(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
略平板状のセラミック母基板に各々が分割線で区切られて配列形成された多数の配線基板領域と、前記分割線上に形成され、下面側に開口するとともに上面側に天井面を有する端子形成用穴と、該端子形成用穴の側壁の上端から下端にかけて前記分割線から離間して形成された半円形状の切り欠きと、該切り欠き内に形成されたメタライズ端子と、前記各配線基板領域の上面から内部を介して前記端子形成用穴の上端縁にかけて前記分割線から離間して形成され、前記メタライズ端子の端部に接続されたメタライズ配線導体とを具備することを特徴とする多数個取りセラミック配線基板。
【請求項２】
前記端子形成用穴の天井面に前記分割線から離間して形成され、前記メタライズ配線導体に接続されたメタライズパッドを具備することを特徴とする請求項１記載の多数個取りセラミック配線基板。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体素子や水晶振動子等の電子部品を搭載するための小型配線基板となる多数個の配線基板領域を広面積のセラミック母基板中に縦横に配列形成して成る多数個取りセラミック配線基板に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
従来、半導体素子や圧電振動子等の電子部品を搭載するための小型配線基板は、図５に断面図で、図６に下方からの斜視図で示すように、例えば酸化アルミニウム質焼結体等の電気絶縁材料から成る略平板状の絶縁基体31の側面に、上面側に天井面を有し下面まで延びる複数の凹所32を形成するとともに、絶縁基体31上面から内部を介して凹所32の側壁上端縁まで延出するメタライズ配線25およびこのメタライズ配線25に接続され、凹所32の側壁の上端から下端にかけて導出するメタライズ端子26を配設して成る。
【０００３】
そして、この小型配線基板においては、絶縁基体31の上面に電子部品33を搭載するとともにこの電子部品33の各電極を半田バンプ34等の電気的接続手段を介してメタライズ配線25に電気的に接続し、しかる後、絶縁基体31の上面に電子部品33を封止するようにして図示しないポッティング樹脂や椀状の金属蓋体を取着することによって最終製品としての電子装置となり、この電子装置は、絶縁基体31のメタライズ端子26を外部電気回路基板の配線導体に半田を介して接続することによって外部電気回路基板に実装されることとなる。
【０００４】
ところで、このような小型配線基板は近時の電子装置の小型化の要求に伴い、その大きさが数ｍｍ角程度の極めて小さなものとなってきており、多数個の小型配線基板の取り扱いを容易とするために、また小型配線基板および電子装置の製作を効率よくするために１枚の広面積のセラミック母基板中から多数個の小型配線基板を同時集約的に得るようになした、いわゆる多数個取りセラミック配線基板の形態で製作される。
【０００５】
この多数個取りセラミック配線基板は、図７に部分断面図で、図８に透視部分上面図で示すように、略四角平板状の広面積のセラミック母基板21に多数個の配線基板領域22が各々仮想線である分割線23で区切られるようにして縦横に配列形成されており、各配線基板領域22を区切る分割線23上には、上面側に天井面を有して下面に開口する略円形の端子形成用穴24が形成されている。そして、各配線基板領域22には、その上面から内部を介して端子形成用穴24の側壁の上端縁に導出する複数のメタライズ配線導体25が被着形成されており、さらに端子形成用穴24の側壁の上端から下端にかけてはメタライズ端子26が被着形成されている。
【０００６】
なお、この多数個取りセラミック配線基板においては、通常は、メタライズ配線25およびメタライズ端子26の露出表面に図示しないニッケルめっき膜および金めっき膜を順次被着させており、このめっき膜によりメタライズ配線25やメタライズ端子26が酸化腐食するのを防止するとともにメタライズ配線25と電子部品との接続やメタライズ端子26と外部電気回路基板の配線導体との接続が良好なものとなるようにしている。
【０００７】
そして、この多数個取りセラミック配線基板では、各配線基板領域22の上面に電子部品を搭載するとともに電子部品の各電極とメタライズ配線25とを半田バンプ等を介して電気的に接続し、しかる後、電子部品をポッティング樹脂や金属蓋体で封止し、最後にセラミック母基板21を分割線23に沿ってダイシングマシーン等の切断装置により切断して分割すれば、多数個の電子装置が同時集約的に製作されることとなる。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、この従来の多数個取りセラミック配線基板によると、セラミック母基板21を分割線23に沿ってダイシングマシーン等の切断装置により切断して分割する際に、切断装置の切断刃がメタライズ配線25およびメタライズ端子26を横切って切断することからメタライズ配線25やメタライズ端子26に被着させためっき膜が切断刃との摩擦により端子形成用穴24内に延びてバリを発生し、このバリが各小型配線基板の外部電気回路基板への正常な実装を妨げたり、あるいは各小型配線基板の隣接するメタライズ配線25やメタライズ端子26間に電気的な短絡を引き起こしてしまいやすいという問題点を有していた。また同時に、切断装置の切断刃がメタライズ配線25およびメタライズ端子26を横切って切断することからセラミック母基板21を切断装置で切断した後に、各小型配線基板のメタライズ配線25やメタライズ端子26の切断面がめっき膜で覆われずに露出してしまうこととなり、この部分において腐食が発生してしまい易いという問題点も有していた。さらに、メタライズ配線25とメタライズ端子26とは端子形成用穴24の側壁の上端縁において互いの端部同士のみが狭い面積で接続されており、そのため各配線基板領域22におけるメタライズ配線25とメタライズ端子26との電気的接続の信頼性が低いという問題点を有していた。
【０００９】
本発明は、かかる従来の欠点に鑑み案出されたものであり、その目的は、セラミック母基板を分割線に沿ってダイシングマシーン等の切断装置により切断して分割する際に、メタライズ配線やメタライズ端子に被着させためっき膜にバリが発生することがなく、得られる小型配線基板を外部電気回路基板に正常に実装できるとともに、得られる小型配線基板の隣接するメタライズ配線やメタライズ端子間に電気的短絡が発生しない多数個取りセラミック配線基板を提供することにある。また、本発明の別の目的は、セラミック母基板を分割線に沿って切断分割して各小型配線基板となした後、各小型配線基板におけるメタライズ配線およびメタライズ端子がめっき膜で完全に覆われ、これらのメタライズ配線やメタライズ端子に腐食が発生しにくい多数個取りセラミック配線基板を提供することにある。さらに、本発明の別の目的は、メタライズ配線とメタライズ端子との接続面積が広く、両者間の接続信頼性の高い多数個取りセラミック配線基板を提供することにある。
【００１０】
【課題を解決するための手段】
本発明の多数個取りセラミック配線基板は、略平板状のセラミック母基板に各々が分割線で区切られて配列形成された多数の配線基板領域と、分割線上に形成され、下面側に開口するとともに上面側に天井面を有する端子形成用穴と、この端子形成用穴の側壁の上端から下端にかけて分割線から離間して形成された半円形状の切り欠きと、この切り欠き内に形成されたメタライズ端子と、各配線基板領域の表面から内部を介して端子形成用穴の上端縁にかけて分割線から離間して形成され、メタライズ端子の端部に接続されたメタライズ配線導体とを具備することを特徴とするものである。
【００１１】
本発明の多数個取りセラミック配線基板によれば、メタライズ配線とメタライズ端子とが分割線から離間して設けられていることから、セラミック母基板を分割線に沿ってダイシングマシーン等の切断装置で切断して分割する際に、この離間した部位を切断することにより切断装置の切断刃とメタライズ配線およびメタライズ端子とを接触させることなく切断分割することが可能となり、その結果、メタライズ配線やメタライズ端子に被着させためっき膜に切断刃との摩擦によるバリを発生させるようなことはないと同時にメタライズ配線やメタライズ端子がめっき膜で覆われずに露出するようなことはない。また、メタライズ配線導体は、端子形成用穴の切り欠き部内に形成されたメタライズ端子の端部に接続されていることから、両者が広い面積で信頼性高く接続される。また、切り欠きの形状が半円形状であることから、セラミック母基板を分割線に沿ってダイシングマシーン等の切断装置により切断する際に、切断に伴う応力が切り欠きの近傍に印加されたとしても、その応力は半円形状の切り欠きの内壁に沿って良好に分散されるので、得られる小型配線基板にクラック等が発生しにくい。
【００１２】
【発明の実施の形態】
つぎに、本発明の多数個取りセラミック配線基板について添付の図面を基に説明する。
【００１３】
図３は、本発明の多数個取りセラミック配線基板から製作される小型配線基板の実施形態例を示す断面図、図４は、図３に示す小型配線基板の下方からの斜視図である。
【００１４】
図３および図４に示すように、本発明の多数個取りセラミック配線基板から製作される小型配線基板11は、セラミックス材料から成る略四角平板状の絶縁基体12にメタライズ配線５とメタライズ端子７とメタライズパッド８とを配設して成る。そして、絶縁基体12の上面には半導体素子等の電子部品13が搭載され、この電子部品13の電極が半田や金から成るバンプ14を介してメタライズ配線５に接続される。また、メタライズ端子７およびメタライズパッド８は図示しない外部電気回路基板の配線導体に半田を介して接続され、それにより小型配線基板11が外部電気回路基板に実装される。
【００１５】
絶縁基体12は大きさが略0.5〜10ｍｍ角程度、厚みが0.2〜１ｍｍ程度であり、その側面に、上面側に天井面を有して下面まで延びる略半円形状の複数の凹所15が形成されている。凹所15は、その半径が150〜400μｍ程度、高さが100〜500μｍ程度である。そして、絶縁基体12の上面から凹所15の内側の上端縁にかけてはメタライズ配線５が導出している。なお、この例では凹所15の形状は、略半円形状であるが、凹所15の形状は略半円形状に限らず略半長円形状や略半四角形状等他の形状であってもかまわない。さらに、各凹所15の側壁には、その上端から下端にかけて半円形状の切り欠き６がそれぞれ形成されている。切り欠き６は、その半径が25〜125μｍ程度である。そして、この切り欠き６内にはメタライズ端子７が充填されており、メタライズ配線５はメタライズ端子７の上端に接続されている。そのためメタライズ配線５とメタライズ端子７とが広い面積で接続されている。さらに、絶縁基体12の内部から凹所15の天井面にかけてはメタライズパッド８が導出している。メタライズパッド８は、その一部がメタライズ配線５の一部に積層されており、それによりメタライズ配線５およびメタライズ端子７に電気的に接続されている。そして、メタライズパッド８が凹所15の天井面に導出していることから、この小型配線基板11を外部電気回路基板に実装する際、凹所15の天井面に導出したメタライズパッド８と外部電気回路基板の配線導体との間に大きな半田の溜まりを形成することが可能である。なお、メタライズ配線５とメタライズ端子７とメタライズパッド８とは、凹所15の外側の端縁から100〜400μｍ程度離間して設けられており、その露出する全面に厚みが１〜５μｍ程度のニッケルめっき膜および厚みが0.1〜２μｍ程度の金めっき膜が順次被着されている。そのため、メタライズ配線５とメタライズ端子７とメタライズパッド８とが酸化腐食するのを有効に防止することができるとともに、メタライズ配線５とバンプ14との接続やメタライズ端子７およびメタライズパッド８と半田との接続を良好なものとなすことが可能である。
【００１６】
次に、上述の小型配線基板11を製作するための本発明の多数個取りセラミック配線基板の実施形態例を図１に部分断面図で、図２に透視部分上面図で示す。図１および図２において、１はセラミック母基板、２は配線基板領域である。
【００１７】
セラミック母基板１は、酸化アルミニウム質焼結体や窒化アルミニウム質焼結体・ムライト質焼結体・窒化珪素質焼結体・炭化珪素質焼結体・ガラス−セラミックス等の電気絶縁材料から成る略四角平板であり、その中央部に各々が仮想線である分割線３で区切られた多数の配線基板領域２が縦横に配列形成されている。
【００１８】
セラミック母基板１は、例えば酸化アルミニウム質焼結体からなる場合であれば、酸化アルミニウム・酸化珪素・酸化カルシウム・酸化マグネシウム等の原料粉末に適当な有機バインダおよび溶剤を添加混合して泥漿状となすとともに、これを従来周知のドクタブレード法を採用してシート状に形成して複数枚のセラミックグリーンシートを得、しかる後、このセラミックグリーンシートに適当な打ち抜き加工およびタングステンやモリブデン等の高融点金属粉末を含む金属ペーストの印刷を施すとともに積層し、これを還元雰囲気中、約1600℃の温度で焼成することによって製作される。
【００１９】
セラミック母基板１に配列形成された各配線基板領域２は、各々が上述の小型配線基板11となる領域であり、セラミック母基板１を分割線３に沿ってダイシングマシーン等の切断装置により切断して分割することにより多数個の小型配線基板11が同時集約的に製作される。
【００２０】
また、セラミック母基板１の下面側で分割線３上には上面側に天井面を有する半径が150〜400μｍで高さが100〜500μｍ程度の略円形の端子形成用穴４が形成されている。端子形成用穴４は、小型配線基板11の凹所15となる部分であり、セラミック母基板１が分割線３に沿って分割されることにより各小型配線基板11の凹所15を形成する。このような端子形成用穴４は、セラミック母基板１用のセラミックグリーンシートの所定位置に打ち抜き金型を用い略円形の貫通孔を穿孔しておくことによってセラミック母基板１の下面側で分割線３上に所定の形状に形成される。なお、この例では端子形成用穴４は略円形であるが、端子形成用穴４は長円形や四角形等他の形状であってもかまわない。
【００２１】
また、各配線基板領域２には、その上面から端子形成用穴４の上端縁にかけて複数個のメタライズ配線５が分割線３から約100〜400μｍ程度離間して配設されている。メタライズ配線５は、タングステンやモリブデン・銀・銅等の金属粉末メタライズから成り、搭載される電子部品の各電極を外部の電気回路に電気的に導出するための導電路の一部として機能し、そして、このメタライズ配線５の露出表面にはメタライズ配線５の酸化腐食を防止するとともにメタライズ配線５と半田バンプ等との電気的接続を良好なものとするために、図示しない１〜５μｍ程度の厚みのニッケルめっき膜および0.1〜２μｍ程度の厚みの金めっき膜が順次被着されている。この場合、メタライズ配線５は、分割線３から約100〜400μｍ程度離間して設けられていることから、セラミック母基板１を分割線３に沿ってダイシングマシーン等の切断装置により切断する際に、この離間した部分を切断装置の切断刃が通過するようにして切断することにより切断刃とメタライズ配線５とを接触させることなく切断することが可能となる。その結果、セラミック母基板１を分割線３に沿ってダイシングマシーン等の切断装置により切断する際に、メタライズ配線５に被着させためっき膜に切断装置の切断刃との摩擦によりバリが発生することはなく、また、切断後にメタライズ配線５がめっき膜で覆われずに露出することもない。
【００２２】
なお、メタライズ配線５は、分割線３からの離間距離が100μｍ未満となると、セラミック母基板１を分割線３に沿ってダイシングマシーン等の切断装置により切断する際に、切断装置の切断刃とメタライズ配線５とを接触させることなく切断することが困難となる傾向にあり、他方、分割線３からの離間距離が400μｍを超えると、この離間部分が各配線基板領域２中に無駄な領域を増大させ、配線基板領域２内部を有効に利用することが困難となってしまう傾向にある。したがって、メタライズ配線５の分割線３からの離間距離は、100〜400μｍの範囲が好ましく、特には125〜200μｍの範囲が好ましい。
【００２３】
このようなメタライズ配線５は、セラミック母基板１用のセラミックグリーンシートの一部にメタライズ配線５を導出させるための貫通孔を打ち抜き金型やレーザ穿孔装置によって穿孔するとともに、この貫通孔内およびセラミックグリーンシートの表面にメタライズ配線５用の金属ペーストを従来周知のスクリーン印刷法等を採用して所定パターンに充填および塗布し、これをセラミックグリーンシートの積層体とともに焼成することによってセラミック母基板１の各配線基板領域２の上面から端子形成用穴４の上端縁にかけて分割線３から約100〜400μｍ程度離間して被着形成される。なお、メタライズ配線５用の金属ペーストは、例えばメタライズ配線５がタングステン粉末メタライズから成る場合であれば、タングステン粉末に適当な有機バインダ・溶剤・可塑剤等を添加混合して適当な粘度に調整することによって得られる。
【００２４】
さらに、各端子形成用穴４には分割線３から100〜400μｍ程度離間して各配線基板領域２の中央側に食い込む半径が25〜125μｍ程度の略半円形の切り欠き６がその上端から下端にかけて形成されており、この切り欠き６の内部にはメタライズ端子７が充填されている。
【００２５】
切り欠き６は、メタライズ端子７を収容するための空間を提供するためのものであり、この切り欠き６の内部に充填されたメタライズ端子７の上端面を覆うようにしてメタライズ配線５が接続されている。そして、切り欠き６に十分な幅と奥行きを付与することにより、メタライズ端子７の端面の面積を大きなものとしてメタライズ配線５とメタライズ端子７との接続を極めて信頼性の高いものとすることが可能である。なお、そのためには、切り欠き６は、その幅が100μｍ程度以上であり、その奥行きが50μｍ程度以上であることが好ましい。
【００２６】
また、切り欠き６は、その形状が半円形状となっていることにより、セラミック母基板１を分割線３に沿ってダイシングマシーン等の切断装置により切断する際に、切断に伴う応力が切り欠き６の近傍に印加されたとしても、その応力は半円形状の切り欠き６の内壁に沿って良好に分散されるので、得られる小型配線基板11にクラック等が発生しにくい。従って、切り欠き６は、その形状が半円形状となっている。
【００２７】
切り欠き６内に充填されたメタライズ端子７は、タングステンやモリブデン・銀・銅等の金属粉末メタライズから成り、搭載される電子部品の各電極を後述するメタライズパッド８とともに外部電気回路基板の配線導体に電気的に接続するための端子として機能し、各配線基板領域２に電子部品を搭載するとともにセラミック母基板１を分割線３に沿って分割して小型配線基板11となした後、このメタライズ端子７を外部電気回路基板の配線導体に半田を介して接続することによって、電子部品の各電極がメタライズ配線５およびメタライズ端子７およびメタライズパッド８を介して外部電気回路に電気的に接続される。また、このメタライズ端子７の露出表面にはメタライズ端子７の酸化腐食を防止するとともにメタライズ端子７と外部電気回路基板の配線導体との半田を介した接続を良好なものとするために、図示しない１〜５μｍ程度の厚みのニッケルめっき膜および0.1〜２μｍ程度の厚みの金めっき膜が順次被着されている。そして、メタライズ端子７は、分割線３から約100〜400μｍ程度離間した切り欠き６内に設けられていることから、セラミック母基板１を分割線３に沿ってダイシングマシーン等の切断装置により切断する際に、この離間した部分を切断装置の切断刃が通過するようにして切断することにより切断刃とメタライズ端子７とを接触させることなく切断することが可能となる。その結果、セラミック母基板１を分割線３に沿ってダイシングマシーン等の切断装置により切断する際に、メタライズ端子７に被着させためっき膜に切断装置の切断刃との摩擦によりバリが発生することはなく、また、切断後にメタライズ端子７がめっき膜で覆われずに露出することもない。なお、メタライズ端子７は、分割線３からの離間距離が100μｍ未満となると、セラミック母基板１を分割線３に沿ってダイシングマシーン等の切断装置により切断する際に、切断装置の切断刃とメタライズ端子７とを接触させることなく切断することが困難となる傾向にあり、他方、分割線３からの離間距離が400μｍを超えると、この離間部分が各配線基板領域２中に無駄な領域を増大させ、配線基板領域２を有効に利用することが困難となってしまう傾向にある。したがって、メタライズ端子７の分割線３からの離間距離は、100〜400μｍの範囲が好ましく、特には125〜200μｍの範囲が好ましい。
【００２８】
このような切り欠き６およびメタライズ端子７は、まず端子形成用穴４用の貫通孔が形成される前のセラミック母基板１用のセラミックグリーンシートに切り欠き６用の半径25〜125μｍ程度の略円形の貫通孔をその中心が分割線３となる位置から100〜400μｍ程度離間するようにして形成し、次に、この貫通孔内にメタライズ端子７用の金属ペーストを充填し、これを乾燥させた後、このセラミックグリーンシートに端子形成用穴４用の貫通孔をその一部が金属ペーストが充填された貫通孔の分割線側の約半分にまたがるようにして打ち抜くことによって形成される。
【００２９】
なお、メタライズ配線５がメタライズ端子７の上端面を覆うようにして両者を接続させるには、セラミック母基板１用のセラミックグリーンシートに形成された切り欠き６用の貫通孔内にメタライズ端子７用の金属ペーストを充填した後、この貫通孔に充填された金属ペーストを覆うようにしてメタライズ配線５用の金属ペーストを印刷塗布すればよい。このメタライズ配線５用の金属ペーストの印刷塗布は、端子形成用穴４用の貫通孔を打ち抜く前に行なってもよいし、打ち抜いた後に行なってもよい。
【００３０】
またさらに、各配線基板領域２の内部から端子形成用穴４の天井面にかけては、タングステンやモリブデン・銀・銅等の金属粉末メタライズから成るメタライズパッド８が分割線３から100〜400μｍ程度離間して配設されている。メタライズパッド８は、搭載される電子部品の各電極を前述のメタライズ端子７とともに外部電気回路基板の配線導体に電気的に接続するための端子として機能し、その一部はメタライズ配線５の一部に積層されて接続されている。そして、セラミック母基板１を分割して得られる小型配線基板11を外部電気回路基板に実装する際に、このメタライズパッド８により外部電気回路基板の配線導体との間に大きな半田の溜まりが形成され、それにより小型配線基板11の外部電気回路基板への実装強度を極めて高いものとすることができる。このメタライズパッド８の露出表面にはメタライズパッド８の酸化腐食を防止するとともにメタライズパッド８と半田との電気的接続を良好なものとするために、図示しない１〜５μｍ程度の厚みのニッケルめっき膜および0.1〜２μｍ程度の厚みの金めっき膜が順次被着されている。そして、メタライズパッド８は、分割線３から約100〜400μｍ程度離間して設けられていることから、セラミック母基板１を分割線３に沿ってダイシングマシーン等の切断装置により切断する際に、この離間した部分を切断装置の切断刃が通過するようにして切断することにより切断刃とメタライズパッド８とを接触させることなく切断することが可能となる。その結果、セラミック母基板１を分割線３に沿ってダイシングマシーン等の切断装置により切断する際に、メタライズパッド８に被着させためっき膜に切断装置の切断刃との摩擦によりバリが発生することはなく、また、切断後にメタライズパッド８がめっき膜で覆われずに露出することもない。
【００３１】
なお、メタライズパッド８は、分割線３からの離間距離が100μｍ未満となると、セラミック母基板１を分割線３に沿ってダイシングマシーン等の切断装置により切断する際に、切断装置の切断刃とメタライズパッド８とを接触させることなく切断することが困難となる傾向にあり、他方、分割線３からの離間距離が400μｍを超えると、この離間部分が各配線基板領域２中に無駄な領域を増大させ、配線基板領域２を有効に利用することが困難となってしまう傾向にある。したがって、メタライズパッド８の分割線３からの離間距離は、100〜400μｍの範囲が好ましく、特には125から200μｍの範囲が好ましい。
【００３２】
このようなメタライズパッド８は、セラミック母基板１用のセラミックグリーンシートの表面にメタライズパッド８用の金属ペーストを従来周知のスクリーン印刷法等を採用して所定のパターンに印刷塗布し、これをセラミックグリーンシートの積層体とともに焼成することによって各配線基板領域２の内部から端子形成用穴４の天井面にかけて分割線３から100〜400μｍ程度離間して形成される。なお、メタライズパッド８用の金属ペーストは、メタライズ端子パッド８がタングステン粉末メタライズから成る場合であれば、タングステン粉末に適当なバインダ・溶剤等を添加混合して適当な粘度に調整することによって製作される。
【００３３】
かくして、本発明の多数個取りセラミック配線基板によれば、各配線基板領域２の上面に電子部品を搭載するとともにこの電子部品の各電極を各々対応するメタライズ配線５に半田バンプ等の電気的接続手段を介して接続した後、各配線基板領域２の上面に電子部品を封止するようにしてポッティング樹脂や金属蓋体を取着し、最後にセラミック母基板１を分割線３に沿ってダイシングマシーン等の切断装置で切断して分割することにより、小型配線基板に電子部品が搭載された電子装置が多数個、同時集約的に製作される。
【００３４】
なお、本発明は、上述の実施の形態の一例に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲であれば、種々の変更は可能であり、例えば上述の実施の形態例では、各配線基板領域２の内部から端子形成用穴４の天井面にかけて導出するメタライズパッド８を設けたが、このようなメタライズパッド８は必ずしも設ける必要はない。また、各配線基板領域２の下面にメタライズ端子７の下端に接続された外部接続用のメタライズパッドを設けてもよい。
【００３５】
【発明の効果】
本発明の多数個取りセラミック配線基板によれば、メタライズ配線とメタライズ端子とが分割線から離間して設けられていることから、セラミック母基板を分割線に沿ってダイシングマシーン等の切断装置で切断して分割する際に、この離間した部位を切断することにより切断装置の切断刃とメタライズ配線およびメタライズ端子とを接触させることなく切断分割することが可能となり、その結果、メタライズ配線やメタライズ端子に被着させためっき膜に切断装置の切断刃との摩擦によるバリを発生させるようなことはない。従って、得られる電子装置を外部電気回路基板に正常に実装することができるとともにメタライズ配線やメタライズ端子に電気的な短絡が発生することを有効に防止することができる。また同時に、メタライズ配線やメタライズ端子がめっき膜で覆われずに露出するようなことがないので、メタライズ配線やメタライズ端子に腐食が発生しにくい。さらに、メタライズ配線が、端子形成用穴の内壁の切り欠き内に形成されたメタライズ端子の端部に接続されていることから、両者が広い面積で信頼性高く接続される。また、切り欠きの形状が半円形状であることから、セラミック母基板を分割線に沿ってダイシングマシーン等の切断装置により切断する際に、切断に伴う応力が切り欠きの近傍に印加されたとしても、その応力は半円形状の切り欠きの内壁に沿って良好に分散されるので、得られる小型配線基板にクラック等が発生しにくい。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の多数個取りセラミック配線基板を分割して製作される小型配線基板の断面図である。
【図２】図１に示す小型配線基板の下面側からの斜視図である。
【図３】図１および図２に示す小型配線基板を製作するための本発明の多数個取りセラミック配線基板の実施形態の一例を示す部分断面図である。
【図４】図３に示す多数個取りセラミック配線基板の透視部分上面図である。
【図５】従来の多数個取りセラミック配線基板から製作される小型配線基板の例を示す断面図である。
【図６】図５に示す小型配線基板の下面側からの斜視図である。
【図７】図５および図６に示す小型配線基板を製作するための従来の多数個取りセラミック配線基板の部分断面図である。
【図８】図７に示す多数個取りセラミック配線基板の透視部分上面図である。
【符号の説明】
１・・・セラミック母基板
２・・・配線基板領域
３・・・分割線
４・・・端子形成用穴
５・・・メタライズ配線
６・・・切り欠き
７・・・メタライズ端子
８・・・メタライズパッド
【図１】
0004651152.tif 000002
【図２】
0004651152.tif 000003
【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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