(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の半導体チップをリードフレームに取り付けて、前記複数の半導体チップと前記リードフレームの要被覆部とを被覆するように封止部を設けてなる半導体装置であって、
前記複数の半導体チップが第１グループの半導体チップと第２グループの半導体チップとに分けられて両グループの半導体チップが前記リードフレームの幅方向に間隔を開けた状態で前記リードフレームの幅方向の一端側及び他端側にそれぞれ取り付けられ、
前記封止部は、前記第１グループ及び第２グループの半導体チップをそれぞれ前記リードフレームの要被覆部とともに被覆した第１及び第２の樹脂封止部からなっていて、前記第１の樹脂封止部と第２の樹脂封止部との間が連結部により機械的に連結され、
前記第１の樹脂封止部と第２の樹脂封止部との間には隙間が形成されていて、前記第１の樹脂封止部内の回路に接続されたリードのアウタリード部及び第２の樹脂封止部内の回路に接続されたリードのアウタリード部がリード端子として前記第１の樹脂封止部と第２の樹脂封止部との間の隙間を通して外部に引き出され、
前記連結部は、前記リードフレームの一部をなす複数のリードからなっていて、該連結部を構成する複数のリードのそれぞれの両端が前記第１の樹脂封止部内及び第２の樹脂封止部内に埋設され、
前記連結部を構成する複数のリードをそれぞれ被覆した連結用樹脂モールド部が、前記第１の樹脂封止部と第２の樹脂封止部とに跨って形成されて、該連結用樹脂封止部によっても前記第１の樹脂封止部と第２の樹脂封止部との間が機械的に連結されている半導体装置。
【請求項５】
リードフレームに複数の半導体チップを取り付けて、前記複数の半導体チップと前記リードフレームの要被覆部とを被覆するように封止部を設けてなる半導体装置であって、
前記リードフレームは、前記リードフレームの幅方向の一端側に該リードフレームの長手方向に並べて配置された第１グループの第１ないし第ｎ（ｎは１以上の整数）のアイランドと、前記リードフレームの幅方向の他端側に該リードフレームの長手方向に並べて配置された第２グループの第１ないし第ｍ（ｍは１以上の整数）のアイランドとを備えて、各アイランドに対応する複数のリードを含むリード群が前記第１グループのアイランドと第２グループのアイランドとの間に形成されたスペースに配置され、
前記複数の半導体チップは第１グループの半導体チップと第２グループの半導体チップとに分けられて、第１グループ及び第２グループの半導体チップがそれぞれ前記リードフレームの第１グループに属するアイランド及び第２グループに属するアイランドに取り付けられ、
各アイランドに取り付けられた半導体チップと各アイランドに対応する所定のリードとの間が配線を通して接続され、
前記封止部は、前記第１グループの半導体チップと前記リードフレームの第１グループに属するアイランドと前記第１グループに属する各アイランドに対応するリードのインナーリード部とを被覆した第１の樹脂封止部と、前記第２グループの半導体チップと前記リードフレームの第２グループに属するアイランドと前記第２グループに属する各アイランドに対応するリードのインナーリード部とを被覆した第２の樹脂封止部とからなっていて、前記第１の樹脂封止部と第２の樹脂封止部との間が連結部により機械的に連結され、
前記第１の樹脂封止部と第２の樹脂封止部との間には隙間が形成されていて、前記複数のリードのうち、外部の回路に接続されるリードのアウタリード部が、リード端子として前記第１の樹脂封止部と第２の樹脂封止部との間の隙間を通して外部に引き出され、
前記連結部は、前記リードフレームの一部をなす複数のリードからなっていて、該連結部を構成する複数のリードのそれぞれの両端が前記第１の樹脂封止部内及び第２の樹脂封止部内に埋設され、
前記連結部を構成する複数のリードをそれぞれ被覆した連結用樹脂モールド部が、前記第１の樹脂封止部と第２の樹脂封止部とに跨って形成されて、該連結用樹脂封止部によっても前記第１の樹脂封止部と第２の樹脂封止部との間が機械的に連結されている半導体装置。
【請求項６】
リードフレームに複数の半導体チップを取り付けて、前記複数の半導体チップと前記リードフレームの要被覆部とを被覆するように封止部を設けてなる半導体装置であって、
前記リードフレームは、その幅方向の一端側に該リードフレームの長手方向に並べて配置された第１グループの第１ないし第ｎ（ｎは１以上の整数）のアイランドと、前記第１グループの第１ないし第ｎのアイランドとそれぞれ対をなすようにして前記リードフレームの幅方向の他端側に設けられた第２グループの第１ないし第ｎのアイランドとを備えて、前記第１グループ及び第２グループの対をなすアイランド同士が前記リードフレームの幅方向に間隔を隔てて対向するように配置されるとともに、前記第１グループ及び第２グループの各対をなすアイランドの間に形成されたスペースに各対をなすアイランドに対応する複数のリードが配置され、
前記複数の半導体チップは第１グループの半導体チップと第２グループの半導体チップとに分けられて、第１グループ及び第２グループの半導体チップがそれぞれ前記リードフレームの第１グループに属するアイランド及び第２グループに属するアイランドに取り付けられ、
各アイランドに取り付けられた半導体チップと各アイランドに対応する所定のリードとの間が配線を通して接続され、
前記封止部は、前記第１グループの半導体チップと前記リードフレームの第１グループに属するアイランドと前記第１グループに属する各アイランドに対応するリードのインナーリード部とを被覆した第１の樹脂封止部と、前記第２グループの半導体チップと前記リードフレームの第２グループに属するアイランドと前記第２グループに属する各アイランドに対応するリードのインナーリード部とを被覆した第２の樹脂封止部とからなっていて、前記第１の樹脂封止部と第２の樹脂封止部との間が連結部により機械的に連結され、
前記第１の樹脂封止部と第２の樹脂封止部との間には隙間が形成されていて、前記複数のリードのうち、外部の回路に接続されるリードのアウタリード部が、リード端子として前記第１の樹脂封止部と第２の樹脂封止部との間の隙間を通して外部に引き出され、
前記連結部は、前記リードフレームの一部をなす複数のリードからなっていて、該連結部を構成する複数のリードのそれぞれの両端が前記第１の樹脂封止部内及び第２の樹脂封止部内に埋設され、前記連結部を構成する複数のリードをそれぞれ被覆した連結用樹脂モールド部が、前記第１の樹脂封止部と第２の樹脂封止部とに跨って形成されて、該連結用樹脂封止部によっても前記第１の樹脂封止部と第２の樹脂封止部との間が機械的に連結されている半導体装置。
【請求項７】
リードフレームに複数の半導体チップを取り付けて、前記複数の半導体チップと前記リードフレームの要被覆部とを被覆するように封止部を設けてなる半導体装置であって、
前記リードフレームは、その幅方向の一端側に該リードフレームの長手方向に並べて配置された第１グループの第１ないし第３のアイランドと、第１グループの第１ないし第３のアイランドとそれぞれ対をなすようにしてリードフレームの幅方向の他端側に設けられた第２グループの第１ないし第３のアイランドとを備えて、第１グループ及び第２グループの対をなすアイランド同士がリードフレームの幅方向に間隔を隔てて対向するように配置されるとともに、第１グループ及び第２グループの各対をなすアイランドの間に形成されたスペースに各対をなすアイランドに対応する複数のリードが配置され、
前記複数の半導体チップは、第１ないし第３のダイオードと、アノードが共通接続されるとともにカソードが前記第１ないし第３のダイオードのアノードにそれぞれ接続されて前記第１ないし第３のダイオードとともにダイオードブリッジ３相全波整流回路を構成する第４ないし第６のダイオードと、前記第４ないし第６のダイオードにそれぞれ逆並列接続されて前記整流回路の出力電圧を調整するために該整流回路の入力端子間を短絡する際に同時にトリガされる第１ないし第３のサイリスタとを含み、
前記第１ないし第３のダイオードはそれぞれのアノードを前記リードフレームの前記第２グループの第１ないし第３のアイランドに直接接続した状態で取り付けられ、
前記第４ないし第６のダイオードはそれぞれのアノードを前記リードフレームの第１グループの第１ないし第３のアイランドに直接接続した状態で取り付けられ、
前記第１ないし第３のサイリスタはそれぞれのアノードを前記第２グループの第１ないし第３のアイランドに直接接続した状態で取り付けられ、
前記第１グループ及び第２グループにそれぞれ属する各アイランドに取り付けられた半導体チップと各アイランドに対応する所定のリードとの間が配線を通して接続され、
前記封止部は、前記第１グループの第１ないし第３のアイランドとこれらのアイランドに取り付けられた半導体チップと前記第１グループに属する各アイランドに対応するリードのインナーリード部とを被覆した第１の樹脂封止部と、前記第２グループの第１ないし第３のアイランドとこれらのアイランドに取り付けられた半導体チップと前記第２グループに属する各アイランドに対応するリードのインナーリード部とを被覆した第２の樹脂封止部とからなっていて、前記第１の樹脂封止部と第２の樹脂封止部との間が連結部により機械的に連結され、
前記第１の樹脂封止部と第２の樹脂封止部との間には隙間が形成されていて、前記複数のリードのうち、外部の回路に接続されるリードのアウタリード部が、リード端子として前記第１の樹脂封止部と第２の樹脂封止部との間の隙間を通して外部に引き出され、
前記連結部は、前記リードフレームの一部をなす複数のリードからなっていて、該連結部を構成する複数のリードのそれぞれの両端が前記第１の樹脂封止部内及び第２の樹脂封止部内に埋設され、
前記連結部を構成する複数のリードをそれぞれ被覆した連結用樹脂モールド部が、前記第１の樹脂封止部と第２の樹脂封止部とに跨って形成されて、該連結用樹脂封止部によっても前記第１の樹脂封止部と第２の樹脂封止部との間が機械的に連結されている半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、複数の半導体チップをリードフレームに取り付けて、複数の半導体チップとリードフレームの要被覆部とを封止部により被覆した構造を有する半導体装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
複数の半導体チップを用いて所定の回路を構成する半導体装置においては、複数の半導体チップをリードフレームのアイランドに取り付けるとともに、各半導体チップとリードフレームのインナーリードとの間をワイヤなどの配線により接続している。またリードフレームのアイランドと該アイランドに取り付けられた半導体チップとインナーリードとを被覆するように樹脂の成形品からなる封止部が形成されて、半導体チップとその配線部分との保護が図られる。【０００３】
この種の半導体装置は、種々の分野で用いられている。例えば、発電機等の電源から負荷に電力を供給する装置や、負荷に供給する電力を制御する装置の分野においては、ダイオード、サイリスタ、トランジスタ、ＭＯＳＦＥＴ等の電力素子を含む半導体チップにより構成された整流回路、インバータ回路、電圧調整回路等のパワー回路（大きな電流が流れる回路）等を構成するために、リードフレームに半導体チップを取り付けて、所要部分を樹脂封止部により封止した構造の半導体装置が用いられている。パワー回路を構成する半導体装置は、例えば特許文献１や特許文献２に示されている。【０００４】
パワー回路を構成する半導体装置に用いるリードフレームは、導電材料からなる比較的厚手の板を打ち抜くことにより、ヒートシンクを兼ねるアイランドと半導体チップの端子に電気的に接続される多数のリードとを形成したものである。このリードフレームを用いて、パワー回路を構成する半導体装置を構成する場合には、先ずリードフレームの各アイランドに電力素子等の半導体チップをはんだ付けや接着等により取り付けた後、半導体チップと所定のリードとの間をワイヤを介して配線する。次いで、リードフレームの各部のうち、アイランドとインナーリードとを要被覆部として、これらの要被覆部と半導体チップとを樹脂で被覆して樹脂封止部（樹脂パッケージ）を形成し、この樹脂封止部の外部にあるリードフレームの不要部分を切り落として、樹脂封止部から外部にアウタリードがリード端子として導出された構造の半導体装置を得る。【０００５】
従来から用いられているリードフレームとしては、特許文献１に示されているように、外部に導出する多数のリードのすべてをフレームの幅方向の片側に並べて配置したものと、特許文献２に示されているように、外部に導出する多数のリードをフレームの幅方向の両側に振り分けて配置したものとがある。リードを幅方向の片側に並べて配置した構造のリードフレームを用いた場合には、図１８（Ａ），（Ｂ）に示したように、樹脂封止部Ｐの幅方向の片側からリード端子Ｔが導出された構造のシングル・インライン型の半導体装置Ｍsが得られる。また幅方向の両側にリードを有する構造のリードフレームを用いた場合には、図１９（Ａ），（Ｂ）に示したように、樹脂封止部Ｐの幅方向の両側からリード端子Ｔ及びＴ′が導出された構造のデュアル・インライン型の半導体装置Ｍdが得られる。なお図１８及び図１９においてＣＢは半導体装置が取り付けられる回路基板を示している。【０００６】
図１８及び図１９に示された半導体装置は、例えば、それぞれのリード端子を回路基板ＣＢに設けられたスルーホールに挿入して、回路基板ＣＢに設けられた導電パターン（図示せず。）に半田付けすることにより、回路基板ＣＢに装着される。またこの種の半導体装置は、回路基板に取り付けられたソケットの雌形端子にリード端子を差し込むことにより、回路基板に取り付けられる場合もある。
【特許文献１】特開２０００−１９６００９号公報
【特許文献２】特開２００４−６３６８８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
すべてのリードを幅方向の片側に配置したリードフレームを用いてシングルインライン型の半導体装置を構成した場合には、図１８に示したように、半導体装置の樹脂封止部Ｐよりも小形の回路基板ＣＢに半導体装置を取り付けた場合に、半導体装置が基板またはソケットから片側に大きく出っ張るため、バランスが悪くなるという問題があった。【０００８】
また図１９（Ａ），（Ｂ）に示したように、リードフレームの幅方向の両側にリードを配置したリードフレームを用いてデュアルインライン型の半導体装置を構成した場合には、電力素子の冷却効果を高める等の理由で、リードフレームのアイランドの寸法を大きくする設計変更を行なったときに、図１９（Ｂ）に鎖線で示したように樹脂封止部Ｐの幅寸法がＷからＷ′に増加し、これに伴ってリード端子Ｔ，Ｔ′間の距離がｄからｄ′に増加するため、リード端子の数が変わらない場合でも、設計変更前と同じ回路基板ＣＢまたはソケットに半導体装置を取り付けることができなくなり、設計変更に要するコストが高くなるという問題があった。【０００９】
更に、シングルインライン型及びデュアルインライン型のいずれの型式をとる場合も、半導体装置を構成するすべての発熱素子が１つの樹脂封止部内に埋設されるため、半導体装置の温度が高くなり、素子の冷却性能が悪くなるという問題もあった。【００１０】
更に従来の半導体装置では、各アイランドに対して設けるリードをフレームの幅方向の端部まで導く必要があるため、アイランドの数が多い場合に、アイランド及びリードの配列のパターンが複雑になるのを避けられなかった。そのため、フレームを打ち抜きにより形成する場合に打ち抜き型の構造が複雑になって、型のコストが高くなるという問題もあった。【００１１】
以上、パワー回路を構成する半導体装置を例にとってその問題点を説明したが、パワー回路以外の電子回路を構成する半導体装置でも、シングルインライン型及びデュアルインライン型の構成をとった場合には、上記と同様の問題が生じる。【００１２】
本発明の目的は、回路基板にバランス良く取り付けることができる半導体装置を提供することにある。【００１３】
本発明の他の目的は、リードの配列やリード相互間の距離を変更することなく、アイランドの寸法の変更等の設計変更を行なうことができる半導体装置を提供することにある。【００１４】
本発明の更に他の目的は、１つの樹脂封止部内に埋設される半導体チップの数を少なくして温度上昇を抑制し、冷却性能を向上させることができるようにした半導体装置を提供することにある。【００１５】
本発明の更に他の目的は、リードフレームの構造の簡素化を図ることにより、リードフレームを打ち抜く型の構造を簡単にして、型のコストの低減を図り、製造コストの低減を図ることができるようにした半導体装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１６】
本発明は、複数の半導体チップをリードフレームに取り付けて、複数の半導体チップとリードフレームの要被覆部とを被覆するように封止部を設ける半導体装置に適用される。      【００１７】
本発明においては、複数の半導体チップが第１グループの半導体チップと第２グループの半導体チップとに分けられて両グループの半導体チップがリードフレームの幅方向に間隔を開けた状態でリードフレームの幅方向の一端側及び他端側にそれぞれ取り付けられている。封止部は、第１グルーブ及び第２グループの半導体チップをそれぞれリードフレームの要被覆部とともに被覆した第１及び第２の樹脂封止部からなっていて、第１の樹脂封止部と第２の樹脂封止部との間が連結部により機械的に連結されている。また第１の樹脂封止部と第２の樹脂封止部との間には隙間が形成されていて、第１の樹脂封止部内の回路に接続された複数のリードのアウタリード部及び第２の樹脂封止部内の回路に接続された複数のリードのアウタリード部が、リード端子として第１の樹脂封止部と第２の樹脂封止部との間の隙間を通して外部に引き出されている。【００１８】
上記のように、複数の半導体チップを第１グループの半導体チップと第２グループの半導体チップとに分けて両グループの半導体チップをリードフレームの幅方向に間隔を開けた状態でリードフレームの幅方向の一端側及び他端側にそれぞれ取り付けるとともに、封止部を、第１グループ及び第２グループの半導体チップをそれぞれリードフレームの要被覆部とともに被覆した第１の樹脂封止部及び第２の樹脂封止部に分けて、両樹脂封止部の間からリード端子を引き出す構造にすると、半導体装置の幅方向の中央部またはほぼ中央部にリード端子群が配置され、リード端子群の両側に第１及び第２の樹脂封止部が配置されるため、半導体装置を該半導体装置よりも小形の回路基板に取り付けた場合に、半導体装置が回路基板から片側に大きく突出した状態が生じるのを防いで、半導体装置を回路基板にバランス良く取り付けることができる。【００１９】
また上記のように構成すると、リード端子の配列や間隔を変更することなく、リードフレームの幅方向に沿って各アイランドの寸法を拡大したり縮小したりすることができるため、リード端子の配列や間隔を変更することなく、アイランドの寸法を変更する等の設計変更を行なうことができる。従って、設計変更の前後でリード端子の数が変わらない場合には、設計変更後も、設計変更前と同じ型の回路基板またはソケットに半導体装置を取り付けることができ、設計変更に要するコストの削減を図ることができる。【００２０】
更に、上記のように、半導体装置を構成する半導体チップを２つのグループに分けて、両グループの半導体チップを別々の樹脂封止部により被覆するようにすると、１つの樹脂封止部内に埋設される半導体チップの数を少なくすることができるため、半導体装置の温度上昇を抑制して、その冷却性能を向上させることができる。【００２１】
また上記のように構成すると、リードフレームの幅方向の一端側及び他端側に半導体チップを取り付けるアイランドを配置し、リードフレームの幅方向の中央部にリード群を配置することになるため、リードフレームのアイランド及びリード群の配列パターンの簡素化を図ることができる。従って、リードフレームを打ち抜く型の構造を簡単にすることができ、型のコストが高くなるのを防ぐことができる。【００２２】
本発明の好ましい態様では、上記連結部が、リードフレームの一部をなす複数のリードからなっていて、該連結部を構成する複数のリードのそれぞれの両端が第１の樹脂封止部内及び第２の樹脂封止部内に埋設されている。【００２３】
上記のように、リードフレームの一部をなすリードを連結部として用いる場合、連結部を構成する複数のリードをそれぞれ被覆した連結用樹脂モールド部を、第１の樹脂封止部及び第２の樹脂封止部を構成する樹脂と同じ樹脂により両樹脂封止部に跨って形成して、この連結用樹脂封止部にも第１の樹脂封止部と第２の樹脂封止部との間を機械的に連結する機能を持たせるようにするのが好ましい。【００２４】
このように、連結用樹脂モールド部を、第１の樹脂封止部及び第２の樹脂封止部に跨って形成するようにした場合には、トランスファーモールド用の金型を用いて第１の樹脂封止部及び第２の樹脂封止部を成形する際に、第１の樹脂封止部を成形するキャビティと第２の樹脂封止部を成形するキャビティとの間を、連結用樹脂モールド部を成形するキャビティを通して連通させることができるため、第１の樹脂封止部を成形するキャビティ及び第２の樹脂封止部を成形するキャビティのいずれか一方の側から両樹脂封止部を成形するキャビティに樹脂を注入することができる。従って、第１の樹脂封止部及び第２の樹脂封止部を成形する金型の構造を、第１の樹脂封止部を成形するキャビティ及び第２の樹脂封止部を成形するキャビティのいずれか一方の側のみに樹脂注入口を有する構造として、金型の構造を簡単にすることができる。【００２５】
また上記のように、第１の樹脂封止部と第２の樹脂封止部との間を連結する連結部を構成するリードを被覆するように連結用樹脂モールド部を形成して、この連結用樹脂モールド部にも両樹脂封止部の間を連結する機能を持たせた場合には、第１の樹脂封止部と第２の樹脂封止部との間を連結する連結部の強度を高めることができるため、半導体装置の機械的強度を高めることができる。【００２６】
しかしながら、本発明は、上記のように第１の樹脂封止部と第２の樹脂封止部との間を連結する連結部を構成するリードを被覆するように連結用樹脂モールド部を形成する場合に限定されるものではなく、リードを被覆することなく第１の樹脂封止部と第２の樹脂封止部との間を連結する連結部を樹脂成形により形成して、この連結部により第１の樹脂封止部と第２の樹脂封止部との間を連結するようにしてもよい。【００２７】
このように構成した場合にも、第１の樹脂封止部を成形するキャビティと第２の樹脂封止部を成形するキャビティとの間を、連結部を成形するキャビティを通して連通させることができるため、金型の構造を、第１の樹脂封止部を成形するキャビティ及び第２の樹脂封止部を成形するキャビティのいずれか一方の側のみに樹脂注入口を有する構造として、樹脂封止部を成形する金型の構造を簡単にすることができる。【００２８】
本発明の好ましい態様では、上記リードフレームが、該リードフレームの幅方向の一端側に該リードフレームの長手方向に並べて配置された第１グループの第１ないし第ｎ（ｎは１以上の整数）のアイランドと、リードフレームの幅方向の他端側に該リードフレームの長手方向に並べて配置された第２グループの第１ないし第ｍ（ｍは１以上の整数）のアイランドとを備えて、各アイランドに対応する複数のリードを含むリード群が第１グループのアイランドと第２グループのアイランドとの間に形成されたスペースに配置されている。ｍ及びｎは等しくてもよく、等しくなくてもよい。【００２９】
上記複数の半導体チップは第１グループと第２グループとに分けられ、第１グループの半導体チップ及び第２グループの半導体チップがそれぞれリードフレームの第１グループに属するアイランド及び第２グループに属するアイランドに取り付けられている。各アイランドに取り付けられた半導体チップは、各アイランドに対応する所定のリードに配線を通して接続されている。【００３０】
また封止部は、第１グループの半導体チップとリードフレームの第１グループに属するアイランドと第１グループに属する各アイランドに対応するリードのインナーリード部とを被覆した第１の樹脂封止部と、第２グループの半導体チップとリードフレームの第２グループに属するアイランドと第２グループに属する各アイランドに対応するリードのインナーリード部とを被覆した第２の樹脂封止部とからなっていて、第１の樹脂封止部と第２の樹脂封止部との間が連結部により機械的に連結されている。【００３１】
上記第１の樹脂封止部と第２の樹脂封止部との間には隙間が形成されていて、リードフレームに設けられた複数のリードのうち、外部の回路に接続されるリードのアウタリード部が、リード端子として前記第１の樹脂封止部と第２の樹脂封止部との間の隙間を通して外部に引き出されている。【００３２】
本発明の他の好ましい態様では、リードフレームが、その幅方向の一端側に該リードフレームの長手方向に並べて配置された第１グループの第１ないし第ｎ（ｎは１以上の整数）のアイランドと、第１グループの第１ないし第ｎのアイランドとそれぞれ対をなすようにしてリードフレームの幅方向の他端側に設けられた第２グループの第１ないし第ｎのアイランドとを備えて、第１グループ及び第２グループの対をなすアイランド同士が、リードフレームの幅方向に間隔を隔てて対向するように配置されるとともに、第１グループ及び第２グループの各対をなすアイランドの間に形成されたスペースに、各対をなすアイランドに対応する複数のリードが配置されている。【００３３】
この場合も、複数の半導体チップは第１グループの半導体チップと第２グループの半導体チップとに分けられて、第１グループ及び第２グループの半導体チップがそれぞれリードフレームの第１グループに属するアイランド及び第２グループに属するアイランドに取り付けられ、各アイランドに取り付けられた半導体チップと各アイランドに対応する所定のリードとの間が配線を通して接続される。【００３４】
封止部は、第１グループの半導体チップとリードフレームの第１グループに属するアイランドと第１グループに属する各アイランドに対応するリードのインナーリード部とを被覆した第１の樹脂封止部と、第２グループの半導体チップとリードフレームの第２グループに属するアイランドと第１グループに属する各アイランドに対応するリードのインナーリード部とを被覆した第２の樹脂封止部とからなっていて、第１の樹脂封止部と第２の樹脂封止部との間が連結部により機械的に連結されている。そして、第１の樹脂封止部と第２の樹脂封止部との間には隙間が形成されて、複数のリードのうち、外部の回路に接続されるリードのアウタリード部が、リード端子として前記第１の樹脂封止部と第２の樹脂封止部との間の隙間を通して外部に引き出されている。【００３５】
上記のように第１グループ及び第２グループのアイランドを対をなすように設けて、各対をなすアイランドの間に各対をなすアイランドに対応するリードを配置するようにすると、各アイランドに対して設けるリードを各アイランドの直近に配置することができることにより、特定のリードを対応するアイランドから離れた箇所まで長く引き回す必要がなくなるため、リードフレームのパターンを単純にしてその製造を容易にすることができる。【００３６】
本発明の他の好ましい態様では、上記リードフレームが、その幅方向の一端側に該リードフレームの長手方向に並べて配置された第１グループの第１ないし第３のアイランドと、第１グループの第１ないし第３のアイランドとそれぞれ対をなすようにしてリードフレームの幅方向の他端側に設けられた第２グループの第１ないし第３のアイランドとを備える。このリードフレームにおいては、第１グループ及び第２グループの対をなすアイランド同士がリードフレームの幅方向に間隔を隔てて対向するように配置され、第１グループ及び第２グループの各対をなすアイランドの間に形成されたスペースに各対をなすアイランドに対応する複数のリードが配置されている。【００３７】
また複数の半導体チップは、第１ないし第３のダイオードＤuないしＤwと、アノードが共通接続されるとともにカソードが第１ないし第３のダイオードのアノードにそれぞれ接続されて第１ないし第３のダイオードとともにダイオードブリッジ３相全波整流回路を構成する第４ないし第６のダイオードＤxないしＤzと、第４ないし第６のダイオードにそれぞれ逆並列接続されて整流回路の出力電圧を調整するために該整流回路の入力端子間を短絡する際に同時にトリガされる第１ないし第３のサイリスタＴhxないしＴhzとを含んでいて、第１ないし第３のダイオードはそれぞれのアノードをリードフレームの第２グループの第１ないし第３のアイランドに直接接続した状態で取り付けられ、第４ないし第６のダイオードはそれぞれのアノードをリードフレームの第１グループの第１ないし第３のアイランドに直接接続した状態で取り付けられている。【００３８】
第１ないし第３のサイリスタは、それぞれのアノードを第２グループの第１ないし第３のアイランドに直接接続した状態で取り付けられ、第１グループ及び第２グループにそれぞれ属する各アイランドに取り付けられた半導体チップと各アイランドに対応する所定のリードとの間が配線を通して接続されている。【００３９】
この場合封止部は、第１グループの第１ないし第３のアイランドとこれらのアイランドに取り付けられた半導体チップと第１グループに属する各アイランドに対応するリードのインナーリード部とを被覆した第１の樹脂封止部と、第２グループの第１ないし第３のアイランドとこれらのアイランドに取り付けられた半導体チップと第２グループに属する各アイランドに対応するリードのインナーリード部とを被覆した第２の樹脂封止部とからなっていて、複数のリードのうち、外部の回路に接続されるリードのアウタリード部が、リード端子として前記第１の樹脂封止部と第２の樹脂封止部との間の隙間を通して外部に引き出されている。【００４０】
ブリッジの上辺を構成する第１ないし第３のダイオードＤuないしＤwと、ブリッジの下辺を構成する第４ないし第６のダイオードＤxないしＤzとからなる３相ダイオードブリッジ全波整流回路と、この整流回路のブリッジの下辺を構成する第４ないし第６のダイオードに逆並列接続された第１ないし第３のサイリスタＴhxないしＴhzとからなる回路は、整流機能付きの短絡式電圧調整回路として知られた回路である。この電圧調整回路においては、サイリスタがオン状態になったとき（出力を短絡したとき）にも、オフ状態になったときにもブリッジの下辺を構成するダイオードに電流が流れるため、ブリッジの下辺を構成するダイオードの発熱の方がブリッジの上辺を構成するダイオードからの発熱よりも多くなる。そこで、本発明においては、リードフレームの第１グループのアイランドに発熱が多い第４ないし第６のダイオードＤxないしＤzのみを取り付け、第２グループのアイランドに発熱が少ない第１ないし第３のダイオードＤuないしＤwと第１ないし第３のサイリスタＴhxないしＴhzとを取り付けることにより、発熱源を分散させて、半導体装置の温度上昇を防いでいる。【００４１】
また上記のように構成すると、ダイオードをリードフレームのアイランドに取り付ける際に、いずれのダイオードもそのアノードをアイランドに接続すればよい。従って、すべてのダイオードを、同一型のチップを用いて、同じ工程でリードフレームに取り付けることができ、ダイオードの取付作業を簡単にすることができる。
【発明の効果】
【００４２】
以上のように、本発明によれば、複数の半導体チップを第１グループの半導体チップと第２グループの半導体チップとに分けて両グループの半導体チップをリードフレームの幅方向に間隔を開けた状態でリードフレームの幅方向の一端側及び他端側にそれぞれ取り付けるとともに、封止部を、第１グループ及び第２グループの半導体チップをそれぞれリードフレームの要被覆部とともに被覆した第１及び第２の樹脂封止部に分けて、両樹脂封止部の間からリード端子を引き出す構造にしたことにより、半導体装置の幅方向の中央部またはほぼ中央部にリード端子群を配置し、リード端子群の両側に第１及び第２の樹脂封止部を配置することができるので、半導体装置を回路基板の片側に偏らせることなく、バランスよく取り付けることができる。【００４３】
また本発明によれば、リード端子の配列や間隔を変更することなく、リードフレームの幅方向に沿って各アイランドの寸法を拡大したり縮小したりすることができるため、リード端子の配列や間隔を変更することなく、アイランドの寸法を変更する等の設計変更を行なうことができる。従って、設計変更の前後でリード端子の数が変わらない場合には、設計変更後も、設計変更前と同じ型の回路基板またはソケットに半導体装置を取り付けることができ、設計変更に要するコストの削減を図ることができる。【００４４】
本発明においてはまた、半導体チップを２つのグループに分けて、両グループの半導体チップを別々の樹脂封止部により被覆するようにしたので、１つの樹脂封止部内に埋設される半導体チップの数を少なくして、半導体装置の温度上昇を抑制し、その冷却性能を向上させることができる。【００４５】
また本発明によれば、リードフレームの幅方向の一端側及び他端側に半導体チップを取り付けるアイランドが配置され、リードフレームの幅方向の中央部または中央部付近にリード群が配置されるため、リードフレームのアイランド及びリード群の配列パターンの簡素化を図ることができる。従って、リードフレームを打ち抜く型の構造を簡単にすることができ、型のコストが高くなるのを防いで、製造コストの低減を図ることができる。【００４６】
更に本発明において、第１グループ及び第２グループのアイランドを対をなすように設けて、各対をなすアイランドの間に各対をなすアイランドに対応するリードを配置するようにした場合には、各アイランドに対して設けるリードを各アイランドの直近に配置することができることにより、特定のリードを対応するアイランドから離れた箇所まで長く引き回す必要がなくなるため、リードフレームのパターンを単純にしてその製造を容易にすることができる。
【図面の簡単な説明】
【００４７】
【図１】図１は本発明の一実施形態に係わるリードフレームを用いて構成する半導体装置の回路構成を示した回路図である。
【図２】図２は本発明の実施形態に係わるリードフレームの構成を示した正面図である。
【図３】図３は図２に示したリードフレームに半導体チップを取り付けて半導体チップとリードとの間をワイヤで接続した状態を示した正面図である。
【図４】図４は図３に示したように半導体チップが取り付けられたリードフレームに樹脂封止部を形成することにより得た半加工品を示した正面図である。
【図５】図５（Ａ）は図４に示した半加工品のリードフレームの２つの半部を切り離すことにより得られた半加工品を示した正面図、図５（Ｂ）は（Ａ）のＶB−ＶB線に沿って断面して示した断面図である。
【図６】図６は図５の半加工品からリードフレームの外枠部分を切り離すことにより得た半加工品を示した正面図である。
【図７】図７（Ａ）ないし（Ｃ）はそれぞれ図６に示した半加工品のリードフレームを成形することにより得られた半導体装置の完成品の正面図、右側面図及び樹脂封止部の内部を概略的に示した右側面図である。
【図８】図８（Ａ）及び（Ｂ）はそれぞれ本発明に係わる半導体装置を回路基板に取り付けた状態を示した正面図及び右側面図である。
【図９】図９（Ａ）及び（Ｂ）はそれぞれ本発明の他の実施形態に係わる半導体装置のリードの不要部分を切り離す前の状態での外観を示した正面図及び右側面図である。
【図１０】図１０は、図１に示された短絡式電圧調整器の入力電流と出力電流とを示した波形図である。
【図１１】図１１は、本発明の他の実施形態においてリードフレームに半導体チップを取り付けた状態を示した正面図である。
【図１２】図１２は、本発明の更に他の実施形態に係わる半導体装置の回路構成を示した回路図である。
【図１３】図１３は図１２の回路構成を有する半導体装置を製造する過程でリードフレームに半導体チップを取り付けた状態を示した正面図である。
【図１４】図１４は、本発明の更に他の実施形態に係わる半導体装置の回路構成を示した回路図である。
【図１５】図１５は図１４の回路構成を有する半導体装置を製造する過程でリードフレームに半導体チップを取り付けた状態を示した正面図である。
【図１６】図１６は、本発明の更に他の実施形態に係わる半導体装置の回路構成を示した回路図である。
【図１７】図１７は図１６の回路構成を有する半導体装置においてリードフレームに半導体チップを取り付けた状態を示した正面図である。
【図１８】（Ａ）及び（Ｂ）はそれぞれ従来のシングルインライン型の半導体装置を回路基板に取り付けた状態を示した正面図及び右側面図である。
【図１９】（Ａ）及び（Ｂ）はそれぞれ従来のデュアルインライン型の半導体装置を回路基板に取り付けた状態を示した正面図及び右側面図である。
【符号の説明】
【００４８】
１０  リードフレーム
１１uないし１１w及び１１u′ないし１１w′  第１グループのアイランド
１２uないし１２w及び１２u′ないし１２w′  第２グループのアイランド
１３ないし１８  リード
４１  第１の樹脂封止部
４２  第２の樹脂封止部
【発明を実施するための最良の形態】
【００４９】
以下図面を参照して本発明の好ましい実施形態を詳細に説明する。
本実施形態では、エンジン等の原動機により駆動される３相磁石式交流発電機から直流負荷に供給される電圧を設定範囲に保つように制御する短絡式の電圧調整器に用いるパワー回路を構成する半導体装置を例にとっている。【００５０】
図１において、１は原動機により駆動される３相磁石式交流発電機で、この発電機は、原動機の回転軸に取り付けられた磁石回転子（図示せず。）と、３相の電機子コイル１uないし１wを有する固定子とからなっている。２は本発明が適用される半導体装置で、この半導体装置は、整流機能を備えた短絡式電圧調整回路（大電流が流れる部分）を構成するものである。【００５１】
図示の短絡式電圧調整回路は、第１ないし第３のダイオードＤu，Ｄv及びＤwと、アノードが共通に接続されるとともに、カソードがダイオードＤuないしＤwのアノードに接続された第４ないし第６のダイオードＤxないしＤzとからなるダイオードブリッジ３相全波整流回路と、この整流回路のブリッジの下辺を構成する第４ないし第６のダイオードＤxないしＤzの両端にそれぞれ逆並列接続された発電機出力短絡用の第１ないし第３のサイリスタＴhxないしＴhzとにより構成されている。第１ないし第３のダイオードＤuないしＤwのカソードの共通接続点及び第４ないし第６のダイオードＤxないしＤzのアノードの共通接続点からそれぞれ半導体装置のプラス側出力端子２ａ及びマイナス側出力端子２ｂが引き出されている。これらの出力端子間には、バッテリ３と負荷４とが接続される。第１ないし第３のダイオードＤuないしＤwのアノードと第４ないし第６のダイオードＤxないしＤzのカソードとの接続点がそれぞれ３相の交流入力端子２u，２v及び２wとなっていて、これらの入力端子２u，２v及び２wに発電機の３相の出力端子が接続される。【００５２】
５はハイブリッドＩＣからなる制御回路で、出力端子２ａ，２ｂ間の電圧を検出して、検出した電圧が設定値を超えたときに第１ないし第３のサイリスタＴhxないしＴhzに同時にトリガ信号を与え、出力端子２ａ，２ｂ間の電圧が設定値未満になったときにサイリスタＴhxないしＴhzへのトリガ信号の供給を停止する。半導体装置２と制御回路５とにより整流機能を備えた短絡式電圧調整器６が構成されている。【００５３】
図１に示した電圧調整器においては、出力端子２ａ，２ｂ間の電圧が設定値未満のときにサイリスタＴhxないしＴhzがオフ状態にあり、発電機１の整流出力がバッテリ３及び負荷４に印加される。出力端子２ａ，２ｂ間の電圧が設定値を超えると、制御回路５がサイリスタＴhxないしＴhzにトリガ信号を与えるため、これらのサイリスタのうち、アノードカソード間に順方向電圧が印加されているものがオン状態になり、オン状態になったサイリスタと整流回路のブリッジの下辺を構成するダイオードＤxないしＤzのいずれかにより構成される短絡回路を通して発電機１の出力が短絡される。これにより発電機の出力電圧が設定値未満に低下させられる。発電機の出力電圧の低下により出力端子２ａ，２ｂ間の電圧が設定値未満になるとサイリスタＴhxないしＴhzにトリガ信号が与えられなくなるため、各サイリスタはそのアノード電流が保持電流以下になった時点でオフ状態になる。これにより発電機の出力電圧が上昇する。これらの動作が繰り返されることにより、出力端子２ａ，２ｂ間の電圧が設定値付近に保たれる。【００５４】
図１に示された例において、発電機から電圧調整回路に流れ込む３相の電流の波形と、出力電流波形とを図１０に示した。図１０の（Ａ），（Ｂ）及び（Ｃ）はそれぞれＵ，Ｖ及びＷ３相の電機子コイル１u、１w及び１wから電圧調整回路に流れ込む相電流Ｉu，Ｉv及びＩwを示しており、同図（Ｄ）及び（Ｅ）はそれぞれサイリスタＴhxないしＴhzのオフ時及びオン時に電圧調整回路から出力される電流の波形である。この例では、電機子コイル１uないし１wの中性点から各相のコイルの非中性点側の端子に向かって流れる電流を各相の正の半サイクルの電流としている。図１に示した回路において、ダイオードＤx及びサイリスタＴhxの並列回路とダイオードＤuとの直列回路からなるＵ相のアームについて見ると、出力の非短絡時（サイリスタＴhxないしＴhzがオフ状態にある時）には、Ｕ相の電流Ｉuの正の半サイクルにおいて、ダイオードＤuを通して電流が流れ、Ｕ相の電流Ｉuの負の半サイクルにおいてダイオードＤxを通して電流が流れる。また出力の短絡時（サイリスタＴhxないしＴhzがトリガされる時）には、Ｕ相の電流Ｉuの正の半サイクルにおいてサイリスタＴhxを通して電流が流れ、Ｕ相の電流Ｉuの負の半サイクルにおいてダイオードＤxを通して電流が流れる。【００５５】
同様に、ダイオードＤy及びサイリスタＴhyの並列回路とダイオードＤvとの直列回路からなるＶ相のアームについて見ると、出力の非短絡時には、Ｖ相の電流Ｉvの正の半サイクルにおいて、ダイオードＤvを通して電流が流れ、Ｖ相の電流Ｉvの負の半サイクルにおいてダイオードＤyを通して電流が流れる。また出力の短絡時には、Ｖ相の電流Ｉvの正の半サイクルにおいてサイリスタＴhyを通して電流が流れ、Ｖ相の電流Ｉvの負の半サイクルにおいてダイオードＤyを通して電流が流れる。【００５６】
またダイオードＤz及びサイリスタＴhzの並列回路とダイオードＤwとの直列回路からなるＷ相のアームについて見ると、出力の非短絡時には、Ｗ相の電流Ｉwの正の半サイクルにおいて、ダイオードＤwを通して電流が流れ、Ｗ相の電流Ｉwの負の半サイクルにおいてダイオードＤzを通して電流が流れる。また出力の短絡時には、Ｗ相の電流Ｉwの正の半サイクルにおいてサイリスタＴhzを通して電流が流れ、Ｗ相の電流Ｉwの負の半サイクルにおいてダイオードＤzを通して電流が流れる。【００５７】
上記のように、図１に示された電圧調整回路においては、ブリッジの上辺を構成するダイオードＤuないしＤwには、出力の非短絡時に各相の電流の正の半サイクルにおいて電流が流れるだけであるが、ブリッジの下辺を構成するダイオードＤxないしＤzには、出力の非短絡時にも短絡時にも、各相の電流の負の半サイクルにおいて電流が流れるため、ブリッジの下辺を構成するダイオードＤx，Ｄy及びＤzで生じる発熱の量の方が、ブリッジの上辺を構成するダイオードＤu，Ｄv及びＤwで生じる発熱の量よりも多くなる。【００５８】
図２は、図１に示した半導体装置２を構成するために用いるリードフレーム１０の好ましい構成例を示したものである。このリードフレームは、銅などの良導電性を有する導電材料からなる比較的厚手の板を打ち抜くことにより全体が矩形状を呈するように構成されたもので、幅方向（Ｙ方向）及び長手方向（Ｘ方向）にそれぞれ所定の寸法Ｗ及びＬを有している。【００５９】
図示のリードフレーム１０は、半導体装置２個分のアイランドとリードとを備えている。図示のリードフレームの左側の半部を占める第１の半部１０Ａには、第１グループＡの第１ないし第３のアイランド１１uないし１１wと、第２グループＢの第１ないし第３のアイランド１２uないし１２wと、これらのアイランドに対して設けられたリード１３ないし１８とを含むリード群とが設けられ、これらが一つの半導体装置を構成するために用いられる。また図示のリードフレームの右側の半部を占める第２の半部１０Ｂには、第１グループＡの第１ないし第３のアイランド１１u′ないし１１w′と、第２グループＢの第１ないし第３のアイランド１２u′ないし１２w′と、これらのアイランドに対して設けられたリード１３ないし１８とを含むリード群とが設けられ、これらが他の半導体装置を構成するために用いられる。【００６０】
図示の例では、各アイランドが矩形状に形成されていて、第１グループＡに属するアイランド１１uないし１１w及び１１u′ないし１１w′がそれぞれ第２グループＢに属するアイランド１２uないし１２w及び１２u′ないし１２w′と対をなすように設けられている。この例では、各アイランドに発熱を生じる電力用の半導体チップが取り付けられるため、各アイランドにヒートシンクとしての機能を持たせるために、各アイランドが比較的厚い肉厚を有するように形成されている。【００６１】
リードフレームの第１の半部１０Ａに設けられた第１グループＡに属する第１ないし第３のアイランド１１uないし１１w及び第２の半部１０Ｂに設けられた第１ないし第３のアイランド１１u′ないし１１w′は、リードフレーム１０の幅方向の一端側に設けられていて、該リードフレームの長手方向に並べて配置されている。【００６２】
また、リードフレーム１０の第１の半部１０Ａに設けれた第２グループＢの第１ないし第３のアイランド１２uないし１２w及び第２の半部１０Ｂに設けれた第２グループＢの第１ないし第３のアイランド１２u′ないし１２w′は、リードフレームの幅方向の他端側に設けられていて、第１グループのアイランドと同様に、リードフレームの長手方向に並べて配置されている。【００６３】
そして、対をなすアイランド同士（１１u、１２u），（１１v，１２v）及び（１１w，１２w）が、リードフレームの幅方向に間隔を隔てて対向するように配置され、各対をなすアイランドにそれぞれ対応させて設けられた複数のリード１３ないし１８が、フレームの幅方向の中央部に形成された各対をなすアイランド相互間のスペースに配置されている。各リードはアイランドよりも薄い肉厚を有するように形成されている。【００６４】
各対をなすアイランド（例えば１１u，１２u）の間に配置されたリード１３ないし１８のうち、リード１３及び１４は、第１グループＡに属するアイランド１１uに後端部が接続された状態で設けられ、リード１８は、第２グループＢに属するアイランド１２uに後端部が接続された状態で設けられている。【００６５】
リード１３，１４及び１８はリードフレーム１０の幅方向に沿って延びていて、リード１３の先端は第２グループＢに属するアイランド１２uに近接した位置で終端されており、リード１４の先端はリード１３の先端の手前の位置で終端されている。またリード１８の先端は第１グループＡに属するアイランド１１uに近接する位置まで延びており、このリード１８の先端部からリード１４側に折れ曲がって対のアイランドの対向方向を横切る方向に延びるクロスリード１８ａにフレームの幅方向に沿って第２グループのアイランド側に延びるリード１６の後端部が接続されている。【００６６】
リード１６はリード１４とリード１８との間のほぼ中間部に配置されていて、その先端は第２グループＢに属するアイランド１２uから離れた位置で終端されている。リード１４とリード１６との間、リード１６とリード１８との間にそれぞれリードフレームの幅方向に沿って延びるリード１５及び１７が配置されている。【００６７】
リード１５及び１７は、それぞれの後端部を、対をなすアイランドのうちの、第２グループＢに属するアイランド１２uに近接した位置に位置させ、先端を第１グループＡに属するアイランド１１uから離れた位置で終端させた状態で設けられている。各対をなすアイランド間に配置された一連のリード１３ないし１８は、フレームの長手方向に沿って延びる切り離し可能なコネクティングリード１９及び２０を介して相互に連結されている。【００６８】
またリードフレーム１０の第１の半部１０Ａと第２の半部１０Ｂとの間を区画するために、第１の半部１０Ａと第２の半部１０Ｂとの間に、フレームの幅方向に延びる比較的広幅のスリット２１が形成されている。この例では、各対をなすアイランドと、その間に配置されたリード１３ないし１８とにより、１つの単位リードフレームが構成され、リードフレームの第１及び第２の半部１０Ａ及び１０Ｂのそれぞれに合計３つの単位リードフレームが構成されている。【００６９】
また、リードフレーム１０の半部１０Ａ，１０Ｂのそれぞれに構成された３つの単位リードフレーム相互間を仕切るようにフレームの幅方向に延びる幅が狭いスリット２２が形成され、第１グループに属するアイランド１１uないし１１w間を電気的に接続するための連結部２３がスリット２２を分断するように設けられている。【００７０】
第１グループＡに属する各アイランドとフレームの幅方向の一端との間、及び第２グループＢに属する各アイランドとフレームの幅方向の他端との間にそれぞれフレームの長手方向に延びる矩形状のスリット２５及び２６が形成され、リードフレームの幅方向の一端及び他端側の端部に残された帯状の部分に、リードフレームを治具に位置決めする際に位置決めピンを嵌合させるために用いる位置決め孔２７が形成されている。【００７１】
上記のように、本実施形態においては、リードフレーム１０が、その幅方向の一端側に該リードフレームの長手方向に並べて配置された第１グループの第１ないし第３のアイランド１１uないし１１wと、第１グループの第１ないし第３のアイランド１１uないし１１wとそれぞれ対をなすようにしてリードフレームの幅方向の他端側に設けられた第２グループの第１ないし第３のアイランド１２uないし１２wとを備えていて、第１グループ及び第２グループの対をなすアイランド同士がリードフレームの幅方向に間隔を隔てて対向するように配置され、第１グループ及び第２グループの各対をなすアイランドの間に形成されたスペースに各対をなすアイランドに対応する複数のリード１３ないし１８が配置されている。【００７２】
図３は、上記のリードフレーム１０に、図１に示した半導体装置２を構成する半導体チップを取り付けて配線した状態を示している。本発明に係わる半導体装置においては、複数の半導体チップが第１グループの半導体チップと第２グループの半導体チップとに分けられて、両グループの半導体チップがリードフレームの幅方向に間隔を開けた状態でリードフレームの幅方向の一端側及び他端側にそれぞれ取り付けられる。【００７３】
また封止部として、第１グルーブ及び第２グループの半導体チップをそれぞれリードフレームの要被覆部とともに被覆した第１及び第２の樹脂封止部４１及び４２が設けられて、第１の樹脂封止部４１と第２の樹脂封止部４２との間が連結部により機械的に連結される。第１の樹脂封止部４１と第２の樹脂封止部４２との間には隙間が形成されていて、第１の樹脂封止部４１内の回路に接続された複数のリードのアウタリード部及び第２の樹脂封止部４２内の回路に接続された複数のリードのアウタリード部が、リード端子として第１の樹脂封止部と第２の樹脂封止部との間の隙間を通して外部に引き出される。【００７４】
更に詳細に説明すると、本実施形態では、図１に示された短絡式電圧調整回路を構成するために、第１ないし第３のダイオードＤuないしＤwと、アノードが共通接続されるとともにカソードが第１ないし第３のダイオードＤuないしＤwのアノードにそれぞれ接続されて第１ないし第３のダイオードＤuないしＤwとともにダイオードブリッジ３相全波整流回路を構成する第４ないし第６のダイオードＤxないしＤzと、第４ないし第６のダイオードＤxないしＤzにそれぞれ逆並列接続されて整流回路の出力電圧を調整するために該整流回路の入力端子間（発電機１の出力端子間）を短絡する際に同時にトリガされる第１ないし第３のサイリスタＴhxないしＴhzとが設けられて、これらの半導体素子を構成するチップがリードフレーム１０に取り付けられる。本実施形態では、第４ないし第６のダイオードＤxないしＤzのチップが第１グループの半導体チップであり、第１ないし第３のダイオードＤuないしＤwのチップ及びサイリスタＴhxないしＴhzのチップが第２グループの半導体チップである。第１ないし第３のダイオードＤuないしＤwのカソードは、本実施形態の半導体装置が回路基板に取り付けられた際に該回路基板に設けられた配線パターンを通して共通接続されてプラス側出力端子に接続される。【００７５】
図３に示された例では、リードフレーム１０の第１グループのアイランド１１uないし１１wにそれぞれブリッジの下辺を構成するダイオードＤxないしＤz のチップを取り付ける。これらのダイオードとしては、チップの一面及び他面にそれぞれアノード及びカソードを有するものを用い、それぞれのアノードをアイランド１１uないし１１wに直接半田付けする。同様にして、アイランド１１u′ないし１１w′にもダイオードＤxないしＤzを取り付ける。【００７６】
また第２グループのアイランド１２uないし１２wにそれぞれサイリスタＴhxないしＴhzのチップと、ダイオードＤuないしＤwのチップとを取り付ける。サイリスタＴhxないしＴhzのチップとしては、アノードを片面に有し、カソードとゲートとを他の面に有するものを用い、それぞれのアノードをアイランド１２uないし１２wに半田付けする。またダイオードＤuないしＤwのアノードをアイランド１２uないし１２wに直接半田付けする。同様にして、第２グループのアイランド１２u′ないし１２w′にそれぞれダイオードＤuないしＤwのチップとサイリスタＴhxないしＴhzのチップとを取り付ける。【００７７】
そして、第１グループのアイランドに取り付けられたダイオードＤxないしＤzのカソードを複数本（図示の例では２本）のワイヤ３０を通して対応するクロスリード１８ａに接続し、ダイオードＤuないしＤwのカソードを複数本のワイヤ３１を通して対応するリード１７の後端部に接続する。またサイリスタＴhxないしＴhzのカソードを複数本のワイヤ３２を通して対応するリード１３の先端に接続し、サイリスタＴhxないしＴhzのゲートを対応するリード１５の後端部にワイヤを通して接続する。各半導体チップの端子と所定のリードとの間をワイヤを通して接続する際に、ワイヤの長さを短くすることができるようにするため、各半導体チップは、リードに近い位置に配置されている。各半導体チップとリードとの間を接続するワイヤを短くしておくと、ワイヤでの発熱を少なくすることができるだけでなく、樹脂封止部を成形する際にワイヤが移動して断線を生じる等の問題が生じるのを防ぐことができる。【００７８】
すべてのアイランドに取り付けた半導体チップと所定のリードとの間の配線を行なった後、第１グループＡに属する第１ないし第３のアイランド１１uないし１１wと該第１ないし第３のアイランドのそれぞれに取り付けられた半導体チップに電気的に接続されているリード１３，１６，１８のインナーリード部と、第１グループＡに属するアイランド１１uないし１１wに取り付けられた半導体チップと、該半導体チップをリード１８に接続しているワイヤ３０とが樹脂で被覆されて、扁平な板状を呈する第１の樹脂封止部４１が構成される。【００７９】
また第２グループＢに属する第１ないし第３のアイランド１２uないし１２wと該第１ないし第３のアイランドのそれぞれに取り付けられた半導体チップに電気的に接続されているリード１３，１５，１７及び１８のインナーリード部と、第２グループＢに属する第１ないし第３のアイランド１２uないし１２wに取り付けられた半導体チップと、該半導体チップを各リードに接続するワイヤとが樹脂で被覆されて扁平な板状を呈する第２の樹脂封止部４２が構成される。第１及び第２の樹脂封止部は、トランスファーモールドにより形成される。【００８０】
図４はこのようにして第１の樹脂封止部４１と第２の樹脂封止部４２とを形成した状態を示している。第１の樹脂封止部４１と第２の樹脂封止部４２との間には隙間が形成されている。この例では、リードフレームの一部をなす複数のリード１３，１８が第１の樹脂封止部４１と第２の樹脂封止部４２との間を機械的に連結する連結部となっていて、これらの連結部を構成するリードのそれぞれの両端が第１の樹脂封止部４１内及び第２の樹脂封止部４２内に埋設されている。【００８１】
上記のようにして樹脂封止部４１及び４２を形成した後、図５に示すように、リードフレームの両半部１０Ａ及び１０Ｂを切り離し、更に図６に示すように、コネクティングリードなど、リードフレームの不要部分を切り離す。その後、図７（Ａ）ないし（Ｃ）に示したように、リード１４ないし１７のアウタリード部（樹脂封止部から外部に露出している部分）を一方の側に折り曲げるための成形を行なうことにより、リード１４ないし１７のアウタリード部をリード端子として樹脂封止部４１及び４２の間の隙間から外部に引き出して半導体装置２を完成する。【００８２】
この半導体装置においては、複数のリード１３ないし１８のうち、各アイランドの両端に配置された一部のリード１３及び１８の両端が、第１の樹脂封止部４１内及び第２の樹脂封止部４２内に埋設されていて、第１の樹脂封止部４１と第２の樹脂封止部４２との間が、第１の樹脂封止部内及び第２の樹脂封止部内に両端が埋設されたリード１３及び１８を介して機械的に連結されている。【００８３】
図８（Ａ）及び（Ｂ）は、上記のようにして得られた半導体装置２を回路基板ＣＢに取り付けた状態を示している。この例では、半導体装置２のリード１４ないし１７を回路基板ＣＢの幅方向の中央部に設けられたスルーホールに挿入して、回路基板に設けられた導電パターンに半田付けすることにより、半導体装置２を回路基板ＣＢに取り付けている。【００８４】
上記のように、リード１３ないし１８をリードフレーム１０の幅方向の中央部に配置し、その両側に第１グループＡのアイランド及び第２グループＢのアイランドを配置すると、図８に示したように、第１グループ及び第２グループにそれぞれ属するアイランドの寸法をリードフレームの幅方向に拡大して、半導体装置の幅寸法をＷからＷ′に増大させる設計変更を行なった場合でも、リード端子相互間の距離ｇは不変である。従って、設計変更の前後でリード端子の数が変わらない場合には、設計変更後も、設計変更前と同じ型の回路基板またはソケットに半導体装置を取り付けることができ、設計変更に要するコストの削減を図ることができる。【００８５】
また上記実施形態で示したように、リード１３ないし１８をリードフレーム１０の幅方向の中央部に配置し、その両側にアイランドを配置して、半導体装置２を構成した際にリード端子の両側に第１の樹脂封止部４１と第２の樹脂封止部４２とが配置されるようにしておくと、図８に示したように、半導体装置２を回路基板ＣＢの片側に偏らせることなく、バランスよく取り付けることができる。【００８６】
更に、上記実施形態のように、アイランドを第１グループＡと、第２グループＢとに分けて、第１グループのアイランドに取り付けた半導体チップ及び第２グループのアイランドに取り付けた半導体チップをそれぞれ第１の樹脂封止部４１及び第２の樹脂封止部４２により個別に封止するようにすると、全体を一つの樹脂封止部により封止していた図１８または図１９の半導体装置に比べて、一つの樹脂封止部内に配置される発熱素子の数を少なくすることができるため、アイランドからの放熱性能を高めて、半導体装置の温度上昇を抑制することができる。【００８７】
更に上記実施形態のように、第１グループに属する各アイランドを第２グループに属するいずれかのアイランドと対をなすように組み合わせて、各対をなすアイランドの間に対応するリードを配置するようにすると、各アイランドに対して設けるリードを各アイランドの直近に配置することができる。これにより、リードを対応するアイランドから離れた箇所まで長く引き回す必要がなくなるため、リードフレームのパターンを単純にしてその製造を容易にすることができる。【００８８】
更に、上記のように、１つの半導体装置を構成する半導体チップを２つのグループに分けて、両グループの半導体チップを別々の樹脂封止部により被覆するようにすると、１つの樹脂封止部内に埋設される半導体チップの数を少なくすることができるため、半導体装置の温度上昇を抑制して、その冷却性能を向上させることができる。【００８９】
特に、上記の実施形態では、リードフレーム１０の第１グループのアイランド１１uないし１１wに発熱が多い第４ないし第６のダイオードＤxないしＤzのみを取り付け、第２グループのアイランド１２uないし１２wに発熱が少ない第１ないし第３のダイオードＤuないしＤwと第１ないし第３のサイリスタＴhxないしＴhzとを取り付けることにより、発熱源を分散させたので、半導体装置の温度上昇を防ぐことができる。【００９０】
また上記実施形態のように構成すると、短絡形電圧調整回路を構成するダイオードをリードフレームのアイランドに取り付ける際に、いずれのダイオードもそのアノードをアイランドに接続すればよく、すべてのダイオードを、同一型のチップを用いて、同じ工程でリードフレームに取り付けることができるため、ダイオードの取付作業を能率良く行なうことができる。【００９１】
また上記のように、リードフレーム１０の幅方向の一端側及び他端側に半導体チップを取り付けるアイランドを配置し、リードフレームの幅方向の中央部にリード群を配置するようにすると、リードを複雑に引き回す必要がなく、リードフレームのアイランド及びリード群の配列パターンの簡素化を図ることができるため、リードフレームを打ち抜く型の構造を簡単にして、型のコストを安くすることができる。【００９２】
上記の実施形態では、第１の樹脂封止部４１と第２の樹脂封止部４２とがリード１３及び１８を介して連結されているだけで、樹脂を介しては連結されていないが、図９の（Ａ）及び（Ｂ）に示したように、連結部を構成する複数のリード１３，１８をそれぞれ被覆した連結用樹脂モールド部４３を第１の樹脂封止部４１及び第２の樹脂封止部４２を構成する樹脂と同じ樹脂により両樹脂封止部に跨って形成して、該連結用樹脂モールド部４３によっても第１の樹脂封止部４１と第２の樹脂封止部４２との間を機械的に連結するようにするのが好ましい。なお図９は、コネクティングリード１９，２０を切り離す前の状態を示している。【００９３】
第１の樹脂封止部４１と第２の樹脂封止部４２との間を連結する連結部をリードのみにより構成した場合には、各樹脂封止部にリードフレームの板面に対して直角な方向から外力が加えられた場合に、連結部を構成するリードが曲がるおそれがある。これに対し、上記のように、連結部を構成するリードを被覆するように連結用樹脂モールド部を設けておけば、両樹脂封止部の間を連結する連結部の機械的強度を高めることができる。【００９４】
図５に示したように、第１の樹脂封止部４１と第２の樹脂封止部４２との間をリードのみにより連結するようにした場合には、第１の樹脂封止部４１及び第２の樹脂封止部４２を成形する際に、第１の樹脂封止部４１を成形するためにトランスファーモールド用金型に設けるキャビティと、第２の樹脂封止部４２を成形するためにトランスファーモールド用金型に設けるキャビティとの双方に樹脂の注入口を設ける必要がある。このように２つのキャビティにそれぞれ樹脂の注入口を設けた場合には、金型の構造が複雑になり、金型の価格が高くなるのを避けられない。【００９５】
これに対し、図９に示したように、連結用樹脂モールド部４３を設けた場合には、トランスファーモールド用の金型を用いて第１の樹脂封止部４１及び第２の樹脂封止部４２を成形する際に、第１の樹脂封止部を成形するキャビティと第２の樹脂封止部を成形するキャビティとの間を、連結用樹脂モールド部を成形するキャビティを通して連通させることができるため、第１の樹脂封止部を成形するキャビティ及び第２の樹脂封止部を成形するキャビティのいずれか一方の側から両樹脂封止部を成形するキャビティに樹脂を注入することができる。従って、第１の樹脂封止部４１及び第２の樹脂封止部４２を成形する金型の構造を、第１の樹脂封止部を成形するキャビティ及び第２の樹脂封止部を成形するキャビティのいずれか一方の側のみに樹脂注入口を有する構造として、金型の構造を簡単にすることができ、金型のコストの低減を図ることができる。【００９６】
また、第１の樹脂封止部と第２の樹脂封止部との間を連結するリードを設けることができない場合には、上記のようにリードを被覆した状態で連結用樹脂モールド部４３を設ける代わりに、一端が第１の樹脂封止部４１に一体化され、他端が第２の樹脂封止部４２に一体化された樹脂製の連結部を第１の樹脂封止部４１と第２の樹脂封止部４２との間に跨って設けることにより、第１の樹脂封止部と第２の樹脂封止部との間を連結するようにしてもよい。【００９７】
このように構成した場合も、第１の樹脂封止部を成形するキャビティと第２の樹脂封止部を成形するキャビティとの間を、樹脂製の連結部を成形するキャビティを通して連通させることができるため、第１の樹脂封止部４１及び第２の樹脂封止部４２を成形する金型の構造を、第１の樹脂封止部を成形するキャビティ及び第２の樹脂封止部を成形するキャビティのいずれか一方の側のみに樹脂注入口を有する構造として、金型の構造を簡単にすることができる。【００９８】
上記の説明では、図１に示した３相短絡式電圧調整器に用いる半導体装置を例にとったが、他のパワー回路等を構成する半導体装置にも本発明を適用することができる。【００９９】
例えば、図１１に示すように、第１グループの第２のアイランド１１v，１１v′と、第２グループの第２のアイランド１２v，１２v′とにチップを取り付けないようにすることにより、上記と同じリードフレームを用いて、単相磁石式交流発電機に接続する単相用の短絡式電圧調整回路を構成する半導体装置を得ることもできる。【０１００】
図１２は本発明に係わる半導体装置の回路構成の他の例を示したもので、この例では、図１に示されたサイリスタＴhxないしＴhzが取り除かれ、代りに図１に示されたダイオードＤuないしＤwがそれぞれサイリスタＴhuないしＴhwで置き換えられている。サイリスタＴhuないしＴhwとダイオードＤxないしＤzとにより混合ブリッジ整流回路２０が構成されている。５０はサイリスタＴhuないしＴhwを制御する制御回路で、この制御回路は、バッテリ３の両端の電圧を検出して、検出した電圧が設定値以下の時にサイリスタＴhuないしＴhwのゲートにトリガ信号を与え、検出した電圧が設定値を超えたときにサイリスタＴhuないしＴhwへのトリガ信号の供給を停止する。サイリスタＴhuないしＴhwは、トリガ信号が与えられたときにオン状態になって、発電機１からバッテリ３に充電電流を供給する。バッテリの両端の電圧が設定値を超えて、サイリスタＴhuないしＴhwへのトリガ信号の供給が停止されると、サイリスタＴhuないしＴhwは、それぞれのアノード電流が保持電流以下になった時点でオフ状態になり、バッテリ３への充電電流の供給を停止する。混合ブリッジ全波整流回路２０と制御回路５０とにより電圧調整器６０が構成されている。この例では、ダイオードＤxないしＤzを構成する半導体チップが第１グループの半導体チップであり、サイリスタＴhuないしＴhwを構成する半導体チップが第２グルーブの半導体チップである。【０１０１】
図１２に示した回路を構成する場合には、図１３に示すように、リードフレーム１０の第１の半部１０Ａに設けられた第１グループのアイランド１１uないし１１wにそれぞれダイオードＤxないしＤzを取り付け、第２グループのアイランド１２uないし１２wにそれそれサイリスタＴhuないしＴhwを取り付ける。またリードフレーム１０の第２の半部１０Ｂに設けられた第１グループのアイランド１１u′ないし１１w′にそれぞれダイオードＤxないしＤzを取付け、第２グループのアイランド１２u′ないし１２w′にそれそれサイリスタＴhuないしＴhwを取り付ける。第１の樹脂封止部４１及び第２の樹脂封止部４２の設け方は前記の実施形態と同様である。【０１０２】
図１４は、本発明に係わる半導体装置の回路構成の更に他の例を示したもので、この例では、図１に示されたサイリスタＴhxないしＴhzが取り除かれ、代りに図１に示されたダイオードＤuないしＤwがそれぞれＭＯＳＦＥＴＱuないしＱwで置き換えられている。ＭＯＳＦＥＴとしてはＰチャンネル形のものが用いられていて、ＭＯＳＦＥＴＱuないしＱwのソースがプラス側出力端子２１ａに接続され、ドレインがそれぞれダイオードＤxないしＤzのカソードに接続されている。ダイオードＤxないしＤzのアノードがマイナス側出力端子２１ｂに接続され、ＭＯＳＦＥＴＱuないしＱwとダイオードＤxないしＤzとにより制御整流回路２１が構成されている。この制御整流回路においては、ＭＯＳＦＥＴＱuないしＱwのドレインソース間に形成された寄生ダイオードＤfuないしＤfwとダイオードＤxないしＤzとにより全波整流回路が構成されている。この例では、ダイオードＤxないしＤzを構成する半導体チップが第１グループの半導体チップであり、ＭＯＳＦＥＴＱuないしＱwを構成する半導体チップが第２グループの半導体チップである。【０１０３】
５１はＭＯＳＦＥＴＱuないしＱwを制御する制御回路で、この制御回路は、バッテリ３の両端の電圧を検出して、検出した電圧が設定値以下の時にＭＯＳＦＥＴＱuないしＱwをオフ状態に保持する。このとき発電機１の出力は、ＭＯＳＦＥＴＱuないしＱwのドレインソース間に形成された寄生ダイオードＤfuないしＤfwとダイオードＤxないしＤzとからなる全波整流回路により整流されてバッテリ３に供給される。制御回路５１はまた、バッテリ３の両端の電圧が設定値を超えたときにＭＯＳＦＥＴＱuないしＱwに駆動信号を与えてこれらのＭＯＳＦＥＴを同時にオン状態にし、ブリッジの上辺を構成するダイオードＤfuないしＤfwのいずれかと、オン状態にあるＭＯＳＦＥＴとを通して発電機１の出力を短絡してバッテリ３への充電電流の供給を停止する。この例では、制御整流回路２１と制御回路５１とにより電圧調整器６１が構成されている。【０１０４】
図１４に示した回路を構成する場合には、図１５に示すように、リードフレーム１０の第１の半部１０Ａに設けられた第１グループのアイランド１１uないし１１wにそれぞれダイオードＤxないしＤzを取り付け、第２グループのアイランド１２uないし１２wにそれそれＭＯＳＦＥＴＱuないしＱwを取り付ける。ＭＯＳＦＥＴＱuないしＱwとしては、チップの片面にドレインを有し、他の面にソースとゲートとを有するものを用い、それぞれのドレインをアイランド１２uないし１２wに半田付けする。またＭＯＳＦＥＴＱuないしＱwのそれぞれのソースＳを配線を通して対応するリード１７に接続し、ゲートＧを対応するリード１５に接続する。同様に、リードフレーム１０の第２の半部１０Ｂに設けられた第１グループのアイランド１１u′ないし１１w′にそれぞれダイオードＤxないしＤzを取付け、第２グループのアイランド１２u′ないし１２w′にそれそれＭＯＳＦＥＴＱuないしＱwを取り付ける。その他の点は図１ないし図７に示された実施形態と同様である。ＭＯＳＦＥＴＱuないしＱwのソースは、本実施形態の半導体装置が回路基板に取り付けられた際に該回路基板に設けられた配線パターンを通して共通接続されてプラス側出力端子に接続される。【０１０５】
図１６は、本発明に係わる半導体装置の回路構成の更に他の例を示したもので、同図において２２はバッテリ３及び負荷４が接続される直流側端子２２ａ、２２ｂと磁石発電機１の３相の出力端子が接続される交流側端子２２uないし２２wとを有するインバータ回路、５２はインバータ回路を制御する制御回路である。インバータ回路２２は、Ｐチャンネル形のＭＯＳＦＥＴＱuないしＱwによりブリッジの上辺が構成され、ドレインがＭＯＳＦＥＴＱuないしＱwのドレインにそれぞれ接続され、Ｎチャンネル形のＭＯＳＦＥＴＱxないしＱzによりブリッジの下辺が構成された周知のブリッジ形の回路からなっている。図示の例では、ＭＯＳＦＥＴＱuないしＱwのドレインソース間に形成された寄生ダイオードＤfuないしＤfw及びＭＯＳＦＥＴＱxないしＱzのドレインソース間に形成された寄生ダイオードＤfxないしＤfzが、磁石式交流発電機１の出力を整流してバッテリ３に供給するダイオードブリッジ全波整流回路を構成している。この例では、ダイオードＭＯＳＦＥＴＱxないしＱzを構成する半導体チップが第１グループの半導体チップであり、ＭＯＳＦＥＴＱuないしＱwを構成する半導体チップが第２グループの半導体チップである。【０１０６】
制御回路５２は、磁石式交流発電機１の出力を制御するために、バッテリ３の出力電圧を、磁石式交流発電機１の出力周波数と周波数が等しく、該発電機の無負荷出力電圧の位相に対して所定の位相角を有する交流制御電圧に変換して、該交流制御電圧を磁石発電機１の電機子コイル１uないし１wに印加する。磁石式交流発電機１の電機子コイルに交流制御電圧を印加すると、交流制御電圧の位相の変化に応じて発電機の出力が変化するため、バッテリ３の両端の電圧（負荷４の両端の電圧）に応じて、インバータ回路２２を通して発電機１に印加する交流制御電圧の位相を変化させることにより、バッテリの両端の電圧を設定範囲に保つように発電機の出力を制御することができる。この例では、インバータ回路２２と、制御回路５２とにより発電機１の出力を制御する発電機出力制御装置６２が構成されている。【０１０７】
図１６に示した回路を構成する場合には、リードフレーム１０の第１グループのアイランドと第２グループのアイランドとの間に設けるリード群の配設パターンを、例えば図１７に示すように変更する。図１７に示した例では、第１グループのアイランド１１uないし１１w及び１１u′ないし１１w′に対して、リードＬ1ないしＬ3が設けられ、これらのリードのうち、リードＬ1は第１グループのアイランドに接続されている。また第２グループのアイランド１２uないし１２w及び１２u′ないし１２w′に対してリードＬ4ないしＬ6が設けられ、これらのリードの内、リードＬ4は第２グループのアイランドに接続されている。また第１グループのアイランドと第２グループのアイランドとに共通のリードとして、第１グループのアイランドと第２グループのアイランドとの間を接続するリードＬ7が設けられている。【０１０８】
図１７に示した例では、リードフレーム１０の第１の半部１０Ａに設けられた第１グループのアイランド１１uないし１１wにそれぞれＮチャンネル形のＭＯＳＦＥＴＱxないしＱzが取り付けられ、第２グループのアイランド１２uないし１２wにそれそれＰチャンネル形のＭＯＳＦＥＴＱuないしＱwが取り付けられている。Ｎチャンネル形のＭＯＳＦＥＴＱxないしＱzとしては、チップの片面にドレインを有し、他の面にソースとゲートとを有するものが用いられ、それぞれのドレインがアイランド１１uないし１１wに半田付けされている。ＭＯＳＦＥＴＱxないしＱzのソースは対応するリードＬ2に配線を通して接続され、ゲートは対応するリードＬ3に配線を通して接続されている。【０１０９】
またＰチャンネル形のＭＯＳＦＥＴＱuないしＱwとしても、チップの片面にドレインを有し、他の面にソースとゲートとを有するものが用いられ、それぞれのドレインがアイランド１２uないし１２wに半田付けされている。またＭＯＳＦＥＴＱuないしＱwのそれぞれのソースＳが配線を通して対応するリードＬ6に接続され、ゲートＧが対応するリードＬ5に配線を通して接続されている。【０１１０】
同様にして、第２の半部１０Ｂに設けられた第１グループのアイランド１１u′ないし１１w′にそれぞれＮチャンネル形のＭＯＳＦＥＴＱxないしＱzが取り付けられ、第２グループのアイランド１２uないし１２wにそれそれＰチャンネル形のＭＯＳＦＥＴＱuないしＱwが取り付けられている。その他の点は図１ないし図７に示された実施形態と同様であり、リードフレームの各半部の第１グループのアイランドと、該第１グループのアイランドに取り付けられた半導体チップと、リードＬ1，Ｌ2，Ｌ3のインナーリード部と、リードＬ7の一端（第１グループのアイランド側の端部）とを被覆するように第１の樹脂封止部４１が設けられる。またリードフレームの各半部の第２グループのアイランドと、該第２グループのアイランドに取り付けられた半導体チップと、リードＬ1の先端と、リードＬ5及びＬ6のインナーリード部と、リードＬ7の他端とを被覆するように第２の樹脂封止部４２が設けられる。ＭＯＳＦＥＴＱuないしＱwのソースは、本実施形態の半導体装置が回路基板に取り付けられた際にリードＬ6と該回路基板に設けられた配線パターンとを通して共通接続されてプラス側の直流側端子２２ａに接続され、ＭＯＳＦＥＴＱxないしＱzのソースは、リードＬ2と同回路基板に設けられた配線パターンとを通して共通接続されてマイナス側の直流側端子２２ｂに接続される。また、アイランド１２uないし１２wにそれぞれ接続された３つのリードＬ4が回路基板に設けられた所定の配線パターンを通して３相の交流側端子２２uないし２２wに接続される。【０１１１】
上記の説明では、図１６に示した回路が、磁石式交流発電機１の出力を制御する制御装置を構成する回路であるとしたが、バッテリの出力でインバータ回路を通して３相ブラシレスモータを駆動する場合にも、図１６と同様の回路構成がとられる。従って、ブラシレスモータを駆動する回路を構成する半導体装置にも本発明を適用することができる。【０１１２】
以上、本発明の好ましい実施形態について説明したが、リードフレームに設けるアイランドの数、及びリードの数及びその配列のパターンは上記の例に限定されるものではなく、半導体装置内の回路の構成に応じて適宜に変更される。また本発明は、上記の各実施形態のように、電力用の半導体チップを用いる場合に限定されるものではなく、比較的通電電流が小さい半導体チップを用いて構成される半導体装置にも本発明を適用することができるのはもちろんである。【０１１３】
上記の実施形態では、第１グループのアイランドの数及び第２グループのアイランドの数をともに３としたリードフレームを用いたが、本発明では、一般に、フレームの幅方向の一端側にフレームの長手方向に並ぶ第１グループの第１ないし第ｎ（ｎは１以上の整数）のアイランドを設け、幅方向の他端側にフレームの長手方向に並ぶ第２グループの第１ないし第ｍ（ｍは１以上の整数）のアイランドを設けて、各アイランドに対応する複数のリードを含むリード群を第１グループのアイランドと第２グループのアイランドとの間に設けた構造のリードフレームを用いることができる。上記ｍ及びｎは等しくても良く、等しくなくてもよい。【０１１４】
上記の各実施形態では、一度に２個の半導体装置を製作するためのリードフレームを用いる場合を例にとったが、一度に１個の半導体装置または３個以上の半導体装置を製作するためのリードフレームを用いる場合にも本発明を適用することができるのはもちろんである。【０１１５】
上記の各実施形態では、各半導体チップとの所定のリードとの間を接続するワイヤをできるだけ短くするために、半導体チップをアイランドのリード側の端部に近い位置に配置しているが、本発明はこのように半導体チップを取り付ける場合に限定されるものではなく、各半導体チップをアイランドの中央部に取り付けるようにしてもよい。各半導体チップをアイランドの中央部に取り付けると、各半導体チップとリードとの間を接続するワイヤは長くなるが、半導体チップからの放熱性能は高めることができる。
【産業上の利用可能性】
【０１１６】
上記のように、本発明によれば、所定の回路を構成する多数の半導体チップを２つのグループに分けて、両グループの半導体チップを別々の樹脂封止部により被覆するようにしたことにより、１つの樹脂封止部内に埋設される半導体チップの数を少なくして、半導体装置の温度上昇を抑制できる。従って、本発明は、整流回路、短絡式電圧調整回路、インバータ回路等の電力を扱う回路を構成する半導体装置に特に適している。しかし、本発明は、電力を扱う回路を構成する半導体装置に限定されることなく、多数の半導体チップを用いて構成される半導体装置に広く適用することができる。
【図１】
0004811273.tif 000002
【図２】
0004811273.tif 000003
【図３】
0004811273.tif 000004
【図４】
0004811273.tif 000005
【図５】
0004811273.tif 000006
【図６】
0004811273.tif 000007
【図７】
0004811273.tif 000008
【図８】
0004811273.tif 000009
【図９】
0004811273.tif 000010
【図１０】
0004811273.tif 000011
【図１１】
0004811273.tif 000012
【図１２】
0004811273.tif 000013
【図１３】
0004811273.tif 000014
【図１４】
0004811273.tif 000015
【図１５】
0004811273.tif 000016
【図１６】
0004811273.tif 000017
【図１７】
0004811273.tif 000018
【図１８】
0004811273.tif 000019
【図１９】
0004811273.tif 000020