(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の柱状電極を有する半導体ウエハ上にスクリーン印刷により液状樹脂を塗布して封止膜を形成するとき、金属板からなるスキージを用いる工程を有し、
前記スキージの上部は一対のスキージホルダに挟持されており、前記スキージの移動方向とは反対側の前記スキージホルダの外面に取り付けられた、側面がく字状のスキージ撓み防止板の先端部が、前記スキージの先端部の前記スキージの移動方向とは反対側の面に当接されていることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２】
請求項１に記載の発明において、前記スキージはステンレス鋼からなることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項３】
請求項２に記載の発明において、前記スキージの厚さは０．２〜０．４ｍｍであることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項４】
請求項３に記載の発明において、前記スキージの先端は平面であることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は半導体装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来のＣＳＰ(chip size package)と呼ばれる半導体装置の製造方法には、半導体ウエハ上に複数の柱状電極を形成し、柱状電極を含む半導体ウエハ上に、スクリーン印刷により液状樹脂を塗布して、封止膜をその厚さが柱状電極の高さよりもやや厚くなるように形成し、硬化後の封止膜の上面側を適宜に研磨して除去することにより、柱状電極の上面を露出させるとともに、この露出された柱状電極の上面を含む封止膜の上面を平坦化するようにした方法がある（例えば、特許文献１参照）。
【０００３】
【特許文献１】特許第３２１６６３７号公報（図９、図１０）
【０００４】
ところで、上記スクリーン印刷で使用される印刷マスクは、厚さが柱状電極の高さよりもやや厚いステンレス鋼板に半導体ウエハのサイズよりもやや小さい円形状の開口部が形成されたものからなっている。また、上記スクリーン印刷で使用されるスキージは、一般的に、ウレタンゴムによって形成されている。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
一方、最近では、半導体ウエハのサイズが大きくなる傾向にあり、８インチ、１２インチのものもある。したがって、印刷マスクの開口部のサイズもそれに応じて大きくなる。しかるに、ウレタンゴムからなるスキージでは、印刷マスクに押し付けられるため、印刷マスクとの接触部で弾性変形するが、印刷マスクの開口部のサイズが大きくなると、印刷マスクの開口部に対応する部分で当該開口部内に押し出されてしまう。この結果、半導体ウエハ上にスクリーン印刷により塗布された液状樹脂からなる封止膜の膜厚が半導体ウエハの中心部で最も薄く、外周部に向かうに従って漸次厚くなり、大きくばらついてしまうという問題がある。
【０００６】
そこで、この発明は、半導体ウエハのサイズが大きくなっても、半導体ウエハ上にスクリーン印刷により塗布される液状樹脂からなる封止膜の膜厚がばらつきにくいようにすることができる半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
この発明は、上記目的を達成するため、複数の柱状電極を有する半導体ウエハ上にスクリーン印刷により液状樹脂を塗布して封止膜を形成するとき、金属板からなるスキージを用いる工程を有し、前記スキージの上部は一対のスキージホルダに挟持されており、前記スキージの移動方向とは反対側の前記スキージホルダの外面に取り付けられた、側面がく字状のスキージ撓み防止板の先端部が、前記スキージの先端部の前記スキージの移動方向とは反対側の面に当接されていることを特徴とするものである。
【発明の効果】
【０００８】
この発明によれば、金属板からなるスキージの先端の直線性が高く、且つ、当該先端の厚さ方向に直交する方向の変形量が極めて小さいので、印刷マスクの開口部のサイズが大きくなっても、スキージの先端が印刷マスクの開口部内に押し出されることがなく、したがって半導体ウエハのサイズが大きくなっても、半導体ウエハ上にスクリーン印刷により塗布される液状樹脂からなる封止膜の膜厚がばらつきにくいようにすることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００９】
図１はこの発明の製造方法により製造された半導体装置の一例の断面図を示す。この半導体装置はシリコン基板１を備えている。シリコン基板１の上面には所定の機能の集積回路（図示せず）が設けられ、上面周辺部にはアルミニウム系金属等からなる複数の接続パッド２が集積回路に接続されて設けられている。
【００１０】
接続パッド２の中央部を除くシリコン基板１の上面には酸化シリコン等からなる絶縁膜３が設けられ、接続パッド２の中央部は絶縁膜３に設けられた開口部４を介して露出されている。絶縁膜３の上面にはポリイミド系樹脂等からなる保護膜５が設けられている。絶縁膜３の開口部４に対応する部分における保護膜５には開口部６が設けられている。
【００１１】
保護膜５の上面には銅等からなる下地金属層７が設けられている。下地金属層７の上面全体には銅からなる配線８が設けられている。下地金属層７を含む配線８の一端部は、絶縁膜３および保護膜５の開口部４、６を介して接続パッド２に接続されている。配線８の接続パッド部上面には銅からなる柱状電極９が設けられている。配線８を含む保護膜５の上面にはエポキシ系樹脂等からなる封止膜１０がその上面が柱状電極９の上面と面一となるように設けられている。柱状電極９の上面には半田ボール１１が設けられている。
【００１２】
次に、この半導体装置の製造方法の一例について説明する。まず、図２に示すように、ウエハ状態のシリコン基板（以下、半導体ウエハ２１という）上に接続パッド２、絶縁膜３、保護膜５、下地金属層７、配線８および柱状電極９が形成されたものを用意する。なお、図２において、符号２２で示す領域は半導体ウエハ２１の外周部の非半導体装置形成領域である。
【００１３】
次に、図３に示すように、保護膜５の外周部（非半導体装置形成領域２２）の上面に印刷マスク２３を位置合わせして配置する。印刷マスク２３は、厚さが柱状電極９の高さよりもやや厚いステンレス鋼板に半導体ウエハ２１のサイズよりもやや小さい円形状の開口部２４が形成されたものからなっている。
【００１４】
次に、図４に示すように、後で詳述するスキージ２５を用いて、印刷マスク２３の開口部２４内において配線８および柱状電極９を含む保護膜５の上面にエポキシ系樹脂等からなる液状樹脂を塗布し、この塗布された液状樹脂を硬化させることにより、封止膜１０をその厚さが柱状電極９の高さよりもやや厚くなるように形成する。したがって、この状態では、柱状電極９の上面は封止膜１０によって覆われている。
【００１５】
次に、封止膜１０の上面側を適宜に研磨して除去することにより、図５に示すように、柱状電極９の上面を露出させるとともに、この露出された柱状電極９の上面を含む封止膜１０の上面を平坦化する。次に、図６に示すように、柱状電極９の上面に半田ボール１１を形成する。次に、半導体ウエハ２１等をダイシングラインに沿って切断すると、図１に示す半導体装置が複数個得られる。
【００１６】
ここで、スキージ２５の一例について、図７に示す側面図を参照して説明する。スキージ２５は、厚さ１〜４ｍｍの長方形状のステンレス鋼板（金属板）によって形成されている。スキージ２５の先端は、フライス加工により真直度０．０２ｍｍ程度とされた平面となっている。スキージ２５の上部はアルミニウム等からなる一対のスキージホルダ２６に挟持され、ボルト２７およびナット２８により一体化されている。
【００１７】
そして、このステンレス鋼板からなるスキージ２５では、その先端の直線性が高く、且つ、当該先端の厚さ方向に直交する方向の変形量が極めて小さいので、印刷マスク２３の開口部２４のサイズが大きくなっても、その先端が印刷マスク２３の開口部２４内に押し出されることがなく、したがって半導体ウエハ２１のサイズが大きくなっても、半導体ウエハ２１上にスクリーン印刷により塗布された液状樹脂からなる封止膜１０の膜厚がばらつきにくいようにすることができる。
【００１８】
次に、このステンレス鋼板からなるスキージ２５を用いた封止膜形成の実験結果について説明する。まず、８インチ（直径約２００ｍｍ）の半導体ウエハ２１を印刷対象とし、印刷マスク２３の開口部２４の直径を１９０ｍｍとし、スキージ２５およびスキージホルダ２６の長さを２４０ｍｍとした。
【００１９】
そして、図４に示すように、半導体ウエハ２１上において配線８および柱状電極９を含む保護膜５の上面にスキージ２５を用いてエポキシ系樹脂からなる液状樹脂を目標膜厚１３５μｍとして塗布し、半導体ウエハ２１の中心部および外周部の１２時の部分、３時の部分、６時の部分、９時の部分における封止膜１０の保護膜５上における膜厚を調べたところ、１１１μｍ、１３５μｍ、１０５μｍ、１１０μｍ、１２１μｍであり、その最大値（１３５μｍ）と最小値（１０５μｍ）との差が２０μｍであった。
【００２０】
この場合、特に、半導体ウエハ２１の中心部における封止膜１０の保護膜５上における膜厚は１１１μｍである。これに対し、同じ長さのウレタンゴムからなるスキージを用いた場合には、特に、半導体ウエハ２１の中心部における封止膜１０の保護膜５上における膜厚は２０μｍであった。したがって、ステンレス鋼板からなるスキージ２５を用いた場合の方が封止膜１０の膜厚のばらつきが小さいと言える。
【００２１】
次に、図８はスキージ２５の他の例の側面図を示す。このスキージ２５において、図７に示すスキージ２５と異なる点は、厚さが０．２〜０．４ｍｍと薄くなっている点である。このように、スキージ２５の厚さを薄くすると、スキージ２５の先端に付着する液状樹脂が減少し、スクリーン印刷により塗布された液状樹脂からなる封止膜１０の表面の平滑性を向上することができる。
【００２２】
ただし、スキージ２５の厚さをこのように薄くすると、スキージ２５が撓みやすくなる。そこで、図８に示すように、左側（スキージ２５の移動方向とは反対側）のスキージホルダ２６の外面にボルト２７等によって取り付けられた側面ほぼく字状のスキージ撓み防止板２９の先端部をスキージ２５の先端部の左側の面（スキージ２５の移動方向とは反対側の面）に当接させると、スキージ２５が撓まないようにすることができる。
【図面の簡単な説明】
【００２３】
【図１】この発明の製造方法により製造された半導体装置の一例の断面図。
【図２】図１に示す半導体装置の製造に際し、当初用意したものの断面図。
【図３】図２に続く工程の断面図。
【図４】図３に続く工程の断面図。
【図５】図４に続く工程の断面図。
【図６】図５に続く工程の断面図。
【図７】スキージの一例の側面図。
【図８】スキージの他の例の側面図。
【符号の説明】
【００２４】
１  シリコン基板
２  接続パッド
３  絶縁膜
５  保護膜
７  下地金属層
８  配線
９  柱状電極
１０  封止膜
１１  半田ボール
２１  半導体ウエハ
２３  印刷マスク
２４  開口部
２５  スキージ
２６  スキージホルダ
２８  スキージ撓み防止板
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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