(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板の表面にガスを供給しエピタキシャル層を形成するエピタキシャル装置であって、
前記基板を裏面から支持する支持部材と、
前記支持部材を側面から囲うように設けられ、前記支持部材に支持された前記基板の表面側に前記ガスを供給するためのガス供給口を有する外壁と、
前記外壁に着脱可能に設けられ、前記支持部材と前記外壁との間隙のうち少なくとも一部分を塞ぐ中蓋部材と、
前記外壁との間で前記基板の表面側を塞ぐとともに透明である中央部および該中央部よりも厚く形成された周縁部を有する上蓋部材と、
前記外壁に保持され、前記外壁との間で前記上蓋部材の周縁部の外側を挟むように保持し、前記上蓋部材が保持される部分を冷却する冷却手段を内部に有する保持リング部材と、
前記外壁と、前記支持部材及び前記中蓋部材と、前記外壁及び前記保持リング部材により保持された上蓋部材とで囲まれた領域を加熱する加熱手段と、
前記上蓋部材の周縁部及び前記保持リング部材のうち少なくとも一方の表面をカバーするように、前記保持リング部材の内側に設けられた円筒状の嵌入部と、該嵌入部から外側にフランジ部として周設されて前記保持リング部材の上面に係止可能な係止部とが設けられたインナーリングであるカバー部材と
を具備することを特徴とするエピタキシャル装置。
【請求項２】
前記カバー部材が、前記上蓋部材に着脱可能に設けられていることを特徴とする請求項１に記載のエピタキシャル装置。
【請求項３】
前記カバー部材が、前記保持部材に着脱可能に設けられていることを特徴とする請求項１に記載のエピタキシャル装置。
【請求項４】
前記カバー部材と、前記カバー部材がカバーしている前記上蓋部材または前記保持部材との間に間隙が設けられていることを特徴とする請求項１乃至請求項３のうちいずれか一項に記載のエピタキシャル装置。
【請求項５】
前記カバー部材の熱伝導率が、１〜２０Ｗ／ｍ・Ｋの範囲に設定されることを特徴とする請求項１乃至請求項４のうちいずれか一項に記載のエピタキシャル装置。
【請求項６】
前記カバー部材が、ステンレスからなることを特徴とする請求項１乃至請求項５のうちいずれか一項に記載のエピタキシャル装置。
【請求項７】
前記カバー部材において、前記嵌入部が前記保持リング部材の内周面をカバーすることを特徴とする請求項１乃至請求項６のうちいずれか一項に記載のエピタキシャル装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板の表面にガスを供給しエピタキシャル層を形成する枚葉式のエピタキシャル装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
ヒータ等の加熱手段により加熱しながら基板にガスを吹き付けることで、単結晶シリコン薄膜（以下、「エピタキシャル膜」という。）を当該基板上に成膜するエピタキシャル装置が開示されている（例えば、特許文献１参照）。特許文献１によれば、サセプタ（支持部材）に支持された基板上に効率良くガスを吹き付けるため、エピタキシャル装置は、ガスを側方へ逃がさないようにサセプタを取り囲む外壁と、ガスを上方へ逃がさないように外壁の基板表面側に取り付けられたアッパードーム（上蓋部材）と、ガスを下方へ逃がさないように外壁とサセプタとの間に設けられたサセプタリング（中蓋部材）とを有している。
【０００３】
アッパードームは、例えばＯリング等を介してクランプリング（保持部材）と外壁とで挟まれており、これらクランプリング及び外壁と密接して保持される。サセプタリングは、例えば外壁に着脱可能に設けられ、当該サセプタリングが外壁に装着されるときには密接して保持される。また、加熱したときの熱によってＯリングが変形するのを防ぐため、クランプリング内部に例えば水等の冷媒を流通させる流通路を形成し、クランプリングと外壁とで保持される部分を冷却できるようになっている。また、加熱された生成ガスが起こした反応による生成物がアッパードームに付着してアッパードームを汚染するため、ＨＣｌガス等の薬品によりアッパードームをクリーニングできるようになっている。  
【特許文献１】特開２００１−１２６９９５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、クランプリングを冷却してクランプリングの温度が低くなると、クランプリングと密接している他の部材からの熱が、温度の低いクランプリングの方へと移動し、熱の流れが生じる。この熱の流れにより、アッパードームからの熱がクランプリングを介して外気へと逃げやすくなってしまい、アッパードームの温度が低下する。この結果、ＨＣｌガスによるクリーニングの効率が低下し加熱された生成ガスによる生成物がアッパードームに残留しやすくなる。
【０００５】
また、この熱の流れの影響を受けて、サセプタリングの熱が、外壁からクランプリングの方へと移動し、クランプリングから外気へと逃げやすくなる。このため、サセプタリングの温度も低下してしまう。サセプタリングの温度が低下すると、サセプタリングに近接しているサセプタの外周部の温度が低下する。この結果、サセプタに支持された基板に温度分布が発生し、熱応力の差により基板にスリップが生じる原因となる。
【０００６】
以上のような事情に鑑み、本発明の目的は、熱の流れを抑えて、加熱時の上蓋部材の温度及び中蓋部材の温度の低下を抑えることで、上蓋部材に生成物が残留するのを低減することが可能となり、かつ、基板にスリップが生じるのを抑えることが可能となるエピタキシャル装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記目的を達成するため、本発明に係るエピタキシャル装置は、基板の表面にガスを供給しエピタキシャル層を形成するエピタキシャル装置であって、
前記基板を裏面から支持する支持部材と、
前記支持部材を側面から囲うように設けられ、前記支持部材に支持された前記基板の表面側に前記ガスを供給するためのガス供給口を有する外壁と、
前記外壁に着脱可能に設けられ、前記支持部材と前記外壁との間隙のうち少なくとも一部分を塞ぐ中蓋部材と、
前記外壁との間で前記基板の表面側を塞ぐとともに透明である中央部および該中央部よりも厚く形成された周縁部を有する上蓋部材と、
前記外壁に保持され、前記外壁との間で前記上蓋部材の周縁部の外側を挟むように保持し、前記上蓋部材が保持される部分を冷却する冷却手段を内部に有する保持リング部材と、
前記外壁と、前記支持部材及び前記中蓋部材と、前記外壁及び前記保持リング部材により保持された上蓋部材とで囲まれた領域を加熱する加熱手段と、
前記上蓋部材の周縁部及び前記保持リング部材のうち少なくとも一方の表面をカバーするように、前記保持リング部材の内側に設けられた円筒状の嵌入部と、該嵌入部から外側にフランジ部として周設されて前記保持リング部材の上面に係止可能な係止部とが設けられたインナーリングであるカバー部材と
を具備することを特徴とする。
本発明は、基板の表面にガスを供給しエピタキシャル層を形成するエピタキシャル装置であって、前記基板を裏面から支持する支持部材と、前記支持部材を側面から囲うように設けられ、前記支持部材に支持された前記基板の表面側に前記ガスを供給するためのガス供給口を有する外壁と、前記外壁に着脱可能に設けられ、前記支持部材と前記外壁との間隙のうち少なくとも一部分を塞ぐ中蓋部材と、前記外壁との間で前記基板の表面側を塞ぐ上蓋部材と、前記外壁に保持され、前記外壁との間で前記上蓋部材を挟むように保持し、前記上蓋部材が保持される部分を冷却する冷却手段を内部に有する保持部材と、前記外壁と、前記支持部材及び前記中蓋部材と、前記外壁及び前記保持部材により保持された上蓋部材とで囲まれた領域を加熱する加熱手段と、前記上蓋部材及び前記保持部材のうち少なくとも一方の表面をカバーするように設けられたカバー部材とを具備することができる。
【０００８】
本発明によれば、カバー部材が、上蓋部材及び保持部材のうち少なくとも一方の表面をカバーするように設けられているので、当該カバー部材がカバーしている部分から熱を逃げにくくすることができる。これにより、加熱された基板、中蓋部材、上蓋部材から、冷却された保持部材へ熱放射等によって移動する熱量を低減し、このような熱の流れを抑えることができる。したがって、上蓋部材の不必要な温度低下や、これにともなう中蓋部材から上蓋部材へ移動する熱量低減による中蓋部材の温度低下、あるいは、中蓋部材の温度低下に起因する基板周辺部の温度が低下することを抑えることができる。よって、上蓋部材に生成物が残留するのを低減することができ、かつ、基板に熱応力の差によるスリップが生じるのを抑えることが可能となる。また、カバー部材は表面をカバーしているだけなので、カバー部材自身が冷却手段によって直接冷却されることは無く、カバー部材の温度が低下することも無い。なお、上蓋部材をカバーする場合には、例えば保持部材による保持領域を狭くし、空いたスペースにカバー部材を設けるようにするのが好ましい。また、カバー部材がカバーする（覆って断熱する）箇所は、上蓋部材及び保持部材のうち、少なくとも、冷却された保持部材に対して、加熱された基板あるいは上蓋部材等から熱放射などにより移動する熱を遮ることで、上蓋部材、中蓋部材、基板などの温度低下を防止できる部分とされていればよく、具体的な形状その他構成は取り付けの簡便さ等により変形されることを妨げない。
【０００９】
また、前記カバー部材が、前記上蓋部材に着脱可能に設けられていることが好ましい。
カバー部材が上蓋部材に対して着脱可能である場合、例えばカバーする部分の形状に合わせてカバー部材を設計すれば、上蓋部材を再度設計し直さなくても、従来の上蓋部材にそのまま取り付けるだけで熱が逃げるのを抑えることが可能となる。これにより、上蓋部材を再設計する労力やコストを省くことができ、従来の装置において生成物付着あるいはスリップの発生等の防止という効果をすぐさま得ることが可能となる。
【００１０】
また、前記カバー部材が、前記保持部材に着脱可能に設けられていることが好ましい。
カバー部材が保持部材に対して着脱可能である場合、例えばカバーする部分の形状に合わせてカバー部材を設計すれば、保持部材を再度設計し直さなくても、保持部材上にそのまま取り付けるだけで熱が逃げるのを抑えることができる。よって、保持部材を再設計する労力やコストを省くことができる。特に、保持部材内には冷却手段が設けられており、再設計の際には当該冷却装置の配置なども考慮する必要があるため、この労力及びコストを省くことができるのは有意義である。
【００１１】
また、前記カバー部材と、前記カバー部材がカバーしている前記上蓋部材または前記保持部材との間に間隙が設けられていることが好ましい。  
これにより、カバー部材が熱膨張により破損するのを防ぐことができる。また、カバー部材とカバーしている部分（例えば上蓋部材）との間に間隙に熱をこもらせて逃がさないようにすることが可能となる。さらに、間隙における空気層を断熱材とすることができ、これにより、カバー部材から保持部材へ逃げる熱量を低減して、保持部材の温度上昇と、カバー部材の温度低下による上蓋部材の温度低下とを低減することが可能となる。このため、上蓋部材における生成物の残留と基板周辺部温度低下によるスリップの発生とをより一層低減することが可能となる。
前記カバー部材の熱伝導率が、１〜２０Ｗ／ｍ・Ｋの範囲に設定されることがあり、これにより、上蓋部材に生成物が付着した状態で残留してしまうことと、基板周辺部の温度が低下してスリップが発生することをより一層低減することが可能となる。
さらに、前記カバー部材において、前記嵌入部が前記保持リング部材の内周面をカバーすることができる。
【００１２】
また、前記カバー部材が、ステンレスからなることが好ましい。  
ステンレスは鉄鋼やアルミニウム等の材料に比べて熱伝導率が低いので、カバー部材をステンレスで形成することにより、カバーする部分の熱が当該カバー部材を介して外気へ逃げるのを抑えることができる。
【発明の効果】
【００１３】
本発明によれば、熱の流れを抑えて、加熱時の上蓋部材の温度及び中蓋部材の温度の低下を抑えることで、上蓋部材に生成物が残留するのを低減することが可能となり、かつ、基板にスリップが生じるのを抑えることが可能となるエピタキシャル装置を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１４】
本発明の第１実施形態を図面に基づき説明する。  
図１は、本実施形態に係るエピタキシャル装置１の構成を示す図である。  
エピタキシャル装置１は、サセプタ（支持部材）９と、外壁３と、サセプタリング（中蓋部材）４と、アッパードーム（上蓋部材）５と、ロワードーム６と、クランプリング（上部クランプリング（保持部材）７ａ及び下部クランプリング７ｂ）と、インナーリング（カバー部材）８と、加熱部（加熱手段）３０とを主として構成されている。
このエピタキシャル装置１は、ウェーハＷ下面をピン支持して移載するタイプの装置であり、装置内を加熱しウェーハＷの表面にガスを供給してエピタキシャル層を形成する枚葉式の装置である。エピタキシャル層としては、例えばシリコン単結晶の層等を形成する。ウェーハＷの表面に供給するガスとしては、シリコンソースである三塩化シラン（トリクロルシラン、ＳｉＨＣｌ３）と水素（Ｈ２）との混合ガス等が挙げられる。
【００１５】
サセプタ９は、主としてウェーハＷを回転可能に支持する支持部材であり、サセプタ９を支持する構成として、サセプタ支持部２と、サセプタ回転軸１０と、支持アーム１１と、昇降ピン１２と、リフトアーム１３とを有している。  
サセプタ９は、例えば炭素基材の表面にＳｉＣ被膜をコーティングして形成されている。サセプタ９については、図２に示すように、外周部９ａに比べて中央部９ｂがへこんでいる（底がある）円盤状のものがある。以下図２に示す円盤状のサセプタ９を例に挙げて説明する。中央部９ｂには、昇降ピン１２を通過させるための貫通孔９ｃが例えば３箇所に設けられている。このサセプタ９により、例えばウェーハＷが支持されるようになっている。
【００１６】
図１に戻って、サセプタ回転軸１０は、例えば図示しないモータ等の回転機構を有しており、この回転機構の回転によりθ方向に回転可能になっている。支持アーム１１は、一端がサセプタ９の下面に例えば嵌合されており、他端がサセプタ回転軸１０に固定されている。この支持アーム１１は、サセプタ９を支持している。
【００１７】
昇降ピン１２は、サセプタ９上のウェーハＷを先端部で支持して昇降させるものである。この昇降ピン１２はサセプタ９の貫通孔９ｃから出没するように、各貫通孔９ｃの位置に合わせて例えば３つ設けられている。この昇降ピン１２は、リフトアーム１３により支持されている。
【００１８】
リフトアーム１３は、サセプタ回転軸１０の外周を覆うように設けられたアーム支持部１３ａと、当該アーム支持部１３ａから広がるように設けられたアーム１３ｂとを有している。サセプタ支持部２には、例えば図示しないエアシリンダ等の昇降機構が取り付けられている。この昇降機構がサセプタ支持部２を昇降させることで支持アーム１１が昇降し、昇降ピン１２を昇降させることができるようになっている。
【００１９】
外壁３は、例えば石英からなる内層３ａと、金属からなる外層３ｂとの２層を有する円筒状の部材であり、サセプタ９およびサセプタ支持部２を側面から取り囲むように設けられている。この外壁３は、内側の表面にはサセプタリング４を装着するための凸部３ｅを有し、外側の表面にはガス供給口１４及びガス排出口１５を有している。
【００２０】
ガス供給口１４は、ウェーハＷの表面に例えばシリコン単結晶膜を形成するためのガス（例えば、上述した三塩化シランと水素との混合ガス等）を供給するための供給口である。このガス供給口１４には、例えば図示しないガス供給機構を取り付けることができるようになっている。
【００２１】
ガス排出口１５は、エピタキシャル膜が形成された後に残った排ガスを排出するための排出口である。このガス排出口１５には、当該ガス排出口１５から排出された排ガスを無害な物質に変換する排気処理機構（図示せず）等を取り付けることができるようになっている。
【００２２】
また、外壁３には、ガス供給口１４から外壁３の内部までを連通し、外壁３の内部からガス排出口１５を連通するように、ガス流通路１６が形成されている。ガス供給口１４、ガス排出口１５及びガス流通路１６の周囲は、例えば内層３ａと同様に石英により形成されているが、これ以外の材料で形成されていても勿論構わない。
【００２３】
サセプタリング４は、例えばサセプタ９と同様に炭素基材の表面にＳｉＣ被膜をコーティングして形成されており、サセプタ９と外壁３との間隙を覆うように外壁３の凹部３ｅに着脱可能に設けられている。このサセプタリング４は、凸部３ｅに装着されたときに、サセプタリング４と凸部３ｅとが密着し、サセプタリング４の外周４ａがサセプタ９の外周９ｄに近接するように構成されている。サセプタ９とサセプタリング４とを近接させることで、ガス供給口１４からエピタキシャル装置１内に流入するガスがウェーハＷの裏側に回るのを抑えるようになっている。
【００２４】
アッパードーム５は、例えば石英等の材料からなり、外壁３の上端部３ｃ側から外壁３内を塞ぐように設けられている円盤状の部材である。このアッパードーム５は、透明である中央部５ａと、非透明である周縁部５ｂとを有しており、中央部５ａよりも周縁部５ｂの方が厚く形成されている。アッパードーム５の周縁部５ｂは、上端部３ｃと上部クランプリング７ａとの間に例えばＯリング２２等を介して挟まれるように保持されており、周縁部５ｂの上面１７及び下面１８が上端部３ｃ及び上部クランプリング７ａのそれぞれと密接している。上端部３ｃ側には例えば３個（外層３ｂ側）、上部クランプリング７ａ側には例えば１個のＯリング２２が設けられている。上面１７には凸部１９が設けられている。
【００２５】
ロワードーム６は、アッパードーム５と同様に例えば石英等の材料からなり、外壁３の下端部３ｄ側から外壁３内を塞いでいると共に、サセプタ回転軸１０の軸がぶれないようにリフトアーム１３のアーム支持部１３ａの外周を保持している。このロワードーム６は、外壁３の下端部３ｄにおいて、アッパードーム５と同様、例えばＯリング２０等を介して外壁３と下部クランプリング７ｂとに挟まれるように保持されている。ロワードーム６、アッパードーム５、外壁３等によりエピタキシャル膜を成膜するためのチャンバーが構成される。
【００２６】
上部クランプリング７ａは、例えばステンレス等からなり、外壁３の上端部３ｃに保持されており、Ｏリング２２を介して周縁部５ｂの外側を押さえている。周縁部５ｂの上面１７と密着する部分には、上面１７に設けられた凸部１９が嵌合するように凹部２１が設けられている。凸部１９と凹部２１とが嵌合することで、アッパードーム５がずれないようになっている。上部クランプリング７ａの内部には、Ｏリング２２の近傍に例えば水等の冷媒を流通させる流通路７ｃが設けられている。例えば図示しないポンプ等を取り付けて当該ポンプを駆動させることにより、この流通路７ｃに冷媒を循環させることが可能である。なお、下部クランプリング７ｂの構成については、上部クランプリング７ａの構成とほぼ同様であるため、ここでは説明を省略する。
【００２７】
インナーリング８は、アッパードーム５や上部クランプリング７ａの表面をカバーするカバー部材であり、例えばステンレスからなる。このインナーリング８は、上部クランプリング７ａの内側に嵌入される嵌入部８ａと、上部クランプリング７ａの上面７ｄに係止させる係止部８ｂとを有しており、アッパードーム５や上部クランプリング７ａに対して着脱可能に設けられている。例えばインナーリング８を装着した状態（図１の状態）では、嵌入部８ａは上部クランプリング７ａの側面７ｅとアッパードーム５の周縁部５ｂの内側とをカバーしており、係止部８ｂは上部クランプリング７ａの上面７ｄをカバーしている。嵌入部８ａや係止部８ｂの形状は、インナーリング８によりカバーされる例えば上部クランプリング７ａの上面や側面、アッパードーム５の周縁部５ｂの内側等の形状に合うようになっている。このインナーリング８は、図３（図１のインナーリング８部分の拡大図）に示すように、嵌入部８ａとアッパードーム５の周縁部５ｂとの間には間隙が生じるように配置されており、嵌入部８ａと上部クランプリング７ａの側面７ｅとの間には間隙２３が生じるように配置されている。
たとえば、嵌入部８ａは略円筒状とされることができ、係止部８ｂは嵌入部８ａから外側にフランジ状として周設されることができる。嵌入部８ａは、エピタキシャル装置１の加熱される部分から上部クランプリング７ａへの熱放射を遮断することが可能な形状とされていればよく、エピタキシャル装置１の基板（ウェーハ）Ｗと平行な面を平面視した際に内側となる上部クランプリング７ａの内周面を覆うように設けられる。また、係止部８ｂは上部クランプリング７ａの上面７ｄに係止可能で有ればよく、嵌入部８ａの全周にわたって設けないことも可能である。この場合には、嵌入部８ａと上部クランプリング７ａの側面７ｅとの間には間隙２３内に外気が流通可能なため、嵌入部８ａと上部クランプリング７ａとの間における熱伝達をより一層低減することができる。
【００２８】
加熱部３０は、サセプタ９、外壁３、サセプタリング４及びアッパードーム５で囲まれた領域Ｓを加熱する加熱手段であり、主として例えば赤外線ランプやハロゲンランプ等のヒータで構成されている。この加熱部３０は、エピタキシャル装置１の上方や下方に複数個配置されている。
【００２９】
次に、このように構成されたエピタキシャル装置１の動作について説明する。  
まず、サセプタ９から昇降ピン１２を突出させた状態で昇降ピン１２上にウェーハＷを載置する。昇降ピン１２の先端にウェーハＷが載置されたら、昇降機構を駆動してサセプタ９を上昇させ、ウェーハＷをサセプタ９上に載置する。
【００３０】
ウェーハＷがサセプタ９に保持された状態で、ガス供給口１４から領域Ｓに水素ガスを供給して加熱部３０により領域Ｓを加熱し、約１１００℃〜１２００℃で数秒間（１０秒以下）水素ベークする。水素ベークの後、ガス供給口１４から三塩化シランガスと水素ガスとの混合ガスを領域Ｓ内に供給し、加熱温度を約１０００℃〜１１５０℃にしてウェーハＷ上にエピタキシャル膜を成長させる。ウェーハＷにエピタキシャル膜が形成されたら、エピタキシャル膜の形成されたウェーハＷを取り出す。その後、ＨＣｌガスにより領域Ｓ内をクリーニングし残留生成物を除去する。ここまでが１回分の動作である。
【００３１】
図４は、加熱時の上部クランプリング７ａの内周部分の温度変化を示すグラフである。同図に示す結果は、実際に測定したものである。縦軸が温度を、横軸が加熱時間をそれぞれ示している。グラフ中、実線部分がインナーリング８を装着しないエピタキシャル装置で加熱したときの値であり、破線部分がインナーリング８を装着した上記のエピタキシャル装置１で加熱したときの値である。なお、グラフでは実線部分及び破線部分の双方について、周期的に極端に温度が低くなっている部分が見られるが、これは赤外線加熱ランプの出力が周期的に減少することに伴うヒートサイクルである。したがって、ここではそれぞれ各周期の最大値に着目して説明する。
【００３２】
インナーリング８を装着しないエピタキシャル装置では、上部クランプリング７ａの内周部分の温度の最大値が２５０℃〜３００℃の間で推移している。一方、インナーリング８を装着した上記エピタキシャル装置１では、当該温度の最大値が３５０℃〜４００℃の間で推移している。この結果から、インナーリング８を装着した場合には、装着しなかった場合と比べて、上部クランプリング７ａの内周部分の温度が約１００℃近く高くなっていることがわかる。
【００３３】
図５は、エピタキシャル装置において、エピタキシャル成長の動作を約１５０００回行った後の、アッパードームへの付着物の様子を示す図である。図５（ａ）はインナーリング８が装着されないエピタキシャル装置により加熱を行った場合、図５（ｂ）はインナーリング８が装着された上記のエピタキシャル装置１により加熱を行った場合についてそれぞれ示している。
【００３４】
図５（ａ）に示すように、インナーリング８が装着されないエピタキシャル装置では、アッパードーム５０のうち、例えば中央部５０ａ（周縁部５０ｂの近傍）に視認可能な程度の付着物４０が形成されるのに対して、図５（ｂ）に示すように、インナーリング８を装着した上記のエピタキシャル装置１では、アッパードーム５にはほとんど付着物が形成されない。
【００３５】
図４のグラフに示すように、インナーリング８を装着した場合には、装着しなかった場合と比べて、上部クランプリングの内周部分の温度が約１００℃近く高くなっているため、輻射熱によりアッパードーム５の周縁部５ｂの温度も上昇する。一方、温度が高いほどＨＣｌガスによるアッパードーム５のクリーニング（洗浄）効率が高くなる。したがって、インナーリング８を装着したエピタキシャル装置１の方が、インナーリング８を装着しないエピタキシャル装置よりもアッパードーム５のクリーニング効率が高くなり、上記エピタキシャル装置１のアッパードーム５には付着物が形成されにくくなるのである。
【００３６】
このように、本実施形態によれば、インナーリング８が、アッパードーム５及び上部クランプリング７ａのうち少なくとも一方の表面をカバーするように設けられているので、当該インナーリング８がカバーしている部分から熱を逃げにくくすることができる。これにより、熱の流れを抑えることができるので、アッパードーム５の温度やサセプタリング４の温度が低下するのを抑えることができる。よって、アッパードーム５に生成物が残留するのを低減することができ、かつ、ウェーハＷに熱応力の差によるスリップが生じるのを抑えることが可能となる。
【００３７】
次に、本発明の第２実施形態を説明する。第１実施形態と同様、以下の図では、各部材を認識可能な大きさとするため、縮尺を適宜変更している。また、第１実施形態と同一の構成要素については、同一の符号を付してその説明を省略する。本実施形態では、主にインナーリングの構成が第１実施形態と異なっているため、この点を中心に説明する。
【００３８】
図６は、本実施形態に係るエピタキシャル装置１０１の構成を示す図である。  
エピタキシャル装置１０１は、サセプタ（支持部材）９と、外壁３と、サセプタリング（中蓋部材）４と、アッパードーム（上蓋部材）５と、ロワードーム６と、クランプリング１０７（上部クランプリング（保持部材）１０７ａ及び下部クランプリング１０７ｂ）と、インナーリング（カバー部材）１０８と、加熱部（加熱手段）３０とを主として構成されている。
【００３９】
上部クランプリング１０７ａは、例えば第１実施形態と同様にステンレスからなり、外壁３の上端部３ｃに保持されており、Ｏリング２２を介してアッパードーム５の周縁部５ｂ全体を押さえているが、アッパードームの周縁部５ｂの内径と上部クランプリング１０７ａの内径とがほぼ一致している点で、第１実施形態とは異なっている。
【００４０】
インナーリング１０８は、第１実施形態と同様にステンレスからなるが、上部クランプリング１０７ａの表面のみをカバーしている点で、第１実施形態とは異なっている。このインナーリング１０８は、上部クランプリング１０７ａの内側に嵌入される嵌入部１０８ａと、上部クランプリング１０７ａの上面１０７ｄに係止させる係止部１０８ｂとを有しており、上部クランプリング７ａに対して着脱可能に設けられている。
【００４１】
例えばインナーリング１０８を装着した状態（図６の状態）では、嵌入部１０８ａは上部クランプリング１０７ａの側面１０７ｅをカバーしており、係止部１０８ｂは上部クランプリング１０７ａの上面１０７ｄをカバーしている。このインナーリング１０８は、図７（図６のインナーリング１０８部分の拡大図）に示すように、嵌入部１０８ａと上部クランプリング１０７ａの側面１０７ｅとの間には間隙１２３が生じるように配置されている。
【００４２】
本実施形態のように、インナーリング１０８の形状を上部クランプリング１０７ａの形状に合わせて設計することができる。このように設計したインナーリング１０８で上部クランプリング１０７ａの表面をカバーすれば、当該表面から熱が逃げていくのを抑えることができる。
【００４３】
本発明の技術範囲は上記実施形態に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲で適宜変更を加えることができる。  
例えば、上記第１実施形態では、インナーリング８がアッパードーム５と上部クランプリング７ａとの両方をカバーするように構成し、上記第２実施形態では、インナーリング１０８が上部クランプリング１０７ａのみをカバーするように構成したが、上部クランプリング７ａの内径をアッパードーム５の周縁部５ｂの内径より大きくして、アッパードーム５のみをカバーするようにインナーリング８を設けても良く、このような構成であっても熱の移動を抑えることができる。
【図面の簡単な説明】
【００４４】
【図１】本発明の第１実施形態に係るエピタキシャル装置の構成を示す図である。
【図２】本実施形態に係るエピタキシャル装置のサセプタの構成を示す図である。
【図３】エピタキシャル装置のうちインナーリングの部分を拡大した図である。
【図４】加熱時のクランプリングの温度―時間特性を示すグラフである。
【図５】加熱後のアッパードームの様子を示す図である。
【図６】本発明の第２実施形態に係るエピタキシャル装置の構成を示す図である。
【図７】エピタキシャル装置のうちインナーリングの部分を拡大した図である。
【符号の説明】
【００４５】
Ｗ…ウェーハ  Ｓ…領域  １、１０１…エピタキシャル装置  ９…サセプタ  ３…外壁４…サセプタリング  ５…アッパードーム  ７ａ、１０７ａ…上部クランプリング  ８、１０８…インナーリング  １４…ガス供給口  １７…上面  ２０、２２…Ｏリング  ２３、１２３…間隙  ３０…加熱部
【図１】
0004779644.tif 000002
【図２】
0004779644.tif 000003
【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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