(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の媒質と、前記第１の媒質上に設けられたＩＤＴと、前記第１の媒質上において前記ＩＤＴを覆うように設けられた第２の媒質と、前記第２の媒質上に積層された第３の媒質とを有する弾性境界波装置において、
前記第１の媒質上に、前記ＩＤＴに電気的に接続されるように形成された配線を備え、
前記第２の媒質は、前記配線を部分的に露出させる第２の媒質開口部を有し、
前記第３の媒質が、第３の媒質開口部を有し、
前記第３の媒質開口部に形成されたアンダーバンプメタルと、
前記アンダーバンプメタルの下面に接合されており、前記第３の媒質と前記第２の媒質との間から前記第２の媒質開口部において前記第２の媒質と前記第１の媒質との界面に至っており、該界面において前記ＩＤＴと電気的に接続されているＵＢＭ下地層と、
前記第２の媒質と前記第３の媒質との界面において前記ＵＢＭ下地層と電気的に接続されている給電ラインとをさらに備え、
前記給電ラインが、前記第２の媒質と前記第３の媒質との界面において、前記弾性境界波装置の前記第１の媒質、前記第２の媒質及び前記第３の媒質が積層されている構造の積層方向と交差する方向に延びる端面に露出されていることを特徴とする、弾性境界波装置。
【請求項２】
前記第３の媒質開口部が前記第２の媒質開口部上において、該第２の媒質開口部と連なるように配置されており、前記アンダーバンプメタルが、前記第３の媒質開口部から前記第２の媒質開口部内に至るように形成されている、請求項１に記載の弾性境界波装置。
【請求項３】
前記第３の媒質開口部及び前記アンダーバンプメタルが、前記ＩＤＴが形成されている領域の上方に配置されている、請求項１に記載の弾性境界波装置。
【請求項４】
前記第３の媒質開口部及び前記アンダーバンプメタルが、前記ＩＤＴが形成されている領域の上方以外の部分に形成されている、請求項１に記載の弾性境界波装置。
【請求項５】
前記第１の媒質が圧電基板、前記第２の媒質が絶縁膜、前記第３の媒質が吸音膜であることを特徴とする、請求項１〜４のいずれか１項に記載の弾性境界波装置。
【請求項６】
前記第１の媒質が誘電体基板、前記第２の媒質が圧電体膜、前記第３の媒質が吸音膜であることを特徴とする、請求項１〜４のいずれか１項に記載の弾性境界波装置。
【請求項７】
第１の媒質からなる母基板を用意する工程と、
前記母基板上にＩＤＴを形成する工程と、
前記ＩＤＴに電気的に接続されるように配線を形成する工程と、
前記ＩＤＴが形成されている母基板上にＩＤＴを覆うように第２の媒質を形成する工程と、
前記第２の媒質に前記配線が部分的に露出する第２の媒質開口部を形成する工程と、
前記第２の媒質上から前記第２の媒質開口部内に至っており、前記第２の媒質開口部内において前記配線と電気的に接続されているＵＢＭ下地層を形成する工程と、
前記第２の媒質と前記第３の媒質との界面において、前記ＵＢＭ下地層と電気的に接続されるように給電ラインを形成する工程と、
前記母基板のダイシングされる領域に、前記ＵＢＭ下地層と電気的に接続される導電性のダイシングラインを形成する工程と、
前記第２の媒質上に第３の媒質を形成する工程と、
前記第３の媒質に、前記ＵＢＭ下地層を部分的に露出させる第３の媒質開口部を形成する工程と、
電解メッキにより前記第３の媒質開口部に、ＵＢＭ下地層と電気的に接続されるようにアンダーバンプメタルを形成する工程と、
前記ダイシングラインに沿って前記母基板をダイシングし、個々の弾性境界波装置を取り出す工程とを備えることを特徴とする、弾性境界波装置の製造方法。
【請求項８】
前記ＵＢＭ下地層を形成する工程、前記給電ラインを形成する工程及び前記ダイシングラインを形成する工程の内、少なくとも２つの工程が、同じ導電材料を用いて同時に行われる、請求項７に記載の弾性境界波装置の製造方法。
【請求項９】
前記第１の媒質が圧電基板、前記第２の媒質が絶縁膜、前記第３の媒質が吸音膜であることを特徴とする、請求項７または８に記載の弾性境界波装置の製造方法。
【請求項１０】
前記第１の媒質が誘電体基板、前記第２の媒質が圧電体膜、前記第３の媒質が吸音膜であることを特徴とする、請求項７または８に記載の弾性境界波装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、第１，第２の媒質間の境界を伝搬する弾性境界波を利用した弾性境界波装置に関し、特に、第２の媒質上に第３の媒質が積層されている三媒質構造を有し、かつバンプが接合されるアンダーバンプメタル（ＵＢＭ）が形成されている弾性境界波装置及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、通信機器のフィルタや共振子を構成するために、弾性表面波装置が広く用いられてきている。他方、近年、弾性表面波装置に代えて、弾性境界波を利用した弾性境界波装置が種々提案されている。弾性境界波装置では、圧電体と、絶縁体との界面を伝搬する弾性境界波が利用される。弾性境界波が伝搬する界面は、圧電体と絶縁体とにより封止されているため、複雑なパッケージ構造を必要としない。
【０００３】
特許文献１には、このような弾性境界波装置の一例として、図８に示す三媒質型の弾性境界波装置が開示されている。
【０００４】
弾性境界波装置５０１では、圧電体からなる第１の媒質５０２上に、絶縁体からなる第２の媒質５０３が積層されており、さらに第２の媒質５０３の第１の媒質５０２と反対側の面に、第３の媒質５０４が積層されている。ここでは、第１の媒質５０２と、第２の媒質５０３との界面にＩＤＴが形成され、該ＩＤＴに交流電圧を印可することに弾性境界波が励振される。
【０００５】
ところで、上記第１の媒質５０２は、ＬｉＴａＯ3基板などの圧電単結晶により構成されており、第２の媒質５０３は、多結晶酸化ケイ素により構成されており、第３の媒質５０４は、多結晶シリコン膜により構成されている。
【特許文献１】ＷＯ９８／５２２７９
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
特許文献１に記載のように、従来、いわゆる三媒質型の弾性境界波装置が知られていた。この種の弾性境界波装置においても、実装基板上に高密度に実装するには、弾性表面波装置に金属バンプを接合し、該金属バンプを用いて実装基板上の電極と接合し、実装基板上に弾性表面波装置を搭載する、バンプ接合が多用されていた。従って、弾性境界波装置も、バンプ接合により実装基板に搭載するように構成されていることが望ましい。
【０００７】
しかしながら、弾性境界波装置の基本的な構造が特許文献１などに示されているに留まり、従来、弾性境界波装置において、バンプ接合に適した具体的な構造は提案されていない。
【０００８】
本発明の目的は、上述した従来技術の現状に鑑み、三媒質型の弾性境界波装置であって、さらに、バンプ接合などにより実装基板上に積層することが可能であり、しかも信頼性に優れた弾性境界波装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明のある広い局面によれば、第１の媒質と、前記第１の媒質上に設けられたＩＤＴと、前記第１の媒質上において前記ＩＤＴを覆うように設けられた第２の媒質と、前記第２の媒質上に積層された第３の媒質とを有する弾性境界波装置において、前記第１の媒質上に、前記ＩＤＴに電気的に接続されるように形成された配線を備え、前記第２の媒質は、前記配線を部分的に露出させる第２の媒質開口部を有し、前記第３の媒質が、第３の媒質開口部を有し、前記第３の媒質開口部に形成されたアンダーバンプメタルと、前記アンダーバンプメタルの下面に接合されており、前記第３の媒質と前記第２の媒質との間から前記第２の媒質開口部において前記第２の媒質と前記第１の媒質との界面に至っており、該界面において前記ＩＤＴと電気的に接続されているＵＢＭ下地層と、前記第２の媒質と前記第３の媒質との界面において前記ＵＢＭ下地層と電気的に接続されている給電ラインとをさらに備え、前記給電ラインが、前記第２の媒質と前記第３の媒質との界面において、前記弾性境界波装置の前記第１の媒質、前記第２の媒質及び前記第３の媒質が積層されている構造の積層方向と交差する方向に延びる端面に露出されていることを特徴とする、弾性境界波装置が提供される。
【００１１】
本発明に係る弾性境界波装置の他の特定の局面では、前記第３の媒質開口部が前記第２の媒質開口部上において、該第２の媒質開口部と連なるように配置されており、前記アンダーバンプメタルが、前記第３の媒質開口部から前記第２の媒質開口部内に至るように形成されている。
【００１２】
本発明に係る弾性境界波装置のさらに別の特定の局面では、前記第３の媒質開口部及び前記アンダーバンプメタルが、前記ＩＤＴが形成されている領域の上方に配置されている。
【００１３】
本発明に係る弾性境界波装置のさらに別の特定の局面では、前記第３の媒質開口部及び前記アンダーバンプメタルが、前記ＩＤＴが形成されている領域の上方以外の部分に形成されている。
【００１４】
本発明に係る弾性境界波装置のさらに他の特定の局面では、前記第１の媒質が圧電基板、前記第２の媒質が絶縁膜、前記第３の媒質が吸音膜である。
【００１５】
また、本発明に係る弾性境界波装置のさらに別の特定の局面では、前記第１の媒質が誘電体基板、前記第２の媒質が圧電体膜、前記第３の媒質が吸音膜である。
【００１６】
本発明に係る弾性境界波装置の製造方法は、第１の媒質からなる母基板を用意する工程と、前記母基板上にＩＤＴを形成する工程と、前記ＩＤＴに電気的に接続されるように配線を形成する工程と、前記ＩＤＴが形成されている母基板上にＩＤＴを覆うように第２の媒質を形成する工程と、前記第２の媒質に前記配線が部分的に露出する第２の媒質開口部を形成する工程と、前記第２の媒質上から前記第２の媒質開口部内に至っており、前記第２の媒質開口部内において前記配線と電気的に接続されているＵＢＭ下地層を形成する工程と、前記第２の媒質と前記第３の媒質との界面において、前記ＵＢＭ下地層と電気的に接続されるように給電ラインを形成する工程と、前記母基板のダイシングされる領域に、前記ＵＢＭ下地層と電気的に接続される導電性のダイシングラインを形成する工程と、前記第２の媒質上に第３の媒質を形成する工程と、前記第３の媒質に、前記ＵＢＭ下地層を部分的に露出させる第３の媒質開口部を形成する工程と、電解メッキにより前記第３の媒質開口部に、ＵＢＭ下地層と電気的に接続されるようにアンダーバンプメタルを形成する工程と、前記ダイシングラインに沿って前記母基板をダイシングし、個々の弾性境界波装置を取り出す工程とを備えることを特徴とする。
【００１７】
本発明に係る製造方法のある特定の局面では、前記ＵＢＭ下地層を形成する工程、前記給電ラインを形成する工程及び前記ダイシングラインを形成する工程の内、少なくとも２つの工程が、同じ導電材料を用いて同時に行われる。
【００１８】
本発明に係る製造方法の他の特定の局面では、前記第１の媒質が圧電基板、前記第２の媒質が絶縁膜、前記第３の媒質が吸音膜である。
【００１９】
本発明に係る製造方法のさらに他の特定の局面では、前記第１の媒質が誘電体基板、前記第２の媒質が圧電体膜、前記第３の媒質が吸音膜である。
【発明の効果】
【００２０】
本発明によれば、第１の媒質上に、第２の媒質及び第３の媒質が積層された三媒質型の弾性境界波装置が提供される。そして、本発明では、上記第３の媒質に設けられた第３の媒質開口部にアンダーバンプメタルが形成され、従って、該アンダーバンプメタル上に、金属バンプを接合することによりバンプ接合により搭載され得る弾性境界波装置を提供することができる。加えて、上記アンダーバンプメタルの下面には、ＵＢＭ下地層が接合されており、該ＵＢＭ下地層は第３の媒質と第２の媒質の界面において、給電ラインに接続されている。従って、給電ラインから給電し、ＵＢＭ下地層上に、電解メッキにより、上記アンダーバンプメタルを形成することが可能とされている。
【００２１】
加えて、給電ラインは、第２の媒質と第３の媒質との界面に設けられているので、給電ラインの弾性境界波装置の外表面に至っている部分、すなわち、第１の媒質、第２の媒質及び第３の媒質が積層されている構造の積層方向と交差する方向に延びている端面に露出されている給電ラインの該露出部分と、ＩＤＴとの間の距離が十分に長くされる。すなわち、ＩＤＴが形成されている第２の媒質と第１の媒質との界面とは異なる界面である、第２の媒質と第３の媒質との界面に給電ラインが設けられている。それによって、上記露出部分から水分が侵入したとしても水分がＩＤＴまでの侵入経路を長くすることができ、従って、水分の侵入による影響が生じ難い、信頼性に優れた弾性境界波装置を提供することができる。
【００２２】
上記第３の媒質開口部が、第２の媒質開口部上において、該第２の媒質開口部と連なるように位置されており、アンダーバンプメタルが、第３の媒質開口部から第２の媒質開口部内に至るように形成されている場合には、第２の媒質開口部上に第３の媒質開口部を形成することができるため、第２の媒質開口部と第３の媒質開口部とを別々に設ける場合に比べて弾性境界波装置を小型化することができる。
【００２３】
第３の媒質開口部及びアンダーバンプメタルが、ＩＤＴが形成されている領域の上方に配置されている場合には、ＩＤＴが形成されている領域の上方外に第３の媒質開口部及びアンダーバンプメタルが配置されている場合に比べて、弾性境界波装置の小型化を図ることができる。また、複数のバンプ間の距離を互いに短くすることができるため、実装基板に実装後のバンプ間の応力を小さくすることができる。
【００２４】
第３の媒質開口部及びアンダーバンプメタルが、ＩＤＴが形成されている領域の上方の部分よりも外側に形成されている場合には、アンダーバンプメタル上に形成された金属バンプ側からの応力が加わったとしても、該応力がＩＤＴ側に伝達され難い。従って、上記応力による特性の変動が生じ難い、弾性境界波装置を提供することができる。
【００２５】
本発明に係る弾性境界波装置において、第１〜第３の媒質を構成する材料は特に限定されないが、第１の媒質が圧電基板、第２の媒質が絶縁膜、第３の媒質が吸音膜である場合、あるいは第１の媒質が誘電体基板、第２の媒質が圧電体膜、第３の媒質が吸音膜である場合には、第１，第２の媒質間から第３の媒質側に伝搬してきたバルク波を吸音膜により吸収することができ、良好な共振特性やフィルタ特性を得ることができる。
【００２６】
本発明に係る製造方法では、第３の媒質開口部にＵＢＭ下地層を部分的に露出させるように形成した段階で、ＵＢＭ下地層上に、電解メッキによりアンダーバンプメタルを形成することができる。従って、バンプ接合に適した弾性境界波装置を容易に提供することができる。特に、上記ＵＢＭ下地層は、給電ラインを介してダイシングラインに電気的に接続されている。従って、上記ダイシングラインから給電ラインを介してＵＢＭ下地層に電圧を印可することができるので、電解メッキによりアンダーバンプメタルを容易に形成することができる。
【００２７】
そして、ダイシングラインに沿って母基板をダイシングして得られた、弾性境界波装置では、給電ラインの弾性境界波装置の端面に露出している部分からＩＤＴまでの距離が十分に長くされる。従って、水分による特性の変動も生じ難い。よって、信頼性に優れた弾性境界波装置を提供することができる。
【００２８】
ＵＢＭ下地層を形成する工程、給電ラインを構成する工程及びダイシングラインを形成する工程の内、少なくとも２つの工程が、同じ導電材料を用いて同時に行われる場合には、製造方法の簡略化及び材料コストの低減を果たすことができる。
【００２９】
本発明に係る弾性境界波装置の製造方法において、第１〜第３の媒質を構成する材料は特に限定されないが、第１の媒質が圧電基板、第２の媒質が絶縁膜、第３の媒質が吸音膜である場合、あるいは第１の媒質が誘電体基板、第２の媒質が圧電体膜、第３の媒質が吸音膜である場合には、第１，第２の媒質間から第３の媒質側に伝搬してきたバルク波を吸音膜により吸収することができ、良好な共振特性やフィルタ特性を得ることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３０】
以下、図面を参照しつつ、本発明の具体的な実施形態を説明することにより、本発明を明らかにする。
【００３１】
本実施形態の弾性境界波装置の製造方法では、まず、第１の媒質としての圧電基板を構成するためのウエハーが用意される。このようなウエハーを構成する圧電材料としては、ＬｉＴａＯ3、ＬｉＮｂＯ3もしくは水晶などの圧電単結晶、あるいは圧電セラミックスなどを用いることができる。
【００３２】
図３（ａ）は、ウエハーに種々の電極を形成する途中の段階の構造を示す模式的平面図である。図３（ａ）に示されているように、ウエハー１は、略円形の形状を有するが、ウエハー１の平面形状は特に限定されない。このウエハー１において、マトリックス状に多数の弾性境界波装置が構成される。すなわち、ウエハー１には、Ｘ方向において所定間隔を隔てて平行に延びるように導電性材料からなるダイシングライン２と、Ｙ方向に平行に延びる複数のダイシングライン３とが形成されている。ダイシングライン２，３に沿ってウエハー１を分割することにより、個々の弾性境界波装置が切り出される。
【００３３】
なお、図３（ａ）に示すように、ダイシングライン２，３に電気的に接続されるように、給電端子４，５が形成されている。給電端子４，５は、後述の電解メッキに際し電圧を印可する端子部分を構成している。上記給電端子４，５は、ダイシングライン２，３と同じ導電材料により構成されている。
【００３４】
図３（ｂ）は、ウエハー１において、１つの弾性境界波装置が構成される部分を模式的に示す拡大平面図である。ダイシングライン２とダイシングライン３とで囲まれた矩形部分において１つの弾性境界波装置６が構成される。この１つの弾性境界波装置６のＡ−Ａ線に沿う部分の正面断面図を図２に示す。弾性境界波装置６では、ウエハー１を切り出すことにより得られた圧電基板１Ａ上に、第２の媒質としての絶縁膜７及び第３の媒質としての吸音膜８が積層されている。圧電基板１Ａと絶縁膜７との界面にＩＤＴ９を含む様々な電極が形成されている。絶縁膜７は、ＳｉＯ2などの適宜の絶縁材料により構成されている。絶縁膜７は、ＳｉＯ2以外の適宜の無機もしくは有機絶縁性材料により構成され得る。
【００３５】
また、吸音膜８は、絶縁膜７を保護するために設けられており、該吸音膜８は、例えばポリイミドやエポキシ樹脂などの適宜の有機材料、あるいは適宜の無機材料により構成され得る。上記吸音膜８は、後述するＩＤＴから放射されてきたバルク波を吸音する機能を果たしており、従って、吸音膜と名付けられている。
【００３６】
なお、本実施形態及び後述の実施形態では第１の媒質が圧電基板、第２の媒質が絶縁膜、第３の媒質が吸音膜であったが、第１の媒質が誘電体基板、第２の媒質が圧電体膜、第３の媒質が吸音膜で構成されてもよい。この場合、誘電体基板としては、ＳｉＯ2などの適宜の誘電体材料を用いることができる。また、圧電体膜を構成する圧電材料については、上記圧電基板を構成する圧電材料と同様の圧電材料を用いることができる。
【００３７】
圧電基板１Ａと絶縁膜７との境界には、少なくとも１つのＩＤＴ９が形成されている。本実施形態では、ＩＤＴ９の弾性境界波伝搬方向両側に反射器が配置され、弾性境界波共振子が構成されている。もっとも、適宜の共振子やフィルタを構成するように、ＩＤＴ９を含む電極構造は適宜変形され得る。
【００３８】
上記ＩＤＴ９は、例えばＡｌ、Ｃｕまたは他の適宜の金属もしくは合金により構成され得る。また、ＩＤＴ９は、複数の金属を積層してなる積層膜により形成されていてもよい。
【００３９】
また、図３（ｂ）に一点鎖線で示すように、弾性境界波装置６では、吸音膜８の上面に、バンプ接合を果たすための金属バンプ１１ａ〜１１ｄが形成される。図３（ｂ）では、金属バンプ１１ａ〜１１ｄが形成される前の状態が示されているので、上記のように、一点鎖線で金属バンプ１１ａ〜１１ｄの形成位置を示すこととする。金属バンプ１１ａ〜１１ｄは、金属バンプなどの適宜の金属により構成される。
【００４０】
金属バンプ１１ａ〜１１ｄが、吸音膜８の上面に形成されているので、吸音膜８の上面側を実装基板に対向させ、バンプ接合により、弾性境界波装置６を容易にかつ実装スペースを大きくすることなく搭載することができる。
【００４１】
次に、弾性境界波装置６の製造方法を、図４を参照してより具体的に説明する。
【００４２】
まず、図４（ａ）に示すように、ウエハー１上にＩＤＴ９を形成する。なお、図４（ａ）〜（ｄ）では、ウエハー１の一部のみを取り出して拡大正面断面図で図示することとする。実際には、個々の弾性境界波装置６は、後述するように、製造工程の最終段階でウエハー１を前述したダイシングライン２，３に沿って分割することにより得られる。
【００４３】
図４（ａ）は、図３（ｂ）のＢ−Ｂ線に沿う部分の拡大断面図である。ウエハー１上にＩＤＴ９をまずフォトリソグラフィ技術などにより形成する。次に、図４（ｂ）に示すように、ＩＤＴ９に電気的に接続されるように、配線１２を形成する。配線１２は、ＡｌＣｕなどの適宜の金属により構成される。もっとも、配線１２は、その電気的抵抗ができるだけ低いことが望ましい。従って、ＩＤＴ９よりも膜厚の厚い配線１２を形成することが望ましい。
【００４４】
また、配線１２は、望ましくは、圧電基板及びＩＤＴとの密着強度を確保するための密着層を有することが望ましい。すなわち、Ａｌなどの主たる電極層に、Ｎｉ、ＮｉＣｒやＴｉのように、圧電基板及びＩＤＴへの密着性が主たる電極層に比べて高い金属からなる密着層を積層することが望ましい。配線１２の形成方法は特に限定されず、適宜の薄膜形成法により行われ得る。
【００４５】
次に、図４（ｃ）に示すように、ＩＤＴ９を覆うようにウエハー１上に絶縁膜７を形成する。本実施形態では、絶縁膜７は、ＳｉＯ2からなり、数μｍ〜１０数μｍ程度の厚みを有する。絶縁膜７は、スパッタリング等の適宜の薄膜形成方法により形成することができる。
【００４６】
次に、図４（ｄ）に示すように、絶縁膜７に、絶縁膜開口部７ａを形成する。絶縁膜開口部７ａは、配線１２の一部を露出させるように形成される。この絶縁膜開口部７ａは、例えば反応性イオンエッチングなどのドライエッチング法により形成することができる。もっとも、ドライエッチング法以外の他の方法で絶縁膜開口部７ａを形成してもよい。
【００４７】
次に、図５（ａ）に示すように、絶縁膜開口部７ａにおいて、ＵＢＭ下地層１３、給電ライン１４及びダイシングライン３を同じ導電性材料を用いて同時に形成する。図５（ａ）では、ＵＢＭ下地層１３、給電ライン１４及びダイシングライン３はハッチングを異ならせて図示されているが、本実施形態では、同一導電性材料により同時にかつ一帯に形成されている。ＵＢＭ下地層１３は、後述するアンダーバンプメタル（ＵＢＭ）をその上に電解メッキにより形成するために設けられている。すなわち、アンダーバンプメタルを電解メッキにより形成するための下地層として機能する。もっとも、ＵＢＭ下地層１３は、アンダーバンプメタルが設けられる部分だけでなく、絶縁膜７の表面、すなわち、絶縁膜７と、吸音膜８との界面に至るように形成されている。そして、絶縁膜７と吸音膜８との界面において設けられた給電ライン１４に連ねられている。また、給電ライン１４と連ねられるように、ダイシングライン３が絶縁膜７上に形成されている。
【００４８】
従って、ダイシングライン３及び図５（ａ）では、図示されていないが、図３（ａ）に示したダイシングライン２は、絶縁膜７と吸音膜８との界面に形成されている。従って、図３（ａ）では、平面視した状態で、ダイシングライン２，３が破線で示されている。
【００４９】
上記ＵＢＭ下地層１３、給電ライン１４及びダイシングライン３は、ＡｌまたはＣｕなどの適宜の金属により構成される。もっとも、好ましくは、絶縁膜７や配線１２に対する密着強度を確保するために、至る電極層に、Ｎｉ、ＮｉＣｒもしくはＴｉなどからなる密着層を積層した構造を有することが望ましい。また、さらに好ましくは耐腐食性に優れた金属膜、例えばＮｉ、Ｐｔからなる耐腐食性金属層をさらに積層することが望ましい。
【００５０】
すなわち、密着層−主電極層−耐腐食性金属層をこの順序で積層した構造がより望ましい。
【００５１】
上記給電ライン１４は、ダイシングライン３に連ねられており、ダイシングライン３が図３（ａ）に示したように給電端子４，５に電気的に接続されている。従って、給電端子４，５とＵＢＭ下地層１３が電気的に接続されていることになる。
【００５２】
次に、図５（ｂ）に示すように、吸音膜８としてエポキシ樹脂膜を形成する。エポキシ樹脂膜は、熱硬化型エポキシ樹脂系組成物あるいは光硬化型エポキシ樹脂組成物を塗布し硬化することにより形成される。なお、エポキシ樹脂以外のポリイミドなどの他の樹脂を用いてもよい。上記吸音膜８の形成により、絶縁膜開口部７ａが吸音膜８を構成する樹脂材料により埋められることになる。しかる後、図５（ｃ）に示すように、吸音膜８に開口部８ａを形成する。吸音膜開口部８ａの形成に際し、吸音膜開口部８ａの下方に埋められている吸音膜８構成材料も除去することにより絶縁膜開口部７ａを再度露出させる。このような開口の形成は、感光性樹脂等を用いたフォトリソグラフィなどの適宜の方法により行われ得る。従って、絶縁膜開口部７ａが再度形成されることになり、ＵＢＭ下地層１３が再度絶縁膜開口部７ａの底部に露出されることになる。
【００５３】
次に、図３（ａ）に示した給電端子４，５から電圧を印加し、電解メッキにより、ＵＢＭを形成する。図５（ｄ）に示すように、このようにしてＵＢＭ１５が形成される。本実施形態では、ＵＢＭ１５は、金属としてＮｉを電解メッキすることにより形成されている。
【００５４】
本実施形態では、ＵＢＭはＮｉを電解メッキすることにより形成されているが、Ｎｉ以外の適宜の金属によりＵＢＭを形成することができる。ＵＢＭ１５は、図５（ｄ）に示すように、吸音膜８の上面８ａと上面が面一となるように形成されることが望ましい。それによって、金属バンプの形成が容易となる。
【００５５】
次に、上記ＵＢＭ１５上に、印刷法等によりはんだ等の金属バンプを形成する。このようにして、図１（ｂ）に示されている金属バンプ１１ａ〜１１ｄが設けられることとなる。
【００５６】
次に、図３（ａ）に示したダイシングライン２，３に沿ってダイシングライン２，３が形成されている部分を除去するようにウエハー１を切断する。ダイシングに際しては、図１（ａ）に示されているダイシングライン２，３を含むダイシング領域２Ａ，３Ａが除去されることになり、図１（ａ）中のＰ−Ｐ線断面図である図１（ｂ）に示すように、切断により端面６ａが形成されることになる。このようにして、個々の弾性境界波装置６が取り出されることになる。
【００５７】
得られた弾性境界波装置６では、金属バンプ１１ａ〜１１ｄが設けられているので、バンプ接合により実装基板に搭載することができる。
【００５８】
また、上記ＵＢＭ１５の形成に際し、給電端子４，５−ダイシングライン２，３−給電ライン１４−ＵＢＭ下地層１３の経路により電流が流れて、電解メッキによりＵＢＭ１５が形成されるため、電解メッキにより、ウエハー１上において多数のＵＢＭを容易に形成することができる。
【００５９】
加えて、導電性のダイシングライン２，３が除去されるようにダイシングが行われる。すなわち、ダイシングに際してのダイシング除去される部分の幅は、ダイシングライン２，３の幅よりも大きくされている。従って、図１（ｂ）に示されているように、得られた弾性境界波装置６の端面６ａにおいては、ダイシングラインは存在しない。もっとも、図１（ｂ），（ｃ）に示すように、上記給電ライン１４が端面６ａに露出していることになる。なお、端面６ａは、ウエハー１の主面と直交とする方向に延びているが、端面６ａは、弾性境界波装置において、圧電基板、絶縁膜及び誘電体膜を積層した構造において圧電基板と絶縁膜との境界面に対して交差する方向に延びておればよく、必ずしも直交する方向に延びておらずともよい。
【００６０】
しかしながら、給電ライン１４が設けられている部分から水分が侵入したとしても、給電ライン１４の端面６ａに露出している部分と、ＩＤＴ９との間の経路が長くされている。すなわち、上記実施形態とは異なり、給電ライン１４を、圧電基板１Ａと絶縁膜７との界面に形成した場合には、給電ラインが端面６ａに最終的に露出している部分とＩＤＴ９とが同一界面に形成され、両者の間の距離が近づくのに対し、上記実施形態では、給電ライン１４の露出部分とＩＤＴ９とが異なる界面に形成され、両者の間の距離が相対的に長くされている。従って、水分が僅かに侵入したとしても、ＩＤＴ９まで到達し難いため、信頼性を高めることができる。
【００６１】
弾性境界波装置では、給電ライン１４が最終的に端面６ａに露出した場合、水分により給電ライン１４が腐食したり、水分が給電ライン１４の表面を伝って内部に入り込むおそれがある。この場合、弾性境界波装置６では、圧電基板１Ａと絶縁膜７との界面は、ＩＤＴ９が形成されている部分であり、弾性境界波の受励振が行われる重要な部分である。他方、電解メッキによりＵＢＭを形成するための給電ライン１４は、最終的に連ねられた弾性境界波装置６では実装時には必要としない部分である。従って、給電ライン１４を、圧電基板１Ａと絶縁膜７との界面ではなく、絶縁膜７と吸音膜８との界面に位置させることにより、水分の侵入等による特性の劣化を防止することが有効である。
【００６２】
なお、上記実施形態では、図５（ａ）に示したように、ＵＢＭ下地層１３、給電ライン１４及びダイシングライン３を同じ導電性材料を用いて同一工程で形成したが、これらは異なる工程で形成されてもよい。また、これらは異なる導電性材料により形成されていてもよい。もっとも、上記のように、同一導電性材料で、同時に、ＵＢＭ下地層１３、給電ライン１４及びダイシングライン３を形成することにより、工程の簡略化及び材料コストの低減を果たすことができる。また、ＵＢＭ下地層１３、給電ライン１４及びダイシングラインの内、少なくとも２種を同一工程で同時に形成してもよい。
【００６３】
上記実施形態では、図１（ａ）に略図的に示されているように、ＩＤＴ９が形成されている部分の上方の領域の外側において、金属バンプ１１ａ〜１１ｄ及び金属バンプ１１ａ〜１１ｄが上面に形成されるＵＢＭが配置されていた。従って、層に際し、金属バンプ１１ａ〜１１ｄから弾性境界波装置６の実装構造に応力が加わったとしても、該応力がＩＤＴ９に伝わり難い。よって、実装時の応力により特性の変動が生じ難い。
【００６４】
なお、圧電基板と絶縁膜との間に形成された配線１２の他、絶縁膜と吸音膜との間においても電気的配線が形成されていてもよく、さらにこの電気的配線が配線１２との間で立体配線を構成していてもよい。特に弾性境界波により複数のフィルタ素子や共振子を形成する場合、絶縁膜と吸音膜との間にも電気的配線を構成することで、効率的な配線を行うことが可能となる。
【００６５】
図６（ａ）及び（ｂ）は、本発明の第２の実施形態に係る弾性境界波装置を説明するための模式的部分切欠平面図及び図６（ａ）中のＳ−Ｓ線に沿う模式的部分正面断面図である。
【００６６】
第２の実施形態の弾性境界波装置２１では、金属バンプ２２ａ〜２２ｄは、ＩＤＴ９が設けられている領域の上方に位置される。すなわち、図６（ｂ）に示すように、第２の実施形態では、圧電基板１Ａ上に、ＩＤＴ９及び配線１２が形成されており、ＩＤＴ９を覆うように絶縁膜７が形成されている。また、絶縁膜７には、絶縁膜開口部７ａが第１の実施形態の場合と同様に形成されている。なお、第２の実施形態においては、絶縁膜開口部７ａは第１の実施の形態よりも小径にされている。
【００６７】
もっとも、吸音膜８が該絶縁膜開口部７ａ内に入り込むように絶縁膜７上に形成されている。吸音膜８に設けられた吸音膜開口部８ａは、絶縁膜開口部７ａとは重ならない位置形成されている。すなわち、吸音膜開口部８ａは、ＩＤＴ９が設けられている領域の上方に形成されている。そして、ＵＢＭ下地層１３は、絶縁膜開口部７ａにおいて、下方の配線１２に電気的に接続されるように絶縁膜開口部７ａの底部に至っている部分を有する。
【００６８】
もっとも、ＵＢＭ下地層１３は、絶縁膜開口部７ａの底部に至っており、配線１２に接続されている部分の１３ａの両側に、絶縁膜７と吸音膜８との界面に至っている第２の接続部分１３ｂ，１３ｃを有する。すなわち、部分１３ａが、配線１２と接続されている部分から絶縁膜開口部７ａの側面に至るように形成されており、側面に至っている部分の上端で、接続部分１３ｂ，１３ｃに連ねられている。ＵＢＭ下地層１３の一方の接続部分１３ｂは、給電ライン１４に接続されている。他方の接続部分１３ｃは、ＩＤＴ９が設けられている領域の上方に至っており、該ＩＤＴ９の設けられている部分の上方の領域に設けられた吸音膜開口部８ａに至っている。
【００６９】
そして、第２の実施形態では、吸音膜開口部８ａにおいて、電解メッキにより、ＵＢＭ下地層１３の接続部分１３ｃの端部を下地として電解メッキによりＵＢＭ２３が形成されている。
【００７０】
図６（ａ）に示すように、金属バンプ２２ａ〜２２ｄは、上記のようにして設けられたＵＢＭ上に形成されている。
【００７１】
第２の実施形態のように、ＵＢＭ２３をＩＤＴ９が設けられている領域の上方に形成し、ＩＤＴ９が設けられている領域の上方に金属バンプ２２ａ〜２２ｄを配置することにより、弾性境界波装置２１の実装スペースを低減することができる。すなわち、金属バンプ２２ａ〜２２ｄの配置密度を高めて実装スペースを低減及び弾性境界波装置２１自体の小型化を図ることができる。
【００７２】
なお、第２の実施形態の弾性境界波装置２１は、上記の点を除いては、第１の実施形態の弾性境界波装置６と同様に構成されている。従って、第２の実施形態の弾性境界波装置２１においても、給電ライン１４を利用して電解メッキによりＵＢＭを形成することができる。また、ダイシング後には給電ライン１４が露出している部分とＩＤＴ９との間の距離は相対的に長くされるので、侵入等による特性の変動が生じ難い。
【００７３】
図７（ａ）及び（ｂ）は、本発明の第３の実施形態に係る弾性境界波装置及びその製造方法を説明するための模式的平面図及び  図７（ａ）中のＴ−Ｔ線に沿う部分の模式的部分切欠正面断面図である。第３の実施形態の弾性境界波装置３１は、第２の実施形態の弾性境界波装置２１の変形例に相当する。すなわち、図７（ｂ）に示すように、ＩＤＴ９が設けられている領域の上方よりも外側領域、より具体的には端面６ａに近い側の領域に吸音膜開口部８ａが形成されている。そして、吸音膜８ａにおいて、第２の実施形態の場合と同様に、電解メッキによりＵＢＭ３３が形成されている。そして、図７（ａ）に示すように、図示のように形成されたＵＢＭ３３上に金属バンプ３２ａ〜３２ｄが形成されている。
【００７４】
よって、第３の実施形態の弾性境界波装置３１では、金属バンプ３２ａ〜３２ｄが設けられている部分において実装に際して応力が加わったとしても、該応力がＩＤＴ９には伝わり難く、上記応力による特性の変動が生じ難いという利点を有する。
【００７５】
第３の実施形態においても、給電ライン１４は、端面６ａに露出されることになるが、該給電ライン１４の露出部分とＩＤＴ９との間の距離が十分な長さとされ、それによって水分の侵入による特性の変動が生じ難くされている。
【００７６】
なお、第３の実施形態では、ＵＢＭ３３は、ＵＢＭ下地層３４の給電ライン１４に連なっている接続部分３４ｂ上に形成されていることになる。すなわち、ＵＢＭ下地層３４は、絶縁膜開口部７ａにおいて配線１２と接続されている部分３４ａと上記接続部分３４ｂとを有する。
【図面の簡単な説明】
【００７７】
【図１】（ａ）は本発明の第１の実施形態に係る弾性境界波装置の製造方法において、弾性境界波装置を模式的に示す平面図、（ｂ）は、弾性境界波装置の第１の要部のダイシング後の状態を示す図１（ａ）中のＰ−Ｐ線に沿う部分の正面断面図であり、（ｃ）は、ダイシングにより切り出された端面を示す側面図。
【図２】本発明の第１の実施形態の弾性境界波装置の構造を説明するための模式的部分切欠正面断面図。
【図３】（ａ）は、本発明の第１の実施形態の製造方法で用意されるウエハー及びダイシングラインを説明するための模式的平面図であり、（ｂ）は、ウエハーにおける１つの弾性境界波装置が構成されている部分の拡大平面図。
【図４】（ａ）〜（ｄ）は、第１の実施形態の弾性境界波装置の製造工程を説明するための各部分正面断面図。
【図５】（ａ）〜（ｄ）は、第１の実施形態の弾性境界波装置の製造工程を説明するための各部分正面断面図。
【図６】（ａ）は本発明の第２の実施形態の弾性境界波装置の製造方法でウエハー上に形成された金属バンプの位置を説明するための模式的平面図及び（ｂ）は、該弾性境界波装置の要部を示す（ａ）中のＳ−Ｓ線に沿う部分の部分正面断面図。
【図７】（ａ）は本発明の第３の実施形態の弾性境界波装置の製造方法でウエハー上に形成された金属バンプの位置を説明するための模式的平面図及び（ｂ）は、該弾性境界波装置の要部を示す（ａ）におけるＴ−Ｔ線に沿う部分正面断面図。
【図８】従来の弾性境界波装置の一例を示す模式的断面図。
【符号の説明】
【００７８】
１…ウエハー
１Ａ…圧電基板
２，３…ダイシングライン
６…弾性境界波装置
７…絶縁膜
７ａ…絶縁膜開口部
８…吸音膜
８ａ…吸音膜開口部
９…ＩＤＴ
１１ａ〜１１ｄ…金属バンプ
１２…配線
１３…ＵＢＭ下地層
１３ａ…部分
１３ｂ，１３ｃ…接続部分
１４…給電ライン
１５…ＵＢＭ
２１…弾性境界波装置
２２ａ〜２２ｄ…金属バンプ
２３…ＵＢＭ
３１…弾性境界波装置
３２ａ〜３２ｄ…金属バンプ
３３…ＵＢＭ
３４…ＵＢＭ下地層
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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