(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
４角のユニットが配置された多層基板の製造方法であり、
前記多層基板のコアと成る第１の絶縁膜の一方の面から他方の面には、前記４角の外側の近傍に４つの貫通孔が設けられ、前記一方の面と前記他方の面の、前記ユニットに対応する領域には、前記貫通孔の中心点を基準として第１の配線層および第２の配線層が設けられ、前記貫通孔の側壁に被覆された金属膜、および前記一方の面および前記他方の面に位置する前記貫通孔の周辺部に設けられた第１の導電膜から成る鍔状の保護部とでなる確認孔が４つ設けられ、前記一方の面と前記他方の面の両主面には、第２の絶縁膜および第３の絶縁膜が設けられると共に、前記第２の絶縁膜および第３の絶縁膜の上に第３の導電膜および第４の導電膜が設けられた前記多層基板を用意し、
前記確認孔および前記確認孔の周辺部が露出する領域の前記第３の導電膜および前記第４の導電膜をエッチングして露出部を形成し、
前記露出部内の、前記確認孔の保護部も含め前記貫通孔の設けられた領域にレーザーを照射して、前記４角の近傍に位置する４つの確認孔を露出し、
露出した前記４つの確認孔内壁の外周の位置を測定して前記４つの確認孔の中心点を決定し、前記４つの中心点を基準にして、前記第３の導電膜および前記第４の導電膜をパターニングする事を特徴とした多層基板の製造方法。
【請求項２】
前記確認孔内壁の外周の位置は、３点である請求項１に記載の多層基板の製造方法。
【請求項３】
前記パターニングは、前記第３の導電膜の上にエッチングレジストを塗布し、前記第１の配線層を接続する第２の接続部に対応する領域の前記エッチングレジストを、露光マスクを用いてパターニングするに際して、前記中心点を基準にして前記露光マスクを位置合わせする請求項２に記載の多層基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は多層基板の製造方法に関し、特に、各配線層同士の位置の精度を向上させることができる多層基板の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
電子機器の小型化および高機能化に伴い、その内部に収納される実装基板においては、多層配線構造が主流になっている。第９図を参照して、多層配線基板の製造方法の一例を説明する（特開２００３−３２４２６３号公報参照）。
【０００３】
先ず、第９図（Ａ）を参照して、樹脂等の絶縁性の材料から成る基材１００の表面および裏面に第１の導電箔１０１Ａおよび第２の導電箔１０１Ｂを密着させる。
【０００４】
次に、第９図（Ｂ）を参照して、第１の導電箔１０１Ａおよび第２の導電箔１０１Ｂの選択的なエッチングを行うことにより、第１の配線層１０２Ａおよび第２の配線層１０２Ｂを形成する。更に、絶縁層１０３Ａを介して配線層を積層させ、第９図（Ｃ）に示すような、多層の配線構造を実現する。ここで、接続部１０４は、各配線層同士を電機的に接続するための部位である。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００３−３２４２６３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、上述した方法では、配線層同士の位置に誤差が生じてしまう問題があった。更に、層どうしを接続する接続部１０４を精度良く形成するのが困難である問題があった。今日では、小型および高機能化に対する要望が益々高くなってきているため、パターンは益々微細になり、それに伴い層間を接続する接続部や、各配線層同士の位置精度には厳しい精度が要求されている。
【０００７】
本発明は上述した問題点を鑑みて成されたものであり、本発明の主な目的は、層同士の相対的な位置のズレを抑止し、層同士を電気的に接続する接続部の位置を精度良く形成する多層基板の製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明の多層基板の製造方法は、配線および／または電極から成る配線層が絶縁材料を介して複数層形成される多層基板の製造方法において、第１層目の配線層に確認部を設け、第２層目以降の配線層を形成する際に、前記第１層目の確認部を基準にしてパターニングすることを特徴とする。
【０００９】
更に本発明の多層基板の製造方法は、絶縁材料から成るコア部の両側に、配線および／または電極から成る配線層が絶縁され複数層形成される多層基板の製造方法において、前記コア部の少なくとも一方の面に形成された第１層目の配線層に確認部を設け、第２層目以降の配線層を形成する際に、前記第１層目の確認部を基準にしてパターニングすることを特徴とする。
【００１０】
更に本発明の多層基板の製造方法は、シート状の絶縁材料から成るコア部の両側に、配
線および／または電極から成る配線層が絶縁され複数層形成される多層基板の製造方法において、前記コア部の両面に形成された第１層目の配線層を一部含み、コア部に対して垂直に貫通した確認部を設け、第２層目以降の配線層を形成する際に、前記第１層目の確認部を基準にしてパターニングすることを特徴とする。
【００１１】
更に本発明の多層基板の製造方法は、確認部を基準として活用する時は、確認部の上層に形成されている絶縁材料および配線層は、取り除かれることを特徴とする。
【００１２】
更に本発明の多層基板の製造方法は、前記確認部は、上方から見て円形であることを特徴とする。
【００１３】
更に本発明の多層基板の製造方法は、基準となる前記配線層の位置を、Ｘ線を用いて認識することを特徴とする。
【００１４】
更に本発明の多層基板の製造方法は、コアとなる第１の絶縁膜の両主面に第１の導電膜が積層されたシートを用意する工程と、前記シートを貫通する円柱状の確認孔を穿設する工程と、前記確認孔を基準にして第１の接続部に対応する両前記第１の導電膜をエッチングし、露出した前記第１の絶縁膜を取り除いて第１の貫通孔を設ける工程と、前記第１の貫通孔および前記両第１の導電膜の表面に導電皮膜を形成する工程と、前記確認孔を基準にして、前記両第１の導電膜をパターニングして第１の配線層を形成する工程と、前記シートの両面に第２の絶縁膜を介して第２の導電膜を形成する工程と、前記確認孔を露出し、第２の接続部に対応する前記第２の導電膜をエッチングし、露出した前記第２の絶縁膜を取り除いて第２の貫通孔を設ける工程と、前記第２の貫通孔および前記両第２の導電膜に導電被膜を形成する工程と、前記確認孔を基準にして第２の導電膜をパターニングして第２の配線層を形成する工程とを有することを特徴とする。
【００１５】
更に本発明の多層基板の製造方法は、前記第２の導電膜の下に位置する前記確認孔は、Ｘ線を用いて認識することを特徴とする。
【００１６】
更に本発明の多層基板の製造方法は、前記確認孔を形成する第１の配線層は、開口部の周囲に鍔状に形成され、この鍔状の第１の配線層の内側にレーザーが照射されて、前記第２の絶縁膜が取り除かれることを特徴とする。
【発明の効果】
【００１７】
本発明の多層基板の製造方法によれば、最初に形成される導電膜に設けられた確認部の位置を認識して、２層目以降の導電膜のパターニングを行っている。従って、複数の配線層の形成を行う場合でも、最初に形成した１つの確認部により位置認識を行うので、層同士の相対的な位置を精度良くすることが出来る。更に、配線層同士を接続する接続部も、この確認部の位置を認識してから行っている。従って、接続部が形成される箇所の位置精度を向上させることが出来る。
【００１８】
更に本発明では、絶縁膜の両面に密着された導電膜から成る積層シートを貫通するように確認孔を設け、この確認孔を用いて次工程以降の位置合わせを行っている。従って、積層シートの両面に配線層を積層させた場合でも、いずれの配線層も同一の確認孔を用いて位置合わせを行うことから、配線層の位置精度を向上させることが出来る。更に、層同士の電気接続を行う部位である接続部の形成も、確認孔の位置を認識してから行うので、その位置精度を向上させることが出来る。
【図面の簡単な説明】
【００１９】
【図１】本発明の多層基板の製造方法を説明する図であり、（Ａ）は、平面図であり、（Ｂ）〜（Ｆ）は、断面図である。
【図２】本発明の多層基板の製造方法を説明する図であり、（Ａ）は、平面図であり、（Ｂ）〜（Ｄ）は、断面図である。
【図３】本発明の多層基板の製造方法を説明する図であり、（Ａ）は、平面図であり、（Ｂ）〜（Ｄ）は、断面図である。
【図４】本発明の多層基板の製造方法を説明する図であり、（Ａ）〜（Ｂ）は、断面図であり、（Ｃ）は、概念図である。
【図５】本発明の多層基板の製造方法を説明する図であり、（Ａ）は、平面図であり、（Ｂ）〜（Ｃ）は、断面図である。
【図６】本発明の多層基板の製造方法を説明する図であり、（Ａ）は、断面図であり、（Ｂ）は、概念図である。
【図７】本発明の多層基板の製造方法を説明する図であり、（Ａ）は、平面図であり、（Ｂ）〜（Ｄ）は、断面図である。
【図８】本発明の多層基板が採用された構造を説明する図であり、（Ａ）および（Ｂ）は断面図である。
【図９】従来の多層基板の製造方法を示す図であり、（Ａ）〜（Ｃ）は、断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２０】
本発明の多層基板の製造方法を図を参照しつつ説明する。本形態の多層配線とは、２層以上の配線構造を指し、多層配線を有する基板またはパッケージの為回路装置を実装する多層基板等が該当するものである。
【００２１】
本形態の多層基板の製造方法は、導電膜１３をパターニングすることで形成された配線層１４が絶縁膜１２を介して積層される多層基板の製造方法において、最初に積層される導電膜１３に確認孔１４を設け、この確認孔１４の位置を認識してから、２層目以降の配線層１８のパターンニングを行う構成に成っている。更に、本形態では、この確認部を用いて、配線層同士を接続する接続部１６の形成を行う。この詳細を下記にて説明する。
【００２２】
第１図を参照して、積層シート１０に確認孔１４を形成する工程を説明する。第１図（Ａ）は本工程での積層シート１０の平面図であり、第１図（Ｂ）から第１図（Ｆ）は各工程での積層シート１０の断面図である。
【００２３】
第１図（Ａ）と第１図（Ｂ）を参照して、本形態に用いる積層シート１０の詳細を説明する。積層シート１０は、コアとなる第１の絶縁膜１２Ａの両面に第１および第２の導電膜１３Ａ、１３Ｂを密着させたものである。第１の絶縁膜１２Ａの材料としては熱可塑性樹脂または熱硬化性樹脂の何れかが選択される。そして、熱伝導性等が考慮されて、無機のフィラーが樹脂に混入されている。また、全体の強度を向上させるために、第１の絶縁膜１２Ａはガラスクロスを含むものでも良いし、ガラスクロスに無機フィラーが混入されているものでも良い。第１の絶縁膜１２Ａの膜厚は５０ミクロン程度にすることができる。
【００２４】
第１および第２の導電膜１３Ａ、１３Ｂの材料としては、銅を主材料とした金属を全般的に採用することができる。本形態では、圧延された銅箔を第１および第２の導電膜１３Ａ、１３Ｂの材料として採用している。また、両導電箔の厚さは、１０ミクロン程度でよい。また、両導電膜は、メッキ法、蒸着法またはスパッタ法で直接第１の絶縁膜１２Ａに被覆されたり、圧延法やメッキ法により形成された金属箔が貼着されても良い。
【００２５】
更に、第１図（Ａ）を参照して、積層シート１０の詳細を説明する。積層シート１０には１つの多層基板を構成する領域であるユニット１１が複数個形成されている。ここでは、マトリックス状に配置された４つのユニット１１が積層シート１０に形成されている。ここではユニット１１は、矩形の平面的形状を呈するが、他の形状のユニット１１でもよい。
【００２６】
第１図（Ｃ）を参照して、積層シート１０を貫通するように確認孔１４を設ける。この確認孔１４は、２層目以降のパターニングを行う際に位置合わせを行うための確認部である。
【００２７】
更に、この確認孔１４は、配線層１３同士の電気的接続を行う接続部１６の形成を行う際にも用いられる。この確認孔１４の形成は、ドリルによる削孔により行うことができる。更に、確認孔１４の形成領域の両導電箔１３をエッチングにより除去した後に、露出した絶縁膜をレーザーにより除去しても良い。本工程で形成される確認孔１４の径は、例えば０．１５ｍｍ程度である。
【００２８】
第１図（Ａ）を参照して、確認孔１４が形成される箇所の詳細を説明する。ここでは、各ユニット１１の外側の近傍に確認孔１４が形成されている。またユニット１１毎に複数個の確認孔１４を設けることにより、確認孔１４を用いた位置合わせの精度をより向上させることが出来る。ここでは、ユニット１１毎の４角付近に４つの確認孔１４が設けられているが、この確認孔１４の個数は任意である。例えば、ユニット１４毎に２つずつの確認孔１４を形成しても良い。また、１つの積層シート１０に形成される確認孔１４の個数は、２個から１００個程度の範囲で変化させることも可能である。
【００２９】
第１図（Ｄ）を参照して、第１の導電膜１３Ａを部分的に除去することで、第１の絶縁膜１２Ａが露出する露出部１５を形成する。ここではユニット１１毎の内部に露出部１５は形成される。この除去は、ユニット１１毎に設けた確認孔１４の外郭を認識し、それから中心点の位置を認識して行う。確認孔１４の形状が円のため、円の大きさが違っていてもその中心が一致する。
【００３０】
第１図（Ｅ）を参照して、露出部１５から露出する第１の絶縁膜１２Ａを除去することにより、貫通孔１５Ａを形成する。絶縁膜１２Ａの除去はレーザーを用いて行うことが出来る。このレーザーによる除去は、貫通孔１５Ａの底部に第２の導電膜１３Ｂの表面が露出されるまで行う。ここで用いるレーザーとしては、炭酸ガスレーザーが好ましい。また、貫通孔１５Ａの底部に残査が有る場合は、過マンガン酸ソーダまたは過硫酸アンモニウム等でウエットエッチングを行い、この残査を除去する。
【００３１】
第１図（Ｆ）を参照して、メッキ処理を施すことにより、第１の導電膜１３Ａと第２の導電膜１３Ｂとを電気的に接続する第１の接続部１６Ａを形成する。より具体的には、貫通孔１５Ａを含む第１の導電膜１３Ａの全面に、メッキ膜を形成することで、第１の接続部１６Ａを形成する。このメッキ膜は無電解メッキと電解メッキの両方で形成され、ここでは、無電解メッキにより約２μｍのＣｕを少なくとも貫通孔１５Ａを含む第１の導電膜１４Ａの全面に形成する。これにより第１の導電膜１３Ａと第２の導電膜１３Ｂとが電気的に導通するため、再度この両導電膜を電極にして電解メッキを行い、約２０μｍのＣｕ
をメッキする。これにより貫通孔１５ＡはＣｕで埋め込まれ、第１の接続部１６Ａが形成される。
【００３２】
なお、いわゆるフィリングメッキを行うと、貫通孔１５Ａのみを選択的に埋め込むことも可能である。またメッキ膜は、ここではＣｕを採用したが、Ａｕ、Ａｇ、Ｐｄ等を採用しても良い。またマスクを使用して部分メッキを行うことで、貫通孔１５Ａの部分のみにメッキ膜を形成しても良い。
【００３３】
また、本工程により、確認孔１４の内壁にもメッキ膜から成る金属膜１７が形成される。この金属膜１７は、確認孔１４の内壁に均一な膜厚で形成される。従って、金属膜１７の付着により、確認孔１４の断面積は小さくなるものの、円形の断面形状は保持される。
【００３４】
次に、第２図を参照して、積層シート１０に更に導電膜１３を積層させる工程を説明する。第２図（Ａ）は本工程での積層シート１０の平面図であり、第２図（Ｂ）から第２図（Ｄ）は各ステップでの積層シート１０の断面図である。
【００３５】
第２図（Ｂ）を参照して、第１および第２の導電膜１３Ａ、１３Ｂのエッチングを行うことにより、第１および第２の配線層１８Ａ、１８Ｂを形成する。これは、エッチングレジストを用いて各導電膜を選択的にエッチングすることにより行う。本工程では、エッチングレジストの露光を行う際に、確認孔１４の位置の認識を行って、積層シート１０と露光マスクとの相対的な位置合わせを行っている。確認孔１４のサイズか小さくなっても円形であるのでその中心点は前回の位置合わせと一致し、その中心点を認識して位置あわせする。
【００３６】
従って、精度良く位置合わせを行うことが出来る。更に、本工程では、Ｘ線で認識を行う為の認識部２０もエッチングにより形成される。この認識部は、Ｘ線認識装置が認識できる形状なら四角、丸、十字等何でも良い。またその位置は、何処にあっても良いが、一般にはユニットの周囲である。
【００３７】
第２図（Ｃ）を参照して、次に、積層シート１０の両主面に絶縁膜を介して導電膜を密着させる。具体的には、積層シート１０の表面に第２の絶縁膜１２Ｂを介して第３の導電膜１３Ｃが積層される。そして、積層シート１０の裏面には、第３の絶縁膜１２Ｃを介して第４の導電膜１３Ｄが積層される。これら導電膜１３の積層は、真空プレスにより行うことが可能である。本工程にて、確認孔１４にも樹脂が充填される。本工程では、両絶縁層としては、プリプレグを採用することができる。プリプレグとは、ガラス繊維等から成る織物に、エポキシ樹脂などを含浸させたものである。
【００３８】
第２図（Ｄ）を参照して、次に、積層シート１０を貫通するようにガイド孔１９を削孔する。具体的には、第２図（Ａ）を参照して、積層シート１０の４角付近の４カ所にガイド孔１９を削孔する。ガイド孔１９の削孔は、エッチングとレーザーの組み合わせ、または、ドリルにより行うことができる。ここで、ドリル孔１９の位置を特定する為の位置合わせは、第２図（Ｃ）に示す確認部２０の位置を認識して行う。この確認部２０は、ガイド孔１９が形成される箇所に対応して設けられている。更に、確認部２０は、第２の配線層１８Ａの一部から成る。ガイド孔１９の径は、数十ミクロン程度から２ｍｍ程度の範囲でよい。
【００３９】
本工程では、認識部２０は、上層の第３の導電膜１３Ｃにより覆われているため、可視光線にてその位置を認識することは出来ない。このことから、認識部２０の位置認識はＸ線等を照射して行い、ドリルを位置あわせして開口させる。また、本工程での位置合わせは、積層シート１０の外形寸法が所定の精度を満たしていたら、外形を基準にして行うこ
とも可能である。
【００４０】
第３図を参照して、位置合わせを行うための確認孔１４を露出させる。第３図（Ａ）は本工程での積層シート１０の平面図であり、第３図（Ｂ）から第３図（Ｄ）は各ステップでの積層シート１０の断面図である。
【００４１】
第３図（Ａ）を参照して、円形のガイド孔１９の位置を認識してから第３の導電膜１３Ｃを部分的に除去することで、露出部２２を形成する。具体的には、ガイド孔１９の位置を基準として、第３の導電膜１３Ｃの表面にエッチングマスクをパターニングしてエッチングを行うことで、露出部２２を形成する。また、本工程では、第４の導電膜１３Ｄについてついても同様の工程を行うことで、積層シート１０の裏面にも露出部２２を形成する。
【００４２】
露出部２０の平面的な大きさは、確認孔１４の断面よりも大きく形成される。具体的には、確認孔１４の平面的大きさが０．１５ｍｍ径の円形であるのに対し、露出部２０の平面的な大きさは１．５ｍｍ程度の円形である。また、本工程では、確認孔１４周辺部が露出するように露出部２２が形成される。
【００４３】
また、このように露出部２２を確認孔１４よりも大きくすることで、ガイド孔１９による位置認識がラフにされても、確認孔１４を露出部２２の形成される領域内に位置させることが出来る。
【００４４】
第３図（Ｂ）を参照して、次に、認識部２１の位置を認識してから、レーザーにより確認孔１４の露出を行う。具体的には、先ず、認識部２１の位置を認識することで、レーザー照射器（図示せず）と確認孔１４との相対的位置を調整した後に、レーザーの照射を行う。また、レーザーの照射は、積層シート１０の表面のみから行っても良いし、両面から行っても良い。ここで、確認孔１４と連続して形成される保護部２４とは鍔形を形成している。
【００４５】
第３図（Ｃ）を参照して、確認孔１４の周辺部には、導電膜から成る鍔状の保護部２４が形成されている。即ち、確認孔１４の側面に付着された金属膜１７と連続するメッキ膜により保護部２４が形成されている。この保護部２４は金属から成るので、この領域にレーザー２３が照射されても保護部２４は影響を受けない。
【００４６】
レーザー２３は、確認孔１４の領域よりも広い領域に照射が行われている。このことで、確認孔１４が形成された領域以外の積層シート１０の表面にレーザー２３が照射された場合でも、その領域がレーザー２３によるダメージを受けるのを防止することが出来る。
【００４７】
確認孔１４の側壁は、メッキ膜から成る金属膜１７より保護されている。従って、レーザー２３が確認孔１４の側壁に照射された場合でも、金属膜１７によりレーザー２３は反射されるので、確認孔１４の側壁が浸食されてしまうのを防止することができる。
【００４８】
第３図（Ｄ）を参照して、レーザー２３を照射することにより各確認孔１４は絶縁膜１２から露出される。また、レーザー２３による確認孔１４の露出は、各ユニット１１について行われる。即ち、確認孔２１が完全に露出され、しかも各ユニットの表面には、第３および第４の導電膜１３Ｃ、１３Ｄが残存する。
【００４９】
次に、第４図および第５図を参照して、絶縁層１２を貫通して各配線層１８同士を接続する接続部１６を新たに形成する。具体的には、形成予定の第２の接続部１６Ｂに対応する領域の第３の導電膜１３Ｃおよび第２の絶縁膜１２Ｂを部分的に除去し、その除去した
領域にメッキ膜を形成することで、第２の接続部１６Ｂを形成する。また、同様の方法で、第３の絶縁膜１２Ｃを貫通する第２の接続部１２Ｂも形成する。
【００５０】
具体的には、第４図（Ａ）を参照して、先ず、第３の導電膜１３Ｃを被覆するようにエッチングレジスト２５を塗布する。そして、露光マスク３１を用いてレジスト２５の露光を行う。露光マスク３１は、ガラス等の透明性を有する基材の表面に遮光パターン３２を有する。遮光パターン３２の形状は、形成予定の第２の接続部１６Ｂと逆転したパターン形状を有する。ここでは、光線３０が照射されなかった箇所が残存するポジ型のレジストが、レジスト２５として採用されている。ここで、ネガ型のものをレジスト２５として採用することも可能である。
【００５１】
第４図（Ｂ）を参照して、上記露光の工程等によりパターニングされたレジスト２５を介してエッチングを行うことで、第２の接続部１６Ｂの領域に対応する第３の導電膜１３Ｃが除去される。また、第２の接続部１６Ｂの領域に対応する第４の導電膜１３Ｄも除去される。
【００５２】
第４図（Ｃ）を参照して、確認孔１４を用いた位置合わせの詳細を説明する。本形態では、露光マスク３１の位置合わせは、確認孔１４の中心部を基準として行う。具体的には、ＣＣＤカメラ等の撮像手段を用いて、確認孔１４の形状を画像化する。この図では、画像化した状態の確認孔１４の断面を示している。そして、確認孔１４の外周部にて任意の３点の観測を行い、それらの位置を特定する。ここでは、第１観測点Ｋ１、第２観測点Ｋ２、第３観測点Ｋ３の観測を行い、それらの平面的な座標を特定する。更に、これらの点の座標値から、幾何学の定理により、確認孔１４の中心点Ｃの座標を算出する。確認孔１４の平面的形状は円形であるので、中心点Ｃの座標の算出は容易に行えるメリットがある。また、中心点を基準として、露光マスク３１の位置合わせを行うことから、極めて位置精度が高い露光を行うことが出来る。
【００５３】
更に、第４の導電膜１３Ｄの部分的除去を行うための露光も、確認孔１４の中心位置を基準として行っている。従って、同一の確認孔１４を用いて、積層シート１０の表面および裏面に塗布されたレジスト２５の露光を行うので、両者の露光される相対的位置を精度良くすることができる。
【００５４】
次に、第５図を参照して、第３の導電膜１３Ｃから露出された第２の絶縁層１２Ｂの除去を行う。更に、第４の導電膜１３Ｄから露出された第３の絶縁膜１２Ｃの部分的除去も行う。図５（Ａ）は積層シート１０の平面図であり、第５図（Ｂ）および第５図（Ｃ）は積層シート１０の断面図である。
【００５５】
第５図（Ａ）を参照して、各ユニット１１の４角の近傍には確認孔１４が形成されている。そして、ユニット毎に形成される接続部１６の位置の特定は、その近傍に形成された確認孔１４を用いて行う。確認孔１４とユニット１１とが近いほど、位置合わせの精度が向上するからである。
【００５６】
第５図（Ｂ）を参照して、次に、レーザー２３の照射を行って第２の絶縁膜を部分的に蒸発させることで、貫通孔１５Ａを形成する。貫通孔１５Ａの底部には、第１の配線層１８Ａの上面が露出している。ここでも、レーザー２３と積層シート１０との位置合わせは、確認孔１４の中心点を基準として行っている。従って、第１の配線層１８Ａと貫通孔１５Ａとの相対的な位置の精度は非常に良い。
【００５７】
第５図（Ｃ）を参照して、次に、無電界メッキ処理および電解メッキ処理を行うことで、貫通孔１５Ａにメッキ膜から成る第２の接続部１６Ｂを形成する。本工程のメッキ処理
の詳細は、第１図（Ｆ）を参照して説明した方法と同様である。本工程のメッキ処理では、確認孔１４の内壁にもメッキ膜が形成さる。確認孔１４は円筒状を呈しているので、その内壁にメッキ膜が形成されることで断面は小さくなるが、円形状の断面形状は保持される。同様に、ガイド孔１９の内壁にもメッキ膜が形成される。
【００５８】
第６図（Ａ）を参照して、次に、第３の導電膜１３Ｃおよび第４の導電膜１３Ｄのエッチングを行うことで、新たな電極や配線のパターンを形成する。具体的には、第３の導電膜１３Ｃの表面にエッチングレジスト２５を塗布した後に、露光マスク３１を用いて露光行ってレジスト２５のパターニングを行う。更に、パターニングされたレジスト２５を介して、第３および第４の導電膜１３Ｃ、１３Ｄのエッチングを行う。ここでも、露光マスク３１と積層シート１０との位置合わせは、確認孔１４の中心点を認識することで行う。
【００５９】
第６図（Ｂ）を参照して、本工程での確認孔１４の認識方法は、第４図（Ｃ）を参照して説明した認識方法と基本的には同一である。ここでは、確認孔１４の内壁にメッキ膜が形成されることで、その断面が小さくなっている。この図では、メッキ膜が内壁に形成される前の確認孔１４の断面をＶ１で示した点線で示している。そして、内壁にメッキ膜が形成された後の確認孔１４の断面を実線で示している。確認孔１４の内壁に均一な膜厚のメッキ膜が形成されることで、確認孔１４の断面積は小さくなっても、円形は保持されている。従って、本工程でも、確認孔１４の周辺部にて、３つの観測点（第１の観測点Ｋ１、第２の観測点Ｋ２、第３の観測点Ｋ３）を観測することで、中心点Ｃの位置を正確に計測することが可能となる。
【００６０】
第７図を参照して次に、積層シート１０の表面および裏面に露出する配線層１８をソルダーレジストで被覆する。第７図（Ａ）は積層シート１０の平面図であり、第７図（Ｂ）から第７図（Ｄ）は積層シート１０の断面図である。
【００６１】
第７図（Ｂ）を参照して、上記したエッチングの工程により、積層シート１０の表面には、第３の配線層１８Ｃが形成され、積層シート１０の裏面には第４の配線層１８Ｄが形成されている。
【００６２】
第７図（Ｃ）を参照して、積層シート１０の表面および裏面に形成された第３の配線層１３Ｃおよび第４の配線層１８Ｄが被覆されるようにレジスト２６を形成する。レジスト２６を形成する樹脂が、確認孔１４およびガイド孔１９に充填されても良い。
【００６３】
第７図（Ｄ）を参照して、レーザーを用いた蒸発あるいはリソグラフィ工程により、レジスト２６に開口部２７を設ける。この開口部２７は、積層シート１０の両面にも設けても良いし、片面のみに設けても良い。開口部２７の底部には、第３の配線層１８Ｃまたは、第４の配線層１８Ｄが露出している。この開口部２７の形成は、第３の配線層１８Ｃから成る確認部２８の位置を認識することで行うことが出来る。更に、本工程でも、確認孔１４の位置を基準として、開口部２７の形成を行うことが出来る。
【００６４】
上記工程が終了した後に、一点鎖線で示す分割線Ｌ１で積層シート１０の分割を行うことで、各ユニット１１の分離を行うことが出来る。この分離は、レーザーを用いて、配線層１８が形成されていない領域の積層シート１０を切断することで行うことが出来る。このことにより、切断を行う際の振動の発生を極力抑えて、各ユニット１１の分離を行うことが出来る。以上の工程により、多層の配線構造を有する多層基板が完成する。また、各ユニットの分割は、開口部２７を介して回路素子を積層シート１０に固着した後に行っても良い。また、上記分離は、ルーターを用いた加工、プレス加工でも行うことが出来る。
【００６５】
次に、第８図（Ａ）を参照して、上記工程により製造された多層基板３６を用いた実装
構造を説明する。多層基板３６の表面には、半導体素子である回路素子３３Ｂがろう材３４を介して実装されている。ここでは、回路素子３３Ｂはフェイスダウンで実装されているが、金属細線を用いた固着構造を採用することも出来る。回路素子３３Ａはチップ抵抗やチップコンデンサ等の受動素子であり、ロウ材３４を介して多層基板３６に固着されている。また必要により外部との接続手段であるリードまたはコネクタが実装されても良い。またモジュール基板として成り、ケース付けされない場合、半導体素子は、パッケージされたＩＣ、ＣＳＰ等が実装され、ケース付けされる場合は、この他にベアチップが実装されても良い。
【００６６】
第８図（Ｂ）を参照して、多層基板を使った半導体パッケージを説明する。ここでは、多層基板３６の表面に上述した回路素子３３が実装され、回路素子３３が封止されるように多層基板３６の表面に封止樹脂３５が形成されている。本発明の多層基板３６は極めて薄型になっているので、このような多層基板を回路装置に適用させることで、薄型の回路装置を提供することが出来る。また近年では、ＩＣ自体が５００ピン、１０００ピンと多ピン化傾向で且つ外部電極のサイズも微細で狭ピッチな傾向にある。よって多層基板を採用すればＩＣ、ディスクリート素子、チップコンデンサ、チップ抵抗等を使った回路モジュール、いわゆるＳＩＰが可能になる。
本発明の多層基板の製造方法によれば、最初に形成される導電膜に設けられた確認部の位置を認識して、２層目以降の導電膜のパターニングを行っている。従って、複数の配線層の形成を行う場合でも、最初に形成した１つの確認部により位置認識を行うので、層同士の相対的な位置を精度良くすることが出来る。更に、配線層同士を接続する接続部も、この確認部の位置を認識してから行っている。従って、接続部が形成される箇所の位置精度を向上させることが出来る。
更に本発明では、絶縁膜の両面に密着された導電膜から成る積層シートを貫通するように確認孔を設け、この確認孔を用いて次工程以降の位置合わせを行っている。従って、積層シートの両面に配線層を積層させた場合でも、いずれの配線層も同一の確認孔を用いて位置合わせを行うことから、配線層の位置精度を向上させることが出来る。更に、層同士の電気接続を行う部位である接続部の形成も、確認孔の位置を認識してから行うので、その位置精度を向上させることが出来る。
【符号の説明】
【００６７】
１０            積層シート
１１            ユニット
１２Ａ          第１の絶縁膜
１２Ｂ          第２の絶縁膜
１２Ｃ          第３の絶縁膜
１３Ａ          第１の導電膜
１３Ｂ          第２の導電膜
１３Ｃ          第３の導電膜
１３Ｄ          第４の導電膜
１４            確認孔
１５            露出部
１５Ａ          貫通孔
１６Ａ          第１の接続部
１６Ｂ          第２の接続部
１７            金属膜
１８Ａ          第１の配線層
１８Ｂ          第２の配線層
１８Ｃ          第３の配線層
１８Ｄ          第４の配線層
１９            ガイド孔
２０            認識部
２１            認識部
２２            露出部
２３            レーザー
２４            保護部
２５            レジスト
２６            レジスト
２７            開口部
２８            確認部
３０            光線
３１            露光マスク
３２            遮光パターン
３３Ａ          回路素子
３３Ｂ          回路素子
３４            ロウ材
３５            封止樹脂
３６            多層基板
１００          基材
１０１Ａ        第１の銅箔
１０１Ｂ        第２の銅箔
１０２Ａ        第１の配線層
１０２Ｂ        第２の配線層
１０２Ｃ        第３の配線層
１０２Ｄ        第４の配線層
１０３Ａ        絶縁層
１０４          接続部
Ｃ              中心点
Ｋ１            第１観測点
Ｋ２            第２観測点
Ｋ３            第３観測点
Ｌ１            分割線
Ｖ１            メッキ膜が形成される前の確認孔１４の断面
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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