(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
第一の導電パターンを有する第一の金属層と、
不平衡Ｉ／Ｏ端と第一の接続端とを含む第一の螺旋線と、第二の接続端と開回路端とを含む第二の螺旋線と、を含む第二の金属層と、
前記第一の螺旋線に対応し、前記第一の導電パターンに電気接続される第三の接続端と第一の平衡Ｉ／Ｏ端とを含む第三の螺旋線と、前記第二の螺旋線に対応し、前記第一の導電パターンに電気接続される第四の接続端と第二の平衡Ｉ／Ｏ端とを含む第四の螺旋線と、を含む第三の金属層と、
前記第二の金属層と前記第三の金属層との間に配される第一の誘電体層と、
第四の金属層と、そのうち、前記第一の螺旋線の前記第一の接続端は前記第四の金属層を介して前記第二の螺旋線の前記第二の接続端に電気接続され、
前記第三の金属層と前記第四の金属層との間に配される第二の誘電体層と、
互いに対向する第一の表面と第二の表面とを有する誘電体基板と、を含み、
前記第一の金属層が前記第一の表面上に薄膜処理により配され、
前記第二の金属層と、前記第三の金属層と、前記第一の誘電体層と、前記第四の金属層と、第二の誘電体層とは前記第二の表面上に薄膜処理により配される、バラン。
【請求項２】
前記第一の螺旋線は、複数の連続接続された第一の線分をさらに含み、
前記第一の線分のうち最内部にあるものは、第一の領域を囲み、
前記第一の領域の各二つの対辺は互いに第一の距離分、離れており、
各二つの隣り合う平行な第一の線分は、互いに第二の距離分、離れており、
各第二の距離は各第一の距離より短く、
前記第二の螺旋線は、複数の連続接続された第二の線分をさらに含み、
前記第二の線分のうち最内部にあるものは、第二の領域を囲み、
前記第二の領域の各二つの対辺は互いに第三の距離分、離れており、
各二つの隣り合う平行な第二の線分は、互いに第四の距離分、離れており、
各第四の距離は各第三の距離より短い、請求項１に記載のバラン。
【請求項３】
前記第一の線分の各々は、１５μｍ〜３０μｍの幅を有し、前記第二の線分の各々は、１５μｍ〜３０μｍの幅を有する、請求項２に記載のバラン。
【請求項４】
前記第一の螺旋線は、複数の第一の円弧隅部をさらに含み、前記第一の円弧隅部の各々は、前記第一の線分のうち二つを接続し、前記第二の螺旋線は、複数の第二の円弧隅部をさらに含み、前記第二の円弧隅部の各々は、前記第二の線分のうち二つを接続する、請求項２に記載のバラン。
【請求項５】
前記第三の螺旋線は、複数の連続接続された第一の線分を含み、
前記第一の線分のうち最内部にあるものは、第一の領域を囲み、
前記第一の領域の各二つの対辺は互いに第一の距離分、離れており、
各二つの隣り合う平行な第一の線分は、互いに第二の距離分、離れており、
各第二の距離は各第一の距離より短く、
前記第四の螺旋線は、複数の連続接続された第二の線分を含み、
前記第二の線分のうち最内部にあるものは、第二の領域を囲み、
前記第二の領域の各二つの対辺は互いに第三の距離分、離れており、
各二つの隣り合う平行な第二の線分は、互いに第四の距離分、離れており、
各第四の距離は各第三の距離より短い、請求項１に記載のバラン。
【請求項６】
前記第一の線分の各々は、１５μｍ〜３０μｍの幅を有し、前記第二の線分の各々は、１５μｍ〜３０μｍの幅を有する、請求項５に記載のバラン。
【請求項７】
前記第三の螺旋線は、複数の第一の円弧隅部をさらに含み、前記第一の円弧隅部の各々は、前記第一の線分のうち二つを接続し、前記第四の螺旋線は、複数の第二の円弧隅部をさらに含み、前記第二の円弧隅部の各々は、前記第二の線分のうち二つを接続する、請求項５に記載のバラン。
【請求項８】
前記第一の誘電体層は、８μｍ〜１２μｍの厚みを有する、請求項１に記載のバラン。
【請求項９】
前記第四の金属層は、第一の線分と複数の第二の線分とを含み、
前記第一の螺旋線の前記第一の接続端は、前記第一の線分を介して前記第二の螺旋線の前記第二の接続端に電気接続され、
前記第三の螺旋線は、前記第二の線分のうちのいずれかを介して前記第一の導電パターンに電気接続され、
前記第四の螺旋線は、前記第二の線分のうちの別のいずれかを介して前記第一の導電パターンに電気接続される、請求項１に記載のバラン。
【請求項１０】
前記第一の金属層は銅（Ｃｕ）により形成される、請求項１に記載のバラン。
【請求項１１】
前記第二の金属層は、銅（Ｃｕ）により形成される第一のサブ金属層と、ニッケル・クロム（Ｎｉ−Ｃｒ）合金により形成される第二のサブ金属層とを含み、
前記第三の金属層は、Ｃｕにより形成される第三のサブ金属層と、Ｎｉ−Ｃｒ合金により形成される第四のサブ金属層とを含む、請求項１に記載のバラン。
【請求項１２】
前記第一の螺旋線の最外円は第一の領域を画定し、
前記第二の螺旋線の最外円は第二の領域を画定し、
前記第三の螺旋線の最外円は第三の領域を画定し、
前記第四の螺旋線の最外円は第四の領域を画定し、
前記第一の領域、前記第二の領域、前記第三の領域、および前記第四の領域は、矩形に構成される、請求項１に記載のバラン。
【請求項１３】
前記第一の螺旋線の最外円は第一の領域を画定し、
前記第二の螺旋線の最外円は第二の領域を画定し、
前記第三の螺旋線の最外円は第三の領域を画定し、
前記第四の螺旋線の最外円は第四の領域を画定し、
前記第一の領域、前記第二の領域、前記第三の領域、および前記第四の領域は、正方形に構成される、請求項１に記載のバラン。
【請求項１４】
前記第一の導電パターンは接地されている、請求項１に記載のバラン。
【請求項１５】
前記第一の導電パターンは、直流（ＤＣ）供給端と第五の接続端とを含み、
前記第五の接続端は、コンデンサの一端に電気接続され、前記コンデンサの他端は接地される、請求項１に記載のバラン。
【請求項１６】
前記第一の金属層は、前記第一の導電パターンから離れて配される複数の第二の導電パターンを含み、
前記不平衡Ｉ／Ｏ端は、前記第二の導電パターンのいずれかに電気接続され、
前記第一の平衡Ｉ／Ｏ端は、前記第二の導電パターンの別のいずれかに電気接続され、
前記第二の平衡Ｉ／Ｏ端は、前記第二の導電パターンのまた別のいずれかに電気接続される、請求項１に記載のバラン。
【請求項１７】
前記第一の金属層は、前記第一の導電パターンから離れて配される複数の第二の導電パターンを更に含み、
前記開回路端は、前記第二の導電パターンのいずれかに電気接続される、請求項１に記載のバラン。
【請求項１８】
前記誘電体基板はアルミナにより形成される、請求項１に記載のバラン。
【請求項１９】
前記第一の表面上に配される複数の外部電極を更に含む、請求項１に記載のバラン。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は概してバランに関しており、より具体的には複数の金属層を含むバランに関する。
【背景技術】
【０００２】
バラン（平衡不平衡変成器）は、平衡信号を不平衡信号に変成し、あるいは不平衡信号を平衡信号に変成するデバイスである。平衡信号は、互いから略１８０度位相がずれ振幅が略等しい二つの信号により形成される。バランは通常、平衡信号の送受信用に二つの平衡端子、および不平衡信号の送受信用に一つの不平衡端子を有する。
【０００３】
図１Ａおよび図１Ｂに示すように、米国特許５，４９７，１３７は、薄膜積層１００ａを有する従来のバラン１００を開示する。薄膜積層１００ａは、接地電極１１０ａ、接続電極１１０ｂ、第一のストリップ線１１０ｃ、第二のストリップ線１１０ｄ、接地電極１１０ｅ、第一の誘電体基板１２０ａ、第二の誘電体基板１２０ｂ、第三の誘電体基板１２０ｃ、第四の誘電体基板１２０ｄ、および第五の誘電体基板１２０ｅを含む。
【０００４】
そのような積層１００ａを作製するには、第一に、接地電極１１０ａが第一の誘電体基板１２０ａに形成され、接続電極１１０ｂが第二の誘電体基板１２０ｂに形成され、第一のストリップ線１１０ｃが第三の誘電体基板１２０ｃに形成され、第二のストリップ線１１０ｄが第四の誘電体基板１２０ｄに形成され、接地電極１１０ｅが第五の誘電体基板１２０ｅに形成される。この後、これら基板を積層して積層１１０ａを構成する。積層１１０ａが積層プロセスにより構成されるので、各電極およびストリップ線は、それに対応する誘電体基板を必要とし、故に積層１００ａは比較的厚みがあり、且つ多くの層を有する。
【０００５】
第一のストリップ線１１０ｃは、互いに接続される第一の螺旋線１１２および第二の螺旋線１１４を含む。第一の螺旋線１１２は、第二の螺旋線１１４の幅１１４ａより狭い幅１１２ａを有する。第一の螺旋線１１２の内端は、導電ビア１３０ａを介して接続電極１１０ｂに電気接続されており、導電ビア１３０ａは第二の誘電体基板１２０ｂに構成される。第二の螺旋線１１４の内端は開回路端である。
【０００６】
第二のストリップ線１１０ｄは、互いから独立して設けられた第三の螺旋線１１６および第四の螺旋線１１８を含む。第三の螺旋線１１６は第一の螺旋線１１２に対応しており、第四の螺旋線１１８は第二の螺旋線１１４に対応している。第三の螺旋線１１６の内端は、導電ビア１３０ｂを介して接地電極１１０ｅに電気接続されており、導電ビア１３０ｂは第四の誘電体基板１２０ｄに構成される。第四の螺旋線１１８の内端は、別の導電ビア１３０ｃを介して接地電極１１０ｅに電気接続されており、当該別の導電ビア１３０ｃは第四の誘電体基板１２０ｄに構成される。
【０００７】
バラン１００はさらに、積層１１０ａの側面に構成された八つの外部電極１４０ａ、１４０ｂ、１４０ｃ、１４０ｄ、１４０ｅ、１４０ｆ、１４０ｇ、および１４０ｈを含む。外部電極１４０ａ、１４０ｄ、１４０ｅ、および１４０ｈは、接地電極１１０ａ、１１０ｅに電気接続される。外部電極１４０ｂは第三の螺旋線１１６の外端に電気接続される。外部電極１４０ｃは第四の螺旋線１１８の外端に電気接続され、外部電極１４０ｆは、導電ビア１３０ａから遠位側にある接続電極１１０ｂの一端に電気接続される。
【０００８】
図１Ｂおよび図１Ｃを参照すると、第一の螺旋線１１２の最内円における各二つの対辺間の距離は、第一の距離１１２ｂとして画定され、第一の螺旋線１１２の各隣り合う平行線分間の距離は第二の距離１１２ｃとして画定される。第二の距離１１２ｃの各々は、複数ある第一の距離１１２ｂのうちのいずれかに略等しい。第二の螺旋線１１４の最内円における各二つの対辺間の距離は、第三の距離１１４ｂとして画定され、第二の螺旋線１１４の各隣り合う平行線分間の距離は、第四の距離１１４ｃとして画定される。第三の距離１１４ｃの各々は、複数ある第四の距離１１４ｂのうちのいずれかに略等しい。このように、外部電極１４０ｆは入力電極および外部電極１４０ｂ、１４０ｃとして機能する間、バラン１００はより高い反射減衰量および挿入損失を受ける。さらに、従来のバラン１００はＱ係数（quality factor Q）が低い。つまり、従来のバラン１００は電気的性能が低い。
【発明の開示】
【０００９】
故に、本発明は、反射減衰量および挿入損失を減少させることでＱ係数がより良好で、全体的な電気的性能に優れるバランの提供を目的とする。
【００１０】
本発明はまた、厚みがより薄く、層数がより少ないバランを提供することに関する。
【００１１】
本発明は、信号周波数帯域幅がより広いバランを提供することに関する。
【００１２】
本発明はさらに、電磁結合効率により優れたバランを提供することに関する。
【００１３】
本発明はまたさらに、円弧隅部を有して、信号送信時に信号損失が少ないバランを提供することに関する。
【００１４】
本発明は、第一の金属層と、第二の金属層と、第三の金属層と、第一の誘電体層と、誘電体基板と、を有するバランを提供する。第一の金属層は、第一の導電部を含む。第二の金属層は、第一の螺旋線と第二の螺旋線とを含む。第一の螺旋線は、不平衡Ｉ／Ｏ端と、第一の接続端と、複数の連続接続された第一の線分と、を含む。第一の線分のうち最内部にあるものは、第一の領域を囲む。第一の領域の各二つの対辺は互いに第一の距離分、離れており、各二つの隣り合う平行な第一の線分は、互いに第二の距離分、離れている。各第二の距離は各第一の距離より短い。第二の螺旋線は、第一の接続端に電気接続された第二の接続端、開回路端、および複数の連続接続された第二の線分を含む。第二の線分のうち最内部にあるものは、第二の領域を囲む。第二の領域の各二つの対辺は互いに第三の距離分、離れており、各二つの隣り合う平行な第二の線分は、互いに第四の距離分、離れている。各第四の距離は各第三の距離より短い。
【００１５】
第三の金属層は第三の螺旋線と第四の螺旋線とを含む。第三の螺旋線は、第一の螺旋線に対応しており、第一の平衡Ｉ／Ｏ端と、第一の導電部に電気接続された第三の接続端とを含む。第四の螺旋線は第二の螺旋線に対応しており、第二の平衡Ｉ／Ｏ端と、第一の導電部に電気接続された第四の接続端とを含む。第一の誘電体層は第二の金属層と第三の金属層との間に配される。誘電体基板は、互いに対向する第一の表面と第二の表面とを含む。第一の金属層は第一の表面上に配され、第二の金属層と、第三の金属層と、第一の誘電体層とは、第二の表面上に配される。
【００１６】
第一の金属層、第二の金属層、第三の金属層、および第一の誘電体層は、薄膜処理により作製される。第一の線分の各々は、１５μｍ〜３０μｍの幅を有し、第二の線分の各々は、１５μｍ〜３０μｍの幅を有する。第一の誘電体層は、８μｍ〜１２μｍの厚みを有する。
【００１７】
第一の螺旋線は、複数の第一の円弧隅部をさらに含む。第一の円弧隅部の各々は、第一の線分のうち二つを接続する。第二の螺旋線は、複数の第二の円弧隅部を含む。第二の円弧隅部の各々は、第二の線分のうち二つを接続する。
【００１８】
第三の螺旋線は、複数の連続接続された第三の線分を含む。第三の線分のうち最内部にあるものは、第三の領域を囲む。第三の領域の各二つの対辺は互いに第五の距離分、離れており、各二つの隣り合う平行な第三の線分は、互いに第六の距離分、離れている。第六の距離は各第五の距離より短い。第四の螺旋線は、複数の連続接続された第四の線分を含む。第四の線分のうち最内部にあるものは、第四の領域を囲む。第四の領域の各二つの対辺は互いに第七の距離分、離れており、各二つの隣り合う平行な第四の線分は、互いに第八の距離分、離れている。各第八の距離は各第七の距離より短い。第三の線分の各々は、１５μｍ〜３０μｍの幅を有し、第四の線分の各々は、１５μｍ〜３０μｍの幅を有する。第三の螺旋線は、複数の第三の円弧隅部をさらに含む。第三の円弧隅部の各々は、第三の線分のうち二つを接続する。第四の螺旋線は、複数の第四の円弧隅部をさらに含む。第四の円弧隅部の各々は、第四の線分のうち二つを接続する。
【００１９】
バランは、第四の金属層および第二の誘電体層をさらに含む。第二の誘電体層は第四の金属層と第二の金属層との間に、あるいは第四の金属層と第三の金属層との間に、配される。第四の金属層は、第五の線分と複数の第六の線分とを含む。第一の螺旋線の第一の接続端は、第五の線分を介して第二の螺旋線の第二の接続端に電気接続される。第三の螺旋線は、第六の線分のうちのいずれかを介して第一の導電部に電気接続される。第四の螺旋線は、第六の線分のうちの別のいずれかを介して第一の導電部に電気接続される。
【００２０】
第一の金属層は銅（Ｃｕ）により形成される。第二の金属層は、銅（Ｃｕ）により形成される第一のサブ金属層と、ニッケル・クロム（Ｎｉ−Ｃｒ）合金により形成される第二のサブ金属層とを含む。第三の金属層は、Ｃｕにより形成される第三のサブ金属層と、Ｎｉ−Ｃｒ合金により形成される第四のサブ金属層とを含む。
【００２１】
第一の螺旋線の最外円は第五の領域を画定する。第二の螺旋線の最外円は第六の領域を画定する。第三の螺旋線の最外円は第七の領域を画定する。第四の螺旋線の最外円は第八の領域を画定する。第五の領域、第六の領域、第七の領域、および第八の領域は、矩形、あるいは正方形に構成される。
【００２２】
バランはさらにコンデンサに接続される。第一の導電部は、直流（ＤＣ）供給端と第五の接続端とを含む。第五の接続端は、コンデンサの一端に電気接続される。コンデンサの他端は接地される。
【００２３】
第一の金属層は、複数の第二の導電部を含む。不平衡Ｉ／Ｏ端は、第二の導電部のいずれかに電気接続される。第一の平衡Ｉ／Ｏ端は、前記第二の導電部の別のいずれかに電気接続される。第二の平衡Ｉ／Ｏ端は、前記第二の導電部のまた別のいずれかに電気接続される。
【００２４】
第一の金属層、第二の金属層、第三の金属層、および第一の誘電体層の全てを薄膜処理により作製することで、金属層各々が独立した誘電体基板を必要としない。このような次第で、従来の積層と比べると、本発明の実施形態によるバランは、厚みが薄く、層数が少ない。さらに、一定の周波数帯域幅において、各第二の距離が各第一の距離より短く、各第四の距離が各第三の距離より短いので、不平衡Ｉ／Ｏが入力電極として機能し、第一の平衡Ｉ／Ｏおよび第二の平衡Ｉ／Ｏが出力電極として機能する間、反射減衰量および挿入損失を減少できる。さらに、本発明の実施形態によるバランは、Ｑ係数を向上することができる。つまり、従来のバランと比べると、本発明によるバランは電気的性能に優れる。
【図面の簡単な説明】
【００２５】
添付図面は、発明のさらなる理解を提供すべく含められており、本明細書の一部を構成する。図面は発明の実施形態を図示し、以下の記載とともに発明の原理を説明する役割を果たす。
【００２６】
【図１Ａ】従来のバランに概略斜視図である。
【００２７】
【図１Ｂ】図１Ａのバランの薄膜積層の分解概略斜視図である。
【００２８】
【図１Ｃ】図１Ｂの第三の金属層の概略上面図である。
【００２９】
【図２Ａ】本発明の第一実施形態によるバランの概略上面図である。
【００３０】
【図２Ｂ】本発明の第一実施形態によるバランの概略側面図である。
【００３１】
【図３】図２Ａの線Ｉ−Ｉにおける概略断面図である。
【００３２】
【図４Ａ】図２Ｂの線Ａ―Ａ、Ｂ−Ｂ、Ｃ−Ｃ、Ｄ−Ｄ、Ｅ−Ｅ、Ｆ−Ｆ、およびＧ−Ｇにおける概略断面図である。
【図４Ｂ】図２Ｂの線Ａ―Ａ、Ｂ−Ｂ、Ｃ−Ｃ、Ｄ−Ｄ、Ｅ−Ｅ、Ｆ−Ｆ、およびＧ−Ｇにおける概略断面図である。
【図４Ｃ】図２Ｂの線Ａ―Ａ、Ｂ−Ｂ、Ｃ−Ｃ、Ｄ−Ｄ、Ｅ−Ｅ、Ｆ−Ｆ、およびＧ−Ｇにおける概略断面図である。
【図４Ｄ】図２Ｂの線Ａ―Ａ、Ｂ−Ｂ、Ｃ−Ｃ、Ｄ−Ｄ、Ｅ−Ｅ、Ｆ−Ｆ、およびＧ−Ｇにおける概略断面図である。
【図４Ｅ】図２Ｂの線Ａ―Ａ、Ｂ−Ｂ、Ｃ−Ｃ、Ｄ−Ｄ、Ｅ−Ｅ、Ｆ−Ｆ、およびＧ−Ｇにおける概略断面図である。
【図４Ｆ】図２Ｂの線Ａ―Ａ、Ｂ−Ｂ、Ｃ−Ｃ、Ｄ−Ｄ、Ｅ−Ｅ、Ｆ−Ｆ、およびＧ−Ｇにおける概略断面図である。
【図４Ｇ】図２Ｂの線Ａ―Ａ、Ｂ−Ｂ、Ｃ−Ｃ、Ｄ−Ｄ、Ｅ−Ｅ、Ｆ−Ｆ、およびＧ−Ｇにおける概略断面図である。
【００３３】
【図５】本発明の第一実施形態によるバランの等価回路図である。
【００３４】
【図６】第一実施形態のバランが作動する際の周波数とＳ係数の関係を表す図である。
【００３５】
【図７】第一実施形態のバランをコンデンサとともに示す概略側面図である。
【００３６】
【図８】図７のＡ'−Ａ'における概略断面図である。
【００３７】
【図９】図７のバランの等価回路図である。
【００３８】
【図１０】本発明の第二実施形態によるバランの概略側面図である。
【００３９】
【図１１Ａ】図１０の線Ｋ−Ｋ、Ｌ−Ｌ、Ｍ−Ｍ、Ｎ−Ｎ、Ｏ−Ｏ、Ｐ−Ｐ、およびＱ−Ｑにおける概略断面図である。
【図１１Ｂ】図１０の線Ｋ−Ｋ、Ｌ−Ｌ、Ｍ−Ｍ、Ｎ−Ｎ、Ｏ−Ｏ、Ｐ−Ｐ、およびＱ−Ｑにおける概略断面図である。
【図１１Ｃ】図１０の線Ｋ−Ｋ、Ｌ−Ｌ、Ｍ−Ｍ、Ｎ−Ｎ、Ｏ−Ｏ、Ｐ−Ｐ、およびＱ−Ｑにおける概略断面図である。
【図１１Ｄ】図１０の線Ｋ−Ｋ、Ｌ−Ｌ、Ｍ−Ｍ、Ｎ−Ｎ、Ｏ−Ｏ、Ｐ−Ｐ、およびＱ−Ｑにおける概略断面図である。
【図１１Ｅ】図１０の線Ｋ−Ｋ、Ｌ−Ｌ、Ｍ−Ｍ、Ｎ−Ｎ、Ｏ−Ｏ、Ｐ−Ｐ、およびＱ−Ｑにおける概略断面図である。
【図１１Ｆ】図１０の線Ｋ−Ｋ、Ｌ−Ｌ、Ｍ−Ｍ、Ｎ−Ｎ、Ｏ−Ｏ、Ｐ−Ｐ、およびＱ−Ｑにおける概略断面図である。
【図１１Ｇ】図１０の線Ｋ−Ｋ、Ｌ−Ｌ、Ｍ−Ｍ、Ｎ−Ｎ、Ｏ−Ｏ、Ｐ−Ｐ、およびＱ−Ｑにおける概略断面図である。
【００４０】
【図１２】本発明の第二実施形態によるバランの等価回路図である。
【００４１】
【図１３】第二実施形態のバランが作動する際の周波数とＳ係数の関係を表す図である。
【発明を実施するための最良の形態】
【００４２】
以下に、発明の好適な実施形態を詳述する。その例は添付図面において図示されている。可能な場合には、図面および記載において同じあるいは類似した部材には同じ参照番号を付している。
第一実施形態
【００４３】
図２Ａ、図２Ｂ、図３、図４Ａを参照すると、本発明の第一実施形態によるバラン２００は、第一の金属層２１０、第二の金属層２２０、第三の金属層２３０、第一の誘電体層２４０、誘電体基板２５０、複数の外部電極２６０ａ、２６０ｂ、２６０ｃ、２６０ｄ、２６０ｅ、および２６０ｆ、複数の導電チャネル２７０ａ、２７０ｂ、２７０ｃ、２７０ｄ、２７０ｅ、および２７０ｆ（図４Ｄおよび図４Ｆに図示）、第四の金属層２８０、第二の誘電体層２９０、および保護層２９５を含む。第一の金属層２１０、第二の金属層２２０、第三の金属層２３０、第一の誘電体層２４０、第四の金属層２８０、および第二の誘電体層２９０は、薄膜処理により作製され、誘電体基板２５０とともに本体２０全体を構成する。外部電極２６０ａ、２６０ｂ、２６０ｃは、本体２０の第一の側面２２ａに配される。外部電極２６０ｄ、２６０ｅ、２６０ｆは、本体２０の第二の側面２２ｂに配される。第一の側面２２ａおよび第二の側面２２ｂは互いに対向する。
【００４４】
図３および図４Ｂを参照すると、誘電体基板２５０は、互いに対向する第一の表面２５２および第二の表面２５４を含む。第一の金属層２１０は第一の表面２５２上に配される。第二の金属層２２０、第三の金属層２３０、第一の誘電体層２４０、第四の金属層２８０、第二の誘電体層２９０、および保護層２９５を含む残りの部材は、第二の表面２５４上に配される。例えば誘電体基板２５０はアルミナにより形成される。
【００４５】
図４Ａを参照すると、第一の金属層２１０は、第一の導電部２１２、および複数の第二の導電部２１４ａ、２１４ｂ、２１４ｃ、および２１４ｄを含む。第一の導電部２１２は、第二の導電部２１４ａ、２１４ｂ、２１４ｃ、および２１４ｄから離れて配される。第一の導電部２１２は接地される。第二の導電部２１４ａは開回路される。第二の導電部２１４ｂ、２１４ｃ、および２１４ｄは、信号送信用に提供される。つまり、バラン２００が回路基板（不図示）上に配されると、第二の導電部２１４ａは信号送信ではなくて、支持および固定機能を発揮する。具体的には、第一の導電部２１２は外部電極２６０ｂおよび２６０ｅに電気接続される。第二の導電部２１４ａ、２１４ｂ、２１４ｃ、および２１４ｄは、それぞれ外部電極２６０ａ、２６０ｃ、２６０ｄ、および２６０ｆに電気接続される。第一の金属層２１０は例えば銅（Ｃｕ）により形成される。
【００４６】
図３および図４Ｃを参照すると、第二の金属層２２０は誘電体基板２５０の第二の表面２５４上に配される。第二の金属層２２０は、第一の螺旋線２２２から離れて配される第一の螺旋線２２２および第二の螺旋線２２４を含む。第一の螺旋線２２２は、不平衡Ｉ／Ｏ端２２２ａ、第一の接続端２２２ｂ、不平衡Ｉ／Ｏ端２２２ａと第一の接続端２２２ｂとの間に配される複数の連続接続された第一の線分２２２ｃ、および複数の第一の円弧隅部２２２ｄを含む。不平衡Ｉ／Ｏ端２２２ａは第一の螺旋線２２２の外端である。第一の接続端２２２ｂは第一の螺旋線２２２の内端である。図４Ａに示すように、不平衡Ｉ／Ｏ端２２２ａは、外部電極２６０ｄを介して第二の導電部２１４ｃに電気接続される。各第一の線分２２２ｃは、１５μｍ〜３０μｍの幅Ｗ１を有する。各第一の円弧隅部２２２ｄは、第一の線分２２２ｃのうちの二つを接続する。第一の線分２２２ｃのうち最内部にあるものは第一の領域Ａ１を囲む。第一の領域Ａ１の各二つの対辺は、互いに第一の距離Ｄ１分、離れており、各二つの隣り合う平行な第一の線分２２２ｃは互いに第二の距離Ｄ２分、離れている。各第二の距離Ｄ２は各第一の距離Ｄ１よりも短い。第一の螺旋線２２２の最外円は、矩形の第五の領域Ａ５を画定する。
【００４７】
第二の螺旋線２２４は、第二の接続端２２４ａ、開回路端２２４ｂ、第二の接続端２２４ａと開回路端２２４ｂとの間に配される複数の連続接続された第二の線分２２４ｃ、および複数の第二の円弧隅部２２４ｄを含む。開回路端２２４ｂは第二の螺旋線２２４の外端であり、第二の接続端２２４ａは第二の螺旋線２２４の内端である。図４Ａに示すように、開回路端２２４ｂは、外部電極２６０を介して第二の導電部２１４ａに電気接続される。開回路端２２４ｂおよび不平衡Ｉ／Ｏ端２２２ａはそれぞれ、本体２０の異なる側面に配される外部電極２６０ａおよび２６０ｄに接続される。第二の接続端２２４ａは第一の接続端２２２ｂ（以下で説明）に電気接続される。各第二の線分２２４ｃは、１５μｍ〜３０μｍの幅Ｗ２を有する。各第二の円弧隅部２２４ｄは、第二の線分２２４ｃのうち二つを接続する。第二の線分２２４ｃのうち最内部にあるものは第二の領域Ａ２を囲む。第二の領域Ａ２の各二つの対辺は、互いに第三の距離Ｄ３分、離れている。各二つの隣り合う平行な第二の線分２２４ｃは互いに第四の距離Ｄ４分、離れている。各第四の距離Ｄ４は各第三の距離Ｄ３より短い。第二の螺旋線２２４の最外円は、矩形の第六の領域Ａ６を画定する。
【００４８】
図３を参照すると、第二の金属層２２０は、Ｃｕにより形成される第一のサブ金属層２２６およびＮｉ−Ｃｒ合金により形成される第二のサブ金属層２２８を含む。第一のサブ金属層２２６と第二のサブ金属層２２８は、共同して、第一の螺旋線２２２および第二の螺旋線２２４を構成する。第一のサブ金属層２２６は、第二のサブ金属層２２８により誘電体基板２５０の第二の表面２５４に取り付けられる。
【００４９】
図３および図４Ｄを参照すると、第一の誘電体層２４０は、第二の金属層２２０上に配される。第一の誘電体層２４０は８μｍ〜１２μｍの厚みを有する。図４Ｃおよび図４Ｄを参照すると、導電チャネル２７０ａおよび２７０ｂは、第一の誘電体層２４０から構成され、それぞれ第一の螺旋線２２２の第一の接続端２２２ｂおよび第二の螺旋線２２４の第二の接続端２２４ａに電気接続される。
【００５０】
図３および図４Ｅを参照すると、第三の金属層２３０は第一の誘電体層２４０上に配される。第一の誘電体層２４０は、第二の金属層２２０と第三の金属層２３０との間に配される。ここで、図面では交換可能であると示していないが、本実施形態の第二の金属層２２０および第三の金属層２３０の部分が、実際の用途においては交換可能であることに注意されたい。第三の金属層２３０は第三の螺旋線２３２、および第三の螺旋線２３２から離れた第四の螺旋線２３４を含む。第三の螺旋線２３２は、第三の接続端２３２ａ、第一の平衡Ｉ／Ｏ端２３２ｂ、第三の接続端２３２ａと第一の平衡Ｉ／Ｏ端２３２ｂとの間に配される複数の連続接続された第三の線分２３２ｃ、および複数の第三の円弧隅部２３２ｄを含む。第三の接続端２３２ａは第三の螺旋線２３２の内端であり、第一の平衡Ｉ／Ｏ端２３２ｂは第三の螺旋線２３２の外端である。第三の螺旋線２３２および第一の螺旋線２２２（図４Ｃ図示）の位置は互いに対応している。第三の接続端２３２ａは、第一の導電部２１２に電気接続される（これは以下で説明する）。図４Ａに示すように、第一の平衡Ｉ／Ｏ端２３２ｂは、外部電極２６０ｆを介して第二の導電部２１４ｄに電気接続される。各第三の線分２３２ｃは、１５μｍ〜３０μｍの幅Ｗ３を有する。各第三の円弧隅部２３２ｄは、第三の線分２３２ｃのうち二つを接続する。第三の線分２３２ｃのうち最内部にあるものは第三の領域Ａ３を囲む。第三の領域Ａ３の各二つの対辺は、互いに第五の距離Ｄ５分、離れている。各二つの隣り合う平行な第三の線分２３２ｃは、互いに、第六の距離Ｄ６分、離れている。各第六の距離Ｄ６は各第五の距離Ｄ５より短い。第三の螺旋線２３２の最外円は、矩形の第七の領域Ａ７を画定する。
【００５１】
第四の螺旋線２３４は、第四の接続端２３４ａ、第二の平衡Ｉ／Ｏ端２３４ｂ、第四の接続端２３４ａと第二の平衡Ｉ／Ｏ端２３４ｂとの間に配される複数の連続接続された第四の線分２３４ｃ、および複数の円弧隅部２３４ｄを含む。第四の接続端２３４ａは、第四の螺旋線２３４の内端である。第二の平衡Ｉ／Ｏ端２３４ｂは第四の螺旋線２３４の外端である。第四の螺旋線２３４および第二の螺旋線２２４（図４Ｃ図示）の位置は互いに対応している。第四の接続端２３４ａは第一の導電部２１２に電気接続される（これは以下で説明する）。図４Ａに示すように、第二の平衡Ｉ／Ｏ端２３４ｂは、外部電極２６０ｃを介して第二の導電部２１４ｂに電気接続される。第二の平衡Ｉ／Ｏ端２３４ｂおよび第一の平衡Ｉ／Ｏ端２３２ｂは、それぞれ本体２０の異なる側面に配される外部電極２６０ｃおよび２６０ｆに接続される。各第四の線分２３４ｃは、１５μｍ〜３０μｍの幅Ｗ４を有する。各第四の円弧隅部２３４ｄは、第三の線分２３４ｃのうち二つを接続する。第四の線分２３４ｃのうち最内部にあるものは第四の領域Ａ４を囲む。第四の領域Ａ４の各二つの対辺は、互いに第７の距離Ｄ７分、離れている。各二つの隣り合う平行な第四の線分２３４ｃは、互いに、第八の距離Ｄ８分、離れている。各第八の距離Ｄ８は各第七の距離Ｄ７より短い。第四の螺旋線２３４の最外円は、矩形の第八の領域Ａ８を画定する。
【００５２】
図４Ｅを参照すると、第三の金属層２３０はさらに、二つの導電配線２３３ａおよび２３３ｂを含む。導電配線２３３ａおよび２３３ｂは、それぞれ導電チャネル２７０ａおよび２７０ｂに電気接続される。導電配線２３３ａおよび２３３ｂは、それぞれ第三の螺旋線２３２および第四の螺旋線２３４により囲まれ、導電チャネル２７０ａおよび２７０ｂの上にそれぞれ配される。導電配線２３３ａおよび２３３ｂの領域は、導電チャネル２７０ａおよび２７０ｂの領域よりも大きい。図３を参照すると、第三の金属層２３０は、Ｃｕにより形成される第三のサブ金属層２３６およびＮｉ−Ｃｒ合金により形成される第四のサブ金属層２３８を含む。第三のサブ金属層２３６および第四のサブ金属層２３８は、共同して、第三の螺旋線２３２、第四の螺旋線２３４、および二つの導電配線２３３ａ、２３３ｂを構成する。第三のサブ金属層２３６は、第四のサブ金属層２３８により第一の誘電体層２４０に取り付けられる。
【００５３】
図３および図４Ｆを参照すると、第二の誘電体層２９０は第三の金属層２３０上に配され、８μｍ〜１２μｍの厚みを有する。導電チャネル２７０ｃ、２７０ｄ、２７０ｅ、２７０ｆは、第二の誘電体層２９０に構成される。導電チャネル２７０ｃおよび２７０ｄは夫々導電配線２３３ａおよび２３３ｂに電気接続される。導電チャネル２７０ｅおよび２７０ｆは、それぞれ第三の螺旋線２３２の第三の接続端２３２ａおよび第四の螺旋線２３４の第四の接続端２３４ａに電気接続される。
【００５４】
図３および図４Ｇを参照すると、第四の金属層２８０は第二の誘電体層２９０上に配される。第二の誘電体層２９０は第四の金属層２８０と第三の金属層２３０との間に配される。第四の金属層は、第五の線分２８２および複数の第六の線分２８４ａおよび２８４ｂを含む。保護層２９５は、第二の誘電体層２９０上に配され、第四の金属層２８０を覆って第四の金属層２８０を保護する。第五の線分２８２は導電チャネル２７０ｃおよび２７０ｄと電気接続される。第六の線分２８４ａは導電チャネル２７０ｅおよび外部電極２６０ｅに電気接続される。第六の線分２８４ｂは導電チャネル２７０ｆおよび外部電極２６０ｂに電気接続される。特に、第一の螺旋線２２２の第一の接続端２２２ｂは、導電チャネル２７０ａ、導電配線２３３ａ、導電チャネル２７０ｃ、第五の線分２８２、導電チャネル２７０ｄ、導電配線２３３ｂ、および導電チャネル２７０ｂを介して第二の螺旋線２２４の第二の端部２２４ａに電気接続される。第三の配線２３２の第三の接続端２３２ａは、導電チャネル２７０ｅ、第六の線分２８４ａ、および外部電極２６０ｅを介して第一の導電部２１２に電気接続される。第四の螺旋線２３４の第四の接続端２３４ａは、導電チャネル２７０ｆ、第六の線分２８４、および外部電極２６０ｂを介して第一の導電部２１２に電気接続される。
【００５５】
図５および図６を参照すると、図示を容易にするべく、不平衡Ｉ／Ｏ端２２２ａが入力端として扱われ、第一の平衡Ｉ／Ｏ端２３２ｂおよび第二の平衡Ｉ／Ｏ端２３４ｂが出力端として扱われている。Ｓ１１は、反射減衰量を表し、Ｓ２１、Ｓ３１は挿入損失を表す。特に、Ｓ１１は、不平衡Ｉ／Ｏ端２２２ａの算出反射電力をその算出入力電力で除算した対数値、つまり、ログ（不平衡Ｉ／Ｏ端２２２ａの反射電力÷不平衡Ｉ／Ｏ端２２２ａの入力電力）を表す。Ｓ２１は、第二の平衡Ｉ／Ｏ端２３４ｂの算出出力電力を不平衡Ｉ／Ｏ端２２２ａの算出入力電力で除算した対数値、つまり、ログ（第二の平衡Ｉ／Ｏ端２３４ｂの出力電力÷不平衡Ｉ／Ｏ端２２２ａの入力電力）を表す。Ｓ３１は、第一の平衡Ｉ／Ｏ端２３２ｂの算出出力電力を不平衡Ｉ／Ｏ端２２２ａの算出入力電力で除算した対数値、つまり、ログ（第一の平衡Ｉ／Ｏ端２３２ｂの出力電力÷不平衡Ｉ／Ｏ端２２２ａの入力電力）を表す。不平衡Ｉ／Ｏ端２２２ａの反射電力がより小さいと（Ｓ１１が０から離れていると）、反射減衰量についての性能がより良好であることを表す。平衡Ｉ／Ｏ端２３２ｂ、２３４ｂの他の出力電力は、不平衡Ｉ／Ｏ端２２２ａの入力電力に近似して（Ｓ２１、Ｓ３１がより０に近似して）、挿入損失についての性能がより良好であることを表す。図６から分かるのは、周波数帯域幅範囲が２．１ＧＨｚから３ＧＨｚの範囲の場合、Ｓ１１は他の周波数帯域幅範囲よりも０から離れ、Ｓ２１、Ｓ３１は他の周波数大域幅範囲よりもより０に近似する、ということである。このような次第で、２．１ＧＨｚから３ＧＨｚの間の周波数帯域幅範囲においては、不平衡Ｉ／Ｏ端２２２ａは、反射減衰量についての性能がより良好であり、平衡Ｉ／Ｏ端２３２ｂ、２３４ｂは、挿入損失についての性能がより良好である。この理由は、各第二の距離Ｄ２が各第一の距離Ｄ１より短く、各第四の距離Ｄ４が各第三の距離Ｄ３より短いので、不平衡Ｉ／Ｏ端２２２ａの反射減衰量が減少し、不平衡Ｉ／Ｏ端２２２ａと比したときの第一の平衡Ｉ／Ｏ端２３２ｂの挿入損失が減少し、不平衡Ｉ／Ｏ端２２２ａと比したときの第二の平衡Ｉ／Ｏ端２３４ｂの挿入損失が減少するからである。さらに、本発明の本実施形態によるバラン２００は最適Ｑ係数（optimal quality factor Q）を持つ。概して、従来のバラン１００と比べて、本実施形態のバラン２００は電気的性能に優れている。
【００５６】
第一の金属層、第二の金属層、第三の金属層、第四の金属層、第一の誘電体層および第二の誘電体層が薄膜処理により作製されるので、本体２０は、従来の薄膜積層１００ａと比して厚みが薄い（図１Ｂにこれを示す）。さらに、各金属層は、独立した誘電体基板を要しないので、本体２０の層の数は少ない。このような次第で、本実施形態のバラン２００は寸法が小さい。特に、従来の薄膜積層１００ａの作製方法によると、接地電極１１０ａ、接続電極１１０ｂ、第一のストリップ線１１０ｃ、および第二のストリップ線１１０ｄを含む金属層四層を作製するには、誘電体基板１２０ａ、１２０ｂ、１２０ｃ、１２０ｄを含む誘電体層四層が必要となる。これに比べて、本発明においては、第一の金属層２１０、第二の金属層２２０、第三の金属層２３０、および第四の金属層２８０を含む誘電体層四層を作製するのに、誘電体層が三つだけでよい（つまり、誘電体基板２５０、第一の誘電体層２４０、および第二の誘電体層２９０）。
【００５７】
第二の金属層２２０および第三の金属層２３０が薄膜処理により作製されるので、第一の螺旋線の各第一の線分の幅、第二の螺旋線の各第二の線分の幅、第三の螺旋線の各第三の線分の幅、および第四の螺旋線の第四の線分の幅は、１５μｍ〜３０μｍという狭さであってよい。比較すると、ＬＴＣＣ（low-temperature co-fired ceramics）により作製されたバランの内側の線の幅は、５０μｍ〜７５μｍである。本発明によるバランは、このようにより幅広い信号周波数帯域幅に適合可能である。
【００５８】
第二の金属層２２０と第三の金属層２３０との間の第一の誘電体層２４０が薄膜処理により作製されるので、第一の誘電体層２４０の厚みは、８μｍ〜１２μｍという小ささであってよい。比較すると、ＬＴＣＣ加工により作製される誘電体層は、典型的に３０μｍを超える厚みを持つ。このような次第で、第二の金属層２２０および第三の金属層２３０は、電磁結合効率がより良好である。さらに、厚みがより薄い第一の誘電体層２４０は、単位面積当たりのキャパシタンスを向上させることができるので、同じ結合性能を達成するのに螺旋線の長さを短くすることができる。これに関して、バラン２００の寸法および製造費用を減少できる。
【００５９】
第二の金属層２２０および第三の金属層２３０が薄膜処理により作製されるので、円弧隅部を作製するのに都合がよい。このような円弧隅部は、信号送信の際に信号損失が少ない。
【００６０】
ＤＣ供給機能にとって望ましければ、図７、図８、および図９を参照すると、バラン２００はコンデンサＣに接続することもできる。第一の金属層２１０の第一の導電部２１２は、ＤＣ供給端２１２ａおよび第五の接続端２１２ｂを含む。ＤＣ供給端２１２ａは、第三の螺旋線２３２の第三の接続端２３２ａと、第四の螺旋線２３４の第四の接続端２３４ａとに直接接続される。第五の接続端２１２ｂの一端は、第三の接続端２３２ａとＤＣ供給端２１２ａとの間に電気接続され、かつ、第四の接続端２３４ａとＤＣ供給端２１２ａとの間に電気接続される。第五の接続端２１２ｂの他端は、コンデンサＣの一端に電気接続される。コンデンサＣの他端は設置される。このようにして、第一の金属層２１０はコンデンサＣを介して接地される。ＤＣ供給端２１２ａは、バラン２００が制御チップで操作される際に、バラン２００から制御チップに直接電源が供給されるよう、第一の金属層２１０により設定可能であるので、回路設計は簡単であり、製造コストが節減される。
第二実施形態
【００６１】
図１０、図１１Ｃ、図１１Ｅを参照すると、本発明の第二実施形態によるバラン３００が示されている。バラン３００は、異なる種類の螺旋線と、外部電極および不平衡Ｉ／Ｏ端、平衡Ｉ／Ｏ端、および開回路端間の異なる電気接続部とで構成されている点で、第一実施形態によるバラン２００とは異なる。つまり、本実施形態によると、外部電極と、不平衡Ｉ／Ｏ端と、平衡Ｉ／Ｏ端と、開回路端との間の電気接続位置により、螺旋線の形状が変わる。特に、第二の金属層３２０の第一の螺旋線３２２の最外円は、第五の領域Ａ５'を画定して、第二の金属層３２０の第二の螺旋線３２４の最外円は、第六の領域Ａ６'を画定する。第三の金属層３３０の第三の螺旋線３３２の最外円は、第七の領域Ａ７'を画定して、第三の金属層３３０の第四の螺旋線３３４の最外円は、第八の領域Ａ８'を画定する。第五の領域Ａ５'、第六の領域Ａ６'、第七の領域Ａ７'、および第八の領域Ａ８'は正方形に構成される。一方、第一実施形態によると、第五の領域Ａ５、第六の領域Ａ６、第七の領域Ａ７、および第八の領域Ａ８は、矩形に構成される。
【００６２】
図１１Ａ〜図１１Ｇを参照すると、第一の螺旋線３２２の不平衡Ｉ／Ｏ端３２２ａは、外部電極３６０ｄを介して第一の金属層３１０の第二の導電部３１４ｃに電気接続される。第一の螺旋線３２２の第一の接続端３２２ｂは、第一の誘電体層３４０に構成される導電チャネル３７０ａ、第二の金属層３３０の導電配線３３３ａ、第二の誘電体層３９０に構成される導電チャネル３７０ｃ、第四の金属層３８０の第五の線分３８２、第二の誘電体層３９０に構成される導電チャネル３７０ｄ、第二の金属層３３０の導電配線３３３ｂ、および第一の誘電体層３４０に構成される導電チャネル３７０ｂを介して、第二の螺旋線３２４の第二の接続端３２４ａに電気接続される。第二の螺旋線３２４の開回路端３２４ｂは、外部電極３６０ｆを介して第一の金属層３１０の第二の導電部３１４ｄに電気接続される。第二の導電部３１４ｄは開回路される。開回路端３２４ｂおよび不平衡Ｉ／Ｏ端３２２ａは、それぞれ接続された外部電極３６０ｆおよび３６０ｄであり、これらは本体３０の同じ側面（第二の側面）に配される。
【００６３】
第三の螺旋線３３２の第一の平衡Ｉ／Ｏ端３３２ｂは、外部電極３６０ａを介して第一の金属層３１０の第二の導電部３１４ａに電気接続される。第三の螺旋線３３２の第三の接続端３３２ａは、第二の誘電体層３９０に構成される導電チャネル３７０ｅ、第四の金属層３８０の第六の線分３８４ａ、および外部電極３６０ｅを介して、第一の金属層３１０の接地された第一の導電部３１２に電気接続される。第四の螺旋線３３４の第二の平衡Ｉ／Ｏ端３３４ｂは、外部電極３６０ｃを介して第一の金属層３１０の第二の導電部３１４ｂに電気接続される。第一の平衡Ｉ／Ｏ端３３２ｂの第二の平衡Ｉ／Ｏ端３３４ｂはそれぞれ外部電極３６０ｃ、３６０ａに接続され、これらは本体３０の同じ側面（第一の側面）に配される。第四の螺旋線３３４の第四の接続端３３４ａは、第四の金属層３８０の第六の線分３８４ｂと外部電極３６０ｅを介して第一の金属層３１０の接地された第一の導電部３１２に電気接続される。
【００６４】
さらに、第一の螺旋線３２２の最内部の第一の線分３２２ｃは、第一の領域Ａ１'を囲む。第一の領域Ａ１'の各二つの対辺は、互いに第一の距離Ｄ１'分、離れている。各二つの隣り合う平行な第一の線分３２２ｃは互いに第二の距離Ｄ２'分、離れている。各第二の距離Ｄ２'は各第一の距離Ｄ１'よりも短い。第二の螺旋線３２４の最内部の第一の線分３２４ｃは、第二の領域Ａ２'を囲む。第二の領域Ａ２'の各二つの対辺は、互いに第三の距離Ｄ３'分、離れている。各二つの隣り合う平行な第一の線分３２４ｃは互いに第四の距離Ｄ４'分、離れている。各第四の距離Ｄ４'は各第三の距離Ｄ３'より短い。
【００６５】
図１２および図１３を参照すると、図示を容易にするべく、不平衡Ｉ／Ｏ端３２２ａが入力端として扱われ、第一の平衡Ｉ／Ｏ端３３２ｂおよび第二の平衡Ｉ／Ｏ端３３４ｂが出力端として扱われている。Ｓ１１'は、反射減衰量を表し、Ｓ２１'、Ｓ３１'は挿入損失を表す。特に、Ｓ１１'は、不平衡Ｉ／Ｏ端３２２ａの算出反射電力をその算出入力電力で除算した対数値、つまり、ログ（不平衡Ｉ／Ｏ端３２２ａの反射電力÷不平衡Ｉ／Ｏ端３２２ａの入力電力）を表す。Ｓ２１'は、第二の平衡Ｉ／Ｏ端３３４ｂの算出出力電力を不平衡Ｉ／Ｏ端３２２ａの算出入力電力で除算した対数値、つまり、ログ（第二の平衡Ｉ／Ｏ端３３４ｂの出力電力÷不平衡Ｉ／Ｏ端３２２ａの入力電力）を表す。Ｓ３１'は、第一の平衡Ｉ／Ｏ端３３２ｂの算出出力電力を不平衡Ｉ／Ｏ端３２２ａの算出入力電力で除算した対数値、つまり、ログ（第一の平衡Ｉ／Ｏ端３３２ｂの出力電力÷不平衡Ｉ／Ｏ端３２２ａの入力電力）を表す。図１３から分かるのは、周波数帯域幅範囲が２．２ＧＨｚから３．６ＧＨｚの範囲の場合、Ｓ１１'は他の周波数帯域幅範囲よりも０から離れ、Ｓ２１'、Ｓ３１'は他の周波数大域幅範囲よりもより０に近似する、ということである。このような次第で、２．２ＧＨｚから３．６ＧＨｚの間の周波数帯域幅範囲においては、不平衡Ｉ／Ｏ端３２２ａは、反射減衰量についての性能がより良好であり、平衡Ｉ／Ｏ端３３２ｂ、３３４ｂは、挿入損失についての性能がより良好である。この理由は、各第二の距離Ｄ２'が各第一の距離Ｄ１'より短く、各第四の距離Ｄ４'が各第三の距離Ｄ３'より短いので、不平衡Ｉ／Ｏ端３２２ａの反射減衰量が減少し、不平衡Ｉ／Ｏ端３２２ａに比したときの第一の平衡Ｉ／Ｏ端３３２ｂの挿入損失が減少し、かつ、不平衡Ｉ／Ｏ端３２２ａと比したときの第二の平衡Ｉ／Ｏ端３３４ｂの挿入損失が減少するからである。さらに、本発明の本実施形態によるバラン３００は最適Ｑ係数を持つ。概して、従来技術と比べて、本実施形態のバラン３００は電気的性能に優れている。
【００６６】
第二実施形態のバラン３００はさらに、第一実施形態同様コンデンサと接続することもできる。電気接続については第一実施形態の説明を読めば分かるので、ここでは繰り返さない。
【００６７】
当業者であれば、本発明の構造に対しては本発明の範囲あるいは精神から逸脱しない範囲で様々な変形例・変更例が可能であることが明白であろう。上述に鑑みて、本発明は、以下の請求項およびその均等物の範囲内において発明の様々な変形例・変更例を網羅することが意図されている。
【図１Ａ】
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【図１Ｂ】
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【図１Ｃ】
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【図２Ａ】
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【図２Ｂ】
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【図３】
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【図４Ａ】
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【図４Ｂ】
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【図４Ｃ】
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【図４Ｄ】
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【図４Ｅ】
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【図４Ｆ】
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【図４Ｇ】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１Ａ】
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【図１１Ｂ】
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【図１１Ｃ】
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【図１１Ｄ】
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【図１１Ｅ】
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【図１１Ｆ】
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【図１１Ｇ】
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【図１２】
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【図１３】
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