(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に順次形成された第１電極層、光電変換半導体層および第２電極層を含む複数段のストリング状の太陽電池セルを有する太陽電池モジュールに対し、各太陽電池セルに逆バイアス電圧を印加して短絡部を除去する太陽電池モジュールの逆バイアス処理装置であって、
太陽電池モジュールを順次載置するｎ個（ｎは偶数）の逆バイアス処理ユニットと、
前記各逆バイアス処理ユニットにそれぞれ設けられ、前記太陽電池モジュールを各逆バイアス処理ユニットの配列方向に搬送する搬送機構と、
前記各逆バイアス処理ユニットにそれぞれ昇降可能に取り付けられ、太陽電池モジュールの全段数の１／ｎまたは２／ｎの段数の太陽電池セルの第２電極層に一括して接触可能な複数のプローブを有するプローブユニットと、
前記各逆バイアス処理ユニットに設けられ、搬送された前記太陽電池モジュールにおける全段数の１／ｎまたは２／ｎの段数の太陽電池セルの第２電極層を前記複数のプローブに対して位置設定を行なう、前記太陽電池モジュールを位置決めする機構と、
前記位置決めする機構で位置決めされた前記太陽電池モジュールの全段数の１／ｎまたは２／ｎの段数の太陽電池セルの第２電極層に前記複数のプローブを一括して接触した状態で、隣り合う１対の太陽電池セルの第２電極層に順次逆バイアス電圧を印加する手段と
を具備することを特徴とする太陽電池モジュールの逆バイアス処理装置。
【請求項２】
前記逆バイアス処理ユニットの数ｎが４個であることを特徴とする請求項１記載の太陽電池モジュールの逆バイアス処理装置。
【請求項３】
前記各逆バイアス処理ユニットは、太陽電池モジュールの各太陽電池セルについて逆バイアス処理時の電圧値に対応する電流値を測定する機能を有することを特徴とする請求項１または２記載の太陽電池モジュールの逆バイアス処理装置。
【請求項４】
さらに、前記各逆バイアス処理ユニットで得られる太陽電池モジュールの一部の太陽電池セルの逆バイアス処理時の測定データを集計して、太陽電池モジュールの全段の太陽電池セルの測定データを構成するコントローラーを具備したことを特徴とする請求項１ないし３いずれか１項記載の太陽電池モジュールの逆バイアス処理装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、太陽電池モジュールの逆バイアス処理装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
図９に薄膜太陽電池モジュール１０の構造を示す。これらの図に示されるように、ガラスなどの絶縁性基板１上にＳｎＯ2などの透明導電性酸化物からなる第１電極層（透明電極）２が成膜され、レーザースクライビングによりストリング状に分離されている。この透明電極２上にたとえばｐ型ａ−Ｓｉ層、ｉ型ａ−Ｓｉ層およびｎ型ａ−Ｓｉ層の積層構造を有する光電変換半導体層３が成膜され、透明電極２のスクライブ線とずらせた位置でレーザースクライビングによりストリング状に分離されている。この半導体層３上に金属からなる第２電極層（裏面電極）４が成膜され、半導体層３のスクライブ線とずらせた位置でレーザースクライビングによりストリング状に分離されている。このように各層のスクライブ線をずらせることにより、ある太陽電池セルの第２電極層４の端部は半導体スクライブ線を通して隣の太陽電池セルの第１電極層２の端部と接続され、多数の太陽電池セル５が直列接続される。
【０００３】
太陽電池モジュールを構成する個々の太陽電池セルにおいて、例えば製造時に光電変換半導体層にピンホールが生じると、太陽電池セルの第１電極層と第２電極層とが短絡することがある。短絡が生じた太陽電池セルは発電に寄与しなくなるため、太陽電池の発電特性が低下する。そこで、発電特性を改善するために、太陽電池セルに逆バイアス電圧を印加して短絡部を除去する処理（逆バイアス処理）が行われる。
【０００４】
図９を参照して、太陽電池セル５ｂの光電変換半導体層３ｂに生じた短絡部を除去する場合について説明する。この場合、太陽電池セル５ｂの第２電極層４ｂおよび隣接する太陽電池セル５ｃの第２電極層４ｃ（この第２電極層４ｃは、太陽電池セル５ｂの第１電極層２ｂに直列接続されている）にそれぞれ１対のプローブ６ａ、６ｂを接触させ、発電に寄与する光電変換半導体層３ｂを挟む第１電極層２ｂと第２電極層４ｂ間に耐電圧以下の逆バイアス電圧を印加する。逆バイアス電圧を印加すると短絡部に電流が集中してジュール熱が発生するため、短絡部において第２電極層を構成する金属が飛散したり、この金属が酸化されて絶縁膜に変換される。こうして短絡部がなくなるため、動作時の発電特性の低下を抑えることができる。
【０００５】
しかし、各太陽電池セルにおいては、複数のピンホールが全くランダムに発生する。このような複数のピンホールを有する太陽電池セルに対して１対の点接触のプローブを接触させて逆バイアス電圧を印加する場合、太陽電池セルの長手方向に沿ってプローブから遠く離れた短絡部があると、電圧降下が無視できなくなって種々の問題が生じる。すなわち、プローブから短絡部までの距離が短かければ、短絡部に十分な電流が流れるため上記のように短絡部を飛散または酸化させて除去できる。一方、プローブから短絡部までの距離が長いと、電圧降下が大きく短絡部に十分な電圧が印加されないため短絡部を飛散または酸化させることができずに短絡部を除去できなくなる。この問題に対処するために、プローブから遠く離れた短絡部を確実に除去しようとして逆バイアス電圧を大きくすると、プローブの近くにある短絡部に大電流が流れ多量の発熱によりピンホールが大きくなったり、正常な素子部に耐電圧以上の電圧が印加されて正常な素子部が破壊されるという問題が生じる。
【０００６】
そこで、本発明者らは特開平１０−４２０２号において、１対のプローブとして、太陽電池セルの長手方向に沿って１段当たり複数の点接触のプローブを設けるか、または１段当たり１つもしくは複数の線接触もしくは面接触のプローブを設けた逆バイアス処理装置を開示している。このような逆バイアス処理装置では、プローブから短絡部までの距離を電圧降下が問題にならない範囲に収めることができるので、短絡部を除去できなくなったり、逆に正常な素子部が破壊されるという問題を解消できる。
【０００７】
従来の逆バイアス処理装置では、１対のプローブ（またはプローブ列）を下降させて１対の太陽電池セルの第２電極層に接触させ、逆バイアス処理を行い、プローブを上昇させ、隣の太陽電池セルの位置まで移動させる操作を太陽電池セルの段数分だけ繰り返す。この場合、太陽電池セルの長手方向に沿って１段当たり複数の点接触のプローブ、または１段当たり１つもしくは複数の線接触もしくは面接触のプローブを設けているため、位置によってプローブ−太陽電池セル間の高低差が生じるのを避けられない。このため、局所的に大きな応力が作用して素子を機械的に傷つけることがないように、プローブをゆっくりと下降させる必要がある。したがって、太陽電池モジュールの数十段の太陽電池セルの全てに逆バイアス処理を施すには長時間を要し、太陽電池モジュールの生産効率が低下する。しかも、プローブの昇降回数が多いため、摩耗による装置の故障回数が増加する。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】
本発明の目的は、多数段の太陽電池セルを集積した太陽電池モジュールに対して逆バイアス処理を効率的に実施できる逆バイアス処理装置を提供することにある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】
太陽電池モジュールの逆バイアス処理装置は、基板上に順次形成された第１電極層、光電変換半導体層および第２電極層を含む複数段のストリング状の太陽電池セルを有する太陽電池モジュールに対し、各太陽電池セルに逆バイアス電圧を印加して短絡部を除去する太陽電池モジュールの逆バイアス処理装置であって、
太陽電池モジュールを順次載置するｎ個（ｎは偶数）の逆バイアス処理ユニットと、
前記各逆バイアス処理ユニットにそれぞれ設けられ、前記太陽電池モジュールを各逆バイアス処理ユニットの配列方向に搬送する搬送機構と、
前記各逆バイアス処理ユニットにそれぞれ昇降可能に取り付けられ、太陽電池モジュールの全段数の１／ｎまたは２／ｎの段数の太陽電池セルの第２電極層に一括して接触可能な複数のプローブを有するプローブユニットと、
前記各逆バイアス処理ユニットに設けられ、搬送された前記太陽電池モジュールにおける全段数の１／ｎまたは２／ｎの段数の太陽電池セルの第２電極層を前記複数のプローブに対して位置設定を行なう、前記太陽電池モジュールを位置決めする機構と、
前記位置決めする機構で位置決めされた前記太陽電池モジュールの全段数の１／ｎまたは２／ｎの段数の太陽電池セルの第２電極層に前記複数のプローブを一括して接触した状態で、隣り合う１対の太陽電池セルの第２電極層に順次逆バイアス電圧を印加する手段と
を具備することを特徴とするものである。逆バイアス処理ユニットは具体的には４個設けられたものが挙げられる。
【００１１】
本発明の装置は、前記各逆バイアス処理ユニットが太陽電池モジュール上の特定領域の太陽電池セルの第２電極層に対して複数のプローブが一括して接触するように、太陽電池モジュールを位置決めする機構を有することが好ましい。
【００１２】
本発明の装置では、前記各逆バイアス処理ユニットが太陽電池モジュールの各太陽電池セルについて逆バイアス処理時の電圧値に対応する電流値を測定する機能を有することが好ましい。
【００１３】
本発明の装置は、さらに、前記各逆バイアス処理ユニットで得られる太陽電池モジュールの一部の太陽電池セルの逆バイアス処理時の測定データを集計して、太陽電池モジュールの全段の太陽電池セルの測定データを構成するコントローラーを有することが好ましい。
【００１４】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施形態を図面を参照して説明する。以下においては、たとえば図９に示すように９１０ｍｍ×９１０ｍｍのガラス基板上に順次形成された第１電極層、光電変換半導体層および第２電極層からなるストリング状の太陽電池セルが１００段形成された構造を有する太陽電池モジュールを逆バイアス処理するものとする。この実施形態の逆バイアス装置は、それぞれ２５段の太陽電池セルを逆バイアス処理できるユニットを４つ設けて、太陽電池モジュールを各ユニットへ順次移動させて全段の太陽電池セルを逆バイアス処理するようにしたものである。
【００１５】
図１は本発明に係る太陽電池モジュールの逆バイアス装置の全体構成を示す図である。図１を参照して、この装置による逆バイアス処理を概略的に説明する。図１に示すように、４つの逆バイアス処理ユニット２０Ａ〜２０Ｄが、一方向に沿って配置されている。太陽電池モジュール１０は外部からコンベアベルト４１により太陽電池セルのストリングに直交する方向へ（この図では右側から左側へ向かって）搬送され、第１のユニット２０Ａのステージ上に位置決めされて載置される。この第１のユニット２０Ａ上では、プローブユニット２７を下降させることにより太陽電池モジュール１０の進行方向に向かって前端から２５段分（第１の１／４領域）の太陽電池セルについて逆バイアス処理がなされる。
【００１６】
第１のユニット２０Ａ上で逆バイアス処理がなされた太陽電池モジュール１０は、第１のユニット２０Ａから第２のユニット２０Ｂへ搬送されてステージ上に位置決めされて載置される。この第２のユニット２０Ｂ上では、プローブユニット２７を下降させることにより太陽電池モジュール１０の次の２５段分（第２の１／４領域）の太陽電池セルについて逆バイアス処理がなされる。さらに、上記と同様にして、第３のユニット２０Ｃおよび第４のユニット２０Ｄにおいて、太陽電池モジュール１０の第３および第４の１／４領域の２５段分の太陽電池セルについてそれぞれ逆バイアス処理がなされる。こうして全段の太陽電池セルの逆バイアス処理が終了した太陽電池モジュール１０はコンベアベルト４２により搬出される。このようにして、ある時点では４個の太陽電池モジュール１０ａ〜１０ｄがそれぞれ第１〜第４の逆バイアス処理ユニット１０Ａ〜１０Ｄ上で同時に逆バイアス処理されている。
【００１７】
以上のように、本発明の逆バイアス処理装置を用いて１００段分の太陽電池セルについて逆バイアス処理するには、太陽電池モジュールの搬送、プローブの下降、逆バイアス電圧の印加およびプローブの上昇を一連の工程とする操作を４つの逆バイアス処理ユニットで順次繰り返せばよい。したがって、従来の方法よりも逆バイアス処理の作業効率を大幅に向上できる。また、本発明の逆バイアス処理装置では、一体化されたプローブ列の昇降回数が従来よりも大幅に減少するため、摩耗による装置の故障回数も減少する。
【００１８】
図２を参照して逆バイアス処理ユニットの構造を詳細に説明する。図２において、逆バイアス処理ユニット２０の上面は太陽電池モジュール１０を載置するステージ２１となっている。ステージ２１の下部には、コンベア昇降機２２により昇降可能なコンベアベルト２３が設けられている。外部のコンベアベルトまたは上流の逆バイアス処理ユニットのコンベアベルトにより搬送されてきた太陽電池モジュール１０は、コンベア昇降機２２に上昇したコンベアベルト２３により搬送される。具体的には、太陽電池モジュール１０は、その後端が上下動および回動可能な基板押し当てツメ２４により押し当てられ、その側端が１つの突き当て突起（図示せず）に当接しながら滑り、その前端が上下動および回動可能な２つの突き当て突起２５に突き当てられることにより所定に位置に位置決めして載置される。図２に示した例では、太陽電池モジュール１０の前端から第３の１／４領域の逆バイアス処理が実施できるように位置決めされている。前端（２つ）および側端（１つ）の３つの突き当て突起により、太陽電池モジュール１０の位置決め誤差を数百μｍ以下にすることができる。
【００１９】
各逆バイアス処理ユニット２０Ａ〜２０Ｄで太陽電池モジュール１０の進行方向における基板押し当てツメ２４および突き当て突起２５の位置が調節されている。こうして、それぞれの逆バイアス処理ユニット２０Ａ〜２０Ｄで太陽電池モジュール１０上の特定領域、すなわち図１で説明した第１〜第４の１／４領域の逆バイアス処理が実施できるように太陽電池モジュールの位置決めがなされる。
【００２０】
逆バイアス処理ユニット２０の両側部に設けられた支柱にはプローブユニット昇降機２６が取り付けられ、このプローブユニット昇降機２６にプローブユニット２７が太陽電池モジュール１０の上方に位置するように昇降可能に支持されている。このプローブユニット２７は下降したときに太陽電池モジュール１０の所定領域の２５段分の太陽電池セルに一括して接触するプローブ２８が下向きに取り付けられている。これらのプローブ２８にはマルチプレクサ２９および逆バイアス処理回路３０が接続されている。逆バイアス処理回路３０にはファンクションジネレータ、増幅器などが含まれる。そして、プローブ２８が２５段の太陽電池セルの第２電極層に一括して接触した状態で、マルチプレクサ２９により逆バイアス処理を実施する太陽電池セル（隣り合う１対の太陽電池セルの第２電極層に接触しているプローブ対）が順次選択され、逆バイアス処理回路３０から供給される逆バイアス電圧が順次印加されて２５段の太陽電池セルの逆バイアス処理が実施される。以上の各部材の動作はコントローラ３１により制御される。
【００２１】
図３を参照してプローブユニットによる逆バイアス処理について説明する。図３に示すように、プローブ２８は１段の太陽電池セルあたりその長手方向の全長にわたって３０ｍｍの等間隔で約３０個設けられており、２５列のプローブ列２８が一体的に昇降するようになっている。１つのプローブ列２８は共通の接続ワイヤ３２により接続されている。接続ワイヤ３２の一端は上述したマルチプレクサ２９に接続されているが、図３ではマルチプレクサ２９をそれと等価なリレースイッチで示し、スイッチの切換順序をＲ１〜Ｒ５で示す。
【００２２】
スイッチＲ１を閉じて、端から２段分の太陽電池セルの第２電極層に接触している１対のプローブ列２８に通電して、最も端にある太陽電池セルについて逆バイアス処理を施す。次に、スイッチＲ１を開き、スイッチＲ２を閉じて端から２段目および３段目の２段分の太陽電池セルの第２電極層に接触している１対のプローブ列２８に通電して、端から２段目の太陽電池セルについて逆バイアス処理を施す。このような切換を順次行い、１台の逆バイアス処理ユニットで特定領域の２５段の太陽電池セルについて逆バイアス処理を施す。このとき、１段の太陽電池セルあたり多数（この例では約３０個）のプローブが設けられているので、プローブから短絡部までの距離は電圧降下が問題にならない範囲内（最大でプローブ間の間隔３０ｍｍの半分の１５ｍｍ）にあり、短絡部を除去できなくなったり、逆に正常な素子部が破壊されるという問題が生じることはない。
【００２３】
各逆バイアス処理装置１０Ａ〜１０Ｄでは、各太陽電池セルに印加された逆バイアス電圧に応じて流れるリーク電流値を測定できるようになっている。このようなリーク電流の測定は、たとえば以下のような逆バイアス処理操作のために行われる。
【００２４】
一般的に太陽電池セルの逆耐圧は８〜１０Ｖである。こうした太陽電池セルに対して、耐電圧以下であるが４Ｖ以上の比較的高い逆バイアス電圧を最初から印加すると、かえって短絡部が除去しにくい状態になることがある。すなわち本来であれば、短絡部が除去されずに残っている状態ではリーク電流（短絡部を流れる電流）は逆バイアス電圧に比例してリニアなＶ−Ｉ特性を示し、短絡部が除去された後にリーク電流が急激に減少するはずである。しかし、最初からピーク値が高い逆バイアス電圧を印加した場合には観測されるリーク電流が想定したＶ−Ｉ特性の直線よりも大きくなることがある。こうした太陽電池セルに対して最初のピーク値よりも高いピーク値を有する逆バイアス電圧を印加しても、さらにリーク電流の増加傾向が顕著になり、短絡部をより一層除去しにくくなることが多い。これに対して、逆バイアス電圧のピーク値を低い値（具体的には２Ｖ以下）から徐々に高い値へと変化させながら本発明による短時間の逆バイアス処理を繰り返すと、リーク電流の変化の傾向から、その太陽電池セルの短絡部が除去可能であるか、または除去しにくくなる性質のものであるかを判断することができる。したがって、逆バイアス処理の続行または終了を適切に決定して、最適な逆バイアス処理が可能になる。
【００２５】
再び図１を参照すると、上述したような最適な逆バイアス処理がなされた太陽電池セルについての測定結果のデータは中央コントローラ（コンピュータ）５０のディスプレイに表示され、最終的に集計されて記録媒体に保存される。具体的には、第１の逆バイアス処理ユニット２０Ａにおける太陽電池モジュール１０の最初の２５段の太陽電池セルの逆バイアス処理による測定結果は、中央コントローラ５０のディスプレイのａの位置に表示される。次に、太陽電池モジュール１０が第２の逆バイアス処理ユニット２０Ｂに搬送されると、その太陽電池モジュール１０の測定結果は中央コントローラ５０のディスプレイのｂの位置にシフトして表示される。ユニット２０Ｂにおける太陽電池モジュール１０の次の２５段の太陽電池セルの逆バイアス処理による測定結果は、中央コントローラ５０のディスプレイのｂの位置に、ユニット２０Ａの測定結果とともに表示される。同様に、太陽電池モジュール１０が第３の逆バイアス処理ユニット２０Ｃに搬送され、ユニット２０Ｃにおける２５段の太陽電池セルの逆バイアス処理による測定結果が、中央コントローラ５０のディスプレイのｃの位置に、それまでの測定結果とともに表示される。また、ユニット２０Ｄにおける２５段の太陽電池セルの逆バイアス処理に伴う測定結果が、中央コントローラ５０のディスプレイのｄの位置に、それまでの測定結果とともに表示される。最終的に、１００段の太陽電池セルの逆バイアス処理が終了し、外部へ搬出された太陽電池モジュールの測定結果はディスプレイから消えて、その測定結果はハードディスクなどに記録される。
【００２６】
なお、太陽電池セルはダイオードと等価であるため、逆バイアス電圧を印加すると、太陽電池セルがコンデンサーとして働き、逆バイアス電圧を除いた後にも電荷が蓄積しやすい。この蓄積電荷に起因して正常であるが耐圧の低い光電変換半導体層の部分が破壊されることがある。このため、逆バイアス処理は電荷のできるだけ蓄積しない条件で行うことが好ましい。
【００２７】
たとえば、逆バイアス電圧として周期的に変化する波形を示す電圧を印加することが好ましい。このような逆バイアス電圧の波形の例を図４（Ａ）〜（Ｃ）に示す。図４（Ａ）は正弦波、図４（Ｂ）正弦波の半波、図４（Ｃ）はノコギリ波である。周期的に変化する波形を示す逆バイアス電圧を印加すれば、電圧値が０Ｖの期間及びピーク値から０Ｖに近づく期間に蓄積された電荷を効果的に放電できるので、蓄積電荷に起因して短絡部以外の正常な部分が破壊されるのを抑制できる。
【００２８】
逆バイアス電圧の周波数は、太陽電池セルの容量Ｃと逆方向の抵抗Ｒで定義される時定数にマッチングさせることが好ましい。逆バイアス電圧の周波数を上記のように設定すると、印加電圧の波形を電源電圧の波形に追随させることができる。具体的には、逆バイアス電圧の周波数は２０〜１０００Ｈｚ、さらに５０〜１２０Ｈｚの範囲に設定することが好ましい。
【００２９】
逆バイアス電圧は、逆バイアス電圧を主として、一部順方向成分を含んでいてもよい。このような逆バイアス電圧の波形の例を図５（Ａ）〜（Ｄ）に示す。図５（Ａ）は一部順方向成分を含む正弦波、図５（Ｂ）は一部順方向成分を含む正弦波の半波、図５（Ｃ）は一部順方向成分を含む矩形波、図５（Ｄ）は一部順方向成分を含むノコギリ波である。このような波形を示す逆バイアス電圧を印加すると、順方向成分の印加時に蓄積電荷をさらに減少させることができ、太陽電池セルの正常な部分の破壊を抑制できる。
【００３０】
逆バイアス電圧の印加時間（図４および図５においてＴ1で表示）は０．２秒以下に設定することが好ましい。逆バイアス電圧の印加時間を０．２秒以下という短時間に限定すれば、太陽電池セルにおける電荷の蓄積を極力抑制できる。逆バイアス電圧の印加時間は、（１／逆バイアス電圧の周波数）秒以上であれば十分である。たとえば、逆バイアス電圧として周波数６０Ｈｚの正弦波を印加する場合、逆バイアス電圧の印加時間は１〜１２サイクル時間に相当する時間でよい。
【００３１】
また、周期的に変化する波形を示す逆バイアス電圧を０．２秒以下の時間だけ印加する操作を、上述したように逆バイアス電圧のピーク値を２Ｖ以下の低い値から始めて順次増加させながら繰り返すことが好ましい。さらに、逆バイアス電圧のピーク値を順次増加させる操作において、図６に示すように、ある回の逆バイアス電圧の印加時間（Ｔ1）と、前回の逆バイアス電圧よりも高いピーク値を有する次の逆バイアス電圧の印加時間（Ｔ1）との間のＴ2時間に、−０．５Ｖ以下の順方向電圧を印加してもよい。このようにＴ2時間に順方向電圧を印加すれば、蓄積電荷をさらに減少させることができ、正常な部分の破壊を抑制できる。逆バイアス電圧の変化のさせ方は、図６に示す例に限らず、種々の態様が考えられる。
【００３２】
以上の説明では、太陽電池セル１０の第２電極層と点接触するプローブを用いたが、本発明において用いられるプローブの形状は特に限定されない。例えば、図７に示すように太陽電池セル１０の第２電極層と線接触する線状のプローブ３５を用いてもよい。また、図８に示すように太陽電池セル１０の第２電極層と面接触するブロック状のプローブ３６を用いてもよい。
【００３３】
さらに、以上の説明では、太陽電池モジュールの１００段の太陽電池セルのうち１／４の２５段分を逆バイアス処理できるプローブを有するプローブユニットを用いたが、プローブユニットは処理効率を考慮して様々に設計できる。
【００３４】
たとえば、１００段の太陽電池セルのうち１／２の５０段分を逆バイアス処理できるプローブを有するプローブユニットを用いてもよい。このようなプローブを用い、かつ図１に示したように４つの逆バイアス処理ユニットを使用する場合には以下のように操作が行われる。すなわち、上流側の２つの逆バイアス処理ユニットで同時に２つの太陽電池セルについて太陽電池モジュールの全段数（１００段）の最初の１／２の段数（５０段）の太陽電池セルの逆バイアス処理を行う。次に、太陽電池モジュールを２つ下流の逆バイアス処理ユニットまで搬送（１０Ａから１０Ｃ、１０Ｂから１０Ｄ）する。そして、下流側の２つの逆バイアス処理ユニットで同時に２つの太陽電池セルについて太陽電池モジュールの全段数（１００段）の次の１／２の段数（５０段）の太陽電池セルの逆バイアス処理を行う。また、５０段の太陽電池セルを有する太陽電池モジュールに対して、以上で説明した２５段分（この場合も全段数の１／２）を逆バイアス処理できるプローブを有するプローブユニットを用いで逆バイアス処理する場合にも、上記と同様な操作が行われる。
【００３５】
【発明の効果】
以上詳述したように本発明によれば、多数段の太陽電池セルを集積した太陽電池モジュールに対して逆バイアス処理を効率的に実施できる逆バイアス処理装置を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明に係る太陽電池モジュールの逆バイアス装置の全体構成を示す図。
【図２】本発明の逆バイアス装置を構成する逆バイアス処理ユニットの構成を示す図。
【図３】本発明の逆バイアス装置を構成するプローブユニットによる逆バイアス処理の操作を説明する図。
【図４】本発明において使用される逆バイアス電圧の波形の例を示す波形図。
【図５】本発明において使用される逆バイアス電圧の波形の他の例を示す波形図。
【図６】本発明において使用される逆バイアス電圧の波形のさらに他の例を示す波形図。
【図７】本発明において使用される他の形状のプローブの例を示す図。
【図８】本発明において使用されるさらに他の形状のプローブの例を示す図。
【図９】薄膜太陽電池モジュールの構造を示す斜視図。
【符号の説明】
１…絶縁性基板
２…第１電極層
３…光電変換半導体層
４…第２電極層
５…太陽電池セル
１０…太陽電池モジュール
２０…逆バイアス処理ユニット
２１…ステージ
２２…コンベア昇降機
２３…コンベアベルト
２４…基板押し当てツメ
２５…突き当て突起
２６…プローブユニット昇降機
２７…プローブユニット
２８…プローブ
２９…マルチプレクサ
３０…逆バイアス処理回路
３１…コントローラ
３２…接続ワイヤ
３５、３６…プローブ
４１、４２…コンベアベルト
５０…中央コントローラ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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