(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
移動可能な基板ステージ上に載置された基板に投影光学系を介してパターンを露光する露光装置において、
前記基板ステージとは独立して移動可能に構成され、第１方向に沿って形成された第１反射部と前記第１方向と直交する第２方向に沿って形成された第２反射部とを有する計測ステージと、
前記計測ステージに形成された前記第１反射部および前記第２反射部材にビームを照射して、前記計測ステージの前記第１方向および前記第２方向に関する位置を検出する位置検出装置とを備え、
前記計測ステージは、前記投影光学系によって投影される前記パターンの投影像の位置を計測する基準マークと、前記投影光学系を介して前記基板に与えられる露光エネルギーに関する情報を検出する検出装置とを備え、前記基準マークは前記第１方向および前記第２方向に関して前記検出装置よりも前記第１反射部および前記第２反射部に近接して配置されることを特徴とする露光装置。
【請求項２】
前記基準マークは、前記投影光学系により投影される前記パターンの空間像の位置を計測する空間像計測装置の一部を構成することを特徴とする請求項１記載の露光装置。
【請求項３】
前記空間像計測装置は液体を介して前記空間像を計測することを特徴とする請求項２に記載の露光装置。
【請求項４】
前記投影光学系の収差情報を検出する収差検出装置を、前記第１反射部または前記第２反射部の少なくとも一方に関して前記基準マークよりも離間して前記計測ステージに配置することを特徴とする請求項１から３のいずれか一項に記載の露光装置。
【請求項５】
前記計測ステージは、前記第１反射部とほぼ平行に前記第１方向に沿って設けられた第３反射部を有し、前記基準マークは前記第３反射部よりも前記第１反射部近傍に設けられていることを特徴とする請求項１から４のいずれか一項に記載の露光装置。
【請求項６】
前記位置検出装置は、前記第２反射部に照射して前記計測ステージの前記第１方向に関する位置を計測する第１ビームと、前記第１反射部に照射して前記計測ステージの前記第２方向に関する位置を計測する第２ビームとを含み、前記第１ビームと前記第２ビームとは、前記基板の露光処理中には前記基板ステージの前記第１方向位置及び前記第２方向位置の計測に用いられることを特徴とする請求項１から５のいずれか一項に記載の露光装置。
【請求項７】
前記計測ステージは少なくとも一部が交換可能なプレート部を有していることを特徴とする請求項１から請求項６の何れか一項に記載の露光装置。
【請求項８】
前記基準マークは、前記プレート部とは独立して交換可能な計測パターン部に形成されていることを特徴とする請求項７記載の露光装置。
【請求項９】
前記プレート部の少なくとも一部は低熱膨張材料で形成されていることを特徴とする請求項７又は請求項８記載の露光装置。
【請求項１０】
前記計測パターン部は、前記プレート部と係合して同一平面を形成する円形部材であることを特徴とする請求項７から９のいずれか一項に記載の露光装置。
【請求項１１】
前記プレート部の少なくとも一部は撥液処理を施していることを特徴とする請求項７から１０のいずれか一項に記載の露光装置。
【請求項１２】
前記投影光学系の投影中心とは離れた視野中心を有したアライメント系を有し、該アライメント系は液体を介さずに前記基準マークを検出することを特徴とする請求項１から１１のいずれか一項に記載の露光装置。
【請求項１３】
請求項１から請求項１２の何れか一項に記載の露光装置を用いてデバイスのパターンを基板に転写する工程を含むことを特徴とするデバイス製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、マスクのパターンを基板に転写する露光装置、及び当該露光装置を用いたデバイス製造方法に関する。
本願は、２００４年１０月８日に出願された特願２００４−２９６３７５号に基づき優先権を主張し、その内容をここに援用する。
【背景技術】
【０００２】
半導体素子、液晶表示素子、撮像装置（ＣＣＤ（Charge Coupled Device）等）、薄膜磁気ヘッド等のデバイスの製造工程の一つであるリソグラフィ工程においては、マスクとしてのレチクルのパターンを、投影光学系を介して基板としてのフォトレジストが塗布されたウェハ（又はガラスプレート等）上に転写露光するために、露光装置が使用されている。この露光装置としては、ステッパー等の一括露光型（静止露光型）の投影露光装置、又はスキャニングステッパー等の走査露光型の投影露光装置（走査型露光装置）等が使用されている。
【０００３】
近年においては、デバイスに形成するパターンのより一層の高集積化に対応するために、投影光学系の更なる高解像度化が望まれており、このため露光光の短波長化及び投影光学系の開口数（ＮＡ）の増大化（大ＮＡ化）が図られている。しかしながら、露光光の短波長化及び投影光学系の大ＮＡ化は、露光装置の解像力を向上させるものの焦点深度が浅く（狭く）なってしまう。そこで、実質的に露光波長を短くして、且つ空気中に比べて焦点深度を深く（広く）する方法として液浸法を利用した露光装置が注目されるようになってきた。この液浸法を利用した露光装置としては、例えば以下の特許文献１に示されている通り、投影光学系の下面と基板表面との間を水又は有機溶媒等の液体で局所的に満たした状態で露光を行うものが知られている。この露光装置は、液体中での露光光の波長が空気中の１／ｎ倍（ｎは液体の屈折率で、１．２〜１．６程度）になることを利用して解像度の向上及び焦点深度の拡大を図っている。
【０００４】
また、近時においては、以下の特許文献２，３に示されている通り、基板ステージとは独立して二次元面内で移動可能に構成され、計測に用いられる各種の計測器が設けられたステージ（計測ステージ）を備えた露光装置も案出されている。この計測ステージを用いる場合には、基板ステージには基板の露光の際に必要最低限の構成部材のみを設ければよいため、基板ステージの小型化及び軽量化を図ることができる。これにより、基板ステージを駆動する駆動機構（モータ）の小型化及び駆動機構の発熱量の低減を実現することができ、この結果として基板ステージの熱変形及び露光精度の低下を極力低減することができる。
【特許文献１】国際公開第９９／４９５０４号パンフレット
【特許文献２】特開平１１−１３５４００号公報
【特許文献３】特開平３−２１１８１２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
ところで、上述した計測ステージに設けられる各種の計測器は、求められる精度が計測器毎に異なっており、また大きさ及び環境変動に伴う特性変化も全く相違し、更には計測器自体が発熱するものもある。例えば、基板に形成されたマークの位置情報を計測する位置計測装置（アライメントセンサ）としてオフ・アクシス型のアライメントセンサが設けられている場合には、ベースライン量（例えば、投影光学系により投影される投影像の中心とアライメントセンサの計測視野中心との距離）を極めて厳密に管理する必要があるため、ベースライン量の計測に用いられる計測器は極めて高い計測精度が要求される。これに対し、投影光学系を介して基板ステージ上に照射される露光光の光量、照度、及び照度むら等を計測する計測器は、それ自体が発熱する特性を有する。
【０００６】
また、計測ステージは上記の各種計測器以外に、計測ステージを二次元平面内で移動させるための駆動機構（モータ）が設けられている。この駆動機構は計測ステージを移動に関わる基礎的なものであるため、その構成を変更するのは困難である。また、駆動機構は発熱源であるため、駆動機構から発せられる熱により計測ステージに設けられる計測器に影響を与え、また計測ステージの熱変形により計測器の計測精度を低下させる虞がある。このため、計測ステージの計測器は、各々に求められる計測精度、各々の大きさ及び特性、並びに駆動機構との位置関係を総合的に考慮して計測ステージに配置する必要がある。
【０００７】
本発明は上記事情に鑑みてなされたものであり、計測精度の低下を招かない関係で配置された各種計測器が設けられた計測ステージを備える露光装置、及び当該露光装置を用いたデバイス製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明は、実施の形態に示す各図に対応付けした以下の構成を採用している。但し、各要素に付した括弧付き符号はその要素の例示に過ぎず、各要素を限定するものではない。
本発明の態様に従えば、移動可能な基板ステージ（ＷＳＴ）上に載置された基板（Ｗ）に投影光学系（ＰＬ）を介してパターンを露光する露光装置（ＥＸ）であって、前記基板ステージとは独立して移動可能に構成され、第１方向に沿って形成された第１反射部（５０）と前記第１方向と直交する第２方向に沿って形成された第２反射部（５１Ｘ）とを有する計測ステージ（ＭＳＴ）と、前記計測ステージに形成された前記第１反射部および前記第２反射部材にビームを照射して、前記計測ステージの前記第１方向および前記第２方向に関する位置を検出する位置検出装置（４２、４４）とを備え、前記計測ステージは、前記投影光学系によって投影される前記パターンの投影像の位置を計測する基準マーク（ＦＭ１、ＦＭ１１、ＦＭ１２）と、前記投影光学系を介して前記基板に与えられる露光エネルギーに関する情報を検出する検出装置（６２）とを備え、前記基準マークは前記第１方向および前記第２方向に関して前記検出装置よりも前記第１反射部および前記第２反射部に近接して配置される露光装置が提供される。
本発明の別の態様に従えば、上記の露光装置を用いてデバイスのパターンを基板に転写する工程を含むデバイス製造方法が提供される。
【発明の効果】
【０００９】
本発明によれば、基準マークが反射部の近傍に配置されているため、これらの相対的な位置関係の誤差が生じにくく、計測精度の低下が回避される。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１０】
以下、図面を参照して本発明の一実施形態による露光装置及びデバイス製造方法について詳細に説明する。図１は、本発明の一実施形態による露光装置の概略構成を示す側面図である。図１に示す露光装置ＥＸは、図１中の投影光学系ＰＬに対してマスクとしてのレチクルＲと基板としてのウェハＷとを相対的に移動させつつ、レチクルＲに形成されたパターンをウェハＷに逐次転写するステップ・アンド・スキャン方式の走査露光型の露光装置である。
【００１１】
尚、以下の説明においては、必要であれば図中にＸＹＺ直交座標系を設定し、このＸＹＺ直交座標系を参照しつつ各部材の位置関係について説明する。図１に示すＸＹＺ直交座標系は、Ｘ軸及びＹ軸がウェハＷの移動面に平行な面に含まれるよう設定され、Ｚ軸が投影光学系ＰＬの光軸ＡＸに沿う方向に設定されている。また、本実施形態ではレチクルＲ及びウェハＷを同期移動させる方向（走査方向）をＹ方向に設定している。
【００１２】
図１に示す通り、本実施形態の露光装置ＥＸは、照明光学系ＩＬＳ、マスクとしてのレチクルＲを保持するレチクルステージＲＳＴ、投影ユニットＰＵ、基板としてのウェハＷを保持する基板ステージとしてのウェハステージＷＳＴと計測ステージＭＳＴとを有するステージ装置ＳＴ、及びこれらの制御系を含んで構成される。照明光学系ＩＬＳは、不図示のレチクルブラインドで規定されたレチクルＲ上のスリット状の照明領域を照明光（露光光）ＩＬによってほぼ均一な照度で照明する。ここで、照明光ＩＬとしては、一例としてＡｒＦエキシマレーザ光（波長１９３ｎｍ）が用いられている。
【００１３】
レチクルステージＲＳＴ上には、パターン面（図１における−Ｚ側の面）にパターンが形成されたレチクルＲが、例えば真空吸着により保持されている。レチクルステージＲＳＴは、例えばリニアモータを含むレチクルステージ駆動部１１（図１では不図示、図７参照）によって、照明光学系ＩＬＳの光軸（後述する投影光学系ＰＬの光軸ＡＸに一致）に垂直なＸＹ平面内で微小駆動可能であるとともに、走査方向（Ｙ方向）に指定された走査速度で駆動可能に構成されている。
【００１４】
レチクルステージＲＳＴのステージ移動面内の位置（Ｚ軸周りの回転を含む）は、レーザ干渉計（以下、レチクル干渉計という）１２によって、移動鏡１３（実際にはＹ軸に直交する反射面を有するＹ移動鏡とＸ軸に直交する反射面を有するＸ移動鏡とが設けられている）を介して、例えば０．５〜１ｎｍ程度の分解能で常時検出される。このレチクル干渉計１２の計測値は主制御装置２０（図１では不図示、図７参照）に出力され、主制御装置２０は、このレチクル干渉計１２の計測値に基づいてレチクルステージＲＳＴのＸ方向、Ｙ方向、及びθＺ方向（Ｚ軸周りの回転方向）の位置を算出するとともに、この算出結果に基づいてレチクルステージ駆動部１１を制御することで、レチクルステージＲＳＴの位置（及び速度）を制御する。
【００１５】
レチクルステージＲＳＴの上方には、露光波長の光を用いたＴＴＲ（Through The Reticle）アライメント系からなる一対のレチクルアライメント検出系１４ａ，１４ｂがＸ方向に所定距離隔てて設けられている。レチクルアライメント検出系１４ａ，１４ｂは、レチクルＲ上の一対のレチクルアライメントマークと、これらに対応する計測ステージＭＳＴ上の一対の基準マーク（以下、第１基準マークという）の投影光学系ＰＬを介した共役像とを同時に観察するものである。これらのレチクルアライメント検出系１４ａ，１４ｂとしては、例えば特開平７−１７６４６８号公報（対応する米国特許第５，６４６，４１３号）等に開示されるものと同様の構成のものが用いられている。
【００１６】
投影ユニットＰＵは、鏡筒１５と、鏡筒１５内に所定の位置関係で保持された複数の光学素子を含む投影光学系ＰＬとを含んで構成されている。投影光学系ＰＬとしては、例えばＺ方向の共通の光軸ＡＸを有する複数のレンズ（レンズエレメント）からなる屈折光学系が用いられている。また、図示は省略しているが、投影光学系ＰＬを構成する複数のレンズのうち、特定の複数のレンズは、主制御装置２０からの指令に基づいて結像特性補正コントローラ１６（図７参照）によって制御され、投影光学系ＰＬの光学特性（結像特性を含む）、例えば倍率、ディストーション、コマ収差、及び像面湾曲（像面傾斜を含む）等の調整が可能である。
【００１７】
また、本実施形態の露光装置ＥＸは、液浸法を適用した露光を行うため、投影光学系ＰＬを構成する最も像面側（ウェハＷ側）の光学素子としてのレンズ（以下、先玉ともいう）ＧＬの近傍には、液浸装置１７を構成する液体供給ノズル１８ａと、液体回収ノズル１８ｂとが設けられている。液体供給ノズル１８ａには、その一端が液体供給装置１９ａ（図１では不図示、図７参照）に接続された不図示の供給管の他端が接続されており、液体回収ノズル１８ｂには、その一端が液体回収装置１９ｂ（図１では不図示、図７参照）に接続された不図示の回収管の他端が接続されている。
【００１８】
上記の液体としては、ここではＡｒＦエキシマレーザ光（波長１９３ｎｍの光）が透過する超純水（以下、特に必要な場合を除いて、単に「水」と記述する）を用いるものとする。超純水は、半導体製造工場等で容易に大量に入手できるとともに、ウェハＷ上に塗布されたフォトレジスト及び光学レンズ等に対する悪影響を及ぼさないという利点がある。ここで、水の屈折率ｎはほぼ１．４４であり、この水の中では照明光ＩＬの波長は１９３ｎｍ×１／ｎ＝約１３４ｎｍに短波長化される。
【００１９】
液体供給装置１９ａは、主制御装置２０からの指示に応じて供給管に接続されたバルブを所定開度で開き、液体供給ノズル１８ａを介して先玉ＧＬとウェハＷとの間に水を供給する。また、液体回収装置１９ｂは、主制御装置２０からの指示に応じて回収管に接続されたバルブを所定開度で開き、液体回収ノズル１８ｂを介して先玉ＧＬとウェハＷとの間から液体回収装置１９ｂ（液体のタンク）の内部に水を回収する。このとき、主制御装置２０は、先玉ＧＬとウェハＷとの間に液体供給ノズル１８ａから供給される水の量と、液体回収ノズル１８ｂを介して回収される水の量とが常に等しくなるように、液体供給装置１９ａ及び液体回収装置１９ｂに対して指令を与える。従って、先玉ＧＬとウェハＷとの間に一定量の水Ｌｑ（図１参照）が保持される。尚、先玉ＧＬとウェハＷとの間に保持される水Ｌｑは、常に入れ替わることになる。
【００２０】
以上説明した通り、本実施形態の露光装置が備える液浸装置１７は、液体供給装置１９ａ、液体回収装置１９ｂ、供給管、回収管、液体供給ノズル１８ａ、及び液体回収ノズル１８ｂ等を含んで構成された局所液浸装置である。尚、投影ユニットＰＵの下方に計測ステージＭＳＴが位置する場合にも、上記と同様に計測テーブルＭＴＢと先玉ＧＬとの間に水を満たすことが可能である。
【００２１】
ステージ装置ＳＴは、例えば半導体工場の床面ＦＬ上に配置されたフレームキャスタＦＣ、フレームキャスタＦＣ上に設けられたベース盤２１、ベース盤２１の上方に配置されベース盤２１の上面（移動面）２１ａに沿って移動するウェハステージＷＳＴ及び計測ステージＭＳＴ、これらのステージＷＳＴ，ＭＳＴの位置を検出する干渉計２２，２３を含む位置検出装置としての干渉計システム２４（図７参照）、並びにステージＷＳＴ，ＭＳＴを駆動するステージ駆動部２５（図７参照）を含んで構成される。上記のウェハステージＷＳＴは、レチクルＲのパターンをウェハＷに露光転写するためにウェハＷを保持して移動するものである。一方、計測ステージＭＳＴは、ウェハステージＷＳＴがウェハＷの交換のためにローディングポジションに位置している間に投影光学系ＰＬの下方に位置して各種の計測を行うものである。
【００２２】
次に、ステージ装置ＳＴの構成について詳細に説明する。図２は、ステージ装置ＳＴの構成を示す斜視図である。図２に示す通り、フレームキャスタＦＣは、Ｘ方向の一側と他側との端部近傍にＹ方向を長手方向として上方に突出した突部ＦＣａ，ＦＣｂが一体的に形成された概略平板状からなるものである。ベース盤（定盤）２１は、フレームキャスタＦＣの突部ＦＣａ，ＦＣｂに挟まれた領域上に配置されている。ベース盤２１の上面２１ａは平坦度が極めて高く仕上げられ、ウェハステージＷＳＴ及び計測ステージＭＳＴのＸＹ平面に沿った移動の際のガイド面とされている。
【００２３】
ウェハステージＷＳＴは、図２に示す通り、ベース盤２１上に配置されたウェハステージ本体２６とウェハステージ本体２６上に搭載されたウェハテーブルＷＴＢとを含んで構成されている。ウェハステージ本体２６は、断面矩形枠状でＸ方向に延びる中空部材によって構成されている。このウェハステージ本体２６の下面には、本願出願人が先に出願した特願２００４−２１５４３９号に記載されているような自重キャンセラ機構が設けられている。この自重キャンセラ機構は、ベローズに内圧をかけてウェハステージＷＳＴを支える支持部と、ガイド面としての移動面２１ａに対向してウェハステージＷＳＴを移動面２１ａに対して浮上させるエアベアリング部とを有している。
【００２４】
また、ウェハステージＷＳＴは、ウェハステージ本体２６をＸ方向にロングストロークで駆動するとともに、Ｙ方向、Ｚ方向、θｘ（Ｘ軸周りの回転方向）、θｙ（Ｙ軸周りの回転方向）、θｚ（Ｚ軸周りの回転方向）に微小駆動する第１駆動系２７と、ウェハステージ本体２６及び第１駆動系２７をＹ方向にロングストロークで駆動する第２駆動系２８ａ，２８ｂとを備えている。更に、ウェハステージＷＳＴは、Ｘ方向に等速運動をするチューブキャリア２９と、真空又はエア等の用力をチューブキャリア２９からウェハステージ本体２６に非接触で伝達する不図示の６自由度パイプを備えている。ここで、チューブキャリア２９がＸ方向に等速運動するのは、チューブキャリア２９の駆動により発生する反力がウェハステージ本体２６に及ぼす影響を少なくするためである。
【００２５】
図３Ａ及び３Ｂは、ウェハステージＷＳＴに設けられる第１駆動系２７を説明するための斜視図である。図３Ａに示す通り、ウェハステージ本体２６の＋Ｘ方向の端面には３つの開口３０ａ〜３０ｃが設けられており、ウェハステージ本体２６の−Ｘ方向の端面には開口３０ａ〜３０ｃの各々に対応する不図示の３つの開口が設けられている。開口３０ａにはＹ軸用の可動子としての一対の永久磁石３１ａ，３１ｂが設けられている。また、開口３０ｂにはＸ軸用の可動子として一対の永久磁石３２ａ，３２ｂが設けられており、同様に開口３０ｃにはＸ軸用の可動子として一対の永久磁石３２ｃ，３２ｄが設けられている。
【００２６】
一方、図３Ｂに示す通り、開口３０ａを介してウェハステージ本体２６をＸ方向に貫通するように複数のコイルを備えるＹ軸用固定子３３が設けられており、開口３０ｂ，３０ｃの各々を介してウェハステージ本体２６をＸ方向に貫通するように複数のコイルを備えるＸ軸用固定子３４ａ，３４ｂが設けられている。上記のＹ軸用固定子３３は、開口３０ａに設けられた一対の永久磁石３１ａ，３１ｂと協働してウェハステージ本体２６をＹ方向に微小駆動する。
【００２７】
また、上記のＸ軸用固定子３４ａ，３４ｂは、一対の永久磁石３２ａ，３２ｂ及び一対の永久磁石３２ｃ，３２ｄとそれぞれ協働してウェハステージ本体２６をＸ方向に長いストロークで駆動する。更に、上述した一対の永久磁石３２ａ，３２ｂとＸ軸用固定子３４ａとによって発生するローレンツ力と、一対の永久磁石３２ｃ，３２ｄとＸ軸用固定子３４ｂとによって発生するローレンツ力とを異ならせることにより、ウェハステージ本体２６をθｚ方向に回転させることができる。即ち、第１駆動系２７は、Ｘ軸用固定子３４ａと一対の永久磁石３２ａ，３２ｂとからなるムービングマグネット型のリニアモータと、Ｘ軸用固定子３４ｂと一対の永久磁石３２ｃ，３２ｄとからなるムービングマグネット型のリニアモータとを備えている。尚、ここではムービングマグネット型のリニアモータを備える場合を例に挙げて説明するが、ムービングコイル型のリニアモータを備えていても良い。また、以上の通り、ウェハステージＷＳＴは、Ｘ方向の移動に関して、その移動をガイドするガイド部材を有さないガイドレスステージである。
【００２８】
更に、図３Ａに示す通り、ウェハステージ本体２６の下方には、Ｚ軸用の可動子として４つの永久磁石３５ａ〜３５ｄ（永久磁石３５ｄの図示は省略）が設けられている。
また、図３Ｂに示す通り、永久磁石３５ａ，３５ｂに対応して複数のコイルを備えるＸ方向に延びるＺ軸固定子３６ａが設けられており、永久磁石３５ｃ，３５ｄに対応して複数のコイルを備えるＸ方向に延びるＺ軸固定子３６ｂが設けられている。これらＺ軸固定子３６ａ，３６ｂは、永久磁石３５ａ，３５ｂ及び永久磁石３５ｃ，３５ｄとそれぞれ協働してＺ方向への駆動力を発生するものである。Ｚ軸固定子３６ａ，３６ｂに設けられるコイルに供給する電流を制御することにより、ウェハステージ本体２６をＺ方向、θｘ、θｙ方向に駆動することができる。また、チューブキャリア２９をＸ方向に駆動するために、Ｘ方向に延びる固定子３７も設けられている。尚、上記のＹ軸用固定子３３、Ｘ軸用固定子３４ａ，３４ｂ、Ｚ軸固定子３６ａ，３６ｂ、及び固定子３７の各々は両端が第２駆動系２８ａ，２８ｂを構成する可動子３９ａ，３９ｂにそれぞれ固定されている。
【００２９】
図２に戻り、フレームキャスタＦＣの突部ＦＣａ，ＦＣｂの上方には、第２駆動系２８ａ，２８ｂを構成するＹ方向に延びるＹ軸用の固定子３８ａ，３８ｂがそれぞれ配設されている。これらのＹ軸用の固定子３８ａ，３８ｂは、それぞれの下面に設けられた不図示の気体静圧軸受、例えばエアベアリングによって突部ＦＣａ，ＦＣｂの上方において所定のクリアランスを介して浮上支持されている。これはウェハステージＷＳＴや計測ステージＭＳＴのＹ方向の移動により発生した反力により、固定子３８ａ，３８ｂがＹ方向のＹカウンタマスとして逆方向に移動して、この反力を運動量保存の法則により相殺するためである。
【００３０】
これらの固定子３８ａ，３８ｂの間には図３Ａ及び３Ｂを用いて説明したウェハステージ本体２６等が配置されており、図３Ｂに示したＹ軸用固定子３３、Ｘ軸用固定子３４ａ，３４ｂ、Ｚ軸固定子３６ａ，３６ｂ、及び固定子３７の各々の両端に固定された可動子３９ａ，３９ｂが固定子３８ａ，３８ｂの内側からそれぞれ挿入されている。固定子３８ａ，３８ｂはＹ方向に沿って配列された永久磁石を備えており、可動子３９ａ，３９ｂはＹ方向に沿って配列されたコイルを備えている。即ち、第２駆動系２８ａ，２８ｂは、ウェハステージＷＳＴをＹ方向に駆動するムービングコイル型のリニアモータを備えている。尚、ここではムービングコイル型のリニアモータを備える場合を例に挙げて説明するが、ムービングマグネット型のリニアモータを備えていても良い。
【００３１】
ウェハステージＷＳＴは、Ｙ方向の移動に関して、固定子３８ａと可動子３９ａとの電磁的結合、及び固定子３８ｂと可動子３９ｂとの電磁的結合を除いて、その移動をガイドするガイド部材を有さないガイドレスステージである。尚、ウェハステージＷＳＴをＸ方向に駆動した際の反力は、第２駆動系２８ａ，２８ｂに設けられる固定子３８ａ，３８ｂと可動子３９ａ，３９ｂとの間の電磁的な結合を介して不図示のＸカウンタマスに伝わる。このＸカウンタマスは、フレームキャスタＦＣの突部ＦＣａ，ＦＣｂと固定子３８ａ，３８ｂとの間に設けられており、Ｙ方向のカウンタマスとして用いられる固定子３８ａ，３８ｂを支持してＸ方向に移動可能に構成され、ウェハステージＷＳＴのＸ方向の移動とは逆方向に移動してウェハステージＷＳＴをＸ方向に駆動した際の反力を相殺する。
【００３２】
ウェハテーブルＷＴＢ上には、ウェハＷを保持するウェハホルダ４０が設けられている。ウェハホルダ４０は、板状の本体部と、この本体部の上面に固定されその中央にウェハＷの直径よりも大きな円形開口が形成された撥液性（撥水性）を有する補助プレートとを備えている。この補助プレートの円形開口内部の本体部の領域には、多数（複数）のピンが配置されており、その多数のピンによってウェハＷが支持された状態で真空吸着されている。この場合、ウェハＷが真空吸着された状態では、そのウェハＷの表面と補助プレートの表面との高さがほぼ同一の高さとなるように形成されている。尚、補助プレートを設けずに、ウェハテーブルＷＴＢの表面に撥液性を付与してもよい。
【００３３】
また、図２に示す通り、ウェハテーブルＷＴＢのＸ方向の一端（＋Ｘ側端）には、Ｘ方向に直交する（Ｙ方向に延在する）反射面４１Ｘが鏡面加工により形成されており、Ｙ方向の一端（＋Ｙ側端）には、Ｙ方向に直交する（Ｘ方向に延在する）反射面４１Ｙが同様に鏡面加工により形成されている。これらの反射面４１Ｘ，４１Ｙには、干渉計システム２４（図７参照）を構成するＸ軸干渉計４２，４３、Ｙ軸干渉計４４，４４ａからの干渉計ビーム（ビーム）がそれぞれ投射される。尚、図２に示すＸ軸干渉計４２，４３及びＹ軸干渉計４４，４４ａは、図１においてはまとめて干渉計２３として図示している。
【００３４】
Ｘ軸干渉計４２，４３及びＹ軸干渉計４４，４４ａが反射面４１Ｘ，４１Ｙからの反射光をそれぞれ受光することで、各反射面４１Ｘ，４１Ｙの基準位置（一般的には投影ユニットＰＵ側面や、投影光学系ＰＬの＋Ｙ方向側に配置されたオフアクシス型のアライメント系４５（図１、図７参照）の側面に固定ミラーを配置し、そこを基準面とする）からの計測方向の変位を検出する。尚、反射面４１Ｘ，４１Ｙとしては、ウェハテーブルＷＴＢの端面に形成する構成に代えて、ウェハテーブルＷＴＢの上面に、Ｘ方向に延在する反射面を有するＹ移動鏡及びＹ方向に延在する反射面を有するＸ移動鏡をそれぞれ設ける構成としてもよい。
【００３５】
Ｘ軸干渉計４２は、投影光学系ＰＬの投影中心（光軸ＡＸ、図１参照）を通りＸ軸に平行な測長軸と、アライメント系４５の計測視野中心を通りＸ軸に平行な測長軸とを有し、露光時には投影光学系ＰＬの投影中心位置を通る測長軸でウェハテーブルＷＴＢのＸ方向の位置を検出し、エンハンスト・グローバル・アライメント（ＥＧＡ）の際にはアライメント系４５の計測視野中心を通る測長軸でウェハテーブルＷＴＢのＸ方向の位置を測定する。また、Ｘ軸干渉計４２は、ベースライン量の計測や計測ステージＭＳＴに設けられた各種計測器の計測内容に応じて２つの測長軸を適宜用いて計測テーブルＭＴＢのＸ方向の位置を測定する。つまり、Ｘ軸干渉計４２は、ウェハテーブルＷＴＢ又は計測テーブルＭＴＢのＸ方向の位置を、Ｙ方向の投影中心位置及びアライメント中心位置のそれぞれで計測可能となっている。尚、ベースライン量とは、投影光学系ＰＬにより投影されるパターンの投影像に対するウェハステージＷＳＴの位置関係を示す量であり、具体的には投影光学系ＰＬの投影中心とアライメント系４５の計測視野中心との距離である。
【００３６】
Ｙ軸干渉計４４は、投影光学系ＰＬの投影中心（光軸ＡＸ、図１参照）及びアライメント系４５の計測視野中心を結ぶＹ軸に平行な測長軸を有し、ウェハテーブルＷＴＢのＹ方向の位置を主として検出する。また、詳細は後述するが、Ｙ軸干渉系４４は、ウェハステージＷＳＴがウェハＷの交換のためにローディングポジションに位置している間には計測テーブルＭＴＢのＹ方向の位置を検出する。上記のＸ軸干渉計４３及びＹ軸干渉計４４ａはウェハステージＷＳＴがウェハＷの交換のためにローディングポジションに位置している間にウェハステージＷＳＴのＸＹ面内における位置を補助的に検出する。
【００３７】
計測ステージＭＳＴは、チューブキャリア２９及び不図示の６自由度パイプを除いてほぼウェハステージＷＳＴと同様の構成である。つまり、図２に示す通り、ベース盤２１上に配置された計測ステージ本体４６と、計測ステージ本体４６上に搭載されたプレート部としての計測テーブルＭＴＢとを備えている。また、計測ステージ本体４６をＸ方向にロングストロークで駆動するとともに、Ｙ方向、Ｚ方向、θｘ、θｙ、θｚに微小駆動する第１駆動系４７と、計測ステージ本体４６及び第１駆動系４７をＹ方向にロングストロークで駆動する第２駆動系４８ａ，４８ｂとを備えている。計測ステージ本体４６は、断面矩形枠状でＸ方向に延びる中空部材によって構成されている。
【００３８】
第１駆動系４７は、ウェハステージＷＳＴに対して設けられた第１駆動系２７と同様に、計測ステージ本体４６の±Ｘ方向の端面に設けられた３つの開口の各々に配置された対をなす永久磁石と、開口の各々を介して計測ステージ本体４６をＸ方向に貫通するように複数のコイルを備える１つのＸ軸用固定子及び２つのＹ軸用固定子とを含んで構成される。これらの永久磁石並びにＸ軸用固定子及びＹ軸用固定子は計測ステージ本体４６をＸ方向に長いストロークで駆動するとともにＹ方向に微少駆動し、更にはθｚ方向に回転させる。また、第１駆動系４７は、計測ステージ本体４６の下面に設けられた永久磁石（ウェハステージ本体２６に設けられた図３Ａ及び３Ｂに示す永久磁石３５ａ〜３５ｄと同様の永久磁石）と、これら永久磁石と協働して推力を発生するＺ軸固定子（Ｚ軸固定子３６ａ，３６ｂと同様のＺ軸固定子）とを備えている。これらの永久磁石及びＺ軸固定子によって、計測ステージ本体４６をＺ方向、θｘ、θｙ方向に駆動することができる。尚、ここでは第１駆動系４７がムービングマグネット型のリニアモータを備える場合を例に挙げて説明するが、ムービングコイル型のリニアモータを備えていても良い。
【００３９】
第２駆動系４８ａ，４８ｂは、固定子３８ａ，３８ｂと、計測ステージ本体４６をＸ方向に貫通するＸ軸用固定子及びＹ軸用固定子並びに計測ステージ本体４６の下方（−Ｚ方向）に配置されたＺ軸用固定子の両端に固定された可動子４９ａ，４９ｂとを含んで構成されており、可動子４９ａ，４９ｂは固定子３８ａ，３８ｂの内側からそれぞれ挿入されている。可動子４９ａ，４９ｂはＹ方向に沿って配列されたコイルを備えており、Ｙ方向に沿って配列された永久磁石を備える固定子３８ａ，３８ｂと協働してＹ方向への推力を発生させる。即ち、第２駆動系４８ａ，４８ｂは、計測ステージＭＳＴをＹ方向に駆動するムービングコイル型のリニアモータを備えている。尚、ここではムービングコイル型のリニアモータを備える場合を例に挙げて説明するが、ムービングマグネット型のリニアモータを備えていても良い。
【００４０】
以上説明したウェハステージＷＳＴを駆動する第１駆動系２７及び第２駆動系２８ａ，２８ｂ、並びに計測ステージＭＳＴを駆動する第１駆動系４７及び第２駆動系４８ａ，４８ｂによって図７に示すステージ駆動部２５が構成されている。このステージ駆動部２５を構成する各種駆動機構は図７に示す主制御装置２０によって制御される。つまり、主制御装置２０は、ステージ駆動部２５を介して、例えばウェハＷの露光前における計測ステージＭＳＴの移動、及び露光時におけるウェハステージＷＳＴの移動を制御する。
【００４１】
プレート部としての計測テーブルＭＴＢは、例えばショット日本株式会社製のゼロデュア（登録商標）等の低熱膨張材料から形成されており、その上面は撥液性（撥水性）を有している。計測テーブルＭＴＢは、例えば真空吸着によって計測ステージ本体４６上に保持されており、交換可能に構成されている。この計測テーブルＭＴＢは、その表面の高さがウェハテーブルＷＴＢ上に設けられたウェハホルダ４０の表面の高さとほぼ同一となるように設定されている。また、図２に示す通り、計測テーブルＭＴＢのＹ方向の一端（＋Ｙ側端）には、Ｙ方向に直交する（Ｘ方向に延在する）第１反射部材としての反射面５０が鏡面加工により形成されている。更に、計測テーブルＭＴＢのＸ方向の一端（＋Ｘ側端）には、Ｘ方向に直交する（Ｙ方向に延在する）第２反射部材としての反射面５１Ｘが鏡面加工により形成されており、Ｙ方向の一端（−Ｙ側端）には、Ｙ方向に直交する（Ｘ方向に延在する）第３反射部材としての反射面５１Ｙが同様に鏡面加工により形成されている。
【００４２】
反射面５０には、ウェハステージＷＳＴがウェハＷの交換のためにローディングポジションに位置している間に、ウェハステージＷＳＴのＹ方向の位置を検出するＹ軸干渉計４４からの干渉計ビーム（ビーム）が投射される。また、反射面５１Ｘ，５１Ｙには、干渉計システム２４（図７参照）を構成するＸ軸干渉計４２、Ｙ軸干渉計５２からの干渉計ビーム（ビーム）がそれぞれ投射される。尚、図２に示すＸ軸干渉計４２及びＹ軸干渉計５２は、図１においてはまとめて干渉計２２として図示している。
【００４３】
Ｘ軸干渉計４２及びＹ軸干渉計５２が反射面５１Ｘ，５１Ｙからの反射光をそれぞれ受光することで、各反射面５１Ｘ，５１Ｙの基準位置（一般的には投影ユニットＰＵ側面や、オフアクシス型のアライメント系４５（図１、図７参照）の側面に固定ミラーを配置し、そこを基準面とする）からの計測方向の変位を検出する。尚、反射面５１Ｘ，５１Ｙとしては、計測テーブルＭＴＢの端面に形成する構成に代えて、計測テーブルＭＴＢの上面に、Ｘ方向に延在する反射面を有するＹ移動鏡及びＹ方向に延在する反射面を有するＸ移動鏡をそれぞれ設ける構成としてもよい。上記のＹ軸干渉計５２は、Ｙ軸干渉計４４と同様に、投影光学系ＰＬの投影中心（光軸ＡＸ、図１参照）及びアライメント系４５の計測視野中心を結ぶＹ軸に平行な測長軸を有しており、ウェハステージＷＳＴがウェハＷの交換のためにローディングポジションに位置している間以外は、計測テーブルＭＴＢのＹ方向の位置を検出する。
【００４４】
また、計測ステージＭＳＴは、露光に関する各種計測を行うための計測器群を備えている。計測テーブルＭＴＢ上面の所定位置には、これらの計測器類で用いられる各種のマークが形成された計測パターン部としての基準板５３が設けられている。この基準板５３は、低熱膨張材料から形成されているとともに、上面が撥液性（撥水性）を有しており、計測テーブルＭＴＢに対して交換可能に構成されている。次に、計測ステージＭＳＴに設けられる各種計測器の配置について説明する。
【００４５】
図４は、計測ステージＭＳＴの上面図である。図４に示す通り、基準板５３は円形形状であり、その上面には前述した第１基準マーク（以下、第１基準マークＦＭ１という）とベースライン量を計測する際にアライメント系４５で計測する基準マーク（以下、第２基準マークという）ＦＭ２とが形成されている。ここで、基準板５３を円形とするのは、計測テーブルＭＴＢの面内における基準板５３の角度調整を容易にするとともに、計測テーブルＭＴＢ上面に供給される水が計測テーブルＭＴＢ及び計測ステージＭＳＴの内部に浸入するのを極力防止するためである。
【００４６】
また、基準板５３は、Ｘ軸干渉計４２からのビームが投射される反射面５１ＸとＹ軸干渉計４４からのビームが投射される反射面５０との近傍に配置される。これは、ベースライン量の誤差を低減するためである。つまり、ベースライン量は、後述する空間像計測装置５５（図６参照）による第１基準マークＦＭ１の計測結果、アライメント系４５による第２基準マークＦＭ２の計測結果、並びにＸ軸干渉計４２及びＹ軸干渉計４４の検出結果に基づいて計測される。ベースライン量の誤差は、第１基準マークＦＭ１及び第２基準マークＦＭ２と反射面５１Ｘ及び反射面５０との相対的な位置関係の変動により生ずるが、計測テーブルＭＴＢの熱膨張等によるこれらの相対位置の変化は、これらの間の間隔が長いほど大きくなる。このため、反射面５１Ｘ及び反射面５０の近傍に第１基準マークＦＭ１及び第２基準マークＦＭ２を配置することで計測テーブルＭＴＢの熱膨張等による誤差を極力小さくすることでベースライン量の誤差を低減している。
【００４７】
第１基準マークＦＭ１は、Ｘ方向に所定の距離だけ離間して配置された１対のマークをＹ方向に沿って３列配列した計６個のマークからなるものである。第１基準マークＦＭ１をなすマークのＸ方向の距離は、レチクルＲに形成された一対のレチクルアライメントマークの間隔に投影光学系ＰＬの投影倍率β（例えば、１／４又は１／５）を掛けて得られる距離に設定されている。また、基準マークＦＭ１の形状及び大きさは、レチクルアライメントマークの大きさを考慮して形成されている。６個の基準マークＦＭ１のうち、最も＋Ｙ方向に形成された１対の第１基準マーク（反射面５０に最も近接して形成された１対の第１基準マーク）ＦＭ１１，ＦＭ１２の中間位置には、第２基準マークＦＭ２が形成されている。
【００４８】
ここで、反射面５０に最も近接して形成された第１基準マークＦＭ１１，ＦＭ１２の中間位置に第２基準マークＦＭ２を形成するのは、計測テーブルＭＴＢのＹ方向の長さを極力短くするためである。つまり、ベースライン量を計測するときには、投影光学系ＰＬの＋Ｙ方向側に配置されたアライメント系４５の計測視野内に第２基準マークＦＭ２を配置する必要があるが、ベースライン量の計測時にも投影光学系ＰＬの先玉ＧＬと計測テーブルＭＴＢとの間に水が供給される。この水を計測テーブルＭＴＢで受けるために、第２基準マークＦＭ２が形成された位置から計測テーブルＭＴＢの−Ｙ方向における端部までの長さは、少なくともアライメント系４５と水が供給される領域との間の距離の分だけ必要になる。このため、計測テーブルＭＴＢの＋Ｙ方向の端部に極力近い位置に第２基準マークＦＭ２を配置して計測テーブルＭＴＢのＹ方向の長さを極力短くしている。
【００４９】
図５Ａ及び５Ｂは、第１基準マークＦＭ１及び第２基準マークＦＭ２の例を示す図である。図５Ａに示す通り、第１基準マークＦＭ１は、Ｃｒ（クロム）等の金属で形成された遮光領域に対して十字形状の開口（スリット）を形成してなるものである。また、図５Ｂに示す通り、第２基準マークＦＭ２は、長手方向がＹ方向のマーク要素をＸ方向に所定間隔で配列したマーク群をＸ方向に所定の距離だけ離間して形成したＸマークと、長手方向がＸ方向のマーク要素をＹ方向に所定間隔で配列したマーク群をＹ方向に所定の距離だけ離間して形成したＹマークとからなるものである。尚、第２基準マークＦＭ２は、Ｃｒ（クロム）等の金属で各マーク要素を形成しても良く、Ｃｒ（クロム）等の金属で形成された遮光領域に対して開口（スリット）を形成することで各マーク要素を形成しても良い。
【００５０】
計測ステージＭＳＴの内部であって基準板５３の下方（−Ｚ方向）には、投影光学系ＰＬにより水を介して計測テーブルＭＴＢ上に投影される空間像を計測する空間像計測装置の一部が設けられている。図６は、空間像計測装置の一部構成を示す断面図である。図６に示す通り、計測テーブルＭＴＢは真空吸着によって計測ステージ本体４６上に搭載されており、計測テーブルＭＴＢに形成された凹部に基準板５３が真空吸着によって保持されている。ここで、計測ステージ本体４６には第１基準マークＦＭ１を透過した露光光を遮らないように位置合わせ用ピン５４が取り付けられており、基準板５３の裏面中央部に形成された凹部５３ａを位置合わせ用ピン５４の先端に嵌合させ、位置合わせ用ピン５４を中心として回転させて基準板５３を精確に位置合わせした上で、基準板５３を真空吸着により計測テーブルＭＴＢ上に取り付ける。
【００５１】
空間像計測装置５５は、基準板５３の下方に設けられた集光レンズ５６、集光レンズ５６の一方の焦点位置に一端が配置され、集光レンズ５６で集光された露光光を計測ステージＭＳＴの−Ｙ側方へ導く光ファイバ５７、及び光ファイバ５７で導かれその他端から射出される露光光を光電変換する不図示のフォトマルチプレクサ等の光電変換素子を含んで構成される。この空間像計測装置５５としては、例えば特開２００２−１４００５号公報（対応する米国特許出願公開第２００２／００４１３７７号明細書）等に開示されているものを用いることができる。尚、不図示の光電変換素子を基準板５３の下方に配置しないのは、計測ステージ本体４６内における空間的制限のためである。このように、空間像計測装置５５は、不図示の光電変換素子を除いて基準板５３の下方に配置されており、Ｘ軸干渉計４２からのビームが投射される反射面５１ＸとＹ軸干渉計４４からのビームが投射される反射面５０との近傍に配置される。
【００５２】
空間像計測装置５５は基準板５３に形成された第１基準マークＦＭ１を介した露光光を集光レンズ５６で集光し、集光した露光光を光ファイバ５７で光電変換素子の位置まで導き、光ファイバ５７で導かれた露光光を光電変換することにより、投影光学系ＰＬにより投影されるパターンの空間像（投影像）の光強度を計測する。ベースライン量を計測する場合には、第１基準マークＦＭ１１，ＦＭ１２を用いて行う。つまり、投影光学系ＰＬによってレチクルＲに形成された一対のレチクルアライメントマークの像が投影される位置に、第１基準マークＦＭ１１，ＦＭ１２をそれぞれ配置し、計測ステージＭＳＴを移動させたときの受光光量の変化を空間像計測装置５５を用いて計測する。尚、ベースライン量の計測の詳細については後述する。
【００５３】
また、計測テーブルＭＴＢ上には、−Ｙ方向の端部に近接する位置であって基準板５３から離間した位置にスリット開口５８が形成されており、このスリット開口５８の下方（−Ｚ方向）には波面収差測定装置５９が配置されている。この波面収差測定装置５９は、例えばマイクロレンズアレイ及びＣＣＤ等の受光素子を備えており、投影光学系ＰＬを介してスリット開口５８を通過した露光光の波面をマイクロレンズアレイで分割し、分割された各々の波面の受光素子上における結像位置により投影光学系ＰＬの波面収差を測定する。この波面収差測定装置５９としては、例えば国際公開第９９／６０３６１号パンフレット（対応する欧州特許第１，０７９，２２３号明細書）等に開示される波面収差測定装置を用いることができる。
【００５４】
ここで、スリット開口５８及び波面収差測定装置５９を計測テーブルＭＴＢの−Ｙ方向の端部に近接させて配置するのは、前述した第２基準マークＦＭ２を計測テーブルＭＴＢの−Ｙ方向の端部に近接させて配置する理由と同様に、計測テーブルＭＴＢのＹ方向の長さを極力短くするためである。つまり、投影光学系ＰＬの波面収差の測定は、スリット開口５８のＸＹ面内における位置を正確に把握している状態で行う必要があるため、波面収差の測定に先立ってスリット開口５８をアライメント系４５（図１参照）の下方に配置してスリット開口５８に対して所定の位置関係で近接して形成されたマーク６０の計測を行う必要がある。
【００５５】
このとき、投影光学系ＰＬの先玉ＧＬと計測テーブルＭＴＢとの間に供給される水を計測テーブルＭＴＢで受けるために、スリット開口５８が形成された位置から計測テーブルＭＴＢの−Ｙ方向における端部までの長さは、少なくともアライメント系４５と水が供給される領域との間の距離の分だけ必要になる。このため、計測テーブルＭＴＢの＋Ｙ方向の端部に極力近い位置にスリット開口５８及び波面収差測定装置５９を配置して計測テーブルＭＴＢのＹ方向の長さを極力短くしている。また、波面収差測定装置５９を基準板５３に対して離間させるのは、基準板５３に対する熱的な影響を極力避けるためである。
【００５６】
また、計測テーブルＭＴＢ上には、基準板５３から離間した位置であって、−Ｘ方向の端部に極力近接した位置にピンホール開口パターン６１が形成されており、このピンホール６１の下方（−Ｚ方向）には投影光学系ＰＬを介して計測テーブルＭＴＢ上に照射される露光光の露光エネルギーに関する情報（光量、照度、照度むら等）を検出する検出装置としての露光検出装置６２が配置されている。つまり、露光検出装置６２は、空間像計測装置５５よりもＸ軸干渉計４２からのビームが投射される反射面５１Ｘ及びＹ軸干渉計４４からのビームが投射される反射面５０から離間した位置に配置されている。上記の露光検出装置６２としては、例えば特開昭５７−１１７２３８号公報（対応する米国特許第４，４６５，３６８号）等に開示される照度むら計測器、及び、例えば特開平１１−１６８１６号公報（対応する米国特許出願公開第２００２／００６１４６９号明細書）等に開示される照度モニタを用いることができる。
【００５７】
ここで、露光検出装置６２を、空間像計測装置５５よりも反射面５１Ｘ及び反射面５０から離間した位置に配置するのは、露光検出装置６２が発する熱によって計測テーブルＭＴＢが熱膨張して反射面５１Ｘ及び反射面５０と第１基準マークＦＭ１及び第２基準マークＦＭ２との相対的な位置関係が変化し、ベースライン量の計測誤差等が生ずるのを避けるためである。また、露光検出装置６２に接続された配線を計測ステージ本体４６の−Ｙ方向の側面から外部に引き出すという配線上の理由もある。尚、図７においては、以上説明した空間像計測装置５５、波面収差測定装置５９、及び露光検出装置６２を計測器群６３として示している。
【００５８】
図１に戻り、投影ユニットＰＵを保持する保持部材に設けられたオフアクシス型のアライメント系４５は、対象マーク（ウェハＷに形成されたアライメントマーク、基準板５３に形成された第２基準マークＦＭ２、及び計測テーブルＭＴＢに形成されたマーク６０等）の位置を計測する。このアライメント系４５は、ウェハＷ上のレジストを感光させないブロードバンドな検出光束を対象マークに照射し、その対象マークからの反射光により受光面に結像された対象マークの像と不図示の指標（アライメント系４５内に設けられた指標板上の指標パターン）の像とを撮像素子（ＣＣＤ等）を用いて撮像し、それらの撮像信号を出力する画像処理方式のＦＩＡ（Field Image Alignment）系のアライメントセンサである。アライメント系４５からの撮像信号は、図７に示す主制御装置２０に供給される。
【００５９】
更に、本実施形態の露光装置ＥＸは、図１では図示を省略しているが、照射系６４ａ及び受光系６４ｂ（図７参照）からなる焦点位置検出系が設けられている。この焦点位置検出系は、例えば特開平６−２８３４０３号公報（対応米国特許第５，４４８，３３２号）等に開示されるものであり、照射系６４ａから露光領域（投影光学系ＰＬの投影領域）内に設定された複数の検出点の各々に斜め方向から検知光を照射して、その反射光を受光系６４ｂで受光することにより、例えばウェハＷのＺ方向の位置及び姿勢（Ｘ軸及びＹ軸周りの回転）を検出する。
【００６０】
図７は、露光装置ＥＸの制御系の構成を示すブロック図である。図７に示す制御系は、露光装置ＥＸの全体的な動作を統括的に制御するマイクロコンピュータ（又はワークステーション）からなる主制御装置２０を中心として構成されている。また、主制御装置２０には、メモリ６５、ＣＲＴ（Cathode Ray Tube）ディスプレイ（又は液晶ディスプレイ）等のディスプレイ６６が接続されている。メモリ６５は、露光装置ＥＸの動作を制御する上で必要な情報、例えばベースライン量、ＥＧＡ演算を行って得られたショット配列、露光量の履歴等を記憶し、ディスプレイ６６は主制御装置２０から出力される露光装置ＥＸの装置状態を示す情報及びエラー情報等の各種情報を表示する。
【００６１】
次に、上記構成の露光装置ＥＸにおけるウェハステージＷＳＴと計測ステージＭＳＴとの並行処理動作について説明する。図８Ａ及び８Ｂ，図９Ａ及び９Ｂは、ウェハステージＷＳＴと計測ステージＭＳＴとの並行処理動作を説明するための平面図である。尚、以下の動作中、主制御装置２０によって、液浸装置１７の液体供給装置１９ａ及び液体回収装置１９ｂの各バルブの開閉制御が前述したようにして行われ、投影光学系ＰＬの先玉ＧＬの直下には常時水が満たされているが、以下の説明では説明を容易にするために、液体供給装置１９ａ及び液体回収装置１９ｂの制御に関する説明は省略する。
【００６２】
図８Ａは、ウェハステージＷＳＴ上に保持されたウェハＷ（ここでは例えば１ロットの最後のウェハとする）に対するステップ・アンド・スキャン方式の露光が行われている状態を示す平面図である。図８Ａに示す通り、投影光学系ＰＬの下方（−Ｚ方向）にウェハステージＷＳＴが配置されており、計測ステージＭＳＴはウェハステージＷＳＴと衝突（接触）しない−Ｙ方向の所定の待機位置にて待機している。ウェハＷに対する露光動作は、主制御装置２０により、事前に行われた例えばエンハンスト・グローバル・アライメント（ＥＧＡ）等のウェハアライメントの結果及び最新のアライメント系４５のベースライン量の計測結果等に基づいて、ウェハＷ上の各ショット領域の露光のための走査開始位置（加速開始位置）へウェハステージＷＳＴが移動されるショット間移動動作と、各ショット領域に対してレチクルＲに形成されたパターンを走査露光方式で転写する走査露光動作とを繰り返すことにより行われる。
【００６３】
また、ウェハアライメントとともに、照射系６４ａ及び受光系６４ｂからなる不図示の焦点位置検出系を用いてウェハＷに対する焦点位置検出が行われ、ウェハＷの表面が投影光学系ＰＬの焦点位置に位置決めされる。ウェハＷに対する焦点位置検出、即ち照射系６４ａからの検知光がウェハに照射される位置は、水Ｌｑが満たされない位置に設定され、最初に露光処理が行われるショット領域（第１ショット領域）に対しては、このショット領域が水Ｌｑに浸る前の位置で焦点位置検出が行われる。そして、この第１ショット領域に対する露光処理が行われている間にも照射系６４ａからの検知光照射を継続し、検知光が照射されたショット領域の焦点位置情報を収集する。次いで、第１ショット領域に対する露光処理が終了して次のショット領域（第２ショット領域）に対する露光処理を実施する際には、第１ショット領域への露光処理中に収集した焦点位置情報を用いて、第２ショット領域の表面を投影光学系ＰＬの焦点位置に位置決めする。このように、第２ショット領域以降のショット領域については、先に行われた露光処理中に検出・収集された焦点位置情報を用いて投影光学系ＰＬの焦点位置への位置決めがなされる。換言すると、焦点位置情報の検出工程を別途設ける必要がなくなるため、スループットを向上させることが可能となっている。
【００６４】
ここで、上記のウェハステージＷＳＴが移動されるショット間移動動作は、主制御装置２０がＸ軸干渉計４２及びＹ軸干渉計４４の検出値をモニタしつつ、ウェハステージＷＳＴに設けられている第１駆動系２７及び第２駆動系２８ａ，２８ｂの駆動を制御することにより行われる。また、上記の走査露光は、主制御装置２０がＸ軸干渉計４２及びＹ軸干渉計４４及びレーザ干渉計１２の検出値をモニタしつつ、レチクルステージ駆動部１１並びに第１駆動系２７及び第２駆動系２８ａ，２８ｂの駆動を制御して、レチクルＲ（レチクルステージＲＳＴ）とウェハＷ（ウェハステージＷＳＴ）とをＹ方向に関して相対的に走査し、その走査中の加速終了後と減速開始直前との間の等速移動時に、照明光ＩＬの照明領域に対してレチクルＲ（レチクルステージＲＳＴ）とウェハＷ（ウェハステージＷＳＴ）とをＹ方向に関して等速同期移動することで実現される。尚、上記の露光動作は、先玉ＧＬとウェハＷとの間に水Ｌｑを保持した状態で行われる。
【００６５】
ウェハステージＷＳＴ上に保持されているウェハＷに対する露光が終了すると、主制御装置２０は、Ｙ軸干渉計５２の検出値に基づいて計測ステージＭＳＴに設けられている第１駆動系４７及び第２駆動系４８ａ，４８ｂの駆動を制御して、計測ステージＭＳＴ（計測テーブルＭＴＢ）を図８Ｂに示す位置まで移動させる。図８Ｂは、計測テーブルＭＴＢの＋Ｙ側面とウェハホルダ４０（補助プレート）の−Ｙ側面とが接触した状態を示す図である。尚、図８Ａ及び８Ｂに示す例では、計測テーブルＭＴＢとウェハホルダ（補助プレート）とが接触するまでは計測ステージＭＳＴのＸ方向の位置が検出されないが、この状態のときの計測テーブルＭＴＢのＸ方向の位置を検出する補助的なレーザ干渉計を備えることが望ましい。また、ここでは、計測テーブルＭＴＢの＋Ｙ側面とウェハホルダ（補助プレート）の−Ｙ側面とを接触させる場合を例に挙げて説明するが、干渉計４４，５２の計測値をモニタして計測テーブルＭＴＢとウェハテーブルＷＴＢとをＹ方向に、例えば３００μｍ程度（水が表面張力により漏出しない隙間）離間させて非接触状態を維持してもよい。
【００６６】
次いで、主制御装置２０は、ウェハテーブルＷＴＢと計測テーブルＭＴＢとのＹ方向の位置関係を保持しつつ、両ステージＷＳＴ，ＭＳＴを＋Ｙ方向に駆動する動作を開始する。このようにして、主制御装置２０により、ウェハステージＷＳＴと計測ステージＭＳＴとが同時に駆動されると、図８Ｂの状態では、投影ユニットＰＵに設けられた先玉ＧＬとウェハＷとの間に保持されていた水ＬｑがウェハステージＷＳＴ及び計測ステージＭＳＴの＋Ｙ方向への移動に伴って、ウェハＷ、ウェハホルダ４０、計測テーブルＭＴＢ上を順次移動する。尚、上記の移動中、ウェハテーブルＷＴＢと計測テーブルＭＴＢとは相互に接触する位置関係を保っている。
【００６７】
図９Ａは、ウェハテーブルＷＴＢ及び計測テーブルＭＴＢの＋Ｙ方向への移動途中において、水ＬｑがウェハステージＷＳＴ（ウェハホルダ４０）、計測ステージＭＳＴ上に同時に存在するときの状態、即ち、ウェハステージＷＳＴ（ウェハホルダ４０）上から計測ステージＭＳＴ上に水が渡される直前の状態を示す図である。図９Ａに示す状態から、更にウェハステージＷＳＴ、計測ステージＭＳＴが＋Ｙ方向に同時に所定距離だけ駆動されると、図９Ｂに示す通り、計測ステージＭＳＴと先玉ＧＬとの間に水が保持された状態となる。これに先だって、主制御装置２０は、Ｘ軸干渉計４２からの干渉計ビームが計測テーブルＭＴＢの反射面５１Ｘに照射されるようになった何れかの時点でＸ軸干渉計４２のリセットを実行する。また、図９Ｂに示す状態では、主制御装置２０はウェハテーブルＷＴＢ（ウェハステージＷＳＴ）のＸ位置をＸ軸干渉計４３の計測値に基づいて管理している。
【００６８】
次いで、主制御装置２０は、ウェハステージＷＳＴの位置をＸ軸干渉計４３及びＹ軸干渉計４４ａの検出値に基づいて管理しつつ、ウェハステージＷＳＴに設けられている第１駆動系２７及び第２駆動系２８ａ，２８ｂの駆動を制御して、所定のローディングポジションにウェハステージＷＳＴを移動させるとともに、次のロットの最初のウェハへの交換を行う。これと並行して、計測ステージＭＳＴを用いた所定の計測を必要に応じて実行する。この計測としては、例えばレチクルステージＲＳＴ上のレチクル交換後に行われるアライメント系４５のベースライン量の計測が一例として挙げられる。尚、本実施の形態では、Ｘ方向のローディングポジションを固定子３８ａ側としたが、固定子３８ｂ側をＸ方向のローディングポジションとしても良い。
【００６９】
図１０Ａ及び１０Ｂは、ベースライン量の計測時におけるウェハステージＷＳＴと計測ステージＭＳＴとの位置関係を示す平面図である。ウェハステージＷＳＴがローディングポジションに配置されているときには、図１０Ａに示す通りＹ軸干渉計４４からのビームが計測テーブルＭＴＢに設けられた反射面５０に投射される。このため、主制御装置２０がＸ軸干渉計４２及びＹ軸干渉計４４の検出値をモニタしつつ、計測ステージＭＳＴに設けられている第１駆動系４７及び第２駆動系４８ａ，４８ｂの駆動を制御して基準板５３を投影光学系ＰＬの下方に位置決めする。基準板５３が位置決めされる具体的な位置は、図１０Ａに示す通り、投影光学系ＰＬによってレチクルＲに形成されたレチクルアライメントマークの像が投影される位置又はその近傍に第１基準マークＦＭ１１，ＦＭ１２（図４参照）の各々が配置される位置である。ここで、Ｙ軸干渉計５２からのビームも計測テーブルＭＴＢに設けられた反射面５１Ｙに投射されるが、Ｙ軸干渉計４４とＹ軸干渉計５２とのスケーリング誤差によりベースライン量の誤差が生じるのを避けるため、ウェハステージＷＳＴのＹ方向の位置を検出するＹ軸干渉計４４を用いて計測テーブルＭＴＢのＹ方向の位置を検出している。
【００７０】
基準板５３の位置決めが完了すると、照明光学系ＩＬＳからの照明光ＩＬがレチクルアライメントマークに照射され、投影光学系ＰＬ及び水Ｌｑを介してその像が位置決めされている第１基準マークＦＭ１１，ＦＭ１２上又はその近傍に投影される。第１基準マークＦＭ１１，ＦＭ１２を透過した光束は図６に示す空間像計測装置５５が備える集光レンズ５６で集光され、光ファイバ５７を介して不図示の光電変換素子に導かれて受光される。このとき、光電変換素子から主制御装置２０にレチクルアライメントマークと第１基準マークＦＭ１１，ＦＭ１２の重なり具合に応じた信号強度を有する検出信号が出力される。主制御装置２０は、Ｘ軸干渉計４２及びＹ軸干渉計４４の検出値をモニタしつつ計測ステージＭＳＴをＸＹ面内で微動させて空間像計測装置５５に設けられた光電変換素子の検出信号の変化とＸ軸干渉計４２及びＹ軸干渉計４４の検出結果とに基づいてウェハステージＷＳＴに対して設定されたウェハステージ座標系内における投影光学系ＰＬの投影中心を求める。これにより、投影光学系ＰＬにより投影される投影像とウェハステージＷＳＴとの位置関係が求められる。
【００７１】
次に、主制御装置２０はＸ軸干渉計４２及びＹ軸干渉計４４の検出値をモニタしつつ、計測ステージＭＳＴに設けられている第１駆動系４７及び第２駆動系４８ａ，４８ｂの駆動を制御して基準板５３をアライメント系４５の下方に位置決めする。ここで、基準板５３が位置決めされる具体的な位置は、図１０Ｂに示す通り、基準板５３に形成された第２基準マークＦＭ２（図４参照）がアライメント系４５の計測視野に配置される位置である。基準板５３の位置決めが完了すると、アライメント系４５で第２基準マークＦＭ２の位置を計測し、主制御装置２０はアライメント系４５の計測結果とＸ軸干渉計４２及びＹ軸干渉計４４の検出結果とに基づいてウェハステージ座標系内におけるアライメント系４５の計測視野中心を求める。次いで、主制御装置２０は以上により求められたウェハステージ座標系内における投影光学系ＰＬの投影中心とアライメント系４５の計測視野中心とに基づいてベースライン量を算出し、得られたベースライン量をメモリ６５（図７参照）に記憶する。
【００７２】
尚、上記のアライメント系４５のベースライン量の計測とともに、レチクルＲ上に形成された複数のレチクルアライメントマークと、これに対応して形成された計６個の第１基準マークＦＭ１（図４参照）とを用いて、少なくとも２対の第１基準マークＦＭ１と対応するレチクルアライメントマークとの相対位置を、レチクルステージＲＳＴ及びウェハステージＷＳＴの少なくとも一方をＹ方向にステップ移動させつつ、レチクルアライメント系１４ａ，１４ｂを用いて計測することで、所謂レチクルアライメントが行われる。この場合、レチクルアライメント検出系１４ａ，１４ｂを用いたマークの検出は、投影光学系ＰＬ及び水Ｌｑを介して行われる。
【００７３】
以上のウェハステージＷＳＴ上のウェハＷの交換及び計測ステージＭＳＴを用いた計測が終了すると、主制御装置２０は、計測ステージＭＳＴとウェハステージＷＳＴとを接触させ、その状態を維持させつつＸＹ面内で駆動し、ウェハステージＷＳＴを投影ユニットＰＵの直下に戻す。この移動中も、主制御装置２０はＸ軸干渉計４２からのビームがウェハテーブルＷＴＢの反射面４１Ｘに照射されるようになった何れかの時点でＸ軸干渉計４２のリセットを実行する。尚、計測ステージＭＳＴとウェハステージＷＳＴとが接触した状態になるとＹ軸干渉計４４からのビームはウェハテーブルＷＴＢの反射面４１Ｙに投射される。そして、ウェハステージＷＳＴ側では、交換後のウェハＷに対してウェハアライメント、即ちアライメント系４５による交換後のウェハＷ上のアライメントマークの検出を行い、ＥＧＡ演算を行ってウェハＷ上の複数のショット領域の位置座標を算出する。
【００７４】
その後、主制御装置２０は、先ほどとは逆にウェハステージＷＳＴと計測ステージＭＳＴとのＹ方向の位置関係を保ちつつ、ウェハステージＷＳＴ及び計測ステージＭＳＴを−Ｙ方向に同時に駆動して、ウェハステージＷＳＴ（ウェハＷ）を投影光学系ＰＬの下方に移動させた後に、計測ステージＭＳＴを所定の位置に退避させる。そして、主制御装置２０は、上記と同様に新たなウェハＷに対してステップ・アンド・スキャン方式の露光動作を実行し、ウェハ上の複数のショット領域にレチクルパターンを順次転写させる。
【００７５】
尚、上記の説明では、計測動作として、ベースライン計測を行う場合について説明したが、これに限らず、ウェハステージＷＳＴ側でウェハの交換を行っている間に、計測ステージＭＳＴに設けられた空間像計測装置５５を用いて空間像計測を行い、波面収差測定装置５９を用いて波面収差測定を行い、又は露光検出装置６２を用いて照度計測、照度むら計測等を行い、その計測結果をその後行われるウェハＷの露光に反映させるようにしても良い。具体的には、例えば計測結果に基づいて、上述した結像特性補正コントローラ１６により投影光学系ＰＬの光学特性を調整することができる。
【００７６】
以上のように、本実施形態では、計測ステージＭＳＴにおいて、空間像計測装置５５と、パターンの投影像に対するウェハステージＷＳＴの位置関係を計測するための第２基準マークＦＭ２とを、Ｘ軸干渉計４２からのビームが照射される反射面５１Ｘ及びＹ軸干渉計４４からのビームが照射される反射面５０の近傍に配置したため、計測テーブルＭＴＢの熱膨張によりベースライン量の計測誤差等が生ずるのを防止することができる。また、熱を発する露光検出装置６２を空間像計測装置５５よりも反射面５１Ｘ及び反射面５０から離間した位置に配置しているため、これによっても計測テーブルＭＴＢの熱膨張によりベースライン量の計測誤差等が生ずるのを防止することができる。更に、ベースライン量の計測誤差等を更に低減するために、露光検出装置を冷却する温調装置を設けても良い。
【００７７】
また、空間像計測装置５５及び第２基準マークＦＭ２を反射面５０が設けられた端部側に配置することで、計測テーブルＭＴＢの大型化を防止することができる。更に、計測ステージ本体４６に対して計測テーブルＭＴＢが交換可能にされているため、計測テーブルＭＴＢ表面の撥水性の劣化等による各種計測装置の計測誤差が生ずる前に計測テーブルＭＴＢの交換等の対処をすることができる。ここで、計測テーブルＭＴＢ上には、計測テーブルＭＴＢに対して交換可能に構成された基準板５３が設けられているため、高い計測精度が要求される箇所のみを短時間で交換することができる。
【００７８】
以上、本発明の実施形態について説明したが、本発明は上記実施形態に制限されず、液浸法を適用しない露光装置にも用いることができる。また、上記実施形態ではＡｒＦエキシマレーザ光を用いる場合を例に挙げて説明したが、これ以外に、例えばｇ線（波長４３６ｎｍ）、ｉ線（波長３６５ｎｍ）、又はＫｒＦエキシマレーザ光（波長２４８ｎｍ）、Ｆ２レーザ光（波長１５７ｎｍ）、Ｋｒ２レーザ光（波長１４６ｎｍ）、ＹＡＧレーザ光、若しくは半導体レーザの高周波を用いることができる。更に、ＤＦＢ半導体レーザ又はファイバーレーザから発振される赤外域、又は可視域の単一波長レーザ光を、例えばエルビウム（又はエルビウムとイットリビウムの両方）がドープされたファイバーアンプで増幅し、非線形光学結晶を用いて紫外光に波長変換した高調波を用いても良い。例えば、単一波長レーザの発振波長を１．５１〜１．５９μｍの範囲内とすると、発生波長が１８９〜１９９ｎｍの範囲内である８倍高調波、又は発生波長が１５１〜１５９ｎｍの範囲内である１０倍高調波が出力される。
【００７９】
また、本発明は、ウェハステージが複数設けられるツインステージ型の露光装置にも適用できる。ツインステージ型の露光装置の構造及び露光動作は、例えば特開平１０−１６３０９９号公報及び特開平１０−２１４７８３号公報（対応米国特許６，３４１，００７号、６，４００，４４１号、６，５４９，２６９号及び６，５９０，６３４号）、特表２０００−５０５９５８号（対応米国特許５，９６９，４４１号）或いは米国特許６，２０８，４０７号に開示されている。更に、本発明を本願出願人が先に出願した特願２００４−１６８４８１号のウェハステージに適用してもよい。
【００８０】
尚、上記各実施形態で移動ステージに保持される基板としては、半導体デバイス製造用の半導体ウェハのみならず、ディスプレイデバイス用のガラス基板や、薄膜磁気ヘッド用のセラミックウェハ、或いは露光装置で用いられるマスク又はレチクルの原版（合成石英、シリコンウェハ）等が適用される。露光装置ＥＸとしては、液浸法を用いない走査型露光装置やレチクルＲとウェハＷとを静止した状態でレチクルＲのパターンを一括露光し、ウェハＷを順次ステップ移動させるステップ・アンド・リピート方式の投影露光装置（ステッパ）にも適用することができる。また、本発明はウェハＷ上で少なくとも２つのパターンを部分的に重ねて転写するステップ・アンド・スティッチ方式の露光装置にも適用できる。露光装置ＥＸの種類としては、ウェハＷに半導体素子パターンを露光する半導体素子製造用の露光装置に限られず、液晶表示素子製造用又はディスプレイ製造用の露光装置や、薄膜磁気ヘッド、撮像素子（ＣＣＤ）或いはレチクル又はマスク等を製造するための露光装置等にも広く適用できる。
【００８１】
ウェハステージＷＳＴやレチクルステージＲＳＴにリニアモータ（USP5,623,853又はUSP5,528,118参照）を用いる場合は、エアベアリングを用いたエア浮上型及びローレンツ力又はリアクタンス力を用いた磁気浮上型のどちらを用いてもよい。また、各ステージＷＳＴ，ＲＳＴは、ガイドに沿って移動するタイプでもよく、ガイドを設けないガイドレスタイプであってもよい。各ステージＷＳＴ，ＲＳＴの駆動機構としては、二次元に磁石を配置した磁石ユニットと、二次元にコイルを配置した電機子ユニットとを対向させ電磁力により各ステージＷＳＴ，ＲＳＴを駆動する平面モータを用いてもよい。この場合、磁石ユニットと電機子ユニットとのいずれか一方をステージＷＳＴ，ＲＳＴに接続し、磁石ユニットと電機子ユニットとの他方をステージＷＳＴ，ＲＳＴの移動面側に設ければよい。
【００８２】
ウェハステージＷＳＴの移動により発生する反力は、投影光学系ＰＬに伝わらないように、特開平８−１６６４７５号公報（USP5,528,118）に記載されているように、フレーム部材を用いて機械的に床（大地）に逃がしてもよい。レチクルステージＲＳＴの移動により発生する反力は、投影光学系ＰＬに伝わらないように、特開平８−３３０２２４号公報（US S/N08/416,558）に記載されているように、フレーム部材を用いて機械的に床（大地）に逃がしてもよい。
【００８３】
以上のように、本実施形態の露光装置ＥＸは、各構成要素を含む各種サブシステムを、所定の機械的精度、電気的精度、光学的精度を保つように、組み立てることで製造される。これら各種精度を確保するために、この組み立ての前後には、各種光学系については光学的精度を達成するための調整、各種機械系については機械的精度を達成するための調整、各種電気系については電気的精度を達成するための調整が行われる。各種サブシステムから露光装置への組み立て工程は、各種サブシステム相互の、機械的接続、電気回路の配線接続、気圧回路の配管接続等が含まれる。この各種サブシステムから露光装置への組み立て工程の前に、各サブシステム個々の組み立て工程があることはいうまでもない。各種サブシステムの露光装置への組み立て工程が終了したら、総合調整が行われ、露光装置全体としての各種精度が確保される。尚、露光装置の製造は温度及びクリーン度等が管理されたクリーンルームで行うことが望ましい。
【００８４】
図１１は、マイクロデバイス（ＩＣやＬＳＩ等の半導体チップ、液晶パネル、ＣＣＤ、薄膜磁気ヘッド、マイクロマシン等）の製造工程の一例を示すフローチャートである。半導体デバイス等のマイクロデバイスは、図１１に示す通り、マイクロデバイスの機能・性能設計を行うステップＳ１０、この設計ステップに基づいたマスク（レチクル）を製作するステップＳ１１、デバイスの基材である基板（ウェハ）を製造するステップＳ１２、前述した実施形態の露光装置ＥＸによりマスクのパターンを基板に転写するウエハ処理ステップＳ１３、デバイス組み立てステップ（ダイシング工程、ボンディング工程、パッケージ工程を含む）Ｓ１４、検査ステップＳ１５等を経て製造される。
【図面の簡単な説明】
【００８５】
【図１】本発明の一実施形態による露光装置の概略構成を示す側面図である。
【図２】ステージ装置の構成を示す斜視図である。
【図３Ａ】ウェハステージに設けられる第１駆動系を説明するための斜視図である。
【図３Ｂ】ウェハステージに設けられる第１駆動系を説明するための斜視図である。
【図４】計測ステージの上面図である。
【図５Ａ】第１基準マークの例を示す図である。
【図５Ｂ】第２基準マークの例を示す図である。
【図６】空間像計測装置の一部構成を示す断面図である。
【図７】露光装置の制御系の構成を示すブロック図である。
【図８Ａ】ウェハステージと計測ステージとの並行処理動作を説明するための平面図である。
【図８Ｂ】ウェハステージと計測ステージとの並行処理動作を説明するための平面図である。
【図９Ａ】ウェハステージと計測ステージとの並行処理動作を説明するための平面図である。
【図９Ｂ】ウェハステージと計測ステージとの並行処理動作を説明するための平面図である。
【図１０Ａ】ベースライン量の計測時におけるウェハステージと計測ステージとの位置関係を示す平面図である。
【図１０Ｂ】ベースライン量の計測時におけるウェハステージと計測ステージとの位置関係を示す平面図である。
【図１１】マイクロデバイスの製造工程の一例を示すフローチャートである。
【符号の説明】
【００８６】
４２…Ｘ軸干渉計、  ４４…Ｙ軸干渉計、  ５０…反射面（反射部材、第１反射部材）、  ５１Ｘ…反射面（反射部材、第２反射部材）、  ５１Ｙ…反射面（第３反射部材）、  ５３…基準板（計測パターン）、  ５５…空間像計測装置、  ６２…露光検出装置（検出装置）、  ＥＸ…露光装置、  ＦＭ１，ＦＭ１１，ＦＭ１２…第１基準マーク（基準マーク）、  ＭＳＴ…計測ステージ、  ＭＴＢ…計測テーブル（プレート部）、  ＰＬ…投影光学系、  Ｗ…ウェハ（基板）、  ＷＳＴ…ウェハステージ（基板ステージ）
【図１】
0004613910.tif 000002
【図２】
0004613910.tif 000003
【図３Ａ】
0004613910.tif 000004
【図３Ｂ】
0004613910.tif 000005
【図４】
0004613910.tif 000006
【図５Ａ】
0004613910.tif 000007
【図５Ｂ】
0004613910.tif 000008
【図６】
0004613910.tif 000009
【図７】
0004613910.tif 000010
【図８Ａ】
0004613910.tif 000011
【図８Ｂ】
0004613910.tif 000012
【図９Ａ】
0004613910.tif 000013
【図９Ｂ】
0004613910.tif 000014
【図１０Ａ】
0004613910.tif 000015
【図１０Ｂ】
0004613910.tif 000016
【図１１】
0004613910.tif 000017