(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも１つの面が第１のクラッド層を提供する基板上に集積化された光装置を製造する方法であって、
（ｉ）第１のクラッド層上にコア材料層を形成するステップと、
（ｉｉ）所望の導波路コアの相補部分を形成する領域において光装置をエッチングするステップとを含み、該エッチングするステップが、コア材料層から材料を取り除き、かつ第１のクラッド層から少なくともいくらかの材料を取り除き、第１のクラッド層が、導波路コアによって実質的に覆われたメサ構造を形成し、方法がさらに、
（ｉｉｉ）第１のクラッド層および導波路コア上に第２のクラッド層を形成するステップを含み、
メサ構造の高さが、導波路コアにおけるゼロの複屈折を与えるように選択される方法。
【請求項２】
少なくとも１つの面が第１のクラッド層を提供する基板上に集積化された光装置を製造する方法であって、
（ｉ）第１のクラッド層上にコア材料層を形成するステップと、
（ｉｉ）所望の導波路コアの相補部分を形成する領域において光装置をエッチングするステップとを含み、該エッチングするステップが、コア材料層から材料を取り除き、かつ第１のクラッド層から少なくともいくらかの材料を取り除き、第１のクラッド層が、導波路コアによって実質的に覆われたメサ構造を形成し、方法がさらに、
（ｉｉｉ）第１のクラッドおよび導波路コア上に第２のクラッド層を形成するステップを含み、
メサ構造の高さが、メサ構造の高さがゼロの場合と比較して導波路コアにおける低減されたレベルの複屈折を与えるように選択される方法。
【請求項３】
メサ構造が少なくとも１μｍの高さを有する、請求項１または２に記載の方法。
【請求項４】
メサ構造が約２μｍから約４μｍの高さを有する、請求項３に記載の方法。
【請求項５】
ステップ（ｉ）の前に、基板上に第１のクラッド層を形成するステップを含む、請求項１から４のいずれか一項に記載の方法。
【請求項６】
基板がシリコン基板である、請求項５に記載の方法。
【請求項７】
第１のクラッド層が二酸化シリコンを主成分とする、請求項５または６に記載の方法。
【請求項８】
第２のクラッド層の材料の線膨張係数が、コア材料層の材料の線膨張係数よりも大きい、請求項１から７のいずれか一項に記載の方法。
【請求項９】
メサ構造が、２．５μｍから３．５μｍの高さを有する、請求項４に記載の方法。
【請求項１０】
メサ構造の高さ、第２のクラッド層における応力、および基板平面に平行な方向の導波路コアの幅が、導波路コアにおける実質的にゼロの複屈折を与えるように全て選択される、請求項１から９のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１１】
メサ構造の高さ、第２のクラッド層における応力、コアにおける応力、および基板平面に平行な方向の導波路コアの幅が、導波路コアにおける実質的にゼロの複屈折を与えるように全て選択される、請求項１０に記載の方法。
【請求項１２】
第２のクラッド層における応力が、−２０ＭＰａから＋１０ＭＰａの範囲内にあるように選択される、請求項１から１１のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１３】
基板平面に平行な方向の導波路幅が、５．８０μｍから６．２０μｍの範囲内にあるように選択される、請求項１から１２のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１４】
基板平面に平行な方向の導波路幅が、６．０μｍであるように選択される、請求項１３に記載の方法。
【請求項１５】
装置の所定の動作温度で導波路コアにおける実質的にゼロの複屈折を得るように、温度に対する導波路コアの複屈折における変化を実質的に補償するために、メサ構造の高さ、第２のクラッド層における応力、コアにおける応力、および基板平面に平行な方向の導波路コアの幅の各パラメータのうちの少なくとも１つのパラメーターの値が選択される、請求項１から１４のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１６】
集積化された光装置であって、
少なくとも１つの面が、メサ構造を含む第１のクラッド層を提供する基板と、
実質的にメサ構造を覆うように、第１のクラッド層上に形成される導波路コアと、
導波路コアおよび第１のクラッド層上に形成される第２のクラッド層とを備え、
メサ構造の高さが、導波路コアにおけるゼロの複屈折が存在するようなものである集積化された光装置。
【請求項１７】
導波路コアの断面が実質的に方形形状を有する、請求項１６に記載の集積化された光装置。
【請求項１８】
メサ構造の幅がコアの幅に等しい、請求項１６または１７に記載の集積化された光装置。
【請求項１９】
アレイ導波路格子であって、
少なくとも１つの面が、メサ構造を含む第１のクラッド層を提供する基板と、
基板上に提供された複数のアレイ導波路とを備え、各アレイ導波路が、第１のクラッド層上に形成された導波路コアを有し、導波路コアが、実質的にメサ構造を覆い、アレイ導波路格子がさらに、
導波路コアおよび第１のクラッド層上に形成された第２のクラッド層を備え、
メサ構造の高さが、メサ構造の高さがゼロの場合と比較して導波路コアにおける低減されたレベルの複屈折を与えるように選択され、かつ約２μｍから約４μｍの範囲であり、第２のクラッド層における応力が−２０ＭＰａから＋１０ＭＰａの範囲であり、基板平面に平行な方向の導波路コアの幅が５．８０μｍから６．２０μｍの範囲であるアレイ導波路格子。
【請求項２０】
基板平面に平行な方向の導波路コアの幅が、５．９０μｍから６．１０μｍの範囲である、請求項１９に記載のアレイ導波路格子。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
本発明は、集積化された光装置および集積化された光装置の製造方法に関する。
【０００２】
光ネットワークの発展において、平面基板に確立された導波路を用いるいわゆる集積化された光構成部品は、広範囲にわたって研究されている。
【０００３】
集積化された光装置において、導波路「コア」は、基板上に（または、より一般的には基板上に形成されたアンダークラッド上に）堆積され、その後オーバークラッド層で覆われる。コアおよびクラッド材料の屈折率および他の光学特性は、適切な導波路機能を提供するように設定される。「アンダークラッド」、「オーバークラッド」、「下に」などの用語が、単に説明の便宜上用いられ、装置の製造中または使用中の特定方向を意味するものではないことを、当業者は理解するであろう。
【０００４】
この種の集積化された装置に起こる可能性がある問題は、複屈折の問題である。複屈折が起こるメカニズムは判明されていないが、装置構造における層間の熱膨張特性差の結果、装置が焼結またはアニーリング後に冷却されたときに、応力を蓄積させるためであると考えられている。
【０００５】
この問題に対する様々な考えられる解決方法が、Ｋｉｌｉａｎらの文献「Ｂｉｒｅｆｒｉｎｇｅｎｃｅ  ｆｒｅｅ  ｐｌａｎａｒ  ｏｐｔｉｃａｌ  ｗａｖｅｇｕｉｄｅ  ｍａｄｅ  ｂｙ  ｆｌａｍｅ  ｈｙｄｒｏｌｙｓｉｓ  ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ（ＦＨＤ）  ｔｈｒｏｕｇｈ  ｔａｉｌｏｒｉｎｇ  ｏｆ  ｔｈｅ  ｏｖｅｒｃｌａｄｄｉｎｇ（オーバークラッドの調整による、火炎加水分解堆積法（ＦＨＤ）で作られた複屈折の無い平面光導波路）」、Ｊｏｕｒｎａｌ  ｏｆ  Ｌｉｇｈｔｗａｖｅ  Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ、１８巻、２号、２００２年２月において、引用文献とともに要約されている。以前に提案されたほとんどの解決方法は、一般にオーバークラッドの熱膨張係数を、コア、アンダークラッド、または基板の熱膨張係数に合わせるために、オーバークラッドの熱特性を変更することを含む。この技術の特定の例が、ＵＳ−Ａ−５９３０４３９に開示されている。この目的は、ドーパントを注意深く選択することによって達成されることができるが、オーバークラッドガラスが、湿度に対して非常に弱くなり、装置の信頼性が低くなるほど多くのドーパントを含まなければならないことが見出された。
【０００６】
他のアプローチが、Ｗｉｌｄｅｒｍｕｔｈらの文献「Ｐｅｎａｌｔｙ−ｆｒｅｅ  ｐｏｌａｒｉｓａｔｉｏｎ  ｃｏｍｐｅｎｓａｔｉｏｎ  ｏｆ  ＳｉＯ２／Ｓｉ  ａｒｒａｙｅｄ  ｗａｖｅｇｕｉｄｅ  ｇｒａｔｉｎｇ  ｗａｖｅｌｅｎｇｔｈ  ｍｕｌｔｉｐｕｌｅｘｅｒｓ  ｕｓｉｎｇ  ｓｔｒｅｓｓ  ｒｅｌｅａｓｅ  ｇｒｏｏｖｅｓ（応力開放溝を用いる、ＳｉＯ２／Ｓｉアレイ導波路格子波長マルチプレクサの不利益の無い偏光補償）」、Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ  Ｌｅｔｔｅｒｓ、３４巻、１７号、１９９８年８月に記載されている。ここで、応力緩和溝は、導波路コアの両側に沿ってエッチングされている。多数の実質的に平行な導波路コアを有するアレイ導波路格子（Ａｒｒａｙｅｄ  Ｗａｖｅｇｕｉｄｅ  Ｇｒａｔｉｎｇ、ＡＷＧ）装置に関連して、これは、これら導波路コアに複数の深い溝をさし入れることを意味する。この方法は、以下の理由により魅力が無いものであると考えられる。すなわち、溝をエッチングするためのかなり余分なプロセスステップの必要性、導波路コアに溝エッチングを位置合わせすることの困難性、および溝によって占められる余分な基板領域のためである。
【０００７】
本発明は、少なくとも１つの面が第１のクラッド層を提供する基板上に集積化された光装置を製造する方法を提供し、この方法は、
（ｉ）第１のクラッド層上にコア材料層を形成するステップと、
（ｉｉ）所望の導波路コアの相補部分を形成する領域において装置をエッチングするステップとを含み、エッチングするステップは、コア材料層から材料を取り除き、かつ第１のクラッド層から少なくともいくらかの材料を取り除き、第１のクラッド層が、導波路コアによって実質的に覆われたメサ構造を形成し、この方法がさらに、
（ｉｉｉ）第１のクラッド層および導波路コア上に第２のクラッド層を形成するステップを含む。
【０００８】
本発明は、クラッドを大量にドーピングするステップ、または別のエッチングステップの必要性なしに、低減されたまたは実質的にゼロの複屈折をもたらすことができる新規な製造方法および装置構造を提供する。
【０００９】
コアエッチングプロセスの間にコア材料層の余分な材料が、（エッチングされていないコア経路を残すようにマスクが付けられて）エッチングによって取り除かれる、コアエッチングプロセスの一部として、エッチングはアンダークラッド層の中にまで続いている。この「オーバーエッチング」技術は、コアの下にメサ構造を残す。オーバークラッドが付けられたとき、オーバークラッドは、（従来のように）コアの周囲に延びるが、少しだけコアの高さ下までにも延びる。
【００１０】
この構成は、コア複屈折に影響を与えることが見出された。適切なオーバーエッチの深さ（メサ高さ）を選択することによって、低減されたまたは実質的にゼロのコア複屈折を得ることができる。
【００１１】
本発明は、上にアンダークラッド層が一般に成長されるまたは堆積される、シリコンまたはゲルマニウムなどの基板に適用することができる。ここで、上にすでに成長されたまたは堆積されたアンダークラッド層を有する基板が、「基板の少なくとも１つの面が第１のクラッド層を提供する」基板を提供すると考えられる。しかしながら、アンダークラッド層を成長または堆積させることは、必ずしも常に必要ではない。ここで一例は石英基板であり、石英基板自身の光学特性は、コアが基板上に直接堆積されることができるようなものである。再び、基板自身の上部層が、光を案内する目的のためのアンダークラッドとして作用するので、そのような基板も、「基板の少なくとも１つの面が、第１のクラッド層を提供する」基板を提供すると考えられる。
【００１２】
好ましくは、メサ構造は、実質的にゼロのコア複屈折が得られる高さを有する。例えば、メサ構造が、好ましくは、少なくとも１μｍの高さを有し、より好ましくは約２μｍから約４μｍの高さを有する。より程度の小さいオーバーエッチングは、例えばコア材料を完全にエッチングして取り除かれることを確実にするために、従来において起こった可能性があることは理解される。
【００１３】
本発明は、多くのタイプの装置に適用可能であるが、基板がシリコン基板であり、および／または第１のクラッド層が二酸化シリコンを主成分とすることが好ましい。
【００１４】
所望の複屈折性能のためにより低いメサ高さを達成するために、第２のクラッド層材料の線膨張係数が、コア材料層の材料の線膨張係数より大きいことが好ましい。
【００１５】
本発明は、また集積化された光装置を提供し、この集積化された光装置は、少なくとも１つの面が、メサ構造を含む第１のクラッド層を提供する基板と、実質的にメサ構造を覆うように、第１のクラッド層の上に形成される導波路コアと、導波路コアおよび第１のクラッド層上に形成される第２のクラッド層とを備える。
【００１６】
本発明のさらなる態様は、アレイ導波路格子（ＡＷＧ）を提供し、このアレイ導波路格子は、少なくとも１つの面が、メサ構造を含む第１のクラッド層を提供する基板と、基板上に提供された複数のアレイ導波路とを備え、各アレイ導波路が、第１のクラッド層上に形成された導波路コアを有し、導波路コアが実質的にメサ構造を覆い、アレイ導波路格子がさらに、導波路コアおよび第１のクラッド層上に形成された第２のクラッド層を有し、
メサ構造の高さは約２μｍから約４μｍの範囲であり、第２のクラッド層における応力は−２０ＭＰａから＋１０ＭＰａの範囲であり、基板平面に平行な方向の導波路コアの幅は、５．８０μｍから６．２０μｍの範囲である。
【００１７】
本発明の実施形態を、図面間で同様な部品が同様な参照符号で参照される、添付の図面を参照して説明される。
【００１８】
図面を参照すると、図１ａから図１ｆは、本発明の実施形態による集積化された光装置の一部の製造におけるプロセスステップの概略断面図である。プロトタイプの研究において、１００ＧＨｚのチャネル間隔および２５０μｍの出力導波路ピッチを有する、４０チャネルのアレイ導波路格子（ＡＷＧ）が製造されたが、本発明の他の実施形態において、可変光アッテネータ、光スイッチまたはルータ、および／または光フィルタなどの多くのタイプの光信号処理装置が、この技術を用いて製造されることができるかもしれない。この技術は、一般に、導波路構造を用いる任意の集積化された光構成部品に適用される。
【００１９】
図１ａは、シリコン基板１０を概略的に示し、シリコン基板１０上に、１６μｍの厚みの熱酸化物アンダークラッド層２０が成長される。（図１ａから図１ｆは、非常に概略的であり、いずれにしても同じ縮尺ではないことに留意されたい）。
【００２０】
図１ｃにおいて、導波路コアガラス３０の層が、例えば火炎加水分解堆積法（Ｆｌａｍｅ  Ｈｙｄｒｏｌｙｓｉｓ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ：ＦＨＤ）によって堆積される。好ましい実施形態において、層３０は、ＦＤＨで堆積された材料を固めるためのアニーリング段階後で６μｍの厚みである。マスク４０が、所望の導波路コアの経路をマスクするために付けられる。マスクは、好ましくは、レジスト層をフォトリソグラフィー的にスピニングしかつ露光し、その後、現像しかつ蒸着によって金属層で被覆することによって形成される。レジストおよびその金属の覆いは、金属マスク４０を残すためにアセトンでリフトオフされることができる。
【００２１】
図１ｄにおいて、従来のウエットまたはドライエッチング技術を用いて、エッチングステップが実行される。
【００２２】
エッチングステップは、マスク４０によって覆われていないコア材料層３０の部分をエッチングして取り除き、すなわち、所望の導波路経路の相補部分を形成する領域が、コア材料層３０から取り除かれる。これは、実質的に方形断面（６μｍ×６μｍ）コア５０を残す。
【００２３】
従来の製造方法では、次のステップは、マスク４０を取り外し、図１ｄの構造にオーバークラッド層を付けることである。しかしながら、本発明の実施形態において、エッチングプロセスは、エッチングされるべき領域を画定するために、依然としてマスク４０を用いてさらに継続される。
【００２４】
図１ｅに示されるように、エッチングプロセスが続けられ、アンダークラッド層２０の一部が、マスク４０によって保護されていない領域でエッチングされて除かれる。この「オーバーエッチング」プロセスは、アンダークラッド層２０を残し、このアンダークラッド層２０は、装置の大部分にわたってより薄いが、コア５０によって実質的に覆われるメサ構造６０を形成する。メサ構造の高さは、「オーバーエッチ深さ」として同義的に呼ばれることもあり、一般に２μｍから３μｍの範囲でもよいが、好ましくは常に１μｍより大きい。
【００２５】
最後に、図１ｆにおいて、マスク４０が従来技術によって取り除かれ、導波路およびアンダークラッドは、オーバークラッド層７０で覆われる。このプロトタイプの実施形態において、オーバークラッド層７０は、（最も厚い場所で）２２μｍの厚みであり、ＳｉＣｌ４、ＢＣｌ３、およびＰｏＣｌ３を用いてＦＨＤ堆積によって形成されたガラスである。オーバークラッドの組成は、その屈折率が、シリカアンダークラッドの屈折率にほぼ合い、その熱膨張が、（被覆されたウェハの反りによって測定されたように）シリコン基板の熱膨張よりわずかに大きいようなものである。
【００２６】
図２は、様々な材料特性に関するコンピュータモデリングによって予測される、オーバーエッチ深さに対する複屈折のグラフである。
【００２７】
単一導波路の複屈折に対するオーバーエッチングの作用は、導波路コアに加えられた応力を決定するために、有限要素モデリング解析によってシミュレートされた。その後、常光線屈折率および異常光線屈折率の変化が、応力から計算された。摂動計算によって、実効屈折率における変化（ＮｅｆｆＴＥ−ＮｅｆｆＴＭ）が決定された。
【００２８】
オーバーエッチングの作用は、コアおよびクラッドの線膨張係数（ｌｃｅ）によって影響を受けることが見出された。したがって、コンピュータモデリングにおいて、様々なｌｃｅ値の組み合わせが用いられた。
【００２９】
以下の材料パラメータが、コンピュータモデリングにおいて用いられた。これらは、前述で参照されたＫｉｌｉａｎらによる文献において報告された値である。
【表１】
0004785329.tif 000002
【００３０】
オーバークラッドのｌｃｅを、３つの可能な値の中で変化させた。すなわち、
３．３×１０−６
３．４×１０−６
３．５×１０−６である。
【００３１】
同様に、コアに関するｌｃｅを、３つの可能な値でモデリングした。すなわち、
１．２×１０−６
１．８×１０−６
２．４×１０−６であり、全部で９個の曲線を与える。縦軸は、比較ができるように、図３の実験結果で用いられるような２つの偏光間の波長スプリッティング（ｗａｖｅｌｅｎｇｔｈ  ｓｐｌｉｔｔｉｎｇ）を表すように較正された。
【００３２】
図２に示される結果は、複屈折が、オーバーエッチ深さに実質的に線形で応じることを示す。従属関係の勾配は、コアおよびオーバークラッドのｌｃｅ値に応じる。理想的なオーバーエッチ深さは、関連する曲線がゼロ複屈折軸と交差する深さであると考えられる。
【００３３】
図２のグラフにおいて、凡例は、最初にオーバークラッドのｌｃｅの値（×１０−６）を示し、続いてコアのｌｃｅの値（×１０−６）を示す。ゼロ複屈折は、例示のパラメータを用いて約２μｍより深いオーバーエッチ深さについて得られることが分かる。このモデルにおいてゼロ複屈折を与える最も浅いオーバーエッチ深さは、クラッドに関する大きいｌｃｅと、コアに関する小さいｌｃｅとの組み合わせで得られる。このモデルは、隣接する導波路に起因するあらゆる応力の影響を無視し、また理想的なオーバーエッチ深さに影響を与える可能性がある屈折率コントラストを考慮していない。
【００３４】
理論的な結果をテストするために、上述のように構成された一連のプロトタイプ装置をテストした。コア複屈折は、一方が基板に平行であり他方が垂直である２つの偏光状態に関する、フィルタ応答または通過帯域を測定して、２つの偏光状態間の波長スプリッティング（ｎｍ単位）を検出することによって検出された。結果が図３に示され、図３は、約３μｍのオーバーエッチ深さでゼロ複屈折軸と交差する、ＦＥＭ解析によって予測される従属関係と同一の、複屈折とオーバーエッチ深さとの間の一般に線形の従属関係を示す。
【００３５】
さらなる研究が、また、他のパラメータの４０チャネルＡＷＧにおけるスプリッティングに対する影響を調べるために実行された。ここで、他のパラメータとは、ＡＷＧにおけるアレイ導波路の幅、アレイ導波路の（オーバー）クラッドにおける応力、アレイ導波路コアが形成されるコア層における応力、アレイ導波路のコアおよびクラッドの屈折率、およびＡＷＧの温度などである。ＡＷＧは、従来技術において現在良く知られており、したがって、当業者は、例えば、Ｍ．Ｋ．Ｓｍｉｔによる「ＰＨＡＳＡＲ−ｂａｓｅｄ  ＷＤＭ−Ｄｅｖｉｃｅｓ：Ｐｒｉｎｃｉｐｌｅｓ，  Ｄｅｓｉｇｎ  ａｎｄ  ａｐｐｌｉｃａｔｉｏｎｓ（ＰＨＡＳＡＲベースのＷＤＭ装置：原理、構成、および応用）」、ＩＥＥＥ  Ｊｏｕｒｎａｌ  ｏｆ  Ｓｅｌｅｃｔｅｄ  Ｔｏｐｉｃｓ  ｉｎ  Ｑｕａｎｔｕｍ  Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ、２巻、２号、１９９６年６月にも記されているように、ＡＷＧの構造および動作を完全に理解するであろう。スプリッティング測定が、個々のＡＷＧダイで行われ、ウェハ上でのインライン測定が、他のパラメータに関して行われ、これらの他のパラメータにおける変化のスプリッティングに対する作用をモデル化するための対応するシミュレーションも行われた。測定されたＡＷＧは、ＦＨＤ堆積によって形成されたガラス導波路コアおよびクラッドを有し、コアに関してはＳｉＣｌ４、ＢＣｌ３、およびＧｅＣｌ４を用い、クラッドに関してはＳｉＣｌ４、ＢＣｌ３、およびＰｏＣｌ４を用いた。例示の目的のために、典型的なＡＷＧが図４に概略的に示されており、上に形成された２つのスラブ導波路１１０、１１２を有するダイ１００を備え、２つのスラブ導波路１１０、１１２間で、複数のアレイ導波路１２０が結合される（いくつかのアレイ導波路だけが示されているが、一般的には約４００から６００のアレイ導波路が存在する）。複数の入力導波路１３０が、ダイ１００の入力端部１０１（そのようないくつかのダイを含むウェハからダイシングされた）と、第１のスラブ導波路１１０との間で結合され、複数の出力導波路１４０が、ダイの出力端部１０２と、第２のスラブ導波路１１２との間で結合される。ＡＷＧは、１００ＧＨｚのチャネル間隔を有する。ダイの出力端部での出力導波路間の間隔は、ほぼ１００μｍであり、入力端部での入力導波路の間隔も同様である。実際の測定およびシミュレーションの両者とも以下を示した。すなわち、両方の導波路幅（基板平面に平行な方向）、（オーバー）クラッドにおける応力、およびコア層における応力は、スプリッティングに顕著な作用を及ぼすが、コア屈折率およびクラッド屈折率は、スプリッティングに比較的にほとんど作用を及ぼさない。これらのさらなる調査の一部として、さらなる研究が、また、アレイ導波路におけるオーバーエッチ量（すなわちメサ高さ）とスプリッティングとの間の相関関係に対して実行された。これら全ての研究結果が、以下にともに示される。
【００３６】
シミュレーション
シミュレーションのために、応力モデル（オランダのＫｙｍａｔａによって市販されている、ＳＴＲＥＳＳ  ＳＥＬＥＮＥソフトウエア）およびモードソルバーが、８個の異なるパラメータに関して、４０チャネルＡＷＧの１チャネルから４０チャネルのスプリッティングを生成するために用いられた。８個の異なるパラメータは、コア屈折率、クラッド屈折率、コア高さ、コア幅、コア応力、クラッド応力（オーバークラッドにおける）、オーバーエッチ深さ、およびＡＷＧアレイにおける導波路間の平均分離である（以降、「アレイピッチ」ｈと呼ぶ）。この最後のパラメータは、ＡＷＧの設計者によって設定される設計パラメータである。
【００３７】
ＲＳＤ  Ａｓｓｏｃｉａｔｅｓ（Ｇｌａｓｇｏｗ）によって市販されている、Ｍａｔｒｅｘ（バージョン２．５）という名称のＤＯＥ（Ｄｅｓｉｇｎ  Ｏｆ  Ｅｘｐｅｒｉｍｅｎｔｓ、実験設計）プログラムを用いて、計算が実行される空間を作った。空間における全てのシミュレーションが実行されると、Ｍａｔｒｅｘは、空間におけるスプリッティングの値を補間する多項式を生成するために用いられる。各パラメータは、作業空間における全ての点で等しい発生確率を有すると仮定した。Ｍｉｃｒｏｓｏｆｔ  Ｅｘｃｅｌ（登録商標）マクロを用いて、空間をソフトウエアが処理できる最大限多くの点で占めさせた。したがって、各パラメータ値に関して、同様に、作業空間における全ての他のパラメータの変化幅にわたって点をプロットした。
【００３８】
シミュレーションにおいて用いた制限は、以下の通りである。
ａ＝コア屈折率
ｂ＝クラッド屈折率
ｃ＝コア高さ（＠ｍ）
ｄ＝コア幅（＠ｍ）
ｅ＝オーバーエッチ（＠ｍ）
ｆ＝圧縮コア応力の強度（ＭＰａ）
ｇ＝クラッド応力（ＭＰａ）
ｈ＝アレイピッチ（＠ｍ）
ａ＝１．４５５１
ｂ＝１．４５５１
ｃ＝６
ｄ＝５．９８
ｅ＝３．０５
ｆ＝７０
ｇ＝−５．５
ｈ＝１３．５５
ａ  ｕｐ＝ａ＋０．０００１
ｂ  ｕｐ＝ｂ＋０．０００５
ｃ  ｕｐ＝ｃ＋０．２
ｄ  ｕｐ＝ｄ＋０．２
ｅ  ｕｐ＝ｅ＋０．５
ｆ  ｕｐ＝ｆ＋１０
ｇ  ｕｐ＝ｇ＋１０
ｈ  ｕｐ＝ｈ＋０
ａ  ｌｏｗ＝ａ−０．０００１
ｂ  ｌｏｗ＝ｂ−０．０００５
ｃ  ｌｏｗ＝ｃ−０．２
ｄ  ｌｏｗ＝ｄ−０．２
ｅ  ｌｏｗ＝ｅ−０．５
ｆ  ｌｏｗ＝ｆ−１０
ｇ  ｌｏｗ＝ｇ−１０
ｈ  ｌｏｗ＝ｈ−０
【００３９】
実験データ
実験データは、ＡＷＧ構造含むウェハのいくつかのバッチからの、ウェハ上の個々のＡＷＧ構造および／またはテスト構造になされた測定から得られた。オーバーエッチ、応力、およびコア幅測定は、ウェハが個別のＡＷＧダイにダイシングされる前に行われ、スプリッティング測定は、ダイシングの後で行われた。オーバーエッチ、応力、およびコア幅測定は、各ウェハ上の約４つから５つのＡＷＧで行われた。スプリッティング測定は、各バッチのウェハから得られた各ＡＷＧダイで行われた。各ＡＷＧ装置におけるアレイピッチは、ほぼ１２μｍであった。
【００４０】
スプリッティング値
異なる多くのバッチのウェハの解析から、ＴＭ偏光モードとＴＥ偏光モードとの間の波長差であり、ＴＭ−ＴＥとして定義される波長スプリッティングは、実際は正または負のいずれかでありえることが見出された。各ウェハのバッチは、一般に約１２個から３０個のウェハからなり、各ウェハは、一般に６個のＡＷＧ構造を含む。任意の１つのＡＷＧに関してプロットされた、ＡＷＧチャネル数の関数としての（測定された大きさの）スプリッティングの傾斜の符号（＋ｖｅまたは−ｖｅ）は、そのＡＷＧにおけるスプリッティングの符号（＋ｖｅまたは−ｖｅ）を決定することが見出された。各バッチのウェハに関して、各ウェハから少なくとも１つのＡＷＧダイがテストされ（一般的には、各ウェハから２、３個のＡＷＧがテストされた）、そのＡＷＧの２から３９チャネルにわたる平均スプリッティング（大きさ）に対して、各テストされたＡＷＧに対するＡＷＧチャネル数（１から４０）の関数として、スプリッティングの傾斜値をプロットした。このことから、いくつかのバッチにおいて、全てのウェハが正のスプリッティング傾斜を有し、他のいくつかにおいては、全てのウェハが負の傾斜を有し、いくつかのバッチでは、正の傾斜と負の傾斜の両方が混在していることが見出された。以下に示される実験結果を得るために、純粋に正または純粋に負のスプリッティング傾斜を有するバッチのウェハだけを用いた。
【００４１】
オーバーエッチとスプリッティングとの間の相関関係
図５は、ＡＷＧの各バッチのウェハで測定された全てのＡＷＧにわたって平均化された、「導波路コア＋オーバーエッチ深さ」の測定された全体高さＨＴ（μｍ単位）に対してプロットされた、各測定されたＡＷＧダイに関するチャネル２から３９における測定された平均スプリッティングのプロットである。チャネル１から４０の測定が、他のチャネルに関する一般的な傾向を誤って示す可能性がある、間違った結果をしばしば引き起こすことがあるので、チャネル１から４０の測定は、全てのダイにおいて行われなかった。全ての測定されたＡＷＧにおいて、コアの高さは、ほぼ６μｍであることが分かっている。シミュレーションおよび実験結果から、コア高さにおける変化は、実際にはスプリッティングに対して影響を与えないと考えてよい（以下を参照）。図５から明らかに分かるように、全体高さＨＴ（および、したがってオーバーエッチ深さ）が増加するとき、測定に対する最良の線形フィットは、正のスプリッティングから負のスプリッティングに横切る。コア高さが６μｍであると仮定すれば、このプロットは、ゼロのスプリッティングが、約３．０５μｍのオーバーエッチ深さで得られることを示す。図６は、オーバーエッチ深さに対するスプリッティングの変化に関する、対応するシミュレートされた結果のプロットである。３つの選択された各オーバーエッチ深さに関して、点が、上述された制限内で他のパラメータａ、ｂ、ｃ、ｅ、ｆ、ｇ、ｈの全ての異なる可能性がある値（シミュレーションソフトウエアが処理できる）についてプロットされた。シミュレーションで用いられたアレイピッチｈの値は、実験結果をモデルによって得られた結果に合わせるためのフィッティングパラメータとして用いられた。シミュレーションにおいてｈ＝１３．５５μｍの値が、図５および図６を比較することによって分かるように、２組の結果において良好な一致を達成することが見出された。
【００４２】
導波路幅とスプリッティングとの間の相関関係
図７は、ＡＷＧの各バッチのウェハにおいて測定された全てのＡＷＧにわたって平均化された、アレイ導波路のμｍで表したコア幅（ｃｄ）に対する（すなわち、ＡＷＧダイの基板平面に平行な方向における導波路コアの幅）、各測定されたＡＷＧダイに関してチャネル２から３９において測定された平均スプリッティングのプロットである。線形フィットの結果から、導波路幅の増加とともに、スプリッティングが、負のスプリッティングから正のスプリッティングに変化することが分かる。図８は、実験結果をシミュレートされた結果に合わせるためのフィッティングパラメータとして再びアレイピッチｈを用いる、３つの異なる導波路幅でのシミュレートされた結果のグラフである。各３つの選択された導波路コア幅に関して、点が、前述された制限内で他のパラメータａ、ｂ、ｃ、ｄ、ｆ、ｇ、ｈの（シミュレーションソフトウエアが処理できる）全ての異なる可能な値に関してプロットされている。再び、シミュレーションは、測定された結果に非常に近く一致する。
【００４３】
クラッド応力とスプリッティングとの間の相関関係
図９は、ＡＷＧの各バッチのウェハにおいて測定された全てのＡＷＧにわたって平均化された、アレイ導波路のクラッドにおける測定された応力に対する、各測定されたＡＷＧダイに関してチャネル２から３９における測定された平均スプリッティングのプロットである。横軸は、ＭＰａで表されたクラッドにおける測定された圧縮応力（−ｖｅ）または引張り応力（＋ｖｅ）を表すように較正された。これらの応力測定は、その上に導波路コアおよびクラッド層が形成されるウェハの反りを測定することによって得られた。線形フィットが、図９においてプロットされた点に対してさなれ、クラッド応力が、負のクラッド応力から正のクラッド応力（すなわち、圧縮応力から引張り応力）へ図示された範囲にわたって増加するとき、平均スプリッティングは、正のスプリッティングから負のスプリッティングに線形に変化することを示す。図１０は、対応するシミュレートされた結果を示す。３つの選択された各クラッド応力値に関して、シミュレーションが実行され、点が、前述の制限内で他のパラメータａ、ｂ、ｃ、ｄ、ｅ、ｆ、ｈの（シミュレーションソフトウエアが処理できる）全ての異なる可能な値に関してプロットされる。アレイピッチｈが、再びフィッティングパラメータとして用いられた。再びシミュレートされた結果は、実験結果と概して一致する。
【００４４】
コア応力とスプリッティングとの間の相関関係
図１１は、ＡＷＧの各バッチのウェハにおいて測定された全てのＡＷＧにわたって平均化された、アレイ導波路のコアにおける測定された応力に対する、各測定されたＡＷＧダイに関してチャネル２から３９における測定された平均スプリッティングのプロットである。横軸は、ＭＰａで表されたコアにおける測定された圧縮応力を表すように較正された。（コアにおける応力は、引張りではなく常に圧縮である。）応力測定は、（コア層から導波路コアを形成するためのエッチングステップの前に）上にコア層が堆積されたウェハの反りを測定することによって得られた。線形フィットが、図１１においてプロットされた点に対してさなれ、コア応力が、負のコア応力の図示された範囲にわたって減少するとき、平均スプリッティングは、正のスプリッティングから負のスプリッティングに線形に変化することを示す。図１２は、コア応力に対するスプリッティングのシミュレートされた結果の対応するフィットである。再び、点が、前述の制限内で他のパラメータａ、ｂ、ｃ、ｄ、ｅ、ｇ、ｈの（シミュレーションソフトウエアが処理できる）全ての異なる可能な値に関して記入（プロット）される。アレイピッチｈが、再びフィッティングパラメータとして用いられた。図１１および図１２と、図１０および図９とを比較することから、コア応力に対するスプリッティングにおける変化は、クラッド応力に対するスプリッティングにおける変化よりも小さいことが分かる。
【００４５】
スプリッティングと、コア屈折率、クラッド屈折率、およびコア高さとの間の相関関係
スプリッティングとコアの屈折率との間の相関関係、スプリッティングとクラッドの屈折率との間の相関関係、およびスプリッティングとコアの高さ（メサ上方）との間の相関関係を検討するために、シミュレーションおよび実際の測定が行われ、これらのパラメータにおける変化に対するスプリッティングの変化は、実際にゼロであるか、または図５から図１２の他のパラメータに対するスプリッティングの変化と比べて少なくともわずかであることが示された。コア高さにおける変化に対するスプリッティングの変化は、特に、実際にゼロであることが見出された。
【００４６】
スプリッティングと温度との間の相関関係
ＡＷＧダイの温度の変化に対するスプリッティングにおける変化の実験測定を行った。これらの測定の結果は、正の平均スプリッティング、負の平均スプリッティングを有するバッチのウェハに関して図１３から図１５にプロットされ、平均スプリッティングは、約４０℃で符号を変える。（前のように、各ＡＷＧの平均スプリッティングは、ＡＷＧダイのチャネル２から３９にわたる平均スプリッティングとして計算される。）これらのグラフは、正の平均スプリッティングおよび負の平均スプリッティングの両方に関して、スプリッティングと温度との間に線形関係が存在し、平均スプリッティングが温度とともに線形に増加することを明らかに示す。
【００４７】
他のパラメータの変化に対するスプリッティングに関して上で得られた測定およびシミュレートされた値は、全て室温、すなわち約２２℃で実行された。ほとんどのＡＷＧは、７０℃から８０℃の温度で動作するように構成される。図１３から図１５のグラフは、室温（２２℃）から動作温度（７５℃）までの温度の変化に対するスプリッティングの予測された増加が、ほぼ７．６ｐｍ±１．２ｐｍであることを示す。したがって、温度に対するスプリッティングにおける変化を補償するために、設計者は、オーバーエッチ深さ、クラッド応力、および／または導波路幅などの１つまたは複数の他の重要なパラメータにオフセットを組み込んで、ＡＷＧの通常の動作温度で所望のスプリッティング値が、達成されることを確実にしなければならないことが明らかである。図５から図１２のグラフにおいて、実線の直線は、−８ｐｍの推定される目標スプリッティングを示す。室温でのスプリッティングのこの値のために、動作温度で所望の（ゼロまたは最小値）スプリッティング値を与えなければならない。シミュレートされた結果および実験結果のグラフから、アレイピッチ（すなわち、アレイ導波路間の平均間隔）ｈ＝１２μｍである、−１０から０の範囲、好ましくは−５のクラッド応力に関して、および５．９０μｍから６．１０μｍの範囲、好ましくは約６．００μｍの導波路幅に関して、最小のスプリッティングを得るために、オーバーエッチ深さは、２．８μｍから３．２μｍの範囲内になければならないことを提案する。
【００４８】
結論
上述から、スプリッティングを最小にするために、オーバーエッチ深さに関して最適な値を選択することに加えて、任意に選択されたオーバーエッチ深さに関してスプリッティングをさらに最適化するために、導波路コア幅および／またはクラッド応力および／またはコア応力も選択できることが理解される。さらに、（正の）スプリッティングを減少させるために、オーバーエッチ深さおよび／または導波路幅および／またはクラッド応力またはコア応力の値を選択するときに、注意しなければならず、所望のゼロスプリッティング状態をオーバーシュートさせて負のスプリッティングを結果として生じる、大きすぎるオーバーエッチは選択されないと理解されたい。図５のグラフから、オーバーエッチの最適値は、約３μｍである。
【００４９】
アレイ導波路の平均間隔である設計パラメータｈが、スプリッティングに影響を与えることがさらに理解される。この平均間隔が増加するとき、スプリッティングが一般に減少することは知られている。したがって、ＡＷＧ設計者が、より大きなｈの値を用いることを選択する場合、ゼロまたは最小値のスプリッティングを維持するためにオーバーエッチの必要な深さは、減少する（導波路コア幅およびクラッド応力の同じ値に関して）。代わりにまたは追加して、ゼロまたは最小スプリッティングを維持するために、より大きなアレイピッチが用いられるなら、異なる導波路幅および／または異なるクラッド応力および／または異なるコア応力を用いることができる。シミュレーションから、設計パラメータｈの異なる値に関して、スプリッティングとオーバーエッチ深さとの間の変化は、実質的に線形関係から、非線形関係に変化する可能性があり、すなわち、オーバーエッチ深さに対するスプリッティングのプロットが、直線から曲線へ変化する可能性がある。
【図面の簡単な説明】
【図１ａ】  本発明の実施形態による集積化された光装置の一部の製造におけるプロセスステップの概略断面図である。
【図１ｂ】  本発明の実施形態による集積化された光装置の一部の製造におけるプロセスステップの概略断面図である。
【図１ｃ】  本発明の実施形態による集積化された光装置の一部の製造におけるプロセスステップの概略断面図である。
【図１ｄ】  本発明の実施形態による集積化された光装置の一部の製造におけるプロセスステップの概略断面図である。
【図１ｅ】  本発明の実施形態による集積化された光装置の一部の製造におけるプロセスステップの概略断面図である。
【図１ｆ】  本発明の実施形態による集積化された光装置の一部の製造におけるプロセスステップの概略断面図である。
【図２】  コンピュータモデリングによって予測される、様々な材料特性でのオーバーエッチ深さに対する複屈折のグラフである。
【図３】  実験によって得られた、オーバーエッチ深さに対する複屈折のグラフである。
【図４】  典型的なアレイ導波路格子（ＡＷＧ）の概略図である。
【図５】  導波路コアのマイクロメータで表した＋オーバーエッチ深さに対する、ナノメータで表した平均波長スプリッティングを示す実験結果のグラフである。
【図６】  マイクロメータで表されたオーバーエッチ深さに対する、ナノメータで表したスプリッティングにおける変化を示すシミュレートされた結果のプロットである。
【図７】  マイクロメータで表したアレイ導波路のコア幅に対する、ナノメータで表した平均波長スプリッティングの実験結果を示す。
【図８】  マイクロメータで表したコア幅に対する、３つの異なる波長でのナノメータで表した波長スプリッティングのシミュレートされた結果を示す。
【図９】  Ｍｐａで表したアレイ導波路の（オーバー）クラッドにおける測定された応力に対する、ナノメータで表した平均波長スプリッティングの実験結果を示す。
【図１０】  図９の実験結果に対応するシミュレートされた結果を示す。
【図１１】  Ｍｐａで表した測定された応力に対する、ナノメータで表した測定された平均波長スプリッティングを示す。
【図１２】  図１１の実験結果に対応するシミュレートされた結果を示す。
【図１３】  異なるウェハのバッチに関して、温度に対する、波長のスプリッティング変化に対するシミュレートされた結果を示す。
【図１４】  異なるウェハのバッチに関して、温度に対する、波長のスプリッティング変化に対するシミュレートされた結果を示す。
【図１５】  異なるウェハのバッチに関して、温度に対する、波長のスプリッティング変化に対するシミュレートされた結果を示す。
【図１ａ】
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【図１ｂ】
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【図１ｃ】
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【図１ｄ】
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【図１ｅ】
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【図１ｆ】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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