(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１ノードと第２ノードの間に接続された負性抵抗回路と、
前記第１ノードと第２ノードの間に接続されたインダクタと、
前記第１ノードと第２ノードの間に接続され、制御電圧に応じて静電容量の値が制御される第１可変キャパシタと、
前記第１ノードと第２ノードの間に、それぞれ独立した制御信号で制御されるスイッチ用のＭＯＳトランジスタを介して接続された第１から第ｎ（但し、ｎは２以上の整数）までのｎ個の固定キャパシタと、
前記ｎ個の各固定キャパシタのそれぞれに並列に設けられ、前記制御電圧に応じて静電容量の値が制御される第１から第ｎまでの第２可変キャパシタと、
前記第１ノードと第２ノードの信号を増幅して発振信号を出力する増幅器とを備え、
前記固定キャパシタの内の第ｉ（但し、ｉは２からｎまでの整数）の固定キャパシタは静電容量Ｃｉを有し、第ｉ−１の固定キャパシタの静電容量Ｃｉ−１との容量比Ｃｉ／Ｃｉ−１を、１以上２以下の値となるように設定し、
前記第２可変キャパシタの内の第ｉの第２可変キャパシタは特定の制御電圧において静電容量ＣＶｉを有し、第ｉ−１の第２可変キャパシタの該特定の制御電圧における静電容量ＣＶｉ−１との容量比ＣＶｉ／ＣＶｉ−１を、１以上２以下の値となるように設定したことを特徴とする電圧制御発振器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、制御電圧に応じて発振周波数が変化する電圧制御発振器（以下、「ＶＣＯ」という）、特にその発振周波数範囲の拡大技術に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
図２は、従来のＶＣＯの構成図である。
このＶＣＯは、負性抵抗回路１に、インダクタ２と可変キャパシタ３からなる共振タンク回路を並列に接続すると共に、その発振周波数範囲を拡大するために固定キャパシタ４ａ，４ｂ，４ｃをスイッチ用のＭＯＳトランジスタ（以下、単に「ＭＯＳ」という）５ａ，５ｂ，５ｃを介して並列に接続している。
【０００３】
可変キャパシタ３は、例えばＭＯＳのゲート容量を利用したもので、そのゲートに制御電圧ＶＣを印加することによって、静電容量を変化させることができるものである。この可変キャパシタ３では、制御電圧ＶＣを０Ｖから２Ｖまで掃引することにより、その容量値が２ｐＦから１ｐＦに単調に減少するようになっている。
【０００４】
一方、固定キャパシタ４ａ，４ｂ，４ｃの容量値は、それぞれ０．３ｐＦ，０．６ｐＦ，１．２ｐＦと、２の冪乗の関係となるように設定されている。これにより、固定キャパシタの容量値は、スイッチ用のＭＯＳ５ａ〜５ｃのゲートに与える制御信号Ｓ１〜Ｓ３の組み合わせにより、０．３ｐＦ単位で最大２．１ｐＦまで８段階に切り替え可能である。また、負性抵抗回路１の両端の電圧は、バッファ用の増幅器（ＡＭＰ）６で増幅され、この増幅器６から発振信号ＯＵＴとして出力されるようになっている。
【０００５】
このＶＣＯでは、制御信号Ｓ１〜Ｓ３として、ＭＯＳ５ａ〜５ｃの閾値電圧に比べて十分に高い電圧（例えば、電源電圧）を印加すると、これらのＭＯＳ５ａ〜５ｃがオン状態となって固定キャパシタ４ａ，４ｂ，４ｃが共振回路に接続される。また、制御信号Ｓ１〜Ｓ３として低い電圧（例えば、接地電圧）を印加すると、ＭＯＳ５ａ〜５ｃがオフ状態となって固定キャパシタ４ａ，４ｂ，４ｃは切断される。これにより、制御信号Ｓ１〜Ｓ３の電圧を切り替えることにより、発振周波数のレンジを切り替えることができ、更に、制御電圧ＶＣを連続的に変化させることにより、その周波数レンジ内で発振周波数を連続的に制御することができる。
【０００６】
【特許文献１】特願２００４−３２５３８５号
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
前記ＶＣＯでは、固定キャパシタ４ａ，４ｂ，４ｃの容量値を、２の冪乗の関係となるように設定し、これをスイッチ用のＭＯＳ５ａ〜５ｃで切り替えて共振回路に並列に接続するようにしている。しかし、固定キャパシタに直列に接続されたスイッチ用のＭＯＳの影響で、所期の容量と一致せず発振周波数のレンジがずれてしまう。即ち、スイッチ用のＭＯＳをオフ状態にしても、このＭＯＳには寄生する静電容量が存在する。
【０００８】
ＭＯＳの寄生容量は、ゲート部分とソース部分のオーバーラップ容量Ｃｇｓ、ゲート部分とドレイン部分のオーバーラップ容量Ｃｇｄ、ソース部分とバルク部分の接合容量Ｃｓｂ、及びドレイン部分とバルク部分の接合容量Ｃｄｂからなる。そして、直列に接続されたオーバーラップ容量Ｃｇｓ，Ｃｇｄと、接合容量Ｃｓｂ，Ｃｄｂが、ドレイン・ソース間の実効容量となる。
【０００９】
このため、ＭＯＳの静電容量とこれに対応する固定キャパシタの直列回路が共振回路に接続され、オフ状態にしたはずの固定キャパシタを完全に切り離すことができない。このため、制御信号Ｓ１〜Ｓ３でスイッチ用のＭＯＳ５ａ〜５ｃをオン・オフ制御して周波数レンジを切り替え、一定範囲の制御電圧ＶＣで発振周波数を制御する場合に、所定の発振周波数範囲をカバーすることができなくなるという課題があった。
【００１０】
図３は、図２のＶＣＯの電圧―周波数特性図で、横軸に制御電圧ＶＣ［Ｖ］、縦軸に発振周波数［ＭＨｚ］を示している。この図の中で、パラメータｎは、制御信号Ｓ１〜Ｓ３を（Ｓ３  Ｓ２  Ｓ１）の３ビットの値として示したものである。図３に示すように、制御電圧ＶＣとして０．５〜１．０Ｖの範囲を使用する場合、周波数レンジをどのように切り替えても、例えば１４００ＭＨｚの発振周波数を得ることができない。
【００１１】
本発明は、制御信号によって周波数レンジを切り替えることにより、連続した広範囲な発振周波数を得ることができるＶＣＯを目的としている。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
本発明のＶＣＯは、第１ノードと第２ノードの間に接続された負性抵抗回路と、前記第１ノードと第２ノードの間に接続されたインダクタと、前記第１ノードと第２ノードの間に接続され、制御電圧に応じて静電容量の値が制御される第１可変キャパシタと、前記第１ノードと第２ノードの間に、それぞれ独立した制御信号で制御されるスイッチ用のＭＯＳを介して接続された第１から第ｎ（但し、ｎは２以上の整数）までのｎ個の固定キャパシタと、前記ｎ個の各固定キャパシタのそれぞれに並列に設けられ、前記制御電圧に応じて静電容量の値が制御される第１から第ｎまでの第２可変キャパシタと、前記第１ノードと第２ノードの信号を増幅して発振信号を出力する増幅器とを備えている。
そして、前記固定キャパシタの内の第ｉ（但し、ｉは２からｎまでの整数）の固定キャパシタは、静電容量Ｃｉを有し、第ｉ−１の固定キャパシタの静電容量Ｃｉ−１との容量比Ｃｉ／Ｃｉ−１を、１以上２以下の値となるように設定している。更に、前記第２可変キャパシタの内の第ｉの第２可変キャパシタは、特定の制御電圧において静電容量ＣＶｉを有し、第ｉ−１の第２可変キャパシタの該特定の制御電圧における静電容量ＣＶｉ−１との容量比ＣＶｉ／ＣＶｉ−１を、１以上２以下の値となるように設定している。
【発明の効果】
【００１３】
本発明によれば、発振周波数のレンジを切り替えるためにスイッチ用のＭＯＳを介して第１ノードと第２ノードの間に接続した固定キャパシタの静電容量を２の冪乗の関係ではなく、各容量比が１以上２以下の値となるように設定している。これにより、オフ状態のスイッチ用のＭＯＳの寄生容量の影響が抑制され、周波数レンジを切り替えることにより、連続した広範囲な発振周波数を得ることができる。
更に、第ｉの第２可変キャパシタの静電容量ＣＶｉと、第ｉ−１の可変キャパシタの静電容量ＣＶｉ−１との容量比ＣＶｉ／ＣＶｉ−１が、１以上２以下の値となるように設定している。これにより、特に発振周波数が低いレンジで、周波数可変範囲の縮小を抑えることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１５】
この発明の前記並びにその他の目的と新規な特徴は、次の好ましい実施例の説明を添付図面と照らし合わせて読むと、より完全に明らかになるであろう。但し、図面は、もっぱら解説のためのものであって、この発明の範囲を限定するものではない。
【実施例１】
【００１６】
図１は、本発明の実施例１を示すＶＣＯの構成図である。
このＶＣＯは、ノードＮ１とノードＮ２の間に、負性抵抗回路１０、インダクタ２０及び可変キャパシタ３０を並列に接続すると共に、周波数レンジ切り替え用の固定キャパシタ４１，４２，４３をそれぞれスイッチ用のＭＯＳ５１，５２，５３を介して並列に接続して構成されている。
【００１７】
負性抵抗回路１０は、例えば、２組のＣＭＯＳインバータＩ１，Ｉ２を、ノードＮ１，Ｎ２間に逆方向に接続したものである。即ち、電源電位ＶＤＤと接地電位ＧＮＤの間にＰチャネルＭＯＳ（以下、「ＰＭＯＳ」という）１１とＮチャネルＭＯＳ（以下、「ＮＭＯＳ」という）１２からなるＣＭＯＳインバータＩ１と、ＰＭＯＳ１３とＮＭＯＳ１４からなるＣＭＯＳインバータＩ２を接続している。ＣＭＯＳインバータＩ１の入力側はノードＮ２に接続され、出力側がノードＮ１に接続されている。一方、ＣＭＯＳインバータＩ２の入力側はノードＮ１に接続され、出力側がノードＮ２に接続されている。
【００１８】
インダクタ２０は、例えば、４．５ｎＨのインダクタンスを有する固定インダクタである。
【００１９】
可変キャパシタ３０は、例えば、ＭＯＳのゲート容量を利用したもので、そのゲートに制御電圧ＶＣを印加することによって、静電容量を変化させることができるものである。この可変キャパシタ３０では、制御電圧ＶＣを０Ｖから２Ｖまで掃引することにより、その容量値が２ｐＦから１ｐＦに単調に減少するようになっている。
【００２０】
一方、固定キャパシタ４１，４２，４３の容量値Ｃ１，Ｃ２，Ｃ３は、それぞれ０．３５ｐＦ，０．６ｐＦ，１．０６ｐＦとなっており、容量値の比Ｃ２／Ｃ１，Ｃ３／Ｃ２がそれぞれ１．７，１．７８と、容量比が１以上で２未満となるように設定されている。
【００２１】
また、スイッチ用のＭＯＳ５１，５２，５３は、同一サイズのもので、各々のゲートに与えられる制御信号Ｓ１〜Ｓ３が電源電圧ＶＤＤ（論理地１）のときにオン状態となり、接地電圧ＧＮＤ（論理地０）のときにオフ状態となるものである。なお、ＭＯＳ５１，５２，５３は、オフ状態時に０．２ｐＦの寄生容量を呈するようになっている。ノードＮ１，Ｎ２にはバッファ用の増幅器６０が接続され、この増幅器６０から発振信号ＯＵＴが出力されるようになっている。
【００２２】
このＶＣＯでは、制御信号Ｓ１〜Ｓ３として、ＭＯＳ５１〜５３の閾値電圧に比べて十分に高い電圧（即ち、電源電圧ＶＤＤ）を印加すると、これらのＭＯＳ５１〜５３がオン状態となり、固定キャパシタ４１，４２，４３がノードＮ１，Ｎ２間に接続され、共振回路の静電容量が増加して発振周波数が低下する。
【００２３】
また、制御信号Ｓ１〜Ｓ３に低い電圧（即ち、接地電圧ＧＮＤ）を印加すると、ＭＯＳ５１〜５３はオフ状態となり、このＭＯＳ５１〜５３の寄生容量と固定キャパシタ４１，４２，４３の直列回路による静電容量がノードＮ１，Ｎ２間に接続される。
【００２４】
これにより、制御信号Ｓ１〜Ｓ３の電圧を切り替えることにより、発振周波数のレンジを切り替えることができ、更に、制御電圧ＶＣを連続的に変化させることにより、その周波数レンジ内で発振周波数を連続的に制御することができる。
【００２５】
図４は、図１のＶＣＯの電圧―周波数特性図で、横軸に制御電圧ＶＣ［Ｖ］、縦軸に発振周波数［ＭＨｚ］を示している。この図の中で、パラメータｎは、制御信号Ｓ１〜Ｓ３を（Ｓ３  Ｓ２  Ｓ１）の３ビットの値として示したものである。この図４に示すように、パラメータｎの値０〜７に対応する特性曲線がほぼ等間隔に並び、例えば制御電圧ＶＣの可変範囲を０．５〜１．０Ｖにした場合でも、周波数レンジを切り替えることにより、最低の１２３０ＭＨｚから最高の１６８０ＭＨｚまでの周波数範囲を完全にカバーすることができる。
【００２６】
次に、この実施例１における発振周波数の範囲と、制御信号Ｓ１〜Ｓ３の値ｎとの関係を説明する。
【００２７】
発振周波数ｆ（ｎ）は、インダクタ２０のインダクタンスをＬ、可変キャパシタ３０の容量値をＣｘ、制御信号Ｓ１〜Ｓ３で制御されたＭＯＳ５１〜５３によってノードＮ１，Ｎ２間に接続された寄生容量と固定キャパシタの合成容量値をＣ（ｎ）とすると、次の比例関係が成り立つ。
ｆ（ｎ）∝１／√｛Ｌ（Ｃｘ＋Ｃ（ｎ））｝  ・・（１）
ＣｘがＣｎに比べて大きいときは、次の近似式が成り立つ。
ｆ（ｎ）／ｆ（ｎ＋１）≒１＋｛Ｃ（ｎ）−Ｃ（ｎ＋１）｝／２Ｃｘ
従って、ｎを変化させたときにｆ（ｎ）の変化する割合を一定にするためには、Ｃ（ｎ）の変化を一定にする必要がある。この実施例１の場合には次のようになる。
Ｃ（０）＝１．２４ｐＦ
Ｃ（１）＝１．４７ｐＦ，  Ｃ（１）−Ｃ（０）＝０．２３ｐＦ
Ｃ（２）＝１．６９ｐＦ，  Ｃ（２）−Ｃ（１）＝０．２２ｐＦ
Ｃ（３）＝１．９１ｐＦ，  Ｃ（３）−Ｃ（２）＝０．２２ｐＦ
Ｃ（４）＝２．１４ｐＦ，  Ｃ（４）−Ｃ（３）＝０．２３ｐＦ
Ｃ（５）＝２．３６ｐＦ，  Ｃ（５）−Ｃ（４）＝０．２２ｐＦ
Ｃ（６）＝２．５８ｐＦ，  Ｃ（６）−Ｃ（５）＝０．２２ｐＦ
Ｃ（７）＝２．８０ｐＦ，  Ｃ（７）−Ｃ（６）＝０．２２ｐＦ
【００２８】
このように、Ｃ（ｎ＋１）−Ｃ（ｎ）が、ほぼ一定になっていることが分かる。これは、次のように説明できる。
【００２９】
合成容量値Ｃ（ｎ）は、オン状態のＭＯＳ５１〜５３と固定キャパシタ４１〜４３の容量の和をＣｆ、オフ状態のＭＯＳ５１〜５３の数をｋ、オフ状態のＭＯＳ５１〜５３の寄生容量をＣｐとすると、ＣｐがＣｆよりも小さいときは、次のように近似できる。
Ｃ（ｎ）≒ｋ×Ｃｐ＋Ｃｆ
ここでオフとなっているＭＯＳ５１〜５３の数ｋは、ｎの値によって次のようになる。
ｎ＝０のとき  ｋ＝３
ｎ＝１のとき  ｋ＝２
ｎ＝２のとき  ｋ＝２
ｎ＝３のとき  ｋ＝１
ｎ＝４のとき  ｋ＝２
ｎ＝５のとき  ｋ＝１
ｎ＝６のとき  ｋ＝１
ｎ＝７のとき  ｋ＝０
【００３０】
従って、ＭＯＳ５１がオフからオンに変化するとき、即ち、ｎが０から１、２から３、または４から５に切り替えられると、寄生容量Ｃｐの寄与が減少するのに対して、ＭＯＳ５２がオフからオンに変化するとき、即ち、ｎが１から２、または５から６に切り替えられるときには、寄生容量Ｃｐの寄与は変化しない。一方、ＭＯＳ５３がオフからオンに変化するとき、即ち、ｎが３から４に切り替えられると、寄生容量Ｃｐの寄与が増加する。これらの変化の相違を、固定キャパシタ４１〜４３の各容量を２の冪乗の関係とせずに、容量比を１以上２未満の値とすることで相殺し、合成容量値Ｃ（ｎ）を滑らかに変化させることが可能になり、図４のような電圧−周波数特性を得ることができる。
【００３１】
以上のように、この実施例１のＶＣＯでは、制御信号Ｓ１〜Ｓ３に従ってノードＮ１，Ｎ２間に並列に挿入される固定キャパシタ４１〜４３の容量値Ｃ１，Ｃ２，Ｃ３の容量比Ｃ２／Ｃ１，Ｃ３／Ｃ２を、１以上２未満の値になるように設定している。これにより、オフ状態となったＭＯＳ５１〜５３の寄生容量Ｃｐの影響が軽減され、制御信号Ｓ１〜Ｓ３を切り替えたときの周波数変化幅のばらつきが抑制されるので、周波数レンジを切り替えることにより、連続した広範囲な発振周波数を出力することができるＶＣＯが得られるという利点がある。
【実施例２】
【００３２】
図５は、本発明の実施例２を示すＶＣＯの構成図であり、図１中の要素と共通の要素には共通の符号が付されている。
【００３３】
このＶＣＯは、図１のＶＣＯのノードＮ１とノードＮ２の間に、可変キャパシタ７１，７２，７３をそれぞれスイッチ用のＭＯＳ８１，８２，８３を介して並列に接続するように追加したものである。可変キャパシタ７１，７２，７３には、可変キャパシタ３０と同様に、制御電圧ＶＣが共通に与えられるようになっている。また、スイッチ用のＭＯＳ８１，８２，８３のゲートには、ＭＯＳ５１，５２，５３と同様に、それぞれ制御信号Ｓ１，Ｓ２，Ｓ３が与えられるようになっている。その他の構成は、インダクタ２０のインダクタンスと各容量の容量値を除き、図１と同様である。
【００３４】
ここで、可変キャパシタ３０は、制御電圧ＶＣを０Ｖから２Ｖまで掃引することにより、その容量値が１．０５ｐＦから０．５３ｐＦまで単調に減少するものである。固定キャパシタ４１，４２，４３の容量値Ｃ１、Ｃ２，Ｃ３は、それぞれ０．２５ｐＦ，０．４１ｐＦ，０．７０ｐＦに設定され、容量比Ｃ２／Ｃ１，Ｃ３／Ｃ２は、１以上２以下の値となっている。また、スイッチ用のＭＯＳ５１〜５３，８１〜８３は、いずれも同一サイズで、オフ状態での寄生容量Ｃｐは０．２ｐＦとなっている。
【００３５】
更に、可変キャパシタ７１，７２，７３は、制御電圧ＶＣを０Ｖから２Ｖまで掃引することにより、その容量値が０．２５〜０．１２ｐＦ、０．４０〜０．２０ｐＦ、０．６９〜０．３４ｐＦの間でそれぞれ単調に減少するものである。これらの可変キャパシタ７１，７２，７３の容量値ＣＶ１，ＣＶ２，ＣＶ３は、制御電圧ＶＣが同一の場合（例えば、０．５Ｖや、１．０Ｖ等の特定の電圧のとき）に、容量比ＣＶ２／ＣＶ１，ＣＶ３／ＣＶ２が、１以上２以下の値となるように設定されている。
【００３６】
図６は、図５のＶＣＯの電圧―周波数特性図で、横軸に制御電圧ＶＣ［Ｖ］、縦軸にその制御電圧ＶＣに対応する発振周波数［ＭＨｚ］を示している。ここでは、インダクタ２０のインダクタンスを３．５ｎＨとしている。
【００３７】
図６に示すように、パラメータｎの値０〜７に対応する特性曲線がほぼ等間隔に並んでおり、例えば制御電圧ＶＣの可変範囲を０．５〜１．０Ｖにした場合でも、周波数レンジを切り替えることにより、最低の１２３０ＭＨｚから最高の１６８０ＭＨｚまでの周波数範囲を完全にカバーすることができる。
【００３８】
更に、この図６に示すように、このＶＣＯでは、制御電圧ＶＣの変化に対する周波数変化の割合、即ち、パラメータｎの各値０〜７に対応する電圧―周波数特性曲線の傾きが、ほぼ一定であることが分かる。
【００３９】
次に、この実施例２における発振周波数ｆと、制御信号Ｓ１〜Ｓ３の値ｎとの関係を説明する。
【００４０】
発振周波数ｆは、インダクタ２０のインダクタンスをＬ、可変キャパシタ３０の容量値をＣＶ、制御信号Ｓ１〜Ｓ３で制御されたＭＯＳによってノードＮ１，Ｎ２間に接続された寄生容量と固定キャパシタの合成容量値をＣ（ｎ）とすると、実施例１で示した（１）式が成り立つので、制御電圧ＶＣがｖ１の時と、ｖ２の時の周波数の比は、次の比例関係が成り立つ。
ｆ（ｖ２）／ｆ（ｖ１）
∝１／√｛（ＣＶ（ｖ１）＋Ｃ（ｎ））／（ＣＶ（ｖ２）＋Ｃ（ｎ））｝
値ｎを０から増加させると、Ｃ（ｎ）の値は増大する。このとき、値ｎの増加に伴って、ＣＶ（ｖ）も増加するので、ｆ（ｖ２）／ｆ（ｖ１）は低下せず、ほぼ同一の値に維持される。これにより、発振周波数ｆの制御信号Ｓ１〜Ｓ３の値ｎに対する依存性が抑制され、例えば値ｎ＝７の場合等、発振周波数が低い周波数レンジにおいて、図１のＶＣＯに比べて周波数可変範囲を拡大することができる。
【００４１】
以上のように、この実施例２のＶＣＯでは、周波数レンジ切り替え用の固定キャパシタ４１〜４３と並列に、制御電圧ＶＣによって容量値が変化する可変キャパシタ７１，７２，７３を設けている。そして、固定キャパシタ４１〜４３の容量値Ｃ１，Ｃ２，Ｃ３の容量比Ｃ２／Ｃ１，Ｃ３／Ｃ２を、１以上２以下の値となるように設定すると共に、可変キャパシタ７１，７２，７３の容量値ＣＶ１，ＣＶ２，ＣＶ３の容量比ＣＶ２／ＣＶ１，ＣＶ３／ＣＶ２も、１以上２以下の値となるように設定している。これにより、実施例１と同様の利点に加えて、制御信号Ｓ１〜Ｓ３によって切り替えられる各周波数レンジにおける周波数可変幅をほぼ同じ値に設定することができるという利点がある。従って、特に発振周波数の低いレンジにおいて、可変周波数範囲が狭くならないので、位相同期ループ等に適用する場合に安定した動作をすることができる。
【００４２】
なお、本発明は、上記実施例に限定されず、種々の変形が可能である。この変形例としては、例えば、次のようなものがある。
（ａ）  実施例１における固定キャパシタ４１〜４３、及び実施例２における固定キャパシタ４１〜４３と可変キャパシタ７１〜７３の数は、３個に限定するものではなく、任意の複数ｎ個を用いることができる。その場合、ｎ個の固定キャパシタの内の第ｉ（但し、ｉは２からｎまでの整数）の固定キャパシタは静電容量Ｃｉを有し、第ｉ−１の固定キャパシタの静電容量Ｃｉ−１との容量比Ｃｉ／Ｃｉ−１が、１〜２の範囲の値となるように設定すれば良い。また、可変キャパシタの静電容量についても、固定キャパシタと同様の関係を有するように設定する必要がある。
（ｂ）  実施例２では、固定キャパシタ４１〜４３と、可変キャパシタ７１〜７３をそれぞれ別のスイッチ用のＭＯＳ５１〜５３，８１〜８３を介してノードＮ１，Ｎ２間に接続しているが、固定キャパシタ４１〜４３と可変キャパシタ７１〜７３をそれぞれ並列に接続すれば、スイッチ用のＭＯＳ８１〜８３は不要になる。
（ｃ）  負性抵抗回路１０の構成は、図１中に例示したものに限定されない。即ち、ノードＮ１の信号をノードＮ２に帰還して、発振動作を起こさせる回路であれば良い。
【図面の簡単な説明】
【００４３】
【図１】本発明の実施例１を示すＶＣＯの構成図である。
【図２】従来のＶＣＯの構成図である。
【図３】図２のＶＣＯの電圧―周波数特性図である。
【図４】図１のＶＣＯの電圧―周波数特性図である。
【図５】本発明の実施例２を示すＶＣＯの構成図である。
【図６】図５のＶＣＯの電圧―周波数特性図である。
【符号の説明】
【００４４】
１０    負性抵抗回路
２０    インダクタ
３０，７１〜７３    可変キャパシタ
４１〜４３    固定キャパシタ
５１〜５３，８１〜８３    ＭＯＳ
６０    増幅器
【図１】
0004783199.tif 000002
【図２】
0004783199.tif 000003
【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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