(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
表面に開口率ＮＡが１を超える光学ヘッドをレーザービームの波長λに対してλ／４以下の高さで浮上させながらレーザービームにより記録再生を行う表面再生型光記録媒体で、基板上に少なくとも記録層および屈折率ｎＰがＮＡより大きい透明樹脂保護層を有し、前記、透明樹脂保護層は、媒体表面でのレーザービームの直径が１．５μｍ以上３０μｍ以下となるような膜厚を有することを特徴とする表面再生型光記録媒体。
【請求項２】
透明樹脂保護層の膜厚がλ／ＮＡ２以上であることを特徴とする請求項１に記載の表面再生型光記録媒体。
【請求項３】
記録領域の透明樹脂保護層の膜厚むらをΔｔとしたとき、Δｔ≦λ／ＮＡ２であることを特徴とする請求項１または請求項２に記載の表面再生型光記録媒体。
【請求項４】
記録層と透明樹脂保護層との間に、屈折率がＮＡより０．４以上大きい誘電体層を設けたことを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載の表面再生型光記録媒体。
【請求項５】
誘電体層の膜厚がλ／ＮＡ２未満であることを特徴とする請求項４に記載の表面再生型光記録媒体。
【請求項６】
誘電体層の屈折率が媒体表面に向かって段階的あるいは連続的に下がることを特徴とする請求項４または請求項５に記載の表面再生型光記録媒体。
【請求項７】
透明樹脂保護層の上に、媒体表面からのレーザー反射光を低減するための整合層を設けたことを特徴とする請求項１〜６のいずれか１項に記載の表面再生型光記録媒体。
【請求項８】
整合層の屈折率がＮＡ以上であり、整合層の最上層から透明樹脂保護層側に向かって屈折率が段階的あるいは連続的に上がっていることを特徴とする請求項７に記載の表面再生型光記録媒体。
【請求項９】
整合層の屈折率がＮＡ以上であり、整合層の最上層から透明樹脂保護層側に向かって、屈折率が段階的あるいは連続的に上がった後、再び屈折率が段階的あるいは連続的に下がっていることを特徴とする請求項７に記載の表面再生型光記録媒体。
【請求項１０】
整合層の一部または全部が透明な樹脂で構成されることを特徴とする請求項７〜９のいずれか１項に記載の表面再生型光記録媒体。
【請求項１１】
整合層の透明樹脂に粒径０．０５μｍ以下の無機超微粒子が含まれていることを特徴とする請求項１０に記載の表面再生型光記録媒体。
【請求項１２】
媒体表面が、液体潤滑層からなることを特徴とする請求項１〜１１のいずれか１項に記載の表面再生型光記録媒体。
【請求項１３】
媒体表面が、フッ素系潤滑剤またはフッ素系界面活性剤を含む透明樹脂保護層からなることを特徴とする請求項１〜６のいずれか１項記載の表面再生型光記録媒体。
【請求項１４】
媒体表面が、フッ素系潤滑剤またはフッ素系界面活性剤を含む整合層からなることを特徴とする請求項７〜１１のいずれか１項に記載の表面再生型光記録媒体。
【請求項１５】
基板表面にランドとグルーブとが存在することを特徴とする請求項１〜１４のいずれか１項に記載の表面再生型光記録媒体。
【請求項１６】
ランドの幅／グルーブの幅（半値幅比）が０．５〜１．５であることを特徴とする請求項１５に記載の表面再生型光記録媒体。
【請求項１７】
基板上のグルーブの深さｄＧが、透明樹脂保護層の屈折率をｎＯＣとしたとき、λ／（１４ｎＯＣ）≦ｄＧ≦λ／（５ｎＯＣ）であることを特徴とする請求項１５に記載の表面再生型光記録媒体。
【請求項１８】
表面に開口率ＮＡが１を超える光学ヘッドをレーザービームの波長λに対してλ／４以下の高さで浮上させながらレーザービームにより記録再生を行う表面再生型光記録媒体で、基板上に少なくとも記録層および屈折率ｎＰがＮＡより大きい透明樹脂保護層を有し、前記透明樹脂保護層に粒径０．０５μｍ以下の無機超微粒子が含まれていることを特徴とする表面再生型光記録媒体。
【請求項１９】
無機超微粒子が透明導電微粒子であることを特徴とする請求項１８に記載の表面再生型光記録媒体。
【請求項２０】
無機超微粒子が酸化アルミニウム、窒化アルミニウム、窒化ホウ素、炭化珪素、酸化ベリリウムまたはダイヤモンドであることを特徴とする請求項１８に記載の表面再生型光記録媒体。
【請求項２１】
表面に開口率ＮＡが１を超える光学ヘッドをレーザービームの波長λに対してλ／４以下の高さで浮上させながらレーザービームにより記録再生を行う表面再生型光記録媒体で、基板上に少なくとも記録層、誘電体層および屈折率ｎＰがＮＡより大きい透明樹脂保護層をこの順に積層した表面再生型光記録媒体で、前記誘電体層の屈折率ｎｄが２．４以上であることを特徴とする表面再生型光記録媒体。
【請求項２２】
誘電体層が、ＺｎＳ、Ｎｂ２Ｏ５、ＴｉＯ２の中から選ばれた一種以上の物質で構成されることを特徴とする請求項２１に記載の表面再生型光記録媒体。
【請求項２３】
誘電体層が、概ね（ＭＡ）１（ＭＢ）２Ｏ６で表わされる組成の物質で、ＭＡはＭｇ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｂａの中から選ばれた一種以上の物質で、ＭＢはＶ、Ｎｂ、Ｔａの中から選ばれた一種以上の物質で構成されることを特徴とする請求項２１に記載の表面再生型光記録媒体。
【請求項２４】
誘電体層が、ペロブスカイト化合物あるいはペロブスカイト化合物を重量比で８０％以上含有する材料で構成されることを特徴とする請求項２１に記載の表面再生型光記録媒体。
【請求項２５】
表面に開口率ＮＡが１を超える光学ヘッドをレーザービームの波長λに対してλ／４以下の高さで浮上させながらレーザービームにより記録再生を行う表面再生型光記録媒体で、基板表面にランドとグルーブとが存在し、基板上に少なくとも記録層および屈折率ｎＰがＮＡより大きい透明樹脂保護層を有し、前記透明樹脂保護層表面でのランドとグルーブの段差がλ／３０以下であることを特徴とする表面再生型光記録媒体。
【請求項２６】
ランドの幅／グルーブの幅（半値幅比）が０．５〜１．５であることを特徴とする請求項２５に記載の表面再生型光記録媒体。
【請求項２７】
グルーブの幅が、ランドの幅より広いことを特徴とする請求項２５に記載の表面再生型光記録媒体。
【請求項２８】
基板上のグルーブの深さｄＧが、透明樹脂保護層の屈折率をｎＯＣとしたとき、λ／（１４ｎＯＣ）≦ｄＧ≦λ／（５ｎＯＣ）であることを特徴とする請求項２５〜２７のいずれか１項に記載の表面再生型光記録媒体。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は記録可能な光記録媒体の中で特に媒体表面から光を入射して記録再生する表面再生型光記録媒体に関する。
【０００２】
【従来の技術】
光記録媒体は、大容量・高密度記録が可能な記録媒体であり、近年のマルチメディア化に伴なうコンピュータの大容量ファイルや動画を記録するメディアとして需要が急増しつつある。
【０００３】
光記録媒体は、一般にプラスチック等の透明な円盤状の基板に記録層を含む多層膜を形成し、レーザーを照射して記録あるいは消去を行い、レーザーの反射光で再生する。光記録媒体には、光磁気記録媒体や相変化記録媒体のように書換が可能なイレーサブルと、ＣＤ−Ｒのように一回だけ書き込み可能なライトワンスがある。
【０００４】
光磁気記録媒体は、従来、固定磁界を加えて消去した後、反対方向の固定磁界を加えて記録するいわゆる光変調記録が中心であったが、近年、レーザーを照射しながら、磁界を記録パターンに従って変調させる磁界変調方式が、１回転で記録（ダイレクトオーバーライト）可能でしかも高記録密度になっても正確に記録できる方式として注目を浴びている。
【０００５】
相変化記録媒体は、光変調記録によりダイレクトオーバーライト可能で、ＣＤやＤＶＤと同じ光学系で再生可能なため近年著しく伸びてきている。また、ライトワンスのＣＤ−Ｒは、ＣＤとの完全な互換性があるために、広く一般に普及している。
【０００６】
光記録媒体の記録密度向上の手段として、従来は、単なる案内溝であったグルーブと記録領域であったランドとの両方に記録するランド／グルーブ記録方式が注目されている（光メモリシンポジウム‘９４  Ｔｅｃｈｎｉｃａｌ  Ｄｉｇｅｓｔ  ｐ．４１  （１９９４）、Ｊｐｎ．  Ｊ．  Ａｐｐｌ．  Ｐｈｙｓ．  Ｖｏｌ．３７  ｐ．２１４４  （１９９８））。
【０００７】
この方式では、ランドとグルーブの幅がほぼ等しく、レーザー波長のほぼ１／６の光学深さとするか、あるいはレーザー波長のほぼ１／８の光学深さと再生時にランドとグルーブで位相を独立して調整することを組み合わせることによりクロストークの小さな再生を可能とする。
【０００８】
また、記録再生のためのレーザーは、従来、基板を通して記録膜に照射されていた。最近、光学ヘッドを記録膜に近付けて記録再生する、いわゆる、近接場光記録が高密度化の手段として注目されている（Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．６８，ｐ．１４１（１９９６））。この記録方法ではＳｏｌｉｄ  Ｉｍｍｅｒｓｉｏｎ  Ｌｅｎｓ（以下ＳＩＬと略す）ヘッドを使用しレーザービームスポットサイズを縮小することにより、光源のレーザー波長（λ）によって決まる従来の記録限界（〜λ／２ＮＡ：ＮＡは対物レンズの開口数）より短いマークでの再生が可能であり、超高記録密度の記録再生が実現できる。
【０００９】
この近接場光記録では光学ヘッドを記録媒体に近付ける必要があるために（２００ｎｍ以下）、従来の光磁気記録媒体のように基板を通して記録膜にレーザービームを照射するのではなく、基板を通さずに直接記録膜にレーザービームを照射する方法を用いる（表面読み出し型記録）。この際、記録膜とＳＩＬヘッドを近付けるために浮上式のスライダーヘッドを利用することが提案されている。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】
本発明者らは、上述のようなＳＩＬを用いた近接場光記録媒体を製造して記録再生の連続試験を試みたが、長時間記録を続けるとＳＩＬヘッドに異物が付着して記録再生が継続できなくなる現象がみられた。
【００１１】
また、ランド／グルーブ記録方式で記録再生を行ったところ、グルーブの媒体表面がランドの媒体表面に比べてグルーブ深さ分だけ光学ヘッドから遠いために、グルーブ上では、臨界角をこえるレーザー光線は全反射されやすくなって集光が悪くなり、その結果、グルーブの記録再生特性がランドの記録再生特性に比べて悪化してしまう。
【００１２】
本発明の目的は、連続記録試験で高い信頼性を示し、良好な記録再生特性が得られる近接場光記録に適した光記録媒体を提供することである。
【００１３】
また、本発明の他の目的は、ランド／グルーブ記録方式においても、充分な記録再生特性が得られる光記録媒体を提供することである。
【００１４】
【課題を解決するための手段】
本発明者らは上述のような現状に鑑み、鋭意検討を重ねた結果、ＳＩＬレンズ下面および媒体表面ではパワー密度が著しく高いため、レーザーを吸収する異物や欠陥が媒体表面あるいはＳＩＬレンズ下面の光路上にあれば異常に昇温し異物が発生すると考えて媒体構造について鋭意検討を重ね、記録層の上に屈折率ｎPがＮＡより大きい透明樹脂保護層を設け媒体表面でのレーザービームの直径を１．５μｍ以上とすることで、本発明を完成するに至った。
【００１５】
すなわち、本発明は、基板上に少なくとも記録層および屈折率ｎPがＮＡより大きい透明樹脂保護層を有し、表面に開口率ＮＡが１を超える光学ヘッドをレーザービームの波長λに対してλ／４以下の高さで浮上させながらレーザービームにより記録再生を行う表面再生型光記録媒体で、媒体表面でのレーザービームの直径が１．５μｍ以上３０μｍ以下であることを特徴とする表面再生型光記録媒体である。なお、本発明の光磁気記録媒体や相変化記録媒体では、上記記録層の上に屈折率がＮＡより０．４以上大きい誘電体層を設け、その上に上記透明樹脂保護層を設けることが好ましい。
【００１６】
また、本発明は、表面に開口率ＮＡが１を超える光学ヘッドをレーザービームの波長λに対してλ／４以下の高さで浮上させながらレーザービームにより記録再生を行う表面再生型光記録媒体で、基板上に少なくとも記録層および屈折率ｎPがＮＡより大きい透明樹脂保護層を有し、前記透明樹脂保護層に粒径０．０５μｍ以下の無機超微粒子が含まれていることを特徴とする表面再生型光記録媒体である。
【００１７】
また、本発明は、表面に開口率ＮＡが１を超える光学ヘッドをレーザービームの波長λに対してλ／４以下の高さで浮上させながらレーザービームにより記録再生を行う表面再生型光記録媒体で、基板上に少なくとも記録層、誘電体層および屈折率ｎPがＮＡより大きい透明樹脂保護層をこの順に積層した表面再生型光記録媒体で、前記誘電体層の屈折率ｎdが２．４以上であることを特徴とする表面再生型光記録媒体である。
【００１８】
さらに、本発明は、表面に開口率ＮＡが１を超える光学ヘッドをレーザービームの波長λに対してλ／４以下の高さで浮上させながらレーザービームにより記録再生を行う表面再生型光記録媒体で、基板表面にランドとグルーブとが存在し、基板上に少なくとも記録層および屈折率ｎPがＮＡより大きい透明樹脂保護層を有し、前記透明樹脂保護層表面でのランドとグルーブの段差がλ／３０以下であることを特徴とする表面再生型光記録媒体である。
【００１９】
以下、本発明を図面により説明する。
【００２０】
図１は、本発明の表面再生型光記録媒体の一実施態様で、ＳＩＬヘッド１６が浮上する状態の断面摸式図を示す。基板１１上に記録層１２、誘電体層１３、透明樹脂保護層１４が積層されている。対物レンズ（図示していない）からＳＩＬヘッド１６に入射したレーザービーム１７は、エアギャップ１５を通して媒体表面に達する。
【００２１】
ＳＩＬヘッド１６（開口率をＮＡ、屈折率をｎSILとする）の下面で臨界角（ｓｉｎ-1（１／ｎSIL））を超えるレーザー光線は、エアギャップ１５をおよそ波長の１／４以内に保つことにより近接場により媒体表面に達する。
【００２２】
媒体表面に達したレーザービーム１７は、透明樹脂保護層１４、誘電体層１３を通じて記録層１２に達し、焦点１８を結ぶ。本発明では、図３に示すように媒体表面でのレーザービーム１７の直径Ｌ２（図中３７）は、スネルの法則から、誘電体（屈折率ｎ2、膜厚ｄ2）と透明樹脂保護層（屈折率ｎ3、膜厚ｄ3）の界面でのレーザービーム１７の直径Ｌ１＝２ｄ2・ｔａｎ（ｓｉｎ-1（ＮＡ／ｎ2））を用いて、Ｌ２＝Ｌ１＋２ｄ3・ｔａｎ（ｓｉｎ-1（ＮＡ／ｎ3））と定義する。ここで、焦点１８ではレーザービーム１７の大きさは、概ねλ／ＮＡの値となり、深さ方向にも概ねλ／ＮＡ2程度の広がりがあると言われているが、本発明では、上記のように記録層上面に点状の焦点を持ち、媒体表面での誘電体、透明樹脂保護層、エアギャップ、ＳＩＬヘッドの構成により一義的に決まる幾何学的な大きさＬ２を、媒体表面でのレーザービームの直径とした。
【００２３】
λ／ＮＡ＜Ｌ２であれば、この値は、実質的な直径と一致すると考えてよい。
グルーブでλ／ＮＡの大きさまで集光するには媒体表面でのランドとグルーブの凹凸をλ／３０以下まで平坦にすることが好ましい。
【００２４】
なお、本発明で光学ヘッドとは、半球状のいわゆるＳＩＬの他に、超半球ＳＩＬ、反射ミラーを内蔵したＳＩＭ（Ｓｏｌｉｄ  Ｉｍｍｅｒｓｉｏｎ  Ｍｉｒｒｏｒ）などＳＩＬと同様に近接場を用いてＮＡが１より大きくなるように集光する形態のレンズを有する光学ヘッドである。
【００２５】
図２は、従来の表面再生型光記録媒体の一例で、ＳＩＬヘッドが浮上する状態の断面摸式図を示す。従来は、λ／ＮＡ＞Ｌ２であったためにレーザービームの焦点はＳＩＬヘッド下面の２７にあると同等と考えられ、λ／ＮＡのレーザービームが近接場により媒体表面から記録層２２に達しており、媒体表面でのレーザービームの直径は概ねλ／ＮＡとなった。
【００２６】
本発明の媒体では、誘電体層、透明樹脂保護層の屈折率、膜厚を調整することで媒体表面でのレーザービームの直径を１．５μｍ以上とすることが可能で、そのため媒体表面でのパワー密度が下がり、異物や欠陥などのレーザーパワーによる異常な昇温を防止することができる。
【００２７】
本発明の媒体に記録再生を行うシステムとしては、図８に示すように光学ヘッドの下面に６０μｍ以下の大きさで概ね円形あるいは長円形で中心が概ね光学ヘッドの中心と一致する凸部８８を有し、レーザービームの焦点が記録層８２とλ／ＮＡ2以下の距離にあり、保護層８４の膜厚による収差が対物レンズやＳＩＬレンズの形状などの光学系の修正により補正されていることが好ましい。
【００２８】
凸部８８を形成することで、光学ヘッドや媒体の傾きがあっても光学ヘッドの光路にあたる部分が媒体に接触する危険性が減る。このような光学ヘッドにより記録再生を行うためには、凸部８８にレーザー光を通すことが必要で、さらに、トラッキングのためにビームを凸部８８内で振ることが考えられる。そのためには、媒体表面でのレーザービームの直径は３０μｍ以下とすることが好ましい。
【００２９】
また、光磁気記録の場合は、上記光学ヘッドの下面の凸部の回りに磁界変調記録のためのコイル９１があることが好ましい。この場合、凸部８８の面積が狭いほどコイル９１を小さくできるため、高速変調が可能となり、記録密度や転送レートが向上する。
【００３０】
図４に本発明の光記録媒体の一実施態様の部分断面図を示す。基板４１上に反射層４２、記録層４３、誘電体層４４、透明樹脂保護層４５および液体潤滑層４６が積層されている。
【００３１】
基板４１としては、機械特性などの媒体基板としての特性を満たすものであれば特に限定されず、ガラス、ポリカーボネート、アモルファスポリオレフィン、エンジニアリングプラスチック等を用いることができる。
【００３２】
基板４１には、グルーブおよびランドを設けることができる。従来、グルーブは、光学ヘッドのトラッキングのためにのみ存在し、情報の記録再生は、記録領域であるランドで行われていたが、記録密度の高密度化の要求に伴って、このグルーブも情報の記録再生に関与するようになってきた。本発明の表面再生型光記録媒体では、上述のような従来と同様のランド記録方式の他に、グルーブに情報を記録するグルーブ記録方式やランドおよびグルーブの両方に情報を記録するランド／グルーブ記録方式にも適応可能である。
【００３３】
グルーブ記録方式の場合、ランドの幅より広いグルーブを形成した基板を用いればよく、ランド／グルーブ記録方式の場合、半値幅でランドとグルーブの比（ランド幅／グルーブ幅）が０．５〜１．５であることが好ましく、さらに好ましくは、０．８〜１．１である。
【００３４】
基板上のグルーブの深さｄGは、光学ヘッドからの光の波長をλ、透明樹脂保護層の屈折率をｎOCとしたとき、λ／（１４ｎOC）≦ｄG≦λ／（５ｎOC）であることが好ましい。ｄGがλ／（７ｎOC）〜λ／（５ｎOC）にあるときは、ランドとグルーブのクロストークを減らすことができ、λ／（１４ｎOC）〜λ／（７ｎOC）にあるときは、ランドとグルーブでの戻り光の位相が大幅に異なるため、位相を光学系内でランドとグルーブとを独立に調整することで、クロストークを減らすことができる。
【００３５】
また、ランドとグルーブとのピッチが、０．７λ／ＮＡ以上であればクロストークはあまり大きくならないため、トラッキング可能な限り、グルーブの深さを浅くして線記録密度を高くすることもできる。
【００３６】
反射層４２は、貴金属、Ｃｕ、Ａｌなどの使用レーザー波長で反射率の高い材料が用いられる。反射層は耐久性確保のためにこれらの金属の合金あるいはこれらの金属と他の金属との合金を用いても良い。また、記録層４３の膜厚が十分に厚い場合は反射層４２はなくてもよい。
【００３７】
記録層４３は、光磁気記録の場合、ＴｂＦｅＣｏ、ＴｂＤｙＦｅＣｏ、ＮｄＤｙＦｅＣｏなど垂直磁気異方性の大きなアモルファス希土類遷移金属膜や、Ｐｔ／Ｃｏなどの人工格子膜で構成される。記録層４３の膜厚は１０ｎｍ以上２００ｎｍ以下が好ましい。記録層が単層の場合、ＳＮＲを考慮すると、さらに好ましい記録層４３の膜厚は１５ｎｍ以上４０ｎｍ以下である。記録層４３は必ずしも単層膜である必要はなく、ＧｄＦｅＣｏなどの記録磁界感度を高める層との積層、あるいは磁気超解像の中間層、再生層との積層などでもよい。ここで記録層４３には耐食性を高めるためにＣｒ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｔａなどの耐食性元素を添加したり、短波長でのカー回転角を高めるために数原子％のＮｄなどを添加したものであってもよい。
【００３８】
また、相変化記録の場合、記録層４３はＧｅＳｂＴｅ、ＡｇＩｎＳｂＴｅなど結晶とアモルファスの状態間で光学定数が変化する材料で構成される。記録層４３の膜厚は１０ｎｍ以上４０ｎｍ以下が好ましい。
【００３９】
また、ライトワンス（追記型）の場合、記録層４３はシアニン、フタロシアニン、ナフタロシアニンなどの色素膜で構成され、これらはスピンコートなどで形成可能である。
【００４０】
光磁気記録や相変化記録の場合は、記録層４３上にＡｌＮ、ＳｉＮ、ＧｅＮ、Ｔａ2Ｏ5、ＺｎＳ−ＳｉＯ2などの透明な誘電体層４４を形成することが好ましい。誘電体層４４の膜厚は、記録されたマークからの信号出力が増大するような膜厚に設定され、およそ１０〜１０００ｎｍの範囲で設定されることが好ましい。誘電体層４４の屈折率は大きい方が多重反射による再生信号の増大効果が大きく、また、記録層４３との屈折率の差が少なくなるため光を記録層４３により導きやすくなるため高い出力が得られる。そのため、ＳＩＬヘッドのＮＡより０．４以上大きいことが好ましく、透明樹脂保護層の屈折率より０．３以上高いことがさらに好ましい。
【００４１】
多重反射による再生信号の増大効果を強めるためには誘電体層の膜厚を記録層に収束したレーザービームの深さ方向の広がりλ／ＮＡ2未満とすることがさらに好ましい。
【００４２】
また、誘電体層の中での光の進行方向が膜面に垂直に近いほど多重反射による再生信号の増大効果が大きく、透明樹脂保護層の屈折率が、１．３〜１．９程度であることを考慮すると誘電体層の屈折率ｎdを２．４以上にすることが好ましい。
【００４３】
このような誘電体層の材料としては、（１）ＺｎＳ、Ｎｂ2Ｏ5、ＴｉＯ2の中から選ばれた一種以上の物質、（２）（ＭＡ）1（ＭＢ）2Ｏ6で表わされる組成の物質で、 ＭＡはＭｇ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｂａの中から選ばれた一種以上の物質で、 ＭＢはＶ、Ｎｂ、Ｔａの中から選ばれた一種以上の物質で構成された複酸化物、（３）ペロブスカイト化合物等が好ましい。なお、（ＭＡ）1（ＭＢ）2Ｏ6で表わされる組成の物質は、ＭＡ：ＭＢ：Ｏ＝１：ｘ：ｙ（原子比）としたとき、ｘ、ｙは必ずしも厳密にｘ＝２、ｙ＝６でなくても良く、概ね（ＭＡ）1（ＭＢ）2Ｏ6で表わされる組成の物質であれば良い。また、ペロブスカイト化合物の場合は、必ずしもペロブスカイト化合物のみで構成される必要はなく、ペロブスカイト化合物を重量比で８０％以上含有する材料であれば良い。
【００４４】
透明樹脂保護層４５は、ポリ塩化ビニリデン、ポリクロロスチレン、ポリ安息香酸ビニル、ポリアクリル酸エステル、ポリ酢酸ビニル、ポリジメチルシロキサン、ポリフッ化エチレンなどの透明なポリマーあるいはこれらのコポリマーなどで構成される。これらのポリマーは、各々の材料のモノマーに光重合開始剤やレベリング剤、熱安定剤、その他硬度、粘度などを調整する材料を添加し、スピンコートなどで塗布した後紫外線照射により重合して形成、あるいはポリマーを溶剤で溶かした液をスピンコートして形成、あるいはポリマーシートを接着剤で張り付けて形成することができる。
【００４５】
これらの材料の中でもアクリル酸エステル誘導体を光重合してなるポリアクリル酸エステルを主体とした材料は硬さ、光重合の速度などの点から特に好ましい。ここでモノマーの官能基の数が多いほど光重合で得られる透明樹脂保護層の硬さが増すが、もろくなることなどを考慮しながら、以下に列記する単官能、２官能、３官能のアクリル酸エステル誘導体の単独あるいは混合物を主成分として用いることが好ましい。
【００４６】
単官能（メタ）アクリル酸エステル誘導体としては、テトラヒドロフルフリルアクリレート、テトラヒドロフルフリルメタクリレート、２−アクリロイロキシエチル−２−ヒドロキシプロピルフタレート、２−メタクリロイロキシエチル−２−ヒドロキシプロピルフタレート、フェノキシエチルアクリレート、フェノキシエチルメタクリレートなどを例示することができる。
【００４７】
２官能（メタ）アクリル酸エステル誘導体としては、エチレングリコールジアクリレート、エチレングリコールジメタクリレート、１，３−プロパンジオールジアクリレート、１，３−プロパンジオールジメタクリレート、１，４−ブタンジオールジアクリレート、１，４−ブタンジオールジメタクリレート、１，５−ペンタンジオールジオールジアクリレート、１，５−ペンタンジオールジオールジメタクリレート、１，６−ヘキサンジオールジアクリレート、１，６−ヘキサンジオールジメタクリレート、１，７−ヘプタンジオールジアクリレート、１，７−ヘプタンジオールジメタクリレート、１，８−オクタンジオールジアクリレート、１，８−オクタンジオールジメタクリレート、１，９−ノナンジオールジアクリレート、１，９−ノナンジオールジメタクリレート、１，１０−デカンジオールジアクリレート、１，１０−デカンジオールジメタクリレート、平均分子量２００〜６００ノポリエチレングリコールから誘導されるジアクリレートまたはジメタクリレート、ビス（ヒドロキシメチル）−トリシクロ［５．２．１．０２，６］デカンジアクリレート、ビス（ヒドロキシメチル）−トリシクロ［５．２．１．０２，６］デカンジメタクリレート、ビスフェノールＡのエチレンオシド付加物ジアクリレート、ビスフェノールＡのエチレンオキシド付加物ジメタクリレート等を例示できる。
【００４８】
３官能以上の（メタ）アクリル酸エステル誘導体としては、ペンタエリスリトールトリアクリレート、ペンタエリスリトールトリメタクリレート、トリメチロールプロパントリアクリレート、トリメチロールプロパントリメタクリレート、ビス（ヒドロキシメチル）−トリシクロ［５．２．１．０２，６］デカントリアクリレート、ビス（ヒドロキシメチル）−トリシクロ［５．２．１．０２，６］デカントリメタクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサアクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサメタクリレート等を例示できる。
【００４９】
光学ヘッドが安定して浮上するためには、透明樹脂保護層４５の表面は硬いほうが好ましく、鉛筆硬度でＨＢ以上であることが好ましい。透明樹脂保護層４５の屈折率は、低いほうがビームが大きくなりやすいが、低すぎると高角から入射する光が透明樹脂保護層の内部に到達しなくなるので、ＮＡ以上でＮＡ＋０．４未満であることが好ましい。
【００５０】
透明樹脂保護層の硬度を増すために、上記保護層の透明樹脂には無機超微粒子が含まれていることが好ましい。例えば、二酸化珪素や酸化アルミニウムのナノメートルサイズの粉末やゾルゲル材料を上記紫外線で硬化する樹脂材料に添加して用いることができる。光学的な散乱を防ぐため、無機超微粒子の材料は、屈折率を樹脂にできるだけ近くするか、粒径を０．０５μｍ以下とし、さらに分散性を高めることが好ましい。
【００５１】
上記無機超微粒子がＩＴＯ、ＳｎＯ2：Ｓｂのような透明導電微粒子であれば、静電気による異物の吸着を抑えることが可能である。
【００５２】
また、上記無機超微粒子が酸化アルミニウム、窒化アルミニウム、窒化ホウ素、炭化珪素、酸化ベリリウムまたはダイヤモンドであれば、透明樹脂保護層の放熱性が高まり、異物や欠陥などのレーザーパワーによる異常な昇温を抑制することができる。
【００５３】
透明樹脂保護層４５の膜厚は、λ／ＮＡ2以上で媒体表面でのレーザービームの直径が１．５μｍ以上３０μｍ以内となる範囲で設定されることが好ましい。透明樹脂保護層４５の膜厚をλ／ＮＡ2以上とすることで光ビームの透明樹脂保護層４５内での干渉を低減できる。
【００５４】
また、この透明樹脂保護層４５を設けることにより、基板上のランドおよびグルーブに起因する光記録媒体表面の凹凸が概ねならされ、ランドおよびグルーブの媒体表面と光学ヘッド下面との距離がほぼ一定となる。ここで、記録領域の透明樹脂保護層の膜厚むらをΔｔとしたとき、Δｔ≦λ／ＮＡ2とすれば、膜厚分布が焦点深度の範囲内となり、浮上高さをスライダーの形状工夫により正確に制御し、媒体の浮上性を良好なものとすることで複雑なフォーカスサーボ機構なしにドライブを構成することが可能となるので好ましい。ここで、膜厚むらとは、記録領域内の膜厚の最大値と最小値との差を意味する。
【００５５】
液体潤滑層４６は、パーフロロエーテルやシリコンオイルなどの潤滑剤で構成され、浮上ヘッドを設けたシステムで懸念されるヘッドと媒体の瞬間的な接触に対応できる。液体潤滑層４６の膜厚は０．２ｎｍ〜５ｎｍが好ましい。
【００５６】
また、本発明の光記録媒体の表面が、透明樹脂保護層４５あるいは後述する整合層が樹脂層により形成されている場合、この樹脂層にフッ素系潤滑剤、またはフッ素系界面活性剤を含ませることによって、媒体表面に潤滑性をもたせてもよい。
【００５７】
記録層４３で概ねλ／ＮＡの大きさにレーザービームを集光させるためには、高角入射光が途中で反射することなく記録層４３に到達することが好ましい。ここで高角入射光とはＮＡ＞１となる角度で入射する光であり、戻り光の瞳面をＣＣＤカメラなどで観察したとき外側の部分であるが、内側部分の明るさと同等レベルであることが好ましい。誘電体層４４の膜厚がλ／ＮＡ2未満で、透明樹脂保護層４５の膜厚はλ／ＮＡ2以上であれば、誘電体層４４と透明樹脂保護層４５の反射と透明樹脂保護層４５とエアギャップでの反射についていずれも小さくすることが好ましい。
【００５８】
誘電体層４４と透明樹脂保護層４５が、図４のように各々単層の場合、このような条件を満たすためには、光学膜厚でそれぞれ概ね（２ｍ＋１）λ／４、ｎλ／２程度であることが好ましい。ただし、ｍとｎは０以上の整数である。ここで、透明樹脂保護層４５の膜厚がλ／ＮＡ2より十分厚ければ透明樹脂保護層の上下の光学干渉は少なくなるため透明樹脂保護層の膜厚は必ずしもこの条件を満たす必要はないが、透明樹脂保護層の上下の光学干渉が無視できるようになると、後述のように透明樹脂保護層とエアギャップの界面での反射を減らすように整合層を透明樹脂保護層の上に付加することが好ましい。
【００５９】
また、記録層４３と反射層４２の間にＡｌＮ、ＳｉＮ、ＧｅＮ、Ｔａ2Ｏ5、ＺｎＳ−ＳｉＯ2等などで構成された下部誘電体層を設けることによって透明樹脂保護層と誘電体層の界面の反射防止効果が高まる。
【００６０】
また、誘電体層の屈折率を媒体表面に向かって段階的あるいは連続的に下げることによってさらに低反射となるようにできるので好ましい。誘電体層の屈折率は波長や製造条件によって異なるが、例えばＳｉＯＮで１．５〜１．９、ＡｌＮで２．０、ＳｉＮで２〜２．１、ＺｎＳ−ＳｉＯ2で２．２程度の値が得られ、これらを２層以上あるいは同時スパッタ法で成膜速度を連続的に変化することなどで高角入射光に対して良好な低反射条件を満たす媒体が得られる。段階の最小単位としては、λ／４程度が好ましいが、適当な屈折率の材料がない場合は、λ／４より薄く、屈折率が異なる層の積層によって代用することが可能である。
【００６１】
上述の半球ＳＩＬ、超半球ＳＩＬ、ＳＩＭなどはいずれも屈折率が１．７以上の高屈折率ガラスを用いて作ることが好ましいが、透明樹脂保護層との屈折率の差が生じるため、エアギャップを零にしても反射が起きやすい。また、誘電体層からの反射光が透明樹脂保護層内で可干渉距離を超えて戻る場合は、誘電体層の膜厚や屈折率勾配などの調整を行っても媒体表面からの反射は押さえ切れない。従って、透明樹脂保護層の上にレーザー光に対して光学的な整合をとるための整合層を設けることにより媒体表面での反射を抑制することが好ましい。
【００６２】
このような整合層の条件としては、整合層の屈折率がＮＡ以上であり、整合層の最上層から透明樹脂保護層側に向かって屈折率が段階的あるいは連続的に上がることが好ましい。また、整合層の屈折率がＮＡ以上であり、整合層の最上層から透明樹脂保護層側に向かって、屈折率を段階的あるいは連続的に上げた後、再び段階的あるいは連続的に下げることにより、更に反射率が低下するため好ましい。この際、整合層の屈折率がＮＡ以上の範囲で、整合層と透明樹脂保護層との接する部分の屈折率を透明樹脂保護層の屈折率より下げてもよい。また、反射率をより低減させるために、このような屈折率の上下の変化をさらに繰り返してもよい。段階の最小単位としては、λ／４程度が好ましいが、適当な屈折率の材料がない場合は、λ／４より薄く、屈折率が異なる層の積層によって代用することが可能である。
【００６３】
整合層は、ＳｉＯ2、ＳｉＯＮ、ＡｌＮ、ＳｉＮ、ＧｅＮ、Ｔａ2Ｏ5、ＺｎＳ−ＳｉＯ2などの種々の屈折率の誘電体あるいはこれらの積層で構成される。
【００６４】
整合層の一部または全部を透明な樹脂で構成することもできる。例えば屈折率としては、ポリ塩化ビニリデンで１．６３、ポリクロロスチレンで１．６１、ポリ安息香酸ビニルで１．５７、ポリメタクリル酸メチルで１．４９、ポリ酢酸ビニルで１．４７、ポリジメチルシロキサンで１．４０、ポリフッ化エチレンで１．３５程度の値をもつ、これらあるいはこれらのコポリマーを２層以上に組み合わせることで高角入射光に対して良好な低反射条件を満たす媒体が得られる。
【００６５】
上記整合層の透明樹脂の硬度を増すために、透明樹脂に粒径０．０５μｍ以下の無機超微粒子が含まれていることが好ましい。
【００６６】
このような高角の低反射条件を得るためには、透明樹脂保護層の膜厚分布は最適条件から±４０ｎｍ以下の範囲とすることが好ましいが、整合層を形成し、さらに誘電体層と透明樹脂保護層の界面の反射が十分小さくなるように層構造、屈折率が調整されていれば、透明樹脂保護層の膜厚の許容値はさらに広くなる。
【００６７】
媒体で集光されたレーザービームは、偏光方向の方が、偏光に垂直な方向に比べてわずかに大きくなりやすい。本発明の表面再生型光記録媒体の再生方法として、レーザービームの偏光面をグルーブに対して垂直とすることで、線記録密度を良好とし、さらにトラック密度に関しては本発明のランド／グルーブ記録で高めることが可能である。
【００６８】
また、戻り光の位相がランドとグルーブ別々に調整可能となった光学システムにより、ランドとグルーブで独立に位相調整すれば、クロストークが小さく、ＳＮＲが高い良好な再生が可能となる。この場合、先に述べたようにグルーブ深さについて、λ／（１４ｎOC）≦ｄG≦λ／（７ｎOC）を満たすことが好ましい。
【００６９】
【実施例】
以下、本発明を適用した具体的な実施の形態について説明する。各実施例および比較例で以下のような表面再生型光記録媒体を製造し、レーザー波長λ＝６８５ｎｍ、ＮＡ＝１．３、屈折率が２．０のＳＩＬヘッドを浮上させて評価した。
ここでλ／ＮＡ2＝４０５ｎｍであった。なお、以下の実施例および比較例における膜厚は、ＳＩＬヘッドにより測定を行った光記録媒体の記録領域の半径方向における中央付近における膜厚を示す。
【００７０】
（実施例１）
図４に示すような構造の表面再生型光記録媒体を製造した。トラックピッチ０．４μｍの案内溝（グルーブ）の付いたポリカーボネート製の基板４１上にＡｇ98Ｐｄ1Ｔｉ1からなる反射層４２をＤＣスパッタ法で４０ｎｍの膜厚に形成した。この上にＴｂＦｅＣｏからなる記録層４３をＤＣスパッタ法で２０ｎｍの膜厚に形成した。この上に、屈折率２．１のＳｉＮからなる誘電体層４４をＡｒとＮ2の混合雰囲気中でＳｉターゲットを使用した反応性ＤＣスパッタ法で２３０ｎｍの膜厚に形成した。
【００７１】
この上に、テトラヒドロフルフリルアクリレート、１，６−ヘキサンジオールジアクリレート、ペンタエリスリトールトリアクリレートの重量比を１：１：４としたアクリル酸エステル誘導体の混合物を主体として光重合開始剤、レベリング剤などを添加した紫外線硬化樹脂モノマーをスピンコート法で塗布し、紫外線照射により重合させることで屈折率１．５の透明樹脂保護層を形成した。
【００７２】
この上に、パーフルオロポリエーテル系液体潤滑層４６を引き上げ法で２ｎｍ塗布して表面再生型光記録媒体を製造した。ここで、透明樹脂保護層４５の膜厚は、４８０、６００および９４０ｎｍの３種類で媒体を製造した。
【００７３】
これらの媒体では記録再生のレーザー波長λ＝６８５ｎｍに対して、誘電体層の光学膜厚（実際の膜厚×屈折率）は、０．７１λ、透明樹脂保護層の光学膜厚は、膜厚４８０、６００、９４０ｎｍについて各々１．０５λ、１．３１λ、２．０６λであった。また、媒体表面でのレーザービームの直径は透明樹脂保護層の膜厚４８０、６００、９４０ｎｍについて各々２．０、２．４、３．６μｍであった。
【００７４】
（比較例１）
透明樹脂保護層４５の代りに、屈折率２．０のダイヤモンドライクカーボン（ＤＬＣ）からなる固体潤滑層をＡｒとＨ2の混合雰囲気中でＣターゲットを使用した反応性ＲＦスパッタ法で２０ｎｍの膜厚に形成した他は実施例１と同じ方法で表面再生型光記録媒体を製造した。この媒体の媒体表面でのレーザービームの直径は０．４０μｍであった。
【００７５】
（比較例２）
透明樹脂保護層４５の膜厚を、２５０ｎｍとした他は実施例１と同じ方法で表面再生型光記録媒体を製造した。この媒体の透明樹脂保護層の光学膜厚は、０．５５λ、媒体表面でのレーザービームの直径は１．２μｍであった。
【００７６】
（実施例２）
図５に示すような構造の表面再生型光記録媒体を製造した。本実施例においては、誘電体層の屈折率を媒体表面に向かって段階的に下げる構造とした。
【００７７】
トラックピッチ０．４μｍの案内溝の付いたポリカーボネート製の基板５１上にＡｇ98Ｐｄ1Ｔｉ1からなる反射層５２をＤＣスパッタ法で４０ｎｍの膜厚に形成した。この上にＴｂＦｅＣｏからなる記録層５３をＤＣスパッタ法で２０ｎｍの膜厚に形成した。この上に、屈折率２．１のＳｉＮからなる第１誘電体層５４をＡｒとＮ2の混合雰囲気中でＳｉターゲットを使用した反応性ＤＣスパッタ法で７５ｎｍの膜厚に形成した。この上に屈折率１．８のＳｉＯＮからなる第２誘電体層５５をＡｒと微量のＮ2の混合雰囲気中でＳｉＯＮターゲットを使用したＲＦスパッタ法で１７５ｎｍの膜厚に形成した。
【００７８】
この上に実施例１で使用したのと同様な紫外線硬化樹脂モノマーに、パーフルオロポリエーテルを０．１ｗｔ％添加したコート剤をスピンコート法で塗布し、紫外線照射により重合させることで屈折率１．５の透明樹脂保護層５６を形成して表面再生型光磁気記録媒体を製造した。
【００７９】
ここで、透明樹脂保護層４５の膜厚は、４８０、９４０ｎｍの２種類で媒体を製造した。これらの媒体では記録再生のレーザー波長λ＝６８５ｎｍに対して、第１誘電体層と第２誘電体層を合わせた光学膜厚は０．６９λ、透明樹脂保護層の光学膜厚は、膜厚４８０、９４０ｎｍについて各々１．０５λ、２．０６λであった。また、媒体表面でのレーザービームの直径は透明樹脂保護層の膜厚４８０、９８０ｎｍについて各々２．２、３．８μｍである。
【００８０】
（実施例３）
図６に示すような構造の表面再生型光記録媒体を製造した。本実施例においては、整合層の屈折率を媒体表面から透明樹脂保護層側に向かって段階的に上げる構造とした。
【００８１】
トラックピッチ０．４μｍの案内溝の付いたポリカーボネート製の基板６１上にＡｇ98Ｐｄ1Ｔｉ1からなる反射層６２をＤＣスパッタ法で４０ｎｍの膜厚に形成した。この上にＴｂＦｅＣｏからなる記録層６３をＤＣスパッタ法で２０ｎｍの膜厚に形成した。この上に、屈折率２．１のＳｉＮからなる誘電体層６４をＡｒとＮ2の混合雰囲気中でＳｉターゲットを使用した反応性ＤＣスパッタ法で２３０ｎｍの膜厚に形成した。この上に実施例１で使用したのと同様な紫外線硬化樹脂モノマーからなるコート剤をスピンコート法で塗布し、紫外線照射により重合させることで屈折率１．５０のポリメタクリル酸メチルを主体とした透明樹脂保護層６５を６６０ｎｍの膜厚に形成した。その上に同様の方法で屈折率１．６１のポリクロロスチレンを主体とした第１整合層６６を１１０ｎｍの膜厚に形成し、その上に屈折率１．４５の、フッ素系界面活性剤を０．１ｗｔ％含みメタクリル酸メチルとポリジメチルシロキサンを主体とした第２整合層６７を１７０ｎｍの膜厚に形成して表面再生型光記録媒体を製造した。
【００８２】
この媒体で、誘電体層の光学膜厚は０．７１λ、透明樹脂保護層の光学膜厚は１．４５λ、第１と第２整合層の合計の光学膜厚は０．６２λ、媒体表面でのレーザービームの直径は３．６μｍであった。
【００８３】
（実施例４）
図７に示すような構造の表面再生型光記録媒体を製造した。トラックピッチ０．４μｍの案内溝の付いたポリカーボネート製の基板７１上にＡｇ98Ｐｄ1Ｔｉ1からなる反射層７２をＤＣスパッタ法で４０ｎｍの膜厚に形成した。この上に、屈折率２．０のＳｉＡｌＮからなる下部誘電体層７３をＡｒとＮ2の混合雰囲気中でＳｉＡｌターゲットを使用した反応性ＤＣスパッタ法で４０ｎｍの膜厚に形成した。この上にＴｂＦｅＣｏからなる記録層７４をＤＣスパッタ法で２０ｎｍの膜厚に形成した。この上に、屈折率２．１のＳｉＮからなる第１誘電体層７５をＡｒとＮ2の混合雰囲気中でＳｉターゲットを使用した反応性ＤＣスパッタ法で６５ｎｍの膜厚に形成した。
【００８４】
この上に屈折率１．８のＳｉＯＮからなる第２誘電体層７６をＡｒと微量のＮ2の混合雰囲気中でＳｉＯＮターゲットを使用したＲＦスパッタ法で１９０ｎｍの膜厚に形成した。この上に実施例１で使用したのと同様な紫外線硬化樹脂モノマーからなるコート剤をスピンコート法で塗布し、紫外線照射により重合させることで屈折率１．５のポリメタクリル酸メチルを主体とした透明樹脂保護層７７を形成した。ここで、透明樹脂保護層７７の膜厚は、６００、７５０、９００、１０５０、１２００ｎｍの５種類を製造した。
【００８５】
透明樹脂保護層７７の上に、屈折率２．１のＳｉＮからなる第１整合層７８をＡｒとＮ2の混合雰囲気中でＳｉターゲットを使用した反応性ＤＣスパッタ法で８０ｎｍの膜厚に形成した。その上に屈折率１．４５のＳｉＯ2からなる第２整合層７９をＳｉＯ2ターゲットを使用したＲＦスパッタ法で１６５ｎｍの膜厚に形成した。この上に、パーフルオロポリエーテル系液体潤滑層８０を引き上げ法で２ｎｍ塗布して表面再生型光記録媒体を製造した。
【００８６】
これらの媒体では記録再生のレーザー波長λ＝６８５ｎｍに対して、第１〜第２誘電体層を合わせた光学膜厚は０．７０λ、透明樹脂保護層７７の光学膜厚は、膜厚６００、７５０、９００、１０５０、１２００ｎｍについて各々１．３１、１．６４、１．９７、２．３０、２．６３λ、第１〜第２整合層を合計した光学膜厚は０．５９λである。また、媒体表面でのレーザービームの直径は透明樹脂保護層の膜厚６００、７５０、９００、１０５０、１２００ｎｍについて各々３．４、３．９、４．４、４．９、５．５μｍであった。
【００８７】
実施例１〜４及び比較例１〜２の表面再生型光記録媒体について、線速度１０ｍ／ｓで媒体を回転させて、薄膜面上にレーザー波長６８５ｎｍ、有効開口数１．３のスライダーＳＩＬヘッドを７０ｎｍの高さに浮上させ各々の媒体に対して手動で最適の位置に焦点合わせを行った後、レーザーを周波数８４ＭＨｚでパルス的に照射して主記録層をキュリー温度以上に暖めながら、ＳＩＬヘッド上のコイル磁界を２１ＭＨｚで変調させることでマーク長０．２４μｍの２Ｔ信号を記録した。ここで、磁界の変調幅は±１３０Ｏｅとした。
【００８８】
記録後にレーザーパワー１ｍＷで再生しながら、分解能バンド幅３０ｋＨｚで２１ＭＨｚでのキャリアとノイズを測定し、このキャリアとノイズの比をＣＮＲとした。また、高角入射光の反射の状態を見るために瞳面上にＣＣＤカメラを設置して反射光量を低角入射光と比較した。
【００８９】
【表１】
0004631212.tif 000002
浮上性については、いずれの媒体も良好で、透明樹脂保護層を設けた実施例１〜４および比較例２と透明樹脂保護層の代りに薄い固体潤滑層とした比較例１で特に差は認められなかった。表１に記録再生特性の測定結果を示す。高角入射光の反射状態に関しては、実施例１で透明樹脂保護層膜厚が６００ｎｍ以外の場合は良好で、特に実施例２のように誘電体層を屈折率の異なる２層以上にしたり、実施例３、４のように透明樹脂保護層の上に整合層を設けることによりさらに良好になる。ＣＮＲについては、比較例１、２のように透明樹脂保護層の膜厚が薄いほうが、実施例１より良好ではあるが、実施例２〜４のように誘電体層を屈折率の異なる２層以上にしたり、透明樹脂保護層の上に整合層を設けることにより比較例１と同等以上の良好な特性が得られた。
【００９０】
次に最適記録パワーで５万トラックの連続記録を各試料２０回試み、トラッキングがはずれることなく連続試験が完了できた回数を記録した。
【００９１】
連続記録に関してはレーザービームの直径が１．５μｍ以上であれば２０回の試験を最後まで続けることができた。
【００９２】
次に、実施例４で透明樹脂保護層の膜厚が９００ｎｍの媒体に焦点を固定して、透明樹脂保護層の膜厚が６００、７５０、９００、１０５０、１２００ｎｍの媒体のＣＮＲを測定した。表２に結果を示す。
【００９３】
この結果により、記録領域での透明樹脂保護層の膜厚の最大と最小との差（膜厚むら）をλ／ＮＡ2以内とすることにより、フォーカスサーボなしで記録再生が可能であることが確認された。なお、実施例４の光記録媒体は、いずれもこの条件を満たしていた。
【００９４】
【表２】
0004631212.tif 000003
（実施例５）
図４に示すような構造の近接場記録用の表面再生型光媒体を製造した。ランドとグルーブの幅の比が１：１、グルーブ深さ５０ｎｍ、トラックピッチ０．３３μｍ（ランドとグルーブ間のピッチ）のポリカーボネート製の基板４１上にＡｇ98Ｐｄ1Ｔｉ1からなる反射層４２をＤＣスパッタ法で４０ｎｍの膜厚に形成した。この上にＴｂＦｅＣｏからなる記録層４３をＤＣスパッタ法で２０ｎｍの膜厚に形成した。この上に、屈折率２．１のＳｉＮからなる誘電体層４４をＡｒとＮ2の混合雰囲気中でＳｉターゲットを使用した反応性ＤＣスパッタ法で２３０ｎｍの膜厚に形成した。この上に実施例１で使用したのと同様な紫外線硬化樹脂モノマーからなるコート剤をスピンコート法で塗布し、紫外線照射により重合させることで屈折率ｎOC＝１．５で膜厚が４８０ｎｍの透明樹脂保護層４５を形成した。この上に、パーフルオロポリエーテル系液体潤滑層４６を引き上げ法で２ｎｍ塗布して表面再生型光記録媒体を製造した。
【００９５】
これらの媒体では、記録再生のレーザー波長λ＝６８５ｎｍに対して、誘電体層の光学膜厚は０．７１λ、透明樹脂保護層の光学膜厚は、１．０５λであった。また、基板上でグルーブの深さはλ／（９ｎOC）であった。この媒体の媒体表面での基板のランドとグルーブによる段差はＡＦＭによる測定で２０ｎｍ以下であった。また、媒体表面でのレーザービームの直径は２．０μｍであった。
【００９６】
（比較例３）
透明樹脂保護層４５の代りに、屈折率２．０のダイヤモンドライクカーボン（ＤＬＣ）からなる固体潤滑層をＡｒとＨ2の混合雰囲気中でＣターゲットを使用した反応性ＲＦスパッタ法で２０ｎｍの膜厚に形成した他は、実施例５と同じ方法で表面再生型光媒体を製造した。
【００９７】
この媒体の媒体表面での基板のランドとグルーブによる段差はＡＦＭによる測定で５０ｎｍであった。この媒体の媒体表面でのレーザービームの直径は０．４０μｍであった。
【００９８】
（実施例６）
図９に示すような構造の近接場光記録用の表面再生型光記録媒体を製造した。
ランドとグルーブの幅の比が１：１、グルーブ深さ５０ｎｍ、トラックピッチ０．３３μｍ（ランドとグルーブ間のピッチ）のポリカーボネート製の基板１０１上にＡｇ98Ｐｄ1Ｔｉ1からなる反射層１０２をＤＣスパッタ法で４０ｎｍの膜厚に形成した。この上にＴｂＦｅＣｏからなる記録層１０３をＤＣスパッタ法で２０ｎｍの膜厚に形成した。この上に、屈折率２．１のＳｉＮからなる第１誘電体層１０４をＡｒとＮ2の混合雰囲気中でＳｉターゲットを使用した反応性ＤＣスパッタ法で７５ｎｍの膜厚に形成した。この上に屈折率１．８のＳｉＯＮからなる第２誘電体層１０５をＡｒと微量のＮ2の混合雰囲気中でＳｉＯＮターゲットを使用したＲＦスパッタ法で１７５ｎｍの膜厚に形成した。この上に実施例１で使用したのと同様な紫外線硬化樹脂モノマーからなるコート剤をスピンコート法で塗布し、紫外線照射により重合させることで屈折率１．５で膜厚が４８０ｎｍの透明樹脂保護層１０６を形成した。この上に、パーフルオロポリエーテル系液体潤滑層１０７を引き上げ法で２ｎｍ塗布して表面再生型光記録媒体を製造した。
【００９９】
これらの媒体では、記録再生のレーザー波長λ＝６８５ｎｍに対して、第１誘電体層と第２誘電体層を合わせた光学膜厚は０．６９λ、透明樹脂保護層の光学膜厚は、１．０５λであった。また、基板上でグルーブの深さはλ／（９ｎOC）であった。この媒体の媒体表面での基板のランドとグルーブによる段差はＡＦＭによる測定で２０ｎｍ以下であった。また、媒体表面でのレーザービームの直径は２．２μｍであった。
【０１００】
（実施例７）
図１０に示すような構造の近接場光記録用の表面再生型光記録媒体を製造した。ランドとグルーブの幅の比が１：１、グルーブ深さ５０ｎｍ、トラックピッチ０．３３μｍ（ランドとグルーブ間のピッチ）のポリカーボネート製の基板１１１上にＡｇ98Ｐｄ1Ｔｉ1からなる反射層１１２をＤＣスパッタ法で４０ｎｍの膜厚に形成した。この上にＴｂＦｅＣｏからなる記録層１１３をＤＣスパッタ法で２０ｎｍの膜厚に形成した。この上に、屈折率２．１のＳｉＮからなる誘電体層１１４をＡｒとＮ2の混合雰囲気中でＳｉターゲットを使用した反応性ＤＣスパッタ法で２３０ｎｍの膜厚に形成した。この上に実施例１で使用したのと同様な紫外線硬化樹脂モノマーからなるコート剤をスピンコート法で塗布し、紫外線照射により重合させることで屈折率１．５０のポリメタクリル酸メチルを主体とした透明樹脂保護層１１５を６６０ｎｍの膜厚に形成した。その上に同様の方法で屈折率１．６１のポリクロロスチレンを主体とした第１整合層１１６を１１０ｎｍの膜厚に形成し、その上に屈折率１．４５の、フッ素系界面活性剤を０．１ｗｔ％含みメタクリル酸メチルとポリジメチルシロキサンを主体とした第２整合層１１７を１７０ｎｍの膜厚に形成した。この上に、パーフルオロポリエーテル系液体潤滑層１１８を引き上げ法で２ｎｍ塗布して表面再生型光記録媒体を製造した。
【０１０１】
この媒体で、誘電体層の光学膜厚は０．７１λ、透明樹脂保護層の光学膜厚は１．４５λ、第１と第２整合層の合計の光学膜厚は０．６２λであった。また、基板上でグルーブの深さはλ／（９ｎOC）であった。この媒体の媒体表面での基板のランドとグルーブによる段差はＡＦＭによる測定で２０ｎｍ以下であった。
媒体表面でのレーザービームの直径は３．６μｍであった。
【０１０２】
（実施例８）
図７に示すような構造の近接場光記録用の表面再生型光記録媒体を製造した。
ランドとグルーブの幅の比が１：１、グルーブ深さ５０ｎｍ、トラックピッチ０．３３μｍ（ランドとグルーブ間のピッチ）のポリカーボネート製の基板７１上にＡｇ98Ｐｄ1Ｔｉ1からなる反射層７２をＤＣスパッタ法で４０ｎｍの膜厚に形成した。この上に、屈折率２．０のＳｉＡｌＮからなる下部誘電体層７３をＡｒとＮ2の混合雰囲気中でＳｉＡｌターゲットを使用した反応性ＤＣスパッタ法で４０ｎｍの膜厚に形成した。この上にＴｂＦｅＣｏからなる記録層７４をＤＣスパッタ法で２０ｎｍの膜厚に形成した。この上に、屈折率２．１のＳｉＮからなる第１誘電体層７５をＡｒとＮ2の混合雰囲気中でＳｉターゲットを使用した反応性ＤＣスパッタ法で６５ｎｍの膜厚に形成した。この上に屈折率１．８のＳｉＯＮからなる第２誘電体層７６をＡｒと微量のＮ2の混合雰囲気中でＳｉＯＮターゲットを使用したＲＦスパッタ法で１９０ｎｍの膜厚に形成した。この上に実施例１で使用したのと同様な紫外線硬化樹脂モノマーからなるコート剤をスピンコート法で塗布し、紫外線照射により重合させることで屈折率１．５で膜厚が６００、７５０、９００、１０５０、１２００ｎｍの５種類の透明樹脂保護層７７を形成した。透明樹脂保護層７７の上に、屈折率２．１のＳｉＮからなる第１整合層７８をＡｒとＮ2の混合雰囲気中でＳｉターゲットを使用した反応性ＤＣスパッタ法で８０ｎｍの膜厚に形成した。その上に屈折率１．４５のＳｉＯ2からなる第２整合層７９をＳｉＯ2ターゲットを使用したＲＦスパッタ法で１６５ｎｍの膜厚に形成した。この上に、パーフルオロポリエーテル系液体潤滑層８０を引き上げ法で２ｎｍ塗布して表面再生型光記録媒体を製造した。
【０１０３】
これらの媒体では、記録再生のレーザー波長λ＝６８５ｎｍに対して、第１〜第２誘電体層を合わせた光学膜厚は０．７０λ、第１〜第２整合層を合計した光学膜厚は０．５９λであった。また、基板上でグルーブの深さはλ／（９ｎOC）であった。
【０１０４】
透明樹脂保護層７７の光学膜厚は、膜厚６００、７５０、９００、１０５０、１２００ｎｍについて、各々、１．３１、１．６４、１．９７、２．３０、２．６３λであり、媒体表面でのレーザービームの直径は、各々、３．４、３．９、４．４、４．９、５．５μｍであった。また、この媒体の媒体表面での基板のランドとグルーブによる段差はＡＦＭによる測定で２０ｎｍ以下であった。
【０１０５】
（実施例９）
ポリカーボネート製の基板７１をランドとグルーブの幅の比が１：１、グルーブ深さ７５ｎｍ、トラックピッチ０．３３μｍ（ランドとグルーブ間のピッチ）の基板とした他は、実施例８と同様の表面再生型光記録媒体を製造した。基板上でグルーブの深さはλ／（６ｎOC）であった。この媒体の媒体表面での基板のランドとグルーブによる段差はＡＦＭによる測定で２０ｎｍ以下であった。但し、透明樹脂保護層の膜厚は９００ｎｍとした。
【０１０６】
（実施例１０）
ポリカーボネート製の基板７１をランドとグルーブの幅の比が１：２、グルーブ深さ６０ｎｍ、トラックピッチ０．４０μｍ（グルーブ間のピッチ）のグルーブ記録用の基板とした他は、実施例８と同様の表面再生型光記録媒体を製造した。この媒体の媒体表面での基板のランドとグルーブによる段差はＡＦＭによる測定で２０ｎｍ以下であった。但し、透明樹脂保護層の膜厚は９００ｎｍとした。
【０１０７】
（実施例１１）
本実施例においては、実施例８の媒体構造に透明樹脂保護層と整合層との界面から媒体表面側に向かって屈折率が段階的に上がる構造を付加した。
【０１０８】
透明樹脂保護層の膜厚を９００ｎｍとし、整合層を２層から３層、すなわち、透明樹脂保護層の上に、屈折率１．４５のＳｉＯ2からなる第１整合層（膜厚２３０ｎｍ）、屈折率２．１のＳｉＮからなる第２整合層（膜厚７５ｎｍ）、および屈折率１．４５のＳｉＯ2からなる第３整合層（膜厚１６５ｎｍ）をこの順に形成した他は、実施例８と同様な方法で表面再生型光記録媒体を製造した。
【０１０９】
これらの媒体では記録再生のレーザー波長λ＝６８５ｎｍに対して、第１〜第２誘電体層を合わせた光学膜厚は０．７０λ、第１〜第３整合層を合計した光学膜厚は、１．０８λであった。また、基板上でのグルーブの深さはλ／（９ｎOC）であった。また、媒体表面でのレーザービームの直径は、５．４μｍであった。この媒体の媒体表面での基板のランドとグルーブによる段差はＡＦＭによる測定で２０ｎｍ以下であった。
【０１１０】
実施例５〜１０及び比較例３の表面再生型光記録媒体について、線速度１０ｍ／ｓで媒体を回転させて、薄膜面上にレーザー波長６８５ｎｍ、有効開口数１．３のスライダーＳＩＬヘッドを７０ｎｍの高さに浮上させ、各々の媒体に対して手動で最適の位置に焦点合わせを行った後、レーザービームの偏光面をグルーブに対して垂直としてレーザーをランドまたはグルーブに沿って周波数８４ＭＨｚでパルス的に照射して記録層をキュリー温度以上に暖めながら、ＳＩＬヘッド上のコイル磁界を２０ＭＨｚで変調させることでマーク長０．２５μｍの２Ｔ信号を記録した。ここで、磁界の変調幅は±１３０Ｏｅとした。
【０１１１】
記録後にレーザーパワー１ｍＷで再生しながら（レーザービームの偏光面はグルーブに対して垂直）、分解能バンド幅３０ｋＨｚで２１ＭＨｚでのキャリアとノイズを測定し、このキャリアとノイズの比をＣＮＲとした。
【０１１２】
また、両隣接トラックでの２１ＭＨｚの信号のクロストークを調べた。ここで隣接トラックとは実施例５〜９と比較例３については、ランドに記録すれば隣接するグルーブを、グルーブに記録すれば隣接するランドをさし、実施例１０についてはグルーブに記録して隣接するグルーブとした。ここで、実施例５〜８、比較例３については戻り光の位相をランドとグルーブで独立に位相調整して各々ＣＮＲが最も高い位相で再生した。また、実施例９と１０では位相を零に固定して測定した。また、グルーブ記録の時の高角入射光の反射の状態を見るために瞳面上にＣＣＤカメラを設置して反射光量を低角入射光と比較した。結果を表３に示す。
【０１１３】
【表３】
0004631212.tif 000004
グルーブ記録の時の高角入射光の反射状態に関しては、比較例３以外の場合は良好で、特に実施例６〜１０のように誘電体層や透明樹脂保護層を屈折率の異なる２層以上にしたり、さらに透明樹脂保護層の上に整合層を設けることによりさらに良好になった。
【０１１４】
グルーブ記録でのＣＮＲは、比較例３では著しく低いが、実施例５〜１０では４３ｄＢ以上の良好な値が得られた。実施例６〜１０のように誘電体層や透明樹脂保護層を屈折率の異なる２層以上にしたり、さらに透明樹脂保護層の上に整合層を設けることによりさらに良好となった。クロストークについては、比較例３は−２０ｄＢと大きな値となったが、実施例５〜１０ではいずれも−２５ｄＢ以下の良好な値が得られた。
【０１１５】
次に実施例８で透明樹脂保護層の膜厚が９００ｎｍの媒体に焦点を固定して、透明樹脂保護層の膜厚が６００、７５０、９００、１０５０、１２００ｎｍの媒体のＣＮＲを測定した。表４に結果を示す。
【０１１６】
この結果により、記録領域での透明樹脂保護層の膜厚の最大と最小との差（膜厚むら）をλ／ＮＡ2以内とすることにより、ランド／グルーブ記録でもフォーカスサーボなしで記録再生が可能であることが確認された。なお、実施例８の光記録媒体は、いずれもこの条件を満たしていた。
【０１１７】
【表４】
0004631212.tif 000005
（実施例１２）
図４に示すような構造の表面再生型光記録媒体を製造した。トラックピッチ０．４μｍの案内溝（グルーブ）の付いたポリカーボネート製の基板４１上にＡｇ98Ｐｄ1Ｔｉ1からなる反射層４２をＤＣスパッタ法で４０ｎｍの膜厚に形成した。この上にＴｂＦｅＣｏからなる記録層４３をＤＣスパッタ法で２０ｎｍの膜厚に形成した。この上に、屈折率２．１のＳｉＮからなる誘電体層４４をＡｒとＮ2の混合雰囲気中でＳｉターゲットを使用した反応性ＤＣスパッタ法で２３０ｎｍの膜厚に形成した。この上に、実施例１と同様の紫外線硬化樹脂モノマーに分散剤を加えて、さらに屈折率２．０のＩＴＯ超微粒子（平均粒径０．０２μｍ）を５０ｗｔ％添加して十分混合した複合コート剤をスピンコート法で塗布し、紫外線照射により重合させることで屈折率１．６５のＩＴＯ超微粒子分散透明樹脂保護層（膜厚８５０ｎｍ）を形成した。
【０１１８】
この上に、パーフルオロポリエーテル系液体潤滑層４６を引き上げ法で２ｎｍ塗布して表面再生型光記録媒体を製造した。
【０１１９】
この媒体では記録再生のレーザー波長λ＝６８５ｎｍに対して、誘電体層の光学膜厚（実際の膜厚×屈折率）は、０．７１λ、透明樹脂保護層の光学膜厚は、２．０６λであった。また、媒体表面でのレーザービームの直径は２．６μｍであった。
【０１２０】
（実施例１３）
屈折率２．４のＺｎＳ−５０ｗｔ％ＴｉＯ2からなる誘電体層４４をＡｒ雰囲気中でＺｎＳ−ＴｉＯ2ターゲットを使用したＲＦスパッタ法で２００ｎｍの膜厚に形成し、その上に屈折率１．５の透明樹脂保護層を９４０ｎｍ形成した以外は実施例１と同様の表面再生型光記録媒体を製造した。
【０１２１】
この媒体では記録再生のレーザー波長λ＝６８５ｎｍに対して、誘電体層の光学膜厚（実際の膜厚×屈折率）は、０．７１λ、透明樹脂保護層の光学膜厚は、２．０６λであった。また、媒体表面でのレーザービームの直径は３．５μｍであった。
【０１２２】
（実施例１４）
屈折率２．６のＳｒＮｂ2Ｏ6からなる誘電体層４４をＡｒとＯ2の混合雰囲気中でＳｒＮｂ2Ｏ6ターゲットを使用したＲＦスパッタ法で１８５ｎｍの膜厚に形成し、その上に屈折率１．５の透明樹脂保護層を９４０ｎｍ形成した以外は実施例１と同様の表面再生型光記録媒体を製造した。
【０１２３】
この媒体では記録再生のレーザー波長λ＝６８５ｎｍに対して、誘電体層の光学膜厚（実際の膜厚×屈折率）は、０．７１λ、透明樹脂保護層の光学膜厚は、２．０６λであった。また、媒体表面でのレーザービームの直径は３．５μｍであった。
【０１２４】
実施例１２〜１３の表面再生型光記録媒体について、線速度１０ｍ／ｓで媒体を回転させて、薄膜面上にレーザー波長６８５ｎｍ、有効開口数１．３のスライダーＳＩＬヘッドを７０ｎｍの高さに浮上させ各々の媒体に対して手動で最適の位置に焦点合わせを行った後、レーザーを周波数８４ＭＨｚでパルス的に照射して記録層をキュリー温度以上に暖めながら、ＳＩＬヘッド上のコイル磁界を２１ＭＨｚで変調させることでマーク長０．２４μｍの２Ｔ信号を記録した。ここで、磁界の変調幅は±１３０Ｏｅとした。
【０１２５】
記録後にレーザーパワー１ｍＷで再生しながら、分解能バンド幅３０ｋＨｚで２１ＭＨｚでのキャリアとノイズを測定し、このキャリアとノイズの比をＣＮＲとした。
【０１２６】
ＣＮＲは、実施例１２〜１４が各々、４３ｄＢ，４５ｄＢ，４６ｄＢであった。実施例１２は実施例１と同等で、実施例１３および１４は整合層がある実施例３および４の場合に匹敵するＣＮＲが得られた。
【０１２７】
浮上性については、いずれの媒体も良好であった。連続記録に関しては、いずれも２０回の試験を最後まで続けることができた。
【０１２８】
次に、実施例１および１２〜１４の表面再生型光記録媒体を帯電防止機能のないケースに入れたところ、実施例１２では０．３ｋＶしか帯電しなかったが、実施例１、１３および１４は２〜３ｋＶに帯電した。また、実施例１と実施例１２〜１４を表面の鉛筆硬度について比較すると、実施例１ではＨであったものが、実施例１２〜１４では３Ｈが得られており、浮上性や連続記録で特に大きな差はみられなかったものの長期的に考えると、実施例１２〜１４ではヘッドによる媒体の傷発生の確率が低いと考えられる。また、実施例１２では帯電しにくいために異物が付着しにくいと考えられる。
【０１２９】
【発明の効果】
本発明によれば、表面に開口率ＮＡが１を超える光学ヘッドをレーザービームの波長λに対してλ／４以下の高さで浮上させながらレーザービームにより記録再生を行う表面再生型光記録媒体で、基板上に少なくとも記録層および屈折率ｎPがＮＡより大きい透明樹脂保護層を有し、媒体表面でのレーザービームの直径が１．５〜３０μｍとすることにより、長期に渡って安定的な連続記録が可能となる。
【０１３０】
また、レーザービームの直径が３０μｍ以下であることにより、光学ヘッドの下面に凸部を設けて光学ヘッドと媒体表面の接触を防ぐことができる。また、記録領域の透明樹脂保護層の膜厚むらをΔｔとしたとき、Δｔ≦λ／ＮＡ2とすることによりフォーカスサーボを省略することが可能となる。
【０１３１】
さらに、記録層の上に屈折率がＮＡより０．４以上大きい誘電体層を設け、誘電体層の屈折率を媒体表面に向かって段階的あるいは連続的に下げたり、透明樹脂保護層の上にレーザー光に対して光学的な整合をとるための整合層を設けることにより、高角入射光に対して低反射条件を満たし、レーザービームを良好に収束させ、高いＳＮＲと解像度が得られる。また、誘電体層の屈折率ｎdを２．４以上にすることによっても高いＳＮＲと解像度が得られる。
【０１３２】
また、保護層の透明樹脂には無機超微粒子が含まれていることにより、透明樹脂保護層の硬度を増し、信頼性を高めることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】  本発明の表面再生型光記録媒体の一実施態様で、ＳＩＬヘッドが浮上する状態の断面摸式図である。
【図２】  従来の表面再生型光記録媒体の一例で、ＳＩＬヘッドが浮上する状態の断面摸式図である。
【図３】  図１の断面図の入射光線の状態の拡大図である。
【図４】  基板／反射層／記録層／誘電体層／透明樹脂保護層／液体潤滑層の構成を有する本発明の光記録媒体の一実施態様の部分断面図である。
【図５】  誘電体層を第１誘電体層と第２誘電体層の２層で構成した本発明の光記録媒体の一実施態様の部分断面図である。
【図６】  媒体表面に第１整合層と第２整合層とを形成した本発明の光記録媒体の一実施態様の部分断面図である。
【図７】  記録層の下に下部誘電体層を有する本発明の光記録媒体の一実施態様の部分断面図である。
【図８】  本発明の表面再生型光記録媒体の一実施態様で、下面に凸部を有するＳＩＬヘッドが浮上する状態の断面摸式図である。
【図９】  誘電体層を第１誘電体層と第２誘電体層の２層で構成し、媒体最表面に液体潤滑層を形成した本発明の光記録媒体の一実施態様の部分断面図である。
【図１０】  整合層を第１整合層と第２整合層の２層で構成し、媒体最表面に液体潤滑層を形成した本発明の光記録媒体の一実施態様の部分断面図である。
【符号の説明】
１１、２１、３１、４１、５１、６１、７１、８１、１０１、１１１：基板
４２、５２、６２、７２、１０２、１１２：反射層
７３：下部誘電体層
１２、２２、３２、４３、５３、６３、７４、８２、１０３、１１３：記録層
１３、２３、３３、４４、６４、８３、１１４：誘電体層
５４、７５、１０４：第１誘電体層
５５、７６、１０５：第２誘電体層
１４、３４、４５、５６、６５、７７、８４、１０６、１１５：透明樹脂保護層
６６、７８、１１６：第１整合層
６７、７９、１１７：第２整合層
４６、５７、６８、８０、１０７、１１８：液体潤滑層
１５、２４、８５：エアギャップ
１６、２５、８６：ＳＩＬヘッド
１７、２６、８７：レーザービーム（入射光線）
１８、２７：焦点
３６：誘電体と透明樹脂保護層の界面でのレーザービームの直径Ｌ１
３７、９０：媒体表面でのレーザービームの直径Ｌ２
８８：ＳＩＬヘッド下面の凸部
８９：凸部の大きさ
９１：コイル
【図１】
0004631212.tif 000006
【図２】
0004631212.tif 000007
【図３】
0004631212.tif 000008
【図４】
0004631212.tif 000009
【図５】
0004631212.tif 000010
【図６】
0004631212.tif 000011
【図７】
0004631212.tif 000012
【図８】
0004631212.tif 000013
【図９】
0004631212.tif 000014
【図１０】
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