(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
回転状態の基板に純水を供給して、基板に付着している残留物を純水で洗い流す純水リンス処理工程と、
純水が付着している基板に水溶性アルコールを供給する水溶性アルコール供給工程と、
前記水溶性アルコール供給工程に引き続いて、水溶性アルコールの供給を停止して基板上に水溶性アルコールが液膜を形成して滞留した状態を維持する水溶性アルコールパドル工程と、
前記水溶性アルコールパドル工程に引き続いて、基板の回転速度を上昇させて、基板上の水溶性アルコールを振り切るスピンドライ処理工程とを含むことを特徴とする、基板処理方法。
【請求項２】
前記純水リンス処理工程に引き続いて、基板上に純水が液膜を形成して滞留した状態を維持する純水パドル工程をさらに含み、
前記水溶性アルコール供給工程は、前記純水パドル工程に引き続いて行われることを特徴とする、請求項１記載の基板処理方法。
【請求項３】
前記水溶性アルコール供給工程は、前記純水リンス処理工程の終了前に開始されることを特徴とする、請求項１記載の基板処理方法。
【請求項４】
前記純水リンス処理工程に先立って、回転状態の基板に薬液を供給して、基板に対して薬液による処理を実施する薬液処理工程をさらに含み、
前記純水リンス処理工程は、前記薬液処理工程後の基板に付着している薬液を純水で洗い流す工程であることを特徴とする、請求項１ないし３のいずれかに記載の基板処理方法。
【請求項５】
前記薬液は、ふっ酸であることを特徴とする、請求項４記載の基板処理方法。
【請求項６】
前記純水リンス処理工程は、疎水性を示す基板の表面に純水を供給して、基板の表面に付着している残留物を純水で洗い流す工程であることを特徴とする、請求項１ないし５のいずれかに記載の基板処理方法。
【請求項７】
基板をほぼ水平に保持する基板保持手段と、
前記基板保持手段に保持された基板を回転させる基板回転手段と、
前記基板保持手段に保持された基板に純水を供給する純水供給手段と、
前記基板保持手段に保持された基板に水溶性アルコールを供給する水溶性アルコール供給手段と、
前記基板回転手段による回転状態の基板に対して、前記純水供給手段により純水が供給され、前記水溶性アルコール供給手段により水溶性アルコールが供給された後に、水溶性アルコールの供給が停止されて当該基板上に水溶性アルコールが液膜を形成して滞留した状態が維持され、その後、前記基板回転手段による当該基板の回転速度が上昇されて、基板上の水溶性アルコールが振り切られるように、前記基板回転手段、前記純水供給手段および前記水溶性アルコール供給手段を制御する制御手段とを含むことを特徴とする、基板処理装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、シリコン半導体ウエハなどの基板を処理するための基板処理方法および基板処理装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体装置の製造工程では、たとえば、シリコン半導体ウエハ（以下、単に「ウエハ」という。）の表面を洗浄する処理が行われる。
枚葉式の洗浄処理を実施するための装置は、複数本のチャックピンでウエハをほぼ水平に保持しつつ、そのウエハを回転させるスピンチャックを備えている。そして、ウエハがスピンチャックに保持されて回転されつつ、その回転状態のウエハの表面に薬液が供給される。この薬液による処理の後には、ウエハの表面に純水が供給されて、その純水で薬液を洗い流すための純水リンス処理が行われる。また、純水リンス処理後のウエハの表面には純水が付着しているので、スピンチャックによるウエハの回転速度が上昇されて、ウエハの表面の純水を振り切って乾燥させるためのスピンドライ処理が行われる。
【特許文献１】特開平１１−１０２８８２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
ところが、ウエハの表面に純水が付着したまま、スピンドライ処理が行われると、ウエハに付着している純水と、純水中に存在する酸素またはウエハの周囲の雰囲気中の酸素と、ウエハを構成するシリコンとが反応し、その反応生成物を含む純水がウエハの表面から乾燥することによって、スピンドライ処理後のウエハの表面にウォータマーク（乾燥跡）が発生することがある。とくに、薬液としてふっ酸が用いられた場合、そのふっ酸による処理後のウエハの表面にベアシリコンが露出し、ウエハの表面が疎水性を示すため、スピンドライ処理後のウエハの表面にウォータマークが発生しやすい。
【０００４】
そこで、この発明の目的は、ウォータマークの発生を防止することができる基板処理方法および基板処理装置を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
前記の目的を達成するための請求項１記載の発明は、回転状態の基板（Ｗ）に純水を供給して、基板に付着している残留物を純水で洗い流す純水リンス処理工程（Ｓ２）と、純水が付着している基板に水溶性アルコールを供給する水溶性アルコール供給工程（Ｓ４）と、前記水溶性アルコール供給工程に引き続いて、水溶性アルコールの供給を停止して基板上に水溶性アルコールが液膜を形成して滞留した状態を維持する水溶性アルコールパドル工程（Ｓ５）と、前記水溶性アルコールパドル工程に引き続いて、基板の回転速度を上昇させて、基板上の水溶性アルコールを振り切るスピンドライ処理工程（Ｓ６）とを含むことを特徴とする、基板処理方法である。
【０００６】
なお、括弧内の英数字は、後述の実施形態における対応構成要素等を表す。以下、この項において同じ。
この方法では、純水が付着した基板に対する水溶性アルコールの供給が行われた後、水溶性アルコールの供給を停止し、その基板上に水溶性アルコールが液膜を形成して滞留した状態が維持される。そして、基板上に水溶性アルコールが滞留した状態から、基板の回転速度が上昇されて、その基板上の水溶性アルコールを振り切るスピンドライ処理が行われる。
【０００７】
水溶性アルコールの供給により、基板に付着している純水が押し流されて排除され、その後、基板上に水溶性アルコールが滞留している間に、基板に残留している純水が水溶性アルコールに溶け込む。そのため、基板に純水が付着した状態でスピンドライ処理が行われるのを防止することができ、酸素を含む雰囲気下であっても、ウォータマークの発生を防止することができる。
【０００８】
また、水溶性アルコールは、純水よりも揮発性が高く、かつ、純水よりも表面張力が小さいので、スピンドライ処理により、純水が溶け込んだ水溶性アルコールを基板上から速やかに排除することができる。そのため、スピンドライ処理に要する時間の短縮を図ることができる。
請求項２記載の発明は、前記純水リンス処理工程に引き続いて、基板上に純水が液膜を形成して滞留した状態を維持する純水パドル工程（Ｓ３）をさらに含み、前記水溶性アルコール供給工程は、前記純水パドル工程に引き続いて行われることを特徴とする、請求項１記載の基板処理方法である。
【０００９】
この方法によれば、基板に付着している残留物が純水で洗い流された後、基板に対する水溶性アルコールの供給が開始されるまでの間、基板上に純水が液膜を形成して滞留した状態が維持され、その基板の表面に酸素を含む雰囲気が接することがないので、ウォータマークの発生を一層防止することができる。
請求項３記載の発明は、前記水溶性アルコール供給工程は、前記純水リンス処理工程の終了前に開始されることを特徴とする、請求項１記載の基板処理方法である。
【００１０】
この方法によれば、回転状態の基板に対する純水の供給を停止する前に、基板に対する水溶性アルコールの供給が開始されるので、基板の表面に純水の水滴が付着している状態で酸素を含む雰囲気が接することを防止でき、ウォータマークの発生を一層防止することができる。
請求項４記載の発明は、前記純水リンス処理工程に先立って、回転状態の基板に薬液を供給して、基板に対して薬液による処理を実施する薬液処理工程（Ｓ１）をさらに含み、前記純水リンス処理工程は、前記薬液処理工程後の基板に付着している薬液を純水で洗い流す工程であることを特徴とする、請求項１ないし３のいずれかに記載の基板処理方法である。
【００１１】
この方法によれば、基板に付着している薬液を純水で洗い流すことができる。
請求項５記載の発明は、前記薬液は、ふっ酸であることを特徴とする、請求項４記載の基板処理方法である。
たとえば、シリコン基板に対してふっ酸による処理が行われる場合、ふっ酸による処理後の基板の表面は疎水性を示すが、前述したように、基板に純水が付着した状態でスピンドライ処理が行われるのを防止することができるので、そのような場合でも、ウォータマークの発生を防止することができる。
【００１２】
請求項６記載の発明は、前記純水リンス処理工程は、疎水性を示す基板の表面に純水を供給して、基板の表面に付着している残留物を純水で洗い流す工程であることを特徴とする、請求項１ないし５のいずれかに記載の基板処理方法である。
基板の表面が疎水性を示す場合でも、前述したように、基板に純水が付着した状態でスピンドライ処理が行われるのを防止することができるので、ウォータマークの発生を防止することができる。
【００１３】
ここで、疎水性を示す表面としては、ふっ酸による処理後の表面に限らず、ベアシリコンが露出した表面、ポリシリコン膜が形成された表面、Ｌｏｗ−ｋ膜が形成された表面などを例示することができる。
請求項７記載の発明は、基板（Ｗ）をほぼ水平に保持する基板保持手段（１）と、前記基板保持手段に保持された基板を回転させる基板回転手段（５）と、前記基板保持手段に保持された基板に純水を供給する純水供給手段（３，１２）と、前記基板保持手段に保持された基板に水溶性アルコールを供給する水溶性アルコール供給手段（４，１３）と、前記基板回転手段による回転状態の基板に対して、前記純水供給手段により純水が供給され、前記水溶性アルコール供給手段により水溶性アルコールが供給された後に、水溶性アルコールの供給が停止されて当該基板上に水溶性アルコールが液膜を形成して滞留した状態が維持され、その後、前記基板回転手段による当該基板の回転速度が上昇されて、基板上の水溶性アルコールが振り切られるように、前記基板回転手段、前記純水供給手段および前記水溶性アルコール供給手段を制御する制御手段（１４）とを含むことを特徴とする、基板処理装置である。
【００１４】
この構成によれば、請求項１に関連して述べた効果と同様な効果を達成することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１５】
以下では、この発明の実施の形態を、添付図面を参照して詳細に説明する。
図１は、この発明の一実施形態に係る基板処理装置の構成を示す図解的な側面図である。
この基板処理装置は、ウエハＷを１枚ずつ処理する枚葉式の装置であり、ウエハＷをほぼ水平に保持するスピンチャック１と、スピンチャック１に保持されたウエハＷの表面（上面）に薬液を供給するための薬液ノズル２と、スピンチャック１に保持されたウエハＷの表面に純水を供給するための純水ノズル３と、スピンチャック１に保持されたウエハＷの表面に水溶性アルコールを供給するための水溶性アルコールノズル４とを備えている。
【００１６】
スピンチャック１は、モータ５と、このモータ５の駆動力によって鉛直軸線まわりに回転される円盤状のスピンベース６と、このスピンベース６の周縁部の複数箇所にほぼ等角度間隔で設けられ、基板Ｗをほぼ水平な姿勢で挟持するための複数個の挟持部材７とを備えている。
複数個の挟持部材７によってウエハＷを挟持した状態で、モータ５が駆動されると、その駆動力によってスピンベース６が鉛直軸線まわりに回転され、そのスピンベース６とともに、ウエハＷがほぼ水平な姿勢を保った状態で鉛直軸線まわりに回転される。
【００１７】
なお、スピンチャック１としては、このような構成のものに限らず、たとえば、ウエハＷの裏面（非デバイス面）を真空吸着することにより、ウエハＷを水平な姿勢で保持し、さらにその状態で鉛直な軸線まわりに回転することにより、その保持したウエハＷを回転させることができる真空吸着式のバキュームチャックが採用されてもよい。
薬液ノズル２は、スピンチャック１の上方でほぼ水平に延びるアーム８の先端に取り付けられている。この薬液ノズル２には、薬液バルブ９を介して、薬液としてのふっ酸（ＨＦ）が供給されるようになっている。
【００１８】
アーム８は、スピンチャック１の側方でほぼ鉛直に延びたアーム支持軸１０に支持されている。また、アーム支持軸１０には、アーム駆動機構１１が結合されており、このアーム駆動機構１１の駆動力によって、アーム支持軸１０を所定角度範囲内で回動させて、アーム８を所定角度範囲内で揺動させることができるようになっている。
薬液ノズル２からスピンチャック１に保持されたウエハＷの表面にふっ酸が供給されつつ、アーム駆動機構１１からアーム支持軸１０に駆動力が入力されて、アーム８が所定角度範囲内で揺動されることにより、ウエハＷの表面上におけるふっ酸の供給位置がスキャン（移動）される。
【００１９】
純水ノズル３は、スピンチャック１の上方で、その吐出口をスピンチャック１に向けて配置されている。この純水ノズル３には、純水バルブ１２を介して、純水が供給されるようになっている。純水ノズル３に供給される純水は、その吐出口から吐出されて、スピンチャック１に保持されたウエハＷの表面の中央部に供給される。
水溶性アルコールノズル４は、スピンチャック１の上方で、その吐出口をスピンチャック１に向けて配置されている。この水溶性アルコールノズル４には、水溶性アルコールバルブ１３を介して、水溶性アルコールとしてのＩＰＡ（イソプロピルアルコール）が供給されるようになっている。水溶性アルコールノズル４に供給されるＩＰＡは、その吐出口から吐出されて、スピンチャック１に保持されたウエハＷの表面の中央部に供給される。
【００２０】
図２は、この基板処理装置の電気的構成を示すブロック図である。
この基板処理装置は、マイクロコンピュータを含む制御装置１４を備えている。制御装置１４は、予め定められたプログラムに従って、モータ５およびアーム駆動機構１１の駆動を制御し、また、薬液バルブ９、純水バルブ１２および水溶性アルコールバルブ１３の開閉を制御する。
【００２１】
図３は、この基板処理装置における処理の流れを説明するための工程図である。
ウエハＷの処理に際しては、搬送ロボット（図示せず）により、この基板処理装置にウエハＷが搬入されてきて、そのウエハＷがスピンチャック１に受け渡される。
スピンチャック１にウエハＷが保持されると、まず、モータ５が駆動されて、スピンチャック１によるウエハＷの回転が開始される。次に、薬液バルブ９が開かれて、薬液ノズル２から回転状態のウエハＷの表面にふっ酸が供給される。このとき、薬液ノズル２がウエハＷの回転中心上と周縁部上との間で往復移動するように、アーム８がウエハＷの上方で揺動される。これにより、ウエハＷの表面上におけるふっ酸の供給位置がウエハＷの回転中心からウエハＷの周縁部に至る範囲内を円弧状の軌跡を描きつつ往復移動し、ウエハＷの表面の全域にふっ酸がむらなく供給される。このふっ酸の供給によって、ウエハＷの表面から不要なシリコン酸化膜などが除去されていく（ふっ酸処理：ステップＳ１）。
【００２２】
なお、ふっ酸処理が行われている間、ウエハＷは、２００〜１２００ｒｐｍの範囲内で定められる回転速度、たとえば、８００ｒｐｍで回転される。
ふっ酸処理が所定のふっ酸処理時間（たとえば、３０〜１２０秒間）にわたって続けられると、薬液バルブ９が閉じられて、薬液ノズル２からウエハＷへのふっ酸の供給が停止される。そして、純水バルブ１２が開かれて、純水ノズル３からウエハＷの表面の中央部に純水が供給される。このとき、ふっ酸処理から引き続いて、ウエハＷが回転されており、ウエハＷの表面上に供給された純水は、ウエハＷの回転による遠心力を受けて、ウエハＷの表面上を周縁に向けて流れる。これによって、ウエハＷの表面の全域に純水が行き渡り、ウエハＷの表面上のふっ酸が純水によって洗い流される（純水リンス処理：ステップＳ２）。
【００２３】
純水リンス処理が所定の純水リンス時間（たとえば、２０〜６０秒間）にわたって続けられると、ウエハＷの回転速度が０〜２００ｒｐｍの範囲内で定められる回転速度（たとえば、５０ｒｐｍ）まで下げられる。これにより、ウエハＷの表面上に、純水ノズル３から供給される純水が溜められていく。そして、ウエハＷの回転速度が下げられてから所定時間が経過し、ウエハＷの表面の全域を覆う純水の液膜が形成されると、純水バルブ１２が閉じられて、純水ノズル３からウエハＷの表面への純水の供給が停止される。このウエハＷの表面上に純水の液膜が形成された状態（パドル状態）は、純水の供給停止から所定の純水パドル処理時間（たとえば、１〜１０秒間）が経過するまで維持される（純水パドル処理：ステップＳ３）。
【００２４】
次いで、ウエハＷの回転速度が５０〜２００ｒｐｍの範囲内で定められる回転速度（たとえば、２００ｒｐｍ）に上げられる。そして、水溶性アルコールバルブ１３が開かれて、水溶性アルコールノズル４からウエハＷの表面の中央部にＩＰＡが供給される。これにより、ウエハＷの表面上に貯留されている純水は、ウエハＷの回転による遠心力を受けて、ウエハＷの周縁から流下し、また、ＩＰＡにより押し流されて、ウエハＷの表面から排除されていく（ＩＰＡリンス処理：ステップＳ４）。
【００２５】
ＩＰＡの供給開始から所定のＩＰＡリンス処理時間（たとえば、３〜１０秒間）が経過すると、ウエハＷの回転速度が０〜２００ｒｐｍの範囲内で定められる回転速度（たとえば、５０ｒｐｍ）まで下げられる。これにより、ウエハＷの表面上に、水溶性アルコールノズル４から供給される水溶性アルコールが溜められていく。そして、ウエハＷの回転速度が下げられてから所定時間が経過し、ウエハＷの表面の全域を覆うＩＰＡの液膜が形成されると、水溶性アルコールバルブ１３が閉じられて、水溶性アルコールノズル４からウエハＷの表面への水溶性アルコールの供給が停止される。このウエハＷの表面上に水溶性アルコールの液膜が形成された状態（パドル状態）は、ＩＰＡの供給停止から所定のＩＰＡパドル処理時間（たとえば、３〜１０秒間）が経過するまで維持される（ＩＰＡパドル処理：ステップＳ５）。
【００２６】
その後は、モータ５が制御されて、ウエハＷの回転速度が２５００〜５０００ｒｐｍの範囲内で定められる回転速度（たとえば、３０００ｒｐｍ）に上げられて、ウエハＷの表面上に貯留されているＩＰＡを遠心力で振り切るためのスピンドライ処理が行われる（ステップＳ６）。
そして、このスピンドライ処理が所定のスピンドライ処理時間（たとえば、１５秒間）にわたって続けられると、モータ５が停止されて、スピンベース６（ウエハＷ）が静止した後、搬送ロボットによって、この基板処理装置から処理済みのウエハＷが搬出される。
【００２７】
以上のように、純水が付着したウエハＷに対するＩＰＡの供給が行われた後、そのウエハＷの表面上にＩＰＡが液膜を形成して滞留した状態が維持される。そして、ウエハＷの表面上にＩＰＡが滞留した状態から、ウエハＷの回転速度が上昇されて、そのウエハＷの表面上のＩＰＡを振り切るスピンドライ処理が行われる。
ＩＰＡの供給により、ウエハＷの表面上の純水が押し流されて排除され、その後、ウエハＷの表面上にＩＰＡが滞留している間に、ウエハＷの表面に残留している純水がＩＰＡに溶け込む。そのため、ウエハＷに純水が付着した状態でスピンドライ処理が行われるのを防止することができ、酸素を含む雰囲気下であっても、ウォータマークの発生を防止することができる。
【００２８】
また、ウエハＷに対してふっ酸による処理が行われると、シリコン酸化膜が除去されて、ウエハＷの表面にベアシリコンが露出することにより、その表面は疎水性を示すが、この基板処理装置では、ウエハＷの表面に純水が付着した状態でスピンドライ処理が行われないので、たとえウエハＷの表面が疎水性を示していても、ウォータマークの発生を防止することができる。
【００２９】
さらに、ＩＰＡは、純水よりも揮発性が高く、かつ、純水よりも表面張力が小さいので、スピンドライ処理により、純水が溶け込んだＩＰＡを基板上から速やかに排除することができる。そのため、スピンドライ処理に要する時間の短縮を図ることができる。
そのうえ、この基板処理装置では、ウエハＷに付着しているふっ酸が純水で洗い流された後、ウエハＷに対するＩＰＡの供給が開始されるまでの間、ウエハＷの表面上に純水が液膜を形成して滞留した状態が維持され、そのウエハＷの表面に酸素を含む雰囲気が接することがないので、ウォータマークの発生を一層防止することができる。
【００３０】
なお、前述の実施形態では、純水パドル処理工程を含んでいるが、純水パドル処理工程が省略されて、純水リンス処理工程に引き続いて、ＩＰＡリンス処理工程が行われてもよい。この場合、ＩＰＡリンス処理工程は、純水リンス処理工程の終了前に開始されることが好ましい。すなわち、ウエハＷの表面に対する純水の供給を停止する前に、ウエハＷの表面に対するＩＰＡの供給が開始されることが好ましい。こうすれば、純水パドル処理工程が行われる場合と同様に、ウエハＷに対するＩＰＡの供給が開始されるまでの間は、ウエハＷの表面に純水の水滴が付着している状態となり、ウエハＷの表面に酸素を含む雰囲気が接することを防止できるので、ウォータマークの発生を一層防止することができる。
【００３１】
図４は、ウエハＷに対する処理のプロセス内容とスピンドライ処理後のウエハＷの表面におけるウォータマークの発生数との関係を示すグラフである。
このグラフには、純水リンス処理工程に引き続いてスピンドライ処理工程（乾燥）を実施した場合（プロセス１）、純水リンス処理工程に引き続いて純水パドル処理工程を実施し、この純水パドル処理工程に引き続いてスピンドライ処理工程を実施した場合（プロセス２）、純水リンス処理工程に引き続いてＩＰＡパドル処理工程を実施し、ウエハＷの表面にＩＰＡが貯留された状態を１０秒間にわたって維持した後、スピンドライ処理工程を実施した場合（プロセス３）、純水リンス処理工程に引き続いて純水パドル処理工程およびＩＰＡリンス処理工程をこの順に実施し、ＩＰＡリンス処理工程に引き続いてＩＰＡパドル処理工程を実施し、ウエハＷの表面にＩＰＡが貯留された状態を１０秒間にわたって維持した後、スピンドライ処理工程を実施した場合（プロセス４）、純水リンス処理工程に引き続いて純水パドル処理工程およびＩＰＡリンス処理工程をこの順に実施し、ＩＰＡリンス処理工程に引き続いてＩＰＡパドル処理工程を実施し、ウエハＷの表面にＩＰＡが貯留された状態を５秒間にわたって維持した後、スピンドライ処理工程を実施した場合（プロセス５）、および、純水リンス処理工程に引き続いて純水パドル処理工程およびＩＰＡリンス処理工程をこの順に実施し、ＩＰＡリンス処理工程に引き続いてＩＰＡパドル処理工程を実施し、ウエハＷの表面にＩＰＡが貯留された状態を３秒間にわたって維持した後、スピンドライ処理工程を実施した場合（プロセス６）に、プロセス１〜６のそれぞれにおけるスピンドライ処理後のウエハＷの表面に発生したウォータマークの数を計測した結果が示されている。
【００３２】
この結果から、純水リンス処理工程に引き続いてスピンドライ処理工程が実施された場合（プロセス１）には、スピンドライ処理後のウエハＷの表面に約８００個のウォータマークが発生し、純水リンス処理工程に引き続いて純水パドル処理工程およびスピンドライ処理工程が実施された場合（プロセス２）には、スピンドライ処理後のウエハＷの表面に約３０個のウォータマークが発生するのに対し、少なくともＩＰＡパドル処理工程が実施された場合（プロセス３〜６）には、スピンドライ処理後のウエハＷの表面にウォータマークが発生しないことが判る。
【００３３】
以上、この発明の実施の形態を説明したが、この発明は他の形態で実施することもできる。たとえば、ウエハＷに対する薬液を用いた処理の一例として、ふっ酸を用いた処理を取り上げたが、燐酸により不要なシリコン窒化膜をウエハＷの表面から除去する処理や、ふっ化アンモニウムを含むポリマー除去液により、不要なポリマーをウエハＷの表面に形成されているＬｏｗ−ｋ膜から除去する処理など、ウエハＷに対してふっ酸以外の薬液を用いた処理が行われてもよい。
【００３４】
また、前述の実施形態では、水溶性アルコールとしてＩＰＡが用いられたが、ＩＰＡ以外の水溶性アルコールとして、たとえば、メタノール、エタノールなどが使用されてもよい。
また、処理の対象となる基板は、ウエハＷに限らず、化合物半導体ウエハ、液晶表示装置用ガラス基板、プラズマディプレイパネル用ガラス基板、フォトマスク用ガラス基板および磁気／光ディスク用基板などの他の種類の基板であってもよい。他の種類の基板が処理対象とされる場合に、その基板の表面が疎水性を示していても、基板に純水が付着した状態でスピンドライ処理が行われるのを防止することができるので、ウォータマークの発生を防止することができる。ここで、疎水性を示す表面としては、シリコン膜が形成された表面、Ｌｏｗ−ｋ膜が形成された表面などを例示することができる。
【００３５】
その他、特許請求の範囲に記載された事項の範囲で種々の設計変更を施すことが可能である。
【図面の簡単な説明】
【００３６】
【図１】この発明の一実施形態に係る基板処理装置の構成を示す図解的な側面図である。
【図２】前記基板処理装置の電気的構成を示すブロック図である。
【図３】前記基板処理装置における処理の流れを説明するための工程図である。
【図４】ウエハに対する処理の内容とスピンドライ処理後のウエハの表面におけるウォータマークの発生数との関係を示すグラフである。
【符号の説明】
【００３７】
１      スピンチャック
３      純水ノズル
４      水溶性アルコールノズル
５      モータ
１２    純水バルブ
１３    水溶性アルコールバルブ
１４    制御装置
Ｗ      ウエハ
【図１】
0004732918.tif 000002
【図２】
0004732918.tif 000003
【図３】
0004732918.tif 000004
【図４】
0004732918.tif 000005