(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
処理対象物を静電吸着する静電吸着装置と、
前記静電吸着装置を厚み方向に貫通し、昇降ピンが上下移動可能に配置されたピン通路と、
前記ピンを昇降させ、前記ピン先端を前記静電吸着装置上の位置と前記ピン通路内の位置との間を移動させるピン昇降機構と、
内部を前記ピン通路に接続され、前記ピンの上下移動に伴って伸縮する伸縮管とを有し、
前記伸縮管は、前記ピン通路を前記伸縮管の周囲の雰囲気から気密に分離するように構成された真空処理装置であって、
前記静電吸着装置の前記処理対象物が配置される面に形成され、裏面ガスが供給される溝と、
内部に排気通路が形成され、前記排気通路が前記伸縮管の内部に接続された排気ポートと、
前記排気ポートに接続された真空排気系とを有し、
前記真空排気系は、低圧力で動作する高真空用ポンプと、前記高真空用ポンプよりも高い圧力で動作する低真空用ポンプとを有し、前記低真空用ポンプは前記高真空用ポンプに接続され、前記高真空用ポンプの背圧を低下させるように構成され、
前記伸縮管は、前記高真空用ポンプと前記低真空用ポンプのいずれにも接続可能に構成され、
前記溝と前記ピン通路は接続され、前記溝内の残留ガスは、前記真空排気系によって前記ピン通路を通って真空排気されるように構成された真空処理装置。
【請求項２】
前記排気ポートは絶縁された請求項１記載の真空処理装置。
【請求項３】
前記排気ポートは、前記伸縮管と前記静電吸着装置の間に配置された請求項１又は請求項２のいずれか１項記載の真空処理装置。
【請求項４】
前記静電吸着装置を厚み方向に貫通し、前記溝に接続された給気通路を有し、
前記溝には前記給気通路を通って前記裏面ガスが供給されるように構成された請求項１乃至請求項３のいずれか１項記載の真空処理装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は静電吸着装置を用いた真空処理装置の技術分野にかかり、特に、静電吸着装置の溝上に成膜対象物が配置される真空処理装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体製造装置の一つであるスパッタリング装置は、処理室にてウェハを処理する際に、ウェハ温度を制御するために、ウェハを静電吸着にて保持し、ウェハと静電吸着機能付ホットプレート間にＡｒガス（以後裏面ガスと呼称）を充填させ、ウェハ処理が終了すると裏面ガスを掃引し、静電吸着による保持を解除するという動作を繰り返す。
【０００３】
半導体製造装置の稼働率を向上させることを目的として、一枚のウェハの処理に必要とされる時間を短縮することが要求されている。
また、半導体デバイスの微細化に伴い、スパッタリングによって堆積される膜の薄膜化により成膜時間が短くなったため、一枚のウェハを処理するに必要な、裏面ガスの充填及び排気に必要とする時間が無視できなくなってきた。
【０００４】
図６の符号１０１は、従来の代表的なスパッタリング装置を示している。
このスパッタリング装置１０１は、真空槽１１１と真空排気系１３７とを有しており、真空排気系１３７によって真空槽１１１内を真空排気できるように構成されている。
真空槽１１１内には、ターゲット１１０が配置されている。ターゲット１１０と向い合う位置には、台１１２が配置されており、台１１２上には静電吸着装置１１３が配置されている。
【０００５】
静電吸着装置１１３の表面には溝１３５が形成されており、静電吸着装置１１３上に処理対象物(ウェハ)を配置すると、処理対象物は溝１３５の間に位置する突条１３３の上端と接触する。この状態で静電吸着装置１１３に電圧を印加し、処理対象物を静電吸着すると、処理対象物の裏面は突条１３３の上端と密着し、溝１３５は処理対象物によって閉塞された状態になる。
【０００６】
溝１３５は、切替装置１４１を介して、真空排気系１３７とガス供給系１３８とに接続されており、切替装置１４１により、溝１３５をガス供給系１３８に接続し裏面ガスを導入すると、溝１３５内は裏面ガスで充満され、静電吸着装置１１３と処理対象物との間の熱伝導率が高められる。
【０００７】
静電吸着装置１１３の内部にはヒータが配置されており、ヒータを発熱させ静電吸着装置１１３を昇温させると、処理対象物が加熱され、所望温度に昇温された状態でスパッタリングを行うことができる。
スパッタリング終了後、裏面ガスの供給を停止し、切替装置１４１によって溝１３５を真空排気系１３７に接続し、溝１３５内を真空排気した後、静電吸着力を消滅させる。
【０００８】
静電吸着力を消滅させる前に溝１３５内を真空排気するのは、静電吸着力を消滅させたときに、溝１３５内と真空槽１１１内の圧力差で処理対象物が飛上がってしまわないようにするためであり、静電吸着力消滅後、昇降装置１２０内の昇降ピンを上昇させ、昇降ピン上に処理対象物を移載し、搬送ロボットにて真空槽１１１外に搬出する。
【０００９】
このように、従来のスパッタリング装置１０１では、ガス供給系１３８と真空排気系１３７の溝１３５への接続を切替装置１４１によって切替えており、切替装置１４１と溝１３５との間の配管が、ガス供給系１３８と真空排気系１３７とで共用されている。
【００１０】
共有部分の配管は、ガス供給系１３８には十分なコンダクタンスでも、真空排気系１３７にとってはコンダクタンスは十分な大きさではなく、特に、昇降ピンが配置された伸縮管(ベローズ)内にも裏面ガスが充満するため、それを残留ガスとして排気するのに長時間を必要としている。
【００１１】
また、近年では処理対象物のウェハは直径３００ｍｍと大型化しており、処理対象物と静電吸着装置との間の溝１３５の容積も大きくなている。従って、溝１３５に供給される裏面ガスの量も増大しており、排気速度を向上させる技術は重要である。
一方、スパッタリングプロセスにおいては、９０ｎｍ以降の微細孔に対する埋め込み特性（カバレージ）を向上させるため処理対象物にＲＦバイアスを印加させる手法が多くなってきた。
【００１２】
処理対象物にＲＦバイアス（１３．５６ＭＨｚ以上）を印加する場合、意図しない場所で放電（異常放電）が発生しないようにする対策が必須である。異常放電が生じやすい場所は、裏面ガスを溝１３５に供給する供給経路と、裏面ガスを溝１３５や伸縮管の内部から排気する排気経路がある。
【００１３】
裏面ガスを供給する供給経路に関しては、供給経路の配管の表面に絶縁処理を施すだけでは不十分であり、高周波に曝された配管の内部空間を考慮する必要がある。配管の内部空間は、導入された裏面ガスによって数Ｔｏｒｒ近辺の圧力となっており、その圧力は放電が生じ得る圧力である。
【００１４】
溝１３５内を裏面ガスで充満させる際には、比較的高圧で裏面ガスを供給できるから、給気コンダクタンスが小さくても短時間で済むため、異常放電を発生させない手段として、配管の内部空間を絶縁粒子にて埋め、裏面ガスを絶縁粒子間を通過させて溝１３５に導入させる手法がある。
【００１５】
しかし、配管経路が一部であってもガス供給系１３８と真空排気系１３７とで共用された部分があると、その部分に充填された絶縁体粒子によてって配管内の排気コンダクタンスが極端に低くなり、排気時間が非常に長くなってしまう。
裏面ガスを急速排気する技術は、下記文献に記載されている。
【特許文献１】特開平１１−７４３３５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１６】
本発明は上記従来技術の問題点を解決するために創作されたものであり、裏面ガスの急速排気、異常放電防止を課題とする。
【課題を解決するための手段】
【００１７】
上記課題を解決するため、本発明は、処理対象物を静電吸着する静電吸着装置と、前記静電吸着装置を厚み方向に貫通し、昇降ピンが上下移動可能に配置されたピン通路と、前記ピンを昇降させ、前記ピン先端を前記静電吸着装置上の位置と前記ピン通路内の位置との間を移動させるピン昇降機構と、内部を前記ピン通路に接続され、前記ピンの上下移動に伴って伸縮する伸縮管とを有し、前記伸縮管は、前記ピン通路を前記伸縮管の周囲の雰囲気から気密に分離するように構成された真空処理装置であって、前記静電吸着装置の前記処理対象物が配置される面に形成され、裏面ガスが供給される溝と、内部に排気通路が形成され、前記排気通路が前記伸縮管の内部に接続された排気ポートと、前記排気ポートに接続された真空排気系とを有し、前記真空排気系は、低圧力で動作する高真空用ポンプと、前記高真空用ポンプよりも高い圧力で動作する低真空用ポンプとを有し、前記低真空用ポンプは前記高真空用ポンプに接続され、前記高真空用ポンプの背圧を低下させるように構成され、前記伸縮管は、前記高真空用ポンプと前記低真空用ポンプのいずれにも接続可能に構成され、前記溝と前記ピン通路は接続され、前記溝内の残留ガスは、前記真空排気系によって前記ピン通路を通って真空排気されるように構成された真空処理装置である。
また、本発明は、前記排気ポートは絶縁された真空処理装置である。
また、本発明は、前記排気ポートは、前記伸縮管と前記静電吸着装置の間に配置された真空処理装置である。
また、本発明は、前記静電吸着装置を厚み方向に貫通し、前記溝に接続された給気通路を有し、前記溝には前記給気通路を通って前記裏面ガスが供給されるように構成された真空処理装置である。
【発明の効果】
【００１８】
ガス供給系が溝内に裏面ガスを供給する供給配管と、真空排気系が溝内の裏面ガスを真空排気する排気配管とに共有部分が無いので、供給配管内に絶縁粒子が配置されても、排気配管のコンダクタンスは低下しない。
排気配管は絶縁性の排気ポートを介して静電吸着装置や台に接続されているので、排気配管を接地電位に接続した状態で、静電吸着装置上の基板に交流電圧(高周波電圧)が印加することができる。
溝が直径の大きなピン通路によって真空排気系に接続されており、排気コンダクタンスが大きくなっている。また、伸縮管内の残留ガスは、溝を通らず、直接真空排気されるので、伸縮管内のパーティクルが真空槽内に放出されることもない。
溝内や伸縮管内の残留ガスを真空排気する際には、先ず、ポンプ選択装置によって低真空用ポンプを伸縮管や溝に接続し、伸縮管内や溝内を所定圧力まで真空排気した後、高真空用ポンプに切り替え、高真空用ポンプによって、伸縮管内や溝内を更に真空排気すると、伸縮管内や溝内の圧力は徐々に低下するので、伸縮管内や溝内のパーティクルの巻上げが生じない。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１９】
本発明の実施例を図面を用いて説明する。
図１の符号１は、本発明の一例の真空処理装置を示している。
この真空処理装置１はスパッタリング装置であり、真空槽１１と真空排気系３７とを有しており、真空槽１１内にはターゲット１０が配置されている。
【００２０】
ターゲット１０と向い合う位置には、台１２が配置されており、台１２上には静電吸着装置１３が配置されている。台１２は金属製であり、真空槽１１とは絶縁されている。真空槽１１は接地電位に接続されている。
台１２の裏面は真空槽１１の外部に位置し、その一部領域には排気ポート２３が取りつけられている。
【００２１】
静電吸着装置１３と台１２と排気ポート２３には、静電吸着装置１３と台１２と排気ポート２３を厚み方向に貫通する貫通孔２９ａ、２９ｂ、２９ｃがそれぞれ形成されている。
各貫通孔２９ａ〜２９ｃは、それぞれ互いに連通する位置に形成されており、各貫通孔２９ａ〜２９ｃにより、真っ直ぐなピン通路２９が構成されている。
【００２２】
ピン通路２９の両端の開口は、排気ポート２３と静電吸着装置１３の表面に位置しており、排気ポート２３側の開口には、伸縮可能な伸縮管２２の一端が接続され、開口周囲を伸縮管２２の壁面で囲まれており、伸縮管２２の内部空間とピン通路２９とは外部雰囲気とは気密に連通されている。ピン通路２９と伸縮管２２の内部は、真っ直ぐであり、後述する棒状の昇降ピン２６が挿通されている。
伸縮管２２の他端にはピン座２４が配置され、ピン座２４によって蓋がされ、伸縮管２２の内部空間とピン通路２９は、外部雰囲気から分離されている。
【００２３】
排気ポート２３と伸縮管２２は真空槽１１の外部に位置しているが、台１２と排気ポート２３と伸縮管２２との間は気密に接続されているため、後述するように、ピン通路２９や伸縮管２２の内部空間が真空排気されたときに、ピン通路２９と伸縮管２２の内部空間には、大気が侵入しないようにされている。伸縮管２２は、ここでは蛇腹(bellows)で構成されている。
【００２４】
排気ポート２３内の貫通孔２９ｃには、分岐２８が接続されており、分岐２８の終端には排気配管２１が気密に取りつけられている。排気配管２１は、真空排気系３７に接続されている。排気配管２１の途中には、バルブｖ0が設けられており、バルブｖ0を開けるとピン通路２９と伸縮管２２の内部空間は真空排気系３７に接続されるように構成されている。
【００２５】
真空排気系３７は、高真空用ポンプ(ここではターボ分子ポンプ)４６と低真空用ポンプ(ここではメカニカルポンプ)４７とを有しており、ポンプ選択装置４３内のバルブｖ3、ｖ4のいずれか一方が開けられると、低真空用ポンプ４７と高真空用ポンプ４６のいずれか一方が、排気配管２１によって排気ポート２３に接続される。その状態では、ピン通路２９や伸縮管２２の内部空間の残留ガスは、低真空用ポンプ４７又は高真空用ポンプ４６によって排気配管２１を通って真空排気される。
【００２６】
静電吸着装置１３の表面には溝３５が形成されており、静電吸着装置１３上に処理対象物が配置されると、処理対象物は溝３５の間に位置する突条３３の上端と接触するように構成されている。
静電吸着装置１３は水平に配置され、溝３５が鉛直上方に向けられている。ピン通路２９と、それに連通する伸縮管２２の内部空間は鉛直に形成されている。
【００２７】
ピン座２４の伸縮管２２の内部側表面には、昇降ピン２６が立設されている。
ピン座２４にはピン昇降機構２７が取りつけられており、ピン昇降機構２７を動作させると、ピン座２４は、伸縮管２２を伸縮させながら、昇降ピン２６を上下に移動させるように構成されている。上方に移動するとき伸縮管は収縮し、下方に移動するとき、延伸する。
【００２８】
昇降ピン２６を降下させることで、昇降ピン２６の先端を突条３３の上端よりも下方に位置させ、昇降ピン２６を上昇させることで、昇降ピン２６の先端を突条３３の上端よりも上方に位置させることができる。
【００２９】
静電吸着装置１３と台１２には、上記のようなピン通路２９が少なくとも三本形成され、各ピン通路２９内に、それぞれ昇降ピン２６が一本ずつ配置されており、各昇降ピン２６を上昇させると、昇降ピン２６の先端に処理対象物を乗せることができる。
【００３０】
処理対象物(ウェハ)の表面に薄膜を形成するためには、先ず、低真空用ポンプ４７によって真空槽１１内を粗引きし、所定圧力まで低下させた後、高真空用ポンプ４６に切り替え、更に圧力を低下させる。高真空用ポンプ４６の動作中は、高真空用ポンプ４６の背圧を低真空用ポンプ４７によって低下させる。
【００３１】
次いで、不図示の基板搬送ロボットのハンド上に処理対象物を乗せ、真空槽１１内の真空雰囲気を維持しながら真空槽１１内に搬入し、処理対象物を各昇降ピン２６の上に位置させ、その状態で昇降ピン２６を上昇させると、処理対象物はハンド上から昇降ピン２６上に移載される。
【００３２】
図３の符号１５は、昇降ピン２６上に移載された処理対象物を示している。
ハンドを退避させた後、昇降ピン２６を降下させ、先端を突条３３よりも低い位置まで降下させると、図４に示すように、処理対象物１５は静電吸着装置１３上に移載される。
【００３３】
静電吸着装置１３の内部には、正電極と負電極が配置されている。真空槽１１の外部には電源が配置されており、該電源によって正負電極間に電圧を印加して吸着力を発生させ、静電吸着装置１３上に処理対象物１５を吸着する。この吸着力は、静電吸着装置１３内の電極と処理対象物１５の間に働くクーロン力の他、電界中に絶縁物が置かれた場合に及ぼされるグラディエント力も含まれる。
【００３４】
静電吸着装置１３の表面には溝３５が形成されており、静電吸着装置１３上に処理対象物１５が吸着されると、処理対象物は突条３３上端と密着し、溝３５の上部は処理対象物１５によって閉塞される。
【００３５】
真空槽１１の外部には、この真空処理装置１に裏面ガスを供給するガス供給系３８が設けられている。
静電吸着装置１３と台１２には、溝３５と連通する位置に、ピン通路２９とは別の貫通孔が形成されており、その貫通孔によって給気通路３９が形成されている。
この給気通路３９の下端にはガス導入ポート３０が設けられており、ガス導入ポート３０は、給気配管３１によって切替装置４１に接続されている。
【００３６】
切替装置４１には、ガス供給系３８と真空排気系３７が接続されており、切替装置４１内のバルブｖ1、ｖ2の操作により、給気配管３１を、ガス供給系３８と真空排気系３７のいずれにも接続できるように構成されている。
切替装置４１により、溝３５をガス供給系３８に接続し、溝３５内に裏面ガスを供給する。溝３５内は、裏面ガスを百Ｐａから数千Ｐａまで充填する。
【００３７】
吸着力により、処理対象物１５は静電吸着装置１３に吸着されており、溝３５内の圧力が処理対象物１５の表面上の真空槽１１内の圧力よりも高くなっても、処理対象物１５は静電吸着装置１３に密着した状態が維持される。
【００３８】
この状態では、処理対象物１５の裏面と静電吸着装置１３との間には、裏面ガスが充満しており、静電吸着装置１３と処理対象物１５との間の熱伝導率は、裏面ガスによって高められている。
【００３９】
静電吸着装置１３の内部にはヒータが配置されており、ヒータの発熱によって、静電吸着装置１３が昇温されると、処理対象物１５は、昇温された静電吸着装置１３によって加熱され、短時間で昇温される。
【００４０】
処理対象物１５が所定温度に達した後、不図示のスパッタリングガス導入系から真空槽１１内にスパッタリングガスが導入され、ターゲット１０がスパッタリングされ、処理対象物１５表面に薄膜が形成される。薄膜形成中は裏面ガスが供給されているが、静電吸着装置１３の吸着力によって、処理対象物１５は静電吸着装置１３表面に密着している。
【００４１】
溝３５内に導入された裏面ガスは、処理対象物１５と静電吸着装置１３の間の微小な隙間から真空槽１１内に漏出し、高真空用ポンプ４６により、スパッタリングガスと一緒に真空排気される。図１中、ｖ0〜ｖ6は開閉バルブ、符号４８は主弁を示している。スパッタリング中は、主弁４８によって高真空用ポンプ４６の排気速度が小さくなるようにされている。
【００４２】
排気ポート２３は導電体(金属)で構成されている。排気配管２１に接続されたバルブｖ0と、他のバルブｖ2〜ｖ4の間には絶縁部材が配置されており、低真空用ポンプ４７や後述する真空計４５と台１２とは絶縁されている。
【００４３】
処理対象物１５に高周波電圧が印加された場合、排気配管２１や伸縮管２２(及び昇降機構２７)にも高周波電圧が印加され、台１２と排気配管２１や伸縮管２２とは同電位となり、それらの間に放電が生じないようにされている。従って、この排気配管２１では、その内部に絶縁粒子を充填する必要はない。
なお、給気配管３１は絶縁被覆されており、ガス導入ポート３０との間は絶縁されている。
【００４４】
所定膜厚の薄膜が形成されるとスパッタリングは終了する。ヒータの発熱は停止されない。
この状態では、未だ、処理対象物１５は静電吸着装置１３によって吸着された状態であり、溝３５内への裏面ガスの導入は停止されると共に、ポンプ選択装置４３とバルブｖ0によって、伸縮管２２を低真空用ポンプ４７に接続し、伸縮管２２内を真空排気すると、伸縮管２２内の残留ガスは、高コンダクタンスの排気配管２１を通って真空排気される。ピン通路２９は溝３５と重複する位置に形成されており、溝３５はピン通路２９によって排気ポート２３に接続されている。従って、溝３５内の残留ガスは、ピン通路２９を通って、排気ポート２３から真空排気される。
【００４５】
裏面ガスの供給を停止する際には、切替装置４１により、溝３５への接続が、ガス供給系３８から真空排気系３７に切り替えられており、溝３５は、切替装置４１を介して、給気配管３１によっても真空排気系３７に接続されている。
【００４６】
しかし、ピン通路２９の静電吸着装置１３側の開口は溝３５の幅よりも広く、溝３５とピン通路２９との間のコンダクタンスは大きくなっている。ピン通路２９や分岐２８のコンダクタンスも大きいが、給気配管３１のコンダクタンスは小さいため、給気配管３１内の残留ガスは切替装置４１を介して、真空排気系３７によって真空排気されるものの、溝３５内の残留ガスは、切替装置４１を通らず、主として、ピン通路２９、分岐２８、排気配管２１を通って真空排気される。
【００４７】
給気配管３１には真空計４５が接続されている。溝３５内の圧力は給気配管３１内の圧力と同程度であり、真空計４５により、溝３５内の圧力を計測可能に構成されている。溝３５内の残留ガスが排気され、真空計４５が計測する圧力が所定圧力よりも低くなったことが計測されると、静電吸着装置１３内の電極への電圧印加は停止され、処理対象物１５への吸着力が消滅する。静電吸着装置１３内の電極は接地電位に接続される。
このとき、処理対象物１５の裏面の溝３５内の圧力と、処理対象物１５の表面の真空槽１１の圧力との差圧は小さくなっており、吸着力が消滅しても、処理対象物１５は飛び跳ねることはない。
【００４８】
吸着力の消滅後、昇降ピン２６を上昇させ、処理対象物１５を昇降ピン２６上に乗せた後、基板搬送ロボットのハンドを昇降ピン２６間に挿入し、昇降ピン２６を降下させると処理対象物１５はハンド上に移載され、ハンドを真空槽１１から抜出すと、薄膜が形成された処理対象物１５は真空槽１１の外部に搬出される。
【００４９】
図５は、排気時間と溝３５内の圧力(真空計４５の計測値)の関係を示すグラフである。符号Ｌ1の曲線は、上記のように、伸縮管２２内の残留ガスが溝３５を通らず、また、溝３５内の残留ガスが給気配管３１を通らずに、直接排気される場合の圧力変化であり、符号Ｌ2の曲線は、バルブｖ0が閉じられ、溝３５内の残留ガスが給気配管３１を通って真空排気され、伸縮管２２内の残留ガスは溝３５と給気配管３１とを通って真空排気される場合の圧力変化である。
【００５０】
給気配管３１を通って真空排気される場合(曲線Ｌ2)には、真空排気の開始後、一旦圧力が上昇しているが、これは伸縮管２２内の残留ガスが溝３５に逆流しているためであると考えられる。
【００５１】
図５のグラフから、残留ガスを給気配管３１から真空排気する場合には、溝３５内を１００Ｐａ以下の低圧力にすることはできない(１００Ｐａ以下にするためには長時間を必要とする)ことが分る。
この真空処理装置１は、少なくとも３個のピン通路２９が形成され、各ピン通路２９には、それぞれ伸縮管２２が接続されている。
【００５２】
各伸縮管２２内には一本ずつ昇降ピン２６が配置されており、台１２との間には、排気ポート２３が設けられ、その内部の分岐２８と、排気配管２１によって、真空排気系３７に接続されている。各伸縮管２２内の残留ガスは、溝３５や給気配管３１を通らずに直接真空排気されるように構成されている。
【００５３】
溝３５内や伸縮管２２内の残留ガスを真空排気する際には、先ず、ポンプ選択装置４３によって低真空用ポンプ４７を伸縮管２２や溝３５に接続し、伸縮管２２内や溝３５内を所定圧力まで真空排気した後、高真空用ポンプ４６に切り替え、高真空用ポンプ４６によって、伸縮管２２内や溝３５内を更に真空排気すると、伸縮管２２内や溝３５内の圧力は徐々に低下するので、伸縮管２２内や溝３５内のパーティクルの巻上げが生じない。
【００５４】
上記例では、伸縮管２２と台１２の間に排気ポート２３が配置されており、排気ポート２３を台１２から取り外すと伸縮管２２も台１２から取外されるので、伸縮管２２の内部を容易に洗浄することができたが、排気ポート２３の配置位置はそれに限定されるものではない。
例えば、伸縮管２２を台１２に直接接続し、排気ポート２３は、ピン座２４と伸縮管２２の間に配置してもよい。要するに、排気ポート２３は、排気配管２１を台１２や伸縮管２２から絶縁する位置に配置されていればよい。
【００５５】
上記真空処理装置１はスパッタリング装置であるから、裏面ガスにはスパッタリングガスと同じガスを用いるのが好ましいが、それに限定されるものではない。
また、上記真空処理装置１は、スパッタリング装置であったが、本発明の真空処理装置は、スパッタリング装置の他、蒸着装置、エッチング装置、ＣＶＤ装置等、真空処理を行う装置が含まれる。裏面ガスには、真空処理に影響を与えないガスを用いるのが望ましい。一般的にはアルゴンガス等の希ガスや、窒素ガスが用いられるが、スパッタリングガスやエッチングガス等の真空処理に用いられているガスと同じガスに限定されず、異なるガスを用いることもできる。
【図面の簡単な説明】
【００５６】
【図１】本発明の一例の真空処理装置
【図２】その部分拡大図
【図３】処理対象物の移載方法を説明するための図
【図４】溝内の在留気体の排気手順を説明するための図
【図５】排気時間と圧力の関係を説明するためのグラフ
【図６】従来技術の真空処理装置
【符号の説明】
【００５７】
１……真空処理装置
１３……静電吸着装置
１５……処理対象物
２２……伸縮管
２３……排気ポート
２６……昇降ピン
２７……ピン昇降機構
２８……分岐
２９……ピン通路
３５……溝
３８……ガス供給系
３７……真空排気系
４６……高真空用ポンプ
４７……低真空用ポンプ
【図１】
0004712614.tif 000002
【図２】
0004712614.tif 000003
【図３】
0004712614.tif 000004
【図４】
0004712614.tif 000005
【図５】
0004712614.tif 000006
【図６】
0004712614.tif 000007