(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
ディスプレイ領域を持つ基板と、
前記基板のディスプレイ領域に配された薄膜トランジスタと、
前記基板のディスプレイ領域の外側に配された電極電源供給ラインと、
前記基板のディスプレイ領域に配され、前記薄膜トランジスタに電気的に連結された画素電極と、
前記電極電源供給ラインの一側で前記電極電源供給ラインとコンタクトする補助導電層と、
前記画素電極を露出させ、前記補助導電層を覆うが、前記電極電源供給ラインを露出させる画素定義膜と、
前記画素電極上に配された、発光層を備える中間層と、
前記中間層の上部に配され、前記基板のディスプレイ領域の外側に延びて前記電極電源供給ラインとコンタクトする対向電極と、
前記基板のエッジに、前記電極電源供給ラインから延びた端子部と、
を備え、
前記端子部は前記電極電源供給ラインと同じ物質で形成され、
前記端子部と前記補助導電層とは相異なる物質で形成されたことを特徴とする有機発光ディスプレイ装置。
【請求項２】
前記補助導電層は、前記基板のディスプレイ領域の外側に配されることを特徴とする請求項１に記載の有機発光ディスプレイ装置。
【請求項３】
前記補助導電層は、前記画素電極と同じ物質で形成されたことを特徴とする請求項１に記載の有機発光ディスプレイ装置。
【請求項４】
前記画素電極は、ＩＴＯで形成された層を持つことを特徴とする請求項３に記載の有機発光ディスプレイ装置。
【請求項５】
前記画素電極は複数層構造を持ち、最上層はＩＴＯで形成された層であることを特徴とする請求項４に記載の有機発光ディスプレイ装置。
【請求項６】
前記補助導電層は、前記画素電極と同じ構造を持つことを特徴とする請求項３に記載の有機発光ディスプレイ装置。
【請求項７】
前記補助導電層は、前記画素電極が配された層と同一層に配された部分を持つことを特徴とする請求項１に記載の有機発光ディスプレイ装置。
【請求項８】
前記画素定義膜は、前記基板の前記ディスプレイ領域と前記ディスプレイ領域の外側とにかけて配されることを特徴とする請求項１に記載の有機発光ディスプレイ装置。
【請求項９】
前記薄膜トランジスタを覆い、前記電極電源供給ラインのエッジを覆う平坦化膜をさらに備え、前記画素電極は前記平坦化膜上に配され、前記補助導電層は、前記平坦化膜により露出された前記電極電源供給ラインと前記平坦化膜とにかけて配され、前記画素定義膜は、前記平坦化膜を覆うように配されることを特徴とする請求項１に記載の有機発光ディスプレイ装置。
【請求項１０】
前記対向電極は、前記画素定義膜により露出された前記電極電源供給ラインと前記画素定義膜とにかけて前記基板のディスプレイ領域の外側に延びることを特徴とする請求項９に記載の有機発光ディスプレイ装置。
【請求項１１】
前記薄膜トランジスタは、ソース電極、ドレイン電極及びゲート電極を備え、前記電極電源供給ラインは、前記ソース電極及びドレイン電極と同じ物質で形成されたことを特徴とする請求項１に記載の有機発光ディスプレイ装置。
【請求項１２】
前記電極電源供給ラインは、Ａｌで形成された層を備えることを特徴とする請求項１１に記載の有機発光ディスプレイ装置。
【請求項１３】
前記電極電源供給ラインは、前記ソース電極及びドレイン電極と同じ構造を持つことを特徴とする請求項１１に記載の有機発光ディスプレイ装置。
【請求項１４】
前記電極電源供給ラインは、前記ソース電極及びドレイン電極と同一層に配されることを特徴とする請求項１１に記載の有機発光ディスプレイ装置。
【請求項１５】
前記端子部は、Ａｌで形成された層を備えることを特徴とする請求項１に記載の有機発光ディスプレイ装置。
【請求項１６】
前記端子部と前記電極電源供給ラインとは同じ構造を持つことを特徴とする請求項１に記載の有機発光ディスプレイ装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は有機発光ディスプレイ装置に係り、より詳細には、製造工程中の腐食発生を防止して歩留まりを著しく高くできる有機発光ディスプレイ装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
一般的に有機発光ディスプレイ装置は、ディスプレイ領域に有機発光素子を備えるディスプレイ装置である。有機発光素子は、相互対向した画素電極及び対向電極と、画素電極と対向電極との間に介されて発光層を備える中間層を備える。
【０００３】
これらの有機発光ディスプレイ装置は、駆動方式によって、各副画素の発光制御が各副画素に備えられた薄膜トランジスタ（Thin Film Transistor：ＴＦＴ）を通じて行われる能動駆動型と、各副画素の発光制御がマトリックス形状に配列された電極を通じて行われる受動駆動型とに大別される。能動駆動型の場合、複数の副画素等の対向電極は通例的に一体に形成され、ディスプレイ領域の外側で電極電源供給ラインと接触する。そして、これらの電極電源供給ラインは、ディスプレイパネルエッジに配される端子部と連結されている。
【０００４】
これらの電極電源供給ラインは絶縁層で覆われるが、この絶縁層は、電極電源供給ラインの少なくとも一部を露出させ、対向電極は、電極電源供給ラインの露出した部位で電極電源供給ラインとコンタクトする。
【０００５】
この場合、製造工程中に電極電源供給ラインにコンタクトするように対向電極を形成する前に、電極電源供給ラインを絶縁層の外部に露出させる工程を経る。しかし、そのような工程中に電極電源供給ラインの表面などが酸化され、その結果、電極電源供給ラインと対向電極とがコンタクトされた構造において、コンタクト抵抗が大きくなるという問題点があった。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本発明は、前記のような問題点を含めて種々の問題点を解決するためのものであり、製造工程中の腐食発生を防止して歩留まりを著しく高くできる有機発光ディスプレイ装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明は、ディスプレイ領域を持つ基板と、前記基板のディスプレイ領域に配されたＴＦＴと、前記基板のディスプレイ領域の外側に配された電極電源供給ラインと、前記基板のディスプレイ領域に配され、前記ＴＦＴに電気的に連結された画素電極と、前記電極電源供給ラインの一側で前記電極電源供給ラインとコンタクトする補助導電層と、前記画素電極を露出させ、前記補助導電層を覆うが、前記電極電源供給ラインを露出させる画素定義膜と、前記画素電極上に配された、発光層を備える中間層と、前記中間層の上部に配され、前記基板のディスプレイ領域の外側に延びて前記電極電源供給ラインとコンタクトする対向電極と、を備えることを特徴とする有機発光ディスプレイ装置を提供する。
【０００８】
本発明の他の特徴によれば、前記補助導電層は、前記基板のディスプレイ領域の外側に配される。
【０００９】
本発明のさらに他の特徴によれば、前記補助導電層は、前記画素電極と同じ物質で形成される。
【００１０】
本発明のさらに他の特徴によれば、前記画素電極は、ＩＴＯで形成された層を持つ。
【００１１】
本発明のさらに他の特徴によれば、前記画素電極は複数層構造を持ち、最上層はＩＴＯで形成された層である。
【００１２】
本発明のさらに他の特徴によれば、前記補助導電層は、前記画素電極と同じ構造を持つ。
【００１３】
本発明のさらに他の特徴によれば、前記補助導電層は、前記画素電極が配された層と同一層に配された部分を持つ。
【００１４】
本発明のさらに他の特徴によれば、前記画素定義膜は、前記基板の前記ディスプレイ領域と前記ディスプレイ領域の外側とにかけて配される。
【００１５】
本発明のさらに他の特徴によれば、前記ＴＦＴを覆い、前記電極電源供給ラインのエッジを覆う平坦化膜をさらに備え、前記画素電極は前記平坦化膜上に配され、前記補助導電層は、前記平坦化膜により露出された前記電極電源供給ラインと前記平坦化膜とにかけて配され、前記画素定義膜は、前記平坦化膜を覆うように配される。
【００１６】
本発明のさらに他の特徴によれば、前記対向電極は、前記画素定義膜により露出された前記電極電源供給ラインと前記画素定義膜とにかけて前記基板のディスプレイ領域の外側に延びる。
【００１７】
本発明のさらに他の特徴によれば、前記ＴＦＴは、ソース電極、ドレイン電極及びゲート電極を備え、前記電極電源供給ラインは、前記ソース電極及びドレイン電極と同じ物質で形成される。
【００１８】
本発明のさらに他の特徴によれば、前記電極電源供給ラインは、Ａｌで形成された層を備える。
【００１９】
本発明のさらに他の特徴によれば、前記電極電源供給ラインは、前記ソース電極及びドレイン電極と同じ構造を持つ。
【００２０】
本発明のさらに他の特徴によれば、前記電極電源供給ラインは、前記ソース電極及びドレイン電極と同一層に配される。
【００２１】
本発明のさらに他の特徴によれば、前記基板のエッジに、前記電極電源供給ラインから延びた端子部をさらに備える。
【００２２】
本発明のさらに他の特徴によれば、前記端子部は、前記電極電源供給ラインと同じ物質で形成される。
【００２３】
本発明のさらに他の特徴によれば、前記端子部は、Ａｌで形成された層を備える。
【００２４】
本発明のさらに他の特徴によれば、前記端子部と前記電極電源供給ラインとは同じ構造を持つ。
【００２５】
本発明のさらに他の特徴によれば、前記端子部と前記補助導電層とは相異なる物質で形成される。
【００２６】
本発明はまた、基板と、前記基板上に配された導電層と、前記導電層が露出されるように前記導電層の一部を覆う絶縁膜と、前記基板のエッジに前記導電層から延びた端子部と、を備え、前記絶縁膜により露出された導電層と前記端子部とは同一物質で形成されたことを特徴とする有機発光ディスプレイ装置を提供する。
【００２７】
本発明のさらに他の特徴によれば、前記端子部と前記導電層とは、同じ構造を持つ。
【００２８】
本発明のさらに他の特徴によれば、前記導電層は、Ａｌで形成された層を備える。
【００２９】
本発明のさらに他の特徴によれば、前記導電層の一側で前記導電層とコンタクトする補助導電層をさらに備え、前記絶縁膜は前記補助導電層を覆う。
【００３０】
本発明のさらに他の特徴によれば、前記補助導電層は、ＩＴＯで形成された層を備える。
【００３１】
本発明のさらに他の特徴によれば、前記補助導電層は、前記導電層と相異なる物質で形成される。
【発明の効果】
【００３２】
本発明の有機発光ディスプレイ装置によれば、製造工程中の腐食発生を防止して歩留まりを著しく高めることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３３】
以下、添付した図面を参照して本発明の実施形態を詳細に説明すれば、次の通りである。
【００３４】
図１は、本発明の一実施形態による有機発光ディスプレイ装置を概略的に示す平面図であり、図２は、図１のＩＩ−ＩＩ線の断面を概略的に示す断面図であり、図３は、図２の有機発光ディスプレイ装置の製造工程のうち一工程で製造中の有機発光ディスプレイ装置を概略的に示す断面図である。
【００３５】
前記図面を参照すれば、本実施形態による有機発光ディスプレイ装置は、基板１１０を備える。この基板１１０は、ガラス材、金属材またはプラスチック材などの多様な材料で形成できる。該基板１１０は、画像を再現するためのディスプレイ素子が配されるディスプレイ領域１００を持つ。ディスプレイ領域１００には、画素電極２１０（図２参照）と、これに対向した対向電極２３０（図２参照）と、画素電極２１０と対向電極２３０との間に介された少なくとも発光層を備える中間層２２０（図２参照）とを備える有機発光素子２００が備えられる。
【００３６】
基板１１０上には、ディスプレイ領域１００の有機発光素子２００以外にも、ディスプレイ領域１００の外側に垂直回路駆動部４００、水平回路駆動部５００、ディスプレイ領域１００に電源を供給する電源供給ライン３１０が電気的に連結された電源配線部３００、対向電極２３０に電源を供給する電極電源供給ライン１９０、そして、これらの構成要素に印加される電気的信号を外部から伝達する端子部１９２、３２０、４２０、５２０が備えられる。そして、この基板１１０のエッジにはシーラント７００などが塗布されて、密封部材６００（図２参照）がディスプレイ領域１００などを覆うようにする。もちろん、シーラント７００及び密封部材６００は必須でなくともよいし、さらには保護膜が基板１１０の全面に備えられるなど多様な変形が可能であるということはいうまでもない。端子部１９２、３２０、４２０、５２０は、後述する絶縁層により覆われずに露出されて、フレキシブル印刷回路基板またはＩＣチップのような他の電気的構成要素と電気的に連結されうる。
【００３７】
図２を参照してディスプレイ領域１００及び有機発光素子２００の構成をさらに詳細に説明すれば、次の通りである。
【００３８】
基板１１０には、ディスプレイ領域１００に薄膜トランジスタ（Ｔｈｉｎ Ｆｉｌｍ Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ：ＴＦＴ）ＴＦＴ１が配される。基板１１０のディスプレイ領域１００の外側には電極電源供給ライン１９０が配される。もちろん、基板１１０のディスプレイ領域１００の外側には垂直回路駆動部４００に属するＴＦＴ ＴＦＴ２などが配されることもある。構成要素及び有機発光素子２００などの構成をさらに詳細に説明すれば、次の通りである。
【００３９】
まず、基板１１０上にＳｉＯ２などでバッファ層１２０が備えられている。バッファ層１２０上には半導体層１３０が備えられるが、半導体層１３０は非晶質シリコン層または多結晶質シリコン層で形成され、または有機半導体物質で形成されることもある。図面で詳細に図示されてはいないが、必要に応じて半導体層１３０は、ドーパントでドーピングされるソース領域及びドレイン領域と、チャンネル領域を備えることができる。
【００４０】
半導体層１３０の上部にはゲート電極１５０が備えられるが、このゲート電極１５０に印加される信号によってソース電極とドレイン電極１７０とが電気的に疎通する。ゲート電極１５０は、隣接層との密着性、積層される層の表面平坦性そして加工性などを考慮して、例えば、ＭｏＷ、Ａｇ、ＣｕまたはＡｌのような物質で形成できる。この時、半導体層１３０とゲート電極１５０との絶縁性を確保するために、ＳｉＯ２などで形成されるゲート絶縁膜１４０が半導体層１３０とゲート電極１５０との間に介在される。
【００４１】
ゲート電極１５０の上部には層間絶縁膜１６０が備えられるが、これは、酸化シリコンまたは窒化シリコンなどの物質で単層または複数層で形成できる。層間絶縁膜１６０の上部にはソース／ドレイン電極１７０が形成される。ソース／ドレイン電極１７０は、層間絶縁膜１６０とゲート絶縁膜１４０とに形成されるコンタクトホールを通じて半導体層にそれぞれ電気的に連結される。ソース／ドレイン電極１７０は、導電性などを考慮して、例えば、チタン、モリタングステン（ＭｏＷ）、銀、銅またはアルミニウムのような物質で形成できる。もちろん、このようなソース／ドレイン電極１７０は単一層だけではなく複数層構造にも形成できるが、例えば、チタン層とアルミニウム層とチタン層との複数層構造を持つこともできる。
【００４２】
ディスプレイ領域１００の外側には電極電源供給ライン１９０が配されるが、図２では、電極電源供給ライン１９０がＴＦＴ ＴＦＴ１のソース／ドレイン電極１７０と同一層に配されているように図示されている。すなわち、電極電源供給ライン１９０は、ＴＦＴ ＴＦＴ１のソース／ドレイン電極１７０と同一物質で同時に同じ構造で形成できる。しかし、本発明がこれに限定されず、電極電源供給ライン１９０は、ＴＦＴ ＴＦＴ１のゲート電極１５０と同一層に形成されてもよく、またはＴＦＴ ＴＦＴ１の電極との位置関係を持たずに形成されてもよい。以下では、便宜上、電極電源供給ライン１９０がＴＦＴ ＴＦＴ１のソース／ドレイン電極１７０と同一層に配された場合について説明する。
【００４３】
電極電源供給ライン１９０は多様な物質で形成できるが、後述するように、電極電源供給ライン１９０としては、有機発光素子２００の対向電極２３０に電気的信号を供給するため、抵抗が低くて導電性の優秀な物質を使用するのが好ましい。かかる物質としては、Ｔｉ、ＭｏＷ、Ａｇ、ＣｕまたはＡｌなどを挙げられる。電極電源供給ライン１９０は単一層だけではなく複数層構造にも形成できるが、例えば、チタン層とアルミニウム層とチタン層との複数層構造を持つこともできる。もちろん、ソース／ドレイン電極１７０と電極電源供給ライン１９０とが前述したように同一物質で形成されることもあり、かつ同時に形成されることもある。ソース／ドレイン電極１７０と電極電源供給ライン１９０とが同時に形成される場合、ソース／ドレイン電極１７０と電極電源供給ライン１９０とは同じ構造を持つ。
【００４４】
電極電源供給ライン１９０は、後述するように対向電極２３０に電源を供給する役割を行う。このために端子部１９２が、基板１１０のエッジに電極電源供給ライン１９０から延びて配される。この端子部１９２を通じて電源が電極電源供給ライン１９０に伝達され、電極電源供給ライン１９０を通じて電源が対向電極２３０に伝達される。端子部１９２は、電極電源供給ライン１９０の形成時に同時に形成され、これにより、端子部１９２は電極電源供給ライン１９０と同じ物質で形成されうる。端子部１９２と電極電源供給ライン１９０とが同時に形成される場合、端子部１９２と電極電源供給ライン１９０とは同じ構造を持つ。特に導電性を考慮して、端子部１９２はＡｌで形成された層を備えることもある。
【００４５】
ＴＦＴ ＴＦＴ１の上部にはパッシベーション層である第１絶縁膜１８１が備えられて、下部のＴＦＴ ＴＦＴ１を保護する。この保護膜１８１は多様な物質で形成できるが、ＴＦＴ ＴＦＴ１に対する保護性能が優れた酸化シリコン、窒化シリコンまたは酸窒化ケイ素のような無機物で形成できる。図２には単層で図示されているが、複数層で形成されることもできるなど多様な変形が可能であるということはいうまでもない。この第１絶縁膜１８１は、電極電源供給ライン１９０の少なくとも一部が露出されるように形成される。図２では、例示的に第１絶縁膜１８１が電極電源供給ライン１９０の両側を覆うように配された構造を示している。
【００４６】
第１絶縁膜１８１上には平坦化膜の第２絶縁膜１８２が備えられる。すなわち、第２絶縁膜は、その下部にＴＦＴ ＴＦＴ１などが配されているにもかかわらず、上面がほぼ平坦な平坦化膜である。このような平坦化特性のために、第２絶縁膜１８２は有機物で形成できるが、例えば、アクリル、ＢＣＢ（benzocyclobutene）またはフォトアクリルなどで形成できる。図２には、第２絶縁膜１８２が単一層で図示されているが、複数層であってもよいなど多様な変形が可能であるということはいうまでもない。第２絶縁膜１８２も電極電源供給ライン１９０の少なくとも一部が露出されるように形成される。
【００４７】
第２絶縁膜１８２上には、画素電極２１０、対向電極２３０及びその間に介在される中間層２２０を持つ有機発光素子２００が配される。具体的に説明すれば次の通りである。
【００４８】
ディスプレイ領域１００で、第１絶縁膜１８１と第２絶縁膜１８２とにはＴＦＴ ＴＦＴ１のソース／ドレイン電極１７０のうち少なくともいずれか一つを露出させる開口部が形成され、この開口部を通じてソース／ドレイン電極１７０のうちいずれか一つとコンタクトしてＴＦＴ ＴＦＴ１と電気的に連結される画素電極２１０が基板１１０のディスプレイ領域１００に、具体的には第２絶縁膜１８２上に配される。画素電極２１０は透明電極または反射型電極で備えられうるが、透明電極として使われる時には、ＩＴＯ、ＩＺＯ、ＺｎＯまたはＩｎ２Ｏ３で形成できる。反射型電極として使われる時には、Ａｇ、Ｍｇ、Ａｌ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ａｕ、Ｎｉ、Ｎｄ、Ｉｒ、Ｃｒ及びこれらの化合物などで形成された反射膜と、ＩＴＯ、ＩＺＯ、ＺｎＯまたはＩｎ２Ｏ３で形成された層とを持つことができる。もちろん、本発明がこれに限定されるというものではなく、多様な材質で形成でき、その構造もまた単層または複数層になりうるなど多様な変形が可能である。
【００４９】
第２絶縁膜１８２の上部には第３絶縁膜１８３が配される。すなわち、第３絶縁膜１８３は、第２絶縁膜１８２を覆うように形成される。この第３絶縁膜１８３は画素定義膜であり、これは各副画素に対応する開口、すなわち、画素電極２１０の少なくとも一部、例えば、中央部を露出させるか、または画素電極２１０の全体を露出させる開口を持つことによって画素を定義する役割を行う。また、図２に示したような場合、第３絶縁膜１８３は、画素電極２１０の端部と対向電極２３０との間の距離を広げることによって、画素電極２１０の端部でアークなどが発生することを防止する役割を行う。第３絶縁膜１８３は第２絶縁膜１８２上に配されるが、図２に示したように、ディスプレイ領域１００の外側にも配されうる。すなわち、第３絶縁膜１８３は、基板１１０のディスプレイ領域１００とディスプレイ領域１００の外側とにかけて配されうる。これらの第３絶縁膜１８３は、電極電源供給ライン１９０の少なくとも一部も露出させる。
【００５０】
一方、電極電源供給ライン１９０の一側で電極電源供給ライン１９０とコンタクトするように、補助導電層１９０ａが配される。この補助導電層１９０ａは電極電源供給ライン１９０とコンタクトすることによって、電極電源供給ライン１９０を通じる電極電源のＩＲドロップなどを防止する役割を行う。これらの補助導電層１９０ａは、基板１１０のディスプレイ領域１００の外側に配されうる。また、図２に示したように、補助導電層１９０ａは、必要に応じて画素電極２１０が配された層と同一層に配された部分を持つことができるが、図２では、補助導電層１９０ａが第２絶縁膜１８２と電極電源供給ライン１９０とにかけて配されているように図示されている。この場合、補助導電層１９０ａは画素電極２１０と同じ物質で形成される。もちろん、補助導電層１９０ａは画素電極２１０と同時に形成されてもよく、この場合、補助導電層１９０ａは画素電極２１０と同じ構造を持つことができる。これらの補助導電層１９０ａは第３絶縁膜１８３により覆われる。これにより、補助導電層１９０ａは第３絶縁膜１８３の外側に露出されない。
【００５１】
有機発光素子２００の中間層２２０は、低分子または高分子物質で形成される。低分子物質で形成される場合、ホール注入層（ＨＩＬ：Hole Injection Layer）、ホール輸送層（ＨＴＬ：Hole Transport Layer）、発光層（ＥＭＬ：Emission Layer）、電子輸送層（ＥＴＬ：Electron Transport Layer）、電子注入層（ＥＩＬ：Electron Injection Layer）などが単一あるいは複合の構造で積層されて形成され、使用可能な材料も銅フタロシアニン（ＣｕＰｃ：Copper Phthalocyanine）、Ｎ，Ｎ−ジ（ナフタレン−１−イル）−Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−ベンジジン（ＮＰＢ）、トリス−８−ヒドロキシキノリンアルミニウム（Ａｌｑ３）などをはじめとして多様な物質が使われうる。これらの層は真空蒸着の方法で形成できる。
【００５２】
高分子物質で形成される場合には、ほぼホール輸送層（ＨＴＬ）及び発光層（ＥＭＬ）で備えられた構造を持つことができ、この時、前記ホール輸送層としてＰＥＤＯＴを使用し、発光層としてＰＰＶ（Poly−Phenylenevinylene）系及びポリフルオレン系などの高分子物質を使用して、これをスクリーン印刷やインクジェット印刷方法などで形成できる。もちろん中間層２２０は必ずしもこれに限定されるものではなく、多様な構造を持つこともできるということはいうまでもない。
【００５３】
対向電極２３０は中間層２２０の上部に、すなわち、ディスプレイ領域１００の上部に配されるが、図２に示したように、ディスプレイ領域１００を覆うように配されうる。この対向電極２３０は、ディスプレイ領域１００の外側に延びてディスプレイ領域１００の外側の電極電源供給ライン１９０にコンタクトして、電極電源供給ライン１９０から電気的信号を伝達される。すなわち、対向電極２３０は、第３絶縁膜１８３により露出された電極電源供給ライン１９０と第３絶縁膜１８３とにかけて基板１１０のディスプレイ領域１００の外側に延びる。
【００５４】
対向電極２３０は、透明電極または反射型電極で備えられるが、透明電極として使われる時には、仕事関数の小さな金属、すなわち、Ｌｉ、Ｃａ、ＬｉＦ／Ｃａ、ＬｉＦ／Ａｌ、Ａｌ、Ａｇ、Ｍｇ及びこれらの化合物で形成された層と、ＩＴＯ、ＩＺＯ、ＺｎＯまたはＩｎ２Ｏ３などの透明導電層とを持つことができる。反射型電極として使われる時には、Ｌｉ、Ｃａ、ＬｉＦ／Ｃａ、ＬｉＦ／Ａｌ、Ａｌ、Ａｇ、Ｍｇ及びこれらの化合物で形成された層を持つことができる。もちろん、対向電極２３０の構成及び材料がこれに限定されるものではなく、多様な変形が可能であるということはいうまでもない。
【００５５】
図３は、図２の有機発光ディスプレイ装置の製造工程のうち一工程で製造中の有機発光ディスプレイ装置を概略的に示す断面図である。具体的に、図３は、第３絶縁膜１８３まで形成し、有機発光素子２００の中間層２２０及び対向電極２３０などを形成する前の工程で製造中の有機発光ディスプレイ装置を概略的に示す断面図である。
【００５６】
第３絶縁膜１８３は、前述したように画素電極２１０の少なくとも一部を露出させる開口及び電極電源供給ライン１９０の少なくとも一部を露出させる開口を持ち、補助導電層１９０ａを覆う。このような第３絶縁膜１８３を形成するためには、基板１１０の全面に絶縁層を形成し、フォトレジストなどを利用して露光、現像及びエッチングなどの工程を経て、脱イオン水（ＤＩ（deionized） water）などで洗浄する過程を経る。この過程で補助導電層１９０ａが第３絶縁膜１８３により覆われているため、電極電源供給ライン１９０、端子部１９２または補助導電層１９０ａが損傷しない。
【００５７】
図４は、比較例による有機発光ディスプレイ装置の一部を概略的に示す断面図であり、図５は、図４の有機発光ディスプレイ装置の製造工程のうち一工程で製造中の有機発光ディスプレイ装置を概略的に示す断面図である。図４及び図５を参照すれば、補助導電層１９０ｂが電極電源供給ライン１９０の上部に配されており、第３絶縁膜１８３が補助導電層１９０ｂを露出させるように形成されており、対向電極２３０は補助導電層１９０ｂにコンタクトして、補助導電層１９０ｂを通じて電極電源供給ライン１９０に電気的に連結されている。
【００５８】
図４及び図５に示したような有機発光ディスプレイ装置の場合、第３絶縁膜１８３を形成する工程及びその後続工程で補助導電層１９０ｂが露出される。もちろん、この場合にも端子部も第３絶縁膜１８３の外側に露出されるので、第３絶縁膜１８３を形成する工程及びその後続工程で補助導電層１９０ｂまたは端子部が損傷するという問題点があった。
【００５９】
具体的に、フォトレジストを利用した第３絶縁膜１８３の現像、フォトレジストのストリッピング及び／または洗浄工程ではウェット工程を経る。この過程で異種物質で形成された補助導電層１９０ｂ及び端子部がウェット工程で使用するアルカリ溶液に露出されるが、この時、ガルバニック現象により補助導電層１９０ｂと端子部との間に電位差が発生して、補助導電層１９０ｂと端子部のうち少なくともいずれか一つが大きく損傷するという問題点があった。例えば、画素電極２１０がＩＴＯで形成された層を持ち、補助導電層１９０ｂが画素電極２１０と同一物質で形成されて、補助導電層１９０ｂもＩＴＯで形成された層を持ち、端子部が電極電源供給ライン１９０と同一物質で形成されてＡｌで形成された層を持つならば、Ａｌが酸化してＩＴＯが還元されて、Ａｌで形成された層が損傷するなどの問題点が発生する。これは、結局Ａｌ層の酸化によるＡｌ層の抵抗が大幅上昇して不良を引き起こすという問題点があった。
【００６０】
しかし、図１ないし図３に示したような本実施形態による有機発光ディスプレイ装置の場合、第３絶縁膜１８３を形成する工程及びそれ以後の工程において、補助導電層１９０ａが第３絶縁膜１８３で覆われているため、前記のような問題点が発生しない。具体的に、第３絶縁膜１８３を形成する工程及びそれ以後の工程において、電極電源供給ライン１９０と端子部１９２とが第３絶縁膜１８３により露出されるところ、前述したように電極電源供給ライン１９０と端子部１９２とが同一物質で形成されるため、電極電源供給ライン１９０と端子部１９２との間にはガルバニック現象が発生しない。ガルバニック現象は、異種導電物質間で発生するためである。特に本実施形態による有機発光ディスプレイ装置の場合、画素電極２１０がＩＴＯで形成された層を持ち、また補助導電層１９０ａが画素電極２１０と同一物質で形成されて、補助導電層１９０ａもＩＴＯで形成された層を持ち、さらに端子部が電極電源供給ライン１９０と同一物質で形成される。このため、端子部がＡｌで形成された層を持つ場合でも、Ａｌが酸化されるという問題点、またはＩＴＯが還元されるという問題点の発生を防止できる。さらに、画素電極２１０が複数層構造を持ち、画素電極２１０の最上層がＩＴＯで形成された層である場合、補助導電層１９０ａも複数層構造を持ち、その最上層がＩＴＯで形成された層になりうるが、この場合にも、補助導電層１９０ａの最上層であるＩＴＯで形成された層が第３絶縁膜１８３の外部に露出されない。
【００６１】
一方、図４及び図５に示した比較例の場合には、電極電源供給ライン１９０と端子部とが連結されており、補助導電層１９０ｂが電極電源供給ライン１９０とコンタクトしているため、端子部と補助導電層１９０ｂとの間にガルバニック現象が生じる。本実施形態による有機発光ディスプレイ装置の場合、画素電極２１０が第３絶縁膜１８３により露出されるが、画素電極２１０は、端子部１９２または電極電源供給ライン１９０と直接的にコンタクトしていない。したがって、画素電極２１０は、端子部１９２または電極電源供給ライン１９０との関係でガルバニック現象を引き起こさない。
【００６２】
前述したような実施形態による有機発光ディスプレイ装置は、本発明の一実施形態であるだけで、本発明はこれに限定されるものではない。例えば、パッシベーション層である第１絶縁膜１８１と、平坦化膜である第２絶縁膜１８２とが別途に形成されずに一体に備えられることもあるなど多様な変形が可能であるということはいうまでもない。
【００６３】
前述した実施形態では、電極電源供給ライン１９０が第３絶縁膜１８３により露出され、電極電源供給ラインから延びた端子部１９２も第３絶縁膜１８３により露出され、補助導電層１９０ａが第３絶縁膜１８３により覆われた場合について説明した。この場合、電極電源供給ライン１９０と端子部１９２とは同一物質で形成され、異種物質で形成される補助導電層１９０ａは、第３絶縁膜１８３により覆われて第３絶縁膜１８３の外側に露出されないため、第３絶縁膜１８３をパターニングする工程及びその後続工程で電極電源供給ライン１９０、補助導電層１９０ａまたは端子部１９２がガルバニック現象により損傷することを防止する。しかし、本発明がこれに限定されるものではない。
【００６４】
例えば、基板と、基板上に配された導電層と、この導電層が露出されるようにこの導電層の一部を覆う絶縁膜と、この導電層から基板のエッジに延びた端子部とを備える有機発光ディスプレイ装置の場合、導電層と端子部とが異種物質で形成されると、絶縁膜をパターニングする工程またはその後続工程で、導電層と端子部との間でガルバニック現象が生じうる。したがって、本実施の形態では、絶縁膜により露出された導電層と端子部とを同一物質で形成することによって、ガルバニック現象が発生することを防止する。一方、導電層の一側で導電層とコンタクトする補助導電層が配されることもある。この場合、補助導電層は導電層または端子部と異なる異種物質で形成されることがある。このとき、補助導電層が絶縁膜の外側に露出されると、補助導電層と導電層との間または補助導電層と端子部との間でガルバニック現象が生じうる。このため、補助導電層を絶縁膜で覆うことによって、補助導電層と導電層との間または補助導電層と端子部との間でガルバニック現象が生じることを未然に防止する。
【００６５】
これは特に、端子部と導電層とが同時に形成されて同じ構造を持ち、特に導電層がＡｌで形成された層を備え、補助導電層がＩＴＯで形成された層を備える場合にその効果が大きい。もちろん、本発明は補助導電層と導電層とが相異なる物質で形成された場合ならばいつでも適用できる。
【００６６】
本発明は図面に示した実施形態を参考に説明されたが、これは例示的なものに過ぎず、当業者ならばこれより多様な変形及び均等な他の実施形態が可能であるという点を理解できるであろう。したがって、本発明の真の技術的保護範囲は、特許請求の範囲の技術的思想によって定められねばならない。
【産業上の利用可能性】
【００６７】
本発明は、ディスプレイ装置関連の技術分野に好適に用いられる。
【図面の簡単な説明】
【００６８】
【図１】本発明の一実施形態による有機発光ディスプレイ装置を概略的に示す平面図である。
【図２】図１のＩＩ−ＩＩ線の断面を概略的に示す断面図である。
【図３】図２の有機発光ディスプレイ装置の製造工程のうち一工程で製造中の有機発光ディスプレイ装置を概略的に示す断面図である。
【図４】比較例による有機発光ディスプレイ装置の一部を概略的に示す断面図である。
【図５】図４の有機発光ディスプレイ装置の製造工程のうち一工程で製造中の有機発光ディスプレイ装置を概略的に示す断面図である。
【符号の説明】
【００６９】
１００    ディスプレイ領域
１１０    基板
１２０    バッファ層
１３０    半導体層
１４０    ゲート絶縁膜
１５０    ゲート電極
１６０    層間絶縁膜
１７０    ソース／ドレイン電極
１８１    第１絶縁膜
１８２    第２絶縁膜
１８３    第３絶縁膜
１９０    電極電源供給ライン
１９０ａ、１９０ｂ    補助導電層
１９２、３２０、４２０、５２０    端子部
２００    有機発光素子
２１０  画素電極
２２０  中間層
２３０  対向電極
３００    電源配線部
３１０    電源供給ライン
４００    垂直回路駆動部
５００    水平回路駆動部
６００    密封部材
７００    シーラント
ＴＦＴ１、ＴＦＴ２    ＴＦＴ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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