(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体チップを搭載する箇所に、キャビティを有し、そのキャビティ内に半導体チップと接続する内部接続端子を有する半導体パッケージ用基板の製造方法において、キャビティとなる開口部を有すると共に銅箔を有する基板を、キャビティの内側となる箇所に少なくとも半導体チップと接続する内部接続端子を有する基板の上に重ねて積層接着し、銅箔の表面に保護膜を形成し、キャビティ内に露出した内部接続端子の表面に接続を強化するためのめっきを行い、銅箔の表面の保護膜を除去し、スルーホールとなる穴をあけ、穴内壁とキャビティ内壁とを金属化し、銅箔の不要な箇所と不要な金属をエッチング除去して、内部接続端子を露出すると共に、他の基板との接続を行なう外部接続端子を有する外層回路を形成し、キャビティ部を保護するようにめっきレジストを形成した後、この外部接続端子の表面に接続を強化するためのめっきをする工程を有する半導体パッケージ用基板の製造方法。
【請求項２】
半導体チップを搭載する箇所に、キャビティを有し、そのキャビティ内に半導体チップと接続する内部接続端子を有する半導体パッケージ用基板の製造方法において、キャビティとなる開口部を有する基板を、キャビティの内側となる箇所に少なくとも半導体チップと接続する内部接続端子を有すると共に銅箔を有する基板の上に重ねて積層接着し、銅箔の表面に保護膜を形成し、キャビティ内に露出した内部接続端子の表面に接続を強化するためのめっきを行い、銅箔の表面の保護膜を除去し、スルーホールとなる穴をあけ、穴内壁とキャビティ内壁とを金属化し、銅箔の不要な箇所と不要な金属をエッチング除去して、内部接続端子を露出すると共に、他の基板との接続を行なう外部接続端子を有する外層回路を形成し、キャビティ部を保護するようにめっきレジストを形成した後、この外部接続端子の表面に接続を強化するためのめっきをする工程を有する半導体パッケージ用基板の製造方法。
【請求項３】
半導体チップを搭載する箇所に、キャビティを有し、そのキャビティ内に半導体チップと接続する内部接続端子を有する半導体パッケージ用基板の製造方法において、キャビティとなる開口部を有すると共に銅箔を有する基板を、キャビティの内側となる箇所に少なくとも半導体チップと接続する内部接続端子を有すると共に銅箔を有する基板の上に重ねて積層接着し、銅箔の表面に保護膜を形成し、キャビティ内に露出した内部接続端子の表面に接続を強化するためのめっきを行い、銅箔の表面の保護膜を除去し、スルーホールとなる穴をあけ、穴内壁とキャビティ内壁とを金属化し、銅箔の不要な箇所と不要な金属をエッチング除去して、内部接続端子を露出すると共に、他の基板との接続を行なう外部接続端子を有する外層回路を形成し、キャビティ部を保護するようにめっきレジストを形成した後、この外部接続端子の表面に接続を強化するためのめっきをする工程を有する半導体パッケージ用基板の製造方法。
【請求項４】
キャビティの内側となる箇所に少なくとも半導体チップと接続する内部接続端子を有する基板が、複数枚であって、下の基板の内部接続端子が露出するように、上の基板に開口部を設ける工程を有する請求項１〜３のうちいずれかに記載の半導体パッケージ用基板の製造方法。
【請求項５】
キャビティの内側となる箇所に少なくとも半導体チップと接続する内部接続端子を有する基板の裏面に、半導体チップの放熱のためのヒートシンクを貼り合わせる工程を有する請求項１〜４のうちいずれかに記載の半導体パッケージ用基板の製造方法。
【請求項６】
基板に開口部を設け、半導体チップを搭載する箇所に直接ヒートシンクが露出するように構成する工程を有する請求項５に記載の半導体パッケージ用基板の製造方法。
【請求項７】
穴内壁を金属化すると共に、キャビティ内部に露出している内層回路の表面も金属化する請求項１〜６のうちいずれかに記載の半導体パッケージ用基板の製造方法。
【請求項８】
銅箔の不要な箇所をエッチング除去するときに、キャビティ内の不要な金属化部分もエッチング除去する請求項１〜７のうちいずれかに記載の半導体パッケージ用基板の製造方法。
【請求項９】
請求項１〜８のうちいずれかに記載の方法により製造された半導体パッケージ用基板。
【請求項１０】
請求項１〜８のうちいずれかに記載の方法で製造された半導体パッケージ用基板のキャビティ部に半導体チップを搭載する工程を有する半導体パッケージの製造方法。
【請求項１１】
キャビティ内の半導体チップを、封止樹脂で封止する工程を有する請求項１０に記載の半導体パッケージの製造方法。
【請求項１２】
請求項１０または１１に記載の方法により製造された半導体パッケージ。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体パッケージ用基板の製造方法とその方法を用いた半導体パッケージの製造方法及びこれらの方法を用いた半導体パッケージ用基板と半導体パッケージに関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来、半導体チップを搭載する箇所に、キャビティを有し、そのキャビティ内に半導体チップと接続する内部接続端子を有する半導体パッケージ用基板の製造方法においては、図４（ａ）に示すように、キャビティとなる開口部を有する基板１１０を、キャビティの内側となる箇所に少なくとも半導体チップと接続する内部接続端子１２１を有する基板１２０の上に重ね、さらにそのキャビティとなる開口部を有する基板１１０の上に、銅箔１０５を貼り合わせた基板であって内部接続端子１２１を保護するための基板１００を重ねて積層接着し、図４（ｂ）に示すように、スルーホールとなる穴１３０をあけ、図４（ｃ）に示すように、穴１３０の内壁を金属化してスルーホール１３１とし、銅箔１０５の不要な箇所をエッチング除去して外層回路１２６を形成した後に、図４（ｄ）に示すように、内部接続端子１２１を保護するための基板１００に、キャビティを形成するための開口部をザグリ加工などで形成し、外層回路１２６の表面にソルダーレジスト１２７を形成し、キャビティ内に露出した内部接続端子１２１の表面に、接続を強化するためのめっき１２２を行うことが知られている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】
このような半導体パッケージ用基板の製造は、キャビティを形成するための開口部をザグリ加工で形成すると、ザグリ加工のときの加工誤差があるので、その加工誤差分を、図４（ｅ）や図４（ｆ）に示すように、接続端子１２１の面積を広くしたり、外層回路１２６の形成を避けなければならないので、近年の発達に伴う半導体パッケージの小型化にはあまり適していないという課題がある。
【０００４】
更に、外層回路１２６にも内部接続端子１２１と同じ種類の、接続を強化するためのめっき１２２を行うことがあり、その場合には、外層回路１２６とめっき電極との距離と、内部接続端子１２１とめっき電極との距離が異なるため、めっきの膜厚バラツキが大きく、内部接続端子１２１上のめっき厚さは薄く、外層回路１２６上のめっき厚さは厚くなる傾向があり、内部接続端子１２１のワイヤボンディング性が低下し、外層回路１２６の半田接続信頼性が低下するという課題がある。
【０００５】
本発明は、小型化にすぐれ、外層回路にも内部接続端子と同じ種類の、接続を強化するめっきを行う場合でも、めっきの膜厚のばらつきが少なく、内部接続端子のワイヤボンディング性に優れ、かつ外部接続端子の接続信頼性に優れた半導体パッケージ用基板の製造方法とその方法を用いた半導体パッケージの製造方法及びこれらの方法を用いた半導体パッケージ用基板と半導体パッケージを提供することを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】
本発明は以下のことを特徴とする。
（１）半導体チップを搭載する箇所に、キャビティを有し、そのキャビティ内に半導体チップと接続する内部接続端子を有する半導体パッケージ用基板の製造方法において、キャビティとなる開口部を有すると共に銅箔を有する基板を、キャビティの内側となる箇所に少なくとも半導体チップと接続する内部接続端子を有する基板の上に重ねて積層接着し、銅箔の表面に保護膜を形成し、キャビティ内に露出した内部接続端子の表面に接続を強化するためのめっきを行い、銅箔の表面の保護膜を除去し、スルーホールとなる穴をあけ、穴内壁とキャビティ内壁とを金属化し、銅箔の不要な箇所と不要な金属をエッチング除去して、内部接続端子を露出すると共に、他の基板との接続を行なう外部接続端子を有する外層回路を形成し、キャビティ部を保護するようにめっきレジストを形成した後、この外部接続端子の表面に接続を強化するためのめっきをする工程を有する半導体パッケージ用基板の製造方法。
（２）半導体チップを搭載する箇所に、キャビティを有し、そのキャビティ内に半導体チップと接続する内部接続端子を有する半導体パッケージ用基板の製造方法において、キャビティとなる開口部を有する基板を、キャビティの内側となる箇所に少なくとも半導体チップと接続する内部接続端子を有すると共に銅箔を有する基板の上に重ねて積層接着し、銅箔の表面に保護膜を形成し、キャビティ内に露出した内部接続端子の表面に接続を強化するためのめっきを行い、銅箔の表面の保護膜を除去し、スルーホールとなる穴をあけ、穴内壁とキャビティ内壁とを金属化し、銅箔の不要な箇所と不要な金属をエッチング除去して、内部接続端子を露出すると共に、他の基板との接続を行なう外部接続端子を有する外層回路を形成し、キャビティ部を保護するようにめっきレジストを形成した後、この外部接続端子の表面に接続を強化するためのめっきをする工程を有する半導体パッケージ用基板の製造方法。
（３）半導体チップを搭載する箇所に、キャビティを有し、そのキャビティ内に半導体チップと接続する内部接続端子を有する半導体パッケージ用基板の製造方法において、キャビティとなる開口部を有すると共に銅箔を有する基板を、キャビティの内側となる箇所に少なくとも半導体チップと接続する内部接続端子を有すると共に銅箔を有する基板の上に重ねて積層接着し、銅箔の表面に第１の保護膜を形成し、キャビティ内に露出した内部接続端子の表面に接続を強化するためのめっきを行い、銅箔の表面の保護膜を除去し、スルーホールとなる穴をあけ、穴内壁とキャビティ内壁とを金属化し、銅箔の不要な箇所と不要な金属をエッチング除去して、内部接続端子を露出すると共に、他の基板との接続を行なう外部接続端子を有する外層回路を形成し、キャビティ部を保護するようにめっきレジストを形成した後、この外部接続端子の表面に接続を強化するためのめっきをする工程を有する半導体パッケージ用基板の製造方法。
（４）キャビティの内側となる箇所に少なくとも半導体チップと接続する内部接続端子を有する基板が、複数枚であって、下の基板の内部接続端子が露出するように、上の基板に開口部を設ける工程を有する（１）〜（３）のうちいずれかに記載の半導体パッケージ用基板の製造方法。
（５）キャビティの内側となる箇所に少なくとも半導体チップと接続する内部接続端子を有する基板の裏面に、半導体チップの放熱のためのヒートシンクを貼り合わせる工程を有する（１）〜（４）のうちいずれかに記載の半導体パッケージ用基板の製造方法。
（６）基板に開口部を設け、半導体チップを搭載する箇所に直接ヒートシンクが露出するように構成する工程を有する（５）に記載の半導体パッケージ用基板の製造方法。
（７）穴内壁を金属化すると共に、キャビティ内部に露出している内層回路の表面も金属化する（１）〜（６）のうちいずれかに記載の半導体パッケージ用基板の製造方法。
（８）銅箔の不要な箇所をエッチング除去するときに、キャビティ内の不要な金属化部分もエッチング除去する（１）〜（７）のうちいずれかに記載の半導体パッケージ用基板の製造方法。
（９）（１）〜（８）のうちいずれかに記載の方法により製造された半導体パッケージ用基板。
（１０）（１）〜（８）のうちいずれかに記載の方法で製造された半導体パッケージ用基板のキャビティ部に半導体チップを搭載する工程を有する半導体パッケージの製造方法。
（１１）キャビティ内の半導体チップを、封止樹脂で封止する工程を有する（１０）に記載の半導体パッケージの製造方法。
（１２）（１０）または（１１）に記載の方法により製造された半導体パッケージ。
【０００７】
【発明の実施の形態】
本発明によって、半導体チップを搭載する箇所に、キャビティを有し、そのキャビティ内に半導体チップと接続する内部接続端子を有する半導体パッケージ用基板を製造するには、図１（ａ）に示すように、キャビティとなる開口部を有すると共に銅箔１５を有する基板１０を、キャビティの内側となる箇所に少なくとも半導体チップと接続する内部接続端子２１を有する基板２０の上に重ねて積層接着し、図１（ｂ）に示すように、銅箔１５の表面に保護膜１３を形成し、キャビティ内に露出した内部接続端子２１の表面に接続を強化するためのめっき２２を行い、図１（ｃ）に示すように、銅箔１５の表面の保護膜１３を除去し、スルーホール３１となる穴３０をあけ、図１（ｄ）に示すように、穴３０の内壁とキャビティの内壁とを金属化して、スルーホール３１を形成して、図１（ｅ）に示すように、銅箔１５の不要な箇所とキャビティ内の不要な金属とをエッチング除去して、外層回路２６を形成することと、内部接続端子２１の露出とを行うことができる。
この外層回路２６は、上記の説明では、キャビティとなる開口部を有する基板１０に貼り合わされた銅箔１５を加工して形成しているが、銅箔１５は、かならずしもキャビティとなる開口部を有する基板１０の側に貼り合わされていなくてもよく、図３（ａ）に示すように、内部接続端子を有する基板２０に貼り合わされていてもよく、また、図３（ｂ）に示すように、その両方の基板に貼り合わされていてもよい。
また、キャビティの内側となる箇所に少なくとも半導体チップと接続する内部接続端子２１を有する基板２０は、図３（ｃ）に示すように、複数枚であってもよく、その場合には、下の基板２０１の内部接続端子２１が露出するように、上の基板２０２に開口部を設けなければならない。
【０００８】
この半導体パッケージ用基板には、キャビティの内側となる箇所に少なくとも半導体チップと接続する内部接続端子２１を有する基板２０の裏面に、図３（ｄ）に示すように、半導体チップの放熱のためのヒートシンク４１を貼り合わせることができ、さらに、図３（ｅ）に示すように、基板２０に開口部を設け、半導体チップを搭載する箇所に直接ヒートシンク４１が露出するように構成することもできる。このヒートシンク４１の形状は、図３（ｄ）に示すような金属板でもよく、また、図３（ｅ）に示すような突出部を有するものでもよい。
【０００９】
本発明の、キャビティとなる開口部を有すると共に銅箔１５を有する基板１０には、配線板に通常に使用する銅張り積層板を用いることができ、キャビティとなる開口部は、金型による打ち抜き、あるいは、ルータによる加工などによって形成することができる。
【００１０】
キャビティの内側となる箇所に少なくとも半導体チップと接続する内部接続端子２１を有する基板２０には、上記のキャビティとなる開口部を有すると共に銅箔１５を有する基板１０と同様に、配線板に通常に使用する銅張り積層板を用いることができ、内部接続端子２１は、その銅張り積層板の銅箔の上に内部接続端子２１の形状にエッチングレジストを形成して、不要な箇所をエッチング除去して形成することができる。
【００１１】
これらの基板を重ねて積層接着するには、基板の間に、例えば、ガラス布に熱硬化性樹脂を含浸し、加熱・乾燥して、半硬化状にしたプリプレグや、ポリエチレンテレフタレートフィルム上に熱硬化性樹脂を塗布し、加熱・乾燥してドライフィルム状にした、接着シート１６をはさみ、加熱・加圧して積層一体化するなどして行うことができる。
【００１２】
銅箔の表面に形成する保護膜１３には、通常配線板に用いている、めっきレジストと呼ばれる樹脂層を形成することが好ましく、このようなめっきレジストは、エポキシ樹脂のような熱硬化性樹脂を主成分とし、硬化剤、硬化促進剤を含む樹脂組成物を溶剤に混合したインク様のものや、そのような溶液を、ポリエチレンテレフタレートフィルムなどの離型性を有するフィルムの上に塗布し、加熱・乾燥して半硬化状にしたドライフィルム状のものを用いる。インク様の溶液は、スクリーン印刷法によって印刷して必要な形状に保護膜を形成することができる。ドライフィルム状のものは、通常は、硬化剤が光照射によって硬化するものが主流で、被めっき体にラミネートし、形成する形状に光を透過するフォトマスクを重ねて光照射し、露光しなかった部分を現像液で除去することによって保護膜１３を形成することができる。
【００１３】
キャビティ内に露出した内部接続端子２１の表面に接続を強化するためのめっき２２には、ニッケル、金、はんだ、白金、パラジウムなどがあり、ワイヤボンディングなどのためには、ニッケル下地めっきの上に、金、あるいはパラジウム／金のめっきを行うことが好ましい。
このときのニッケル下地めっきの厚さは、１μｍ以上であることが好ましく、これより薄いとニッケルめっきによる硬度が不足し、ワイヤボンディング性が低下する。上限は特にないが、２０μｍを越えるとめっき時間が長くなるがワイヤボンディング性はそれに比例して向上するわけでなく、経済的でない。より好ましくは、５μｍ以上である。
その上に行う金めっきの厚さは、０．１μｍ以上であることが好ましく、これより薄いとボンディングワイヤとの接続強度が不足し、ワイヤボンディング性が低下する。上限は特にないが、２μｍを越えるとめっき時間が長くなるがワイヤボンディング性はそれに比例して向上するわけでなく、経済的でない。より好ましくは、０．５μｍ以上である。さらには、ニッケル下地めっきの上に、パラジウムめっきを行った後に、金めっきを行うとワイヤボンディンブした接続箇所の接続信頼性を高めることができ好ましい。このときのそれぞれのめっきの厚さは、合計で０．１μｍ以上であることが好ましく、より好ましくは０．５μｍ以上である。理由は、金めっきだけの場合と同じであり、上限も、同様に２μｍを越えると経済的でない。
この接続を強化するためのめっき２２は、無電解めっきでも、電解めっきでも行うことができ、このような無電解めっきは、めっきする金属のイオン源と、錯化剤、還元剤、ｐＨ調整剤、安定性を改善する添加剤などから構成されている。めっきに先だって、被めっき体にパラジウムなどのめっき用触媒を付与し、続いて、上記のような無電解めっき液に浸漬することによって行うことができる。さらに、ニッケル下地めっきを行った表面に、金、あるいはパラジウム／金めっきを行うときには、下地めっきのニッケルがめっき用触媒の働きをするので、めっき用触媒を不要する必要はない。電解めっきの場合には、内部接続端子２１と接続された電極用リードを設け、めっきした後の工程で、これを切断する工程を設けなければならない。
【００１４】
銅箔１５の表面に形成した保護膜１３を除去するには、メチルエチルケトンなどのような溶剤に浸漬する方法や、水酸化ナトリウムの水溶液のようなアルカリ性の水溶液をスプレー噴霧して除去することができる。
【００１５】
スルーホール３１となる穴３０をあけるには、ドリルを用い、予め登録した穴径や位置によって、ドリルの直径を選択し、指定された位置までドリルヘッドを移動し、その位置でドリルを回転させながらドリルヘッドを降下させる、数値制御されたドリルマシンで行うことが好ましい。
【００１６】
穴３０の内壁を金属化するには、無電解めっきあるいは、無電解めっきと電解めっきで行うことが好ましく、特に銅めっきが接続抵抗が小さく経済的であることからより好ましい。このような無電解めっきは、めっきする金属のイオン源と、錯化剤、還元剤、ｐＨ調整剤、安定性を改善する添加剤などから構成されている。めっきに先だって、被めっき体にパラジウムなどのめっき用触媒を付与し、続いて、上記のような無電解めっき液に浸漬することによって行うことができる。この無電解めっきは、厚さ１〜２５μｍの範囲で行うことが好ましく、厚さが１μｍ未満であると、わずかのめっき厚さのばらつきで導体抵抗が高くなりやすく好ましくない。この厚さが２５μｍを越えても特性上では特に問題とならないが、無電解めっきそのものが析出速度が低いことから、長時間を要し、経済的でない。厚さを必要とする場合には、無電解めっきで電流が流れる程度に薄く、例えば、０．１〜２μｍ程度に析出させ、その上に電解めっきを用いて行うのが効率的である。この電解めっきには、硫酸浴、ピロリン酸浴、ワット浴など、通常の配線板に用いる電解めっき方法を用いることができる。
【００１７】
この穴３０の内壁を金属化するときに、同時にキャビティ内部に露出している内層回路の表面も金属化され、接続の強化のためのめっき２２の上にも、そのめっき２２を行っていない箇所にも金属が析出される。
【００１８】
銅箔１５の不要な箇所をエッチング除去して外層回路２６を形成するには、上述のめっきレジストと同様の組成物に、エッチング液に対する耐薬品性を向上させる添加剤を用いるか組成物を調整した樹脂組成物の溶液、あるいはドライフィルム状のエッチングレジスト材料を用い、スクリーン印刷やフォト法によってエッチングレジストを形成し、塩化第二銅溶液などのようなエッチング液をスプレー噴霧することにより、エッチングレジストを形成しなかった箇所の銅箔１２を選択的に除去することによって行う。
このときに、上述の接続を強化するためのめっき２２は、エッチング除去のときのストッパーとして働き、内部接続端子２１はエッチング液から保護される。そして、そのめっき２２を電解めっきによって行ったときに用いた、電極用のリードにはめっきされていないので、エッチング除去して、内部接続端子２１を電極用リードから切断することができる。
この銅箔１５の不要な箇所をエッチング除去するときに、キャビティ内の不要な金属化部分もエッチング除去することができ、上述した、穴３０の内壁を金属化するときに、同時にキャビティ内部に露出している内層回路の表面を金属化する工程の後に、上記の工程のエッチングレジストを形成するときに、同様に、キャビティ内に露出した必要とする内層回路の箇所にもエッチングレジストを形成しておき、上記の工程の不要な銅箔１５をエッチング除去するときに、同時に、不要な箇所の内層回路の部分をエッチング除去することができる。このようにして、図１（ｆ）に示すような、放熱を行うための金属層１７も形成することができる。
【００１９】
外層回路２６に、他の基板との接続を行う外部接続端子を形成することができ、その外部接続端子の形状が残るようにエッチングレジストを形成すればよい。
外部接続端子を形成した後に、その表面に接続を強化する金属を形成することもでき、この金属は、内部接続端子１２の表面に行う接続を強化するめっき２２と同様に行うことができる。
このときのニッケル下地めっきの厚さは、１μｍ以上であることが好ましく、これより薄いとニッケルめっきによる硬度が不足し、ワイヤボンディング性が低下する。上限は特にないが、２０μｍを越えるとめっき時間が長くなるがワイヤボンディング性はそれに比例して向上するわけでなく、経済的でない。より好ましくは、５μｍ以上である。
その上に行う金めっきの厚さは、０．１μｍ以上であることが好ましく、これより薄いとはんだボールとの接続強度が不足する。上限は特にないが、２μｍを越えるとめっき時間が長くなるがはんだボールとの接続強度がそれに比例して向上するわけでなく、経済的でない。より好ましくは、０．５μｍ以上である。さらには、ニッケル下地めっきの上に、パラジウムめっきを行った後に、金めっきを行うとはんだボールとの接続信頼性を高めることができ好ましい。このときのそれぞれのめっきの厚さは、合計で０．１μｍ以上であることが好ましく、より好ましくは０．５μｍ以上である。理由は、金めっきだけの場合と同じであり、上限も、同様に２μｍを越えると経済的でない。
【００２０】
また、上記の方法で製造された半導体パッケージ用基板のキャビティ部に半導体チップを搭載すれば、半導体パッケージを製造することができ、さらには、キャビティ内の半導体チップを、封止樹脂で封止することもできる。
【００２１】
【実施例】
図２（ａ）に示すように、両面に１２μｍの銅箔１５ａを貼り合わせた、厚さ０．４ｍｍのガラス布基材エポキシ樹脂銅張り積層板であるＭＣＬ−Ｅ−６７９（日立化成工業株式会社製、商品名）にキャビティとなる開口部３ａを、ルータドリル機であるＮＲ−２Ｃ１８（日立精工業株式会社製、商品名）によりあけ、不要な片面の銅箔１５ａをエッチング除去し、開口部を有する基板１０ａを準備した。
両面に１２μｍの銅箔１５ｂを貼り合わせた、厚さ０．１ｍｍのガラス布基材エポキシ樹脂銅張り積層板であるＭＣＬ−Ｅ−６７９（日立化成工業株式会社製、商品名）にキャビティとなる開口部を、ルータドリル機であるＮＲ−２Ｃ１８（日立精工業株式会社製、商品名）によりあけ、無電解銅めっきを行って両面の銅箔１５ｂを電気的に接続し、開口部の壁に導体を形成し、不要な箇所の銅をエッチング除去して、内層回路２３ｂと内部接続端子２１ｂを有する基板２０ｂを準備した。このときの開口部は、基板１０ａの開口部とほぼ同じ大きさに形成した。また、全ての内部接続端子２１ｂを接続するめっき用リード２４ｂも形成した。
同様にして、両面に１２μｍの銅箔を貼り合わせた、厚さ０．１ｍｍのガラス布基材エポキシ樹脂銅張り積層板であるＭＣＬ−Ｅ−６７９（日立化成工業株式会社製、商品名）にキャビティとなる開口部を、ルータドリル機であるＮＲ−２Ｃ１８（日立精工業株式会社製、商品名）によりあけ、無電解銅めっきを行って両面の銅箔を電気的に接続し、開口部の壁に導体を形成し、不要な箇所の銅をエッチング除去して、内層回路２３ｃと内部接続端子２１ｃを有する基板２０ｃを準備した。このときの開口部は、基板２０ｂの開口部よりも大きく形成した。また、全ての内部接続端子２１ｃを接続するめっき用リード２４ｃも形成した。
同様にして、両面に１２μｍの銅箔１５ｄを貼り合わせた、厚さ０．４ｍｍのガラス布基材エポキシ樹脂銅張り積層板であるＭＣＬ−Ｅ−６７９（日立化成工業株式会社製、商品名）にキャビティとなる開口部を、ルータドリル機であるＮＲ−２Ｃ１８（日立精工業株式会社製、商品名）によりあけ、不要な片面の銅箔１５ｄをエッチング除去し、開口部を有する基板１０ｄを準備した。このときの開口部は、基板２０ｃの開口部より大きく形成した。
接着シートとして、基板１０ａと基板２０ｂの間、及び、基板２０ｃと基板１０ｄの間に挟む接着シート５１ａ，５１ｃには、厚さ２５μｍのエポキシ系ドライフィルム状の接着シートを用い、基板２０ｂと基板２０ｃとの間に挟む接着シート５２ｂには、絶縁性を高めるために、厚さ０．１ｍｍのガラス布基材エポキシ樹脂プリプレグであるＧＥＡ−６７９（日立化成工業株式会社製、商品名）を用いた。そしてこれらの接着シート５１ａ，５１ｃ，５２ｂには、それぞれの基板に設けた開口部に合わせて、開口部を打ち抜き金型で形成した。
これらの材料を、図２（ａ）に示すように重ね、プレス機により、１８０℃の温度で、圧力を３ＭＰａとし、９０分間、加熱・加圧して積層一体化した。
このように積層一体化した多層板のめっきレジスト２８として、図２（ｂ）に示すように、厚さ５０μｍのめっきレジスト用ドライフィルムであるＨ−Ｗ４４０（日立化成工業株式会社製、商品名）をラミネートした後、ザグリ加工で内部接続端子２１ｂ、２１ｃを露出させて、接続を強化するためのめっき２２として、拡大図Ａに示すように、ニッケルめっき２２１と金めっき２２２を続けて行った。このときのニッケルめっき２２１は、ワット浴の無光沢ニッケル浴で、電流密度１．３Ａ／ｄｍ2、金めっき２２２は、テンテレックス４０１液（日本ＥＥＪＡ社製、商品名）、０．４Ａ／ｄｍ2の条件で行った。このときのニッケルめっき２２１の厚さは２μｍ、金めっき２２２の厚さは０．１μｍであった。
図２（ｃ）に示すように、前記ドライフィルムのめっきレジストを、メチルエチルケトンに浸漬して剥離除去した後、所定の場所にＮＣドリル機により、スルーホール３１となる穴をあけ、無電解銅めっき液であるＬ５９（日立化成工業株式会社製、商品名）に浸漬し、厚さ２５μｍに銅５３を析出させた。
更に、その銅５３の表面に、外層回路２６の形状にエッチングレジストを形成し、エッチング液としてアルカリ系エッチング液を用いて、エッチングレジストから露出した銅５３をエッチング除去して、外層回路２６を形成した。このときに、キャビティの内側にはエッチングレジストを形成しなかったので、内部接続端子２１ｂ、２１ｃが露出し、めっきリード２４ｂ、２４ｃはエッチング除去された。その後、ソルダーレジスト用ドライフィルムであるＳＲ−７０００（日立化成工業株式会社製、商品名）をラミネートし、図２（ｄ）に示すように、外部接続端子の箇所を除いてソルダーレジスト２７を形成し、更に、めっきレジスト用ドライフィルムであるＨ−Ｋ６５０（日立化成工業株式会社製、商品名）をラミネートし、キャビティ部を保護するように、めっきレジスト２８を形成し、外部接続端子に、接続を強化するためのめっき２２として、ニッケルめっきと金めっきを続けて行った。このときのニッケルめっきは、ワット浴の無光沢ニッケル浴で、電流密度１．３Ａ／ｄｍ2、金めっきは、テンテレックス４０１液（日本ＥＥＪＡ社製、商品名）、０．４Ａ／ｄｍ2であった。このときのニッケルめっきの厚さは２μｍ、金めっきの厚さは０．１μｍであった。
その後、ヒートシンク４１を接着し、外形加工により所定のサイズに個片加工した。
次に、図２（ｅ）に示すように、裏面にダイボンディングフィルムを貼り合わせた半導体チップ６を、ヒートシンク４１の上に接着・固定し、半導体チップ６の端子と内部接続端子２１をボンディングワイヤ７で接続した後、封止樹脂８で封止した。
【００２２】
本実施例の効果として、最外層の基板を窓加工して積層した事により、キャビティ部の蓋を加工しキャビティを露出させないようにした事により、加工位置精度が向上した。
更に、キャビティ部の先にニッケル金めっきを行い、永久ソルダーレジスト形成後外層パッド部のニッケル金めっきを行うことにより、金めっき厚さがキャビティ部を厚く、外層パッド部を薄く設定することができる事によい、外部接続の信頼性が向上することができた。
【００２３】
【発明の効果】
以上に説明したとおり、本発明によって、小型化にすぐれ、外層回路にも内部接続端子と同じ種類の、接続を強化するめっきを行う場合でも、めっきの膜厚のばらつきが少なく、内部接続端子のワイヤボンディング性に優れ、かつ外部接続端子の接続信頼性に優れた半導体パッケージ用基板の製造方法とその方法を用いた半導体パッケージの製造方法及びこれらの方法を用いた半導体パッケージ用基板と半導体パッケージを提供することができた。
【図面の簡単な説明】
【図１】（ａ）〜（ｄ）は、それぞれ、本発明の原理を説明するための各工程での断面図であり、（ｅ）は、その実施態様の一例を示す断面図である。
【図２】（ａ）〜（ｋ）は、それぞれ本発明の一実施例を示す、各工程における断面図である。
【図３】（ａ）〜（ｅ）は、それぞれ、本発明の他の態様を示す断面図である。
【図４】（ａ）〜（ｆ）は、それぞれ、従来例を示す、各工程での断面図である。
【符号の説明】
６．半導体チップ
７．ボンディングワイヤ
８．封止樹脂
１０，１０ａ，１０ｄ，１１０．開口部を有する基板
１３．保護膜
１５，１５ａ，１５ｄ．銅箔
１６．放熱を行うための金属層
１２０，２０，２０ｂ，２０ｃ．内部接続端子を有する基板
２１，２１ｂ，２１ｃ．内部接続端子
２２．接続を強化するためのめっき
２３ｂ，２３ｃ．内層回路
２４ｂ，２４ｃ．めっき用リード
２６．外層回路
２７．ソルダーレジスト
２８．めっきレジスト
２９．外部接続端子
３０，１３０．スルーホール
３１，１３１．スルーホールとなる穴
４１．ヒートシンク
１００．内部接続端子を保護するための基板
２０１．下の基板
２０２．上の基板
１３１．スルーホール
１２６．外層回路
１２２．接続を強化するためのめっき
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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