(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
ファラデー回転子および偏光子を含んで構成される複合素子と、該複合素子を支持するための支持基板とを備え、
前記支持基板は、側面の少なくとも一部に凹凸を有するとともに、前記複合素子側に位置し、金属を含んでなる第１基板と、前記第１基板より熱伝導率の小さく、非金属組成を含んでなる第２基板と、を有する複合基板であることを特徴とする光アイソレータ。
【請求項２】
少なくとも前記第１基板の側面に凹凸を有する、請求項１に記載の光アイソレータ。
【請求項３】
ファラデー回転子および偏光子を含んで構成される複合素子と、該複合素子を支持するための支持基板とを備え、
前記支持基板は、前記複合素子側に位置し、金属を含んでなる第１基板と、前記第１基板より熱伝導率の小さく、非金属組成を含んでなる第２基板と、を有するとともに、前記第１基板は、前記複合素子側の表面および前記第２基板側の表面のうち少なくとも一方に複数の凸部を有し、該凸部間に、前記第１基板より熱伝導率の小さい低熱伝導材を配した複合基板であることを特徴とする光アイソレータ。
【請求項４】
前記ファラデー回転子はＢｉ置換ガーネットを含む、請求項１〜３のいずれか一つに記載の光アイソレータ。
【請求項５】
外部から挿入されるプラグに対して光学的接続されるスタブと、前記プラグと前記スタブとの間の調芯を得るためのスリーブと、前記スタブに向けて光を出射するための、または、前記スタブを介して光を受けるための光素子と、前記スタブ及び前記光素子に対して光学的に同軸上にある請求項１〜４のいずれか一つに記載の光アイソレータと、を備える光モジュール。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、光通信技術に利用される光アイソレータと、該光アイソレータを有する光モジュールに関する。
【背景技術】
【０００２】
光アイソレータは、光増幅器や半導体レーザ装置などに使用されている。光アイソレータは、順方向から入射する光を透過させ、逆方向から入射する光を遮断する機能を有しており、例えば、２枚の偏光子の相対角度を約４５°に設定し、それらの間にファラデー回転角が約４５°に設定されたファラデー回転子を挿入して互いに固定したものである。
【０００３】
近年、光アイソレータについては、小型化、量産化、低価格化が強く要望されており、その対策として図８に示すような構成の光アイソレータ８０が開発されている。光アイソレータ８０は、平板状の整列基板８１と、ファラデー回転子８２および２つの偏光子８３，８４からなる光アイソレータ素子８５と、２つの直方体状の磁石８６とを有し、アイソレータ素子８０および磁石８６を整列基板８１上に合金半田で接合固定したものである。このような構成の光アイソレータ８０は、例えば特許文献１に開示されている。
【０００４】
図９は、光アイソレータ８０を備えるＬＤ（レーザダイオード）モジュール９０を表す概略断面図である。このＬＤモジュール９０は、ＬＤチップ９１を搭載するためのサブマウント９２と、ＬＤチップ９１の温度を制御するための熱電冷却装置ＴＥＣ（Ｔｈｅｒｍｏｅｌｅｃｔｒｉｃ Ｃｏｏｌｅｒ）９３と、ＬＤチップ９１から発振される光をレセプタクル９４に伝達するためのレンズ９５，９６と、レンズ９６を保持するためのレンズホルダ９７と、レセプタクル９４を光軸方向に光学調芯するためのスリーブ９８と、光アイソレータ８０やＬＤチップ９１などを収納するためのパッケージ９９とを備えている。また、光アイソレータ８０は、ＴＥＣ９３上に直接搭載されている。
【特許文献１】特開平１０−２２７９９６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
上述の光アイソレータ８０は、ＴＥＣ９３上に直接搭載されるため、ＴＥＣ９３の温度変化を受けやすい。また、図１０に示すように、光アイソレータ８０は、逆方向の光を遮断するアイソレーション特性が温度依存性を有している。したがって、ＬＤチップ９１からの光出力や波長を安定させるためにはＴＥＣ９３により、かなり正確に温度制御がなされる必要がある。
【０００６】
また、今日の通信産業の発達により伝送容量を増加させる必要があるが、この伝送容量の増加に対応すべく、或る波長範囲の中で２０ｎｍ間隔の発振波長のＬＤモジュールを複数種類揃えた波長多重通信が行われている。そのため、波長が異なる各ＬＤモジュールには各波長に対応した光アイソレータを搭載する必要があり、偏光子やファラデー回転子も各波長に応じて用意する必要がある。したがって、品種管理が頻雑であると同時に部品を共通化できないため、結果としてコスト高となってしまう課題があった。
【０００７】
そのため、複数波長に共通の光アイソレータを使用することが考えられるが、１５５０ｎｍの発振波長で使用する光アイソレータを１５３０ｎｍ、１５７０ｎｍで使用する場合、図１０に示すように２５℃ではアイソレーション下限規格を満足できるように構成できるが、ＴＥＣ上に直接搭載されている上述の光アイソレータでは、ＴＥＣの温度制御によって、図１２に示すようなオーバーシュートにより温度が＋５℃以上まで急激に上昇した場合、発振波長１５７０ｎｍで使用する光アイソレータが規格下限値を下回り、また−５℃以上まで急激に下降した場合、発振波長１５３０ｎｍで使用する光アイソレータが規格下限値を下回るために、光アイソレータで除去しなければならない反射戻り光が光アイソレータを通過してＬＤチップに戻り、光出力変動を引き起こし、伝送特性が劣化するという問題が生じた。
【０００８】
そこで、本発明は、急激な温度変化に起因するアイソレーション特性の変動が抑制されるとともに、コストパフォーマンスに優れた光アイソレータおよび該光アイソレータを備える光モジュールを提供することを、目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明者らは、上述の課題に鑑み鋭意研究を行った結果、ＴＥＣ上に支持基板を介して光アイソレータ素子を載せ置く場合、この支持基板より、ＴＥＣによる温度変化を緩和することができると、ＴＥＣのオーバーシュートにより光アイソレータが規格下限値を下回ることが抑制され、光アイソレータを逆方向に通過する反射戻り光が減少され、それにより光出力を一定に維持することができることを見出し、本発明を完成するに至った。
【００１０】
本発明は、ファラデー回転子および偏光子を含んで構成される複合素子と、該複合素子
を支持するための支持基板とを備え、支持基板は、側面の少なくとも一部に凹凸を有するとともに、複合素子側に位置し、金属を含んでなる第１基板と、該第１基板より熱伝導率の小さく、非金属組成を含んでなる第２基板と、を有する複合基板であることを特徴とする、光アイソレータにある。
【００１１】
また、本発明は、少なくとも前記第１基板の側面に凹凸を有することを特徴とする、光アイソレータにある。
【００１２】
また、本発明は、ファラデー回転子および偏光子を含んで構成される複合素子と、該複合素子を支持するための支持基板とを備え、
前記支持基板は、前記複合素子側に位置し、金属を含んでなる第１基板と、前記第１基板より熱伝導率の小さく、非金属組成を含んでなる第２基板と、を有するとともに、前記第１基板は、前記複合素子側の表面および前記第２基板側の表面のうち少なくとも一方に複数の凸部を有し、該凸部間に、前記第１基板より熱伝導率の小さい低熱伝導材を配した複合基板であることを特徴とする。
【００１４】
また、本発明は、前記ファラデー回転子がＢｉ置換ガーネットを含むことを特徴とする。
【００１５】
また、本発明の光モジュールは、外部から挿入されるプラグに対して光学的接続されるスタブと、前記プラグと前記スタブとの間の調芯を得るためのスリーブと、前記スタブに向けて光を出射するための、または、前記スタブを介して光を受けるための光素子と、前記スタブ及び前記光素子に対して光学的に同軸上にある前記光アイソレータと、を備える。
【発明の効果】
【００１６】
本発明に係る光アイソレータは、支持基板が、側面の少なくとも一部に凹凸を有するとともに、複合素子側に位置するとともに金属を含んでなる第１基板と、該第１基板より熱伝導率の小さく、非金属組成を含んでなる第２基板と、を有する複合基板で構成されていることによって、例えば支持基板が急激な温度変化を伴う熱電冷却装置に接するように配置されている場合、熱伝冷却装置がオーバーシュートにより急激に温度変化した場合においても、光アイソレータに対する熱の伝達が遅延されるため、光アイソレータのアイソレーション特性の変動を抑制することができる。また、基板の側面に凹凸を設けて表面積を大きくすることにより、基板からの放熱を促進させて光アイソレータへの熱伝導を遅延さ
せアイソレーション特性の変動を抑制することができる。また、複数波長のＬＤモジュールに搭載する光アイソレータを共通化できるために低コストの光アイソレータとすることができる。
【００１７】
また、前記支持基板は少なくとも熱伝導率の大きい第１基板の側面に凹凸を有するのが好ましい。熱伝導率の高い基板の側面に凹凸を設けて表面積を大きくすることにより、前記基板からの放熱を促進させて光アイソレータへの熱伝導を遅延させアイソレーション特性の変動を抑制することができる。
【００１８】
また、前記支持基板は、前記複合素子側に位置し、金属を含んでなる第１基板と、前記第１基板より熱伝導率の小さく、非金属組成を含んでなる第２基板と、を有するとともに、前記第１基板は、前記複合素子側の表面および前記第２基板側の表面のうち少なくとも一方に複数の凸部を有し、該凸部間に、該第１基板より熱伝導率の小さい低熱伝導材を配するのが好ましい。このような構成とすることにより、上記した過度な熱伝達の抑制効果とともに、低熱伝導材１１ｂの表面で複合素子２０もしくは第２基板を支持することができるため、第１基板１１に複合素子２０または第２基板を精度よく固定することができる。
【００２０】
本発明に係る光アイソレータは、上述のファラデー回転子がＢｉ置換ガーネットまたはＹＩＧガーネットを含み、第１基板は金属および／またはセラミックスを含むことができる。ファラデー回転子にＢｉ置換ガーネットを用いることにより、ファラデー回転子の厚みを薄厚化することができ、光アイソレータを小型化することができるので好ましい。
【００２１】
また、本発明は、上述の光アイソレータと、プラグに対して光学的接続されるスタブと、前記プラグと前記スタブとの間の調芯を得るためのスリーブと、前記スタブに向けて光を出射する、または、前記スタブを介して導出された光を受けるための光素子と、を備えることを特徴とする光モジュールにある。上述の光アイソレータを搭載することにより、伝送特性に優れ、低コストのＬＤモジュールを提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２２】
図１は、本実施形態に係る光アイソレータＸ１を表す概略斜視図である。光アイソレータＸ１は、支持基板１０、複合素子２０および２つの磁石３０を備える。
【００２３】
支持基板１０は、複合素子２０および磁石３０を搭載して一体化するための部材であり、その形状は略矩形状である。本実施形態における支持基板１０は、第１基板１１および第２基板１２を有しており、第１基板１１と第２基板１２とが接合された構成となっている。
【００２４】
第１基板１１は、支持基板１０において、複合素子２０および磁石３０が搭載される側に位置する部位を構成するものである。第１基板１１を構成する材料としては、その熱膨張係数が後述する複合素子２０のファラデー回転子２１の熱膨張係数に近似しているものが好ましく、例えば５０Ｎｉ−Ｆｅ（熱伝導率：１６．７４Ｗ／ｍ・Ｋ）、ＳＵＳ４３０（熱伝導率：２７．２１Ｗ／ｍ・Ｋ）、ＳＵＳ３０３（熱伝導率：１６．３３Ｗ／ｍ・Ｋ）、ＳＦ２０Ｔ（熱伝導率：２６．１Ｗ／ｍ・Ｋ）などの金属が挙げられる。このような材料により構成された光アイソレータＸ１は、その光学特性の安定化を図るうえで好適である。第１基板１１を構成する材料として金属を採用した場合における第１基板１１の作製手法としては、例えば切削加工やエンドミルなどの精密加工、ＭＩＭ成型などが挙げられる。
【００２５】
第２基板１２は、支持基板１０において、例えば熱電冷却装置に対して直接的に接合される側に位置する部位を構成するものである。第２基板１２を構成する材料としては、熱電冷却装置などの搭載対象側の急激な温度変化に起因する影響が第１基板１１側に搭載されている複合素子２０に及ぶのを緩和することができる程度に熱伝導率の小さいものが好ましく、例えば石英ガラス（熱伝導率：１．９Ｗ／ｍ・Ｋ）やジルコニアセラミックス（熱伝導率：３．７７Ｗ／ｍ・Ｋ）が望ましい。
【００２６】
第１基板１１における第２基板１２との接合面、および、第２基板１２における第１基板１１との接合面には、第１基板１１と第２基板１２との接合強度を高めるべく、接合面積の増加やアンカー効果を得ることを目的とした粗面化処理、ショットブラスト処理、梨地処理などを施すことが好ましい。なお、第１基板１１と第２基板１２とを接合するための接合材としては、エポキシ樹脂などの各種樹脂、金属はんだ、低融点ガラスなどが挙げられる。
【００２７】
複合素子２０は、ファラデー回転子２１および２つの偏光子２２，２３を含んで構成される部材であり、接合材（エポキシ樹脂などの各種樹脂、金属はんだ、低融点ガラスなど）を介して支持基板１０の第１基板１１上に搭載されている。具体的には、ファラデー回転子２１に対して偏光子２２，２３が透明な接着剤（例えば、商品名：３５３−ND、エポテック製）により接着一体化されたものである。ファラデー回転子２１は、所定の磁界を印加することにより、入射される光の偏波方向を所定角度回転させる機能を担う部材であり、例えばＴｂ、Ｇｄ、Ｈｏのいずれかを添加したＢｉ置換ガーネットやＹＩＧガーネットにより構成される。ファラデー回転子２１の厚さは、例えば入射される光の偏波方向が４５°回転するように設定される。偏光子２２，２３は、所定角度の偏波方向の光を選択的に透過するための部材であり、複合素子２０においては偏光子２２の透光偏波方向と偏光子２３の透光偏波方向とは所定角度（例えば４５°）ずらして配されている。偏光子２２，２３としては、例えば誘電体粒子を内包するガラス基板や誘電体層を積層してなる積層体などが挙げられる。
【００２８】
２つの磁石３０は、複合素子２０のファラデー回転子２１に所定の磁界を印加するための部材であり、接合材（エポキシ樹脂などの各種樹脂、金属はんだ、低融点ガラスなど）を介して支持基板１０の第１基板１１上に搭載されている。磁石３０を構成する材料としては、ファラデー回転子２１に充分な飽和磁界強度を印加すべく、磁界強度の耐熱性に優れたものが好ましく、Ｓｍ−Ｃｏ系磁石やＮｄ−Ｆｅ−Ｂ系磁石などが挙げられる。なお、磁石３０の表面には、Ｎｉなどによるメッキ処理を施してもよい。このようなメッキ処理を施した磁石３０では、焼結体である本体の作製時に粉末が該本体表面に付着し、異物として光アイソレータＸ１の光路を塞ぐのを防止することができるとともに、衝突などに起因する磁石３０自体の破損を防止することができる。
【００２９】
本実施形態に係る光アイソレータＸ１では、例えば熱電冷却装置に対して直接的に接触する第２基板１２の熱伝導率が小さい。そのため、アイソレータＸ１では、該熱電冷却装置がオーバーシュートして急激な温度変化が生じた場合においても、支持基板１０を介してファラデー回転子２１に与える該温度変化の影響を緩和することができる。したがって、光アイソレータＸ１は、そのアイソレーション特性の変動を抑制することができるのである。また、光アイソレータＸ１は、１つの光アイソレータＸ１で複数波長の光源に対応することができるため、光アイソレータＸ１を備える光モジュールなど製作コストの低減を図るうえで好適である。
【００３０】
光アイソレータＸ１では、第１基板１１の構成材料として、熱膨張係数がファラデー回転子２１の熱膨張係数に近似しているものを採用することにより、温度変化時におけるファラデー回転子２１と第１基板１１との間の熱膨張係数差に起因する応力の発生を低減することができる。すなわち、光アイソレータＸ１では、ファラデー回転子２１が受ける上記応力の影響を低減することができる。したがって、光アイソレータＸ１は、そのアイソレーション特性の変動を抑制することができるのである。
【００３１】
図２は、本発明の第２の実施形態に係る光アイソレータＸ２を表す側面図である。光アイソレータＸ２は、第１基板１１の複合素子２０側の表面に複数の凸部を設ける点（図２（ａ））もしくは第１基板１１の第２基板側の表面に複数の凸部を設ける点（図２（ｂ））において、光アイソレータＸ１と異なる。光アイソレータＸ２の他の構成については、光アイソレータＸ１に関して上述したのと同様である。このような構成によると、第１基板１１と複合素子２０もしくは第１基板１１と第２基板との接触面積が小さくなるため、熱電冷却装置のオーバーシュートによって急激な温度変化が生じた場合においても、第１基板を介して複合素子２０に伝達される熱を抑制することができる。したがって、光アイソレータＸ２は、支持基板１０を介してファラデー回転子２１に与える温度変化の影響を緩和するうえで好適である。第１基板１１を構成する材料に金属を採用した場合、第１基板１１の表面における凸部の作製方法としては、例えば切削加工が挙げられる。
【００３２】
図３は、本発明の第３の実施形態に係る光アイソレータＸ３を表す側面図である。光アイソレータＸ３は、第１基板１１の複合素子２０側の表面に複数設けられた凸部１１ａ間に、第１基板１１より熱伝導率が小さい低熱伝導材を充填する点（図３（ａ））もしくは第１基板１１の第２基板側の表面に複数設けられた凸部１１ａ間に、第１基板１１より熱伝導率が小さい低熱伝導材１１ｂを充填する点（図３（ｂ））において、光アイソレータＸ２と異なる。光アイソレータＸ３の他の構成については、光アイソレータＸ２に関して上述したのと同様である。このような構成によると、第１基板１１と複合素子２０もしくは第１基板１１と第２基板との接触面積が小さくなるため、熱電冷却装置のオーバーシュートによって急激な温度変化が生じた場合においても、第１基板を介して複合素子２０に伝達される熱を抑制するという点とともに、低熱伝導材１１ｂの表面で複合素子２０もしくは第２基板を支持することができるため、第１基板１１に複合素子２０または第２基板を精度よく固定するという点においても好適である。この低熱伝導材１１ｂは、第１基板１１が例えば５０Ｎｉ−Ｆｅ（熱伝導率：１６．７４Ｗ／ｍ・Ｋ）、ＳＵＳ４３０（熱伝導率：２７．２１Ｗ／ｍ・Ｋ）、ＳＵＳ３０３（熱伝導率：１６．３３Ｗ／ｍ・Ｋ）、ＳＦ２０Ｔ（熱伝導率：２６．１Ｗ／ｍ・Ｋ）などの金属で構成されていれば、エポキシ樹脂（熱伝導率：０．１９Ｗ／ｍ・Ｋ）等の樹脂または鉛系ガラス（熱伝導率：０．９７Ｗ／ｍ・Ｋ）等の低融点ガラスが挙げられる。さらに、第１基板１１の複合素子２０側の表面に複数設けられた凸部１１ａ間に、第１基板１１より熱伝導率が小さい低熱伝導材１１ｂを充填する場合、第１基板１１と複合素子２０とを接合するための接合材が低熱伝導材１１ｂと同等の材質で構成されていれば、接合材が凸部１１ａ間に入り込むことによって第１基板１１に対して複合素子２０を強固に接合することができる。
【００３３】
図４は、本発明の第４の実施形態に係る光アイソレータＸ４を表す概略斜視図である。光アイソレータＸ４は、第１基板１１の側面を凹凸形状とする点において、光アイソレータＸ１と異なる。光アイソレータＸ２の他の構成については、光アイソレータＸ１に関して上述したのと同様である。このような構成によると、支持基板１の表面積が増加するため、第２基板１２を介して第１基板１１に伝達される熱をより効率的に放散させることができる。したがって、光アイソレータＸ４は、支持基板１０を介してファラデー回転子２１に与える温度変化の影響を緩和するうえで好適である。
【００３４】
図５は、本発明の第５の実施形態に係る光アイソレータＸ５を表す平面図である。光アイソレータＸ５は、支持基板１０の側面１０ａに対して複合素子２０の側面２０ａが４〜１０°傾斜するように支持基板１０上に配されている点において、光アイソレータＸ１と異なる。光アイソレータＸ５の他の構成については、光アイソレータＸ１に関して上述したのと同様である。このような構成の光アイソレータＸ５は、複合素子２０の側面２０ａに対して、図示しない光源から支持基板１０の側面１０ａに対して垂直に入射する光が該光源に戻り光として戻るのを防ぐうえで好適である。
【００３５】
図６は、本発明の第６の実施形態に係る光アイソレータＸ６を表す平面図である。光アイソレータＸ４は、複合素子２０として平面視で平行四辺形状のものを採用している点において、光アイソレータＸ５と異なる。光アイソレータＸ５の他の構成については、光アイソレータＸ５に関して上述したのと同様である。このような構成の光アイソレータＸ６は、光アイソレータＸ６の幅Ｗを小さくするうえで好適である。
【００３６】
図７は、本発明に係る光アイソレータＸ１を備える光モジュールＹを表す概略断面図である。光モジュールＹは、光アイソレータＸ１と、光を出力するための半導体素子（ＬＥＤやＬＤなど）４０と、半導体素子４０を搭載するためのサブマウント４１と、半導体素子４０の温度を制御するための制御手段（例えば、ＴＥＣ）４２と、半導体素子４０から出力された光を集光し且つ伝達するためのレンズ４３，４４と、光アイソレータＸ１、半導体素子、サブマウント４１、制御手段４２およびレンズ４３を収納するためのパッケージ４５と、パッケージ４５と連結するとともに、レンズ４４を保持するためのホルダ４６と、図示しない導光部材（例えば、光ファイバ）と接続するための光レセプタクル４７と、光レセプタクル４７を光軸基準で光学調芯するためのスリーブ４８とを備える。光アイソレータＸ１は、制御手段４２上に直接搭載されている。このような構成によると、伝送特性に優れ、低コストの光モジュールＹを得ることができる。
【００３７】
以上、本発明の具体的な実施形態を示したが、本発明はこれに限定されるものではなく、発明の思想から逸脱しない範囲内で種々の変更が可能である。
【００３８】
例えば、光アイソレータＸ１〜Ｘ６において、ファラデー回転子２１として自己保持力を有するものを採用する場合、２つの磁石３０を設けなくてもよい。このような構成は、光アイソレータＸ１〜Ｘ６の小型化を図るうえで好適である。
【００３９】
次に、本発明の実施例について説明する。
【実施例】
【００４０】
図１に示す光アイソレータＸ１と同様の構成の光アイソレータを作製した。作製した光アイソレータにおいては、支持基板１０の寸法は幅３ｍｍ×奥行き２ｍｍ×高さ０．４ｍｍで、材質が５０Ｎｉ−Ｆｅの第１基板１１と、寸法が幅３ｍｍ×奥行き２ｍｍ×高さ０．４ｍｍで材質がジルコニアセラミックスの第２基板１２を接合材で硬化固定した。一方、複合素子２０は光源からの出射光のビーム径がφ０．８ｍｍであるのに応じて、それを包含するために□０．９ｍｍ×厚み０．８ｍｍの直方体に切断して形成した。接合面１０ａ上にディスペンサにより接合材を滴下して、その上に複合素子２０のほぼ中央部と一致するように配置し、加熱により接合材を硬化固定した。このとき、偏光子２２の透過偏波面は支持基板１０の接合面１０ａに対して平行になるように設置する。ファラデー回転子２１に磁界を印加するための直方体形状（幅０．８ｍｍ×奥行き１．８ｍｍ×高さ１．２ｍｍ）の磁石３０はＳｍ−Ｃｏ製であり、表面にはＮｉメッキを施している。
【００４１】
同様に接合面１０ａに接合材を滴下して、その上に磁石３０４を配置し、加熱により接合材を硬化固定した。今回は熱硬化性接合材を用いたが、接合力を確保できる紫外線硬化接合材、可視硬化接合材であってもよい。
【００４２】
図８に示す光アイソレータ８０と同様の構成の光アイソレータを作製した。作製した光アイソレータにおいては、支持基板１０’の材質は５０Ｎｉ−Ｆｅであり、その他作製方法は本発明実施例と同様である。作製した図１に示す本発明の光アイソレータと、図８に示す従来の光アイソレータは、波長１５５０ｎｍに対応したものであり、各光アイソレータを図７に示すような発振波長１５３０ｎｍと１５７０ｎｍの光モジュールに搭載した。光源としてのＬＤチップの出力光を測定してリファレンスとした後、各光アイソレータの磁石３０の磁化方向ＮＳを反対となるように着磁を行って、挿入損失をアイソレーションとなるようにした。上記ＬＤチップの出力変動を抑制するためのＴＥＣ４２の温度制御による温度変化を光アイソレータに負荷し、そのときの光アイソレータからの光出力を測定してアイソレーション特性を行った。その比較結果を図１１に示す。
【００４３】
従来例の光アイソレータはＴＥＣ４２の温度制御によるオーバーシュートによる急激な温度変化、即ち＋５℃以上の変化では発振波長１５７０ｎｍのアイソレーション、−５℃以上の変化では発振波長１５３０ｎｍのアイソレーションが下限規格を下回ったが、本発明の光アイソレータはＴＥＣ４２の温度制御による温度変化に対して、アイソレーション規格下限値を満足することができ、温度変化に対して安定したアイソレーション特性を示した。
【００４４】
以上により、従来例と本実施例では、ＬＤチップの光出力と発振波長を制御するためのＴＥＣ４２の温度変化に対して、ＴＥＣ４２に接する光アイソレータの第２基板１２の熱伝導率を小さくすることにより、ＴＥＣ４２のオーバーシュートによる急激に変化する温度が光アイソレータに伝達することを遅延させることができるため、アイソレーション特性の変動を抑制する光アイソレータを提供することが可能となった。
【図面の簡単な説明】
【００４５】
【図１】本発明の第１の実施形態に係る光アイソレータの概略斜視図である。
【図２】本発明の第２の実施形態に係る光アイソレータの側面図である。
【図３】本発明の第３の実施形態に係る光アイソレータの側面図である。
【図４】本発明の第４の実施形態に係る光アイソレータの概略斜視図である。
【図５】本発明の第５の実施形態に係る光アイソレータの平面図である。
【図６】本発明の第６の実施形態に係る光アイソレータの平面図である。
【図７】図１に示す光アイソレータを備える光モジュールの断面図である。
【図８】従来の光アイソレータの概略斜視図である。
【図９】従来の光モジュールの断面図である。
【図１０】光アイソレータのアイソレーション特性の温度依存性を表す図である。
【図１１】光出力変動に伴う本発明の光アイソレータのアイソレーション変動を表す図である。
【図１２】光出力変動に伴う従来の光アイソレータのアイソレーション変動を表す図である。
【符号の説明】
【００４６】
Ｘ１〜Ｘ６    光アイソレータ
Ｙ    光モジュール
１０    支持基板
２０    複合素子
２１    ファラデー回転子
２２，２３    偏光子
【図１】
0004767026.tif 000002
【図２】
0004767026.tif 000003
【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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