(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
ヒートシンクを兼ねるブロック状の第１の電極の上面に半導体レーザチップの一方の端子が接続されるとともに第２の電極が絶縁層を介して取付され、前記半導体レーザチップの他方の端子と前記第２の電極とが導体を介して電気的に接続される半導体レーザパッケージ装置の製造方法であって、
前記絶縁層の上面および下面に前記第２の電極および金属箔をそれぞれ貼り合わせて、３層構造の電極シートを作成する工程と、
前記第２の電極および前記絶縁層に、前記金属箔が底面に露出する１つまたは複数個の有底の溶接用穴を形成する工程と、
前記第１の電極の上面に前記金属箔を接触させた状態で前記電極シートを載置する工程と、
各々の前記溶接用穴に向けてレーザ光を照射して、前記金属箔を前記第１の電極にレーザ溶接で接合する工程と
を有する半導体レーザパッケージ装置の製造方法。
【請求項２】
前記溶接用穴の位置に対応する前記第２の電極および前記絶縁層の部位にそれぞれ貫通孔を形成し、前記絶縁層の両面に前記第２の電極および金属箔を貼り合わせる際に前記第２の電極の貫通孔と前記絶縁層の貫通孔とを重ね合わせて前記溶接用穴を形成する、請求項１に記載の半導体レーザパッケージ装置の製造方法。
【請求項３】
前記第１の電極および前記金属箔のいずれも銅系の金属からなり、前記レーザ光がＹＡＧ高調波のレーザ光である、請求項１または請求項２に記載の半導体レーザパッケージ装置の製造方法。
【請求項４】
前記金属箔が圧延銅からなる、請求項３に記載の半導体レーザパッケージ装置の製造方法。
【請求項５】
前記圧延銅に金メッキを施す、請求項４に記載の半導体レーザパッケージ装置の製造方法。
【請求項６】
前記絶縁層がポリイミド系のフィルムからなる、請求項１〜５のいずれか一項に記載の半導体レーザパッケージ装置の製造方法。
【請求項７】
前記第２の電極が銅系の金属からなる、請求項１〜６のいずれか一項に記載の半導体レーザパッケージ装置の製造方法。
【請求項８】
前記第２の電極が圧延銅からなる、請求項７に記載の半導体レーザパッケージ装置の製造方法。
【請求項９】
前記圧延銅に金メッキを施す、請求項８に記載の半導体レーザパッケージ装置の製造方法。
【請求項１０】
前記溶接用穴を、前記電極シートの前記半導体レーザチップと対向する一端部の付近に設ける、請求項１〜９のいずれか一項に記載の半導体レーザパッケージ装置の製造方法。
【請求項１１】
前記第１の電極の中に冷媒を流すための通路を設ける、請求項１〜１０のいずれか一項に記載の半導体レーザパッケージ装置の製造方法。
【請求項１２】
前記第１の電極、前記第２の電極、前記絶縁層および前記金属箔に共通のボルトを同軸上で通すためのボルト通し孔をそれぞれ形成し、前記ボルトと螺合するためのネジ孔が形成されたベース部材の上に前記第１の電極と前記電極シートとを前記ボルトにより固定する、請求項１〜１１のいずれか一項に記載の半導体レーザパッケージ装置の製造方法。
【請求項１３】
前記ボルト通し孔を前記電極シートの中心部またはその付近に設ける、請求項１２に記載の半導体レーザパッケージ装置の製造方法。
【請求項１４】
ヒートシンクを兼ねるブロック状の第１の電極と、
前記第１の電極の上面に一方の端子が接続されるように搭載される半導体レーザチップと、
前記第１の電極の上面に設けられた金属層と、
前記金属層の上に固定された第１の貫通孔を有する絶縁層と、
前記絶縁層の上に固定された前記第１の貫通孔と重なり合う第２の貫通孔を有する第２の電極と、
前記半導体レーザチップの他方の端子と前記第２の電極とを電気的に接続するための導体と
を有し、前記金属層が前記第２および第１の貫通孔を通って照射されたレーザ光によるレーザ溶接で前記第１の電極に接合されている半導体レーザパッケージ装置。
【請求項１５】
前記金属層および前記第１の電極のいずれも銅系の金属からなり、前記レーザ光がＹＡＧ第２高調波である、請求項１４に記載の半導体レーザパッケージ装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体レーザパッケージ装置およびその製造方法に係り、特に半導体レーザのベアチップを外部電極上に実装するパッケージングに関する。
【背景技術】
【０００２】
高出力アレイ型の半導体レーザ（ＬＤＡ）は、電流注入型の半導体レーザまたはレーザダイオード（ＬＤ）を１つのチップ（半導体素子）に多数配列してなるもので、１チップで数十Ｗ以上のピーク出力を得ることが可能であり、たとえばレーザ加工の分野では固体レーザ発振器の活性媒体を励起するための励起光源として、あるいは自ら加工用レーザ光を発振出力するレーザ発振装置として広く利用されている。
【０００３】
図１３に、従来のＬＤＡパッケージの構造を示す。このＬＤＡパッケージ１００は、ヒートシンクを兼ねるブロック状のアノード電極１０２の上面の一端部にＬＤＡチップ１０４をベア状態で搭載するとともに、ＬＤＡチップ１０４から離してカソード電極１０６も絶縁層１０８を介してアノード電極１０２の上面に取り付ける。ここで、ＬＤＡチップ１０４の下面はアノード端子を構成し、アノード電極１０２の上面に直付け（たとえばハンダ付け）で接続される。ＬＤＡチップ１０４の上面はカソード端子を構成し、ボンディングワイヤ１１０を介してカソード電極１０６と電気的に接続される。カソード電極１０６と絶縁層１０８とは、予め一体に貼り合わされた２層構造の電極シートとして作成され、この電極シートの下面つまり絶縁層１０８の下面がアノード電極１０２の上面に接着剤もしくはヒートシールを用いて固着される。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、従来のＬＤＡパッケージングにおいて、上記のように接着剤もしくはヒートシールを用いてアノード電極１０２に絶縁層１０８を介してカソード電極１０６を固着する取付方法は、取付（接合）強度が乏しいうえ、絶縁層１０８とアノード電極１０２との接合で後者（１０２）に少なからぬ応力を与え、ひいてはＬＤＡチップ１０４をストレスで変位させることがあり、信頼性に欠けるとともに、以下のような問題もあった。
【０００５】
すなわち、接着剤を使用する接合方法は、接着剤より発生する有機溶媒のガスが光学系に悪影響を及ぼす危険性があるとともに、環境汚染のおそれもある。
【０００６】
また、ヒートシールを使用する接合方法は、ヒートシンクを兼ねる大きな熱容量を有するアノード電極１０２側からの高温度（たとえば４００℃以上）の加熱によって樹脂を熱溶着させるものであり、加工時間が長いうえ、大掛かりな加工設備を必要とする。
【０００７】
本発明は、上述のような事情に鑑みなされたもので、パッケージ内の接合強度が高く、信頼性に富み、光学系への悪影響がなく、設備コストも低く、かつ環境にもクリーンな半導体レーザパッケージ装置およびその製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記目的を達成するために、本発明の半導体レーザパッケージ装置は、ヒートシンクを兼ねるブロック状の第１の電極と、前記第１の電極の上面に一方の端子が接続されるように搭載される半導体レーザチップと、前記第１の電極の上面に設けられた金属層と、前記金属層の上に固定された第１の貫通孔を有する絶縁層と、前記絶縁層の上に固定された前記第１の貫通孔と重なり合う第２の貫通孔を有する第２の電極と、前記半導体レーザチップの他方の端子と前記第２の電極とを電気的に接続するための導体とを有し、前記金属層が前記第２および第１の貫通孔を通って照射されたレーザ光によるレーザ溶接で前記第１の電極に接合されている。
【０００９】
上記の構成においては、金属層が第１の電極にレーザ溶接で接合されることで、第２の電極が絶縁層と金属層とを介して第１の電極の上に取付固定される。レーザ照射の表側の部材を金属層とし、裏側の部材をブロック状の第１の電極とするレーザ溶接であるから、取付強度が高いうえ、半導体レーザチップに与えるストレスが小さく、しかも接着剤のような不純物がないので、信頼性と性能を向上させることができる。
【００１１】
本発明の半導体レーザパッケージ装置の製造方法は、ヒートシンクを兼ねるブロック状の第１の電極の上面に半導体レーザチップの一方の端子が接続されるとともに第２の電極が絶縁層を介して取付され、前記半導体レーザチップの他方の端子と前記第２の電極とが導体を介して電気的に接続される半導体レーザパッケージ装置の製造方法であって、前記絶縁層の上面および下面に前記第２の電極および金属箔をそれぞれ貼り合わせて、３層構造の電極シートを作成する工程と、前記第２の電極および前記絶縁層に、前記金属箔が底面に露出する１つまたは複数個の有底の溶接用穴を形成する工程と、前記第１の電極の上面に前記金属箔を接触させた状態で前記電極シートを載置する工程と、各々の前記溶接用穴に向けてレーザ光を照射して、前記金属箔を前記第１の電極にレーザ溶接で接合する工程とを有する。
【００１２】
上記の方法においては、第２の電極と金属箔とで絶縁層を挟んだ３層構造の電極シートを形成し、この電極シート下層の金属箔とブロック状の第１の電極とを電極シート上面の溶接用穴からレーザ溶接で接合することにより、レーザ光を照射された溶接用穴内の金属箔はレーザ光のレーザエネルギーを吸収して速やかに溶融し、さらにはその直下の第１の電極もやはりレーザ光のレーザエネルギーを吸収して溶融する。こうして、レーザ照射後に金属箔および第１の電極のそれぞれの溶融部分が凝固して、溶接ナゲットが得られる。このようにレーザ照射の表側の部材を金属層とし、裏側の部材をブロック状の第１の電極とするレーザ溶接であるから、取付強度が高いうえ、半導体レーザチップに与えるストレスが小さく、しかも接着剤のような不純物がないので、信頼性と性能を向上させることができる。
【００１３】
本発明の好適な一態様によれば、溶接用穴の位置に対応する第２の電極および絶縁層の部位にそれぞれ貫通孔を形成し、絶縁層の両面に第２の電極および金属箔を貼り合わせる際に第２の電極の貫通孔と絶縁層の貫通孔とを重ね合わせて溶接用穴を形成する。この場合、特別な穿孔工程を要しなくて済む。
【００１４】
また、本発明の好適な一態様においては、第１の電極および金属箔のいずれも銅系の金属からなり、レーザ光がＹＡＧ高調波のレーザ光である。特に好適には、金属箔および第１の電極が圧延銅からなり、金属箔にはさらには金メッキが施される。銅系の金属は導電率が高いだけでなくＹＡＧ高調波のレーザエネルギーを高い吸収率で吸収するので、溶接用穴内の限られた箇所で金属箔と第１の電極との接触部分に物理的に電気的にも信頼性の高い接合を得ることができる。また、金系の金属もＹＡＧ高調波のレーザエネルギーを高い吸収率で吸収するので、金属箔の金メッキも溶接接合に寄与させることができる。  
【００１５】
また、本発明の好適な一態様においては、絶縁層がポリイミド系のフィルムからなり、第２の電極が銅系の金属、好ましくは金メッキされた圧延銅からなる。絶縁層および第２の電極におけるこれらの材質は、絶縁特性や電気的特性の点でも有利であるだけでなく、フレキシブル配線板（銅張板）の製作に用いられているのと同様のラミネート技術を好適に用いることが可能であり、３層構造の電極シートを安価に制作することができる。
【００１６】
本発明の好適な一態様においては、溶接用穴が、電極シートの半導体レーザチップと対向する一端部の付近に設けられる。このように、電極シート上層の第２の電極に設定されるボンディング位置付近に溶接用穴が設けられることで、必要最小限のレーザ接合で電極シートを安定に保持することができる。
【００１７】
また、本発明の好適な一態様においては、第１の電極がヒートシンクを兼ねるようにブロック状に構成される。さらに好適には、第１の電極の中に冷媒を流すための通路が設けられる。また、パッケージ全体の取付強度を一層高めために、第１の電極、第２の電極、絶縁層および金属箔に共通のボルトを同軸上で通すためのボルト通し孔をそれぞれ形成し、ボルトと螺合するためのネジ孔が形成されたベース部材の上に第１の電極と電極シートとをボルトにより固定する構成が採られる。ここで、ボルト通し孔は電極シートの中心部またはその付近に設けられるのが好ましい。
【発明の効果】
【００１８】
本発明によれば、上記のような構成と作用により、パッケージ内の接合強度が高く、信頼性に富み、光学系への悪影響がなく、かつ環境にもクリーンな半導体レーザパッケージ装置を低コストで生産性の高い設備で得ることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１９】
以下、添付図を参照して本発明の好適な実施の形態を説明する。
【００２０】
図１および図２に、本発明の一実施形態における高出力アレイ型半導体レーザ（ＬＤＡ）パッケージの構成を示す。図１は縦断面図、図２は平面図である。
【００２１】
このＬＤＡパッケージ１０においては、ヒートシンクを兼ねるブロック状のアノード電極１２の上面の一端部にバー形状の一次元ＬＤＡチップ１４がベア状態で搭載されるとともに、このＬＤＡチップ１４から離れてカソード電極１６が絶縁層１８および金属箔２０を介してアノード電極１２の上面に取り付けられる。
【００２２】
ＬＤＡチップ１４の下面はアノード端子を構成し、アノード電極１２の上面に直付けで接続される。ＬＤＡチップ１４の上面はカソード端子を構成し、たとえば金細線からなる複数本のボンディングワイヤ２２を介してカソード電極１６と電気的に接続される。カソード電極１６と絶縁層１８と金属箔２０とは、予め一体に貼り合わされた３層構造の電極シート２４として作成されたものであり、この電極シート２４の下層の金属箔２０がアノード電極１０２の上面に所定位置つまり溶接用穴２６の位置にてレーザスポット溶接（Ｗ）で接合されている。
【００２３】
アノード電極１２およびカソード電極１６はそれぞれ図示しない導体を介してレーザ電源の正極側電源端子（＋）および負極側電源端子（−）に電気的に接続される。通電状態では、アノード電極１２→ＬＤＡチップ１４→ボンディングワイヤ２２→カソード電極１６の経路で順方向の電流が流れ、ＬＤＡチップ１４の各ＬＤが発振してＬＤ配列方向に延びる扁平な放射分布を有するレーザ光ＬＢを前方に出射するようになっている。
【００２４】
次に、図３〜図８につき、このＬＤＡパッケージ１０を製造する方法の主要な工程を説明する。
【００２５】
図３に示すように、電極シート２４を構成するカソード電極１６、絶縁層１８および金属箔２０を用意する。カソード電極１６はたとえば厚さ１００〜３００μｍの圧延銅からなり、絶縁層１８はたとえば厚さ５０〜１００μｍのポリイミドフィルムからなり、金属箔２０はたとえば厚さ５０〜１００μｍの圧延銅からなる。ここで、カソード電極１６と絶縁層１８には、溶接用穴２６（図１、図２）と対応する位置に同一径（たとえばφ２〜６ｍｍ）の貫通孔１６ａ，１８ａがそれぞれ形成される。
【００２６】
そして、たとえばフレキシブル配線板（銅張板）の製作に用いられているのと同様のラミネート技術を用いてポリイミドフィルム１８の上面および下面にカソード電極１６および銅箔２０をそれぞれ貼り合わせて、図４に示すように一体的な３層構造の電極シート２４を形成する。ここで、銅箔２０の上で上層のカソード電極１６の貫通孔１６ａと中間層のポリイミドフィルム１８の貫通孔１６ａとが上下に重なり合って、底面に下層の銅箔２０が露出する有底の穴２６も同時に形成される。この電極シート２４における溶接用の穴２６は、図４および図５に示すように、アノード電極１２上でＬＤＡチップ１４と対向することになる一端（一辺）２４ａに沿って端から端まで複数個（図示の例は４個）設けるのが好ましい。
【００２７】
なお、電極シート２４において、上層のカソード電極１６および下層の銅箔２０の表面には酸化（銅錆）を防止するために金メッキが施されてよい。
【００２８】
図６に示すように、アノード電極１２の上面には、先にＬＤＡチップ１４が下面のアノード端子をたとえばハンダ付けで接合させて所定位置（先端部）に取り付けられる。かかる状態のアノード電極１２の上面に、さらに図７に示すようにＬＤＡチップ１４から離れた後方の所定位置に電極シート２４を載置する。ここで、電極シート２４の下層の銅箔２０がアノード電極１２に接触する。
【００２９】
次に、図８に示すように、電極シート２４の各溶接用穴２６に向けて上方より波長５３２μｍのＹＡＧ第２高調波レーザ光ＳＨＧを集光照射して、穴２６内で銅箔２０をアノード電極１２にレーザ溶接（Ｗ）する。好適な一実施例として、このＹＡＧ第２高調波レーザ光ＳＨＧは、たとえばピークパワー１ｋＷ、パルス幅１ｍｓ（レーザエネルギー１ジュール）のパルスレーザ光である。このようなＹＡＧ第２高調波のパルスレーザ光ＳＨＧを照射された溶接用穴２６内の銅箔２０はＹＡＧ第２高調波のレーザエネルギーを高い吸収率で吸収して速やかに溶融し、さらにはその直下の銅からなるアノード電極１２もやはりＹＡＧ第２高調波のレーザエネルギーを高い吸収率で吸収して溶融する。また、銅箔２０の金メッキもＹＡＧ第２高調波のレーザエネルギーを吸収して直ぐに溶ける。こうして、レーザ照射後に銅箔２０およびアノード電極１２のそれぞれの溶融部分が凝固して、溶接ナゲットＷが得られる。なお、ＹＡＧ第２高調波（５３２μｍ）の代わりにＹＡＧ第３高調波（３５５μｍ）あるいはＹＡＧ第４高調波（２６６μｍ）等のＹＡＧ高調波も好適に使用可能である。
【００３０】
このレーザスポット溶接は、加工時間が極めて短いうえ、入熱が溶接（接合）部に限定され、周辺への熱影響が少なく、応力ないし歪が非常に小さい。このため、アノード電極１２に搭載されているＬＤＡチップ１４の取付精度に影響を与えることはない。また、接着剤のように有機溶媒のガスを発生することはなく、環境汚染のないクリーンな接合が得られる。
【００３１】
なお、複数の溶接用穴２６について上記のレーザスポット溶接を順次行うために、ＹＡＧ第２高調波レーザ光ＳＨＧを集光照射するレーザ出射ユニット（図示せず）を固定したまま、ワーク（２４，１２）側をＸＹテーブル（図示せず）に載せて一次元または二次元方向にインデックス送りする方法、あるいはワーク（２４，１２）を定置の作業台に載置してレーザ出射ユニット側をスキャニング移動させる方法等を用いることができる。いずれの方法でも、１ワーク当たりの所要加工時間は１０秒以内で済む。因みに、従来のヒートシールを用いる接合方法は、数分以上の時間を要していた。
【００３２】
上記のようにしてアノード電極１２上に電極シート２４を取り付けた後に、常用のワイヤボンディング法によりＬＤＡチップ１４の上面（カソード端子）とカソード電極１６とを金細線２２で結線する（図１）。こうして、この実施形態におけるＬＤＡパッケージ１０の基本アッセンブリが出来上がる。上記の例では、電極シート２４の溶接用穴２６をＬＤＡチップ１４と対向する一端部つまり金細線２２が接続されるボンディング位置の近傍に設けているので、必要最小限のレーザ接合Ｗで電極シート２４を安定に保持することができる。
【００３３】
図９および図１０に、この実施形態におけるＬＤＡパッケージ１０のより具体的または実用的な構造を示す。
【００３４】
図９に示す構造は、ＬＤＡパッケージ１０の基本アッセンブリをベース部材３０上にボルト３２で着脱可能に取り付けるものである。ＬＤＡパッケージ１０の中心部には、つまりアノード電極１２、カソード電極１６、ポリイミドフィルム１８および銅箔２０の各中心部には、ボルト３２を鉛直方向に同軸上で通すためのボルト通し孔５０がそれぞれ形成される。また、ベース部材３０の上面には、ボルト３２と螺合するためのネジ孔３４が形成される。通常、ベース部材３０も導電率の高い金属たとえば銅からなり、図示しない導体を介してレーザ電源の正極側電源端子（＋）に電気的に接続される。また、ボルト３２の頭部と電極シート２４のカソード電極１６との間には、ＬＤＡパッケージ１０の各部を上から均一な圧力で押さえ付けるための板状の押さえ部材３６が挿入される。この押さえ部材３６も導電率の高い金属たとえば銅からなり、図示しない導体を介してレーザ電源の負極側電源端子（−）に電気的に接続される。
【００３５】
図１０に示す構造は、図９のパッケージ構造に水冷機能を付加したものであり、ヒートシンクのアノード電極１２内に冷却水を流すための通路３８を所望のルートで設け、ベース部材３０にはアノード電極１２内の冷却水通路３８に冷却水を循環供給するための冷却水導入路（ＩＮ）４０および冷却水回収路（ＯＵＴ）４２を設けている。なお、図１０の冷却水通路３８は図解を容易にするために模式的に示しており、実際には細径（１ｍｍ以下）の流路でアノード電極１２内の隅々まで行きわたっている。
【００３６】
以上のように、この実施形態によれば、カソード電極１６と金属箔２０とで絶縁層１８を挟んだ３層構造の電極シート２４を形成し、電極シート２４下層の金属箔２０とヒートシンクのアノード電極１２とを電極シート２４上面の溶接用穴２６からレーザ溶接で接合することにより、カソード電極１６の取付（接合）強度が高く、接合時の熱影響やＬＤＡチップ１４へのストレスが小さい高信頼性のＬＤＡパッケージ１０が得られる。
【００３７】
図１１に、一実施形態によるスタック型ＬＤＡパッケージの構成を示す。このスタック型は、上記実施形態により作製されるＬＤＡパッケージ１０の基本アッセンブリをベース部材３０の上にスペーサ４４を介して多層または多段（図示の例は４段）に積層してボルト３２で一体的に固定するものであり、モジュール全体として二次元ＬＤＡを構成している。スペーサ４４は導電率の高い金属たとえば銅板からなり、上下に隣接する２つのＬＤＡパッケージ１０，１０の間では下段側パッケージ１０のカソード電極１６にスペーサ４４を介して上段側パッケージ１０のアノード電極１２が電気的に接続される構成となる。各ＬＤＡパッケージ１０のＬＤＡチップ１４の前面にはコリメート用のマイクロシリンドリカルレンズ４５が取り付けられる。
【００３８】
各々のＬＤＡパッケージ１０には、図１２に示すように、中心部にボルト通し穴５０が設けられるとともに、その両側に一対の貫通孔５２，５４が設けられる。さらに、各ＬＤＡパッケージ１０においては、ヒートシンクのアノード電極１２の中に一方の貫通孔５２の内壁面から他方の貫通孔５４の内壁面まで所望のルートで延在する冷却水通路５６が設けられる。スペーサ４４にも、各ＬＤＡパッケージ１０の貫通孔５２，５４と対応する位置に貫通孔が形成されている。スタック・モジュール全体では、各段の片側の貫通孔５２が最下段から最上段まで縦一列につながって垂直上方に延在する往路の主冷却水通路５８が形成されるとともに、各段の反対側の貫通孔５４が最上段から最下段まで縦一列につながって垂直下方に延在する復路の主冷却水通路６０が形成される。また、各貫通孔５２，５４の上縁部と下縁部には環状の溝６２，６４が形成され、これらの溝６２，６４に設けられるシール部材たとえばＯリング６６，６８によって主冷却水通路５８，６０はそれぞれ密封される。
【００３９】
ベース部材３０の冷却水導入路（ＩＮ）４０より垂直上方に往路の主冷却水通路５８に送られる冷却水Ａは、その一部が各段のＬＤＡパッケージ１０において貫通孔５２より副冷却通路５６に分配され、残りは上段のＬＤＡパッケージ１０へ送られる。そして、各段において副冷却通路５６より貫通孔５４に抜けた冷却水Ａが復路の主冷却水通路６０を垂直下方に流下してベース部材３０の冷却水回収路（ＯＵＴ）４２に回収される。
【００４０】
このスタック型ＬＤＡパッケージにおいては、各ＬＤＡパッケージ１０の加工精度、特に電極シート２４の取付精度が高いため、冷却水通路５８，６０の密封度が高い（冷却水の漏れが無い）うえ、各段のＬＤＡパッケージ１０のＬＤＡチップ１４が平行に多層配置されるため、再現性の高い安定したビーム径で高出力の二次元レーザビームを生成することができる。
【００４１】
以上、本発明の好適な実施形態を説明したが、本発明は上記実施形態に限定されるものではなく、その技術的思想の範囲内で種々の変形・変更が可能である。たとえば、上記した実施形態は高出力アレイ型半導体レーザ（ＬＤＡ）のパッケージングに係るものであったが、本発明はあらゆる半導体レーザ（ＬＤ）のパッケージングに適用可能である。また、電極シート２４に設ける溶接用穴２６の位置や個数は任意に選定できる。また、電極シート２４の絶縁層１８をポリイミド以外の材質にしたり多層構造とすることや、多数本のボンディングワイヤ２２を１枚の導電シートで代用すること等も可能である。
【図面の簡単な説明】
【００４２】
【図１】本発明の一実施形態における高出力アレイ型半導体レーザ（ＬＤＡ）パッケージの構成を示す縦断面図である。
【図２】実施形態におけるＬＤＡパッケージの構成を示す平面図である。
【図３】実施形態のＬＤＡパッケージにおける電極シートの作成方法を示す分解断面図である。
【図４】実施形態のＬＤＡパッケージにおける電極シートの作成方法および構成を示す断面図である。
【図５】実施形態のＬＤＡパッケージにおける電極シートの作成方法および構成を示す平面図である。
【図６】実施形態におけるＬＤＡパッケージの製造方法の一段階を示す縦断面図である。
【図７】実施形態におけるＬＤＡパッケージの製造方法の一段階を示す縦断面図である。
【図８】実施形態におけるＬＤＡパッケージの製造方法の一段階を示す縦断面図である。
【図９】実施形態におけるＬＤＡパッケージのより具体的な構成例を示す縦断面図である。
【図１０】実施形態におけるＬＤＡパッケージの別の具体的な構成例を示す縦断面図である。
【図１１】実施形態におけるスタック型ＬＤＡパッケージの構成を示す縦断面図である。
【図１２】図１１のスタック・モジュールに用いられるＬＤＡパッケージの構成を示す平面図である。
【図１３】従来のＬＤＡパッケージの構成を示す縦断面図である。
【符号の説明】
【００４３】
１０    ＬＤＡパッケージ
１２    アノード電極
１４    ＬＤＡチップ
１６    カソード電極
１８    絶縁層
２０    金属箔
２２    ボンディングワイヤ
２４    電極シート
２６    溶接用穴
３０    ベース部材
３２    ボルト
３６    押さえ部材
３８    冷却水通路
４４    スペーサ
５０    ボルト通し穴
５２，５４    貫通孔
５６    冷却水通路
【図１】
0004800019.tif 000002
【図２】
0004800019.tif 000003
【図３】
0004800019.tif 000004
【図４】
0004800019.tif 000005
【図５】
0004800019.tif 000006
【図６】
0004800019.tif 000007
【図７】
0004800019.tif 000008
【図８】
0004800019.tif 000009
【図９】
0004800019.tif 000010
【図１０】
0004800019.tif 000011
【図１１】
0004800019.tif 000012
【図１２】
0004800019.tif 000013
【図１３】
0004800019.tif 000014