(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁基板の上部に複数の第１電極を形成する段階と、
前記第１電極を露出する開口部を有する隔壁を形成する段階と、
前記隔壁上部に補助電極を形成する段階と、
前記隔壁によって区画された前記第１電極上の所定領域に有機発光層を形成する段階と、
前記補助電極及び前記有機発光層と接する第２電極を形成する段階と、
を含み、前記補助電極形成段階及び前記隔壁形成段階は１つのマスクを利用した写真エッチング工程で行い、
前記隔壁及び補助電極形成段階は、
前記絶縁基板の上部に絶縁膜及び導電膜を順次に形成する段階と、
前記導電膜上部に第１感光膜パターンを形成する段階と、
前記第１感光膜パターンをエッチングマスクとして導電膜をエッチングし予備補助電極を形成する段階と、
前記第１感光膜パターン及び前記導電膜で覆われない前記絶縁膜をエッチングして前記隔壁を形成する段階と、
アッシング工程を実施して前記第１感光膜パターンの一部を除去し第２感光膜パターンを形成する段階と、
前記第２感光膜パターンをエッチングマスクとして前記予備補助電極をエッチングし前記補助電極を完成する段階と、
を含む、有機発光表示板の製造方法。
【請求項２】
前記第１電極を光反射性を有する導電物質で形成する、請求項１に記載の有機発光表示板の製造方法。
【請求項３】
前記第２電極を透明な導電物質で形成する、請求項１に記載の有機発光表示板の製造方法。
【請求項４】
絶縁基板の上部に非晶質シリコンまたは多結晶シリコンからなる第１及び第２半導体層を形成する段階と、
前記第１ゲート電極を有するゲート線及び第２ゲート電極を形成する段階と、
前記ゲート線及び第２ゲート電極と前記第１及び第２半導体層の間にゲート絶縁膜を形成する段階と、
前記ゲート絶縁膜上部に第１及び第２ソース電極、データ線、第１及び第２ドレイン電極、電源電圧用電極を形成する段階と、
前記第１及び第２ソース電極、データ線、第１及び第２ドレイン電極、電源電圧用電極を覆う層間絶縁膜を形成する段階と、
前記層間絶縁膜上部に前記第２ドレイン電極と接続される画素電極を形成する段階と、
前記画素電極を露出する開口部で隔壁を形成する段階と、
前記隔壁上部に補助電極を形成する段階と、
前記隔壁によって区画された前記画素電極上の所定領域に有機発光層を形成する段階と、
前記補助電極及び前記有機発光層と接する共通電極を形成する段階と、
を含み、前記補助電極形成段階及び前記隔壁形成段階は１つのマスクを利用した写真エッチング工程で行い、
前記隔壁及び補助電極形成段階は、
前記層間絶縁膜及び画素電極上部に絶縁膜及び導電膜を順次に形成する段階と、
前記導電膜上部に第１感光膜パターンを形成する段階と、
前記第１感光膜パターンをエッチングマスクとして導電膜をエッチングし予備補助電極を形成する段階と、
前記第１感光膜パターン及び前記導電膜で覆われない前記絶縁膜をエッチングして前記隔壁を形成する段階と、
アッシング工程を実施して前記第１感光膜パターンの一部を除去し第２感光膜パターンを形成する段階と、
前記第２感光膜パターンをエッチングマスクとして前記予備補助電極をエッチングして前記補助電極を完成する段階と、
を含む、有機発光表示板の製造方法。
【請求項５】
前記画素電極を光反射性を有する導電物質で形成する、請求項４に記載の有機発光表示板の製造方法。
【請求項６】
前記共通電極を透明な導電物質で形成する、請求項４に記載の有機発光表示板の製造方法。
【請求項７】
前記画素電極と同一の材料を用いて同一層に形成され、前記第１ドレイン電極と前記第２ゲート電極とを接続する連結部材を形成する、請求項４に記載の有機発光表示板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は有機発光表示板及びその製造方法に関し、より詳しくは有機発光表示装置の１つの基板として使用する有機発光表示板及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
一般に有機発光表示装置は蛍光性有機物質を電気的に励起発光させて画像を表示する表示装置であって、正孔注入電極（アノード）と電子注入電極（カソード）及びこれらの間に形成されている有機発光層を含み、有機発光層に電荷を注入すれば、電子と正孔が対をなした後、消滅しながら発光する自己発光型表示装置である。この時、有機発光層の発光効率を向上させるために電子輸送層（ETL）及び正孔輸送層（HTL）などを含み、電子注入層（EIL）と正孔注入層（HIL）などをさらに含むことができ、マトリックス形態で配列されている有機発光セルを駆動する方法で単純マトリックス方式と薄膜トランジスタを利用した能動マトリックス方式に分類される。
【０００３】
単純マトリックス方式がアノードラインとカソードラインを互いに交差するように配置して特定画素に対応するラインを選択駆動する反面、能動マトリックス方式は各有機発光セルのアノード電極に駆動薄膜トランジスタとコンデンサーを接続してコンデンサー容量によって電圧を維持する駆動方式である。この時、有機発光セルに発光のための電流を供給する駆動薄膜トランジスタの電流量はスイッチングトランジスタを通じて印加されるデータ電圧によって制御され、スイッチングトランジスタのゲート及びソースは各々互いに交差して配置されているゲート信号線（またはスキャンライン）及びデータ信号線に接続される。したがって、ゲート信号線を通じて伝えられた信号によりスイッチングトランジスタがオンされれば、データラインを通じてデータ電圧が駆動薄膜トランジスタのゲート電圧に印加され、これにより駆動薄膜トランジスタを通じて有機発光セルに電流が流れて発光が行われる。ここで、各々のセルに配置されている駆動薄膜トランジスタのソースは電源電極に共通に接続されてソースには電源電圧が伝えられるが、駆動薄膜トランジスタを通じて流れる電流量は電源電圧とデータ電圧の差によって決定される。したがって、階調によるデータ電圧を印加することによって駆動薄膜トランジスタの電流量を多様に調節して階調を決定することができ、このような有機発光セルはR、G、B画素別に備えられてカラー画面を実現する。
【０００４】
このような有機発光表示装置は画像を表示する方向によって前面放出（Top Emission）方式と後面放出（Bottom Emission）方式に区分されるが、前面放出方式はカソード電極をITOまたはIZOなどのような透明な電極物質で形成し、アノード電極は不透明な導電物質で形成し、背面放出方式はこれと反対に電極を配置する。また、必要に応じてはアノード電極を上側に配置しながら前面発光方式を採択することもできる。
【０００５】
しかし、ITOまたはIZOなどは高い比抵抗を有しているために、前面放出方式の有機発光表示装置を大型化するためにはカソード電極の配線抵抗を最小化することが好ましく、そのためにはカソード電極に低い比抵抗を有する導電物質を利用して補助電極を配置しなければならない。しかし、補助電極を追加的に形成するためにはマスクを利用した写真エッチング工程を追加的に実施しなければならないため製造工程が複雑になり、これにより製造費用が増加する問題点が発生する。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本発明が目的とする技術的課題は、製造工程を単純化することができる有機発光表示板及びその製造方法を提供することにある。
【０００７】
本発明の他の技術的課題は、大型化に適した有機発光表示表示板の製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
このような課題を解決するために、
絶縁基板の上部に複数の第１電極を形成する段階と、
前記第１電極を露出する開口部を有する隔壁を形成する段階と、
前記隔壁上部に補助電極を形成する段階と、
前記隔壁によって区画された前記第１電極上の所定領域に有機発光層を形成する段階と、
前記補助電極及び前記有機発光層と接する第２電極を形成する段階と、
を含み、前記補助電極形成段階及び前記隔壁形成段階は１つのマスクを利用した写真エッチング工程で行い、
前記隔壁及び補助電極形成段階は、
前記絶縁基板の上部に絶縁膜及び導電膜を順次に形成する段階と、
前記導電膜上部に第１感光膜パターンを形成する段階と、
前記第１感光膜パターンをエッチングマスクとして導電膜をエッチングし予備補助電極を形成する段階と、
前記第１感光膜パターン及び前記導電膜で覆われない前記絶縁膜をエッチングして前記隔壁を形成する段階と、
アッシング工程を実施して前記第１感光膜パターンの一部を除去し第２感光膜パターンを形成する段階と、
前記第２感光膜パターンをエッチングマスクとして前記予備補助電極をエッチングし前記補助電極を完成する段階と、
を含む、有機発光表示板の製造方法を提供する。
【０００９】
ここで、前記第１電極を光反射性を有する導電物質で形成する。
ここで、前記第２電極を透明な導電物質で形成する
【００１０】
本発明の他の実施例では、
絶縁基板の上部に非晶質シリコンまたは多結晶シリコンからなる第１及び第２半導体層を形成する段階と、
前記第１ゲート電極を有するゲート線及び第２ゲート電極を形成する段階と、
前記ゲート線及び第２ゲート電極と前記第１及び第２半導体層の間にゲート絶縁膜を形成する段階と、
前記ゲート絶縁膜上部に第１及び第２ソース電極、データ線、第１及び第２ドレイン電極、電源電圧用電極を形成する段階と、
前記第１及び第２ソース電極、データ線、第１及び第２ドレイン電極、電源電圧用電極を覆う層間絶縁膜を形成する段階と、
前記層間絶縁膜上部に前記第２ドレイン電極と接続される画素電極を形成する段階と、
前記画素電極を露出する開口部で隔壁を形成する段階と、
前記隔壁上部に補助電極を形成する段階と、
前記隔壁によって区画された前記画素電極上の所定領域に有機発光層を形成する段階と、
前記補助電極及び前記有機発光層と接する共通電極を形成する段階と、
を含み、前記補助電極形成段階及び前記隔壁形成段階は１つのマスクを利用した写真エッチング工程で行い、
前記隔壁及び補助電極形成段階は、
前記層間絶縁膜及び画素電極上部に絶縁膜及び導電膜を順次に形成する段階と、
前記導電膜上部に第１感光膜パターンを形成する段階と、
前記第１感光膜パターンをエッチングマスクとして導電膜をエッチングし予備補助電極を形成する段階と、
前記第１感光膜パターン及び前記導電膜で覆われない前記絶縁膜をエッチングして前記隔壁を形成する段階と、
アッシング工程を実施して前記第１感光膜パターンの一部を除去し第２感光膜パターンを形成する段階と、
前記第２感光膜パターンをエッチングマスクとして前記予備補助電極をエッチングして前記補助電極を完成する段階と、
を含む、有機発光表示板の製造方法を提供する。
【００１１】
ここで、前記画素電極を光反射性を有する導電物質で形成する。
【００１２】
ここで、前記共通電極を透明な導電物質で形成する。
【００１３】
ここで、前記画素電極と同一の材料を用いて同一層に形成され、前記第１ドレイン電極と前記第２ゲート電極とを接続する連結部材を形成する。
【発明の効果】
【００１４】
本発明の実施例による製造方法では隔壁と補助電極を１つのマスクを利用する写真エッチング工程で共に形成することによって製造工程を単純化することができ、これにより製造費用を節減することができる。また、このような工程で大型化による有機発光表示板を容易に製造することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１５】
添付した図面を参照して本発明の実施例について本発明の属する技術分野における通常の知識を有する者が容易に実施することができるように詳細に説明する。しかし、本発明は多様で相異なる形態で実現することができ、ここで説明する実施例に限定されない。
【００１６】
図面で多様な層及び領域を明確に表現するために厚さを拡大して示した。明細書全体にかけて類似な部分については同一の図面符号を付けた。層、膜、領域、板などの部分が他の部分の“上”にあるとする時、これは他の部分“すぐ上”にある場合だけでなく、その中間に他の部分がある場合も含む。反対に、ある部分が他の部分の“すぐ上”にあるとする時には中間に他の部分がないことを意味する。
【００１７】
以下で本発明の実施例による有機発光表示表示板及びその製造方法について図面を参照して詳細に説明する。
【００１８】
まず、図１〜図３を参照して完成した有機発光表示表示板の構造について説明する。
【００１９】
絶縁基板１１０上には酸化シリコンまたは窒化シリコンなどからなる遮断層１１１が形成されており、遮断層１１１上に第１及び第２多結晶シリコン層１５０a、１５０bが形成されており、第２多結晶シリコン層１５０bには蓄電器用多結晶シリコン層１５７が接続されている。第１多結晶シリコン層１５０aは第１トランジスタ部１５３a、１５４a、１５５aから構成されており、第２多結晶シリコン層１５０bは第２トランジスタ部１５３b、１５４b、１５５bを含む。第１トランジスタ部１５３a、１５４a、１５５aのソース領域（第１ソース領域）１５３a及びドレイン領域（第１ドレイン領域）１５５aはn型不純物でドーピングされており、第２トランジスタ部１５３b、１５４b、１５５bのソース領域（第２ソース領域）１５３b及びドレイン領域（第２ドレイン領域）１５５bはp型不純物でドーピングされている。この時、駆動条件によっては第１ソース領域１５３a及びドレイン領域１５５aがp型不純物でドーピングされ、第２ソース領域１５３b及びドレイン領域１５５bがn型不純物でドーピングされる。ここで、第１トランジスタ部１５３a、１５４a、１５５aはスイッチング薄膜トランジスタの半導体であり、第２トランジスタ部１５３b、１５４b、１５５bは駆動薄膜トランジスタの半導体である。
【００２０】
多結晶シリコン層１５０a、１５０b、１５７上には酸化シリコンまたは窒化シリコンからなるゲート絶縁膜１４０が形成されている。ゲート絶縁膜１４０上にはアルミニウムまたはアルミニウム合金などのように低抵抗の導電物質からなっている導電膜を含むゲート線１２１と第１及び第２ゲート電極１２４a、１２４b及び維持電極１３３が形成されている。第１ゲート電極１２４aはゲート線１２１に接続されて分枝状で形成されていて、第１トランジスタのチャンネル部（第１チャンネル部）１５４aと重なっており、第２ゲート電極１２４bはゲート線１２１とは分離されていて第２トランジスタのチャンネル部（第２チャンネル部）１５４bと重なっている。維持電極１３３は第２ゲート電極１２４bと接続されており、多結晶シリコン層の維持電極部１５７と重なっている。
【００２１】
ゲート線１２１と第１及び第２ゲート電極１２４a、１２４b及び維持電極１３３の上には第１層間絶縁膜８０１が形成されており、第１層間絶縁膜８０１上にはデータ信号を伝達するデータ線１７１、電源電圧を供給する線形の電源電圧用電極１７２、第１及び第２ソース電極１７３a、１７３b及び第１及び第２ドレイン電極１７５a、１７５bが形成されている。第１ソース電極１７３aはデータ線１７１の一部で分枝の形態していて、第１層間絶縁膜８０１とゲート絶縁膜１４０を貫通している接触孔１８１を通じて第１ソース領域１５３aと接続されており、第２ソース電極１７３bは電源電圧用電極１７２の一部で分枝の形態をしていて、第１層間絶縁膜８０１とゲート絶縁膜１４０を貫通している接触孔１８４を通じて第２ソース領域１５３bと接続されている。第１ドレイン電極１７５aは第１層間絶縁膜８０１とゲート絶縁膜１４０を貫通している接触孔１８２、１８３を通じて第１ドレイン領域１５５a及び第２ゲート電極１２４bと接触してこれらを互いに電気的に接続している。第２ドレイン電極１７５bは第１層間絶縁膜８０１とゲート絶縁膜１４０を貫通している接触孔１８６を通じて第２ドレイン領域１５５bと接続されており、データ線１７１と同一物質からなっている。
【００２２】
データ線１７１、電源電圧用電極１７２及び第１及び第２ドレイン電極１７５a、１７５b上には窒化シリコンまたは酸化シリコンまたは有機絶縁物質などからなる第２層間絶縁膜８０２が形成されており、第２層間絶縁膜８０２は第２ドレイン電極１７５bを露出する接触孔１８５を有する。
【００２３】
第２層間絶縁膜８０２上部には接触孔１８５を通じて第２ドレイン電極１７５bと接続されている画素電極１９０が形成されている。画素電極１９０はアルミニウムまたは銀合金などの光反射性に優れた物質で形成するのが好ましい。しかし、必要に応じては画素電極１９０をITO（Indium Tin Oxide）またはIZO（Indium zinc Oxide）などの透明な導電物質で形成することもできる。透明な導電物質からなっている画素電極１９０は表示板の下方向に画像を表示する背面放出方式の有機発光に適用する。本実施例のように不透明な導電物質からなる画素電極１９０は表示板の上部方向に画像を表示する前面放出方式の有機発光に適用する。
【００２４】
第２層間絶縁膜８０２上部には有機絶縁物質及び無機絶縁物質からなっており、有機発光セルを分離させるための隔壁８０３が形成されている。隔壁８０３は画素電極１９０周縁部を囲んで有機発光層７０が充填される領域を限定している。
【００２５】
隔壁８０３に囲まれた画素電極１９０上の領域には有機発光層７０が形成されている。有機発光層７０は赤色、緑色、青色のうちのいずれか１つの光を出射する有機物質からなり、赤色、緑色及び青色有機発光層７０が順に反復的に配置されている。
【００２６】
隔壁８０３上には隔壁８０３と同一形状のパターンからなっており、金属のように低い比抵抗を有する導電物質からなる補助電極２７２が形成されている。補助電極２７２はその後に形成される共通電極２７０と接触し、共通電極２７０に伝達される信号が歪曲されることを防止する機能を有する。
【００２７】
隔壁８０３、有機発光層７０及び補助電極２７２上には共通電極２７０が形成されている。共通電極２７０はITOまたはIZOなどの透明な導電物質からなっている。もし画素電極１９０がITOまたはIZOなどの透明な導電物質からなる場合には、共通電極２７０はアルミニウムなどの低抵抗金属で構成することができる。
【００２８】
このような有機発光表示板の駆動について簡単に説明する。
【００２９】
ゲート線１２１にオン（on）パルスが印加されれば、第１トランジスタがオンされてデータ線１７１を通じて印加される画像信号電圧またはデータ電圧が第２ゲート電極１２４bに伝達される。第２ゲート電極１２４bに画像信号電圧が印加されれば、第２トランジスタがオンされてデータ電圧による電流が画素電極１９０と有機発光層７０に流れ、有機発光層７０は特定波長帯の光を放出する。この時、第２薄膜トランジスタを通じて流れる電流の量により有機発光層７０が放出する光の量が変わって輝度が変わる。この時、第２トランジスタが電流を流すことができる量は、第１トランジスタを通じて伝えられる画像信号電圧と電源電圧用電極１７２を通じて伝えられる電源電圧との差の大きさによって決定される。
【００３０】
次に、このような有機発光表示板を製造する方法を図４〜図２２b及び前記図１〜図３を参照して説明する。
【００３１】
図４、図６、図８、図１０、図１２、図１４、図１６、図１８は図１〜図３の有機発光表示板の製造方法で中間段階を示した配置図であり、図５a及び図５bは図４でVa-Va'線及びVb-Vb'線に沿って切断して示した断面図であり、図７a及び図７bは図６でVIIa-VIIa'線及びVIIb-VIIb'線に沿って切断して示した断面図であり、図９a及び図９bは図８でIXa-IXa'線及びIXb-IXb'線に沿って切断して示した断面図であり、図１１a及び図１１bは図１０でXIa-XIa'線及びXIb-XIb'線に沿って切断して示した断面図であり、図１３a及び図１３bは図１２でXIIIa-XIIIa'線及びXIIIb-XIIIb'線に沿って切断して示した断面図であり、図１５a及び図１５bは図１４でXVa-XVa'線及びXVb-XVb'線に沿って切断して示した断面図であり、図１７a及び図１７bは図１６でXVIIa-XVIIa'線及びXVIIb-XVIIb'線に沿って切断して示した断面図であり、図１９a及び図１９bは図１８でXIXa-XIXa'線及びXIXb-XIXb'線に沿って切断して示した断面図であり、図２０a及び図２０bは図１８でXIXa-XIXa'線及びXIXb-XIXb'線に沿って切断して示した断面図であって、図１９a及び図１９bの次の段階を示した図面であり、図２１a及び図２１bは図１８でXIXa-XIXa'線及びXIXb-XIXb'線に沿って切断して示した断面図であって、図２０a及び図２０bの次の段階を示した図面であり、図２２a及び図２２bは図１８でXIXa-XIXa'線及びXIXb-XIXb'線に沿って切断して示した断面図であって、図２１a及び図２１bの次の段階を示した図面である。
まず、図４〜図５bのように基板１１０の上部に酸化シリコンなどを蒸着して遮断層１１１を形成し、遮断層１１１上に非晶質シリコン層を蒸着する。非晶質シリコン層の蒸着はLPCVD（low temperature chemical vapor deposition）、PECVE（plasma enhanced chemical vapor deposition）またはスパッタリング（sputtering）で進めることができる。次いで、非晶質シリコン層にレーザービームを照射して多結晶シリコンに結晶化する。次に、多結晶シリコン層を写真エッチングして第１及び第２トランジスタ部１５０a、１５０bと維持電極部１５７を形成する。
【００３２】
また、図６〜図７bに示したように、多結晶シリコン層１５０a、１５０b、１５７上にゲート絶縁膜１４０を蒸着する。次に、ゲート用金属層１２０を蒸着して感光膜を塗布し、露光及び現像して第１感光膜パターンPR１を形成する。第１感光膜パターンPR１をマスクとしてゲート金属層１２０をエッチングすることによって第２ゲート電極１２４b及び維持電極１３３を形成し、露出されている第２トランジスタ部１５０bの多結晶シリコン層にp型不純物イオンを注入してチャンネル領域１５４bを定義し、第２ソース領域１５３b及び第２ドレイン領域１５５bを形成する。この時、第２トランジスタ部１５０a多結晶シリコン層は第１感光膜パターンPR１及びゲート金属層１２０に覆われて保護される。
【００３３】
次に、図８〜図９bに示したように、第１感光膜パターンPR１を除去し、感光膜を新しく塗布して露光及び現像し、第２感光膜パターンPR２を形成する。第２感光膜パターンPR２をマスクとしてゲート金属層１２０をエッチングすることによって、第１ゲート電極１２４a及びゲート線１２１を形成し、露出されている第１トランジスタ部１５０a多結晶シリコン層にn型不純物イオンを注入してチャンネル領域１５４aを定義し、第１ソース領域１５３aと第１ドレイン領域１５５aを形成する。この時、第２トランジスタ部１５０a及び維持電極部１５７は第２感光膜パターンPR２に覆われて保護される。
【００３４】
また、図１０〜図１１bに示したように、ゲート線１２１、１２４b、第２ゲート電極１２４b及び維持電極１３３上に第１層間絶縁膜８０１を積層しゲート絶縁膜１４０と一緒に写真エッチングして第１ソース領域１５３a、第１ドレイン領域１５５a、第２ソース領域１５３b及び第２ドレイン領域１５５bを各々露出させる接触孔１８１、１８２、１８４、１８６と第２ゲート電極１２４bの一端部を露出させる接触孔１８３を形成する。
【００３５】
次に、図１２〜図１３bに示したように、データ金属層を積層し写真エッチングしてデータ線１７１、電源電圧用電極１７２及び第１及び第２ドレイン電極１７５a、１７５bを形成する。この時、この後に形成する画素電極１９０を共に形成することもでき、画素電極１９０をITOまたはIZOなどの透明な導電物質で形成する場合には別個の写真エッチング工程によって形成する。
【００３６】
また、図１４〜図１５bのように、第２層間絶縁膜８０２を積層し、マスクを利用した写真エッチング工程でパターニングして第２ドレイン電極１７５bを露出する接触孔１８５を形成する。
【００３７】
また、図１６〜図１７bのように、透明な導電物質または低抵抗を有する導電物質を積層してパターニングし画素電極１９０を形成する。
【００３８】
次に、図１８〜図１９bに示したように、画素電極１９０が形成されている第２層間絶縁膜８０２上に有機絶縁物質または無機絶縁物質の絶縁膜と低抵抗を有する導電物質の導電膜を順次に積層し、マスクを利用した写真エッチング工程で絶縁膜と導電膜をパターニングして隔壁８０３と補助電極２７２を形成する。この時、隔壁８０３と補助電極２７２は１つのマスクを利用した写真エッチングでパターニングし、これによって隔壁８０３及び補助電極２７２は同一な模様のパターンを有し、これについて図面を参照して具体的に説明する。
【００３９】
まず、図２０a及び図２０bに示したように、画素電極１９０が形成されている第２層間絶縁膜８０２の上部に有機絶縁物質または無機絶縁物質からなる絶縁膜と低抵抗を有する導電膜を順次に積層し、マスクを利用した写真工程で第１感光膜パターンPR１を形成する。次いで、第１感光膜パターンPR１をエッチングマスクとして導電膜をエッチングし予備補助電極２７２'を形成した後、露出された絶縁膜をエッチングして隔壁８０３を形成する。この時、各々のエッチング工程ではアンダーカット（under cut）が発生して予備補助電極２７２'の境界線は第１感光膜パターンPR１の下に位置し、隔壁８０３の境界線は予備補助電極２７２'の下に位置する。
【００４０】
次に、図２１a及び図２２bのように、アッシング工程を実施して第１感光膜パターンPR１の一部を除去し予備補助電極２７２'の境界線内側に位置する第２感光膜パターンPR２を形成する。
【００４１】
また、図２２a及び図２２bに示したように、第２感光膜パターンPR２をエッチングマスクとして露出された予備補助電極２７２'をエッチングし補助電極２７２を完成する。この時にもエッチングを行う時にアンダーカットが発生して、補助電極２７２の境界線は第２感光膜パターンPR２の下部に位置し、隔壁８０３の境界線内側に位置する。
【００４２】
次に、図１９a及び図１９bに示したように第２感光膜パターンPR２を除去する。
【００４３】
このような本発明の実施例による製造方法では隔壁８０３と補助電極２７２を１つのマスクを利用する写真エッチング工程で共に形成することによって製造工程を単純化することができ、これにより製造費用を節減することができる。また、このような工程によって大型化による有機発光表示装置を容易に製造することができる。
【００４４】
また、図１〜図３に示したように、各々の画素領域に位置する画素電極１９０の上部に有機発光層７０を形成する。この時、有機発光層７０は多層構造からなることが普通である。有機発光層７０はマスキング（masking）後、蒸着、インクジェットプリンティングなどの方法によって形成する。次いで、有機発光層７０上にTOまたはIZOを蒸着して共通電極２７０を形成する。ここで、伝導性有機物質を塗布して共通電極２７０の下部にバッファー層を追加的に形成することができる。
【００４５】
このような本発明の実施例による有機発光表示表示板及びその製造方法では画素電極１９０を不透明な導電膜で形成し、共通電極２７０を透明な導電物質で形成して、画像を表示板の上部方向に表示するトップ発光方式について説明した。
【００４６】
一方、このように補助電極を隔壁または他の薄膜と共に形成する方法は単純マトリックス方式の有機発光表示板を製造する工程にも同一に適用することができ、半導体層を非晶質シリコンとして利用する有機発光表示板及びその製造方法にも同一に適用することができるが、図面を参照して説明する。
【００４７】
図２３は本発明の他の実施例による有機発光表示板の構造を示した配置図であり、図２４及び図２５は図２３の表示板をXXIV-XXIV'線及びXXV-XXV'線に沿って切断して示した断面図である。
【００４８】
絶縁基板１１０上にゲート信号を伝達する複数のゲート線１２１が形成されている。ゲート線１２１は主に横方向に伸びており、各ゲート線１２１の一部は突出されて複数の第１ゲート電極１２４bを構成する。また、ゲート線１２１と同一層には第２ゲート電極１２４bが形成されており、第２ゲート電極１２４bには縦方向に伸びた維持電極１３３が接続されている。
【００４９】
ゲート線１２１、第２ゲート電極１２４b及び維持電極１３３は物理的性質が異なる２つの膜を含むことができる。１つの導電膜はゲート信号の遅延や電圧降下を減らすことができるように低い比抵抗金属、例えば、アルミニウム（Al）やアルミニウム合金などアルミニウム系列の金属からなるのが好ましい。これとは異なって、他の導電膜は他の物質、特にIZOまたはITOとの物理的、化学的、電気的接触特性に優れた物質、例えばモリブデン（Mo）、モリブデン合金[例えば:モリブデン-タングステン（MoW）合金]、クロム（Cr）などからなるのが好ましい。下部膜２１１と上部膜２１２の組み合わせの例としてはクロム/アルミニウム-ネオジム（Nd）合金がある。
【００５０】
ゲート線１２１上には窒化シリコン（SiNx）などからなるゲート絶縁膜１４０が形成されている。
【００５１】
ゲート絶縁膜１４０上部には水素化非晶質シリコン（hydrogenated amorphous silicon）（非晶質シリコンはa-Siと省略して使う）などからなる複数の線形第１半導体１５１と島形の第２半導体１５４bが形成されている。線形半導体１５１は主に縦方向に伸びており、これから複数の突出部１５４aが第１ゲート電極１２４aに向かって伸びて出て、第１ゲート電極１２４aと重なる第１チャンネル部を含んでいる。また、線形半導体１５１はゲート線１２１と重なる地点付近で幅が大きくなって、ゲート線１２１の広い領域を覆っている。島形の第２半導体１５４bは第２ゲート電極１２４bと交差する第２チャンネル部を含み、維持電極１３３と重なる維持電極部１５７を有する。
【００５２】
第１半導体１５１及び第２半導体１５４bの上部にはシリサイドまたはn型不純物が高濃度でドーピングされているn+水素化非晶質シリコンなどの物質で作られた複数の線形及び島形抵抗性接触部材１６１、１６５a、１６３b、１６５bが形成されている。線形接触部材１６１は複数の突出部１６３aを有しており、この突出部１６３aと島形接触部材１６５aは対をなして第１半導体１５１の突出部１５４a上に位置する。また、島形の接触部材１６３b、１６５bは第２ゲート電極１２４bを中心に対向して対をなし、第２半導体１５４b上部に位置する。
【００５３】
半導体１５１、１５４bと抵抗性接触部材１６１、１６５a、１６３b、１６５bの側面もやはり傾いており、傾斜角は３０〜８０度である。
【００５４】
抵抗性接触部材１６１、１６５a、１６３b、１６５b及びゲート絶縁膜１４０上には各々複数のデータ線１７１と複数の第１ドレイン電極１７５a、複数の電源電圧電極１７２及び第２ドレイン電極１７５bが形成されている。
【００５５】
データ線１７１及び電源電圧電極１７２は主に縦方向に伸びてゲート線１２１と交差し、データ電圧（datavoltage）と電源電圧を各々伝達する。各データ線１７１で第１ドレイン電極１７５aに向かって伸びた複数の分枝が第１ソース電極１７３aを構成し、各電源電圧電極１７２で第２ドレイン電極１７５bに向かって伸びた複数の分枝が第２ソース電極１７３bを構成する。一対の第１及び第２ソース電極１７３a、１７３bと第１及び第２ドレイン電極１７５a、１７５bは互いに分離されており、各々第１及び第２ゲート電極１２４a、１２４bに対して互いに反対側に位置する。第１ゲート電極１２４a、第１ソース電極１７３a及び第１ドレイン電極１７５aは第１半導体１５１の突出部１５４aと共にスイッチング薄膜トランジスタを構成し、第２ゲート電極１２４b、第２ソース電極１７３b及び第２ドレイン電極１７５bは第２半導体１５４bと共に駆動薄膜トランジスタを構成する。この時、電源電圧電極１７２は第２半導体１５４bの維持電極部１５７と重なる。
【００５６】
データ線１７１、第１及び第２ドレイン電極１７５a、１７５b及び電源電圧電極１７２はモリブデン（Mo）、モリブデン合金を含むが、二重膜または三重膜の構造である場合にアルミニウム系列の導電膜を含むことができる。二重膜である時、アルミニウム系列の導電膜はモリブデン系列の導電膜下部に位置するのが好ましく、三重膜である時には中間層に位置するのが好ましい。
【００５７】
データ線１７１、第１及び第２ドレイン電極１７５a、１７５b及び電源電圧電極１７２もゲート線１２１と同様にその側面が約３０〜８０度の角度で各々傾いている。
【００５８】
抵抗性接触部材１６１、１６３b、１６５a、１６５bはその下部の第１半導体１５１及び第２半導体１５４bと、その上部のデータ線１７１、第１ドレイン電極１７５a、１７５b、電源電圧電極１７２の間にのに存在し、接触抵抗を低くする役割を果たす。線形半導体１５１は第１ソース電極１７３aと第１ドレイン電極１７５aとの間をはじめとしてデータ線１７１及び第１ドレイン電極１７５aに覆われずに露出された部分を有しており、大部分の所では線形半導体１５１の幅がデータ線１７１の幅より小さいが、上述したようにゲート線１２１と会う部分で幅が大きくなってゲート線１２１とデータ線１７１との間の絶縁を強化する。
【００５９】
データ線１７１、第１及び第２ドレイン電極１７５a、１７５b及び電源電圧用電極１７２と露出された半導体１５１、１５４b部分の上には平坦化特性が優れていて感光性を有する有機物質またはプラズマ化学気相蒸着（PECVD）で形成されるa-Si:C:O、a-Si:O:Fなどの低誘電率絶縁物質などからなる保護膜８０２が形成されている。
【００６０】
半導体１５１及び第２半導体１５４bが露出された部分に保護膜８０２の有機物質が接することを防止するために保護膜８０２は有機膜の下部に窒化シリコンまたは酸化シリコンからなる絶縁膜を追加することができる。
【００６１】
保護膜８０２には第１ドレイン電極１７５a、第２ゲート電極１２４b、第２ドレイン電極１７５bを各々露出する複数の接触孔１８５、１８３、１８２が形成されている。
【００６２】
一方、保護膜８０２がデータ線１７１、電源電圧用電極１７２及びゲート線１２１の端部を露出する接触孔を有する実施例は外部のデータ駆動回路出力端を異方性導電膜を利用して接続するために接触部を有する構造であり、基板１１０の上部にゲート駆動回路を直接形成する実施例ではデータ線１７１、電源電圧用電極１７２、ゲート線１２１の端部はゲート駆動回路の出力端に直接接続される。
【００６３】
接触孔１８５、１８３、１８２は第１及び第２ドレイン電極１７５a、１７５b及び第２ゲート電極１２４bを露出するが、接触孔１８５、１８３、１８２ではこの後に形成される導電膜と接触特性を確保するためにアルミニウム系列の導電膜が露出されないのが好ましく、露出される場合には前面エッチングによって除去するのが好ましい。
【００６４】
保護膜１８０上にはアルミニウムまたは銀合金などの光反射性に優れた物質からなる複数の画素電極１９０及び複数の連結部材１９２が形成されている。
【００６５】
画素電極１９０は接触孔１８５を通じて第２ドレイン電極１７５bと各々物理的且つ電気的に接続されており、連結部材１９２は第１ドレイン電極１７５aと第２ゲート電極１２４bを接続する。
【００６６】
この後の積層構造は第１実施例と同一である。
【００６７】
以下、図２３〜図２５に示した有機発光表示板を見た発明の１つの実施例によって製造する方法について図２６〜図３７b及び図２３〜図２５を参照して詳細に説明する。
【００６８】
図２６、図２８、図３０、図３２、図３４、図３６は図２３〜図２５の表示板の製造方法で中間段階を示した配置図であり、図２７a及び図２７bは図２６でXXVIIa-XXVIIa'線及びXXVIIb-XXVIIb'線に沿って切断して示した断面図であり、図２９a及び図２９bは図２８でXXIXa-XXIXa'線及びXXIXb-XXIXb'線に沿って切断して示した断面図であり、図３１a及び図３１bは図３０でXXXIa-XXXIa'線及びXXXIb-XXXIb'線に沿って切断して示した断面図であり、図３３a及び図３３bは図３２でXXXIIIa-XXXIIIa'線及びXXXIIIb-XXXIIIb'線に沿って切断して示した断面図であり、図３５a及び図３５bは図３４でXXXVa-XXXVa'線及びXXXVb-XXXVb'線に沿って切断して示した断面図であり、図３７a及び図３７bは図３６でXXXVIIa-XXXVIIa'線及びXXXVIIb-XXXVIIb'線に沿って切断して示した断面図である。
【００６９】
まず、図２６〜図２７に示すように、透明なガラスなどで作られた絶縁基板１１０上にゲート用導電物質を積層し、感光膜パターンを利用した写真エッチング工程でパターニングして複数の第１ゲート電極１２４aを含むゲート線１２１と第２ゲート電極１２４b及び維持電極１３３を形成する。
【００７０】
次に、図２８〜図２９bに示したように、ゲート絶縁膜１４０、真性非晶質シリコン層（intrinsic amorphous silicon）、不純物非晶質シリコン層の３層膜を連続して積層し、不純物非晶質シリコン層と真性非晶質シリコン層を写真エッチングして複数の線形不純物半導体１６４と複数の突出部１５４を各々含む第１半導体１５１及び第２半導体１５４bを形成する。ゲート絶縁膜１４０の材料としては窒化シリコンが良く、積層温度は２５０〜５００℃、厚さは２０００〜５０００Å程度であるのが好ましい。
【００７１】
また、図３０〜図３１bに示したように、アルミニウムまたはアルミニウム合金またはクロムまたはモリブデンまたはモリブデン合金を含む導電膜を単一膜または多層膜で積層し、その上部に感光膜を形成してこれをエッチングマスクに導電膜をパターニングして複数の第１ソース電極１７３aを各々含む複数のデータ線１７１、複数の第１及び第２ドレイン電極１７５a、１７５b及び複数の第２ソース電極１７３bを有する電源電圧用電極１７２を形成する。
【００７２】
次いで、データ線１７１、電源電圧用電極７２及び第１及び第２ドレイン電極１７５a、１７５b上部の感光膜を除去したり、そのまま置いた状態で、露出された不純物半導体１６４部分を除去することによって複数の突出部１６３aを各々含む複数の線形抵抗性接触部材１６１と複数の島形抵抗性接触部材１６５a、１６５b、１６３bを完成する一方、その下の第１真性半導体１５１及び第２真性半導体１５４b一部分を露出させる。
【００７３】
次に、真性半導体１５１部分の表面を安定化させるために酸素プラズマを引き続いて実施するのが好ましい。
【００７４】
また、図３２〜図３３bのように、有機絶縁物質または無機絶縁物質を塗布して保護膜８０２を形成し、写真工程で乾式エッチングして複数の接触孔１８５、１８３、１８２を形成する。接触孔１８２、１８５、１８３は第１及び第２ドレイン電極１７５a、１７５b及び第２ゲート電極１２４b一部を露出する。
【００７５】
次に、最後に図３４〜図３５bに示したように、アルミニウムを含む導電膜または銀を含む導電膜をスパッタリングで積層し、感光膜パターンを利用した写真エッチング工程でパターニングして複数の画素電極１９０と複数の連結部材１９２を形成する。
【００７６】
また、図３６〜図３７bに示したように、第１実施例と同一に１つのマスクを利用した写真エッチング工程で隔壁８０３と補助電極２７２を形成し、図２３〜図２５に示したように有機発光層７０と共通電極２７０を形成する。
【００７７】
以上、本発明の好ましい実施例について詳細に説明したが、本発明の権利範囲はこれに限定されず、請求範囲で定義している本発明の基本概念を利用した当業者の多様な変形及び改良形態もまた本発明の権利範囲に属する。
【図面の簡単な説明】
【００７８】
【図１】本発明の１つの実施例による有機発光表示板の構造を示した配置図である。
【図２】図１の表示板をII-II'線に沿って切断して示した断面図である。
【図３】図１の表示板をIII-III'線に沿って切断して示した断面図である。
【図４】図１〜図３の有機発光表示板の製造方法で中間段階を示した配置図である。
【図５ａ】図４でVa-Va'線に沿って切断して示した断面図である。
【図５ｂ】図４でVb-Vb'線に沿って切断して示した断面図である。
【図６】図１〜図３の有機発光表示板の製造方法で中間段階を示した配置図である。
【図７ａ】図６でVIIa-VIIa'線に沿って切断して示した断面図である。
【図７ｂ】図６でVIIb-VIIb'線に沿って切断して示した断面図である。
【図８】図１〜図３の有機発光表示板の製造方法で中間段階を示した配置図である。
【図９ａ】図８でIXa-IXa'線に沿って切断して示した断面図である。
【図９ｂ】図８でIXb-IXb'線に沿って切断して示した断面図である。
【図１０】図１〜図３の有機発光表示板の製造方法で中間段階を示した配置図である。
【図１１ａ】図１０でXIa-XIa'線に沿って切断して示した断面図である。
【図１１ｂ】図１０でXIb-XIb'線に沿って切断して示した断面図である。
【図１２】図１〜図３の有機発光表示板の製造方法で中間段階を示した配置図である。
【図１３ａ】図１２でXIIIa-XIIIa'線に沿って切断して示した断面図である。
【図１３ｂ】図１２でXIIIb-XIIIb'線に沿って切断して示した断面図である。
【図１４】図１〜図３の有機発光表示板の製造方法で中間段階を示した配置図である。
【図１５ａ】図１４でXVa-XVa'線に沿って切断して示した断面図である。
【図１５ｂ】図１４でXVb-XVb'線に沿って切断して示した断面図である。
【図１６】図１〜図３の有機発光表示板の製造方法で中間段階を示した配置図である。
【図１７ａ】図１６でXVIIa-XVIIa'線に沿って切断して示した断面図である。
【図１７ｂ】図１６でXVIIb-XVIIb'線に沿って切断して示した断面図である。
【図１８】図１〜図３の有機発光表示板の製造方法で中間段階を示した配置図である。
【図１９ａ】図１８でXIXa-XIXa'線に沿って切断して示した断面図である。
【図１９ｂ】図１８でXIXb-XIXb'線に沿って切断して示した断面図である。
【図２０ａ】図１８でXIXa-XIXa'線に沿って切断して示した断面図であって、図１９aの次の段階を示した図面である。
【図２０ｂ】図１８でXIXb-XIXb'線に沿って切断して示した断面図であって、図１９bの次の段階を示した図面である。
【図２１ａ】図１８でXIXa-XIXa'線に沿って切断して示した断面図であって、図２０aの次の段階を示した図面である。
【図２１ｂ】図１８でXIXb-XIXb'線に沿って切断して示した断面図であって、図２０bの次の段階を示した図面である。
【図２２ａ】図１８でXIXa-XIXa'線に沿って切断して示した断面図であって、図２１aの次の段階を示した図面である。
【図２２ｂ】図１８でXIXb-XIXb'線に沿って切断して示した断面図であって、図２１bの次の段階を示した図面である。
【図２３】本発明の１つの実施例による有機発光表示の構造を示した配置図である。
【図２４】図２３の表示板をXXIV-XXIV'線に沿って切断して示した断面図である。
【図２５】図２３の表示板をXXV-XXV'線に沿って切断して示した断面図である。
【図２６】図２３〜図２５の有機発光表示板の製造方法で中間段階を示した配置図である。
【図２７ａ】図２６でXXVIIa-XXVIIa'線に沿って切断して示した断面図である。
【図２７ｂ】図２６でXXVIIb-XXVIIb'線に沿って切断して示した断面図である。
【図２８】図２３〜図２５の有機発光表示板の製造方法で中間段階を示した配置図である。
【図２９ａ】図２８でXXIXa-XXIXa'線に沿って切断して示した断面図である。
【図２９ｂ】図２８でXXIXb-XXIXb'線に沿って切断して示した断面図である。
【図３０】図２３〜図２５の有機発光表示板の製造方法で中間段階を示した配置図である。
【図３１ａ】図３０でXXXIa-XXXIa'線に沿って切断して示した断面図である。
【図３１ｂ】図３０でXXXIb-XXXIb'線に沿って切断して示した断面図である。
【図３２】図２３〜図２５の有機発光表示板の製造方法で中間段階を示した配置図である。
【図３３ａ】図３２でXXXIIIa-XXXIIIa'線に沿って切断して示した断面図である。
【図３３ｂ】図３２でXXXIIIb-XXXIIIb'線に沿って切断して示した断面図である。
【図３４】図２３〜図２５の有機発光表示板の製造方法で中間段階を示した配置図である。
【図３５ａ】図３４でXXXVa-XXXVa'線に沿って切断して示した断面図である。
【図３５ｂ】図３４でXXXVb-XXXVb'線に沿って切断して示した断面図である。
【図３６】図２３〜図２５の有機発光表示板の製造方法で中間段階を示した配置図である。
【図３７ａ】図３６でXXXVIIa-XXXVIIa'線に沿って切断して示した断面図である。
【図３７ｂ】図３６でXXXVIIb-XXXVIIb'線に沿って切断して示した断面図である。
【符号の説明】
【００７９】
１１０:基板
１２１:ゲート線
１２４a、１２４b:ゲート電極
１４０：ゲート絶縁膜
１５０a、１５０b:半導体
１７１:データ線
１７３a、１７３b:ソース電極
１７５a、１７５b:ドレイン電極
１８０:保護膜
１８１、１８２、１８３、１８４、１８５、１８６:接触孔
１９０:画素電極
【図１】
0004613054.tif 000002
【図２】
0004613054.tif 000003
【図３】
0004613054.tif 000004
【図４】
0004613054.tif 000005
【図５ａ】
0004613054.tif 000006
【図５ｂ】
0004613054.tif 000007
【図６】
0004613054.tif 000008
【図７ａ】
0004613054.tif 000009
【図７ｂ】
0004613054.tif 000010
【図８】
0004613054.tif 000011
【図９ａ】
0004613054.tif 000012
【図９ｂ】
0004613054.tif 000013
【図１０】
0004613054.tif 000014
【図１１ａ】
0004613054.tif 000015
【図１１ｂ】
0004613054.tif 000016
【図１２】
0004613054.tif 000017
【図１３ａ】
0004613054.tif 000018
【図１３ｂ】
0004613054.tif 000019
【図１４】
0004613054.tif 000020
【図１５ａ】
0004613054.tif 000021
【図１５ｂ】
0004613054.tif 000022
【図１６】
0004613054.tif 000023
【図１７ａ】
0004613054.tif 000024
【図１７ｂ】
0004613054.tif 000025
【図１８】
0004613054.tif 000026
【図１９ａ】
0004613054.tif 000027
【図１９ｂ】
0004613054.tif 000028
【図２０ａ】
0004613054.tif 000029
【図２０ｂ】
0004613054.tif 000030
【図２１ａ】
0004613054.tif 000031
【図２１ｂ】
0004613054.tif 000032
【図２２ａ】
0004613054.tif 000033
【図２２ｂ】
0004613054.tif 000034
【図２３】
0004613054.tif 000035
【図２４】
0004613054.tif 000036
【図２５】
0004613054.tif 000037
【図２６】
0004613054.tif 000038
【図２７ａ】
0004613054.tif 000039
【図２７ｂ】
0004613054.tif 000040
【図２８】
0004613054.tif 000041
【図２９ａ】
0004613054.tif 000042
【図２９ｂ】
0004613054.tif 000043
【図３０】
0004613054.tif 000044
【図３１ａ】
0004613054.tif 000045
【図３１ｂ】
0004613054.tif 000046
【図３２】
0004613054.tif 000047
【図３３ａ】
0004613054.tif 000048
【図３３ｂ】
0004613054.tif 000049
【図３４】
0004613054.tif 000050
【図３５ａ】
0004613054.tif 000051
【図３５ｂ】
0004613054.tif 000052
【図３６】
0004613054.tif 000053
【図３７ａ】
0004613054.tif 000054
【図３７ｂ】
0004613054.tif 000055