(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
光起電力素子を用いて明るさを検出する光センサ回路と、
負荷と交流電源との接続をスイッチングするトライアックと、
該トライアックのゲートとＴ１端子間に接続された整流回路と、
前記整流回路の正直流端子にドレインが接続されたＦＥＴと、
該ＦＥＴのソースにカソードが接続され、且つ、前記整流回路の負直流端子にアノードが接続されたツェナーダイオードと、
前記光センサ回路の出力値に基づいて前記ＦＥＴのゲートに通電して電流を制御することにより前記トライアックの通電制御を行う電圧比較回路と
を備え、
前記ツェナーダイオードの前記アノードおよび前記カソードを、前記電圧比較回路のグランド端子および電源端子にそれぞれ接続することにより、該ツェナーダイオードの端子間電圧を用いて該電圧比較回路が動作するようにした
ことを特徴とする電子式自動点滅器。
【請求項２】
非通電時に前記ツェナーダイオードの前記端子間電圧を発生させるために、前記ＦＥＴに並列接続された、抵抗素子をさらに備えることを特徴とする請求項１に記載の電子式自動点滅器。
【請求項３】
前記抵抗素子の抵抗値が１００ｋΩ以上であることを特徴とする請求項２に記載の電子式自動点滅器。
【請求項４】
非通電時に前記ツェナーダイオードの前記端子間電圧を発生させるために、前記ＦＥＴの漏れ電流を用いることを特徴とする請求項１に記載の電子式自動点滅器。
【請求項５】
通電時に、前記整流回路、前記ＦＥＴおよび前記ツェナーダイオードを介して前記交流電源から前記トライアックのゲートに供給されるトリガー電流を用いて、前記ツェナーダイオードの前記端子間電圧を発生させることを特徴とする請求項１に記載の電子式自動点滅器。
【請求項６】
前記整流回路がブリッジダイオードであり、該ブリッジダイオードの直流出力側にデプレッション型ＦＥＴ１個のみ直列接続して、スイッチングを行うことを特徴とする請求項１〜５のいずれかに記載の電子式自動点滅器。
【請求項７】
前記光起電力素子が１個のセルで作られたフォトダイオードからなり、且つ、前記電圧比較回路が１個のダイオードで構成された基準電圧発生回路を有することを特徴とする請求項１〜６のいずれかに記載の電子式自動点滅器。
【請求項８】
前記光センサ回路、前記トライアック、前記整流回路、前記電圧比較回路および前記電流制御回路を収容する透光性の筐体と、前記トライアックのＴ１端子及びＴ２端子にそれぞれ接続された２本のリード線とを有する請求項１〜７のいずれかに記載の電子式自動点滅器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、負荷に対する通電／非通電を、周囲の明るさに応じて制御するための、電子式自動点滅器に関する。この発明は、例えば、照明装置（例えば街灯）の点灯および消灯を制御する電子式自動点滅器に適用することができる。
【背景技術】
【０００２】
従来より、自動点滅器を用いた照明装置が知られている。このような照明装置では、周囲の明るさを検出して、この明るさの変化に応じて照明装置の点灯および消灯を自動的に行うことができる。すなわち、自動点滅器を用いることにより、周囲が暗くなると照明装置を自動的に点灯させ、且つ、周囲が明るくなると照明装置を自動的に消灯させることができる。
【０００３】
自動点滅器としては、機械式スイッチを用いたものと、半導体スイッチ素子等の電子式スイッチを用いたものとが、知られている。
【０００４】
機械的スイッチを用いた自動点滅器としては、例えば、カドミウム・セレン（ＣｄＳ）を用いた光電変換素子と、抵抗型ヒータと、バイメタルスイッチ（すなわち、熱膨張率が異なる２枚の金属板を貼り合わせて構成したスイッチ）とを用いた装置が知られている。この自動点滅器では、光電変換素子の受光光量に応じた電流を抵抗型ヒータに流し、これにより発生する熱でバイメタルスイッチを自動的にオン／オフさせる。このような自動点滅器は、低価格であるという利点を有する反面、装置寿命が短く消費電力が大きいという欠点を有する。
【０００５】
一方、電子式スイッチを用いた自動点滅器としては、光起電力素子やカドミウム・セレンを光センサとして用い、半導体による比較回路を用いて、トライアック（すなわち双方向サイリスタ）のゲートを制御するものが実用化されている（下記特許文献１〜４参照）。
【０００６】
一般に、電子式スイッチの自動点滅器は、機械的自動点滅器と比較して、装置寿命が長く且つ消費電力が小さいという利点を有するが、半導体回路を動かすための電源回路や制御回路が必要で部品点数が多く、コストがかさむという問題がある。
【０００７】
このような問題を解決した電子式自動点滅器として、特許文献１に記載された装置が知られている。特許文献１に開示された電子式自動点滅器では、交流電源と照明負荷との間にトライアックを接続し、このトライアックを光電変換素子の受光光量に応じてオン／オフさせることにより、自動点滅制御を行っている。さらに、この電子式自動点滅器では、トライアックのオン／オフを制御する回路を、２個のデプレッション型ＭＯＳＦＥＴ(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor) で構成している。デプレッション型ＭＯＳＦＥＴは、ゲートが接地電位のときオンし、且つ、該ゲートが所定負電位以下になるとオフする。これらのＭＯＳＦＥＴは、逆直列に接続され、ソースどうしおよびゲートどうしがそれぞれ共通接続されている。さらに、一方のＭＯＳＦＥＴのドレインはトライアックのゲートに接続され、他方のＭＯＳＦＥＴのドレインはトライアックの一方の電流端子に接続されている。そして、共通ソースと共通ゲートとの間に、光起電力素子が設けられている(例えば、特許文献１の段落００２５、図１等参照)。このような構成によれば、周囲が明るいとき（すなわち光起電力素子が光電流を発生させるとき）は、デプレッション型ＭＯＳＦＥＴのゲートが所定負電位以下になって該ＭＯＳＦＥＴがオフし、これにより、トライアックのゲートがローレベルになるので該トライアックもオフし、したがって、負荷には電流が流れない。一方、周囲が暗いときは、デプレッション型ＭＯＳＦＥＴのゲートが接地電位になって該ＭＯＳＦＥＴがオンし、これにより、トライアックのゲートがハイレベルになるので該トライアックもオンし、したがって、負荷に電流が流れる。このような電子式自動点滅器は、電源回路が不要で消費電力がほとんどないという利点を有する。
【０００８】
しかしながら、特許文献１の電子式自動点滅器では、周囲の明るさが一時的に変化した場合に、誤動作を生じる場合がある。例えば、夜間の点灯中に自動車のヘッドライト光が光起電力素子に受光されたような場合、照明装置が消灯してしまうおそれがある。
【０００９】
このような欠点を解消するためには、点灯状態から消灯状態に移行するときのしきい値照度と、消灯状態から点灯状態に移行するときのしきい値照度との間に、ヒステリシスを設けることが有効である。
【００１０】
これに対して、特許文献２の電子式自動点滅器では、光起電力素子の近傍に発光素子を設けている。そして、この発光素子を照明装置の点灯時にのみ点灯させることにより、上述のようなヒステリシスを発生させている。
【００１１】
また、特許文献３の電子式自動点滅器では、光起電力素子の近傍に遮光用の液晶板を設けている。そして、この液晶板を用いて、光起電力素子の受光量を照明装置の点灯時に減光することにより、上述のようなヒステリシスを発生させている。
【００１２】
さらに、特許文献４の電子式自動点滅器では、電圧監視回路を設けて、上述のようなヒステリシスを発生させている。
【特許文献１】特開２０００−１００５７９号公報
【特許文献２】特開平１１−２１４１７７号公報
【特許文献３】特開平１１−２１４１７８号公報
【特許文献４】特開平１１−２１４９７６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１３】
上述の特許文献２〜４の電子式自動点滅器は、点灯／消灯のヒステリシスを有するので、誤動作が発生し難い。しかしながら、これらの電子式自動点滅器には、回路が複雑であり、このため、装置コストや消費電力が高いという欠点がある。また、消費電力上昇分を光起電力素子が生成する電力で賄おうとすると、大型の光起電力素子が必要となって、装置コストのさらなる上昇を招くことになる。
【００１４】
また、本願発明者の検討によれば、特許文献１の電子式自動点滅器を用いた照明装置は、周囲の明るさが点灯と消灯の境界付近よりもわずかに低い場合、薄暗く(すなわち、非常に低い照度で）発光する。このような、薄暗く点灯した状態は、照明装置を故障させる原因になる。
【００１５】
この発明の課題は、通電／非通電（負荷が光源の場合は点灯／消灯）のヒステリシスを自由に設定でき、周囲の明るさが通電／非通電の境界付近である場合に該通電を完全にオン或いはオフでき且つ制御電源を必要としない電子式自動点滅器を、安価に提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１６】
この発明に係る自動点滅器は、光起電力素子を用いて明るさを検出する光センサ回路と、負荷と交流電源との接続をスイッチングするトライアックと、トライアックのゲートとＴ１端子間に接続された整流回路と、整流回路の正直流端子にドレインが接続されたＦＥＴと、ＦＥＴのソースにカソードが接続され且つ整流回路の負直流端子にアノードが接続されたツェナーダイオードと、光センサ回路の出力値に基づいてＦＥＴのゲートに通電して電流を制御することによりトライアックの通電制御を行う電圧比較回路とを備える。ここで、ツェナーダイオードのアノードおよびカソードを、電圧比較回路のグランド端子および電源端子にそれぞれ接続することにより、ツェナーダイオードの端子間電圧を用いて電圧比較回路が動作するようにしている。
【００１７】
この発明に係る電子式自動点滅器は、負荷と交流電源との接続をスイッチングするトライアックの制御を行うゲート回路を、トライアックのオン制御に必要なゲート電流よりはるかに小さな電流で動作する電圧比較回路とトライアックゲート電流を制御するデプレッションＭＯＳＦＥＴで回路構成し、このＭＯＳＦＥＴと並列に高抵抗を取り付けることによって、消灯時も例えば０．１ｍＡ程度の微小電流をトライアックゲートに流し、この電流により、電圧比較回路を動作させることにより、制御回路にヒステリシス特性を与える。
【００１８】
点灯・消灯の制御は、トライアックのゲート回路に加わる電圧を、光起電力素子に接続された電圧比較回路で制御し、ＭＯＳＦＥＴを動作させることにより行う。
【発明の効果】
【００１９】
この発明に係る電子式自動点滅器では、スイッチング素子であるトライアックのゲート電流を、トライアックゲートのトリガー電流の例えば１／１００程度で動作する制御回路によって制御する。そして、トライアックのゲート電流を制御する、ＭＯＳＦＥＴと並列に微小電流を通電させる抵抗を接続する。このゲート制御電流がツェナーダイオードを通過するときに発生する電圧により電圧比較回路を動作させる。
【００２０】
電圧比較回路は、電圧比較器（コンパレータ）、フリップフロップで構成することにより、点灯／消灯に対するヒステリシスを容易に設定することができ、且つ、光センサ回路の受光量が点灯／消灯の境界付近であっても、オン／オフ状態が完全に変化する電子式自動点滅器を提供することができる。
【００２１】
また、光センサ回路によって制御する電流が微小であるため、光センサの小型化が可能となる。
【００２２】
さらに、電源回路が不要となるため、従来の点滅器で用いられている３線式形状から、２線式形状に変更でき、シンプルで防水の容易な形状が得られ、これらの相乗効果により安価な電子式自動点滅器を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２３】
以下、この発明の実施の形態について、図１を用いて説明する。なお、図１において、各構成成分の大きさ、形状および配置関係は、この発明が理解できる程度に概略的に示してあるにすぎず、また、以下に説明する数値的条件は単なる例示にすぎない。
【００２４】
図１は、この実施形態に係る電子式自動点滅器を用いた照明装置の全体構成を示す回路図である。図１に示したように、この実施形態の照明装置は、電子式自動点滅器１００と、負荷２００と、交流電源３００とを有する。
【００２５】
電子式自動点滅器１００は、光センサ回路１１０、トライアック１２０、整流回路１３０、デプレッション型（すなわち、ノーマリオン型）のＭＯＳＦＥＴ１４０、比較回路１５０、抵抗素子１６０、ツェナーダイオード１７０、コンデンサ１８０およびダイオード１９０を備えている。
【００２６】
光センサ回路１１０は、周囲の明るさを検出し、検出した光強度を電圧信号Ｐ１，Ｐ２として出力する。このために、光センサ回路１１０は、フォトダイオード１１１、抵抗素子１１２，１１３およびコンデンサ１１４，１１５を有している。
【００２７】
フォトダイオード１１１は、受光強度を検出するための光電変換素子である。フォトダイオード１１１のカソードは、整流回路１３０の直流負端子Ｄ２に接続されている。この実施形態では、フォトダイオード１１１として、浜松フォトニクス製Ｇ２７１１−０１を使用した。なお、フォトダイオード１１１に代えて、太陽電池セルや、光電効果を有するＬＥＤ等を使用することも可能である。
【００２８】
抵抗素子１１２の一端は、フォトダイオード１１１のアノードに接続される。また、抵抗素子１１３は、一端が抵抗素子１１２の他端に接続され、且つ、他端がフォトダイオード１１１のカソードに接続される。抵抗素子１１２，１１３により、フォトダイオード１１１の誘電起電力によって発生した電流が、光強度の検出結果を示す電圧信号に変換される。この実施形態では、フォトダイオード１１１のアノードと抵抗素子１１２との接続点の電圧を信号Ｐ２とし、抵抗素子１１２，１１３間の接続点の電圧を信号Ｐ１とする。なお、この実施形態では、抵抗素子１１２の抵抗値を３ＭΩ、抵抗素子１１３の抵抗値を７ＭΩとした。
【００２９】
コンデンサ１１４は、フォトダイオード１１１のアノード・カソード間に、抵抗素子１１２，１１３と並列に接続される。また、コンデンサ１１５は、抵抗素子１１３と並列に接続される。コンデンサ１１４，１１５により、フォトダイオード１１１の受光光量が変化してから光量検出信号Ｐ１，Ｐ２が変化するまでの遅延時間を設定することができる。この実施形態では、コンデンサ１１４，１１５のキャパシタンスを０．４７μＦとした。
【００３０】
トライアック１２０は、負荷２００と交流電源３００との接続をスイッチングするために使用される。このために、トライアック１２０は、Ｔ１端子が交流電源３００の一端に接続されており、Ｔ２端子が負荷２００の一端に接続されている。この実施形態では、トライアック１２０として、ＳＴマイクロエレクトロニクス社製ＢＴＡ２４を使用した。なお、図１では、トライアック１２０のスナバー回路を省略している。
【００３１】
整流回路１３０は、トライアック１２０のゲート出力を交流から直流に変換する回路である。このために、整流回路１３０では、トライアック１２０の電流端子Ｔ１に交流端子Ａ１が接続され、且つ、トライアック１２０のゲートに交流端子Ａ２が接続されている。この実施形態では、整流回路１３０として、ブリッジダイオードを使用した。
【００３２】
ＭＯＳＦＥＴ１４０は、整流回路１３０を介して、トライアック１２０のゲート電流を制御する。このために、ＭＯＳＦＥＴ１４０は、ドレインが整流回路１３０の直流正端子Ｄ１に接続され、且つ、ソースが、ツェナーダイオード１７０を介して、整流回路１３０の直流負端子Ｄ２に接続されている。この実施形態では、ＭＯＳＦＥＴ１４０としてSupertex社のＤＮ２５４０を使用した。
【００３３】
電圧比較回路１５０は、光センサ回路１１０の出力信号Ｐ１，Ｐ２と基準電圧Ｖ１，Ｖ２とに基づいて、ＭＯＳＦＥＴ１４０のオン／オフを制御する。この実施形態では、電圧比較回路１５０として、ナショナル・セミコンダクター社のＬＭＣ５５５を用いた。この電圧比較回路１５０は、フリップフロップ１５１、第１コンパレータ１５２、第２コンパレータ１５３、抵抗素子１５４〜１５６、ＭＯＳＦＥＴ１５７を有している。
【００３４】
フリップフロップ１５１は、リセット信号Ｒを入力したときにローレベル電圧を出力し、且つ、セット信号Ｓを入力したときにハイレベル電圧を出力する。フリップフロップ１５１は、リセット信号Ｒがハイレベルに立ち上がるタイミングでリセットされ（したがってローレベルを出力するようになり）、且つ、セット信号Ｓがハイレベルに立ち上がるタイミングでセットされる（したがってハイレベルを出力するようになる）ように構成されている。フリップフロップ１５１の出力は、ＭＯＳＦＥＴ１４０のゲートに印加される。
【００３５】
第１コンパレータ１５２は、信号Ｐ１が基準電圧Ｖ１よりも大きくなったときに、リセット信号Ｒを出力する。上述のように、信号Ｐ１は、フォトダイオード１１１が受光した光の強度を示す電圧信号である。また、基準電圧Ｖ１は、この発明の第１しきい値に対応する電圧であり、負荷３００に対する通電を終了するときの信号Ｐ１の値に対応する。
【００３６】
第２コンパレータ１５３は、信号Ｐ２が基準電圧Ｖ２よりも小さくなったときに、セット信号Ｓを出力する。上述のように、信号Ｐ２は、フォトダイオード１１１が受光した光の強度を示す電圧信号である。また、基準電圧Ｖ２は、この発明の第２しきい値に対応する電圧であり、負荷３００に対する通電を開始するときの信号値Ｐ２の値に対応する。
【００３７】
この実施形態に係る自動点滅器では、点灯状態から消灯状態に移行するときのしきい値照度が、消灯状態から点灯状態に移行するときのしきい値照度よりも高くなるように、Ｐ１，Ｐ２，Ｖ１，Ｖ２を設定する。通常、点灯するときのしきい値照度と、消灯するときのしきい値照度との比は、１．２〜３程度が望ましいと考えられる。
【００３８】
抵抗素子１５４は、一端が比較回路１５０の電源入力端子Ｖ＋を介してＭＯＳＦＥＴ１４０のソースに接続され、且つ、他端が第１コンパレータ１５２の負入力端子に接続されている。抵抗素子１５５は、一端が抵抗素子１５４の他端に接続され、且つ、他端が第２コンパレータ１５３の正入力端子に接続されている。また、抵抗素子１５６は、一端が抵抗素子１５５の他端に接続され、且つ、他端がグランド端子ＧＮＤを介して整流回路１３０の直流負端子Ｄ２に接続されている。
【００３９】
さらに、抵抗素子１５４と１５５の接続点には、ダイオード１９０のアノードが接続され、且つ、該ダイオード１９０のカソードが整流回路１３０の直流負端子Ｄ２に接続されている。このダイオード１９０により、基準電圧Ｖ１が決定される。これにより、基準電圧Ｖ１とグランド端子ＧＮＤとの電位差を抵抗素子１５５と１５６で分圧することによって得られる電圧が、第１コンパレータ１５２の負入力端子および第２コンパレータ１５３の正入力端子に印加される。電圧比較回路１５０としてＬＭＣ５５５を使用する場合、抵抗素子１５４〜１５６の抵抗値は、例えばそれぞれ１００ｋΩである。
【００４０】
ＭＯＳＦＥＴ１５７は、ソースが放電用入力端子に接続され、ドレインがグランド端子ＧＮＤに接続され、且つ、ゲートがフリップフロップ１５１の反転出力端子に接続される。このＭＯＳＦＥＴ１５７は、元々ＬＭＣ５５５に設けられているが、この実施形態では使用されない。
【００４１】
抵抗素子１６０は、ＭＯＳＦＥＴ１４０と並列に接続される。この抵抗素子１６０は、ＭＯＳＦＥＴ１４０がオフしているときに、ツェナーダイオード１７０に微量の電流を供給するために使用される。抵抗素子１６０としては、例えば１００ｋΩ以上のものを使用することができるが、この実施形態では２ＭΩとした。また、ＭＯＳＦＥＴ１４０の漏れ電流を使用することにより、この抵抗素子１６０を省略することも可能である。
【００４２】
ツェナーダイオード１７０は、カソードがＭＯＳＦＥＴ１４０のソースに接続され、且つ、アノードが整流回路１３０の直流負端子Ｄ２に接続されている。この実施形態では、ツェナーダイオード１７０として、５Ｖのものを使用した。
【００４３】
コンデンサ１８０は、ツェナーダイオード１７０と並列に接続されている。これにより、ツェナーダイオード１７０により発生した電圧が、コンデンサ１８０により平滑化され、電圧比較回路１５０の電源として利用される。この実施形態では、コンデンサ１８０のキャパシタンスを、０．１μＦとした。
【００４４】
負荷２００は、一方の端子でトライアック１２０のＴ２端子に接続され、他方の端子で交流電源３００の一方の端子に接続される。この実施形態において、負荷２００は、例えば街灯等に設置される光源である。
【００４５】
交流電源３００は、他方の端子でトライアック１２０のＴ１端子に接続される。
【００４６】
この実施形態に係る電子式自動点滅器１００は、例えば、透光性の筐体に収容して、電柱等に固定される。そして、トライアックの電極Ｔ１と負荷２００の端子（上述の他方の端子）に接続された２本のリード線を用いて、交流電源３００と接続される。
【００４７】
次に、図１に示した電子式自動点滅器１００の動作原理を説明する。
【００４８】
まず、周囲が明るい状態ときの、電子式自動点滅器１００の状態について説明する。
【００４９】
周囲が明るいとき、フォトダイオード１１１は周囲光を受光し、このために起電流が発生する。したがって、抵抗素子１１２，１１３に電流が流れて、これら抵抗素子１１２，１１３に端子間電圧が発生する。このとき、電圧信号Ｐ１≧Ｖ１，Ｐ２≧Ｖ２であり、したがって第１コンパレータ１５２の出力（リセット信号Ｒ）はハイレベル、第２コンパレータの出力（セット信号Ｓ）はローレベルである。
【００５０】
ここで、フリップフロップ１５１は、リセット信号Ｒがハイレベルに立ち上がるときにリセットされ、リセット信号Ｒがハイレベル且つセット信号Ｓがローレベルのときは、電圧比較回路１５０の出力がローレベルとなり、ＧＮＤと同電圧である。したがって、該ローレベル出力電圧は、ＭＯＳＦＥＴ１４０のソース電圧よりも、ツェナーダイオード１７０のカソード・アノード間電圧の分だけ低い。このため、ＭＯＳＦＥＴ１４０は、オフ状態である。この実施形態のＭＯＳＦＥＴ１４０は、例えば、ゲート電圧がソース電圧よりも例えば３．５Ｖ以上低いときにオフする。
【００５１】
したがって、整流回路１３０の直流側端子Ｄ１，Ｄ２は抵抗素子１６０のみを介して接続された状態である。このため、該直流側端子Ｄ１，Ｄ２間には電源電圧とほぼ等しい直流電圧が加わり、これにより抵抗素子１６０を通して非常に微小な電流が流れる（例えば０．１ｍＡ程度）。その結果、トライアック１２０のゲートに供給される電流は非常に小さいので、該トライアック１２０はオフしている。したがって、負荷３００には、電流が流れない。なお、電圧比較回路１５０は、０．１ｍＡ程度の電流でも動作できる。
【００５２】
次に、周囲が明るい状態から暗い状態に変化するときの、電子式自動点滅器１００の動作を説明する。
【００５３】
周囲が暗くなっていくと、フォトダイオード１１１の受光強度が低下するので、信号Ｐ１，Ｐ２の電圧値も低下する。そして、Ｐ２＜Ｖ２になると、第２コンパレータ１５３に出力されるセット信号Ｓがハイレベルになる。この実施形態では、抵抗素子１５５，１５６の抵抗値が等しいので、信号Ｐ２の電圧が電圧信号Ｖ１（すなわち、ダイオード１９０で生成される電圧）の１／２を下回ったときにセット信号Ｓがハイレベルになる。
【００５４】
セット信号Ｓが立ち上がると、電圧比較回路１５０の出力電圧は、ハイレベルとなる。この電圧は、電圧比較回路１５０の電源入力端子Ｖ＋とほぼ同電圧であり、このため、ＭＯＳＦＥＴ１４０のソース電圧とほぼ同電圧である。ここで、ＭＯＳＦＥＴ１４０は、デプレッション型なので、ソース電圧とゲート電圧とがほぼ同一のとき、オンする。
【００５５】
ＭＯＳＦＥＴ１４０がオンすると、直流側端子Ｄ１，Ｄ２間に流れる電流が増大する（例えば１０ｍＡ程度）。その結果、トライアック１２０がオンして、負荷３００に電流が流れるようになる。
【００５６】
トライアック１２０がオン状態を維持している間は、トライアック１２０のトリガー電流はゼロクロス近傍の一瞬だけ流れる。このトリガー電流によりツェナーダイオード１７０に発生する一瞬の電圧によって電圧比較回路１５０が動作し、フリップフロップ回路を保持する。
【００５７】
続いて、周囲が暗い状態から明るい状態に変化するときの、電子式自動点滅器１００の動作を説明する。
【００５８】
周囲が明るくなっていくと、フォトダイオード１１１の受光強度が増大するので、信号Ｐ１，Ｐ２の電圧値が上昇する。そして、Ｐ１≧Ｖ１になると、第１コンパレータに出力されるリセット信号Ｒがハイレベルになる。
【００５９】
リセット信号Ｒが立ち上がると、フリップフロップ１５１の出力はローレベルに切り換わる。その結果、ＭＯＳＦＥＴ１４０がオフするので、上述のような動作原理により負荷３００に電流が流れなくなる。
【００６０】
以上説明したように、この実施形態に係る電子式自動点滅器１００は、フリップフロップ１５１を用いてトライアック１２０のオン／オフを行っているので、点灯／消灯の境界付近であっても完全に動作を移行させることができる。
【００６１】
さらに、電子式自動点滅器１００は、フリップフロップ１５１のセット／リセットを第１、第２コンパレータ１５２，１５３で行うので、点灯／消灯のヒステリシス設定を、抵抗素子１１２，１１３の抵抗値および基準電圧Ｖ１の設定により、自由に行うことができる。なお、上述のように、基準電圧Ｖ２は、基準電圧Ｖ１の設定値に応じて決まる。
【００６２】
加えて、この実施形態の電子式自動点滅器１００は、ヒステリシスを設定するために発光素子や液晶板等を設ける必要がないこと、電圧比較回路の電源をトリガー電流でまかなえること等の理由により、上述の特許文献２〜４にかかる電子式自動点滅器と比較して安価である。
【００６３】
なお、この実施形態では、受光強度を示す信号として、二種類の電圧信号Ｐ１，Ｐ２を用いた。これは、電圧比較回路１５０として、既成の半導体チップである、ＬＭＣ５５５を使用したためである。図１から判るように、ＬＭＣ５５５を用いる場合、抵抗素子１５４〜１５６の値が固定されるので、第１コンパレータ１５２の基準電圧Ｖ１に応じて第２コンパレータ１５３の基準電圧Ｖ２が決まってしまい、別個独立に基準電圧Ｖ１，Ｖ２を設定することができない。このため、この実施形態では、抵抗素子１１２，１１３を用いて二種類の電圧信号Ｐ１，Ｐ２を生成し、該電圧信号Ｐ１，Ｐ２によって消灯するときの受光強度および点灯する受光強度を制御している。一方、基準電圧Ｖ１，Ｖ２を別個独立に設定できるような電圧比較回路を用いる場合には、受光強度を示す電圧信号を一種類として、この電圧信号を各コンパレータに供給することが可能である。
【図面の簡単な説明】
【００６４】
【図１】第１の実施形態に係る電子式自動点滅器を用いた照明装置の構成を示す回路図である。
【符号の説明】
【００６５】
１００  電子式自動点滅器
１１０  光センサ回路
１１１  フォトダイオード
１１２，１１３，１５４，１５５，１５６，１６０  抵抗素子
１１４，１１５，１８０  コンデンサ
１２０  トライアック
１３０  整流回路
１４０，１５７  ＭＯＳＦＥＴ
１５０  電圧比較回路
１５１  フリップフロップ
１５２  第１コンパレータ
１５３  第２コンパレータ
１７０  ツェナーダイオード
１９０  ダイオード
【図１】
0004635037.tif 000002