(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
平坦な上面を有する支持基台と，
前記支持基台上にフェースアップで載置され，第１の波長の光を放射し，ＧａＮ基板上に形成されたＩｎＧａＮ系の半導体レーザ素子である第１半導体レーザ素子と，
前記支持基台上にフェースダウンで前記第1半導体レーザの横に載置され，前記第１の波長の光と同一方向に前記第１の波長と異なる第２の波長の光を放射し，ＧａＡｓ基板上に形成されたＩｎＧａＡｌＰ系の半導体レーザ素子である第２半導体レーザ素子と，
を具備し，
前記支持基台から前記第１半導体レーザ素子の発光領域までの距離は，前記支持基台から前記第２半導体レーザ素子の発光領域までの距離よりも大であることを特徴とする多波長半導体レーザ装置。
【請求項２】
前記第１半導体レーザ素子が形成された基板の厚さが，前記第１半導体レーザ素子の前記第１の波長の光を放射する第１発光領域と前記第２半導体レーザ素子の前記第２の波長の光を放射する第２発光領域とを結ぶ直線と前記支持基台を含む平面とのなす角度が２０度乃至５０度になるように設定されていることを特徴とする請求項１に記載の多波長半導体レーザ装置。
【請求項３】
前記第２半導体レーザ素子が，前記第１および第２の波長のいずれとも異なる第３の波長の光を放射する第３発光領域を更に有することを特徴とする請求項１または請求項２に記載の多波長半導体レーザ装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、複数の波長の異なる光を放射する多波長半導体レーザ装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
ＤＶＤ（digital versatile disk）の記録・再生装置にはＣＤ（Compact disk）の再生あるいは記録機能も備えている。  
例えば、一台の光ディスク駆動装置でＤＶＤ媒体への記録・再生とＣＤ媒体の再生の機能を実現するために、光ピックアップヘッド（Optical Pick Up Head；ＰＵＨ）にはＤＶＤ記録再生用光源並びにＣＤ再生用光源として、それぞれ発振波長が６５０ｎｍ帯の高出力赤色半導体レーザ素子と７８０ｎｍ帯の低出力赤外半導体レーザ素子を同一基板上にモノリシックに形成した２波長半導体レーザ装置が用いられている。
【０００３】
近年、更に記録密度を向上させた次世代ＤＶＤ用に発振波長が４００ｎｍ帯の高出力青色半導体レーザ素子を組み合わせた光ピックアップヘッドの開発が進んでいる（例えば特許文献１、または特許文献２参照。）。
【０００４】
特許文献１に開示された多波長半導体レーザ装置は、出射面の第１の位置での光束断面形状が第１の楕円形状である第１のレーザ光を放射する第１の発光領域と、第１の位置から離間した第２の位置での光束断面形状が前記第１の楕円形状の長径および短径からそれぞれほぼ平行に変位した長径および短径を有する第２の楕円形状である第２のレーザ光を放射する第２の発光領域とを具備し、フェースダウンで支持基台上に載置されている。
【０００５】
第１の発光領域と第２の発光領域は基板と平行な方向に１１０μｍ程度、基板と垂直な方向に４０〜１３１μｍ程度離間し、第１および第２の発光領域を結ぶ直線と基板とのなす角度θを２０度乃至５０度に設定している。
【０００６】
然しながら、特許文献１に開示された多波長半導体レーザ装置は、第１および第２発光領域が同一基板にモノリシックに形成されているので、角度θを付けるためには基板からの距離に差を設けて第１および第２発光領域を形成する必要がある。そのため、多波長半導体レーザ素子の製造工程が複雑になるという問題がある。
【０００７】
また、第１および第２発光領域を個別の半導体レーザ素子に形成した場合に、角度θを付けるためには段差を有する支持基台を用いる必要がある。そのため、多波長半導体レーザ装置の組み立て工程が複雑になるという問題がある。
【０００８】
特許文献２に開示された多波長半導体レーザ装置は、導電性のＧａＮ基板上またはサファイア基板上に形成され、フェースダウンで支持基台上に載置された波長４００ｎｍ帯の第１半導体レーザ素子と、ＧａＡｓ基板上に形成され、フェースダウンで第１半導体レーザ素子上に積層された波長６５０ｎｍ帯と７８０ｎｍ帯の２波長の第２半導体レーザ素子とを具備している。
【０００９】
然しながら、特許文献２に開示された多波長半導体レーザ装置は、第１半導体レーザ素子と第２半導体レーザ素子の発光領域の距離が近いので、高出力で記録媒体に書き込みを行う場合にお互いの干渉性が問題となる。更に、第１および第２半導体レーザ素子の最適な配置については何ら開示されていない。
【００１０】
また、第１半導体レーザ素子の基板が導電性ＧａＮの場合には、第１および第２半導体レーザ素子間との絶縁性が確保できず、第１半導体レーザ素子の基板がサファイアの場合には、サファイアの熱伝導率がＧａＮより小さいため第２半導体レーザ素子の放熱特性が悪化するという問題がある。
【特許文献１】特開２００５−６４４３０号公報
【特許文献２】特開２００１−２３０５０２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１１】
本発明は、記録媒体への書き込みに十分なレーザ光をそれぞれの波長で放射する多波長半導体レーザ装置を提供する。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
本発明の一態様の多波長半導体レーザ装置は、支持基台上にフェースアップで載置され、第１の波長の光を放射する第１半導体レーザ素子と、前記支持基台上にフェースダウンで載置され、前記第１の波長の光と同一方向に前記第１の波長と異なる第２の波長の光を放射する第２半導体レーザ素子と、を具備することを特徴としている。
【００１３】
また、本発明の別態様の多波長半導体レーザ装置は、支持基台上にフェースダウンで載置され、第１の波長の光を放射する第１半導体レーザ素子と、前記第１半導体レーザ素子上にフェースダウンで載置され、前記第１の波長の光と同一方向に前記第１の波長と異なる第２の波長の光を放射する第２半導体レーザ素子と、を具備することを特徴としている。
【発明の効果】
【００１４】
本発明によれば、記録媒体への書き込みに十分なレーザ光をそれぞれの波長で放射する多波長半導体レーザ装置を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１５】
以下、本発明の実施例について図面を参照しながら説明する。
【実施例１】
【００１６】
本発明の実施例１に係る多波長半導体レーザ装置について、図１乃至図３を用いて説明する。図１は多波長半導体レーザ装置を示す断面図、図２は外囲器に収納された多波長半導体レーザ装置を示す斜視図、図３は多波長半導体レーザ装置が外囲器にマウントされた状態を示す断面図である。
【００１７】
図１に示すように、本実施例の多波長半導体レーザ装置１０は、絶縁性の支持基台（以下、絶縁性サブマウントという）１１上にフェースアップで載置された第１半導体レーザ素子１２と、サブマウント１１上にフェースダウンで載置され、レーザビームの出射方向が第１半導体レーザ素子１２と同一方向に配置された第２半導体レーザ素子１３とを具備している。
【００１８】
本明細書では、半導体レーザ素子の基板がサブマウント側になるように載置する場合をフェースアップと言い、半導体レーザ素子の発光領域がサブマウント側になるように載置する場合をフェースダウンと言う。
【００１９】
絶縁性サブマウント１１は、熱伝導率の高い絶縁部材、例えばＡｌＮ、ＳｉＣなどのセラミックスにより形成され、第１および第２半導体レーザ素子１２、１３において発生した熱を放散するヒートシンクの役割を有している。
【００２０】
第１半導体レーザ素子１２は端面放射型の半導体レーザ素子で、第１基板、例えば絶縁性ＧａＮ基板１４上に形成された４００ｎｍ帯の高出力青色半導体レーザ部１５を有している。青色半導体レーザ部１５の第１発光領域１６から青色レーザビームが放射される。
【００２１】
本明細書では、絶縁性ＧａＮ基板１４とは絶縁物（比抵抗ρ＞１Ｅ９Ωｃｍ）ではなく、ＧａＮ基板１４側にリークする電流が青色半導体レーザ部１５の動作に影響を及ぼさない程度の抵抗値を有するものを言う。
【００２２】
例えば、絶縁性ＧａＮ基板１４は導電性ＧａＮ基板上に亜鉛（Ｚｎ）を高濃度に添加したＧａＮ層をＭＯＣＶＤ（Metal Organized Chemical Vapor Deposition）法により形成して得ることができる。ＺｎがドープされたＧａＮ層はＺｎが活性化しないために高抵抗を示す。
【００２３】
第２半導体レーザ素子１３は端面放射型の半導体レーザ素子で、第２基板、例えば導電性ＧａＡｓ基板１７上にモノリシックに形成された６５０ｎｍ帯の高出力赤色半導体レーザ部１８と７８０ｎｍ帯の低出力赤外半導体レーザ部１９とを有している。  
赤色半導体レーザ部１８の第２発光領域２０から赤色レーザビームが放射され、赤外半導体レーザ部１９の第３発光領域２１から赤外レーザビームが放射される。
【００２４】
第１半導体レーザ素子１２は、絶縁性ＧａＮ基板１４側が、例えば金錫共晶のはんだ層２２を介してサブマウント１１上にフェースアップで接合されている。
【００２５】
第２半導体レーザ素子１３は、高出力赤色半導体レーザ部１８側が、例えば金錫共晶のはんだ層２３を介してサブマウント１１上にフェースダウンで接合され、赤外半導体レーザ部１９側が、例えば金錫共晶のはんだ層２４を介してサブマウント１１上にフェースダウンで接合されている。
【００２６】
通常の端面放射型の半導体レーザ素子は、放射されるレーザビームの断面形状が基板の厚さ方向を長軸とする楕円形状をしている。  
記録媒体のトラックの周方向に対してレーザビームの長軸方向を垂直にして書き込み用高出力レーザビームを記録媒体に照射すると、既に書き込まれた隣接トラックにもレーザビームの一部がはみ出して照射され、外乱となる反射が生じる。  
そのため、外乱となる反射光との干渉を避けるために、トラックの周方向に対してレーザビームを斜めに照射する必要がある。
【００２７】
従って、青色半導体レーザ部１５の第１発光領域１６と赤色半導体レーザ部１８の第２発光領域２０とを結ぶ直線ｌと絶縁性サブマウント１１とのなす角度θは、干渉を避けるために２０度乃至５０度になるように設定することが望ましい。
【００２８】
例えば、角度θが３０度で、青色半導体レーザ部１５の第１発光領域１６と赤色半導体レーザ部１８の第２発光領域２０との絶縁性サブマウント１１に平行な方向の距離Ｌｘ１が、例えば一般的な１１０μｍの場合に、絶縁性サブマウント１１に垂直な方向の距離Ｌｙ１が６４μｍとなるように絶縁性ＧａＮ基板１４の厚さを設定する。
【００２９】
第１半導体レーザ素子１２の青色半導体レーザ部１５は、高出力を得るため大電流動作が必要であるが絶縁性ＧａＮ基板１４の熱伝導率（１．３Ｗ／ｃｍ・Ｋ）が良いことから、絶縁性サブマウント１１に垂直な方向の距離Ｌｙ１を確保するためにフェースアップでのマウントが適している。
【００３０】
第２半導体レーザ素子１３の赤色半導体レーザ部１８は、高出力を得るため大電流動作が必要であるがＧａＡｓ基板１７の熱伝導率（０．５Ｗ／ｃｍ・Ｋ）が悪いことから、放熱性を良くするためにフェースダウンでのマウントが適している。
【００３１】
これにより、多波長半導体レーザ装置１０を光ピックアップヘッドに用いるのに、第１発光領域１６と第２発光領域２０とを結ぶ直線ｌと絶縁性サブマウント１１とのなす角度θを満足し、且つ第１および第２半導体レーザ素子１２、１３の放熱性を確保することが可能である。
【００３２】
図２は、外囲器に収納された多波長半導体レーザ装置３０（パッケージ品）を示す図で、図２（ａ）は外囲器の一部が切欠された斜視図、図２（ｂ）は多波長半導体レーザ装置１０が絶縁性サブマウント１１にマウントされた状態を示す斜視図である。
【００３３】
図２（ａ）に示すように、外囲器に収納された多波長半導体レーザ装置３０は、５本のリ−ドピン３１が電気的に絶縁されて植設された金属製のステム３２に多波長半導体レーザ装置１０及びレーザビームをモニタするためのモニタフォトダイオード３３が固定されている。
【００３４】
多波長半導体レーザ装置１０はマウントベース３４にマウントされ、ステム３２の対向側にレーザビームを取り出すようにステム３２と垂直に固定されている。
【００３５】
また、モニタフォトダイオード３３は、多波長半導体レーザ装置１０の下方においてステム３２に固定されている。
【００３６】
これら多波長半導体レーザ装置１０及びモニタフォトダイオード３３は、ワイヤ等によりリードピン３１と電気的に接続されている。
【００３７】
また、金属製のキャップ３５が多波長半導体レーザ装置１０、モニタフォトダイオード３３を内包してステム３２に封着されている。
【００３８】
キャップ３５の頂部には、レーザビームを取り出すためのウィンドウガラス３６が設けられ、多波長半導体レーザ装置１０からの青色レーザビーム３７、赤色レーザビーム３８および赤外レーザビーム３９は、多波長半導体レーザ装置１０の一方の端面からウィンドウガラス３６を通して外囲器の外部に向けて放射され、他方の端面からのレーザビームは、レーザ出力を制御するためのモニタフォトダイオード３３に入射する。
【００３９】
図２（ｂ）に示すように、多波長半導体レーザ装置１０は、第１半導体レーザ素子１２の絶縁性ＧａＮ基板１４側がハンダ２２により絶縁性サブマウント１１に固着され、フェースアップでマウントされている。  
また、第２半導体レーザ装置１３の赤色半導体レーザ部１８側および赤外半導体レーザ部１９側がハンダ２３、２４によりフェースダウンでマウントされている。
【００４０】
図３は多波長半導体レーザ装置１０がマウントされたサブマウント１１がステム３２のマウントベース３４にマウントされた状態を示す断面図である。
【００４１】
図３に示すように、第１半導体レーザ素子１２の青色半導体レーザ部１５の第１発光領域１６および第２半導体レーザ素子１３の赤色半導体レーザ部１８の第２発光領域２０を結ぶ直線ｌは絶縁性サブマウント１１に対して角度θだけ傾斜しているので、ステム３２の基準面（図示せず）に対して直線ｌを平行に保つために、マウントベース３４のマウント面を角度θだけ傾斜させて絶縁性サブマウント１１をマウントしている。
【００４２】
これにより、青色レーザビーム３７および赤色レーザビーム３８がステム３２の基準面に対して平行に配置され、且つレーザビーム３７、３８、３９の長軸がステム３２の基準面と垂直な方向から角度θだけ傾いた多波長半導体レーザ装置３０（パッケージ品）が得られる。
【００４３】
図４は多波長半導体レーザ装置３０を用いた光ピックアップの構成を示す図である。  
図４に示すように、書き込み時（記録時）には、多波長半導体レーザ装置３０で発光されたレーザビーム（青色、赤色から選択されたいずれかの波長のもの）をハーフミラー５１に導き反射させ、この反射されたレーザビームをコリメートレンズ５２に入射させて平行光線化する。
【００４４】
さらに、平行光線化されたレーザビームを立ち上げミラー５３に導き、反射させて対物レンズ５４に入射させる。  
対物レンズ５４では、記録に適する照射スポットをディスク面５５上に形成すべく入射レーザビームを絞る。これにより、ディスク面５５上に書き込みがなされる。
【００４５】
読み出し時（再生時）には、上記書き込み時と同様のレーザビームの発光、導光、照射を低出力状態にて行う。  
そしてその反射光を、対物レンズ５４、立ち上げレンズ５３、コリメートレンズ５２、ハーフミラー５１、ホログラム素子５６と順に導いて集光し光検出器５７に入射する。これにより、ディスク面５５上に記録された情報を読み出す。
【００４６】
これにより、同一の光ピックアップで次世代ＤＶＤ、ＤＶＤ−Ｒ／−ＲＷ／−ＲＯＭのおよびＣＤ−Ｒ／−ＲＷ／−ＲＯＭのいずれに対しても読み書き（−ＲＯＭの場合は読み出しのみ）ができる。ここで、Ｒはrecordable、ＲＷはrewritable、ＲＯＭはread only memoryの略である。
【００４７】
図５は多波長半導体レーザ装置３０の効果を説明するための模式図で、図５（ａ）は従来の多波長半導体レーザ装置からのレーザビームがディスク上のトラック６０に照射されるビームの位置関係を示す模式図、図５（ｂ）は、本実施例の半導体レーザ装置３０からのレーザビームがディスク上のトラック６１に照射されるビームの位置関係を示す模式図である。
【００４８】
ＤＶＤの記録系（すなわち書き込み系）レコーダにおいては、隣のトラック（すなわちピット列）６０ａからの反射によるサーボ信号の外乱を避けるため、ビーム６２の広がり方向Ｓがトラッキング方向Ｇに対して角度（例えば１０〜８０度の間）を持つように傾斜させることが望ましい。
【００４９】
図５（ａ）に示すように、従来の多波長半導体レーザ装置ではビーム発光位置が同一水平面上にあるので、対物レンズ６３により発光領域間の水平距離に対応して距離Ｄ、及びトラック６０の長手方向に沿って距離Ｅだけ離れたビームが照射される。
【００５０】
しかし、対物レンズ６３はトラッキング方向Ｇにしか追従できないため、ＣＤ用ビーム６４は対物レンズ６３の中心からトラック６０の長手方向に沿って距離Ｅだけはずれるので、対物レンズ６３を備えた光ピックアップヘッドでは補正ができない。
【００５１】
図５（ｂ）に示すように、本実施例の半導体レーザ装置３０では次世代ＤＶＤ用の青色レーザビーム３７は対物レンズで集束されてビーム６５となり、一方ＤＶＤ用の赤色レーザビーム３８も対物レンズで集束されてビーム６６となる。
【００５２】
ビーム間には、発光領域の水平距離に対応して距離Ｄ、垂直距離に対応して距離Ｆが生じるが、発光領域の水平及び垂直距離を適正に選ぶことにより、トラック６１の長手方向のズレＥを無くすことができる。
【００５３】
つまり、対物レンズ６３をトラッキング方向Ｇに追従させることによって、各々のビーム中心が対物レンズのほぼ中央に来るようにできる。
【００５４】
この結果、対物レンズ６３はどちらのビームに対しても追従可能となる。図３に示す直線ｌが図５（ｂ）に示す線Ｂ−Ｂに対応する。
【００５５】
以上説明したように、本実施例の多波長半導体レーザ装置１０は、第１半導体レーザ素子１２をフェースアップでサブマウント１１上に載置し、第２半導体レーザ素子１３をフェースダウンでサブマウント１１上に載置し、第１および第２半導体レーザ素子１２、１３のレーザビームの出射方向が同一となるように配置している。
【００５６】
その結果、第１半導体レーザ素子１２の第１基板１４の厚さを調整することにより、第１半導体レーザ素子１２の第１発光領域１６と第２半導体レーザ素子１３の第２発光領域２０とを結ぶ直線ｌとサブマウント１１に平行な方向とのなす角度θを自由に設定することができる。
【００５７】
従って、記録媒体への書き込みに十分なレーザ光をそれぞれの波長で放射する多波長半導体レーザ装置を提供することができる。
【００５８】
また、絶縁性ＧａＮ基板１４により、第１および第２半導体レーザ素子１２、１３の間の絶縁性と、第１半導体素子１２の放熱性が確保される。
【００５９】
更に、角度θを付けるための段差を有するサブマウントが不要であり、多波長半導体レーザ装置の組み立て工程が容易である。
【００６０】
更に、赤色半導体レーザ部１８と赤外半導体レーザ部１９が同一ＧａＡｓ基板１７にモノリシックに形成された場合について説明したが、それぞれ別個の基板に形成したものであっても構わない。
【実施例２】
【００６１】
図６は、本発明の実施例２に係る多波長半導体レーザ素子の構造を示す断面図である。本実施例において、上記実施例１と同一の構成部分には同一符号を付してその部分の説明は省略し、異なる部分について説明する。
【００６２】
本実施例が実施例１と異なる点は、青色、赤色に加えて赤外の３波長とも高出力の半導体レーザ装置としたことにある。
【００６３】
即ち、図６に示すように、多波長半導体レーザ素子１３０は、絶縁性サブマウント１３１上にフェースアップで載置された第１半導体レーザ素子１２と、絶縁性サブマウント１３１上にフェースダウンで載置され、レーザビームの出射方向が第１半導体レーザ素子１２と同一方向に配置された第２半導体レーザ素子１３３とを具備している。
【００６４】
第２半導体レーザ素子１３３は端面放射型の半導体レーザ素子で、ｎ−ＧａＡｓ基板１３７上にモノリシックに形成された６５０ｎｍ帯の高出力赤色半導体レーザ部１８と７８０ｎｍ帯の高出力赤外半導体レーザ部１３９とを有している。  
ｎ−ＧａＡｓ基板１３７は段差を有し、段差の下部１３７ａに赤色半導体レーザ部１８が形成され、段差の上部１３７ｂに赤外半導体レーザ部１３９が形成されている。
【００６５】
絶縁性サブマウント１３１はｎ−ＧａＡｓ基板１３７の段差に対応した段差を有し、段差の上部１３１ａに赤色半導体レーザ部１８がフェースダウンで載置され、段差の下部１３１ｂに赤外半導体レーザ部１３９がフェースダウンで載置されている。
【００６６】
第１半導体レーザ素子１２の青色半導体レーザ部１５の第１発光領域１６と、第２半導体レーザ素子１３３の赤色半導体レーザ部１８の第２発光領域２０と、第２半導体レーザ素子１３３の赤外半導体レーザ部１３９の第３発光領域１４１とが一直線ｍ上に並ぶように配置されている。
【００６７】
例えば、直線ｍと絶縁性サブマウント１３１とのなす角度θが３０度で、赤色半導体レーザ部１８の第２発光領域２０と赤外半導体レーザ部１３９の第３発光領域１４１との水平方向の距離Ｌｘ２が、例えば一般的な１１０μｍの場合に、垂直方向の距離Ｌｙ２が６４μｍとなるようにＧａＡｓ基板１３７に段差を設ければ良い。
【００６８】
赤外半導体レーザ部１３９の出力を赤外半導体レーザ部１９より高い出力とするために、赤外半導体レーザ部１３９の共振器長は赤外半導体レーザ部１９の共振器長Ｌ２より長く設定されている。
【００６９】
これにより、青色、赤色に加えて赤外の３波長とも高出力で、且つ互いに干渉することのない多波長半導体レーザ装置１３０を得ることが可能である。
【００７０】
以上説明したように、本実施例の多波長半導体レーザ装置１３０は、ｎ−ＧａＡｓ基板１３７に設けられた段差の下部１３７ａに赤色半導体レーザ部１８が形成され、段差の上部１３７ｂに赤外半導体レーザ部１３９が形成された第２半導体レーザ装置１３３を有し、対応した段差を有するに絶縁性サブマウント１３１にフェースダウンで載置している。
【００７１】
その結果、第１半導体レーザ素子１２の青色半導体レーザ部１５の第１発光領域１６と、第２半導体レーザ素子１３３の赤色半導体レーザ部１８の第２発光領域２０と、第２半導体レーザ素子１３３の赤外半導体レーザ部１３９の第３発光領域１４１とを一直線ｍ上に配置することができる。
【００７２】
従って、赤外半導体レーザ部１３９の出力を高出力とし、青色、赤色に加えて赤外の３波長とも高出力で、且つ互いに干渉することのない多波長半導体レーザ装置１３０が得られる。
【実施例３】
【００７３】
図７は、本発明の実施例３に係る多波長半導体レーザ装置の構造を示す断面図である。本実施例において、上記実施例１と同一の構成部分には同一符号を付してその部分の説明は省略し、異なる部分について説明する。
【００７４】
本実施例が実施例１と異なる点は、第１半導体素子および第２半導体素子を積層したことにある。
【００７５】
即ち、図７に示すように、本実施例の多波長半導体レーザ装置１５０は、絶縁性サブマウント１５１上に、第１半導体レーザ素子１２がフェースダウンで載置され、且つ第１半導体素子１２上に第２半導体素子１３がフェースダウンで載置されている。
【００７６】
第１半導体レーザ素子１２は絶縁性ＧａＮ基板１４のｎ−ＧａＮ基板１４ａ上に形成され、第２半導体レーザ素子１３は絶縁性ＧａＮ基板１４のＧａＮ高抵抗層１４ｂ上にフェースダウンで載置されている。
【００７７】
絶縁性サブマウント１５１は段差を有し、段差の上面１５１ａに第１半導体レーザ素子１２のｎ側電極１２ａが載置され、段差の下面１５１ｂに第１半導体レーザ素子１２のｐ側電極（図示せず）が載置されている。
【００７８】
第１半導体レーザ素子１２の青色半導体レーザ部１５の第１発光領域１６と第２半導体レーザ素子１３の赤色半導体レーザ部１８の第２発光領域２０とを結ぶ直線ｎが絶縁性サブマウント１５１とのなす角度θが、例えば３０度で、青色半導体レーザ部１５の第１発光領域１６と赤色半導体レーザ部１８の第２発光領域２０との距離Ｌｘ３が一般的な１１０μｍの場合に、距離Ｌｙ３を６４μｍとすればよい。
【００７９】
以上説明したように、本実施例の多波長半導体レーザ装置１５０は、第１半導体レーザ素子１２上に第２半導体レーザ素子１３をフェースダウンで積層している。
【００８０】
その結果、第２半導体レーザ素子１３の放熱性と、赤色半導体レーザ部１８と赤外半導体レーザ部１９と第１半導体レーザ素子１２間の絶縁性がともに確保され、且つ絶縁性サブマウント１５１上の設置面積が小さくできる利点がある。
【００８１】
上述した実施例では、第１基板が絶縁性ＧａＮ基板１４である場合について説明したが、本発明はこれに限定されず、導電性ＧａＮ基板を用いることもできる。
【図面の簡単な説明】
【００８２】
【図１】本発明の実施例１に係る多波長半導体レーザ装置を示す断面図。
【図２】本発明の実施例１に係る外囲器に収納された多波長半導体レーザ装置を示す図で、図２（ａ）は外囲器の一部が切欠された斜視図、図２（ｂ）は多波長半導体レーザ装置を示す斜視図。
【図３】本発明の実施例１に係る多波長半導体レーザ装置が外囲器のステムにマウントされた状態を示す断面図。
【図４】本発明の実施例１に係る多波長半導体レーザ装置を用いたピックアップヘッドの構成を示す図。
【図５】本発明の実施例１に係る多波長半導体レーザ装置の効果を説明するための模式図。
【図６】本発明の実施例２に係る多波長半導体レーザ装置を示す断面図。
【図７】本発明の実施例３に係る多波長半導体レーザ装置を示す断面図。
【符号の説明】
【００８３】
１０、１３０、１５０  多波長半導体レーザ装置
１１、１３１、１５１  絶縁性サブマウント（支持基台）
１２  第１半導体レーザ素子
１３、１３３  第２半導体レーザ素子
１４  絶縁性ＧａＮ基板（第１基板）
１５  青色半導体レーザ部
１６  第１発光領域
１７、１３７  ｎ−ＧａＡｓ基板（第２基板）
１８  赤色半導体レーザ部
１９、１３９  赤外半導体レーザ部
２０  第２発光領域
２１、１４１  第３発光領域
２２、２３、２４、１４４、１５２、１５３  はんだ層
３０  多波長半導体レーザ装置(パッケージ品)
３１  リードピン
３２  ステム
３３  モニタフォトダイオード
３４  マウントベース
３５  キャップ
３６  ウィンドウガラス
３７  青色レーザビーム
３８  赤色レーザビーム
３９  赤外レーザビーム
５１  ハーフミラー
５２  コリメータレンズ
５３  立ち上げミラー
５４、６３  対物レンズ
５５  ディスク面
５６  ホログラム素子
５７  光検出器
６０、６０ａ、６１  トラック
６２、６４、６５、６６  ビーム
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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