(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
ワーク処理を不活性ガスの雰囲気中で行うことを要するワーク処理装置を、チャンバルーム内に収容するチャンバ装置であって、
略直方体形状に形成された前記チャンバルームと、
前記チャンバルーム内に不活性ガスを供給するガス供給流路と、
前記ガス供給流路に連なると共に前記チャンバルームに開口した送気口と、
前記チャンバルーム内の不活性ガスを排気する排気流路と、
前記排気流路に連なると共に前記チャンバルームに開口した排気口とを備え、
前記送気口と前記排気口とが相互に略対角位置に配設され、
前記ガス供給流路にはガスダンパーが介設され、且つ前記排気流路には排気ダンパーが介設され、
前記チャンバルームに対し不活性ガスの補給および排気を連続させるために、前記ガスダンパーおよび前記排気ダンパーは常時「開」に制御されている状態で前記ワーク処理を行うことを特徴とするチャンバ装置。
【請求項２】
収容される前記ワーク処理装置は、前記チャンバルームの上部空間の水平面内においてワーク処理エリアを有し、
前記送気口は前記チャンバルームの上端部に開口し、前記排気口は前記チャンバルームの下端部に開口していることを特徴とする請求項１に記載のチャンバ装置。
【請求項３】
前記送気口から前記排気口に流れる不活性ガスの主気流が、前記ワーク処理エリアに交差することを特徴とする請求項２に記載のチャンバ装置。
【請求項４】
前記チャンバルームの天井部には、前記送気口に連なると共に下面を開放したフィルタチャンバと前記フィルタチャンバの下面開放部に装着したフィルタが設けられていることを特徴とする請求項２または３に記載のチャンバ装置。
【請求項５】
前記フィルタは、少なくとも前記ワーク処理エリアを包含する大きさを有していることを特徴とする請求項４に記載のチャンバ装置。
【請求項６】
前記ガス供給流路には、前記送気口を介して不活性ガスを前期チャンバルームに強制送気するファンが介設されていることを特徴とする請求項１ないし５のいずれかに記載のチャンバ装置。
【請求項７】
前記ガス供給流路には、不活性ガスの温度を調節する温度調節装置が介設されていることを特徴とする請求項１ないし６のいずれかに記載のチャンバ装置。
【請求項８】
ワーク処理を不活性ガスの雰囲気中で行うことを要するワーク処理装置を、チャンバルーム内に収容するチャンバ装置であって、
略直方体形状に形成された前記チャンバルームと、
前記チャンバルーム内に不活性ガスを供給するガス供給流路と、
前記ガス供給流路の下流端に設けられると共に前記チャンバルーム内に開口した複数の送気口と、
前記チャンバルーム内の不活性ガスを排気する排気流路と、
前記排気流路に連なると共に前記チャンバルームに開口した排気口とを備え、
前記各送気口は、前記排気口から離間した前記チャンバルーム内の複数の隅部に配設され、
前記ガス供給流路にはガスダンパーが介設され、且つ前記排気流路には排気ダンパーが介設され、
前記チャンバルームに対し不活性ガスの補給および排気を連続させるために、前記ガスダンパーおよび前記排気ダンパーは常時「開」に制御されている状態で前記ワーク処理を行うことを特徴とするチャンバ装置。
【請求項９】
前記複数の送気口は、個々に流量調節可能に構成され、
前記排気口からの離間距離が長い送気口は多流量に短い送気口は少流量にそれぞれ調整されていることを特徴とする請求項８に記載のチャンバ装置。
【請求項１０】
収容される前記ワーク処理装置は、前記チャンバルーム内の水平面内においてワーク処理エリアを有し、
前記複数の送気口から前記排気口に流れる不活性ガスの主気流が、前記ワーク処理エリアに交差することを特徴とする請求項８または９に記載のチャンバ装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ワーク処理を不活性ガスの雰囲気中で行うことを要するワーク処理装置を、チャンバルーム内に収容するチャンバ装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来、ワーク処理を不活性ガスの雰囲気中で行う半導体製造装置等に用いられるチャンバ装置では、不活性ガスの雰囲気を維持すべく、シールを強化して不活性ガスの漏れ（リーク）を極力少なくするようにしている。また、不活性ガスの温度調節を行う場合には、温度調節装置を不活性ガスの循環経路に配設して、不活性ガスを循環させることで行うようにしている。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
このような、従来のチャンバ装置では、シール部分からの外部への不活性ガスのリークや内部への水分の透過等により、雰囲気中の酸素濃度や水分濃度を低濃度に維持することが難しい問題がある。また、ワーク処理に溶剤等を用いる場合には、雰囲気中の溶剤濃度が上がり装置自体に悪影響を及ぼす問題も想定される。
【０００４】
本発明は、チャンバルーム内を安定且つ新鮮な不活性ガスの雰囲気に維持することができるチャンバ装置を提供することを課題としている。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明のチャンバ装置は、ワーク処理を不活性ガスの雰囲気中で行うことを要するワーク処理装置を、チャンバルーム内に収容するチャンバ装置であって、略直方体形状に形成されたチャンバルームと、チャンバルーム内に不活性ガスを供給するガス供給流路と、ガス供給流路に連なると共にチャンバルームに開口した送気口と、チャンバルーム内の不活性ガスを排気する排気流路と、排気流路に連なると共にチャンバルームに開口した排気口とを備え、送気口と排気口とが相互に略対角位置に配設され、ガス供給流路にはガスダンパーが介設され、且つ排気流路には排気ダンパーが介設され、チャンバルームに対し不活性ガスの補給および排気を連続させるために、ガスダンパーおよび排気ダンパーは常時「開」に制御されている状態でワーク処理を行うことを特徴とする。
【０００６】
この構成によれば、チャンバルームに形成した不活性ガス供給用の送気口と、不活性ガス排気用の排気口とが相互に略対角位置に配設されているため、この送気口および排気口を介して不活性ガスを補給および排気することにより、チャンバルーム内に生ずる不活性ガスの気流が最も長い距離を流れ、気流がショートサーキットし難くなる。このため、いわゆるガス溜りが生じ難く、雰囲気を常に新鮮な不活性ガスに維持することができ、且つワーク処理により発生する不要な物質を適宜排気することができる。
また、この構成によれば、チャンバルーム内に不活性ガスの雰囲気が、常に新鮮な不活性ガスの補給とそれに見合う雰囲気の排気とで、構成されるため、チャンバルーム内を常に新鮮な不活性ガスで満たすことができ、且つワーク処理により発生する不要な物質を円滑に排気することができる。また、不活性ガスの補給量を調整することで、雰囲気の温度や酸素濃度等を容易に調節することができる。
【０００９】
これらの場合、収容されるワーク処理装置は、チャンバルームの上部空間の水平面内においてワーク処理エリアを有し、送気口はチャンバルームの上端部に開口し、排気口はチャンバルームの下端部に開口していることが、好ましい。
さらにこの場合、送気口から排気口に流れる不活性ガスの主気流が、ワーク処理エリアに交差することが、好ましい。
【００１０】
これらの構成によれば、送気口からチャンバルーム内に流入した新鮮な不活性ガスが、最初にワーク処理エリアに達するため、ワーク処理エリアを常に新鮮な不活性ガスの雰囲気で包み込むことができる。
【００１１】
これらの場合、チャンバルームの天井部には、送気口に連なると共に下面を開放したフィルタチャンバと、フィルタチャンバの下面開放部に装着したフィルタとが設けられていることが、好ましい。
【００１２】
この構成によれば、大きなフィルタ面積のフィルタを設けることができると共に、送気口から排気口に向かって流れる不活性ガスの気流を、幾分ダウンフロー気味に且つ均一な流速で流すことができる。
【００１３】
この場合、フィルタは、少なくともワーク処理エリアを包含する大きさを有していることが、好ましい。
【００１４】
この構成によれば、不活性ガスを、ワーク処理エリアに向かってほぼダウンフローで流すことができ、ワーク処理エリアを不活性ガスの雰囲気で安定に包み込むことができる。
【００１５】
これらの場合、ガス供給流路には、送気口を介して不活性ガスをチャンバルームに強制送気するファンが介設されていることが、好ましい。
【００１６】
この構成によれば、ガス供給流路からチャンバルームを経て排気流路に至る不活性ガスの圧力損失に対処することができると共に、チャンバルーム内における不活性ガスの流量および流速を容易に制御することができ、且つチャンバルーム内を安定な正圧状態に維持することができる。
【００１７】
これらの場合、ガス供給流路には、不活性ガスの温度を調節する温度調節装置が介設されていることが、好ましい。
【００１８】
この構成によれば、チャンバルーム内をワーク処理に適した温度に保つことができる。また、不活性ガスの連続的な補給および排気と相俟って、チャンバルーム内の温度制御を容易に行うことができる。
【００１９】
本発明の他のチャンバ装置は、ワーク処理を不活性ガスの雰囲気中で行うことを要するワーク処理装置を、チャンバルーム内に収容するチャンバ装置であって、略直方体形状に形成されたチャンバルームと、チャンバルーム内に不活性ガスを供給するガス供給流路と、ガス供給流路の下流端に設けられると共にチャンバルーム内に開口した複数の送気口と、チャンバルーム内の不活性ガスを排気する排気流路と、排気流路に連なると共にチャンバルームに開口した排気口とを備え、各送気口は、排気口から離間したチャンバルーム内の複数の隅部に配設され、ガス供給流路にはガスダンパーが介設され、且つ排気流路には排気ダンパーが介設され、チャンバルームに対し不活性ガスの補給および排気を連続させるために、ガスダンパーおよび排気ダンパーは常時「開」に制御されている状態でワーク処理を行うことを特徴とする。
【００２０】
この構成によれば、チャンバルームに形成した不活性ガス供給用の複数の送気口が、排気口から離間したチャンバルーム内の複数の隅部に配設されているため、不活性ガスを補給および排気することにより、チャンバルーム内において、不活性ガスを一様に流すことができる。このため、いわゆるガス溜りが生じ難く、雰囲気を常に新鮮な不活性ガスに維持することができ、且つワーク処理により発生する不要な物質を適宜排気することができる。
また、この構成によれば、チャンバルーム内に不活性ガスの雰囲気が、常に新鮮な不活性ガスの補給とそれに見合う雰囲気の排気とで、構成されるため、チャンバルーム内を常に新鮮な不活性ガスで満たすことができ、且つワーク処理により発生する不要な物質を円滑に排気することができる。また、不活性ガスの補給量を調整することで、雰囲気の温度や酸素濃度等を容易に調節することができる。
【００２３】
これらの場合、複数の送気口は、個々に流量調節可能に構成され、排気口からの離間距離が長い送気口は多流量に短い送気口は少流量にそれぞれ調整されていることが、好ましい。
【００２４】
この構成によれば、チャンバルーム内において、不活性ガスをより一層、一様に流すことができ、ガス溜りが生じ難くい構造とすることができる。
【００２５】
これらの場合、収容されるワーク処理装置は、チャンバルーム内の水平面内においてワーク処理エリアを有し、複数の送気口から排気口に流れる不活性ガスの主気流が、ワーク処理エリアに交差することが、好ましい。
【００２６】
この構成によれば、複数の送気口からチャンバルーム内に流入した新鮮な不活性ガスにより、ワーク処理エリアを常に新鮮な雰囲気で包み込むことができる。
【発明の効果】
【００３７】
以上のように、本発明のチャンバ装置によれば、不活性ガスの補給および排気により、チャンバルーム内の雰囲気が構成されるため、チャンバルーム内を常に新鮮な不活性ガスの雰囲気に維持することができる。また、チャンバルーム内における雰囲気の温度や酸素濃度等の調節を簡単に行うことができる。したがって、良好な環境でワーク処理等を行うことができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３９】
以下、添付の図面を参照して、本発明の実施形態について説明する。インクジェットプリンタのインクジェットヘッド（機能液滴吐出ヘッド）は、微小なインク滴（液滴）をドット状に精度良く吐出することができることから、例えば機能液滴（吐出対象液）に特殊なインクや、発光性或いは感光性の樹脂等を用いることにより、各種部品の製造分野への応用が期待されている。
【００４０】
本実施形態の電気光学装置は、例えば有機ＥＬ装置等の、いわゆるフラットディスプレイの製造装置に適用され、不活性ガスの雰囲気中において、その複数の機能液滴吐出ヘッドから発光材料等の機能液を吐出して（インクジェット方式）、有機ＥＬ装置の発光機能を為す各画素のＥＬ発光層および正孔注入層を形成するものである。
【００４１】
そこで、本実施形態では、有機ＥＬ装置の製造装置に適用した電気光学装置について説明すると共に、これにより製造される有機ＥＬ装置の構造および製造方法（製造プロセス）について説明する。
【００４２】
図１に示すように、実施形態の電気光学装置１は、描画装置２と描画装置２を収容するチャンバ装置３から成り、描画装置２に搭載した機能液滴吐出ヘッド４により、発光材料を吐出して有機ＥＬ装置のＥＬ発光層および正孔注入層を形成する一方、この機能液滴吐出ヘッド４の吐出動作を含む一連の製造工程を、チャンバ装置３で構成する不活性ガス（窒素ガス）の雰囲気中で行うようにしている。
【００４３】
詳細は後述するが、描画装置２は、液滴吐出装置６とこれに付随する各種の装置から成る付帯装置７とを備えている。チャンバ装置３は、チャンバルーム１１に、電気室１２および機械室１３を併設した、いわゆるクリーンルームの形態を有している。チャンバルーム１１には、不活性ガスである窒素ガスが導入され、これに収容した上記の液滴吐出装置６および付帯装置７は、全体として窒素ガスの雰囲気に曝され、窒素ガスの雰囲気中で稼動する。
【００４４】
図２ないし図５に示すように、液滴吐出装置６は、床上に設置した架台１５と、架台１５上に設置した石定盤１６と、石定盤１６上に設置したＸ軸テーブル１７およびこれに直交するＹ軸テーブル１８と、Ｙ軸テーブル１８に吊設するように設けたメインキャリッジ１９と、メインキャリッジ１９に搭載したヘッドユニット２０とを有している。
【００４５】
Ｘ軸テーブル１７は、Ｘ軸方向の駆動系が構成するＸ軸エアースライダ２２およびＸ軸リニアモータ２３を有し、これにθテーブル２４および基板Ｗをエアー吸引する吸着テーブル２５を搭載して、構成されている。また、Ｙ軸テーブル１８は、Ｙ軸方向の駆動系を構成する一対のＹ軸スライダ２７，２７、Ｙ軸ボールねじ２８およびＹ軸モータ（サーボモータ）２９を有し、これに上記のメインキャリッジ１９を吊設するブリッジプレート３０を搭載して、構成されている。
【００４６】
そして、メインキャリッジ１９に搭載したヘッドユニット２０には、サブキャリッジを介して、複数の機能液滴吐出ヘッド４が搭載されている。特に詳細は図示しないが、サブキャリッジには、１２個の機能液滴吐出ヘッド４が搭載されており、これら機能液滴吐出ヘッド４は、６個づつに二分され（図６では前後に二分）、主走査方向に対し所定の角度傾けて配設されている（図６参照）。
【００４７】
本実施形態の液滴吐出装置６では、機能液滴吐出ヘッド４の駆動（機能液滴の選択的吐出）に同期して基板Ｗが移動する構成であり、機能液滴吐出ヘッド４のいわゆる主走査は、Ｘ軸テーブル１７のＸ軸方向への往復動作により行われる。また、これに対応して、いわゆる副走査は、Ｙ軸テーブル１８により機能液滴吐出ヘッド４のＹ軸方向への往動動作により行われる。
【００４８】
一方、ヘッドユニット２０のホーム位置は、図１における後側の位置となっており、且つこの液滴吐出装置６の後方からヘッドユニット２０の運び込み或いは交換が行われる（詳細は後述する）。また、同図示の左側には、基板搬送装置（図示省略）が臨んでおり、基板Ｗはこの左方から搬入・搬出される。そして、この液滴吐出装置６の同図手前側には、上記付帯装置７の主な構成装置が、一体的に添設されている。
【００４９】
付帯装置７は、上記の架台１５および石定盤１６に隣接するように配置したキャビネット形式の共通機台３２と、共通機台３２内の一方の半部に収容したエアー供給装置３３および真空吸引装置３４と、共通機台３２内の一方の半部に主要装置を収容した機能液供給回収装置３５と、共通機台３２上に主要装置を収容したメンテナンス装置３６とを備えている。なお、図中の符号３７は、メインタンク（図示省略）とヘッドユニット２０との間の機能液流路に介設した、機能液供給回収装置３５の中間タンクである。
【００５０】
エアー供給装置３３、機能液供給回収装置３５の圧力供給源を構成すると共に、メンテナンス装置３６等におけるエアー圧アクチュエータの駆動源として用いられる。真空吸引装置３４は、上記の吸着テーブル２５に接続され、基板Ｗをエアー吸引により吸着セットする。機能液供給回収装置３５は、機能液滴吐出ヘッド４に機能液を供給すると共に、メンテナンス装置３６等から不要となった機能液を回収する。
【００５１】
メンテナンス装置３６は、機能液滴吐出ヘッド４の定期的なフラッシング（全吐出ノズルからの機能液の捨て吐出）を受けるフラッシングユニット４１と、機能液滴吐出ヘッド４の機能液吸引および保管を行うクリーニングユニット４２と、機能液滴吐出ヘッド４のノズル形成面をワイピングするワイピングユニット４３とを有している。クリーニングユニット４２およびワイピングユニット４３は、上記の共通機台３２上に配設され、フラッシングユニット４１は、基板Ｗの近傍において、Ｘ軸テーブル（θテーブル２４）１７上に搭載されている。
【００５２】
ここで、図６の模式図を参照して、チャンバ装置３内において窒素ガスの雰囲気中で稼動する描画装置２の一連の動作を簡単に説明する。先ず、準備段階として、ヘッドユニット２０が液滴吐出装置６に運び込まれ、これがメインキャリッジ１９にセットされる。ヘッドユニット２０がメインキャリッジ１９にセットされると、Ｙ軸テーブル１８がヘッドユニット２０を図外のヘッド認識カメラの位置に移動させ、ヘッドユニット２０の位置認識が行われる。ここで、この認識結果に基づいて、ヘッドユニット２０がθ補正され、且つヘッドユニット２０のＸ軸方向およびＹ軸方向の位置補正がデータ上で行われる。位置補正後、ヘッドユニット（メインキャリッジ１９）２０はホーム位置に戻る。
【００５３】
一方、Ｘ軸テーブル１７の吸着テーブル２５上に基板（この場合は、導入される基板毎）Ｗが導入されると、導入位置において図外の基板認識カメラが基板Ｗを位置認識する。ここで、この認識結果に基づいて、吸着テーブル２５を支持するθテーブル２４により基板Ｗがθ補正され、且つ基板ＷのＸ軸方向およびＹ軸方向の位置補正がデータ上で行われる。
【００５４】
このようにして準備が完了すると、実際の液滴吐出作業では、先ずＸ軸テーブル１７が駆動し、基板Ｗを主走査方向に往復動させると共に複数の機能液滴吐出ヘッド４を駆動して、機能液滴の基板Ｗへの選択的な吐出動作が行われる。基板Ｗが復動した後、こんどはＹ軸テーブル１８が駆動し、ヘッドユニット２０を１ピッチ分、副走査方向に移動させ、再度基板Ｗの主走査方向への往復移動と機能液滴吐出ヘッド４の駆動が行われる。そしてこれを、数回繰り返すことで、基板Ｗの端から端まで（全領域）液滴吐出が行われる。これにより、有機ＥＬ装置の発光層等が形成される。
【００５５】
一方、上記の動作に並行し、液滴吐出装置６のヘッドユニット（機能液滴吐出ヘッド４）２０には、エアー供給装置３３を圧力供給源として機能液供給回収装置３５から機能液が連続的に供給され、また吸着テーブル２５では、基板Ｗを吸着すべく、真空吸引装置３４によりエアー吸引が行われる。また、液滴吐出作業の直前には、ヘッドユニット２０がクリーニングユニット４２およびワイピングユニット４３に臨んで、機能液滴吐出ヘッド４の全吐出ノズルからの機能液吸引と、これに続くノズル形成面の拭取りが行われる。液滴吐出作業中には、適宜ヘッドユニット２０がフラッシングユニット４１に臨んで、機能液滴吐出ヘッド４のフラッシングが行われる。
【００５６】
なお、本実施形態では、ヘッドユニット２０に対し、その吐出対象物である基板Ｗを主走査方向（Ｘ軸方向）に移動させるようにしているが、ヘッドユニット２０を主走査方向に移動させる構成であってもよい。また、ヘッドユニット２０を固定とし、基板Ｗを主走査方向および副走査方向に移動させる構成であってもよい。
【００５７】
次に、図７の系統図、および図８ないし図１３の構造図を参照して、チャンバ装置３について説明する。なお、チャンバ装置の説明では、図８における紙面の下側を「前」、上側「後」、左側を「左」、右側を「右」して説明する。
【００５８】
チャンバ装置３は、上記の描画装置２を収容するチャンバルーム１１と、チャンバルーム１１の右前部に併設した電気室１２と、チャンバルーム１１の右後部に併設した機械室１３とを備えている。なお、チャンバルーム１１に充填する不活性ガスとしては、窒素、二酸化炭素、ヘリウム、ネオン、アルゴン、クリプトン、キセノンおよびラドンのいずれかを用いることが好ましいが、本実施形態では、コストおよび安全性を考慮し窒素（窒素ガス）を用いている。
【００５９】
不活性ガス（窒素ガス）は、図外のガス製造装置からガス導入ユニット１０１を介して機械室１３に導入され、ここで調和処理されてチャンバルーム１１に導入される。また、チャンバルーム１１内の不活性ガスは、チャンバルーム１１の左前部に添設した排気ダクト（排気流路）１０２から適宜は排気され、図外のガス処理装置に送られる。実際の運転では、チャンバルーム１１に対し、不活性ガスの補給と排気とが連続して行われ、わずかに流れる不活性ガスにより、チャンバルーム１１内の雰囲気が構成されるようになっている。
【００６０】
チャンバルーム１１は、左側壁１１１、右側壁１１２、前部着脱パネルユニット１１３、後部着脱パネルユニット１１４、床壁１１５および天壁１１６を、エアータイト材で相互にシールして組み上げたプレハブ形式のものである。一方、チャンバルーム１１の内部に収容される液滴吐出装置６は、前後方向をＹ軸方向とし、左右方向をＸ軸方向とした姿勢で収容されている（図１参照）。すなわち、メンテナンス等を考慮して、描画装置２の付帯装置７は前部着脱パネルユニット１１３に面し、ヘッドユニット２０の運び込み等を考慮して、ヘッドユニット２０のホーム位置側が後部着脱パネルユニット１１４に面している。また、左側壁１１１には、基板Ｗの搬入搬出を行うためのシャッタ付き受渡し開口１１７が形成されている（図１１参照）。
【００６１】
前部着脱パネルユニット１１３および後部着脱パネルユニット１１４は、いずれも内パネルユニット１２１および外パネルユニット１２２の二重構造を有している。内パネルユニット１２１は、左右の中間に縦枠１２３ａを有する枠体１２３と、縦枠１２３ａにより構成した左右の開口部（メンテナンス開口）にそれぞれ着脱自在に装着した窓付きの一対の内パネル１２４，１２４とで構成されている（図１３参照）。各内パネル１２４には、左右のハンドルの他、複数のロックレバーが設けられており（いずれも図示省略）、内パネル１２４は、けんどん形式で枠体１２３に当てがわれ且つこの複数のロックレバーにより枠体１２３に気密に装着されている。
【００６２】
同様に、外パネルユニット１２２は、左右の中間に縦枠１２５ａを有する枠体１２５と、縦枠１２５ａにより構成した左右の開口部（メンテナンス開口）にそれぞれ着脱自在に装着した窓付きの一対の外パネル１２６，１２６とで構成されている（図１３参照）。各外パネル１２６には、左右のハンドル１２７，１２７の他、複数のロックレバー１２８が設けられており、この場合も外パネル１２６は、けんどん形式で枠体に当てがわれ且つこの複数のロックレバー１２８により枠体１２５に気密に装着されている。そして、外パネルユニット１２２は、内パネルユニット１２１よりに幾分幅広に且つ幾分丈が長く形成されていて、内外両パネル１２１，１２２の着脱作業に支障を生じないようになっている（図１３参照）。
【００６３】
また、内外各パネル１２４，１２６には、その上側に複数の電磁ロック装置１２９が組み込まれており、チャンバルーム１１内の酸素濃度に応じて、内外各パネル１２４，１２６をロック・アンロックできるようになっている（詳細は後述する）。すなわち、前部着脱パネルユニット１１３および後部着脱パネルユニット１１４は、電磁ロック装置１２９によりインターロックされている。
【００６４】
右側壁１１２の後上部には、機械室１３に連なる送気口１３１が形成され、これに対応して左側壁１１１の前下部には、排気ダクト１０２に連なる排気口１３２が形成されている。また、チャンバルーム１１の天井部分には、送気口１３１に連なるフィルタチャンバ１３３が形成されている。フィルタチャンバ１３３は、天井部分を格子状のフィルタ装着枠１３４で水平に仕切って構成され、このフィルタ装着枠１３４に複数（４つ）のフィルタ（ＨＥＰＡフィルタ）１３５が装着されている（図８参照）。
【００６５】
送気口１３１から流入した不活性ガスはフィルタチャンバ１３３に流入し、複数のフィルタ１３５を通過して液滴吐出装置６の上部に流入する。この場合、送気口１３１から流入した不活性ガスは、フィルタ（フィルタチャンバ１３３）１３５を通過するものの、その気流の主体は、チャンバルーム１１内をほぼ対角方向に流れて排気口１３２に至るようになっている。そして、この対角方向の気流の主流路上には、液滴吐出装置６の液滴吐出動作を行う領域、すなわち吐出エリアが臨んでいる。
【００６６】
すなわち、チャンバルーム１１内では、不活性ガスの主気流が吐出エリアを包み込むように流れ、且つ気流全体としはフィルタからダウンフローした後、排気口１３２に向かって流れる。これにより、吐出エリアは、常に新鮮な不活性ガスの雰囲気に曝されることになる。なお、この場合の気流の流速は、機能液滴吐出ヘッド４から吐出した機能液滴に飛行曲がりが生じない程度に調整されていることは、言うまでもない。
【００６７】
機械室１３の上部には、図外のガス製造装置に連なるガス導入ユニット１０１が設けられており、また機械室１１の内部は、適宜隔壁１３７で仕切られ、ガス導入ユニット１０１から上記の送気口１３１に至るガス流路１３８が形成されている。すなわち、機械室１３の内部には、ガス流路１３８となるダクトが一体的に形成されている。
【００６８】
ガス導入ユニット１０１には、上流側から順に、ガス開閉バルブ（電磁弁）１４２、ガス調整ダンパー（電動弁：高密度モータダンパー）１４３およびガス開閉ダンパー（高密度モータダンパー）１４４から成るガスダンパーユニット１４１が組み込まれている（図７参照）。上述したように、実施形態のチャンバ装置３では、不活性ガスの補給と排気とを連続して行う運転形態をとっており、ガス開閉バルブ１４２およびガス開閉ダンパー１４４を「開」とした状態で、ガス調整ダンパー１４３により不活性ガスの補給流量が調整される。また、後述する大気置換運転では、ガス開閉バルブ１４２、ガス調整ダンパー１４３およびガス開閉ダンパー１４４は、いずれも「閉」に制御される。
【００６９】
機械室１３の内部に構成したガス流路１３８は、ガス導入ユニット１０１から機械室１３の下部まで延び、ここでＵターンして上部の送気口１３１に至るようになっている。そして、このガス流路１３８のうち、上方に向かう流路部分に、後述するガス調和機器１５５が組み込まれている。
【００７０】
また、ガス流路１３８は、図７に示すように、ガス導入ユニット１０１の下流側で分岐しており、ガス導入ユニット１０１からガス調和機器１５５を通過して送気口１３１に至る一方の主ガス流路１４７と、ガス導入ユニット１０１から直接送気口１３１に至る他方のバイパス流路１４８とで構成されている。主ガス流路１４７およびバイパス流路１４８には、それぞれ流路切替え用の手動ダンパー１４９，１５０が設けられており、この両手動ダンパー１４９，１５０は、チャンバ装置３を設置した初期調整時にのみ調整される。
【００７１】
なお、図７にのみ示すが、チャンバルーム１１にはリターン流路（リターン口）１５１が形成されており、チャンバルーム１１のリターンガスは、このリターン流路１５１を介して機械室１３に戻され、ガス調和機器１５５の上流側において主ガス流路１４７に合流する。但し、このリターンは予備的なものであり、通常運転時にはリターン運転は行わない。
【００７２】
主ガス流路１４７には、クーラ（チーリングユニット）１５６、ヒータ（電気ヒータ）１５７および２台のファン（シロッコファン）１５８，１５８から成るガス調和機器１５５が介設されている。クーラ１５６およびヒータ１５７は、機械室の上下中間位置に隣接して配置されており、温度調節装置を構成している。これにより、チャンバルーム１１内の不活性ガスの雰囲気が、所定の温度、例えば実施形態のものでは２０℃±０．５℃に維持されるようになっている。
【００７３】
ファン１５８は、機械室１３の上部にあって、送気口１３１に近接して設けられている。ガス導入ユニット１０１から導入した不活性ガスは、このファン１５８により、送気口１３１を介してチャンバルーム１１内に強制的に送気される。そして、このファン１５８により、チャンバルーム１１内への不活性ガスの補給量およびチャンバルーム１１内の気流の流速等が制御される。
【００７４】
排気流路を構成する排気ダクト１０２は、排気口１３２の近傍に排気チャンバ１６１を有しており、この排気チャンバ１６１から立ち上がり、さらにチャンバルーム１１の上面に沿って水平に延在している。排気ダクト１０２の下流側（チャンバルーム１１の上面に位置する部分）には、排気調整ダンパー１６３および排気開閉ダンパー１６４から成る排気ダンパーユニット１６２が介設され（図７参照）、この排気調整ダンパー１６３により排気流量が調整される。
【００７５】
また、排気チャンバ１６１には、上記の前部着脱パネルユニット１１３および後部着脱パネルユニット１１４からそれぞれ延びる２本の排気パイプ（パネル体排気流路）１６６，１６６が接続されている（図８、図９および図１１参照）。各排気パイプの上流端は、内パネルユニット１２１と外パネルユニット１２２との間の空隙１３０に連通しており、また各排気パイプ１６６には排気バルブ（パネル体排気ダンパー）１６７が介設されている。これにより、内外両パネルユニット１１３，１１４の空隙１３０部分にリークした不活性ガスを排気できるようになっている（詳細は後述する）。
【００７６】
一方、ガス調和機器１５５の上流側において主ガス流路１４７には、隔壁１３７により機械室内１３に構成した外気流路１７１が合流している（図７参照）。外気流路１７１の外気取入れ口１７２は、機械室１３の下部側面に開口しており、外気流路１７１の下流端は、クーラ１５６の上流側で主ガス流路１４７に合流している。また、外気流路１７１には、外気取入れ口１７２側から順に、外気開閉ダンパー１７４、外気調整ダンパー１７５および外気開閉バルブ１７６から成る外気ダンパーユニット１７３が介設されている。
【００７７】
この場合、外気開閉ダンパー１７４および外気調整ダンパー１７５は高気密ダンパーで構成され、外気開閉バルブ１７６は電磁弁（または電動二方弁）で構成されている。詳細は後述するが、外気置換運転を行う場合には、外気開閉ダンパー１７４、外気調整ダンパー１７５および外気開閉バルブ１７６はいずれも「開」に制御され、外気調整ダンパー１７５により外気の流量調整が行われる。また通常運電時には、これらダンパー１７４，１７５およびバルブ１７６はいずれも「閉」に制御され、これらの高気密性と個数とにより、外気の侵入を確実に遮断する。
【００７８】
次に、チャンバ装置３の運転方法について簡単に説明する。チャンバルーム１１に不活性ガスを導入する通常運転時では、外気ダンパーユニット１７３を「閉」とした状態で、ガスダンパーユニット１４１および排気ダンパーユニット１６２を「開」とし、ファン１５８により、チャンバルーム１１内に不活性ガスの補給および排気を行って、その雰囲気を構成する。
【００７９】
ガス調整バルブ１４３には、コントローラ１８１を介して、チャンバルーム１１内に設けた酸素濃度計（低濃度）１８２および水分計１８３が接続されており、これらの計測結果に基づいて、不活性ガスの補給流量が調整される。より具体的には、ガス調整バルブ１４３により、チャンバルーム１１内の酸素濃度および水分濃度がいずれも１０ｐｐｍ以下に維持されるように、制御される。なお、図中の符号１８４は、酸素濃度を表示するスケーリングメータである。
【００８０】
一方、排気調整ダンパー１６３には、コントローラ１８６を介して圧力計１８７が接続されており、圧力計１８７の計測結果に基づいて、不活性ガスの排気流量が調整される。すなわち、排気調整ダンパー１６３により、大気圧に対しチャンバルーム１１内が幾分正圧になるように、制御される。これにより、チャンバルーム１１から不活性ガスが漏れることはあっても、外気の侵入は防止される。また、ガスダンパーユニット１４１の下流側近傍、および排気ダンパーユニット１６２の上流側近傍には、それぞれ風速モニター１８８ａ，１８８ｂが設けられており、この風速モニター１８８ａ，１８８ｂの風力差の変化により、ファン１５８の故障や不活性ガスのリークが確認できるようになっている。
【００８１】
さらに、チャンバルーム１１内には、温度調節計（温度計）１８９が設けられており、温度調節計１８９は、リレー１９０を介してヒータ１５７に接続されている。この場合、温度調節装置のクーラ１５６は常時定格運転となっており、ヒータ１５７により、チャンバルーム１１内が２０℃±０．５℃になるように制御される。
【００８２】
一方、チャンバルーム１１内の不活性ガス追い出して外気を導入する大気置換運転では、ガスダンパーユニット１４１を「閉」とし、外気ダンパーユニット１７３および排気ダンパーユニット１６２を「開」として、ファン１５８により、チャンバルーム１１内に外気を強制的に導入する。すなわち、チャンバルーム１１内に外気を強制送気し、チャンバルーム１１内の不活性ガスを押し出すようにする。また、両排気バルブ１６７，１６７を「開」とし、内外両パネルユニット１２１，１２２の空隙１３０部分にリークした不活性ガスも排気する。
【００８３】
描画装置２のメンテナンス（着脱パネルユニット１１３，１１４の開放）を前提とする大気置換運転では、ヒータ１５７をＯＦＦとすると共に、外気調整ダンパー１７５および排気調整ダンパー１６３を「全開」として、流量調整は行わない。これにより、最短時間で大気置換が行われる。そして、チャンバルーム１１内に設けた酸素濃度計（高濃度）１９１の計測結果に基づいて、大気置換の完了が確認され、且つ上記の電磁ロック装置１２９のロック状態が解除される。これにより、前後両着脱パネルユニット１１３，１１４が開放可能状態となる。
【００８４】
また、描画装置（液滴吐出装置６）２の精度確認に関する試験運転を前提とする大気置換運転では、ヒータ１５７をＯＮとすると共に、外気調整ダンパー１７５および排気調整ダンパー１６３が流量調整され、チャンバルーム１１内が所望の温度（２０℃±０．５℃）の雰囲気（大気）に置換される。
【００８５】
このように、描画装置２をチャンバルーム１１に収容し、液滴吐出装置６による液滴吐出作業を新鮮な不活性ガスの雰囲気中で行うようにしているため、基板Ｗ上に着弾した機能液滴（発光材料）が変質したり損傷したりすることがなく、有機ＥＬ装置を安定に製造することができる。また、大気置換を行う場合に、ファン１５８を用いて外気をチャンバルーム１１内に強制的送り込むようにしているため、短時間で外気置換を行うことができる共に、不活性ガスの残留を極力防止することができる。
【００８６】
次に、電気光学装置１の第２実施形態について説明する。
【００８７】
図１４ないし図１７に示すように、この電気光学装置２０１では、液滴吐出装置２０３をチャンバ装置２０４のチャンバルーム２０５内に収容し、これをキャビネット形式の架台２０６に支持して、描画装置２０２が構成されている。また、描画装置２０２に併設するようにしてエアー供給ユニット２１８を組み込んだ電装ボックス２０７と、不活性ガスをチャンバルーム２０５内に導入するためのガス導入ユニット２０８と、これら構成装置を操作する操作ユニット２０９とが設けられている。このうち、ガス導入ユニット２０８は描画装置２０２の側面に固定されているが、他の装置はそれぞれ別体で構成され、個々に移動可能に付設されている。
【００８８】
チャンバルーム２０５内には、液滴吐出装置２０３と共にその付帯装置が収容されている。付帯装置は、機能液滴吐出ヘッド２１１の吐出液滴量を計測する電子天秤２１２、基板Ｗを画像認識する基板認識カメラ２１３、機能液滴吐出ヘッド（吐出ノズル）２１１を画像認識するヘッド認識カメラ２１４、基板Ｗ吸着用の真空ポンプ２１６および機能液滴吐出ヘッド２１１のメンテナンスに供するメンテナンス装置２１５等で構成されている。
【００８９】
そして、本実施形態の構成装置を統括制御する制御装置（制御手段）２１０は、上記の架台２０６に搭載された装置コントロール用ＰＣ（パーソナルコンピュータ）２１０−１、ヘッド駆動用ＰＣ２１０−２および画像処理装置２１０−３で構成されている。なお、図示しないが、機能液タンク等の機能液供給系の装置は、架台２０６上に配設されている。
【００９０】
なお、ホーム位置における機能液滴吐出ヘッド２１１の中心位置、電子天秤２１２の中心位置およびヘッド認識カメラ２１４の中心位置は、横並びに同位置（Ｙ軸方向において同位置）となっている。また、基板認識カメラ２１３は、基板Ｗの四隅に設けたアライメントマークを認識すべく、Ｘ軸方向に移動自在に構成されている。
【００９１】
メンテナンス装置２１５は、機能液滴吐出ヘッド２１１の定期的なフラッシング（全吐出のノズルからの機能液の捨て吐出）を受けるフラッシングユニット２１７と、機能液滴吐出ヘッド２１１の機能液吸引等を行う吸引キャップ（図示省略）付きの吸引ポンプ２１９とで構成されている。なお、実施形態の機能液吸引（クリーニング）およびワイピングは、手動で行われる。
【００９２】
操作部ユニット２０９は、両画像認識カメラ２１３，２１４で撮像した画像を映し出す位置補正用ディスプレイ２２２と、画像分割装置２２３と、操作処理用のディスプレイ２２４およびキーボード２２５とを、筐体２２６に搭載して構成されている。
【００９３】
そして、機能液滴吐出ヘッド２１１はサブキャリッジに搭載されてヘッドユニット２２８を構成しており（図１８参照）、このヘッドユニット２２８が液滴吐出装置２０３に着脱可能にセットされている。すなわち、液滴吐出装置２１１は、このヘッドユニット２２８を搭載したＸ軸テーブル２３１と、Ｘ軸テーブル２３１に直交すると共に基板ＷをセットするＹ軸テーブル２３２とを備えている。また、ヘッドユニット２２８の近傍に位置してＸ軸テーブル２３１には、着弾した基板Ｗ上の機能液滴に不活性ガスを吹き付けて、これを乾燥させるブロー装置２３３が搭載されている。
【００９４】
Ｙ軸テーブル２３２は、Ｙ軸方向の駆動系を構成するＹ軸リニアガイド２４１およびＹ軸リニアモータ２４２を有し、これにθテーブル２４３および基板Ｗをエアー吸引する吸着テーブル２４４を搭載して、構成されている。なお、図示では省略したが、吸着テーブル２４４内には基板乾燥用のセラミックヒータが内蔵されており、セラミックヒータは架台２０６に収容した温調ユニット２３０により制御される。同様に、Ｘ軸テーブル２３１は、Ｘ軸方向の駆動系が構成するＸ軸リニアガイド２４５およびＸ軸リニアモータ２４６を有し、これにメインキャリッジ２４７を搭載して、構成されている。そして、メインキャリッジ２４７には、微調整ステージ２４８を介してヘッドユニット２２８が吊設され、且つヘッドユニット２２８の先方に位置して、上記のブロー装置２３３が固定されている。
【００９５】
この場合、機能液滴吐出ヘッド２１１の駆動（機能液滴の選択的吐出）に同期して基板Ｗが移動する構成であり、機能液滴吐出ヘッド２１１のいわゆる主走査は、Ｙ軸テーブル２３２の往動動作（または往復の両動作）により行われる。また、これに対応して、いわゆる副走査は、Ｘ軸テーブル２３１による機能液滴吐出ヘッド２１１のＸ軸方向への往動動作により行われる。さらに、上記の主走査を後方から追いかけるように（実際には基板Ｗが移動）、ブロー装置２３３による不活性ガスの吹付けが行われ、且つこれらの作業は、チャンバルーム２０５内に充填した不活性ガス（窒素ガス）の雰囲気中で行われる。なお、この実施形態では、単一の機能液滴吐出ヘッド２１１が用いられており、機能液滴吐出ヘッド２１１は主走査方向に対し幾分斜めに傾けて配設されている（図１８参照）。
【００９６】
このように構成された実施形態の描画装置２０２では、図１８の模式図に示すように、先ず、準備段階として、ヘッドユニット２２８が液滴吐出装置２０３に運び込まれてこれにセットされる。ヘッドユニット２２８がセットされると、Ｘ軸テーブル２３１が、ホーム位置にあるヘッドユニット２２８を電子天秤２１２の直上部に移動させる。ここで、機能液滴吐出ヘッド２１１が駆動し、電子天秤２１２上に全吐出ノズルから複数回に亘って機能液滴を吐出する。この機能液滴は電子天秤２１２で計測され、その計測結果に基づいて、吐出ノズルにおける１回の機能液滴の量（重量）が、制御装置２１０により演算処理され、設計値になるようにヘッドドライバの印加電圧が補正される。もちろん、電子天秤２１２の計測値を読み取って、人的処理により印加電圧を補正することも可能である。
【００９７】
機能液滴の量的補正の後、再度Ｘ軸テーブル２３１が駆動し、ホーム位置を越えてヘッドユニット２２８をヘッド認識カメラ２１４に臨ませる。ここで、ヘッド認識カメラ２１４によりヘッドユニット（機能液滴吐出ヘッド２１１のノズル列）２２８が位置認識（画像認識）され、この認識結果に基づいて、ヘッドユニット２２８のＸ・Ｙ・θ補正が行われる。また同時に、機能液滴吐出ヘッド２１１のノズル面の汚れ等が、ヘッド認識カメラ２１４により認識される（汚れている場合クリーニングを行う）。そして、位置補正後、ヘッドユニット２２８はホーム位置に戻る。
【００９８】
一方、Ｙ軸テーブル２３２の吸着テーブル２４４上に基板（この場合は、導入される基板毎）Ｗが導入されると、Ｙ軸テーブル２３２が基板Ｗを基板認識カメラ２１３の直下に移動させ、Ｘ軸方向に移動する基板認識カメラ２１３により基板Ｗの位置認識（画像認識）が行われる。ここで、この認識結果に基づいて、基板ＷのＸ・Ｙ・θ補正が行われる。位置補正後、基板（吸着テーブル２４４）Ｗはホーム位置に戻る。
【００９９】
このようにして準備が完了すると、実際の液滴吐出作業では、先ずＹ軸テーブル２３２が駆動し、基板Ｗを主走査方向に往動させると共に機能液滴吐出ヘッド２１１を駆動して、機能液滴の基板Ｗへの選択的な吐出動作が行われる。また、この吐出動作に同期してブロー装置２３３が駆動し、基板Ｗ上に着弾した機能液滴に不活性ガスを吹き付ける。すなわち、基板Ｗを固定として相対的に考えると、基板Ｗに対し機能液滴吐出ヘッド２１１が往動して吐出動作が行われると共に、これに後行してブロー装置２３３が移動し、着弾機能液滴への不活性ガスによる乾燥動作が行われる。
【０１００】
吐出動作が終了して基板Ｗが復動した後、こんどはＸ軸テーブル２３１が駆動し、ヘッドユニット２２８を１ピッチ分、副走査方向に移動させ、再度基板Ｗの主走査方向への往復移動と機能液滴吐出ヘッド２１１およびブロー装置２３３の駆動が行われる。そしてこれを、数回繰り返すことで、基板Ｗの端から端まで（全領域）液滴吐出が行われる。なお、ブロー装置２３３により着弾した機能液滴はその溶剤が気化する（乾燥）が、完全乾燥を期するために上記の処理の後、改めて図外の乾燥装置に導入することが、好ましい。
【０１０１】
また、本実施形態では、ヘッドユニット２２８に対し、その吐出対象物である基板Ｗを主走査方向（Ｙ軸方向）に移動させるようにしているが、ヘッドユニット２２８を主走査方向に移動させる構成であってもよい。また、ヘッドユニット２２８を固定とし、基板Ｗを主走査方向および副走査方向に移動させる構成であってもよい。さらに、ヘッドユニット２２８のＹ軸方向への相対的に往動時のみならず、復動時にも機能液滴の吐出動作が行われる構成としてもよい。
【０１０２】
次に、図１９ないし図２３（同時に図１４参照）を参照して、チャンバ装置２０４について詳細に説明する。
【０１０３】
チャンバ装置２０４は、液滴吐出装置２０３を収容するチャンバルーム２０５と、上記のガス導入ユニット２０８と、ガス導入ユニット２０８からチャンバルーム２０５内に不活性ガスを導入する供給チューブ（ガス供給流路：図２３参照）２５２と、チャンバルーム２０５から不活性ガスを排気する一対の排気ダクト（排気流路）２５３，２５３とを備えている。また、大気置換のために上記のエアー供給ユニットを備えている。
【０１０４】
チャンバルーム２０５は、直方体に組んだ枠体２６１の６面にパネル２６２を気密に装着したものであり、液滴吐出装置２０３の機台を構成する底面パネル２６２ａを除いて他の５面のパネル２６２は、透明なパネルで構成されている。左側面パネル２６２ｂの前部および正面パネル２６２ｃの中央部は、広く脱着パネル構造となっており、この部分にはそれぞれ手作業を行うための１組のグローブホルダ２６４，２６４が取り付けられている。なお、他のパネル２６２は、枠体２６１に嵌め殺しで装着されている。
【０１０５】
また、背面パネル２６２ｄには、横並びに２つの排気口２６５，２６５が形成され、この排気口２６５，２６５にそれぞれ上記の排気ダクト２５３，２５３が接続されている。図示しないが、この一対の排気ダクト２５３，２５３の下流側は、排気ダンパーを介してガス処理装置に接続されている。
【０１０６】
ガス導入ユニット２０８は、描画装置２０２の外部にあって、架台２０６に添設するように設けられている（図１７参照）。図２３（ｂ）に示すように、ガス導入ユニット２０８には、ドライヤ、レギュレータ、フィルタ、開閉バルブ等が組み込まれており、圧力、温度および湿度等が管理された不活性ガスを、チャンバルーム２０５に供給できるようになっている。
【０１０７】
同様に、エアー供給ユニット２１８は、描画装置２０２の外部にあって、上記の電装ボックス２０７内に収容されている。（図１６参照）。この場合も、エアー供給ユニット２１８には、ドライヤ、レギュレータ、フィルタ、開閉バルブ等が組み込まれている。
【０１０８】
図２３（ｂ）に示すように、供給チューブ２５２は、ガス導入ユニット２０８の下流側で、ブロー系、左パージ系および右パージ系の３系統に分岐している。ブロー系供給チューブ２７１は、上記のブロー装置２３３に接続されており、これにより供給される不活性ガスは、ブロー装置２３３で加熱した後、基板Ｗに吹き付けられる。
【０１０９】
左パージ系供給チューブ２７２はさらに３分岐し、この３本の左分岐チューブ２７２ａ，２７２ａ，２７２ａが、それぞれ流量計２７３および流量調整バルブ２７４を介して（図２１参照）、図１９における左側面パネル２６２ｂの隅部３個所に設けたガス吹出口（送気口）２７５，２７５，２７５に接続されている。この場合、ガス吹出口２７５の設置位置は、左側面パネル２６２ｂの隅部のうち、排気口２６５から最も離れた隅部３個所となっている。
【０１１０】
同様に、右パージ系供給チューブ２７７は３分岐し、この３本の右分岐チューブ２７７ａ，２７７ａ，２７７ａが、それぞれ流量計２７３および流量調整バルブ２７４を介して（図２２参照）、図１９における右側面パネル２６２ｅの隅部３個所に設けたガス吹出口（送気口）２７５に接続されている。この場合も、ガス吹出口２７５の設置位置は、左側面パネル２６２ｅの隅部のうち、排気口２６５から最も離れた隅部３個所となっている。すなわち、排気口２６５から離間した位置に設けた６個のガス吹出口２７５は、個々に、不活性ガスの吹出し流量を調整できるようになっている。
【０１１１】
第２実施形態のチャンバ装置２０４も、上記実施形態と同様に、不活性ガスの補給と排気とを連続させて、チャンバルーム２０５内に良好な雰囲気を構成する運転形態をとっており、ガス導入ユニット２０８により不活性ガスの全体の補給量が調整されるが、さらに計６個のガス吹出口２７５毎に、不活性ガスの補給量が調整される。
【０１１２】
例えば、後下部の一対の排気口２６５，２６５から最も離れた前上部の２つのガス吹出口２７５，２７５における不活性ガスの吹出し流量を他のものより多くして、チャンバルーム２０５内の気流が略対角方向に流れるようにすることが、好ましい。これにより、不活性ガスの主流路が、液滴吐出装置２０３の液滴吐出動作を行う領域、すなわち吐出エリアに交差するように且つこれを包み込むように流れ、吐出エリアに常に新鮮な不活性ガスを供給することができる。
【０１１３】
また、チャンバルーム２０５内には、６つのガス吹出口２７５から不活性ガスが流入するため、不活性ガスのガス溜まりが生じ難く、全体として新鮮な不活性ガスによる雰囲気を構成することができる。なお、不活性ガスのガス溜まりを防止する他の対策としては、隅部をアール形状に埋めることや、気流の流れ方向を調整する邪魔板等を設けることも可能である。
【０１１４】
一方、図２３（ａ）に示すように、エアー供給ユニット２１８に連なるエアーチューブ２８１も、エアー供給ユニット２１８の下流側で、左パージ系および右パージ系の２系統に分岐している。そして、左パージ系エアーチューブ２８２は３分岐し、この３本の左分岐チューブ２８２ａが、それぞれ流量計２８３および流量調整バルブ２８４を介して（図２１参照）、図１９における左側面パネル２６２ｂの隅部３個所に設けたエアー吹出口（送気口）２８５，２８５に接続されている。同様に、右パージ系供給チューブ２８７は３分岐し、この３本の右分岐チューブ２８７ａが、それぞれ流量計２８３および流量調整バルブ２８４を介して（図２２参照）、図１９における右側面パネル２６２ｅの隅部３個所に設けたエアー吹出口（送気口）２８５，２８５，２８５に接続されている。
【０１１５】
このように構成されたエアー供給ユニット２１８を用いて、チャンバルーム２０５内の大気置換を行う場合には、単純に、ガス導入ユニット２０８を閉塞しておいて、エアー供給ユニット２１８を開放し、６つのガス吹出口２８５から圧縮エアーをチャンバルーム２０５内に導入し、不活性ガスを排気口２６５に向かって押し出すようにする。
【０１１６】
次に、上記第１および第２実施形態の電気光学装置１，２０１を用いた有機ＥＬ装置の製造方法について説明する。
【０１１７】
図２４ないし図３６は、有機ＥＬ装置の製造プロセスと共にその構造を表している。この製造プロセスは、バンク部形成工程と、プラズマ処理工程と、正孔注入／輸送層形成工程及び発光層形成工程からなる発光素子形成工程と、対向電極形成工程と、封止工程とを具備して構成されている。
【０１１８】
バンク部形成工程では、基板５０１に予め形成した回路素子部５０２上及び電極５１１（画素電極ともいう）上の所定の位置に、無機物バンク層５１２ａと有機物バンク層５１２ｂを積層することにより、開口部５１２ｇを有するバンク部５１２を形成する。このように、バンク部形成工程には、電極５１１の一部に、無機物バンク層５１２ａを形成する工程と、無機物バンク層の上に有機物バンク層５１２ｂを形成する工程が含まれる。
【０１１９】
まず無機物バンク層５１２ａを形成する工程では、図２４に示すように、回路素子部５０２の第２層間絶縁膜５４４ｂ上及び画素電極５１１上に、無機物バンク層５１２ａを形成する。無機物バンク層５１２ａを、例えばＣＶＤ法、コート法、スパッタ法、蒸着法等によって層間絶縁層５１４及び画素電極５１１の全面にＳｉＯ2、ＴｉＯ2等の無機物膜を形成する。
【０１２０】
次にこの無機物膜をエッチング等によりパターニングして、電極５１１の電極面５１１ａの形成位置に対応する下部開口部５１２ｃを設ける。このとき、無機物バンク層５１２ａを電極５１１の周縁部と重なるように形成しておく必要がある。このように、電極５１１の周縁部（一部）と無機物バンク層５１２ａとが重なるように無機物バンク層５１２ａを形成することにより、発光層５１０の発光領域を制御することができる。
【０１２１】
次に有機物バンク層５１２ｂを形成する工程では、図２５に示すように、無機物バンク層５１２ａ上に有機物バンク層５１２ｂを形成する。有機物バンク層５１２ｂをフォトリソグラフィ技術等によりエッチングして、有機物バンク層５１２ｂの上部開口部５１２ｄを形成する。上部開口部５１２ｄは、電極面５１１ａ及び下部開口部５１２ｃに対応する位置に設けられる。
【０１２２】
上部開口部５１２ｄは、図２５に示すように、下部開口部５１２ｃより広く、電極面５１１ａより狭く形成することが好ましい。これにより、無機物バンク層５１２ａの下部開口部５１２ｃを囲む第１積層部５１２ｅが、有機物バンク層５１２ｂよりも電極５１１の中央側に延出された形になる。このようにして、上部開口部５１２ｄ、下部開口部５１２ｃを連通させることにより、無機物バンク層５１２ａ及び有機物バンク層５１２ｂを貫通する開口部５１２ｇが形成される。
【０１２３】
次にプラズマ処理工程では、バンク部５１２の表面と画素電極の表面５１１ａに、親インク性を示す領域と、撥インク性を示す領域を形成する。このプラズマ処理工程は、予備加熱工程と、バンク部５１２の上面（５１２ｆ）及び開口部５１２ｇの壁面並びに画素電極５１１の電極面５１１ａを親インク性を有するように加工する親インク化工程と、有機物バンク層５１２ｂの上面５１２ｆ及び上部開口部５１２ｄの壁面を、撥インク性を有するように加工する撥インク化工程と、冷却工程とに大別される。
【０１２４】
まず、予備加熱工程では、バンク部５１２を含む基板５０１を所定の温度まで加熱する。加熱は、例えば基板５０１を載せるステージにヒータを取り付け、このヒータで当該ステージごと基板５０１を加熱することにより行う。具体的には、基板５０１の予備加熱温度を、例えば７０〜８０℃の範囲とすることが好ましい。
【０１２５】
つぎに、親インク化工程では、大気雰囲気中で酸素を処理ガスとするプラズマ処理（Ｏ2プラズマ処理）を行う。このＯ2プラズマ処理により、図２６に示すように、画素電極５１１の電極面５１１ａ、無機物バンク層５１２ａの第１積層部５１２ｅ及び有機物バンク層５１２ｂの上部開口部５１２ｄの壁面ならびに上面５１２ｆが親インク処理される。この親インク処理により、これらの各面に水酸基が導入されて親インク性が付与される。図２６では、親インク処理された部分を一点鎖線で示している。
【０１２６】
つぎに、撥インク化工程では、大気雰囲気中で４フッ化メタンを処理ガスとするプラズマ処理（ＣＦ4プラズマ処理）を行う。ＣＦ4プラズマ処理により、図２７に示すように、上部開口部５１２ｄ壁面及び有機物バンク層の上面５１２ｆが撥インク処理される。この撥インク処理により、これらの各面にフッ素基が導入されて撥インク性が付与される。図２７では、撥インク性を示す領域を二点鎖線で示している。
【０１２７】
次に、冷却工程では、プラズマ処理のために加熱された基板５０１を室温、またはインクジェット工程（液滴吐出工程）の管理温度まで冷却する。プラズマ処理後の基板５０１を室温、または所定の温度（例えばインクジェット工程を行う管理温度）まで冷却することにより、次の正孔注入／輸送層形成工程を一定の温度で行うことができる。
【０１２８】
次に発光素子形成工程では、画素電極５１１上に正孔注入／輸送層及び発光層を形成することにより発光素子を形成する。発光素子形成工程には、４つの工程が含まれる。即ち、正孔注入／輸送層を形成するための第１組成物を各前記画素電極上に吐出する第１液滴吐出工程と、吐出された前記第１組成物を乾燥させて前記画素電極上に正孔注入／輸送層を形成する正孔注入／輸送層形成工程と、発光層を形成するための第２組成物を前記正孔注入／輸送層の上に吐出する第２液滴吐出工程と、吐出された前記第２組成物を乾燥させて前記正孔注入／輸送層上に発光層を形成する発光層形成工程とが含まれる。
【０１２９】
まず、第１液滴吐出工程では、インクジェット法（液滴吐出法）により、正孔注入／輸送層形成材料を含む第１組成物を電極面５１１ａ上に吐出する。なお、この第１液滴吐出工程以降は、水、酸素の無い窒素雰囲気、アルゴン雰囲気等の不活性ガス雰囲気で行うことが好ましい。（なお、画素電極上にのみ正孔注入／輸送層を形成する場合は、有機物バンク層に隣接して形成される正孔注入／輸送層は形成されない）
【０１３０】
図２８に示すように、インクジェットヘッド（機能液滴吐出ヘッド）Ｈに正孔注入／輸送層形成材料を含む第１組成物を充填し、インクジェットヘッドＨの吐出ノズルを下部開口部５１２ｃ内に位置する電極面５１１ａに対向させ、インクジェットヘッドＨと基板５０１とを相対移動させながら、吐出ノズルから１滴当たりの液量が制御された第１組成物滴５１０ｃを電極面５１１ａ上に吐出する。
【０１３１】
ここで用いる第１組成物としては、例えば、ポリエチレンジオキシチオフェン(PEDOT)等のポリチオフェン誘導体とポリスチレンスルホン酸(PSS)等の混合物を、極性溶媒に溶解させた組成物を用いることができる。極性溶媒としては、例えば、イソプロピルアルコール（IPA）、ノルマルブタノール、γ−ブチロラクトン、Ｎ−メチルピロリドン（NMP）、１，３−ジメチル−２−イミダゾリジノン(DMI)及びその誘導体、カルビト−ルアセテート、ブチルカルビト−ルアセテート等のグリコールエーテル類等を挙げることができる。なお、正孔注入／輸送層形成材料は、Ｒ・Ｇ・Ｂの各発光層５１０ｂに対して同じ材料を用いても良く、発光層毎に変えても良い。
【０１３２】
図２８に示すように、吐出された第１組成物滴５１０ｃは、親インク処理された電極面５１１ａ及び第１積層部５１２ｅ上に広がり、下部、上部開口部５１２ｃ、５１２ｄ内に満たされる。電極面５１１ａ上に吐出する第１組成物量は、下部、上部開口部５１２ｃ、５１２ｄの大きさ、形成しようとする正孔注入／輸送層の厚さ、第１組成物中の正孔注入／輸送層形成材料の濃度等により決定される。また、第１組成物滴５１０ｃは１回のみならず、数回に分けて同一の電極面５１１ａ上に吐出しても良い。
【０１３３】
次に正孔注入／輸送層形成工程では、図２９に示すように、吐出後の第１組成物を乾燥処理及び熱処理して第１組成物に含まれる極性溶媒を蒸発させることにより、電極面５１１ａ上に正孔注入／輸送層５１０ａを形成する。乾燥処理を行うと、第１組成物滴５１０ｃに含まれる極性溶媒の蒸発が、主に無機物バンク層５１２ａ及び有機物バンク層５１２ｂに近いところで起き、極性溶媒の蒸発に併せて正孔注入／輸送層形成材料が濃縮されて析出する。
【０１３４】
これにより図２９に示すように、乾燥処理によって電極面５１１ａ上でも極性溶媒の蒸発が起き、これにより電極面５１１ａ上に正孔注入／輸送層形成材料からなる平坦部５１０ａが形成される。電極面５１１ａ上では極性溶媒の蒸発速度がほぼ均一であるため、正孔注入／輸送層の形成材料が電極面５１１ａ上で均一に濃縮され、これにより均一な厚さの平坦部５１０ａが形成される。
【０１３５】
次に第２液滴吐出工程では、インクジェット法（液滴吐出法）により、発光層形成材料を含む第２組成物を正孔注入／輸送層５１０ａ上に吐出する。この第２液滴吐出工程では、正孔注入／輸送層５１０ａの再溶解を防止するために、発光層形成の際に用いる第２組成物の溶媒として、正孔注入／輸送層５１０ａに対して不溶な非極性溶媒を用いる。
【０１３６】
しかしその一方で正孔注入／輸送層５１０ａは、非極性溶媒に対する親和性が低いため、非極性溶媒を含む第２組成物を正孔注入／輸送層５１０ａ上に吐出しても、正孔注入／輸送層５１０ａと発光層５１０ｂとを密着させることができなくなるか、あるいは発光層５１０ｂを均一に塗布できないおそれがある。そこで、非極性溶媒ならびに発光層形成材料に対する正孔注入／輸送層５１０ａの表面の親和性を高めるために、発光層を形成する前に表面改質工程を行うことが好ましい。
【０１３７】
そこでまず、表面改質工程について説明する。表面改質工程は、発光層形成の際に用いる第１組成物の非極性溶媒と同一溶媒またはこれに類する溶媒である表面改質用溶媒を、インクジェット法（液滴吐出法）、スピンコート法またはディップ法により正孔注入／輸送層５１０ａ上に塗布した後に乾燥することにより行う。
【０１３８】
例えば、インクジェット法による塗布は、図３０に示すように、インクジェットヘッドＨに、表面改質用溶媒を充填し、インクジェットヘッドＨの吐出ノズルを基板（すなわち、正孔注入／輸送層５１０ａが形成された基板）に対向させ、インクジェットヘッドＨと基板５０１とを相対移動させながら、吐出ノズルＨから表面改質用溶媒５１０ｄを正孔注入／輸送層５１０ａ上に吐出することにより行う。そして、図３１に示すように、表面改質用溶媒５１０ｄを乾燥させる。
【０１３９】
次に第２液滴吐出工程では、インクジェット法（液滴吐出法）により、発光層形成材料を含む第２組成物を正孔注入／輸送層５１０ａ上に吐出する。図３２に示すように、インクジェットヘッドＨに、青色（Ｂ）発光層形成材料を含有する第２組成物を充填し、インクジェットヘッドＨの吐出ノズルを下部、上部開口部５１２ｃ、５１２ｄ内に位置する正孔注入／輸送層５１０ａに対向させ、インクジェットヘッドＨと基板５０１とを相対移動させながら、吐出ノズルから１滴当たりの液量が制御された第２組成物滴５１０ｅとして吐出し、この第２組成物滴５１０ｅを正孔注入／輸送層５１０ａ上に吐出する。
【０１４０】
発光層形成材料としては、ポリフルオレン系高分子誘導体や、（ポリ）パラフェニレンビニレン誘導体、ポリフェニレン誘導体、ポリビニルカルバゾール、ポリチオフェン誘導体、ペリレン系色素、クマリン系色素、ローダミン系色素、あるいは上記高分子に有機ＥＬ材料をドープして用いる事ができる。例えば、ルブレン、ペリレン、９，１０-ジフェニルアントラセン、テトラフェニルブタジエン、ナイルレッド、クマリン６、キナクリドン等をドープすることにより用いることができる。
【０１４１】
非極性溶媒としては、正孔注入／輸送層５１０ａに対して不溶なものが好ましく、例えば、シクロへキシルベンゼン、ジハイドロベンゾフラン、トリメチルベンゼン、テトラメチルベンゼン等を用いることができる。このような非極性溶媒を発光層５１０ｂの第２組成物に用いることにより、正孔注入／輸送層５１０ａを再溶解させることなく第２組成物を塗布できる。
【０１４２】
図３２に示すように、吐出された第２組成物５１０ｅは、正孔注入／輸送層５１０ａ上に広がって下部、上部開口部５１２ｃ、５１２ｄ内に満たされる。第２組成物５１０ｅは１回のみならず、数回に分けて同一の正孔注入／輸送層５１０ａ上に吐出しても良い。この場合、各回における第２組成物の量は同一でも良く、各回毎に第２組成物量を変えても良い。
【０１４３】
次に発光層形成工程では、第２組成物を吐出した後に乾燥処理及び熱処理を施して、正孔注入／輸送層５１０ａ上に発光層５１０ｂを形成する。乾燥処理は、吐出後の第２組成物を乾燥処理することにより第２組成物に含まれる非極性溶媒を蒸発して、図３３に示すような青色（Ｂ）発光層５１０ｂを形成する。
【０１４４】
続けて、図３４に示すように、青色（Ｂ）発光層５１０ｂの場合と同様にして、赤色（Ｒ）発光層５１０ｂを形成し、最後に緑色（Ｇ）発光層５１０ｂを形成する。なお、発光層５１０ｂの形成順序は、前述の順序に限られるものではなく、どのような順番で形成しても良い。例えば、発光層形成材料に応じて形成する順番を決める事も可能である。
【０１４５】
次に対向電極形成工程では、図３５に示すように、発光層５１０ｂ及び有機物バンク層５１２ｂの全面に陰極５０３（対向電極）を形成する。なお，陰極５０３は複数の材料を積層して形成しても良い。例えば、発光層に近い側には仕事関数が小さい材料を形成することが好ましく、例えばＣａ、Ｂａ等を用いることが可能であり、また材料によっては下層にＬｉＦ等を薄く形成した方が良い場合もある。また、上部側（封止側）には下部側よりも仕事関数が高いものが好ましい。これらの陰極（陰極層）５０３は、例えば蒸着法、スパッタ法、ＣＶＤ法等で形成することが好ましく、特に蒸着法で形成することが、発光層５１０ｂの熱による損傷を防止できる点で好ましい。
【０１４６】
また、フッ化リチウムは、発光層５１０ｂ上のみに形成しても良く、更に青色（Ｂ）発光層５１０ｂ上のみに形成しても良い。この場合、他の赤色（Ｒ）発光層及び緑色（Ｇ）発光層５１０ｂ、５１０ｂには、ＬｉＦからなる上部陰極層５０３ｂが接することとなる。また陰極１２の上部には、蒸着法、スパッタ法、ＣＶＤ法等により形成したＡｌ膜、Ａｇ膜等を用いることが好ましい。また、陰極５０３上に、酸化防止のためにＳｉＯ2、ＳｉＮ等の保護層を設けても良い。
【０１４７】
最後に、図３６に示す封止工程では、窒素、アルゴン、ヘリウム等の不活性ガス雰囲気中で、有機ＥＬ素子５０４上に封止用基板５０５を積層する。封止工程は、窒素、アルゴン、ヘリウム等の不活性ガス雰囲気で行うことが好ましい。大気中で行うと、陰極５０３にピンホール等の欠陥が生じていた場合にこの欠陥部分から水や酸素等が陰極５０３に侵入して陰極５０３が酸化されるおそれがあるので好ましくない。そして最後に、フレキシブル基板の配線に陰極５０３を接続するとともに、駆動ＩＣに回路素子部５０２の配線を接続することにより、本実施形態の有機ＥＬ装置５００が得られる。
【図面の簡単な説明】
【０１４８】
【図１】本発明の実施形態に係る電気光学装置の外観斜視図である。
【図２】実施形態に係る描画装置の外観斜視図である。
【図３】実施形態に係る描画装置の外観正面図である。
【図４】実施形態に係る描画装置の外観側面図である。
【図５】実施形態に係る描画装置の外観平面図である。
【図６】実施形態に係る描画装置の液滴吐出装置の模式図である。
【図７】実施形態に係るチャンバ装置のシステム系統図である。
【図８】実施形態に係るチャンバ装置の平面図である。
【図９】実施形態に係るチャンバ装置の正面図である。
【図１０】実施形態に係るチャンバ装置の右側面図である。
【図１１】実施形態に係るチャンバ装置の左側面図である。
【図１２】実施形態に係るチャンバ装置の背面図である。
【図１３】実施形態に係るチャンバ装置の着脱パネルユニットの横断面図（ａ）および横断面図（ｂ）である。
【図１４】第２実施形態に係る電気光学装置の外観斜視図である。
【図１５】第２実施形態に係る電気光学装置の外観正面図である。
【図１６】第２実施形態に係る電気光学装置の外観側面図である。
【図１７】第２実施形態に係る電気光学装置の外観平面図である。
【図１８】第２実施形態に係る描画装置の液滴吐出装置における動作概念図である。
【図１９】第２実施形態に係るチャンバ装置の平面図である。
【図２０】第２実施形態に係るチャンバ装置の正面図である。
【図２１】第２実施形態に係るチャンバ装置の左側面図である。
【図２２】第２実施形態に係るチャンバ装置の右側面図である。
【図２３】第２実施形態に係るチャンバ装置のシステム系統図である。
【図２４】実施形態に係る有機ＥＬ装置の製造方法におけるバンク部形成工程（無機物バンク）の断面図である。
【図２５】実施形態に係る有機ＥＬ装置の製造方法におけるバンク部形成工程（有機物バンク）の断面図である。
【図２６】実施形態に係る有機ＥＬ装置の製造方法におけるプラズマ処理工程（親水化処理）の断面図である。
【図２７】実施形態に係る有機ＥＬ装置の製造方法におけるプラズマ処理工程（撥水化処理）の断面図である。
【図２８】実施形態に係る有機ＥＬ装置の製造方法における正孔注入層形成工程（液滴吐出）の断面図である。
【図２９】実施形態に係る有機ＥＬ装置の製造方法における正孔注入層形成工程（乾燥）の断面図である。
【図３０】実施形態に係る有機ＥＬ装置の製造方法における表面改質工程（液滴吐出）の断面図である。
【図３１】実施形態に係る有機ＥＬ装置の製造方法における表面改質工程（乾燥）の断面図である。
【図３２】実施形態に係る有機ＥＬ装置の製造方法におけるＢ発光層形成工程（液滴吐出）の断面図である。
【図３３】実施形態に係る有機ＥＬ装置の製造方法におけるＢ発光層形成工程（乾燥）の断面図である。
【図３４】実施形態に係る有機ＥＬ装置の製造方法におけるＲ・Ｇ・Ｂ発光層形成工程の断面図である。
【図３５】実施形態に係る有機ＥＬ装置の製造方法における対向電極形成工程の断面図である。
【図３６】実施形態に係る有機ＥＬ装置の製造方法における封止工程の断面図である。
【符号の説明】
【０１４９】
１…電気光学装置  ２…描画装置  ３…チャンバ装置  ４…機能液滴吐出ヘッド  ６…液滴吐出装置  １１…チャンバルーム  １２…電気室  １３…機械室  １７…Ｘ軸テーブル  １８…Ｙ軸テーブル  ２０…ヘッドユニット  １０１…ガス導入ユニット  １０２…排気ダクト  １１３…前部着脱パネルユニット  １１４…後部着脱パネルユニット  １２１…内パネルユニット  １２２…外パネルユニット  １２４…内パネル  １２６…外パネル  １２９…電磁ロック装置  １３０…空隙  １３１…送気口  １３２…排気口  １３３…フィルタチャンバ  １３５…フィルタ  １３７…隔壁  １３８…ガス流路  １４１…ガスダンパーユニット  １４２…ガス開閉バルブ  １４３…ガス調整バルブ  １４４…ガス開閉ダンパー  １４７…主ガス流路  １５５…ガス調和機器  １５６…クーラ  １５７…ヒータ  １５８…ファン  １６１…排気チャンバ  １６２…排気ダンパーユニット  １６３…排気調整ダンパー  １６４…排気開閉ダンパー  １６６…排気パイプ  １６７…排気バルブ  １７１…外気流路  １７２…外気取入れ口  １７３…外気ダンパーユニット  １７４…外気開閉ダンパー  １７５…外気調整ダンパー  １７６…外気開閉バルブ  ２０１…電気光学装置  ２０２…描画装置  ２０３…液滴吐出装置  ２０４…チャンバ装置  ２０５…チャンバルーム  ２０８…ガス導入ユニット  ２１１…機能液滴吐出ヘッド  ２２８…ヘッドユニット  ２３１…Ｘ軸テーブル  ２３２…Ｙ軸テーブル  ２５２…供給チューブ  ２５３…排気ダクト  ２６５…排気口  ２７４…流量調整バルブ  ２７５…ガス吹出口  ５００…有機ＥＬ装置  ５０１…基板  ５０４…有機ＥＬ素子  ５１０ａ…正孔注入／輸送層  ５１０ｂ…発光層  Ｗ…基板
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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【図２７】
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【図２８】
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【図２９】
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【図３０】
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【図３１】
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【図３２】
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【図３３】
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【図３４】
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【図３５】
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【図３６】
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