(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
センサの製造方法であって、
半導体材料またはガラスから成る群から基板（２００）を選択する段階であって、該基板が表面を有する、段階；
前記表面上に第１犠牲層を堆積する段階であって、該第１犠牲層をフォスフォシリケート・ガラスで構成する段階；
前記第１犠牲層をパターニングする段階；
前記第１犠牲層上に電極（１１０，５１０，７１０）を形成する段階であって、該電極をドープされた多結晶シリコンで構成する段階；
前記電極上に第２犠牲層を堆積する段階であって、該第２犠牲層をフォスフォシリケート・ガラスで構成する段階；
前記第２犠牲層をパターニングする段階；
前記電極の周囲に沿ってボンディング・パッド（１７０，４７０）を、および前記電極の一部分の上に構造（１６０，４６０，５６０，７６０）の少なくとも一部分を同時に形成する段階であって、前記ボンディング・パッドおよび前記構造の一部分をアルミニウムおよびシリコンで構成する段階；および
前記ボンディング・パッドおよび前記構造の一部分を同時に形成した後、前記第１および第２犠牲層を選択的に除去して前記電極を解放する段階；
から成り、
前記第１犠牲層および第２犠牲層を選択的に除去した後、前記電極は互いに垂直な第１，第２，および第３軸に沿って移動可能となり、前記電極は前記基板に対して移動可能となり、前記第１犠牲層および第２犠牲層を選択的に除去した後、前記ボンディング・パッドおよび前記構造は前記基板に対して固定状となり、前記センサは前記第１軸に沿った加速度を検出し、前記第１および第２軸は前記基板の表面に対して平行であり、前記第３軸は前記基板の表面に対して垂直であり、前記構造は前記基板に堅固に結合され、前記電極の前記第１，第２，および第３軸に沿った移動を制限し、前記電極が前記構造から間隔を隔てられていることを特徴とする方法。
【請求項２】
センサであって：
表面を有する半導体基板（２００）；
前記半導体基板の前記表面に結合され、その上に位置し、前記半導体基板の前記表面に対して移動可能な電極（１１０，５１０，７１０）であって、第１材料で構成した電極；
前記電極の一部分上にあり、前記電極の移動を限定する構造（１６０，４６０，５６０，７６０）であって、前記第１材料とは異なる第２材料で構成され、前記電極が前記構造から間隔を隔てられている構造；および
前記電極の周囲の外側にあるボンディング・パッド（１７０，４７０）であって、前記第２材料で構成したボンディング・パッド；
から成り、前記電極は孔を有し、前記構造は前記孔を通過して前記半導体基板に結合され、更に前記電極周囲の外側にある位置において前記半導体基板に結合されていることを特徴とするセンサ。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、一般的に、電子部品に関し、更に特定すればセンサおよび製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
容量変化を測定することによって加速度を検出可能な微細加工センサがある。多くのセンサは、支持基板の表面に平行な軸に沿った加速度を検出する面内センサ(in-plane sensor)である。これら面内センサは、支持基板表面の上方に位置する電極を有し、この電極が軸に沿った加速度に応答して、その同じ軸に沿って移動する。電極は２つの固定電極間で移動し、２つの固定電極および可動電極間の容量差を用いて、加速度の大きさを判定することができる。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、これら面内センサは、基礎となる支持基板の表面に対して垂直な直交軸に沿った移動も可能である。この直交軸に沿った大きな加速度力が発生すると、可動電極を２つの固定電極の一方の上面に移動させる可能性があり、可動電極はその位置で不動化(immobilized)されたままとなる虞れがある。この不動化は、センサを動作不能にする。
【０００４】
したがって、改良されたセンサ，および当該センサの信頼性および生産性を改善する使用法が求められている。
【０００５】
【発明の実施の形態】
図１は、センサ１００の平面図を示す。図１の好適実施例では、センサ１００は、ｘ−軸１０に沿った加速度を検知即ち検出する加速度計である。ｘ−軸１０は、ｙ−軸１１およびｚ−軸１２に対してほぼ垂直即ち直交であり、ｙ−軸１１はｚ−軸１２に対してほぼ垂直即ち直交である。ｘ−軸１０，ｙ−軸１１，およびｚ−軸１２は、それぞれ、右回りデカルト座標系(right-handed Cartesian coordinate system)を規定する。したがって、ｚ−軸１２は、図１において紙面から突き出る方向を示す。
【０００６】
センサ１００は、その構造の中でもとりわけ、可動電極１１０および固定電極１４０，１５０を含む。図１に示すように、固定電極１４０は、固定電極１５０間に交互配置されている。固定電極１４０は全て電気的に互いに短絡され、同じ電位にバイアスされている。また、固定電極１５０は、全て電気的に互いに短絡され、異なる電位にバイアスされている。電極１４０，１５０は電気的に互いに短絡されていない。
【０００７】
可動電極１１０は、基礎となる支持基板に結合され、これの上に位置し、これに対して移動可能となっている。可動電極１１０は、中央本体１１１および外周フィンガ１１２を含む数個の構成要素を有する。外周フィンガ１１２は、互いに平行であり、中央本体１１１の両側から遠ざかるように、実質的に垂直に延在する。図１に示すように、フィンガ１１２の各々は、異なる対の固定電極１４０，１５０の間に配置されている。即ち、交互配置されている。
【０００８】
また、センサ１００は、アンカ１２０および折り返しまたは折り曲げサスペンション・アーム即ちビーム１３０も含む。アンカ１２０は、基礎となる支持基板表面の上方に位置し、これに結合されている。ビーム１３０は、アンカ１２０を電極１１０の本体１１１に結合または接続する。アンカ１２０およびビーム１３０は、基礎となる支持基板上で、電極１１０を懸垂または支持する。アンカ１２０およびビーム１３０は、電極１１０を支持基板とは独立して移動可能にする。即ち、電極１１０は、ｘ−軸１０，ｙ−軸１１，およびｚ−軸１２それぞれの全てに沿って移動可能である。ｘ−軸１０およびｙ−軸１１は双方とも、基礎となる基板の表面に対してほぼ平行であり、ｚ−軸１２は基礎となる基板の表面に対してほぼ垂直即ち直交である。
【０００９】
また、センサ１００は、電極１１０のｘ−軸１０，ｙ−軸１１，およびｚ−軸１２に沿った運動即ち移動可能性(mobility)を限定即ち制限する固定構造１６０を含む。構造１６０については、以下で図２を参照しながら更に詳細に説明する。
【００１０】
図１において、センサ１００は、更に、電極１１０の周囲外側に位置する電極即ちボンディング・パッド１７０も含むように図示されている。ボンディング・パッド１７０の少なくとも１つは、可動電極１１０に電気的に結合され、パッド１７０の別の１つは固定電極１４０に電気的に結合され、パッド１７０の更に別の１つは固定電極１５０に電気的に結合されている。
【００１１】
動作において、固定電極１４０，１５０は２つの異なる電位に電気的にバイアスすることができ、アンカ１２０，ビーム１３０，本体１１１，およびフィンガ１１２は、第３電位に電気的にバイアスすることができる。例えば、電極１４０は、第３電位よりも大きな第１電位にバイアスすることができ、一方電極１５０は第３電位よりも小さい第２電位にバイアスする。あるいはこの逆とする。
【００１２】
フィンガ１１２の１つと固定電極１４０の直接隣接する１つとの間において、第１容量が測定され、フィンガ１１２の同じ１つと固定電極１５０の直接隣接する１つとの間で第２容量が測定される。これら２つの容量は、差動コンデンサ対を形成する。同様に、フィンガ１１２の各々を用いて、他の差動コンデンサ対が形成される。センサ１００が静止状態にあり、加速度力を全く受けていない場合、フィンガ１１２によって測定される容量差は、定常状態即ち名目容量差(nominal differential capacitance)であり、ゼロとすることができる。
【００１３】
ｘ−軸１０に沿った加速度は、電極１１０をｘ−軸１０に沿って移動させる。加速度は電極１１０の全てを移動させ、フィンガ１１２がそれらの各固定電極１４０または１５０の１つに近づくように移動する。フィンガ１１２の全てが同じ方向にそれらの各電極１４０に向かって、またはそれらの各電極１５０に向かって同時に移動するため、電極１１０には剛性が必要である。加速度力が大きい程、フィンガ１１２はこれに応答して移動する距離が大きくなり。、それらの各固定電極１４０または１５０に一層近づく。このように、加速度力が大きい程、容量差の公称容量差からの変化が大きくなる。
【００１４】
図２は、図１の切断線２−２に沿ったセンサ１００の断面図を示す。電極１１０，アンカ１２０，ビーム１３０，およびボンディング・パッド１７０が、支持基板２００の実質的に平坦な表面２０１の上に位置する。ｘ−軸１０およびｙ−軸１１は、表面２０１にほぼ平行である。誘電体層２１０が、基板２００と、電極１１０，アンカ１２０，ビーム１３０，およびボンディング・パッド１７０との間に位置し、即ち、基板２００をこれらから分離し、上に位置する電極から基板２００を電気的に絶縁する。
【００１５】
図２に示すように、電極１１０は開口即ち孔２１５を有し、構造１６０は孔２１５内部および電極１１０上に位置し、電極１１０のｘ−軸１０，ｙ−軸１１，およびｚ−軸１２に沿った移動可能性を制限する。構造１６０は、基板２００の上に位置し、孔２１５を介してこれに強固に結合されている。構造１６０は、２つの主要領域、即ち、下側部分２６１および上側部分２６２を有する。下側部分２６１は、電極１１０のｘ−軸１０およびｙ−軸１１に沿った運動を制限し、上側部分２６２は電極１１０のｚ−軸１２に沿った正（＋ｚ）方向の運動を制限する。
【００１６】
センサ１００の性能を最適化するためには、基板１６０の上に位置する部分２６２および電極１１０の下に位置する本体１１１の間の距離２９０は、本体１１１の厚さ２９１未満とすることが好ましい。距離２９０および厚さ２９１は、双方ともｚ−軸１２に沿った方向に測定される。この構造では、本体１１１は基板１６０の凹部２６３には嵌合せず、凹部２６３内で不動状態にはならない。
【００１７】
センサ１００の性能を更に最適化するためには、基板１６０の下側部分２６１および電極１１０の本体１１１の間の距離２９２は、フィンガ１２０および電極１４０間の距離１９０（図１）よりも小さいことが好ましく、距離２９２は、フィンガ１１２および電極１５０間の距離１９１（図１）よりも小さいことが更に好ましい。
【００１８】
センサ１００の性能を更に一層最適化するためには、構造１６０の外縁および孔２１５の外縁間の距離２９４は、距離２９２よりも大きいことが好ましい。
【００１９】
距離１９０，１９１，２９２，２９４は、全て、基板２００の表面２０１にほぼ平行な方向で測定される。この構造では、可動電極１１０は、構造１６０と衝突またはその中に突入し、ビーム１３０または電極１４０，１５０のようなその他の固定構造には突入しない。
【００２０】
図３は、製造の初期段階におけるセンサ１００の断面図を示す。センサ１００の製造プロセスは、従来技術のセンサと比較して、追加層の使用を一切必要としない。したがって、センサ１００は、従来のプロセスを用いて製造可能である。
【００２１】
既に説明したように、センサ１００は、実質的に平坦な表面２０１を有する、支持基板２００を含む。好適実施例では、基板２００は、例えば、単結晶シリコンのような半導体から成る。しかしながら、代替実施例では、基板２００は、平面を有するガラスまたはその他の剛性材料で構成することも可能である。
【００２２】
基板２０１上に誘電体層２１０を堆積するかまたは成長させ、基板２００と後に基板２００の上に形成される電極および誘電体層２１０の間に電気的な絶縁を与える。一例として、層２１０は、化学蒸着した窒化シリコンで構成することができる。
【００２３】
次に、層２１０上に導電層を堆積し、パターニングして層２３０を形成する。製造の簡便化のためには、層２３０を多結晶シリコンで構成し、堆積しつつドープするかあるいは堆積後にドープすることが好ましい。異なる実施例では、層２３０は、例えば、アルミニウム，銅，タングステン，チタン，金，ニッケル，パーマロイ等から成る金属，または中間金属(intermetallic)で構成することができる。別の実施例では、基板２００を半導体材料で構成する場合、層２３０の代わりに、基板２００の接合絶縁導通部分(junction-isolated conducting portion)を用いることが可能である。
【００２４】
続いて、層２３０，２１０上に第１犠牲層を堆積する。この犠牲層をパターニングして、層３００を形成する。以下で論ずるように、層３００は後に除去され、上に位置する電極を解放し、電極を移動可能とする。層３００は、層２１０を実質的に傷つけずに、更に層２３０やセンサ１００のその他の続いて形成される導電性構造も傷つけずに除去することが望ましい。例えば、層３００は、フォスフォシリケート・ガラスのような、化学蒸着しドープした二酸化シリコンで構成することができる。
【００２５】
次に、層２３０，３００上に別の導電層を堆積し、パターニングして、センサ１００の複数の導電性構造を形成する。即ち、この導電層は、ボンディング・パッド１７０の下側部分２７１，ビーム１３０，アンカ１２０，電極１１０の本体１１１，および構造１６０の部分２６１を同時に形成するために用いられる。図３には示さないが、この導電層は、電極１１０のフィンガ１１２（図１），および固定電極１４０，１５０（図１）を同時に形成するためにも用いられる。導電層を堆積することにより、図２に関して先に論じた厚さ２９１を規定する。好適な実施形態では、厚さ２９１は約１ないし２０マイクロメートルの間である。
【００２６】
導電層をパターニングまたはエッチングすることにより、電極１１０内に孔２１５を規定し、更に電極１１０の本体１１１内の貫通孔１１３（図１），図２の距離２９２および図１の距離１９０，１９１も規定する。図２に示すように、構造１６０の部分２６１が、本体１１１の孔２１５内部に位置し、先に述べた運動制限即ち過剰移動限定機能を与える。好適実施例では、導電層を層２３０に用いた材料と同様の材料で構成し、後の犠牲層の選択的除去を容易にする。
【００２７】
続いて、層３００，ボンディング・パッド１７０の部分２７１，ビーム１３０，アンカ１２０，電極１１０，および構造１６０の部分２６１上に第２犠牲層を堆積する。この第２犠牲層をパターニングし、層３１０を形成する。以下で論ずるように、層３１０は後に除去され、下に位置する電極１１０およびビーム１３０を解放する。層３００と同様に、層３１０は、層２１０，２３０，ボンディング・パッド１７０，ビーム１３０，アンカ１２０，電極１１０，および構造１６０を実質的に傷つけることなく、除去することが好ましい。好適実施例では、層３１０は、層３００に用いた材料と同様の材料で構成する。例えば、層３１０は、フォスフォシリケート(phosphosilicate)・ガラスで構成することができる。
【００２８】
層３１０の上面は、層３１０上に堆積される導電層の適正な形成を保証するために、実質的に平面とすることが好ましい。層３１０にほぼ平坦な上面を保証するため、更に層３１０内においてボイドを排除するため、以下の多工程プロセスを用いることが好ましい。最初に、層３００，ボンディング・パッド１７０の部分２７１，アンカ１２０，ビーム１３０，電極１１０，および構造１６０の部分２６１上に、層３１０の第１部分を堆積する。第１部分の厚さは、層３１０の厚さ全体の半分以上とする。次に、第１部分を、層３１０の厚さの約半分にスパッタ・エッチングする。スパッタ・エッチング工程は、第１部分の上面全体をエッチングする全面的エッチングであり、エッチング・マスクを使用しない。次に、残りの第１部分をアニールし、犠牲層を流動させ、あらゆるボイドを埋めつくす。このエッチングおよびアニールの組み合わせにより、続く層３１０の第２部分の堆積のために、より滑らかな表面を備える。この層３１０の第２部分は、層３１０の厚さ全体の半分よりも大きい厚さを有するように堆積する。第２部分の上面全体にもスパッタ・エッチングを行い、第２部分の厚さを層３１０の厚さの約半分に減らす。次いで、犠牲層をパターニングし層３１０を形成する。
【００２９】
次に、層３１０上に別の導電層３２０を堆積し、続いてパターニングする。層３２０は、ボンディング・パッド１７０の上側部分２７２（図２）および構造１６０の部分２６２（図２）を同時に形成するために用いられる。ボンディング・パッド１７０の部分２７２は、ボンディング・パッド１７０の部分２７１上に位置付けられ、これに結合される。構造１６０の部分２６２（図２）は、孔２１５の上に位置付けられ、更に構造１６０の部分２６１の上に位置付けられこれに結合される。部分２６２は、電極１１０の本体１１１の一部と重複する、即ち、これを覆うことにより、先に述べたように正のｚ方向において運動制限即ち過剰移動限定機能を与える。
【００３０】
層３２０は、ボンディング・パッド１７０の部分２１７，ビーム１３０，アンカ１２０，電極１１０，および構造１６０の部分２６１を形成する際に用いた材料とは異なる材料で構成する。層３２０はボンディング・パッド１７０の部分２７２（図２）を形成するために用いられるので、層３２０は、続くワイヤ・ボンディング・プロセスと適合性があり、ワイヤ・ボンドを部分２７２に直接取り付け可能とすることが好ましい。好適実施例では、層３２０は、例えば、アルミニウムのような金属で構成する。層３２０にシリコンをドープし、下に位置する多結晶シリコン層内へのアルミニウムのスパイキング(spiking)を防止することができる。また、層３２０は、十分に厚くし、構造１６０の部分２６２（図２）がｚ−軸１２に沿った電極１１０の移動を制限できるように十分強くする必要がある。一例として、層３２０の厚さは約１ないし５マイクロメータとすることができる。
【００３１】
次に、構造１６０およびボンディング・パッド１７０の形成を完了した後、層３１０，３００を選択的に除去し、電極１１０およびビーム１３０を解放する。一例として、層３１０，３００を選択的にエッチングする弗化水素酸および酢酸から成るウェット・エッチャントを用いることにより、センサ１００の永久構造がほぼエッチングされないように、層３１０，３００を除去することができる。本体１１１内の孔１１３（図１）は、層３１０，３００を除去するウェット・エッチャントの流動を促進する。
【００３２】
図３に示すように、ボンディング・パッド１７０，アンカ１２０，構造１６０は、層２３０によって電気的に互いに短絡させることができる。したがって、電極１１０は構造１６０にも電気的に短絡する。何故なら、図１に示すように、アンカ１２０および電極１１０が電気的に共に短絡するからである。センサ１００の組み立ておよびパッケージ工程の間、ワイヤ・ボンドをボンディング・パッド１７０に取り付け、同じ電位を電極１１０および構造１６０に与えることができる。この電極１１０および構造１６０間の同一電位により、センサ１００の動作の間、電極１１０および構造１６０間のラッチング(latching)または静摩擦の可能性を低下させる。したがって、このセンサ１００の電気的構成により、センサ１００の信頼性が改善する。
【００３３】
図４は、図２のセンサ１００の異なる実施例である、センサ４００の断面図を示す。センサ４００のボンディング・パッド４７０および構造４６０は、それぞれ、図２のセンサ１００のボンディング・パッド１７０および構造１６０と同様である。ボンディング・パッド４７０は部分４７２を有し、構造４６０は部分４６２を有する。これらは、それぞれ、図２のパッド１７０の部分２７２および構造１６０の部分２６２と組成が同様である。しかしながら、パッド１７０または構造１６０とは異なり、ボンディング・パッド４７０および構造４６０の下側部分は、ビーム１３０，アンカ１２０，および電極１１０と同時に形成されるのではない。代わりに、パッド４７０の部分４７２および構造４６０の部分４６２は、直接層２３０に結合されるように形成される。したがって、構造４６０の部分４６２は、部分的に電極１１０の本体１１１の上に位置し、更に本体１１１の孔２１５を貫通する。代替実施例では、センサ４００は、ボンディング・パッド１７０（図２）をパッド４７０と置換すること、あるいは構造１６０（図２）を構造４６０と置換することも可能である。
【００３４】
図５は、図１におけるセンサ１００の別の実施例である、センサ５００の簡略化した部分上面図を示し、図６は、図５における切断線６−６に沿ったセンサ５００の断面図を示す。センサ５００は、電極５１０および中央本体５１１を有する。これらは、それぞれ、図１におけるセンサ１００の電極１１０および本体１１１と同様である。また、センサ５００は、図１のセンサ１００の構造１６０と同様の構造５６０も有する。構造５６０は、図２における構造１６０の部分２６２と組成が同様である、部分６６２を有する。構造５６０の部分６６２は、隣接または連続しほぼ同一面上にある部分６６５，６６６を有する。この実施例では、構造５６０は、ホッチキスまたはブリッジの形状を有する。本体５１１は、２つの開口即ち孔６１５，６１６を有し、構造５６０の部分６６５，６６６がそれぞれ孔６１５，６１６を貫通する。
【００３５】
構造の部分６６５は、電極５１０と同時に形成される下側部分６６１を含むように図示されているが、部分６６６は層２３０に直接結合されるように図示されている。また、部分６６５の周囲は、電極５１０の本体５１１と重なり合うように図示されているが、部分６６６の周囲は本体５１１と重なり合うように図示されていない。センサ５００の好適実施例では、部分６６５，６６６は互いに同一である。部分６６５，６６６の図示が異なるのは、潜在的に可能な構造の例に過ぎない。
【００３６】
図７は、図１におけるセンサ１００の更に他の実施例である、センサ７００の簡略化した部分平面図を示し、図８は図７の切断線８−８に沿ったセンサ７００の断面図を示す。センサ７００は、電極７１０および中央本体７１１を有する。これらは、それぞれ、図１におけるセンサ１００の電極１１０および本体１１１と同様である。また、センサ７００は、図１におけるセンサ１００の構造１６０と同様の構造７６０も有する。構造７６０は、図２における構造１６０の部分２６２と組成が同様である部分７６２を有する。構造７６０の部分７６２は、隣接または連続しほぼ同一面上にある部分７６５，７６６を有する。部分７６６の周囲は、電極７１０の本体７１１と重なり合うように図示されているが、代わりに部分７６６は本体７１１と重なり合わなくてもよい。
【００３７】
図６における構造５６０と同様、図８における構造７６０は、ホッチキスまたはブリッジの形状を有する。しかしながら、構造５６０，７６０の方位は、それらに付随する可動電極に対して異なっている。図８において、本体７１１は開口即ち孔７１５を有し、これを構造７６０の部分７６６が貫通する。構造７６０の部分７６５は電極７１０を貫通しないが、電極７１０の周囲の外側にある位置を越えて延出するか、あるいはこの位置に配置される。構造７６０の部分７６５は、電極７１０と同時に形成される下側部分８０１を含むように図示されているが、部分７６６は層２３０に直接結合されるように図示されている。センサ７００の好適実施例では、部分７６５，７６６は、同一の方法で層２３０に結合される。部分７６５，７６６の図示が異なるのは、潜在的に可能な構造の例に過ぎない。センサ７００の代替実施例では、電極７１０は孔７１５を有さず、構造７６０の部分７６６は電極７１０を貫通しない。代わりに、部分７６６は、電極７１０の周囲の外側にある位置において、基板２００に結合されている。この実施例では、部分７６５，７６６を電極７１０の対向する両側に配置することができる。
【００３８】
このように、本発明は、従来技術の欠点を克服する、改善されたセンサおよび製造方法を提供する。ここに記載したセンサは、それらの三次元過剰移動リミッタのために、信頼性が改善されている。過剰移動リミッタの使用により、センサはセンサの感度軸に沿った方向、およびセンサの感度軸に沿わないその他の方向における強い衝撃力にも耐えることが可能となる。センサのボンディング・パッドに対する良好な接着力をワイヤ・ボンドまたはバンプ材料に与えるために用いるのと同じ材料で過剰移動リミッタを形成することにより、過剰移動リミッタのみに用いる追加の層は不要となる。このように余分な層が不要となることによって、製造プロセスのコスト削減および複雑性低下が得られる。
【００３９】
また、十分に厚いポリシリコン層を用いて図２におけるビーム１３０および電極１１０を形成することによっても、過剰移動防止を得ることができる。しかしながら、厚いポリシリコンの堆積は、過度に費用および時間がかかり、厚いポリシリコン層のパターニングも時間がかかり、制御が一層困難となる。
【００４０】
以上、主に好適実施例を参照しながら本発明について特定的に示しかつ説明したが、本発明の精神および範囲から逸脱することなく、形態および詳細における変更が可能であることは、当業者には理解されよう。例えば、ここに明記した多数の詳細、例えば、材料の組成や具体的な円形，矩形，または犬の骨形構造は、本発明の理解を容易にするために与えられたのであり、本発明の範囲を限定するために与えられたのではない。別の例として、構造１６０（図１），４６０（図４），５６０（図６），および７６０（図８）の概念は、面内加速度計および面外加速度計(out-of-plane accelerometer)双方に適用可能である。更に、孔２１５（図２，図４，および図８），６１５（図６），６１６（図６），および７１５（図８）は、可動電極の本体によって完全に規定されなくてもよく、本体によって部分的にのみ規定され、孔が本体の一辺に切り込まれたノッチに似た形態を取ることも可能である。更に別の例として、図２におけるセンサ１００を基板２００上の集積回路と組み合わせる場合、基板１６０の部分２６２は、電界効果トランジスタのソース・コンタクトおよびドレイン・コンタクトのように、トランジスタの電極または電気コンタクトを形成するシリサイド・プロセスの間に同時に形成することが可能である。更に、ここに開示した過剰移動限定構造を拡大して電極１１０，１４０，１５０およびビーム１３０を覆い、センサの動作を妨害し得る粒子から保護することも可能である。したがって、本発明の開示は限定を意図するものではない。逆に、本発明の開示は、特許請求の範囲に明記されている、本発明の範囲の例示であることを意図するものである。
【００４１】
尚、図示の簡略化および明確化のため、図面内のエレメントは必ずしも同じ拡縮率で描かれているとは限らず、異なる図面における同じ参照番号は、同じエレメントを示すものとした。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明によるセンサの一実施例の平面図。
【図２】図１の切断線２−２に沿ったセンサの断面図。
【図３】製造初期段階における図２のセンサの断面図。
【図４】図２のセンサの異なる実施例の断面図。
【図５】図１におけるセンサの別の実施例の簡略化した部分平面図。
【図６】図５における切断線６−６に沿った、図５のセンサの断面図。
【図７】図１におけるセンサの更に別の実施例の簡略化した部分平面図。
【図８】図７における切断線８−８に沿った、図７のセンサの断面図。
【符号の説明】
１０    ｘ−軸
１１    ｙ−軸
１２    ｚ−軸
１００    センサ
１１０    可動電極
１１１    中央本体
１１２    外周フィンガ
１１３    貫通孔
１２０    アンカ
１３０    ビーム
１４０，１５０    固定電極
１６０    固定構造
１７０    ボンディング・パッド
２００    支持基板
２０１    表面
２１０    誘電体層
２１５    孔
２３０    層
２６１    固定構造の下側部分
２６２    固定構造の上側部分
２６３    凹部
３００    第１犠牲層
３１０    第２犠牲層
３２０    導電層
４００    センサ
４６０    構造
４７０    ボンディング・パッド
５００    センサ
５１０    電極
５１１    中央本体
５６０    構造
６１５，６１６    孔
７００    センサ
７１０    電極
７１１    中央本体
７１５    孔
７６０    構造
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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