(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
非磁性基体上に、少なくとも非磁性下地層と磁性層と保護膜が順次積層されてなる垂直磁気記録媒体であって、
前記磁性層は、強磁性の六方最密充填結晶構造の結晶粒と、Ｃｒ、Ｃｏ、Ｓｉ、Ａｌ、Ｔｉ、Ｔａ、Ｈｆ、Ｚｒのうちの少なくとも１種の元素からなる酸化物を主成分とする非磁性の結晶粒界とからなり、
前記非磁性下地層は、六方最密充填結晶構造のＲｅ、Ｒｕ、Ｏｓのいずれかの金属、または、Ｒｅ、Ｒｕ、Ｏｓのうちの少なくとも１種の元素を含む合金からなる金属または合金で構成され、
該非磁性下地層と前記非磁性基体との間に、面心立方結晶構造の金属または合金で構成したシード層を備えることを特徴とする垂直磁気記録媒体。
【請求項２】
前記非磁性下地層の膜厚が３ｎｍ以上４０ｎｍ以下であることを特徴とする請求項１に記載の垂直磁気記録媒体。
【請求項３】
前記シード層が、Ｃｕ、Ａｕ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｉｒのいずれかの金属、Ｃｕ、Ａｕ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｉｒのうちの少なくとも１種を含む合金、または、少なくともＮｉとＦｅとを含む合金であることを特徴する請求項１又は２に記載の垂直磁気記録媒体。
【請求項４】
前記シード層と前記非磁性基体との間に、金属又は合金で構成された非磁性配向制御層を備え、該金属又は合金の構造が、体心立方結晶構造、又は、アモルファス構造であることを特徴とする請求項１、２又は３に記載の垂直磁気記録媒体。
【請求項５】
前記非磁性配向制御層を構成する金属又は合金が、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｔａ、Ｗのいずれかの非磁性金属、または、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｔａ、Ｗのうちの少なくとも１種の元素を含む非磁性合金からなることを特徴とする請求項４に記載の垂直磁気記録媒体。
【請求項６】
前記非磁性基体が、プラスチック樹脂であることを特徴とする請求項１乃至５いずれかに記載の垂直磁気記録媒体。
【請求項７】
請求項１乃至６いずれかに記載の垂直磁気記録媒体の製造方法であって、前記非磁性基体をプレヒートせずに成膜することを特徴とする垂直磁気記録媒体の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、垂直磁気記録媒体及びその製造方法に関し、より詳細には、コンピュータの外部記憶装置をはじめとする各種磁気記録装置に搭載される垂直磁気記録媒体及びその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
磁気記録の高密度化を実現する技術として、従来の長手磁気記録方式に代えて、垂直磁気記録方式が注目されつつある。垂直磁気記録媒体の磁気記録を担う磁気記録層としては、主に、六方最密充填（ｈｃｐ）構造をもつＣｏＣｒ系合金結晶質膜が検討されており、垂直磁気記録を可能とするために、各結晶粒のｃ軸が膜面に垂直（ｃ面が膜面に平行）となるように結晶配向が制御される。また、垂直磁気記録媒体の更なる高記録密度化に対応するために、磁気記録層を構成するＣｏＣｒ系合金結晶粒の微細化、結晶粒径のばらつきの低減、結晶粒間の磁気相互作用の低減等の試みがなされている。
【０００３】
一方、長手磁気記録媒体の高記録密度化を達成するための一手法として、磁気記録層である磁性層を構成する結晶の結晶粒界に、酸化物や窒化物のような非磁性非金属物質の層を形成して、結晶粒間の磁気的相互作用を低減させる技術が提唱されている。このような磁性層は、グラニュラー磁性層と呼ばれ、例えば、特開平８−２５５３４２号公報や米国特許第５，６７９，４７３号明細書等による報告がある。グラニュラー磁性膜では、非磁性非金属の粒界層により磁性粒同士が空間的に分離され、その結果、磁性粒間の磁気的相互作用が低下し、記録ビットの遷移領域に生じる「ジクザグ磁壁」の形成が抑制され、ノイズが低減されるものと考えられている。
【０００４】
これらの背景のもとで、垂直磁気記録媒体の磁気記録層として、グラニュラー磁性層を採用することが提案されている。例えば、IEEE Trans.,Mag.,Vol.36,2393(2000)には、Ｒｕを下地層とし、グラニュラー構造をもつＣｏＰｔＣｒＯ合金で磁性層を構成した垂直磁気記録媒体が記載されており、下地層であるＲｕ層の膜厚が厚くなるのに伴い、磁性層を構成する結晶粒のｃ軸配向性が向上し、その結果、磁気記録層の磁気特性と電磁変換特性が向上するとされている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
しかし、諸特性に優れたグラニュラー垂直磁気記録媒体を得るためには、Ｒｕ下地層の膜厚を４０ｎｍ程度以上とする必要がある。
【０００６】
一方、磁気記録層の下部に軟磁性裏打層を設けて、ヘッド部に発生する磁界の急峻性を高める、いわゆる２層垂直磁気記録媒体が提案されているが、この構造の磁気記録媒体を高記録密度化するためには、磁気記録層と軟磁性層との間に設けられる非磁性層の厚みを、２０ｎｍあるいはそれ以下とすることが必要不可欠と考えられており、技術的な制約を受けることとなる。
【０００７】
また、軟磁性裏打層を設けない構造とした場合でも、Ｒｕは希少金属元素であり高価であるため、製造コスト低減の観点からもＲｕ下地層の膜厚を薄くすることが望ましい。
【０００８】
本発明は、このような問題に鑑みてなされたもので、その目的とするところは、低コストで、かつ、磁気特性と電磁変換特性とに優れた垂直磁気記録媒体を提供することにある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】
本発明は、このような目的を達成するために、請求項１に記載の発明は、非磁性基体上に、少なくとも非磁性下地層と磁性層と保護膜が順次積層されてなる垂直磁気記録媒体であって、前記磁性層は、強磁性の六方最密充填結晶構造の結晶粒と、Ｃｒ、Ｃｏ、Ｓｉ、Ａｌ、Ｔｉ、Ｔａ、Ｈｆ、Ｚｒのうちの少なくとも１種の元素からなる酸化物を主成分とする非磁性の結晶粒界とからなり、前記非磁性下地層は、六方最密充填結晶構造のＲｅ、Ｒｕ、Ｏｓのいずれかの金属、または、Ｒｅ、Ｒｕ、Ｏｓのうちの少なくとも１種の元素を含む合金からなる金属または合金で構成され、該非磁性下地層と前記非磁性基体との間に、面心立方結晶構造の金属または合金で構成したシード層を備えることを特徴とする。
【００１１】
また、シード層は、下地層の結晶配向制御のために、面心立方（ｆｃｃ）の結晶構造を有する金属または合金であることが必要であり、特に、Ｃｕ、Ａｕ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｉｒのいずれかの金属、Ｃｕ、Ａｕ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｉｒのうちの少なくとも１種の元素を含む合金、または、少なくともＮｉとＦｅを含む合金であることが望ましい。
【００１２】
また、請求項２に記載の発明は、請求項１に記載の発明において、前記非磁性下地層の膜厚が３ｎｍ以上４０ｎｍ以下であることを特徴とする。
【００１３】
また、請求項３に記載の発明は、請求項１又は２に記載の発明において、前記シード層が、Ｃｕ、Ａｕ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｉｒのいずれかの金属、Ｃｕ、Ａｕ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｉｒのうちの少なくとも１種を含む合金、または、少なくともＮｉとＦｅとを含む合金であることを特徴する。
【００１４】
また、請求項４に記載の発明は、請求項１、２又は３に記載の発明において、前記シード層と非磁性基体の間に、金属又は合金で構成された非磁性配向制御層を備え、該金属又は合金の構造が、体心立方結晶構造、又は、アモルファス構造であることを特徴とする。
【００１５】
この場合、非磁性配向制御層は、ｂｃｃ結晶構造の、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｔａ、Ｗのいずれかの非磁性金属、または、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｔａ、Ｗのうちの少なくとも１種の元素を含む非磁性合金であることが望ましい。また、ＮｉＰやＣｏＺｒなどのアモルファス構造をもつ材料を用いることとしてもよい。
【００１６】
また、請求項５に記載の発明は、請求項４記載の発明において、前記非磁性配向制御層を構成する金属又は合金が、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｔａ、Ｗのいずれかの非磁性金属、または、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｔａ、Ｗのうちの少なくとも１種の元素を含む非磁性合金からなることを特徴とする。
【００１７】
また、請求項６に記載の発明は、請求項１乃至５いずれかに記載の発明において、前記非磁性基体が、プラスチック樹脂であることを特徴とする。
【００１８】
更に、請求項７に記載の発明は、請求項１乃至６いずれかに記載の垂直磁気記録媒体の製造方法であって、前記非磁性基体をプレヒートせずに成膜することを特徴とする。
【００１９】
【発明の実施の形態】
以下、図面を参照して本発明の好ましい実施形態について説明する。
図１は、本発明の垂直磁気記録媒体の１の実施例の構造を説明するための図で、非磁性基体１上に、シード層３と、非磁性下地層４と、磁性層５及び保護膜６がこの順に積層されており、保護膜６の上には液体潤滑剤層７が塗布されている。
【００２０】
図２は、本発明の垂直磁気記録媒体の他の実施例の構造を説明するための図で、非磁性基体１上に、非磁性配向制御層２と、シード層３と、非磁性下地層４と、磁性層５及び保護膜６がこの順に積層されており、保護膜６の上には液体潤滑剤層７が塗布されている。
【００２１】
非磁性基体１としては、通常の磁気記録媒体の基体として用いられる、ＮｉＰメッキを施したＡｌ合金基板や、強化ガラス、結晶化ガラス等のガラス基板を用いることが可能であり、基体の加熱が不要な場合には、ポリカーボネート、ポリオレフィン、その他のプラスチック樹脂を射出成形して作製した基板を用いることとしてもよい。
【００２２】
磁性層５は、いわゆるグラニュラー磁性層であって、強磁性を有する結晶粒で構成され、これらの結晶粒の間には、非磁性の金属酸化物または金属窒化物からなる非磁性結晶粒界層が形成されている。
【００２３】
このような構造の磁性層５は、例えば、非磁性結晶粒界を構成する酸化物または窒化物を予め含有させた強磁性金属ターゲットを用いてスパッタリング法により成膜したり、酸素または窒素を含有するＡｒガス雰囲気中で強磁性金属ターゲットを用いて反応性スパッタリング法により成膜して作製することができる。
【００２４】
強磁性結晶を成膜するための材料としての制限は特にはないが、ＣｏＰｔ系合金が好ましい。特に、記録媒体ノイズの低減には、ＣｏＰｔ系合金にＣｒ、Ｎｉ、Ｔａのうちの少なくとも１種の元素を添加することが望ましい。更に、安定なグラニュラー構造を形成するためには、Ｃｒ、Ｃｏ、Ｓｉ、Ａｌ、Ｔｉ、Ｔａ、Ｈｆ、Ｚｒのうちの少なくとも１種の元素からなる酸化物を用いて非磁性結晶粒界を形成することが望ましい。なお、磁性層５の膜厚に対する制限は特にはないが、記録再生時において、充分なヘッド再生出力と記録再生分解能とが得られる膜厚とすることが必要である。
【００２５】
保護膜６には、例えば、カーボンを主体とする薄膜が用いられる。また液体潤滑剤層７には、例えば、パーフルオロポリエーテル系の潤滑剤を用いることができる。
【００２６】
非磁性下地層４は、六方最密充填（ｈｃｐ）結晶構造の金属または合金であることが必要であり、グラニュラー磁性層５の結晶配向制御のためには、Ｔｉ、Ｒｅ、Ｒｕ、Ｏｓのいずれかの金属、または、Ｔｉ、Ｒｅ、Ｒｕ、Ｏｓのうちの少なくとも１種の元素を含む合金とすることが望ましい。
【００２７】
シード層３は、面心立方（ｆｃｃ）結晶構造の金属または合金であることが必要であり、特に、Ｃｕ、Ａｕ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｉｒのいずれかの金属、Ｃｕ、Ａｕ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｉｒのうちの少なくとも１種の元素を含む合金、または、少なくともＮｉとＦｅとを含む合金であることが望ましい。
【００２８】
ｆｃｃ結晶構造のシード層３を非磁性基体１上に成膜すると、ｆｃｃ結晶構造の最稠密面に相当する（１１１）面が、膜面に平行となるように結晶配向し易い。また、シード層３の（１１１）面配向した結晶粒の上に成長する非磁性下地層４の結晶粒は、シード層３の結晶粒との間の格子不整合に起因する歪エネルギを最小にするように成長する傾向があるため、そのｈｃｐ（００２）面が膜面に平行に配向し易くなる。
【００２９】
このような結晶配向状態の非磁性下地層４上にグラニュラー磁性層５を成膜すると、ｈｃｐ結晶構造の磁性層５の金属結晶粒も、その（００２）面が膜面に平行に配向して成長し易くなり、磁気特性に優れた垂直磁気記録媒体を得ることができる。
【００３０】
ここで、シード層３を構成する材料として、Ｃｕ、Ａｕ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｉｒのいずれかの金属、Ｃｕ、Ａｕ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｉｒのうちの少なくとも１種の元素を含む合金、または、少なくともＮｉとＦｅとを含む合金を選択し、かつ、非磁性下地層４を構成する材料として、Ｔｉ、Ｒｅ、Ｒｕ、Ｏｓのいずれかの金属、または、Ｔｉ、Ｒｅ、Ｒｕ、Ｏｓのうちの少なくとも１種の元素を含む合金を選択することとすれば、シード層３と非磁性下地層４との間の格子整合状態、ならびに、非磁性下地層４とグラニュラー磁性層５との間の格子整合状態が良好となるため、さらに優れた磁気特性を有する垂直磁気記録媒体が得ることができる。
【００３１】
なお、シード層３の膜厚は、非磁性下地層４の結晶配向制御のために、３ｎｍ以上、好ましくは５ｎｍ以上とすることが望ましい。特に、軟磁性裏打層をシード層３の下部に設けた構造の２層垂直磁気記録媒体では、磁性層と軟磁性裏打層とを近づけた設計とすることが望ましいため、非磁性下地層４の結晶配向制御が可能な範囲で、なるべく薄くすることが望ましい。
【００３２】
また、非磁性下地層４の膜厚は、グラニュラー磁性層５の結晶配向制御のために、２ｎｍ以上、好ましくは５ｎｍ以上とすることが望ましい。特に、製造コスト低減の観点、及び、２層垂直磁気記録媒体での磁性層と軟磁性裏打層とを近づけるためには、非磁性下地層４の結晶配向制御が可能な範囲でなるべく薄くすることが望ましい。
【００３３】
なお、２層垂直磁気記録媒体の作製にあたっては、軟磁性裏打層をｆｃｃ構造のＮｉＦｅ軟磁性合金で構成するか、又はｆｃｃ構造のＮｉＦｅ軟磁性合金層を軟磁性裏打層の上部領域にのみ薄く設けることとし、これらのＮｉＦｅ軟磁性合金膜をシード層３とみなすことにより、非磁性下地層４の結晶配向制御を行うことも可能である。この場合の磁性層と軟磁性裏打層との実質的な距離は、非磁性下地層４の膜厚に相当する距離となり、非磁性下地層４の膜厚を薄くすることで、さらに良好な特性の垂直磁気記録媒体を作製することができる。
【００３４】
非磁性配向制御層２は、体心立方（ｂｃｃ）の結晶構造、あるいはアモルファス構造を有する金属または合金であることが必要である。このような結晶状態の非磁性配向制御層２を設けることで、ｆｃｃ結晶構造を有するシード層３の結晶粒が、（１１１）面に配向し易い傾向が更に強まり、非磁性下地層４の結晶配向性も向上して、磁性層の磁気特性が向上する。
【００３５】
このような効果は、ｂｃｃ結晶構造をもつ材料として、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｔａ、Ｗのいずれかの非磁性金属、または、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｔａ、Ｗのうちの少なくとも１種の元素を含む非磁性合金を採用した場合に最大となる。また、ＮｉＰやＣｏＺｒなどのアモルファス構造を有する材料を採用することとしてもよい。
【００３６】
なお、非磁性配向制御層２の膜厚は、シード層３の結晶配向制御のために、３ｎｍ以上、好ましくは５ｎｍ以上とすることが望ましい。
【００３７】
図１又は図２に示した構造の垂直磁気記録媒体は、従来の磁気記録媒体の製造工程で採用されていた基板加熱工程を省略して製造した場合でも、優れた磁気特性を有するため、基板加熱工程を省略して製造工程を簡略化することが可能となり、製造コストの低減を図ることができる。また、基板加熱が不要であることから、ポリカーボネートやポリオレフィン等のプラスチック樹脂を材料とした成形した非磁性基体を用いることも可能となる。
【００３８】
以下に本発明の具体的な実施例について説明するが、これらの実施例は、本発明を好適に説明するための例に過ぎず、本発明の要旨はこれらに限定されるものではない。
【００３９】
［実施例１］
射出成形されたポリカーボネート基板（３．５”ディスク形状）を非磁性基体として用い、これを洗浄した後にスパッタ装置内に導入し、Ａｒガス圧５ｍＴｏｒｒ下で、膜厚５ｎｍのＰｔシード層を成膜した。これに続いて、Ｒｕ非磁性下地層を、Ａｒガス圧５ｍＴｏｒｒ下で、膜厚０〜２０ｎｍの範囲で成膜した。さらに、ＳｉＯ2を１０ｍｏｌ％添加したＣｏＣｒ12Ｐｔ12ターゲットを用い、Ａｒガス圧５ｍＴｏｒｒ下で、膜厚３０ｎｍのグラニュラー磁性層をＲＦスパッタ法により成膜し、その上に、膜厚１０ｎｍのカーボン保護層を積層した後にスパッタ装置から取り出し、液体潤滑剤を厚み１．５ｎｍで塗布して、図１に示した構造の垂直磁気記録媒体を作製した。なお、成膜に先立つ基体加熱（プレヒート）は行なっていない。
【００４０】
図３は、磁性層の結晶配向性をＸ線回折法により求めた結果を説明する図で、横軸に非磁性下地層の膜厚をとり、縦軸には、ｈｃｐ構造を有するＣｏＣｒＰｔ磁性層の（００２）面で評価したロッキングカーブの半値幅Δθ50を示している。従って、図３において、Δθ50の値が小さいほど、ＣｏＣｒＰｔ磁性層面内での（００２）面配向性が強いことを意味する。
【００４１】
シード層上に非磁性下地層を成膜せずに磁性層を成膜した場合（非磁性下地層の膜厚０ｎｍ）のΔθ50値は約２０°であるが、シード層上に成膜した非磁性下地層の膜厚が厚くなるにつれてΔθ50値が急激に減少し、膜厚３ｎｍの場合には約６°、膜厚５ｎｍの場合には約５°となっている。なお、非磁性下地層の膜厚を５ｎｍ以上に厚くしても、Δθ50値の顕著な変化はない。
【００４２】
この結果から、磁性層の結晶配向制御のためには、非磁性下地層の膜厚が、３ｎｍ以上、望ましくは５ｎｍ以上であることが望ましい。
【００４３】
［実施例２］
種々の材料を用いて非磁性下地層を成膜し、図１に示した構造の磁気記録媒体を作製した。なお、非磁性層の膜厚を５ｎｍとした以外の成膜条件は、実施例１と同様である。
【００４４】
表１は、このようにして作製した垂直磁気記録媒体の、非磁性下地層材料、下地層の結晶構造、保磁力Ｈｃ、角型比Ｓ、及び、ＣｏＣｒＰｔ磁性層のｈｃｐ（００２）面回折線のロッキングカーブの半値幅Δθ50を纏めたものである。なお、比較のため、ｂｃｃ構造を有するＴａまたはＣｒを非磁性下地層とした垂直磁気記録媒体の評価結果についても示した。
【００４５】
【表１】
0004626840.tif 000002
【００４６】
非磁性下地層としてｈｃｐ構造をもつ各種材料を用いた場合には、ｂｃｃ構造を有するＴａやＣｒを非磁性下地層とした場合に比べ、保磁力Ｈｃ、及び角型比Ｓのいずれにおいても優れた磁気特性を示している。また、Δθ50値も小さく押さえられており、磁性層面内での（００２）面配向性が強いことがわかる。
【００４７】
［実施例３］
種々の材料を用いてシード層を成膜し、図１に示した構造の磁気記録媒体を作製した。なお、シード層の膜厚を５ｎｍとし、膜厚５ｎｍのＲｕを非磁性下地層とした以外の成膜条件は、実施例１と同様である。
【００４８】
表２は、このようにして作製した垂直磁気記録媒体の、シード層材料、シード層の結晶構造、保磁力Ｈｃ、角型比Ｓ、及び、ＣｏＣｒＰｔ磁性層のｈｃｐ（００２）面回折線のロッキングカーブの半値幅Δθ50を纏めたものである。なお、比較のため、ｂｃｃ構造をもつＴａ、及びＣｒをシード層として作製した垂直磁気記録媒体の評価結果についても示した。
【００４９】
【表２】
0004626840.tif 000003
【００５０】
シード層としてｆｃｃ構造をもつ各種材料を用いた場合には、ｂｃｃ構造をもつＴａやＣｒをシード層として使用した場合に比べ、保磁力Ｈｃ、及び角型比Ｓのいずれにおいても優れた磁気特性を示している。また、Δθ50値も小さく押さえられており、磁性層面内での（００２）面配向性が強いことがわかる。
【００５１】
［実施例４］
種々の材料を用いて非磁性配向制御層を膜厚５ｎｍで成膜し、その上に膜厚５ｎｍの非磁性下地層を成膜して、図２に示した構造の磁気記録媒体を作製した。なお、上記以外の成膜条件は、実施例１と同様である。
【００５２】
表３は、このようにして作製した垂直磁気記録媒体の、非磁性配向制御層材料、非磁性配向制御層の結晶構造、保磁力Ｈｃ、角型比Ｓ、及び、ＣｏＣｒＰｔ磁性層のｈｃｐ（００２）面回折線のロッキングカーブの半値幅Δθ50を纏めたものである。Ｈｃ及びＳは、いずれもＶＳＭを用い、膜面に垂直方向に磁場を印加しながら測定した値である。なお、比較のため、ｆｃｃ構造をもつＣｕ、及びｈｃｐ構造をもつＲｕを非磁性配向制御層とした垂直磁気記録媒体の評価結果についても示した。
【００５３】
【表３】
0004626840.tif 000004
【００５４】
非磁性配向制御層にｂｃｃ結晶構造或いはアモルファス構造をもつ材料を用いた場合には、ｆｃｃ構造或いはｈｃｐ構造をもつ材料を用いた場合に比べ、保磁力Ｈｃ、及び角型比Ｓのいずれにおいても優れた磁気特性を示している。また、Δθ50値も小さく押さえられており、磁性層面内での（００２）面配向性が強いことがわかる。
【００５５】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明によれば、非磁性下地層を六方最密充填（ｈｃｐ）の結晶構造を有する金属または合金とし、かつ、非磁性下地層の下部に、面心立方（ｆｃｃ）の結晶構造を有する金属または合金からなるシード層を設けることとしたので、下地層の膜厚、あるいは下地層とシード層の合計膜厚が薄い場合であっても、磁気特性に優れた垂直磁気記録媒体を提供することができる。
【００５６】
更に、シード層の下部に、体心立方（ｂｃｃ）結晶構造またはアモルファス構造を有する、金属または合金の非磁性配向制御層を設けることにより、シード層の結晶配向性が向上し、その結果、磁性層の結晶配向性も向上する。
【００５７】
このような非磁性中間層を採用することで、磁気特性に優れた垂直磁気記録媒体が得られるとともに、製造工程から基板加熱工程を省略することが可能なため、安価なプラスチック基板の使用も可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の垂直磁気記録媒体の１の実施例の構成を説明するための図である。
【図２】本発明の垂直磁気記録媒体の他の実施例の構成を説明するための図である。
【図３】Ｘ線回折法により求めたＣｏＣｒＰｔ磁性層のｈｃｐ（００２）面のロッキングカーブの半値幅Δθ50値と非磁性下地層の膜厚との関係を説明するための図である。
【符号の説明】
１  非磁性基体
２  非磁性配向制御層
３  シード層
４  非磁性下地層
５  磁性層
６  保護膜
７  液体潤滑層
【図１】
0004626840.tif 000005
【図２】
0004626840.tif 000006
【図３】
0004626840.tif 000007