(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
ベース基板と、赤外線を吸収するとともに該吸収による温度変化を検知する温度検知部と、温度検知部がベース基板の一表面から離間して配置されるように温度検知部を支持して温度検知部とベース基板とを熱絶縁する断熱部とを備え、断熱部は、ベース基板の前記一表面から離間して配置されベース基板側とは反対側に温度検知部が積層される支持部と、多孔質材料により形成されてなり支持部とベース基板とを連結した脚部とを有し、支持部は、厚み方向に離間した２層の熱絶縁層を有し、離間した熱絶縁層間の間隙を保つ形で両熱絶縁層を連結した連結部が設けられてなり、支持部において各熱絶縁層および連結部は、多孔質材料により形成されてなることを特徴とする赤外線センサ。
【請求項２】
前記温度検知部は、前記脚部に沿って延長された配線を介して前記ベース基板の前記一表面上の導体パターンと電気的に接続されてなり、前記脚部は、前記ベース基板の前記一表面側に立設された円筒状の支持ポスト部と、支持ポスト部の上端部と前記温度検知部に接する前記熱絶縁層とを連結した梁部とで構成され、配線のうち支持ポスト部に形成されている部位は、支持ポスト部の内周面と導体パターンの表面とに跨って形成されてなることを特徴とする請求項１記載の赤外線センサ。
【請求項３】
前記支持部は、前記厚み方向における前記間隙の長さが前記温度検知部における検出対象の赤外線の中心波長の４分の１の奇数倍の値に設定されてなることを特徴とする請求項１または請求項２記載の赤外線センサ。
【請求項４】
前記多孔質材料は、多孔質の酸化シリコン、多孔質の酸化シリコン系有機ポリマー、多孔質の酸化シリコン系無機ポリマーの群から選択される材料であることを特徴とする請求項１ないし請求項３のいずれかに記載の赤外線センサ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、赤外線センサに関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来から、熱型の赤外線センサとして、温度検知部がベース基板の一表面から離間して配置され、温度検知部が当該温度検知部とベース基板とを熱絶縁する断熱部を介してベース基板に支持された赤外線センサが提案されている（例えば、特許文献１参照）。
【０００３】
上記特許文献１に開示された赤外線センサでは、断熱部が、ベース基板の上記一表面から離間して配置されベース基板側とは反対側に温度検知部が積層される支持部と、支持部の側縁から延長された２つの脚部とで構成されており、支持部とベース基板の上記一表面との間に間隙が形成され、温度検知部に接続された金属配線が各脚部それぞれに沿って形成されている。ここにおいて、上記特許文献１に開示された赤外線センサでは、断熱部が、シリコン酸化膜とシリコン窒化膜との積層膜をパターニングすることにより形成されている。また、上記特許文献１に開示された赤外線センサでは、赤外線を吸収する赤外線吸収層が温度検知部に積層されている。
【０００４】
なお、上記特許文献１には、赤外線吸収層と温度検知部とを備えたセンサ部を２次元アレイ状（マトリクス状）に配列し各センサ部が画素を構成するようにした赤外線センサ（赤外線画像センサ）も開示されている。
【特許文献１】特開２０００−９７７６５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
ところで、上記特許文献１に開示された赤外線センサでは、赤外線吸収による温度検知部の温度変化を大きくすることで高感度化を図るために、断熱部における各脚部の全長を長くして各脚部の熱コンダクタンスを小さくする（熱抵抗を大きくする）ことや、赤外線吸収層の厚さ寸法を大きくすることで赤外線の吸収効率を高めることが考えられる。
【０００６】
しかしながら、上記特許文献１に開示された赤外線センサでは、温度検知部のサイズを変更することなしに各脚部の全長を長くするように設計すると、センサ全体のサイズが大きくなってしまうとともに、各脚部の熱容量が大きくなって応答速度が低下してしまい、一方、赤外線吸収層の厚さ寸法を大きくすると赤外線吸収層の熱容量が大きくなって応答速度が低下してしまう。
【０００７】
本発明は上記事由に鑑みて為されたものであり、その目的は、高感度化および応答速度の高速化を図れる赤外線センサを提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
請求項１の発明は、ベース基板と、赤外線を吸収するとともに該吸収による温度変化を検知する温度検知部と、温度検知部がベース基板の一表面から離間して配置されるように温度検知部を支持して温度検知部とベース基板とを熱絶縁する断熱部とを備え、断熱部は、ベース基板の前記一表面から離間して配置されベース基板側とは反対側に温度検知部が積層される支持部と、多孔質材料により形成されてなり支持部とベース基板とを連結した脚部とを有し、支持部は、厚み方向に離間した２層の熱絶縁層を有し、離間した熱絶縁層間の間隙を保つ形で両熱絶縁層を連結した連結部が設けられてなり、支持部において各熱絶縁層および連結部は、多孔質材料により形成されてなることを特徴とする。
【０００９】
この発明によれば、温度検知部とベース基板とを熱絶縁する断熱部における脚部が多孔質材料により形成されているので、脚部の熱コンダクタンスを小さくできて高感度化を図れるとともに脚部の熱容量を小さくできて応答速度の高速化を図れ、しかも、断熱部における支持部が、厚み方向に離間した２層の熱絶縁層を有するとともに離間した熱絶縁層間の間隙を保つ形で両熱絶縁層を連結した連結部を有しているので、熱コンダクタンスおよび熱容量が小さく且つ機械的強度の高い支持部の形成が可能となり、より一層の高感度化および高速化を図れる。また、この発明によれば、支持部において各熱絶縁層および連結部が、多孔質材料により形成されているので、温度検知部に接する熱絶縁層が非多孔質材料により形成されている場合に比べて、温度検知部に接する熱絶縁層の低熱容量化を図れ、応答速度のより一層の高速化を図れる。
【００１０】
請求項２の発明は、請求項１の発明において、前記温度検知部は、前記脚部に沿って延長された配線を介して前記ベース基板の前記一表面上の導体パターンと電気的に接続されてなり、前記脚部は、前記ベース基板の前記一表面側に立設された円筒状の支持ポスト部と、支持ポスト部の上端部と前記温度検知部に接する前記熱絶縁層とを連結した梁部とで構成され、配線のうち支持ポスト部に形成されている部位は、支持ポスト部の内周面と導体パターンの表面とに跨って形成されてなることを特徴とする。
【００１１】
この発明によれば、支持ポスト部が配線により補強される。
【００１２】
請求項３の発明は、請求項１または請求項２の発明において、前記支持部は、前記厚み方向における前記間隙の長さが前記温度検知部における検出対象の赤外線の中心波長の４分の１の奇数倍の値に設定されてなることを特徴とする。
【００１３】
この発明によれば、前記支持部が前記温度検知部を透過した中心波長の赤外線に共振する共振器を構成することとなり、前記温度検知部での赤外線の吸収効率が高くなって感度が高くなる。
【００１４】
請求項４の発明は、請求項１ないし請求項３の発明において、前記多孔質材料は、多孔質の酸化シリコン、多孔質の酸化シリコン系有機ポリマー、多孔質の酸化シリコン系無機ポリマーの群から選択される材料であることを特徴とする。
【００１５】
この発明によれば、前記断熱部の形成にあたっては、ゾルゲル溶液を前記ベース基板の前記一表面側に回転塗布してから、乾燥させるプロセスを採用することができ、前記断熱部を容易に形成することが可能となる。
【発明の効果】
【００１６】
請求項１の発明は、高感度化および応答速度の高速化を図れるという効果がある。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１７】
以下、本実施形態の赤外線センサについて図１を参照しながら説明する。
【００１８】
本実施形態の赤外線センサは、シリコン基板１ａと当該シリコン基板１ａの一表面側に形成されたシリコン酸化膜からなる絶縁膜１ｂとで構成される矩形板状のベース基板１と、赤外線を吸収するとともに該吸収による温度変化を検知する温度検知部３と、温度検知部３がベース基板１の一表面（図１（ｂ）における上面）から離間して配置されるように温度検知部３を支持して温度検知部３とベース基板１とを熱絶縁する断熱部４とを備えている。
【００１９】
断熱部４は、ベース基板１の上記一表面から離間して配置されベース基板１側とは反対側に温度検知部３が積層される支持部４１と、支持部４１とベース基板１とを連結した２つの脚部４２，４２とを有している。なお、断熱部４については、後述する。
【００２０】
温度検知部３は、温度に応じて電気抵抗値が変化するボロメータ形のセンシングエレメントであり、支持部４１上のチタン膜と当該チタン膜上の窒化チタン膜との積層膜とからなるセンサ層で構成されている。ここで、窒化チタン膜は、チタン膜の酸化防止膜として設けてある。なお、センサ層の材料としては、チタンに限らず、例えば、アモルファスシリコン、酸化バナジウムなどを採用してもよい。また、温度検知部３は、温度に応じて電気抵抗値が変化するセンシングエレメントに限らず、温度に応じて誘電率が変化するセンシングエレメント、サーモパイル型のセンシングエレメント、焦電型のセンシングエレメントなどを採用してもよく、いずれのセンシングエレメントを採用した場合でも、材料を適宜選択することで一般的な薄膜形成技術を利用して形成することができる。ここにおいて、温度に応じて誘電率の変化するセンシングエレメントの材料としては、例えば、ＰＺＴ、ＢＳＴなどを採用すればよい。
【００２１】
温度検知部３は、平面形状が蛇行した形状（ここでは、つづら折れ状の形状）に形成されており、両端部が断熱部４の脚部４２，４２に沿って延長された配線８，８を介してベース基板１の上記一表面上の金属膜（例えば、Ａｌ−Ｓｉ膜など）からなる導体パターン１０，１０と電気的に接続されている。ここにおいて、本実施形態では、配線８，８の材料として、温度検知部３を構成するセンサ層と同じ材料を採用しており（ここでは、チタン膜と窒化チタン膜との積層膜）、配線８，８と温度検知部３とを同時に形成している。また、本実施形態では、各導体パターン１０，１０の材料としてＡｌ−Ｓｉを採用しており、各導体パターン１０，１０それぞれの一部がパッドを構成しているので、一対のパッドを通して温度検知部３の出力を外部へ取り出すことができる。
【００２２】
また、本実施形態の赤外線センサでは、支持部４１におけるベース基板１側とは反対側に、赤外線を吸収する赤外線吸収層５が温度検知部３を覆うように積層されており、ベース基板１の上記一表面側に、赤外線吸収層５および温度検知部３および支持部４１を透過した赤外線を温度検知部３側へ反射する赤外線反射膜６が設けられている。ここにおいて、本実施形態の赤外線センサは、検出対象の赤外線として人体から放射される８μｍ〜１３μｍの波長帯の赤外線を想定しており、赤外線吸収層５の材料としてＳｉＯＮを採用しているが、赤外線吸収層５の材料はＳｉＯＮに限らず、例えばＳｉ３Ｎ４、ＳｉＯ２、金黒などを採用してもよい。一方、赤外線反射膜６の材料としては、Ａｌ−Ｓｉを採用している。
【００２３】
ところで、支持部４１は、厚み方向に離間した２層の熱絶縁層４１ａ，４１ｂを有し（以下では、説明の便宜上、ベース基板１に近い側の熱絶縁層４１ａを第１の熱絶縁層４１ａ、ベース基板１から遠い側の熱絶縁層４１ｂを第２の熱絶縁層４１ｂと称することもある）、離間した熱絶縁層４１ａ，４１ｂ間の間隙４１ｄを保つ形で両熱絶縁層４１ａ，４１ｂを連結した複数の柱状の連結部４１ｃが設けられている（本実施形態では、９つの連結部４１ｃが３×３のマトリクス状に配置されている）。ここにおいて、複数の連結部４１ｃは、厚み方向に離間した２層の熱絶縁層４１ａ，４１ｂのうち温度検知部３に接する第２の熱絶縁層４１ｂと連続一体に形成してある。なお、本実施形態では、上述のように連結部４１ｃを９つ設けてあるが、連結部４１ｃの数は特に限定するものではなく、例えば、２層の熱絶縁層４１ａ，４１ｂの四隅同士を連結するように４つ設けるようにしてもよいし、２層の熱絶縁層４１ａ，４１ｂの中央部同士を連結するように１つ設けるようにしてもよい。
【００２４】
また、断熱部４における上述の脚部４２，４２は、ベース基板１の上記一表面側に立設された２つの円筒状の支持ポスト部４２ａ，４２ａと、各支持ポスト部４２ａ，４２ａそれぞれの上端部と温度検知部３に接する第２の熱絶縁層４１ｂとを連結した梁部４２ｂ，４２ｂとで構成されており、支持部４１とベース基板１との間に間隙７が形成されている。ここで、支持部４１の外周形状が矩形状であって、各梁部４２ｂ，４２ｂは、支持部４１の一側縁の長手方向の一端部から当該一側縁に直交する方向に延長され更に当該一側縁の上記一端部から他端部に向う方向に沿って延長された平面形状に形成されており、支持部４１の厚み方向に沿った中心軸に対して回転対称性を有するように配置されている。なお、上述の配線８，８のうち脚部４２，４２の梁部４２ｂ，４２ｂ上に形成された部位の線幅は、当該配線８，８を通した熱伝達を抑制するために梁部４２ｂ，４２ｂの幅寸法よりも十分に小さく設定してある。また、配線８，８のうち支持ポスト部４２ａ，４２ａに形成されている部位は、支持ポスト部４２ａ，４２ａの内周面の全体と導体パターン１０，１０の表面とに跨って形成されており、支持ポスト部４２ａ，４２ａが配線８，８により補強されている。
【００２５】
また、本実施形態の赤外線センサでは、断熱部４の脚部４２，４２および支持部４１が多孔質材料により形成されている。ここで、断熱部４の脚部４２，４２および支持部４１の多孔質材料として、多孔質の酸化シリコンの一種であるポーラスシリカを採用しているが、多孔質の酸化シリコン系有機ポリマーの一種であるメチル含有ポリシロキサン、多孔質の酸化シリコン系無機ポリマーの一種であるＳｉ−Ｈ含有ポリシロキサン、シリカエアロゲルなどを採用してもよく、多孔質材料として、多孔質の酸化シリコン、多孔質の酸化シリコン系有機ポリマー、多孔質の酸化シリコン系無機ポリマーの群から選択される材料を採用すれば、断熱部４の形成にあたっては、ゾルゲル溶液をベース基板１の上記一表面側に回転塗布してから、乾燥させるプロセスを採用することができ、断熱部４を容易に形成することが可能となる。
【００２６】
ここにおいて、本実施形態における脚部４２，４２は、多孔度が６０％のポーラスシリカ膜により構成してあるが、多孔度が小さ過ぎると十分な断熱効果が得られず多孔度が大き過ぎると機械的強度が弱くなって構造形成が困難となるので、ポーラスシリカ膜の多孔度は例えば４０％〜８０％程度の範囲内で適宜設定すればよい。
【００２７】
ここで、２つの脚部４２，４２合計の熱コンダクタンスＧは、脚部４２の材料の熱伝導率をα〔Ｗ／（ｍ・Ｋ）〕、脚部４２の長さをＬ〔μｍ〕、脚部４２の断面積をＳとすれば、Ｇ＝２×α×（Ｓ／Ｌ）で求められるが、仮に、脚部４２の材料がＳｉＯ２の場合には、α＝１．４〔Ｗ／（ｍ・Ｋ）〕、Ｌ＝５０〔μｍ〕、Ｓ＝１０〔μｍ２〕とすれば、熱コンダクタンスＧは、
Ｇ＝２×α×（Ｓ／Ｌ）＝５６０×１０−９〔Ｗ／Ｋ〕となる。
【００２８】
これに対して、本実施形態のように、脚部４２を多孔度が６０％のポーラスシリカ膜により構成している場合には、α＝０．０５〔Ｗ／（ｍ・Ｋ）〕、Ｌ＝５０〔μｍ〕、Ｓ＝１０〔μｍ２〕とすれば、熱コンダクタンスＧは、
Ｇ＝２×α×（Ｓ／Ｌ）＝２．０×１０−8〔Ｗ／Ｋ〕
となり、熱コンダクタンスＧを脚部４２がＳｉＯ２膜により構成される比較例の熱コンダクタンスＧの１０分の１よりも小さな値とすることができ、脚部４２，４２を通した熱伝達をより抑制することができ、高感度化を図れる。
【００２９】
また、２つの脚部４２，４２合計の熱容量Ｃは、支持ポスト部４２ａ，４２ａの熱容量を無視し（支持ポスト部４２ａ，４２ａの熱容量は梁部４２ｂ，４２ｂの熱容量に対して無視できる程度に小さい）、梁部４２ｂの体積比熱をｃv、梁部４２ｂの面積（厚み方向に直交する断面の面積）をＡ〔μｍ２〕、梁部４２ｂの厚さをｔ〔μｍ〕とすれば、Ｃ＝２×ｃv×Ａ×ｔで求められる。ここで、仮に、梁部４２ｂの材料がＳｉＯ２の場合には、ｃv＝１．８×１０６〔Ｊ／（ｍ３・Ｋ）〕、Ａ＝２５００〔μｍ２〕、ｔ＝０．５〔μｍ〕とすれば、２つの脚部４２，４２合計の熱容量Ｃは、
Ｃ＝２×ｃv×Ａ×ｔ≒４５．２×１０−１０〔Ｊ／Ｋ〕となる。
【００３０】
これに対して、本実施形態のように、脚部４２を多孔度が６０％のポーラスシリカ膜により構成している場合には、ｃv＝０．８８×１０６〔Ｊ／（ｍ３・Ｋ）〕、Ａ＝２５００〔μｍ２〕、ｔ＝０．５〔μｍ〕とすれば、２つの脚部４２，４２合計の熱容量Ｃは、
Ｃ＝ｃv×Ａ×ｔ＝２２．０×１０−１０〔Ｊ／Ｋ〕
となり、熱容量Ｃを脚部４２がＳｉＯ２膜により構成される比較例の熱容量Ｃの半分よりも小さな値とすることができ、時定数が小さくなって応答速度の高速化を図れる。
【００３１】
以下、本実施形態の赤外線センサの製造方法について図２〜図４を参照しながら説明する。なお、図２〜図４では、図１（ｂ）と同様に、図１（ａ）のＡ−Ａ’断面に対応する部位の断面を示してある。
【００３２】
まず、ベース基板１の基礎となる単結晶のシリコン基板（後述のダイシングを行うまではウェハ）１ａの一表面側にシリコン酸化膜からなる絶縁膜１ｂを例えば熱酸化法により形成することによって、図２（ａ）に示す構造を得る。
【００３３】
その後、シリコン基板１ａと絶縁膜１ｂとからなるベース基板１の一表面側（図２（ａ）における上面側）の全面に導体パターン１０，１０および赤外線反射膜６の材料からなる金属膜（例えば、Ａｌ−Ｓｉ膜など）をスパッタ法などにより成膜した後、フォトリソグラフィ技術およびエッチング技術を利用して上記金属膜をパターニングすることでそれぞれ上記金属膜の一部からなる導体パターン１０，１０および赤外線反射膜６を形成することによって、図２（ｂ）に示す構造を得る。
【００３４】
次に、ベース基板１の上記一表面側の全面にレジストを回転塗布してレジスト層からなる第１の犠牲層２１を成膜することによって、図２（ｃ）に示す構造を得る。
【００３５】
その後、第１の犠牲層２１上に第１の熱絶縁層４１ａの材料である多孔質材料（例えば、ポーラスシリカ、シリカエアロゲルなど）からなる第１の多孔質膜４０ａを成膜することによって、図３（ａ）に示す構造を得る。ここにおいて、第１の多孔質膜４０ａの形成にあたっては、上記多孔質材料がポーラスシリカの場合には、ゾルゲル溶液をベース基板１の上記一表面側に回転塗布してから、熱処理で乾燥させるプロセスを採用することで容易に形成することができ、上記多孔質材料がシリカエアロゲルの場合には、ゾルゲル溶液をベース基板１の上記一表面側に回転塗布してから、超臨界乾燥処理で乾燥させるプロセスを採用することで容易に形成することができる。
【００３６】
上述のように第１の犠牲層２１上に第１の多孔質膜４０ａを成膜した後、フォトリソグラフィ技術およびエッチング技術を利用して第１の多孔質膜４０ａをパターニングすることで第１の多孔質膜４０ａの一部からなる第１の熱絶縁層４１ａを形成することによって、図３（ｂ）に示す構造を得る。
【００３７】
次に、ベース基板１の上記一表面側の全面にレジストを回転塗布してレジスト層からなる第２の犠牲層２２を成膜し、その後、第２の犠牲層２１のうち各支持ポスト部４２ａ，４２ａそれぞれの形成予定領域に対応する部位および支持部４１の各連結部４１ｃそれぞれの形成予定領域に対応する部位をドライエッチングして開孔部２３および開孔部２４を形成することによって、図３（ｃ）に示す構造を得る。
【００３８】
続いて、ベース基板１の上記一表面側の全面に第２の熱絶縁層４１ｂおよび各連結部４１および各脚部４２の材料である多孔質材料（例えば、ポーラスシリカ、シリカエアロゲルなど）からなる第２の多孔質膜を成膜してから、フォトリソグラフィ技術およびエッチング技術を利用して第２の多孔質膜をパターニングすることでそれぞれ第２の多孔質膜の一部からなる第２の熱絶縁層４１ｂおよび各連結部４１および各脚部４２を形成することによって、図３（ｄ）に示す構造を得る。ここにおいて、第２の多孔質膜の形成にあたっては、上記多孔質材料がポーラスシリカの場合には、ゾルゲル溶液をベース基板１の上記一表面側に回転塗布してから、熱処理で乾燥させるプロセスを採用することで容易に形成することができ、上記多孔質材料がシリカエアロゲルの場合には、ゾルゲル溶液をベース基板１の上記一表面側に回転塗布してから、超臨界乾燥処理で乾燥させるプロセスを採用することで容易に形成することができる。
【００３９】
その後、ベース基板１の上記一表面側の全面に温度検知部３であるセンサ層および配線８，８の基礎となるチタン膜と窒化チタン膜との積層膜からなるセンサ材料層３０をスパッタ法などにより成膜することによって、図４（ａ）に示す構造を得る。
【００４０】
次に、フォトリソグラフィ技術およびエッチング技術を利用してセンサ材料層３０をパターニングすることでそれぞれセンサ材料層３０の一部からなる温度検知部３および配線８，８を形成することによって、図４（ｂ）に示す構造を得る。
【００４１】
続いて、ベース基板１の上記一表面側の全面に赤外線吸収層５の基礎となるＳｉＯＮ膜をＣＶＤ法などにより成膜してから、当該ＳｉＯＮ膜をパターニングすることで当該ＳｉＯＮ膜の一部からなる赤外線吸収層５を形成することによって、図４（ｃ）に示す構造を得る。
【００４２】
次に、ベース基板１の上記一表面側の第２の犠牲層２２および第１の犠牲層２１を選択的にエッチング除去することによって、図４（ｄ）に示す構造の赤外線センサを得てから、ダイシングを行うことで個々の赤外線センサに分割すればよい。
【００４３】
以上説明した本実施形態の赤外線センサでは、温度検知部３とベース基板１とを熱絶縁する断熱部４における脚部４２，４２が多孔質材料により形成されているので、脚部４２，４２の熱コンダクタンスを小さくできて高感度化を図れるとともに脚部４２，４２の熱容量を小さくできて応答速度の高速化を図れ、しかも、断熱部４における支持部４１が、厚み方向に離間した２層の熱絶縁層４１ａ，４１ｂを有するとともに離間した熱絶縁層４１ａ，４１ｂ間の間隙４１ｄを保つ形で両熱絶縁層４１ａ，４１ｂを連結した連結部４１ｃを有しているので、熱コンダクタンスおよび熱容量が小さく且つ機械的強度の高い支持部４１の形成が可能となり、より一層の高感度化および高速化を図れる。また、本実施形態の赤外線センサでは、ベース基板１の上記一表面側に、温度検知部３を透過した赤外線を温度検知部３側へ反射する赤外線反射膜６が設けられているので、温度検知部３での赤外線の吸収効率を高めることができ、温度検知部３の高感度化を図れる。また、本実施形態の赤外線センサでは、温度検知部３におけるベース基板１側とは反対側に赤外線吸収層５が積層されているので、より一層の高感度化を図れる。
【００４４】
なお、本実施形態では、支持部４１が厚み方向に離間した２層の熱絶縁層４１ａ，４１ｂを有しているが、支持部４１は、少なくとも、厚み方向に離間して２層の熱絶縁層４１ａ，４１ｂを有していればよく、例えば、第１の熱絶縁層４１ａにおけるベース基板１側に赤外線反射膜が積層された構造でもよい。
【００４５】
また、本実施形態の赤外線センサでは、支持部４１において温度検知部３に接する第２の熱絶縁層４１ｂが多孔質材料により形成されているので、温度検知部３に接する第２の熱絶縁層４１ｂが非多孔質材料（例えば、ＳｉＯ２、Ｓｉ３Ｎ４など）により形成されている場合に比べて、温度検知部３に接する第２の熱絶縁層４１ｂの低熱容量化を図れ、応答速度のより一層の高速化を図れる。なお、本実施形態では、支持部４１の第１の熱絶縁層４１ａも多孔質材料により形成されているが、少なくとも温度検知部３に接する第２の熱絶縁層４１ｂが多孔質材料により構成されていれば、低熱容量化を図れるので、第１の熱絶縁層４１ａの材料としてＳｉＯ２やＳｉ３Ｎ４などの非多孔質材料を採用してもよい。また、支持部４１の材料として多孔質材料を採用せずに、ＳｉＯ２やＳｉ３Ｎ４などの非多孔質材料を採用してもよく、この場合には、支持部４１の機械的強度を高めることができる。
【００４６】
ところで、支持部４１の厚み方向における両熱絶縁層４１ａ，４１ｂ間の間隙４１ｄの長さを検出対象の赤外線の中心波長（例えば、１０μｍ）の４分の１の奇数倍の値（例えば、２．５μｍ）に設定しておけば、支持部４１が温度検知部３を透過した中心波長の赤外線に共振する共振器を構成することとなり、温度検知部３での赤外線の吸収効率が高くなって感度が高くなる。
【００４７】
なお、上記実施形態にて説明した赤外線センサは、温度検知部３を１つだけ設けた赤外線検出素子であるが、温度検知部３を２次元アレイ状（マトリクス状）に配列し各温度検知部が画素を構成するようにした赤外線画像センサでもよい。
【図面の簡単な説明】
【００４８】
【図１】実施形態を示し、（ａ）は概略斜視図、（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ’概略断面図である。
【図２】同上の製造方法を説明するための主要工程断面図である。
【図３】同上の製造方法を説明するための主要工程断面図である。
【図４】同上の製造方法を説明するための主要工程断面図である。
【符号の説明】
【００４９】
１  ベース基板
１ａ  シリコン基板
１ｂ  絶縁膜
３  温度検知部
４  断熱部
５  赤外線吸収層
６  赤外線反射膜
７  間隙
８  配線
１０  導体パターン
４１  支持部
４１ａ  熱絶縁層（第１の熱絶縁層）
４１ｂ  熱絶縁層（第２の熱絶縁層）
４１ｃ  連結部
４１ｄ  間隙
４２  脚部  
【図１】
0004710691.tif 000002
【図２】
0004710691.tif 000003
【図３】
0004710691.tif 000004
【図４】
0004710691.tif 000005