(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
ｎ型半導体層と、ｐ型半導体層と、支持層と、電極とを含む発光ダイオードであって、
前記ｎ型半導体層及びｐ型半導体層は、前記支持層の一面上で積層されており、
前記電極はｎ側電極及びｐ側電極を含んでおり、
前記ｎ側電極及び前記ｐ側電極の一方は、前記ｐ型半導体層及び前記ｎ型半導体層のうち、前記支持層側に位置する一方の半導体層を、前記支持層側から貫通し、先端が他方の半導体層に達しており、
前記ｎ側電極及び前記ｐ側電極の他方は、前記支持層側に位置する前記一方の半導体層の、前記支持層側の面に形成された薄膜電極と、前記支持層の前記一面とは反対側の他面側から前記支持層を貫通し、前記薄膜電極に接続されてその引出電極となる縦導体を有する、
発光ダイオード。
【請求項２】
請求項１に記載された発光ダイオードであって、前記支持層は、その厚み方向に設けられたヒート・シンクを有する、発光ダイオード。
【請求項３】
発光ダイオードと、蛍光体とを含む発光装置であって、
前記発光ダイオードは、請求項１又は２に記載されたものでなり、
前記蛍光体は、前記発光ダイオードの光出射側に設けられ、前記発光ダイオードの発光とは異なる色光を発光する、
発光装置。
【請求項４】
赤色発光ダイオードと、緑色発光ダイオードと、青色発光ダイオードとの組み合わせ含む発光装置であって、
前記赤色発光ダイオード、前記緑色発光ダイオード及び青色発光ダイオードは、請求項１乃至３の何れかに記載されたものでなる、
発光装置。
【請求項５】
複数の発光装置を配列した照明装置であって、前記発光装置は、請求項３又は４に記載されたものでなる、照明装置。
【請求項６】
液晶パネルと、バックライトとを有する液晶ディスプレイであって、
前記バックライトは、請求項５に記載された照明装置でなり、前記液晶パネルを、その背面から照明する、液晶ディスプレイ。
【請求項７】
複数の発光装置を配列した発光ダイオードディスプレイであって、前記発光装置は、請求項３又は４に記載されたものでなる、発光ダイオードディスプレイ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、発光ダイオード、それを用いた発光装置、照明装置及びディスプレイに関する。
【背景技術】
【０００２】
発光ダイオードは、省エネルギー、長寿命という利点があり、照明装置、カラー画像表示装置、液晶パネルのバックライト、又は、交通信号灯などの光源として、注目されている。
【０００３】
発光ダイオードは、例えば、青色発光ダイオードを例に採ると、特許文献１に開示されているように、サファイアでなる支持層（基板）の表面に、バッファ層、Ｎ型ＧａＮ層、活性層、Ｐ型ＧａＮ層、及び、透明電極層を順次に積層した構造となっている。
【０００４】
透明電極層の一部表面にはＰ側電極が形成されており、また、透明電極層、Ｐ型ＧａＮ層及び活性層の一部をドライエッチングし、Ｎ型ＧａＮ層の一部を露出させ、この露出したＮ型ＧａＮ層にＮ側電極を形成した構造となっている。特許文献２、３にも、同様の積層構造及び電極構造が開示されている。
【０００５】
上述したように、従来の発光ダイオードでは、Ｐ側電極を、発光面となる透明電極層の表面に形成する一方、透明電極層、Ｐ型ＧａＮ層及び活性層の一部をドライエッチングし、Ｎ型ＧａＮ層の一部を露出させ、この露出したＮ型ＧａＮ層にＮ側電極を形成した構造となっているため、発光面積がＰ側電極及びＮ側電極の占有面積分だけ、縮小されてしまう。このため、当然の結果として、発光量が低下してしまうし、発光効率も低下する。
【０００６】
また、Ｎ側電極を、Ｎ型ＧａＮ層の露出部分に限定的、集中的に設ける構造であるため、この部分に電流が集中する傾向にあり、均一な面発光の妨げとなる。
【０００７】
更に、Ｎ側電極を形成するためのドライエッチングに当たっては、ICP型RIE装置を用いなければならない。ICP型RIE装置は、各種Siマイクロマシンニング（MEMS）用途をはじめ、化合物半導体エッチングによる高周波デバイス加工や、アルチックエッチングによる薄膜磁気ヘッド加工などに使用されるものであるが、極めて高価なものである。その高額な設備コストが発光ダイオードのコストアップに反映されてしまう。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００８】
【特許文献１】特開２００１−２１０８６７号公報
【特許文献２】特開２００９−７１３３７号公報
【特許文献３】特開２００８−１５３６３４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
本発明の課題は、発光量が大きく、発光効率の高い発光ダイオード、それを用いた発光装置、照明装置及びディスプレイを提供することである。
【００１０】
本発明のもう一つの課題は、均一な面発光を実現し得る発光ダイオード、それを用いた発光装置、照明装置及びディスプレイを提供することである。
【００１１】
本発明の更にもう一つの課題は、コストの安価な発光ダイオード、それを用いた発光装置、照明装置及びディスプレイを提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
上述した課題の少なくとも一つを解決するため、本発明に係る発光ダイオードは、ｎ型半導体層と、ｐ型半導体層と、支持層と、電極とを含んでおり、前記ｎ型半導体層及びｐ型半導体層は、前記支持層の一面上に積層されている。
【００１３】
前記電極は、ｎ側電極及びp側電極を含んでおり、前記ｎ側電極及び前記p側電極の一方は、前記p型半導体層及び前記ｎ型半導体層のうち、前記支持層側に位置する一方の半導体層を、前記支持層側から貫通し、先端が他方の半導体層に達している。
【００１４】
前記ｎ側電極及び前記p側電極の他方は、前記支持層側に位置する前記一方の半導体層の、前記支持層側の面に形成された薄膜電極である。薄膜電極は、金属膜である。
【００１５】
p型半導体層及びｎ型半導体層に電気エネルギーを供給する電極に関しては、従来は、透明電極層の一部表面にＰ側電極を形成し、ドライエッチングによって露出させたＮ型ＧａＮ層に、Ｎ側電極を形成した構造となっていた。このため、上述した問題点を生じていた。
【００１６】
本発明では、この問題点を解決する手段として、ｎ側電極及びp側電極の一方は、p型半導体層及びｎ型半導体層のうち、支持層側に位置する一方の半導体層を、支持層側から貫通し、先端が他方の半導体層に達している。
【００１７】
ｎ側電極及びp側電極の他方は、一方の半導体層の支持層側に位置する面に形成された薄膜電極とする。この構成によれば、次の作用効果を得ることができる。
【００１８】
（ａ）ｎ側電極及びp側電極の一方は、p型半導体層及びｎ型半導体層のうち、支持層側に位置する一方の半導体層を、支持層側から貫通し、先端が他方の半導体層に達するように形成し、他方を、半導体層の支持層側に位置する面に形成された薄膜電極としたから、ｐ側電極であれ、ｎ側電極であれ、それが、発光面に現れることはない。従って、電極によって、発光面積が縮小されることがないから、発光量が大きく、発光効率の高い面発光の発光ダイオードを実現することができる。
【００１９】
（ｂ）電極の一方については、半導体層における電流の面密度が微細孔の面密度に依存する。したがって、半導体層の面に対する微細孔の面密度を高密度化、均一化するなどにより、透明電極層を有することなしに、半導体層に対する電流の面拡散を促進し、均一な面発光を実現し得る。このため、透明電極層を省略し、製造プロセスの簡素化、それに伴う生産効率の向上、及び、コストダウンを達成することができる。しかも、透明電極層による光エネルギーの損失がなくなるので、発光量及び発光効率が向上する。もっとも、透明電極層を排除するものではない。
【００２０】
（ｃ）微細孔は、レーザ穿孔法又は化学的穿孔法など、公知の穿孔技術を適用して容易に開けることができる。しかも、電極は、このようにして穿孔された微細孔内に充填された導体よって構成されているから、電極製造に当たって、溶融金属を、微細孔内に充填し、かつ、加圧する方法を採用することができる。この方法によれば、微細孔内に空洞のない緻密な電極を形成することができる。加圧状態を維持したままで硬化させると、更に良好な結果が得られる。
【００２１】
しかも、上述した製造方法は、プレス工法に属するものであり、従来のICP型RIE装置を用いたドライエッチング法に比較して、設備費が著しく安価で、処理時間も短くて済む。従って、コストの安価な発光ダイオードを実現することができる。
【００２２】
微細孔は、好ましくは、所定の面密度で分布させる。これにより、半導体発光層に対する電流の面拡散を促進し、均一な面発光を実現し得る。微細孔は、その孔径がμｍオーダである。
【００２３】
（ｄ）電極の他方は、薄膜電極であるから、製造が容易であり、しかも電流が効率よく面拡散される。
【００２４】
光出射側の面に透明電極層を有し、電極の一部、例えばＰ側電極の一端部が、透明電極層に接続されていてもよい。これにより、電極分布による電流の面拡散の促進とともに、透明電極層による電流の面拡散の促進作用を併せ得ることができる。
【００２５】
発光ダイオードは、赤色発光ダイオード、緑色発光ダイオードまたは青色発光ダイオードの何れであってもよいし、白色発光ダイオードであってもよい。
【００２６】
本発明は、更に、上述した発光ダイオードを用いた発光装置、照明装置ディスプレイ（表示装置）及び信号灯を開示する。
【発明の効果】
【００２７】
以上述べたように、本発明によれば、次のような効果を得ることができる。
（ａ）発光量が大きく、発光効率の高い発光ダイオード、それを用いた発光装置、照明装置及びディスプレイを提供することができる。
（ｂ）電流の面拡散を促進し、均一な面発光を実現し得る発光ダイオード、それを用いた発光装置、照明装置及びディスプレイを提供することができる。
（ｃ）コストの安価な発光ダイオード、それを用いた発光装置、照明装置及びディスプレイを提供することができる。
【００２８】
本発明の他の目的、構成及び利点については、添付図面を参照し、更に詳しく説明する。添付図面は、単に、例示に過ぎない。
【図面の簡単な説明】
【００２９】
【図１】本発明に係る発光ダイオードの実施形態を示す部分断面図である。
【図２】本発明に係る発光ダイオードの別の実施形態を示す部分断面図である。
【図３】本発明に係る発光ダイオードの更に別の実施形態を示す部分断面図である。
【図４】本発明に係る発光ダイオードの更に別の実施形態を示す部分断面図である。
【図５】本発明に係る発光ダイオードを用いた発光装置の実施形態を示す部分断面図である。
【図６】本発明に係る発光ダイオードを用いた発光装置の別の実施形態を示す部分断面図である。
【図７】本発明に係る発光ダイオードを用いた発光装置の実施形態を示す部分断面図である。
【図８】図７に示した発光装置を平面視した図である。
【図９】本発明に係る発光ダイオードを用いた発光装置の更に別の実施形態を示す部分断面図である。
【図１０】本発明に係る発光ダイオードを用いた液晶ディスプレイの構成を示す部分断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００３０】
１．発光ダイオード
図１を参照すると、本発明に係る発光ダイオードは、支持層１と、半導体発光層２と、ｐ側電極４と、ｎ側電極３とを含む。支持層１は、半導体層によって構成することができる。代表的には、Ｓｉ、ＳｉＣなどの半導体層である。支持層１の一面上には、半導体発光層２が搭載されている。
【００３１】
半導体発光層２は、これまで種々のタイプのものが提案されてきている。基本的には、ｐｎ接合を持ち、代表的にはＩＩＩ-Ｖ族化合物半導体が用いられる。もっとも、公知技術に限らず、これから提案されることのある化合物半導体を用いたものであってもよい。半導体発光層２の層構造についても同様である。
【００３２】
本発明において、発光ダイオードは、赤色発光ダイオード、緑色発光ダイオード、青色発光ダイオード、橙色発光ダイオードの何れであってもよいし、白色発光ダイオードであってもよい。それらの発光ダイオードにおいて、半導体発光層２を構成する半導体材料の一例を以下に示す。
【００３３】
（ａ）赤色発光ダイオード
（ア) ヒ素(Ａｓ)系の化合物半導体を用いたもの
例：ＡｌＧａＡｓ系赤色発光ダイオード
（イ) ヒ素(Ａｓ)、リン(Ｐ)系の化合物半導体を用いたもの
例：ＧａＡｓＰ系赤色発光ダイオード
（ｂ）緑色発光ダイオード
（ア) リン(Ｐ)系の化合物半導体を用いたもの
例：ＧａＰ系緑色発光ダイオード
（イ) 窒素(Ｎ)系の化合物半導体を用いたもの
例：ＧａＮ系緑色発光ダイオード
（ｃ）青色発光ダイオード
窒素(Ｎ)系の化合物半導体を用いたもの
例：ＧａＮ系青色発光ダイオード
（ｄ）白色発光ダイオード
窒素(Ｎ)系の化合物半導体を用いたもの
例：ＧａＮ系白色発光ダイオード
（ｅ）橙色発光ダイオード
リン(Ｐ)系の四元混晶化合物半導体を用いたもの
例：ＡｌＧａＩｎＰ系橙色発光ダイオード
【００３４】
図１及び図２は、窒素(Ｎ)系の化合物半導体を用いたＧａＮ系青色発光ダイオードの一例を示している。図を参照すると、半導体発光層２は、支持層１の一面上に、ｎ型半導体層２１、活性層２２、ｐ型半導体層２３及びトップ層２４を、この順序で積層した構造を持つ。一例であるが、ｎ型半導体層２１は、ＳｉドープＧａＮ層で構成され、ｐ型半導体層２３はＭｇドープＧａＮ層で構成される。図示とは異なって、ｐ型半導体層２３とｎ型半導体層２１の積層位置を入れ替えた構造であってよい。
【００３５】
活性層２２は、ＧａＮ−ＩｎＧａＮ等でなる多重量子井戸ＭＱＷ（Multiple Quantum Well）構造を有し、ｐ型半導体層２３と接する側に、Ａｌ−ＧａＮ超格子キャップ層を備えることがある。トップ層２４は、光学的に透明な光学層であればよく、透明電極である必要はない。即ち、半導体発光層２１の光出射面に透明電極を持たない場合がある。もっとも、透明電極を排除する趣旨ではない。
【００３６】
電極に関しては、従来は、透明電極層の一部表面にＰ側電極を形成し、ドライエッチングによって露出させたｎ型ＧａＮ層に、ｎ側電極を形成した構造となっていた。このため、既に指摘した問題点を生じていた。
【００３７】
本発明では、この問題点を解決する手段として、ｐ型半導体層２３のためのｐ側電極４を、支持層１、ｎ型半導体層２１及び活性層２２を貫通し、ｐ型半導体層２３に到達する微細孔５内に充填した導体によって構成すると共に、支持層１の側に位置するｎ型半導体層２１のためのｎ側電極を、薄膜電極３によって構成した。薄膜電極３には光反射膜としての役割をも担わせることができる。ｐ側電極４の周りは、必要に応じて、絶縁膜６によって覆う。
【００３８】
ｐ側電極４のための微細孔５は、所定のピッチ間隔で、ｍ行ｎ列のマトリクス状に配置する。行数ｍ及び列数ｎは任意である。微細孔５は、その孔径はμｍオーダであり、ピッチ間隔もそのようなオーダでよい。これにより、微細孔５の内部に充填されたｐ側電極４を、従来の透明電極層に代わる電極として機能させ、半導体発光層２に対する電流面拡散を促進し、均一な面発光を実現し得る。従って、発光量及び発光効率を改善しながら、従来必須であった透明電極層を省略して、製造プロセスを簡素化し、コストダウンを図ることができる。
【００３９】
ｎ側薄膜電極３は、ｎ型半導体層２１の支持層１と向き合う面のほぼ全面に形成されている。支持層１には、縦導体７１、７２が設けられている。縦導体７１、７２は、支持層１の厚み方向に貫通して設けられた微細孔内に充填されたもので、ｐ側電極４と同様の手段によって形成することができる。
【００４０】
縦導体７１、７２のうち、縦導体７１は、ｎ側薄膜電極３の引出電極となるものであり、縦導体７２は、ヒート・シンクである。縦導体７１、７２の組も、ｐ側電極４と同様に、ｍ行ｎ列のマトリクス状に配置することができる。
【００４１】
引出電極となる縦導体７１は、その電流容量を考慮して、その本数、分布密度などが決定される。ヒート・シンクとなる縦導体７２は、効率的な面放熱を促すために、均一な面密度で分布させることが好ましい。もっとも、縦導体７１、７２に分けるのではなく、同一構成の縦導体を、ヒート・シンク又は引出電極として使い分けてもよい。ヒート・シンク用縦導体７２は、図１に図示するように、ｎ側薄膜電極３に接続させてもよいし、図２に示すように、ｎ側薄膜電極３から離してもよい。また、ｐ側電極４は、図３に示すように、その先端部をトップ層２４に接触させてもよい。この構造は、トップ層２４が透明電極である場合に有用である。上述した発光ダイオードによれば、次の作用効果を得ることができる。
【００４２】
（ａ）p側電極４は、支持層１の側に位置するｎ型半導体層２１を、支持層１の側から貫通し、先端がｐ型半導体層２３に達するように形成されており、しかも、ｎ側電極が、ｎ型半導体層２１の支持層１の側に位置する面に形成された薄膜電極３によって構成されているから、ｐ側電極であれ、ｎ側電極であれ、それが、発光面に現れることはない。従って、電極によって、発光面積が縮小されることがないから、発光量が大きく、発光効率の高い面発光の発光ダイオードを実現することができる。
【００４３】
（ｂ）電流分布が微細孔５の分布に依存する。したがって、半導体発光層２の面に対する微細孔５の面分布を高密度化、均一化するなどにより、半導体発光層２に対する電流の面拡散を促進し、電流分布を均一化し、均一な面発光を実現し得る。
【００４４】
（ｃ）ｐ側電極４及び縦導体７１、７２のための微細孔は、レーザ穿孔法又は化学的穿孔法など、公知の穿孔技術を適用して容易に開けることができる。しかも、ｐ側電極４及び縦導体７１、７２は、このようにして穿孔された微細孔内に充填された導体よって構成できるから、電極製造に当たって、溶融金属を、微細孔内に充填し、かつ、加圧する方法を採用することができる。この方法によれば、微細孔内に空洞のない緻密なｐ側電極４及び縦導体７１、７２を形成することができる。加圧状態を維持したままで硬化させると、更に良好な結果が得られる。
【００４５】
上述した加圧充填製造方法は、プレス工法に属するものであり、従来のICP型RIE装置を用いたドライエッチング法に比較して、設備費が著しく安価で、処理時間も短くて済む。従って、コストの安価な発光ダイオードを実現することができる。
【００４６】
（ｄ）ｎ型半導体層２１のためのｎ側電極は、薄膜電極３であるから、製造が容易であり、しかも電流が効率よく面拡散される。
【００４７】
ｐ側電極４及び縦導体７１、７２は、電気的特性の向上及び電極自体の品質向上等の観点から、溶融金属を用いて形成することが好ましい。この場合に用いられる金属材料の主なものとしては、ビスマス（Ｂｉ）、錫（Ｓｎ）、銅（Ｃｕ）、アルミニウム（Ａｌ）及び亜鉛（Ｚｎ）を例示することができる。特に、ビスマス（Ｂｉ）を含有させると、ビスマス（Ｂｉ）の持つ凝固時の体積膨張特性により、微細孔５の内部で、空洞や空隙を生じることのない緻密なｐ側電極４及び縦導体７１、７２を形成することができる。
【００４８】
次に、図４を参照すると、発光面積の大きな発光ダイオードが図示されている。図において、図１及び図２に現れた構成部分と対応する部分については、同一の参照符号を付し、重複説明を省略する。
【００４９】
図５及び図６の実施形態では、微細孔５は、支持層１の面において、所定のピッチ間隔で、マトリクス状に配置されている。従って、微細孔５の内部に形成されるｐ側電極４も、Ｍ行Ｎ列のマトリクス状配置となり、行数Ｍ及び列数Ｎにほぼ比例する大きな発光面積及び発光量を確保することができる。
【００５０】
２．発光装置
本発明は、２つ態様に係る発光装置を開示する。
（１）第１の態様に係る発光装置
図５を参照すると、第１の態様に係る発光装置は、発光ダイオードＬＥＤと、蛍光体８とを含む。発光ダイオードＬＥＤは、図１〜図３を参照して説明した本発明に係る発光ダイオードである。蛍光体８は、発光ダイオードＬＥＤの光出射側に設けられ、発光ダイオードＬＥＤの発光とは異なる色光を発光する。
【００５１】
例えば、発光ダイオードＬＥＤとして、青色発光ダイオードを用い、蛍光体８として、青色発光ダイオードの発する青色光に対して補色光を発光するものを用いた場合には、白色光（可視光）が得られる。青色発光ダイオードとして、ＧａＮ系化合物半導体が用いられ場合、対応する蛍光体８として、ＹＡＧ系蛍光体８が用いられる。
【００５２】
もっとも、発光装置としての発色光は、発光ダイオードＬＥＤのタイプと、蛍光体８の光学的性質によって、広範囲に設定することができるので、白色光に限定されるものではない。
【００５３】
発光ダイオードＬＥＤは、マザーボード９の一面上に搭載されており、マザーボード９の他面側には、ｎ側電極３及びｐ側電極５等に給電するための端子１０、１１が備えられている。蛍光体８は、マザーボード９の一面上で発光ダイオードＬＥＤを、いわゆる「弾丸状」に覆っている。
【００５４】
更に、図６を参照すると、発光面積の極めて大きな発光装置が図示されている。この発光装置は、面発光デバイスとして好適なものである。発光ダイオードＬＥＤは、図４などで説明したように、微細孔５及び電極４を、Ｍ行Ｎ列に配置したもので、大面積の発光面を確保することができる。この大面積の発光ダイオードＬＥＤの光出射側（発光面側）に、発光ダイオードＬＥＤの発光とは異なる色光を発光する蛍光体８が設けられている。
【００５５】
発光ダイオードＬＥＤとして、青色発光ダイオードを用い、蛍光体８として、青色発光ダイオードの発する青色光に対して補色光を発光するものを用いた場合には、照明装置または液晶バックライトなどに極めて有用な大面積の白色光（可視光）の発光装置が得られる。
【００５６】
（２）第２の態様に係る発光装置
第２の態様に係る発光装置は、図７〜図９に図示されている。まず、図７、図８を参照すると、赤色発光ダイオードＲと、緑色発光ダイオードＧと、青色発光ダイオードＢとの組み合わせ含む。この発光装置は、光の３原色である赤色、緑色及び青色の各発光ダイオードＲ，Ｇ，Ｂを組み合わせ（１セルとして）て、白色光を得るものである。
【００５７】
赤色発光ダイオードＲ、緑色発光ダイオードＧ及び青色発光ダイオードＢは、何れも、本発明に係る発光ダイオードである。
【００５８】
次に、図９を参照すると、赤色、緑色及び青色の各発光ダイオードＲ，Ｇ，Ｂを組み合わせて１セルとし、この発光ダイオードセル（Ｃ１１〜ＣＭＮ）を、Ｍ行Ｎ列に配置したもので、大面積の発光面を有する白色光の発光装置となる。
【００５９】
３．照明装置
本発明に係る照明装置は、図５〜図９に図示した発光装置を用いて構成することができる。図５に示した発光装置を用いた場合には、その複数個を配列し、中間色光、白色光を生じさせる。発光装置は、マトリクス状（縦横状）に狭ピッチで配列することが好ましい。
【００６０】
次に、図６に示した発光装置を用いる場合は、発光装置自体が大面積化されているので、そのまま用い、中間色光、白色光を生じさせることができる。更に大面積化するには、図８に示された発光装置の複数個を、横または縦に並べてゆけばよい。
【００６１】
図７及び図８に示した発光装置を用いる場合は、その複数個を配列し、中間色光、白色光を生じさせる。発光装置は、マトリクス状（縦横状）に狭ピッチで配列することが好ましい。
【００６２】
図９に示した発光装置を用いる場合は、発光装置自体が大面積化されているので、そのまま用い、中間色光、白色光を生じさせることができる。更に大面積化するには、図９に示された発光装置の複数個を、横または縦に並べてゆけばよい。
【００６３】
４．ディスプレイ
本発明に係るディスプレイ（表示装置）は、液晶ディスプレイと、発光ダイオードディスプレイを含んでいる。
（１）液晶ディスプレイ
図１０を参照すると、液晶ディスプレイは、液晶パネル１２と、バックライト１３とを有する。バックライト１２は、図５〜図９に示した発光装置を用いた本発明に係る照明装置でなり、液晶パネル１２を、その背面から照明する。図１０は、図６に図示した発光装置を用いた場合を例示している。
【００６４】
（２）発光ダイオードディスプレイ
本発明に係る発光ダイオードディスプレイは、複数の発光装置を配列したものである。発光装置は、好ましくは、図９に図示した発光装置である。即ち、赤色発光ダイオードＲと、緑色発光ダイオードＧと、青色発光ダイオードＢとの組み合わせ（１セルとして）を含んでいる。赤色発光ダイオードＲ、緑色発光ダイオードＧ及び青色発光ダイオードＢは、何れも本発明に係る発光ダイオードである。１セル内に置いて、ドット状に配列された赤色、緑色及び青色の各発光ダイオードＲ，Ｇ，Ｂを、個別的に駆動して、所望のカラー画像を表示する。
【００６５】
本発明に係る発光ダイオードによって、交通信号灯を構成することもできる。必要な信号灯色光は、発光ダイオードのタイプ、及び、それと蛍光体８との組み合わせによって実現することができる。
【００６６】
以上、好ましい実施形態を参照して本発明の内容を具体的に説明したが、本発明の基本的技術思想及び教示に基づいて、当業者であれば、種種の変形態様を採り得ることは自明である。
【符号の説明】
【００６７】
１      支持層
２      半導体発光層
２１      ｎ型半導体層
２３      ｐ型半導体層
３      薄膜電極
４      電極
５      微細孔
【要約】      （修正有）【課題】大発光量、高発光効率、均一面発光を実現し得るコストの安価な発光ダイオード、それを用いた発光装置、照明装置及びディスプレイを提供する。【解決手段】ｎ型半導体層２１及びｐ型半導体層２３は、支持層１の一面上で積層されている。p側電極４は、支持層１側に位置するｎ型半導体層２１を、支持層１の側から貫通し、先端がｐ型半導体層２３に達している。ｎ側電極は、ｎ型半導体層２１の、支持層１の側に位置する面に形成された薄膜電極３である。【選択図】図１【図１】
0004657374.tif 000002
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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