(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
内部に蒸着源が配置される蒸着用チャンバと、前記蒸着用チャンバ内で蒸着処理される少なくとも一つの基板を、前記蒸着源からの蒸気流の中心軸に対して所定距離離れて略平行に配置する基板ホルダと、を有し、
前記蒸着用チャンバ内には、前記蒸着源からの蒸気流を構成する物質が前記基板以外のチャンバの内壁に付着することを防止する固定防着板が配置してあり、
前記基板が、前記固定防着板の外部であって前記チャンバの内部に配置され、前記蒸着源からの蒸気流は、前記固定防着板に形成してある開口部を通過して、前記基板の表面に照射されるようになっている
斜め蒸着装置。
【請求項２】
前記固定防着板の開口部には、当該開口部の開度を制御するための移動防着板が装着してある
請求項１に記載の斜め蒸着装置。
【請求項３】
前記移動防着板は、前記基板の移動に同期して移動する
請求項２に記載の斜め蒸着装置。
【請求項４】
前記開口部の下端縁と前記蒸着源の中心とを結ぶ線と、前記蒸気流の中心軸との成す角度が、鋭角である
請求項１〜３のいずれかに記載の斜め蒸着装置。
【請求項５】
前記基板ホルダを、前記蒸気流の中心軸に沿って平行に移動させる移動機構をさらに有する
請求項１〜４のいずれかに記載の斜め蒸着装置。
【請求項６】
前記蒸気流の中心軸の周囲に複数の基板が配置されるように、前記基板ホルダが配置してある
請求項１〜５のいずれかに記載の斜め蒸着装置。
【請求項７】
蒸着用チャンバ内で蒸着処理される少なくとも一つの基板を、蒸着源からの蒸気流の中心軸に対して所定距離離れて略平行に配置し、
前記蒸着用チャンバ内に、前記蒸着源からの蒸気流を構成する物質が前記基板以外のチャンバの内壁に付着することを防止するように、固定防着板を配置し、
前記基板を、前記固定防着板の外部であって前記チャンバの内部に配置し、前記蒸着源からの蒸気流を、前記固定防着板に形成してある開口部を通過して、前記基板の表面に照射させ、蒸着処理を行う
斜め蒸着方法。
【請求項８】
前記固定防着板の開口部に、移動防着板を取り付け、前記基板を移動させながら、その基板の移動に同期させて前記移動防着板を移動させ、前記開口部の開度を制御しながら、蒸着を行う
請求項７に記載の斜め蒸着方法。
【請求項９】
前記開口部の下端縁と前記蒸着源の中心とを結ぶ線と、前記蒸気流の中心軸との成す角度が鋭角となるように、前記蒸着源および開口部を配置し、蒸着処理を行う
請求項７または８に記載の斜め蒸着方法。
【請求項１０】
前記基板を、前記蒸気流の中心軸に沿って平行に移動させながら、蒸着処理を行う
請求項７〜９のいずれかに記載の斜め蒸着方法。
【請求項１１】
前記蒸気流の中心軸の周囲に複数の基板を配置し、蒸着処理を行う
請求項７〜１０のいずれかに記載の斜め蒸着方法。
【請求項１２】
前記基板における蒸着処理予定表面には、複数の微小凸部が形成してあり、これらの微小凸部の頂部に、蒸着膜を形成する
請求項７〜１１のいずれかに記載の斜め蒸着方法。
【請求項１３】
前記基板における蒸着処理予定表面には、所定パターンの蒸着マスクが位置決めされ、その蒸着マスクで覆われていない前記基板の表面に蒸着膜を形成する
請求項７〜１２のいずれかに記載の斜め蒸着方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、斜め蒸着装置および斜め蒸着方法の改良に関する。
【０００２】
【従来の技術】
蒸着装置は、一般に、真空チャンバ（蒸着チャンバ）内で蒸発源を加熱して蒸気流を形成し、この蒸気流の構成物質を基板上に堆積させて蒸着膜を形成する装置である。通常の蒸着装置による蒸着方法で基板の表面に蒸着膜を形成する場合には、蒸着源からの蒸着流の中心軸に対して略垂直に基板を配置し、基板の表面に蒸発流を照射させて蒸着膜を形成している。
【０００３】
ところが、このような通常の蒸着装置による蒸着方法では、比較的大面積の基板に対して蒸着処理を行う場合に、基板の中心部分と周辺部分とで蒸着膜の厚さのばらつきが生じるという課題を有している。
【０００４】
そこで、基板を、蒸発流の中心軸に対して垂直方向に水平移動させるようにした蒸着装置が提案されている。しかしながら、真空チャンバ内で基板を水平方向に移動させる蒸着装置では、その移動量に対応して、チャンバを水平方向に大きくしなければ成らず、装置の小型化の要請に反している。また、同時に複数の基板に対して蒸着処理を行うことも不可能である。
【０００５】
また、対象となる基板を、蒸発流の中心軸に対して鋭角度で斜めに配置した斜め蒸着装置および斜め蒸着方法も提案されている。この従来の斜め蒸着装置および斜め蒸着方法では、チャンバの水平方向幅を小さくすることができる。また、斜め蒸着の場合には、金属製の蒸着マスク無しで、基板の表面に形成された微小凸部の頂部にのみ蒸着膜を形成することが可能になる。
【０００６】
しかしながら、従来の斜め蒸着装置および斜め蒸着方法では、真空チャンバの上部において、真空チャンバの内部に基板を水平状態で搬入し、チャンバの内部において、基板を、水平状態から、蒸発流の中心軸に対して約１５度の鋭角となる位置まで回転させ、その状態で蒸着処理を行っている。
【０００７】
そのため、従来の装置では、チャンバの上部で基板を回転させる機構を必要とし、チャンバ上部が大きくなり、その高さも高くなり、装置の小型化の要請に反する。また、基板をチャンバ内へ投入する投入高さも高くなり、その投入高さまで、基板を持ち上げる必要がある。さらに、基板を回転させる機構および基板を保持する機構が複雑になる。さらにまた、特に大型の薄型基板の場合に、基板が撓みやすく、蒸着膜の膜厚分布や蒸着角度分布が悪くなる傾向にある。
【０００８】
また、特に大型基板の場合には、基板の両端で蒸着角度が同じにならず、そのために蒸着膜の膜厚分布も不均一に成りやすい。さらに、蒸着パターンを金属製蒸着マスクで形成する場合には、基板の両端で蒸着角度が同じにならないことを考慮してマスクを設計する必要があり、そのマスクパターン形状が複雑になるという課題も有する。さらにまた、そのマスクを基板に密着させて位置決めするための操作も煩雑である。
【０００９】
また、従来の斜め蒸着装置では、一つの真空チャンバー内で１枚の基板しか処理できない構造になっていたため、蒸着材料の使用効率が数％以下程度に非常に悪い。その不要な蒸着材料は、チャンバーの内壁面や防着板に多量に付着し、ゴミやダストなどの問題を引き起こすと共に、装置のメンテナンスが煩雑である。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】
本発明は、このような実状に鑑みてなされ、特に大型で薄型の基板であっても、膜厚分布および蒸着角度分布が均一となるように蒸着膜を形成することができ、しかも同時に複数枚の基板に対して蒸着処理が可能であり、生産性に優れ、さらに装置の小型化を図ることができ、メンテナンス性にも優れた斜め蒸着装置および斜め蒸着方法を提供することを目的とする。
【００１１】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するために、本発明に係る斜め蒸着装置は、
内部に蒸着源が配置される蒸着用チャンバと、
前記蒸着用チャンバ内で蒸着処理される少なくとも一つの基板を、前記蒸着源からの蒸気流の中心軸に対して所定距離離れて略平行に配置する基板ホルダと、を有する。
【００１２】
好ましくは、本発明の装置は、前記基板ホルダを、前記蒸気流の中心軸に沿って平行に移動させる移動機構をさらに有する。
【００１３】
好ましくは、前記蒸着用チャンバ内には、前記蒸着源からの蒸気流を構成する物質が前記基板以外のチャンバの内壁に付着することを防止する固定防着板が配置してあり、
前記基板が、前記固定防着板の外部であって前記チャンバの内部に配置され、前記蒸着源からの蒸気流は、前記固定防着板に形成してある開口部を通過して、前記基板の表面に照射されるようになっている。
【００１４】
好ましくは、前記固定防着板の開口部には、当該開口部の開度を制御するための移動防着板が装着してある。
【００１５】
好ましくは、前記移動防着板は、前記基板の移動に同期して移動する。
【００１６】
好ましくは、前記開口部の下端縁と前記蒸着源の中心とを結ぶ線と、前記蒸気流の中心軸との成す角度が、鋭角である。その角度は、特に限定されないが、好ましくは、１０〜２０度、さらに好ましくは１５度程度である。
【００１７】
好ましくは、前記蒸気流の中心軸の周囲に複数の基板が配置されるように、前記基板ホルダが配置してある。
【００１８】
本発明に係る蒸着方法は、蒸着用チャンバ内で蒸着処理される少なくとも一つの基板を、蒸着源からの蒸気流の中心軸に対して所定距離離れて略平行に配置し、蒸着処理を行うことを特徴とする。
【００１９】
好ましくは、前記基板を、前記蒸気流の中心軸に沿って平行に移動させながら、蒸着処理を行う。
【００２０】
好ましくは、前記蒸着用チャンバ内に、前記蒸着源からの蒸気流を構成する物質が前記基板以外のチャンバの内壁に付着することを防止するように、固定防着板を配置し、
前記基板を、前記固定防着板の外部であって前記チャンバの内部に配置し、前記蒸着源からの蒸気流を、前記固定防着板に形成してある開口部を通過して、前記基板の表面に照射させる。
【００２１】
好ましくは、前記固定防着板の開口部に、移動防着板を取り付け、
前記基板を移動させながら、その基板の移動に同期させて前記移動防着板を移動させ、前記開口部の開度を制御しながら、蒸着を行う。
【００２２】
好ましくは、前記開口部の下端縁と前記蒸着源の中心とを結ぶ線と、前記蒸気流の中心軸との成す角度が鋭角となるように、前記蒸着源および開口部を配置し、蒸着処理を行う。
【００２３】
好ましくは、前記蒸気流の中心軸の周囲に複数の基板を配置し、蒸着処理を行う。
【００２４】
好ましくは、前記基板における蒸着処理予定表面には、複数の微小凸部が形成してあり、これらの微小凸部の頂部に、蒸着膜を形成する。
【００２５】
好ましくは、前記基板における蒸着処理予定表面には、所定パターンの蒸着マスクが位置決めされ、その蒸着マスクで覆われていない前記基板の表面に蒸着膜を形成する。
【００２６】
【作用】
本発明に係る斜め蒸着装置および斜め蒸着方法によれば、単一のチャンバ内で蒸気流の中心軸の周囲に複数（たとえば２〜６枚、好ましくは４枚）の基板を配置することが可能になり、同時に複数枚の基板の蒸着処理が可能になる。その結果、生産性が向上する。また、このように複数枚の基板に対して同時に蒸着処理を行うことから、蒸着源における蒸着材料の使用効率が、同時処理できる基板の枚数に対応する数の倍数で向上する。その結果、防着板やチャンバ内壁に付着する不要な蒸着材料の量も少なくなり、装置のメンテナンスの頻度を少なくすることができる。さらに、蒸着処理のスループットが向上するために、蒸着装置の電力消費を低減することもできる。
【００２７】
さらに、本発明に係る蒸着装置および蒸着方法では、チャンバの上部において基板を回転させる機構を必要としないため、装置全体のサイズをコンパクト化することができる。
【００２８】
さらにまた、チャンバの内部で、基板は、蒸発流の中心軸と平行な鉛直位置方向に沿って配置されることから、基板が薄い場合でも、基板のたわみを最小限にすることができる。その結果、基板の表面に対して均一な膜厚の蒸着膜を形成することができる。
【００２９】
本発明において、基板を、蒸気流の中心軸に沿って平行に移動させながら、蒸着処理を行うことで、基板の全表面にわたり、蒸着角度が均一な状態で蒸着処理を行うことが可能になり、この点でも、蒸着膜の膜厚も均一になる。なお、本発明において、蒸着角度とは、基板の表面における蒸着膜が形成されるべき所定位置に向けて蒸着源から照射される蒸気流の直線と、基板の基準表面との成す角度である。
【００３０】
また、基板の全表面にわたり、蒸着角度が均一な状態で蒸着処理を行うことが可能になるため、基板の表面に位置決めされて密着されるマスクのパターン設計が容易になると共に、マスクのパターン通りに精度の高い蒸着が可能になる。さらに、マスクの構造もシンプルになり、基板の表面に対する位置決めおよび密着が容易になる。
【００３１】
なお、蒸気流の中心軸は、一般には、チャンバの垂直軸と一致するので、基板を、蒸気流の中心軸に沿って平行に移動自在にすることで、チャンバにおける比較的に低い位置で、基板の受け渡しが可能になる。その結果、チャンバ内への基板の投入高さを、一般的な薄膜形成装置における基板の投入高さと同程度に低くすることができ、基板の搬送が容易になる。
【００３２】
本発明において、基板の移動に同期させて移動防着板を移動させ、開口部の開度を制御しながら、蒸着を行うことで、開口部を通してチャンバの内壁に向かう蒸気流を移動防着板で遮断することができる。その結果、チャンバの内壁に対する不要な蒸着物質の付着を少なくすることができる。
【００３３】
【発明の実施の形態】
以下、本発明を、図面に示す実施形態に基づき説明する。
図１は本発明の一実施形態に係る斜め蒸着装置の概略縦断面図、
図２は図１に示すII−II線に沿う横断面図、
図３は図１に示す基板の動きを示す要部断面図、
図４（Ａ）は本発明の斜め蒸着方法の一例を示す要部断面図、図４（Ｂ）は従来の斜め蒸着方法の一例を示す要部断面図、
図５は本発明の蒸着方法で用いるマスクの平面図、
図６（Ａ）は本発明の斜め蒸着方法の他の例を示す要部断面図、図６（Ｂ）は従来の斜め蒸着方法の他の例を示す要部断面図、
図７は本発明の他の実施形態に係る蒸着装置の概略横断面図である。
【００３４】
図１および図２に示すように、本発明の一実施形態に係る斜め蒸着装置２は、縦長円筒状の真空チャンバ（蒸着用チャンバ）４を有する。真空チャンバ４には、図示省略してある排気装置が接続してあり、チャンバ４の内部において真空蒸着が可能な程度の真空度に成るようにしてある。
【００３５】
この真空チャンバ４の内部には、垂直方向に細長い中空四角柱状の固定防着板１４が配置してある。この固定防着板１４の底部中央部に、蒸着源８が装着してある。蒸着源８は、蒸着物質の発生源であり、たとえば電子ビームにより加熱され、蒸発分子から成る蒸気流Ｆ１を発生するようになっている。本実施形態では、蒸気流Ｆ１の中心軸Ｃ１は、チャンバ４の中心軸および固定防着板１４の中心軸とも一致し、鉛直方向に延びている。
【００３６】
チャンバ４の内部であって、固定防着板４の四方外周上部には、中心軸Ｃ１と略平行に４つの基板ホルダ１２が配置してある。基板ホルダ１２には、それぞれ蒸着処理が成されるべき基板１０が保持してある。基板ホルダ１２は、基板１０と共に、チャンバ４の内部において、図示省略してある第１垂直移動機構により、図３に示すように、中心軸Ｃ１と平行な鉛直方向Ｖ１に往復移動可能になっている。第１垂直移動機構としては、特に限定されず、駆動モータ、駆動アクチュエータ、駆動リンク、駆動ワイヤなどが用いられる。４つの基板ホルダ１２は、全て同期して移動し、同じ垂直方向位置を保持するようになっている。
【００３７】
固定防着板１４には、その上部四方に４つの開口部１６が形成してある。各開口部１６の横幅は、図２に示すように、蒸着源８からの蒸気流Ｆ１が基板１０における蒸着予定表面の全域を照射し、且つチャンバ４の内壁に向かわないように決定される。また、各開口部１６の下端縁１６ａは、図１に示すように、基板１０が基板ホルダ１２と共に、チャンバ４の内部で鉛直方向の最上部に位置する状態で、蒸着源８からの蒸気流Ｆ１が、基板１０における蒸着予定表面の最下端までを照射し、且つチャンバ４の内壁に向かわないように決定される。また、各開口部１６の下端縁１６ａは、その下端縁１６ａと蒸着源８の中心とを結ぶ線と、蒸気流Ｆ１の中心軸Ｃ１との成す角度θ１が、約１５度となるように決定される。なお、基板１０の表面から蒸着源８の中心までの水平距離Ｈ１（図３に示す）は、特に限定されないが、本実施形態では、２００〜８００mm、好ましくは５００mm前後である。
【００３８】
また、各開口部１６の上端縁１６ｂは、基板１０が基板ホルダ１２と共に、チャンバ４の内部で鉛直方向の最上部に位置する状態で、蒸着源８からの蒸気流Ｆ１が、基板１０における蒸着予定表面の最上端までを照射し、且つチャンバ４の内壁に向かわないように決定される。
【００３９】
各開口部１６には、移動防着板１８が、図３に示すように、固定防着板１４に対して鉛直方向Ｖ２に沿って往復移動自在に装着してある。各移動防着板１８は、基板ホルダ１２を垂直方向Ｖ１に沿って移動させるための第１垂直移動機構と同様な第２垂直移動機構（図示省略）により駆動される。これらの第１垂直移動機構と第２垂直移動機構とは、電気的あるいは機械的に接続され、同期して駆動されることが可能になっている。
【００４０】
すなわち、図３に示すように、基板１０が基板ホルダ１２と共に、垂直方向Ｖ１に移動する動作に同期して、移動防着板１８も、垂直方向Ｖ２に移動し、開口部１６の開口度を制御し、蒸着源８からの蒸気流Ｆ１が基板１０の表面から外れてチャンバ４の内壁に向かわないようにしてある。
これらの固定防着板１４および移動防着板１８は、チャンバ４の内壁に対する不要な蒸着物質の付着を少なくする目的で装着される。
【００４１】
図１および図２に示すように、真空チャンバ４の鉛直方向の途中位置には、ロードロック室６が接続してある。ロードロック室６とチャンバ４との接続部分には、開閉自在な扉またはシャッタが具備してあり、扉またはシャッタが開いた状態で、チャンバ４とロードロック室６との間で、基板１０および基板ホルダ１２の出し入れが可能になっている。また、チャンバ４内で蒸着処理が行われる場合には、扉またはシャッタが閉まり、チャンバ４の内部が密封されるようになっている。ロードロック室６には、外部との間で基板１０およびホルダ１２の出し入れが可能な扉またはシャッタが装着してある。
【００４２】
チャンバ４に対してロードロック室６が取り付けられる鉛直方向位置は、チャンバ４の内部において、基板１０および基板ホルダ１２が第１垂直移動機構により最下限位置にまで移動した状態で、その第１垂直移動機構から基板１０および基板ホルダ１２をロードロック室６との間で受け渡しが可能となる位置である。なお、基板１０の表面に金属製の蒸着マスクが取り付けられた状態で、蒸着が行われる場合には、そのマスクは、ロードロック室６の内部で基板の表面に位置決めされて取り付けられることが好ましい。
【００４３】
ロードロック室６とチャンバ４との間での基板１０および基板ホルダ１２の受け渡しは、ロボットハンドあるいはその他の機構により自動的に行われることが好ましい。また、チャンバ４の内部で四方に配置される４枚の基板１０（基板ホルダを含む）の受け渡しを、単一のロードロック室６で行うために、固定防着板１４を、移動防着板１８および基板ホルダ１２と共に、中心軸Ｃ１の回りにインデックス回転させるインデックス回転機構がチャンバ４に装着してあることが好ましい。
【００４４】
なお、本発明では、図７に示すように、チャンバ４の周囲に二つのロードロック室６を接続し、一方のロードロック室６で基板１０の排出を行い、他方のロードロック室６で基板１０の投入を行うことで、基板の投入および排出を同時に行うこともできる。
【００４５】
本実施形態に係る斜め蒸着装置２を用いて蒸着を行えば、単一のチャンバ４内で同時に４枚の基板１０の蒸着処理が可能になる。その結果、生産性が向上する。また、このように４枚の基板１０に対して同時に蒸着処理を行うことから、蒸着源８における蒸着材料の使用効率が、同時処理できる基板１０の枚数に対応する数の４倍で向上する。その結果、防着板１４，１８やチャンバ４の内壁に付着する不要な蒸着材料の量も少なくなり、装置２のメンテナンスの頻度を少なくすることができる。さらに、蒸着処理のスループットが向上するために、蒸着装置２の電力消費を低減することもできる。
【００４６】
この蒸着装置２を用いる蒸着方法では、チャンバ４の上部において基板を回転させる機構を必要としないため、装置２全体のサイズをコンパクト化することができる。
【００４７】
また、チャンバ４の内部で、基板１０は、蒸発流の中心軸Ｃ１と平行な鉛直位置方向Ｖ１に沿って配置されることから、基板１０が薄い場合でも、基板１０のたわみを最小限にすることができる。その結果、基板１０の表面に対して均一な膜厚の蒸着膜を形成することができる。
【００４８】
また、本実施形態では、４枚の基板１０を、蒸気流Ｆ１の中心軸Ｃ１に沿って平行に移動させながら、蒸着処理を行うので、基板１０の全表面にわたり、図４（Ａ）に示すように、蒸着角度θ２が均一な状態で蒸着処理を行うことが可能になり、この点でも、蒸着膜の膜厚も均一になる。なお、蒸着角度θ２とは、基板１０の表面における蒸着膜が形成されるべき所定位置に向けて蒸着源８から照射される蒸気流Ｆ１の直線と、基板１０の基準表面との成す角度である。
【００４９】
また、基板１０の全表面にわたり、蒸着角度θ２が均一な状態で蒸着処理を行うことが可能になるため、図４（Ａ）に示すように、基板１０の表面に位置決めされて密着されるマスク３０のパターン設計が容易になると共に、たとえば図５に示すマスク３０のパターン通りに精度の高い蒸着が可能になる。さらに、マスク３０の構造もシンプルになり、基板１０の表面に対するマスク３０の位置決めおよび密着が容易になる。
【００５０】
なお、従来では、特に大型基板では、図４（Ｂ）に示すように、基板１０の位置により、蒸着角度θ２およびθ３が異なることから、マスク３０により蒸発流Ｆ１の影になる部分の長さＳ１，Ｓ２が異なり、その点を考慮してマスク３０のパターンを設計する必要があった。また、従来の方法では、蒸発流Ｆ１の影になる部分の長さＳ１，Ｓ２を可能な限り同じにするためには、マスク３０の厚みをできる限り薄くする必要があり、マスク３０の強度が不足し、基板１０への密着が困難であった。基板１０の表面に対するマスク３０の密着が不完全であると、正確なパターンでの蒸着が不可能になる。
【００５１】
これに対して本実施形態によれば、図４（Ａ）に示すように、特に大型基板であっても、基板１０の位置により、蒸着角度θ２が同じになることから、マスク３０により蒸発流Ｆ１の影になる部分の長さＳ１が同じになり、マスク３０のパターンの設計が容易になる。また、本実施形態の方法では、蒸発流Ｆ１の影になる部分の長さＳ１が基板表面の位置によらず同じになるため、マスク３０の厚みを十分に厚く設計するすることが可能になり、マスクの強度が十分なものとなり、基板１０への密着および位置決めが容易になる。
【００５２】
また、本実施形態の蒸着装置２を用いて、マスク３０を用いずに、図６（Ａ）に示すように、基板１０における蒸着処理予定表面に形成された複数の微小凸部１０ａの頂部に、蒸着膜を２０を形成する場合には、基板１０の表面位置によらず、均一なパターンで、蒸着膜２０を形成することが可能になる。
【００５３】
これに対して、従来の方法では、蒸着角度が基板表面の位置で変わることから、図６（Ｂ）に示すように、複数の微小凸部１０ａの頂部に、均一なパターンで、蒸着膜２０ａを形成することが困難であった。
【００５４】
また、本実施形態の蒸着装置２では、ロードロック室６を、チャンバ４における比較的に低い位置でチャンバ４に接続してあるので、チャンバ４内への基板の投入高さを、一般的な薄膜形成装置における基板の投入高さと同程度に低くすることができ、基板１０の搬送が容易になる。
【００５５】
さらに、本実施形態の装置２では、基板１０の表面に形成される蒸着膜の膜厚は、基板１０および基板ホルダ１２の鉛直方向Ｖ１の往復移動の移動速度および回数などに応じて制御することもできる。
【００５６】
なお、本発明は、上述した実施形態に限定されるものではなく、本発明の範囲内で種々に改変することができる。
たとえば、上述した実施形態では、チャンバ４の内部に、４枚の基板１０を配置してあるが、基板の枚数は、特に限定されず、２枚〜８枚であっても良い。
【００５７】
【発明の効果】
以上説明してきたように、本発明によれば、特に大型で薄型の基板であっても、膜厚分布および蒸着角度分布が均一となるように蒸着膜を形成することができ、しかも同時に複数枚の基板に対して蒸着処理が可能であり、生産性に優れ、さらに装置の小型化を図ることができ、メンテナンス性にも優れた斜め蒸着装置および斜め蒸着方法を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】  図１は本発明の一実施形態に係る斜め蒸着装置の概略縦断面図である。
【図２】  図２は図１に示すII−II線に沿う横断面図である。
【図３】  図３は図１に示す基板の動きを示す要部断面図である。
【図４】  図４（Ａ）は本発明の斜め蒸着方法の一例を示す要部断面図、図４（Ｂ）は従来の斜め蒸着方法の一例を示す要部断面図である。
【図５】  図５は本発明の蒸着方法で用いるマスクの平面図である。
【図６】  図６（Ａ）は本発明の斜め蒸着方法の他の例を示す要部断面図、図６（Ｂ）は従来の斜め蒸着方法の他の例を示す要部断面図である。
【図７】  図７は本発明の他の実施形態に係る蒸着装置の概略横断面図である。
【符号の説明】
２…  斜め蒸着装置
４…  チャンバ
６…  ロードロック室
８…  蒸着源
１０…  基板
１０ａ…  微小凸部
１２…  基板ホルダ
１４…  固定防着板
１６…  開口部
２０…  蒸着膜
３０…  マスク
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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