(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
真空槽と、
前記真空槽内に配置されたターゲットと、
前記真空槽内で前記ターゲットに対向して配置され、基板が載置される基板台と、
前記ターゲットと前記基板台の間に位置する空間をスパッタリング粒子が飛行する飛行空間としたときに、前記飛行空間の前記ターゲット側の部分を取り囲むアノード電極と、
前記飛行空間の前記アノード電極と前記基板台との間の部分を取り囲む接地電極とを有し、
前記真空槽と前記接地電極は接地電位に接続され、
前記基板台はウェハステージ上に配置され、
前記ウェハステージには負のバイアス電圧を印加できるようにバイアス電源が接続され、
前記アノード電極には正電圧を印加できるように構成されたスパッタリング装置。
【請求項２】
前記接地電極は、第１、第２の接地電極に分割され、前記第１、第２の接地電極間には隙間が形成された請求項１記載のスパッタリング装置。
【請求項３】
前記ターゲットが上方に配置され、前記基板台が、前記ターゲットの下方に配置された請求項１又は請求項２のいずれか１項記載のスパッタリング装置であって、
前記アノード電極は筒状に成形され、一方の開口端部の外周にはフランジ部が設けられ、
前記真空槽内部には、前記真空槽とは電気的に絶縁された導電性の端子部材が突出され、
前記アノード電極は、前記フランジ部が前記端子部材上に乗せられ、前記フランジ部が設けられた開口端部とは反対側の開口部が、前記基板台に向けられたスパッタリング装置。
【請求項４】
接地電位に接続された真空槽内にターゲットを配置し、
前記真空槽内に配置されたウェハステージ上に、基板台をその表面が前記ターゲットに対向するように配置しておき、
表面が前記ターゲットに対面するように基板を前記基板台に載置し、
前記ターゲットに負電圧を印加して前記ターゲット表面近傍にプラズマを形成し、前記ターゲットから飛び出したスパッタリング粒子を前記基板に到達させ、前記基板の表面に薄膜を形成する薄膜製造方法であって、
前記ターゲットと前記基板台の間に位置する空間をスパッタリング粒子が飛行する飛行空間としたときに、前記飛行空間の前記ターゲット付近の部分の周囲の電位を正電位にし、
前記基板付近の周囲の電位を接地電位にし、
前記ウェハステージに負のバイアス電圧を印加して前記薄膜を形成する薄膜製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明はスパッタリング装置の技術分野にかかり、特に、スパッタリング装置のステップカバレッジを向上させる技術に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来のスパッタリング装置を図６の符号１１０に示す。
このスパッタリング装置１１０は、真空槽１１２を有しており、その底壁上には、真空槽１１２壁面と絶縁した状態でウェハステージ１１４が取り付けられている。
【０００３】
真空槽１１２の天井側には、絶縁部材１１８を介して、天板１１３が取り付けられている。天板１１３の上部には、不図示の絶縁部材を介して磁石１１９が配置されており、その反対側の面の真空槽１１２の内側には、ターゲット１２０が配置されている。
【０００４】
ウェハステージ１１４上には、冷却装置１１５と基板台１１６とがこの順序で乗せられている。基板台１１６の内部には図示しない吸着電極が配置されており、真空槽１１２内を真空排気し、基板台１１６上に基板１１７を載置し、吸着電極に電圧を印加すると、基板１１７は基板台１１６表面に静電吸着されるようになっている。
【０００５】
ターゲット１２０にはスパッタ電源１２５が接続されており、真空槽１１２は接地電位に接続されている。真空槽１１２内部を真空排気し、基板台１１６上に基板１１７を静電吸着した後、真空槽１１２内にスパッタリングガスを導入し、スパッタ電源１２５を起動してターゲット１２０に負電圧を印加すると、磁石１１９の磁力線に捕らえられた電子により、ターゲット１２０表面近傍にプラズマが発生する。そのプラズマがターゲット１２０に入射すると、ターゲット１２０表面からターゲット１２０を構成する物質がスパッタリング粒子となって飛び出す。
【０００６】
このスパッタリング装置１１０では、真空槽１１２内に円筒形の防着板１１１が配置されており、この防着板１１１は、真空槽１１２の内壁面に固定されている。真空槽１１２が接地電位に置かれるため、防着板１１１も真空槽１１２と一緒に接地電位に置かれている。
【０００７】
ウェハステージ１１４には負電圧が印加されており、基板１１７は負電位に置かれている。従って、プラズマ中の電子は防着板１１１に引きつけられ、ターゲット１２０から飛び出した正電荷を有するスパッタリング粒子は、基板１１７に引きつけられる。このためスパッタリング粒子は、防着板１１１の内部を防着板１１１の中心軸線に沿った方向に飛行し、基板１１７の表面に到達し、基板１１７表面に薄膜が形成される。
【０００８】
冷却装置１１５内には、通水路１２３が設けられており、基板１１７表面に所定膜厚の薄膜が形成された後、この通水路１２３に冷却水を流し、基板１１７を冷却した後、真空槽１１２外に搬出し、未処理の基板を真空槽１１２内に搬入すると、薄膜形成作業を繰り返し行うことができる。
【０００９】
このように、スパッタリング粒子の飛行経路の周囲に防着板１１１が位置しているため、スパッタリング粒子は真空槽１１２の内壁面には付着せず、基板１１７を多数枚数処理し、真空槽１１２内部をクリーニングする場合には、防着板１１１を取り外し、防着板１１１の内周面に付着した薄膜を洗浄・除去すればよいようになっている。
【００１０】
しかしながら、上記のような構造の防着板１１１では、真空槽１１２の内壁面に薄膜が付着することは防止できるのに止まり、スパッタリング装置１１０の性能を向上させるものではない。
【００１１】
近年では、防着板１１１に電圧を印加し、基板１１７表面に形成される薄膜のステップカバレッジを改善させる試みが成されているが、満足なステップカバレッジが得られないのが現状である。
【００１２】
【発明が解決しようとする課題】
本発明は上記従来技術の不都合を解決するために創作されたものであり、その目的は、高いステップカバレッジで薄膜を形成できるスパッタリング装置を提供することにある。
【００１３】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するために、請求項１記載の発明は、真空槽と、前記真空槽内に配置されたターゲットと、前記真空槽内で前記ターゲットに対向して配置され、基板が載置される基板台と、前記ターゲットと前記基板台の間に位置する空間をスパッタリング粒子が飛行する飛行空間としたときに、前記飛行空間の前記ターゲット側の部分を取り囲むアノード電極と、前記飛行空間の前記アノード電極と前記基板台との間の部分を取り囲む接地電極とを有し、前記真空槽と前記接地電極は接地電位に接続され、前記基板台はウェハステージ上に配置され、前記ウェハステージには負のバイアス電圧を印加できるようにバイアス電源が接続され、前記アノード電極には正電圧を印加できるように構成されたスパッタリング装置である。
請求項２記載の発明は、請求項１記載のスパッタリング装置であって、前記接地電極は、第１、第２の接地電極に分割され、前記第１、第２の接地電極間には隙間が形成されたスパッタリング装置である。
請求項３記載の発明は、前記ターゲットが上方に配置され、前記基板台が、前記ターゲットの下方に配置された請求項１又は請求項２のいずれか１項記載のスパッタリング装置であって、前記アノード電極は筒状に成形され、一方の開口端部の外周にはフランジ部が設けられ、前記真空槽内部には、前記真空槽とは電気的に絶縁された導電性の端子部材が突出され、前記アノード電極は、前記フランジ部が前記端子部材上に乗せられ、前記フランジ部が設けられた開口端部とは反対側の開口部が、前記基板台に向けられたスパッタリング装置である。
請求項４記載の発明は、接地電位に接続された真空槽内にターゲットを配置し、前記真空槽内に配置されたウェハステージ上に、基板台をその表面が前記ターゲットに対向するように配置しておき、表面が前記ターゲットに対面するように基板を前記基板台に載置し、前記ターゲットに負電圧を印加して前記ターゲット表面近傍にプラズマを形成し、前記ターゲットから飛び出したスパッタリング粒子を前記基板に到達させ、前記基板の表面に薄膜を形成する薄膜製造方法であって、前記ターゲットと前記基板台の間に位置する空間をスパッタリング粒子が飛行する飛行空間としたときに、前記飛行空間の前記ターゲット付近の部分の周囲の電位を正電位にし、前記基板付近の周囲の電位を接地電位にし、前記ウェハステージに負のバイアス電圧を印加して前記薄膜を形成する薄膜製造方法である。
【００１４】
本発明は上記のように構成されており、ターゲットと基板の間の空間を飛行空間とし、真空槽の電位を接地電位とした場合、飛行空間のターゲット側の部分を囲むアノード電極に正電圧を印加でき、飛行空間の基板側の部分を囲む接地電極に真空槽と同じ接地電位を印加できるようになっている。
【００１５】
ターゲットに大きな負電圧を印加し、基板にターゲットよりも小さい負電圧を印加した場合、実験によると、アノード電極と接地電極とで構成される電界により、スパッタリング粒子が基板に集中され、基板に多量のスパッタリング粒子が入射するようになる。
【００１６】
これは、ターゲットが銅であり、スパッタリングの開始時にだけスパッタリングガスを導入し、一旦スパッタリングが開始された後は、スパッタリングされた銅がターゲットに再入射して銅をスパッタリングする銅の自己放電によってプラズマを維持する銅薄膜成長方法の場合には、基板表面に入射する銅のスパッタリング粒子が少なくなるため、スパッタリング粒子を基板に集中させる本発明は特に有効である。
【００１７】
また、アノード電極に正電圧を印加する場合、アノード電極を真空槽と絶縁する必要があるが、本発明のスパッタリング装置では、真空槽とは絶縁された端子部材が真空槽の内周面に突出され、アノード電極のフランジ部が端子部材上には位置されているので、アノード部材が真空槽と接触せず、また、アノード電極を持ち上げるだけで真空槽から取り外せるので、メンテナンスが容易である。
【００１８】
【発明の実施の形態】
図１を参照し、本発明の一例のスパッタリング装置１０は、真空槽１２を有している。該真空槽１２の底面側には、真空槽１２とは電気的に絶縁した状態でウェハステージ１４が配置されている。
【００１９】
真空槽１２の上端は開放されており、その上端部には、それぞれリング形状をした第１の絶縁部材３１と、導電性の端子部材３３と、第２の絶縁部材３２とがこの順序で配置されている。
【００２０】
また、第２の絶縁部材３２上には天板１３が配置されており、真空槽１２は天板１３によって蓋をされ、真空槽１２の内部が大気から隔離されるようになっている。
【００２１】
この状態では、真空槽１２と端子部材３３と天板１３とは、第１、第２の絶縁部材３１、３２によって、互いに電気的に絶縁されている。
【００２２】
天板１３の上部には磁石１９が配置されており、磁石１９が配置された側とは反対の面であって、真空槽１２の内部側の表面には、ターゲット２０が配置されている。この磁石１９が生成する磁力線は、ターゲット２０の表面を貫通するようになっている。
【００２３】
真空槽１２の内部には、図２に示すようなアノード電極４が配置されている。該アノード電極４は、円筒形形状の防着筒部４１と、防着筒部４１の開口端部に位置し、防着筒部４１の外周よりも外側位置まで突き出されたフランジ部４２とを有している。防着筒部４１の二個の開口４８、４９のうち、符号４８はフランジ部４２が位置する方の開口を示しており、符号４９はその反対側の開口を示している。
【００２４】
防着筒部４１の外径は、リング状の端子部材３３の内径と同じかそれよりも少し小さくされており、天板１３を開け、防着筒部４１のフランジ部４２側を上に向け、その反対側の開口４９側を端子部材３３の内側に挿入できるようになっている。防着筒部４１を上方から端子部材３３に挿入すると、フランジ部４２の底面４３が端子部材３３上に乗せられる。
【００２５】
真空槽１２の壁面は鉛直に配置されており、端子部材３３の表面は水平になっている。従って、端子部材３３上にフランジ部４２が乗せられた状態では、防着筒部４１は端子部材３３から鉛直に垂下されている。この状態では、アノード電極４は端子部材３３に電気的に接続されている。
【００２６】
アノード電極４を端子部材３３の内側に装着した後、天板１３を元に戻すと、ターゲット２０はアノード電極４とは非接触の状態で、その上端部の内側に配置される。
【００２７】
真空槽１２の外部には、スパッタ電源２５と、バイアス電源２６と、制御電源２７とが配置されている。
【００２８】
制御電源２７は端子部材３３に接続されており、従って、アノード電極４には制御電源２７が出力する電圧が、端子部材３３を介して印加されるようになっている。
【００２９】
また、スパッタ電源２５はターゲット２０に接続されており、バイアス電源２６はウェハステージ１４に接続されている。スパッタ電源２５とバイアス電源２６により、ターゲット２０とウェハステージ１４には所望の電圧を印加できるように構成されている。
【００３０】
また、この状態のアノード電極４の下方位置には、第１、第２の接地電極５、６が配置されている。
【００３１】
第１の接地電極５は、図３に示すように、円筒形の外筒部５１と、外径が外筒部５１と同径で、内径がそれよりも小さいリング状の接続部５２と、一方の開口部が外筒部５１の内径と同径で、他方の開口部がそれよりも小径である筒状の内筒部５３とで構成されている。
【００３２】
接続部５２の外周部分は、外筒部５１の開口部分に接続されており、内筒部５３は外筒部５１内に位置し、大径な方の開口端部が接続部５２の内径の縁部分に接続されてる。
【００３３】
従って、この第１の接地電極は、外筒部５１の開口である開口部５９と、その開口部５９とは反対側に位置し、内筒部５３の大径な方の開口である開口部５８とを有している。
【００３４】
真空槽１２壁面の、アノード電極４の下端付近の位置には、接続部材３９が取り付けられており、第１の接地電極５は、外筒部５１の開口部５９を下に向けた状態で、接続部５２の表面が接続部材３９に固定されている。真空槽１２壁面には、突起３７が設けられており、接続部５２表面が接続部材３９に固定された状態では、外筒部５１の外周の上端部が突起３７に接触し、第１の接地電極５１全体が真空槽１２に電気的に接続された状態になっている。
【００３５】
また、この状態では、アノード電極４の下端部は第１の接地電極５１の内筒部５３の内側に非接触の状態で位置している。
【００３６】
第１の接地電極５の下方位置には、図４に示すような第２の接地電極６が配置されている。この第２の接地電極６は台座６１と、筒部６２と、椀部６３とを有している。
【００３７】
台座６１はリング形状に成形されており、筒部６２は円筒形形状に成形されている。筒部６２の下端の開口部は、台座６１の上端部に接続されている。椀部６３は上端の開口が広がった円筒形であり、その下端側の開口は、筒部６２の径と略同じ大きさであり、筒部６２の上端の開口部付近に位置している。椀部６３は、清掃時に取り外せるように、筒部６２には固定されておらず、椀部６３の下側に配置された２本の支持棒６９によって真空槽１２の底壁上に支持されている。
【００３８】
台座６１は、真空槽１２の底壁上に配置されており、椀部６３の上端の開口部６８が上方のターゲット２０側に向けられている。
【００３９】
台座６１と筒部６２と椀部６３と支持棒６９とはそれぞれ導電性材料で構成されており、台座６１と支持棒６９とが真空槽１２に接触し、電気的に接続されているため、筒部６２と椀部６３、即ち第２の接地電極６全体が真空槽１２と同電位になるようにされている。上述したように、第１の接地電極５は真空槽１２と同電位にされ、真空槽１２は接地されるため、第１、第２の接地電極５、６も接地電位に置かれている。
【００４０】
第２の接地電極６の台座６１は、筒部６２よりも内側まで張り出しており、その部分の表面には、絶縁部材２８が配置されている。
【００４１】
絶縁部材２８上には、冷却装置１５と基板台１６とがこの順序で乗せられており、従って、冷却装置１５と基板台１６とは、筒部６２の内部６７に配置され、冷却装置１５と基板台１６の周囲は筒部６２で囲われている。基板台１６の表面は、開口部６８近傍に位置しており、従って、基板台１６の表面は真空槽１２内に露出しており、ターゲット２０に平行に対向するように配置されている。
【００４２】
符号２１は、後述するように、ターゲット２０から飛び出したスパッタリング粒子が基板台１６方向に向けて飛行する飛行空間を示している。
【００４３】
アノード電極４と、第１の接地電極５と、第２の接地電極６とは、その中心軸線を略一致して配置され、また、椀部６３の上端部、即ち第２の接地電極６の上端部は、第１の接地電極５の外筒部５１と内筒部５３の間に非接触の状態で挿入されているため、基板台１６とターゲット２０の間の飛行空間２１は、アノード電極４と第１、第２の接地電極５、６によって取り囲まれている。
【００４４】
なお、ここで用いたターゲット２０の直径は３００ｍｍ、ターゲット表面からアノード電極４の下端までの距離は約２２０ｍｍ、ターゲット２０表面から基板台１６表面までの距離は３００ｍｍである。アノード電極４の上端部は、ターゲット２０側に曲げられており、その部分の直径はターゲット２０の直径とほぼ同じ大きさであるが、鉛直に配置される部分の直径は約３３０ｍｍ程度とターゲット２０の直径よりも大きくなっている。
【００４５】
第１の接地電極５の下端部と第２の接地電極６の上端部の間は非接触にされており、隙間９が存している。従って、飛行空間２１とアノード電極４や第１、第２の接地電極５、６の外側の外部空間２４との間は、隙間９によって接続されている。
【００４６】
真空槽１２の底壁には排気口３４が形成されており、この排気口３４には真空ポンプ２２が接続されている。真空ポンプ２２を起動し、排気口３４から真空槽１２内部の外部空間を真空排気すると、アノード電極４内部の飛行空間２１は、第１の接地電極５と第２の接地電極６の間の隙間９から排気される。
【００４７】
このスパッタリング装置１０を用いて基板表面に薄膜を形成する工程を説明すると、上記のように真空槽１２内を真空排気し、その内部が所定圧力になった後、真空槽１２内に基板を搬入し、基板台１６上に載置する。
【００４８】
図１の符号１７は、その状態の基板を示しており、該基板１７の外周側面は、第２の接地電極６の下端部分と非接触の状態で面している。
【００４９】
基板台１６は静電吸着装置であり、内部には図示しない吸着電極とヒータとが配置されている。基板１７を基板台１６上に載置した後、吸着電極に電圧を印加すると、基板１７は基板台１６表面に静電吸着される。その際、基板台１６内部のヒータに通電して発熱させ、基板１７を昇温させる。
【００５０】
基板１７が所定温度に昇温したところで、真空槽１２内にアルゴンガス等のスパッタリングガスを導入し、スパッタ電源２５とバイアス電源２６を起動し、ターゲット２０とウェハステージ１４に負電圧を印加すると、ターゲット２０表面近傍にスパッタリングガスのプラズマが発生し、ターゲット２０表面がスパッタリングされる。
【００５１】
このターゲット２０は銅で構成されており、ターゲット２０表面からは銅粒子がスパッタリング粒子となって飛び出す。ターゲット２０の表面近傍には、磁石１９の磁力線によって磁界が形成されており、電子が磁界に閉じ込められ、ターゲット２０表面近傍に電子とスパッタリング粒子のプラズマが形成される。
【００５２】
この状態でスパッタリングガスの導入を停止すると、プラズマ中のスパッタリング粒子によってターゲット２０がスパッタリングされる(自己放電現象)。
【００５３】
スパッタリングを開始する際に、制御電源２７を起動し、アノード電極４に正電圧を印加しておくと、スパッタリング粒子は正電荷を有しているので、ターゲット２０から飛び出したスパッタリング粒子のうち、基板１７方向やアノード電極４方向に飛行するスパッタリング粒子は、アノード電極４から静電気力を受け、アノード電極４の中心軸線３５方向に軌道が曲げられる。符号３０は、そのスパッタリング粒子を示している。
【００５４】
第１、第２の接地電極５、６は接地電位に接続されており、ウェハステージ１４には負電圧が印加されている。従って、アノード電極４の電位が最も高く、次に、第１、第２の接地電極５、６が配置された部分の電位が高く、基板１７が位置する方向の電位が最も低くなっている。
【００５５】
従って、アノード電極４の下端の開口部４９から飛び出したスパッタリング粒子は、一旦アノード電極４の中心軸線３５方向に軌道が曲げられた後、基板１７の方向に軌道修正され、その結果、多量のスパッタリング粒子が基板１７表面に垂直に入射する。
【００５６】
従来技術では、第２の接地電極６に相当する部材は接地されておらず、浮遊電位に置かれているため、基板に入射するスパッタリング粒子が少なかったのに比べ、本発明のスパッタリング装置１０では、スパッタリング粒子が基板１７表面に多量に入射するため、微細孔の開口部に形成されたオーバーハングが、垂直に入射するスパッタリング粒子で叩かれ、微細孔の底面側に移動する。その結果、本発明のスパッタリング装置１０を用いて形成した薄膜は、ステップカバレッジが高くなっている。
【００５７】
図５のグラフは、基板１７に印加するバイアス電圧、即ちウェハステージ１４に印加するバイアス電圧の大きさと、基板１７に流れる入射電流の大きさ、即ち基板１７に入射するスパッタ粒子の量との関係を示している。ターゲット２０には、−５５０Ｖのスパッタ電圧を印加してスパッタした。
【００５８】
符号Ｌ1で示した曲線は、本発明のスパッタリング装置１０場合であり、符号Ｌ2は、本発明のスパッタリング装置１０と同じ構造のスパッタリング装置の第１、第２の接地電極５、６を浮遊電位にした場合である。
本発明のスパッタリング装置１０の方が、基板１７に入射するスパッタリング粒子の量が多いことが分かる。
【００５９】
また、本発明のスパッタリング装置１０では、第２の接地電極６に相当する部材が浮遊電位に置かれている従来のスパッタリング装置に比べ、スパッタリング粒子が第２の接地電極６によって軌道修正され、基板１７の表面に垂直に入射するため、微細孔の底面に直接到達するスパッタリング粒子の量も多く、一層ステップカバレッジが向上するようになっている。
【００６０】
なお、基板１７にバイアス電圧が印加される際、冷却装置１５や基板台１６の側面は、第２の接地電極６によって取り囲まれているので、冷却装置１５や基板台１６と真空槽１２との間に異常放電が生じない。
【００６１】
ターゲット２０のスパッタリングを行い、基板１７表面に所定膜厚の薄膜(ここでは銅薄膜)が形成された後、スパッタ電源２５、バイアス電源２６、制御電源２７を停止させ、スパッタリングを終了させ、基板台１６内部のヒータへの通電を終了させると共に、冷却装置１９内部の通水路２３に冷却水を流し、基板１７を冷却する。
【００６２】
基板１７の温度が所定温度まで低下したら真空槽１２外部に搬出し、未処理の基板を搬入し、上記と同じ工程によってスパッタリングを行う。
【００６３】
多数枚数の基板に銅薄膜を形成した後、真空槽１２内部をクリーニングする場合には、天板１３をはずし、アノード電極４と第１、第２の接地電極５、６を取り外し、洗浄する。アノード電極４は上方に持ち上げるだけで簡単に取り外せるので、洗浄やその他のメンテナンス作業が容易である。
【００６４】
以上説明したように、本発明のスパッタリング装置１０によれば、ターゲット２０から飛び出したスパッタリング粒子３０は、最初にアノード電極４によって、曲げられ、次に、第１、第２の接地電極５、６によって今度は逆方向に曲げられるので、基板１７表面に垂直に入射しやすく、従って、高アスペクト比で微細孔を充填することができる。
【００６５】
なお、以上は銅の自己放電現象を利用してスパッタリングを行う場合を説明したが、一般に、スパッタリング粒子は正電荷を有しているので、本発明は、スパッタリングガスや反応性ガスを用いてターゲットをスパッタリングするスパッタリング方法の全てに有効である。
【００６６】
また、上記のアノード電極４や第１、第２の接地電極５、６は断面円形(円筒形)であったが、断面が矩形や他の多角形のものも含まれる。また、円筒と角筒を組合わせた物も含まれることは言うまでもない。
【００６７】
【発明の効果】
アノード電極と基板台の間に接地電極が配置されているので、スパッタリング粒子の軌道が修正され、基板表面に垂直に入射するようになる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一例のスパッタリング装置
【図２】アノード電極を説明するための図
【図３】第１の接地電極を説明するための図
【図４】第２の接地電極を説明するための図
【図５】本発明のスパッタリング装置の基板への入射電流を説明するためのグラフ
【図６】従来技術のスパッタリング装置の例
【符号の説明】
４……アノード電極
５……第１の接地電極
６……第２の接地電極
１０……スパッタリング装置
１２……真空槽
１６……基板台
１７……基板
２０……ターゲット
２１……飛行空間
３３……端子部材
４２……フランジ部
【図１】
0004703828.tif 000002
【図２】
0004703828.tif 000003
【図３】
0004703828.tif 000004
【図４】
0004703828.tif 000005
【図５】
0004703828.tif 000006
【図６】
0004703828.tif 000007