(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁基板と、その上に隣り合って配置され、各々が、前記絶縁基板上に配置された画素電極と、これと向き合った対向電極と、それらの間に介在すると共に発光層を含んだ活性層とを備えた第１及び第２有機ＥＬ素子とを具備し、
前記第１有機ＥＬ素子は、前記第２有機ＥＬ素子とは前記発光層の発光色が異なると共に、前記第２有機ＥＬ素子と比較してより小さな電圧で発光し、
前記第１有機ＥＬ素子が含む前記発光層の前記第１及び第２有機ＥＬ素子の配列方向に沿った寸法ＬB１と前記第１有機ＥＬ素子が含む前記画素電極の前記活性層と接触している第１部分の前記配列方向に沿った寸法ＬA１との差ＬB１−ＬA１は、前記第２有機ＥＬ素子が含む前記発光層の前記配列方向に沿った寸法ＬB２と前記第２有機ＥＬ素子が含む前記画素電極の前記活性層と接触している第２部分の前記配列方向に沿った寸法ＬA２との差ＬB２−ＬA２と比較してより小さいことを特徴とする有機ＥＬ表示装置。
【請求項２】
前記差ＬB１−ＬA１は前記第１及び第２部分間の前記配列方向に沿った距離Ｄ12以下であり、前記差ＬB２−ＬA２は前記距離Ｄ12と比較してより大きいことを特徴とする請求項１に記載の有機ＥＬ表示装置。
【請求項３】
前記寸法ＬB２は前記寸法ＬB１と比較してより大きいことを特徴とする請求項１に記載の有機ＥＬ表示装置。
【請求項４】
前記寸法ＬA２は前記寸法ＬA１と比較してより小さいことを特徴とする請求項１に記載の有機ＥＬ表示装置。
【請求項５】
前記寸法ＬB２は前記寸法ＬB１と比較してより大きく、前記寸法ＬA２は前記寸法ＬA１と比較してより小さいことを特徴とする請求項１に記載の有機ＥＬ表示装置。
【請求項６】
絶縁基板と、その上に隣り合って配置され、各々が、前記絶縁基板上に配置された画素電極と、これと向き合った対向電極と、それらの間に介在すると共に発光層を含んだ活性層とを備えた第１乃至第３有機ＥＬ素子とを具備し、
前記第１有機ＥＬ素子は前記第２有機ＥＬ素子を挟んで前記第３有機ＥＬ素子と隣り合い、
前記第１乃至第３有機ＥＬ素子は前記発光層の発光色が互いに異なり、
前記第１有機ＥＬ素子は前記第２有機ＥＬ素子と比較してより小さな電圧で発光し、前記第２有機ＥＬ素子は前記第３有機ＥＬ素子と比較してより小さな電圧で発光し、
前記第１有機ＥＬ素子が含む前記発光層の前記第１及び第２有機ＥＬ素子の配列方向に沿った寸法ＬB１と前記第１有機ＥＬ素子が含む前記画素電極の前記活性層と接触している第１部分の前記配列方向に沿った寸法ＬA１との差ＬB１−ＬA１は、前記第２有機ＥＬ素子が含む前記発光層の前記配列方向に沿った寸法ＬB２と前記第２有機ＥＬ素子が含む前記画素電極の前記活性層と接触している第２部分の前記配列方向に沿った寸法ＬA２との差ＬB２−ＬA２と比較してより小さく、
前記差ＬB２−ＬA２は、前記第３有機ＥＬ素子が含む前記発光層の前記配列方向に沿った寸法ＬB３と前記第３有機ＥＬ素子が含む前記画素電極の前記活性層と接触している第３部分の前記配列方向に沿った寸法ＬA３との差ＬB３−ＬA３と比較してより小さいことを特徴とする有機ＥＬ表示装置。
【請求項７】
前記差ＬB１−ＬA１は前記第１及び第２部分間の前記配列方向に沿った距離Ｄ12以下であり、前記差ＬB２−ＬA２は前記距離Ｄ12と比較してより大きく、前記差ＬB２−ＬA２は前記第２及び第３部分間の前記配列方向に沿った距離Ｄ23以下であり、前記差ＬB３−ＬA３は前記距離Ｄ23と比較してより大きいことを特徴とする請求項６に記載の有機ＥＬ表示装置。
【請求項８】
前記第１及び第２部分間の前記配列方向に沿った距離Ｄ12は、前記第２及び第３部分間の前記配列方向に沿った距離Ｄ23と比較してより短いことを特徴とする請求項６に記載の有機ＥＬ表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、有機エレクトロルミネッセンス（ＥＬ）表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
カラー画像を表示可能な有機ＥＬ表示装置の多くは、発光色が赤色、緑色、青色の有機ＥＬ素子を含んでいる。これら有機ＥＬ素子は、発光層の材料が互いに異なっている。したがって、例えば、真空蒸着法を利用する場合には、発光層はマスクを用いて発光色毎に形成する。
【０００３】
この方法では、発光層と画素電極との相対位置のずれに起因して、発光し得ない有機ＥＬ素子を生じることがある。したがって、この方法では、マスクと基板との位置合わせ精度やマスクの熱膨張などを考慮して、発光層を形成することが必要な領域よりも広い領域に発光層の材料を堆積させるのが一般的である。しかしながら、このような構成を採用すると、隣り合う発光層が部分的に重なり合い易くなる。部分的に重なり合った発光層の発光色が互いに異なっていると、これら発光層を含んだ有機ＥＬ素子の発光色が表示すべき色からずれる可能性がある。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
本発明の目的は、発光層と画素電極との相対位置のずれに起因して発光し得ない有機ＥＬ素子を生じることを抑制し、さらに、隣り合う発光層が部分的に重なり合うことに起因した色ずれを抑制することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明の第１側面によると、絶縁基板と、その上に隣り合って配置され、各々が、前記絶縁基板上に配置された画素電極と、これと向き合った対向電極と、それらの間に介在すると共に発光層を含んだ活性層とを備えた第１及び第２有機ＥＬ素子とを具備し、前記第１有機ＥＬ素子は、前記第２有機ＥＬ素子とは前記発光層の発光色が異なると共に、前記第２有機ＥＬ素子と比較してより小さな電圧で発光し、前記第１有機ＥＬ素子が含む前記発光層の前記第１及び第２有機ＥＬ素子の配列方向に沿った寸法ＬB１と前記第１有機ＥＬ素子が含む前記画素電極の前記活性層と接触している第１部分の前記配列方向に沿った寸法ＬA１との差ＬB１−ＬA１は、前記第２有機ＥＬ素子が含む前記発光層の前記配列方向に沿った寸法ＬB２と前記第２有機ＥＬ素子が含む前記画素電極の前記活性層と接触している第２部分の前記配列方向に沿った寸法ＬA２との差ＬB２−ＬA２と比較してより小さいことを特徴とする有機ＥＬ表示装置が提供される。
【０００６】
本発明の第２側面によると、絶縁基板と、その上に隣り合って配置され、各々が、前記絶縁基板上に配置された画素電極と、これと向き合った対向電極と、それらの間に介在すると共に発光層を含んだ活性層とを備えた第１乃至第３有機ＥＬ素子とを具備し、前記第１有機ＥＬ素子は前記第２有機ＥＬ素子を挟んで前記第３有機ＥＬ素子と隣り合い、前記第１乃至第３有機ＥＬ素子は前記発光層の発光色が互いに異なり、前記第１有機ＥＬ素子は前記第２有機ＥＬ素子と比較してより小さな電圧で発光し、前記第２有機ＥＬ素子は前記第３有機ＥＬ素子と比較してより小さな電圧で発光し、前記第１有機ＥＬ素子が含む前記発光層の前記第１及び第２有機ＥＬ素子の配列方向に沿った寸法ＬB１と前記第１有機ＥＬ素子が含む前記画素電極の前記活性層と接触している第１部分の前記配列方向に沿った寸法ＬA１との差ＬB１−ＬA１は、前記第２有機ＥＬ素子が含む前記発光層の前記配列方向に沿った寸法ＬB２と前記第２有機ＥＬ素子が含む前記画素電極の前記活性層と接触している第２部分の前記配列方向に沿った寸法ＬA２との差ＬB２−ＬA２と比較してより小さく、前記差ＬB２−ＬA２は、前記第３有機ＥＬ素子が含む前記発光層の前記配列方向に沿った寸法ＬB３と前記第３有機ＥＬ素子が含む前記画素電極の前記活性層と接触している第３部分の前記配列方向に沿った寸法ＬA３との差ＬB３−ＬA３と比較してより小さいことを特徴とする有機ＥＬ表示装置が提供される。
【発明の効果】
【０００７】
本発明によると、発光層と画素電極との相対位置のずれに起因して発光し得ない有機ＥＬ素子を生じることを抑制し、さらに、隣り合う発光層が部分的に重なり合うことに起因した色ずれを抑制することが可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００８】
以下、本発明の態様について、図面を参照しながら詳細に説明する。なお、各図において、同様又は類似した機能を発揮する構成要素には同一の参照符号を付し、重複する説明は省略する。
【０００９】
図１は、本発明の一態様に係る表示装置を概略的に示す平面図である。図２は、図１の表示装置に採用可能な構造の一例を概略的に示す断面図である。図３は、図１の表示装置に採用可能な発光層の配置の一例を概略的に示す平面図である。
【００１０】
なお、図２では、表示装置を、その表示面，すなわち前面又は光出射面，が下方を向き、背面が上方を向くように描いている。また、図３において、領域ＴＰＬは、発光色が互いに異なる３つの画素からなるトリプレットに割り当てられる領域を示している。
【００１１】
図１の表示装置は、アクティブマトリクス型駆動方式を採用した下面発光型の有機ＥＬ表示装置である。この有機ＥＬ表示装置は、表示パネルＤＰと、映像信号線ドライバＸＤＲと、走査信号線ドライバＹＤＲとを含んでいる。
【００１２】
表示パネルＤＰは、図１及び図２に示すように、例えば、ガラス基板などの絶縁基板ＳＵＢを含んでいる。
【００１３】
基板ＳＵＢ上には、図２に示すように、アンダーコート層ＵＣが形成されている。アンダーコート層ＵＣは、例えば、基板ＳＵＢ上にＳｉＮx層とＳｉＯx層とをこの順に積層してなる。
【００１４】
アンダーコート層ＵＣ上には、例えば不純物を含有したポリシリコンからなる半導体パターンが形成されている。この半導体パターンの一部は、図２の半導体層ＳＣとして利用している。半導体層ＳＣには、ソース及びドレインとして利用する不純物拡散領域と、ソース及びドレイン間に配置されるチャネルとが形成されている。また、この半導体パターンの他の一部は、後述するキャパシタＣの下部電極として利用している。下部電極は、後述する画素ＰＸ１乃至ＰＸ３に対応して配列している。
【００１５】
なお、画素ＰＸ１乃至ＰＸ３は、この順にＸ方向に並んでおり、トリプレットを構成している。表示領域内では、このトリプレットがＸ方向とＹ方向とに配列している。すなわち、表示領域内では、画素ＰＸ１をＹ方向に並べてなる画素列と、画素ＰＸ２をＹ方向に並べてなる画素列と、画素ＰＸ３をＹ方向に並べてなる画素列とがこの順にＸ方向に並べられ、さらに、これら３つの画素列がＸ方向に繰り返し並べられている。
【００１６】
半導体パターンは、図２に示すゲート絶縁膜ＧＩで被覆されている。ゲート絶縁膜ＧＩは、例えばＴＥＯＳ（tetraethyl orthosilicate）などを用いて形成することができる。
【００１７】
ゲート絶縁膜ＧＩ上には、図１に示す走査信号線ＳＬ１及びＳＬ２が形成されている。走査信号線ＳＬ１及びＳＬ２は、各々がＸ方向に延びており、Ｙ方向に交互に配列している。走査信号線ＳＬ１及びＳＬ２は、例えばＭｏＷなどからなる。
【００１８】
ゲート絶縁膜ＧＩ上には、キャパシタＣの上部電極がさらに配置されている。上部電極は、画素ＰＸ１乃至ＰＸ３に対応して配列しており、下部電極と向き合っている。上部電極は、例えばＭｏＷなどからなり、走査信号線ＳＬ１及びＳＬ２と同一の工程で形成することができる。
【００１９】
走査信号線ＳＬ１及びＳＬ２は、半導体層ＳＣと交差している。走査信号線ＳＬ１と半導体層ＳＣとの交差部は図１及び図２に示すスイッチングトランジスタＳＷａを構成しており、走査信号線ＳＬ２と半導体層ＳＣとの交差部は図１に示すスイッチングトランジスタＳＷｂ及びＳＷｃを構成している。また、下部電極と上部電極とそれらの間に介在した絶縁膜ＧＩとは図１に示すキャパシタＣを構成しており、上部電極の延在部と半導体層ＳＣとの交差部は図１に示す駆動トランジスタＤＲを構成している。
【００２０】
なお、この例では、駆動トランジスタＤＲ及びスイッチングトランジスタＳＷａ乃至ＳＷｃは、トップゲート型のｐチャネル薄膜トランジスタである。また、図２に参照符号Ｇで示す部分は、スイッチングトランジスタＳＷａのゲートである。
【００２１】
ゲート絶縁膜ＧＩ、走査信号線ＳＬ１及びＳＬ２、並びに上部電極は、図２に示す層間絶縁膜ＩＩで被覆されている。層間絶縁膜ＩＩは、例えばプラズマＣＶＤ法により堆積させたＳｉＯxなどからなる。
【００２２】
層間絶縁膜ＩＩ上には、図１に示す映像信号線ＤＬと電源線ＰＳＬとが形成されている。映像信号線ＤＬは、図１に示すように、各々がＹ方向に延びており、Ｘ方向に配列している。電源線ＰＳＬは、例えば、各々がＹ方向に延びており、Ｘ方向に配列している。
【００２３】
層間絶縁膜ＩＩ上には、図２に示すソース電極ＳＥ及びドレイン電極ＤＥがさらに形成されている。ソース電極ＳＥ及びドレイン電極ＤＥは、画素ＰＸ１乃至ＰＸ３の各々において素子同士を接続している。
【００２４】
映像信号線ＤＬと電源線ＰＳＬとソース電極ＳＥとドレイン電極ＤＥとは、例えば、Ｍｏ／Ａｌ／Ｍｏの三層構造を有している。これらは、同一工程で形成可能である。
【００２５】
映像信号線ＤＬと電源線ＰＳＬとソース電極ＳＥとドレイン電極ＤＥとは、図２に示すパッシベーション膜ＰＳで被覆されている。パッシベーション膜ＰＳは、例えばＳｉＮxなどからなる。
【００２６】
パッシベーション膜ＰＳ上では、図２に示す画素電極ＰＥが、画素ＰＸ１乃至ＰＸ３に対応して配列している。各画素電極ＰＥは、パッシベーション膜ＰＳに設けたコンタクトホールを介してドレイン電極ＤＥに接続されており、このドレイン電極はスイッチングトランジスタＳＷａのドレインに接続されている。
【００２７】
画素電極ＰＥは、この例では光透過性の前面電極である。また、画素電極ＰＥは、この例では陽極である。画素電極ＰＥの材料としては、例えば、ＩＴＯ（indium tin oxide）などの透明導電性酸化物を使用することができる。
【００２８】
パッシベーション膜ＰＳ上には、さらに、図２に示す隔壁絶縁層ＰＩが形成されている。隔壁絶縁層ＰＩには、画素電極ＰＥに対応した位置に貫通孔が設けられているか、或いは、画素電極ＰＥが形成する列に対応した位置にスリットが設けられている。ここでは、一例として、隔壁絶縁層ＰＩには、画素電極ＰＥに対応した位置に貫通孔が設けられていることとする。
【００２９】
隔壁絶縁層ＰＩは、例えば、有機絶縁層である。隔壁絶縁層ＰＩは、例えば、フォトリソグラフィ技術を用いて形成することができる。
【００３０】
画素電極ＰＥ上には、活性層として、発光層を含んだ有機物層ＯＲＧが形成されている。発光層は、例えば、発光色が赤色、緑色、又は青色のルミネセンス性有機化合物を含んだ薄膜である。なお、図２には有機物層ＯＲＧとして発光層のみを描いているが、この有機物層ＯＲＧは、発光層に加え、正孔注入層、正孔輸送層、正孔ブロッキング層、電子輸送層、電子注入層などもさらに含むことができる。
【００３１】
図３に参照符号ＥＭＴ１乃至ＥＭＴ３で示す部材は、それぞれ、画素ＰＸ１乃至ＰＸ３が含む発光層である。発光層ＥＭＴ１乃至ＥＭＴ３は、発光色が互いに異なっている。
【００３２】
隔壁絶縁層ＰＩ及び有機物層ＯＲＧは、対向電極ＣＥで被覆されている。この例では、対向電極ＣＥは、画素ＰＸ１乃至ＰＸ３間で互いに接続された電極，すなわち共通電極，である。また、この例では、対向電極ＣＥは、陰極であり且つ光反射性の背面電極である。対向電極ＣＥは、例えば、パッシベーション膜ＰＳと隔壁絶縁層ＰＩとに設けられたコンタクトホールを介して、映像信号線ＤＬと同一の層上に形成された電極配線（図示せず）に電気的に接続されている。各々の有機ＥＬ素子ＯＬＥＤは、画素電極ＰＥと、有機物層ＯＲＧと、対向電極ＣＥとを含んでいる。
【００３３】
画素ＰＸ１乃至ＰＸ３の各々は、図１に示すように、駆動トランジスタＤＲと、スイッチングトランジスタＳＷａ乃至ＳＷｃと、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤと、キャパシタＣとを含んでいる。上記の通り、この例では、駆動トランジスタＤＲ及びスイッチングトランジスタＳＷａ乃至ＳＷｃはｐチャネル薄膜トランジスタである。
【００３４】
駆動トランジスタＤＲとスイッチングトランジスタＳＷａと有機ＥＬ素子ＯＬＥＤとは、第１電源端子ＮＤ１と第２電源端子ＮＤ２との間で、この順に直列に接続されている。この例では、電源端子ＮＤ１は高電位電源端子であり、電源端子ＮＤ２は低電位電源端子である。
【００３５】
スイッチングトランジスタＳＷａのゲートは、走査信号線ＳＬ１に接続されている。スイッチングトランジスタＳＷｂは映像信号線ＤＬと駆動トランジスタＤＲのドレインとの間に接続されており、そのゲートは走査信号線ＳＬ２に接続されている。スイッチングトランジスタＳＷｃは駆動トランジスタＤＲのドレインとゲートとの間に接続されており、そのゲートは走査信号線ＳＬ２に接続されている。
【００３６】
キャパシタＣは、駆動トランジスタＤＲのゲートと定電位端子ＮＤ１’との間に接続されている。この例では、定電位端子ＮＤ１’は、電源端子ＮＤ１に接続されている。
【００３７】
映像信号線ドライバＸＤＲには、映像信号線ＤＬが接続されている。この例では、映像信号線ドライバＸＤＲには、電源線ＰＳＬがさらに接続されている。映像信号線ドライバＸＤＲは、映像信号線ＤＬに映像信号として電流信号を出力するとともに、電源線ＰＳＬに電源電圧を供給する。
【００３８】
走査信号線ドライバＹＤＲには、走査信号線ＳＬ１及びＳＬ２が接続されている。走査信号線ドライバＹＤＲは、走査信号線ＳＬ１及びＳＬ２にそれぞれ第１及び第２走査信号として電圧信号を出力する。
【００３９】
この有機ＥＬ表示装置で画像を表示する場合、例えば、走査信号線ＳＬ１及びＳＬ２の各々を線順次駆動する。すなわち、画素ＰＸ１乃至ＰＸ３を行毎に走査（選択）する。画素ＰＸ１乃至ＰＸ３を選択している選択期間では書込動作を行い、非選択期間では表示動作を行う。
【００４０】
或る行の画素ＰＸ１乃至ＰＸ３を選択する選択期間では、まず、走査信号線ドライバから、先の画素ＰＸ１乃至ＰＸ３が接続された走査信号線ＳＬ１にスイッチングトランジスタＳＷａを開く（非導通状態とする）走査信号を電圧信号として出力し、続いて、先の画素ＰＸ１乃至ＰＸ３が接続された走査信号線ＳＬ２にスイッチングトランジスタＳＷｂ及びＳＷｃを閉じる（導通状態とする）走査信号を電圧信号として出力する。この状態で、映像信号線ドライバから、映像信号線ＤＬに映像信号を電流信号（書込電流）Ｉsigとして出力し、駆動トランジスタＤＲのゲート−ソース間電圧Ｖgsを、先の映像信号Ｉsigに対応した大きさに設定する。その後、走査信号線ドライバから、先の画素ＰＸ１乃至ＰＸ３が接続された走査信号線ＳＬ２にスイッチングトランジスタＳＷｂ及びＳＷｃを開く走査信号を電圧信号として出力し、続いて、先の画素ＰＸ１乃至ＰＸ３が接続された走査信号線ＳＬ１にスイッチングトランジスタＳＷａを閉じる走査信号を電圧信号として出力する。これにより、選択期間を終了する。
【００４１】
非選択期間では、スイッチングトランジスタＳＷａは閉じたままとし、スイッチングトランジスタＳＷｂ及びＳＷｃは開いたままとする。非選択期間では、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤには、駆動トランジスタＤＲのゲート−ソース間電圧Ｖgsに対応した大きさの駆動電流Ｉdrvが流れる。有機ＥＬ素子ＯＬＥＤは、駆動電流Ｉdrvの大きさに対応した輝度で発光する。
【００４２】
この有機ＥＬ表示装置は、例えば、以下の方法により製造することができる。  
まず、先に説明した表示パネルＤＰから対向電極ＣＥと有機物層ＯＲＧとを除いた構造，すなわちアレイ基板，を準備する。
【００４３】
次に、画素電極ＰＥ上に、有機物層ＯＲＧが含む各層を真空蒸着法によって形成する。有機物層ＯＲＧが含む層のうち発光層ＥＭＴ１乃至ＥＭＴ３は、マスクを用いた真空蒸着方により順次形成する。
【００４４】
その後、有機物層ＯＲＧ上に対向電極ＣＥを形成する。さらに、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤを封止し、表示パネルＤＰに映像信号線ドライバＸＤＲと走査信号線ドライバＹＤＲとを実装する。以上のようにして、図１の有機ＥＬ表示装置を得る。
【００４５】
図４は、有機ＥＬ素子の電圧輝度特性の例を示すグラフである。図中、横軸は画素電極ＰＥと対向電極ＣＥとの間に印加する電圧を示し、縦軸は有機ＥＬ素子ＯＬＥＤの輝度を示している。また、曲線ＶＬ１乃至ＶＬ３は、それぞれ、画素ＰＸ１乃至ＰＸ３が含む有機ＥＬ素子ＯＬＥＤの電圧輝度特性を示している。
【００４６】
図４に示す例では、画素ＰＸ１が含む有機ＥＬ素子ＯＬＥＤは画素ＰＸ２が含む有機ＥＬ素子ＯＬＥＤと比較してより小さな電圧で発光し、画素ＰＸ２が含む有機ＥＬ素子ＯＬＥＤは画素ＰＸ３が含む有機ＥＬ素子ＯＬＥＤと比較してより小さな電圧で発光する。すなわち、画素ＰＸ１が含む有機ＥＬ素子ＯＬＥＤは、画素ＰＸ２が含む有機ＥＬ素子ＯＬＥＤと比較して発光開始電圧がより小さい。
【００４７】
この場合、発光層ＥＭＴ１及びＥＭＴ２に図２及び図３の構造を採用すると、発光層ＥＭＴ２と画素電極ＰＥとの相対位置のずれに起因して発光し得ない有機ＥＬ素子ＯＬＥＤが生じるのを抑制することができる。加えて、発光層ＥＭＴ１と発光層ＥＭＴ２とが部分的に重なり合うことに起因した色ずれを抑制することができる。
【００４８】
図５は、一比較例に係る有機ＥＬ表示装置の発光層の配置を概略的に示す平面図である。図６は、図５の構造において発光層と画素電極との相対位置がずれている状態の一例を概略的に示す平面図である。図７は、図５の構造において発光層と画素電極との相対位置がずれている状態の他の例を概略的に示す平面図である。
【００４９】
図５において、参照符号Ｐ１は画素ＰＸ１が含む画素電極ＰＥの活性層ＯＲＧと接触している部分を示し、参照符号Ｐ２は画素ＰＸ２が含む画素電極ＰＥの活性層ＯＲＧと接触している部分を示し、参照符号Ｐ３は画素ＰＸ３が含む画素電極ＰＥの活性層ＯＲＧと接触している部分を示している。参照符号ＬA１は接触部Ｐ１のＸ方向に沿った寸法を示し、参照符号ＬA２は接触部Ｐ２のＸ方向に沿った寸法を示し、参照符号ＬA３は接触部Ｐ３のＸ方向に沿った寸法を示している。参照符号ＬB１は発光層ＥＭＴ１のＸ方向に沿った寸法を示し、参照符号ＬB２は発光層ＥＭＴ２のＸ方向に沿った寸法を示し、参照符号ＬB３は発光層ＥＭＴ３のＸ方向に沿った寸法を示している。参照符号Ｄ12は接触部Ｐ１及びＰ２間のＸ方向に沿った距離を示し、参照符号Ｄ23は接触部Ｐ２及びＰ３間のＸ方向に沿った距離を示している。
【００５０】
図５の構造において、寸法ＬA１乃至寸法ＬA３は互いに等しく、寸法ＬB１乃至寸法ＬB３は互いに等しく、距離Ｄ12及びＤ23は互いに等しい。また、寸法ＬB１と寸法ＬA１との差ＬB１−ＬA１は距離Ｄ12と等しく、寸法ＬB２と寸法ＬA２との差ＬB２−ＬA２は距離Ｄ12と等しい。
【００５１】
この構造を採用した場合、図６に示すように、発光層ＥＭＴ２の位置のＸ方向に平行なずれＳＦＴがＤ12／２以下であれば、接触部Ｐ２に発光層ＥＭＴ２と向き合っていない領域が生じることはない。しかしながら、図７に示すように、ずれＳＦＴがＤ12／２を超えると、接触部Ｐ２に発光層ＥＭＴ２と向き合っていない領域が生じてしまう。この場合、画素ＰＸ２の有機ＥＬ素子ＯＬＥＤは、発光しない可能性がある。
【００５２】
図８は、図３の構造において発光層と画素電極との相対位置がずれている状態の一例を概略的に示す平面図である。
【００５３】
図３の構造では、寸法ＬB１と寸法ＬA１との差ＬB１−ＬA１は距離Ｄ12以下であり、寸法ＬB２と寸法ＬA２との差ＬB２−ＬA２は距離Ｄ12と比較してより大きい。すなわち、寸法ＬA１と寸法ＬB１と寸法ＬA２と寸法ＬB２と距離Ｄ12とは、以下の不等式（１）及び（２）に示す関係を満足している。
【００５４】
ＬB１−ＬA１≦Ｄ12  …（１）
ＬB２−ＬA２＞Ｄ12  …（２）
図３の構造を採用した場合、図８に示すように、ずれＳＦＴが（ＬB２−ＬA２）／２以下であれば、接触部Ｐ２に発光層ＥＭＴ２と向き合っていない領域が生じることはない。不等式（２）から明らかなように、（ＬB２−ＬA２）／２はＤ12／２よりも大きい。すなわち、図３の構造は、図５の構造と比較して、接触部Ｐ２に発光層ＥＭＴ２と向き合っていない領域を生じ難い。
【００５５】
また、図８の構造では、接触部Ｐ１の上方で発光層ＥＭＴ１と発光層ＥＭＴ２とが部分的に重なり合っているが、図４を参照しながら説明したように、発光層ＥＭＴ２を含む有機ＥＬ素子ＯＬＥＤは、発光層ＥＭＴ１を含む有機ＥＬ素子ＯＬＥＤと比較して発光開始電圧がより大きい。すなわち、接触部Ｐ１の上方で発光層ＥＭＴ１と発光層ＥＭＴ２とが部分的に重なり合っていても、印加電圧が十分に小さければ、この重複部で発光層ＥＭＴ２が発光することはない。したがって、この重なり合いに起因した色ずれを抑制することができる。
【００５６】
なお、差ＬB２−ＬA２と同様、差ＬB１−ＬA１をＤ12よりも大きくすれば、発光層ＥＭＴ１の位置がＸ方向に平行に大きくずれたとしても、接触部Ｐ１に発光層ＥＭＴ１と向き合っていない領域が生じることはない。しかしながら、この場合、以下の問題を生じる。
【００５７】
図９は、他の比較例に係る有機ＥＬ表示装置の発光層の配置を概略的に示す平面図である。図１０は、図９の構造において発光層と画素電極との相対位置がずれている状態の一例を概略的に示す平面図である。
【００５８】
図９の構造では、差ＬB１−ＬA１はＤ12よりも大きい。したがって、図１０に示すように、発光層ＥＭＴ１の位置がＸ方向に平行に大きくずれたとしても、接触部Ｐ１に発光層ＥＭＴ１と向き合っていない領域が生じることはない。
【００５９】
しかしながら、図１０に示すように、発光層ＥＭＴ１の位置のずれＳＦＴが大きい場合、接触部Ｐ２の上方で、発光層ＥＭＴ１と発光層ＥＭＴ２とが部分的に重なり合う。図４を参照しながら説明したように、発光層ＥＭＴ１を含む有機ＥＬ素子ＯＬＥＤは、発光層ＥＭＴ２を含む有機ＥＬ素子ＯＬＥＤと比較して発光開始電圧がより小さい。すなわち、接触部Ｐ２の上方で発光層ＥＭＴ１と発光層ＥＭＴ２とが部分的に重なり合っていると、この重複部で発光層ＥＭＴ１が発光する。したがって、この重なり合いに起因した色ずれを生ずる。
【００６０】
以上から明らかなように、差ＬB２−ＬA２が差ＬB１−ＬA１と比較してより大きい場合、発光層ＥＭＴ２のＸ方向への位置ずれに起因して画素ＰＸ２の有機ＥＬ素子ＯＬＥＤが発光できなくなるのを抑制することができる。加えて、この場合、発光層ＥＭＴ１及びＥＭＴ２のＸ方向への位置ずれに起因して画素ＰＸ１及びＰＸ２の有機ＥＬ素子ＯＬＥＤに色ずれが生じるのを抑制することができる。
【００６１】
図２及び図３の構造では、寸法ＬA１と寸法ＬA２とを互いに等しくし、寸法ＬB１を寸法ＬB２よりも大きくすることにより、差ＬB２−ＬA２を差ＬB１−ＬA１と比較してより大きくしている。上述した効果は、以下に図１１乃至図１３を参照しながら説明するように、寸法ＬB１と寸法ＬB２とを互いに等しくし、寸法ＬA２を寸法ＬA１よりも小さくすることにより、差ＬB２−ＬA２を差ＬB１−ＬA１と比較してより大きくした場合にも得ることができる。
【００６２】
図１１は、図１の表示装置に採用可能な発光層の配置の他の例を概略的に示す平面図である。図１２は、図１１の構造において発光層と画素電極との相対位置がずれている状態の一例を概略的に示す平面図である。図１３は、図１１の構造において発光層と画素電極との相対位置がずれている状態の他の例を概略的に示す平面図である。
【００６３】
図１１の構造においても、図３の構造と同様、寸法ＬA１と寸法ＬB１と寸法ＬA２と寸法ＬB２と距離Ｄ12とは、不等式（１）及び（２）に示す関係を満足している。したがって、図１２に示すように、ずれＳＦＴが比較的大きい場合であっても、接触部Ｐ２に発光層ＥＭＴ２と向き合っていない領域は生じない。
【００６４】
図１２の状態では、接触部Ｐ１の上方で発光層ＥＭＴ１と発光層ＥＭＴ２とが部分的に重なり合っている。しかしながら、図４を参照しながら説明したように、発光層ＥＭＴ２を含む有機ＥＬ素子ＯＬＥＤは、発光層ＥＭＴ１を含む有機ＥＬ素子ＯＬＥＤと比較して発光開始電圧がより大きい。そのため、接触部Ｐ１の上方で発光層ＥＭＴ１と発光層ＥＭＴ２とが部分的に重なり合っていても、印加電圧が十分に小さければ、この重複部で発光層ＥＭＴ２が発光することはない。したがって、この重なり合いに起因した色ずれを抑制することができる。
【００６５】
また、図１３では、発光層ＥＭＴ１の位置のＸ方向へのずれＳＦＴは、接触部Ｐ１に発光層ＥＭＴ１と向き合っていない領域を生じない範囲内で最大である。この状態において、接触部Ｐ２の上方で発光層ＥＭＴ１と発光層ＥＭＴ２とは重なり合っていない。したがって、それらの重なり合いに起因した色ずれは生じない。
【００６６】
以上から明らかなように、寸法ＬB１と寸法ＬB２とを互いに等しくし、寸法ＬA２を寸法ＬA１よりも小さくした場合にも、発光層ＥＭＴ２のＸ方向への位置ずれに起因して画素ＰＸ２の有機ＥＬ素子ＯＬＥＤが発光できなくなるのを抑制することができる。加えて、この場合、発光層ＥＭＴ１及びＥＭＴ２のＸ方向への位置ずれに起因して画素ＰＸ１及びＰＸ２の有機ＥＬ素子ＯＬＥＤに色ずれが生じるのを抑制することができる。
【００６７】
上述した設計は、画素ＰＸ２及びＰＸ３にも適用可能である。これについて、図１４乃至図１８を参照しながら説明する。
【００６８】
図１４は、図１の表示装置に採用可能な発光層の配置のさらに他の例を概略的に示す平面図である。図１５は、図１４の構造において発光層と画素電極との相対位置がずれている状態の一例を概略的に示す平面図である。図１６は、図１４の構造において発光層と画素電極との相対位置がずれている状態の他の例を概略的に示す平面図である。図１７は、図１４の構造において発光層と画素電極との相対位置がずれている状態のさらに他の例を概略的に示す平面図である。図１８は、図１４の構造において発光層と画素電極との相対位置がずれている状態のさらに他の例を概略的に示す平面図である。
【００６９】
図１４の構造においても、図３の構造と同様、寸法ＬA１と寸法ＬB１と寸法ＬA２と寸法ＬB２と距離Ｄ12とは、不等式（１）及び（２）に示す関係を満足している。これに加え、図１４の構造では、寸法ＬA２と寸法ＬB２と寸法ＬA３と寸法ＬB３と距離Ｄ23とは、不等式（３）及び（４）に示す関係を満足している。なお、不等式（１）乃至（４）に示す関係を達成する場合、不等式（２）及び（３）から明らかなように、距離Ｄ23は距離Ｄ12と比較してより長くなる。
【００７０】
ＬB２−ＬA２≦Ｄ23  …（３）
ＬB３−ＬA３＞Ｄ23  …（４）
したがって、図１５及び図１７に示すように、発光層ＥＭＴ２の位置ずれＳＦＴが比較的大きい場合であっても、接触部Ｐ２に発光層ＥＭＴ２と向き合っていない領域は生じない。加えて、図１８に示すように、発光層ＥＭＴ３の位置ずれＳＦＴが比較的大きい場合であっても、接触部Ｐ３に発光層ＥＭＴ３と向き合っていない領域は生じない。
【００７１】
図１５の状態では、接触部Ｐ１の上方で発光層ＥＭＴ１と発光層ＥＭＴ２とが部分的に重なり合っている。しかしながら、図４を参照しながら説明したように、発光層ＥＭＴ２を含む有機ＥＬ素子ＯＬＥＤは、発光層ＥＭＴ１を含む有機ＥＬ素子ＯＬＥＤと比較して発光開始電圧がより大きい。そのため、接触部Ｐ１の上方で発光層ＥＭＴ１と発光層ＥＭＴ２とが部分的に重なり合っていても、印加電圧が十分に小さければ、この重複部で発光層ＥＭＴ２が発光することはない。したがって、この重なり合いに起因した色ずれを抑制することができる。
【００７２】
図１６では、発光層ＥＭＴ１の位置のＸ方向へのずれＳＦＴは、接触部Ｐ１に発光層ＥＭＴ１と向き合っていない領域を生じない範囲内で最大である。この状態において、接触部Ｐ２の上方で発光層ＥＭＴ１と発光層ＥＭＴ２とは重なり合っていない。したがって、それらの重なり合いに起因した色ずれは生じない。
【００７３】
図１７では、発光層ＥＭＴ２の位置のＸ方向へのずれＳＦＴは、接触部Ｐ２に発光層ＥＭＴ２と向き合っていない領域を生じない範囲内で最大である。この状態において、接触部Ｐ３の上方で発光層ＥＭＴ２と発光層ＥＭＴ３とは重なり合っていない。したがって、それらの重なり合いに起因した色ずれは生じない。
【００７４】
図１８の状態では、接触部Ｐ２の上方で発光層ＥＭＴ２と発光層ＥＭＴ３とが部分的に重なり合っている。しかしながら、図４を参照しながら説明したように、発光層ＥＭＴ３を含む有機ＥＬ素子ＯＬＥＤは、発光層ＥＭＴ２を含む有機ＥＬ素子ＯＬＥＤと比較して発光開始電圧がより大きい。そのため、接触部Ｐ２の上方で発光層ＥＭＴ２と発光層ＥＭＴ３とが部分的に重なり合っていても、印加電圧が十分に小さければ、この重複部で発光層ＥＭＴ３が発光することはない。したがって、この重なり合いに起因した色ずれを抑制することができる。
【００７５】
以上から明らかなように、差ＬB２−ＬA２が差ＬB１−ＬA１と比較してより大きい場合、発光層ＥＭＴ２のＸ方向への位置ずれに起因して画素ＰＸ２の有機ＥＬ素子ＯＬＥＤが発光できなくなるのを抑制することができる。加えて、この場合、発光層ＥＭＴ１及びＥＭＴ２のＸ方向への位置ずれに起因して画素ＰＸ１及びＰＸ２の有機ＥＬ素子ＯＬＥＤに色ずれが生じるのを抑制することができる。
【００７６】
また、差ＬB３−ＬA３が差ＬB２−ＬA２と比較してより大きい場合、発光層ＥＭＴ３のＸ方向への位置ずれに起因して画素ＰＸ３の有機ＥＬ素子ＯＬＥＤが発光できなくなるのを抑制することができる。加えて、この場合、発光層ＥＭＴ２及びＥＭＴ３のＸ方向への位置ずれに起因して画素ＰＸ２及びＰＸ３の有機ＥＬ素子ＯＬＥＤに色ずれが生じるのを抑制することができる。
【００７７】
寸法ＬA１乃至寸法ＬA３は、互いに等しくてもよく、或いは、異なっていてもよい。寸法ＬA１乃至寸法ＬA３は、例えば、発光効率などに基づいて定めてもよい。
【００７８】
差ＬB１−ＬA１と差ＬB２−ＬA２と差ＬB３−ＬA３との各々は、例えば、３μｍ乃至２５μｍの範囲内とする。差が小さい場合、発光層の位置が僅かにずれただけで、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤが発光できなくなる可能性がある。差が大きい場合、開口率が低下するか、又は、色ずれを防止するうえで高い位置精度が必要になる可能性がある。
【００７９】
本態様では、本発明を下面発光型の有機ＥＬ表示装置に適用したが、本発明は上面発光型の有機ＥＬ表示装置にも適用可能である。また、本態様では、画素回路に映像信号として電流信号を書き込む構成を採用したが、画素回路に映像信号として電圧信号を書き込む構成を採用することも可能である。
【図面の簡単な説明】
【００８０】
【図１】本発明の一態様に係る表示装置を概略的に示す平面図。
【図２】図１の表示装置に採用可能な構造の一例を概略的に示す断面図。
【図３】図１の表示装置に採用可能な発光層の配置の一例を概略的に示す平面図。
【図４】有機ＥＬ素子の電圧輝度特性の例を示すグラフ。
【図５】一比較例に係る有機ＥＬ表示装置の発光層の配置を概略的に示す平面図。
【図６】図５の構造において発光層と画素電極との相対位置がずれている状態の一例を概略的に示す平面図。
【図７】図５の構造において発光層と画素電極との相対位置がずれている状態の他の例を概略的に示す平面図。
【図８】図３の構造において発光層と画素電極との相対位置がずれている状態の一例を概略的に示す平面図。
【図９】他の比較例に係る有機ＥＬ表示装置の発光層の配置を概略的に示す平面図。
【図１０】図９の構造において発光層と画素電極との相対位置がずれている状態の一例を概略的に示す平面図。
【図１１】図１の表示装置に採用可能な発光層の配置の他の例を概略的に示す平面図。
【図１２】図１１の構造において発光層と画素電極との相対位置がずれている状態の一例を概略的に示す平面図。
【図１３】図１１の構造において発光層と画素電極との相対位置がずれている状態の他の例を概略的に示す平面図。
【図１４】図１の表示装置に採用可能な発光層の配置のさらに他の例を概略的に示す平面図。
【図１５】図１４の構造において発光層と画素電極との相対位置がずれている状態の一例を概略的に示す平面図。
【図１６】図１４の構造において発光層と画素電極との相対位置がずれている状態の他の例を概略的に示す平面図。
【図１７】図１４の構造において発光層と画素電極との相対位置がずれている状態のさらに他の例を概略的に示す平面図。
【図１８】図１４の構造において発光層と画素電極との相対位置がずれている状態のさらに他の例を概略的に示す平面図。
【符号の説明】
【００８１】
Ｃ…キャパシタ、ＣＥ…対向電極、ＤＥ…ドレイン電極、ＤＬ…映像信号線、ＤＰ…表示パネル、ＤＲ…駆動トランジスタ、ＥＭＴ１…発光層、ＥＭＴ２…発光層、ＥＭＴ３…発光層、Ｇ…ゲート、ＧＩ…ゲート絶縁膜、ＩＩ…層間絶縁膜、ＮＤ１…電源端子、ＮＤ１’…定電位端子、ＮＤ２…電源端子、ＯＬＥＤ…有機ＥＬ素子、ＯＲＧ…有機物層、ＰＥ…画素電極、ＰＩ…隔壁絶縁層、ＰＳ…パッシベーション膜、ＰＳＬ…電源線、ＰＸ１…画素、ＰＸ２…画素、ＰＸ３…画素、ＳＣ…半導体層、ＳＥ…ソース電極、ＳＦＴ…ずれ、ＳＬ１…走査信号線、ＳＬ２…走査信号線、ＳＵＢ…絶縁基板、ＳＷａ…スイッチングトランジスタ、ＳＷｂ…スイッチングトランジスタ、ＳＷｃ…スイッチングトランジスタ、ＴＰＬ…領域、ＵＣ…アンダーコート層、ＶＬ１…曲線、ＶＬ２…曲線、ＶＬ３…曲線、ＸＤＲ…映像信号線ドライバ、ＹＤＲ…走査信号線ドライバ。
【図１】
0004703363.tif 000002
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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