(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
エポキシ樹脂（Ａ）、硬化剤（Ｂ）、充填材（Ｃ）、ポリアミド樹脂（Ｄ）を含有し、
前記硬化剤（Ｂ）がノボラック樹脂、ビスフェノール化合物、酸無水物および芳香族アミンから選ばれる１種以上であり、
前記ポリアミド樹脂（Ｄ）の融点が１３０℃以下であることを特徴とする半導体封止用エポキシ系樹脂組成物。
【請求項２】
エポキシ樹脂（Ａ）中に下記一般式（Ｉ）で表されるビスフェノールＦ型エポキシ樹脂（ａ１）または下記一般式（II）で表されるビフェニル型エポキシ樹脂（ａ２）の少なくともいずれかを含有することを特徴とする請求項１に記載の半導体封止用エポキシ系樹脂組成物。
【化１】
0004783994.tif 000009
【化２】
0004783994.tif 000010
【請求項３】
硬化剤（Ｂ）が下記化学式（III）で表される化合物を含有すること
を特徴とする請求項１または２に記載の半導体封止用エポキシ系樹脂組成物。
【化３】
0004783994.tif 000011
【請求項４】
エポキシ樹脂（Ａ）として、一般式（Ｉ）で表されるビスフェノールＦ型エポキシ樹脂(ａ１）と下記一般式（II）で表されるビフェニル型エポキシ樹脂（ａ
２）をともに含有することを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載の半導体封止用エポキシ系樹脂組成物。
【請求項５】
ポリアミド樹脂（Ｄ）が炭素数３６のジカルボン酸を必須成分として含有することを特徴とする請求項１〜４のいずれか１項に記載の半導体封止用エポキシ系樹脂組成物。
【請求項６】
充填材（Ｃ）の割合が樹脂組成物全体の８８〜９６重量％であることを特徴とする請求項１〜５のいずれか１項に記載の半導体封止用エポキシ系樹脂組成物。
【請求項７】
必須成分としてシランカップリング剤（Ｅ）を含有し、シランカップリング剤（Ｅ）がアミノ基を含有し、かつ該アミノ基が全て二級アミノ基である下記一般式（IV）または（Ｖ）で表されるシラン化合物（ｄ）を含有することを特徴とする請求項１〜６のいずれか１項に記載の半導体封止用エポキシ系樹脂組成物。
【化４】
0004783994.tif 000012
（Ｒ９、Ｒ１０、Ｒ１１は炭素数１〜３０の一価の炭化水素基、Ｒ１２は炭素数１〜２０の二価の炭化水素基である。ｎは１〜３の整数を各々示す。）
【化５】
0004783994.tif 000013
（Ｒ９、Ｒ１０、Ｒ１１は炭素数１〜３０の一価の炭化水素基、Ｒ１２、Ｒ１３は炭素数１〜２０の二価の炭化水素基、ｎは１〜３の整数を各々示す。）
【請求項８】
請求項１〜７のいずれか１項に記載の半導体封止用エポキシ系樹脂組成物の硬化物によって封止されたことを特徴とする半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、耐リフロー信頼性及び成形性に優れ、特に半導体封止用として好適なエポキシ系樹脂組成物に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
エポキシ樹脂は耐熱性、耐湿性、電気特性および接着性などに優れており、さらに配合処方により種々の特性が付加できるため、塗料、接着剤、電気絶縁材料など工業材料として利用されている。
【０００３】
例えば、半導体装置などの電子回路部品の封止方法として、従来より金属やセラミックスによるハーメッチックシールとフェノール樹脂、シリコーン樹脂、エポキシ樹脂などによる樹脂封止が提案されており、一般にこのような封止に使用される樹脂を封止材樹脂と呼んでいる。その中でも、経済性、生産性、物性のバランスの点からエポキシ樹脂による樹脂封止が最も盛んに行われている。そして、エポキシ樹脂による封止方法は、エポキシ樹脂に硬化剤、充填材などを添加した組成物を用い、半導体素子を金型にセットしてトランスファー成型法などにより封止する方法が一般的に行われている。
【０００４】
最近はプリント基板への半導体装置パッケージの実装において高密度化、自動化が進められており、従来のリードピンを基板の穴に挿入する“挿入実装法式”に代わり、基板表面に半導体装置パッケージを半田付けする“表面実装方式”が盛んになってきた。それに伴い、半導体装置パッケージも従来のＤＩＰ（デュアル・インライン・パッケージ）から、高密度実装・表面実装に適した薄型のＦＰＰ（フラット・プラスチック・パッケージ）に移行しつつある。その中でも最近では、微細加工技術の進歩により、厚さ２ｍｍ以下のＴＳＯＰ、ＴＱＦＰ、ＬＱＦＰが主流となりつつある。そのため湿度や温度など外部からの影響をいっそう受けやすくなり、半田耐熱性、高温信頼性、耐熱信頼性などの信頼性が今後ますます重要となってくる。
【０００５】
表面実装においては、通常半田リフローによる実装が行われる。この方法では、基板の上に半導体装置パッケージを乗せ、これらを２００℃以上の高温にさらし、基板にあらかじめつけられた半田を溶融させて半導体装置パッケージを基板表面に接着させる。このような実装方法では半導体装置パッケージ全体が高温にさらされるため封止樹脂の吸湿性が高いと封止樹脂と半導体チップ、あるいは封止樹脂とリードフレームの間の剥がれが生じたり、吸湿した水分が半田リフロー時に爆発的に膨張してクラックが生じるという現象が起こる。また薄型パッケージの場合、銀ペースト層が吸湿してリフロー時にシリコンチップまたはリードフレームとの界面から剥離し、パッケージ底部が押し下げられてパッケージ底部が膨らむ現象（膨れ特性）が起こり問題になっている。
【０００６】
かかる実情に基づき、従来から半導体封止用エポキシ樹脂組成物の改良が種々検討されてきた。例えば、エポキシ樹脂にビフェニル型エポキシ樹脂を用い、スチレン系ブロック共重合体ゴムやシリコーンゴムを配合する方法（特開昭６３−２５１４１９号公報）、エポキシ樹脂にビフェニル型エポキシ樹脂、充填剤に特定の粒径を有するシリカを用いる方法（特開平１−８７６１６号公報）、エポキシ樹脂にビフェニル型エポキシ樹脂、硬化剤にフェノールアラルキル樹脂を用い、充填剤を８６〜９５重量％を配合する方法（特開平６−８０７６３号公報）などが提案されている。
【０００７】
しかしながら、最近、表面実装型のＩＣパッケージは、さらに進展し、多ピン化、薄型化、小型化、高性能化が進んでいる。すなわちメモリー用途のＩＣで主に使用されるＳＯＰ（スモール・アウトライン・パッケージ）やＴＳＯＰ（シン・スモール・アウトライン・パッケージ）においては、ＩＣチップの多機能化に伴い、ＩＣチップが大型化し、多ピン化するにもかかわらず、より薄く小型のＩＣパッケージが必要とされている。またリードフレームの材料も鉄系の４２アロイから銅に変わりつつある。さらにＢＧＡ（ボール・グリッド・アレイ）やＣＳＰ（チップ・サイズ・パッケージ）などのエリアアレイ型のパッケージも出現しておりさらに耐リフロー信頼性に優れた樹脂組成物が求められている。
【０００８】
更に、近年では環境保護の点から鉛を含んでいない鉛フリー半田の使用が進んでいるが、鉛フリー半田は融点が高く、そのためリフロー温度も上がることになる。その点からもこれまで以上の耐リフロー信頼性が求められている。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】
本発明の課題は、上記のような事情に鑑みてなされたものであり、より高温のリフロー温度において、耐リフロー信頼性、成形性に優れるエポキシ系樹脂組成物、及び該エポキシ系樹脂組成物で封止してなる半導体装置の提供を目的とする。
【００１０】
【課題を解決するための手段】
本発明者らは、上記の目的を達成するために鋭意検討した結果、本発明に到達した。
すなわち本発明は、主として次の構成を有する。すなわち、「エポキシ樹脂（Ａ）、硬化剤（Ｂ）、充填材（Ｃ）、ポリアミド樹脂（Ｄ）を含有し、前記硬化剤（Ｂ）がノボラック樹脂、ビスフェノール化合物、酸無水物および芳香族アミンから選ばれる１種以上であり、前記ポリアミド樹脂（Ｄ）の融点が１３０℃以下であることを特徴とする半導体封止用エポキシ系樹脂組成物。」である。
【００１１】
【発明の実施の形態】
以下、本発明を詳細に説明する。
【００１２】
本発明のエポキシ系樹脂組成物がエポキシ樹脂（Ａ）、硬化剤（Ｂ）、充填材（Ｃ）、ポリアミド樹脂（Ｄ）を含有する。
【００１３】
本発明におけるエポキシ樹脂（Ａ）は１分子中に２個以上のエポキシ基を有する化合物であれば特に限定されず、モノマー、オリゴマー、ポリマー全般である。例えばクレゾールノボラック型エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、４，４´−ビス（２，３−エポキシプロポキシ）ビフェニル、  ４，４´−ビス（２，３−エポキシプロポキシ）−３，３´，５，５´−テトラメチルビフェニル、４，４´−ビス（２，３−エポキシプロポキシ）−３，３´，５，５´−テトラエチルビフェニル、４，４´−ビス（２，３−エポキシプロポキシ）−３，３´，５，５´−テトラブチルビフェニルなどのビフェニル型エポキシ樹脂、フェノールアラルキル型エポキシ樹脂、ナフタレン型エポキシ樹脂、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、テトラメチルビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、トリフェノール型エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエン骨格含有エポキシ樹脂、トリフェニルメタン型エポキシ樹脂、およびハロゲン化エポキシ樹脂などが挙げられ、これらを単独で用いても２種類以上併用してもよい。
【００１４】
エポキシ樹脂（Ａ）の配合量はエポキシ樹脂組成物全体に対して通常１〜２５重量％、特に２〜１０重量％が好ましい。
【００１５】
エポキシ樹脂（Ａ） として、一般式（Ｉ）で表されるビスフェノールＦ型エポキシ樹脂（ａ１）または下記一般式（II）で表されるビフェニル型エポキシ樹脂（ａ２）の少なくともいずれかを含有するのが好ましい。
【００１６】
【化６】
0004783994.tif 000002
【００１７】
ここで、一般式（Ｉ）中、Ｒ1〜Ｒ8は水素原子、ハロゲン原子または炭素数１〜４の低級アルキル基であり、同一であっても異なっていてもよい。好ましい具体例としては、４，４’−ビス（２，３−エポキシプロポキシフェニル）メタン、２，４’−ビス（２，３−エポキシプロポキシフェニル）メタン、２，２’−ビス（２，３−エポキシプロポキシフェニル）メタン、３，３’，５，５’−テトラメチル−４，４’−ビス（２，３−エポキシプロポキシフェニル）メタンなどが挙げられる。
【００１８】
【化７】
0004783994.tif 000003
【００１９】
上記一般式（II）中、Ｒ1〜Ｒ8は水素原子、ハロゲン原子または炭素数１〜４の低級アルキル基であり、同一であっても異なっていてもよい。アルキル基の好ましい具体例としてはメチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、イソブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基などが挙げられる。
【００２０】
一般式（Ｉ）で表されるビスフェノールＦ型エポキシ樹脂（ａ１）または一般式（II）で表されるビフェニル型エポキシ樹脂（ａ２）の少なくともいずれかを含有することにより優れた耐リフロー信頼性が得られる。
【００２１】
さらには、一般式（Ｉ）で表されるビスフェノールＦ型エポキシ樹脂(ａ１）と一般式（II）で表されるビフェニル型エポキシ樹脂（ａ２）をともに含有することが好ましい。エポキシ樹脂(ａ１）とエポキシ樹脂（ａ２）を併用することで、耐リフロー信頼性、成形性に優れた組成物硬化体が得られる。
【００２２】
エポキシ樹脂(ａ１）とエポキシ樹脂（ａ２）の合計含有量はエポキシ樹脂（Ａ）に対して５０〜１００重量％が好ましい。
【００２３】
本発明における硬化剤（Ｂ）は、エポキシ樹脂（Ａ）と反応して硬化させるものであれば特に限定されず、それらの具体例としては、例えばフェノールノボラック、クレゾールノボラック、ナフトールノボラックなどのノボラック樹脂、フェノールアラルキル樹脂、ビフェニル骨格含有フェノールアラルキル樹脂、ジシクロペンタジエン骨格含有フェノール樹脂、ナフトールアラルキル樹脂、ビスフェノールＡなどのビスフェノール化合物、無水マレイン酸、無水フタル酸、無水ピロメリット酸などの酸無水物およびメタフェニレンジアミン、ジアミノジフェニルメタン、ジアミノジフェニルスルホンなどの芳香族アミンなどがあげられこれらを単独で用いても、２種以上の硬化剤を併用しても良い。硬化剤（Ｂ）の溶融粘度はＩＣＩ（１５０℃）粘度で６Ｐａ・s以下、さらには４Ｐａ・ｓ以下のものが特に好ましく使用される。
【００２４】
硬化剤（Ｂ）としてはリフロー信頼性の点から下記化学式（III）で表されるフェノールアラルキル樹脂が特に好ましく使用される。
【００２５】
【化８】
0004783994.tif 000004
【００２６】
硬化剤（Ｂ）の配合量はエポキシ樹脂組成物全体に対して通常０．５〜１０重量％、特に１〜６重量％が好ましい。さらにはエポキシ樹脂（Ａ）と硬化剤（Ｂ）の配合比機械的性質、及び耐湿性も点からエポキシ樹脂（Ａ）に対する硬化剤（Ｂ）の化学当量比が０．５〜１．５、特に０．８〜１．２の範囲にあることが好ましい。
【００２７】
また、本発明においてエポキシ樹脂（Ａ）と硬化剤（Ｂ）の硬化反応を促進するため硬化触媒を用いても良い。硬化触媒は硬化反応を促進するものであれば特に限定されず、たとえば２−メチルイミダゾール、２，４−ジメチルイミダゾール、２−エチル−４−メチルイミダゾール、２−フェニルイミダゾール、２−フェニル−４−メチルイミダゾール、２−ヘプタデシルイミダゾールなどのイミダゾール化合物、トリエチルアミン、ベンジルジメチルアミン、α−メチルベンジルメチルアミン、２−（ジメチルアミノメチル）フェノール、２，４，６−トリス（ジメチルアミノメチル）フェノール、１，８−ジアザビシクロ（５，４，０）ウンデセン−７などの３級アミン化合物、ジルコニウムテトラメトキシド、ジルコニウムテトラプロポキシド、テトラキス（アセチルアセトナト）ジルコニウム、トリ（アセチルアセトナト）アルミニウムなどの有機金属化合物およびトリフェニルホスフィン、トリメチルホスフィン、トリエチルホスフィン、トリブチルホスフィン、トリ（ｐ−メチルフェニル）ホスフィン、トリ（ノニルフェニル）ホスフィンなどの有機ホスフィン化合物があげられる。なかでも信頼性および成形性の点から有機ホスフィン化合物が好ましく、トリフェニルホスフィンが特に好ましく用いられる。
【００２８】
これらの硬化触媒は、用途によっては二種以上を併用してもよく、その添加量はエポキシ樹脂（Ａ）１００重量部に対して０．１〜１０重量部の範囲が望ましい。
【００２９】
本発明における充填材（Ｃ）としては、無機充填材が好ましく、具体的には非晶性シリカ、結晶性シリカ、炭酸カルシウム、炭酸マグネシウム、アルミナ、マグネシア、クレー、タルク、ケイ酸カルシウム、酸化チタンや酸化アンチモンなどの金属酸化物、アスベスト、ガラス繊維およびガラス球などが挙げられるが、中でも非晶性シリカは線膨脹係数を低下させる効果が大きく、低応力化に有効ななため好ましく用いられる。形状としては、破砕状のものや球状のものが用いられ、流動性の点から球状のものが好ましく使用される。
【００３０】
ここでいう非晶性シリカは、一般的には真比重が２．３以下のものを意味する。この非晶性シリカの製造においては石英を溶融して製造される（溶融シリカ）のが一般的であるが必ずしも溶融状態を経る必要はなく、公知の任意の製造方法を用いることができ、例えば結晶性シリカを溶融する方法および金属ケイ素の酸化による方法、アルコキシシランの加水分解など、各種原料からの合成方法が使用できる。
【００３１】
充填材の粒径および粒度分布については、特に限定はないが、流動性、成形時のバリ低減の点から、平均粒径（メディアン径を意味する。以下同じ。）が５〜３０μｍの範囲にあることが特に好ましい。また、平均粒径または粒度分布の異なる充填材を２種以上組み合わせることもできる。
【００３２】
充填材（Ｃ）の割合は全樹脂組成物に対して８８〜９６重量％であることが好ましい。充填剤（Ｃ）の含有量が８８重量％未満であると封止樹脂の吸湿性が増加する傾向があり、また良好な耐リフロー信頼性が得られない。また９６重量％を超えると接着性やパッケージ充填性が低下してしまう。耐リフロ−性の向上のためには充填剤（Ｃ）の含有量は９０〜９６重量％であることが特に好ましい。
【００３３】
なお、得られる半導体装置のソフトエラーの問題を回避するために、エポキシ樹脂組成物中のウラン、トリウムなどα線放出物質の濃度を、極めて少なく、具体的にはそれぞれ１０ｐｐｂ以下とすることが好ましい。
【００３４】
本発明では必須成分としてポリアミド樹脂（Ｄ）を含有することを特徴とする。
本発明で使用されるポリアミド樹脂（Ｄ）は重合可能なアミノカルボン酸類もしくはそのラクタム類またはジカルボン酸類、ジアミン類などを原料とし、これらの開環重合または重縮合により得られるものであり、公知の種々のものが使用できる。
【００３５】
ポリアミド樹脂の原料の具体例を以下に記す。
【００３６】
アミノカルボン酸類の具体例としては、６−アミノカプロン酸、７−アミノヘプタン酸、９−アミノノナン酸、１１−アミノウンデカン酸、１２−アミノドデカン酸などが挙げられる。なお、これらのアミノ酸類は2種以上の混合物で使用することもできる。
【００３７】
ラクタム類としては、バレロラクタム、カプロラクタム、エナントラクタム、カプリルラクタム、ラウロラクタムなどを例として挙げることができ、これらのラクタム類は２種以上の混合物で使用することもできる。
【００３８】
ジカルボン酸類としては、シュウ酸、マロン酸、コハク酸、グルタル酸、アジピン酸、ピメリン酸、スベリン酸、アゼライン酸、セバシン酸、ウンデカン二酸、ドデカン二酸、トリデカン二酸、テトラデカン二酸、ペンタデカン二酸、オクタデカン二酸などの脂肪族ジカルボン酸；シクロヘキサンジカルボン酸、ダイマー酸などの脂環式ジカルボン酸；フタル酸、イソフタル酸、テレフタル酸、ナフタレンジカルボン酸などの芳香族ジカルボン酸などが挙げられる。これらのジカルボン酸の中で、特に低吸水率のため耐リフロー信頼性にすぐれる炭素数が３６であるジカルボン酸（いわゆるダイマー酸）を含むものが特に好適である。なお、これらのジカルボン酸は２種以上の混合物で使用することもできる。
【００３９】
ジアミン類としては１，２−ジアミノエタン、１，４−ジアミノブタン、１，５−ジアミノペンタン、１，６−ジアミノヘキサン、２−メチル−１，５−ジアミノペンタン（ＭＤＰ）、１，７−ジアミノヘプタン、１，８−ジアミノオクタン、１，９−ジアミノノナン、１，１０−ジアミノデカン、１，１１−ジアミノウンデカン、１，１２−ジアミノドデカン、１，１３−ジアミノトリデカン、１，１４−ジアミノテトラデカン、１，１５−ジアミノペンタデカン、１，１６−ジアミノヘキサデカン、１，１７−ジアミノヘプタデカン、１，１８−ジアミノオクタデカン、１，１９−ジアミノノナデカン、１，２０−ジアミノエイコサンなどの脂肪族ジアミン；シクロヘキサンジアミン、ビス−（４−アミノヘキシル）メタンなどの脂環式ジアミン；キシリレンジアミンなどの芳香族ジアミンなどが挙げられる。これらのジアミンは２種以上の混合物で使用することもできる。
【００４０】
ポリアミド樹脂（Ｄ）の形状については特に限定されないが、エポキシ系樹脂組成物への分散性を向上するため、２０００μｍ以下、さらに好ましくは１０００μｍ以下のの粉体にしてから配合することがより好ましい。
【００４１】
さらに分散性を高めるためポリアミド樹脂（Ｄ）は融点が１５０℃以下であることが好ましく、１３０℃以下であることがより好ましい。ここでいう融点は示差走査熱量計（ＤＳＣ）を用いて試料重量約８ｍｇ、昇温速度２０℃／ｍｉｎで測定されたものをいう。  本発明で使用されるポリアミド樹脂（Ｄ）の分子量には特に制限はないが、５０００〜１００万のものが好ましく、より好ましくは１万〜５０万が良い。
【００４２】
融点の低いポリアミドを得るため３元以上の共重合体ポリアミドがより好ましく使用される。例えば、カプロアミド単位、ヘキサメチレンアジパミド単位、ヘキサメチレンセバカミド単位およびラウロアミド単位、すなわちナイロン６／６６／６１０／１２を有する４元共重合ポリアミドが好ましい例として挙げられる。
【００４３】
本発明で使用されるポリアミド樹脂（Ｄ）は、必要に応じてカルボン酸化合物またはアミン化合物で末端を封鎖されたものを使用することができる。また、ポリアミド樹脂（Ｄ）として、複数のポリアミド樹脂を用いることもできる。
【００４４】
ポリアミド樹脂（Ｄ）の配合量はエポキシ樹脂組成物全体に対して通常０．２〜１０重量％、特に０．５〜３重量％が好ましい。
【００４５】
本発明のエポキシ系樹脂組成物には、カップリング剤（Ｅ）を配合することが好ましい。これらのカップリング剤で充填材を、他の構成成分とブレンドする以前に処理しておくことがより好ましい。カップリング剤としてはシランカップリング剤が好ましく使用され、シランカップリング剤としては、アルコキシ基、ハロゲン原子、アミノ基などの加水分解性基および有機基がケイ素原子に直結したもの、およびその部分加水分解縮合物が一般的に用いられる。シランカップリング剤中の有機基としては、窒素原子、酸素原子、ハロゲン原子、硫黄原子などによって置換された炭化水素基のものが使用される。  シランカップリング剤の具体的な例としては、γ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルメチルジメトキシシシラン、γ−（２，３−エポキシシクロヘキシル）プロピルトリメトキシシラン、γ−（Ｎ−フェニルアミノ）プロピルトリメトキシシラン、γ−（Ｎ−フェニルアミノ）プロピルメチルジメトキシシラン、γ−（Ｎ−メチルアミノ）プロピルトリメトキシシラン、γ−（Ｎ−メチルアミノプロピル）メチルジメトキシシラン、γ−（Ｎ−エチルアミノ）プロピルトリメトキシシラン、γ−（Ｎ−エチルアミノ）プロピルメチルジメトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、γ−（Ｎ−エチルアミノ）プロピルメチルトリメトキシシラン、γ−メタクリロキシプロピルトリメトキシシラン、γ−メタクリロキシプロピルメチルジメトキシシラン、γ−メルカトプロピルトリメトキシシラン、γ−メルカトプロピルメチルジメトキシシラン、Ｎ−β−（アミノエチル）−γ−アミノプロピルトリメトキシシラン、Ｎ−β−（アミノエチル）−γ−アミノプロピルメチルジメトキシシラン、Ｎ−β−（アミノエチル）−γ−アミノプロピルトリエチルシラン、γ−アミノプロピルトリエトキシシラン、γ−アミノプロピルメチルジエトキシシラン、γ−アミノプロピルトリメトキシシラン、γ−アミノプロピルメチルジメトキシシラン、γ−（Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノ）プロピルトリメトキシシランなどが挙げられ、用途によっては２種類以上を添加してもよい。。
【００４６】
なかでもアミノ基を含有し、かつ該アミノ基がすべて二級アミノ基であるシラン化合物（ｅ）を使用することが好ましい。アミノ基を含有し、かつ該アミノ基がすべて二級アミノ基であるシラン化合物（ｅ）の具体例としては、下記式（IV）または（Ｖ）で表されるものがあげられる。
【００４７】
【化９】
0004783994.tif 000005
（Ｒ9、Ｒ10、Ｒ11は炭素数１〜３０の一価の炭化水素基、Ｒ12は炭素数１〜２０の二価の炭化水素基である。ｎは１〜３の整数を各々示す。）
【００４８】
【化１０】
0004783994.tif 000006
（Ｒ9、Ｒ10、Ｒ11は炭素数１〜３０の一価の炭化水素基、Ｒ12、Ｒ13は炭素数１〜２０の二価の炭化水素基、ｎは１〜３の整数を各々示す。）
【００４９】
なかでも、式（IV）、（Ｖ）においてＲ9がフェニル基、Ｒ10およびＲ11がメチル基／またはエチル基、Ｒ12がプロピレン基でｎは２または３のシラン化合物が成形性および信頼性の改良効果が大きく、更に流動性が良好であるため、好ましく用いられる。
【００５０】
カップリング剤（Ｅ）の添加量は、成形性と信頼性の点から通常、充填材１００重量部に対して０．１〜５重量部、好ましくは０．２〜３重量部、特に好ましくは０．３〜１．５重量部である。本発明において充填材（Ｃ）をカップリング剤（Ｅ）であらかじめ表面処理することが、信頼性、接着性、流動性の向上の点で好ましい。
【００５１】
本発明のエポキシ系樹脂組成物には、必須成分ではないが難燃性を向上させる目的でブロム化合物を配合できる。ブロム化合物は、通常、エポキシ樹脂組成物に難燃剤として添加されるものであれば、特に限定されない。 ブロム化合物の好ましい具体例としては、ブロム化ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ブロム化フェノールノボラック型エポキシ樹脂などのブロム化エポキシ樹脂、ブロム化ポリカーボネート樹脂、ブロム化ポリスチレン樹脂、ブロム化ポリフェニレンオキサイド樹脂、テトラブロモビスフェノールＡ、デカブロモジフェニルエーテルなどがあげられ、なかでも、ブロム化ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ブロム化フェノールノボラック型エポキシ樹脂などのブロム化エポキシ樹脂が、成形性の点から特に好ましい。
【００５２】
同様に、本発明のエポキシ樹脂組成物では、必須成分ではないがアンチモン化合物を配合できる。これは通常半導体封止用エポキシ樹脂組成物に難燃助剤として添加されるもので、特に限定されず、公知のものが使用できる。アンチモン化合物の好ましい具体例としては、三酸化アンチモン、四酸化アンチモン、五酸化アンチモンがあげられる。
【００５３】
これら難燃剤、難燃助剤を添加する場合、エポキシ樹脂組成物から発生する不要物の廃棄の容易さ、および半導体装置の信頼性の観点からハロゲン原子およびアンチモン原子それぞれが、エポキシ樹脂組成物に対して０．２重量％以下が好ましい。
【００５４】
本発明のエポキシ樹脂組成物は、さらに次に挙げる各種添加剤を任意に含有することができる。カーボンブラックおよび酸化鉄などの各種着色剤や各種顔料、シリコーンゴム、オレフィン系共重合体、変性ニトリルゴム、変性ポリブタジエンゴムなどの各種エラストマー、シリコーンオイル、ポリエチレンなどの各種熱可塑性樹脂、フッ素系、シリコーン系などの界面活性剤、長鎖脂肪酸、長鎖脂肪酸の金属塩、長鎖脂肪酸のエステル、長鎖脂肪酸のアミドおよびパラフィンワックスなどの各種離型剤およびハイドロタルサイト類などのイオン捕捉剤、有機過酸化物などの架橋剤。
【００５５】
本発明のエポキシ樹脂組成物は上記各成分を溶融混練によって製造することが好ましい。たとえば各種原料をミキサーなどの公知の方法で混合した後、バンバリーミキサー、ニーダー、ロール、単軸もしくは二軸の押出機およびコニーダーなどの公知の混練方法を用いて溶融混練することにより製造される。溶融混練時の樹脂温度としては、通常７０〜１５０℃の範囲が使用される。
【００５６】
本発明のエポキシ樹脂組成物は、加熱混練で溶融し、冷却さらに粉砕した粉末の形状、粉末を打錠して得られるタブレットの形状、加熱混練で溶融し型内で冷却固化したタブレットの形状、加熱混練で溶融し押し出ししてさらに切断したペレットの形状などの状態で使用できる。
【００５７】
そしてこれらの形状から半導体素子の封止に供され半導体装置の製造が行われる。半導体を基板に固定した部材に対して、本発明のエポキシ樹脂組成物を、例えば１２０〜２５０℃、好ましくは１５０〜２００℃の温度で、トランスファ成形、インジェクション成形、注型法などの方法で成形して、エポキシ樹脂組成物の硬化物によって封止された半導体装置が製造される。また必要に応じて追加熱処理（例えば、１５０〜２００℃、２〜１６時間）を行うことができる。
【００５８】
【実施例】
以下、実施例により本発明を具体的に説明するが、本発明はここに掲げた実施例によって限定されるものではない。なお、実施例中の％は重量％を示す。
参考例（ポリアミド樹脂の合成）
【００５９】
＜ポリアミド樹脂Ａ＞市販品ヘンケル白水（株）製、“マクロメルト”６９００（ジカルボン酸成分の炭素数３６、いわゆるダイマー酸）を使用した。配合前にはミキサーにより最大径１０００μｍの粉体にして使用した。
＜ポリアミド樹脂Ｂ＞ヘキサメチレンジアミン−アジピン酸の等モル塩、ヘキサメチレンジアミン−セバシン酸の等モル塩、ε−カプロラクタムおよび１２−アミノドデカン酸の水溶液を常法により重合して、共重合比率６／６６／６１０／１２＝２５／１５／２０／４０のポリアミド樹脂Ｂを得た（融点８５℃）。配合前にはミキサーにより最大径１０００μｍの粉体にして使用した。
＜ポリアミド樹脂Ｃ＞ヘキサメチレンジアミン−アジピン酸の等モル塩、ヘキサメチレンジアミン−セバシン酸の等モル塩、ε−カプロラクタムおよび１２−アミノドデカン酸の水溶液を常法により重合して、共重合比率６／６６／６１０／１２＝４５／２５／２５／５ポリアミド樹脂Ｃを得た（融点１３５℃）。配合前にはミキサーにより最大径１０００μｍの粉体にして使用した。
【００６０】
［実施例１〜１０、参考例１１、比較例１〜２］
表１に示した成分を表２〜３に示す組成比（重量比）で、ミキサーによりドライブレンドした後、バレル温度１００℃の二軸押出機ミキシングロールを用いて５分間加熱混練後、冷却、粉砕してエポキシ樹脂組成物を得た。
【００６１】
【表１】
0004783994.tif 000007
【００６２】
＜耐剥離性（耐リフロー信頼性）評価＞
得られた樹脂組成物について１６０ｐｉｎＱＦＰ（外形：２８ｍｍ×２８ｍｍ×３．４ｍｍ、フレーム材料：銅）用金型を用いて、低圧トランスファー成形機で金型温度１７５℃、キュアータイム１分間の条件でパッケージを成形した。  なお評価用のチップとしては表面に窒化珪素膜を被覆した模擬素子を搭載した、チップサイズ１２ｍｍ×１２ｍｍ×０．５ｍｍのものを用いた。
【００６３】
上記成形により得られた１６０ｐｉｎＱＦＰのパッケージ１０個を１８０℃、６時間の条件でポストキュアーした後、８５℃／８５％ＲＨで４８時間加湿した。これを温度２６０℃のＩＲリフロー炉で１０秒間加熱処理した後、サンプルを超音波探傷機を用いて、チップ表面からの剥離を観察した。剥離が発生した不良パッケージを除く、良好に得られたパッケージ数を求めた。
【００６４】
＜耐クラック性（耐リフロー信頼性）評価＞
得られた樹脂組成物について１６０ｐｉｎＱＦＰ（外形：２８ｍｍ×２８ｍｍ×３．４ｍｍ、フレーム材料：銅）用金型を用いて、低圧トランスファー成形機で金型温度１７５℃、キュアータイム１分間の条件でパッケージを成形した。  なお評価用のチップとしては表面に窒化珪素膜を被覆した模擬素子を搭載した、チップサイズ１２ｍｍ×１２ｍｍ×０．５ｍｍのものを用いた。
【００６５】
上記成形により得られた１６０ｐｉｎＱＦＰのパッケージ１０個を１８０℃、６時間の条件でポストキュアーした後、８５℃／８５％ＲＨで４８時間加湿した。これを温度２６０℃のＩＲリフロー炉で１０秒間加熱処理した後、サンプルを超音波探傷機を用いて、クラックの有無を観察した。クラックが発生した不良パッケージを除く、良好に得られたパッケージ数を求めた。
【００６６】
＜パッケージ充填性（成形性）評価＞
上記成形により得られた１６０ｐｉｎＱＦＰパッケージ１０個を成形後に目視および断面切断後、２０倍の顕微鏡を用いて観察し、ステージ変位・未充填の有無を調べた。ステージ変位・未充填が発生した不良パッケージを除く、良好に得られたパッケージ数を求めた。
【００６７】
【表２】
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【００６８】
表２〜３に評価結果を示す。表に見られるように本発明のエポキシ樹脂組成物はリフロー時の耐剥離性、耐クラック性、パッケージ充填性に優れている。
【００６９】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明によればリフロー時の耐剥離性、膨れ特性などの耐リフロー信頼性、成形時の充填性および硬化性が優れた半導体封止用エポキシ樹脂組成物及び該エポキシ系樹脂組成物によって封止してなる半導体装置を得ることができる。