(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数のセラミック層を積層してなるセラミック積層体と、
内蔵コンデンサを構成するように、特定の前記セラミック層を介して互いに対向する状態で配置された第１および第２コンデンサ電極と
を備える、多層セラミック基板における前記内蔵コンデンサの容量値を調整する方法であって、
前記第１コンデンサ電極をレーザートリミングする工程を備え、
前記第１および第２コンデンサ電極間に位置する前記特定のセラミック層は、ＴｉＯ２を含む誘電体グレインの含有割合が１０〜３５体積％である、ＴｉＯ２系誘電体ガラスセラミック層であり、
前記ＴｉＯ２系誘電体ガラスセラミック層は、
（Ａ）ｘＢａＯ−ｙＴｉＯ２−ｚＲｅＯ３／２（ただし、ｘ、ｙおよびｚはモル％を示し、８≦ｘ≦１８、５２．５≦ｙ≦６５、および２０≦ｚ≦４０であり、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１００であり、Ｒｅは希土類元素である。）で表される、ＢａＯ−ＴｉＯ２−ＲｅＯ３／２系セラミックを１０〜３５体積％と、
（Ｂ）アルミナセラミックを５〜４２体積％と、
（Ｃ）４〜１７．５重量％のＢ２Ｏ３、２８〜５０重量％のＳｉＯ２、０〜２０重量％のＡｌ２Ｏ３および３６〜５０重量％のＭＯ（ただし、ＭＯは、ＣａＯ、ＭｇＯ、ＳｒＯおよびＢａＯから選ばれた少なくとも１種である。）を含む、ホウ珪酸ガラスを５０〜７９体積％と
を含み、かつ、前記ＢａＯ−ＴｉＯ２−ＲｅＯ３／２系セラミックと前記アルミナセラミックとの合計量が２１体積％以上であるガラスセラミック組成物を焼成したものである、
内蔵コンデンサの容量値調整方法。
【請求項２】
前記ＴｉＯ２系誘電体ガラスセラミック層の層厚が１２．５〜５０μｍである、請求項１に記載の内蔵コンデンサの容量値調整方法。
【請求項３】
前記第１および第２コンデンサ電極の両者が、前記セラミック積層体に内蔵されている、請求項１に記載の内蔵コンデンサの容量値調整方法。
【請求項４】
前記ホウ珪酸ガラスは、さらに、Ｌｉ２Ｏ、Ｎａ２ＯおよびＫ２Ｏから選ばれた少なくとも１種を０．５重量％未満含む、請求項１に記載の内蔵コンデンサの容量値調整方法。
【請求項５】
複数のセラミック層を積層してなるセラミック積層体と、内蔵コンデンサを構成するように、特定の前記セラミック層を介して互いに対向する状態で配置された第１および第２コンデンサ電極とを備える、トリミング前の多層セラミック基板を作製する工程と、
前記内蔵コンデンサの容量値を調整するため、前記第１コンデンサ電極をレーザートリミングする工程と
を備え、
前記トリミング前の多層セラミック基板を作製する工程において、前記第１および第２コンデンサ電極間に位置する前記特定のセラミック層を、ＴｉＯ２を含む誘電体グレインの含有割合が１０〜３５体積％であって、（Ａ）ｘＢａＯ−ｙＴｉＯ２−ｚＲｅＯ３／２（ただし、ｘ、ｙおよびｚはモル％を示し、８≦ｘ≦１８、５２．５≦ｙ≦６５、および２０≦ｚ≦４０であり、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１００であり、Ｒｅは希土類元素である。）で表される、ＢａＯ−ＴｉＯ２−ＲｅＯ３／２系セラミックを１０〜３５体積％と、（Ｂ）アルミナセラミックを５〜４２体積％と、（Ｃ）４〜１７．５重量％のＢ２Ｏ３、２８〜５０重量％のＳｉＯ２、０〜２０重量％のＡｌ２Ｏ３および３６〜５０重量％のＭＯ（ただし、ＭＯは、ＣａＯ、ＭｇＯ、ＳｒＯおよびＢａＯから選ばれた少なくとも１種である。）を含む、ホウ珪酸ガラスを５０〜７９体積％とを含み、かつ、前記ＢａＯ−ＴｉＯ２−ＲｅＯ３／２系セラミックと前記アルミナセラミックとの合計量が２１体積％以上であるガラスセラミック組成物を焼成して得られた、ＴｉＯ２系誘電体ガラスセラミック層から構成する、多層セラミック基板の製造方法。
【請求項６】
複数のセラミック層を積層してなるセラミック積層体と、
内蔵コンデンサを構成するように、特定の前記セラミック層を介して互いに対向する状態で配置された第１および第２コンデンサ電極と
を備え、
前記第１および第２コンデンサ電極間に位置する前記特定のセラミック層は、ＴｉＯ２を含む誘電体グレインの含有割合が１０〜３５体積％であって、（Ａ）ｘＢａＯ−ｙＴｉＯ２−ｚＲｅＯ３／２（ただし、ｘ、ｙおよびｚはモル％を示し、８≦ｘ≦１８、５２．５≦ｙ≦６５、および２０≦ｚ≦４０であり、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１００であり、Ｒｅは希土類元素である。）で表される、ＢａＯ−ＴｉＯ２−ＲｅＯ３／２系セラミックを１０〜３５体積％と、（Ｂ）アルミナセラミックを５〜４２体積％と、（Ｃ）４〜１７．５重量％のＢ２Ｏ３、２８〜５０重量％のＳｉＯ２、０〜２０重量％のＡｌ２Ｏ３および３６〜５０重量％のＭＯ（ただし、ＭＯは、ＣａＯ、ＭｇＯ、ＳｒＯおよびＢａＯから選ばれた少なくとも１種である。）を含む、ホウ珪酸ガラスを５０〜７９体積％とを含み、かつ、前記ＢａＯ−ＴｉＯ２−ＲｅＯ３／２系セラミックと前記アルミナセラミックとの合計量が２１体積％以上であるガラスセラミック組成物を焼成して得られた、ＴｉＯ２系誘電体ガラスセラミック層であり、
前記第１コンデンサ電極には、前記内蔵コンデンサのレーザートリミング時に形成されたトリミング痕が残っている、多層セラミック基板。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、多層セラミック基板に内蔵されるコンデンサの容量値調整方法、ならびに多層セラミック基板およびその製造方法に関するものであり、特に、内蔵コンデンサのレーザートリミングによる容量値調整方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
近年、移動通信端末やパーソナルコンピュータ等に代表される情報処理装置では、情報処理速度の高速化、装置の小型化、多機能化等が進められており、このような情報処理装置の性能向上は、主として、ＶＬＳＩ、ＵＬＳＩ等の半導体デバイスの高集積化、高速化、高機能化によって実現されている。【０００３】
しかしながら、半導体デバイスが高速化、高性能化されても、デバイスとデバイスとを接続する基板上での信号遅延やクロストーク、インピーダンスのミスマッチ、電源変動によるノイズ等によって、システムとしての動作が制限されることがある。【０００４】
そこで、高速かつ高性能な情報処理装置に用いられる電子部品として、複数の半導体デバイスをセラミック基板上に実装した、いわゆるマルチチップモジュール（ＭＣＭ：Multi-Chip Module）が実用化されている。このようなモジュールの基板としては、各半導体デバイスを電気的に接続するための配線パターンを３次元的に配した多層セラミック基板が有用であり、この種の多層セラミック基板用の材料としてアルミナが用いられている。【０００５】
アルミナを用いた多層セラミック基板は、アルミナ粉末の焼結温度が１５００℃以上と高いため、内層配線パターン用の材料として、高融点金属のタングステンやモリブデン等を使用する必要がある。しかしながら、これらの高融点金属は比抵抗が大きいため、特に高周波帯域における信号の損失が大きくなってしまう。【０００６】
この問題を解決するため、ガラスセラミックグリーンシートを複数枚積層し、これを焼結してなる多層セラミック基板が開発されている。ガラスセラミックグリーンシートは、セラミック粉末およびガラス粉末にバインダおよび溶剤等を含むビヒクルを添加、混合してなるものであり、その焼結温度は１０５０℃以下であるため、銀や銅のような比抵抗の小さな低融点金属との同時焼成が可能であって、高周波帯域においても信号の損失が少なく、優れた電気特性を有する多層セラミック基板を得ることができる。【０００７】
一方、近年、表面実装部品として多層セラミック基板上に搭載されていたコンデンサ等の受動素子を、多層セラミック基板内に取り込むことによって、さらにモジュール全体を小型化しようとする試みがなされている。【０００８】
ここで、多層セラミック基板にこれらの素子を内蔵する場合、基板表面に搭載されていた表面実装部品の電気特性よりも内蔵した素子の電気特性が劣化したのでは、素子内蔵化のメリットが半減してしまうため、内蔵素子が基板上に実装された素子と同等あるいはそれ以上の特性を有していることが求められる。このため、ベースとなる基板材料としては、内蔵される各素子の電気特性が十分に発揮されるような材料を選択するのが通常である。【０００９】
たとえば、特開平９−９２９８３号公報（特許文献１）や特開２０００−５８３８１号公報（特許文献２）には、コンデンサを内蔵し、かつ、コンデンサを形成するためのコンデンサ電極間に高誘電率の誘電体セラミック層が挟み込まれた構造を有するコンデンサ内蔵多層セラミック基板が開示されている。このように、コンデンサ電極間に高誘電率の誘電体セラミック層を挟み込めば、コンデンサ電極の面積が小さくても、容量の大きな内蔵コンデンサを形成できるようになる。【００１０】
ところで、多層セラミック基板に内蔵されたコンデンサの容量値は、セラミックグリーンシートの厚みのばらつき、コンデンサ電極の印刷面積のばらつき、セラミックグリーンシートの積層時の積層ばらつき、セラミックグリーンシートの焼成収縮量のばらつき等により、ロット毎にばらつくことがある。そこで、内蔵コンデンサの容量値の高精度化を図るためには、コンデンサ電極をレーザー等によってトリミングする必要がある。すなわち、レーザートリミングによってコンデンサ電極の面積を削り、内蔵コンデンサの容量値を所望の値に落とし込む必要がある。【００１１】
しかしながら、レーザートリミングを行なうと、コンデンサ電極だけでなく、各コンデンサ電極の間に挟まれている誘電体セラミック層の一部をも削ってしまうので、トリミング後に、コンデンサ電極間の絶縁抵抗値が低下したり、コンデンサのＱ値が低下してしまうことがある。
【特許文献１】特開平９−９２９８３号公報
【特許文献２】特開２０００−５８３８１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１２】
この発明は、上述した実情に鑑みてなされたものであり、その目的は、レーザートリミングの前後で、絶縁抵抗値やＱ値を大きく変化させることなく、内蔵コンデンサの容量値を精度良く調整できる、内蔵コンデンサの容量値調整方法を提供しようとすることである。【００１３】
この発明の他の目的は、この内蔵コンデンサの容量値調整方法を用いて得られた、多層セラミック基板を提供しようとすることである。【００１４】
この発明のさらに他の目的は、この内蔵コンデンサの容量値調整方法を用いて実施される、多層セラミック基板の製造方法を提供しようとすることである。
【課題を解決するための手段】
【００１５】
この発明は、複数のセラミック層を積層してなるセラミック積層体と、内蔵コンデンサを構成するように、特定のセラミック層を介して互いに対向する状態で配置された第１および第２コンデンサ電極とを備える、多層セラミック基板における上記内蔵コンデンサの容量値を調整する方法にまず向けられる。【００１６】
この発明に係る内蔵コンデンサの容量値調整方法は、第１コンデンサ電極をレーザートリミングする工程を備えるとともに、第１および第２コンデンサ電極間に位置する特定のセラミック層が、ＴｉＯ２を含む誘電体グレインの含有割合が１０〜３５体積％である、ＴｉＯ２系誘電体ガラスセラミック層であり、このＴｉＯ２系誘電体ガラスセラミック層が、
（Ａ）ｘＢａＯ−ｙＴｉＯ２−ｚＲｅＯ３／２（ただし、ｘ、ｙおよびｚはモル％を示し、８≦ｘ≦１８、５２．５≦ｙ≦６５、および２０≦ｚ≦４０であり、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１００であり、Ｒｅは希土類元素である。）で表される、ＢａＯ−ＴｉＯ２−ＲｅＯ３／２系セラミックを１０〜３５体積％と、
（Ｂ）アルミナセラミックを５〜４２体積％と、
（Ｃ）４〜１７．５重量％のＢ２Ｏ３、２８〜５０重量％のＳｉＯ２、０〜２０重量％のＡｌ２Ｏ３および３６〜５０重量％のＭＯ（ただし、ＭＯは、ＣａＯ、ＭｇＯ、ＳｒＯおよびＢａＯから選ばれた少なくとも１種である。）を含む、ホウ珪酸ガラスを５０〜７９体積％と
を含み、かつ、
上記ＢａＯ−ＴｉＯ２−ＲｅＯ３／２系セラミックと上記アルミナとの合計量が２１体積％以上であるガラスセラミック組成物を焼成したものであることを特徴としている。
【００１７】
この発明に係る内蔵コンデンサの容量値調整方法において、ＴｉＯ２系誘電体ガラスセラミック層の層厚は１２．５〜５０μｍであることが望ましい。【００１８】
第１および第２コンデンサ電極の両者は、セラミック積層体に内蔵されていてもよい。【００２０】
上記ガラスセラミック組成物において、ホウ珪酸ガラスは、さらに、Ｌｉ２Ｏ、Ｎａ２ＯおよびＫ２Ｏから選ばれた少なくとも１種を０．５重量％未満含んでいてもよい。【００２１】
また、この発明は、複数のセラミック層を積層してなるセラミック積層体と、内蔵コンデンサを構成するように、特定のセラミック層を介して互いに対向する状態で配置された第１および第２コンデンサ電極とを備える、トリミング前の多層セラミック基板を作製する工程と、内蔵コンデンサの容量値を調整するため、第１コンデンサ電極をレーザートリミングする工程とを備える、多層セラミック基板の製造方法にも向けられる。【００２２】
この発明に係る多層セラミック基板の製造方法は、上記トリミング前の多層セラミック基板を作製する工程において、第１および第２コンデンサ電極間に位置する特定のセラミック層を、ＴｉＯ２を含む誘電体グレインの含有割合が１０〜３５体積％であって、（Ａ）ｘＢａＯ−ｙＴｉＯ２−ｚＲｅＯ３／２（ただし、ｘ、ｙおよびｚはモル％を示し、８≦ｘ≦１８、５２．５≦ｙ≦６５、および２０≦ｚ≦４０であり、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１００であり、Ｒｅは希土類元素である。）で表される、ＢａＯ−ＴｉＯ２−ＲｅＯ３／２系セラミックを１０〜３５体積％と、（Ｂ）アルミナセラミックを５〜４２体積％と、（Ｃ）４〜１７．５重量％のＢ２Ｏ３、２８〜５０重量％のＳｉＯ２、０〜２０重量％のＡｌ２Ｏ３および３６〜５０重量％のＭＯ（ただし、ＭＯは、ＣａＯ、ＭｇＯ、ＳｒＯおよびＢａＯから選ばれた少なくとも１種である。）を含む、ホウ珪酸ガラスを５０〜７９体積％とを含み、かつ、前記ＢａＯ−ＴｉＯ２−ＲｅＯ３／２系セラミックと前記アルミナセラミックとの合計量が２１体積％以上であるガラスセラミック組成物を焼成して得られた、ＴｉＯ２系誘電体ガラスセラミック層から構成することを特徴としている。
【００２３】
さらに、この発明は、複数のセラミック層を積層してなるセラミック積層体と、内蔵コンデンサを構成するように、特定のセラミック層を介して互いに対向する状態で配置された第１および第２コンデンサ電極とを備える、多層セラミック基板にも向けられる。【００２４】
この発明に係る多層セラミック基板は、第１および第２コンデンサ電極間に位置する特定のセラミック層が、ＴｉＯ２を含む誘電体グレインの含有割合が１０〜３５体積％であって、（Ａ）ｘＢａＯ−ｙＴｉＯ２−ｚＲｅＯ３／２（ただし、ｘ、ｙおよびｚはモル％を示し、８≦ｘ≦１８、５２．５≦ｙ≦６５、および２０≦ｚ≦４０であり、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１００であり、Ｒｅは希土類元素である。）で表される、ＢａＯ−ＴｉＯ２−ＲｅＯ３／２系セラミックを１０〜３５体積％と、（Ｂ）アルミナセラミックを５〜４２体積％と、（Ｃ）４〜１７．５重量％のＢ２Ｏ３、２８〜５０重量％のＳｉＯ２、０〜２０重量％のＡｌ２Ｏ３および３６〜５０重量％のＭＯ（ただし、ＭＯは、ＣａＯ、ＭｇＯ、ＳｒＯおよびＢａＯから選ばれた少なくとも１種である。）を含む、ホウ珪酸ガラスを５０〜７９体積％とを含み、かつ、前記ＢａＯ−ＴｉＯ２−ＲｅＯ３／２系セラミックと前記アルミナセラミックとの合計量が２１体積％以上であるガラスセラミック組成物を焼成して得られた、ＴｉＯ２系誘電体ガラスセラミック層であり、第１コンデンサ電極には、内蔵コンデンサのレーザートリミング時に形成されたトリミング痕が残っていることを特徴としている。
【発明の効果】
【００２５】
この発明に係る内蔵コンデンサの容量値調整方法によれば、内蔵コンデンサの容量値を調整するため、第１コンデンサ電極のレーザートリミングを実施したとき、第１コンデンサ電極と第２コンデンサ電極との間に設けられるセラミック層が、ＴｉＯ２を含んだ誘電体グレイン（以下、「ＴｉＯ２系誘電体グレイン」と称することがある。）の占める割合が１０〜３５体積％である、ＴｉＯ２系誘電体ガラスセラミック層であるので、レーザートリミングの前後で、コンデンサ電極間の絶縁抵抗値やコンデンサのＱ値を大きく変化させることなく、内蔵コンデンサの容量値を精度良く調整することができる。【００２６】
すなわち、絶縁抵抗値やＱ値の変化は、レーザートリミングによってコンデンサ電極間の誘電体ガラスセラミック層における特性の変化、特に、誘電体ガラスセラミック層におけるＴｉＯ２系誘電体グレインの半導体化によって引き起こされている。そのため、特性の変化の原因となるＴｉＯ２系誘電体グレインの割合（体積比率）を特定することによって、絶縁抵抗値やＱ値の劣化をほとんど引き起こさずに、内蔵コンデンサの容量値を精度良く調整することができる。【００２７】
また、この発明に係る多層セラミック基板の製造方法によれば、この発明に係る内蔵コンデンサの容量値調整方法を利用することにより、再現性良く、絶縁抵抗値やＱ値の優れた内蔵コンデンサを有する多層セラミック基板を製造することができる。【００２８】
また、この発明に係る多層セラミック基板は、この発明に係る内蔵コンデンサの容量値調整方法を利用することにより得られたものである。したがって、この発明に係る多層セラミック基板によれば、そこに備える内蔵コンデンサについて、容量値が高精度に調整され、しかも絶縁信頼性やＱ値の優れたものとすることができる。
【図面の簡単な説明】
【００２９】
【図１】この発明に係る内蔵コンデンサの容量値調整方法を説明するためのもので、多層セラミック基板１の一部を模式的に示す断面図である。
【図２】この発明に係る内蔵コンデンサの容量値調整方法についての比較例を説明するための図１に対応する図である。
【図３】この発明の一実施形態による多層セラミック基板２１を図解的に示す断面図である。
【図４】この発明の他の実施形態による多層セラミック基板４４を備える非可逆回路素子の一例としての集中定数型アイソレータ４１を分解して示す斜視図である。
【図５】図４に示した集中定数型アイソレータ４１の等価回路図である。
【図６】ＢａＯ−Ｒｅ２Ｏ３−４ＴｉＯ２系誘電体セラミックの含有量（体積％）による絶縁抵抗値の変化率およびＱ値の変化率を示すグラフである。
【符号の説明】
【００３０】
１，２１，４４  多層セラミック基板
２，３３  内蔵コンデンサ
３〜５，２２，２３  セラミック層
６，２４  セラミック積層体
７，２６  第１コンデンサ電極
８，２７  第２コンデンサ電極
９  ＴｉＯ２系誘電体グレイン
１０  レーザー光
１１，３４  トリミング痕
【発明を実施するための最良の形態】
【００３１】
まず、図１を参照して、この発明に係る内蔵コンデンサの容量値調整方法を具体的に説明する。図１には、多層セラミック基板１の一部であって、内蔵コンデンサ２が構成された部分が模式的に断面図で示されている。【００３２】
図１（Ａ）に示すように、多層セラミック基板１は、複数のセラミック層３、４および５を積層してなるセラミック積層体６を備え、セラミック積層体６内に、内蔵コンデンサ２が構成される。内蔵コンデンサ２は、第１コンデンサ電極７と、第１コンデンサ電極７に対向配置された第２コンデンサ電極８と、第１および第２コンデンサ電極７および８間に設けられたセラミック層４とによって構成される。上記セラミック層４は、誘電体ガラスセラミック層であり、ＴｉＯ２系誘電体グレイン９を含む誘電体層であり、ＴｉＯ２系誘電体グレイン９の割合は１０〜３５体積％とされる。【００３３】
多層セラミック基板１に内蔵されたコンデンサ２の容量値は、ガラスセラミック層４となるセラミックグリーンシートの厚みのばらつき、第１および第２コンデンサ電極７および８となる導体パターンのスクリーン印刷面積のばらつき、セラミックグリーンシートの積層時のばらつき、セラミックグリーンシートの焼成収縮量のばらつき等により、ロット毎にばらつくことがある。そこで、内蔵コンデンサ２の容量値を所望の値に落とし込むため、図１（Ｂ）に示すように、ＹＡＧ（Yttrium Aluminium Garnet）レーザー等を用いて、多層セラミック基板１に備えるセラミック積層体６内の第１コンデンサ電極７に向けてレーザー光１０を照射する。【００３４】
すると、図１（Ｃ）に示すように、照射されたレーザー光１０により、セラミック層３とともに第１コンデンサ電極７が削られ、加工孔（トリミング痕）１１が形成される。この結果、第１コンデンサ電極７の一部が削られるが、このとき、加工孔１１は誘電体ガラスセラミック層４の一部にも達し、誘電体ガラスセラミック層４の一部も削られることになる。【００３５】
ここで、高誘電率の誘電体ガラスセラミック層４は、たとえばチタン酸バリウム、チタン酸カルシウム、チタン酸ストロンチウム等の酸化チタン系材料によって構成されており、それぞれＢａＴｉＯ３結晶相、ＣａＴｉＯ３結晶相、ＳｒＴｉＯ３結晶相のような酸化チタン系の結晶相（ＴｉＯ２系誘電体グレイン）を主結晶相としている。また、レーザー光１０の照射によって発生する熱は、瞬間的には２０００℃にも達するため、この熱が誘電体ガラスセラミック層４中のＴｉＯ２系誘電体グレイン９に加わると、ＴｉＯ２系誘電体グレイン９を構成している４価のチタンが３価のチタンに還元されてしまう（Ｔｉ4+→Ｔｉ３+）。【００３６】
その結果、誘電体グレイン９には酸素空孔が形成され、誘電体グレイン９が半導体化してしまう。つまり、レーザートリミングにより、レーザー光１０が照射された部分近傍のＴｉＯ２系誘電体グレイン９は、半導体化した誘電体グレイン９ａとなってしまう。【００３７】
上述の半導体化に関して、この発明によれば、ＴｉＯ２系誘電体ガラスセラミック層４におけるＴｉＯ２系誘電体グレイン９の割合が１０〜３５体積％と低いので、ＴｉＯ２系誘電体グレイン９が半導体化してしまっても、図１（Ｃ）に示すように、半導体化した誘電体グレイン９ａが第１コンデンサ電極７と第２コンデンサ電極８との間でつながってしまうことがなく、したがって、レーザートリミング後であっても、絶縁抵抗値やＱ値の低下がほとんど起こらない。【００３８】
図２は、この発明に係る内蔵コンデンサの容量値調整方法についての比較例を説明するための図１に対応する図である。図２において、図１に示した要素に相当する要素には同様の参照符号を付し、重複する説明は省略する。【００３９】
ＴｉＯ２系誘電体ガラスセラミック層４におけるＴｉＯ２系誘電体グレイン９の割合が３５体積％を超えていると、ＴｉＯ２系誘電体グレイン９の割合が多くなりすぎるため、誘電体グレイン９が半導体化した際、図２に示すように、半導体化した誘電体グレイン９ａが第１コンデンサ電極７と第２コンデンサ電極８との間でつながってしまう。【００４０】
この結果、レーザートリミングによって、第１コンデンサ電極７と第２コンデンサ電極８とが短絡してしまい、絶縁抵抗値が大きく低下してしまう。そして、誘電体ガラスセラミック層４の絶縁性が劣化すると、これによりジュール熱損失が発生し、コンデンサのＱ値が低下する。なお、半導体化した誘電体グレイン９ａは、再酸化処理を施すことによって元に戻すことができるが、再酸化処理という別の処理工程が必要であり、また、再酸化処理によって、内蔵コンデンサ２の絶縁抵抗値やＱ値が再び変化し、ばらついてしまうことがある。【００４１】
このように、この発明によれば、ＴｉＯ２系誘電体ガラスセラミック層４において、ＴｉＯ２系誘電体グレイン９の割合が１０〜３５体積％であるため、レーザートリミングの前後で、コンデンサ電極７および８間の絶縁抵抗値や内蔵コンデンサ２のＱ値が大きく変化せず、また、再酸化処理のような別工程を付加しなくても、内蔵コンデンサ２の容量値を精度良く調整することができる。【００４２】
なお、ＴｉＯ２系誘電体ガラスセラミック層４の比誘電率は、そこに存在するＴｉＯ２系誘電体グレイン９の体積割合に主に依存しており、ＴｉＯ２系誘電体グレイン９の割合が１０体積％を下回ると、内蔵コンデンサ２を形成するための誘電体ガラスセラミック層４として十分な比誘電率εｒが得られない。このような理由から、ＴｉＯ２系誘電体グレイン９の体積比率は１０〜３５％であることが必要であるが、この範囲の中でも特に２０〜３５％が望ましい。また、ＴｉＯ２系誘電体グレイン９のグレイン径（Ｄ５０）は、０．９〜２．５μｍが望ましく、１．０〜１．５μｍがより望ましい。【００４３】
また、ＴｉＯ２系誘電体ガラスセラミック層４の層厚（素子厚）は１２．５〜５０μｍであることが望ましい。この層厚が１２．５μｍ未満であると、ＴｉＯ２系誘電体グレイン９の占有割合を上記のように特定したとしても、レーザートリミングの前後で、絶縁抵抗値やＱ値が変化してしまうことがある。また、この層厚が５０μｍを超えると、コンデンサ電極７および８巻の間隔が大きくなりすぎて、内蔵コンデンサ２において、高い容量値を得ることが困難になる。【００４４】
第１および第２コンデンサ電極７および８の位置に関して、これら両者は、図１に示したように、セラミック積層体６に内蔵されていてもよい。トリミング対象の第１コンデンサ電極７がセラミック積層体６の内部に形成されていると、これがセラミック積層体６の表面に配置されている場合に比べて、大きなパワーのレーザー光１０を照射する必要があるが、たとえ大きなパワーのレーザー光１０を用いても、ＴｉＯ２系誘電体ガラスセラミック層４におけるＴｉＯ２系誘電体グレイン９の占有割合が上記のように特定されていれば、絶縁抵抗値やＱ値を大きく変化させることなく、内蔵コンデンサ２の容量値を精度良く調整することができる。【００４５】
なお、上記の多層セラミック基板１において、セラミック層３および５は、ＴｉＯ２系誘電体ガラスセラミック層４と同様の材料で構成されていても構わないが、比誘電率の小さな他のセラミック材料、たとえば低温焼結セラミック（ＬＴＣＣ：Low Temperature Co-fired Ceramic）材料を使用することが望ましい。低温焼結セラミック材料とは、１０５０℃以下の温度で焼結可能であって、比抵抗の小さな銀や銅等と同時焼成が可能なセラミック材料である。低温焼結セラミック材料としては、具体的には、アルミナやジルコニア、マグネシア、フォルステライト等のセラミック粉末にホウ珪酸系ガラスを混合してなるガラス複合系ＬＴＣＣ材料、ＺｎＯ−ＭｇＯ−Ａｌ２Ｏ３−ＳｉＯ２系の結晶化ガラスを用いた結晶化ガラス系ＬＴＣＣ材料、ＢａＯ−Ａｌ２Ｏ３−ＳｉＯ２系セラミック粉末やＡｌ２Ｏ３−ＣａＯ−ＳｉＯ２−ＭｇＯ−Ｂ２Ｏ３系セラミック粉末のような非ガラス系ＬＴＣＣ材料等が挙げられる。【００４６】
ＴｉＯ２系誘電体ガラスセラミック層４は、
（Ａ）ｘＢａＯ−ｙＴｉＯ２−ｚＲｅＯ３／２（ただし、ｘ、ｙおよびｚはモル％を示し、８≦ｘ≦１８、５２．５≦ｙ≦６５、および２０≦ｚ≦４０であり、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１００であり、Ｒｅは希土類元素である。）で表される、ＢａＯ−ＴｉＯ２−ＲｅＯ３／２系セラミックを１０〜３５体積％と、
（Ｂ）アルミナセラミックを５〜４２体積％と、
（Ｃ）４〜１７．５重量％のＢ２Ｏ３、２８〜５０重量％のＳｉＯ２、０〜２０重量％のＡｌ２Ｏ３および３６〜５０重量％のＭＯ（ただし、ＭＯは、ＣａＯ、ＭｇＯ、ＳｒＯおよびＢａＯから選ばれた少なくとも１種である。）を含む、ホウ珪酸ガラスを５０〜７９体積％と
を含み、かつ、
ＢａＯ−ＴｉＯ２−ＲｅＯ３／２系セラミックとアルミナとの合計量が２１体積％以上であるガラスセラミック組成物を焼成したものである。
【００４７】
このようなガラスセラミック組成物は、その焼結体において比較的高い比誘電率を得ることができ、また、抵抗素子を内蔵するセラミック基板を構成したとき、抵抗素子の抵抗特性を低下させることがない。【００４８】
なお、上記のガラスセラミック組成物において、ｘＢａＯ−ｙＴｉＯ２−ｚＲｅＯ３／２で表されるＢａＯ−ＴｉＯ２−ＲｅＯ３／２系セラミックは、その焼成後、ＴｉＯ２系誘電体グレイン９となる。このガラスセラミック組成物において、アルミナセラミックの割合が５体積％未満になると、焼成後の多層セラミック基板１の抗折強度が低くなる傾向にあり、他方、４２体積％を超えると、相対的にＢａＯ−ＴｉＯ２−ＲｅＯ３／２系セラミックの割合が小さくなるため、内蔵コンデンサ２として必要な比誘電率を得られないことがある。【００４９】
また、ホウ珪酸ガラスの割合が５０体積％未満になると、多層セラミック基板１の焼結性が不十分となることがあり、他方、７９体積％を超えると、相対的にＢａＯ−ＴｉＯ２−ＲｅＯ３／２系セラミックの割合が小さくなるため、内蔵コンデンサ２として必要な比誘電率を得られないことがある。【００５０】
また、ＢａＯ−ＴｉＯ２−ＲｅＯ３／２系セラミックとアルミナセラミックとの合計量が２１体積％未満になると、相対的にＢａＯ−ＴｉＯ２−ＲｅＯ３／２系セラミックの割合が小さくなるため、内蔵コンデンサ２として必要な比誘電率が得られず、かつ抗折強度も低い値となる傾向にある。
【００５１】
また、詳しくは、本件発明者による国際公開第２００６／０４６３６１号パンフレットに記載されているが、ｘＢａＯ−ｙＴｉＯ２−ｚＲｅＯ３／２で表されるＢａＯ−ＴｉＯ２−ＲｅＯ３／２系セラミックにおいて、ｘの値が８未満になると、比誘電率およびＱ値が低い値となる他、比誘電率の温度係数（ＴＣＣ）の絶対値も高い値となることがあり、他方、１８を超えると、Ｑ値が低い値となる他、ＴＣＣの絶対値も高い値となる傾向にある。また、ｙの値が５２．５未満になると、比誘電率が低い値となることがあり、他方、６５を超えると、ＴＣＣの絶対値が高い値となる傾向にある。また、ｚの値が２０未満になると、ＴＣＣの絶対値が高い値となることがあり、他方、４０を超えると、ＴＣＣの絶対値が高い値となる他、比誘電率も低い値となる傾向にある。また、Ｒｅ（希土類元素）としては、Ｎｄ、Ｐｒ、Ｓｍ等を利用することができる。【００５２】
ホウ珪酸ガラスにおいて、Ｂ２Ｏ３の含有量が４重量％未満になると、焼結性が不十分となることがあり、他方、１７．５重量％を超えると、耐湿性が低下するためＰＣＴ（Pressure Cooker Test）信頼性が低下し、絶縁破壊する可能性がある。また、ＳｉＯ２の含有量が２８重量％未満になると、同じく耐湿性が低下するためＰＣＴ信頼性が低下し、絶縁破壊する可能性があり、他方、５０重量％を超えると、焼結性が不十分になる傾向にある。【００５３】
また、ホウ珪酸ガラスにおいて、Ａｌ２Ｏ３は含まれていなくてもよいが、含まれている方が耐湿性が向上するので望ましい。ただし、Ａｌ２Ｏ３の含有量が２０重量％を超えると、Ｑ値が低い値となる傾向にある。【００５４】
また、ホウ珪酸ガラスにおいて、ＭＯの含有量が３６重量％未満になると、焼結性が不十分になることがあり、他方、５０重量％を超えると、耐湿性が低下するためＰＣＴ信頼性が低下し、絶縁破壊する可能性がある。なお、ＭＯとしては、ＣａＯ、ＭｇＯ、ＳｒＯおよびＢａＯから選ばれた少なくとも１種を用いることができるが、特に、誘電体ガラスセラミック層４において高いＱ値を得るためには、ＣａＯを用いることが望ましい。【００５５】
また、ホウ珪酸ガラスは、さらにＬｉ２Ｏ、Ｎａ２ＯおよびＫ２Ｏから選ばれた少なくとも１種を０．５重量％未満含むことが望ましい。この範囲内でこれらのアルカリ金属酸化物を含んでいると、高い比誘電率が得られる。なお、アルカリ金属酸化物の含有量が０．５重量％を超えると、耐湿性が低下する傾向にある。【００５６】
上記のガラスセラミック組成物は、さらにＣａＴｉＯ３を２０重量％以下含んでいてもよい。この範囲内でＣａＴｉＯ３を含んでいると、高い比誘電率が得られる。なお、ＣａＴｉＯ３の含有量が２０重量％を超えると、ＴＣＣの絶対値が大きくなる傾向にある。【００５７】
また、ガラスセラミック組成物は、ＢａＯ−ＴｉＯ２−ＲｅＯ３／２系セラミックとアルミナセラミックとホウ珪酸ガラスとの合計量１００重量部に対して、さらにＣｅＯ２を３重量部以下含んでいてもよい。この範囲内でＣｅＯ２を含んでいると、電極材料としてＡｇを用いたとき、電極材料であるＡｇのコロイド化による電極周辺部の基板変色を抑制できる。なお、ＣｅＯ２の含有量が３重量％を超えると、誘電体ガラスセラミック層のＱ値が低くなる傾向にある。【００５８】
また、ガラスセラミック組成物に、ＴｉＯ２およびＺｒＯ２の少なくとも一方が１重量％以下の添加量をもって添加されていると、これを焼成して得られた焼結体における比誘電率の温度変化率の絶対値を小さくすることができる。なお、このＴｉＯ２は、焼成後、ＴｉＯ２系誘電体ガラスセラミック層４におけるＴｉＯ２系誘電体グレイン９に含まれることになるので、このＴｉＯ２によるグレインの割合を含めて、ＴｉＯ２系誘電体グレイン９の量を前述の範囲で調整しなければならない。【００５９】
次に、この発明に係る多層セラミック基板の具体的構造およびその製造方法について説明する。【００６０】
図３に示すように、多層セラミック基板２１は、複数のセラミック層２２および２３を積層してなるセラミック積層体２４を有している。セラミック層２２は上述した低温焼結セラミック材料で形成されたセラミック層であり、セラミック層２３は上述したＴｉＯ２系誘電体ガラスセラミック層である。【００６１】
これらセラミック層２２および２３に関連して、たとえばＡｇまたはＣｕを主成分とする導体パターンが設けられている。導体パターンとしては、多層セラミック基板２１の外表面上に形成されるいくつかの外部導体２５、セラミック層２２および２３間の界面に沿って形成されるいくつかの内部面内導体２６〜３１、ならびにセラミック層２２および２３の特定のものを貫通するように設けられるいくつかのビアホール導体３２がある。【００６２】
これらの導体パターン２５〜３２には、単なる配線のために設けられるものの他、コンデンサやインダクタのような受動素子を多層セラミック基板２１の内部に構成するために設けられるものもある。たとえば、内部面内導体２６〜３０は、コンデンサ電極となるべきものである。これらコンデンサ電極２６〜３０と各々の間に配置されたセラミック層２３とによって、内蔵コンデンサ３３が構成されている。このことから、内蔵コンデンサは、２つのコンデンサ電極だけでなく、３つ以上のコンデンサ電極によって形成されていてもよいことがわかる。コンデンサ電極２６〜３０の少なくとも１つは、グラウンド電極を兼ねていてもよい。【００６３】
この多層セラミック基板２１には、上述の内蔵コンデンサ３３の容量値調整方法に基づいて形成されたトリミング痕３４が残っている。このトリミング痕３４は、通常のシート積層法や厚膜印刷積層法に基づき得られた多層セラミック基板２１に対し、その一方主面側からコンデンサ電極２６をレーザートリミングすることによって形成されたものである。なお、トリミング痕３４には、容量調整後に容量が変動してしまうのを防ぐため、ガラスや樹脂等が詰められていてもよい。【００６４】
また、多層セラミック基板２１には、厚膜抵抗体３５が内蔵されている。厚膜抵抗体３５は、セラミック層２２および２３間の界面に沿って形成された抵抗体膜によって構成される。この抵抗体膜は、たとえば、ＲｕＯ２を主成分とし、副成分としてケイ酸系ガラスを含む抵抗体ペーストを焼結させることによって形成される。なお、この厚膜抵抗体３５をレーザートリミングしてその抵抗値を調整するに際し、セラミック層２３の一部が削られたとしても、セラミック層２３は上述したＴｉＯ２系誘電体ガラスセラミック層で形成されているので、トリミング前後での特性変化が少ない。【００６５】
次に、この発明に係る多層セラミック基板を用いて構成される電子部品の一例について、図４および図５を参照して説明する。図４には、非可逆回路素子の一例としての集中定数型アイソレータ４１が分解されて斜視図で示され、図５には、集中定数型アイソレータ４１が与える等価回路図が示されている。【００６６】
図４に示すように、集中定数型アイソレータ４１は、矩形板状の永久磁石４２と中心電極組立体４３と実装用の多層セラミック基板４４と金属ケースとしての上側ケース４５および下側ケース４６とを備えている。【００６７】
上側ケース４５は、下方に向く開口を有する箱状をなしており、上壁部４７と４つの側壁部４８〜５１とを備えている。下側ケース４６は、互いに対向する２つの立ち上がり壁５２および５３とこれら立ち上がり壁５２および５３間を連結する底壁部５４とを備えている。上側ケース４５および下側ケース４６は強磁性体材料から構成され、その表面にＡｇまたはＣｕめっきが施される。【００６８】
以下、図４とともに、図５を参照しながら、中心電極組立体４３および多層セラミック基板４４の詳細について説明する。【００６９】
多層セラミック基板４４は、その機械的構造については図示を省略するが、積層された複数のセラミック層からなる多層構造を有していて、図５に示すような整合用コンデンサ素子Ｃ１、Ｃ２およびＣ３ならびに抵抗素子Ｒを内蔵している。なお、これら整合用コンデンサ素子Ｃ１〜Ｃ３ならびに抵抗素子Ｒの内蔵構造については、それぞれ、図３に示した多層セラミック基板２１における内蔵コンデンサ３３および厚膜抵抗体３５の内蔵構造と実質的に同様である。また、多層セラミック基板４４には、図示しないが、これらの受動素子のトリミング痕が残っている。【００７０】
多層セラミック基板４４の上面には、ポート電極Ｐ１、Ｐ２およびＰ３ならびにアース電極５５が露出している。多層セラミック基板４４の下面には、図４では図示されないが、図５に示すように、このアイソレータ４１を外部回路に電気的に接続する入力電極５６および出力電極５７が形成されている。【００７１】
中心電極組立体４３は、矩形板状のマイクロ波フェライトからなる基体５８を備えている。基体５８の上面５９には、３つの中心電極６０、６１および６２が配置されている。これら中心電極６０〜６２は、互いの間に電気絶縁層６３を介在させることにより、互いに電気的に絶縁されている。また、３つの中心電極６０〜６２は、ほぼ１２０°毎に交差するように配置されている。【００７２】
中心電極６０〜６２を配置する順序は任意であるが、図４に示した実施形態では、下から、中心電極６２、電気絶縁層６３、中心電極６１、電気絶縁層６３、中心電極６０の順に配置されている。これら中心電極６０〜６２は、各々の一端が基体５８の側面６４に形成されている接続電極６５を介して基体５８の下面６６に形成されているアース電極６７に接続され、各々の他端が、側面６４に形成されている接続電極６５を介して多層セラミック基板４４のポート電極Ｐ１〜Ｐ３に接続されている。【００７３】
このようにして、中心電極６０〜６２のアース側は、接続電極６５を介して共通のアース電極６７に接続されている。この共通のアース電極６７は、基体５８の下面６６と略同形状であり、多層セラミック基板４４に形成されているポート電極Ｐ１〜Ｐ３との接触を避けるようにして下面６６の略全面を被覆している。また、アース電極６７は、多層セラミック基板４４のアース電極５５に接続される。【００７４】
以上のような構成部品をもって、集中定数型アイソレータ４１を組み立てるにあたっては、まず、下側ケース４６内に多層セラミック基板４４を組み込み、その上に中心電極組立体４３を載せ、所定の電気的接続を達成する。他方、永久磁石４２を、上側ケース４５の上壁部４７の下面側に配置する。そして、これらの状態を維持しながら、上側ケース４５と下側ケース４６とを接合し、一体的な金属ケースとする。【００７５】
上述のように組み立てられたとき、永久磁石４２は、中心電極組立体４３に直流磁界を印加する。このとき、上側ケース４５と下側ケース４６とからなる金属ケースは磁気回路を構成し、ヨークとしても機能する。【００７６】
以上のように、この発明に係る多層セラミック基板およびその製造方法は、永久磁石と、基体、基体に所定の交差角度で積み重ねて配置された複数の中心電極および中心電極相互を電気的に絶縁するために中心電極間に配置された電気絶縁層を備え、永久磁石により直流磁界が印加される、中心電極組立体と、永久磁石および中心電極組立体を収容するケースと、中心電極組立体が実装され、コンデンサ素子および抵抗素子が設けられた多層セラミック基板とを備える、非可逆回路素子およびその製造方法にも適用することができる。【００７７】
この発明に係る多層セラミック基板およびその製造方法は、非可逆回路素子およびその製造方法以外にも、各種のモジュール用セラミック基板およびその製造方法にも適用可能である。【００７８】
なお、この発明において、レーザートリミングによる容量調整は、第１コンデンサ電極の一部を削ること、つまり電極面積を小さくすることによって容量調整することに限定されるものではなく、たとえば、１つの第１コンデンサ電極を２以上の部分に分割することによって容量調整してもよい。また、第１コンデンサ電極のレーザートリミングと同時に第２コンデンサ電極をトリミングしてもよい。【００７９】
次に、この発明を具体的な実験例に基づいて説明する。ただし、この発明は以下の実験例に限定されるものではない。
＜実験例１＞
まず、ＢａＯ−ＴｉＯ２−ＲｅＯ３／２系セラミック粉末を作製するため、ＢａＣＯ３、ＴｉＯ２、Ｎｄ２Ｏ３、Ｓｍ２Ｏ３の各粉末を、それぞれ、１３モル％、５８モル％、１０モル％、１９モル％の割合で混合した。次いで、混合された原料粉末を、１１５０℃の温度で１時間仮焼した後、仮焼物を粉砕し、ＢａＯ−ＴｉＯ２−ＲｅＯ３／２系セラミック粉末（以下、「ＢＲＴ粉末」または「ＢａＯ−Ｒｅ２Ｏ３−４ＴｉＯ２系誘電体セラミック粉末」と称することがある。）を得た。【００８０】
次いで、ホウ珪酸ガラス粉末を作製するため、ＣａＯ、Ａｌ２Ｏ３、Ｂ２Ｏ３、ＳｉＯ２の各粉末を、それぞれ４５重量％、５重量％、５重量％、４５重量％の割合で混合した。次いで、混合された原料粉末を、１１００〜１４００℃の温度で溶融させ、次いで、水中へ投入して急冷した後、湿式粉砕して、ホウ珪酸ガラス粉末を得た。【００８１】
次いで、ＢａＯ−ＴｉＯ２−ＲｅＯ３／２系セラミック粉末、Ａｌ２Ｏ３セラミック粉末およびホウ珪酸ガラス粉末を用いながら、焼成後の組成割合が下記表１の「ガラスセラミック組成」の欄に示す体積比となるように、これら特定のセラミック粉末およびガラス粉末を秤量し、これらの粉末を十分に混合した。【００８２】
次に、上記のようにして得られた混合粉末に対して、適当量のバインダ、可塑剤および溶剤を加え、混練し、スラリーを得た。次に、このスラリーを、ドクターブレード法により厚さ５０μｍのシート状に成形した。得られたセラミックグリーンシートを、３０ｍｍ×１０ｍｍの平面寸法の矩形状に切断した。次に、これら矩形状のセラミックグリーンシートを複数枚積層し、圧着した後、厚さ０．５〜１．０ｍｍの積層体を得た。【００８３】
なお、この積層体の内部であって、表層から０．０５ｍｍの位置に第１コンデンサ電極となる平面寸法１ｍｍ×１ｍｍのコンデンサ電極パターン、ならびに、表層から０．１０ｍｍの位置に第２コンデンサ電極となる平面寸法１ｍｍ×１ｍｍのコンデンサ電極パターンが形成されるように、上記積層工程前のセラミックグリーンシート上に、Ａｇペーストを用いて、導体膜を形成しておいた。【００８４】
次に、得られた積層体を、温度８７０℃で１時間焼成し、試料１〜２５の各々に係る板状の焼結体を得た。【００８５】
次に、上記のようにして得られた焼結体について、ＹＡＧレーザーを用い、出力２ｋＨｚ、スキャン回数７回（レーザートリミングの条件）にて、第１コンデンサ電極にレーザー光を照射し、初期において２０ｐＦのコンデンサ容量が１０ｐＦとなるように、第１コンデンサ電極をトリミングした。【００８６】
そして、絶縁抵抗値（ｌｏｇＩＲ）を、トリミング前後でそれぞれ測定し、また、ＬＣＲメーターにて、１ＭＨｚでのＱ値を、トリミング前後でそれぞれ測定した。さらに、併せて、ＬＣＲメーターにより、トリミング後の誘電体ガラスセラミック層の比誘電率εｒを測定するとともに、トリミング後の誘電体ガラスセラミック層の抗折強度（ＭＰａ）を測定した。【００８７】
各測定にて得られた結果を下記表１に示す。なお、表１の「トリミング特性判定」欄において、「Ｇ」は、トリミング前とトリミング後の絶縁抵抗値およびＱ値の変化率が３０％以内であったことを表し、「ＮＧ」は、トリミング前とトリミング後の絶縁抵抗値およびＱ値の変化率が３０％を超えてしまったことを表す。また、図６に、ＢａＯ−Ｒｅ２Ｏ３−４ＴｉＯ２系誘電体セラミックの含有量（体積％）による絶縁抵抗値の変化率およびＱ値の変化率を表したグラフを示す。【００８８】
【表１】
0004720829.tif 000002
【００８９】
表１および図６からわかるように、ＢａＯ−Ｒｅ２Ｏ３−４ＴｉＯ２系誘電体セラミックの含有量が１０〜３５体積％である試料２〜２２では、比較的高い比誘電率を有しているにもかかわらず、トリミング前後での絶縁抵抗値およびＱ値の変化率がほぼ１００％であり、トリミング前後で絶縁抵抗値およびＱ値がほとんど変化しなかった。【００９０】
これに対して、試料１では、ＢａＯ−Ｒｅ２Ｏ３−４ＴｉＯ２系誘電体セラミックの含有量が少なすぎたため、トリミング前後で絶縁抵抗値およびＱ値がほとんど変化しなかったものの、誘電体ガラスセラミック層として十分な比誘電率が得られなかった。また、試料２３〜２５では、Ａｌ２Ｏ３セラミックが含有されておらず、しかも、ＢａＯ−Ｒｅ２Ｏ３−４ＴｉＯ２系誘電体セラミックの含有量が多すぎたため、誘電体ガラスセラミック層として十分な比誘電率が得られているものの、抗折強度が低下してしまい、また、トリミング前後で絶縁抵抗値およびＱ値が大きく変化してしまった。【００９１】
次に、試料２〜２２のうち、試料２のように、ＢａＯ−Ｒｅ２Ｏ３−４ＴｉＯ２系誘電体セラミックとＡｌ２Ｏ３セラミックとの合計含有量が少なく、ホウ珪酸ガラスの含有量が多いと、比誘電率が低下する傾向にあることがわかった。また、表１には記載していないが、試料６のように、Ａｌ２Ｏ３セラミックの含有量が多く、ホウ珪酸ガラスの含有量が少ないと、この焼成温度では十分に焼結しない傾向があることがわかった。また、試料１０、１５、１８および２０のように、Ａｌ２Ｏ３セラミックが入っていない場合、あるいは、その含有量が少ない場合、抗折強度が低下する傾向にあることがわかった。また、試料１４および２２のように、ホウ珪酸ガラスの含有量が少ないと、この焼成温度では十分に焼結しない傾向にあることがわかった。
＜実験例２＞
次に、実験例１の試料９の組成を適用しながら、下記表２に示すように、各コンデンサ電極間の誘電体ガラスセラミック層の厚み（素子厚）を変化させ、実験例１と同様にして、トリミング前後の絶縁抵抗値、ならびに、トリミング前後のＱ値をそれぞれ測定した。各測定にて得られた結果を下記表２に示す。【００９２】
【表２】
0004720829.tif 000003
【００９３】
表２からわかるように、素子厚が薄くなると、トリミング前後の絶縁抵抗値やＱ値の変化率が大きくなる傾向があり、特に、素子厚が１２．５μｍを下回ると、トリミング前後の絶縁抵抗値やＱ値の変化率がかなり大きくなってしまった。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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