(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板にサンドブラスト加工によって貫通穴を開け、前記貫通穴の上縁に形成されたオーバーハング部にレーザ光を照射して除去した後、前記貫通穴の側面から基板上面まで連続した導体膜を形成することを特徴とするマイクロデバイス用電極の製造方法。
【請求項２】
請求項１に記載のマイクロデバイス用電極の製造方法において、前記マイクロデバイス用電極が電気泳動チップの泳動電極であり、前記導体膜が前記貫通穴の側面の一部から基板上面まで連続した導体膜であることを特徴とするマイクロデバイス用電極の製造方法。
【請求項３】
請求項１に記載のマイクロデバイス用電極の製造方法において、前記マイクロデバイス用電極がガス検出器やガス流量計の信号引出電極であり、前記導体膜が前記貫通穴の側面の全面から基板上面および基板下面まで連続した導体膜であることを特徴とするマイクロデバイス用電極の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、マイクロデバイス用電極の製造方法およびマイクロデバイス用電極に関し、さらに詳しくは、耐久性を向上することが出来るマイクロデバイス用電極の製造方法およびマイクロデバイス用電極に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、液溜めの内部から外部につながる電極（電気泳動チップの泳動電極）や、貼り合わせた２枚の基板の一方に貫通穴を設けてその底部から側面を経由して上面に連続する電極（ガス検出器やガス流量計の信号引出電極）や、閉じた微小なキャビティから気密を保ちながら信号線を引き出す電極のようなマイクロデバイス用電極を製造する場合、サンドブラスト加工によって貫通穴を開け、その貫通穴の側面から基板上面または基板下面に連続した導体膜をスパッタ成膜や蒸着などによって形成している（例えば、特許文献１参照。）。
【０００３】
【特許文献１】特開２００３−３４４３４１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
サンドブラスト加工によってガラスなどの脆性材料に貫通穴を開けると、加工中に穴の中で噴射剤の還流が発生する。この噴射剤の還流によって、穴の上縁のすぐ下がえぐられ、オーバーハング部が形成される。
しかし、このオーバーハング部が形成されると、スパッタ成膜などによって導体膜を形成する際に影となる部分が生じるため、その影となる部分での導体膜が極端に薄くなり、それによって寿命が制限され、十分な耐久性が得られない問題点があった。
そこで、本発明の目的は、耐久性を向上することが出来るマイクロデバイス用電極の製造方法およびマイクロデバイス用電極を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
第１の観点では、本発明は、基板にサンドブラスト加工によって貫通穴を開け、前記貫通穴の上縁に形成されたオーバーハング部にレーザ光を照射して除去した後、前記貫通穴の側面から基板上面まで連続した導体膜を形成することを特徴とするマイクロデバイス用電極の製造方法を提供する。
上記第１の観点によるマイクロデバイス用電極の製造方法では、オーバーハング部にレーザアブレーション加工を施して除去するため、スパッタ成膜などによって導体膜を形成する際に影となる部分が生じない。従って、寿命を制限する極端に薄い箇所が導体膜に発生せず、十分な耐久性が得られるようになる。
【０００６】
第２の観点では、本発明は、前記第１の観点によるマイクロデバイス用電極の製造方法において、前記マイクロデバイス用電極が電気泳動チップの泳動電極であり、前記導体膜が前記貫通穴の側面の一部から基板上面まで連続した導体膜であることを特徴とするマイクロデバイス用電極の製造方法を提供する。
上記第２の観点によるマイクロデバイス用電極の製造方法では、十分な耐久性を持つ電気泳動チップの泳動電極を製造できる。
【０００７】
第３の観点では、本発明は、前記第１の観点によるマイクロデバイス用電極の製造方法において、前記マイクロデバイス用電極がガス検出器やガス流量計の信号引出電極であり、前記導体膜が前記貫通穴の側面の全面から基板上面および基板下面まで連続した導体膜であることを特徴とするマイクロデバイス用電極の製造方法を提供する。
上記第３の観点によるマイクロデバイス用電極の製造方法では、十分な耐久性を持つガス検出器やガス流量計の信号引出電極を製造できる。
【０００８】
第４の観点では、本発明は、上縁を面取りされた貫通穴を開けられた基板と、前記貫通穴の側面から基板上面まで連続して形成された導体膜とを具備したことを特徴とするマイクロデバイス用電極を提供する。
上記第４の観点によるマイクロデバイス用電極では、貫通穴の上縁が面取りされているため、スパッタ成膜などによって導体膜を形成する際に影となる部分が生じない。従って、寿命を制限する極端に薄い箇所が導体膜に発生せず、十分な耐久性が得られる。
【０００９】
第５の観点では、本発明は、前記第４の観点によるマイクロデバイス用電極において、前記マイクロデバイス用電極が電気泳動チップの泳動電極であり、前記導体膜が前記貫通穴の側面の一部から基板上面まで連続した導体膜であることを特徴とするマイクロデバイス用電極を提供する。
上記第５の観点によるマイクロデバイス用電極では、十分な耐久性を持つ電気泳動チップの泳動電極となる。
【００１０】
第６の観点では、本発明は、前記第４の観点によるマイクロデバイス用電極の製造方法において、前記マイクロデバイス用電極がガス検出器やガス流量計の信号引出電極であり、前記導体膜が前記貫通穴の側面の全面から基板上面および基板下面まで連続した導体膜であることを特徴とするマイクロデバイス用電極を提供する。
上記第６の観点によるマイクロデバイス用電極では、十分な耐久性を持つガス検出器やガス流量計の信号引出電極となる。
【発明の効果】
【００１１】
本発明のマイクロデバイス用電極の製造方法およびマイクロデバイス用電極によれば、耐久性を向上することが出来る。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１２】
以下、図に示す実施例により本発明をさらに詳細に説明する。なお、これにより本発明が限定されるものではない。
【実施例１】
【００１３】
図１は、実施例１に係るマイクロデバイス用電極の製造方法の手順を示すフロー図である。
ステップＲ１では、図２に示す如き厚さ１ｍｍの石英ガラス製の基板１に、サンドブラスト加工によって、図３に示す如き直径２ｍｍ程度の貫通穴２を開ける。
この加工中に穴の中で噴射剤の還流が発生し、穴の上縁のすぐ下がえぐられ、その結果、貫通穴２の上縁にオーバーハング部１ｏが形成される。噴射剤の噴出条件に依存するが、オーバーハング部１ｏは、３０〜５０μｍ程度である。
【００１４】
図１に戻り、ステップＲ２では、図４に示すようにスポット径０.１〜０.３ｍｍに集光したＣＯ2レーザビームＢで貫通穴２の上縁に沿ってスキャンし、オーバーハング部１ｏをアブレーションする。なお、同じ軌道で複数回スキャンしてもよいし、一部をオーバーラップさせた異なる軌道でスキャンを繰り返してもよい。
このレーザアブレーション加工によりオーバーハング部１ｏは除去され、図５に示すように貫通穴２の上縁が微小な面取り部１ｒとなる。
【００１５】
図１に戻り、ステップＲ３では、図６に示すように貫通穴２の側面２ｓの一部から基板上面１ｔに連続した導体膜３をスパッタ成膜や蒸着などにより形成する。
このマイクロデバイス用電極１０は、十分な耐久性を持つ電気泳動チップの泳動電極となる。
【００１６】
以上により製造されたマイクロデバイス用電極１０によれば、貫通穴２の上縁が面取り部１ｒになっていることで、導体膜３をスパッタ成膜などにより形成する際にターゲット等から影となる部分が生じず、導体膜３に極端に薄い箇所が生じない。よって、耐久性を向上できる。
【実施例２】
【００１７】
図７に示すように、貫通穴２の側面２ｓをレーザアブレーション加工してもよい。
すなわち、貫通穴２の側面２ｓは、サンドブラスト加工面であるため、１０μｍオーダーの複雑な凹凸がある荒れた面である。このため、側面２ｓにも、スパッタ成膜などにより導体膜３を形成する際に影となる部分が生じる。そこで、側面２ｓにもレーザアブレーション加工を施すことにより、側面２ｓが滑らかになるため、影となる部分がなくなり、導体膜３に極端に薄い箇所が生じない。よって、耐久性を向上できる。
【実施例３】
【００１８】
図８に示すように、基板１の両面からスパッタ成膜や蒸着などを行い、貫通穴２の側面２ｓから基板上面１ｔおよび基板下面１ｂに連続した導体膜３を形成してもよい。
このマイクロデバイス用電極２０は、十分な耐久性を持つガス検出器やガス流量計の信号引出電極となる。
【産業上の利用可能性】
【００１９】
本発明のマイクロデバイス用電極は、電気泳動チップの泳動電極やガス検出器やガス流量計の信号引出電極などに利用される。
【図面の簡単な説明】
【００２０】
【図１】実施例１に係るマイクロデバイス用電極の製造方法の手順を示すフロー図である。
【図２】サンドブラスト加工前の基板を示す断面図である。
【図３】サンドブラスト加工後の基板を示す断面図である。
【図４】レーザアブレーション加工中の基板を示す断面図である。
【図５】レーザアブレーション加工後の基板を示す断面図である。
【図６】実施例１に係るマイクロデバイス用電極を示す断面図である。
【図７】実施例２に係るレーザアブレーション加工中の基板を示す断面図である。
【図８】実施例３に係るマイクロデバイス用電極を示す断面図である。
【符号の説明】
【００２１】
１                  基板
１ｂ                基板下面
１ｒ                面取り部
１ｔ                基板上面
１ｏ                オーバーハング部
２                  貫通穴
２ｓ                側面
３                  導体膜
１０，２０          マイクロデバイス用電極
【図１】
0004665682.tif 000002
【図２】
0004665682.tif 000003
【図３】
0004665682.tif 000004
【図４】
0004665682.tif 000005
【図５】
0004665682.tif 000006
【図６】
0004665682.tif 000007
【図７】
0004665682.tif 000008
【図８】
0004665682.tif 000009