(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
ポリテトラフルオロエチレン樹脂を主成分とし、実効比誘電率が１．８以下であり且つ硬度がデュロメータ硬さでＡ５０以上Ｄ３６以下であり、
中心導体の周上に形成されることを特徴とする誘電体。
【請求項２】
ポリテトラフルオロエチレン樹脂を主成分とし、該ポリテトラフルオロエチレン樹脂は、長手方向に繊維化した部分と、該長手方向に繊維化した部分に存在する球状の結節（ノード）とを含んでおり、上記長手方向に繊維化した部分同士は小繊維（フィブリル）によって三次元的に連結されていると共に、上記結節（ノード）同士は小繊維（フィブリル）を介することなく直接連結している部分を有し、
中心導体の周上に形成されることを特徴とする誘電体。
【請求項３】
中心導体と、該中心導体の周上に形成された請求項１又は請求項２記載の誘電体とからなることを特徴とする絶縁電線。
【請求項４】
請求項３記載の絶縁電線において、
上記中心導体を上記誘電体から引抜いたときの導体引抜強度が、４．９Ｎ以上１９６Ｎ以下であることを特徴とする絶縁電線。
【請求項５】
請求項３又は請求項４記載の絶縁電線と、上記絶縁電線の誘電体の周上に形成された外部導体とからなることを特徴とする同軸ケーブル。
【請求項６】
請求項５記載の同軸ケーブルにおいて、
上記中心導体を上記誘電体から引抜いたときの導体引抜強度が４．９Ｎ以上１９６Ｎ以下であることを特徴とする同軸ケーブル。
【請求項７】
請求項５又は請求項６記載の同軸ケーブルにおいて、
上記外部導体が、金属素線の編組からなることを特徴とする同軸ケーブル。
【請求項８】
請求項７記載の同軸ケーブルにおいて、
上記誘電体の硬度が、デュロメータ硬さでＡ６０以上Ｄ２５以下であることを特徴とする同軸ケーブル。
【請求項９】
請求項５又は請求項６記載の同軸ケーブルにおいて、
上記外部導体が、コルゲート加工を施した金属パイプからなることを特徴とする同軸ケーブル。
【請求項１０】
請求項９記載の同軸ケーブルにおいて、
上記誘電体の硬度が、デュロメータ硬さでＡ６０以上Ｄ２５以下であることを特徴とする同軸ケーブル。
【請求項１１】
請求項５〜請求項１０の何れかに記載の同軸ケーブルにおいて、
上記外部導体が、上記誘電体に、該誘電体の厚さの０．４％以上５．０％以下だけ食い込んでいることを特徴とする同軸ケーブル。
【請求項１２】
ポリテトラフルオロエチレン樹脂を主成分とした誘電体を製造する誘電体製造方法であって、示差走査熱量測定（ＤＳＣ）による結晶融解曲線において、焼成状態（完全焼成）の吸熱ピークが明確にならない程度に加熱処理して微焼成状態の誘電体を中心導体の外周に形成するようにしたことを特徴とする誘電体製造方法。
【請求項１３】
請求項１２記載の誘電体製造方法において、
ポリテトラフルオロエチレン樹脂の融解開始温度の＋５〜＋１５℃の範囲内で所定時間加熱処理するようにしたことを特徴とする誘電体製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、誘電体、絶縁電線、同軸ケーブル、誘電体製造方法に係り、特に、ポリテトラフルオロエチレン樹脂（ＰＴＦＥ）を主成分としたものにおいて、高周波帯域での減衰量が少なく優れた伝送特性を示すとともに、中心導体と誘電体との密着性に優れ、ストリップ加工性に優れ、所望とする特性インピーダンスを確実に得ることが可能であり、更に、曲げ加工部分等での特性インピーダンス変化を防止することができるものに関する。
【背景技術】
【０００２】
同軸ケーブルのような高周波信号を伝送するケーブルでは、信号の減衰量や遅延時間の点から未焼成状態のＰＴＦＥ又は半焼成状態のＰＴＦＥを誘電体として使用することが有利であることが知られている。これは未焼成状態のＰＴＦＥ又は半焼成状態のＰＴＦＥは多孔体を形成しており実効比誘電率が小さいためである。多孔体の実効比誘電率（εｅ）は、充実体の比誘電率（εＡ）により、εｅ＝εＡ１−Ｖの式によって導かれる。ここで、Ｖは気孔率（空気の占有率）である。そのため多孔体の実効比誘電率は完全焼成状態の場合の実効比誘電率よりも低くなる。又、信号の減衰量は、誘電体の実効比誘電率（εｅ）が小さい程小さくなる。更に、信号の遅延時間（τ）は誘電体の実効比誘電率（εｅ）により、τ＝３．３３５６１√εｅ（ｎｓ／ｍ）の式によって導かれ、信号の遅延時間（τ）は誘電体の実効比誘電率（εｅ）が小さい程小さくなる。
【０００２】
従来、このような未焼成状態のＰＴＦＥ又は半焼成状態のＰＴＦＥを誘電体として使用した電線又は同軸ケーブルは、例えば、特開平２−２７３４１６号公報、実開平３−６８３１５号公報、特開平８−７７８４３号公報、実用新案登録第２５３８６６４号公報、特開平１１−２１３７７６号公報、特開平１１―３１４２２号公報、特開２００１−３５７７３０号公報、に開示されている。
【０００３】
まず、特開平２−２７３４１６号公報、実開平３−６８３１５号公報、特開平８−７７８４３号公報には、未焼成状態のＰＴＦＥを誘電体として使用した絶縁電線又は同軸ケーブルが開示されている。
【０００４】
又、実用新案登録第２５３８６６４号公報、特開平１１−２１３７７６号公報、特開２００１−３５７７３０号公報には、誘電体が内層と外層の二層からなり、内層が未焼成状態のＰＴＦＥ又は半焼成状態のＰＴＦＥ、外層が焼成状態のＰＴＦＥとされた絶縁電線又は同軸ケーブルが開示されている。
【０００５】
又、特開平１１−３１４２２号公報には、半焼成状態のＰＴＦＥを誘電体として使用した同軸ケーブルが開示されている。
【０００６】
又、本願発明に関連する発明として、当該出願人による特願２００３−３３９０３６号、特願２００３−３５５４３２号がある。
【０００７】
上記特開平２−２７３４１６号公報、実開平３−６８３１５号公報、特開平８−７７８４３号公報、実用新案登録第２５３８６６４号公報、特開平１１−２１３７７６号公報、特開平１１―３１４２２号公報、特開２００１−３５７７３０号公報に開示された絶縁電線又は同軸ケーブルは、何れも未焼成状態のＰＴＦＥ又は半焼成状態のＰＴＦＥを誘電体として使用していることから、実効比誘電率が低く優れた伝送特性を示すものである。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
しかしながら、上記特開平２−２７３４１６号公報、実開平３−６８３１５号公報、特開平８−７７８４３号公報、実用新案登録第２５３８６６４号公報、特開平１１−２１３７７６号公報、特開平１１―３１４２２号公報、特開２００１−３５７７３０号公報の誘電体は、硬度についての考察が全くなされておらず柔らかいものであるため、中心導体と誘電体との間の密着性が不充分で、外力が加わった場合に中心導体が誘電体から抜けてしまうという恐れがあった。
【０００９】
又、ストリップ加工時には、誘電体が綺麗に切断されずに繊維化して糸を引いた状態となってしまい、ストリップ加工性を著しく低下させていた。
【００１０】
さらに、誘電体が柔らかいため、ボビン巻き時や金属素線による編組被覆によって外部導体を形成する際などに加わる圧力、張力、締め付け力等の外力によって、誘電体が変形したり、誘電体に外部導体を構成する金属素線が極度に食い込んだりする恐れがあった。このような場合には、特性インピーダンスの計算値と実測値との差が大きくなり、所望とする特性インピーダンスを得ることが困難になってしまう。
【００１１】
又、実使用時においても、配設時の曲げ加工や、外部からの圧力等によって、容易に誘電体が変形してしまう恐れがあった。このような場合には、誘電体が変形した部分において、局所的に特性インピーダンスが大きく変化してしまうことになる。
【００１２】
本発明はこのような従来技術の問題点を解決するためになされたもので、その目的とするところは、高周波帯域での減衰量が少なく優れた伝送特性を示すとともに、中心導体と誘電体との密着性に優れ、ストリップ加工性に優れ、所望とする特性インピーダンスを確実に得ることが可能であり、更に、曲げ加工部分等での特性インピーダンス変化を防止することができる誘電体、絶縁電線、同軸ケーブルを提供すると共に、上記誘電体を製造する誘電体製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
上記目的を達成するべく、本発明の請求項１による誘電体は、ポリテトラフルオロエチレン樹脂を主成分とし、実効比誘電率が１．８以下であり且つ硬度がデュロメータ硬さでＡ５０以上Ｄ３６以下であり、中心導体の周上に形成されることを特徴とするものである。
又、請求項２による誘電体は、ポリテトラフルオロエチレン樹脂を主成分とし、該ポリテトラフルオロエチレン樹脂は、長手方向に繊維化した部分と、該長手方向に繊維化した部分に存在する球状の結節（ノード）とを含んでおり、上記長手方向に繊維化した部分同士は小繊維（フィブリル）によって三次元的に連結されていると共に、上記結節（ノード）同士は小繊維（フィブリル）を介することなく直接連結している部分を有し、中心導体の周上に形成されることを特徴とするものである。
又、請求項３による絶縁電線は、中心導体と、該中心導体の周上に形成された請求項１又は請求項２記載の誘電体とからなることを特徴とするものである。
又、請求項４による絶縁電線は、請求項３記載の絶縁電線において、上記中心導体を上記誘電体から引抜いたときの導体引抜強度が、４．９Ｎ以上１９６Ｎ以下であることを特徴とするものである。
又、請求項５による同軸ケーブルは、請求項３又は請求項４記載の絶縁電線と、上記絶縁電線の誘電体の周上に形成された外部導体とからなることを特徴とするものである。
又、請求項６による同軸ケーブルは、請求項５記載の同軸ケーブルにおいて、上記中心導体を上記誘電体から引抜いたときの導体引抜強度が４．９Ｎ以上１９６Ｎ以下であることを特徴とするものである。
又、請求項７による同軸ケーブルは、請求項５又は請求項６記載の同軸ケーブルにおいて、上記外部導体が、金属素線の編組からなることを特徴とするものである。
又、請求項８による同軸ケーブルは、請求項７記載の同軸ケーブルにおいて、上記誘電体の硬度が、デュロメータ硬さでＡ６０以上Ｄ２５以下であることを特徴とするものである。
又、請求項９による同軸ケーブルは、請求項５又は請求項６記載の同軸ケーブルにおいて、上記外部導体が、コルゲート加工を施した金属パイプからなることを特徴とするものである。
又、請求項１０による同軸ケーブルは、請求項９記載の同軸ケーブルにおいて、上記誘電体の硬度が、デュロメータ硬さでＡ６０以上Ｄ２５以下であることを特徴とするものである。
又、請求項１１による同軸ケーブルは、請求項５〜請求項１０の何れかに記載の同軸ケーブルにおいて、上記外部導体が、上記誘電体に、該誘電体の厚さの０．４％以上５．０％以下だけ食い込んでいることを特徴とするものである。
又、請求項１２による誘電体製造方法は、ポリテトラフルオロエチレン樹脂を主成分とした誘電体を製造する誘電体製造方法であって、示差走査熱量測定（ＤＳＣ）による結晶融解曲線において、焼成状態（完全焼成）の吸熱ピークが明確にならない程度に加熱処理して微焼成状態の誘電体を中心導体の外周に形成するようにしたことを特徴とするものである。
又、請求項１３による誘電体製造方法は、請求項１２記載の誘電体製造方法において、ポリテトラフルオロエチレン樹脂の融解開始温度の＋５〜＋１５℃の範囲内で所定時間加熱処理するようにしたことを特徴とするものである。
【発明の効果】
【００１４】
まず、誘電体の実効比誘電率が１．８を超えるものであると、特に高周波帯域での減衰量が多くなり、優れた伝送損失を得ることができなくなってしまう。又、誘電体の硬度がデュロメータ硬さでＡ５０未満であると、中心導体が誘電体から抜けてしまう恐れがあり、ストリップ加工性が著しく低下するとともに、所望とする特性インピーダンスを得ることが困難になってしまい、更に、曲げ加工部分等において特性インピーダンスが大きく変化してしまう恐れがある。又、誘電体の硬度がデュロメータ硬さでＤ３６を超えるものであると、弾性変形による戻りが強くなるため、曲げ加工時における寸法安定性が悪くなってしまう。
【００１５】
又、誘電体の構造に関して、ポリテトラフルオロエチレン樹脂を主成分とし、該ポリテトラフルオロエチレン樹脂は、長手方向に繊維化した部分と、該長手方向に繊維化した部分に存在する球状の結節（ノード）とを含んでおり、上記長手方向に繊維化した部分同士は小繊維（フィブリル）によって三次元的に連結されていると共に、上記結節（ノード）同士は小繊維（フィブリル）を介することなく直接連結している部分を有するような構造とすることが考えられ、それによって、実効比誘電率及び硬度の両面において優れた特性を得ることが可能になる。
【００１６】
又、中心導体を誘電体から引抜いたときの導体引抜強度が、４．９Ｎ以上であれば、外力が加わった場合に中心導体が誘電体から抜けてしまう恐れがなくなり、好ましい。１９６Ｎ以下であれば、ストリップ加工時の誘電体の中心導体から剥ぐ際に、適度の力で剥ぐことができるため、誘電体に過大な力が掛かって変形してしまうことがなく、好ましい。
【００１７】
特に、外部導体が金属素線の編組からなる、所謂フレキシブル同軸ケーブルやセミフレキ同軸ケーブルの場合は、誘電体の硬度がデュロメータ硬さでＡ６０以上Ｄ２５以下のものが好ましい。硬度がデュロメータ硬さでＡ６０以上であれば、加工時等に誘電体が引張られたときに、長手方向に渡って誘電体が連続的に潰れて、外部導体から誘電体が抜けてしまうことを確実に防止することができる。硬度がデュロメータ硬さでＤ２５以下であれば、誘電体に外部導体を適度に食い込ませることができるため、誘電体と外部導体との適切な密着強度を保持することができる。
【００１８】
又、外部導体としてコルゲート加工を施した金属パイプを用いた、所謂コルゲート同軸ケーブルの場合は、誘電体の硬度がデュロメータ硬さでＡ６０以上Ｄ２５以下のものが好ましい。硬度がデュロメータ硬さでＡ６０以上であれば、加工時等に誘電体が引張られたときに、長手方向に渡って誘電体が連続的に潰れて、外部導体から誘電体が抜けてしまうことを確実に防止することができる。硬度がデュロメータ硬さでＤ２５以下であれば、誘電体に外部導体が適度に食い込むため、誘電体と外部導体との適切な密着強度を保持することができる。
【００１９】
又、外部導体が誘電体に、該誘電体の厚さの０．４％以上だけ食い込んでいる場合は、誘電体と外部導体との適切な密着強度を保持することができ、好ましい。外部導体が誘電体に、該誘電体の厚さの５．０％以下だけ食い込んでいる場合は、誘電体が大きく変化することはないため、所望とする特性インピーダンスを得ることができ、好ましい。
【００２０】
尚、本願発明における実効比誘電率は、ネットワークアナライザー（ＨＰ８５１０Ｅ、ヒューレットパッカード社製）にて計測した遅延時間から次の計算式を使い算出した。計測条件は、周波数２ＧＨＺ、温度２０℃とした。
τ＝３．３３５６１√εｅ
τ：信号の遅延時間（ｎｓ／ｍ）
εｅ：誘電体の実効比誘電率
【００２１】
又、硬度はタイプＤデュロメータ又はタイプＡデュロメータにて測定した値を用いた。硬度測定用の試料は、長さ３０ｍｍの電線から中心導体を引抜いた誘電体を使用した。硬度測定はＪＩＳ  Ｋ  ６２５３−１９９７  加硫ゴム及び熱可塑性ゴムの硬さ試験方法に従って実施した。
【００２２】
又、導体引抜強度は、誘電体部分の長さが５０ｍｍの試料を使用して、中心導体を誘電体から引抜速度１２．７ｍｍ／ｍｉｎで引抜いたときの引張り試験機が示す最大値とした。
【００２３】
このように本発明によれば、高周波帯域での減衰量が少なく優れた伝送特性を示すとともに、中心導体と誘電体との密着性に優れ、ストリップ加工性に優れ、所望とする特性インピーダンスを確実に得ることが可能であり、更に、曲げ加工部分等での特性インピーダンス変化を防止することができる誘電体と、該誘電体を備えた絶縁電線と、該絶縁電線を使用した同軸ケーブルを得ることができる。
【００２４】
又、本願発明による誘電体製造方法によると、示差走査熱量測定（ＤＳＣ）による結晶融解曲線において、焼成状態（完全焼成）の吸熱ピークが明確にならない程度に加熱処理して微焼成状態の誘電体を形成するようにしたので、それによって、実効比誘電率及び硬度の両面において優れた特性を得る誘電体を確実に得ることが可能になる。
【００２５】
ここで、「微焼成状態」に関して説明する。第８図、第１１図、第１４図、第１７図、第２０図、第２３図は、何れも、ポリテトラフルオロエチレン樹脂を主成分とした誘電体の示差走査熱量測定（ＤＳＣ）による結晶融解曲線を示す図であり、横軸に温度をとり縦軸に熱流量をとってその変化を示したものである。この内、第１７図は「未焼成状態」を示す図であり、３４０℃付近に１箇所だけピークＰ１が観察される。次に、第２３図は「半焼成状態」を示す図であり、３４０℃付近にピークＰ１が観察されると同時にその手前の３２０℃付近にも別のピークＰ２が観察される。次に、第２０図は「完全焼成状態」を示す図であり、この場合には、３２０℃付近に１箇所だけピークＰ２が観察される。
【００２６】
これに対して、第８図、第１１図、第１４図は、何れも「微焼成状態」を示す図であり、第１７図に示す「未焼成状態」と第２３図に示す「半焼成状態」の中間の状態を示している。そして、これを区分けする目安になるのが、第２３図に示す３２０℃付近における別のピークＰ２の有無である。つまり、この別のピークＰ２が観察されるまで焼成が進行すると「半焼成状態」となってしまい、本願発明で規定する「微焼成状態」とは、そのような別のピークＰ２が観察されるに至る手前の焼成状態を意味するものである。上記別のピークＰ２の有無によって「半焼成状態」か「微焼成状態」かの判別をすることについては、本件特許出願人が繰り返しの実験により発見したものである。
【００２７】
又、その際、ポリテトラフルオロエチレン樹脂の融解開始温度の＋５〜＋１５℃の範囲内で所定時間加熱処理するようにすることにより所望の構造をなす誘電体を得ることが考えられる。
【００２８】
ここで、「融解開始温度」とは、第１７図に示す「未焼成状態」のポリテトラフルオロエチレン樹脂の示差走査熱量測定（ＤＳＣ）による結晶融解曲線における、吸熱ピーク開始温度（Ａ点）のことである。
【００２９】
第１７図において、符号２５は「吸熱ピーク開始前ベースライン」であり、符号２７は「吸熱ピーク開始の最大傾斜点（Ｃ点）における接線」である。そして、吸熱ピーク開始前ベースライン２５と吸熱ピーク開始の最大傾斜点（Ｃ点）における接線２７との交点（Ｂ点）がポリテトラフルオロエチレン樹脂の融点である。
【００３０】
尚、上記第８図、第１１図、第１４図、第１７図、第２０図、第２３図については、後述する実施の形態の説明においても使用する。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３１】
以下、第１図〜第２５図を参照して本発明の第１の実施の形態、第２の実施の形態、第３の実施の形態を、第１の比較の形態、第２の比較の形態、第３の比較の形態と対比しながら説明する。
【００３２】
第１の実施の形態
本発明の第１の実施の形態における絶縁電線は第１図に示すような構成になっている。まず、中心導体１があり、この中心導体１の外周には、ＰＴＦＥを主成分とした誘電体２が形成されている。
【００３３】
次に、上記絶縁電線の製造方法について説明する。
尚、製造方法に関しては、第１の実施の形態、第２の実施の形態、第３の実施の形態を、第１の比較の形態、第２の比較の形態、第３の比較の形態毎に整理して第５図に示してあるので、それらを参照しながら説明する。
【００３４】
まず、融点約３４１℃のＰＴＦＥ樹脂１００重量部と市販の石油系助剤２０．５重量部を混合したものを２４時間熟成して誘電体用ペーストを調整した。次に、誘電体用ペーストをシリンダー〔内径６０．２ｍｍ、中芯の外径１６．２５ｍｍ〕の隙間に充填し、面圧プレス３．７３ＭＰａにて１２０秒間加圧してプリフォームを作製した。
【００３５】
次いで、このプリフォームをペースト押出機〔シリンダー径６０．８ｍｍ、マンドレル径１６．０ｍｍ〕を使用して、外径０．９３ｍｍの銀メッキ銅被覆鋼線からなる中心導体１の外周に線速８．７ｍ／ｍｉｎで肉厚１．０２ｍｍとなるように押出被覆した後、２００℃のオーブン１〔通過時間２４秒〕、と２３０度のオーブン２〔通過時間２４秒〕、及び２５０℃のオーブン３〔通過時間２４０秒〕に連続して通して押出助剤を乾燥除去し、仕上がり外径２．９ｍｍとした。
【００３６】
次に、この電線を、３３５℃のオーブン４〔通過時間４８秒〕に通すことにより加熱処理を施した。この加熱処理が焼成工程であり、この焼成工程によって、いわゆる「微焼成状態」を得ることができる。このようにして、中心導体１の外周に、ＰＴＦＥからなる誘電体２が形成された仕上外径約２．９ｍｍの絶縁電線を製造した。ここで、誘電体２の実効比誘電率及び硬度を測定したところ、実効比誘電率は１．８、硬度はデュロメータ硬さでＤ２５であった。
【００３７】
尚、本実施の形態では、中心導体１の周上にペースト押出しによって誘電体２を形成した例を説明したが、それ以外にも、例えば、中心導体１の周上に未焼成のＰＴＦＥテープを巻装することによって、誘電体２を形成することも考えられる。
【００３８】
又、上記絶縁電線の誘電体２の外周には、第２図に示すように、外部導体３として、素線径０．１２ｍｍのスズメッキ軟銅線による編組被覆とスズのコーティングが施されていて、それによって、同軸ケーブルが構成されている。本実施の形態では、外部導体３の形成時（編組被覆時）におけるキャリアからの給線テンションを約１．４７Ｎ、誘電体２の給線テンションを約０．９８Ｎ、ボビンへの巻取テンションを約９．８ｋＮとした。
【００３９】
尚、外部導体３としては、金属素線による編組被覆以外にも、例えば、金属素線の横巻き、金属箔の縦添えや横巻き、セミリジッド同軸ケーブルやコルゲート同軸ケーブルのような金属パイプによる被覆なども考えられる。
【００４０】
第２の実施の形態
次に、本発明の第２の実施の形態であるが、そこに使用されている絶縁電線は、前記第１の実施の形態の場合と同様に、第１図に示すような構成になっている。まず、中心導体１があり、この中心導体１の外周にはＰＴＦＥを主成分とした誘電体２が形成されている。
【００４１】
次に、上記絶縁電線の製造方法について説明する。本実施の形態では、前記第１の実施の形態の場合と同様に、まず、融点約３４１℃のＰＴＦＥ樹脂１００重量部と市販の石油系助剤２０．５重量部を混合したものを２４時間熟成して誘電体用ペーストを調整した。次に、誘電体用ペーストをシリンダー〔内径６０．２ｍｍ、中芯の外径１６．２５ｍｍ〕の隙間に充填し、面圧プレス３．７３ＭＰａにて１２０秒間加圧してプリフォームを作製した。
【００４２】
次いで、このプリフォームをペースト押出機〔シリンダー径６０．８ｍｍ、マンドレル径１６．０ｍｍ〕を使用して、外径０．９３ｍｍの銀メッキ銅被覆鋼線からなる中心導体１の外周に線速８．７ｍ／ｍｉｎで肉厚１．０２ｍｍとなるように押出被覆した後、２００℃のオーブン１〔通過時間２４秒〕、と２３０℃のオーブン２〔通過時間２４秒〕、及び２５０℃のオーブン３〔通過時間２４０秒〕に連続して通して押出助剤を乾燥除去し、仕上がり外径２．９ｍｍとした。
【００４３】
次に、この電線を、３３０℃のオーブン４〔通過時間４８秒〕に通すことにより加熱処理を施した。この加熱処理が焼成工程であり、該焼成工程によりいわゆる「微焼成状態」を得ることができる。このようにして、中心導体１の外周に、ＰＴＦＥからなる誘電体２が形成された仕上外径約２．９ｍｍの絶縁電線を製造した。ここで、誘電体２の実効比誘電率及び硬度を測定したところ、実効比誘電率は１．７５、硬度はデュロメータ硬さでＤ２０であった。
【００４４】
尚、この第２の実施の形態の場合も、中心導体１の周上にペースト押出しによって誘電体２を形成した例を説明したが、それ以外にも、例えば、中心導体１の周上に未焼成のＰＴＦＥテープを巻装することによって、誘電体２を形成することも考えられる。
【００４５】
又、この実施の形態による同軸ケーブルも、前記第１の実施の形態の場合と同様に、図２に示すような構成となっている。すなわち、既に説明した絶縁電線の誘電体２の外周には、外部導体３として、素線径０．１２ｍｍのスズメッキ軟銅線による編組被覆とスズのコーティングが施されている。本実施の形態では、外部導体３の形成時（編組被覆時）におけるキャリアからの給線テンションを約１．４７Ｎ、誘電体２の給線テンションを約０．９８Ｎ、ボビンへの巻取テンションを約９．８ｋＮとした。
【００４６】
尚、この場合にも、外部導体３としては、金属素線による編組被覆以外にも、例えば、金属素線の横巻き、金属箔の縦添えや横巻き、セミリジッド同軸ケーブルやコルゲート同軸ケーブルのような金属パイプによる被覆なども考えられる。
【００４７】
第３の実施の形態
次に、本発明の第３の実施の形態であるが、そこに使用されている絶縁電線も、前記第１の実施の形態、第２の実施の形態の場合と同様に、第１図に示すような構成になっている。まず、中心導体１があり、この中心導体１の外周には、ＰＴＦＥを主成分とした誘電体２が形成されている。
【００４８】
次に、絶縁電線の製造方法であるが、前記第１の実施の形態、第２の実施の形態の場合と同様に、まず、融点約３４１℃のＰＴＦＥ樹脂１００重量部と市販の石油系助剤２０．５重量部を混合したものを２４時間熟成して誘電体用ペーストを調整した。次に、誘電体用ペーストをシリンダー〔内径６０．２ｍｍ、中芯の外径１６．２５ｍｍ〕の隙間に充填し、面圧プレス３．７３ＭＰａにて１２０秒間加圧してプリフォームを作製した。
【００４９】
次いで、このプリフォームをペースト押出機〔シリンダー径６０．８ｍｍ、マンドレル径１６．０ｍｍ〕を使用して、外径０．９３ｍｍの銀メッキ銅被覆鋼線からなる中心導体１の外周に線速８．７ｍ／ｍｉｎで肉厚１．０２ｍｍとなるように押出被覆した後、２００℃のオーブン１〔通過時間２４秒〕、と２３０℃のオーブン２〔通過時間２４秒〕、及び２５０℃のオーブン３〔通過時間２４０秒〕に連続して通して押出助剤を乾燥除去し、仕上がり外径２．９ｍｍとした。
【００５０】
次に、この電線を、３２５℃のオーブン４〔通過時間４８秒〕に通すことにより加熱処理を施した。この加熱処理が焼成工程であり、該焼成工程によっていわゆる「微焼成状態」を得ることが可能になる。このようにして、中心導体１の外周に、ＰＴＦＥからなる誘電体２が形成された仕上外径約２．９ｍｍの絶縁電線を製造した。ここで、誘電体２の実効比誘電率及び硬度を測定したところ、実効比誘電率は１．７２、硬度はデュロメータ硬さでＡ６２であった。
【００５１】
尚、この第３の実施の形態の場合も、中心導体１の周上にペースト押出しによって誘電体２を形成した例を説明したが、それ以外にも、例えば、中心導体１の周上に未焼成のＰＴＦＥテープを巻装することによって、誘電体２を形成することも考えられる。
【００５２】
又、本実施の形態による同軸ケーブルも、前記第１の実施の形態、第２の実施の形態の場合と同様に、図２に示すような構成となっている。すなわち、既に説明した絶縁電線の誘電体２の外周には、外部導体３として、素線径０．１２ｍｍのスズメッキ軟銅線による編組被覆とスズのコーティングが施されている。本実施の形態では、外部導体３の形成時（編組被覆時）におけるキャリアからの給線テンションを約１．４７Ｎ、誘電体２の給線テンションを約０．９８Ｎ、ボビンへの巻取テンションを約９．８ｋＮとした。
【００５３】
又、この場合も、外部導体３としては、金属素線による編組被覆以外にも、例えば、金属素線の横巻き、金属箔の縦添えや横巻き、セミリジッド同軸ケーブルやコルゲート同軸ケーブルのような金属パイプによる被覆なども考えられる。
【００５４】
第１の比較の形態
次に、第１の比較の形態について説明する。そこに使用されている絶縁電線も、前記第１の実施の形態、第２の実施の形態、第３の実施の形態の場合と同様に、第１図に示すような構成になっている。まず、中心導体１があり、この中心導体１の外周には、ＰＴＦＥを主成分とした誘電体２が形成されている。
【００５５】
次に、絶縁電線の製造方法について説明する。前記第１の実施の形態〜第３の実施の形態の場合と同様に、まず、融点約３４１℃のＰＴＦＥ樹脂１００重量部と市販の石油系助剤２０．５重量部を混合したものを２４時間熟成して誘電体用ペーストを調整した。次に、誘電体用ペーストをシリンダー〔内径６０．２ｍｍ、中芯の外径１６．２５ｍｍ〕の隙間に充填し、面圧プレス３．７３ＭＰａにて１２０秒間加圧してプリフォームを作製した。
【００５６】
次いで、このプリフォームをペースト押出機〔シリンダー径６０．８ｍｍ、マンドレル径１６．０ｍｍ〕を使用して、外径０．９３ｍｍの銀メッキ銅被覆鋼線からなる中心導体１の外周に線速８．７ｍ／ｍｉｎで肉厚１．０２ｍｍとなるように押出被覆した後、２００℃のオーブン１〔通過時間２４秒〕、と２３０℃のオーブン２〔通過時間２４秒〕、及び２５０℃のオーブン３〔通過時間２４０秒〕に連続して通して押出助剤を乾燥除去し、仕上がり外径２．９ｍｍとした。又、この後には加熱処理、すなわち、焼成工程を行うことはなく、いわゆる「未焼成」の状態である。ここで、誘電体２の実効比誘電率及び硬度を測定したところ、実効比誘電率は１．７、硬度はデュロメータ硬さでＡ４９であった。
【００５７】
又、第３図に示すように、絶縁電線の誘電体２の外周には、外部導体３として、素線径０．１２ｍｍのスズメッキ軟銅線による編組被覆とスズのコーティングが施されていて同軸ケーブルとして構成されている。
【００５８】
第２の比較の形態
次に、第２の比較の形態について説明する。そこに使用されている絶縁電線も、前記第１の比較の形態の場合と同様に、第１図に示すような構成になっている。まず、中心導体１があり、この中心導体１の外周には、ＰＴＦＥを主成分とした誘電体２が形成されている。
【００５９】
次に、上記絶縁電線の製造方法について説明する。前記第１の比較の形態の場合と同様に、まず、融点約３４１℃のＰＴＦＥ樹脂１００重量部と市販の石油系助剤２０．５重量部を混合したものを２４時間熟成して誘電体用ペーストを調整した。次に、誘電体用ペーストをシリンダー〔内径６０．２ｍｍ、中芯の外径１６．２５ｍｍ〕の隙間に充填し、面圧プレス３．７３ＭＰａにて１２０秒間加圧してプリフォームを作製した。
【００６０】
次いで、このプリフォームをペースト押出機〔シリンダー径６０．８ｍｍ、マンドレル径１６．０ｍｍ〕を使用して、外径０．９３ｍｍの銀メッキ銅被覆鋼線からなる中心導体１の外周に線速８．７ｍ／ｍｉｎで肉厚１．０２ｍｍとなるように押出被覆した後、２００℃のオーブン１〔通過時間２４秒〕、と２３０℃のオーブン２〔通過時間２４秒〕、及び２５０℃のオーブン３〔通過時間２４０秒〕に連続して通して押出助剤を乾燥除去し、仕上がり外径２．９ｍｍとした。
【００６１】
次に、この電線を、３３０℃のオーブン４〔通過時間２４秒〕に通し、次いで、４３０℃のオーブン５〔通過時間２４秒〕に通し、さらに、５３０℃のオーブン６〔通過時間２４秒〕に通して加熱処理を施した。このような加熱処理が焼成工程であり、該焼成工程によっていわゆる「完全焼成状態」を得るものである。このようにして、中心導体１の外周に、ＰＴＦＥからなる誘電体２が形成された仕上外径約２．９ｍｍの絶縁電線を製造した。ここで、誘電体２の実効比誘電率及び硬度を測定したところ、実効比誘電率は２．０１、硬度はデュロメータ硬さでＤ３７であった。
【００６２】
又、第４図に示すように、絶縁電線の誘電体２の外周には、外部導体３として、素線径０．１２ｍｍのスズメッキ軟銅線による編組被覆とスズのコーティングが施されていて同軸ケーブルとして構成されている。
【００６３】
第３の比較の形態
次に、第３の比較の形態について説明する。そこに使用されている絶縁電線も、前記第１の比較の形態、第２の比較の形態の場合と同様に、第１図に示すような構成になっている。まず、中心導体１があり、この中心導体１の外周には、ＰＴＦＥを主成分とした誘電体２が形成されている。
【００６４】
次に、絶縁電線の製造方法について説明する。前記第１の比較の形態、第２の比較の形態の場合と同様に、まず、融点約３４１℃のＰＴＦＥ樹脂１００重量部と市販の石油系助剤２０．５重量部を混合したものを２４時間熟成して誘電体用ペーストを調整した。次に、誘電体用ペーストをシリンダー〔内径６０．２ｍｍ、中芯の外径１６．２５ｍｍ〕の隙間に充填し、面圧プレス３．７３ＭＰａにて１２０秒間加圧してプリフォームを作製した。
【００６５】
次いで、このプリフォームをペースト押出機〔シリンダー径６０．８ｍｍ、マンドレル径１６．０ｍｍ〕を使用して、外径０．９３ｍｍの銀メッキ銅被覆鋼線からなる中心導体１の外周に線速８．７ｍ／ｍｉｎで肉厚１．０２ｍｍとなるように押出被覆した後、２００℃のオーブン１〔通過時間２４秒〕、と２３０℃のオーブン２〔通過時間２４秒〕、及び２５０℃のオーブン３〔通過時間２４０秒〕に連続して通して押出助剤を乾燥除去し、仕上がり外径２．９ｍｍとした。
【００６６】
次に、この電線を、３５０℃のオーブン４〔通過時間４８秒〕に通して加熱処理を施した。この加熱処理が焼成工程であり、該焼成工程によっていわゆる「半焼成状態」を得るものである。このようにして、中心導体１の外周に、ＰＴＦＥからなる誘電体２が形成された仕上外径約２．９ｍｍの絶縁電線を製造した。ここで、誘電体２の実効比誘電率及び硬度を測定したところ、実効比誘電率は１．８８、硬度はデュロメータ硬さでＤ３０であった。
【００６７】
尚、この第３の比較の形態の場合も、第４図に示すように、絶縁電線の誘電体２の外周には、外部導体３として、素線径０．１２ｍｍのスズメッキ軟銅線による編組被覆とスズのコーティングが施されていて同軸ケーブルとして構成されている。
【００６８】
次に、第１の実施の形態〜第３の実施の形態、第１の比較の形態〜第３の比較の形態による同軸ケーブルを試料として、以下に示す特性評価試験を行った。その結果を第６図、第７図に示す。
【００６９】
伝送特性
測定温度２０℃において、１ＧＨＺ〜１８ＧＨＺにおける減衰量（ｄＢ／ｍ）を測定した。併せて、２ＧＨＺにおける遅延時間（ｎｓ／ｍ）を測定した。
【００７０】
中心導体と誘電体との密着性
誘電体２部分の長さが５０ｍｍの試料を使用して、中心導体１を誘電体２から引抜速度１２．７ｍｍ／ｍｉｎで引抜いたときの引張り試験機が示す最大値を導体引抜強度（Ｎ）として測定した。
【００７１】
ストリップ加工性
自動機（シュロニガー社製ＭＰ２５７）を用いてストリップ加工をし、誘電体２の切断部分の状態を目視して、ストリップ加工性の評価をした。ここで、評価が○となっているものは、問題なく綺麗にストリップ加工ができたものであり、評価が×となっているものは、誘電体２のＰＴＦＥが糸を引いて残ってしまったものである。
【００７２】
特性インピーダンス
ＴＤＲ法によって測定した実測値と、計算式Ｚ０＝６０／√εｅ×１ｎ｛（Ｄ＋１．５ｄＷ）／ｄ｝により算出した計算値とを比較することにより評価した。ここで、Ｚ０は特性インピーダンス、Ｄはコア外径（ｍｍ）、ｄＷは編組素線径（ｍｍ）、εｅは誘電体の実効比誘電率である。併せて、Ｒ＝１０ｍｍで９０度曲げた部分の特性インピーダンス（Ω）を測定し、実測値からの変化量を算出した。
【００７３】
示差走査熱量測定（ＤＳＣ）
すなわち、ＪＩＳ  Ｋ７１２２プラスチックの転移熱測定方法によりＰＴＦＥを主成分としてなる誘電体２の示差走査熱量測定（ＤＳＣ）を実施して、それによって、得られた結晶融解曲線において、吸熱ピークがどのようになっているかについて観察した。
【００７４】
走査型電子顕微鏡写真
組成物の１００００倍の走査型電子顕微鏡写真によって誘電体の構造を確認した。
【００７５】
以下、第１の実施の形態〜第３の実施の形態、第１の比較の形態〜第３の比較の形態の夫々に関して考察してみる。
【００７６】
まず、第１の実施の形態であるが、第６図に示すように、実効比誘電率は１．８であって、１．８以下となっているので、伝送特性には優れており、遅延時間が短く、減衰特性にも優れている。
【００７７】
又、第６図に示すように、誘電体２の硬度はＤ２５であって十分な硬度を備えている。
【００７８】
又、ストリップ加工性に関しては、誘電体２が十分な硬度を備えていると共に、第９図の走査型電子顕微鏡写真に示すように、一方向のみにフィブリル１３がノード１１を繋ぐ構造ではなく三次元的に繋ぐ構造になっているので、第１０図に示すように、誘電体２が糸を引いた状態で残るようなことはなく。問題なくストリップ加工ができる。
【００７９】
次に、特性インピーダンスに関しては、第６図に示すように、誘電体２が十分な硬度を備えているので、外部導体３の締め付けによっては潰れにくく、設計値に近い値で製造可能である。又、曲げ部分での特性インピーダンスの変化量が０．８Ωと小さくなっている。
【００８０】
又、ＤＳＣに関しては、第８図に示すように、明らかなピークは３４０℃付近の一箇所のピークＰ１のみである。この点について説明を加えると、前述したように、焼成が「半焼成状態」にまで進行すると、第２３図に示すように、３４０℃の手前の３２０℃付近に別のピークＰ２が現れる。この第１の実施の形態の場合には、そのような別のピークＰ２が表われる手前の状態まで焼成して「微焼成状態」としているものである。
【００８１】
又、第９図の走査型電子顕微鏡写真に関しては、既に述べたように、球状のノード１１があり、ノード１１同士が直接融合している部分が多くある。又、ノード１１同士の融合が進行していてフィブリルが少ないが、長手方向、横方向、斜め方向に三次元的にフィブリル１３が残っていて、ノード１１を三次元的に繋げている。又、上記したように、ノード１１同士の融合部分も多くあるため、誘電体２は裂けにくく高い硬度を示すことになる。
【００８２】
次に、第２の実施の形態であるが、第６図に示すように、実効比誘電率１．７５であって１．８以下であるので、前記第１の実施の形態の場合と同様に、伝送特性には優れており、遅延時間が短く、減衰特性にも優れている。
【００８３】
又、第６図に示すように、誘電体２の硬度もＤ２０であって十分な硬度を備えている。
【００８４】
又、ストリップ加工性に関しては、誘電体２が十分な硬度を備えていると共に、第１２図の走査型電子顕微鏡写真に示すように、一方向のみにフィブリル１３がノード１１を繋ぐ構造ではなく三次元的に繋ぐ構造になっているので、第１３図に示すように、誘電体２が糸を引いた状態で残るようなことはなく、問題なくストリップ加工ができる。
【００８５】
次に、特性インピーダンスに関しては、誘電体２が十分な硬度を備えているので、外部導体３の締め付けによっては潰れにくく、設計値に近い値で製造可能である。又、第６図に示すように、曲げ部分での特性インピーダンスの変化量が１．０Ωと小さくなっている。
【００８６】
又、ＤＳＣに関しては、第１１図に示すように、明らかなピークは３４０℃付近の一箇所のピークＰ１のみである。この点については、前記第１の実施の形態の場合と同様であり、焼成が「半焼成状態」にまで進行すると、第２３図に示すように、３４０℃の手前の３２０℃付近に別のピークＰ２が現れる。この第２の実施の形態の場合にも、そのような別のピークＰ２が表れる手前の状態まで焼成して「微焼成状態」としているものである。
【００８７】
又、走査型電子顕微鏡写真に関しては、第１２図に示すように、既に述べた球状のノード１１があり、ノード１１同士が直接融合している部分もある。又、長手方向、横方向、斜め方向に三次元的にフィブリル１３が残っていて、ノード１１を三次元的に繋げている。又、上記したように、ノード１１同士の融合部分も多くあるため、誘電体２は裂けにくく高い硬度を示している。
【００８８】
次に、第３の実施の形態であるが、第６図に示すように、実効比誘電率１．７２であって１．８以下であるので、伝送特性には優れており、遅延時間が短く、減衰特性にも優れている。
【００８９】
又、第６図に示すように、誘電体２の硬度もＡ６２となっていて十分な硬度を備えている。
【００９０】
又、ストリップ加工性に関しては、誘電体２が十分な硬度を備えていると共に、第１５図に示すように、一方向のみにフィブリル１３がノード１１を繋ぐ構造ではなく三次元的に繋ぐ構造になっているので、第１６図に示すように、誘電体２が糸を引いた状態で残るようなことはなく、問題なくストリップ加工ができる。
【００９１】
次に、特性インピーダンスに関しては、誘電体２が十分な硬度を備えているので、外部導体３の締め付けによっては潰れにくく、設計値に近い値で製造可能である。又、第６図に示すように、曲げ部分での特性インピーダンスの変化量が１．４Ωとなっていて、前記第１の実施の形態、第２の実施の形態に比べると、大きくなっているが、実用上何等問題はない。
【００９２】
又、ＤＳＣに関しては、第１４図に示すように、明らかなピークは３４０℃付近の一箇所のピークＰ１のみである。この点については、前記第１の実施の形態、第２の実施の形態の場合と同様であり、焼成が「半焼成状態」にまで進行すると、第２３図に示すように、３４０℃の手前の３２０℃付近に別のピークＰ２が現れる。この第２の実施の形態の場合にも、そのような別のピークＰ２が表われる手前の状態まで焼成して「微焼成状態」としているものである。
【００９３】
又、走査型電子顕微鏡写真に関しては、第１５図に示すように、既に述べた球状のノード１１があり、ノード１１同士が直接融合している部分もある。又、長手方向、横方向、斜め方向に三次元的にフィブリル１３が残っていて、ノード１１を三次元的に繋げている。又、上記したように、ノード１１同士の融合部分も多くあるため、誘電体２は裂けにくく高い硬度を示している。
【００９４】
これに対して、第１の比較の形態の場合には、第７図に示すように、実効比誘電率が１．７であって１．８以下であるので、伝送特性には優れており、遅延時間が短く、減衰特性にも優れている。この点については、前記第１の実施の形態〜第３の実施の形態の場合と同様である。
【００９５】
又、第７図に示すように、誘電体２の硬度はＡ４９となっていて柔らかいため、導体引抜強度は低くなっている。
【００９６】
又、ストリップ加工性に関しては、誘電体２が柔らかく、第１８図の走査型電子顕微鏡写真に示すように、一方向のみにフィブリル１３がノード１１を繋ぐ構造になっているので、第１９図に示すように、ストリップ加工時に誘電体２が糸を引いた状態で残り易くなっている（第１９図中その箇所を符号２´で示す）。
【００９７】
次に、特性インピーダンスに関しては、誘電体２が柔らかいため、外部導体３の締め付けによって潰れ易く、又、外部導体３の金属素線が食い込むために、設計値に近い値で製造することは困難である。又、曲げ部分で誘電体２が潰れやすく、特性インピーダンスの変化量が３．０Ωと大きい。
【００９８】
又、ＤＳＣに関しては、第１７図に示すように、明らかなピークは３４０℃付近の一箇所のピークＰ１のみであるが、ショルダー部分２１が確認される。
【００９９】
又、走査型電子顕微鏡写真に関しては、第１８図に示すように、既に述べた球状のノード１１がある。長手方向にフィブリル１３がノード１１を繋げている。又、横方向、斜め方向へのフィブリル１３の延びはない。又、ノード１１間には空隙が多く残っている。
【０１００】
次に、第２の比較の形態の場合には、第７図に示すように、実効比誘電率が２．０１であって１．８を大きく越えており、その為、伝送特性には劣り、遅延時間も長く、減衰特性にも劣る。
【０１０１】
又、第７図に示すように、誘電体２の硬度はＤ２０となっていて硬いため、導体引抜強度が高い。この点に関しては、前記第１の実施の形態〜第３の実施の形態の場合と同様である。
【０１０２】
又、ストリップ加工性に関しては、誘電体２が硬いために、第２１図に示すように、一方向のみにフィブリルがノードを繋ぐ構造ではなく、空隙がない構造になっているので、第２２図に示すように、ストリップ加工時に誘電体２が糸を引いた状態で残ることはない。
【０１０３】
次に、特性インピーダンスに関しては、誘電体２が硬いため、外部導体３の締め付けによっては潰れにくく、又、曲げ部分での特性インピーダンスの変化量が０．５Ωと小さい。
【０１０４】
又、ＤＳＣに関しては、第２０図に示すように、３２０℃付近のピークＰ２のみが確認される。これは焼成が十分に進行して「完全焼成状態」に至っているので、第１７図に示した「未焼成状態」時における３４０℃付近のピークが３２０℃付近に移行して現れているものである。
【０１０５】
又、走査型電子顕微鏡写真に関しては、第２１図に示すように、既に述べた球状のノードはない。又、フィブリルや空隙も観察されない。
【０１０６】
次に、第３の比較の形態の場合には、第７図に示すように、実効比誘電率が１．８８であって１．８を大きく越えており、その為、伝送特性には劣り、遅延時間も長く、減衰特性にも劣る。
【０１０７】
又、第７図に示すように、誘電体２の硬度はＤ３０となっていて硬いため、導体引抜強度が高い。この点に関しては、前記第１の実施の形態〜第３の実施の形態の場合と同様である。
【０１０８】
又、ストリップ加工性に関しては、誘電体２が硬いために、第２４図に示すように、一方向のみにフィブリルがノードを繋ぐ構造ではなく、空隙がない構造になっているので、第２５図に示すように、ストリップ加工時に誘電体２が糸を引いた状態で残ることはない。
【０１０９】
次に、特性インピーダンスに関しては、誘電体２が硬いため、外部導体３の締め付けによっては潰れにくく、又、曲げ部分での特性インピーダンスの変化量が０．６Ωと小さい。
【０１１０】
又、ＤＳＣに関しては、第２３図に示すように、３４０℃付近と３２０℃付近の二個所においてピークＰ１、Ｐ２が確認される。すなわち、この場合の焼成は前記第１の実施の形態〜第３の実施の形態の場合のような「微焼成状態」を過ぎて「半焼成状態」にまで進行しているので、３４０℃の手前の３２０℃付近に別のピークＰ２が現れているものである。
【０１１１】
又、走査型電子顕微鏡写真に関しては、第２４図に示すように、既に述べた球状のノードはない。又、フィブリルも観察されない。ノードやフィブリルの融合が進行していて、球状のノードや繊維状のフィブリルは観察されないが、ひび割れ状に空隙２３が観察される。
【０１１２】
以上、第１の実施の形態〜第３の実施の形態と第１の比較の形態〜第３の比較の形態を対比すると、まず、第１の実施の形態〜第３の実施の形態の誘電体２の実効比誘電率は１．８以下であるため、特に高周波帯域での減衰量がなく、優れた伝送特性を得ることが可能である。
【０１１３】
次に、第１の実施の形態〜第３の実施の形態の誘電体２の硬度がデュロメータ硬さでＡ５０以上Ｄ３６以下であるので、誘電体２が繊維化して糸を引くことがなく、安定してストリップ加工することが可能である。
【０１１４】
又、第１の実施の形態〜第３の実施の形態の誘電体２の硬度がデュロメータ硬さでＡ５０以上Ｄ３６以下であるので、外部から中心導体１に引抜の力が加わった場合、誘電体２の中心導体１との接触部分が変形しにくく中心導体１と誘電体２との間に隙間ができにくいので、中心導体１と誘電体２の適度な密着性を得ることが可能である。
【０１１５】
又、第１の実施の形態〜第３の実施の形態の誘電体２の硬度がデュロメータ硬さでＡ５０以上Ｄ３６以下であるので、ボビン巻き時や外部導体３の形成時などに加わる圧力、張力、絞め付け力等の外力によって、誘電体２が変形したり、誘電体２に外部導体３が極度に食い込んでしまうことがないため、特性インピーダンスの計算値と実測値との差が小さくなり、所望とする特性インピーダンスを得ることが可能となる。
【０１１６】
又、第１の実施の形態〜第３の実施の形態の誘電体２の硬度がデュロメータ硬さでＡ５０以上Ｄ３６以下であるので、実使用時における外部からの圧力や配設時の曲げ加工等によって、容易に誘電体２が変形してしまうことがないため、局所的に特性インピーダンスが大きく変化してしまうことを防止できる。
【０１１７】
又、第１の実施の形態〜第３の実施の形態の場合には、所望の実効比誘電率と硬度を備えた誘電体を得る方法として、示差走査熱量測定（ＤＳＣ）による結晶融解曲線において、焼成状態（完全焼成）の吸熱ピークが明確にならない程度に加熱処理して微焼成状態を得るようにしているので、所望の実効比誘電率と硬度を備えた誘電体を確実に得ることができる。
【産業上の利用可能性】
【０１１８】
以上のように、本発明によるポリテトラフルオロエチレン樹脂（ＰＴＦＥ）を主成分とした誘電体は、特に、高周波帯域での減衰量が少なく優れた伝送特性を示すとともに、中心導体と誘電体との密着性に優れ、ストリップ加工性に優れ、所望とする特性インピーダンスを確実に得ることが可能であり、更に、曲げ加工部分等での特性インピーダンス変化を防止することができるものであり、各種絶縁電線、同軸ケーブルに好適である。又、本発明による誘電体製造方法によると、所望の実効比誘電率と硬度を備えた誘電体を確実に得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【０１１９】
【図１】  第１図は、本発明の第１の実施の形態を示す図で、絶縁電線の概略断面図である。
【図２】  第２図は、本発明の第１の実施の形態〜第３の実施の形態を示す図で同軸ケーブルの概略断面図である。
【図３】  第３図は、第１の比較の形態を示す図で、同軸ケーブルの概略断面図である。
【図４】  第４図は、第２の比較の形態を示す図で、同軸ケーブルの概略断面図である。
【図５】  第５図は、本発明の第１の実施の形態〜第３の実施の形態、第１の比較の形態〜第３の比較の形態の製造方法を説明するための図である。
【図６】  第６図は、本発明の第１の実施の形態〜第３の実施の形態による同軸ケーブルの特性を示す図である。
【図７】  第７図は、第１の比較の形態〜第３の比較の形態による同軸ケーブルの特性を示す図である。
【図８】  第８図は、本発明の第１の実施の形態に関する示差走査熱量測定（ＤＳＣ）による結晶融解曲線を示す図である。
【図９】  第９図は、本発明の第１の実施の形態による同軸ケーブルの誘電体の走査型電子顕微鏡写真（１００００倍）を示す図である。
【図１０】  第１０図は、本発明の第１の実施の形態による同軸ケーブルのストリップ加工特性を説明する写真を示す図である。
【図１１】  第１１図は、本発明の第２の実施の形態に関する示差走査熱量測定（ＤＳＣ）による結晶融解曲線を示す図である。
【図１２】  第１２図は、本発明の第２の実施の形態による同軸ケーブルの誘電体の走査型電子顕微鏡写真（１００００倍）を示す図である。
【図１３】  第１３図は、本発明の第２の実施の形態による同軸ケーブルのストリップ加工特性を説明する写真を示す図である。
【図１４】  第１４図は、本発明の第３の実施の形態に関する示差走査熱量測定（ＤＳＣ）による結晶融解曲線を示す図である。
【図１５】  第１５図は、本発明の第３の実施の形態による同軸ケーブルの誘電体の走査型電子顕微鏡写真（１００００倍）を示す図である。
【図１６】  第１６図は、本発明の第３の実施の形態による同軸ケーブルのストリップ加工特性を説明する写真を示す図である。
【図１７】  第１７図は、第１の比較の形態に関する示差走査熱量測定（ＤＳＣ）による結晶融解曲線を示す図である。
【図１８】  第１８図は、第１の比較の形態による同軸ケーブルの誘電体の走査型電子顕微鏡写真（１００００倍）を示す図である。
【図１９】  第１９図は、第１の比較の形態による同軸ケーブルのストリップ加工特性を説明する写真を示す図である。
【図２０】  第２０図は、第２の比較の形態に関する示差走査熱量測定（ＤＳＣ）による結晶融解曲線を示す図である。
【図２１】  第２１図は、第２の比較の形態による同軸ケーブルの誘電体の走査型電子顕微鏡写真（１００００倍）を示す図である。
【図２２】  第２２図は、第２の比較の形態による同軸ケーブルのストリップ加工特性を説明する写真を示す図である。
【図２３】  第２３図は、第３の比較の形態に関する示差走査熱量測定（ＤＳＣ）による結晶融解曲線を示す図である。
【図２４】  第２４図は、第３の比較の形態による同軸ケーブルの誘電体の走査型電子顕微鏡写真（１００００倍）を示す図である。
【図２５】  第２５図は、第３の比較の形態による同軸ケーブルのストリップ加工特性を説明する写真を示す図である。
【図１】
0004657729.tif 000002
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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