(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の領域に薄膜トランジスタが配列された第１の基板と、前記第１の領域を覆うように且つ前記第１の基板における前記第１の領域とは異なる第２の領域が食み出るように前記第１の基板に対して貼り合わされた第２の基板と、を備えた表示パネルにおける膜評価方法であって、
前記第１の基板に赤外線に対して反射性を有した導電材料を成膜する第１ステップと、
前記薄膜トランジスタにおける所定の電極として前記第１の領域の少なくとも一部に前記導電材料が残存するように且つ赤外線反射層として前記第２の領域の少なくとも一部に前記導電材料が残存するように、前記第１ステップで成膜された前記導電材料をパターニングする第２ステップと、
前記所定の電極及び前記赤外線反射層を覆うように第１の所定の材料を成膜する第３ステップと、
前記赤外線反射層に重なる領域の一部に前記第１の所定の材料が被測定膜として残存するように且つ前記赤外線反射層の一部が参照領域として前記第１の所定の材料から露出するように、前記第３ステップで成膜された前記第１の所定の材料をパターニングする第４ステップと、
前記参照領域に向けて照射された赤外線の反射スペクトルと前記被測定膜に向けて照射された赤外線の反射スペクトルとに基づいて前記第１の所定の材料を評価する第５ステップと、
を有することを特徴とする膜評価方法。
【請求項２】
前記第１の所定の材料を覆うように成膜された第２の所定の材料を、前記第５ステップに先立って、前記参照領域の少なくとも一部と前記被測定膜の少なくとも一部とが前記第２の所定の材料から露出するようにパターニングする第６ステップを有することを特徴とする請求項１に記載の膜評価方法。
【請求項３】
前記所定の電極及び前記赤外線反射層を覆うように成膜された第３の所定の材料を、前記第３ステップに先立って、前記参照領域の少なくとも一部が前記第３の所定の材料から露出するようにパターニングする第７ステップを有することを特徴とする請求項１または２に記載の膜評価方法。
【請求項４】
第１の領域に薄膜トランジスタが配列された第１の基板と、前記第１の領域を覆うように且つ前記第１の基板における前記第１の領域とは異なる第２の領域が食み出るように前記第１の基板に対して貼り合わされた第２の基板と、を備えた表示パネルにおける膜評価方法であって、
前記第１の基板に赤外線に対して反射性を有した導電材料を成膜する第１ステップと、
前記薄膜トランジスタにおけるゲート電極として前記第１の領域の少なくとも一部に前記導電材料が残存するように且つ赤外線反射層として前記第２の領域の少なくとも一部に前記導電材料が残存するように、前記第１ステップで成膜された前記導電材料をパターニングする第２ステップと、
前記ゲート電極及び前記赤外線反射層を覆うように絶縁材料を成膜する第３ステップと、
前記赤外線反射層に重なる領域の一部に前記絶縁材料が被測定膜として残存するように且つ前記赤外線反射層の一部が参照領域として前記絶縁材料から露出するように、前記第３ステップで成膜された前記絶縁材料をパターニングする第４ステップと、
前記参照領域に向けて照射された赤外線の反射スペクトルと前記被測定膜に向けて照射された赤外線の反射スペクトルとに基づいて前記絶縁材料を評価する第５ステップと、
を有することを特徴とする膜評価方法。
【請求項５】
第１の領域に薄膜トランジスタが配列された第１の基板と、前記第１の領域を覆うように且つ前記第１の基板における前記第１の領域とは異なる第２の領域が食み出るように前記第１の基板に対して貼り合わされた第２の基板と、を備えた表示パネルにおける膜評価方法であって、
前記第１の基板に赤外線に対して反射性を有した導電材料を成膜する第１ステップと、
前記薄膜トランジスタにおけるゲート電極として前記第１の領域の少なくとも一部に前記導電材料が残存するように且つ赤外線反射層として前記第２の領域の少なくとも一部に前記導電材料が残存するように、前記第１ステップで成膜された前記導電材料をパターニングする第２ステップと、
前記ゲート電極及び前記赤外線反射層を覆うように半導体材料を成膜する第３ステップと、
前記赤外線反射層に重なる領域の一部に前記半導体材料が被測定膜として残存するように且つ前記赤外線反射層の一部が参照領域として前記半導体材料から露出するように、前記第３ステップで成膜された前記半導体材料をパターニングする第４ステップと、
前記参照領域に向けて照射された赤外線の反射スペクトルと前記被測定膜に向けて照射された赤外線の反射スペクトルとに基づいて前記半導体材料を評価する第５ステップと、
を有することを特徴とする膜評価方法。
【請求項６】
第１の領域に薄膜トランジスタが配列された第１の基板と、前記第１の領域を覆うように且つ前記第１の基板における前記第１の領域とは異なる第２の領域が食み出るように前記第１の基板に対して貼り合わされた第２の基板と、を備えた表示パネルにおける膜評価方法であって、
前記第１の基板に赤外線に対して反射性を有した導電材料を成膜する第１ステップと、
前記薄膜トランジスタにおけるソース・ドレイン電極として前記第１の領域の少なくとも一部に前記導電材料が残存するように且つ赤外線反射層として前記第２の領域の少なくとも一部に前記導電材料が残存するように、前記第１ステップで成膜された前記導電材料をパターニングする第２ステップと、
前記ソース・ドレイン電極及び前記赤外線反射層を覆うように絶縁材料を成膜する第３ステップと、
前記赤外線反射層に重なる領域の一部に前記絶縁材料が被測定膜として残存するように且つ前記赤外線反射層の一部が参照領域として前記絶縁材料から露出するように、前記第３ステップで成膜された前記絶縁材料をパターニングする第４ステップと、
前記参照領域に向けて照射された赤外線の反射スペクトルと前記被測定膜に向けて照射された赤外線の反射スペクトルとに基づいて前記絶縁材料を評価する第５ステップと、
を有することを特徴とする膜評価方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、膜の状態を該膜の赤外吸収スペクトルを測定して評価する膜評価方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
膜の状態を該膜の赤外吸収スペクトルを測定して評価する従来の膜評価方法には、基板上に被測定膜と同一の材料によって成膜された膜厚が異なる複数の標準膜の赤外吸収スペクトルを測定し、各標準膜の赤外吸収スペクトルの各吸収ピークのうちの膜厚に依存しない表面に関する吸収ピークの波数をバックグラウンド情報として特定し、基板上に形成された被測定膜の赤外吸収スペクトルを測定し、これにより得られた被測定膜情報からバックグラウンド情報を差し引くことにより、被測定膜の表面状態を評価するようにした方法がある（例えば、特許文献１参照）。
【０００３】
【特許文献１】特開平９−６１２４２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、上記従来の膜評価方法では、被測定膜を形成するための基板がガラス基板等のように赤外線の吸収が大きい基板である場合には、基板による赤外線の吸収が大きいため、被測定膜の表面での赤外線の反射が微弱となり、得られる被測定膜の赤外吸収スペクトルが実用的でないという問題がある。
【０００５】
そこで、この発明は、被測定膜を形成するための基板がガラス基板等のように赤外線の吸収が大きい基板であっても、被測定膜の実用的な赤外吸収スペクトルを得ることができる膜評価方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上記目的を達成するため、請求項１に記載の発明は、第１の領域に薄膜トランジスタが配列された第１の基板と、前記第１の領域を覆うように且つ前記第１の基板における前記第１の領域とは異なる第２の領域が食み出るように前記第１の基板に対して貼り合わされた第２の基板と、を備えた表示パネルにおける膜評価方法であって、前記第１の基板に赤外線に対して反射性を有した導電材料を成膜する第１ステップと、前記薄膜トランジスタにおける所定の電極として前記第１の領域の少なくとも一部に前記導電材料が残存するように且つ赤外線反射層として前記第２の領域の少なくとも一部に前記導電材料が残存するように、前記第１ステップで成膜された前記導電材料をパターニングする第２ステップと、前記所定の電極及び前記赤外線反射層を覆うように第１の所定の材料を成膜する第３ステップと、前記赤外線反射層に重なる領域の一部に前記第１の所定の材料が被測定膜として残存するように且つ前記赤外線反射層の一部が参照領域として前記第１の所定の材料から露出するように、前記第３ステップで成膜された前記第１の所定の材料をパターニングする第４ステップと、前記参照領域に向けて照射された赤外線の反射スペクトルと前記被測定膜に向けて照射された赤外線の反射スペクトルとに基づいて前記第１の所定の材料を評価する第５ステップと、を有することを特徴とする。
また、請求項２に記載の発明は、請求項１に記載の膜評価方法において、前記第１の所定の材料を覆うように成膜された第２の所定の材料を、前記第５ステップに先立って、前記参照領域の少なくとも一部と前記被測定膜の少なくとも一部とが前記第２の所定の材料から露出するようにパターニングする第６ステップを有することを特徴とする。
また、請求項３に記載の発明は、請求項１または２に記載の膜評価方法において、前記所定の電極及び前記赤外線反射層を覆うように成膜された第３の所定の材料を、前記第３ステップに先立って、前記参照領域の少なくとも一部が前記第３の所定の材料から露出するようにパターニングする第７ステップを有することを特徴とする。
また、請求項４に記載の発明は、第１の領域に薄膜トランジスタが配列された第１の基板と、前記第１の領域を覆うように且つ前記第１の基板における前記第１の領域とは異なる第２の領域が食み出るように前記第１の基板に対して貼り合わされた第２の基板と、を備えた表示パネルにおける膜評価方法であって、前記第１の基板に赤外線に対して反射性を有した導電材料を成膜する第１ステップと、前記薄膜トランジスタにおけるゲート電極として前記第１の領域の少なくとも一部に前記導電材料が残存するように且つ赤外線反射層として前記第２の領域の少なくとも一部に前記導電材料が残存するように、前記第１ステップで成膜された前記導電材料をパターニングする第２ステップと、前記ゲート電極及び前記赤外線反射層を覆うように絶縁材料を成膜する第３ステップと、前記赤外線反射層に重なる領域の一部に前記絶縁材料が被測定膜として残存するように且つ前記赤外線反射層の一部が参照領域として前記絶縁材料から露出するように、前記第３ステップで成膜された前記絶縁材料をパターニングする第４ステップと、前記参照領域に向けて照射された赤外線の反射スペクトルと前記被測定膜に向けて照射された赤外線の反射スペクトルとに基づいて前記絶縁材料を評価する第５ステップと、を有することを特徴とする。
また、請求項５に記載の発明は、第１の領域に薄膜トランジスタが配列された第１の基板と、前記第１の領域を覆うように且つ前記第１の基板における前記第１の領域とは異なる第２の領域が食み出るように前記第１の基板に対して貼り合わされた第２の基板と、を備えた表示パネルにおける膜評価方法であって、前記第１の基板に赤外線に対して反射性を有した導電材料を成膜する第１ステップと、前記薄膜トランジスタにおけるゲート電極として前記第１の領域の少なくとも一部に前記導電材料が残存するように且つ赤外線反射層として前記第２の領域の少なくとも一部に前記導電材料が残存するように、前記第１ステップで成膜された前記導電材料をパターニングする第２ステップと、前記ゲート電極及び前記赤外線反射層を覆うように半導体材料を成膜する第３ステップと、前記赤外線反射層に重なる領域の一部に前記半導体材料が被測定膜として残存するように且つ前記赤外線反射層の一部が参照領域として前記半導体材料から露出するように、前記第３ステップで成膜された前記半導体材料をパターニングする第４ステップと、前記参照領域に向けて照射された赤外線の反射スペクトルと前記被測定膜に向けて照射された赤外線の反射スペクトルとに基づいて前記半導体材料を評価する第５ステップと、を有することを特徴とする。
また、請求項６に記載の発明は、第１の領域に薄膜トランジスタが配列された第１の基板と、前記第１の領域を覆うように且つ前記第１の基板における前記第１の領域とは異なる第２の領域が食み出るように前記第１の基板に対して貼り合わされた第２の基板と、を備えた表示パネルにおける膜評価方法であって、前記第１の基板に赤外線に対して反射性を有した導電材料を成膜する第１ステップと、前記薄膜トランジスタにおけるソース・ドレイン電極として前記第１の領域の少なくとも一部に前記導電材料が残存するように且つ赤外線反射層として前記第２の領域の少なくとも一部に前記導電材料が残存するように、前記第１ステップで成膜された前記導電材料をパターニングする第２ステップと、前記ソース・ドレイン電極及び前記赤外線反射層を覆うように絶縁材料を成膜する第３ステップと、前記赤外線反射層に重なる領域の一部に前記絶縁材料が被測定膜として残存するように且つ前記赤外線反射層の一部が参照領域として前記絶縁材料から露出するように、前記第３ステップで成膜された前記絶縁材料をパターニングする第４ステップと、前記参照領域に向けて照射された赤外線の反射スペクトルと前記被測定膜に向けて照射された赤外線の反射スペクトルとに基づいて前記絶縁材料を評価する第５ステップと、を有することを特徴とする。
【発明の効果】
【０００７】
本発明によれば、被測定膜を形成するための基板がガラス基板等のように赤外線の吸収が大きい基板であっても、被測定膜の実用的な赤外吸収スペクトルを得ることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００８】
（第１実施形態）
図１はこの発明の第１実施形態としての膜評価方法で評価するための被測定膜を備えた液晶表示パネルの一例の平面図を示す。この液晶表示パネルは、スイッチング素子としての薄膜トランジスタを備えたアクティブマトリクス型であり、ガラス基板からなるアクティブ基板１と同じくガラス基板からなる対向基板２とがほぼ方形枠状のシール材（図示せず）を介して貼り合わされ、シール材の内側における両基板１、２間に液晶（図示せず）が封入されたものからなっている。この場合、アクティブ基板１の相隣接する２辺は対向基板２から突出され、これらの突出部１ａの上面には液晶駆動用の半導体チップ３が搭載されている。
【０００９】
次に、図２は図１のＡ部（被測定膜３２の部分）の拡大平面図を示し、図３は図２のIII−III線に沿う断面図およびアクティブ基板１上の薄膜トランジスタ４の部分の断面図を示す。まず、薄膜トランジスタ４の部分について説明する。アクティブ基板１の上面の所定の箇所にはクロム等からなるゲート電極１１および該ゲート電極１１に接続された走査ライン１２が設けられている。
【００１０】
ゲート電極１１および走査ライン１２を含むアクティブ基板１の上面には窒化シリコンからなるゲート絶縁膜１３が設けられている。ゲート電極１１上におけるゲート絶縁膜１３の上面の所定の箇所には真性アモルファスシリコンからなる半導体薄膜１４が設けられている。ゲート電極１１上における半導体薄膜１４の上面の所定の箇所には窒化シリコンからなるチャネル保護膜１５が設けられている。
【００１１】
チャネル保護膜１５の上面両側およびその両側における半導体薄膜１４の上面にはｎ型アモルファスシリコンからなるオーミックコンタクト層１６、１７が設けられている。一方のオーミックコンタクト層１６の上面にはクロム等からなるソース電極１８が設けられている。他方のオーミックコンタクト層１６の上面およびゲート絶縁膜１３の上面の所定の箇所にはクロム等からなるドレイン電極１９および該ドレイン電極１９に接続されたデータライン２０が設けられている。
【００１２】
そして、ゲート電極１１、ゲート絶縁膜１３、半導体薄膜１４、チャネル保護膜１５、オーミックコンタクト層１６、１７、ソース電極１８およびドレイン電極１９により、逆スタガ（ボトムゲート）構造の薄膜トランジスタ４が構成されている。
【００１３】
薄膜トランジスタ４およびデータライン２０を含むゲート絶縁膜１３の上面には窒化シリコンからなるオーバーコート膜２１が設けられている。ソース電極１８の所定の箇所に対応する部分におけるオーバーコート膜２１にはコンタクトホール２２が設けられている。オーバーコート膜２１の上面の所定の箇所にはＩＴＯ等の透明導電材料からなる画素電極２３がコンタクトホール２２を介してソース電極１８に接続されて設けられている。
【００１４】
次に、被測定膜３２の部分について、図２および図３を参照して説明する。アクティブ基板１の突出部１ａの上面の所定の箇所には、赤外線を反射する金属材料であるクロム等からなる平面長方形状の赤外線反射層（支持膜）３１が設けられている。赤外線反射層３１を含むアクティブ基板１の突出部１ａの上面にはゲート絶縁膜１３が設けられている。
【００１５】
この場合、赤外線反射層３１の上面に設けられたゲート絶縁膜１３は、被測定膜３２となっている。赤外線反射層３１の図２における右半分の中央部に対応する部分における被測定膜３２には平面正方形状の測定用開口部３３が設けられている。被測定膜３２およびその測定用開口部３３は、オーバーコート膜２１に設けられた開口部３４を介して露出されている。
【００１６】
ここで、被測定膜３２の部分のサイズの一例について説明する。この場合の膜評価方法で使用する顕微赤外分光装置（図示せず）の測定面積は３０μｍ□〜１００μｍ□であり、測定面積の大きい方が信号対バックグラウンド（Ｓ／Ｎ）が良くなる。そこで、被測定膜３２の測定用開口部３３のサイズは１００μｍ□であり、この測定用開口部３３の図２において左側に隣接する被測定膜３２のサイズは１００μｍ□よりもやや大きくなっている。
【００１７】
さて、被測定膜３２（つまりゲート絶縁膜１３）の化学状態を評価する場合には、まず、赤外線反射層（支持膜）３１を測定するため、顕微赤外分光装置の赤外光源から出た赤外線が被測定膜３２の測定用開口部３３を介して赤外線反射層（支持膜）３１に照射されると、それによって反射された赤外線が赤外検出器で検出され、この検出結果から支持膜用赤外吸収スペクトルが得られる。
【００１８】
次に、顕微赤外分光装置の赤外光源から出た赤外線が被測定膜３２に照射されると、被測定膜３２を透過した赤外線が赤外線反射層３１で反射され、この反射された赤外線が被測定膜３２を透過して赤外検出器で検出され、この検出結果から被測定膜用赤外吸収スペクトルが得られる。
【００１９】
そして、被測定膜用赤外吸収スペクトルから支持膜用赤外吸収スペクトルを差し引くと、被測定膜３２の正味の赤外吸収スペクトルが得られる。この正味の赤外吸収スペクトルから、被測定膜３２つまり窒化シリコンからなるゲート絶縁膜１３の化学状態を評価することができ、すなわち、ゲート絶縁膜１３が設計通りに膜付けされているか否かを調べることができる。
【００２０】
このように、この膜評価方法では、アクティブ基板１の突出部１ａの上面に形成された赤外線反射層３１の上面の一部に窒化シリコンからなる被測定膜３２を形成しているので、被測定膜３２を形成するためのアクティブ基板１が赤外線の吸収が大きいガラス基板であっても、被測定膜３２の実用的な正味の赤外吸収スペクトルを得ることができる。
【００２１】
次に、図３に示す液晶表示パネルの製造方法の一例について説明する。まず、図４に示すように、アクティブ基板１の上面の所定の箇所に、スパッタ法により成膜されたクロム等からなる金属膜をフォトリソグラフィ法によりパターニングすることにより、ゲート電極１１、走査ライン１２および赤外線反射層３１を形成する。
【００２２】
次に、図５に示すように、ゲート電極１１、走査ライン１２および赤外線反射層３１を含むアクティブ基板１の上面に、プラズマＣＶＤ法により、窒化シリコンからなるゲート絶縁膜１３、真性アモルファスシリコン膜５１および窒化シリコン膜５２を連続して成膜する。次に、窒化シリコン膜５２をフォトリソグラフィ法によりパターニングすることにより、チャネル保護膜１５を形成する。
【００２３】
次に、図６に示すように、チャネル保護膜１５を含む真性アモルファスシリコン膜５１の上面に、プラズマＣＶＤ法により、ｎ型アモルファスシリコン膜５３を成膜する。次に、ｎ型アモルファスシリコン膜５３および真性アモルファスシリコン膜５１をフォトリソグラフィ法により連続してパターニングすると、図７に示すように、オーミックコンタクト層１６、１７および半導体薄膜１４が形成される。
【００２４】
次に、図８に示すように、オーミックコンタクト層１６、１７の上面およびゲート絶縁膜１３の上面の所定の箇所に、スパッタ法により成膜されたクロム等からなる金属膜をフォトリソグラフィ法によりパターニングすることにより、ソース電極１８、ドレイン電極１９およびデータライン２０を形成する。次に、図９に示すように、赤外線反射層３１の所定の箇所に対応する部分におけるゲート絶縁膜１３（つまり被測定膜３２）に、フォトリソグラフィ法により、測定用開口部３３を形成する。
【００２５】
次に、図１０に示すように、薄膜トランジスタ４等を含むゲート絶縁膜１３の上面に、プラズマＣＶＤ法により成膜された窒化シリコン膜をフォトリソグラフィ法によりパターニングすることにより、コンタクトホール２２および開口部３４を有するオーバーコート膜２１を形成する。
【００２６】
次に、図３に示すように、オーバーコート膜２１の上面の所定の箇所に、スパッタ法により成膜されたＩＴＯ等からなる透明導電膜をフォトリソグラフィ法によりパターニングすることにより、画素電極２３をコンタクトホール２２を介してソース電極１８に接続させて形成する。かくして、図３に示す液晶表示パネルが得られる。
【００２７】
（第２実施形態）
図１１はこの発明の第２実施形態としての膜評価方法で評価するための被測定膜を備えた液晶表示パネルの一例の図２同様の平面図を示し、図１２は図１１のXII−XII線に沿う断面図およびアクティブ基板１上の薄膜トランジスタ４の部分の断面図を示す。この液晶表示パネルにおいて、図２および図３に示す液晶表示パネルと異なる点は、赤外線反射層３１を含むアクティブ基板１の突出部１ａの上面の所定の箇所に対応する部分におけるゲート絶縁膜１３に開口部３５を設け、当該開口部３５内における赤外線反射層３１を含むアクティブ基板１の突出部１ａの上面に真性アモルファスシリコンからなる被測定膜３６を設けた点である。
【００２８】
この場合、赤外線反射層３１の図１１における右半分の中央部に対応する部分における被測定膜３６には平面正方形状の測定用開口部３７が設けられている。被測定膜３６の一部およびその測定用開口部３７の部分は、オーバーコート膜２１の開口部３４を介して露出されている。なお、この場合のデータライン２０は、下から順に、真性アモルファスシリコン膜２０ａ、ｎ型アモルファスシリコン膜２０ｂおよびクロム等からなる金属膜２０ｃの３層構造となっている。
【００２９】
そして、後述の如く、真性アモルファスシリコンからなる半導体薄膜１４と同時に形成される被測定膜３６の化学状態を評価する場合には、まず、赤外線反射層（支持膜）３１を測定するため、顕微赤外分光装置の赤外光源から出た赤外線が被測定膜３６の測定用開口部３７を介して赤外線反射層（支持膜）３１に照射されると、それによって反射された赤外線が赤外検出器で検出され、この検出結果から支持膜用赤外吸収スペクトルが得られる。
【００３０】
次に、顕微赤外分光装置の赤外光源から出た赤外線が被測定膜３６に照射されると、被測定膜３６を透過した赤外線が赤外線反射層３１で反射され、この反射された赤外線が被測定膜３６を透過して赤外検出器で検出され、この検出結果から被測定膜用赤外吸収スペクトルが得られる。
【００３１】
そして、被測定膜用赤外吸収スペクトルから支持膜用赤外吸収スペクトルを差し引くと、被測定膜３６の正味の赤外吸収スペクトルが得られる。この正味の赤外吸収スペクトルから、被測定膜３６つまり真性アモルファスシリコンからなる半導体薄膜１４の化学状態を評価することができ、すなわち、半導体薄膜１４が設計通りに膜付けされているか否かを調べることができる。
【００３２】
このように、この膜評価方法では、アクティブ基板１の突出部１ａの上面に形成された赤外線反射層３１の上面の一部に真性アモルファスシリコンからなる被測定膜３６を形成しているので、被測定膜３６を形成するためのアクティブ基板１が赤外線の吸収が大きいガラス基板であっても、被測定膜３６の実用的な正味の赤外吸収スペクトルを得ることができる。
【００３３】
次に、この液晶表示パネルの製造方法の一例について説明する。まず、図４に示す工程を経た後に、図１３に示すように、ゲート電極１１および走査ライン１２を含むアクティブ基板１の上面に、プラズマＣＶＤ法により成膜された窒化シリコン膜をフォトリソグラフィ法によりパターニングすることにより、開口部３５を有するゲート絶縁膜１３を形成する。
【００３４】
次に、図１４に示すように、ゲート絶縁膜１３の上面およびゲート絶縁膜１３の開口部３５内における赤外線反射層３１を含むアクティブ基板１の突出部１ａの上面に、プラズマＣＶＤ法により、真性アモルファスシリコン膜５１および窒化シリコン膜５２を連続して成膜する。次に、窒化シリコン膜５２をフォトリソグラフィ法によりパターニングすることにより、チャネル保護膜１５を形成する。
【００３５】
次に、図１５に示すように、ゲート絶縁膜１３の開口部３５内における真性アモルファスシリコン膜５１の上面に、ゲート絶縁膜１３の開口部３５とほぼ同じ平面サイズのハードマスク５４を配置する。次に、チャネル保護膜１５を含む真性アモルファスシリコン膜５１の上面およびハードマスク５４の上面に、プラズマＣＶＤ法により、ｎ型アモルファスシリコン膜５３を成膜する。次に、ｎ型アモルファスシリコン膜５３の上面に、スパッタ法により、クロム等からなる金属膜５５を成膜する。
【００３６】
次に、ハードマスク５４をその上に形成されたｎ型アモルファスシリコン膜５３および金属膜５５と共に取り除く。次に、金属膜５５、ｎ型アモルファスシリコン膜５３および真性アモルファスシリコン膜５１をフォトリソグラフィ法により連続してパターニングすると、図１６に示すように、ソース電極１８、ドレイン電極１９、データライン２０、オーミックコンタクト層１６、１７、半導体薄膜１４および測定用開口部３７を有する被測定膜３６が形成される。
【００３７】
この場合、データライン２０は、下から順に、真性アモルファスシリコン膜２０ａ、ｎ型アモルファスシリコン膜２０ｂおよび金属膜２０ｃの３層構造となっている。以下、上記と同様の工程を経ると、図１２に示す液晶表示パネルが得られる。
【００３８】
（第３実施形態）
図１７はこの発明の第３実施形態としての膜評価方法で評価するための被測定膜を備えた液晶表示パネルの一例の図１２同様の断面図を示す。この液晶表示パネルにおいて、図１２に示す液晶表示パネルと異なる点は、ゲート絶縁膜１３の開口部３５内における赤外線反射層３１を含むアクティブ基板１の突出部１ａの上面の所定の箇所に、ｎ型アモルファスシリコンからなる測定用開口部３９を有する被測定膜３８を設けた点である。
【００３９】
そして、後述の如く、ｎ型アモルファスシリコンからなるオーミックコンタクト層１６、１７と同時に形成される被測定膜３８の化学状態を評価する場合には、まず、赤外線反射層（支持膜）３１を測定するため、顕微赤外分光装置の赤外光源から出た赤外線が被測定膜３８の測定用開口部３９を介して赤外線反射層３１（支持膜）に照射されると、それによって反射された赤外線が赤外検出器で検出され、この検出結果から支持膜用赤外吸収スペクトルが得られる。
【００４０】
次に、顕微赤外分光装置の赤外光源から出た赤外線が被測定膜３８に照射されると、被測定膜３８を透過した赤外線が赤外線反射層３１で反射され、この反射された赤外線が被測定膜３８を透過して赤外検出器で検出され、この検出結果から被測定膜用赤外吸収スペクトルが得られる。
【００４１】
そして、被測定膜用赤外吸収スペクトルから支持膜用赤外吸収スペクトルを差し引くと、被測定膜３８の正味の赤外吸収スペクトルが得られる。この正味の赤外吸収スペクトルから、被測定膜３８つまりｎ型アモルファスシリコンからなるオーミックコンタクト層１６、１７の化学状態を評価することができ、すなわち、オーミックコンタクト層１６、１７が設計通りに膜付けされているか否かを調べることができる。
【００４２】
このように、この膜評価方法では、アクティブ基板１の突出部１ａの上面に形成された赤外線反射層３１の上面の一部にｎ型アモルファスシリコンからなる被測定膜３８を形成しているので、被測定膜３８を形成するためのアクティブ基板１が赤外線の吸収が大きいガラス基板であっても、被測定膜３８の実用的な正味の赤外吸収スペクトルを得ることができる。
【００４３】
次に、この液晶表示パネルの製造方法の一例について説明する。まず、図１３に示す工程を経た後に、図１８に示すように、ゲート絶縁膜１３の開口部３５内における赤外線反射層３１の上面に、ゲート絶縁膜１３の開口部３５とほぼ同じ平面サイズのハードマスク５６を配置する。次に、ゲート絶縁膜１３の上面およびハードマスク５６の上面に、プラズマＣＶＤ法により、真性アモルファスシリコン膜５１および窒化シリコン膜５２を連続して成膜する。
【００４４】
次に、ハードマスク５６をその上に形成された真性アモルファスシリコン膜５１および窒化シリコン膜５２と共に取り除く。次に、窒化シリコン膜５２をフォトリソグラフィ法によりパターニングすると、図１９に示すように、チャネル保護膜１５が形成される。この状態では、真性アモルファスシリコン膜５１はゲート絶縁膜１３の上面のみに形成されている。
【００４５】
次に、図２０に示すように、チャネル保護膜１５を含む真性アモルファスシリコン膜５１の上面およびゲート絶縁膜１３の開口部３５内において赤外線反射層３１を含むアクティブ基板１の突出部１ａの上面に、プラズマＣＶＤ法により、ｎ型アモルファスシリコン膜５３を成膜する。
【００４６】
次に、ゲート絶縁膜１３の開口部３５内におけるｎ型アモルファスシリコン膜５３の上面に、ゲート絶縁膜１３の開口部３５とほぼ同じ平面サイズのハードマスク５７を配置する。次に、真性アモルファスシリコン膜５１上におけるｎ型アモルファスシリコン膜５３の上面およびハードマスク５７の上面に、スパッタ法により、クロム等からなる金属膜５５を成膜する。
【００４７】
次に、ハードマスク５７をその上に形成された金属膜５５と共に取り除く。次に、金属膜５５、ｎ型アモルファスシリコン膜５３および真性アモルファスシリコン膜５１をフォトリソグラフィ法により連続してパターニングすると、図２１に示すように、ソース電極１８、ドレイン電極１９、データライン２０、オーミックコンタクト層１６、１７、半導体薄膜１４および測定用開口部３９を有する被測定膜３８が形成される。
【００４８】
この場合も、データライン２０は、下から順に、真性アモルファスシリコン膜２０ａ、ｎ型アモルファスシリコン膜２０ｂおよび金属膜２０ｃの３層構造となっている。以下、上記と同様の工程を経ると、図１７に示す液晶表示パネルが得られる。
【００４９】
（第４実施形態）
図２２はこの発明の第４実施形態としての膜評価方法で評価するための被測定膜を備えた液晶表示パネルの一例の図２同様の平面図を示し、図２３は図２２のXXIII−XXIII線に沿う断面図およびアクティブ基板１上の薄膜トランジスタ４の部分の断面図を示す。この液晶表示パネルにおいて、図２および図３に示す液晶表示パネルと異なる点は、赤外線反射層３１、被測定膜３２の測定用開口部３３およびオーバーコート膜２１の開口部３４のサイズを左右方向に長くし、被測定膜３２の測定用開口部３３内における赤外線反射層３１の上面の各所定の箇所に真性アモルファスシリコンからなる被測定膜３６およびｎ型アモルファスシリコンからなる被測定膜３８を設けた点である。
【００５０】
すなわち、赤外線反射層３１の上面には、図２３において左側から順に、ゲート絶縁膜１３の一部からなる被測定膜３２、真性アモルファスシリコンからなる被測定膜３６およびｎ型アモルファスシリコンからなる被測定膜３８が設けられている。そして、被測定膜３８の右側における赤外線反射層３１の上面は被測定膜３２の測定用開口部３３を介して露出されている。
【００５１】
したがって、この液晶表示パネルでは、被測定膜３２の正味の赤外吸収スペクトルからゲート絶縁膜１３の化学状態を評価することができ、また被測定膜３６の正味の赤外吸収スペクトルから半導体薄膜１４の化学状態を評価することができ、さらに被測定膜３８の正味の赤外吸収スペクトルからオーミックコンタクト層１６、１７の化学状態を評価することができる。
【００５２】
次に、この液晶表示パネルの製造方法の一例について説明する。まず、図１４に示すような工程を経ると、図２４に示すように、アクティブ基板１の上面の各所定の箇所にゲート電極１１、走査ライン１２および赤外線反射層３１が形成され、その上に測定用開口部３３を有するゲート絶縁膜１３が形成され、その上に真性アモルファスシリコン膜５１が形成され、その上の所定の箇所にチャネル保護膜１５が形成される。
【００５３】
次に、真性アモルファスシリコン膜５１をフォトリソグラフィ法によりパターニングすると、図２５に示すように、半導体薄膜１４および被測定膜３６が形成される。次に、図示していないが、ハードマスクを配置し、プラズマＣＶＤ法により成膜されたｎ型アモルファスシリコン膜をフォトリソグラフィ法によりパターニングし、ハードマスクをその上に形成されたｎ型アモルファスシリコン膜と共に取り除くと、図２６に示すように、オーミックコンタクト層１６、１７および被測定膜３８が形成される。
【００５４】
次に、図２３に示すように、スパッタ法により成膜されたクロム等からなる金属膜をフォトリソグラフィ法によりパターニングすると、ソース電極１８、ドレイン電極１９およびデータライン２０が形成される。以下、上記と同様の工程を経ると、図２３に示す液晶表示パネルが得られる。
【００５５】
（第５実施形態）
図２７はこの発明の第５実施形態としての膜評価方法で評価するための被測定膜を備えた液晶表示パネルの一例の図３同様の断面図を示す。この液晶表示パネルにおいて、図３に示す液晶表示パネルと異なる点は、赤外線反射層３１の中央部に対応する部分におけるゲート絶縁膜１３に測定用開口部３３を設け、赤外線反射層３１の図２７における右半分の中央部およびその近傍に対応する部分におけるオーバーコート膜２１に測定用開口部４１を設け、赤外線反射層３１の図２７における左半分の上面に設けられたオーバーコート膜２１を被測定膜４０とした点である。
【００５６】
被測定膜４０（つまりオーバーコート膜２１）の化学状態を評価する場合には、まず、赤外線反射層（支持膜）３１を測定するため、顕微赤外分光装置の赤外光源から出た赤外線が被測定膜４０の測定用開口部４１を介して赤外線反射層（支持膜）３１に照射されると、それによって反射された赤外線が赤外検出器で検出され、この検出結果から支持膜用赤外吸収スペクトルが得られる。
【００５７】
次に、顕微赤外分光装置の赤外光源から出た赤外線が被測定膜４０に照射されると、被測定膜４０を透過した赤外線が赤外線反射層３１で反射され、この反射された赤外線が被測定膜４０を透過して赤外検出器で検出され、この検出結果から被測定膜用赤外吸収スペクトルが得られる。
【００５８】
そして、被測定膜用赤外吸収スペクトルから支持膜用赤外吸収スペクトルを差し引くと、被測定膜４０の正味の赤外吸収スペクトルが得られる。この正味の赤外吸収スペクトルから、被測定膜４０つまり窒化シリコンからなるオーバーコート膜２１の化学状態を評価することができ、すなわち、オーバーコート膜２１が設計通りに膜付けされているか否かを調べることができる。したがって、この液晶表示パネルでは、被測定膜４０の正味の赤外吸収スペクトルからオーバーコート膜２１の化学状態を評価することができる。
【００５９】
次に、この液晶表示パネルの製造方法の一例について簡単に説明する。この場合、図７に示す工程において、赤外線反射層３１の中央部に対応する部分におけるゲート絶縁膜１３に測定用開口部３３を形成し、図１０に示す工程において、赤外線反射層３１の右半分の中央部およびその近傍に対応する部分におけるオーバーコート膜２１に測定用開口部４１を形成すると、図２７に示す液晶表示パネルが得られる。
【００６０】
（第６実施形態）
図２８はこの発明の第６実施形態としての膜評価方法で評価するための被測定膜を備えた液晶表示パネルの一例の図２７同様の断面図を示す。この液晶表示パネルにおいて、図２７に示す液晶表示パネルと異なる点は、アクティブ基板１の突出部１ａ上のゲート絶縁膜１３の上面の所定の箇所に赤外線反射層４２を設け、赤外線反射層４２の図２８における右半分の中央部に対応する部分におけるオーバーコート膜２１に測定用開口部４１を設け、赤外線反射層３１の図２８における左半分の上面に設けられたオーバーコート膜２１を被測定膜４０とした点である。
【００６１】
被測定膜４０（つまりオーバーコート膜２１）の化学状態を評価する場合には、まず、赤外線反射層（支持膜）４２を測定するため、顕微赤外分光装置の赤外光源から出た赤外線が被測定膜４０の測定用開口部４１を介して赤外線反射層（支持膜）４２に照射されると、それによって反射された赤外線が赤外検出器で検出され、この検出結果から支持膜用赤外吸収スペクトルが得られる。
【００６２】
次に、顕微赤外分光装置の赤外光源から出た赤外線が被測定膜４０に照射されると、被測定膜４０を透過した赤外線が赤外線反射層４２で反射され、この反射された赤外線が被測定膜４０を透過して赤外検出器で検出され、この検出結果から被測定膜用赤外吸収スペクトルが得られる。
【００６３】
そして、被測定膜用赤外吸収スペクトルから支持膜用赤外吸収スペクトルを差し引くと、被測定膜４０の正味の赤外吸収スペクトルが得られる。この正味の赤外吸収スペクトルから、被測定膜４０つまり窒化シリコンからなるオーバーコート膜２１の化学状態を評価することができ、すなわち、オーバーコート膜２１が設計通りに膜付けされているか否かを調べることができる。したがって、この液晶表示パネルでも、被測定膜４０の正味の赤外吸収スペクトルからオーバーコート膜２１の化学状態を評価することができる。
【００６４】
次に、この液晶表示パネルの製造方法の一例について簡単に説明する。この場合、ソース電極１８、ドレイン電極１９およびデータライン２０をクロム等の金属によって形成するとき、同時に、アクティブ基板１の突出部１ａ上のゲート絶縁膜１３の上面の所定の箇所にクロム等の金属からなる赤外線反射層４２を形成すると、図２８に示す液晶表示パネルが得られる。
【００６５】
（第７施形態）
図２９はこの発明の第７実施形態としての膜評価方法で評価するための被測定膜を備えた液晶表示パネルの一例の図２２同様の平面図を示し、図３０は図２９のXXX−XXX線に沿う断面図を示す。この液晶表示パネルにおいて、図２２および図２３に示す液晶表示パネルと異なる点は、赤外線反射層３１および被測定膜３２の測定用開口部３３のサイズを左右方向に長くし、オーバーコート膜２１の開口部（この場合、測定用開口部４１）のサイズを左右方向に短くし、赤外線反射層３１の右端部上におけるオーバーコート膜２１を被測定膜４０とした点である。
【００６６】
被測定膜３２（つまりゲート絶縁膜１３）、被測定膜３６（つまり半導体薄膜１４）、被測定膜３８（つまりオーミックコンタクト層１６、１７）、被測定膜４０（つまりオーバーコート膜２１）の化学状態を評価する場合には、まず、赤外線反射層（支持膜）３１を測定するため、顕微赤外分光装置の赤外光源から出た赤外線が被測定膜４０の測定用開口部４１を介して赤外線反射層（支持膜）３１に照射されると、それによって反射された赤外線が赤外検出器で検出され、この検出結果から支持膜用赤外吸収スペクトルが得られる。
【００６７】
次に、顕微赤外分光装置の赤外光源から出た赤外線が各々の被測定膜３２、３６、３８、４０に照射されると、各々の被測定膜３２、３６、３８、４０を透過した赤外線が赤外線反射層３１で反射され、この反射された赤外線が各々被測定膜３２、３６、３８、４０を透過して赤外検出器で検出され、この検出結果から被測定膜用赤外吸収スペクトルが得られる。
【００６８】
そして、各々の被測定膜用赤外吸収スペクトルから支持膜用赤外吸収スペクトルを差し引くと、各々の被測定膜３２、３６、３８、４０の正味の赤外吸収スペクトルが得られる。この正味の赤外吸収スペクトルから、被測定膜３２、３６、３８、４０つまり窒化シリコンからなるゲート絶縁膜１３、真性アモルファスシリコンからなる半導体薄膜１４、ｎ型アモルファスシリコンからなるオーミックコンタクト層１６、１７、窒化シリコンからなるオーバーコート膜２１の化学状態を評価することができ、すなわち、ゲート絶縁膜１３、半導体薄膜１４、オーミックコンタクト層１６、１７、オーバーコート膜２１が設計通りに膜付けされているか否かを調べることができる。
【００６９】
したがって、この液晶表示パネルでは、被測定膜３２の正味の赤外吸収スペクトルからゲート絶縁膜１３の化学状態を評価することができ、また被測定膜３６の正味の赤外吸収スペクトルから半導体薄膜１４の化学状態を評価することができ、また被測定膜３８の正味の赤外吸収スペクトルからオーミックコンタクト層１６、１７の化学状態を評価することができ、さらに被測定膜４０の正味の赤外吸収スペクトルからオーバーコート膜２１の化学状態を評価することができる。
【００７０】
（第８実施形態）
図３１はこの発明の第８実施形態としての膜評価方法で評価するための被測定膜を備えた液晶表示パネルの一例の図２２同様の平面図を示し、図３２は図３１のXXXII−XXXII線に沿う断面図を示す。この液晶表示パネルにおいて、図２２および図２３に示す液晶表示パネルと異なる点は、被測定膜３２、３６、３８を含む赤外線反射層３１の近傍におけるゲート絶縁膜１３の上面の所定の箇所に、図２８に示す被測定膜４０を含む赤外線反射層４２を設けた点である。
【００７１】
被測定膜３２（つまりゲート絶縁膜１３）、被測定膜３６（つまり半導体薄膜１４）、被測定膜３８（つまりオーミックコンタクト層１６、１７）の化学状態を評価する場合には、まず、赤外線反射層（支持膜）３１を測定するため、顕微赤外分光装置の赤外光源から出た赤外線が測定用開口部３３を介して赤外線反射層（支持膜）３１に照射されると、それによって反射された赤外線が赤外検出器で検出され、この検出結果から支持膜用赤外吸収スペクトルが得られる。
【００７２】
次に、顕微赤外分光装置の赤外光源から出た赤外線が各々の被測定膜３２、３６、３８に照射されると、各々の被測定膜３２、３６、３８を透過した赤外線が赤外線反射層３１で反射され、この反射された赤外線が各々被測定膜３２、３６、３８を透過して赤外検出器で検出され、この検出結果から被測定膜用赤外吸収スペクトルが得られる。
【００７３】
そして、各々の被測定膜用赤外吸収スペクトルから支持膜用赤外吸収スペクトルを差し引くと、各々の被測定膜３２、３６、３８の正味の赤外吸収スペクトルが得られる。この正味の赤外吸収スペクトルから、被測定膜３２、３６、３８つまり窒化シリコンからなるゲート絶縁膜１３、真性アモルファスシリコンからなる半導体薄膜１４、ｎ型アモルファスシリコンからなるオーミックコンタクト層１６、１７の化学状態を評価することができ、すなわち、ゲート絶縁膜１３、半導体薄膜１４、オーミックコンタクト層１６、１７が設計通りに膜付けされているか否かを調べることができる。
【００７４】
被測定膜４０（つまりオーバーコート膜２１）の化学状態を評価する場合には、まず、赤外線反射層（支持膜）４２を測定するため、顕微赤外分光装置の赤外光源から出た赤外線が被測定膜４０の測定用開口部４１を介して赤外線反射層（支持膜）４２に照射されると、それによって反射された赤外線が赤外検出器で検出され、この検出結果から支持膜用赤外吸収スペクトルが得られる。
【００７５】
次に、顕微赤外分光装置の赤外光源から出た赤外線が被測定膜４０に照射されると、被測定膜４０を透過した赤外線が赤外線反射層４２で反射され、この反射された赤外線が被測定膜４０を透過して赤外検出器で検出され、この検出結果から被測定膜用赤外吸収スペクトルが得られる。
【００７６】
そして、被測定膜用赤外吸収スペクトルから支持膜用赤外吸収スペクトルを差し引くと、被測定膜４０の正味の赤外吸収スペクトルが得られる。この正味の赤外吸収スペクトルから、被測定膜４０つまり窒化シリコンからなるオーバーコート膜２１の化学状態を評価することができ、すなわち、オーバーコート膜２１が設計通りに膜付けされているか否かを調べることができる。
【００７７】
したがって、この液晶表示パネルでも、被測定膜３２の正味の赤外吸収スペクトルからゲート絶縁膜１３の化学状態を評価することができ、また被測定膜３６の正味の赤外吸収スペクトルから半導体薄膜１４の化学状態を評価することができ、また被測定膜３８の正味の赤外吸収スペクトルからオーミックコンタクト層１６、１７の化学状態を評価することができ、さらに被測定膜４０の正味の赤外吸収スペクトルからオーバーコート膜２１の化学状態を評価することができる。
【００７８】
（第９実施形態）
図３３はこの発明の第９実施形態としての膜評価方法で評価するための被測定膜を備えた液晶表示パネルの一例の図３２同様の断面図を示す。この液晶表示パネルにおいて、図３２に示す液晶表示パネルと異なる点は、クロム等の金属からなる赤外線反射層（空洞形成用膜）３１、４２をウェットエッチングにより除去し、被測定膜３２、３６、３８の部分下および被測定膜４０の部分下に空洞４３、４４を形成した点である。
【００７９】
したがって、図３３に示す状態では、被測定膜３２、３６、３８の部分はその下が空洞４３となってアクティブ基板１の突出部１ａ上に浮いた状態となり、また被測定膜４０の部分もその下が空洞４４となってゲート絶縁膜１３上に浮いた状態となる。
【００８０】
そこで、次に、図示しないマイクロマニピュレータのプローブでそれぞれ被測定膜３２、３６、３８の部分および被測定膜４０の部分を静電吸着して押し付けると、図３４において符号４５、４６で示すように、被測定膜３２、３６、３８の部分および被測定膜４０の部分が切断され、被測定膜片（３２、３６、３８）および被測定膜片（４０）が得られる。
【００８１】
次に、図３５に示すように、マイクロマニピュレータのプローブに静電吸着された被測定膜片（３２、３６、３８）および被測定膜片（４０）を単結晶シリコン、臭化カリウム等からなる赤外線透過部材（支持膜）４７上に配置する。次に、赤外線透過部材４７に赤外線が照射されると、赤外線透過部材（支持膜）４７を透過した赤外線が赤外検出器で検出され、この検出結果から支持膜用赤外吸収スペクトルが得られる。
【００８２】
次に、赤外線透過部材４７上の被測定膜片（３２、３６、３８）のうちの被測定膜３２に赤外線が照射されると、それらを透過した赤外線が赤外検出器で検出され、この検出結果から被測定膜３２用赤外吸収スペクトルが得られる。これと同様にして、その他の被測定膜３６、３８、４０用赤外吸収スペクトルが得られる。
【００８３】
そして、各被測定膜用赤外吸収スペクトルから支持膜用赤外吸収スペクトルを差し引くと、各被測定膜３２、３６、３８、４０の正味の赤外吸収スペクトルが得られる。この場合、透過赤外線を十分に測定することができるので、得られる赤外吸収スペクトルのＳ／Ｎが良くなる。
【００８４】
このように、この膜評価方法では、例えば、アクティブ基板１上に形成された被測定膜３２、３６、３８の部分を切断して被測定膜片（３２、３６、３８）とし、この被測定膜片（３２、３６、３８）を赤外線透過部材４７上に配置しているので、被測定膜３２、３６、３８を形成するためのアクティブ基板１が赤外線の吸収が大きいガラス基板であっても、被測定膜３２、３６、３８の実用的な正味の赤外吸収スペクトルを得ることができる。
【００８５】
（第１０実施形態）
図３６はこの発明の第１０実施形態としての膜評価方法を説明するために示す図３５同様の断面図である。この実施形態では、被測定膜片（３２、３６、３８）および被測定膜片（４０）をガラス基板４８の上面に設けられたクロム等からなる赤外線反射層（支持膜）４９の上面に配置するようにしている。
【００８６】
そして、赤外線反射層（支持膜）４９に赤外線が照射されると、それによって反射された赤外線が赤外検出器で検出され、この検出結果から支持膜用赤外吸収スペクトルが得られる。
【００８７】
次に、赤外線反射層４９上の被測定膜片（３２、３６、３８）のうちの被測定膜３２に赤外線が照射されると、被測定膜３８を透過した赤外線が赤外線反射層４９で反射され、この反射された赤外線が被測定膜３８を透過して赤外検出器で検出され、この検出結果から被測定膜３８用赤外吸収スペクトルが得られる。これと同様にして、その他の被測定膜３６、３８、４０用赤外吸収スペクトルが得られる。
【００８８】
そして、各被測定膜用赤外吸収スペクトルから支持膜用赤外吸収スペクトルを差し引くと、各被測定膜３２、３６、３８、４０の正味の赤外吸収スペクトルが得られる。
【００８９】
このように、この膜評価方法では、例えば、アクティブ基板１上に形成された被測定膜３２、３６、３８の部分を切断して被測定膜片（３２、３６、３８）とし、この被測定膜片（３２、３６、３８）を赤外線反射層（支持膜）４９上に配置しているので、被測定膜３２、３６、３８を形成するためのアクティブ基板１が赤外線の吸収が大きいガラス基板であっても、被測定膜３２、３６、３８の実用的な正味の赤外吸収スペクトルを得ることができる。
【００９０】
（第１１実施形態）
図３７はこの発明の第１１実施形態としての膜評価方法で評価するための被測定膜を備えた液晶表示パネルの一例の図２９同様の平面図を示し、図３８は図３７のXXXVIII−XXXVIII線に沿う断面図を示し、図３９は図３７のXXXIX−XXXIX線に沿う断面図を示す。この液晶表示パネルにおいて、図２９および図３０に示す液晶表示パネルと大きく異なる点は、赤外線反射層３１の代わりに、炭化ケイ素、ケイ素セラミック等のグローバー材料あるいはニクロム線材料（Ｎｉ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｆｅの合金）からなる赤外線発生層６１を設けた点である。
【００９１】
この場合、赤外線発生層６１の長さ方向両端部上面およびその各近傍のアクティブ基板１の突出部１ａの上面にはクロム等からなる接続端子６２、６３が設けられている。接続端子６２、６３の所定の一部は、ゲート絶縁膜１３およびオーバーコート膜２１に連続して設けられた開口部６４、６５を介して露出されている。
【００９２】
この液晶表示パネルでは、開口部６４、６５を介して露出された接続端子６２、６３を介して赤外線発生層（支持膜）６１に電圧が印加されると、赤外線発生層（支持膜）６１から赤外線が発生し、この発生した赤外線が被測定膜３２、３６、３８、４０を透過して赤外検出器で検出され、この各検出結果から各被測定膜用赤外吸収スペクトルが得られ、また赤外線発生層（支持膜）６１から出た赤外線が赤外検出器で直接検出され、この検出結果から支持膜用赤外吸収スペクトルが得られる。
【００９３】
そして、各被測定膜用赤外吸収スペクトルから赤外線発生層用赤外吸収スペクトルを差し引くと、各被測定膜３２、３６、３８、４０の正味の赤外吸収スペクトルが得られる。この場合、透過赤外線を十分に測定することができるので、得られる赤外吸収スペクトルのＳ／Ｎが良くなる。
【００９４】
このように、この膜評価方法では、アクティブ基板１上に形成された赤外線発生層６１上の一部に被測定膜３２、３６、３８、４０を形成しているので、被測定膜３２、３６、３８、４０を形成するためのアクティブ基板１が赤外線の吸収が大きいガラス基板であっても、被測定膜３２、３６、３８、４０の実用的な正味の赤外吸収スペクトルを得ることができる。
【００９５】
（第１２実施形態）
図３７〜図３９において、符号６１で示すものを、ＴＧＳ（トリグリシンサルファイド：重水素置換したグリシン硫酸塩）焦電材料あるいは熱電対（熱電対上に金箔／金黒を付着させて表面を黒体に近づけたもの）からなる赤外線検出層とする。この場合、接続端子６２、６３は赤外線検出用接続端子となる。
【００９６】
この液晶表示パネルでは、被測定膜３２、３６、３８、４０および赤外線検出層（支持膜）６１の露出面のいずれかに赤外線が照射されると、各被測定膜赤外吸収スペクトルおよび支持膜用赤外吸収スペクトルが得られる。そして、各被測定膜用赤外吸収スペクトルから支持膜用赤外吸収スペクトルを差し引くと、各被測定膜３２、３６、３８、４０の正味の赤外吸収スペクトルが得られる。
【００９７】
このように、この膜評価方法では、アクティブ基板１上に形成された赤外線検出層６１上の一部に被測定膜３２、３６、３８、４０を形成しているので、被測定膜３２、３６、３８、４０を形成するためのアクティブ基板１が赤外線の吸収が大きいガラス基板であっても、被測定膜３２、３６、３８、４０の実用的な正味の赤外吸収スペクトルを得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【００９８】
【図１】この発明の第１実施形態としての膜評価方法で評価するための被測定膜を備えた液晶表示パネルの一例の平面図。
【図２】図１のＡ部（被測定膜の部分）の拡大平面図。
【図３】図２のIII−III線に沿う断面図およびアクティブ基板上の薄膜トランジスタの部分の断面図。
【図４】図３に示す液晶表示パネルの製造方法の一例において、当初の工程の断面図。
【図５】図４に続く工程の断面図。
【図６】図５に続く工程の断面図。
【図７】図６に続く工程の断面図。
【図８】図７に続く工程の断面図。
【図９】図８に続く工程の断面図。
【図１０】図９に続く工程の断面図。
【図１１】この発明の第２実施形態としての膜評価方法で評価するための被測定膜を備えた液晶表示パネルの一例の図２同様の平面図。
【図１２】図１１のXII−XII線に沿う断面図およびアクティブ基板上の薄膜トランジスタの部分の断面図。
【図１３】図１２に示す液晶表示パネルの製造方法の一例において、所定の工程の断面図。
【図１４】図１３に続く工程の断面図。
【図１５】図１４に続く工程の断面図。
【図１６】図１５に続く工程の断面図。
【図１７】この発明の第３実施形態としての膜評価方法で評価するための被測定膜を備えた液晶表示パネルの一例の図１２同様の断面図。
【図１８】図１７に示す液晶表示パネルの製造方法の一例において、所定の工程の断面図。
【図１９】図１８に続く工程の断面図。
【図２０】図１９に続く工程の断面図。
【図２１】図２０に続く工程の断面図。
【図２２】この発明の第４実施形態としての膜評価方法で評価するための被測定膜を備えた液晶表示パネルの一例の図２同様の平面図。
【図２３】図１１のXXIII−XXIII線に沿う断面図およびアクティブ基板上の薄膜トランジスタの部分の断面図。
【図２４】図２３に示す液晶表示パネルの製造方法の一例において、所定の工程の断面図。
【図２５】図２４に続く工程の断面図。
【図２６】図２５に続く工程の断面図。
【図２７】この発明の第５実施形態としての膜評価方法で評価するための被測定膜を備えた液晶表示パネルの一例の図３同様の断面図。
【図２８】この発明の第６実施形態としての膜評価方法で評価するための被測定膜を備えた液晶表示パネルの一例の図２７同様の断面図。
【図２９】この発明の第７実施形態としての膜評価方法で評価するための被測定膜を備えた液晶表示パネルの一例の図２２同様の平面図。
【図３０】図２９のXXX−XXX線に沿う断面図。
【図３１】この発明の第８実施形態としての膜評価方法で評価するための被測定膜を備えた液晶表示パネルの一例の図２２同様の平面図。
【図３２】図３１のXXXII−XXXII線に沿う断面図。
【図３３】この発明の第９実施形態としての膜評価方法で評価するための被測定膜を備えた液晶表示パネルの一例の図３２同様の断面図。
【図３４】図３３に続く工程の断面図。
【図３５】図３４に続く工程の断面図。
【図３６】この発明の第１０実施形態としての膜評価方法を説明するために示す図３５同様の断面図。
【図３７】この発明の第１１実施形態としての膜評価方法で評価するための被測定膜を備えた液晶表示パネルの一例の図２９同様の平面図。
【図３８】図３７のXXXVIII−XXXVIII線に沿う断面図。
【図３９】図３７のXXXIX−XXXIX線に沿う断面図。
【符号の説明】
【００９９】
１  アクティブ基板
１ａ  突出部
２  対向基板
４  薄膜トランジスタ
１１  ゲート電極
１２  走査ライン
１３  ゲート絶縁膜
１４  半導体薄膜
１５  チャネル保護膜
１６、１７  オーミックコンタクト層
１８  ソース電極
１９  ドレイン電極
２０  データライン
２１  オーバーコート膜
２２  コンタクトホール
２３  画素電極
３１  赤外線反射層（支持膜）
３２  被測定膜
３３  測定用開口部
３４  開口部
３５  開口部
３６  被測定膜
３７  測定用開口部
３８  被測定膜
３９  測定用開口部
４０  被測定膜
４１  測定用開口部
４２  赤外線反射層（支持膜）
４３、４４  空洞
６１  赤外線発生層（赤外線検出層）
６２、６３  接続端子
６４、６５  開口部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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【図２７】
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【図２８】
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【図２９】
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【図３０】
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【図３１】
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【図３２】
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【図３３】
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【図３４】
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【図３５】
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【図３６】
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【図３７】
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【図３８】
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【図３９】
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