(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板に画素電極及び前記画素電極に電源を供給する電源印加手段が行列形態に形成された画素及び前記画素が形成された前記基板に前記画素電極の対角線方向である第１ラビング方向にラビングされた少なくとも一つの第１配向溝が形成された第１配向膜を有するＴＦＴ基板と、
前記画素電極と対向する共通電極、レッド、グリーン、ブルーのカラーフィルタ及び前記画素電極の対角線方向であって前記第１ラビング方向とは異なる第２ラビング方向にラビングされた第２配向溝が形成された第２配向膜が形成されたカラーフィルタ基板と、
前記ＴＦＴ基板と前記カラーフィルタ基板間に形成され、前記第１、第２配向溝によりティルト（ｔｉｌｔ）及びツイストされた液晶と、
前記カラーフィルタ基板に形成されて光を遮断し、前記画素間に形成された非有効ディスプレー領域及び前記非有効ディスプレー領域と隣接する前記画素電極の前記第１配向溝のラビング開始側の２つの側縁に逆ティルト（ｒｅｖｅｒｓｅ  ｔｉｌｔ）された液晶により形成される光漏洩領域のうちの一方の側縁を遮る光漏洩防止手段と、
を含む液晶表示パネルと、
前記液晶表示パネルに光を供給するバックライトアセンブリとを含み、
前記画素電極の光漏洩領域のうち、一部は前記光漏洩防止手段によって遮光され、前記画素電極の光漏洩領域のうち、その他は前記レッド、グリーン及びブルー色画素薄膜の中から選択された２つのグループがオーバーラップされた色画素オーバーラップ部によって遮光され、
前記光漏洩防止手段と前記色画素オーバーラップ部のうちの一方は、前記画素電極の前記光漏洩領域のうち、画素電極の行方向の辺に形成された光漏洩領域にオーバーラップし、
前記光漏洩防止手段と前記色画素オーバーラップ部のうちの他方は、前記画素電極の前記光漏洩領域のうち、画素電極の列方向の辺に形成された光漏洩領域にオーバーラップすることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項２】
前記光漏洩領域は、前記電源供給手段を動作させる第１ラインと平行である第１光漏洩領域と、前記電源供給手段の作動により前記画素電極に電源を供給する第２ラインと平行である第２光漏洩領域とを含むことを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置。
【請求項３】
前記電源供給手段は前記第１ラインと平行な方向に配列された前記画素電極をロー（ｒｏｗ）単位に極性が反転された電源を供給し、前記光漏洩防止手段は前記第１光漏洩領域及び非有効ディスプレー領域のうちの前記第１ラインと平行な方向に該当する非有効ディスプレー領域を帯形態に遮ることを特徴とする請求項２に記載の液晶表示装置。
【請求項４】
前記第２光漏洩領域及び第２ラインと平行な前記非有効ディスプレー領域は、前記色画素オーバーラップ部によって遮ることを特徴とする請求項２に記載の液晶表示装置。
【請求項５】
前記色画素オーバーラップ部は、前記画素電極のうちの各コラム（ｃｏｌｕｍｎ）に属する画素電極を同時に遮るように帯形状を有することを特徴とする請求項４に記載の液晶表示装置。
【請求項６】
前記光漏洩防止手段は、光を遮断する少なくとも１層以上の金属薄膜であることを特徴とする請求項３に記載の液晶表示装置。
【請求項７】
前記電源供給手段は、前記第２ラインと平行な方向に配列された前記画素電極にコラム単位に極性が反転された電源を供給し、前記光漏洩防止手段は、第２光漏洩領域及び非有効ディスプレー領域のうちの第２ラインと平行な方向に該当する非有効ディスプレー領域を帯形態に遮ることを特徴とする請求項２に記載の液晶表示装置。
【請求項８】
前記第１ラインと平行な前記非有効ディスプレー領域は、前記カラーフィルタ基板に形成された前記色画素オーバーラップ部によって遮ることを特徴とする請求項２に記載の液晶表示装置。
【請求項９】
色画素オーバーラップ部は、前記画素電極のうちの各ローに属する画素電極を同時に遮るように帯形状を有することを特徴とする請求項８に記載の液晶表示装置。
【請求項１０】
前記光漏洩防止手段は、光を遮断する少なくとも１層以上の金属薄膜であることを特徴とする請求項７に記載の液晶表示装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は液晶表示装置に関するものであり、より詳細には、転傾線により発生する漏洩光を遮断して高品質ディスプレーを具現する液晶表示装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
一般に、液晶表示装置は光学的異方性を有する液晶（Ｌｉｑｕｉｄ  Ｃｒｙｓｔａｌ）を精密に制御して画像を表示する表示装置である。
【０００３】
ここで、液晶の制御は電界により実施される。このような理由で、液晶は二つの電極間に形成される。液晶は配向溝によって特定される所定の方向に配列され、配向溝に対して所定の角度で傾斜され、液晶の光透過度が正確に制御される。
【０００４】
図１に示すように、ＬＣＤパネルにおいて高解像度の画像を表示するためには、液晶１０を小さい領域単位に精密に制御するに適合する構成を必要とする。これを具現するために、液晶１０の一側には一定の大きさのリファレンス電圧が印加される共通電極（ｃｏｍｍｏｎ  ｅｌｅｃｔｒｏｄｅ）２０が形成される。また、共通電極２０と向き合う所には解像度に適合する個数に分けられた画素電極３０、３５が形成される。ここで、画素電極３０と画素電極３５は相互に短絡されないように配慮する。このような構成を有する各画素電極３０、３５には、指定された時期に所望の電圧が印加されるようにする電源印加モジュール４０が連結される。
【０００５】
しかし、高解像度ディスプレーを具現するために画素電極３０、３５を二つ以上に分ける場合、画素電極３０と画素電極３５との間に微細なギャップ（ｇａｐ；Ｗ）が存在する。このような空間Ｗでは、液晶１０を制御することができない。即ち、画素電極３０と画素電極３５の空間Ｗではディスプレーをなすことができない。
【０００６】
このように、ディスプレーからならない所で発生した光は、ディスプレー品質を大きく低下させる。このように、ディスプレー品質が低下されることを防止するために、画素電極３０と画素電極３５の間に該当する位置は帯形状を有する光遮断膜５０により遮られる。また、光遮断膜５０は電源印加モジュール４０が使用者の目に認識されないようにする役割を有する。
【０００７】
しかし、液晶表示装置では光遮断膜５０を使用しても、一部光が光遮断膜５０により遮断されずに、漏洩する現象が発生する。
【０００８】
これは、画素電極が一つである場合には発生しなかったが、画素電極が二つ以上である場合に発生する。
【０００９】
このように、画素電極が二つである場合に発生する光の漏洩現象は画素電極３０と画素電極３５で形成される水平電界によって発生されるものである。
【００１０】
より具体的に、液晶１０は画素電極３０、３５と共通電極２０によって形成された垂直電界によってのみ配列されるものが最も理想的であるが、画素電極３０と画素電極３５との間に形成される水平電界１４が、画素電極３０、３５上に形成される垂直電界１２に影響を及ぼすためである。この水平電界１４は画素電極のエッジに同心円形状で形成される。
【００１１】
ここで、液晶１０は電界方向に対して平行になるようにする特性を有し、画素電極３０と画素電極３５との間では液晶１０が同心円形状に形成された水平電界１４に沿って平行に形成される。
【００１２】
このように、水平電界１４に沿って同心円形状に形成される場合、配向膜６０上に形成された配向溝６５のラビング方向と向き合う側の画素電極３０において液晶１０が逆傾斜する逆ティルト領域７０が形成される。
【００１３】
このように、液晶の逆ティルト領域７０では液晶１０の制御ができなくなり、この部分では画素電極３０と画素電極３５の空間Ｗと同様に光漏洩が発生する。
【００１４】
この部分は“転傾線（ｄｉｓｃｌｉｎａｔｉｏｎ）”と称する。
【００１５】
このように、画素電極３０上で発生する転傾線は激しいディスプレー不良を発生させる。
【００１６】
【発明が解決しようとする課題】
本発明の目的は、画素電極上に転傾線が形成されても外部から転傾線による漏洩光を認識できないようにして高品質ディスプレーが可能であるようにすることにある。
【００１７】
【発明の解決するための手段】
上述した目的を達成するための本発明の液晶表示装置は、基板に第１電極及び前記第１電極に電源を供給する電源印加手段が行列形態に形成された画素及び前記画素が形成された前記基板に第１ラビング方向にラビングされた少なくとも一つの第１配向溝が形成された第１配向膜を有するＴＦＴ基板と、前記第１電極と対向する第２電極、レッド、グリーン、ブルーのカラーフィルタ及び第２ラビング方向にラビングされた第２配向溝が形成された第２配向膜が形成されたカラーフィルタ基板と、前記ＴＦＴ基板と前記カラーフィルタ基板間に形成され、前記第１、第２配向溝によりティルト（ｔｉｌｔ）及びツイストされた液晶と、前記画素と画素間に形成された非有効ディスプレー領域及び前記非有効ディスプレー領域と隣接する前記第１電極の一部に前記第１配向溝の前記第１ラビング方向により逆ティルトされた液晶による光漏洩領域を遮る光漏洩防止手段を含む液晶表示パネルと、前記液晶表示パネルに光を供給するバックライトアセンブリとを含む。
【００１８】
【発明の実施の形態】
以下、図面を参照して本発明の望ましい一実施形態をより詳細に説明する。
【００１９】
図２には、本発明の一実施形態による液晶表示装置３００を概念的に示している。添付された図２を参照すると、液晶表示装置３００は全体的に液晶表示パネルアセンブリ１００及びバックライトアセンブリ２００により構成される。
【００２０】
より具体的に、バックライトアセンブリ２００は線光源光学分布を有する光を発生させる光源２１０、線光源光学分布である光を面光源光学分布に変更する導光板２２０及び導光板２２０で面光源光学分布に変更された光の輝度均一性を向上させる光学シート類２３０を含む。このような構成を有するバックライトアセンブリ２００で射出された光は液晶表示パネル１００に入射される。
【００２１】
液晶表示パネル１００はバックライトアセンブリ２００で射出された光の透過度を微細面積単位に制御して画像がディスプレーされるようにする役割を有する。
【００２２】
添付された図３又は図４は液晶表示パネル１００の外観及び液晶表示パネル１００の内部構造をより具体的に示している。
【００２３】
より具体的に、液晶表示パネル１００はＴＦＴ基板１１０、液晶１３０（図４参照）、カラーフィルタ基板１２０と共にテープキャリアパッケージ１４０及び駆動印刷回路基板１５０により構成される。
【００２４】
ＴＦＴ基板１１０は、図４に示したようにガラス基板１１１、画素電極１１２、電源印加モジュール１１３、第１配向膜１１４及び第１配向溝１１４ａにより構成される。図４の図面符号１１５は偏光板である。
【００２５】
具体的に、電源印加モジュール１１３はガラス基板１１１の上面に形成される。図４又は図５を参照すると、電源印加モジュール１１３は再び薄膜トランジスター１１３ａ及び共通信号線１１３ｇ、１１３ｈにより構成される。
【００２６】
この時、薄膜トランジスター１１３ａは一つ以上がガラス基板１１１上に行列形態に配列され、この時、薄膜トランジスター１１３ａの個数は解像度により決定される。例えば、解像度が８００ｘ６００であり、フルカラーディスプレーを実施するためには８００ｘ６００ｘ３個の薄膜トランジスターを必要とする。
【００２７】
このように、ガラス基板１１１に形成された薄膜トランジスター１１３ａはそれぞれ二つの信号入力ポート及び一つの信号出力ポートを有する。また、このような構造を有する薄膜トランジスター１１３ａを動作させるためには、二つの共通信号線１１３ｇ、１１３ｈを必要とする。
【００２８】
以下、添付された図４、図５及び図７を参照して薄膜トランジスター１１３ａ及び共通信号線１１３ｇ、１１３ｈの関係を具体的に説明する。
【００２９】
ガラス基板１１１の上面には、行列形態に薄膜トランジスター１１３ａの二つの信号入力ポートうちの一つであるゲート電極１１３ｂが形成される。このゲート電極１１３ｂはコラム単位に二つの共通信号線うちの一つが連結される。以下、この共通信号線を“ゲートライン１１３ｇ”と称する。このゲートライン１１３ｇはゲート電極１１３ｂが形成される過程で形成される。
【００３０】
この時、ゲート電極１１３ｂの上面に形成された薄膜は絶縁膜１１３ｃである。この絶縁膜１１３ｃにより絶縁された状態で絶縁膜１１３ｃのうちのゲートライン１１３ｇの上面に該当する部分には、チャンネル層１１３ｄが形成される。このチャンネル層１１３ｄはアモルファスシリコン、多結晶シリコン又は単結晶シリコンのような半導体物質からなる。このような、チャンネル層１１３ｄはゲート電極１１３ｂに電源が供給されない時には不導体特性を有し、ゲート電極１１３ｂに電源が供給されると導電体特性を有する。
【００３１】
一方、チャンネル層１１３ｄの上面にはアモルファスシリコンに選択的にｎ+イオンが注入されたｎ+アモルファスシリコン薄膜をさらに形成することができる。この層は導電層として相互にショートされないように二つの部分に分けられ、“オーミックコンタクト層”と称する。
【００３２】
この時、二つの部分に分けられたオーミックコンタクト層のうちのいずれか一つの上面には、薄膜トランジスター１１３ａの二つの信号入力ポートのうちのその他一つの信号入力ポートであるソース電極１１３ｅが形成される。このソース電極１１３ｅはコラム単位にその他一つの共通信号線に連結される。以下、ソース電極１１３ｅに連結された共通信号線を“データライン１１３ｈ”と称する。
【００３３】
一方、オーミックコンタクト層のうち、その他一つの上面には薄膜トランジスター１１３ａの信号出力ポートであるドレーン電極１１３ｆが形成される。
【００３４】
このような電源印加モジュール１１３は各薄膜トランジスター１１３ａのドレーン電極１３６ｆに所望の電圧が出力されるようにするために適合する構成を有する。電源印加モジュール１１３は、薄膜トランジスター１１３ａの個数に分割されたガラス基板１１１の各領域に、異なる電圧レベルの電源電圧を供給するように構成できる。
【００３５】
一方、このような電源印加モジュール１１３の各薄膜トランジスター１１３ａうちのドレーン電極１１３ｆには画素電極１１２が形成される。この時、各薄膜トランジスター１１３ａうち、ドレーン電極１１３ｆに形成された画素電極１１２は互いにショートしないように構成される。即ち、添付された図４に示すように、画素電極１１２ａと画素電極１１２ｂとの間には空き空間Ｗ１（図示せず）が存在する。以下、本発明では画素電極１１２ａと画素電極１１２ｂとの間空間を“非有効ディスプレー領域Ｗ１”と称する。
【００３６】
一方、画素電極１１２が形成されたガラス基板１１１の全面積にわたってポリイミッド材質の第１配向膜１１４が形成される。このような第１配向膜１１４には、ラビング布３１０が巻かれたラビングローラ３００が図６に示す所定の方向に第１配向膜１１４上に第１配向溝１１４ａを形成する。
【００３７】
このような構成を有するＴＦＴ基板１１０には、さらにカラーフィルタ基板１２０が配置される。ここで、カラーフィルタ基板１２０はガラス基板１２１、光漏洩防止膜１２２、色画素１２３（１２３ａ、１２３ｂ）共通電極１２４、第２配向膜１２５及び第２配向溝１２５ａにより構成される。説明しない図面符号１２６は偏光板である。
【００３８】
色画素１２３（１２３ａ、１２３ｂ）はレッド波長の光を射出するレッド色画素１２３ａ、グリーン波長の光を射出するグリーン色画素１２３ｂ及びブルー波長の光を射出するブルー色画素（図示せず）により構成される。
【００３９】
この色画素１２３は、画素電極１１２（１１２ａ、１１２ｂ）と一対一に対応する位置に形成され、色画素１２３の間には光漏洩防止膜１２２が形成される。一方、カラーフィルタ基板１２０のガラス基板１２１には全面積にわたって透明な共通電極１２４が形成される。また、この共通電極１２４の上面にはＴＦＴ基板１１０に形成されたように第２配向膜１２５が形成され、第２配向膜１２５には第２配向溝１２５ａが形成される。
【００４０】
この時、第１配向溝１１４ａとカラーフィルタ基板１２０に形成された第２配向溝１２５ａは相違する方向を有する。
【００４１】
一方、このような構成を有するＴＦＴ基板１１０及びカラーフィルタ基板１２０間には液晶１３０がシーラント（図示せず）により封入され液晶表示パネル１００が製造される。
【００４２】
このような構成を有する液晶表示装置では、非有効ディスプレー領域Ｗ１が第１画素電極１１２ａと第２画素電極１１２ｂの間に形成され、“水平電界”により画素電極１１２ｂの一部にも非有効ディスプレー領域Ｗ１が形成される。この水平電界が画素電極１１２ｂ上に非有効ディスプレー領域を形成する方向は第１配向溝１１４ａの方向により決定される。以下、画素電極１１２ｂの垂直電界が形成される部分に水平電界が形成された領域を“逆ティルト領域Ｗ２”と称する。
【００４３】
以下、画素電極１１２ｂに形成される逆ティルト領域Ｗ２の形成位置をより具体的に説明する。
【００４４】
まず、逆ティルト領域Ｗ２の発生位置はＴＦＴ基板１１０に形成された第１配向膜１１４の第１配向溝１１４ａの方向により決定される。
【００４５】
第１配向溝１１４ａの方向を定義するために、添付された図８に示したようにゲートライン１１３ｇを座標系のＸ軸及びゲートライン１１３ｇと直交するデータライン１３６ｈを座標系Ｙ軸に設定する。Ｘ軸及びＹ軸の交点を原点０であると称する。
【００４６】
このような状態で正のＸ値及び正のＹ値を有する領域を“第１領域”と称し、正のＸ値及び負のＹ値を有する領域を“第２領域”と称し、負のＸ値及び負のＹ値を有する領域を“第３領域”と称し、負のＸ値及び正のＹ値を有する領域を“第４領域”と称する。
【００４７】
このように、座標系が形成された状態で、図８又は図９に示したようにＴＦＴ基板１１０の画素電極１１２の上面に形成される第１配向溝１１４ａは、第３領域から第１領域を向かう方向へラビングされる。逆に、カラーフィルタ基板１２０に形成された第２配向溝１２５ａは第２領域から第４領域に向かう方向へラビングされる。
【００４８】
このような、方向に第１配向溝１１４ａの方向が決定されるにつれて、画素電極１１２のうちの第１配向溝１１４ａの配向方向と向き合う画素電極１１２の二つの隣接するエッジ１１２ｃ、１１２ｄに液晶の逆ティルト領域Ｗ２が形成される。ここで、液晶の逆ティルト領域Ｗ２は全ての画素電極１１２に共通的に形成される。
【００４９】
この時、図９に示したように、画素電極１１２の二つの隣接するエッジ１１２ｃ、１１２ｄに形成された逆ティルト領域Ｗ２のうちのゲートライン１１３ｇと平行なエッジ１１２ｄに形成された液晶の逆ティルト領域Ｗ２を第１逆ティルト領域Ｗ３と称し、データライン１１３ｈと平行なエッジ１１２ｃに形成された液晶の逆ティルト領域Ｗ２を第２逆ティルト領域Ｗ４と称する。
【００５０】
他の実施形態で、図１０に示したように画素電極１１２の上面に形成される第１配向溝１１４ａは、第２領域から第４領域に向かう方向に形成される。一方、カラーフィルタ基板１２０に形成された第２配向溝１２５ａは第３領域から第１領域に向かう方向に形成される。
【００５１】
このような方向に、第１配向溝１１４ａの方向が決定されるにつれて、画素電極１１２のうちの第１配向溝１１４ａの配向方向と向き合う画素電極１１２の二つの隣接するエッジ１１２ｄ、１１２ｆに液晶の逆ティルト領域Ｗ２が形成される。ここで、液晶の逆ティルト領域Ｗ２は全ての画素電極１１２に共通的に形成される。
【００５２】
この時、図１１に示したように、画素電極１１２の二つの隣接するエッジには、逆ティルト領域Ｗ２が形成される。この時、ゲートライン１１３ｇと平行なエッジ１１２ｄに形成された液晶の逆ティルト領域Ｗ２を第１逆ティルト領域Ｗ３と称し、データライン１１３ｈと平行なエッジ１１２ｆに形成された液晶の逆ティルト領域Ｗ２を第２逆ティルト領域Ｗ４と称する。
【００５３】
また、他の実施形態で、図１２に示したように画素電極１１２の上面に形成される第１配向溝１１４ａは、第４領域から第２領域に向かう方向に形成される。一方、カラーフィルタ基板１２０に形成された第２配向溝１２５ａは第３領域から第１領域に向かう方向に形成される。
【００５４】
このような方向に、第１配向溝１１４ａの方向が決定されるにつれて、画素電極１１２のうちの第１配向溝１１４ａの配向方向と向き合う二つの隣接するエッジ１１２ｃ、１１２ｅに液晶の逆ティルト領域Ｗ２が形成される。ここで、液晶の逆ティルト領域Ｗ２は全ての画素電極１１２に共通的に形成される。
【００５５】
この時、図１３に示したように、画素電極１１２の二つの隣接するエッジに形成された液晶の逆ティルト領域Ｗ２のうちのゲートライン１１３ｇと平行なエッジ１１２ｅに形成された液晶の逆ティルト領域Ｗ２を第１逆ティルト領域Ｗ３と称し、データライン１１３ｈと平行なエッジ１１２ｃに形成された液晶の逆ティルト領域Ｗ２を第２逆ティルト領域Ｗ４と称する。
【００５６】
他の実施形態で、図１４に示したように画素電極１１２の上面に形成される第１配向溝１１４ａは、第１領域から第３領域に向かう方向に形成される。一方、カラーフィルタ基板１２０に形成された第２配向溝１２５ａは第４領域から第２領域に向かう方向に形成される。
【００５７】
このような方法により、第１配向溝１１４ａの方向が決定されるにつれて、画素電極１１２のうちの第１配向溝１１４ａの配向方向と向き合う画素電極１１２の二つの隣接するエッジ１１２ｅ、１１２ｆに液晶の逆ティルト領域Ｗ２が形成される。ここで、液晶の逆ティルト領域Ｗ２は全ての画素電極１１２に共通的に形成される。
【００５８】
この時、図１５に示したように、画素電極１１２の二つの隣接するエッジに形成された逆ティルト領域Ｗ２のうちのゲートライン１１３ｇと平行なエッジ１１２ｅに形成された液晶の逆ティルト領域Ｗ２を第１逆ティルト領域Ｗ３と称し、データライン１１３ｈと平行なエッジ１１２ｆに形成された液晶の逆ティルト領域Ｗ２を第２逆ティルト領域Ｗ４と称する。
【００５９】
ここで、添付された図９乃至図１５に示したように、逆ティルト領域Ｗ３は、例えば、二つの画素電極１１２ａ、１１２ｂが隣接する状態でいずれか一つの画素電極１１２ｂにのみ形成する。同様に、逆ティルト領域Ｗ４も二つの画素電極１１２が隣接する状態でいずれか一つの画素電極１１２ｂにのみ形成される。
【００６０】
ここで、第１、第２逆ティルト領域Ｗ３、Ｗ４では、液晶が制御されないので、光漏洩が発生する。このことは液晶表示装置から光漏洩が発生しないようにするためには、非有効ディスプレー領域だけでなく、第１、第２逆ティルト領域Ｗ３、Ｗ４も共に遮らなければならないことを意味する。
【００６１】
ここで、図４に示したように、逆ティルト領域Ｗ３及び非有効ディスプレー領域Ｗ１は、全て光漏洩防止膜１２２により遮られる。この時、光漏洩防止膜１２２はクロム物質で構成できる。
【００６２】
ここで、光漏洩防止膜１２２の一側エッジは、画素電極１１２のうち、第１、第２逆ティルト領域Ｗ３、Ｗ４が形成されていない画素電極１１２ａ及び非有効ディスプレー領域Ｗ１の境界に位置する。光漏洩防止膜１２２は、第１、第２逆ティルト領域Ｗ３、Ｗ４が形成された画素電極１１２ｂと、第１、第２逆ティルト領域Ｗ３、Ｗ４の上部側に延設される。即ち、光漏洩防止膜１２２の他側エッジは画素電極１１２ｂと第１、第２逆ティルト領域Ｗ３、Ｗ４の境界に位置する。
【００６３】
この時、第１、第２逆ティルト領域Ｗ３、Ｗ４で漏洩する光の強度には多少差異が発生するが、この差異は液晶表示装置の駆動方式による。
【００６４】
例えば、図１６に示したように、ｎｘｎのマトリックス状を有する画素電極のうち、例えば、ｎ−１番目コラムに属する全て画素電極が正極性に電界が形成された状態でｎ番目コラムに属する画素電極は負極性に電界が形成されるという。このような方式は“ライン反転駆動方式”と称される。
【００６５】
このように、ライン反転駆動方式により画素電極に電界が形成される場合、同一ロー（ｒｏｗ）に属する画素電極間の電界差異より隣接する相違するローに属する画素電極間の電界差がより大きくなる。
【００６６】
例えば、図１６に示したように、ｎ−１番目ローに属する画素電極に加えられた電源が各々＋５Ｖ、＋４Ｖ、＋３Ｖであり、ｎ番目ローに属する画素電極に加えられた画素電極に加えられた電源が各々−１０Ｖ、−９Ｖ、−１０Ｖである場合、ｎ−１番目ロー及びｎローに属する画素電極間の電界差はわずか△１Ｖにすぎないが、ｎ−１番目ローであり、ｎ−２コラム、ｎ−１コラム、ｎコラムに属する画素電極及びｎ番目ローであり、ｎ−２コラム、ｎ−１目コラム、ｎコラムに属する画素電極間の各々の電界差は最小限り△１０Ｖ以上になる。
【００６７】
結局、このような場合、第１逆ティルト領域Ｗ３ではディスプレー不良が大きくなり、第２逆ティルト領域Ｗ４では第１逆ティルト領域Ｗ３に比べて相対的に良好なディスプレーが実施される。
【００６８】
このような理由で、“ライン反転駆動方式”の場合、画素電極１１２ｂのうちの第１逆ティルト領域Ｗ３が形成された部分及び非有効ディスプレー領域Ｗ１は光漏洩防止膜１２２により遮られる。より具体的に、光漏洩防止膜１２２はゲートライン１１３ｇと平行な方向へのみ形成される。この時、説明しない図面符号Ｃは画素電極と画素電極の中心である。
【００６９】
一方、ライン反転駆動方式で第１逆ティルト領域Ｗ３と非有効ディスプレー領域Ｗ１は、調節された光漏洩防止膜１２２によりカバーされるが、第２逆ティルト領域Ｗ４で発生する微弱の光漏洩は依然存在するので、第２逆ティルト領域Ｗ４で発生した微弱の光漏洩はやはり遮断しなければならない。
【００７０】
これのために、本発明では一実施形態として、図１７に示したように色画素をオーバーラップさせる方法が使用される。
【００７１】
色画素のオーバーラップは相当に簡単である。まず、レッド色画素１２３ａ、グリーン色画素１２３ｂ及びブルー色画素１２３ｃは行列方式に配列された画素電極１１２のうち、ｎ−２コラム、ｎ−１コラム、ｎコラム（ｃｏｌｕｍｎ）に属する画素電極をグループ別にカバーする長い帯形状を有する。
【００７２】
この時、各色画素のオーバーラップは、非有効ディスプレー領域Ｗ１及び第２逆ティルト領域Ｗ４からなる。具体的に、図１７に示したようにレッド色画素１２３ａは＋５Ｖおよび−１０Ｖが印加された画素電極をカバーしながら＋４Ｖおよび−９Ｖが印加された画素電極に形成された第２逆ティルト領域Ｗ４まで延設される。
【００７３】
一方、グリーン色画素１２３ｂは＋４Ｖおよび−９Ｖに印加された画素電極をカバーしながら一側へは＋５Ｖおよび−１０Ｖが印加された画素電極のエッジまで延設され、他側へは＋３Ｖおよび−１０Ｖが印加された画素電極に形成された第２逆ティルト領域Ｗ４まで延設される。
【００７４】
また、ブルー色画素１２３ｃは＋３Ｖおよび−１０Ｖが印加された画素電極をカバーしながら＋４Ｖおよび−９Ｖが印加された画素電極のエッジまで延設される。
【００７５】
従って、レッド、グリーン、ブルー色画素１２３ａ、１２３ｂ、１２３ｃは図１７にハッチングで示す領域でオーバーラップする。この時、レッド色画素−グリーン色画素、グリーン色画素−ブルー色画素が重なった所では光透過度が顕著に低下し、非有効ディスプレー領域Ｗ１及び第２逆ティルト領域Ｗ４を遮る役割を有する。
【００７６】
一方、添付された図１８及び図１９には液晶表示装置の駆動方法により第１及び第２逆ティルト領域及び非有効ディスプレー領域によるディスプレー特性低下を防止する方法を示している。
【００７７】
例えば、図１８に図示されたように、ｎｘｎのマトリックス形態を有する画素電極のうち、例えば、ｎ−２番目コラム（ｃｏｌｕｍｎ）に属する全ての画素電極が正極性に電界が形成された状態で、ｎ−１番目コラムに属する画素電極は負極性に電界が形成され、ｎ番目コラムに属する画素電極が再び正極性に電界が形成される。このような方式を“コラム反転駆動方式”と称する。
【００７８】
このように、コラム反転駆動方式により画素電極に規則的な電界が形成される場合、同一コラムに属する画素電極間電界差より隣接する相違するコラムに属する画素電極間の電界差がずっと大きくなる。
【００７９】
例えば、図１８のｎ−２番目コラムに属する画素電極に加えられた電源が各々＋１Ｖ、＋６Ｖであり、ｎ−１番目コラムに属する画素電極に加えられた電源が各々−５Ｖ、−２Ｖであり、ｎ番目コラムに属する画素電極に加えられた電源が＋７Ｖ、＋４Ｖとする。ここで、ｎ−２コラム、ｎ−１コラム、ｎコラムに属するｎ−１ローとｎローの画素電極間の電界差より、各コラム間電界差が最も大きくなる。
【００８０】
これは、第２逆ティルト領域Ｗ４でのディスプレー不良が第１逆ティルト領域Ｗ３より悪化することを意味する。
【００８１】
このような理由で、“コラム反転駆動方式”の場合、図１８に示したように、画素電極のうち、第２逆ティルト領域Ｗ４が形成された部分及び非有効ディスプレー領域Ｗ１は光漏洩防止膜１２２により遮られる。より具体的に、光漏洩防止膜１２２はデータライン１１３ｈと平行な方向へのみ形成される。この時、光漏洩防止膜１２２は互いに隣接する画素電極うちの第２逆ティルト領域Ｗ４が形成されない画素電極が最小の面積を覆うようにして、画素電極の開口面積が減少されないようにする。
【００８２】
一方、コラム反転駆動方式で第２逆ティルト領域Ｗ４と非有効ディスプレー領域Ｗ１は、位置調節された光漏洩防止膜１２２によりカバーされるが、第１逆ティルト領域Ｗ３の微弱したディスプレー特性低下も補正されなければならない。
【００８３】
これのために、本発明では一実施形態として、図１９に示したように色画素をオーバーラップさせる方法を使用する。
【００８４】
色画素１２９のオーバーラップは相当に簡単である。まず、レッド色画素１２９ａ、グリーン色画素１２９ｂ及びブルー色画素（図示せず）は行列方式に配列された画素電極のうち、ｎ−１ロー及びｎロー（ｒｏｗ）に属する画素電極を共通的にカバーする長い帯形状を有する。
【００８５】
この時、各画素のオーバーラップは非有効ディスプレー領域Ｗ１及び第１逆ティルト領域Ｗ３からなる。具体的に、図１８に示したように、レッド色画素１２９ａは＋１Ｖおよび−５Ｖ、＋７Ｖが印加された画素電極をカバーしながら＋６Ｖ、−２Ｖ、＋４Ｖが印加された画素電極のエッジまで延設される。
【００８６】
一方、グリーン色画素１２９ｂは＋６Ｖ、−２Ｖ、＋４Ｖが印加された画素電極をカバーしながら一側へは＋１Ｖ、−５Ｖ、＋７Ｖが印加された画素電極に形成された第１逆ティルト領域Ｗ３まで延設される。
【００８７】
ここで、色画素１２９は、図１９に示すハッチング領域でオーバーラップする。この時、レッド色画素１２９ａ−グリーン色画素１２９ｂが重なった領域において光透過度が顕著に低下し、非有効ディスプレー領域Ｗ１及び第１逆ティルト領域Ｗ３を遮る役割を課すことができる。
【００８８】
一方、添付された図２０は液晶表示装置の駆動方法により第１及び第２逆ティルト領域及び非有効ディスプレー領域によるディスプレー特性低下を防止する方法を示している。
【００８９】
ドット反転駆動方式を用いる場合、画素電極の極性は、コラム方向及び異なるロー方向に配置された隣接する画素電極間で反転することとなる。
【００９０】
ドット反転駆動方式を用いて液晶パネルを駆動する場合、第１及び第２逆ティルト領域Ｗ３、Ｗ４を通じて漏洩する光の量はライン反転駆動方式やコラム反転駆動方式を用いた場合よりも増加し、カラーフィルタをオーバーラップする方式として、画質劣化を防止する効果を得ることが困難である。
【００９１】
このような理由で、第１、第２逆ティルト領域Ｗ３、Ｗ４及び非有効ディスプレー領域Ｗ１を全て光漏洩防止膜１２２により遮ることで、液晶の画質向上を図ることができる。
【００９２】
以上、本発明の実施例によって詳細に説明したが、本発明はこれに限定されず、本発明が属する技術分野において通常の知識を有するものであれば本発明の思想と精神を離れることなく、本発明を修正または変更できるであろう。
【００９３】
例えば、本発明で駆動方式が“ライン反転駆動方式”又は“コラム反転駆動方式”であっても、図２０に示したように画素電極と画素電極間に全てブラックマトリックスを形成することができる。
【００９４】
【発明の効果】
本発明によると、液晶表示装置で液晶のラビング方向により発生する光漏洩を光漏洩防止膜の面積増大なしに光漏洩防止膜の位置を最適化して開口率の減少なしに液晶表示装置から光の漏洩が発生しないようにする効果を有する。
【図面の簡単な説明】
【図１】図１は従来の転傾線（ｄｉｓｃｌｉｎａｔｉｏｎ）による光漏洩が発生する液晶表示装置の構造を説明するための断面図である。
【図２】本発明の一実施形態による転傾線により光漏洩を防止するための液晶表示パネルを含む液晶表示装置の概念図である。
【図３】本発明の一実施形態により光漏洩が遮断された液晶表示パネルの概念図である。
【図４】図３のIII−III断面図である。
【図５】本発明の一実施形態による電源印加モジュール及び画素電極を示した概念図である。
【図６】本発明の一実施形態によりＴＦＴ基板に形成された配向膜に配向膜溝を形成することを示した概念図である。
【図７】本発明の一実施形態によるＴＦＴ基板の表面を示した概念図である。
【図８】本発明の一実施形態によるＴＦＴ基板とカラーフィルタ基板での第１、第２配向溝の方向を定義した座標系である。
【図９】本発明の一実施形態により液晶表示パネルに座標系により配向溝を形成した時発生する逆ティルト領域の多様な実施形態を示した断面図である。
【図１０】本発明の一実施形態により液晶表示パネルに座標系により配向溝を形成した時発生する逆ティルト領域の多様な実施形態を示した断面図である。
【図１１】本発明の一実施形態により液晶表示パネルに座標系により配向溝を形成した時発生する逆ティルト領域の多様な実施形態を示した断面図である。
【図１２】本発明の一実施形態により液晶表示パネルに座標系により配向溝を形成した時発生する逆ティルト領域の多様な実施形態を示した断面図である。
【図１３】本発明の一実施形態により液晶表示パネルに座標系により配向溝を形成した時発生する逆ティルト領域の多様な実施形態を示した断面図である。
【図１４】本発明の一実施形態により液晶表示パネルに座標系により配向溝を形成した時発生する逆ティルト領域の多様な実施形態を示した断面図である。
【図１５】本発明の一実施形態により液晶表示パネルに座標系により配向溝を形成した時発生する逆ティルト領域の多様な実施形態を示した断面図である。
【図１６】本発明の望ましい一実施形態によりライン反転駆動方式であるとき、光漏洩遮断膜及び色画素オーバーラップを示した概念図である。
【図１７】本発明の望ましい一実施形態によりライン反転駆動方式であるとき、光漏洩遮断膜及び色画素オーバーラップを示した概念図である。
【図１８】本発明の望ましい一実施形態によりコラム反転駆動方式であるとき、光漏洩遮断膜及び色画素オーバーラップを示した概念図である。
【図１９】本発明の望ましい一実施形態によりコラム反転駆動方式であるとき、光漏洩遮断膜及び色画素オーバーラップを示した概念図である。
【図２０】本発明の望ましい一実施形態によりドット反転駆動方式であるとき、光漏洩遮断膜を示した概念図である。
【符号の説明】
１００    液晶表示パネル
１１０    ＴＦＴ基板
１１１、１２１    ガラス基板
１１２    画素電極
１１４    第１配向膜
１２０    カラーフィルタ基板
１２２    光漏洩防止膜
１２４    共通電極
１２５    第２配向膜
１４０    テープキャリアパッケージ
１５０    印刷回路基板
２００    バックライトアセンブリ
２１０    光源
２２０    導光板
２３０    光学シート類
３００    ラビングローラ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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