(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
通孔を有する基板と、
リソグラフィを用いて前記基板の第一面上に形成され、検体の電極に接触する導線と、
側壁の少なくとも一部が前記通孔の側壁から離間した柱状にリソグラフィを用いて前記通孔内に形成され、前記通孔の前記側壁から離間した前記側壁の前記一部が前記第一面の裏面である前記基板の第二面側から前記検体とともに観察された状態で前記検体に対して位置合わせされる検査アライメントマークと、
を備えるプローブユニット。
【請求項２】
通孔を有する基板と、
リソグラフィを用いて前記基板の第一面上に形成され、検体の電極に接触する導線と、
側壁の少なくとも一部が前記通孔の側壁から離間した柱状にリソグラフィを用いて前記通孔内に形成されている製造アライメントマークと、
前記第一面の裏面である前記基板の第二面上に前記通孔の前記側壁から離間した前記製造アライメントマークの前記側壁の前記一部を基準に用いたリソグラフィにより形成されたマスクを用いて前記第二面上に形成され、前記第二面側から前記検体とともに観察された状態で前記検体に対して位置合わせされる検査アライメントマークと、
を備えるプローブユニット。
【請求項３】
前記検査アライメントマークは前記導線の真裏に配置されている、
請求項２に記載のプローブユニット。
【請求項４】
基板の第一面に凹部を形成し、
側壁の少なくとも一部が前記凹部の側壁から離間した柱状層をリソグラフィを用いて前記凹部の底上に形成し、
前記第一面上に、検体の電極に接触する導線をリソグラフィを用いて形成し、
前記第一面の裏面である前記基板の第二面を研削することにより、前記第二面に前記柱状層を露出させる、
ことを含むプローブユニットの製造方法。
【請求項５】
基板の第一面に凹部を形成し、
側壁の少なくとも一部が前記凹部の側壁から離間した柱状層をリソグラフィを用いて前記凹部の底上に形成し、
検体の電極に接触する導線をリソグラフィを用いて前記第一面上に形成し、
前記第一面の裏面である前記基板の第二面を研削することにより、前記第二面に前記柱状層を露出させ、
前記第二面に露出している前記柱状層の前記凹部の前記側壁から離間した前記側壁の前記一部を基準に用いたリソグラフィにより前記第二面上にマスクを形成し、
前記第二面側から前記検体とともに観察されて前記検体に対して位置合わせされる検査アライメントマークを前記第二面上に前記マスクを用いて形成する、
ことを含むプローブユニットの製造方法。
【請求項６】
前記導線を形成した後に、前記基板の変形を矯正するための矯正層を前記第一面上に固定し、
前記第一面に前記矯正層が固定された前記基板の前記第二面上に前記検査アライメントマークを形成する、
ことを含む請求項５に記載のプローブユニットの製造方法。
【請求項７】
前記柱状層が形成されている領域と、前記導線と前記検査アライメントマークとが形成されている領域との境界で前記基板を分断する、
ことを含む請求項５又は６に記載のプローブユニットの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、プローブユニット及びその製造方法に関し、特にプローブユニットと検査対象である電子デバイスとの位置合わせに関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、ＬＳＩ、液晶パネル等の電子デバイスの検査に用いるプローブユニットが知られている。検査対象である電子デバイスの高集積化に伴い、検査対象とプローブユニットとの位置合わせが困難になっている。特に、微細な導線の検査対象との接触部位が基板から突出していないプローブユニットでは、検査対象との位置合わせに用いられる検査アライメントマークを基板の導線と反対側の表面に導線と別工程で形成する必要がある。導線と検査アライメントマークを基板の両面に形成する場合、導線に対して基準マークを高精度に位置決めすることは容易ではない。このため、検査アライメントマークを用いた検査対象とプローブユニットとの高精度な位置合わせが課題になっている。
特許文献１に開示されたプローブユニットは、導線を基板の反対側から視認可能な薄いフィルムで基板が構成されている。しかし、薄いフィルムは温度などの環境要因による寸法変化があるため、狭いピッチで形成される導線の配置精度を保障することが難しいという問題がある。
特許文献２に開示されたプローブユニットは、導線を基板の反対側から視認可能なサファイヤで基板が構成されている。しかしサファイヤでは、切断面の結晶方位により複屈折が生じる。この結果、検査対象が多重に写るため、検査対象と導線との位置合わせが容易でない。
【０００３】
【特許文献１】特開平１０−１０１５５号公報
【特許文献２】特開昭６２−２９０１４４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
本発明は上述の問題を解決するために創作されたものであって、検査対象である電子デバイスと高精度に位置合わせできるプローブユニット及びその製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
（１）上記課題を解決するためのプローブユニットは、通孔を有する基板と、リソグラフィを用いて前記基板の第一面上に形成され、検体の電極に接触する導線と、側壁の少なくとも一部が前記通孔の側壁から離間した柱状にリソグラフィを用いて前記通孔内に形成され、前記通孔の前記側壁から離間した前記側壁の前記一部が前記第一面の裏面である前記基板の第二面側から前記検体とともに観察された状態で前記検体に対して位置合わせされる検査アライメントマークと、を備える。
検査アライメントマークを通孔内に形成することにより、導線と検査アライメントマークのマスクを基板の同一の第一面側からのリソグラフィによって形成することができるため、導線に対して高精度に位置決めされた検査アライメントマークの側壁を通孔の側壁から離間した形態で形成することができる。このようにして検査アライメントマークが形成されているプローブユニットを用いた電子デバイスの検査では、検査アライメントマークを検体とともに基板の導線と反対側の第二面側から観察しながら、検査アライメントマークの通孔の側壁から離間した部位を検体に対して位置合わせすることにより、検体の電極と導線とを高精度に位置合わせすることができる。
【０００６】
（２）上記課題を解決するためのプローブユニットは、通孔を有する基板と、リソグラフィを用いて前記基板の第一面上に形成され、検体の電極に接触する導線と、側壁の少なくとも一部が前記通孔の側壁から離間した柱状にリソグラフィを用いて前記通孔内に形成されている製造アライメントマークと、前記第一面の裏面である前記基板の第二面上に前記通孔の前記側壁から離間した前記製造アライメントマークの前記側壁の前記一部を基準に用いたリソグラフィにより形成されたマスクを用いて前記第二面上に形成され、前記第二面側から前記検体とともに観察された状態で前記検体に対して位置合わせされる検査アライメントマークと、を備える。
製造アライメントマークを通孔内に形成することにより、導線と製造アライメントマークのマスクを基板の同一の第一面側からのリソグラフィによって形成することができるため、導線に対して高精度に位置決めされた製造アライメントマークの側壁を通孔の側壁から離間した形態で形成することができる。このような製造アライメントマークの通孔の側壁から離間した部位を基準に用いることにより、検査アライメントマークのマスクを基板の導線と反対側の第二面側からのリソグラフィにより導線と正確に位置合わせして形成することができる。このようにして検査アライメントマークが形成されているプローブユニットを用いた電子デバイスの検査では、検査アライメントマークを検体とともに基板の導線と反対側から観察しながら、検査アライメントマークを検体に対して位置合わせすることにより、検体の電極と導線とを高精度に位置合わせすることができる。
【０００７】
（３）前記検査アライメントマークは前記導線の真裏に配置されてもよい。
検査アライメントマークを導線の真裏に形成することにより、例えば顕微鏡の狭い視野内に検査アライメントマークと検体の電極とを同時に入れることが可能になり、検体の電極と導線との位置合わせが容易になる。
【０００８】
（４）上記課題を解決するためのプローブユニットの製造方法は、基板の第一面に凹部を形成し、側壁の少なくとも一部が前記凹部の側壁から離間した柱状層をリソグラフィを用いて前記凹部の底上に形成し、前記第一面上に、検体の電極に接触する導線をリソグラフィを用いて形成し、前記第一面の裏面である前記基板の第二面を研削することにより、前記第二面に前記柱状層を露出させる、ことを含む。
導線が形成される基板の第一面に凹部を形成しておき、その凹部内に検査アライメントマークとなる柱状層を形成し、凹部が形成されている第一面の裏面である基板の第二面を研削することにより、基板の導線と反対側の第二面に検査アライメントマークを露出させることができる。このような検査アライメントマークは、リソグラフィを用いて、凹部の底を研削することにより形成された通孔の側壁から側壁の少なくとも一部が離間した形態に形成することができる。このようにして検査アライメントマークが形成されているプローブユニットを用いた電子デバイスの検査では、検査アライメントマークを検体とともに基板の導線と反対側から観察しながら、検査アライメントマークの通孔の側壁から離間した部位を検体に対して位置合わせすることにより、検体の電極と導線とを高精度に位置合わせすることができる。
【０００９】
（５）上記課題を解決するためのプローブユニットの製造方法は、基板の第一面に凹部を形成し、側壁の少なくとも一部が前記凹部の側壁から離間した柱状層をリソグラフィを用いて前記凹部の底上に形成し、検体の電極に接触する導線をリソグラフィを用いて前記第一面上に形成し、前記第一面の裏面である前記基板の第二面を研削することにより、前記第二面に前記柱状層を露出させ、前記第二面に露出している前記柱状層の前記凹部の前記側壁から離間した前記側壁の前記一部を基準に用いたリソグラフィにより前記第二面上にマスクを形成し、前記第二面側から前記検体とともに観察されて前記検体に対して位置合わせされる検査アライメントマークを前記第二面上に前記マスクを用いて形成する、ことを含む。
導線が形成される基板の第一面に凹部を形成しておき、その凹部内に製造アライメントマークとなる柱状層を形成し、凹部が形成されている第一面の裏面である基板の第二面を研削することにより、基板の導線と反対側の第二面に製造アライメントマークを露出させることができる。このような製造アライメントマークは、リソグラフィを用いて、凹部の底を研削することにより形成された通孔の側壁から側壁の少なくとも一部が離間した形態に形成することができる。そして製造アライメントマークの通孔の側壁から離間した部位を基準に用いることにより、検査アライメントマークのマスクを基板の導線と反対側の第二面側からのリソグラフィにより導線と正確に位置合わせして形成することができる。このようにして検査アライメントマークが形成されているプローブユニットを用いた電子デバイスの検査では、検査アライメントマークを検体とともに基板の導線と反対側から観察しながら、検査アライメントマークの通孔の側壁から離間した部位を検体に対して位置合わせすることにより、検体の電極と導線とを高精度に位置合わせすることができる。
【００１０】
（６）前記導線を形成した後に、前記基板の変形を矯正するための矯正層を前記第一面上に固定し、前記第一面に前記矯正層が固定された前記基板の前記第二面上に前記検査アライメントマークを形成してもよい。
基板の第一面に固定された矯正層により基板の変形を矯正した状態で、製造アライメントマークの通孔の側壁から離間した部位を基準に用いて、検査アライメントマークのマスクを基板の導線と反対側の第二面側からのリソグラフィにより導線と正確に位置合わせして形成することができる。この結果、検査アライメントマークを導線に対して高精度に位置決めすることができる。
【００１１】
（７）前記柱状層が形成されている領域と、前記導線と前記検査アライメントマークとが形成されている領域との境界で前記基板を分断してもよい。
プローブユニット製造後の製造アライメントマークは不要である。したがって、柱状層が形成されている領域と、導線と検査アライメントマークとが形成されている領域との境界で基板を分断することにより、製造アライメントマークを除去してもよい。
【００１２】
尚、本明細書において、「・・・上に形成する」とは、技術上の阻害要因がない限りにおいて、「・・・上に直に形成する」と、「・・・上に中間物を介して形成する」の両方を含む意味とする。また、請求項に記載された方法の各動作の順序は、技術上の阻害要因がない限り、記載順に限定されるものではなく、どのような順番で実行されてもよく、また同時に実行されてもよい。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１３】
以下、複数の実施例に基づいて本発明の実施の形態を説明する。各実施例において同一の符号が付された構成要素は、その符号が付された他の実施例の構成要素と対応する。
（第一実施例）
１．プローブユニットの構成
図１は、本発明の第一実施例によるプローブユニットを示す模式図である。（Ａ）はプローブユニットの平面図、（Ｂ）は（Ａ）と反対側から見たプローブユニットの平面図、（Ｃ）は（Ａ）のＣ１−Ｃ１線による断面図である。
図１に示すように、第一実施例によるプローブユニット１は、基板１０、プローブ２０、アライメントマーク３０、アライメントパターン４０等で構成されている。
【００１４】
基板１０は、例えばジルコニア、アルミナ、ガラスセラミックス等のセラミックス基板である。基板１０は、１０μｍ〜２００μｍの厚さであることが望ましい。このように基板１０を薄く形成すると、基板１０を電子デバイスの形状に応じて変形させることにより、プローブユニット１を電子デバイスの形状に追従させることができる。この結果、電子デバイスにプローブユニット１を確実に接触させることができる。尚、基板１０は、セラミックス以外の絶縁材料で形成してもよい。
【００１５】
導線としてのプローブ２０は検査時に検体に接触する。プローブ２０は、リソグラフィを用いてＮｉ等の金属や、ＮｉＦｅ、ＮｉＭｎ、ＮｉＷ、ＮｉＰ、ＮｉＣｏ等の合金で基板１０上に形成されている。プローブ２０は厚さ１００μｍ以下に形成することが望ましい。以下、基板１０のプローブ２０が形成されている面を「第一面」といい、基板１０のプローブ２０が形成されていない面を「第二面」という。尚、プローブ２０は、上述した金属や合金以外の導電材料でもよい。
【００１６】
製造アライメントマークとしてのアライメントマーク３０は、プローブユニット１の製造時にアライメントパターン４０の配置の基準とされる。アライメントマーク３０は、基板１０を貫通する円柱状の通孔１２の中心に、リソグラフィを用いて通孔１２の径より小さい円柱状に形成されている。すなわち、アライメントマーク３０は基板１０の両側に露出し、アライメントマーク３０の側壁は通孔１２の側壁から離間している。通孔１２の側壁とアライメントマーク３０の側壁の間には、基板１０にアライメントマーク３０を固定するマーク固定部３２が形成されている。
尚、図２に示すように、アライメントマーク３０の一部は通孔１２の側壁に接続してもよい。この場合、プローブユニット１はマーク固定部３２を備えなくてもよい。
【００１７】
アライメントマーク３０とマーク固定部３２は、互いに異なる色彩の材料で形成することが望ましい。具体的には例えば、アライメントマーク３０をＮｉＦｅで形成する場合、マーク固定部３２はＮｉＦｅと色彩が異なるＣｕ、Ｃｕ合金、Ｎｉ等で形成する。後述するプローブユニット１の製造方法で説明するように、アライメントパターン４０は、アライメントマーク３０の側壁の位置を基準に用いてプローブ２０に対して高精度に位置決めして形成される。アライメントマーク３０とマーク固定部３２とを互いに異なる色彩の材料で形成することにより、アライメントマーク３０の側壁の位置を正確に認識することができる。尚、アライメントマーク３０とマーク固定部３２は、上述した金属や合金と異なる材料で形成してもよい。
【００１８】
検査アライメントマークとしてのアライメントパターン４０は、プローブ２０に対して高精度に位置決めされている。具体的には例えば、アライメントパターン４０はプローブ２０の真裏にプローブ２０と略同形状にパターニングされている。アライメントパターン４０は、Ｎｉ、Ａｕ、Ｃｒ、Ｔｉ等の金属やＮｉ合金、Ａｕ合金、Ｃｒ合金、Ｔｉ合金等の合金で、厚さ１０μｍ以下の厚さに形成することが望ましい。尚、アライメントパターン４０は、プローブ２０と異なる形状でもよく、プローブ２０の真裏に配置されていなくてもよい。
【００１９】
２．電子デバイスの検査方法
図３は、プローブユニット１を用いた電子デバイスの検査方法を示す模式図である。
検体としての電子デバイス５０の検査システムは、プローブユニット１、プローブユニット１を取付ける検査装置本体（以下、プローバという。）６０、顕微鏡６２等で構成されている。
【００２０】
図３（Ａ）に示すようにプローブユニット１は、プローブ２０の先端部２２が電子デバイス５０側に位置するように、電子デバイス５０に対して傾斜した姿勢でプローバ６０に固定される。プローブ２０は、例えばフレキシブルプリント配線板６４を介して、プローバ６０と電気的に接続されている。これによりプローバ６０は、プローブ２０を介して、電子デバイス５０に検査信号を入力したり、電子デバイス５０の検査信号に対応する出力信号を受信することができる。プローブユニット１のアライメントパターン４０側には、電子デバイス５０の電極５２とアライメントパターン４０の拡大像を映し出す顕微鏡６２が配置されている。
【００２１】
はじめに、アライメントパターン４０を電子デバイス５０の電極５２とともに基板１０の第二面側から観察しながら、プローブ２０が電子デバイス５０の電極５２と一対一に対応するように、電子デバイス５０にプローブユニット１を相対的に近付ける。上述したようにアライメントパターン４０は、プローブ２０の真裏にプローブ２０と略同一形状にパターニングされている。そのため、図３（Ｂ）に示すようにアライメントパターン４０が電子デバイス５０の電極５２上に位置するようにプローブユニット１を相対移動させることにより、プローブユニット１のプローブ２０と電子デバイス５０の電極５２とを位置合わせすることができる。
【００２２】
このようにプローブ２０に対して高精度に位置決めされたアライメントパターン４０を用いてプローブユニット１と電子デバイス５０との位置合わせをすることにより、プローブユニット１のプローブ２０と電子デバイス５０の電極５２とを高精度に位置合わせすることができる。尚、アライメントパターン４０がプローブ２０の真裏に形成されていない場合は、電子デバイス５０に形成された検査用のアライメントマークとプローブユニット１のアライメントパターン４０とを用いて、プローブユニット１のプローブ２０と電子デバイス５０の電極５２とを位置合わせすればよい。
【００２３】
電子デバイス５０にプローブユニット１が相対的に近付くと、プローブ２０の先端部２２が電子デバイス５０の電極５２に接触する。この結果プローバ６０は、プローブユニット１を介して電子デバイス５０と導通する。プローバ６０は、プローブユニット１のプローブ２０を介して電子デバイス５０に検査信号を入力することにより、電子デバイス５０の検査を行う。
【００２４】
３．プローブユニットの製造方法
図４から図７は、プローブユニット１の製造方法を示す模式図である。
はじめに、図４（Ａ１）に示すように、基板１００に凹部１０２を例えばエンドミル加工、フライス加工等の機械加工により形成する。基板１００は、後述する工程において成形されてプローブユニット１の基板１０を構成し、凹部１０２は、後述する工程において底を除去されてプローブユニット１の通孔１２を構成する。したがって凹部１０２は、通孔１２の形状に応じて基板１００に形成すればよい。
【００２５】
次に、アライメントマーク３０を構成する柱状層１０４を凹部１０２の底上に形成する（図４（Ａ３）参照）。具体的には例えば、柱状層１０４は以下のように形成する。まず、図４（Ａ２）に示すように、基板１００の第一面１００ａに下地層１０６をスパッタ等で形成する。次に、凹部１０２の底上に形成されている下地層１０６の一部を露出させる開口部１０８ａを有する、レジスト膜１０８をリソグラフィを用いて形成する。より具体的には、下地層１０６にレジストを塗布してレジスト膜を形成する。そして所定形状のフォトマスクを配置してレジスト膜に対して露光現像処理を施し、不要なレジスト膜を除去する。これにより、下地層１０６上にレジスト膜１０８を形成する。レジスト膜の除去には、ＮＭＰ（Ｎ−メチル−２−ピロリドン）等のレジスト剥離液を用いてもよいし、アッシングにより除去してもよい。次に、図４（Ａ３）に示すように、レジスト膜１０８の開口部１０８ａ内にＮｉＦｅ等の金属層をめっきで成長させる。これにより、金属の柱状層１０４が凹部１０２内に形成される。尚、柱状層１０４はめっき以外の方法、例えばＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）等で形成してもよい。また、柱状層１０４は金属でなくてもよい。また、下地層１０６を形成する工程を省略して、基板１００上に直に柱状層１０４を形成してもよい。
【００２６】
次に、図５（Ａ４）に示すように、凹部１０２の側壁と柱状層１０４の側壁との間を埋める充填層１１０を形成する。充填層１１０は、例えば下地層１０６上にＣｕ、Ｃｕ合金、Ｎｉ等をめっきすることにより形成する。充填層１１０はマーク固定部３２を構成する。
次に、図５（Ａ５）に示すように、例えば充填層１１０と柱状層１０４と下地層１０６とをＣＭＰ（Chemical Mechanical Polishing）で基板１００が露出するまで研磨することにより、基板１００と柱状層１０４と下地層１０６と充填層１１０とを平坦化する。
【００２７】
次に、凹部１０２外の基板１００の第一面１００ａ上にプローブ２０を形成する（図６（Ａ８）参照）。具体的には例えば、プローブ２０は以下のように形成する。まず、図５（Ａ６）に示すように、平坦化した基板１００と柱状層１０４と下地層１０６と充填層１１０の表面上に、下地層１１４をスパッタ等で形成する。次に、下地層１１４のプローブ２０を形成する部位を露出させる開口部１１６ａを有するレジスト膜１１６を、下地層１１４上にリソグラフィを用いて形成する。次に、図６（Ａ７）に示すように、レジスト膜１１６の開口部１１６ａ内にＮｉＦｅ等の金属層をめっきで成長させる。これにより金属のプローブ２０が開口部１１６ａ内に形成される。次に、図６（８）に示すように、レジスト膜１１６とプローブ２０以外の不要な下地層１１４とを除去する。尚、プローブ２０はめっき以外の方法、例えばＣＶＤ等で形成してもよい。また、下地層１１４を形成する工程を省略して、基板１００上に直にプローブ２０を形成してもよい。
【００２８】
次に、図６（Ａ９）に示すように、基板１００の第二面１００ｂに柱状層１０４と充填層１１０が露出するまで、基板１００の第二面１００ｂを研削する。具体的には例えば、ＣＭＰ等で基板１００の第二面１００ｂを研磨することにより、基板１００の第二面１００ｂに柱状層１０４と充填層１１０を露出させる。この結果、凹部１０２の底が除去されて通孔１２が形成される。
【００２９】
このように、プローブ２０が形成される基板１００の第一面１００ａに凹部１０２を形成しておき、その凹部１０２内に検査アライメントマークとなる柱状層１０４を形成し、凹部１０２が形成されている第一面１００ａの裏面である基板１００の第二面１００ｂを研削することにより、基板１００のプローブ２０と反対側の第二面１００ｂにアライメントマーク３０を露出させることができる。
【００３０】
次に、図７（Ａ１０）に示すように、基板１００の第一面１００ａ上に接着層１１８を介して矯正層１１９を固定する。例えば接着層１１８は、接着剤や熱発泡性接着テープである。また矯正層１１９は、例えばガラス板やセラミックス板である。上述した基板１００を研削する工程において基板１００を薄く成形すると基板１００は変形するが、基板１００に矯正層１１９を固定することにより、基板１００の変形を矯正することができる。尚、本工程は基板１００を研削する前に実施してもよい。基板１００を研削する工程前に基板１００に矯正層１１９を固定することにより、基板１００を研削により基板１００が変形することを防止することができる。また後述する工程において、基板１００が変形した状態でアライメントパターン４０を形成したとしても、プローブ２０に対して仕様範囲内の精度で位置決めされたアライメントパターン４０が形成可能であれば、本工程は省略してもよい。
【００３１】
次に、基板１００の第二面１００ｂ上にアライメントパターン４０を形成する（図７（Ａ１２）参照）。具体的には例えば、アライメントパターン４０は以下のように形成する。まず、図７（Ａ１０）に示すように、基板１００の第二面１００ｂ上に下地層１２０をスパッタなどで形成する。次に、下地層１２０のアライメントパターン４０を形成する部位を露出させる開口部１２２ａを有する、マスクとしてのレジスト膜１２２をフォトリソグラフィにより形成する。より具体的には、まず下地層１２０にレジストを塗布してレジスト膜を形成する。次にマスクアライナーを用いて、柱状層１０４を基準に所定形状のフォトマスクを配置する。次にレジスト膜に対して露光現像処理を施し、不要なレジスト膜を除去する。次に、レジスト膜１２２の開口部１２２ａ内にＮｉＦｅ等の金属層をめっきで成長させる。これにより、金属のアライメントパターン４０が形成される。次に、レジスト膜１２２とアライメントパターン４０以外の不要な下地層１２０と矯正層１１９と接着層１１８とを除去する。
【００３２】
上述のように基板１００の第二面１００ｂに露出する柱状層１０４を基準に用いることにより、アライメントパターン４０のマスクを基板１００の第二面１００ｂ側からのリソグラフィによりプローブ２０と正確に位置合わせして形成することができる。この結果、アライメントパターン４０をプローブ２０に対して高精度に位置決めして形成することができる。尚、側壁の一部が凹部１０２の側壁に接続した柱状層１０４（図２に示すアライメントマーク３０参照）を形成する場合は、柱状層１０４の通孔１２の側壁から離間した部位を基準に用いて、アライメントパターン４０のマスクを基板１００の第二面１００ｂ側からのリソグラフィによりプローブ２０と正確に位置合わせして形成することができる。
【００３３】
（第二実施例）
１．プローブユニットの構成とその製造方法
図８は、第二実施例によるプローブユニットを示す模式図である。（Ａ）はプローブユニットの平面図、（Ｂ）は（Ａ）と反対側から見たプローブユニットの平面図、（Ｃ）は（Ａ）のＣ８−Ｃ８線による断面図である。
第二実施例によるプローブユニット２は、第一実施例に係るアライメントパターン４０に対応する構成要素を備えていない。但し、図８に示すプローブユニット２の各構成要素は、第一実施例によるプローブユニット１の対応する構成要素と実質的に同一である。したがって、プローブユニット２の各構成要素は、第一実施例に係るプローブユニット１の対応する構成要素の製造工程と実質的に同一の工程により製造可能である。
【００３４】
２．電子デバイスの検査方法
図９（Ａ）は、プローブユニット２を用いた電子デバイスの検査方法を示す模式図である。図９（Ｂ）はアライメントマーク３０が十字に形成されたプローブユニット２の変形例を用いた電子デバイスの検査方法を示す模式図である。
プローブユニット２を用いた電子デバイス５０の検査では、電子デバイス５０のアライメントマーク５４とともにプローブユニット２のアライメントマーク３０を顕微鏡６２で観察することにより、電子デバイス５０の電極５２とプローブユニット２のプローブ２０とを位置決めする。
【００３５】
第一実施例で説明したようにアライメントマーク３０は、プローブ２０に対して高精度に位置決めすることができる。プローブ２０に対して高精度に位置決めしたアライメントマーク３０を検査アライメントマークとして用いることにより、プローブユニット２のプローブ２０と電子デバイス５０の電極５２とを高精度に位置合わせすることができる。
【００３６】
（第三実施例）
１．プローブユニットの構成と電子デバイスの検査方法
第三実施例によるプローブユニット３は、第一実施例に係るアライメントマーク３０に対応する構成要素を備えていない。但し、プローブユニット３の各構成要素は、第一実施例によるプローブユニット１の対応する構成と実質的に同一である。したがって、プローブユニット３を用いた電子デバイスの検査方法は、第一実施例に係るプローブユニット１を用いた電子デバイス５０の検査方法と実質的に同一である。
【００３７】
２．プローブユニットの製造方法
図１０は、第三実施例によるプローブユニットの製造方法を示す模式図である。
完成前のプローブユニット３は、第一実施例に係るアライメントマーク３０に対応する構成要素を備えている。プローブユニット３の製造工程では、まず第一実施例によるプローブユニット１の製造工程と同様にしてアライメントパターン４０を形成する。そして図１０に点線で示すように、柱状層１０４が形成されている領域と、プローブ２０とアライメントパターン４０が形成されている領域との境界で基板１００を分断する。これにより、不要なアライメントマーク３０を除去することができる。尚、プローブユニット３毎にアライメントマーク３０を形成した基板１００を例示して説明したが、アライメントマーク３０は基板１００に少なくとも１つ形成すればよい。
【図面の簡単な説明】
【００３８】
【図１】（Ａ）、（Ｂ）は第一実施例によるプローブユニットを示す平面図、（Ｃ）は（Ａ）のＣ１−Ｃ１線による断面図。
【図２】第一実施例によるプローブユニットの変形例を示す平面図。
【図３】第一実施例によるプローブユニットを用いた検査方法を示す模式図。
【図４】第一実施例によるプローブユニットの製造方法を示す断面図。
【図５】第一実施例によるプローブユニットの製造方法を示す断面図。
【図６】第一実施例によるプローブユニットの製造方法を示す断面図。
【図７】第一実施例によるプローブユニットの製造方法を示す断面図。
【図８】（Ａ）、（Ｂ）は第二実施例によるプローブユニットを示す平面図、（Ｃ）は（Ａ）のＣ８−Ｃ８線による断面図。
【図９】第二実施例によるプローブユニットを用いた検査方法を示す模式図。
【図１０】第三実施例によるプローブユニットの製造方法を示す模式図。
【符号の説明】
【００３９】
１、２、３：プローブユニット、１０：基板、１２：通孔、２０：プローブ（導線）、３０：アライメントマーク（製造アライメントマーク、検査アライメントマーク）、４０：アライメントパターン（検査アライメントマーク）、５０：電子デバイス（検体）、５２：電極、１００：基板、１００ａ：第一面、１００ｂ：第二面、１０２：凹部、１０４：柱状層、１１９：矯正層、１２２：レジスト膜（マスク）
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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