(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
誘導性負荷に通電する電流をスイッチ手段により断続して制御することで、前記負荷を駆動する負荷駆動装置に使用され、
前記負荷に流れる電流を、アナログ電圧信号として検出する電流検出手段と、
前記負荷を駆動することに伴って変化する、前記電流以外の状態量として少なくとも電源電圧に対応するアナログ電圧信号を検出する１つ以上の状態量検出手段と、
前記アナログ電圧信号をＡ／Ｄ変換するＡ／Ｄ変換回路とを備え、
前記Ａ／Ｄ変換回路に、前記スイッチ手段がＯＮしている期間は前記電流検出手段によって検出される信号をＡ／Ｄ変換させ、前記スイッチ手段がＯＦＦしている期間は前記状態量検出手段によって検出される信号をＡ／Ｄ変換させるように構成されていることを特徴とする負荷駆動装置の信号検出装置。
【請求項２】
前記状態量検出手段が検出対象とする状態量は、温度を含むことを特徴とする請求項１記載の負荷駆動装置の信号検出装置。
【請求項３】
前記スイッチ手段がＯＦＦした直後に前記温度に対応するアナログ電圧信号をＡ／Ｄ変換させ、その後、前記電源電圧に対応するアナログ電圧信号をＡ／Ｄ変換させることを特徴とする請求項２記載の負荷駆動装置の信号検出装置。
【請求項４】
前記状態量検出手段によって検出されるアナログ電圧信号のレベルが、所定範囲内となるように調整する増幅回路を備えたことを特徴とする請求項１ないし３の何れかに記載の負荷駆動装置の信号検出装置。
【請求項５】
前記Ａ／Ｄ変換回路の動作用電源と、前記増幅回路の動作用電源とを共通化したことを特徴とする請求項４記載の負荷駆動装置の信号検出装置。
【請求項６】
前記状態量検出手段並びに前記増幅回路を複数備える場合、
前記複数の増幅回路を、半導体基板上において夫々絶縁分離した状態で形成することを特徴とする請求項４又は５記載の負荷駆動装置の信号検出装置。
【請求項７】
前記複数の増幅回路を、夫々の動作温度が略等しくなる範囲に近接配置したことを特徴とする請求項６記載の負荷駆動装置の信号検出装置。
【請求項８】
前記電流検出手段による電流検出を、前記スイッチ手段がＯＮした直後とＯＦＦする直前とで２回行い、それらの検出結果の平均を演算して電流値を求める電流値演算手段を備えたことを特徴とする請求項１乃至７の何れかに記載の負荷駆動装置の信号検出装置。
【請求項９】
前記Ａ／Ｄ変換回路によって変換されたデジタルデータを、当該データを読み込んで判定処理するＣＰＵを備える判定処理部にシリアル通信によって送信する送信手段を備えたことを特徴とする請求項１乃至８の何れかに記載の負荷駆動装置の信号検出装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、誘導性負荷に通電する電流をスイッチ手段により断続して制御することで、前記負荷を駆動する負荷駆動装置に使用される信号検出装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
特許文献１には、充電発電機のコイルに通電する電流をＡ／Ｄ変換する技術が開示されている。また、上記電流やその他のパラメータもＡ／Ｄ変換してＣＰＵが監視することで発電機の異常の有無を判定する技術が、特許文献２，３などに開示されている。
【特許文献１】特開２００２−１７１６８８号公報
【特許文献２】特開平７−１８４３３０号公報
【特許文献３】特開平６−７０５９９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
しかしながら、機器の異常を検出するのに、上記従来技術のようにＣＰＵを用いて多くの検出パラメータを監視しようとすると、Ａ／Ｄ変換回路やＩ／Ｏ回路が大規模化することが避けられない。従って、ＣＰＵを含むマイクロコンピュータ等の素子サイズが拡大してコストアップを招いてしまう。また、例えば車両に搭載される発電機のように、比較的高温の環境下で使用される機器の異常を検出する場合は、回路素子のリーク電流に起因する作動不良が発生するおそれがある。更に、車両に搭載される回路については極めて高い信頼性が要求されるが、回路が大規模化するとその信頼性にも悪影響を及ぼすことになってしまう。
本発明は上記事情に鑑みてなされたものであり、その目的は、誘導性負荷を駆動する負荷駆動装置の動作時に発生する複数の信号を簡単な構成で効率的に検出することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００４】
請求項１記載の負荷駆動装置の信号検出装置によれば、電流検出手段は、誘導性負荷に流れる電流をアナログ電圧信号として検出し、状態量検出手段は、前記負荷を駆動することに伴って変化する、電流以外の状態量として少なくとも電源電圧に対応するアナログ電圧信号を検出する。そして、共通のＡ／Ｄ変換回路によってアナログ電圧信号をＡ／Ｄ変換する場合、スイッチ手段がＯＮしている期間は電流検出手段によって検出される信号をＡ／Ｄ変換させ、スイッチ手段がＯＦＦしている期間は状態量検出手段によって検出される信号をＡ／Ｄ変換させる。即ち、１つのＡ／Ｄ変換回路に、複数のアナログ電圧信号を時分割してＡ／Ｄ変換させることができるので、回路規模の増大を抑制して信頼性を向上させ、コストダウンを図ることができる。
また、電流以外の状態量については、スイッチ手段がＯＦＦとなり、誘導性負荷にアクティブに電流を流さない期間にＡ／Ｄ変換させるので、前記電流が外乱要因となる可能性が極めて低くなり、検出精度を向上させることができる。
【０００５】
請求項２記載の負荷駆動装置の信号検出装置によれば、状態量検出手段が検出対象とする状態量に温度を含む。
そして、請求項３記載の負荷駆動装置の信号検出装置によれば、スイッチ手段がＯＦＦした直後に温度に対応するアナログ電圧信号をＡ／Ｄ変換させ、その後、電源電圧に対応するアナログ電圧信号をＡ／Ｄ変換させる。即ち、スイッチ手段がＯＦＦしている期間は、電源から誘導性負荷に対して電流が供給されず、通電経路における電圧降下が発生しない。従って、電源電圧を安定した状態で検出することができる。また、スイッチ手段がＯＮして誘導性負荷に電流が供給されると通電経路に熱が発生し、スイッチ手段がＯＦＦに切替わった時点では発熱が大きくなっているので、温度検出を適切な時点で行なうことができる。
【０００６】
請求項４記載の負荷駆動装置の信号検出装置によれば、状態量検出手段によって検出されるアナログ電圧信号のレベルを所定範囲内とするように増幅回路で調整するので、Ａ／Ｄ変換回路への入力が略同様の範囲となるように揃えて、Ａ／Ｄ変換を効率的に行なうことができる。
【０００７】
請求項５記載の負荷駆動装置の信号検出装置によれば、Ａ／Ｄ変換回路の動作用電源と増幅回路の動作用電源とを共通化するので、例えば電源が温度特性を有している場合でもその影響がＡ／Ｄ変換回路に及ぶことがなく、検出精度を向上させることができる。
【０００８】
請求項６記載の負荷駆動装置の信号検出装置によれば、複数の増幅回路を、半導体基板上において夫々絶縁分離した状態で形成するので、それらが近接するように配置しても互いの増幅動作に影響が及ぶことを防止でき、回路サイズをより縮小することができる。
【０００９】
請求項７記載の負荷駆動装置の信号検出装置によれば、複数の増幅回路を、夫々の動作温度が略等しくなる範囲に近接配置するので、夫々の増幅動作を安定させて増幅のばらつきをなくすことができる。
【００１０】
請求項８記載の負荷駆動装置の信号検出装置によれば、電流値演算手段は、電流検出手段による電流検出をスイッチ手段がＯＮした直後とＯＦＦする直前とで２回行い、それらの平均を演算して電流値を求める。即ち、誘導性負荷に通電を行なうと、インダクタンスによって電流値が時間的に変化するが、通電期間の開始付近の低い値と通電期間の終了付近の高い値とを平均することで、妥当な電流値を検出することができる。
【００１１】
請求項９記載の負荷駆動装置の信号検出装置によれば、Ａ／Ｄ変換回路によって変換されたデジタルデータを、当該データを読み込んで判定処理するＣＰＵを備える判定処理部にシリアル通信によって送信する。従って、負荷駆動装置が動作することによるノイズ的な影響がデータの送信経路に及ぶリスクを軽減できる。また、負荷駆動装置とＣＰＵとを離して配置することができるので、負荷駆動装置が動作することによる熱的な影響がＣＰＵに及ぶことも防止できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１２】
以下、本発明を車両用の充電用発電機を駆動する装置（車両用発電制御装置（以下、「レギュレータ」と称する）について、図面を参照しながら説明する。図１は、レギュレータや車両用発電機、電源の接続状態を示すものである。レギュレータ（負荷駆動装置，信号検出装置）１は、車両用発電機２の出力端子（Ｂ端子）の電圧が所定の調整電圧設定値（例えば１４Ｖ）になるように制御するものである。
【００１３】
車両用発電機２は、固定子であるステータに含まれる３相のステータコイル３ａ，３ｂ，３ｃと、これらのステータコイル３ａ〜３ｃの３相出力を全波整流するために設けられた整流回路４と、回転子であるロータに含まれる励磁コイル（誘導性負荷）５とを備えて構成されている。車両用発電機２は、図示しない車両のエンジンによって回転駆動され、その出力電圧制御は、レギュレータ１が励磁コイル５に対する通電を断続することで行われる。発電機２の出力端子（Ｂ端子）は、電源線６を介してバッテリを含む電源７に接続されており、Ｂ端子から電源７に充電電流が供給される。そして、電源７は、電源線６を介して１４Ｖの電源ＶＢを各部に供給する。
【００１４】
レギュレータ１において、電源線６には、ＮチャネルＭＯＳＦＥＴ８（スイッチ手段），９のドレインが接続されており、ＦＥＴ８のソースは、制御端子Ｃを介して発電機２の励磁コイル５に接続されていると共に、フライホイールダイオード１０を介してグランドに接続されている。また、ＦＥＴ９（電流検出手段）のソースは、抵抗素子（電流検出手段）１１を介してグランドに接続されていると共に、ボルテージバッファを構成するオペアンプ１２の非反転入力端子に接続されている。そして、ＦＥＴ８,９のゲートは共通に接続されており、それらのゲートには、ドライバ１３を介して制御信号が与えられるようになっている。尚、ＦＥＴ８，９に流れる電流比は、例えば１０００:１程度となるように設定されている。従って、ＦＥＴ８がＯＮすると、電源７より発電機２の励磁コイル５に電流が供給されるが、その時ＦＥＴ９には、ＦＥＴ８側に対して１／１０００の比で電流が流れて抵抗素子１１に供給される。
【００１５】
また、電源線６は、抵抗素子１４及び１５の直列回路を介してグランドに接続されており、抵抗素子１４及び１５（状態検出手段）の共通接続点は、平滑回路１６を介してオペアンプ１７の非反転入力端子に接続されている。平滑回路１６は、例えば平滑用のコンデンサやＣＲ積分回路などで構成されている。オペアンプ１７は非反転増幅回路を構成するもので、その出力端子は、抵抗素子１８及び１９の直列回路を介してグランドに接続されており、抵抗素子１８及び１９の共通接続点は反転入力端子に接続されている。
【００１６】
また、電源ＶＢとグランドとの間には、電流源２０と、複数個のダイオード２１との直列回路よりなる温度センサ（状態検出手段）２２が接続されており、電流源２０とダイオード２１のアノードとの共通接続点は、オペアンプ２３の非反転入力端子に接続されている。オペアンプ２３は、オペアンプ１７と同様に非反転増幅回路を構成するもので、その出力端子は、抵抗素子２４及び２５の直列回路を介してグランドに接続されており、抵抗素子２４及び２５の共通接続点は反転入力端子に接続されている。
温度センサ２２は、ダイオード２１が有する温度特性により、電流源２０との共通接続点における分圧電位が温度に応じて変化するように構成されている。また、この温度センサ２２は、主たる発熱源となるＦＥＴ８の近傍に配置されている。
【００１７】
そして、オペアンプ１２，２３，１７の出力端子は、夫々アナログスイッチ２６，２７，２８を介してＡ／Ｄ変換回路２９の入力ポートに共通に接続されている。また、上記３つのアナログスイッチ２６，２７，２８のオンオフ制御は、セレクタ３０より出力されるセレクト信号ａ，ｂ，ｃによって行なわれる。セレクタ３０には、ドライバ１３と共通の制御信号が与えられるようになっている。尚、オペアンプ１２，１７，２３とＡ／Ｄ変換回路２９には、電源７によって生成される例えば５Ｖの電源ＶＣＣが供給されている。
Ａ／Ｄ変換回路２９は例えば８ビット構成であり、Ａ／Ｄ変換された８ビットデータは、レジスタ３１に出力される。このレジスタ３１には、セレクタ３０より出力されるセレクト信号ａ，ｂ，ｃが与えられており、それらの何れか１つがアクティブになるのに応じてＡ／Ｄ変換回路２９より出力されるデータの格納領域を切り替えるようになっている。
【００１８】
レジスタ３１の出力データは、パラシリ変換回路３２のパラレル入力端子に与えられている。パラシリ変換回路３２は、レジスタ３１より出力される８ビットのパラレルデータをシリアルに変換すると、変換したデータをＮＰＮトランジスタ３３のベースに出力する。トランジスタ３３は、シリアル通信用のドライバ（送信手段）５０をなすものであり、そのコレクタには、ダイオード３４及び抵抗素子３５を介して電源ＶＢが供給されており、エミッタはグランドに接続されている。そして、トランジスタ３３のコレクタは、レギュレータ１のシリアル出力端子ＳＯ及び通信線３６を介してＥＣＵ（判定処理部）３７のシリアル入力端子ＳＩに接続されている。
【００１９】
ＥＣＵ３７は、レギュレータ１に対し通信線３６を介して離間した位置に配置されている。このＥＣＵ３７の内部において、シリアル入力端子ＳＩには、コンパレータ３８の入力端子（＋）が接続されており、コンパレータ３８の入力端子（−）には、基準電圧Ｖrefが与えられている。そして、コンパレータ３８の出力端子は、シリパラ変換回路３９のシリアル入力端子に接続されている。シリパラ変換回路３９は、コンパレータ３８より入力されるシリアルデータをパラレルデータに変換して、ＣＰＵ（電流値演算手段）４０に出力する。
【００２０】
図２は、レギュレータ１を構成する主たる回路素子のレイアウトを模式的に示すものである。図２中左方には、最も発熱量が多いＦＥＴ８が配置されており、そのＦＥＴ８と若干間隔を空けて３つのオペアンプ１２，１７，２３が互いに近接するように配置されている。また、それらの右方には、Ａ／Ｄ変換回路２９及びレジスタ３１が配置され、更にその右側には、通信ドライバ５０を構成するトランジスタ３３，ダイオード３４，抵抗素子３５が配置されている。
【００２１】
また、図３は、レギュレータ１のＬＳＩとしての構成を半導体レベルで示す模式的断面図である。レギュレータ１を構成する各回路素子は、埋め込み酸化膜（ＳｉＯ2）４１を有するＳＯＩ（Silicon On Insulator）基板４２上に形成されており、図３には、それらの一部として、ＦＥＴ８，オペアンプ１２，１７，２３を構成する素子の一部を示している。これらは、何れも埋め込み酸化膜４１に達するトレンチ４３の内部に酸化膜材料４４を埋設することでトレンチ分離された領域に形成されている。従って、隣接して配置されているオペアンプ１２，１７，２３についても、互いの電気的絶縁が確保されている。
【００２２】
次に、本実施例の作用について図４及び図５も参照して説明する。図４は、車両のエンジンが回転しており、レギュレータ１が動作する場合に与えられる制御信号（ａ），並びに制御信号の出力状態に応じて変化するセレクタ３０の出力（ｂ），励磁コイル５の通電電流（ｃ），ＦＥＴ８の温度（ｄ），電源ＶＢの電圧（ｅ）を示すタイミングチャートである。
【００２３】
図４（ａ）に示すように、制御信号は、例えば５ｍｓ〜１０ｍｓ程度の周期内で、車両用発電機２の励磁コイル５に通断電を行なうハイレベル期間，ロウレベル期間を所定の比率で変化させるように出力される。尚、制御信号の出力周期は、例えば励磁コイル５を含む発電機２を構成するロータの時定数の１／１０程度に設定される。即ち、エンジンが回転している期間は励磁コイル５の通電電流を上記のように制御して、発電機２の発電電圧が電源７の電圧ＶＢ（＝１４Ｖ）に等しくなるように制御する。
図４（ｂ）に示すように、セレクタ３０は、励磁コイル５に通電が行なわれる制御信号のハイレベル期間は、アナログスイッチ２６だけをＯＮするようにセレクト信号ａをアクティブにする。そして、制御信号のレベルがハイからロウに切替わると、その直後にセレクト信号ｂのみをアクティブにし、それから若干の時間が経過した後、セレクト信号ｃのみをアクティブにするようにセレクト信号の出力状態を変化させる。
【００２４】
ＦＥＴ８がＯＮすると、図４（ｃ）に示すように、励磁コイル５に流れる電流は、インダクタンスの影響で緩やかに上昇を開始する。そして、ＦＥＴ８がＯＮからＯＦＦに切替わる直前にピークとなり、ＦＥＴ８がＯＦＦするとフライホイールダイオード１０を介して遅れ電流が流れ、電流レベルは低下して行く。
また、ＦＥＴ８がＯＮしている期間は、アナログスイッチ２６を介してＡ／Ｄ変換回路２９の入力ポートにオペアンプ１２の出力信号が与えられるので、励磁コイル５の通電電流がＡ／Ｄ変換回路２９によってＡ／Ｄ変換される。そのデジタルデータは、レジスタ３１，パラシリ変換回路３２及び通信ドライバ５０を介してＥＣＵ３７に送信される。
【００２５】
すると、ＥＣＵ３７のＣＰＵ４０は、制御信号がハイレベルとなって励磁コイル５に対する通電が開始された直後にＡ／Ｄ変換された電流値I＿startと、制御信号がハイからロウレベルに変化する直前、即ち励磁コイル５が断電される直前にＡ／Ｄ変換された電流値I＿endとを取得し、それらの平均を演算して検出電流Ｉを得る。つまり、
Ｉ＝（I＿start＋I＿end）／２
とする。即ち、図４（ｃ）に示すように、励磁コイル５の通電電流は、そのインダクタンスによって緩やかに変化するため、通電開始直後の低い電流値I＿startと、断電直前の電流値I＿endとの平均を演算することで、妥当な検出電流値Ｉを得ることができる。
【００２６】
また、図４（ｄ）に示すように、温度センサ２２によって検出される温度は、励磁コイル５の通電電流の増減状態と同様に変化し、ＦＥＴ８を介して電流が流れる期間に上昇し、ＦＥＴ８がＯＦＦする期間に低下する。そして、ＦＥＴ８がＯＦＦした直後にセレクタ３０が出力するセレクト信号ｂがアクティブになることで、アナログスイッチ２７を介してＡ／Ｄ変換回路２９の入力ポートにオペアンプ２３の出力信号が与えられ、温度センサ２２によって検出される温度がＡ／Ｄ変換されてＥＣＵ３７に送信される。従って、ＦＥＴ８がＯＦＦした直後であって、ＦＥＴ８の発熱が大きいため温度センサ２２が検出する温度が高い値を示す時点で温度検出が行なわれる。
続いて、セレクタ３０が出力するセレクト信号ｃがアクティブになることで、アナログスイッチ２８を介してＡ／Ｄ変換回路２９の入力ポートにオペアンプ１７の出力信号が与えられ、電圧ＶＢがＡ／Ｄ変換されてＥＣＵ３７に送信される。
【００２７】
ここで、図５を参照する。図５（ａ）は図１の一部相当図であり、ＦＥＴ８の周辺部分の等価回路を示している。また、図５（ｂ）は、ＦＥＴ８の半導体的構成を示す模式的な図である。図５（ｂ）において、ＦＥＴ８は、ヒートシンク５１の上に固着された半導体基板５２に形成されており、そのドレイン，ソースの各領域は、外部端子であるリード５３，５４とワイヤ５５，５６によってボンディングされている。そして、全体は樹脂５７によりモールドされている。
そして、図５（ａ）に示すように、電源線６には、リード５３やワイヤ５５などを含む抵抗分が含まれているため、ＦＥＴ８がＯＮして励磁コイル５に通電が行われると、上記抵抗分などにより電源電圧ＶＢが低下する。従って、電源電圧ＶＢの検出は、図４（ｃ）に示すように、ＦＥＴ８がＯＦＦしており励磁コイル５に対する通電が行われておらず、電圧ＶＢに電圧降下が生じない期間に行なうようにしている（図４（ｅ）参照）。
【００２８】
以上のように本実施例によれば、発電機２の励磁コイル５に流れる電流を、ＦＥＴ９及び抵抗素子１１によりアナログ電圧信号として検出し、励磁コイル５に通電を行なうことに伴って変化する電源電圧ＶＢ並びにレギュレータ１の温度を、抵抗素子１４及び１５，温度センサ２２により夫々アナログ電圧信号として検出する。そして、共通のＡ／Ｄ変換回路２９によってそれらのアナログ電圧信号をＡ／Ｄ変換する場合、ＦＥＴ８がＯＮしている期間は電流の検出電圧信号をＡ／Ｄ変換させ、ＦＥＴ８がＯＦＦしている期間は電圧ＶＢ並びに温度に対応する電圧信号をＡ／Ｄ変換させるようにした。即ち、１つのＡ／Ｄ変換回路２９に、複数のアナログ電圧信号を時分割してＡ／Ｄ変換させることができるので、レギュレータ１の回路規模の増大を抑制して信頼性を向上させ、コストダウンを図ることができる。
【００２９】
また、電圧ＶＢ並びに温度については、ＦＥＴ８がＯＦＦとなり励磁コイル５にアクティブに電流を流さない期間にＡ／Ｄ変換させるので、前記電流が外乱要因となる可能性が極めて低くなり、検出精度を向上させることができる。そして、電圧ＶＢ並びに温度のアナログ検出信号については、電圧レベルを所定範囲内とするようにオペアンプ２３，１７によって調整するので、Ａ／Ｄ変換回路２９への入力が略同様の範囲となるように揃えて、Ａ／Ｄ変換を効率的に行なうことができる。
【００３０】
更に、本実施例によれば、Ａ／Ｄ変換回路２９の動作用電源とオペアンプ１２，１７，２３の動作用電源とを共通の電源ＶＣＣとしたので、電源７が温度特性を有している場合でもその影響がキャンセルされてＡ／Ｄ変換回路２９だけに及ぶことがなく、検出精度を向上させることができる。
また、オペアンプ１２，１７，２３を、ＳＯＩ基板４２上において夫々トレンチ分離した領域に形成したので、それらが近接するように配置しても互いの増幅動作に影響が及ぶことを防止でき、回路サイズをより縮小することができる。更に、それらを夫々の動作温度が略等しくなる範囲に近接配置したことで、夫々の増幅動作を安定させて増幅のばらつきをなくすことができる。
【００３１】
また、ＥＣＵ３７のＣＰＵ４０は、電流検出をＦＥＴ８がＯＮした直後とＯＦＦする直前とで２回行ったＡ／Ｄ変換値の平均を演算して電流値Ｉを求めるので、励磁コイル５が有するインダクタンスにより電流値が変動する場合でも、妥当な値を検出することができる。加えて、Ａ／Ｄ変換回路２９によって変換されたデジタルデータを、通信ドライバ５０を介してＥＣＵ３７にシリアル通信により送信するので、レギュレータ１が動作することによるノイズ的な影響がデータの送信経路に及ぶリスクを軽減できる。また、レギュレータ１とＣＰＵ４０とを離して配置することができるので、レギュレータ１が動作することによる熱的な影響がＣＰＵ４０に及ぶことも防止できる。
【００３２】
本発明は上記し又は図面に記載した実施例にのみ限定されるものではなく、以下のような変形が可能である。
ＦＥＴ８に制御信号を出力する制御回路は、ＥＣＵ３７でも、ＥＣＵ３７とは別の制御回路であっても良い。
スイッチ手段は、ＮチャネルＭＯＳＦＥＴ８に限ることなく、ＰチャネルＭＯＳＦＥＴやバイポーラトランジスタ、ＩＧＢＴなどでも良い。
ＣＰＵ４０が行う電流演算手段としての機能を、レギュレータ１の内部に組み込んでも良い。従って、シリアル通信を行う機能は必要に応じて設ければ良い。
車両用発電機２に限ることはなく、また、誘導性負荷は発電機２の励磁コイル５に限ることはない。
【図面の簡単な説明】
【００３３】
【図１】本発明を車両用の充電用発電機を駆動レギュレータに適用した場合の一実施例であり、レギュレータ，車両用発電機，電源の接続状態を示す図
【図２】レギュレータを構成する主たる回路素子のレイアウトを模式的に示す図
【図３】レギュレータのＬＳＩとしての構成を、半導体レベルで示す模式的断面図
【図４】各信号の電圧波形等を示すタイミングチャート
【図５】（ａ）は図１の一部相当図、（ｂ）はＦＥＴの半導体的構成を示す模式的な図
【符号の説明】
【００３４】
図面中、１はレギュレータ（負荷駆動装置，信号検出装置）、２は車両用発電機、５は励磁コイル（誘導性負荷）、７は電源、８はＮチャネルＭＯＳＦＥＴ（スイッチ手段）、９はＮチャネルＭＯＳＦＥＴ９（電流検出手段）、１１は抵抗素子（電流検出手段）、１２はオペアンプ、１４及び１５は抵抗素子（状態検出手段）、１７はオペアンプ、２２は温度センサ（状態検出手段）、２３はオペアンプ、２９はＡ／Ｄ変換回路、３７はＥＣＵ（判定処理部）、４０はＣＰＵ（電流値演算手段）、５０はシリアル通信用ドライバ（送信手段）を示す。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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