(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
シリコン支持体、該シリコン支持体の一面側に設けられた酸化膜からなる絶縁層、及び、該絶縁層をシリコン支持体とで挟んだ状態で形成された表面シリコン層を備えたＳＯＩ基板を形成するための熱処理工程の後、該熱処理工程を行なった炉から前記ＳＯＩ基板を取り出すアンロード工程を行なうとき、炉内の温度を３５０℃以上７５０℃以下とし、かつ、該炉に水素又は水蒸気を０．１体積％含む窒素ガスを供給して行い、該炉から前記ＳＯＩ基板を取り出す炉外の雰囲気を水素または水蒸気を０．１体積％含むガス雰囲気とし、
前記アンロード工程において、前記炉内に供給する前記水素又は水蒸気を０．１体積％含む窒素ガスが、該炉の前記ＳＯＩ基板の取出し口から流出するときの流量を２０ＳＬＭ以下にし、前記炉からＳＯＩ基板を取り出すときのＳＯＩ基板の移動速度を２０ｍｍ／分以上５００ｍｍ／分以下とすることを特徴とするＳＯＩ基板の製造方法。
【請求項２】
シリコン支持体、該シリコン支持体の一面側に設けられた酸化膜からなる絶縁層、及び、該絶縁層をシリコン支持体とで挟んだ状態で形成された表面シリコン層を備えたＳＯＩ基板を形成するための熱処理工程の後、該熱処理工程を行なった炉から前記ＳＯＩ基板を取り出すアンロード工程を行なうとき、炉内の温度を３５０℃以上７５０℃以下とし、かつ、該炉にアルゴンガスを供給して行い、該炉から前記ＳＯＩ基板を取り出す炉外の雰囲気を水素または水蒸気を０．１体積％含むガス雰囲気とし、
前記アンロード工程において、前記炉内に供給する前記アルゴンガスが、該炉の前記ＳＯＩ基板の取出し口から流出するときの流量を２０ＳＬＭ以下にし、前記炉からＳＯＩ基板を取り出すときのＳＯＩ基板の移動速度を２０ｍｍ／分以上５００ｍｍ／分以下とすることを特徴とするＳＯＩ基板の製造方法。
【請求項３】
シリコン支持体、該シリコン支持体の一面側に設けられた酸化膜からなる絶縁層、及び、該絶縁層をシリコン支持体とで挟んだ状態で形成された表面シリコン層を備えたＳＯＩ基板を形成するための熱処理工程の後、該熱処理工程を行なった炉から前記ＳＯＩ基板を取り出すアンロード工程を行なうとき、炉内の温度を６００℃を超え７５０℃以下とし、かつ、該炉に窒素ガスを供給して行い、該炉から前記ＳＯＩ基板を取り出す炉外の雰囲気を水素または水蒸気を０．１体積％含むガス雰囲気とし、
前記アンロード工程において、前記炉内に供給する前記窒素ガスが、該炉の前記ＳＯＩ基板の取出し口から流出するときの流量を２０ＳＬＭ以下にし、前記炉からＳＯＩ基板を取り出すときのＳＯＩ基板の移動速度を２０ｍｍ／分以上５００ｍｍ／分以下とすることを特徴とするＳＯＩ基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、シリコン支持体と表面シリコン層との間に酸化膜からなる絶縁層を設けた構造の基板つまりＳＯＩ基板の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
シリコン支持体と表面シリコン層との間に酸化膜からなる絶縁層を設けた構造を有するＳＯＩ（Ｓｉｌｉｃｏｎ  ｏｎ  Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ）基板の製造方法として、酸素イオンをシリコン基板に注入し、所定の温度の熱をかける熱処理を行なうことで、シリコン基板の内部に埋め込み酸化膜の層、つまりＢＯＸ（Ｂｕｒｉｅｄ  Ｏｘｉｄｅ）層と称される絶縁層を形成するＳＩＭＯＸ（Ｓｅｐａｒａｔｉｏｎ  ｂｙ  Ｉｍｐｌａｎｔｅｄ  Ｏｘｙｇｅｎ）法と、表面シリコン層となるシリコン基板の表面に酸化膜を形成した後、シリコン支持体となる他のシリコン基板と貼り合わせ、酸化膜を形成したシリコン基板を所定の厚みになるまで薄膜化する貼り合わせ法などが用いられている。
【０００３】
ＳＩＭＯＸ法では、酸素イオンをシリコン基板に打ち込んで注入し、その後、炉に入れ、例えば１３５０℃以上で加熱する熱処理工程を施すことによって絶縁層を形成し、ＳＯＩ基板を形成する方法である。熱処理工程では、酸素または酸素をわずかに含むアルゴンガスを炉内に供給することで、酸素または酸素をわずかに含むアルゴンガス雰囲気中で行なわれる。そして、熱処理工程後、ＳＯＩ基板を炉から取り出すアンロード工程が行なわれ、このアンロード工程は、炉内の雰囲気を窒素ガスに置換し、炉内の温度が８００℃以下の状態で行なわれる。また、ウェーハ径が、例えば３００ｎｍといったように大口径化するのに伴って、ＳＯＩ基板の品質やＳＯＩ基板の製造の歩留まりの低下に繋がるスリップの発生を抑えるため、アンロード工程は、炉内の温度が６００℃以下の状態で行なう傾向にある。
【０００４】
一方、貼り合わせ法では、表面シリコン層となるシリコン基板の表面に酸化膜を形成した後、シリコン支持体となる他のシリコン基板と貼り合わせるため、炉に入れ、例えば１０００℃以上で加熱する熱処理工程を施すことによって、貼り合わせ界面を密着させて貼り合わせ界面の強度を高める。この熱処理工程では、通常、窒素または酸素を炉内に供給することで、窒素または酸素雰囲気中で行なわれる。そして、熱処理工程後、ＳＯＩ基板を炉から取り出すアンロード工程が行なわれ、このアンロード工程は、ＳＩＭＯＸ法の場合と同様に、炉内の雰囲気を窒素ガスに置換し、炉内の温度が８００℃以下の状態で行なわれる。また、ウェーハ径が、例えば３００ｎｍといったように大口径化するのに伴って、ＳＯＩ基板の品質やＳＯＩ基板の製造の歩留まりの低下に繋がるスリップの発生を抑えるため、アンロード工程は、炉内の温度が６００℃以下の状態で行なう傾向にあるのもＳＩＭＯＸ法の場合と同様である。
【０００５】
この後、貼り合わせ法では、アンロード工程の後、表面シリコン層となるシリコン基板の外面側の酸化膜の除去やダメージの除去、また、表面シリコン層の厚みの調整などのため研磨を行なう研磨工程を行なう。
【０００６】
さらに、ＳＩＭＯＸ法、貼り合わせ法共に、ＳＯＩ基板の厚みの調整のため、表面シリコン層の表面に犠牲酸化膜を形成して表面シリコン層を薄膜化させる犠牲酸化膜形成工程を、各々の熱処理工程に続けて行なう場合がある。犠牲酸化膜形成工程は、ＳＯＩ基板を炉に入れ、酸素を炉内に供給することで、酸素雰囲気中で、例えば１０００℃以上の温度で熱処理を施すものである。このような犠牲酸化膜形成工程を行なう場合には、犠牲酸化膜形成工程の後に、上記のような熱処理工程の後の場合と同様にアンロード工程を行なっている。
【０００７】
ところで、本発明者らは、このような従来のＳＯＩ基板の製造方法で製造したＳＯＩ基板のＳＯＩ基板の表面シリコン層と絶縁層との界面の特性について検討を行なった。その結果、従来のＳＯＩ基板の製造方法で製造したＳＯＩ基板では、ＳＯＩ基板の表面シリコン層と絶縁層との界面の界面準位密度に問題が生じることにより、界面の電子移動度など表面シリコン層と絶縁層との界面の特性に問題が生じる場合があることが判明した。例えば界面の電子移動度は、ＳＯＩ基板の表面シリコン層と絶縁層との界面の界面準位密度が高くなるに連れて低下してしまう。
【０００８】
このような表面シリコン層と絶縁層との界面の界面準位密度に問題が生じると、表面シリコン層と絶縁層との界面の特性に問題が生じることにより、ＳＯＩ基板を用いて形成したトランジスタなどの電子デバイスにおいて、閾値電圧がシフトしてしまう、サブスレッシュホールド係数が大きくなる、また、トランジスタなどのようなスイッチングを行なう電子デバイスの駆動能力が低下するといったように、電子デバイスの動作性能や信頼性が低下してしまう。
【０００９】
このため、ＳＯＩ基板を用いて形成した電子デバイスの動作性能や信頼性の低下を抑制するため、表面シリコン層と絶縁層との界面の界面準位密度を低減したＳＯＩ基板が必要となっている。
【００１０】
一般にシリコン層と酸化シリコン層との界面の界面準位密度の上昇は、界面のシリコン原子の未結合ボンドつまりダングリングボンドが存在することによって生じることが分かっている（例えば、非特許文献１参照）。したがって、ＳＯＩ構造における表面シリコン層と絶縁層との界面の界面準位密度の上昇に関しても、界面のシリコン原子のダングリングボンドに起因していると考えられる。このような、シリコン層と酸化シリコン層との界面のダングリングボンドを減少させる方法として、水素原子でダングリングボンドを終端させる方法が知られている（例えば、非特許文献２参照）。そこで、ＳＯＩ基板を形成した後、水素雰囲気中で熱処理することにより、表面シリコン層と絶縁層との界面部分に水素を導入し、表面シリコン層と絶縁層との界面の界面準位密度を低減することが考えられる。
【００１１】
また、ＳＯＩ基板を用いて電子デバイスを製造する際に窒素を所定濃度偏析させた窒素偏析層を形成することにより、表面シリコン層と絶縁層との界面の界面準位密度を低減することが提案されている（例えば、特許文献１参照）。
【特許文献１】特開平２００２−２６２９９号公報（第３頁、第１図）
【非特許文献１】「キャラクタリスティック・エレクトロニック・ディフェクツ・アト・ザ・Ｓｉ−ＳｉＯ２・インターフェース（Characteristic electronic defects at the Si-SiO2 interface）」、アプライド・フィジックス・レター（Appl. Phys. Lett.）、１９８３年、４３、ｐ.５６３
【非特許文献２】「パッシベーション・アンド・デパッシベーション・オブ・シリコン・ダングリング・ボンド・アト・ザ・Ｓｉ／ＳｉＯ２・インターフェース・バイ・アトミック・ハイドロジェン（Passivation and depassivation of Silicon dangling bonds at the Si / SiO2 interface by atomic hydrogen）」、 アプライド・フィジックス・レター（Appl. Phys. Lett.）、１９９３年、６３, ｐ.１５１０
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１２】
しかし、水素雰囲気中で熱処理することにより表面シリコン層と絶縁層との界面の界面準位密度を低減する方法や、特許文献１のように表面シリコン層と絶縁層との界面に窒素を所定濃度偏析させた窒素偏析層を形成することにより表面シリコン層と絶縁層との界面の界面準位密度を低減する方法では、ＳＯＩ基板の製造工程が増えることにより、製造工程の煩雑化やコストの増大などを招く場合がある。このため、製造工程を増やすことなく、表面シリコン層と絶縁層との界面の界面準位密度を低減できるＳＯＩ基板の製造方法も必要とされている。
【００１３】
本発明の課題は、製造工程を増やすことなく、表面シリコン層と絶縁層との界面の界面準位密度を低減することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１４】
本発明のＳＯＩ基板の製造方法は、シリコン支持体、該シリコン支持体の一面側に設けられた酸化膜からなる絶縁層、及び、該絶縁層をシリコン支持体とで挟んだ状態で形成された表面シリコン層を備えたＳＯＩ基板を形成するための熱処理工程の後、該熱処理工程を行なった炉から前記ＳＯＩ基板を取り出すアンロード工程を行なうとき、炉内の温度を２５０℃以上８００℃以下とし、前記ＳＯＩ基板を取り出す雰囲気を水素または水分を含む雰囲気とすることにより上記課題を解決する。
【００１５】
本発明者らは、種々の検討を行なった結果、アンロード工程を行なうときの温度や、炉からＳＯＩ基板を取り出す雰囲気などの条件によって、アンロード工程で表面シリコン層と絶縁層との界面部分に水素を導入でき、表面シリコン層と絶縁層との界面の界面準位密度を低減できることを見出した。したがって、本発明のＳＯＩ基板の製造方法のように、アンロード工程を行なうときの炉内の温度を２５０℃以上８００℃以下とし、ＳＯＩ基板を取り出す雰囲気を水素または水分を含む雰囲気とすることにより、従来から行なわれていたアンロード工程において水素を導入でき、表面シリコン層と絶縁層との界面の界面準位密度を低減できる。このため、製造工程を増やすことなく、表面シリコン層と絶縁層との界面の界面準位密度を低減できる。
【００１６】
また、アンロード工程は、このアンロード工程を行なうときの炉内の温度を３５０℃以上７５０℃以下とし、雰囲気として水素または水蒸気を０.１体積％以上含む雰囲気とすることにより、アンロード工程において水素をより確実に導入でき、表面シリコン層と絶縁層との界面の界面準位密度をより確実に低減できる。
【００１７】
さらに、アンロード工程は、炉内にガスを供給して行なうとき、この炉内に供給されるガスがこの炉の出口から流出するときの流量を２０ＳＬＭ以下にして行なう方法とする。このような方法とすれば、炉の出口から流出するガスが、炉から取り出されたＳＯＩ基板への水素または水分を含む雰囲気の接触を妨げるのを防ぐことができる。このため、アンロード工程において水素をより確実に導入でき、表面シリコン層と絶縁層との界面の界面準位密度をより確実に低減できる。加えて、アンロード工程において水素をさらに確実に導入し、表面シリコン層と絶縁層との界面の界面準位密度をさらに確実に低減する上では、アンロード工程は、炉内にガスを供給して行なうとき、この炉内に供給されるガスがこの炉の出口から流出するときの流量を５ＳＬＭ以下にして行なうことが望ましい。
【００１８】
また、本発明者らの検討の結果、炉内に供給されるガスが窒素ガスの場合、アンロード工程を行なうときの炉内の温度が６００℃以下になると界面準位密度を有意に低減できず、ガスとしてアルゴンガスを供給すると、アンロード工程を行なうときの炉内の温度が６００℃以下でも界面準位密度を有意に低減できることがわかった。したがって、アンロード工程は、炉内にガスを供給して行なうとき、この炉内に供給されるガスとしてアルゴンガスを供給する方法とすれば、アンロード工程を行なうときの炉内の温度が６００℃以下でも、表面シリコン層と絶縁層との界面の界面準位密度をより確実に低減できる。
【００１９】
さらに、アンロード工程は、炉内にガスを供給して行なうとき、この炉内に供給される不活性ガスとして、０.１体積％以上の水素または水蒸気を含むガスを供給する方法とすれば、アンロード工程を行なうときの炉内の温度が６００℃以下で、炉内に供給されるガスが窒素ガスなどであっても表面シリコン層と絶縁層との界面の界面準位密度をより確実に低減できる。
【００２０】
また、炉が下部からＳＯＩ基板を取り出す縦型の炉であり、アンロード工程は、炉内にガスを供給して行なうとき、ＳＯＩ基板を取り出す空間内の雰囲気よりも重いガスを炉内に供給して行なう方法とする。このような方法とすれば、炉内に供給されたＳＯＩ基板を取り出す空間内の雰囲気よりも重いガスが炉の下方に流下することにより、縦型の炉の下方の空間に取り出されたＳＯＩ基板の下方の水素または水分を含む雰囲気をＳＯＩ基板の周囲に巻き上げる。これにより、ＳＯＩ基板に水素または水分を含む雰囲気が接触し易くなるため、アンロード工程において水素をより確実に導入でき、表面シリコン層と絶縁層との界面の界面準位密度をより確実に低減できる。
【００２１】
さらに、アンロード工程は、炉からＳＯＩ基板を取り出すときのこのＳＯＩ基板の移動速度を２０ｍｍ／分以上５００ｍｍ／分以下とする。アンロード工程で炉から取り出されるボートなどに載ったＳＯＩ基板は、炉から引き出されるに連れて炉内の温度より低い温度環境で熱処理されることになる。したがって、炉から取り出すときのＳＯＩ基板の移動速度が５００ｍｍ／分より速いと、水素あるいは水蒸気を含む雰囲気で、界面準位密度を低減するのに有効な温度範囲で熱処理される時間が短くなり、界面準位密度の低減ができなくなる場合がある。また２０ｍｍ／分より遅すぎると、ＳＯＩ基板の製造のスループットが低下してしまう。ＯＩ基板の製造のスループットが低下を一層確実に抑制しながら界面準位密度を一層確実に低減する上では、炉からＳＯＩ基板を取り出すときのこのＳＯＩ基板の移動速度を５０ｍｍ／分以上１００ｍｍ／分以下とすることが望ましい。
【００２２】
なお、複数の熱処理工程がある場合、少なくとも一つの熱処理工程の後のアンロード工程を上記のいずれかの条件で行なうことで、本発明の効果を得ることができる。さらに、複数の熱処理工程がある場合、ＳＯＩ基板の製造において最後に行なう熱処理工程の後のアンロード工程を上記のいずれかの条件で行なうことで、本発明の効果をさらに確実に得ることができる。
【発明の効果】
【００２３】
本発明によれば、製造工程を増やすことなく、表面シリコン層と絶縁層との界面の界面準位密度を低減できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２４】
以下、本発明を適用してなるＳＯＩ基板の一実施形態について図１乃至図５を参照して説明する。図１は、本発明を適用してなるＳＩＭＯＸ法によるＳＯＩ基板の製造方法を示すフロー図である。図２は、ＳＩＭＯＸ法によるＳＯＩ構造の形成方法を模式的に示す図である。図３は、擬似ＦＥＴを形成して電子移動度や界面準位密度の計測方法を説明する図であり、（ａ）は断面図、（ｂ）はソース電極とドレイン電極を形成した面側から見た平面図である。図４は、本発明を適用してなる貼り合わせ法によるＳＯＩ基板の製造方法を示すフロー図である。図５は、貼り合わせ法によるＳＯＩ構造の形成方法を模式的に示す図である。
【００２５】
シリコン支持体と表面シリコン層との間に酸化膜からなる絶縁層を設けた構成を有するＳＯＩ（Ｓｉｌｉｃｏｎ  ｏｎ  Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ）構造のウェーハ、すなわちＳＯＩ基板の製造には、２種類の方法が用いられている。一つは、酸素イオンをシリコン基板に注入し、所定の温度の熱をかけるアニール処理することで、シリコン基板内部に埋め込み酸化膜つまりＢＯＸ（Ｂｕｒｉｅｄ  Ｏｘｉｄｅ）層からなる絶縁層を形成するＳＩＭＯＸ（Ｓｅｐａｒａｔｉｏｎ  ｂｙ  Ｉｍｐｌａｎｔｅｄ  Ｏｘｙｇｅｎ）法である。もう一つは、予めシリコン基板上に酸化膜を形成した後、他のシリコン基板と貼り合わせ、酸化膜を形成したシリコン基板の表面を所定の厚みになるまで薄膜化する貼り合わせ法である。
【００２６】
本発明を適用してなるＳＯＩ基板の製造方法を、まず、ＳＩＭＯＸ法の場合について説明する。本発明を適用してなるＳＩＭＯＸ法によるＳＯＩ基板の製造方法は、図１及び図２に示すように、シリコン基板１に酸素イオンを注入するイオン注入工程（ステップ１０１）、イオン注入工程の後に熱処理により酸化シリコン膜であるＢＯＸ層からなる絶縁層３を形成する絶縁層形成工程（ステップ１０３）、絶縁層形成工程を行なった炉から形成されたＳＯＩ基板９を取り出すアンロード工程（ステップ１０５）、そして、表面シリコン層５の表面に形成された熱酸化膜を剥離して除去する酸化膜除去工程（ステップ１０７）などからなる。
【００２７】
ステップ１０１のイオン注入工程では、シリコン基板１を用意し、このシリコン基板１内の所定部位に酸素イオンが到達するよう、例えば加速エネルギー１７０ｋｅＶ、ドーズ量５×１０１７／ｃｍ２の条件で酸素イオンを注入する。イオン注入工程の後、ステップ１０３の絶縁層形成工程では、炉に酸素イオンを注入したシリコン基板１を入れ、例えば酸素をわずかに含むアルゴンを炉内に供給して炉内をＡｒ／Ｏ２雰囲気とし、１３５０℃で６時間の熱処理を施す。これにより、シリコン基板１の酸素イオンを注入した部位に酸化膜からなる絶縁層３が形成される。また、絶縁層３が形成されることにより、絶縁層３の両側にシリコン支持体７と、活性層となるＳＯＩ層つまり表面シリコン層５が形成された状態となり、ＳＯＩ基板９となる。
【００２８】
ステップ１０３の絶縁層形成工程の後、この絶縁層形成工程の熱処理を行なった炉からＳＯＩ基板９を取り出すステップ１０５のアンロード工程を行なう。ステップ１０５のアンロード工程では、ＳＯＩ基板９は、炉から、この炉の出入り口または出口に連続して設けられたチャンバーまたはクリーンルーム内に取り出される。したがって、炉の出入り口または出口に連続して設けられたチャンバーまたはクリーンルーム内を水素または水分を含む雰囲気にしておく。また、アンロード工程を開始するとき、つまり、ＳＯＩ基板９を炉から取り出すときの炉内の温度は、２５０℃以上８００℃以下にしておく。
【００２９】
ＳＯＩ基板９を炉から取り出すときの炉内の温度が２５０℃より低いと、ＳＯＩ基板９を取り出す空間を水素または水分を含む雰囲気にしても、水素を導入できず、表面シリコン層５と絶縁層３との界面の界面準位密度を低減することができない。一方、ＳＯＩ基板９を炉から取り出すときの炉内の温度が８００℃より高いと、ＳＯＩ基板９とＳＯＩ基板９を取り出す空間の温度との温度差が大きくなり過ぎ、ＳＯＩ基板９の径に関係なくスリップが発生し易く、ＳＯＩ基板の品質やＳＯＩ基板の製造の歩留まりが低下してしまう。したがって、ＳＯＩ基板９を炉から取り出すときの炉内の温度は、２５０℃以上８００℃以下にする。
【００３０】
さらに、ステップ１０５のアンロード工程では、アンロード工程を行なうときの炉内の温度を３５０℃以上とし、雰囲気として水素または水蒸気を０.１体積％以上含む雰囲気とすることが、アンロード工程において水素をより確実に導入し、表面シリコン層５と絶縁層３との界面の界面準位密度をより確実に低減する上で望ましい。また、この条件の場合、アンロード工程を行なうときの炉内の温度を７５０℃以下にしてもアンロード工程において水素をより確実に導入することができる。したがって、この条件の場合、スリップの発生により、ＳＯＩ基板の品質やＳＯＩ基板の製造の歩留まりの低下をより確実に防ぐうえで、アンロード工程を行なうときの炉内の温度を７５０℃以下にすることが望ましい。
【００３１】
また、ステップ１０５のアンロード工程を行なうとき、ＳＯＩ基板の熱処理を行なった炉内にステップ１０３の絶縁層形成工程で炉内に供給したガスを供給しながら行なうことができる。通常、炉で熱処理を行なう場合、炉内には不活性ガスである窒素ガスまたはアルゴンガス、そして、これらの不活性ガスのいずれかに酸素を混合したガスが供給される。したがって、ステップ１０５のアンロード工程を炉内にガスを供給しながら行なう場合も、窒素ガス、アルゴンガス、または、これらのガスのいずれかに酸素を混合したガスが炉内に供給される。
【００３２】
ステップ１０５のアンロード工程において炉内に供給されたガスは、ＳＯＩ基板９を取り出すために開いた炉の出口から炉外に流れ出すことになる。このため、炉内に供給されたガスが炉の出口から炉外に流れ出す流量によっては、表面シリコン層と絶縁層との界面の界面準位密度を低減できるような量の水素をＳＯＩ基板９に導入できない場合がある。これは、炉から取り出されているＳＯＩ基板９の周囲を炉内に供給され炉の出口から炉外に流出したガスが流れることによって、炉から取り出されたＳＯＩ基板９に水素または水分を含む雰囲気がＳＯＩ基板９に接触し難くなり、ＳＯＩ基板９に水素を導入でき難くなるためと考えられる。
【００３３】
そこで、炉内に供給されるガスが、この炉の出口から流出するときの流量を２０ＳＬＭ以下にすると、界面の界面準位密度を低減できた。さらに、この炉の出口から流出するときの流量を５ＳＬＭ以下にすると、一層確実に界面の界面準位密度を低減できた。したがって、炉内にガスを供給しながらアンロード工程を行なう場合、アンロード工程においてＳＯＩ基板９に水素をより確実に導入し、表面シリコン層５と絶縁層３との界面の界面準位密度をより確実に低減する上で、炉内に供給されるガスが、この炉の出口から流出するときの流量を２０ＳＬＭ以下にすることが望ましい。また、界面の界面準位密度を一層確実に低減する上で、炉内に供給されるガスが炉の出口から流出するときの流量を５ＳＬＭ以下にすることがさらに望ましい。
【００３４】
また、アンロード工程は、炉からＳＯＩ基板を取り出すときのこのＳＯＩ基板の移動速度、つまり、アンロードスピードを２０ｍｍ／分以上５００ｍｍ／分以下とすることによって、表面シリコン層５と絶縁層３との界面の界面準位密度を低減できた。これは、アンロード工程で炉から取り出されるボートなどに載ったＳＯＩ基板９は、炉から引き出されるに連れて炉内の温度より低い温度環境で熱処理されることになる。したがって、アンロードスピードを５００ｍｍ／分以下とすることで、水素あるいは水蒸気を含む雰囲気で、界面準位密度を低減するのに有効な温度範囲、例えば３５０℃以上７５０℃以下の範囲で十分な時間熱処理され、水素が十分に導入されることで界面準位密度を低減ができたものと考えられる。
【００３５】
逆に、アンロードスピードが５００ｍｍ／分より速いと、水素あるいは水蒸気を含む雰囲気で、界面準位密度を低減するのに有効な温度範囲で熱処理される時間が短くなり、界面準位密度の低減ができなくなる。また、アンロードスピードが２０ｍｍ／分より遅すぎると、ＳＯＩ基板の製造のスループットが低下してしまう。したがって、ＳＯＩ基板の製造のスループットの低下を確実に抑制しながら界面準位密度をより確実に低減する上では、アンロードスピードを２０ｍｍ／分以上５００ｍｍ／分以下とすることが望ましい。また、ＳＯＩ基板の製造のスループットの低下を一層確実に抑制しながら界面準位密度を一層確実に低減する上では、炉からＳＯＩ基板を取り出すときのこのＳＯＩ基板の移動速度を５０ｍｍ／分以上１００ｍｍ／分以下とすることがさらに望ましい。
【００３６】
また、炉内にガスを供給しながらアンロード工程を行なう場合、ステップ１０３の絶縁層形成工程における熱処理に、下方からＳＯＩ基板を取り出す縦型の炉を用いているとき、炉内にＳＯＩ基板を取り出す空間内の雰囲気よりも重いガス、例えばＳＯＩ基板を取り出す雰囲気が大気であるとき、酸素、アルゴンガス、または、酸素とアルゴンの混合ガスを供給したところ、表面シリコン層５と絶縁層３との界面の界面準位密度を確実に低減することができた。これは、ＳＯＩ基板９を取り出す空間内の雰囲気よりも重いガスを炉内に供給すれば、炉内に供給されたＳＯＩ基板を取り出す空間内の雰囲気よりも重いガスが炉の下方に流下することにより、炉から取り出されたＳＯＩ基板９の下方の水素または水分を含む雰囲気が、この取り出されたＳＯＩ基板９の周囲に巻き上げられ、ＳＯＩ基板９に水素または水分を含む雰囲気が接触し易くなるためと考えられる。
【００３７】
このようなステップ１０５のアンロード工程の後、ステップ１０７の酸化膜除去工程を行なう。ステップ１０７の酸化膜除去工程では、炉から取り出したＳＯＩ基板９の表面に形成された熱酸化膜１１を、フッ酸などを用いて剥離して除去し、最終的なＳＯＩ基板９を得る。
【００３８】
ここで、ステップ１０５のアンロード工程において炉に供給するガスの種類や組成、熱処理の温度に対するＳＯＩ層である表面シリコン層５とＢＯＸ層である絶縁層３との界面の電子移動度及び界面準位密度を検討した。ここでは、図１に示すステップ１０１からステップ１０７のような工程にしたがい、また、ステップ１０１のイオン注入工程及びステップ１０３の絶縁膜形成工程の説明で例示した条件で形成した直径２００mm、Ｐ型（ボロンドープ）のＳＯＩ基板９を試料として用いる。試料となるＳＯＩ基板９は、フッ酸で表面シリコン層５やシリコン支持体７の表面に形成されている自然酸化膜を除去した後、純水を用いて洗浄し、N２ブローで乾燥させる。
【００３９】
洗浄し乾燥した後、図３に示すように、試料となるＳＯＩ基板９の表面シリコン層５に水銀で環状のソース電極１３と、環状のソース電極１３の中心に円盤状のドレイン電極１５を形成する。また、シリコン支持体７の表面にアルミニウムでゲート電極１７を形成する。このように、ＳＯＩ基板９に各電極を設けて擬似ＦＥＴとし、ソース電極１３、ドレイン電極１５、そして、ゲート電極１７に配線１９を介して電源を接続し、ソース電極１３、ドレイン電極１５、そして、ゲート電極１７にそれぞれ電圧を印加する。これによりＩｄｓ−Ｖｇｓカーブを得、このＩｄｓ−Ｖｇｓカーブから界面準位密度や電子移動度を計算する。この結果の一例を表１に示す。
【００４０】
【表１】
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表１に例示されているように、炉に供給するガスが窒素ガスであるとき、アンロード工程を行なうときの炉内の温度が７００℃では、有意な表面シリコン層５と絶縁層３との界面の界面準位密度の低減、そして、電子移動度の向上が見られた。しかし、炉に供給するガスが窒素ガスであるとき、アンロード工程を行なうときの炉内の温度が６００℃以下では、表面シリコン層５と絶縁層３との界面の界面準位密度の低減、そして、電子移動度の向上は見られなかった。
【００４１】
これに対し、炉に供給するガスがアルゴンガスであれば、アンロード工程を行なうときの炉内の温度が６００℃以下でも、有意な表面シリコン層５と絶縁層３との界面の界面準位密度の低減、そして、電子移動度の向上が見られた。したがって、表面シリコン層５と絶縁層３との界面の界面準位密度をより確実に低減するには、炉内に不活性ガスを供給しながらアンロード工程を行なう場合、アンロード工程を行なうときの炉内の温度が６００℃以下のときには、炉に供給するガスとしてアルゴンガスを供給することが望ましい。
【００４２】
さらに、アンロード工程を行なうときの炉内の温度が６００℃以下で、炉に供給するガスが窒素ガスの場合であっても、この窒素ガスに０.１体積％以上の水素または水蒸気を含有した状態で供給すると、有意な表面シリコン層５と絶縁層３との界面の界面準位密度の低減、そして、電子移動度の向上が見られた。したがって、表面シリコン層５と絶縁層３との界面の界面準位密度をより確実に低減するには、炉内に不活性ガスを供給しながらアンロード工程を行なう場合、アンロード工程を行なうときの炉内の温度が６００℃以下のときには、炉に供給するガスに０.１体積％以上の水素または水蒸気を含有させることが望ましい。このとき、ガスの種類は窒素ガスに限らずＳＯＩ基板の品質に影響を与えない様々なガスを用いることができる。
【００４３】
また、表１に例示されているように、アンロード工程を行なうときの炉内の温度が４００℃以上であれば、炉内にガスを供給している状態でも、表面シリコン層５と絶縁層３との界面の界面準位密度を確実に低減できる。
【００４４】
次に、本発明を適用してなるＳＯＩ基板の製造方法について、貼り合わせ法の場合を例として説明する。本発明を適用してなる貼り合わせ法によるＳＯＩ基板の製造方法では、図４及び図５に示すように、表面シリコン層５となるシリコン基板２１の表面に酸化膜２３を形成する酸化膜形成工程（ステップ２０１）、酸化膜形成工程後にシリコン基板２１に水素イオンを注入する水素イオン注入工程（ステップ２０３）を行なう。
【００４５】
水素イオン注入工程の後、シリコン基板２１の酸化膜２３の一方とシリコン支持体７の鏡面とを貼り合わせた状態で熱処理することによりシリコン基板２１の一部を、水素イオンを注入した部分から剥離して絶縁層３と表面シリコン層５を形成する剥離工程（ステップ２０５）、ＳＯＩ基板９を再度炉に入れて熱処理することで絶縁層３となった酸化膜２３とシリコン支持体７の鏡面との貼り合わせ界面を完全に貼り合わせるための貼り合わせ工程（ステップ２０７）を行なう。
【００４６】
そして、貼り合わせ工程の後、炉から形成されたＳＯＩ基板９を取り出すアンロード工程（ステップ２０９）を行なう。アンロード工程の後、ダメージの除去、剥離後の表面ラフネス低減、厚みの調整などのため、炉から取り出されたＳＯＩ基板９の表面シリコン層５の表面を化学研磨する研磨工程（ステップ２１１）を行なう。
【００４７】
ステップ２０１の酸化膜形成工程では、シリコン基板２１を用意し、このシリコン基板２１を、例えば１０００℃の湿雰囲気中で熱処理することで、シリコン基板２１の両表面全体に膜厚１３５０Åの酸化膜２３を形成する。ステップ２０３の水素イオン注入工程では、所定の深さに、水素イオンが到達するように加速エネルギー５０ｋｅＶ、ドーズ量６×１０１６／ｃｍ２で水素イオンを注入した。水素イオンを注入後、酸化膜２３を形成し、水素イオンを注入したシリコン基板２１を洗浄する。
【００４８】
ステップ２０５の剥離工程では、洗浄したシリコン基板２１の一方の面の酸化膜２３とシリコン支持体７の鏡面とを貼り合わせた後、炉に入れ、炉内に窒素ガスを供給して窒素雰囲気とし、例えば５００℃で熱処理を行う。これにより、酸化膜２３を形成して水素イオンを注入したシリコン基板２１の水素イオンを注入した部分２１ａからシリコン基板２１の一部が剥離する。そして、シリコン基板２１の一部が剥離することにより、シリコン基板２１の一部と共に、絶縁層３となる酸化膜２３とは反対側の酸化膜２３が除去され、シリコン支持体７と表面シリコン層５との間に絶縁層３を設けたＳＯＩ構造が形成される。
【００４９】
ステップ２０７の貼り合わせ工程では、洗浄したＳＯＩ基板９炉に入れ、炉内に窒素ガスを供給して窒素雰囲気とし、例えば１１００℃で１２０分間熱処理し、両者を完全に密着させ、貼り合わせ強度を増大させる。そして、ステップ２０７の貼り合わせ工程の後、この貼り合わせ工程の熱処理を行なった炉からＳＯＩ基板９を取り出すステップ２０９のアンロード工程を行なう。ステップ２０９のアンロード工程では、ＳＩＭＯＸ法の場合と同様に、ＳＯＩ基板９は、炉から、この炉の出入り口または出口に連続して設けられたチャンバーまたはクリーンルーム内に取り出される。したがって、炉の出入り口または出口に連続して設けられたチャンバーまたはクリーンルーム内を水素または水分を含む雰囲気にしておく。また、アンロード工程を開始するとき、つまり、ＳＯＩ基板９を炉から取り出すときの炉内の温度は、２５０℃以上８００℃以下にしておく。
【００５０】
さらに、ステップ２０９のアンロード工程でも、ＳＩＭＯＸ法の場合と同様に、アンロード工程を行なうときの炉内の温度を３５０℃以上とし、雰囲気として水素または水蒸気を０.１体積％以上含む雰囲気中にＳＯＩ基板９を置くことが、アンロード工程において水素をより確実に導入し、表面シリコン層５と絶縁層３との界面の界面準位密度をより確実に低減する上で望ましい。また、この条件の場合、アンロード工程を行なうときの炉内の温度を７５０℃以下にしてもアンロード工程において水素をより確実に導入することができる。したがって、この条件の場合、スリップの発生により、ＳＯＩ基板の品質やＳＯＩ基板の製造の歩留まりの低下をより確実に防ぐうえで、アンロード工程を行なうときの炉内の温度を７５０℃以下にすることが望ましい。
【００５１】
また、ステップ２０９のアンロード工程を行なうとき、ＳＩＭＯＸ法の場合と同様に、ＳＯＩ基板の熱処理を行なった炉内にステップ２０９の貼り合わせ工程で炉内に供給したガスを供給しながら行なうことができる。
【００５２】
ステップ２０９のアンロード工程において炉内に供給されたガスは、ＳＯＩ基板９を取り出すために開いた炉の出口から炉外に流れ出すことになる。このため、炉内に供給されたガスが炉の出口から炉外に流れ出す流量によっては、表面シリコン層と絶縁層との界面の界面準位密度を低減できるような量の水素をＳＯＩ基板９に導入できない場合がある。そこで、ＳＩＭＯＸ法の場合と同様に、炉内に供給されるガスが炉の出口から流出するときの流量を２０ＳＬＭ以下にすると、界面の界面準位密度を低減できた。さらに、この炉の出口から流出するときの流量を５ＳＬＭ以下にすると、一層確実に界面の界面準位密度を低減できた。したがって、貼り合わせ法においても、炉内にガスを供給しながらアンロード工程を行なう場合、ＳＩＭＯＸ法の場合と同様に、アンロード工程においてＳＯＩ基板９に水素をより確実に導入し、表面シリコン層５と絶縁層３との界面の界面準位密度をより確実に低減する上で、炉内に供給されるガスが炉の出口から流出するときの流量を２０ＳＬＭ以下にすることが望ましい。また、界面の界面準位密度を一層確実に低減する上で、炉内に供給されるガスが炉の出口から流出するときの流量を５ＳＬＭ以下にすることがさらに望ましい。
【００５３】
また、アンロードスピードに関してもＳＩＭＯＸ法の場合と同様であり、ＳＯＩ基板の製造のスループットの低下を確実に抑制しながら界面準位密度をより確実に低減する上では、アンロードスピードを２０ｍｍ／分以上５００ｍｍ／分以下とすることが望ましい。また、ＳＯＩ基板の製造のスループットの低下を一層確実に抑制しながら界面準位密度を一層確実に低減する上では、炉からＳＯＩ基板を取り出すときのこのＳＯＩ基板の移動速度を５０ｍｍ／分以上１００ｍｍ／分以下とすることがさらに望ましい。
【００５４】
また、炉内にガスを供給しながらアンロード工程を行なう場合、ステップ２０７の貼り合わせ工程における熱処理に、下方からＳＯＩ基板を取り出す縦型の炉を用いているとき、炉内にＳＯＩ基板を取り出す空間内の雰囲気よりも重いガス、例えばＳＯＩ基板を取り出す雰囲気が大気であるとき、酸素、アルゴンガス、または、酸素とアルゴンの混合ガスを供給したところ、ＳＩＭＯＸ法の場合と同様に、表面シリコン層５と絶縁層３との界面の界面準位密度を確実に低減することができた。
【００５５】
このようなステップ２０９のアンロード工程の後、ステップ２１１の研磨工程を行い、ステップ２１１の研磨工程では、アンロード工程後のＳＯＩ基板９の表面シリコン層５の表面を化学研磨により、所定の厚みになるまで研磨し、表面シリコン層５の厚みの調整と共に、ダメージの除去、剥離後の表面ラフネス低減などを行ない、研磨後、ＳＯＩ基板９を洗浄して最終的なＳＯＩ基板９を得る。
【００５６】
ここで、ステップ２０９のアンロード工程において炉に供給するガスの種類や組成、熱処理の温度に対するＳＯＩ層である表面シリコン層５とＢＯＸ層である絶縁層３との界面の電子移動度及び界面準位密度を検討した。ここでは、図４に示すステップ２０１からステップ２１１のような工程にしたがい、また、ステップ２０１の酸化膜形成工程、ステップ２０３の水素イオン注入工程、ステップ２０５の剥離工程及びステップ２０７の貼り合わせ工程の説明で例示した条件で形成した直径２００mm、Ｐ型（ボロンドープ）のＳＯＩ基板９を試料として用いる。試料となるＳＯＩ基板９は、フッ酸で表面シリコン層５やシリコン支持体７の表面に形成されている自然酸化膜を除去した後、純水を用いて洗浄し、N２ブローで乾燥させる。
【００５７】
洗浄し乾燥した後、ＳＩＭＯＸ法の場合と同様に、図３に示すように、試料となるＳＯＩ基板９の表面シリコン層５に水銀で環状のソース電極１３と、環状のソース電極１３の中心に円盤状のドレイン電極１５を形成する。また、シリコン支持体７の表面にアルミニウムでゲート電極１７を形成する。このように、ＳＯＩ基板９に各電極を設けて擬似ＦＥＴとし、ソース電極１３、ドレイン電極１５、そして、ゲート電極１７に配線１９を介して電源を接続し、ソース電極１３、ドレイン電極１５、そして、ゲート電極１７にそれぞれ電圧を印加する。これによりＩｄｓ−Ｖｇｓカーブを得、このＩｄｓ−Ｖｇｓカーブから界面準位密度や電子移動度を計算する。この結果の一例を表２に示す。
【００５８】
【表２】
0004626175.tif 000003
表２に例示されているように、貼り合わせ法においても、ＳＩＭＯＸ法の場合と同様に、炉に供給するガスが窒素ガスであるとき、アンロード工程を行なうときの炉内の温度が７００℃では、有意な表面シリコン層５と絶縁層３との界面の界面準位密度の低減、そして、電子移動度の向上が見られた。しかし、炉に供給するガスが窒素ガスであるとき、アンロード工程を行なうときの炉内の温度が６００℃以下では、表面シリコン層５と絶縁層３との界面の界面準位密度の低減、そして、電子移動度の向上は見られなかった。
【００５９】
これに対し、炉に供給するガスがアルゴンガスであれば、アンロード工程を行なうときの炉内の温度が６００℃以下でも、有意な表面シリコン層５と絶縁層３との界面の界面準位密度の低減、そして、電子移動度の向上が見られた。したがって、表面シリコン層５と絶縁層３との界面の界面準位密度をより確実に低減するには、炉内に不活性ガスを供給しながらアンロード工程を行なう場合、アンロード工程を行なうときの炉内の温度が６００℃以下のときには、炉に供給するガスとしてアルゴンガスを供給することが望ましい。
【００６０】
さらに、アンロード工程を行なうときの炉内の温度が６００℃以下で、炉に供給するガスが窒素ガスの場合であっても、この窒素ガスに０.１体積％以上の水素または水蒸気を含有した状態で供給すると、有意な表面シリコン層５と絶縁層３との界面の界面準位密度の低減、そして、電子移動度の向上が見られた。したがって、表面シリコン層５と絶縁層３との界面の界面準位密度をより確実に低減するには、炉内に不活性ガスを供給しながらアンロード工程を行なう場合、アンロード工程を行なうときの炉内の温度が６００℃以下のときには、炉に供給するガスに０.１体積％以上の水素または水蒸気を含有させることが望ましい。
【００６１】
また、表２に例示されているように、アンロード工程を行なうときの炉内の温度が４００℃以上であれば、炉内にガスを供給している状態でも、表面シリコン層５と絶縁層３との界面の界面準位密度を確実に低減できる。
【００６２】
このように、本実施形態のＳＯＩ基板の製造方法では、アンロード工程を開始するときの炉内の温度を２５０℃以上８００℃以下とし、ＳＯＩ基板９を取り出す雰囲気を水素または水分を含む雰囲気とすることにより、アンロード工程において、ＳＯＩ基板の周囲の水分、水分が分解したことによって生じる水素、外部から供給される水素などが、ＳＯＩ基板９内に拡散し、ＳＯＩ基板９の表面シリコン層５と絶縁層３との界面のダングリングボンドを終端できる。このように従来から行なわれていたアンロード工程において、その工程を行なう条件を調整することにより、ＳＯＩ基板９に水素を導入し、表面シリコン層５と絶縁層３との界面の界面準位密度を低減できる。すなわち、製造工程を増やすことなく、表面シリコン層と絶縁層との界面の界面準位密度を低減できる。
【００６３】
さらに、製造工程を増やすことなく、表面シリコン層と絶縁層との界面の界面準位密度を低減できることにより、製造工程の煩雑化やコストの増大などを招くことなく、表面シリコン層と絶縁層との界面の界面準位密度を低減できる。加えて、表面シリコン層と絶縁層との界面の界面準位密度を低減できることにより、ＳＯＩ基板を用いて形成した電子デバイスの動作の高速化や消費電力の低減、また、閾値電圧がシフトしてしまう、サブスレッシュホールド係数が大きくなる、また、トランジスタなどのようなスイッチングを行なう電子デバイスの駆動能力が低下するといったような問題を抑制し、電子デバイスの動作性能や信頼性の低下を抑制できる。
【００６４】
さらに、アンロード工程は、このアンロード工程を行なうときの炉内の温度を３５０℃以上７５０℃以下とし、雰囲気として水素または水蒸気を０.１体積％以上含む雰囲気中にＳＯＩ基板を置く方法とすることにより、アンロード工程において水素をより確実に導入でき、表面シリコン層と絶縁層との界面の界面準位密度をより確実に低減できる。加えて、アンロード工程を行なうときの炉内の温度を４００℃以上とすることにより、炉内にガスを供給している状態でも、アンロード工程において水素を一層確実に導入でき、表面シリコン層と絶縁層との界面の界面準位密度を一層確実に低減できる。
【００６５】
さらに、アンロード工程は、炉内にガスを供給して行なうとき、この炉内に供給されるガスがこの炉の出口から流出するときの流量を２０ＳＬＭ以下に、望ましくは５ＳＬＭ以下にして行なう。加えて、アンロード工程は、炉内にガスを供給して行なうとき、この炉内に供給されるガスとしてアルゴンガスを供給する。また、アンロード工程は、炉内にガスを供給して行なうとき、この炉内に供給される不活性ガスとして、０.１体積％以上の水素または水蒸気を含むガスを供給する。これらのいずれかの条件でアンロード工程を行なうことにより、表面シリコン層と絶縁層との界面の界面準位密度をより確実に低減できる。加えて、これらの条件を組み合わせてアンロード工程を行なうことにより、表面シリコン層と絶縁層との界面の界面準位密度を一層確実に低減できる。
【００６６】
さらに、炉が下部からＳＯＩ基板を取り出す縦型の炉であり、アンロード工程は、炉内にガスを供給して行なうとき、ＳＯＩ基板を取り出す空間内の雰囲気よりも重いガスを炉内に供給して行なう。これにより、ＳＯＩ基板に水素または水分を含む雰囲気が接触し易くなるため、アンロード工程において水素をより確実に導入でき、表面シリコン層と絶縁層との界面の界面準位密度をより確実に低減できる。
【００６７】
また、本発明は、本実施形態で示した方法に限らず、熱処理を用いてＳＯＩ構造を形成する様々なＳＯＩ基板の製造方法に適用できる。例えば、本発明は、水素注入工程や剥離工程を行なわず、研磨工程において不要な酸化膜や表面シリコン層を除去する貼り合わせ法などにも適用できる。また、表面シリコン層の厚みを調整するために、酸素を含む雰囲気中で熱処理することによって犠牲酸化膜を形成する犠牲酸化膜形成工程をＳＩＭＯＸ法における縁層形成工程や貼り合わせ法における貼り合わせ工程に引き続き行なう場合、犠牲酸化膜形成工程の熱処理を行なった炉からＳＯＩ基板を取り出すときのアンロード工程を、本実施形態に示した条件で行なう。
【００６８】
このように、ＳＯＩ基板の製造において、様々な目的で複数の熱処理工程を行なう場合、その中の少なくとも一つの熱処理工程に対して、本実施形態に示したような条件でアンロード工程を行なうことで上記のような効果を得ることができる。特に、ＳＯＩ基板の製造において、最後に行なう熱処理工程の後に本実施形態に示したような条件でアンロード工程を行なうことで上記のような効果をさらに確実に得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【００６９】
【図１】本発明を適用してなるＳＩＭＯＸ法によるＳＯＩ基板の製造方法の一実施形態を示すフロー図である。
【図２】ＳＩＭＯＸ法によるＳＯＩ構造の形成方法の一例を模式的に示す図である。
【図３】擬似ＦＥＴを形成して電子移動度や界面準位密度の計測方法を説明する図であり、（ａ）は断面図、（ｂ）はソース電極とドレイン電極を形成した面側から見た平面図である。
【図４】本発明を適用してなる貼り合わせ法によるＳＯＩ基板の製造方法の一実施形態を示すフロー図である。
【図５】貼り合わせ法によるＳＯＩ構造の形成方法の一例を模式的に示す図である。
【符号の説明】
【００７０】
１  シリコン基板
３  絶縁層
５  表面シリコン層
７  シリコン支持体
９  ＳＯＩ基板
１１  酸化膜
【図１】
0004626175.tif 000004
【図２】
0004626175.tif 000005
【図３】
0004626175.tif 000006
【図４】
0004626175.tif 000007
【図５】
0004626175.tif 000008