(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
スイッチング素子が形成される第１の基板上に、不規則に配設された第１の絶縁膜と、該第１の絶縁膜を覆う第２の絶縁膜と、前記第１の絶縁膜及び前記第２の絶縁膜による凹凸曲面上に形成され、前記スイッチング素子の電極に接続される反射電極とを少なくとも有し、前記第１の基板に対向する基板の裏面から入射した光を前記反射電極で反射する反射型表示装置において、
表示領域外側の端部領域において、前記第２の絶縁膜が、前記第１の絶縁膜の配設位置よりも所定の距離だけ外側まで形成され、前記第１の絶縁膜と前記第２の絶縁膜とにより生じる該端部領域近傍の段差が緩和されることを特徴とする反射型表示装置。
【請求項２】
スイッチング素子が形成される第１の基板上に、厚膜領域と薄膜領域とを備えた絶縁膜と、前記絶縁膜による凹凸曲面上に形成され、前記スイッチング素子の電極に接続される反射電極とを少なくとも有し、前記第１の基板に対向する基板の裏面から入射した光を前記反射電極で反射する反射型表示装置において、
表示領域外側の端部領域において、前記絶縁膜の前記薄膜領域が、前記厚膜領域よりも所定の距離だけ外側まで形成され、前記絶縁膜により生じる該端部領域近傍の段差が緩和されることを特徴とする反射型表示装置。
【請求項３】
前記所定の距離が、略１０μｍ以上に設定されていることを特徴とする請求項１又は２に記載の反射型表示装置。
【請求項４】
前記第２の絶縁膜又は前記薄膜領域の前記絶縁膜の膜厚が、所定の値以下に設定され、前記第２の絶縁膜又は前記薄膜領域の前記絶縁膜により生じる段差が緩和されることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか一に記載の反射型表示装置。
【請求項５】
前記第２の絶縁膜の膜厚又は前記薄膜領域の前記絶縁膜の膜厚が、略１．５μｍ以下に設定されていることを特徴とする請求項４記載の反射型表示装置。
【請求項６】
前記第１の絶縁膜の膜厚又は前記厚膜領域の前記絶縁膜の膜厚が、略１μｍから３μｍの範囲に設定されていることを特徴とする請求項１乃至５のいずれか一に記載の反射型表示装置。
【請求項７】
少なくとも、前記第２の絶縁膜又は前記絶縁膜が、熱可とう性を有する有機材料又は無機材料により形成されていることを特徴とする請求項１乃至６のいずれか一に記載の反射型表示装置。
【請求項８】
前記第１の絶縁膜と前記第２の絶縁膜とが、異なる材料又は異なる粘度の同一の材料により構成されていることを特徴とする請求項１、３乃至７のいずれか一に記載の反射型表示装置。
【請求項９】
前記第１の絶縁膜と前記第２の絶縁膜とが、有機材料と無機材料との組み合わせにより構成されていることを特徴とする請求項１、３乃至７のいずれか一に記載の反射型表示装置。
【請求項１０】
スイッチング素子が形成される第１の基板に、不規則に第１の絶縁膜を配設する工程と、該第１の絶縁膜を覆うように第２の絶縁膜を形成する工程と、前記第１の絶縁膜及び前記第２の絶縁膜による凹凸曲面上に、前記スイッチング素子の電極に接続される反射電極を形成する工程とを少なくとも有し、前記第１の基板に対向する基板の裏面から入射した光を前記反射電極で反射する反射型表示装置の製造方法において、
前記第２の絶縁膜の形成工程が、前記第１の絶縁膜を覆うように前記第１の基板全面に該第２の絶縁膜を塗設する工程と、所定の領域の該第２の絶縁膜を除去する工程とからなり、表示領域外側の端部領域における前記第２の絶縁膜を除去するに際し、前記第２の絶縁膜を、前記第１の絶縁膜の配設位置よりも所定の距離だけ外側まで残し、前記第１の絶縁膜と前記第２の絶縁膜とにより生じる該端部領域近傍の段差を緩和することを特徴とする反射型表示装置の製造方法。
【請求項１１】
スイッチング素子が形成される第１の基板に、凹凸状の絶縁膜を配設する工程と、前記絶縁膜による凹凸曲面上に、前記スイッチング素子の電極に接続される反射電極を形成する工程とを少なくとも有し、前記第１の基板に対向する基板の裏面から入射した光を前記反射電極で反射する反射型表示装置の製造方法において、
前記絶縁膜の形成工程が、前記第１の基板全面に該絶縁膜を塗設する工程と、該絶縁膜を完全に除去する除去領域と、薄膜状に残す薄膜領域と、厚膜状に残す厚膜領域とに分けて前記絶縁膜に凹凸を形成する工程とからなり、表示領域外側の端部領域における前記絶縁膜を除去するに際し、前記絶縁膜の前記薄膜領域を、前記厚膜よりも所定の距離だけ外側まで形成し、前記絶縁膜により生じる該端部領域近傍の段差を緩和することを特徴とする反射型表示装置の製造方法。
【請求項１２】
透過領域と半透過領域と遮光領域とを有するハーフトーンマスクを用いて、一回の露光で前記絶縁膜に凹凸を形成することを特徴とする請求項１１記載の反射型表示装置の製造方法。
【請求項１３】
前記除去領域及び前記薄膜領域の各々に対応するフォトマスクを用いて、前記絶縁膜に凹凸を形成することを特徴とする請求項１１記載の反射型表示装置の製造方法。
【請求項１４】
前記薄膜領域に露光限界以下の微細なパターンが配置されたフォトマスクを用いて、前記薄膜領域の露光量を減少させて、一回の露光で前記絶縁膜に凹凸を形成することを特徴とする請求項１１記載の反射型表示装置の製造方法。
【請求項１５】
前記所定の距離が、略１０μｍ以上に設定されることを特徴とする請求項１０乃至１４のいずれか一に記載の反射型表示装置の製造方法。
【請求項１６】
前記第２の絶縁膜又は前記薄膜領域の前記絶縁膜の膜厚を所定の値以下に設定し、前記第２の絶縁膜又は前記薄膜領域の前記絶縁膜により生じる段差を緩和することを特徴とする請求項１０乃至１５のいずれか一に記載の反射型表示装置の製造方法。
【請求項１７】
前記第２の絶縁膜又は前記薄膜領域の前記絶縁膜を、略１．５μｍ以下の膜厚で形成することを特徴とする請求項１６記載の反射型表示装置の製造方法。
【請求項１８】
前記反射電極の形成工程が、前記第１の基板全面に該反射電極を堆積する工程と、該反射電極上にレジストを塗布する工程と、該反射電極を除去する領域の前記レジストを取り除く工程と、前記レジストをマスクとして該反射電極をエッチングする工程とからなり、
前記第１の絶縁膜及び前記第２の絶縁膜による段差、又は、前記厚膜領域及び前記薄膜領域による段差を反映した前記レジストの膜厚ばらつきが、一の露光条件でパターン形成可能な範囲となるように、前記段差を緩和することを特徴とする請求項１０乃至１７のいずれか一に記載の反射型表示装置の製造方法。
【請求項１９】
前記第１の絶縁膜又は前記厚膜領域の前記絶縁膜を、略１μｍから３μｍの範囲の膜厚で形成することを特徴とする請求項１０乃至１８のいずれか一に記載の反射型表示装置の製造方法。
【請求項２０】
少なくとも、前記第２の絶縁膜又は前記絶縁膜を、熱可とう性を有する有機材料又は無機材料により形成することを特徴とする請求項１０乃至１９のいずれか一に記載の反射型表示装置の製造方法。
【請求項２１】
前記第１の絶縁膜と前記第２の絶縁膜とを、異なる材料又は異なる粘度の同一材料により形成することを特徴とする請求項１０、１５乃至２０のいずれか一に記載の反射型表示装置の製造方法。
【請求項２２】
前記第１の絶縁膜と前記第２の絶縁膜とを、有機材料と無機材料との組み合わせにより形成することを特徴とする請求項１０、１５乃至２０のいずれか一に記載の反射型表示装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、反射型表示装置及びその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
反射型液晶表示装置は、外部から入射した光を装置内部に設けられた反射電極で反射させるため、バックライト等の表示光源を別途設ける必要がなく、透過型液晶表示装置よりも低消費電力化、薄型化、軽量化を達成することができ、主に携帯端末用として利用されている。
【０００３】
上記従来の反射型液晶表示装置について、図１０乃至図１３を参照して説明する。図１０は、従来の反射型液晶表示装置の構造を示す平面図であり、表示領域の外縁に位置する画素を示している（図の上側及び左側が表示領域外側の電極端子等の形成領域）。また、図１１は、図１０のＢ−Ｂ′線における断面図であり、図１２及び図１３は、ＴＦＴ（薄膜トランジスタ）側基板の製造方法を模式的に示す工程断面図である。
【０００４】
まず、反射型液晶表示装置の構造について、図１０及び図１１を参照して説明する。従来の反射型液晶表示装置のＴＦＴ側基板５は、互いに直交するゲート配線１及びドレイン配線２と、それらの配線で囲まれる画素領域に各々設けられた薄膜トランジスタ３等のスイッチング素子と、各画素領域に入射する光を反射すると共に、基板間に狭持された液晶に電圧を印加する反射電極１８と、反射電極１８に所定の凹凸を形成するための第１の絶縁膜１６及び第２の絶縁膜１７とを含み、ゲート電極１１はゲート配線１に、ドレイン電極１６はドレイン配線２に、ソース電極１５は反射電極１８に各々接続されている。
【０００５】
また、図１１に示すように、ＴＦＴ側基板５は、第１の基板１０上の薄膜トランジスタ領域にゲート電極１１が形成され、その上にゲート絶縁膜１２を介してａ−Ｓｉ（アモルファスシリコン）層１３ａ及びｎ＋型ａ−Ｓｉ層１３ｂが設けられ、ｎ＋型ａ−Ｓｉ層１３ｂ上には、ドレイン電極１４及びソース電極１５が形成されている。そして、表示領域内部の各々の画素には、第１の絶縁膜１６が不規則に配設され、その上には第1の絶縁膜１６の段差をなだらかにする第２の絶縁膜１７が形成されており、反射電極１８には絶縁膜の凹凸を反映して所定の反射光学特性を示す凹凸が形成されている。また、この反射電極１８は、コンタクト部１９においてソース電極１５と接続されている。
【０００６】
一方、ＴＦＴ側基板５に対向する対向基板６は、第２の基板２０上にカラーフィルタ２１と液晶に電圧を印加する共通電極２２とが形成され、その裏面側には偏光板２３や補償板が形成されており、両基板の間に液晶層４が形成され、両基板間に印加する電圧によって液晶が制御されている。そして、対向基板６の裏面側から入射した入射光２４は対向基板６、液晶層４を透過し、ＴＦＴ側基板５表面の所定の凹凸を有する反射電極１８上で反射され、再び、液晶層４、対向基板６を透過して出射光２５として外部に放出される。
【０００７】
このように、反射型液晶表示装置では、ＴＦＴ基板５に不規則に形成される厚膜の第１の絶縁膜１６とその急峻な段差をなだらかにする薄膜の第２の絶縁膜１７とにより、基板表面に適度な凹凸が形成されているため、対向基板６の裏面側から入射する光は反射電極１８によってランダムに反射され、均一な明るさの表示画面を得ることができる。
【０００８】
次に、上記従来の反射型液晶表示装置の製造方法について、図１２及び図１３を参照して説明する。なお、図１２及び図１３は、ＴＦＴ側基板５の製造工程を示し、スイッチング素子として逆スタガー構造の薄膜トランジスタを使用する構造について記載するものである。
【０００９】
まず、図１２（ａ）に示すように、第１の基板１０上にゲート電極１１及びゲート配線１を形成し、その上にゲート絶縁膜１２を介してａ−Ｓｉ層１３ａ及びｎ＋型ａ−Ｓｉ層１３ｂを成膜する。その後、ドレイン電極１４及びソース電極１５を形成し、このソース／ドレイン電極をマスクとして露出したｎ＋型ａ−Ｓｉ層１３ｂをエッチングして、薄膜トランジスタ３を形成し、その上にパッシベーション膜（図示せず）を堆積する。
【００１０】
次に、図１２（ｂ）に示すように、反射電極１８に所定の凹凸を形成するための樹脂からなる第１の絶縁膜１６を各々の画素領域に不規則に形成する。ここで、第１の絶縁膜１６は、反射電極１８の反射光学特性を良好にするために所定の厚さ以上に厚く形成する必要がある。その後、図１２（ｃ）に示すように、この第１の絶縁膜１６を加熱し、メルトさせてなだらかな凸形状にする。
【００１１】
次に、図１２（ｄ）に示すように、第１の絶縁膜１６を覆う第２の絶縁膜１７を形成する。この第２の絶縁膜１７は、第１の絶縁膜１６の段差をなだらかにするために設けるものであり、薄すぎると第１の絶縁膜１６の凹凸が強調され、厚すぎると逆に平坦化されるため、その膜厚は反射電極１８の光学反射特性を勘案して設定されている。そして、表示領域外側の第２の絶縁膜１７を除去すると共に、ソース電極１５上の第２の絶縁膜１７を一部除去し、反射電極１８とソース電極１５とを接続するためのコンタクト部１９を形成する。
【００１２】
そして、図１３（ｅ）に示すように、基板全面に高反射率の金属からなる反射電極１８を堆積した後、反射電極１８を覆うようにレジスト２６を形成し（図１３（ｆ）参照）、反射電極１８を残す領域のみレジストパターン２６ａが形成されるように露光、現像を行い、レジストパターン２６ａをマスクとして露出した反射電極１８を除去する（図１３（ｇ）、（ｈ）参照）。
【００１３】
この時、反射電極１８は、各々の画素のソース電極１５と接続され、液晶に電圧を印加する画素電極としても機能するために、各々の画素領域の間（ゲート配線１上及びドレイン配線２上）で除去されると共に、表示領域外側の電極端子形成領域（図の左側の領域）も合わせて除去される。
【００１４】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上述した従来の反射型液晶表示装置の構造及び製造方法では、下記に示す問題が生じる。
【００１５】
すなわち、前記した図１２（ｄ）の工程において、第１の絶縁膜１６の段差をなだらかにする第２の絶縁膜１７は、反射電極１８の除去を容易とするために、隣り合う画素間のゲート配線１上及びドレイン配線２上では連続して形成されるが、表示領域外側の電極端子形成領域（図の左側の領域）では、該領域を極力小さくして液晶表示装置の小型化を図るために、第２の絶縁膜１７は第１の絶縁膜１６と同じ位置で除去される。従って、第１の絶縁膜１６及び第２の絶縁膜１７により、その端部には急峻な段差が形成される。
【００１６】
この状態で基板全面にレジストを塗布すると、第１の絶縁膜１６上に第２の絶縁膜１７が埋め込まれてなだらかな曲面が形成された領域（画素内部や画素間のゲート配線１上及びドレイン配線２上）ではレジストの膜厚は略設計した厚さとなるが、上記表示領域外縁の電極端子形成領域では急峻な段差によってレジストが溜まり膜厚が厚くなってしまう。ここで、露光、現像の条件は、正確なパターン加工が要求される画素間のレジストに合わせて設定されているため、レジストの厚い表示領域外縁の絶縁膜の端部では、レジストが完全に除去されず、レジスト残さ２６ｂが生じてしまう。そして、レジスト残さ２６ｂが生じると、その下層の反射電極１８をエッチングすることができず、反射電極の切り残し１８ａが生じてしまう。
【００１７】
このように、本来除去すべき領域の反射電極１８に切り残しが生じると、この反射電極の切り残し１８ａとゲート配線１及びドレイン配線２との間に意図しない寄生容量が生じてしまい、液晶表示装置の表示品位を著しく劣化させたり、また、反射電極の切り残し１８ａが隣り合う画素をまたいで形成されると、反射電極１８がショートしまうという問題が生じる場合がある。
【００１８】
本発明は、上記問題点に鑑みてなされたものであって、その主たる目的は、反射電極の切り残しによる意図しない寄生容量の形成や画素間のショートの発生を有効に防止することができる反射型表示装置及びその製造方法を提供することにある。
【００１９】
【問題を解決するための手段】
上記目的を達成するため、本発明は、スイッチング素子が形成される第１の基板上に、不規則に配設された第１の絶縁膜と、該第１の絶縁膜を覆う第２の絶縁膜と、前記第１の絶縁膜及び前記第２の絶縁膜による凹凸曲面上に形成され、前記スイッチング素子の電極に接続される反射電極とを少なくとも有し、前記第１の基板に対向する基板の裏面から入射した光を前記反射電極で反射する反射型表示装置において、表示領域外側の端部領域において、前記第２の絶縁膜が、前記第１の絶縁膜の配設位置よりも所定の距離だけ外側まで形成され、前記第１の絶縁膜と前記第２の絶縁膜とにより生じる該端部領域近傍の段差が緩和されるものである。
【００２１】
また、本発明は、スイッチング素子が形成される第１の基板上に、厚膜領域と薄膜領域とを備えた絶縁膜と、前記絶縁膜による凹凸曲面上に形成され、前記スイッチング素子の電極に接続される反射電極とを少なくとも有し、前記第１の基板に対向する基板の裏面から入射した光を前記反射電極で反射する反射型表示装置において、表示領域外側の端部領域において、前記絶縁膜の前記薄膜領域が、前記厚膜領域よりも所定の距離だけ外側まで形成され、前記絶縁膜により生じる該端部領域近傍の段差が緩和されるものである。
【００２３】
本発明においては、前記所定の距離が、略１０μｍ以上に設定されていることが好ましい。
【００２４】
また、本発明においては、前記第２の絶縁膜又は前記薄膜領域の前記絶縁膜の膜厚が、所定の値以下に設定され、前記第２の絶縁膜又は前記薄膜領域の前記絶縁膜により生じる段差が緩和される構成とすることができ、前記第２の絶縁膜又は前記薄膜領域の前記絶縁膜の膜厚が、略１．５μｍ以下に設定されていることが好ましい。
【００２５】
また、本発明においては、前記第１の絶縁膜の膜厚又は前記厚膜領域の前記絶縁膜の膜厚が、略１μｍから３μｍの範囲に設定されている構成とすることができる。
【００２６】
また、本発明においては、少なくとも、前記第２の絶縁膜又は前記絶縁膜が、熱可とう性を有する有機材料又は無機材料により形成されていることが好ましい。
【００２７】
本発明の製造方法は、スイッチング素子が形成される第１の基板に、不規則に第１の絶縁膜を配設する工程と、該第１の絶縁膜を覆うように第２の絶縁膜を形成する工程と、前記第１の絶縁膜及び前記第２の絶縁膜による凹凸曲面上に、前記スイッチング素子の電極に接続される反射電極を形成する工程とを少なくとも有し、前記第１の基板に対向する基板の裏面から入射した光を前記反射電極で反射する反射型表示装置の製造方法において、前記第２の絶縁膜の形成工程が、前記第１の絶縁膜を覆うように前記第１の基板全面に該第２の絶縁膜を塗設する工程と、所定の領域の該第２の絶縁膜を除去する工程とからなり、表示領域外側の端部領域における前記第２の絶縁膜を除去するに際し、前記第２の絶縁膜を、前記第１の絶縁膜の配設位置よりも所定の距離だけ外側まで残し、前記第１の絶縁膜と前記第２の絶縁膜とにより生じる該端部領域近傍の段差を緩和するものである。
【００２９】
また、本発明の製造方法は、スイッチング素子が形成される第１の基板に、凹凸状の絶縁膜を配設する工程と、前記絶縁膜による凹凸曲面上に、前記スイッチング素子の電極に接続される反射電極を形成する工程とを少なくとも有し、前記第１の基板に対向する基板の裏面から入射した光を前記反射電極で反射する反射型表示装置の製造方法において、前記絶縁膜の形成工程が、前記第１の基板全面に該絶縁膜を塗設する工程と、該絶縁膜を完全に除去する除去領域と、薄膜状に残す薄膜領域と、厚膜状に残す厚膜領域とに分けて前記絶縁膜に凹凸を形成する工程とからなり、表示領域外側の端部領域における前記絶縁膜を除去するに際し、前記絶縁膜の前記薄膜領域を、前記厚膜よりも所定の距離だけ外側まで形成し、前記絶縁膜により生じる該端部領域近傍の段差を緩和するものである。
【００３１】
本発明においては、透過領域と半透過領域と遮光領域とを有するハーフトーンマスクを用いて、一回の露光で前記絶縁膜に凹凸を形成する構成、前記除去領域及び前記薄膜領域の各々に対応するフォトマスクを用いて、前記絶縁膜に凹凸を形成する構成、又は、前記薄膜領域に露光限界以下の微細なパターンが配置されたフォトマスクを用いて、前記薄膜領域の露光量を減少させて、一回の露光で前記絶縁膜に凹凸を形成する構成とすることができる。
【００３２】
また、本発明においては、前記反射電極の形成工程が、前記第１の基板全面に該反射電極を堆積する工程と、該反射電極上にレジストを塗布する工程と、該反射電極を除去する領域の前記レジストを取り除く工程と、前記レジストをマスクとして該反射電極をエッチングする工程とからなり、前記第１の絶縁膜及び前記第２の絶縁膜による段差、又は、前記厚膜領域及び前記薄膜領域による段差を反映した前記レジストの膜厚ばらつきが、一の露光条件でパターン形成可能な範囲となるように、前記段差を緩和することが好ましい。
【００３３】
このように、本発明は上記構成により、表示領域外側の第１の基板の端部領域又は反射電極とスイッチング素子のコンタクト領域近傍の段差をなだらかにすることができ、反射電極をパターンニングするためのレジストが絶縁膜端部で溜まってレジスト残さが発生することを防止することができる。これにより、レジスト残さによる反射電極の切り残しを防止することができ、意図しない寄生容量の発生や画素間のショートを防止することができ、表示の乱れのない高品位な反射型表示装置を得ることができる。
【００３４】
【発明の実施の形態】
本発明に係る反射型表示装置は、その好ましい一実施の形態において、ＴＦＴ側基板上に、ゲート配線とドレイン配線と薄膜トランジスタとが形成され、その上に不規則に配設された第１の絶縁膜と、第１の絶縁膜を覆う第２の絶縁膜と、第１の絶縁膜及び第２の絶縁膜による凹凸曲面上に形成された反射電極とを少なくとも有し、対向基板の裏面から入射した光を反射電極で反射する反射型表示装置において、表示領域外側のＴＦＴ側基板の端部領域又は反射電極とソース電極のコンタクト領域において、第２の絶縁膜の端部が、第１の絶縁膜の配設位置から所定の距離だけ離れるように形成され、また、第２の絶縁膜の膜厚が所定の値以下となるように設定されることにより、第１の絶縁膜と第２の絶縁膜とにより生じる段差が緩和され、その上に形成されるレジストの残さや反射電極の切り残しの発生を防止することができる。
【００３５】
【実施例】
上記した本発明の実施の形態についてさらに詳細に説明すべく、本発明の実施例について図面を参照して説明する。
【００３６】
［実施例１］
まず、本発明の第１の実施例に係る反射型液晶表示装置及びその製造方法について、図１乃至図７を参照して説明する。図１は、本実施例に係るアクティブマトリクス基板を用いた反射型液晶表示装置の構成を示す平面図であり、表示領域外縁に位置する画素を示す図である（図の上側及び左側が表示領域外側の電極端子等の形成領域）。また、図２は、図１のＡ−Ａ′線における断面図であり、図３及び図４は、本実施例の反射型液晶表示装置のＴＦＴ側基板の製造方法を模式的に示す工程断面図である。また、図５乃至図７は、本実施例の効果を説明するための図である。
【００３７】
図１及び図２を参照して、本実施例の反射型液晶表示装置の構造について説明すると、本実施例の反射型液晶表示装置のＴＦＴ側基板５は、互いに直交するゲート配線１及びドレイン配線２と、それらの配線で囲まれる画素領域に各々設けられた薄膜トランジスタ３等のスイッチング素子と、各画素領域に入射する光を反射すると共に、基板間に狭持された液晶に電圧を印加する反射電極１８と、反射電極１８に所定の凹凸を形成するための第１の絶縁膜１６及び第２の絶縁膜１７とを含み、ゲート電極１１はゲート配線１に、ドレイン電極１６はドレイン配線２に、ソース電極１５は反射電極１８に各々接続されている。
【００３８】
また、図２に示すように、ＴＦＴ側基板５は、第１の基板１０上の薄膜トランジスタ領域にゲート電極１１が形成され、その上にゲート絶縁膜１２を介してａ−Ｓｉ層１３ａ及びｎ＋型ａ−Ｓｉ層１３ｂが形成され、ｎ＋型ａ−Ｓｉ層１３ｂ上には、ドレイン電極１４及びソース電極１５が形成されている。そして、各々の画素領域には、反射電極１８に所定の凹凸を形成するための第１の絶縁膜１６が不規則に配設され、その上には第1の絶縁膜１６の段差をなだらかにする第２の絶縁膜１７が形成されている。
【００３９】
ここで、第１の絶縁膜１６は表示領域全面に渡って均一な反射光学特性を発揮するために、表示領域内部に不規則に形成されるが、表示領域の外側（図１の上側及び左側領域）は電極端子等を設ける領域であるために第１の絶縁膜１６は形成されていない。一方、第２の絶縁膜１７はコンタクト部１９を除く表示領域内部に連続して形成されると共に、表示領域の外側にも多少の広がりをもって形成され、第１の絶縁膜１６の端部と第２の絶縁膜１７の端部とが相重ならないように形成されている。これにより表示領域の外側の段差をなだらかにしている。
【００４０】
そして、第１の絶縁膜１６及び第２の絶縁膜１７の上に反射電極１８が形成され、ソース電極１５上に設けたコンタクト部１９においてソース電極１５と接続されている。なお、この反射電極１８は、液晶に電圧を印加する画素電極としても機能するため、各画素ごとに分離する必要があり、図１に示すように、ゲート配線１及びドレイン配線２上で画素ごとに分離されている。
【００４１】
一方、ＴＦＴ側基板５に対向する対向基板６は、第２の基板２０上にカラーフィルタ２１と液晶に電圧を印加する共通電極２２とが形成され、第２のガラス基板２０の裏面側には偏光板２３や補償板が形成されており、両基板の間に液晶が狭持され、液晶層４が形成されている。そして、対向基板６の裏面側から入射した入射光２４は対向基板６、液晶層４を透過し、ＴＦＴ側基板５表面の所定の凹凸を有する反射電極１８上で反射され、再び、液晶層４、対向基板６を透過して出射光２５として外部に放出される。
【００４２】
この反射電極１８表面は、第１の絶縁膜１６及び第２の絶縁膜１７による凹凸が反映され、反射電極１８表面の凹凸傾斜角度の構成が反射光の光学特性を決定することとなる。それゆえ、凹凸の傾斜角度は所望の反射光学特性が得られるように設計される。なお、このとき、凹凸は、凸ピッチ、凹ピッチ、凸高さ、凹深さのいずれかについて、異なる２種以上の値で構成されていればよい。
【００４３】
また、第１の絶縁膜１６の膜厚の下限は、上記反射光学特性により規定されると共に、寄生容量の観点からも制限される。すなわち、第１の絶縁膜１６が薄く形成されると、入射光の反射方向を大きく変化させることができなくなると共に、反射電極１８とゲート配線１、ドレイン配線２との間隔が狭くなるため、これらの配線との間の寄生容量が大きくなり、信号の遅延を引き起こして正しい信号の送信ができなくなったり、信号線と画素との間の電界が強まるため、付近の液晶に影響を及ぼし液晶分子の配向方向に乱れが生じたり、応答が遅くなる等、表示品位を損ねることになる。従って、第１の絶縁膜１６は１〜３μｍ程度の膜厚で形成される。
【００４４】
一方、第２の絶縁膜１７は、第１の絶縁膜１６の凹凸を適度に緩和し、表面をなだらかな曲面とするために設けるものであるため、薄すぎると上記効果を発揮することができず、また、厚すぎると第１の絶縁膜１６の凹凸を相殺して平坦化してしまうことになる。更に、本実施例では、表示領域外側の領域で反射電極１８を確実に除去するためにレジスト残さが生じないような膜厚、領域に設定しており、本願発明者の実験によると、第２の絶縁膜１７の膜厚としては、略０．３〜１．５μｍの範囲が好ましく、第１の絶縁膜１６の端部から第２の絶縁膜１７の端部までの間隔は略１０〜１２μｍ程度が好ましいことが判明している。
【００４５】
この数値限定の根拠について、図５乃至図７を参照して以下に説明する。図５は、レジストの膜厚とそのレジストを除去するために必要な露光量との関係を示す図であり、図６は、第１の絶縁膜１６、第２の絶縁膜１７及びレジスト２６の膜厚と各絶縁膜の端部の位置との関係を模式的に示す図である。また、図７は、樹脂の粘度と塗布回転数に対する樹脂の膜厚を示す図である。
【００４６】
図５に示すように、除去すべきレジストの膜厚が厚くなるとそれに対する露光量も大きくなるが、ある膜厚のレジストに対してパターン精度を制御可能な露光量には所定の範囲があり、その範囲内であれば、パターンが設計寸法よりも多少細くなったり太くなったりするが、パターン精度の制御が可能である。例えば、１μｍ厚のレジストをパターンニングする場合、最適な露光量は略１４０ｍＪ／ｃｍ２であるが、約８０〜１９０ｍＪ／ｃｍ２の範囲であれば、パターン精度を制御することはできる。
【００４７】
逆に言うと、ある露光量の光に対してパターンニングが可能なレジストの膜厚には所定の範囲があり、例えば、露光量が１９０ｍＪ／ｃｍ２であれば１μｍ厚のレジストのパターン精度が制御可能であると同時に、２μｍ厚のレジストのパターン精度も制御可能である。この関係を上記液晶表示装置に適用して、反射電極１８上に形成するレジストの膜厚のばらつきがパターン精度の制御が可能な範囲となるように、第２の絶縁膜１７の膜厚、又は第１の絶縁膜１６と第２の絶縁膜１７の端部間の距離を設定すればよい。
【００４８】
そこで、図６に示すように、第１の絶縁膜１６の膜厚をＡ、第２の絶縁膜１７の平坦部における膜厚をＢ、凸部での膜厚をＤとすると、レジストの膜厚ばらつきの最大値は、Ｃ（第１の絶縁膜１６の膜厚＋第１の絶縁膜１６上の第２の絶縁膜１７の膜厚Ｄ＋反射電極１８の膜厚Ｅ−平坦部の第２の絶縁膜１７の膜厚Ｂ−反射電極１８の膜厚Ｅ）もしくはＢで規定されることになる。ここで、レジストの膜厚は一般的なフォトリソグラフィーに用いる膜厚として２μｍとすると、図５から、２μｍ厚のレジストをパターンニング可能な露光量は約１５０〜２７０ｍＪ／ｃｍ２であり、２７０ｍＪ／ｃｍ２の露光量では３．５μｍ厚のレジストまでパターンニングが可能である。
【００４９】
従って、Ｃ又はＢが３．５μｍ−２μｍ＝１．５μｍ以下であれば良く、第１の絶縁膜１６の膜厚を反射光学特性から１〜３μｍに設定すると、第２の絶縁膜１７の膜厚の上限は１．５μｍとなり、下限は、Ｃの段差を小さくする必要性から０．３μｍが好ましいことになる。
【００５０】
また、第１の絶縁膜１６の端部と第２の絶縁膜１７の端部の間隔が広くなるに従ってＢは小さくなり、やがて粘度で規定される一定の値に近づく。一方、間隔が広すぎると表示領域外側のスペースが大きくなり、液晶表示装置の小型化が図れなくなってしまう。従って、その好ましい範囲は、第２の絶縁膜１７の平坦部の膜厚が一定になる距離、すなわち略１０μｍ程度が好ましく、更に露光装置の位置ずれを考慮すると略１２μｍが好ましいことになる。
【００５１】
なお、第２の絶縁膜１７の膜厚を上記範囲に設定するためには、樹脂の粘度及び樹脂を塗布する際のスピン回転数を制御すれば良く、例えば、図７を参照して塗布することにより、第２の絶縁膜１７の膜厚を精度良く制御することができる。
【００５２】
更に、表示領域外側の第２の絶縁膜１７の段差（図６のＢ）を小さくするには、第２の絶縁膜１７と基板又はシリコン窒化膜等のパッシベーション膜との濡れ性を改善して、第２の絶縁膜１７の表面と基板面との成す角度が所定の範囲となるように設定することも可能である。具体的には、第２の絶縁膜１７の膜厚が厚くてもＨＭＤＳ等の表面処理を施すことによって濡れ性を改善し、接触角を小さくすればレジスト残さの発生を抑制することができる。
【００５３】
このように、第２の絶縁膜１７の膜厚、又は、第１の絶縁膜１６と第２の絶縁膜１７の端部の間隔を所定の範囲に設定することにより、反射電極１８上に形成されるレジストの残さの発生を防止することができる。また、第１の絶縁膜１６及び第２の絶縁膜１７の段差を緩和することによって、コンタクト部１９の傾斜角を制御することができ、反射電極１８とソース電極１５との接触状態を良好に保つことができる。
【００５４】
次に、上記構成の反射型液晶表示装置の製造方法について、図３及び図４を参照して説明する。なお、これらの図は、スイッチング素子が形成されるＴＦＴ側基板５の製造工程を示しており、本実施例では、スイッチング素子として逆スタガー構造の薄膜トランジスタを使用している。
【００５５】
本実施例のＴＦＴ側基板５の製造工程は、大別すると（１）ゲート電極１１の成膜・パターンニング、（２）ゲート絶縁膜１２、ａ−Ｓｉ層１３ａ、ｎ＋型ａ−Ｓｉ層１３ｂの成膜、パターンニング、（３）ドレイン電極１４、ソース電極１５の成膜、パターンニング、（４）パッシベーション膜の成膜、パターンニング、（５）第１の絶縁膜１６の成膜、パターンニング、（６）表面形状変換プロセス処理、（７）第２の絶縁膜１７の成膜、パターンニング、（８）反射電極１８の形成からなる。以下に順を追って説明する。
【００５６】
まず、ＴＦＴ側基板５に薄膜トランジスタ３を形成する工程について説明する。ガラス等からなる第１の基板１０上に、スパッタ法等によりクロム等の金属を成膜し、公知のフォトリソグラフィー技術及びエッチング技術を用いてゲート配線１、ゲート電極１１を形成する。なお、配線材料としてクロムに限らず、モリブデン、チタン、アルミニウム、アルミニウム合金などの抵抗が低く、薄膜形成及びフォトリソグラフィー技術によるパターンニングが容易な材料であればよい。また、アルミニウム上にチタンなどのバリアメタルを形成した積層構造の配線としても良い。
【００５７】
その後、ＣＶＤ法等によりゲート絶縁膜１２となる窒化シリコンを全面に成膜し、引き続き、ゲート絶縁膜１２上にドーピングされていないアモルファスシリコンとｎ＋型にドーピングされたアモルファスシリコンをＣＶＤ法等により成膜、パターンニングして、ａ−Ｓｉ層１３ａとｎ＋型ａ−Ｓｉ層１３ｂとを形成する。ａ−Ｓｉ層１３ａは薄膜トランジスタ３の能動層となるものであり、ｎ＋型ａ−Ｓｉ層１３ｂはドレイン電極１４およびソース電極１５とａ−Ｓｉ層１３ａとのオーミックコンタクトを確保するためのものである。
【００５８】
この後、ａ−Ｓｉ層１３ａおよびｎ＋型ａ−Ｓｉ層１３ｂ上に、クロム等をスパッタ法等により成膜、パターンニングして、ドレイン電極１４及びソース電極１５を形成する。その後、ｎ＋型ａ−Ｓｉ層１３ｂがエッチングされるガス系にてドライエッチングを行い、ドレイン電極１４とソース電極１５の間のｎ＋型ａ−Ｓｉ層１３ｂを除去する。これは、ドレイン電極１４とソース電極１５との間をｎ＋型ａ−Ｓｉ層１３ｂを介して直接電流が流れるのを防止するためである。
【００５９】
この後、ＣＶＤ法等により窒化シリコンを成膜、パターンニングして、パッシベーション膜（図示せず）を形成する。このパッシベーション膜は、イオン等の不純物がａ−Ｓｉ層１３ａに拡散し、薄膜トランジスタ３が動作不良を起こすのを防ぐためのものである。上記工程により、図３（ａ）に示すように、ＴＦＴ側基板５に薄膜トランジスタ３が形成される。
【００６０】
次に、図３（ｂ）に示すように、反射電極１８に所定の凹凸を形成するための第１の絶縁膜１６を表示領域内部に不規則に形成した後、図３（ｃ）に示すように、この第１の絶縁膜１６に所定の表面形状変換プロセス処理を施して、なだらかな凸形状にする。そして、図３（ｄ）に示すように、第１の絶縁膜１６を覆う第２の絶縁膜１７を形成すると共に、反射電極１８とソース電極１５とを接続するためのコンタクト部１９を形成する。
【００６１】
ここで、前記したように第１の絶縁膜１６及び第２の絶縁膜１７は表示領域内部全面に形成し、かつ、表示領域外縁に位置する画素の外側（図では左側）において、第１の絶縁膜１６よりも第２の絶縁膜１７が外側まで形成されるように設定し、第１の絶縁膜１６及び第２の絶縁膜１７によって急峻な段差が形成されないようにしている。
【００６２】
なお、第１の絶縁膜１６としては、感光性を有さない樹脂又は感光性を有する樹脂のいずれを用いることもでき、感光性を有さない樹脂を用いる場合の形成工程は、基板上への（１）第１の絶縁膜１６の成膜、（２）第１の絶縁膜１６のパターンニング用レジスト成膜、（３）露光、（４）現像、（５）第１の絶縁膜１６のエッチング、（６）レジスト剥離の各工程処理からなる。また、感光性を有する有機系材料又は無機系材料を用いる場合の形成工程は、（１）第１の絶縁膜１６の成膜、（２）露光、（３）現像の各工程処理からなり、レジストの成膜、剥離の工程を短縮することができる。
【００６３】
また、図３（ｃ）に示す表面形状変換プロセス処理では、８０〜３００℃程度の熱処理を行うことで、パターン形成後の第１の絶縁膜１６表面をメルトさせ、滑らかな形状に変換しているが、表面形状変換プロセス処理は熱処理に限定されず、その他の処理、例えば、薬品による溶融処理等を用いてもよく、また、第２の絶縁膜１７で十分になだらかな表面が形成できる場合には、特に表面形状変換プロセス処理を施す必要はない。
【００６４】
なお、本実施例では、第１の絶縁膜１６及び第２の絶縁膜１７として、ポリイミド膜（日産化学工業株式会社製の商品名「ＲＮ−８１２」）を使用した。塗布条件は、スピン回転数１２００ｒｐｍ、仮焼成温度９０℃かつ仮焼成時間１０分間とし、焼成温度２５０℃かつ焼成時間１時間とした。一方、このパターン形成に使用した前記レジストの場合、スピン回転数１０００ｒｐｍ、仮焼成温度９０℃かつ仮焼成５分間、その後、露光、現像によりパターン形成後、ポストベーク９０℃かつ３０分間処理した。該レジストパターンをマスク層として行った該ポリイミド膜のドライエッチング条件は、エッチングガスに四塩化フッ素と酸素ガスを用い、ガス流量比（四塩化フッ素／酸素）０．５〜１．５、反応圧力０．６６５〜３９．９Ｐａ、プラズマパワー１００〜３００Ｗとした。なお、フォトリソグラフィー工程は、全て通常のレジストプロセスを用いた。
【００６５】
また、本実施例では、第１絶縁膜１６と第２絶縁膜１７に同一の有機樹脂材料を用いたが、異なる材料を用いても同様に凹凸状の絶縁層を形成することができる。更に、第１の絶縁膜１６と第２の絶縁膜１７として、アクリル樹脂とポリイミド樹脂、シリコン窒化膜とアクリル樹脂、シリコン酸化膜とポリイミド樹脂などの、無機系樹脂と有機系樹脂の組み合わせ、又はその逆の組み合わせを用いても所望の凹凸を形成することができた。また、第２の絶縁膜１７で十分になだらかな表面が形成できる場合には、第１の絶縁膜１６は、塗布をした樹脂膜でなくても良く、蒸着法、スパッタ法、ＣＶＤ法などで成膜した膜を用いることもできる。
【００６６】
そして、図４（ｅ）に示すように、基板全面に高反射率の金属からなる反射電極１８を堆積した後、反射電極１８を覆うようにレジスト２６を形成し（図４（ｆ）参照）、反射電極１８を残す領域のみレジストパターン２６ａが形成されるように露光、現像を行う（図４（ｇ）参照）。この時、反射電極１８は、各々の画素のソース電極１５と接続され、画素電極としても機能するために、各々の画素領域の間（ゲート配線１上、及びドレイン配線２上）で除去されると共に、表示領域外縁に位置する画素外側の電極端子形成領域も合わせて除去され、図４（ｈ）に示すようなＴＦＴ側基板５が形成される。
【００６７】
ここで、本実施例では、反射電極１８として、反射効率が高くＴＦＴプロセスとの整合性がよいアルミニウム金属を形成し、これをパターン形成することで画素電極兼反射板としての反射電極１８を形成した。また、アルミニウムのエッチングにはウェットエッチング処理を行い、エッチング液には６０℃に加熱したリン酸、酢酸及び硝酸からなる混合液を使用したが、反射電極１８としては、アルミニウムに限定されるものではなく、反射率の高い金属であれば良く、例えば、銀材、又は銀合金を用いれば、更に高い反射効率が得られるため、明るい反射性能を実現することができる。
【００６８】
上記ＴＦＴ側基板５と、透明導電膜のＩＴＯ等で形成された共通電極２２を有する対向基板６とを、各々の膜面が対向するようにして重ね合わせた。なお、ＴＦＴ側基板５及び対向基板６は、配向処理が施され、プラスチック粒子等のスペーサを介して、パネル周辺部にエポキシ系の接着剤を塗ることより張り合わされた。その後、液晶を注入し液晶層４とすることで、反射型液晶表示装置を製造した。
【００６９】
このように、第１の絶縁膜１６と第２の絶縁膜１７とで凹凸を形成し、その上に設けた反射電極１８で入射光をランダムに反射する反射型液晶表示装置において、表示領域外縁に位置する画素の外側の電極端子形成領域における第１の絶縁膜１６の端部と第２の絶縁膜１７の端部の位置をずらし第２の絶縁膜１７が外側まで広がるように設定し、又は、第２の絶縁膜１７の膜厚を所定の範囲に限定することにより、反射電極１８を切断するためのレジストの膜厚のばらつきを抑制することができ、反射電極の切り残し１８ａによる意図しない寄生容量の発生やショートを防止することができる。
【００７０】
なお、スイッチング素子としては、順スタガー構造薄膜トランジスタ又はＭＩＭダイオード等を用いてもよい。また、逆スタガー構造薄膜トランジスタにおいても本実施形態で示した構造に限定されるものではなく、これ以外の構造を有したものでもよい。また、スイッチング素子を有する下部側基板と対向側基板にガラス基板を使用したが、これ以外の基板、例えばプラスチック基板、セラミクス基板、半導体基板等でもよく、更に、液晶以外の光学材料を用いる表示装置に適用することもできる。
【００７１】
［実施例２］
次に、本発明の第２の実施例に係る反射型液晶表示装置の製造方法について、図８及び図９を参照して説明する。図８及び図９は、本実施例の反射型液晶表示装置を構成するＴＦＴ側基板の製造方法を模式的に示す工程断面図である。なお、本実施例は、ＴＦＴ側基板の製造工程の簡略化を目的とするものであり、他の部分の構造、製造方法等については、前記した第１の実施例と同様である。
【００７２】
まず、前記した第１の実施例と同様に、ガラス等からなる第１の基板１０上に薄膜トランジスタ３を形成する。具体的には、第１の基板１０上にスパッタ法によりクロム等の金属を成膜し、公知のフォトリソグラフィー技術及びエッチング技術を用いてゲート配線１、ゲート電極１１を形成する。その後、ＣＶＤ法等によりゲート絶縁膜１２となる窒化シリコン、ドーピングされていないアモルファスシリコンとｎ＋型にドーピングされたアモルファスシリコンを順次成膜し、パターンニングしてａ−Ｓｉ層１３ａとｎ＋型ａ−Ｓｉ層１３ｂとを形成する。
【００７３】
この後、ａ−Ｓｉ層１３ａおよびｎ＋型ａ−Ｓｉ層１３ｂ上に、クロム等をスパッタ法等により成膜し、パターンニングしてドレイン電極１４及びソース電極１５を形成する。その後、ｎ＋型ａ−Ｓｉ層１３ｂがエッチングされるガス系にてドライエッチングを行い、ドレイン電極１４とソース電極１５の間のｎ＋型ａ−Ｓｉ層１３ｂを除去してチャネル領域を形成する。この後、ＣＶＤ法等により窒化シリコンを成膜、パターンニングして、パッシベーション膜（図示せず）を形成し、図８（ａ）に示すように、第１の基板１０上に薄膜トランジスタ３が形成される。
【００７４】
ここで、前記した第１の実施例では、第１の絶縁膜１６と第２の絶縁膜１７とを別々の工程で形成したが、本実施例では、工程を簡略化するためにこれらの絶縁膜を一体的に形成することを特徴とする。以下にその製造方法について詳述する。
【００７５】
まず、図８（ｂ）に示すように、基板全面に感光性を有する有機系材料又は無機系材料からなる絶縁膜１６ａを塗布する。その際、絶縁膜１６ａとして、前記した第１の実施例と同様に、ポリイミド膜を使用し、塗布条件は、スピン回転数１２００ｒｐｍ、仮焼成温度９０℃かつ仮焼成時間１０分間とし、焼成温度２５０℃かつ焼成時間１時間とした。
【００７６】
そして、この絶縁膜１６ａを露光、現像して凹凸を形成するが、本実施例では、フォトマスクとして露光の光を透過する透過領域２７ａと、所定の量だけ減衰して透過する半透過領域２７ｂと、遮光領域２７ｃとが形成されたハーフトーンマスク２７を用いることを特徴とする。すなわち、凸部を形成する領域には遮光部２７ｃが対応し、凹部を形成する領域には半透過領域２７ｂが対応し、絶縁膜１６ａを完全に除去する領域には透過領域２７ａが対応するように位置合わせをして露光を行う。
【００７７】
上記方法で露光、現像を行うことにより、図８（ｃ）に示すように、遮光領域２７ｃでは絶縁膜１６ａはそのまま残り、半透過領域２７ｂではある程度絶縁膜１６ａがエッチングされるために、絶縁膜１６ａに所定の凹凸が形成される。なお、絶縁膜１６ａを完全に除去する領域（透過領域２７ａ）の隣には必ずある程度の膜が残る領域（半透過領域２７ｂ）を配置するようにし、絶縁膜１６ａによって急峻な段差が生じないようにしている。
【００７８】
このように、露光の際に、ハーフトーンマスク２７を用いて、長い時間露光するか強い光をあてて絶縁膜１６ａを完全に感光させて現像にて絶縁膜１６ａを完全に除去する領域、短い時間露光するか弱い光をあてて絶縁膜１６ａをある程度残す領域、光をあてずに膜を除去しない領域を作製することにより、第１の絶縁膜１６と第２の絶縁膜１７の形成工程を一の工程で行うことができる。
【００７９】
その後、図８（ｄ）に示す表面形状変換プロセスを行うが、この処理では、８０〜３００℃程度の熱処理を行うことで、パターン形成後の絶縁膜１６ａ表面をメルトさせ、滑らかな形状に変換させる。なお、表面形状変換プロセス処理では熱処理に限定されず、その他の処理、例えば、薬品による溶融処理等を用いてもよい。また、現像で十分になだらかな表面が形成できる場合には、特に表面形状変換プロセス処理は必要がない。
【００８０】
その後、前記した第１の実施例と同様に、基板全面に反射電極１８を形成し、反射電極１８を覆うようにレジスト２６を形成し、各画素間のゲート配線１上、ドレイン配線２上及び表示領域外縁に位置する画素の外側領域（図の左側領域）のレジストを除去したレジストパターン２６ａを形成し、エッチングによって露出した反射電極１８を除去することによって、ＴＦＴ側基板５が製造される。
【００８１】
このように、ハーフトーンマスク２７を用いることにより、凹凸を有する絶縁膜１６ａを一の工程で形成することができ、前記した第１の実施例に比べて工程の削減を図ることができる。また、表示領域外縁に位置する画素の外側では、絶縁膜１６ａを完全に残す領域の外側に、絶縁膜１６ａをある程度残す領域が形成されているため、絶縁膜１６ａによって急峻な段差が形成されることはなく、外縁部分のレジスト残さ２６ｂの発生を防止し、反射電極の切り残し１８ａによる意図しない寄生容量を抑制することができる。
【００８２】
なお、上記実施例では、ハーフトーンマスクを用いて凹凸を形成する方法について記載したが、ハーフトーンマスクを用いる方法の他にも、半残し領域と全残し領域用に別々のマスクを用い、露光量を変えることによって同様の凹凸を形成する方法や、露光能力の限界よりも微細にパターンを配置することで擬似的に半透過とする方法もあり、絶縁膜１６ａに照射する露光量を場所によって変えることができる任意の方法を適用することができる。
【００８３】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明の反射型表示装置及びその製造方法によれば下記記載の効果を奏する。
【００８４】
本発明の第１の効果は、表示領域外縁の第１の絶縁膜及び第２の絶縁膜の端部の位置を、第２の絶縁膜が所定の距離だけ外側となるように設定し、また、第２の絶縁膜の膜厚を所定の範囲に設定することにより、表示領域外縁の段差をなだらかにすることができ、反射電極をパターンニングするためのレジストが絶縁膜端部で溜まって残さが発生することを防止することができるということである。これにより、レジスト残さによる反射電極の切り残しを防止することができ、意図しない寄生容量の発生や画素間のショートを防止することができ、表示の乱れのない高品位な反射型液晶表示装置を得ることができる。
【００８５】
また、本発明の第２の効果は、ハーフトーンマスク等を用いることによって、第１の絶縁膜と第２の絶縁膜とを一の材料を用いて一の工程で形成することができ、工程の簡略化を図ることができるということである。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１の実施例に係る反射型液晶表示装置の構造を模式的に示す平面図である。
【図２】本発明の第１の実施例に係る反射型液晶表示装置の構造を模式的に示す図であり、図１のＡ−Ａ′線における断面図である。
【図３】本発明の第１の実施例に係る反射型液晶表示装置の製造方法を示す工程断面図である。
【図４】本発明の第１の実施例に係る反射型液晶表示装置の製造方法を示す工程断面図である。
【図５】本発明の第１の実施例に係る反射型液晶表示装置の効果を説明するための図であり、レジストの膜厚と露光量との関係を示す図である。
【図６】本発明の第１の実施例に係る反射型液晶表示装置の効果を説明するための図であり、表示領域外縁部の絶縁膜及びレジストの膜厚の関係を示す図である。
【図７】本発明の第１の実施例に係る反射型液晶表示装置の効果を説明するための図であり、樹脂の粘度及びスピン塗布回転数と膜厚との関係を示す図である。
【図８】本発明の第２の実施例に係る反射型液晶表示装置の製造方法を示す工程断面図である。
【図９】本発明の第２の実施例に係る反射型液晶表示装置の製造方法を示す工程断面図である。
【図１０】従来の反射型液晶表示装置の構造を模式的に示す平面図である。
【図１１】従来の反射型液晶表示装置の構造を模式的に示す図であり、図１０のＢ−Ｂ′線における断面図である。
【図１２】従来の反射型液晶表示装置の製造方法を示す工程断面図である。
【図１３】従来の反射型液晶表示装置の製造方法を示す工程断面図である。
【符号の説明】
１  ゲート配線
２  ドレイン配線
３  薄膜トランジスタ
４  液晶層
５  ＴＦＴ側基板
６  対向基板
１０  第１の絶縁膜
１１  ゲート電極
１２  ゲート絶縁膜
１３ａ  ａ−Ｓｉ層
１３ｂ  ｎ＋型ａ−Ｓｉ層
１４  ドレイン電極
１５  ソース電極
１６  第１の絶縁膜
１６ａ  絶縁膜
１７  第２の絶縁膜
１８  反射電極
１８ａ  反射電極の切り残し
１９  コンタクト部
２０  第２の基板
２１  カラーフィルタ
２２  共通電極
２３  偏光板
２４  入射光
２５  出射光
２６  レジスト
２６ａ  レジストパターン
２６ｂ  レジスト残さ
２７  ハーフトーンマスク
２７ａ  透過領域
２７ｂ  半透過領域
２７ｃ  遮光領域
【図１】
0004651826.tif 000002
【図２】
0004651826.tif 000003
【図３】
0004651826.tif 000004
【図４】
0004651826.tif 000005
【図５】
0004651826.tif 000006
【図６】
0004651826.tif 000007
【図７】
0004651826.tif 000008
【図８】
0004651826.tif 000009
【図９】
0004651826.tif 000010
【図１０】
0004651826.tif 000011
【図１１】
0004651826.tif 000012
【図１２】
0004651826.tif 000013
【図１３】
0004651826.tif 000014