(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
下記一般式（１−４）で示される繰り返し単位を有し、ポリスチレン換算の数平均分子量が１０３〜１０８である高分子化合物と、中心金属がイリジウム、白金または金である三重項発光錯体化合物とを含むことを特徴とする組成物。
0004752192.tif 000126
〔式中、Ｄ環およびＥ環はそれぞれ独立にアルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、アミノ基、置換アミノ基、シリル基、置換シリル基、アシル基、アシルオキシ基、イミン残基、アミド基、酸イミド基、１価の複素環基、カルボキシル基、置換カルボキシル基およびシアノ基からなる群から選ばれる置換基を有していてもよい芳香環を示す。Ｙは−Ｏ−、−Ｓ−、−Ｓｉ（Ｒ１）（Ｒ２）−、−Ｐ（Ｒ３）−または−ＰＲ４（＝Ｏ）−を表し、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３およびＲ４は、それぞれ独立にアルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、アミノ基、置換アミノ基、シリル基、置換シリル基、シリルオキシ基、置換シリルオキシ基または1価の複素環基を表す。〕
【請求項２】
ＹがＯ原子またはＳ原子であることを特徴とする、請求項１に記載の組成物。
【請求項３】
Ｄ環およびＥ環が芳香族炭化水素環であることを特徴とする請求項１または２に記載の組成物。
【請求項４】
上記式（１−４）で示される繰り返し単位が、下記式（１−６）、（１−７）、（１−８）、（１−９）および（１−１０）から選ばれる繰り返し単位であることを特徴とする請求項３に記載の組成物。
0004752192.tif 000127
〔式中、Ｒ5、Ｒ6、Ｒ7、Ｒ8、Ｒ9、Ｒ10、Ｒ11、Ｒ12、Ｒ13およびＲ14は、それぞれ独立に、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、アミノ基、置換アミノ基、シリル基、置換シリル基、アシルオキシ基、イミン残基、アミド基、酸イミド基、１価の複素環基、カルボキシル基、または置換カルボキシル基を示す。aおよびｂはそれぞれ独立に０〜３の整数を示す。ｃ、ｄ、ｅおよびｆはそれぞれ独立に０〜５の整数を示す。ｇ、ｈ、iおよびｊはそれぞれ独立に０〜７の整数を示す。Ｒ5、Ｒ6、Ｒ7、Ｒ8、Ｒ9、Ｒ10、Ｒ11、Ｒ12、Ｒ13およびＲ14がそれぞれ複数ある場合、それらは同一でも異なっていてもよい。Ｙは前記と同じ意味を表す。〕
【請求項５】
高分子化合物がさらに、下記式（２）、式（３）、式（４）または式（５）で示される繰り返し単位を有することを特徴とする請求項１〜４のいずれかに記載の組成物。
−Ａｒ1−        （２）
0004752192.tif 000128
−Ａｒ4−Ｘ2−        （４）
−Ｘ3−                  （５）
〔式中、Ａｒ1、Ａｒ2、Ａｒ3およびＡｒ4はそれぞれ独立にアリーレン基、２価の複素環基または金属錯体構造を有する２価の基を示す。Ｘ1、Ｘ2およびＸ3はそれぞれ独立に−ＣＲ15＝ＣＲ16−、−Ｃ≡Ｃ−、−Ｎ（Ｒ17）−、または−（ＳｉＲ18Ｒ19）ｍ−を示す。Ｒ15およびＲ16は、それぞれ独立に水素原子、アルキル基、アリール基、１価の複素環基、カルボキシル基、置換カルボキシル基またはシアノ基を示す。Ｒ17、Ｒ18およびＲ19は、それぞれ独立に水素原子、アルキル基、アリール基、１価の複素環基、アリールアルキル基、または置換アミノ基を示す。ｆｆは１または２を示す。mは１〜１２の整数を示す。Ｒ15、Ｒ16、Ｒ17、Ｒ18およびＲ19がそれぞれ複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。〕
【請求項６】
上記式（２）で示される繰り返し単位が、下記式（６）、（７）、（８）、（９）、（１０）または（１１）で示される繰り返し単位であることを特徴とする請求項５に記載の組成物。
0004752192.tif 000129
〔式中、Ｒ20は、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、アミノ基、置換アミノ基、シリル基、置換シリル基、アシル基、アシルオキシ基、イミン残基、アミド基、酸イミド基、１価の複素環基、カルボキシル基、置換カルボキシル基またはシアノ基を示す。nは０〜４の整数を示す。Ｒ20が複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。〕
0004752192.tif 000130
〔式中、Ｒ21およびＲ22は、それぞれ独立にアルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、アミノ基、置換アミノ基、シリル基、置換シリル基、アシル基、アシルオキシ基、イミン残基、アミド基、酸イミド基、１価の複素環基、カルボキシル基、置換カルボキシル基またはシアノ基を示す。oおよびpはそれぞれ独立に０〜３の整数を示す。Ｒ21およびＲ22がそれぞれ複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。〕
0004752192.tif 000131
式中、Ｒ23およびＲ26は、それぞれ独立にアルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、アミノ基、置換アミノ基、シリル基、置換シリル基、アシル基、アシルオキシ基、イミン残基、アミド基、酸イミド基、１価の複素環基、カルボキシル基、置換カルボキシル基またはシアノ基を示す。qおよびrはそれぞれ独立に０〜４の整数を示す。Ｒ24およびＲ25は、それぞれ独立に水素原子、アルキル基、アリール基、１価の複素環基、カルボキシル基、置換カルボキシル基またはシアノ基を示す。Ｒ23およびＲ26がそれぞれ複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。〕
0004752192.tif 000132
〔式中、Ｒ27は、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、アミノ基、置換アミノ基、シリル基、置換シリル基、アシル基、アシルオキシ基、イミン残基、アミド基、酸イミド基、１価の複素環基、カルボキシル基、置換カルボキシル基またはシアノ基を示す。ｓは０〜２の整数を示す。Ａｒ13およびＡｒ14はそれぞれ独立にアリーレン基、２価の複素環基または金属錯体構造を有する２価の基を示す。ｓｓおよびｔｔはそれぞれ独立に０または１を示す。Ｘ4は、Ｏ、Ｓ、ＳＯ、ＳＯ2、Ｓｅ，またはＴｅを示す。Ｒ27が複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。〕
0004752192.tif 000133
〔式中、Ｒ28およびＲ29は、それぞれ独立にアルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、アミノ基、置換アミノ基、シリル基、置換シリル基、アシル基、アシルオキシ基、イミン残基、アミド基、酸イミド基、１価の複素環基、カルボキシル基、置換カルボキシル基またはシアノ基を示す。tおよびuはそれぞれ独立に０〜４の整数を示す。Ｘ5は、Ｏ、Ｓ、ＳＯ2、Ｓｅ，Ｔｅ、Ｎ−Ｒ30、またはＳｉＲ31Ｒ32を示す。Ｘ6およびＸ7は、それぞれ独立にＮまたはＣ−Ｒ33を示す。Ｒ30、Ｒ31、Ｒ32およびＲ33はそれぞれ独立に水素原子、アルキル基、アリール基、アリールアルキル基または１価の複素環基を示す。Ｒ28、Ｒ29およびＲ33がそれぞれ複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。〕
0004752192.tif 000134
〔式中、Ｒ34およびＲ39は、それぞれ独立にアルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、アミノ基、置換アミノ基、シリル基、置換シリル基、アシル基、アシルオキシ基、イミン残基、アミド基、酸イミド基、１価の複素環基、カルボキシル基、置換カルボキシル基またはシアノ基を示す。vおよびwはそれぞれ独立に０〜４の整数を示す。Ｒ35、Ｒ36、Ｒ37およびＲ38は、それぞれ独立に水素原子、アルキル基、アリール基、１価の複素環基、カルボキシル基、置換カルボキシル基またはシアノ基を示す。Ａｒ5はアリーレン基、２価の複素環基または金属錯体構造を有する２価の基を示す。Ｒ34およびＲ39がそれぞれ複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。〕
【請求項７】
上記式（２）で示される繰り返し単位が、下記式（１２）で示される繰り返し単位であることを特徴とする請求項５に記載の組成物。
0004752192.tif 000135
［式中、Ａｒ15およびＡｒ16は、それぞれ独立に３価の芳香族炭化水素基または３価の複素環基を表し、Ｒ40は、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アルキルシリル基、アルキルアミノ基、置換基を有していても良いアリール基または１価の複素環基を表し、Ｘは単結合、
0004752192.tif 000136
（式中Ｒ41は、それぞれ独立に水素原子、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、アミノ基、置換アミノ基、シリル基、置換シリル基、アシル基、アシルオキシ基、イミノ基、アミド基、イミド基、１価の複素環基、カルボキシル基、置換カルボキシル基またはシアノ基を示す。を表す。Ｒ41が複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい）〕
【請求項８】
前記高分子化合物が、上記一般式（１−４）で示される繰り返し単位および上記式（２）で示される繰り返し単位を有することを特徴とする、請求項７に記載の組成物。
【請求項９】
上記式（３）で示される繰り返し単位が、下記式（１３）で示される繰り返し単位であることを特徴とする請求項５に記載の組成物。
0004752192.tif 000137
〔式中、Ａｒ6、Ａｒ7、Ａｒ8およびＡｒ9はそれぞれ独立にアリーレン基または２価の複素環基を示す。Ａｒ１０、Ａｒ１１およびＡｒ１２はそれぞれ独立にアリール基、または１価の複素環基を示す。Ａｒ6、Ａｒ7、Ａｒ8、Ａｒ9、およびＡｒ１０は置換基を有していてもよい。ｘおよびｙはそれぞれ独立に０または１を示し、０≦ｘ＋ｙ≦１である。〕
【請求項１０】
さらに正孔輸送材料、電子輸送材料および発光材料から選ばれる少なくとも１種類の材料を含む、請求項１〜９のいずれかに記載の組成物。
【請求項１１】
請求項１〜９のいずれかに記載の組成物を含有することを特徴とするインク組成物。
【請求項１２】
粘度が２５℃において１〜１００ｍＰａ・ｓであることを特徴とする請求項１１に記載のインク組成物。
【請求項１３】
請求項１〜９のいずれかに記載の組成物を含有する発光性薄膜。
【請求項１４】
請求項１〜９のいずれかに記載の組成物を含有する導電性薄膜。
【請求項１５】
請求項１〜９のいずれかに記載の組成物を含有する有機半導体薄膜。
【請求項１６】
陽極および陰極からなる電極間に、請求項１〜９のいずれかに記載の組成物を含む層を有することを特徴とする高分子発光素子。
【請求項１７】
請求項１〜９のいずれかに記載の組成物を含む層が発光層であることを特徴とする請求項１６に記載の高分子発光素子。
【請求項１８】
発光層がさらに正孔輸送材料、電子輸送材料または発光材料を含むことを特徴とする請求項１７に記載の高分子発光素子。
【請求項１９】
陽極および陰極からなる電極間に、
上記一般式（１−４）で示される繰り返し単位を有し、ポリスチレン換算の数平均分子量が１０３〜１０８である高分子化合物と、中心金属がイリジウム、白金または金であり、配位子が、８−キノリノールもしくはその誘導体、ベンゾキノリノールもしくはその誘導体、２−フェニル−ピリジンもしくはその誘導体、２−フェニル−ベンゾチアゾールもしくはその誘導体、２−フェニル−ベンゾオキサゾールもしくはその誘導体、または、ポルフィリンもしくはその誘導体である三重項発光錯体化合物とを含む組成物を含む層を有することを特徴とする高分子発光素子。
【請求項２０】
請求項１６〜１９のいずれかに記載の高分子発光素子を用いたことを特徴とする面状光源。
【請求項２１】
請求項１６〜１９のいずれかに記載の高分子発光素子を用いたことを特徴とするセグメント表示装置。
【請求項２２】
請求項１６〜１９のいずれかに記載の高分子発光素子を用いたことを特徴とするドットマトリックス表示装置。
【請求項２３】
請求項１６〜１９のいずれかに記載の高分子発光素子をバックライトとすることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項２４】
請求項１６〜１９のいずれかに記載の高分子発光素子を用いたことを特徴とする照明。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、高分子化合物と、三重項励起状態からの発光を示す化合物を含む組成物、高分子錯体化合物、及び高分子発光素子（以下高分子ＬＥＤということがある。）に関する。
【背景技術】
【０００２】
発光材料として、三重項励起状態からの発光を示す化合物（以下、三重項発光化合物ということがある）を発光層に用いた素子が知られている。
【０００３】
そして、三重項発光化合物を発光層に用いる場合、通常は、該化合物に加え、マトリックスを加えた組成物として用いる。
マトリックスとして高分子化合物を用いた組成物として、例えば、繰り返し単位としてフルオレンジイル基を有する高分子化合物と、三重項発光化合物である２，８，１２，１７−テトラエチルー３，７，１３，１８−テトラメチルポルフィリンとを含む組成物が開示されている（非特許文献１）。
【０００４】
【非特許文献１】ＡＰＰＬＩＥＤ  ＰＨＹＳＩＣＳ  ＬＥＴＴＥＲＳ、８０，１３，２３０８（２００２）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、発光層に上記の組成物を用いた素子は、その発光効率が未だ不十分であった。
本発明の目的は、三重項励起状態からの発光を示す化合物と高分子化合物とを含む組成物であってそれを発光素子の発光層に用いたとき、発光効率にすぐれる発光素子を与えることができる組成物を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
即ち本発明は、下記一般式（１）で示される繰り返し単位を有し、ポリスチレン換算の数平均分子量が１０３〜１０８である高分子化合物と三重項励起状態からの発光を示す化合物とを含む組成物を提供するものである。
0004752192.tif 000002
〔式中、Ｐ環およびＱ環はそれぞれ独立に芳香環を示すが、Ｐ環は存在してもしなくてもよい。2つの結合手は、Ｐ環が存在する場合は、それぞれＰ環及び/またはＱ環上に存在し、Ｐ環が存在しない場合は、それぞれＹを含む５員環上及び/またはＱ環上に存在する。
また、芳香環上及び/またはＹを含む５員環上にアルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、アミノ基、置換アミノ基、シリル基、置換シリル基、アシル基、アシルオキシ基、イミン残基、アミド基、酸イミド基、１価の複素環基、カルボキシル基、置換カルボキシル基およびシアノ基からなる群から選ばれる置換基を有していてもよい。Ｙは−Ｏ−、−Ｓ−、−Ｓｉ（Ｒ１）（Ｒ２）−、−Ｐ（Ｒ３）−または−ＰＲ４（＝Ｏ）−を表し、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３およびＲ４は、それぞれ独立にアルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、アミノ基、置換アミノ基、シリル基、置換シリル基、シリルオキシ基、置換シリルオキシ基または1価の複素環基を表す。〕
【０００７】
また本発明は、上記式（１）で示される繰り返し単位、下記式（１２）および（１３）から選ばれる繰り返し単位並びに三重項励起状態からの発光を示す金属錯体構造を含み、固体状態で可視の発光を有する高分子錯体化合物に関する。
0004752192.tif 000003
［式中、Ａｒ15およびＡｒ16は、それぞれ独立に３価の芳香族炭化水素基または３価の複素環基を表し、Ｒ40は、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アルキルシリル基、アルキルアミノ基、置換基を有していても良いアリール基または１価の複素環基を表し、Ｘは単結合、
0004752192.tif 000004
（式中Ｒ41は、それぞれ独立に水素原子、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、アミノ基、置換アミノ基、シリル基、置換シリル基、アシル基、アシルオキシ基、イミノ基、アミド基、イミド基、１価の複素環基、カルボキシル基、置換カルボキシル基またはシアノ基を示す。を表す。Ｒ41が複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい）〕
0004752192.tif 000005
〔式中、Ａｒ6、Ａｒ7、Ａｒ8およびＡｒ9はそれぞれ独立にアリーレン基または２価の複素環基を示す。Ａｒ１０、Ａｒ１１およびＡｒ１２はそれぞれ独立にアリール基、または１価の複素環基を示す。Ａｒ6、Ａｒ7、Ａｒ8、Ａｒ9、およびＡｒ１０は置換基を有していてもよい。ｘおよびｙはそれぞれ独立に０または１を示し、０≦ｘ＋ｙ≦１である。〕
【発明の効果】
【０００８】
発光層に本発明の組成物を用いた発光素子は発光効率に優れる。したがって、本発明の組成物は、高分子ＬＥＤの発光材料などに好適に用いることができ、高分子発光素子とそれを用いた有機ＥＬデバイス等の材料として用いることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００９】
本発明に用いる高分子化合物は、上記式（１）で示される繰り返し単位を１種以上有する。
【００１０】
上記式（１）中、Ｐ環、Ｑ環における芳香環としては、ベンゼン環、ナフタレン環、アントラセン環、テトラセン環、ペンタセン環、ピレン環、フェナントレン環等の芳香族炭化水素環；ピリジン環、ビピリジン環、フェナントロリン環、キノリン環、イソキノリン環、チオフェン環、フラン環、ピロール環などの複素芳香環が挙げられる。芳香環が、芳香族炭化水素環であることが好ましい。
【００１１】
Ｙは−Ｏ−、−Ｓ−、−Ｓｉ（Ｒ１）（Ｒ２）−、−Ｐ（Ｒ３）−または−ＰＲ４（＝Ｏ）−を表す〔Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３およびＲ４は、それぞれ独立にアルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、アミノ基、置換アミノ基、シリル基、置換シリル基、シリルオキシ基、置換シリルオキシ基または1価の複素環基を表す〕。
Ｙは、−Ｓ−、−Ｏ−であることが好ましい。
【００１２】
上記式（１）で示される構造としては、下記式（１−１）、（１−２）または（１−３）で示される構造
0004752192.tif 000006
〔式中、Ａ環、Ｂ環、およびＣ環はそれぞれ独立に芳香環を示す。式（1-1）、（1-2）および（1-3）は、それぞれアルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、アミノ基、置換アミノ基、シリル基、置換シリル基、アシル基、アシルオキシ基、イミン残基、アミド基、酸イミド基、１価の複素環基、カルボキシル基、置換カルボキシル基およびシアノ基からなる群から選ばれる置換基を有していてもよい。Ｙは前記と同じ意味を表す。〕；
下記式（１−４）または（１−５）で示される構造
0004752192.tif 000007
〔式中、Ｄ環、Ｅ環、Ｆ環およびＧ環はそれぞれ独立にアルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、アミノ基、置換アミノ基、シリル基、置換シリル基、アシル基、アシルオキシ基、イミン残基、アミド基、酸イミド基、１価の複素環基、カルボキシル基、置換カルボキシル基およびシアノ基からなる群から選ばれる置換基を有していてもよい芳香環を示す。Ｙは前記と同じ意味を表す。〕；
が挙げられる。
【００１３】
上記式（１−１）、（１−２）、（１−３）、（１−４）、（１−５）式中、Ａ環、Ｂ環、Ｃ環、Ｄ環、Ｅ環、Ｆ環およびＧ環における芳香環としては、ベンゼン環、ナフタレン環、アントラセン環、テトラセン環、ペンタセン環、ピレン環、フェナントレン環等の芳香族炭化水素環；ピリジン環、ビピリジン環、フェナントロリン環、キノリン環、イソキノリン環、チオフェン環、フラン環、ピロール環などの複素芳香環が挙げられる。
【００１４】
式（１−１）の具体例としては、以下のもの、以下のものにアルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、アミノ基、置換アミノ基、シリル基、置換シリル基、アシル基、アシルオキシ基、イミン残基、アミド基、酸イミド基、１価の複素環基、カルボキシル基、置換カルボキシル基およびシアノ基からなる群から選ばれる置換基を有するものが挙げられる。なお、以下において、結合手は、それが存在する芳香環上の任意の位置をとりうることを表す。
0004752192.tif 000008
【００１５】
式（１−２）の具体例として、以下のもの、以下のものにアルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、アミノ基、置換アミノ基、シリル基、置換シリル基、アシル基、アシルオキシ基、イミン残基、アミド基、酸イミド基、１価の複素環基、カルボキシル基、置換カルボキシル基およびシアノ基からなる群から選ばれる置換基を有するものが挙げられる。なお、以下において、結合手は、それが存在する芳香環上の任意の位置をとりうることを表す。
0004752192.tif 000009
【００１６】
式（１−３）の具体例として以下のもの、以下のものにアルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、アミノ基、置換アミノ基、シリル基、置換シリル基、アシル基、アシルオキシ基、イミン残基、アミド基、酸イミド基、１価の複素環基、カルボキシル基、置換カルボキシル基およびシアノ基からなる群から選ばれる置換基を有するものが挙げられる。なお、以下において、結合手は、それが存在する芳香環上の任意の位置をとりうることを表す。
0004752192.tif 000010
【００１７】
式（１−４）の具体例として、以下のもの、以下のものにアルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、アミノ基、置換アミノ基、シリル基、置換シリル基、アシル基、アシルオキシ基、イミン残基、アミド基、酸イミド基、１価の複素環基、カルボキシル基、置換カルボキシル基およびシアノ基からなる群から選ばれる置換基を有するものが挙げられる。なお、以下において、結合手は、それが存在する芳香環上の任意の位置をとりうることを表す。
0004752192.tif 000011
【００１８】
0004752192.tif 000012
【００１９】
0004752192.tif 000013
【００２０】
0004752192.tif 000014
【００２１】
0004752192.tif 000015
【００２２】
0004752192.tif 000016
【００２３】
0004752192.tif 000017
【００２４】
0004752192.tif 000018
【００２５】
0004752192.tif 000019
【００２６】
0004752192.tif 000020
【００２７】
0004752192.tif 000021
【００２８】
0004752192.tif 000022
【００２９】
0004752192.tif 000023
【００３０】
0004752192.tif 000024
【００３１】
0004752192.tif 000025
【００３２】
0004752192.tif 000026
【００３３】
0004752192.tif 000027
【００３４】
式（１−５）の具体例としては、以下のもの、以下のものにアルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、アミノ基、置換アミノ基、シリル基、置換シリル基、アシル基、アシルオキシ基、イミン残基、アミド基、酸イミド基、１価の複素環基、カルボキシル基、置換カルボキシル基およびシアノ基からなる群から選ばれる置換基を有するものが挙げられる。なお、以下において、結合手は、それが存在する芳香環上の任意の位置をとりうることを表す。
0004752192.tif 000028
【００３５】
0004752192.tif 000029
【００３６】
0004752192.tif 000030
【００３７】
0004752192.tif 000031
【００３８】
0004752192.tif 000032
【００３９】
0004752192.tif 000033
【００４０】
0004752192.tif 000034
【００４１】
0004752192.tif 000035
【００４２】
0004752192.tif 000036
【００４３】
0004752192.tif 000037
【００４４】
0004752192.tif 000038
【００４５】
0004752192.tif 000039
【００４６】
0004752192.tif 000040
【００４７】
0004752192.tif 000041
【００４８】
0004752192.tif 000042
【００４９】
0004752192.tif 000043
【００５０】
0004752192.tif 000044
【００５１】
上記式（１）の中で、（１―４）、（１―５）が好ましく、（１―４）がより好ましく、下記式（１−６）、（１−７）、（１−８）、（１−９）または（１−１０）がさらに好ましく、（１−６）が特に好ましい。
0004752192.tif 000045
〔式中、Ｒ5、Ｒ6、Ｒ7、Ｒ8、Ｒ9、Ｒ10、Ｒ11、Ｒ12、Ｒ13およびＲ14は、それぞれ独立に、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、アミノ基、置換アミノ基、シリル基、置換シリル基、アシルオキシ基、イミン残基、アミド基、酸イミド基、１価の複素環基、カルボキシル基、または置換カルボキシル基を示す。aおよびｂはそれぞれ独立に０〜３の整数を示す。ｃ、ｄ、ｅおよびｆはそれぞれ独立に０〜５の整数を示す。ｇ、ｈ、iおよびｊはそれぞれ独立に０〜７の整数を示す。Ｒ5、Ｒ6、Ｒ7、Ｒ8、Ｒ9、Ｒ10、Ｒ11、Ｒ12、Ｒ13およびＲ14がそれぞれ複数ある場合、それらは同一でも異なっていてもよい。Ｙは前記と同じ意味を表す。〕
【００５２】
また、溶媒に対する溶解性の観点から、a＋ｂ、ｃ＋ｄ、ｅ＋ｆ、ｇ＋ｈ、およびｉ＋ｊは１以上が好ましい。
【００５３】
本発明の組成物に用いる高分子化合物は、さらに、下記式（２）、式（３）、式（４）または式（５）で示される繰り返し単位を有していてもよい。
−Ａｒ1−        （２）
0004752192.tif 000046
−Ａｒ4−Ｘ2−        （４）
−Ｘ3−                  （５）
【００５４】
〔式中、Ａｒ1、Ａｒ2、Ａｒ3およびＡｒ4はそれぞれ独立にアリーレン基、２価の複素環基または金属錯体構造を有する２価の基を示す。Ｘ1、Ｘ2およびＸ3はそれぞれ独立に−ＣＲ15＝ＣＲ16−、−Ｃ≡Ｃ−、−Ｎ（Ｒ17）−、または−（ＳｉＲ18Ｒ19）ｍ−を示す。Ｒ15およびＲ16は、それぞれ独立に水素原子、アルキル基、アリール基、１価の複素環基、カルボキシル基、置換カルボキシル基またはシアノ基を示す。Ｒ17、Ｒ18およびＲ19は、それぞれ独立に水素原子、アルキル基、アリール基、１価の複素環基、アリールアルキル基、または置換アミノ基を示す。ｆｆは１または２を示す。mは１〜１２の整数を示す。Ｒ15、Ｒ16、Ｒ17、Ｒ18およびＲ19がそれぞれ複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。〕
【００５５】
アリーレン基とは、芳香族炭化水素から、水素原子２個を除いた原子団であり、通常炭素数は６〜６０程度であり、好ましくは６〜２０である。ここに芳香族炭化水素としては、縮合環をもつもの、独立したベンゼン環または縮合環２個以上が直接またはビニレン等の基を介して結合したものが含まれる。
アリーレン基としては、フェニレン基（例えば、下図の式１〜３）、ナフタレンジイル基（下図の式４〜１３）、アントラセン−ジイル基（下図の式１４〜１９）、ビフェニル−ジイル基（下図の式２０〜２５）、ターフェニル−ジイル基（下図の式２６〜２８）、  縮合環化合物基（下図の式２９〜３５）、フルオレン−ジイル基（下図の式３６〜３８）、スチルベン−ジイル（下図の式Ａ〜Ｄ），ジスチルベン−ジイル（下図の式Ｅ，Ｆ）などが例示される。中でもフェニレン基、ビフェニレン基、スチルベン−ジイル基が好ましい。
【００５６】
0004752192.tif 000047
【００５７】
0004752192.tif 000048
【００５８】
0004752192.tif 000049
【００５９】
0004752192.tif 000050
【００６０】
0004752192.tif 000051
【００６１】
0004752192.tif 000052
【００６２】
また、２価の複素環基とは、複素環化合物から水素原子２個を除いた残りの原子団をいい、炭素数は通常３〜６０程度である。
ここに複素環化合物とは、環式構造をもつ有機化合物のうち、環を構成する元素が炭素原子だけでなく、酸素、硫黄、窒素、リン、ホウ素、ヒ素などのヘテロ原子を環内に含むものをいう。
【００６３】
２価の複素環基としては、例えば以下のものが挙げられる。
ヘテロ原子として、窒素を含む２価の複素環基；ピリジンージイル基（下図の式３９〜４４）、ジアザフェニレン基（下図の式４５〜４８）、キノリンジイル基（下図の式４９〜６３）、キノキサリンジイル基（下図の式６４〜６８）、アクリジンジイル基（下図の式６９〜７２）、ビピリジルジイル基（下図の式７３〜７５）、フェナントロリンジイル基（下図の式７６〜７８）、など。
ヘテロ原子としてけい素、窒素、セレンなどを含みフルオレン構造を有する基（下図の式７９〜９３）。
ヘテロ原子としてけい素、窒素、硫黄、セレンなどを含む５員環複素環基：（下図の式９４〜９８）が挙げられる。
ヘテロ原子としてけい素、窒素、セレンなどを含む５員環縮合複素基：（下図の式９９〜１１０）が挙げられる。
ヘテロ原子としてけい素、窒素、硫黄、セレンなどを含む５員環複素環基でそのヘテロ原子のα位で結合し２量体やオリゴマーになっている基：（下図の式１１１〜１１２）が挙げられる。
ヘテロ原子としてけい素、窒素、硫黄、セレンなどを含む５員環複素環基でそのヘテロ原子のα位でフェニル基に結合している基：（下図の式１１３〜１１９）が挙げられる。
ヘテロ原子として酸素、窒素、硫黄、などを含む５員環縮合複素環基にフェニル基やフリル基、チエニル基が置換した基：（下図の式１２０〜１２５）が挙げられる。
【００６４】
0004752192.tif 000053
【００６５】
0004752192.tif 000054
【００６６】
0004752192.tif 000055
【００６７】
0004752192.tif 000056
【００６８】
0004752192.tif 000057
【００６９】
0004752192.tif 000058
【００７０】
0004752192.tif 000059
【００７１】
0004752192.tif 000060
【００７２】
0004752192.tif 000061
【００７３】
0004752192.tif 000062
【００７４】
上記の式１〜１２５で示した例において、Ｒはそれぞれ独立に水素原子、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、アミノ基、置換アミノ基、シリル基、置換シリル基、アシル基、アシルオキシ基、イミン残基、アミド基、酸イミド基、１価の複素環基、カルボキシル基、置換カルボキシル基またはシアノ基を示す。また、式１〜１２５の基が有する炭素原子は、窒素原子、酸素原子または硫黄原子と置き換えられていてもよい。
【００７５】
Ａｒ1、Ａｒ4としては、従来からＥＬ発光性材料として利用されてきたすべての材料に含まれるアリーレン基または２価の複素環基であってもよく、三重項発光を阻害しないものであれば限定されない。これらの材料は例えば、WO99/12989 WO00/55927 WO01/49769A1 WO01/49768A2 、WO98/06773 US5,777,070 WO99/54385 WO00/46321 US6,169,163B1に開示されている。
【００７６】
上記式（２）で示される繰り返し単位としては、下記式（６）、（７）、（８）、（９）、（１０）または（１１）で示される繰り返し単位があげられる。
0004752192.tif 000063
〔式中、Ｒ20は、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、アミノ基、置換アミノ基、シリル基、置換シリル基、アシル基、アシルオキシ基、イミン残基、アミド基、酸イミド基、１価の複素環基、カルボキシル基、置換カルボキシル基またはシアノ基を示す。nは０〜４の整数を示す。Ｒ20が複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。〕
0004752192.tif 000064
〔式中、Ｒ21およびＲ22は、それぞれ独立にアルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、アミノ基、置換アミノ基、シリル基、置換シリル基、アシル基、アシルオキシ基、イミン残基、アミド基、酸イミド基、１価の複素環基、カルボキシル基、置換カルボキシル基またはシアノ基を示す。oおよびpはそれぞれ独立に０〜３の整数を示す。Ｒ21およびＲ22がそれぞれ複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。〕
0004752192.tif 000065
〔式中、Ｒ23およびＲ26は、それぞれ独立にアルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、アミノ基、置換アミノ基、シリル基、置換シリル基、アシル基、アシルオキシ基、イミン残基、アミド基、酸イミド基、１価の複素環基、カルボキシル基、置換カルボキシル基またはシアノ基を示す。qおよびrはそれぞれ独立に０〜４の整数を示す。Ｒ24およびＲ25は、それぞれ独立に水素原子、アルキル基、アリール基、１価の複素環基、カルボキシル基、置換カルボキシル基またはシアノ基を示す。Ｒ23およびＲ26がそれぞれ複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。〕
0004752192.tif 000066
〔式中、Ｒ27は、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、アミノ基、置換アミノ基、シリル基、置換シリル基、アシル基、アシルオキシ基、イミン残基、アミド基、酸イミド基、１価の複素環基、カルボキシル基、置換カルボキシル基またはシアノ基を示す。ｓは０〜２の整数を示す。Ａｒ13およびＡｒ14はそれぞれ独立にアリーレン基、２価の複素環基または金属錯体構造を有する２価の基を示す。ｓｓおよびｔｔはそれぞれ独立に０または１を示す。Ｘ4は、Ｏ、Ｓ、ＳＯ、ＳＯ2、Ｓｅ，またはＴｅを示す。Ｒ27が複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。〕
0004752192.tif 000067
〔式中、Ｒ28およびＲ29は、それぞれ独立にアルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、アミノ基、置換アミノ基、シリル基、置換シリル基、アシル基、アシルオキシ基、イミン残基、アミド基、酸イミド基、１価の複素環基、カルボキシル基、置換カルボキシル基またはシアノ基を示す。tおよびuはそれぞれ独立に０〜４の整数を示す。Ｘ5は、Ｏ、Ｓ、ＳＯ2、Ｓｅ，Ｔｅ、Ｎ−Ｒ30、またはＳｉＲ31Ｒ32を示す。Ｘ6およびＸ7は、それぞれ独立にＮまたはＣ−Ｒ33を示す。Ｒ30、Ｒ31、Ｒ32およびＲ33はそれぞれ独立に水素原子、アルキル基、アリール基、アリールアルキル基または１価の複素環基を示す。Ｒ28、Ｒ29およびＲ33がそれぞれ複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。〕
0004752192.tif 000068
〔式中、Ｒ34およびＲ39は、それぞれ独立にアルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、アミノ基、置換アミノ基、シリル基、置換シリル基、アシル基、アシルオキシ基、イミン残基、アミド基、酸イミド基、１価の複素環基、カルボキシル基、置換カルボキシル基またはシアノ基を示す。vおよびwはそれぞれ独立に０〜４の整数を示す。Ｒ35、Ｒ36、Ｒ37およびＲ38は、それぞれ独立に水素原子、アルキル基、アリール基、１価の複素環基、カルボキシル基、置換カルボキシル基またはシアノ基を示す。Ａｒ5はアリーレン基、２価の複素環基または金属錯体構造を有する２価の基を示す。Ｒ34およびＲ39がそれぞれ複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。〕
【００７７】
上記式（２）で示される構造としては、また、下記式（１２）で示される構造があげられる。
【００７８】
0004752192.tif 000069
［式中、Ａｒ15およびＡｒ16は、それぞれ独立に３価の芳香族炭化水素基または３価の複素環基を表し、Ｒ40は、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アルキルシリル基、アルキルアミノ基、置換基を有していても良いアリール基または１価の複素環基を表し、Ｘは単結合、
0004752192.tif 000070
（式中Ｒ41は、それぞれ独立に水素原子、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、アミノ基、置換アミノ基、シリル基、置換シリル基、アシル基、アシルオキシ基、イミノ基、アミド基、イミド基、１価の複素環基、カルボキシル基、置換カルボキシル基またはシアノ基を示す。を表す。Ｒ41が複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい）〕
【００７９】
ここに、におけるＡｒ15およびＡｒ16は、それぞれ独立に３価の芳香族炭化水素基または３価の複素環基を表す。
ここに３価の芳香族炭化水素基とは、ベンゼン環または縮合環から水素原子３個を除いた残りの原子団をいう。下記例示式中において、３本ある結合手の内、隣り合うオルト位の関係にある結合手が、一般式（１２）、（１２−１）、（１２−３）および（１２−４）で示されるＸおよびＮとそれぞれ結合していることを表す。
0004752192.tif 000071
【００８０】
0004752192.tif 000072
【００８１】
なお、上記の３価の芳香族炭化水素基は芳香族環上に１個または２個以上の置換基を有していてもよく、置換基としては、アルキル基、アルキルオキシ基、アルキルチオ基、アルキルアミノ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアミノ基、アリールアルキル基、アリールアルキルオキシ基、アリールアルキルチオ基、アリールアルキルアミノ基、アシル基、アシルオキシ基、アミド基、イミノ基、置換シリル基、置換シリルオキシ基、置換シリルチオ基、置換シリルアミノ基、１価の複素環基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基またはシアノ基が例示される。
３価の芳香族炭化水素基の環を構成する炭素原子の数は、通常６〜６０、好ましくは６〜２０である。
【００８２】
また、３価の複素環基とは、複素環化合物から水素原子３個を除いた残りの原子団をいう。
【００８３】
ここに複素環化合物とは、環式構造をもつ有機化合物のうち、環を構成する元素が炭素原子だけでなく、酸素、硫黄、窒素、リン、ホウ素などのヘテロ原子を環内に含むものをいう。
【００８４】
３価の複素環基としては、例えば以下のものが挙げられる。下記例示式中において、３本ある結合手の内、隣り合うオルト位の関係にある結合手が、一般式（１２）、（１２−１）、（１２−３）および（１２−４）で示されるＸおよびＮとそれぞれ結合していることを表す。
【００８５】
0004752192.tif 000073
【００８６】
0004752192.tif 000074
【００８７】
0004752192.tif 000075
【００８８】
0004752192.tif 000076
【００８９】
0004752192.tif 000077
【００９０】
0004752192.tif 000078
【００９１】
0004752192.tif 000079
【００９２】
0004752192.tif 000080
【００９３】
0004752192.tif 000081
【００９４】
0004752192.tif 000082
【００９５】
なお、上記の３価の複素環基は環上に１個または２個以上の置換基を有していてもよく、置換基としては、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、アミノ基、置換アミノ基、シリル基、置換シリル基、アシル基、アシルオキシ基、イミノ基、アミド基、イミド基、１価の複素環基、カルボキシル基、置換カルボキシル基またはシアノ基が例示される。
３価の複素環基の環を構成する炭素原子の数は、通常４〜６０、好ましくは４〜２０である。
上記式中、Ｒ’は、それぞれ独立に水素原子、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、アミノ基、置換アミノ基、シリル基、置換シリル基、アシル基、アシルオキシ基、イミノ基、アミド基、イミド基、１価の複素環基、カルボキシル基、置換カルボキシル基またはシアノ基を示す。
Ｒ’’はそれぞれ独立に水素原子、アルキル基、アリール基、アリールアルキル基、置換シリル基、アシル基、または１価の複素環基を示す。
【００９６】
式（１２）においてＸは単結合、
0004752192.tif 000083
（式中Ｒ41は、それぞれ独立に水素原子、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、アミノ基、置換アミノ基、シリル基、置換シリル基、アシル基、アシルオキシ基、イミノ基、アミド基、イミド基、１価の複素環基、カルボキシル基、置換カルボキシル基またはシアノ基を示す。Ｒ41が複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい）を表す。
【００９７】
中でも、単結合、
0004752192.tif 000084
が好ましく、単結合がより好ましい。
【００９８】
上式（１２）で示される繰り返し単位のうち、好ましくは、式（１２−１）、（１２−２）、（１２−３）、（１２−４）、（１２−５）、（１２−６）であり、より好ましくは、（１２−１）、（１２−４）、（１２−５）、（１２−６）であり、式（１２−６）が更に好ましい。
【００９９】
0004752192.tif 000085
〔式中、Ｘ、Ａｒ15およびＡｒ16は、上記と同じ意味を表す。R42、R43、R44、R45およびR46は、それぞれ独立に水素原子、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、アミノ基、置換アミノ基、シリル基、置換シリル基、アシル基、アシルオキシ基、イミノ基、アミド基、イミド基、１価の複素環基、カルボキシル基、置換カルボキシル基またはシアノ基を示す。〕
【０１００】
0004752192.tif 000086
〔式中、R42、R43、R44、R45、R46およびＸは上記と同じ意味を表す。R47、R48、R49、R50、R51およびR52はそれぞれ独立に水素原子、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、アミノ基、置換アミノ基、シリル基、置換シリル基、アシル基、アシルオキシ基、イミノ基、アミド基、イミド基、１価の複素環基、カルボキシル基、置換カルボキシル基またはシアノ基を示す。〕
【０１０１】
0004752192.tif 000087
〔式中、R40、Ａｒ15およびＡｒ16は、上記と同じ意味を表す。〕
【０１０２】
0004752192.tif 000088
〔式中、R42、R43、R44、R45、R46、Ａｒ15およびＡｒ16は、上記と同じ意味を表す。〕
【０１０３】
0004752192.tif 000089
〔式中、R40、R47、R48、R49、R50、R51、およびR52は上記と同じ意味を表す。〕
【０１０４】
0004752192.tif 000090
〔式中、R42、R43、R44、R45、R46、R47、R48、R49、R50、R51、およびR52は上記と同じ意味を表す。〕
【０１０５】
上記式（３）で示される繰り返し単位としては、下記式（１３）で示される繰り返し単位が挙げられる。
0004752192.tif 000091
〔式中、Ａｒ6、Ａｒ7、Ａｒ8およびＡｒ9はそれぞれ独立にアリーレン基または２価の複素環基を示す。Ａｒ１０、Ａｒ１１およびＡｒ１２はそれぞれ独立にアリール基、または１価の複素環基を示す。Ａｒ6、Ａｒ7、Ａｒ8、Ａｒ9、およびＡｒ１０は置換基を有していてもよい。ｘおよびｙはそれぞれ独立に０または１を示し、０≦ｘ＋ｙ≦１である。〕
【０１０６】
式（１３）で示されるＡｒ6、Ａｒ7、Ａｒ8およびＡｒ9において、アリーレン基とは、芳香族炭化水素から、水素原子２個を除いた原子団であり、通常炭素数は６〜６０程度であり、好ましくは６〜２０である。ここに芳香族炭化水素としては、縮合環をもつもの、独立したベンゼン環または縮合環２個以上が直接またはビニレン等の基を介して結合したものが含まれる。
アリーレン基としては、フェニレン基（例えば、前記図の式１〜３）、ナフタレンジイル基（前記図の式４〜１３）、アントラセン−ジイル基（前記図の式１４〜１９）、ビフェニル−ジイル基（前記図の式２０〜２５）、ターフェニル−ジイル基（前記図の式２６〜２８）、  縮合環化合物基（前記図の式２９〜３５）、フルオレン−ジイル基（前記図の式３６〜３８）、スチルベン−ジイル（前記図の式Ａ〜Ｄ），ジスチルベン−ジイル（前記図の式Ｅ，Ｆ）などが例示される。中でもフェニレン基、ビフェニレン基、スチルベン−ジイル基が好ましい。
【０１０７】
また、２価の複素環基とは、複素環化合物から水素原子２個を除いた残りの原子団をいい、炭素数は通常３〜６０程度である。
ここに複素環化合物とは、環式構造をもつ有機化合物のうち、環を構成する元素が炭素原子だけでなく、酸素、硫黄、窒素、リン、ホウ素、ヒ素などのヘテロ原子を環内に含むものをいう。
【０１０８】
２価の複素環基としては、例えば以下のものが挙げられる。
ヘテロ原子として、窒素を含む２価の複素環基；ピリジンージイル基（前記図の式３９〜４４）、ジアザフェニレン基（前記図の式４５〜４８）、キノリンジイル基（前記図の式４９〜６３）、キノキサリンジイル基（前記図の式６４〜６８）、アクリジンジイル基（前記図の式６９〜７２）、ビピリジルジイル基（前記図の式７３〜７５）、フェナントロリンジイル基（前記図の式７６〜７８）、など。
ヘテロ原子としてけい素、窒素、セレンなどを含みフルオレン構造を有する基（前記図の式７９〜９３）。
ヘテロ原子としてけい素、窒素、硫黄、セレンなどを含む５員環複素環基：（前記図の式９４〜９８）が挙げられる。
ヘテロ原子としてけい素、窒素、セレンなどを含む５員環縮合複素基：（前記図の式９９〜１０８）が挙げられる。
ヘテロ原子としてけい素、窒素、硫黄、セレンなどを含む５員環複素環基でそのヘテロ原子のα位で結合し２量体やオリゴマーになっている基：（前記図の式１０９〜１１３）が挙げられる。
ヘテロ原子としてけい素、窒素、硫黄、セレンなどを含む５員環複素環基でそのヘテロ原子のα位でフェニル基に結合している基：（前記図の式１１３〜１１９）が挙げられる。
ヘテロ原子として酸素、窒素、硫黄、などを含む５員環縮合複素環基にフェニル基やフリル基、チエニル基が置換した基：（前記図の式１２０〜１２５）が挙げられる。
【０１０９】
また、上記式（１３）で示される構造の中では、下記式（１３−１）で示される構造が好ましい。
0004752192.tif 000092
〔式中、Ｒ53、Ｒ54およびＲ55は、それぞれ独立に水素原子、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、アミノ基、置換アミノ基、シリル基、置換シリル基、アシル基、アシルオキシ基、イミノ基、アミド基、イミド基、１価の複素環基、カルボキシル基、置換カルボキシル基またはシアノ基を示す。ｘ1およびｙ１はそれぞれ独立に０〜４の整数を示す。ｚ1は１〜２の整数を示す。aaは０〜５の整数を示す。Ｒ53、Ｒ54およびＲ55がそれぞれ複数存在する場合それらは同一でも異なっていてもよい。〕
【０１１０】
上記式（１３−１）におけるＲ55としては、アルキル基、アルコキシ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、置換アミノ基が好ましい。置換アミノ基としてはジアリールアミノ基が好ましく、更に好ましくは、ジフェニルアミノ基である。
【０１１１】
上述の中で、好ましい組合せは、上記式（１−６）と上記式（５）、（７）、（８）または（１１）が好ましく、さらに好ましくは式（１−６）と式（８）、（１１）の組合せである。
上記式（１−６）で示される構造において、ＹがＳ原子、Ｏ原子であることが更に好ましい。
【０１１２】
上述の中で、好ましい組合せは、上記式（１−６）と上記式（１２−２）、（１２−５）、（１２−６）または（１３−１）が好ましく、さらに好ましくは式（１−６）と式（１２−６）、（１３−１）の組合せである。
上記式（１−６）で示される構造において、ＹがＳ原子、Ｏ原子であることが更に好ましい。
【０１１３】
上記式（１）から（１３）、（１２−１）から（１２−６）、（１３−１）、（１−１）から（１−１０）および上記例示式中で示される、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、置換アミノ基、置換シリル基、アシル基、アシルオキシ基、イミン残基、アミド基、酸イミド基、１価の複素環基、置換カルボキシル基はすべて同様の意味を示す。
【０１１４】
アルキル基は、直鎖、分岐または環状のいずれでもよく、炭素数が通常１〜２０程度であり、好ましくは炭素数３〜２０であり、その具体例としては、メチル基、エチル基、プロピル基、ｉ−プロピル基、ブチル基、  ｉ−ブチル基、ｔ−ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、シクロヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、２−エチルヘキシル基、ノニル基、デシル基、３，７−ジメチルオクチル基、ラウリル基などが挙げられ、ペンチル基、ヘキシル基、オクチル基、２−エチルヘキシル基、デシル基、３，７−ジメチルオクチル基が好ましい。
【０１１５】
アルコキシ基は、直鎖、分岐または環状のいずれでもよく炭素数が通常１〜２０程度であり、好ましくは炭素数３〜２０であり、その具体例としては、メトキシ基、エトキシ基、プロピルオキシ基、ｉ−プロピルオキシ基、ブトキシ基、  ｉ−ブトキシ基、ｔ−ブトキシ基、ペンチルオキシ基、ヘキシルオキシ基、シクロヘキシルオキシ基、ヘプチルオキシ基、オクチルオキシ基、２−エチルヘキシルオキシ基、ノニルオキシ基、デシルオキシ基、３，７−ジメチルオクチルオキシ基、ラウリルオキシ基、メトキシメチルオキシ基、２−メトキシエチルオキシ基などが挙げられ、ペンチルオキシ基、ヘキシルオキシ基、オクチルオキシ基、２−エチルヘキシルオキシ基、デシルオキシ基、３，７−ジメチルオクチルオキシ基が好ましい。
【０１１６】
アルキルチオ基は、直鎖、分岐または環状のいずれでもよく、炭素数が通常１〜２０程度、好ましくは炭素数３〜２０であり、その具体例としては、メチルチオ基、エチルチオ基、プロピルチオ基、  ｉ−プロピルチオ基、ブチルチオ基、  ｉ−ブチルチオ基、ｔ−ブチルチオ基、ペンチルチオ基、ヘキシルチオ基、シクロヘキシルチオ基、ヘプチルチオ基、オクチルチオ基、２−エチルヘキシルチオ基、ノニルチオ基、デシルチオ基、３，７−ジメチルオクチルチオ基、ラウリルチオ基などが挙げられ、ペンチルチオ基、ヘキシルチオ基、オクチルチオ基、２−エチルヘキシルチオ基、デシルチオ基、３，７−ジメチルオクチルチオ基が好ましい。
【０１１７】
アリール基は、炭素数が通常６〜６０程度、好ましくは７〜４８であり、具体的には、フェニル基、Ｃ1〜Ｃ12アルコキシフェニル基（Ｃ1〜Ｃ12は、炭素数１〜１２であることを示す。以下も同様である。）、Ｃ1〜Ｃ12アルキルフェニル基、１−ナフチル基、２−ナフチル基、１−アントラセニル基、２−アントラセニル基、９−アントラセニル基などが例示され、Ｃ1〜Ｃ12アルコキシフェニル基、Ｃ1〜Ｃ12アルキルフェニル基が好ましい。ここに、アリール基とは、芳香族炭化水素から、水素原子１個を除いた原子団である。ここに芳香族炭化水素としては、縮合環をもつもの、独立したベンゼン環または縮合環２個以上が直接またはビニレン等の基を介して結合したものが含まれる。
Ｃ1〜Ｃ12アルコキシとして具体的には、メトキシ、エトキシ、プロピルオキシ、ｉ−プロピルオキシ、ブトキシ、ｉ−ブトキシ、ｔ−ブトキシ、ペンチルオキシ、ヘキシルオキシ、シクロヘキシルオキシ、ヘプチルオキシ、オクチルオキシ、２−エチルヘキシルオキシ、ノニルオキシ、デシルオキシ、３，７−ジメチルオクチルオキシ、ラウリルオキシなどが例示される。
Ｃ1〜Ｃ12アルキルフェニル基として具体的にはメチルフェニル基、エチルフェニル基、ジメチルフェニル基、プロピルフェニル基、メシチル基、メチルエチルフェニル基、ｉ−プロピルフェニル基、ブチルフェニル基、ｉ−ブチルフェニル基、ｔ−ブチルフェニル基、ペンチルフェニル基、イソアミルフェニル基、ヘキシルフェニル基、ヘプチルフェニル基、オクチルフェニル基、ノニルフェニル基、デシルフェニル基、ドデシルフェニル基などが例示される。
【０１１８】
アリールオキシ基は、炭素数が通常６〜６０程度、好ましくは７〜４８であり、その具体例としては、フェノキシ基、Ｃ1〜Ｃ12アルコキシフェノキシ基、Ｃ1〜Ｃ12アルキルフェノキシ基、１−ナフチルオキシ基、２−ナフチルオキシ基などが例示され、Ｃ1〜Ｃ12アルコキシフェノキシ基、Ｃ1〜Ｃ12アルキルフェノキシ基が好ましい。
Ｃ1〜Ｃ12アルコキシとして具体的には、メトキシ、エトキシ、プロピルオキシ、ｉ−プロピルオキシ、ブトキシ、ｉ−ブトキシ、ｔ−ブトキシ、ペンチルオキシ、ヘキシルオキシ、シクロヘキシルオキシ、ヘプチルオキシ、オクチルオキシ、２−エチルヘキシルオキシ、ノニルオキシ、デシルオキシ、３，７−ジメチルオクチルオキシ、ラウリルオキシなどが例示される。
Ｃ1〜Ｃ12アルキルフェノキシ基として具体的にはメチルフェノキシ基、エチルフェノキシ基、ジメチルフェノキシ基、プロピルフェノキシ基、1,3,5−トリメチルフェノキシ基、メチルエチルフェノキシ基、ｉ−プロピルフェノキシ基、ブチルフェノキシ基、ｉ−ブチルフェノキシ基、ｔ−ブチルフェノキシ基、ペンチルフェノキシ基、イソアミルフェノキシ基、ヘキシルフェノキシ基、ヘプチルフェノキシ基、オクチルフェノキシ基、ノニルフェノキシ基、デシルフェノキシ基、ドデシルフェノキシ基などが例示される。
【０１１９】
アリールチオ基は、炭素数が通常６〜６０程度、好ましくは７〜４８であり、その具体例としては、フェニルチオ基、Ｃ1〜Ｃ12アルコキシフェニルチオ基、Ｃ1〜Ｃ12アルキルフェニルチオ基、１−ナフチルチオ基、２−ナフチルチオ基などが例示され、Ｃ1〜Ｃ12アルコキシフェニルチオ基、Ｃ1〜Ｃ12アルキルフェニルチオ基が好ましい。
【０１２０】
アリールアルキル基は、炭素数が通常７〜６０程度、好ましくは７〜４８であり、その具体例としては、フェニル−Ｃ1〜Ｃ12アルキル基、Ｃ1〜Ｃ12アルコキシフェニル−Ｃ1〜Ｃ12アルキル基、Ｃ1〜Ｃ12アルキルフェニル−Ｃ1〜Ｃ12アルキル基、１−ナフチル−Ｃ1〜Ｃ12アルキル基、２−ナフチル−Ｃ1〜Ｃ12アルキル基などが例示され、Ｃ1〜Ｃ12アルコキシフェニル−Ｃ1〜Ｃ12アルキル基、Ｃ1〜Ｃ12アルキルフェニル−Ｃ1〜Ｃ12アルキル基が好ましい。
【０１２１】
アリールアルコキシ基は、炭素数が通常７〜６０程度、好ましくは７〜４８であり、その具体例としては、フェニルメトキシ基、フェニルエトキシ基、フェニルブトキシ基、フェニルペンチロキシ基、フェニルヘキシロキシ基、フェニルヘプチロキシ基、フェニルオクチロキシ基などのフェニル−Ｃ1〜Ｃ12アルコキシ基、Ｃ1〜Ｃ12アルコキシフェニル−Ｃ1〜Ｃ12アルコキシ基、Ｃ1〜Ｃ12アルキルフェニル−Ｃ1〜Ｃ12アルコキシ基、１−ナフチル−Ｃ1〜Ｃ12アルコキシ基、２−ナフチル−Ｃ1〜Ｃ12アルコキシ基などが例示され、Ｃ1〜Ｃ12アルコキシフェニル−Ｃ1〜Ｃ12アルコキシ基、Ｃ1〜Ｃ12アルキルフェニル−Ｃ1〜Ｃ12アルコキシ基が好ましい。
【０１２２】
アリールアルキルチオ基は、炭素数が通常７〜６０程度、好ましくは７〜４８であり、その具体例としては、フェニル−Ｃ1〜Ｃ12アルキルチオ基、Ｃ1〜Ｃ12アルコキシフェニル−Ｃ1〜Ｃ12アルキルチオ基、Ｃ1〜Ｃ12アルキルフェニル−Ｃ1〜Ｃ12アルキルチオ基、１−ナフチル−Ｃ1〜Ｃ12アルキルチオ基、２−ナフチル−Ｃ1〜Ｃ12アルキルチオ基などが例示され、Ｃ1〜Ｃ12アルコキシフェニル−Ｃ1〜Ｃ12アルキルチオ基、Ｃ1〜Ｃ12アルキルフェニル−Ｃ1〜Ｃ12アルキルチオ基が好ましい。
【０１２３】
アリールアルケニル基は、炭素数が通常７〜６０程度、好ましくは７〜４８であり、その具体例としては、フェニル−Ｃ2〜Ｃ12アルケニル基、Ｃ1〜Ｃ12アルコキシフェニル−Ｃ2〜Ｃ12アルケニル基、Ｃ1〜Ｃ12アルキルフェニル−Ｃ2〜Ｃ12アルケニル基、１−ナフチル−Ｃ2〜Ｃ12アルケニル基、２−ナフチル−Ｃ2〜Ｃ12アルケニル基などが例示され、Ｃ1〜Ｃ12アルコキシフェニル−Ｃ2〜Ｃ12アルケニル基、Ｃ2〜Ｃ12アルキルフェニル−Ｃ1〜Ｃ12アルケニル基が好ましい。
【０１２４】
アリールアルキニル基は、炭素数が通常７〜６０程度、好ましくは７〜４８であり、その具体例としては、フェニル−Ｃ2〜Ｃ12アルキニル基、Ｃ1〜Ｃ12アルコキシフェニル−Ｃ2〜Ｃ12アルキニル基、Ｃ1〜Ｃ12アルキルフェニル−Ｃ2〜Ｃ12アルキニル基、１−ナフチル−Ｃ2〜Ｃ12アルキニル基、２−ナフチル−Ｃ2〜Ｃ12アルキニル基などが例示され、Ｃ1〜Ｃ12アルコキシフェニル−Ｃ2〜Ｃ12アルキニル基、Ｃ1〜Ｃ12アルキルフェニル−Ｃ2〜Ｃ12アルキニル基が好ましい。
【０１２５】
置換アミノ基は、アルキル基、アリール基、アリールアルキル基または１価の複素環基から選ばれる１または２個の基で置換されたアミノ基をいい、該アルキル基、アリール基、アリールアルキル基または１価の複素環基は置換基を有していてもよい。置換アミノ基は、炭素数が該置換基の炭素数を含めないで通常１〜６０程度、好ましくは２〜４８であり、その具体例としては、メチルアミノ基、ジメチルアミノ基、エチルアミノ基、ジエチルアミノ基、プロピルアミノ基、ジプロピルアミノ基、ｉ−プロピルアミノ基、ジイソプロピルアミノ基、ブチルアミノ基、ｉ−ブチルアミノ基、ｔ−ブチルアミノ基、ペンチルアミノ基、ヘキシルアミノ基、シクロヘキシルアミノ基、ヘプチルアミノ基、オクチルアミノ基、２−エチルヘキシルアミノ基、ノニルアミノ基、デシルアミノ基、３，７−ジメチルオクチルアミノ基、ラウリルアミノ基、シクロペンチルアミノ基、ジシクロペンチルアミノ基、シクロヘキシルアミノ基、ジシクロヘキシルアミノ基、ピロリジル基、ピペリジル基、ジフェニルアミノ基、Ｃ1〜Ｃ12アルコキシフェニルアミノ基、ジ（Ｃ1〜Ｃ12アルコキシフェニル）アミノ基、ジ（Ｃ1〜Ｃ12アルキルフェニル）アミノ基、１−ナフチルアミノ基、２−ナフチルアミノ基、ピリジルアミノ基、ピリダジニルアミノ基、ピリミジルアミノ基、ピラジルアミノ基、トリアジルアミノ基フェニル−Ｃ1〜Ｃ12アルキルアミノ基、Ｃ1〜Ｃ12アルコキシフェニル−Ｃ1〜Ｃ12アルキルアミノ基、Ｃ1〜Ｃ12アルキルフェニル−Ｃ1〜Ｃ12アルキルアミノ基、ジ（Ｃ1〜Ｃ12アルコキシフェニル−Ｃ1〜Ｃ12アルキル）アミノ基、ジ（Ｃ1〜Ｃ12アルキルフェニル−Ｃ1〜Ｃ12アルキル）アミノ基、１−ナフチル−Ｃ1〜Ｃ12アルキルアミノ基、２−ナフチル−Ｃ1〜Ｃ12アルキルアミノ基などが例示される。
【０１２６】
置換シリル基としては、アルキル基、アリール基、アリールアルキル基または１価の複素環基から選ばれる１、２または３個の基で置換されたシリル基があげられる。置換シリル基は、炭素数が通常１〜６０程度、好ましくは３〜４８である。なお該アルキル基、アリール基、アリールアルキル基または１価の複素環基は置換基を有していてもよい。
置換シリル基の具体例としては、トリメチルシリル基、トリエチルシリル基、トリプロピルシリル基、トリ−ｉ−プロピルシリル基、ジメチル−ｉ−プロピリシリル基、ジエチル−ｉ−プロピルシリル基、ｔ−ブチルシリルジメチルシリル基、ペンチルジメチルシリル基、ヘキシルジメチルシリル基、ヘプチルジメチルシリル基、オクチルジメチルシリル基、２−エチルヘキシル−ジメチルシリル基、ノニルジメチルシリル基、デシルジメチルシリル基、３，７−ジメチルオクチル−ジメチルシリル基、ラウリルジメチルシリル基、フェニル−Ｃ1〜Ｃ12アルキルシリル基、Ｃ1〜Ｃ12アルコキシフェニル−Ｃ1〜Ｃ12アルキルシリル基、Ｃ1〜Ｃ12アルキルフェニル−Ｃ1〜Ｃ12アルキルシリル基、１−ナフチル−Ｃ1〜Ｃ12アルキルシリル基、２−ナフチル−Ｃ1〜Ｃ12アルキルシリル基、フェニル−Ｃ1〜Ｃ12アルキルジメチルシリル基、トリフェニルシリル基、トリ−ｐ−キシリルシリル基、トリベンジルシリル基、ジフェニルメチルシリル基、ｔ−ブチルジフェニルシリル基、ジメチルフェニルシリル基などが例示される。
【０１２８】
アシル基は、炭素数が通常２〜２０程度、好ましくは２〜１８であり、その具体例としては、アセチル基、プロピオニル基、ブチリル基、イソブチリル基、ピバロイル基、ベンゾイル基などが例示される。
【０１２９】
アシルオキシ基は、炭素数が通常２〜２０程度、好ましくは炭素数２〜１８であり、その具体例としては、アセトキシ基、プロピオニルオキシ基、ブチリルオキシ基、イソブチリルオキシ基、ピバロイルオキシ基、ベンゾイルオキシ基などが例示される。
【０１３０】
イミン残基としては、イミン化合物（分子内に、−Ｎ＝Ｃ-を持つ有機化合物のことをいう。その例として、アルジミン、ケチミン及びこれらのＮ上の水素原子が、アルキル基等で置換された化合物があげられる）から水素原子１個を除いた残基があげられ、通常炭素数２〜２０程度であり、好ましくは炭素数２〜１８である。具体的には、以下の構造式で示される基などが例示される。
0004752192.tif 000093
【０１３１】
アミド基は、炭素数が通常２〜２０程度、好ましくは炭素数２〜１８であり、その具体例としては、ホルムアミド基、アセトアミド基、プロピオアミド基、ブチロアミド基、ベンズアミド基、ジホルムアミド基、ジアセトアミド基、ジプロピオアミド基、ジブチロアミド基、ジベンズアミド基などが例示される。
【０１３２】
酸イミド基としては、酸イミドからその窒素原子に結合した水素原子を除いて得られる残基があげられ、通常炭素数２〜６０程度、好ましくは２〜４８である。具体的には以下に示す基が例示される。
0004752192.tif 000094
【０１３３】
１価の複素環基とは、複素環化合物から水素原子１個を除いた残りの原子団をいい、炭素数は通常４〜６０程度、好ましくは４〜２０である。なお、複素環基の炭素数には、置換基の炭素数は含まれない。ここに複素環化合物とは、環式構造をもつ有機化合物のうち、環を構成する元素が炭素原子だけでなく、酸素、硫黄、窒素、燐、硼素などのヘテロ原子を環内に含むものをいう。具体的には、チエニル基、Ｃ1〜Ｃ12アルキルチエニル基、ピロリル基、フリル基、ピリジル基、Ｃ1〜Ｃ12アルキルピリジル基、ピペリジル基、キノリル基、イソキノリル基などが例示され、チエニル基、Ｃ1〜Ｃ12アルキルチエニル基、ピリジル基、Ｃ1〜Ｃ12アルキルピリジル基が好ましい。
【０１３４】
置換カルボキシル基としては、アルキル基、アリール基、アリールアルキル基または１価の複素環基で置換されたカルボキシル基があげられ、炭素数が通常２〜６０程度、好ましくは２〜４８であり、その具体例としては、メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基、プロポキシカルボニル基、ｉ−プロポキシカルボニル基、ブトキシカルボニル基、ｉ−ブトキシカルボニル基、ｔ−ブトキシカルボニル基、ペンチルオキシカルボニル基、ヘキシロキシカルボニル基、シクロヘキシロキシカルボニル基、ヘプチルオキシカルボニル基、オクチルオキシカルボニル基、２−エチルヘキシロキシカルボニル基、ノニルオキシカルボニル基、デシロキシカルボニル基、３，７−ジメチルオクチルオキシカルボニル基、ドデシルオキシカルボニル基、フェノキシカルボニル基、ナフトキシカルボニル基、ピリジルオキシカルボニル基、などが挙げられる。なお該アルキル基、アリール基、アリールアルキル基または１価の複素環基は置換基を有していてもよい。置換カルボキシル基の炭素数には該置換基の炭素数は含まれない。
【０１３５】
上記のうち、アルキルを含む基においては、それらは直鎖、分岐または環状のいずれかまたはそれらの組み合わせであってもよく、直鎖でない場合、例えば、イソアミル基、２−エチルヘキシル基、３，７−ジメチルオクチル基、シクロヘキシル基、４−Ｃ1〜Ｃ12アルキルシクロヘキシル基などが例示される。また、２つのアルキル鎖の先端が連結されて環を形成していても良い。さらに、アルキルの一部のメチル基やメチレン基がヘテロ原子を含む基で置き換えられていてもよく、それらのヘテロ原子としては、酸素原子、硫黄原子、窒素原子などが例示される。
さらに、置換基の例のうち、アリール基や複素環基をその一部に含む場合は、それらがさらに１つ以上の置換基を有していてもよい。
【０１３６】
有機溶媒への溶解性を高めるためには、Ａｒ1、Ａｒ2、Ａｒ3およびＡｒ4は置換基を有することが好ましく１つ以上に環状または長鎖のあるアルキル基、アルコキシ基が含まれることが好ましく、シクロペンチル基、シクロへキシル基、ペンチル基、イソアミル基、ヘキシル基、オクチル基、２−エチルヘキシル基、デシル基、３，７−ジメチルオクチル基、ペンチルオキシ基、イソアミルオキシ基、ヘキシルオキシ基、オクチルオキシ基、２−エチルヘキシルオキシ基、デシルオキシ基、３，７−ジメチルオクチルオキシ基が例示される。
【０１３７】
また、２つの置換基が連結されて環を形成していても良い。さらに、アルキルの一部の炭素原子がヘテロ原子を含む基で置き換えられていてもよく、それらのヘテロ原子としては、酸素原子、硫黄原子、窒素原子などが例示される。
【０１３８】
本発明に用いる高分子化合物の末端基は、重合活性基がそのまま残っていると、素子にしたときの発光特性や寿命が低下する可能性があるので、安定な基で保護されていても良い。主鎖の共役構造と連続した共役結合を有しているものが好ましく、例えば、炭素―炭素結合を介してアリール基または複素環基と結合している構造が例示される。具体的には、特開平９−４５４７８号公報の化１０に記載の置換基等が例示される。
【０１３９】
また、本発明に用いる高分子化合物は、ランダム、ブロックまたはグラフト共重合体であってもよいし、それらの中間的な構造を有する高分子、例えばブロック性を帯びたランダム共重合体であってもよい。量子収率の高い高分子化合物を得る観点からは完全なランダム共重合体よりブロック性を帯びたランダム共重合体やブロックまたはグラフト共重合体が好ましい。主鎖に枝分かれがあり、末端部が３つ以上ある場合やデンドリマーも含まれる。
【０１４０】
本発明に用いる高分子化合物は、ポリスチレン換算の数平均分子量が１０３〜１０８であることが好ましい。より好ましくは１０４〜１０７である。
【０１４１】
次に本発明の組成物に用いる高分子化合物の製造方法について説明する。
本発明の組成物に用いる高分子化合物は、具体的には、モノマーとなる、反応性置換基を複数有する化合物を、必要に応じ、有機溶媒に溶解し、例えばアルカリや適当な触媒を用い、有機溶媒の融点以上沸点以下で製造することができる。例えば、“オルガニック  リアクションズ（Ｏｒｇａｎｉｃ  Ｒｅａｃｔｉｏｎｓ）”，第１４巻，２７０−４９０頁，ジョンワイリー  アンド  サンズ（Ｊｏｈｎ  Ｗｉｌｅｙ＆Ｓｏｎｓ，Ｉｎｃ．），１９６５年、  “オルガニック  シンセシス（Ｏｒｇａｎｉｃ  Ｓｙｎｔｈｅｓｅｓ）”，コレクティブ第６巻（Ｃｏｌｌｅｃｔｉｖｅ  Ｖｏｌｕｍｅ  ＶＩ），４０７−４１１頁，ジョンワイリー  アンド  サンズ（Ｊｏｈｎ  Ｗｉｌｅｙ＆Ｓｏｎｓ，Ｉｎｃ．），１９８８年、ケミカル  レビュー（Ｃｈｅｍ．Ｒｅｖ．），第９５巻，２４５７頁（１９９５年）、ジャーナル  オブ  オルガノメタリック  ケミストリー（Ｊ．Ｏｒｇａｎｏｍｅｔ．Ｃｈｅｍ．），第５７６巻，１４７頁（１９９９年）、マクロモレキュラー  ケミストリー  マクロモレキュラー  シンポジウム（Ｍａｋｒｏｍｏｌ．Ｃｈｅｍ．，Ｍａｃｒｏｍｏｌ．Ｓｙｍｐ．），第１２巻，２２９頁（１９８７年）などに記載の公知の方法を用いることができる。
【０１４２】
本発明の組成物に用いる高分子化合物の製造方法において、縮合重合させる方法としては、既知の縮合反応を用いることにより製造できる。縮合重合において、二重結合を生成する場合は、例えば特開平５−２０２３５５号公報に記載の方法が挙げられる。すなわち、ホルミル基を有する化合物とホスホニウムメチル基を有する化合物との、もしくはホルミル基とホスホニウムメチル基とを有する化合物のＷｉｔｔｉｇ反応による重合、ビニル基を有する化合物とハロゲン原子を有する化合物とのＨｅｃｋ反応による重合、モノハロゲン化メチル基を２つあるいは２つ以上有する化合物の脱ハロゲン化水素法による重縮合、スルホニウムメチル基を２つあるいは２つ以上有する化合物のスルホニウム塩分解法による重縮合、ホルミル基を有する化合物とシアノ基を有する化合物とのＫｎｏｅｖｅｎａｇｅｌ反応による重合などの方法、ホルミル基を２つあるいは２つ以上有する化合物のＭｃＭｕｒｒｙ反応による重合などの方法が例示される。
本発明の高分子化合物が縮合重合によって主鎖に三重結合を生成する場合には、例えば、Ｈｅｃｋ反応が利用できる。
【０１４３】
また、二重結合や三重結合を生成しない場合には、例えば該当するモノマーからＳｕｚｕｋｉカップリング反応により重合する方法、Ｇｒｉｇｎａｒｄ反応により重合する方法、Ｎｉ（０）錯体により重合する方法、ＦｅＣｌ3等の酸化剤により重合する方法、電気化学的に酸化重合する方法、あるいは適当な脱離基を有する中間体高分子の分解による方法などが例示される。
【０１４４】
これらのうち、Ｗｉｔｔｉｇ反応による重合、Ｈｅｃｋ反応による重合、Ｋｎｏｅｖｅｎａｇｅｌ反応による重合、およびＳｕｚｕｋｉカップリング反応により重合する方法、Ｇｒｉｇｎａｒｄ反応により重合する方法、ニッケルゼロ価錯体により重合する方法が、構造制御がしやすいので好ましい。
【０１４５】
本発明に用いる高分子化合物の原料モノマーが有する反応性置換基が、ハロゲン原子、アルキルスルホネート基、アリールスルホネート基またはアリールアルキルスルホネート基である場合は、ニッケルゼロ価錯体存在下で縮合重合する製造方法が好ましい。
原料化合物としては、ジハロゲン化化合物、ビス（アルキルスルホネート）化合物、ビス（アリールスルホネート）化合物、ビス（アリールアルキルスルホネート）化合物あるいはハロゲン−アルキルスルホネート化合物、ハロゲン−アリールスルホネート化合物、ハロゲン−アリールアルキルスルホネート化合物、アルキルスルホネート−アリールスルホネート化合物、アルキルスルホネート−アリールアルキルスルホネート化合物、アリールスルホネート−アリールアルキルスルホネート化合物が挙げられる。
【０１４６】
また、本発明に用いる高分子化合物の原料モノマーが有する反応性置換基が、ハロゲン原子、アルキルスルホネート基、アリールスルホネート基、アリールアルキルスルホネート基、ホウ酸基、またはホウ酸エステル基である場合は、ハロゲン原子、アルキルスルホネート基、アリールスルホネート基およびアリールアルキルスルホネート基のモル数の合計と、ホウ酸基およびホウ酸エステル基のモル数の合計の比が実質的に１（通常０．７〜１．２の範囲）であり、ニッケル触媒またはパラジウム触媒を用いて縮合重合する製造方法が好ましい。
具体的な原料化合物の組み合わせとしては、ジハロゲン化化合物、ビス（アルキルスルホネート）化合物、ビス（アリールスルホネート）化合物またはビス（アリールアルキルスルホネート）化合物とジホウ酸化合物またはジホウ酸エステル化合物との組み合わせが挙げられる。
また、ハロゲン−ホウ酸化合物、ハロゲン−ホウ酸エステル化合物、アルキルスルホネート−ホウ酸化合物、アルキルスルホネート−ホウ酸エステル化合物、アリールスルホネート−ホウ酸化合物、アリールスルホネート−ホウ酸エステル化合物、アリールアルキルスルホネート−ホウ酸化合物、アリールアルキルスルホネート−ホウ酸化合物、アリールアルキルスルホネート−ホウ酸エステル化合物挙げられる。
【０１４７】
有機溶媒としては、用いる化合物や反応によっても異なるが、一般に副反応を抑制するために、用いる溶媒は十分に脱酸素処理を施し、不活性雰囲気化で反応を進行させることが好ましい。また、同様に脱水処理を行うことが好ましい。但し、Ｓｕｚｕｋｉカップリング反応のような水との２相系での反応の場合にはその限りではない。
【０１４８】
反応させるために適宜アルカリや適当な触媒を添加する。これらは用いる反応に応じて選択すればよい。該アルカリまたは触媒は、反応に用いる溶媒に十分に溶解するものが好ましい。アルカリまたは触媒を混合する方法としては、反応液をアルゴンや窒素などの不活性雰囲気下で攪拌しながらゆっくりとアルカリまたは触媒の溶液を添加するか、逆にアルカリまたは触媒の溶液に反応液をゆっくりと添加する方法が例示される。
【０１４９】
本発明に用いる高分子化合物を高分子ＬＥＤ等に用いる場合、その純度が発光特性等の素子の性能に影響を与えるため、重合前のモノマーを蒸留、昇華精製、再結晶等の方法で精製したのちに重合することが好ましい。また重合後、再沈精製、クロマトグラフィーによる分別等の純化処理をすることが好ましい。
【０１５０】
次に、本発明の組成物に用いる三重項励起状態からの発光を示す化合物（三重項発光化合物）について説明する。ここに三重項励起状態からの発光を示す化合物としては、例えば、燐光発光や、この燐光発光に加えて蛍光発光が観測される錯体も含まれる。
【０１５１】
三重項発光化合物のなかで、錯体化合物としては（三重項発光錯体化合物）、例えば、従来から低分子系のEL発光性材料として利用されてきた金属錯体化合物があげられる。これらは、例えば、Nature, (1998), 395, 151、Appl. Phys. Lett. (1999), 75(1), 4、Proc. SPIE-Int. Soc. Opt. Eng. (2001), 4105(Organic Light-Emitting Materials and DevicesＩＶ), 119、J. Am. Chem. Soc., (2001), 123, 4304、Appl. Phys. Lett., (1997), 71(18), 2596、Syn. Met., (1998), 94(1), 103、Syn. Met., (1999), 99(2), 1361、Adv. Mater., (1999), 11(10), 852等に開示されている。
【０１５２】
三重項発光錯体化合物の中心金属としては、通常、原子番号５０以上の原子で、該錯体にスピン−軌道相互作用があり、一重項状態と三重項状態間の項間交差を起こしうる金属である。
【０１５３】
三重項発光錯体化合物の中心金属としては、例えば、レニウム、イリジウム、オスミウム、スカンジウム、イットリウム、白金、金、およびランタノイド類のユーロピウム、テルビウム、ツリウム、ディスプロシウム、サマリウム、プラセオジウム、ガドリニウムなどが挙げられ、イリジウム、白金、金、ユーロピウムが好ましく、イリジウム、白金、金が特に好ましく、イリジウムが最も好ましい。
【０１５４】
三重項発光錯体化合物の配位子としては、例えば、８−キノリノールおよびその誘導体、ベンゾキノリノールおよびその誘導体、２−フェニル−ピリジンおよびその誘導体、２−フェニル−ベンゾチアゾールおよびその誘導体、２−フェニル−ベンゾオキサゾールおよびその誘導体、ポルフィリンおよびその誘導体などが挙げられる。
三重項発光錯体化合物としては、例えば、以下のものがあげられる。
【０１５５】
0004752192.tif 000095
【０１５６】
0004752192.tif 000096
【０１５７】
ここで、Ｒは、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アルキルシリル基、アルキルアミノ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、アリールアミノ基、１価の複素環基、およびシアノ基からなる群から選ばれる基を示す。溶媒への溶解性を高めるためには、アルキル基、アルコキシ基が好ましく、また置換基を含めた繰り返し単位の形状の対称性が少ないことが好ましい。
【０１５８】
三重項発光錯体化合物として、さらに詳しく例を挙げると、下記式（１５）で示される構造が挙げられる。
（Ｈ）o1−Ｍ−（Ｋ）ｍ1    （１５）
【０１５９】
式中、Ｋは、窒素原子、酸素原子、炭素原子、硫黄原子および燐原子から選ばれる１つ以上のＭと結合する原子を含む配位子、ハロゲン原子または水素原子を表す。またｏ1は０〜５の整数、ｍ1は１〜５の整数を表す。
【０１６０】
ここに、窒素原子、酸素原子、炭素原子、硫黄原子および燐原子から選ばれる１つ以上のＭと結合する原子を含む配位子としては、アルキル基、アルコキシ基、アシルオキシ基、アルキルチオ基、アルキルアミノ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアミノ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アリールアルキルアミノ基、スルホネート基、シアノ基、複素環配位子、カルボニル化合物、エーテル、アミン、イミン、ホスフィン、亜リン酸エステル、およびスルフィドが挙げられる。この配位子のＭとの結合は、配位結合でも、共有結合でもよい。また、これらを組合わせた多座配位子であってもよい。
【０１６１】
アルキル基は、直鎖、分岐または環状のいずれでもよく、置換基を有していてもよい。炭素数が通常１〜２０程度であり、具体的には、メチル基、エチル基、プロピル基、ｉ−プロピル基、ブチル基、  ｉ−ブチル基、ｔ−ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、シクロヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、２−エチルヘキシル基、ノニル基、デシル基、３，７−ジメチルオクチル基、ラウリル基、トリフルオロメチル基、ペンタフルオロエチル基、パーフルオロブチル基、パーフルオロヘキシル基、パーフルオロオクチル基などが挙げられ、ペンチル基、ヘキシル基、オクチル基、２−エチルヘキシル基、デシル基、３，７−ジメチルオクチル基が好ましい。
【０１６２】
アルコキシ基は、直鎖、分岐または環状のいずれでもよく、置換基を有していてもよく炭素数が通常１〜２０程度であり、具体的には、メトキシ基、エトキシ基、プロピルオキシ基、ｉ−プロピルオキシ基、ブトキシ基、  ｉ−ブトキシ基、ｔ−ブトキシ基、ペンチルオキシ基、ヘキシルオキシ基、シクロヘキシルオキシ基、ヘプチルオキシ基、オクチルオキシ基、２−エチルヘキシルオキシ基、ノニルオキシ基、デシルオキシ基、３，７−ジメチルオクチルオキシ基、ラウリルオキシ基、トリフルオロメトキシ基、ペンタフルオロエトキシ基、パーフルオロブトキシ基、パーフルオロヘキシル基、パーフルオロオクチル基、メトキシメチルオキシ基、２−メトキシエチルオキシ基などが挙げられ、ペンチルオキシ基、ヘキシルオキシ基、オクチルオキシ基、２−エチルヘキシルオキシ基、デシルオキシ基、３，７−ジメチルオクチルオキシ基が好ましい。
【０１６３】
アシルオキシ基は、炭素数が通常２〜２０程度でありその具体例としては、アセチルオキシ基、トリフルオロアセチルオキシ基、プロピオニルオキシ基、ベンゾイルオキシ基が例示される。スルホンオキシ基としては、ベンゼンスルホンオキシ基、ｐ−トルエンスルホンオキシ基、メタンスルホンオキシ基、エタンスルホンオキシ基、トリフルオロメタンスルホンオキシ基が例示される。
【０１６４】
アルキルチオ基は、直鎖、分岐または環状のいずれでもよく、置換基を有していてもよく、炭素数が通常１〜２０程度であり、その具体例としては、メチルチオ基、エチルチオ基、プロピルチオ基、  ｉ−プロピルチオ基、ブチルチオ基、  ｉ−ブチルチオ基、ｔ−ブチルチオ基、ペンチルチオ基、ヘキシルチオ基、シクロヘキシルチオ基、ヘプチルチオ基、オクチルチオ基、２−エチルヘキシルチオ基、ノニルチオ基、デシルチオ基、３，７−ジメチルオクチルチオ基、ラウリルチオ基、トリフルオロメチルチオ基などが挙げられ、ペンチルチオ基、ヘキシルチオ基、オクチルチオ基、２−エチルヘキシルチオ基、デシルチオ基、３，７−ジメチルオクチルチオ基が好ましい。
【０１６５】
アルキルアミノ基は、直鎖、分岐または環状のいずれでもよく、モノアルキルアミノ基でもジアルキルアミノ基でもよく、炭素数が通常１〜４０程度であり、その具体例としては、メチルアミノ基、ジメチルアミノ基、エチルアミノ基、ジエチルアミノ基、プロピルアミノ基、ジプロピルアミノ基、ｉ−プロピルアミノ基、ジイソプロピルアミノ基、ブチルアミノ基、ｉ−ブチルアミノ基、ｔ−ブチルアミノ基、ペンチルアミノ基、ヘキシルアミノ基、シクロヘキシルアミノ基、ヘプチルアミノ基、オクチルアミノ基、２−エチルヘキシルアミノ基、ノニルアミノ基、デシルアミノ基、３，７−ジメチルオクチルアミノ基、ラウリルアミノ基、シクロペンチルアミノ基、ジシクロペンチルアミノ基、シクロヘキシルアミノ基、ジシクロヘキシルアミノ基、ピロリジル基、ピペリジル基、ジトリフルオロメチルアミノ基などが挙げられ、ペンチルアミノ基、ヘキシルアミノ基、オクチルアミノ基、２−エチルヘキシルアミノ基、デシルアミノ基、３，７−ジメチルオクチルアミノ基が好ましい。
【０１６６】
アリール基は、置換基を有していてもよく、炭素数が通常３〜６０程度であり、その具体例としては、フェニル基、Ｃ１〜Ｃ１２アルコキシフェニル基（Ｃ１〜Ｃ１２は、炭素数１〜１２であることを示す。以下も同様である。）、Ｃ１〜Ｃ１２アルキルフェニル基、１−ナフチル基、２−ナフチル基、ペンタフルオロフェニル基、ピリジル基、ピリダジニル基、ピリミジル基、ピラジル基、トリアジル基などが例示され、Ｃ１〜Ｃ１２アルコキシフェニル基、Ｃ１〜Ｃ１２アルキルフェニル基が好ましい。
【０１６７】
アリールオキシ基は、芳香環上に置換基を有していてもよく、炭素数が通常３〜６０程度であり、その具体例としては、フェノキシ基、Ｃ１〜Ｃ１２アルコキシフェノキシ基、Ｃ１〜Ｃ１２アルキルフェノキシ基、１−ナフチルオキシ基、２−ナフチルオキシ基、ペンタフルオロフェニルオキシ基、ピリジルオキシ基、ピリダジニルオキシ基、ピリミジルオキシ基、ピラジルオキシ基、トリアジルオキシ基などが例示され、Ｃ１〜Ｃ１２アルコキシフェノキシ基、Ｃ１〜Ｃ１２アルキルフェノキシ基が好ましい。
【０１６８】
アリールチオ基は、芳香環上に置換基を有していてもよく、炭素数が通常３〜６０程度であり、その具体例としては、フェニルチオ基、Ｃ１〜Ｃ１２アルコキシフェニルチオ基、Ｃ１〜Ｃ１２アルキルフェニルチオ基、１−ナフチルチオ基、２−ナフチルチオ基、ペンタフルオロフェニルチオ基、ピリジルチオ基、ピリダジニルチオ基、ピリミジルチオ基、ピラジルチオ基、トリアジルチオ基などが例示され、Ｃ１〜Ｃ１２アルコキシフェニルチオ基、Ｃ１〜Ｃ１２アルキルフェニルチオ基が好ましい。
【０１６９】
アリールアミノ基は、芳香環上に置換基を有していてもよく、炭素数が通常３〜６０程度であり、その具体例としては、フェニルアミノ基、ジフェニルアミノ基、Ｃ1〜Ｃ12アルコキシフェニルアミノ基、ジ（Ｃ1〜Ｃ12アルコキシフェニル）アミノ基、ジ（Ｃ1〜Ｃ12アルキルフェニル）アミノ基、１−ナフチルアミノ基、２−ナフチルアミノ基、ペンタフルオロフェニルアミノ基、ピリジルアミノ基、ピリダジニルアミノ基、ピリミジルアミノ基、ピラジルアミノ基、トリアジルアミノ基などが例示され、Ｃ1〜Ｃ12アルキルフェニルアミノ基、ジ（Ｃ1〜Ｃ12アルキルフェニル）アミノ基が好ましい。
【０１７０】
アリールアルキル基は、置換基を有していてもよく、炭素数が通常７〜６０程度であり、その具体例としては、フェニル−Ｃ１〜Ｃ１２アルキル基、Ｃ１〜Ｃ１２アルコキシフェニル−Ｃ１〜Ｃ１２アルキル基、Ｃ１〜Ｃ１２アルキルフェニル−Ｃ１〜Ｃ１２アルキル基、１−ナフチル−Ｃ１〜Ｃ１２アルキル基、２−ナフチル−Ｃ１〜Ｃ１２アルキル基などが例示され、Ｃ１〜Ｃ１２アルコキシフェニル−Ｃ１〜Ｃ１２アルキル基、Ｃ１〜Ｃ１２アルキルフェニル−Ｃ１〜Ｃ１２アルキル基が好ましい。
【０１７１】
アリールアルコキシ基は、置換基を有していてもよく、炭素数が通常７〜６０程度であり、その具体例としては、フェニル−Ｃ１〜Ｃ１２アルコキシ基、Ｃ１〜Ｃ１２アルコキシフェニル−Ｃ１〜Ｃ１２アルコキシ基、Ｃ１〜Ｃ１２アルキルフェニル−Ｃ１〜Ｃ１２アルコキシ基、１−ナフチル−Ｃ１〜Ｃ１２アルコキシ基、２−ナフチル−Ｃ１〜Ｃ１２アルコキシ基などが例示され、Ｃ１〜Ｃ１２アルコキシフェニル−Ｃ１〜Ｃ１２アルコキシ基、Ｃ１〜Ｃ１２アルキルフェニル−Ｃ１〜Ｃ１２アルコキシ基が好ましい。
【０１７２】
アリールアルキルチオ基は、置換基を有していてもよく、炭素数が通常７〜６０程度であり、その具体例としては、フェニル−Ｃ１〜Ｃ１２アルコキシ基、Ｃ１〜Ｃ１２アルコキシフェニル−Ｃ１〜Ｃ１２アルコキシ基、Ｃ１〜Ｃ１２アルキルフェニル−Ｃ１〜Ｃ１２アルコキシ基、１−ナフチル−Ｃ１〜Ｃ１２アルコキシ基、２−ナフチル−Ｃ１〜Ｃ１２アルコキシ基などが例示され、Ｃ１〜Ｃ１２アルコキシフェニル−Ｃ１〜Ｃ１２アルコキシ基、Ｃ１〜Ｃ１２アルキルフェニル−Ｃ１〜Ｃ１２アルコキシ基が好ましい。
【０１７３】
アリールアルキルアミノ基は、炭素数が通常７〜６０程度であり、その具体例としては、フェニル−Ｃ1〜Ｃ12アルキルアミノ基、Ｃ1〜Ｃ12アルコキシフェニル−Ｃ1〜Ｃ12アルキルアミノ基、Ｃ1〜Ｃ12アルキルフェニル−Ｃ1〜Ｃ12アルキルアミノ基、ジ（Ｃ1〜Ｃ12アルコキシフェニル−Ｃ1〜Ｃ12アルキル）アミノ基、ジ（Ｃ1〜Ｃ12アルキルフェニル−Ｃ1〜Ｃ12アルキル）アミノ基、１−ナフチル−Ｃ1〜Ｃ12アルキルアミノ基、２−ナフチル−Ｃ1〜Ｃ12アルキルアミノ基などが例示され、などが例示され、Ｃ1〜Ｃ12アルキルフェニル−Ｃ1〜Ｃ12アルキルアミノ基、ジ（Ｃ1〜Ｃ12アルキルフェニル−Ｃ1〜Ｃ12アルキル）アミノ基が好ましい。
【０１７４】
スルホネート基としては、ベンゼンスルホネート基、ｐ−トルエンスルホネート基、メタンスルホネート基、エタンスルホネート基、トリフルオロメタンスルホネート基が例示される。
【０１７５】
複素環配位子としては、ピリジン環、ピロール環、チオフェン環、オキサゾール、フラン環などの複素環類やベンゼン環が結合して構成された配位子で、具体的にはフェニルピリジン、２-(パラフェニルフェニル)ピリジン、７−ブロモベンゾ[ｈ]キノリン、２−(４−チオフェン−２−イル)ピリジン、２−(４−フェニルチオフェン−２−イル)ピリジン、２−フェニルベンゾオキサゾール、２-(パラフェニルフェニル)ベンゾオキサゾール、２−フェニルベンゾチアゾール、２−(パラフェニルフェニル)ベンゾチアゾール、２−(ベンゾチオフェン−２−イル)ピリジン、１,１０−フェナントロリン、2,3,７,8,12,13,17,18-オクタエチル-21H,23H-ポルフィリンなどが例示され、配位結合であっても、共有結合であってもよい。
【０１７６】
カルボニル化合物としては、酸素原子でＭと配位結合するものであり、例えば一酸化炭素やアセトン、ベンゾフェノンなどのケトン類、アセチルアセトン、アセナフトキノンなどのジケトン類が例示される。
【０１７７】
エーテルとしては酸素原子でＭと配位結合するものであり、例えばジメチルエーテル、ジエチルエーテル、テトラヒドロフラン、１，２−ジメトキシエタンなどが例示される。
【０１７８】
アミンとしては、窒素原子でＭと配位結合するものであり、例えばトリメチルアミン、トリエチルアミン、トリブチルアミン、トリベンジルアミン、トリフェニルアミン、ジメチルフェニルアミン、メチルジフェニルアミンなどのモノアミン、１，１，２，２−テトラメチルエチレンジアミン、１，１，２，２−テトラフェニルエチレンジアミン、１，１，２，２−テトラメチル−ｏ−フェニレンジアミンなどのジアミンが例示される。
【０１７９】
イミンとしては、窒素原子でＭと配位結合するものであり、例えばベンジリデンアニリン、ベンジリデンベンジルアミン、ベンジリデンメチルアミンなどのモノイミン、ジベンジリデンエチレンジアミン、ジベンジリデン−ｏ−フェニレンジアミン、２，３−ビス（アニリノ）ブタンなどのジイミンが例示される。
【０１８０】
ホスフィンとしては、リン原子でＭと配位結合するものであり、例えばトリフェニルホスフィン、ジフェニルホスフィノエタン、ジフェニルホスフィノプロパンが例示される。ホスファイトとしては、リン原子でＭと配位結合するものであり、例えばトリメチルホスファイト、トリエチルホスフェイント、トリフェニルフォスファイトが例示される。
【０１８１】
スルフィドとしては、硫黄原子でＭと配位結合するものであり、例えばジメチルスルフィド、ジエチルスルフィド、ジフェニルスルフィド、チオアニソールが例示される。
【０１８２】
Ｍは、原子番号５０以上で、スピン−軌道相互作用により本化合物において一重項状態と三重項状態間の項間交差を起こしうる金属原子を表す。
【０１８３】
アルキル基、アルコキシ基、アシルオキシ基、アルキルチオ基、アルキルアミノ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアミノ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アリールアルキルアミノ基、スルホネート基、シアノ基、複素環配位子、カルボニル化合物、エーテル、アミン、イミン、ホスフィン、亜リン酸エステル、およびスルフィドを組合わせた多座配位子としては、アセチルアセトナート、ジベンゾメチラート、テノイルトリフルオロアセトナートなどのアセトナート類などが例示される。
【０１８４】
Ｍで示される原子としては、レニウム原子、オスミウム原子、イリジウム原子、白金原子、金原子、ランタン原子、セリウム原子、プラセオジム原子、ネオジム原子、プロメチウム原子、サマリウム原子、ユーロピウム原子、ガドリニウム原子、テルビウム原子、ジスプロシウム原子などが例示され、好ましくはレニウム原子、オスミウム原子、イリジウム原子、白金原子、金原子、サマリウム原子、ユーロピウム原子、ガドリニウム原子、テルビウム原子、ジスプロシウム原子であり、発光効率の点でより好ましくはイリジウム原子、白金原子、金原子、ユーロピウム原子である。
【０１８５】
ＨはＭと結合する原子として、窒素原子、酸素原子、炭素原子、硫黄原子および燐原子から選ばれる１つ以上の原子を含む配位子を表す。
Ｍと結合する原子として、窒素原子、酸素原子、炭素原子、硫黄原子および燐原子から選ばれる１つ以上の原子を含む配位子はＫについて例示のものと同じである。
【０１８６】
Ｈとしては、以下のものが例示される。式中、＊はＭと結合する原子を表す。
0004752192.tif 000097
【０１８７】
0004752192.tif 000098
【０１８８】
ここに、Ｒは、それぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アルキルアミノ基、アルキルシリル基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアミノ基、アリールシリル基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アリールアルキルアミノ基、アリールアルキルシリル基、アシル基、アシルオキシ基、イミン残基、アミド基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、シアノ基、または１価の複素環基を示す。Ｒは互いに結合して環を形成してもよい。溶媒への溶解性を高めるために、Ｒの少なくとも１つが長鎖のアルキル基を含むことが好ましい。
【０１８９】
ここに、アルキル基、アルコキシ基、アシルオキシ基、アルキルチオ基、アルキルアミノ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアミノ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アリールアルキルアミノ基の具体例は上記Ｙと同じである。
【０１９０】
ハロゲン原子としては、フッ素、塩素、臭素、よう素が例示される。
【０１９１】
アルキルシリル基は、直鎖、分岐または環状のいずれでもよく、炭素数は通常１〜６０程度であり、具体的には、トリメチルシリル基、トリエチルシリル基、トリプロピルシリル基、トリ−ｉ−プロピルシリル基、ジメチル−ｉ−プロピリシリル基、ジエチル−ｉ−プロピルシリル基、ｔ−ブチルシリルジメチルシリル基、ペンチルジメチルシリル基、ヘキシルジメチルシリル基、ヘプチルジメチルシリル基、オクチルジメチルシリル基、２−エチルヘキシル−ジメチルシリル基、ノニルジメチルシリル基、デシルジメチルシリル基、３，７−ジメチルオクチル−ジメチルシリル基、ラウリルジメチルシリル基などが挙げられ、ペンチルジメチルシリル基、ヘキシルジメチルシリル基、オクチルジメチルシリル基、２−エチルヘキシル−ジメチルシリル基、デシルジメチルシリル基、３，７−ジメチルオクチルジメチルシリル基が好ましい。
【０１９２】
アリールシリル基としては、芳香環上に置換基を有していてもよく、炭素数は通常３〜６０程度であり、トリフェニルシリル基、トリ−ｐ−キシリルシリル基、トリベンジルシリル基、ジフェニルメチルシリル基、ｔ−ブチルジフェニルシリル基、ジメチルフェニルシリル基などが例示される。
【０１９３】
アリールアルキルシリル基は、炭素数は通常７〜６０程度であり、具体的には、フェニル−Ｃ1〜Ｃ12アルキルシリル基、Ｃ1〜Ｃ12アルコキシフェニル−Ｃ1〜Ｃ12アルキルシリル基、Ｃ1〜Ｃ12アルキルフェニル−Ｃ1〜Ｃ12アルキルシリル基、１−ナフチル−Ｃ1〜Ｃ12アルキルシリル基、２−ナフチル−Ｃ1〜Ｃ12アルキルシリル基、フェニル−Ｃ1〜Ｃ12アルキルジメチルシリル基などが例示され、Ｃ1〜Ｃ12アルコキシフェニル−Ｃ1〜Ｃ12アルキルシリル基、Ｃ1〜Ｃ12アルキルフェニル−Ｃ1〜Ｃ12アルキルシリル基が好ましい。
【０１９４】
アシル基は、炭素数は通常２〜２０程度であり、具体的には、アセチル基、プロピオニル基、ブチリル基、イソブチリル基、ピバロイル基、ベンゾイル基、トリフルオロアセチル基、ペンタフルオロベンゾイル基などが例示される。
【０１９５】
アシルオキシ基は、炭素数は通常２〜２０程度であり、具体的には、アセトキシ基、プロピオニルオキシ基、ブチリルオキシ基、イソブチリルオキシ基、ピバロイルオキシ基、ベンゾイルオキシ基、トリフルオロアセチルオキシ基、ペンタフルオロベンゾイルオキシ基などが例示される。
【０１９６】
イミン残基の定義、具体例は前記のとおりである。
【０１９７】
アミド基は、炭素数は通常２〜２０程度であり、具体的には、ホルムアミド基、アセトアミド基、プロピオアミド基、ブチロアミド基、ベンズアミド基、トリフルオロアセトアミド基、ペンタフルオロベンズアミド基、ジホルムアミド基、ジアセトアミド基、ジプロピオアミド基、ジブチロアミド基、ジベンズアミド基、ジトリフルオロアセトアミド基、ジペンタフルオロベンズアミド基、スクシンイミド基、フタル酸イミド基などが例示される。
【０１９８】
アリールアルケニル基としては、炭素数は通常７〜６０程度であり、具体的には、フェニル−Ｃ１〜Ｃ１２アルケニル基、Ｃ１〜Ｃ１２アルコキシフェニル−Ｃ１〜Ｃ１２アルケニル基、Ｃ１〜Ｃ１２アルキルフェニル−Ｃ１〜Ｃ１２アルケニル基、１−ナフチル−Ｃ１〜Ｃ１２アルケニル基、２−ナフチル−Ｃ１〜Ｃ１２アルケニル基などが例示され、Ｃ１〜Ｃ１２アルコキシフェニル−Ｃ１〜Ｃ１２アルケニル基、Ｃ１〜Ｃ１２アルキルフェニル−Ｃ１〜Ｃ１２アルケニル基が好ましい。
【０１９９】
アリールアルキニル基としては、炭素数は通常７〜６０程度であり、具体的には、フェニル−Ｃ１〜Ｃ１２アルキニル基、Ｃ１〜Ｃ１２アルコキシフェニル−Ｃ１〜Ｃ１２アルキニル基、Ｃ１〜Ｃ１２アルキルフェニル−Ｃ１〜Ｃ１２アルキニル基、１−ナフチル−Ｃ１〜Ｃ１２アルキニル基、２−ナフチル−Ｃ１〜Ｃ１２アルキニル基などが例示され、Ｃ１〜Ｃ１２アルコキシフェニル−Ｃ１〜Ｃ１２アルキニル基、Ｃ１〜Ｃ１２アルキルフェニル−Ｃ１〜Ｃ１２アルキニル基が好ましい。
【０２００】
1価の複素環基とは、複素環化合物から水素原子１個を除いた残りの原子団をいい、炭素数は通常４〜６０程度であり、具体的には、チエニル基、Ｃ１〜Ｃ１２アルキルチエニル基、ピロリル基、フリル基、ピリジル基、Ｃ１〜Ｃ１２アルキルピリジル基などが例示され、チエニル基、Ｃ１〜Ｃ１２アルキルチエニル基、ピリジル基、Ｃ１〜Ｃ１２アルキルピリジル基が好ましい。
【０２０１】
化合物の安定性の面でＨが、少なくとも１つの窒素原子または炭素原子でＭと結合することが好ましく、ＨがＭと多座で結合することがより好ましい。
【０２０２】
Ｈが、下式（Ｈ−１）または（Ｈ−２）で示されることがさらに好ましい。
0004752192.tif 000099
（式中、Ｒ58〜Ｒ65はそれぞれ独立に水素原子、ハロゲン原子、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アルキルアミノ基、アルキルシリル基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアミノ基、アリールシリル基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アリールアルキルアミノ基、アリールアルキルシリル基、アシル基、アシルオキシ基、イミン残基、アミド基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、シアノ基、１価の複素環基を示し、＊はＭと結合する部位を表す。）
【０２０３】
0004752192.tif 000100
（式中、Ｔは酸素原子または硫黄原子を示す。Ｒ66〜Ｒ71はそれぞれ独立に水素原子、ハロゲン原子、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アルキルアミノ基、アルキルシリル基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアミノ基、アリールシリル基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アリールアルキルアミノ基、アリールアルキルシリル基、アシル基、アシルオキシ基、イミン残基、アミド基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、シアノ基を示し、＊はＭと結合する部位を表す。）
【０２０４】
また、本発明に使用する三重項発光錯体化合物は、分子内に三重項錯体構造を含有する高分子化合物であってもよい。このような化合物としては、特開2003-073480、特開2003-073479、特開2002-280183、特開2003-77673などに開示されている。
【０２０５】
本発明の組成物は、三重項励起状態からの発光を示す金属錯体を２種類以上含んでいてもよい。それぞれの金属錯体は、互いに同じ金属を有していてもよいし、異なる金属を有していてもよい。また、それぞれの金属錯体構造は、互いに異なる発光色を有していても良い。例えば、緑色に発光する金属錯体と、赤色に発光する金属錯体の両方が１つの高分子錯体化合物に含まれている場合などが例示される。このとき、適度な量の金属錯体が含まれるように設計することにより、発光色を制御することができるので好ましい。
【０２０６】
本発明における組成物中の三重項発光化合物の量は、組み合わせる高分子化合物の種類や、最適化したい特性により異なるので、特に限定されないが、高分子化合物の量を１００重量部としたとき、通常０．０１〜８０重量部、好ましくは０．１〜６０重量部である。
【０２０７】
本発明の組成物を高分子ＬＥＤの発光材料として用いる場合、その純度が発光特性に影響を与えるため、重合前のモノマーを蒸留、昇華精製、再結晶等の方法で精製したのちに重合することが好ましく、また合成後、再沈精製、クロマトグラフィーによる分別等の純化処理をすることが好ましい。なお、本発明の高分子化合物は、発光材料として用いることができるだけでなく、有機半導体材料、光学材料、あるいはドーピングにより導電性材料として用いることもできる。
【０２０８】
本発明のもう一つの態様である高分子錯体化合物は、特定の繰り返し単位に加え、三重項励起状態からの発光を示す金属錯体構造を分子鎖中に有することを特徴とするものである。具体的には、該高分子錯体は、上記式（１）で示される繰り返し単位、上記式（１２）および（１３）から選ばれる繰り返し単位ならびに三重項励起状態からの発光を示す金属錯体構造を含み、固体状態で可視の発光を有することを特徴とする。
式（１）、（１２）、（１３）の定義、具体例は、上記の組成物に用いる高分子化合物と同じである。
【０２０９】
式（１）におけるＹは、Ｏ原子またはＳ原子であることが好ましい。
【０２１０】
本発明の高分子錯体化合物としては、式（１）が、前記（１−１）、（１−２）、（１−３）、（１−４）、（１−５）、（１−６）、（１−７）、（１−８）、（１−９）、もしくは（１−１０）から選ばれる繰り返し単位であるものが好ましく、（１−４）、（１−５）、（１−６）、（１−７）、（１−８）、（１−９）、（１−１０）がより好ましく、（１−６）、（１−７）、（１−８）、（１−９）、（１−１０）がさらに好ましく、（１−６）が特に好ましい。
【０２１１】
式（１２）または（１３）の繰り返し単位のなかでは、前記（１２−１）、（１２−２）、（１２−３）、（１２−４）、（１２−５）、（１２−６）、（１３−１）が好ましく、（１２−２）、（１２−５）、（１２−６）、（１３−１）がより好ましく、さらに好ましくは（１２−６）、（１３−１）である。
【０２１２】
上述の中で好ましい組合せは、三重項励起状態からの発光を示す金属錯体構造と、（１−６）で示される繰り返し単位および（１２−６）もしくは（１３−１）のいずれかから選ばれる繰り返し単位をふくむものである。
特に好ましくは、三重項励起状態からの発光を示す金属錯体構造と、（１−６）で示される繰り返し単位および（１２−６）の繰り返し単位をふくむものである。
【０２１３】
三重項励起状態からの発光を示す金属錯体構造は、高分子主鎖に含まれていてもよいし側鎖に存在していてもよいし、末端に存在していてもよい。  
【０２１４】
三重項励起状態からの発光を示す金属錯体構造としては、下記式（１６）で示される構造が挙げられる。
（Ｌ）o2−Ｍ−（Ａｒ）ｍ2    （１６）
【０２１５】
式中、Ｍは、前記と同じ意味を表す。
【０２１６】
Ａｒは、窒素原子、酸素原子、炭素原子、硫黄原子および燐原子の1つ以上でＭと結合する配位子であり、ＡｒのＭと結合しない任意の位置に、本発明の高分子錯体化合物の高分子鎖と結合する１または２以上の結合手を有する。
結合手の数は、金属錯体構造が高分子主鎖に含まれる場合は、通常２であり、側鎖または末端に存在する場合は通常１である。
【０２１７】
Ａｒとしてはたとえば、ピリジン環、チオフェン環、ベンゾオキサゾール環などの複素環類やベンゼン環が結合して構成された配位子で、具体的には、フェニルピリジン、２-(パラフェニルフェニル)ピリジン、７−ブロモベンゾ[ｈ]キノリン、２−(４−チオフェン−２−イル)ピリジン、２−(４−フェニルチオフェン−２−イル)ピリジン、２−フェニルベンゾオキサゾール、２-(パラフェニルフェニル)ベンゾオキサゾール、２−フェニルベンゾチアゾール、２−(パラフェニルフェニル)ベンゾチアゾール、２−(ベンゾチオフェン−２−イル)ピリジン７,8,12,13,17,18-ヘキサキスエチル-21H,23H-ポルフィリンなどが例示され、これらに置換基を有していてもよい。
【０２１８】
Ａｒの置換基としては、ハロゲン原子、アルキル基、アルケニル基、アラルキル基、アリールチオ基、アリールアルケニル基、環状アルケニル基、アルコキシ基、アリールオキシ基、アルキルオキシカルボニル基、アラルキルオキシカルボニル基、アリールオキシカルボニル基、アリール基、1価の複素環基が挙げられ、その定義、具体例は上記におけるそれと同様である。
【０２１９】
Ｍは、Ａｒの少なくとも１つの炭素原子と結合することが望ましい。
【０２２０】
式（１６）のなかで、Ａｒが、窒素原子、酸素原子、炭素原子、硫黄原子および燐原子から選ばれるいずれか４つの原子でＭと結合する４座配位子であることが好ましい。たとえば、４つのピロール環が環状につながった配位子として、具体的には、７,8,12,13,17,18-ヘキサキスエチル-21H,23H-ポルフィリンが挙げられる。
【０２２１】
また、上記（１６）式中、Ａｒが、窒素原子、酸素原子、炭素原子、硫黄原子および燐原子から選ばれる２つの原子で、Ｍと結合して５員環を形成する２座配位子であることが望ましく、  Ｍが少なくとも１つの炭素原子と結合するとさらに好ましく、Ａｒが下記式（１６−１）で示される２座配位子である時、より好ましい。
【０２２２】
0004752192.tif 000101
【０２２３】
式中、Ｒ72〜Ｒ79は、それぞれ独立に水素原子、ハロゲン原子、アルキル基、アルケニル基、アラルキル基、アリールチオ基、アリールアルケニル基、環状アルケニル基、アルコキシ基、アリールオキシ基、アルキルオキシカルボニル基、アラルキルオキシカルボニル基、アリールオキシカルボニル基、またはアリール基を示す。Ｒ72〜Ｒ79のうち少なくとも１つは高分子鎖との結合手である。
【０２２４】
式中、Ｌは水素原子、アルキル基、アリール基、複素環配位子、アシルオキシ基、ハロゲン原子、アミド基、イミド基、アルコキシ基、アルキルメルカプト基、カルボニル配位子、アルケン配位子、アルキン配位子、アミン配位子、イミン配位子、ニトリル配位子、イソニトリル配位子、ホスフィン配位子、ホスフィンオキシド配位子、ホスファイト配位子、エーテル配位子、スルホン配位子、スルホキシド配位子またはスルフィド配位子である。ｍ2は、１〜５の整数を示す。ｏ2は、０〜５の整数を示す。
【０２２５】
Ｌにおいて、アルキル基としては、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、シクロヘキシル基などが例示され、アリール基としてはフェニル基、トリル基、１−ナフチル基、２−ナフチル基などが例示され、複素環配位子としては、０価でも１価でもよく、０価のものとしては例えば、２，２‘−ビピリジル、１，１０−フェナントロリン、２−(４−チオフェン−２−イル)ピリジン、２−(ベンゾチオフェン−２−イル)ピリジンなどが例示され、
１価のものとしては例えば、フェニルピリジン、２-(パラフェニルフェニル)ピリジン、７−ブロモベンゾ[ｈ]キノリン、２−(４−フェニルチオフェン−２−イル)ピリジン、２−フェニルベンゾオキサゾール、２-(パラフェニルフェニル)ベンゾオキサゾール、２−フェニルベンゾチアゾール、２−(パラフェニルフェニル)ベンゾチアゾールなどが例示される。
【０２２６】
アシルオキシ基としては特に限定されるものではないが、例えば、アセトキシ基、ナフテネート基または２−エチルヘキサノエート基等が挙げられる。ハロゲン原子としては特に限定されるものではないが、例えば、フッ素原子、塩素原子、臭素原子またはヨウ素原子等が挙げられる。アミド基としては特に限定されるものではないが、例えば、ジメチルアミド基、ジエチルアミド基、ジイソプロピルアミド基、ジオクチルアミド基、ジデシルアミド基、ジドデシルアミド基、ビス（トリメチルシリル）アミド基、ジフェニルアミド基、Ｎ−メチルアニリドまたはアニリド基等が挙げられる。イミド基としては特に限定されるものではないが、例えば、ベンゾフェノンイミド等が挙げられる。アルコキシ基としては特に限定されるものではないが、例えば、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、ブトキシ基またはフェノキシ基等が挙げられる。アルキルメルカプト基としては特に限定されるものではないが、例えば、メチルメルカプト基、エチルメルカプト基、プロピルメルカプト基、ブチルメルカプト基またはフェニルメルカプト基等が挙げられる。カルボニル配位子としては、一酸化炭素やアセトン、べンゾフェノンなどのケトン類、アセチルアセトン、アセナフトキノンなどのジケトン類、アセチルアセトナート、ジベンゾメチラート、テノイルトリフルオロアセトナートなどのアセトナート配位子などが例示される。アルケン配位子としては特に限定されるものではないが、例えば、エチレン、プロピレン、ブテン、ヘキセンまたはデセン等が挙げられる。アルキン配位子としては特に限定されるものではないが、例えば、アセチレン、フェニルアセチレンまたはジフェニルアセチレン等が挙げられる。アミン配位子としては特に限定されるものではないが、例えば、トリエチルアミンまたはトリブチルアミン等が挙げられる。イミン配位子としては特に限定されるものではないが、例えば、ベンゾフェノンイミンまたはメチルエチルケトンイミン等が挙げられる。ニトリル配位子としては特に限定されるものではないが、例えば、アセトニトリルまたはベンゾニトリル等が挙げられる。イソニトリル配位子としては特に限定されるものではないが、例えば、ｔ−ブチルイソニトリルまたはフェニルイソニトリル等が挙げられる。ホスフィン配位子としては特に限定されるものではないが、例えば、トリフェニルホスフィン、トリトリルホスフィン、トリシクロヘキシルホスフィンまたはトリブチルホスフィン等が挙げられる。ホスフィンオキシド配位子としては特に限定されるものではないが、例えば、トリブチルホスフィンオキシドまたはトリフェニルホスフィンオキシド等が挙げられる。ホスファイト配位子としては特に限定されるものではないが、例えば、トリフェニルホスファイト、トリトリルホスファイト、トリブチルホスファイトまたはトリエチルホスファイト等が挙げられる。エーテル配位子としては特に限定されるものではないが、例えば、ジメチルエーテル、ジエチルエーテルまたはテトラヒドロフラン等が挙げられる。スルホン配位子としては特に限定されるものではないが、例えば、ジメチルスルホンまたはジブチルスルホン等が挙げられる。スルホキシド配位子としては特に限定されるものではないが、例えば、ジメチルスルホキシドまたはジブチルスルホキシド等が挙げられる。スルフィド配位子としては特に限定されるものではないが、例えば、エチルスルフィドまたはブチルスルフィド等が挙げられる。
【０２２７】
三重項励起状態からの発光を示す金属錯体構造としては、三重項発光錯体化合物の配位子から高分子鎖への結合の数に応じた数の水素原子を除いた残基があげられ、
具体的には、前記構造式で示した三重項発光錯体の具体例のそれぞれから、高分子鎖への結合の数に応じた数のＲを除いた残基があげられる。
【０２２８】
三重項励起状態からの発光を示す金属錯体構造は、前記のとおり、高分子主鎖に含まれていてもよいし側鎖に存在していてもよいし、末端に存在していてもよい。
【０２２９】
３重項励起状態からの発光を示す金属錯体構造が主鎖に含まれている場合としては、例えば、３重項発光錯体の配位子から二つの水素が脱離した残りの、結合手を２個有する構造単位（具体的には前記構造式で示した３重項発光錯体の具体例のそれぞれから、２個のＲを除いた残基である構造単位）を、好ましくは繰り返し単位として含む高分子化合物が挙げられる。
このような構造単位として、以下のものが例示される。
【０２３０】
0004752192.tif 000102
【０２３１】
また、本発明の高分子化合物の金属錯体構造に含まれる配位子のうち少なくとも１つが、高分子主鎖に含まれる繰返し単位と同一の構造を含む場合、高分子化合物中の金属含量を制御できる点で好ましい。例えば、高分子化合物を製造した後に錯体化を行いその際、用いる金属の量を変える事により高分子化合物中の金属含量を制御できる点で好ましい。具体的には、以下の構造が例示される。
【０２３２】
0004752192.tif 000103
【０２３３】
３重項励起状態からの発光を示す金属錯体構造が側鎖に存在する例としては、３重項発光錯体の配位子から１つの水素が脱離した残りの、結合手を１個有する基、（具体的には、前記構造式で示した３重項発光錯体の具体例のそれぞれから、１個のＲを除いた残基、）が単結合、２重結合などの直接結合；酸素原子、硫黄原子、セレン原子などの原子を介した結合；またはメチレン基、アルキレン基、アリーレン基などの２価の連結基を介した結合で、高分子鎖に結合する場合が挙げられる。
中でも、単結合、２重結合、アリーレン基など、側鎖の３重項励起状態からの発光を示す金属錯体構造と共役のつながった構造を有することが好ましい。
【０２３４】
このような側鎖を有する構造単位（繰り返し単位）としては、例えば、前記式（２）および（４）から選ばれる繰り返し単位のＡｒ1またはＡｒ4の置換基、または式（４）におけるＸ2の置換基、Ｒ15、Ｒ16が３重項励起状態からの発光を示す金属錯体構造を有する１価の基であるもの等も挙げられる。
具体的には、以下の構造単位が例示される。
【０２３５】
0004752192.tif 000104
【０２３６】
0004752192.tif 000105
式中、Ｒは前記と同じ定義である。
【０２３７】
３重項励起状態からの発光を示す金属錯体構造が高分子主鎖の末端に存在する場合としては、３重項発光錯体の配位子から一つの水素が脱離した残りの、結合手を持つ基（具体的には、前記構造式で示した３重項発光錯体の具体例のそれぞれから、１個のＲを除いた残基、）が挙げられ、具体的には、以下の基が例示される。
【０２３８】
0004752192.tif 000106
【０２３９】
本発明の高分子錯体化合物は、式（１）で示される繰り返し単位、式（１２）または（１３）で示される繰り返し単位、３重項励起状態からの発光を示す金属錯体構造のほかに例えば、上記（２）および（４）から選ばれる繰り返し単位を含んでいてもよい。
【０２４０】
本発明の高分子錯体化合物が上記（２）および（４）から選ばれる繰り返し単位を含む場合、一般式（１）並びに上記（２）および（４）から選ばれる繰り返し単位と，３重項励起状態からの発光を示す金属錯体構造を有する構造単位（繰り返し単位）との合計に対して、３重項励起状態からの発光を示す金属錯体構造を有する繰り返し単位が０．０１モル％以上１０モル％以下であることが好ましい。
また、一般式（１）で表される繰り返し単位は１０モル％以上９８％以下が好ましく、一般式（１２）または（１３）で示される繰り返し単位は２％以上９０％以下が好ましい。
また、本発明の高分子錯体化合物のなかで、共役系高分子化合物であるものが好ましい。      
【０２４１】
本発明の高分子錯体化合物は、３重項励起状態からの発光を示す金属錯体構造を２種類以上有していてもよい。即ち、本発明の高分子錯体化合物はその主鎖、側鎖または末端のいずれか２つ以上に３重項励起状態からの発光を示す金属錯体構造を有していてもよい。それぞれの金属錯体構造は、互いに同じ金属を有していてもよいし、異なる金属を有していてもよい。また、それぞれの金属錯体構造は、互いに異なる発光色を有していても良い。例えば、緑色に発光する金属錯体構造と、赤色に発光する金属錯体構造の両方が１つの高分子錯体化合物に含まれている場合などが例示される。このとき、適度な量の金属錯体構造が含まれるように設計することにより、発光色を制御することができるので、好ましい。
【０２４２】
また、本発明の高分子錯体化合物の末端基は、重合活性基がそのまま残っていると、素子にしたときの発光特性や寿命が低下する可能性があるので、安定な基で保護されていても良い。主鎖の共役構造と連続した共役結合を有しているものが好ましく、例えば、炭素―炭素結合を介してアリール基または複素環基と結合している構造が例示される。具体的には、特開平９−４５４７８号公報の化１０に記載の置換基等が例示される。
【０２４３】
また、本発明の高分子錯体化合物は、ランダム、ブロックまたはグラフト共重合体であってもよいし、それらの中間的な構造を有する高分子、例えばブロック性を帯びたランダム共重合体であってもよい。量子収率の高い高分子化合物を得る観点からは完全なランダム共重合体よりブロック性を帯びたランダム共重合体やブロックまたはグラフト共重合体が好ましい。主鎖に枝分かれがあり、末端部が３つ以上ある場合やデンドリマーも含まれる。
【０２４４】
本発明の高分子錯体化合物は、ポリスチレン換算の数平均分子量が１０３〜１０８であることが好ましい。
【０２４５】
次に、本発明の高分子発光素子（高分子ＬＥＤ）について説明する。陽極および陰極からなる電極間に、本発明の組成物または本発明の高分子錯体化合物を含む層を有することを特徴とする。
本発明の組成物または本発明の高分子錯体化合物を含む層が、発光層であることが好ましい。
【０２４６】
また、本発明の高分子ＬＥＤとしては、陰極と発光層との間に、電子輸送層を設けた高分子ＬＥＤ、陽極と発光層との間に、正孔輸送層を設けた高分子ＬＥＤ、陰極と発光層との間に、電子輸送層を設け、かつ陽極と発光層との間に、正孔輸送層を設けた高分子ＬＥＤ等が挙げられる。
また、上記少なくとも一方の電極と発光層との間に該電極に隣接して導電性高分子を含む層を設けた高分子ＬＥＤ；少なくとも一方の電極と発光層との間に該電極に隣接して平均膜厚２ｎｍ以下のバッファー層を設けた高分子ＬＥＤが挙げられる。
【０２４７】
具体的には、以下のａ）〜ｄ）の構造が例示される。
ａ）陽極／発光層／陰極
ｂ）陽極／正孔輸送層／発光層／陰極
ｃ）陽極／発光層／電子輸送層／陰極
ｄ）陽極／正孔輸送層／発光層／電子輸送層／陰極
（ここで、／は各層が隣接して積層されていることを示す。以下同じ。）
【０２４８】
ここで、発光層とは、発光する機能を有する層であり、正孔輸送層とは、正孔を輸送する機能を有する層であり、電子輸送層とは、電子を輸送する機能を有する層である。なお、電子輸送層と正孔輸送層を総称して電荷輸送層と呼ぶ。
発光層、正孔輸送層、電子輸送層は、それぞれ独立に２層以上用いてもよい。
【０２４９】
また、電極に隣接して設けた電荷輸送層のうち、電極からの電荷注入効率を改善する機能を有し、素子の駆動電圧を下げる効果を有するものは、特に電荷注入層（正孔注入層、電子注入層）と一般に呼ばれることがある。
【０２５０】
また、電極との密着性向上や電極からの電荷注入の改善のために、電極に隣接して前記の電荷注入層又は膜厚２ｎｍ以下の絶縁層を設けてもよく、また、界面の密着性向上や混合の防止等のために電荷輸送層や発光層の界面に薄いバッファー層を挿入してもよい。
【０２５１】
さらに、電子を輸送し、かつ正孔を閉じ込めるために発光層との界面に正孔阻止層を挿入してもよい。
【０２５２】
積層する層の順番や数、および各層の厚さについては、発光効率や素子寿命を勘案して適宜用いることができる。
【０２５３】
本発明において、電荷注入層（電子注入層、正孔注入層）を設けた高分子ＬＥＤとしては、陰極に隣接して電荷注入層を設けた高分子ＬＥＤ、陽極に隣接して電荷注入層を設けた高分子ＬＥＤが挙げられる。
【０２５４】
例えば、具体的には、以下のｅ）〜ｐ）の構造が挙げられる。
ｅ）陽極／電荷注入層／発光層／陰極
ｆ）陽極／発光層／電荷注入層／陰極
ｇ）陽極／電荷注入層／発光層／電荷注入層／陰極
ｈ）陽極／電荷注入層／正孔輸送層／発光層／陰極
ｉ）陽極／正孔輸送層／発光層／電荷注入層／陰極
ｊ）陽極／電荷注入層／正孔輸送層／発光層／電荷注入層／陰極
ｋ）陽極／電荷注入層／発光層／電荷輸送層／陰極
ｌ）陽極／発光層／電子輸送層／電荷注入層／陰極
ｍ）陽極／電荷注入層／発光層／電子輸送層／電荷注入層／陰極
ｎ）陽極／電荷注入層／正孔輸送層／発光層／電荷輸送層／陰極
ｏ）陽極／正孔輸送層／発光層／電子輸送層／電荷注入層／陰極
ｐ）陽極／電荷注入層／正孔輸送層／発光層／電子輸送層／電荷注入層／陰極
【０２５５】
電荷注入層の具体的な例としては、導電性高分子を含む層、陽極と正孔輸送層との間に設けられ、陽極材料と正孔輸送層に含まれる正孔輸送材料との中間の値のイオン化ポテンシャルを有する材料を含む層、陰極と電子輸送層との間に設けられ、陰極材料と電子輸送層に含まれる電子輸送材料との中間の値の電子親和力を有する材料を含む層などが例示される。
【０２５６】
上記電荷注入層が導電性高分子を含む層の場合、該導電性高分子の電気伝導度は、１０-5Ｓ／ｃｍ以上１０3Ｓ／ｃｍ以下であることが好ましく、発光画素間のリーク電流を小さくするためには、１０-5Ｓ／ｃｍ以上１０2Ｓ／ｃｍ以下がより好ましく、１０-5Ｓ／ｃｍ以上１０1Ｓ／ｃｍ以下がさらに好ましい。
【０２５７】
通常は該導電性高分子の電気伝導度を１０-5Ｓ／ｃｍ以上１０3Ｓ／ｃｍ以下とするために、該導電性高分子に適量のイオンをドープする。
【０２５８】
ドープするイオンの種類は、正孔注入層であればアニオン、電子注入層であればカチオンである。アニオンの例としては、ポリスチレンスルホン酸イオン、アルキルベンゼンスルホン酸イオン、樟脳スルホン酸イオンなどが例示され、カチオンの例としては、リチウムイオン、ナトリウムイオン、カリウムイオン、テトラブチルアンモニウムイオンなどが例示される。
【０２５９】
電荷注入層の膜厚としては、例えば１ｎｍ〜１００ｎｍであり、２ｎｍ〜５０ｎｍが好ましい。
【０２６０】
電荷注入層に用いる材料は、電極や隣接する層の材料との関係で適宜選択すればよく、ポリアニリンおよびその誘導体、ポリチオフェンおよびその誘導体、ポリピロールおよびその誘導体、ポリフェニレンビニレンおよびその誘導体、ポリチエニレンビニレンおよびその誘導体、ポリキノリンおよびその誘導体、ポリキノキサリンおよびその誘導体、芳香族アミン構造を主鎖または側鎖に含む重合体などの導電性高分子、金属フタロシアニン（銅フタロシアニンなど）、カーボンなどが例示される。
【０２６１】
膜厚２ｎｍ以下の絶縁層は電荷注入を容易にする機能を有するものである。上記絶縁層の材料としては、金属フッ化物、金属酸化物、有機絶縁材料等が挙げられる。膜厚２ｎｍ以下の絶縁層を設けた高分子ＬＥＤとしては、陰極に隣接して膜厚２ｎｍ以下の絶縁層を設けた高分子ＬＥＤ、陽極に隣接して膜厚２ｎｍ以下の絶縁層を設けた高分子ＬＥＤが挙げられる。
【０２６２】
具体的には、例えば、以下のｑ）〜ａｂ）の構造が挙げられる。
ｑ）陽極／膜厚２ｎｍ以下の絶縁層／発光層／陰極
ｒ）陽極／発光層／膜厚２ｎｍ以下の絶縁層／陰極
ｓ）陽極／膜厚２ｎｍ以下の絶縁層／発光層／膜厚２ｎｍ以下の絶縁層／陰極
ｔ）陽極／膜厚２ｎｍ以下の絶縁層／正孔輸送層／発光層／陰極
ｕ）陽極／正孔輸送層／発光層／膜厚２ｎｍ以下の絶縁層／陰極
ｖ）陽極／膜厚２ｎｍ以下の絶縁層／正孔輸送層／発光層／膜厚２ｎｍ以下の絶縁層／陰極
ｗ）陽極／膜厚２ｎｍ以下の絶縁層／発光層／電子輸送層／陰極
ｘ）陽極／発光層／電子輸送層／膜厚２ｎｍ以下の絶縁層／陰極
ｙ）陽極／膜厚２ｎｍ以下の絶縁層／発光層／電子輸送層／膜厚２ｎｍ以下の絶縁層／陰極
ｚ）陽極／膜厚２ｎｍ以下の絶縁層／正孔輸送層／発光層／電子輸送層／陰極
ａａ）陽極／正孔輸送層／発光層／電子輸送層／膜厚２ｎｍ以下の絶縁層／陰極
ａｂ）陽極／膜厚２ｎｍ以下の絶縁層／正孔輸送層／発光層／電子輸送層／膜厚２ｎｍ以下の絶縁層／陰極
【０２６３】
正孔阻止層は、電子を輸送しかつ、陽極から輸送された正孔を閉じ込める働きを有するものであり、発光層の陰極側の界面に設けられ、発光層のイオン化ポテンシャルよりも大きなイオン化ポテンシャルを有する材料、例えば、バソクプロイン、８−ヒドロキシキノリンもしくはその誘導体の金属錯体などから構成される。
【０２６４】
正孔阻止層の膜厚としては、例えば１ｎｍ〜１００ｎｍであり、２ｎｍ〜５０ｎｍが好ましい。
【０２６５】
具体的には、例えば、以下のａｃ）〜ａｎ）の構造が挙げられる。
ａｃ）陽極／電荷注入層／発光層／正孔阻止層／陰極
ａｄ）陽極／発光層／正孔阻止層／電荷注入層／陰極
ａｅ）陽極／電荷注入層／発光層／正孔阻止層／電荷注入層／陰極
ａｆ）陽極／電荷注入層／正孔輸送層／発光層／正孔阻止層／陰極
ａｇ）陽極／正孔輸送層／発光層／正孔阻止層／電荷注入層／陰極
ａｈ）陽極／電荷注入層／正孔輸送層／発光層／正孔阻止層／電荷注入層／陰極
ａｉ）陽極／電荷注入層／発光層／正孔阻止層／電荷輸送層／陰極
ａｊ）陽極／発光層／正孔阻止層／電子輸送層／電荷注入層／陰極
ａｋ）陽極／電荷注入層／発光層／正孔阻止層／電子輸送層／電荷注入層／陰極
ａｌ）陽極／電荷注入層／正孔輸送層／発光層／正孔阻止層／電荷輸送層／陰極
ａｍ）陽極／正孔輸送層／発光層／正孔阻止層／電子輸送層／電荷注入層／陰極
ａｎ）陽極／電荷注入層／正孔輸送層／発光層／正孔阻止層／電子輸送層／電荷注入層／陰極
【０２６６】
高分子ＬＥＤ作製の際に、本発明の錯体組成物、高分子錯体化合物を用いることにより、溶液から成膜する場合、この溶液を塗布後乾燥により溶媒を除去するだけでよく、また電荷輸送材料や発光材料を混合した場合においても同様な手法が適用でき、製造上非常に有利である。溶液からの成膜方法としては、スピンコート法、キャスティング法、マイクログラビアコート法、グラビアコート法、バーコート法、ロールコート法、ワイアーバーコート法、ディップコート法、スプレーコート法、スクリーン印刷法、フレキソ印刷法、オフセット印刷法、インクジェットプリント法等の塗布法を用いることができる。
【０２６７】
発光層の膜厚としては、用いる材料によって最適値が異なり、駆動電圧と発光効率が適度な値となるように選択すればよいが、例えば１ｎｍから１μｍであり、好ましくは２ｎｍ〜５００ｎｍであり、さらに好ましくは５ｎｍ〜２００ｎｍである。
【０２６８】
本発明の高分子ＬＥＤにおいては、発光層に本発明の錯体組成物、高分子錯体化合物以外の発光材料を混合して使用してもよい。また、本発明の高分子ＬＥＤにおいては、本発明以外の発光材料を含む発光層が、本発明の錯体組成物、高分子錯体化合物を含む発光層と積層されていてもよい。
【０２６９】
該発光材料としては、公知のものが使用できる。低分子化合物では、例えば、ナフタレン誘導体、アントラセンもしくはその誘導体、ペリレンもしくはその誘導体、ポリメチン系、キサンテン系、クマリン系、シアニン系などの色素類、８−ヒドロキシキノリンもしくはその誘導体の金属錯体、芳香族アミン、テトラフェニルシクロペンタジエンもしくはその誘導体、またはテトラフェニルブタジエンもしくはその誘導体などを用いることができる。
【０２７０】
具体的には、例えば特開昭５７−５１７８１号、同５９−１９４３９３号公報に記載されているもの等、公知のものが使用可能である。
【０２７１】
本発明の高分子ＬＥＤが正孔輸送層を有する場合、使用される正孔輸送材料としては、ポリビニルカルバゾールもしくはその誘導体、ポリシランもしくはその誘導体、側鎖もしくは主鎖に芳香族アミンを有するポリシロキサン誘導体、ピラゾリン誘導体、アリールアミン誘導体、スチルベン誘導体、トリフェニルジアミン誘導体、ポリアニリンもしくはその誘導体、ポリチオフェンもしくはその誘導体、ポリピロールもしくはその誘導体、ポリ（ｐ−フェニレンビニレン）もしくはその誘導体、またはポリ（２，５−チエニレンビニレン）もしくはその誘導体などが例示される。
【０２７２】
具体的には、該正孔輸送材料として、特開昭６３−７０２５７号公報、同６３−１７５８６０号公報、特開平２−１３５３５９号公報、同２−１３５３６１号公報、同２−２０９９８８号公報、同３−３７９９２号公報、同３−１５２１８４号公報に記載されているもの等が例示される。
【０２７３】
これらの中で、正孔輸送層に用いる正孔輸送材料として、ポリビニルカルバゾールもしくはその誘導体、ポリシランもしくはその誘導体、側鎖もしくは主鎖に芳香族アミン化合物基を有するポリシロキサン誘導体、ポリアニリンもしくはその誘導体、ポリチオフェンもしくはその誘導体、ポリ（ｐ−フェニレンビニレン）もしくはその誘導体、またはポリ（２，５−チエニレンビニレン）もしくはその誘導体等の高分子正孔輸送材料が好ましく、さらに好ましくはポリビニルカルバゾールもしくはその誘導体、ポリシランもしくはその誘導体、側鎖もしくは主鎖に芳香族アミンを有するポリシロキサン誘導体である。低分子の正孔輸送材料の場合には、高分子バインダーに分散させて用いることが好ましい。
【０２７４】
ポリビニルカルバゾールもしくはその誘導体は、例えばビニルモノマーからカチオン重合またはラジカル重合によって得られる。
【０２７５】
ポリシランもしくはその誘導体としては、ケミカル・レビュー（Ｃｈｅｍ．Ｒｅｖ．）第８９巻、１３５９頁（１９８９年）、英国特許ＧＢ２３００１９６号公開明細書に記載の化合物等が例示される。合成方法もこれらに記載の方法を用いることができるが、特にキッピング法が好適に用いられる。
【０２７６】
ポリシロキサンもしくはその誘導体は、シロキサン骨格構造には正孔輸送性がほとんどないので、側鎖または主鎖に上記低分子正孔輸送材料の構造を有するものが好適に用いられる。特に正孔輸送性の芳香族アミンを側鎖または主鎖に有するものが例示される。
【０２７７】
正孔輸送層の成膜の方法に制限はないが、低分子正孔輸送材料では、高分子バインダーとの混合溶液からの成膜による方法が例示される。また、高分子正孔輸送材料では、溶液からの成膜による方法が例示される。
【０２７８】
溶液からの成膜に用いる溶媒としては、正孔輸送材料を溶解させるものであれば特に制限はない。該溶媒として、クロロホルム、塩化メチレン、ジクロロエタン等の塩素系溶媒、テトラヒドロフラン等のエーテル系溶媒、トルエン、キシレン等の芳香族炭化水素系溶媒、アセトン、メチルエチルケトン等のケトン系溶媒、酢酸エチル、酢酸ブチル、エチルセルソルブアセテート等のエステル系溶媒が例示される。
【０２７９】
溶液からの成膜方法としては、溶液からのスピンコート法、キャスティング法、マイクログラビアコート法、グラビアコート法、バーコート法、ロールコート法、ワイアーバーコート法、ディップコート法、スプレーコート法、スクリーン印刷法、フレキソ印刷法、オフセット印刷法、インクジェットプリント法等の塗布法を用いることができる。
【０２８０】
混合する高分子バインダーとしては、電荷輸送を極度に阻害しないものが好ましく、また可視光に対する吸収が強くないものが好適に用いられる。該高分子バインダーとして、ポリカーボネート、ポリアクリレート、ポリメチルアクリレート、ポリメチルメタクリレート、ポリスチレン、ポリ塩化ビニル、ポリシロキサン等が例示される。
【０２８１】
正孔輸送層の膜厚としては、用いる材料によって最適値が異なり、駆動電圧と発光効率が適度な値となるように選択すればよいが、少なくともピンホールが発生しないような厚さが必要であり、あまり厚いと、素子の駆動電圧が高くなり好ましくない。従って、該正孔輸送層の膜厚としては、例えば１ｎｍから１μｍであり、好ましくは２ｎｍ〜５００ｎｍであり、さらに好ましくは５ｎｍ〜２００ｎｍである。
【０２８２】
本発明の高分子ＬＥＤが電子輸送層を有する場合、使用される電子輸送材料としては公知のものが使用でき、オキサジアゾール誘導体、アントラキノジメタンもしくはその誘導体、ベンゾキノンもしくはその誘導体、ナフトキノンもしくはその誘導体、アントラキノンもしくはその誘導体、テトラシアノアンスラキノジメタンもしくはその誘導体、フルオレノン誘導体、ジフェニルジシアノエチレンもしくはその誘導体、ジフェノキノン誘導体、または８−ヒドロキシキノリンもしくはその誘導体の金属錯体、ポリキノリンもしくはその誘導体、ポリキノキサリンもしくはその誘導体、ポリフルオレンもしくはその誘導体等が例示される。
【０２８３】
具体的には、特開昭６３−７０２５７号公報、同６３−１７５８６０号公報、特開平２−１３５３５９号公報、同２−１３５３６１号公報、同２−２０９９８８号公報、同３−３７９９２号公報、同３−１５２１８４号公報に記載されているもの等が例示される。
【０２８４】
これらのうち、オキサジアゾール誘導体、ベンゾキノンもしくはその誘導体、アントラキノンもしくはその誘導体、または８−ヒドロキシキノリンもしくはその誘導体の金属錯体、ポリキノリンもしくはその誘導体、ポリキノキサリンもしくはその誘導体、ポリフルオレンもしくはその誘導体が好ましく、２−（４−ビフェニリル）−５−（４−ｔ−ブチルフェニル）−１，３，４−オキサジアゾール、ベンゾキノン、アントラキノン、トリス（８−キノリノール）アルミニウム、ポリキノリンがさらに好ましい。
【０２８５】
電子輸送層の成膜法としては特に制限はないが、低分子電子輸送材料では、粉末からの真空蒸着法、または溶液もしくは溶融状態からの成膜による方法が、高分子電子輸送材料では溶液または溶融状態からの成膜による方法がそれぞれ例示される。溶液または溶融状態からの成膜時には、高分子バインダーを併用してもよい。
【０２８６】
溶液からの成膜に用いる溶媒としては、電子輸送材料および／または高分子バインダーを溶解させるものであれば特に制限はない。該溶媒として、クロロホルム、塩化メチレン、ジクロロエタン等の塩素系溶媒、テトラヒドロフラン等のエーテル系溶媒、トルエン、キシレン等の芳香族炭化水素系溶媒、アセトン、メチルエチルケトン等のケトン系溶媒、酢酸エチル、酢酸ブチル、エチルセルソルブアセテート等のエステル系溶媒が例示される。
【０２８７】
溶液または溶融状態からの成膜方法としては、スピンコート法、キャスティング法、マイクログラビアコート法、グラビアコート法、バーコート法、ロールコート法、ワイアーバーコート法、ディップコート法、スプレーコート法、スクリーン印刷法、フレキソ印刷法、オフセット印刷法、インクジェットプリント法等の塗布法を用いることができる。
【０２８８】
混合する高分子バインダーとしては、電荷輸送を極度に阻害しないものが好ましく、また、可視光に対する吸収が強くないものが好適に用いられる。該高分子バインダーとして、ポリ（Ｎ−ビニルカルバゾール）、ポリアニリンもしくはその誘導体、ポリチオフェンもしくはその誘導体、ポリ（ｐ−フェニレンビニレン）もしくはその誘導体、ポリ（２，５−チエニレンビニレン）もしくはその誘導体、ポリカーボネート、ポリアクリレート、ポリメチルアクリレート、ポリメチルメタクリレート、ポリスチレン、ポリ塩化ビニル、またはポリシロキサンなどが例示される。
【０２８９】
電子輸送層の膜厚としては、用いる材料によって最適値が異なり、駆動電圧と発光効率が適度な値となるように選択すればよいが、少なくともピンホールが発生しないような厚さが必要であり、あまり厚いと、素子の駆動電圧が高くなり好ましくない。従って、該電子輸送層の膜厚としては、例えば１ｎｍから１μｍであり、好ましくは２ｎｍ〜５００ｎｍであり、さらに好ましくは５ｎｍ〜２００ｎｍである。
【０２９０】
本発明の高分子ＬＥＤを形成する基板は、電極を形成し、該高分子ＬＥＤの各層を形成する際に変化しないものであればよく、例えばガラス、プラスチック、高分子フィルム、シリコン基板などが例示される。不透明な基板の場合には、反対の電極が透明または半透明であることが好ましい。
【０２９１】
通常、陽極および陰極からなる電極のうち少なくとも一方が透明または半透明であり、陽極側が透明または半透明であることが好ましい。
該陽極の材料としては、導電性の金属酸化物膜、半透明の金属薄膜等が用いられる。具体的には、酸化インジウム、酸化亜鉛、酸化スズ、およびそれらの複合体であるインジウム・スズ・オキサイド（ＩＴＯ）、インジウム・亜鉛・オキサイド等からなる導電性ガラスを用いて作成された膜（ＮＥＳＡなど）や、金、白金、銀、銅等が用いられ、ＩＴＯ、インジウム・亜鉛・オキサイド、酸化スズが好ましい。作製方法としては、真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法、メッキ法等が挙げられる。また、該陽極として、ポリアニリンもしくはその誘導体、ポリチオフェンもしくはその誘導体などの有機の透明導電膜を用いてもよい。
【０２９２】
陽極の膜厚は、光の透過性と電気伝導度とを考慮して、適宜選択することができるが、例えば１０ｎｍから１０μｍであり、好ましくは２０ｎｍ〜１μｍであり、さらに好ましくは５０ｎｍ〜５００ｎｍである。
【０２９３】
また、陽極上に、電荷注入を容易にするために、フタロシアニン誘導体、導電性高分子、カーボンなどからなる層、あるいは金属酸化物や金属フッ化物、有機絶縁材料等からなる平均膜厚２ｎｍ以下の層を設けてもよい。
【０２９４】
本発明の高分子ＬＥＤで用いる陰極の材料としては、仕事関数の小さい材料が好ましい。例えば、リチウム、ナトリウム、カリウム、ルビジウム、セシウム、ベリリウム、マグネシウム、カルシウム、ストロンチウム、バリウム、アルミニウム、スカンジウム、バナジウム、亜鉛、イットリウム、インジウム、セリウム、サマリウム、ユーロピウム、テルビウム、イッテルビウムなどの金属、およびそれらのうち２つ以上の合金、あるいはそれらのうち１つ以上と、金、銀、白金、銅、マンガン、チタン、コバルト、ニッケル、タングステン、錫のうち１つ以上との合金、グラファイトまたはグラファイト層間化合物等が用いられる。合金の例としては、マグネシウム−銀合金、マグネシウム−インジウム合金、マグネシウム−アルミニウム合金、インジウム−銀合金、リチウム−アルミニウム合金、リチウム−マグネシウム合金、リチウム−インジウム合金、カルシウム−アルミニウム合金などが挙げられる。陰極を２層以上の積層構造としてもよい。
【０２９５】
陰極の膜厚は、電気伝導度や耐久性を考慮して、適宜選択することができるが、例えば１０ｎｍから１０μｍであり、好ましくは２０ｎｍ〜１μｍであり、さらに好ましくは５０ｎｍ〜５００ｎｍである。
【０２９６】
陰極の作製方法としては、真空蒸着法、スパッタリング法、また金属薄膜を熱圧着するラミネート法等が用いられる。また、陰極と有機物層との間に、導電性高分子からなる層、あるいは金属酸化物や金属フッ化物、有機絶縁材料等からなる平均膜厚２ｎｍ以下の層を設けても良く、陰極作製後、該高分子ＬＥＤを保護する保護層を装着していてもよい。該高分子ＬＥＤを長期安定的に用いるためには、素子を外部から保護するために、保護層および／または保護カバーを装着することが好ましい。
【０２９７】
該保護層としては、高分子化合物、金属酸化物、金属フッ化物、金属ホウ化物などを用いることができる。また、保護カバーとしては、ガラス板、表面に低透水率処理を施したプラスチック板などを用いることができ、該カバーを熱効果樹脂や光硬化樹脂で素子基板と貼り合わせて密閉する方法が好適に用いられる。スペーサーを用いて空間を維持すれば、素子がキズつくのを防ぐことが容易である。該空間に窒素やアルゴンのような不活性なガスを封入すれば、陰極の酸化を防止することができ、さらに酸化バリウム等の乾燥剤を該空間内に設置することにより製造工程で吸着した水分が素子にタメージを与えるのを抑制することが容易となる。これらのうち、いずれか１つ以上の方策をとることが好ましい。
【０２９８】
本発明の高分子発光素子は、面状光源、セグメント表示装置、ドットマトリックス表示装置または液晶表示装置のバックライトに用いることができる。
【０２９９】
本発明の高分子ＬＥＤを用いて面状の発光を得るためには、面状の陽極と陰極が重なり合うように配置すればよい。また、パターン状の発光を得るためには、前記面状の発光素子の表面にパターン状の窓を設けたマスクを設置する方法、非発光部の有機物層を極端に厚く形成し実質的に非発光とする方法、陽極または陰極のいずれか一方、または両方の電極をパターン状に形成する方法がある。これらのいずれかの方法でパターンを形成し、いくつかの電極を独立にＯｎ／ＯＦＦできるように配置することにより、数字や文字、簡単な記号などを表示できるセグメントタイプの表示素子が得られる。更に、ドットマトリックス素子とするためには、陽極と陰極をともにストライプ状に形成して直交するように配置すればよい。複数の種類の発光色の異なる発光材料を塗り分ける方法や、カラーフィルターまたは発光変換フィルターを用いる方法により、部分カラー表示、マルチカラー表示が可能となる。ドットマトリックス素子は、パッシブ駆動も可能であるし、ＴＦＴなどと組み合わせてアクティブ駆動しても良い。これらの表示素子は、コンピュータ、テレビ、携帯端末、携帯電話、カーナビゲーション、ビデオカメラのビューファインダーなどの表示装置として用いることができる。
【０３００】
さらに、前記面状の発光素子は、自発光薄型であり、液晶表示装置のバックライト用の面状光源、あるいは面状の照明用光源として好適に用いることができる。また、フレキシブルな基板を用いれば、曲面状の光源や表示装置としても使用できる。
【実施例】
【０３０１】
以下、本発明をさらに詳細に説明するために実施例を示すが、本発明はこれらに限定されるものではない。
ポリスチレン換算の数平均分子量は、テトラヒドロフランを溶媒として、ゲルパーミエーションクロマトグラフィー（ＧＰＣ：ＨＬＣ−８２２０ＧＰＣ、東ソー製もしくはＳＣＬ−１０Ａ、島津製作所製）により求めた。
カラム：  TOSOH TSKgel SuperHM-H（２本）＋  TSKgel SuperH2000(4.6mm I.d. ×  15cm)、検出器：RI  (SHIMADZU RID-10A)を使用。移動相はクロロホルムまたはテトラヒドロフラン（ＴＨＦ）を用いた。
【０３０２】
合成例１  （化合物Ａの合成）
0004752192.tif 000107
化合物Ａ
不活性雰囲気下１ｌの三つ口フラスコにベンゾフラン(23.2ｇ、137.9mmol)と酢酸(232ｇ)を入れ、室温で撹拌、溶かした後、７５℃まで昇温した。昇温後、臭素(92.6ｇ、579.3mmol)を酢酸(54ｇ)で希釈したものを滴下した。滴下終了後、温度を保持したまま３時間撹拌し、放冷した。ＴＬＣで原料の消失を確認した後、チオ硫酸ナトリウム水を加え反応を終了させ、室温で１時間撹拌した。撹拌後、ろ過を行いケーキをろ別し、さらにチオ硫酸ナトリウム水、水で洗浄した後、乾燥した。得られた粗生成物をヘキサンにて再結晶し、目的物を得た。（収量：21.8ｇ、収率：49％）
1Ｈ−ＮＭＲ（３００ＭＨｚ／ＣＤＣｌ3）：
δ７．４４（ｄ、２Ｈ）、７．５７（ｄ、２Ｈ）、８．０３（ｓ、２Ｈ）
【０３０３】
合成例２  （化合物Ｂの合成）
0004752192.tif 000108
化合物Ｂ
不活性雰囲気下で５００ｍｌの四つ口フラスコに化合物Ａ(16.6ｇ、50.9mmol)とテトラヒドロフラン(293ｇ)を入れ、−７８℃まで冷却した。ｎ−ブチルリチウム(80ml<1.6モルヘキサン溶液>、127.3mmol)を滴下した後、温度を保持したまま１時間撹拌した。この反応液を、不活性雰囲気下で１０００ｍｌの四つ口フラスコにトリメトキシボロン酸(31.7ｇ、305.5mmol)とテトラヒドロフラン(250ml)を入れ、−７８℃まで冷却したものに滴下した。滴下終了後、ゆっくり室温まで戻し、２時間室温で撹拌後、ＴＬＣで原料の消失を確認した。反応終了マスを、２０００ｍｌビーカーに濃硫酸(30g)と水(600ml)をいれたものに、注入し、反応を終了させた。トルエン(300ml)を加え、有機層を抽出し、さらに水を加えて洗浄した。溶媒を留去後、そのうち８ｇと酢酸エチル(160ml)を３００ｍｌの四つ口フラスコにいれ、つづいて３０％過酸化水素水(7.09g)を加え、４０℃で２時間撹拌した。この反応液を、１０００ｍｌのビーカーに硫酸アンモニウム鉄（II）(71g)と水(500ml)の水溶液に注入した。撹拌後、有機層を抽出し、有機層を水で洗浄した。溶媒を除去することにより、化合物Ｂ粗製物６．７２ｇを得た。
ＭＳスペクトル：Ｍ+ 200.0
【０３０４】
合成例３  （化合物Ｃの合成）
0004752192.tif 000109
化合物Ｃ
不活性雰囲気下で２００ｍｌの四つ口フラスコに合成例２と同様の方法で合成した化合物Ｂ(2.28ｇ、11.4mmol)とＮ，Ｎ−ジメチルホルムアミド(23ｇ)を入れ、室温で撹拌、溶かした後、炭酸カリウム(9.45ｇ、68.3mmol) を入れ６０℃まで昇温した。昇温後、臭化ｎ−オクチル(6.60ｇ、34.2mmol)をＮ，Ｎ−ジメチルホルムアミド(11ｇ)で希釈したものを滴下した。滴下終了後、６０℃まで昇温し、温度を保持したまま２時間撹拌し、ＴＬＣで原料の消失を確認した。水(20ml)を加え反応を終了させ、つづいてトルエン(20ml)を加え、有機層を抽出し、有機層を水で２回洗浄した。無水硫酸ナトリウムで乾燥後、溶媒留去した。得られた粗生成物をシリカゲルカラムで精製することにより、目的物を得た。（収量：1.84ｇ、収率：38％）
ＭＳスペクトル：Ｍ+ 425.3
【０３０５】
合成例４    （化合物Ｄの合成）
0004752192.tif 000110
化合物Ｄ
不活性雰囲気下５００ｍｌ四つ口フラスコに合成例３と同様の方法で合成した化合物Ｃ(7.50ｇ、17.7mmol)とＮ，Ｎ−ジメチルホルムアミドを入れ、室温で撹拌、溶かした後、氷浴で冷却した。冷却後、Ｎ−ブロモスクシンイミド(6.38ｇ、35.9mmol)をＮ，Ｎ−ジメチルホルムアミド(225ml)で希釈したものを滴下した。滴下終了後、氷浴で１時間、室温で１８．５時間、４０℃まで昇温し、温度を保持したまま６．５時間撹拌し、液体クロマトグラフィーで原料の消失を確認した。溶媒を除去し、トルエン(75ml)を加え溶解した後、有機層を水で３回洗浄した。無水硫酸ナトリウムで乾燥後、溶媒留去した。得られた粗生成物の約半量をシリカゲルカラムおよび液体クロマトグラフィー分取で精製することにより、目的物を得た。（収量：0.326ｇ）
1Ｈ−ＮＭＲ（３００ＭＨｚ／ＣＤＣｌ3）：
δ０．９０（ｔ、６Ｈ）、１．２６〜１．９５（ｍ、２４Ｈ）、４．１１（ｔ、４Ｈ）、７．３４（ｓ、２Ｈ）、７．７４（ｓ、２Ｈ）
ＭＳスペクトル：Ｍ+ 582.1
【０３０６】
合成例５  ＜高分子化合物１−１の合成＞
化合物Ｄ  ６．２６ｇと２，２‘−ビピリジル４．７ｇとを反応容器に仕込んだ後、反応系内を窒素ガスで置換した。これに、あらかじめアルゴンガスでバブリングして、脱気したテトラヒドロフラン（ＴＨＦ）（脱水溶媒）３５０ｇを加えた。次に、この混合溶液に、ビス（１，５−シクロオクタジエン）ニッケル（０）｛Ｎｉ（ＣＯＤ）２｝を８．３ｇ加え、室温で１０分間攪拌した後、６０℃で３時間反応した。なお、反応は、窒素ガス雰囲気中で行った。
反応後、この溶液を冷却した後、２５％アンモニア水４０ｍｌ／メタノール２００ｍｌ／イオン交換水２００ｍｌ混合溶液をそそぎ込み、約１時間攪拌した。次に、生成した沈殿物を、ろ過することにより回収した。この沈殿物を減圧乾燥した後、トルエン６００ｇに溶解した。この溶液を濾過し、不溶物を除去した後、この溶液を、アルミナを充填したカラムを通すことにより精製した。次に、この溶液を、１規定塩酸で洗浄した。分液後、トルエン相を、約３％アンモニア水で洗浄した。分液後、トルエン相を、イオン交換水で洗浄した。分液後、トルエン溶液を回収した。次に、このトルエン溶液に、攪拌下、メタノールをそそぎ込み、再沈精製した。生成した沈殿を回収した後、この沈殿をメタノールで洗浄した。この沈殿を減圧乾燥して、重合体２．６ｇを得た。
この重合体のポリスチレン換算数平均分子量は、Ｍｎ＝１．１ｘ１０５であり、ポリスチレン換算重量平均分子量は、Ｍｗ＝２．７ｘ１０５であった。
【０３０７】
高分子化合物１−１    下記の繰り返し単位から実質的になるポリマー
0004752192.tif 000111
【０３０８】
実施例１
高分子化合物１−１にイリジウム錯体Ａ（アメリカンダイソース社製）を５ｗｔ％添加した混合物の、０．８ｗｔ％クロロホルム溶液を調製した。
【０３０９】
イリジウム錯体Ａ
0004752192.tif 000112
【０３１０】
スパッタ法により１５０ｎｍの厚みでＩＴＯ膜を付けたガラス基板に、ポリ（エチレンジオキシチオフェン）／ポリスチレンスルホン酸の溶液（バイエル社、ＢａｙｔｒｏｎＰ）を用いてスピンコートにより５０ｎｍの厚みで成膜し、ホットプレート上で２００℃で１０分間乾燥した。次に、上記調製したクロロホルム溶液を用いてスピンコートにより２５００ｒｐｍの回転速度で成膜した。膜厚は約１００ｎｍであった。さらに、これを減圧下８０℃で１時間乾燥した後、陰極バッファー層として、ＬｉＦを約４ｎｍ、陰極として、カルシウムを約５ｎｍ、次いでアルミニウムを約８０ｎｍ蒸着して、ＥＬ素子を作製した。なお真空度が、１×１０-4Ｐａ以下に到達したのち、金属の蒸着を開始した。得られた素子に電圧を引加することにより、５２０ｎｍにピークを有するＥＬ発光が得られた。該素子は約１６Ｖで１００ｃｄ／ｍ２の発光を示した。また最大発光効率は４．５ｃｄ／Ａであった。
【０３１１】
合成例６  （化合物Ｅの合成）
0004752192.tif 000113
化合物Ｅ
不活性雰囲気下１ｌの四つ口フラスコに２，８−ジブロモジベンゾチオフェン  ７ｇとＴＨＦ  ２８０ｍｌを入れ、室温で撹拌、溶かした後、−７８℃まで冷却した。ｎ−ブチルリチウム  ２９ｍｌ（１．６モルヘキサン溶液）を滴下した。滴下終了後、温度を保持したまま２時間撹拌し、トリメトキシボロン酸  １３ｇを滴下した。滴下終了後、ゆっくり室温まで戻した。３時間室温で撹拌後、ＴＬＣで原料の消失を確認した。５％硫酸  １００ｍｌを加えて反応を終了させ、室温で１２時間撹拌した。水を加えて洗浄し、有機層を分液した。溶媒を酢酸エチルに置換した後、３０％過酸化水素水  ５ｍｌを加え、４０℃で５時間撹拌した。その後有機層を分液し、１０％硫酸アンモニウム鉄（II）水溶液で洗浄後乾燥、溶媒を留去することにより、茶色の固体  ４．４３ｇを得た。ＬＣ−ＭＳ測定からは二量体などの副生成物も生成しており、化合物Ｅの純度は７７％であった（ＬＣ面百）。
ＭＳ（ＡＰＣＩ（−））：（Ｍ−Ｈ）-   ２１５
【０３１２】
合成例７  （化合物Ｆの合成）
0004752192.tif 000114
化合物Ｆ
不活性雰囲気下で２００ｍｌの三つ口フラスコに化合物Ｅ  ４．４３ｇと臭化ｎ−オクチル  ２５．１ｇ、および炭酸カリウム  １２．５ｇ（２３．５ｍｍｏｌ）を入れ、溶媒としてメチルイソブチルケトン  ５０ｍｌを加えて１２５℃で６時間加熱還流した。反応終了後、溶媒を留去、クロロホルムと水を加えて、有機層を分液し、さらに水で２回洗浄した。無水硫酸ナトリウムで乾燥後、シリカゲルカラム（展開溶媒：トルエン／シクロヘキサン＝１／１０）で精製することにより、８．４９ｇ（ＬＣ面百９７％、収率９４％）の化合物Ｆを得た。
1Ｈ−ＮＭＲ（３００ＭＨｚ／ＣＤＣｌ3）：
δ０．９１（ｔ、６Ｈ）、１．３１〜１．９０（ｍ、２４Ｈ）、４．０８（ｔ、４Ｈ）、７．０７（ｄｄ、２Ｈ）、７．５５（ｄ、２Ｈ）、７．６８（ｄ、２Ｈ）
【０３１３】
合成例８  （化合物Ｇの合成）
0004752192.tif 000115
化合物Ｇ
【０３１４】
１００ｍｌ三つ口フラスコに化合物Ｆ  ６．６７ｇと酢酸  ４０ｍｌを入れ、オイルバスでバス温度１４０℃まで昇温した。続いて、３０％過酸化水素水  １３ｍｌを冷却管から加え、１時間強く撹拌した後、冷水１８０ｍｌに注いで反応を終了させた。クロロホルムで抽出、乾燥後溶媒を留去することによって、６．９６ｇ（ＬＣ面百９０％、収率９７％）の化合物Ｇを得た。
1Ｈ−ＮＭＲ（３００ＭＨｚ／ＣＤＣｌ3）：
δ０．９０（ｔ、６Ｈ）、１．２６〜１．８７（ｍ、２４Ｈ）、４．０６（ｔ、４Ｈ）、７．１９（ｄｄ、２Ｈ）、７．６９（ｄ、２Ｈ）、７．８４（ｄ、２Ｈ）
ＭＳ（ＡＰＣＩ（＋））：（Ｍ＋Ｈ）+          ４７３
【０３１５】
合成例９  （化合物Ｈの合成）
0004752192.tif 000116
化合物Ｈ
不活性雰囲気下２００ｍｌ四つ口フラスコに化合物Ｇ  ３．９６ｇと酢酸／クロロホルム＝１：１混合液  １５ｍｌを加え、７０℃で撹拌し、溶解させた。続いて、臭素  ６．０２ｇを上記の溶媒  ３ｍｌに溶かして加え、３時間撹拌した。チオ硫酸ナトリウム水溶液を加えて未反応の臭素を除き、クロロホルムと水を加えて、有機層を分液し乾燥した。溶媒を留去し、シリカゲルカラム（展開溶媒：クロロホルム／ヘキサン＝１／４）で精製することにより、４．４６ｇ（ＬＣ面百９８％、収率８４％）の化合物Ｈを得た。
1Ｈ−ＮＭＲ（３００ＭＨｚ／ＣＤＣｌ3）：
δ０．９５（ｔ、６Ｈ）、１．３０〜１．９９（ｍ、２４Ｈ）、４．１９（ｔ、４Ｈ）、７．０４（ｓ、２Ｈ）、７．８９（ｓ、２Ｈ）
ＭＳ（ＦＤ+）Ｍ＋  ６３０
【０３１６】
合成例１０（化合物Ｊの合成）
0004752192.tif 000117
化合物Ｊ
不活性雰囲気下２００ｍｌ三つ口フラスコに化合物Ｈ  ３．９ｇとジエチルエーテル  ５０ｍｌを入れ、４０℃まで昇温、撹拌した。水素化アルミニウムリチウム  １．１７ｇを少量ずつ加え、５時間反応させた。水を少量ずつ加えることによって過剰な水素化アルミニウムリチウムを分解し、３６％塩酸  ５．７ｍｌで洗浄した。クロロホルム、水を加えて、有機層を分液し乾燥した。シリカゲルカラム（展開溶媒：クロロホルム／ヘキサン＝１／５）で精製することにより、１．８ｇ（ＬＣ面百９９％、収率４９％）の化合物Ｊを得た。
1Ｈ−ＮＭＲ（３００ＭＨｚ／ＣＤＣｌ3）：
δ０．９０（ｔ、６Ｈ）、１．２６〜１．９７（ｍ、２４Ｈ）、４．１５（ｔ、４Ｈ）、７．４５（ｓ、２Ｈ）、７．９４（ｓ、２Ｈ）
ＭＳ（ＦＤ＋）Ｍ＋  ５９８
【０３１７】
ＭＳ（ＡＰＣＩ（+））法によれば、６１５、５９８にピークが検出された。
【０３１８】
合成例１１    （高分子化合物１−２の合成）
化合物Ｊ  ４００ｍｇ、および２，２’−ビピリジル  １８０ｍｇを脱水したテトラヒドロフラン２０ｍＬに溶解した後、窒素雰囲気下において、この溶液に、ビス（１、５−シクロオクタジエン）ニッケル（０）｛Ｎｉ（ＣＯＤ）2｝  ３２０ｍｇ加え、６０℃まで昇温し、３時間反応させた。反応後、この反応液を室温まで冷却し、２５％アンモニア水１０ｍｌ／メタノール１２０ｍｌ／イオン交換水５０ｍｌ混合溶液中に滴下して３０分攪拌した後、析出した沈殿をろ過して２時間減圧乾燥し、トルエン３０ｍｌに溶解させた。１Ｎ塩酸３０ｍＬを加えて３時間攪拌した後、水層を除去して有機層に４％アンモニア水３０ｍＬを加えて３時間攪拌した後に水層を除去した。有機層をメタノール１５０ｍＬに滴下して３０分攪拌し、析出した沈殿をろ過して２時間減圧乾燥し、トルエン３０ｍＬに溶解させた。その後、アルミナカラム（アルミナ量２０ｇ）を通して精製を行い、回収したトルエン溶液をメタノール１００ｍＬに滴下して３０分攪拌し、沈殿を析出させた。析出した沈殿をろ過して２時間減圧乾燥させた。得られた高分子化合物１−２の収量は１２０ｍｇであった。
高分子化合物１−２のポリスチレン換算の数平均分子量は、Ｍｎ＝１.３×１０５、重量平均分子量は、Ｍｗ＝２．８×１０５であった。
【０３１９】
高分子化合物１−２    下記の繰り返し単位から実質的になるポリマー
0004752192.tif 000118
【０３２０】
実施例２
高分子化合物１−１のかわりに、高分子化合物１−２を使う以外は上記実施例１と同様に素子を作製した。製膜時のスピンコーター回転数は２０００ｒｐｍ、膜厚は約１６０ｎｍであった。得られた素子に電圧を印加することにより５２０ｎｍにピークを有するＥＬ発光が得られた。該素子は、約２９Ｖで１００ｃｄ／ｍ２の発光を示した。また最大発光効率は３．１ｃｄ／Ａであった。
【０３２１】
実施例３
上記高分子化合物１−１にイリジウム錯体Ｂを５ｗｔ％添加した混合物の、０．８ｗｔ％クロロホルム溶液を調製した。これを用いて実施例１と同様にして素子を作製した。製膜時のスピンコーター回転数は２５００ｒｐｍ、膜厚は約１００ｎｍであった。得られた素子に電圧を印加することにより６２０ｎｍにピークを有するＥＬ発光が得られた。該素子は、約１８Ｖで１００ｃｄ／ｍ２の発光を示した。また最大発光効率は１.６ｃｄ／Ａであった。
イリジウム錯体Ｂ
0004752192.tif 000119
【０３２２】
比較例１
高分子化合物Ｒ１（ポリスチレン換算の数平均分子量は、Ｍｎ＝８．０×１０４、重量平均分子量は、Ｍｗ＝３．０×１０５）にイリジウム錯体Ａを５ｗｔ％添加した混合物の、０．６％クロロホルム溶液を調製し、実施例１と同様に素子を作製した。製膜時のスピンコーター回転数は２６００ｒｐｍ、膜厚は約９０ｎｍであった。得られた素子に電圧を印加することにより、５０８ｎｍにピークを有するＥＬ発光が得られたが、該素子の最大発光効率は０．１２ｃｄ／Ａと低いものであった。
なお、高分子化合物Ｒ１はＵＳ６５１２０８３号公報記載の方法で合成した。
高分子化合物Ｒ１：下記の繰り返し単位から実質的になるホモポリマー
【０３２３】
0004752192.tif 000120
【０３２４】
合成例１２    （高分子化合物１−３の合成）
化合物Ｊ  ４１９ｍｇ、化合物Ｋ  １４６ｍｇ、２，２’−ビピリジル  ３１０ｍｇを脱水したテトラヒドロフラン２８ｍＬに溶解した後、窒素雰囲気下において、この溶液に、ビス（１、５−シクロオクタジエン）ニッケル（０）｛Ｎｉ（ＣＯＤ）2｝  ５５０ｍｇ加え、６０℃まで昇温し、３時間反応させた。反応後、この反応液を室温まで冷却し、２５％アンモニア水１３ｍｌ／メタノール１５０ｍｌ／イオン交換水７５ｍｌ混合溶液中に滴下して３０分攪拌した後、析出した沈殿をろ過して２時間減圧乾燥し、トルエン４０ｍｌに溶解させた。１Ｎ塩酸４０ｍＬを加えて３時間攪拌した後、水層を除去して有機層に４％アンモニア水４０ｍＬを加えて３時間攪拌した後に水層を除去した。有機層をメタノール２００ｍＬに滴下して３０分攪拌し、析出した沈殿をろ過して２時間減圧乾燥し、トルエン４０ｍＬに溶解させた。その後、アルミナカラム（アルミナ量１０ｇ）を通して精製を行い、回収したトルエン溶液をメタノール２００ｍＬに滴下して３０分攪拌した。得られたメタノール懸濁液を約２０ｍｌまで減圧濃縮し、そこに、メタノールを３０ｍｌ加えて攪拌し、沈殿を析出させた。析出した沈殿をろ過して２時間減圧乾燥させた。得られた高分子化合物１−３の収量は１９０ｍｇであった。
高分子化合物１−３のポリスチレン換算の数平均分子量は、Ｍｎ＝４．５×１０4、重量平均分子量は、Ｍｗ＝２．０×１０５であった。
【０３２５】
化合物Ｋ
0004752192.tif 000121
【０３２６】
高分子化合物１−３    下記の繰り返し単位から実質的になるポリマー
0004752192.tif 000122
【０３２７】
実施例４
高分子化合物１−１のかわりに、下記高分子化合物１−３を使う以外は上記実施例１と同様に素子を作製した。ポリ（エチレンジオキシチオフェン）／ポリスチレンスルホン酸の溶液（バイエル社、ＢａｙｔｒｏｎＰ）を用いてスピンコートにより５０ｎｍの厚みで成膜。高分子化合物１−３にイリジウム錯体Ａを５ｗｔ％添加した混合物の０．８ｗｔ％クロロホルム溶液を調整し、スピンコーターにより１６００ｒｐｍの回転速度で成膜した。アルミニウムは約５０ｎｍ蒸着した。得られた素子に電圧を印加することにより５１６ｎｍにピークを有するＥＬ発光が得られた。該素子は、約７．９Ｖで１００ｃｄ／ｍ２の発光を示した。また最大発光効率は８．３ｃｄ／Ａであった。
【０３２８】
比較例２
高分子化合物１−３にイリジウム錯体Ａを添加しない以外は、上記実施例と同様に素子を作製した。得られた素子に電圧を印加することにより４３６ｎｍにピークを有するＥＬ発光が得られた。該素子は、約７．４Ｖで１００ｃｄ／ｍ２の発光を示した。また最大発光効率は０．３７ｃｄ／Ａであった。
【０３２９】
合成例１３    （高分子化合物１−４）
化合物Ｊ  ６．４５ｇと化合物Ｌ  ２．０７ｇと２，２’―ビピリジル５．５ｇとを反応容器に仕込んだ後、反応系内を窒素ガスで置換した。これに、あらかじめアルゴンガスでバブリングして、脱気したテトラヒドロフラン（脱水溶媒）４００ｇを加えた。次に、この混合溶液に、ビス（１，５−シクロオクタジエン）ニッケル（０）を１０．０ｇ加え、室温で１０分間攪拌した後、６０℃で３時間反応した。なお、反応は、窒素ガス雰囲気中で行った。
反応後、この溶液を冷却した後、２５％アンモニア水１００ｍｌ／メタノール２００ｍｌ／イオン交換水２００ｍｌ混合溶液をそそぎ込み、約１時間攪拌した。次に、生成した沈殿を濾過し、回収した。この沈殿を減圧乾燥した後、トルエンに溶解した。この溶液を濾過し、不溶物を除去した後、このトルエン溶液を１規定塩酸で洗浄した後、分液、トルエン溶液を回収した。次に、このトルエン溶液を、約３％アンモニア水で洗浄した後、分液、トルエン溶液を回収した。次に、このトルエン溶液をイオン交換水で洗浄した後、分液、トルエン溶液を回収した。このトルエン溶液に、攪拌下、メタノールを加えることにより、再沈精製した。
次に、生成した沈殿を回収し、この沈殿を減圧乾燥して、重合体４．０ｇを得た。この重合体を高分子化合物  と呼ぶ。得られた高分子化合物  のポリスチレン換算重量平均分子量は、３．９ｘ１０5であり、数平均分子量は、４．３ｘ１０４であった。
【０３３０】
化合物Ｌ
0004752192.tif 000123
【０３３１】
高分子化合物１−４    下記の繰り返し単位から実質的になる共重合ポリマー
0004752192.tif 000124
【０３３２】
実施例５
高分子化合物１−１のかわりに、高分子化合物１−４を使う以外は上記実施例３と同様に素子を作製した。製膜時のスピンコーター回転数は４０００ｒｐｍ、膜厚は約１００ｎｍであった。得られた素子に電圧を印加することにより６２０ｎｍにピークを有するＥＬ発光が得られた。該素子は、約７．２Ｖで１００ｃｄ／ｍ２の発光を示した。また最大発光効率は０．７ｃｄ／Ａであった。
【０３３３】
比較例３
高分子化合物１−４にイリジウム錯体Ｂを添加しない以外は、上記実施例と同様に素子を作製した。得られた素子に電圧を印加することにより４５２ｎｍにピークを有するＥＬ発光が得られた。該素子は、約７．７Ｖで１００ｃｄ／ｍ２の発光を示し、最大発光効率は０．５ｃｄ／Ａであった。
【０３３４】
合成例１４      （高分子化合物１−５）
化合物Ｄ  ０．６１ｇと化合物Ｋ  ０．２２ｇと２，２’―ビピリジル０．５５ｇとを反応容器に仕込んだ後、反応系内を窒素ガスで置換した。これに、あらかじめアルゴンガスでバブリングして、脱気したテトラヒドロフラン（脱水溶媒）５０ｇを加えた。次に、この混合溶液に、ビス（１，５−シクロオクタジエン）ニッケル（０）を１．０ｇを加え、室温で１０分間攪拌した後、６０℃で３時間反応した。なお、反応は、窒素ガス雰囲気中で行った。
反応後、この溶液を冷却した後、２５％アンモニア水１０ｍｌ／メタノール４０ｍｌ／イオン交換水４０ｍｌ混合溶液をそそぎ込み、約１時間攪拌した。次に、生成した沈殿を濾過し、回収した。この沈殿を減圧乾燥した後、トルエンに溶解した。この溶液を濾過し、不溶物を除去した後、次に、このトルエン溶液をアルミナを充填したカラムを通し、精製した。次に、このトルエン溶液をメタノール中に注ぎ込むことにより、再沈精製した。
次に、生成した沈殿を濾過し、回収した。この沈殿を減圧乾燥して、重合体０．４ｇを得た。この重合体を高分子化合物  と呼ぶ。得られた高分子化合物  のポリスチレン換算重量平均分子量は、４．６ｘ１０４であり、数平均分子量は、６．５ｘ１０３であった
【０３３５】
高分子化合物１−５    下記の繰り返し単位から実質的になる共重合ポリマー
0004752192.tif 000125
実施例６
高分子化合物１−１のかわりに、高分子化合物１−５を使う以外は上記実施例１と同様に素子を作製した。製膜時のスピンコーター回転数は１４００ｒｐｍ、膜厚は約９５ｎｍであった。得られた素子に電圧を印加することにより５１６ｎｍにピークを有するＥＬ発光が得られた。該素子は、約８．５Ｖで１００ｃｄ／ｍ２の発光を示した。また最大発光効率は６．２ｃｄ／Ａであった。
【０３３６】
比較例４
高分子化合物１−５にイリジウム錯体Ａを添加しない以外は、上記実施例と同様に素子を作製した。得られた素子に電圧を印加することにより４４４ｎｍにピークを有するＥＬ発光が得られた。該素子は、約６．１Ｖで１００ｃｄ／ｍ２の発光を示し、最大発光効率は０．６ｃｄ／Ａであった。