(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁基板、配線層及び誘電体膜からなる高周波用配線基板において、該誘電体膜が下記式（ＩＶ）：
【化１】
0004776761.tif 000033
｛ただし、ｎは重合度を表し、２〜５０００であり、ｍは１であり、Ｒ１は、下記式（Ｖ）：
【化２】
0004776761.tif 000034
（ただし、ｐは１であり、Ｒ２は、下記：
【化３】
0004776761.tif 000035
からなる群より選択される２価の有機基を表わす。）で表わされる基である。｝
で示される含フッ素アリールエーテルケトン重合体を含むことを特徴とする高周波用配線基板。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、高周波用配線基板に関するものである。より詳しくは、本発明は、ストリップ線路、マイクロストリップ線路、トリプレート線路、コプレーナ線路、誘電体導波管線路などから構成された配線層を有する高周波用配線基板に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
マイクロ波、ミリ波等の高周波で用いられている高周波回路の基板においては比誘電率が低く誘電損失が小さい材料を使用する必要がある。したがって、従来の材料としては、主として比誘電率が約１０のアルミナ磁器が採用されていた（特開昭６２−１０３，９０４号公報）。また、比誘電率が低い材料としてはコージェライトやマグネシウム（Ｍｇ）、アルミニウム（Ａｌ）及びケイ素（Ｓｉ）からなる複合酸化膜が知られており、これらの材料の比誘電率は４〜６である（特開昭６１−２３４，１２８号公報及び特開平１１−４９，５６３号公報）。
【０００３】
しかしながら、上記材料は、比誘電率が４〜６と比較的高いために、近年における高周波帯の誘電体共振器の普及に伴い、例えば、高インピーダンスのマイクロストリップ線路を形成しようとすると、ライン幅が小さくなりすぎて断線したり、クロストークが発生するという問題があった。
【０００４】
また、これらの磁器基板を作製する際には、高温で処理する必要があり、耐熱性の無い素子を組み込むことができないという問題があった。
【０００５】
また、これらの磁器基板におけるマイクロストリップ線路のインピーダンスは、基板の厚さが一定であれば、その比誘電率及びマイクロストリップ線路の幅にそれぞれ反比例するので、ライン幅を小さくする代わりに比誘電率の低い基板材料を使用することによってインピーダンスを高めることができる。このために、比誘電率がより低い材料が求められてきた。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
したがって、本発明の目的は、絶縁基板上に、必要に応じて絶縁基板材料からなる基板上に形成される接地電極上に低比誘電率の誘電体膜を製膜することにより、高周波電送特性を向上できる高周波用配線基板を提供することである。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
本発明者らは、上記諸目的を達成するために様々なポリマーについて鋭意検討した結果、本発明者らがこれまで研究を行ってきた含フッ素アリールエーテルケトン重合体の比誘電率が３．１〜３．８と従来絶縁層に使用されてきたポリイミド樹脂に比べて低く、さらに優れた耐熱性及び耐湿性ならびに低誘電損失を有することに着目し、このような含フッ素アリールエーテルケトン重合体を誘電体膜に用いることにより製造される高周波用配線基板では、断線やクロストークなどが有効に抑制でき、また高周波電送効率の向上をはかれることを発見した。
【０００８】
本発明者らはまた、さらに上記諸目的を達成するために様々なポリマーについて鋭意検討した結果、本願発明者らがこれまで研究を行ってきたポリシアノアリールエーテルもまた、比誘電率が３．１〜３．８と従来絶縁層に使用されてきたポリイミド樹脂に比べて低く、誘電損失も少ない上、優れた耐熱性及び耐湿性を有することに着目し、このような重合体を誘電体膜に用いることにより製造される高周波用配線基板では、断線やクロストークなどが有効に抑制でき、また高周波電送効率の向上をはかれることを発見した。
【０００９】
また、上記ポリマーが有機溶媒に可溶であり、成膜の際に有機溶媒の沸点程度の低温の熱処理で成膜できることを発見した。
【００１０】
上記知見に基づいて、本発明を完成するに至った。
【００１１】
すなわち、上記諸目的は、絶縁基板、配線層及び誘電体膜からなる高周波用配線基板において、該誘電体膜が下記式（ＩＶ）：
【００１２】
【化４】
0004776761.tif 000002
【００１３】
｛ただし、ｎは重合度を表し、２〜５０００であり、ｍは１であり、Ｒ１は、下記式（Ｖ）：
【００１４】
【化５】
0004776761.tif 000003
【００１５】
（ただし、ｐは１であり、Ｒ２は、下記：
【００１６】
【化６】
0004776761.tif 000004
【００１７】
からなる群より選択される２価の有機基を表わす。）で表わされる基である。｝
で示される含フッ素アリールエーテルケトン重合体を含むことを特徴とする高周波用配線基板によって達成される。
【００１８】
【発明の実施の形態】
本発明は、絶縁基板、配線層及び誘電体膜からなる高周波用配線基板において、該誘電体膜が下記式（ＩＶ）：
【００１９】
【化７】
0004776761.tif 000005
【００２０】
｛ただし、ｎは重合度を表し、２〜５０００であり、ｍは１であり、Ｒ１は、下記式（Ｖ）：
【００２１】
【化８】
0004776761.tif 000006
【００２２】
（ただし、ｐは１であり、Ｒ２は、下記：
【００２３】
【化９】
0004776761.tif 000007
【００２４】
からなる群より選択される２価の有機基を表わす。）で表わされる基である。｝
で示される含フッ素アリールエーテルケトン重合体（以下、単に「含フッ素アリールエーテルケトン重合体」ともいう）を含むことを特徴とする高周波用配線基板を提供するものである。
【００２５】
以下、本発明を詳細に説明する。
【００２６】
本発明において高周波用配線基板を構成する必須成分としての含フッ素アリールエーテルケトン重合体は、下記式（Ｉ）：
【００２７】
【化１０】
0004776761.tif 000008
【００２８】
で示される重合体である。
【００２９】
上記式（Ｉ）で示される含フッ素アリールエーテルケトン重合体の各繰り返し単位は、下記式：
【００３０】
【化１１】
0004776761.tif 000009
【００３１】
で示されるｐ−テトラフルオロベンゾイレン基（本明細書では、単に「ｐ−テトラフルオロベンゾイレン基」ともいう）及び下記式：
【００３２】
【化１２】
0004776761.tif 000010
【００３３】
で示されるオキシアルキレン基（本明細書では、単に「オキシアルキレン基」ともいう）がベンゼン環の任意の位置に（オルト位、メタ位またはパラ位に、特に好ましくはパラ位に）それぞれ結合し、ベンゼン環の任意の残位がＸで置換されるまたは置換されない構造を有するものである。
【００３４】
上記式（Ｉ）において、Ｘは、ハロゲン原子、例えば、フッ素原子、臭素原子、塩素原子及びヨウ素原子、好ましくはフッ素原子；低級アルキル基、例えば、メチル、エチル、プロピル、イソプロピル及びブチル等の炭素原子数１〜６、好ましくは炭素原子数１〜４の直鎖若しくは分岐鎖のアルキル基、好ましくはメチル及びエチル、ならびにトリフルオロメチル等のこれらのハロゲン化アルキル基；低級アルコキシル基、例えば、メトキシ、エトキシ、プロポキシ、イソプロポキシ及びブトキシ等の炭素原子数１〜６、好ましくは炭素原子数１〜４の直鎖若しくは分岐鎖のアルコキシル基、好ましくはメトキシ及びエトキシ、ならびにトリフルオロメトキシ等のこれらのハロゲン化アルコキシル基などを表わす。これらのうち、フッ素原子が特にＸとして好ましく使用される。上述したように、Ｘは、ｐ−テトラフルオロベンゾイレン基及びオキシアルキレン基が結合しない残位の水素原子の代わりに置換される基であるが、ベンゼン環へのＸの結合数、即ち、式（Ｉ）におけるｑの値は、０〜４の整数である。
【００３５】
また、上記式（Ｉ）において、ｍは０または１の整数であり、Ｒ1は、下記式（ＩＩ）：
【００３６】
【化１３】
0004776761.tif 000011
【００３７】
で表される基である。
【００３８】
上記式（ＩＩ）において、Ｘ’は、ハロゲン原子、例えば、フッ素原子、臭素原子、塩素原子及びヨウ素原子、好ましくはフッ素原子；低級アルキル基、例えば、メチル、エチル、プロピル、イソプロピル及びブチル等の炭素原子数１〜６、好ましくは炭素原子数１〜４の直鎖若しくは分岐鎖のアルキル基、好ましくはメチル及びエチル、ならびにトリフルオロメチル等のこれらのハロゲン化アルキル基；低級アルコキシル基、例えば、メトキシ、エトキシ、プロポキシ、イソプロポキシ及びブトキシ等の炭素原子数１〜６、好ましくは炭素原子数１〜４の直鎖若しくは分岐鎖のアルコキシル基、好ましくはメトキシ及びエトキシ、ならびにトリフルオロメトキシ等のこれらのハロゲン化アルコキシル基などを表わす。これらのうち、フッ素原子が特にＸ’として好ましく使用される。また、Ｘ’のベンゼン環への結合数、即ち、式（ＩＩ）におけるｑ’の値は、０〜４の整数である。
【００３９】
これらのうち、Ｒ1は、下記式（Ｖ）：
【００４０】
【化１４】
0004776761.tif 000012
【００４１】
で表される基であることが好ましい。
【００４２】
また、上記式（ＩＩ）及び（Ｖ）において、ｐは０または１の整数である。また、Ｒ2は、２価の有機基を表わすが、具体的には、メチレン（−ＣＨ2−）、エチレン（−ＣＨ2ＣＨ2−）、プロピレン（−ＣＨ2ＣＨ（ＣＨ3）−）、トリメチレン（−ＣＨ2ＣＨ2ＣＨ2−）、テトラメチレン（−ＣＨ2（ＣＨ2）2ＣＨ2−）、ペンタメチレン（−ＣＨ2（ＣＨ2）3ＣＨ2−）、ヘキサメチレン（−ＣＨ2（ＣＨ2）4ＣＨ2−）、プロペニレン（−ＣＨ2ＣＨ＝ＣＨ−）、ビニレン（−ＣＨ＝ＣＨ−）、１，２，３−プロパントリイル（−ＣＨ2ＣＨＣＨ2−）、２，２，３，３，４，４，５，５−オクタフルオロヘキサメチレン（−ＣＨ2（ＣＦ2）4ＣＨ2−）、及び２，２，３，３，４，４，５，５，６，６，７，７−ドデカフルオロオクタメチレン（−ＣＨ2（ＣＦ2）6ＣＨ2−）等の、炭素原子数が、通常、１〜１２、好ましくは１〜６の直鎖若しくは分岐鎖の、飽和若しくは不飽和アルキレン基；式：−ＣＨ2−ＣＨ2−Ｏ−ＣＨ2−ＣＨ2−で表わされる基；ならびにｏ−、ｍ−またはｐ−ベンゼンジメチレン、ｏ−、ｍ−またはｐ−ベンゼンテトラフルオロジメチレン、ｏ−、ｍ−またはｐ−フェニレン、２価のナフタレン、ビフェニル、アントラセン、ｏ−、ｍ−またはｐ−テルフェニル、フェナントレン、ジベンゾフラン、ビフェニルエーテル、ビフェニルスルホン、および下記５式：
【００４３】
【化１５】
0004776761.tif 000013
【００４４】
で表わされる芳香族基などの２価の芳香族基が挙げられる。なお、本発明による２価の有機基において、炭素原子に直接結合する水素がハロゲン原子、低級アルキル基または低級アルコキシル基で置換されていてもよい。これらのうち、２価の芳香族基がＲ2として好ましく、より好ましくは、下記７種：
【００４５】
【化１６】
0004776761.tif 000014
【００４６】
で示される芳香族基がＲ2として使用される。
【００４７】
さらに、上記式（Ｉ）において、ｎは、重合度を表わし、具体的には、２〜５０００、好ましくは５〜５００である。さらに、本発明において、含フッ素アリールエーテルケトン重合体は、同一の繰り返し単位からなるものであってもまたは異なる繰り返し単位からなるものであってもよく、後者の場合には、その繰り返し単位はブロック状であったもまたはランダム状であってもよい。
【００４８】
本発明において特に好ましく使用される含フッ素アリールエーテルケトン重合体は、下記式（ＩＶ）：
【００４９】
【化１７】
0004776761.tif 000015
【００５０】
で示されるものである。なお、上記式（ＩＶ）において、Ｒ1及びｍは、上記式（Ｉ)における定義と同様である。
【００５１】
なお、本発明による含フッ素アリールエーテルケトン重合体の製造方法については以下に詳述するが、この記載から、式（Ｉ）で示される含フッ素アリールエーテルケトン重合体の末端は、ｐ−テトラフルオロベンゾイレン基側がフッ素であり、オキシアルキレン基側が水素原子であると、即ち、式（Ｉ）で示される含フッ素アリールエーテルケトン重合体は、下記式（ＩＸ）：
【００５２】
【化１８】
0004776761.tif 000016
【００５３】
で示される重合体、好ましくは下記式（Ｘ）：
【００５４】
【化１９】
0004776761.tif 000017
【００５５】
で示される重合体であると考えられる。また、本発明で使用される式（Ｉ）の含フッ素アリールエーテルケトン重合体は架橋構造を有するものであってもよい。
【００５６】
以下、本発明において好ましく使用される上記式（ＩＶ）で示される含フッ素アリールエーテルケトン重合体について以下に詳述するが、上記式（Ｉ）で示される含フッ素アリールエーテルケトン重合体は、例えば、置換した化合物を代わりに出発原料として使用する、または下記合成方法において各工程間若しくは全工程終了後の生成物の相当するベンゼン環に所望の置換基を公知の方法を用いて導入するなどによって、当業者により同様にして調製できる。
【００５７】
上記式（ＩＶ）において、ｍが０の場合には、下記式（ＶＩ）：
【００５８】
【化２０】
0004776761.tif 000018
【００５９】
ただし、ｎは重合度を表す、
で示される含フッ素アリールエーテルケトン重合体となる。
【００６０】
また、上記式（ＩＶ）において、ｍが１でありかつｐが０である場合には、下記式（ＶＩＩ）：
【００６１】
【化２１】
0004776761.tif 000019
【００６２】
ただし、ｎは重合度を表す、
で示される含フッ素アリールエーテルケトン重合体となる。
【００６３】
さらに、上記式（ＩＶ）において、ｍが１でありかつｐが１である場合には、下記式（ＶＩＩＩ）：
【００６４】
【化２２】
0004776761.tif 000020
【００６５】
ただし、ｎは重合度を表し、およびＲ2は前記のとおりである、
で示される含フッ素アリールエーテルケトン重合体となる。なお、上記式（ＶＩＩＩ）では、ｎは、重合度を表わすが、好ましくは、２〜２０００、より好ましくは５〜２００である。
【００６６】
本発明による含フッ素アリールエーテルケトン重合体の製造方法は、特に制限されるものではなく、公知の方法、例えば、K. Kimura et al., Polymer Preprints, Vol. 39, No. 2, 1998に記載される方法が使用できる。
【００６７】
より詳細に述べると、本発明による含フッ素アリールエーテルケトン重合体が上記式（ＶＩ）または上記式（ＶＩＩ）で示される際の、含フッ素アリールエーテルケトン重合体の製造方法を以下に説明する。
【００６８】
まず、２，３，４，５，６−ペンタフルオロベンゾイルクロライドを、有機溶剤中でフリーデルクラフツ触媒の存在下で、例えば、メトキシベンゼンやエトキシベンゼン等のアルコキシベンゼンまたは４−メトキシジフェニルエーテルや４−エトキシジフェニルエーテル等の４−アルコキシジフェニルエーテルとフリーデルクラフツ反応させることにより、ｐ−（２，３，４，５，６−ペンタフルオロベンゾイル）アルコキシベンゼンまたは４−アルコキシ−４’−（２，３，４，５，６−ペンタフルオロベンゾイル）ジフェニルエーテルをそれぞれ得、この反応産物を脱アルキル化反応することよって、下記式：
【００６９】
【化２３】
0004776761.tif 000021
【００７０】
ただし、ｑは０または１の整数である、
で示される２，３，４，５，６−ペンタフルオロベンゾイル化合物（以下、単に「２，３，４，５，６−ペンタフルオロベンゾイル化合物」と称する）を得る。
【００７１】
上記フリーデルクラフツ反応において、アルコキシベンゼンまたは４−アルコキシジフェニルエーテルの使用量は、２，３，４，５，６−ペンタフルオロベンゾイルクロライド１モル当たり、０．８〜１．２モル、好ましくは０．９〜１．１モルである。この際、アルコキシベンゼンまたは４−アルコキシジフェニルエーテルの使用量が０．８モル未満では、アルコキシベンゼンまたは４−アルコキシジフェニルエーテルに過剰に２，３，４，５，６−ペンタフルオロベンゾイル基が導入されてしまい好ましくない。これに対して、アルコキシベンゼンまたは４−アルコキシジフェニルエーテルの使用量が１．２モルを越えると、未反応のアルコキシベンゼンまたは４−アルコキシジフェニルエーテルが多量に残り、生産性の面で好ましくない。
【００７２】
上記フリーデルクラフツ反応において効果的に使用されるフリーデルクラフツ触媒としては、塩化アルミニウム、塩化アンチモン、塩化第二鉄、塩化第一鉄、四塩化チタン、三フッ化ホウ素、四塩化錫、塩化ビスマス、塩化亜鉛、塩化水銀及び硫酸等が挙げられる。また、フリーデルクラフツ触媒の使用量は、２，３，４，５，６−ペンタフルオロベンゾイルクロライド１モルに対して、０．５〜１０モル、好ましくは１〜５モルである。
【００７３】
上記フリーデルクラフツ反応において使用される有機溶剤は、酸クロライドと反応しないものでなければならない。このような有機溶剤としては、例えば、ジクロロメタン、ジクロロエタン、四塩化炭素、二硫化炭素及びニトロベンゼン等が挙げられる。この有機溶剤における２，３，４，５，６−ペンタフルオロベンゾイルクロライドの濃度は、１〜５０質量％、好ましくは５〜３０質量％である。反応は、反応系を撹拌状態に保ちながら、０〜１５０℃、好ましくは０〜１００℃の温度で行なわれる。
【００７４】
このような反応によって得られる生成物は、反応混合物に水を注加し、ジクロロメタン、ジクロロエタンまたは四塩化炭素等の抽出剤で抽出した後、有機層を抽出物から分離し、抽出剤を留去することにより得られる。さらに、この生成物を、必要であれば、メタノールまたはエタノールで再結晶化することによって、白色結晶として得てもよい。
【００７５】
次に、脱アルキル化処理について、以下に説明する。すなわち、脱アルキル化反応は、酸、アルカリまたは有機金属試薬などを用いて行うことができる。試薬としては、例えば、臭化水素、ヨウ化水素、トリフルオロ酢酸、ピリジンの塩酸塩、濃塩酸、ヨウ化マグネシウムエーテラート(magnesium iodide etherate)、塩化アルミニウム、臭化アルミニウム、三塩化ホウ素、三ヨウ化ホウ素、水酸化カリウム及びグリニヤール試薬などが挙げられる。試薬の使用量は、ｐ−（２，３，４，５，６−ペンタフルオロベンゾイル）アルコキシベンゼンまたは４−アルコキシ−４’−（２，３，４，５，６−ペンタフルオロベンゾイル）ジフェニルエーテル１モルに対して、０．１モル以上、好ましくは０．１〜３０モルである。
【００７６】
本発明において、脱アルキル化反応は、無溶媒下で行われてもあるいは溶媒中で行われてもよいが、反応効率や反応制御などを考慮すると、溶媒中で行われることが好ましい。
【００７７】
本発明において、溶媒中で脱アルキル化反応を行う際に効果的に使用される溶媒としては、例えば、水、酢酸、無水酢酸、ベンゼン及びテトラヒドロフランなどが挙げられる。また、この溶媒中でのｐ−（２，３，４，５，６−ペンタフルオロベンゾイル）アルコキシベンゼンまたは４−アルコキシ−４’−（２，３，４，５，６−ペンタフルオロベンゾイル）ジフェニルエーテルの濃度は、１〜５０質量％、好ましくは５〜３０質量％である。反応は、０〜２５０℃、好ましくは５０〜２００℃の温度で行なわれる。
【００７８】
さらに、このようにして得られた２，３，４，５，６−ペンタフルオロベンゾイル化合物を、塩基性化合物の存在下で有機溶媒中で、３０〜２５０℃、好ましくは５０〜２００℃の反応温度で加熱することによって、上記式（ＶＩ）および（ＶＩＩ）で示される含フッ素アリールエーテルケトン重合体が得られる。
【００７９】
上記重合反応で使用される有機溶媒としては、例えば、Ｎ−メチル−２−ピロリジノン、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド及びメタノール等の極性溶媒やトルエンなどが挙げられる。これらの有機溶媒は、単独でまたは２種以上の混合物の形態で使用されてもよい。
【００８０】
また、有機溶媒における２，３，４，５，６−ペンタフルオロベンゾイル化合物の濃度は、５〜５０質量％、好ましくは、１０〜３０質量％である。
【００８１】
トルエンや他の同様の溶媒を反応の初期段階に使用する際には、フェノキシド生成の際に副生する水を、重合溶媒に関係なく、トルエンの共沸物として除去できる。
【００８２】
本発明において使用される塩基性化合物は、重縮合反応によって生成するフッ化水素を捕集することにより重縮合反応を促進するよう作用する。このような塩基性化合物としては、例えば、炭酸カリウム、炭酸リチウム及び水酸化カリウムが挙げられる。
【００８３】
また、上記重合反応において、塩基性化合物の使用量は、使用される２，３，４，５，６−ペンタフルオロベンゾイル化合物１モルに対して、０．５〜１０モル、好ましくは０．５〜５モルである。
【００８４】
重合反応終了後は、反応溶液より蒸発等により溶媒の除去を行ない、必要により留出物を洗浄することによって、所望の重合体が得られる。または、反応溶液を重合体の溶解度が低い溶媒中に加えることにより、重合体を固体として沈殿させ、沈殿物を濾過により分離することによって、重合体を得てもよい。
【００８５】
次に、本発明による含フッ素アリールエーテルケトン重合体が上記式（ＶＩＩＩ）で示される際の、含フッ素アリールエーテルケトン重合体の製造方法を以下に説明する。
【００８６】
まず、２，３，４，５，６−ペンタフルオロベンゾイルクロライドを、有機溶剤中でフリーデルクラフツ触媒の存在下で、ジフェニルエーテルとフリーデルクラフツ反応させることよって、下記式：
【００８７】
【化２４】
0004776761.tif 000022
【００８８】
で示される４，４’−ビス（２，３，４，５，６−ペンタフルオロベンゾイル）ジフェニルエーテル（以下、単に「４，４’−ビス（２，３，４，５，６−ペンタフルオロベンゾイル）ジフェニルエーテル」または「ＢＰＤＥ」と称する）を得る。
【００８９】
上記フリーデルクラフツ反応において、ジフェニルエーテルの使用量は、２，３，４，５，６−ペンタフルオロベンゾイルクロライド１モル当たり、０．４〜０．６モル、好ましくは０．４５〜０．５５モルである。すなわち、ジフェニルエーテルの使用量が０．４モル未満では、ジフェニルエーテルに過剰に２，３，４，５，６−ペンタフルオロベンゾイル基が導入されてしまい好ましくない。これに対して、ジフェニルエーテルの使用量が０．６モルを越えると、未反応のジフェニルエーテルが多量に残り、生産性の面で好ましくない。
【００９０】
上記フリーデルクラフツ反応において効果的に使用されるフリーデルクラフツ触媒としては、塩化アルミニウム、塩化アンチモン、塩化第二鉄、塩化第一鉄、四塩化チタン、三フッ化ホウ素、四塩化錫、塩化ビスマス、塩化亜鉛、塩化水銀及び硫酸等が挙げられる。また、フリーデルクラフツ触媒の使用量は、２，３，４，５，６−ペンタフルオロベンゾイルクロライド１モルに対して、０．５〜１０モル、好ましくは１〜５モルである。
【００９１】
上記フリーデルクラフツ反応において使用される有機溶剤としては、酸クロライドと反応しない溶剤が使用できる。このような有機溶剤としては、例えば、ジクロロメタン、ジクロロエタン、四塩化炭素、二硫化炭素及びニトロベンゼン等が挙げられる。この有機溶剤における２，３，４，５，６−ペンタフルオロベンゾイルクロライドの濃度は、１〜５０質量％、好ましくは５〜３０質量％である。また、反応は、反応系を撹拌状態に保ちながら、０〜１５０℃、好ましくは０〜１００℃の温度で行なわれる。
【００９２】
このような反応によって得られる生成物は、反応混合物に水を注加し、ジクロロメタン、ジクロロエタンまたは四塩化炭素等の抽出剤で抽出した後、有機層を抽出物から分離し、抽出剤を留去することにより得られる。さらに、この生成物を、必要であれば、メタノールまたはエタノールで再結晶化することによって、白色結晶として得てもよい。
【００９３】
さらに、このようにして得られた４，４’−ビス（２，３，４，５，６−ペンタフルオロベンゾイル）ジフェニルエーテル（ＢＰＤＥ）を、塩基性化合物の存在下で有機溶媒中で、下記式（ＸＩＶ）：
【００９４】
【化２５】
0004776761.tif 000023
【００９５】
ただし、Ｒ2は上記式（ＩＩ）及び（Ｖ）における定義と同様である、
で示される２価のフェノール化合物と共に加熱することよって、上記式（ＶＩＩＩ）で示される含フッ素アリールエーテルケトン重合体が得られる。
【００９６】
上記反応において、反応温度は、２０〜１５０℃、好ましくは５０〜１２０℃である。この際、このように低温度で反応することで副反応を抑制し、重合体のゲル化を防止することができる。
【００９７】
上記重合反応で使用される有機溶媒としては、例えば、Ｎ−メチル−２−ピロリジノン、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド及びメタノール等の極性溶媒やトルエンなどが挙げられる。これらの有機溶媒は、単独でまたは２種以上の混合物の形態で使用されてもよい。
【００９８】
また、有機溶媒における４，４’−ビス（２，３，４，５，６−ペンタフルオロベンゾイル）ジフェニルエーテルの濃度は、５〜５０質量％、好ましくは、１０〜３０質量％である。
【００９９】
トルエンや他の同様の溶媒を反応の初期段階に使用する際には、フェノキシド生成の際に副生する水を、重合溶媒に関係なく、トルエンの共沸物として除去できる。
【０１００】
本発明において使用される塩基性化合物は、重縮合反応によって生成するフッ化水素を捕集することにより重縮合反応を促進するよう作用し、さらにフェノール化合物をより反応性の高いアニオンに変える作用がある。このような塩基性化合物としては、例えば、炭酸カリウム、炭酸リチウム及び水酸化カリウムが挙げられる。
【０１０１】
また、上記重合反応において、塩基性化合物の使用量は、使用される４，４’−ビス（２，３，４，５，６−ペンタフルオロベンゾイル）ジフェニルエーテル１モルに対して、１〜２０モル、好ましくは１〜１０モルである。
【０１０２】
上記重合反応において使用される２価のフェノール化合物としては、上記式（ＸＩＶ）で示されるものであれば特に制限されないが、例えば、２，２−ビス（４−ビドロキシフェニル）−１，１，１，３，３，３−へキサフルオロプロパン（以下、「６ＦＢＡ」という）、ビスフェノールＡ（以下、「ＢＡ」という）、９，９−ビス（４−ヒドロキシフェニル）フルオレン（以下、「ＨＦ」という）、ビスフェノールＦ（以下、「ＢＦ」という）、ハイドロキノン（以下、「ＨＱ」という）、レゾルシノール（以下、「ＲＳ」という）および２−（３−オキシフェニル）−２−（４’−オキシフェニル）プロパン（以下、「３，４’−ＢＡ」という）などが挙げられる。また、２価のフェノール化合物の使用量は、４，４’−ビス（２，３，４，５，６−ペンタフルオロベンゾイル）ジフェニルエーテル１モルに対して、０．８〜１．２モル、好ましくは０．９〜１．１モルである。
【０１０３】
重合反応終了後は、反応溶液より蒸発等により溶媒の除去を行ない、必要により留出物を洗浄することによって、所望の重合体が得られる。または、反応溶液を重合体の溶解度が低い溶媒中に加えることにより、重合体を固体として沈殿させ、沈殿物を濾過により分離することによって、重合体を得てもよい。
【０１０４】
このようにして製造された含フッ素アリールエーテルケトン重合体は、比誘電率が３．１〜３．８と十分従来の樹脂に比べて低い比誘電率を有し、誘電損失も０．０１以下と小さい。このため、本発明に係る含フッ素アリールエーテルケトン重合体を含む誘電体膜は、ライン幅を小さくすることなしにインピーダンスを高めることができるので、特性劣化を抑制できかつ低損失化がはかれるという利点を有する。なお、本明細書において、ポリマーの比誘電率は、１００ＭＨｚの周波数で、２５℃の温度で、インピーダンス測定法によって測定した値である。
【０１０５】
また、本発明において高周波用配線基板を構成する必須成分としてのポリシアノアリールエーテルは、下記式（ＩＩＩ）：
【０１０６】
【化２６】
0004776761.tif 000024
【０１０７】
で示される重合体である。
【０１０８】
上記式（ＩＩＩ）において、Ｙ1は、置換基を有してもよい炭素原子数１〜１２のアルキル基、例えば、メチル、エチル、プロピル、イソプロピル、ブチル、イソブチル、ｓｅｃ−ブチル、ｔｅｒｔ−ブチル、ペンチル、イソペンチル、ネオペンチル、ヘキシル、ヘプチル、オクチル、ノニル、デシル、ウンデシル、ドデシル及び２−エチルヘキシル、好ましくはメチル、エチル、プロピル及びブチル；置換基を有してもよい炭素原子数１〜１２のアルコキシル基、例えば、メトキシ、エトキシ、プロポキシ、イソプロポキシ、ブトキシ、ペンチルオキシ、ヘキシルオキシ、２−エチルヘキシルオキシ、オクチルオキシ、ノニルオキシ、デシルオキシ、ウンデシルオキシ、ドデシルオキシ、フルフリルオキシ及びアリルオキシ、好ましくはメトキシ、エトキシ、プロポキシ、イソプロポキシ及びブトキシ；置換基を有してもよい炭素原子数１〜１２のアルキルアミノ基、例えば、メチルアミノ、エチルアミノ、ジメチルアミノ、ジエチルアミノ、プロピルアミノ、ｎ−ブチルアミノ、ｓｅｃ−ブチルアミノ及びｔｅｒｔ−ブチルアミノ、好ましくはメチルアミノ、エチルアミノ、ジメチルアミノ及びジエチルアミノ；置換基を有してもよい炭素原子数１〜１２のアルキルチオ基、例えば、メチルチオ、エチルチオ、プロピルチオ及びｎ−ブチルチオ、ｓｅｃ−ブチルチオ、ｔｅｒｔ−ブチルチオ及びｉｓｏ−プロピルチオ、好ましくは、メチルチオ、エチルチオ及びプロピルチオ；置換基を有してもよい炭素原子数６〜２０のアリール基、例えば、フェニル、ベンジル、フェネチル、ｏ−，ｍ−若しくはｐ−トリル、２，３−若しくは２，４−キシリル、メシチル、ナフチル、アントリル、フェナントリル、ビフェニリル、ベンズヒドリル、トリチル及びピレニル、好ましくはフェニルならびにｏ−，ｍ−及びｐ−トリル；置換基を有してもよい炭素原子数６〜２０のアリールオキシ基、例えば、フェノキシ、ベンジルオキシ、ヒドロキシ安息香酸及びそのエステル類（例えば、メチルエステル、エチルエステル、メトキシエチルエステル、エトキシエチルエステル、フルフリルエステル及びフェニルエステルなど；以下、同様）、ナフトキシ、ｏ−，ｍ−若しくはｐ−メチルフェノキシ、ｏ−，ｍ−若しくはｐ−フェニルフェノキシ、フェニルエチニルフェノキシ、ならびにクレソチン酸及びそのエステル類、好ましくはフェノキシ及びナフトキシ；置換基を有してもよい炭素原子数６〜２０のアリールアミノ基、例えば、アニリノ、ｏ−，ｍ−若しくはｐ−トルイジノ、１，２−若しくは１，３−キシリジノ、ｏ−，ｍ−若しくはｐ−メトキシアニリノならびにアントラニル酸及びそのエステル類、好ましくはアニリノ及びｏ−，ｍ−若しくはｐ−トルイジノ；または置換基を有してもよい炭素原子数６〜２０のアリールチオ基、例えば、フェニルチオ、フェニルメタンチオ、ｏ−，ｍ−若しくはｐ−トリルチオならびにチオサリチル酸及びそのエステル類、好ましくはフェニルチオを表わす。これらのうち、置換基を有してもよいアリールオキシ基、アリールチオ基およびアリールアミノ基が好ましく、さらに、フェノキシ、フェニルチオ及びアニリノがＹ1として最も好ましい。
【０１０９】
また、上記式（ＩＩＩ）において、Ｙ1が置換基を有するアルキル基、アルコキシル基、アルキルアミノ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールアミノ基またはアリールチオ基を表わす際に使用できる置換基としては、目的物の所望の特性に応じて適宜選択でき、特に制限されるものではないが、例えば、炭素原子数１〜１２のアルキル基、例えば、メチル、エチル、プロピル、イソプロピル、ブチル、イソブチル、ｓｅｃ−ブチル、ｔｅｒｔ−ブチル、ペンチル、イソペンチル、ネオペンチル、ヘキシル、ヘプチル、オクチル、ノニル、デシル、ウンデシル及びドデシル；ハロゲン原子、例えば、フッ素、塩素、臭素及びヨウ素；シアノ基、ニトロ基ならびにカルボキシエステル基などが挙げられる。これらのうち、好ましくはメチル及びカルボキシエステル基である。
【０１１０】
さらに、上記式（ＩＩＩ）において、Ｙ2は、２価の有機基を表わし、例えば、下記式：
【０１１１】
【化２７】
0004776761.tif 000025
【０１１２】
これらのうち、下記式：
【０１１３】
【化２８】
0004776761.tif 000026
【０１１４】
で示される２価の有機基がＹ2として好ましく、特に下記式：
【０１１５】
【化２９】
0004776761.tif 000027
【０１１６】
で示される２価の有機基がＹ2として好ましい。
【０１１７】
さらに、上記式（ＩＩＩ）において、ｚは重合度を表わし、具体的には、５〜１０００、好ましくは１０〜５００である。なお、本発明のポリシアノアリールエーテルは、上記式（ＩＩＩ）の構成単位の同一の繰り返し単位からなるものであったもまたは異なる繰り返し単位からなるものであってもよく、後者の場合には、その繰り返し単位はブロック状であったもまたはランダム状であってもよい。
【０１１８】
また、本発明のポリシアノアリールエーテルの製造方法については以下に詳述するが、この記載から、式（ＩＩＩ）で示されるポリシアノアリールエーテルの末端は、フッ素原子を含むベンゼン環側がフッ素であり、酸素原子（Ｙ2）側が水素原子であると、即ち、式（ＩＩＩ）で示されるポリシアノアリールエーテルは下記式（ＸＩ）：
【０１１９】
【化３０】
0004776761.tif 000028
【０１２０】
で示されるポリマーであると考えられる。また、本発明で使用される式（ＩＩＩ）のポリシアノアリールエーテルは架橋構造を有するものであってもよい。
【０１２１】
本発明のポリシアノアリールエーテルは、上記含フッ素アリールエーテルケトンに関して述べたのと同様にして製造できるが、具体的には、下記式（ＸＩＩ）：
【０１２２】
【化３１】
0004776761.tif 000029
【０１２３】
で示されるテトラフルオロベンゾニトリル誘導体を、下記式（ＸＩＩＩ）：
【０１２４】
【化３２】
0004776761.tif 000030
【０１２５】
で示されるジヒドロキシ化合物と塩基性触媒の存在下で重合することによって、製造される。この際、上記式（ＸＩＩ）におけるＹ1及び上記式（ＸＩＩＩ）におけるＹ2の定義は、上記式（ＩＩＩ）におけるＹ1及びＹ2の定義と同様である。
【０１２６】
本発明において、式（ＸＩＩ）のテトラフルオロベンゾニトリル誘導体は、公知の方法によって製造できるが、例えば、式：Ｙ1Ｈ［式中、Ｙ1は上記式（ＩＩＩ）における定義と同様である］で示される化合物を有機溶媒中で塩基性化合物の存在下で２，３，４，５，６−ペンタフルオロベンゾニトリル（本明細書中、「ＰＦＢＮ」とも称する）と反応させることによって得られる。
【０１２７】
上記反応において、式：Ｙ1Ｈで示される化合物およびＰＦＢＮは、それぞれ、単一の化合物として使用されてもあるいは２種以上の式：Ｙ1Ｈで示される化合物および／またはＰＦＢＮの混合物の形態で使用されてもよいが、精製工程やポリマーの物性などを考慮すると、単一の化合物として使用されることが好ましい。なお、後者の場合には、使用される複数または単一のＰＦＢＮのモル数の合計が、複数または単一の式：Ｙ1Ｈで示される化合物のモル数の合計に等しいまたはほぼ等しいことが好ましいが、具体的には、式：Ｙ1Ｈで示される化合物の使用量が、ＰＦＢＮ  １モルに対して、好ましくは０．１〜５モル、より好ましくは０．５〜２モルである。
【０１２８】
上記反応において使用できる有機溶媒としては、例えば、Ｎ−メチル−２−ピロリジノン、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、アセトニトリル、ベンゾニトリル、ニトロベンゼン、ニトロメタン及びメタノール等の極性溶媒；ならびにこれらの極性溶媒とトルエンやキシレン等の非極性溶媒との混合溶媒などが挙げられる。これらの有機溶媒は、単独でまたは２種以上の混合物の形態で使用されてもよい。また、有機溶媒におけるＰＦＢＮの濃度は、１〜４０質量％、好ましくは、５〜３０質量％である。この際、トルエンや他の同様の溶媒を反応の初期段階に使用する際には、反応中に副生する水を、重合溶媒に関係なく、トルエンの共沸物として除去できる。
【０１２９】
また、上記反応において使用される塩基性化合物は、反応を促進させるために生成するフッ化水素を捕集するよう作用するものであることが望ましい。このような塩基性化合物としては、例えば、炭酸カリウム、炭酸カルシウム、水酸化カリウム、水酸化カルシウム及びフッ化カリウムなどが挙げられる。この際、塩基性化合物の使用量は、使用されるＰＦＢＮ  １モルに対して、０．１〜５モル、好ましくは０．５〜２モルである。
【０１３０】
さらに、上記反応における反応条件は、Ｙ1Ｈで示される化合物とＰＦＢＮとの反応が効率よく進行するものであれば特に制限されるものではないが、例えば、反応は、好ましくは反応系を撹拌状態に保ちながら、通常、２０〜１８０℃、好ましくは４０〜１６０℃の温度で行なわれる。また、反応時間は、他の反応条件や使用する原料などにより異なるが、通常、１〜４８時間、好ましくは２〜２４時間である。さらに、反応は、常圧下または減圧下いずれで行ってもよいが、設備面から、常圧下で行うことが望ましい。このような反応によって得られる生成物は、反応混合物に蒸留水を注加し、ジクロロメタン、ジクロロエタンまたは四塩化炭素等の抽出剤で抽出した後、有機層を抽出物から分離し、抽出剤を留去することにより得られる。さらに、この生成物を、必要であれば、メタノールまたはエタノール等で再結晶化することによって、結晶として得てもよい。
【０１３１】
このようにして合成された式（ＸＩＩ）のテトラフルオロベンゾニトリル誘導体は、上述したように、さらに式（ＸＩＩＩ）のジヒドロキシ化合物と塩基性触媒の存在下で重合に供されることによって、目的の式（ＩＩＩ）のポリシアノアリールエーテルが製造される。この際、式（ＸＩＩ）のテトラフルオロベンゾニトリル誘導体は、上記したような抽出、再結晶化、クロマトグラフィー及び蒸留等の精製工程をへた後使用されてもまたは精製工程を行なわずにそのまま使用してもよいが、次工程の収率などを考慮すると精製された後使用することが好ましい。
【０１３２】
上記反応において使用される式（ＸＩＩＩ）のジヒドロキシ化合物は、目的産物である式（ＩＩＩ）のポリシアノアリールエーテルの構造に従って選択される。本発明において好ましく使用される式（ＸＩＩＩ）のジヒドロキシ化合物としては、以下にしめされるように、２，２−ビス（４−ビドロキシフェニル）−１，１，１，３，３，３−へキサフルオロプロパン（以下、「６ＦＢＡ」という）、４，４’−ジヒドロキシジフェニルエーテル（以下、「ＤＰＥ」という）、ビスフェノールＦ（以下、「ＢＦ」という）、ハイドロキノン（以下、「ＨＱ」という）、ビスフェノールＡ（以下、「ＢＡ」という）、９，９−ビス（４−ヒドロキシフェニル）フルオレン（以下、「ＨＦ」という）、フェノールフタレイン（以下、「ＰＰ」という）、１，４−ビス（ヒドロキシフェニル）シクロヘキサン（以下、「ＣＨＢ」という）、および４，４’−ジヒドロキシビフェニル（以下、「ＢＰ」という）が挙げられる。
【０１３３】
【化３３】
0004776761.tif 000031
【０１３４】
上記反応において、式（ＸＩＩ）のテトラフルオロベンゾニトリル誘導体および式（ＸＩＩＩ）のジヒドロキシ化合物は、それぞれ、単一の化合物として使用されてもあるいは２種以上の式（ＸＩＩ）のテトラフルオロベンゾニトリル誘導体および／または式（ＸＩＩＩ）のジヒドロキシ化合物の混合物の形態で使用されてもよいが、精製工程やポリマーの物性などを考慮すると、単一の化合物として使用されることが好ましい。なお、後者の場合には、使用される複数または単一の式（ＸＩＩ）のテトラフルオロベンゾニトリル誘導体のモル数の合計が、複数または単一の式（ＸＩＩＩ）のジヒドロキシ化合物のモル数の合計に等しいまたはほぼ等しいことが好ましいが、具体的には、式（ＸＩＩＩ）のジヒドロキシ化合物の使用量は、式（ＸＩＩ）のテトラフルオロベンゾニトリル誘導体１モルに対して、０．１〜５モル、好ましくは１〜２モルである。
【０１３５】
上記反応は、有機溶剤中で行なわれてまたは無溶剤下で行なわれてもよいが、有機溶剤中に行われることが好ましい。前者の場合、使用できる有機溶剤としては、例えば、Ｎ−メチル−２−ピロリジノン、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、アセトニトリル、ベンゾニトリル、ニトロベンゼン、ニトロメタン及びメタノール等の極性溶媒；ならびにこれらの極性溶媒とトルエンやキシレン等の非極性溶媒との混合溶媒などが挙げられる。これらの有機溶剤は、単独でまたは２種以上の混合物の形態で使用されてもよい。また、有機溶剤における式（ＸＩＩ）のテトラフルオロベンゾニトリル誘導体の濃度は、１〜５０質量％、好ましくは、５〜２０質量％である。この際、トルエンや他の同様の溶剤を反応の初期段階に使用する際には、反応中に副生する水を、重合溶剤に関係なく、トルエンの共沸物として除去できる。
【０１３６】
また、本発明において、式（ＸＩＩ）のテトラフルオロベンゾニトリル誘導体および式（ＸＩＩＩ）のジヒドロキシ化合物の反応は、塩基性触媒の存在下で行なうことを必須とする。塩基性触媒は、式（ＸＩＩＩ）のジヒドロキシ化合物による重縮合反応を促進するよう、式（ＸＩＩＩ）のジヒドロキシ化合物をより反応性の高いアニオンに変える作用を有するものが好ましく、具体的には、炭酸カリウム、炭酸カルシウム、水酸化カリウム、水酸化カルシウムまたはフッ化カリウムなどが挙げられる。また、塩基性触媒の使用量は、式（ＸＩＩ）のテトラフルオロベンゾニトリル誘導体と式（ＸＩＩＩ）のジヒドロキシ化合物との反応が良好に進行できる量であれば特に制限されるものではないが、式（ＸＩＩ）のテトラフルオロベンゾニトリル誘導体  １モルに対して、通常、０．１〜５モル、好ましくは０．５〜２モルである。
【０１３７】
さらに、上記重合反応における反応条件は、式（ＸＩＩ）のテトラフルオロベンゾニトリル誘導体と式（ＸＩＩＩ）のジヒドロキシ化合物との反応が効率よく進行するものであれば特に制限されるものではないが、例えば、重合温度は、好ましくは２００℃以下、より好ましくは２０〜１５０℃、最も好ましくは４０〜１００℃である。このように低温度で反応することで、特別の設備を必要とすることなく、副反応を抑制し、ポリマーのゲル化を防止することができる。また、重合時間は、他の反応条件や使用する原料などにより異なるが、好ましくは、１〜４８時間、より好ましくは２〜２４時間である。さらに、重合反応は、常圧下または減圧下いずれで行ってもよいが、設備面から、常圧下で行うことが望ましい。
【０１３８】
上記重合反応終了後は、反応溶液より蒸発等により溶媒の除去を行ない、必要により留出物を洗浄することによって、所望のポリマーが得られる。または、反応溶液をポリマーの溶解度が低い溶媒中に加えることにより、ポリマーを固体として沈殿させ、沈殿物を濾過により分離することによって、ポリマーを得てもよい。
【０１３９】
このようにして製造されたポリシアノアリールエーテルは、比誘電率が３．１〜３．８と十分従来の樹脂に比べて低い比誘電率を有し、誘電損失も０．０１以下と小さい。このため、本発明に係るポリシアノアリールエーテルを含む誘電体膜は、ライン幅を小さくすることなしにインピーダンスを高めることができるので、特性劣化を抑制できかつ低損失化がはかれるという利点を有する。
【０１４０】
本発明において、誘電体膜は、上記したような特定の構造を有する含フッ素アリールエーテルケトン重合体および／またはポリシアノアリールエーテルを含むことを必須とし、このようにして製造された含フッ素アリールエーテルケトン重合体および／またはポリシアノアリールエーテルは、低い比誘電率及び誘電損失、ならびに優れた耐熱性及び耐湿性を兼ね備えているが、これらの特性が不十分であるあるいは他の特性が必要である場合には、これらに加えて、所望の低比誘電率、低誘電損失、耐熱性や耐湿性等に悪影響を及ぼしたりせず、本発明の範疇を逸脱しない範囲において、さらに他の成分を含んでいてもよい。さらなる成分としては、例えば、ポリアミド、ポリアミドイミド、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、メラミン樹脂、尿素樹脂、ジアリルフタレート樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、ウレタン樹脂、付加型ポリイミド樹脂、シリコーン樹脂、ポリパラビニルフェノール樹脂、ポリフェニレンスルフィド、ポリエーテル、ポリエーテルエーテルケトン、ポリプロピレン及びポリアゾメチン；ポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）、テトラフルオロエチレン−ヘキサフルオロプロピレン共重合体（ＦＥＰ）、エチレン−テトラフルオロエチレン共重合体（ＥＴＦＥ）、テトラフルオロエチレン−パーフルオロアルキルビニルエーテル共重合体（ＰＦＡ）及びポリクロロトリフルオロエチレン（ＰＣＴＦＥ）等のフッ素樹脂；炭酸カルシウム、シリカ、アルミナ、チタニア、水酸化アルミニウム、ケイ酸アルミニウム、ケイ酸ジルコニウム、ジルコン、ガラス、タルク、マイカ、黒鉛、アルミニウム、銅及び鉄等の粉末や短繊維状の無機充填材；脂肪酸やワックス類等の離型剤；エポキシシラン、ビニルシラン、ボラン系化合物及びアルキルチタネート系化合物等のカップリング剤；アンチモンやリンの化合物およびハロゲン含有化合物等の難燃剤；ならびに分散剤や溶剤等の各種添加剤が挙げられる。ポリイミド樹脂に加えてさらなる成分を含む際のさらなる成分の含量は、全原料に対して、０〜４９質量％である。
【０１４１】
本発明において、絶縁基板上への含フッ素アリールエーテルケトン重合体および／またはポリシアノアリールエーテルによる誘電体膜の形成方法としては、特に制限されず公知の方法が使用される。具体的には、キャスティング（流延法）、スピンコーティング（回転塗布法）、ロールコーティング、スプレイコーティング、バーコーティング、フレキソ印刷、およびディップコーティングなどの方法が挙げられる。これらの方法のうち、薄膜化や凹凸の少ない平滑な誘電体膜の形成が可能である点、および容易にコーティングできる点や膜の制御が容易な点などを考慮すると、スピンコーティングおよびバーコーティングが好ましく使用される。
【０１４２】
特に、本発明で使用する含フッ素アリールエーテルケトン重合体および／またはポリシアノアリールエーテルは、従来から絶縁基板上に誘電体膜を形成する際に使用される各種の溶媒に対する溶解性に優る点に特徴がある。このため、絶縁基板上に該含フッ素アリールエーテルケトン重合体および／またはポリシアノアリールエーテルを溶媒に溶解し、上記いずれかに記載の方法によって膜形成を行うと、使用した有機溶媒の沸点程度の低温で熱処理を行うことで、簡便に成膜することができる。
【０１４３】
上記成膜に好ましく使用できる溶媒としては、例えば、Ｎ−メチル−２−ピロリジノン、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、アセトニトリル、ベンゾニトリル、ニトロベンゼン、ニトロメタン、ジメチルスルフォキシト、アセトン、メチルエチルケトン、イソブチルケトンおよびメタノール等の極性溶媒やトルエンやキシレン等の非極性溶媒が挙げられる。これらのうち好ましくはＮ−メチル−２−ピロリジノン、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、トルエン、キシレンが使用される。また、これらの有機溶媒は、単独でまたは２種類以上の混合物の形態で使用されてよい。
【０１４４】
また、ポリイミド樹脂に加えて上記したような他の成分を含む場合には、例えば、キャスティング、スピンコーティング、ロールコーティング、スプレイコーティング、バーコーティング、フレキソ印刷、およびディップコーティングなどの方法が挙げられる。この際絶縁基板上に形成される誘電体膜の厚みは、目的とするインピーダンス特性及び用途ならびにその材質などに合わせて適宜選択することができるが、通常、１μｍ〜１ｍｍである。
【０１４５】
このようにして形成された誘電体膜から本発明の高周波用配線基板を製造する方法は、特に限定されるものではなく、公知の方法が同様にして使用できる。例えば、上記のようにして製造された誘電体膜の表面または内部に、配線層、好ましくは周波数１ＧＨｚ以上の高周波信号が伝送可能な配線層を配設することによって、本発明の高周波用配線基板が製造される。または、絶縁基板上に接地電極を形成し、絶縁基板上に形成された接地電極上に同様にして誘電体膜を形成した後、この誘電体膜の表面または内部に配線層、好ましくは周波数１ＧＨｚ以上の高周波信号が伝送可能な配線層を配設することによって、本発明の高周波用配線基板を製造してもよい。
【０１４６】
本発明において、接地電極を絶縁基板上に形成する際の、接地電極は、絶縁基板の一部または全面、好ましくは全面に形成され、この形成方法としては、既知の方法を用いて、例えば、銀（Ａｇ）電極の焼き付けや銅（Ｃｕ）のメッキ等によって絶縁基板上に形成することができる。また、接地電極の厚さは、特に制限されるものではなく公知のものと同様の厚みが使用できる。
【０１４７】
このようにして接地電極面上に誘電体膜が形成された後は、好ましくは周波数１ＧＨｚ以上の高周波信号が伝送可能な配線層（以下、単に「配線層」ともいう）がこの誘電体膜上にさらに形成されるが、この配線層としては、周波数１ＧＨｚ以上の高周波信号を電送可能であれば特に制限されることなく、公知のものが同様にして使用できる。具体的には、ストリップ線路、マイクロストリップ線路、トリプレート線路、コプレーナ線路、誘電体導波管線路などから構成された配線層が挙げられる。
【０１４８】
また、本発明による配線層の形成方法は特に制限されず、公知の方法が用いられるが、例えば、上記したようにして絶縁基板上に接地電極及び誘電体膜を形成した後、既知の方法を用いて、例えば、銀（Ａｇ）電極の焼き付けや銅（Ｃｕ）のメッキ等によって、マイクロストリップ線路として誘電体膜上に形成され、この際には図１に示されるような高周波用配線基板が製造される。
【０１４９】
または、配線層は、図２に示されるように、上記したようにして絶縁基板上に接地電極及び誘電体膜を形成した後、既知の方法を用いて、例えば、銀（Ａｇ）電極の焼き付けや銅（Ｃｕ）のメッキ等によって、マイクロストリップ線路として誘電体膜上に形成された後、さらにその上に配線層を被覆するように上部誘電体膜を形成してもよい。この際、上部誘電体膜の形成は、上記誘電体膜の形成について記載したのと同様の方法によってなされるが、この以外にも、既知の方法が使用でき、例えば、配線層を含む誘導体膜上に誘電体セラミック、ポリイミドやポリプロピレン等の有機樹脂を製膜することによってなされてもよい。
【０１５０】
なお、上記２実施態様では、配線層としてマイクロストリップ線路を形成した例について説明したが、例えば、ストリップ線路、コプレーナ線路、誘電体導波管線路、及びトリプレート線路も同様にして形成される。
【０１５１】
本発明において、配線層の大きさ（即ち、幅、長さ及び厚さ）は、特に制限されるものではなく公知のものと同様の大きさが使用できる。
【０１５２】
本発明の高周波用配線基板の構造は、特に制限されず、従来一般的に製造されるすべての高周波用配線基板と同様の構造が使用される。
【０１５３】
また、本発明の高周波用配線基板は、マイクロ波、ミリ波等の高周波で用いられるパッケージ、誘電体共振器、ＬＣフィルター、コンデンサ、誘電体導波路、誘電体アンテナ等に好ましく用いることができる。
【０１５４】
【実施例】
以下、本発明の実施例により具体的に説明する。
【０１５５】
実施例１
絶縁基板としてのセラミック基板の片面上に、銅（Ｃｕ）からなる全面電極を接地電極として形成した後、トルエンを溶媒とし、重合度をｎとした場合に下記式で表される含フッ素アリールエーテルケトン重合体を２０質量％含むワニスをスピンコート法にてコートし７０℃の温度で乾燥させて１００μｍの厚さの誘電体膜を成膜した。次に、上記誘電体膜を介して、幅１ｍｍの銅（Ｃｕ）からなるマクロストリップ線路を形成し、比誘電率、誘電損失をネットワークアナライザーで測定した。その結果、周波数１ＧＨｚで、比誘電率、誘電損失はそれぞれ３．０、０．００１以下であった。
【０１５６】
【化３４】
0004776761.tif 000032
【０１５７】
【発明の効果】
上述したように、本願発明の高周波用配線基板は、含フッ素アリールエーテルケトン重合体および／またはポリシアノアリールエーテルを含む誘電体膜を有することを特徴とするものである。したがって、したがって、本願発明の高周波用配線基板では、誘電体膜が低誘電率かつ低誘電損失の含フッ素アリールエーテルケトン重合体および／またはポリシアノアリールエーテルを用いて形成されるので、断線やクロストークなどが有効に抑制でき、また高周波電送効率の向上がはかれる。また、本発明に係る低誘電率かつ低誘電損失の含フッ素アリールエーテルケトン重合体および／またはポリシアノアリールエーテルを誘電体膜に使用することにより、ライン幅を小さくすることなしにインピーダンスを高めることができるので、特性劣化を抑制できかつ低損失化がはかれるという利点を有する。
【図面の簡単な説明】
【図１】は、本発明の第一の実施態様としての高周波用配線基板の斜視図を示すものである。
【図２】は、本発明の第二の実施態様としての高周波用配線基板の斜視図を示すものである。
【付号の説明】
１  絶縁基板、
２  接地電極、
３  誘電体膜、
４  マイクロストリップ線路、
５  上部誘電体膜。
【図１】
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【図２】
0004776761.tif 000037