光は、図示略の露光機側光学系に進行する。
集光鏡２は、回転楕円形状あるいは回転放物形状をしており、ニッケルなどの金属材料から構成され、その反射面には、ＥＵＶ光を効率よく反射するために、ルテニウム、モリブデン、ロジウムなどの金属をコーティングするとともに、２５°以下の斜入射角度に形成されており、ＥＵＶ光を良好に反射できるように構成されている。
【００１９】
放電部１と集光鏡２との間にはデブリトラップ３が配置される。このデブリトラップ３は、第一電極１１や第二電極１２がプラズマＰと接することで発生する金属粉などのデブリを捕獲するためのものである。デブリトラップ３は、例えば、タングステンやモリブデンといった高融点金属から構成される。
デブリトラップ３の近傍には、ヘリウムやアルゴン等の不活性ガスを供給するガス供給ユニット１６に接続されたガスカーテンノズル４が配置される。ガス供給ユニット１６から供給される不活性ガスは、ガスカーテンノズル４によりデブリトラップ３の入口側に供給される。このように形成されたガスカーテンは、放電部１から放出され集光鏡２に向かって飛散するデブリの飛行軌道を湾曲させたり、局所的にガスの圧力が高い部分を作り出し、そこで起こる粒子間衝突によりデブリを減速させたりすることにより、デブリが集光鏡２に到達することを妨げるように作用する。
しかし、実際にはＥＵＶ光を遮ることなくデブリのみを完全に捕捉、除去することは困難であり、集光鏡２にまでデブリが到達する。
【００２０】
集光鏡２にデブリとして付着したスズを除去するためには、例えば、図１に示すように、加熱電源１８により１８００℃程度に加熱されたタングステンフィラメント５１にガス供給ユニット１７から水素ガスを供給し、接触、解離させることにより水素ラジカルを得る、熱触媒式の水素ラジカル発生部５を用いる。
すなわち、水素ラジカル発生部５で発生させた水素ラジカルをスズが付着した集光鏡２に照射、反応させスズを蒸気圧の高いスズ水素化物にすることにより、気化、除去して、集光鏡２のＥＵＶ光反射率の低下を防止する。
【００２１】
以上に述べたＥＵＶ光発生装置の動作において、ＥＵＶ放射種であるスズを供給するための原料のうち高密度高温プラズマＰ生成に寄与しなかった成分、および高密度高温プラズマＰの生成に寄与したのち不要となった成分は、第二チャンバー１０ｂに拡散し、少なくとも一部は排出口６から排出ガスとして排出される。また、一旦、集光鏡２などに固体スズとして付着し、その後、水素ラジカルと反応して気化したスズ水素化物も排出ガスとして排出口６から排出される。
真空容器である光源チャンバー１０の排出口６から処理ユニット８に送り込まれた排出ガスは、処理ユニット８でスズおよび／またはスズ化合物の分離処理が行われ、スズおよび／またはスズ化合物を含まない排出ガスのみが排気装置９に送り込まれる。この処理ユニット８の種々の実施形態を以下に説明する。
【００２２】
図２（ａ）は第１の実施形態の発明に係る処理ユニット８の構成を示す断面図であり、図２（ｂ）は処理ユニット８の加熱処理部８ｂの外観図である。
これらの図に示すように、処理ユニット８は、例えば、鋼管からなり、スズおよび／またはスズ化合物を含む排出ガスからスズおよび／またはスズ化合物を分離するために２段階の処理プロセスを実施する構成となっている。
まず、処理ユニット８の真空容器側（第二チャンバー１０ｂ側）に、排出ガス中のスズおよび／またはスズ化合物を水素化させ、化学的に安定なスタナンにするために、水素ラジカル処理部８ａを配置する。水素ラジカル処理部８ａにおいては、例えば、排出ガスの流路を横切るように網状のタングステンフィラメント１９を配置する。タングステンフィラメント１９には、加熱電源２０が接続されている。さらに、水素ガス供給ユニット２１に接続された水素ガス供給ノズル２２が、水素ガス供給ノズル２２から放出される水素ガスがタングステンフィラメント１９に到達するように配置されている。
加熱電源２０によりタングステンフィラメント１９に電力を供給してタングステンフィラメント１９を１８００℃程度まで加熱して、水素ガス供給ユニット２１に接続された水素ガス供給ノズル２２から水素ガスをタングステンフィラメント１９に向けて供給すると、タングステンフィラメント１９での接触、解離により水素ラジカルが発生する。すなわち、水素ラジカル処理部８ａにおいて熱触媒式水素ラジカル源が構成される。発生した水素ラジカルとスズおよび／またはスズ化合物を含む排出ガスとを反応させることにより、水素ラジカル処理部８ａを通過する排出ガスに含まれるスズおよび／またはスズ化合物をスズ水素化物（例えば、スタナン）にすることができる。
ここでスズ水素化物にされるスズとは、スズ（Ｓｎ）蒸気やスズ微粒子（例えば、Ｓｎｘといった金属クラスタ）など、相や形態を問わず単体として存在する（化合物でない）スズのことである。
また、スズ水素化物にされるスズ化合物とは、上記スズ（原子状ガスであるＳｎ蒸気、金属クラスタＳｎｘ等）やＳｎＨ、ＳｎＨ２、ＳｎＨ３（以下ＳｎＨｘ）といったフラグメントと装置内部に残留する水（Ｈ２Ｏ）、炭化水素などとが気相反応することで形成されるＳｎの炭化物、酸化物などのことである。
なお、フラグメントＳｎＨｘはスズ水素化物であるが、水素ラジカル処理部８ａにより生成するスズ水素化物がスタナン（ＳｎＨ４）であるとき、スタナンではないフラグメントＳｎＨｘは水素ラジカルと反応してスタナンにされる。よって、このような場合、本発明においては、スタナンでないフラグメントＳｎＨｘもスズ水素化物（スタナン）にされるスズ化合物として取り扱うこととする。
ここで、水素ラジカル処理部８ａにおいて生成されるスズ水素化物は必ずしもスタナンである必要はなく、Ｓｎ２Ｈ６など他の高蒸気圧スズ水素化物であってもよい。すなわち、水素ラジカル処理部８ａは、排出ガスに含まれるスズおよび／またはスズ化合物を高蒸気圧のスズ水素化物にして、後述する加熱処理部８ｂ、冷却処理部８ｃに送出する機能があればよい。
しかしながら、スタナンは高蒸気圧のスズ水素化物としては最も化学的に安定であるため、水素ラジカル処理部８ａにおいて生成するスズ水素化物はスタナンであると考えられる。
【００２３】
次に、処理ユニット８の排気装置９側に、排出ガス中からスタナンを分離するための加熱処理部８ｂを配置する。加熱処理部８ｂは、例えば、図２（ｂ）に示すように、排出ガス流路となる鋼管の外部に、ヒーター２３を密着させて巻きつけ、熱が散逸しないよう加熱箇所およびヒーター２３を断熱材２４で覆った構造である。ヒーター２３は加熱電源２５に接続され、加熱電源２５より電力がヒーター２３に供給されると、排出ガス流路となる鋼管において、ヒーター２３を密着させて巻きつけた部分が加熱される。加熱される鋼管内部の排出ガスの温度および圧力は、それぞれ温度センサー２６および圧力センサー２７により検出される。制御ユニット２８において、上記検出された排出ガスの温度および圧力のデータと、あらかじめ制御ユニット２８に記憶させておいたスズの蒸気圧データとを参照しながら、加熱処理部８ｂの温度をスズが液体となる温度となるように加熱電源２５よりヒーター２３に供給される電力を制御することにより、排出ガス流路である鋼管内を通過する排出ガス中に含まれるスタナンを熱分解させ分解生成したスズを液体スズとし、さらにその液体スズを流路鋼管の内壁面に付着させる。このようにして、排出ガスからスタナンが分離される。分離後の排出ガスは排気装置９へと送り込まれる。一方、鋼管の壁面に残った液体スズは壁面を伝わせて加熱処理部８ｂの下部に集められる。加熱処理部８ｂの下部は、バルブ２９を介して回収貯蔵容器３０と連結されている。よって、加熱処理部８ｂの下部に集められた液体スズは、バルブ２９を開閉することにより回収貯蔵容器３０に移し替えることができる。
【００２４】
図３（ａ）は第２の実施形態の発明に係る処理ユニット８の構成を示す断面図であり、図３（ｂ）は図３（ａ）に示す発熱体構造体３１を取り出して示した図であり、図３（ｃ）は図３（ｂ）に示した発熱体構造体３１を上から見た図である。
これらの図に示すように、加熱処理部８ｂは、例えば、排出ガス流路となる鋼管の内部に、ステンレスやセラミックス等の筐体にヒーターを内蔵した発熱構造体３１が配置される。発熱構造体３１には加熱電源２５に接続されており、加熱電源２５より電力が発熱構造体３１に供給されると、発熱構造体３１は加熱される。なお、熱が散逸しないよう発熱構造体３１周辺の鋼管は断熱材２４で被覆される。
ここで、発熱構造体３１を構成するフィン３１ａ，３１ｂ，３１ｃ・・・・は、通過する排出ガスとの接触面積を大きくし、効率的な熱交換を行い、熱交換の結果液化したスズを付着させ、回収するためのものであり、図３（ｃ）に示すように発熱構造体３１を上流側から見込んだ際に開口が小さくなるようフィン３１ａ，３１ｂ，３１ｃ・・・・は配置される。また、図３（ｂ）に示すように、フィン３１ａ，３１ｂ，３１ｃ・・・・は傾斜して取り付けられており、フィン３１ａ，３１ｂ，３１ｃ・・・に付着した液体スズが下部に流れやすく構成されている。
温度センサー２６、圧力センサー２７による温度の制御方法、分離後のスズ回収方法については、第１の実施形態（図２）の場合と同様なので、説明を省略する。
【００２５】
第１の実施形態（図２）において、鋼管の外部からヒーター２３により加熱を行う構成では処理ユニット８内部を流れる排出ガスの流量が増えた場合、排出ガス流量の増加分に対応するために排出ガス流路の径（すなわち、鋼管の径）を大きくすると、排出ガス流路の中心部分まで十分に熱が届かなくなる。そのため、スタナンを熱分解させ、分解生成したスズを十分に液化させることが困難になる。よって、鋼管の径を大きくするのではなく、鋼管を複数に分岐し、分岐した鋼管それぞれでスタナンの分離処理を行い、分離後の排出ガスが排出される分岐鋼管の各排出口を集合させて排気装置９に接続する鋼管の並列化構造を採用することにより排出ガス流量の増加に対し対応することが考えられる。しかし、鋼管の並列化構造は、鋼管を分岐、集合させる部品（マニホールド）の形状が複雑になるため、並列数には自ずと限界が生じ、実際には大流量には対応し難い。これに対し、本実施形態（図３）のような構成とすることにより、排出ガス流路の径を大きくしても、それに対応した大きさの発熱構造体３１を鋼管内部に配置することにより、排出ガスの大流量化への対応が容易となる利点がある。
【００２６】
図４（ａ）は第３の実施形態の発明に係る処理ユニット８の構成を示す断面図であり、図４（ｂ）は処理ユニット８の冷却処理部８ｃの外観図である。
これらの図において、処理ユニット８は、図２および図３に示した第１および第２の実施形態と同様に、例えば、鋼管からなり、スズおよび／またはスズ化合物を含む排出ガスからスズおよび／またはスズ化合物を分離するために２段階の処理プロセスを実施する構成となっている。
まず、処理ユニット８の真空容器側（第二チャンバー１０ｂ側）に、水素ラジカル処理部８ａを配置するが、図２の場合と構成および動作は同じなので、説明を省略する。すなわち、スズおよび／またはスズ化合物を含む排出ガスは、水素ラジカル処理部８ａを通過後、スタナンを含む排出ガスとなり、後に示す冷却処理部８ｃに導入される。
次に、処理ユニット８の排気装置９側に、排出ガス中に含まれるスタナンを分離するために、冷却処理部８ｃを配置する。冷却処理部８ｃは、例えば、図４（ｂ）に示すように、排出ガス流路となる鋼管の外部に、銅パイプ３５を密着させて巻きつけるように配置した構造であり、銅パイプ３５は冷却装置３２に接続される。冷却装置３２により銅パイプ３５内部に冷媒を循環させると、排出ガス流路となる鋼管において、銅パイプ３５を密着させて巻きつけた部分が冷却される。なお、冷気が散逸しないよう冷却箇所周辺の鋼管を断熱材２４で被覆する。
冷却される鋼管内部の排出ガスの温度および圧力は、それぞれ温度センサー２６および圧力センサー２７により検出される。制御ユニット２８において、上記検出された排出ガスの温度および圧力のデータと、あらかじめ制御ユニット２８に記憶させておいたスタナンの蒸気圧データとを参照して、冷却処理部８ｃの温度をスタナンが液化する温度に制御しておくことにより、排出ガス流路である鋼管内を通過する排出ガス中に含まれるスタナンを凝縮して液体スタナンとし、さらにその液体スタナンを流路鋼管の内壁面に付着させることができる。このようにして、排出ガスからスタナンが分離され、分離後の排出ガスは排気装置９へと送り込まれる。鋼管の壁面に残った液体スタナンは壁面を伝わせて冷却処理部８ｃの下部に集められる。
冷却処理部８ｃの下部は、バルブ２９を介して回収貯蔵容器３０と連結されている。よって、冷却処理部８ｃの下部に集められた液体スタナンは、バルブ２９を開閉して回収貯蔵容器３０に移し替えることができる。なお、回収貯蔵容器３０は、内部に冷媒３３を有する冷却槽３４内に設置される。回収貯蔵容器３０は、内部に貯蔵する液体スタナンが液相状態のまま保存されるように、冷媒３３により冷却される。
【００２７】
図５（ａ）は第４の実施形態の発明に係る処理ユニット８の構成を示す断面図であり、図５（ｂ）は図５（ａ）に示す吸熱構造体３１を取り出して示した図であり、図５（ｃ）は図５（ｂ）に示した発熱体構造３１を上から見た図である。
これらの図に示すように、冷却処理部８ｃは、例えば、排出ガス流路となる鋼管の内部に、銅やアルミニウム等の筐体に冷媒循環経路を設けた吸熱構造体３６が配置される。吸熱構造体３６の冷媒循環経路には冷却装置３２が接続されており、冷却装置３２から冷媒を供給することによって、吸熱構造体３６は冷却される。なお、冷気が散逸しないよう吸熱構造体３６周辺の鋼管は断熱材２４で被覆されている。
ここで、吸熱構造体３６を構成するフィン３６ａ，３６ｂ，３６ｃ・・・・は通過する排出ガスとの接触面積を大きくし、効率的な熱交換を行い、熱交換の結果液化したスタナンを付着させ、回収するためのものであり、図５（ｃ）に示すように、吸熱構造体３６を上流側から見込んだ際に開口が小さくなるようフィン３６ａ，３６ｂ，３６ｃ・・・・を配置する。また、図５（ｂ）に示すように、フィン３６ａ，３６ｂ，３６ｃ・・・・は傾斜して取り付けられており、付着した液体スタナンが下部に流れやすくなっている。
温度センサー２６、圧力センサー２７による温度の制御方法、分離後のスタナン回収方法については第３の実施形態（図４）の場合と同様なので、説明を省略する。
また、本実施形態（図５）の構成の利点は、排出ガスの大流量化への対応が第３の実施形態（図４）の構成より容易なことであるが、その理由は、第２の実施形態（図３）の場合と同様なので説明を省略する。
【００２８】
以上に説明したように、第１の実施形態（図２）、第２の実施形態（図３）、第３の実施形態（図４）、および第４の実施形態（図５）に示した処理ユニット８では、処理ユニット８の前半部分を構成する水素ラジカル処理部８ａとして、熱触媒を使って水素ラジカルを発生させていた。しかし、この発明では、排出ガス流路内のスズおよび／またはスズ化合物を含む排出ガスに対して水素ラジカルを作用させればよいのであるから、水素ラジカルを発生させる方法に関しては何ら限定する必要はなく、例えば、電子ビームやプラズマを使って水素ラジカルを発生させてもよい。
【００２９】
図６は、処理ユニット８の水素ラジカル処理部８ａとして、プラズマを使った構成を示す断面図である。
処理ユニット８は、第１乃至第４の実施形態と同様、例えば、鋼管からなり、スズおよび／またはスズ化合物を含む排出ガスからスズおよび／またはスズ化合物を分離するために２段階の処理プロセスを実施する構成となっている。
まず、処理ユニット８の真空容器側（第二チャンバー１０ｂ側）に配置された水素ラジカル処理部８ａは、例えば、排出ガス流路の一部を石英ガラス管３７とし、その外側に高周波電源３８に接続された誘導コイル３９を配置して、水素ガス供給ユニット２１に設けられた水素ガス供給ノズル２２から水素ガスを石英ガラス管３７内に供給可能な構造となっている。石英ガラス管３７内に水素ガス供給ノズル２２から水素ガスを供給し、誘導コイル３９に高周波電源３８から高周波電力を印加すると、誘導コイル３９で作られた電磁界により、石英ガラス管３７内側でプラズマ４０が発生する。プラズマ４０中には水素イオンや水素ラジカルが多量に存在するので、通過する排出ガスを水素化できる。
なお、処理ユニット８の排気装置９側に配置される加熱処理部８ｂの構成および作用の説明は第１および第２の実施形態と同様なので説明を省略する。また、ここで加熱処理部８ｂの代わりに第３および第４の実施形態で示したような冷却処理部８ｃを用いてもよいことはいうまでもない。
【００３０】
以上に説明したように、本発明に係る極端紫外光発生装置（ＥＵＶ光発生装置）は、処理ユニットにおいてスズおよび／またはスズ化合物を含む排出ガスからスズおよび／またはスズ化合物を分離できるので、排気装置の整備、交換周期を長くすることができ、ＥＵＶ光発生装置を使った半導体露光システムの平均修理時間を短縮することができる。
また、以上の各実施形態においては、ＤＰＰ方式のＥＵＶ光発生装置に適用する場合について示したが、ＬＰＰ方式のＥＵＶ光発生装置にも適用可能であることはいうまでもない。
【図面の簡単な説明】
【００３１】
【図１】本発明を適用した放電生成プラズマ方式のＥＵＶ光発生装置の基本構成を示す図である。
【図２】第１の実施形態の発明に係る処理ユニット８の構成を示す断面図（ａ）および加熱処理部８ｂの外観図（ｂ）である。
【図３】第２の実施形態の発明に係る処理ユニット８の構成を示す断面図（ａ）および発熱構造体３１の断面図（ｂ）並びに上面図（ｃ）である。
【図４】第３の実施形態の発明に係る処理ユニット８の構成を示す断面図（ａ）および冷却処理部８ｃの外観図（ｂ）である。
【図５】第４の実施形態の発明に係る処理ユニット８の構成を示す断面図（ａ）および吸熱構造体３６の断面図（ｂ）並びに上面図（ｃ）である。
【図６】第１乃至第４の実施形態における処理ユニット８において、水素ラジカルの生成にプラズマを利用した場合の構成を示す図である。
【符号の説明】
【００３２】
１    放電部
２    集光鏡
３    デブリトラップ
４    ガスカーテンノズル
５    水素ラジカル発生部
６    排出口
７    ＥＵＶ光取り出し部
８    処理ユニット
８ａ  水素ラジカル処理部
８ｂ  加熱処理部
８ｃ  冷却処理部
９    排気装置
１０  光源チャンバー
１０ａ  第一チャンバー
１０ｂ  第二チャンバー
１１  第一電極
１２  第二電極
１３  絶縁体
１４  原料供給ユニット
１５  パルスパワー電源
１６  ガス供給ユニット
１７  ガス供給ユニット
１８  加熱電源
１９  タングステンフィラメント
２０  加熱電源
２１  水素ガス供給ユニット
２２  水素ガス供給ノズル
２３  ヒーター
２４  断熱材
２５  加熱電源
２６  温度センサー
２７  圧力センサー
２８  制御ユニット
２９  バルブ
３０  回収貯蔵容器
３１  発熱構造体
３１ａ，３１ｂ，３１ｃ・・・  発熱フィン
３２  冷却装置
３３  冷媒
３４  冷却槽
３５  銅パイプ
３６  吸熱構造体
３６ａ，３６ｂ，３６ｃ・・・  吸熱フィン
３７  石英ガラス管
３８  高周波電源
３９  誘導コイル
４０  プラズマ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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