(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
ダイボンダ内に複数のウエハを載置する工程と、
上記ダイボンダ内にて、上記複数のウエハからそれぞれ切り出した複数のチップを、ダイボンド材を介して、接合する工程と、
上記ダイボンダ内にて、上記接合工程にて積層された複数のチップを、ダイボンド材を介して、ダイパッド上に接合する工程とを備え、
上記ダイボンダは予備ステージを備え、
上記予備ステージの、上記チップとの対向面には、上記ダイボンド材よりも、上記チップとの接合性の悪い材料がコーティングされていることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２】
上記積層された複数のチップ上にさらに単数又は複数のチップを積層する工程を含むことを特徴とする請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項３】
上記複数のチップが積層された上記ダイパッドの積層面の裏面に、さらに単数又は複数のチップを積層する工程を含むことを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項４】
複数のウエハをそれぞれ保持する複数のウエハ保持部と、
上記複数のウエハ保持部に保持された上記複数のウエハから複数のチップをそれぞれ切り出して搬送するチップ搬送部と、
上記チップ搬送部にて搬送された上記複数のチップを積層して、ダイボンド材を介して接合するための予備ステージと、
上記予備ステージ上で接合された上記複数のチップを、上記予備ステージからダイパッド上に搬送する積層チップ搬送部と、
上記積層チップ搬送部にて搬送された上記複数のチップを、ダイボンド材を介して上記ダイパッド上に接合するためのステージとを備え、
上記予備ステージの、上記チップとの対向面には、上記ダイボンド材よりも、上記チップとの接合性の悪い材料がコーティングされていることを特徴とする半導体装置の製造装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
この発明は、チップが積層された半導体装置の製造方法、製造装置、及び、半導体装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
従来から、半導体装置の高集積化を目的として、１つのダイパッド上に種類の異なる複数のチップが積層された半導体装置が開発されている。
以下、図３にて、従来の半導体装置の製造方法について、簡単に説明する。図３は、従来の半導体装置の製造方法のフロー図である。
【０００３】
同図において、１ａ、１ｂはダイシングされたチップを有するウエハ、３ａ、３ｂはウエハ１ａ、１ｂ上のチップ、５ａ、５ｂはチップ３ａ、３ｂをダイパッド１２上に搬送するコレット、７ａはチップ３ａとチップ３ｂとの間に設けられたダイボンド材、７ｂはチップ３ｂとダイパッド１２との間に設けられたダイボンド材、１２はステージ上に載置されたダイパッド、１５はチップ３ａ、３ｂが積層された半導体装置、２０ａ、２０ｂはそれぞれ半導体装置の製造装置としてのダイボンダを示す。
【０００４】
同図に示すように、まず、第１のダイボンダ２０ａ内の図示せぬウエハ保持部に、第１のウエハ１ｂが載置される。ここで、第１のダイボンダ２０ａ内には、第１のウエハ１ｂを複数枚搭載した図示せぬウエハカセットが、挿脱自在に設置されている。そして、第１のウエハ１ｂは、ウエハカセットからウエハ保持部に、ウエハ搬送部により搬送されたものである。
【０００５】
次に、ダイシングされたウエハ１ｂ上のチップ３ｂを、コレット５ａにより、１つピックアップする。そして、裏面にフィルム状のダイボンド材７ｂが形成されたチップ３ｂを、コレット５ａにより、ダイパッド１２を備えたリードフレームを保持するステージ上に搬送する。
【０００６】
そして、ステージを加熱するとともに、コレット５ａを図中の矢印方向に移動して、チップ３ｂをダイパッド１２に圧接することで、チップ３ｂは、ダイパッド１２に接合される。
このように、第１のチップ３ｂが接合されたダイパッド１２は、第１のダイボンダ２０ａの装置外に搬送される。
【０００７】
次に、第１のダイボンダ２０ａの外に搬送されたチップ３ｂを搭載したダイパッド１２は、第２のダイボンダ２０ｂ内の図示せぬステージに搬送される。
他方、第２のダイボンダ２０ｂ内の図示せぬウエハ保持部には、第２のウエハ１ａが載置される。ここで、第２のダイボンダ２０ｂ内には、第２のウエハ１ａを複数枚搭載した図示せぬウエハカセットが、挿脱自在に設置されている。そして、第２のウエハ１ａは、ウエハカセットからウエハ保持部に、ウエハ搬送部により搬送されたものである。また、第２のウエハ１ａは、第１のウエハ１ｂとは異なるウエハである。すなわち、第２のウエハ１ａ上に形成された第２のチップ３ａと、第１のウエハ１ｂ上に形成された第１のチップ３ｂとには、それぞれ別の素子や回路が形成されており、そのチップの大きさも異なる。
【０００８】
次に、ダイシングされたウエハ１ａ上のチップ３ａを、コレット５ｂにより、１つピックアップする。そして、裏面にフィルム状のダイボンド材７ａが形成されたチップ３ａを、コレット５ｂにより、ダイパッド１２を備えたリードフレームを保持するステージ上に搬送する。
【０００９】
そして、ステージを加熱するとともに、コレット５ｂを図中の矢印方向に移動して、チップ３ａをダイパッド１２上のチップ３ｂに圧接することで、第２のチップ３ａは、第１のチップ３ｂに接合される。
こうして、ダイパッド１２上には、２つの異なるチップ３ａ、３ｂが積層される。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】
上述の従来の半導体装置の製造方法では、ダイパッドに積層されるチップの数と同数のダイボンダが必要となっていた。
詳しくは、ダイパッドへの下段のチップのボンディング工程は、第１のダイボンダで行われ、下段のチップへの上段のチップのボンディング工程は、第２のダイボンダで行われる。すなわち、１つのボンディング工程ごとに、１台のダイボンダを必要としていた。
【００１１】
これは、１台のダイボンダで複数のボンディング工程を実施しようとすると、各工程間でダイボンダの段取り変更を行わなければならず、装置の稼働率が低下してしまうからである。
このように、異なるボンディング工程ごとに、ダイボンダを用意すれば、装置の稼働率を向上することができる。しかし、それでもなお、ダイパッドを、１つのダイボンダから別のダイボンダへと移動させる工程には、比較的時間を要するという問題があり、これが量産性向上の妨げになっていた。
さらに、複数のダイボンダを用意しているために、全体の設備の規模も大きくなり、設備費も高くなるという問題があった。
【００１２】
この発明は、上述のような課題を解決するためになされたもので、複数のチップが積層される半導体装置の積層工程における工程時間が短く、設備の規模が比較的小さく、設備費も比較的低廉な半導体装置の製造方法、製造装置、及び、半導体装置を提供することにある。
【００１３】
【課題を解決するための手段】
この発明の請求項１記載の発明にかかる半導体装置の製造方法は、ダイボンダ内に複数のウエハを載置する工程と、上記ダイボンダ内にて、上記複数のウエハからそれぞれ切り出した複数のチップを、ダイボンド材を介して、接合する工程と、上記ダイボンダ内にて、上記接合工程にて積層された複数のチップを、ダイボンド材を介して、ダイパッド上に接合する工程とを備えたものである。
【００１４】
また、請求項２記載の発明にかかる半導体装置の製造方法は、上記請求項１記載の発明において、上記積層された複数のチップ上にさらに単数又は複数のチップを積層する工程を含むものである。
【００１５】
また、請求項３記載の発明にかかる半導体装置の製造方法は、上記請求項１又は請求項２に記載の発明において、上記複数のチップが積層された上記ダイパッドの積層面の裏面に、さらに単数又は複数のチップを積層する工程を含むものである。
【００１６】
また、請求項４記載の発明にかかる半導体装置の製造方法は、上記請求項１〜請求項３のいずれかに記載の発明において、上記ダイボンダは予備ステージを備え、上記予備ステージは、上記チップとの対向面が上記ダイボンド材と接合しないように形成されたものである。
【００１７】
また、この発明の請求項５記載の発明にかかる半導体装置は、請求項１〜請求項４のいずれかに記載の半導体装置の製造方法で製造したものである。
【００１８】
また、この発明の請求項６記載の発明にかかる半導体装置の製造装置は、複数のウエハをそれぞれ保持する複数のウエハ保持部と、上記複数のウエハ保持部に保持された上記複数のウエハから複数のチップをそれぞれ切り出して搬送するチップ搬送部と、上記チップ搬送部にて搬送された上記複数のチップを積層して、ダイボンド材を介して接合するための予備ステージと、上記予備ステージ上で接合された上記複数のチップを、上記予備ステージからダイパッド上に搬送する積層チップ搬送部と、上記積層チップ搬送部にて搬送された上記複数のチップを、ダイボンド材を介して上記ダイパッド上に接合するためのステージとを備えたことを特徴とする半導体装置の製造装置。
【００１９】
また、請求項７記載の発明にかかる半導体装置の製造方法は、上記請求項６に記載の発明において、上記予備ステージは、上記チップとの対向面が上記ダイボンド材と接合しないように形成されたものである。
【００２０】
【発明の実施の形態】
以下に、この発明の実施の形態について図面を参照して詳細に説明する。なお、各図中、同一または相当する部分には同一の符号を付しており、その重複説明は適宜に簡略化ないし省略する。
【００２１】
実施の形態．
以下、この発明の実施の形態を図面に基づいて詳細に説明する。図１は、この発明の実施の形態を示す半導体装置の製造方法のフロー図である。また、図２は、この発明の実施の形態を示す半導体装置の製造装置の概略図である。
図１、図２において、１ａ、１ｂはダイシングされたチップを有するウエハ、３ａ、３ｂはウエハ１ａ、１ｂ上のチップ、５ａは２つのチップ３ａ、３ｂをそれぞれ予備ステージ上に搬送するコレット、５ｂは積層されたチップ３ａ、３ｂをダイパッド上に搬送するコレット、７ａはチップ３ａとチップ３ｂとの間に設けられたダイボンド材、７ｂはチップ３ｂとダイパッド１２との間に設けられたダイボンド材、１０はチップ３ａとチップ３ｂとを積層するための予備ステージ、１１はダイボンド７ａを介して接合されたチップ３ａとチップ３ｂとの積層チップ、１２はステージ上に載置されたダイパッド、１５はチップ３ａ、３ｂが積層された半導体装置、１７はダイパッド１２を備えたリードフレーム、２０は半導体装置の製造装置としてのダイボンダを示す。
【００２２】
図１に示すように、まず、ダイボンダ２０内の図示せぬ第１のウエハ保持部に、第１のウエハ１ａが載置される。他方、ダイボンダ２０内の図示せぬ第２のウエハ保持部に、第２のウエハ１ｂが載置される。ここで、ダイボンダ２０内には、第１のウエハ１ａを複数枚搭載した図示せぬ第１のウエハカセットと、第２のウエハ１ｂを複数枚搭載した図示せぬ第２のウエハカセットとが、それぞれ、挿脱自在に設置されている。そして、第１のウエハ１ａは第１のウエハカセットから第１のウエハ保持部に、第２のウエハ１ｂは第２のウエハカセットから第２のウエハ保持部に、ウエハ搬送部により搬送されたものである。
【００２３】
次に、第２のウエハ１ｂ上のチップ３ｂを、コレット５ａにより、１つピックアップする。そして、裏面にフィルム状のダイボンド材７ｂが予め形成されたチップ３ｂを、コレット５ａにより、予備ステージ１０上の所定位置に搬送する。
その後、第１のウエハ１ａ上のチップ３ａを、コレット５ａにより、１つピックアップする。そして、裏面にフィルム状のダイボンド材７ａが予め形成されたチップ３ａを、コレット５ａにより、予備ステージ１０に載置されたチップ３ｂ上に搬送する。
【００２４】
そして、予備ステージ１０を加熱するとともに、コレット５ａを図中の矢印方向に移動して、一方のチップ３ａを他方のチップ３ｂに圧接することで、双方のチップ３ａ、３ｂは接合されて積層チップ１１を形成する。
ここで、予備ステージ１０の表面（チップ３ｂとの接触面である。）には、例えば、ダイボンド７ｂに対する接合性の悪い材料がコーティングされている。これにより、予備ステージ１０を加熱して、コレット５ａによる加圧をすることで、２つのチップ３ａ、３ｂのみが接合され、チップ３ｂと予備ステージ１０とは接合されないことになる。
【００２５】
次に、予備ステージ１０上の積層チップ１１を、コレット５ｂにより、ダイパッド１２が載置された図示せぬステージ上に向けて搬送する。
そして、ステージを加熱するとともに、コレット５ｂを図中の矢印方向に移動して、積層チップ１１をダイパッド１２に圧接することで、積層チップ１１はダイパッド１２に接合されて半導体装置１５を形成する。
ここで、ダイパッド１２は、図２に示すリードフレーム１７上に複数設けられており、リードフレーム１７がステージ上を図中の矢印方向に移動して、上述の工程が繰り返されることで、複数のダイパッド１２に次々と積層チップ１１が接合されることになる。
【００２６】
なお、本実施の形態における半導体装置の製造装置としてのダイボンダ２０は、主として、複数のウエハ保持部と、チップ搬送部としてのコレット５ａと、予備ステージ１０と、積層チップ搬送部としてのコレット５ｂと、ダイパッド１２を載置するステージとによって、構成されるものである。
そして、このようなダイボンダ２０内で、ダイパッド１２上にチップ３ａ、３ｂが積層された半導体装置１５は、その後、ワイヤボンディング工程、パッケージ工程等を経て、最終的な製品としての半導体装置の形態を完成させることになる。
【００２７】
以上説明したように、本実施の形態における半導体装置の製造方法は、ダイボンダ２０内に、複数のチップ３ａ、３ｂを積層するためにステージとは異なる予備ステージ１０を設けているために、１台のダイボンダ２０内で、複数のチップ３ａ、３ｂをダイパッド１２上に積層することができる。これによって、複数のチップ３ａ、３ｂを積層する積層工程における工程時間が短くなり全体の生産性が向上するとともに、設備の規模が比較的小さくなり、設備費を比較的安くすることができる。
【００２８】
なお、本実施の形態では、チップ３ａの裏面に形成されるダイボンド材７ａや、チップ３ｂの裏面に形成されるダイボンド材７ｂとして、フィルム状のダイボンド材を用いた。これに対して、ダイボンド７ａ、７ｂとして、ペースト状のダイボンド材を用いる場合についても、本発明を適用することができる。その場合には、ダイボンド７ａは、接合前に、予めチップ３ｂにおけるチップ３ａとの対向面側に形成される。また、ダイボンド７ｂは、接合前に、予めダイパッド１２における積層チップ１１との対向面側に形成される。このように、ペースト状のダイボンド材を用いたときでも、本実施の形態と同様の効果を奏することになる。
【００２９】
また、本実施の形態では、チップ搬送部としてのコレット５ａと、積層チップ搬送部としてのコレット５ｂとを、別々の部材として構成したが、同一部材とすることもできる。
また、本実施の形態では、２つのウエハ１ａ、１ｂから予備ステージ１０へのそれぞれのチップ３ａ、３ｂの搬送を、１つのコレット５ａにて行ったが、それぞれのチップ３ａ、３ｂごとにコレットを用意して、２つのコレットにより搬送工程を行うこともできる。
【００３０】
さらに、本実施の形態では、２つのウエハ１ａ、１ｂを、ダイボンダ２０内に載置したが、それよりも多いウエハを装置内に載置することもできる。この場合、予備ステージ１０上にて、ウエハの数に応じた複数のチップを積層した後に、ダイパッド１２上にその積層チップを搬送することになる。
また、本実施の形態により、積層されるチップ３ａ、３ｂは、同一種類のチップであってもよいし、異なる種類のチップであってもよい。
【００３１】
また、本実施の形態で示した工程によりチップ３ａ、３ｂが積層された半導体装置１５上に、さらに単数又は複数のチップを積層することができる。例えば、チップ３ａ、３ｂが積層された半導体装置１５に対して、本実施の形態で示した工程を繰り返して行うことができる。具体的には、半導体装置１５を、さらにダイボンダ２０に設置して、その上に予備ステージ１０で積層された積層チップ１１を接合する。この場合にも、本実施の形態と同様の効果を奏することになる。
【００３２】
また、本実施の形態で示した工程によりチップ３ａ、３ｂが積層された半導体装置１５の積層面の裏面に、さらに単数又は複数のチップを積層することができる。例えば、チップ３ａ、３ｂが積層された半導体装置１５に対して、本実施の形態で示した工程を繰り返して行うことができる。具体的には、チップ３ａ、３ｂが積層されたダイパッド１２の積層面の裏面にチップを積層する。すなわち、チップ３ａ、３ｂが積層された半導体装置１５を、逆さまにして、裏面側が上方を向くようにダイボンダ２０のステージに載置する。そして、半導体装置１５の裏面上に、予備ステージ１０で積層された積層チップ１１を接合することができる。この場合にも、本実施の形態と同様の効果を奏することになる。
【００３３】
なお、本発明が上記実施の形態に限定されず、本発明の技術思想の範囲内において、実施の形態の中で示唆した以外にも、実施の形態は適宜変更され得ることは明らかである。また、上記構成部材の数、位置、形状等は上記実施の形態に限定されず、本発明を実施する上で好適な数、位置、形状等にすることができる。
【００３４】
【発明の効果】
本発明は以上のように構成されているので、複数のチップを積層する積層工程の時間が短く生産性の高い、設備の規模が比較的小さく、設備費が比較的低廉な半導体装置の製造方法、製造装置、及び、半導体装置を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】  この発明の実施の形態を示す半導体装置の製造方法のフロー図である。
【図２】  この発明の実施の形態を示す半導体装置の製造装置の概略図である。
【図３】  従来の半導体装置の製造方法のフロー図である。
【符号の説明】
１ａ、１ｂ  ウエハ、    ３ａ、３ｂ  チップ、    ５ａ、５ｂ  コレット、
７ａ、７ｂ  ダイボンド材、    １０  予備ステージ、  １１  積層チップ、    １２  ダイパッド、    １５  半導体装置、    １７  リードフレーム、
２０、２０ａ、２０ｂ  ダイボンダ。
【図１】
0004800524.tif 000002
【図２】
0004800524.tif 000003
【図３】
0004800524.tif 000004