(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
表面をポリッシュするポリッシング工程と、
ポリッシュしたガラス基板について、ナノインデンテーション法による最表面部のある特性値と、他の測定方法によるガラス基板全体の前記特性値とが、ある不等式を満たすかどうか検査する検査工程と、
該検査に合格したガラス基板について、表面粗さＲａを０．３ｎｍ以下にする超精密研磨加工を施す超精密研磨工程と、
を含み、
前記最表面部の特性値がヤング率Ｅｓであり、前記ガラス基板全体の特性値が超音波共振法によるヤング率Ｅｇであって、該ある不等式が下記（１）であるガラス基板の製造方法。
０．８Ｅｇ＜Ｅｓ＜１．２Ｅｇ  ・・・・・・（１）
【請求項２】
表面をポリッシュするポリッシング工程と、
ポリッシュしたガラス基板について、ナノインデンテーション法による最表面部のある特性値と、他の測定方法によるガラス基板全体の前記特性値とが、ある不等式を満たすかどうか検査する検査工程と、
該検査に合格したガラス基板について、表面粗さＲａを０．３ｎｍ以下にする超精密研磨加工を施す超精密研磨工程と、
を含み、
前記最表面部の特性値が硬度Ｈｓであり、前記ガラス基板全体の特性値がビッカース法による硬度Ｈｖであって、該ある不等式が下記（２）であるガラス基板の製造方法。
０．８Ｈｖ＜Ｈｓ＜１．２Ｈｖ  ・・・・・・（２）
【請求項３】
該ポリッシュ工程の後、該検査工程の前に、該ガラス基板表面をエッチング作用を有する洗浄液により洗浄する工程をさらに含む、請求項１又は２に記載のガラス基板の製造方法。
【請求項４】
該洗浄液はフッ化水素酸である、請求項３に記載のガラス基板の製造方法。
【請求項５】
該ガラス基板がＳｉＯ2を５０重量％以上含有する、請求項１又は２に記載のガラス基板の製造方法。
【請求項６】
請求項１又は２に記載の製造方法により製造されたガラス基板上に、磁気記録層を形成する工程を含む、磁気ディスクの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明はガラス基板に関し、特に、磁気ディスクに用いられる、ガラス基板に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、磁気ディスク用基板としては、デスクトップ用コンピュータやサーバなどの据え置き型にはアルミニウム基板が、他方ノート型コンピュータやモバイル型コンピュータなどの携帯型にはガラス基板が、一般的に使用されていた。しかしアルミニウム基板は変形しやすく、また硬さが不十分であるため、研磨後の基板表面の平滑性が十分とは言えなかった。さらに、磁気ヘッドが磁気ディスクに接触した場合、磁性膜が基板から剥離しやすいという問題もあった。そこで、変形が少なく、平滑性が良好で、かつ機械的強度の大きいガラス基板が、携帯型のみならず据え置き型の機器やその他の家庭用情報機器にも、今後広く使用されていくものと予測されている。【０００３】
磁気ディスクは一般的に、ガラス基板の表面を鏡面にポリッシュ加工した後、超精密研磨を施し、その後、ガラス基板上にスパッタリング等により磁性層を形成して作製される。ここで超精密研磨加工には、テープによる研磨を利用して、ガラス基板表面に同心円状の筋模様を形成するテクスチャリング加工や、筋模様を抑え研磨面の平滑性のみをさらに向上させるミラーポリッシュ加工などがある。磁気異方性の記録媒体の場合、このテクスチャリング加工により磁気ディスク媒体に磁気異方性が与えられ、磁気ディスクとしての磁気特性が向上すると共に、ハードディスクドライブの非作動時における、磁気ヘッドと磁気ディスク表面との吸着が防止される。また、垂直磁気ディスク等の等方性媒体の場合、ミラーポリッシュ加工によって、基板表面の平滑度が大幅に向上されることにより、基板上に形成される磁性層の構造が緻密かつ均質化され、大幅な磁気記録特性の向上が達成される。ガラス基板のテクスチャリング加工やミラーポリッシュ加工は一般に、水又は水を主成分とする水溶液に砥粒を分散させた、テクスチャ加工液をガラス基板表面に供給し、ガラス基板表面に織布又は不織布等の研磨布や研磨テープを押し当て、移動させることにより行われる。  【０００４】
磁気ディスクの記録容量は、磁気ヘッドと磁気ディスク表面との距離を小さくするほど大きくすることができる。しかし、磁気ヘッドと磁気ディスク表面との距離を小さくした場合、ガラス基板の表面に異常突起があったり、異物の付着があったりすると、磁気ヘッドが磁気ディスク上の突起や異物に衝突する不具合が生じる。【０００５】
したがって、磁気ヘッドと磁気ディスク表面との距離を小さくして、磁気ディスクの記録容量を増大させるためには、ガラス基板の表面の異常突起をなくし、筋模様をより均一且つ微細に形成する必要がある。【０００６】
そこで例えば、特許文献１では、均一且つ微細な筋模様を形成することを目的として、特殊なテクスチャ液の使用が提案されている。また特許文献２には、超精密研磨加工の効果の向上を直接の目的とするものではないが、ガラス基板の表面層の構造を粗とすることによって、情報記録ガラス基板の靱性を改善し、マイクロクラックによる強度低下と磁気ヘッド衝突時のクラックの発生を低減することが開示されている。
【特許文献１】特開２００２−３０２７５号公報
【特許文献２】特開２００５−１２９１６３号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
ところが、実際の生産工程において、同じ組成からなるガラス基板を、同じ加工液で超精密研磨加工しても、製造ロットによって、ガラス基板表面に形成される同心円状の筋模様が微妙に異なっていることがあった。【０００８】
ガラス基板表面の筋模様にバラツキがあると、磁気ディスクとしたときの磁気特性がバラツクこととなり実使用上好ましくない。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明はこのような問題に鑑みてなされたものであり、その目的は、超精密研磨加工によって表面に均一且つ微細に筋模様を形成されたガラス基板の製造方法を提供することである。【００１０】
本発明の他の目的は、磁気ヘッドと磁気ディスク表面との距離を小さくすることにより、記録容量を大きくすることができる、磁気ディスクの製造方法を提供することである。
【００１１】
本発明者は、同じ組成からなるガラス基板を、同じ加工液で超精密研磨加工しても製造ロットによって、ガラス基板表面に形成される同心円状の筋模様が微妙に異なる原因を種々検討した結果、ガラス基板最表面部の緻密さと筋模様形成との間に因果関係のあることを見出し本発明をなすに至った。すなわち、ガラス基板の表面構造が緻密であると、超精密研磨加工によって形成される筋模様が均一且つ微細となる一方、ガラス基板の表面構造が粗いと、超精密研磨加工によって形成される筋模様が不均一となる。  【００１２】
超精密研磨加工前のガラス基板最表面部の緻密さがばらつく原因は今のところ明確ではないが、超精密研磨加工前の基板洗浄において、弱アルカリ液やフッ化水素酸などの若干のエッチング作用のある洗浄液によって、ガラス基板最表面部が浸食されるためであろうと推測される。  【００１４】
本発明の第１の態様に従うガラス基板の製造方法は、表面をポリッシュするポリッシング工程と、ポリッシュしたガラス基板について、ナノインデンテーション法による最表面部のある特性値と、他の測定方法によるガラス基板全体の前記特性値とが、ある不等式を満たすかどうか検査する検査工程と、該検査に合格したガラス基板について、表面粗さＲａを０．３ｎｍ以下にする超精密研磨加工を施す超精密研磨工程と、を含み、前記最表面部の特性値がヤング率Ｅｓであり、前記ガラス基板全体の特性値が超音波共振法によるヤング率Ｅｇであって、該ある不等式が下記（１）であることを特徴とする。
０．８Ｅｇ＜Ｅｓ＜１．２Ｅｇ  ・・・・・・（１）
【００１５】
本発明の第２の態様に従うガラス基板の製造方法は、表面をポリッシュするポリッシング工程と、ポリッシュしたガラス基板について、ナノインデンテーション法による最表面部のある特性値と、他の測定方法によるガラス基板全体の前記特性値とが、ある不等式を満たすかどうか検査する検査工程と、該検査に合格したガラス基板について、表面粗さＲａを０．３ｎｍ以下にする超精密研磨加工を施す超精密研磨工程と、を含み、前記最表面部の特性値が硬度Ｈｓであり、前記ガラス基板全体の特性値がビッカース法による硬度Ｈｖであって、該ある不等式が下記（２）であることを特徴とする。
０．８Ｈｖ＜Ｈｓ＜１．２Ｈｖ  ・・・・・・（２）
【００１６】
本発明の第３の態様に従うガラス基板の製造方法は、上記第１又は第２の態様において、該ポリッシュ工程の後、該検査工程の前に、該ガラス基板表面をエッチング作用を有する洗浄液により洗浄する工程をさらに含むことを特徴とする。
【００１７】
本発明の第４の態様に従うガラス基板の製造方法は、上記第３の態様において、該洗浄液はフッ化水素酸であることを特徴とする。
【００２０】
本発明の第５の態様に従うガラス基板の製造方法は、上記第１又は第２の態様において、該ガラス基板がＳｉＯ2を５０重量％以上含有することを特徴とする。
【００２１】
本発明の第６の態様に従う磁気ディスクの製造方法は、上記第１又は第２の態様の製造方法により製造されたガラス基板上に、磁気記録層を形成する工程を含むことを特徴とする。
【発明の効果】
【００２３】
本発明のガラス基板の製造方法、磁気ディスクの製造方法および磁気ディスクでは、超精密研磨加工前において、ナノインデンテーション法による最表面部のヤング率Ｅｓと超音波共振法によるヤング率Ｅｇ、または、ナノインデンテーション法による最表面部の硬度Ｈｓとビッカース硬度Ｈｖが、それぞれ下記不等式 (1)または（２）を満足するので、ガラス基板の表面状態が緻密で安定しており、テクスチャ加工によってガラス基板表面に筋模様が均一且つ微細に付けられるようになる。また筋模様が均一且つ微細に付けられることにより、磁気ディスクとしたときに均一な磁気特性が得られる。ミラーポリッシュ加工によって超平滑面を形成する場合についても、ガラス基板全面にわたって均質で平滑な表面状態が形成できようになる。ガラス基板の表面状態が非常に平滑かつ均質に形成されることで、磁気ディスクとしたときに非常に均質かつ低ノイズの磁気特性が得られるようになる。
０．８Ｅｇ＜Ｅｓ＜１．２Ｅｇ  ・・・・・・（１）
０．８Ｈｖ＜Ｈｓ＜１．２Ｈｖ  ・・・・・・（２）【００２４】
超精密研磨加工後の表面粗さＲａを０．３ｎｍ以下とすると、磁気ディスクとしたときに、磁気ヘッドと磁気ディスク表面との距離を小さくでき、磁気ディスクの記録容量を増大させることができるようになる。またＳｉＯ2の含有量を５０重量％以上にすると、テクスチャ加工の場合、ガラス基板表面に一層均一且つ微細な筋模様が形成できるようになる。またミラーポリッシュ加工の場合、ガラス基板の表面状態を非常に平滑かつ均質にできるようになる。【００２５】
また本発明の製造方法では、該記載のガラス基板を用いるので、テクスチャ加工によってガラス基板表面に筋模様が均一且つ微細に形成することができるようになる。またミラーポリッシュ加工によって、ガラス基板表面を非常に平滑かつ均質な状態にできるようになる。
【図面の簡単な説明】
【００２６】
【図１】ナノインデンテーション法による、ヤング率の測定結果の一例を示す図である。
【図２】本発明に係る磁気ディスクの製造工程の一例を示す図である。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２７】
次に、本発明に従うガラス基板の製造方法を用いた、磁気ディスクの製造方法について説明する。図２に、磁気ディスクの製造工程例を示す。まずガラス素材を溶融し（ガラス溶融工程）、溶融ガラスを下型に流し込み、上型によってプレス成形して円盤状のガラス基板前駆体を得る（プレス成形工程）。なお、円盤状のガラス基板前駆体は、プレス成形によらず、例えばダウンドロー法やフロート法で形成したシートガラスを研削砥石で切り出して作製してもよい。【００２８】
本発明のガラス基板の材料としては特に限定はなく、例えば二酸化ケイ素、酸化ナトリウム、酸化カルシウムを主成分とした、ソーダライムガラス；二酸化ケイ素、酸化アルミニウム、Ｒ2Ｏ（Ｒ＝Ｋ、Ｎａ、Ｌｉ）を主成分とした、アルミノシリケートガラス；ボロシリケートガラス；酸化リチウム−二酸化ケイ素系ガラス；酸化リチウム−酸化アルミニウム−二酸化ケイ素系ガラス；Ｒ’Ｏ−酸化アルミニウム−二酸化ケイ素系ガラス（Ｒ’＝Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｂａ）を使用することができ、これらのガラス材料に酸化ジルコニウムや酸化チタン等を添加したものであってもよい。中でも、ＳｉＯ2を５０重量％以上含有するものが好ましい。【００２９】
またガラス基板の大きさに限定はなく、２．５インチ，１．８インチ、１インチ、０．８５インチあるいはそれ以下の小径ディスクにも本発明の方法を適用することができる。またその厚さが２ｍｍや１ｍｍ、０．６３ｍｍ、あるいはそれ以下といった薄型のものにも適用することができる。【００３０】
プレス成形されたガラス基板前駆体には、必要によりコアドリル等で、中心部に孔が開けられる（コアリング工程）。そして、第１ラッピング工程において、ガラス基板の両表面が研削加工され、ガラス基板の全体形状、すなわちガラス基板の平行度、平坦度および厚みが予備調整される。次に、ガラス基板の外周端面および内周端面が研削され面取りされて、ガラス基板の外径寸法および真円度、孔の内径寸法、並びにガラス基板と孔との同心度が微調整された後（内・外径精密加工工程）、ガラス基板の外周端面および内周端面が研磨されて微細なキズ等が除去される（端面研磨加工工程）。  【００３１】
次に、ガラス基板の両表面が再び研削加工されて、ガラス基板の平行度、平坦度および厚みが微調整される（第２ラッピング工程）。そしてガラス基板の両表面が研磨加工され、表面の凹凸が均一にされる（ポリッシング工程）。ガラス基板の両表面は必要により粒度の異なる研磨材を用いてさらに研磨加工される（第２ポリッシング工程）。【００３２】
そして、ガラス基板に対して洗浄がなされた後、ガラス基板が該不等式（１）又は不等式（２）を満足しているかどうか検査される。【００３３】
本実施形態において、ナノインデンテーション法によるヤング率Ｅｓ及び硬度Ｈｓの測定は、セイコーインスツルメンツ社製の走査プローブ顕微鏡「SPI3800N」にHysitoron社製Triboscopeを取り付けて測定を行った。具体的には、プローブの負荷荷重を０．１μＮから５μＮまで０．１μＮ刻みで変化させて、プローブの押し込み深さが１００ｎｍを超えるまで測定データを収集し、最表面部のヤング率Ｅｓに関しては１００ｎｍまで押し込んだ際の荷重曲線から算出した。また最表面部の硬度Ｈｓは荷重１μＮの値を採用した。なおプローブの押し込み深さは１００ｎｍに限定されることはなく、適宜の最表面部と判断される深さであってよい。【００３４】
超音波振動法によるヤング率Ｅｇの測定は、京都電子製の動的弾性率測定装置「DEM-11R」を用いて行った。具体的には、６０×２０×１．０ｍｍの寸法に加工された評価用試料を準備し、周波数８００Ｈｚ〜２０００Ｈｚ間で計測して共振周波数を求め、その値から自動的にヤング率を算出した。またビッカース硬度Ｈｖは、アカシ社製の微小硬度計「HM-113」を用いて測定を行った。具体的には、酸化セリウム研磨材によって表面を鏡面状態に加工した試料を準備し、荷重１００ｇ、押し込み時間１５秒間でビッカース圧子を押し込み、圧痕を付けて測定を行った。【００３５】
第１の発明に係るガラス基板では、ガラス基板最表面部の緻密さを示す一つの指標としてヤング率を用いた。すなわち、ガラス基板全体としてのヤング率に対する、ガラス基板最表面部のヤング率の割合がどの程度かによって、ガラス基板の表面構造の緻密さを評価した。  【００３６】
具体的には、超音波振動法によって測定したヤング率Ｅｇをガラス基板全体としてのヤング率とみなし、またナノインデンテーション法によって測定したヤング率Ｅｓをガラス基板最表面部のヤング率とみなし、ガラス基板最表面部のヤング率Ｅｓは、ガラス基板全体のヤング率Ｅｇの０．８〜１．２倍の範囲が適正であることを見いだした。ガラス基板最表面部のヤング率Ｅｓが、ガラス基板全体のヤング率Ｅｇの０．８倍以下であると、ガラス基板の表面構造が疎な状態となり、基板本来の構造よりも脆くなりテクスチャ加工による筋模様が部分的に崩れて不均一となる。一方、ガラス基板最表面部のヤング率Ｅｓが、ガラス基板全体のヤング率Ｅｇの１．２倍以上であると、ガラス基板の表面構造が緻密で硬くなりすぎ、テクスチャ加工によって筋模様を均質に形成すること自体が困難となる。ガラス基板最表面部のヤング率Ｅｓのより好ましい範囲は、ガラス基板全体のヤング率Ｅｇの０．８２〜１．１８倍の範囲である。【００３７】
図１に、縦軸をヤング率とし、横軸を表面からの深さとして、ナノインデンテーション法によって測定したヤング率Ｅｓを示す。この図では、ヤング率Ｅｓはガラス表面の表面で最も小さく、表面から深くなるほどヤング率Ｅｓは高くなっている。従って最表面部のヤング率Ｅｓが、ガラス基板全体のヤング率Ｅｇの０．８〜１．２倍の範囲内であることが本発明では重要である。【００３８】
また第２の発明に係るガラス基板では、ガラス基板最表面部の緻密さを示すもう一つの指標として硬度を用いた。すなわち、ガラス基板全体としての硬度に対する、ガラス基板最表面部の硬度の割合がどの程度かによってガラス基板表面の緻密さを評価した。【００３９】
具体的には、ビッカース法によって測定した硬度Ｈｖをガラス基板全体としての硬度とみなし、またナノインデンテーション法によって測定した硬度Ｈｓをガラス基板最表面部の硬度とみなし、ガラス基板最表面部の硬度Ｈｓは、ガラス基板全体の硬度Ｈｖの０．８〜１．２倍の範囲が適正であることを見いだした。ガラス基板最表面部の硬度Ｈｓが、ガラス基板全体の硬度Ｈｖの０．８倍以下であると、前述のヤング率の場合と同様に、ガラス基板表面が粗く超精密研磨加工による筋模様が不均一となる。一方、ガラス基板最表面部の硬度Ｈｓが、ガラス基板全体の硬度Ｈｖの１．２倍以上であると、ガラス基板表面が緻密で硬くなりすぎ、超精密研磨加工によって筋模様を形成しにくくなる。ガラス基板最表面部の硬度Ｈｓのより好ましい範囲は、ガラス基板全体の硬度Ｈｖの０．８５〜１．１５倍の範囲である。【００４０】
そして、検査に合格したガラス基板について超精密研磨加工が施される。超精密研磨加工として、テクスチャ加工、ミラーポリッシュ加工または周知の同様の加工が行われる。超精密研磨加工液としては、砥粒を液中に均一に分散させ、また加工液保管中の砥粒の沈降を防止するため、ポリエチレングリコール、ポリプロピレングリコール等のグリコール系化合物の界面活性剤を約１〜２５重量％含有した水溶液中に約０．０１〜５重量％の砥粒を分散させたスラリーが使用される。【００４１】
砥粒としては、単結晶又は多結晶のダイヤモンド粒子が使用される。このダイヤモンド粒子は、その粒子形状が規則正しく、粒子サイズ及び形状にバラツキがなく、硬質であり、耐薬品性及び耐熱性に優れている。特に、多結晶ダイヤモンド粒子は、単結晶のものと比較すると、その粒子形状が角のない丸い形状であるため、超精密研磨加工に用いる砥粒として広く使用されている。  【００４２】
超精密研磨加工後におけるガラス基板の最表面の表面粗さＲａは、０．３ｎｍ以下であることが望ましい。表面粗さＲａが０．３ｎｍより大きいと、完成品の磁気ディスクとしたときに、磁気ヘッドと磁気ディスク表面との距離を小さくできず、磁気ディスクの記録容量を増大させることができない。  【００４３】
次に、以上のようにして作製されたガラス基板上に、磁性膜が形成される。磁性膜の形成方法としては従来公知の方法を用いることができ、例えば磁性粒子を分散させた熱硬化性樹脂を基板上にスピンコートして形成する方法や、スパッタリング、無電解めっきが挙げられる。スピンコート法での膜厚は約０．３〜１．２μｍ程度、スパッタリング法での膜厚は０．０４〜０．０８μｍ程度、無電解めっき法での膜厚は０．０５〜０．１μｍ程度であり、薄膜化および高密度化の観点からはスパッタリング法および無電解めっき法による膜形成が好ましい。  【００４４】
磁性膜に用いる磁性材料としては、特に限定はなく従来公知のものが使用できる。高い保磁力を得るために、結晶異方性の高いＣｏを基本とし、残留磁束密度を調整する目的でＮｉやＣｒを加えたＣｏ系合金などが好適である。具体的には、Ｃｏを主成分とするＣｏＰｔ、ＣｏＣｒ、ＣｏＮｉ、ＣｏＮｉＣｒ、ＣｏＣｒＴａ、ＣｏＰｔＣｒ、ＣｏＮｉＰｔや、ＣｏＮｉＣｒＰｔ、ＣｏＮｉＣｒＴａ、ＣｏＣｒＰｔＴａ、ＣｏＣｒＰｔＢ、ＣｏＣｒＰｔＳｉＯなどが挙げられる。磁性膜は、非磁性膜（例えば、Ｃｒ、ＣｒＭｏ、ＣｒＶなど）で分割し、ノイズの低減を図った多層構成（例えば、ＣｏＰｔＣｒ／ＣｒＭｏ／ＣｏＰｔＣｒ、ＣｏＣｒＰｔＴａ／ＣｒＭｏ／ＣｏＣｒＰｔＴａなど）としてもよい。上記の磁性材料の他、フェライト系、鉄−希土類系や、ＳｉＯ2、ＢＮなどからなる非磁性膜中にＦｅ、Ｃｏ、ＦｅＣｏ、ＣｏＮｉＰｔ等の磁性粒子を分散された構造の、グラニュラーなどであってもよい。また、磁性膜は、面内型および垂直型のいずれの記録形式であってもよい。  【００４５】
また、磁気ヘッドの滑りをよくするために磁性膜の表面に潤滑剤を薄くコーティングしてもよい。潤滑剤としては、例えば液体潤滑剤であるパーフロロポリエーテル（ＰＦＰＥ）をフレオン系などの溶媒で希釈したものが挙げられる。【００４６】
さらに必要により下地層や保護層を設けてもよい。磁気ディスクにおける下地層は磁性膜に応じて選択される。下地層の材料としては、例えば、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｔａ、Ｔｉ、Ｗ、Ｖ、Ｂ、Ａｌ、Ｎｉなどの非磁性金属から選ばれる少なくとも一種以上の材料が挙げられる。Ｃｏを主成分とする磁性膜の場合には、磁気特性向上等の観点からＣｒ単体やＣｒ合金であることが好ましい。また、下地層は単層とは限らず、同一又は異種の層を積層した複数層構造としても構わない。例えば、Ｃｒ／Ｃｒ、Ｃｒ／ＣｒＭｏ、Ｃｒ／ＣｒＶ、ＮｉＡｌ／Ｃｒ、ＮｉＡｌ／ＣｒＭｏ、ＮｉＡｌ／ＣｒＶ等の多層下地層としてもよい。  【００４７】
磁性膜の摩耗や腐食を防止する保護層としては、例えば、Ｃｒ層、Ｃｒ合金層、カーボン層、水素化カーボン層、ジルコニア層、シリカ層などが挙げられる。これらの保護層は、下地層、磁性膜など共にインライン型スパッタ装置で連続して形成できる。また、これらの保護層は、単層としてもよく、あるいは、同一又は異種の層からなる多層構成としてもよい。なお、上記保護層上に、あるいは上記保護層に替えて、他の保護層を形成してもよい。例えば、上記保護層に替えて、Ｃｒ層の上にテトラアルコキシランをアルコール系の溶媒で希釈した中に、コロイダルシリカ微粒子を分散して塗布し、さらに焼成して二酸化ケイ素（ＳｉＯ2)層を形成してもよい。【００４８】
実施例１  ヤング率Ｅｇが８５ＧＰａで、ＳｉＯ2を５５％含有するアルミノシリケートガラス基板を用いて、ガラス基板の最表面から深さ１００ｎｍまでのヤング率Ｅｓが最小値７５ＧＰａ、最大値８２ＧＰａとなるように研磨−洗浄処理を行った。なお、研磨−洗浄処理を行ってもヤング率Ｅｇは変化しない。そしてガラス基板の全面にわたってテクスチャ加工を行ったところ、均質な同心円状の筋形状が得られた。このガラス基板に磁性膜を形成した結果、同心円状に均質な磁気配向が見られ、良好な磁気記録再生特性を示した。【００４９】
実施例２  ヤング率Ｅｇが７８ＧＰａで、ＳｉＯ2を６５％含有するソーダライムガラス基板を用いて、ガラス基板の最表面から深さ１００ｎｍまでのヤング率Ｅｓが最小値８８ＧＰａ、最大値９２ＧＰａとなるように研磨−洗浄処理を行った。そしてガラス基板にミラーポリッシュ加工を行ったところ、全面にわたって均質にＲａ＝０．１５ｎｍの超平滑な表面が得られた。このガラス基板に垂直磁性膜を形成した結果、微細且つ均質な磁性粒子膜が得られ、良好な磁気信号再生特性を示した。【００５０】
実施例３  ビッカース硬度Ｈｖが６３０で、ＳｉＯ2を５０％含有する無アルカリガラス基板を用いて、最表面の硬度Ｈｓが５７５となるように研磨−洗浄処理を行った。なお、研磨−洗浄処理を行ってもビッカース硬度Ｈｖは変化しない。そしてガラス基板にミラーポリッシュ加工を行ったところ、全面にわたって均質にＲａ＝０．１５ｎｍの超平滑な表面が得られた。このガラス基板に垂直磁性膜を形成した結果、微細且つ均質な磁性粒子膜が得られ、良好な磁気信号再生特性を示した。【００５１】
実施例４  ビッカース硬度Ｈｖが５５０で、ＳｉＯ2を６０％含有するアルミノボロシリケートガラス基板を用いて、最表面の硬度Ｈｓが６２５となるように研磨−洗浄処理を行った。そしてガラス基板にテクスチャ加工を行ったところ、全面にわたって均質に同心円状の筋形状が得られた。このガラス基板に磁性膜を形成した結果、同心円状に均質な磁気配向が見られ、良好な磁気記録再生特性を示した。【００５２】
比較例１  ヤング率Ｅｇが８５ＧＰａで、ＳｉＯ2を５５％含有するアルミノシリケートガラス基板を用いて、ガラス基板の最表面から深さ１００ｎｍまでのヤング率Ｅｓが最小値６５ＧＰａ、最大値６８ＧＰａとなるように研磨−洗浄処理を行った。そしてガラス基板の全面にわたってテクスチャ加工を行ったところ、同心円状の筋形状が得られたが、筋の幅、深さ、密度が不均質とであった。このガラス基板に磁性膜を形成した結果、部分的に磁性層の磁気配向に乱れが見られ、磁気ノイズが大きくなり、良好な磁気特性は得られなかった。【００５３】
比較例２  ヤング率Ｅｇが７８ＧＰａで、ＳｉＯ2を６５％含有するソーダライムガラス基板を用いて、ガラス基板の最表面から深さ１００ｎｍまでのヤング率Ｅｓが最小値９５ＧＰａ、最大値１０２ＧＰａとなるように研磨−洗浄処理を行った。そしてガラス基板をミラーポリッシュ加工により平滑化を試みたが、Ｒａ＝０．４５ｎｍと平滑性が不十分で、部分的に粗さの違いも見られた。このガラス基板に垂直磁性膜を形成したところ、磁性粒子の微細化が不十分となり、粒子間の干渉ノイズが大きくなり、記録密度を確保するのに十分な磁気信号再生特性は得られなかった。【００５４】
比較例３  ビッカース硬度Ｈｖが６３０で、ＳｉＯ2を５０％含有する無アルカリガラス基板を用いて、表面の硬度Ｈｓが７８０となるように研磨−洗浄処理を行った。そしてガラス基板をミラーポリッシュ加工により平滑化を試みたが、Ｒａ＝０．４３ｎｍと平滑性が不十分で、部分的に粗さの違いも見られた。このガラス基板に垂直磁性膜を形成したところ、磁性粒子の微細化が不十分となり、粒子間の干渉ノイズが大きくなり、記録密度を確保するのに十分な磁気信号再生特性は得られなかった。【００５５】
比較例４  ビッカース硬度Ｈｖが５５０で、ＳｉＯ2を６０％含有するアルミノボロシリケートガラス基板を用いて、表面の硬度Ｈｓが４２０となるように研磨−洗浄処理を行った。そしてガラス基板にテクスチャ加工を行ったところ、同心円状の筋形状が得られたが、筋の幅・深さ・密度が不均質であり、一部には筋が完全に崩れ去っている領域が見られた。このガラス基板に磁性膜を形成したところ、部分的に磁性層の磁気配向に乱れが見られ、磁気ノイズが大きくなり、良好な磁気特性は得られなかった。
【図１】
0004631971.tif 000002
【図２】
0004631971.tif 000003