(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも
カラーフィルターを有するカラーフィルター基板を用意するステップと、
前記カラーフィルター基板に第１導体層と、ドーパント半導体層とを順番に形成するステップと、
前記第１導体層と前記ドーパント半導体層をパターン化して、前記カラーフィルター基板に薄膜トランジスタの電極と、下電極とを形成するステップと、
前記薄膜トランジスタの電極と前記下電極と前記カラーフィルター基板に半導体層と、誘電層と、第２導体層とを順番に形成するステップと、
前記第２導体層と前記誘電層と前記半導体層とドーパント半導体層をパターン化して、前記薄膜トランジスタの電極に接触域を形成し、前記薄膜トランジスタの電極の間にチャンネルを形成し、前記接触域と前記チャンネルにゲート誘電層と、ゲートとを形成し、前記下電極にコンデンサー接触域と、コンデンサー半導体層と、コンデンサー誘電層と、上電極とを形成するステップと、
前記カラーフィルター層の上に前記下電極と前記薄膜トランジスタの電極のいずれにも接続する画素電極を形成するステップと、
前記カラーフィルター基板に保護層を形成するステップと、
裏面側から露光して前記薄膜トランジスタの電極、前記ゲート、前記上電極、前記下電極に保護層のパターンを形成するステップと、
前記カラーフィルター基板に共通電極を有する他の基板を用意するステップと、
前記カラーフィルター基板と前記他の基板の間に液晶層を形成するステップと、
を含み、前記薄膜トランジスタの電極はソースまたはドレーンであることを特徴とする液晶ディスプレイの製造方法。
【請求項２】
第２導体層と誘電層と半導体層とドーパント半導体層をパターン化するステップにおいて、さらに、ゲートと上電極に接続する導線を同時に形成するステップを含むことを特徴とする、請求項１に記載の液晶ディスプレイの製造方法。
【請求項３】
第１導体層とドーパント半導体層をパターン化するステップにおいて、さらに、カラーフィルター基板に端子部の下導線を同時に形成するステップを含むことを特徴とする、請求項１に記載の液晶ディスプレイの製造方法。
【請求項４】
第２導体層と誘電層と半導体層とドーパント半導体層をパターン化するステップにおいて、さらに、端子部の下導線に端子部接触域と、端子部半導体層と、端子部誘電層と、端子部上導線とを同時に形成するステップを含むことを特徴とする、請求項３に記載の液晶ディスプレイの製造方法。
【請求項５】
画素電極を形成するステップにおいて、さらに、端子部の上導線と端子部の下導線に接続する透明導線を同時に形成するステップを含むことを特徴とする、請求項４に記載の液晶ディスプレイの製造方法。
【請求項６】
保護層パターンを形成するステップにおいて、さらに、透明導線に保護層パターンを同時に形成するステップを含むことを特徴とする、請求項５に記載の液晶ディスプレイの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は液晶ディスプレイの製造方法に関し、特にカラーフィルター基板に薄膜トランジスタ（Ｔｈｉｎ  ｆｉｌｍ  ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ；ＴＦＴ）アレイを形成する（Ａｒｒａｙ  ｏｎ  ｃｏｌｏｒ  ｆｉｌｔｅｒ；ＡＯＣ）方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
高画質で、体積が小さく、重量が軽い、さらに、低電圧で作動する、消費電力が小さいい、応用範囲が広いなどのメリットがあるため、液晶ディスプレイはテレビ、携帯電話、ビデオカメラ、ノートパソコン、ディスクトップパソコン、プロジェクタなどの電子製品に応用されており、陰極線管（ｃａｔｈｏｄｅ  ｒａｙ  ｔｕｂｅ；ＣＲＴ）の代わりに、ディスプレイの主流になった。
一般的に、液晶ディスプレイはトランジスタアレイ基板と、カラーフィルター基板と、前記二つの基板に封じ込められた液晶からなる。トランジスタアレイ基板上の画素電極とカラーフィルター基板のカラーフィルターを相対の位置を合わせて配置する必要があるから、トランジスタアレイ基板とカラーフィルター基板を組み立てる工程において、正確に位置を合わせなければ正常なディスプレイ効果が得られない。しかしながら、液晶パネルのサイズが大きくなるにしたがって、トランジスタアレイ基板とカラーフィルター基板の位置を合わせるのが困難になる。
【０００３】
また、フォトマスクの製造コストが高く、露光現像の工程中において、位置を合わせる際にミスが生じるおそれがあり、時間もかかるため、各メーカーはフォトマスクの使用頻度を減らすように努力している。また、フォトマスクの使用頻度を減らすために、ハーフトーンフォトマスクが開発されたが、ハーフトーンフォトマスクの製造コストと不良率は従来のフォトマスクよりも高い。
そのため、トランジスタアレイ基板とカラーフィルター基板の組み立て工程の困難性を有効的に抑え、必要とするフォトマスクの数を減らし、ハーフトーンフォトマスクを使用する必要がないＴＦＴ液晶ディスプレイの製造方法が求められている。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
前記問題点を解決するため、本発明は、製造にかかるステップを減らし、コストを抑え、効率を高める液晶ディスプレイの製造方法を提供することを課題とする。
また、本発明は、ＴＦＴアレイをカラーフィルター基板に形成して、組み立てるときに精度不良の問題点を解決する液晶ディスプレイの製造方法を提供することを課題とする。
更に、製造効率を高めるために、本発明は、ハーフトーンフォトマスクを使用せずにフォトマスクの使用回数を減らすことができる液晶ディスプレイの製造方法を提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
前記課題を解決するための本発明は、
少なくともカラーフィルター層を有するカラーフィルター基板を用意するステップと、前記カラーフィルター基板に第１導体層と、ドーパント半導体層とを順番に形成するステップと、前記第１導体層と前記ドーパント半導体層をパターン化して、前記カラーフィルター基板に薄膜トランジスタの電極と、下電極とを形成するステップと、前記薄膜トランジスタの電極と前記下電極と前記カラーフィルター基板に半導体層と、誘電層と、第２導体層とを順番に形成するステップと、前記第２導体層と前記誘電層と前記半導体層とドーパント半導体層をパターン化して、前記薄膜トランジスタの電極に接触域を形成し、前記薄膜トランジスタの電極の間にチャンネルを形成し、前記接触域と前記チャンネルにゲート誘電層と、ゲートとを形成し、前記下電極にコンデンサー接触域と、コンデンサー半導体層と、コンデンサー誘電層と、上電極とを形成するステップと、前記カラーフィルター層に前記下電極と前記薄膜トランジスタの電極のいずれに接続する画素電極を形成するステップと、前記カラーフィルター基板に保護層を形成するステップと、裏面側から露光して前記薄膜トランジスタの電極、前記ゲート、前記上電極、前記下電極に保護層のパターンを形成するステップと、前記カラーフィルター基板に共通電極を有する他の基板を用意するステップと、前記カラーフィルター基板と前記他の基板の間に液晶層を形成するステップと、を含み、前記薄膜トランジスタの電極はソースまたはドレーンであることを特徴とする液晶ディスプレイの製造方法
にある。
【０００６】
さらに、本発明は、
第２導体層と誘電層と半導体層とドーパント半導体層をパターン化するステップにおいて、さらに、前記ゲートと前記上電極に接続する導線を同時に形成するステップを含む前記液晶ディスプレイの製造方法、
第１導体層とドーパント半導体層をパターン化するステップにおいて、さらに、カラーフィルター基板に端子部の下導線を同時に形成するステップを含む、前記液晶ディスプレイの製造方法、
第２導体層と誘電層と半導体層とドーパント半導体層をパターン化するステップにおいて、さらに、端子部の下導線に端子部接触域と、端子部半導体層と、端子部誘電層と、端子部上導線とを同時に形成するステップを含む、前記液晶ディスプレイの製造方法、
画素電極を形成するステップにおいて、さらに、端子部の上導線と端子部の下導線に接続する透明導線を同時に形成するステップを含む、前記液晶ディスプレイの製造方法、ならびに、
保護層パターンを形成するステップにおいて、さらに、透明導線に保護層パターンを同時に形成するステップを含む、前記液晶ディスプレイの製造方法、にも関する。
【発明の効果】
【０００７】
１、本発明に係る液晶ディスプレイの製造方法を実施すれば、ＴＦＴアレイがカラーフィルター基板に形成されるので、ＴＦＴアレイの画素電極は、既にカラーフィルター基板のカラーフィルター層に位置を合わせて形成されているため、位置を合わせる際のミスの問題は起きない。
２、本発明に係る液晶ディスプレイの製造方法は裏面側から露光して保護層パターンを形成するため、トランジスタ基板を製造するのに使用するフォトマスクの使用回数を減らすことができる。
３、本発明に係る液晶ディスプレイの製造方法を実施すれば、ハーフトーンフォトマスクを使用せずにフォトマスクの使用回数を減らすことができるため、製造コストと不良率を抑えることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００８】
［実施例］
実施例１
図１Ａ〜図１Ｇは本発明の液晶ディスプレイの製造方法の好ましい実施例の製造過程の断面図である。
図１Ａに示すように、まず、カラーフィルター基板を形成するように、透明基板１１０の上にブラックマトリックス１１２，１１４と、カラーフィルター層１１６と、フラット層１１８とを形成する。カラーフィルター層１１６の色は赤、青、緑のいずれでもよい。フラット層１１８の材料として、透明の有機材料例えばフォトレジスト材料が用いられる。
図１Ｂに示すように、次に、フラット層１１８の上に第１導体層１２０と、ドーパント半導体層１２２とを順番に形成する。第１導体層１２０の材料として、モリブデン，クロム，イリジウム，アルミニウム，チタン、または前記物質の組成物や合金が用いられ、形成方法として、物理気相成長法、例えばスパッタリング法が用いられる。ドーパント半導体層１２２の材料として、Ｎ型のドーパント非結晶シリコンが用いられる。
【０００９】
図１Ｃに示すように、次に、第１導体層１２０とドーパント半導体層１２２をパターン化して、フラット層１１８の上にＴＦＴ１３０の電極１３２，１３４（ソースまたはドレーン）と、コンデンサー１３６の下電極１３７と、端子部１３８の下導線１３９とを形成する。ＴＦＴ１３０の電極１３２，１３４はカラーフィルター基板のブラックマトリックス１１２の上に形成されており、一方、コンデンサー１３６の下電極１３７はカラーフィルター基板の他のブラックマトリックス１１４の上に形成されている。第１導体層１２０とドーパント半導体層１２２のパターン化方法として、リソグラフィー法やエッチング法が用いられる。
【００１０】
図１Ｄに示すように、電極１３２，１３４と下電極１３７と下導線１３９の上に半導体層１４０と、誘電層１４２と、第２導体層１４４とを順番に形成する。半導体層１４０の材料として、非結晶シリコンが用いられる。誘電層１４２の材料として、酸化シリコンや窒化シリコン、またはそれらの組成物が用いられ、形成方法として、化学気相成長法が用いられる。第２導体層１４４の材料として、モリブデン，クロム，イリジウム，アルミニウム，チタン、または前記物質の組成物や合金が用いられ、形成方法として、物理気相成長法、例えばスパッタリング法が用いられる。
【００１１】
図１Ｅに示すように、第２導体層と誘電層と半導体層とドーパント半導体層をパターン化して、電極１３２，１３４の上に電極接触域１５０，１５１を形成し、ＴＦＴ１３０の電極１３２，１３４の間にチャンネル１５２を形成し、電極接触域１５０，１５１とチャンネル１５２の上にゲート誘電層１５３と、ＴＦＴ１３０のゲート１５４とを形成する。また、コンデンサー１３６の下電極１３７の上にコンデンサー接触域１５５と、コンデンサー半導体層１５６と、コンデンサー誘電層１５７と、コンデンサー１３６の上電極１５８とを形成する。端子部１３８の下導線１３９の上に端子部接触域１５９と、端子部半導体層１６０と、端子部誘電層１６１と、端子部１３８の上導線１６２を形成し、同時に、ＴＦＴ１３０のゲート１５４とコンデンサー１３６の上電極１５８に接続する走査線（図に示していない）を形成する。第２導体層と誘電層と半導体層とドーパント半導体層のパターン化方法として、リソグラフィー法やエッチング法が用いられる。抵抗を減らして、導電性をよくするため、具体的に、電極接触域１５０，１５１、コンデンサー接触域１５５、端子部接触域１５９はオーム接触域である。
【００１２】
図１Ｆに示すように、次に、フラット層１１８の上に透明導電層を形成してから透明導電層をパターン化して、カラーフィルター層１１６の上に画素電極１７０を形成し、同時に、端子部１３８の上に端子部の透明導線１７２を形成する。抵抗成分による遅延（ＲＣ−ｄｅｌａｙ）の問題を抑えるため、画素電極１７０はＴＦＴ１３０の電極（ドレーン）１３４とコンデンサー１３６の下電極１３７に接続し、端子部１３８の透明導線１７２は端子部１３８の上導線１６２と下導線１３９に接続する。前記透明導電層の材料として、酸化インジウムスズ（Ｉｎｄｉｕｍ  Ｔｉｎ  Ｏｘｉｄｅ；ＩＴＯ）が用いられる。透明導電層のパターン化方法として、リソグラフィー法やエッチング法が用いられる。
【００１３】
図１Ｇに示すように、最後に、フラット層１１８の上に保護層を形成してから、電極１３２，１３４、ゲート１５４、上電極１５８、下電極１３７、透明導線１７２の保護層パターン１８０を形成する。保護層パターン１８０の形成方法として、リソグラフィー法やエッチング法が用いられる。本発明に係る製造方法は、保護層パターン１８０の形成ステップにおいてフォトマスクを使用せずに、裏面側から露光して保護層をパターン化させ、即ち、透明基板１１０の下から光源を保護層に照射して露光させる。光がカラーフィルター基板のブラックマトリックス１１２，１１４と端子部の下導線１３９によって遮断され、カラーフィルター基板の透明基板１１０とカラーフィルター層１１６とフラット層１１８を通過するため、カラーフィルター基板とカラーフィルター基板にある構造をフォトマスクとし、精確に電極１３２，１３４、ゲート１５４、上電極１５８、下電極１３７、透明導線１７２の上に保護層パターン１８０を形成することができる。
【００１４】
カラーフィルター基板が完成された後で、カラーフィルター基板に平行し、共通の電極を有する基板をカラーフィルター基板の上に配置して、前記二つの基板の間に液晶を注入する。本発明の製造方法において、液晶滴下工法（Ｏｎｅ  ｄｒｏｐ  ｆｉｌｌ；ＯＤＦ）を用いてもよく、液晶を注入後、前記二つの基板を固定する。
【００１５】
実施例２
図２Ａ〜図２Ｇは本発明の液晶ディスプレイの製造方法の他の好ましい実施例の製造過程の断面図である。
図２Ａに示すように、まず、カラーフィルター基板を形成するように、透明基板２１０の上にブラックマトリックス２１２，２１４と、カラーフィルター層２１６と、フラット層２１８とを形成する。カラーフィルター層２１６の色は赤、青、緑のいずれでもよい。
【００１６】
図２Ｂに示すように、次に、フラット層２１８の上に第１導体層２２０と、ドーパント半導体層２２２とを順番に形成する。第１導体層２２０の材料として、モリブデン，クロム，イリジウム，アルミニウム，チタン、または前記物質の組成物や合金が用いられ、形成方法として、物理気相成長法例えばスパッタリング法が用いられる。ドーパント半導体層２２２の材料として、Ｎ型のドーパント非結晶シリコンが用いられる。
【００１７】
図２Ｃに示すように、次に、第１導体層とドーパント半導体層をパターン化して、フラット層２１８の上にＴＦＴ２３０の電極２３２，２３４（ソースまたはドレーン）と、コンデンサー２３６の下電極２３７と、端子部２３８の下導線２３９とを形成する。ＴＦＴ２３０の電極２３２，２３４はカラーフィルター基板のブラックマトリックス２１２の上に形成されており、一方、コンデンサー２３６の下電極２３７はカラーフィルター層２１６の上に形成されている。第１導体層とドーパント半導体層のパターン化方法として、リソグラフィー法やエッチング法が用いられる。
【００１８】
図２Ｄに示すように、電極２３２，２３４と下電極２３７と下導線２３９の上に半導体層２４０と、誘電層２４２と、第２導体層２４４とを順番に形成する。半導体層２４０の材料として、非結晶シリコンが用いられる。誘電層２４２の材料として、酸化シリコンや窒化シリコン、またはそれらの組成物が用いられ、形成方法として、化学気相成長法が用いられる。第２導体層２４４の材料として、モリブデン，クロム，イリジウム，アルミニウム，チタン、または前記物質の組成物や合金が用いられ、形成方法として、物理気相成長法例えばスパッタリング法が用いられる。
【００１９】
図２Ｅに示すように、第２導体層と誘電層と半導体層とドーパント半導体層をパターン化して、電極２３２，２３４の上に電極接触域２５１，２５２を形成し、ＴＦＴ２３０の電極２３２，２３４の間にチャンネル２５３を形成し、電極接触域２５１，２５２とチャンネル２５３の上にゲート誘電層２５４と、ＴＦＴ２３０のゲート２５５とを形成する。また、コンデンサー２３６の下電極２３７の上にコンデンサー２３６のコンデンサー接触域２５６と、コンデンサー半導体層２５７と、コンデンサー誘電層２５８と、上電極２５９とを形成する。また、端子部２３８の下導線２３９の上に端子部接触域２６０と、端子部半導体層２６１と、端子部誘電層２６２と、端子部２３８の上導線２６３とを形成する。一方、カラーフィルター基板の他のブラックマトリックス２１４の上に走査線２６４の走査線半導体層２６５と、走査線誘電層２６６と、走査線２６４の導線２６７とを形成する。第２導体層と誘電層と半導体層とドーパント半導体層のパターン化方法として、リソグラフィー法やエッチング法が用いられる。抵抗を減らして、導電性をよくするため、具体的に、電極接触域２５１，２５２、コンデンサー接触域２５６、端子部接触域２６０はオーム接触域である。
【００２０】
図２Ｆに示すように、次に、フラット層２１８の上に透明導電層を形成してから透明導電層をパターン化して、カラーフィルター層２１６の上に画素電極２７０を形成し、同時に、端子部２３８の上に端子部２３８の透明導線２７２を形成する。抵抗成分による遅延（ＲＣ−ｄｅｌａｙ）の問題を抑えるため、画素電極２７０はＴＦＴ２３０の電極（ドレーン）２３４とコンデンサー２３６の下電極２３７に接続し、端子部２３８の透明導線２７２は端子部２３８の上導線２６３と下導線２３９に接続する。前記透明導電層の材料として、酸化インジウムスズ（Ｉｎｄｉｕｍ  Ｔｉｎ  Ｏｘｉｄｅ；ＩＴＯ）が用いられる。透明導電層のパターン化方法として、リソグラフィー法やエッチング法が用いられる。
【００２１】
図２Ｇに示すように、最後に、フラット層２１８の上に保護層を形成してから、電極２３２，２３４、ゲート２５５、上電極２５９、下電極２３７、透明導線２７２の保護層パターン２８０を形成する。保護層パターン２８０の形成方法として、リソグラフィー法やエッチング法が用いられる。本発明に係る製造方法は、保護層パターン２８０の形成ステップにおいてフォトマスクを使用せずに、裏面側から露光して保護層をパターン化させ、即ち、透明基板２１０の下から光源を保護層に照射して露光させる。光がカラーフィルター基板のブラックマトリックス２１２，２１４とコンデンサー２３６の下電極２３７と端子部２３８の下導線２３９によって遮断され、カラーフィルター基板の透明基板２１０とカラーフィルター層２１６とフラット層２１８を通過するため、カラーフィルター基板とカラーフィルター基板にある構造をフォトマスクとし、精確に電極２３２，２３４、ゲート２５５、上電極２５９、下電極２３７、透明導線２７２の上に保護層パターン２８０を形成することができる。
【００２２】
カラーフィルター基板が完成された後で、カラーフィルター基板に平行し、共通の電極を有する基板をカラーフィルター基板の上に配置して、前記二つの基板の間に液晶を注入する。本発明の製造方法において、液晶滴下工法（Ｏｎｅ  ｄｒｏｐ  ｆｉｌｌ；ＯＤＦ）を用いてもよく、液晶を注入後、前記二つの基板を固定する。
【００２３】
以上の、本発明を例示するがこれを限定するものではない、好ましい実施態様の記載から、当業者は本発明を理解できるであろう。数多くの変更や類似の配置は、添付の特許請求の範囲やその技術的思想に含まれるものである。特許請求の範囲は、上記の全ての変更や類似の配置が含まれるように最も広く解釈しなければならない。発明の好ましい態様が例示され説明されているが、各種の変更が、発明の範囲や技術的思想を離れることなく行い得ることを理解すべきである。
【図面の簡単な説明】
【００２４】
【図１Ａ】本発明の液晶ディスプレイの製造方法の好ましい実施例の製造過程の断面図である。
【図１Ｂ】本発明の液晶ディスプレイの製造方法の好ましい実施例の製造過程の断面図である。
【図１Ｃ】本発明の液晶ディスプレイの製造方法の好ましい実施例の製造過程の断面図である。
【図１Ｄ】本発明の液晶ディスプレイの製造方法の好ましい実施例の製造過程の断面図である。
【図１Ｅ】本発明の液晶ディスプレイの製造方法の好ましい実施例の製造過程の断面図である。
【図１Ｆ】本発明の液晶ディスプレイの製造方法の好ましい実施例の製造過程の断面図である。
【図１Ｇ】本発明の液晶ディスプレイの製造方法の好ましい実施例の製造過程の断面図である。
【００２５】
【図２Ａ】本発明の液晶ディスプレイの製造方法の他の好ましい実施例の製造過程の断面図である。
【図２Ｂ】本発明の液晶ディスプレイの製造方法の他の好ましい実施例の製造過程の断面図である。
【図２Ｃ】本発明の液晶ディスプレイの製造方法の他の好ましい実施例の製造過程の断面図である。
【図２Ｄ】本発明の液晶ディスプレイの製造方法の他の好ましい実施例の製造過程の断面図である。
【図２Ｅ】本発明の液晶ディスプレイの製造方法の他の好ましい実施例の製造過程の断面図である。
【図２Ｆ】本発明の液晶ディスプレイの製造方法の他の好ましい実施例の製造過程の断面図である。
【図２Ｇ】本発明の液晶ディスプレイの製造方法の他の好ましい実施例の製造過程の断面図である。
【符号の説明】
【００２６】
１１０：透明基板
１１２：ブラックマトリックス
１１４：ブラックマトリックス
１１６：カラーフィルター層
１１８：フラット層
１２０：第１導体層
１２２：ドーパント半導体層
１３０：ＴＦＴ
１３２：電極（ソースまたはドレーン）
１３４：電極（ソースまたはドレーン）
１３６：コンデンサー
１３７：下電極
【００２７】
１３８：端子部
１３９：下導線
１４０：半導体層
１４２：誘電層
１４４：第２導体層
１５０：電極接触域
１５１：電極接触域
１５２：チャンネル
１５３：ゲート誘電層
１５４：ゲート
【００２８】
１５５：コンデンサー接触域
１５６：コンデンサー半導体層
１５７：コンデンサー誘電層
１５８：上電極
１５９：端子部接触域
１６０：端子部半導体層
１６１：端子部誘電層
１６２：上導線
１７０：画素電極
１７２：透明導線
１８０：保護層パターン
【００２９】
２１０：透明基板
２１２：ブラックマトリックス
２１４：ブラックマトリックス
２１６：カラーフィルター層
２１８：フラット層
２２０：第１導体層
２２２：ドーパント半導体層
２３０：ＴＦＴ
２３２：電極（ソースまたはドレーン）
２３４：電極（ソースまたはドレーン）
２３６：コンデンサー
【００３０】
２３７：下電極
２３８：端子部
２３９：下導線
２４０：半導体層
２４２：誘電層
２４４：第２導体層
２５１：電極接触域
２５２：電極接触域
２５３：チャンネル
２５４：ゲート誘電層
２５５：ゲート
【００３１】
２５６：コンデンサー接触域
２５７：コンデンサー半導体層
２５８：コンデンサー誘電層
２５９：上電極
２６０：端子部接触域
２６１：端子部半導体層
２６２：端子部誘電層
２６３：上導線
２６４：走査線
２６５：走査線半導体層
２６６：走査線誘電層
２６７：導線
２７０：画素電極
２７２：透明導線
２８０：保護層パターン
【図１Ａ】
0004699395.tif 000002
【図１Ｂ】
0004699395.tif 000003
【図１Ｃ】
0004699395.tif 000004
【図１Ｄ】
0004699395.tif 000005
【図１Ｅ】
0004699395.tif 000006
【図１Ｆ】
0004699395.tif 000007
【図１Ｇ】
0004699395.tif 000008
【図２Ａ】
0004699395.tif 000009
【図２Ｂ】
0004699395.tif 000010
【図２Ｃ】
0004699395.tif 000011
【図２Ｄ】
0004699395.tif 000012
【図２Ｅ】
0004699395.tif 000013
【図２Ｆ】
0004699395.tif 000014
【図２Ｇ】
0004699395.tif 000015