(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１導電型のドリフト領域と、
ドリフト領域上に形成されているとともに、第１導電型不純物をドリフト領域よりも低濃度に含む不純物低濃度ドリフト領域と、
低濃度ドリフト領域上に形成されている第２導電型のボディ領域と、
ボディ領域内に形成されている第１導電型のエミッタ領域と、
エミッタ領域およびボディ領域に隣接するとともに低濃度ドリフト領域に達するトレンチ内に形成されており、エミッタ領域と低濃度ドリフト領域を隔てているボディ領域にゲート絶縁膜を介して対向するゲート電極と、
ドリフト領域の反ボディ領域側に形成されている第２導電型のコレクタ領域を備え、
低濃度ドリフト領域の不純物濃度が、ドリフト領域との界面からボディ領域との界面に向けて、ドリフト領域と同じ濃度から連続的に低下していることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
前記トレンチは、前記ドリフト領域に達しない深さで形成されていることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】
第１導電型不純物を含有する半導体基板を用意する工程と、
その半導体基板を加熱処理し、前記第１導電型不純物を半導体基板の表面から雰囲気中へ外方拡散させ、当該半導体基板内に、ドリフト領域と、ドリフト領域上に位置するとともにドリフト領域との界面から半導体基板の表面に向けて不純物濃度が連続的に低下する低濃度ドリフト領域を形成する工程と、
半導体基板の表面に位置する低濃度ドリフト領域中に第２導電型のボディ領域を形成する工程と、
半導体基板の表面に位置するボディ領域中に第１導電型の第１導電型領域を形成する工程と、
半導体基板の表面から第１導電型領域およびボディ領域を貫通して低濃度ドリフト領域に達するトレンチを形成する工程と、
トレンチ内にゲート絶縁膜およびゲート電極を形成する工程と、
を備える半導体装置の製造方法。
【請求項４】
前記ドリフト領域の反ボディ領域側に第２導電型のコレクタ領域を形成する工程をさらに備えることを特徴とする請求項３に半導体装置の製造方法。
【請求項５】
前記トレンチは、前記ドリフト領域に達しない深さで形成することを特徴とする請求項３又は４に記載の半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置とその製造方法に関し、特に不純物濃度が低い半導体領域を安価に効率的に形成する技術に関する。
【背景技術】
【０００２】
ドリフト領域とボディ領域を積層した縦型の半導体装置が開発されており、高い耐圧と低いオン抵抗または低いオン電圧を実現する。
例えば、特許文献１に縦型のＩＧＢＴが開示されている。特許文献１のＩＧＢＴでは、ドリフト領域のボディ領域側に不純物低濃度領域が形成されている。ドリフト領域のボディ領域側に不純物低濃度領域を設けることによって、トレンチゲートの近傍で空乏層を伸び易くして耐圧を向上させる。
特許文献１の半導体装置の製造方法では、Ｐ型コレクタ領域を形成するＰ型半導体基板を用意し、その基板上に気相成長法を用いてドリフト領域と不純物濃度が低いドリフト領域を順に形成する。
【特許文献１】特開平０９−２６０６４８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
ドリフト領域の界面近傍に不純物低濃度領域を形成すると、半導体装置の耐圧を向上させることができる。特許文献１に記載の製造方法では、ドリフト領域や低濃度ドリフト領域を気相成長法によって形成している。しかしながら気相成長法で半導体領域を成長させるためには長時間を要し、製造コストが高くなるという問題がある。
ドリフト領域の界面近傍に不純物低濃度領域を形成するにあたって、気相成長法によるよりも安価に短時間に形成できる方法が存在すれば、耐圧の高い半導体装置を安価に短時間で製造することができる。しかしながら現時点では、ドリフト領域の界面近傍に不純物低濃度領域を形成するためには、気相成長法を用いる他はなく、それ以外に有用な方法が提案されていない。
本発明では上記の問題を解決する。本発明では、気相成長法を利用しないで、ドリフト領域の界面近傍に不純物低濃度領域を形成する技術を提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００４】
本発明に係る半導体装置の製造方法では、導電型不純物を含有する半導体基板を用意する工程と、その半導体基板を加熱処理する熱処理工程を実施する。その熱処理工程では、導電型不純物を半導体基板の表面から雰囲気中へ外方拡散させ、半導体基板の表面に位置する少なくとも一部の領域に、導電型不純物の濃度を低下させた低濃度ドリフト領域を形成することを特徴とする。
【０００５】
導電型不純物を含有する半導体基板を高温下に置くと、その導電型不純物が拡散移動する。このとき、半導体基板の表面近傍に位置している不純物が外方拡散する結果、半導体基板の表面近傍の不純物濃度は低下する。
上記の製造方法によれば、用意された導電型不純物を含有する半導体基板を加熱処理することによって、半導体基板の表面の少なくとも一部の領域に、基板の不純物濃度よりも低濃度化された不純物低濃度ドリフト領域を形成することができる。従来は、気相成長法で形成していた不純物低濃度ドリフト領域を加熱処理することによって形成することができるため、製造工程が簡単化され、又、バッチ処理も可能になることにより、処理時間を短縮化することができ、製造コストの低減を図ることができる。
【０００６】
本発明に係る一つの具体的な製造方法では、第１導電型不純物を含有する半導体基板を用意する工程と、その半導体基板を加熱処理し、第１導電型不純物を半導体基板の表面から雰囲気中へ外方拡散させ、当該半導体基板内に、ドリフト領域と、ドリフト領域上に位置するとともにドリフト領域との界面から半導体基板の表面に向けて不純物濃度が連続的に低下する低濃度ドリフト領域を形成する工程と、半導体基板の表面に位置する低濃度ドリフト領域中に第２導電型のボディ領域を形成する工程と、半導体基板の表面に位置するボディ領域中に第１導電型の第１導電型領域を形成する工程と、半導体基板の表面から第１導電型領域およびボディ領域を貫通して低濃度ドリフト領域に達するトレンチを形成する工程と、トレンチ内にゲート絶縁膜およびゲート電極を形成する工程を備える。この製造方法では、ドリフト領域の反ボディ領域側に第２導電型のコレクタ領域を形成する工程を、さらに実施することができる。また、トレンチは、前記ドリフト領域に達しない深さで形成することができる。
【０００７】
上記の製造方法によると、気相成長法で半導体領域を成長させないで、縦型半導体装置を製造することができる。ドリフト領域の厚さや不純物濃度は、半導体装置の耐圧に強く影響を与える。この製造方法であれば、必要な厚さと不純物濃度を有する半導体基板を用意すればよい。気相成長法でドリフト領域を形成する場合のように、ドリフト領域の厚さに応じて処理時間が増加することがない。
また上記の製造方法では、用意した半導体基板を加熱処理することによって、不純物低濃度ドリフト領域を形成する。半導体基板を熱処理することによって、半導体基板の表面近傍に位置する不純物の濃度は低濃度化され、簡単かつ安価に不純物低濃度ドリフト領域が形成される。
この製造方法によれば、加熱処理することによって半導体基板内に不純物低濃度ドリフト領域を形成することができる。気相成長法を用いずに形成することができるため、半導体装置の製造工程が簡単化される。そのため、高い量産性や製造コストの低減を図ることができる。
【０００８】
本発明によると、新規で有用な半導体装置が提供される。本発明で創作された半導体装置は、第１導電型のドリフト領域と、ドリフト領域上に形成されているとともに、第１導電型不純物をドリフト領域よりも低濃度に含む不純物低濃度ドリフト領域と、低濃度ドリフト領域上に形成されている第２導電型のボディ領域と、ボディ領域内に形成されている第１導電型のエミッタ領域と、エミッタ領域およびボディ領域に隣接するとともに低濃度ドリフト領域に達するトレンチ内に形成されており、エミッタ領域と低濃度ドリフト領域を隔てているボディ領域にゲート絶縁膜を介して対向するゲート電極と、ドリフト領域の反ボディ領域側に形成されている第２導電型のコレクタ領域を備えている。この半導体装置では、低濃度ドリフト領域の不純物濃度が、ドリフト領域との界面からボディ領域との界面に向けて、ドリフト領域と同じ不純物濃度から連続的に低下していることを特徴とする。
上記の半導体装置では、ドリフト領域の一方の表面側において、不純物濃度の変化が連続的であり、一方の表面に向かってなだらかに低下する。不純物濃度が連続的になだらかに低下することにより、空乏層の伸びる速度が連続的になだらかに変化し、ターンオフ時の電流変化が緩やかになってサージ電圧が低下する。また電界強度の集中が効果的に緩和され、半導体装置の耐圧が高められる。
【０００９】
本発明の半導体装置は、高い耐圧と、低いオン抵抗または低いオン電圧と、ターンオフ時の緩やかな電流変化を実現し、高いサージ電圧が発生することを抑制する。
【００１０】
コレクタ領域は、ドリフト領域の反ボディ領域側に積層されていてもよいし、ドリフト領域の反ボディ領域側に第１導電型のバッファ領域等が介在して形成されていてもよい。
【発明の効果】
【００１１】
本発明によると、気相成長法を用いずに不純物低濃度ドリフト領域を有する半導体装置を製造することが可能となり、半導体装置の製造コストの低減を図ることができる。また不純物低濃度ドリフト領域から残余のドリフト領域に亘って、不純物濃度が連続的に滑らかに変化する半導体装置を実現することができ、高い耐圧と低いオン抵抗または低いオン電圧の半導体装置を実現することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１２】
以下、本発明を具現化した実施例について図面を参照して説明する。最初に実施例の主要な特徴を列記する。
（形態１）：  半導体装置１は、トレンチゲート構造を有するＮチャネル型の縦型絶縁ゲートバイポーラトランジスタとして用いることができる。
（形態２）：  半導体装置１は、例えばＣＺ法あるいはＭＣＺ法等の単結晶引き上げ法で形成された半導体単結晶基板の中に形成されている。
（形態３）：  不純物低濃度ドリフト領域を形成する加熱処理は、処理温度を９００℃〜１３００℃で行うことが好ましい。
（形態４）：  不純物低濃度ドリフト領域を形成する加熱処理は、難酸化性雰囲気で行うことが好ましく、例えば、水素ガス雰囲気中や、アルゴンガス雰囲気中や、窒素ガス雰囲気中において行う。
【実施例】
【００１３】
本発明を利用して具現化される半導体装置１を図１に示す。図１は、半導体装置１の断面構造を示している。半導体装置１は、トレンチゲート構造を有するＮチャネル型の縦型絶縁ゲートバイポーラトランジスタ（ＩＧＢＴ）である。
【００１４】
半導体装置１では、アルミニウム等からなるコレクタ電極Ｃ上にＰ型不純物を含有するＰ＋型コレクタ領域１２が形成されている。そのコレクタ領域１２上にはＮ型不純物を含有するＮ＋型バッファ領域１４が形成されている。そのバッファ領域１４上にはＮ型不純物を含有するＮ−型ドリフト領域１６が形成されている。そのドリフト領域１６上にはＮ型不純物を含有するＮ−−型の低濃度ドリフト領域１８が形成されている。低濃度ドリフト領域１８上にはＰ型不純物を含有するＰ型ボディ領域２０が形成されている。ボディ領域２０内にはＮ型不純物を含有するＮ＋型エミッタ領域２２が選択的に形成されている。上記のコレクタ領域１２とバッファ領域１４とドリフト領域１６と低濃度ドリフト領域１８とボディ領域２０とエミッタ領域２２は、シリコン単結晶から構成されており、結晶構造は全部連続している。
半導体装置１には、トレンチ（溝）３０が形成されており、そのトレンチ３０内にゲート電極２４が埋設されている。トレンチ３０は、エミッタ領域２２とボディ領域２０に隣接し、低濃度ドリフト領域１８に達すると共に、ドリフト領域１６までは達しない深さで形成されている。トレンチ３０の内壁にはゲート絶縁膜２６が形成されており、ゲート電極２４はエミッタ領域２２とボディ領域２０と低濃度ドリフト領域１８にゲート絶縁膜２６を介して対抗している。ゲート絶縁膜２６は酸化シリコンで形成され、ゲート電極２４としてポリシリコンが埋設されている。
半導体装置１では、ゲート電極２４と電気的に接続しているゲート金属電極Ｇと、エミッタ領域２２と電気的に接続しているエミッタ金属電極Ｅが形成されている。
【００１５】
半導体装置１は、ドリフト領域１６と低濃度ドリフト領域１８の不純物濃度に特徴を有している。図２に、ドリフト領域１６と低濃度ドリフト領域１８の不純物濃度プロファイルを示す。図２において、縦軸は半導体装置１のボディ領域２０の表面２０ａからの距離ｘを示し（図１参照）、横軸にＮ型不純物の濃度Ｄを示している。図１に示すように、ボディ領域２０と低濃度ドリフト領域１８の界面１８ａは距離ｘ１であり、低濃度ドリフト領域１８とドリフト領域１６の界面１６ａは距離ｘｄであり、ドリフト領域１６とバッファ領域１４の界面１４ａは距離ｘ２である。図２に示すように、ドリフト領域１６（距離ｘｄ〜ｘ２）では濃度Ｄが略一定となっている。ドリフト領域１６の不純物濃度はＤｆである。また、低濃度ドリフト領域１８では、ドリフト領域１６との界面１６ａ（距離ｘｄ）からボディ領域２０との界面１８ａ（距離ｘ１）に向かって、不純物濃度Ｄが連続的になだらかに低下している。ここで、なだらかに低下するとは、その濃度Ｄの低下率の値が連続的に変化していることを意味する。
バッファ領域１４のＮ型不純物濃度は、ドリフト領域１６や低濃度ドリフト領域１８に比して高く設定されている。
【００１６】
半導体装置１では、低濃度ドリフト領域１８のＮ型不純物濃度が低濃度化されていることによって、ボディ領域２０との界面１８ａの近傍で空乏層が伸び易く、電界集中が緩和されることとなる。それにより、半導体装置１は、ドリフト領域１６と低濃度ドリフト領域１８の厚さに比して高い耐圧を実現することができる。換言すれば、耐圧を維持しつつドリフト領域１６と低濃度ドリフト領域１８の厚さを薄肉化することができ、半導体装置１のオン電圧を低く抑えることができる。
図２に示したように、低濃度ドリフト領域１８の不純物濃度は、ドリフト領域１６との界面１６ａからボディ領域２０との界面１８ａにかけて、連続的であって、かつ、なだらかに低下している。不純物濃度が低いほど空乏層の伸びる速度は早いため、低濃度ドリフト領域１８において空乏層の伸びる速度は連続的に変化する。それにより、半導体装置１の耐圧は安定する。また、過渡期等におけるサージ電圧も抑えられて安定する。
図３は、上記構成の半導体装置１における電界強度の様子を示している。図３は、前出の距離ｘを縦軸にとり、横軸に電界強度Ｅを示している。図中Ａは半導体装置１の場合を示し、図中Ｂは低濃度ドリフト領域１８を有しない半導体装置の場合を示す。図３に示されるように、半導体装置１では低濃度ドリフト領域１８とボディ領域２０の界面１８ａの位置（距離ｘ１）に現れる電界強度のピーク値が抑制されている。また、低濃度ドリフト領域１８内を示す距離ｘ１〜ｘｄにかけては、電界強度の変化率が小さくなっており、その変化率はなだらかに変化している。これは、低濃度ドリフト領域１８の不純物濃度が、ドリフト領域１６との界面１６ａからボディ領域２０との界面１８ａにかけて、連続的であって、かつ、なだらかに低下していることに対応する。このように、電界強度の集中が緩和されることにより、半導体装置１は高い耐圧を実現する。
【００１７】
以下、半導体装置１の製造方法について説明する。
図４は、半導体装置１の第１の半製品の状態を示している。図４を参照して、まず第１の半製品となるまでの製造工程を説明する。最初に半導体基板４を用意する。半導体基板４はＮ型不純物を含有するシリコン単結晶である。半導体基板４の不純物濃度はドリフト領域１６に所望する濃度に設定されており、半導体基板４全体で略一定の濃度である。例えば、ドリフト領域１６に所望するＮ型不純物の濃度がＤｆであれば、Ｎ型不純物の濃度がＤｆの半導体基板４を用意すればよい。ドリフト領域１６のＮ型不純物濃度は、例えば１．０×１０１４ａｔｏｍ／ｃｍ２とするとよい。半導体基板４は、例えばＣＺ法（チョクラルスキー法）やＭＣＺ法等の単結晶引上げ法で形成することができる。
次に、半導体基板４を加熱処理する。半導体基板４を加熱処理することによって、半導体基板４内の不純物が拡散移動する。このとき、半導体基板４の表面２０ａの近傍領域１８に位置している不純物については、その一部が半導体基板４の外部へと拡散する。それにより、半導体基板４の表面２０ａの近傍に不純物濃度が低下した領域１８が形成される。この領域１８は低濃度ドリフト領域１８となり、他の領域はＮ型不純物の濃度が略一定のドリフト領域１６となる。
例えば、Ｎ型不純物を１．０×１０１４ａｔｏｍ／ｃｍ２の濃度で含有している半導体基板４を用いた場合、ドリフト領域１６の電気抵抗率はおよそ３０〜７０Ω・ｃｍとなる。このとき、低濃度ドリフト領域１８の電気抵抗率はおよそ４０〜１１０Ω・ｃｍに変化する。
【００１８】
図５は、縦軸に半導体基板４の表面２０ａからの距離ｘをとり、横軸にＮ型不純物の濃度Ｄを示している。図５に示すように、また、低濃度ドリフト領域１８では、ドリフト領域１６との界面１６ａ（距離ｘｄ）から半導体基板４の表面２０ａにかけて、濃度Ｄが連続的であって、かつ、なだらかに低下している。このような濃度プロファイルとなるのは、低濃度ドリフト領域１８が、熱処理によってＮ型不純物が外方拡散されて形成されるためである。それに対し、例えば低濃度ドリフト領域１８をドリフト領域１６上に気相成長法で成長形成させた場合、低濃度ドリフト領域１８ではＮ型不純物濃度は略一定となってしまう。また、ドリフト領域１６との界面１６ａにおいてはＮ型不純物濃度が急激に変化してしまう。
この加熱処理は、半導体基板４を難酸化性雰囲気で行うことが好ましく、例えば水素ガス雰囲気中や、アルゴンガス雰囲気中や、窒素ガス雰囲気中において行うことができる。
上記の加熱処理によって形成される低濃度ドリフト領域１８の深さ（距離ｘｄ）は、加熱処理の処理温度と処理時間に相関する。図６は、横軸に処理時間Ｈｒをとり、縦軸に形成される低濃度ドリフト領域１８の深さｘｄを示している。図中Ａは処理温度が１３００℃の場合を示しており、図中Ｂは処理温度が１２００℃の場合を示しており、図中Ｃは処理温度が１０００℃の場合を示しており、図中Ｄは処理温度が９００℃の場合を示している。図６に示されるように、処理温度が高いほど低濃度ドリフト領域１８は深く形成される。また、処理時間が長いほど低濃度ドリフト領域１８は深く形成される。図６に示されるように、処理温度が９００℃以上であれば、有意に濃度が低下された低濃度ドリフト領域１８を形成することができる。従って、上記加熱処理では処理温度を９００℃〜１３００℃として行うことが好ましい。
上記の工程によって、図４に示す半導体装置１の第１の半製品が製造される。図４に示す第１の半製品は、表面２０ａの近傍において不純物濃度が連続的であって、かつ、なだらかに低下している半導体単結晶である。
【００１９】
図７は、半導体装置１の第２の半製品の状態を示している。図７を参照して第１の半製品から第２の半製品にかけての製造工程を説明する。
まず、半導体基板４の表面２０ａの近傍領域へボロン等のＰ型不純物を添加して、ボディ領域２０を形成する。ボディ領域２０は、低濃度ドリフト領域１８内に形成する。Ｐ型不純物の添加は、例えば熱拡散法やイオン注入法によって行うことができる。次に、半導体基板４の表面２０ａの近傍領域へ選択的にヒ素等のＮ型不純物を添加して、エミッタ領域２２を形成する。エミッタ領域２２は、ボディ領域２０内に形成する。Ｎ型不純物の添加は、例えば熱拡散法やイオン注入法によって行うことができる。
【００２０】
図８は、半導体装置１の第３の半製品の状態を示している。図８を参照して第２の半製品から第３の半製品にかけての製造工程を説明する。
この製造工程では、半導体基板４の表面２０ａにトレンチ３０を形成する。トレンチ３０は、エミッタ領域２２とボディ領域２０を貫通して低濃度ドリフト領域１８に達すると共に、ドリフト領域１６までは達しない深さで形成する。トレンチ３０の形成は、例えば酸化膜等をマスク材として、反応性イオンエッチング等の異方性エッチングによって行うことができる。
【００２１】
図９は、半導体装置１の第４の半製品の状態を示している。図９を参照して第３の半製品から第４の半製品にかけての製造工程を説明する。
まず、トレンチ３０の内面を熱酸化して、ゲート酸化膜２６を形成する。次に、トレンチ３０内にゲート電極２４を形成する。ゲート電極２４は、例えばポリシリコン等で形成することができ、ポリシリコンをトレンチ３０に埋め込み形成することができる。
次に、半導体基板４を所望する厚さまで加工する。半導体基板４の裏面領域４ｂを研磨等によって除去加工し、半導体基板４を所望する厚さまで加工する。このとき、前出の加熱工程で半導体基板４の裏面領域４ｂに不純物濃度が低下した領域が形成されていても、この工程によって除去される。
【００２２】
図１０は、半導体装置１の第５の半製品の状態を示している。図１０を参照して第４の半製品から第５の半製品にかけての製造工程を説明する。
半導体基板４の裏面４ａの近傍領域にヒ素等のＮ型不純物を添加してバッファ領域１４を形成する。次いで、半導体基板４の裏面４ａの近傍領域にボロン等のＰ型不純物を添加してコレクタ領域１２を形成する。コレクタ領域１２は、バッファ領域１４によってドリフト領域１６とは隔てられている。バッファ領域１４やコレクタ領域１２の形成は、例えば熱拡散法やイオン注入法等によって行うことができる。バッファ領域１４やコレクタ領域１２の形成が基板への不純物添加によって行われるため、バッファ領域１４やコレクタ領域１２を極めて薄く形成することができる。それにより、半導体装置１の損失低減を図ることもできる。
【００２３】
図１１は、半導体装置１の第６の半製品の状態を示している。図１１を参照して第５の半製品から第６の半製品にかけての製造工程を説明する。
半導体基板４の裏面４ａにコレクタ電極Ｃを形成する。コレクタ電極Ｃの形成は、例えばＡｕ等の金属をスパッタ法等によって形成することができる。
図１１に示す第６の半製品の状態から、ゲート金属電極Ｇと層間絶縁膜（図示せず）とエミッタ金属電極Ｅ等を形成すると、図１に示す半導体装置１が完成する。ゲート金属電極Ｇやエミッタ金属電極Ｅの形成は、その形成パターンに対応するレジストマスクを形成し、アルミニウム等の金属をスパッタ法等で蒸着形成して行うことができる。
【００２４】
以上の製造方法によって半導体装置１を製造することができる。半導体装置１は、高い耐圧を達成することができ、電力用としても用いることができる。
上記で説明した製造方法によれば、気相成長法によって半導体単結晶を成長形成することなく、半導体装置１を製造することができる。ＣＺ法やＭＣＺ法等の単結晶引上げ法で形成された半導体基板を用意し、その半導体基板にすべての構成領域を形成することができるため、製造工程が簡単化されて製造コストを低減することができる。
また、上記で説明した製造方法によって製造された半導体装置１では、低濃度ドリフト領域１８における不純物の濃度プロファイルが、ドリフト領域１６に対して連続的であって、かつ、なだらかに変化している。そのため、低濃度ドリフト領域１８からドリフト領域１６にかけて空乏層の伸びる速度が連続的に変化することとなり、半導体装置１は耐圧やサージ電圧が安定している。
上記の実施例では、Ｎチャネル型のＩＧＢＴを一例として説明したが、各領域の導電型を逆にすることでＰチャネル型にも適用できることは自明である。また、ＭＯＳ半導体にも適用することができる。
また、上記の実施例ではトレンチゲート構造を採用しているが、本発明はプレーナ型半導体装置にも好適に適用することができる。
【００２５】
以上、本発明の実施形態について詳細に説明したが、これらは例示に過ぎず、特許請求の範囲を限定するものではない。特許請求の範囲に記載の技術には、以上に例示した具体例を様々に変形、変更したものが含まれる。
また、本明細書または図面に説明した技術要素は、単独であるいは各種の組み合わせによって技術的有用性を発揮するものであり、出願時請求項記載の組み合わせに限定されるものではない。また、本明細書または図面に例示した技術は複数の目的を同時に達成するものであり、そのうちの一つの目的を達成すること自体で技術的有用性を持つものである。
【図面の簡単な説明】
【００２６】
【図１】半導体装置１の構成を示す図。
【図２】低濃度ドリフト領域とドリフト領域の不純物濃度を示す図。
【図３】低濃度ドリフト領域とドリフト領域における電界強度を示す図。
【図４】半導体装置１の第１の半製品を示す図。
【図５】半導体基板４の不純物濃度を示す図。
【図６】熱処理条件と形成される低濃度ドリフト領域の深さの関係を示す図。
【図７】半導体装置１の第２の半製品を示す図。
【図８】半導体装置１の第３の半製品を示す図。
【図９】半導体装置１の第４の半製品を示す図。
【図１０】半導体装置１の第５の半製品を示す図。
【図１１】半導体装置１の第６の半製品を示す図。
【符号の説明】
【００２７】
１・・・半導体装置
４・・・半導体基板、
１２・・・コレクタ領域
１４・・・バッファ領域
１６・・・ドリフト領域
１８・・・低濃度ドリフト領域
２０・・・ボディ領域
２２・・・エミッタ領域
２４・・・ゲート電極
２６・・・ゲート絶縁膜
【図１】
0004710222.tif 000002
【図２】
0004710222.tif 000003
【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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