(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、
前記基板の一面上方側に設けられた、発光部を有する発光素子を含む少なくとも一つの画素と、
前記基板の前記一面上と前記発光素子との間に設けられ、前記発光素子の発光波長の少なくとも一部を透過する第１の絶縁膜と、
前記第１の絶縁膜上の、前記発光素子が形成された面と同じ面側に、前記発光素子と離間して形成された、受光部を有する少なくとも１つの受光素子と、
前記基板の前記一面上と前記第１の絶縁膜との間の、少なくとも前記発光素子の前記発光部及び前記受光素子の前記受光部に対応する領域を除く領域に設けられ、前記発光素子から発光された光の少なくとも一部を反射して前記受光部に入射させる第１の反射部材と、
を具備し、
前記受光素子はゲート電極を備え、
前記第１の反射部材は、前記ゲート電極と同じ材料からなり、前記ゲート電極と同一面上に形成されていることを特徴とする発光装置。
【請求項２】
前記発光素子はボトムエミッション型の有機ＥＬ素子であり、
前記第１の反射部材は、前記発光素子の前記発光部に対応する位置に、該発光部の大きさと同じか、それより小さい大きさに形成された開口部を有することを特徴とする請求項１記載の発光装置。
【請求項３】
前記第１の反射部材の一部と前記第１の絶縁膜の前記発光素子側の端部に接して設けられ、前記発光素子の一電極と電気的に接続され、前記発光素子から発光された光の少なくとも一部を反射する反射部材による第１の接続部をさらに具備することを特徴とする請求項１記載の発光装置。
【請求項４】
前記第１の反射部材の一部と前記第１の絶縁膜の前記受光素子側の端部に接して設けられ、前記受光素子の電極の一つと電気的に接続され、前記発光素子から発光された光の少なくとも一部を反射する反射部材による第２の接続部をさらに具備することを特徴とする請求項１記載の発光装置。
【請求項５】
前記第１の絶縁膜上に、前記受光素子を覆うように形成された、前記発光素子の発光波長の少なくとも一部を透過する部材による第２の絶縁膜と、
前記第２の絶縁膜及び前記発光素子を一体に覆うように形成され、前記発光素子から発光された光の少なくとも一部を反射する第２の反射部材と、を更に具備し、
前記発光素子から発光された光の少なくとも一部は、前記第１及び第２の反射部材の少なくとも一方で反射され、前記第１及び第２の絶縁膜内の少なくとも一方を伝搬して、前記受光素子で受光されることを特徴とする請求項１記載の発光装置。
【請求項６】
前記第２の反射部材は、前記発光素子の一つの電極層を兼ねることを特徴とする請求項５記載の発光装置。
【請求項７】
前記画素は前記基板の前記一面上に複数設けられ、第２の絶縁膜と前記第２の反射部材間に、前記発光素子の発光波長の少なくとも一部を透過する部材により形成された、前記各画素間を分離する隔壁をさらに具備することを特徴とする請求項５記載の発光装置。
【請求項８】
前記第２の反射部材の前記受光素子に対向した内面側に光散乱処理を施したことを特徴とする請求項５記載の発光装置。
【請求項９】
前記発光素子はトップエミッション型の有機ＥＬ素子であり、
前記第１の絶縁膜上に、前記受光素子を覆うように配設された第３の絶縁膜と、
前記第３の絶縁膜及び前記発光素子を一体に覆い、前記発光素子の一つの電極層となる、前記発光素子の発光波長の少なくとも一部を透過する透明導電膜と、
をさらに具備したことを特徴とする請求項１記載の発光装置。
【請求項１０】
前記画素は前記基板の前記一面上に複数設けられてアレイ状に配列され、隣接する２個以上の前記画素からなる複数の画素群を有し、
前記受光素子は、前記複数の画素群の各々に対応して、複数設けられていることを特徴とする請求項１乃至９のいずれか１項に記載の発光装置。
【請求項１１】
感光ドラムと露光器とを有し、画像データに応じた印刷を行う画像形成装置であって、
前記露光器は、前記感光ドラムに対し前記画像データに応じた光を照射して露光を行う発光装置を有し、
前記発光装置は、
基板と、前記基板の一面上に設けられた、発光部を有する発光素子を含む複数の画素と、
前記基板の前記一面上と前記複数の発光素子との間に設けられ、前記各発光素子の発光波長の少なくとも一部を透過する第１の絶縁膜と、
前記第１の絶縁膜上の、前記各発光素子が形成された面と同じ面側に、前記各発光素子と離間して形成された、受光部を有する少なくとも１つの受光素子と、
前記基板の前記一面上と前記第１の絶縁膜との間の、少なくとも前記各発光素子の前記発光部及び前記受光素子の前記受光部に対応する領域を除く領域に設けられ、前記各発光素子から発光された光の少なくとも一部を反射して前記受光部に入射させる第１の反射部材と、
を具備し、
前記受光素子はゲート電極を備え、
前記第１の反射部材は、前記ゲート電極と同じ材料からなり、前記ゲート電極と同一面上に形成されていることを特徴とする画像形成装置。
【請求項１２】
前記発光装置は、更に、前記第１の絶縁膜上に、前記受光素子を覆うように形成された、前記発光素子の発光波長の少なくとも一部を透過する部材による第２の絶縁膜と、
前記第２の絶縁膜及び前記発光素子を一体に覆うように形成され、前記発光素子から発光された光の少なくとも一部を反射する第２の反射部材と、
を具備し、
前記発光素子から発光された光の少なくとも一部は、前記第１及び第２の反射部材の少なくとも一方で反射され、前記第１及び第２の絶縁膜内の少なくとも一方を伝搬して、前記受光素子で受光される
ことを特徴とする請求項１１記載の画像形成装置。
【請求項１３】
前記発光装置は、更に、第２の絶縁膜と前記第２の反射部材間に、前記発光素子の発光波長の少なくとも一部を透過する部材により形成された、前記各画素間を分離する隔壁を具備することを特徴とする請求項１２記載の画像形成装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、発光装置及びそれを備える画像形成装置に関し、特に発光素子を光源に使用した発光装置及びこれを備えて構成される露光装置を備える画像形成装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
電子写真方式等の画像形成装置においては、感光体ドラムに画像データに応じた光を照射して露光するための発光装置を備えて構成される露光装置を有している。近年、このような露光装置の光源として、有機ＥＬ素子等の発光素子を利用する試みが各種なされている。このような発光素子を用いた場合には、発光素子の発光特性のばらつきに起因した発光光量のばらつきがあるため、例えば、予め発光素子補正用のデータをメモリに記憶させておき、その補正データを基に発光強度を補正するようにした技術が考えられている。（例えば、特許文献１）
【特許文献１】特開平１１−１３８８９０号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
しかしながら、前記のような発光素子においては使用時間の経過とともに発光特性が変化することが知られており、発光光量が使用時間の経過とともに低下するが、前記従来技術では、工場出荷当初の発光素子補正用のデータが用いられるので、経時変化に伴う特性の変化を考慮していない。そのため、時間の経過により素子の発光輝度が変化すると、印字品質が低下してしまうことになる。
【０００４】
本発明は前記のような実情に鑑みてなされたもので、その目的とするところは、発光素子の発光光量の変化を常に正確に認識して適正に補正することが可能な発光装置及びこれを備えて、印字品質を長期に亘って良好に維持することができる画像形成装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
請求項１記載の発明は、基板と、前記基板の一面上方側に設けられた、発光部を有する発光素子を含む少なくとも一つの画素と、前記基板の前記一面上と前記発光素子との間に設けられ、前記発光素子の発光波長の少なくとも一部を透過する第１の絶縁膜と、前記第１の絶縁膜上の、前記発光素子が形成された面と同じ面側に、前記発光素子と離間して形成された、受光部を有する少なくとも１つの受光素子と、前記基板の前記一面上と前記第１の絶縁膜との間の、少なくとも前記発光素子の前記発光部及び前記受光素子の前記受光部に対応する領域を除く領域に設けられ、前記発光素子から発光された光の少なくとも一部を反射して前記受光部に入射させる第１の反射部材と、を具備し、前記受光素子はゲート電極を備え、前記第１の反射部材は、前記ゲート電極と同じ材料からなり、前記ゲート電極と同一面上に形成されていることを特徴とする。
【０００６】
請求項２記載の発明は、前記請求項１記載の発明において、前記発光素子はボトムエミッション型の有機ＥＬ素子であり、前記第１の反射部材は、前記発光素子の前記発光部に対応する位置に、該発光部の大きさと同じか、それより小さい大きさに形成された開口部を有することを特徴とする。
【０００７】
請求項３記載の発明は、前記請求項１記載の発明において、前記第１の反射部材の一部と前記第１の絶縁膜の前記発光素子側の端部に接して設けられ、前記発光素子の一電極と電気的に接続され、前記発光素子から発光された光の少なくとも一部を反射する反射部材による第１の接続部をさらに具備することを特徴とする。
【０００８】
請求項４記載の発明は、前記請求項１記載の発明において、前記第１の反射部材の一部と前記第１の絶縁膜の前記受光素子側の端部に接して設けられ、前記受光素子の電極の一つと電気的に接続され、前記発光素子から発光された光の少なくとも一部を反射する反射部材による第２の接続部をさらに具備することを特徴とする。
【０００９】
請求項５記載の発明は、前記請求項１記載の発明において、前記第１の絶縁膜上に、前記受光素子を覆うように形成された、前記発光素子の発光波長の少なくとも一部を透過する部材による第２の絶縁膜と、前記第２の絶縁膜及び前記発光素子を一体に覆うように形成され、前記発光素子から発光された光の少なくとも一部を反射する第２の反射部材と、を更に具備し、前記発光素子から発光された光の少なくとも一部は、前記第１及び第２の反射部材の少なくとも一方で反射され、前記第１及び第２の絶縁膜内の少なくとも一方を伝搬して、前記受光素子で受光されることを特徴とする。
【００１０】
請求項６記載の発明は、前記請求項５記載の発明において、前記第２の反射部材は、前記発光素子の一つの電極層を兼ねることを特徴とする。
【００１１】
請求項７記載の発明は、前記請求項５記載の発明において、前記画素は前記基板の前記一面上に複数設けられ、第２の絶縁膜と前記第２の反射部材間に、前記発光素子の発光波長の少なくとも一部を透過する部材により形成された、前記各画素間を分離する隔壁をさらに具備することを特徴とする。
【００１２】
請求項８記載の発明は、前記請求項５記載の発明において、前記第２の反射部材の前記受光素子に対向した内面側に光散乱処理を施したことを特徴とする。
【００１３】
請求項９記載の発明は、前記請求項１記載の発明において、前記発光素子はトップエミッション型の有機ＥＬ素子であり、前記第１の絶縁膜上に、前記受光素子を覆うように配設された第３の絶縁膜と、前記第３の絶縁膜及び前記発光素子を一体に覆い、前記発光素子の一つの電極層となる、前記発光素子の発光波長の少なくとも一部を透過する透明導電膜と、をさらに具備したことを特徴とする。
【００１４】
請求項１０記載の発明は、前記請求項１乃至９のいずれか１項に記載の発明において、前記画素は前記基板の前記一面上に複数設けられてアレイ状に配列され、隣接する２個以上の前記画素からなる複数の画素群を有し、前記受光素子は、前記複数の画素群の各々に対応して、複数設けられていることを特徴とする。
【００１５】
請求項１１記載の発明は、感光ドラムと露光器とを有し、画像データに応じた印刷を行う画像形成装置であって、前記露光器は、前記感光ドラムに対し前記画像データに応じた光を照射して露光を行う発光装置を有し、前記発光装置は、基板と、前記基板の一面上に設けられた、発光部を有する発光素子を含む複数の画素と、前記基板の前記一面上と前記複数の発光素子との間に設けられ、前記各発光素子の発光波長の少なくとも一部を透過する第１の絶縁膜と、前記第１の絶縁膜上の、前記各発光素子が形成された面と同じ面側に、前記各発光素子と離間して形成された、受光部を有する少なくとも１つの受光素子と、
前記基板の前記一面上と前記第１の絶縁膜との間の、少なくとも前記各発光素子の前記発光部及び前記受光素子の前記受光部に対応する領域を除く領域に設けられ、前記各発光素子から発光された光の少なくとも一部を反射して前記受光部に入射させる第１の反射部材と、を具備し、前記受光素子はゲート電極を備え、前記第１の反射部材は、前記ゲート電極と同じ材料からなり、前記ゲート電極と同一面上に形成されていることを特徴とする。
【００１６】
請求項１２記載の発明は、前記請求項１１記載の発明において、前記発光装置は、更に、前記第１の絶縁膜上に、前記受光素子を覆うように形成された、前記発光素子の発光波長の少なくとも一部を透過する部材による第２の絶縁膜と、前記第２の絶縁膜及び前記発光素子を一体に覆うように形成され、前記発光素子から発光された光の少なくとも一部を反射する第２の反射部材と、を具備し、前記発光素子から発光された光の少なくとも一部は、前記第１及び第２の反射部材の少なくとも一方で反射され、前記第１及び第２の絶縁膜内の少なくとも一方を伝搬して、前記受光素子で受光されることを特徴とする。
【００１７】
請求項１３記載の発明は、前記請求項１２記載の発明において、前記発光装置は、更に、第２の絶縁膜と前記第２の反射部材間に、前記発光素子の発光波長の少なくとも一部を透過する部材により形成された、前記各画素間を分離する隔壁を具備することを特徴とする。
【発明の効果】
【００１８】
本発明によれば、印字ヘッドを構成する複数の有機ＥＬ素子個々の明るさを常に正確に認識して補正することが可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１９】
（第１の実施形態）  
以下図面を参照して、本発明の第１の実施形態に係る露光装置及び画像形成装置（印刷装置）を説明する。  
図１は、本実施形態に係る露光装置を用いた画像形成装置の構成例を示す図である。同図で画像形成装置は、感光体ドラム１と、露光装置２と、帯電ローラ３と、イレーサ光源感光体４と、クリーニング部材５と、現像ローラ６ａを含む現像器６と、転写ローラ８と、定着ローラ９と、搬送ベルト１１とを具備している。なお、符号７が付されているのは印刷用紙である。
【００２０】
前記露光装置２は、複数の発光素子をアレイ状に配列した露光ヘッド部と、例えばセルフォック（登録商標）レンズを前記複数の発光素子に対抗するようにアレイ状に配列し、入射された光を等倍正立像として感光体ドラム１に結像するロッドレンズアレイからなるレンズ部とを有する。
【００２１】
前記感光体ドラム１は、負帯電型ＯＰＣ（Ｏｒｇａｎｉｃ  Ｐｈｏｔｏ  Ｃｏｎｄｕｃｔｏｒ）感光体（有機感光体）であり、これに対応して帯電ローラ３が負帯電器とする。
【００２２】
前記図１に示す画像形成装置では、大まかに以下のような工程により印刷が行なわれる。まず、前記帯電ローラ３が回転する感光体ドラム１の表面に接触することにより、感光体ドラム１の接触した表面が一様に負電位となるように帯電される。続いて、前記露光装置２によって前記感光体ドラム１に対して光照射がなされ、感光体ドラム１上に静電潜像が形成される。その後、前記現像器６によって、前記静電潜像にトナーが付着される。そして、前記転写ローラ８によって、前記静電潜像に付着しているトナーが前記印刷用紙７に転写される。以下、このような印刷工程を詳細に説明する。
【００２３】
まず、感光体ドラム１には、図示しない帯電用電源から供給されるマイナス高電圧が前記帯電ローラ３によって印加される。これにより感光体ドラム１における周表面は一様に負帯電され、電位的に初期化された初期化帯電状態となる。
【００２４】
そして、周表面が初期化帯電状態となった感光体ドラム１に対し、前記露光装置２によって印字情報に従った光書込み（露光）が行なわれる。これにより、初期化帯電によるマイナス高電位部と、露光による例えば−５０［Ｖ］程度のマイナス低電位部とからなる静電潜像が、感光体ドラム１の周表面上に形成される。
【００２５】
ここで、前記現像器６内に収容されている弱いマイナス電位に帯電したトナーが、前記現像ローラ６ａによって、現像ローラ６ａと感光体ドラム１との対向部に回転搬送される。このとき、現像ローラ６ａは、図示しない電源から例えば−２５０［Ｖ］程度の現像バイアス電圧が印加される。
【００２６】
したがって、−２５０［Ｖ］の現像バイアス電圧が印加された現像ローラ６ａと、感光体ドラム１における静電潜像の−５０［Ｖ］程度のマイナス低電位部との間に２００［Ｖ］程度の電位差が形成される。
【００２７】
これらの静電潜像における現像電圧との電位差により、現像ローラ６ａに対して相対的にプラス極性の電位となった静電潜像におけるマイナス低電位部には、マイナス極性に帯電しているトナーが転移してトナー像が形成される。このトナー像は、感光体ドラム１の回転によって、感光体ドラム１と転写ローラ８とが対向している転写部へと搬送される。
【００２８】
なお、上述したようにして形成されたトナー像におけるトナー付着量、すなわち現像された画像の濃度は、露光装置２の発光素子による感光体ドラム１への露光量に応じて生じる感光体ドラム１の周表面上における電位の減衰量によって決定される。
【００２９】
次いで、上述したようにトナー像が転写部へ搬送されると、搬送ベルト１１によって印刷用紙７が転写部へ搬送される。そして、転写部においては、トナー像が印刷用紙７上に、転写ローラ８によって転写される。このようにしてトナー像が転写された印刷用紙７が搬送ベルト１１によりさらに下流に搬送され、トナー像が定着ローラ９によって熱定着された後、印刷用紙７は当該画像形成装置の外部へ排出される。
【００３０】
また、トナー像が印刷用紙７上に転写された後、感光体ドラム１の周表面からクリーニング部材５により残留トナーが除去され、さらにイレーサ光源感光体４によって一様に０(ゼロ)［Ｖ］に除電されて、帯電ローラ３への帯電に備えられる。
【００３１】
なお、前記露光装置２内には、発光素子アレイとして、図１に示す感光体ドラム１への露光走査の主走査方向である感光体ドラム１の軸方向に沿って、多数の発光素子である有機ＥＬ素子が一列に配設された有機ＥＬアレイが設けられる。
【００３２】
図２は、前記露光装置２内に設けられる露光ヘッド部の構成を示すものである。露光ヘッド部は有機ＥＬパネル２３を備える露光ヘッド基板を有する。  
有機ＥＬパネル２３には、発光素子アレイとして、図１に示す感光体ドラム１への露光走査の主走査方向である感光体ドラム１の軸方向に沿って、発光素子である有機ＥＬ素子を有する複数の画素がライン状に配設された有機ＥＬアレイが設けられる。
【００３３】
各画素は所定の数の画素からなる複数の画素群に分割されている。図２では、説明を簡略化するために露光ヘッド基板が、各画素群当たり６画素×８画素群の計４８画素で構成されるものとする。
【００３４】
実際の露光ヘッド基板は、例えば印字解像度が１２００［ｄｐｉ］でＡ４の用紙（長辺２９７［ｍｍ］）に対応した印刷機であれば、およそ１４，０００画素の構成となる。また、有機ＥＬパネル２３には、各画素群に対応して各発光素子の発光光量を測定して光量補正を行い、各発光素子の特性の経時変化による発光光量の変化を補償するための複数の受光素子を有する光センサ回路が設けられている、
また、露光ヘッド部は、ヘッドコントローラ２０とデータドライバ２１、セレクトセンサドライバ２２を備える。  
このような構成の露光ヘッド部による露光工程では、まずヘッドコントローラ２０に、ここでは図示しないラスタイメージプロセッサからの画像データ、用紙サイズ及び搬送速度に合わせた水平制御信号／ＨＳＹＮＣと垂直制御信号／ＶＳＹＮＣ、その他各種制御信号が入力される。
【００３５】
ヘッドコントローラ２０は、これらの入力信号によって有機ＥＬパネル２３の各画素のオン／オフ及び画素データに応じた階調信号に基づく駆動電圧Ｖｄａｔａ１〜６を生成してデータドライバ２１へ出力することで、データドライバ２１と有機ＥＬパネル２３、及びセレクトセンサドライバ２２を駆動制御する。
【００３６】
セレクトセンサドライバ２２は、有機ＥＬパネル２３を構成する８つの各画素群ａ１〜ａ６，ｂ１〜ｂ６，‥‥，ｈ１〜ｈ６に対応して、選択信号Ｖｓｅｌ１〜８，リフレッシュ信号Ｒｆｓｈ１〜８を光センサ回路の各受光素子に送出し、その時点の当該画素群内の各発光素子発光輝度に応じた各受光素子の出力であるセンサ出力Ｓｏｕｔ１〜８を受取る。
【００３７】
図３は、前記有機ＥＬパネル２３の一部を例示する等価回路である。  
ここでは、有機ＥＬパネル２３のｍ番目の画素群中のｎ番目の画素を中心として隣接画素を含めて計３画素分の構成を示す。各画素はいずれも薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）で構成された、選択トランジスタ３１、及び有機ＥＬ駆動用の駆動トランジスタ３３の計２つのトランジスタと、画素の発光輝度に対応した信号電荷を保持する保持コンデンサ３２を備える。
【００３８】
また、これらの画素に対して、受光素子としての光センサトランジスタ３５と、これを駆動するための充電トランジスタ３６、読出トランジスタ３８、暗電流保持コンデンサ３７と、を有して構成される光センサ回路３０が設けられている。
【００３９】
すなわち、選択信号Ｖｓｅｌ（ｍ）が選択トランジスタ３１のゲート電極に接続される。選択トランジスタ３１のソース電極には駆動電圧Ｖｄａｔａ（ｎ）が与えられる。
【００４０】
同選択トランジスタ３１のドレイン電極が保持コンデンサ３２の一端及び駆動トランジスタ３３のゲート電極と接続される。駆動トランジスタ３３のソース電極に電源線が接続され、同駆動トランジスタ３３のドレイン電極と保持コンデンサ３２の他端とが発光素子としての有機ＥＬ素子３４のアノード電極に接続される。有機ＥＬ素子３４のカソード電極は接地される。
【００４１】
前記有機ＥＬ素子３４を発光駆動するための選択トランジスタ３１、保持コンデンサ３２、及び駆動トランジスタ３３の構成は、一般的な２つのＴＦＴを用いたアクティブ駆動方式による回路構成の一例である。
【００４２】
しかるに有機ＥＬ素子３４を発光駆動するための構成を限定するものではなく、２ＴＦＴ／３ＴＦＴ、アクティブ方式／パッシブ方式、定電圧書込み／定電流書込み等を問わず、任意の回路構成で実現できる。
【００４３】
本実施形態では加えて、前記選択信号Ｖｓｅｌ（ｍ）が光センサ回路３０の充電トランジスタ３６のゲート電極にも与えられる。この充電トランジスタ３６のソース電極には電圧ＶＤＤが印加されており、同充電トランジスタ３６のドレイン電極が光センサトランジスタ３５のソース電極、暗電流保持コンデンサ３７の一端、及び読出トランジスタ３８のゲート電極と接続される。
【００４４】
光センサトランジスタ３５のゲート電極は、図中に符号Ｇで示す如く、前記有機ＥＬ素子３４での発光Ｌが照射される部位に配置され、同光センサトランジスタ３５のゲート電極には、上述したリフレッシュ信号Ｒｆｓｈ（ｍ）が与えられ、同光センサトランジスタ３５のドレイン電極が暗電流保持コンデンサ３７の他端、及び読出トランジスタ３８のソース電極に接続されると共に接地される。そして、読出トランジスタ３８のドレイン電極がセンサ出力Ｓｏｕｔ（ｍ）の端子として使用され、ドレイン電流Ｉｓの値が検知される。
【００４５】
前記有機ＥＬパネル２３には、画素発光用の各ＴＦＴ３１，３３、及びコンデンサ３２と同様の半導体製造プロセスで光センサ回路を構成するＴＦＴ３５，３６，３８及びコンデンサ３７を一体に形成することができる。
【００４６】
これら光センサ回路は、複数の有機ＥＬ素子に対して１回路、具体的には数１０００画素に１回路という規模で作成する。前記図３では３画素のみしか表記していないが、光センサトランジスタ３５のチャネル幅は、例えば、発光を捉えようとする１つの画素群が配列される主走査方向の幅程度で形成し、各画素に対して副走査方向に一定の距離をおいて並行する位置に配置する。
【００４７】
光センサ回路を用いた光量補正は、初期光量との比較により行なうので、各画素の発光素子の相対的な発光光量の変化を検知することができればよい。このため、光センサ回路を画素毎に設ける必要はなく、本実施形態の如く１つの画素群の複数画素に対して１つの光センサトランジスタ３５による１つの光センサ回路を設けるものとすることができる。
【００４８】
図４は、光センサ回路３０の基本動作を説明するためのタイミングチャートである。光センサ回路３０では、充電トランジスタ３６のゲート信号として選択信号Ｖｓｅｌ（ｍ）を利用する。まず、選択信号Ｖｓｅｌ（ｍ）を“Ｈ”レベルとし、選択信号Ｖｓｅｌ（ｍ）を“Ｈ”レベルとした当初に、リフレッシュ信号Ｒｆｓｈ（ｍ）も同時に短時間“Ｈ”レベルとして、充電トランジスタ３６、読出トランジスタ３８をオンとし、暗電流保持コンデンサ３７を放電する。
【００４９】
その後、リフレッシュ信号Ｒｆｓｈ（ｍ）を“Ｌ”レベルとすると光センサトランジスタ３５はオフ状態となるが、その後も選択信号Ｖｓｅｌ（ｍ）を“Ｈ”レベルに一定期間保つことで、暗電流保持コンデンサ３７をＶＤＤに充電する。
【００５０】
この状態においては、光センサトランジスタ３５がオフ状態であり、暗電流保持コンデンサ３７に充電された電荷に応じて読出トランジスタ３８がオンしてドレイン電流Ｉｓが流れる。
【００５１】
この状態で、光センサトランジスタ３５の半導体層部分に有機ＥＬ素子３４の発光による光が照射されると、その光量に応じて光センサトランジスタ３５のドレイン−ソース間の半導体層中にキャリアが発生してチャネルが形成され、ドレイン−ソース間に電流が流れ、暗電流保持コンデンサ３７が放電を開始する。
【００５２】
これにより、読出トランジスタ３８のドレイン電流Ｉｓが減少する。このドレイン電流Ｉｓの減少量（ΔＩｓ）は、光センサトランジスタ３５のゲート電極部分に照射された光の光量に応じた量となる。
【００５３】
図４に示す符号Ｂの波形は、図示しない電流/電圧変換回路を介してドレイン電流Ｉｓの値を電圧値に変換した値であるが、前記電流Ｉｓの変化に相当する。
【００５４】
すなわち、図４に示すように、次に選択信号Ｖｓｅｌ（ｍ）及びリフレッシュ信号Ｒｆｓｈ（ｍ）が“Ｈ”レベルとなる直前のドレイン電流Ｉｓに対応する電圧信号をセンサ出力Ｓｏｕｔ（ｍ）として出力することで、当該有機ＥＬ素子３４の発光光量を取得することができる。
【００５５】
ここで、各有機ＥＬ素子３４の発光光量の取得は、例えば、有機ＥＬパネル２３の各画素の有機ＥＬ素子３４を選択信号Ｖｓｅｌ（ｍ）の供給タイミングに応じて所定の発光期間で順次発光させ、発光する有機ＥＬ素子３４が含まれる画素群に対応する光センサ回路３０を選択信号Ｖｓｅｌ（ｍ）及びリフレッシュ信号Ｒｆｓｈ（ｍ）によって前記発光期間に対応して駆動することによって行うことができる。
【００５６】
ところで、測定対象となる有機ＥＬパネル２３では、１画素のサイズが、例えば１２００［ｄｐｉ］であれば約２０［μｍ］程度の大きさとなり、有機ＥＬ素子の寸法は更に微細なものとなる。したがって、前記光センサトランジスタ３５は、このように非常に微少な領域からの発光を捉えなければならないことになる。
【００５７】
この光センサトランジスタ３５による各発光素子の発光光量の測定は、各発光素子の特性の経時変化による発光光量の変化を補償するために行うものであるから、より正確に発光光量を補正して印字品質を高めるためには、発光光量の測定の精度をより高めることが必要となる。
【００５８】
この場合、光センサトランジスタ３５が発光素子からの光を受光する時間すなわち測定時間を長くするほど光センサ回路の電流値変化が大きくなり、測定の精度を高くすることができる。
【００５９】
しかしながら、光センサ回路３０による各発光素子の発光光量の測定は、画像形成装置の起動時や印刷を行っていないときに行われるため、発光光量の測定時間を長くすることは、本来の印刷ジョブを妨げ、画像形成装置としての印刷速度の低下や使い勝手の悪化をもたらすことになるため、好ましくない。
【００６０】
そこで、測定時間を増加させずに測定精度を向上させるためには、光センサトランジスタ３５の受光効率を高めることが有効な手段となる。
【００６１】
本実施形態では、ＴＦＴ形成プロセスにおけるゲート電極形成層、ドレイン電極形成層、ゲート電極とドレイン電極を接続するゲート／ドレインコンタクト形成プロセスにより形成される金属薄膜を最適に配置することで光センサトランジスタ３５の受光効率を向上させるものとした。以下にその詳細を図５により説明する。
【００６２】
図５（Ａ）は、ボトムエミッション型の前記有機ＥＬパネル２３を上面から見た部分概略図であり、図５（Ｂ）は同図（Ａ）中のＶ−Ｖ線から見た断面図である。
【００６３】
なお、図５（Ａ）は、後述するカソード電極４７とオーバーコート絶縁膜５６の層を除去して有機ＥＬ素子３４と光センサトランジスタ３５の各種電極等の配列構造を示すものである。
【００６４】
有機ＥＬ素子３４は、透明基板４１の一面上に、アパーチャ（開口部）４２ａを形成した、クロム、クロム合金、アルミニウム、アルミニウム合金等から選択された金属材料からなる反射板４２が形成され、その上に透明なゲート絶縁膜４３を介して透明電極４４と、それに接続されたコンタクト部４５Ａ及びアノード電極４５Ｂが形成され、それら透明電極４４及びアノード電極４５Ｂ上の開口部に、正孔輸送層、発光層、及び電子輸送層でなる有機ＥＬ発光層４６が設けられて、その上に金属薄膜による反射部材としても機能するカソード電極４７が配線されて形成されている。
【００６５】
そして、アノード電極４５Ｂとカソード電極４７との間に所定の電圧が掛けられることで、アノード電極４５Ｂから正孔が、カソード電極４７から電子が、有機ＥＬ発光層４６に注入され、そこで正孔と電子とが再結合して発光する。この発光によって生じた光は、ゲート絶縁膜４３、アパーチャ４２ａを通過して、図５（Ｂ）中に矢印Ｌで示す如く、透明基板４１の他面側の方向に拡散放射する。
【００６６】
このような有機ＥＬ素子３４からの拡散光は、該有機ＥＬ素子３４を構成した画素基板とレンズアレイとからなる前記露光装置２によって、小径の光スポットとして形成され、前記感光体ドラム１上で各ドットを解像する光ビームとして照射される。
【００６７】
また、光センサトランジスタ３５は、透明基板４１上に有機ＥＬ素子３４から一定距離Ｄを隔てて形成される。すなわち、透明基板４１上にゲート電極５１を介して前記ゲート絶縁膜４３が延在され、その上に、半導体層４０が設けられ、半導体層４０の両端側に、クロム、クロム合金、アルミニウム、アルミニウム合金等から選択された金属材料からなるソース・ドレイン電極層５２、５３が設けられ、半導体層４０上のソース・ドレイン電極層５２、５３間にはブロック絶縁膜３９が設けられている。
【００６８】
ゲート絶縁膜４３端部のコンタクト部５４は、透明基板４１上に形成された反射板５５に接続される。そして、光センサトランジスタ３５の上部、及び有機ＥＬ発光層４６を挟んで前記コンタクト部４５Ａ及びアノード電極４５Ｂの上部がそれぞれ透明樹脂によるオーバーコート絶縁膜５６を介して前記カソード電極４７で保護されている。
【００６９】
ここで、ゲート電極５１及び反射板５５は、有機ＥＬ素子３４の反射板４２と同一材料で形成され、またコンタクト部４５Ａとアノード電極４５Ｂ、ドレイン電極層５２，５３とコンタクト部５４は同一材料で形成される。
【００７０】
すなわち、光センサトランジスタ３５と反射板５５は、透明基板４１上への有機ＥＬ素子３４の製造プロセスと同時に製造することができる。
【００７１】
前記構成にあって、反射板４２は、当該有機ＥＬ素子３４を駆動するための前記ＴＦＴ３１，３３のゲート電極層による金属薄膜を延在して構成するものとする。そして、反射板４２に形成するアパーチャ４２ａは、有機ＥＬ発光層４６に対向する位置で、且つその大きさは、有機ＥＬ発光層４６と同じか、あるいは多少小さいものとする。
【００７２】
前記コンタクト部４５Ａは、反射板４２とアノード電極４５Ｂとの間でなるべく有機ＥＬ発光層４６の近傍に配置する。
【００７３】
加えて反射板４２は、光センサトランジスタ３５のゲート電極５１のなるべく近傍まで延在するよう配置する。
【００７４】
さらに、このゲート電極５１に近設配置した前記反射板５５上に、なるべく光センサトランジスタ３５に近くなるようにコンタクト部５４を形成するものとしている。
【００７５】
そして、及び光センサトランジスタ３５及び各種配線を形成した後のオーバーコート絶縁膜５６を、前記コンタクト部５４から間隙をあけて光センサトランジスタ３５、さらに間隙をあけて透明電極４４に至るように形成することによって、後に上部一体に形成されるカソード電極４７で、光センサトランジスタ３５の周囲が閉空間を形成するものとした。
【００７６】
前記のような構成とすることにより、有機ＥＬ発光層４６で発光した光は、その多くが反射板４２のアパーチャ４２ａを介して、ここでは図示しない前記感光体ドラム１を照射するものとして使用される。
【００７７】
一方、有機ＥＬ発光層４６で発光した光のうちのアパーチャ４２ａより外部に射出しなかった残りの光は、図中にゲート絶縁膜４３及びオーバーコート絶縁膜５６内を実線及び波線の矢印で示すように各反射板やコンタクト部、金属薄膜でなる電極層等で反射しながら伝搬し、最終的にその大部分が光センサトランジスタ３５の半導体層４０に上下から入射することとなる。
【００７８】
すなわち、前記図５で示した構成では、反射板４２のアパーチャ４２ａを除いて、光センサトランジスタ３５周囲の閉空間での光反射部材の面積をなるべく大きくして、有機ＥＬ発光層４６から発光した光のうちのアパーチャ４２ａより外部に射出しなかった残りの光が外部に漏れ出る量を極力減らし、できるだけ多くの量の光が光センサトランジスタ３５の半導体層４０に入射するようにして、光センサトランジスタ３５の受光効率を高めることができるように構成している。
【００７９】
これにより、有機ＥＬ発光層４６で発せられる感光体ドラム１への光以外の光を効率的に光センサトランジスタ３５で受光して、有機ＥＬ発光層４６での発光光量の測定精度を向上させて、印刷ジョブを妨げることを抑制しながら、発光光量の補正をより正確に行うことができる。
【００８０】
より詳細には、図中に実線の矢印で示すように、有機ＥＬ発光層４６からゲート絶縁膜４３を介してその上部のオーバーコート絶縁膜５６を反射しながら光センサトランジスタ３５の上側へ、また図中に破線の矢印で示すように、有機ＥＬ発光層４６からゲート絶縁膜４３を介して半導体層４０の下側へ、あるいは一旦光センサトランジスタ３５の上側／半導体層４０の下側を回り込んだ後に半導体層４０の下側／光センサトランジスタ３の上側へ、というように、光センサトランジスタ３５を含む閉空間内で散乱した有機ＥＬ発光層４６からの光の多くを光センサトランジスタ３５の半導体層４０に照射させるように構成する。
【００８１】
このような構成とすることで、有機ＥＬ発光層４６から発光した光のうち、アパーチャ４２ａより外部に射出しなかった残りの光のうちの多くの部分の光を、効率よく光センサトランジスタ３５で受光することができる。
【００８２】
加えて、全体を覆う反射部材として有機ＥＬ発光層４６のための一電極層であるカソード電極４７を兼用するものとしたので、この構造を形成するための製造工程の増加を抑制することができる。
【００８３】
なお前記実施形態では、反射板４２に形成したアパーチャ４２ａの大きさを、有機ＥＬ発光層４６の大きさと同等か、あるいは図５で示すように有機ＥＬ発光層４６よりも小さいものとした。
【００８４】
これにより、有機ＥＬ発光層４６での発光量に対する感光体ドラム１への照射光量の割合が低くなってしまう反面、光センサトランジスタ３５で受光する光の絶対量を向上させることができるだけでなく、ゲート絶縁膜４３及びオーバーコート絶縁膜５６内を反射しながら伝搬する過程でアパーチャ４２ａより外部に漏れ出てしまう光の割合を減じることができ、光センサトランジスタ３５での受光をより効率的に実施できる。
【００８５】
したがって、本来の印刷に必要な発光輝度を確保できる範囲内で、でき得る限り反射板４２に形成するアパーチャ４２ａの大きさをより小さいものとすることで、有機ＥＬ発光層４６での発光光量をより正確に測定することができ、測定に基づく発光光量の補正をより正確に行なって、結果として印字品質を高めることができる。
【００８６】
加えて、有機ＥＬ発光層４６とゲート絶縁膜４３端部のコンタクト部４５Ａとの間隔、及び光センサトランジスタ３５とゲート絶縁膜４３端部のコンタクト部５４との間隔をそれぞれ極力小さいものとし、図５（Ａ），図５（Ｂ）に示す横方向の寸法をなるべくコンパクトになるように設定する。
【００８７】
このことで、前記有機ＥＬ発光層４６から発して光センサトランジスタ３５に照射されないままゲート絶縁膜４３またはオーバーコート絶縁膜５６内で減水してしまう光の割合をより少なくし、効率的に光センサトランジスタ３５で光の受光効率をより高めることができる。
【００８８】
この場合、図５（Ｂ）ではコンタクト部５４とドレイン電極層５２との間に間隙を設け、ゲート絶縁膜４３とオーバーコート絶縁膜５６との間で光センサトランジスタ３５を回り込んで上から下へ、あるいは下から上へ移動する光が光センサトランジスタ３５に受光されるものとして前記で説明したが、この間隙を極力小さく設定することで、前記回り込む光の割合を減らし、コンタクト部５４での反射によりゲート絶縁膜４３内でのみ、あるいはオーバーコート絶縁膜５６内でのみ伝搬するような光の割合を増やすものとしてもよい。
【００８９】
また、前記実施形態では、アパーチャ４２ａを形成した反射板４２とアノード電極４５Ｂとをコンタクト部４５Ａで接続し、アノード電極と反射板４２を構成するゲート電極層を同電位にするものとした。
【００９０】
これにより、隣接する複数の有機ＥＬ発光層４６間のピッチを含め、非常に微少な配線間隔で回路を隣接して構成するような本願発明において、配線間で余計な寄生容量が発生するのを極力削減できる。
【００９１】
（第１の実施形態の変形例１）  
なお、前記実施形態では示さなかったが、高分子有機ＥＬの成膜方法の１つとして、ポリイミド等によるバンクを形成し、その間に有機ＥＬをコーティングする方法がある。
【００９２】
図６は、そのような方法を活かした本実施形態の他の構成例を示すもので、図６（Ａ）が前記有機ＥＬパネル２３を上面から見た部分概略図であり、図６（Ｂ）は同図（Ａ）中のＶＩ−ＶＩ線から見た断面図である。この図６において、基本的な構造は前記図５に示した内容と同様であるので、同一部分には同一符号を用いてその説明は省略するものとする。
【００９３】
なお、図６（Ａ）は、前記図５（Ａ）と同様にボトルエミッション型の有機ＥＬ素子３４と光センサトランジスタ３５の各種電極等の配列構造を示すもので、その上部に位置するカソード電極４７とオーバーコート絶縁膜５６、及びバンク６１の記載を省略しているため、前記図５（Ａ）と同様の構成となる。
【００９４】
しかして、図６（Ｂ）に示すように、有機ＥＬ発光層４６を有する有機ＥＬ素子３４部分を除いて、オーバーコート絶縁膜５６上のカソード電極４７との間に、透明な部材、例えばＰＭＭＡ（ポリメタクリル酸メチル）やＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレート）等を用いたバンク６１を形成する。
【００９５】
このような構成とすることで、有機ＥＬ発光層４６の成膜方法で、画素間の隔壁となるバンクを採用した構造とした場合にも容易に対応し得る。
【００９６】
（第１の実施形態の変形例２）  
また、前記図５（Ｂ）で説明した構成に加えて、図７に示すように、オーバーコート絶縁膜５６の成形後に、オーバーコート絶縁膜５６の光センサトランジスタ３５の半導体層４０の上側に位置する表面を、ハーフエッチングまたはサンドブラスト等により光が散乱する粗い表面状態となるような、微細な凹凸を形成する加工を加えるものとしてもよい。
【００９７】
その場合、その加工後にカソード電極４７を蒸着等により形成すれば、光センサトランジスタ３５の半導体層４０の上部のカソード電極４７である金属薄膜表面が粗い形状となる。
【００９８】
したがって、有機ＥＬ発光層４６から発せられ、ゲート絶縁膜４３を介してオーバーコート絶縁膜５６に入射した光のうち、前記散乱加工部分ＳＰに到達した光は、ここで散乱光となって光センサトランジスタ３５に到達する割合が増えるため、光センサトランジスタ３５での受光効率をより高めることができる。
【００９９】
（第１の実施形態の変形例３）  
前記図６（Ｂ）で説明した構成に加えて、前記図７と同様に、バンク６１の成形後に、バンク６１の光センサトランジスタ３５の半導体層４０の上側に位置する表面を、ハーフエッチングまたはサンドブラスト等により光が散乱する粗い表面状態となるような、微細な凹凸を形成する加工を加えるものとしてもよい。
【０１００】
その場合、その加工後にカソード電極４７を蒸着等により形成すれば、光センサトランジスタ３５の半導体層４０の上部のカソード電極４７である金属薄膜表面が粗く形状となる。
【０１０１】
したがって、有機ＥＬ発光層４６から発せられ、ゲート絶縁膜４３、オーバーコート絶縁膜５６を介してバンク６１に入射した光のうち、前記散乱加工部分ＳＰに到達した光は、ここで散乱光となって光センサトランジスタ３５に到達する割合が増えるため、光センサトランジスタ３５での受光効率をより高めることができる。
【０１０２】
（第２の実施形態）  
以下図面を参照して、本発明の第２の実施形態に係る露光装置及び画像形成装置を説明する。  
なお、本実施形態に係る露光装置を用いた画像形成装置の構成例については前記図１と、露光装置内に設けられる露光ヘッド部の構成については前記図２と、有機ＥＬパネルの一部を例示する等価回路については前記図３と、そして光センサ回路における動作タイミングについては前記図４と、それぞれ基本的に同一であるものとし、同一部分には同一符号を用いて、その図示と説明を省略するものとする。
【０１０３】
本実施形態では、ＴＦＴ形成プロセスにおけるゲート電極形成層、ドレイン電極形成層、ゲート電極とドレイン電極を接続するゲート／ドレインコンタクト形成プロセスにより形成される金属薄膜を最適に配置することで光センサトランジスタ３５の受光効率を向上させるものとした。以下にその詳細を図９により説明する。
【０１０４】
図９（Ａ）は、ボトムエミッション型の前記有機ＥＬパネル２３を上面から見た部分概略図であり、図９（Ｂ）は同図（Ａ）中のＩＸ−ＩＸ線から見た断面図である。
【０１０５】
なお、図９（Ａ）は、後述するカソード電極７７とオーバーコート絶縁膜８４の層を除去して有機ＥＬ素子３４と光センサトランジスタ３５の各種電極等の配列構造を示すものである。
【０１０６】
有機ＥＬ素子３４は、透明基板７１上に、アパーチャ７２ａを形成した、クロム、クロム合金、アルミニウム、アルミニウム合金等から選択された金属材料からなる反射板７２が形成され、その上に透明なゲート絶縁膜７３を介して透明電極７４と、それに接続されたコンタクト部７５Ａ及びアノード電極７５Ｂが形成され、それら透明電極７４及びアノード電極７５Ｂ上の開口部に、正孔輸送層、発光層、及び電子輸送層でなる有機ＥＬ発光層７６が設けられて、その上にＩＴＯ等の透明なカソード電極７７が配線されて形成されている。
【０１０７】
そして、アノード電極７５Ｂとカソード電極７７との間に所定の電圧が掛けられることで、アノード電極７５Ｂから正孔が、カソード電極７７から電子が、有機ＥＬ発光層７６に注入され、そこで正孔と電子とが再結合して発光する。この発光によって生じた光は、ゲート絶縁膜７３、アパーチャ７２ａを通過して、図９（Ｂ）中に矢印Ｌで示す如く、透明基板７１の方向に拡散放射する。
【０１０８】
このような有機ＥＬ素子３４からの拡散光は、該有機ＥＬ素子３４を構成した画素基板とレンズアレイとからなる前記露光装置２によって、小径の光スポットとして形成され、前記感光体ドラム１上で各ドットを解像する光ビームとして照射される。
【０１０９】
また、前記光センサトランジスタ３５は、透明基板７１上に有機ＥＬ素子３４から一定距離Ｄを隔てて形成される。すなわち、透明基板７１上にゲート電極８１を介して前記ゲート絶縁膜７３が延在され、その上に、半導体層４０が設けられ、半導体層４０の両端側に、クロム、クロム合金、アルミニウム、アルミニウム合金等から選択された金属材料からなるソース・ドレイン電極層５２、５３が設けられ、半導体層４０上のソース・ドレイン電極層５２、５３間にはブロック絶縁膜３９が設けられ、その上部がオーバーコート絶縁膜８４を介して前記カソード電極７７で保護されている。
【０１１０】
ゲート絶縁膜７３のコンタクト部８２Ａは、透明基板７１上に形成された反射板８５に接続される。また、光センサトランジスタ３５と有機ＥＬ素子３４との間に位置するゲート絶縁膜７３の上面には、金属薄膜による反射板８６が設けられる。
【０１１１】
ここで、ゲート電極８１及び反射板８５は有機ＥＬ素子３４の反射板７２と同一材料で形成され、またコンタクト部７５Ａとアノード電極７５Ｂ、反射板８６、コンタクト部８２Ａとドレイン電極層８２Ｂは共に同一材料で形成される。
【０１１２】
すなわち、光センサトランジスタ３５と各反射板８５，８６は、透明基板７１上への有機ＥＬ素子３４の製造プロセスと同時に製造することができる。
【０１１３】
前記構成にあって、反射板７２は、当該有機ＥＬ素子３４を駆動するための前記ＴＦＴ３１，３３のゲート電極層による金属薄膜を延在して構成するものとする。そして、反射板７２に形成するアパーチャ７２ａは、有機ＥＬ発光層７６に対向する位置で、且つその大きさは、有機ＥＬ発光層７６と同じか、あるいは多少小さいものとする。
【０１１４】
前記コンタクト部７５Ａは、反射板７２とアノード電極７５Ｂとの間でなるべく有機ＥＬ発光層７６の近傍に配置する。
【０１１５】
加えて反射板７２は、光センサトランジスタ３５のゲート電極位置のなるべく近傍まで延在するよう配置する。
【０１１６】
さらに、透明基板７１の上部で光センサトランジスタ３５の対向位置を挟んで有機ＥＬ発光層７６とは反対側にゲート幅と同程度の反射板８５を配置すること、この反射板８５とドレイン電極層８２Ｂとの間に前記コンタクト部８２Ａを形成すること、及び有機ＥＬ発光層７６と光センサトランジスタ３５との間に前記ドレイン電極層による反射板８６を形成し、この反射板８６を透明電極７４と接合してアノード電極７５Ｂと同電位とすること、を併せて実現する。
【０１１７】
前記のような構成とすることにより、有機ＥＬ発光層７６で発光した光は、その多くが反射板７２のアパーチャ７２ａを介して、ここでは図示しない前記感光体ドラム１を照射するものとして使用される。
【０１１８】
一方、アパーチャ７２ａより射出しなかった残りの光は、図中にゲート絶縁膜７３内を実線及び波線の矢印で示すように各反射板やコンタクト部等で反射しながら伝搬し、最終的にその大部分が光センサトランジスタ３５のゲート電極部分に照射されることとなる。
【０１１９】
すなわち、前記図９で示した構成では、反射板７２のアパーチャ７２ａと光センサトランジスタ３５の電極部分とを除いて、透明電極７４を覆う光反射部材の面積がなるべく大きくなり、有機ＥＬ発光層７６から発光した光のうちのアパーチャ７２ａより外部に射出しなかった残りの光が外部に漏れ出る量を極力減らし、できるだけ多くの量の光が光センサトランジスタ３５のゲート電極部分に入射するようにして、光センサトランジスタ３５の受光効率を高めることができるように構成している。
【０１２０】
これにより、有機ＥＬ発光層７６で発せられる感光体ドラム１への光以外の光を効率的に光センサトランジスタ３５で受光して、有機ＥＬ発光層７６での発光光量の測定精度を向上させて、印刷ジョブを妨げることを抑制しながら、発光光量の補正をより正確に行うことができる。
【０１２１】
なお前記実施形態では、反射板７２に形成したアパーチャ７２ａの大きさを、有機ＥＬ発光層７６の大きさと同等か、あるいは図９で示すように有機ＥＬ発光層７６よりも小さくなるものとした。
【０１２２】
これにより、有機ＥＬ発光層７６での発光量に対する感光体ドラム１への照射光量の割合が低くなってしまう反面、光センサトランジスタ３５で回収する光の絶対量を向上させることができるだけでなく、ゲート絶縁膜７３内を反射しながら伝搬する過程でアパーチャ７２ａより外部に漏れ出てしまう光の割合を減じることができ、光センサトランジスタ３５での受光をより効率的に実施できる。
【０１２３】
したがって、本来の印刷に必要な発光輝度を確保できる範囲内で、でき得る限り反射板７２に形成するアパーチャ７２ａの大きさをより小さいものとすることで、有機ＥＬ発光層７６での発光光量をより正確に測定することができ、結果として印字品質を高めることができる。
【０１２４】
また、前記実施形態では、光センサトランジスタ３５のためのドレイン電極層８２Ｂと反射板８５とをコンタクト部８２Ａで接続して両者間を同電位にすることにより、非常に微少な配線間隔で回路を構成するような本願発明において、余計な寄生容量が発生するのを極力削減できる。
【０１２５】
（第２の実施形態の変形例１）  
なお、前記図９はボトムエミッション型の有機ＥＬ素子３４について説明したが、本実施形態ではトップエミッション型の有機ＥＬ素子３４にも同様に適用可能である。
【０１２６】
図１０は、トップエミッション型を採用した本実施形態の変形例１の構成を示すもので、図１０（Ａ）が前記有機ＥＬパネル２３を上面から見た部分概略図であり、図１０（Ｂ）は同図（Ａ）中のＸ−Ｘ線から見た断面図である。この図１０において、基本的な構造は前記図９に示した内容と同様であるので、同一部分には同一符号を用いてその説明は省略するものとする。
【０１２７】
トップエミッション型の有機ＥＬ発光層７６′を採用した場合、反射板７２には前記図９のアパーチャ７２ａを設ける必要はなく、有機ＥＬ発光層７６′から下面のゲート絶縁膜７３側に出射した光は、前記アノード電極７５Ｂとコンタクト部７５Ａ、反射板７２，８５とコンタクト部８２Ａ及びドレイン電極層８２Ｂ、そして反射板８６より覆われたゲート絶縁膜７３中で反射を繰返しながら、その多くが光センサトランジスタ３５で受光されることとなる。
【０１２８】
一方、前記有機ＥＬ発光層７６の上面側は、前記カソード電極７７に代えて透明カソード電極９１が全面にわたって配設される。透明カソード電極９１は、例えばＩＴＯ透明電極やＩＺＯ（Ｉｎｄｉｕｍ  Ｚｉｎｃ  Ｏｘｉｄｅ）等で構成される。  
この透明カソード電極９１の上部に透明絶縁膜９２が配設されて上面全面が平坦とされ、さらに透明保護層９３が形成される。
【０１２９】
このような構成とすることで、トップエミッション型の有機ＥＬ構造においてもボトムエミッション型の場合と同様に対応することが可能となる。
【０１３０】
その他、本発明は上述した各実施形態に限定されるものではなく、実施段階ではその要旨を逸脱しない範囲で種々に変形することが可能である。また、上述した実施形態で実行される機能は可能な限り適宜組合わせて実施しても良い。上述した実施形態には種々の段階が含まれており、開示される複数の構成要件により適宜の組合せにより種々の発明が抽出され得る。例えば、実施形態に示される全構成要件からいくつかの構成要件が削除されても、効果が得られるのであれば、この構成要件が削除された構成が発明として抽出され得る。
【図面の簡単な説明】
【０１３１】
【図１】本発明の第１の実施形態に係る画像形成装置の構成例を示す図。
【図２】同実施形態に係る露光装置内に設けられる露光ヘッド部の構成を示す図。
【図３】同実施形態に係る有機ＥＬパネルの一部の等価回路を例示する図。
【図４】図３の光センサ回路の基本動作を説明するためのタイミングチャート。
【図５】同実施形態に係る有機ＥＬパネルを上面から見た部分概略図（図５（Ａ））とそのＶ−Ｖ線から見た断面図（図５（Ｂ））。
【図６】同実施形態に係る変形例１の有機ＥＬパネルを上面から見た部分概略図（図６（Ａ））とそのＶＩ−ＶＩ線から見た断面図（図６（Ｂ））。
【図７】同実施形態に係る変形例２の断面構成を示す図。
【図８】同実施形態に係る変形例３の断面構成を示す図。
【図９】本発明の第２の実施形態に係る有機ＥＬパネルを上面から見た部分概略図（図９（Ａ））とそのＩＸ−ＩＸ線から見た断面図（図９（Ｂ））
【図１０】同実施形態に係る変形例１の有機ＥＬパネルを上面から見た部分概略図（図１０（Ａ））とそのＸ−Ｘ線から見た断面図（図１０（Ｂ））。
【符号の説明】
【０１３２】
１…感光体ドラム、２…露光装置、３…帯電ローラ、４…イレーサ光源感光体、５…クリーニング部材、６…現像器、６ａ…現像ローラ、７…印刷用紙、８…転写ローラ、９…定着ローラ、１１…搬送ベルト、２０…ヘッドコントローラ、２１…データドライバ、２２…セレクトセンサドライバ、２３…有機ＥＬパネル、３１…選択トランジスタ（ＴＦＴ）、３２…保持コンデンサ、３３…駆動トランジスタ（ＴＦＴ）、３４…有機ＥＬ素子、３５…光センサトランジスタ（ＴＦＴ）、３６…充電トランジスタ、３７…暗電流保持コンデンサ、３８…読出トランジスタ（ＴＦＴ）、３９…ブロック絶縁膜、４０…半導体層、４１…透明基板、４２…反射板、４２ａ…アパーチャ、４３…ゲート絶縁膜、４４…透明電極、４５Ａ…コンタクト部、４５Ｂ…アノード電極、４６…有機ＥＬ発光層、４７…カソード電極、５１…ゲート電極、５２，５３…ドレイン電極層、５４…コンタクト部、５５…反射板、５６…オーバーコート絶縁膜、６１…バンク、７１…透明基板、７２…反射板、７３…ゲート絶縁膜、７４…透明電極、７５Ａ…コンタクト部、７５Ｂ…アノード電極、７６，７６′…有機ＥＬ発光層、７７…カソード電極、８１…ゲート電極、８２Ａ…コンタクト部、８２Ｂ…ドレイン電極層、８３…ドレイン電極層、８４…オーバーコート絶縁膜、８５…反射板、８６…反射板、９１…透明カソード電極、９２…透明絶縁膜、９３…透明保護層、ＳＰ…散乱加工部分。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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