(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
エッチング加工法、プレス加工法、めっき加工法等により、外形加工あるいは孔開け加工された導電性の基材をベース基材とする電子部材で、導電性の基材は、絶縁性の樹脂層により被膜され、更に、樹脂層の表面部の全面にあるいは一部に、無電解めっき層、電解めっき層からなる導電性層を設けている電子部材を、製造するための電子部材の製造方法であって、（ａ）エッチング加工法、プレス加工法、めっき加工法等により、外形加工あるいは孔開け加工された導電性の基材の表面部に、絶縁性の樹脂層を形成する樹脂層形成工程と、（ｂ）導電性の基材の表面部に形成された樹脂層の表面粗度を調整するウエットブラスト処理を施す、ウエットブラスト処理工程と、（ｃ）絶縁性の樹脂層により被膜された導電性の基材の表面部に、無電解めっきを施し、無電解めっき層を形成する無電解めっき処理工程と、（ｄ）無電解めっき層上全面にあるいは一部に電解めっきにより電解めっき層を形成する電解めっき処理工程とを有し、無電解めっき処理工程の後、導電性の基材の、無電解めっき層上に所定領域を開口した耐めっき性のレジストを設けるレジストパターニング工程と、レジストの開口から露出した無電解めっき層上に電解めっきを施す、電解めっき処理工程と、レジストを剥離するレジスト剥離工程と、露出している無電解めっき層をエッチング除去するエッチング工程とを行うものであり、且つ、孔開け加工された導電性の基材をベース基材とし、基材を被膜する樹脂層の表面部の一部に、無電解めっき層、電解めっき層からなる導電性層を配線とする配線部を設けている配線基板を形成するもので、無電解めっき処理工程の後、導電性の基材の、無電解めっき層上に、形成する配線部領域、導電性の基材の孔部を含む領域を開口した耐めっき性のレジストを設けるレジストパターニング工程と、レジストの開口から露出した無電解めっき層上に電解めっきを施し、基材の孔部を埋める電解めっき処理を施す電解めっき処理工程と、レジストを剥離するレジスト剥離工程と、露出している無電解めっき層をエッチング除去するエッチング工程とを行うもので、前記配線基板は、孔部の無電解めっきと電解めっきからなる導電性層をビアホールとして、該配線基板同志を複数層積層するための、多層配線基板作製用の配線基板、あるいは、配線部形成側と反対側の、孔部の無電解めっきと電解めっきからなる導電性層形成部分を外部端子とする半導体装置用配線基板であることを特徴とする電子部材の製造方法。
【請求項２】
請求項１に記載の電子部材の製造方法であって、ウエットブラスト処理は、前記絶縁性の樹脂層の表面粗度を、中心線平均粗さＲａで０．１μｍ〜５μｍの範囲に調整するものであることを特徴とする電子部材の製造方法。
【請求項３】
請求項１ないし２のいずれか１項に記載の電子部材の製造方法であって、露出している無電解めっき層をエッチング除去するエッチング工程の後に、更に、ウエットブラスト処理を施すことを特徴とする電子部材の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体装置用リードフレーム、半導体装置用基板、各種接続端子部等を形成するための電子部材に関する。
【０００２】
【従来の技術】
近年、半導体技術の進歩と、小型化、薄型化という電子部品のマーケットトレンドにより、半導体素子の高密度化、微細化を含む半導体パケージの小型化、多端子化が益々進み、所謂、高密度実装の時代へと入ってきた。
【０００３】
これに伴い、半導体周辺電子部材、即ち、半導体装置用リードフレーム、半導体装置用基板などは、配線の高精化とともに、信号高速化対応、低ノイズ化、高放熱性が求められるようになってきた。
しかし、電子部材そのものに構造的対策を施すことは難しく、その対応が求められていた。
【０００４】
一方、プリント配線基板への高密度配線を実現するものとして、ビルトアップ多層配線基板が開発されつつある。
ビルトアップ法は、基材上に、一面にめっきにより形成された金属層（銅めっき層）をエッチングすることにより作成された金属配線（配線部）と絶縁層とを順次積層して、図７にその断面を示すような構造の多層配線基板を作製するもので、この方法により作製された多層配線基板をビルトアップ多層配線基板である。
尚、図７中、７００は多層配線基板、７１０は配線基板、７１１はベース基材、７１５は配線、７１７はスルーホール、７２０は１層目の絶縁樹脂層、７２５は配線、７２７はビア、７３０は２層目の絶縁樹脂層、７３５は配線、７３７はビアである。
この方法の場合には、高精細の配線と任意の位置での金属配線間の接続が可能となる。
ＢＴレジン等からなる絶縁性のベース基材７１１上ないし絶縁性樹脂層７２０、７３０上への金属層（銅めっき層）からなる配線（７１５、７２５、７３５）およびビア７２７、７３７の形成は、通常、絶縁性の基材７１１上ないし絶縁性樹脂層７２０、７３０上へスパッタリング、蒸着、無電解めっき等で導通層となる金属薄膜を直接形成した後、電気めっき等により全面に厚付け金属層を形成し、次いで該金属層上にレジストを所定のパターンに形成して、該レジストを耐腐蝕マスクとしてレジストの開口部から露出した部分のみをエッチングすることにより行う。
しかし、このビルトアップ法による多層基板の作製方法は、金属層のめっき形成工程、レジストのパターニング工程、エッチング工程を交互に複数回行うため、工程が複雑となる。
基材上に金属配線（配線部）と、絶縁層とを１層づつ積み上げる直接プロセスのため、中間工程でトラブルが発生すると、製品の再生が困難となり、且つ、製造コストが割高となるという問題がある。
【０００５】
また、このビルトアップ法による多層配線基板の作製方法においては、層間絶縁膜や配線保護膜を得るのに一般印刷によるパターン形成は安価で量産的な方法であるが、この方法は、得られるパターンの精度が悪く、細線の印刷ができず、高精度、高密度のパターンの形成には適していない。
この為、高精細、高密度のパターンの層間絶縁膜や配線保護膜を得るための、高精細、高密度のパターンの形成には、印刷法でなく、感光性絶縁材料（樹脂）を用いたフォトリソグラフィー法による形成が用いられるが、フォトリソグラフィー法の場合、工程が長くなり、設備も高価となり、パターン形成に長時間を要し、生産コストが高くなる。更に、現像により捨てる感光性絶縁材料の量が多く、コスト高の一因となっている。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
上記のように、高密度実装が進む中、半導体周辺部材である電子部材においては、高精細化が求められ、更に、信号高速化対応、低ノイズ化、あるいは高放熱性が求められてていたが、電子部材そのものに構造的対策を施すことは難しくその対応が求められていた。  また、プリント配線への高密度実装を実現するものとして、図７に示すようなビルトアップ多層配線基板が開発されつつあるが、種々問題があり、この対応も求められていた。  本発明は、これらに対応するもので、特に、半導体周辺部材である電子部材で、低ノイズ化、あるいは高放熱性の電子部材を作製する電子部材の製造方法を提供しようとするものである。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
本発明に関わる電子部材は、エッチング加工法、プレス加工法、めっき加工法等により、外形加工あるいは孔開け加工された導電性の基材をベース基材とする電子部材であって、導電性の基材は、絶縁性の樹脂層により被膜され、更に、樹脂層の表面部の全面にあるいは一部に、無電解めっき層、電解めっき層からなる導電性層を設けていることを特徴とするものである。
【０００９】
そして、上記絶縁性の樹脂または樹脂層の、無電解めっき層と接する面は、その表面粗度をウエットブラスト処理により調整されていることを特徴とするものであり、更に、上記において、調整された表面粗度が、中心線平均粗さＲａで０．１μｍ〜５μｍの範囲であることを特徴とするものである。
そしてまた、上記いずれかにおいて、半導体装置用リードフレーム、半導体装置用基板、各種接続端子部の１つを形成するための電子部材であることを特徴とするものである。
【００１１】
本発明の電子部材の製造方法は、エッチング加工法、プレス加工法、めっき加工法等により、外形加工あるいは孔開け加工された導電性の基材をベース基材とする電子部材で、導電性の基材は、絶縁性の樹脂層により被膜され、更に、樹脂層の表面部の全面にあるいは一部に、無電解めっき層、電解めっき層からなる導電性層を設けている電子部材を、製造するための電子部材の製造方法であって、（ａ）エッチング加工法、プレス加工法、めっき加工法等により、外形加工あるいは孔開け加工された導電性の基材の表面部に、絶縁性の樹脂層を形成する樹脂層形成工程と、（ｂ）導電性の基材の表面部に形成された樹脂層の表面粗度を調整するウエットブラスト処理を施す、ウエットブラスト処理工程と、（ｃ）絶縁性の樹脂層により被膜された導電性の基材の表面部に、無電解めっきを施し、無電解めっき層を形成する無電解めっき処理工程と、（ｄ）無電解めっき層上全面にあるいは一部に電解めっきにより電解めっき層を形成する電解めっき処理工程とを有し、無電解めっき処理工程の後、導電性の基材の、無電解めっき層上に所定領域を開口した耐めっき性のレジストを設けるレジストパターニング工程と、レジストの開口から露出した無電解めっき層上に電解めっきを施す、電解めっき処理工程と、レジストを剥離するレジスト剥離工程と、露出している無電解めっき層をエッチング除去するエッチング工程とを行うものであり、且つ、孔開け加工された導電性の基材をベース基材とし、基材を被膜する樹脂層の表面部の一部に、無電解めっき層、電解めっき層からなる導電性層を配線とする配線部を設けている配線基板を形成するもので、無電解めっき処理工程の後、導電性の基材の、無電解めっき層上に、形成する配線部領域、導電性の基材の孔部を含む領域を開口した耐めっき性のレジストを設けるレジストパターニング工程と、レジストの開口から露出した無電解めっき層上に電解めっきを施し、基材の孔部を埋める電解めっき処理を施す電解めっき処理工程と、レジストを剥離するレジスト剥離工程と、露出している無電解めっき層をエッチング除去するエッチング工程とを行うもので、前記配線基板は、孔部の無電解めっきと電解めっきからなる導電性層をビアホールとして、該配線基板同志を複数層積層するための、多層配線基板作製用の配線基板、あるいは、配線部形成側と反対側の、孔部の無電解めっきと電解めっきからなる導電性層形成部分を外部端子とする半導体装置用配線基板であることを特徴とするものである。
尚、樹脂層形成工程における、絶縁性も樹脂層形成には、塗布、ラミネート、印刷、その他公知のさまざまな手法を用いることができる。
【００１２】
そして、上記のいずれかにおいて、ウエットブラスト処理は、上記絶縁性の樹脂または上記絶縁性の樹脂層の表面粗度を、中心線平均粗さＲａで０．１μｍ〜５μｍの範囲に調整するものであることを特徴とするものである。更に、上記において、露出している無電解めっき層をエッチング除去するエッチング工程の後に、ウエットブラスト処理を施すことを特徴とするものである。
【００１３】
尚、ここでは、ウエットブラスト処理とは、アルミナビーズ（＃１５０〜＃１２００程度）、球状シリカ砥材（粒径２０μｍ程度）の砥粒等を、水等に混ぜ、樹脂層１２０の面に吹きつけて、機械的に表面粗度を調整する処理のことである。
【００１４】
【作用】
本発明に関わる電子部材は、このような構成にすることにより、半導体周辺部材である電子部材等の電子部材において、高精細化を達成するとともに、更に、低ノイズ化、あるいは高放熱性の電子部材の提供を可能とするものである。
あるいは、多層配線を比較的に簡単にできる電子部材の提供を可能とするものである。具体的には、エッチング加工法、プレス加工法、めっき加工法等により、外形加工あるいは孔開け加工された導電性の基材をベース基材とする電子部材であって、導電性の基材は、絶縁性の樹脂層により被膜され、更に、樹脂層の表面部の全面にあるいは一部に、無電解めっき層、電解めっき層からなる導電性層を設けていることにより、これを達成している。
特に、絶縁性の樹脂の表面粗度が、中心線平均粗さＲａで０．１μｍ〜５μｍの範囲であることにより、樹脂層と無電解めっき層との密着性を実用的なものとしている。
また、半導体装置用リードフレーム、半導体装置用基板、各種接続端子部の１つを形成するための電子部材の場合には有効である。
【００１５】
本発明の電子部材の製造方法は、このような構成にすることにより、高精細化を達成するとともに、更に、低ノイズ化、あるいは高放熱性の半導体周辺部材である電子部材等の電子部材の製造方法の提供を可能とするものである。
具体的には、（ａ）エッチング加工法、プレス加工法、めっき加工法等により、外形加工あるいは孔開け加工された導電性の基材の表面部に、絶縁性の樹脂層を形成する樹脂層形成工程と、（ｂ）導電性の基材の表面部に形成された樹脂層の表面粗度を調整するウエットブラスト処理を施す、ウエットブラスト処理工程と、（ｃ）絶縁性の樹脂層により被膜された導電性の基材の表面部に、無電解めっきを施し、無電解めっき層を形成する無電解めっき処理工程と、（ｄ）無電解めっき層上全面にあるいは一部に電解めっきにより電解めっき層を形成する電解めっき処理工程とを有し、無電解めっき処理工程の後、導電性の基材の、無電解めっき層上に所定領域を開口した耐めっき性のレジストを設けるレジストパターニング工程と、レジストの開口から露出した無電解めっき層上に電解めっきを施す、電解めっき処理工程と、レジストを剥離するレジスト剥離工程と、露出している無電解めっき層をエッチング除去するエッチング工程とを行うものであり、且つ、孔開け加工された導電性の基材をベース基材とし、基材を被膜する樹脂層の表面部の一部に、無電解めっき層、電解めっき層からなる導電性層を配線とする配線部を設けている配線基板を形成するもので、無電解めっき処理工程の後、導電性の基材の、無電解めっき層上に、形成する配線部領域、導電性の基材の孔部を含む領域を開口した耐めっき性のレジストを設けるレジストパターニング工程と、レジストの開口から露出した無電解めっき層上に電解めっきを施し、基材の孔部を埋める電解めっき処理を施す電解めっき処理工程と、レジストを剥離するレジスト剥離工程と、露出している無電解めっき層をエッチング除去するエッチング工程とを行うもので、前記配線基板は、孔部の無電解めっきと電解めっきからなる導電性層をビアホールとして、該配線基板同志を複数層積層するための、多層配線基板作製用の配線基板、あるいは、配線部形成側と反対側の、孔部の無電解めっきと電解めっきからなる導電性層形成部分を外部端子とする半導体装置用配線基板であることを特徴と
ことにより、これを達成している。
【００１６】
特に、孔開け加工された導電性の基材をベース基材とし、且つ、基材を被膜する樹脂層の表面部の一部に、無電解めっき層、電解めっき層からなる導電性層を配線とする配線部を設けている、多層配線基板作製用の配線基板を作製するに際し、無電解めっき処理工程の後、導電性の基材の一面の、無電解めっき層上に、形成する配線部領域、導電性の基材の孔部を含む領域を開口した耐めっき性のレジストを設けるレジストパターニング工程と、レジストの開口から露出した無電解めっき層上に電解めっきを施し、基材の孔部を埋める電解めっき処理を施す電解めっき処理工程と、レジストを剥離するレジスト剥離工程と、露出している無電解めっき層をエッチング除去するエッチング工程とを行うことにより、配線間の電気的接続の信頼性に優れ、且つ、配線の高精細化、高密度化に対応できる配線基板を、従来のビルトアップ法による多層配線基板の製造よりも、簡単に作製することを可能としている。
勿論、このような配線基板の形成方法は半導体装置用配線基板の製造に適用でき、二次元的に外部端子を配列させたＢＧＡタイプ（アレイタイプ）の半導体装置の提供を可能としている。
【００１７】
ウエットブラスト処理は機械的研磨のような、研磨方向に沿う方向に強い力を受けず樹脂層の剥がれが発生することも無く、孔開け加工された基材の側面部を覆う樹脂層の表面部をも処理できる。
特に、絶縁性の樹脂がポリイミドである場合、化学的研磨は難しく、実用的なものはなく、ウエットブラスト処理は有効である。
【００１８】
更に、露出している無電解めっき層をエッチング除去するエッチング工程の後に、ウエットブラスト処理を施すことにより、無電解めっきの触媒の除去を可能としている。
【００１９】
【発明の実施の形態】
本発明の実施の形態を図に基づいて説明する。
図１は本発明に関わる電子部材の参考実施形態の第１例の、多層配線基板作製用の配線基板を示した一部断面図で、図２は多層配線基板の作製を説明するための断面図で、図３（ａ）は本発明に関わる電子部材の参考実施形態の第２例の半導体装置用の配線基板を示した断面図で、図３（ｂ）は半導体装置の断面図で、図４は参考実施形態の第１例の配線基板を製造するための工程断面図で、図５は本発明に関わる電子部材の参考実施形態の第３例のリードフレームの、インナーリード先端部の図で、図６は本発明に関わる電子部材の参考実施形態の第４例の接続用ピンを説明するための図である。
また、図８（ｈ）は本発明に関わる電子部材の参考実施形態の第５例の配線部材を示した一部断面図で、図８（ａ）〜図８（ｈ）はその工程断面図で、図９（ｈ）は本発明に関わる電子部材の参考実施形態の第６例の配線部材を示した一部断面図で、図９（ａ）〜図９（ｈ）はその工程断面図である。
尚、図６（ａ）は接続端子部の断面図、図６（ｂ）は接続端子部の上面図（下面図）、図６（ｃ）は図６（ａ）のＡ１−Ａ２におけるピン５００の一断面図である。
図１〜図６中、１００、１０５は配線基板、１１０、１１０Ｂはベース基材（単に基材ともう言う）、１１０Ａは基材、１１５、１１５Ｂは基材の孔部、１２０、１２０Ｂは樹脂層、１３０、１３０Ｂは導電性層、１３１、１３１Ｂは無電解めっき層、１３２、１３２Ｂは電解めっき層、１３５、１３５Ａ、１３５Ｂは配線部、１３６、１３６Ｂはビアホール、１３７は端子部、１５０は絶縁性樹脂シート、１７０は多層配線基板、１８０はレジスト、１８５は開口、２１０は配線基板、２１１は半導体素子、２１２は端子部、４１０はインナーリード、４１１はワイヤボンディング面、４２０は樹脂層、４３０は配線（リード）、５００はピン、５０５は端面、５１０はベース基材（基材）、５２０は樹脂層、５３０は導電性層、５４０は封止用樹脂である。また、図８、図９中、８１０はベース基材、８１０Ａは基材、８２０は金属層、８３０はウエットブラスト、８４０は導電性層、８４１は無電解めっき層、８４２は電解めっき層、８５０はレジスト、９１０はベース基材、９１０Ａは基材、９２０は金属層、９３０はウエットブラスト、９４０は導電性層、９４１は無電解めっき層、９４２は電解めっき層、９５０はレジスト、９３６はビアホール、９３７は端子部である。
【００２０】
本発明に関わる電子部材の参考実施形態の第１例の配線基板を図１に基づいて説明する。
図１（ａ）、図１（ｂ）は、それぞれ、孔開け加工された導電性の基材１１０をベース基材とした、本例の多層配線基板形成用の配線基板である。
図１（ａ）、図１（ｂ）に示す配線基板の導電性の基材１１０は、絶縁性の樹脂層１２０により被膜され、更に、樹脂層の表面部の一部に、無電解めっき層１３１、電解めっき層１３２からなる導電性層１３０で配線部１３５（１３５Ａ）を設け、且つ、基材の孔部１１５を無電解めっき層１３１、電解めっき層１３２からなる導電性層１３０で埋めるように設けられたビアホール１３６を備えたものである。
配線部１３５（１３５Ａ）の材質としては、導電性の面、コスト面から銅を主材とするものが用いられるのが通常で、導電性層１３０としては、無電解めっき層１３１をニッケル層、電解めっき層１３２を銅層を主材とし、ニッケル層、銅層からなるものが挙げられるが、これに限定はされない。
ベース基材１１０としては、配線部１３５（１３５Ａ）やビアホール１３６を形成する材質と熱膨張係数が近いものが好ましく、ステンレス材が挙げられる。
ステンレス材の熱膨張係数は、ほぼ１７ｐｐｍと銅に近い。絶縁性の樹脂層１２０としては、例えば、天然系樹脂、アクリル系樹脂、ポリエステル系樹脂、アルキッド樹脂、マレイン化油系樹脂、ポリブタジエン系樹脂、エポキシ系樹脂、ポリアミド系樹脂、ポリイミド系樹脂等が挙げられる。
特に、絶縁性、化学的安定性、強度等からポリイミド樹脂であることが好ましい。
【００２１】
ここで、本例の配線部材１００、１０５の使用方法を簡単に説明しておく。
本例の配線部材１００、１０５は、図２（ａ）に示すように、絶縁性樹脂シート１５０を両者の間に挟むようにして、且つ、両者を位置合わせして、加圧して、積層して、図２（ｂ）に示すような配線層を２層とする配線基板１７０を形成することができる。
配線基板１００の配線部１３５はビアホール１３６を介して配線基板１０５の配線１３５Ａに電気的に接続される。
このようにして、更に別の配線基板（配線基板１００、１０５と同様の配線基板）を１７０の上およびまたは下に積層することにより、更に配線層を増やした多層の配線基板を得ることができる。
このようにして、本例の配線部材は多層配線基板を作製する際に用いられる。
尚、本例の配線基板においては、ビアホール１３６の配線部（１３５、１３５Ａ）側でない端子１３７がめっきにより突出したものである。
【００２２】
次に、配線基板１００の製造方法を図４に基づいて説明しておく。
尚、これを以て、本発明の配線基板の製造方法の実施の形態の１例の説明とする。
まず、ステンレス等からなる基材１１０Ａ（図４（ａ））に所定の孔１１５を開け、配線基板形成用のベース基板１１０を得る。（図４（ｂ））
孔１１５の形成方法は、エッチング加工、プレス加工、めっき加工法等の機械加工により行う。
次いで、ベース基板１１０の表面部に、樹脂層１２０を形成する。（図４（ｃ））
樹脂層１２０の機械的強度、安定性の面から、ポリイミド樹脂が選択される。
そして、形成された樹脂層を、必要に応じて、乾燥、あるいは熱処理を施して樹脂層１２０を形成する。
尚、樹脂層形成工程における、絶縁性も樹脂層形成には、塗布、ラミネート、印刷、その他公知のさまざまな手法が用いることができるが、必要に応じ、レジスト製版、エッチング、レーザ加工等による余分の樹脂部の除去も行なう。
【００２３】
次いで、樹脂層１２０の表面を、ウエットブラスト法により、所望の粗度に調整する。
前にも述べたように、ここでは、ウエットブラスト処理とは、アルミナビーズ（＃１５０〜＃１２００程度）、球状シリカ砥材（粒径２０μｍ程度）の砥粒等を、水等に混ぜ、樹脂層１２０の面に吹きつけて、機械的に表面粗度を調整する処理のことである。
表面粗度の調整は、無電解めっき（ニッケルめっき）をして、めっき層の十分な密着性を得るためのもので、中心線平均粗さＲａで０．１μｍ〜５μｍの範囲に調整する。
無電解めっきとしては、成膜が比較的簡易で安定という理由から、無電解めっきニッケルめっきが挙げられる。
【００２４】
樹脂層１２０の表面粗度を調整した後、無電解めっき処理（ニッケルめっき）を施し、その表面部に無電解めっき層（ニッケルめっき層）を形成する。
無電解めっきは、触媒にて活性化処理を行った後、所定のめっき液にて行う。
【００２５】
無電解めっき処理工程の後、導電性の基材の両面の、無電解めっき層上に、形成する配線部領域、導電性の基材の孔部を含む領域を開口した耐めっき性のレジスト１８０を設ける。（図４（ｅ））
レジスト１８０としては、所望の解像性があり、耐めっき性があり、処理性の良いものであれば特に限定はされない。
次いで、レジスト１８０の開口１８５から露出した無電解めっき層１３１上に電解めっきにより電解めっき１３２を形成する。（図４（ｆ））
無電解めっきとして、無電解めっきニッケルめっきを行った場合には、例えば、電解ニッケルめっき、電解銅めっきの順に電解めっきを行う。
電解銅めっき層は、導電性、コスト面から主材とするもので、電解ニッケルめっき層は、無電解ニッケルめっき層と電解銅めっきとの密着性の面から行う。
尚、電解銅めっき層、電解ニッケルめっき層を形成する際の、それぞれののめっき浴、めっき条件としては、公知のものが適用できる。
この後、レジスト１８０を剥離し、必要に応じて、洗浄、乾燥処理等を施す。
（図４（ｇ））
更に、露出している無電解ニッケルめっき層を専用の剥離液で除去し、ウエットブラスト処理を両面に行い、残留した触媒を除去して、配線基板１００を得る。（図４（ｈ））
【００２６】
本例では、電解めっきにより、配線部１３５形成側と反対側のビアホール１３６の端子面（端子１３７）を外側に突出させているが、必ずしも、電解めっきにより突出させる必要はない。
半田ボール等を端子面に付けて突出させても良い。
この場合、電解めっきは一面側（配線１３５形成側）からのみでも良く、電解めっき領域をきめるレジストの製版はベース基材１１０の一面側のみで、他面側を押さえ用の基材で覆っても良い。
【００２７】
次に、本発明に関わる電子部材の参考実施形態の第２例として、半導体装置用の配線基板を挙げる。
図３に基づいて説明する。
図３（ａ）に示す配線基板２００も、参考実施形態の第１例の配線基板と同様、導電性の基材１１０Ｂは、絶縁性の樹脂層１２０Ｂにより被膜され、更に、樹脂層の表面部の一部に、無電解めっき層１３１Ｂ、電解めっき層１３２Ｂからなる導電性層１３０Ｂで配線部１３５Ｂを設け、且つ、基材の孔部１１５Ｂを無電解めっき層１３１Ｂ、電解めっき層１３２Ｂからなる導電性層１３０Ｂで埋めるようにに設けられたビアホール１３６Ｂを備えたものであるが、その適用を外部端子を二次元的に配置する半導体装置用の配線基板としたものである。
本例の場合、ビアホール１３６Ｂの端子部１３７Ｂは、外部回路と接続するためのもので、二次元的に配列されている。図３（ｂ）は、図３（ａ）に示す配線基板を用いた半導体装置２１０の断面図である。図３（ｂ）に示す半導体装置２１０においては、ビアホール１３６Ｂの端子部１３７Ｂは、電解めっき層１３２Ｂ上に半田ボールを設けている。
半導体素子２１１は、その端子部２１２を介して、配線部１３５Ｂと電気的に接続されている。
配線部１３５Ｂを基材１１０Ｂ側から、無電解ニッケルメッキ層、電解ニッケル層、電解銅めっき層、電解ニッケルめっき層、電解金めっき層とし、最表層を金めっき層とすることにより、半導体素子２１１の端子と金−金共晶で接合できる。
場合によっては、最表層を錫層として、金−錫共晶で接合することもできる。
【００２８】
本例の配線基板の製造方法における電解めっきは、考実施形態の第１例と同様に行うことができるが、本例の場合、第１例のように、配線部１３５Ｂ形成側と反対側のビアホールの端子面を外側に突出させる必要はないので（半田ボールを付けて半導体装置の端子とするため）、電解めっき領域をきめるレジストの製版をベース基材１１０Ｂの一面側のみに施し、他面側を押さえ用の基材で覆って、一面側から行っても良い。
【００２９】
次に、本発明に関わる電子部材の参考実施形態の第３例を図５に挙げて説明する。
本例は、エッチング加工あるいはプレス加工により外形加工されたリードフレームに対して、その表面部に絶縁性の樹脂層４２０を設けた、更に、リードの樹脂層４２０の一部に配線４３０を設けたものである。
図５（ａ）はインナーリード先端部の上面を示したもので、図５（ｂ）はその一断面を示したものであり、４１１、４３１はワイヤボンディング部である。このようにすることにより、リードの本数を増やすことができ（多ピンと同等）、各リード（インナーリード４１０）は、樹脂層に覆われ、ノイズの影響が受けにくい。
本例の製造は、外形加工後に、第１の例と、同様に、樹脂層４３０を形成し、この上に無電解めっき層を形成した後、レジスト製版を行い、電解めっきを施すことにより、配線層４３０、樹脂層４２０を形成出来る。
各部の材質については、参考実施形態の第１例、参考実施形態の第２例と同様なものが使用できる。
ワイヤボンディング部４１１の露出はレーザ照射により行うことができる。
【００３０】
次に、本発明に関わる電子部材の参考実施形態の第４例を図６に挙げて説明する。
本例は、エッチング加工あるいはプレス加工により外形加工した断面が四角状のピン５００の端面５０５を、接続端子とするもので、ピン５００は、その断面を図６（ｃ）に示すように、基材５１０の表面部に樹脂層５２０を設け、更に、その表面を無電解めっき層と電解めっき層をこの順に設けて形成された導電性層５３０で覆っているものである。
図６（ａ）に示すように、ピン５００は封止用樹脂５４０等により固定され、その端面側を端子部として、所定の接続用端子として用いられる。
この作製は、例えば、ピン５００を多数、エッチングして外形加工した後、これを束ね、ピン部分全体を樹脂封止し、更に両側を切断まては研磨することにより作製できる。
尚、形状はこれに限定はされない。
ピン５００の端面５０５の配列は、図６（ｂ）のように二次元的に配列される。
各部の材質については、第１の例、第２の例と同様なものが使用できる。
【００３１】
次に、本発明に関わる電子部材の参考実施形態の第５例の配線部材を図８（ｈ）に挙げて説明する。
本例の配線部材は、外形加工、孔開け加工された絶縁性の樹脂層からなる基材をベース基材８１０とする電子部材で、ベース基材８１０の一方面に無電解めっき層８４１、電解めっき層８４２からなる導電性層８４０の配線を設け、更に、ベース基材８１０の他方面にエッチング形成された金属層８２０からなる配線を設け、且つ、導電性層８４０の配線と、エッチング形成された金属層８２０とを絶縁性の樹脂層の貫通孔部に設けられた導電性層８４０を介して接続しているものである。
本例の配線部材は、半導体装置用基板や、各種インターポーザ等として使用することができる。
本例の場合も、絶縁性の樹脂層としては、例えば、天然系樹脂、アクリル系樹脂、ポリエステル系樹脂、アルキッド樹脂、マレイン化油系樹脂、ポリブタジエン系樹脂、エポキシ系樹脂、ポリアミド系樹脂、ポリイミド系樹脂等が挙げられるが、特に、絶縁性、化学的安定性、強度等からポリイミド樹脂であることが好ましい。
金属層８２０としては、導電性、コストの面から、銅単層あるいは銅を主体とするものが好ましいがこれに限定はされない。
【００３２】
次いで、本例の配線部材の製造方法の１例を図８に基づいて簡単に説明する。
先ず、絶縁性の基材８１０Ａの一面に金属層８２０を配設した積層材を用意し（図８（ａ））、フォトリソ技術を用いたエッチング加工により、絶縁性の基材８１０Ａに所定の外形加工、孔開け加工を施し、ベース基材８１０を形成する。（図８（ｂ））
次いで、ベース基材８１０側表面部にウエットブラスト処理を施した（図８（ｃ））後、ベース基材８１０側表面部に無電解めっきを施し、無電解めっき層８４１を形成する。（図８（ｄ））
次いで、無電解めっき層８４１上に形成する配線形状に合せた開口を有するレジスト８５０を形成した（図８（ｅ））後、無電解めっき層８４１を給電層として、レジストの開口部に電解めっきを施し、電解めっき層８４２を形成する。（図８（ｆ））
次いで、レジスト８５０を除去した（図８（ｇ））後、ソフトエッチングにより、配線８４０を傷めないように、露出した無電解めっき層８４１のみを除去し、目的とする配線部材を形成する。（図８（ｈ））
【００３３】
次に、本発明に関わる電子部材の参考実施形態の第６例の配線部材を図９（ｈ）に挙げて説明する。
本例の配線部材は、外形加工、孔開け加工された絶縁性の樹脂からなる基材をベース基材９１０とする電子部材で、ベース基材９１０の両面に無電解めっき層９４１を設け、更にベース基材９１０の一面側に電解めっき層９４２からなる導電性層９４０の配線を設け、且つ、電解めっき層９４２にてベース基材９１０の貫通孔部を充填し、配線形成側とは反対側に突き出る電解めっき層９４２からなる端子部９４７を設けたものである。
本例の配線部材は、エリアアレイタイプの半導体装置用基板や、各種インターポーザ、多層基板用部材等として使用することができる。
本例の場合も、絶縁性の樹脂としては、例えば、天然系樹脂、アクリル系樹脂、ポリエステル系樹脂、アルキッド樹脂、マレイン化油系樹脂、ポリブタジエン系樹脂、エポキシ系樹脂、ポリアミド系樹脂、ポリイミド系樹脂等が挙げられるが、特に、絶縁性、化学的安定性、強度等からポリイミド樹脂であることが好ましい。
【００３４】
次いで、本例の配線部材の製造方法の１例を図９に基づいて簡単に説明する。
先ず、絶縁性の基材９１０Ａを用意し（図９（ａ））、フォトリソ技術を用いたエッチング加工により、絶縁性の基材９１０Ａに所定の外形加工、孔開け加工を施し、ベース基材９１０を形成する。（図９（ｂ））
次いで、ベース基材９１０の両表面部にウエットブラスト処理９３０を施した（図９（ｃ））後、ベース基材９１０の両表面部に無電解めっきを施し、無電解めっき層９４１を形成する。（図９（ｄ））
尚、図９（ｃ）では、ウエットブラスト処理９３０をベース基材９１０の片面側から施す図を示してあるが、ベース基材９１０の向きを替え両面にウエットブラスト処理９３０を施す。
次いで、無電解めっき層９４１上に形成する配線形状、端子形状に合せた開口を有するレジスト９５０を形成した（図９（ｅ））後、無電解めっき層９４１を給電層として、レジストの開口部に電解めっきを施し、電解めっき層９４２を形成する。（図９（ｆ））
次いで、レジスト９５０を除去した（図９（ｇ））後、ソフトッチングにより、配線９４０、端子９３７を傷めないように、露出した無電解めっき層９４１のみを除去し、目的とする配線部材を形成する。（図９（ｈ））
【００３５】
【実施例】
（実施例１）
実施例１は、図１に示す、多層配線基板作製用の配線基板１００、１０５を、図４に示す製造方法により作製したものである。
ここでは、配線基板１００の作製のみを図１、図４に基づいて説明する。
厚さ０．１ｍｍのステンレス基材１１０Ａ（図４（ａ））を、エッチング加工にて、所定の形状に、且つ所定の位置に所望の貫通孔（１１５）を設けたベース基板１１０を用意しておく。（図４（ｂ））
エッチング加工は、重クロム酸カリウムを感光剤とするカゼインレジストを用い、ステンレス基材１１０Ａの両面を覆った後、これを所定のパターン版を用い、高圧水銀灯で所定の領域のみ露光し、現像し、硬膜処理、乾燥等を経て、所定形状のレジストパターンを形成した後、レジストの開口部に、塩化第二鉄溶液（４１ボーメ）を吹き付けて、外形加工と孔開け加工を行ったものである。
次いで、洗浄処理等を経て、ベース基板１１０の表面に、厚さ１２μｍのポリイミドフィルム（カネッカ製、アピカリ）に４μｍの厚みでポリイミドワニス（三井化学製、ＰＡＡ）を塗布したフィルムをベース基板にラミネートした。
さらに、両面にポリイミドワニスをコーティング、乾燥したのち、余分な樹脂を取り除くために、ドライフィルムを両面に設け、製版を行い、熱アルカリでウェットエッチングを行なった。
【００３６】
次いで、以下のウエットブラスト処理条件により、ウエットブラスト処理を行い、樹脂層１２０の表面を中心線平均粗さＲａが１μｍとなるように調整した。
（ウエットブラスト処理条件）
使用砥材            アルミナビーズ  ＃１０００
砥材濃度            ２０％
ポンプ圧力          ２．０ｋｇ／ｃｍ2 
エアー圧力          ２．０ｋｇ／ｃｍ2 
処理速度            １５ｍｍ／ｓｅｃ
投射距離            ２０ｍｍ
投射角度            ９０°
【００３７】
洗浄処理を施した後、表面粗度を調整された樹脂層１２０の表面部に以下▲１▼〜▲３▼のようにして、無電解ニッケルめっきを行い厚さ０．３μｍのニッケル層を得た。（図４（ｄ））
▲１▼  センシタイザーＳ−１０Ｘ、５％水溶液（上村工業製）、浸漬３分
▲２▼  アクチベータＡ−１０Ｘ、５％水溶液（上村工業製）、浸漬３分
▲３▼  無電解Ｎｉめっき、ＮＰＲ−４（上村工業製）、８０°Ｃ、浸漬１分
【００３８】
次いで、耐めっき性のレジスト、ＰＭＥＲ  ＡＲ−９００（東京応化株式会社製）を用い、レジスト製版をベース基板の両面に施し、所定の形状に開口部１８５を有するレジストパターン１８０を得た。（図４（ｅ））
配線部を形成するための領域と、ビアホールとその端子を形成するための領域のみを開口１８５とした。
製版条件は以下の通りであった。
▲１▼  塗布          ディップコート、膜厚１５μｍ
▲２▼  プリベーク    ８５°Ｃ、３０分
▲３▼  露光          ２００カウント
▲４▼  現像          ５分
▲５▼  リンス        ５分
【００３９】
次いで、レジストパターンの開口から露出した無電解めっき層（ニッケルめっき層）１３１上に、下記のめっき条件にて、電解ニッケルめっきを施し、１μｍの厚さの電解めっき層を形成し、更にその上に、下記の条件にて、電解銅めっきを施し、１０μｍの厚さの銅めっき層を形成し、無電解めっき層１３１と電解めっき層１３２とからなる導電性層１３０を得た。（図４（ｆ））
0004712940.tif 000002
【００４０】
この後、レジスト１８０を所定の剥離液（アセトン）にて剥離して、洗浄処理等を施した。（図４（ｇ））
【００４１】
次いで、無電解ニッケルめっき層をニムデンリップＣ−１１により剥離した後、両面、０．５Ｋｇ／ｃｍ2 のエアー圧で、ウエットブラスト処理を行い、表面に吸着している、触媒層を除去した。
再度、無電解めっきを施し、触媒の残留の有無を確認したところ、残留は見られなかった。
配線のピール強度を（アークテック社製、ＢＴ２４００）により、５００μｍ／ｓｅｃの速度で９０°剥離させたところ、平均６ｇ／１００μｍの引張強度が得られた。
【００４２】
次いで、露出した無電解ニッケルめっき層を、エッチング液で除去し、所望の配線基板１００を得た（図４（ｈ））
同様にして、所望の配線基板１０５も得た。
【００４３】
更に、得られた配線基板１００、１０５を絶縁シート（プリプレグ）を用い、図２（ａ）に示すように重ね、位置合わせした後、真空型加熱加圧プレスを用いて、１７０°Ｃ、４０Ｋｇ／ｃｍ2 （樹脂圧）でプレスし積層体化して、多層配線基板１７０を得た。（図２（ｂ））
配線１３５と配線１３５Ａとの接続を確認したが、特に異常は見られず、所望の多層配線基板１７０が得られた。
【００４４】
（実施例２〜実施例５）
実施例１において、無電解ニッケルめっきを行うためのウエットブラスト条件を変えて、種々の樹脂層の粗さを得て、無電解めっきを行い配線を形成した結果、以下の表１のようになった。
尚、ウエットブラスト条件と、これに対応する樹脂層の粗さ以外は、実施例１のように行った。
ウエットブラスト液は実施例１と同じものを使用した。
ピール強度の測定も実施例１と同様に行った。
【００４５】
【表１】
0004712940.tif 000003
【００４６】
これより、ウエットブラスト処理により、樹脂層の中心線平均粗さ０．１〜５μｍの範囲に制御することにより、配線基板への配線形成が可能であることが分かった。
【００４７】
尚、参考として、市販のユーピレックスを用いて、ウエットブラスト処理を同様にして行い、その表面粗さと、ピール強度を確認した結果、表２に示すようになった。
ウエットブラスト液は実施例１と同じものを使用した。
ピール強度の測定も実施例１と同様に行った。
【００４８】
【表２】
0004712940.tif 000004
【００４９】
これより、ユーピレックスを配線用基板に塗布して用いた場合にも、その上への配線形成は、上記実施例１と同様可能と判断される。
【００５０】
（実施例６）
実施例６は、実施例１における樹脂層の形成に代え、以下のようにして、ベース基材の表面に絶縁性の樹脂層を形成したものである。
他の各処理は実施例１と同じである。
下記のポリイミドワニスを、ベース基材の両面からスクリーン印刷し、温度２５０℃で６０分間熱処理して、ベース基材の表裏を覆い、所定の貫通孔部を埋めるように、ポリイミド層からなる絶縁性の樹脂層を形成し、更に、前記所定の貫通孔部をレーザ光（ＹＡＧレーザ光）にて、孔部壁面を絶縁性の樹脂層が覆うようにして、且つ孔開けして、図４（ｃ）に示すようにベース基材の表面に絶縁性の樹脂層を形成した。
尚、ウエットブラストによる絶縁性の樹脂層の中心線平均粗さはＲａ＝０. ２μｍとした。
その他については実施例１と同様に各処理を行なった。
ポリイミド印刷ワニス    セントラル硝子製    ＦＰＰ−３０１０
作製された配線部材については、実施例１と同様、良好なピール強度判定（配線状態○）が得られた。
【００５１】
（実施例７）
実施例７は、図８（ｈ）に示す配線部材を作製した例で、厚さ２５μｍのポリイミドフィルムの一面に、厚さ１８μｍの銅箔を積層した基材（株式会社東レ製、銅貼りポリイミドフィルム）を用い、配線部材を形成したものである。
図８に基づいて説明する。
先ず、上記ポリイミドフィルムからなる絶縁性の基材８１０Ａの一面に銅層からなる金属層８２０を配設した積層基材を用意し（図８（ａ））、その絶縁性の基材８１０Ａに対し、レジスト製版によるエッチング加工を行い、所定の外形加工、孔開け加工を施し、ベース基材８１０を形成した。（図８（ｂ））
レジストとしては、ＡＸ−１１０−４０（旭化成株式会社製）を用い、エッチング液としては、熱アルカリ（８０℃、５％水酸化ナトリウム）を用いた。
次いで、実施例１と同様に、ベース基材８１０側表面部にウエットブラスト処理を施した（図８（ｃ））後、ベース基材８１０側表面部に無電解めっきを施し、無電解めっき層８４１を形成した。（図８（ｄ））
本例では、ウエットブラストによる絶縁性の樹脂層の中心線平均粗さＲａは０. １５μｍとした。無電解めっき条件は実施例１と同じとした。
次いで、形成する配線に合せた開口を有するレジスト８５０（ＰＭＥＲ  ＡＲ−９００（東京応化株式会社製）を厚さ２０μｍに無電解めっき層上に形成した（図８（ｅ））後、電解めっきを行い、無電解メッキ層８４１上に電解めっき層８４２を形成した。（図８（ｆ））
電解めっきも実施例１と同様に行い、１μｍの厚さの電解ニッケルめっき層を下引きとし、その上に、１０μｍの厚さの電解銅めっき層を形成した。
尚、実施３例では、レジスト８５０の塗布は実施例１と同様にディッピングにて行い、金属層８２０表面はレジスト８５０で覆ったまま電解めっきを行なった。
次いで、レジスト８５０を所定液で剥離除去した後、耐エッチング性のレジストとして、ドライフィルムレジストＡＸ１１０、３０μｍ厚（旭化成工業製）をその両面に配設し、金属層８２０側を形成する配線にあわせた開口を有するレジストとし、反対側（電解めっき層８４２側）を覆った状態として、塩化第二鉄液でエッチングを行い、レジストの下記項から露出している金属層を除去し、配線を形成した。（図８（ｇ））
次いで、耐エッチング性のレジストを所定液で除去し、目的とする配線部材を得た。（図８（ｈ））
作製された配線部材の電解めっき層８４２を含む配線については、実施例１と同様、良好なピール強度判定（配線状態○）が得られた。
【００５２】
（実施例８）
実施例８は、図９（ｈ）に示す配線部材を作製した例で、厚さ２５μｍのポリイミドフィルム（カネカ製、アピカル）の両面に三井化学製、ＰＡＡを４μｍの厚みで、それぞれ塗布し、２５０℃、６０分乾燥した基材９１０Ａを用い、配線部材を形成したものである。
図９に基づいて説明する。
先ず、上記絶縁性の基材９１０Ａを用意し（図９（ａ））、実施例７と同様にして、その絶縁性の基材９１０Ａに対し、レジスト製版によるエッチング加工を行い、所定の外形加工、孔開け加工を施し、ベース基材８１０を形成した。（図９（ｂ））
図９（ｂ）が図４（ｃ）に対応するもので、以下、実施例１と同様にして、各処理を行い、図９（ｈ）に示す配線部材を形成した。
ウエットブラスト処理によるベース基材９１０の表面を中心線平均粗さＲａは実施例とほぼ同じ約１μｍとなった。
作製された配線部材については、実施例１と同様、良好なピール強度判定（配線状態○）が得られた。
【００５３】
【発明の効果】
本発明は、上記のように、第１には、半導体周辺部材である電子部材において、配線の高精細化を可能とするとともに、低ノイズ化、あるいは高放熱性の電子部材を作製する製造方法の提供を可能とした。
そして、第２には、多層配線を比較的に簡単にできる電子部材を作製する製造方法の提供を可能とした。
【図面の簡単な説明】
【図１】        本発明に関わる電子部材の参考実施形態の第１例の、多層配線基板作製用の配線基板を示した一部断面図である。
【図２】        多層配線基板の作製を説明するための断面図である。
【図３】        図３（ａ）は本発明に関わる電子部材の参考実施形態の第２例の半導体装置用の配線基板を示した断面図で、図３（ｂ）は半導体装置の断面図である。
【図４】        参考実施形態の第１例の配線基板を製造するための工程断面図である。
【図５】        本発明に関わる電子部材の参考実施形態の第３例のリードフレームの、インナーリード先端部の図である。
【図６】        本発明に関わる電子部材の参考実施形態の第４例の接続用ピンを説明するための図である。
【図７】        ビルトアップ基板の一部断面図である。
【図８】        図８（ｈ）は本発明に関わる電子部材の参考実施形態の第５例の配線部材を示した一部断面図で、図８（ａ）〜図８（ｈ）はその工程断面図である。
【図９】        図９（ｈ）は本発明に関わる電子部材の参考実施形態の第６例の配線部材を示した一部断面図で、図９（ａ）〜図９（ｈ）はその工程断面図である。
【符号の説明】
１００、１０５              配線基板
１１０、１１０Ｂ            ベース基材（単に基材ともう言う）
１１０Ａ                    基材
１１５、１１５Ｂ            基材の孔部
１２０、１２０Ｂ            樹脂層
１３０、１３０Ｂ            導電性層
１３１、１３１Ｂ            無電解めっき層
１３２、１３２Ｂ            電解めっき層
１３５、１３５Ａ、１３５Ｂ  配線部
１３６、１３６Ｂ            ビアホール
１３７、１３７Ｂ            端子部
１５０                      絶縁性樹脂シート
１７０                      多層配線基板
１８０                      レジスト
１８５                      開口
２１０                      配線基板
２１１                      半導体素子
２１２                      端子部
４１０                      インナーリード
４１１                      ワイヤボンディング面
４２０                      樹脂層
４３０                      配線（リード）
５００                      ピン
５０５                      端面
５１０                      ベース基材（基材）
５２０                      樹脂層
５３０                      導電性層
５４０                      封止用樹脂
８１０                      ベース基材
８１０Ａ                    基材
８２０                      金属層
８３０                      ウエットブラスト
８４０                      導電性層
８４１                      無電解めっき層
８４２                      電解めっき層
８５０                      レジスト
９１０                      ベース基材
９１０Ａ                    基材
９２０                      金属層
９３０                      ウエットブラスト
９４０                      導電性層
９４１                      無電解めっき層
９４２                      電解めっき層
９５０                      レジスト
９３６                      ビアホール
９３７                      端子部
【図１】
0004712940.tif 000005
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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