(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
入力光を入力する少なくとも１つの光入力部と、
出力光を出力する少なくとも１つの光出力部と、
Ｘ軸およびこのＸ軸と異なるＹ軸に対して回動可能に支持されたミラーおよびこのミラーと対向配置された複数の電極を有し、これらの電極に駆動電圧を印加することにより前記ミラーを所定の角度に傾斜させるミラー装置と、
前記光出力部から出力される出力光の光強度を検出する検出部と、
この検出部の検出結果に基づいて、前記ミラーを前記Ｘ軸回りおよび前記Ｙ軸回りにそれぞれ回動させる電圧Ｖxおよび電圧Ｖyを算出して、前記電極に前記駆動電圧を印加して所定の前記光入力部に入力された入力光を選択的に任意の前記光出力部から出力させる駆動制御部と
を備えた光スイッチであって、
前記駆動制御部は、
前記電圧Ｖxおよび前記電圧Ｖyを、パラメータＶtに対する１次以上の多項式に基づいて算出する駆動電圧更新部と、
前記パラメータＶtを変化させたときに、前記多項式に基づいて算出される前記電圧Ｖxおよび前記電圧Ｖyに対して、前記検出部が検出した選択された光出力部からの光強度が所定の値に到達するか否かを判定する判定部と、
この判定部により前記出力光の光強度が所定の値に到達しないと判定された場合、前記Ｖxと前記Ｖyを座標軸とする平面上において、到達しないと判定した時点のパラメータＶt’に対応する（Ｖx’，Ｖy’）座標を通り、前記Ｖxまたは前記Ｖyの座標軸に平行な直線に関して、前記多項式に基づいて前記パラメータＶtを変化させることにより算出した前記電圧Ｖxおよび前記Ｖyが描く軌跡が線対称となるように前記多項式を変更する変更部と
を備えることを特徴とする光スイッチ。
【請求項２】
入力光を入力する少なくとも１つの光入力部と、
出力光を出力する少なくとも１つの光出力部と、
Ｘ軸およびこのＸ軸と異なるＹ軸に対して回動可能に支持されたミラーおよびこのミラーと対向配置された複数の電極を有し、これらの電極に駆動電圧を印加することにより前記ミラーを所定の角度に傾斜させるミラー装置と、
前記光出力部から出力される出力光の光強度を検出する検出部と、
この検出部の検出結果に基づいて、前記ミラーを前記Ｘ軸回りおよび前記Ｙ軸回りにそれぞれ回動させる電圧Ｖxおよび電圧Ｖyを算出して、前記電極に前記駆動電圧を印加して所定の前記光入力部に入力された入力光を選択的に任意の前記光出力部から出力させる駆動制御部と
を備えた光スイッチであって、
前記駆動制御部は、
前記電圧Ｖxおよび前記電圧Ｖyを、パラメータＶtに対する１次以上の多項式に基づいて算出する駆動電圧更新部と、
前記パラメータＶtを変化させたときに、前記多項式に基づいて算出される前記電圧Ｖxおよび前記電圧Ｖyに対して、前記検出部が検出した選択された光出力部からの光強度が所定の値に到達するか否かを判定する判定部と、
この判定部により前記出力光の光強度が所定の値に到達しないと判定された場合、前記Ｖxと前記Ｖyを座標軸とする平面上において、到達しないと判定した時点のパラメータＶt’に対応する（Ｖx’，Ｖy’）座標を中心に、所定の回転角だけ、前記多項式に基づいて前記パラメータＶtから算出した前記電圧Ｖxおよび前記電圧Ｖyが描く軌跡が回転するように前記多項式を変更する変更部と
を備えることを特徴とする光スイッチ。
【請求項３】
前記多項式は、
パラメータをＶt、任意の前記光出力部に対応する前記Ｘ軸，Ｙ軸に沿った駆動電圧のオフセットをそれぞれＶ0x，Ｖ0y、定数をそれぞれＡ，Ｂ（≠０）とすると、
Ｖx＝Ｖ0x＋Ａ・Ｖt
Ｖy＝Ｖ0y＋Ｂ・Ｖt
で表される
ことを特徴とする請求項１または２記載の光スイッチ。
【請求項４】
前記多項式は、
前記Ｖxと前記Ｖyを座標軸とする平面上においてＶyをＶxの一次関数として表した場合に前記Ｖyの軸と前記一次関数とがなす角の角度をφとすると、
Ｖx＝Ｖ0x＋Ｖt・ｓｉｎφ
Ｖy＝Ｖ0y＋Ｖt・ｃｏｓφ
で表されることを特徴とする請求項３記載の光スイッチ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、通信用光伝送装置や波長ルーティング装置などに用いられる光スイッチに関するものである。
【背景技術】
【０００２】
近年、光通信の分野では、光信号を電気信号に変換することなく相手先に送信することにより、光の特徴を生かした高速通信が実現されている。また、１つの波長に１つの光信号を対応させて波長多重するWDM(Wavelength Division Multiplexing)技術により、一本の光ファイバにより大容量の光伝送を行うことも実現されている。このような光通信技術の発展に伴って、光信号を電気信号等に変換することなく経路を切り替える光スイッチが脚光を浴びている。
【０００３】
光スイッチは、光通信ネットワークの大規模化に伴って、高機能化が促進されている。従来では、入力ポートが１つ出力ポートが２つの単純な１×２スイッチが用いられていたが、近年では、入力ポートおよび出力ポートを数百個有し万単位の光路制御を行うことができるマトリクススイッチ（例えば、非特許文献１参照）や数十もの波長から任意の波長を選択して複数の出力ファイバのうちの何れかから出力する波長選択スイッチ（例えば、特許文献１参照）などが提案されている。中でも、高機能化とともに小型化を実現できるのが空間光学系光スイッチである。
【０００４】
空間光学系光スイッチは、光ファイバとともにレンズやミラーなどの空間光学部品を３次元的に配置することにより、高機能化と小型化を実現している。このような空間光学スイッチには、MEMS(Micro Electro Mechanical Systems)技術で作成されたマイクロミラー装置（例えば、特許文献２参照）がよく用いられる。MEMSマイクロミラー装置は、ミラーを複数の回動軸により回動させることが可能なので、例えば、光路の切り替えを実現する第１の回動軸の他にその回転軸と直交する第２の回動軸を設け、この第２の回動軸によりミラーを傾けることによって、光損失を制御することが提案されている。このような光損失制御機能を、例えばWDM 光ネットワークなどで用いられる波長選択スイッチに用いることにより、中継数を増やしても光伝送路における波長利得や損失の差によって生じた光信号間のパワーのばらつきを抑圧することが可能となるので、ノード数の増加を実現することができる。したがって、光損失を制御できる空間光学系光スイッチは、将来の多波長光ネットワークに欠かせない装置となりつつある。
【０００５】
図２４にMEMSマイクロミラー装置を用いた空間光学系光スイッチの一例を示す。この光スイッチは、外部より入力された入力光を装置内部に導入する１個の入射ポート１０１と、入力光を外部に出力するＮ個の出射ポート１０２と、ミラーにより入射ポート１０１から入力される入射光を出射ポート１０２に向けて選択的に反射するＭＥＭＳミラー装置１０３とともに、入射ポート１０１から入力された入力光を平行に調整するコリメートレンズ１０４と、ＭＥＭＳミラー装置１０３からの反射光を出射ポート１０２に結合する結合レンズ１０５とを備える。
【０００６】
ここで、ＭＥＭＳミラー装置１０３は、図２４，図２５に示すように、互いに直交するＸ軸およびＹ軸回りにミラー１０３ａを回動させることができる。これにより、例えば、ミラー１０３ａをＹ軸回りに回動させると、入力光を出射ポート１０２に選択的に反射させることができる。また、ミラー１０３ａをＸ軸回りに回動させると、入力光のＹ軸方向の光損失を制御することができる。このようなミラー装置１０３は、図２６に示すように、ミラー１０３ａが可動枠を介して基部に連結されるジンバル構造がよく用いられている。また、ミラー１０３ａには、複数の電極１０３１〜１０３４が対向配置されており、これらに選択的に電圧を印加することによりミラー１０３ａに静電引力が働き、ミラー１０３ａが所定の方向に回動することとなる。図２６では、一例として、電極１０３１〜１０３４は、全体として平面視略矩形の形状を有し、それぞれはその対角線により４つに分割された平面視略三角形の形状を有する。
【０００７】
ここで、電極１０３１と電極１０３３とは、Ｙ軸に対して対称に配設されている。したがって、電極１０３１と電極１０３３に所定の値の電圧Ｖxを印加してミラー１０３ａをＹ軸に対して所定の角度に傾けることができる。ここで、出射ポート１０２は、Ｘ軸方向に併設されているため、電圧Ｖxを印加してミラー１０３ａをＹ軸回りに回動させることにより、図２７に示すように、入力光を任意の出射ポート１０２に反射させることができる。このときの電圧Ｖxと光強度Ｐとの関係は、図２８に示すようなグラフで表される。すなわち、Ｖx軸上に出射ポート１０２の数量だけ光強度のピークが存在する。
【０００８】
また、電極１０３２と電極１０３４とは、Ｘ軸に対して対称に配設されている。したがって、電極１０３２と電極１０３４に所定の値の電圧Ｖyを印加することにより、図２９に示すように、ミラー１０３ａをＸ軸に対して所定の角度で傾けることができる。ここで、出射ポート１０２は、Ｘ軸方向に並設されているため、電圧Ｖyを印加すると、反射光がＹ軸方向に移動するので、反射光の出射ポート１０２に対する結合率を変化させて調整することができる。このときの電圧Ｖyと光強度Ｐとの関係は、図３０に示すようなグラフで表される。すなわち、Ｖy軸とＰ軸との原点上に最も結合効率が高いピークが存在する。
【０００９】
図２８および図３０で示したＶx軸とＶy軸の光強度のプロファイルをＶx−Ｖy電圧平面上の等高線図として描写すると、図３１の示すグラフを得ることができる。一般的にＶxとＶyの制御電圧範囲は同程度であり、Ｖx方向には複数、Ｖy方向には１つのピークを有するので、Ｖx−Ｖy電圧平面上の光強度のプロファイルはＶy方向に細長い楕円形がＶx方向に出射ポートの数量分だけ並んだ形態となる。このとき、出射ポートを選択するということは、出射ポートに対応した楕円の頂点に対応する電圧Ｖxを印加することに対応する。また、損失を低くするということは、電圧Ｖyとして適当な値を印加してその楕円を長軸方向に走査することにより、光強度のピークを探索することを意味する。したがって、入力光を任意の出射ポートから低損失で出力する場合、その出射ポートに対応する電圧Ｖxを印加するとともに、電圧Ｖyを変動させて光強度のピークを探索し、そのピークに相当する電圧Ｖyを印加することが行われる。
【００１０】
このような光スイッチに用いられる静電駆動型のＭＥＭＳミラー装置は、電極間やその他の浮遊容量への充電に要する時間に関係したドリフトまたは電極周辺の帯電による影響などにより、電極に印加した駆動電圧で決まる本来の角度からミラーの傾斜角が変位するいわゆるドリフト現象が生じることがある。このドリフト現象が生じると、上述したような２つの回転軸をもつミラー装置の場合、出射ポートを選択するＹ軸の角度ずれおよび光損失を制御するＸ軸の角度ずれの何れも光強度の変動につながる。このため、従来より、所望の光強度の出力光を得るために、出射ポートから出力される出力光の光強度をモニタし、所望の光強度との偏差に基づいて光損失を制御するＸ軸回りの角度を調整することが行われてきた。具体的には、定期的に光強度が所望の値より大きければ損失を増加し、小さければ損失を減少させるように、Ｘ軸回りの角度、すなわち電圧Ｖxの値を調整していた。
【００１１】
【特許文献１】特開２００７−１４０１６８号公報
【特許文献２】特開２００３−５７５７５号公報
【非特許文献１】Tsuyohi Yamamoto, et al., "A Three-Dimensional MEMS Optical Switching Module Having 100 Input and 100 Out put Ports", IEEE Photonics TECHNOLOGY LETTERS, VOL. 15, NO.10, pp.1360-1362, 2003
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１２】
しかしながら、従来のように出力光の光強度に基づきＸ軸回りの角度を調整することによって光損失を補償する場合、出力光の光強度からは２つの回転軸の何れでミラーの角度ずれが生じてしまったのかを検出することができないので、例えば、出射ポートを選択するＹ軸に角度ずれが生じたために光損失が発生した場合であっても、その損失を補償するためにＸ軸回りの角度を変位させることになり、結果として、光損失を補償することができず、所望する光強度の出力光を得ることがなかった。
【００１３】
例えば、図３２に示すように、光強度がＶy軸方向に変化した場合には（符号ａ）、その変化に対応する電圧を相殺するように電圧Ｖyの値を印加することにより（符号ｂ）、光強度の損失を補償することができる。また、図３３に示すように、光強度がＶy軸方向とともにＶx軸方向に変化した場合（符号ｃ）であっても、そのＶx方向の変化量がわずかな場合には、ＶxとＶy両電圧軸の変化に対応する光強度の変化を相殺するように一方の電圧Ｖyに適当な電圧を印加することにより（符号ｄ）、光強度の損失を補償することができる。ところが、図３４に示すように、光強度がＶx軸方向に大きく変化した場合（符号ｅ）、いくらＶy方向の電圧Ｖyの値を変化させたところで、光強度の損失を補償することができず、所望する光強度を有する出力光を得ることができない。
【００１４】
そこで、本願発明は、出力光の光強度が所定の値以上となる電圧値を効果的に探索できる光スイッチを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１５】
上述したような課題を解消するために、本発明に係る光スイッチは、入力光を入力する少なくとも１つの光入力部と、出力光を出力する少なくとも１つの光出力部と、Ｘ軸およびこのＸ軸と異なるＹ軸に対して回動可能に支持されたミラーおよびこのミラーと対向配置された複数の電極を有し、これらの電極に駆動電圧を印加することによりミラーを所定の角度に傾斜させるミラー装置と、光出力部から出力される出力光の光強度を検出する検出部と、この検出部の検出結果に基づいて、ミラーをＸ軸回りおよびＹ軸回りにそれぞれ回動させる電圧Ｖxおよび電圧Ｖyを算出して、電極に駆動電圧を印加して所定の光入力部に入力された入力光を選択的に任意の光出力部から出力させる駆動制御部とを備えた光スイッチであって、駆動制御部は、電圧Ｖxおよび電圧Ｖyを、パラメータＶtに対する１次以上の多項式に基づいて算出する駆動電圧更新部と、パラメータＶtを変化させたときに、多項式に基づいて算出される電圧Ｖxおよび電圧Ｖyに対して、検出部が検出した選択された光出力部からの光強度が所定の値に到達するか否かを判定する判定部と、この判定部により出力光の光強度が所定の値に到達しないと判定された場合、ＶxとＶyを座標軸とする平面上において、到達しないと判定した時点のパラメータＶt’に対応する（Ｖx’，Ｖy’）座標を通り、ＶxまたはＶyの座標軸に平行な直線に関して、多項式に基づいてパラメータＶtを変化させることにより算出した電圧ＶxおよびＶyが描く軌跡が線対称となるように多項式を変更する変更部とを備えることを特徴とする。
また、本発明に係る他の光スイッチは、入力光を入力する少なくとも１つの光入力部と、出力光を出力する少なくとも１つの光出力部と、Ｘ軸およびこのＸ軸と異なるＹ軸に対して回動可能に支持されたミラーおよびこのミラーと対向配置された複数の電極を有し、これらの電極に駆動電圧を印加することによりミラーを所定の角度に傾斜させるミラー装置と、光出力部から出力される出力光の光強度を検出する検出部と、この検出部の検出結果に基づいて、ミラーをＸ軸回りおよびＹ軸回りにそれぞれ回動させる電圧Ｖxおよび電圧Ｖyを算出して、電極に駆動電圧を印加して所定の光入力部に入力された入力光を選択的に任意の光出力部から出力させる駆動制御部とを備えた光スイッチであって、駆動制御部は、電圧Ｖxおよび電圧Ｖyを、パラメータＶtに対する１次以上の多項式に基づいて算出する駆動電圧更新部と、パラメータＶtを変化させたときに、多項式に基づいて算出される電圧Ｖxおよび電圧Ｖyに対して、検出部が検出した選択された光出力部からの光強度が所定の値に到達するか否かを判定する判定部と、この判定部により出力光の光強度が所定の値に到達しないと判定された場合、ＶxとＶyを座標軸とする平面上において、到達しないと判定した時点のパラメータＶt’に対応する（Ｖx’，Ｖy’）座標を中心に、所定の回転角だけ、多項式に基づいてパラメータＶtから算出した電圧Ｖxおよび電圧Ｖyが描く軌跡が回転するように多項式を変更する変更部とを備えることを特徴とする。
【００１６】
上記光スイッチにおいて、上記多項式は、パラメータをＶt、任意の光出力部に対応するＸ軸，Ｙ軸に沿った駆動電圧のオフセットをそれぞれＶ0x，Ｖ0y、定数をそれぞれＡ，Ｂ（≠０）とすると、Ｖx＝Ｖ0x＋Ａ・ＶtおよびＶy＝Ｖ0y＋Ｂ・Ｖtで表され、駆動制御部は、パラメータＶtを変化させたときに、多項式に基づいてパラメータＶｔから電圧Ｖｘおよび電圧Ｖｙを算出するようにしてもよい。このとき、上記多項式は、ＶxとＶyを座標軸とする平面上においてＶyをＶxの一次関数として表した場合にＶyの軸と一次関数とがなす角の角度をφとすると、Ｖx＝Ｖ0x＋Ｖt・ｓｉｎφおよびＶy＝Ｖ0y＋Ｖt・ｃｏｓφで表されるようにしてもよい。
【発明の効果】
【００１９】
本発明によれば、所定の関数に基づいて演算された電圧Ｖxおよび電圧Ｖyを電極に印加することにより、ミラーがＸ軸回りおよびＹ軸回りに同時に回動するため、出力光の光強度が所定の値以上となる電圧Ｖxおよび電圧Ｖyの値を従来よりもより広範囲に探索することが可能となり、結果として、ミラー装置に角度ずれが生じた場合であっても所望する光強度の出力光を出力することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２０】
［第１の実施の形態］
以下、図面を参照して、本発明に係る第１の実施の形態について詳細に説明する。なお、本実施の形態は、１×ｎポートの光スイッチに適用した場合を例に説明する。
【００２１】
＜光スイッチの構成＞
図１に示すように、本実施の形態に係る光スイッチ１は、１本の入力側光ファイバ１１と、ｎ本の出力側光ファイバ１２−１〜ｎと、入力側光ファイバ１１と出力側光ファイバ１２−１〜ｎとを結ぶ光路上に配置されたＭＥＭＳミラー装置１３と、出力側光ファイバ１２−１〜ｎからの出力をモニタするフォトダイオード１４−１〜ｎと、このフォトダイオード１４−１〜ｎの検出結果をＡ／Ｄ変換するＡ／Ｄ変換器１５と、このＡ／Ｄ変換器１５からの出力に基づいてＭＥＭＳミラー装置１３の駆動を制御する制御装置１６とを備えている。また、入力側光ファイバ１１の出力側および出力側光ファイバ１２の入力側には、それぞれ空間光学系と光ファイバとを整合させるためのカップリングレンズ１７，１８が設けられている。
【００２２】
ここで、ＭＥＭＳミラー装置１３は、Ｘ軸方向およびＹ軸の２つの回動軸により回動可能に支持されたミラー１３ａと、このミラー１３ａに対向配置された複数の電極（図示せず）とを備えている。これらの電極は、例えば、図２６で示したように、Ｘ軸またはＹ軸を挟んで対称に配設するようにしてもよい。この場合、Ｙ軸に対称に配設された電極に対して電圧Ｖxを印加することにより、ミラー１３ａをＸ軸回りに回動させることができる。また、Ｘ軸に対称に配設された電極に対して電圧Ｖyを印加することにより、ミラー１３ａをＹ軸回りに回動させることができる。
【００２３】
なお、ＭＥＭＳミラー装置１３の電極としては、上述したようにＸ軸またはＹ軸に対称に配設したものに限定されず、例えばＸ軸およびＹ軸の間に設けたものなど、ミラー１３ａを異なる２つの軸回りに回動させるために各電極に印加される電圧を軸毎に区別することができるものであれば、適宜自由に設定することができる。
【００２４】
また、制御装置１６は、図２に示すように、検出部２１と、駆動電圧更新部２２と、駆動電圧出力部２３と、到達判断部２４と、変更部２５と、初期値設定部２６とを備える。
【００２５】
検出部２１は、Ａ／Ｄ変換器１５からの出力から、出力側光ファイバ１２−１〜ｎから出力される出力光の光強度と所定の光強度との偏差を算出する。
【００２６】
駆動電圧更新部２２は、検出部２１による出力光の検出結果や到達判断部２４による後述する判断結果に基づいて、ＭＥＭＳミラー装置１３の各電極に供給する駆動電圧の値を更新する。この更新した駆動電圧は、駆動電圧出力部２３に入力される。
【００２７】
駆動電圧出力部２３は、駆動電圧更新部２２または初期値設定部２６からの指示に基づいて、ＭＥＭＳミラー装置１３の各電極に駆動電圧を供給する。
【００２８】
到達判断部２４は、検出部２１により検出された出力光の光強度に基づいて、この光強度が所定の値に到達するか否かを判断する。
【００２９】
変更部２５は、到達判断部２４により光強度が所定の値に到達しないと判断された場合、ＭＥＭＳミラー装置１３に供給する駆動電圧のパラメータを変更する。
【００３０】
初期値設定部２６は、制御装置１６によりＭＥＭＳミラー装置１３を駆動させる際に必要な各種初期値を設定する。
【００３１】
このような制御装置１６は、ＣＰＵ等の演算装置、ＲＡＭやＲＯＭ等からなり動作プログラム、出力光の光強度ＭＥＭＳミラー装置１３の駆動電圧などの各種データ等を記憶した記憶装置を備え、上記プログラムに基づいて演算を行う、すなわちハードウェア装置とソフトウェアとが協働することによって、上記のハードウェア資源がプログラムによって制御され、上述した検出部２１、駆動電圧更新部２２、駆動電圧出力部２３、到達判断部２４、変更部２５、初期値設定部２６が実現される。
【００３２】
＜光スイッチ１の動作＞
次に、本実施の形態に係る光スイッチ１の全体の動作について説明する。まず、入力側ファイバ１１から光スイッチ１内部に入力された光信号（入力光）は、コリメートレンズ１７で平行にまたは集光されて、ＭＥＭＳミラー装置１３に照射される。このＭＥＭＳミラー装置１３は、入力光を所定の方向に反射して、カップリングレンズ１８を介して所定の出力側光ファイバ１２に入力させる。
【００３３】
このとき、出力側光ファイバ１２は、ＭＥＭＳミラー装置１３が有するミラー１３ａのＸ軸方向に沿って所定の間隔で並設されている。したがって、制御装置１６により、ＭＥＭＳミラー装置１３に対して所定の電圧Ｖxを供給し、ミラー１３ａをＹ軸回りに所定の角度回動させて入力側光ファイバ１１と任意の出力側光ファイバ１２と光路を形成することにより、入力光をその任意の出力側光ファイバ１２から出力させることができる。
【００３４】
また、ミラー装置１３に対して所定の電圧Ｖyを供給し、ミラー１３ａをＸ軸回りに回動させることにより、ミラー１３ａによる入力光の反射光の光路をＹ軸方向に移動させることができる。すると、反射光と出力側光ファイバ１２との結合効率が変わるため、出力側光ファイバ１２から出力される出力光の光強度が変化する。
【００３５】
出力側光ファイバ１２から出力される光信号（出力光）は、その幾らかをパワー分岐して、フォトダイオード１４−１〜ｎにより受光される。アナログ信号からなる受光信号は、Ａ／Ｄ変換器１５によりＡ／Ｄ変換されてデジタル信号となり、制御装置１６に入力される。
【００３６】
制御装置１６は、Ａ／Ｄ変換器１５から入力された受光信号に基づいて、出力光が所定の値を超える光強度を有するよう、ＭＥＭＳミラー装置１３に供給する駆動電圧を設定し、これをＭＥＭＳミラー装置１３に供給する。このような駆動電圧の設定は、例えばフィードバック制御としてよく知られたＰＩＤ制御を実施することにより行われる。このような駆動電圧の設定動作については後述する。
【００３７】
＜駆動電圧設定動作＞
次に、図３を参照して、制御装置１６による駆動電圧設定動作について説明する。
【００３８】
まず、制御装置１６は、入力光を何れの出力側光ファイバ１２−１〜ｎから出力するかが外部より選択されると（ステップＳ１）、初期値設定部２６により、その選択された出力側光ファイバ１２に対応する駆動電圧をＭＥＭＳミラー装置１３に供給する（ステップＳ２）。ここで、初期値設定部２６は、出力側光ファイバ１２−１〜ｎ毎にそれぞれに入力光を反射させる際にＭＥＭＳミラー装置１３の電極に印加すべき駆動電圧の値を示すテーブルを予め備えているようにしてもよい。この場合、初期値設定部２６は、そのテーブルに基づいて駆動電圧をＭＥＭＳミラー装置１３に供給する。
【００３９】
ＭＥＭＳミラー装置１３に駆動電圧が供給され、この駆動電圧に基づいてミラー１３ａが傾動することにより、入力光が選択された出力側光ファイバ１２−１〜ｎから出力光として出力されると、制御装置１６は、検出部２１により、フォトダイオード１４−１〜ｎおよびＡ／Ｄ変換器１５から出力光の光強度を取得し（ステップＳ３）、この値が所定の値を以上か否かを検出する（ステップＳ４）。
【００４０】
出力光の光強度が所定の値を超えている場合（ステップＳ４：ＹＥＳ）、制御装置１６は、ステップＳ３の処理に戻る。
【００４１】
一方、出力光の光強度が所定の値を超えていない場合（ステップＳ４：ＮＯ）、制御装置１６は、到達判断部２４により、出力光の光強度が所定の値を超える可能性があるか否かを判断する（ステップＳ５）。この到達判断動作の詳細については後述する。
【００４２】
光強度が所定の値を超える可能性がある場合（ステップＳ５：ＹＥＳ）、制御装置１６は、駆動電圧更新部２２により、ＭＥＭＳミラー装置１３に供給する駆動電圧を更新し（ステップＳ６）、ステップＳ２の処理に戻る。なお、更新動作の詳細については後述する。
【００４３】
一方、光強度が所定の値を超える可能性がない場合（ステップＳ５：ＮＯ）、制御装置１６は、変更部２５により駆動電圧を更新するためのパラメータを変更し（ステップＳ７）、ステップＳ５の処理に戻る。なお、パラメータ変更動作の詳細については後述する。
【００４４】
これにより、光スイッチ１は、入力側光ファイバ１１から入力された入力光を、任意の出力側光ファイバ１２−１〜ｎから所定の値を超える光強度を有した状態で出力することができる。
【００４５】
＜更新動作＞
次に、駆動電圧更新部２２による駆動電圧の更新動作について説明する。
【００４６】
まず、出力側光ファイバ１２−１〜ｎを選択する電圧Ｖxと出力光の損失を制御する電圧Ｖyに対して、これらを成分とするパラメータＶtを、下式（１），（２）で示すように定義する。
【００４７】
Ｖx＝Ｖ0x＋ｆx（Ｖt）  ・・・（１）
Ｖy＝Ｖoy＋ｆy（Ｖt）  ・・・（２）
【００４８】
ここで、Ｖ0xとＶoyは、図４に示すように、選択された出力側光ファイバ１２−１〜ｎに対応する駆動電圧と他の出力側光ファイバ１２に対応する駆動電圧のオフセット値であり、ドリフト等により角度ずれが生じていない際に光強度の損失が最小となるときの駆動電圧の値である。また、ｆx（Ｖt）とｆy（Ｖt）は、Ｖtに対する一次以上の高次多項式を表す。なお、以下においては、ｆx（Ｖt）とｆy（Ｖt）が一次関数の場合を例に説明する。この場合、式（１），（２）は、下式（３），（４）で表される。
【００４９】
Ｖx＝Ｖ0x＋Ａ・Ｖt  ・・・（３）
Ｖy＝Ｖoy＋Ｂ・Ｖt  ・・・（４）
【００５０】
上式（３），（４）をＶxとＶyを座標軸とする平面上に示すと、初期電圧、すなわち角度ずれが発生していない状態のＶxとＶyの値を通る直線となる。この直線のＶy軸に対する傾きをφとすると、上式（３），（４）は、下式（５），（６）で表される。なお、角度φは、上記直線のＶxに対する傾きとしても定義することできる。
【００５１】
Ｖx＝Ｖ0x＋Ｖt・ｓｉｎφ  ・・・（５）
Ｖy＝Ｖoy＋Ｖt・ｃｏｓφ  ・・・（６）
【００５２】
駆動電圧更新部２２は、図５に示すように、Ｖy軸に対して角度φだけ傾いたパラメータＶtを変数として電圧Ｖxと電圧Ｖyの値を順次変更して出力光の光強度の最適値を探索する、いわゆるフィードバック制御を行う。これにより、Ｖtの値を変化させると、ＶxとＶyの値が同時に変化するので、ミラー装置１３のミラー１３ａがＸ軸およびＹ軸回りに同時に変化することとなり、結果として、角度ずれに対する許容量が拡大される。例えば、図６に示すように、所定の光強度Ｐ1を基準として角度ずれの許容範囲ｒを設定した場合、従来のように電圧Ｖyの値のみ変化させてミラー１３ａをＸ軸方向回りのみ変化させた場合、角度ずれの許容範囲は、Ｖy軸と平行な２本の直線間の領域となる（図７の左側のグラフ参照）。一方、本実施の形態のように、パラメータＶtを用いて駆動電圧を更新する場合、角度ずれの許容範囲は、直線Ｖtと平行な２本の直線間の領域（図７の右側のグラフ参照）となり、従来の場合よりも許容範囲が大きくなる。したがって、角度ずれが生じた場合であっても、所望する光強度を有する出力光を出力できる駆動電圧を従来よりも広範囲に探索することができる。
【００５３】
＜パラメータ変更動作＞
次に、変更部２５によるパラメータＶtの変更動作について説明する。
【００５４】
上述したように、駆動電圧更新部２２によりＶy軸に対して斜めとなるパラメータＶtを設定することによって角度ずれの許容範囲を拡げることができたが、許容範囲よりも大きな角度ずれが生じた場合には、パラメータＶｔを用いた場合であっても所望する光強度の出力光を取得することが不可能となる。例えば、図８に示すように角度ずれがない状態でＭＥＭＳミラー装置１３の駆動を制御していたときに、ドリフト等により、図９に示すように角度ずれが生じて、直線ＶtがＶx軸の正の方向にずれたとする。このような場合には、図１０に示すように、パラメータＶtをいくら変化させたところで、所望する光強度（図１０における最内側の楕円）の出力光は得ることができない。このような場合、到達判断部２４は、出力光の光強度が所定の値を超えないと判断する。この結果を受けて、変更部２５は、パラメータＶtと電圧ＶｘおよびＶｙとの関係式を変更する。
【００５５】
例えば、図１１に示すように、パラメータＶtをＶy軸に対して線対称に変更する、言い換えると、パラメータＶtとＶy軸との交差角であるφの符号を逆転する。これにより、ＶtとＶxおよびＶyとの関係式（５），（６）における定数項Ｖ0x、Ｖ0yは、下式（７）で表されるＶ0x’、Ｖ0y’に変更され、かつ、新しいＶtとＶy軸との角度は（−φ）となる。
【００５６】
（Ｖ0x’，Ｖoy’）＝（Ｖx（Ｖt’）−Ｖt’・ｓｉｎ（−φ），Ｖoy）  ・・・（７）
【００５７】
ここで、Ｖt’は、変更前のＶt軸上の極大点近傍の値であり、目標とする所定の光強度の値に到達できないと判断した座標（以下、基点という）を示している。Ｖx（Ｖt’）は、Ｖt’におけるＶxの値である。上式（７）には、三角関数が含まれるが、ｓｉｎ（−φ）＝−ｓｉｎφであることからφの値が一定であるならば、ｓｉｎφを定数として与えることが可能であり、変換の際には単にｓｉｎの符号をマイナスにすればよい、したがって、変換を行う際の計算は、四則演算で十分であるため、ＣＰＵに大きな負荷を与えることなく実行することができる。
【００５８】
なお、変更部２５は、パラメータＶtをＶy軸に対して線対称に変更するのみならず、例えば、図１２に示すように、パラメータＶtを基点を中心としてＶx軸に対して線対称に変更したり、図１３に示すように、パラメータＶtを基点を中心として所定の角度αだけ回転させるようにしてもよい。特に、図１１，図１２に示すように軸対称でＶtを変更する場合には、切り替えた前後の光強度とＶt電圧の微分値が急激に変化しないため、切替前後で同じ制御パラメータのフィードバック制御を用いて更新動作を行うことができる。
【００５９】
＜到達判断動作＞
次に、到達判断部２４による到達判断動作について説明する。この到達判断動作としては、光強度の最大値に基づく手法と、光強度の微分値に基づく手法とが挙げられる。それぞれについて、以下に説明する。
【００６０】
（最大値に基づく手法）
この場合、到達判断部２４は、図１４に示すように、制御電圧軸であるＶt軸上で光強度の値Ｐをモニタし、現在の光強度の値が前回に測定した値以上の場合は最大値を現在の光強度に更新し、現在の光強度が前回の値を下回った場合は、その時点での最大値と目標とする所望の光強度とを比較する。このとき、最大値Ｐが目標値を下回る場合は、到達判断部２４は、当該制御軸上では目標値に到達できないと判断する。
【００６１】
（微分値に基づく手法）
この場合、到達判断部２４は、図１５に示すように、制御電圧Ｖtと光強度の値Ｐとの微分値ｄＰ／ｄＶtの符号変化をモニタし、過去に正および負の両符号をとったか否か検出することにより極大点を通過したことが判断する。この方法により極大点を通過したと判断した状況おいても、出力光の光強度が目標値を超えない場合、到達判断部２４は、当該制御軸上では光強度が目標値に到達できないと判断する。
【００６２】
＜制御装置１６の動作の具体例＞
次に、図１６を参照して、制御装置１６の動作の具体例について詳細に説明する。
【００６３】
まず、初期値設定部２６は、光信号を出力する出力側光ファイバ１２−１〜ｎと、これに対応した初期駆動電圧（Ｖ0x、Ｖ0y）、光強度の目標値Ｐt、Ｖtの初期値Ｖt0およびＰＩＤ制御のパラメータなど、必要な変数の初期設定を行う（ステップＳ１１）。また、初期設置部２６は、パラメータＶｔの初期値Ｖt0を設定する（ステップＳ１２）。これらが設定されると、駆動電圧出力部２３は、設定されたＶt0に対する電圧Ｖx，Ｖyを上記初期駆動電圧に基づいて算出し、これをＭＥＭＳミラー装置１３に供給する（ステップＳ１３）。
【００６４】
これにより、対称となる出力側光ファイバ１２−１〜ｎから光信号が出力されると、検出部２１は、その光信号の光強度Ｐ0を測定する（ステップＳ１４）。このとき、パラメータＶtの初期値Ｖt0では、出力光の光強度は必ずしも目標値とはなっていない。そこで、駆動電圧更新部２２は、出力光の光強度が目標値に一致するように、定期的に目標値と光強度の偏差ｅ(＝Ｐt−Ｐ0)を算出し（ステップＳ１５）、この偏差に応じた負帰還量ＦｂをＶtに加える（ステップＳ１６，Ｓ１７）。
【００６５】
Ｖtが更新されると、駆動電圧出力部２３は、再度、電圧Ｖx，Ｖyを算出してＭＥＭＳミラー装置１３の電極に印加する（ステップＳ１８）。これにより、出力光の光強度は、目標値に近づき、最終的には一致することとなる。
【００６６】
しかしながら、ドリフト等により角度ずれが発生し、Ｖt 軸上では出力光が目標値に到達することができなくなることがある。このような場合を判断するために、到達判断部２４は、Ｖt軸上での微分値ｄｐ／ｄＶtを定期的に繰り返すＰＩＤ制御の前回と今回の値の差分から算出｛（ｄｐ／ｄＶt）＝｛Ｐ0（今回）−Ｐ0（今回）｝／｛Ｖt（今回）Ｖt（前回）｝する（ステップＳ１９，Ｓ２０）。その微分値が正になった場合、PlusFlagを１にする（ステップＳ２１）。一方、その微分値が負になった場合、到達判断部２４は、MinusFlagを１とする。なお、MinusFlagとPlusFlagは初期値を０としておく。
【００６７】
MinusFlagとPlusFlagの両者の積が１となった場合（ステップＳ２２：ＹＥＳ）、微分値ｄｐ／ｄｓが正および負の両方を経験した、すなわち極大点を通ったことになるので、この状況で出力光の光強度が目標値に達していないと判断された場合、変換部２５は、上述したようなパラメータ変更動作を行う（ステップＳ２６）。このパラメータ変更動作を行うと、変換部２５は、MinusFlagとPlusFlagを初期値である０に戻しておく。
【００６８】
MinusFlagとPlusFlagの両者の積が１とならない場合（ステップＳ２２：ＮＯ）、駆動電圧更新部２２は、パラメータＶtおよび光強度Ｐ0を現在の値に更新する（ステップＳ２４）。
【００６９】
上述したような動作は、外部より停止命令が入力されるまで繰り返される（ステップＳ２４）。このようにすることにより、本実施の形態に係る光スイッチ１は、制御装置１６により処理を行っている間はＸ軸およびＹ軸のどちらに角度ずれが生じても、出力光強度の値を目標値と一致させることが可能となる。  
【００７０】
このような図１６に示す処理を２軸で駆動するＭＥＭＳミラー装置を有する光スイッチに適用した場合の光強度の時間変化を、図１７に示す。この図１７は、目標値を-15.2dBmとしており、数十時間にわたって安定した動作を実現していることがかる。このときのＶt軸における光強度を図１８に示す。この図１８に示すように、出力光の光強度の値は一定にも拘わらず、Ｖtの値は変化していることがわかる。これはミラーの経時的な角度変化を補償しているためである。図１９は図１８で示したＶt軸上の軌跡をＶx−Ｖy平面上に変換した軌跡を示している。このときのＶt軸のＶy軸に対する傾斜角は１０°である。図１８からは通常のＰＩＤ制御が行われているだけのように観察されるが、図１９に示すＶx−Ｖy平面上の軌跡を見れば、単にＶx−Ｖy平面上に固定された直線上を制御しているのではなく、ミラーの経時的な角度変化に対応して、必要に応じて、制御軸の傾斜角φを反転しながら目標値を追従していることがわかる。
【００７１】
また、図１６に示す処理におけるＶt軸上の微分値を用いて極大点をもつ損失プロファイル上をＰＩＤ制御する方法について、図２０を参照して説明する。通常、ＰＩＤ制御では、偏差に比例した補償量を制御電圧に加えるが、この加える際の符号は負帰還になるように設定される。例えば、Ｖtが減少することで光強度が増加するのであれば、出力光の光強度の減少により偏差が大きくなると、Ｖtが減少するような負の補償量が加えられる。しかしながら、極大点を有する場合は、その極大点よりＶtが大きな領域ではＶtが減少することで光強度が増加するのに対して、極大点よりＶtが小さな領域ではＶtが減少することで光強度も減少する（図２０の矢印ｆ参照）。したがって、極大点より小さな領域において、上述した場合と同様に出力光の光強度の減少を補償するためにＶtを減少させると、かえって光強度が減少して正帰還状態になってしまう。そこで、本実施の形態では、Ｖtと出力光の光強度の微分値ｄＰ／ｄＶtが極大点を前後して符号が変わることを利用することにより正帰還を防ぐ。
【００７２】
具体的には、補償電圧量をＦｂとした場合、下式（８）にしたがってＦｂをＶtに加算することにより、正帰還に陥ることを避けることができる。
【００７３】
Ｖt＝Ｖt＋（ｄＰ／ｄＶtの符号)×Ｆｂ  ・・・（８）
【００７４】
また、下式（９）にしたがってＦｂをＶtに加算することによっても、正帰還に陥ることを避けることができる。
【００７５】
Ｖt＝Ｖt＋（基準微分値）／（ｄＰ／ｄＶt）×Ｆｂ  ・・・（９）
【００７６】
この式（９）では、基準微分値を正値とすることにより、正帰還になることも避けることができる。また、この場合、二次方物線形状のため、極大点付近でｄＰ／ｄＶtの絶対値が小さくなり、フィードバック量Ｆｂに対する出力光の光強度ΔＰの変化が小さくなってしまう（図２０の矢印ｇ参照）ことを補正することも可能である。なお、ｄＰ／ｄＶtの値が極めて小さい場合には、発散を防ぐために「（基準微分値）／（ｄＰ／ｄＶt）」の絶対値が制限値を越えないようにする必要がある。基準微分値には、例えば任意の電圧ＶtにおけるｄＰ／ｄＶtを予め測定しておき、これを用いるようにしてもよい。
【００７７】
以上説明したように、本実施の形態によれば、パラメータＶtに用いて電圧Ｖxおよび電圧Ｖyの値を算出し、これを電極に印加することにより、ミラーがＸ軸回りおよびＹ軸回りに同時に回動するため、出力光の光強度が所定の値以上となる電圧Ｖxおよび電圧Ｖyの値を従来よりもより広範囲に探索することが可能となり、結果として、ミラー装置に角度ずれが生じた場合であっても所望する光強度の出力光を出力することができる。
【００７８】
なお、本実施の形態において、１×ｎポートの光スイッチに適用した場合を例に説明したが、本発明は２つの回動軸を有するミラー装置を有する光スイッチであるならば各種スイッチに適用できることはいうまでもない。例えば、図２１に示すようなｍ波長で１×ｎポートを有する波長選択スイッチ２に適用するようにしてもよい。この波長選択スイッチ２は、１本の入力側光ファイバ１１と、ｎ本の出力側光ファイバ１２−１〜ｎと、入力側光ファイバ１１からの入力光を回折しｍ個の特定の波長の光を生成する回折格子３１と、この回折格子により回折されたｍ個の光を各波長毎に反射して対応する出力側光ファイバ１２−１〜ｎに出力するＭＥＭＳミラー装置１３−１〜ｍと、出力側光ファイバ１２−１〜ｎからの出力を合波する合波器３２と、この合波器３２により合波された光をｍ個の特定の波長毎に分波器３３と、この分波器３３により分波された各光をモニタするフォトダイオード１４−１〜ｍと、このフォトダイオード１４−１〜ｍの検出結果をＡ／Ｄ変換するＡ／Ｄ変換器１５と、このＡ／Ｄ変換器１５からの出力に基づいてＭＥＭＳミラー装置１３−１〜ｍの駆動を制御する制御装置１６とを備えている。このような波長選択スイッチ２に対しても制御装置１６により上述した光スイッチ１と同等の処理を行うことにより、光スイッチ１の場合と同等の作用効果を得ることができる。
【００７９】
なお、本実施の形態では、検出部２１、駆動電圧更新部２２、駆動電圧出力部２３、到達判断部２４、変更部２５および初期値設定部２６により、出力光の光強度が所定の値以上となる電圧Ｖxおよび電圧Ｖyの値を算出するようにしたが、これらの電圧の値をパラメータＶtに基づいて算出するのであれば、各種構成を適用できることは言うまでもない。例えば、検出部２１，駆動電圧更新部２２，駆動電圧出力部２３および初期値設定部２６のみから制御装置１６が構成されるようにしてもよい。この場合、初期値設定部２６により選択された出力側光ファイバ１２に対応する電圧Ｖxおよび電圧Ｖyの値を設定し、検出部２１により出力光の光強度を監視し、この光強度が所定の値を超えないときに駆動電圧更新部２２により上述した駆動電圧の更新動作を行う。これにより、出力光の光強度が所定の値以上となる電圧Ｖxおよび電圧Ｖyの値を従来よりもより広範囲に探索することが可能となり、結果として、所定の光強度を有する出力光を出力させることができる。
【００８０】
［第２の実施の形態］
次に、本発明の第２の実施の形態について説明する。なお、本実施の形態は、上述した第１の実施の形態における制御装置１６の駆動電圧更新部２２および変更部２５の構成が異なるものである。したがって、本実施の形態において、第１の実施の形態と同等の構成要素は、同じ名称および符号を付し適宜説明を省略する。
【００８１】
本実施の形態では、到達判断部２４により現在のＶy軸上では目標とする光強度に到達できないと判断された場合、変更部２５により目標とする光強度をＶx軸上で探索するように変更する。例えば、図２２に示すように、角度ずれが生じて駆動電圧が符号ｈに示す状態となった場合、Ｖy軸に沿った直線上（図２２における点線ｉ）に目標とする光強度を探索しても、その目標に到達することはできない。このような場合、図２３に示すように、目標に到達できないと判断した電圧値を基点として、Ｖx軸に沿った直線状（図２３における点線ｊ）で目標とする光強度を探索する。これにより、目標とする光強度をとなる符号ｋで示す駆動電圧を探索することができる。
【産業上の利用可能性】
【００８２】
本発明は、複数の回動軸を有するミラー装置による反射光の光強度の最適化を行う各種装置に適用することができる。
【図面の簡単な説明】
【００８３】
【図１】本発明に係る１×ｎポートの光スイッチを示す模式図である。
【図２】制御装置の構成を示すブロック図である。
【図３】駆動電圧設定動作を示すフローチャートである。
【図４】Ｖx−Ｖy電圧平面上の光強度を等高線で示す図である。
【図５】パラメータＶtを説明する図である。
【図６】角度ずれの許容量を説明する図である。
【図７】従来と本発明との角度ずれ許容範囲を説明する図である。
【図８】角度ずれがないときのＶx−Ｖy電圧平面上の光強度を示す図である。
【図９】角度ずれがあるときのＶx−Ｖy電圧平面上の光強度を示す図である。
【図１０】図９において光強度のピークの探索を説明する図である。
【図１１】ＶtをＶy軸に対して線対称に変更した図である。
【図１２】ＶtをＶx軸に対して線対称に変更した図である。
【図１３】Ｖtを角度α回転した図である。
【図１４】最大値に基づいて光強度が目標値に到達するか否かを判断する手法を説明する図である。
【図１５】微分値に基づいて光強度が目標値に到達するか否かを判断する手法を説明する図である。
【図１６】制御装置の動作の具体例を示すフローチャートである。
【図１７】光強度の時間変化の具体例を示す図である。
【図１８】図１７におけるＶt軸の光強度を示す図である。
【図１９】図１８におけるＶt軸上の軌跡をＶx−Ｖy平面上に変換した図である。
【図２０】Ｖt軸上の微分値を用いたＰＩＤ制御を説明する図である。
【図２１】本発明を適用したｍ波長、１×ｎポートを有する波長選択スイッチを示す図である。
【図２２】角度ずれがあるときのＶx−Ｖy電圧平面上の光強度を示す図である。
【図２３】図２２においてＶx軸に沿った探索を説明する図である。
【図２４】MEMSマイクロミラーを用いた空間光学系光スイッチの構成を示す図である。
【図２５】MEMSマイクロミラーの構成を示す図である。
【図２６】MEMSマイクロミラーのミラーと電極の構成を示す図である。
【図２７】空間光学系光スイッチの出射ポート選択動作を示す図である。
【図２８】電圧Ｖxと光強度Ｐとの関係を示す図である。
【図２９】空間光学系光スイッチのポート結合率調整動作を示す図である。
【図３０】電圧Ｖyと光強度Ｐとの関係を示す図である。
【図３１】Ｖx−Ｖy電圧平面上の光強度を等高線で示す図である。
【図３２】光強度がＶy軸方向に変化した場合を説明する図である。
【図３３】光強度がＶy軸方向とともにＶx軸方向に変化した場合を説明する図である。
【図３４】光強度がＶx軸方向に大きく変化した場合を説明する図である。
【符号の説明】
【００８４】
１…光スイッチ、２…波長選択スイッチ、１１…入力側光ファイバ、１２−１〜ｎ…出力側光ファイバ、１３…ＭＥＭＳミラー装置、１４−１〜ｎ…フォトダイオード、１５…Ａ／Ｄ変換器、１６…制御装置、１７，１８…コリメートレンズ、２１…検出部、２２…駆動電圧更新部、２３…駆動電圧出力部、２４…到達判断部、２５…変更部、２６…初期値設定部、３１…回折格子、３２…合波器、３３…分波器。
【図１】
0004719193.tif 000002
【図２】
0004719193.tif 000003
【図３】
0004719193.tif 000004
【図４】
0004719193.tif 000005
【図５】
0004719193.tif 000006
【図６】
0004719193.tif 000007
【図７】
0004719193.tif 000008
【図８】
0004719193.tif 000009
【図９】
0004719193.tif 000010
【図１０】
0004719193.tif 000011
【図１１】
0004719193.tif 000012
【図１２】
0004719193.tif 000013
【図１３】
0004719193.tif 000014
【図１４】
0004719193.tif 000015
【図１５】
0004719193.tif 000016
【図１６】
0004719193.tif 000017
【図１７】
0004719193.tif 000018
【図１８】
0004719193.tif 000019
【図１９】
0004719193.tif 000020
【図２０】
0004719193.tif 000021
【図２１】
0004719193.tif 000022
【図２２】
0004719193.tif 000023
【図２３】
0004719193.tif 000024
【図２４】
0004719193.tif 000025
【図２５】
0004719193.tif 000026
【図２６】
0004719193.tif 000027
【図２７】
0004719193.tif 000028
【図２８】
0004719193.tif 000029
【図２９】
0004719193.tif 000030
【図３０】
0004719193.tif 000031
【図３１】
0004719193.tif 000032
【図３２】
0004719193.tif 000033
【図３３】
0004719193.tif 000034
【図３４】
0004719193.tif 000035