(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
紫外線波長域における光学材料の放射光依存的透過性を前記紫外線波長域における紫外線放射によって誘発された蛍光の蛍光測定によって測定することから構成される、高エネルギー密度へ暴露される光学素子に用いられる光学材料の適合性の定量的決定方法であって、
前記方法において、非直線状吸収過程の少なくとも１つの誘発蛍光最大値を決定し、前記少なくとも１つの誘発蛍光最大値についてフルエンスに対する前記放射光依存的透過性の依存状態を示す関数関係である傾斜値（｜ｄＴ／ｄＨ｜、ここでＴは透過性、Ｈはフルエンス）を決定し、及び前記放射光依存的透過性を前記傾斜から決定することを特徴とする前記方法。
【請求項２】
前記放射光依存的透過性が所定の放射光強度について前記傾斜値（｜ｄＴ／ｄＨ｜）から決定されることを特徴とする請求項１項記載の方法。
【請求項３】
前記放射光依存的透過性の決定に先立って、前記光学材料がエネルギーを有するビームで照射されることを特徴とする請求項１項記載の方法。
【請求項４】
前記光学材料が少なくとも５，０００レーザパルスから成るパルスレーザ光で照射されることを特徴とする請求項１項記載の方法。
【請求項５】
前記光学材料が前記放射光依存的透過性の決定前に波長１５７ｎｍ
の少なくとも２０，０００レーザパルスから成るパルスレーザ光で前照射されることを特徴とする請求項１項または４項記載の方法。
【請求項６】
前記傾斜値（｜ｄＴ／ｄＨ｜）が、前記パルスレーザ光のレーザパルス持続期間中、あるいは前記レーザパルス後２０ナノ秒間以内に測定されることを特徴とする請求項４項記載の方法。
【請求項７】
前記少なくとも１つの蛍光最大値が、波長７４０ｎｍ、５８０ｎｍ、４５０ｎｍ、４２０ｎｍ、３６５ｎｍ、あるいは２２５ｎｍにおける単一の蛍光最大値と一致することを特徴とする請求項１項記載の方法。
【請求項８】
前記傾斜値を前記光学材料の複数の異なるサンプルについて測定して多数の異なる傾斜値を得、誘発蛍光強度を前記異なるサンプルについて少なくとも１つの誘発蛍光最大値において測定し、前記異なるサンプルについての前記傾斜値と前記誘発蛍光強度との関係を表す校正曲線を作成することにより、前記
光学材料の他のサンプルを、それらサンプルについての前記誘発蛍光強度を測定することによって、特定用途について等級付けできることを特徴とする請求項１項記載の方法。
【請求項９】
光学材料は、ＣａＦ２、ＢａＦ２、ＳｒＦ２、ＬｉＦ、ＫＦ、ＮａＦ及びＫＭｇＦ３から選択される請求項１〜８項記載の方法。
【請求項１０】
光学材料は、ＤＵＶリソグラフィ、ステッパ、エキシマレーザ、ウェハー、コンピュータチップ及び集積回路、さらには前記コンピュータチップ及び前記集積回路を内蔵する電子装置に用いられるレンズ、プリズム、導光ロッドあるいは光学窓に使用される請求項９項記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、特にＤＵＶあるいはＶＵＶ中において高エネルギー密度に暴露される光学素子に用いる結晶の有用性の定量的決定あるいは結晶の等級付け方法、本方法によって等級付けされた結晶、及び該結晶の使用方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
光学素子に用いる材料はそれら素子を通過する放射光をある程度吸収するため、放射光の強度がこれら材料への通過後にその入射時の強度よりも通常小さくなることは公知である。さらに、前記材料表面において光の付加的吸収及び散乱作用が起こり、かかる現象によってもこれら材料の透過性あるいは透過率が減少する。また、前記吸収の程度は放射光の波長に依存するのみならず、該放射光のエネルギー密度及び／またはフルエンス（fluence）にも依存している。しかしながら、光学システム、すなわち光透過性システムにとって、該システム及び／またはそれらの素子が少なくとも各作用波長範囲について高い透過性をもつように、吸収は可能な限り少なく保たれることが望ましい。前記吸収は材料特異的（固有的）成分と、含有物、不純物及び／または不良結晶等の所謂非固有的成分に由来する成分の総和であることも公知である。前記固有的吸収は、その材料の品質とは無関係でありかつ減じられない定数によって示される。しかしながら、前記材料の付加的非固有的吸収は該材料の品質、すなわち前記した不純物、不良結晶等に依存する。従って、前記非固有的吸収は理論的には回避することが可能である。この非固有的吸収は光学材料、しいてはシステムの品質低下をもたらす。
【０００３】
前記固有的吸収及び非固有的吸収の双方によって、加熱を起こすエネルギーが光学材料へ加えられる。このような材料の加熱には、光学的特性、例えば屈折率を変化させる等の欠点がある。その結果、例えば、屈折率は光の波長に依存するのと同様に光学材料の温度にも依存するので、ビーム形成に用いられる光学素子中における像形成作用に変化を生ずる。さらに、加熱によって熱膨張もひき起こされ、その結果レンズの幾何的配列をも変化させる。かかる現象により、レンズ焦点の変化及び／またはこのようにして加熱されたレンズを用いて投影された像の焦点ぼけが起こる。写真平板においては、コンピュータチップ及び電子回路の製造における使用と同様に、前記加熱は品質の低下及び／または廃棄物の増加をもたらすゆえ望ましくない。
【０００４】
しかしながら、多くの材料において、吸収された放射光の一部は熱へ変換されるのみならず、蛍光へも変換される。光学材料、特に光学結晶中における蛍光の生成も公知である。例えば、石英、特にＯＨ基に富む石英中及び／またはガラス材料中におけるレーザ誘発蛍光（ＬＩＦ）の検出及び測定に関する記載がある。例えば、Ｗ．Ｔｒｉｅｂｅｌ他著、「ＤＵＶレーザ用途のための溶融シリカの短時間診断による評価」、Ｐｒｏｃｅｅｄｉｎｇｓ ＳＰＩＥ，Ｖｏｌ．４１０３，ｐｐ．１〜１１（２０００）参照。さらに、Ｊ．Ｖａｃ．Ｓｃｉ．Ｔｅｃｈｎｏｌ．Ａ．Ｖｏｌ．１６，ｐｐ．２０５２〜３０５７（１９９８）にはＭ．Ｍｉｚｕｇｕｃｈｉらによるフッ化カルシウム結晶中への光学吸収帯域の形成に関する記載がある。さらに、Ｊ．Ｏｐｔ．Ｓｏｃ．Ａｍ．Ｂ，Ｖｏｌ．１６，ｐｐ．１１５３〜１１５９にはＭ．Ｍｉｚｕｇｕｃｈｉらによるフッ化カルシウム結晶中におけるレーザ損傷診断のための時間分解光ルミネセンスに関する記載がある。この引例では１９３ｎｍのＡｒＦエキシマを用いた励起によって光ルミネセンスを生成する色中心の形成について記載されている。しかしながら、この引例では、この種の測定を可能とするために不純物含量のかなり高い結晶が用いられており、それゆえ写真平板に求められる厳しい条件とは適合しない。さらに、蛍光測定は試験対象サンプル中におけるレーザパルス終止後待ち時間５０ｎｓｅｃを置いてからすぐ実施されている。このようにして得られた蛍光値を品質管理及び／または不純物程度の決定に利用することはできないことが示されている。また、かかる蛍光値を高品質な結晶中の色中心の形成に利用することもできていない。
【０００５】
そのため、当業者は現状、放射光誘発蛍光の測定を写真平板に用いる高純度フッ化カルシウム等の高品質な光学材料の品質管理に利用することはできないと考えている。米国シアトルでの２００２年７月開催のＳＰＩＥ学会におけるＭａｎｎ博士の講演、「ゲッテンゲンにおけるレーザ研究」、ＳＰＩＥ Ｖｏｌ．４７７９，ｐｐ．３１〜４０（２００２）を参照されたい。この引例によれば、レーザ誘発蛍光と材料の不純物及び／または光学的品質との間に相関関係は起こり得ないとされている。
【０００６】
レーザ光を用いた１９３ｎｍでの励起によって生成されるＣａＦ２結晶中のレーザ誘発蛍光（ＬＩＦ）のそれぞれの蛍光帯域の寿命及び信号強度については、
「Ｐｒｏｃ．ＳＰＩＥ」、４９３２，ｐｐ．４５８〜４６６（２００２）にＣ．
Ｈ．Ｍｕｈｌｉｇ、Ｗ．Ｔｒｉｅｂｅｌらによる記載がある。彼らは、５８０ｎｍ及び７４０ｎｍにおいて誘発された蛍光帯域は非固有的透過に対して特に大きな影響をもつことを示している。これら波長で誘発された蛍光の割合は多ければ多いほど非直線状吸収作用が強くなり。さらに彼らは、３１３ｎｍ及び３３３ｎｍに最大値をも誘発蛍光帯域に放射光誘発吸収、すなわち非直線状吸収が起こることも示している。
上記引例にはさらに、各サンプルを１９３ｎｍにおいて１０ｍＪ／ｃｍ２の高エネルギーレーザ放射３０，０００レーザパルスで前照射することにより１９３ｎｍにおいて１０ｍＪ／ｃｍ２の不変の透過値が得られることを示す研究が記載されている。
【０００７】
所謂「自己トラップ励起子」放出（ＳＴＥ）の原因となる所謂２光子吸収作用に関してもＣ．Ｈ．Ｍｕｈｌｉｇ、Ｗ．Ｔｒｉｅｂｅｌらの研究、「Ｐｒｏｃ．ＳＰＩＥ」、４９３２，ｐｐ．４５８〜４６６（２００２）、及びＭ．Ｍｉｚｉｇｉｃｈｉらの研究、Ｊ．Ｏｐｔ．Ｓｏｃ．Ａｍ．Ｂ，１６，ｐｐ．１１５３〜１１５９（１９９９）から公知である。
【０００８】
最後に、本願発明者による未公開のＷＯ２００４／０２７３９５には、光学材料の定量的評価方法に関する記載がある。この方法は、照射パルスの入射中あるいは入射後、すなわち好ましくは照射パルスの終了後５０ｎｓｅｃ以内の時間間隔で、固有的蛍光及び非固有的レーザ誘発蛍光（ＬＩＦ）を用いて放射光誘発吸収を決定することから構成されている。以前の方法、すなわちより時間間隔の長い測定方法では検出されなかった蛍光の発生に端を発する特徴的な非固有的吸収がこの方法によって検出される。この方法では、材料の適合性に関して定性的測定を行なうことは当然可能であるが、ある種の用途に用いられる材料の適合性については定量的評価を行なうことができない。従って、試験特性の定量化がより早い時期にその後の使用に用いる光学材料のより正確な等級付け及び選択ができるようにするために、いくつかの用途に関する必要条件は他の用途よりも厳しくなっている。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
本発明は、非固有的吸収、特にフルエンス、つまりは原材料の透過性及びある用途への適合性の定量的評価を可能とする方法を提供することを目的とする。
本発明はさらに、光学素子の高エネルギー密度への暴露の適合性に従って定量的に等級付けされた単結晶、特にアルカリ金属ハロゲン化物あるいはアルカリ土金属ハロゲン化物単結晶を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
以下においてさらに明らかにされる上記目的及び他の目的は、各紫外線波長における誘発蛍光の蛍光測定によって各紫外線波長における光学材料の放射光依存的透過性を決定することから構成される、高エネルギー密度へ暴露される光学素子に用いられる光学材料の適合性の定量的決定方法によって達成される。
【００１１】
本発明によれば、非直線状吸収過程の少なくとも１つの誘発蛍光最大値が決定され、前記少なくとも１つの誘発蛍光最大値についてフルエンスに対する透過性の関数的依存性を示す曲線の傾斜値（｜ｄＴ／ｄＨ｜、ここでＴは透過性、Ｈはフルエンス）が決定され、及びその傾斜値から前記放射光依存的透過性が決定される。
【００１２】
本発明によれば、前記放射光誘発吸収、特にフルエンス依存性の吸収が、蛍光スペクトル中の強度レベルと直接相関することが意外にも見出された。従って、蛍光強度レベルを用いて任意のエネルギー密度Ｈについての吸収あるいは透過性を得ることが可能である。  従って、本発明方法は蛍光スペクトル、とりわけ観察対象帯域の強度を正規化することから開始される。これは固有的蛍光強度帯域を用いることによって適正になされる。好ましい固有的蛍光帯域は２７８ｎｍに最大値をもつ。このような方式で正規化された放射光誘発蛍光帯域はｄＴ／ｄＨ（フルエンスＨに対する透過性Ｔの変化率）の大きさを表す直接の尺度となる。本発明において、Ｔ及びＨ間の関数的関係を示す曲線の傾斜が、関わる誘発蛍光帯域の強度に直接相関し、かつ前記誘発蛍光帯域の強度と同程度まで増加することが見出された。
【００１３】
本発明においては、前記傾斜の傾斜度あるいは大きさは、入射フルエンスＨに対する透過性（通常％で表示）の関数的依存性から決定される。そこで、図２に示すように、品質の異なるそれぞれのサンプルに対して前記正規化された強度がプロットされる。このデータに最もよく一致する滑らかな曲線は、同一材料から成る任意に変化させたサンプルの確認のための基準あるいは校正曲線として機能し、例えば図４に示したように、好ましくは得られた数値からの曲線合わせによって得ることが可能である。
【００１４】
本発明に係る適当な実施態様においては、試験対象材料のサンプルが高いエネルギービームで前処理される。前記前処理は、適当な実施態様において、所謂損傷過程、とりわけ急速な損傷あるいは急速な焼きなましが少なくともほぼ飽和状態に達するまで実施される。これらの所謂損傷形成色中心は不良結晶部分における吸収及び結晶中に取り込まれた異物元素における吸収によって発生する。色中心の数は生じ得る色中心がすべて形成されるまで入光量あるいは電磁放射量に伴って増加する。このようなタイプの色中心は比較的安定であり、また通常は３０分から数日、また必要であれば数ヶ月の時間間隔に亘って持続される。加熱によってこのような色中心の軽減（ｒｅｌａｘａｔｉｏｎ）が加速される。
【００１５】
照射開始時における吸収によって、補外法（外挿法）透過値Ｔｏを担う表面プロセス、とりわけエネルギーに富む放射光によって除去される不純物あるいは沈積物を変化させられることが明らかにされた。かかる表面作用が補外法透過値Ｔｏ（フルエンスがゼロに近づいた時の透過性）の変化を担っている。前記表面作用を考慮しなければ、前記不純物及び沈積物によってＴｏ値が与えられる。
【００１６】
好ましい放射光波長は、後で使用される光学器械において用いられるべき波長である。特にＵＶ及び深ＵＶ放射が用いられ、その場合の波長は２５０ｎｍ以下、とりわけ２００ｎｍ以下である。特に好ましくは、波長が１９３ｎｍ及び１５７ｎｍのレーザ光である。
【００１７】
前記サンプルは、その測定前に１５７ｎｍにおいて、少なくとも２０，０００、好ましくは少なくとも４０，０００、特に好ましくは６０，０００のレーザパルスで前放射されなければならない。前記サンプルは通常少なくとも７０，０００、とりわけ少なくとも１００，０００から１５０，０００のレーザパルスのビームを用いて前放射される。２００，０００レーザパルスによる前放射もあらゆる点で好ましい。レーザ損傷が飽和状態にまで至る照射は、少なくとも３，０００、とりわけ４，０００レーザパルスから成る波長１９３ｎｍのレーザパルスを用いる場合に起こる。しかしながら、５，０００レーザパルスが適当であることが実証された。多くの例において、６，０００レーザパルスを用いた照射も信頼できるものだった。前記レーザパルスは好ましくは少なくとも５ｍＪ／ｃｍ２、とりわけ少なくとも１０ｍＪ／ｃｍ２のフルエンスをもつ。最大値は好ましくは５０ｍＪ／ｃｍ２に達するが、好ましくは実質的に４０ｍＪ／ｃｍ２である。他方、最大値は特に好ましくは３０、とりわけ２０ｍＪ／ｃｍ２である。本発明では１０ｍＪ／ｃｍ２のフルエンスが特に適当であることが実証された。しかしながら、必ずしも必要ではないが、後において放射光が光学材料中を通過する際に用いられるのと同様に、好ましくは同一のパルス持続時間及びパルス周波数等が用いられる。
【００１８】
いつパルスの始動に関する測定がなされるべきかについては、該パルスの期間中及び遅くとも蛍光存続期間の９０％、とりわけ蛍光存続期間の７０％またはほぼ半分が減衰する時間後に既に始まっていることが適当であることが実証された。これは、本発明に従った手順において好ましい関連蛍光帯域に関してはレーザパルスの終止後最大６０ナノ秒、好ましくは４０、特に好ましくは３０ナノ秒である。２０ナノ秒という数値は前記レーザパルスの終止と前記測定開始間の時間間隔としてあらゆる点で好ましい数値である。前記誘発蛍光帯域は、本発明方法のあらゆる点で好ましい実施態様においては、パルス持続時間中に既に決定される。すなわち、同時に励起されかつ同期して測定される。このような方式によって所謂安定状態の機構が得られる。
【００１９】
本発明において、意外にも前記ｄＴ／ｄＨ曲線の傾斜あるいはフルエンスとの関連における透過性の変化率を１５７ｎｍ及び１９３ｎｍのレーザ放射について比較できることが見出された。このことは、上記２波長の一方の放射光による一回の蛍光測定によって他の波長での全般的な有用性を確立できることを意味している。このことは、引例ＭａｎｎらのＳＰＩＥ Ｖｏｌ．４７７９（２００２）では１９３ｎｍと１５７ｎｍの放射光を用いた吸収作用間に相関関係が認められなかったことから、従来技術から見れば実に驚くべきことである。
【００２０】
本発明において、適当な蛍光帯域が７４０ｎｍ、５８０ｎｍ、４５０ｎｍ、４２０ｎｍ及び２２５ｎｍ、さらに３６５ｎｍに生ずることを明らかにした。上記帯域最大値は好ましくは±１０ｎｍ、さらに好ましくは±５ｎｍの変動幅をもつ。
【００２１】
本発明方法は好ましくは未公開であるＤＥ−Ａ１０２４２９３４の記載に従って実施される。非固有的蛍光は、好ましくは格子スペクトル写真及び露出時間の調節可能なＩ−ＣＣＤカメラ（強化ＣＣＤ）を用いて測定される。得られたスペクトルは好ましくはコンピュータ制御下に処理される。この種の測定方法及び装置は分光学分野の専門家にとっては周知である。上記方法及び装置に関しては、例えばＷ．Ｔｉｅｂｅｌらによる「ＤＵＶレーザ処理に用いる溶融シリカの短時間診断による評価」、Ｐｒｏｃｅｅｄｉｎｇｓ ＳＰＩＥ Ｖｏｌ．４１０３，ｐｐ．１〜１１（２０００）、あるいはＭｉｚｕｇｕｃｈｉらのＪ．Ｏｐｔ．Ｓｏｃ．Ａｍ．Ｂ，Ｖｏｌ．１６，１１５３ｆｆ（１９９９年７月）に記載がある。
【００２２】
本発明においては、特に好ましくはエネルギー励起放射光のスループットを妨げるマスキング装置が試験対象の蛍光性サンプルと蛍光測定装置との間に配置される。任意の励起波長を阻止する種々タイプの阻止装置あるいはマスキング装置が当業者に周知である。かかるマスキングあるいは阻止は多数の異なる方式によって行うことが可能である。例えば、一つの可能性として、この波長の阻止はＣＣＤカメラの前に配置された入射光を異なる波長へ分離する格子スペクトル写真装置を用いて行われる。前記スペクトル写真装置の適当な配置及び回転によって、強力な放射光源によって生成された励起放射光を阻止あるいは偏向させることが可能である。あるいは、ＣＣＤカメラ自体を格子スペクトル写真装置に対して回転させることも可能である。
【００２３】
さらに他の可能性として、現在任意の波長に対して選択性となった誘電薄層フィルター等の波長特異性フィルターを用いる方法もある。これらのタイプのフィルターは、通常所望の波長においてスループットを変える適当な多層の反射コーティング処理を支持材料へ施せるように製造される。
このようなフィルターは本発明方法において好ましく用いられる。前記フィルターには、測定結果が不正確になるため、入射光によって自己蛍光励起を起こさないことが要求される。
【００２４】
本発明方法によって測定された透過値、特に内部透過値へ、２２５ｎｍの蛍光等の他の方法によって得られた透過値を加えることにより、光学素子中へ組み込まれた材料における後時の放射光透過率に関して比較的正確な断定を為し得ることが明らかとなった。
【００２５】
本発明方法は照射下において蛍光を発する任意の光学材料に適した方法である。しかしながら、好ましくは結晶性の光学材料、特にハロゲン化物またはフッ化物から成る単結晶が対象である。フッ化カルシウム、フッ化バリウム、フッ化リチウム、フッ化カリ、及び／またはフッ化ナトリウム等のアルカリ金属フッ化物及び／またはアルカリ土金属フッ化物、あるいはそれらの混合物、例えばＫＭｇＦ３、が特に好ましい。
【００２６】
従って、本発明方法によれば、後続の加工処理から高い非固有的蛍光をもつ上記光学材料を除外できるだけでなく、光学装置の製作に適するそれら材料の後における使用に応じてそれら材料を選択し類別することも可能である。
【００２７】
本発明方法によって選択された光学材料はＤＵＶリソグラフィ用光学素子の製造、及び写真用ラッカーでコーティングされるウェハーの製造に特に適している。従って、本発明に係る光学材料は電子装置の製造に適する。本発明に係る選択方法によって見出された光学材料はレンズ、プリズム、導光ロッド、光学窓、及びＤＵＶリソグラフィ用光学装置、とりわけステッパ及びエキシマレーザの製造に有用である。従って、前記光学材料は、集積回路、コンピュータチップ、及び電子装置のみならず、かかるチップ及び集積回路を内蔵するコンピュータ及び他の装置の製造にも有用である。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２８】
本発明の目的、特徴及び効果について以下に記載の好ましい実施態様を用いて添付図面を参照しながらより詳細に説明する。
図１に示すように、前記所謂急速な照射損傷過程は、短い増加段階後に飽和傾向を示し、フルエンスに応じた数千のレーザパルスによって前記段階を越えて飽和状態に至る。放射光による損傷は比較的長期間安定状態に保たれ、材料に応じて３０分から１時間、あるいは数日、あるいは数ヶ月後に軽減する。加熱処理はこの軽減経過を促進する。さらに別に起こり得る軽減経過を図１に示す。照射による数千のレーザパルスで増大されたフルエンスＨ３によって急速な損傷経過を取るが、透過性は当初のフルエンスＨ１（１０ｍＪ／ｃｍ２）に対する元の数値まで戻すことが可能である。同一材料、この場合はＣａＦ２、から成る異なるサンプルＡ、Ｂ及びＣについて図１に示した手順を用いて試験を行った。異なるサンプルごとに傾斜（フルエンスに対する透過性の変化率）が異なるため、それらの有用性の程度も異なっている。傾斜値ｄＴ／ｄＨ（Ｔは透過性、Ｈはフルエンス）はこの種の曲線（図２）を用いて測定することができる。図４に示した校正曲線は、７４０ｎｍの帯域についてのＬＩＦ（レーザ誘発蛍光）の例と同様に、この方式によって得られたものである。誘発蛍光は２７８ｎｍにおける固有蛍光に関して正規化された。
【００２９】
図４に示した曲線を用いることにより、サンプル中の蛍光ピーク強度を一回測定することによって材料の蛍光依存的透過性を決定することが可能である。従って、特定の用途に応じて、サンプルに対して正当化値あるいは等級を与えることが可能である。例えば、７４０ｎｍにおける誘発蛍光強度が約３００ならば、０．２の傾斜値ｄＴ／ｄＨとなる。次いで直接この数値を使用可能性の尺度及び正当化の基準として用いる。それゆえ、約２００または約１１０の正当化された蛍光ピーク強度が生ずるように、特定の用途について要求される正当化基準あるいは等級として数値０．１５あるいは０．７５を任意に設定することができる。
【００３０】
図５は１９３ｎｍの波長を用いて得たｄＴ／ｄＨ値を１５３ｎｍの励起波長を用いて得た吸収値へと変換し、あるいはその逆へと変換できることを示している。この図から、１５７ｎｍでの照射による２２５ｎｍにおける付加的蛍光帯域は曲線の傾斜に対しては影響がないが、数値Ｔｏに対しては実際に影響があることが分かる。これらの帯域はサンプル４中の不純物としてのみ生ずる。
【００３１】
本発明は、高エネルギー密度へ暴露された光学素子に用いる結晶の安定性の定量的測定方法、かかる方法で等級付けされた結晶、及びこれら結晶の使用方法に具現化して説明及び記載したが、本発明の精神からあらゆる点で逸脱することなく本発明へ種々の変更及び変形を加えることが可能であるから、本発明を上記の詳細へ限定する意図ではない。
本発明要旨は、さらなる分析を必要とせず、上記説明によって十分開示されているから、第三者は、最新の知識を適用することにより、先行技術の見地に立って本発明の全般的あるいは特定の態様の必須な特徴を明らかに構成している特徴を漏らすことなく本発明を種々用途へ容易に適合させることが可能である。
【図面の簡単な説明】
【００３２】
【図１】波長１９３ｎｍのＡｒＦレーザで照射されたＣａＦ２単結晶の透過性を説明するグラフである。
【図２】図１に従った手順で測定された、フルエンスに対する透過性の依存関係を説明するグラフである。
【図３】２７８ｎｍに固有ピーク最大値及び７４０ｎｍに強帯域をもつＣａＦ２単結晶サンプルの蛍光についての正規化吸収スペクトルを示す図である。
【図４】異なるサンプルについて測定された図３の蛍光ピーク強度の関数としての│ｄＴ／ｄＨ│値、及び最も適するプログラムによって測定された前記値に一致する滑らかな曲線を示す図である。
【図５】異なるサンプルについて、１５７ｎｍ及び１９３ｎｍの励起波長及び１０ｍＪ／ｃｍ２のフルエンスを用いた場合のフルエンスの関数としての│ｄＴ／ｄＨ│値を示すグラフである。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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