(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
処理液を用いて基板処理を行うモジュールに対し前記処理液を供給する処理液供給システムにおいて、
処理液が収容された処理液供給源と、前記処理液供給源から供給される処理液を充填し前記モジュールに処理液を送出するための処理液貯留タンクと、前記処理液貯留タンク内の処理液を振動させると共に、前記排出管を振動させる処理液貯留タンク加振手段と、前記処理液貯留タンクに接続され該処理液貯留タンク内の処理液から発泡した気体を排出するための排出管と、前記排出管の途中に設けられ該排出管を開閉制御するバルブと、前記排出管において前記処理液貯留タンクと前記バルブとの間を通過する気体を検出する気体検出手段とを備え、
前記処理液貯留タンク加振手段により、前記処理液貯留タンク内の処理液を振動させ、発泡させると共に、前記排出管を振動させ、該排出管内の処理液を処理液貯留タンク内に逆流させることにより、処理液から発泡した気体を前記排出管に移動させ、
前記排出管に移動した気体を前記気体検出手段が検出すると、前記バルブを開いて気体を排出管から排出することを特徴とする処理液供給システム。
【請求項２】
処理液を用いて基板処理を行うモジュールに対し前記処理液を供給する処理液供給システムにおいて、
処理液が収容された処理液供給源と、前記処理液供給源から供給される処理液を充填し前記モジュールに処理液を送出するための処理液貯留タンクと、前記処理液貯留タンク内の処理液を振動させる処理液貯留タンク加振手段と、前記処理液貯留タンクに接続され該処理液貯留タンク内の処理液から発泡した気体を排出するための排出管と、前記排出管の途中に設けられ該排出管を開閉制御するバルブと、前記排出管において前記処理液貯留タンクと前記バルブとの間を通過する気体を検出する気体検出手段と、前記排出管を振動させる排出管加振手段と、を備え、
前記処理液貯留タンク加振手段により前記処理液を振動させ発泡させると共に、前記排出管加振手段により前記排出管を振動させ、該排出管内の処理液を前記処理液貯留タンク内に逆流させることにより、処理液から発泡した気体を前記排出管に移動させることを特徴とする処理液供給システム。
【請求項３】
前記処理液貯留タンク内の天井面は傾斜面に形成され、該傾斜面の最上部に前記排出管が接続されていることを特徴とする請求項１または請求項２に記載された処理液供給システム。
【請求項４】
処理液を用いて基板処理を行うモジュールに対し前記処理液を供給する処理液供給方法において、
処理液が収容された処理液供給源から供給される処理液を、処理液貯留タンクに充填するステップと、
前記処理液貯留タンク内の処理液を振動させ、処理液に溶存する気体を発泡させるステップと、
前記処理液貯留タンクに接続された排出管を振動させて該排出管内の処理液を処理液貯留タンク内に逆流させ、前記処理液の振動により発泡した気体を排出管に移動させるステップと、
前記排出管内に移動した気体を検出するステップと、
前記排出管内を開閉制御するバルブを開き、前記気体を排出するステップとを実行することを特徴とする処理液供給方法。
【請求項５】
前記請求項４に記載された処理液供給方法をコンピュータに実行させるためのプログラム。
【請求項６】
前記請求項５に記載のプログラムを記録したコンピュータ読み取り可能な記録媒体。 
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板に処理液を用いた処理を行うモジュールに対して前記処理液を供給する処理液供給システム、処理液供給方法、処理液供給プログラム及びそのプログラムを記録したコンピュータ読み取り可能な記録媒体に関する。
【背景技術】
【０００２】
例えば半導体等の電子デバイス製造工程のうち、フォトリソグラフィ工程においては、ウエハ等の基板へのレジスト液（以下、レジストと呼ぶ）の塗布や現像処理を行なうユニット装置であるレジスト塗布現像装置と、レジストが塗布された基板に露光処理を行なう露光機とが組み合わされて、インライン処理を行なっている。具体的には、例えば基板は主な工程として、洗浄処理→脱水ベーク→アドヒージョン（疎水化）処理→レジスト塗布→プリベーク→露光処理→現像前ベーク→現像→ポストベークという一連の処理を経てレジスト層に所定の回路パターンが形成される。尚、このようなフォトリソグラフィ工程におけるインライン処理については、特許文献１に記載されている。
【特許文献１】特開２０００−２３５９４９号公報
【０００３】
ところで、このようにフォトリソグラフィ工程を行うレジスト塗布現像装置においては、図８に示すように例えばタンク５０に収容された処理液としてのレジストＲを窒素ガスＮ2により加圧してタンク外に送り出し、基板処理を行うモジュールに供給している。
【０００４】
このような処理液供給機構（ディスペンス機構と呼ぶ）にあっては、窒素ガスＮ2による加圧の際、窒素ガスＮ2とレジストＲとが直接接触するためにレジストＲ内に窒素ガスＮ2が溶け込み易く、それが基板処理における不具合発生の原因となっていた。
即ち、窒素ガスＮ2が溶け込んだレジストＲが各基板処理モジュールに供給される際、レジストＲ内に溶存している窒素ガスＮ2が配管内の負圧によりマイクロバブルとして発泡する場合があった。そして、そのようなレジストＲが基板に塗布されると、塗布むら等の欠陥が生じるという問題があった。
【０００５】
このような問題を解決するため従来は、窒素ガスＮ2によるタンク５０内の加圧の前に予めタンク５０内を吸引手段（図示せず）により減圧し、レジストＲ中に溶存する窒素ガスＮ2を強制的に発泡させて除去する処理が行われている。
しかしながら、このような手段によっても加圧の段階で窒素ガスＮ2が新たにレジストＲ中に多量に入り込むことには変わりがなく、配管経路中において発泡する虞が大きかった。
【０００６】
このため、近年においては、図９に示すように、外側容器５１ａの中にレジストＲを収容した袋容器５１ｂが設けられた構造のタンク５１が多く用いられている。図示するように、加圧のための窒素ガスＮ2は外側容器５１ａの中であって袋容器５１ｂの外側の空間に供給される。袋容器５１ｂ内部とその外側の空間とは非接触状態になされる。
【０００７】
この構成において、外側容器５１ａに窒素ガスＮ2が供給され容器内の圧が上昇すると、袋容器５１ｂが圧縮され内部のレジストＲが外に押し出される。即ち、この構成では、窒素ガスＮ2とレジストＲとが接触することがないため、レジストＲ内へ窒素ガスＮ2が新たに混入することがない。したがって、レジストＲに溶存した窒素ガスＮ2が負圧により発泡するという課題を解決することができる。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
前記のようにレジストＲを収容した袋容器を加圧してレジスト供給する場合、窒素ガスＮ2のレジストＲへの新たな混入を防止することができる。
しかしながら、袋容器５１ｂに収容されたレジストＲであっても、窒素ガスＮ2等の気体が微量に溶存しているため、基板処理モジュールまでの配管経路においてフィルタ等の通過時にレジストＲが振動し、これにより、その溶存している気体が発泡する場合があった。
【０００９】
このため、袋容器５１ｂに収容されたレジストＲであっても、中に溶存する気体を除去するのが望ましいが、図９に示すようなタンク構成にあっては、吸引手段によりタンク５１内を減圧する方法では気体を除去することが出来ない。
そこで従来、配管経路中で発泡した気体を排出するためのバルブ（弁）を多数設け、定期的にそれらのバルブを開いて、気泡を含むレジスト等の薬液を定量排出する構成が用いられているが、装置が複雑化すると共に薬液を無駄に廃液するため、掛かるコストが高くなるという課題があった。
【００１０】
本発明は、前記したような事情の下になされたものであり、処理液を用いて基板処理を行うモジュールに対し処理液を供給する処理液供給システムにおいて、処理液に溶存する気体を容易に除去することができ、且つ、掛かるコストを低減することのできる処理液供給システム、処理液供給方法、処理液供給プログラム及びそのプログラムを記録したコンピュータ読み取り可能な記録媒体を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
前記課題を解決するために、本発明にかかる処理液供給システムは、処理液を用いて基板処理を行うモジュールに対し前記処理液を供給する処理液供給システムにおいて、処理液が収容された処理液供給源と、前記処理液供給源から供給される処理液を充填し前記モジュールに処理液を送出するための処理液貯留タンクと、前記処理液貯留タンク内の処理液を振動させると共に、前記排出管を振動させる処理液貯留タンク加振手段と、前記処理液貯留タンクに接続され該処理液貯留タンク内の処理液から発泡した気体を排出するための排出管と、前記排出管の途中に設けられ該排出管を開閉制御するバルブと、前記排出管において前記処理液貯留タンクと前記バルブとの間を通過する気体を検出する気体検出手段とを備え、前記処理液貯留タンク加振手段により、前記処理液貯留タンク内の処理液を振動させ、発泡させると共に、前記排出管を振動させ、該排出管内の処理液を処理液貯留タンク内に逆流させることにより、処理液から発泡した気体を前記排出管に移動させ、前記排出管に移動した気体を前記気体検出手段が検出すると、前記バルブを開いて気体を排出管から排出することに特徴を有する。
【００１２】
このような構成によれば、処理液貯留タンク内に充填した処理液を振動させて処理液に溶存していた気体を強制的に発泡させ、その気体を検出して排出するよう制御がなされる。これにより、処理液貯留タンクから基板処理モジュールまでの配管経路においては、負圧が生じても発泡することのない、気体が略取り除かれた処理液を供給することができる。
したがって、従来のように配管経路中に気体排出のためのバルブを多数設ける必要がないため、装置が複雑化することがない。また、気体を検出した際に、気泡を含む処理液を排出する構成であるため、気泡を含む処理液を定期的に定量排出する従来の構成よりも処理液の無駄な廃液をなくすことができ、掛かるコストを低減することができる。
特に、前記処理液貯留タンク加振手段により、前記処理液を振動させると共に前記排出管を振動させ、該排出管内の処理液を処理液貯留タンク内に逆流させることにより、発泡した気体を効率的に排出管に導くことができ、気体検出手段により容易に気体を検出することができる。
【００１３】
また、前記課題を解決するために、本発明にかかる処理液供給システムは、処理液を用いて基板処理を行うモジュールに対し前記処理液を供給する処理液供給システムにおいて、  処理液が収容された処理液供給源と、前記処理液供給源から供給される処理液を充填し前記モジュールに処理液を送出するための処理液貯留タンクと、前記処理液貯留タンク内の処理液を振動させる処理液貯留タンク加振手段と、前記処理液貯留タンクに接続され該処理液貯留タンク内の処理液から発泡した気体を排出するための排出管と、前記排出管の途中に設けられ該排出管を開閉制御するバルブと、前記排出管において前記処理液貯留タンクと前記バルブとの間を通過する気体を検出する気体検出手段と、前記排出管を振動させる排出管加振手段と、を備え、前記処理液貯留タンク加振手段により前記処理液を振動させ発泡させると共に、前記排出管加振手段により前記排出管を振動させ、該排出管内の処理液を前記処理液貯留タンク内に逆流させることにより、処理液から発泡した気体を前記排出管に移動させることに特徴を有する。
このように、前記排出管を振動させる排出管加振手段を備え、前記処理液貯留タンク加振手段により前記処理液を振動させると共に前記排出管加振手段により前記排出管を振動させ、該排出管内の処理液を前記処理液貯留タンク内に逆流させることにより、処理液から発泡した気体を前記排出管に移動させるようにしてもよい。
このような構成によっても、発泡した気体を効率的に排出管に導くことができ、気体検出手段により容易に気体を検出することができる。
【００１４】
また、前記処理液貯留タンク内の天井面は傾斜面に形成され、該傾斜面の最上部に前記排出管が接続されていることが好ましい。
このように構成することにより、処理液貯留タンク内で発泡した気体を、より容易に排出管に導くことができる。
【００１５】
また、前記課題を解決するために、本発明にかかる処理液供給方法は、処理液を用いて基板処理を行うモジュールに対し前記処理液を供給する処理液供給方法において、処理液が収容された処理液供給源から供給される処理液を、処理液貯留タンクに充填するステップと、前記処理液貯留タンク内の処理液を振動させ、処理液に溶存する気体を発泡させるステップと、前記処理液貯留タンクに接続された排出管を振動させて該排出管内の処理液を処理液貯留タンク内に逆流させ、前記処理液の振動により発泡した気体を排出管に移動させるステップと、前記排出管内に移動した気体を検出するステップと、前記排出管内を開閉制御するバルブを開き、前記気体を排出するステップとを実行することに特徴を有する。
【００１６】
このような方法によれば、処理液貯留タンクから基板処理モジュールまでの配管経路においては、負圧が生じても発泡することのない、気体が略取り除かれた処理液を供給することができる。
したがって、従来のように配管経路中に気体排出のためのバルブを多数設ける必要がないため、装置が複雑化することがない。また、気体を検出した際に、気泡を含む処理液を排出するため、気泡を含む処理液を定期的に定量排出する従来の方法よりも処理液の無駄な廃液をなくすことができ、掛かるコストを低減することができる。
【発明の効果】
【００１７】
本発明によれば、処理液を用いて基板処理を行うモジュールに対し処理液を供給する処理液供給システムにおいて、処理液に溶存する気体を容易に除去することができ、且つ、掛かるコストを低減することのできる処理液供給システム、処理液供給方法、処理液供給プログラム及びそのプログラムを記録したコンピュータ読み取り可能な記録媒体を得ることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１８】
以下、本発明にかかる実施の形態につき、図に基づいて説明する。図１は、本発明の処理液供給システム及び処理液供給方法が適用されるレジスト塗布現像装置の全体構成を示す斜視図、図２はその平面図である。先ず、このレジスト塗布現像装置１００の説明をする。レジスト塗布現像装置１００において、図中Ｂ１は、基板であるウエハＷが例えば１３枚密閉収納されたキャリアＣ１を搬入出するためのキャリア載置部であり、キャリアＣ１を複数個載置可能な載置部９０ａを備えたキャリアステーション９０と、このキャリアステーション９０から見て前方の壁面に設けられる開閉部９１と、開閉部９１を介してキャリアＣ１からウエハＷを取り出すための受け渡し手段Ａ１とが設けられている。
【００１９】
キャリア載置部Ｂ１の奥側には筐体９２にて周囲を囲まれる処理部Ｂ２が接続されており、この処理部Ｂ２には手前側から順に加熱・冷却系のユニットを多段化した棚ユニットＵ１，Ｕ２，Ｕ３と、後述する塗布・現像ユニットを含む各処理ユニット間のウエハＷの受け渡しを行う主搬送手段Ａ２，Ａ３とが交互に配列して設けられている。即ち、棚ユニットＵ１，Ｕ２，Ｕ３及び主搬送手段Ａ２、Ａ３はキャリア載置部Ｂ１側から見て前後一列に配列されると共に、各々の接続部位には図示しないウエハ搬送用の開口部が形成されており、ウエハＷは処理部Ｂ２内を一端側の棚ユニットＵ１から他端側の棚ユニットＵ３まで自由に移動できるようになっている。
【００２０】
また主搬送手段Ａ２は、棚ユニットＵ１、Ｕ２の間であって、液処理ユニットＵ４と区画壁９３との間の空間に置かれ、主搬送手段Ａ３は、棚ユニットＵ２、Ｕ３の間であって、液処理ユニットＵ５と区画壁９３との間の空間に置かれている。
【００２１】
また、液処理ユニットＵ４，Ｕ５は、レジスト液や現像液といった薬液（処理液）の供給機構であるケミカルユニットＣＵ用のスペースをなす収納部９６の上に、基板処理モジュールである塗布ユニットＣＯＴ、現像ユニットＤＥＶ及び反射防止膜形成ユニットＢＡＲＣ等を複数段例えば５段に積層した構成とされている。そして、キャリア載置部Ｂ１から見て液処理ユニットＵ４，Ｕ５の前後には、各ユニットで用いられる薬液の温度調節装置や温湿度調節用のダクト、各ユニットへ薬液を供給するポンプ等を有するディスペンスユニットＤＵ等を備えた収納部９４、９５が設けられている。
即ち、ウエハ処理を行う各ユニット（基板処理モジュール）へ薬液（処理液）を供給する際には、ケミカルユニットＣＵから薬液が各ユニットに対応するディスペンスユニットＤＵに送出され、各ディスペンスユニットＤＵのポンプ動作により各ユニットに薬液供給されるよう構成されている。
【００２２】
また上述の棚ユニットＵ１，Ｕ２，Ｕ３は、液処理ユニットＵ４，Ｕ５にて行われる処理の前処理及び後処理を行うための各種ユニットを複数段例えば１０段に積層した構成とされており、ウエハＷを加熱（ベーク）する加熱ユニット、ウエハＷを冷却する冷却ユニット等が含まれる。
【００２３】
処理部Ｂ２における棚ユニットＵ３の奥側には、例えば第１の搬送室９７及び第２の搬送室９８からなるインターフェイス部Ｂ３を介して露光部Ｂ４が接続されている。インターフェイス部Ｂ３の内部には図２に示すように処理部Ｂ２と露光部Ｂ４との間でウエハＷの受け渡しを行うための２つの受け渡し手段Ａ４、Ａ５の他、棚ユニットＵ６及びバッファキャリアＣ０が設けられている。
【００２４】
この装置におけるウエハＷの流れについて一例を示すと、先ず外部からウエハＷの収納されたキャリアＣ１が載置台９０に載置され、開閉部９１と共にキャリアＣ１の蓋体が外されて受け渡し手段Ａ１によりウエハＷが取り出される。そしてウエハＷは棚ユニットＵ１の一段をなす受け渡しユニット（図示せず）を介して主搬送手段Ａ２へと受け渡され、棚ユニットＵ１〜Ｕ３内の一の棚にて、塗布処理の前処理として例えば反射防止膜形成処理、冷却処理が行われ、しかる後塗布ユニットＣＯＴにてレジスト液が塗布される。
【００２５】
次いでウエハＷは棚ユニットＵ１〜Ｕ３の一の棚をなす加熱ユニットで加熱（ベーク処理）され、更に冷却された後棚ユニットＵ３の受け渡しユニットを経由してインターフェイス部Ｂ３へと搬入される。このインターフェイス部Ｂ３においてウエハＷは例えば受け渡し手段Ａ４→棚ユニットＵ６→受け渡し手段Ａ５という経路で露光部Ｂ４へ搬送され、露光が行われる。露光後、ウエハＷは逆の経路で主搬送手段Ａ２まで搬送され、現像ユニットＤＥＶにて現像されることでレジストマスクが形成される。しかる後ウエハＷは載置台９０上の元のキャリアＣ１へと戻される。
【００２６】
続いて、前記レジスト塗布現像装置１００において薬液（処理液）を各基板処理モジュールに供給する本発明の処理液供給システムの構成について、基板処理モジュールである塗布ユニットＣＯＴへのレジスト供給を例に説明する。
【００２７】
図３は、本発明の処理液供給システムとして、例えばレジストのディスペンス機構を模式的に示すブロック図であり、塗布ユニットＣＯＴに準備される複数種類（複数系統）のレジストのうち、１系統の配管ラインを示している。
図３に示すこのディスペンス機構１は、前記したようにレジストの供給機構であるケミカルユニットＣＵと、それからレジストが分配されて供給される複数のディスペンスユニットＤＵと、それらケミカルユニットＣＵ及びディスペンスユニットＤＵにおけるバルブ制御等を行う制御部１０とで構成されている。
前記ディスペンスユニットＤＵは、多段に重ねられた塗布ユニットＣＯＴ等のユニット台数と同数設けられ、それぞれ１対１に対応するようになされている。
【００２８】
ケミカルユニットＣＵは、レジストＲの供給源となるボトル２０（処理液供給源）と、レジストＲを一時貯留してバッファリングすることによりボトル２０内のレジストＲが残存しているか否かを検出する検出手段を有する処理液貯留タンクとしてのＬ／Ｅ（リキッドエンド）タンク２１と、レジストＲのフィルタリングを行うフィルタ２２と、複数のバルブＶ１〜Ｖ３等により構成される。
【００２９】
ボトル２０は、好ましくは図９に示した構造のようにボトル状の外側容器２０ａの中に袋容器２０ｂが設けられ、袋容器２０ｂの中にレジストＲが収納された構造となされている。これにより、ボトル２０におけるレジストＲへの新たな気体の入り込みを防止することができる。
また、Ｌ／Ｅタンク２１には、タンク２０と、フィルタ２２とに夫々接続するための経路配管の他、気泡を含むレジストＲを排出するためのドレイン配管３０が接続されている。
【００３０】
また、バルブＶ１はＬ／Ｅタンク２１からの排出管であるドレイン配管３０の途中に設けられ、バルブＶ２はフィルタ２２からのドレイン配管３１の途中に設けられている。即ち、これらバルブＶ１、Ｖ２は、Ｌ／Ｅタンク２１及びフィルタ２２でレジストＲ内に溶存している気体（窒素ガスＮ2等）が発泡した場合に、それを排出するためのバルブである。また、バルブＶ３はフィルタ２２の後であって、各ディスペンスユニットＤＵにレジスト供給するための始端部に設けられている。
【００３１】
また、ドレイン配管３０においてＬ／Ｅタンク２１とバルブＶ１との間には、ドレイン配管中に流れるレジスト中の気泡を、例えば光照射に対する反射光により検出する気泡検出器２３（気体検出手段）が設けられている。さらにＬ／Ｅタンク２１には、内部に収容されたレジストを振動させる加振器２４（処理液貯留タンク加振手段）が設けられている。
【００３２】
ケミカルユニットＣＵにおいては、制御部１０の制御により、図示しない加圧手段がボトル２０内に窒素ガスＮ2を供給するとボトル内の圧が上昇するようになされる。そして、ボトル内が加圧されるとボトル内部からレジストＲが圧出（圧送）され、レジストＲがＬ／Ｅタンク２１に供給されるようになされている。
また、Ｌ／Ｅタンク２１に順次供給されるレジストＲは、フィルタ２２においてフィルタリングされ、制御部１０の制御によりバルブＶ３が開弁されることで、各ディスペンスユニットＤＵにレジストＲを供給するように構成されている。
【００３３】
一方、複数のディスペンスユニットＤＵは、夫々、例えば定圧ポンプ４０やバルブＶ４、Ｖ５等を備えており、制御部１０の制御によりケミカルユニットＣＵのバルブＶ３が開かれた状態で、定圧ポンプ４０にレジストＲが補充されるようになされている。
また、この例の場合、塗布ユニットＣＯＴにレジストＲを供給する際には、バルブＶ５が開かれた状態で定圧ポンプ４０からレジストＲがノズルに向けて送出されるよう構成されている。尚、バルブＶ４は、ポンプ４０において発泡した気体を排出するために設けられている。
【００３４】
尚、前記した制御部１０は、図示しない記憶部を備え、この記憶部には、ケミカルユニットＣＵ及びディスペンスユニットＤＵにおける動作が予め決められたソフトウエアからなる処理液供給プログラムが格納されている。
そして、制御部１０は当該プログラムを読み出し、後述の気体除去処理が実施されるよう制御を行う。尚、このプログラムは、例えばハードディスク、コンパクトディスク、マグネットオプティカルディスク、メモリーカードなどの記録媒体に記録され収納された状態で制御部１０の記憶部に格納される。
【００３５】
続いて、このように構成されたディスペンス機構１において、制御部１０の動作制御により、レジスト供給時にレジストＲから気体を除去する工程について図４のフローに基づき、図５の工程図を用いながら説明する。
例えば塗布ユニットＣＯＴにレジストを供給する際には、先ず、タンク２０を窒素ガスＮ2により加圧し、Ｌ／Ｅタンク２１にレジストＲを圧送して図５（ａ）に示すようにＬ／Ｅタンク２１内にレジストＲを貯留する（図４のステップＳ１）。
【００３６】
Ｌ／Ｅタンク２１内にレジストＲが充填された状態になると、制御部１０は加振器２４によりＬ／Ｅタンク２１の容器全体を振動させ、これにより内部に貯留されたレジストＲを振動させる（図４のステップＳ２）。
Ｌ／Ｅタンク２１内のレジストＲが振動すると、図５（ｂ）に示すようにレジストＲで気体が発泡し、気泡Ｂａとなって上昇し、Ｌ／Ｅタンク２１内上部に気体が集結する。
【００３７】
一方、加振器２４によりドレイン配管３０も振動するようになされ、その振動によりドレイン配管３０内のレジストＲがＬ／Ｅタンク２１内に逆流する（流れ落ちる）と共に、Ｌ／Ｅタンク２１内上部に集結していた気体が、流れ落ちたレジストＲと入れ替わりにドレイン配管３０に導かれる（図４のステップＳ３）。
尚、図５に示すようにＬ／Ｅタンク２１内の天井面が傾斜面に形成され、その傾斜面の最上部にドレイン配管３０が接続されていることにより、より容易に気体がドレイン配管３０に導かれる。また、このステップＳ３におけるドレイン配管３０の振動は、前記のように加振器２４によりなされてもよいが、他の加振器（排出管加振手段）を設けて、確実にドレイン配管３０を振動させるよう構成してもよい。
【００３８】
そして、ドレイン配管３０に移動した気体がドレイン配管３０に設けられた気泡検出器２３によって検出されると（図４のステップＳ４）、制御部１０はバルブＶ１を開き、図５（ｃ）に示すようにドレイン配管３０からその気体（気泡を含むレジストＲ）をすべて排出する（図４のステップＳ５）。
【００３９】
そして、気泡検出器２３によって気体が検出されなくなると（図４のステップＳ６）、所定時間経過後（図４のステップＳ７）、制御部１０はバルブＶ１を閉じ、気体の排出を終了する（図４のステップＳ８）。尚、ステップＳ７において、所定時間経過させることにより、気泡を完全に排出し気泡のＬ／Ｅタンク２１内への再溶け込みを防止することができる。ステップＳ７において経過待ちする所定時間は、気泡検出器２３とバルブＶ１間の配管長やレジストＲの加圧状態を考慮し、例えば０．１〜３．０秒の時間に設定される。
また、ステップＳ８の後、加振器２４（及び排出管加振手段）の振動動作は、継続して行ってもよいし、或いは定期的に所定時間行うように制御してもよい。
また、Ｌ／Ｅタンク２１において、溶存していた気体が略除去されたレジストＲは、その後、フィルタ２２によりフィルタリングされ、バルブＶ３を通過して各ディスペンスユニットＤＵに供給される。
【００４０】
以上のように、本発明にかかる実施の形態によれば、Ｌ／Ｅタンク２１内に充填したレジストＲを振動させてレジストＲに溶存していた気体を強制的に発泡させ、さらにドレイン配管３０を振動させて前記気体を排出管に導き、その気体を検出して排出するよう制御がなされる。これにより、Ｌ／Ｅタンク２１から塗布ユニットＣＯＴまでの配管経路においては、負圧が生じても発泡することのない、気体が略取り除かれたレジストＲを供給することができる。
したがって、従来のように配管経路中に気体排出のためのバルブを多数設ける必要がないため、装置が複雑化することがない。また、気体を検出した際に、気泡を含む薬液を排出する構成であるため、気泡を含む薬液を定期的に定量排出する従来の構成よりも薬液の無駄な廃液をなくすことができ、掛かるコストを低減することができる。
【００４１】
尚、前記実施の形態において、加振器２４は、図３、図５に示したようにＬ／Ｅタンク２１の側面に設けられた構成としたが、その形態に限定されず、例えば図６に示すように、容器に凹部２１ａを形成し、その凹部２１ａに加振器２４を設ける構成としてもよい。その場合、凹部２１ａを形成する容器壁の厚さ寸法は、凹部２１ａが加振器２４の振動により充分に振動し、レジストＲ（薬液）の全体を振動することのできる寸法に形成されるのが望ましい。
【００４２】
或いは、図７に示すように、加振器２４をＬ／Ｅタンク２１内部に設け、その振動によりＬ／Ｅタンク２１内部のレジストＲ全体を振動させる構成としてもよい。
また、図６、図７に示す構成の場合、加振器２４によりドレイン配管３０を充分に振動させることができない可能性があるため、ドレイン配管３０を振動させるための他の加振器（排出管加振手段）を設けるのが好ましい。
【００４３】
また、前記実施の形態においては、基板に処理液としてレジストを塗布する塗布ユニットＣＯＴにレジストを供給する例を示したが、本発明に係る処理液供給システムは、塗布ユニットＣＯＴにレジストを供給するディスペンス機構だけではなく、他の基板処理モジュールに対して各種処理液を供給するディスペンス機構に対しても適用することができる。
また、タンク２０は、前記したように外側容器２０ａの中にレジストを収容した袋容器２０ｂを設けた構造が好ましいが、本発明においては、その形態に限定されず、例えば図８に示したように窒素ガスＮ2でレジストを直接加圧して圧送する構造にも適用することができる。
【００４４】
また、前記実施の形態においては、基板として半導体ウエハを例としたが、本発明における基板は、半導体ウエハに限らず、ＬＣＤ基板、ＣＤ基板、ガラス基板、フォトマスク、プリント基板等も可能である。
【産業上の利用可能性】
【００４５】
本発明は、半導体ウエハ等の基板を処理するレジスト塗布現像装置等に適用でき、半導体製造業界、電子デバイス製造業界等において好適に用いることができる。
【図面の簡単な説明】
【００４６】
【図１】図１は、本発明の処理液供給システムが適用されるレジスト塗布現像装置の全体構成を示す斜視図である。
【図２】図２は、図１のレジスト塗布現像装置の平面図である。
【図３】図３は、本発明の処理液供給システムが適用されるディスペンス機構を模式的に示すブロック図である。
【図４】図４は、図３のディスペンス機構において、制御部の動作制御による処理液からの気体除去処理工程を示すフローである。
【図５】図５は、図４のフローに対応するＬ／Ｅタンクの状態を示す工程図である。
【図６】図６は、加振器が設けられたＬ／Ｅタンクの他の形態を示す断面図である。
【図７】図７は、加振器が設けられたＬ／Ｅタンクの他の形態を示す断面図である。
【図８】図８は、処理液を収容した従来のタンクにおいて、処理液を圧送する構造を示す断面図である。
【図９】図９は、処理液を収容した従来のタンクにおいて、処理液を圧送する他の構造を示す断面図である。
【符号の説明】
【００４７】
１          ディスペンス機構（処理液供給システム）
１０        制御部
２０        タンク（処理液供給源）
２１        Ｌ／Ｅタンク（処理液貯留タンク）
２２        フィルタ
２３        気泡検出器（気体検出手段）
２４        加振器（処理液貯留タンク加振手段）
３０        ドレイン配管（排出管）
４０        定圧ポンプ
１００      レジスト塗布現像装置
ＣＵ        ケミカルユニット
ＤＵ        ディスペンスユニット
Ｒ          レジスト（処理液）
Ｖ１〜Ｖ５  バルブ
【図１】
0004776429.tif 000002
【図２】
0004776429.tif 000003
【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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