(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
下記化学式１：
［化１］
【化１】
0004767547.tif 000010
[前記式のうち、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４及びＲ５は、互いに関係なく水素、ヒドロキシ基、アミノ基、置換または非置換の炭素数１〜３０のアルキルアミノ基、置換または非置換の炭素数１〜３０のアリールアミノ基、置換または非置換のヘテロアリールアミノ基、シアノ基、ハロゲン原子、置換または非置換の炭素数１〜３０のアルキル基、置換または非置換の炭素数３〜３０のシクロアルキル基、置換または非置換の炭素数１〜３０のアルコキシ基、置換または非置換の炭素数６〜３０のアリール基、置換または非置換の炭素数６〜３０のアリールアルキル基、置換または非置換の炭素数２〜３０のヘテロアリール基及び置換または非置換の炭素数２〜３０の複素環基からなる群から選択され、Ｒ２及びＲ３が互いに連結されて飽和または不飽和環を形成でき、
ｚは、重合度であって、５〜１０００の実数である]
で表示されるチエノ［３,２−ｂ］インドール系高分子。
【請求項２】
アリーレン（Ａｒ）反復単位をさらに含んで、下記化学式２：
［化２］
【化２】
0004767547.tif 000011
[前記式のうち、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４及びＲ５は、化学式１で定義された通りであり、
Ａｒは、置換または非置換の炭素数６〜３０のアリーレン基、置換または非置換の炭素数２〜３０のヘテロアリーレン基、置換または非置換の炭素数２ないし３０の複素環基からなる群から選択され、
ｘは、０.０１〜０.９９の実数であり、ｙは、０.０１〜０.９９の実数であり、ｚは、重合度であって、５〜１０００の実数である]
で表示されることを特徴とする請求項１に記載のチエノ［３,２−ｂ］インドール系高分子。
【請求項３】
Ａｒ反復単位をさらに含んで、下記化学式３：
［化３］
【化３】
0004767547.tif 000012
[前記式のうち、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４及びＲ５は、化学式１で定義された通りであり、
Ａｒは、置換または非置換の炭素数６〜３０のアリーレン基、置換または非置換の炭素数２〜３０のヘテロアリーレン基、置換または非置換の炭素数２〜３０の複素環基よりなる群から選択され、
ｘは、０.０１〜０.９９の実数であり、ｙは、０.０１〜０.９９の実数であり、ｚは、重合度であって、５〜１０００の実数である]
で表示されることを特徴とする請求項１に記載のチエノ［３,２−ｂ］インドール系高分子。
【請求項４】
前記化合物は、下記化学式４：
［化４］
【化４】
0004767547.tif 000013
[前記式のうち、Ｒ６ないしＲ１０は、互いに同一または異なって炭素数１〜１２のアルキル基または炭素数６〜２０のアリール基であり、ｘは、０.０１〜０.９９の実数であり、ｙは、０.０１〜０.９９の実数であり、ｚは、５〜１０００の実数である]
で表示されることを特徴とする請求項２に記載のチエノ［３,２−ｂ］インドール系高分子。
【請求項５】
前記化合物は、下記化学式５：
［化５］
【化５】
0004767547.tif 000014
[前記式のうち、ｘは、０.０１〜０.９９の実数であり、ｙは、０.０１〜０.９９の実数であり、ｚは、５〜１０００の実数である]
で表示されることを特徴とする請求項４に記載のチエノ［３,２−ｂ］インドール系高分子。
【請求項６】
前記高分子の数平均分子量は、１万ないし２０万であり、分子量の分布は、１.５〜５であることを特徴とする請求項１に記載のチエノ［３,２−ｂ］インドール系高分子。
【請求項７】
一対の電極間に有機膜を含む有機電界発光素子において、
前記有機膜が請求項１ないし６のうち何れか１項に記載のチエノ［３,２−ｂ］インドール系高分子を含むことを特徴とする有機電界発光素子。
【請求項８】
前記有機膜が発光層であることを特徴とする請求項７に記載の有機電界発光素子。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明はチエノ［３,２−ｂ］インドール構造を含有する化合物及びそれを利用した有機電界発光素子に係り、さらに詳細には、製造が容易であり、青色の発光特性を表すチエノ［３,２−ｂ］インドール系高分子及びそれを有機膜形成材料として使用する有機電界発光素子に関する。
【背景技術】
【０００２】
一般的に、有機電界発光素子は、カソードとアノードとの間に有機発光層が介在された構造を有しており、有機発光層では、カソード及びアノードから入射された電子とホールとが出合ってエキシトンを形成し、エキシトンが基底状態になる時、発光が起こる。
【０００３】
アルミニウムキノリノール錯体層とトリフェニルアミン誘導体層とを利用した多層構造（特許文献１）及び低分子を使用した発光層形成化合物の発電によって、紫外線から赤外線領域に至るまでの多様な発光が可能な有機電界発光素子を製作可能になった（特許文献２）。
【０００４】
発光層材料として、共役高分子であるポリフェニレンビニリデン（Ｐｏｌｙ Ｐｈｅｎｙｌｅｎｅ Ｖｉｎｙｌｅｎｅ：ＰＰＶ）を利用した有機電界発光素子（非特許文献１）が提案された。その後、有機溶媒に溶解され、優秀な化学的な安定性と発光効率とを有する新規ＰＰＶ型高分子及びＰＰＶ型高分子よりも性能が優秀なポリフルオレンが開発された。ポリフルオレンは、青色の発光特性を有しているが、ポリフルオレン構造の側鎖に起因したエキシマーのために、色純度特性が満足するほどのレベルに到達できなかった（特許文献３、４）。
【０００５】
前述したポリフルオレンの色純度特性を改善するためにポリスピロフルオレン（特許文献５）、スピロビフルオレンまたはヘテロ原子を含有するスピロフルオレン（特許文献６、７）構造が開発された。しかし、このような物質は、いまのところ寿命、効率、信頼性、加工性、色純度のような特性が不十分で改善の余地が多い。
【特許文献１】米国特許第４,８８５,２１１号明細書
【特許文献２】米国特許第５,１５１,６２９号明細書
【特許文献３】国際公報第９７／０５１８４号パンフレット
【特許文献４】米国特許第５,９００,３２７号明細書
【特許文献５】米国特許第５,６２１,１３１号明細書
【特許文献６】米国特許第５,７６３,６３６号明細書
【特許文献７】米国特許第５,８５９,２１１号明細書
【非特許文献１】Ｎａｔｕｒｅ、ｖｏｌ ３４７,５３９、１９９０
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本発明が解決しようとする技術的課題は、前記のような従来の技術の問題点を解決するためのものであって、色純度、効率及び輝度特性が改善されたチエノ［３,２−ｂ］インドール系高分子及びそれを利用した有機電界発光素子を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
前記課題を解決するために本発明では、下記化学式１で表示されるチエノ［３,２−ｂ］インドール系高分子を提供する。
［化１］
【０００８】
【化１】
0004767547.tif 000002
【０００９】
前記式のうち、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４及びＲ５は、互いに関係なく水素、ヒドロキシ基、アミノ基、置換または非置換の炭素数１〜３０のアルキルアミノ基、置換または非置換の炭素数１〜３０のアリールアミノ基、置換または非置換のヘテロアリールアミノ基、シアノ基、ハロゲン原子、置換または非置換の炭素数１〜３０のアルキル基、置換または非置換の炭素数３〜３０のシクロアルキル基、置換または非置換の炭素数１〜３０のアルコキシ基、置換または非置換の炭素数６〜３０のアリール基、置換または非置換の炭素数６〜３０のアリールアルキル基、置換または非置換の炭素数２〜３０のヘテロアリール基及び置換または非置換の炭素数２〜３０の複素環基よりなる群から選択され、Ｒ２及びＲ３が互いに連結されて飽和または不飽和環を形成でき、ｚは、重合度であって、５〜１０００の実数である。
【００１０】
本発明の他の課題は、一対の電極間に有機膜を含む有機電界発光素子において、前記有機膜は、前述したチエノ［３,２−ｂ］インドール系高分子を含むことを特徴とする有機電界発光素子によりなる。
【発明の効果】
【００１１】
本発明のチエノ［３,２−ｂ］インドール系高分子は、青色の電界発光特性を表す。また、前記チエノ［３,２−ｂ］インドール系高分子は、製造が容易であり、青色の発光特性を表し、このようなチエノ［３,２−ｂ］インドール系高分子を利用した有機膜を採用した有機電界発光素子は、色純度、効率及び輝度特性が改善される。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１２】
以下、本発明をさらに詳細に説明する。
【００１３】
本発明の前記化学式１で表示される高分子は、チエノ［３,２−ｂ］インドール構造の反復単位を有することによって、分子間相互作用による凝集、エキシマー及びエキシプレクスの生成を抑制しつつ容易な電荷移動性と青色発光特性とを表す。このように、エキシマー準位の生成を抑制すれば、発光効率の向上及び色純度を向上させる。
前記化学式１で表示されるチエノ［３,２−ｂ］インドール系高分子は、アリーレン（Ａｒ）反復単位をさらに含んで、下記化学式２または３で表示される。
［化２］
【００１４】
【化２】
0004767547.tif 000003
【００１５】
前記式のうち、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４及びＲ５は、化学式１で定義された通りであり、Ａｒは、置換または非置換の炭素数６〜３０のアリーレン基、置換または非置換の炭素数２〜３０のヘテロアリーレン基、置換または非置換の炭素数２ないし３０の複素環基よりなる群から選択され、ｘは、０.０１〜０.９９の実数であり、ｙは、０.０１〜０.９９の実数であり、ｚは、重合度であって、５〜１０００の実数である。
［化３］
【００１６】
【化３】
0004767547.tif 000004
【００１７】
前記式のうち、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４及びＲ５は、化学式１で定義された通りであり、Ａｒは、置換または非置換の炭素数６〜３０のアリーレン基、置換または非置換の炭素数２〜３０のヘテロアリーレン基、置換または非置換の炭素数２ないし３０の複素環基よりなる群から選択され、ｘは、０.０１〜０.９９の実数であり、ｙは、０.０１〜０.９９の実数であり、ｚは、重合度であって、５〜１０００の実数である。
【００１８】
前記化学式１ないし３で、ｚは、全体的な高分子でチエノ［３,２−ｂ］インドール反復単位の重合度を表し、ｘは、チオフェンインドール反復単位が全体的な高分子で占める混合比を表すものであり、ｙは、アリーレン反復単位が全体的な高分子で占める混合比を表すものであると定義される。
【００１９】
前記化学式２で表示されるチエノ［３,２−ｂ］インドール系高分子は、特に、下記化学式４で表示される高分子であることが望ましい。
［化４］
【００２０】
【化４】
0004767547.tif 000005
前記式のうち、Ｒ６ないしＲ１０は、互いに同一または異なって炭素数１ないし１２のアルキル基または炭素数６ないし２０のアリール基であり、ｘは、０.０１〜０.９９の実数であり、ｙは、０.０１〜０.９９の実数であり、ｚは、５〜１０００の実数である。
【００２１】
前記化学式４の高分子の例として、下記化学式５の高分子が挙げられる。
［化５］
【００２２】
【化５】
0004767547.tif 000006
【００２３】
前記式のうち、ｘは、０.０１〜０.９９の実数であり、ｙは、０.０１〜０.９９の実数であり、ｚは、５〜１０００の実数である。
【００２４】
本発明によるチエノ［３,２−ｂ］インドール系高分子の数平均分子量（Ｍｎ）は、１０,０００〜２００,０００であることが望ましい。本発明の高分子の数平均分子量が１０,０００未満である場合には、電界発光素子の製作時に高分子の分子量が薄膜形成特性及び素子の寿命に重要な要因として作用するが、素子の製作及び駆動時に結晶化の原因となり、数平均分子量が２０万を超過する場合には、通常分子量が過度に大きい場合、溶解性及び加工性が難しくなるためである。
【００２５】
本発明のチエノ［３,２−ｂ］インドール系高分子の分子量分布（ＭＷＤ）は、可能な限り狭いほど色々な電界発光特性（特に、素子の寿命）に有利であると知られており、本発明では、１.５ないし５の範囲に制限する。
【００２６】
本発明の化学式で置換基の定義時に使われた“置換の”の意味は、任意の置換基に置換されたことを意味し、前記置換基の例として、炭素数１〜１２のアルキル基、炭素数１〜１２のアルコキシ基、フッ素、塩素のようなハロゲン原子、炭素数１〜３０アルキルアミノ基、ヒドロキシ基、ニトロ基、シアノ基、置換または非置換のアミノ基（−ＮＨ２、−ＮＨ（Ｒ）、−Ｎ（Ｒ’）（Ｒ”）、Ｒ,Ｒ’とＲ”は、互いに独立的に炭素数１〜１２のアルキル基である）、カルボキシル基、スルホン酸基、リン酸基、炭素数１〜２０のハロゲン化されたアルキル基、炭素数２〜２０のアルケニル基、炭素数２〜２０のアルキニル基、炭素数１〜２０のヘテロアルキル基、炭素数６〜２０のアリール基、炭素数６〜２０のアリールアルキル基、炭素数２〜２０のヘテロアリール基、または炭素数２〜２０のヘテロアリールアルキル基が挙げられる。
【００２７】
本発明の化学式１で表示されるチエノ［３,２−ｂ］インドール系高分子の合成過程を説明すれば、次の通りである。
【００２８】
まず、チエノ［３,２−ｂ］インドール単量体を合成した後、この単量体を重合して化学式１で表示されるチエノ［３,２−ｂ］インドール系高分子を製造する。
【００２９】
化学式２または３のような共重合体は、チエノ［３,２−ｂ］インドール単量体とアリーレン反復単位含有化合物とを共重合して得られる。このような共重合の反応時、ビス（シクロオクタジエニル）ニッケルのような触媒を使用する［Ｊ.Ｉ.Ｌｅｅ，Ｇ.Ｋｌａｅｒｎｅｒ，ａｎｄ Ｒ.Ｄ.Ｍｉｌｌｅｒ，Ｃｈｅｍ．Ｍａｔｅｒ．１１,１０８３（１９９９）］。
【００３０】
以下、本発明によるチエノ［３,２−ｂ］インドール系高分子を利用した有機電界発光素子について説明する。
【００３１】
本発明の有機電界発光素子は、前記化学式１のチエノ［３,２−ｂ］インドール系高分子を利用して発光層のような有機膜を形成して製作される。このような有機電界発光素子は、通常的に知られた、図１に示されたようなアノード１０／発光層１１／カソード１２の積層構造を有しうる。または、これ以外に、アノード／バッファ層／発光層／カソード、アノード／正孔輸送層／発光層／カソード、アノード／バッファ層／正孔輸送層／発光層／カソード、アノード／バッファ層／正孔輸送層／発光層／電子輸送層／カソード、アノード／バッファ層／正孔輸送層／発光層／正孔遮断層／カソードなどの構造より形成されうるが、これに限定されていない。この時、前記バッファ層の素材としては、通常的に使われる物質を使用でき、望ましくは、Ｃｕフタロシアニン、ポリチオフェン、ポリアニリン、ポリアセチレン、ポリピロール、ポリフェニレンビニリデン、またはこれらの誘導体を使用できるが、これに限定されていない。
【００３２】
前記正孔輸送層の素材としては、通常的に使われる物質を使用でき、望ましくはポリトリフェニルアミンを使用できるが、これに限定されない。
【００３３】
前記電子輸送層の素材としては、通常的に使われる物質を使用でき、望ましくはポリオキサジアゾールを使用できるが、これに限定されない。
【００３４】
前記正孔遮断層の素材としては、通常的に使われる物質を使用でき、望ましくはＬｉＦ、ＢａＦ２、ＭｇＦ２を使用できるが、これに限定されない。
【００３５】
本発明の有機電界発光素子の製作は、特別の装置や方法を必要とせず、通常の発光高分子を利用した有機電界発光素子の製作方法によって製作されうる。
【００３６】
以下で、実施例を通じて本発明をさらに詳細に説明するが、下記の実施例は、単に説明の目的のためのものであり、本発明を制限するためのものではない。
【００３７】
合成例１．化学式５で表示される高分子の製造
（１）化合物（Ａ）の製造
［反応式１］
【００３８】
【化６】
0004767547.tif 000007
【００３９】
前記反応式１に表されたように、下記の過程によって化合物（Ａ）を製造した。
ａ）２−（２'−ニトロフェニル）−チオフェン（Ａ'）の合成
２−チオフェンホウ酸１４.０７ｇ（１１０ｍｍｍｏｌ）と１−ヨード化−２−ニトロ化ベンゼン２４.９ｇ（１００ｍｍｏｌ）及びテトラキス（トリフェニルフォスフィン）パラジウム（０）５.７８ｇ（５ｍｍｏｌ）をエチレングリコール２５０ｍｌに溶解した後、２Ｍ濃度の炭酸カリウム（Ｋ２ＣＯ３）水溶液７０ｍｌを注入して、８０℃で１２時間還流させた。反応後、有機層を分離して濃縮し、へキサンでカラムクロマトグラフィで分離して、２−（２'−ニトロフェニル）−チオフェン（Ａ'）２２.１ｇ（収率９８％）を得た。
【００４０】
ｂ）２−（２'−アジドフェニル）−１−チオフェン（Ｂ'）の合成
２−（２'−ニトロフェニル）−１−チオフェン２０.５ｇ（１００ｍｍｏｌ）を５０％のエタノール１００ｍｌに溶解した後、鉄（Ｆｅ）１６.７５ｇ（３００ｍｍｏｌ）を付加した。次いで、濃塩酸２ｍｌを注入した後、３時間還流させた。室温に冷却させた後、２０％のＮａＯＨ水溶液で中和させた。クロロホルム１００ｍｌで２回抽出した後に濃縮した後、カラムクロマトグラフィで濾過した後に濃縮し、１４.３５ｇ（８１.９ｍｍｏｌ）の２−（２'−チオフェニル）フェニルアミンを得、再びＮａＮＯ２ ４.１４ｇ（６０ｍｍｏｌ）を蒸溜水９７ｍｌに溶解した溶液に、この化合物１０ｇ（５７.１ｍｍｏｌ）を濃硫酸２９ｍｌに溶解して、０℃で徐々に低下させた後に室温で２時間反応させた。ＮａＮ３ ４.０８ｇ（６１.８１ｍｍｏｌ）を塩酸１０ｍｌに溶解して徐々に注入した後、３時間、５℃下で反応させた。反応後２０％のＫＯＨ溶液で中和させ、クロロホルムで抽出して濃縮した後、へキサンでカラムクロマトグラフィ法で分離精製して、２−（２'−アジドフェニル）−１−チオフェン）（Ｂ'）８.８３９ｇ（収率７７％）を得た。
【００４１】
ｃ）４Ｈ−チエノ［３,２−ｂ］インドール（Ｃ'）の合成
２−（２'−アジドフェニル）−１−チオフェン（Ｂ'）５.０ｇをオルト−ジクロロベンゼン１００ｍｌに溶解した後、１８０℃で１２時間還流させた。反応後、溶液を乾燥した後、カラムクロマトグラフィ法でトルエンで精製した。最終的に、４Ｈ−チエノ［３,２−ｂ］インドール（Ｃ'）３.１２ｇ（収率７７％）を得た。
【００４２】
ｄ）４−（４'−オクチルオキシ−フェニル）−４Ｈ−チエノ［３,２−ｂ］インドール（Ｄ'）の合成
４Ｈ−チエノ［３,２−ｂ］インドール（Ｃ'）３.０ｇ（１７.３ｍｍｏｌ）と１−臭化−４−オクチルオキシベンゼン４.９３ｇ（１７.３ｍｍｏｌ）及びトリス（ジ−ベンジリデンアセトン）ジ−パラジウム（０）０.００２５ｇ（１.１１４ｘ１０−２ｍｍｏｌ）をｔ−ブトキシナトリウム１.９ｇ（１９.８ｍｍｏｌ）、ｔ−ブチルフォスフィン０.００３ｇ（１.５ｘ１０−２ｍｍｏｌ）キシレン５０ｍｌに溶解した後、１２０℃で２４時間還流させた。反応後、溶媒を除去し、トルエン／へキサン（体積比１／３）の溶離液でカラムクロマトグラフィ法で分離精製し、５.３５ｇ（収率８２％）の４−（４'−オクチルオキシ−フェニル）−４Ｈ−チエノ［３,２−ｂ］インドール（Ｄ'）を得た。
【００４３】
ｅ）２,７−ジブロモ−４−（４'−オクチルオキシ−フェニル）−４Ｈ−チエノ［３,２−ｂ］インドール（Ａ）の合成
４−（４'−オクチルオキシ−フェニル）−４Ｈ−チエノ［３,２−ｂ］インドール５ｇ（９.３７ｍｍｏｌ）（Ｄ'）を１５０ｍｌのクロロホルムに溶解した後、臭素３.３４ｇ（１８.７ｍｍｏｌ）を０℃で徐々に注入した後、常温で６時間反応させた。反応後、２Ｍの炭酸カリウム水溶液で中和させた後、水とクロロホルムとで抽出し、抽出されたクロロホルム層は、溶媒除去後に、溶離液としてトルエン／へキサン（体積比１／３）の混合溶媒を使用して、カラムクロマトグラフィ法で分離精製した。４.６５ｇ（収率９０％）の２,７−ジブロモ−４−（４'−オクチルオキシ−フェニル）−４Ｈ−チエノ［３,２−ｂ］インドール（Ａ）を得た。
【００４４】
（２）高分子の合成
［反応式２］
【００４５】
【化７】
0004767547.tif 000008
【００４６】
前記反応式２に表されたように、下記の過程によって化学式５の高分子を製造した。
［化学式５］
【００４７】
【化８】
0004767547.tif 000009
【００４８】
シュレンクフラスコの内部を数回真空化、窒素還流させて、水分を完全に除去した後、ビス（１,５−シクロオクタジエン）ニッケル（０）８８０ｍｇ（３.２ｍｍｏｌ）とビピリジン５００ｍｇ（３.２ｍｍｏｌ）とをグローブボックス内で投入した後、再び数回フラスコの内部を真空化、窒素還流させた。次いで、窒素気流下で無水ジメチルホルムアミド（ＤＭＦ）１０ｍｌと１,５−シクロオクタジエン（ＣＯＤ）３４６ｍｇ（３.２ｍｍｏｌ）及び無水トルエン１０ｍｌを添加した。これを７０℃で３０分間攪拌させた後、ここに、化合物（Ａ）８５.３ｍｇ（０.１６ｍｍｏｌ）と２,７−ジブロモ２',３'−ジ（２−エチル）ヘキシルオキシスピロフルオレン（Ｂ）１.０５ｇ（１.４４ｍｍｏｌ）とをトルエン１０ｍｌに希釈して添加した。次いで、器壁に付着されている物質を全て洗浄しつつトルエン１０ｍｌを添加した後、７０℃で４日間攪拌させた。４日後、（４−ブロモフェニル）ジフェニルアミン３６.１ｍｇ（０.１１２ｍｍｏｌ）を添加し、７０℃で一日ほど攪拌させた。攪拌が完了した後、前記反応液の温度を常温に下げた後、ＨＣｌ：アセトン：メタノール＝１：１：２体積比の溶液に注いで沈殿を形成させた。このように形成された沈殿物をクロロホルムに溶解した後、メタノールで再び沈殿を形成した後、ソックスレット抽出を実施して高分子４５０ｍｇを収得した。前記高分子をゲル透過クロマトグラフィ（Ｇｅｌ Ｐｅｒｍｅａｔｉｏｎ Ｃｈｒｏｍａｔｏｇｒａｐｈｙ：ＧＰＣ）で分析した結果、数平均分子量（Ｍｎ）は１６７,０００であり、分子量分布（ＭＷＤ）１.９３であった。前記化学式５で、ｘ及びｙは、それぞれ０.１及び０.９であった。
【００４９】
前記合成例１によって得た高分子の紫外線吸収スペクトル及び光発光スペクトルを調べ、その結果は、図２及び図３に示された通りである。
【００５０】
図２及び３を参照すれば、青色の電気発光特性を示す発光材料であることが分かった。
【００５１】
実施例１．有機電界発光素子の製作
前記合成例１によって製造された化学式５の高分子を利用して、次のように電界発光素子を製作した。
【００５２】
まず、ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ−Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）をガラス基板上にコーティングした透明電極基板をきれいに洗浄した後、ＩＴＯを感光性樹脂とエッチング液とを利用して所望の形にパターニングし、再びきれいに洗浄した。その上に伝導性バッファ層としてＢａｙｅｒ社のＢａｔｒｏｎ Ｐ ４０８３を約８０ｎｍの厚さにコーティングした後、１８０℃で約１時間べーキングした。次いで、トルエン９９.９重量部に化学式５の高分子０.１重量部を溶解させて製造された発光層形成用の溶液を前記バッファ層上にスピンコーティングし、べーキング処理後に真空オーブン内で溶媒を完全に除去して高分子薄膜を形成した。この時、前記高分子溶液は、スピンコーティングに適用する前に０.２ｍｍのフィルタで濾過され、高分子薄膜の厚さは、前記高分子溶液の濃度とスピン速度とを調節することによって、約８０ｎｍの範囲内に調節された。次いで、前記電界発光高分子薄膜上に真空蒸着器を利用して真空度を４×１０−６ｔｏｒｒ以下に維持しつつＣａとＡｌとを順次に蒸着した。蒸着時、膜厚及び膜の成長速度は、クリスタルセンサーを利用して調節した。
【００５３】
前記実施例１によって製作された有機電界発光素子の輝度及び効率特性を調べれば、その結果は、それぞれ図４及び図５に示された通りである。評価時、駆動電圧は、直流電圧として順方向バイアス電圧を使用し、各素子は、何れも典型的な整流ダイオード特性を示した。特に、実施例１の高分子が導入された素子は、数回の反復駆動後にも初期の電圧−電流密度特性をそのまま維持する優れた安定性を示す。
【００５４】
図４及び図５に示されたように、実施例１の有機電界発光素子は、輝度及び効率特性が優秀に現れた。
【産業上の利用可能性】
【００５５】
本発明のチエノ［３,２−ｂ］インドール系高分子は、青色の電界発光特性を表し、これを利用した有機膜を採用すれば、色純度、効率及び輝度特性が改善された有機電界発光素子を製造でき、本発明は該素子関連技術分野で有用に適用されうる。
【図面の簡単な説明】
【００５６】
【図１】一般的な有機電界発光素子の構造を示す図面である。
【図２】本発明の合成例１によって得た高分子の紫外線吸収スペクトルを示す図面である。
【図３】本発明の合成例１によって得た高分子の光発光スペクトルを示す図面である。
【図４】本発明の実施例１による有機電界発光素子において、輝度−電圧関係を表すグラフである。
【図５】本発明の実施例１による有機電界発光素子において、効率−電流密度関係を表すグラフである。
【符号の説明】
【００５７】
１０    アノード
１１    発光層
１２    カソード
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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