(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の基板に形成された第１電極と第２の基板に形成された第２電極とをバンプで接続するに際し、
第１，第２の基板を間隔を設けて対向させ、
第１電極の上に供給されている発泡型バンプ材料を加熱処理して、前記発泡型バンプ材料を第２電極に接触するまで発泡させると共に、前記発泡型バンプ材料中のバンプ材料を溶融させて前記第１電極と前記第２電極とを接合する
基板接合方法。
【請求項２】
発泡型バンプ材料は、発泡剤とバンプ材料の二層構造であり、
前記第１電極に発泡剤を供給した後に、前記発泡剤の表面を硬化させてから前記バンプ材料で被覆する
請求項１記載の基板接合方法。
【請求項３】
発泡型バンプ材料は、発泡剤とバンプ材料が混じり合った構造である
請求項１記載の基板接合方法。
【請求項４】
第１の基板に形成された第１電極と第２の基板に形成された第２電極とをバンプで接続するに際し、
第１電極に発泡型バンプ材料を供給し、
第１電極と第２電極が前記発泡型バンプ材料を介して接触するように第１，第２の基板の一方の基板を他方の基板に載置し、
前記発泡型バンプ材料を発泡させると共に、前記発泡型バンプ材料中のバンプ材料を溶融させて接合する
基板接合方法。
【請求項５】
第１の基板に形成された第１電極と第２の基板に形成された第２電極とをバンプで接続するに際し、
第１電極に発泡型バンプ材料を供給し、
第１電極と第２電極が前記発泡型バンプ材料を介して接触するように第１，第２の基板の一方の基板を他方の基板に載置し、
発泡型バンプ材料を介して第１電極と第２電極を接触させた状態で前記発泡型バンプ材料を発泡させると共に両基板の間隔が大きくなる方向に相対移動させ、前記発泡型バンプ材料中のパンプ材料を溶融させて接合する
基板接合方法。
【請求項６】
第１の基板に形成された第１電極と第２の基板に形成された第２電極とをバンプで接続するに際し、
第１の基板の第１電極の下層に発泡型バンプ材料を配置し、
前記第１電極の孔から発泡した前記発泡型バンプ材料を前記第１電極の上に突出させ、
前記第１電極の孔から突出させた前記発泡型バンプ材料を介して前記第１電極と第２電極を接触させると共に、前記発泡型バンプ材料中のパンプ材料を溶融させて前記第１電極と前記第２電極を接合する
基板接合方法。
【請求項７】
発泡型バンプ材料は、発泡剤とこの発泡剤の外側を覆うバンプ材料、または発泡剤とバンプ材料が混じり合った構造である
請求項４〜請求項６の何れかに記載の基板接合方法。
【請求項８】
第１の基板に形成された第１電極と第２の基板に形成された第２電極とをバンプで接続するに際し、
第１の基板の第１電極の下層に発泡剤を配置し、前記発泡剤の上にバンプ材料を配置し、
前記発泡剤を発泡させて前記第１電極の孔から前記バンプ材料を前記第１電極の上に突出させ、
前記第１電極の孔から突出させた前記バンプ材料を介して前記第１電極と前記第２電極を接触させると共に、前記バンプ材料を溶融させて前記第１電極と前記第２電極を接合する
基板接合方法。
【請求項９】
第１の基板に形成された第１電極と第２の基板に形成された第２電極とをバンプで接続して実装した実装基板であって、
第１の基板の第１電極の下層に設けられた発泡型バンプ材料の収容部を有し、
発泡して第１電極の孔から第１電極の上に突出した前記発泡型バンプ材料を介して第１電極と第２電極が接触すると共に、前記発泡型バンプ材料中のバンプ材料が溶融して前記第１電極と前記第２電極が接合された
実装基板。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、フリップチップ実装などの基板接合方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
図８はフリップフロップ実装の工程を示している。
図８（ｃ）に示すように半導体チップ１を基板２に実装する場合には、先ず、図８（ａ）に示すように半導体チップ１の端子部３にハンダボール４を形成し、次に図８（ｂ）に示すように基板２の端子部５に、前記半導体チップ１を裏返してセットし、この状態で加熱して常温に戻すことによって前記ハンダボール４が溶融し凝固して実装が完了する。
【０００３】
また、図１０（ａ）（ｂ）に示すようにしてバンプを形成する特別な方法が知られている。先ず、図１０（ａ）に示すように基板６のアルミ電極７の上に電気メッキによって加熱発泡性共析物８を作る。９は絶縁層，１０は保護層である。その後の加熱工程によって加熱発泡性共析物８は、バンプ材料が溶融した時点で共析物が分解、またはガス化して、バンプ材料内にボイドを形成して、発泡によって図１０（ｂ）に示すように球状のバンプ電極１１が形成されている。
【０００４】
このようにしてボイド電極が作成された基板６は、図１０（ｃ）に示すように、実装すべき基板１２を押し付けて加熱し、バンプ電極１１を再溶融して接合している。
【特許文献１】特開平４−１８６６３１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
図９（ａ）（ｂ）に示すように半導体チップ１の端子部３のピッチが小さくなった場合には、隣接するハンダボールの間隔が少なくなって、図９（ｃ）に示すように前記ハンダボール４を溶融し凝固させた場合には、ハンダブリッジによる実装不良個所（Ａ）が発生する。
【０００６】
そこで、前記ピッチが小さくなった場合には、図１０に示した加熱発泡性共析物８を用いて適切な大きさのバンプを形成させることで実装不良個所（Ａ）の発生を低減できるが、工程数の削減が要望されているのが現状である。
【０００７】
また、従来の加熱発泡性共析物８が図１０（ｂ）のように発泡して球状に凝固した状態では、発泡することによってその中に分散しているバンプ材料の抵抗値が大きくなる問題がある。
【０００８】
本発明は半導体チップの端子部のピッチが小さくてもハンダブリッジの発生を無くして実装の信頼性の向上を実現でき、しかも工程数を削減できる基板接合方法を提供することを目的とする。
【０００９】
また、さらに低抵抗での接続を実現できる基板接合方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本発明の請求項１記載の基板接合方法は、第１の基板に形成された第１電極と第２の基板に形成された第２電極とをバンプで接続するに際し、第１，第２の基板を間隔を設けて対向させ、第１電極の上に供給されている発泡型バンプ材料を加熱処理して、前記発泡型バンプ材料を第２電極に接触するまで発泡させると共に、前記発泡型バンプ材料中のバンプ材料を溶融させて前記第１電極と前記第２電極とを接合することを特徴とする。
【００１２】
本発明の請求項４記載の基板接合方法は、第１の基板に形成された第１電極と第２の基板に形成された第２電極とをバンプで接続するに際し、第１電極に発泡型バンプ材料を供給し、第１電極と第２電極が前記発泡型バンプ材料を介して接触するように第１，第２の基板の一方の基板を他方の基板に載置し、前記発泡型バンプ材料を発泡させると共に、前記発泡型バンプ材料中のバンプ材料を溶融させて接合することを特徴とする。
【００１３】
本発明の請求項５記載の基板接合方法は、第１の基板に形成された第１電極と第２の基板に形成された第２電極とをバンプで接続するに際し、第１電極に発泡型バンプ材料を供給し、第１電極と第２電極が前記発泡型バンプ材料を介して接触するように第１，第２の基板の一方の基板を他方の基板に載置し、発泡型バンプ材料を介して第１電極と第２電極を接触させた状態で前記発泡型バンプ材料を発泡させると共に両基板の間隔が大きくなる方向に相対移動させ、前記発泡型バンプ材料中のパンプ材料を溶融させて接合することを特徴とする。
【００１４】
本発明の請求項６記載の基板接合方法は、第１の基板に形成された第１電極と第２の基板に形成された第２電極とをバンプで接続するに際し、第１の基板の第１電極の下層に発泡型バンプ材料を配置し、前記第１電極の孔から発泡した前記発泡型バンプ材料を前記第１電極の上に突出させ、前記第１電極の孔から突出させた前記発泡型バンプ材料を介して前記第１電極と第２電極を接触させると共に、前記発泡型バンプ材料中のパンプ材料を溶融させて前記第１電極と前記第２電極を接合することを特徴とする。
【００１６】
本発明の請求項８記載の基板接合方法は、第１の基板に形成された第１電極と第２の基板に形成された第２電極とをバンプで接続するに際し、第１の基板の第１電極の下層に発泡剤を配置し、前記発泡剤の上にバンプ材料を配置し、前記発泡剤を発泡させて前記第１電極の孔から前記バンプ材料を前記第１電極の上に突出させ、前記第１電極の孔から突出させた前記バンプ材料を介して前記第１電極と前記第２電極を接触させると共に、前記バンプ材料を溶融させて前記第１電極と前記第２電極を接合することを特徴とする。
【００１７】
本発明の請求項９記載の実装基板は、第１の基板に形成された第１電極と第２の基板に形成された第２電極とをバンプで接続して実装した実装基板であって、第１の基板の第１電極の下層に設けられた発泡型バンプ材料の収容部を有し、発泡して第１電極の孔から第１電極の上に突出した前記発泡型バンプ材料を介して第１電極と第２電極が接触すると共に、前記発泡型バンプ材料中のバンプ材料が溶融して前記第１電極と前記第２電極が接合されたことを特徴とする。
【発明の効果】
【００１８】
この基板接合方法によると、第１の基板に形成された第１電極と第２の基板に形成された第２電極とをバンプで接続するに際し、第１電極に発泡剤を供給し、前記発泡剤の外側をバンプ材料によって被覆し、前記発泡剤を発泡させて拡張した前記バンプ材料を介して第１電極と第２電極を接触させると共に、バンプ材料を溶融させて接合することによって、発泡剤とバンプ材料とが混じり合っているのではなく、発泡剤とバンプ材料の二層構造にしているため、半導体チップの端子部のピッチが小さくてもハンダブリッジの発生を無くして実装の信頼性の向上を実現でき、発泡剤の発泡によっても発泡剤の外側の面に沿ってバンプ材料による導電層が残されているため、低抵抗での接合が可能である。
【００１９】
また、第１の基板に形成された第１電極と第２の基板に形成された第２電極とをバンプで接続するに際し、第１電極に発泡型バンプ材料を供給し、第１，第２の基板を間隔を設けて対向させ、前記発泡型バンプ材料を発泡させて発泡したバンプ材料を介して第１電極と第２電極を接触させると共に、前記発泡型バンプ材料中のバンプ材料を溶融させて接合することによって、工程数を削減を実現できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２０】
本発明の基板接合方法を具体的な各実施の形態に基づいて説明する。
（実施の形態１）
図１は本発明の基板接合方法による実装工程を示している。
【００２１】
ここでは、図１（ｅ）に示すように、第１の基板２１に形成された第１電極２２と、第２の基板２３に形成された第２電極２４とをバンプで接続する実装工程を示している。
図１（ａ）では、第１電極２２の上にディスペンサ２５によって加熱発泡性の発泡剤２６を供給する。図１（ｂ）では、紫外線を照射して発泡剤２６の表面だけを固化させてスキン層２７を形成する。発泡剤２６は、通常のウレタンでは耐熱性、耐化学薬品性が悪く、使用できない。そこで、この実施の形態ならびに後述の実施の形態においては、発泡シリコーンを用いた。発泡シリコーンには、２種類のものがあって、一つは、加熱により発泡する材料をシリコンゴム中に添加して加熱して発泡させるものであり、もう一つは、２液混合型のもので、これは混ぜることによって発泡する。具体的には、発泡剤として炭酸水素ナトリウムをシリコーンに混ぜたものを使用した。この分解温度は１２０℃〜１５０℃であったので、発泡プロセスの温度も１２０℃〜１５０℃に設定した。
【００２２】
図１（ｃ）では、ディスペンサ２８によってスキン層２７の上にバンプ材料２９を供給して発泡剤２６を被覆する。バンプ材料２９としては、この実施の形態ならびに後述の実施の形態においても、導電性ペーストを使用した。例えば、以下のものが使用できる。これ以外の導電ペーストを使用することもできる。ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂１００部、添加剤としてホウ酸トリブチルを６重量部、固体分散型潜在性硬化促進剤として“アミキュアＰＮ−２３”（味の素株式会社  商品名）１５部を加えたもの、更に、ポリチオール化合物として“ＴＭＴＰ（トリメチロールプロバントリス（β−チオプロビオネート））”（淀化学社  商品名）８０部を加え、万能混合機で十分に真空混合して樹脂組生物を調製し、樹脂組成物１００重量部に対して導電性粒子として銀粉を４００部を混合した導電性樹脂組成物を用いた。導電性粒子として、ナノ粒子の金属を含んでいるものを用いると、発泡剤が発泡して伸びた場合でも、粒子同士が均質に伸びて途切れにくい。導電性ペーストには、樹脂成分が含まれているので、発泡剤２６が伸びても伸びることができる。
【００２３】
このバンプ材料２９の供給時には発泡剤２６の表面にスキン層２７が形成されているため、発泡剤２６とバンプ材料２９とは混じり合わない。
この状態で加熱処理することによって、発泡剤２６が発泡してその体積が増加し、これに伴って発泡剤２６の外側を覆っているバンプ材料２９が拡張されて図１（ｄ）に示すように球状のバンプ３０ができあがる。
【００２４】
図１（ｅ）では、バンプ３０に第２の基板２３の第２電極２４を押し当てて加熱処理することによって、バンプ材料２９が再溶融して凝固し、第１電極２２と第２電極２４とがバンプ材料２９によって接合している。
【００２５】
この基板接合方法によると、２０μｍ程度といった狭ピッチであっても、ブリッジなどによる接合不良もなく、良好な接合状態を得ることができた。さらに、発泡剤２６とバンプ材料２９とが混じり合っているのではなく、発泡剤２６とバンプ材料２９の二層構造にしているため、発泡剤２６の発泡によっても発泡剤２６の外側の面に沿ってバンプ材料２９による導電層が残されているため、低抵抗での接合が可能である。
【００２６】
なお、図１（ａ）ではディスペンサ２５によって発泡剤２６を第１の電極２１の上に配置したが、ディスペンサ２５によらずに印刷またはインクジェットヘッドを用いて第１の電極２１の上に発泡剤２６を配置することもできる。
【００２７】
（実施の形態２）
図２は本発明の基板接合方法による実装工程を示し、（実施の形態１）と同じように発泡剤２６とバンプ材料２９の二層構造のバンプを用いており、図２（ａ）〜図２（ｃ）の工程は、図１（ａ）〜図１（ｃ）の工程と同じである。（実施の形態１）では、図１（ｄ）で発泡剤２６を発泡させた後に、図１（ｄ）でバンプ材料２９を再溶融させて第１電極２２と第２電極２４を接合したが、この（実施の形態２）では、図２（ｄ）では発泡剤２６を発泡させる前に、第１，第２の基板２１，２３を間隔を設けて対向させ、図２（ｅ）で加熱処理して発泡剤２６を発泡させるとともに、温度を上昇させてバンプ材料２９を溶融させて接合する点が異なっており、図１（ｄ）で発泡させるためだけに加熱処理し、次工程でバンプ材料２９の再溶融を実施する場合に比べて、図２（ｅ）では発泡剤２６の発泡とバンプ材料２９の再溶融を同一工程で実施しているため、工程数を削減できる。
【００２８】
なお、（実施の形態２）では発泡剤２６とバンプ材料２９の二層構造のバンプを用いたが、発泡剤２６とバンプ材料２９とが混じり合ったバンプの場合であっても、工程数の削減効果は得られる。
【００２９】
（実施の形態３）
図３は本発明の基板接合方法による実装工程を示し、（実施の形態２）と同じように発泡剤２６とバンプ材料２９の二層構造のバンプを用いており、図３（ａ）〜図３（ｃ）の工程は、図１（ａ）〜図１（ｃ）の工程と同じである。
【００３０】
（実施の形態２）では、第１，第２の基板２１，２３を間隔を設けて対向させ、発泡剤２６が発泡して大きくなってくるのを待ち受けていたが、この（実施の形態３）では、図３（ｄ）では第２の基板２３を、発泡剤２６を発泡させる前のバンプ３０の上に載置し、次に、加熱処理して発泡剤２６を発泡させる。発泡剤２６の発泡に伴って第２の基板２３が図３（ｅ）まで持ち上げられて、温度を上昇させてバンプ材料２９を溶融させて接合する。
【００３１】
（実施の形態４）
図４は本発明の基板接合方法による実装工程を示し、（実施の形態２）と同じように発泡剤２６とバンプ材料２９の二層構造のバンプを用いており、図４（ａ）〜図４（ｃ）の工程は、図１（ａ）〜図１（ｃ）の工程と同じである。
【００３２】
（実施の形態２）では、第１，第２の基板２１，２３を間隔を設けて対向させ、発泡剤２６が発泡して大きくなるのを待ち受けていたが、この（実施の形態４）の図４（ｄ）では、第２の基板２３の第２電極２４を、発泡剤２６を発泡させる前のバンプ３０に接触またはその近傍位置に配置し、次に、加熱処理して発泡剤２６を発泡させるとともに、発泡剤２６の発泡に伴って第２の基板２３を図４（ｅ）を経て図４（ｆ）に示す位置まで次第に第１の基板２１から離間させる。さらに詳しくは、発泡する発泡剤２６は第２の基板２３の第２電極２４に接触しながら発泡するように第２の基板２３を第１の基板２１から離間させることによって、バンプ３０の形状を第１の電極２１と第２電極２４の範囲内で発泡して大きくなるように制御することができ、狭ピッチ化の場合であっても、隣接した電極とのハンダブリッジによる実装不良個所（Ａ）の発生を低減するのに有効である。
【００３３】
なお、ここでは第１の基板２１に対して第２の基板２３を上昇させたが、第２の基板２３に対して第１の基板２１を下降させたり、第１の電極２１と第２電極２４の間隔が発泡剤２６の発泡に伴って大きくなるように、第１の基板２１と第２の基板２３を相対移動させても実現できる。
【００３４】
（実施の形態５）
図５は本発明の基板接合方法による実装工程を示す。
上記の各実施の形態では、第１の電極２２の上に配置したパンプ３０が発泡材２６の発泡によって大きくなったが、この（実施の形態５）では、第１の基板２１の内部、詳しくは、第１の電極２２の下側に発泡剤２６とバンプ材料２９とが混じり合ったバンプ３０Ａが配設されている。
【００３５】
図５（ａ）〜図５（ｄ）は第１の基板２１の作成工程を示している。
ここで第１の基板２１は、基板下部３１と、基板下部３１に張り合わされる基板上部３２とで構成されている。基板上部３２には第１の電極２２が設けられている。また、基板下部３１には第１の電極２２の位置に対応して凹部３３が形成されている。
【００３６】
図５（ａ）では、基板下部３１の凹部３３に、発泡剤２６とバンプ材料２９とが混じり合ったバンプ３０Ａをディスペンサで供給する。
図５（ｂ）と図５（ｃ）では、第１の電極２２から基板上部３２に達する貫通孔３４をレーザー加工で形成した後に、前記図５（ａ）でバンプ３０Ａが供給済みの基板下部３１に基板上部３２を図５（ｄ）に示すように貼り付ける。
【００３７】
図５（ｅ）では、図５（ｄ）のように貼り付けた第１の基板２１を加熱プレート３５に載置して加熱する。この加熱によってバンプ３０Ａに混入されている発泡剤２６が発泡してバンプ３０Ａの体積が増加し、貫通孔３４を介して図５（ｆ）に示すように第１の電極２２の上部にバンプ３０Ａが突出する。
【００３８】
図５（ｇ）では第２の基板２３を、第１の電極２２の上部に突出したバンプ３０Ａの上に載置する。そして、前記加熱プレート３５の温度をバンプ材料２９が再溶融する温度に昇温した後に固化する温度にまで降温することによって、第１の電極２２と第２の電極２４が接合される。
【００３９】
このように、発泡したバンプ３０Ａの出口を貫通孔３４によって積極的に狭めため、バンプ３０Ａが僅かであっても第１の電極２２の上部に大きく突出させることができ、狭ピッチのために接合個所の１個所あたりのバンプ３０Ａを多くできない場合であっても、確実な接合状態を得ることができる。
【００４０】
（実施の形態６）
図６は本発明の基板接合方法による実装工程を示し、図６（ａ）〜図６（ｆ）の工程は、（実施の形態５）の図５（ａ）〜図５（ｆ）の工程と同じである。
【００４１】
（実施の形態５）では第２の基板２３を第１の電極２２の上部に突出したバンプ３０Ａの上に載置したが、この（実施の形態６）の図６（ｇ）では、第２の基板２３の第２電極２４を、バンプ３０に接触またはその近傍位置に配置し、発泡途中のバンプ３０Ａに接触させた後に、発泡剤２６の発泡に伴って第２の基板２３を次第に図６（ｈ）の状態を経て最終的な図６（ｉ）の状態に第１の基板２１から離間させる。さらに詳しくは、発泡して第１の電極２２の上部に突出してくるバンプ３０Ａが、第２の基板２３の第２電極２４に接触しながら発泡するように第２の基板２３を第１の基板２１から図６（ｉ）に示す位置まで離間させることによって、バンプ３０Ａの形状を第１の電極２１と第２電極２４の範囲内で大きく突出するように制御することができ、そしてバンプ３０Ａを再溶融して固化させることによって、狭ピッチ化の場合であっても、隣接した電極とのハンダブリッジによる実装不良個所（Ａ）の発生を低減するのに有効である。
【００４２】
なお、ここでは第１の基板２１に対して第２の基板２３を上昇させたが、第２の基板２３に対して第１の基板２１を下降させたり、第１の電極２１と第２電極２４の間隔がバンプ３０Ａの突出に伴って大きくなるように、第１の基板２１と第２の基板２３を相対移動させても実現できる。
【００４３】
（実施の形態７）
図７は本発明の基板接合方法による実装工程を示す。
上記の（実施の形態５）ではバンプ３０Ａとして、発泡剤２６とバンプ材料２９とが混じり合った物を使用したが、この（実施の形態７）では発泡剤２６とバンプ材料２９の二層構造のバンプ３０Ｂを用いている点だけが異なっている。
【００４４】
図７（ａ）では、基板下部３１の凹部３３に、発泡剤２６をディスペンサ２５で供給する。
図７（ｂ）では、さらに発泡剤２６の上にバンプ材料２９をディスペンサ２８で供給する。なお、バンプ材料２９の供給に際しては、必要に応じて発泡剤２６の表面に紫外線を照射してスキン層を形成しておく。
【００４５】
図７（ｃ）と図７（ｄ）では、第１の電極２２から基板上部３２に達する貫通孔３４をレーザー加工で形成した後に、前記図７（ａ）でバンプ３０Ｂが供給済みの基板下部３１に基板上部３２を図７（ｄ）に示すように貼り付ける。
【００４６】
図７（ｅ）では、図７（ｄ）のように貼り付けた第１の基板２１を加熱プレート３５に載置して加熱する。この加熱によってバンプ３０Ｂの発泡剤２６が発泡してバンプ３０Ｂの体積が増加し、貫通孔３４を介して図７（ｆ）に示すように第１の電極２２の上部にバンプ３０Ｂが突出する。
【００４７】
図７（ｇ）では第２の基板２３を、第１の電極２２の上部に突出したバンプ３０Ｂの上に載置する。そして、前記加熱プレート３５の温度をバンプ材料２９が再溶融する温度に昇温した後に固化する温度にまで降温することによって、第１の電極２２と第２の電極２４が接合される。
【００４８】
このように、発泡したバンプ３０Ｂの出口を貫通孔３４によって積極的に狭めため、バンプ３０Ｂが僅かであっても第１の電極２２の上部に大きく突出させることができ、狭ピッチのために接合個所の１個所あたりのバンプ３０Ｂを多くできない場合であっても、確実な接合状態を得ることができる。
【００４９】
さらに、発泡剤２６とバンプ材料２９とが混じり合っているのではなく、発泡剤２６とバンプ材料２９の二層構造にしているため、発泡剤２６の発泡によっても発泡剤２６の外側の面に沿ってバンプ材料２９による導電層が残されているため、低抵抗での接合が可能である。
【００５０】
なお、ディスペンサによって発泡剤２６，バンプ材料２９を供給したが、印刷またはインクジェットヘッドを用いて第１の電極２１の上に発泡剤２６，バンプ材料２９を配置することもできる。
【００５１】
さらに、この（実施の形態７）の図７（ｇ）と図７（ｈ）における第１，第２の基板２１，２３の間隔の処理は、図６（ｇ）と図６（ｈ）の場合と同じように、第１の電極２１と第２電極２４の間隔がバンプ３０Ｂの突出に伴って大きくなるように、第１の基板２１と第２の基板２３を相対移動させても実現できる。
【００５２】
上記の（実施の形態５）〜（実施の形態７）では、加熱処理によってバンプ３０Ｂを第１の電極２２の上部に突出させてから、第１の基板２１に第２の基板２３を対向させたが、第１の基板２１に第２の基板２３を対向させた状態にしてから加熱処理によってバンプ３０Ｂを第１の電極２２の上部に突出させて接合することもできる。
【産業上の利用可能性】
【００５３】
本発明は各種電子機器の実装の高密度化を実現して、電気機器の小型化に寄与できる。
【図面の簡単な説明】
【００５４】
【図１】本発明の（実施の形態１）の半導体実装方法の工程図
【図２】本発明の（実施の形態２）の半導体実装方法の工程図
【図３】本発明の（実施の形態３）の半導体実装方法の工程図
【図４】本発明の（実施の形態４）の半導体実装方法の工程図
【図５】本発明の（実施の形態５）の半導体実装方法の工程図
【図６】本発明の（実施の形態６）の半導体実装方法の工程図
【図７】本発明の（実施の形態７）の半導体実装方法の工程図
【図８】従来のハンダボールを使用した実装方法の工程図
【図９】同従来例の実装方法で狭隣接の場合の工程図
【図１０】別の従来例の半導体実装方法の工程図
【符号の説明】
【００５５】
２１    第１の基板
２２    第１電極
２３    第２の基板
２４    第２電極
２６    加熱発泡性の発泡剤
２７    スキン層
２９    バンプ材料
３０    球状のバンプ
３０Ａ    発泡剤２６とバンプ材料２９とが混じり合ったバンプ
３０Ｂ    発泡剤２６とバンプ材料２９の二層構造のバンプ
３１    基板下部
３２    基板上部
３３    凹部
３４    貫通孔
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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