(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
第一、第二の電極を有し、前記第一、第二の電極に電圧を印加すると、前記第一、第二の電極上に配置された反りを有する基板が吸着される吸着装置であって、
柔軟性を有する絶縁材料がシート状に形成されて構成された一枚の支持体の下方を向く面に第一、第二の電極が配置された積層体と、
下端が同じ前記支持体の上方を向く面に取り付けられて前記積層体を前記基板の上方に位置させる複数の棒状の支持手段とが設けられ、
前記支持手段が下降され、前記積層体が前記基板上に配置され、前記積層体が前記基板の反りに応じて変形する際に、前記支持手段が変形する前記積層体の動きに追従して水平方向と垂直方向に移動して、前記積層体が前記基板表面と密着するように構成された吸着装置。
【請求項２】
前記第一、第二の電極表面は露出された請求項１記載の吸着装置。
【請求項３】
前記第一、第二の電極表面には、柔軟性を有する絶縁材料の保護層が配置された請求項１記載の吸着装置。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれか１項記載の吸着装置と、
前記支持手段の上端が取り付けられ、各前記支持手段を同じ方向に移動させる移動機構とを有する搬送装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、吸着装置に関し、特に、反りのある基板、または、デバイスを片面に形成することで発生する平面応力によって反りのある基板を吸着する技術を提供する。
【背景技術】
【０００２】
図１３、図１４の符号１２１は従来技術の吸着装置を示している。この吸着装置１２１は、絶縁材料からなる支持体１２５と、それぞれ複数本の第一、第二の電極１２６、１２７とを有している。
【０００３】
図１３は第一、第二の電極１２６、１２７を説明するための平面図である。
第一、第二の電極１２６、１２７は所定間隔を空けて交互に並べられた状態で支持体１２５表面に配置されている。
【０００４】
第一の電極１２６の一端は、第一の電極１２６に垂直に配置された細長の第一の接続端子１２３にそれぞれ接続されており、結果として、全ての第一の電極１２６は互いに接続されている。同様に、第二の電極１２７も、細長の第二の接続端子１２４によって互いに接続されている。
【０００５】
図１４は図１３のＸ−Ｘ切断線断面図に相当し、支持体１２５の第一、第二の電極１２６、１２７は配置された側の面には絶縁層１３０が形成されており、第一、第二の電極１２６、１２７の表面と、第一、第二の電極１２６、１２７間に位置する支持体１２５の表面は絶縁層１３０に密着している。
【０００６】
この吸着装置１２１に保持対象物を吸着させるには、先ず、吸着装置１２１を真空雰囲気に置き、基板を吸着装置１２１の絶縁層１３０表面に載置する。
第一、第二の電極１２６、１２７はそれぞれ静電チャック電源１２２に接続されており、静電チャック電源１２２を起動し、第一、第二の電極１２６、１２７に対し、それぞれ正負の電圧を印加する。
【０００７】
基板は吸着装置１２１の表面方向に静電力を受け、基板の裏面全面が吸着装置１２１表面に吸着され、結果として基板が吸着装置１２１に固定される。
このような吸着装置１２１は、基板に薄膜、あるいはデバイスを形成する工程で、基板を保持、搬送するために広く用いられている。
ところで、高周波デバイスに代表されるように、デバイスの微小化、軽量化が近年盛んであり、それに伴ない、基板の薄膜化が進んでいる。
【０００８】
基板の反り量は、基板の厚みと面方向の大きさによって異なるが、特に、基板の膜厚が薄い場合、基板の剛性が小さいので、成膜やデバイスの形成の工程の前後で温度変化が生じると、熱応力によって基板が大きく反りかえってしまう。
従来の吸着装置では、反りが生じた基板との密着性が悪く、そのような基板を静電吸着することは困難であった。
【特許文献１】特開２０００−０３１２５３号公報
【特許文献２】特開２００２−０２６１１３号公報
【特許文献３】特開２０００−１２４２９９号公報
【特許文献４】特開２０００−１７４１０５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
本発明は上記従来技術の要求に応じるために創作されたものであり、その目的は、膜厚の薄く、反りが生じた基板を確実に吸着可能な吸着装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
吸着装置の吸着力をｆ、基板と吸着装置との間の距離ｄとした場合の両者の関係は下記式（１）
式（１）……ｆ∝１／ｄ2
で表され、距離が離れると２乗分の１の割合で吸着力が小さくなることを示している。
【００１１】
即ち、基板の反りが大きくなると、基板と吸着装置との間の距離が増大するため、吸着力が小さくなると考えられる。
本発明者等は、基板の反りと吸着力との関係を確認するために、下記に示す条件で「吸着力」の試験を行った。
【００１２】
〔吸着力〕
基板として、最大反り量がそれぞれ異なるシリコンウェハーを複数枚用意した。
真空雰囲気中で、図１３、１４に示すような吸着装置の表面にシリコンウェハーを載置した後、吸着装置に接続された電源を起動し、シリコンウェハーを吸着させた状態で、シリコンウェハーに取り付けたフックを垂直方向に引き上げ、シリコンウェハーが吸着装置から離脱するときの張力をロードセルによって測定した。
【００１３】
尚、各シリコンウェハーの膜厚は１００μｍであり、吸着装置のシリコンウェハーを吸着させる吸着面の平面度は５μｍ以下であった。
測定結果を図１２に示す。図１２の横軸は基板（シリコンウェハー）の最大反り量ｄ（単位：ｍｍ）を示し、縦軸は測定された張力であり、吸着装置が基板を吸着する吸着力（単位：ｋＰａ）を示している。
【００１４】
図１２から明かなように、基板の最大反り量ｄが１ｍｍ以上になると、吸着力が０．０１Ｐａ以下となっている。この吸着装置では、絶縁層の、正負の電圧を印加する第一、第二の電極上の膜厚は無視できる程度に薄く、１ｍｍは、電極と基板との間の最大距離に等しい。
【００１５】
吸着力が０．０１Ｐａ以下では、基板を安定して保持することが不可能であるので、第一、第二の電極の表面から基板までの距離を１ｍｍ以下にすれば、基板の安定して保持することが可能なことがわかる。
また、１ｍｍ以上の反りのある基板を平面矯正することで生ずる内部応力、あるいは、基板の割れを防ぐことからも、電極表面から基板までの距離を１ｍｍ以下に抑えることが必要である。
【００１６】
基板の反り量は、基板の種類、サイズ、厚みやプロセス条件等で変化するので、基板の種類、サイズ、厚みやプロセス条件が同じであれば、基板の反り量が一定である。従って、吸着対象の基板の反りを予め測定し、その反りを有する基板と接触可能なように、吸着装置を形成しておくと、吸着力を強くすることができると予想される。
【００１７】
上記知見に基づいてなされた請求項１記載の発明は、第一、第二の電極を有し、前記第一、第二の電極に電圧を印加すると、前記第一、第二の電極上に配置された反りを有する基板が吸着される吸着装置であって、柔軟性を有する絶縁材料がシート状に形成されて構成された一枚の支持体の下方を向く面に第一、第二の電極が配置された積層体と、下端が同じ前記支持体の上方を向く面に取り付けられて前記積層体を前記基板の上方に位置させる複数の棒状の支持手段とが設けられ、前記支持手段が下降され、前記積層体が前記基板上に配置され、前記積層体が前記基板の反りに応じて変形する際に、前記支持手段が変形する前記積層体の動きに追従して水平方向と垂直方向に移動して、前記積層体が前記基板表面と密着するように構成された吸着装置である。
請求項２記載の発明は、請求項１記載の吸着装置であって、前記第一、第二の電極表面は露出された吸着装置である。
請求項３記載の発明は、請求項１記載の吸着装置であって、前記第一、第二の電極表面には、柔軟性を有する絶縁材料の保護層が配置された吸着装置である。
請求項４記載の発明は、請求項１乃至請求項３のいずれか１項記載の吸着装置と、前記支持手段の上端が取り付けられ、各前記支持手段を同じ方向に移動させる移動機構とを有する搬送装置である。
尚、支持体の厚みとは、基準となる平面に対して支持体を平行配置したときに、その平面から支持体表面までの距離のことである。
【００１８】
上記電極を互いに絶縁した正電極と負電極に分け、正電極に正の電圧を印加し、負電極に負の電圧を印加すると、静電吸着力の他グラディエント力も生じうるからシリコン基板のような導電性基板だけではなく、ガラス基板のような絶縁性の基板も密着させることができる。
吸着装置がいずれか一方の極性の電極のみを有する場合は、真空槽が他方の極性の電極とし、吸着装置の電極に正又は負の電圧を印加し、真空槽に負又は正の電圧を印加すれば、静電吸着力を発生させることができる。
【００１９】
吸着装置に、冷却管のような冷却手段やヒータのような加熱手段を内蔵させる、または、吸着装置の近傍に冷却手段や加熱手段を配置しておき、吸着装置を加熱又は冷却すると、熱伝導により基板が加熱又は冷却される。本発明では、基板と吸着装置との密着性が高いので、効率良く基板の加熱又は冷却を行うことができる。
上述した実験結果に従うと、第一、第二の電極の表面から基板までの距離を１ｍｍ以下が望ましく、従って、保護層の電極上の厚みは１ｍｍ以下であることが望ましい。
【発明の効果】
【００２０】
反りが生じた基板を静電吸着する際に、吸着力を大きくできる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２１】
以下で図面を参照し、本発明の実施形態について説明する。
図１の符号１は本発明の一実施形態の真空処理装置であるスパッタリング装置を示しており、図２の符号５はそのスパッタリング装置１で成膜処理される基板を示している。
【００２２】
基板５の表面には、この真空処理装置１で処理する前に、蒸着やスパッタリング等の方法で予め薄膜１９が形成されており、薄膜１９が形成されたときの応力によって、基板５に反りが生じている。
【００２３】
その反りは、例えば、基板５を薄膜１９側から観察した場合に、その中央部分が凹み、逆に、周辺部分がめくれ上がるようになっている。逆に、基板５を裏面、即ち、吸着装置１０に載置される被載置面１８側から観察した場合には、その被載置面１８は中央部分が盛り上がり、周辺部分が凹んだ曲面になっている。
【００２４】
図３の符号１０は、上述した基板５を保持するための本発明第一例の吸着装置を示しており、この吸着装置１０は、支持体１１と、第一、第二の電極１５ａ、１５ｂと、保護層１７とを有している。
支持体１１はセラミックのような柔軟性を有しない絶縁材料、あるいは樹脂のような柔軟性を持った材料が板状に形成されて構成されている。
【００２５】
支持体１１の表面及び裏面のうち、その表面１２は、基板５の被載置面１８と接触可能な形状に形成されている。即ち、支持体１１の表面１２は、被載置面１８を接触させた場合に、基板５の被載置面１８が盛り上がる位置では凹み、凹む位置では逆に盛り上がるような曲面になっている。
【００２６】
第一、第二の電極１５ａ、１５ｂは、支持体１１の表面１２に形成された所定膜厚の銅薄膜がパターニングされて構成されている。ここでは、各電極１５ａ、１５ｂの膜厚は一定になっている。
第一、第二の電極１５ａ、１５ｂは、例えば、図１３に示すように交互に並べられた状態で配置されており、第一、第二の電極１５ａ、１５ｂとの間はそれぞれ所定間隔が空けられ、第一、第二の電極１５ａ、１５ｂは互いに絶縁されている。
【００２７】
保護層１７は二酸化ケイ素（ＳｉＯ2）のような絶縁材料の薄膜で構成され、各電極１５ａ、１５ｂの表面に一定膜厚で形成されている。ここでは、保護層１７は各電極１５ａ、１５ｂの表面だけを覆うように形成され、電極１５ａ、１５ｂの側面及び、電極１５ａ、１５ｂ間に位置する支持体１１の表面１２はそれぞれ露出している。
【００２８】
図４の符号１３は、各電極１５ａ、１５ｂの表面が位置する仮想的な面を示し、同図の符号１４は各保護層１７表面が位置する仮想的な面を示している。
上述したように、各電極１５ａ、１５ｂの膜厚は一定になっているから、電極１５ａ、１５ｂ表面が位置する仮想的な面１３は、支持体１１の表面１２の立体形状と等しく、また、各保護層１７の膜厚は一定であり、電極１５ａ、１５ｂの表面から保護層１７表面までの高さも一定であるから、各保護層１７の表面が位置する仮想的な面１４は、電極１５ａ、１５ｂが位置する仮想的な面１３の立体形状と等しく、即ち、支持体１１の表面１２の立体形状とも等しくなっている。
【００２９】
各保護層１７の表面が位置する仮想的な面１４を基板の載置面１４とし、該載置面１４の凹んだ部分に、被載置面１８の盛り上がった部分を接触させ、盛り上がった部分に被載置面１８の凹んだ部分を接触させれば、基板５は変形することなく、その被載置面１８が載置面１４に接触した状態で吸着装置１０に載せられる。
【００３０】
支持体１１の裏面は平坦になっており、その裏面を基準面とすると、基準面から支持体１１の表面１２までの高さ、即ち、支持体１１の厚みｗ1は、表面１２が凹んだ位置では小さく、表面１２が盛り上がった位置では大きくなっている。
即ち、第一例の吸着装置１０では支持体１１を位置に応じて異なる厚みｗ1に形成し、かつ、その表面１２に一定膜厚の電極１５ａ、１５ｂと、一定膜厚の保護層１７を形成することで、吸着装置１０の載置面１４は、基板の反りに対応する形状になっている。
【００３１】
真空処理装置１は真空槽２と、上述した吸着装置１０とを有している。真空槽２内の底壁側には台９が配置されており、台９の表面は平坦な水平面になっている。吸着装置１０は、支持体１１の裏面が、台９の表面に密着するよう配置されているから、吸着装置１０は水平になっている。
【００３２】
真空槽２内の天井側にはターゲット３が水平配置されており、真空層２に接続された真空排気系８によって真空槽２内に真空雰囲気を形成した後、該真空雰囲気を維持した状態で、真空槽２内に基板５を搬入し、該基板５を吸着装置１０の載置面１４に載せると、基板５は水平配置され、ターゲット３と対向する。
【００３３】
この基板５はシリコン基板のような導電性基板で構成されており、第一、第二の電極１５ａ、１５ｂに接続された静電チャック電源７を起動し、第一、第二の電極１５ａ、１５ｂに正負の電圧を印加すると、静電吸着力によって基板５が吸着装置１０に吸着され、基板５の被載置面１８が吸着装置１０に強く密着する。
【００３４】
吸着装置１０の支持体１１内部には、加熱手段であるヒータが設けられており、予めヒータによって吸着装置１０が所定温度に昇温しているので、基板５は熱伝導によって昇温する。この吸着装置１０には、不図示のセンサーが取り付けられており、このセンサーが基板５の温度を測定し、ヒータの通電量を制御することで、基板５が温度制御される。
【００３５】
ターゲット３は真空槽２外に配置されたスパッタ電源６に接続されており、真空槽２内にアルゴンガス（Ａｒ）のようなスパッタガスを所定量導入しながら、真空槽２内の真空雰囲気を維持し、その状態でスパッタ電源６を起動し、ターゲット３に直流電圧を印加すると、ターゲット３がスパッタされ、温度制御された状態の基板５の表面に薄膜が成長する。
【００３６】
その薄膜が所定膜厚まで成長したところで、スパッタリングを停止して、成膜工程を終了する。静電チャック電源７を停止させると、基板５への吸着力が解除され、成膜後の基板５を吸着装置１０から持ち上げることができる。
【００３７】
以上は、保護層１７を電極１５ａ、１５ｂ表面のみに配置する場合について説明したが、本発明はこれに限定されるものではない。
図５の符号２０は、第一例の吸着装置の保護層に代え、第一、第二の電極２５ａ、２５ｂの表面及び側面と、第一、第二の電極２５ａ、２５ｂ間に位置する支持体２１表面とを覆う保護層を有する吸着装置を示しており、この吸着装置２０の支持体２１と、第一、第二の電極２５ａ、２５ｂは第一例の吸着装置１０と同じである。
【００３８】
保護層２７も、第一例の吸着装置と同様に、電極２５ａ、２５ｂ上の膜厚は一定になっているので、保護層２７表面に上述した基板を接触させることができる。
更に、保護層を有さない吸着装置も本発明に含まれる。
【００３９】
図６の符号３０は、第一例の吸着装置１０の保護層を形成しない状態の吸着装置を示している。保護層を有する場合は、基板が電極と直接接触しないため、導電性基板を直接吸着装置に載せることが可能であったが、この吸着装置３０は電極３５ａ、３５ｂ表面が直接基板に接触するため、少なくとも、基板の被載置面が絶縁性である必要がある。
【００４０】
以上は、支持体１１の厚みを位置によって変え、かつ、一定膜厚の電極１５ａ、１５ｂを形成する場合について説明したが、本発明はこれに限定されるものではない。
図７の符号４０は本発明第二例の吸着装置を示している。この吸着装置４０は支持体４１と、第一、第二の電極４５ａ、４５ｂと、保護層４７とを有している。
【００４１】
支持体４１は柔軟性を有しない絶縁性材料が、厚みが一定な板状に形成されて構成されており、その表面及び裏面は平坦になっている。
第一、第二の電極４５ａ、４５ｂは支持体４１の同じ面に配置されている。
【００４２】
上述したような反りが生じた基板５をこの吸着装置４０に載せる場合、各電極４５ａ、４５ｂは被載置面１８の盛り上がった部分が対応する位置では厚みｗ2が小さく、被載置面１８の凹んだ部分が対応する位置ではｗ2が大きくなっており、仮に、保護層４７が形成されていないとすると、全ての電極４５ａ、４５ｂ表面が被載置面１８に接触するようになっている。
【００４３】
保護層４７は各電極４５ａ、４５ｂ表面のみに形成されており、各保護層４７の膜厚は一定になっているので、保護層４７の表面に基板５を載せると、全ての保護層４７の表面が基板５の被載置面１８に接触する。
【００４４】
第一、第二の電極４５ａ、４５ｂはそれぞれ複数本あり、第一、第二の電極４５ａ、４５ｂは交互にならべられているので、各保護層４７表面を被載置面１８に接触させた状態で、第一、第二の電極４５ａ、４５ｂに正負の電圧を印加すると、基板５が吸着装置４０に強く密着される。
【００４５】
以上は、保護層４７を電極４５ａ、４５ｂ表面のみに配置する場合について説明したが、本発明はこれに限定されるものではなく、図８の符号５０に示す吸着装置のように、第二例の吸着装置の保護層に代え、第一、第二の電極５５ａ、５５ｂの表面及び側面と、第一、第二の電極５５ａ、５５ｂ間に位置する支持体５１表面とを覆う保護層５７を形成しても良い。
【００４６】
この保護層５７は、図５に示した吸着装置２０と同様に、電極５５ａ、５５ｂ上の膜厚が一定になっているので、保護層５７表面に上述した基板を接触させることができる。
【００４７】
更に、保護層を有しない吸着装置も本発明に含まれる。図９の符号６０は、第二例の吸着装置４０の保護層を形成しない状態の吸着装置を示しており、この吸着装置６０は第二例の吸着装置４０と同様の支持体６１と第一、第二の電極６５ａ、６５ｂとで構成されている。
この吸着装置６０は、図６に示した吸着装置３０と同様に、電極６５ａ、６５ｂ表面が直接基板に接触するため、少なくとも、基板の被載置面が絶縁性である必要がある。
【００４８】
以上は、電極の厚み又は支持体の厚みのいずれか一方を基板の反りに対応するように位置毎に変化させる場合について説明したが、本発明はこれに限定されるものではない。
図１０の符号７０は比較例の吸着装置を示している。この吸着装置７０は、支持体７１と、第一、第二の電極７５ａ、７５ｂと、保護層７７とを有している。
【００４９】
支持体７１は柔軟性を有しない絶縁性材料が、厚みが一定な板状に形成されて構成されており、その表面及び裏面は平坦になっている。
第一、第二の電極７５ａ、７５ｂは所定膜厚に形成され、支持体７１の同じ面にそれぞれ配置されている。ここでは、各電極７５ａ、７５ｂは一定膜厚になっている。保護層７７は、少なくとも第一、第二の電極７５ａ、７５ｂの表面を覆うように配置されている。
【００５０】
ここでは、保護層７７は第一、第二の電極７５ａ、７５ｂの表面及び側面と、第一、第二の電極７５ａ、７５ｂ間に位置する支持体７１表面とを覆うように形成されている。
上述したような反りが生じた基板５をこの保護層７７表面に載せる場合、電極７５ａ、７５ｂの厚みと、保護層７７の電極７５ａ、７５ｂ上の厚みｗ3の合計は、基板５の被載置面１８が盛り上がった位置では小さく、被載置面１８が凹んだ位置では大きくなっている。
【００５１】
支持体７１表面から保護層４７の表面までの高さは、第一、第二の電極７５ａ、７５ｂ間の位置では、電極７５ａ、７５ｂ上の位置と同じ高さ、又は、それよりも低くなっているので、基板５を保護層４７表面に乗せたときに、基板５の被載置面１８が電極７５ａ、７５ｂ上の位置で保護層４７の表面と接触するようになっている。
【００５２】
第一、第二の電極７５ａ、７５ｂはそれぞれ複数本あり、互いに交互に並べられているので、基板５の被載置面１８を保護層７７表面に接触させた状態で、第一、第二の電極７５ａ、７５ｂに正負の電圧を印加すると、基板５がこの吸着装置７０に密着される。
【００５３】
以上は、保護層７７が、電極７５ａ、７５ｂの表面及び側面と、電極７５ａ、７５ｂ間の支持体７１表面とを覆う場合について説明したが、本発明はこれに限定されるものではなく、第三例の吸着装置７０の保護層７７に代え、保護層を各電極の表面のみを覆うように形成しても良い。
【００５４】
以上は、支持体を柔軟性を有しない絶縁材料で構成する場合について説明したが、本発明はこれに限定されるものではない。
図１１（ａ）の符号９５は本発明の一実施形態の搬送装置を示している。
この搬送装置９５は吸着装置８０と、移動手段９６とを有している。
【００５５】
吸着装置８０は、支持体８６と、第一、第二の電極８５ａ、８５ｂと、保護層８７とを有している。
第一、第二の電極８５ａ、８５ｂは支持体８６表面にそれぞれ配置され、保護層８７は、少なくとも各電極８５ａ、８５ｂの表面を覆うように形成されている。ここでは、保護層８７は、各電極８５ａ、８５ｂの表面及び側面と、第一、第二の電極８５ａ、８５ｂ間に位置する支持体８６の表面を覆うように形成されている。
【００５６】
支持体８６と保護層８７は樹脂やゴムのような柔軟性を有する絶縁材料がシート状に形成されて構成され、また、第一、第二の電極８５ａ、８５ｂは、支持体８６及び保護層８７の変形を妨げない程度に膜厚の薄い銅薄膜のような金属薄膜で構成されている。従って、支持体８６と保護層８７とで構成される積層体８１は変形可能になっている。
【００５７】
移動手段９６は棒状の支持手段８９を複数本有している、吸着装置８０は保護層８７が配置された面が下側に向けられ、支持体８６の表面が上側に向けられており、支持体８６表面に各支持手段８９の下端がそれぞれ取りつけられている。
【００５８】
支持手段８９の上端は、移動手段９６の不図示の移動機構に接続されており、移動機構によって各支持手段８９を同じ方向に移動させると、吸着装置８０は支持手段８９と共に移動するようになっている。
図１１（ａ）の符号９０はエッチングや成膜等の処理によって反りが生じた基板を示している。
【００５９】
各支持手段８９は支持体８６を含む吸着装置８０が変形する動きに追従して水平方向と垂直方向に移動可能になっているので、支持手段８９と共に吸着装置８０を基板９０上方に配置し、支持手段８９を下降させて吸着装置８０を基板９０上に載せると、吸着装置８０は支持手段８９に妨げられることなく変形し、吸着装置８０が基板９０の表面、即ち、保護層８７の表面が基板９０の被載置面９２に接触する。
【００６０】
吸着装置８０が被載置面９２に接触したところで、各支持手段８９を吸着装置８０に対して相対的に固定すると、吸着装置８０も固定される。第一、第二の電極８５ａ、８５ｂは不図示の電源に接続されており、この電源を起動し、第一、第二の電極８５ａ、８５ｂにそれぞれ正負の電圧を印加すると、基板９０が吸着装置８０に強く密着される。
【００６１】
その状態で、各支持手段８９を上方に移動すると、基板９０が吸着装置８０に密着された状態で持ち上げられ、次いで、各支持手段８９を同じ方向に水平移動させると、吸着装置８０と共に基板９０も搬送される。
【００６２】
以上は、第一、第二の電極８５ａ、８５ｂが保護層８７に覆われた場合について説明したが、本発明はこれに限定されるものではなく、例えば、柔軟性を有する絶縁膜からなる支持体の表面に、第一、第二の電極を形成し、第一、第二の電極を支持体表面で露出させてもよい。
【００６３】
以上は、第一、第二の電極を銅薄膜で構成する場合について説明したが、本発明はこれに限定されず、アルミニウム等他の金属の薄膜で構成しても良いし、更に、金属に限定されるものでもなく、カーボンなどの導電性材料で構成しても良い。
【００６４】
また、本発明の吸着装置を備えた真空処理装置として、スパッタリング装置について説明したが、本発明はこれに限られるものではなく、例えばＣＶＤ装置等の成膜装置や、あるいはエッチング装置、搬送機構等に本発明の吸着装置を用いることもできる。
【００６５】
また、本発明の吸着装置に吸着される基板の種類も特に限定されるものではなく、基板としては、ガラス基板、樹脂製のフィルム基板等の絶縁性基板、あるいは、シリコン基板等の導電性基板も吸着可能である。
【図面の簡単な説明】
【００６６】
【図１】本発明の一実施形態の吸着装置を備えた真空処理装置の構成を説明する図
【図２】本発明の吸着装置に吸着される基板を説明する断面図
【図３】本発明の吸着装置の第一例を説明する断面図
【図４】電極及び保護層の表面と、支持体表面との関係を説明するための図
【図５】本発明の第一例の吸着装置の変形例を説明する断面図
【図６】本発明の第一例の吸着装置の他の変形例を説明する断面図
【図７】本発明の吸着装置の第二例を説明する断面図
【図８】本発明の第二例の吸着装置の変形例を説明する断面図
【図９】本発明の第二例の吸着装置の他の変形例を説明する断面図
【図１０】比較例を説明する断面図
【図１１】（ａ）、（ｂ）：本発明の搬送装置の一例を、その搬送工程と共に説明する工程図
【図１２】基板の反り量と吸着力との関係を説明するグラフ
【図１３】従来の吸着装置を説明する平面図
【図１４】従来の吸着装置を説明する断面図
【符号の説明】
【００６７】
１……スパッタリング装置（真空処理装置）    ５……基板    １０……吸着装置    １１……支持体    ２５ａ、２５ｂ……電極    １７……保護層    支持体の厚み……Ｗ1
【図１】
0004774025.tif 000002
【図２】
0004774025.tif 000003
【図３】
0004774025.tif 000004
【図４】
0004774025.tif 000005
【図５】
0004774025.tif 000006
【図６】
0004774025.tif 000007
【図７】
0004774025.tif 000008
【図８】
0004774025.tif 000009
【図９】
0004774025.tif 000010
【図１０】
0004774025.tif 000011
【図１１】
0004774025.tif 000012
【図１２】
0004774025.tif 000013
【図１３】
0004774025.tif 000014
【図１４】
0004774025.tif 000015