(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
クリーンルーム内の空気温度と実質的に等しい温度の空気を排出する第１の半導体製造装置の筐体に接続された第１の排気ダクトと、
クリーンルーム内の空気温度より高い温度の空気を排出する第２の半導体製造装置の筐体に接続された第２の排気ダクトと、
前記第２の半導体製造装置の筐体内にクリーンルーム外の空気を直接供給する給気ダクトと、
前記給気ダクトに接続され、クリーンルーム外の空気を清浄化して前記給気ダクトに供給する外気供給機と、
前記第１の排気ダクトと前記給気ダクトとの間に設けられ、前記第１の排気ダクト内の空気と、前記給気ダクト内の空気とを熱交換する第１の熱交換器と、
前記第１の熱交換器よりも前記第２の半導体製造装置に近い側にあって、前記第２の排気ダクトと前記給気ダクトとの間に設けられ、前記第２の排気ダクト内の空気と前記給気ダクト内の空気とを熱交換する第２の熱交換器と
よりなることを特徴とする処理空気供給装置。
【請求項２】
請求項１記載の処理空気供給装置であって、
前記第１の半導体製造装置はリソグラフィー装置であることを特徴とする処理空気供給装置。
【請求項３】
請求項１又は２記載の処理空気供給装置であって、
前記第２の半導体製造装置は熱処理装置であることを特徴とする部分処理空気供給装置。
【請求項４】
請求項３記載の処理空気供給装置であって、
前記熱処理装置に近接して洗浄装置が配置されており、前記給気ダクトは前記熱処理装置及び前記洗浄装置の両方に接続され、前記第２の排気ダクトは前記熱処理装置及び前記洗浄装置の両方に接続されることを特徴とする処理空気供給装置。
【請求項５】
クリーンルーム内に設置され、該クリーンルーム内の空気の温度より高い温度の空気を排出する半導体製造装置に、所定の処理が施された空気を供給する処理空気供給方法であって、
クリーンルーム外の空気を吸入する工程と、
吸入されたクリーンルーム外の空気とクリーンルーム内に設置された前記半導体製造装置からの排気との間で熱交換することにより、吸入したクリーンルーム外の空気を加熱する工程と、
加熱されたクリーンルーム外の空気を直接前記半導体製造装置の筐体内に供給する工程と
を有することを特徴とする処理空気供給方法。
【請求項６】
請求項５記載の処理空気供給方法であって、
クリーンルーム外の空気を加熱する前に、吸入したクリーンルーム外の空気をクリーンルーム内の空気と実質的に等しい温度の空気を排出する半導体製造装置から排出された空気との間で熱交換することにより、吸入したクリーンルーム外の空気を冷却して除湿する工程を更に有することを特徴とする処理空気供給方法。
【請求項７】
請求項５又は６記載の処理空気供給方法であって、
吸入したクリーンルーム外の空気の熱交換を、ヒートパイプを使用して行うことを特徴とする処理空気供給方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明はクリーンルームに供給する空気の処理装置及び方法に係わり、特にクリーンルーム内に設置された半導体製造装置に供給する空気を処理するための処理空気供給装置及び方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
半導体製造装置が設置されるクリーンルームには、塵埃が除去されて温度及び湿度が調整された清浄な空気が供給される。半導体製造装置は、一般的に運転中に発熱を伴ったり、あるいは有毒ガスを含む各種のガスを発生したりする。このため、クリーンルーム内に設置される種々の半導体製造装置は個々に筐体に収容され、筐体内を循環した空気はダクトを通じて直接クリーンルーム外に排出されるか、もしくは有害ガス（有害成分）を除去した後にクリーンルーム外に排出される。
【０００３】
すなわち、クリーンルーム内に設置される半導体製造装置には、その筐体内にクリーンルーム内の空気が導入される。筐体内を循環して暖められたりガスが混入した空気は、筐体から直接クリーンルーム外へと排出される。
【０００４】
したがって、半導体製造装置の筐体に導入されたクリーンルームの空気は全てクリーンルームの外に排出されてしまうため、各半導体製造装置から排出される空気に相当する分の空気を製造してクリーンルームに供給しなければならない。クリーンルームへ供給する空気は、ＨＥＰＡフィルタ等により清浄化され、温度及び湿度が精確に制御された空気である。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
クリーンルームへ供給する空気の製造には、非常に大きなコストが必要である。すなわち、外気をフィルタに通して清浄化するために空気を移送するためのブロワの運転コスト、温度及び湿度を調整するために空気を冷却したり加熱したりするための空調コスト等が必要である。
【０００６】
上述のように、従来のクリーンルームにおける半導体製造装置の空調システムでは、コストのかかるクリーンルーム供給空気が各半導体製造装置を介してクリーンルーム外へ排気されてしまっていた。そして、温湿度調整された清浄な空気を新たに製造し、クリーンルームに供給していた。このようなクリーンルームへ新たに供給する空気の製造コストは、クリーンルームのランニングコストを上昇させる大きな要因であった。
【０００７】
本発明は上記の点に鑑みてなされたものであり、クリーンルーム外の空気に所定の処理を施したうえで半導体製造装置の筐体内に直接供給することにより、クリーンルーム内の空気の消費量を低減してクリーンルームのランニングコストを低減することのできる処理空気供給装置及び方法を提供することを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
上記の課題を解決するために本発明では、次に述べる各手段を講じたことを特徴とするものである。
【０００９】
請求項１記載の発明は、処理空気供給装置であって、クリーンルーム内の空気温度と実質的に等しい温度の空気を排出する第１の半導体製造装置の筐体に接続された第１の排気ダクトと、
クリーンルーム内の空気温度より高い温度の空気を排出する第２の半導体製造装置の筐体に接続された第２の排気ダクトと、
前記第２の半導体製造装置の筐体内にクリーンルーム外の空気を直接供給する給気ダクトと、
前記給気ダクトに接続され、クリーンルーム外の空気を清浄化して前記給気ダクトに供給する外気供給機と、
前記第１の排気ダクトと前記給気ダクトとの間に設けられ、前記第１の排気ダクト内の空気と、前記給気ダクト内の空気とを熱交換する第１の熱交換器と、
前記第１の熱交換器よりも前記第２の半導体製造装置に近い側にあって、前記第２の排気ダクトと前記給気ダクトとの間に設けられ、前記第２の排気ダクト内の空気と前記給気ダクト内の空気とを熱交換する第２の熱交換器と
よりなることを特徴とするものである。
【００１０】
請求項２記載の発明は、請求項１記載の処理空気供給装置であって、
前記第１の半導体製造装置はリソグラフィー装置であることを特徴とするものである。
【００１１】
請求項３記載の発明は、請求項１又は２記載の処理空気供給装置であって、
前記第２の半導体製造装置は熱処理装置であることを特徴とするものである。
【００１２】
請求項４記載の発明は、請求項３記載の処理空気供給装置であって、
前記熱処理装置に近接して洗浄装置が配置されており、前記給気ダクトは前記熱処理装置及び前記洗浄装置の両方に接続され、前記第２の排気ダクトは前記熱処理装置及び前記洗浄装置の両方に接続されることを特徴とするものである。
【００１３】
請求項５記載の発明は、クリーンルーム内に設置され、該クリーンルーム内の空気の温度より高い温度の空気を排出する半導体製造装置に、所定の処理が施された空気を供給する処理空気供給方法であって、
クリーンルーム外の空気を吸入する工程と、
吸入されたクリーンルーム外の空気とクリーンルーム内に設置された前記半導体製造装置からの排気との間で熱交換することにより、吸入したクリーンルーム外の空気を加熱する工程と、
加熱されたクリーンルーム外の空気を直接前記半導体製造装置の筐体内に供給する工程と
を有することを特徴とするものである。
【００１４】
請求項６記載の発明は、請求項５記載の処理空気供給方法であって、
クリーンルーム外の空気を加熱する前に、吸入したクリーンルーム外の空気をクリーンルーム内の空気と実質的に等しい温度の空気を排出する半導体製造装置から排出された空気との間で熱交換することにより、吸入したクリーンルーム外の空気を冷却して除湿する工程を更に有することを特徴とするものである。
【００１５】
請求項７記載の発明は、請求項５又は６記載の処理空気供給方法であって、
吸入したクリーンルーム外の空気の熱交換を、ヒートパイプを使用して行うことを特徴とするものである。
【００１６】
本発明による処理空気供給装置及び方法によれば、クリーンルーム外の空気に所定の処理を施した後、クリーンルームより高い温度の空気を排出する半導体製造装置に処理した空気を直接供給する。所定の処理とは空気の加熱又は冷却であり、供給する空気と半導体製造装置から排出される空気との間の熱交換により行われる。したがって、半導体製造装置に供給する空気の処理に必要な電力は空気を送るためのファンに必要な電力だけであり、加熱又は冷却のための電力使用量を節減することができる。加熱又は冷却のための熱交換にヒートパイプを用いることにより、効率的な熱交換が達成でき、必要な供給空気流量を確保することができる。
【発明の実施の形態】
次に、本発明の実施の形態について図面と共に説明する。
【００１７】
まず、クリーンルームに設置される半導体製造装置から排出される空気の状態について説明する。半導体を製造する工程には、ウェハの洗浄工程、熱処理工程、不純物導入工程、薄膜形成工程、エッチング工程等の様々な工程が含まれている。各工程はクリーンルームに設置された個別の装置により行われる。したがって、クリーンルームに設置された各半導体製造装置からは、様々な状態の空気が排出される。すなわち、クリーンルームに設置された各半導体製造装置には、同じクリーンルーム内の空気が供給されるが、各半導体製造装置からは温度及び湿度の異なる空気が排出される。
【００１８】
例えば、半導体ウェハを熱処理するための加熱装置は、半導体ウェハを１０００℃程度の温度まで加熱する加熱炉を有しており、加熱処理時及び加熱処理後の製品（ウェハ）引出し時に周囲に多量の熱を放出する。図１は半導体ウェハの熱処理に広く使用されている縦型熱処理装置の構成を示す簡略図である。
【００１９】
図１において、縦型熱処理装置２はクリーンルーム４内に設置されている。縦型熱処理装置２は筐体６を有しており、筐体６内に加熱炉８が収容されている。加熱炉８は冷却水を使用した冷却装置１０により冷却される。加熱炉８の下方には、処理される半導体ウェハ１２を加熱炉８に出し入れするための搬送機構１４が設けられている。筐体６の下部には、ファン１６が設けられており、クリーンルーム４内の空気を筐体６内に導入する。筐体６内に導入されたクリーンルーム内の空気は筐体６内を通って、筐体６の頂部に設けられた排気ダクト１８に入り、排気ダクト１８を通じてクリーンルーム４の外部へと排出される。
【００２０】
以上のような構成の縦型熱処理装置２において、加熱炉８からの熱の一部は加熱炉８の周囲に放出され、周囲の空気温度が上昇する。また、熱処理された半導体ウェハ１２を加熱炉８から取り出す際には、多量の熱が加熱炉８の外部に放出される。半導体ウェハ１２の熱処理温度は１０００℃程度の高温であり、加熱炉８を冷却装置１０で冷却しても、筐体６内の空気は３０℃〜５５℃となる。したがって、３０℃〜５５℃の空気が排気ダクト１８を通じてクリーンルームの外へ排出される。
【００２１】
以上のように、熱処理装置からはクリーンルーム空気に比較して高温の空気が排出される。
【００２２】
次に、クリーンルーム空気の温度とあまり変わらない温度のままの空気を排出する半導体製造装置の一つに、リソグラフィー装置がある。リソグラフィー装置は、フォトレジストにより半導体ウェハ上にマスクを形成して、エッチングにより所望のパターンの膜を形成する装置である。リソグラフィー装置には、フォトレジストを塗布するためのコーター、及び露光したフォトレジストを現像するためのデベロッパ等が含まれる。
【００２３】
コーター及びデベロッパでの処理では、一般的に有機溶剤を含有するフォトレジストが取り扱われる。したがって、フォトレジストに含まれる有機溶剤は蒸発して周囲の空気中に拡散する。この空気中に拡散した有機溶媒を除去するために、リソグラフィー装置内の空気はクリーンルーム外に排出される。
【００２４】
コーターによるフォトレジストの塗布工程では、有機溶剤の粘度が周囲温度及び湿度に依存するため、温度及び湿度を精確に制御する必要がある。一般的に、クリーンルーム内の空気は、温度が２３℃、湿度が４５％となるように一定に維持されている。したがって、一般的に、リソグラフィー装置内の空気温度は、２３℃で一定に維持される。また、有機溶剤の蒸発速度は周囲温度及び湿度に依存するため、リソグラフィー装置内の空気湿度も４５％で一定に維持される。
【００２５】
コーター及びデベロッパはリソグラフィー装置の一部であり、リソグラフィー装置の筐体内に収容される。リソグラフィー装置には、上述の熱処理装置のようにクリーンルーム内の空気が供給されるが、筐体内の空気の温度及び湿度を精確に一定に維持するために、供給される空気は再度リソグラフィー装置用の温湿調整機により処理されてからリソグラフィー装置に供給される。
【００２６】
図２はリソグラフィー装置用の温度湿度調整機２０の全体構成を示す概略図である。クリーンルームの空気は、まず冷却器２２により冷却されて空気中の水分が除去される。冷却器２２を通過した湿度の低い低温の空気は、加湿器２４及び加温器２６により加湿及び加温され、一般的にその温度が２３℃、湿度が４５％になるように調整され、さらにその温度及び湿度の変化が極めて小さくなるように調整される。加湿器２４及び加温機２６は電気ヒータにより構成されている。
【００２７】
温度及び湿度が調整された空気はファン２８によりリソグラフィー装置の筐体内へ供給される。ファン２８の出口には温度センサ３０及び湿度センサ３２が設けられ、温度検出結果及び湿度検出結果がそれぞれ温度調節機３４及び湿度調節機３６に供給される。温度調節機３４及び湿度調節機３６は、空気の温度及び湿度が精確に２３℃、４５％となるように、加湿器２４及び加温機２６の電気ヒータへ供給される電力を制御する。
【００２８】
したがって、温度が２３℃、湿度が４５％に調整された空気がリソグラフィー装置に供給され、クリーンルーム外へ排気ダクトを通じて排出される。リソグラフィー装置内には前記熱処理装置と比較して大きな熱源は存在せず、リソグラフィー装置から排出される空気の温度は２３℃〜２８℃、湿度は４５％〜５０％の範囲となる。
【００２９】
このように、リソグラフィー装置から排出される空気の温度は上述の熱処理装置から排出される空気の温度よりはるかに低い。そこで、本発明者等は、熱処理装置からの排気とリソグラフィー装置からの排気との温度差を利用して、熱処理装置に供給する空気を処理することにより、熱処理装置により消費される高価なクリーンルーム空気の消費量を低減することができることに着目した。
【００３０】
次に、本発明の第１実施例について図３を参照しながら説明する。図３は本発明の第１実施例による処理空気供給装置が設けられたクリーンルームの構成を示す概略平面図である。図３中、点線で囲んだ部分が処理空気供給装置６０に相当する。
【００３１】
クリーンルーム４０はパーティションにより複数の空間４０−１、４０−２、４０−３に分けられており、各々の空間には半導体製造装置が設置されている。空間４０−２にはリソグラフィー装置４４が設置され、空間４０−３には縦型熱処理装置４６及び洗浄装置４８が設置されている。一般的に熱処理装置の近傍には洗浄装置が設置される。
【００３２】
クリーンルーム４０には、両側に空気循環用ダクト４２が設けられ、クリーンルーム内での空気の循環を行っている。クリーンルーム４０に供給される空気は、外部空調機５０により処理される。外部空調機５０には、外気を清浄化するフィルタ（ＨＥＰＡフィルタを含む）が設けられており、取り入れた外気の塵埃はフィルタにより除去される。清浄化された外気は、図２に示す温度湿度調整機と同様な方法でその温度と湿度が調整される。但し、加熱の際には電気ヒーターは使用せず、蒸気又は温水を用いることが多い。すなわち、例えば、外気温度が３３℃であった場合、清浄化された外気は一旦１６℃に冷却されて除湿された後、再び２３℃に暖められると同時に湿度が４５％となるように加湿される。したがって、外部空調機５０には冷凍機等の冷却手段及び電気ヒーター又は熱交換器等の加熱手段が組み込まれている。
【００３３】
清浄化されて温度２３℃、湿度４５％とされた外気は、クリーンルーム空気としてクリーンルーム空気供給ダクト５２を通じてクリーンルーム４０内に供給される。
【００３４】
リソグラフィー装置４４及び縦型熱処理装置４６以外の半導体製造装置からの排気は、排気ダクト５４を通じてクリーンルーム４０外へ排出される。リソグラフィー装置４４からの排気は、排気ダクト５４とは別の排気ダクト５６を通じてクリーンルーム４０外へ排出される。また、縦型熱処理装置４６からの排気は、排気ダクト５８を通じてクリーンルーム４０外へ排出される。
【００３５】
次に、本実施例による処理空気供給装置６０について説明する。なお、本実施例において、部分処理空気とは、クリーンルーム空気のように完全に温度を２３℃に、湿度を４５％に調整した清浄な空気ではなく、後述のようにおおまかに温度及び湿度が調整された清浄な空気を意味する。この部分処理空気に対して、クリーンルームに供給する空気、すなわち温度を２３℃に、湿度を４５％に調整した清浄な空気を完全処理空気と称する。
【００３６】
本実施例による処理空気供給装置６０は、縦型熱処理装置４６に接続された給気ダクト６２を有する。給気ダクト６２には空気供給機６４が接続される。空気供給機６４は、クリーンルーム空気を製造する外部空調機５０と同様に、フィルタにより外気を清浄化して、給気ダクト６２に清浄な空気を送り込む。ただし、空気供給機６４は、外部空調機５０とは異なり、清浄化された外気の温度及び湿度を調整する機能は有していない。すなわち、空気供給機６４は、冷凍機等の冷却装置及び、ヒーター等の加熱源を有しておらず、外気の塵埃を除去してクリーンルームに導入し得るような程度の清浄な空気をそのまま給気ダクト６２に供給する。
【００３７】
空気供給機６４の近傍で、給気ダクト６２とリソグラフィー装置４４からの排気ダクト５６との間には、熱交換器として第１のヒートパイプ６６が設けられている。第１のヒートパイプ６６は、空気供給機６４から供給される空気を冷却して除湿するために設けられている。また、ヒートパイプ６６が設けられた位置の熱処理装置４６側には、給気ダクト６２と排気ダクト５８との間に熱交換器として第２のヒートパイプ６８が設けられている。第２のヒートパイプ６８は、空気供給機６４から供給されて第１のヒートパイプで除湿された空気を再び加熱するために設けられている。
【００３８】
今、外気の温度が３３℃で相対湿度が９０％であった場合を想定する。このような場合、外気を清浄化してそのまま給気ダクト６２を通じて縦型熱処理装置４６に供給すると、給気ダクト６２の内面に結露が生じるおそれがある。すなわち、給気ダクト６２内を通る空気の温度は３３℃で相対湿度は９０％であるのに対し、クリーンルーム内は２３℃に維持されているため、給気ダクト６２の内面も２３℃に近い温度である。したがって、給気ダクト６２の内面に接触する空気中の水分が内面上で結露する。
【００３９】
このような結露の問題を解決するために、本実施例では空気供給機６４から供給される３３℃の空気を、第１のヒートヒパイプ６６により２７℃まで冷却して除湿する。第１のヒートパイプの一端は、リソグラフィー装置からの排気ダクト５６に接続されており、他端は給気ダクト６２に接続されている。リソグラフィー装置４４からの排気は常に２３℃であるので、第１のヒートパイプ６６の両端の温度差は１０度程度となり（３３−２３＝１０）、ヒートパイプによる熱交換を効率的に行うことができる。
【００４０】
第１のヒートパイプ６６により冷却されて除湿された２７℃の空気は、そのままでは相対湿度が１００％であるので、再び加熱して相対湿度を下げる必要がある。このため、本実施例では、第２のヒートパイプ６８を使用して縦型熱処理装置４６からの排気と熱交換することにより、第１のヒートパイプ６６により冷却されて除湿された空気を加熱している。すなわち、縦型熱処理装置４６からの排気は平均で５０℃程度であり、第１のヒートパイプ６６により冷却されて除湿された２７℃の空気との温度差は約２３度である。このような温度差であれば、ヒートパイプにより効率的に熱交換を行うことができる。
【００４１】
第２のヒートパイプ６８による熱交換により、第１のヒートパイプ６６により冷却されて除湿された２７℃の空気は３５℃まで加熱される。この加熱により、給気ダクト６２内を通る空気の相対湿度は、給気ダクト６２の内面に接触しても結露を生じない程度の相対湿度まで減少する。
【００４２】
このようにして製造された空気（部分処理空気）は、給気ダクト６２を通じて縦型熱処理装置４６に供給され、縦型熱処理装置４６から放出された熱を吸収したて５０℃程度になった後、排気ダクト５８をと通じてクリーンルーム４０外へ排出される。
【００４３】
なお、外気の温度が２３℃に近くなるにしたがって、第１のヒートパイプによる除湿効果は低減する。しかし、外気の温度とクリーンルーム内の空気の温度との差が小さい場合は結露のおそれがなくなるため、除湿の必要もなく、問題はない。また、外気の温度がクリーンルーム内の空気の温度よりかなり低い場合は、そのままでは給気ダクト６２の外側に結露が生じるおそれがある。しかし、本実施例では、第２のヒートパイプ６８により部分処理空気は常にある程度加熱されるため、このような結露の問題も発生しない。
【００４４】
以上のように、本実施例では、処理空気供給装置６０により製造された空気を、クリーンルームに供給される完全処理空気の代わりに縦型熱処理装置４６に供給している。部分処理空気を製造するには、空気供給機６４のファンの動力しか必要としない。すなわち、除湿及び再加熱は第１及び第２のヒートパイプによる熱交換で達成されるため、冷凍機や電気ヒーターを使用しないで除湿及び再加熱を達成でき、完全処理空気を使用するよりもはるかに低いコストで、縦型熱処理装置に供給する空気を製造することができる。
【００４５】
ここで、本実施例では、縦型熱処理装置４６に供給する空気として、部分処理空気を５０％、完全処理空気を５０％としている。すなわち、製造できる部分処理空気の量は、リソグラフィー装置４４から排出される２３℃の空気の量に依存し、縦型熱処理装置４６に供給すべき空気量の全てを部分処理空気でまかなえないからである。部分処理空気と完全処理空気との比率は上述の値に限られることなく、いかなる比率でもかまわないが、可能であれば、部分処理空気を１００％とすることが好ましい。
【００４６】
次に、本発明の第２実施例について図４を参照しながら説明する。図４は本発明の第２実施例による処理空気供給装置が設けられたクリーンルームの構成を示す概略平面図である。図４中、点線で囲んだ部分が本発明の第２実施例による処理空気供給装置８０に相当する。図４において、図３に示す構成部品と同等な部品には同じ符号を付し、その説明は省略する。
【００４７】
本実施例による処理空気供給装置８０は、図３に示す給気ダクト６２と排気ダクト５８とを、給気ダクト８２と排気ダクト８４とにそれぞれ置き換えたものであり、その他の構成は図３に示す構成と同様である。
【００４８】
すなわち、本実施例による部分処空気製造装置８０において、給気ダクト８２は縦型熱処理装置４６に接続されるだけでなく、縦型熱処理装置４６に近接して配置された洗浄装置４８にも接続されている。したがって、処理空気供給装置８０は、洗浄装置４８に対しても部分処理空気を供給するよう構成されている。
そして、排気ダクト５８は縦型熱処理装置４６だけでなく、洗浄装置４８にも接続されている。したがって、洗浄装置４８からの排気も排気ダクト８４を通じて排出される。
【００４９】
洗浄装置４８は温水により半導体ウェハを洗浄するため、その内部は比較的高温となる。したがって、洗浄措置４８も縦型熱処理装置４６と同様に冷却する必要がある。本実施例では、洗浄装置４８の冷却にも部分処理空気を使用するよう構成したものである。また、洗浄装置４８から排出される空気の温度は比較的高く、例えば、６０℃程度の空気が排出される。したがって、洗浄装置４８から排出される空気も排気ダクト６４を通じて排出することとすれば、第２のヒートパイプによる供給空気の再加熱に利用することができる。
【００５０】
本実施例において、部分処理空気を７０％と完全処理空気を３０％とした場合に、年間で節減することのできる電力量について試算した。すなわち、縦型熱処理装置４６と洗浄装置４８とに供給する空気を完全処理空気１００％とした場合と、部分処理空気を７０％使用した場合について、その電力使用量を比較した。
【００５１】
試算の結果、縦型熱処理装置４６と洗浄装置４８に供給する空気を製造するための電力使用量は、１９０万ｋＷｈ／ｙから９５万ｋＷｈ／ｙへと低減され、９５万ｋＷｈ／ｙの節減となることがわかった。
【００５２】
なお、上述の実施例では、第１及び第２のヒートパイプを用いて熱交換を行っているが、必ずしもヒートパイプを用いる必要はなく、一般的な熱交換器を使用することもできる。
【００５３】
また、上述の実施例では、比較的低温の一定の温度の空気としてリソグラフィー装置からの排気を用いているが、このような装置はリソグラフィー装置に限られるものではなく、例えば、熱源を有していない装置からの排気、あるいはクリーンルーム内の計測器室、保管室等からの排気を使用することもできる。上述の実施例においてリソグラフィー装置からの排気を用いた理由は、リソグラフィー装置からの排気は温度が常に一定で、排気量が多いためである。
【発明の効果】
上述の如く本発明によれば、クリーンルーム外の空気に所定の処理を施したうえで半導体製造装置の筐体内に直接供給することにより、クリーンルーム内の空気の消費量を低減してクリーンルームのランニングコストを低減することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】縦型熱処理装置の構成を示す簡略図である。
【図２】リソグラフィー装置用の温度湿度調整機の全体構成を示す概略図である。
【図３】本発明の第１実施例による処理空気供給装置が設けられたクリーンルームの構成を示す概略平面図である。
【図４】本発明の第２実施例による処理空気供給装置が設けられたクリーンルームの構成を示す概略平面図である。
【符号の説明】
４０  クリーンルーム
４０−１、４０−２、４０−３  空間
４２  空気循環用ダクト
４４  リソグラフィー装置
４６  縦型熱処理装置
４８  洗浄装置
５０  外部空調機
５２  クリーンルーム空気供給ダクト
５４，５６，５８，８２，８４  排気ダクト
６０，８０  処理空気供給装置
６２  給気ダクト
６４  空気供給機６４
６６  第１のヒートパイプ
６８  第２のヒートパイプ
【図１】
0004606600.tif 000002
【図２】
0004606600.tif 000003
【図３】
0004606600.tif 000004
【図４】
0004606600.tif 000005