(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
傷みやすい物体または液体を処理するためのデバイスを製造する方法であって、
単一部片の磁性材料を複数の部片に破砕するステップと、
前記単一部片の磁性材料の前記破砕中に、前記部片の互いに関する移動を妨げるために前記単一部片の磁性材料に固定された固定要素を用いるステップと、
前記固定要素に沿って互いに相対位置が固定された前記磁性材料の前記部片を備える磁気構造を形成するステップと
を含むことを特徴とする方法。
【請求項２】
前記固定要素を用いるステップが、前記磁性材料を破砕する前に、前記磁性材料に固定要素を提供するステップを含むことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記固定要素が、前記磁性材料の少なくとも一面に沿って取り付けられた少なくとも１つの接着シートを備えることを特徴とする請求項２に記載の方法。
【請求項４】
前記磁性材料の前記部片の互いに関する相対位置を実質的に保ちながら、前記磁気構造を所望の形状に成形するステップをさらに含むことを特徴とする請求項１から３のいずれか１項に記載の方法。
【請求項５】
前記磁性材料の前記部片が、当初は分極されておらず、前記磁気構造の前記所望の形状が成形された後に、磁気分極されることを特徴とする請求項４に記載の方法。
【請求項６】
前記磁気構造を前記所望の形状に成形するステップが、
前記所望の形状を有するプロファイルを有する支持具を提供するステップと、
前記磁気構造の形状が前記プロファイルの前記形状に適合するように前記磁気構造を前記支持具に取り付けるステップと
を含むことを特徴とする請求項４または５に記載の方法。
【請求項７】
前記磁気構造のＮ極側を遮蔽するための遮蔽要素を提供するステップをさらに含むことを特徴とする請求項１から６のいずれか１項に記載の方法。
【請求項８】
前記遮蔽要素が、単一部片の磁性材料から形成された少なくとも１つの補助磁石を備えることを特徴とする請求項７に記載の方法。
【請求項９】
所望の形状の非平坦支持構造の上に複数の前記磁気構造を配設するステップをさらに含むことを特徴とする請求項７又は８に記載の方法。
【請求項１０】
前記複数の前記磁気構造を配設するステップが、前記遮蔽要素の上に前記非平坦支持構造を配設するとともに、前記非平坦支持構造の上に前記複数の前記磁気構造を配設するステップであり、
前記磁気構造の凸面にＳ極、凹面にＮ極が配置され、
前記磁気構造の凹面に前記非平坦支持構造の凸面が面し、
前記非平坦支持構造の凸面にＳ極、凹面にＮ極が配置され、
前記非平坦支持構造の凹面に追加の遮蔽要素を提供するステップをさらに含むことを特徴とする請求項９に記載の方法。
【請求項１１】
プラスチック樹脂またはプラスチック・ケース内に前記デバイスをカプセル化するステップをさらに含むことを特徴とする請求項１から１０のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１２】
請求項１から１１のいずれか１項に記載の方法により製造されたことを特徴とする傷みやすい物体または液体を処理するためのデバイス。
【請求項１３】
前記部片の互いに関する移動を妨げるための、前記磁性材料の前記部片と接触する固定要素をさらに備えることを特徴とする請求項１２に記載のデバイス。
【請求項１４】
前記固定要素が、少なくとも１つの接着シートを備えることを特徴とする請求項１２または１３に記載のデバイス。
【請求項１５】
所望の形状を有するプロファイルを有する支持具をさらに備え、前記磁気構造が、前記磁気構造の形状を前記プロファイルの前記形状に適合させるように前記支持具に取り付けられることを特徴とする請求項１２から１４のいずれか１項に記載のデバイス。
【請求項１６】
前記磁気構造が、前記支持具の前記プロファイルに対して前記磁気構造を覆う接着シートによって前記支持具に取り付けられる構造であることを特徴とする請求項１５に記載のデバイス。
【請求項１７】
前記磁石要素のＮ極側を遮蔽するための遮蔽要素をさらに備えることを特徴とする請求項１２から１６のいずれか１項に記載のデバイス。
【請求項１８】
前記遮蔽要素が、単一部片の磁性材料から形成された少なくとも１つの補助磁石を備えることを特徴とする請求項１７に記載のデバイス。
【請求項１９】
それぞれ単一部片の磁性材料から形成された前記磁気構造の組をさらに備え、前記組が、所望の形状の非平坦支持構造の上に配設されることを特徴とする請求項１７又は１８に記載のデバイス。
【請求項２０】
前記遮蔽要素の上に前記非平坦支持構造が配設され、
前記非平坦支持構造の上に前記複数の前記磁気構造が配設され、
前記磁気構造の凸面にＳ極、凹面にＮ極が配置され、
前記磁気構造の凹面に前記非平坦支持構造の凸面が面し、
前記非平坦支持構造の凸面にＳ極、凹面にＮ極が配置され、
前記非平坦支持構造の凹面に配設された追加の遮蔽要素をさらに備えることを特徴とする請求項１９に記載のデバイス。
【請求項２１】
プラスチック樹脂またはプラスチック・ケース内にカプセル化されることを特徴とする請求項１２から２０のいずれか１項に記載のデバイス。
【請求項２２】
前記傷みやすい物体を収容するために使用される構成要素の周りに前記デバイスを結び付けるための結び付け手段をさらに備えることを特徴とする請求項１２から２１のいずれか１項に記載のデバイス。
【請求項２３】
湾曲表面を有する物体に前記デバイスを取り付けるためのそれぞれ単一部片の磁性材料から形成された前記磁気構造の１つまたは複数の組を担持するための可撓性支持構造をさらに備えることを特徴とする請求項１２から２２のいずれか１項に記載のデバイス。
【請求項２４】
湾曲表面を有する前記物体が、管路または容器を備えることを特徴とする請求項２３に記載のデバイス。
【請求項２５】
トレイ、プレート、容器、ペンダント、またはコースター内に組み込まれることを特徴とする請求項１２から２１のいずれか１項に記載のデバイス。
【請求項２６】
液体筐体または液体タンク内に取り付けられることを特徴とする請求項１２から２２のいずれか１項に記載のデバイス。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、広範には、傷みやすい物体または液体を処理するためのデバイスおよびその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
一般に、生の魚介類、鶏肉、獣肉、および乳製品など傷みやすい物体は、時間と共に劣化する。劣化の速度に影響を及ぼす１つの重要な因子は、水分活性である。水分活性は、食品の賞味期限、安全性、食感、風味、および匂い、さらには製薬剤および化粧品の安定性に影響を及ぼす。さらに、水分活性は、食品中の酵素およびビタミンの活性、ならびに脂肪および蛋白質の変性に影響を及ぼし、これはさらに、食品の色、味、および香りに影響を及ぼす。
【０００３】
水分活性は、系内での水のエネルギー状態の尺度である。水分活性に影響を及ぼすいくつかの因子は、水分結合強度、水の解離、および水中での溶質の可溶性である。また、水分活性は、微生物の成長に関する有効性の下限を決定する。水分活性が低くなるにつれて、または水分結合強度が高くなるにつれて、食品の品質の劣化および細菌成長が遅くなる。したがって、賞味期限を延ばすために、傷みやすい物体および液体を処理することが重要である。
【０００４】
傷みやすい物体（例えば、調理される食品、飲料、生肉など）を新鮮に保つために傷みやすい物体を処理するための様々な既知の方法およびデバイスが存在する。いくつかの従来のデバイスは、生の食品などの傷みやすい物体およびアルコール飲料を処理するために静磁場を利用する。これらの既知のデバイスは、典型的には、処理すべき物体に向けて磁場を垂直に放射するために扁平表面上に配置された永久磁石のアレイを使用する。
【０００５】
いくつかの従来のデバイスは、傷みやすい物体を処理するために、磁気干渉によって生成される磁場を利用する。同様に、これらの既知のデバイスは、典型的には、磁気干渉によって生成される磁場がパネルから放射するようにパネル内に配置された複数の磁石を備える。
【０００６】
大きな物体を処理するために、そのような既知のデバイスは、処理すべき物体を覆うのに十分に広がる磁場を放射するために、複数の磁石平面／パネル、および／または多数の磁石を備えることがある。しかし、複数の磁石平面／パネル、および／または多数の磁石を有することは、デバイスの重量および嵩を増加させるだけでなく、デバイスを製造する費用も高くなる。これらの欠点は、既知のデバイスを商用としては実用できないものとする。さらに、所与のサイズおよび重量に関して、既知のデバイスによって発生される磁場は、傷みやすい物体を効果的に処理するほど十分には強くないことがある。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
したがって、上の問題の少なくとも１つに対処するため、またはそれを克服するために、傷みやすい物体または液体を処理するためのデバイスおよびその製造方法を提供する必要がある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明の第１の態様によれば、傷みやすい物体または液体を処理するためのデバイスを製造する方法であって、単一部片の磁性材料を複数の部片に破砕するステップと、前記単一部片の磁性材料の前記破砕中に、前記部片の互いに関する移動を妨げるために前記単一部片の磁性材料に固定された固定要素を用いるステップと、前記固定要素に沿って互いに相対位置が固定された前記磁性材料の前記部片を備える磁気構造を形成するステップと含む方法が提供される。
【０００９】
固定要素を用いるステップが、前記磁性材料を破砕する前に、前記磁性材料に固定要素を提供するステップを含むことがある。
【００１０】
固定要素は、磁性材料の少なくとも一面に沿って取り付けられた少なくとも１つの接着シートを備えることがある。
【００１４】
該方法は、磁性材料の部片の互いに関する相対位置を実質的に保ちながら、磁気構造を所望の形状に成形するステップをさらに含むことがある。
【００１５】
磁性材料の部片は、当初は分極されていないことがあり、磁気構造の所望の形状が成形された後に、磁気分極されることがある。
【００１６】
磁気構造を所望の形状に成形するステップは、所望の形状を有するプロファイルを有する支持具を提供するステップと、磁気構造の形状がプロファイルの形状に適合するように磁気構造を支持具に取り付けるステップとを含むことがある。
【００２２】
該方法は、前記磁気構造のＮ極側を遮蔽するための遮蔽要素を提供するステップをさらに含むことがある。
【００２３】
遮蔽要素は、単一部片の磁性材料から形成された少なくとも１つの補助磁石を備えることがある。
【００２５】
該方法は、所望の形状の非平坦支持構造の上に複数の磁気構造を配設するステップをさらに含むことがある。
【００２７】
該方法は、前記複数の前記磁気構造を配設するステップが、前記遮蔽要素の上に前記非平坦支持構造を配設するとともに、前記非平坦支持構造の上に前記複数の前記磁気構造を配設するステップであり、前記磁気構造の凸面にＳ極、凹面にＮ極が配置され、前記磁気構造の凹面に前記非平坦支持構造の凸面が面し、前記非平坦支持構造の凸面にＳ極、凹面にＮ極が配置され、前記非平坦支持構造の凹面に追加の遮蔽要素を提供するステップをさらに含むことがある。
【００３０】
該方法は、プラスチック樹脂またはプラスチック・ケース内にデバイスをカプセル化するステップをさらに含むことがある。
【００３１】
本発明の第２の態様によれば、傷みやすい物体または液体を処理するためのデバイスであって、上記方法により製造されたことを特徴とするデバイスが提供される。
【００３２】
該デバイスは、部片の互いに関する移動を妨げるための、磁性材料の部片と接触する固定要素をさらに備えることがある。
【００３３】
固定要素は、少なくとも１つの接着シートを備えることがある。
【００４１】
該デバイスは、所望の形状を有するプロファイルを有する支持具をさらに備えることがあり、磁気構造が、磁気構造の形状をプロファイルの形状に適合させるように支持具に取り付けられる。
【００４２】
前記磁気構造が、前記支持具の前記プロファイルに対して前記磁気構造を覆う接着シートによって前記支持具に取り付けられる構造であることがある。
【００４５】
該デバイスは、前記磁石要素のＮ極側を遮蔽するための遮蔽要素をさらに備えることがある。
【００４６】
遮蔽要素は、単一部片の磁性材料から形成された少なくとも１つの補助磁石を備えることがある。
【００４８】
該デバイスは、それぞれ単一部片の磁性材料から形成された前記磁気構造の組をさらに備え、前記組が、所望の形状の非平坦支持構造の上に配設される。
【００５０】
該デバイスは、前記遮蔽要素の上に前記非平坦支持構造が配設され、前記非平坦支持構造の上に前記複数の前記磁気構造が配設され、前記磁気構造の凸面にＳ極、凹面にＮ極が配置され、前記磁気構造の凹面に前記非平坦支持構造の凸面が面し、前記非平坦支持構造の凸面にＳ極、凹面にＮ極が配置され、前記非平坦支持構造の凹面に配設された追加の遮蔽要素をさらに備えることがある。
【００５３】
該デバイスは、プラスチック樹脂またはプラスチック・ケース内にカプセル化されることがある。
【００５４】
該デバイスは、傷みやすい物体を収容するために使用される構成要素の周りにデバイスを結び付けるための結び付け手段をさらに備えることがある。
【００５６】
該デバイスは、湾曲表面を有する物体に前記デバイスを取り付けるためのそれぞれ単一部片の磁性材料から形成された前記磁気構造の１つまたは複数の組を担持するための可撓性支持構造をさらに備えることがある。
【００５７】
湾曲表面を有する物体は、管路または容器を備えることがある。
【００５９】
該デバイスは、トレイ、プレート、容器、ペンダント、またはコースター内に組み込まれることがある。
【００６０】
該デバイスは、液体筐体または液体タンク内に取り付けられることがある。
【００６１】
本発明の実施形態は、単に例示として図面に関連付けて以下に記載される説明から、当業者にはより良く理解され、容易に明らかになろう。
【図面の簡単な説明】
【００６２】
【図１】（ａ）は一実施形態によるデバイスの一部分の平面図の概略図である。（ｂ）は線Ａ−Ａに沿った（ａ）のデバイスの断面の概略図である。
【図２】（ａ）〜（ｃ）は一実施形態によるデバイスを製造する方法を示す概略図である。
【図３】（ａ）〜（ｃ）は別の実施形態によるデバイスを製造する別の例示的な方法を示す概略図である。
【図４】（ａ）〜（ｄ）はデバイスの様々な実施形態を示す概略図である。
【図５】（ａ）および（ｂ）は一実施形態によるデバイスの磁場のそれぞれの空中放射を示す概略図である。
【図６】（ａ）はトレイ構成要素内に埋め込まれた一実施形態によるデバイスを示す概略図である。（ｂ）は飲料パッケージ内に埋め込まれた一実施形態によるデバイスを示す概略図である。
【図７】冷蔵庫の冷蔵室内に埋め込まれた一実施形態によるデバイスを示す概略図である。
【図８】貯蔵タンク内に埋め込まれた一実施形態によるデバイスを示す概略図である。
【図９】（ａ）はトレイ構成要素内に埋め込まれた一実施形態によるデバイスを示す概略図である。（ｂ）は大きな容器内に埋め込まれた一実施形態によるデバイスを示す概略図である。
【図１０】容器内に埋め込まれた一実施形態によるデバイスを示す概略図である。
【図１１】コースター内に埋め込まれた一実施形態によるデバイスを示す概略図である。
【図１２】ペンダント内に埋め込まれた一実施形態によるデバイスを示す概略図である。
【図１３】（ａ）は管路構造の周りに覆い被された別の実施形態によるデバイスの概略図である。（ｂ）は線Ｂ−Ｂに沿った（ａ）のデバイスの断面の概略図である。（ｃ）は容器の円筒形部分の周りに覆い被された別の実施形態によるデバイスの概略図である。（ｄ）は線Ｃ−Ｃに沿った（ｃ）のデバイスの断面の概略図である。（ｅ）および（ｆ）は貯蔵タンク容器内に取り付けられた一実施形態によるデバイスを示す概略図である。
【図１４】実験結果に基づく、２つの磁石間の間隙距離に対する、測定された磁束密度の図表である。
【図１５】（ａ）は実験結果に基づく、約２０℃の室温での約４．５時間の露出時間後の、生のスライスされたサーモンの３つの試料（（ｂ）〜（ｄ））における平均総細菌数を示す表である。
【図１６】実験結果に基づく、氷を融解する時間に対する氷床厚さの図表である。
【図１７】実験結果に基づく、それぞれ、デバイスに露出されたまるごとの生魚と、デバイスに露出されなかったまるごとの生魚との熱画像を示す図表である。
【図１８】（ａ）および（ｂ）はそれぞれ、デバイスに露出された角氷と、デバイスに露出されなかった別の角氷との写真である。
【図１９】（ａ）は実験結果に基づく、複数の付着水滴がそれぞれ、磁気干渉を伴うＳ磁場に露出された、磁気干渉を伴うＮ磁場に露出された、および任意の磁場を有さなかったときの、水の表面エネルギーに対する磁気干渉の効果を実証する図表である。（ｂ）は付着水滴の接触面を示す概略図である。
【図２０】実験結果に基づく、それぞれ、沸騰プロセス中にデバイスに露出された貯蔵タンク内の水、およびデバイスに露出されなかった別の貯蔵タンク内の水の熱画像を示す表である。
【図２１】実験結果に基づく、それぞれ、デバイスに露出された水貯蔵タンク内の１５３リットルの水、およびデバイスに露出されなかった別の貯蔵タンク内の水の、６０分の加熱後の水温上昇の図表である。
【図２２】一実施形態による傷みやすい物体または液体を処理するためのデバイスを製造する方法を例示する流れ図である。
【発明を実施するための形態】
【００６３】
傷みやすい物体を処理するためのデバイス１００の一部分の概略図が、図１（ａ）に示される。デバイス１００の様々な機能部分の相対的な寸法は、例示の目的で誇張されている。デバイス１００は、一般に、単一部片の磁性材料（図示せず）から形成された複数の磁石要素１０４を備える磁気構造１０２を備え、互いに関する磁石要素１０４の移動は妨げられている。複数の磁石要素１０４が、磁石要素１０４の磁気干渉によって生成される磁場を発生するために、隣り合う磁石要素１０４間の境界１０８を画定する間隙１０６を有して互いに隣接して離隔配置される。磁石要素１０４間の間隙１０６のサイズは、約０．０５ｍｍ〜約３．００ｍｍの範囲内であってよい。
【００６４】
傷みやすい物体（図示せず）を処理するために、磁気干渉によって生成された磁場を傷みやすい物体に向けることができる。磁石要素１０４の磁気干渉は、複数の磁石要素１０４から放射される磁場の強度を向上させる。したがって、磁気干渉の強度が大きくなるにつれて、磁場強度の向上が大きくなる。傷みやすい物体を処理するために、磁石要素１０４の磁気干渉によって生成された磁場が、処理すべき物体に向けられる。
【００６５】
線Ａ−Ａに沿った図１（ａ）のデバイス１００の断面の概略図が、図１（ｂ）に示される。補助磁石１１０が、磁気構造１０２の磁石要素１０４の片側に配設される。補助磁石１１０は、デバイス１００から放射される磁場の全体の磁束強度をさらに高める助けとなり、また、磁石要素１０４間の間隙１０６で生成される磁気干渉の強度をさらに高める助けともなる。補助磁石１１０は単一部片の磁気構造であるので、補助磁石１１０から放出される磁気干渉は存在しない。その結果、補助磁石１１０は、補助磁石１１０に面する磁石要素１０４の側から放射された磁気干渉場が放出されるのを実質的に遮るための遮蔽要素として働く。補助磁石１１０は、単一部片の永久磁石の形態であってよい。
【００６６】
磁気構造１０２および補助磁石１１０を形成するための磁性材料は、例えば、フェライト、セラミック、サマリウムコバルト、またはネオジウムから成る材料から形成することができる。磁気構造１０２が形成される前、または磁気構造１０２が形成された後に、磁性材料に所望の極性を与えることができる。
【００６７】
磁石要素間１０６で生成される磁気干渉の強度は、いくつかの因子に依存し、以下の式（すなわち、式１）によって一般的に表すことができる。
【００６８】
磁気干渉の強度＝ｆ（Ｂ12，Ｂ22，Ｌ，ｇ-2，Ｄ-2）−−−（１）
ここで、
Ｂ1は、磁石要素の平均磁束密度（ガウス）であり、
Ｂ2は、補助磁石の磁束密度（ガウス）であり、
Ｌは、磁石要素間の境界の全長（ｍ）であり、
ｇは、磁石要素間の平均間隙距離（ｍ）であり、ｇ≠０であり、
Ｄは、磁石要素の表面からの垂直距離（ｍ）である。
【００６９】
上の式から、磁石要素の表面からの所与の垂直距離（Ｄ）で、磁気干渉の強度は、磁石要素間の境界の長さ（Ｌ）と、磁石要素の平均磁束密度（Ｂ1）の平方と、補助磁石の磁束密度（Ｂ2）の平方とに比例することが分かる。しかし、磁気干渉の強度は、磁石要素間の平均間隙距離（ｇ）の平方に反比例する。
【００７０】
さらに、処理すべき物体に対する磁気干渉の影響（すなわち、処理効果）は、磁気干渉の強度に依存するので、磁気干渉が強くなるにつれて（したがって、磁気干渉によって生成される磁場の強度が大きくなるにつれて）、処理すべき物体に対する磁気干渉の影響が大きくなる。したがって、上のパラメータＢ1、Ｂ2、Ｌ、ｇ、およびＤは、傷みやすい物体に対する処理効果に影響を及ぼす因子でもある（すなわち、処理効果＝ｆ（Ｂ12，Ｂ22，Ｌ，ｇ-2，Ｄ-2））。
【００７１】
デバイス２１２を製造する方法の概略図が、図２（ａ）〜（ｂ）に示される。２つの接着シート２０２の形態での固定要素が、単一部片の磁性材料２００に取り付けられる。図２（ａ）に示されるように、磁性材料の部片２００が、２つの接着シート２０２の間に配設される。接着シート２０２は、磁性材料２００の両面２０１、２０３に沿って取り付けられる。
【００７２】
接着シート２０２は、透明な弾性接着シートから成ることがあり、伸張され、磁性材料２００の両面２０１、２０３の周りに巻き付けられる。その結果、磁性材料２００に圧縮力が及ぼされる。しかし、互いに関する磁石要素２０６の移動が妨げられる限り、他のタイプの固定要素を使用することもできることを理解されたい。
【００７３】
図２（ｂ）に示されるように、磁性材料の部片２００を、複数の隣り合うより小さな部片の磁石要素２０６に物理的に破砕するために、パンチ２０４が使用される。パンチ２０４は、前端面２０５に複数の突起２０３を備える。パンチ２０４は、磁性材料２００に向けて進められ、磁性材料２００に力を加えて、磁性材料２００を複数の隣り合う磁石要素２０６に破砕する。パンチ２０４は、磁性材料の部片２００が破砕された後に引き戻される。したがって、複数の隣り合う磁石要素２０６を備える磁気構造２０８が得られる。磁性材料２００の破砕中の互いに関する磁石要素２０６の移動は、磁性材料の部片２００の周りに巻き付けられた接着シート２００によって妨げられる。図２（ｂ）の磁気構造２０８は、図１の磁気構造１００と概して同様である。磁気構造２０８は、長方形状であり、概して平坦である。磁気構造２０８は、設計要件に依存して、他の形状、例えば正方形や円形などであってもよいことを理解されたい。さらに、前端面に突起２０３を有する代わりに、パンチ２０４は、磁性材料２００を複数の磁石要素２０６に破砕することができる限り、他の幾何形状および構成を有してもよいことを理解されたい。
【００７４】
接着シート２０２は、磁石要素２０６間の任意の斥力に反して、互いに関して定位置に磁石要素２０６を保持するために磁気構造２０８に圧縮力を及ぼすことによって、互いに関する磁石要素２０６の移動を妨げる働きをする。磁石要素２０６は、磁石の磁気干渉によって生成される磁場を発生するために、隣り合う磁石要素２０６間の境界２０７を画定する離隔間隙を有して互いに隣接して離隔配置される。さらに、接着シート２０２は、磁性材料の部片２００を破砕するためにパンチ２０４によって力が加えられるときに破砕されないように、十分に変形可能であるべきである。接着シート２０２は、例えば、セロハンテープまたはポリエチレンテープであってよい。上の説明では、２つの接着シート２０２が使用されるが、磁石材料２０６の相対移動が妨げられるように複数の磁石要素２０６をしっかりと保持することができ、それにより隣り合う磁石要素２０６間で小さな間隙を保つ限り、単一の接着シートが、磁性材料の部片２００の少なくとも一面に沿って取り付けられてもよいことを理解されたい。
【００７５】
隣り合う磁石要素２０６間に小さな間隙を有して互いに隣接して複数の磁石要素２０６を保つことによって、隣り合う磁石要素２０６によって生成される磁気干渉が強められる。式１を参照すると（かつ、全ての他の因子Ｂ1、Ｂ2、Ｌ、およびＤが一定に保たれると仮定すると）、磁気干渉強度が間隙距離（ｇ）の平方に反比例するので、隣り合う磁石要素２０６間の間隙距離が減少されるとき、磁気干渉の強度が高められることが分かる。したがって、より大きな強度の磁気干渉を実現するために、隣り合う磁石要素２０６間の間隙距離は、できるだけ小さく保たれるべきである。
【００７６】
従来、磁石間の斥力により、特に高強度磁石が使用される場合に、２つの磁石を互いに非常に近接して組み立てる、または保つことは困難である。しかし、上述したように、磁性材料の部片２００に対して固定要素を利用して、互いに関する複数の磁石構造２０６の移動を妨げて磁気構造２０８を形成することによって、磁石要素２０６間の離隔間隙を例えば約０．０１ｍｍ〜約２．００ｍｍの範囲内で小さく保つことができるように互いに隣接して保持された複数の磁石要素２０６を有する磁気構造２０８が得られる。これは、実質的に強められた磁気干渉を生み出す。磁気構造２０８が形成される前、または磁気構造２０８が形成された後に、磁気構造２０８を形成するための磁性材料に所望の極性を与えることができる。
【００７７】
磁気干渉の強度の増加が磁場の強度を高めるので、所望の磁場強度を実現するために必要とされる磁石のサイズおよび／または数が減少される。これは、さらに、デバイスの総重量およびコストを低減することができる。
【００７８】
磁性材料の部片２００を破砕した後、図２（ｃ）に示されるように、図２（ｂ）における概して平坦な磁気構造２０８が、互いに関する磁石要素２０６の相対位置を実質的に保ちながら弓形磁気構造２１０に成形される。概して平坦な磁気構造２０８は、弓形プロファイル２２２を有する支持具２２０に突き合わせて配置され、それにより、概して平坦な磁気構造２０８が、支持具２２０の弓形プロファイル２２２に適合して、弓形磁気構造２１０を形成する。弓形磁気構造２１０の形状を保つために支持具２２０に対して磁気構造２１０を覆い被せるために、接着シート（図示せず）が使用される。概して平坦な磁気構造２０８は、対応するプロファイル形状を有する支持具を使用することによって、弓形ではなく、ドーム形など他の所望の形状に成形することもできることを理解されたい。支持具２２０は、プラスチックなど任意の非金属材料から形成することができる。
【００７９】
デバイス２１２は、弓形磁気構造２１０と、例えば磁気構造２１０の片側に配設された補助磁石２１４の形態での磁気遮蔽デバイスとを備える。前述したように、補助磁石２１４は、単一部片の磁性材料から成り、したがって補助磁石２１４によって磁気干渉は生成されず、したがって、補助磁石は、磁気構造２１０の少なくとも片側から放射する磁気干渉場を遮蔽するための遮蔽デバイスである。さらに、補助磁石２１４は、全体の磁束密度を高める助けともなり、また、磁気構造２０６間の間隙で生成される磁気干渉を高める助けともなる。弓形磁気構造２１０は、凸面２１６と凹面２１８とを備える。この実施形態では、磁気構造２１０のＳ極側が、磁気構造２１０の凸面２１６からなり、磁気構造２１０のＮ極側が、磁気構造２１０の凹面２１８からなる。磁気構造２１０の凸面２１６から放射する磁場（図示せず）が、傷みやすい物体（図示せず）に放射されて、その物体を処理する。したがって、処理すべき物体は、磁気干渉を伴うＳ磁場に露出される。補助磁石２１４は、磁気構造２１０の凹面２１８（すなわち、Ｎ極側）に配設されて、磁気構造２１０のＮ極側から放射する磁気干渉を遮蔽する。補助磁石２１４は、磁気構造２１０と同じ磁極性の向きで配設される。したがって、この場合、補助磁石２１４のＳ極側が、磁気構造２１０のＮ極側に面する。補助磁石２１４は、任意の種類の永久磁石であってよく、または磁性材料から形成されてもよい。
【００８０】
弓形磁気構造２１０と、支持具２２０と、補助磁石２１４とを備えるデバイス２１２が、プラスチック樹脂、例えばエポキシまたはポリエステルプラスチック内にカプセル化されて、例えば、処理すべき傷みやすい物体の下に配置するための円板構造（図示せず）を形成する。別法として、デバイス２１２は、例えばプラスチック樹脂内にカプセル化することによって、処理すべき傷みやすい物体を含む入れ物または容器（図示せず）内に組み込まれる。図６〜１０が、例えばトレイ構造、容器、コースターなどに組み込まれるデバイス２１２の様々な例を示す。別法として、デバイス２１２は、プラスチック・ケース、例えばポリエチレンまたはポリプロピレンプラスチック・ケース内にカプセル化することができる。概して平坦な磁気構造２０８を弓形磁気構造２１０に成形するのではなく、概して平坦な磁気構造２０８の片側（例えば、概して平坦な磁気構造２０８のＮ極側）に補助磁石２１４を配設することもできることを理解されたい。次いで、上述したように、概して平坦な磁気構造２０８と補助磁石２１４とが、プラスチック樹脂またはプラスチック・ケース内にカプセル化される、あるいは入れ物または容器内に組み込まれる。
【００８１】
物体を処理するためにＮ極磁場が使用される場合、磁気構造のＮ極側が凸面からなり、磁気構造のＳ極側が凹面からなることを理解されたい。
【００８２】
磁場には２つの極性および方向が存在する。一方の方向は、Ｎ磁極からのものであり、他方の方向は、Ｓ磁極からのものである。科学的慣習に基づき、コンパスの「北」の針が、磁束の方向を指す、すなわち、磁石のＮ極端部から外側に出て磁石のＳ極端部で内側に入る方向を指す。
【００８３】
傷みやすい物体を処理するためのデバイス３１２を製造する別の例示的な方法の概略図が、図３（ａ）〜（ｃ）に示される。概して扁平であり円形である単一部片の磁性材料３００が、磁気構造３０６（図３（ｂ））を形成するために使用される。磁性材料の部片３００を複数の磁石要素３０４に破砕する前に、磁性材料の部片３００の両面に沿って接着シート（図示せず）が取り付けられる。接着シートは、磁性材料３００の両面の周りに巻き付けられ、または覆い被され、それにより磁性材料３００を縛って磁性材料３００に圧縮力を及ぼす透明なプラスチック・シートから成る。図３（ｂ）に示されるように、磁性材料の部片３００を複数の隣り合う磁石要素３０４に破砕するためにパンチ３０２が使用されて、概して平坦な磁気構造３０６をもたらす。磁性材料３００の破砕中の互いに関する複数の磁石要素３０４の移動は、接着シートによって妨げられる。磁性材料３００に及ぼされる圧縮力が、磁石要素３０４間の斥力に反して作用し、互いに関する磁石要素３０４の移動を妨げる。図３（ｃ）に示されるように、概して平坦な磁気構造３０６は、ドーム形プロファイル３１８を有する支持具３１６を使用してドーム形磁気構造３０８に成形される。磁気構造３０８が形成される前、または磁気構造３０８が形成された後に、磁性材料に所望の極性を与えることができる。補助磁石３１０の形態での円形遮蔽デバイスが、ドーム形磁気構造３０８の凹面３１４に配設されて、凹面３１４から放射する磁気干渉場を遮蔽する。
【００８４】
ドーム形磁気構造３０８と、支持具３１６と、補助磁石３１０とを備えるデバイス３１２が、プラスチック樹脂、例えばエポキシまたはポリエステルプラスチック内にカプセル化されて、例えば、処理すべき傷みやすい物体の下に配置するための円板構造（図示せず）を形成する。別法として、デバイス３１２は、例えばプラスチック樹脂内にカプセル化することによって、処理すべき傷みやすい物体を含む入れ物または容器（図示せず）内に組み込まれる。図６〜１０が、例えばトレイ構造、容器、コースターなどに組み込まれるデバイス３１２の様々な例を示す。別法として、デバイス３１２は、プラスチック・ケース、例えばポリエチレンまたはポリプロピレンプラスチック・ケース内にカプセル化して、プラスチック樹脂で封止することができる。概して平坦な磁気構造３０６をドーム形磁気構造３０８に成形するのではなく、概して平坦な磁気構造３０６の片側（例えば、概して平坦な磁気構造２０８のＮ極側）に補助磁石３１０を配設することもできることを理解されたい。次いで、上述したように、概して平坦な磁気構造３０８と補助磁石３１０とが、プラスチック樹脂またはプラスチック・ケースでカプセル化され、あるいは入れ物または容器内に組み込まれる。
【００８５】
傷みやすい物体を処理するためのデバイス４００の概略図が、図４（ａ）に示される。デバイス４００は、ドーム形支持パネル４０２と、ドーム形支持パネル４０２の凸面４０１に配置された複数の実質的に平坦な磁気構造４０４と、ドーム形支持パネル４０２の凹面４１３に配設された底部４１４とを備える。この実施形態での磁気構造４０４は、例えば図２（ｂ）の磁気構造２０８と同様である。各磁気構造４０４が、単一部片の磁性材料から形成された１組の磁石要素２１０を備える。補助磁石４０６が、各磁気構造４０４の片側に配設されて、磁気構造４０４のその側から放射する磁気干渉場を遮蔽する。この実施形態では、支持パネル４０２に配設された磁気構造４０４と補助磁石４０６とは、プラスチック樹脂またはプラスチック・ケースによって別個にカプセル化されてはいない。ここでも、補助磁石４０６は、磁気構造４０４の全体の磁束密度を高める助けとなり、かつ各磁気構造４０４の磁石要素４１０間の間隙（図示せず）で生成される磁気干渉を高める助けとなる。磁気構造４０４は、ドーム形支持パネル４０２の凸面４０１に実質的に千鳥配置で配列されて、磁気構造４０４間でさらなる磁気干渉を生成する。これは、磁気構造４０４によって生成される磁気干渉に加わるものである。補助磁石４０６に加えて、デバイス４００の底部４１４も遮蔽デバイスとして働く。底部４１４は、金属、例えばアルミニウムまたはスズから形成されることがあり、支持パネル４０２の凹面４１３から放射する磁気干渉場を遮蔽する。別法として、底部４１４は、補助磁石を備えることができ、支持パネルの凹面４１３から放射する磁気干渉場を遮蔽し、また、磁気構造４０４の全体の磁束密度を高める助けをし、各磁気構造４０４の磁石要素４１０間、およびまた各磁気構造４０４間の間隙（図示せず）で生成される磁気干渉を高める。
【００８６】
磁気構造４０４と、補助磁石４０６と、支持パネル４０２と、底部４１４とを備えるデバイス４００は、プラスチック樹脂、例えばエポキシまたはポリエステルプラスチック、またはプラスチック、例えばポリエチレンまたはポリプロピレン内にカプセル化されて、例えば、処理すべき傷みやすい物体の下に配置するための円板構造（図示せず）を形成する。別法として、デバイス４００は、例えばプラスチック樹脂内にカプセル化することによって、処理すべき傷みやすい物体を含む入れ物または容器（図示せず）内に組み込まれる。図６〜１０が、例えばトレイ構造、容器、コースターなどに組み込まれるデバイス４００の様々な例を示す。
【００８７】
デバイス４１６の別の例の概略図が、図４（ｂ）に示される。デバイス４１６は、それぞれの補助磁石４２０が互いに接触するように配置された２つのドーム形磁石構造４１８を備える。一方の磁石構造４１８が、Ｎ磁場を備え、他方の磁石構造４１８が、Ｓ磁場を備える。したがって、それぞれの補助磁石４２０が、反対の磁極性を有し、互いに引き付け合い、球形構造４２２を形成する。
【００８８】
デバイス４２４の別の例の概略図が、図４（ｃ）に示される。デバイス４２４は、図４（ａ）のデバイス４００と同様のドーム形磁石構造４２６を２つ備える。２つの構造４２６は、それぞれの補助磁石４２８が互いに接触するように配置される。一方の磁石構造４２６が、Ｎ磁場を備え、他方の磁石構造４２６が、Ｓ磁場を備える。したがって、それぞれの補助磁石４２８が、反対の磁極性を有し、互いに引き付け合い、球形構造４３０を形成する。
【００８９】
デバイス４３２の別の例の概略図が、図４（ｄ）に示される。デバイス４３２は、互いに積層された２つのドーム形磁石構造４３４を備える。別の実施形態では、３つ以上のドーム形磁石構造４３４を互いに積層することができる。ドーム形磁石構造４３４は、同じ極性を有する。また、磁石構造４３４のそれぞれの補助磁石４３６が、互いに積層されて、遮蔽要素を形成する。他の実施形態では、単一部片の補助磁石４３６を遮蔽要素として使用することができる。磁石構造４３４は、他の構成、例えば図４（ｃ）の磁石構造４２６の形態であってもよいことを理解されたい。別の実施形態では、構成は、図４（ｂ）と（ａ）とを参照して説明した構成の組合せであってもよいことを理解されたい。
【００９０】
５（ａ）は、例えば、図３（ｃ）のデバイス３１２または図４（ａ）のデバイス４００の形態でのデバイス５００の概略斜視図を示す。デバイス５０４は、ドーム形部分５０２と、概して円形の底部５０４とを備える。図５（ａ）における網掛け領域が、デバイス５００から広がる、磁気干渉によって生成される磁場５０６の空中放射を示す。磁場５０６の空中放射は、円形底部５０８を有するドーム形である。磁場５０６は、遮蔽デバイス（例えば、遮蔽デバイスとして働く図３（ｃ）の補助磁石３１０、または磁気構造４０４の下に配設された補助磁石４０６、または図４（ａ）のデバイス４００の底部４１４）の存在により、デバイス５００の底部５０４からは放射しない。
【００９１】
図５（ｂ）は、例えば、図４（ｂ）のデバイス４１６または図４（ｃ）のデバイス４２４の形態での球形デバイス５１０の概略斜視図を示す。デバイス５１０は、２つのドーム形磁気構造５１２および５１４と、概して円形の底部５１６とを備える。図５（ｂ）における網掛け領域が、磁気構造５１２から広がる、１つの磁極性からの磁気干渉によって生成される磁場５１８の空中放射を示す。図５（ｂ）における網掛けされていない領域は、磁気構造５１４から広がる、反対の磁極性からの磁気干渉によって生成される磁場５２０の別の空中放射を示す。
【００９２】
磁場５１８および５２０の空中放射は、円形底部５２２を有するドーム形である。磁場５１８および５２０は、遮蔽デバイス（例えば、遮蔽デバイスとして働く図３（ｃ）の補助磁石３１０、または磁気構造４０４の下に配設された補助磁石４０６、または図４（ａ）のデバイス４００の底部４１４）の存在により、構造５１２および５１４の底部５１６からは放射しない。
【００９３】
処理すべき物体は、磁気干渉を伴う磁場に露出されるべきであり、したがって、その物体に磁場が向けられるように磁場の領域内にあるように位置決めされるべきである。
【００９４】
図５（ａ）および（ｂ）は、デバイス５００または５１０を使用することによって、デバイス５００または５１０から磁場を放射および発散することができることを例示し、これは、有利には、同じサイズの扁平または平坦な磁気構造で実現可能な処理領域に比べて大きな処理領域を提供することができる。
【００９５】
図６（ａ）は、例えば図２（ｃ）のデバイス２１２、図３（ｃ）のデバイス３１２、または図４（ａ）のデバイス４００の形態でのデバイス６００の概略図を示す。デバイス６００は、トレイ構成要素６０８を形成するようにプラスチック樹脂またはプラスチック・ケース内にデバイス６００をカプセル化することによって、トレイ構成要素６０８内に埋め込まれる。トレイ構成要素６０８は、販売時点または貯蔵の目的で、パッケージ６０４において、処理すべき傷みやすい物体、例えば生魚６０２や肉（図示せず）の下に配置される。パッケージ６０４は、トレイ６０８、デバイス６００、および生魚６０２の上に覆い被されたプラスチック・シートを備える。別法として、デバイス６００は、トレイ構成要素６０８内に埋め込まれるのではなく、例えばプラスチック樹脂内に別個にカプセル化されて、トレイ構成要素６０８上に配置されてもよい。
【００９６】
図６（ｂ）は、飲料パッケージ６１０を形成するようにプラスチック樹脂またはプラスチック・ケース内にデバイス６００をカプセル化することによって、飲料パッケージ６１０内に埋め込まれるデバイス６００の概略図を示す。飲料パッケージ６１０は、販売時点または貯蔵の目的で、乳製品、例えば牛乳や、ヨーグルトや、フルーツジュース６１２を貯蔵することがある。飲料パッケージ６１０は、プラスチック容器または紙箱と、デバイス６００と、飲料６１２とを備えることがある。別法として、デバイス６００は、埋め込まれるのではなく、例えばプラスチック樹脂内に別個にカプセル化されて、飲料パッケージ６１０に物理的に固定されてもよい。
【００９７】
図７は、例えば図２（ｃ）のデバイス２１２、図３（ｃ）のデバイス３１２、または図４（ａ）のデバイス４００の形態でのデバイス７００の概略図を示す。２つのデバイス７００が、冷蔵庫７０２の別個の冷蔵室７０４内に配置されている。各デバイス７００は、プラスチック樹脂またはプラスチック・ケース内にデバイス７００をカプセル化して冷蔵室７０４を形成することによって、冷蔵庫の１つの冷蔵室７０４内に埋め込まれる。生魚７０８などの傷みやすい物体が冷蔵室７０４内に配置され、それにより、デバイス７００からの磁気干渉を伴うＳ磁場が、傷みやすい物体を含む冷蔵室７０４の空間内に広がって、傷みやすい物体の鮮度を保つ。別法として、デバイス７００は、冷蔵室７０４内に埋め込まれるのではなく、例えばプラスチック樹脂内に別個にカプセル化されて、冷蔵室７０４内に配置されてもよい。
【００９８】
図８は、例えば図２（ｃ）のデバイス２１２、図３（ｃ）のデバイス３１２、または図４（ａ）のデバイス４００の形態でのデバイス８００の概略図である。デバイス８００は、貯蔵容器８０２を形成するようにプラスチック樹脂またはプラスチック・ケース内にデバイス８００をカプセル化することによって、貯蔵容器８０２内に埋め込まれる。生魚８０４などの傷みやすい物体が、傷みやすい物体の鮮度を保つために貯蔵容器８０２内に配置される。別報として、デバイス８００は、貯蔵容器８０２内に埋め込まれるのではなく、例えばプラスチック樹脂内に別個にカプセル化されて、貯蔵容器８０２内に配置されてもよい。
【００９９】
図９（ａ）は、例えば図２（ｃ）のデバイス２１２、図３（ｃ）のデバイス３１２、または図４（ａ）のデバイス４００の形態でのデバイス９００の概略図である。デバイス９００は、トレイ構成要素９０６を形成するようにプラスチック樹脂またはプラスチック・ケース内にデバイス９００をカプセル化することによって、トレイ構成要素９０６内に埋め込まれる。トレイ９０６は、角氷９０２の下に配置される。生魚９０４などの傷みやすい物体が、角氷９０２の上に載置される。デバイス９００は、デバイス９００から放射する磁気干渉を伴うＳ磁場に傷みやすい物体が露出されるように位置決めされて、傷みやすい物体の鮮度を保ち、かつ角氷９０２の融解速度を遅らせる。別法として、デバイス９００は、トレイ９０６内に埋め込まれるのではなく、例えばプラスチック樹脂内に別個にカプセル化されて、トレイ９０６上に配置されてもよい。
【０１００】
図９（ｂ）は、容器９１２を形成するようにプラスチック樹脂またはプラスチック・ケース内にデバイス９００をカプセル化することによって、大きな容器９１２内に埋め込まれたデバイス９００の概略図である。デバイス９００は、冷凍トラックおよびトロール漁船で使用されることがある容器９１２の底部に配置される。容器９１２内に氷を入れて、または入れずに、生魚９１４などの傷みやすい物体が貯蔵される。デバイス９００は、デバイス９００から放射する磁気干渉を伴うＳ磁場に傷みやすい物体が露出されるように位置決めされて、傷みやすい物体の鮮度を保つ。別法として、デバイス９００は、埋め込まれるのではなく、プラスチック樹脂内に別個にカプセル化されて、容器９１２上に配置されてもよい。
【０１０１】
図１０は、例えば図２（ｃ）のデバイス２１２、図３（ｃ）のデバイス３１２、または図４（ａ）のデバイス４００の形態でのデバイス１０００の概略図である。デバイス１０００は、容器１００２を形成するようにプラスチック樹脂またはプラスチック・ケース内にデバイス１０００をカプセル化することによって、容器１００２内に埋め込まれる。容器１００２は、生魚１００４などの傷みやすい物体を冷凍する際に使用される。傷みやすい物体とデバイス１０００とを収容する容器１００２内の水１００６が、傷みやすい物体の鮮度を保つために凝固される。傷みやすい物体を新鮮に保つことに加えて、デバイス１０００から放射する磁気干渉を伴うＳ磁場は、生鮮物の水分結合強度を高め、冷凍食品において食品の細胞の損壊を引き起こす水結晶化および水結晶の成長を低減することが判明した。別法として、デバイス１０００は、容器１００２内に埋め込むのではなく、例えばプラスチック樹脂内に別個にカプセル化されて、容器１００２内に配置されてもよい。
【０１０２】
図１１は、例えばグラス１１０６またはボトル（図示せず）に入ったワイン１１０４のためのコースター１１０２を形成するようにプラスチック樹脂またはプラスチック・ケース内にデバイス１１００をカプセル化することによって、丸い円板形構成要素１１０２内に埋め込まれた、例えば図２（ｂ）の磁気構造２０８、図２（ｃ）のデバイス２１２、または図３（ｃ）のデバイス３１２の形態でのデバイス１１００の概略図である。グラス１１０６内のワイン１１０４は、デバイス１１００から放射する磁気干渉を伴うＮ磁場に露出され、したがってデバイス１１００によって処理される。
【０１０３】
図１２は、ワイン・グラス１２０４などの飲料容器にタグ付け用のペンダント１２０２を形成するようにプラスチック樹脂またはプラスチック・ケース内にデバイスをカプセル化することによって、長方形筐体１２０２内に埋め込まれた、例えば図２（ｂ）の磁気構造２０８または図２（ｃ）のデバイス２１２の形態でのデバイス１２００の概略図である。ペンダント１２０２は、移動できるようにペンダントをワイン・グラス１２０４に取り付けることができるようにするために、例えばひも１２０６の形態での結び付け手段を備える。ペンダント１２００は、ワイン・グラス１２０４内のワインを処理するために、ワイン・グラス１２０４の底部１２０８での静止位置から、持ち上げられた位置に移動させることができる。
【０１０４】
図１３（ａ）〜（ｆ）は、別の実施形態によるデバイス１３００の概略図である。この実施形態では、デバイス１３００は、傷みやすい物体および水などの液体を処理する際に使用するために別個に提供される。デバイス１３００は、可撓性支持具１３０２の長さに沿って２列に配列された複数の磁気構造１３０４を備える。磁気構造１３０４は、例えば図２（ｂ）の磁気構造２０８の形態であってよい。各磁気構造１３０４は、単一部片の磁性材料から形成された１組の磁石要素１３０１を備える。一方の列の磁気構造１３０４が、他方の列での磁気構造１３０４に関してずらした配置で可撓性支持具１３０２に配設される。可撓性支持具１３０２は、湾曲表面を有する物体にデバイス１３００を取り付けることができるように複数の磁気構造１３０４を担持する。図１３（ａ）は、管路１３０６内に含まれる物質、例えば水を処理するために管路構造１３０６の周りに覆い被されたデバイスを示す。線Ｂ−Ｂに沿った図１３（ａ）の断面の概略図が、図１３（ｂ）に示される。デバイス１３００から放射される磁気干渉を伴うＮ磁場が、水分子結合エネルギーを減少することによって水を処理して、水の加熱および冷却効率を改善する。別法として、デバイス１３００は、図１３（ｃ）に示されるように、容器１３０８の円筒形部分の周りに覆い被せることもできる。線Ｃ−Ｃに沿った図１３（ｃ）の断面の概略図が、図１３（ｄ）に示される。各磁気構造１３０４は、磁気構造１３０４の上（すなわち、磁気構造１３０４のＳ極側）に配設された補助磁石１３０５を有する。例示の目的で、補助磁石１３０５の下に配設された磁気構造１３０４が、図１３（ａ）および（ｃ）に破線で示される。さらに、可撓性の遮蔽プレート（例えば、アルミニウム箔。図示せず）が、補助磁石１３０５の上（すなわち、補助磁石１３０５の、磁気構造１３０４とは反対の側）に配設される。各磁気構造１３０４は、最初にプラスチック樹脂内にカプセル化され、次いで、これが、可撓性支持具１３０２の上に組み立てられる。
【０１０５】
３つ以上の列、または１列の磁気構造１３０４を可撓性支持具１３０２に取り付けることもできることを理解されたい。さらに、磁気構造１３０８は、他の構成、例えば図２（ｃ）のデバイス２１２の形態であってもよい。
【０１０６】
図１３（ｅ）および（ｆ）は、例えば図２（ｃ）のデバイス２１２、または図３（ｃ）のデバイス３１２、または図４（ａ）のデバイス４００、または図４（ｂ）のデバイス４１６、または図４（ｃ）のデバイス４２４、または図４（ｄ）のデバイス４３２の形態でのデバイス１３１０の概略図である。デバイス１３１０は、防水および耐熱デバイスを形成するようにプラスチック樹脂またはプラスチック・ケース内にデバイス１３１０をカプセル化することによって、貯蔵タンク容器１３１２内に取り付けられる。電気的な水加熱要素１３１４を、貯蔵タンク容器１３１２内に配設することができる。
【０１０７】
図１４は、実験結果に基づく、２つの磁石間での測定された磁束密度に対する２つの磁石間の間隙距離の図表である。磁石の対の磁束密度が、磁石の表面から約２５ｍｍの垂直距離で測定される。この実験のために、２対の永久磁石が使用された。永久磁石の各対が、同様のサイズおよび強度をもつ２つの磁石を備える。第１の対の各磁石は、約３５０Ｇの磁束（Ｂ）を有し、第２の対の各磁石は、約５００Ｇの磁束（Ｂ）を有する。どちらの対の磁石に関しても、一対の２つの磁石間の間隙距離が減少するとき、２つの磁石の磁気干渉によって生成される磁場の測定される磁束密度が指数関数的に増加することが分かる。したがって、磁石間の間隙距離が小さくなるにつれて、磁気干渉の強度が大きくなり、これはさらに、磁場の強度を高める。例えば図２（ａ）〜（ｃ）または図３（ａ）〜（ｃ）を参照して上の実施形態で説明した方法を使用することによって、傷みやすい物体を処理するための強められた磁気干渉を生成するために、それぞれの磁気構造内の隣り合う磁石要素間の間隙距離を小さく保つことができる。
【０１０８】
図１５（ａ）は、実験結果に基づく、約２０℃の室温で約４．５時間の露出時間後の、生のスライスされたサーモンの３つの試料における平均総細菌数を示す表である。第１の試料では、図１５（ｂ）に示されるように、生のスライスされたサーモン１５０２がデバイス１５００上に配置され、デバイス１５００から放射する磁気干渉を伴うＳ磁場に露出される。デバイス１５００は、プレート１５０４の底部プレート１５１０内に千鳥配置で配設された複数の磁気構造１５０８を備えるプレート１５０４の形態である。磁気構造１５０８は、例えば図２（ｂ）の磁気構造２０８または図４（ａ）の磁気構造４０４の形態であってよく、磁気構造４０４はそれぞれ、磁気構造４０６の片側に配設された１つの補助磁石４０６を有する。第２の試料では、図１５（ｃ）に示されるように、生のスライスされたサーモン１５０２が、プレート１５０４の底部パネル１５１０内に配設された単一磁石１５１２を備えるプレート１５０４上に配置される。第２の試料での生のスライスされたサーモン１５０２は、磁石１５１２から放射するＳ磁場に露出される。第２の試料でのＳ磁場は、磁気干渉によっては生成されない。第１および試料で使用される磁石の強度は、約１５０±１０Ｇである。第３の試料では、図１５（ｄ）に示されるように、生のスライスされたサーモン１５０２がプレート１５０４上に配置され、任意の磁場にさらされない。第１の試料の総細菌数（すなわち、総生菌数、ＴＰＣ）は、約１６４００ｃｆｕ／ｇである。しかし、第２の試料および第３の試料の総細菌数は、それぞれ約８７０００ｃｆｕ／ｇおよび約４９０００ｃｆｕ／ｇである。図１５（ａ）の表の結果は、磁気干渉を伴うＳ磁場（３つの試料からの最小の細菌数を有する）が、第２および第３の試料に比べて食品腐敗を遅らせることを実証する。他方で、（磁気干渉を伴わない）Ｓ磁場は、３つの試料のうち、食品腐敗を遅らせる効果が最も低いものとして現れる。
【０１０９】
図１６は、実験結果に基づく、（ｉ）約２５０Ｇの平均磁束密度を有するＳ磁気干渉場を有するデバイスに露出された、（ｉｉ）約５００Ｇの平均磁束密度を有するＳ磁気干渉場を有する別のデバイスに露出された、および（ｉｉｉ）デバイスに露出されなかった（すなわち、任意の磁場に露出されなかった、すなわち磁気干渉場＝０Ｇである）、氷を融解する時間に対する氷床厚さの図表である。各氷床は、実験の開始時に、約３００×４００ｍｍの表面積を有し、約６０ｍｍの厚さである。氷床は、約２６℃の室温で約９時間露出される。９時間後、任意の磁場に露出されなかった氷床の厚さは、厚さ約２ｍｍであった。しかし、氷床（ｉｉ）では、９時間後の氷床の厚さが約８ｍｍであることが分かり、それにより、任意の磁場にさらされなかった氷床に比べて氷融解の速度が減少されることを実証する。氷床（ｉｉｉ）では、９時間後の氷床の厚さが約２０ｍｍであることが分かり、それにより、氷融解の速度がさらに減少されることを実証する。すなわち、図１６の図表の結果は、氷がＳ磁気干渉場に露出されるときに氷融解の速度が減少され、より強いＳ磁気干渉場が、氷融解の速度をさらに遅らせることを実証する。
【０１１０】
図１７は、実験結果に基づく、デバイスに露出されたまるごとの生魚と、デバイスに露出されなかったまるごとの生魚との温度画像を示す図表である。デバイスから様々な距離での、まるごとの生魚試料の時間に伴う熱赤外画像が得られて分析された。魚試料は、約２６℃の室温条件で保たれた。この実験では、使用されたデバイスは、図３（ｃ）のデバイスと同様である。約３０ｍｍの直径と約３ｍｍの厚さとを有するフェライト永久磁石が使用された。永久磁石の磁場強度は、約２００Ｇである。永久磁石は、例えば図３（ｂ）の磁気構造３０６と同様である。デバイスに露出された魚は、磁気干渉を伴うＳ磁場にさらされた。デバイスに露出される生魚の３つの組が、デバイスからそれぞれ０ｃｍ、１５ｃｍ、および３０ｃｍの距離に配置され、各組からの魚の熱画像が、実験の開始から約６０分、１２０分、および２１０分の時間に得られた。デバイスに露出されなかった生魚は、任意の磁場にさらされておらず、基準または制御実験として使用される。熱画像内のより暗色の領域が、より低い温度の領域を表す。
【０１１１】
熱画像は、デバイスに最も近い（すなわち、デバイスから０ｃｍでの）生魚の表面温度が、デバイスからより離れた（すなわち、それぞれデバイスから１５ｃｍおよび３０ｃｍでの）生魚、および任意の磁場に露出されなかった生魚に比べて、比較的低温のままであったことを示す。２１０分後、デバイスから３０ｃｍ離れた魚試料の熱画像は、デバイスに露出されなかった生魚とほぼ同様に観察された。他方、２１０分後、デバイスから０ｃｍおよび１５ｃｍ離して配置された魚試料はそれぞれ、デバイスから３０ｃｍ離れた魚試料に比べて、依然として比較的大きな、より低温の領域を有した。デバイスから０ｃｍ離れた魚試料は、２１０分後、他の全ての試料に比べて最大の、より低温の領域を有する。
【０１１２】
図１７の実験結果から、デバイスによって処理されるように傷みやすい物体を配置することができる最大距離（すなわち、実効距離）を、熱画像法によって確立して検証することができ、ここで、式１のＢ、Ｌ、およびｇなどの他の因子は一定に保たれる。
【０１１３】
さらに、よりデバイスに近接する魚試料は、デバイスからさらに離れた魚試料、および任意の磁場に露出されなかった魚試料に比べて、改善された水和状態を有する。
【０１１４】
上の実験から、実効距離は、デバイスから約３０ｃｍである。しかし、実効距離は、様々な形状および磁気干渉場強度のデバイスに関して異なることを理解されたい。
【０１１５】
図１８（ａ）および（ｂ）は、それぞれ、デバイス１８００に露出された角氷１８０２と、デバイス１８００に露出されなかった別の角氷１８０４との写真である。デバイス１８００に露出された角氷１８０２は、デバイス１８００から放射された磁気干渉を伴うＳ磁場にさらされ（図１８（ｂ））、デバイス１８００に露出されなかった角氷１８０４は、任意の磁場にさらされない（図１８（ａ））。例示の目的で、デバイス１８００の概略図が、角氷１８０２の上に重ね合わされる。デバイス１８００は、例えば図２（ｃ）のデバイス２１２、図３（ｃ）のデバイス３１２、または図４（ａ）のデバイス４００の形態であってよい。水が凝固するとき、図１８（ａ）に示されるように水結晶１８０６が成長し、この現象は、水が食品内で凝固されるとき、氷結晶成長期間中に食品の細胞が損傷されるので、食品などの傷みやすい物体に有害である。任意の磁気干渉場を有さない水結晶１８０６の自然な成長が、図１８（ａ）に示される。角氷１８０２が、デバイス１８００からのＳ磁気干渉場の存在下で凝固されるとき、図１８（ｂ）のより小さな水結晶１８０８によって示されるように、水結晶１８０８が形成される速度が大幅に減少される。これらの結果は、デバイス１８００に露出されるとき、大量の水を含む生鮮物が、デバイス１８００に露出されない生鮮物よりも、水の凝固時に氷再結晶成長の問題を受けないことを示す。
【０１１６】
図１９（ａ）は、実験結果に基づく、複数の付着水滴がそれぞれ、磁気干渉を伴うＳ磁場に露出された、磁気干渉を伴うＮ磁場に露出された、および任意の磁場を有さなかったときの、水の表面エネルギーに対する磁気干渉の効果を実証する図表である。付着水滴の接触角が、様々な試料点に対してプロットされた。表面１９０４上の付着水滴１９０２の接触角１９００を示す概略図が、図１９（ｂ）に示される。上述した様々な条件にさらされる固体プレート上の付着水滴の接触角が測定された。図表中の水平線は、測定された接触角の平均値を表す。図表の左側領域にあるデータ（試料番号１〜１１）は、任意の磁場に露出されなかった水滴の接触角を示す。試料番号１〜１１に関する平均接触角は、約８６°である。図表の中央領域にあるデータは、水滴（試料番号１２〜２１）が、約３５０ガウスを有するデバイス（図示せず）、すなわち水滴から約１５０ｍｍ離して設けられた磁気干渉を伴うＮ磁場に露出された後の水滴の接触角を示す。試料番号１２〜２１に関する平均接触角は、約８１．５°である。図表の右側領域にあるデータは、水滴（試料番号２２〜３９）が、約３５０ガウスを有するデバイス（図示せず）、すなわち水滴から約１５０ｍｍ離して設けられた磁気干渉を伴うＳ磁場に露出された後の水滴の接触角を示す。試料番号２２〜３９に関する平均接触角は、約８９°である。
【０１１７】
上の実験結果は、磁気干渉を伴うＳ磁場に露出された水滴のより大きな接触角によって示されるように、磁気干渉を伴うＳ磁場が、液体（例えば水）の分子結合エネルギーを高め、それにより水滴が、それらの滴形状を、任意の磁場に露出されない水滴よりも良く保つことができることを実証する。分子結合エネルギーの増加は、傷みやすい物体から水が逃げる機会がより低くなること（すなわち、より低い水分活性）を示し、したがって、例えば任意の磁気干渉場に露出されない傷みやすい物体に比べて水をより良く保つことができ、したがって傷みやすい物体をより長持ちで新鮮にする。さらに、分子結合エネルギーの増加は、水分活性を低減し、食品中の酵素およびビタミンの活性を遅らせる。その結果、有利には、脂肪および蛋白質の変性が、より遅くなる。したがって、有利には、食品の色、味、および香りを、より良く保つことができる。さらに、水分結合エネルギーの増加は、氷床での氷の融解速度、および食品の酸化などの生化学的活性を遅らせることもある。
【０１１８】
他方で、磁気干渉を伴うＮ磁場に露出された水滴は、任意の磁場に露出されなかった水滴に比べて小さな接触角を有し、これは、水分子の分子結合エネルギーが弱められていることを示す。水分結合エネルギーの弱まりは、分子結合エネルギーを増加するのとは逆の効果を有し、傷みやすい物体のより速い脱水および酸化をもたらすことがあり、氷の融解速度を高める（すなわち、水分活性の増加）。さらに、水の表面張力の低下で実証されるような、水などの液体中での弱められた分子結合は、水の粘性を減少することがあり、これは、熱対流および沸騰プロセスなどの加熱／沸騰プロセスにおいて熱伝達を改善することがある。
【０１１９】
図２０は、実験結果に基づく、それぞれ、デバイスに露出された開いた水貯蔵タンク内、およびデバイスを有さない開いた水貯蔵タンク内での熱伝達の熱画像を示す図表である。デバイスは、非金属貯蔵タンクの外部または内部に設置することができる。貯蔵タンクが金属材料からなる場合、金属材料が磁場を減衰するので、デバイスは、好ましくは貯蔵タンクの内部に設置される。この実験では、使用されたデバイスは、図３（ｃ）のデバイスと同様である。他の実施形態では、図４（ａ）〜（ｄ）のデバイスなど、デバイスの他の設計を使用することができる。デバイスから放射する磁気干渉を伴うＮ磁場に水が露出される。実験結果は、水加熱挙動が、デバイスを有するタンクとデバイスを有さない他のタンクとで大幅に異なったことを示す。デバイスがあると、デバイスを有さない他のタンクよりも、タンクの右側にある加熱源から左側にあるより低温の領域への熱の移動が激しく、速いことが分かる。さらに、デバイスを有さない場合よりもデバイスの存在下で、熱移動がより顕著に渦巻き状に行われることが分かる。
【０１２０】
全体の加熱の改善に対するデバイスの効果を定量化するために、温度の変化が、１５３リットルの水を含む開いた貯蔵水タンク内での３キロワット加熱要素による６０分の加熱後に記録された。図２１は、実験結果に基づく図表を示し、それぞれ、水がＮ極性デバイスに露出されたとき、および水がデバイスに露出されなかったときの、水温上昇に対する磁気干渉の効果を示す。実験結果は、デバイスに露出された試料に関する全体の水温上昇が、デバイスに露出されなかった試料よりも、統計的に平均で約７．６％だけ高いことを示す。
【０１２１】
図２０および２１に示される実験結果から、磁気干渉を伴うＮ磁場に水を露出することによって、水をより速く加熱することができ、より低温の領域への熱の伝達もより速くなることが分かる。
【０１２２】
図２２は、傷みやすい物体または液体を処理するためのデバイスを製造する方法を例示する流れ図２２００を示す。ステップ２２０２で、単一部片の磁性材料が、複数の部片に破砕される。ステップ２２０４で、磁性材料の破砕中に、互いに関する部片の移動が妨げられる。ステップ２２０６で、磁性材料の部片を備える磁気構造が形成される。
【０１２３】
広範に説明した本発明の精神または範囲から逸脱することなく、特定の実施形態で示される本発明にいくつかの変形および／または修正を施すことができることを当業者は理解されよう。したがって、本実施形態は、全ての点で、例示的なものであり、限定的なものではないとみなされる。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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