(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
透明基板の片側の、透明基板の中央部に区画形成した転写有効領域内に遮光膜からなる配線回路用パターンが配置形成され、転写有効領域外の補助パターン配置領域に遮光膜からなる補助パターンが配置形成されたフォトマスクにおいて、補助パターン配置領域に同一形状の歪み測定用パターンの補助パターンを複数個配置形成したことを特徴とするフォトマスク。
【請求項２】
前記歪み測定用パターンは、形状の変化が容易に視認できるパターンであることを特徴とする請求項１記載のフォトマスク。
【請求項３】
前記歪み測定用パターンの形状は、菱形あるいは星型であることを特徴とする請求項１、又は２記載のフォトマスク。
【請求項４】
前記歪み測定用パターンは、補助パターン配置領域の少なくとも四隅に配置形成することを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項記載のフォトマスク。
【請求項５】
前記歪み測定用パターンは、補助パターン配置領域の同一方向の向きに配置形成することを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項記載のフォトマスク。
【請求項６】
前記請求項１乃至５のいずれか１項記載のフォトマスクを用いてフォトマスクの歪み量を検出するためのフォトマスク歪み検出装置であって、フォトマスクのパターン形成面を上面に載置するＸＹ及びθ方向に駆動するステージを備え、前記ステージの上方の位置で、フォトマスクの表面と向き合うように照明するための光源を備え、前記ステージの上方の位置に配置され、フォトマスクに照射されて反射する光を画像として捕捉する第一撮像部と前記ステージの下方の位置に配置され、フォトマスクに照射されて透過する光を画像として捕捉する第二撮像部と、を備えたことを特徴とする歪み検出装置。
【請求項７】
前記歪み検出装置は、前記第一撮像部、若しくは前記第二撮像部にて取り込んだ画像を表示するモニタ画像表示部を備えたことを特徴とする請求項６記載の歪み検出装置。
【請求項８】
前記歪み検出装置は、温湿度調整部を備え、装置全体を任意の温度及び湿度に保つ機能を有することを特徴とする請求項６乃至７のいずれか１項記載の歪み検出装置。
【請求項９】
半導体集積回路用基板上にフォトマスクを介してマスクパターンを転写形成する半導体集積回路の製造方法において、その表面にレジスト層及び被加工層を形成した基板に、前記請求項１乃至５のいずれか１項記載のフォトマスクを介して、前記レジスト層へ、露光光を照射し、半導体集積回路用パターンを転写する製造過程を含むことを特徴とする半導体集積回路の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、フォトマスク、その歪み検出装置および半導体集積回路の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
ＩＣ、ＬＳＩ等の半導体集積回路の回路パターンを形成する製造過程において、最初に、回路パターンをフォトマスク用のマスクブランクスに、描画又は転写の露光処理をして、回路パターンを形成したレチクル又はフォトマスク（以下フォトマスクと記す）を製造する。次いで、前記フォトマスクを用いた露光装置により半導体集積回路用基板のウエハ上に形成したレジスト層へ回路パターンを転写し、回路パターンを形成する。
【０００３】
フォトマスクの製造方法を説明する。最初に、石英ガラス等からなる透明基板の片側に遮光膜を形成する。遮光膜の形成は、スパッタ成膜法により金属、又は酸化金属の多層膜を形成する方法である。次いで、レジスト塗布装置のステージ上に前記透明基板を固定し、レジスト液を表面に滴下し、前記ステージを高速回転させ、レジスト液を均一の厚さに分散塗布した後、加熱処理してレチクル又はフォトマスク用マスクブランクスを製造する。次いで、描画装置を用いて回路パターンのレジストパターンを形成する。描画装置のステージ上にマスクブランクスを載置し、描画室まで搬送し、所定の方法でマスクブランクスを固定する。描画装置では、予め編集した描画の条件とその手順を記載した描画手順書（ジョブファイル）及び描画用のデータファイルの設計データを用いてレジストへ電子ビームを露光し、レジストパターンを製造する。次いで、前記レジストパターンを現像処理する。次いで、レジストパターンをマスクにして遮光膜をエッチング処理した後、レジストパターンを剥膜処理して、回路パターンを形成したレチクル、又はフォトマスクの製造が完了する。
【０００４】
前記電子ビームの露光によるレジストパターンの形成では、マスクブランクスの歪みは、設計データの位置精度を低下させる、又は回路パターン幅の寸法精度を低下させることが問題となる。
【０００５】
半導体集積回路の製造方法を説明する。半導体集積回路の回路パターンを形成する製造過程の一例としては、フォトマスクの回路パターンは、実寸法より４倍〜１０倍に拡大した寸法で形成され、次いでウエハの回路パターンは、縮小投影の露光方法によりフォトマスクの回路パターンを１／４〜１／１０に縮小した寸法で形成する。
【０００６】
前記半導体集積回路の回路パターンの形成では、フォトマスクの歪みは、回路パターンを形成したフォトマスク表面と、被転写基板のウエハ表面との間隔が微妙に異なるため、フォトマスクの回路パターンの形状がウエハのレジストに正確に転写されず、該ウエハのレジストパターンの形状を変形させる問題となる。微妙に異なるフォトマスク表面と、被転写基板のウエハ表面との間隔は、フォトマスクの歪み量に起因し、ウエハの回路パターンの露光時、その焦点のずれとなる。
【０００７】
近年、半導体集積回路の回路の高集積化及び微細化が進むにつれ、回路パターンが複雑化、微細化され、その形状も高い精度が要求されるため、フォトマスクの歪みの許容量が狭まり、ウエハへの転写に悪影響し、ウエハへの転写後の回路パターンの形状に影響する問題が増加の傾向にある。
【０００８】
そこで、フォトマスクの歪みの程度について検出する方法が必要となり、その歪みの影
響を検証することが必要になってきた。
【０００９】
しかし、現状では、フォトマスクの歪みを検出、検証するための測定装置や測定方法が明確に定まっておらず、適切な確認方法がないのが実状である。
【００１０】
図３は、従来のフォトマスクの歪みを説明する部分拡大の側断面図である。前記マスクブランクスは、石英ガラス等からなる透明基板の片側に金属、又は金属酸化物からなる遮光膜を形成し、該遮光膜の上にレジスト層を形成したものであり、該遮光膜の層にエッチングによるパターンを形成しフォトマスクが完成するものである。フォトマスクの製造仕様書では、透明基板単体の平面度、又はマスクブランクスの平面度、すなわち歪み量の上限が規定されている。しかし、パターン形成後では、ガラス露出面と遮光膜面との面積比が不規則となり、フォトマスクの平面度は、微妙に変化し、その平面度が劣化する。すなわち歪み量が増加する問題がある。一方、フォトマスクの製造工程では、その処理時、マスクブランクスは、ステージ上に載置後、マスクブランクスを所定の方法によりステージ上に固定する方法が採用され、固定した状態で、処理する方法が一般的である。この場合ステージから開放した後では、パターンの精度の劣化、例えばその形状の変化、又はパターンの位置精度の変動等が発生する問題がある。他方では、半導体集積回路の製造工程では、その処理時、平面度の不安定なフォトマスクを用いた場合、ステージへの固定による、又はフォトマスク自身の不安定による回路パターンの精度劣化の問題がある。
【００１１】
図３ａ〜ｃは、従来のフォトマスクの歪みを説明する部分拡大の側断面図である。図３は、ステージ１１上にフォトマスク１を載置した状態を示す側断面図である。装置内での処理時では、所定の方法により固定され、フォトマスクの裏面がステージ表面に強制的に密着させられ、正常な平面度に近似した状態で使用される。
【００１２】
図３ａでは、フォトマスク１の平面度は、正常であり、ステージ上の載置と、ステージ上の固定では、変動がなく、回路パターンの精度も正常となる。
【００１３】
図３ｂでは、フォトマスク１の平面度は、異常であり、中央部が上方向に湾曲した歪みを持ち、ステージ上の載置と、ステージ上の固定では、変化があり、回路パターンの精度も異常となる問題がある。また、逆に両端部が上方向に湾曲した歪みを持つ場合も同様な問題がある。
【００１４】
図３ｃでは、フォトマスク１の平面度は、異常であり、片側部のみ上方向に湾曲した歪みを持ち、ステージ上の載置と、ステージ上の固定では、変化があり、回路パターンの精度も異常となる問題がある。上述した図３ｂ〜ｃでは、フォトマスクの表面の高さが、不均一となり、フォトマスクの歪み量が大きいほど表面の高さのバラツキが大きくなる問題がある。前記表面の高さのバラツキは、光学処理する場合、焦点位置の変動を誘因する問題がある。
【００１５】
上述した図３ｂ〜ｃでは、そのステージ上に固定した場合、平面度は正常な方向へ修正されるが、ステージ上に載置での平面度の劣化の程度が大きいほどその平面度の修正が困難となる。そのため要求精度により載置での平面度の劣化の程度を制限することが必要となり、その方法を標準化する問題がある。
【００１６】
そのため、歪み量の大きなフォトマスクでは、ウエハへの転写に影響を及ぼし、形成した回路パターンの精度劣化のために、ウエハの収率に大きな悪影響を及ぼす問題となっている（特許文献１参照）。
【００１７】
以下に公知文献を記す。
【特許文献１】特開平１０−２０９００８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１８】
本発明の課題は、フォトマスク自体の歪みを簡便に検出し、検証されたフォトマスクを提供することであり、また当該フォトマスクの歪みを検出、検証するための歪み検出装置を提供することと、歪みを検出し、検証されたフォトマスクを用いた半導体集積回路の製造方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１９】
本発明の請求項１に係る発明は、透明基板の片側の、透明基板の中央部に区画形成した転写有効領域内に遮光膜からなる配線回路用パターンが配置形成され、転写有効領域外の補助パターン配置領域に遮光膜からなる補助パターンが配置形成されたフォトマスクにおいて、補助パターン配置領域に同一形状の歪み測定用パターンの補助パターンを複数個配置形成したことを特徴とするフォトマスクである。
【００２０】
本発明の請求項２に係る発明は、前記歪み測定用パターンは、形状の変化が容易に視認できるパターンであることを特徴とする請求項１記載のフォトマスクである。
【００２１】
本発明の請求項３に係る発明は、前記歪み測定用パターンの形状は、菱形あるいは星形であることを特徴とする請求項１、又は２記載のフォトマスクである。
【００２２】
本発明の請求項４に係る発明は、前記歪み測定用パターンは、補助パターン配置領域の少なくとも四隅に配置形成することを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項記載のフォトマスクである。
【００２３】
本発明の請求項５に係る発明は、前記歪み測定用パターンは、補助パターン配置領域の同一方向の向きに配置形成することを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項記載のフォトマスクである。
【００２４】
本発明の請求項６に係る発明は、前記請求項１乃至５のいずれか１項記載のフォトマスクを用いてフォトマスクの歪み量を検出するためのフォトマスク歪み検出装置であって、フォトマスクのパターン形成面を上面に載置するＸＹ及びθ方向に駆動するステージを備え、前記ステージの上方の位置で、フォトマスクの表面と向き合うように照明するための光源を備え、前記ステージの上方の位置に配置され、フォトマスクに照射されて反射する光を画像として捕捉する第一撮像部と前記ステージの下方の位置に配置され、フォトマスクに照射されて透過する光を画像として捕捉する第二撮像部と、を備えたことを特徴とする歪み検出装置である。
【００２５】
本発明の請求項７に係る発明は、前記歪み検出装置は、前記第一撮像部、若しくは前記第二撮像部にて取り込んだ画像を表示するモニタ画像表示部を備えたことを特徴とする請求項６記載の歪み検出装置である。
【００２６】
本発明の請求項８に係る発明は、前記歪み検出装置は、温湿度調整部を備え、装置全体を任意の温度及び湿度に保つ機能を有することを特徴とする請求項６乃至７のいずれか１項記載の歪み検出装置である。
【００２７】
本発明の請求項９に係る発明は、半導体集積回路用基板上にフォトマスクを介してマスクパターンを転写形成する半導体集積回路の製造方法において、その表面にレジスト層及
び被加工層を形成した基板に、前記請求項１乃至５のいずれか１項記載のフォトマスクを介して、前記レジスト層へ、露光光を照射し、半導体集積回路用パターンを転写する製造過程を含むことを特徴とする半導体集積回路の製造方法である。
【００２８】
本発明の歪み検出装置を用いれば、歪み量がゼロのフォトマスクでは、該フォトマスクの補助パターン配置領域に配置した歪み測定用パターンの画像は、変形のない形状で、正常な形状の菱形として画像部に取り込まれる。他方歪み量が有る場合のフォトマスクでは、該フォトマスクの補助パターン配置領域に配置した歪み測定用パターンの画像は、変形した形状で、異常な形状、例えば楕円形状として画像部に取り込まれる。
【００２９】
本発明の歪み検出装置を用いれば、歪み量を持つフォトマスクでは、歪み測定用パターンの菱形形状の寸法が変化し、例えば対角線の長さが短くなった菱形の画像として撮像部に取り込まれる。
【００３０】
本発明の歪み検出装置を用いれば、透過光、若しくは反射光により歪み測定用パターンの画像を撮像部に取り込まれるため、歪み量の状態を目視観察し、良否の判定の検証が可能となる。また取り込んだ透過光画像及び反射光画像を用いて歪み量を計測することが可能となり、より正確な計測ができる。
【００３１】
本発明の歪み検出装置のモニタ画像表示部を用いれば、取り込まれた透過光画像、若しくは反射光画像、又は透過光画像及び反射光画像を用いて歪み量の測定を行う際に、モニタ画面上で歪み量を計測することが可能となり、より正確な計測ができる。
【発明の効果】
【００３２】
本発明に係るフォトマスクによれば、歪み測定用パターンの形状及び寸法の変化量から、当該フォトマスク自体の歪みの有無を簡便に知ることができる。
【００３３】
本発明に係るフォトマスクの歪み検出装置によれば、デジタル画像として画像データ化することが可能となり、歪み測定用パターンの形状及び寸法の変化量が、画像データにより判別することができ、フォトマスク自体の歪みの有無を簡便に判別できる。
【００３４】
本発明に係る半導体集積回路の製造方法によれば、画像データより歪みのないフォトマスクを判別し、該歪みの無いフォトマスクを用いて半導体集積回路を製造するので、設計データにより忠実な回路パターンの形状を有する半導体集積回路を製造することができるので、品質が向上し、製造の収率も向上させることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３５】
本発明のフォトマスク及びその歪み検出装置及び半導体集積回路の製造方法を一実施形態に基づいて以下説明する。
【００３６】
図１の（ａ）〜（ｃ）は、本発明の歪み測定用パターンの形状及びその配置位置を説明する平面図である。
【００３７】
図１（ａ）は、透明基板の片側面に回路用パターン及び補助パターンを配置したフォトマスク１の平面図である。透明基板の中央部には、転写有効領域９が区画形成され、その外周は補助パターン配置領域２が区画形成されている。前記転写有効領域９では、主として、配線回路用パターンが配置され、該配線回路用パターンのみ、半導体集積回路用基板、例えばウエハ上に転写するための領域である。前記補助パターン配置領域２では、主として、位置合わせ用パターン、品質管理用パターン等の補助パターンが配置され、該補助パターンは、ウエハ上に転写されず、フォトマスク、又は半導体集積回路の製造時のみに
活用するための領域である。前記フォトマスクは、転写有効領域９内には、遮光膜からなる配線回路用パターンが配置形成され、転写有効領域外の補助パターン配置領域２には、遮光膜からなる補助パターンが配置形成されている。本発明のフォトマスクでは、転写有効領域外の補助パターン配置領域２に、歪み測定用パターン３の補助パターンを複数個配置、例えば四隅に４個を配置したものである。前記歪み測定用パターンの配置は、任意の個数及び配置位置を選べ、各々最適化することが必要である。
【００３８】
図１（ｂ）は、本発明の歪み測定用パターンの一実施例の形状であり、フォトマスク上に形成した歪み測定用パターン３の形状であり、長辺の対角長さがＷであり、短辺の対角長さがＨの菱形である。フォトマスク上に形成した歪み測定用パターン３は、長辺の対角長（Ｗ）を左右にし、短辺の対角長（Ｈ）を上下にした状態で上向き（又は下向き）と規定し、その方向にすべての歪み測定用パターンを配置する必要がある。すなわち、補助パターン配置領域の同一方向の向きにすべての歪み測定用パターンを配置形成するフォトマスクである。
【００３９】
図１（ｃ）は、図１（ａ）に示す本発明の歪み測定用パターン３を装置を用いて目視観察した反射光の画像、すなわち反射する光を画像として捕捉する画像である。この場合、例えば当該フォトマスクに歪みが無い場合では、画像処理された反射光の画像のエッジ位置と、歪み測定用パターン３の設計データの位置とを比較照合して、双方の位置が完全に一致し、長辺の対角長（Ｗ）及び短辺の対角長（Ｈ）は各々が同一となる。また、当該フォトマスクに歪みが有る場合では、その歪み量に応じて、撮像した画像のエッジ位置と歪み測定用パターン３の設計データの位置とがズレを生じ、位置の不一致となり、長辺の対角長（Ｗ）及び短辺の対角長（Ｈ）は各々が長さの不一致となり、その歪み量に比例してその差が拡大する。
【００４０】
図２（ａ）〜（ｂ）は、本発明の歪み検出装置を説明する概略図である。
【００４１】
図２（ａ）は、歪み検出装置１０である。本発明の歪み検出装置１０は、本発明のフォトマスク１のパターン形成面を上面に載置するＸＹ及びθ方向に駆動するステージ１１を備えている。前記ステージ１１は、パターン形成面を上面としたフォトマスク１を載置する機能と、Ｘ軸方向と、Ｙ軸方向の平行駆動し、且つフォトマスク１をθ方向に回転駆動する機能とを備えている。前記ステージ１１は、該歪み検出装置１０の座標系と載置したフォトマスク１の座標系の座標軸の傾き（例えばＸ軸の傾き）を微調整するため、回転駆動を用いて調整する機能を備えている。また、前記ステージ１１は、フォトマスク１上の歪み測定用パターン３を観察するため、第一、又は第二撮像部の直下、又は真上の位置までＸ軸方向、又はＹ軸方向に平行駆動する機能を備えている。
【００４２】
前記歪み検出装置１０は、ステージ１１の上方の位置で、フォトマスク１の表面と向き合うように照明光を照射するための光源１２を備えている。前記光源１２は、最適な照明環境、例えば平行光の照明光であり、その照度を変更する機能を備えている。
【００４３】
前記歪み検出装置１０は、ステージ１１の上方の位置に配置され、フォトマスク１に照射されて反射する光を画像として捕捉する第一撮像部１３と、前記ステージ１１の下方の位置に配置され、フォトマスク１に照射されて透過する光を画像として捕捉する第二撮像部１４とを備えている。前記第一及び第二の撮像部１３、１４は、ＣＣＤカメラ、又は画像センサ機器を具備し、撮像情報、例えば写真、印刷物等のアナログ画像を取りこむ機能と、該アナログ画像からデジタル画像へ変換処理する画像の特徴抽出ソフトの処理機能を具備している。すなわち、濃度の変化を２値化して処理する画像パターン認識によるデジタル画像への変換である。
【００４４】
前記歪み検出装置１０は、前記第一撮像部１３、若しくは前記第二撮像部１４にて取り込んだデジタル化した画像を表示するモニタ画像の画像表示部１５を備えている。前記画像表示部１５は、種々のモニタ画像が簡単に表示され、例えば、図１のフォトマスク１の四隅の歪み測定用パターン３を重ね合わせて表示し、その形状の変化量を視認する方法がある。また、別の方法では、歪み測定用パターン３のうちの一個の画像と設計データを重ね合わせて表示し、その形状の変化量を視認する方法がある。本発明の歪み検出装置１０では、デジタル化した画像データを所定の処理手順で処理し、その結果をデータベース化した判定基準と照合し、検証するため、明確な方法により適切な検証ができる。
【００４５】
前記歪み検出装置１０は、装置全体を任意の温度及び湿度に保つ機能を有する温湿度調整部１６を備えている。前記温湿度調整部１６を用いるため、検査中は、一定の温湿度に調整され、例えば半導体集積回路を製造時のウエハと同一の温湿度でのフォトマスクの歪み量を検出することができる。
【００４６】
歪み検出装置１０は、本発明の歪み測定用パターンを持つフォトマスクの歪み量を検出するための歪み検出システムであって、歪み測定用パターンの形状を複雑にする、又は濃度の変化を２値化した場合のその分割エリアをより微小エリアにする等の処理手段の変更により、より微小なレベルまでフォトマスクの歪み量の良否を検証することができる。
【００４７】
図２（ｂ）は、フォトマスクの歪みの有無による、歪み測定用パターンの形状の変化を説明する側断面図である。なお、破線枠内の参考図は、歪み検出装置により撮像した歪み測定用パターン３０、３３である。参考図の歪み測定用パターン３０は、フォトマスクの歪みがない、すなわち、形状に変化のない正常な歪み測定用パターンである。歪み測定用パターン３３は、フォトマスクの歪みがある、すなわち、形状に変化のある異常な歪み測定用パターンである。図２（ｂ）上部には、撮像部の位置２３であり、図下部には、フォトマスク表面の位置２１である。撮像部の位置２３と、フォトマスク表面の位置２１は、歪みのない図中央で高さ調整し、その高さは焦点の位置である。次に、図左では、その焦点位置はフォトマスク表面の直上となり、図右では、その焦点位置はフォトマスク表面の直下となり、ともにアウトフォーカスとなる。なお、参考図では、視認した撮像画像であり、図中央では、正常な形状の歪み測定用パターンであり、図左右では、異常な形状の歪み測定用パターンとなる。
【００４８】
本発明の歪み検出装置１０では、フォトマスクの歪み量を撮像部の位置２３と、フォトマスク表面の位置２１の距離の変化量に変換し、距離の変化量を視認画像のボケ具合に変換し、視認画像のボケ具合を画像認識で用いる特徴抽出、例えば線図形の抽出やエッジ抽出等によりデジタルデータ化し、該デジタル画像の比較照合により差別化した。前記差別化データは、フォトマスクの歪み量の大きさと対比させ、データベースを構築した。
【００４９】
本発明の歪み検出装置１０による検出手順を説明する。本発明のフォトマスクを載置したステージ１１と、第一撮像部１３の画像の取り込みについて説明する。最初に、フォトマスクの基準高さ位置を第一撮像部１３の中心位置までステージを移動する。次いで、当該位置でフォトマスク表面に焦点位置を合わせる。次いで、撮影する歪み測定用パターンが第一撮像部１３の中心位置に来るまでステージを移動する。次いで、該歪み測定用パターンを撮影する。次いで、再度、フォトマスクの基準位置が第一撮像部１３の中心位置に来るまでステージを移動する。次いで、当該位置でフォトマスク表面に焦点位置を合わせる。次いで、次の撮影する歪み測定用パターンが第一撮像部１３の中心位置に来るまでステージを移動する。該歪み測定用パターンを撮影する。以下該当する歪み測定用パターンの撮影が終了するまで、繰り返し実行する。すなわち、検出手順は、基準高さ位置へステージ移動／フォトマスク表面に焦点位置を合わせ／歪み測定用パターンへステージ移動／該歪み測定用パターンの撮影／２回目の基準高さ位置へステージ移動／２回目のフォトマ
スク表面に焦点位置を合わせ／２回目の歪み測定用パターンへステージ移動／該歪み測定用パターンの撮影／と順次繰り返し実行する。ステージの移動は、予め座標位置を登録し、その手順により自動移動する。また、歪み測定用パターンを自動認識する方法で自動移動を併用することもある。
【００５０】
半導体集積回路用基板上にフォトマスクを介してマスクパターンを転写形成する半導体集積回路の製造において、本発明の半導体集積回路の製造方法、すなわち本発明の歪み測定用パターンを持ち、歪み検出装置を用い歪み量の良否を検証したフォトマスクを用いて、被加工層レジストへ露光光を照射し、半導体集積回路用パターンを転写する製造過程である。
【図面の簡単な説明】
【００５１】
【図１】（ａ）〜（ｃ）は、本発明の歪み測定用パターンの形状及びその配置位置を説明する平面図である。
【図２】（ａ）〜（ｂ）は、本発明の歪み検出装置を説明する概略図である。
【図３】（ａ）〜（ｃ）は、従来のフォトマスクの歪みを説明する部分拡大の側断面図である。
【符号の説明】
【００５２】
１…フォトマスク
２…補助パターン配置領域
３…（フォトマスク上に形成の）歪み測定用パターン
９…転写有効領域
１０…歪み検出装置
１１…駆動ステージ
１２…（照明）光源
１３…第一撮像部
１４…第二撮像部
１５…（モニタ）画像表示部
１６…温湿度調整部
２１…フォトマスク表面の位置
２３…撮像部の位置
３０…（歪み検出装置により撮像した）正常な歪み測定用パターン
３３…（歪み検出装置により撮像した）異常な歪み測定用パターン
【図１】
0004665679.tif 000002
【図２】
0004665679.tif 000003
【図３】
0004665679.tif 000004