(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
Ｎａ、Ｂｉ及びＢを含む溶液を用いてガーネット単結晶を育成し、
前記ガーネット単結晶を還元雰囲気中で熱処理し、
熱処理した前記ガーネット単結晶を用いて光学素子を作製すること
を特徴とする光学素子の製造方法。
【請求項２】
請求項１記載の光学素子の製造方法であって、
前記還元雰囲気は、不活性ガス及び／又は還元性ガスを用いて生成すること
を特徴とする光学素子の製造方法。
【請求項３】
請求項２記載の光学素子の製造方法であって、
前記不活性ガスは窒素ガスを含むこと
を特徴とする光学素子の製造方法。
【請求項４】
請求項２又は３に記載の光学素子の製造方法であって、
前記還元性ガスは水素ガスを含むこと
を特徴とする光学素子の製造方法。
【請求項５】
請求項１乃至４のいずれか１項に記載の光学素子の製造方法であって、
前記ガーネット単結晶はＮａを含有すること
を特徴とする光学素子の製造方法。
【請求項６】
請求項１乃至５のいずれか１項に記載の光学素子の製造方法であって、
前記溶液中の前記Ｎａは、ＮａＯＨ、Ｎａ２ＣＯ３、ＮａＨＣＯ３、ＮａＦｅＯ２、ＮａＢＯ２、Ｎａ２Ｂ４Ｏ７、ＮａＢｉＯ３の少なくとも一つを融解して得られていること
を特徴とする光学素子の製造方法。
【請求項７】
請求項１乃至５のいずれか１項に記載の光学素子の製造方法であって、
前記溶液中の前記Ｎａは、ＮａＯＨ、ＮａＨＣＯ３、ＮａＦｅＯ２、ＮａＢＯ２、Ｎａ２Ｂ４Ｏ７、ＮａＢｉＯ３の少なくとも一つを融解して得られていること
を特徴とする光学素子の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ガーネット単結晶を用いた光学素子の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
ファラデー回転子は、透過する光の偏光面を回転させる機能を有する光学素子であり、通信用光アイソレータや光サーキュレータ等の光デバイスに使用される。ファラデー回転子は、一般に板状のビスマス（Ｂｉ）置換希土類鉄ガーネット単結晶を用いて作製される。Ｂｉ置換希土類鉄ガーネット単結晶は、フラックス法の一種である液相エピタキシャル（ＬＰＥ）法により育成される。
【０００３】
ＬＰＥ法によりＢｉ置換希土類鉄ガーネット単結晶を育成する際には、過飽和状態を保ちながらガーネット単結晶を安定に成長させるために、一般に酸化鉛（ＰｂＯ）、酸化ビスマス（Ｂｉ２Ｏ３）及び酸化ホウ素（Ｂ２Ｏ３）が溶媒として用いられる。このため磁性ガーネット単結晶の育成時には結晶中に少量の鉛（Ｐｂ）が混入する。従来、通信用光デバイスに使用されるファラデー回転子には、化学式Ｂｉ３−ｘ−ｙＭ１ｘＰｂｙＦｅ５−ｚ−ｗＭ２ｚＭ３ｗＯ１２においてＰｂの量ｙが０．０３〜０．０６程度である磁性ガーネット単結晶が用いられている。
【特許文献１】特開２００１−０４４０２６号公報
【特許文献２】特開２００１−０４４０２７号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
ところが近年の環境保護運動の高まりと共に、全ての工業製品で環境負荷物質であるＰｂの含有量を削減する努力がなされている。従って、ＬＰＥ法により育成する磁性ガーネット単結晶においても、少量ではあるが混入するＰｂが環境汚染の要因になり得るとして問題になってきた。そこで、ファラデー回転子等の光学素子を構成する材料である磁性ガーネット単結晶に含有されるＰｂの量を削減又は除去する必要が生じている。
【０００５】
本発明の目的は、Ｐｂの含有量を削減した光学素子の製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上記目的は、Ｎａ、Ｂｉ及びＢを含む溶液を用いてガーネット単結晶を育成し、前記ガーネット単結晶を還元雰囲気中で熱処理し、熱処理した前記ガーネット単結晶を用いて光学素子を作製することを特徴とする光学素子の製造方法によって達成される。
【０００７】
上記本発明の光学素子の製造方法であって、前記還元雰囲気は、不活性ガス及び／又は還元性ガスを用いて生成することを特徴とする。
【０００８】
上記本発明の光学素子の製造方法であって、前記不活性ガスは窒素ガスを含むことを特徴とする。
【０００９】
上記本発明の光学素子の製造方法であって、前記還元性ガスは水素ガスを含むことを特徴とする。
【００１０】
上記本発明の光学素子の製造方法であって、前記ガーネット単結晶はＮａを含有することを特徴とする。
【００１１】
上記本発明の光学素子の製造方法であって、前記溶液中の前記Ｎａは、ＮａＯＨ、Ｎａ２ＣＯ３、ＮａＨＣＯ３、ＮａＦｅＯ２、ＮａＢＯ２、Ｎａ２Ｂ４Ｏ７、ＮａＢｉＯ３の少なくとも一つを融解して得られていることを特徴とする。
また、上記本発明の光学素子の製造方法であって、前記溶液中の前記Ｎａは、ＮａＯＨ、ＮａＨＣＯ３、ＮａＦｅＯ２、ＮａＢＯ２、Ｎａ２Ｂ４Ｏ７、ＮａＢｉＯ３の少なくとも一つを融解して得られていることを特徴とする。
【発明の効果】
【００１２】
本発明によれば、光学素子に含まれるＰｂ量を削減し、あるいは完全に除去することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１３】
〔第１の実施の形態〕
本発明の第１の実施の形態による光学素子の製造方法について図１を用いて説明する。本実施の形態では、従来の溶媒に含まれるＰｂの少なくとも一部をナトリウム（Ｎａ）で代替し、Ｎａを含む溶媒から磁性ガーネット単結晶を育成する。Ｎａと酸素とを含有する物質は他の酸化物に比べて低い温度で溶解するものが多いため、Ｎａは磁性ガーネット単結晶を育成する際の溶媒として有効である。例えば水酸化ナトリウム（ＮａＯＨ）を含む溶媒から育成された磁性ガーネット単結晶は、欠陥や割れのない優れた品質が得られる。溶媒の材料からＰｂＯを除外し、Ｎａを含む物質とＢｉ２Ｏ３及びＢ２Ｏ３を溶媒に用いることにより、従来磁性ガーネット単結晶に微量含まれていたＰｂをほぼ完全に除去できる。
【００１４】
ところが、Ｎａを含む溶媒から育成したガーネット単結晶は、光通信で使用される１３００〜１６００ｎｍの波長帯域での光吸収が極めて大きいということが判明した。大きな光吸収を持つガーネット単結晶を加工してファラデー回転子等の光学素子を作製すると、光学素子の光損失（挿入損失）が高くなってしまうという問題が生じ得る。したがって、Ｐｂがほぼ完全に除去された光学素子の光損失を低減させるためには、Ｎａを含む溶媒を用いて育成されたガーネット単結晶の光吸収を減少させる必要がある。
【００１５】
ここで、ＮａＯＨ、Ｂｉ２Ｏ３及びＢ２Ｏ３を溶媒としてＬＰＥ法により育成した磁性ガーネット単結晶（（ＢｉＧｄＹｂ）３Ｆｅ５Ｏ１２）を加工して、ファラデー回転子を作製した。このファラデー回転子の波長１．５５μｍの光に対する光損失は３ｄＢであった。また、Ｐｂを含む溶媒からＬＰＥ法により育成した磁性ガーネット単結晶（（ＢｉＧｄＹｂ）３Ｆｅ５Ｏ１２）を加工して、別のファラデー回転子を作製した。このファラデー回転子の波長１．５５μｍの光に対する光損失は０．０５ｄＢ以下であった。したがって、Ｎａを含む溶媒を用いて作製されたファラデー回転子の光損失は、Ｐｂを含む溶媒を用いて作製されたファラデー回転子の光損失と比較して極めて高いことが分かった。Ｎａを含む溶媒から育成したガーネット単結晶の組成を蛍光Ｘ線分析で調べたところ、１００〜３００ｐｐｍ程度のＮａが検出された。Ｂｉ置換希土類鉄ガーネットを構成するカチオン（陽イオン）は、基本的に３価である。このため、１価が安定な価数であるＮａのカチオンがガーネット単結晶中に入ると、電荷のバランスが崩れてガーネット単結晶が半導体となる。これにより、Ｎａを含むガーネット単結晶では光吸収が発生していると考えられる。
【００１６】
本実施の形態では、Ｎａを含む溶媒からガーネット単結晶を育成した後、雰囲気を制御しながらガーネット単結晶を熱処理した。具体的には、まずＮａ、Ｂｉ及びＢを含む溶媒を用いて、ＬＰＥ法により単結晶基板上にＢｉ置換希土類鉄ガーネット単結晶を育成した。その後、研磨により単結晶基板を除去してガーネット単結晶板を作製した。次に、酸素の比較的少ない還元雰囲気中でガーネット単結晶板に熱処理を施した。ここで還元雰囲気は、不活性ガス、還元性ガス、又は不活性ガスと還元性ガスとの混合ガスを用いて生成した。不活性ガスとしては窒素ガスやアルゴンガス等が用いられ、還元性ガスとしては水素ガスや一酸化炭素ガス等が用いられる。還元雰囲気中で熱処理を施したガーネット単結晶板の光吸収を評価したところ、光吸収の低減が確認された。さらに、ガーネット単結晶板を加工してファラデー回転子を作製した。作製されたファラデー回転子の光損失を評価したところ、還元雰囲気中でのガーネット単結晶の熱処理を行っていないファラデー回転子と比較して光損失の低減が確認された。
【００１７】
本実施の形態によりガーネット単結晶の光吸収及びファラデー回転子の光損失が低減する理由について考察した。Ｎａを含む溶媒から育成されることによってＮａが混入したガーネット単結晶は、電子の不足したｐ型の半導体になっていると考えられる。酸化物がｐ型半導体になっている場合、一部の酸素原子が欠損する酸素欠損が生じると、電子の不足が解消されて酸化物は絶縁体になり得る。すなわち、ｐ型半導体になっているガーネット単結晶を還元雰囲気中で熱処理して酸素欠損を生じさせることによって、ガーネット単結晶を絶縁体にすることができる。本実施の形態では、ガーネット単結晶を絶縁体にすることにより、ガーネット単結晶の光吸収及びファラデー回転子の光損失が低減したものと考えられる。
【００１８】
以上のように本実施の形態では、Ｎａ、Ｂｉ及びＢを含む溶液を用いて例えばＬＰＥ法によりガーネット単結晶を育成し、得られたガーネット単結晶を還元雰囲気中で熱処理し、熱処理したガーネット単結晶を用いて光学素子を作製する。これにより、Ｐｂが削減又は完全に除去され、かつ光損失の低い光学素子を得ることができる。
以下、本実施の形態による光学素子の製造方法について、実施例及び比較例を用いてより具体的に説明する。
【００１９】
（実施例１）
図１は、本実施例における単結晶育成工程の一部を示している。金（Ａｕ）製のルツボ４に、合計で２．３ｋｇの重量になるＧｄ２Ｏ３、Ｙｂ２Ｏ３、Ｆｅ２Ｏ３、Ｂ２Ｏ３、Ｂｉ２Ｏ３、ＮａＯＨを充填した。Ｆｅの配合率は１５．５ｍｏｌ％であった。また、Ｂ、Ｂｉ、Ｎａの配合率はそれぞれ７．０ｍｏｌ％、５１．６ｍｏｌ％、２５．４ｍｏｌ％であった。ここで、本願明細書中で用いられる「配合率」は、ルツボ４に充填されて溶液中でカチオンとなる元素（Ｎａ、Ｂｉ、Ｂ、Ｆｅ、希土類元素など）の総ｍｏｌ数に占める各元素のｍｏｌ数の割合を表している。材料が充填されたルツボ４を電気炉に配置した。９００℃まで炉温を上げてルツボ４内の材料を融解して攪拌し、均一な融液（溶液）８を生成した。直径２インチのＣａＭｇＺｒ置換ＧＧＧ（ガドリニウム・ガリウム・ガーネット（（ＧｄＣａ）３（ＧａＭｇＺｒ）５Ｏ１２））単結晶基板１０を固定冶具２に取り付けて炉内に投入した。融液８の温度を７７０℃まで下げてから基板１０の片面を融液８に接触させ、エピタキシャル成長を４０時間行った。その結果、膜厚５００μｍの単結晶膜１２が育成できた。蛍光Ｘ線分析法により単結晶を組成分析したところ、組成はＢｉ１．００Ｇｄ１．７０Ｙｂ０．３０Ｆｅ５．００Ｏ１２であった。次にＩＣＰ（Ｉｎｄｕｃｔｉｖｅｌｙ  Ｃｏｕｐｌｅｄ  Ｐｌａｓｍａ；高周波誘導結合プラズマ）分析法で詳しく組成を評価したところ、磁性ガーネット単結晶の化学式は、（ＢｉＧｄＹｂ）２．９９８Ｎａ０．００２Ｆｅ５．０００Ｏ１２であった。
【００２０】
次に、ＣａＭｇＺｒ置換ＧＧＧ単結晶基板１０を研磨により除去して、Ｂｉ置換希土類鉄ガーネット単結晶板を得た。次に、窒素１００％の還元雰囲気中で単結晶板に５００℃、１０時間の熱処理を施した。さらに、波長１．５５μｍの光に対して回転角４５ｄｅｇとなるように単結晶板の鏡面研磨を行い、研磨した２つの面に無反射コートを成膜してファラデー回転子を作製した。作製したファラデー回転子から２０個抜き取り、波長１．５５μｍの光に対する光損失を評価した。ファラデー回転子の光損失は０．０４〜０．０６ｄＢであった。本実施例では、Ｐｂを含有せず、光デバイスに使用可能な特性を有する低損失のファラデー回転子が得られた。
【００２１】
（実施例２）
Ａｕ製のルツボ４に、合計で２．３ｋｇの重量になるＧｄ２Ｏ３、Ｙｂ２Ｏ３、Ｆｅ２Ｏ３、Ｂ２Ｏ３、Ｂｉ２Ｏ３、ＮａＯＨを充填した。Ｆｅの配合率は１５．５ｍｏｌ％であった。また、Ｂ、Ｂｉ、Ｎａの配合率はそれぞれ７．０ｍｏｌ％、５１．６ｍｏｌ％、２５．４ｍｏｌ％であった。材料が充填されたルツボ４を電気炉に配置した。９００℃まで炉温を上げてルツボ４内の材料を融解して攪拌し、均一な融液８を生成した。直径２インチのＣａＭｇＺｒ置換ＧＧＧ単結晶基板１０を固定冶具２に取り付けて炉内に投入した。融液８の温度を７７０℃まで下げてから基板１０の片面を融液８に接触させ、エピタキシャル成長を４０時間行った。その結果、膜厚５００μｍの単結晶膜１２が育成できた。蛍光Ｘ線分析法により単結晶を組成分析したところ、組成はＢｉ１．００Ｇｄ１．７０Ｙｂ０．３０Ｆｅ５．００Ｏ１２であった。次にＩＣＰ分析法で詳しく組成を評価したところ、磁性ガーネット単結晶の化学式は、（ＢｉＧｄＹｂ）２．９９８Ｎａ０．００２Ｆｅ５．０００Ｏ１２であった。
【００２２】
次に、ＣａＭｇＺｒ置換ＧＧＧ単結晶基板１０を研磨により除去して、Ｂｉ置換希土類鉄ガーネット単結晶板を得た。次に、窒素９５％、酸素５％（体積比）の還元雰囲気中で単結晶板に６５０℃、２０時間の熱処理を施した。さらに、波長１．５５μｍの光に対して回転角４５ｄｅｇとなるように単結晶板の鏡面研磨を行い、研磨した２つの面に無反射コートを成膜してファラデー回転子を作製した。作製したファラデー回転子から２０個抜き取り、波長１．５５μｍの光に対する光損失を評価した。ファラデー回転子の光損失は０．０４〜０．０６ｄＢであった。本実施例では、Ｐｂを含有せず、光デバイスに使用可能な特性を有する低損失のファラデー回転子が得られた。
【００２３】
（実施例３）
Ａｕ製のルツボ４に、合計で２．３ｋｇの重量になるＧｄ２Ｏ３、Ｙｂ２Ｏ３、Ｆｅ２Ｏ３、Ｂ２Ｏ３、Ｂｉ２Ｏ３、ＮａＯＨを充填した。Ｆｅの配合率は１５．５ｍｏｌ％であった。また、Ｂ、Ｂｉ、Ｎａの配合率はそれぞれ７．０ｍｏｌ％、５１．６ｍｏｌ％、２５．４ｍｏｌ％であった。材料が充填されたルツボ４を電気炉に配置した。９００℃まで炉温を上げてルツボ４内の材料を融解して攪拌し、均一な融液８を生成した。直径２インチのＣａＭｇＺｒ置換ＧＧＧ単結晶基板１０を固定冶具２に取り付けて炉内に投入した。融液８の温度を７７０℃まで下げてから基板１０の片面を融液８に接触させ、エピタキシャル成長を４０時間行った。その結果、膜厚５００μｍの単結晶膜１２が育成できた。蛍光Ｘ線分析法により単結晶を組成分析したところ、組成はＢｉ１．００Ｇｄ１．７０Ｙｂ０．３０Ｆｅ５．００Ｏ１２であった。次にＩＣＰ分析法で詳しく組成を評価したところ、磁性ガーネット単結晶の化学式は、（ＢｉＧｄＹｂ）２．９９８Ｎａ０．００２Ｆｅ５．０００Ｏ１２であった。
【００２４】
次に、ＣａＭｇＺｒ置換ＧＧＧ単結晶基板１０を研磨により除去して、Ｂｉ置換希土類鉄ガーネット単結晶板を得た。次に、窒素９９．５％、水素０．５％（体積比）の還元雰囲気中で単結晶板に５００℃、６時間の熱処理を施した。さらに、波長１．５５μｍの光に対して回転角４５ｄｅｇとなるように単結晶板の鏡面研磨を行い、研磨した２つの面に無反射コートを成膜してファラデー回転子を作製した。作製したファラデー回転子から２０個抜き取り、波長１．５５μｍの光に対する光損失を評価した。ファラデー回転子の光損失は０．０３〜０．０５ｄＢであった。本実施例では、Ｐｂを含有せず、光デバイスに使用可能な特性を有する低損失のファラデー回転子が得られた。
【００２５】
（比較例）
Ａｕ製のルツボ４に、合計で２．３ｋｇの重量になるＧｄ２Ｏ３、Ｙｂ２Ｏ３、Ｆｅ２Ｏ３、Ｂ２Ｏ３、Ｂｉ２Ｏ３、ＮａＯＨを充填した。Ｆｅの配合率は１５．５ｍｏｌ％であった。また、Ｂ、Ｂｉ、Ｎａの配合率はそれぞれ７．０ｍｏｌ％、５１．６ｍｏｌ％、２５．４ｍｏｌ％であった。材料が充填されたルツボ４を電気炉に配置した。９００℃まで炉温を上げてルツボ４内の材料を融解して攪拌し、均一な融液８を生成した。直径２インチのＣａＭｇＺｒ置換ＧＧＧ単結晶基板１０を固定冶具２に取り付けて炉内に投入した。融液８の温度を７７０℃まで下げてから基板１０の片面を融液８に接触させ、エピタキシャル成長を４０時間行った。その結果、膜厚５００μｍの単結晶膜１２が育成できた。蛍光Ｘ線分析法により単結晶を組成分析したところ、組成はＢｉ１．００Ｇｄ１．７０Ｙｂ０．３０Ｆｅ５．００Ｏ１２であった。次にＩＣＰ分析法で詳しく組成を評価したところ、磁性ガーネット単結晶の化学式は、（ＢｉＧｄＹｂ）２．９９８Ｎａ０．００２Ｆｅ５．０００Ｏ１２であった。
【００２６】
次に、ＣａＭｇＺｒ置換ＧＧＧ単結晶基板１０を研磨により除去して、Ｂｉ置換希土類鉄ガーネット単結晶板を得た。次に、波長１．５５μｍの光に対して回転角４５ｄｅｇとなるように単結晶板の鏡面研磨を行い、研磨した２つの面に無反射コートを成膜してファラデー回転子を作製した。作製したファラデー回転子から２０個抜き取り、波長１．５５μｍの光に対する光損失を評価した。ファラデー回転子の光損失は、約３ｄＢと極めて大きい値であった。本比較例では、Ｐｂを含有しないファラデー回転子が得られたが、得られたファラデー回転子は光損失が高く、光デバイスに使用可能な特性を有していなかった。
【００２７】
〔第２の実施の形態〕
本発明の第２の実施の形態による光学素子の製造方法について再び図１を用いて説明する。上記第１の本実施の形態では、Ｎａの出発原料としてＮａＯＨを使用しているが、Ｎａ２ＣＯ３やＮａＨＣＯ３はＮａＯＨより吸湿性が少ないためＮａ量の出発原料に適している。吸湿性の高い材料は秤量で誤差を含みやすいため、配合材料中のＮａの割合が変動する原因となる。Ｎａの割合が変動すると、育成温度、ガーネット膜の成長速度、ガーネット中のＮａ量などが変わり、育成したガーネット膜の割れの程度や光吸収がばらつく原因となる。そして、他にＮａＦｅＯ２、ＮａＢＯ２、Ｎａ２Ｂ４Ｏ７、ＮａＢｉＯ３などの複合酸化物も吸湿性の低い材料であり、Ｎａの出発原料に適している。但し、Ｎａ２ＣＯ３は配合した材料を加熱して溶融する際に多量のＣＯ２などのガスが発生し、材料がルツボから吹き出すことが多発する。従って、Ｎａの出発材料はＮａＯＨ、ＮａＨＣＯ３、ＮａＦｅＯ２、ＮａＢＯ２、Ｎａ２Ｂ４Ｏ７、ＮａＢｉＯ３がさらに望ましい。
【００２８】
（実施例４）
図１は、本実施例における単結晶育成工程の一部を示している。Ａｕ製のルツボ４に、合計で２．３Ｋｇの重量になるＧｄ２Ｏ３、Ｙｂ２Ｏ３、Ｆｅ２Ｏ３、Ｂ２Ｏ３、Ｂｉ２Ｏ３、Ｎａ２ＣＯ３を充填した。Ｆｅは１５．５ｍｏｌ％の配合割合であった。また、Ｂ、Ｂｉ、Ｎａはそれぞれ７．０ｍｏｌ％、５１．６ｍｏｌ％、２５．４ｍｏｌ％の配合割合であった。材料が充填されたルツボ４を電気炉に配置した。９００℃まで炉温を上げてルツボ４内の材料を融解し攪拌して均一な融液８にした。直径２インチのＣａＭｇＺｒ置換ＧＧＧ単結晶基板１０を固定冶具２に取り付けて炉内に投入した。７７０℃まで融液８の温度を下げてから基板１０の片面を融液８に接触させてエピタキシャル成長を４０時間行った。その結果、膜厚５００μｍの単結晶膜１２が育成できた。蛍光Ｘ線分析法により単結晶を組成分析したところ、組成はＢｉ１．００Ｇｄ１．７０Ｙｂ０．３０Ｆｅ５．００Ｏ１２であった。次にＩＣＰ分析法で詳しく組成を評価したところ、磁性ガーネット単結晶の化学式は、（ＢｉＧｄＹｂ）２．９９８Ｎａ０．００２Ｆｅ５．０００Ｏ１２であった。
【００２９】
次にＣａＭｇＺｒ置換ＧＧＧ単結晶基板１０を研磨により除去して、Ｂｉ置換希土類鉄ガーネット単結晶板を得た。単結晶板に窒素１００％の雰囲気中で５００℃、１０時間の熱処理を行った。さらに、波長１．５５μｍの光に対して回転角４５ｄｅｇとなるように単結晶板に鏡面研磨を施し、研磨した２つの面に無反射コートを成膜してファラデー回転子を作製した。作製した回転子から２０個抜き取り、波長１．５５μｍの光に対する光損失を評価した。ファラデー回転子の光損失は０．０４〜０．０６ｄＢであり、ファラデー回転子として使用可能な特性だった。
【００３０】
（実施例５）
Ａｕ製のルツボ４に、合計で２．３Ｋｇの重量になるＧｄ２Ｏ３、Ｙｂ２Ｏ３、Ｆｅ２Ｏ３、Ｂ２Ｏ３、Ｂｉ２Ｏ３、ＮａＨＣＯ３を充填した。Ｆｅは１５．５ｍｏｌ％の配合割合であった。また、Ｂ、Ｂｉ、Ｎａはそれぞれ７．０ｍｏｌ％、５１．６ｍｏｌ％、２５．４ｍｏｌ％の配合割合であった。材料が充填されたルツボ４を電気炉に配置した。９００℃まで炉温を上げてルツボ４内の材料を融解し攪拌して均一な融液８にした。直径２インチのＣａＭｇＺｒ置換ＧＧＧ単結晶基板１０を固定冶具２に取り付けて炉内に投入した。７７０℃まで融液８の温度を下げてから基板１０の片面を融液８に接触させてエピタキシャル成長を４０時間行った。その結果、膜厚５００μｍの単結晶膜１２が育成できた。蛍光Ｘ線分析法により単結晶を組成分析したところ、組成はＢｉ１．００Ｇｄ１．７０Ｙｂ０．３０Ｆｅ５．００Ｏ１２であった。次にＩＣＰ分析法で詳しく組成を評価したところ、磁性ガーネット単結晶の化学式は、（ＢｉＧｄＹｂ）２．９９８Ｎａ０．００２Ｆｅ５．０００Ｏ１２であった。
【００３１】
次にＣａＭｇＺｒ置換ＧＧＧ単結晶基板１０を研磨により除去して、Ｂｉ置換希土類鉄ガーネット単結晶板を得た。単結晶板に窒素１００％の雰囲気中で５００℃、１０時間の熱処理を行った。さらに、波長１．５５μｍの光に対して回転角４５ｄｅｇとなるように単結晶板に鏡面研磨を施し、研磨した２つの面に無反射コートを成膜してファラデー回転子を作製した。作製した回転子から２０個抜き取り、波長１．５５μｍの光に対する光損失を評価した。ファラデー回転子の光損失は０．０４〜０．０６ｄＢであり、ファラデー回転子として使用可能な特性だった。
【００３２】
（実施例６）
Ａｕ製のルツボ４に、合計で２．３Ｋｇの重量になるＧｄ２Ｏ３、Ｙｂ２Ｏ３、ＮａＦｅＯ２、ＮａＢＯ２、Ｂｉ２Ｏ３、ＮａＢｉＯ３を充填した。Ｆｅは１５．５ｍｏｌ％の配合割合であった。また、Ｂ、Ｂｉ、Ｎａはそれぞれ７．０ｍｏｌ％、５１．６ｍｏｌ％、２５．４ｍｏｌ％の配合割合であった。材料が充填されたルツボ４を電気炉に配置した。９００℃まで炉温を上げてルツボ４内の材料を融解し攪拌して均一な融液８にした。直径２インチのＣａＭｇＺｒ置換ＧＧＧ単結晶基板１０を固定冶具２に取り付けて炉内に投入した。７７０℃まで融液８の温度を下げてから基板１０の片面を融液８に接触させてエピタキシャル成長を４０時間行った。その結果、膜厚５００μｍの単結晶膜１２が育成できた。蛍光Ｘ線分析法により単結晶を組成分析したところ、組成はＢｉ１．００Ｇｄ１．７０Ｙｂ０．３０Ｆｅ５．００Ｏ１２であった。次にＩＣＰ分析法で詳しく組成を評価したところ、磁性ガーネット単結晶の化学式は、（ＢｉＧｄＹｂ）２．９９８Ｎａ０．００２Ｆｅ５．０００Ｏ１２であった。
【００３３】
次にＣａＭｇＺｒ置換ＧＧＧ単結晶基板１０を研磨により除去して、Ｂｉ置換希土類鉄ガーネット単結晶板を得た。単結晶板を窒素１００％の雰囲気中で５００℃、１０時間の熱処理を行った。さらに、波長１．５５μｍの光に対して回転角４５ｄｅｇとなるように単結晶板に鏡面研磨を施し、研磨した２つの面に無反射コートを成膜してファラデー回転子を作製した。作製した回転子から２０個抜き取り、波長１．５５μｍの光に対する光損失を評価した。ファラデー回転子の光損失は０．０４〜０．０６ｄＢであり、ファラデー回転子として使用可能な特性だった。
【図面の簡単な説明】
【００３４】
【図１】単結晶育成工程の一部を示す図である。
【符号の説明】
【００３５】
２  固定冶具
４  ルツボ
８  融液
１０  基板
１２  単結晶膜
【図１】
0004720730.tif 000002