(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
チャネル領域、ソース領域及びドレイン領域が形成された半導体層と、ゲート絶縁膜を介して上記チャネル領域に対向して形成されたゲート電極とが設けられた薄膜トランジスタと、上記ソース領域と上記ドレイン領域の少なくとも一方の領域に接続される導電層とを有する電気光学装置の製造方法であって、
上記半導体層の上記ソース領域及びドレイン領域に不純物をドープする工程と、
上記ゲート絶縁膜に、上記少なくとも一方の領域の一部を開口する第１のコンタクトホールをウエットエッチングにより開孔する工程と、
上記薄膜トランジスタのチャネルの導電型と同一の導電型の不純物がドープされた多結晶半導体膜を、上記第１のコンタクトホールを通して、上記少なくとも一方の領域に接続するように、且つ、上記半導体層のＬＤＤ領域に重ならない位置であって、上記少なくとも一方の領域が上記半導体層に形成された範囲よりも、同じまたは小さくなるように形成する工程と、
上記多結晶半導体膜の上層側に、層間絶縁膜を積層する工程と、
上記層間絶縁膜の上記多結晶半導体膜に対応する位置に、第２のコンタクトホールをドライエッチングにより開孔する工程と、
上記第２のコンタクトホールを通して上記多結晶半導体膜と接続される上記導電層を形成する工程と、
を有することを特徴とする電気光学装置の製造方法。
【請求項２】
上記多結晶半導体膜を形成する工程の後に、上記ソース領域及び上記ドレイン領域にドープした不純物と同じ不純物を、上記半導体層にドープすることにより上記ＬＤＤ領域を形成する工程を有することを特徴とする請求項１に記載の電気光学装置の製造方法。
【請求項３】
上記多結晶半導体膜と上記ゲート電極とは、同一の層に形成されることを特徴とする請求項１又は２に記載の電気光学装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電気光学装置、それを用いた電子機器、電気光学装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
一般に電気光学装置、例えば、電気光学物質に液晶を用いて所定の表示を行う液晶装置は、一対の基板間に液晶が挟持された構成となっている。このうち、ＴＦＴ（Thin Film Transistor）駆動、ＴＦＤ（Thin Film Diode）駆動等によるアクティブマトリクス駆動方式の液晶装置等の電気光学装置においては、縦横に夫々配列された多数のゲート電極となるゲート線である走査線及びソース線であるデータ線の各交点に対応して、画素電極及び薄膜トランジスタであるスイッチング素子をアクティブマトリクス基板上に設けて構成される。
【０００３】
スイッチング素子を構成するＴＦＴ素子は、ゲート線に供給されるオン信号によってオンとなり、ソース線を介して供給される画像信号をソース・ドレイン路が形成されたソース・ドレイン領域を介して透明電極（ＩＴＯ）である画素電極に書込む。
【０００４】
これにより、画素電極と画素電極に対向する電極相互間の液晶層に画像信号に基づく電圧を印加して、液晶分子の配列を変化させる。こうして、画素の透過率を変化させ、画素電極及び液晶層を通過する光を画像信号に応じて変化させて画像表示を行う。
【０００５】
このようなスイッチング素子を有する素子基板は、ガラス又は石英基板上に、所定のパターンを有する半導体薄膜、絶縁性薄膜である層間絶縁膜または導電性薄膜を積層することによって構成される。即ち、各種膜の成膜工程とフォトリソグラフィ工程の繰返しによって、ＴＦＴ基板等は形成されている。
【０００６】
上下の成膜層同士は、層間絶縁膜に開孔されたコンタクトホールによって電気的に接続される。例えば、ＴＦＴ素子を構成する半導体層と上層の導電層とは、層間絶縁膜に開孔されたコンタクトホールを介して電気的に接続される。なお、半導体層の上方の成膜層としては、例えば、画素電極の電荷保持時間を長くするための付加容量を形成する容量電極層等が考えられる。
【０００７】
ところで、コンタクトホールは、半導体層にゲート絶縁膜を介してゲート電極が積層され、さらに上層に層間絶縁膜が積層された後、一般的には、以下の工程により開孔される。まず、層間絶縁膜のソース・ドレイン領域に対向する位置に、ドライエッチングにより開孔される。ドライエッチングは、材料に対する選択比が低く、研削性が高いため、微細な孔を深く開孔することができる。
【０００８】
この際、半導体層は薄膜であることから、ドライエッチングにより、半導体層まで開孔してしまうのを防止するため、ドライエッチング後は、ウエットエッチングに切り換えて開孔を行う。ウエットエッチングは、材料に対する選択比が高いため、層間絶縁膜，ゲート絶縁膜のみを選択的に確実に開孔することができるので、薄膜の半導体層を開孔してしまうことがない。
【０００９】
このように形成されたコンタクトホールには、半導体層とその上層とを電気的に接続するため、導電性の薄膜が注入される。該導電性の薄膜は、例えばリンを含有したドープドポリシリコン（Doped Poly-Si）が採用されることがある。ドープドポリシリコンは、温度に対する安定度が高く、且つ十分な導電性を有する。
【００１０】
なお、ＴＦＴ素子等のトランジスタとしては、閾値電圧の上昇及びドレイン電流の低下を伴うホットキリャア効果を抑制することを目的として、ソース領域とチャネル領域間及びドレイン領域とチャネル領域間に、低濃度の不純物拡散領域（ＬＤＤ領域（Lightly Doped Drain regions））を形成するＬＤＤ構造を採用している。ＬＤＤ領域の電圧降下によって、ドレイン端の空乏層中の電界を緩和するのである。
【００１１】
このようなＬＤＤ構造のＴＦＴ素子を採用した液晶装置としては、特許文献１の装置が開示されている。
【特許文献１】特開平５−１１０１０３号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１２】
ところで、近年、コンタクトホールは、画素電極の微細化及び基板開口率の向上を図る目的により、微細化が要求されている。しかしながら、ウエットエッチングは、上述したように、材料に対する選択比は高いものの、広範囲に渡って研削する性質を有するため、コンタクトホールの微細化には向かない。
【００１３】
また、上述したように、ドライエッチングのみにより、コンタクトホールを開口すると、薄膜の半導体層を開口してしまう可能性がある。半導体層を開孔してしまうと、ソース・ドレイン領域と、上層の導通層とが導通されなくなってしまう虞がある。
【００１４】
これらのことは、上述した特許文献１では、何ら考慮がなされていない。
【００１５】
本発明は、これらの事情に鑑みてなされたものであり、半導体層が誤って開孔されてしまうことがなく、微細なコンタクトホールが開孔されることにより、画素電極の微細化及び基板開口率の向上が図られた電気光学装置、それを用いた電子機器、電気光学装置の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００３０】
本発明に係る電気光学装置の製造方法は、チャネル領域、ソース領域及びドレイン領域が形成された半導体層と、ゲート絶縁膜を介して上記チャネル領域に対向して形成されたゲート電極とが設けられた薄膜トランジスタと、上記ソース領域と上記ドレイン領域の少なくとも一方の領域に接続される導電層とを有する電気光学装置の製造方法であって、上記半導体層の上記ソース領域及びドレイン領域に不純物をドープする工程と、上記ゲート絶縁膜に、上記少なくとも一方の領域の一部を開口する第１のコンタクトホールをウエットエッチングにより開孔する工程と、上記薄膜トランジスタのチャネルの導電型と同一の導電型の不純物がドープされた多結晶半導体膜を、上記第１のコンタクトホールを通して、上記少なくとも一方の領域に接続するように、且つ、上記半導体層のＬＤＤ領域に重ならない位置であって、上記少なくとも一方の領域が上記半導体層に形成された範囲よりも、同じまたは小さくなるように形成する工程と、上記多結晶半導体膜の上層側に、層間絶縁膜を積層する工程と、上記層間絶縁膜の上記多結晶半導体膜に対応する位置に、第２のコンタクトホールをドライエッチングにより開孔する工程と、上記第２のコンタクトホールを通して上記多結晶半導体膜と接続される上記導電層を形成する工程と、を有することを特徴とする。
【００３１】
本発明の電気光学装置の製造方法によれば、上記ゲート絶縁膜に、上記ソース領域と上記ドレイン領域の少なくとも一方の一部を開口する第１のコンタクトホールが開孔される工程を有し、該第１のコンタクトホールに、上記第１の導電性膜が形成される工程を有することにより、上記第２のコンタクトホールは、上記第１の導電性膜に開孔されるため、上記ソース領域と上記ドレイン領域の少なくとも一方に誤って上記第２のコンタクトホールが開孔されるのを防止することができるという効果を有する。
【００３２】
また、上記第１の導電性膜と上記ゲート電極とは、同一の層に形成されることを特徴とする。
【００３３】
本発明の電気光学装置の製造方法によれば、上記第１の導電性膜は、上記ゲート電極と同一の層に形成されることにより、上記ゲート電極を形成する工程において、同一工程において、上記第１の導電性膜を積層することができるという効果を有する。
【００３４】
さらに、上記第２のコンタクトホールは、ドライエッチングにより開孔されることを特徴とする。
【００３５】
本発明の電気光学装置の製造方法によれば、上記第２のコンタクトホールは、ドライエッチングにより開孔されることにより、上記第２のコンタクトホールを微細化でき、画素電極の微細化及び基板開口率の向上を図ることができるという効果を有する。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３６】
以下、図面を参照して本発明の実施の形態を説明する。尚、本実施の形態は、電気光学装置は、ＴＦＴを用いた液晶表示装置を例に挙げて説明する。よって、液晶表示装置に用いる一対の基板の内、一方の基板は、ＴＦＴ基板となり、また他方の基板は、ＴＦＴ基板に対向する基板（以下、対向基板と称す）となる。
【００３７】
（第１実施の形態）
図１は、本発明の一実施の形態を示す液晶表示装置のＴＦＴ基板をその上に形成された各構成要素と共に対向基板側から見た平面図、図２は、図１のＴＦＴ基板と対向基板とを貼り合わせて液晶を封入する組立工程終了後の液晶表示装置を、図１中のＩＩ−ＩＩ線に沿って切断した断面図、図３は、図１の液晶表示装置の画素領域を構成する複数の画素における各種素子、配線等の等価回路図、図４は、図１の液晶表示装置を詳細に示す断面図である。
【００３８】
先ず、図１乃至図２を参照して、液晶表示装置の構成について説明する。  
同図に示すように、液晶表示装置１００は、ＴＦＴ基板１０とそれに対向して設けられる対向基板２０との間に液晶５０を封入して構成される。ＴＦＴ基板１０上に画素を構成する画素電極９ａ等がマトリクス状に配置される。
【００３９】
対向基板２０に表示領域を区画する額縁としての遮光膜（ＢＭ）４２が設けられている。遮光膜４２は、例えば後述する遮光膜２３（図２，図４参照）と同一または異なる遮光性材料によって形成される。
【００４０】
遮光膜４２の外側の領域に、液晶を封入するシール材４１がＴＦＴ基板１０と対向基板２０との間に形成されている。シール材４１は、対向基板２０の輪郭形状に略一致するように配置され、ＴＦＴ基板１０と対向基板２０とを相互に固着する。
【００４１】
シール材４１は、ＴＦＴ基板１０の１辺の一部において欠落しており、貼り合わされたＴＦＴ基板１０及び対向基板２０の相互の間隙に、液晶５０を注入するための液晶注入口７８が形成されている。液晶注入口７８より液晶５０が注入された後、液晶注入口７８は、封止材７９により封止される。
【００４２】
ＴＦＴ基板１０のシール材４１の外側の領域に、データ線駆動回路６１及び実装端子６２がＴＦＴ基板１０の一辺に沿って設けられており、この一辺に隣接する２辺に沿って、走査線駆動回路６３が設けられている。
【００４３】
ＴＦＴ基板１０の残る一辺に、画面表示領域の両側に設けられた走査線駆動回路６３間を接続する複数の配線６４が設けられている。また、対向基板２０のコーナー部の少なくとも１箇所においては、ＴＦＴ基板１０と対向基板２０との間を電気的に導通させる導通材６５が設けられている。
【００４４】
図３は、画素を構成するＴＦＴ基板１０上の素子の等価回路を示している。  
図３に示すように、画素領域においては、複数本の走査線３ａと複数本のデータ線６ａとが交差するように配線され、ゲート電極となる走査線３ａとデータ線６ａとにより区画された領域に画素電極９ａがマトリクス状に配置される。そして、走査線３ａとデータ線６ａとの各交差部分に対応して薄膜トランジスタであるＴＦＴ３０が設けられ、このＴＦＴ３０に画素電極９ａが接続される。
【００４５】
ＴＦＴ３０は、走査線３ａのＯＮ（オン）信号によってオンとなり、これにより、データ線６ａに供給された画像信号が画素電極９ａに供給される。この画素電極９ａと対向基板２０に設けられた後述する対向電極２１（図４参照）との間の電圧が、液晶５０に印加される。
【００４６】
また、画素電極９ａと並列に蓄積容量７０が設けられている。蓄積容量７０により、画素電極９ａの電圧はソース電圧が印加された時間よりも、例えば３桁も長い時間の保持が可能となる。さらに、蓄積容量７０によって、電圧保持特性が改善され、コントラスト比の高い画像表示が可能となる。
【００４７】
図４は、一つの画素に着目した液晶表示装置の一例を示す模式的断面拡大図である。  
ガラスや石英等のＴＦＴ用の素子基板６０に、溝１１が形成されている。この溝１１上に遮光膜１２及び第１層間絶縁膜１３を介してＬＤＤ構造をなすＴＦＴ３０が積層されている。なお、溝１１によって、ＴＦＴ基板１０の液晶５０との境界面が平坦化される。
【００４８】
ＴＦＴ３０は、チャネルとなるチャネル領域１ａ、ソース領域１ｄ、ドレイン領域１ｅが形成されたＬＤＤ構造を有する半導体層１にゲート絶縁膜２を介してゲート電極をなす走査線３ａが積層されてなる。
【００４９】
なお、チャネル領域１ａに、一方の導電型、例えばＮ型のチャネル、または、他方の導電型、例えばＰ型のチャネルが形成される。また、走査線３ａは、チャネル領域１ａがＮ型のチャネルであれば、例えばリンがドープされており、チャネル領域１ａがＰ型のチャネルであれば、例えばボロンがドープされている。
【００５０】
また、遮光膜１２は、ＴＦＴ３０の形成領域に対応する領域、データ線６ａ及び走査線３ａ（いずれも図３参照）等の形成領域、即ち各画素の非表示領域に対応した領域に形成されている。この遮光膜１２によって、入射光がＴＦＴ３０のチャネル領域１ａ、ソース領域１ｄ及びドレイン領域１ｅに入射されるのが防止される。
【００５１】
さらに、ゲート絶縁膜２に、ソース領域１ｄ，ドレイン領域１ｅの少なくとも一方の一部を開口する第１のコンタクトであるコンタクトホール２ａが開孔されている。コンタクトホール２ａが開孔されたソース領域１ｄ，ドレイン領域１ｅの少なくとも一方上であってコンタクトホール２ａに、走査線３ａと同一の層において同一工程により形成された第１の導電性膜であるストッパ膜３００が積層されることにより形成されている。
【００５２】
よって、ストッパ膜３００は、走査線３ａと同一の材料により形成されている。また、ストッパ膜３００は、ソース領域１ｄ，ドレイン領域１ｅよりも小さく形成されている。さらに、ストッパ膜３００は、それぞれ、ソース領域１ｄ、ドレイン領域１ｅと導通されている。
【００５３】
ＴＦＴ３０上に、第２層間絶縁膜１４が積層され、第２層間絶縁膜１４及びストッパ膜３００上に、該ストッパ膜３００と、上層の導電層とを導通させる第２の導電性膜である中間導電層１５が積層されている。中間導電層１５上に、導電層である誘電体膜１７を介して導電層である容量線１８が積層されている。
【００５４】
容量線１８は、容量層と遮光層とからなり、中間導電層１５との間において蓄積容量を構成すると共に、光の内部反射を防止する遮光機能を有する。中間導電層１５は、半導体層１に比較的近接した位置に形成されており、光の乱反射を効率よく防止する。
【００５５】
容量線１８上には第３層間絶縁膜１９が積層され、第３層間絶縁膜１９上には導電層であるデータ線６ａが積層される。データ線６ａは、第３層間絶縁膜１９を貫通する第３のコンタクトであるコンタクトホール２４ｂ、及び第２層間絶縁膜１４を貫通する第２のコンタクトホールであるコンタクトホール２４ａに積層された中間導電層１５、並びにストッパ膜３００を介してソース領域１ｄに電気的に接続される。データ線６ａ上には第４層間絶縁膜２５を介して導電層である画素電極９ａが積層されている。
【００５６】
画素電極９ａは、各層間絶縁膜１９，２５を貫通する第３のコンタクトであるコンタクトホール２６ｂ、及び第２層間絶縁膜１４を貫通する第２のコンタクトホールであるコンタクトホール２６ａに積層された中間導電層１５、並びにストッパ膜３００を介してドレイン領域１ｅに電気的に接続される。画素電極９ａ上に、ポリイミド系の高分子樹脂からなる有機配向膜１６が積層され、電圧無印加時の液晶分子の配列を決定させるためのラビング処理が施されている。
【００５７】
ゲート電極である走査線３ａにＯＮ（オン）信号が供給されることにより、チャネル領域１ａが導通状態となり、ソース領域１ｄとドレイン領域１ｅとが接続されて、データ線６ａに供給された画像信号が画素電極９ａに与えられる。
【００５８】
一方、対向基板２０には、遮光膜２３が基板２０全面に亘って形成されている。また、遮光膜２３上に、共通電極である対向電極２１が積層されている。さらに、対向電極２１上に、ポリイミド系の高分子樹脂からなる有機配向膜２２が積層され、有機配向膜２２に、電圧無印加時の液晶分子の配列を決定させるためのラビング処理が施されている。
【００５９】
そして、ＴＦＴ基板１０と対向基板２０との間に、液晶５０が封入されている。尚、この液晶５０は、電圧印加時に、ＴＦＴ基板１０の画素電極と対向基板２０の対向電極２１との間で発生する電界によって配向状態を制御されている。
【００６０】
これにより、ＴＦＴ３０は、所定のタイミングでデータ線６ａから供給される画像信号を画素電極９ａに書き込む。このことから、書き込まれた画素電極９ａと対向電極２１との電位差に応じて、液晶５０の分子集合の配向や秩序が変化され、さらに光が変調されて階調表示がおこなわれる。
【００６１】
ここで、このように構成された液晶表示装置１００のＴＦＴ３０の製造方法及び第２のコンタクトホールであるコンタクトホール２４ａ，２６ａの開孔方法について、図５，図６を用いて説明する。図５，図６は、図１の液晶表示装置１００のＴＦＴ基板の製造工程における縦断面図である。尚、以下の製造工程は、作業者がＴＦＴ基板の製造装置を操作することにより行われる。
【００６２】
まず、図５において、石英ガラス等からなるＴＦＴ用の素子基板６０の上層に遮光膜１２，第１層間絶縁膜１３を介して積層した半導体層１の上層に、図５（ａ）に示すように、半導体層１を覆うようにゲート絶縁膜２を積層する。
【００６３】
次に、半導体層１の一部に、例えばボロンがドープされたＮ型のチャネルであるチャネル領域１ａを形成し、さらに、ゲート絶縁膜２上のチャネル領域１ａと対向する位置に、図５（ｂ）に示すように、レジスト１７０を形成する。
【００６４】
その後、チャネル領域１ａがＮチャネル型の場合には、図５（ｂ）に矢印で示すように、不純物、例えばリンを添加（以下、ドープと称す）する。このことにより、半導体層１のチャネル領域１ａ以外に、リンがドープされたソース領域１ｄ，ドレイン領域１ｅがそれぞれ形成される。また、チャネル領域１ａがＰチャネル型である場合には、半導体層１にリンの代わりに、例えばボロンをドープする。
【００６５】
次いで、レジスト１７０を硫酸過水及びアンモニア水、またはオゾン（Ｏ３）水及びハフニウム（ＨＦ）を使用して剥離する。さらに、ソース領域１ｄとドレイン領域１ｅとの少なくとも一方に対向する位置の一部を除くゲート絶縁膜２の上層に、レジスト１７１を形成し、ウエットエッチングにより、ゲート絶縁膜２の一部を、図５（ｃ）に示すように開口し、第１のコンタクトであるコンタクトホール２ａを開孔する。その後、ゲート絶縁膜２上のレジスト１７１を硫酸過水及びアンモニア水、またはＯ３水及びＨＦを使用して剥離する。なお、以下、第１のコンタクトホール２ａは、ソース領域１ｄ、ドレイン領域１ｅの両方に開孔したものとして説明する。
【００６６】
次いで、チャネル領域１ａがＮ型のチャネルの場合には、ゲート絶縁膜２の上層及びコンタクトホール２ａに、リンがドープされたドープドポリシリコンを積層して、規定の形状にエッチングすることにより、図５（ｄ）に示すように、ゲート電極３ａ，ストッパ膜３００を積層して形成する。
【００６７】
なおその際、ストッパ膜３００が形成される範囲は、半導体層１に形成されたＬＤＤ領域１ｆ，１ｇに重ならない位置であって、ソース領域１ｄ及びドレイン領域１ｅが半導体層１に形成された範囲よりも、同じまたは小さく形成される。
【００６８】
さらに、チャネル領域１ａがＮチャネル型の場合には、図６（ｅ）に矢印で示すように、例えばソース領域１ｄ，ドレイン領域１ｅにドープしたリンよりも濃度の低いリンをドープする。このことにより、半導体層１のチャネル領域１ａ，ソース領域１ｄ，ドレイン領域１ｅ以外に、濃度の低いリンがドープされたＬＤＤ領域１ｆ，１ｇがそれぞれ形成される。
【００６９】
よって、ソース領域１ｄ，ドレイン領域１ｅと、ＬＤＤ領域１ｆ，１ｇとは、ドープされたリンの濃度が異なる。このことから、半導体層１は、低濃度のソース領域１ｆと高濃度のソース領域１ｄ、及び低濃度のドレイン領域１ｇと高濃度のドレイン領域１ｅとを有するＬＤＤ構造を有している。
【００７０】
また、ソース領域１ｄ，ドレイン領域１ｅは、ストッパ膜３００が積層される範囲よりも大きい範囲に形成されていることから、ＬＤＤ領域１ｆ，１ｇは、確実に濃度の薄いリンがドープされる。なお、チャネル領域１ａがＰチャネル型の場合には、例えばソース領域１ｄ，ドレイン領域１ｅにドープしたボロンよりも濃度の低いボロンをドープする。
【００７１】
次いで、上記ＬＤＤ構造のＴＦＴ３０の上層に、図６（ｆ）に示すように、第２層間絶縁膜１４を形成する。さらに、図６（ｇ）に示すように、半導体層１と中間導電層１５との間を接続する第２のコンタクトホールであるコンタクトホール２４ａ，２６ａをドライエッチングにより開孔する。
【００７２】
この際、第１のコンタクトホール２ａには、ソース領域１ｄ、ドレイン領域１ｅと導通しているストッパ膜３００が形成されているため、コンタクトホール２４ａ，２６ａは、図６（ｇ）に示すように、ストッパ膜３００まで開孔すれば良い。また、ストッパ膜３００が形成されていることから、ソース領域１ｄ及びドレイン領域１ｅが、ドライエッチングにより誤って開孔されてしまうことがない。
【００７３】
さらに、ドライエッチングは、上述したように、材料に対する選択比が低く、研削性が高いため、ウエットエッチングにより開孔を行うよりも微細な孔を深く開孔することができる。具体的には、ウエットエッチングの場合には、トップが２ミクロンの孔しか開孔できないが、ドライエッチングでは、トップが１ミクロン以下、最小０．６ミクロンまで微細な孔を開孔できる。よって、第２のコンタクトホール２４ａ，２６ａを微細に開孔することができ、画素電極９ａの微細化及び液晶表示装置を構成する基板開口率の向上を図ることができる。
【００７４】
最後に、図６（ｈ）に示すように、第２のコンタクトホール２４ａ，２６ａ及び第２層間絶縁膜１４の上層に、半導体層１と、上層の導電体層、例えば画素電極９ａを導通させる中間導電層１５を積層する。この後は、各導電層及び層間絶縁膜等を図４に示すように積層する。
【００７５】
なお、本実施の形態においては、液晶表示装置は、図４に示す構成のものを例に挙げて、薄膜の半導体層の上層にコンタクトホールを開孔する方法を示したが、これに限らず、薄膜の導電層と、上層の導電層とを導通する際に開孔されるコンタクトホールであれば、どのような構成を有する液晶表示装置に用いても良いということは云うまでもない。
【００７６】
また、第１のコンタクトホールであるコンタクトホール２ａ，ストッパ膜３００，第２のコンタクトホールであるコンタクトホール２４ａ，２６ａは、ソース領域及びドレイン領域の双方に形成されると示したが、ソース領域のみ、またはドレイン領域のみに形成しても良いことは勿論である。
【００７７】
さらに、電気光学装置は、液晶表示装置を例に挙げて説明したが、本発明はこれに限定されず、エレクトロルミネッセンス装置、特に、有機エレクトロルミネッセンス装置、無機エレクトロルミネッセンス装置等や、プラズマディスプレイ装置、ＦＥＤ（Field Emission Display）装置、ＳＥＤ(Surface-Conduction Electron-Emitter Display)装置、ＬＥＤ（発光ダイオード）表示装置、電気泳動表示装置、薄型のブラウン管または液晶シャッター等を用いた小型テレビ、デジタルマイクロミラーデバイス（ＤＭＤ）を用いた装置などの各種の電気光学装置に適用できる。
【００７８】
また、本発明の電気光学装置は、上述の図示例にのみ限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲内において種々変更を加え得ることは勿論である。例えば、上述した液晶表示装置は、ＴＦＴ（薄膜トランジスタ）等のアクティブ素子（能動素子）を用いたアクティブマトリクス方式の液晶表示モジュールを例に挙げて説明したが、これに限らず、ＴＦＤ（薄膜ダイオード）等のアクティブ素子（能動素子）を用いたアクティブマトリクス方式の液晶表示モジュールにも適用することができる。
【００７９】
さらに、本発明に係る液晶表示モジュールが適用できる電子機器としては、例えば、携帯電話機、ＰＤＡ（Personal Digital Assistants）と呼ばれる携帯型情報機器や携帯型パーソナルコンピュータ、パーソナルコンピュータ、デジタルスチルカメラ、車載用モニタ、デジタルビデオカメラ、液晶テレビ、ビューファインダ型、モニタ直視型のビデオテープレコーダ、カーナビゲーション装置、ページャ、電子手帳、電卓、ワードプロセッサ、ワークステーション、テレビ電話機、ＰＯＳ端末機等、電気光学装置である液晶表示モジュールを用いる機器が挙げられる。したがって、これらの電子機器においても、本発明が適用可能であることはいうまでもない。
【図面の簡単な説明】
【００８０】
【図１】本発明の一実施の形態を示す液晶表示装置を対向基板側から見た平面図。
【図２】図１中のＩＩ−ＩＩ線に沿って切断した断面図。
【図３】図１の液晶表示装置の複数の画素における各種素子、配線等の等価回路図。
【図４】図１の液晶表示装置の要部を詳細に示す断面拡大図。
【図５】図１の液晶表示装置のＴＦＴ基板であって、ゲート絶縁膜積層工程〜走査線及びストッパ膜積層工程を示す断面図。
【図６】図１の液晶表示装置のＴＦＴ基板であって、リンドープ工程〜中間層積層工程を示す断面図。
【符号の説明】
【００８１】
１…半導体層、１ａ…チャネル領域、１ｄ…ソース領域、１ｅ…ドレイン領域、１ｆ…ＬＤＤ領域（ソース領域）、１ｇ…ＬＤＤ領域（ドレイン領域）、２…ゲート絶縁膜、２ａ…コンタクトホール（第１のコンタクトホール）、３ａ…走査線        （ゲート電極）、６ａ…データ線（導電層）、９ａ…画素電極（導電層）、１４…第２層間絶縁膜、１５…中間導電層（第２の導電性膜）、１６…有機配向膜（導電層）、１７…誘電体膜（導電層）、１８…容量線（導電層）、２４ａ…コンタクトホール（第２のコンタクトホール）、２６ａ        …コンタクトホール（第２のコンタクトホール）、３０…ＴＦＴ（薄膜トランジスタ）、１００…液晶表示装置（電気光学装置）、３００…ストッパ膜（第１の導電性膜）
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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