(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
薄膜トランジスタで駆動される画素を有する表示領域と前記薄膜トランジスタのゲート電極につながるゲートドライバを有する非発光領域とを備えた表示装置の製造方法であって、
テンションを印加してフレームに固定されたマスクをガラス母基板に密着させる密着工程と、
蒸着源からの蒸気を前記マスクに設けた開孔パターンを通して前記ガラス母基板に蒸着させる蒸着工程を有し、
前記密着工程と前記蒸着工程をカラー画素の色毎に行い、
前記蒸着工程では、前記表示領域に前記カラー画素を形成し、前記非発光領域の前記ゲートドライバ上、かつ前記表示領域の左又は右にカラー画素複数列分の有機層を形成することを特徴とする表示装置の製造方法。
【請求項２】
請求項1において、
前記表示領域の左又は右にカラー画素３列分の有機層を形成して前記非発光領域とすることを特徴とする表示装置の製造方法。
【請求項３】
表示に寄与する表示画素が２次元配列された表示領域と、前記表示領域の外周に形成された表示に寄与しないダミー画素を有する非表示領域とを備えた表示装置の製造方法であって、
テンションを印加してフレームに固定されたマスクをガラス母基板に密着させる密着工程と、
蒸着源からの蒸気を前記マスクに設けた開孔パターンを通して前記ガラス母基板に蒸着させる蒸着工程を有し、
前記密着工程と前記蒸着工程をカラー画素の色毎に行い、
前記蒸着工程では、前記表示領域と前記非発光領域とに蒸着させて前記カラー画素と前記ダミー画素を同時に形成し、
前記表示画素をカラー画素で構成し、
前記ダミー画素を、前記カラー画素を構成する有機層と同じ有機層で形成し、
前記表示領域の左又は右のゲートドライバ上にカラー画素複数列分のダミー画素を配置することを特徴とする表示装置の製造方法。
【請求項４】
請求項3において、
前記表示領域の左又は右にカラー画素３列分以上のダミー画素を配置することを特徴とする表示装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、自発光型の表示装置の製造方法に関するが、特に蒸着マスクを用いて形成した有機発光層を有する有機エレクトロルミネッセンス型の表示装置の製造方法に好適なものである。
【背景技術】
【０００２】
ノート型コンピユータやディスプレイモニター用の高精細かつカラー表示が可能な表示装置として液晶パネルを用いた表示装置が実用化されているが、この外に有機発光材料あるいは無機発光材料を発光層とした表示装置が実用化または実用化のための研究がなされている。本発明は、有機エレクトロルミネッセンス（有機ＥＬ）や無機ＥＬの発光層を有する表示装置の当該発光層の形成に限らず、電界放出型表示装置（ＦＥＤ）やプラズマ型表示装置（ＰＤＰ）などの自発光型表示装置における蛍光体形成にも同様に適用できるが、以下では、有機ＥＬ表示装置を例として説明する。
【０００３】
有機ＥＬは下層電極と上層電極で有機発光層を挟み、上下の電極から供給される電流で該有機発光層が発光する現象である。この発光現象を利用した有機ＥＬ表示装置は、多数の画素をマトリクス状に配置して２次元画像を表示するものであり、駆動方式により単純マトリクス型とアクティブ・マトリクス型とに分類される。単純マトリクス型は、絶縁基板の主面の一方向に延在してほぼ平行に並設された多数の走査線と、該一方向と交叉する他方向に延在してほぼ平行に並設された多数の信号線との各交叉部に有機発光層を介在させて画素を形成したものである。
【０００４】
一方、アクティブ・マトリクス型の表示装置は、絶縁基板の主面の一方向に延在して並設された多数の走査線と、該一方向と交叉する他方向に延在して並設された多数の信号線、および電源線を備え、走査線と信号線との各交叉部に薄膜トランジスタ等のアクティブ素子（スイッチング素子、以下薄膜トランジスタと言う）を有し、この薄膜トランジスタで駆動される下層電極（画素電極）と前記信号線から供給される表示信号に応じた電流を供給する前記電源線に接続した上層電極との間に有機発光層（以下、ＯＬＥＤとも称する）を介在させて構成される。アクティブ・マトリクス型の有機ＥＬ表示装置は、画素間のクロストークがなく、高精細で多階調表示が可能である。
【０００５】
図１１は有機ＥＬ表示装置の一画素付近の構成例を模式的に説明する断面図である。図１１に示した有機ＥＬ表示装置はアクティブ・マトリクス型であり、ガラスを好適とする透明なメイン基板ＳＵＢ１の主面（内面）に薄膜トランジスタＴＦＴを有し、この薄膜トランジスタＴＦＴで駆動される一方の電極（ここでは陽極）ＡＤと、他方の電極（ここでは陰極）ＣＤの間に有機発光層ＯＬＥを挟んで発光部を構成している。なお、薄膜トランジスタＴＦＴは、ポリシリコン半導体層ＰＳＩ、ゲート絶縁層ＩＳＩ、ゲート線（ゲート電極）ＧＬ、ソース・ドレイン電極ＳＤ、層間絶縁層ＩＳ２、ＩＳ３で構成される。
【０００６】
画素電極である陽極ＡＤは、パッシベーション層ＰＳＶの上層に成膜された透明導電層ＩＴＯで構成され、パッシベーション層ＰＳＶと層間絶縁層ＩＳ３に開けたコンタクトホールでソース・ドレイン電極ＳＤに電気的に接続されている。また、有機発光層ＯＬＥは陽極ＡＤ上に塗布した絶縁層で構成されたバンクＢＮＫで囲まれた凹部に蒸着、あるいはインクジェット等の塗布手段で形成される。そして、この有機発光層ＯＬＥとバンクＢＮＫを覆って陰極ＣＤがアルミニウム薄膜やクロム薄膜などの導電性のベタ膜で形成されている。
【０００７】
この有機ＥＬ表示装置は、所謂ボトムエミッション型と称するものであり、発光層からの発光光Ｌはメイン基板ＳＵＢ１の表面から外部に矢印で示したように出射される。したがって、陰極ＣＤは光反射能を有するものとされる。メイン基板ＳＵＢ１の主面側には、封止缶とも称される封止ガラス基板ＳＵＢ２が貼り合わされ、図示しない周辺部を周回するシール内部を真空状態に封止される。
【０００８】
図１２は有機ＥＬ表示装置の全体構成例の説明図である。図１１で説明した構成を有する画素ＰＸをマトリクス状に配置して２次元の表示装置を構成している。各画素は第１の薄膜トランジスタＴＦＴ１と第２の薄膜トランジスタＴＦＴ２およびコンデンサＣｓ並びに有機ＥＬ素子ＯＬＥＤで構成される。有機ＥＬ素子ＯＬＥＤは図１１で説明した構造の画素を構成する。表示領域ＡＲ内には、各画素に駆動信号を供給するためのドレイン線ＤＬとゲート線ＧＬとが交差配置されている。メイン基板ＳＵＢ１の一部は封止ガラス基板ＳＵＢ２よりサイズが大きく、封止ガラス基板ＳＵＢ２からはみ出している。このはみ出し部分にドレインドライバＤＤＲが搭載され、ドレイン線ＤＬに表示信号を供給する。
【０００９】
一方、ゲートドライバＧＤＲは封止ガラス基板ＳＵＢ２で覆われるメイン基板ＳＵＢ１上に、所謂システム・オン・グラスと称する形態で直接形成されている。このゲートドライバＧＤＲにゲート線ＧＬが接続されている。なお、表示領域ＡＲには電源線ＣＬが配置されている。この電源線ＣＬは電源線バス線を介して図示しない端子で外部電源に接続している。
【００１０】
ゲート線ＧＬは画素ＰＸを構成する第１の薄膜トランジスタＴＦＴ１のソース・ドレイン電極の一方（ここではゲート電極）に接続し、ドレイン線ＤＬはソース・ドレイン電極の一方（ここではソース電極）に接続している。この第１の薄膜トランジスタＴＦＴ１は、画素ＰＸに表示信号を取り込むためのスイッチであり、ゲート線ＧＬで選択されてオンとなったときドレイン線ＤＬから供給される表示信号に応じた電荷を容量Ｃｓに蓄積する。第２の薄膜トランジスタＴＦＴ２は、第１の薄膜トランジスタＴＦＴ１がオフした時点でオンとなり、容量Ｃｓに蓄積された表示信号の大きさに応じた電流を電源線ＣＬから有機ＥＬ素子ＯＬＥＤに供給する。有機ＥＬ素子ＯＬＥＤは供給された電流量に応じて発光する。
【００１１】
この有機ＥＬ表示装置の画素を構成する有機ＥＬ素子ＯＬＥＤの形成方法には、様々な方法があるが、その一つに蒸着を用いる方法が知られている。この蒸着は、画素毎に開孔を有する蒸着マスク（以下、単にマスクとも称する）を用いてＯＬＥＤを画素領域に蒸着するものである。ここでは、有機ＥＬ表示装置が大サイズの一枚のガラス母基板から比較的小サイズの複数枚の表示用基板（以下パネルとも称する）を製作する場合について説明するが、一枚のガラス母基板から一枚のパネルを製作するものにも同様に適用される。
【００１２】
なお、ＯＬＥＤの形成とその蒸着マスクを開示したものとしては、例えば特許文献１を挙げることができる。
【特許文献１】特開２００２−２９９０５１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１３】
大サイズの一枚のガラス母基板から複数枚の小サイズのパネルを製作する場合に、各パネルの画素領域にＯＬＥＤを蒸着する蒸着マスク（以下、単にマスクとも称する）はガラス母基板全体を覆う大きさのマスク部と、マスク部の周囲を固定して保持する枠体（フレームとも称する）とから構成される。マスク部には上記した複数枚のパネル毎の開孔領域が配列され、各開孔領域には各パネルに形成される多数の画素に相当した多数の開孔パターン（マスクパターンとも称する）を有している。そして、この開孔を有して複数の領域を持つマスク部は、テンションをかけてフレームに固定される。このテンションの印加が各開孔領域に有する開孔の形状を変形させる場合がある。
【００１４】
画素領域にＯＬＥＤを蒸着するプロセスでは、このマスクのマスク部をガラス母基板に密着させて蒸着源（ＯＬＥＤ材料の蒸着源）からのＯＬＥＤ蒸気を開孔を通して所定の画素領域の画素毎に蒸着する。したがって、蒸着プロセス中では、このマスクは蒸着源から常に加熱されている。その結果、各領域に有する開孔の形状が変形する場合がある。
【００１５】
さらに、蒸着対象であるガラス母基板を交換する毎に、常温等、蒸着雰囲気とは相対的に低温である当該ガラス母基板によりマスク部が冷却（接触冷却）される。その結果、各領域に有する開孔の形状が変形する場合がある。
【００１６】
このように、フレームでマスク部を固定した蒸着用のマスクにおいて、当該マスク部には常にテンションが印加された状態で熱膨張と熱収縮による応力が繰り返し印加される。その結果として、開孔の形状に変形が生じる。開孔の形状が変形すれば、画素に蒸着されるＯＬＥＤの蒸着位置あるいは形状も変形を受ける。
【００１７】
これらの変形は、特に各領域内の外側に位置する開孔において大きい。開孔形状の変形は蒸着されるＯＬＥＤの位置精度の低下をもたらし、画素の配置精度が劣化し、品質低下の原因となる。これを解消するのが課題の一つとなっている。
【００１８】
本発明は、上記した課題を解消して高品質の画像表示を可能とした表示装置を実現することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１９】
マスク部をテンションを印加してフレームに固定する工程で生じる応力（引っ張り応力）を吸収し、開孔パターン（マスクパターン）の変形によるパターン精度劣化を抑制する引っ張り応力吸収孔を設ける。このマスクを用いて、表示に寄与する多数の画素を二次元配列した表示領域と、この表示領域の外周に形成されて表示に寄与しない複数のダミー画素からなる非表示領域とを形成する。画素と前記ダミー画素には、共に同一の発光層が蒸着されている。
【００２０】
マスク部に形成する開孔の形状を画素とダミー画素とで異ならせることで、画素を配置した表示領域の回りに形成するダミー画素列を画素と異なる形状とすることもできる。なお、ダミー画素の下層に所謂システム・オン・グラス（チップ・オン・グラス）で形成した駆動回路があってもよい。また、このような駆動回路がないものでは、画素と同じような薄膜トランジスタや下層の電極をダミー画素として形成してもよい（この場合、上層の電極を形成しないことでダミー画素は発光に寄与しないようにする。
【００２１】
なお、本発明は上記の構成および後述する実施例の構成に限定されるものではなく、本発明の技術思想を逸脱することなく種々の変更が可能である。
【発明の効果】
【００２２】
本発明によれば、蒸着用のマスク部に有する画素用の開孔は、該マスク部をフレームに固定する際に印加するテンションによって変形し難くなり、表示領域の画素に蒸着されるＯＬＥＤの位置精度が向上し、高品質の画像表示が可能な表示装置を得ることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２３】
以下、本発明の表示装置の実施の形態について、実施例の図面を参照して詳細に説明する。なお、以下では本発明を有機ＥＬ表示装置に適用したものについて説明する。
【００２４】
図１は本発明による有機ＥＬ表示装置の発光層を製作するための蒸着用のマスクの構成例を説明する模式図である。図１（ａ）は平面図、図１（ｂ）は図１（ａ）のＡ−Ａ’線に沿った断面図である。なお、図１（ｃ）は有機ＥＬ表示装置を構成するガラス母基板ＭＧＰを示す。このマスクＭＳＫはマスク部ＭＳＳとフレームＦＬＭで構成される。マスク部ＭＳＳとフレームＦＬＭは共に鉄系金属で形成される。
【００２５】
マスク部ＭＳＳは板厚が、例えば１０μｍ〜１００μｍ程度の薄板に複数枚の小サイズのパネルを製作するための複数の開孔領域ＡＲが配置されている。このマスク部ＭＳＳはテンションをかけてフレームＦＬＭに固定される。フレームＦＬＭの板厚は、例えば５ｍｍ〜１０ｍｍである。このマスクＭＳＫはガラス母基板ＭＧＰ全体を覆う大きさを有している。そして、マスク部ＭＳＳの内側の蒸着領域ＭＲには、ブリッジＢＲＧで連結された複数枚のパネル毎の開孔領域ＡＲを有し、各開孔領域ＡＲには各パネルに形成される多数の画素に相当した画素用開孔パターンＤＡＲが形成されている。そしてさらに、この画素に相当した多数の画素用開孔パターンＤＡＲの周囲には、表示に寄与しないダミー画素に対応したダミー画素用開口パターンＮＡＲが形成されている。
【００２６】
画素領域に３色のＯＬＥ材料を蒸着するプロセスでは、それぞれの色毎に用意したマスクＭＳＫのマスク部ＭＳＳをガラス母基板ＭＧＰに密着させて蒸着源（ＯＬＥＤ材料の蒸着源）からの３色のＯＬＥ蒸気をそれぞれのマスクの開孔パターンＤＡＲ、ＮＡＲの開孔を通して所定の画素領域の画素およびダミー画素に蒸着する。なお、色毎にマスクを用意せずに、１枚のマスクを色毎にずらして蒸着する方法もある。
【００２７】
マスクＭＳＫは、テンションを加えてフレームＦＬＭに固定される。そして、前記したように、ＯＬＥの蒸着プロセスで加熱と冷却が繰り返される。その結果、開孔領域ＡＲの外側に位置する開孔部分に応力が集中し、開孔に変形が発生する。この応力による開孔形状の変形は開孔領域ＡＲの最外周から内側に行く程少なくなる。したがって、開孔領域ＡＲの最外周から十分な距離の開孔では、この変形を無視することが可能となる。
【００２８】
このような多数の開孔を形成した３色のＯＬＥ蒸着用マスクにおいて、上記した変形を無視できる十分な距離は下記のように解析できる。すなわち、
Ｌ１＝ＤＰ／Ｔｈ  ・・・・・（１）
Ｌ２＝３×ＤＰ    ・・・・・（２）
Ｌ２≦Ｌ０≦Ｌ１  ・・・・・（３）
但し、Ｌ１：マスク精度確保に必要な第１距離
Ｌ２：マスク精度確保に必要な第２距離
Ｌ０：マスク精度確保に必要な距離の最適値
ＤＰ：マスクの開孔ピッチ（ｍｍ）
Ｔｈ：マスク板厚
である。
【００２９】
上記式（３）によれば、開孔ピッチの３倍程度の距離を確保すれば、マスク開孔のピッチ精度を確保することが可能な領域になることが分る。すなわち、図１に示したダミー画素の最低必要な領域は各色について３個ずつ必要となる。このダミー画素領域（ダミー蒸着領域）を少なくすると開孔精度が低下し、大サイズのパネルのマスクでは開孔の変形がより大きくなる。
【００３０】
図２は本発明の有機ＥＬ表示装置のパネルとなるメイン基板の平面図である。以下の各実施例の説明では、蒸着マスクの構成を、この蒸着マスクで蒸着されたメイン基板上の画素およびダミー画素で説明する。ここで、画素とは表示に寄与する発光画素、ダミー画素は表示には寄与しない非発光画素を意味する。以下、蒸着マスクの画素用開孔パターンとダミー画素用開孔パターンを、メイン基板上に蒸着された各対応する画素およびダミー画素で説明する。
【実施例１】
【００３１】
図３は本発明の実施例１を説明するための図２のＢで示した隅部におけるＯＬＥ蒸着パターンの平面図である。本実施例の表示装置は、その３色（Ｒ，Ｇ，Ｂ）の画素がＸ方向とＹ方向に整列した画素パターンを有する。図３において、ＤＡＲＲは図１に示したマスクの画素用開孔パターンでＯＬＥ材料が蒸着された画素からなる有効表示領域、ＮＡＲＲは同じくダミー画素用開孔パターンＮＡＲでＯＬＥ材料が蒸着されたダミー画素からなる非発光領域である。有効表示領域ＤＡＲＲは３色の画素Ｒ，Ｇ，Ｂで１カラー画素が構成されている。
【００３２】
本実施例では、非発光領域ＮＡＲＲはＸ方向とＹ方向の両方に各色が３個宛に形成されている。すなわち、Ｘ方向に各色毎に３個すなわち３つのカラーダミー画素の領域（Ｘ−１，Ｘ−２，Ｘ−３）が配列され、Ｙ方向にも各色毎に３個のダミー画素の領域（Ｙ−１，Ｙ−２，Ｙ−３）が配置されている。この有効表示領域および非発光領域の画素およびダミー画素に対応した開孔が蒸着マスクに形成されている。
【００３３】
ここで、領域Ｘ−１および領域Ｙ−１に対応する開孔は、（１）マスク原板製作精度の向上のための予備開孔と（２）マスクをフレームに固定する時のテンション印加による画素用開孔パターンの開孔精度の劣化抑制のための開孔との２つの役割を持つ。また、領域Ｘ−２および領域Ｙ−２に対応する開孔は、領域Ｘ−１，Ｙ−１と組み合わせてマスク部をフレームに固定する際のテンションによる画素用開孔パターンの開孔精度の劣化を抑制する。
【００３４】
領域Ｘ−１，Ｘ−２および領域Ｙ−１，Ｙ−２に対応する開孔は、当該領域内のダミー画素用開孔を積極的に変形させることにより、有効表示領域ＤＡＲＲ内の画素Ｒ，Ｇ，ＢにＯＬＥを蒸着するための画素用開孔パターンＤＡＲ（図１）に過大な応力が伝播するのを抑制し、有効表示領域ＤＡＲＲ内の画素用開孔パターンＤＡＲの開孔精度を維持させる役割を持つ。
【００３５】
そして、領域Ｘ−３および領域Ｙ−３に対応する開孔は、マスクの熱容量の比較的小さい部分（有効表示領域ＤＡＲＲ）と熱容量の比較的大きい部分（ダミー画素用開孔パターンの領域Ｘ−２，Ｘ−１、Ｙ−２，Ｙ−２、およびその外側に対応）の間に位置して、上記領域Ｘ−２および領域Ｙ−２に対応する開孔よる効果と併せて、蒸着プロセス中の温度変化でマスクＭＳＫに発生する応力を吸収し、有効表示領域ＤＡＲＲの画素に対応する画素用開孔の形状精度劣化を抑制して、所謂動的精度を向上する。
【００３６】
本実施例により、（１）有機ＥＬの画素にＯＬＥを蒸着するための蒸着マスクの動的精度が向上し、開孔の形状や面積の変形ばらつきが向上する（ダミー画素用開孔パターンを有しない場合の変形ばらつきが例えば±１０μｍであったものが、本実施例では±５μｍとなった）。また、蒸着マスクの開孔パターンを、製品に必要な領域とマスク精度確保に必要な領域に分類して設計し、製作することができるため、特に量産用の蒸着マスク固体差を縮小できる。
【００３７】
この蒸着マスクを用いることにより、表示装置の有効表示領域の最外周の画素に多く発生するＯＬＥの蒸着精度劣化が回避され、歩留りが向上し、高精細、大画面の表示装置を実現できる。
【実施例２】
【００３８】
図４は本発明の実施例２を説明するための図２のＢで示した隅部におけるＯＬＥ蒸着パターンの平面図である。図４において、図３と同一参照符号は同一機能部分に対応する。ここでは、本実施例が実施例１と異なる構成とその効果についてのみ説明する。本実施例の表示装置は、その３色（Ｒ，Ｇ，Ｂ）の画素のそれぞれがＸ方向とＹ方向に千鳥状に配列した画素パターンを有する。この実施例でも、有効表示領域ＤＡＲＲの外側に非発光領域ＮＡＲＲを有する。すなわち、蒸着マスクには、図４に示したような画素を蒸着する画素用開孔パターンおよびダミー画素を蒸着するダミー画素用開孔パターンを有する。
【００３９】
図４の画素およびダミー画素を蒸着する蒸着マスクの非発光領域ＮＡＲＲに対応する開孔パターンは、図３と同様に領域Ｘ−１，Ｙ−１、領域Ｘ−２，Ｙ−２、領域Ｘ−３，Ｙ−３で構成されている。これらの各領域の役割と効果は実施例１と同様であるので、繰り返しの説明はしない。
【００４０】
本実施例によっても、実施例１と同様に、有機ＥＬの画素にＯＬＥを蒸着するための蒸着マスクの動的精度が向上し、開孔の形状や面積の変形ばらつきが向上する。また、蒸着マスクの開孔パターンを、製品に必要な領域とマスク精度確保に必要な領域に分類して設計し、製作することができるため、特に量産用の蒸着マスク固体差を縮小できる。そして、この蒸着マスクを用いることにより、表示装置の有効表示領域の最外周の画素に多く発生するＯＬＥの蒸着精度劣化が回避され、歩留りが向上し、高精細、大画面の表示装置を実現できる。
【実施例３】
【００４１】
図５は本発明の実施例３を説明するための図２のＢで示した隅部におけるＯＬＥ蒸着パターンの平面図である。図５において、図３〜図４と同一参照符号は同一機能部分に対応する。本実施例では、画素およびダミー画素はＹ方向に延在し、Ｘ方向に並設されたストライプ状である。そして、Ｘ方向では、それぞれ３色のストライプで構成される領域Ｘ−１，Ｘ−２，Ｘ−３を有し、Ｙ方向には前記した実施例１および実施例２におけるＹ−１，Ｙ−２，Ｙ−３の全領域に相当する長さの領域Ｙ−１のみを有する。この領域Ｙ−１のＹ方向長さは、前記実施例１で説明した応力の全てを吸収するのに十分な長さ（例えば、画素ストライプのピッチの３倍程度）があればよい。以下、これについて説明する。
【００４２】
図５において、
画素ストライプのＸ方向ピッチ（例えば、Ｇストライプから次のＧストライプまでの距離）をＰｘ、画素ストライプのＹ方向ピッチをＰｙ、有機ＥＬ表示装置の対角サイズを公称Ｄインチとしたとき、
Ｐｘ＝２１０μｍ
Ｐｙ＝７０μｍ
Ｄ＝３．５インチ（８．８９ｍｍ）
の設計に対し、下記Ａ，Ｂ２つの仕様の蒸着マスクで表示装置を試作し、これを検証したところ、同表１に示す効果が確認された。
【００４３】
Ａ仕様
（領域Ｘ−１）＋（領域Ｘ−２）＋（領域Ｘ−３）＝６３０μｍ・・・有効表示領域ＤＡＲＲから非発光領域ＮＡＲＲに３ピッチ分
（Ｙ−１）＝２００μｍ・・・Ｙ方向の画素ピッチの約３倍
Ｂ仕様
（領域Ｘ−１）＋（領域Ｘ−２）＋（領域Ｘ−３）＝２１０μｍ・・・有効表示領域ＤＡＲＲから非発光領域ＮＡＲＲに１ピッチ分
（Ｙ−１）＝１００μｍ
【００４４】
【表１】
0004630535.tif 000002
本実施例では、マスクＭＳＫのマスク部ＭＳＳはフレームＦＬＭのＹ方向にタンションを加えて固定される。実施例１〜実施例２と同様に、有機ＥＬの画素にＯＬＥを蒸着するための蒸着マスクの動的精度が向上し、開孔の形状や面積の変形ばらつきが向上する。また、蒸着マスクの開孔パターンを、製品に必要な領域とマスク精度確保に必要な領域に分類して設計し、製作することができるため、特に量産用の蒸着マスク固体差を縮小できる。そして、この蒸着マスクを用いることにより、表示装置の有効表示領域の最外周の画素に多く発生するＯＬＥの蒸着精度劣化が回避され、歩留りが向上し、高精細、大画面の表示装置を実現できる。
【実施例４】
【００４５】
図６は本発明の実施例４を説明するための図２のＢで示した隅部におけるＯＬＥ蒸着パターンの平面図である。図６において、前記実施例の図面と同一参照符号は同一機能部分に対応する。本実施例は、前記した実施例１の変形に相当し、蒸着マスクの精度劣化の要因の多くがマスク部をフレームに固定する際に印加されるテンションである場合の構成例である。この場合、非発光領域ＮＡＲＲの最外周の領域Ｘ−１と領域Ｙ−１を大きく設計し、当該領域Ｘ−１と領域Ｙ−１の前記実施例１で説明した効果を強調する。領域Ｘ−２，Ｘ−３と領域Ｙ−２，Ｙ−３は実施例１と同様とする。これにより、有効表示領域ＤＡＲＲの画素の蒸着精度が向上する。
【００４６】
この場合、非発光領域への蒸着面積が広くなり、有効表示領域の外周に広い蒸着面積が必要となる。このような広い蒸着面積を有効表示領域の外周に確保することが困難な場合は、領域Ｘ−１と領域Ｙ−１の各ダミー画素に対応する開孔を細くして数を増加する等、実質的な蒸着面積を少なくする設計も考えられる。
【実施例５】
【００４７】
図７は本発明の実施例５を説明するための図２のＢで示した隅部におけるＯＬＥ蒸着パターンの平面図である。図７において、前記実施例の図面と同一参照符号は同一機能部分に対応する。本実施例は、前記した実施例３の変形に相当し、Ｙ方向の領域Ｙ−１はＹ方向の画素ピッチＰｙの２倍以上とする。図５におけるＸ方向の領域Ｘ−１，Ｘ−２，Ｘ−３はストライプ幅を縮小（マスクのスリット幅を縮小）して、領域Ｘ−４を増設したものである。
【００４８】
これにより、マスク部をフレームに固定する際の印加されるテンションに起因する大きな応力を領域Ｘ−１，Ｘ−２，Ｘ−３によって吸収し、その他の応力を領域Ｘ−４から外側の領域（Ｘ−１，Ｘ−２，Ｘ−３，Ｘ−４）で吸収する。その結果、有効表示領域ＤＡＲＲ内の画素に蒸着されるＯＬＥの蒸着精度を確保する。この場合、応力吸収を行う領域が狭くなるため、領域Ｘ−１，Ｘ−２，Ｘ−３，Ｘ−４に渡るストライプに対応するスリットの幅、形状変形（応力を吸収したことによる作用）入力よる影響を有効表示領域ＤＡＲＲ内の画素に対応する開孔パターンは受けないように設計する。
【実施例６】
【００４９】
図８は本発明の実施例６を説明するための図２のＢで示した隅部におけるＯＬＥ蒸着パターンの平面図である。図８において、前記実施例の図面と同一参照符号は同一機能部分に対応する。本実施例は、メイン基板にダミー画素の蒸着面積が十分に確保できない場合に有効であり、また実施例２の変形に相当する。本実施例における蒸着マスクは、表示装置の非発光領域ＮＡＲＲに設けるダミー画素を蒸着するための領域Ｘ−３とＸ−２は図４と同じである。そして、領域Ｘ−３は領域Ｘ−２とは間隔を開けて、かつ図７の領域Ｘ−１と同様のパターンとしている。Ｙ方向では、領域Ｙ−３とＹ−２は図４と同様で、領域Ｙ−１はＹ方向の１画素ピッチ分となっている。
【００５０】
本実施例では、有効表示領域ＤＡＲＲと表示発光領域の領域Ｘ−３，Ｘ−２の一部に対応する開孔の領域Ｘ−１を領域Ｘ−３，Ｘ−２に対して該有効表示領域ＤＡＲＲから離れた場所に形成した。なお、領域Ｘ−１を隣接するパネルの非発光領域ＮＡＲＲに設けるダミー画素の同じ領域Ｘ−１の蒸着マスクの開孔に共用することもできる。
【００５１】
本実施例によっても、有機ＥＬの画素にＯＬＥを蒸着するための蒸着マスクの動的精度が向上し、開孔の形状や面積の変形ばらつきが向上する。また、蒸着マスクの開孔パターンを、製品に必要な領域とマスク精度確保に必要な領域に分類して設計し、製作することができるため、特に量産用の蒸着マスク固体差を縮小できる。そして、この蒸着マスクを用いることにより、表示装置の有効表示領域の最外周の画素に多く発生するＯＬＥの蒸着精度劣化が回避され、歩留りが向上し、高精細、大画面の表示装置を実現できる。
【００５２】
図９は本発明による表示装置の要部構造例を模式的に説明する平面図である。この表示装置は、画素に有機ＥＬ素子を用いた有機ＥＬ表示装置であり、メイン基板ＳＵＢ１の主面の一方向に多数の走査線が延在して並設され、該一方向と交叉する他方向に多数の信号線が延在して並設されている。なお、図１２で説明した電源線は図示を省略してある。走査線ＧＬと信号線ＤＬとの各交叉部には薄膜トランジスタを有する画素（Ｒ，Ｇ，Ｂ）が配置されている。そして、メイン基板ＳＵＢ１は、その一部を残してガラス製の封止缶ＳＵＢ２で覆われて外部環境からの水分等の侵入を遮断するように封止剤ＳＬで密封封止されている。
【００５３】
各画素は薄膜トランジスタで駆動される画素電極と信号線ＤＬから供給される表示信号に応じた電流を供給する前記電源線に接続した上層電極との間に有機発光層（ＯＬＥ）を介在させて発光素子を構成している。メイン基板ＳＵＢ１の封止缶ＳＵＢ２で覆われていない部分にはドレインドライバＤＤＲ（半導体チップ）が搭載され、ドレイン線ＤＬに表示信号を供給する。
【００５４】
一方、ゲートドライバＧＤＲは封止ガラス基板ＳＵＢ２で覆われるメイン基板ＳＵＢ１上の非発光領域ＮＡＲＲに、所謂システム・オン・グラスと称する形態で直接形成されている。このゲートドライバＧＤＲにゲート線ＧＬが接続されている。また、有効表示領域ＤＡＲＲに配設された電源線（図示せず）は選択された画素の有機ＥＬ素子を発光させるための電流を供給する。
【００５５】
図１０は図９のＢ−Ｂ’線に沿った断面図である。メイン基板ＳＵＢ１の有効表示領域ＤＡＲＲには表示用の画素が形成されている。この画素は薄膜トランジスタＴＦＴで駆動される一方の電極である陽極ＡＤと有機ＥＬ層ＯＬＥ、および他方の電極である陰極ＣＤの積層で構成された発光層を有する。そして、非発光領域ＮＡＲＲにはダミー画素が形成されている。このダミー画素は、ゲート駆動回路ＧＤＲの上層に形成されており、単にバンクＢＮＫのみをダミー画素位置に有している。
【００５６】
なお、ダミー画素の部分にも陽極があってもよい。また、ゲート駆動回路をドレイン駆動回路と同様の半導体チップとして搭載するものいでは、ダミー画素の位置にも画素と同等の薄膜トランジスタや陽極を形成し、陰極のみを形成しないようにすることでも非発光とすることができる。
【００５７】
画素およびダミー画素のそれぞれは、隣接する画素あるいはダミー画素の間をバンクＢＮＫで区画されている。図１０の例では、バンクＢＮＫは陽極ＡＤと陰極ＣＤの間を絶縁する絶縁層で形成されている。前記した各実施例において、蒸着マスクによりＯＬＥを画素とダミー画素に蒸着する際、当該蒸着されたＯＬＥ材料が隣接する画素あるいはダミー画素に流れ出すのをこのバンクＢＮＫが阻止する。これにより、有効表示領域ＤＡＲＲでの色同士の混じり合いが防止され、色純度が確保される。また、非発光領域ＮＡＲＲでは、蒸着されたＯＬＥ材料がダミー画素から周囲に漏れ出して不所望な発光源となるのが防止される。
【産業上の利用可能性】
【００５８】
本発明は、有機ＥＬを発光層としたものに限らず、無機ＥＬ材料の発光層を有するエレクトロルミネッセンス表示装置にも適用でき、また、電界放出型表示装置（ＦＥＤ）やプラズマ型表示装置（ＰＤＰ）などの自発光型表示装置における蛍光体形成にも同様に適用できる。
【図面の簡単な説明】
【００５９】
【図１】本発明による有機ＥＬ表示装置の発光層を製作するための蒸着用のマスクの構成例を説明する模式図である。
【図２】本発明の有機ＥＬ表示装置のパネルとなるメイン基板の平面図である。
【図３】本発明の実施例１を説明するための図２のＢで示した隅部におけるＯＬＥ蒸着パターンの平面図である。
【図４】本発明の実施例２を説明するための図２のＢで示した隅部におけるＯＬＥ蒸着パターンの平面図である。
【図５】本発明の実施例３を説明するための図２のＢで示した隅部におけるＯＬＥ蒸着パターンの平面図である。
【図６】本発明の実施例４を説明するための図２のＢで示した隅部におけるＯＬＥ蒸着パターンの平面図である。
【図７】本発明の実施例５を説明するための図２のＢで示した隅部におけるＯＬＥ蒸着パターンの平面図である。
【図８】本発明の実施例６を説明するための図２のＢで示した隅部におけるＯＬＥ蒸着パターンの平面図である。
【図９】本発明による表示装置の要部構造例を模式的に説明する平面図である。
【図１０】図９のＢ−Ｂ’線に沿った断面図である。
【図１１】有機ＥＬ表示装置の一画素付近の構成例を模式的に説明する断面図である。
【図１２】有機ＥＬ表示装置の全体構成例の説明図である。
【符号の説明】
【００６０】
ＭＧＰ・・・ガラス母基板、ＭＳＫ・・・マスク（蒸着マスク）、ＭＳＳ・・・マスク部、ＦＬＭ・・・フレーム、ＡＲ・・・開孔領域、ＤＡＲ・・・画素用開孔パターン、ＮＡＲ・・・ダミー画素用開孔パターン、ＭＲ・・・蒸着領域、ＳＵＢ１・・・メイン基板、ＳＵＢ２・・・封止缶（封止ガラス基板）、ＰＸ・・・画素、ＤＡＲＲ・・・有効表示領域、ＮＡＲＲ・・・非発光領域。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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