(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
液浸露光装置による露光処理前の基板に所定の処理を行う基板処理装置であって、
基板に感光性膜を形成する感光性膜形成ユニットと、
前記感光性膜形成ユニットによる感光性膜の形成後に前記感光性膜を保護する保護膜を処理液を用いて形成する保護膜形成ユニットとを備え、
前記保護膜形成ユニットは、
各々異なる有機溶媒または保護膜の処理液を基板に供給する複数の供給手段を含み、
前記複数の供給手段のうち一の供給手段から有機溶媒を供給した後に他の供給手段から保護膜の処理液を供給することにより感光性膜上に保護膜を形成することを特徴とする基板処理装置。
【請求項２】
前記一の供給手段から供給される有機溶媒の成分は、前記感光性膜形成ユニットにより形成される感光性膜の成分に応じて決定されることを特徴とする請求項１記載の基板処理装置。
【請求項３】
前記一の供給手段から供給される有機溶媒は、前記他の供給手段から供給される処理液の主溶媒であることを特徴とする請求項１または２記載の基板処理装置。
【請求項４】
前記他の供給手段から供給される処理液の成分は、前記液浸露光装置において用いられる液体の成分に応じて決定されることを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載の基板処理装置。
【請求項５】
液浸露光装置による露光処理前の基板に所定の処理を行う基板処理方法であって、
基板に感光性膜を形成する工程と、
前記感光性膜の形成後に複数の有機溶媒のうち一の有機溶媒を選択し、基板に選択された有機溶媒を供給する工程と、
前記有機溶媒の供給後に複数の保護膜の処理液のうち一の処理液を選択し、基板に選択された処理液を供給することにより感光性膜上に保護膜を形成する工程とを備えることを特徴とする基板処理方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板の処理を行う基板処理装置および基板処理方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体基板、液晶表示装置用基板、プラズマディスプレイ用基板、光ディスク用基板、磁気ディスク用基板、光磁気ディスク用基板、フォトマスク用基板等の各種基板に種々の処理を行うために、基板処理装置が用いられている。
【０００３】
このような基板処理装置では、一般に、一枚の基板に対して複数の異なる処理が連続的に行われる。特許文献１に記載された基板処理装置は、インデクサブロック、反射防止膜用処理ブロック、レジスト膜用処理ブロック、現像処理ブロックおよびインターフェイスブロックにより構成される。インターフェイスブロックに隣接するように、基板処理装置とは別体の外部装置である露光装置が配置される。
【０００４】
上記の基板処理装置においては、インデクサブロックから搬入される基板は、反射防止膜用処理ブロックおよびレジスト膜用処理ブロックにおいて反射防止膜の形成およびレジスト膜の塗布処理が行われた後、インターフェイスブロックを介して露光装置へと搬送される。露光装置において基板上のレジスト膜に露光処理が行われた後、基板はインターフェイスブロックを介して現像処理ブロックへ搬送される。現像処理ブロックにおいて基板上のレジスト膜に現像処理が行われることによりレジストパターンが形成された後、基板はインデクサブロックへと搬送される。
【０００５】
近年、デバイスの高密度化および高集積化に伴い、レジストパターンの微細化が重要な課題となっている。従来の一般的な露光装置においては、レチクルのパターンを投影レンズを介して基板上に縮小投影することによって露光処理が行われていた。しかし、このような従来の露光装置においては、露光パターンの線幅は露光装置の光源の波長によって決まるため、レジストパターンの微細化に限界があった。
【０００６】
そこで、露光パターンのさらなる微細化を可能にする投影露光方法として、液浸法が提案されている（例えば、特許文献２参照）。特許文献２の投影露光装置においては、投影光学系と基板との間に液体（液浸液）が満たされており、基板表面における露光光を短波長化することができる。それにより、露光パターンのさらなる微細化が可能となる。
【０００７】
しかしながら、上記特許文献２の投影露光装置においては、レジスト膜と液体とが接触した状態で露光処理が行われるので、レジスト中で発生した酸が液体中へ溶出し、レジスト膜の形状不良が発生する場合がある。
【０００８】
そこで、例えば、特許文献３のレジストパターン形成方法においては、レジストパターンの形状不良を防止するために、レジスト膜上にレジスト保護膜を形成している。
【特許文献１】特開２００３−３２４１３９号公報
【特許文献２】国際公開第９９／４９５０４号パンフレット
【特許文献３】特開２００５−１０９１４６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
ところで、上記特許文献３に記載されている方法においては、基板を回転させながら基板上に保護膜水溶液を供給することにより所定の膜厚の保護膜を形成している。そのため、保護膜水溶液に対するレジスト膜の濡れ性が悪い場合には、基板の回転力および遠心力により多量の保護膜水溶液が飛散する。その結果、保護膜を形成するために多量の保護膜水溶液が必要になり、コストが増加する。
【００１０】
本発明の目的は、低コストで感光性膜を保護する保護膜を形成することができる基板処理装置および基板処理方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
（１）第１の発明に係る基板処理装置は、液浸露光装置による露光処理前の基板に所定の処理を行う基板処理装置であって、基板に感光性膜を形成する感光性膜形成ユニットと、感光性膜形成ユニットによる感光性膜の形成後に感光性膜を保護する保護膜を処理液を用いて形成する保護膜形成ユニットとを備え、保護膜形成ユニットは、各々異なる有機溶媒または保護膜の処理液を基板に供給する複数の供給手段を含み、複数の供給手段のうち一の供給手段から有機溶媒を供給した後に他の供給手段から保護膜の処理液を供給することにより感光性膜上に保護膜を形成するものである。
【００１２】
この基板処理装置においては、感光性膜形成ユニットにより基板上に感光性膜が形成された後、保護膜形成ユニットにより感光性膜を保護する保護膜が処理液を用いて形成される。
【００１３】
ここで、保護膜形成ユニットにおいては、まず、複数の供給手段のうち一の供給手段により、感光性膜上に有機溶媒が供給される。その後、複数の供給手段のうち他の供給手段により、有機溶媒が供給された感光性膜上に保護膜の処理液が供給される。
【００１４】
この場合、感光性膜上に有機溶媒を予め供給することにより、感光性膜と保護膜の処理液との濡れ性が向上する。それにより、保護膜の成膜時に、基板上から飛散する処理液の量を低減することができる。その結果、基板に保護膜を塗布する際に使用される処理液の量を低減することができ、コストを低減することができる。
【００１５】
また、複数の供給手段は、各々異なる有機溶媒または保護膜の処理液を供給することができる。つまり、複数の有機溶媒から選択された一の有機溶媒、および複数の処理液から選択された一の処理液を基板に供給することができる。この場合、基板の処理条件に応じて、基板に供給する有機溶媒および処理液を選択することができる。それにより、感光性膜と処理液との濡れ性を確実に向上させることができる。
【００１６】
また、複数の供給手段を備えているので、供給する有機溶媒および保護膜の処理液が変更されても、それら有機溶媒および処理液を入れ替える必要がない。それにより、作業性が向上するとともに、スループットが向上する。
【００１７】
（２）一の供給手段から供給される有機溶媒の成分は、感光性膜形成ユニットにより形成される感光性膜の成分に応じて決定されてもよい。
【００１８】
この場合、感光性膜と処理液との濡れ性を確実に向上させることができる。
【００１９】
（３）一の供給手段から供給される有機溶媒は、他の供給手段から供給される処理液の主溶媒であってもよい。
【００２０】
この場合、感光性膜と処理液との濡れ性をより確実に向上させることができる。
【００２１】
（４）他の供給手段から供給される処理液の成分は、液浸露光装置において用いられる液体の成分に応じて決定されてもよい。
【００２２】
この場合、感光性膜と処理液との濡れ性を向上させるとともに、露光装置において液体により保護膜が劣化することを確実に防止することができる。それにより、低コストで基板の処理不良および露光装置の汚染を防止することができる。
【００２３】
（５）第２の発明に係る基板処理方法は、液浸露光装置による露光処理前の基板に所定の処理を行う基板処理方法であって、基板に感光性膜を形成する工程と、感光性膜の形成後に複数の有機溶媒のうち一の有機溶媒を選択し、基板に選択された有機溶媒を供給する工程と、有機溶媒の供給後に複数の保護膜の処理液のうち一の処理液を選択し、基板に選択された処理液を供給することにより感光性膜上に保護膜を形成する工程とを備えるものである。
【００２４】
この基板処理方法においては、基板上に感光性膜が形成された後、複数の有機溶媒のうち選択された一の有機溶媒が感光性膜上に供給される。その後、複数の処理液のうち選択された一の処理液を感光性膜上に供給することにより保護膜が形成される。
【００２５】
この場合、感光性膜上に有機溶媒を予め供給することにより、感光性膜と保護膜の処理液との濡れ性が向上する。それにより、保護膜の成膜時に、基板上から飛散する処理液の量を低減することができる。その結果、基板に保護膜を塗布する際に使用される処理液の量を低減することができ、コストを低減することができる。
【００２６】
また、複数の有機溶媒から選択された一の有機溶媒、および複数の処理液から選択された一の処理液を基板に供給することができる。この場合、基板の処理条件に応じて、基板に供給する有機溶媒および処理液を選択することができる。それにより、感光性膜と処理液との濡れ性を確実に向上させることができる。
【００２７】
また、複数の供給手段を備えているので、供給する有機溶媒および保護膜の処理液が変更されても、それら有機溶媒および処理液を入れ替える必要がない。それにより、作業性が向上するとともに、スループットが向上する。
【００２８】
また、供給する有機溶媒および保護膜の処理液が変更されても、それら有機溶媒および処理液を入れ替える必要がない。それにより、作業性が向上するとともに、スループットが向上する。
【発明の効果】
【００２９】
本発明によれば、感光性膜上に有機溶媒を予め供給することにより、感光性膜と保護膜の処理液との濡れ性が向上する。それにより、保護膜の成膜時に、基板上から飛散する処理液の量を低減することができる。その結果、基板に保護膜を塗布する際に使用される処理液の量を低減することができ、コストを低減することができる。
【００３０】
また、複数の有機溶媒から選択された一の有機溶媒、および複数の処理液から選択された一の処理液を基板に供給することができる。この場合、基板の処理条件に応じて、基板に供給する有機溶媒および処理液を選択することができる。それにより、感光性膜と処理液との濡れ性を確実に向上させることができる。
【００３１】
また、複数の供給手段を備えているので、供給する有機溶媒および保護膜の処理液が変更されても、それら有機溶媒および処理液を入れ替える必要がない。それにより、作業性が向上するとともに、スループットが向上する。
【００３２】
また、供給する有機溶媒および保護膜の処理液が変更されても、それら有機溶媒および処理液を入れ替える必要がない。それにより、作業性が向上するとともに、スループットが向上する。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３３】
以下、本発明の実施の形態に係る基板処理装置について図面を用いて説明する。以下の説明において、基板とは、半導体基板、液晶表示装置用基板、プラズマディスプレイ用基板、フォトマスク用ガラス基板、光ディスク用基板、磁気ディスク用基板、光磁気ディスク用基板、フォトマスク用基板等をいう。
【００３４】
（１）基板処理装置の構成
図１は、本発明の一実施の形態に係る基板処理装置の平面図である。なお、図１ならびに後述する図２〜図８には、位置関係を明確にするために互いに直交するＸ方向、Ｙ方向およびＺ方向を示す矢印を付している。Ｘ方向およびＹ方向は水平面内で互いに直交し、Ｚ方向は鉛直方向に相当する。なお、各方向において矢印が向かう方向を＋方向、その反対の方向を−方向とする。また、Ｚ方向を中心とする回転方向をθ方向としている。
【００３５】
図１に示すように、基板処理装置５００は、インデクサブロック９、反射防止膜用処理ブロック１０、レジスト膜用処理ブロック１１、現像処理ブロック１２、レジストカバー膜用処理ブロック１３、レジストカバー膜除去ブロック１４およびインターフェースブロック１５を含む。また、インターフェースブロック１５に隣接するように露光装置１６が配置される。露光装置１６においては、液浸法により基板Ｗに露光処理が行われる。
【００３６】
以下、インデクサブロック９、反射防止膜用処理ブロック１０、レジスト膜用処理ブロック１１、現像処理ブロック１２、レジストカバー膜用処理ブロック１３、レジストカバー膜除去ブロック１４およびインターフェースブロック１５の各々を処理ブロックと呼ぶ。
【００３７】
インデクサブロック９は、各処理ブロックの動作を制御するメインコントローラ（制御部）３０、複数のキャリア載置台４０およびインデクサロボットＩＲを含む。インデクサロボットＩＲには、基板Ｗを受け渡すためのハンドＩＲＨが設けられる。
【００３８】
反射防止膜用処理ブロック１０は、反射防止膜用熱処理部１００，１０１、反射防止膜用塗布処理部５０および第１のセンターロボットＣＲ１を含む。反射防止膜用塗布処理部５０は、第１のセンターロボットＣＲ１を挟んで反射防止膜用熱処理部１００，１０１に対向して設けられる。第１のセンターロボットＣＲ１には、基板Ｗを受け渡すためのハンドＣＲＨ１，ＣＲＨ２が上下に設けられる。
【００３９】
インデクサブロック９と反射防止膜用処理ブロック１０との間には、雰囲気遮断用の隔壁１７が設けられる。この隔壁１７には、インデクサブロック９と反射防止膜用処理ブロック１０との間で基板Ｗの受け渡しを行うための基板載置部ＰＡＳＳ１，ＰＡＳＳ２が上下に近接して設けられる。上側の基板載置部ＰＡＳＳ１は、基板Ｗをインデクサブロック９から反射防止膜用処理ブロック１０へ搬送する際に用いられ、下側の基板載置部ＰＡＳＳ２は、基板Ｗを反射防止膜用処理ブロック１０からインデクサブロック９へ搬送する際に用いられる。
【００４０】
また、基板載置部ＰＡＳＳ１，ＰＡＳＳ２には、基板Ｗの有無を検出する光学式のセンサ（図示せず）が設けられている。それにより、基板載置部ＰＡＳＳ１，ＰＡＳＳ２において基板Ｗが載置されているか否かの判定を行うことが可能となる。また、基板載置部ＰＡＳＳ１，ＰＡＳＳ２には、固定設置された複数本の支持ピンが設けられている。なお、上記の光学式のセンサおよび支持ピンは、後述する基板載置部ＰＡＳＳ３〜ＰＡＳＳ１３にも同様に設けられる。
【００４１】
レジスト膜用処理ブロック１１は、レジスト膜用熱処理部１１０，１１１、レジスト膜用塗布処理部６０および第２のセンターロボットＣＲ２を含む。レジスト膜用塗布処理部６０は、第２のセンターロボットＣＲ２を挟んでレジスト膜用熱処理部１１０，１１１に対向して設けられる。第２のセンターロボットＣＲ２には、基板Ｗを受け渡すためのハンドＣＲＨ３，ＣＲＨ４が上下に設けられる。
【００４２】
反射防止膜用処理ブロック１０とレジスト膜用処理ブロック１１との間には、雰囲気遮断用の隔壁１８が設けられる。この隔壁１８には、反射防止膜用処理ブロック１０とレジスト膜用処理ブロック１１との間で基板Ｗの受け渡しを行うための基板載置部ＰＡＳＳ３，ＰＡＳＳ４が上下に近接して設けられる。上側の基板載置部ＰＡＳＳ３は、基板Ｗを反射防止膜用処理ブロック１０からレジスト膜用処理ブロック１１へ搬送する際に用いられ、下側の基板載置部ＰＡＳＳ４は、基板Ｗをレジスト膜用処理ブロック１１から反射防止膜用処理ブロック１０へ搬送する際に用いられる。
【００４３】
現像処理ブロック１２は、現像用熱処理部１２０，１２１、現像処理部７０および第３のセンターロボットＣＲ３を含む。現像処理部７０は、第３のセンターロボットＣＲ３を挟んで現像用熱処理部１２０，１２１に対向して設けられる。第３のセンターロボットＣＲ３には、基板Ｗを受け渡すためのハンドＣＲＨ５，ＣＲＨ６が上下に設けられる。
【００４４】
レジスト膜用処理ブロック１１と現像処理ブロック１２との間には、雰囲気遮断用の隔壁１９が設けられる。この隔壁１９には、レジスト膜用処理ブロック１１と現像処理ブロック１２との間で基板Ｗの受け渡しを行うための基板載置部ＰＡＳＳ５，ＰＡＳＳ６が上下に近接して設けられる。上側の基板載置部ＰＡＳＳ５は、基板Ｗをレジスト膜用処理ブロック１１から現像処理ブロック１２へ搬送する際に用いられ、下側の基板載置部ＰＡＳＳ６は、基板Ｗを現像処理ブロック１２からレジスト膜用処理ブロック１１へ搬送する際に用いられる。
【００４５】
レジストカバー膜用処理ブロック１３は、レジストカバー膜用熱処理部１３０，１３１、レジストカバー膜用塗布処理部８０および第４のセンターロボットＣＲ４を含む。レジストカバー膜用塗布処理部８０は、第４のセンターロボットＣＲ４を挟んでレジストカバー膜用熱処理部１３０，１３１に対向して設けられる。第４のセンターロボットＣＲ４には、基板Ｗを受け渡すためのハンドＣＲＨ７，ＣＲＨ８が上下に設けられる。
【００４６】
現像処理ブロック１２とレジストカバー膜用処理ブロック１３との間には、雰囲気遮断用の隔壁２０が設けられる。この隔壁２０には、現像処理ブロック１２とレジストカバー膜用処理ブロック１３との間で基板Ｗの受け渡しを行うための基板載置部ＰＡＳＳ７，ＰＡＳＳ８が上下に近接して設けられる。上側の基板載置部ＰＡＳＳ７は、基板Ｗを現像処理ブロック１２からレジストカバー膜用処理ブロック１３へ搬送する際に用いられ、下側の基板載置部ＰＡＳＳ８は、基板Ｗをレジストカバー膜用処理ブロック１３から現像処理ブロック１２へ搬送する際に用いられる。
【００４７】
レジストカバー膜除去ブロック１４は、露光後ベーク用熱処理部１４０，１４１、レジストカバー膜除去用処理部９０および第５のセンターロボットＣＲ５を含む。露光後ベーク用熱処理部１４１はインターフェースブロック１５に隣接し、後述するように、基板載置部ＰＡＳＳ１１，ＰＡＳＳ１２を備える。レジストカバー膜除去用処理部９０は、第５のセンターロボットＣＲ５を挟んで露光後ベーク用熱処理部１４０，１４１に対向して設けられる。第５のセンターロボットＣＲ５には、基板Ｗを受け渡すためのハンドＣＲＨ９，ＣＲＨ１０が上下に設けられる。
【００４８】
レジストカバー膜用処理ブロック１３とレジストカバー膜除去ブロック１４との間には、雰囲気遮断用の隔壁２１が設けられる。この隔壁２１には、レジストカバー膜用処理ブロック１３とレジストカバー膜除去ブロック１４との間で基板Ｗの受け渡しを行うための基板載置部ＰＡＳＳ９，ＰＡＳＳ１０が上下に近接して設けられる。上側の基板載置部ＰＡＳＳ９は、基板Ｗをレジストカバー膜用処理ブロック１３からレジストカバー膜除去ブロック１４へ搬送する際に用いられ、下側の基板載置部ＰＡＳＳ１０は、基板Ｗをレジストカバー膜除去ブロック１４からレジストカバー膜用処理ブロック１３へ搬送する際に用いられる。
【００４９】
インターフェースブロック１５は、送りバッファ部ＳＢＦ、第１の洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ１、第６のセンターロボットＣＲ６、エッジ露光部ＥＥＷ、戻りバッファ部ＲＢＦ、載置兼冷却ユニットＰＡＳＳ−ＣＰ（以下、Ｐ−ＣＰと略記する）、基板載置部ＰＡＳＳ１３、インターフェース用搬送機構ＩＦＲおよび第２の洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ２を含む。なお、第１の洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ１は、露光処理前の基板Ｗの洗浄および乾燥処理を行い、第２の洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ２は、露光処理後の基板Ｗの洗浄および乾燥処理を行う。第１および第２の洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ１，ＳＤ２の詳細は後述する。
【００５０】
また、第６のセンターロボットＣＲ６には、基板Ｗを受け渡すためのハンドＣＲＨ１１，ＣＲＨ１２（図４参照）が上下に設けられ、インターフェース用搬送機構ＩＦＲには、基板Ｗを受け渡すためのハンドＨ１，Ｈ２（図４参照）が上下に設けられる。インターフェースブロック１５の詳細については後述する。
【００５１】
本実施の形態に係る基板処理装置５００においては、Ｙ方向に沿ってインデクサブロック９、反射防止膜用処理ブロック１０、レジスト膜用処理ブロック１１、現像処理ブロック１２、レジストカバー膜用処理ブロック１３、レジストカバー膜除去ブロック１４およびインターフェースブロック１５が順に並設されている。
【００５２】
図２は、図１の基板処理装置５００を＋Ｘ方向から見た概略側面図であり、図３は、図１の基板処理装置５００を−Ｘ方向から見た概略側面図である。なお、図２においては、基板処理装置５００の＋Ｘ側に設けられるものを主に示し、図３においては、基板処理装置５００の−Ｘ側に設けられるものを主に示している。
【００５３】
まず、図２を用いて、基板処理装置５００の＋Ｘ側の構成について説明する。図２に示すように、反射防止膜用処理ブロック１０の反射防止膜用塗布処理部５０（図１参照）には、３個の塗布ユニットＢＡＲＣが上下に積層配置されている。各塗布ユニットＢＡＲＣは、基板Ｗを水平姿勢で吸着保持して回転するスピンチャック５１およびスピンチャック５１上に保持された基板Ｗに反射防止膜の処理液を供給する供給ノズル５２を備える。
【００５４】
レジスト膜用処理ブロック１１のレジスト膜用塗布処理部６０（図１参照）には、３個の塗布ユニットＲＥＳが上下に積層配置されている。各塗布ユニットＲＥＳは、基板Ｗを水平姿勢で吸着保持して回転するスピンチャック６１およびスピンチャック６１上に保持された基板Ｗにレジスト膜の処理液を供給する供給ノズル６２を備える。
【００５５】
現像処理ブロック１２の現像処理部７０には、５個の現像処理ユニットＤＥＶが上下に積層配置されている。各現像処理ユニットＤＥＶは、基板Ｗを水平姿勢で吸着保持して回転するスピンチャック７１およびスピンチャック７１上に保持された基板Ｗに現像液を供給する供給ノズル７２を備える。
【００５６】
レジストカバー膜用処理ブロック１３のレジストカバー膜用塗布処理部８０には、３個の塗布ユニットＣＯＶが上下に積層配置されている。塗布ユニットＣＯＶは、基板Ｗを回転させながら基板Ｗ上に処理液を塗布することにより、基板Ｗ上に形成されたレジスト膜上にレジストカバー膜を形成する。塗布ユニットＣＯＶの詳細は後述する。
【００５７】
レジストカバー膜除去ブロック１４のレジストカバー膜除去用処理部９０には、３個の除去ユニットＲＥＭが上下に積層配置されている。各除去ユニットＲＥＭは、基板Ｗを水平姿勢で吸着保持して回転するスピンチャック９１およびスピンチャック９１上に保持された基板Ｗに剥離液（例えばフッ素樹脂）を供給する供給ノズル９２を備える。除去ユニットＲＥＭは、基板Ｗを回転させながら基板Ｗ上に剥離液を塗布することにより、基板Ｗ上に形成されたレジストカバー膜を除去する。
【００５８】
なお、除去ユニットＲＥＭにおけるレジストカバー膜の除去方法は上記の例に限定されない。例えば、基板Ｗの上方においてスリットノズルを移動させつつ基板Ｗ上に剥離液を供給することによりレジストカバー膜を除去してもよい。
【００５９】
第１のインターフェースブロック１５内の＋Ｘ側には、エッジ露光部ＥＥＷおよび３個の第２の洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ２が上下に積層配置される。各エッジ露光部ＥＥＷは、基板Ｗを水平姿勢で吸着保持して回転するスピンチャック９８およびスピンチャック９８上に保持された基板Ｗの周縁を露光する光照射器９９を備える。
【００６０】
次に、図３を用いて、基板処理装置５００の−Ｘ側の構成について説明する。図３に示すように、反射防止膜用処理ブロック１０の反射防止膜用熱処理部１００，１０１には、２個の加熱ユニット（ホットプレート）ＨＰおよび２個の冷却ユニット（クーリングプレート）ＣＰがそれぞれ積層配置される。また、反射防止膜用熱処理部１００，１０１には、最上部に加熱ユニットＨＰおよび冷却ユニットＣＰの温度を制御するローカルコントローラＬＣが各々配置される。
【００６１】
レジスト膜用処理ブロック１１のレジスト膜用熱処理部１１０，１１１には、２個の加熱ユニットＨＰおよび２個の冷却ユニットＣＰがそれぞれ積層配置される。また、レジスト膜用熱処理部１１０，１１１には、最上部に加熱ユニットＨＰおよび冷却ユニットＣＰの温度を制御するローカルコントローラＬＣが各々配置される。
【００６２】
現像処理ブロック１２の現像用熱処理部１２０，１２１には、２個の加熱ユニットＨＰおよび２個の冷却ユニットＣＰがそれぞれ積層配置される。また、現像用熱処理部１２０，１２１には、最上部に加熱ユニットＨＰおよび冷却ユニットＣＰの温度を制御するローカルコントローラＬＣが各々配置される。
【００６３】
レジストカバー膜用処理ブロック１３０，１３１のレジストカバー膜用熱処理部１３０には、２個の加熱ユニットＨＰおよび２個の冷却ユニットＣＰがそれぞれ積層配置される。また、レジストカバー膜用熱処理部１３０，１３１には、最上部に加熱ユニットＨＰおよび冷却ユニットＣＰの温度を制御するローカルコントローラＬＣが各々配置される。
【００６４】
レジストカバー膜除去ブロック１４の露光後ベーク用熱処理部１４０には、２個の加熱ユニットＨＰおよび２個の冷却ユニットＣＰが上下に積層配置され、露光後ベーク用熱処理部１４１には２個の加熱ユニットＨＰ、２個の冷却ユニットＣＰおよび基板載置部ＰＡＳＳ１１，ＰＡＳＳ１２が上下に積層配置される。また、露光後ベーク用熱処理部１４０，１４１には、最上部に加熱ユニットＨＰおよび冷却ユニットＣＰの温度を制御するローカルコントローラＬＣが各々配置される。
【００６５】
次に、図４を用いてインターフェースブロック１５について詳細に説明する。
【００６６】
図４は、インターフェースブロック１５を＋Ｙ側から見た概略側面図である。図４に示すように、インターフェースブロック１５内において、−Ｘ側には、送りバッファ部ＳＢＦおよび３個の第１の洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ１が積層配置される。また、インターフェースブロック１５内において、＋Ｘ側の上部には、エッジ露光部ＥＥＷが配置される。
【００６７】
エッジ露光部ＥＥＷの下方において、インターフェースブロック１５内の略中央部には、戻りバッファ部ＲＢＦ、２個の載置兼冷却ユニットＰ−ＣＰおよび基板載置部ＰＡＳＳ１３が上下に積層配置される。エッジ露光部ＥＥＷの下方において、インターフェースブロック１５内の＋Ｘ側には、３個の第２の洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ２が上下に積層配置される。
【００６８】
また、インターフェースブロック１５内の下部には、第６のセンターロボットＣＲ６およびインターフェース用搬送機構ＩＦＲが設けられている。第６のセンターロボットＣＲ６は、送りバッファ部ＳＢＦおよび第１の洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ１と、エッジ露光部ＥＥＷ、戻りバッファ部ＲＢＦ、載置兼冷却ユニットＰ−ＣＰおよび基板載置部ＰＡＳＳ１３との間で上下動可能かつ回動可能に設けられている。インターフェース用搬送機構ＩＦＲは、戻りバッファ部ＲＢＦ、載置兼冷却ユニットＰ−ＣＰおよび基板載置部ＰＡＳＳ１３と、第２の洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ２との間で上下動可能かつ回動可能に設けられている。
【００６９】
（２）基板処理装置の動作
次に、本実施の形態に係る基板処理装置５００の動作について図１〜図４を参照しながら説明する。
【００７０】
（２−１）インデクサブロック〜レジストカバー膜除去ブロックの動作
まず、インデクサブロック９〜レジストカバー膜除去ブロック１４の動作について簡単に説明する。
【００７１】
インデクサブロック９のキャリア載置台４０の上には、複数枚の基板Ｗを多段に収納するキャリアＣが搬入される。インデクサロボットＩＲは、ハンドＩＲＨを用いてキャリアＣ内に収納された未処理の基板Ｗを取り出す。その後、インデクサロボットＩＲは±Ｘ方向に移動しつつ±θ方向に回転移動し、未処理の基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ１に載置する。
【００７２】
本実施の形態においては、キャリアＣとしてＦＯＵＰ（front opening unified pod）を採用しているが、これに限定されず、ＳＭＩＦ（Standard Mechanical Inter Face）ポッドや収納基板Ｗを外気に曝すＯＣ（open cassette）等を用いてもよい。
【００７３】
さらに、インデクサロボットＩＲ、第１〜第６のセンターロボットＣＲ１〜ＣＲ６およびインターフェース用搬送機構ＩＦＲには、それぞれ基板Ｗに対して直線的にスライドさせてハンドの進退動作を行う直動型搬送ロボットを用いているが、これに限定されず、関節を動かすことにより直線的にハンドの進退動作を行う多関節型搬送ロボットを用いてもよい。
【００７４】
基板載置部ＰＡＳＳ１に載置された未処理の基板Ｗは、反射防止膜用処理ブロック１０の第１のセンターロボットＣＲ１により受け取られる。第１のセンターロボットＣＲ１は、その基板Ｗを反射防止膜用熱処理部１００，１０１に搬入する。
【００７５】
その後、第１のセンターロボットＣＲ１は、反射防止膜用熱処理部１００，１０１から熱処理済みの基板Ｗを取り出し、その基板Ｗを反射防止膜用塗布処理部５０に搬入する。この反射防止膜用塗布処理部５０では、露光時に発生する低在波やハレーションを減少させるために、塗布ユニットＢＡＲＣにより基板Ｗ上に反射防止膜が塗布形成される。
【００７６】
次に、第１のセンターロボットＣＲ１は、反射防止膜用塗布処理部５０から塗布処理済みの基板Ｗを取り出し、その基板Ｗを反射防止膜用熱処理部１００，１０１に搬入する。その後、第１のセンターロボットＣＲ１は、反射防止膜用熱処理部１００，１０１から熱処理済みの基板Ｗを取り出し、その基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ３に載置する。
【００７７】
基板載置部ＰＡＳＳ３に載置された基板Ｗは、レジスト膜用処理ブロック１１の第２のセンターロボットＣＲ２により受け取られる。第２のセンターロボットＣＲ２は、その基板Ｗをレジスト膜用熱処理部１１０，１１１に搬入する。
【００７８】
その後、第２のセンターロボットＣＲ２は、レジスト膜用熱処理部１１０，１１１から熱処理済みの基板Ｗを取り出し、その基板Ｗをレジスト膜用塗布処理部６０に搬入する。このレジスト膜用塗布処理部６０では、塗布ユニットＲＥＳにより反射防止膜が塗布形成された基板Ｗ上にレジスト膜が塗布形成される。
【００７９】
次に、第２のセンターロボットＣＲ２は、レジスト膜用塗布処理部６０から塗布処理済みの基板Ｗを取り出し、その基板Ｗをレジスト膜用熱処理部１１０，１１１に搬入する。その後、第２のセンターロボットＣＲ２は、レジスト膜用熱処理部１１０，１１１から熱処理済みの基板Ｗを取り出し、その基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ５に載置する。
【００８０】
基板載置部ＰＡＳＳ５に載置された基板Ｗは、現像処理ブロック１２の第３のセンターロボットＣＲ３により受け取られる。第３のセンターロボットＣＲ３は、その基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ７に載置する。
【００８１】
基板載置部ＰＡＳＳ７に載置された基板Ｗは、レジストカバー膜用処理ブロック１３の第４のセンターロボットＣＲ４により受け取られる。第４のセンターロボットＣＲ４は、その基板Ｗをレジストカバー膜用塗布処理部８０に搬入する。このレジストカバー膜用塗布処理部８０では、塗布ユニットＣＯＶによりレジスト膜が塗布形成された基板Ｗ上にレジストカバー膜（保護膜）が塗布形成される。
【００８２】
次に、第４のセンターロボットＣＲ４は、レジストカバー膜用塗布処理部８０から塗布処理済みの基板Ｗを取り出し、その基板Ｗをレジストカバー膜用熱処理部１３０，１３１に搬入する。その後、第４のセンターロボットＣＲ４は、レジストカバー膜用熱処理部１３０，１３１から熱処理済みの基板Ｗを取り出し、その基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ９に載置する。
【００８３】
基板載置部ＰＡＳＳ９に載置された基板Ｗは、レジストカバー膜除去ブロック１４の第５のセンターロボットＣＲ５により受け取られる。第５のセンターロボットＣＲ５は、その基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ１１に載置する。
【００８４】
基板載置部ＰＡＳＳ１１に載置された基板Ｗは、インターフェースブロック１５の第６のセンターロボットＣＲ６により受け取られ、後述するように、インターフェースブロック１５および露光装置１６において所定の処理が施される。インターフェースブロック１５および露光装置１６において基板Ｗに所定の処理が施された後、その基板Ｗは、第６のセンターロボットＣＲ６によりレジストカバー膜除去ブロック１４の露光後ベーク用熱処理部１４１に搬入される。
【００８５】
露光後ベーク用熱処理部１４１においては、基板Ｗに対して露光後ベーク（ＰＥＢ）が行われる。その後、第６のセンターロボットＣＲ６は、露光後ベーク用熱処理部１４１から基板Ｗを取り出し、その基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ１２に載置する。
【００８６】
なお、本実施の形態においては露光後ベーク用熱処理部１４１により露光後ベークを行っているが、露光後ベーク用熱処理部１４０により露光後ベークを行ってもよい。
【００８７】
基板載置部ＰＡＳＳ１２に載置された基板Ｗは、レジストカバー膜除去ブロック１４の第５のセンターロボットＣＲ５により受け取られる。第５のセンターロボットＣＲ５は、その基板Ｗをレジストカバー膜除去用処理部９０に搬入する。レジストカバー膜除去用処理部９０においては、レジストカバー膜が除去される。
【００８８】
次に、第５のセンターロボットＣＲ５は、レジストカバー膜除去用処理部９０から処理済みの基板Ｗを取り出し、その基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ１０に載置する。
【００８９】
基板載置部ＰＡＳＳ１０に載置された基板Ｗは、レジストカバー膜用処理ブロック１３の第４のセンターロボットＣＲ４により基板載置部ＰＡＳＳ８に載置される。
【００９０】
基板載置部ＰＡＳＳ８に載置された基板Ｗは、現像処理ブロック１２の第３のセンターロボットＣＲ３により受け取られる。第３のセンターロボットＣＲ３は、その基板Ｗを現像処理部７０に搬入する。現像処理部７０においては、露光された基板Ｗに対して現像処理が施される。
【００９１】
次に、第３のセンターロボットＣＲ３は、現像処理部７０から現像処理済みの基板Ｗを取り出し、その基板Ｗを現像用熱処理部１２０，１２１に搬入する。その後、第３のセンターロボットＣＲ３は、現像用熱処理部１２０，１２１から熱処理後の基板Ｗを取り出し、その基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ６に載置する。
【００９２】
基板載置部ＰＡＳＳ６に載置された基板Ｗは、レジスト膜用処理ブロック１１の第２のセンターロボットＣＲ２により基板載置部ＰＡＳＳ４に載置される。基板載置部ＰＡＳＳ４に載置された基板Ｗは反射防止膜用処理ブロック１０の第１のセンターロボットＣＲ１により基板載置部ＰＡＳＳ２に載置される。
【００９３】
基板載置部ＰＡＳＳ２に載置された基板Ｗは、インデクサブロック９のインデクサロボットＩＲによりキャリアＣ内に収納される。これにより、基板処理装置５００における基板Ｗの各処理が終了する。
【００９４】
（２−２）インターフェースブロックの動作
次に、インターフェースブロック１５の動作について詳細に説明する。
【００９５】
上述したように、インデクサブロック９に搬入された基板Ｗは、所定の処理を施された後、レジストカバー膜除去ブロック１４（図１）の基板載置部ＰＡＳＳ１１に載置される。
【００９６】
基板載置部ＰＡＳＳ１１に載置された基板Ｗは、インターフェースブロック１５の第６のセンターロボットＣＲ６により受け取られる。第６のセンターロボットＣＲ６は、その基板Ｗをエッジ露光部ＥＥＷ（図４）に搬入する。このエッジ露光部ＥＥＷにおいては、基板Ｗの周縁部に露光処理が施される。
【００９７】
次に、第６のセンターロボットＣＲ６は、エッジ露光部ＥＥＷからエッジ露光済みの基板Ｗを取り出し、その基板Ｗを第１の洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ１のいずれかに搬入する。第１の洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ１においては、上述したように露光処理前の基板Ｗの洗浄および乾燥処理が行われる。
【００９８】
ここで、露光装置１６による露光処理の時間は、通常、他の処理工程および搬送工程よりも長い。その結果、露光装置１６が後の基板Ｗの受け入れをできない場合が多い。この場合、基板Ｗは送りバッファ部ＳＢＦ（図４）に一時的に収納保管される。本実施の形態では、第６のセンターロボットＣＲ６は、第１の洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ１から洗浄および乾燥処理済みの基板Ｗを取り出し、その基板Ｗを送りバッファ部ＳＢＦに搬送する。
【００９９】
次に、第６のセンターロボットＣＲ６は、送りバッファ部ＳＢＦに収納保管されている基板Ｗを取り出し、その基板Ｗを載置兼冷却ユニットＰ−ＣＰに搬入する。載置兼冷却ユニットＰ−ＣＰに搬入された基板Ｗは、露光装置１６内と同じ温度（例えば、２３℃）に維持される。
【０１００】
なお、露光装置１６が十分な処理速度を有する場合には、送りバッファ部ＳＢＦに基板Ｗを収納保管せずに、第１の洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ１から載置兼冷却ユニットＰ−ＣＰに基板Ｗを搬送してもよい。
【０１０１】
続いて、載置兼冷却ユニットＰ−ＣＰで上記所定温度に維持された基板Ｗが、インターフェース用搬送機構ＩＦＲの上側のハンドＨ１（図４）により受け取られ、露光装置１６内の基板搬入部１６ａ（図１）に搬入される。
【０１０２】
露光装置１６において露光処理が施された基板Ｗは、インターフェース用搬送機構ＩＦＲの下側のハンドＨ２（図４）により基板搬出部１６ｂ（図１）から搬出される。インターフェース用搬送機構ＩＦＲは、ハンドＨ２により、その基板Ｗを第２の洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ２のいずれかに搬入する。第２の洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ２においては、上述したように露光処理後の基板Ｗの洗浄および乾燥処理が行われる。
【０１０３】
第２の洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ２において洗浄および乾燥処理が施された基板Ｗは、インターフェース用搬送機構ＩＦＲのハンドＨ１（図４）により取り出される。インターフェース用搬送機構ＩＦＲは、ハンドＨ１により、その基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ１３に載置する。
【０１０４】
基板載置部ＰＡＳＳ１３に載置された基板Ｗは、第６のセンターロボットＣＲ６により受け取られる。第６のセンターロボットＣＲ６は、その基板Ｗをレジストカバー膜除去ブロック１４（図１）の露光後ベーク用熱処理部１４１に搬送する。
【０１０５】
なお、除去ユニットＲＥＭ（図２）の故障等により、レジストカバー膜除去ブロック１４が一時的に基板Ｗの受け入れをできないときは、戻りバッファ部ＲＢＦに露光処理後の基板Ｗを一時的に収納保管することができる。
【０１０６】
ここで、本実施の形態においては、第６のセンターロボットＣＲ６は、基板載置部ＰＡＳＳ１１（図１）、エッジ露光部ＥＥＷ、第１の洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ１、送りバッファ部ＳＢＦ、載置兼冷却ユニットＰ−ＣＰ、基板載置部ＰＡＳＳ１３および露光後ベーク用熱処理部１４１の間で基板Ｗを搬送するが、この一連の動作を短時間（例えば、２４秒）で行うことができる。
【０１０７】
また、インターフェース用搬送機構ＩＦＲは、載置兼冷却ユニットＰ−ＣＰ、露光装置１６、第２の洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ２および基板載置部ＰＡＳＳ１３の間で基板Ｗを搬送するが、この一連の動作を短時間（例えば、２４秒）で行うことができる。
【０１０８】
これらの結果、スループットを確実に向上させることができる。
【０１０９】
（３）塗布ユニットＣＯＶ
次に、塗布ユニットＣＯＶについて図面を用いて説明する。なお、後述するように、塗布ユニットＣＯＶにおいては、レジスト膜とレジストカバー膜の処理液との濡れ性を向上させるために、レジストカバー膜の処理液を供給する前に、レジスト膜上に所定の有機溶媒を供給している。
【０１１０】
（３−１）構成
図５は、塗布ユニットＣＯＶの一例を示す平面図である。図５において、塗布ユニットＣＯＶは、基板Ｗに有機溶媒または処理液を供給して回転塗布する回転処理部８０１、各々異なる有機溶媒または処理液を吐出する複数の供給ノズル８１０、供給ノズル８１０を把持するノズル把持部８２０、ノズル把持部８２０を鉛直方向（Ｚ軸方向）に移動させる垂直移動部８３１、ノズル把持部８２０をＸ軸方向に移動させるＸ軸水平移動部８３４、ノズル把持部８２０をＹ軸方向に移動させるＹ軸水平移動部８３７および複数の供給ノズル８１０を収納する待機部８５０を備えている。
【０１１１】
回転処理部８０１は、基板Ｗを水平姿勢で吸着保持して回転するスピンチャック８０３、およびスピンチャック８０３の周囲を取り囲み、基板Ｗから飛散される有機溶媒または処理液が外方へ拡散するのを防止する中空のカップ８０２を備えている。
【０１１２】
図６は、供給ノズル８１０の断面図である。供給ノズル８１０は、金属製のハウジング８１１を備える。ハウジング８１１の下端には突出部８１２が形成されており、突出部８１２の先端には、ノズルチップ８１３がナット８１４により固定されている。また、ハウジング８１１の内部には伝熱部材８１５が配置されている。伝熱部材８１５はハウジング８１１の内部に収納される胴部８１５ｂと、ハウジング８１１の上面から突出した把持部８１５ａとから構成されている。伝熱部材８１５の胴部８１５ｂはハウジング８１１の内面との間にドーナツ状の円筒空間８１１ｃを構成している。
【０１１３】
処理液配管８１６は、樹脂チューブ等からなり、ハウジング８１１の側面上方に形成された貫通孔８１１ａを通りハウジング８１１内に挿入され、さらに伝熱部材８１５の胴部８１５ｂの外表面に巻き付けられ、先端が突出部８１２に形成された貫通孔８１１ｂに挿入されている。また、伝熱部材８１５の胴部８１５ｂに巻き付けられた処理液配管８１６の外表面がハウジング８１１の内表面に接触するように、伝熱部材８１５の胴部８１５ｂの外径とハウジング８１１の内径とが調整されている。
【０１１４】
各供給ノズル８１０の処理液配管８１６は、異なる種類の有機溶媒をそれぞれ貯留した溶媒貯留部（図示せず）、および異なる種類の処理液をそれぞれ貯留した処理液貯留部（図示せず）にそれぞれ接続されている。
【０１１５】
伝熱部材８１５の把持部８１５ａはハウジング８１１の上面から突出し、その側面が後述するノズル把持部８２０の保持アーム８２１（図７参照）により挟持される。そして、ノズル把持部８２０が伝熱部材８１５の把持部８１５ａを挟持して移動することにより供給ノズル８１０が移動される。
【０１１６】
伝熱部材８１５およびハウジング８１１は熱伝導性に優れ、かつ耐薬性に優れた材料、例えばステンレス等の金属材料からなる。また、伝熱部材８１５の把持部８１５ａがハウジング８１１の上面を貫通する部分あるいは伝熱部材８１５の胴部８１５ｂとハウジング８１１との接合部分は伝熱性が低下しないように十分に接合されている。なお、伝熱部材８１５とハウジング８１１は一体に形成されてもよい。
【０１１７】
図７（ａ）は、ノズル把持部の平面図であり、図７（ｂ）は図７（ａ）中のＢ−Ｂ線断面図である。ノズル把持部８２０は、供給ノズル８１０の把持部８１５ａを挟持する一対の挟持アーム８２１，８２１を有する。各挟持アーム８２１は熱伝導性に優れた金属材料、例えばステンレスからなり、先端部は、供給ノズル８１０の把持部８１５ａに接触する挟持面８２１ａおよび供給ノズル８１０のハウジング８１１上面に接触する接触面８２１ｂを有する断面Ｌ字形状に形成されている。各挟持アーム８２１はベース部材８２２の上面に形成されたレール８２３，８２３に沿ってＸ軸方向の互いに反対の向きにスライド移動可能に取り付けられている。
【０１１８】
一対の挟持アーム８２１，８２１の基部側には一対の挟持アーム８２１を互いに反対方向に水平移動させるリンク機構８２４、およびリンク機構８２４を駆動する駆動シリンダ８２６が接続されている。リンク機構８２４は４節リンク構造を有し、リンク８２４ａとリンク８２４ｂの連結部８２５がベース部材８２２に固定され、リンク８２４ｃとリンク８２４ｄの連結部が駆動シリンダ８２５のロッドに連結されている。さらに、リンク８２４ｂとリンク８２４ｄの連結部およびリンク８２４ａとリンク８２４ｃの連結部がそれぞれ挟持アーム８２１，８２１に取り付けられている。そして、駆動シリンダ８２６のロッドを伸張させると、一対の挟持アーム８２１，８２１が互いに離反して供給ノズル８１０を開放し、駆動シリンダ８２６のロッドを後退させると、一対の挟持アーム８２１，８２１が互いに接近して供給ノズル８１０の把持部８１５ａを挟持する。
【０１１９】
また、一対の挟持アーム８２１，８２１の挟持面８２１ａと反対側の表面にはペルチェ素子８２７が取り付けられている。また、塗布ユニットＣＯＶ内の所定の位置には、ペルチェ素子８２７を駆動する駆動装置８６４（図５参照）が設けられている。駆動装置８６４の動作はメインコントローラ３０（図１参照）により制御される。
【０１２０】
ペルチェ素子８２７は熱電冷却効果により挟持アーム８２１を短時間で所定の温度に設定することができる。また、ペルチェ素子８２７の表面にはペルチェ素子８２７からの発熱分を除去する冷却水を供給する冷却水循環部材８２８が配設されている。冷却水循環部材８２８の一端には内部に冷却水を送り込むための冷却水供給管８２９および冷却水を外方へ取り出すための冷却水排出管８３０が接続されている。この冷却水供給管８２９および冷却水排出管８３０は外部に設けられた冷却水供給装置（図示せず）に接続されている。
【０１２１】
図８は、図５中における待機部８５０のＡ−Ａ線断面図である。待機部８５０は、本体部８５１と本体部８５１の上面を覆う上蓋８５２とから構成され、待機中の複数の供給ノズル８１０を溶剤雰囲気に収納する。本体部８５１の中央下部には溶剤を保持する溶剤貯留部８５６が形成され、その上方には溶剤空間８５３が形成されている。溶剤空間８５３には溶剤を供給するための溶剤供給管路８５９が接続されている。また、本体部８５１におけるノズルチップ８１３の下方位置には、ノズルチップ８１３から滴下する処理液を外方へ排出するための排出管路８５５が接続されている。
【０１２２】
本体部８５１の上部には供給ノズル８１０を収納するノズル収納部８５１ａが形成されている。また、本体部８５１にはノズル収納部８５１ａと溶剤空間８５３とを連通する連通空間８５４が形成されている。供給ノズル８１０がノズル収納部８５１に収納された状態で、供給ノズル８１０のノズルチップ８１３は連通空間８５４および溶剤空間８５３内に保持される。さらに、上蓋８５２には供給ノズル８１０を通過させるノズル収納口８５２ａが形成されている。
【０１２３】
本体部８５１および上蓋８５２の表面にはペルチェ素子８５７が取り付けられている。ペルチェ素子８５７は塗布ユニットＣＯＶ内の所定の位置に配置された駆動装置（図示せず）により駆動される。また、ペルチェ素子８５７の表面にはペルチェ素子８５７からの発熱分を除去する冷却水を供給する冷却水循環部材８５８が接続されている。冷却水循環部材８５８には、内部に冷却水を供給するための冷却水供給管８６０および冷却水を排出するための冷却水排出管８６１が接続されている。さらに、冷却水供給管８６０および冷却水排出管８６１は外部の冷却水供給装置に接続されている。
【０１２４】
待機部８５０は、ペルチェ素子８５７により本体部８５１および上蓋８５２の温度を所定の温度に調整することで、待機部８５０に接している各供給ノズル８１０を熱伝達で温調し、これによって待機状態にある供給ノズル８１０内の処理液配管８１６に滞留している処理液を所定の温度に保持する。
【０１２５】
さらに、図５を参照して、ノズル把持部８２０は、ノズル把持部８２０を鉛直方向（Ｚ軸方向）に移動させる垂直移動部８３１に取り付けられている。垂直移動部８３１はノズル把持部８２０を支持する支持部材８３２と、支持部材８３２を昇降移動させる昇降駆動部（図示せず）とを有している。
【０１２６】
また、昇降駆動部は、Ｘ軸水平移動部８３４の水平移動部材８３３に接続されている。水平移動部材８３３の一端は、Ｘ軸方向に延びる回動ねじ８３５に係合している。回動ねじ８３５は駆動モータ（図示せず）により回動される。これにより、回動ねじ８３５に係合した水平移動部材８３３がＸ軸方向に往復移動し、それによって垂直移動部８３１およびノズル把持部８２０がＸ軸方向に往復移動する。
【０１２７】
さらに、Ｘ軸水平移動部８３４のスライド板８３６の一端はＹ軸方向に延びるＹ軸水平移動部８３７の回動ねじ８３８に係合している。回動ねじ８３８は駆動モータ（図示せず）により回動される。回動ねじ８３８の回動によりスライド板８３６がガイド８３９に沿ってＹ軸方向に水平移動する。これによりノズル把持部８２０がＹ軸方向に往復移動する。
【０１２８】
（３−２）動作
次に、上記構造を有する塗布ユニットＣＯＶの動作について図を用いて説明する。塗布ユニットＣＯＶの動作は、図１のメインコントローラ３０により制御される。図９は、メインコントローラ３０の制御動作を示す概略フローチャートである。
【０１２９】
図９に示すように、メインコントローラ３０は、塗布ユニットＲＥＳ（図２）において塗布されるレジスト膜に応じて、基板Ｗに供給する有機溶媒およびレジストカバー膜の処理液を決定する（ステップＳ１）。
【０１３０】
次に、メインコントローラ３０は、ステップＳ１において決定された有機溶媒を吐出する供給ノズル８１０（図５）を選択する（ステップＳ２）。
【０１３１】
供給ノズル８１０が選択されると、垂直移動部８３１、Ｘ軸水平移動部８３４およびＹ軸水平移動部８３７により、ノズル把持部８２０が一対の挟持アーム８２１，８２１を開いた状態で選択された供給ノズル８１０の把持部８１５ａに接近する。
【０１３２】
このとき、制御部８６５は挟持アーム８２１に取り付けられたペルチェ素子８２７を駆動し、挟持アーム８２１，８２２を急冷する。同時に、挟持アーム８２１，８２１により供給ノズル８１０の把持部８１５ａを挟持する。さらに、挟持した供給ノズル８１０を上方に持ち上げ、Ｙ軸水平移動部８３７およびＸ軸水平移動部８３４により供給ノズル８１０を基板Ｗの中央上方の所定の位置に移動させる。
【０１３３】
供給ノズル８１０の移動過程における処理液配管８１６内の有機溶媒の温度調整は以下のように行われる。すなわち、図６を参照して、供給ノズル８１０の把持部８１５ａが一対の挟持アーム８２１，８２１に挟持され、ペルチェ素子８２７が駆動されると、挟持アーム８２１が所定温度、本例では雰囲気よりも低い温度に急冷され、伝熱部材８１５およびハウジング８１１の熱が挟持アーム８２１と伝熱部材８１５の把持部８１５ａとの接触面および挟持アーム８２１とハウジング８１１の上面との接触面を通りペルチェ素子８２７側へ伝導される。このため、伝熱部材８１５の胴部８１５ｂおよびハウジング８１１の内面に接触した処理液配管８１６からも吸熱され、処理液配管８１６内に滞留した有機溶媒が所定温度に設定される。また、ノズルチップ８１３内の有機溶媒もハウジング８１１を通じて吸熱され、所定の温度に調整される。所定時間温度調整を行うと、ペルチェ素子８２７を停止する。
【０１３４】
次に、メインコントローラ３０は、供給ノズル８１０から有機溶媒を基板Ｗの表面に吐出するとともにスピンチャック８０３により基板Ｗを回転し、基板Ｗの表面に有機溶媒を回転塗布する（ステップＳ３）。
【０１３５】
有機溶媒の吐出が終了すると、供給ノズル８１０は、図５の待機部８５０の所定位置に戻される。
【０１３６】
次に、メインコントローラ３０は、ステップＳ１において決定した処理液を吐出する供給ノズル８１０を選択する（ステップＳ４）。供給ノズル８１０が選択されると、上記有機溶媒を塗布する場合と同様に、レジストカバー膜の処理液が基板Ｗに塗布される（ステップＳ５）。
【０１３７】
このように、塗布ユニットＣＯＶにおいては、レジストカバー膜の処理液を基板Ｗに塗布する前に、有機溶媒を基板Ｗに塗布している。この場合、基板Ｗ上に有機溶媒を予め塗布することにより、レジスト膜とレジストカバー膜との濡れ性が向上する。それにより、レジストカバー膜の成膜時に、基板Ｗ上から飛散する処理液の量を低減することができる。その結果、基板Ｗにレジストカバー膜を塗布する際に使用される処理液の量を低減することができ、コストを低減することができる。
【０１３８】
また、レジスト膜の成分に応じて基板Ｗに供給する有機溶媒およびレジストカバー膜の処理液を決定することができるので、レジスト膜とレジストカバー膜の処理液との濡れ性を確実に向上させることができる。
【０１３９】
また、複数の溶媒貯留部および複数の処理液貯留部が設けられているので、基板Ｗに供給する有機溶媒および処理液が変更されても、それらを入れ替える必要がない。それにより、作業性が向上するとともに、基板処理装置５００のスループットが向上する。
【０１４０】
また、供給ノズル８１０のハウジング８１１内に収納された処理液配管８１６の先端部がノズル把持部８２０に設けられたペルチェ素子８２７により所定の温度に調整される。このため、処理液配管８１６の周囲に沿って温調配管を配設する必要がなくなり、温調配管を省略することができる。それゆえ、各供給ノズル８１０は、処理液配管８１６のみが接続された簡単な構成とすることができる。加えて、供給ノズル８１０の増設も容易となる。
【０１４１】
また、供給ノズル８１０ごとに温調配管を必要としないため、温調配管のみならず温調水の循環機構および温度調整装置を省略することができ、塗布ユニットＣＯＶの構成を簡素化することができる。
【０１４２】
さらに、供給ノズル８１０は、待機部８５０において所定の温度下に収納されている。したがって、待機中の供給ノズル８１０内の処理液および溶媒もほぼ所望の温度に近づいており、このため、ノズル把持部８２０による処理液および溶媒の温度調整を短時間で行うことができる。
【０１４３】
なお、供給ノズル８１０としては、ストレートノズル、ミストノズル等の種々のノズルを用いることができる。
【０１４４】
また、有機溶媒としては、例えば、レジストカバー膜の処理液の主溶媒を用いることが好ましい。この場合、レジスト膜とレジストカバー膜の処理液との濡れ性を確実に向上させることができる。レジストカバー膜の処理液としては、例えば、ポリシルセスキオキサン水溶液を用いることができる。また、有機溶媒として上記主溶媒以外の溶媒を用いる場合、例えば、アルコール類が挙げられる。
【０１４５】
（４）洗浄／乾燥処理ユニット
次に、第１および第２の洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ１，ＳＤ２について図面を用いて詳細に説明する。なお、第１および第２の洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ１，ＳＤ２は同様の構成のものを用いることができる。
【０１４６】
（４−１）構成
図１０は、第１および第２の洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ１，ＳＤ２の構成を説明するための図である。図１０に示すように、第１および第２の洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ１，ＳＤ２は、基板Ｗを水平に保持するとともに、基板Ｗの中心を通る鉛直な回転軸の周りで基板Ｗを回転させるためのスピンチャック６２１を備える。
【０１４７】
スピンチャック６２１は、チャック回転駆動機構６３６によって回転される回転軸６２５の上端に固定されている。また、スピンチャック６２１には吸気路（図示せず）が形成されており、スピンチャック６２１上に基板Ｗを載置した状態で吸気路内を排気することにより、基板Ｗの下面をスピンチャック６２１に真空吸着し、基板Ｗを水平姿勢で保持することができる。
【０１４８】
スピンチャック６２１の外方には、第１の回動モータ６６０が設けられている。第１の回動モータ６６０には、第１の回動軸６６１が接続されている。また、第１の回動軸６６１には、第１のアーム６６２が水平方向に延びるように連結され、第１のアーム６６２の先端に洗浄処理用ノズル６５０が設けられている。
【０１４９】
第１の回動モータ６６０により第１の回動軸６６１が回転するとともに第１のアーム６６２が回動し、洗浄処理用ノズル６５０がスピンチャック６２１により保持された基板Ｗの上方に移動する。
【０１５０】
第１の回動モータ６６０、第１の回動軸６６１および第１のアーム６６２の内部を通るように洗浄処理用供給管６６３が設けられている。洗浄処理用供給管６６３は、バルブＶａおよびバルブＶｂを介して洗浄液供給源Ｒ１およびリンス液供給源Ｒ２に接続されている。
【０１５１】
このバルブＶａ，Ｖｂの開閉を制御することにより、洗浄処理用供給管６６３に供給する処理液の選択および供給量の調整を行うことができる。図１０の構成においては、バルブＶａを開くことにより、洗浄処理用供給管６６３に洗浄液を供給することができ、バルブＶｂを開くことにより、洗浄処理用供給管６６３にリンス液を供給することができる。
【０１５２】
洗浄処理用ノズル６５０には、洗浄液またはリンス液が、洗浄処理用供給管６６３を通して洗浄液供給源Ｒ１またはリンス液供給源Ｒ２から供給される。それにより、基板Ｗの表面へ洗浄液またはリンス液を供給することができる。洗浄液としては、例えば、純水、純水に錯体（イオン化したもの）を溶かした液またはフッ素系薬液などが用いられる。
【０１５３】
また、リンス液としては、基板Ｗの表面（本実施の形態においてはレジストカバー膜の表面）に対する接触角が小さいものを用いることが好ましい。この場合、リンス液の液滴とレジストカバー膜の表面との接触面積が大きくなり、リンス液を効率よく蒸発させることができる。それにより、容易に基板Ｗを乾燥させることができる。例えば、純水に界面活性剤を溶かしたもの、または純水に有機溶媒を溶かしたものをリンス液として用いることができる。界面活性剤としては、イオン系および非イオン系の両方を用いることができる。有機溶媒としては、例えば、アルコール類を用いることができる。この場合、レジストカバー膜およびレジスト膜が溶解しない程度に有機溶媒の量を調整する。
【０１５４】
スピンチャック６２１の外方には、第２の回動モータ６７１が設けられている。第２の回動モータ６７１には、第２の回動軸６７２が接続されている。また、第２の回動軸６７２には、第２のアーム６７３が水平方向に延びるように連結され、第２のアーム６７３の先端に乾燥処理用ノズル６７０が設けられている。
【０１５５】
第２の回動モータ６７１により第２の回動軸６７２が回転するとともに、第２のアーム６７３が回動し、乾燥処理用ノズル６７０がスピンチャック６２１により保持された基板Ｗの上方に移動する。
【０１５６】
第２の回動モータ６７１、第２の回動軸６７２および第２のアーム６７３の内部を通るように乾燥処理用供給管６７４が設けられている。乾燥処理用供給管６７４は、バルブＶｃを介して不活性ガス供給源Ｒ３に接続されている。このバルブＶｃの開閉を制御することにより、乾燥処理用供給管６７４に供給する不活性ガスの供給量を調整することができる。
【０１５７】
乾燥処理用ノズル６７０には、不活性ガスが、乾燥処理用供給管６７４を通して不活性ガス供給源Ｒ３から供給される。それにより、基板Ｗの表面へ不活性ガスを供給することができる。不活性ガスとしては、例えば、窒素ガスが用いられる。
【０１５８】
基板Ｗの表面へ洗浄液またはリンス液を供給する際には、洗浄処理用ノズル６５０は基板の上方に位置し、基板Ｗの表面へ不活性ガスを供給する際には、洗浄処理用ノズル６５０は所定の位置に退避される。
【０１５９】
また、基板Ｗの表面へ洗浄液またはリンス液を供給する際には、乾燥処理用ノズル６７０は所定の位置に退避され、基板Ｗの表面へ不活性ガスを供給する際には、乾燥処理用ノズル６７０は基板Ｗの上方に位置する。
【０１６０】
スピンチャック６２１に保持された基板Ｗは、処理カップ６２３内に収容される。処理カップ６２３の内側には、筒状の仕切壁６３３が設けられている。また、スピンチャック６２１の周囲を取り囲むように、基板Ｗの処理に用いられた処理液（洗浄液またはリンス液）を排液するための排液空間６３１が形成されている。さらに、排液空間６３１を取り囲むように、処理カップ６２３と仕切壁６３３との間に、基板Ｗの処理に用いられた処理液を回収するための回収液空間６３２が形成されている。
【０１６１】
排液空間６３１には、排液処理装置（図示せず）へ処理液を導くための排液管６３４が接続され、回収液空間６３２には、回収処理装置（図示せず）へ処理液を導くための回収管６３５が接続されている。
【０１６２】
処理カップ６２３の上方には、基板Ｗからの処理液が外方へ飛散することを防止するためのガード６２４が設けられている。このガード６２４は、回転軸６２５に対して回転対称な形状からなっている。ガード６２４の上端部の内面には、断面く字状の排液案内溝６４１が環状に形成されている。
【０１６３】
また、ガード６２４の下端部の内面には、外側下方に傾斜する傾斜面からなる回収液案内部６４２が形成されている。回収液案内部６４２の上端付近には、処理カップ６２３の仕切壁６３３を受け入れるための仕切壁収納溝６４３が形成されている。
【０１６４】
このガード６２４には、ボールねじ機構等で構成されたガード昇降駆動機構（図示せず）が設けられている。ガード昇降駆動機構は、ガード６２４を、回収液案内部６４２がスピンチャック６２１に保持された基板Ｗの外周端面に対向する回収位置と、排液案内溝６４１がスピンチャック６２１に保持された基板Ｗの外周端面に対向する排液位置との間で上下動させる。ガード６２４が回収位置（図１０に示すガードの位置）にある場合には、基板Ｗから外方へ飛散した処理液が回収液案内部６４２により回収液空間６３２に導かれ、回収管６３５を通して回収される。一方、ガード６２４が排液位置にある場合には、基板Ｗから外方へ飛散した処理液が排液案内溝６４１により排液空間６３１に導かれ、排液管６３４を通して排液される。以上の構成により、処理液の排液および回収が行われる。
【０１６５】
（４−２）動作
次に、上記構成を有する第１および第２の洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ１，ＳＤ２の処理動作について説明する。なお、以下に説明する第１および第２の洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ１，ＳＤ２の各構成要素の動作は、図１のメインコントロ−ラ（制御部）３０により制御される。
【０１６６】
まず、基板Ｗの搬入時には、ガード６２４が下降するとともに、図１の第６のセンターロボットＣＲ６またはインターフェース用搬送機構ＩＦＲが基板Ｗをスピンチャック６２１上に載置する。スピンチャック６２１上に載置された基板Ｗは、スピンチャック６２１により吸着保持される。
【０１６７】
次に、ガード６２４が上述した排液位置まで移動するとともに、洗浄処理用ノズル６５０が基板Ｗの中心部上方に移動する。その後、回転軸６２５が回転し、この回転に伴ってスピンチャック６２１に保持されている基板Ｗが回転する。その後、洗浄処理用ノズル６５０から洗浄液が基板Ｗの上面に吐出される。これにより、基板Ｗの洗浄が行われる。
【０１６８】
なお、第１の洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ１においては、この洗浄時に基板Ｗ上のレジストカバー膜の成分が洗浄液中に溶出する。また、基板Ｗの洗浄においては、基板Ｗを回転させつつ基板Ｗ上に洗浄液を供給している。この場合、基板Ｗ上の洗浄液は遠心力により常に基板Ｗの周縁部へと移動し飛散する。したがって、洗浄液中に溶出したレジストカバー膜の成分が基板Ｗ上に残留することを防止することができる。
【０１６９】
なお、上記のレジストカバー膜の成分は、例えば、基板Ｗ上に純水を盛って一定時間保持することにより溶出させてもよい。また、基板Ｗ上への洗浄液の供給は、二流体ノズルを用いたソフトスプレー方式により行ってもよい。
【０１７０】
所定時間経過後、洗浄液の供給が停止され、洗浄処理用ノズル６５０からリンス液が吐出される。これにより、基板Ｗ上の洗浄液が洗い流される。
【０１７１】
さらに所定時間経過後、回転軸６２５の回転速度が低下する。これにより、基板Ｗの回転によって振り切られるリンス液の量が減少し、図１１（ａ）に示すように、基板Ｗの表面全体にリンス液の液層Ｌが形成される。なお、回転軸６２５の回転を停止させて基板Ｗの表面全体に液層Ｌを形成してもよい。
【０１７２】
次に、リンス液の供給が停止され、洗浄処理用ノズル６５０が所定の位置に退避するとともに乾燥処理用ノズル６７０が基板Ｗの中心部上方に移動する。その後、乾燥処理用ノズル６７０から不活性ガスが吐出される。これにより、図１１（ｂ）に示すように、基板Ｗの中心部のリンス液が基板Ｗの周縁部に移動し、基板Ｗの周縁部のみに液層Ｌが存在する状態になる。
【０１７３】
次に、回転軸６２５（図１０参照）の回転数が上昇するとともに、図１１（ｃ）に示すように乾燥処理用ノズル６７０が基板Ｗの中心部上方から周縁部上方へと徐々に移動する。これにより、基板Ｗ上の液層Ｌに大きな遠心力が作用するとともに、基板Ｗの表面全体に不活性ガスを吹き付けることができるので、基板Ｗ上の液層Ｌを確実に取り除くことができる。その結果、基板Ｗを確実に乾燥させることができる。
【０１７４】
次に、不活性ガスの供給が停止され、乾燥処理ノズル６７０が所定の位置に退避するとともに回転軸６２５の回転が停止する。その後、ガード６２４が下降するとともに図１の第６のセンターロボットＣＲ６またはインターフェース用搬送機構ＩＦＲが基板Ｗを搬出する。これにより、第１および第２の洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ１，ＳＤ２における処理動作が終了する。なお、洗浄および乾燥処理中におけるガード６２４の位置は、処理液の回収または排液の必要性に応じて適宜変更することが好ましい。
【０１７５】
なお、上記実施の形態においては、洗浄液処理用ノズル６５０から洗浄液およびリンス液のいずれをも供給できるように、洗浄液の供給およびリンス液の供給に洗浄液処理用ノズル６５０を共用する構成を採用しているが、洗浄液供給用のノズルとリンス液供給用のノズルとを別々に分けた構成を採用してもよい。
【０１７６】
また、リンス液を供給する場合には、リンス液が基板Ｗの裏面に回り込まないように、基板Ｗの裏面に対して図示しないバックリンス用ノズルから純水を供給してもよい。
【０１７７】
また、洗浄液およびリンス液のどちらか一方のみを供給してもよい。
【０１７８】
また、上記実施の形態においては、スピン乾燥方法により基板Ｗに乾燥処理を施すが、減圧乾燥方法、エアーナイフ乾燥方法等の他の乾燥方法により基板Ｗに乾燥処理を施してもよい。
【０１７９】
（５）本実施の形態における効果
（５−１）
以上のように、本実施の形態に係る基板処理装置５００においては、塗布ユニットＣＯＶにおいて、レジストカバー膜の処理液を基板Ｗに塗布する前に、有機溶媒を基板Ｗに塗布している。この場合、基板Ｗ上に有機溶媒を予め塗布することにより、レジスト膜とレジストカバー膜との濡れ性が向上する。それにより、レジストカバー膜の成膜時に、基板Ｗ上から飛散するレジストカバー膜の処理液の量を低減することができる。その結果、基板Ｗに塗布するレジストカバー膜の処理液の量を低減することができ、コストを低減することができる。
【０１８０】
また、レジスト膜の成分に応じて基板Ｗに供給する有機溶媒および処理液を決定するので、レジスト膜とレジストカバー膜の処理液との濡れ性を確実に向上させることができる。
【０１８１】
以上の結果、低コストで確実にレジストカバー膜を形成することができる。
【０１８２】
（５−２）洗浄／乾燥処理ユニットの効果
インターフェースブロック１５の第１の洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ１において、露光装置１６において基板Ｗの露光処理が行われる前に、基板Ｗの洗浄処理が行われる。この場合、露光処理前の処理工程において雰囲気中の塵埃等が基板Ｗに付着しても、第１の洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ１において取り除くことができる。それにより、基板Ｗの汚染が防止され、露光装置１６内の汚染を防止することができる。その結果、露光パターンの寸法不良および形状不良の発生を防止することができる。
【０１８３】
また、この洗浄処理時に、基板Ｗ上のレジストカバー膜の成分の一部が洗浄液またはリンス液中に溶出し、洗い流される。そのため、露光装置１６において基板Ｗが液体と接触しても、基板Ｗ上のレジストカバー膜の成分は液体中にほとんど溶出しない。それにより、露光装置１６内の汚染が防止される。
【０１８４】
また、第１の洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ１においては、基板Ｗの洗浄処理後に基板Ｗの乾燥処理が行われる。それにより、洗浄処理時に基板Ｗに付着した洗浄液またはリンス液が取り除かれるので、洗浄処理後の基板Ｗに雰囲気中の塵埃等が再度付着することが防止される。その結果、露光装置１６内の汚染を確実に防止することができる。
【０１８５】
また、リンス液として、純水に界面活性剤を溶かしたもの、または純水に有機溶媒を溶かしたものを用いることができる。つまり、容易かつ低コストでリンス液を用意することができる。
【０１８６】
また、インターフェースブロック１５の第２の洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ２において、露光処理後の基板Ｗの乾燥処理が行われる。この場合、露光処理時に基板Ｗに付着した液浸液に雰囲気中の塵埃等が付着しても、第２の洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ２において取り除くことができる。それにより、基板Ｗの汚染が防止され、基板Ｗの処理不良を防止することができる。
【０１８７】
また、第２の洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ２においては、基板Ｗの洗浄処理後に基板Ｗの乾燥処理が行われる。それにより、洗浄処理時に基板Ｗに付着した洗浄液またはリンス液が取り除かれるので、洗浄処理後の基板Ｗに雰囲気中の塵埃等が再度付着することが防止される。その結果、基板Ｗの汚染を確実に防止することができる。
【０１８８】
また、第２の洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ２から現像処理部７０へ基板Ｗを搬送する間に、レジストの成分またはレジストカバー膜の成分が基板Ｗ上に残留した洗浄液およびリンス液中に溶出することを確実に防止することができる。それにより、レジスト膜に形成された露光パターンの変形を防止することができる。その結果、現像処理時における線幅精度の低下を確実に防止することができる。
【０１８９】
また、露光処理時に基板Ｗに付着した液体が、基板処理装置５００内に落下することが防止される。それにより、基板処理装置５００の電気系統の異常等の動作不良を防止することができる。
【０１９０】
また、基板処理装置５００内を液体が付着した基板Ｗが搬送されることを防止することができるので、露光処理時に基板Ｗに付着した液体が基板処理装置５００内の雰囲気に影響を与えることを防止することができる。それにより、基板処理装置５００内の温湿度調整が容易になる。
【０１９１】
また、露光処理時に基板Ｗに付着した液体がインデクサロボットＩＲおよび第１〜第６のセンターロボットＣＲ１〜ＣＲ６に付着することが防止されるので、露光処理前の基板Ｗに液体が付着することが防止される。それにより、露光処理前の基板Ｗに雰囲気中の塵埃等が付着することが防止されるので、基板Ｗの汚染が防止される。その結果、露光処理時の解像性能の劣化を防止することができるとともに露光装置１６内の汚染を防止することができる。
【０１９２】
また、第１および第２の洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ１，ＳＤ２においては、基板Ｗの表面に対する接触角が小さいリンス液が用いられている。この場合、基板Ｗを十分に乾燥させることができるので、基板Ｗの表面に乾燥しみが発生することを防止することができる。また、基板Ｗを十分に乾燥させることができるので、リンス液にレジストの成分が吸収されることを防止することができる。それにより、露光パターンの寸法不良および形状不良を確実に防止することができる。
【０１９３】
また、第１および第２の洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ１，ＳＤ２においては、基板Ｗを回転させつつ不活性ガスを基板Ｗの中心部から周縁部へと吹き付けることにより基板Ｗの乾燥処理を行っている。この場合、基板Ｗ上の洗浄液およびリンス液を確実に取り除くことができるので、洗浄後の基板Ｗに雰囲気中の塵埃等が付着することを確実に防止することができる。それにより、基板Ｗの汚染を確実に防止することができるとともに、基板Ｗの表面に乾燥しみが発生することを確実に防止することができる。
【０１９４】
（５−３）レジストカバー膜の除去処理の効果
現像処理ブロック１２において基板Ｗに現像処理が行われる前に、レジストカバー膜除去ブロック１４において、レジストカバー膜の除去処理が行われる。この場合、現像処理前にレジストカバー膜が確実に除去されるので、現像処理を確実に行うことができる。
【０１９５】
なお、現像処理ユニットＤＥＶにおいて、現像液によりレジストカバー膜を除去できる場合には、レジストカバー膜除去ブロック１４は設けなくてもよい。
【０１９６】
（５−４）インターフェースブロックの効果
インターフェースブロック１５においては、第６のセンターロボットＣＲ６がエッジ露光部ＥＥＷへの基板Ｗの搬入出、第１の洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ１への基板Ｗの搬入出、送りバッファ部ＳＢＦへの基板Ｗの搬入出、載置兼冷却ユニットＰ−ＣＰへの基板Ｗの搬入、および基板載置部ＰＡＳＳ１３からの基板Ｗの搬出を行い、インターフェース用搬送機構ＩＦＲが載置兼冷却ユニットＰ−ＣＰからの基板Ｗの搬出、露光装置１６への基板Ｗの搬入出、第２の洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ２への基板Ｗの搬入出、および基板載置部ＰＡＳＳ１３への基板Ｗの搬入を行っている。このように、第６のセンターロボットＣＲ６およびインターフェース用搬送機構ＩＦＲによって効率よく基板Ｗの搬送が行われるので、スループットを向上させることができる。
【０１９７】
また、インターフェースブロック１５において、第１の洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ１および第２の洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ２は、Ｘ方向の側面の近傍にそれぞれ設けられている。この場合、インターフェースブロック１５を取り外すことなく、第１および第２の洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ１，ＳＤ２のメインテナンスを基板処理装置５００の側面から容易に行うことができる。
【０１９８】
また、第１および第２の洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ１，ＳＤ２により、１つの処理ブロック内で、露光処理前および露光処理後の基板Ｗの洗浄および乾燥を行うことができる。したがって、基板処理装置５００のフットプリントの増加を防止することができる。
【０１９９】
（５−５）インターフェース用搬送機構の効果
インターフェースブロック１５においては、載置兼冷却ユニットＰ−ＣＰから露光装置１６に基板Ｗを搬送する際、第２の洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ２から基板載置部ＰＡＳＳ１３へ基板Ｗを搬送する際には、インターフェース用搬送機構ＩＦＲのハンドＨ１が用いられ、露光装置１６から第２の洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ２へ基板を搬送する際には、インターフェース用搬送機構ＩＦＲのハンドＨ２が用いられる。
【０２００】
すなわち、液体が付着していない基板Ｗの搬送にはハンドＨ１が用いられ、液体が付着した基板Ｗの搬送にはハンドＨ２が用いられる。
【０２０１】
この場合、露光処理時に基板Ｗに付着した液体がハンドＨ１に付着することが防止されるので、露光処理前の基板Ｗに液体が付着することが防止される。また、ハンドＨ２はハンドＨ１より下方に設けられるので、ハンドＨ２およびそれが保持する基板Ｗから液体が落下しても、ハンドＨ１およびそれが保持する基板Ｗに液体が付着することを防止することができる。それにより、露光処理前の基板Ｗに液体が付着することを確実に防止することができる。その結果、露光処理前の基板Ｗの汚染を確実に防止することができる。
【０２０２】
（５−６）載置兼冷却ユニットを配設したことによる効果
インターフェースブロック１５において、露光装置１６による露光処理前の基板Ｗを載置する機能と、基板Ｗの温度を露光装置１６内の温度に合わせるための冷却機能とを兼ね備えた載置兼冷却ユニットＰ−ＣＰを設けることにより、搬送工程を削減することができる。基板の厳密な温度管理が要求される液浸法による露光処理を行う上では、搬送工程を削減することは重要となる。
【０２０３】
上記により、スループットを向上することが可能となるとともに、搬送のアクセス位置を削減することができるので信頼性を向上することが可能となる。
【０２０４】
特に、２個の載置兼冷却ユニットＰ−ＣＰを設けていることにより、さらにスループットを向上することができる。
【０２０５】
（６）洗浄／乾燥処理ユニットの他の例
図１０に示した洗浄／乾燥処理ユニットにおいては、洗浄処理用ノズル６５０と乾燥処理用ノズル６７０とが別個に設けられているが、図１２に示すように、洗浄処理用ノズル６５０と乾燥処理用ノズル６７０とを一体に設けてもよい。この場合、基板Ｗの洗浄処理時または乾燥処理時に洗浄処理用ノズル６５０および乾燥処理用ノズル６７０をそれぞれ別々に移動させる必要がないので、駆動機構を単純化することができる。
【０２０６】
また、図１０に示す乾燥処理用ノズル６７０の代わりに、図１３に示すような乾燥処理用ノズル７７０を用いてもよい。
【０２０７】
図１３の乾燥処理用ノズル７７０は、鉛直下方に延びるとともに側面から斜め下方に延びる分岐管７７１，７７２を有する。乾燥処理用ノズル７７０の下端および分岐管７７１，７７２の下端には不活性ガスを吐出するガス吐出口７７０ａ，７７０ｂ，７７０ｃが形成されている。
【０２０８】
各吐出口７７０ａ，７７０ｂ，７７０ｃからは、それぞれ図１３の矢印で示すように鉛直下方および斜め下方に不活性ガスが吐出される。つまり、乾燥処理用ノズル７７０においては、下方に向かって吹き付け範囲が拡大するように不活性ガスが吐出される。
【０２０９】
ここで、乾燥処理用ノズル７７０を用いる場合には、第１および第２の洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ１，ＳＤ２は以下に説明する動作により基板Ｗの乾燥処理を行う。
【０２１０】
図１４は、乾燥処理用ノズル７７０を用いた場合の基板Ｗの乾燥処理方法を説明するための図である。
【０２１１】
まず、図１１（ａ）で説明した方法により基板Ｗの表面に液層Ｌが形成された後、図１４（ａ）に示すように、乾燥処理用ノズル７７０が基板Ｗの中心部上方に移動する。
【０２１２】
その後、乾燥処理用ノズル７７０から不活性ガスが吐出される。これにより、図１４（ｂ）に示すように、基板Ｗの中心部のリンス液が基板Ｗの周縁部に移動し、基板Ｗの周縁部のみに液層Ｌが存在する状態になる。なお、このとき、乾燥処理用ノズル７７０は、基板Ｗの中心部に存在するリンス液を確実に移動させることができるように基板Ｗの表面に近接させておく。
【０２１３】
次に、回転軸６２５（図１０参照）の回転数が上昇するとともに、図１４（ｃ）に示すように乾燥処理用ノズル７７０が上方へ移動する。これにより、基板Ｗ上の液層Ｌに大きな遠心力が作用するとともに、基板Ｗ上の不活性ガスが吹き付けられる範囲が拡大する。その結果、基板Ｗ上の液層Ｌを確実に取り除くことができる。なお、乾燥処理用ノズル７７０は、図１０の第２の回動軸６７２に設けられた回動軸昇降機構（図示せず）により第２の回動軸６７２を上下に昇降させることにより上下に移動させることができる。
【０２１４】
また、乾燥処理用ノズル７７０の代わりに、図１５に示すような乾燥処理用ノズル８７０を用いてもよい。図１５の乾燥処理用ノズル８７０は、下方に向かって徐々に直径が拡大する吐出口８７０ａを有する。
【０２１５】
この吐出口８７０ａからは、図１５の矢印で示すように鉛直下方および斜め下方に不活性ガスが吐出される。つまり、乾燥処理用ノズル８７０においても、図１４の乾燥処理用ノズル７７０と同様に、下方に向かって吹き付け範囲が拡大するように不活性ガスが吐出される。したがって、乾燥処理用ノズル８７０を用いる場合も、乾燥処理用ノズル７７０を用いる場合と同様の方法により基板Ｗの乾燥処理を行うことができる。
【０２１６】
また、図１０に示す洗浄／乾燥処理ユニットの代わりに、図１６に示すような洗浄／乾燥処理ユニットを用いてもよい。
【０２１７】
図１６に示す洗浄／乾燥処理ユニットが図１０に示す洗浄／乾燥処理ユニットと異なるのは以下の点である。
【０２１８】
図１６の洗浄／乾燥処理ユニットにおいては、スピンチャック６２１の上方に、中心部に開口を有する円板状の遮断板６８２が設けられている。アーム６８８の先端付近から鉛直下方向に支持軸６８９が設けられ、その支持軸６８９の下端に、遮断板６８２がスピンチャック６２１に保持された基板Ｗの上面に対向するように取り付けられている。
【０２１９】
支持軸６８９の内部には、遮断板６８２の開口に連通したガス供給路６９０が挿通されている。ガス供給路６９０には、例えば、窒素ガスが供給される。
【０２２０】
アーム６８８には、遮断板昇降駆動機構６９７および遮断板回転駆動機構６９８が接続されている。遮断板昇降駆動機構６９７は、遮断板６８２をスピンチャック６２１に保持された基板Ｗの上面に近接した位置とスピンチャック６２１から上方に離れた位置との間で上下動させる。
【０２２１】
図１６の洗浄／乾燥処理ユニットにおいては、基板Ｗの乾燥処理時に、図１７に示すように、遮断板６８２を基板Ｗに近接させた状態で、基板Ｗと遮断板６８２との間の隙間に対してガス供給路６９０から不活性ガスを供給する。この場合、基板Ｗの中心部から周縁部へと効率良く不活性ガスを供給することができるので、基板Ｗ上の液層Ｌを確実に取り除くことができる。
【０２２２】
（７）２流体ノズルを用いた洗浄／乾燥処理ユニットの例
（７−１）２流体ノズルを用いた場合の構成および動作
上記実施の形態においては、第１および第２の洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ１，ＳＤ２おいて、図１０に示すような洗浄処理用ノズル６５０および乾燥処理用ノズル６７０を用いた場合について説明したが、洗浄処理用ノズル６５０および乾燥処理用ノズル６７０の一方または両方の代わりに図１８に示すような２流体ノズルを用いてもよい。
【０２２３】
図１８は、洗浄および乾燥処理に用いられる２流体ノズル９５０の内部構造の一例を示す縦断面図である。２流体ノズル９５０からは、気体、液体、および気体と液体との混合流体を選択的に吐出することができる。
【０２２４】
本実施の形態の２流体ノズル９５０は外部混合型と呼ばれる。図１８に示す外部混合型の２流体ノズル９５０は、内部本体部３１１および外部本体部３１２により構成される。内部本体部３１１は、例えば石英等からなり、外部本体部３１２は、例えばＰＴＦＥ（ポリテトラフルオロエチレン）等のフッ素樹脂からなる。
【０２２５】
内部本体部３１１の中心軸に沿って円筒状の液体導入部３１１ｂが形成されている。液体導入部３１１ｂには図１０の洗浄処理用供給管６６３が取り付けられる。これにより、洗浄処理用供給管６６３から供給される洗浄液またはリンス液が液体導入部３１１ｂに導入される。
【０２２６】
内部本体部３１１の下端には、液体導入部３１１ｂに連通する液体吐出口３１１ａが形成されている。内部本体部３１１は、外部本体部３１２内に挿入されている。なお、内部本体部３１１および外部本体部３１２の上端部は互いに接合されており、下端は接合されていない。
【０２２７】
内部本体部３１１と外部本体部３１２との間には、円筒状の気体通過部３１２ｂが形成されている。外部本体部３１２の下端には、気体通過部３１２ｂに連通する気体吐出口３１２ａが形成されている。外部本体部３１２の周壁には、気体通過部３１２ｂに連通するように図１０の乾燥処理用供給管６７４が取り付けられている。これにより、乾燥処理用供給管６７４から供給される不活性ガスが気体通過部３１２ｂに導入される。
【０２２８】
気体通過部３１２ｂは、気体吐出口３１２ａ近傍において、下方に向かうにつれて径小となっている。その結果、不活性ガスの流速が加速され、気体吐出口３１２ａより吐出される。
【０２２９】
液体吐出口３１１ａから吐出された洗浄液と気体吐出口３１２ａから吐出された不活性ガスとが２流体ノズル９５０の下端付近の外部で混合され、洗浄液の微細な液滴を含む霧状の混合流体が生成される。
【０２３０】
図１９は、図１８の２流体ノズル９５０を用いた場合の基板Ｗの洗浄および乾燥処理方法を説明するための図である。
【０２３１】
まず、図１０で示したように、基板Ｗはスピンチャック６２１により吸着保持され、回転軸６２５の回転に伴い回転する。この場合、回転軸６２５の回転速度は例えば約５００ｒｐｍである。
【０２３２】
この状態で、図１９（ａ）に示すように、２流体ノズル９５０から洗浄液および不活性ガスからなる霧状の混合流体が基板Ｗの上面に吐出されるとともに、２流体ノズル９５０が基板Ｗの中心部上方から周縁部上方へと徐々に移動する。これにより、２流体ノズル９５０から混合流体が基板Ｗの表面全体に吹き付けられ、基板Ｗの洗浄が行われる。
【０２３３】
次いで、図１９（ｂ）に示すように、混合流体の供給が停止され、回転軸６２５の回転速度が低下するとともに、基板Ｗ上に２流体ノズル９５０からリンス液が吐出される。この場合、回転軸６２５の回転速度は例えば約１０ｒｐｍである。これにより、基板Ｗの表面全体にリンス液の液層Ｌが形成される。なお、回転軸６２５の回転を停止させて基板Ｗの表面全体に液層Ｌを形成してもよい。また、基板Ｗを洗浄する混合流体中の洗浄液として純水を用いる場合には、リンス液の供給を行わなくてもよい。
【０２３４】
液層Ｌが形成された後、リンス液の供給が停止される。次に、図１９（ｃ）に示すように、基板Ｗ上に２流体ノズル９５０から不活性ガスが吐出される。これにより、基板Ｗの中心部の洗浄液が基板Ｗの周縁部に移動し、基板Ｗの周縁部のみに液層Ｌが存在する状態になる。
【０２３５】
その後、回転軸６２５の回転速度が上昇する。この場合、回転軸６２５の回転速度は例えば約１００ｒｐｍである。これにより、基板Ｗ上の液層Ｌに大きな遠心力が作用するので、基板Ｗ上の液層Ｌを取り除くことができる。その結果、基板Ｗが乾燥される。
【０２３６】
なお、基板Ｗ上の液層Ｌを取り除く際には、２流体ノズル９５０が基板Ｗの中心部上方から周縁部上方へと徐々に移動してもよい。これにより、基板Ｗの表面全体に不活性ガスを吹き付けることができるので、基板Ｗ上の液層Ｌを確実に取り除くことができる。その結果、基板Ｗを確実に乾燥させることができる。
【０２３７】
（７−２）２流体ノズルを用いた場合の効果
図１８の２流体ノズルにおいては、２流体ノズル９５０から吐出される混合流体は洗浄液の微細な液滴を含むので、基板Ｗ表面に凹凸がある場合でも、洗浄液の微細な液滴により基板Ｗに付着した汚れが剥ぎ取られる。それにより、基板Ｗ表面の汚れを確実に取り除くことができる。また、基板Ｗ上の膜の濡れ性が低い場合でも、洗浄液の微細な液滴により基板Ｗ表面の汚れが剥ぎ取られるので、基板Ｗ表面の汚れを確実に取り除くことができる。
【０２３８】
したがって、特に、第１の洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ１に２流体ノズルを用いた場合には、露光処理前に加熱ユニットＨＰによって基板Ｗに熱処理が施される際に、レジスト膜またはレジストカバー膜の溶剤等が加熱ユニットＨＰ内で昇華し、その昇華物が基板Ｗに再付着した場合でも、第１の洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ１において、その付着物を確実に取り除くことができる。それにより、露光装置１６内の汚染を確実に防止することができる。
【０２３９】
また、不活性ガスの流量を調節することにより、基板Ｗを洗浄する際の洗浄力を容易に調節することができる。これにより、基板Ｗ上の有機膜（レジスト膜またはレジストカバー膜）が破損しやすい性質を有する場合には洗浄力を弱くすることで基板Ｗ上の有機膜の破損を防止することができる。また、基板Ｗ表面の汚れが強固な場合には洗浄力を強くすることで基板Ｗ表面の汚れを確実に取り除くことができる。このように、基板Ｗ上の有機膜の性質および汚れの程度に合わせて洗浄力を調節することにより、基板Ｗ上の有機膜の破損を防止しつつ、基板Ｗを確実に洗浄することができる。
【０２４０】
また、外部混合型の２流体ノズル９５０では、混合流体は２流体ノズル９５０の外部において洗浄液と不活性ガスとが混合されることにより生成される。２流体ノズル９５０の内部においては不活性ガスと洗浄液とがそれぞれ別の流路に区分されて流通する。それにより、気体通過部３１２ｂ内に洗浄液が残留することはなく、不活性ガスを単独で２流体ノズル９５０から吐出することができる。さらに、洗浄処理用供給管６６３からリンス液を供給することにより、リンス液を２流体ノズル９５０から単独で吐出することができる。したがって、混合流体、不活性ガスおよびリンス液を２流体ノズル９５０から選択的に吐出することが可能となる。
【０２４１】
また、２流体ノズル９５０を用いた場合においては、基板Ｗに洗浄液またはリンス液を供給するためのノズルと、基板Ｗに不活性ガスを供給するためのノズルとをそれぞれ別個に設ける必要がない。それにより、簡単な構造で基板Ｗの洗浄および乾燥を確実に行うことができる。
【０２４２】
なお、上記の説明においては、２流体ノズル９５０により基板Ｗにリンス液を供給しているが、別個のノズルを用いて基板Ｗにリンス液を供給してもよい。
【０２４３】
また、上記の説明においては、２流体ノズル９５０により基板Ｗに不活性ガスを供給しているが、別個のノズルを用いて基板Ｗに不活性ガスを供給してもよい。
【０２４４】
（８）他の実施の形態
上記実施の形態においては、塗布ユニットＣＯＶにおいて、処理液を吐出する供給ノズル８１０とその処理液の主溶媒を吐出する供給ノズル８１０とが別個に設けてられているが、図１２に示した洗浄処理用ノズル６５０および乾燥処理用ノズル６７０と同様に、処理液を吐出する供給ノズル８１０と主溶媒を吐出する供給ノズル８１０とを一体的に設けてもよい。この場合、処理液を吐出する供給ノズル８１０と主溶媒を吐出する供給ノズル８１０とを別々に搬送する必要がないので、塗布ユニットＣＯＶにおける処理時間を短縮することができる。それにより、基板処理装置５００のスループットを向上させることができる。
【０２４５】
また、上記実施の形態においては、レジスト膜の成分に応じて基板Ｗに供給する有機溶媒およびレジストカバー膜の処理液を決定しているが、露光装置１６において用いられる液浸液に応じて有機溶媒およびレジストカバー膜の処理液を決定してもよい。この場合、レジスト膜とレジストカバー膜の処理液との濡れ性が確実に向上するとともに、液浸液によるレジストカバー膜の劣化を確実に防止することができる。それにより、低コストで基板Ｗの処理不良および露光装置１６の汚染を防止することができる。
【０２４６】
また、塗布ユニットＣＯＶの動作は、各塗布ユニットＣＯＶに設けられた制御装置（図示せず）、またはレジストカバー膜除去ブロック１４に設けられたローカルコントローラＬＣ（図３）によって制御してもよい。
【０２４７】
また、第１の洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ１、第２の洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ２、塗布ユニットＢＡＲＣ，ＲＥＳ、ＣＯＶ、現像処理ユニットＤＥＶ、除去ユニットＲＥＭ、加熱ユニットＨＰ、冷却ユニットＣＰおよび載置兼冷却ユニットＰ−ＣＰの個数は、各処理ブロックの処理速度に合わせて適宜変更してもよい。例えば、エッジ露光部ＥＥＷを２個設ける場合は、第２の洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ２の個数を２個にしてもよい。
【０２４８】
（９）請求項の各構成要素と実施の形態の各部との対応
以下、請求項の各構成要素と実施の形態の各部との対応の例について説明するが、本発明は下記の例に限定されない。
【０２４９】
上記実施の形態においては、露光装置１６が液浸露光装置に相当し、塗布ユニットＲＥＳが感光性膜形成ユニットに相当し、レジスト膜が感光性膜に相当し、塗布ユニットＣＯＶが保護膜形成ユニットに相当し、レジストカバー膜が保護膜に相当し、供給ノズル８１０が供給手段に相当する。
【産業上の利用可能性】
【０２５０】
本発明は、種々の基板の処理等に利用することができる。
【図面の簡単な説明】
【０２５１】
【図１】本発明の第１の実施の形態に係る基板処理装置の平面図である。
【図２】図１の基板処理装置を＋Ｘ方向から見た概略側面図である。
【図３】図１の基板処理装置を−Ｘ方向から見た概略側面図である。
【図４】インターフェースブロックを＋Ｙ側から見た概略側面図である。
【図５】塗布ユニットの一例を示す平面図である。
【図６】供給ノズルの断面図である。
【図７】ノズル把持部の平面図および断面図である。
【図８】図５中における待機部のＡ−Ａ線断面図である。
【図９】メインコントローラの制御動作を示す概略フローチャートである。
【図１０】洗浄／乾燥処理ユニットの構成を説明するための図である。
【図１１】洗浄／乾燥処理ユニットの動作を説明するための図である。
【図１２】洗浄処理用ノズルと乾燥処理用ノズルとが一体に設けられた場合の模式図である。
【図１３】乾燥処理用ノズルの他の例を示す模式図である。
【図１４】図１３の乾燥処理用ノズルを用いた場合の基板の乾燥処理方法を説明するための図である。
【図１５】乾燥処理用ノズルの他の例を示す模式図である。
【図１６】洗浄／乾燥処理ユニットの他の例を示す模式図である。
【図１７】図１６の洗浄／乾燥処理ユニットを用いた場合の基板の乾燥処理方法を説明するための図である。
【図１８】洗浄および乾燥処理に用いられる２流体ノズルの内部構造の一例を示す縦断面図である。
【図１９】図１８の２流体ノズルを用いた場合の基板の洗浄および乾燥処理方法を説明するための図である。
【符号の説明】
【０２５２】
９  インデクサブロック
１０  反射防止膜用処理ブロック
１１  レジスト膜用処理ブロック
１２  現像処理ブロック
１３  レジストカバー膜用処理ブロック
１４  レジストカバー膜除去ブロック
１５  インターフェースブロック
１６  露光装置
５０  反射防止膜用塗布処理部
６０  レジスト膜用塗布処理部
７０  現像処理部
８０  レジストカバー膜用塗布処理部
９０  レジストカバー膜除去用処理部
１００，１０１  反射防止膜用熱処理部
１１０，１１１  レジスト膜用熱処理部
１２０，１２１  現像用熱処理部
１３０，１３１  レジストカバー膜用熱処理部
１４０，１４１  露光後ベーク用熱処理部 
５００  基板処理装置
６５０  洗浄処理用ノズル
６７０，７７０，８７０  乾燥処理用ノズル
６８２  遮断板
８１０  供給ノズル
９５０  ２流体ノズル
ＥＥＷ  エッジ露光部
ＢＡＲＣ，ＲＥＳ，ＣＯＶ  塗布ユニット
ＤＥＶ  現像処理ユニット
ＲＥＭ  除去ユニット
ＳＤ１  第１の洗浄／乾燥処理ユニット
ＳＤ２  第２の洗浄／乾燥処理ユニット
ＩＦＲ  インターフェース用搬送機構
Ｐ−ＣＰ  載置兼冷却ユニット
Ｗ  基板
ＰＡＳＳ１〜ＰＡＳＳ１３  基板載置部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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