(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
薄い再生ギャップおよび狭い再生トラック幅を有すると共に、下部磁気シールドから絶縁された平坦なＧＭＲ（giant magnetoresistive）センサ層を備えたＧＭＲ再生ヘッドの製造方法であって、
基体として下部磁気シールドを準備する工程と、
前記下部磁気シールド上に、第１の２層リフトオフステンシルマスクを形成する工程と、
前記第１の２層リフトオフステンシルマスクをエッチング用マスクとして使用し、その第１の２層リフトオフステンシルマスクの両側に左右対象に配置されるように、前記下部磁気シールドに窪み領域を形成する工程と、
前記第１の２層リフトオフステンシルマスクを成膜用マスクとして使用し、前記窪み領域に第１の絶縁層を埋設する工程と、
前記第１の２層リフトオフステンシルマスクを除去する工程と、
前記下部磁気シールドと前記窪み領域に埋設された前記第１の絶縁層とを平坦化することにより、それらの下部磁気シールドの表面と第１の絶縁層の表面とを含む単一の平坦面を形成する工程と、
前記平坦面を覆うように、第２の絶縁層を形成する工程と、
前記第２の絶縁層を覆うように、ＧＭＲセンサ層を形成する工程と、
前記ＧＭＲセンサ層を覆うように、均一な厚さのＰＭＧＩ（polydimethylglutamide ）層を形成する工程と、
前記ＰＭＧＩ層を覆うように、フォトレジスト層を形成する工程と、
前記ＰＭＧＩ層および前記フォトレジスト層をパターニングすることにより、前記ＰＭＧＩ層に基づいて形成された下部ペデスタル部分と前記フォトレジスト層に基づいて形成された上部オーバーハング部分とを含み、その上部オーバーハング部分が前記下部ペデスタル部分に対して左右対称に突出すると共に前記ＧＭＲセンサ層の上方において均一な高さとなるように、導電リード層および磁気バイアス層を形成するために使用される第２の２層リフトオフステンシルマスクを形成する工程と、
前記第２の２層リフトオフステンシルマスクを成膜用マスクとして使用し、前記ＧＭＲセンサ上に導電リード層および磁気バイアス層を形成する工程と
を含むことを特徴とするＧＭＲ再生ヘッドの製造方法。
【請求項２】
前記第１の２層リフトオフステンシルマスクが、ＰＭＧＩにより形成された下部ペデスタル部分と、その下部ペデスタル部分上に形成されると共にフォトレジストにより形成された上部オーバーハング部分とを含むようにする
ことを特徴とする請求項１記載のＧＭＲ再生ヘッドの製造方法。
【請求項３】
前記下部磁気シールドに形成された前記窪み領域が、５０ｎｍよりも大きく１００ｎｍよりも小さい範囲内の深さとなるようにする
ことを特徴とする請求項１記載のＧＭＲ再生ヘッドの製造方法。
【請求項４】
前記第１の絶縁層が、アルミナまたは二酸化ケイ素のいずれかの絶縁材料層となるようにする
ことを特徴とする請求項３記載のＧＭＲ再生ヘッドの製造方法。
【請求項５】
前記第２の絶縁層が、アルミナまたは二酸化ケイ素のいずれかの絶縁材料層となるようにする
ことを特徴とする請求項１記載のＧＭＲ再生ヘッドの製造方法。
【請求項６】
１０ｎｍよりも大きく１００ｎｍよりも小さい範囲内の厚さとなるように、前記第２の絶縁層を形成する
ことを特徴とする請求項５記載のＧＭＲ再生ヘッドの製造方法。
【請求項７】
前記ＧＭＲセンサ層をスピンバルブタイプのセンサ構造とする
ことを特徴とする請求項１記載のＧＭＲ再生ヘッドの製造方法。
【請求項８】
３０ｎｍよりも大きく５０ｎｍよりも小さい範囲内の厚さとなるように、前記スピンバルブを形成する
ことを特徴とする請求項７記載のＧＭＲ再生ヘッドの製造方法。
【請求項９】
１００ｎｍよりも大きく４００ｎｍよりも小さい範囲内の均一な厚さとなるように、前記ＰＭＧＩ層を形成する
ことを特徴とする請求項１記載のＧＭＲ再生ヘッドの製造方法。
【請求項１０】
前記第２の２層リフトオフステンシルマスクのうちの左右対象に突出した前記上部オーバーハング部分が、前記ＧＭＲセンサ層の表面の上方において均一な高さに位置するようにする
ことを特徴とする請求項１記載のＧＭＲ再生ヘッドの製造方法。
【請求項１１】
薄い再生ギャップおよび狭い再生トラック幅を有すると共に下部磁気シールドから絶縁された平坦なＧＭＲ（giant magnetoresistive）センサ層を備えたＧＭＲ再生ヘッドであって、
下部磁気シールドと、
前記下部磁気シールドに、平坦な中央領域の両側に左右対象に配置されるように形成された２つの窪み領域と、
前記２つの窪み領域に埋設された第１の絶縁層と、
前記下部磁気シールドと前記第１の絶縁層とが平坦化されることにより形成され、それらの下部磁気シールドの表面と第１の絶縁層の表面とを含む単一の平坦面と、
前記平坦面上に形成された平坦な第２の絶縁層と、
平坦な前記第２の絶縁層上に形成された平坦なＧＭＲセンサ層と、
前記ＧＭＲセンサ層上に、前記下部磁気シールドのうちの平坦な中央領域の両側に左右対称に配置されることにより再生トラック幅を規定するように形成された導電リード層および磁気バイアス層と
を備えたことを特徴とするＧＭＲ再生ヘッド。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ＧＭＲ（giant magnetoresistive；巨大磁気抵抗効果）再生ヘッドおよびその製造方法に係り、特に、下部磁気シールドとＧＭＲセンサ層との間の絶縁性を良好に確保しつつ、再生トラック幅を高精度に制御することが可能なＧＭＲ再生ヘッドおよびその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
高線記録密度および高トラック密度の記録メディアを再生するために、実行再生幅部分が薄く（再生ギャップが薄く）、かつ狭い（再生トラック幅が狭い）ＧＭＲ再生ヘッドが要望されている。この要望を実現するためには、ＧＭＲセンサ層を薄く、かつ平坦に形成すると共に、再生幅を狭く、かつ正確に規定する必要がある。このようなＧＭＲセンサ層を形成する上では、下部磁気シールドとこの磁気シールド上に形成されるＧＭＲセンサ層との間に絶縁性を確保することが厳格に要求される。下部磁気シールドとの間に絶縁性を有するＧＭＲセンサ層を形成するに当たって、上記した２つの要望（薄さおよび平坦さ）を実現するための１つの方法としては、パッチ構造を有する絶縁層（絶縁パッチ層）を形成する手法が挙げられる。このパッチ構造とは、ＧＭＲセンサ層のうちの実行再生幅部分の両側に形成された付加的な絶縁構造である。図１ａおよび図１ｂ（従来技術）は、従来の絶縁パッチ層の形成手順を表している。図１ａでは、ＧＭＲ再生ヘッドの断面構成を部分的かつ模式的に示しており、平坦化された下部磁気シールド１００上に、絶縁層１２０およびＧＭＲセンサ層１４０が形成されている。このＧＭＲセンサ層１４０のうちの実行再生幅部分の両側には、下部磁気シールド１００とＧＭＲセンサ層１４０との間に付加的な絶縁性を確保するための絶縁パッチ層１８０が形成されている。図１ａおよび図１ｂに示した非平坦なトポロジーでは、後工程において導電リード層および磁気バイアス層を形成する際に問題を生じることとなる。
【０００３】
すなわち、図１ｂでは、上記した導電リード層および磁気バイアス層を形成するための前工程として、非平坦なトポロジー領域を覆うようにＰＭＧＩ（Polydimethylglutarimide ）層２００が形成されている。このＰＭＧＩ層２００は、フォトリソグラフィ処理用のステンシルマスクの形成工程等において、前準備のために形成されるものである。この場合には、矢印２２０，２４０で示しているように、ＰＭＧＩ層２００の厚さがばらつき、そのＰＭＧ層２００が非平坦なプロファイルを示すため、後工程において問題を生じてしまう。
【０００４】
Chen等は、図１ａおよび図１ｂに示した極めて簡単なヘッド構造に類似したトポロジーを有すると共に薄い再生ギャップを有する２層構造のＧＭＲセンサ層を開示している（例えば、特許文献１参照。）。この場合には、第２のＧＭＲセンサ層（Chen等の図４参照）を形成するために、窪み領域内にリフトオフステンシルマスク（Chen等の図４中、３８ｃおよび３８ｂ）を形成することが必要となる。この種のリフトオフステンシルマスクを使用することは、ＧＭＲセンサ層の両端に導電リード層および磁気バイアス層を形成（成膜）する上で重要である。しかしながら、この種のリフトオフステンシルマスクを使用した場合には、上記した導電リード層および磁気バイアスを層を成膜する際に、それらの導電リード層および磁気バイアス層の端縁を正確に規定することが困難になると共に、リフトオフステンシルマスクのうちの突出部分の下方において、成膜時に生じる過剰被覆（オーバースプレー）に起因して問題が生じる。また、Ju等は、ＧＭＲセンサ層上に形成されたパッシベーション層を使用することにより、上記した過剰被覆された領域（オーバーシュート領域）を介して短絡することを防止する方法を提案している（例えば、特許文献２参照。）。
【特許文献１】米国特許第６３０７７２１号明細書
【特許文献２】米国特許第６２８７４７６号明細書
【０００５】
また、Chen等は、ＧＭＲセンサ層の両端に導電リード層および磁気バイアス層を形成するために、ＰＭＧＩにより形成された下部ペデスタル部分とフォトレジストにより形成された上部オーバーハング部分とを含むリフトオフステンシルマスクを使用することを提案している（例えば、特許文献３参照。）。本発明のＧＭＲ再生ヘッドでは、ＧＭＲセンサ層（磁気抵抗効果センサ層）がＧＭＲタイプのセンサでない場合には、そのＧＭＲセンサ層の薄さ、下部磁気シールドとＧＭＲセンサ層との間の絶縁性、ならびにＧＭＲセンサ層の水平方向における形成領域の規定は問題とならない。
【特許文献３】米国特許第５４９１６００号明細書
【０００６】
また、Satoは、下部磁気シールド上に段差を形成し、その段差が設けられた下部磁気シールドを覆うように絶縁層を形成したのち、その段差部分を覆うようにＧＭＲセンサ層を形成することにより、厚い導電リード層を備えた薄膜磁気再生ヘッドを形成する方法を提案している。しかしながら、上記した方法では、本願発明の平坦な表面トポロジーを提供し得ない。最後に、Pinarbasi は、積層構造を有する導電リード層を備えたＧＭＲ再生ヘッドの製造方法を提案している（例えば、特許文献４参照。）。上記したChen等の提案と同様に、Pinarbasi は、導電リード層を形成するためにリフトオフステンシルマスクを使用することを提案しているが、そのChen等の提案とは、ＧＭＲセンサ層の薄さやそのＧＭＲセンサ層と下部磁気シールドとの間の絶縁性が異なっている。
【特許文献４】米国特許第５８８３７６４号明細書
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
上記したように、従来のＧＭＲ再生ヘッドの製造方法では、図１ａおよび図１ｂに示した非平坦なトポロジーに起因して、導電リード層および磁気バイアス層を形成する際に問題を生じていた。したがって、ＧＭＲ再生ヘッドを高精度に製造するためには、平坦なトポロジーを実現することにより、導電リード層および磁気バイアス層を高精度に形成することが可能な技術が必要である。この場合には、特に、ＧＭＲセンサ層が平坦化される上、そのＧＭＲセンサ層が薄い再生ギャップおよび狭い再生トラック幅を有するようにすると共に、ＧＭＲセンサ層を下部磁気シールドから十分に絶縁させることが重要である。
【０００８】
本発明はかかる問題点に鑑みてなされたもので、その第１の目的は、平坦なＧＭＲセンサ層、薄い再生ギャップ、ならびに狭い再生トラック幅を有するＧＭＲ再生ヘッドを製造することが可能なＧＭＲ再生ヘッドの製造方法を提供することにある。
【０００９】
また、本発明の第２の目的は、下部磁気シールド上に形成されたＧＭＲセンサ層をその下部磁気シールドから十分に絶縁させることが可能なＧＭＲ再生ヘッドの製造方法を提供することにある。
【００１０】
また、本発明の第３の目的は、平坦なトポロジーを実現するために必要な形成精度、形成効率、ならびに形成容易性を確保することが可能なＧＭＲ再生ヘッドの製造方法を提供することにある。
【００１１】
さらに、本発明の第４の目的は、本発明のＧＭＲ再生ヘッドの製造方法を使用して製造されたＧＭＲ再生ヘッドを提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
本発明に係るＧＭＲ再生ヘッドの製造方法は、薄い再生ギャップおよび狭い再生トラック幅を有すると共に下部磁気シールドから絶縁された平坦なＧＭＲセンサ層を備えたＧＭＲ再生ヘッドを製造する方法であり、基体として下部磁気シールドを準備する工程と、下部磁気シールド上に、第１の２層リフトオフステンシルマスクを形成する工程と、第１の２層リフトオフステンシルマスクをエッチング用マスクとして使用し、その第１の２層リフトオフステンシルマスクの両側に左右対象に配置されるように、下部磁気シールドに窪み領域を形成する工程と、第１の２層リフトオフステンシルマスクを成膜用マスクとして使用し、窪み領域に第１の絶縁層を埋設する工程と、第１の２層リフトオフステンシルマスクを除去する工程と、下部磁気シールドと窪み領域に埋設された第１の絶縁層とを平坦化することにより、それらの下部磁気シールドの表面と第１の絶縁層の表面とを含む単一の平坦面を形成する工程と、平坦面を覆うように、第２の絶縁層を形成する工程と、第２の絶縁層を覆うように、ＧＭＲセンサ層を形成する工程と、ＧＭＲセンサ層を覆うように、均一な厚さのＰＭＧＩ層を形成する工程と、ＰＭＧＩ層を覆うように、フォトレジスト層を形成する工程と、ＰＭＧＩ層およびフォトレジスト層をパターニングすることにより、ＰＭＧＩ層に基づいて形成された下部ペデスタル部分とフォトレジスト層に基づいて形成された上部オーバーハング部分とを含み、その上部オーバーハング部分が下部ペデスタル部分に対して左右対称に突出すると共にＧＭＲセンサ層の上方において均一な高さとなるように、導電リード層および磁気バイアス層を形成するために使用される第２の２層リフトオフステンシルマスクを形成する工程と、第２の２層リフトオフステンシルマスクを成膜用マスクとして使用し、ＧＭＲセンサ上に導電リード層および磁気バイアス層を形成する工程とを含むようにしたものである。
【００１３】
本発明に係るＧＭＲ再生ヘッドの製造方法では、まず、第１の２層リフトオフステンシルマスクがエッチング用マスクとして使用されることにより、その第１の２層リフトオフステンシルマスクの両側に左右対称に配置されるように、下部磁気シールドに窪み領域が形成される。こののち、第１の２層リフトオフステンシルマスクは、窪み領域に第１の絶縁層を埋設するために、成膜用マスクとして使用される。続いて、第１の２層リフトオフステンシルマスクが除去され、第１の絶縁層が埋設された下部磁気シールドが平坦化されたのち、その下部磁気シールド上に、第２の絶縁層が均一な厚さで平坦となるように形成される。この第２の絶縁層の表面平坦性に基づき、ＧＭＲセンサ層が平坦で薄く形成される点において利点が得られる。続いて、ＧＭＲセンサ層上にＰＭＧＩ層が均一な厚さとなるように形成されたのち、そのＰＭＧＩ層がパターニングされることにより、第２の２層リフトオフステンシルマスクが形成される。この第２の２層リフトオフステンシルマスクは、後工程において導電リード層および磁気バイアス層を形成するために使用される。このＰＭＧＩ層の厚さの均一性に基づき、第２の２層ステンシルマスクを形成する際に、上部オーバーハング部分の厚さが不均一化する問題が解決される。最後に、第２の２層リフトオフステンシルマスクが成膜用マスクとして使用されることにより、ＧＭＲセンサ上に導電リード層および磁気バイアス層が形成される。
【００１４】
本発明に係るＧＭＲ再生ヘッドは、薄い再生ギャップおよび狭い再生トラック幅を有すると共に下部磁気シールドから絶縁された平坦なＧＭＲセンサ層を備えたものであり、下部磁気シールドと、下部磁気シールドに、平坦な中央領域の両側に左右対象に配置されるように形成された２つの窪み領域と、２つの窪み領域に埋設された第１の絶縁層と、下部磁気シールドと第１の絶縁層とが平坦化されることにより形成され、それらの下部磁気シールドの表面と第１の絶縁層の表面とを含む単一の平坦面と、平坦面上に形成された平坦な第２の絶縁層と、平坦な第２の絶縁層上に形成された平坦なＧＭＲセンサ層と、ＧＭＲセンサ層上に、下部磁気シールドのうちの平坦な中央領域の両側に左右対称に配置されることにより再生トラック幅を規定するように形成された導電リード層および磁気バイアス層とを備えたものである。
【００１５】
本発明に係るＧＭＲ再生ヘッドでは、本発明のＧＭＲ再生ヘッドの製造方法を使用して形成される。
【発明の効果】
【００１６】
本発明に係るＧＭＲ再生ヘッドの製造方法によれば、第２の絶縁層の表面平坦性に基づいてＧＭＲセンサ層が平坦で薄く形成される点において利点が得られる共に、ＰＭＧＩ層の厚さの均一性に基づいて第２の２層リフトオフステンシルマスクを形成する際に上部オーバーハング部分の厚さが不均一化する問題が解決されるため、イオンビーム成膜（ＩＢＤ；Ion Beam Deposition ）を使用した導電リード層の形成工程を良好に制御することができると共に、ＧＭＲセンサ層の再生トラック幅を良好に規定することができる。したがって、ＧＭＲ再生ヘッドに関して、（１）平坦なＧＭＲセンサ層、薄い再生ギャップ、ならびに狭い再生トラック幅を実現し、（２）下部磁気シールド上に形成されたＧＭＲセンサ層をその下部磁気シールドから十分に絶縁し、（３）平坦なトポロジーを実現するために必要な形成精度、形成効率および形成容易性を確保することができる。
【００１７】
また、本発明に係るＧＭＲ再生ヘッドによれば、本発明のＧＭＲ再生ヘッドの製造方法を使用して製造されるため、平坦なＧＭＲセンサ層、薄い再生ギャップ、ならびに狭い再生トラック幅を実現することができると共に、下部磁気シールド上に形成されたＧＭＲセンサ層をその下部磁気シールドから十分に絶縁することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１８】
以下、本発明の実施の形態について、図面を参照して詳細に説明する。
【００１９】
図２ａ〜図２ｇは、本発明の一実施の形態に係るＧＭＲ再生ヘッドおよびその製造方法を説明するためのものである。本実施の形態に係るＧＭＲ再生ヘッドの製造方法は、平坦なＧＭＲセンサ層、薄い再生ギャップ、ならびに正確かつ狭い再生トラック幅を有すると共に、そのＧＭＲセンサ層が下部磁気シールドから十分に絶縁されたＧＭＲ再生ヘッドを製造する方法である。
【００２０】
まず、図２ａに、ＧＭＲ再生ヘッドの製造工程の最初の工程を示している。この図２ａでは、ＧＭＲ再生ヘッドのエアベアリング面に沿った断面構成を示している。ＧＭＲ再生ヘッドを製造する際には、まず、下部磁気シールド１０上に、従来から知られている一般的な２層リフトオフステンシルマスクを形成する。この２層リフトオフステンシルマスクは、初期工程においてイオンビームエッチング（ＩＢＥ；Ion Beam Etching）を行うためのエッチング用マスクとして機能すると共に、後工程においてイオンビーム成膜（ＩＢＤ；Ion Beam Deposition ）を行うための成膜用マスクとして機能するものである。この２層リフトオフステンシルマスクは、ＰＭＧＩ（polydimethylglutamide ）により形成され、約１００ｎｍよりも大きく４００ｎｍよりも小さい範囲内の厚さを有する下部ペデスタル部分１２と、この下部ペデスタル部分１２上に形成され、フォトレジストにより形成された上部オーバーハング部分１４とにより構成されている。この上部オーバーハング部分１４は、下部ペデスタル部分１２の両側において、所定の突出範囲内におさまるように左右対称に突出している。
【００２１】
続いて、図２ｂに示したように、ＩＢＥを行うことにより、下部磁気シールド１０に約５０ｎｍよりも大きく１００ｎｍよりも小さい範囲内の深さとなるように窪み領域１６を形成したのち、その窪み領域１６に、例えばアルミナまたは二酸化ケイ素のいずれかの絶縁材料を埋設することにより、絶縁パッチ層１８を形成する。この絶縁パッチ層１８は、下部磁気シールド１０と後工程において形成されるＧＭＲセンサ層２６との間に付加的な絶縁性を確保するためのものである。この下部磁気シールド１０に埋設された絶縁パッチ層１８と、図１ａに示した下部磁気シールド１００に埋設されていない従来の絶縁パッチ層１８０とを比較すると、図１ａに示した従来技術では、絶縁パッチ層１８０が下部磁気シールド１００に埋設されていない構造的要因に起因してトポロジーが非平坦になるため、後工程において形成されるＰＭＧＩ層２００（図１ｂ参照）の厚さがばらついてしまうという問題を生じる。図２ｂに示したように、２層リフトオフステンシルマスクのうちの上部オーバーハング部分１４が過剰な絶縁層２０により覆われると共に、その２層リフトオフステンシルマスクの下方において過剰な絶縁層２２が下部磁気シールド１０の表面を意図せずに被覆（オーバースプレー）する。
【００２２】
続いて、図２ｃに示したように、２層リフトオフステンシルマスク（下部ペデスタル部分１２，上部オーバーハング部分１４）を除去することにより、下部磁気シールド１０の表面を露出させる。
【００２３】
続いて、図２ｄに示したように、下部磁気シールド１０の表面を過剰に被覆していた絶縁層２２を除去し、すなわち下部磁気シールド１０と絶縁パッチ層１８とを平坦化することにより、それらの下部磁気シールド１０の表面と絶縁パッチ層１８の表面とを含む単一の平坦面（下部磁気シールド層１０の表面および絶縁パッチ層１８の表面はいずれも滑らかな平面である）を形成したのち、その平坦面を全体的に覆うように、例えばアルミナまたは二酸化ケイ素のいずれかの絶縁材料を成膜することにより、絶縁層２４を約１０ｎｍよりも大きく１００ｎｍよりも小さい範囲内の厚さとなるように形成する。
【００２４】
続いて、図２ｅに示したように、絶縁層２４を覆うようにＧＭＲセンサ層２６を形成する。このＧＭＲセンサ層２６は、従来から知られている如何なる構造を有していてもよく、例えば、本実施の形態ではスピンバルブタイプのセンサ構造（いわゆるスピンバルブ構造）を有している。本実施の形態のＧＭＲ再生ヘッドの製造方法を使用して製造されるＧＭＲ再生ヘッドの特徴は、ＧＭＲセンサ層２６の層構成にあるわけではなく、後工程において導電リード層が形成される際に、ＧＭＲセンサ層２６が薄く（再生ギャップが薄く）、平坦で、かつ極めて狭い再生トラック幅を有している点にある。このＧＭＲセンサ層２６の厚さは、約３０ｎｍよりも大きく５０ｎｍよりも小さい範囲内であるのが好ましい。
【００２５】
続いて、図２ｆに示したように、ＧＭＲセンサ層２６を覆うようにＰＭＧＩ層２８を形成する。上記したようにＧＭＲセンサ層２６が平坦であるため、ＰＭＧＩ層２８が極めて均一な厚さ（図２ｆ中に矢印３０で示した一定の高さ）となるように形成される。
【００２６】
最後に、図２ｇに示したように、ＰＭＧＩ層２８をパターニングして下部ペデスタル部分３２を形成することにより、その下部ペデスタル部分３２を含む２層リフトオフステンシルマスクを形成する。この２層リフトオフステンシルマスクは、上記した下部ペデスタル部分３２上に、例えばフォトレジストなどの感光性材料により形成された上部オーバーハング部分３４が左右対称となるように形成された構成を有している。この２層リフトオフステンシルマスクは、後工程において導電リード層および磁気バイアス層（いずれも図示せず）を形成するために使用されるものであり、従来から一般的に知られているものである。上記したフォトレジストなどの感光性材料に関しては、ＰＭＧＩ層２８上に形成されたのちに有機溶媒を使用してパターニング可能であると共に、ＰＭＧＩ層２８との溶解性の差異を利用して下部ペデスタル部分３２上の上部オーバーハング部分３４が左右対称に突出したアンダーカット構造となるように２層リフトオフステンシルマスクを形成可能であることが必要である。本実施の形態のＧＭＲ再生ヘッドの製造方法の特徴は、図２ｆに示したように、ＰＭＧＩ層２８の厚さが均一となることに基づき、図２ｇに示したように、下部ペデスタル部分３２の高さが均一になると共に、上部オーバーハング部分３４が左右対称に突出する点にある。この上部オーバーハング部分３４は、図２ｇ中に矢印３６で示したように、ＧＭＲセンサ層２６の表面の上方において均一な高さに位置することとなる。上記した２層リフトオフステンシルマスクに関する構造の左右対称性および厚さの均一性に基づき、後工程においてＧＭＲセンサ層２６上に導電リード層および磁気バイアス層が形成される際に、過剰な被覆が適性に制御されることにより最小になると共に、ＧＭＲセンサ層２６のうちの再生トラック幅を規定する部分が狭くかつ正確に規定される。
【００２７】
本実施の形態に係るＧＭＲ再生ヘッドの製造方法では、まず、第１の２層リフトオフステンシルマスクがエッチング用マスクとして使用されることにより、その２層リフトオフステンシルマスクの両側（下部磁気シールド１０のうちの平坦な中央領域の両側）に左右対称に配置されるように、下部磁気シールド１０に窪み領域１６が形成される。こののち、第１の２層リフトオフステンシルマスクは、窪み領域１６に絶縁パッチ層１８を埋設するために、成膜用マスクとして使用される。続いて、第１の２層リフトオフステンシルマスクが除去され、絶縁パッチ層１８が埋設された下部磁気シールド１０が平坦化されたのち、その下部磁気シールド１０上に、絶縁層２４が均一な厚さとなるように平坦に形成される。この絶縁層２４の表面平坦性に基づき、ＧＭＲセンサ層２６が平坦で薄く形成される点において利点が得られる。最後に、ＧＭＲセンサ層２６上にＰＭＧＩ層２８が均一な厚さとなるように形成されたのち、そのＰＭＧＩ層２８がパターニングされることにより、第２の２層リフトオフステンシルマスクが形成される。この第２の２層リフトオフステンシルマスクは、後工程において導電リード層および磁気バイアス層を形成するために使用される。このＰＭＧＩ層２８の厚さの均一性に基づき、第２の２層ステンシルマスクを形成する際に、上部オーバーハング部分３４の厚さが不均一化する問題が解決される。したがって、ＩＢＤを使用した導電リード層の形成工程を良好に制御することができると共に、ＧＭＲセンサ層２６の再生トラック幅を良好に規定することができる。
【００２８】
なお、本発明のＧＭＲ再生ヘッドおよびその製造方法は、必ずしも上記した実施の形態に限定されない。特許請求の範囲に記載した本発明のＧＭＲ再生ヘッドおよびその製造方法によれば、薄い再生ギャップおよび狭い再生トラック幅を有すると共に下部磁気シールドから十分に絶縁された平坦なＧＭＲセンサ層を備えたＧＭＲ再生ヘッドが製造されるため、それらの薄い再生ギャップおよび狭い再生トラック幅を有すると共に下部磁気シールドから十分に絶縁された平坦なＧＭＲセンサ層を備えたＧＭＲ再生ヘッドを製造し得る限り、本発明のＧＭＲ再生ヘッドおよびその製造方法に関する方法、処理、材料、構成および寸法は、自由に変更可能である。
【産業上の利用可能性】
【００２９】
本発明に係るＧＭＲ再生ヘッドおよびその製造方法は、薄い再生ギャップおよび狭い再生トラック幅を有すると共に下部磁気シールドから十分に絶縁された平坦なＧＭＲセンサ層を備えたＧＭＲ再生ヘッドおよびその製造方法に適用することが可能である。
【図面の簡単な説明】
【００３０】
【図１ａ】付加的な絶縁層を使用して如何に下部磁気シールドとＧＭＲセンサ層との間に適正な絶縁性が確保されるかを説明するための従来のＧＭＲ再生ヘッドの断面構成を模式的に表す断面図である。
【図１ｂ】図１ａに示したＧＭＲ再生ヘッドにおいてＰＭＧＩ層が形成され、そのＰＭＧＩ層の厚さのばらつきに起因する問題点が生じた状態を模式的に表す断面図である。
【図２ａ】図２ａ〜図２ｇは、薄い再生ギャップ、狭い再生トラック幅、ならびに下部磁気シールドとの間の十分な絶縁性を有する平坦なＧＭＲセンサ層を備えたＧＭＲ再生ヘッドを製造するために使用される本発明のＧＭＲ再生ヘッドの製造方法を説明するために一連の断面構成例を表す断面図である。図２ａでは、下部磁気シールドに窪み領域を形成するための第１の２層リフトオフプロセスを説明しており、下部磁気シールド上にエッチング用マスクおよび成膜用マスクとして機能する第１の２層リフトオフステンシルマスクが形成された状態を示している。
【図２ｂ】イオンビームエッチング（ＩＢＥ）を使用して下部磁気シールドに窪み領域が形成されたのち、絶縁層が成膜されることにより窪み領域に埋設された状態を示している。
【図２ｃ】第１の２層リフトオフステンシルマスクが除去された状態を示している。
【図２ｄ】絶縁層が埋設されることにより平坦化された下部磁気シールドを覆うように、さらに絶縁層が形成された状態を示している。
【図２ｅ】図２ｄに示した絶縁層を覆うようにＧＭＲセンサ層が形成された状態を示している。
【図２ｆ】図２ｅに示したＧＭＲセンサ層を覆うように均一な厚さのＰＭＧＩ層が形成された状態を示している。
【図２ｇ】図２ｆに示したＰＭＧＩ層がパターニングされることにより下部ペデスタル部分が形成され、その下部ペデスタル部分上にフォトレジストにより形成された上部オーバーハング部分が形成された状態を示している。ＰＭＧＩ層の均一な厚さに基づき、高さが均一となり、かつ左右対称となるように上部オーバーハング部分が形成されるため、後工程において導電リード層および磁気バイアス層を均一に形成することが可能となる。
【符号の説明】
【００３１】
１０…下部磁気シールド、１２，３２…下部ペデスタル部分、１４，３４…上部オーバーハング部分、１６…窪み領域、１８…絶縁パッチ層、２０，２２，２４…絶縁層、２６…ＧＭＲセンサ層、２８…ＰＭＧＩ層。
【図１ａ】
0004728575.tif 000002
【図１ｂ】
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【図２ａ】
0004728575.tif 000004
【図２ｂ】
0004728575.tif 000005
【図２ｃ】
0004728575.tif 000006
【図２ｄ】
0004728575.tif 000007
【図２ｅ】
0004728575.tif 000008
【図２ｆ】
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【図２ｇ】
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