(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
放電空間を介して対向する一対の基板の内、少なくとも一方の基板上に導電性電極と蛍光体層を順次積層した構造を有し、前記蛍光体層は、ＺｎＯ結晶格子の格子間に存在し、ドナーとして働く窒素イオン原子が含まれた、ＺｎＯウィスカーを含むことを特徴とするプラズマディスプレイパネル。
【請求項２】
前記ウィスカーが前記蛍光体層に対して０．１重量％以上６０重量％以下含まれていることを特徴とする請求項１に記載のプラズマディスプレイパネル。
【請求項３】
前記ウィスカーが針状粒子またはテトラポット状粒子またはメッシュ状粒子であることを特徴とする請求項１に記載のプラズマディスプレイパネル。
【請求項４】
請求項１に記載のプラズマディスプレイパネルの製造方法において、基板上に導電性電極を形成し、前記導電性電極と平行に前記基板上に隔壁を形成し、前記隔壁間に不純物原子を含むウィスカーと蛍光体粉末を混合し、インク吐出法によって塗布することによって蛍光体層を形成することを特徴とするプラズマディスプレイパネルの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明はプラズマディスプレイパネル、特に対向３電極面放電型ＡＣプラズマディスプレイパネル及びその製造方法に関わり、動作特性の安定化および低電圧化の改善を図るため、特に蛍光体層に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
プラズマディスプレイパネルは、ガス放電によって発生した紫外線によって蛍光体を励起発光させ、画像表示するディスプレイである。その放電の形成手法から交流（ＡＣ）型と直流（ＤＣ）型に分類することが出来る。ＡＣ型の特徴は、輝度、発光効率、寿命の点でＤＣ型より優れている点である。さらに、ＡＣ型の中でも反射型面放電タイプは輝度、発光効率の点で特に際だっているため、このタイプが最も一般的である。
【０００３】
従来の一例として、ＡＣ型プラズマディスプレイパネル（以下、ＰＤＰと呼ぶ）の概略を示す斜視図を図２に示す。このように、ＰＤＰは、Ｒ（赤）、Ｇ（緑）、Ｂ（青）の各色を発光するセルが多数配列されて構成されている。
【０００４】
以下に、この構造及び動作について説明する。まず、フロントパネルＦＰ側から説明する。フロントパネルガラス２１（最も一般的にはガラス板が使用される）上に透明電極３４（ＩＴＯやＳｎＯ2が使用される）が複数本形成されている。ただし、この透明電極３４ではシート抵抗が高く、大型パネルにおいては全画素に十分な電力を供給することが出来ないため、透明電極３４上に銀の厚膜やアルミニウム薄膜やクロム／銅／クロム（Ｃｒ／Ｃｕ／Ｃｒ）の積層薄膜によるバス電極３５が形成されている。このバス電極３５によって、見かけ上透明電極３４のシート抵抗が下がる。これらの電極上に透明な誘電体層２４（低融点ガラスが使用される）および酸化マグネシウム（ＭｇＯ）からなる保護層２５が形成されている。誘電体層２４は、ＡＣ型プラズマディスプレイ特有の電流制限機能を有しており、ＤＣ型に比べて長寿命にできる要因となっている。保護層２５は、放電によって誘電体層２４がスパッタされて削られないように保護するためのもので、耐スパッタ性に優れ、高い２次電子放出係数（γ）を有して放電開始電圧を低減する働きをもつ。
【０００５】
もう一方のバックパネルＢＰ側について説明する。バックパネルガラス２６上には画像データを書き込むデータ電極２７、下地誘電体層３３、隔壁２８および蛍光体層３０（Ｒ）、３１（Ｇ）、３２（Ｂ）が形成されている。ここで、データ電極２７および隔壁２８は、透明電極３４と互いに直交するよう配置されており、また２本の隔壁２８で囲まれた空間でもって放電空間２９を形成しており、放電空間２９内には放電ガスとしてネオン（Ｎｅ）とキセノン（Ｘｅ）の混合ガスがおよそ６６．５ｋＰａ（５００Ｔｏｒｒ）の圧力で充填されている。さらに隔壁２８、隣接する放電セル間を仕切り、誤放電や光学的クロストークを防ぐ役割をしている。
【０００６】
この透明電極３４間に、数十ｋＨｚ〜数百ｋＨｚのＡＣ電圧を印加して放電空間２９に放電を発生させ、励起されたＸｅ原子からの紫外線によって蛍光体層３０、３１、３２を励起し可視光を発生させて表示動作を行う。
【０００７】
次に、このパネルの電極配列図を図３に示す。電極はｍ×ｎのマトリックス構成であり、列方向にはｍ列のデータ電極Ｄ１〜Ｄｍが配列されており、行方向にはｎ行の走査電極ＳＣＮ１〜ＳＣＮｎおよび維持電極ＳＵＳ１〜ＳＵＳｎが配列されている。
【０００８】
このパネルを駆動するための駆動方法の動作駆動タイミング図を図４に示す。
【０００９】
図４に示すように、１フィールド期間は、少なくとも書き込み期間、維持期間を有する第１ないし第ｎのサブフィールドで構成されており、各サブフィールドでは、維持パルス数が異なり、このサブフィールドの組み合わせで階調の表示を行うものである。１フィールドの中には、初期化期間、または消去期間を有するサブフィールドが少なくとも一つはあるものとする。一例として、図４では、初期化期間と消去期間の両方の期間を有するサブフィールドを一例として取り上げている。
【００１０】
次に、各期間について説明する。
【００１１】
まず図３の走査電極ＳＣＮ１〜ＳＣＮｎに初期化パルスを印加し、パネルの放電セル内の壁電荷を初期化する。次に、書き込み期間において、１行目の表示を行うため、１行目の走査電極ＳＣＮ1に走査パルス電圧を印加し、放電セルに対応するデータ電極群Ｄ１〜Ｄｍに書き込みパルス電圧を印加し、データ電極群Ｄ１〜Ｄｍと１行目の走査電極ＳＣＮ1との間に書き込み放電（アドレス放電）を起こし、誘電体層表面に壁電荷を蓄積し、１行目の書き込み動作（アドレス動作）を行う。以上のような動作が順次行われ、Ｎ行目の書き込み動作が終了し、１画面分の潜像が書き込まれる。次に維持期間において、データ電極群Ｄ１〜Ｄｍを接地し、まず全ての維持電極群ＳＵＳ1〜ＳＵＳｎに維持パルス電圧を印加し、続いて全ての走査電極群ＳＣＮ1〜ＳＣＮｎに維持パルス電圧を印加し、続いて交互にこの動作を継続して維持パルス電圧を印加することにより、書き込み期間において書き込み動作が行われた放電セルにおいて維持放電の発光が継続して行われ、画面の表示が行われる。その後、消去期間において、幅の狭い消去パルスを印加することによって放電が発生し、壁電荷が消滅する為、消去動作が行われる。
【００１２】
この様に、初期化期間、書き込み期間、維持期間、消去期間という一連の駆動方法により画像表示を行っている。
【００１３】
【発明が解決しようとする課題】
プラズマディスプレイパネルの抱える問題の一つとして、書き込み期間における書き込み不良が挙げられる。つまり、書き込み期間において、データ電極に電圧パルスが印加されている時間内に書き込み放電が起こらないことを意味する。
これには、放電が形成されるまでの時間（以下、ｔｆと呼ぶ）、及び放電の統計遅れ時間（以下、ｔｓと呼ぶ）と電圧パルス幅との関係で決まってくる。例えば、テレビジョン学会技術報告ｖｏl.１９、Ｎｏ.６６、１９５５年、Ｐ５５〜６６には、パルス幅ｔpwに対して放電の発生する確率Ｎ（ｔpw）／Ｎ0は、
Ｎ（ｔpw）／Ｎ0＝１−ｅｘｐ（−（ｔpw−ｔｆ）／ｔｓ）  （１）
で与えられ、放電の起こりやすさは、（１）式からｔｆ、ｔｓを小さくする必要がある。その中でもｔｓを小さくすることは、特に有効である。
【００１４】
ｔｓを小さくするには、印加される書き込みパルス電圧を高くすることで効果があるが、高価な高耐圧用出力ドライバーＩＣの使用や、データ電極駆動回路の消費電力の上昇といった課題を有していた。
【００１５】
特に、ＸＧＡパネルの駆動では、短い書き込みパルス時間内に放電を終わらせることが必要であり、その為には、データ電極駆動電圧はＶＧＡ画面表示の場合に比べて高くなるという課題があった。
【００１６】
本発明は上記の課題を解決し、書き込み期間による書き込み不良を低減し、アドレス放電の安定な駆動を実現することを目的とする。
【００１７】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するため、請求項１の発明のプラズマディスプレイパネルは、放電空間を介して対向する一対の基板の内、少なくとも一方の基板上に導電性電極と蛍光体層を順次積層した構造を有し、前記蛍光体層は、ＺｎＯ結晶格子の格子間に存在し、ドナーとして働く窒素イオン原子が含まれた、ＺｎＯウィスカーを含むことを特徴とするものであり、初期化期間及び消去期間下り傾斜電圧印加時に、不純物原子が含まれたウィスカーによるイオンの二次電子放出（γ係数）が促進され、放電の規模が大きくなり、プライミングによる放電の統計遅れ時間（ｔｓ）を小さくすることができる。
【００２０】
請求項２の発明のプラズマディスプレイパネルは、ウィスカーが前記蛍光体層に対して０．１重量％以上６０重量％以下含まれていることを特徴とする。
【００２１】
請求項３の発明のプラズマディスプレイパネルは、ウィスカーが針状またはテトラポット状またはメッシュ状であることを特徴とする。
【００２２】
請求項４の発明のプラズマディスプレイパネルの製造方法は、基板上に導電性電極を形成し、前記導電性電極と平行に前記基板上に隔壁を形成し、前記隔壁間にウィスカーと蛍光体粉末を混合し、インク吐出法によって塗布することによって蛍光体層を形成することを特徴とする。
【００２３】
【発明の実施の形態】
以下、本発明のいくつかの実施形態を添付の図面を参照して説明する。
【００２４】
（実施の形態１）
本発明の実施の形態に係わるプラズマディスプレイパネルは、従来のプラズマディスプレイパネルと蛍光体層の材料のみ違い、他の構成要素は同じである。以下に図２に沿って製法について説明する。
【００２５】
（ＰＤＰの全体的な製法）
（フロントパネルの作製）
フロントパネルＦＰは、フロントパネルガラス２１上にＩＴＯまたは酸化スズ（ＳｎＯ2）などの透明導電性材料からなる透明電極３４および銀（Ａｇ）厚膜（厚み：２μｍ〜１０μｍ）、アルミニウム（Ａｌ）薄膜（厚み：０．１μｍ〜１μｍ）またはＣｒ／Ｃｕ／Ｃｒ積層薄膜（厚み：０．１μｍ〜１μｍ）で構成したバス電極３５を順次積層し、さらに酸化鉛（ＰｂＯ）または酸化ビスマス（Ｂｉ2Ｏ3）または酸化燐（ＰＯ4）を主成分（一例として、酸化鉛（ＰｂＯ）７０重量％、酸化硼素（Ｂ2Ｏ3）１５重量％、酸化珪素（ＳｉＯ2）１５重量％）とする低融点ガラス（厚み２０μｍ〜５０μｍ）からなる誘電体層２４をスクリーン印刷（ダイコート印刷またはフィルムラミネート法でも形成可能）によって形成されている。一例として銀電極の場合、紫外線感光性樹脂を含んだ銀電極用インクをスクリーン印刷法によりフロントパネルガラス２１上に均一塗布して乾燥した後、露光現像によるパターニングと焼成によって形成する。次に、誘電体層２４をプラズマによる損傷から保護するＭｇＯからなる保護層２５（厚み：１００ｎｍ〜１０００ｎｍ）が電子ビーム蒸着法または、スパッタリング法により形成され積層されている。
【００２６】
（背面パネルの作製）
一方、バックパネルＢＰ側はバックパネルガラス２６上には銀（Ａｇ）厚膜（厚み：２μｍ〜１０μｍ）、アルミニウム（Ａｌ）薄膜（厚み：０．１μｍ〜１μｍ）またはＣｒ／Ｃｕ／Ｃｒ積層薄膜（厚み：０．１μｍ〜１μｍ）からなるデータ電極２７、酸化鉛（ＰｂＯ）または酸化ビスマス（Ｂｉ2Ｏ3）または酸化燐（ＰＯ4）を主成分とする低融点ガラス（厚み５μｍ〜２０μｍ）からなる下地誘電体層３３を形成する。さらに、ガラスを主成分とする隔壁２８を所定のピッチで形成し、更に隔壁２８によって挟まれた各空間に赤色蛍光体、緑色蛍光体、青色蛍光体による蛍光体層３０、３１、３２を形成することにより、バックパネルＢＰ側が作製されている。ここで、下地誘電体層３３は、隔壁２８との密着性を改善するためのものであり、無いとプラズマディスプレイパネルが動作しないというものではない。また、蛍光体は、赤色蛍光体、緑色蛍光体、青色蛍光体をそれぞれインク吐出法によって塗布することにより蛍光体層３０、３１、３２を形成する。各色の蛍光体としては、一般的にプラズマディスプレイパネルに用いられる蛍光体材料を以下に示す。ここではこれらの蛍光体を通常の蛍光体として用いている。
赤色蛍光体：（ＹXＧｄ1-X）ＢＯ3：Ｅｕ3+あるいはＹＢＯ3：Ｅｕ3+
緑色蛍光体：ＢａＡｌ12Ｏ19：ＭｎあるいはＺｎ2ＳｉＯ4：Ｍｎ
青色蛍光体：ＢａＭｇＡｌ10Ｏ17：Ｅｕ2+
各色蛍光体は、以下のようにして作製される。
【００２７】
青色蛍光体は、まず、原料として炭酸バリウム（ＢａＣＯ3），炭酸マグネシウム（ＭｇＣＯ3），酸化アルミニウム（α−Ａｌ2Ｏ3）をモル比で１対１対５に配合する。次に、この混合物に対して、所定量の酸化ユーロピウム（Ｅｕ2Ｏ3）を添加する。そして、適量のフラックス（ＡｌＦ2、ＢａＣｌ2）と共にボールミルで混合し、１０００℃〜１２００℃で所定時間（例えば、５時間）、弱還元性雰囲気（Ｈ2，Ｎ2中）で焼成後、これをふるい分けして得る。
【００２８】
赤色蛍光体は、原料として酸化イットリウム（Ｙ2Ｏ3）と硼酸（Ｈ3ＢＯ3）とをモル比で０．５対１に配合する。次に、この混合物に対して、所定量の酸化ユーロピウム（Ｅｕ2Ｏ3）を添加し、適量のフラックスと共にボールミルで混合し、空気中９５０℃〜１２００℃で所定時間（例えば、５時間）焼成した後、これをふるい分けして上記粉体が得る。
【００２９】
緑色蛍光体は、原料として酸化亜鉛（ＺｎＯ），酸化硅素（ＳｉＯ2）をモル比で２対１に配合する。次に、この混合物に対して所定量の酸化マンガン（Ｍｎ2Ｏ3）を添加し、ボールミルで混合後、空気中９５０℃〜１２００℃で所定時間（例えば、５時間）焼成し、これをふるい分けして得る。
【００３０】
また、本発明の実施の形態で使用した蛍光体は上記の蛍光体に不純物原子が含まれたウィスカーであるＺｎＯを０．１重量％〜６０重量％混合したものである。
【００３１】
熱ＣＶＤ法で作製されたテトラポット形状の酸化亜鉛（ＺｎＯ）ウィスカー（ウィスカー１本の足の長さ：１〜２００μｍ、核部の足の太さ：０．０１〜１０μｍ、典型的には１本の足の長さ：５〜５０μｍ、核部の足の太さ：０．０５〜５μｍ）を市販のプラズマドーピング装置内に配置し、装置内にＮ2ガスを導入して窒素プラズマを発生させる。この時、第１の電極に負のバイアス（−５Ｖ〜−１０００Ｖ）を印加すると、プラズマ中のＮ+イオンがこのバイアス分加速されてウィスカー内に注入される。窒素イオンはＺｎＯウィスカーの表面近傍に注入され、２次イオン質量分析（ＳＩＭＳ）によってＺｎＯウィスカーに注入した窒素原子量を測定したところ、その深さは０．１ｎｍ〜１００ｎｍ（ナノ・メートル）である。
【００３２】
エタノールやイソプロピルアルコールやアセトンやトルエンや酢酸ブチルや酢酸イソアミルなどの揮発性有機溶剤中に上記の窒素イオン原子を含むＺｎＯウィスカーを上記の割合で蛍光体粉末と混合し分散する。その後、インク吐出法によって塗布することで赤、緑、青の蛍光体（３０，３１，３２）を形成する。
【００３３】
（パネル張り合わせによるＰＤＰの作製）
次に、このようにして作製したフロントパネルとバックパネルとを封着用ガラスを用いて張り合わせると共に、隔壁２８で仕切られた放電空間２９内を高真空（１×１０-4Ｐa）に排気した後、所定の組成の放電ガスを、所定の圧力で封入することによってプラズマディスプレイパネルを作製する。一例として、ネオンガスとキセノンガスの混合ガスを体積％でそれぞれ、９５％、５％とし、圧力を６６．５ｋＰａ（５００Ｔｏｒｒ）としている。
【００３４】
（ＰＤＰの駆動方法）
本発明の実施の形態に係わるプラズマディスプレイパネルにおける駆動方法は、従来のプラズマディスプレイパネルの駆動方法と同じ設定とし、通常の蛍光体の材料と本発明の蛍光体の材料の比較を行った。
【００３５】
パネルの構造として、誘電体層２４の厚さが３０〜４２μｍ、ＭｇＯ保護層２５の厚さが、０．５μｍ〜０．８μｍ、走査電極２２と維持電極２３間ギャップが４０μm〜１２０μｍ、隔壁２８の高さが８０μｍ〜１２０μmの条件で実験を行った。
【００３６】
ＶＧＡ表示（画素数８５３×４８０）のパネルでは、一例として、隔壁間ピッチ３６０μｍ、誘電体層２４の厚さが４２μｍ、ＭｇＯ保護層２５の厚さが、０．８μｍ、走査電極２２と維持電極２３間ギャップが８０μｍ、隔壁２８の高さが１２０μm構成のパネルにおいて図４の電圧設定値をＶａ＝４００Ｖ、Ｖｂ＝−１００Ｖ、Ｖｃ＝−２０Ｖ、Ｖｄ＝１４０Ｖ、Ｖｅ＝１５０Ｖ、Ｖｓ＝１８０Ｖ、Ｖｄａｔ＝６７Ｖとしている。
【００３７】
４２インチクラスのＸＧＡ表示（画素数が１０２４×７６８）のパネルでは、一例として、隔壁間ピッチは３００μｍ、誘電体層２４の厚さが３５μｍ、ＭｇＯ保護層２５の厚さが、０．８μｍ、走査電極２３と維持電極２２間ギャップが８０μｍ、隔壁２８の高さが１２０μm構成のパネルにおいて図４の電圧設定値をＶａ＝４００Ｖ、Ｖｂ＝−９０Ｖ、Ｖｃ＝−１０Ｖ、Ｖｄ＝１４０Ｖ、Ｖｅ＝１５０Ｖ、Ｖｓ＝１６０Ｖ、Ｖｄａｔ＝６７Ｖとしている。
【００３８】
ｔｓの測定には、以下の条件で行った。上記の設定電圧で、第７サブフィールドのみ、斜めパターンで各色単色のみ点灯した状態で、アドレス放電の放電の統計遅れ時間（ｔｓ）を測定した。
【００３９】
通常の蛍光体と本発明の実施の形態で使用した窒素イオン原子が含まれたＺｎＯウィスカー混合蛍光体におけるｔｓの結果を図１に示す。ここでは、上記に記載したＶＧＡ用パネルを使用した。通常の蛍光体（ＺｎＯ重量％＝０）に比較して、０．１重量％〜６０重量％でｔｓがＲ、Ｂで３割近く減少し、Ｇにいたっては、半分以下になっていることが確かめられた。
【００４０】
このように、蛍光体層に窒素イオン原子を含むＺｎＯウィスカーでｔｓが小さくなった理由としては、以下のように考えている。ＺｎＯウィスカー中に注入された窒素イオンは、ＺｎＯ結晶格子の格子位置よりも格子間に存在し、ドナーとして働く。そのため元々、自然に存在する酸素空孔によって弱いｎ型を示す半導体であるＺｎＯウィスカーの表面およびその近傍領域が、窒素イオンの存在によってより強いｎ型を示す。表面が強いｎ型になったことにより表面近傍に内部電界が生じ、電子がウィスカー表面に集められる。このことにより、初期化期間及び消去期間下り傾斜電圧印加時に、局所的に電界が集中し、ウィスカーのイオン衝撃による二次電子放出（γ係数）が促進され、放電の規模が大きくなり、プライミングにって放電の統計遅れ時間（ｔｓ）を小さくできたと考えられる。
【００４１】
また、６０重量％より大きくするとｔｓは小さくなるが、放電発光効率が低下し、実際に使用できるのは、０．１重量％〜６０重量％の範囲である。より望ましくは、Ｇ以外の蛍光体にＺｎＯを塗布する場合、色度がＧに近くなるため０．１重量％〜３０重量％の範囲である。テトラポット形状ＺｎＯを使用しているが、針状ＺｎＯやメッシュ状ＺｎＯを使用しても同様に効果があった。
【００４２】
また、ＸＧＡ用のパネルにおいても同様の効果があった。
【００４３】
プラズマドーピング時にドーピング量を制御し、窒素原子密度のピーク値を１０14〜１０19個／ｃｍ3変化させたウィスカーを作製したが、上記と同様な効果を得た。
【００４４】
プラズマドーピング時に窒素ガスの代わりに、ＮＯ，ＮＯ2，Ｎ2Ｏ，Ｎ2Ｏ3，Ｎ2Ｏ4，Ｎ2Ｏ5，ＮＯ3，Ｈ2ＮＮＨ2，ＨＮ3，ＮＨ4Ｎ3，ＮＨ3，ＮＦ3など他の窒素原子を含むガスを使用しても同様な効果を得た。
【００４５】
また、ウィスカーへの不純物原子の注入は、市販のイオン注入装置を用いても、ウィスカーを加熱して不純物の熱拡散を使用してもよい。
【００４６】
（実施の形態２）
本発明の第２の実施形態では、第１の実施形態で使用した蛍光体中に金属コートしたＴｉＯ2ウィスカーを用い、その他の各構成要素は第１の実施形態で説明したものと同様であり、それらの説明はここでは省略する。
【００４７】
チタンアルコキシドを熱ＣＶＤでメッシュ形状ＴｉＯ2ウィスカーを作製し、真空蒸着、スパッタ、ＣＶＤ法によって、Ｎｉ，Ｌｉ，Ｎａ，Ｋ，Ｍｇ，Ａｌ，Ｚｎ，Ｃｒ，Ｃｕ，Ａｇ，Ａｕ金属を１０ｎｍ〜８００ｎｍコートした。
【００４８】
エタノールやイソプロピルアルコールやアセトンやトルエンや酢酸ブチルや酢酸イソアミルなどの揮発性有機溶剤中にメッシュ形状の金属コート酸化チタン（ＴｉＯ2）ウィスカー（ウィスカー１本の足の長さ：０．１〜１０μｍ、核部の足の太さ：０．０１〜１０μｍ、典型的には１本の足の長さ：０．３〜３μｍ、核部の足の太さ：０．０３〜３μｍ）を蛍光体と一緒に分散した。
【００４９】
上記の蛍光体を用いてｔｓを計測した。
【００５０】
通常の蛍光体に比較して、０．１重量％〜６０重量％でｔｓがＲ、Ｂで４割近く減少し、Ｇにいたっては、６割以下になっていることが確かめられた。蛍光体層に金属コートしたＴｉＯ2ウィスカーでｔｓが小さくなった理由としては、ウィスカーの先端は鋭利で局所的な電界が強く、その先にコートされた金属の仕事関数が小さいのでイオン衝撃による電子放出能力が更に向上したためと考えられる。
【００５１】
また、針状ＴｉＯ2やテトラポット状ＴｉＯ2を使用しても同様に効果があった。また、ＸＧＡ用のパネルにおいても同様の効果があった。また、ＺｎＯまたはＳｉＣまたはＳｉ3Ｎ4またはＡｌＮまたはＢＮまたはＴｉＣウィスカーにおいても同様に効果があった。
【００５２】
（実施の形態３）
本発明の第３の実施形態では、第１及び第２の実施形態で使用した蛍光体中に熱ＣＶＤで針状ＳｉＣウィスカーを作製し、真空蒸着、スパッタ、ＣＶＤ法によって、Ｎｉ，Ｌｉ，Ｎａ，Ｋ，Ｍｇ，Ａｌ，Ｚｎ，Ｃｒ，Ｃｕ，Ａｇ，Ａｕ金属を１０ｎｍ〜８００ｎｍコートした。その他の各構成要素は第１及び第２の実施形態で説明したものと同様であり、それらの説明はここでは省略する。
【００５３】
エタノールやイソプロピルアルコールやアセトンやトルエンや酢酸ブチルや酢酸イソアミルなどの揮発性有機溶剤中に針状形状の炭化珪素（ＳｉＣ）ウィスカー（ウィスカー１本の足の長さ：０．１〜２０μｍ、核部の足の太さ：０．０１〜２０μｍ、典型的には１本の足の長さ：０．３〜５μｍ、核部の足の太さ：０．０３〜５μｍ）を分散した液を上記の割合で蛍光体粉末と混合した。
【００５４】
上記の蛍光体を用いてｔｓを計測した。
【００５５】
通常の蛍光体に比較して、０．１重量％〜６０重量％でｔｓがＲ、Ｂで２割近く減少し、Ｇにいたっては、３割以下になっていることが確かめられた。
【００５６】
また、ＳｉＣまたはＳｉ3Ｎ4またはＡｌＮまたはＢＮまたはＴｉＣウィスカーにおいても同様に効果があった。また、メッシュ状ＴｉＯ2やテトラポット状ＴｉＯ2を使用しても同様に効果があった。また、ＸＧＡ用のパネルにおいても同様の効果があった。
【００５７】
以上から分かるように、本発明のプラズマディスプレイパネルはｔｓが小さく安定なアドレス放電が実現できている。
【００５８】
【発明の効果】
本発明によれば、書き込み期間による書き込み不良を低減し、アドレス放電の安定な駆動を実現するプラズマディスプレイパネルを提供できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】通常の蛍光体と本発明の実施の形態で使用した窒素イオン原子が含まれたＺｎＯウィスカー混合蛍光体におけるｔｓの実験結果グラフ
【図２】ＡＣ型プラズマディスプレイパネルの概略を示す斜視図
【図３】電極配列図
【図４】ＡＣ型プラズマディスプレイの駆動波形を示す図
【符号の説明】
ＦＰ  フロントパネル
ＢＰ  バックパネル
２１  フロントパネルガラス
２２  維持電極
２３  走査電極
２４  誘電体層
２５  保護層
２６  バックパネルガラス
２７  データ電極
２８  隔壁
２９  放電空間
３０  蛍光体（Ｒ）
３１  蛍光体（Ｇ）
３２  蛍光体（Ｂ）
３３  誘電体層
３４  透明電極
３５  バス電極
【図１】
0004631213.tif 000002
【図２】
0004631213.tif 000003
【図３】
0004631213.tif 000004
【図４】
0004631213.tif 000005