(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板にＣＯＲ処理を施すＣＯＲ処理モジュールと、前記基板にＣＶＤ処理を施すＣＶＤ処理モジュールと、前記ＣＯＲ処理モジュールと前記ＣＶＤ処理モジュールとを連結し、且つ前記基板を搬送する搬送モジュールとを備える基板処理装置であって、
前記ＣＯＲ処理モジュールは、前記基板を収容するチャンバと、該チャンバ内に配置されて前記基板を載置する載置台と、前記チャンバ内に配置されて前記基板を前記載置台からリフトする基板リフト装置とを有し、
前記基板リフト装置は、棒状のリフトピンと、前記載置台の周囲において昇降する昇降部材と、前記リフトピン及び前記昇降部材を連動させる連動部材とを有し、
前記載置台は、前記昇降部材の昇降方向に沿って穿設されると共に、前記連動部材の少なくとも一部を収容する連動部材収容溝と、該連動部材収容溝と連通し且つ前記載置台において前記基板が載置される載置面に開口すると共に、前記リフトピンを収容するリフトピン収容穴とを有し、
前記リフトピンは、前記連動部材収容溝内において前記連動部材に載置され、
前記昇降部材は、前記リフトピンの前記載置面からの突出量を調整可能な突出量調整機構を有し、
前記突出量調整機構は、前記連動部材に連結されると共に、側面の少なくとも一部におねじを有する多角形柱状のブロック材と、該ブロック材の前記昇降部材からの高さを規定する高さ規定部材と、前記ブロック材のおねじと螺合するめねじを有すると共に、前記昇降部材に着座するナット部材と、前記ブロック材の前記昇降部材に対する回転を規制する回転規制部材とを有することを特徴とする基板処理装置。
【請求項２】
基板にＣＯＲ処理を施すＣＯＲ処理モジュールと、前記基板にＣＶＤ処理を施すＣＶＤ処理モジュールと、前記ＣＯＲ処理モジュールと前記ＣＶＤ処理モジュールとを連結し、且つ前記基板を搬送する搬送モジュールとを備える基板処理装置であって、
前記ＣＯＲ処理モジュールは、前記基板を収容するチャンバと、該チャンバ内に配置されて前記基板を載置する載置台と、前記チャンバ内に配置されて前記基板を前記載置台からリフトする基板リフト装置とを有し、
前記基板リフト装置は、棒状のリフトピンと、前記載置台の周囲において昇降する昇降部材と、前記リフトピン及び前記昇降部材を連動させる連動部材とを有し、
前記載置台は、前記昇降部材の昇降方向に沿って穿設されると共に、前記連動部材の少なくとも一部を収容する連動部材収容溝と、該連動部材収容溝と連通し且つ前記載置台において前記基板が載置される載置面に開口すると共に、前記リフトピンを収容するリフトピン収容穴とを有し、
前記リフトピンは、前記連動部材収容溝内において前記連動部材に載置され、
前記昇降部材は、前記リフトピンの前記載置面からの突出量を調整可能な突出量調整機構を有し、
前記連動部材は所定の形状を呈する端部を有し、
前記突出量調整機構は、前記端部の所定の形状と相補的な形状を呈する回転規制部を有し、且つ前記昇降部材に締結される回転規制部材と、前記昇降部材に連結し、且つ前記端部を載置する高さ調整部材と、前記連動部材、前記高さ調整部材及び前記昇降部材を互いに締結させるボルトとを有することを特徴とする基板処理装置。
【請求項３】
基板を収容するチャンバと、該チャンバ内に配置されて前記基板を載置する載置台とを備える基板処理モジュールの前記チャンバ内に配置されると共に、前記基板を前記載置台からリフトする基板リフト装置であって、
棒状のリフトピンと、前記載置台の周囲において昇降する昇降部材と、前記リフトピン及び前記昇降部材を連動させる連動部材とを有し、
前記載置台は、前記昇降部材の昇降方向に沿って穿設されると共に、前記連動部材の少なくとも一部を収容する連動部材収容溝と、該連動部材収容溝と連通し且つ前記載置台において前記基板が載置される載置面に開口すると共に、前記リフトピンを収容するリフトピン収容穴とを有し、
前記リフトピンは、前記連動部材収容溝内において前記連動部材に載置され、
前記昇降部材は、前記リフトピンの前記載置面からの突出量を調整可能な突出量調整機構を有し、
前記突出量調整機構は、前記連動部材に連結されると共に、側面の少なくとも一部におねじを有する多角形柱状のブロック材と、該ブロック材の前記昇降部材からの高さを規定する高さ規定部材と、前記ブロック材のおねじと螺合するめねじを有すると共に、前記昇降部材に着座するナット部材と、前記ブロック材の前記昇降部材に対する回転を規制する回転規制部材とを有することを特徴とする基板リフト装置。
【請求項４】
基板を収容するチャンバと、該チャンバ内に配置されて前記基板を載置する載置台とを備える基板処理モジュールの前記チャンバ内に配置されると共に、前記基板を前記載置台からリフトする基板リフト装置であって、
棒状のリフトピンと、前記載置台の周囲において昇降する昇降部材と、前記リフトピン及び前記昇降部材を連動させる連動部材とを有し、
前記載置台は、前記昇降部材の昇降方向に沿って穿設されると共に、前記連動部材の少なくとも一部を収容する連動部材収容溝と、該連動部材収容溝と連通し且つ前記載置台において前記基板が載置される載置面に開口すると共に、前記リフトピンを収容するリフトピン収容穴とを有し、
前記リフトピンは、前記連動部材収容溝内において前記連動部材に載置され、
前記昇降部材は、前記リフトピンの前記載置面からの突出量を調整可能な突出量調整機構を有し、
前記連動部材は所定の形状を呈する端部を有し、
前記突出量調整機構は、前記端部の所定の形状と相補的な形状を呈する回転規制部を有し、且つ前記昇降部材に締結される回転規制部材と、前記昇降部材に連結し、且つ前記端部を載置する高さ調整部材と、前記連動部材、前記高さ調整部材及び前記昇降部材を互いに締結させるボルトとを有することを特徴とする基板リフト装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板処理装置及び基板リフト装置に関し、特に、基板にＣＯＲ処理を施すＣＯＲ処理モジュールが備える基板リフト装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来より、基板、例えば、半導体デバイス用のウエハ（以下、単に「ウエハ」という。）の表面にＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）によって所望の膜を形成するＣＶＤ装置が知られている。
【０００３】
このＣＶＤ装置は、ＣＶＤ処理及びこれに付随する処理（例えば、ウエハ洗浄処理や熱処理）をシーケンシャルに行うために、複数のプロセスモジュール（以下、「ＰＭ」という。）を備える。各ＰＭはウエハを収容し、該収容されたウエハにＣＶＤ処理やこれに付随する処理をそれぞれ施す。また、各ＰＭは、ウエハを搬送する搬送アームを内蔵する搬送モジュール（以下、「ＴＭ」という。）と放射状に連結し、ウエハは各ＰＭにおいて対応する処理が施されると、ＴＭを経由して次のＰＭへ搬入される。
【０００４】
近年、半導体デバイスの上に形成される配線層は、回路の高密度化及び高集積化に対応して、多層配線構造を有する。半導体デバイスと配線層との電気的接続には、配線層の一部を積層方向に向けて貫通し、半導体デバイスに到達するコンタクトホールが用いられ、
配線層における配線間の電気的接続には配線層の一部を積層方向に向けて貫通するビアホールが用いられる。コンタクトホールやビアホールはエッチングによって形成され、各ホール内にはアルミニウム（Ａｌ）やタングステン（Ｗ）等の金属又は該金属を主成分とする合金が充填される。各ホールにおいて充填される金属又は合金と、半導体デバイスにおけるシリコン（Ｓｉ）基板やポリシリコン（Poly  silicon）層との接触（コンタクト）を確保するために、金属又は合金の充填に先立って、各ホールの内側にチタン（Ｔｉ）層が成膜され、さらにその上にバリア層として窒化チタン（ＴｉＮ）層が成膜される。一般に、ＣＶＤによって成膜された膜では電気抵抗が増加することがなく、膜厚も均一になる（ステップカバレッジが良好になる）ため、上述したＴｉ層やＴｉＮ層の成膜にはＣＶＤが用いられる。特に、ＴｉＣｌ４を用いたＣＶＤではＴｉ膜の成長の際に、Ｔｉが基板のＳｉと反応してホール底部のＳｉ拡散層上にＴｉＳｉ２が自己整合的に選択成長する。これにより、ホール底部において導電性に関するオーミック抵抗を低減することができる。
【０００５】
ところで、ＴｉＣｌ４の結合エネルギーは非常に高く、ＴｉＣｌ４を熱エネルギーのみによって分解する場合、雰囲気温度を１２００℃以上にする必要がある。そこで、Ｔｉ膜の成膜にはＴｉＣｌ４の分解に熱エネルギーだけでなくプラズマエネルギーを併用するプラズマＣＶＤが用いられる。このプラズマＣＶＤでは雰囲気温度が６５０℃程度であればよい。
【０００６】
一方、基板のシリコンやポリシリコン層の上には自然酸化膜が形成され易いため、成膜されるＴｉ層とシリコン等とのコンタクト抵抗を低減するために、上述したプラズマＣＶＤに先立って自然酸化膜の除去処理を行う必要がある。
【０００７】
従来、自然酸化膜の除去処理としては、希フッ酸ガスによる除去処理や、水素（Ｈ２）ガス及びアルゴン（Ａｒ）ガスを用いて誘導結合プラズマを形成して該プラズマによって除去する処理が知られている（例えば、特許文献１参照。）。
【０００８】
ところが、近年、半導体デバイスの微細化に伴い、Ｓｉ拡散層の厚さ（深さ）も小さくなり、Ｔｉ膜のＣＶＤにおいてＴｉＳｉ２膜の成長が進まず、コンタクト抵抗を所望値まで低減するのが困難になっている。薄いＴｉＳｉ２膜において低いコンタクト抵抗を実現するためには、該膜においてＣ５４相（結晶構造）を有するＴｉＳｉ２を多く形成する必要があるが、上述した熱エネルギーのみを利用するＣＶＤでは雰囲気温度が高いため、低温で形成され易いＣ５４相のＴｉＳｉ２を多く形成するのは困難である。また、上述したプラズマＣＶＤでは互いに粒径の異なるＴｉＳｉ２の結晶が多く形成される。特に、Ｔｉ膜のＣＶＤに先立ってアルゴンガスのプラズマを用いて自然酸化膜の除去処理を行う場合、該除去処理においてＳｉ拡散層がプラズマによってダメージを受けて不均一にアモルファス化しているため、該Ｓｉ拡散層上に形成されるＴｉＳｉ２膜において形成されるＴｉＳｉ２の各結晶の粒径は大きく異なる。粒径が大きく異なるＴｉＳｉ２の結晶によって形成されるＴｉＳｉ２膜では、結晶密度が疎となるため、比抵抗が高くなり、また、Ｓｉ拡散層との接触状態が安定しない。その結果、コンタクト抵抗が増加する。
【０００９】
そこで、現在、自然酸化膜を化学反応によって除去するＣＯＲ（Chemical Oxide Removal）処理をＳｉ拡散層（ディフュージョン層）に施すことが検討されている。
【００１０】
ＣＯＲ処理をウエハに施すＰＭは、ウエハを収容するチャンバと、該チャンバ内に配置されウエハを載置する載置台（ステージ）とを備え、該載置台はウエハの搬出入時にウエハをリフトアップする複数のリフトピンを有する。各リフトピンは載置台を貫通し、各リフトピンの下に配置されたリフトピンアッセンブリ（リフトピン昇降装置）によって昇降する（例えば、特許文献２参照）。このＰＭでは、リフトピンアッセンブリはチャンバ外、すなわち、大気中に配置され、リフトピンは減圧雰囲気であるチャンバ内に突出するため、載置台内のリフトピン収容穴が大気とチャンバ内とを連通する。そのため、リフトピン収容穴にグリスを充填してチャンバ内を大気からシールしている。
【特許文献１】特開平４−３３６４２６号公報
【特許文献２】米国特許出願公開第2004/0182315号明細書
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１１】
しかしながら、ＣＶＤ装置では各ＰＭがＴＭを介して連通するため、ＣＯＲ処理のＰＭから蒸発した有機物であるグリスが、Ｔｉ層やＴｉＮ層を形成するＣＶＤ処理のＰＭに侵入してＴｉ層やＴｉＮ層の成膜不良が発生するという問題がある。
【００１２】
本発明の目的は、成膜不良の発生を防止することができる基板処理装置及び基板リフト装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
上記目的を達成するために、請求項１記載の基板処理装置は、基板にＣＯＲ処理を施すＣＯＲ処理モジュールと、前記基板にＣＶＤ処理を施すＣＶＤ処理モジュールと、前記ＣＯＲ処理モジュールと前記ＣＶＤ処理モジュールとを連結し、且つ前記基板を搬送する搬送モジュールとを備える基板処理装置であって、前記ＣＯＲ処理モジュールは、前記基板を収容するチャンバと、該チャンバ内に配置されて前記基板を載置する載置台と、前記チャンバ内に配置されて前記基板を前記載置台からリフトする基板リフト装置とを有し、前記基板リフト装置は、棒状のリフトピンと、前記載置台の周囲において昇降する昇降部材と、前記リフトピン及び前記昇降部材を連動させる連動部材とを有し、前記載置台は、前記昇降部材の昇降方向に沿って穿設されると共に、前記連動部材の少なくとも一部を収容する連動部材収容溝と、該連動部材収容溝と連通し且つ前記載置台において前記基板が載置される載置面に開口すると共に、前記リフトピンを収容するリフトピン収容穴とを有し、前記リフトピンは、前記連動部材収容溝内において前記連動部材に載置され、前記昇降部材は、前記リフトピンの前記載置面からの突出量を調整可能な突出量調整機構を有し、前記突出量調整機構は、前記連動部材に連結されると共に、側面の少なくとも一部におねじを有する多角形柱状のブロック材と、該ブロック材の前記昇降部材からの高さを規定する高さ規定部材と、前記ブロック材のおねじと螺合するめねじを有すると共に、前記昇降部材に着座するナット部材と、前記ブロック材の前記昇降部材に対する回転を規制する回転規制部材とを有することを特徴とする。
【００１７】
請求項２記載の基板処理装置は、基板にＣＯＲ処理を施すＣＯＲ処理モジュールと、前記基板にＣＶＤ処理を施すＣＶＤ処理モジュールと、前記ＣＯＲ処理モジュールと前記ＣＶＤ処理モジュールとを連結し、且つ前記基板を搬送する搬送モジュールとを備える基板処理装置であって、前記ＣＯＲ処理モジュールは、前記基板を収容するチャンバと、該チャンバ内に配置されて前記基板を載置する載置台と、前記チャンバ内に配置されて前記基板を前記載置台からリフトする基板リフト装置とを有し、前記基板リフト装置は、棒状のリフトピンと、前記載置台の周囲において昇降する昇降部材と、前記リフトピン及び前記昇降部材を連動させる連動部材とを有し、前記載置台は、前記昇降部材の昇降方向に沿って穿設されると共に、前記連動部材の少なくとも一部を収容する連動部材収容溝と、該連動部材収容溝と連通し且つ前記載置台において前記基板が載置される載置面に開口すると共に、前記リフトピンを収容するリフトピン収容穴とを有し、前記リフトピンは、前記連動部材収容溝内において前記連動部材に載置され、前記昇降部材は、前記リフトピンの前記載置面からの突出量を調整可能な突出量調整機構を有し、前記連動部材は所定の形状を呈する端部を有し、前記突出量調整機構は、前記端部の所定の形状と相補的な形状を呈する回転規制部を有し、且つ前記昇降部材に締結される回転規制部材と、前記昇降部材に連結し、且つ前記端部を載置する高さ調整部材と、前記連動部材、前記高さ調整部材及び前記昇降部材を互いに締結させるボルトとを有することを特徴とする。
【００１９】
上記目的を達成するために、請求項３記載の基板リフト装置は、基板を収容するチャンバと、該チャンバ内に配置されて前記基板を載置する載置台とを備える基板処理モジュールの前記チャンバ内に配置されると共に、前記基板を前記載置台からリフトする基板リフト装置であって、棒状のリフトピンと、前記載置台の周囲において昇降する昇降部材と、前記リフトピン及び前記昇降部材を連動させる連動部材とを有し、前記載置台は、前記昇降部材の昇降方向に沿って穿設されると共に、前記連動部材の少なくとも一部を収容する連動部材収容溝と、該連動部材収容溝と連通し且つ前記載置台において前記基板が載置される載置面に開口すると共に、前記リフトピンを収容するリフトピン収容穴とを有し、前記リフトピンは、前記連動部材収容溝内において前記連動部材に載置され、前記昇降部材は、前記リフトピンの前記載置面からの突出量を調整可能な突出量調整機構を有し、前記突出量調整機構は、前記連動部材に連結されると共に、側面の少なくとも一部におねじを有する多角形柱状のブロック材と、該ブロック材の前記昇降部材からの高さを規定する高さ規定部材と、前記ブロック材のおねじと螺合するめねじを有すると共に、前記昇降部材に着座するナット部材と、前記ブロック材の前記昇降部材に対する回転を規制する回転規制部材とを有することを特徴とする。
【００２２】
請求項１０記載の基板リフト装置は、基板を収容するチャンバと、該チャンバ内に配置されて前記基板を載置する載置台とを備える基板処理モジュールの前記チャンバ内に配置されると共に、前記基板を前記載置台からリフトする基板リフト装置であって、棒状のリフトピンと、前記載置台の周囲において昇降する昇降部材と、前記リフトピン及び前記昇降部材を連動させる連動部材とを有し、前記載置台は、前記昇降部材の昇降方向に沿って穿設されると共に、前記連動部材の少なくとも一部を収容する連動部材収容溝と、該連動部材収容溝と連通し且つ前記載置台において前記基板が載置される載置面に開口すると共に、前記リフトピンを収容するリフトピン収容穴とを有し、前記リフトピンは、前記連動部材収容溝内において前記連動部材に載置され、前記昇降部材は、前記リフトピンの前記載置面からの突出量を調整可能な突出量調整機構を有し、前記連動部材は所定の形状を呈する端部を有し、前記突出量調整機構は、前記端部の所定の形状と相補的な形状を呈する回転規制部を有し、且つ前記昇降部材に締結される回転規制部材と、前記昇降部材に連結し、且つ前記端部を載置する高さ調整部材と、前記連動部材、前記高さ調整部材及び前記昇降部材を互いに締結させるボルトとを有することを特徴とする。
【発明の効果】
【００２５】
請求項１記載の基板処理装置によれば、基板にＣＶＤ処理を施すＣＶＤ処理モジュールと搬送モジュールを介して連結されるＣＯＲ処理モジュールが、基板を収容するチャンバと、該チャンバ内に配置されて基板を載置する載置台と、基板を載置台からリフトする基板リフト装置とを有し、該基板リフト装置がチャンバ内に配置されるので、載置台においてチャンバ内と大気とを連通する穴を設ける必要がなく、グリスを使用する必要を無くすことができる。したがって、基板にＣＶＤ処理を施す際、基板において成膜不良が発生するのを防止することができる。
【００２６】
請求項１記載の基板処理装置によれば、棒状のリフトピンが、載置台において昇降部材の昇降方向に沿って穿設される連動部材収容溝内において、上記リフトピンを載置台の周囲において昇降する昇降部材に連動させる連動部材に載置され、上記リフトピンは、連動部材収容溝と連通し且つ載置台における基板が載置される載置面に開口するリフトピン収容穴に収容されるので、リフトピンは載置面において突出自在であり、これにより、載置面上において基板を安定してリフトすることができる。
【００２７】
請求項１，２に記載の基板処理装置及び請求項３，４に記載の基板リフト装置によれば、昇降部材は、リフトピンの載置面からの突出量を調整可能な突出量調整機構を有するので、複数のリフトピンが配置されている場合、各リフトピンの載置面からの突出量を調整することにより、載置面上において基板をより安定してリフトすることができると共に、載置台の直下に突出量調整機構を配置するために載置台を大きく抉る必要を無くすことができ、よって載置台に冷却系統や静電吸着用の電極板を内蔵させて基板に所望の処理を安定して施すことができる。
【００２８】
請求項１記載の基板処理装置及び請求項３記載の基板リフト装置によれば、突出量調整機構は、連動部材に連結されると共に、側面の少なくとも一部におねじを有する多角形柱状のブロック材と、該ブロック材の昇降部材からの高さを規定する高さ規定部材と、ブロック材のおねじと螺合するめねじを有すると共に、昇降部材に着座するナット部材と、ブロック材の昇降部材に対する回転を規制する回転規制部材とを有するので、ナット部材をブロック材に螺合させつつ、該ナット部材を昇降部材に着座させる際、ブロック材の回転を規制してブロック材の昇降部材からの高さを変えることなくブロック材を昇降部材に止着することができ、よって容易且つ確実に、連動部材の昇降部材からの高さ、引いては、リフトピンの載置面からの突出量を調整することができる。
【００２９】
請求項２記載の基板処理装置及び請求項４記載の基板リフト装置によれば、連動部材は所定の形状を呈する端部を有し、突出量調整機構は、連動部材の端部の所定の形状と相補的な形状を呈する回転規制部を有し、且つ昇降部材に締結される回転規制部材と、昇降部材に連結し、且つ連動部材の端部を載置する高さ調整部材と、連動部材、高さ調整部材及び昇降部材を互いに締結させるボルトとを有するので、昇降部材に高さ調整部材を連結し、且つ該高さ調整部材に連動部材の端部を載置してボルトによって連動部材、高さ調整部材及び昇降部材を互いに締結させる際、連動部材の昇降部材に対する回転を規制することができる。また、高さ調整部材の昇降部材からの突出量を調整することによって連動部材の昇降部材からの高さを調整することができる。その結果、容易且つ確実に、リフトピンの載置面からの突出量を調整することができる。
【００３０】
請求項３，４記載の基板リフト装置によれば、基板リフト装置が、チャンバと載置台とを備える基板処理モジュールのチャンバ内に配置され、棒状のリフトピンが、載置台において昇降部材の昇降方向に沿って穿設される連動部材収容溝内において、上記リフトピンを載置台の周囲において昇降する昇降部材に連動させる連動部材に載置され、上記リフトピンは、連動部材収容溝と連通し且つ載置台における基板が載置される載置面に開口するリフトピン収容穴に収容されるので、載置台においてチャンバ内と大気とを連通する穴を設ける必要がなく、グリスを使用する必要を無くすことができる。したがって、基板に成膜処理を施す際、基板において成膜不良が発生するのを防止することができる。さらに、リフトピンは載置面において突出自在であり、これにより、載置面上において基板を安定してリフトすることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３２】
以下、本発明の実施の形態について図面を参照しながら説明する。
【００３３】
まず、本発明の第１の実施の形態に係る基板処理装置について説明する。
【００３４】
図１は、本実施の形態に係る基板処理装置としてのＣＶＤ処理装置の概略構成を示す平面図である。
【００３５】
図１において、ＣＶＤ処理装置１０は、４つのプロセスモジュール（以下、「ＰＭ」という。）１１〜１４と、搬送モジュール（以下、「ＴＭ」という。）１５と、ローダーモジュール（以下、「ＬＭ」という。）１６と、２つのロードロックモジュール（以下、「ＬＬＭ」という）１７，１８とを備える。このＣＶＤ処理装置１０では、４つのＰＭ１１〜１４はＴＭ１５に放射状に接続され、ＴＭ１５とＬＭ１６とは、２つのＬＬＭ１７，１８を介して接続される。
【００３６】
ＬＭ１６には、上述したＬＬＭ１７，１８の他、２５枚の半導体デバイス用のウエハ（以下、単に「ウエハ」という。）を収容する容器としてのフープ（Front Opening Unified Pod）がそれぞれ載置される３つのフープ載置台１９と、フープから搬出されたウエハの位置をプリアライメントするオリエンタ２０とが接続される。また、ＬＭ１６はウエハを搬送する搬送アーム（図示しない）を内蔵し、該搬送アームは、未処理又は処理済みのウエハを、フープ、オリエンタ２０及びＬＬＭ１７，１８の間において搬送する。
【００３７】
ＰＭ１１は後述するチャンバ２３を有し、該チャンバ２３に収容されたウエハにＣＯＲ処理を施す。ＰＭ１２もチャンバ（図示しない）を有し、該チャンバに収容されたウエハに後述するＰＨＴ（Post Heat Treatment）処理を施す。また、ＰＭ１３もチャンバ（図示しない）を有し、該チャンバに収容されたウエハの表面にＴｉ層を形成するＣＶＤ処理を施す。さらに、ＰＭ１４もチャンバ（図示しない）を有し、該チャンバに収容されたウエハの表面にＴｉＮ層を形成するＣＶＤ処理を施す。
【００３８】
ＴＭ１５はウエハを搬送する搬送アーム（図示しない）を内蔵し、該搬送アームは、未処理又は処理済みのウエハを、ＰＭ１１〜１４及びＬＬＭ１７，１８の間において搬送する。ＬＬＭ１７，１８はそれぞれウエハを載置する載置台（図示しない）を内蔵し、ＬＭ１６の搬送アーム又はＴＭ１５の搬送アームによって搬入されたウエハを一時的に保管する。
【００３９】
このＣＶＤ処理装置１０では、ＴＭ１５の搬送アームによってウエハがＰＭ１１〜１４にこの順で搬出入される。これにより、ウエハにはＣＯＲ処理、ＰＨＴ処理、Ｔｉ層形成のためのＣＶＤ処理、及びＴｉＮ層形成のためのＣＶＤ処理が順に施される。また、これらの一連の処理は後述するＣＶＤ処理装置１０のシステムコントローラ（図示しない）が、一連の処理に応じたプログラムを実行することによって行われる。
【００４０】
ＣＯＲ処理は、ウエハのディフュージョン層上の異物、例えば、酸化膜とガス分子とを化学反応させて生成物を生成する処理であり、ＰＨＴ処理は、ＣＯＲ処理が施されたウエハを加熱して、ＣＯＲ処理の化学反応によってウエハに生成した生成物を気化・熱酸化（Thermal Oxidation）させてウエハから除去する処理である。以上のように、ＣＯＲ処理及びＰＨＴ処理は水成分を用いずにディフュージョン層上の酸化膜を除去する処理であるため、ドライクリーニング処理（乾燥洗浄処理）に該当する。
【００４１】
ＣＶＤ処理装置１０のＰＭ１１では、ガスとしてアンモニアガス及び弗化水素（無水ＨＦ）ガスを用いる。ここで、弗化水素ガスはディフュージョン層上の酸化膜の腐食を促進し、アンモニアガスは、酸化膜と弗化水素ガスとの反応を必要に応じて制限し、最終的には停止させるための反応副生成物（By-product）を合成する。具体的には、ＰＭ１１では、ＣＯＲ処理及びＰＨＴ処理において以下の化学反応を利用することにより、酸化膜、例えば、ＳｉＯ２を除去する。
（ＣＯＲ処理）
ＳｉＯ２＋４ＨＦ  →  ＳｉＦ４＋２Ｈ２Ｏ↑
ＳｉＦ４＋２ＮＨ３＋２ＨＦ  →  （ＮＨ４）２ＳｉＦ６
（ＰＨＴ処理）
（ＮＨ４）２ＳｉＦ６  →  ＳｉＦ４↑＋２ＮＨ３↑＋２ＨＦ↑
尚、ＰＨＴ処理においては、Ｎ２及びＨ２も若干量発生する。また、上述した化学反応を利用したＣＯＲ処理及びＰＨＴ処理は、以下の特性を有する。
１）熱酸化膜の選択比（除去速度）が高い
具体的には、ＣＯＲ処理及びＰＨＴ処理は、熱酸化膜の選択比が高い一方、シリコンの選択比が低い。したがって、熱酸化膜が主成分である異物を効率よく除去することができる。
２）異物が除去されたディフュージョン層の表面における自然酸化膜の成長速度が遅い
具体的には、ＣＯＲ処理及びＰＨＴ処理によって上層が除去されたディフュージョン層の表面は水素又は弗素で覆われる（ディフュージョン層が水素又は弗素で終端する）ため、該表面は不動態化（passivation）して化学的に安定する。その結果、該表面上では自然酸化膜の成長が抑制され、具体的には、厚さ３Åの自然酸化膜の成長時間は２時間以上となる。したがって、半導体デバイスの製造工程において不要な酸化膜が発生することがなく、半導体デバイスにおいて導通不良の発生を防止して信頼性を向上することができる。
３）ドライ環境において反応が進行する
具体的には、ＣＯＲ処理において水を反応に用いることはなく、また、ＣＯＲ処理によって発生した水もＰＨＴ処理によって気化されるため、上層が除去されたディフュージョン層の表面にＯＨ基が配されることがない。したがって、ディフュージョン層の表面が親水性になることがなく、よって該表面は吸湿することがないため、半導体デバイスの配線信頼性の低下を防止することができる。
４）生成物の生成量は所定時間が経過すると飽和する
具体的には、所定時間が経過すると、それ以後、ディフュージョン層をアンモニアガス及び弗化水素ガスの混合気体に暴露し続けても、生成物の生成量は増加しない。また、生成物の生成量は、混合気体の圧力、体積流量比等の混合気体のパラメータによって決定される。したがって、ディフュージョン層上の酸化膜の除去量制御を容易に行うことができる。
５）パーティクルの発生が非常に少ない。
【００４２】
具体的には、ＰＭ１１において、多量のウエハにおけるウエハディフュージョン層上の酸化膜の除去を実行しても、チャンバ２３の側壁の内側等に異物の発生要因であるパーティクルの付着がほとんど観測されない。したがって、半導体デバイスにおいて導通不良が発生することがなく、半導体デバイスの信頼性を向上することができる。
【００４３】
以上のように、ＣＶＤ処理装置１０では、ウエハにＴｉ層形成及びＴｉＮ層形成のためのＣＶＤ処理を施す前に、該ウエハにＣＯＲ処理及びＰＨＴ処理を施す。これにより、パーティクルの発生を抑制し且つポリシリコンのゲートを削ることなく、ウエハのディフュージョン層上の異物（酸化膜）を除去することができ、よって、半導体デバイスにおける導通不良の発生を確実に抑制することができる。
【００４４】
図２は、図１における、ウエハにＣＯＲ処理を施すＰＭの概略構成を示す斜視図である。
【００４５】
図２において、ＰＭ１１は、ウエハを収容し、該ウエハにＣＯＲ処理を施すチャンバ２３と、チャンバ２３の後述する容器３２内にアンモニアガス及び弗化水素ガスを供給するガス供給装置であるガスボックス２１と、容器３２内に配置されるウエハの載置台としての後述するＥＳＣ３３の電極板３５に直流電圧を印加するＥＣＳ電源２２と、可変式バタフライバルブからなる、容器３２内の圧力を制御するための自動圧力制御弁（Automatic Pressure Control Valve）（以下、「ＡＰＣバルブ」という。）２４と、該ＡＰＣバルブ２４を介して容器３２内を真空引きする、真空引き用の排気ポンプであるターボ分子ポンプ（Turbo Molecular Pump）（以下、「ＴＭＰ」という。）２５と、該ＴＭＰ２５と後述するＤＰ（Dry Pump）７７とを接続する本排気管２６と、該本排気管２６の途中に配されて排気中の生成物を捕集するトラップ２７と、ＥＳＣ３３内の後述する冷媒室９９に所定温度の冷媒、例えば、冷却水を供給するＥＳＣチラー２８と、ＰＭ１１全体の温度を制御するモジュール温度制御部２９と、ＰＭ１１の各構成要素（２１〜２９）の動作を制御する後述のＭＣ（Module Controller）１０１とを備える。また、これらのＰＭ１１の各構成要素（２１〜２９）はフレーム３０に固定されて１つのモジュールとして取り扱われる。
【００４６】
ＰＭ１１では、フレーム３０によってＴＭＰ２５、ＡＰＣバルブ２４、チャンバ２３及びガスボックス２１が図中上下方向に関して略一直線上に配置される。これにより、ＰＭ１１の大きさを小さくすることができ、ＣＶＤ処理装置１０におけるＰＭ１１の配置を容易にしている。
【００４７】
チャンバ２３は、上部にチャンバリッド（蓋）３１を有し、さらに側部に容器３２内の状態をモニタするゲージ（図示しない）を有する。チャンバリッド３１の開閉角度は１８０°であり、チャンバ２３のメンテナンスの際、作業者のメンテナンス作業、例えば、ウェットクリーニングやチャンバ内部品の交換を妨げることがないので、チャンバリッド３１はチャンバ２３のメンテナンス性を向上させることができる。
【００４８】
図３は、図２におけるチャンバの概略構成を示す断面図である。
【００４９】
図３において、チャンバ２３は、アルミ製の円筒状の容器３２と、該容器３２内の下方に配置された円柱状のＥＳＣ３３と、容器３２内の上方に配置されたシャワーヘッド３４とを有する。ＥＳＣ３３は、図中下方からアルミ部材、Ａｌ２Ｏ３部材、アルミ部材が積層された構造を有する。
【００５０】
ＥＳＣ３３は、内部にＥＣＳ電源２２からの直流電圧が印加される電極板３５を有し、該印加された直流電圧により発生するクーロン力又はジョンソン・ラーベック(Johnsen-Rahbek)力によってウエハを吸着して保持する。また、ＥＳＣ３３は、例えば、円周方向に延在する環状の冷媒室９９を有する。この冷媒室９９には、ＥＳＣチラー２８から冷媒用配管（図示しない）を介して所定温度の冷媒、例えば、冷却水が循環供給され、当該冷媒の温度によってＥＳＣ３３上面に吸着保持されたウエハＷの処理温度が制御される。さらに、ＥＳＣ３３は、ＥＳＣ３３上面とウエハの裏面との間に伝熱ガス（ヘリウムガス）を満遍なく供給する伝熱ガス供給系統（図示しない）を有する。伝熱ガスは、ＣＯＲ処理の間、冷媒によって所望の指定温度に維持されたＥＳＣ３３とウエハとの熱交換を行い、ウエハを効率よく且つ均一に冷却する。
【００５１】
また、ＥＳＣ３３において、ウエハが載置される上面（以下、「載置面」という）から複数のリフトピン４２が突出する。これらのリフトピン４２は、後述するウエハリフト装置８０の構成要素であり、同じくウエハリフト装置８０の構成要素であるピンホルダ８１の容器３２内における昇降に連動して載置面から突出し、若しくは載置面に埋入する。具体的には、リフトピン４２は、ウエハがＥＳＣ３３に吸着保持されるとき、ＥＳＣ３３に埋入し、ＣＯＲ処理が施されたウエハを容器３２から搬出するとき、ＥＳＣ３３の上面から突出してウエハを上方へ持ち上げる。
【００５２】
ＥＳＣ３３の載置面には、ウエハの直径より所定値だけ大きな径の座ぐり加工が施されてウエハ系止凹部４３が形成されている。ウエハはＣＯＲ処理が施される間、ウエハ系止凹部４３に保持されるので、ウエハが動くことがない。これにより、ウエハの表面により均一にＣＯＲ処理を施すことができる。
【００５３】
容器３２の内側面には所定の表面処理が施されている。施される表面処理としては、アルマイト被膜処理、ＯＧＦ（Out Gas Free）アルマイト被膜処理、若しくは、機械研磨、フッ素パッシベーション処理等が該当する。なお、容器３２の側面に表面処理を施さず、アルミを容器３２内部に暴露していてもよい。
【００５４】
また、容器３２の側壁の内側には、リフトピン４２によってＥＳＣ３３から上方へ持ち上げられたウエハの高さに対応する位置にウエハ搬出入口４４が設けられ、容器３２の側壁の外側には、搬出入口４４を開閉するゲートバルブ４５が取り付けられている。ＰＭ１１は該ゲートバルブ４５を介してＴＭ１５に接続される。
【００５５】
容器３２の側壁及びゲートバルブ４５はヒータ（図示しない）、例えば、加熱素子を内蔵し、容器３２内やＴＭ１５内の雰囲気温度が低下するのを防止する。これにより、ＣＯＲ処理の再現性を向上することができる。また、側壁内の加熱素子は、側壁の温度を制御することによって反応副生成物が側壁の内側に付着するのを防止する。
【００５６】
シャワーヘッド３４は２層構造を有し、下層部３６及び上層部３７のそれぞれに第１のバッファ室３８及び第２のバッファ室３９を有する。第１のバッファ室３８及び第２のバッファ室３９はそれぞれガス通気孔４０，４１を介して容器３２内に連通する。すなわち、シャワーヘッド３４は、第１のバッファ室３８及び第２のバッファ室３９にそれぞれ供給されるガスの容器３２内への内部通路を有する、階層状に積み重ねられた板状体からなる。
【００５７】
ウエハにＣＯＲ処理を施す際、第１のバッファ室３８にはアンモニアガスを含む混合ガスが後述するアンモニアガス供給系統４７の混合管７５から供給され、該供給された混合ガスはガス通気孔４０を介して容器３２内へ供給される。また、第２のバッファ室３９には弗化水素ガスを含む混合ガスが後述する弗化水素ガス供給系統４６の混合管６２から供給され、該供給された混合ガスはガス通気孔４１を介して容器３２内へ供給される。また、シャワーヘッド３４はヒータ（図示しない）、例えば、加熱素子を内蔵する。この加熱素子は、好ましくは、上層部３７上に配置されて第２のバッファ室３９内の弗化水素ガスを含む混合ガスの温度を制御する。
【００５８】
このチャンバ２３では、容器３２内の圧力と、アンモニアガス及び弗化水素ガスの体積流量比が調整されて、適切な条件下においてウエハにＣＯＲ処理が施される。また、このチャンバ２３は、容器３２内において初めてアンモニアガスを含む混合ガス及び弗化水素ガスを含む混合ガスが混合するように設計されている（ポストミックス設計）ため、容器３２内に上記２種類の混合ガスが導入されるまで、該２種類の混合ガスが混合するのを防止して、弗化水素ガスとアンモニアガスとが容器３２内への導入前に反応するのを防止することができる。
【００５９】
図４は、図２におけるガスボックスのガス供給系統を示す配管図である。
【００６０】
図４において、ガスボックス２１は、弗化水素ガス供給系統４６とアンモニアガス供給系統４７とを備える。
【００６１】
弗化水素ガス供給系統４６は、ガスボックス２１の外部より弗化水素ガス、窒素（Ｎ２）ガス、アルゴンガスをそれぞれ導入する導入管４８，４９，５０を有する。導入管４８は分岐管５１，５２に分岐し、分岐管５１，５２はそれぞれＭＦＣ（Mass Flow Controller）５３，５４を有する。導入管４９は分岐管５５，５６に分岐し、分岐管５５，５６はそれぞれ分岐管５１，５２に接続する。したがって、分岐管５１，５２において弗化水素ガス及び窒素ガスが混合される。また、ＭＦＣ５３，５４は弗化水素ガス及び窒素ガスの混合ガスの流量を制御する。導入管５０は分岐管５７，５８に分岐し、分岐管５７，５８はそれぞれＭＦＣ５９，６０を有する。ＭＦＣ５９，６０はアルゴンガスの流量を制御する。なお、ＭＦＣを有さない分岐管５５，５６はオリフィスを有し、流れるガスの量を調整している。
【００６２】
分岐管５１，５２，５７，５８は混合管６２に接続する。したがって、混合管６２において弗化水素ガス及び窒素ガスの混合ガスに、さらにアルゴンガスが混合される。この混合管６２は、シャワーヘッド３４の上層部３７における第２のバッファ室３９に連通し、該第２のバッファ室３９へ弗化水素ガス、窒素ガス及びアルゴンガスの混合ガスを供給する。
【００６３】
また、各分岐管５１，５２，５５〜５８は直接的又は間接的に真空引き管（エバックライン）６１に接続する。真空引き管６１はＴＭＰ２５に接続される（図５参照）。したがって、各分岐管５１，５２，５５〜５８はＴＭＰ２５によって真空引き可能であり、例えば、ウエハにＣＯＲ処理を施す前において、各分岐管５１，５２，５５〜５８は真空引きされて各管内の残存ガスが除去される。
【００６４】
弗化水素ガス供給系統４６では、ＭＦＣ５３，５４，５９，６０による流量制御及び分岐管５１，５２，５５〜５８の真空引きにより、弗化水素ガス、窒素ガス及びアルゴンガスを所定の混合比で正確に混合することができ、よってＣＯＲ処理における生成物の生成量等を正確に制御することができる。
【００６５】
一般に、弗化水素ガスは断熱膨張によって液化しやすいため、弗化水素ガス供給系統４６では、ＭＦＣ５３，５４の近傍において液化するおそれがある。本実施の形態ではこれに対応して、弗化水素ガスが流れる管、すなわち、導入管４８、分岐管５１，５２、分岐管５５，５６の一部、及び混合管６２を、図中波線で示すヒータ６３によって覆う。ヒータ６３は各管内の温度を、弗化水素の沸点以上、具体的には、４０℃以上、好ましくは６０℃に維持する。これにより、弗化水素ガス供給系統４６における弗化水素の液化を確実に防止することができる。
【００６６】
なお、弗化水素ガス供給系統４６では、各管がバルブを有し、これらのバルブの開閉はＭＣ１０１によって制御される。これにより、各ガスの流路を変更することができる。
【００６７】
アンモニアガス供給系統４７は、ガスボックス２１の外部よりアンモニアガス、窒素ガスをそれぞれ導入する導入管６４，６５を有する。導入管６４は分岐管６６，６７に分岐し、分岐管６６，６７はそれぞれＭＦＣ６８，６９を有する。導入管６５は分岐管７０〜７３に分岐し、分岐管７０，７１はそれぞれ分岐管６６，６７に接続する。したがって、分岐管６６，６７においてアンモニアガス及び窒素ガスが混合される。また、ＭＦＣ６８，６９はアンモニアガス及び窒素ガスの混合ガスの流量を制御する。分岐管７２はＭＦＣ７４を有し、分岐管７０，７１，７３はそれぞれオリフィスを有する。ＭＦＣ７４は窒素ガスの流量を制御する。分岐管７０，７１，７３のオリフィスは流れるガスの量を調整している。
【００６８】
分岐管６６，６７，７２，７３は混合管７５に接続する。この混合管７５は、シャワーヘッド３４の下層部３６における第１のバッファ室３８に連通し、該第１のバッファ室３８へアンモニアガス及び窒素ガスの混合ガスを供給する。
【００６９】
また、各分岐管６６，６７，７０，７１は直接的又は間接的に真空引き管７６に接続する。真空引き管７６も、弗化水素ガス供給系統４６の真空引き管６１と同様に、ＴＭＰ２５に接続される（図５参照）。したがって、各分岐管６６，６７，７０，７１はＴＭＰ２５によって真空引き可能であり、例えば、ウエハにＣＯＲ処理を施す前において、各分岐管６６，６７，７０，７１は真空引きされて各管内の残存ガスが除去される。
【００７０】
アンモニアガス供給系統４６では、ＭＦＣ６８，６９，７４による流量制御及び分岐管６６，６７，７０，７１の真空引きにより、アンモニアガス及び窒素ガスを所定の混合比で正確に混合することができ、よってＣＯＲ処理における生成物の生成量等を正確に制御することができる。
【００７１】
なお、アンモニアガス供給系統４７でも、各管がバルブを有し、これらのバルブの開閉はＭＣ１０１によって制御される。これにより、各ガスの流路を変更することができる。
【００７２】
図５は、図２のＰＭにおける排気系統を示す配管図である。
【００７３】
図５において、本排気管２６は、容器３２内に連通し、ＡＰＣバルブ２４、ＴＭＰ２５、トラップ２７及び排気ポンプであるＤＰ７７を順に接続する。また、本排気管２６はチャンバ２３及びＡＰＣバルブ２４の間においてバイパス管７８に分岐する。該バイパス管７８はＡＰＣバルブ２４、ＴＭＰ２５及びトラップ２７をバイパスし、トラップ２７及びＤＰ７７の間において本排気管２６に合流する。
【００７４】
容器３２内等を粗引きする場合、バイパス管７８にのみ排気を流すことによってＤＰ７７のみで排気する。容器３２内等を真空引きする場合、本排気管２６に排気を流すことによってＴＭＰ２５及びＤＰ７７で排気し、本排気管２６に配置されたＡＰＣバルブ２４によって容器３２内の圧力を制御する。
【００７５】
ＴＭＰ２５は、弗化水素ガス供給系統４６及びアンモニアガス供給系統４７の真空引き管６１，７６に接続され、分岐管５１，５２，５５〜５８，６６，６７，７０，７１を真空引きする。また、ＴＭＰ２５は、伝熱ガス供給系統にも接続され、該伝熱ガス供給系統を真空引きする。なお、伝熱ガス供給系統はＴＭＰ２５及びトラップ２７の間において本排気管２６に接続し、ＤＰ７７によって粗引きされる。
【００７６】
トラップ２７は、外部より供給された冷媒によって冷却され、排気中の生成物（バイプロセス）を凝固させて捕集する。これにより、生成物がＣＶＤ処理装置１０の外部へ流出するのを防止することができ、よって環境保全を確実に行うことができる。
【００７７】
一般に、排気中の生成物は温度が低いと液化しやすく、液化した生成物はデポジションとして各管内に堆積して排気の流れを阻害する。本実施の形態ではこれに対応して、容器３２内からの排気が流れる管、すなわち、本排気管２６及びバイパス管７８を、図中波線で示すヒータ７９によって覆う。これにより、排気中の生成物の液化を確実に防止することができる。
【００７８】
なお、本排気系統では、各管がバルブを有し、これらのバルブの開閉はＭＣ１０１によって制御される。これにより、排気の流路（本排気管２６、バイパス管７８）を変更することができる。
【００７９】
図６は、図３のチャンバ内に配置されるウエハリフト装置の概略構成を示す図であり、（Ａ）は同装置の図３における矢視Ａの平面図であり、（Ｂ）は（Ａ）における線Ｂ−Ｂに沿う断面図である。
【００８０】
図６（Ａ）及び（Ｂ）において、ウエハリフト装置８０（基板リフト装置）は、容器３２内においてＥＳＣ３３を囲うように配置されている円環状のピンホルダ８１（昇降部材）と、ピンホルダ８１の円周方向に沿って均等に配置され、且つ後述する３つのリフトピン突出量アジャスタ８２（突出量調整機構）を介して該ピンホルダ８１に接続される３つのリフトアーム８３（連動部材）と、各リフトアーム８３の後述するリフトピン穴に挿入される、丸棒状部材である３つのリフトピン４２とを有する。ここで、ウエハリフト装置８０の構成要素であるピンホルダ８１、リフトピン突出量アジャスタ８２、リフトアーム８３及びリフトピン４２のいずれもが容器３２内に配置されているので、結果として、ウエハリフト装置８０は容器３２内に配置されている。
【００８１】
ピンホルダ８１は、図示しないモータの回転運動がボールねじによって変換されて発生する直線運動に起因して昇降する、すなわち、図６（Ｂ）中の上下方向に移動する。ボールねじ及びモータはチャンバ２３の外側、すなわち、大気側に配置される。また、ボールねじ及びモータが発生する直線運動はピンホルダ８１を支持する支持部材（図示しない）に伝達され、該支持部材がピンホルダ８１を昇降させる。したがって、支持部材用の穴（図示しない）は大気と容器３２内とを連通するが、支持部材及び該支持部材用の穴はベローズカバー等によって覆われる。これにより、容器３２内はグリスを用いずに大気からシールされる。
【００８２】
リフトアーム８３は腕状部材であり、一端において、該リフトアーム８３をリフトピン突出量アジャスタ８２に締結するねじが貫通する貫通穴９７（図８参照）を有し、他端において、リフトピン４２の下端を収容し且つ担持するリフトピン穴を有する。該リフトピン穴の直径はリフトピン４２の直径より所定値だけ大きいのでリフトピン穴はリフトピン４２の下端と遊嵌結合する。すなわち、実質的に、リフトアーム８３の他端はリフトピン４２を載置する。リフトアーム８３はピンホルダ８１及びリフトピン４２の間に介在してピンホルダ８１及びリフトピン４２を連動させる。したがって、リフトアーム８３はピンホルダ８１の昇降に伴って昇降すると共に、リフトピン４２を昇降させる。
【００８３】
また、３つのリフトアーム８３はピンホルダ８１の中心に向かって突出し、その一部（他端側）はＥＳＣ３３の側面において該リフトアーム８３の昇降方向に沿って穿設されたリフトアーム収容溝８４（連動部材収容溝）に収容される。リフトアーム収容溝８４は、各リフトアーム８３に対応して穿設され、リフトアーム８３の昇降方向に関する開口長さはリフトアーム８３の昇降範囲以上である。したがって、リフトアーム８３はリフトアーム収容溝８４内において自在に昇降可能である。
【００８４】
ＥＳＣ３３は、リフトアーム収容溝８４に収容されたリフトアーム８３のリフトピン穴と対向する位置において該リフトアーム収容溝８４と連通し、且つＥＳＣ３３の載置面において開口するリフトピン収容穴８５を有する。リフトピン収容穴８５は円孔であり、各リフトアーム８３に対応して設けられる。また、リフトピン収容穴８５の直径はリフトピン４２の直径より所定値だけ大きい。したがって、リフトピン収容穴８５はリフトピン４２を収容可能である。
【００８５】
リフトピン４２は載置面からリフトピン収容穴８５を介してリフトアーム８３のリフトピン穴へ挿入される。したがって、リフトピン４２及びリフトアーム８３はリフトアーム収容溝８４内において遊嵌結合し、リフトピン４２はリフトアーム８３、すなわち、ピンホルダ８１の昇降に連動して載置面から突出し、若しくは埋入する。
【００８６】
ウエハリフト装置８０によれば、該ウエハリフト装置８０が、ＰＭ１１の容器３２内に配置され、リフトピン４２と、該リフトピン４２をＥＳＣ３３の周囲において昇降するピンホルダ８１と連動させる連動部材とが、ＥＳＣ３３においてピンホルダ８１の昇降方向に沿って穿設されるリフトアーム収容溝８４内において遊嵌結合し、上記リフトピン４２は、リフトアーム収容溝８４と連通し且つＥＳＣ３３における載置面に開口するリフトピン収容穴８５に収容されるので、ＥＳＣ３３において容器３２内と大気とを連通するリフトピン収容穴を設ける必要がなく、グリスを使用する必要を無くすことができる。したがって、ウエハにＣＶＤ処理を施す際、ウエハにおいて成膜不良が発生するのを防止することができる。さらに、リフトピン４２は載置面において突出自在であり、これにより、載置面上においてウエハを安定してリフトすることができる。
【００８７】
ウエハリフト装置８０では、３つのリフトピン４２の載置面からの突出量はピンホルダ８１によって決定されるため、ピンホルダ８１が傾斜している場合、３つのリフトピン４２の突出量が不均一になり、ウエハを安定してリフトすることができないおそれがある。ウエハリフト装置８０は、これに対応して、下記に説明するリフトピン突出量アジャスタ８２を備える。
【００８８】
図７は、図６におけるリフトピン突出量アジャスタの概略構成を示す図であり、（Ａ）は分解斜視図であり、（Ｂ）はリフトピン突出量アジャスタにおける高さ調整用ブロックの拡大斜視図である。
【００８９】
図７（Ａ）及び（Ｂ）において、リフトピン突出量アジャスタ８２は、高さ調整用ブロック８６（ブロック材）と、ブロック固定用ナット８７（ナット部材）と、ブロック角度固定ワッシャ８８（回転規制部材）と、平ワッシャ８９と、バネワッシャ９０と、高さ規制ボルト９１（高さ規制部材）とを備える。
【００９０】
高さ調整用ブロック８６は、四角柱状部材であり、側面の各角部においておねじが形成されている。また、高さ調整用ブロック８６の上面にはリフトアーム８３をリフトピン突出量アジャスタ８２に締結するボルト９８が螺合するねじ穴９２が穿孔され、高さ調整用ブロック８６の下面には高さ規制ボルト９１が螺合するねじ穴９５（図８参照）が穿孔されている。
【００９１】
ブロック固定用ナット８７は、高さ調整用ブロック８６のおねじと螺合するめねじを有する。ブロック角度固定ワッシャ８８の内周形状は高さ調整用ブロック８６の４側面に対向する辺からなる正方形であり、同外周形状は後述するピンホルダ８１のブロック角度固定ワッシャ系止溝９３の幅より所定だけ小さい幅を有する略正方形である。
【００９２】
ピンホルダ８１は、各リフトピン突出量アジャスタ８２が配置される位置において、ブロック角度固定ワッシャ系止溝９３と、高さ調整用ブロック収容穴９４とを有する。ブロック角度固定ワッシャ系止溝９３は、ピンホルダ８１の表面においてピンホルダ８１の外周から内周に向けて形成された浅溝であり、同外周から内周に亘って幅は均一である。また、ブロック角度固定ワッシャ系止溝９３の幅は、ブロック角度固定ワッシャ８８の外形が呈する正方形の幅より所定値だけ大きい。高さ調整用ブロック収容穴９４は、ブロック角度固定ワッシャ系止溝９３の底部に穿孔されて設けられた有底の円柱状穴であり、その直径は高さ調整用ブロック８６のおねじの有効径より所定値だけ大きい。また、高さ調整用ブロック収容穴９４の底部には、高さ規制ボルト９１が貫通可能な貫通穴９６（図８参照）が設けられている。
【００９３】
図８は、図７のリフトピン突出量アジャスタを用いたリフトピン突出量調整方法を示す工程図である。本方法はウエハリフト装置８０が有する３つのリフトピン突出量アジャスタ８２に全て適用されるが、以下、１つのリフトピン突出量アジャスタ８２についてのみ説明する。
【００９４】
まず、ピンホルダ８１の高さ調整用ブロック収容穴９４に高さ調整用ブロック８６の下部を収容すると共に、ピンホルダ８１の図中下方から、平ワッシャ８９、バネワッシャ９０を挟むように高さ規制ボルト９１を高さ調整用ブロック収容穴９４の底部の貫通穴９６へ挿入する（図８（Ａ））。
【００９５】
次いで、高さ調整用ブロック８６の下面のねじ穴９５と高さ規制ボルト９１とを螺合させる。このとき、高さ規制ボルト９１の頭部から高さ調整用ブロック８６までの距離がリフトピンの所望の突出量に対応するように螺合量を調整する。その後、高さ調整用ブロック８６にブロック角度固定ワッシャ８８を遊嵌結合し（図８（Ｂ））、該ブロック角度固定ワッシャ８８をそのまま図中下方に降下させ、ブロック角度固定ワッシャ８８をブロック角度固定ワッシャ系止溝９３に収容する。このとき、ブロック角度固定ワッシャ８８がブロック角度固定ワッシャ系止溝９３内で回転しようとしても、ブロック角度固定ワッシャ系止溝９３の側壁がブロック角度固定ワッシャ８８の外周におけるいずれかの辺に当接するため、ブロック角度固定ワッシャ８８はブロック角度固定ワッシャ系止溝９３において回転することがない。すなわち、ブロック角度固定ワッシャ系止溝９３はブロック角度固定ワッシャ８８を系止する。
【００９６】
次いで、高さ調整用ブロック８６にブロック固定用ナット８７を螺合させる。このとき、ブロック固定用ナット８７の締め付けトルクによって高さ調整用ブロック８６も回転しようとする。しかしながら、高さ調整用ブロック８６の各側面がブロック角度固定ワッシャ８８の内周における各辺に当接する。また、ブロック角度固定ワッシャ８８は上述したようにブロック角度固定ワッシャ系止溝９３によって系止されているので、高さ調整用ブロック８６は回転することがない。すなわち、ブロック角度固定ワッシャ８８は高さ調整用ブロック８６のピンホルダ８１に対する回転を規制する（図８（Ｃ））。したがって、ブロック固定用ナット８７を高さ調整用ブロック８６に螺合させても、高さ調整用ブロック８６は回転しないので、高さ規制ボルト９１の頭部から高さ調整用ブロック８６までの距離は変わらない。
【００９７】
その後、ブロック固定用ナット８７がブロック角度固定ワッシャ８８を介してピンホルダ８１に着座したとき、ブロック固定用ナット８７がピンホルダ８１から受ける反力（図中上方向きの力）が高さ調整用ブロック８６を介して高さ規制ボルト９１に伝達され、高さ規制ボルト９１の頭部が平ワッシャ８９，バネワッシャ９０を介してピンホルダ８１の下面に着座し、高さ調整用ブロック８６は高さ規制ボルト９１及びブロック固定用ナット８７を介してピンホルダ８１に止着される（図８（Ｄ））。このとき、高さ調整用ブロック８６のピンホルダ８１からの高さは、高さ規制ボルト９１の頭部から高さ調整用ブロック８６までの距離によって規制される。したがって、高さ規制ボルト９１の頭部から高さ調整用ブロック８６までの距離を調整することによって高さ調整用ブロック８６のピンホルダ８１からの高さを調整することができる。
【００９８】
次いで、ボルト９８を、リフトアーム８３の一端における貫通穴９７を介して、高さ調整用ブロック８６のねじ穴９２に螺合する（図８（Ｅ））。
【００９９】
ボルト９８の頭部がリフトアーム８３に着座してリフトアーム８３がリフトピン突出量アジャスタ８２に締結される。その後、リフトアーム８３の他の端部におけるリフトピン穴にリフトピン４２の下端を挿入する（図８（Ｆ））。このとき、リフトピン４２の載置面からの突出量はリフトアーム８３の位置、すなわち、高さ調整用ブロック８６のピンホルダ８１からの高さによって規制されるので、リフトピン４２の載置面からの突出量は、規制ボルト９１の頭部から高さ調整用ブロック８６までの距離を調整することによって調整することができる。
【０１００】
リフトピン突出量アジャスタ８２によれば、リフトアーム８３に連結されると共に、側面の各角部においておねじが形成された四角柱状部材である高さ調整用ブロック８６と、該高さ調整用ブロック８６のピンホルダ８１からの高さを規定する高さ規制ボルト９１と、高さ調整用ブロック８６のおねじと螺合してピンホルダ８１に着座するブロック固定用ナット８７と、高さ調整用ブロック８６のピンホルダ８１に対する回転を規制するブロック角度固定ワッシャ８８とを有するので、ブロック固定用ナット８７のめねじを高さ調整用ブロック８６のおねじに螺合させつつ、該ブロック固定用ナット８７をピンホルダ８１に着座させる際、高さ調整用ブロック８６の回転を規制して高さ調整用ブロック８６のピンホルダ８１からの高さを変えることなく高さ調整用ブロック８６をピンホルダ８１に止着することができ、よって容易且つ確実に、リフトアーム８３のピンホルダ８１からの高さ、引いては、リフトピン４２の載置面からの突出量を調整することができる。
【０１０１】
また、ウエハリフト装置８０は、ピンホルダ８１上、すわなち、ＥＳＣ３３の周囲において、リフトピン４２の載置面からの突出量を調整可能なリフトピン突出量アジャスタ８２を有するので、各リフトピン４２の載置面からの突出量を調整することにより、載置面上においてウエハをより安定してリフトすることができると共に、ＥＳＣ３３の直下にリフトピン突出量アジャスタを配置するためにＥＳＣ３３を大きく抉る必要を無くすことができ、よってＥＳＣ３３に冷媒室９９や電極板３５を内蔵させてウエハに安定してＣＯＲ処理を施すことができる。
【０１０２】
また、図１のＣＶＤ処理装置１０におけるＰＭ１２は、上述したチャンバの他に、チャンバ内と外部雰囲気とを遮断する開閉自在な蓋としてのＰＨＴチャンバリッド（図示しない）と、チャンバ内に配置されてウエハを載置する載置台としてのステージ（図示しない）とを有する。
【０１０３】
ＰＨＴチャンバリッドにはシリコンゴム製のシートヒータが配される。また、チャンバの側壁にはカートリッジヒータ（図示しない）が内蔵され、該カートリッジヒータはチャンバの側壁の壁面温度を２５〜８０℃に制御する。これにより、チャンバの側壁に反応副生成物が付着するのを防止し、よって付着した反応副生成物に起因するパーティクルの発生を防止してチャンバのクリーニング周期を延伸する。
【０１０４】
さらに、ステージ上にはステージヒータが配される、該ステージヒータはステージに載置されたウエハを少なくとも１分間に亘って１００〜２００℃、好ましくは約１３５℃に直接加熱する。なお、ＰＭ１２のチャンバの外周は熱シールドによって覆われている。
【０１０５】
図９は、図１のＣＶＤ処理装置におけるシステムコントローラの概略構成を示す図である。
【０１０６】
図９において、システムコントローラは、ＥＣ（Equipment Controller）１００と、複数、例えば、３つのＭＣ１０１，１０２，１０３と、ＥＣ１００及びＭＣ１０１，１０２，１０３を接続するスイッチングハブ１０４とを備える。該システムコントローラはＥＣ１００からＬＡＮ（Local Area Network）１０５を介して、ＣＶＤ処理装置１０が設置されている工場全体の製造工程を管理するＭＥＳ（Manufacturing Execution System）としてのＰＣ１０６に接続されている。ＭＥＳは、システムコントローラと連携して工場における工程に関するリアルタイム情報を基幹業務システム（図示しない）にフィードバックすると共に、工場全体の負荷等を考慮して工程に関する判断を行う。
【０１０７】
ＥＣ１００は、ＭＣ１０１，１０２，１０３を統括してＣＶＤ処理装置１０全体の動作を制御する統括制御部である。また、ＥＣ１００は、ＣＰＵ、ＲＡＭ、ＨＤＤ等を有し、ユーザ等によって指定されたウエハの処理方法のメニュー、すなわち、レシピに対応するプログラムに応じてＣＰＵがＭＣ１０１，１０２，１０３に制御信号を送信することにより、ＰＭ１１〜１４、ＴＭ１５及びＬＭ１６等の動作を制御する。
【０１０８】
スイッチングハブ１０４は、ＥＣ１００からの制御信号に応じてＥＣ１００の接続先としてのＭＣを切り替える。
【０１０９】
ＭＣ１０１，１０２，１０３は、ＰＭ１１〜１４、ＴＭ１５及びＬＭ１６等の動作を制御する制御部である。ＭＣ１０１，１０２，１０３も、ＣＰＵ、ＲＡＭ、ＨＤＤ等を有し、後述するエンドデバイスへ制御信号を送信する。なお、ＣＶＤ処理装置１０が有するシステムコントローラは、ＣＶＤ処理装置１０の各モジュールを制御するために、モジュールの数に対応した数のＭＣを有するが、図９では３つのＭＣが示されている。
【０１１０】
ＭＣ１０１，１０２，１０３は、ＤＩＳＴ（Distribution）ボード１０７によってＧＨＯＳＴネットワーク１０８を介して各Ｉ／Ｏ（入出力）モジュール１０９，１１０，１１１にそれぞれ接続される。ＧＨＯＳＴネットワーク１０８は、ＭＣが有するＭＣボードに搭載されたＧＨＯＳＴ（General High-Speed Optimum Scalable Transceiver）と称されるＬＳＩによって実現されるネットワークである。ＧＨＯＳＴネットワーク１０８には、最大で３１個のＩ／Ｏモジュールを接続可能であり、ＧＨＯＳＴネットワーク１０８では、ＭＣがマスタに該当し、Ｉ／Ｏモジュールがスレーブに該当する。
【０１１１】
Ｉ／Ｏモジュール１０９は、ＰＭ１１の各構成要素（以下、「エンドデバイス」という。）に接続された複数のＩ／Ｏ部１１２からなり、各エンドデバイスへの制御信号及び各エンドデバイスからの出力信号の伝達を行う。Ｉ／Ｏモジュール１０９においてＩ／Ｏ部１１２に接続されるエンドデバイスには、例えば、ＰＭ１１の各構成要素である、ガスボックス２１、ＥＣＳ電源２２、ＡＰＣバルブ２４、ＴＭＰ２５、ＤＰ７７、さらには、弗化水素ガス供給系統４６、アンモニアガス供給系統４７及び排気系における各バルブ等が該当する。
【０１１２】
なお、Ｉ／Ｏモジュール１１０，１１１は、Ｉ／Ｏモジュール１０９と同様の構成を有するため、これらの説明を省略する。
【０１１３】
また、各ＧＨＯＳＴネットワーク１０８には、Ｉ／Ｏ部１１２におけるデジタル信号、アナログ信号及びシリアル信号の入出力を制御するＩ／Ｏボード（図示しない）も接続される。
【０１１４】
ＣＶＤ処理装置１０において、ＣＯＲ処理を実行する際には、該処理に対応するプログラムに応じてＥＣ１００のＣＰＵが、スイッチングハブ１０４、ＭＣ１０１、ＧＨＯＳＴネットワーク１０８及びＩ／Ｏモジュール１０９におけるＩ／Ｏ部１１２を介して、ＰＭ１１の各エンドデバイスに制御信号を送信することにより、ＰＭ１１においてＣＯＲ処理を実行する。
【０１１５】
図９のシステムコントローラでは、複数のエンドデバイスがＥＣ１００に直接接続されることなく、該複数のエンドデバイスに接続されたＩ／Ｏ部１１２がモジュール化されてＩ／Ｏモジュールを構成し、該Ｉ／ＯモジュールがＭＣ１０１，１０２，１０３及びスイッチングハブ１０４を介してＥＣ１００に接続されるため、通信系統を簡素化することができる。
【０１１６】
また、ＥＣ１００のＣＰＵが送信する制御信号には、所望のエンドデバイスに接続されたＩ／Ｏ部１１２のアドレス、及び当該Ｉ／Ｏ部１１２を含むＩ／Ｏモジュールのアドレスが含まれているため、スイッチングハブ１０４は制御信号におけるＩ／Ｏモジュールのアドレスを参照し、ＭＣ１０１，１０２，１０３のＧＨＯＳＴが制御信号におけるＩ／Ｏ部１１２のアドレスを参照することによって、スイッチングハブ１０４やＭＣ１０１，１０２，１０３がＣＰＵに制御信号の送信先の問い合わせを行う必要を無くすことができ、これにより、制御信号の円滑な伝達を実現することができる。
【０１１７】
また、ＭＣ１０１は、ＣＯＲ処理において、ＧＨＯＳＴネットワーク１０８及びＩ／Ｏモジュール１０９におけるＩ／Ｏ部１１２を介してＰＭ１１を監視し、所定のエラー条件を検知した場合には、以降のＰＭ１１へのウエハの搬入を禁止する旨を伝えるためのインターロック（Ｉ／Ｌ）信号を、スイッチングハブ１０４を介してＥＣ１００へ送信する。該インターロック信号を受信したＥＣ１００は、スイッチングハブ１０４を介して、ＴＭ１５の動作を制御するＭＣ（図ではＭＣ１０３）へウエハの搬入を禁止するウエハ搬入禁止信号を送信する。該ウエハ搬入禁止信号を受信したＭＣ１０３は、ウエハの搬入に関連するエンドデバイスの動作を制御してＰＭ１１へのウエハの搬入を中止する。
【０１１８】
上述したように、ＰＭ１１は３つのリフトピン４２を備えているが、リフトピン４２の数はこれに限られず、４つ以上が好ましい。これにより、さらにウエハを安定してリフトすることができる。
【０１１９】
また、ウエハリフト装置８０を備えるＰＭは、ウエハにＣＯＲ処理を施すＰＭに限られず、如何なる処理を施すＰＭであってもよい。
【０１２０】
また、高さ調整用ブロック８６は四角柱状部材であったが、高さ調整用ブロック８６の形状はこれに限られず、少なくとも多角形柱状であればよい。このとき、ブロック角度固定ワッシャ８８の内周形状は高さ調整用ブロック８６の形状に応じた多角形状に変更されることはいうまでもない。
【０１２１】
次に、本発明の第２の実施の形態に係る基板処理装置について説明する。
【０１２２】
本実施の形態は、その構成や作用が上述した第１の実施の形態と基本的に同じであり、ウエハリフト装置の構造のみが上述した第１の実施の形態と異なる。したがって、重複した構成、作用については説明を省略し、以下に異なる構成、作用についての説明を行う。
【０１２３】
図１０は、本実施の形態に係る基板処理装置としてのＰＭのチャンバ内に配置されるウエハリフト装置の概略構成を示す図であり、（Ａ）は同装置の平面図であり、（Ｂ）は（Ａ）における線Ｃ−Ｃに沿う断面図である。
【０１２４】
図１０（Ａ）及び（Ｂ）において、ウエハリフト装置１２０（基板リフト装置）は、チャンバの容器内においてＥＳＣ１１３を囲うように配置されている円環状のピンホルダ１２１（昇降部材）と、ピンホルダ１２１の円周方向に沿って均等に配置され、且つ後述する３つのリフトピン突出量アジャスタ１２２（突出量調整機構）を介して該ピンホルダ１２１に接続される３つのリフトアーム１２３（連動部材）と、各リフトアーム１２３に載置される、丸棒状部材である３つのリフトピン４２とを有する。ここで、ウエハリフト装置１２０の構成要素であるピンホルダ１２１、リフトピン突出量アジャスタ１２２、リフトアーム１２３及びリフトピン４２のいずれもが容器内に配置されているので、結果として、ウエハリフト装置１２０は容器内に配置されている。
【０１２５】
ピンホルダ１２１は、図１０（Ｂ）中の上下方向に移動する、すなわち、昇降する。リフトアーム１２３は腕状部材であり、端部１２３ａにおいて、該リフトアーム１２３をリフトピン突出量アジャスタ１２２に締結するアジャスタ組立ボルト１２７が貫通する貫通穴１２３ｂ（図１１参照）を有し、他の端部においてリフトピン４２の下端を載置する。また、リフトアーム１２３の端部１２３ａは平面視において四角形状を呈し、該四角形状の各角部は面取りされている。リフトアーム１２３はピンホルダ１２１及びリフトピン４２の間に介在してピンホルダ１２１及びリフトピン４２を連動させる。したがって、リフトアーム１２３はピンホルダ１２１の昇降に伴って昇降すると共に、リフトピン４２を昇降させる。
【０１２６】
また、３つのリフトアーム１２３はピンホルダ１２１の中心に向かって突出し、その一部（他の端部）はＥＳＣ１１３の側面において該リフトアーム１２３の昇降方向に沿って穿設されたリフトアーム収容溝１２４（連動部材収容溝）に収容される。リフトアーム収容溝１２４は、各リフトアーム１２３に対応して穿設され、リフトアーム１２３の昇降方向に関する開口長さはリフトアーム１２３の昇降範囲以上である。したがって、リフトアーム１２３はリフトアーム収容溝１２４内において自在に昇降可能である。
【０１２７】
ＥＳＣ１１３は、リフトアーム収容溝１２４に収容されたリフトアーム１２３の他の端部と対向する位置において該リフトアーム収容溝１２４と連通し、且つＥＳＣ１１３の載置面において開口するリフトピン収容穴１２５を有する。リフトピン収容穴１２５は円孔であり、各リフトアーム１２３に対応して設けられる。また、リフトピン収容穴１２５の直径はリフトピン４２の直径より所定値だけ大きい。したがって、リフトピン収容穴１２５はリフトピン４２を収容可能である。
【０１２８】
リフトピン４２は載置面からリフトピン収容穴１２５を介してリフトアーム１２３の他の端部へ載置される。したがって、リフトピン４２はリフトアーム１２３、すなわち、ピンホルダ１２１の昇降に連動して載置面から突出し、若しくは埋入する。
【０１２９】
図１１は、図１０におけるリフトピン突出量アジャスタの概略構成を示す分解斜視図である。
【０１３０】
図１１において、リフトピン突出量アジャスタ１２２は、高さ調整用ボス部材１２６（高さ調整部材）と、アジャスタ組立ボルト１２７と、リフトアーム回転ストッパ１２８（回転規制部材）と、平ワッシャ１２９，１３０と、２つの回転ストッパ用ボルト１３１と、組立ボルト用ワッシャ１３２とを備える。
【０１３１】
高さ調整用ボス部材１２６は上部が八角柱からなり、下部がねじからなるボルト部材であり、中心軸と同軸の貫通穴１３３を有する。貫通穴１３３の内径はアジャスタ組立ボルト１２７のねじ部の直径より所定値だけ大きい。
【０１３２】
リフトアーム回転ストッパ１２８は、矢視ＢにおいてＬ字形状を呈するストッパ壁部１２８ａと、該ストッパ壁部１２８ａの下部から矢視Ｂの方向に対して垂直に突出する突出部１２８ｂとを有する。ストッパ壁部１２８ａのＬ字形状はリフトアーム１２３の端部１２３ａの四角形状に適合する。すなわち、ストッパ壁部１２８ａと端部１２３ａとは矢視Ｂにおいて相補的関係にある。また、ストッパ壁部１２８ａのＬ字形状の各辺は高さ調整用ボス部材１２６の八角柱部における側面のうち２側面と当接する。すなわち、高さ調整用ボス部材１２６の上部の形状（八角柱形状）はストッパ壁部１２８ａのＬ字形状と係合する。突出部１２８ｂは２つの貫通穴１２８ｃを有する。該貫通穴１２８ｃの内径は回転ストッパ用ボルト１３１のねじ部の直径より所定値だけ大きい。
【０１３３】
アジャスタ組立ボルト１２７は、組立ボルト用ワッシャ１３２と協働してワッシャ１２９、リフトアーム１２３、高さ調整用ボス部材１２６、ピンホルダ１２１、及びワッシャ１３０を互いに締結する。アジャスタ組立ボルト１２７のねじ部の長さは、ワッシャ１２９、リフトアーム１２３、高さ調整用ボス部材１２６、ピンホルダ１２１、及びワッシャ１３０の厚さの合計より長い。
【０１３４】
ピンホルダ１２１は、各リフトピン突出量アジャスタ１２２が配置される位置において、ボス部材用ねじ穴１２１ａと、回転ストッパ用ボルト１３１用の２つのねじ穴１２１ｂとを有する。ボス部材用ねじ穴１２１ａは高さ調整用ボス部材１２６のねじ部と螺合する。また、各ねじ穴１２１ｂは回転ストッパ用ボルト１３１のねじ部と螺合する。
【０１３５】
図１２は、図１１のリフトピン突出量アジャスタを用いたリフトピン突出量調整方法を示す工程図である。本方法はウエハリフト装置１２０が有する３つのリフトピン突出量アジャスタ１２２に全て適用されるが、以下、１つのリフトピン突出量アジャスタ１２２についてのみ説明する。
【０１３６】
まず、ボス部材用ねじ穴１２１ａと高さ調整用ボス部材１２６のねじ部とを螺合させることによってピンホルダ１２１に高さ調整用ボス部材１２６を連結する。このとき、高さ調整用ボス部材１２６のピンホルダ１２１からの突出量は、ボス部材用ねじ穴１２１ａと高さ調整用ボス部材１２６のねじ部との螺合量によって調整される。そして、連結された高さ調整用ボス部材１２６上にリフトアーム１２３の端部１２３ａ及びワッシャ１２９を載置し、ボス部材用ねじ穴１２１ａ、貫通穴１３３、貫通穴１２３ｂ、及びワッシャ１２９の穴を直線上に配置する。次いで、アジャスタ組立ボルト１２７のねじ部をワッシャ１２９の穴、貫通穴１２３ｂ、貫通穴１３３、及びボス部材用ねじ穴１２１ａに上方から挿入する（図１２（Ａ））。
【０１３７】
その後、ピンホルダ１２１の裏面から突出したアジャスタ組立ボルト１２７のねじ部にワッシャ１３０を遊嵌結合させ、さらに、該ねじ部に組立ボルト用ワッシャ１３２を螺合させる（図１２（Ｃ））。
【０１３８】
次いで、リフトアーム回転ストッパ１２８の突出部１２８ｂにおける各貫通穴１２８ｃに回転ストッパ用ボルト１３１を挿入し、突出部１２８ｂの裏面から突出する回転ストッパ用ボルト１３１のねじ部をピンホルダ１２１のねじ穴１２１ｂに螺合させる。これにより、リフトアーム回転ストッパ１２８をピンホルダ１２１に締結する。また、このとき、ストッパ壁部１２８ａのＬ字形状の２辺がリフトアーム１２３における端部１２３ａの四角形状の２辺及び高さ調整用ボス部材１２６の八角柱部における側面のうち２側面に当接する。その後、アジャスタ組立ボルト１２７をトルクレンチ（図示しない）等で締め付けてワッシャ１２９、リフトアーム１２３、高さ調整用ボス部材１２６、ピンホルダ１２１、及びワッシャ１３０を互いに締結させる。このとき、アジャスタ組立ボルト１２７の締め付けトルクがリフトアーム１２３及び高さ調整用ボス部材１２６に伝達され、該リフトアーム１２３及び高さ調整用ボス部材１２６はアジャスタ組立ボルト１２７の軸周りに回転しようとする。しかしながら、上述したように、リフトアーム回転ストッパ１２８におけるストッパ壁部１２８ａのＬ字形状の２辺がリフトアーム１２３における端部１２３ａの四角形状の２辺及び高さ調整用ボス部材１２６の八角柱部における側面のうち２側面に当接するため、リフトアーム１２３及び高さ調整用ボス部材１２６は回転することがない。すなわち、リフトアーム回転ストッパ１２８はリフトアーム１２３及び高さ調整用ボス部材１２６のピンホルダ１２１に対する回転を規制する（図１２（Ｃ））。
【０１３９】
その後、リフトアーム１２３の他の端部にリフトピン４２の下端を載置させる（図１２（Ｄ））。このとき、リフトピン４２の載置面からの突出量はリフトアーム１２３のピンホルダ１２１からの高さ、すなわち、高さ調整用ボス部材１２６のピンホルダ１２１からの突出量によって規制されるので、リフトピン４２の載置面からの突出量は、高さ調整用ボス部材１２６のピンホルダ１２１からの突出量、引いてはボス部材用ねじ穴１２１ａと高さ調整用ボス部材１２６のねじ部との螺合量を調整することによって調整することができる。
【０１４０】
リフトピン突出量アジャスタ１２２によれば、ピンホルダ１２１に締結され、且つリフトアーム１２３の端部１２３ａの四角形状と相補的な形状であるＬ字形状を呈するストッパ壁部１２８ａを有するリフトアーム回転ストッパ１２８と、ピンホルダ１２１に連結し、且つリフトアーム１２３の端部１２３ａを載置する高さ調整用ボス部材１２６と、リフトアーム１２３、高さ調整用ボス部材１２６及びピンホルダ１２１を互いに締結させるアジャスタ組立ボルト１２７とを有するので、ピンホルダ１２１に高さ調整用ボス部材１２６を連結し、且つ該高さ調整用ボス部材１２６にリフトアーム１２３の端部１２３ａを載置してアジャスタ組立ボルト１２７によってリフトアーム１２３、高さ調整用ボス部材１２６及びピンホルダ１２１を互いに締結させる際、リフトアーム１２３のピンホルダ１２１に対する回転を規制することができる。また、高さ調整用ボス部材１２６のピンホルダ１２１からの突出量（ボス部材用ねじ穴１２１ａと高さ調整用ボス部材１２６のねじ部との螺合量）を調整することによってリフトアーム１２３のピンホルダ１２１からの高さを調整することができる。その結果、容易且つ確実に、リフトピン４２の載置面からの突出量を調整することができる。
【０１４１】
また、ストッパ壁部１２８ａのＬ字形状の２辺が高さ調整用ボス部材１２６の八角柱部における側面のうち２側面に当接するので、高さ調整用ボス部材１２６のピンホルダ１２１に対する回転を規制することができる。
【０１４２】
また、ウエハリフト装置１２０を備えるＰＭは、ウエハにＣＯＲ処理を施すＰＭに限られず、如何なる処理を施すＰＭであってもよい。
【０１４３】
また、リフトアーム１２３の端部１２３ａは四角形状であったが、該端部１２３ａの形状はこれに限られず、少なくともリフトアーム回転ストッパ１２８のストッパ壁部１２８ａの形状と相補的な形状であればよい。また、高さ調整用ボス部材１２６の上部の形状も八角柱形状に限られず、少なくともリフトアーム回転ストッパ１２８のストッパ壁部１２８ａの形状と係合する形状であればよい。
【０１４４】
上述したＣＶＤ処理装置１０では、処理される基板が半導体デバイス用のウエハであったが、処理される基板はこれに限られず、例えば、ＬＣＤ（Liquid Crystal Display）やＦＰＤ（Flat Panel Display）等のガラス基板であってもよい。
【図面の簡単な説明】
【０１４５】
【図１】本発明の実施の形態に係る基板処理装置としてのＣＶＤ処理装置の概略構成を示す平面図である。
【図２】図１における、ウエハにＣＯＲ処理を施すＰＭの概略構成を示す斜視図である。
【図３】図２におけるチャンバの概略構成を示す断面図である。
【図４】図２におけるガスボックスのガス供給系統を示す配管図である。
【図５】図２のＰＭにおける排気系統を示す配管図である。
【図６】図３のチャンバ内に配置されるウエハリフト装置の概略構成を示す図であり、（Ａ）は同装置の図３における矢視Ａの平面図であり、（Ｂ）は（Ａ）における線Ｂ−Ｂに沿う断面図である。
【図７】図６におけるリフトピン突出量アジャスタの概略構成を示す図であり、（Ａ）は分解斜視図であり、（Ｂ）はリフトピン突出量アジャスタにおける高さ調整用ブロックの拡大斜視図である。
【図８】図７のリフトピン突出量アジャスタを用いたリフトピン突出量調整方法を示す工程図である。
【図９】図１のＣＶＤ処理装置におけるシステムコントローラの概略構成を示す図である。
【図１０】本発明の第２の実施の形態に係る基板処理装置としてのＰＭのチャンバ内に配置されるウエハリフト装置の概略構成を示す図であり、（Ａ）は同装置の平面図であり、（Ｂ）は（Ａ）における線Ｃ−Ｃに沿う断面図である
【図１１】図１０におけるリフトピン突出量アジャスタの概略構成を示す分解斜視図である。
【図１２】図１１のリフトピン突出量アジャスタを用いたリフトピン突出量調整方法を示す工程図である。
【符号の説明】
【０１４６】
１０  ＣＶＤ処理装置
１１〜１４  ＰＭ
１５  ＴＭ
１６  ＬＭ
１７，１８  ＬＬＭ
１９  フープ載置台
２０  オリエンタ
２１  ガスボックス
２２  ＥＣＳ電源
２３  チャンバ
２４  ＡＰＣバルブ
２５  ＴＭＰ
２６  本排気管
２７  トラップ
２８  ＥＳＣチラー
２９  モジュール温度制御部
３０  フレーム
３１  チャンバリッド
３２  容器
３３  ＥＳＣ
３４  シャワーヘッド
３５  電極板
３６  下層部
３７  上層部
３８  第１のバッファ室
３９  第２のバッファ室
４０，４１  ガス通気孔  
４２  リフトピン
４３  ウエハ系止凹部
４４  搬出入口
４５  ゲートバルブ
４６  弗化水素ガス供給系統
４７  アンモニアガス供給系統
４８〜５０，６４，６５  導入管
５１，５２，５５〜５８，６６，６７，７０〜７３  分岐管
５３，５４，５９，６０，６８，６９，７４  ＭＦＣ
６１，７６  真空引き管
６２，７５  混合管
６３，７９  ヒータ
７７  ＤＰ
７８  バイパス管
８０，１２０  ウエハリフト装置
８１，１２１  ピンホルダ
８２，１２２  リフトピン突出量アジャスタ
８３，１２３  リフトアーム
８４，１２４  リフトアーム収容溝
８５，１２５  リフトピン収容穴
８６  高さ調整用ブロック
８７  ブロック固定用ナット
８８  ブロック角度固定ワッシャ
８９  平ワッシャ
９０  バネワッシャ
９１  高さ規制ボルト
９２，９５  ねじ穴
９３  ブロック角度固定ワッシャ系止溝
９４  高さ調整用ブロック収容穴
９６，９７  貫通穴
９８  ボルト
９９  冷媒室
１００  ＥＣ  
１０１，１０２，１０３  ＭＣ
１０４  スイッチングハブ
１０５  ＬＡＮ
１０６  ＰＣ
１０７  ＤＩＳＴボード
１０８  ＧＨＯＳＴネットワーク
１０９，１１０，１１１  Ｉ／Ｏモジュール
１１２  Ｉ／Ｏ部
１２１ａ  ボス部材用ねじ穴
１２１ｂ  ねじ穴
１２３ａ  端部
１２３ｂ，１３３  貫通穴
１２６  高さ調整用ボス部材
１２７  アジャスタ組立ボルト
１２８  リフトアーム回転ストッパ
１２８ａ  ストッパ壁部
１２８ｂ  突出部
１２９，１３０  ワッシャ
１３１  回転ストッパ用ボルト
１３２  組立ボルト用ワッシャ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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