(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
透明な基板、透明な基板の上に形成した第一の保護膜、第一の保護膜の上に形成した光又は熱に応答し、光学的な変化を行うことが可能な記録層、記録層の上に形成した５nm以上５０nm以下の膜厚を有する第二の保護膜及び第二の保護膜の上に形成した記録層よりも速い速度で光又は温度に依存して応答し、可逆的かつ連続的に光学的な変化を生じる透過率制御層からなる光記録媒体に光記録及び再生する方法であって、
該光記録媒体の該基板側から、第一の光を照射させることにより該記録層に信号を記録するか、又は、第一の光と同時に該透過率制御層側から第三の光を照射して該透過率制御層に光学的な開口を形成し、該第一の光と第三の光に基づく光の相互作用により信号を記録し、
次に、該光記録媒体の該基板側から、光記録媒体に記録された信号が消去されないような強度の第二の光を照射し、これと同時に該透過率制御層側から第三の光を照射して該透過率制御層に光学的な開口を形成し、該第二の光及び第三の光を該記録層と該透過率制御層に形成された該光学的な開口に向けて照射させることによって生じる近接場光を検出することにより上記信号の再生を行うことを特徴とする光記録媒体に信号を光記録及び再生する方法。
【請求項２】
上記請求項１に記載の信号を光記録再生する方法において、上記透過率制御層の上に第三の保護膜が設けられていることを特徴とする光記録媒体に信号を光記録及び再生する方法。
【請求項３】
上記請求項１に記載の信号を光記録再生する方法において、上記記録層がＧｅーＳｂーＴｅ合金、Ａｇ−Ｉｎ−Ｓｂ−Ｔｅ合金及びＡｇ−Ｉｎ−Ｓｂ−Ｔｅ−Ｖ合金からなる群から選ばれた合金であることを特徴とする光記録媒体に信号を光記録及び再生する方法。
【請求項４】
上記請求項１に記載の信号を光記録及び再生する方法において、上記透過率制御層がＳｂ又はＳｂを含む合金であることを特徴とする光記録媒体に信号を光記録及び再生する方法。
【請求項５】
透明な基板、透明な基板の上に形成した第一の保護膜、第一の保護膜の上に形成した光または熱に応答し、光学的な変化を行うことが可能な記録層、記録層の上に形成した５nm以上５０nm以下の膜厚を有する第二の保護膜、及び第二の保護膜の上に形成した記録層よりも速い速度で光または温度に依存して応答し、可逆的かつ連続的に光学的な変化を生じる透過率制御層からなる光記録媒体に光記録及び再生する装置であって、
該光記録媒体の該基板側から該記録層に信号を記録するために光照射する第一の光照射手段、
次に、該光記録媒体の該基板側から、光記録媒体に記録された信号が消去されないような強度の第二の光を照射するための第二の光照射手段、これと同時に該光記録媒体の該透過率制御層側から第三の光を照射して該透過率制御層に光学的な開口を形成するための第三の光照射手段、該基板側又は該透過率制御層側に設けられ、第二の光及び第三の光を該記録層と該透過率制御層に形成された該光学的な開口を透過させることによって生じた近接場光を検出する光検出手段を有することを特徴とする光記録媒体に信号を光記録及び再生する装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、光記録媒体、これを用いた光記録方法及び光信号再生方法、並びにこれを用いた光記録装置及び光記録再生装置に関する
【０００２】
【従来の技術】
近年、光を用いて高密度の情報を高速で記録再生できる光記録媒体が、開発され、広く実用化されている。このような光による記録では、カーあるいはファラデー効果と呼ばれる光の作用により磁気に及ぼす影響を利用した相互作用を利用する光磁気方式（ＭＯ）と、カルコゲンと呼ばれる元素を含む合金を用いて、その非晶質状態と結晶状態における光学特性の差、たとえば透過率あるいは反射率差を用いた相変化方式（ＰＣ）によるものが、書換可能型の光記録媒体としてすでに商品化されている。又、一回書き込み方式（ＷＯ）による光記録媒体もすでに商品化されている。この記録方式では、記録膜として有機色素を用い、光入射による熱で記録膜の有機色素を分解し、その前後の光学特性の差を利用して記録するものである。
これら三種類からなる光記録媒体は、さらなる高度情報化に対応するための要求に応えて、その記録密度は近年ますます向上してきている。そして、書換可能なＤＶＤーＲＡＭや一回書き込み型のＤＶＤーＲなどの開発が盛んに行われている。
この三つの方式の中でも、特に相変化方式を用いた記録媒体は、用いる合金特性が情報の高密度記録に適していると考えられるので、いろいろな方法が開発されている。これらの中には、青色レーザーを光として用い、記録媒体の合金との組み合わせることによる１２ｃｍサイズのディスクでは、片面１５ギガバイトの記録密度が達成されている（北岡他、第９回相変化記録研究会予稿集、ｐー９４，１９９７）。又、相変化を利用した記録層に関し、アズデポ状態のアモルファスを結晶状態へ変化させることにより、その二つの状態の光学特性の差を利用してさらに高密度記録を狙った記録技術も提唱されている（保坂他、Ｊｐｎ．Ｊ．Ａｐｐｌ． Ｐｈｙｓ．３５，１９９６，ｐ４４３）。この記録技術は近接場光記録を用いたることにより、記録するマークの半径が６０から２００ｎｍの大きさのものを形成することに成功している。しかしながら、この論文によれば６０ｎｍ以下のＰＣ膜のグレインサイズは観測できなかったことを報告している。この記録方法では、ランダム状態にある大きなアズデポ状態からＧｅＳｂＴｅの結晶に変化させるために、結晶成長に伴う活性化エネルギーが高くなり、記録パワーが十分ではなかったことによるものであると考えられる。又、角等は、原子間力顕微鏡（ＡＦＭ）を用いて相変化記録膜への記録を試みている（Ｊｐｎ．Ｊ．Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．３６，１９９７，ｐ５２３）。その結果、記録膜とＡＦＭのＣｒをコーティングしたヘッドとのショットキーコンタクトにより電荷分布が生じさせることができるので、記録ができることを述べている。この結果によれば、直径で１０ｎｍ 程度のマークの記録に成功している。しかしながら、後者の場合では、ＡＦＭのヘッドを用いているため、光記録において得られた１０ｎｍ以下の記録の再生は行うことができなかった。
このような近接場光あるいはＡＦＭを用いて高密度記録を行う場合には、顕微鏡下での記録再生の実験を行った報告のみで、高転送レートで記録再生を行った報告はこれまで存在しない。これは、記録あるいは再生ヘッドと記録媒体間の距離に依存することによるものと考えられる。近接場記録の場合には、近接場光の伝搬距離が５０ｎｍ程度と短く、高転送レートでデータを読み出そうとした場合にはヘッドが高速で媒体上を移動するために媒体との接触が発生し、記録されたデータが破壊されてしまうためである。これはＡＦＭを用いた場合においても同様であり、ヘッドと媒体間距離を高速でしかもナノメートルの精度で制御することができなかった。このように近接場光を用いた高密度記録においては、高速記録及び高速読み出しに関しては、これまで技術的に困難であり実現されていない。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】
本発明の課題は、近接場光を用いた高密度記録において高速書き込みによる記録及び信号再生が可能な光記録媒体、これを用いた光記録方法及び光信号再生方法、並びにこれを用いた光記録装置及び光信号再生装置を提供することである。
【０００４】
【課題を解決するための手段】
本発明によれば、透明な基板、透明な基板の上に形成した第一の保護膜、第一の保護膜の上に形成した光または熱に応答し、光学的な変化を行うことが可能な記録層、記録層の上に形成した第二の保護膜、及び第二の保護膜の上に形成した記記録層よりも速い速度で光または温度に依存して応答し、可逆的かつ連続的に光学的な変化を生じる透過率制御層からなる光記録媒体、透過率制御層上に、さらに設けた第三の保護膜からなる光記録媒体が提供される。
又、この光記録媒体を用いた光記録方法、光信号再生方法、光記録装置及び光信号再生装置が提供される。
【０００５】
【発明の実施の形態】
本発明の内容を図面を用いて、以下に詳しく述べる。
図１は本発明の記録媒体の断面図であり、図２は本発明の他の記録媒体の断面図であり、図３及び４は本発明の記録装置の一例を示す図であり、図５は本発明の記録再生装置を示す図である。
【０００６】
本発明の一つの記録媒体は、基板（１）、第１保護層（２）、記録層（３）、第２保護層（４）及び透過率制御層（５）により構成される（図１）。
本発明の他の一つの記録媒体は、基板（１）、第１保護層（２）、記録層（３）、第２保護層（４）、透過率制御層（５）及び第３保護層（６）により構成される（図２）。
これらの記録媒体を構成する各層の内容は、次の通りである。
【０００７】
本発明の光記録媒体は、透明基板の上に形成される。透明基板は、透明であり、平面精度に優れたものであれば、基板を構成する材料は格別限定されるものではない。材料として用いることができるものを、具体的に挙げると、ガラス、ポリカーボネート等を用いることができる。基板表面上には、レーザーヘッドの位置を制御するガイド、いわゆるグルーブ等を、必要に応じて形成することができる。
【０００８】
透明基板の表面には、第一の保護層が形成される。第一の保護層は、基板表面の変形を防止するために設けられている。第一の保護層を形成する材料は、透明で、その融点が１０００℃以上あれば用いることができる。用いることができる保護層を形成する材料として、具体的な材料には、ＳｉＮや相変化記録に対する保護層として広く利用されているＺｎＳーＳｉＯ２混合誘電体などの高屈折率を有する材料が最適である。第一の保護層は、必要以上に厚くする必要がなく、５００ｎｍ以下、１０ｎｍ以上、特に３００ｎｍ以下、４０ｎｍ以上の範囲とすることが最適である。また、ポリカーボネート等のプラスチック基板を使用する場合には、記録膜からの発熱から基板を保護するために、基板と第一の保護層との間に薄い金属層を挿入してもよい。
【０００９】
第一の保護層上には光記録用の記録層が形成される。記録層は、光又は熱に応答して、可逆的に相変化することにより光学的な変化を読みとることができる材料により構成される。与えられる光又は熱により相変化を起こす材料として、一般に広く利用されている材料を使用することができる。具体的には、Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅ合金、あるいは結晶化エネルギーがより低いＡｇ−Ｉｎ−Ｓｂ−Ｔｅ合金、また結晶化速度をコントロールできると共に、結晶成長を阻害できるＡｇ−Ｉｎ−Ｓｂ−Ｔｅ−Ｖ合金等を用いると、良好な結果が得られる。
記録層は膜状の状態で積層されたのものが用いられる。膜を形成する方法には、一般的に膜の形成方法として知られている物理蒸着、化学蒸着、スパッタリング等の方法が用いられる。
【００１０】
Ａｇ−Ｉｎ−Ｓｂ−Ｔｅからなる薄膜からなる記録層、あるいはＡｇ−Ｉｎ−Ｓｂ−Ｔｅ−Ｖからなる薄膜からなる記録層は、それらを合金化させたターゲットを用いて成膜するか、いくつかのユニットに分離して成膜することにより製造することができる。
記録層として用いるためには、成膜直後のいわゆるアスデポ状態のものをそのまま用いてもよいが、記録を行う前に、基板上に成膜とした後に、一旦、光または熱によりランダム状態の大きいアズデポ状態から結晶状態とすることにより、相として安定化させた後、再びレーザ光または加熱により膜の融点以上まで昇温し、これを超高速で冷却することにより、非晶質状態としたものを用いることが有効である。このようにして得られる非晶質とされた記録層の活性化エネルギーは、ＧｅＳｂＴｅからなる記録膜で１．４から１．７ｅＶ程度であり、この結晶転移温度は約１５０℃程度に相当するものであると考えられる。
記録層の膜厚は、光又は熱に応答し、可逆的な相変化が可能な程度の厚みが要求される。一般に、５ｎｍ以上３０ｎｍ以下の範囲であることが望ましい。
【００１１】
第二の保護層を、記録層上に形成する。この保護層は透過率制御層との混合拡散を防止するために設けられる。第二の保護層を形成する材料は、第一の保護層に用いられているものと同じ特性を有する材料が用いられる。
第二の保護層の膜厚は、記録膜内で発生する近接場光を透過率制御層に伝搬させる必要から、５ｎｍ以上５０ｎｍ以下の膜厚でなければならない。
【００１２】
透過率制御層が第二の保護層上に形成される。透過率制御層は記録膜から伝搬してくる近接場光を、透過率制御層に設けられている開口を通して透過させるものであり、この開口は近接場顕微鏡プローブの開口としての役割を果たすものである。
透過率制御層を構成する材料には、熱や光に応答して可逆的に相変化する相変化材料又は３次の非線形効果が大きい材料が用いられる。そして、相変化材料に関し、その特性として有する書き換え速度が、記録層を形成する膜の書き換え速度よりも高速であり、かつ光学変化がより高速に変化するものを用いることが必要である。具体的な材料としては、Ｓｂ又はＩｎ−Ｓｂ、Ｓｂ−Ｔｅ、Ａｇ−Ｓｂ合金などを、挙げることができる。特に、具体的な成分として、Ｓｂをベースとした合金の場合には、良好な結果が得られる。
透過率制御層の膜厚は、２ｎｍ以上１００ｎｍ以下、５ｎｍ以上５０ｎｍ以下の範囲が特に好ましい。
【００１３】
第三の保護膜を、透過率制御層上に形成してもよい。第三の保護膜によって光学的な変化を生じる透過率制御層を安定に保持でき、繰り返し読み出す回数を増加させることができる。
第三の保護膜は第一の保護膜と同等の特性を有するものであればよく、また膜厚は５ｎｍ以上１００ｎｍ以下の範囲であればよい。
また、基板の位置は第三の保護膜側にあってもよい。
【００１４】
次に、本発明の上記記録媒体を用いて、近接場光による情報の記録方法及び記録装置について説明する。
図３は、前記本発明の他の一つの記録媒体を用いる記録方法及び記録装置を示す図である。この場合と同様にして、前記本発明の他の記録媒体を用いるものも同様に行うことができる。
情報の記録方法には二つの方法がある。
一つの情報の記録方法（図３）では、第一の保護膜側から第一の入射光（Ｉ１）を照射する。この入射光には短波長のレーザーを用いる。短波長のレーザーは、偏光板（７）を通り変調後、光学ヘッドによって記録面上に集光され、それにより記録層に記録マークが形成される。光学ヘッドには通常ＤＶＤーＲＡＭ等で用いられているものと、同様な光学ヘッドを用いることができる。
最小の大きさの信号再生信号のマークサイズは集光されたレーザースポットサイズによって決定される。例えば、４８８ｎｍの青色レーザーの場合にはそのスポット径は、最小のものとしても、０．６ミクロン程度のものがその限界である。しかし、相変化記録材料を記録層として用いた場合にはマークサイズは記録層固有の融点によって決定され、材料を選択することにより、より小さな径とすることが可能となる。そして、レーザーの照射強度を少なく制御することで、レーザーのビーム強度形状による回折限界を越えてさらに微小なマークを形成できるのである。
【００１５】
本発明の、前記一つの情報の記録方法を行う装置は、前記光記録媒体、及びこれを支持し、高速で移動又は回転させる手段、前記第一の入射光（Ｉ１）のレーザー光を発生させる光発生手段及び光を変調し、集光し、記録媒体の記録層を照射する手段から構成される（図３）。
【００１６】
前記一つの情報の記録方法の外に、他の一つの情報の記録方法（図４）は、前記の方法と同様に、第一の入射光（Ｉ１）を照射することにより記録層に記録を行うと同時に、第三の入射光（Ｉ３）を偏光板（８）を通り透過率制御層側から照射することにより、前記透過率制御層に微小開口を光あるいは熱的に形成することにより、記録を行うものである（図４）。
この微小開口を透過した第三の光と第一の光との相乗作用により、微小開口と同程度あるいはそれより小さなマークとすることも可能である。しかしながら、こうして記録された微小信号は当然のことであるが、記録に用いた上記光学ヘッドの回折限界以下の大きさであり、これを用いて読み出すことは不可能である。
【００１７】
本発明の前記他の一つの情報の記録方法を行う装置は図３に示されるとおりである。記録装置は、前記記録媒体、及びこれを支持し、高速で移動又は回転させる手段、前記第一の光（Ｉ１）であるレーザー光を発生させる光発生手段、及び光を偏光し、集光し、記録媒体の記録層を照射する手段、並びに第三の光（Ｉ３）であるレーザー光を発生させる光発生手段、集光、透過率制御層を照射する手段から構成されている。
【００１８】
本発明の記録された信号再生の方法及び装置は、図５に示される。
記録された微小信号を再生するには、記録した信号が消去されない程度に強度を低下させた第二の入射光（Ｉ２）を、透明基板側から、記録媒体の記録層（３）を構成する記録膜内に記録された微小信号に照射することにより、可能となる。すなわち、前記第二の入射光を照射させながら、透過率制御層側から第三の入射光（Ｉ３）を照射する。このときの第三の入射光は第一及び第二の入射光と同様に集光されたレーザービームとして用いる。第三の入射光の波長は第一及び第二の入射光の波長と同じであってもよいが、近接場光を精度よく検出するためには異なる波長を用いた方が、装置の構成としては構成要素を簡単なものとすることができるし、取扱い方法がより容易のものとなる。
光記録媒体と集光ヘッドとの距離は機種の規模などに応じて適宜定められるものであり、格別限定されるものではないが、ＤＶＤーＲＡＭ等で用いられているボイスコイル型焦点制御において用いられている範囲の制御可能な距離があればよく、だいたい０．５ｍｍ程度以下であれば十分である。
第三の入射光の強度を増加させるに従って、透過率制御層（５）の照射スポット内に、光あるいは光の吸収によって発生する、光透過率に変化が生じる領域（微小開口）を発生させることができる。第二の入射光によって記録膜内に発生した近接場光を第二の保護膜（４）を通して、この微小開口を透過させる。これにより信号再生を行う。
あるいは逆にこの微小開口によって発生した第三の入射光からなる近接場光を、記録膜上に記録されたマークを通して基板側に伝搬させる。
これらの光は偏光板（１２，１３）を経て、第三の入射光を照射しているヘッドの後部、あるいは第二の入射光を照射しているヘッドの後部に接続された光検出器によって計測すると、記録した微小信号を十分な信号強度で検出することができる。これにより、信号再生を行う。
つまり、これまで検出器側にあった近接場感知用の微小開口を、透過率制御層に開口させ、記録媒体側の第二の保護膜の厚さを一定に保つことにより、近接場光を感知させることにより、信号再生ヘッドの距離を媒体に接触しない安全な高さに保持して高速再生を可能にすることができる。
【００１９】
本発明の信号再生を行う装置は図５に示す通りである。
信号再生装置は、第二の入射光（Ｉ２）を透明基板側から照射するための照射手段、第三の入射光（Ｉ３）を透過率制御層（５）側から照射するための照射手段、及びこれらの照射手段には偏光板を介して各々光検出器（９，１０）が接続されており、さらにこれらの光検出器は光測定器（１１）に接続させることにより、構成されている。このように、信号再生を行う装置は、透過制御層又は記録層を通過した光を検出する信号再生手段、並びに光記録媒体及びその支持手段から構成される。
この信号録再生装置において、第二の入射光を透明基板側から照射するための照射装置により発生する第二の入射光により、記録層に記録さている信号を照射する。一方、第三の入射光を透過率制御層に照射するための照射手段は、第三の入射光を透過率制御層中に照射し、光の透過率を変化させる。第二の入射光は、記録した信号が消去されない程度に強度を低下させた第二の入射光として、透明基板側から記録膜内に記録された微小信号を照射するものである。
前記第二の入射光を照射させながら、透過率制御層側から照射する、第三の入射光の強度が増加するにつれて透過率制御層の照射スポット内に、光あるいは光の吸収によって発生する熱によって、光透過率に変化が生じる領域（微小開口）が発生する。
第二の入射光によって記録膜内に発生した近接場光が第二の保護膜を通して、この微小開口を透過する。あるいは逆に、この微小開口を通過するによって発生した第三の入射光からなる近接場光が、記録膜上に記録されたマークを通して基板側に伝搬される。
これらの光を、第三の入射光を照射しているヘッドの後部、あるいは第二の入射光を照射しているヘッドの後部に接続された光検出器によって計測する。このようにすることで記録した微小信号を十分な信号強度で検出することができる。つまり、これまで検出器側にあった近接場感知用の微小開口を、記録媒体側に第二の保護膜の厚さを一定に保って近接場光を感知することにより、信号再生ヘッドの距離を媒体に接触しない安全な高さに保持して高速再生を可能にすることができる。
【００２０】
【実施例】
次に、本願発明の内容を具体的に示す実施例を示す。
本発明は、この実施例に限定されるものではない。
【００２１】
実施例１
平面精度の良い０．６ｍｍ厚のガラス基板上に第一保護層としてＳｉＮを５０ｎｍの厚さに成膜した後、相変化記録膜であるＧｅＳｂＴｅ（２：２：５）合金を１５ｎｍの厚さに成膜し、第二保護層としてＳｉＮを１０ｎｍ形成し、さらに透過率制御層としてＳｂからなる層を１５ｎｍを形成し、記録媒体１とした。
記録媒体１はすべて真空成膜装置で連続して作製したものであり、その条件は、次の通りであった。
成膜の圧力は０．５Ｐａとし、ＳｉＮはＳｉターゲットを用いてＡｒとＮ２ガスを導入して反応性スパッタ法によりで成膜した。
このときのＳｉＮの屈折率は１．９であった。
記録媒体1を一旦、200℃で加熱し、記録膜を完全結晶化させた。記録媒体1を線速度６ｍ／ｓで回転させながら、基板側から第一の入射光として４８８ｎｍのＡｒイオンレーザーを照射した。レンズの開口数（ＮＡ）を、０．６として３０ＭＨＺの単一信号（マーク長１００ｎｍ相当)を、６．０ｍＷのパワーで記録した
。
つぎに第二の入射光としてレーザー強度を1.2ｍＷまで低下させ、さらに透過率制御層側から第三の入射光として６３０ｎｍのレーザーをＮＡ０．８のレンズを通して入力した。第三の入射光強度を０．７ｍＷから５．０ｍＷまで増加させたところ、３．０ｍＷで３０ＭＨｚの信号がＣ／Ｎ＞３０ｄＢで観測された。
【００２２】
実施例２
平面精度の良い０．６ｍｍ厚のガラス基板上に第一保護層としてＳｉＮ を５０ｎｍの厚さに成膜した。その上に相変化記録膜ＧｅＳｂＴｅ（２：２：５）合金を１５ｎｍの厚さに成膜し、さらにその上に第二保護層としてＳｉＮを１０ｎｍの厚さに形成し、さらに透過率制御層としてＳｂの層を１５ｎｍの厚さに形成し、最後に第三保護膜としてＳｉＮを１０ｎｍの厚さに形成し、記録媒体２とした。記録媒体の製法は次の通りであった。
記録媒体２はすべて真空成膜装置で連続して作製した。
成膜の圧力は０．５Ｐａとし、ＳｉＮはＳｉターゲットを用いて、ＡｒとＮ２ガスを導入して反応性スパッタリング法で成膜した。
このときのＳｉＮの屈折率は１．９であった。
記録媒体２を、一旦、２００℃で加熱し、記録層の膜を完全結晶化させた。
記録媒体２を線速度６ｍ／ｓで回転させながら、基板側から第一の入射光として４８８ｎｍのＡｒイオンレーザーを照射した。レンズの開口数（ＮＡ）を０．６として３０ＭＨｚの単一信号（マーク長１００ｎｍ相当）を６．０ｍＷのパワーで記録した。つぎに第二の入射光としてレーザー強度を１．２ｍＷまで低下させ、さらに第三誘電体層側から第三の入射光として６３０ｎｍのレーザーをＮＡ０．８のレンズを通して入力した。第三の入射光強度を０．７ｍＷから５．０ｍＷまで増加させたところ、４．５ｍＷで３０ＭＨｚの信号がＣ／Ｎ＞４０ｄＢで観測された。
【００２３】
実施例３
記録媒体２と同じ条件で記録媒体４を作製した。
記録媒体４を、一旦、２００℃で加熱し、記録膜を完全結晶化させた。記録媒体４を線速度６ｍ／ｓで回転させながら、基板側から第一の入射光として４８８ｎｍのＡｒイオンレーザーを用い、レンズの開口数（ＮＡ）を０．６として３０ＭＨｚの単一信号（マーク長１００ｎｍ相当）を５．０ｍＷのパワーで記録した。
このとき、第三保護膜側から第三の入射光として４８８ｎｍのレーザーを３．８ｍＷでＮＡ０．８のレンズを通して入力した。つぎに第二の入入射光としてレーザー強度を１．２ｍＷまで低下させ、さらに第三誘電体層側から第三の入射光として４８８ｎｍのレーザーをＮＡ０．８のレンズを通して入力した。このとき、第二の入射光と第三の入射光の偏光方向が互いに打ち消し合うように偏光させた。第三の入射光強度を０．７ｍＷから５．０ｍＷまで増加させたところ、３．８ｍＷで３０ＭＨｚの信号がＣ／Ｎ＞３５ｄＢで観測された。
【００２４】
実施例４
記録媒体２と同じ条件で記録媒体４を作製した。
記録媒体４を、一旦、２００℃で加熱し、記録膜を完全結晶化させた。記録媒体４を線速度６ｍ／ｓで回転させながら、基板側から第一の入射光として４８８ｎｍのＡｒイオンレーザーを用い、レンズの開口数（ＮＡ）を０．６として３０ＭＨｚの単一信号（マーク長１００ｎｍ相当）を５．ｍＷのパワーで記録した。このとき、第三保護膜側から第三の入射光として４８８ｎｍのレーザーを３．８ｍＷでＮＡ０．８のレンズを通して入力した。つぎに第二の入射光としてレーザー強度を１．２ｍＷまで低下させ、さらに第三誘電体層側から第三の入射光として４８８ｎｍのレーザーをＮＡ０．８のレンズを通して入力した。このとき、第二の入射光と第三の入射光の偏光方向が互いに打ち消し合うように偏光させた。第三の入射光強度を０．７ｍＷから５．０ｍＷまで増加させたところ、３．８ｍＷで３０ＭＨｚの信号がＣ／Ｎ＞４０ｄＢで観測された。
【００２５】
実施例５
記録媒体２と第二保護膜の厚さを１００ｎｍとした以外は、同じ条件で記録媒体５を作製した。
その後、記録媒体５を、一旦、２００℃で加熱し、記録層を形成する膜を完全結晶化させた。記録媒体５を線速度６ｍ／ｓで回転させながら、基板側から第一の光として４８８ｎｍのＡｒのＡｒイオンレーザーを照射した。レンズの開口数（ＮＡ）を０．６として３０ＭＨｚの単一信号（マーク長１００ｎｍ相当）を６ｍＷのパワーで記録した。
つぎに第二の入射光としてレーザー強度を１．２ｍＷまで低下させ、さらに第三誘電体層側から第三の入射光として４８８ｎｍのレーザーをＮＡ０．８のレンズを通して入力した。このとき、第二の入射光と第三の入射光の偏光方向が互いに打ち消し合うように偏光させた。第三の入射光強度を０．７ｍＷから５．０ｍＷまで増加させたところ、３．８ｍＷで３０ＭＨｚの信号が検出され、Ｃ／Ｎは１０ｄＢ以下であった。
【００２６】
【発明の効果】
本発明の記録媒体は、高密度の情報を高速で記録できるとともに、記録再生が可能であり、しかも書き換え可能なものである。
また、この記録媒体を用いることにより、高密度の情報を高速で記録し、記録再生を可能な方法及び装置が提供される。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の記録媒体の断面図
【図２】本発明の他の記録媒体の断面図
【図３】本発明の記録装置の一例を示す図
【図４】本発明の記録装置の一例を示す図
【図５】本発明の信号再生装置を示す図
【符号の説明】
１  基板
２  第１保護層
３  記録層
４  第２保護層
５  透過率制御層
６  第３保護層
７  偏光板
８  偏光板
９  光検出器
１０  光検出器
１１  測定器
１２  偏光板
１３  偏光板
【図１】
0004613356.tif 000002
【図２】
0004613356.tif 000003
【図３】
0004613356.tif 000004
【図４】
0004613356.tif 000005
【図５】
0004613356.tif 000006