(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁ベース材の両面に導電性金属層を有する両面金属張積層板に導通用孔を形成して導電性物質を付与し、前記導通用孔及びそのランド部を除いてめっきレジスト膜を形成してめっき手法により前記導電性金属層間の導通および回路配線パターンの形成を行った後めっきレジスト膜を剥離除去し、露出された前記導電性金属層を除去して回路配線パターンを電気的に分離することにより回路配線パターンを形成する、貫通スルーホール或いは有底ビアホールによる導通構造を有する回路基板の製造方法において、
前記積層板に対し導電性物質を付与した後、前記導電性物質が付与された両面の導電性金属層に対し、前記導通用孔及びそのランド部を除いて両面導通用レジスト膜を形成し、
前記両面導通用レジスト膜を用いめっきを施して前記導電性金属層間の導通をとり、
前記両面導通用レジスト膜を剥離除去し、
前記導通用孔及びそのランド部を含んで前記導電性金属層をエッチングにより薄くし、
前記導電性金属層に対し、回路配線パターン形成部及び導通用孔及びそのランド部を除いて回路配線用レジスト膜を形成し、
回路配線用レジスト膜を用いてめっきを施して回路配線パターンを形成した後、前記回路配線用レジスト膜を剥離除去して前記導電性金属層を露出し、
前記導電性金属層を除去して回路配線パターンを電気的に分離することにより回路配線パターンを形成する、
ことを特徴とする回路基板の製造法。
【請求項２】
請求項１記載の回路基板の製造方法において、
両面導通用レジスト膜除去後のエッチングは、導通用孔およびそのランド部を除く両面の導電性金属層上の不要な導電性物質を除去でき、さらにエッチング後には絶縁ベース材の両面の導電性金属層が０．５μｍ以上で２．５μｍ以下の厚みとなる量とすることを特徴とする回路基板の製造方法。
【請求項３】
請求項１記載の回路基板の製造方法において、
両面金属張積層板に対しめっき手法による両面の導電性金属層間導通のための導通用孔の内壁めっき厚みは、エッチングにより導通用孔およびそのランド部を除く両面の導電性金属層上の不要な導電性物質を除去した後に、絶縁ベース材の両面の導電性金属層が０．５μｍ以上で２．５μｍ以下の厚みとなるエッチング量の２倍以上であることを特徴とする回路基板の製造方法。
【請求項４】
請求項１記載の回路基板の製造方法において、
導通用孔が形成された両面金属張積層板に対し導電性物質を付与することにより形成される導電性物質層は、錫パラジウムコロイドを用いたダイレクトプレーティングであることを特徴とする回路基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、回路基板の製造方法に係わり、とくにめっきにより高密度回路の配線形成が成される両面回路基板の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
回路配線形成に汎用されるエッチング手法では、配線の断面形状が台形となるため高密度化に限界がある。そこで、従来、より高密度回路形成に適しているめっきによる配線形成法が用いられている。
【０００３】
その両面回路基板の製造法は、図４(1)から図５(7）に示される。すなわち、まず、図４(1）に示すように、絶縁ベース材２１の両面に導電性金属層２２を有する両面金属張積層板を用意し、次に、図４(2）に示すように、上記両面金属張積層板に対し貫通スルーホールまたは有底ビアホールによる導通用孔２３を形成する。
【０００４】
次いで、図４(3）に示すように、導通用孔２３が形成された両面金属張積層板に対し導電性物質２４を付与し、続いて、図４(4）に示すように、導電性物質２４が付与された両面の導電性金属層２２に対し、めっきレジスト膜２５を形成する。
【０００５】
この後、図５(5）に示すように、めっきレジスト膜２５を有する両面金属張積層板に対しめっき手法により両面の導電性金属層２２相互間の導通をとると共に、回路配線を形成するめっき２６を得る。
【０００６】
次に、図５(6）に示すように、めっきレジスト膜２５を剥離除去して導電性金属層を露出させる。次いで、図５(7）に示すように、露出された両面の導電性金属層２２を除去して回路配線パターン２６を電気的に分離する（回路配線パターンを形成する）ことにより、両面回路配線基板を製造している。
【特許文献１】特開平11-186716号公報
【特許文献２】特開2003-158364号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
一方、めっきレジスト膜を有する両面金属張積層板に対し、両面の導電性金属層間の導通をとるためにめっき手法により導電性物質を付与することがある。このとき、両面の金属層上にも導電性物質が残存するため、高密度回路における導電性金属層とめっきによる回路配線との密着強度の低下、または剥離が発生する。
【０００８】
これらを解消するために、導電性物質の付与後に、両面の導電性金属上の導電性物質を除去するためのエッチング処理を行う工法がある。この場合、除去してはいけない導通用孔の内壁上の導電性物質までもが除去される可能性があり、厳格なエッチング量の管理が必要とされている。
【０００９】
他方、一般的なカーボンを成分とした導電性物質の付与を行う工法によりカーボンを成分とした導電性物質を付与する方法がある。しかし、この方法は、錫パラジウムコロイドを用いたダイレクトプレーティングによる導電性物質に比べて、小径の貫通スルーホールまたは有底ビアホールの場合に、両面の金属層間の導通を取るためのめっき処理に対する信頼性が低いという欠点がある。
【００１０】
さらに、図６に示すように、両面の導電性金属上に残存する回路配線パターン２６と両面の導電性金属層２２との間の導通孔２３の配置により、両面の導電性金属層２２相互間の導通孔２３の内壁上めっき厚が大きく変化する場合には、両面の導電性金属層間の導通孔の内壁めっき厚、および部品実装上必要とされる回路配線の導体厚の規格を共に満足することが困難なことがある。その場合には、回路配線上において不要な領域にレジスト開口部を設け、電気力線の集中を回避(通称ダミーめっき)する方法が用いられる。
【００１１】
しかし、この工法は、部品配置の設計的自由度が制限され、さらには、実装部品の性質から開口部を設けなければならない場合に適応できない。電気力線の集中を回避するためにめっき時の電流密度を下げることも一般的に知られているが、反面、電流密度を低下させることによるめっき処理時間の延長が生産性を低下させている。
【００１２】
また、両面の導電性金属層２２相互間の導通孔２３の内壁上めっき厚が薄い場合の、電気的信頼性の低下のみならず、導通孔２３の内壁上のめっき厚がめっきレジスト膜除去後の回路配線パターン２６の電気的な分離のエッチングで除去されるものよりも薄い場合には、図７に示すような導通不良２７の発生も懸念されるため、各領域の導通孔２３の内壁上めっき厚の確認を十分に行わなければならない負担が大きい。
【００１３】
一方、図８に示すような導電性物質を付与する処理での、エッチング工程における絶縁ベース材２１の露出防止のため、導電性金属層２２の厚さをエッチング量に比べて十分大きなものとしなければならない。しかし、その結果、回路配線の断面形状が悪化する問題がある。
【００１４】
本発明は上述の点を考慮してなされたもので、両面回路基板における両面導電性金属層間の導通を確実にとり、しかも回路配線の断面形状を悪化させることのない回路基板の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１５】
上記課題を解決するため、本発明では、
絶縁ベース材の両面に導電性金属層を有する両面金属張積層板に導通用孔を形成して導電性物質を付与し、前記導通用孔及びそのランド部を除いてめっきレジスト膜を形成してめっき手法により前記導電性金属層間の導通および回路配線パターンの形成を行った後めっきレジスト膜を剥離除去し、露出された前記導電性金属層を除去して回路配線パターンを電気的に分離することにより回路配線パターンを形成する、貫通スルーホール或いは有底ビアホールによる導通構造を有する回路基板の製造方法において、
前記積層板に対し導電性物質を付与した後、前記導電性物質が付与された両面の導電性金属層に対し、前記導通用孔及びそのランド部を除いて両面導通用レジスト膜を形成し、
前記両面導通用レジスト膜を用いてめっきを施し前記導電性金属層間の導通をとり、
前記両面導通用レジスト膜を剥離除去し、
前記導通用孔及びそのランド部を含んで前記導電性金属層をエッチングにより薄くし、
前記導電性金属層に対し、回路配線パターン形成部及び導通用孔及びそのランド部を除いて回路配線用レジスト膜を形成し、
回路配線用レジスト膜を用いてめっきを施して回路配線パターンを形成した後、前記回路配線用レジスト膜を剥離除去して前記導電性金属層を露出し、
前記導電性金属層を除去して回路配線パターンを電気的に分離することにより回路配線パターンを形成する、
ことを特徴とする回路基板の製造法、
を提供する。
【発明の効果】
【００１６】
本発明によれば、回路配線パターンを形成する際に不要となる両面の導電性金属層上の導電性物質を除去する際、導電性金属層間の導通は、めっき層によって保護されているため、両面の導電性金属層間の導通不良が発生せず、しかも厳格なエッチング量の管理も必要としないから生産性が良好である。
【００１７】
また、両面の導電性金属層間の導通のためのめっきと回路配線パターン形成のためのめっきとは分離して２度実施されるため、回路配線パターンの形成について部品実装上で要求される両面の導電性金属層の厚みを考慮する必要がなく、厚みを確保するためのめっき時の電流密度の低下、それによる生産性の低下を防止できる。
【００１８】
そして、２度にわたってめっきが行われるため、導通信頼性を満足するめっき厚とすることができる上に、めっきレジスト膜を除去した後の、回路配線パターンを分離するためのエッチングによる導通不良の発生が解消される。しかも、めっき厚が十分に確保されるため、めっき厚の確認の負担もなくなる。
【００１９】
さらに、回路配線パターンをめっき手法により形成する前に両面の導電性金属層を薄くするため、回路配線の断面形状を悪化させることも防止できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２０】
以下、図１ないし図３を参照して本発明の実施形態１を説明する。
【実施形態１】
【００２１】
図１は、本発明の実施形態１における各工程を示したものである。
【００２２】
まず、図１(1）に示すように、ポリイミドフィルム等の絶縁ベース材１の両面に厚さ４μｍの銅箔を導電性金属層２として設けた両面金属張積層板を用意する。次いで、図１(2）に示すように、この両面金属張積層板に対しＵＶ−ＹＡＧレーザーを照射して、貫通スルーホールとしての導通用孔３を形成する。
【００２３】
次に、図１(3）に示すように、導通用孔３が形成された両面金属張積層板に対し、コンダクトロン処理等により導電性物質４を付与する。続いて、図１(4）に示すように、導電性物質４が付与された両面の導電性金属層２に対し、感光性ドライフィルム型レジスト（図示せず）をラミネートし、パターン露光および現像処理を行う。これにより、導通用孔３およびそのランド部５を除き、両面導通用レジスト膜６を形成する。
【００２４】
次に、図２(5）に示すように、両面導通用レジスト膜６を有する両面金属張積層板に対し、硫酸銅めっき処理により両面の導電性金属層２相互間の導通用めっき７を形成する。本発明において、導電性物質の付与には、錫−パラジウムコロイドを用いたダイレクトプレーティングの導電化処理を用いることができる。
【００２５】
次いで、図２(6）に示すように、両面導通用レジスト膜６を剥離除去する。続いて、図２(7）に示すように、両面導通用レジスト膜６の除去後に、導通用孔３およびそのランド部５を含んだ両面の導電性金属層２を、過硫酸ソーダ系の混合液により３μｍのエッチング処理を施し、１μｍの厚みにまで薄くする。
【００２６】
ここで、両面導通用レジスト膜の除去後のエッチングとしては、導通用孔およびそのランド部を除く両面の導電性金属層上の不要な導電性物質を除去でき、しかもエッチング後には、絶縁ベース材の両面の導電性金属層が０．５μｍ以上で２．５μｍ以下の厚みとなる量とするとよい。また、両面の導電性金属層相互間の導通のための導通孔の内壁めっきの厚みは、両面導通用レジスト膜６の除去後のエッチング量の２倍以上であるとよい。
【００２７】
この後、図２(8）に示すように、薄くされた両面の導電性金属層２に対し、感光性ドライフィルム型レジスト（図示せず）をラミネートし、パターン露光および現像処理を行うことにより、回路配線パターン形成部８および導通用孔３およびそのランド部５を除いて、回路配線用レジスト膜９を形成する。
【００２８】
次に、図３(9）に示すように、硫酸銅めっき手法により回路配線パターン１０を形成する。次いで、図３(10）に示すように、回路配線用レジスト膜９を剥離除去し、導電性金属層２を露出させる。
【００２９】
最後に、図３(11）に示すように、露出された両面の導電性金属層２をエッチングにより除去して回路配線パターン１０を電気的に分離し、回路配線パターンを持った基板を形成する。
【００３０】
これを、実施例１によって更に具体的に説明する。
【実施例１】
【００３１】
まず、ポリイミドフィルムの両面に銅箔を有する両面無接着型銅張積層板としての、新日鉄化学(株)製「エスパネックス」（厚さ２５μｍ）を用意し、両面の導電性金属層の厚みが４μｍとなるように、ハーフエッチング処理を行う。
【００３２】
次いで、ＵＶ−ＹＡＧレーザーにより、開口径５０μｍのスルーホールを形成した。次に、コンダクトロン処理により導電性物質の付与を行う。
【００３３】
続いて、２０μｍ厚の感光性ドライフィルムをラミネートし、パターン露光および現像を行うことにより、導通用孔およびそのランド部を除き両面導通用レジスト膜を形成する。この後、硫酸銅めっき処理により両面の導電性金属層間の導通として、厚さが８μｍ以上で１２μｍ以下のめっきを得る。
【００３４】
次に、苛性ソーダにより両面導通めっき用レジスト膜を剥離除去する。次いで、導通用孔およびそのランド部を含めて両面の導電性金属層を、過硫酸ソーダ系の混合液による３μｍのエッチング処理により、１μｍの厚みにまで薄くする。この処理により、導電性物質を除去する。
【００３５】
続いて、感光性ドライフィルム型レジストをラミネートし、パターン露光および現像処理を行うことにより、回路配線パターン形成部および導通用孔ならびにそのランド部を除いて、回路配線用レジスト膜を形成する。
【００３６】
この後、硫酸銅めっき手法により、導体厚が９μｍ以上で１０μｍ以下の回路配線パターンを得る。この処理により、両面の導電性金属層の導通用めっき厚を、１５μｍ以上で２０μｍ以下とすることができる。次いで、苛性ソーダにより回路配線用レジスト膜を剥離除去して導電性金属層を露出させる。
【００３７】
最後に、露出された両面の導電性金属層を過硫酸ソーダ系の混合液によるエッチング処理により除去して回路配線パターンを電気的に分離し、高密度な回路配線パターンを持つ回路配線基板を得る。
【図面の簡単な説明】
【００３８】
【図１】本発明の一実施形態を示す工程断面図。
【図２】図１に続く工程断面図。
【図３】図２に続く工程断面図。
【図４】従来の製造方法を示す工程断面図。
【図５】図４に続く工程断面図。
【図６】従来の製造方法による回路基板の断面図。
【図７】従来の製造方法による回路基板の断面図。
【図８】従来の製造方法による回路基板の断面図。
【符号の説明】
【００３９】
１  絶縁ベース材
２  導電性金属層
３  導通用孔
４  導電性物質
５  導通用孔ランド部
６  両面導通用レジスト膜
７  導通用めっき
８  回路配線パターン形成部
９  回路配線用レジスト膜
１０  回路配線パターン
２１  絶縁ベース材
２２  導電性金属層
２３  導通用孔
２４  導電性物質
２５  めっきレジスト膜
２６  回路配線パターン
２７  エッチングによる導通不良
【図１】
0004624217.tif 000002
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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