(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
式（１）、
【化１】
0004795559.tif 000014
で表されるピペリテノンを、一般式（２）、
【化２】
0004795559.tif 000015
（式中、Ｒ1は、炭素数１乃至４の低級アルキル基、ハロゲン原子、炭素数１乃至４の低級アルコキシ基、炭素数１乃至４のハロゲン化低級アルキル基またはベンジルオキシ基から選ばれる置換基を有してもよいアリール基を表す。）で示される光学活性ホスフィンとロジウムとからなる錯体、または一般式（３）、
【化３】
0004795559.tif 000016
（式中、Ｒ1は、炭素数１乃至４の低級アルキル基、ハロゲン原子、炭素数１乃至４の低級アルコキシ基、炭素数１乃至４のハロゲン化低級アルキル基またはベンジルオキシ基から選ばれる置換基を有してもよいアリール基を表す。）で示される光学活性ホスフィンとロジウムとからなる錯体、または一般式（４）、
【化４】
0004795559.tif 000017
（式中、Ｒ1は、炭素数１乃至４の低級アルキル基、ハロゲン原子、炭素数１乃至４の低級アルコキシ基、炭素数１乃至４のハロゲン化低級アルキル基またはベンジルオキシ基から選ばれる置換基を有してもよいアリール基を示し、Ｒ2は水素原子又は炭素数１乃至４の低級アルキル基を示し、Ｒ3は水素原子、メチル基、メトキシ基又はハロゲン原子を示し、Ｒ4 はメチル基、メトキシ基またはＲ3とＲ4が一緒になってメチレンジオキシキ基を形成する。）で示される光学活性ホスフィンとロジウムとからなる錯体で、水素化して、式（５）
【化５】
0004795559.tif 000018
で表されるプレゴンを製造し、得られたプレゴンを塩基の存在下、ルテニウム−ホスフィン−アミン錯体で水素化して、式（６）、
【化６】
0004795559.tif 000019
で表されるプレゴールとなし、更に遷移金属触媒で水素化することを特徴とする式（７）、
【化７】
0004795559.tif 000020
で表されるｌ−メントールの製造方法。
【請求項２】
請求項１記載の式（１）で表されるピペリテノンから、式（５）で表されるプレゴンを製造するに際し、請求項１記載の一般式（２）、一般式（３）または一般式（４）で表される光学活性ホスフィンと、ロジウムとからなる光学活性ホスフィン錯体に、アンモニウム塩、ホスホニウム塩又はアルカリ金属塩を添加して水素化反応を行うことを特徴とする請求項１記載のｌ−メントールの製造方法。
【請求項３】
請求項１記載の式（５）で表されるプレゴンから、式（６）で表されるプレゴールを製造するに際し、プレゴンのカルボニルを選択的に還元するルテニウム−ホスフィン−アミン錯体が、アキラルなホスフィン、ジアミン配位子である請求項１又は２記載のｌ−メントールの製造方法。
【請求項４】
請求項１記載の式（１）で表されるピペリテノンから式（５）で表されるプレゴンを製造する方法において、請求項１記載の一般式（２）、一般式（３）または一般式（４）で表される光学活性ホスフィンと、ロジウムとからなる光学活性ホスフィン錯体で、ピペリテノンを水素化することを特徴とする式（５）で表されるプレゴンの製造方法。
【請求項５】
請求項４で定義された光学活性ホスフィンとロジウムとからなる錯体に、アンモニウム塩、ホスホニウム塩又はアルカリ金属塩を添加して水素化反応を行うことを特徴とする請求項４記載のプレゴンの製造方法。
【請求項６】
請求項１記載の式（６）で表されるプレゴールから、式（７）で表されるｌ−メントールを製造する方法において、プレゴールのオレフィンを選択的に還元する遷移金属触媒が、パラジウム、イリジウム、ロジウム、ルテニウム、ニッケル、オスミウム、白金の不均一系触媒であることを特徴とする請求項１記載のｌ−メントールの製造方法。
【請求項７】
請求項１記載の式（６）で表されるプレゴールから、式（７）で表されるｌ−メントールを製造する方法において、プレゴールのオレフィンを選択的に還元する遷移金属触媒が、ルテニウム−ホスフィン−ジカルボキシラート錯体である均一系触媒であることを特徴とする請求項１記載のｌ−メントールの製造方法。
【請求項８】
請求項１記載の式（５）で表されるプレゴンから、式（６）で表されるプレゴールを製造する方法において、塩基が、アルカリ金属化合物又はアルカリ土類金属化合物であることを特徴とする請求項１又は請求項３記載のｌ−メントールの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、医薬又は香料として用いられるｌ−メントール及びその中間体のプレゴンの製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
メシチルオキシドとメチルビニルケトンとから容易に合成可能なピペリテノンからプレゴンへの水素化反応はいくつか報告例がある。１）J.SolodarらJ. Org. Chem., 43巻, 1787頁, 1978年に記載されているシクロヘキシルアニシルメチルホスフィンを配位子とするRh錯体を用いて水素化する例、２）P. L. MauxらTetrahedron, 44巻, 1409頁, 1988年に記載されているジフェニルネオメンチルホスフィンを配位子とするCo錯体を用いて水素化する例がある。
また、プレゴンからプレゴールへの報告例は、T. OhkumaらSynlett, 1997年, 467頁に記載されている(S)-BINAP-Ru-(S,S)-ジフェニルエチレンジアミン-KOHという触媒系を用いる例がある。
【０００３】
プレゴンの合成では、１）９０％程度の選択性で得られるが光学純度は３３％ｅｅと低い。さらに反応溶媒にはＤＭＦ（ジメチルホルムアミド）を用いており、工業的に実施できる手法ではなかった。２）選択性は５５％、光学純度も１５％ｅｅと低く、工業的に実施できるレベルではなかった。
また、プレゴールの合成に用いる配位子は、(S)-BINAP、(S,S)-ジフェニルエチレンジアミンの組合せであり、どちらも光学活性体を使用していることから触媒コストが高すぎるといった問題点があった。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
本発明は、以下の１）〜３）に示す具体的課題を解決するものである。
１）  ピペリテノンは水素化が可能な位置が３カ所あり、プレゴンを得るには水素化の位置選択性を上げる必要がある。従前の配位子であるシクロヘキシルアニシルメチルホスフィン、フェニルアニシルメチルホスフィン、シクロヘキシルo-tert-ブチルフェニルメチルホスフィン等の一座配位ホスフィンや、DIPAMP：1,2−ビス−[（o-メトキシフェニル）フェニルホスフィノ]エタン 、DIOP：2,3-o-イソプロピリデン-2,3-ジヒドロキシ-1,4-ビス-（ジフェニルホスフィノ）ブタン等の二座配位ホスフィンより優れた選択性と不斉収率を達成する触媒、つまり配位子及び遷移金属を選択することであり、それに影響を及ぼす溶媒系や添加物を検討することが必要である。
２）  プレゴンからプレゴールの調製は、従来技術のルテニウム−ジアミン−水酸化カリウムの系でかなりの成果が得らているので、それを安価な触媒に変えて同等の触媒活性、選択性を得ることが求められている。
３）  プレゴールを水素化してメントールを得る方法は、不均一系水素化触媒を用いて行うことができるが、さらに高選択性の触媒系の開発が望まれている。
【０００５】
【課題を解決するための手段】
以下、本発明を詳細に説明する。
本発明に用いるピペリテノンは、メシチルオキシドとメチルビニルケトンを水酸化カリウムの存在下で反応する（特公昭５７−４７１６８号公報参照）かメシチルオキシドと４-ジエチルアミノ-２-ブタノンを縮合して調製することができる。
【０００６】
本発明では、第一次の水素化反応として、ピペリテノンの２位のオレフィンを水素化する。その反応式を以下に示す。
【０００７】
【化８】
0004795559.tif 000002
【０００８】
ピペリテノンの２位のオレフィンを水素化する触媒に用いる配位子として、一般式（２）、
【０００９】
【化９】
0004795559.tif 000003
【００１０】
（式中、Ｒ1は、置換基有していてもよいアリール基を示す。）で示される光学活性ホスフィンである。この一般式（２）において、Ｒ1は、置換基を有していてもよいフェニル基、置換基を有していても良いナフチル基である。ここで置換基としては、メチル、エチル、プロピル、イソプロピル、ｎ−ブチル、ｔ−ブチル、イソブチルなどの炭素数１乃至４の低級アルキル基；フッ素、クロル、ブロムなどのハロゲン原子；メトキシ、エトキシ、プロポキシ、ブトキシなどの炭素数１乃至４の低級アルコキシ基；トリフルオロメチル、トリクロロメチルなどのハロゲン化低級アルキル基またはベンジルオキシ基を例示することができる。好ましい具体例としてのＲ1は、フェニル基、４−トリル基、３−トリル基、４−メトキシフェニル基、３，５−キシリル基、３，５−ジｔｅｒｔ−ブチルフェニル基、４−メトキシ−３，５−ジメチルフェニル基、４−メトキシ−３，５−ジtert-ブチルフェニル基、ナフチル基、シクロヘキシル基、シクロペンチル基などが挙げられる。この一般式（２）において、好ましく用いられる光学活性ホスフィンとしては、例えば、特開昭６１−６３６９０号、特開昭６２−２６５２９３号公報に記載されている第３級ホスフィンで、具体例としては、次のものを挙げることができる。
【００１１】
2,2'- ビス( ジフェニルホスフィノ)-1,1'- ビナフチル( 以下、「BINAP」と略記する)、
2,2'- ビス[ ジ(p-トリル) ホスフィノ]-1,1'- ビナフチル( 以下、「p-Tol-BINAP」と略記する)、
2,2'- ビス[ ジ(3,5-キシリル) ホスフィノ]-1,1'- ビナフチル( 以下、「DM-BINAP」と略記する) 、
2,2'- ビス[ ジ(3,5-ジ-tert-ブチルフェニル) ホスフィノ]-1,1'-ビナフチル( 以下、「t-Bu-2-BINAP」と略記する)、
2,2'- ビス[ ジ(4-メトキシ-3,5-ジメチルフェニル) ホスフィノ]-1,1'- ビナフチル( 以下、「DMM-BINAP」と略記する)、
2,2'- ビス( ジシクロヘキシルホスフィノ)-1,1'- ビナフチル( 以下、「Cy-BINAP」と略記する)、
2,2'- ビス( ジシクロペンチルホスフィノ)-1,1'- ビナフチル( 以下、「Cp-BINAP」と略記する)
【００１２】
また、第一次の水素化反応の触媒に用いる他の配位子として、一般式（３）、
【００１３】
【化１０】
0004795559.tif 000004
【００１４】
（式中、Ｒ1は、置換基有していてもよいアリール基を示す。）で示される光学活性ホスフィンである。この一般式（３）において、Ｒ1は、置換基を有していてもよいフェニル基、置換基を有していても良いナフチル基である。ここで置換基としては、メチル、エチル、プロピル、イソプロピル、ｎ−ブチル、ｔ−ブチル、イソブチルなどの炭素数１乃至４の低級アルキル基；フッ素、クロル、ブロムなどのハロゲン原子；メトキシ、エトキシ、プロポキシ、ブトキシなどの炭素数１乃至４の低級アルコキシ基；トリフルオロメチル、トリクロロメチルなどのハロゲン化低級アルキル基またはベンジルオキシ基を例示することができる。好ましい具体例としてのＲ1は、フェニル基、４−トリル基、３−トリル基、４−メトキシフェニル基、３，５−キシリル基、３，５−ジｔｅｒｔ−ブチルフェニル基、４−メトキシ−３，５−ジメチルフェニル基、４−メトキシ−３，５−ジtert-ブチルフェニル基、ナフチル基、シクロヘキシル基、シクロペンチル基などが挙げられる。この一般式（３）において、好ましく用いられる光学活性ホスフィンとしては、例えば、特開平４−１３９１４０公報に記載されている第３級ホスフィンで、具体例としては、次のものを挙げることができる。
【００１５】
2,2'-ビス｛ジフェニルホスフィノ｝-5,5',6,6',7,7',8,8'-オクタヒドロビナフチル（以下、「H8-BINAP」と略記する）、
2,2'-ビス｛ジ-p-トリルホスフィノ｝-5,5',6,6',7,7',8,8'-オクタヒドロビナフチル（以下、「p-Tol-H8-BINAP」と略記する）、
2,2'-ビス｛ジ-（3,5-キシリル）ホスフィノ｝-5,5',6,6',7,7',8,8'-オクタヒドロビナフチル（以下、「DM-H8-BINAP」と略記する）、
2,2'-ビス｛ジ-（4-メトキシ-3,5-ジメチルフェニル）ホスフィノ｝-5,5',6,6',7,7',8,8'-オクタヒドロビナフチル（以下、「DMM-H8-BINAP」と略記する）。
【００１６】
また、第一次の水素化反応の触媒に用いられるさらに他の配位子として、一般式（４）
【００１７】
【化１１】
0004795559.tif 000005
【００１８】
（式中、Ｒ1は、置換基有していてもよいアリール基を示し、Ｒ2は、水素原子または炭素数１乃至４の低級アルキル基を示し、Ｒ3は、水素原子、メチル基、メトキシ基またはハロゲン原子を示し、Ｒ4は、メチル基、メトキシ基またはを示し、或いは、Ｒ3とＲ4が一緒になってメチレンジオキシ基を形成してもよい。）で示される光学活性ホスフィンである。この一般式（４）において、Ｒ1は、置換基を有していてもよいフェニル基、置換基を有していても良いナフチル基である。ここで置換基としては、メチル、エチル、プロピル、イソプロピル、ｎ−ブチル、ｔ−ブチル、イソブチルなどの炭素数１乃至４の低級アルキル基；フッ素、クロル、ブロムなどのハロゲン原子；メトキシ、エトキシ、プロポキシ、ブトキシなどの炭素数１乃至４の低級アルコキシ基；トリフルオロメチル、トリクロロメチルなどのハロゲン化低級アルキル基またはベンジルオキシ基を例示することができる。好ましい具体例としてのＲ1は、フェニル基、４−トリル基、３−トリル基、４−メトキシフェニル基、３，５−キシリル基、３，５−ジｔｅｒｔ−ブチルフェニル基、４−メトキシ−３，５−ジメチルフェニル基、４−メトキシ−３，５−ジtert-ブチルフェニル基、ナフチル基、シクロヘキシル基、シクロペンチル基などが挙げられる。この一般式（４）において、好ましく用いられる光学活性ホスフィンとしては、例えば、特開平１１−２６９１８５号公報に記載されている第３級ホスフィンで、具体例としては、次のものを挙げることができる。
【００１９】
((5,6),(5',6')-ビス(メチレンジオキシ)ビフェニル-2,2'-ジイル) ビス(ジフェニルホスフィン)（ 以下、SEGPHOS と略記する）、
((5,6),(5',6')-ビス(メチレンジオキシ)ビフェニル-2,2'-ジイル) ビス(ジp-トリルホスフィン) （以下、p-Tol-SEGPHOS と略記する）、
((5,6),(5',6')-ビス(メチレンジオキシ)ビフェニル-2,2'-ジイル) ビス(ジ3,5-キシリルホスフィン) （以下、DM-SEGPHOS と略記する）、
((5,6),(5',6')-ビス(メチレンジオキシ)ビフェニル-2,2'-ジイル) ビス(ジ4-メトキシ-3,5-ジメチルフェニルホスフィン)（ 以下、DMM-SEGPHOS と略記する）、
((5,6),(5',6')-ビス(メチレンジオキシ)ビフェニル-2,2'-ジイル) ビス(ジ4-メトキシ-3,5-ジ-tert-ブチルフェニルホスフィン) （以下、DTBM-SEGPHOS と略記する）、
((5,6),(5',6')-ビス(メチレンジオキシ)ビフェニル-2,2'-ジイル) ビス(ジシクロヘキシルホスフィン) （以下、Cy-SEGPHOS と略記する）
【００２０】
それ以外に、一般式（４）に該当するものとして、次の光学活性ホスフィンを挙げることができる。
2,2'-ジメチル-6,6'-ビス（ジフェニルホスフィノ）-1,1'-ビフェニル（以下、「BIPHEMP」と略記する）、
2,2'-ジメチル-6,6'-ビス（ジp-トリルホスフィノ）-1,1'-ビフェニル（以下、「p-Tol-BIPHEMP」と略記する）、
2,2'-ジメチル-6,6'-ビス（ジ3,5-キシリルホスフィノ）-1,1'-ビフェニル（以下、「DM-BIPHEMP」と略記する）、
2,2'-ジメチル-6,6'-ビス（ジ4-メトキシ-3,5-ジメチルフェニルホスフィノ）-1,1'-ビフェニル（以下、「DMM-BIPHEMP」と略記する）、
2,2'-ジメチル-6,6'-ビス（ジ4-t-ブトキシ-3,5-ジメチルフェニルホスフィノ）-1,1'-ビフェニル（以下、「DTBM-BIPHEMP」と略記する）、
2,2'-ジメチル-6,6'-ビス（ジシクロヘキシルホスフィノ）-1,1'-ビフェニル（以下、「Cy-BIPHEMP」と略記する）、
2,2'-ジメトキシ-6,6'-ビス（ジフェニルホスフィノ）-1,1'-ビフェニル（以下、「MeO-BIPHEP」と略記する）、
2,2'-ジメトキシ-6,6'-ビス（ジp-トリルホスフィノ）-1,1'-ビフェニル（以下、「p-Tol-MeO-BIPHEP」と略記する）、
2,2'-ジメトキシ-6,6'-ビス（ジ3,5-キシリルホスフィノ）-1,1'-ビフェニル（以下、「DM-MeO-BIPHEP」と略記する）、
2,2'-ジメトキシ-6,6'-ビス（ジ4-メトキシ-3,5-ジメチルフェニルホスフィノ）-1,1'-ビフェニル（以下、「DMM-MeO-BIPHEP」と略記する）、
2,2'-ジメトキシ-6,6'-ビス（ジ4-t-ブトキシ-3,5-ジメチルフェニルホスフィノ）-1,1'-ビフェニル（以下、「DTBM-MeO-BIPHEP」と略記する）、
2,2'-ジメトキシ-6,6'-ビス（ジシクロヘキシルホスフィノ）-1,1'-ビフェニル（以下、「Cy-MeO-BIPHEP」と略記する）、
2,2'-ジメチル-3,3'-ジクロロ-4,4'-ジメチル-6,6'-ビス（ジp-トリルホスフィノ）-1,1'-ビフェニル（以下、「p-Tol-CM-BIPHEMP」と略記する）、
2,2'-ジメチル-3,3'-ジクロロ-4,4'-ジメチル-6,6'-ビス（ジ3,5-キシリルホスフィノ）-1,1'-ビフェニル（以下、「DM-CM-BIPHEMP」と略記する）、
2,2'-ジメチル-3,3'-ジクロロ-4,4'-ジメチル-6,6'-ビス（ジ4-メトキシ-3,5-ジメチルフェニルホスフィノ）-1,1'-ビフェニル（以下、「DMM-CM-BIPHEMP」と略記する）
【００２１】
本発明では、上記した一般式（２）、（３）または（４）で示される光学活性ホスフィンと遷移金属とからなる錯体でピペリテノンの２位のオレフィンを水素化するが、この水素化におけるより好ましい触媒は、遷移金属錯体としてロジウムが選ばれ、光学活性ホスフィンと遷移金属とからなる錯体である。最も好ましくは、このような光学活性ホスフィンと遷移金属とからなる錯体にさらにアンモニウム塩、ホスホニウム塩又はアルカリ金属塩を添加して水素化することである。
【００２２】
これらの第３級ホスフィンは、いずれも(S)-体及び(R)-体が存在するので、目的とする光学活性な化合物のプレゴンの絶対配置に応じて何方かを選択すればよい。すなわち、（1R）体を得るには(S)-体を用い、（1S）体を得るには(R)-体を用いればよい。
【００２３】
ロジウム錯体：
ロジウム錯体の製造法の具体的な例として、日本化学会編「第４版  実験化学講座」、第１８巻、有機金属錯体、１９９１年、丸善、３３９−３４４頁に記載の方法に従い、例えば、ビス（1, 5-シクロオクタジエニル）ロジウム(I)テトラフロロホウ酸塩と光学活性二座配位ホスフィン(L)を反応せしめて合成することができる。ロジウム錯体の具体例として、例えば以下のものを挙げることができる。
【００２４】
[Rh(cod)(L)]ClO4  、
[Rh(cod)(L)]PF6  、
[Rh(cod)(L)]BF4  、
[Rh(cod)(L)]BPh4  、
[Rh(cod)(L)]OTｆ、
[Rh(cod)(L)]OTｓ
[Rh(cod)(L)]SbF6  、
[Rh(cod)(L)]OCOCF3  、
[Rh(cod)(L)]OCOC2F5  、
[Rh(cod)(L)]OCOC3F7  、
[Rh(nbd)(L)]ClO4  、
[Rh(nbd)(L)]PF6  、
[Rh(nbd)(L)]BF4  、
[Rh(nbd)(L)]BPh4  、
[Rh(nbd)(L)]OTｆ、
[Rh(nbd)(L)]OTｓ、
[Rh(nbd)(L)]SbF6  、
[Rh(nbd)(L)]OCOCF3  、
[Rh(nbd)(L)]OCOC2F5  、
[Rh(nbd)(L)]OCOC3F7  、
Rh(cod)(L)Cl  、
Rh(nbd)(L)Cl  、
Rh(cod)(L)Br  、
Rh(nbd)(L)Br  、
Rh(cod)(L)I  、
Rh(nbd)(L)I
【００２５】
上記の式中における各略称は、それぞれ次の化合物を示す。
L：一般式（２）、（３）または（４）で示される光学活性ホスフィン、
OTｆ：トリフルオロメタンスルホナート、
OTｓ：p-トルエンスルホナート、
Ph：フェニル、
cod：1,5-シクロオクタジエン、
nbd：ノルボルナジエン。
【００３０】
ロジウムが使用された「光学活性ホスフィンと遷移金属とからなる錯体」の存在下、溶媒としては酢酸エチル（ＥｔＯＡｃ）が、選択性、不斉収率ともに優れており、このＥｔＯＡｃ溶媒で選択性が高くなる系を検討した。その結果、一般式（８）、Ｒ5Ｒ6Ｒ7Ｒ8ＡＢ （８）
（式中、Ｒ5，Ｒ6，Ｒ7，Ｒ8は、炭素数１〜１６のアルキル基、フェニル基、ベンジル基を意味し、Ａは窒素原子またはリン原子を意味し、Ｂはフッ素、塩素、臭素、ヨウ素のハロゲン原子、カルボキシラート、スルホナートを意味する。）で示される四級アンモニウム塩または四級ホスホニウム塩、具体的には、Me4NCl、Me4NBr、Me4NI、Et4NCl、Et4NBr、Et4NI、Bu4NCl、Bu4NBr、Bu4NI、(Benzyl)Me3NCl、(Benzyl)Me3NBr、(Benzyl)Me3NI、(Benzyl)Et3NCl、(Benzyl)Et3NBr、(Benzyl)Et3NI、(C8H17)Me3NCl、(C8H17)Me3NBr、(C8H17)Me3NI、(C16H33)Me3NCl、(C16H33)Me3NBr、(C16H33)Me3NI、Me4NOTf、Me4NOTs、Me4NOAc、Me4NOCOCF3、n-Bu4NOTf、n-Bu4NOTs、n-Bu4NOAc、n-Bu4NOCOCF3、などの四級アンモニウム塩、MePh3PCl、MePh3PBr、MePh3PI、EtPh3PCl、EtPh3PBr、EtPh3PI、BuPh3PCl、BuPh3PBr、BuPh3PI、Ph4PCl、Ph4PBr、Ph4PI、(C6H13)Ph3PCl、(C6H13)Ph3PBr、(C6H13)Ph3PI、(C7H15)Ph3PCl、(C7H15)Ph3PBr、(C7H15)Ph3PI、(C8H17)Ph3PCl、(C8H17)Ph3PBr、(C8H17)Ph3PI、(C16H33)Ph3PCl、(C16H33)Ph3PBr、(C16H33)Ph3PI、(C16H33)Bu3PCl、(C16H33)Bu3PBr、(C16H33)Bu3PI、ClPPh3CH2PPh3Cl、ClPPh3(CH2)2PPh3Cl、ClPPh3(CH2)3PPh3Cl、ClPPh3(CH2)4PPh3Cl、ClPPh3(CH2)5PPh3Cl、ClPPh3(CH2)6PPh3Cl、BrPPh3CH2PPh3Br、BrPPh3(CH2)2PPh3Br、BrPPh3(CH2)3PPh3Br、BrPPh3(CH2)4PPh3Br、BrPPh3(CH2)5PPh3Br、BrPPh3(CH2)6PPh3Br、IPPh3CH2PPh3I、IPPh3(CH2)2PPh3I、IPPh3(CH2)3PPh3I、IPPh3(CH2)4PPh3I、IPPh3(CH2)5PPh3I、IPPh3(CH2)6PPh3I、などの四級ホスホニウム塩が使用される。
【００３１】
また、一般式（９）、
ＭＺ            （９）
（式中、Ｍは、Ｌｉ、Ｎａ、Ｋの金属を意味し、Ｚは、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉのハロゲン原子を意味する。）で表される塩、具体的には、ＬｉＣｌ、ＬｉＢｒ、ＬｉＩ、ＮａＣｌ、ＮａＢｒ、ＮａＩ、ＫＣｌ、ＫＢｒ、ＫＩなどの金属塩が使用される。
(Bn)Et3NCl、(Bn)Et3NBr、(Bn)Et3NIなどのアンモニウム塩が選択でき、BuPh3PCl、BuPh3PBr、BuPh3PI、(C6H13)Ph3PBr、BrPPh3(CH2)4PPh3Brなどのホスホニウム塩などが選択でき高い選択性が得られる（Ｂｎ：ベンジル基、Ｅｔ：エチル基、Ｐｈ：フェニル基、Ｂｕ：ブチル基を表す。）。
【００３２】
また、配位子では、BINAP類の中ではDM-BINAPを選択することができ、H8-BINAP類の中ではDM-H8-BINAPを選択することができ、さらにSEGPHOS類の中からはDTBM-SEGPHOSを選択することができ、高い選択性が得られる。
【００３３】
この反応は、水素圧約５乃至１００Ｋｇ／ｃｍ2（０．５〜１０ＭＰａ）、反応温度約１０乃至１００℃、反応時間約５乃至３０時間の条件で実施される。また、遷移金属−光学活性ホスフィン錯体の使用量は、ピペリテノンに対して約５０００〜５００００分の１モルである。添加剤（アンモニウム塩、ホスホニウム塩またはアルカリ金属塩）の使用量は、遷移金属−光学活性ホスフィン錯体に対して約０．２〜２．０当量である。
上記溶媒の好ましいものは、溶媒なし、ＴＨＦ、アセトン、酢酸エチルである。
【００３４】
本発明では、第二次の水素化反応として、式（５）で表されるプレゴンをルテニウム−ホスフィン−アミン錯体で水素化して、式（６）で表されるプレゴールを得る。その反応式を以下に示す。
【００３５】
【化１２】
0004795559.tif 000006
【００３６】
第二次の水素化反応の方法としては、得られたプレゴン（５）を水素化するルテニウム錯体-アミン-塩基の系が最も優れており、検討した結果、ルテニウム錯体としては、アキラルな配位子が使用できることがわかった。そのような配位子をもつルテニウム錯体の一例を以下に例示する。Ｅｔはエチル基、ｄｍｆはジメチルホルムアミド、ｎは１〜５を表す。
【００３７】
Ru2Cl4((S)-binap)2(NEt3)  、
Ru2Cl4((S)-tol-binap)2(NEt3)  、
Ru2Cl4((S)-dm-binap)2(NEt3)  、
RuCl2((S)-binap)(dmf)n  、
RuCl2((S)-tol-binap)(dmf)n  、
RuCl2((S)-dm-binap)(dmf)n  、
RuCl2(PPh3)3  、
RuCl2[(p-tolyl)3P]3  、
RuCl2[(o-tolyl)3P]3  、
RuCl2(bpbp)  、
RuCl2(1,2-diphos)2  、
RuCl2(1,3-diphos)2  、
RuCl2(1,4-diphos)2  、
RuCl2(1,5-diphos)2  、
RuCl2(1,6-diphos)2
【００３８】
上記の式中における各略称は、それぞれ次の化合物を示す。
bpbp：2,2'-ビス（ジフェニルホスフィノ）-1,1'-ビフェニル、
1,2-diphos：1,2-ビス（ジフェニルホスフィノ）エタン、
1,3-diphos：1,3-ビス（ジフェニルホスフィノ）プロパン、
1,4-diphos：1,4-ビス（ジフェニルホスフィノ）ブタン、
1,5-diphos：1,5-ビス（ジフェニルホスフィノ）ペンタン、
1,6-diphos：1,6-ビス（ジフェニルホスフィノ）ヘキサン
【００３９】
アミンとしては、第１級アミン、第２級アミン、ジアミン等が用いられる。これらの例としてメチルアミン、エチルアミン、プロピルアミン、ブチルアミン、ペンチルアミン、ヘキシルアミン、シクロペンチルアミン、シクロヘキシルアミン、ベンジルアミンなどの第１級アミン；ジメチルアミン、ジエチルアミン、ジブロピルアミン、ジブチルアミン、ジペンチルアミン、ジヘキシルアミン、ジシクロペンチルアミン、ジシクロヘキシルアミン、ジベンジルアミン、ジフェニルアミン、フェニルエチルアミン、ピペリジン、ピペラジンなどの第２級アミン；さらにメチレンジアミン、１，２−エチレンジアミン、１，２−プロパンジアミン、１，３−プロパンジアミン、１，４−ブタンジアミン、２，３−ブタンジアミン、１，２−シクロペンタンジアミン、１，２−シクロヘキサンジアミン、Ｎ−メチルエチレンジアミン、Ｎ，Ｎ’−ジメチルエチレンジアミン、Ｎ，Ｎ，Ｎ’−トリメチルエチレンジアミン、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラメチルエチレンジアミン、ｏ−フェニレンジアミン、ｐ−フェニレンジアミン、１，２−ジフェニルエチレンジアミンなどのジアミンが例示される。
アミンとしては、好ましくは１，２−エチレンジアミン、１，３−プロパンジアミン、１，４−ブタンジアミン、１，２−ジフェニルエチレンジアミンが選択され、１，２−エチレンジアミン、１，３−プロピレンジアミンがもっとも優れている。
【００４０】
また、塩基は、例えば、下記一般式（１０）
Ｍ’Ｙ            （１０）
（Ｍ’は、アルカリ金属あるいはアルカリ土類金属を示し、Ｙはヒドロキシ基、アルコキシ基、メルカプト基、ナフチル基、カルボナート基を示す。）で表される金属塩あるいは４級アンモニウム塩とすることができる。また、具体的には、ＬｉＯＨ、ＬｉＯＭｅ、ＬｉＯＥｔ、ＬｉＯｉ−Ｐｒ、ＬｉＯｔ−Ｂｕ、ＮａＯＨ、ＮａＯＭｅ、ＮａＯＥｔ、ＮａＯｉ−Ｐｒ、ＮａＯｔ−Ｂｕ、ＫＯＨ、ＫＯＭｅ、ＫＯＥｔ、ＫＯｉ−Ｐｒ、ＫＯｔ−Ｂｕ、ＫＣ10Ｈ8、Ｌｉ2ＣＯ3、Ｋ2ＣＯ3、Ｎａ2ＣＯ3等が例示される。さらに第４級アンモニウム塩も利用できる。塩基としては、水酸化カリウム（ＫＯＨ）、ｔ−ブトキシカリウム（ＫＯｔ−Ｂｕ）が好ましい。
基質であるプレゴンに対する触媒の量は約１０００〜３００００分の１モルである。アミンの使用量は、触媒に対して約１〜２当量である。塩基の使用量は、触媒に対して約０．５〜１００当量であり、好ましくは約１０〜５０当量である。
【００４１】
なお、この発明では、液体溶媒として、反応原料（プレゴン）及び触媒系を可溶化するものであれば適宜なものを用いることができる。例として、トルエン、キシレンなどの芳香族炭化水素溶媒、ペンタン、ヘキサンなどの脂肪族炭化水素溶媒、塩化メチレン、などのハロゲン含有炭化水素溶媒、エーテル、テトラヒドロフランなどのエーテル系溶媒、メタノール、エタノール、２−プロパノール、ブタノール、ベンジルアルコールなどのアルコール系溶媒、アセトニトリル、ＤＭＦやＤＭＳＯなどヘテロ原子を含む有機溶媒を用いることができる。生成物がアルコールであることからアルコール系溶媒が最適である。さらにより好ましくは２−プロパノールである。
溶媒の量は、反応基質の溶解度および経済性により判断される。２−プロパノールの場合の基質濃度は、基質によっては１％以下の低濃度から無溶媒に近い状態で行うことができるが、好ましくは０．１〜２．０容量で用いることが望ましい。そして、本発明における水素の圧力は、本触媒系が極めて高活性であることから１Ｋｇ／ｃｍ2（０．１ＭＰａ）で十分であるが、経済性を考慮すると１〜１００Ｋｇ／ｃｍ2（０．１〜１０ＭＰａ）の範囲で、好ましくは５〜５０Ｋｇ／ｃｍ2（０．５〜５ＭＰａ）の範囲が望ましいが、プロセス全体の経済性を考慮して１０Ｋｇ／ｃｍ2（１ＭＰａ）以下でも高い活性を維持することが可能である。
反応温度については、０〜１５０℃で行うことができるが、好ましくは１０〜５０℃の範囲が望ましい。また、反応時間は、反応基質濃度、温度、圧力等の反応条件によって異なるが、数分から３０時間で反応は完結する。
【００４２】
本発明では、第三次の水素化反応として、式（６）で表されるプレゴールを遷移金属触媒で水素化して、式（７）で表されるｌ−メントールを得る。その反応式を以下に示す。
【００４３】
【化１３】
0004795559.tif 000007
【００４４】
第三次の水素化としては、一般に良く用いられる不均一系水素化触媒が用いられる。例えば、ラネーニッケル、酸化白金、白金ブラック、パラジウムブラック、ロジウムブラック、パラジウム炭素、イリジウム炭素、ロジウム炭素、ルテニウム炭素、オスミウム炭素、パラジウムアルミナ、パラジウムシリカ、パラジウムシリカアルミナなどが挙げられる。好ましくは、ラネーニッケル、パラジウム炭素、イリジウム炭素、ロジウム炭素、ルテニウム炭素、パラジウムアルミナ、パラジウムシリカ、パラジウムシリカアルミナなどが挙げられ、より好ましくは、パラジウム炭素、パラジウムシリカアルミナが挙げられる。
この反応は、水素圧約５〜５０Ｋｇ／ｃｍ2（０．５〜５ＭＰａ）、反応温度約２０〜１００℃、反応時間約５〜２０時間の条件で実施される。また、触媒の使用量はプレゴールに対して約０．０１〜１．０重量％である。上記溶媒の好ましいものは、トルエン、酢酸エチル、メタノール、エタノール、２−プロパノール、もしくは、溶媒なしである。
【００４５】
また、第三次の水素化として、得られたプレゴール（６）をルテニウム−ホスフィン−ジカルボキシラート錯体である均一系触媒が用いられる。
以下に、このルテニウム−ホスフィン−ジカルボキシラート錯体である均一系触媒について説明する。
プレゴールのオレフィンを水素化する触媒に用いる配位子であるホスフィンとして、前記した一般式（２）、一般式（３）または一般式（４）を用いることができる。
【００４６】
また、第三次の水素化反応の触媒に用いられるさらに他の配位子として、一般式（１１）
(Ｒ1)2Ｐ−(ＣＨ2)n−Ｐ(Ｒ1)2            （１１）
（式中、Ｒ1は、前記と同じ意味を示し、ｎは１から７までの自然数を示す。）で表されるホスフィンである。
この一般式（１１）において、Ｒ1としては、前述した例示を挙げることができる。
この一般式（１１）において、好ましく用いられるホスフィンとしては、例えば、次のものを挙げることができる。
【００４７】
ビス（ジフェニルホスフィノ）メタン、
1,2-ビス（ジフェニルホスフィノ）エタン、
1,3-ビス（ジフェニルホスフィノ）プロパン、
1,4-ビス（ジフェニルホスフィノ）ブタン、
1,5-ビス（ジフェニルホスフィノ）ペンタン、
1,6-ビス（ジフェニルホスフィノ）ヘキサン、
1,7-ビス（ジフェニルホスフィノ）ヘプタン、
ビス（ジ（p-トリル）ホスフィノ）メタン、
1,2-ビス（ジ（p-トリル）ホスフィノ）エタン、
1,3-ビス（ジ（p-トリル）ホスフィノ）プロパン、
1,4-ビス（ジ（p-トリル）ホスフィノ）ブタン、
1,5-ビス（ジ（p-トリル）ホスフィノ）ペンタン、
1,6-ビス（ジ（p-トリル）ホスフィノ）ヘキサン、
1,7-ビス（ジ（p-トリル）ホスフィノ）ヘプタン、
ビス（ジ（3,5-キシリル）ホスフィノ）メタン、
1,2-ビス（ジ（3,5-キシリル）ホスフィノ）エタン、
1,3-ビス（ジ（3,5-キシリル）ホスフィノ）プロパン、
1,4-ビス（ジ（3,5-キシリル）ホスフィノ）ブタン、
1,5-ビス（ジ（3,5-キシリル）ホスフィノ）ペンタン、
1,6-ビス（ジ（3,5-キシリル）ホスフィノ）ヘキサン、
1,7-ビス（ジ（3,5-キシリル）ホスフィノ）ヘプタン、
ビス（ジ（4-メトキシ-3,5-ジtert-ブチルフェニル）ホスフィノ）メタン、
1,2-ビス（ジ（4-メトキシ-3,5-ジtert-ブチルフェニル）ホスフィノ）エタン、
1,3-ビス（ジ（4-メトキシ-3,5-ジtert-ブチルフェニル）ホスフィノ）プロパン、
1,4-ビス（ジ（4-メトキシ-3,5-ジtert-ブチルフェニル）ホスフィノ）ブタン、
1,5-ビス（ジ（4-メトキシ-3,5-ジtert-ブチルフェニル）ホスフィノ）ペンタン、
1,6-ビス（ジ（4-メトキシ-3,5-ジtert-ブチルフェニル）ホスフィノ）ヘキサン、
1,7-ビス（ジ（4-メトキシ-3,5-ジtert-ブチルフェニル）ホスフィノ）ヘプタン、
ビス（ジ（3,5-ジフルオロフェニル）ホスフィノ）メタン、
1,2-ビス（ジ（3,5-ジフルオロフェニル）ホスフィノ）エタン、
1,3-ビス（ジ（3,5-ジフルオロフェニル）ホスフィノ）プロパン、
1,4-ビス（ジ（3,5-ジフルオロフェニル）ホスフィノ）ブタン、
1,5-ビス（ジ（3,5-ジフルオロフェニル）ホスフィノ）ペンタン、
1,6-ビス（ジ（3,5-ジフルオロフェニル）ホスフィノ）ヘキサン、
1,7-ビス（ジ（3,5-ジフルオロフェニル）ホスフィノ）ヘプタン、
ビス（ジ（3,5-ジトリフルオロメチルフェニル）ホスフィノ）メタン、
1,2-ビス（ジ（3,5-ジトリフルオロメチルフェニル）ホスフィノ）エタン、
1,3-ビス（ジ（3,5-ジトリフルオロメチルフェニル）ホスフィノ）プロパン、
1,4-ビス（ジ（3,5-ジトリフルオロメチルフェニル）ホスフィノ）ブタン、
1,5-ビス（ジ（3,5-ジトリフルオロメチルフェニル）ホスフィノ）ペンタン、
1,6-ビス（ジ（3,5-ジトリフルオロメチルフェニル）ホスフィノ）ヘキサン、
1,7-ビス（ジ（3,5-ジトリフルオロメチルフェニル）ホスフィノ）ヘプタン。
【００４８】
それ以外に、下記一般式（１２）
【００４９】
【化１４】
0004795559.tif 000008
【００５０】
（式中、Ｒ1は、前記と同じ意味を示し、Ｒ9乃至〜Ｒ12は、水素原子、メチル基、メトキシ基、フェニル基、ハロゲン原子またはトリフルオロメチル基を示し、Ｒ7とＲ8、Ｒ8とＲ9、又は、Ｒ9とＲ10が一緒になってメチレンジオキシ基を形成するか、Ｒ8とＲ9とが一緒になってシクロアルキル環を形成してもよい。）で示されるホスフィンである。
この一般式（１２）において、Ｒ1としては、前述した例示を挙げることができる。
この一般式（１２）において、好ましく用いられるホスフィンとしては、例えば、次のものを挙げることができる。
【００５１】
1,2-ビス（ジフェニルホスフィノ）ベンゼン、
1,2-ビス（ジ（p-トリル）ホスフィノ）ベンゼン、
1,2-ビス（ジ（3,5-キシリル）ホスフィノ）ベンゼン、
1,2-ビス（ジ（4-メトキシ-3,5-ジtert-ブチルフェニル）ホスフィノ）ベンゼン、
1,2-ビス（ジ（3,5-ジフルオロフェニル）ホスフィノ）ベンゼン、
1,2-ビス（ジ（3,5-ジトリフルオロメチルフェニル）ホスフィノ）ベンゼン、
1,2-ビス（ジフェニルホスフィノ）-4,5-メチレンジオキシベンゼン、
1,2-ビス（ジ（p-トリル）ホスフィノ）-4,5-メチレンジオキシベンゼン、
1,2-ビス（ジ（3,5-キシリル）ホスフィノ）-4,5-メチレンジオキシベンゼン、
1,2-ビス（ジ（4-メトキシ-3,5-ジtert-ブチルフェニル）ホスフィノ）-4,5-メチレンジオキシベンゼン、
1,2-ビス（ジ（3,5-ジフルオロフェニル）ホスフィノ）-4,5-メチレンジオキシベンゼン、
1,2-ビス（ジ（3,5-ジトリフルオロメチルフェニル）ホスフィノ）-4,5-メチレンジオキシベンゼン、
2,3-ビス（ジフェニルホスフィノ）ナフタレン、2,3-ビス（ジ（p-トリル）ホスフィノ）ナフタレン、
2,3-ビス（ジ（3,5-キシリル）ホスフィノ）ナフタレン、
2,3-ビス（ジ（4-メトキシ-3,5-ジtert-ブチルフェニル）ホスフィノ）ナフタレン、
2,3-ビス（ジ（3,5-ジフルオロフェニル）ホスフィノ）ナフタレン、
2,3-ビス（ジ（3,5-ジトリフルオロメチルフェニル）ホスフィノ）ナフタレン、
2,3-ビス（ジフェニルホスフィノ）-5,6,7,8-オクタヒドロナフタレン、
2,3-ビス（ジ（p-トリル）ホスフィノ）−5,6,7,8-オクタヒドロナフタレン、
2,3-ビス（ジ（3,5-キシリル）ホスフィノ）-5,6,7,8-オクタヒドロナフタレン、
2,3-ビス（ジ（4-メトキシ-3,5-ジtert-ブチルフェニル）ホスフィノ）5,6,7,8-オクタヒドロナフタレン、
2,3-ビス（ジ（3,5-ジフルオロフェニル）ホスフィノ）-5,6,7,8-オクタヒドロナフタレン、
2,3-ビス（ジ（3,5-ジトリフルオロメチルフェニル）ホスフィノ）-5,6,7,8-オクタヒドロナフタレン。
【００５２】
ルテニウム−ジカルボキシラート錯体
ルテニウム錯体の製造法の具体例としては、例えば、OhtaらのInorg. Chem. 1998年、27巻、566頁に記載の方法に従い、合成することができる。ジカルボキシラート錯体の具体例として、例えば以下のものを挙げることができる。
【００５３】
Ru(OAc)2(L)  、
Ru(OCOPh)2(L)  、
Ru(OCOC2H5)2(L)  、
Ru(OCOC3H7)2(L)  、
Ri(OCO-i-C3H7)2(L)  、
Ru(OCOC4H9)2(L)  、
Ru(OCO-t-C4H9)2(L)  、
Ru(OCOCH2OCO)(L)  、
Ru(OCOC2H4OCO)(L)  、
Ru(OCOC3H6OCO)(L)  、
Ru(OCOC4H8OCO)(L)
【００５４】
上記の式中における各略称は、それぞれ次の化合物を示す。
Ｌ：一般式（２）、（３）、（４）、（１１）または（１２）で示される光学活性ホスフィン
Ａｃ：アセチル
Ｐｈ：フェニル
【００５５】
第三次の水素化として、プレゴール（６）をルテニウムジカルボキシラート錯体で水素化したとき最も高い選択性が得られた。その他の反応条件は通常の水素化と変わりないが、水素圧５−５０Ｋｇ／ｃｍ2（０．５〜５ＭＰａ）、反応温度２０−１００℃反応時間５−２０時間、溶媒なし、もしくはトルエン、酢酸エチル、メタンール、エタノール、２−プロパノール、塩化メチレン、テトラヒドロフランなどの溶媒中で反応させる。反応式を次に示す。
【００５６】
【化１５】
0004795559.tif 000009
【００５７】
【発明の効果】
本発明で見出した光学活性ホスフィン配位子と遷移金属錯体で、ピペリテノンを水素化する方法において、高い位置選択性でしかも高い不斉収率でプレゴンを製造することができるようになった。さらに塩基の存在下、ルテニウム−ホスフィン−アミン錯体で選択的な水素化を行いプレゴールと成した後、遷移金属触媒で水素化してｌ−メントールを製造することができる。つまり、３回水素化反応を繰り返すことにより、安価な方法で高い収率でｌ−メントールを製造する方法を提供するものである。
【００５８】
【実施例】
以下、実施例及び比較例を挙げて本発明を具体的に説明するが、本発明はこれらの例によってなんら制約されるものではない。
尚、以下の実施例や比較例において、得られた化合物の物性の測定には、次の機器を用いた。
0004795559.tif 000010
【００５９】
【合成例１】
4-ヒドロキシ-2-ブタノンを用いたピペリテノンの合成
１L４つ口フラスコにメシチルオキシド６８８ｍｌ(6.0 mol)を仕込み、４０％水酸化ベンジルトリメチルアンモニウム水溶液４．１８ｍｌ (10 mmol)を滴下し、８０℃まで加熱する。4-ヒドロキシ-2-ブタノン１７２ｍｌ(2.0 mol)を８０℃に保ちながら1時間かけて滴下する。滴下終了後３０分撹拌した後、酢酸０．６９ｍｌを滴下して中和する。反応溶液を減圧下、蒸留を行い、ピペリテノン１８０ｇを得た。収率６０％。
【００６０】
【合成例２】
4-ヒドロキシ-2-ブタノンを用いたピペリテノンの合成
１L４つ口フラスコにメシチルオキシド６８８ｍｌ(6.0 mol)を仕込み、水酸化バリウム８水和物６．３０ｇ(0.02 mol)、ベンジルトリエチルアンモニウムクロリド２．２８ｇ (10 mmol)を加え８０℃まで加熱する。 4-ヒドロキシ-2-ブタノン１７２ｍｌ(2.0 mol)を８０℃に保ちながら１時間かけて滴下する。滴下終了後３０分撹拌した後、反応溶液を減圧下、蒸留を行い、ピペリテノン１８２ｇを得た。収率６２％。
【００６１】
【合成例３】
メチルビニルケトンを用いたピペリテノンの合成
１L４つ口フラスコにメシチルオキシド６８８ｍｌ(6.0 mol)を仕込み、炭酸カリウム１３．８２ｇ(0.1mol)、ベンジルトリエチルアンモニウムクロリド２．２８ｇ (10 mmol)を加え８０℃まで加熱する。メチルビニルケトン１６６．４８ｍｌ(2.0 mol)を８０℃に保ちながら１時間かけて滴下する。滴下終了後３０分撹拌した後、反応溶液を減圧下、蒸留を行い、ピペリテノン１８６ｇを得た。収率６２％。
【００６２】
【実施例１】
プレゴンの合成
１００ｍｌのオートクレーブに、ピペリテノン３ｇ(20 mmol)，[Rh(cod)Cl]2 ２．５ｍｇ(0.005 mmol)，(S)-DM-BINAP(2,2'-ビス(ジ-3,5-キシリルホスフィノ)-1,1'-ビナフチル) ７．３ｍｇ(0.01 mmol)、HexPh3PBr ４．３ｍｇ(0.01 mmol)、ＴＨＦ９ｍｌを加え、水素圧３MPa、５０℃で１８時間反応した。ガスクロマトグラフィーで変換率を求めたところ９２％であった。そのうち、プレゴン９０．１％、ピペリトン１．０３％、メントン０．９％、イソメントン０．８％含まれていた。プレゴンの不斉収率は９７．０％ｅｅであった。
【００６３】
【実施例２】
プレゴンの合成
HexPh3PBrの代わりにBnEt3NCl ２．３ｍｇ(0.01 mmol)を用いたほかは実施例１と同様に水素化反応を行ったところ、変換率は９０．４％であった。そのうち、プレゴン９０．５％、ピペリトン１．０％、メントン０．７％、イソメントン０．７％含まれていた。プレゴンの不斉収率は９５．７％ｅｅであった。
【００６４】
【実施例３】
プレゴンの合成
（S）-DM-BINAPの代わりに(S)-DM-H8-BINAP(2,2'-ビス(ジ-3,5-キシリルホスフィノ)- 5,5',6,6',7,7',8,8'-オクタヒドロ-1,1'-ビナフチル) ７．４ｍｇ(0.01 mmol) を用いたほかは実施例１と同様に水素化反応を行ったところ、変換率は９３．５％であった。そのうち、プレゴン８７．３％、ピペリトン０．９％、メントン２．７％、イソメントン１．９％含まれていた。プレゴンの不斉収率は９７．４％ｅｅであった。
【００６５】
【実施例４】
プレゴンの合成
１００ｍｌのオートクレーブに、ピペリテノン３ｇ(20 mmol)、[Rh(cod)2]BF4１．６ｍｇ(0.004 mmol)、(S)-DM-BINAP ２．９ｍｇ(0.004 mmol)、HexPh3PBr １．７ｍｇ(0.004 mmol)、THF ９ｍｌを加え、水素圧３MPa、５０℃で１８時間反応した。変換率を求めたところ９２．６％であった。そのうち、プレゴン８４％、ピペリトン１．５％、メントン１．９％、イソメントン１．８％含まれていた。プレゴンの不斉収率は９７．４％ｅｅであった。
【００６６】
【実施例５】
プレゴンの合成
１００ｍｌのオートクレーブに、ピペリテノン３ｇ(20 mmol)、[Rh(cod)Cl]2 １．０ｍｇ(0.002 mmol)、(S)-DM-BINAP ２．９ｍｇ(0.004 mmol)、HexPh3PBr １．７ｍｇ(0.004 mmol)、アセトン ９ｍｌを加え、水素圧３MPa、５０℃で１８時間反応した。変換率を求めたところ９９．２％であった。そのうち、プレゴン８８．３％、ピペリトン２．５％、メントン２．５％、イソメントン１．９％含まれていた。プレゴンの不斉収率は９６．０％ｅｅであった。
【００６７】
【実施例６】
プレゴンの合成
１００ｍｌのオートクレーブにピペリテノン３ｇ(20 mmol)、[Rh(cod)2]OCOC3F7 １．６ｍｇ(0.004 mmol)、(S)-DTBM-SEGPHOS（(5,6), (5',6')-ビス（メチレンジオキシ）ビフェニル-2,2'-ジイル）ビス（ジ-3,5-ジ-tert-ブチル-4-メトキシフェニルホスフィン） ４．７ｍｇ(0.004 mmol)、HexPh3PBr １．７ｍｇ(0.004 mmol)、THF ９ｍｌを加え、水素圧３MPa、５０℃で１８時間反応した。変換率を求めたところ９５．５％であった。そのうち、プレゴン８９．２％、ピペリトン２．４％、メントン２．０％、イソメントン２．４％含まれていた。プレゴンの不斉収率は９８．１％ｅｅであった。
【００６８】
【実施例７】
プレゴンの合成
５００ｍｌのオートクレープに、ピペリテノン１５０ｇ(1mol)、[Rh(cod)2]PF6 １８．６ｍｇ(0.04mmol)、(S)-DTBM-SEGPHOS ４７．２ｍｇ(0.04mmol)、BrPPh3(CH2)4PPh3Br１４．８ｍｇ (0.02mmol)、酢酸エチル７．５ｍｌを加え、水素圧３MPa、５０℃で２０時間反応した。反応終了後、水素をパージし、反応溶液を濃縮、減圧下蒸留を行い、プレゴンを１３６．８ｇ得た。収率９０％。
【００６９】
【実施例８】
プレゴールの合成
１００ｍｌのオートクレーブに、プレゴン３．０４ｇ（20 mmol）、RuCl2(PPh3)3 １９．１ｍｇ(0.02 mmol)、0.2M-1,3-ジアミノプロパン-2-プロパノール溶液(0.2 mL)、0.2 M 水酸化カリウム−2-プロパノール溶液(1.0 mL)、２−プロパノール(14 mL)を仕込み、水素２MPaを圧入し、２５℃で３時間撹拌する。反応終了後、水素をパージし、反応溶液を濃縮、減圧下蒸留を行い、プレゴールを２．６１ｇ得た。収率８５％。
【００７０】
【実施例９〜１２】
プレゴールの合成
各条件下でのプレゴンの水素化を行った。その結果を次の表１に示す。なお、表中、6:6'は、式（６）の化合物：式（６’）の化合物、を表す。各実施例のRu-cat.は、それぞれ、RuCl2(PPh3)3（実施例９）、Ru2Cl4((S)-tol-binap)2(NEt3)（実施例１０）、RuCl2[(o-tolyl)3P]2(ethylendiamine)（実施例１１）、RuCl2(bpbp)(ethylenediamine)（実施例１２）を使用した。
【００７１】
【表１】
0004795559.tif 000011
【００７２】
【実施例１３】
プレゴールの合成
２００ｍｌのオートクレーブに、プレゴン３０．４ｇ（200 mmol）、RuCl2(PPh3)3(propanediamine)１９．１ｍｇ(0.02 mmol)、t-BuOK ４４．９ｍｇ(0.4mmol)、２−プロパノール(15 mL)を仕込み、水素３MPaを圧入し、３０℃で１８時間撹拌する。反応終了後、水素をパージし、反応溶液を濃縮、減圧下蒸留を行い、プレゴールを３０．２ｇ得た。収率９８％。
【００７３】
【実施例１４】
メントールの合成
１００ｍｌのオートクレーブに、プレゴール１．０ｇ(6.5 mmol)、５％Ｐｄ炭素(20 mg)、酢酸エチル(5 mL)を仕込み、水素２MPaを圧入し、６０℃にて５時間撹拌した。反応終了後、室温まで冷却し、反応溶液を濃縮した。メントール：ネオイソメントール＝９１：９の混合物を０．９９ｇ得た。収率９０％。
【００７４】
【実施例１５〜２２】
メントールの合成
各条件下でのプレゴールの水素化を行った。その結果を次の表２に示す。なお、表中、7:7"は、式（７）の化合物：式（７”）の化合物、を表す。
【００７５】
【表２】
0004795559.tif 000012
【００７６】
【実施例２３】
メントールの合成
１００ｍｌのオートクレーブにプレゴール３．１ｇ (20 mmol) 、Ru(OAc)2(dppe) ６．２ｍｇ(0.01 mmol)、メタノール(3 mL) を仕込み、水素圧 ３Mpa を圧入し、５０℃で18時間攪拌した。反応終了後。室温まで冷却し、反応溶液を濃縮した。メントール：ネオメントール：ネオイソメントール＝９６：１．７：２．３の混合物を３．１ｇ得た。収率９５．５％。
【００７７】
【実施例２４〜３３】
メントールの合成
均一系の遷移金属触媒として実施例２３のRu(OAc)2(dppe)に代えて、表３に記載の遷移金属触媒を用い、実施例２３と同様にプレゴールの水素化を行った。その結果を表３に示す。
なお、表中における各略称は、それぞれ次の化合物を示す。
dppb：ビス（ジフェニルホスフィノ）ブタン、
dppe：ビス（ジフェニルホスフィノ）エタン
【００７８】
【表３】
0004795559.tif 000013