(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
コンピュータ・断層撮影装置用のマルチスライス検出器であって、
検出器ハウジングと、
各検出器モジュールが、複数のフォトダイオードと該複数のフォトダイオードの各々と接続するスイッチを複数備えるスイッチ装置を備え、前記検出器ハウジングに結合され、前記スイッチ装置により予め選択されたスライス数およびスライス厚さにしたがって出力を生じるように選択的に構成可能な複数の検出器モジュールと、
前記検出器モジュールに隣接するコリメータ・アレイと、
前記スイッチ装置に結合されたデコーダと、
前記複数の検出器モジュールの出力に電気的に接続されたバックプレーンと、
を備え、
前記デコーダにより前記スイッチ装置の作動が制御されて前記フォトダイオードの出力が予め選択されたスライス数およびスライス厚さにしたがって組み合わされるように構成され、
前記スイッチ装置が電界効果トランジスタのアレイを含み、
前記複数のフォトダイオードがフォトダイオード・アレイを形成し、前記フォトダイオード・アレイ、前記デコーダおよび前記スイッチ装置が基板上にあることを特徴とする、マルチスライス検出器。
【請求項２】
前記スイッチ装置が前記複数のフォトダイオードの各々と接続する電界効果トランジスタを複数含み、
前記各電界効果トランジスタが前記フォトダイオードの出力の１つにワイヤ・ボンディングされることを特徴とする請求項１に記載のマルチスライス検出器。
【請求項３】
前記複数の検出器モジュールの各々が一対の前記スイッチ装置にそれぞれ結合された一対のデコーダを含み、前記一対のデコーダにより前記一対のスイッチ装置の作動が制御されて前記フォトダイオードの出力が予め選択されたスライス数およびスライス厚さにしたがって組み合わされるように構成されることを特徴とする請求項１に記載のマルチスライス検出器。
【請求項４】
前記一対のデコーダにより前記一対のスイッチ装置が異なるスライス数の複数のモードで選択的に作動するように制御されることを特徴とする請求項３に記載のマルチスライス検出器。
【請求項５】
シンチレータ・アレイを更に含み、前記シンチレータ・アレイおよび前記フォトダイオード・アレイが１６×１６アレイであることを特徴とする請求項４に記載のマルチスライス検出器。
【請求項６】
一端が前記フォトダイオードの出力に電気的に接続された少なくとも１つの可撓ケーブルを更に備える請求項２−５のいずれかに記載のマルチスライス検出器。
【請求項７】
前記複数のスイッチの各々が前記フォトダイオードおよび前記可撓ケーブルにワイヤ・ボンディングされることを特徴とする請求項６に記載のマルチスライス検出器。
【請求項８】
前記可撓ケーブルが複数の電線を含み、前記電界効果トランジスタがそれぞれに前記電線の１つに電気的に接続されることを特徴とする請求項６に記載のマルチスライス検出器。
【請求項９】
前記各検出器モジュールが少なくとも１つの可撓ケーブルを含み、前記各可撓ケーブルが前記検出器モジュールと前記バックプレーンの間で電気的に結合されることを特徴とする請求項１に記載のマルチスライス検出器。
【請求項１０】
前記可撓ケーブルの一端を前記バックプレーンに電気的に接続する少なくとも１つのエラストマー製のコネクタをさらに含み、
前記バックプレーンが複数の入力を含み、前記各可撓ケーブルの一端および前記バックプレーンの各入力が複数の接続パッドを含み、かつ前記複数の接続パッドが前記エラストマー製のコネクタに結合するように構成されることを特徴とする請求項９に記載のマルチスライス検出器。
【請求項１１】
前記バックプレーンが複数の入力を含み、前記各可撓ケーブルの一端および前記バックプレーンの各入力が同一のパターン状に配列された複数の接続パッドを含むことを特徴とする請求項９に記載のマルチスライス検出器。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は一般にコンピュータ断層撮影画像形成に関し、かつ特にコンピュータ断層撮影システムに接続して使用される高密度半導体アレイに関する。
【０００２】
【従来の技術】
少なくともいくつかのコンピュータ断層撮影（ＣＴ）画像形成システム構成においては、Ｘ線源が投射する扇形ビームがデカルト座標系の一般に「画像形成プレーン」と称されるＸ−Ｙ面内に位置するようにコリメートされる。Ｘ線ビームは患者など画像形成化中の対象を透過する。ビームは対象物によって減衰された後、放射線検出器のアレイに入射する。検出器アレイで受けた減衰ビーム放射の強さは対象によるＸ線ビームの減衰に依存する。検出器アレイの検出器要素はそれぞれに検出器の位置におけるビーム減衰の測定結果を表す個別の電気的信号を出す。すべての検出器からの減衰測定結果は別々に収集されて伝送プロファイルが生成される。
【０００３】
周知の第三世代ＣＴシステムにおいては、Ｘ線源および検出器アレイはガントリとともに画像形成プレーン内で画像形成化される対象の周囲を回転し、それによってＸ線ビームが対象を横断する角度が絶えず変化する。Ｘ線源はＸ線管を通常含み、これがＸ線ビームを焦点に放射する。Ｘ線検出器は検出器で受けたＸ線ビームをコリメートするためのコリメータを通常備えている。シンチレータがコリメータに隣接して置かれ、フォトダイオードがシンチレータに隣接して置かれる。
【０００４】
マルチスライスＣＴシステムは走査中により多くのスライスに対するデータを得るために使用される。周知のマルチスライス・システムは一般に３−Ｄ検出器として知られる検出器を通常含む。この３−Ｄ検出器では、複数の検出器要素が個別のチャネルを形成する。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
マルチスライス検出器は単一スライス検出器よりはるかに多いデータを生成する。しかしながら、このような多くのデータ生成能力が常に要求または所望されるとは限らない。たとえば、ＣＴシステムによって行われる検査には大量スライスまたは高スライス分解能を必要としないものが様々ある。また、そのように大量のデータが収集されると、走査に必要な時間が増し、コストの高騰とスループットの低下を招来する。
【０００６】
したがって、検査の個別のニーズを受け入れるためのスライス数を変えてデータ伝送が可能な高密度半導体アレイを提供することが望ましい。さらには、スライス分解能が可変である半導体アレイを提供することが望ましい。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
これらの目的および他の目的は、一実施態様において、予め選択されたスライス数およびスライス分解能、あるいはスライス厚さに関するデータ信号を生じる高密度半導体アレイによって達成することができる。特に、この半導体アレイは横列および縦列に配列された複数のフォトダイオードを含む。シンチレータ・アレイが半導体アレイに光学的に結合される。各フォトダイオードは各シンチレータの光出力を表す低レベル・アナログ出力信号を生じる。データは、予め選択されたスライス数およびスライス分解能に対して、フォトダイオードの様々な列からの出力信号を選択的に組み合わせることによって生成される。
【０００８】
一実施態様において、半導体アレイはフォトダイオードのアレイを基板に取り付けまたは形成して製造される。フォトダイオード・アレイからの出力線は出力信号を次の処理のためにディジタル信号に変換するデータ収集システムに電気的に接続される。
【０００９】
以上に説明の半導体アレイによって、ＣＴシステムの回転毎に電気的に伝送するべきデータのスライス数を選択することが可能になる。さらに、半導体アレイにより、スライスの厚さを選択して様々なスライス分解能を出すことができる。その結果、半導体アレイの構成を変更することにより検査の個別のニーズと要件に対処することができる。
【００１０】
【発明の実施の形態】
図１および図２は、「第３世代」ＣＴスキャナに特有のガントリ１２を含むコンピュータ断層撮影（ＣＴ）画像形成システム１０を示す。ガントリ１２はＸ線源１４を有し、このＸ線源からガントリ１２の相対する側にある検出器アレイ１８に向かってＸ線のビーム１６が投射される。検出器アレイ１８はいくつかの検出器モジュール２０によって形成され、患者２２を透過する投射Ｘ線をそれらのモジュールが共々感知する。各検出器モジュール２０は入射するＸ線ビームの強さおよび患者２２を透過したビームの減衰を表す電気信号を出す。Ｘ線投射データを収集する走査の間、ガントリ１２とそれに搭載された構成部品が回転の中心２４を中心にして回転する。
【００１１】
ガントリ１２の回転およびＸ線源１４の作動はＣＴシステム１０の制御機構２６により支配される。制御機構２６はＸ線源１４に電力とタイミング信号を供給するＸ線コントローラ２８およびガントリ１２の回転速度と位置を制御するガントリ・モータ・コントローラ３０を含む。制御機構２６のデータ収集システム（ＤＡＳ）３２は検出器モジュール２０からのアナログ・データをサンプリングし、かつデータを次の処理のためにディジタル信号に変換する。画像再構成器３４はサンプリングおよびディジタル化されたＸ線データをＤＡＳ３２から受け、高速画像再構成を行う。再構成された画像は画像を大容量記憶装置３８に記憶するコンピュータ３６に入力として与えられる。
【００１２】
コンピュータ３６はまた、オペレータからのコマンドと走査パラメータをキーボード付きのコンソール４０を介して受け取る。結合されたＣＲＴディスプレイ４２によりオペレータはコンピュータ３６からの再構成された画像および他のデータを見ることができる。オペレータ供給のコマンドおよびパラメータはコンピュータ３６によって制御信号と情報をＤＡＳ３２、Ｘ線コントローラ２８およびガントリ・モータ・コントローラ３０に供給するために使われる。さらに、コンピュータ３６は、モータ駆動テーブル４６を制御して患者２２をガントリ１２内の位置に着けるテーブル・モータ・コントローラ４４を操作する。特に、テーブル４６はガントリ開口部４８を通して患者２２を部分的に移動させる。
【００１３】
図３および図４に示すように、検出器アレイ１８は複数の検出器モジュール２０を含む。各検出器モジュール２０は、多次元フォトダイオード・アレイ５２と、その上部にかつ隣接して置かれた多次元シンチレータ・アレイ５６とを含む。Ｘ線ビーム１６がシンチレータ・アレイ５６に入射する前にＸ線ビームをコリメートするためのコリメータ（図示せず）がシンチレータ・アレイ５６の上部にかつ隣接して置かれる。特に、半導体アレイ５２は複数のフォトダイオード６０、スイッチ装置６８、およびデコーダ７２とを含む。フォトダイオード６０は個別のフォトダイオードでも、あるいは多次元フォトダイオード・アレイでもよい。フォトダイオード６０は基板（図示せず）に取り付けまたは形成される。シンチレータ・アレイ５６は、当技術分野で周知の通り、フォトダイオード６０上部にかつその隣り合わせに位置決めされる。フォトダイオード６０はシンチレータ・アレイ５６に光学的に結合されかつシンチレータ・アレイ５６による光出力を表す信号を送るための電気的出力線７６を有する。各フォトダイオード６０は、シンチレータ・アレイ５６の特定のシンチレータに関するビーム減衰の測定結果である個々の低レベル・アナログ出力信号を生じる。フォトダイオードの出力線７６は、たとえば、モジュール２０の一側面またはモジュール２０の複数の側面に物理的に置くことができる。図４に示すように、フォトダイオードの出力７６はフォトダイオード・アレイの相対する側部に置かれる。
【００１４】
一実施形態においては、図３に示すように、検出器アレイ１８は５７個の検出器モジュール２０を含む。各検出器モジュール２０は半導体アレイ５２とシンチレータ・アレイ５６とを含み、それぞれのアレイ・サイズが１６×１６である。その結果、アレイ１８には１６の横列と９１２の縦列（１６×５７モジュール）があり、それによってガントリ１２が一回転する毎に１６の同時スライスのデータを収集することができる。
【００１５】
スイッチ装置６８は半導体アレイ５２と同様のサイズの多次元半導体スイッチ・アレイである。スイッチ装置６８は半導体アレイ５２とＤＡＳ３２との間に結合される。スイッチ装置６８は、一実施形態においては、２つの半導体スイッチ８０、８２を含む。スイッチ８０、８２は多次元アレイとして配置された複数の電界効果トランジスタ（ＦＥＴ）（図示せず）をそれぞれ含む。各ＦＥＴは各フォトダイオードの出力線７６の入力に電気的に接続された入力線と、出力線と、制御線（図示せず）とを備えている。ＦＥＴ出力および制御線は可撓電気ケーブル８４を介してＤＡＳ３２に電気的に接続される。特に、フォトダイオードの出力線７６の約半分はスイッチ８０の各ＦＥＴ入力線に電気的に接続され、フォトダイオードの出力線７６の他の半分はスイッチ８２のＦＥＴ入力線に電気的に接続される。
【００１６】
デコーダ７２はスイッチ装置６８の作動を制御し、それによって各スライスに対して所望のスライス数およびスライス分解能にしたがってフォトダイオードの出力がエネーブルされ、ディスエーブルされ、または組み合わされる。デコーダ７２は、一実施形態においては、当技術分野で周知のデコーダ・チップまたはＦＥＴコントローラである。デコーダ７２はスイッチ装置６８とＤＡＳ３２に結合された複数の出力線と制御線を含む。特に、デコーダの出力はスイッチ装置６８をエネーブルするスイッチ装置制御線に電気的に接続され、それによって適切なデータがスイッチ装置入力からスイッチ装置出力に伝送される。デコーダ制御線はスイッチ装置制御線に電気的に接続されており、かつどのデコーダ出力がエネーブルされるかを決定する。デコーダ７２を用い、スイッチ装置６８内の特定のＦＥＴがエネーブルされ、ディスエーブルされ、または組み合わされ、それによって特定のフォトダイオードの出力がＣＴシステムのＤＡＳ３２に電気的に接続される。１６スライス・モードと定義される一実施形態においては、デコーダ７２がスイッチ装置６８をエネーブルし、それによって半導体アレイ５２のすべての横列がＤＡＳ３２に接続され、その結果データの１６の同時スライスがＤＡＳ３２に電気的に接続される。もちろん、その他の多くの組合せも可能である。
【００１７】
たとえば、デコーダ７２は、１、２、および４スライス・モードを含む他の多重スライス・モードから選択することもできる。図５に示すように、適切なデコーダ制御線に送ることにより、フォトダイオード・アレイ５２の１列または２列以上の４つのスライスからデータが収集されるようにスイッチ装置６８を構成することができる。デコーダ制御線により決められるスイッチ装置６８の特定の構成により、フォトダイオードの出力６４の様々な組合せがエネーブル、ディスエーブル、または組み合わされ、それによってスライス厚さをフォトダイオード・アレイ素子の１、２、３、または４列構成とすることができる。さらなる例としては、スライス厚さ１．２５ｍｍから２０ｍｍの範囲の１スライスを含むシングル・スライス・モード、スライス厚さ１．２５ｍｍから１０ｍｍの範囲の２スライスを含む２スライス・モード等がある。さらにそれ以上のモードも可能である。
【００１８】
一実施形態においては、スイッチ装置６８およびデコーダ７２はＦＥＴアレイに組み合わされる。ＦＥＴアレイは多次元アレイとして配列された複数の電界効果トランジスタ（ＦＥＴ）（図示せず）を含む。図６および図７の一実施形態において、２つのＦＥＴアレイで構成される半導体デバイス９４、９６を用いることによってフォトダイオードの出力線６４の半分はデバイス９４に接続され、フォトダイオードの出力線７６の半分はデバイス９６に接続される。ＦＥＴアレイ９４、９６はそれぞれに入力線１００、１０２と、出力線１０４、１０６と、制御線（図示せず）とを含む。デバイス９４内部では、入力線１００がスイッチ装置入力線に電気的に接続され、出力線１０４がスイッチ装置出力線に電気的に接続され、かつデコーダ出力線がＦＥＴ制御線に電気的に接続される。スイッチ９６の内部構成はスイッチ９４と同一である。
【００１９】
可撓電気ケーブル８４は第１端（図示せず）、第２端（図示せず）およびその間を通る複数の電線１１２を含む。ケーブル８４は、たとえば、それぞれに第１端１２０、１２２と第２端１２４、１２８とを有する２つのケーブル１１６および１１８でもよし、あるいは代替実施形態においては、多重第１端（図示せず）を有する単一のケーブル（図示せず）等であってもよい。一実施形態においては、ＦＥＴアレイ９４のＦＥＴ出力および制御線はケーブル１１６のワイヤ１１２に接続され、ＦＥＴアレイ９６のＦＥＴ出力および制御線はケーブル１１８のワイヤ１１２に接続される。特に、各ＦＥＴ出力および制御線はケーブル第１端１２０、１２２それぞれのワイヤ１１２に電気的に接続される。ケーブル第１端１２０、１２２はそれぞれに取付ブラケット１２６Ａおよび１２６ＢによってＦＥＴとの強固な電気的接触を保持される。
【００２０】
図８、図９および図１０に示す一実施形態において、ケーブル１１６、１１８は同一である。特にケーブル１１６に関しては、第２端１２４はパターン状に配列された複数の接続パッド１４０を含む。各接続パッド１４０はケーブル第２端１２４でワイヤ１１２に電気的に接続される。ケーブル第２端１２４はＤＡＳバックプレーン１４２にエラストマー・コネクタ（図７、図８および図９には図示せず）を用いて電気的に結合される。バックプレーン１４２は接続パッド１４０と同一のパターン状に配列された複数の接続パッド１４８を含む。バックプレーン接続パッド１４８はＤＡＳ入力および制御線（図示せず）に電気的に接続される。一実施形態においては、接続パッド１４０は２つの平行な列１５２および１５４を成すパターン状に配列され、接続パッド１４８は２つの平行な列１５８および１６２に同様に配列され、かつ２つのエラストマー・コネクタ（図示せず）を用いて接続パッド１４０および１４８が電気的に接続される。各エラストマー・コネクタは接続パッドに整合した複数の導体（図示せず）を含み、したがってエラストマー・コネクタをケーブルの第２端１２４とバックプレーン１４２の間に位置決めすることによって接続パッド１４０、１４８が電気的に接続される。特に、第１のエラストマー・コネクタは接続パッド列１５２、１５８の間に位置決めされ、第２のエラストマー・コネクタは接続パッド列１５４、１６２の間に位置決めされる。ケーブルの第２端１２４はバックプレーン１４２にハウジング（図示せず）と共に固定される。ケーブル１１８はバックプレーン１４２に同様にして接続される。
【００２１】
図１１に関し、エラストマー・コネクタ１７０は、全周を絶縁材１７８で囲まれた少なくとも１つの導体１７４を含む。エラストマー・コネクタの端部は導体１７４のパッド１４０および１４８との電気的接続を構成するため、絶縁材１７８で被覆しない。一実施形態においては、エラストマー・コネクタ１７０は複数の金めっきされた黄銅製導体１７４を含む。導体１７４は単一の導体１７４が各接続パッド１４０および各接続パッド１４８に電気的に接続されるように間隔を置くことができる。あるいは、導体１７４は複数の導体１７４が各接続パッド１４０および各接続パッド１４８に電気的に接続されるように間隔を置くこともできる。
【００２２】
図１２の一実施形態において、ハウジング１９２は複数のケーブルの第２端に適合し、かつバックプレーン１４２に固定される。特に、ハウジング１９２はエラストマー・コネクタ１７０を可撓ケーブルの第２端１２４とバックプレーン１４２との間で圧縮し、それによって接続パッド１４０、１４８による電気的接続がエラストマー導体１７４を介して構成される。その結果、出力線７６がバックプレーン入力線に電気的に結合され、かつＦＥＴ制御線がＤＡＳ制御線に接続され、検出器モジュール半導体スイッチ８０、８２が構成される。ハウジング１９２はバックプレーン１４２に少なくとも１つのボルト（図示せず）を用いて固定される。
【００２３】
検出器モジュール２０の製作において、図１３に関して、シンチレータ・アレイ５６とＦＥＴアレイ９４、９６とを含む半導体アレイ５２は、フォトダイオード６０がアレイ９４と９６に隣接しかつその間に置かれるように当技術分野で周知の方法により基板２００に取り付けられまたは形成される。次いでフォトダイオードの出力６４がＦＥＴアレイ９４、９６それぞれの入力１００および１０２に接続される。特に、フォトダイオードの出力６４の半分はＦＥＴアレイ入力１００にワイヤ・ボンディングされ、かつフォトダイオードの出力６４の半分は各ＦＥＴアレイ入力１０２にワイヤ・ボンディングされ、それによって各出力６４がＦＥＴ入力線に電気的に接続される。フォトダイオードの出力は、たとえば、アルミニウムワイヤ・ウェッジボンディングおよびゴールド・ワイヤ・ボールボンディング等の当技術分野で周知の様々なワイヤ・ボンディング技術を用いてＦＥＴ入力線にワイヤ・ボンディングされる。
【００２４】
各ケーブル第１端１２０、１２２は各ＦＥＴアレイ９４、９６に隣接して置かれ、かつ基板２００に、たとえば、接着剤（図示せず）を用いて結合される。次いでＦＥＴ出力および制御線の一部がケーブル１１６のワイヤ１１２にワイヤ・ボンディングされ、かつＦＥＴ出力および制御線の一部がケーブル１１８のワイヤ１１２にワイヤ・ボンディングされ、それによって各ＦＥＴ出力線およびワイヤ１１２と各ＦＥＴ制御線およびワイヤ１１２との間に電気的パスができる。ＦＥＴ出力および制御線はフォトダイオードの出力線６４と同様にワイヤ・ボンディングされ、ワイヤボンドは一括してボンド３００として識別される。ケーブル第１端１２０、１２２は取付ブラケット１２６Ａおよび１２６Ｂを用いて所定の箇所に保持される。
【００２５】
検出器モジュール２０を検出器アレイ１８内に取り付けた後、ケーブル第２端１２４、１２８がＤＡＳ３２に結合され、それによって電気的パスがフォトダイオードの出力線７６とＤＡＳ入力との間に存在し、かつＦＥＴ制御線がＤＡＳ出力に電気的に接続されてＦＥＴアレイをエネーブルできる。特に、エラストマー・コネクタ１７０の第１端はバックプレーン１４２に隣接して置かれ、それによってエラストマー導体１７４が接続パッド１４８に隣接して置かれる。次いで可撓ケーブルの第２端１２４がエラストマー・コネクタ１７０の第２端に隣接して置かれ、それによってエラストマー導体１７４が接続パッド１４０に隣接して置かれる。ハウジング１９２をケーブルの第２端１２４上部にかつ隣接して位置決めした後、ハウジング１９２はエラストマー・コネクタ１７０が圧縮され、それによってエラストマー導体１７４がケーブルの第２端の接続パッド１４０とバックプレーンの接続パッド１４８が電気的に接続されるようにバックプレーン１４２に固定される。
【００２６】
操作に際しては、オペレータがスライス数および各スライスの厚さを決定する。適切な構成情報がアレイ制御線に送られ、スイッチ装置６８がデコーダ７２を使用して構成される。Ｘ線ビーム１６が検出器モジュール２０に入射すると、選択された構成のデータがＤＡＳ３２に送られる。
【００２７】
以上に説明の半導体アレイによって、ＣＴシステムの回転毎に電気的に伝送するべきデータのスライス数を選択することが可能になる。さらに、半導体アレイにより、スライスの厚さを選択して様々なスライス分解能を出すことができる。その結果、検出器モジュールの構成を変更することにより検査の個別のニーズと要件に対応することができる。
【００２８】
本発明の様々な実施形態に関するこれまでの説明から、本発明の目的が達成されることは明らかである。以上に本発明を詳細に説明したが、それは例示にすぎず本発明はそれに制限されるものではない。したがって、本発明の精神および範囲は添付の請求の範囲の用語によってのみ制限される。
【図面の簡単な説明】
【図１】  ＣＴ画像形成システムの斜視図である。
【図２】  図１に示すシステムの概略ブロック図である。
【図３】  ＣＴシステム検出器アレイの斜視図である。
【図４】  図３に示す検出器モジュールの斜視図である。
【図５】  図４の検出器モジュールの４スライス・モードにおける様々な構成を示す図である。
【図６】  図４に示す検出器モジュールの上面図である。
【図７】  図６に示す検出器モジュールの一部側面図である。
【図８】  ハウジングを固定する前の検出器モジュールとデータ収集システムとの相互接続の斜視図である。
【図９】  図８に示す可撓ケーブル第２端の拡大上面図である。
【図１０】  バックプレーン接続パッドの拡大上面図である。
【図１１】  エラストマー・コネクタの絶縁材部分を取り除いた斜視図である。
【図１２】  コネクタをバックプレーンに固定するためのハウジングの斜視図である。
【図１３】  図４に示す検出器モジュールの一部側面図である。
【符号の説明】
５２  半導体アレイ
５６  シンチレータ・アレイ
６０  フォトダイオード
６８  スイッチ装置
７２  デコーダ
７６  フォトダイオードの出力線
８０  半導体スイッチ
８２  半導体スイッチ
８４  ケーブル
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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