(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
遮光層と、
前記遮光層上に設けられ、前記遮光層と重畳する開口部を有する絶縁層と、
前記絶縁層上に設けられた第１の発光素子と、
前記開口部と重畳して設けられた第２の発光素子と、を有し、
前記第２の発光素子は、
前記開口部において前記遮光層と接する第１の電極と、
前記第１の電極上に設けられた発光層と、
前記発光層上に設けられ、反射性又は遮光性を有する第２の電極と、を有し、
前記第１の発光素子は画素部に設けられ、
前記第２の発光素子はモニタ素子部に設けられていることを特徴とする表示装置。
【請求項２】
請求項１において、
前記開口部の端部を覆う配線パターンを有することを特徴とする表示装置。
【請求項３】
基板上に半導体層と、
前記半導体層上にゲート電極と、
前記基板上に遮光層と、
前記遮光層上と前記ゲート電極上に設けられ、かつ前記半導体層に達するコンタクトホール及び前記遮光層と重畳する開口部を有する絶縁層と、
前記コンタクトホールを介して前記半導体層と電気的に接続されるソース電極又はドレイン電極と、
前記開口部の端部を覆う配線パターンと、
前記絶縁層上に設けられた第１の発光素子と、
前記開口部と重畳して設けられた第２の発光素子と、を有し、
前記第２の発光素子は、
前記開口部において前記遮光層と接し、前記配線パターンの端部を覆う第１の電極と、  前記第１の電極上に設けられた発光層と、
前記発光層上に設けられ、反射性又は遮光性を有する第２の電極と、を有し、
前記第１の発光素子は画素部に設けられ、
前記第２の発光素子はモニタ素子部に設けられていることを特徴とする表示装置。
【請求項４】
請求項３において、
前記第１の電極の端部を覆う隔壁を有し、
前記発光層は、前記隔壁で囲まれ、かつ前記第１の電極の表面が露出している領域に設けられていることを特徴とする表示装置。
【請求項５】
請求項１乃至請求項４のいずれか一項において、
前記第１の電極は透光性を有することを特徴とする表示装置。
【請求項６】
開口部を有する絶縁層と、
前記絶縁層上に設けられた第１の発光素子と、
前記開口部と重畳して設けられた第２の発光素子と、を有し、
前記第２の発光素子は、
前記開口部に設けられ、反射性又は遮光性を有する第１の電極と、
前記第１の電極上に設けられた発光層と、
前記発光層上に設けられ、遮光層を有する第２の電極と、を有し、
前記第１の発光素子は画素部に設けられ、
前記第２の発光素子はモニタ素子部に設けられていることを特徴とする表示装置。
【請求項７】
請求項６において、
前記第２の電極は、
透光性を有する材料で設けられた膜と、
前記透光性を有する材料で設けられた膜上に設けられた前記遮光層と、を有することを特徴とする表示装置。
【請求項８】
請求項７において、
前記第１の発光素子は、
前記第１の電極と同じ材料で設けられた第３の電極と、
前記透光性を有する材料で設けられた第４の電極と、を有することを特徴とする表示装置。
【請求項９】
請求項１乃至請求項８のいずれか一項において、
前記第２の発光素子の特性変化に応じて、前記第１の発光素子の特性変化による影響を補正する補正回路を有することを特徴とする表示装置。
【請求項１０】
遮光層を選択的に形成し、
前記遮光層と重畳する部分に開口部を有する絶縁層を、前記遮光層上に形成し、
前記絶縁層上に第１の電極と、前記開口部において前記遮光層と接する第２の電極と、を形成し、
前記第１の電極上に第１の発光層と、前記第２の電極上に第２の発光層と、を形成し、
前記第１の発光層上に反射性又は遮光性を有する第３の電極と、前記第２の発光層上に反射性又は遮光性を有する第４の電極と、を形成することによって、
前記第１の電極、前記第１の発光層、及び前記第３の電極を有する第１の発光素子を画素部に形成し、前記第２の電極、前記第２の発光層、及び前記第４の電極を有する第２の発光素子をモニタ素子部に形成することを特徴とする表示装置の作製方法。
【請求項１１】
基板上に半導体層を形成し、
前記基板上に遮光層と、前記半導体層上にゲート電極と、を選択的に形成し、
コンタクトホール、及び前記遮光層と重畳する部分に開口部を有する絶縁層を、前記遮光層上と前記ゲート電極上に形成し、
前記コンタクトホールを介して前記半導体層と電気的に接続されるソース電極又はドレイン電極と、前記開口部の端部を覆う配線パターンと、を形成し、
前記絶縁層上に第１の電極と、前記開口部において前記遮光層と接し、かつ前記配線パターンの端部を覆う第２の電極と、を形成し、
前記第１の電極上に第１の発光層と、前記第２の電極上に第２の発光層と、を形成し、
前記第１の発光層上に反射性又は遮光性を有する第３の電極と、前記第２の発光層上に反射性又は遮光性を有する第４の電極と、を形成することによって、
前記第１の電極、前記第１の発光層、及び前記第３の電極を有する第１の発光素子を画素部に形成し、前記第２の電極、前記第２の発光層、及び前記第４の電極を有する第２の発光素子をモニタ素子部に形成することを特徴とする表示装置の作製方法。
【請求項１２】
請求項１１において、
前記ソース電極又は前記ドレイン電極は反射性又は遮光性を有し、
前記配線パターンは反射性又は遮光性を有することを特徴とする表示装置の作製方法。
【請求項１３】
開口部を有する絶縁層を形成し、
前記絶縁層上に反射性又は遮光性を有する第１の電極と、前記開口部に反射性又は遮光性を有する第２の電極と、を形成し、
前記第１の電極上に第１の発光層と、前記第２の電極上に第２の発光層と、を形成し、
前記第１の発光層上に透光性を有する第１の膜と、前記第２の発光層上に透光性を有する第２の膜と、を形成し、
前記透光性を有する第２の膜上に遮光層を形成することによって、
前記第１の電極、前記第１の発光層、及び前記透光性を有する第１の膜を有する第１の発光素子を画素部に形成し、前記第２の電極、前記第２の発光層、前記透光性を有する第２の膜、及び前記遮光層を有する第２の発光素子をモニタ素子部に形成することを特徴とする表示装置の作製方法。
【請求項１４】
請求項１３において、
前記絶縁層に、前記開口部を形成するとともにコンタクトホールを形成し、
前記コンタクトホールに、前記第１の電極と電気的に接続されるソース電極又はドレイン電極を形成することを特徴とする表示装置の作製方法。          
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、表示装置およびその作製方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、画素部にエレクトロルミネッセンス素子（以下、ＥＬ素子）を用いたＥＬディスプレイの実用化に向け、開発が進められている。特に、有機ＥＬ素子を用いたものにおいては、無機ＥＬ素子に比べて駆動電圧が低く、従来フラットパネルディスプレイで主に用いられている液晶素子と同等の駆動電圧での運用が可能である。具体的には液晶ディスプレイに対し、自発光型ゆえにバックライトを必要とせず、色再現性の高さ等から、次世代フラットパネルディスプレイのキーテクノロジーとしての期待は大きい。
【０００３】
一方、有機ＥＬ素子は、無機ＥＬ素子に比べて特性変動が大きいという課題を有している。具体的には、環境温度の変化に対する可逆的な特性変化や、水分等による素子劣化といった不可逆的な特性変化である。広範囲にわたる使用環境、十分な商品のライフサイクルにおいて、一定の輝度特性を確保するためには、このような特性変化に対し何らかの補正手段を必要とする。
【０００４】
前述の特性変化に対する補正手段の一例としては、有機ＥＬ素子に供給される電流値を一定にするといった手法が挙げられる。これは、有機ＥＬ素子においては、素子に印加する電圧と、素子を流れる電流の関係は非線形であるが、素子を流れる電流と、素子が発光する輝度はほぼ線形であり、輝度を一定にするための制御として比較的容易な点が利点である。
【０００５】
そういった補正手段の一例としては、画素部として形成された有機ＥＬ素子の近傍に、電流値をモニタするための有機ＥＬ素子（以下、モニタ素子）を形成し、モニタ素子に流れる電流値が一定となるように、有機ＥＬ素子の電流供給線の電源電位を制御する手段が提案されている（特許文献１参照）。
【特許文献１】特開２００３−３３０４１９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
前述のように、輝度の補正手段としてモニタ素子を含むモニタ素子部を用いる場合の表示装置の構成の一例を図２（Ａ）〜（Ｃ）に示す。図２（Ａ）〜（Ｃ）に示す表示装置は、基板上に薄膜トランジスタ（以下、ＴＦＴ）群を用いてなる周辺回路２００と、画素部２２０、モニタ素子部２１０を一体形成したものである。
【０００７】
図２（Ａ）〜（Ｃ）において、点線枠２０で示される領域には、ＴＦＴ２０１、２０２等でなる周辺回路が設けられており、点線枠２１で示される領域には、ＴＦＴ２１１、モニタ素子２１２等でなるモニタ素子部が設けられており、点線枠２２で示される領域には、ＴＦＴ２２１、発光素子２２２等でなる画素部が設けられている。これらは、例えばガラス、プラスチック等の透光性を有する材料でなる基板２５０上に形成される。なお、基板２５０上には、下地膜２５１等が形成されていても良い。
【０００８】
また、基板２５０上に形成された周辺回路２００は、フレキシブルプリント基板（ＦＰＣ）を端子２９０上に貼付け、ＦＰＣを介して外部より入力される制御信号群によって駆動される。
【０００９】
モニタ素子２１２、発光素子２２２は、ＥＬ素子の陽極に該当する画素電極２１３、２２３、発光層２１４、２２４、ＥＬ素子の陰極に該当する対向電極２１５、２２５をそれぞれ有する。また、発光層から得られる放射光を、画素電極２１３、２２３側に取り出す場合には、画素電極２１３、２２３は透光性を有する材料で形成され、対向電極２１５、２２５は遮光性を有する材料で形成される。一方、放射光を、対向電極２１５、２２５側に取り出す場合には、画素電極２１３、２２３は遮光性を有する材料で形成され、対向電極２１５、２２５は透光性を有する材料で形成される。ここでは、前者の場合を、基板の下面方向に光を取り出すことから下面放射、後者の場合を、基板の上面方向に光を取り出すことから上面放射と表記する。
【００１０】
なお、上記の構成に加え、それぞれ遮光性を有する材料で形成される電極に反射性を持たせることで、発光層からの光取り出し効率を向上させることができ、さらに好適といえる。
【００１１】
モニタ素子を設けて輝度の補正を行う場合、モニタ素子には常に、あるいは所望の発光デューティ比をもって電流が供給されるため、画素部の表示に関係なく発光する場合がある。すなわち、モニタ素子の発光は表示に関係ない発光であるから、何らかの遮光手段を必要とする。
【００１２】
遮光手段の一例としては、図２（Ｂ）に示すとおり、周辺回路を形成する際、ＴＦＴのゲート電極の形成に用いられる膜や、ソース配線及びドレイン配線等の形成に用いられる膜を利用して、モニタ素子を形成する領域に遮光層２１６を設ける構成等が挙げられる。下面放射の場合、基板の下面方向に放射された光は、遮光層２１６によって遮られ、外側には現れない。このとき、対向電極２１５は遮光性を有する材料にて形成されており、基板の上面側にも光が漏れることは無い。
【００１３】
また、上面放射の場合、図２（Ｃ）に示すとおり、対向電極２３５を透光性のある材料で形成される膜２３１と、遮光性を有する材料で形成される膜２３２の積層構造とすることで、モニタ素子が設けられた領域に選択的に遮光層を形成することが出来る。
【００１４】
しかし、図２（Ａ）〜（Ｃ）に示した構成によると、基板２５０の上面、下面側に対しては遮光層によって良好な遮光がなされるが、矢印２９１で示したような経路から光が漏れる。つまり、ＴＦＴを形成するＳｉ膜、ゲート電極、配線等の各層間に形成される絶縁層を通り、モニタ素子の周辺に形成された配線や遮光層等に反射して、モニタ素子部分の発光が水平方向に通り抜けてくる場合がある。この光漏れが表示に影響しないようにするには、モニタ素子の周辺に形成された配線や遮光層等に反射しながら絶縁層を水平方向に通り抜けてくる段階で十分に減衰するよう、モニタ素子部と画素部との配置には、水平方向に十分な距離を設け、また、十分に広範囲に遮光層を設ける必要がある。
【００１５】
一方で、画素部とモニタ素子部とは、双方の発光層として用いているＥＬ素子の特性変動の振る舞いが極力等しくなるよう、近接して配置される必要がある。画素部とモニタ素子部との間に距離がある場合、発光層の形成工程のばらつき等の影響が大きくなり、正確な輝度の補正が困難になってしまう。さらに、表示装置のサイズ上の問題や、素子のレイアウト上の都合により、画素部とモニタ素子部との間には十分な距離が確保出来ない場合も考えられる。
【００１６】
故に、モニタ素子における放射光の遮光が十分でなく、画素部に光漏れを生じてしまうことになり、表示品質の低下を招いてしまう。
【００１７】
本発明は、以上の課題に鑑み、画素部とモニタ素子部を近接して配置し、正確な輝度補正と画素部、モニタ素子部、周辺回路の十分な高集積化を実現し、かつ基板の水平方向に対しても良好な遮光特性を確保できる表示装置およびその作製方法を提供するものである。
【課題を解決するための手段】
【００１８】
基板に対して水平方向に光漏れが発生するのは、モニタ素子周辺の構成において、遮光層として用いている膜と、画素電極との間に、透光性を有する１層以上の絶縁層が形成されており、モニタ素子の発光層から放射された光がこの絶縁層を通って、基板に対して水平方向に漏れ出してくるためである。そこで本発明においては、モニタ素子の発光層と重畳する領域に形成された絶縁層をパターニングによって除去して凹部を形成し、この領域に発光層、画素電極、対向電極を含む発光素子を落とし込み、発光層を遮光層と対向電極で封止する構成とする。モニタ素子部におけるモニタ素子の構成をこのようにすることで、基板に対して上下方向のみならず、水平方向に対しても発光層から放射された光が漏れ出す経路を無くすことが出来るため、モニタ素子部と画素部との間に距離が無い場合であっても、良好な遮光特性を得ることが出来る。
【発明の効果】
【００１９】
本発明によれば、画素部とモニタ素子部との間に距離を設け、基板に対して水平方向に遮光層を延長することなく、モニタ素子周辺の遮光を良好にすることを可能とする。また、結果として画素部により近い領域にモニタ素子部を配置することが出来るため、画素部およびモニタ素子部におけるＥＬ素子の特性をより近づけ、前述の輝度補正等をより良好に行うことが出来る。以上２点によって、モニタ素子の光漏れの影響を受けない良好な表示と、より正確な輝度補正による良好な表示を得ることが可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２０】
以下、本発明の実施の態様、および実施例につき、図面を参照して説明する。なお、本発明は多くの異なる態様にて実施することが可能であり、本発明の趣旨およびその範囲から逸脱することなくその形態および詳細を様々に変更し得ることは、当業者であれば容易に理解される。したがって本発明は、本実施の形態における記載内容に限定して解釈されるものではない。なお、以下に示す図面において、同一部分または同様な機能を有する部分であって、説明上支障が無いと判断される部分については同一の符号を付し、その繰り返しの説明は省略する。
【００２１】
（実施の形態１）
図１（Ａ）は、本発明を実施するための一態様について示した図である。点線枠１０で示される領域には、ＴＦＴ１０１、発光素子であるモニタ素子１０２等でなるモニタ素子部が設けられており、点線枠１１で示される領域には、ＴＦＴ１１１、発光素子１１２等でなる画素部が設けられている。これらは、例えばガラス、プラスチック等の透光性を有する材料でなる基板１５０上に形成される。なお、基板１５０上には、下地膜１５１、ゲート絶縁膜１５２等が形成されていても良い。また、従来技術にて示した図２において表記されていた周辺回路２００は、図１では特に表記しないが、モニタ素子部、画素部の周辺に設けられていても良い。
【００２２】
図１（Ａ）におけるモニタ素子部を更に拡大したものを図１（Ｂ）に示す。ＴＦＴ１０１の形成と同時に、ゲート電極を形成する膜を用いて遮光層１２１が形成される。その後、絶縁層として層間膜１２５を形成し、コンタクトホールを開口して配線１２７、１２８が形成される。このとき、コンタクトホール形成と同時に、モニタ素子１０２が形成されるべき領域、すなわち先に遮光層１２１が形成された領域に重畳して形成された層間膜１２５の除去を行う。続いて画素電極１２２が形成され、発光層を分離するための隔壁１２６が形成される。隔壁１２６が開口された領域には、発光層１２３が形成され、最後に対向電極１２４が形成される。
【００２３】
モニタ素子１０２が形成される領域は、層間膜１２５の除去により凹部が形成される。その後、画素電極１２２、発光層１２３、対向電極１２４でなる発光素子が形成されることにより、発光層１２３と遮光層１２１との距離が極めて近づいた構成となる。モニタ素子１０２の形状をこのようにすることで、発光層１２３から放射される光が、反射または散乱によってモニタ素子の周囲に漏れ出る経路を無くすことが出来る。
【００２４】
図１（Ａ）（Ｂ）では、下面放射の場合について図示し説明を行ったが、上面放射の場合にも同様の構成とすることで、モニタ素子部におけるモニタ素子からの光漏れを防止することが可能である。図１（Ｃ）に上面放射の場合の構成を示すが、対向電極１２４を、透光性を有する材料で形成される膜１２４ａと、遮光性を有する材料で形成される遮光層１２４ｂの積層構造とすることで、モニタ素子が設けられた領域に選択的に遮光層を形成することが出来る。このとき、図１（Ｂ）にて、基板１５０側へ放射される光の遮光に用いていた遮光層１２１については、上面放射の場合には特に設けなくとも良い。
【００２５】
画素部については図１（Ｃ）では特に図示していないが、発光素子の対向電極は透光性を有する材料で形成される膜１２４ａのみにて形成し、上面方向に発光層から放射される光を取り出す必要がある。
【００２６】
モニタ素子部におけるモニタ素子を図１（Ｂ）に示したような構成とすることにより、発光層１２３と遮光層１２１間の距離を極めて小さく形成することが出来るため、放射光の反射、散乱によるモニタ素子の周囲への光もれを抑制することが可能となる。
【００２７】
また、上面放射の場合に好適な図１（Ｃ）に示したような構成とすることにより、発光層１２３から、基板１５０に対し水平な方向には、反射性若しくは遮光性を有する材料でなる画素電極１２２と、遮光層１２４ｂを含む対向電極１２４によって光もれを遮断することが出来るため、より効果的に光もれの抑制が実現する。
【００２８】
（実施の形態２）
図３（Ａ）（Ｂ）は、図１（Ｂ）に示した構成の異なる一態様を示したものである。上面放射方式の場合、反射性若しくは遮光性を有する材料でなる画素電極と、遮光層を含む対向電極によって、発光層が水平方向にも囲まれる形になっている（図１（Ｃ）に示したとおり）。下面放射方式の場合、図１（Ｂ）に示した構成では、発光層の水平方向には透光性を有する材料でなる画素電極のみとなっており、やや光もれの抑制に対し不十分な可能性がある。
【００２９】
その対策としては、水平方向に遮光性を有する材料を用いて構造体を形成する方法が挙げられる。以下に、図３（Ａ）（Ｂ）を用いて詳細に説明する。
【００３０】
図３（Ａ）は上面よりモニタ素子部を見た場合の構成を示しており、図３（Ａ）中、Ａ−Ａ’で示す線における断面構成を図３（Ｂ）に示している。
【００３１】
図３（Ａ）（ｉ）に示すとおり、ＴＦＴ３０１を形成した後、層間膜３１２を形成し、所望の領域を開口する。ここでは、ＴＦＴ３０１のソース領域及びドレイン領域と接続される箇所および、後にモニタ素子が形成される領域、すなわち遮光層３１１に重畳する領域を開口する（図３（Ａ）では、遮光層３１１上の開口部端部を点線枠３０２で示す）。その後、配線材料にてＴＦＴのソース電極及びドレイン電極を形成するが、同時に、層間膜３１２の開口部（先に点線枠３０２で示した部分）を覆うように配線パターン３１３を形成する。
【００３２】
続いて、図３（Ａ）（ｉｉ）に示すとおり、遮光層３１１に重畳し、かつ配線パターン３１３の内周を覆うように、画素電極３１４を形成する。
【００３３】
その後、画素電極３１４の端部を覆うように隔壁３１５を形成し、隔壁３１５で囲まれ、かつ画素電極３１４表面が露出している領域に、発光層３１６を形成する（図３（Ａ）（ｉｉｉ））。最後に、対向電極３１７を形成し、図３（Ｂ）に示す構成となる。
【００３４】
この構成によると、発光層３１６から放射される光は、その大部分が遮光層３１１と対向電極３１７によって遮光されるが、水平方向にわずかにもれ出た光は、層間膜３１２の開口部端部周辺に設けられた配線パターン３１３によって遮光され、より良好な遮光特性が実現する。
【００３５】
以上、実施形態について説明したが、本発明には以下の形態を含むものであることを付記する。
【００３６】
一対の電極間に発光層を有する発光素子を複数個備えた表示装置であって、単一層又は複数の層で形成された絶縁層と、絶縁層上に形成された第１の発光素子と、絶縁層の下層側に選択的に形成された遮光層と、単一層又は複数の層で形成された絶縁層の内、少なくとも一つの層によって形成された開口部と重畳して設けられた第２の発光層とを有し、第２の発光素子の一方の電極が前記開口部の底部に配置され、第２の発光素子の他方の電極は、反射性若しくは遮光性を有する。
【００３７】
透光性を有する第１の電極と、発光層と、反射性若しくは遮光性を有する第２の電極とが順に積層された発光素子を複数個備えた表示装置であって、単一層又は複数の層で形成された絶縁層と、絶縁層上に形成された第１の発光素子と、絶縁層の下層側に選択的に形成された遮光層と、単一層又は複数の層で形成された絶縁層の内、少なくとも一の層によって形成された開口部と重畳して設けられた第２の発光素子とを有し、第２の発光素子の一方の電極（第１の電極）が前記開口部の底部で遮光層と重なるように配置されている第２の発光素子とを有する。
【００３８】
反射性若しくは遮光性を有する第１の電極と、発光層と、透光性を有する第２の電極とが順に積層された発光素子を複数個備えた表示装置であって、単一層又は複数の層で形成された絶縁層と、絶縁層上に形成された第１の発光素子と、単一層又は複数の層で形成された絶縁層の内、少なくとも一の層によって形成された開口部と重畳して設けられた第２の発光素子とを有し、第１の電極が開口部の底部側に配置され、第２の発光素子の第２の電極電極上に遮光層が形成される。
【００３９】
上記の表示装置において、絶縁層に形成された開口部の周縁部は、少なくとも可視光に対して反射性若しくは遮光性を有する材料で被覆されている。
【００４０】
遮光層を選択的に形成し、遮光層上に単層あるいは複層でなる絶縁層を形成し、前記遮光層に重畳する部分の絶縁層を除去して開口部を形成し、絶縁層上に第１の電極、及び開口部の遮光層と重畳する部分に第２の電極をそれぞれ形成し、第１の電極上に第１の発光層、及び第２の電極上に第２の発光層をそれぞれ形成し、第１の発光層及び第２の発光層上に、反射性若しくは遮光性を有する第３の電極及び第４の電極をそれぞれ形成することを特徴とする。
【００４１】
遮光層を選択的に形成し、遮光層上に単層あるいは複層でなる絶縁層を形成し、遮光層に重畳する部分の絶縁層を除去して開口部を形成し、開口部の周縁部を反射性若しくは遮光性を有する膜で被覆し、絶縁層上に第１の電極、及び開口部の遮光層に重畳し、かつ膜の端部を覆うように第２の電極をそれぞれ形成し、第１の電極上に第１の発光層、及び第２の電極上に第２の発光層をそれぞれ形成し、第１の発光層及び第２の発光層上に、反射性若しくは遮光性を有する第３の電極及び第４の電極をそれぞれ形成することを特徴とする。
【００４２】
単層あるいは複層でなる絶縁層を形成し、絶縁層を除去して開口部を形成し、絶縁層上及び前記開口部に、反射性若しくは遮光性を有する第１の電極及び第２の電極をそれぞれ形成し、第１の電極上に第１の発光層、及び第２の電極上に第２の発光層をそれぞれ形成し、第１の発光層上に第３の電極、及び第２の発光層上に第４の電極をそれぞれ形成し、第４の電極上に遮光層を形成することを特徴とする。
【実施例１】
【００４３】
本発明の構成を具備した表示装置の形成について、図面を参照して説明する。ここでは図４（Ａ）（Ｂ）を用いて、各工程に従い、順に説明する。なお、図４（Ａ）（Ｂ）にはモニタ素子部のみ断面図を示しているが、周辺回路を構成するＴＦＴ群、配線等は、モニタ素子部に含まれるＴＦＴ作成工程と同時に形成されれば良く、画素部についても同様であるので、ここでは特に図示しない。
【００４４】
図４（Ａ）は、下面放射方式による表示装置の断面図を示しており、図４（Ｂ）は上面放射方式の表示装置の断面図を示している。双方で同一の構成をとる場合、図番は同一として表記した。以下、双方の図に従い、説明する。
【００４５】
絶縁表面を有する基板４０１には、ガラス基板、石英基板等を用いることが出来る。作製工程における処理温度に耐え得るのであれば、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）等のプラスチックやアクリル等の可撓性を有する合成樹脂からなる基板を用いることができる。なお、上面放射方式の表示装置を作製する場合、基板４０１に透光性は求められないので、ステンレス基板等を用いても良い。
【００４６】
まず、基板４０１上に下地膜４０２を形成する。下地膜４０２には、酸化珪素や、窒化珪素、窒化酸化珪素などの絶縁膜を用いることができる。次に、下地膜４０２上に非晶質半導体膜を形成する。非晶質半導体膜の膜厚は２５ｎｍ〜１００ｎｍとする。また非晶質半導体は珪素だけではなくシリコンゲルマニウムも用いることができる。続いて、必要に応じて非晶質半導体膜を結晶化し、結晶性半導体膜を形成する。結晶化する方法は、加熱炉、レーザ照射、若しくはランプから発する光の照射、又はそれらを組み合わせて用いることができる。例えば、非晶質半導体膜に金属元素を添加し、加熱炉を用いた加熱処理を行うことによって結晶性半導体膜を形成する。このように、金属元素を添加することにより、低温で結晶化できるため好適である。
【００４７】
なお、結晶性半導体で形成されるＴＦＴは、非晶質半導体で形成されたＴＦＴよりも電界効果移動度が高く、オン電流が大きいため、半導体装置に用いるトランジスタとしてより適している。
【００４８】
次に、結晶性半導体膜を所定の形状にパターニングし、ＴＦＴの活性層となる島状の半導体膜４０３を得る。次に、ゲート絶縁膜として機能する絶縁膜４０４を形成する。絶縁膜４０４は、半導体膜を覆うように、厚さを１０〜１５０ｎｍとして形成される。例えば、酸化窒化珪素膜、酸化珪素膜等を用いることができ、単層構造または積層構造としてもよい。
【００４９】
次に、ゲート絶縁膜上に、ゲート電極として機能する導電膜４０５を形成する。ゲート電極は、単層であっても積層であってもよい。導電膜４０５はＴａ、Ｗ、Ｔｉ、Ｍｏ、Ａｌ、Ｃｕから選ばれた元素、またはこれらの元素を主成分とする合金材料もしくは化合物材料で形成する。同時に、下面放射方式の場合、同時にモニタ素子からの光を遮光するための遮光層４０６を形成する。上面放射方式の場合、特にこの遮光層４０６は必要無いが、形成しても構わない。ただし、図４（Ｂ）では図示していない。
【００５０】
次に、ゲート電極をマスクとして不純物元素を添加して、不純物領域を形成し、ＴＦＴ４０７とする。このとき、高濃度不純物領域に加えて、低濃度不純物領域を形成してもよい。低濃度不純物領域は、ＬＤＤ（Ｌｉｇｈｔｌｙ  Ｄｏｐｅｄ  Ｄｒａｉｎ）領域と呼ばれる。
【００５１】
次に、絶縁膜でなる層間膜４０８を形成する。層間膜４０８は、有機材料又は無機材料を用いて形成することが好適である。有機材料としては、ポリイミド、アクリル、ポリアミド、ポリイミドアミド、ベンゾシクロブテン、シロキサンを用いることができる。シロキサンとは、シリコン（Ｓｉ）と酸素（Ｏ）との結合で骨格構造が構成される。置換基として、少なくとも水素を含む有機基（例えばアルキル基、芳香族炭化水素）が用いられる。置換基として、フルオロ基を用いてもよい。または置換基として、少なくとも水素を含む有機基と、フルオロ基とを用いてもよい。無機材料としては、酸化珪素（ＳｉＯｘ）、窒化珪素（ＳｉＮｘ）、酸化窒化珪素（ＳｉＯｘＮｙ）（ｘ＞ｙ）、窒化酸化珪素（ＳｉＮｘＯｙ）（ｘ＞ｙ）（ｘ、ｙは自然数）等の酸素、又は窒素を有する絶縁膜を用いることができる。なお、有機材料からなる膜は、平坦性が良好な一方で、有機材料により、水分や酸素が吸収されてしまう。これを防止するため、有機材料からなる絶縁膜上に、無機材料を有する絶縁膜を形成するとよい。
【００５２】
また、ここで形成される層間膜４０８は、表面の平坦性を向上させるため、ある程度の膜厚、具体的には５００ｎｍ〜１μｍ程度の膜厚をもって形成されることが好ましい。さらに、遮光層４０６に重畳する領域の層間膜４０８は後に除去されるが、層間膜４０８にある程度の膜厚を与えることにより、層間膜４０８が形成された領域と、層間膜４０８が除去された領域に適当な段差が生ずる。これにより、図４（Ａ）（Ｂ）に示すように、モニタ素子における発光層を、当該箇所に落とし込む構造を好適に形成し、発光素子の遮光性を向上させることが出来る。したがって、前記範囲に加え、発光素子を形成する積層構造、すなわち画素電極、発光層、対向電極の積層膜厚よりも厚いことがより好ましい。ただし、層間膜４０８によって形成される段差が大きい場合には、後に形成される画素電極の段切れを生ずる原因となるため、このような現象が生じないよう、適宜膜厚を決定して構わない。
【００５３】
次に、層間膜４０８にコンタクトホールを形成する。同時に、遮光層４０６に重畳する領域の層間膜４０８を除去する。この領域には後に発光素子が形成される。なお、上面放射方式の場合においても、同様の領域の層間膜４０８を除去する。その後、ＴＦＴ４０７のソース配線及びドレイン配線として機能する導電膜４０９を形成する。導電膜４０９は、アルミニウム（Ａｌ）、チタン（Ｔｉ）、モリブデン（Ｍｏ）、タングステン（Ｗ）もしくはシリコン（Ｓｉ）の元素からなる膜又はこれらの元素を用いた合金膜を用いることができる。本実施の形態では、チタン膜、窒化チタン膜、チタン−アルミニウム合金膜、チタン膜の積層膜を形成する。
【００５４】
次に、画素電極４１０を形成する。画素電極４１０は、導電膜４０９と一部が重畳するように形成し、電気的接続を得る。ここでは図示していないが、導電膜４０９の形成後、層間膜を形成し、導電膜４０９と電気的接続を得る箇所にコンタクトホールを開口した後、画素電極４１０を形成しても良い。画素電極４１０の材料としては、仕事関数の大きい（仕事関数４ｅＶ以上）金属、合金、電気伝導性化合物、およびこれらの混合物などの導電性材料を用いることが好ましい。導電性材料の具体例としては、酸化タングステンを含むインジウム酸化物（ＩＷＯ）、酸化タングステンを含むインジウム亜鉛酸化物（ＩＷＺＯ）、酸化チタンを含むインジウム酸化物（ＩＴｉＯ）、酸化チタンを含むインジウム錫酸化物（ＩＴＴｉＯ）などを用いることができる。勿論、インジウム錫酸化物（ＩＴＯ）、インジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）、酸化ケイ素を添加したインジウム錫酸化物（ＩＴＳＯ）なども用いることができる。
【００５５】
導電性材料の組成比例は次の通りである。酸化タングステンを含むインジウム酸化物の組成比は、酸化タングステン１ｗｔ％、インジウム酸化物９９ｗｔ％とすればよい。酸化タングステンを含むインジウム亜鉛酸化物の組成比は、酸化タングステン１ｗｔ％、酸化亜鉛０．５ｗｔ％、インジウム酸化物９８．５ｗｔ％とすればよい。酸化チタンを含むインジウム酸化物は、酸化チタン１ｗｔ％〜５ｗｔ％、インジウム酸化物９９ｗｔ％〜９５．０ｗｔ％とすればよい。インジウム錫酸化物（ＩＴＯ）の組成比は、酸化錫１０ｗｔ％、インジウム酸化物９０ｗｔ％とすればよい。インジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）の組成比は、酸化亜鉛１１ｗｔ％、インジウム酸化物８９ｗｔ％とすればよい。酸化チタンを含むインジウム錫酸化物の組成比は、酸化チタン５ｗｔ％、酸化錫１０ｗｔ％、インジウム酸化物８５ｗｔ％とすればよい。上記組成比は例であり、適宜その組成比の割合は設定すればよい。
【００５６】
なお、ここで画素電極４１０に好適な材料として挙げた材料はいずれも透光性を有する材料であるが、図４（Ｂ）に示す上面放射方式の場合、画素電極４１０は反射性を有することが好ましい。よって、例えば他の金属膜と前述の仕事関数の大きい材料との積層膜にて形成し、画素電極４１０の最表面に前述の仕事関数の大きい材料がくるように形成すると好ましい。
【００５７】
次に、蒸着法、またはインクジェット法により、発光層４１１を形成する。発光層４１１は、有機材料、又は無機材料を有し、電子注入層（ＥＩＬ）、電子輸送層（ＥＴＬ）、発光層（ＥＭＬ）、正孔輸送層（ＨＴＬ）、正孔注入層（ＨＩＬ）等を適宜組み合わせて構成される。なお各層の境目は必ずしも明確である必要はなく、互いの層を構成している材料が一部混合し、界面が不明瞭になっている場合もある。
【００５８】
なお、発光層４１１は、正孔注入輸送層、発光層、電子注入輸送層など、機能の異なる複数の層を用いて構成することが好ましい。
【００５９】
なお、正孔注入輸送層は、ホール輸送性の有機化合物材料と、その有機化合物材料に対して電子受容性を示す無機化合物材料とを含む複合材料で形成することが好ましい。このような構成とすることで、本来内在的なキャリアをほとんど有さない有機化合物に多くのホールキャリアが発生し、極めて優れたホール注入性・輸送性が得られる。この効果により、従来よりも駆動電圧を低くすることができる。また、駆動電圧の上昇を招くことなく正孔注入輸送層を厚くすることができるため、ゴミ等に起因する発光素子の短絡不良も抑制することができる。
【００６０】
なお、ホール輸送性の有機化合物材料としては、例えば、銅フタロシアニン（略称：ＣｕＰｃ）、バナジルフタロシアニン（略称：ＶＯＰｃ）、４，４’，４’’−トリス（Ｎ，Ｎ−ジフェニルアミノ）トリフェニルアミン（略称：ＴＤＡＴＡ）、４，４’，４’’−トリス［Ｎ−（３−メチルフェニル）−Ｎ−フェニルアミノ］トリフェニルアミン（略称：ＭＴＤＡＴＡ）、１，３，５−トリス［Ｎ，Ｎ−ジ（ｍ−トリル）アミノ］ベンゼン（略称：ｍ−ＭＴＤＡＢ）、Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−Ｎ，Ｎ’−ビス（３−メチルフェニル）−１，１’−ビフェニル−４，４’−ジアミン（略称：ＴＰＤ）、４，４’−ビス［Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−フェニルアミノ］ビフェニル（略称：ＮＰＢ）、４，４’−ビス｛Ｎ−［４−ジ（ｍ−トリル）アミノ］フェニル−Ｎ−フェニルアミノ｝ビフェニル（略称：ＤＮＴＰＤ）、４，４’，４’’−トリス（Ｎ−カルバゾリル）トリフェニルアミン（略称：ＴＣＴＡ）などが挙げられるが、これらに限定されることはない。
【００６１】
なお、電子受容性を示す無機化合物材料としては、酸化チタン、酸化ジルコニウム、酸化バナジウム、酸化モリブデン、酸化タングステン、酸化レニウム、酸化ルテニウム、酸化亜鉛などが挙げられる。特に酸化バナジウム、酸化モリブデン、酸化タングステン、酸化レニウムは真空蒸着が可能で扱いやすいため、好適である。
【００６２】
なお、電子注入輸送層には、電子輸送性の有機化合物材料を用いて形成する。具体的には、トリス（８−キノリノラト）アルミニウム（略称：Ａｌｑ３）、トリス（４−メチル−８−キノリノラト）アルミニウム（略称：Ａｌｍｑ３）、ビス（１０−ヒドロキシベンゾ［ｈ］−キノリナト）ベリリウム（略称：ＢｅＢｑ２）、ビス（２−メチル−８−キノリノラト）（４−フェニルフェノラト）アルミニウム（略称：ＢＡｌｑ）、ビス［２−（２’−ヒドロキシフェニル）ベンズオキサゾラト］亜鉛（略称：Ｚｎ（ＢＯＸ）２）、ビス［２−（２’−ヒドロキシフェニル）ベンゾチアゾラト］亜鉛（略称：Ｚｎ（ＢＴＺ）２）、バソフェナントロリン（略称：ＢＰｈｅｎ）、バソキュプロイン（略称：ＢＣＰ）、２−（４−ビフェニリル）−５−（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−１，３，４−オキサジアゾール（略称：ＰＢＤ）、１，３−ビス［５−（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−１，３，４−オキサジアゾール−２−イル］ベンゼン（略称：ＯＸＤ−７）、２，２’，２’’−（１，３，５−ベンゼントリイル）−トリス（１−フェニル−１Ｈ−ベンゾイミダゾール）（略称：ＴＰＢＩ）、３−（４−ビフェニリル）−４−フェニル−５−（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−１，２，４−トリアゾール（略称：ＴＡＺ）、３−（４−ビフェニリル）−４−（４−エチルフェニル）−５−（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−１，２，４−トリアゾール（略称：ｐ−ＥｔＴＡＺ）などが挙げられるが、これらに限定されることはない。
【００６３】
なお、発光層には、９，１０−ジ（２−ナフチル）アントラセン（略称：ＤＮＡ）、９，１０−ジ（２−ナフチル）−２−ｔｅｒｔ−ブチルアントラセン（略称：ｔ−ＢｕＤＮＡ）、４，４’−ビス（２，２−ジフェニルビニル）ビフェニル（略称：ＤＰＶＢｉ）、クマリン３０、クマリン６、クマリン５４５、クマリン５４５Ｔ、ペリレン、ルブレン、ペリフランテン、２，５，８，１１−テトラ（ｔｅｒｔ−ブチル）ペリレン（略称：ＴＢＰ）、９，１０−ジフェニルアントラセン（略称：ＤＰＡ）、５，１２−ジフェニルテトラセン、４−（ジシアノメチレン）−２−メチル−［ｐ−（ジメチルアミノ）スチリル］−４Ｈ−ピラン（略称：ＤＣＭ１）、４−（ジシアノメチレン）−２−メチル−６−［２−（ジュロリジン−９−イル）エテニル］−４Ｈ−ピラン（略称：ＤＣＭ２）、４−（ジシアノメチレン）−２，６−ビス［ｐ−（ジメチルアミノ）スチリル］−４Ｈ−ピラン（略称：ＢｉｓＤＣＭ）等が挙げられる。また、ビス［２−（４’，６’−ジフルオロフェニル）ピリジナト−Ｎ，Ｃ２’］イリジウム（ピコリナート）（略称：ＦＩｒｐｉｃ）、ビス｛２−［３’，５’−ビス（トリフルオロメチル）フェニル］ピリジナト−Ｎ，Ｃ２’｝イリジウム（ピコリナート）（略称：Ｉｒ（ＣＦ３ｐｐｙ）２（ｐｉｃ））、トリス（２−フェニルピリジナト−Ｎ，Ｃ２’）イリジウム（略称：Ｉｒ（ｐｐｙ）３）、ビス（２−フェニルピリジナト−Ｎ，Ｃ２’）イリジウム（アセチルアセトナート）（略称：Ｉｒ（ｐｐｙ）２（ａｃａｃ））、ビス［２−（２’−チエニル）ピリジナト−Ｎ，Ｃ３’］イリジウム（アセチルアセトナート）（略称：Ｉｒ（ｔｈｐ）２（ａｃａｃ））、ビス（２−フェニルキノリナト−Ｎ，Ｃ２’）イリジウム（アセチルアセトナート）（略称：Ｉｒ（ｐｑ）２（ａｃａｃ））、ビス［２−（２’−ベンゾチエニル）ピリジナト−Ｎ，Ｃ３’］イリジウム（アセチルアセトナート）（略称：Ｉｒ（ｂｔｐ）２（ａｃａｃ））などの燐光を放出できる化合物を用いることもできる。
【００６４】
また、発光層は、一重項励起発光材料の他、金属錯体などを含む三重項励起材料を用いても良い。例えば、赤色の発光性の画素、緑色の発光性の画素及び青色の発光性の画素のうち、輝度半減時間が比較的短い赤色の発光性の画素を三重項励起発光材料で形成し、他を一重項励起発光材料で形成する。三重項励起発光材料は発光効率が良いので、同じ輝度を得るのに消費電力が少なくて済むという特徴がある。すなわち、赤色画素に適用した場合、発光素子に流す電流量が少なくて済むので、信頼性を向上させることができる。低消費電力化として、赤色の発光性の画素と緑色の発光性の画素とを三重項励起発光材料で形成し、青色の発光性の画素を一重項励起発光材料で形成しても良い。人間の視感度が高い緑色の発光素子も三重項励起発光材料で形成することで、より低消費電力化を図ることができる。
【００６５】
発光層は、発光波長帯の異なる発光層を画素毎に形成して、カラー表示を行う構成としても良い。典型的には、Ｒ（赤）、Ｇ（緑）、Ｂ（青）の各色に対応した発光層を形成する。この場合にも、画素の光放射側にその発光波長帯の光を透過するフィルターを設けた構成とすることで、色純度の向上や、画素部の鏡面化（映り込み）の防止を図ることができる。フィルターを設けることで、従来必要であるとされていた円偏光板などを省略することが可能となり、発光層から放射される光の損失を無くすことができる。さらに、斜方から画素部（表示画面）を見た場合に起こる色調の変化を低減することができる。
【００６６】
その他に、発光層の形成に用いることができる高分子系の電界発光材料は、ポリパラフェニレンビニレン系、ポリパラフェニレン系、ポリチオフェン系、ポリフルオレン系が挙げられる。
【００６７】
また、発光層として無機材料を用いても良い。無機材料としては、硫化亜鉛（ＺｎＳ）などの化合物半導体にマンガン（Ｍｎ）や希土類（Ｅｕ、Ｃｅなど）を不純物として添加したものを適用できる。これらの不純物は発光中心イオンと呼ばれ、このイオン内の電子遷移により発光が得られる。また、硫化亜鉛（ＺｎＳ）などの化合物半導体に、アクセプタ元素としてＣｕ、Ａｇ、Ａｕなどを、ドナー元素としてＦ、Ｃｌ、Ｂｒなどを添加して、アクセプタとドナー間の遷移により発光を得るものを適用することができる。また、より発光効率を向上させるために、ＧａＡｓを添加しても良い。発光層は、１００〜１０００ｎｍ（好ましくは、３００〜６００ｎｍ）の厚さで設ければ良い。このような発光層と電極（陽極及び陰極）との間には、発光効率を高めるために誘電体層を設ける。誘電体層としては、チタン酸バリウム（ＢａＴｉＯ３）などを適用することができる。誘電体層は５０ｎｍ〜５００ｎｍ（好ましくは、１００ｎｍ〜２００ｎｍ）の厚さで設ける。
【００６８】
いずれにしても、発光層の層構造は変化しうるものであり、特定の正孔又は電子注入輸送層や発光層を備えていない代わりに、もっぱらこの目的用の電極層を備えたり、発光性の材料を分散させて備えたりする変形は、発光素子としての目的を達成し得る範囲において許容されうるものである。
【００６９】
また、封止基板にカラーフィルタ（着色層）を形成してもよい。カラーフィルタ（着色層）は、蒸着法や液滴吐出法によって形成することができ、カラーフィルタ（着色層）を用いると、高精細な表示を行うこともできる。カラーフィルタ（着色層）により、各ＲＧＢの発光スペクトルにおいてブロードなピークを鋭くなるように補正できるからである。
【００７０】
また、単色の発光を示す材料を形成し、カラーフィルターや色変換層を組み合わせることによりフルカラー表示を行うことができる。カラーフィルタ（着色層）や色変換層は、例えば第２の基板（封止基板）に形成し、基板へ張り合わせればよい。
【００７１】
そして、スパッタリング法、又は蒸着法により、対向電極４１２を形成する。画素電極４１０と対向電極４１２は、一方が陽極となり、他方が陰極となる。
【００７２】
陰極材料としては、仕事関数の小さい（仕事関数３．８ｅＶ以下）金属、合金、電気伝導性化合物、およびこれらの混合物などを用いることが好ましい。陰極材料の具体例としては、元素周期表の１族または２族に属する元素、すなわちＬｉやＣｓ等のアルカリ金属、およびＭｇ、Ｃａ、Ｓｒ等のアルカリ土類金属、およびこれらを含む合金（Ｍｇ：Ａｇ、Ａｌ：Ｌｉ）や化合物（ＬｉＦ、ＣｓＦ、ＣａＦ２）の他、希土類金属を含む遷移金属を用いて形成することができる。上面放射方式の場合、対向電極は透光性を有する必要があるため、対向電極側を陰極として用いる場合には、これら金属、又はこれら金属を含む合金を非常に薄く形成し、ＩＴＯ等の金属（合金を含む）との積層により形成するのが好適である。
【００７３】
また、上面放射の場合、モニタ素子における対向電極４１２は、遮光層を兼ねる必要があるため、上記構成に加え、遮光性を有する材料でなる導電膜４１３を積層して形成しても良い。この場合、画素部においては放射光の取り出しの必要があるので、画素部の対向電極上には導電膜４１３が形成されないよう、導電膜４１３は所望の領域に選択的に形成される。
【００７４】
その後、対向電極４１２を覆うように、窒化珪素膜やＤＬＣ（Ｄｉａｍｏｎｄ  Ｌｉｋｅ  Ｃａｒｂｏｎ）膜からなる保護膜（図４（Ａ）（Ｂ）には特に図示せず）を設けてもよい。上記工程を経て、本発明の発光装置が完成する。
【００７５】
本実施例は、実施の形態、および他の実施例と自由に組み合わせることが出来る。
【実施例２】
【００７６】
本実施例では、電流供給線の電位を補正し、環境温度の変化と経時変化に起因した発光素子の電流値の変動による影響を抑制できる手法について説明する。
【００７７】
発光素子は、周囲の温度により、その抵抗値（内部抵抗値）が変化する性質を有する。具体的には、室温を通常の温度としたとき、温度が通常よりも高くなると抵抗値が低下し、温度が通常よりも低くなると抵抗値が上昇する。そのため、発光素子に同じ電圧を印加した場合、温度が高くなると電流値が増加して所望の輝度よりも高い輝度となり、温度が低くなると電流値が低下して所望の輝度よりも低い輝度となる。また、発光素子は、経時的にその電流値が減少する性質を有する。具体的には、発光時間及び非発光時間が累積すると発光素子の劣化に伴い抵抗値が上昇する。そのため、発光時間及び非発光時間が累積すると、発光素子に同じ電圧を印加した場合、電流値が低下して所望の輝度より低い輝度となる。
【００７８】
上述した発光素子が有する性質により、環境温度が変化した場合や、経時変化が生じた場合は、輝度にバラツキが生じてしまう。本実施例は、本発明の電流供給線の電位を補正することで、環境温度の変化と経時変化に起因した発光素子の電流値の変動による影響を抑制することができる。
【００７９】
図５に、回路の構成を示す。図５において、電流供給線５０１と対向電極５０２との間に、駆動用のＴＦＴ５０３と発光素子５０４とが接続されている。駆動用のＴＦＴ５０３の制御は、周辺回路５０５からの信号によって行われる。駆動用のＴＦＴ５０３がオンしたとき、電流供給線５０１から対向電極５０２の方に電流が流れる。発光素子５０４の輝度は、そこを流れる電流値に応じて決定する。また、発光素子に流れる電流値は、駆動用のＴＦＴ５０３によって制御される場合と、駆動用のＴＦＴ５０３は単なるスイッチとして用い、電流値は電流供給線５０１と対向電極５０２間の電圧によって制御される場合がある。
【００８０】
後者のような構成の場合、電流供給線５０１と対向電極５０２の電位が固定されていると、前述した発光素子の特性変化によって発光素子の抵抗値が変化したとき、発光素子に流れる電流値が変化する。したがって輝度が変化してしまう。
【００８１】
そこで、補正回路を用いて、上述のような特性変動に対する影響を補正する。本実施例では、電流供給線５０１の電位を調整することにより、発光素子５０４の劣化や温度による変動を補正する。
【００８２】
まず、補正回路の構成について述べる。第１のモニタ電源線５０６と第２のモニタ電源線５０７の間には、モニタ用電流源５０８、モニタ素子部５１０が接続されている。モニタ素子部５１０は、駆動用のＴＦＴ５１３と、発光素子であるモニタ素子５１４を有する。駆動用のＴＦＴ５１３は特に必要ないが、画素部５０９が有する発光素子５０４と、モニタ素子５１４の振る舞いを極力同一にするために配置しており、そのゲート電極には、画素部５０９の駆動用のＴＦＴ５０３のオン電圧と同じバイアス電圧が印加されている。そして、モニタ素子部５１０とモニタ用電流源５０８との接点には、モニタ素子５１４の陽極の電位を出力するためのサンプリング回路５２０の入力端子が接続されている。サンプリング回路５２０の出力端子には、電流供給線５０１が接続されている。したがって、電流供給線５０１の電位は、サンプリング回路５２０の出力によって制御される。なお、点線枠で示した画素部５０９の構成は、図１で示した点線枠１１に該当し、点線枠で示したモニタ素子部５１０の構成は、図１で示した点線枠１０に該当する。
【００８３】
次に、補正回路の動作について述べる。まず、モニタ用電流源５０８は、最も明るい階調数で発光素子５０４を発光させる場合に、発光素子５０４に流したい大きさの電流を流す。この時の電流値をＩｐｉｘとする。このとき、画素部５０９の対向電極５０２の電位と、第２のモニタ電源線５０７の電位は等しくしている。
【００８４】
すると、モニタ素子５１４の両電極の電圧には、Ｉｐｉｘの大きさの電流を流すのに必要な大きさの電圧が自ずと発生する。もし、モニタ素子５１４の電圧・電流特性が劣化や温度などによって変わったとしても、それに応じて、モニタ素子５１４の両電極の電圧も変化し、最適な大きさになる。よって、モニタ素子５１４の特性変化の影響を補正することが出来る。
【００８５】
サンプリング回路５２０の入力端子には、モニタ素子５１４の両電極に印加される電圧にしたがった電位が入力されている。サンプリング回路５２０は、出力端子の電位、すなわち電流供給線５０１の電位を、入力端子に入力された電位に等しくしようとする制御を行う。したがって、サンプリング回路５２０の出力端子、つまり、電流供給線５０１の電位は、モニタ素子５１４によって決定される電位に合わせ、補正回路によって補正されることになり、点線枠で囲まれる画素部５０９における発光素子５０４は劣化や温度による変動が補正される。
【００８６】
なお、サンプリング回路は、入力電流に応じた電圧を出力する回路であればなんでもよい。例えば電圧フォロア回路も増幅回路の一種であるが、これに限定されない。オペアンプ、バイポーラトランジスタ、ＭＯＳトランジスタのいずれか、もしくは複数を組み合わせて、回路を構成すればよい。
【００８７】
なお、モニタ素子部５１０は、点線枠で囲まれる画素部５０９と同時に、同じ製造方法で、同じ基板上に作成されることが望ましい。なぜなら、モニタ用のものと、画素部に配置されているものとで、特性が異なれば、補正がずれてしまうからである。
【００８８】
なお、点線枠で囲まれる画素部５０９に配置されている発光素子５０４は、常に電流が流れているわけではなく、表示される画像によって電流が流れる期間と流れない期間が混在する。したがって、モニタ素子５１４に、常に電流を流し続けていると、モニタ素子部５１０の有するモニタ素子５１４の方が早く劣化度合いが進行する。そのため、サンプリング回路５２０から出力される電位に過度の補正がかかってしまう。そこで、実際の画素での劣化度合いに合わせるようにしてもよい。例えば、平均的に、画面全体の点灯率が３０％であれば、３０％の輝度に相当するような期間だけ、モニタ素子５１４に電流を流すようにしてもよい。そのとき、モニタ素子５１４に電流が流れない期間が生じてしまうため、サンプリング回路５２０の入力端子の電位が変化してしまうが、サンプリング回路５２０の出力端子からは、変わりなく電圧が供給されているようにする必要がある。それを実現するためには、サンプリング回路５２０に保持機構を設け、モニタ素子５１４に電流を流していた時に取得した電位を保持するようにすればよい。
【００８９】
なお、最も明るい階調数のものに合わせてモニタ素子部５１０を動作させると、補正がやや強くかかったような電位を出力することになるが、それによって、画素での焼き付き（画素ごとの劣化度合いの変動による輝度ムラ）が目立たなくなるため、最も明るい階調数のものに合わせてモニタ素子部５１０を動作させることが望ましい。
【００９０】
本実施例においては、駆動用のＴＦＴ５０３は線形領域で動作させることがさらに好適である。線形領域で動作させることで駆動用のＴＦＴ５０３は、概ねスイッチとして動作する。そのため、駆動用のＴＦＴ５０３の特性バラツキや、温度、劣化等による特性変化が、発光素子に流れる電流値に影響しにくくすることができる。線形領域のみで動作させる場合は、発光素子５０４に電流が流れるか流れないかをデジタル的に制御することが多い。その場合、多階調化をはかるため、時間階調方式や面積階調方式などを組み合わせることが好適である。
【００９１】
本実施例は、上記の実施の形態、実施例と自由に組み合わせることが出来る。
【実施例３】
【００９２】
本発明の表示装置を具備する電子機器として、テレビ受像器、ビデオカメラ、デジタルカメラ、ゴーグル型ディスプレイ、ナビゲーションシステム、音響再生装置（カーオーディオコンポ等）、コンピュータ、ゲーム機器、携帯情報端末（モバイルコンピュータ、携帯電話、携帯型ゲーム機または電子書籍等）、記録媒体を備えた画像再生装置（具体的にはＤＶＤ（Ｄｉｇｉｔａｌ  Ｖｅｒｓａｔｉｌｅ  Ｄｉｓｃ）等の記録媒体を再生し、その画像を表示しうるディスプレイを備えた装置）などが挙げられる。それらの電子機器の具体例を図６〜図１１に示す。
【００９３】
図６は表示パネル５００１と、回路基板５０１１を組み合わせたテレビモジュールを示している。回路基板５０１１には、コントロール回路５０１２や信号分割回路５０１３、補正回路等が形成されており、接続配線５０１４によって表示パネル５００１と電気的に接続されている。
【００９４】
この表示パネル５００１には、複数の画素が設けられた画素部５００２と、モニタ素子部５００５、走査線駆動回路５００３、信号線駆動回路５００４を備えている。なお、モジュールを作製する場合は上記実施例を用いて画素部５００２の画素を構成する表示装置を作製すればよい。また、走査線駆動回路５００３を含む機能回路は、上記実施例により形成されたＴＦＴを用いて作製しても良いし、外部回路として設けても良い。
【００９５】
図７は、図６に示したテレビモジュールの主要な構成を示すブロック図である。チューナ５１０１は映像信号と音声信号を受信する。映像信号は、映像信号増幅回路５１０２と、そこから出力される信号を赤、緑、青の各色に対応した色信号に変換する映像信号処理回路５１０３と、その映像信号をドライバＩＣの入力仕様に変換するためのコントロール回路５０１２により処理される。コントロール回路５０１２は、走査線と信号線を駆動するための周辺回路にそれぞれ信号を出力する。デジタル駆動する場合には、信号線側に信号分割回路５０１３を設け、入力デジタル信号を複数の信号に分割して供給する構成としても良い。
【００９６】
チューナ５１０１で受信した信号のうち、音声信号は音声信号増幅回路５１０５に送られ、その出力は音声信号処理回路５１０６を経てスピーカー５１０７に供給される。制御回路５１０８は受信局（受信周波数）や音量の制御情報を入力部５１０９から受け、チューナ５１０１や音声信号処理回路５１０６に信号を送出する。
【００９７】
補正回路５００６は、表示パネル５００１の画素部近辺に設けたモニタ素子部の特性変化に合わせ、画素部の発光素子を駆動するための電流供給線の電位を制御する。
【００９８】
図８（Ａ）に示すように、テレビモジュールを筐体５２０１に組みこんで、テレビ受像機を完成させることができる。テレビモジュールにより、表示画面５２０２が形成される。また、スピーカー５２０３、操作スイッチ５２０４などが適宜備えられている。
【００９９】
また図８（Ｂ）に、ワイヤレスでディスプレイのみを持ち運び可能なテレビ受像器を示す。筐体５２１２にはバッテリー及び信号受信器が内蔵されており、そのバッテリーで表示部５２１３やスピーカー部５２１７を駆動させる。バッテリーは充電器５２１０で繰り返し充電が可能となっている。また、充電器５２１０は映像信号を送受信することが可能で、その映像信号をディスプレイの信号受信器に送信することができる。筐体５２１２は操作キー５２１６によって制御する。また、図８（Ｂ）に示す装置は、操作キー５２１６を操作することによって、筐体５２１２から充電器５２１０に信号を送ることも可能であるため映像音声双方向通信装置とも言える。また、操作キー５２１６を操作することによって、筐体５２１２から充電器５２１０に信号を送り、さらに充電器５２１０が送信できる信号を他の電子機器に受信させることによって、他の電子機器の通信制御も可能であり、汎用遠隔制御装置とも言える。本発明は表示部５２１３に適用することができる。
【０１００】
本発明の表示装置を図６〜図８に示すテレビ受像器に使用することにより、画素部を構成する発光素子に劣化や温度変化による特性変化が生じた場合においても、補正回路によって電流供給線の電位を補正することで、輝度ムラのない良好な表示を実現することが出来る。
【０１０１】
勿論、本発明はテレビ受像機に限定されず、パーソナルコンピュータのモニタをはじめ、鉄道の駅や空港などにおける情報表示盤や、街頭における広告表示盤など特に大面積の表示媒体として様々な用途に適用することが出来る。
【０１０２】
図９（Ａ）は表示パネル５３０１とプリント配線基板５３０２を組み合わせたモジュールを示している。表示パネル５３０１は、複数の画素が設けられた画素部５３０３と、モニタ素子部５３０５と、第１の走査線駆動回路５３０４、信号線駆動回路５３０６を備えている。
【０１０３】
プリント配線基板５３０２には、コントローラ５３０７、中央処理装置（ＣＰＵ）５３０８、メモリ５３０９、電源回路５３１０、補正回路５３２９、音声処理回路５３１１及び送受信回路５３１２などが備えられている。プリント配線基板５３０２と表示パネル５３０１は、フレキシブル配線基板５３１３（ＦＰＣ）により接続されている。プリント配線基板５３０２には、容量素子、バッファ回路などを設け、電源電圧や信号にノイズがのったり、信号の立ち上がりが鈍ったりすることを防ぐ構成としても良い。また、コントローラ５３０７、音声処理回路５３１１、メモリ５３０９、ＣＰＵ５３０８、電源回路５３１０、補正回路５３２９などは、ＣＯＧ（Ｃｈｉｐ  Ｏｎ  Ｇｌａｓｓ）方式を用いて表示パネル５３０１に実装することもできる。ＣＯＧ方式により、プリント配線基板５３０２の規模を縮小することができる。
【０１０４】
プリント配線基板５３０２に備えられたインターフェース部５３１４（Ｉ／Ｆ）を介して、各種制御信号の入出力が行われる。また、アンテナとの間の信号の送受信を行うためのアンテナ用ポート５３１５が、プリント配線基板５３０２に設けられている。
【０１０５】
図９（Ｂ）は、図９（Ａ）に示したモジュールのブロック図を示す。このモジュールは、メモリ５３０９としてＶＲＡＭ５３１６、ＤＲＡＭ５３１７、フラッシュメモリ５３１８などが含まれている。ＶＲＡＭ５３１６にはパネルに表示する画像のデータが、ＤＲＡＭ５３１７には画像データまたは音声データが、フラッシュメモリには各種プログラムが記憶されている。
【０１０６】
電源回路５３１０は、表示パネル５３０１、コントローラ５３０７、ＣＰＵ５３０８、音声処理回路５３１１、メモリ５３０９、送受信回路５３１２を動作させる電力を供給する。またパネルの仕様によっては、電源回路５３１０に電流源が備えられている場合もある。
【０１０７】
ＣＰＵ５３０８は、制御信号生成回路５３２０、デコーダ５３２１、レジスタ５３２２、演算回路５３２３、ＲＡＭ５３２４、ＣＰＵ５３０８用のインターフェース５３１９などを有している。インターフェース５３１９を介してＣＰＵ５３０８に入力された各種信号は、一旦レジスタ５３２２に保持された後、演算回路５３２３、デコーダ５３２１などに入力される。演算回路５３２３では、入力された信号に基づき演算を行い、各種命令を送る場所を指定する。一方デコーダ５３２１に入力された信号はデコードされ、制御信号生成回路５３２０に入力される。制御信号生成回路５３２０は入力された信号に基づき、各種命令を含む信号を生成し、演算回路５３２３において指定された場所、具体的にはメモリ５３０９、送受信回路５３１２、音声処理回路５３１１、コントローラ５３０７などに送る。
【０１０８】
メモリ５３０９、送受信回路５３１２、音声処理回路５３１１、コントローラ５３０７は、それぞれ受けた命令に従って動作する。以下その動作について簡単に説明する。
【０１０９】
入力手段５３２５から入力された信号は、インターフェース部５３１４を介してプリント配線基板５３０２に実装されたＣＰＵ５３０８に送られる。制御信号生成回路５３２０は、ポインティングデバイスやキーボードなどの入力手段５３２５から送られてきた信号に従い、ＶＲＡＭ５３１６に格納してある画像データを所定のフォーマットに変換し、コントローラ５３０７に送付する。
【０１１０】
コントローラ５３０７は、パネルの仕様に合わせてＣＰＵ５３０８から送られてきた画像データを含む信号にデータ処理を施し、表示パネル５３０１に供給する。またコントローラ５３０７は、電源回路５３１０から入力された電源電圧やＣＰＵ５３０８から入力された各種信号をもとに、Ｈｓｙｎｃ信号、Ｖｓｙｎｃ信号、クロック信号ＣＬＫ、交流電圧（ＡＣ  Ｃｏｎｔ）、切り替え信号Ｌ／Ｒを生成し、表示パネル５３０１に供給する。
【０１１１】
送受信回路５３１２では、アンテナ５３２８において電波として送受信される信号が処理されており、具体的にはアイソレータ、バンドパスフィルタ、ＶＣＯ（Ｖｏｌｔａｇｅ  Ｃｏｎｔｒｏｌｌｅｄ  Ｏｓｃｉｌｌａｔｏｒ）、ＬＰＦ（Ｌｏｗ  Ｐａｓｓ  Ｆｉｌｔｅｒ）、カプラ、バランなどの高周波回路を含んでいる。送受信回路５３１２において送受信される信号のうち音声情報を含む信号が、ＣＰＵ５３０８からの命令に従って、音声処理回路５３１１に送られる。
【０１１２】
ＣＰＵ５３０８の命令に従って送られてきた音声情報を含む信号は、音声処理回路５３１１において音声信号に復調され、スピーカー５３２７に送られる。またマイク５３２６から送られてきた音声信号は、音声処理回路５３１１において変調され、ＣＰＵ５３０８からの命令に従って、送受信回路５３１２に送られる。
【０１１３】
コントローラ５３０７、ＣＰＵ５３０８、電源回路５３１０、音声処理回路５３１１、メモリ５３０９を、本実施例のパッケージとして実装することができる。本実施例は、アイソレータ、バンドパスフィルタ、ＶＣＯ（Ｖｏｌｔａｇｅ  Ｃｏｎｔｒｏｌｌｅｄ  Ｏｓｃｉｌｌａｔｏｒ）、ＬＰＦ（Ｌｏｗ  Ｐａｓｓ  Ｆｉｌｔｅｒ）、カプラ、バランなどの高周波回路以外であれば、どのような回路にも応用することが出来る。
【０１１４】
図１０は、図９に示したモジュールを含む携帯電話機の一態様を示している。表示パネル５３０１はハウジング５３３０に脱着自在に組み込まれる。ハウジング５３３０は表示パネル５３０１のサイズに合わせて、形状や寸法を適宜変更することができる。表示パネル５３０１を固定したハウジング５３３０はプリント基板５３３１に嵌着されモジュールとして組み立てられる。
【０１１５】
表示パネル５３０１はフレキシブル配線基板５３１３を介してプリント基板５３３１に接続される。プリント基板５３３１には、スピーカー５３３２、マイクロフォン５３３３、送受信回路５３３４、ＣＰＵ及びコントローラなどを含む信号処理回路５３３５が形成されている。このようなモジュールと、入力手段５３３６、バッテリー５３３７、アンテナ５３４０を組み合わせ、筐体５３３９に収納する。表示パネル５３０１の画素部は筐体５３３９に形成された開口窓から視認できように配置する。
【０１１６】
本実施例に係る携帯電話機は、その機能や用途に応じてさまざまな態様に変容し得る。例えば、表示パネルを複数備えたり、筐体を適宜複数に分割して蝶番により開閉式とした構成としてもよい。
【０１１７】
図１０の携帯電話機において、表示パネル５３０１は実施の形態１で説明したものと同様の半導体装置をマトリクス状に配列して構成されている。当該半導体装置は、画素内において駆動トランジスタのゲート電極に印加されるオンとオフの電位と、データ線の振幅の電位とを別に設定することができる。従って、データ線の振幅は低振幅に設定することが可能となり、消費電力を大幅に抑えた半導体装置を提供することが可能となるという特徴を有している。その半導体装置で構成される表示パネル５３０１も同様の特徴を有するため、この携帯電話機は大幅な低消費電力化が図られている。このような特徴により、携帯電話機において、電源回路を大幅に削減、若しくは縮小することができるので、筐体５３３９の小型軽量化を図ることが可能である。本発明に係る携帯電話機は、低消費電力、小型軽量化が図られているので、それにより携帯性の向上した製品を顧客に提供することができる。
【０１１８】
図１１（Ａ）はテレビ装置であり、筐体６００１、支持台６００２、表示部６００３などによって構成されている。このテレビ装置において、表示部６００３は実施の形態１で説明したものと同様の表示装置を用いて構成されている。当該表示装置は、使用環境の違いによる周辺温度の変化、使用時間の経過等に伴う発光素子の特性変化に合わせ、発光素子を駆動する電源の電位に補正を加えることにより、輝度ムラの無い均一な表示を提供出来るという特徴を有している。このような特徴により、テレビ装置においては十分な商品のライフサイクルを実現し、様々な使用環境に適合した製品を顧客に提供することが出来る。
【０１１９】
図１１（Ｂ）はコンピュータであり、本体６１０１、筐体６１０２、表示部６１０３、キーボード６１０４、外部接続ポート６１０５、ポインティングマウス６１０６等を含む。このコンピュータにおいて、表示部６１０３は実施の形態１で説明したものと同様の表示装置を用いて構成されている。当該表示装置は、使用環境の違いによる周辺温度の変化、使用時間の経過等に伴う発光素子の特性変化に合わせ、発光素子を駆動する電源の電位に補正を加えることにより、輝度ムラの無い均一な表示を提供出来るという特徴を有している。このような特徴により、本発明に係るコンピュータにおいては、エンドユーザの要求に耐えうる十分な高画質と、十分な商品のライフサイクルを実現し、様々な使用環境に適合した製品を顧客に提供することが出来る。
【０１２０】
図１１（Ｃ）は携帯可能なコンピュータであり、本体６２０１、表示部６２０２、スイッチ６２０３、操作キー６２０４、赤外線ポート６２０５等を含む。この携帯可能なコンピュータにおいて、表示部６２０２は実施の形態１で説明したものと同様の表示装置を用いて構成されている。当該表示装置は、使用環境の違いによる周辺温度の変化、使用時間の経過等に伴う発光素子の特性変化に合わせ、発光素子を駆動する電源の電位に補正を加えることにより、輝度ムラの無い均一な表示を提供出来るという特徴を有している。このような特徴により、携帯可能なコンピュータにおいては十分な商品のライフサイクルを実現し、様々な使用環境に適合した製品を顧客に提供することが出来る。
【０１２１】
図１１（Ｄ）は携帯型のゲーム機であり、筐体６３０１、表示部６３０２、スピーカー部６３０３、操作キー６３０４、記録媒体挿入部６３０５等を含む。この携帯型のゲーム機において、表示部６３０２は実施の形態１で説明したものと同様の表示装置を用いて構成されている。当該表示装置は、使用環境の違いによる周辺温度の変化、使用時間の経過等に伴う発光素子の特性変化に合わせ、発光素子を駆動する電源の電位に補正を加えることにより、輝度ムラの無い均一な表示を提供出来るという特徴を有している。このような特徴により、携帯型のゲーム機においては、エンドユーザの要求に耐えうる十分な高画質と、十分な商品のライフサイクルを実現し、様々な使用環境に適合した製品を顧客に提供することが出来る。
【０１２２】
図１１（Ｅ）は記録媒体を備えた携帯型の画像再生装置（具体的にはＤＶＤ再生装置）であり、本体６４０１、筐体６４０２、表示部Ａ６４０３、表示部Ｂ６４０４、記録媒体（ＤＶＤ等）読込部６４０５、操作キー６４０６、スピーカー部６４０７等を含む。表示部Ａ６４０３は主として画像情報を表示し、表示部Ｂ６４０４は主として文字情報を表示する。この画像再生装置において、表示部Ａ６４０３、表示部Ｂ６４０４は実施の形態１で説明したものと同様の表示装置を用いて構成されている。当該表示装置は、使用環境の違いによる周辺温度の変化、使用時間の経過等に伴う発光素子の特性変化に合わせ、発光素子を駆動する電源の電位に補正を加えることにより、輝度ムラの無い均一な表示を提供出来るという特徴を有している。このような特徴により、画像再生装置においては、エンドユーザの要求に耐えうる十分な高画質と、十分な商品のライフサイクルを実現し、様々な使用環境に適合した製品を顧客に提供することが出来る。
【０１２３】
これらの電子機器に使われる表示装置は、大きさや強度、または使用目的に応じて、ガラス基板だけでなく耐熱性のプラスチック基板を用いることも可能である。それによってよりいっそうの軽量化を図ることができる。
【０１２４】
なお、本実施例に示した例はごく一例であり、これらの用途に限定するものではないことを付記する。
【０１２５】
また本実施例は、上記実施の形態及び上記実施例のいかなる記載とも自由に組み合わせて実施することが可能である。
【図面の簡単な説明】
【０１２６】
【図１】本発明の一実施形態を示す図。
【図２】従来の表示装置の全体および断面を示す図。
【図３】本発明の一実施形態を示す図。
【図４】本発明の実施例（製造工程）を示す図。
【図５】本発明の実施例（モニタ素子を用いた補正手段）を示す図。
【図６】本発明の表示装置が適用可能な電子機器の構成例を示す図。
【図７】本発明の表示装置が適用可能な電子機器の構成例を示す図。
【図８】本発明の表示装置が適用可能な電子機器の構成例を示す図。
【図９】本発明の表示装置が適用可能な電子機器の構成例を示す図。
【図１０】本発明の表示装置が適用可能な電子機器の構成例を示す図。
【図１１】本発明の表示装置が適用可能な電子機器の構成例を示す図。
【符号の説明】
【０１２７】
１０  点線枠
１１  点線枠
２０  点線枠
２１  点線枠
２２  点線枠
５０  点線枠
５１  点線枠
１０１  ＴＦＴ
１０２  モニタ素子
１１１  ＴＦＴ
１１２  発光素子
１２１  遮光層
１２２  画素電極
１２３  発光層
１２４  対向電極
１２４ａ  透光性を有する材料で形成される膜
１２４ｂ  遮光層
１２５  層間膜
１２６  隔壁
１２７  配線
１２８  配線
１５０  基板
１５１  下地膜
１５２  ゲート絶縁膜
２００  周辺回路
２０１  ＴＦＴ
２０２  ＴＦＴ
２１０  モニタ素子部
２１１  ＴＦＴ
２１２  モニタ素子
２１３  画素電極
２１４  発光層
２１５  対向電極
２１６  遮光層
２２０  画素部
２２１  ＴＦＴ
２２２  発光素子
２２３  画素電極
２２４  発光層
２２５  対向電極
２３１  透光性のある材料で形成される膜
２３２  遮光性を有する材料で形成される膜
２３５  対向電極
２５０  基板
２５１  下地膜
２９０  端子
２９１  矢印
３０１  ＴＦＴ
３０２  点線枠
３１１  遮光層
３１２  層間膜
３１３  配線パターン
３１４  画素電極
３１５  隔壁
３１６  発光層
３１７  対向電極
４０１  基板
４０２  下地膜
４０３  島状の半導体膜
４０４  絶縁膜
４０５  導電膜
４０６  遮光層
４０７  ＴＦＴ
４０８  層間膜
４０９  導電膜
４１０  画素電極
４１１  発光層
４１２  対向電極
４１３  導電膜
５０１  電流供給線
５０２  対向電極
５０３  駆動用のＴＦＴ
５０４  発光素子
５０５  周辺回路
５０６  第１のモニタ電源線
５０７  第２のモニタ電源線
５０８  モニタ用電流源
５０９  画素部
５１０  モニタ素子部
５１３  駆動用のＴＦＴ
５１４  モニタ素子
５２０  サンプリング回路
５００１  表示パネル
５００２  画素部
５００３  走査線駆動回路
５００４  信号線駆動回路
５００５  モニタ素子部
５００６  補正回路
５０１１  回路基板
５０１２  コントロール回路
５０１３  信号分割回路
５０１４  接続配線
５１０１  チューナ
５１０２  映像信号増幅回路
５１０３  映像信号処理回路
５１０５  音声信号増幅回路
５１０６  音声信号処理回路
５１０７  スピーカー
５１０８  制御回路
５１０９  入力部
５２０１  筐体
５２０２  表示画面
５２０３  スピーカー
５２０４  操作スイッチ
５２１０  充電器
５２１２  筐体
５２１３  表示部
５２１６  操作キー
５２１７  スピーカー部
５３０１  表示パネル
５３０２  プリント配線基板
５３０３  画素部
５３０４  第１の走査線駆動回路
５３０５  モニタ素子部
５３０６  信号線駆動回路
５３０７  コントローラ
５３０８  ＣＰＵ
５３０９  メモリ
５３１０  電源回路
５３１１  音声処理回路
５３１２  送受信回路
５３１３  フレキシブル配線基板
５３１４  インターフェース部
５３１５  アンテナ用ポート
５３１６  ＶＲＡＭ
５３１７  ＤＲＡＭ
５３１８  フラッシュメモリ
５３１９  インターフェース
５３２０  制御信号生成回路
５３２１  デコーダ
５３２２  レジスタ
５３２３  演算回路
５３２４  ＲＡＭ
５３２５  入力手段
５３２６  マイク
５３２７  スピーカー
５３２８  アンテナ
５３２９  補正回路
５３３０  ハウジング
５３３１  プリント基板
５３３２  スピーカー
５３３３  マイクロフォン
５３３４  送受信回路
５３３５  信号処理回路
５３３６  入力手段
５３３７  バッテリー
５３３９  筐体
５３４０  アンテナ
６００１  筐体
６００２  支持台
６００３  表示部
６１０１  本体
６１０２  筐体
６１０３  表示部
６１０４  キーボード
６１０５  外部接続ポート
６１０６  ポインティングマウス
６２０１  本体
６２０２  表示部
６２０３  スイッチ
６２０４  操作キー
６２０５  赤外線ポート
６３０１  筐体
６３０２  表示部
６３０３  スピーカー部
６３０４  操作キー
６３０５  記録媒体挿入部
６４０１  本体
６４０２  筐体
６４０３  表示部Ａ
６４０４  表示部Ｂ
６４０５  記録媒体（ＤＶＤ等）読込部
６４０６  操作キー
６４０７  スピーカー部
【図１】
0004822437.tif 000002
【図２】
0004822437.tif 000003
【図３】
0004822437.tif 000004
【図４】
0004822437.tif 000005
【図５】
0004822437.tif 000006
【図６】
0004822437.tif 000007
【図７】
0004822437.tif 000008
【図８】
0004822437.tif 000009
【図９】
0004822437.tif 000010
【図１０】
0004822437.tif 000011
【図１１】
0004822437.tif 000012