(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
下記（１）〜（４）の特性を有する絶縁性フィルム層と１層以上の半硬化状態の接着剤層の積層体から構成されることを特徴とする半導体装置用接着剤付きテープ。
（１）膜厚が１０〜６５μｍ
（２）５０〜２００℃におけるフィルム幅方向（ＴＤ）の線膨張係数が１７〜３０ｐｐｍ／℃
（３）引張弾性率（ＴＤ）が６．５〜９．６ＧＰａ
（４）フィルム幅方向（ＴＤ）と長手方向（ＭＤ）の線膨張係数差が３〜１０ｐｐｍ／℃
【請求項２】
絶縁性フィルム層がポリイミド樹脂を主成分とすることを特徴とする請求項１記載の半導体装置用接着剤付きテープ。
【請求項３】
硬化後の該接着剤層のフィルム幅方向（ＴＤ）の１５０℃における弾性率が１ＭＰａ〜５ＧＰａであり、かつフィルム幅方向（ＴＤ）の２５〜１５０℃における線膨張係数が１０〜５００ｐｐｍ／℃の範囲にあることを特徴とする請求項１記載の半導体装置用接着剤付きテープ。
【請求項４】
接着剤層がエポキシ樹脂、フェノール樹脂、ポリイミド樹脂、マレイミド樹脂から選ばれる少なくとも１種の熱硬化性樹脂を含有することを特徴とする請求項１記載の半導体装置用接着剤付きテープ。
【請求項５】
請求項１〜４のいずれか記載の半導体装置用接着剤付きテープを用いた銅張り積層板。
【請求項６】
請求項５記載の銅張り積層板を用いた半導体接続用基板。
【請求項７】
請求項６記載の半導体接続用基板を用いた半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は半導体集積回路を実装する際に用いられる、テープオートメーテッドボンディング（ＴＡＢ）方式のパターン加工テープ、ボールグリッドアレイ（ＢＧＡ）パッケージ用インターポーザー等の半導体接続用基板、ダイボンディング材、リードフレーム固定テープ、ＬＯＣテープ、多層基板の層間接着シート、等のフィルム形状の接着剤を用いた半導体装置を作成するために適した接着剤付きテープおよびそれを用いた銅張り積層板、半導体接続用基板ならびに半導体装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
半導体集積回路（ＩＣ）の実装には、金属製のリードフレームを用いた方式がもっとも多く用いられているが、近年ではガラスエポキシやポリイミド等の有機絶縁性フィルム上にＩＣ接続用の導体パターンを形成した、接続用基板を介した方式が増加している。代表的なものとして、テープオートメーテッドボンディング（ＴＡＢ）方式によるテープキャリアパッケージ（ＴＣＰ）が挙げられる。
【０００３】
ＴＣＰの接続用基板（パターンテープ）にはＴＡＢ用接着剤付きテープ（以下ＴＡＢ用テープと称する）が使用されるのが一般的である。通常のＴＡＢ用テープは、ポリイミドフィルム等の可撓性を有する有機絶縁性フィルム上に、未硬化状態の接着剤層および保護フィルム層として離型性を有するポリエステルフィルム等を積層した３層構造より構成されている。
【０００４】
ＴＡＢ用テープは、（１）スプロケットおよびデバイス孔の穿孔、（２）銅箔との熱ラミネートおよび接着剤の加熱硬化、（３）パターン形成（レジスト塗布、エッチング、レジスト除去）、（４）スズまたは金−メッキ処理などの加工工程を経て、接続用基板であるＴＡＢテープ（パターンテープ）に加工される。図１にパターンテープの形状を示す。有機絶縁性フィルム１上に接着剤２、導体パターン５があり、フィルムを送るためのスプロケット孔３、デバイスを設置するデバイス孔４がある。図２にＴＣＰ型半導体装置の一態様の断面図を示す。パターンテープのインナーリード部６を、半導体集積回路８の金バンプ１０に熱圧着（インナーリードボンディング）し、半導体集積回路を搭載する。次いで、封止樹脂９による樹脂封止工程を経て半導体装置が作成される。最後に、ＴＣＰ型半導体装置は、他の部品を搭載した回路基板等とアウターリード７を介して接続され、電子機器への実装がなされる。
【０００５】
一方、近年の電子機器の小型・軽量化に伴い、半導体パッケージも高密度実装化を目的に、パッケージの裏面に接続端子を配列するＢＧＡ（ボールグリッドアレイ）、ＣＳＰ（チップスケールパッケージ）が用いられるようになってきた。ＢＧＡ、ＣＳＰではＴＣＰと同様に、インターポーザーと称する接続用基板が必須である。しかし、ＩＣの接続方法において、従来のＴＣＰでは大半がＴＡＢ方式のギャングボンディングであるのに対し、ＢＧＡ、ＣＳＰではＴＡＢ方式およびワイヤーボンディング方式のいずれかを、個々のパッケージの仕様、用途、設計方針等により選択している点が異なっている。図３および図４に半導体装置（ＢＧＡ，ＣＳＰ）の一態様の断面図を示す。図中、１２、２０は有機絶縁性フィルム、１３、２１は接着剤、１４、２２は導体パターン、１５、２３は半導体集積回路、１６、２４は封止樹脂、１７、２５は金バンプ、１８、２６はハンダボール、１９は補強板、２７はソルダーレジストを示す。
【０００６】
ここでいうインターポーザーは、前述のＴＣＰのパターンテープと同様の機能を有するものなので、ＴＡＢ用接着剤付きテープを使用することができる。インナーリードを有する接続方式に有利であることは当然であるが、半田ボール用の孔やＩＣ用のデバイスホールを機械的に打ち抜いた後に銅箔をラミネートするプロセスに特に適している。一方、ワイヤーボンディングにより接続するため、インナーリードが不要であったり、銅箔ごと半田ボール用の孔やＩＣ用のデバイスホールを開けるプロセスでは、すでに銅箔を積層し、接着剤を加熱硬化させた銅張り積層板を用いてもよい。
【０００７】
上記のパッケージ形態において、ポリイミド等の絶縁性フィルムの厚みは、機械的強度を持たせるため７５μｍ以上が一般的であったが、最近は薄くなる傾向にある。これは、半田ボール孔径やビアホール孔径が微細化し、打ち抜きやメッキ等の工程でに支障を来すためである。たとえば、機械強度とのバランスから５０μｍが現実的とされる。
【０００８】
しかしながら、７５μｍより薄いフィルムでは剛性が低下し銅箔と貼り合わせた際に反りを生じやすくなるという問題がある。
【０００９】
これに対し、従来の接着剤付きテープでは接着剤にシロキサン構造を導入し、柔軟性を持たせることで反りを回避する方法が検討されている。（特開平１１−３４５８４３号公報）。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】
しかし、上述の反り特性において、従来の半導体装置用接着剤付きテープは必ずしも十分とはいえない。たとえば、接着剤の柔軟性により反りを低減する方法では、銅箔がある場合は十分な効果が得られない。言い換えると、回路パターンを形成した後の銅箔の残存率により反りが変動するという問題がある。
【００１１】
このことから、銅箔付き状態と回路パターンが形成された後の状態のいずれも反りの低減が望まれることがわかる。このような要求に対し、従来技術では銅箔付き状態と回路パターン形成後の状態の反り低減を同時に満たすことは不可能であった。
【００１２】
本発明はこのような問題点を解決し、銅箔付き状態と回路パターン形成後の状態の両方の反り低減を同時に満たし、優れた寸法安定性とワイヤ−ボンディング性を同時に達成し得る半導体装置用接着剤付きテープおよびそれを用いた銅張り積層板、半導体接続用基板ならびに半導体装置を提供することを目的とする。
【００１３】
【課題を解決するための手段】
すなわち、本発明は下記（１）〜（４）の特性を有する絶縁性フィルム層と１層以上の半硬化状態の接着剤層の積層体から構成されることを特徴とする半導体装置用接着剤付きテープである。
（１）膜厚が１０〜６５μｍ
（２）５０〜２００℃におけるフィルム幅方向（ＴＤ）の線膨張係数が１７〜３０ｐｐｍ／℃
（３）引張弾性率（ＴＤ）が６．５〜９．６ＧＰａ
（４）フィルム幅方向（ＴＤ）と長手方向（ＭＤ）の線膨張係数差が３〜１０ｐｐｍ／℃
【００１４】
【発明の実施の形態】
本発明者らは、上記の目的を達成するために半導体装置用接着剤付きテープの絶縁性フィルム物性と接着剤成分の物性との関係を鋭意検討した結果、これらの物性を最適化することにより、銅箔付き状態と回路パターン形成後の状態の反りがいずれも改善された半導体装置用接着剤付きテープが得られることを見い出し、本発明に至ったものである。
【００１５】
本発明の半導体装置用接着剤付きテープに用いられる絶縁性フィルム層とは、下記（１）〜（４）の特性を有することが必須であるが、それ以外は特に限定されない。
（１）膜厚が１０〜６５μｍ
（２）５０〜２００℃におけるフィルム幅方向（ＴＤ）の線膨張係数が１７〜３０ｐｐｍ／℃
（３）２５℃における引張弾性率（ＴＤ）が６．５〜９．６ＧＰａ
（４）フィルム幅方向（ＴＤ）と長手方向（ＭＤ）の線膨張係数差が３〜１０ｐｐｍ／℃
【００１６】
本発明に用いられる絶縁性フィルムは、たとえば、ポリイミド、ポリエステル、ポリフェニレンスルフィド、ポリエーテルスルホン、ポリエーテルエーテルケトン、アラミド、ポリカーボネート、ポリアリレート、液晶ポリマー等のプラスチックあるいはエポキシ樹脂含浸ガラスクロス等の複合材料からなるフィルムが例示され、これらから選ばれる複数のフィルムを積層して用いても良い。中でもポリイミド樹脂を主成分とするフィルムは機械、電気、耐熱、化学等の諸特性に優れ、コスト的にもバランスがよく、好適である。絶縁性フィルムは必要に応じて、加水分解、コロナ放電、低温プラズマ、物理的粗面化、易接着コーティング処理等の表面処理をその片面または両面に施すことができる。
【００１７】
絶縁性フィルムの膜厚は好ましくは１０〜６５μｍ、より好ましくは２５〜５５μｍである。１０μｍより薄いと機械強度が低く、パターン加工以降の工程で作業性が低下するので好ましくない。６５μｍより厚いと半田ボール、ビアホールの微細化が困難であり、好ましくない。
【００１８】
フィルムの幅方向（ＴＤ）の５０〜２００℃における線膨張係数は、好ましくは１７〜３０ｐｐｍ／℃、より好ましくは１９〜２５ｐｐｍ／℃である。１７ｐｐｍ／℃より低い場合および３０ｐｐｍ／℃より大きい場合はいずれも銅箔付き状態での反りが大きく好ましくない。
【００１９】
本発明における引張弾性率は、ＡＳＴＭ−Ｄ８８２で定義される２５℃における値であり、好ましくは６〜１２ＧＰａ、より好ましくは７〜１０ＧＰａである。６ＧＰａより低いと機械強度が低く、パターン加工以降の工程で作業性が低下するので好ましくない。１２ＧＰａより高いと反発力が高く、可撓性が低下するので好ましくない。
【００２０】
本発明の絶縁性フィルム層のフィルム長さ方向（ＭＤ）と幅方向（ＴＤ）の線膨張係数については、その線膨張係数差は好ましくは３〜１０ｐｐｍ／℃、より好ましくは５〜７ｐｐｍ／℃である。３ｐｐｍ／℃より小さい場合および１０ｐｐｍ／℃より大きい場合はいずれも銅箔付き状態での反りが大きく好ましくない。また、連続ラミネートの際にＭＤ方向の張力による伸びとＴＤ方向の熱による伸びとのバランスがよいことから、ＭＤがＴＤより小さいほうが好ましい。ここでいう線膨張係数とは、ＴＭＡ引っ張り荷重法により測定したもので、自由収縮を許す状態で３００℃で３０分間加熱した試験片をＴＭＡ装置に取り付け、荷重２ｇ、昇温速度２０℃／ｍｉｎの条件で５０℃〜２００℃における試験片の寸法変化を読みとり、次式により算出したものである。
線膨張係数（１／℃）＝（Ｌ1−Ｌ0）／Ｌ0（２００−５０）
Ｌ0：５０℃における試験片の長さ（ｍｍ）
Ｌ1：２００℃における試験片の長さ（ｍｍ）。
【００２１】
絶縁性フィルム層のフィルム幅方向（ＴＤ）の２００℃における熱収縮率は、好ましくは０．０〜０．２％、より好ましくは０．０〜０．１％である。熱収縮率は線膨張係数と同様に銅箔付き状態での反りに影響し、０．０％より低い場合および０．２％より大きい場合はいずれも銅箔付き状態での反りが大きく好ましくない。ここでいう熱収縮率とは、ＡＳＴＭ  Ｄ１２０４に準拠した方法で、次式により算出したものである。
熱収縮率（％）＝（Ｌ1−Ｌ2）×１００／Ｌ1
Ｌ1：加熱前の標点間の長さ（ｍｍ）
Ｌ2：加熱後の標点間の長さ（ｍｍ）。
【００２２】
絶縁性フィルム層のフィルム幅方向（ＴＤ）の湿度膨張係数は、好ましくは５〜２３ｐｐｍ／℃、より好ましくは８〜２０ｐｐｍ／℃である。湿度膨張係数は線膨張係数と同様に銅箔付き状態での反りに影響し、５ｐｐｍ／℃より低い場合および２３ｐｐｍ／℃より大きい場合はいずれも銅箔付き状態での反りが大きく好ましくない。ここでいう湿度膨張係数とは、荷重５ｇ、温度２３℃で５〜６０％ＲＨにおける試験片の寸法変化を読みとり、次式により算出したものである。
湿度膨張係数（１／％ＲＨ）＝（Ｌ1−Ｌ0）／Ｌ0（６０−５）
Ｌ0：５％ＲＨにおける試験片の長さ（ｍｍ）
Ｌ1：６０％ＲＨにおける試験片の長さ（ｍｍ）。
【００２３】
接着剤層は通常半硬化状態で供され、銅箔ラミネート後に加熱、加圧、電場、磁場、紫外線、放射線、超音波等から選ばれる少なくとも１種以上のエネルギー印加により硬化、架橋されれば化学構造は特に限定されない。特に、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、ポリイミド樹脂、マレイミド樹脂から選ばれる少なくとも１種の熱硬化性樹脂を含有することが好ましい。熱硬化性樹脂の添加量は接着剤層の好ましくは２〜２０重量％、さらに好ましくは４〜１５重量％である。なお硬化前の接着剤厚みは３〜５０μｍの範囲にあることが好ましい。
【００２４】
エポキシ樹脂は１分子内に２個以上のエポキシ基を有するものであれば特に制限されないが、ビスフェノールＦ、ビスフェノールＡ、ビスフェノールＳ、ジヒドロキシナフタレン、ジシクロペンタジエンジフェノール、ジシクロペンタジエンジキシレノール等のジグリシジルエーテル、エポキシ化フェノールノボラック、エポキシ化クレゾールノボラック、エポキシ化トリスフェニロールメタン、エポキシ化テトラフェニロールエタン、エポキシ化メタキシレンジアミン、脂環式エポキシ等が挙げられる。
【００２５】
フェノール樹脂としては、ノボラック型フェノール樹脂、レゾール型フェノール樹脂等の公知のフェノール樹脂がいずれも使用できる。たとえば、フェノール、クレゾール、ｐ−ｔ−ブチルフェノール、ノニルフェノール、ｐ−フェニルフェノール等のアルキル置換フェノール、テルペン、ジシクロペンタジエン等の環状アルキル変性フェノール、ニトロ基、ハロゲン基、シアノ基、アミノ基等のヘテロ原子を含む官能基を有するもの、ナフタレン、アントラセン等の骨格を有するもの、ビスフェノールＦ、ビスフェノールＡ、ビスフェノールＳ、レゾルシノール、ピロガロール等の多官能性フェノールからなる樹脂が挙げられる。
【００２６】
ポリイミド樹脂としては、ピロメリット酸、３．３’，４．４’−ビフェニルテトラカルボン酸、３．３’，４．４’−ベンゾフェノンテトラカルボン酸などの芳香族テトラカルボン酸の二無水物と、４．４’−ジアミノジフェニルエ−テル、４．４’−ジアミノジフェニルスルホン、パラフェニレンジアミン、ジメチルベンジジン、３．３’−ジアミノベンゾフェノンなどのジアミンの縮重合によって得られるポリアミック酸をイミド化したものが挙げられる。
【００２７】
マレイミド樹脂としては、２官能以上のものが好ましく、例えば、Ｎ，Ｎ’−（４，４’ジフェニルメタン）ビスマレイミド、Ｎ，Ｎ’−ｐ−フェニレンビスマレイミド、Ｎ，Ｎ’−ｍ−フェニレンビスマレイミド、Ｎ，Ｎ’−２，４−トリレンビスマレイミド、Ｎ，Ｎ’−２，６−トリレンビスマレイミド、Ｎ，Ｎ’−エチレンビスマレイミド、Ｎ，Ｎ’−ヘキサメチレンビスマレイミド等が例示される。
【００２８】
本発明の接着剤層に熱硬化樹脂の硬化剤および硬化促進剤を添加することは何等制限されない。たとえば、芳香族ポリアミン、三フッ化ホウ素トリエチルアミン錯体等の三フッ化ホウ素のアミン錯体、２−アルキル−４−メチルイミダゾール、２−フェニル−４−アルキルイミダゾール等のイミダゾール誘導体、無水フタル酸、無水トリメリット酸等の有機酸、ジシアンジアミド、トリフェニルフォスフィン、ジアザビシクロウンデセン等公知のものが使用できる。添加量は接着剤層１００重量部に対して０．１〜１０重量部であると好ましい。
【００２９】
以上の成分以外に、接着剤の特性を損なわない範囲で酸化防止剤、イオン捕捉剤などの有機、無機成分を添加することは何ら制限されるものではない。
【００３０】
本発明の接着剤層は、熱可塑性樹脂を含有させることができる。熱可塑性樹脂は軟化温度を制御するのに有効であり、接着力、可撓性、熱応力の緩和、低吸水性による絶縁性の向上等の機能を有する。熱可塑性樹脂の添加量は接着剤層の、好ましくは３０〜６０重量％、さらに好ましくは３５〜５５重量％である。
【００３１】
熱可塑性樹脂としては、アクリロニトリル−ブタジエン共重合体（ＮＢＲ）、アクリロニトリル−ブタジエンゴム−スチレン樹脂（ＡＢＳ）、スチレン−ブタジエン−エチレン樹脂（ＳＥＢＳ）、アクリル、ポリビニルブチラール、ポリアミド、ポリエステルアミド、ポリエステル、ポリイミド、ポリアミドイミド、ポリウレタン等公知のものが例示される。また、これらの熱可塑性樹脂は前述のフェノール樹脂、エポキシ樹脂等の熱硬化性樹脂との反応が可能な官能基を有していてもよい。具体的には、アミノ基、カルボキシル基、エポキシ基、水酸基、メチロール基、イソシアネート基、ビニル基、シラノール基等である。これらの官能基により熱硬化性樹脂との結合が強固になり、耐熱性が向上するので好ましい。中でも、銅箔との接着性、可撓性、絶縁性の点からポリアミド樹脂が好ましく、種々のものが使用できる。特に、接着剤層に可撓性を持たせ、かつ低吸水率のため絶縁性にすぐれる、炭素数が３６であるジカルボン酸（いわゆるダイマー酸）を必須成分として含むポリアミド樹脂が好適である。さらにポリアミド樹脂でありかつアミン価が１以上３未満のポリアミド樹脂が好ましく用いられる。ダイマー酸を含むポリアミド樹脂は、常法によるダイマー酸とジアミンの重縮合により得られるが、この際にダイマー酸以外のアジピン酸、アゼライン酸、セバシン酸等のジカルボン酸を共重合成分として含有してもよい。ジアミンはエチレンジアミン、ヘキサメチレンジアミン、ピペラジン等の公知のものが使用でき、吸湿性、溶解性の点から２種以上の混合でもよい。
【００３２】
硬化後の該接着剤層のフィルム幅方向（ＴＤ）の１５０℃における弾性率は、好ましくは１ＭＰａ〜５ＧＰａ、より好ましくは２ＭＰａ〜１ＧＰａであり、かつフィルム幅方向（ＴＤ）の２５〜１５０℃における線膨張係数が好ましくは１０〜５００ｐｐｍ／℃、より好ましくは２０〜３００ｐｐｍ／℃の範囲にあると好適である。ここでいう弾性率とは、硬化後の接着剤単膜を動的粘弾性法により、１１０Ｈｚ、３℃／ｍｉｎの条件で測定し求めたＥ’（貯蔵弾性率）のことである。弾性率が１ＭＰａより低いとリフロー時の耐熱性が低下するので好ましくない。弾性率が５ＧＰａより高いと可とう性不足となると同時に、回路パターン形成後の反りが大きくなるので好ましくない。
【００３３】
なお、高温における弾性率が高いことはワイヤーボンディング用途の半導体接続用基板においてはより重要である。具体的には一般的なワイヤーボンデイング温度である１１０〜２００℃がこの範囲に相当する。代表値として１５０℃での弾性率（動的粘弾性法により求めたＥ’）を指標とすると、上記の範囲が好適である。
【００３４】
また、硬化後の該接着剤層のフィルム幅方向（ＴＤ）の２５℃における弾性率は１０ＭＰａ〜５ＧＰａであることが好ましく、より好ましくは１００ＭＰａ〜３ＧＰａの範囲にあると好適である。弾性率が１０ＭＰａより低いと打ち抜き不良が発生し穿孔性が低下するので好ましくない。弾性率が５ＧＰａより大きいと銅箔との接着力が低下するので好ましくない。
【００３５】
さらに、フィルム幅方向（ＴＤ）の２５〜１５０℃における線膨張係数は好ましくは１０〜５００ｐｐｍ／℃、より好ましくは２０〜３００ｐｐｍ／℃の範囲にあると好適である。線膨張係数が１０ｐｐｍ／℃より小さい、あるいは５００ｐｐｍ／℃より大きいと反りが大きくなり好適でない。
【００３６】
本発明の半導体装置用接着剤付きテープは、保護フィルム層を有していてもよい。保護フィルム層とは、銅箔を熱ラミネートする前に接着剤面から半導体装置用接着剤付きテープの形態を損なうことなく剥離できれば特に限定されないが、たとえばシリコーンあるいはフッ素化合物のコーティング処理を施したポリエステルフィルム、ポリオレフィンフィルム、およびこれらをラミネートした紙が挙げられる。
【００３７】
次に本発明の接着剤付きテープを用いた銅張り積層板、半導体接続用基板および半導体装置の製造方法を例示して説明する。
【００３８】
（１）接着剤付きテープの製造方法例
本発明の要件を具備するポリイミド等の絶縁性フィルムに接着剤組成物溶液をコーティング法により塗工、乾燥した後所定の幅にスリットし、接着剤付きテープを得る。
【００３９】
また、離型性を付与したポリエステルフィルム等の保護フィルム上に接着剤組成物溶液をコーティング法により塗工、乾燥した後、２９．７〜６０．６ｍｍの規格幅にスリットした接着剤付きテープを、幅３５〜７０ｍｍの規格幅の絶縁性フィルムの中央部に１００〜１６０℃、１０Ｎ／ｃｍ、５ｍ／ｍｉｎの条件で熱ロールラミネートする方法でＴＡＢ用接着剤付きテープ形状として用いても良い。
【００４０】
（２）銅張り積層板の製造方法例
（１）の接着剤付きテープサンプルに３〜３５μｍの電解または圧延銅箔を、１１０〜１８０℃、３０Ｎ／ｃｍ、１ｍ／ｍｉｎの条件でラミネートする。必要に応じてエアオーブン中で、８０〜３００℃、１〜２４時間段階的加熱硬化処理を行ない、銅張り積層板を作成する。 この際に、銅箔張り合わせ前に接着剤付きテープサンプルにデバイス孔およびハンダボール孔を穿孔しても良い。
【００４１】
（３）半導体接続用基板の製造方法例
（２）で得られた銅張り積層板銅箔の銅箔面に常法によりフォトレジスト膜形成、エッチング、レジスト剥離、電解金メッキ、ソルダーレジスト膜形成を行ない、半導体接続用基板（パターン加工テープ）を作成する（図１）。
【００４２】
（４）半導体装置の製造方法例
まず、（３）のパターン加工テープ上にエポキシ系のダイボンド材を用いて半導体集積回路（ＩＣ）を接着する。さらに、１１０〜２５０℃、３秒で反対面にダイボンディングし、必要に応じてダイボンド材を硬化させる。次に、１１０〜２００℃、６０〜１１０ｋＨｚの条件でワイヤーボンディング接続する。最後にエポキシ系封止樹脂による封止、ハンダボール接続工程を経てＦＰ−ＢＧＡ方式の半導体装置を得る（図２）。また、ダイボンド材として本発明の要件を具備するポリイミド等の絶縁性フィルムの両面に１０〜１００μｍの接着剤層を有する接着剤付きテープを用いても良い。この場合、パターン加工テープ上への圧着およびＩＣの圧着は、８０〜２００℃、０．５〜５秒程度が好ましい。また、圧着後必要に応じて８０〜３００℃、１〜２４時間段階的加熱硬化処理を行ない、接着剤を硬化させる。
【００４３】
【実施例】
以下に実施例を挙げて本発明を説明するが、本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。  参考例１（ポリアミド樹脂の合成）
酸成分としてダイマー酸（ユニケマ社製、「ＰＲＩＰＯＬ１００９」）およびアジピン酸、アミン成分としてヘキサメチレンジアミンを用い、これらの酸／アミン反応物、消泡剤および１％以下のリン酸触媒を加えポリアミド反応体を調整した。この反応体を２０５℃で熱重合させ、定法に従い、酸化防止剤を添加した後、ポリアミド樹脂を取り出した。酸／アミン成分比、重合時間を適宜調整し、以下の３種のポリアミド樹脂を得た。
【００４４】
ポリアミド樹脂Ａ：酸価  １（重量平均分子量１００，０００）、ポリアミド樹脂Ｂ：酸価２０  （重量平均分子量１０，０００）、ポリアミド樹脂Ｃ：酸価１０（重量平均分子量２０，０００）。
【００４５】
参考例２（ベ−スフィルムの合成）
Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミドを溶媒として、３，３’，４．４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物とｐ−フェニレンジアミンを等モル比ずつ加え、約１０時間反応させポリアミック酸溶液を得た。この溶液をガラス板上に流延塗布して塗膜を形成した後、その表面に１３０℃の熱風を６０分間供給して乾燥、剥離して自己保持性を有するフィルムを作成した。
【００４６】
このフィルムを支持枠に固定し、２００℃〜４５０℃の熱処理を行い、表１に示す特性のポリイミドフィルムＡ〜Ｉを得た。
【００４７】
実施例１
（１）接着剤付きテ−プの作成
参考例１で作成したポリアミド樹脂Ａ  ３０部、ポリアミド樹脂Ｂ  １０部、ジ−ｔ−Ｂｕ，ジグリシジルエ−テルベンゼンエポキシ樹脂（東都化成（株）製、「エポト−トＹＤＣ−１３１２」、エポキシ当量１７５）５部、ジシクロペンタジエンエポキシ樹脂（東都化成（株）製、「エポトートＺＸ−１２５７」、エポキシ等量２５７）１５部、ｔ−ブチルフェノールレゾール樹脂（四国化成（株）製、「ＣＫＭ１６３４」）４０部、２−ウンデシルイミダゾール０．３部を配合し、濃度２０重量％となるようにメタノール／モノクロルベンゼン混合溶媒に３０℃で撹拌、混合して接着剤溶液を作成した。
【００４８】
この接着剤溶液をバーコータで、保護フィルムである厚さ２５μｍのポリエチレンテレフタレートフィルム（東レ（株）製”ルミラー”）に約１２μｍ乾燥厚さとなるように塗布し、１００℃、１分および１６０℃で５分間の乾燥を行ない、接着剤シートを作成した。
【００４９】
さらに、得られた接着剤シートを参考例２で作成したポリイミドフィルムＡに１２０℃、１ｋｇ／ｃｍ2の条件でラミネートして接着剤付きテープを作成した。得られた接着剤付きテ−プの特性を表１に示した。
【００５０】
（２）評価用半導体接続用基板（パタ−ン加工テ−プ）の作成
（１）で作成した接着剤付きテ−プに１８μｍの電解銅箔（三井金属（株）製ＦＱ−ＶＬＰ箔）を１４０℃、１０Ｎ／ｃｍ、１ｍ／ｍｉｎの条件でラミネート、続いてエアオーブン中で、８０℃、４時間、１００℃、５時間、１６０℃、４時間の順次加熱硬化処理を行ない、銅箔付き接着剤テ−プを得た。
【００５１】
さらに、常法によりフォトレジスト膜形成、エッチング、レジスト剥離、電解金メッキ、ソルダーレジスト膜形成を行ない、ニッケルメッキ厚３μｍ、金メッキ厚１μｍの半導体接続用接続用基板（パターン加工テープ）を作成した（図１）。得られたパタ−ン加工テ−プの特性を表１に示した。
【００５２】
（３）半導体装置の作成
（２）で作成したパターン加工テープ上にエポキシ系ダイボンド材（リンテック（株）製、「ＬＥ−５０００」）を用いて２０ｍｍ角のＩＣを圧着し、この状態で１６０℃、３０分の加熱硬化を行った。次いで、ＩＣと配線基板を１５０℃、１１０ｋＨｚの条件で、２５μｍ直径の金ワイヤーでワイヤーボンディング接続した後、樹脂封止する。最後にハンダボールをリフローにて搭載し、評価用の半導体装置を得た。得られた半導体装置の特性を表１に示した。
【００５３】
（４）銅箔付き反り用サンプル作成と反り評価方法
（１）で作成した接着剤付きテープに１８μｍの電解銅箔を、１４０℃、３０Ｎ／ｃｍ、１ｍ／ｍｉｎの条件でラミネートした。続いてサンプルを幅３５ｍｍ×２００ｍｍにカットし、エアオーブン中で、８０℃、４時間、１００℃、５時間、１６０℃、４時間の順次加熱硬化処理を行ない、反り評価用サンプルを得た。反りの測定は、ＳＥＭＩ−Ｇ７６−０２９９に準じて２３℃、５５％ＲＨで２４時間調湿した後行い、サンプルの一辺を押さえて反り上がったサンプルの反対側の高さをノギスで測定し、反り量とした（銅箔が上側に反る場合をプラスとした）。
【００５４】
（５）回路パターンが形成された状態での反り評価方法
（４）で作成した反り評価用サンプルの銅箔面に常法によりフォトレジスト膜形成、エッチング、レジスト剥離、電解金メッキを行ない、評価用サンプルとした。接着剤の面積を１００としたときの導体部分の面積（残存率）は３０であった。そりの測定は（４）と同様に行った。
【００５５】
（６）寸法変化率の評価方法
（１）で作成した接着剤付きテープにスプロケットホール、デバイスホール等を穿孔した。このテ−プ上に任意の２点Ａ、Ｂを取り、ＡＢ間の距離（Ｌ0）を測長した。続いて（２）の手法でパタ−ン加工テ−プを作成し、ＡＢ間の距離（Ｌ）を測長した。寸法変化率は以下の式で求めた。寸法変化率＝｛（Ｌ0−Ｌ）／Ｌ0｝×１００。
【００５６】
（７）ワイヤーボンデイング性（ＷＢ性）評価方法（プル強度）
（３）で作成した評価用半導体装置の金ワイヤーをテンションゲージで引っ張り、その際の強度を測定した
実施例２〜８
実施例１に示した方法で作成した接着剤シートおよび、それぞれ表１に示したベースフィルム（Ｂ〜Ｈ）を用いて、実施例１と同様の方法で接着剤付きテープ、パターン加工テープ、半導体装置を作成した。得られた特性を表１に示した。
【００５７】
実施例９
参考例１で作成したポリアミド樹脂Ｃ  ４５部、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂（油化シェルエポキシ（株）製、「エピコート８２８」）０．５部、ｔ−ブチルフェノールレゾール樹脂（昭和高分子（株）製、「ＣＫＭ１６３４Ｇ」）１５部、ビスフェノールＡ型レゾール樹脂（群栄化学（株）製、「ＰＬ−４４１４」）１５部、クレゾールノボラックフェノール樹脂（明和化成（株）製、「Ｈ−１」）１５部を配合し、濃度２０重量％となるようにメタノール／モノクロルベンゼン混合溶媒に３０℃で撹拌、混合して接着剤溶液を作成した。この接着剤溶液から実施例１と同様の方法を用いて接着剤シートを作成した。さらに実施例１で示したベースフィルムを用いて、実施例１と同様の方法で接着剤付きテープ、パターン加工テープ、半導体装置を作成した。得られた特性を表１に示した。
【００５８】
実施例１０
参考例１で作成したポリアミド樹脂Ａ  ４５部、フェノールノボラック型エポキシ樹脂（ペトロケミカルズ（株）製、「ＥＰ１５２」）１０部、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂（油化シェルエポキシ（株）製、「エピコート８２８」）１０部、フェノール樹脂Ｉ（群栄化学（株）製、「ＰＳ２７８０」）２５部、フェノール樹脂II（群栄化学（株）製、「ＰＳＭ４３２６」）１０部を配合し、濃度２０重量％となるようにメタノール／モノクロルベンゼン混合溶媒に３０℃で撹拌、混合して接着剤溶液を作成した。この接着剤溶液から実施例１と同様の方法を用いて接着剤シートを作成した。さらに実施例１で示したベースフィルムを用いて、実施例１と同様の方法で接着剤付きテープ、パターン加工テープ、半導体装置を作成した。得られた特性を表１に示した。
【００５９】
実施例１１
Ｎ，Ｎジメチルアセトアミド中に、（３−アミノプロピル）テトラメチルジシロキサン９０部、パラフェニレンジアミン１０部、３．３’，４．４’−ベンゾフェノンテトラカルボン酸無水物１００部を溶解し、ポリアミック酸溶液を得た。この溶液を、実施例１で示したベースフィルム上にバーコ−タで乾燥後の厚みが３μｍになるように塗工し、８０〜１５０℃で乾燥、２５０℃で３０分間の加熱処理を行い、接着剤付きテープを得た。
【００６０】
さらに、この接着剤付きテープに１８μｍの電解銅箔（三井金属（株）製ＦＱ−ＶＬＰ箔）を２３０℃、１０Ｎ／ｃｍ、１ｍ／ｍｉｎの条件でラミネート、続いて不活性ガス雰囲気のオーブン中で、１００℃、４時間、１６０℃、４時間、２７０℃、２時間の順次加熱硬化処理を行ない、銅箔付き接着剤テープを得た。続いて、常法によりフォトレジスト膜形成、エッチング、レジスト剥離、電解金メッキ、ソルダーレジスト膜形成を行ない、ニッケルメッキ厚３μｍ、金メッキ厚１μｍの半導体接続用接続用基板（パターン加工テープ）を作成した（図１）。得られたパターン加工テ−プの特性を表１に示した。
【００６１】
また作成したパターン加工テープを用いて実施例１と同様に評価用の半導体装置を得た。得られた半導体装置の特性を表１に示した。
【００６２】
実施例１２
参考例１で作成したポリアミド樹脂Ａ  ３５部、クレゾール型レゾール樹脂（住友デュレズ（株）製、「ＰＲ９１２」）６５部を配合し、濃度２０重量％となるようにメタノール／モノクロルベンゼン混合溶媒に３０℃で撹拌、混合して接着剤溶液を作成した。この接着剤溶液から実施例１と同様の方法を用いて接着剤シ−トを作成した。さらに実施例１で示したベースフィルムを用いて、実施例１と同様の方法で接着剤付きテープ、パターン加工テープ、半導体装置を作成した。得られた特性を表１に示した。
【００６３】
実施例１３
参考例１で作成したポリアミド樹脂Ｃ  ４０部、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂（油化シェルエポキシ（株）製、「エピコート８２８」）１０部、３官能ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂（三井化学（株）製、「ＶＧ３１０１」）１０部、ｔ−ブチルフェノールレゾール樹脂（日立化成（株）製、「ヒタノ−ル２４４２」）２７部、Ｎ，Ｎ’−（４，４’ジフェニルメタン）ビスマレイミド１５部を配合し、濃度２０重量％となるようにメタノール／モノクロルベンゼン混合溶媒に３０℃で撹拌、混合して接着剤溶液を作成した。この接着剤溶液から実施例１と同様の方法を用いて接着剤シートを作成した。さらに実施例１で示したベ−スフィルムを用いて、実施例１と同様の方法で接着剤付きテープ、パターン加工テープ、半導体装置を作成した。得られた特性を表１に示した。
【００６４】
実施例１４
市販のポリイミドフィルム（宇部興産（株）製、「ユ−ピレックス７５Ｓ」）をグラインダ−で平均厚み６０μｍになるように研磨した。これを用いて実施例１と同一の方法で接着剤付きテ−プ、パタ−ン加工テ−プ、半導体装置を作成した。得られた特性を表１に示した。
【００６５】
比較例１
実施例１で作成した接着剤シートおよび、市販のポリイミドフィルム（宇部興産（株）製、「ユーピレックス５０Ｓ」）を用い、実施例１と同一の手法で、接着剤付きテープ、パターン加工テープ、半導体装置を作成した。得られた特性を表２に示した。
【００６６】
比較例２
実施例１で作成した接着剤シートおよび、市販のポリイミドフィルム（東レ・デュポン（株）製、「カプトン２００Ｖ」）を用い、実施例１と同一の手法で、接着剤付きテープ、パターン加工テープ、半導体装置を作成した。得られた特性を表２に示した。
【００６７】
比較例３
実施例１で作成した接着剤シートおよび、参考例１で作成したべースフィルムＩを用いて、実施例１と同一の手法で接着剤付きテープ、パターン加工テープ、半導体装置を作成した。得られた特性を表２に示した。
【００６８】
比較例４
実施例９で作成した接着剤シートおよび、ポリイミドフィルム（宇部興産（株）製、「ユーピレックス５０Ｓ」）を用い、実施例１と同一の手法で、接着剤付きテープ、パターン加工テープ、半導体装置を作成した。得られた特性を表２に示した。
【００６９】
比較例５
実施例１３で作成した接着剤シートおよび、ポリイミドフィルム（宇部興産（株）製、「ユ−ピレックス５０Ｓ」）を用い、実施例１と同一の手法で、接着剤付きテープ、パターン加工テープ、半導体装置を作成した。得られた特性を表２に示した。
【００７０】
表１の実施例および表２の比較例の結果から、本発明により得られる半導体用接着剤付きテ−プは、銅箔付き、回路パタ−ン形成後、いずれの場合においても反りが低減され、なおかつ低い寸法安定性と半導体装置形成後のプル強度も高く保つことができる優れたテ−プであった。
【００７１】
【表１】
0004665298.tif 000002
【００７２】
【表２】
0004665298.tif 000003
【００７３】
【発明の効果】
本発明によれば、銅箔付き、回路パタ−ン形成後、いずれの場合においても反りを低減することができる半導体用接着剤付きテ−プおよび、それを用いた銅張り積層板、ならびに半導体装置を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の半導体装置用接着剤付きテープを加工して得られた、半導体集積回路搭載前の半導体接続用基板（パターン加工テープ）の一態様の斜視図。
【図２】本発明の半導体装置用接着剤付きテープを用いた半導体装置（ＴＣＰ）の一態様の断面図。
【図３】本発明の半導体装置用接着剤付きテープを用いた半導体装置（ＢＧＡ）の一態様の断面図。
【図４】本発明の半導体装置用接着剤付きテープを用いた半導体装置（ＣＳＰ）の一態様の断面図。
【符号の説明】
１，１２，２０  絶縁性フィルム
２，１３，２１  接着剤
３  スプロケット孔
４  デバイス孔
５，１４，２２  半導体集積回路接続用の導体
６  インナーリード部
７  アウターリード部
８，１５，２３  半導体集積回路
９、１６，２４  封止樹脂
１０，１７，２５  金バンプ
１１  保護膜
１８、２６  ハンダボール
１９  補強板
２７  ソルダーレジスト
【図１】
0004665298.tif 000004
【図２】
0004665298.tif 000005
【図３】
0004665298.tif 000006
【図４】
0004665298.tif 000007