(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
導電性材料（４）の上に成膜した絶縁膜（２）に対し端部がテーパとなった開口部（３）をパターニングする工程と、
前記開口部（３）内を含めた前記絶縁膜（２）の上に多層構造の金属膜（５，６，７）を成膜する工程と、
前記金属膜（５，６，７）の上面に粘着シート（８）を貼り付ける工程と、
前記粘着シート（８）を剥がすことにより、前記テーパ部を含めた開口部（３）内に金属膜（５，６，７）を残すとともにその周辺の絶縁膜（２）上の金属膜（５，６，７）を除去してパターニングする工程と、
を含み、前記多層構造の金属膜（５，６，７）のうちの最下層にある第１の金属膜（５）として、チタン、バナジウム、クロム、コバルト、ジルコニウム、アルミニウム、タンタル、タングステン、またはこれらの金属の窒化物やこれらの金属を主成分とする合金の膜を成膜するとともに、前記第１の金属膜（５）の上の第２の金属膜（６）として、ニッケル、銅、パラジウム、またはこれらの金属を主成分とする合金の膜を成膜して、該第２の金属膜（６）の膜厚により前記第１の金属膜（５）と下地との界面にかかる応力を調整し、前記粘着シート（８）を貼り付ける工程では、前記テーパ部を含めた開口部（３）内に成膜された金属膜（５，６，７）の内底縁との間に空洞（Ｓ）が形成されるように、前記粘着シート（８）を貼り付けることを特徴とするパターン形成方法。
【請求項２】
前記開口部（３）をパターニングする工程として、前記絶縁膜（２）の表層部に改質層（２ａ）を形成する工程と、開口部形成のためのエッチングを行うことにより改質層（２ａ）の開口端部を逆テーパにする工程とをさらに含み、
前記開口部（３）内を含めた前記絶縁膜（２）の上に金属膜（５，６，７）を成膜する工程では、前記改質層（２ａ）の開口端部の逆テーパ形状に起因して、前記開口部内に成膜された金属膜（５，６，７）と前記開口端部の逆テーパ部との間に隙間（Ｓ１）が形成されるようにしたことを特徴とする請求項１に記載のパターン形成方法。
【請求項３】
前記金属膜（５，６，７）の上面に粘着シート（８）を貼り付ける工程において、前記テーパ部を含めた開口部（３）内での金属膜（５，６，７）と粘着シート（８）の接着力が、開口部周辺での絶縁膜（２）上の金属膜（５，６，７）と粘着シート（８）の接着力よりも弱いことを特徴とする請求項１または２に記載のパターン形成方法。
【請求項４】
前記粘着シート（８）を剥がす工程において、前記多層構造の金属膜のうちの最下層にある第１の金属膜（５）に内部亀裂を生じさせる第１段階と、第１の金属膜（５）とその上の第２の金属膜（６）の界面で微量亀裂を進展させる第２段階と、第２の金属膜（６）および、その上面の第３の金属膜（７）に内部亀裂を生じさせる第３段階とを含むことを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載のパターン形成方法。
【請求項５】
前記第３の金属膜（７）として、金、銅、銀、白金、鉄、錫、またはＣｕ−Ｓｎ合金の膜を成膜することを特徴とする請求項４に記載のパターン形成方法。
【請求項６】
導電性材料（４）の上に成膜した絶縁膜（２）の表層部に改質層（２ａ）を形成する工程と、
前記絶縁膜（２）に対し開口部（３）を形成するためのエッチングを行うことにより改質層（２ａ）の開口端部を逆テーパにする工程と、
前記開口部（３）内を含めた前記絶縁膜（２）の上に金属膜（５，６，７）を成膜する工程と、
前記金属膜（５，６，７）の上面に粘着シート（８）を貼り付ける工程と、
前記粘着シート（８）を剥がすことにより、前記開口部（３）内に金属膜（５，６，７）を残すとともにその周辺の絶縁膜（２）上の金属膜（５，６，７）を除去してパターニングする工程と、
を含むことを特徴とするパターン形成方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
この発明はパターン形成方法に係り、詳しくは、基板上での所望の領域（例えば、バンプ形成領域）に金属膜をパターニングする技術に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
半導体デバイスの金属電極形成方法として、ホトリソグラフィーを用いたパターン形成方法がよく知られており、これにより、所望の領域に電極を形成することができる。また、この他の手法としてフリップチップでのＣｕバンプ用のアンダーバンプメタル（以下、ＵＢＭ膜という）の形成の際に、保護膜と下地電極との密着性の差を利用して粘着シートよりＵＢＭ膜を選択的にシートで除去する手法も提案されている（特開２００１−３５８５４号公報）。
【０００３】
ところが、前述のホトリソグラフィーを用いたパターン形成方法においては、ホトリソおよびエッチング工程での設備やプロセスコストが非常に高いという問題がある。また、ＵＢＭ膜を選択的に粘着シートで除去する方法に関しては、更に安定して剥離を行いたいという要求がある。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
本発明はこのような背景の下になされたものであり、その目的は新規な構成にて絶縁膜の開口部内に金属膜をパターニングすることができるようにすることにある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】
請求項１に記載のパターン形成方法によれば、導電性材料の上に成膜した絶縁膜に対し端部がテーパとなった開口部をパターニングする工程と、上記開口部内を含めた上記絶縁膜の上に多層構造の金属膜を成膜する工程と、上記金属膜の上面に粘着シートを貼り付ける工程と、上記粘着シートを剥がすことにより、上記テーパ部を含めた開口部内に金属膜を残すとともにその周辺の絶縁膜上の金属膜を除去してパターニングする工程と、を含み、上記多層構造の金属膜のうちの最下層にある第１の金属膜として、チタン、バナジウム、クロム、コバルト、ジルコニウム、アルミニウム、タンタル、タングステン、またはこれらの金属の窒化物やこれらの金属を主成分とする合金の膜を成膜するとともに、上記第１の金属膜の上の第２の金属膜として、ニッケル、銅、パラジウム、またはこれらの金属を主成分とする合金の膜を成膜して、該第２の金属膜の膜厚により上記第１の金属膜と下地との界面にかかる応力を調整し、上記粘着シートを貼り付ける工程では、上記テーパ部を含めた開口部内に成膜された金属膜の内底縁との間に空洞が形成されるように、上記粘着シートを貼り付けることとしている。これにより、絶縁膜と金属膜との間の密着力を低下させることができ、剥離を容易に行わせることが可能となる。そのため、テーパ部を含めた開口部内に金属膜が残されるとともにその周辺の絶縁膜上の金属膜が除去され易くなり、金属膜が絶縁膜の開口部内にパターニングされる。よって、従来のホトリソグラフィーを用いた方法のようなホトリソおよびエッチング工程での設備やプロセスコストが非常に高くなることが回避される。
また、請求項１に記載のパターン形成方法において、請求項２に記載のように、上記開口部をパターニングする工程として、上記絶縁膜の表層部に改質層を形成する工程と、開口部形成のためのエッチングを行うことにより改質層の開口端部を逆テーパにする工程とをさらに含み、上記開口部内を含めた上記絶縁膜の上に金属膜を成膜する工程では、上記改質層の開口端部の逆テーパ形状に起因して、上記開口部内に成膜された金属膜と上記開口端部の逆テーパ部との間に隙間が形成されるようにすると、テーパ部を含めた開口部内により金属膜を残し易くなる。
【０００６】
また、請求項３に記載のように、請求項１または２に記載のパターン形成方法における金属膜の上面に粘着シートを貼り付ける工程において、テーパ部を含めた開口部内での金属膜と粘着シートの接着力が、開口部周辺での絶縁膜上の金属膜と粘着シートの接着力よりも弱くなるようにするとよい。
【０００７】
また、請求項４に記載のように、粘着シートを剥がす工程において、多層構造の金属膜のうちの最下層にある第１の金属膜に内部亀裂を生じさせる第１段階と、第１の金属膜とその上の第２の金属膜の界面で微量亀裂を進展させる第２段階と、第２の金属膜および、その上面の第３の金属膜に内部亀裂を生じさせる第３段階とを含むものとするとよい。
【０００８】
このとき、請求項５に記載のように、前記第３の金属膜として、金、銅、銀、白金、鉄、錫、またはＣｕ−Ｓｎ合金の膜を成膜するようにするとよい。
また、請求項６に記載のパターン形成方法によれば、導電性材料の上に成膜した絶縁膜の表層部に改質層を形成する工程と、上記絶縁膜に対し開口部を形成するためのエッチングを行うことにより改質層の開口端部を逆テーパにする工程と、上記開口部内を含めた上記絶縁膜の上に金属膜を成膜する工程と、上記金属膜の上面に粘着シートを貼り付ける工程と、上記粘着シートを剥がすことにより、上記開口部内に金属膜を残すとともにその周辺の絶縁膜上の金属膜を除去してパターニングする工程と、を含むこととしている。これにより、逆テーパ部を含めた開口部内に金属膜を残し易くなる。
【００１２】
【発明の実施の形態】
（第１の実施の形態）
以下、この発明を具体化した第１の実施の形態を図面に従って説明する。
【００１３】
図１〜図５には、本実施形態における半導体装置の製造工程を示す。本実施形態においては、一般にダイオードと呼ばれる半導体デバイスでの電極形成（表面電極パターンの製造）に適用しており、図５のごとく電極としてはんだバンプ９を有している。
【００１４】
まず、図１に示すように、半導体基板であるＰ型シリコン基板１を用意する。そして、ウエハ状態のシリコン基板１の上に、ＣＶＤ法などにより絶縁膜２を成膜する。この絶縁膜２は、ＳｉＯ2膜やＢＰＳＧ（Ｂoron−Ｐhosphorus  Ｓilicate  Ｇlass）膜やＰＳＧ（Ｐhosphorus  Ｓilicate  Ｇlass）膜などから成る。さらに、この絶縁膜２に対しシリコン基板内部（バルク部分）と導通を得るためにフォトリソグラフィー手法により開口部３を形成する（パターニングする）。この開口部３の端部は順テーパとなっており、上方ほど幅広となっている。詳しくは、薬液によるウェットエッチングプロセスや等方性ドライエッチングを用いることにより、開口部３の端部を順テーパにする。
【００１５】
引き続き、ウエハ状態のシリコン基板１に対し一般的な半導体デバイス製造技術を用いてＮ型拡散層４を形成する。
引き続き、図２に示すように、ウエハ状態のシリコン基板１の上、つまり、開口部３内を含めた絶縁膜２の上に、金属膜５，６，７を順に成膜する。
【００１６】
図２において、第１の層である金属膜５は、下地用シリコン層４と良好な接合を形成するための膜であり、具体的には、チタン薄膜を用いている。なお、チタン薄膜の代わりに、前述の目的を達成する他の金属膜、例えばバナジウム、クロム、コバルト、ジルコニウム、アルミニウム、タンタル、タングステンまたは、これらの金属の窒化物やこれらの金属を主成分とする合金などを用いてもよい。図２において、第２の層である金属膜６は、下地の金属膜５と基板１との界面にかかる応力を調整するための膜であり、具体的にはニッケル薄膜を用いている。なお、ニッケル薄膜の代わりに、前述の目的を達成する他の金属膜、例えば、銅、パラジウム、または、これらの金属を主成分とする合金などを用いてもよい。この金属膜６により、以降の工程において絶縁膜２と金属膜５との間の密着力を剥離可能な範囲まで低下させて金属膜５を絶縁膜２から容易に剥離させることができるようになる。ここで、金属膜５と金属膜（応力調整膜）６の積層膜は全応力（Ｔotal  Ｓtress）、つまり、膜厚と内部応力を乗算したもの（全応力＝膜厚×内部応力）が３０Ｎ／ｍ以上である。
【００１７】
図２において、第３の層である金属膜７は、はんだ濡れ性の良好な膜であり、具体的には金（Ａｕ）を用いている。なお、金（Ａｕ）の代わりに前述の目的を達成する他の金属膜、例えば銅、銀、白金，鉄，錫、Ｃｕ−Ｓｎ合金などを用いてもよい。また、金属膜７は金属膜６にニッケルなど、はんだ濡れ性の良い金属を用いた場合は省略することも可能である。しかし、ニッケル表面が酸化するとはんだ濡れ性が劣化するため、金属膜７を用いることが望ましい。
【００１８】
上述の３つの金属膜５，６，７は、図６に示したような、大気に暴露することなく、真空中で連続成膜可能なスパッタリング装置により成膜する。つまり、真空チャンバー１５にはその一端部にウエハ投入口１６が、また、他端部にウエハ取り出し口１７が設けられ、さらに同チャンバー１５には第１金属膜用ターゲット１８と第２金属膜用ターゲット１９と第３金属膜用ターゲット２０が配置されている。そして、真空チャンバー１５内においてウエハを搬送しつつ膜５、６、７を順に成膜することができるようになっている。また、真空チャンバー１５の近傍にはコントロールパネル２１が配置されている。この図６の装置を使用することにより金属膜間に酸化膜を形成することなく成膜できる。
【００１９】
なお、図６の形状の装置でなくても、真空を破ること無く搬送することが可能であれば、異なるスパッタリング装置または蒸着装置においても実現可能である。
【００２０】
そして、上述の金属膜５，６，７の成膜後、図６のスパッタリング装置からウエハ状シリコン基板１を取り出し、真空チャック等でウエハ状シリコン基板１を固定し、図３に示すように、金属膜７の上面に粘着シート（粘着フィルム）８を貼り付ける。粘着シート８はシート基材（フィルム材）８ａと粘着剤（粘着層）８ｂからなる。
【００２１】
次に、粘着シート８を、図７に示すように、ウエハ状基板１上から静かに剥ぎ取ると、図４に示すように、テーパ部を含めた開口部３内に金属膜５，６，７を残すとともにその周辺の絶縁膜２の上の金属膜５，６，７（不要部分の金属膜５，６，７）が半導体デバイスから除去される。つまり、図８に示すように、絶縁膜２における平坦部上の金属膜５，６，７はウエハ状シリコン基板１上から除去（剥離）されるが、テーパ部を含めた開口部３内でシリコンと接する金属膜５，６，７はウエハ状基板１に残存する。これにより、金属膜５，６，７がパターニングされる。このように絶縁膜２の平坦部上の金属膜５，６，７を剥離するとともにテーパ部を含めた開口部３内に金属膜５，６，７を残存させるためには、図３のシート貼り付け時に、開口部３の端部の絶縁膜テーパ部に粘着シート８が完全には密着しないで空洞Ｓが形成されるようにすることが好ましい。また、金属膜７の上面に粘着シート８を貼り付ける工程において、テーパ部を含めた開口部３内での金属膜７と粘着シート８の接着力が、開口部周辺での絶縁膜２上の金属膜７と粘着シート８の接着力よりも弱くすることにより、テーパ部を含めた開口部３内での金属膜５，６，７を残し、その他の絶縁膜２の上の金属膜５，６，７を剥離することが可能となる。
【００２２】
具体的な、粘着シート８の貼り付け時における密着性をコントロールする手法として、
（ｉ）図３での粘着シート８の粘着剤８ｂにおける厚みｔ１の調整、
（ｉｉ）粘着シート８の粘着剤８ｂにおける引張り初期弾性率の調整、
（ｉｉｉ）図３の粘着シート８のシート基材８ａにおける厚さ（フィルム厚さ）ｔ２の調整、
の３つのやり方がある。
（ｉ）に関して、粘着剤８ｂの厚みｔ１は、５μｍ〜８０μｍとするのが好ましい。８０μｍ以上では、開口部３のテーパ部に粘着剤８ｂがほぼ完全に密着するため、テーパ部上の金属膜５，６，７を部分的に剥離してしまう場合がある。５μｍ以下の場合は、絶縁膜２の平坦部上の金属膜５，６，７への粘着剤８ｂの密着が悪くなるため、この部分の剥離性が悪くなる。このため、粘着剤８ｂの厚みｔ１として、より好ましくは１５μｍ〜６０μｍの範囲、さらに好ましくは２５μｍ〜５０μｍとするのがよい。
（ｉｉ）に関して、粘着剤８ｂの引張り初期弾性率を０．０５〜２ＭＰａの範囲とする。初期弾性率が０．０５ＭＰａ以下の場合は開口部３のテーパ部へほぼ完全に粘着剤８ｂが密着するため、テーパ部上の金属膜５，６，７が部分的に剥離してしまう場合がある。２ＭＰａ以上の場合は、絶縁膜２の平坦部上の金属膜５，６，７への粘着剤８ｂの密着が悪くなるため、この部分の剥離性が悪くなる。このため、粘着剤８ｂの引張り初期弾性率として、より好ましくは０．１〜１ＭＰａの範囲とするのがよい。
（ｉｉｉ）に関して、シート基材８ａのフィルム厚さｔ２を２０μｍ〜１５０μｍの範囲とする。シート基材８ａの厚みｔ２が２０μｍ以下の場合は開口部３のテーパ部へほぼ完全に粘着剤８ｂが密着するため、テーパ部上の金属膜５，６，７が部分的に剥離してしまう場合がある。また、引き剥がし時の応力によりシート自体が伸び、剥離が均一に行われなくなるという不具合も生じる。一方、シート基材８ａの厚みｔ２が１５０μｍ以上の場合は、絶縁膜２の平坦部上の金属膜５，６，７への粘着剤８ｂの密着が悪くなるため、この部分の剥離性が悪くなる傾向にある。このため、シート基材８ａの厚みｔ２として、より好ましくは３５μｍ〜１００μｍとするのがよい。さらに好ましくは、５０μｍ〜８０μｍとするのがよい。
【００２３】
なお、図７では、粘着シート８は、ウエハ状のシリコン基板１と同一形状にカットされているが、これは、ウエハ状基板１の搬送や一時保管を容易にするためである。搬送や一時保管をする必要が無いときは、粘着シート８の形状は、ウエハ状基板１と同一形状である必要はなく、ウエハ状基板１より大きなサイズであって、かつ、円形でも、四角形でも問題はない。特に、一時保管をする必要がない場合は、ウエハ状基板１より大きなサイズである方が引き剥がし易く、むしろ好ましい。
【００２４】
引き剥がしの原理は、以下の通りである。
本実施形態の第１の金属膜５であるチタンはシリコンだけでなく絶縁膜２とも良好な接合を形成する。このため、通常、絶縁膜２とチタン薄膜５の間を剥がすことは困難である。しかし、図２に示すように、チタン薄膜５の上部にニッケル薄膜６を成膜すると、剛性率および成膜時の熱膨張率の差からニッケル薄膜６の内部に大きな膜応力（引張応力）が発生する。このとき、チタン薄膜５の膜厚を１μｍ以下とし、上述のようにチタン薄膜５とニッケル薄膜６との間に酸化膜を形成することなく成膜すると、応力の影響はチタン薄膜５と絶縁膜２の界面まで及び、その結果、チタン薄膜５と絶縁膜２との間の密着力が剥離可能な範囲まで低下する。
【００２５】
このように、多層構造の金属膜５，６，７のうち、少なくとも１層が引張応力である。つまり、金属膜５の上に、当該金属膜５と下地の界面にかかる応力を調整するための引張応力調整膜６が形成され、この応力調整膜６により、絶縁膜２と金属膜５との間の密着力が剥離可能な範囲まで低下する。
【００２６】
ここで、金属膜５，６は柱状構造を有しており、シートの引き剥がし工程において剥離が絶縁膜２での開口部端部まで進展した際、剥離を促進していた膜応力は金属膜５の内部に向かって進展する。金属膜５が柱状構造の場合、その構造に沿って内部破壊が進展し、金属膜６の界面まで進展する。その後、金属膜５と６の界面で剥離を起こすが、金属膜６の粒界に到達すると、金属膜６の柱状構造粒界を進展していく。即ち、シート剥がし工程は、多層構造の金属膜５，６，７のうちの最下層にある第１の金属膜５に内部亀裂を生じさせる第１段階と、第１の金属膜５とその上の第２の金属膜６の界面で微量亀裂を進展させる第２段階と、第２の金属膜６および、その上面の第３の金属膜７に内部亀裂を生じさせる第３段階とを含んでいる。金属膜５，６を柱状構造とするためには、材料にチタンやニッケルもしくは、銅やパラジウムなどを用い、基板温度２００℃以上の状態でスパッタリングを行えばよい。
【００２７】
また、金属膜が複数の金属膜５，６，７からなる多層構造であるので、図４に示すように、絶縁膜２での開口部端部のテーパ部上にも階段状に金属膜５，６，７が残存する。これにより、金属膜５と絶縁膜２の間で剥離の発生するもととなるクラックなどの発生を抑えることができる。
【００２８】
このようにして、従来のホトリソグラフィーを用いた方法においてはホトリソおよびエッチング工程での設備やプロセスコストが非常に高くなるのに対し、本実施形態においては、剥離が容易で、かつ、低コストに、金属膜５，６，７を所望の領域（絶縁膜２の開口部３）にパターニングすることができる。
【００２９】
製造工程の説明に戻り、次に、図５に示すように、金属膜５，６，７の上にはんだ（電極）９を形成する。また、基板１の裏面に裏面電極用金属膜１０を全面に形成する。
【００３０】
よって、半導体装置の構造として、図５のように、導電性材料４の上面に絶縁膜２が形成されるとともに、絶縁膜２に開口部３がパターニングされ、この開口部３において金属膜５，６，７を介して電極９を配置した半導体装置であって、開口部３の端部をテーパにし、このテーパ部を含めた開口部３内に金属膜５，６，７を配したものとなる。また、金属膜５，６，７が２層以上の積層構造であり、金属膜５，６が柱状構造となっている。
（第２の実施の形態）
次に、第２の実施の形態を、第１の実施の形態との相違点を中心に説明する。
【００３１】
図９〜図１３には、本実施形態における半導体装置の製造工程を示す。第１の実施の形態においては図１に示したように絶縁膜２の開口部３の端部でのテーパ形状は順テーパであったが、本実施形態においては図１０に示すように絶縁膜２の表層部においては逆テーパとしている。即ち、開口部３の端部は、順および逆テーパとなっている。
【００３２】
以下、詳しく説明する。
まず、図９に示すように、シリコン基板１の上に絶縁膜２を成膜した後に、絶縁膜２の表面に対し改質処理（例えば、熱処理や拡散処理など）を行う。これにより、絶縁膜２の表層部に、エッチングレートがわずかに異なる改質層２ａができる。次に、改質層２ａを有する絶縁膜２に対し開口部形成のためのエッチングを行うと、図１０に示すように絶縁膜２の改質層２ａの開口端部は逆テーパ形状のエッジ部３１となる。そして、図１１に示すように、金属膜５，６，７を成膜する。このとき、逆テーパ形状のエッジ部３１において隙間（ボイド）Ｓ１が形成される。
【００３３】
さらに、図１２に示すように粘着シート８を貼り付ける。引き続き、粘着シート８を剥がすと、図１３に示すように、テーパ部を含めた開口部３内に金属膜５，６，７が残される。このシート剥がしの際に、エッジ部３１が起点となり、パターニングがより容易になる。
【００３４】
なお、逆テーパエッジ形状は、いろいろな方法で形成可能であるため、改質層２ａが無くても、エッジ部３１が得られればよい。また、テーパ部全体が逆テーパ状になっていても、半導体装置として支障がなければ、使用可能である。
【００３５】
これまでの説明において図５での導電性材料としてＮ型拡散層４を用いたが、図１４に示すように、シリコン基板４０の上面に金属膜（アルミ膜等）４１を形成し、この金属膜４１を導電性材料とした場合に適用してもよい。つまり、金属膜４１の上面に絶縁膜４２が形成されるとともに、絶縁膜４２に開口部４３がパターニングされ、この開口部４３において金属膜４４，４５，４６を介して電極４７を配置する際に、開口部４３の端部をテーパにし、このテーパ部を含めた開口部４３内に金属膜４４，４５，４６を配するようにしてもよい。
【００３６】
また、金属膜は３つの金属膜５，６，７を積層したものとしたが、これに限ることなく、単層の膜としたり２層の積層体や４層以上の積層体としてもよい。図１５には、図２に代わる単層の膜（金属膜）５０とした場合を示す。
【図面の簡単な説明】
【図１】第１の実施の形態におけるダイオードの製造工程を示す断面図。
【図２】ダイオードの製造工程を示す断面図。
【図３】ダイオードの製造工程を示す断面図。
【図４】ダイオードの製造工程を示す断面図。
【図５】ダイオードの製造工程を示す断面図。
【図６】スパッタリング装置を示す斜視図。
【図７】粘着シートの剥がし工程を説明するための斜視図。
【図８】粘着シートの剥がし工程を説明するための断面図。
【図９】第２の実施の形態におけるダイオードの製造工程を示す断面図。
【図１０】ダイオードの製造工程を示す断面図。
【図１１】ダイオードの製造工程を示す断面図。
【図１２】ダイオードの製造工程を示す断面図。
【図１３】ダイオードの製造工程を示す断面図。
【図１４】別例の半導体装置を示す断面図。
【図１５】別例の半導体装置を示す断面図。
【符号の説明】
１…Ｐ型シリコン基板、２…絶縁膜、２ａ…改質層、３…開口部、４…Ｎ型拡散層、５…金属膜（チタン薄膜）、６…金属膜（ニッケル薄膜）、７…金属膜（金薄膜）、８…粘着シート、３１…逆テーパエッジ部、４０…シリコン基板、４１…金属膜、４２…絶縁膜、４３…開口部、４４…金属膜、４５…金属膜、４６…金属膜、５０…金属膜。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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