(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁フィルムに、セミアディティブ法により形成され、銅と溶解特性の異なる下地メタライズ層、銅メタライズ層および銅めっき層からなる配線パターンが、前記下地メタライズ層の形成に由来して絶縁フィルムから変性して生じた金属拡散層を介して、固定されるフレキシブル配線基板であり、配線間では、前記金属拡散層が除去され、前記絶縁フィルムが露出しており、平面視において、前記銅めっき層、前記銅メタライズ層および前記下地メタライズ層の輪郭を、前記金属拡散層の輪郭が縁取って、前記銅めっき層、前記銅メタライズ層および前記下地メタライズ層の周囲に、前記金属拡散層が延在することを特徴とするフレキシブル配線基板。
【請求項２】
平面視で、前記金属拡散層の輪郭は、前記銅めっき層、前記銅メタライズ層および前記下地メタライズ層の輪郭に対して、０．１μｍ以上、２μｍ以下の幅で、延在することを特徴とする請求項１に記載のフレキシブル配線基板。
【請求項３】
前記配線パターンの表面にめっきが施されている請求項１または２に記載のフレキシブル配線基板。
【請求項４】
絶縁フィルムの少なくとも一方の面に、銅と溶解特性の異なる下地メタライズ層を形成し、該下地メタライズ層の上に、銅メタライズ層を形成し、該銅メタライズ層の上に、フォトレジストにより所望の回路パターンを形成した後、該回路パターンの周囲から露出した前記銅メタライズ層の上に、銅めっき層を形成して、前記回路パターンを剥離して除去した後、前記銅めっき層の周囲に露出する前記銅メタライズ層を除去し、前記銅めっき層の周囲に露出する前記下地メタライズ層を除去し、前記下地メタライズ層の形成に由来して絶縁フィルムから変性して生じた金属拡散層のうち、前記銅めっき層の周囲に露出した部分を除去し、前記銅めっき層および前記銅メタライズ層の表面をソフトエッチングすることにより、平面視において、前記銅めっき層および前記銅メタライズ層の輪郭を、前記下地メタライズ層の輪郭が縁取って、前記銅めっき層および前記銅メタライズ層の周囲に、前記下地メタライズ層を延在させ、さらに、前記銅めっき層および前記銅メタライズ層の周囲に延在する前記下地メタライズ層を除去することにより、平面視において、前記銅めっき層、前記銅メタライズ層および前記下地メタライズ層の輪郭を、前記金属拡散層の輪郭が縁取って、前記銅めっき層、前記銅メタライズ層および前記下地メタライズ層の周囲に、前記金属拡散層を延在させ、配線パターンを得ることを特徴とするフレキシブル配線基板の製造方法。
【請求項５】
さらに、前記配線パターンの表面にめっきを施すことを特徴とする請求項３に記載のフレキシブル配線基板の製造方法。
【請求項６】
絶縁フィルムに、セミアディティブ法により形成され、銅と溶解特性の異なる下地メタライズ層、銅メタライズ層および銅めっき層からなる配線パターンが、前記下地メタライズ層の形成に由来して絶縁フィルムから変性して生じた金属拡散層を介して、固定されるフレキシブル配線基板であり、配線間では、前記金属拡散層が除去され、前記絶縁フィルムが露出しており、平面視において、前記銅めっき層および前記銅メタライズ層の輪郭を、前記下地メタライズ層の輪郭が縁取って、前記銅めっき層および前記銅メタライズ層の周囲に、前記下地メタライズ層が延在することを特徴とするフレキシブル配線基板。
【請求項７】
平面視で、前記下地メタライズ層の輪郭は、前記銅めっき層および前記銅メタライズ層の輪郭に対して、０．１μｍ以上、２μｍ以下の幅で、延在することを特徴とする請求項６に記載のフレキシブル配線基板。
【請求項８】
前記配線パターンの表面にめっきが施されている請求項６または７に記載のフレキシブル配線基板。
【請求項９】
絶縁フィルムの少なくとも一方の面に、銅と溶解特性の異なる下地メタライズ層を形成し、該下地メタライズ層の上に、銅メタライズ層を形成し、該銅メタライズ層の上に、フォトレジストにより所望の回路パターンを形成した後、該回路パターンの周囲から露出した前記銅メタライズ層の上に、銅めっき層を形成して、前記回路パターンを剥離して除去した後、前記銅めっき層の周囲に露出する前記銅メタライズ層を除去し、前記銅めっき層の周囲に露出する前記下地メタライズ層を除去し、前記下地メタライズ層の形成に由来して絶縁フィルムから変性して生じた金属拡散層のうち、前記銅めっき層の周囲に露出した部分を除去し、さらに、前記銅めっき層および前記銅メタライズ層の表面をソフトエッチングすることにより、平面視において、前記銅めっき層および前記銅メタライズ層の輪郭を、前記下地メタライズ層の輪郭が縁取って、前記銅めっき層および前記銅メタライズ層の周囲に、前記下地メタライズ層を延在させることを特徴とするフレキシブル配線基板の製造方法。
【請求項１０】
さらに、めっきを施すことを特徴とする請求項９に記載のフレキシブル配線基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、フレキシブル配線基板およびその製造方法に関し、特に、絶縁フィルム上に回路パターンを形成し、めっき法により配線パターンを形成するセミアディティブ法により得られる半導体パッケージ用フレキシブル配線基板およびその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
ポリイミドフィルム等は、薄型および軽量化に優位であることから、フレキシブル配線基板の製造に、絶縁フィルムとしてよく使用されている。特に、最近では、配線の高密度化の要求が高まっており、微細な配線の形成に、サブトラクティブ法と比較して、より有利であるセミアディティブ法が注目されている。セミアディティブ法は、ポリイミドフィルム等の絶縁フィルムの上に、スパッタリング法等を用いて、ニッケル／クロム等の下地メタライズ層を形成し、得られた下地メタライズ層の上に、回路パターンを形成し、めっき法により配線パターンを形成する。
【０００３】
従来のセミアディティブ法によるフレキシブル配線基板の製造方法を、図面により説明する。図３は、従来のフレキシブル配線基板の製造工程を示す一連の断面図である。
【０００４】
先ず、図３（ａ）に示すように、ポリイミドフィルム（１）の上に、スパッタリング法により、銅と溶解特性の異なる金属、例えば、ニッケル／クロム合金からなる下地メタライズ層（１０）が形成され、その上に、スパッタリング法により、銅メタライズ層（２０）が形成され、さらに、ドライフィルムレジストをラミネートし、フォトレジスト層（３０）を形成する。
【０００５】
次に、図３（ｂ）に示すように、フォトレジスト層（３０）を露光して現像することにより、所望の回路パターン（３２）を形成する。
【０００６】
次に、図３（ｃ）に示すように、回路パターン（３２）の開口部に、めっきを施し、銅めっき層（４２）を形成し、その後、回路パターン（３２）を剥離して除去する。使用するめっき浴には、硫酸銅めっき浴が一般的によく用いられている。
【０００７】
次に、図３（ｄ）に示すように、銅めっき層（４２）の周囲に露出する銅メタライズ層（２０）を、硫酸／過酸化水素系のソフトエッチング液などを用いてエッチング除去して、下地メタライズ層（１０）を露出させ、さらに、露出した下地メタライズ層（１０）をエッチング除去する。ニッケル／クロム合金からなる下地メタライズ層（１０）のエッチングには、例えば、市販のニッケル／クロム選択エッチング液（メック株式会社製、ＣＨ１９２０など）が使われる。以上で、配線パターン（４２）の周囲には、メタライズ層がなくなるが、ポリイミドフィルム（１）の表面に、下地メタライズ層（１０）の形成に由来し、金属成分が拡散した変質層である金属拡散層（２）が残る。
【０００８】
次に、図３（ｅ）に示すように、絶縁信頼性を得るために、金属拡散層（２）をポリイミドのみからなる深さに達するまで除去する。金属拡散層（２）の除去には、過マンガン酸塩と水酸化アルカリ金属からなる溶液などが用いられる。
【０００９】
その後、図３（ｆ）に示すように、銅めっき層（４２）、銅メタライズ層（２３）、下地メタライズ層（１３）からなる配線パターンの表面に、ニッケル、金、錫めっき等の所望のめっき（５２）を行う。また、必要に応じて、めっき前に所望の絶縁保護膜を形成することもある。
【００１０】
以上のように、従来のセミアディティブ法によるフレキシブル配線基板の製造方法では、ポリイミドフィルムの表面であり金属成分が拡散した金属拡散層は、ポリイミドのみからなる深さに達するように除去するため、ポリイミドフィルムに配線パターンを固定している部分の金属拡散層まで侵食される。このため、後工程において、錫や金によるめっきを行う際に、配線パターンとポリイミドフィルムの周囲にめっき液が染込み、配線密着性を低下させるという問題があった。
【００１１】
このような問題を解決するための方法としては、配線外周部にメタライズ層を残存させ、その後、配線パターンの表面にニッケル、金、錫のような、めっきを施す方法が挙げられる。例えば、特開２００５−２１００５８号公報に記載された方法では、絶縁フィルムの少なくとも一方の表面に基材金属層を析出させた後、該基材金属層の表面に導電性金属を析出させることにより導電性金属層を形成し、次いで、該基材金属層と導電性金属層とを選択的にエッチングして、配線パターンを形成する工程を有する。さらに詳しくは、該基材金属層と導電性金属層とを、導電性金属層を溶解するエッチング液と接触させて、配線パターンを形成した後、基材金属層を溶解する第１処理液と接触させ、次いで、導電性金属層を選択的に溶解するマイクロエッチング液と接触させた後、第１処理液とは異なる化学組成を有し、かつ、導電性金属に対するよりも基材金属層に対して高い選択性で作用する第２処理液と接触させることを特徴としており（特許文献１、段落番号００１３参照）、いわゆるザブトラクティブ法によりプリント配線基板を得ている。
【００１２】
しかしながら、従来のセミアディティブ法では、図３（ｄ）に示したように、ニッケル／クロムからなる下地メタライズ層（１０）を除去する工程において、ニッケル／クロム除去液が、露出した下地メタライズ層（１０）の全面と接するため、配線パターンの外周のみにメタライズ層を残すことは不可能である。
【００１３】
また、セミアディティブ法に期待されている、例えばライン／スペース幅が１０／１０μｍのようなファインパターンでは、配線パターン外周に残存するメタライズ層がスペース幅を縮小させることになり、絶縁信頼性を損なうことになる。
【００１４】
さらに、図３（ｂ）に示したように、回路パターン（３２）を形成する工程において、フォトレジスト層（３０）を深さ方向に垂直に形成することが難しく、回路パターン（３２）の最深部から張り出して、裾残り（３２ａ）が生じる。裾残り（３２ａ）の部分には、銅めっき層（４２）を形成する際に、めっきがされず、結果として、配線パターンの下面にくびれが生じる。このため、銅メタライズ層（２３）の幅は、銅めっき層（４２）の幅よりも実質的に狭くなるために、配線密着性の低下は、より深刻な問題となる。
【００１５】
【特許文献１】特開２００５−２１００５８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１６】
本発明の目的は、これらの問題点を解決するために、従来と同様に高い絶縁信頼性を維持し、かつ、配線密着性が高く、ファインピッチ配線の形成が可能なフレキシブル配線基板およびその製造方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１７】
本発明のフレキシブル配線基板の一態様は、絶縁フィルムに、セミアディティブ法により形成され、銅と溶解特性の異なる下地メタライズ層、銅メタライズ層および銅めっき層からなる配線パターンが、前記下地メタライズ層の形成に由来して絶縁フィルムから変性して生じた金属拡散層を介して、固定されるフレキシブル配線基板であり、配線間では、前記金属拡散層が除去され、前記絶縁フィルムが露出しており、平面視において、前記銅めっき層、前記銅メタライズ層および前記下地メタライズ層の輪郭を、前記金属拡散層の輪郭が縁取って、前記銅めっき層、前記銅メタライズ層および前記下地メタライズ層の周囲に、前記金属拡散層が延在する。
【００１８】
さらに、平面視で、前記金属拡散層の輪郭は、前記銅めっき層、前記銅メタライズ層および前記下地メタライズ層の輪郭に対して、０．１μｍ以上、２μｍ以下の幅で、延在することが望ましい。
【００１９】
本発明のフレキシブル配線基板の製造方法の一態様は、絶縁フィルムの少なくとも一方の面に、銅と溶解特性の異なる下地メタライズ層を形成し、該下地メタライズ層の上に、銅メタライズ層を形成し、該銅メタライズ層の上に、フォトレジストにより所望の回路パターンを形成した後、該回路パターンの周囲から露出した前記銅メタライズ層の上に、銅めっき層を形成して、前記回路パターンを剥離して除去した後、前記銅めっき層の周囲に露出する前記銅メタライズ層を除去し、前記銅めっき層の周囲に露出する前記下地メタライズ層を除去し、前記下地メタライズ層の形成に由来して絶縁フィルムから変性して生じた金属拡散層のうち、前記銅めっき層の周囲に露出した部分を除去し、前記銅めっき層および前記銅メタライズ層の表面をソフトエッチングすることにより、平面視において、前記銅めっき層および前記銅メタライズ層の輪郭を、前記下地メタライズ層の輪郭が縁取って、前記銅めっき層および前記銅メタライズ層の周囲に、前記下地メタライズ層を延在させ、さらに、前記銅めっき層および前記銅メタライズ層の周囲に延在する前記下地メタライズ層を除去することにより、平面視において、前記銅めっき層、前記銅メタライズ層および前記下地メタライズ層の輪郭を、前記金属拡散層の輪郭が縁取って、前記銅めっき層、前記銅メタライズ層および前記下地メタライズ層の周囲に、前記金属拡散層を延在させる。
【００２０】
さらに、前記配線パターンの表面に、ニッケル、金、錫などのめっきを施すことが望ましい。
【００２１】
本発明のフレキシブル配線基板の異なる態様は、セミアディティブ法により形成され、絶縁フィルムに、銅と溶解特性の異なる下地メタライズ層、銅メタライズ層および銅めっき層からなる配線パターンが、前記下地メタライズ層の形成に由来して絶縁フィルムから変性して生じた金属拡散層を介して、固定されるフレキシブル配線基板であり、配線間では、前記金属拡散層が除去され、前記絶縁フィルムが露出しており、平面視において、前記銅めっき層および前記銅メタライズ層の輪郭を、前記下地メタライズ層の輪郭が縁取って、前記銅めっき層および前記銅メタライズ層の周囲に、前記下地メタライズ層が延在する。
【００２２】
さらに、平面視で、前記下地メタライズ層の輪郭は、前記銅めっき層および前記銅メタライズ層の輪郭に対して、０．１μｍ以上、２μｍ以下の幅で、延在することが望ましい。
【００２３】
本発明のフレキシブル配線基板の製造方法の異なる態様は、絶縁フィルムの少なくとも一方の面に、銅と溶解特性の異なる下地メタライズ層を形成し、該下地メタライズ層の上に、銅メタライズ層を形成し、該銅メタライズ層の上に、フォトレジストにより所望の回路パターンを形成した後、該回路パターンの周囲から露出した前記銅メタライズ層の上に、銅めっき層を形成して、前記回路パターンを剥離して除去した後、前記銅めっき層の周囲に露出する前記銅メタライズ層を除去し、前記銅めっき層の周囲に露出する前記下地メタライズ層を除去し、前記下地メタライズ層の形成に由来して絶縁フィルムから変性して生じた金属拡散層のうち、前記銅めっき層の周囲に露出した部分を除去し、さらに、前記銅めっき層および前記銅メタライズ層の表面をソフトエッチングすることにより、平面視において、前記銅めっき層および前記銅メタライズ層の輪郭を、前記下地メタライズ層の輪郭が縁取って、前記銅めっき層および前記銅メタライズ層の周囲に、前記下地メタライズ層を延在させる。
【００２４】
さらに、前記配線パターンの表面に、ニッケル、金、錫などのめっきを施すことが望ましい。
【発明の効果】
【００２５】
本発明により、金属拡散層をポリイミドのみからなる深さに達するまでエッチング除去した際に生じる配線パターンの下面の侵食部分を残さないことにより、得られた配線パターンの表面にめっきを施す際に配線下面にめっきが染み込むという問題を解決することができ、セミアディティブ法により、配線密着性が高く、かつ、信頼性の高いフレキシブル配線基板を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２６】
以下に、本発明によるフレキシブル配線基板の製造方法の一実施例について、図面を用いて説明する。図１は、本発明のフレキシブル配線基板の製造工程の一実施例を示す一連の断面図である。
【００２７】
先ず、図１（ａ）に示すように、ポリイミドフィルム（１）の上に、スパッタリング法により、銅と溶解特性の異なるニッケル／クロム合金からなる下地メタライズ層（１０）が形成され、その上に、スパッタリング法により、銅メタライズ層（２０）が形成され、さらに、ドライフィルムレジストをラミネートし、フォトレジスト層（３０）を形成する。
【００２８】
次に、図１（ｂ）に示すように、フォトレジスト層（３０）を露光して現像することにより、所望の回路パターン（３１）を形成する。ここで形成する回路パターン（３１）は、後述する工程で行われる配線パターンのエッチングによって、配線幅が細くなることを考慮し、最終的に所望の配線幅が得られるように、形状を補正をしておく。
【００２９】
次に、図１（ｃ）に示すように、回路パターン（３１）の開口部に、硫酸銅めっき浴を用いて、銅めっきを施し、銅めっき層（４０）を形成し、その後、水酸化ナトリウム溶液等で回路パターン（３１）を剥離して除去する。
【００３０】
次に、図１（ｄ）に示すように、銅めっき層（４０）の周囲に露出する銅メタライズ層（２０）を、硫酸／過酸化水素系のソフトエッチング液などを用いてエッチング除去して、下地メタライズ層（１０）を露出させ、さらに、露出した下地メタライズ層（１０）をエッチング除去する。ニッケル／クロム合金からなる下地メタライス層（１０）のエッチングには、従来技術と同様に、例えば、市販のニッケル／クロム選択エッチング液（メック株式会社製、ＣＨ１９２０など）が使われる。以上で、銅めっき層（４０）の周囲には、メタライズ層がなくなるが、ポリイミドフィルム（１）の表面に、下地メタライズ層（１０）の形成に由来し、金属成分が拡散した変質層である金属拡散層（２）が残る。
【００３１】
次に、図１（ｅ）に示すように、絶縁信頼性を得るために、金属拡散層（２）をポリイミドのみからなる深さに達するまで除去する。金属拡散層（２）の除去には、従来技術と同様に、過マンガン酸塩と水酸化アルカリ金属からなる溶液を使用することができる。
【００３２】
次に、図１（ｆ）に示すように、全面をソフトエッチング液に接することにより、配線幅を細くし、所望の配線幅とする。ここで使用するエッチング液は、図１（ｄ）で示した工程と同様の硫酸／過酸化水素系のソフトエッチング液を使用することができる。また、このときに、セミアディティブ法の優位点であるファインパターンのパターンニング性を考慮すると、例えば、配線幅／スペースが１０μｍ／１０μｍの場合には、配線の幅方向のエッチング量は５μｍ以下とすることが望ましい。
【００３３】
次に、図１（ｇ）に示すように、市販のニッケル／クロム選択エッチング液を用いて、銅メタライズ層（２２）の外周に露出している下地メタライズ層（１１）をエッチング除去し、金属拡散層（３）を露出させる。従って、平面視では、銅めっき層（４１）、銅メタライズ層（２２）および下地メタライズ層（１２）の輪郭を、金属拡散層（３）の輪郭が縁取って、銅めっき層（４１）、銅メタライズ層（２２）および下地メタライズ層（１２）の周囲に、金属拡散層（３）が延在することになる。
【００３４】
その後、図１（ｈ）に示すように、銅めっき層（４１）、銅メタライズ層（２２）および下地メタライズ層（１２）の表面にニッケル、金、錫めっき等の所望のめっき（５０）を行う。また、従来と同様に、めっき前に必要に応じて、絶縁保護膜を形成しても良い。
【００３５】
また、図１（ｆ）に示した工程においては、使用するエッチング液に下地メタライズ層（１１）および銅メタライズ層（２１）をともにエッチングできる液を使用して、配線幅を減少させると同時に、金属拡散層（３）を露出させることもできる。このようなエッチング液としては、例えば、塩化第二銅溶液などがある。
【００３６】
得られる本発明のフレキシブル配線基板は、図１（ｈ）に断面図を示したように、絶縁フィルム（１）に、銅と溶解特性の異なる下地メタライズ層（１２）、銅メタライズ層（２２）および銅めっき層（４１）からなる配線パターンが、下地メタライズ層（１２）の形成に由来して絶縁フィルム（１）から変性して生じた金属拡散層（３）を介して、固定されるフレキシブル配線基板であり、平面視において、銅めっき層（４１）、銅メタライズ層（２２）および下地メタライズ層（１２）の輪郭を、金属拡散層（３）の輪郭が縁取って、銅めっき層（４１）、銅メタライズ層（２２）および下地メタライズ層（１２）の周囲に、金属拡散層（３）が延在する。さらに、平面視で、金属拡散層（３）の輪郭は、銅めっき層（１）、銅メタライズ層（２２）および下地メタライズ層（１２）の輪郭に対して、０．１μｍ以上、２μｍ以下の幅で、延在する。０．１μｍ未満であると、ポリイミドフィルムであり金属成分が拡散した金属拡散層をポリイミドのみからなる深さに達するように除去する際に、ポリイミドフィルムに配線パターンを固定している部分の金属拡散層まで侵食されるおそれがあるため好ましくなく、２μｍを超えると、ポリイミドのみが露出している配線パターン間のスペースが狭くなり、セミアディティブ工法の優位点であるファインラインのパターン形成において、絶縁信頼性を低下させることになるので好ましくない。
【００３７】
なお、図２に示したように、配線スペースが十分に広く、配線パターンの外周の下地メタライズ層を除去する必要がない場合は、以下に示す製造方法を実施する。
【００３８】
以下に、本発明によるフレキシブル配線基板の製造方法の異なる実施例について、図面を用いて説明する。図２は、本発明のフレキシブル配線基板の製造工程の一実施例を示す一連の断面図である。
【００３９】
図２（ａ）から図２（ｆ）までの工程は、前述の図１（ａ）から図１（ｆ）までの工程と同じである。
【００４０】
その後、図２（ｇ）に示すように、銅めっき層（４１）および銅メタライズ層（２２）の表面にニッケル、金、錫めっき等の所望のめっき（５１）を行う。また、従来と同様に、めっき前に必要に応じて、絶縁保護膜を形成しても良い。
【００４１】
得られる本発明のフレキシブル配線基板は、図２（ｇ）に断面図を示したように、絶縁フィルム（１）に、銅と溶解特性の異なる下地メタライズ層（１１）、銅メタライズ層（２２）および銅めっき層（４１）からなる配線パターンが、下地メタライズ層（１１）の形成に由来して絶縁フィルム（１）から変性して生じた金属拡散層（３）を介して、固定されるフレキシブル配線基板であり、平面視において、銅めっき層（４１）および銅メタライズ層（２２）の輪郭を、下地メタライズ層（１１）の輪郭が縁取って、銅めっき層（４１）および銅メタライズ層（２２）の周囲に、下地メタライズ層（１１）が延在する。さらに、平面視で、下地メタライズ層（１１）の輪郭は、銅めっき層（４１）および銅メタライズ層（２２）の輪郭に対して、０．１μｍ以上、２μｍ以下の幅で、延在する。０．１μｍ未満であると、ポリイミドフィルムであり金属成分が拡散した金属拡散層をポリイミドのみからなる深さに達するように除去する際に、ポリイミドフィルムに配線パターンを固定している部分の金属拡散層まで侵食されるおそれがあるため好ましくなく、２μｍを超えると、ポリイミドのみが露出している配線パターン間のスペースが狭くなり、セミアディティブ工法の優位点であるファインラインのパターン形成において、絶縁信頼性を低下させることになるので好ましくない。
【００４２】
以上のように、金属拡散層を除去する工程で、配線／ポリイミド界面が侵食された部分は、後工程の配線のソフトエッチング工程で、配線幅を狭めるために、配線下面には存在しなくなる。これにより、配線パターンの表面にめっきを施す際に、配線下面にめっきが染み込むことがなくなり、配線密着性が高く、かつ配線間のポリイミド表面には金属成分が拡散した金属拡散層がないため、信頼性の高いフレキシブル配線基板を製造することが可能となる。
【実施例】
【００４３】
（実施例１）
以下に、本実施例によるフレキシブル配線基板の製造方法について、図面を用いて説明する。図１は、本実施例を示す一連の断面図である。
【００４４】
図１（ａ）に示すように、厚さ３８μｍのポリイミドフィルム（１）の上に、厚さ１７０Åのニッケル／クロム合金からなる下地メタライズ層（１０）がスパッタリング法で形成され、厚さ０．１μｍの銅メタライズ層（２０）が形成された基板を用いた。
【００４５】
先ず、銅メタライズ層（２０）の表面に、厚さ１５μｍのフォトレジスト層（３０）（日立化成株式会社製、商品名：ＲＹ３２１５）をラミネート法により形成した。
【００４６】
次に、図１（ｂ）に示すように、フォトレジスト層（３０）にフォトマスク（図示せず）を介して、紫外線を照射し、現像し、所望の回路パターン（３１）を形成した。ここで形成する回路パターン（３１）は、後の工程で行われるソフトエッチングによる配線幅の減少を考慮し、所望の寸法よりも配線幅が４μｍ、太くなるようにした。
【００４７】
次に、図１（ｃ）に示すように、硫酸銅めっき浴を用いて、回路パターン（３１）に沿ってめっきを成長させ、銅めっき層（４０）を形成し、その後、水酸化ナトリウム水溶液を用いて回路パターン（３１）を剥離して除去した。
【００４８】
次に、図１（ｄ）に示すように、銅めっき層（４０）の周囲に露出する銅メタライズ層（２０）を、市販の硫酸／過酸化水素系のソフトエッチング液（菱江化学株式会社製、商品名：ＣＰＥ８００）を用いてエッチング除去して、さらに露出した下地メタライズ層（１０）を、市販の専用エッチング液（メック株式会社製、商品名：ＣＨ１９２０）を用いて、エッチング除去した。
【００４９】
次に、図１（ｅ）に示すように、過マンガン酸カリウムと水酸化ナトリウムからなる水溶液に材料を浸漬し，金属拡散層（２）をポリイミドのみからなる深さに達するまで、除去した。
【００５０】
次に、図１（ｆ）に示すように、図１（ｄ）に示した工程で使用したものと同じソフトエッチング液を用いて、スプレー法により銅めっき層（４０）および銅メタライズ層（２１）をエッチングした。ここで、配線幅を約４μｍ細くし、所望の配線幅が得られるようにした。
【００５１】
次に、図１（ｇ）に示すように、図１（ｄ）に示した工程で使用したものと同じニッケル／クロム選択エッチング液を用いて、配線外周に露出している下地メタライズ層（１１）をエッチング除去し、金属拡散層（３）を露出させた。
【００５２】
その後、図１（ｈ）に示すように、銅めっき層（４１）、銅メタライズ層（２２）および下地メタライズ層（１２）の表面に、錫めっき（５０）を行い、実施例１のフレキシブル配線基板を得た。
【００５３】
得られたフレキシブル配線基板を観察すると、配線の外周には幅が約１μｍの金属拡散層が形成されていることを確認した。さらに、配線のピール強度を測定した。測定結果を、表１に示す。
【００５４】
【表１】
0004720521.tif 000002
【００５５】
（実施例２）
配線外周に露出している下地メタライズ層（１１）をエッチング除去しなかった以外は、実施例１と同様にして、実施例２のフレキシブル配線基板を得た。
【００５６】
得られたフレキシブル配線基板を観察すると、配線の外周には幅が約１μｍの下地メタライズ層が形成されていることを確認した。さらに、配線のピール強度を測定し、表２の結果を得た。
【００５７】
【表２】
0004720521.tif 000003
【００５８】
（比較例１）
比較例１におけるフレキシブル配線基板の製造方法を、図面により説明する。図３は、従来のフレキシブル配線基板の製造工程を示す一連の断面図である。
【００５９】
先ず、実施例１と同様の基板を用いて、図３（ａ）に示すように、銅メタライズ層（２０）の表面に、厚さ１５μｍのフォトレジスト層（日立化成株式会社製、商品名：ＲＹ３２１５）をラミネート法により形成した。
【００６０】
次に、図３（ｂ）に示すように、フォトレジスト層（３０）にフォトマスク（図示せず）を介して、紫外線を照射し、現像し、所望の回路パターン（３２）を形成した。後述するめっき工程で、所望の配線幅が得られるように、回路パターン（３２）のスペースの幅は、所望の配線幅と同じとした。
【００６１】
次に、図３（ｃ）に示すように、硫酸銅めっき浴を用いて、回路パターン（３２）に沿ってめっきを成長させ、銅めっき層（４２）を形成し、その後、水酸化ナトリウム水溶液を用いて回路パターン（３２）を剥離して除去した。
【００６２】
次に、図３（ｄ）に示すように、銅めっき層（４２）の周囲に露出する銅メタライズ層（２０）を、市販の硫酸／過酸化水素系のソフトエッチング液（菱江化学株式会社製、商品名：ＣＰＥ８００）を用いてエッチング除去して、さらに、露出した下地メタライズ層（１０）を、市販の専用エッチング液（メック株式会社製、商品名：ＣＨ１９２０）を用いて、エッチング除去した。
【００６３】
次に、図３（ｅ）に示すように、過マンガン酸カリウムと水酸化ナトリウムからなる水溶液に材料を浸漬し，金属拡散層（２）をポリイミドのみからなる深さに達するまで、除去した。
【００６４】
その後、図３（ｆ）に示すように、銅めっき層（４２）、銅メタライズ層（２３）、下地金属層（１３）および金属拡散層（４）の表面に、錫めっき（５２）を行い、比較例１のフレキシブル配線基板を得た。
【００６５】
得られたフレキシブル配線基板を観察すると、配線の外周には、下地金属層（１３）または金属拡散層（４）などが出ていなかった。
【００６６】
さらに、配線のピール強度を測定した。測定結果を、表３に示す。
【００６７】
比較例１は、実施例１に比べて、ピール強度の低下が確認された。
【００６８】
【表３】
0004720521.tif 000004
【図面の簡単な説明】
【００６９】
【図１】本発明のフレキシブル配線基板の製造工程の一実施例を示す一連の断面図である。
【図２】本発明のフレキシブル配線基板の製造工程の異なる実施例を示す一連の断面図である。
【図３】従来のフレキシブル配線基板の製造工程を示す一連の断面図である。
【符号の説明】
【００７０】
１  絶縁フィルム
２、３、４  金属拡散層
１０、１１、１２、１３  下地メタライズ層
２０、２１、２２、２３  銅メタライズ層
３０  フォトレジスト層
３１、３２  回路パターン
３２ａ  裾残り
４０、４１、４２  銅めっき層
５０、５１、５２  めっき
【図１】
0004720521.tif 000005
【図２】
0004720521.tif 000006
【図３】
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