(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
電子部品の端子に接触し、前記電子部品の特性を試験するために用いるプローブカードであって、
保持基板と、
前記保持基板に保持される保持端を含む保持端部と、前記保持端部に対して所定の角度を有するように、一端が前記保持端部に延長して設けられた傾斜部と、前記傾斜部の他端から延長して設けられ、前記保持端の反対側の自由端を含む自由端部とを有するプローブピンと、
前記保持基板に設けられ、前記プローブピンと電気的に接続された伝送線路と
を備え、
前記傾斜部は、前記保持端から前記自由端に向かう長手方向に延在し、前記プローブピンの一面からへこみ、前記一面の反対側の面側に突き出した突出加重部を有するプローブカード。
【請求項２】
前記突出加重部は、幅方向の断面がＶ形状であることを特徴とする請求項１に記載のプローブカード。
【請求項３】
前記突出加重部は、幅方向の断面がＵ形状であることを特徴とする請求項１に記載のプローブカード。
【請求項４】
前記突出加重部は、前記自由端から所定の距離を隔てた位置に形成されることを特徴とする請求項１から３のいずれか１項に記載のプローブカード。
【請求項５】
前記プローブピンは、前記自由端に、前記電子部品の端子と接触する複数の突起部を有することを特徴とする請求項４に記載のプローブカード。
【請求項６】
前記プローブピンは、前記自由端に、前記プローブピンの一面からへこみ、前記一面の反対側の面側に突き出すように形成され、前記電子部品の端子と接触する接触突出部を有することを特徴とする請求項４に記載のプローブカード。
【請求項７】
前記プローブピンは、複数の前記突出加重部を有することを特徴とする請求項１から３のいずれか１項に記載のプローブカード。
【請求項８】
前記複数の突出加重部は、幅方向に一部が重なるように形成されることを特徴とする請求項７に記載のプローブカード。
【請求項９】
前記複数の突出加重部は、幅方向に少なくとも３列に設けられ、中心の列に設けられた前記突出加重部は、幅方向において、両端の列に設けられた前記突出加重部と一部が重なるように形成されることを特徴とする請求項７に記載のプローブカード。
【請求項１０】
前記プローブピンは、過冷却液体温度域を有するアモルファス合金を材料とすることを特徴とする請求項１から９のいずれか１項に記載のプローブカード。
【請求項１１】
電子部品の端子に接触し、前記電子部品の特性を試験するために用いるプローブカードを製造するプローブカード製造方法であって、
導電性材料を含む伝送線路を形成した保持基板を準備するステップと、
前記保持基板に保持される保持端と、前記保持端の反対側の自由端と、前記保持端から前記自由端に向かう長手方向に延在する突出加重部とを有するプローブピンを形成するステップと、
前記プローブピンの前記保持端を前記保持基板に接合するステップと
を備え、
前記プローブピンを形成するステップは、
基板の前記プローブピンが形成される領域に、前記プローブピンの前記保持端から前記自由端に向かう長手方向に延在し、前記プローブピンの一面からへこみ、前記一面の反対側の面側に突き出した溝を形成するステップと、
前記基板にスパッタ法によりアモルファス合金層を形成するステップと、
前記アモルファス合金層を加熱するステップと、
前記アモルファス合金層を冷却するステップと
を有するプローブカード製造方法。
【請求項１２】
前記保持端を前記保持基板に接合するステップは、
前記保持端を前記保持基板に貼り合わせるステップと、
前記保持端を前記保持基板に熱圧着するステップと
を有することを特徴とする請求項１１に記載のプローブカード製造方法。
【請求項１３】
前記アモルファス合金層を前記基板から離脱するステップをさらに備えることを特徴とする請求項１１または１２に記載のプローブカード製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、プローブカード及びプローブカードの製造方法に関する。特に本発明は、プローブピンの大きさを変えることなく、プローブピンの加重を増加させ、剛性を高めたプローブカード及びプローブカードの製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
プローブピン等の接触子の剛性は、プローブピンを形成する材料のヤング率及びプローブピンの重さにより決定される。プローブピンの剛性を高めることにより、プローブピンと電子部品の端子との接触抵抗を低減することができる。プローブピンの剛性を高める方法として、プローブピンの長さ、幅及び厚さ等の寸法を変更することが考えられる。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】
しかし、基板表面に金属又はアモルファス合金層等をスパッタして薄層を形成してプローブピンを製造する方法では、プローブピンの剛性を高めるほどにプローブピンの厚さを厚くするのは困難である。また、プローブカードで特性を試験すべき電子部品の形状及び大きさに対応させるため、プローブピンの寸法を変更するのは好ましくない。
【０００４】
そこで本発明は、上記の課題を解決することのできる接触子、プローブカード、接触子の製造方法及びプローブカードの製造方法を提供することを目的とする。この目的は特許請求の範囲における独立項に記載の特徴の組み合わせにより達成される。また従属項は本発明の更なる有利な具体例を規定する。
【０００５】
【課題を解決するための手段】
即ち、本発明の第１の形態によると、電子部品の端子に接触し、電子部品の特性を試験するために用いるプローブカードであって、保持基板と、保持基板に保持される保持端を含む保持端部と、保持端部に対して所定の角度を有するように、一端が保持端部に延長して設けられた傾斜部と、傾斜部の他端から延長して設けられ、保持端の反対側の自由端を含む自由端部とを有するプローブピンと、保持基板に設けられ、プローブピンと電気的に接続された伝送線路とを備え、傾斜部は、保持端から自由端に向かう長手方向に延在し、プローブピンの一面からへこみ、一面の反対側の面側に突き出した突出加重部を有するプローブカードを提供する。
【０００６】
突出加重部は、幅方向の断面がＶ形状であってよい。また、突出加重部は、幅方向の断面がＵ形状であってもよい。
【０００７】
突出加重部は、自由端から所定の距離を隔てた位置に形成されてもよい。プローブピンは、自由端に、電子部品の端子と接触する複数の突起部を有してよい。プローブピンは、自由端に、プローブピンの一面からへこみ、一面の反対側の面側に突き出すように形成され、電子部品の端子と接触する接触突出部を有してもよい。
【０００８】
プローブピンは、複数の突出加重部を有するのが好ましい。複数の突出加重部は、幅方向に一部が重なるように形成されてよい。複数の突出加重部は、幅方向に少なくとも３列に設けられ、中心の列に設けられた突出加重部は、幅方向において、両端の列に設けられた突出加重部と一部が重なるように形成されてよい。複数の突出加重部は、プローブピンにおいて均等に配置されるのが好ましい。
プローブピンは、過冷却液体温度域を有するアモルファス合金を材料とするのが好ましい。
【０００９】
自由端部は保持端部と平行又は保持端部から離れる方向に延在してよい。
【００１７】
本発明の第４の形態によると、電子部品の端子に接触し、電子部品の特性を試験するために用いるプローブカードを製造するプローブカード製造方法であって、導電性材料を含む伝送線路を形成した保持基板を準備するステップと、保持基板に保持される保持端と、保持端の反対側の自由端と、保持端から自由端に向かう長手方向に延在する突出加重部とを有するプローブピンを形成するステップと、プローブピンの保持端を保持基板に接合するステップとを備え、プローブピンを形成するステップは、基板のプローブピンが形成される領域に、プローブピンの保持端から自由端に向かう長手方向に延在し、プローブピンの一面からへこみ、一面の反対側の面側に突き出した溝を形成するステップと、基板にスパッタ法によりアモルファス合金層を形成するステップと、アモルファス合金層を加熱するステップと、アモルファス合金層を冷却するステップとを有するプローブカード製造方法を提供する。
【００１９】
保持端を保持基板に接合するステップは、保持端を保持基板に貼り合わせるステップと、保持端を保持基板に熱圧着するステップとを有してよい。
プローブカードの製造方法は、アモルファス合金層を基板から離脱するステップをさらに備えてもよい。
なお上記の発明の概要は、本発明の必要な特徴の全てを列挙したものではなく、これらの特徴群のサブコンビネーションも又発明となりうる。
【００２０】
【発明の実施の形態】
以下、発明の実施の形態を通じて本発明を説明するが、以下の実施形態はクレームにかかる発明を限定するものではなく、又実施形態の中で説明されている特徴の組み合わせの全てが発明の解決手段に必須であるとは限らない。
【００２１】
図１は、本発明の一実施形態に係るプローブカード１０を示す斜視図である。
図１（ａ）に示すように、プローブカード１０は、保持基板（図示しない）と、プローブピン１４と、保持基板に設けられ、プローブピン１４と電気的に接続される伝送線路（図示しない）とを有する。プローブピン１４は、金バンプ６２を介して保持基板に接合される。プローブピン１４は、保持基板に保持される保持端１６と、保持端１６の反対側の自由端１８と、保持端１６から自由端１８に向かう長手方向に延在する突出加重部２０とを有する。突出加重部２０は、自由端１８にわたって形成されるのが好ましい。例えば、プローブピン１４の厚さが約５μｍのとき、突出加重部２０の深さは２〜２０μｍであるのが好ましく、より好ましくは、５〜１５μｍである。
【００２２】
プローブピン１４は、アモルファス合金を材料として形成されるのが好ましい。アモルファス合金は、例えば金属ガラス等の、所定の温度領域で非晶質相から過冷却液体域である流動層へ可逆的に相転移する非晶質合金であればどのような金属を含んでもよい。アモルファス合金は、例えば、パラジウム、ジルコニウム、又はプラチナ等の金属を主成分として含むのが好ましい。アモルファス合金がパラジウム又はプラチナ等の金属を主成分として含む場合、アモルファス合金はさらに、銅及び／又はシリコンを含んでもよい。他の例において、プローブピン１４は、例えばアルミやタングステン等の金属又は合金を材料として形成されてもよい。
【００２３】
本実施例において、突出加重部２０は、プローブピン１４の金バンプ６２に接合される面側から反対側の面の方向に突き出るように形成される。そのため、自由端１８にわたって形成された突出加重部２０が、電子部品の端子に接触する接点として機能し得る。
他の例において、突出加重部２０は、プローブピン１４の金バンプ６２に接合される面側から反対側の面の方向にへこむように形成されてもよい。
【００２４】
図１（ｂ）に示すように、突出加重部２０は、自由端１８から所定の距離を隔てた位置に形成されてもよい。この場合、プローブピン１４は、電子部品の端子に接触する突起部２２を自由端１８に有するのが好ましい。本実施例において、プローブピン１４は、複数の突起部２２を有する。
【００２５】
プローブピン１４は複数の突起部２２を有するので、プローブピン１４を電子部品の端子の方向に押圧するときに、複数の突起部２２のいずれかが電子部品の端子と接触するので、プローブピン１４と電子部品とをより確実に接続することができる。さらに、プローブピン１４が突起部２２を有するので、より確実に電子部品の端子の酸化膜を除去することができる。ひいては、端子とプローブピン１４との接触抵抗を低減させることができるため、より効率よく電子部品に信号を供給することができる。
【００２６】
図１（ｃ）に示すように、プローブピン１４は、複数の突出加重部２０を有するのが好ましい。この場合、各突出加重部２０は、プローブピン１４の長手方向において、プローブピン１４の長手方向の長さの半分以下の長さを有するのが好ましい。本実施例において、プローブピン１４が複数の突出加重部２０を有するので、プローブピン１４の荷重が増加しても、プローブピン１４の金バンプ６２に接合された根元部分にかかるストレスを分散することができる。
【００２７】
また、他の例において、複数の突出加重部２０はプローブピン１４の自由端１８にわたって形成されてもよい。この場合、突出加重部２０は、プローブピン１４の金バンプ６２に接合される面側から反対側の面の方向に突き出るように形成されるのが好ましい。突出加重部２０をこのように形成すると、自由端１８にわたって形成された突出加重部２０が、電子部品の端子に接触する接点として機能し得る。
【００２８】
図２は、複数の突出加重部２０を有するプローブピン１４の他の例を示す上面図である。
図２（ａ）及び図２（ｂ）に示すように、突出加重部２０は、プローブピン１４の幅方向において、左右対称に設けられてもよい。図２（ａ）において、破線で示したように、複数の突出加重部２０は、幅方向に一部が重なるように形成されるのが好ましい。プローブピン１４が、幅方向に３列に設けられた複数の突出加重部２０を有するとき、中心の列に設けられた突出加重部２０は、幅方向において、両端の列に設けられた突出加重部２０と一部が重なるように形成されるのが好ましい。複数の突出加重部２０を、プローブピン１４の幅方向において、一部が重なるように形成することにより、プローブピン１４の剛性を増加することができる。
【００２９】
さらに、複数の突出加重部２０は、隣接する列において、幅方向にずれて形成されるのが好ましい。突出加重部２０は、プローブピン１４の幅方向において、１列目にＮ個形成されるとき、隣の列にはＮ−１、Ｎ又はＮ＋１個、さらに隣の列にはＮ個…のように、奇数列毎及び偶数列毎に同じ個数形成されるのが好ましい。また、突出加重部２０は、プローブピン１４に均等に配置されるように形成されるのが好ましい。
【００３０】
また、図２（ｃ）及び図２（ｄ）に示すように、突出加重部２０は、プローブピン１４の幅方向において、左右非対称に設けられてもよい。
図２（ｅ）に示すように、プローブピン１４が、幅方向に３列に設けられた複数の突出加重部２０を有するとき、複数の突出加重部２０は、幅方向に互いに重ならないように形成されてもよい。複数の突出加重部２０を、プローブピン１４の幅方向において、互いに重ならないように形成することにより、プローブピン１４の保持基板１２に保持された根元部分に生じるストレスを分散することができる。
【００３１】
プローブピン１４に形成される突出加重部２０は、必要とされる剛性に応じて、又は保持基板１２に保持された根元部分に生じるストレスを考慮して、深さ、長手方向の長さ、本数、配置、幅方向における重なりを設計して形成されるのが好ましい。
【００３２】
図３は、図２（ａ）のＡ−Ａ’断面図である。
図３（ａ）に示すように、突出加重部２０は、幅方向の断面がＶ形状であるのが好ましい。また、図３（ｂ）に示すように、突出加重部２０は、幅方向の断面がＵ形状であってもよい。
【００３３】
また、  図３（ｃ）に示すように、他の例において、突出加重部２０は、保持端１６から自由端１８に向かう長手方向に延在する突出部であってもよい。この場合、突出加重部２０は、プローブピン１４が形成される材料と同じ材料で形成されるのが好ましい。突出加重部２０は、スパッタリングを用いてリフトオフ又はエッチングにより図１及び図２に示した配置に形成されるのが好ましい。
【００３４】
図４は、図１（ｃ）に示したプローブカード１０の製造方法の一例を示す工程図である。
まず、図４（ａ）に示すように、シリコン等の基板３０のプローブピン１４が形成される領域１４ａに、プローブピン１４の保持端１６から自由端１８に向かう長手方向に延在する溝３２を形成する。溝３２は、ドライエッチング又はウェットエッチング等のエッチングにより形成されるのが好ましい。溝３２は、複数形成されるのが好ましい。溝３２は、図１及び図２に示したプローブピン１４における突出加重部２０の配置に対応するように形成されるのが好ましい。
【００３５】
次に、図４（ｂ）に示すように、基板３０の領域１４ａにアモルファス合金をスパッタリングしてプローブピン１４となるアモルファス合金層を形成する。アモルファス合金層は、領域１４ａ以外の領域にレジスト層を形成した後にスパッタリングするリフトオフ法によりプローブピン１４の形状に形成してもよい。また、アモルファス合金層１４は、アモルファス合金を基板３０の全面にスパッタリングした後に、領域１４ａ以外の領域のアモルファス合金層をエッチングにより除去することによりプローブピン１４の形状に形成してもよい。
【００３６】
続いて、アモルファス合金層を加熱する。アモルファス合金層は、アモルファス合金のガラス転移温度より高い温度まで加熱するのが好ましい。本実施形態において、アモルファス合金層は、アモルファス合金のガラス転移温度以上、結晶化開始温度以下である過冷却液体域まで加熱する。その後、アモルファス合金層を冷却する。アモルファス合金層をガラス転移温度より低い温度に冷却するのが好ましい。アモルファス合金層は、自然冷却により冷却されてよい。
【００３７】
その後、図４（ｃ）に示すように、プローブピン１４の保持端１６に金バンプ６２を形成する。次に、図４（ｄ）に示すように、プローブピン１４を基板３０から離脱する。プローブピン１４は、基板３０のアモルファス合金層であるプローブピン１４との接続部分をエッチングすることにより基板３０から離脱してもよい。エッチングは、例えば水酸化カリウム水溶液を用いたウェットエッチング又はＸｅＦ２を用いたドライエッチング等により行うのが好ましい。
【００３８】
そして、図４（ｅ）に示すように、プローブピン１４の自由端１８に、電子部品の端子と接触する複数の突起部２２を形成する。複数の突起部２２は、超微粒子ジェットプリンティングにより形成してよい。複数の突起部２２は、メッキにより形成してもよい。さらに、複数の突起部２２は、溶射により形成してもよい。本実施形態において、プローブピン１４は複数の突起部２２を有するので、プローブピン１４を電子部品の端子の方向に押圧するときに、複数の突起部２２のいずれかが電子部品の端子と接触するので、プローブピン１４と電子部品とをより確実に接続することができる。
【００３９】
図示していないが、プローブピン１４を基板３０から離脱する前に、金バンプ６２を介して保持基板と接合させてもよい。この場合、まず、プローブピン１４の保持端１６を保持基板に位置合わせする。その後、保持端１６を保持基板に貼り合わせる。保持端１６は、保持基板の伝送線路を介して保持基板に貼り合わされるのが好ましい。その後、金バンプ６２を介して熱圧着により保持端１６を保持基板に接合する。熱圧着は、金バンプ６２を介さず、直接行ってもよい。プローブピン１４の保持端１６の保持基板への接合は、フリップチップボンダ等を用いて一連の動作で行うのが好ましい。また、熱圧着は、アモルファス合金層が過冷却液体域まで加熱されない程度の温度で行うのが好ましい。また、プローブピン１４は、基板３０から離脱した後に、金バンプ６２を介して保持基板に接合させてもよい。
【００４０】
他の例において、プローブピン１４を保持基板１２に接合する前に、プローブピン１４において保持基板１２に保持される領域のみ基板３０から離脱してもよい。そして、保持基板を、基板３０と同じ側からプローブピン１４に接合させてもよい。
【００４１】
図５は、図４（ｂ）に示す基板３０とアモルファス層のＢ−Ｂ’断面図である。
図５（ａ）に示すように、溝３２は、幅方向の断面がＶ形状であるのが好ましい。この場合、溝３２は、異方性エッチングにより形成するのが好ましい。図５（ｂ）に示すように、溝３２は、幅方向の断面がＵ形状であってもよい。この場合、溝３２は、等方性エッチングにより形成するのが好ましい。
【００４２】
図６は、図１（ｃ）に示したプローブカード１０の製造方法の他の例を示す工程図である。
本実施例においては、図４を用いて説明したプローブカード１０の製造方法と同様の工程は説明を省略する。
【００４３】
まず、図６（ａ）に示すように、基板３０のプローブピン１４が形成される領域１４ａに、溝３２を形成する。また、基板３０のプローブピン１４の自由端１８が形成される領域に、穴３４を形成する。ここで、穴３４は複数形成されてもよい。溝３２及び穴３４は、ドライエッチング又はウェットエッチング等のエッチングにより形成されるのが好ましい。溝３２及び穴３４は、異方性エッチングにより形成されてもよく、また等方性エッチングにより形成されてもよい。
【００４４】
次に、図６（ｂ）に示すように、基板３０の領域１４ａにアモルファス合金をスパッタリングしてプローブピン１４となるアモルファス合金層を形成する。
続いて、アモルファス合金層を加熱する。そして、アモルファス合金層を冷却する。その後、図６（ｃ）に示すように、プローブピン１４の保持端１６に金バンプ６２を形成する。
【００４５】
次に、図６（ｄ）に示すように、プローブピン１４を基板３０から離脱する。本実施例における工程により製造されたプローブカード１０のプローブピン１４は、自由端１８に、電子部品の端子と接触する方向に突き出た接触突出部２２を有する。この場合、接触突出部２２は、電子部品の端子に接触する接点として機能し得る。
【００４６】
図７は、プローブカード１０の他の例を示す斜視図である。
図７（ａ）に示すように、本実施例におけるプローブカード１０のプローブピン１４は、保持端１６を含む保持端部２４と、保持端部２４に対して所定の角度を有するように、一端が保持端部２４に延長して設けられた傾斜部２６と、保持端部２４に平行するように、傾斜部２６の他端に延長して設けられ、自由端１８を含む自由端部２８とを有する。傾斜部２６は、弾性部として機能する。プローブピン１４は、傾斜部２６に、保持端１６から自由端１８に向かう長手方向に延在する突出加重部２０を有する。プローブピン１４は、自由端１８に、電子部品の端子と接触する複数の突起部２２を有するのが好ましい。
【００４７】
図７（ｂ）に示すように、プローブピン１４は、自由端部２８に、電子部品の端子と接触する方向に突き出た接触突出部を有してもよい。
本実施例において、プローブピン１４が電子部品の端子と接触する方向に屈曲した形状になっているので、プローブピン１４と電子部品とを容易に接続することができる。
【００４８】
図８は、図７（ａ）に示したプローブカード１０の製造方法を示す工程図である。
まず、図８（ａ）に示すように、プローブピン１４の保持端１６を形成する第１平面部４２と、第１平面部４２に対して所定の角度θを有するように、一端が第１平面部４２に延長して設けられた傾斜面部４４とを有する第１基板４０を準備する。角度θは、例えば３０度から６０度、好ましくは５４．７度であってよい。
【００４９】
そして、図８（ｂ）に示すように、第１基板４０を、プローブピン１４の自由端１８が形成される第２平面部５２を有する第２基板５０に貼り合わせる。第１基板４０及び第２基板５０は、第２平面部５２が傾斜面部４４の他端に延長して設けられるように貼り合わせるのが好ましい。また、第２平面部５２は、第１平面部４２に平行であるのが好ましい。本実施例においては、第１基板４０及び第２基板５０を用いてプローブピン１４を形成したが、他の例において、例えばエッチングにより、第１平面部４２、傾斜面部４４及び第２平面部５２が形成された単一の基板を用いてもよい。
【００５０】
次に、傾斜面部４４に、第１平面部４２から第２平面部５２の方向に向かう方向に延在する溝３２を形成する。溝３２は、傾斜面部４４にレジストでパターニングして、ドライエッチング又はウェットエッチング等のエッチングすることにより形成するのが好ましい。溝３２は、異方性エッチングによりＶ形状に形成されるのが好ましい。溝３２は、等方性エッチングによりＵ形状に形成されてもよい。また、傾斜面部４４には、複数の溝３２が形成されるのが好ましい。
【００５１】
続いて、図８（ｃ）に示すように、第１基板４０の第１平面部４２及び傾斜面部４４及び第２基板５０の第２平面部５２にスパッタ法によりアモルファス合金層６０を形成する。そして、アモルファス合金層６０を加熱する。アモルファス合金層６０は、材料として用いるアモルファス合金のガラス転移温度より高い温度まで加熱するのが好ましい。本実施形態において、アモルファス合金層６０は、アモルファス合金のガラス転移温度以上、結晶化開始温度以下である過冷却液体域まで加熱する。その後、アモルファス合金層６０を冷却する。アモルファス合金層６０をアモルファス合金のガラス転移温度より低い温度に冷却するのが好ましい。アモルファス合金層６０は、自然冷却により冷却してもよい。
【００５２】
その後、図８（ｄ）に示すように、アモルファス合金層６０の不必要な部分をエッチング等により除去して、保持端部２４、傾斜部２６及び自由端部２８を有するプローブピン１４を形成する。そして、図８（ｅ）に示すように、プローブピンの保持端部２４に、金バンプ６２を形成する。他の例において、金バンプ６２は、プローブピンと貼り合わせる保持基板１２側に形成してもよい。
【００５３】
図８（ｆ）に示すように、導電性材料を含む伝送線路６４を形成した保持基板１２を準備する。そして、プローブピン１４の保持端部２４を保持基板１２に接合する。保持端部２４の保持基板１２への接合は、まず、保持端部２４を保持基板１２に位置合わせすることにより行う。そして、保持端部２４を保持基板１２に貼り合わせる。その後、保持端部２４を保持基板１２に熱圧着する。保持端部２４の保持基板１２への接合は、フリップチップボンダ等を用いて一連の動作で行うのが好ましい。また、熱圧着は、アモルファス合金層が過冷却液体域まで加熱されない程度の温度で行うのが好ましい。
【００５４】
次に、図８（ｇ）に示すように、アモルファス合金層６０を第１基板４０及び第２基板５０から離脱する。アモルファス合金層６０は、第１基板４０及び第２基板５０のアモルファス合金層６０との接続部分をエッチングすることにより第１基板４０及び第２基板５０から離脱してもよい。エッチングは、例えば水酸化カリウム水溶液を用いたウェットエッチング又はＸｅＦ２を用いたドライエッチング等により行うのが好ましい。
【００５５】
図８（ｈ）に示すように、アモルファス合金層６０の上に、導電層６６を形成してもよい。導電層６６は、金であるのが好ましい。そして、図８（ｉ）に示すように、プローブピン１４の自由端部２６に、突起部２２を形成する。突起部２２は、複数形成されるのが好ましい。
また、他の例として、図８（ｂ）において、第１基板４０の第１平面部４２のプローブピン１４の自由端部２６が形成される領域にエッチングにより穴を形成してもよい。この場合、図８（ｅ）においてアモルファス合金層６０を形成する際に、突起部２２を形成してよい。
【００５６】
本実施例において製造されるプローブカード１０は、プローブピン１４が電子部品の端子と接触する方向に屈曲した形状になっているので、プローブピン１４と電子部品とを容易に接続することができる。また、プローブピン１４の自由端部２６に形成された突起部２２は、電子部品の端子に対して平行に接触するため、接触面積をより大きくすることができる。
【００５７】
図９は、図８に示したプローブカード１０の製造方法の他の例を示す工程図である。
本実施例では、図８（ｃ）に示したアモルファス合金層６０を形成するステップにおいて、以下のような工程を含んでもよい。
図９（ａ）に示すように、第１基板４０の第１平面部４２及び傾斜面部４４及び第２基板５０の第２平面部５２に、アモルファス合金層と第１基板４０及び第２基板５０とを密着させる密着層７０を形成する。アモルファス合金がパラジウムを主成分とする場合、密着層７０は、組成比が約１：１であるチタンニッケル合金を含むのが好ましい。アモルファス合金がパラジウムを主成分として銅を含有する場合、密着層７０は、クロム又はチタンを含む第１密着層と銅を含む第２密着層とを有してよい。第１密着層は第１基板４０及び第２基板５０上に形成し、第１密着層の上に第２密着層を形成するのが好ましい。
【００５８】
続いて、図９（ｂ）に示すように、密着層７０上に、後の工程において第１基板４０及び第２基板５０をプローブピン１４から除去しやすいようにするための剥離犠牲層７２を形成する。剥離犠牲層７２は、後の工程におけるアモルファス合金層の加熱、エッチング等の薬品処理等に耐え得る材料により形成されるのが好ましい。剥離犠牲層７２は、例えば金属薄膜であるのが好ましい。本実施例において、剥離犠牲層７２は、クロムを含み、約１００ｎｍの厚さに形成される。
本実施例において、図８（ｇ）に示したアモルファス合金層６０を第１基板４０及び第２基板５０から離脱するステップは、剥離犠牲層６２をエッチングにより除去することによりアモルファス合金層６０を第１基板４０及び第２基板５０から離脱する。
【００５９】
図９（ｃ）に示すように、剥離犠牲層７２の上にアモルファス合金層６０を形成する。次に、図９（ｄ）に示すように、アモルファス合金層６０上に金属層７４を形成する。さらに、アモルファス合金層６０と金属層７４とを密着させる密着層７６をアモルファス合金層６０上に形成してもよい。密着層７６は密着層７０と同様に、アモルファス合金がパラジウムを主成分とする場合、組成比が１：１であるチタンニッケル合金を含むのが好ましい。アモルファス合金がパラジウムを主成分として銅を含有する場合、密着層７６は、クロム又はチタンを含む第１密着層と銅を含む第２密着層とを有してよい。
【００６０】
また、金属層７４に含まれる金属がアモルファス合金層６０に拡散するのを防ぐバリヤ層７８をアモルファス合金層６０と金属層７４との間に形成してもよい。本実施例において、バリヤ層７８は、密着層７６と金属層７４との間に設けてもよい。バリヤ層７８は白金であるのが好ましい。バリヤ層７８は１００ｎｍ程度であるのが好ましい。アモルファス合金層６０と金属層７４との間にバリヤ層７８を形成することにより、アモルファス合金層６０を加熱する場合においても、金属層７４に含まれる金属がアモルファス合金層６０に拡散することがない。密着層７６上に白金であるバリヤ層７８を形成する場合、密着層７６は、銅を含む第２密着層のみを用いてもよい。
さらに、バリヤ層７８と金属層７４との間にもバリヤ層７８と金属層７４とを密着させる密着層を形成してもよい。また、プローブピン１４は、図８（ｈ）に示した導電層６６と図９（ｄ）に示した金属層７４の両方を有してもよく、いずれか一方のみを有してもよい。
【００６１】
密着層７０を形成するステップと、剥離犠牲層７２を形成するステップと、アモルファス合金層６０を形成するステップと、密着層７６を形成するステップと、バリヤ層７８を形成するステップと、金属層７４を形成するステップとは、スパッタ法により同一装置内で行うのが好ましい。
【００６２】
図１０は、図８又は図９に示した工程により製造したプローブカード１０を示す斜視図である。
プローブカード１０は、複数のプローブピン１４を有する。プローブピン１４は、保持基板１２と反対の方向に屈曲されている。また、複数のプローブピン１４は、保持基板１２に並べて設けられる。本実施形態において、プローブピン１４の長さは、約数百μｍ程度であるのが好ましい。また、複数のプローブピン１４は、約百μｍ以下のピッチで形成されるのが好ましい。
【００６３】
本実施例におけるプローブカード１０は、プローブピン１４が複数の突出加重部２０を有しているので、加重が増加し、剛性を高めることができる。そのため、電子部品の端子と接触するときの接触抵抗を低下することができる。
本実施例におけるプローブカード１０は、プローブピン１４が電子部品の端子と接触する方向に屈曲した形状になっているので、プローブピン１４と電子部品とを容易に接続することができる。
【００６４】
以上の実施形態では、プローブピン及びプローブカードを例として説明したが、上記実施形態中プローブピンとして説明した部材は、半導体素子等の電子部品どうしを接続する接触子として用いてもよい。
【００６５】
以上、本発明を実施形態を用いて説明したが、本発明の技術的範囲は上記実施形態に記載の範囲には限定されない。上記実施形態に、多様な変更または改良を加えることができる。そのような変更または改良を加えた形態も本発明の技術的範囲に含まれ得ることが、特許請求の範囲の記載から明らかである。
【００６６】
【発明の効果】
上記説明から明らかなように、本発明によればプローブピンの大きさを変えることなくプローブピンの加重を増加させ、プローブピンの剛性を高めることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施形態に係るプローブカードを示す斜視図である。
【図２】複数の突出加重部を有するプローブピンの上面図である。
【図３】図１に示すプローブカードのＡ−Ａ’断面図である。
【図４】図１に示したプローブカードの製造方法の一例を示す工程図である。
【図５】図４に示す基板とアモルファス層のＢ−Ｂ’断面図である。
【図６】図１に示したプローブカードの製造方法の他の例を示す工程図である。
【図７】プローブカードの他の例を示す斜視図である。
【図８】図７に示したプローブカードの製造方法を示す工程図である。
【図９】図８に示したプローブカードの製造の他の例を示す工程図である。
【図１０】図８又は図９に示した工程により製造したプローブカードの他の例を示す斜視図である。
【符号の説明】
１０・・プローブカード、１２・・保持基板、１４・・プローブピン、１６・・保持端、１８・・自由端、２０・・突出加重部、２２・・突起部、３０・・基板、３２・・溝、３４・・穴、４０・・第１基板、４２・・第１平面部、４４・・傾斜面部、５０・・第２基板、５２・・第２平面部、６４・・伝送線路
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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