(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
透明基板と、この透明基板上に形成された遮光膜からなり前記透明基板の所定領域を遮光部とする遮光パターンと、前記遮光部に隣接する少なくとも一の透光部において前記遮光膜の下部に亘るアンダーカット部を有する凹状の位相シフト部とを有する位相シフトマスクの製造方法において、
前記透明基板上に、前記遮光パターンを形成して前記遮光部を形成する工程と、
前記遮光部に隣接する少なくとも一の透光部において、この透光部よりも小さい開口部を有するレジストパターンを形成する工程と、
少なくとも、前記レジストパターンをマスクとした等方エッチング処理を施すことにより、前記位相シフト部を形成する工程とを有し、
前記レジストパターンは、下部にアンダーカット部が形成される遮光パターンのエッジから透明基板上にはみだして形成されることを特徴とする位相シフトマスクの製造方法。
【請求項２】
前記アンダーカット部のアンダーカット量をｒ１、前記レジストパターンの前記遮光パターンからのはみ出し量をｒ２、前記位相シフト部の深さをｄとしたとき、
ｒ１＋ｒ２＝ｄ
という関係が満たされており、
前記位相シフト部を形成する工程におけるエッチング処理は、等方エッチング処理のみである
ことを特徴とする請求項１記載の位相シフトマスクの製造方法。
【請求項３】
前記アンダーカット部のアンダーカット量をｒ１、前記レジストパターンの前記遮光パターンからのはみ出し量をｒ２、前記位相シフト部の深さをｄとしたとき、
ｒ１＋ｒ２＜ｄ
という関係が満たされており、
前記位相シフト部を形成する工程におけるエッチング処理は、異方エッチング処理を施した後に、等方エッチング処理を施すものであって、異方エッチング処理によるエッチング深さをｄ１、等方エッチング処理によるエッチング深さをｄ２としたとき、
ｄ１＝ｄ−ｄ２＝ｄ−（ｒ１＋ｒ２）
という関係が満たされている
ことを特徴とする請求項１記載の位相シフトマスクの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、大規模集積回路（ＬＳＩ）などの微細パターンを投影露光装置により転写する際に用いられる位相シフトマスクの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、大規模集積回路（ＬＳＩ）における高集積化及び回路パターンの微細化に伴い、フォトリソグラフィ工程では、超解像技術として、位相シフトマスクが提案され実用化されつつある。
【０００３】
位相シフトマスクには、オルタネイティング型（いわゆるレベンソン型）、エッジ強調型、補助パターン型、クロムレス型、ハーフトーン型等、様々な種類のものが提案されている。例えば、オルタネイティング型位相シフトマスクは、透明基板上にクロム等の金属膜等からなる遮光膜により形成された遮光パターンを備えて構成されており、ラインアンドスペースパターンのように、遮光部と透光部とが繰返し存在する場合に、遮光部を介して隣接する透光部を透過する透過光の位相が１８０°ずれるように構成されている。これら透光部を透過する透過光の位相がずれていることにより、回折光の干渉による解像度の低下が防止され、ラインアンドスペースパターンの解像度の向上を図ることができる。
【０００４】
このような位相シフトマスクにおいては、遮光部を介して隣接する透光部間で、波長λの透過光に対して、〔λ（２ｍ−１）／２〕（∵ｍは、自然数）の光路長差を生じさせることで、これら透過光の間に１８０°の位相差を生じさせている。このような光路長差を生じさせるためには、遮光部を介して隣接する透光部間における透明基板の厚さの差ｄを、透明基板の屈折率をｎとしたとき、〔ｄ＝λ（２ｍ−１）／２ｎ〕が成立するようにすればよい。
【０００５】
位相シフトマスクにおいては、透光部間における透明基板の厚さの差を生じさせるため、一方の透光部において透明基板上に透明薄膜を被着させて厚さを増すか、または、一方の透光部において透明基板を彫り込むことにより厚さを減らすことを行っている。すなわち、透明基板上に透明薄膜を被着させたシフタ被着型（凸部型）位相シフトマスクの位相シフト部は、厚さｄ（＝λ（２ｍ−１）／２ｎ）の透明薄膜（シフタ）で覆われている。また、透明基板を彫り込んだ彫り込み型位相シフトマスクの位相シフト部は、透明基板が深さｄ（＝λ（２ｍ−１）／２ｎ）だけエッチング処理されている。なお、これら透明薄膜の被着も彫り込みもなされない透光部、または、透光部が浅い彫り込み部と深い彫り込み部とを有する場合は、浅い彫り込み部が、非位相シフト部となる。
【０００６】
透明基板を彫り込むことにより位相シフト部を形成したオルタネイティング型位相シフトマスクにおいては、彫り込み部の側壁の影響で、彫り込み部を透過する光量が非彫り込み部を透過する光量に対して低下し、彫り込み部と非彫り込み部とで、基板上に転写したパターン寸法が異なってしまうという問題がある。
【０００７】
この問題を解決する手段として、例えば、特許文献１には、図４に示すように、ドライエッチング処理とウエットエッチング処理とを組み合わせて彫り込みを行うことにより、遮光パターンをなす遮光膜が彫り込み部に対して迫り出したオーバーハング形状とする製造方法が記載されている。
【０００８】
この製造方法においては、まず、図４中の（ａ）に示すように、遮光膜１０１が形成された透明基板１０２上にレジスト１０３を塗布し、図４中の（ｂ）に示すように、レジスト１０３に露光し、現像してレジストパターン１０４を形成して、遮光膜１０１にエッチング処理を施して、遮光パターン１０５を形成する。次に、図４中の（ｃ）に示すように、レジストパターン１０４を除去して、図４中の（ｄ）に示すように、再び、レジスト１０６を塗布する。そして、図４中の（ｅ）に示すように、レジスト１０６に露光し、現像してレジストパターン１０７を形成して、図４中の（ｆ）に示すように、透明基板１０２に異方エッチング処理（ドライエッチング処理）を施して、彫り込み部１０８を形成する。さらに、図４中の（ｇ）に示すように、透明基板１０２に等方エッチング処理（ウエットエッチング処理）を施して、オーバーハング形状を形成する。そして、図４中の（ｈ）に示すように、レジストパターン１０７を除去し、図４中の（ｉ）に示すように、位相シフトマスクが完成する。
【０００９】
また、特許文献１には、パターンデータを補正して、遮光膜のうち彫り込み部に隣接する部分を予め彫り込み部側に拡大しておくとともに、図５に示すように、非彫り込み部及び遮光膜の一部を覆うレジストパターンを形成し、このレジストパターン及び遮光膜の露出部（レジストパターンによって覆われていない部分）をマスクとしてエッチング処理を行う製造方法が記載されている。
【００１０】
この製造方法においては、まず、図５中の（ａ）に示すように、遮光膜１０１が形成された透明基板１０２上にレジスト１０３を塗布し、図５中の（ｂ）に示すように、レジスト１０３に露光し、現像してレジストパターン１０４を形成して、遮光膜１０１にエッチング処理を施して、遮光パターン１０５を形成する。このとき、彫り込み部となる領域は、パターンデータの補正により、非彫り込み部となる領域よりも広くなっている。次に、図５中の（ｃ）に示すように、レジストパターン１０４を除去して、図５中の（ｄ）に示すように、再び、レジスト１０６を塗布する。そして、図５中の（ｅ）に示すように、レジスト１０６に露光し、現像してレジストパターン１０７を形成して、図５中の（ｆ）に示すように、透明基板１０２に異方エッチング処理（ドライエッチング処理）を施して、彫り込み部１０８を形成する。そして、図５中の（ｇ）に示すように、レジストパターン１０７を除去し、図５中の（ｈ）に示すように、位相シフトマスクが完成する。
【００１１】
【特許文献１】特開平１０−３３３３１６
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１２】
ところで、前述のようにしてオーバーハング形状を形成する位相シフトマスクの製造方法においては、一般的な手順として、エッチング処理によって遮光パターンを形成し、その後、再度レジストを塗布してアライメントを取り、重ね描画により、レジストパターンを形成する。このとき、装置誤差による重ねずれを考慮して、レジストパターンにおける開口部（シフタパターン）は、実設計値よりもわずかに大きめに設定する。そのため、レジストパターンは、非彫り込み部及び遮光パターンをなす遮光膜の一部を覆い、遮光膜のうち彫り込み部に隣接する部分を覆わずに露出させたものとなる。
【００１３】
このようにレジストパターンより露出した遮光膜の露出部においては、彫り込みを行うためのエッチング処理において、上層に形成された反射防止層（ＡＲ層）がダメージを受けて剥がれてしまうことがある。反射防止層が剥がれてしまうと、反射率が上昇し、位相シフトマスクの完成後の表面検査において、擬似的な欠陥として検出されてしまうという問題がある。
【００１４】
また、ドライエッチング処理とウエットエッチング処理とを組み合わせて遮光膜のオーバーハング形状を形成することについては、２回の異なる性質のエッチング処理を組み合わせることから、工程が煩雑であり、また、欠陥の発生確率が高くなるという問題がある。
【００１５】
そこで、本発明は、前述の実情に鑑みて提案されるものであって、位相シフトマスクの製造における彫り込みを行うためのエッチング処理において、遮光部の上層に形成された反射防止層にダメージを与えることを防止して、反射防止層の剥がれによる擬似的な欠陥の発生を防止し、また、製造工程を簡素化しつつ、欠陥の発生確率を低くすることができる位相シフトマスクの製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１６】
前述の課題を解決し、前記目的を達成するため、本発明は、以下の構成のいずれか一を有するものである。
【００１７】
〔構成１〕
本発明に係る位相シフトマスクの製造方法は、透明基板とこの透明基板上に形成された遮光膜からなり透明基板の所定領域を遮光部とする遮光パターンと遮光部に隣接する少なくとも一の透光部において遮光膜の下部に亘るアンダーカット部を有する凹状の位相シフト部とを有する位相シフトマスクの製造方法において、透明基板上に遮光パターンを形成して遮光部を形成する工程と、遮光部に隣接する少なくとも一の透光部においてこの透光部よりも小さい開口部を有するレジストパターンを形成する工程と、少なくともレジストパターンをマスクとした等方エッチング処理を施すことにより位相シフト部を形成する工程とを有し、レジストパターンは、下部にアンダーカット部が形成される遮光パターンのエッジから透明基板上にはみだして形成されることを特徴とするものである。
【００１８】
〔構成２〕
本発明に係る位相シフトマスクの製造方法は、構成１を有する位相シフトマスクの製造方法において、アンダーカット部のアンダーカット量をｒ１、レジストパターンの遮光パターンからのはみ出し量をｒ２、位相シフト部の深さをｄとしたとき、
ｒ１＋ｒ２＝ｄ
という関係が満たされており、位相シフト部を形成する工程におけるエッチング処理は、等方エッチング処理のみであることを特徴とするものである。
【００１９】
〔構成３〕
本発明に係る位相シフトマスクの製造方法は、構成１を有する位相シフトマスクの製造方法において、アンダーカット部のアンダーカット量をｒ１、レジストパターンの遮光パターンからのはみ出し量をｒ２、位相シフト部の深さをｄとしたとき、
ｒ１＋ｒ２＜ｄ
という関係が満たされており、位相シフト部を形成する工程におけるエッチング処理は、異方エッチング処理を施した後に等方エッチング処理を施すものであって、異方エッチング処理によるエッチング深さをｄ１、等方エッチング処理によるエッチング深さをｄ２としたとき、
ｄ１＝ｄ−ｄ２＝ｄ−（ｒ１＋ｒ２）
という関係が満たされていることを特徴とするものである。
【発明の効果】
【００２０】
構成１を有する本発明に係る位相シフトマスクの製造方法においては、遮光部に隣接する少なくとも一の透光部においてこの透光部よりも小さい開口部を有するレジストパターンを形成し、少なくともレジストパターンをマスクとした等方エッチング処理を施すことにより、位相シフト部（彫り込み）を形成するので、遮光膜の上層に形成された反射防止層にダメージを与えることが防止され、反射防止層の剥がれによる擬似的な欠陥の発生が防止され、また、製造工程が簡素であり、欠陥の発生確率を低くして、安定して位相シフトマスクを製造することができる。
【００２１】
構成２を有する本発明に係る位相シフトマスクの製造方法においては、アンダーカット部のアンダーカット量ｒ１及びレジストパターンの遮光パターンからのはみ出し量ｒ２の和が位相シフト部の深さｄに等しく、位相シフト部を形成する工程におけるエッチング処理が等方エッチング処理のみであるので、製造工程が簡素であり、安定して位相シフトマスクを製造することができる。
【００２２】
構成３を有する本発明に係る位相シフトマスクの製造方法においては、位相シフト部を形成する工程において、異方エッチング処理を施した後に等方エッチング処理を施し、異方エッチング処理によるエッチング深さｄ１及び等方エッチング処理によるエッチング深さｄ２の和が位相シフト部の深さをｄに等しく、アンダーカット部のアンダーカット量ｒ１及びレジストパターンの遮光パターンからのはみ出し量ｒ２の和が等方エッチング処理によるエッチング深さｄ２に等しいので、製造工程が簡素であり、安定して位相シフトマスクを製造することができる。
【００２３】
すなわち、本発明は、位相シフトマスクの製造における彫り込みを行うためのエッチング処理において、遮光部の上層に形成された反射防止層にダメージを与えることを防止して、反射防止層の剥がれによる擬似的な欠陥の発生を防止し、また、製造工程を簡素化しつつ、欠陥の発生確率を低くすることができる位相シフトマスクの製造方法を提供することができるものである。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２４】
以下、図面を参照しながら、本発明に係る位相シフトマスクの製造方法の実施の形態について詳細に説明する。
【００２５】
図１は、本発明に係る位相シフトマスクの製造方法の工程を示す工程図である。
【００２６】
この位相シフトマスクの製造方法においては、まず、図１中の（ａ）に示すように、遮光膜１が形成された透明基板２上にレジスト３を塗布する。遮光膜１は、クロム（Ｃｒ）等の金属を主たる構成要素として、透明基板２上に、スパッタリング法などによって形成されている。レジスト３は、塗布後、ベークする。
【００２７】
次に、図１中の（ｂ）に示すように、レジスト３に対し、遮光パターンを形成するための露光を行い、現像してレジストパターン４を形成する。このレジストパターン４をマスクとして、遮光膜１に対してエッチング処理を施して、遮光パターン５を形成する。この遮光パターン５において、遮光膜がエッチング処理によって除去された領域は、透光部となる。そして、図１中の（ｃ）に示すように、レジストパターン４を剥離（除去）する。
【００２８】
そして、図１中の（ｄ）に示すように、再び、レジスト６を塗布して、ベークする。次に、図１中の（ｅ）に示すように、レジスト６に対し、位相シフト部（彫り込み部）を形成するための露光を行い、現像して、レジストパターン７を形成する。
【００２９】
このレジストパターン７は、遮光部に隣接する少なくとも一の位相シフト部となる透光部において、この透光部のパターンサイズよりも小さい開口部を有している。すなわち、このレジストパターン７は、遮光パターン５より透明基板２上にはみだして形成されている。したがって、位相シフト部となる透光部に隣接する遮光部においては、レジストパターン７から露出する部分はなく、全てレジストパターン７によって覆われている。そのため、次のエッチング処理において、遮光膜１の上層に形成された反射防止層にダメージを与えることが防止され、反射防止層の剥がれによる擬似的な欠陥の発生が防止される。
【００３０】
次に、図１中の（ｆ）に示すように、レジストパターン７をマスクとして、透明基板２に等方エッチング処理（ウェットエッチング処理）を施して、位相シフト部８を形成する。このエッチング処理においては、始めに異方エッチング処理（ドライエッチング処理）を施した後に、等方エッチング処理（ウェットエッチング処理）を施すようにしてもよい。このようにして形成された位相シフト部８は、遮光膜１の下部に亘るアンダーカット部を有して凹状に形成されている。
【００３１】
図２は、本発明に係る位相シフトマスクの製造方法により製造された位相シフト部の構成を示す断面図である。
【００３２】
位相シフト部８を形成する工程におけるエッチング処理が、等方エッチング処理のみである場合には、図２に示すように、アンダーカット部のアンダーカット量をｒ１、レジストパターンの遮光パターンからのはみ出し量をｒ２、位相シフト部の深さをｄとしたとき、以下の関係が満たされている。
ｒ１＋ｒ２＝ｄ
【００３３】
すなわち、アンダーカット部のアンダーカット量ｒ１及びレジストパターンの遮光パターンからのはみ出し量ｒ２の和が位相シフト部の深さｄに等しい。
【００３４】
また、位相シフト部８を形成する工程におけるエッチング処理が、異方エッチング処理を施した後に等方エッチング処理を施すものである場合には、アンダーカット部のアンダーカット量をｒ１、レジストパターンの遮光パターンからのはみ出し量をｒ２、位相シフト部の深さをｄとしたとき、以下の関係が満たされている。
ｒ１＋ｒ２＜ｄ
【００３５】
また、このとき、異方エッチング処理によるエッチング深さをｄ１、等方エッチング処理によるエッチング深さをｄ２としたとき、以下の関係が満たされている。
ｄ１＝ｄ−ｄ２＝ｄ−（ｒ１＋ｒ２）
【００３６】
すなわち、異方エッチング処理によるエッチング深さｄ１及び等方エッチング処理によるエッチング深さｄ２の和が位相シフト部の深さをｄに等しく、アンダーカット部のアンダーカット量ｒ１及びレジストパターンの遮光パターンからのはみ出し量ｒ２の和が等方エッチング処理によるエッチング深さｄ２に等しい。
【００３７】
最後に、図１中の（ｇ）に示すように、レジストパターン７を剥離（除去）し、図１中の（ｈ）に示すように、位相シフトマスクが完成する。
【００３８】
このように、本発明に係る位相シフトマスクの製造においては、位相シフト部８の形成（彫り込み）を行うためのエッチング処理において、遮光膜１の上層に形成された反射防止層にダメージを与えることが防止され、反射防止層の剥がれによる擬似的な欠陥の発生が防止される。また、この位相シフトマスクの製造においては、製造工程が簡素化されており、欠陥の発生確率を低くして安定してオルタネイティング型位相シフトマスクを製造することができる。
【実施例】
【００３９】
〔第１の実施例〕
以下、本発明の第１の実施例について説明する。
【００４０】
図１中の（ａ）に示すように、透明基板２として、大きさ６インチ角、厚さ０.２５インチの表面を鏡面研磨した石英ガラス基板を用意し、所定の洗浄を施した。この透明基板２上に、スパッタリング法により、クロムからなる遮光膜１を膜厚１００ｎｍとなるように形成した。次に、スピンコート法により、ポジ型電子線レジスト（日本ゼオン社製「ＺＥＰ７０００」）３を膜厚５００ｎｍとなるように塗布した。
【００４１】
そして、レジスト３に対し、透光部を形成するための所望のパターンを電子線描画し、現像して、レジストパターン４を形成した。
【００４２】
次に、図１中の（ｂ）に示すように、レジストパターン４をマスクとして、遮光膜１に対し、Ｃｌ２とＯ２の混合ガスを用いてドライエッチング処理を施し、設計寸法通りの遮光パターン５を得た。そして、図１中の（ｃ）に示すように、レジストパターン４を剥離して、遮光パターン５を有する第１段階のマスクを形成した。
【００４３】
次に、図１中の（ｄ）に示すように、透光部の所定箇所に位相シフト部を形成するため、ポジ型電子線レジスト（日本ゼオン社製「ＺＥＰ７０００」）６を全面に塗布した。そして、図１中の（ｅ）に示すように、レジスト６に対し、位相シフト部を形成するための所定のパターンを電子線描画し、現像して、レジストパターン７を形成した。このレジストパターン７は、遮光パターン５のエッジから、後にエッチング処理を施す透明基板２上にはみだすように形成した。この実施例の位相シフトマスクは、ＡｒＦ露光を前提としているため、図２に示すように、透明基板２のエッチング処理量（深さ）ｄは１７０ｎｍ、遮光パターン５のエッジからのサイドエッチング処理量（アンダーカット部のアンダーカット量）ｒ１は７０ｎｍと想定しており、レジストパターン７の遮光パターン５のエッジからのはみだし量ｒ２は、１００ｎｍとしている。
【００４４】
そして、図１中の（ｆ）に示すように、透明基板２に対し、レジストパターン７をマスクとして、バッファードフッ酸を用いてウエットエッチング処理を行ない、位相シフト部（彫り込み部）８を形成した。このようにして形成された位相シフト部８は、遮光膜１の下部に亘るアンダーカット部を有して凹状に形成された。
【００４５】
この位相シフトマスクにおいては、以下の関係が満たされている。
ｒ１＋ｒ２＝７０ｎｍ＋１００ｎｍ＝１７０ｎｍ＝ｄ
【００４６】
すなわち、レジストパターン７の遮光パターン５のエッジからのはみだし量ｒ２を１００ｎｍとすれば、後のエッチング処理においては、ウエットエッチングのみで、アンダーカット部のアンダーカット量を７０ｎｍとすることができる。
【００４７】
そして、図１中の（ｇ）に示すように、レジストパターン７を剥離して、最終段階までのパターニングが完了した。さらに、図１中の（ｈ）に示すように、ペリクル９を貼り付けて、位相シフトマスクが完成した。
【００４８】
このようにして作成した位相シフトマスクの表面を検査したところ、遮光膜１にダメージを受けた痕跡は発生しておらず、また、露光波長を１９３ｎｍとして露光したところ、位相シフト部及び非位相シフト部のいずれにおいても、均一な線幅が得られた。
【００４９】
〔第２の実施例〕
以下、本発明の第２の実施例について説明する。
【００５０】
図３は、本発明に係る位相シフトマスクの製造方法の工程（第２の実施例）を示す工程図である。
【００５１】
図３中の（ａ）に示すように、透明基板２として、大きさ６インチ角、厚さ０.２５インチの表面を鏡面研磨した石英ガラス基板を用意し、所定の洗浄を施した。この透明基板２上に、スパッタリング法により、クロムからなる遮光膜１を膜厚１００ｎｍとなるように形成した。次に、スピンコート法により、ポジ型電子線レジスト（日本ゼオン社製「ＺＥＰ７０００」）３を膜厚５００ｎｍとなるように塗布した。
【００５２】
そして、レジスト３に対し、透光部を形成するための所望のパターンを電子線描画し、現像して、レジストパターン４を形成した。
【００５３】
次に、図３中の（ｂ）に示すように、レジストパターン４をマスクとして、遮光膜１に対し、Ｃｌ２とＯ２の混合ガスを用いてドライエッチング処理を施し、設計寸法通りの遮光パターン５を得た。そして、図３中の（ｃ）に示すように、レジストパターン４を剥離して、遮光パターン５を有する第１段階のマスクを形成した。
【００５４】
次に、図３中の（ｄ）に示すように、透光部の所定箇所に位相シフト部を形成するため、ポジ型電子線レジスト（日本ゼオン社製「ＺＥＰ７０００」）６を全面に塗布した。そして、図３中の（ｅ）に示すように、レジスト６に対し、位相シフト部を形成するための所定のパターンを電子線描画し、現像して、レジストパターン７を形成した。このレジストパターン７は、遮光パターン５のエッジから、後にエッチング処理を施す透明基板２上にはみだすように形成した。この実施例の位相シフトマスクは、ＡｒＦ露光を前提としているため、図２に示すように、透明基板２のエッチング処理量（深さ）ｄは１７０ｎｍ、遮光パターン５のエッジからのサイドエッチング処理量（アンダーカット部のアンダーカット量）ｒ１は７０ｎｍと想定しており、レジストパターン７の遮光パターン５のエッジからのはみだし量は、５０ｎｍとしている。
【００５５】
次に、図３中の（ｆ）に示すように、透明基板２に対し、レジストパターン７をマスクとして、ＣＨＦ３とＯ２の混合ガスを用いて、深さｄ１＝５０ｎｍまでドライエッチング処理を施した。続けて、図３中の（ｇ）に示すように、透明基板２に対し、レジストパターン７をマスクとして、バッファードフッ酸を用いて、ｄ２＝１２０ｎｍまでウエットエッチング処理を行ない、位相シフト部（彫り込み部）８を形成した。位相シフト部８の深さは、１７０ｎｍとなっている。このようにして形成された位相シフト部８は、遮光膜１の下部に亘るアンダーカット部を有して凹状に形成された。
【００５６】
この位相シフトマスクにおいては、以下の関係が満たされている。
ｒ１＋ｒ２＝７０ｎｍ＋５０ｎｍ＝１２０ｎｍ＜１７０ｎｍ＝ｄ
ｄ１＝ｄ−ｄ２＝ｄ−（ｒ１＋ｒ２）＝１７０ｎｍ−（７０ｎｍ＋５０ｎｍ）＝５０ｎｍ
【００５７】
すなわち、レジストパターン７の遮光パターン５のエッジからのはみだし量ｒ２を１００ｎｍ未満とした場合、後のエッチング処理においては、ドライエッチング処理の処理量を調整することにより、アンダーカット部のアンダーカット量を７０ｎｍとすることができる。
【００５８】
そして、図１中の（ｈ）に示すように、レジストパターン７を剥離して、最終段階までのパターニングが完了した。さらに、図１中の（ｉ）に示すように、ペリクル９を貼り付けて、位相シフトマスクが完成した。
【００５９】
このようにして作成した位相シフトマスクの表面を検査したところ、遮光膜１にダメージを受けた痕跡は発生しておらず、また、露光波長を１９３ｎｍとして露光したところ、位相シフト部及び非位相シフト部のいずれにおいても、均一な線幅が得られた。
【００６０】
前述した各実施例においては、エッチング処理の工程が異なっているが、最終的な位相シフト部の断面形状が遮光膜１の下方において若干異なるのみであり、転写特性上は、何ら差異を生じていなかった。
【図面の簡単な説明】
【００６１】
【図１】本発明に係る位相シフトマスクの製造方法の工程（第１の実施例）を示す工程図である。
【図２】本発明に係る位相シフトマスクの製造方法により製造された位相シフト部の構成を示す断面図である。
【図３】本発明に係る位相シフトマスクの製造方法の工程（第２の実施例）を示す工程図である。
【図４】従来の位相シフトマスクの製造方法を示す工程図である。
【図５】従来の位相シフトマスクの製造方法の他の例を示す工程図である。
【符号の説明】
【００６２】
１  遮光膜
２  透明基板
３  レジスト
４  レジストパターン
５  遮光パターン
６  レジスト
７  レジストパターン
８  位相シフト部（彫り込み部）
【図１】
0004800065.tif 000002
【図２】
0004800065.tif 000003
【図３】
0004800065.tif 000004
【図４】
0004800065.tif 000005
【図５】
0004800065.tif 000006