(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
第1の波長の光に対する表面の正反射率が３０％以上９５％以下の範囲内の基体上に、該第１の波長の光に対する単位層厚あたりの光透過率が５０％以上の下引層と、該第1の波長とは異なる第２の波長の光に対して吸収を有する感光層と、を少なくとも積層してなる像保持体と、
前記像保持体を帯電する帯電手段と、
前記帯電手段によって帯電された前記像保持体を前記第２の波長領域内の波長の光で露光することにより該像保持体上に静電潜像を形成する潜像形成手段と、
前記静電潜像をトナーによって現像し、該像保持体上に該静電潜像に応じたトナー像を形成する現像手段と、
前記第1の波長の光を前記像保持体へ照射する照射手段と、該照射手段から照射された光の前記基体から正反射した反射光を検出する検出手段と、を含み、該検出手段によって検出された反射光に基づいて、前記像保持体上に形成されたトナー像の濃度を測定する測定手段と、
所定濃度の画像に応じた静電潜像を形成するように前記潜像形成手段を制御すると共に、該静電潜像が前記現像手段によって現像されることにより形成されたトナー像の前記測定手段による測定結果が前記所定濃度となるように、該測定手段による測定結果に基づいて、前記帯電手段による前記像保持体の帯電電位、前記潜像形成手段による前記像保持体の露光量、前記現像手段による前記トナーの現像電位の少なくとも１つを制御する制御手段と、
を備えたことを特徴とする画像形成装置。
【請求項２】
前記下引層が、下記式１の関係を満たすことを特徴とする請求項１に記載の画像形成装置。
式１    Ｙ＞Ｘ／４．５
（式１中、Ｘは前記第１の波長の光に対する前記下引層の単位層厚あたりの光透過率（％）を、Ｙは、前記下引層の層厚（μｍ）を、それぞれ表す。）
【請求項３】
前記下引層が、フィラーを含有することを特徴とする請求項１または請求項２に記載の画像形成装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、画像形成装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、カラーや白黒の画像を形成する複写機やプリンタなどの画像形成装置として、電子写真方式を用いた画像形成装置が知られている。
このような画像形成装置において、環境の変化、経時変化、及び使用状況の変化等により、画像濃度に変動やばらつきが生じる場合がある。そこで、画像濃度の変動を調整するために、画像形成装置に濃度センサを設けて濃度調整を行う技術が知られており、この濃度センサによる濃度検知の精度低下を抑制する技術が知られている（例えば、特許文献１、特許文献２、及び特許文献３参照）。
【０００３】
例えば、特許文献１の技術によれば、導電性支持体上に結着樹脂と粒子とからなる下引層と、感光層とを有する電子写真感光体を用い、この電子写真感光体の表面の、特定波長領域（８００ｎｍ〜１３００ｎｍ）のいずれかの波長の光に対する乱反射率を５０％〜６５％に調整している。これによって、濃度センサによって検知される、濃度制御の基準となる電子写真感光体表面の濃度を中間濃度とし、この中間濃度を基準として濃度センサの校正を行うことで、濃度センサによる濃度検知の精度低下を抑制している。
【０００４】
また、特許文献２の技術によれば、電子写真感光体を複数有した構成の画像形成装置において、この複数の電子写真感光体の内の少なくとも１つを、光赤外線領域に光吸収域を有する光感応性色素を含んだ構成としている。具体的には、電子写真感光体の電荷輸送層、電荷発生層、導電層、及び下引層の内の少なくとも１層に該光感応性色素を含んだ構成としている。特許文献２における濃度センサでは、電子写真感光体へ照射した赤外光の反射光に基づいて濃度検知を行っているが、電子写真感光体が光感応性色素を含んだ構成であるので、濃度センサから照射される光の反射光は中間階調の濃度となる。このため、この中間階調の濃度を基準として濃度センサの校正を行うことで、濃度センサによる濃度検知の精度低下を抑制している。
【０００５】
特許文献３の技術によれば、画像形成装置において、転写ローラに転写された濃度検知用パターンの濃度を濃度検出装置によって検出し、この転写ローラの色を記録媒体の色に近い白色とするとともに、この転写ローラ上の濃度検知パターンの濃度を検知することによって、高精度な濃度制御を可能としている。
【０００６】
【特許文献１】特開２００３−２１９１９号公報
【特許文献２】特開２００３−３２２９８５号公報
【特許文献３】特開平８−４４１２２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかしながら、上記特許文献１〜特許文献３の技術では、トナー像の形成されていない領域の濃度を中間階調または最終的に転写する記録媒体の濃度に近い濃度とすることによって、濃度検知精度を向上させているが、経時変化や環境変動等による、測定対象となるトナー像の形成された電子写真用感光体表面や転写ローラ表面の摩耗によって、濃度センサによる検出精度が低下する懸念があった。
本発明は、像保持体上のトナー像濃度の検知精度低下を抑制し、画質劣化を抑制可能な画像形成装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
請求項１に記載の発明は、第1の波長の光に対する表面の正反射率が３０％以上９５％以下の範囲内の基体上に、該第１の波長の光に対する単位層厚あたりの光透過率が５０％以上の下引層と、該第1の波長とは異なる第２の波長の光に対して吸収を有する感光層と、を少なくとも積層してなる像保持体と、前記像保持体を帯電する帯電手段と、前記帯電手段によって帯電された前記像保持体を前記第２の波長領域内の波長の光で露光することにより該像保持体上に静電潜像を形成する潜像形成手段と、前記静電潜像をトナーによって現像し、該像保持体上に該静電潜像に応じたトナー像を形成する現像手段と、前記第1の波長の光を前記像保持体へ照射する照射手段と、該照射手段から照射された光の前記基体から正反射した反射光を検出する検出手段と、を含み、該検出手段によって検出された反射光に基づいて、前記像保持体上に形成されたトナー像の濃度を測定する測定手段と、所定濃度の画像に応じた静電潜像を形成するように前記潜像形成手段を制御すると共に、該静電潜像が前記現像手段によって現像されることにより形成されたトナー像の前記測定手段による測定結果が前記所定濃度となるように、該測定手段による測定結果に基づいて、前記帯電手段による前記像保持体の帯電電位、前記潜像形成手段による前記像保持体の露光量、前記現像手段による前記トナーの現像電位の少なくとも１つを制御する制御手段と、を備えたことを特徴とする画像形成装置である。
【０００９】
請求項２に記載の発明は、前記下引層が、下記式１の関係を満たすことを特徴とする請求項１に記載の画像形成装置である。
【００１０】
式１    Ｙ＞Ｘ／４．５
【００１１】
上記式１中、Ｘは前記第１の波長領域内の波長の光に対する前記下引層の単位層厚あたりの光透過率（％）を、Ｙは、前記下引層の層厚（μｍ）を、それぞれ表す。
【００１２】
請求項３に記載の発明は、前記下引層が、フィラーを含有することを特徴とする請求項１または請求項２に記載の画像形成装置である。
【発明の効果】
【００１３】
請求項１に係る発明によれば、像保持体上のトナー像濃度の検知精度低下を抑制し、画質劣化を抑制可能な画像形成装置を提供するという効果を奏する。
【００１４】
請求項２に係る発明によれば、照射手段から照射される第１の波長の光に対する下引層の光透過率を容易に調整するという効果を奏する。
【００１５】
請求項３に係る発明によれば、下引層の、照射手段から照射される第１の波長の光に対する下引層の光透過率を容易に調整するという効果を奏する。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１６】
以下、本発明の画像形成装置の一の実施の形態を説明する。
【００１７】
本実施の形態の画像形成装置１０は、図１に示すように、感光体１２を備えている。感光体１２は、所定方向（図１中、矢印Ａ方向）に回転可能に設けられている。この感光体１２の周囲には、感光体１２の回転方向（図１中、矢印Ａ方向）に沿って、帯電装置１４、露光装置１８、現像装置２０、濃度測定装置２２、転写装置２４、クリーニング装置２６、及び除電器２８が順に配置されている。
【００１８】
なお、本実施の形態の画像形成装置１０が本発明の画像形成装置に相当し、帯電装置１４が本発明の画像形成装置の帯電手段に相当し、感光体１２が本発明の画像形成装置の像保持体に相当する。また、本実施の形態の露光装置１８が本発明の画像形成装置の潜像形成手段に相当し、現像装置２０が現像手段に相当し、濃度測定装置２２が測定手段に相当する。
【００１９】
感光体１２は、詳細構成については後述するが、図３に示すように、少なくとも導電性基体７上に、下引層２と、感光層３と、を少なくとも積層して構成されている。感光体１２の構成については、詳細を後述するが、感光体１２の導電性基体７では、予め定められた第１の波長の光に対する表面の正反射率が30％以上95％以下の範囲内となるように構成されている。
【００２０】
また、下引層２は、この第１の波長の光に対する単位層厚あたりの光透過率が５０％以上となるように調整されている。またさらに、感光層３は、この第１の波長の光に対しては吸収を有さず、且つ、この第１の波長とは異なる第２の波長の光に対して吸収を有している。
【００２１】
なお、本実施の形態において、「吸収を有する」とは、特定の波長（本実施の形態では第1の波長または第２の波長）の光が照射された時の吸光度が最大吸収波長の吸光度の１／１０以上であることを示している。
同様に、本実施の形態において、「吸収を有さない」とは、特定の波長（本実施の形態では第１の波長または第２の波長）の光が照射された時の吸光度が最大吸収波長の吸光度の１／１０未満であることを示している。
【００２２】
なお、本実施の形態において、吸光度は、分光光度計にて、測定対象となる波長の光を照射することによって測定した値である。
【００２３】
帯電装置１４は、感光体１２の表面を所定の帯電電位に帯電させる。帯電装置１４は、帯電器１４Ｂ及び電源１４Ａを含んで構成されている。帯電器１４Ｂは、電源１４Ａに電気的に接続されており、電源１４Ａから供給された電力に応じた帯電電位に感光体１２表面を帯電させる。
【００２４】
帯電器１４Ｂとしては、公知の帯電器を使用することができる。接触方式である場合には、ロール、ブラシ、磁気ブラシ、ブレード等が使用でき、非接触の場合には、コロトロン、スコロトロン等が使用できる。
【００２５】
接触帯電方式は、感光体１２表面に接触させた導電性部材に電圧を印加することにより感光体表面を帯電させるものである。導電性部材の形状はブラシ状、ブレード状、ピン電極状、あるいはローラー状等何れでもよいが、特にローラー状部材が好ましい。通常、ローラー状部材は外側から抵抗層とそれらを支持する弾性層と芯材から構成される。さらに必要に応じて抵抗層の外側に保護層を設けることができる。
【００２６】
導電性部材を用いて感光体１２を帯電させる方法としては、導電性部材に電圧を印加するが、印加電圧は直流電圧、あるいは直流電圧に交流電圧を重畳したものが好ましい。電圧の範囲としては、直流電圧は要求される感光体帯電電位に応じて正または負の５０Ｖ以上２０００Ｖ以下が好ましく、特に１００Ｖ以上１５００Ｖ以下が好ましい。交流電圧を重畳する場合は、ピーク間電圧が４００Ｖ以上１８００Ｖ以下、好ましくは８００Ｖ以上１６００Ｖ以下、さらに好ましくは１２００Ｖ以上１６００Ｖ以下が好ましい。交流電圧の周波数は５０Ｈｚ以上２０，０００Ｈｚ以下、好ましくは１００Ｈｚ以上５，０００Ｈｚ以下である。
【００２７】
露光装置１８は、帯電装置１４によって帯電された感光体１２へ、この感光体１２の感光層が吸収を有する波長の光を露光することによって、感光体１２上に、画像形成装置１０で形成する対象となる画像の画像データに応じた静電潜像を形成する。
【００２８】
なお、本実施の形態では、概要を上記で説明したように、感光体１２の感光層３は第２の波長の光に対して吸収を有することから、露光装置１８は、この第２の波長の光を感光体１２へ露光することによって、静電潜像を形成する。
【００２９】
露光装置１８としては、上記第２の波長の光を感光体１２へ露光することができれば、公知の露光装置を使用することができる。露光装置１８としては、例えば、半導体レーザー、ＬＥＤ（ｌｉｇｈｔ  ｅｍｉｔｔｉｎｇ  ｄｉｏｄｅ）、液晶シャッター等の光源を所望の像様に露光できる光学系装置等を用いることができる。これらの中でも、非干渉光を露光可能な露光装置１８を用いると、感光体１２の導電性基体７と感光層３との間での干渉縞を防止することができる。
【００３０】
露光装置１８から感光体１２表面を露光するための光源としては、感光体１２が吸収を有する上記第１の波長の光を照射可能な光源であればよく、この感光体１２の感光層３の構成等によって選択される。例えば、光源としては、半導体レーザーや、マルチビーム出力の可能な面発光型のレーザー光源等が用いられる。
【００３１】
現像装置２０は、静電潜像をトナー（詳細後述）により現像して、感光体１２上に生鮮潜像に応じたトナー像を形成する。
【００３２】
この現像装置２０は、貯留されたトナーを担持すると共に、担持したトナーを感光体１２表面へ供給するための現像ロール２０Ｂと、この現像ロール２０Ｂに現像バイアス電圧を印加するための現像バイアス電圧印加部２０Ａと、を含んで構成されている。
【００３３】
現像装置２０としては、公知の現像装置２０を使用することができる。現像法としては、キャリアとトナーからなる二成分現像法、またはトナーのみからなる一成分現像法、またこれらの現像法においてさらに現像その他の特性改善のために別の構成物質が添加される場合もある全ての現像方法が使用できる。
【００３４】
濃度測定装置２２は、感光体１２上に形成されたトナー像の濃度を検知する。
この「トナー像の濃度」とは、単位面積あたりのトナーの現像量（感光体１２に担持されている単位面積あたりのトナーの量）を示している。すなわち、単位面積あたりのトナー量が多くなるほど、トナー像の濃度は高濃度として検知される。
【００３５】
この濃度測定装置２２は、図１に示すように、現像装置２０の設けられている位置より、感光体１２の回転方向（図１中、矢印Ａ方向）下流側で、且つ転写装置２４の設けられている位置より感光体１２の回転方向上流側に設けられ、感光体１２上に担持されたトナー像の濃度を検知可能な位置に設けられている。
【００３６】
濃度測定装置２２は、図２に示すように、感光体１２上に光を照射するための発光素子２２Ａと、発光素子２２Ａから照射された光の反射光の強度を検出するための受光素子２２Ｂと、演算部２２Ｃと、を含んで構成されている。
【００３７】
なお、濃度測定装置２２が本発明の画像形成装置の測定手段に相当し、発光素子２２Ａが照射手段に相当し、受光素子２２Ｂが検出手段に相当する。
【００３８】
発光素子２２Ａは、感光体１２の感光層３が吸収を有さない波長であり、且つ、下引層２が５０％以上の光透過率を示す波長である、上記第１の波長の光を感光体１２へと照射可能な構成であればよく、公知の光源や、該光源に指向性をあげるためのレンズを組み合わせたもの等を使用することができる。
【００３９】
受光素子２２Ｂとしては、前記発光素子２２Ａから照射される波長の光（本実施の形態では、上記第１の波長の光）に吸収を有し、かつ十分な光電流を発生させることが可能な構成であればよく、公知の光電素子、例えば、フォトダイオードあるいはフォトトランジスタ等を使用することができる。
【００４０】
演算部２２Ｃは、受光素子２２Ｂに信号授受可能に接続されており、受光素子２２Ｂによって検出された反射光の強度に基づいてトナー濃度を演算する。
【００４１】
ここで、発光素子２２Ａから照射された光の、感光体１２上に担持されたトナー４０による反射光の強度と、感光体１２上のトナー４０の担持されていない領域による反射光の強度と、は、異なる値を示す。また、感光体１２上に担持されている単位面積あたりのトナー量が異なると、この担持されている単位面積あたりのトナー量に応じて、発光素子２２Ａから照射された光の反射光の強度は異なる値を示す。
【００４２】
このため、演算部２２Ｃでは、感光体１２上のトナー４０の担持されていない領域による反射光の強度の受光素子２２Ｂによる測定結果を基準反射強度として予め記憶しておき、この基準反射強度と、感光体１２上にトナー像が形成されたときに受光素子２２Ｂによって検出された反射光の強度との差に基づいて、トナー像の濃度を演算する。
【００４３】
このトナー像の濃度の演算は、例えば、予め記憶した基準反射強度と、受光素子２２Ｂによって検出された反射光の強度の単位面積あたりの強度と、の差を示す差分情報に対応づけてトナー濃度を示す濃度情報を予め記憶しておいて、受光素子２２Ｂによって検出された反射光の強度の単位面積あたりの強度と基準反射強度との差の差分情報に対応する濃度情報を読み取ることによって、トナー濃度を求めればよい。なお、トナー濃度の演算方法はこのようは方法に限られず、予め基準反射強度と、基準反射強度との差分情報と、に基づいてトナー濃度を算出するための算出式を記憶しておいて、この算出式に基づいて演算するようにしてもよい。
【００４４】
このように、濃度測定装置２２は、感光体１２へ、感光体１２の感光層３が吸収を有さず且つ下引層が単位層厚あたり５０％以上の光透過率を示す波長である上記第１の波長の光を照射した反射光の強度に基づいて、感光体１２上に担持されたトナー像の濃度を測定可能に構成されている。
【００４５】
転写装置２４は、感光体１２上のトナー像を記録媒体２７に転写する。
転写装置２４は、感光体１２との間で記録媒体２７を挟持搬送すると共に感光体１２上のトナー像を記録媒体２７側へ移行（転写）させるための電界を形成するための転写ロール２４Ｂと、この転写ロール２４Ｂに転写バイアス電圧を印加するための転写バイアス電圧印加部２４Ａと、を含んで構成されている。
【００４６】
転写装置２４としては、公知の転写装置を使用することができる。例えば、接触方式である場合は、ロール、ブラシ、ブレード等が使用でき、非接触方式の場合は、コロトロン、スコロトロン、ピンコロトロン等が使用できる。また、圧力、若しくは圧力及び熱による転写も可能である。
【００４７】
図示を省略する記録媒体供給部に貯留された記録媒体２７が、図示を省略する搬送ロール等によって搬送されることで、感光体１２と転写装置２４との向かい合う領域に搬送され、この感光体１２と転写装置２４とによって挟持搬送されることで、感光体１２上のトナー像は記録媒体２７へ転写される。
【００４８】
なお、本実施の形態では、感光体１２と転写装置２４との間に記録媒体２７を挟持搬送することによってトナー像を記録媒体２７へ転写する場合を説明するが、画像形成装置１０はこのような形態に限られず、感光体１２に形成されたトナー像を中間転写ベルト等の中間転写体（図示省略）へ転写した後に、この中間転写体上に転写されたトナー像を記録媒体２７に転写するようにしてもよい。
【００４９】
この中間転写体としては、従来公知の導電性熱可塑性樹脂を用いることができる。例えば、導電剤含有のポリイミド樹脂、ポリカーボネート樹脂（ＰＣ）、ポリフッ化ビニリデン（ＰＶＤＦ）、ポリアルキレンテレフタレート（ＰＡＴ）、エチレンテトラフルオロエチレン共重合体（ＥＴＦＥ）／ＰＣ、ＥＴＦＥ／ＰＡＴ、ＰＣ／ＰＡＴのブレンド材料等の導電性熱可塑性樹脂が挙げられる。この中でも、機械強度に優れる点で、導電剤を分散させたポリイミド樹脂を用いるのが好ましい。導電剤としては、カーボンブラック、金属酸化物、ポリアニリン等の導電性ポリマーを用いることができる。また、中間転写体は表面層を有していても良い。
【００５０】
クリーニング装置２６は、トナー像を記録媒体２７へ転写した後の感光体１２上に残存するトナーや紙粉等の異物を除去する。クリーニング装置２６は、クリーニング部材として磁気ブラシ、導電性ファイバーブラシ、ブレードなどを有することが好ましい。
【００５１】
除電器（イレーズ装置）２８は、感光体１２の残存電荷を消去する。
【００５２】
担持したトナー像を転写装置２４によって記録媒体２７へ転写され、さらにクリーニング装置２６によって表面の異物を除去された感光体１２は、回転方向（図１中、矢印Ａ方向）の回転によって除電器２８によって残存電荷を消去された後に、再び、帯電装置１４によって帯電される。
【００５３】
また、画像形成装置１０は、記録媒体２７に転写されたトナー像を記録媒体２７上に定着する定着装置３０を備えている。この定着装置３０としては公知の定着手段が使用できる。
【００５４】
転写装置２４によってトナー像を転写された記録媒体２７は、図示を省略する搬送ロール等によって定着装置３０まで搬送されると、定着装置３０によって記録媒体２７上のトナー像を定着されて、記録媒体２７上に画像の形成された状態となる。この画像の形成された記録媒体２７は、図示を省略する搬送ロール等によって画像形成装置１０の外部へと搬送される。
【００５５】
ここで、本実施の形態の画像形成装置１０に設けられている感光体１２について、詳細を説明する。
【００５６】
感光体１２は、上記説明したように、濃度測定装置２２の発光素子２２Ａから照射される第１の波長の光に対する表面の正反射率が、30％以上95％以下の範囲内である導電性基体７上に、この発光素子２２Ａから照射されるこの第１の波長の光に対する単位層厚あたりの光透過率が５０％以上である下引層２と、この第１の波長の光に対しては吸収を有さず且つ該第１の波長とは異なり上記露光装置１８から照射される上記第２の波長の光に対して吸収を有する感光層３と、を少なくとも積層して構成されている。
【００５７】
導電性基体７の、濃度測定装置２２の発光素子２２Ａから照射される第１の波長の光に対する表面の正反射率は、上述のように、30％以上95％以下の範囲内であり、35％以上90％以下の範囲内であることが更に好ましく、40％以上85％以下の範囲内であることが特に好ましい。
【００５８】
導電性基体７の、濃度測定装置２２の発光素子２２Ａから照射される第１の波長の光に対する表面の正反射率が30％未満であると、濃度測定装置２２の受光素子２２Ｂへ濃度検知可能な程度の強度の反射光が入射されないため、トナー濃度の測定精度の低下が生じる場合がある。
また、導電性基体７の、濃度測定装置２２の発光素子２２Ａから照射される第１の波長の光に対する表面の正反射率が95％を超えると、濃度測定装置２２の受光素子２２Ｂへ濃度検知不可能な程度の強い強度の反射光が入射されるため、トナー濃度の測定精度の低下が生じる場合がある。
【００５９】
なお、本実施の形態において、導電性基体７の、濃度測定装置２２の発光素子２２Ａから照射される第１の波長の光に対する表面の正反射率は、該導電性基体７に、カラーアナライザー６０７型（日立製作所（株）製）によって、測定対象の第１の波長を照射して、該第１の波長における全反射率及び拡散反射率各々を測定し、全反射率から拡散反射率を減算した差を求めて正反射率（％）とした。
【００６０】
導電性基体７に積層されている下引層２は、上述のように、濃度測定装置２２の発光素子２２Ａから照射される第１の波長の光に対する光透過率が５０％以上であり、５０％以上95％以下であることが好ましく、60％以上95％以下の範囲内であることが更に好ましく、70％以上95％以下の範囲内であることが特に好ましい。
【００６１】
下引層２の、濃度測定装置２２の発光素子２２Ａから照射される第１の波長の光に対する単位層厚あたりの光透過率が５０％未満であると、濃度測定装置２２の受光素子２２Ｂへ濃度検知可能な程度の強度の反射光が入射されないため、トナー濃度の測定精度の低下という問題が生じる場合があり、95％を超えると濃度測定装置２２の受光素子２２Ｂへ濃度検知不可能な程度の強い強度の反射光が入射されるため、トナー濃度の測定精度の低下と言う問題が生じる場合がある。
【００６２】
なお、本実施の形態において、光透過率とは、厚み方向（積層方向）における光の透過率を示し、日立ハイテクノロジーズ社製の分光光度計（商品名:Ｕ−４０００）にて測定することができる。
【００６３】
また、下引層２は更に、下記式１で示される関係を示すことが好ましい。
【００６４】
式１    Ｙ＞Ｘ／４．５
【００６５】
上記式１中、Ｘは、上記第１の波長領域内の波長の光に対する下引層２の単位層厚当たりの光透過率（％）を示し、Ｙは、下引層２の層厚（μｍ）を、それぞれ表している。
【００６６】
下引層２が、上記式１の関係を満たすと、感光体１２全体の第１の波長の光に対する反射率を、濃度測定装置２２の受光素子２２Ｂへ濃度検知がトナー濃度の測定精度の低下を引き起こさない程度の反射率となるように調整することができるので、下引層２の層厚を調整することによって感光体１２全体の第１の波長の光に対する反射率を容易に調整することが可能となる。
【００６７】
感光層３は、濃度測定装置２２の発光素子２２Ａから照射される第１の波長の光に対しては吸収を有さず、上記露光装置１８から照射される該第１の波長の光とは異なる第２の波長の光に対して吸収を有している。
【００６８】
なお、感光体１２全体における、濃度測定装置２２の発光素子２２Ａから照射される第１の波長の光に対する正反射率は、30％以下の範囲内であることが好ましく、25％以下の範囲内であることが更に好ましく、20％以下の範囲内であることが特に好ましい。
感光体１２における第１の波長の光に対する正反射率は、上記導電性基体７と同様にして測定することができ、この正反射率を上記範囲内とすることで、トナー濃度の測定が高精度で行えるという効果が得られる。
【００６９】
このように、本実施の形態で用いる感光体１２は、濃度測定装置２２の発光素子２２Ａから照射される第１の波長の光に対する表面の正反射率が30％以上95％以下の範囲内である導電性基体７上に、この発光素子２２Ａから照射されるこの第１の波長の光に対する光透過率が５０％以上である下引層２と、この第１の波長の光に対しては吸収を有さず且つ該第１の波長とは異なり上記露光装置１８から照射される上記第２の波長の光に対して吸収を有する感光層３と、を少なくとも積層して構成されている。
【００７０】
このため、濃度測定装置２２によって感光体１２に担持されたトナー像の濃度が測定されるときには、濃度測定装置２２の発光素子２２Ａから照射された第１の波長の光は、該第１の波長の光に対して吸収を有さない感光体１２、及び該第１の波長の光に対して５０％以上の透過率を示す下引層２を介して導電性基体７に到る。この導電性基体７は、濃度測定装置２２の発光素子２２Ａから照射される第１の波長の光に対する表面の正反射率が、上述のように30％以上95％以下の範囲内であるので、導電性基体７に到達した第１の波長の光の反射光は、該導電性基体７より表面側に設けられた複数の層（感光層３や下引層２等）を介して濃度測定装置２２の受光素子２２Ｂに到る。
【００７１】
そして、濃度測定装置２２では、この受光素子２２Ｂによって受光した反射光の強度を検知結果に基づいて、感光体１２上のトナー像の濃度を演算部２２Ｃにおいて求める。
【００７２】
このように、発光素子２２Ａの発光素子２２Ａでは、感光体１２の感光層３が吸収を有さず且つ下引層２の光透過率が５０％以上であり更に導電性基体７による正反射率が上記範囲内である波長である第１の波長の光を感光体１２へ向けて照射し、濃度測定装置２２の発光素子２２Ａから感光体１２へ向かって照射された第１の波長の光は、感光体１２を構成する上記構成の感光層３、及び上記構成の下引層２を介して、上記構成の導電性基体７へ到り、この導電性基体７から下引層２及び感光層３等の各層を介して、濃度測定装置２２の受光素子２２Ｂへ到る。
【００７３】
このため、濃度測定装置２２の受光素子２２Ｂでは、感光体１２の摩耗等による表面状態の変化や、感光層３による光の吸収や、下引層２の光透過特性に影響をうけず、高精度で安定した強度の反射光を受光することができる。
【００７４】
以下に、上記特性を満たす感光体１２の構成の詳細を説明する。
【００７５】
感光体１２は、上記説明したように、導電性基体７上に、下引層２、感光層３が積層された構成であり、且つ上記特性を満たせばどのような構成であってもよいが、例えば、図３に示すように、導電性基体７上に下引層２、中間層４、感光層３及び保護層５が順次積層された構造を有している。なお、図３に示す感光体１２は機能分離型の感光体であり、感光層３は電荷発生層３１と電荷輸送層３２とから構成されている。
【００７６】
導電性基体７としては、アルミニウム・銅・鉄・ステンレス・亜鉛・ニッケルなどの金属ドラムとしてもよいし、シート・紙・プラスチック又はガラス上にアルミニウム・銅・金・銀・白金・パラジウム・チタン・ニッケル−クロム・ステンレス鋼・銅・インジウム等の金属を蒸着したり、酸化インジウム・酸化錫などの導電性金属化合物を蒸着したものとしてもよいし、金属箔をラミネートしたり、或いは、カーボンブラック・酸化インジウム・酸化錫・酸化アンチモン粉・金属粉・沃化銅等を結着樹脂に分散し、塗布することによって導電処理したもの等が用いられる。
【００７７】
また、導電性基体７の形状はドラム状に限られず、シート状、プレート状としてもよい。尚、導電性基体７を金属パイプとした場合、表面は素管のままであってもよいし、事前に鏡面切削、エッチング、陽極酸化、粗切削、センタレス研削、サンドブラスト、ウェットホーニングなどの処理が行われていてもよい。
【００７８】
この導電性基体７を、上述のように濃度測定装置２２の発光素子２２Ａから照射される第１の波長の光に対する表面の正反射率が30％以上95％以下の範囲内となるように調整するには、下記処理を行えばよい。
この処理とは、精密切削処理、ホーニング処理、サンドブラスト処理、化学処理などによる表面処理である。
【００７９】
この下引層２は、上記説明した条件を満たせば、どのような構成であってもよいが、
導電性あるいは半導電性確保、干渉縞抑制の理由から、フィラーを含有させることが好ましい。
【００８０】
下引層２の透過率が５０％以上となれば、フィラー含有量は特に限定されないが、下引層２中のフィラーの含有量は、５体積％以上７０体積％以下であることが好ましく、５体積％以上６０体積％以下であることが更に好ましい。
下引層２中のフィラーの含有量が５体積％未満であると、画質欠陥としてモアレ故障が発生しやすくなる場合があり、また、７０体積％を超えると、成膜性が低下し剥がれやクラックが発生しやすくなると言う問題が生じる場合がある。このようなフィラーとしては、樹脂粒子や金属酸化物粒子が挙げられるが、フィラーとして金属酸化物粒子を用いた場合には、層厚を厚くしても電気抵抗が上昇することを抑え、感光体１２の繰り返し使用による電気的特性の悪化を防止すると共に、同時に下引層２中の樹脂比率を低減することにより短波長の光の露光に対してダメージを受けにくい構成とすることができる。
【００８１】
上記金属酸化物粒子としては、１０2Ω・ｃｍ以上１０11Ω・ｃｍ以下程度の粉体抵抗が必要である。その理由は、下引層２はリーク耐性獲得のために適切な抵抗を得ることが必要でるためである。中でも上記抵抗値を有する酸化チタン、酸化亜鉛、酸化錫及び酸化ジルコニウムから選択される少なくとも１種の金属酸化物粒子を用いることが、長期繰り返し使用時における電気特性、画質の安定性の点で好ましい。特にこれらの中では酸化亜鉛が好ましく用いられる。
【００８２】
尚、上記範囲の下限よりも金属酸化物粒子の抵抗値が低いと十分なリーク耐性が得られず、この範囲の上限よりも高いと残留電位上昇を引き起こしてしまう懸念がある。また、金属酸化物粒子は表面処理の異なるものあるいは粒子径の異なるものなど２種以上混合して用いることもできる。また、金属酸化物粒子としては、比表面積が１０ｍ2／ｇ以上のものが好ましく用いられる。比表面積値が１０ｍ2／ｇ以下のものは帯電性低下を招きやすく、良好な電子写真特性を得にくい欠点がある。
また、金属酸化物粒子の体積平均粒径は５０ｎｍ以上２００ｎｍ以下の範囲であることが好ましい。
【００８３】
上記金属酸化物粒子には表面処理を施すことができる。表面処理剤としては、シランカップリング剤、チタネート系カップリング剤、アルミニウム系カップリング剤、界面活性材など所望の特性が得られるものであれば公知の材料から選択することができる。特にシランカップリング剤は、良好な電子写真特性を与えるため好ましく用いられる。さらにアミノ基を有するシランカップリング剤、不飽和基を持つシランカップリング剤は、下引層に良好なブロッキング性を与えるだけでなく、照射される光に対する金属酸化物粒子の変質を抑制する等の観点から好ましく用いられる。
【００８４】
アミノ基を有するシランカップリング剤としては、所望の感光体特性を得られるものであればいかなるものでも用いることができるが、具体的例としては、γ−アミノプロピルトリエトキシシラン、Ｎ−β−（アミノエチル）−γ−アミノプロピルトリメトキシシラン、Ｎ−β−（アミノエチル）−γ−アミノプロピルメチルメトキシシラン、Ｎ，Ｎ−ビス（β−ヒドロキシエチル）−γ−アミノプロピルトリエトキシシランなどが挙げられるが、これらに限定されるものではない。また、シランカップリング剤は２種以上混合して使用することもできる。前記アミノ基を有するシランカップリング剤と併用して用いることができるシランカップリング剤の例としてはビニルトリメトキシシラン、γ−メタクリルオキシプロピル−トリス（β−メトキシエトキシ）シラン、β−（３，４−エポキシシクロヘキシル）エチルトリメトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、ビニルトリアセトキシシラン、γ−メルカプトプロピルトリメトキシシラン、γ−アミノプロピルトリエトキシシラン、Ｎ−β−（アミノエチル）−γ−アミノプロピルトリメトキシシラン、Ｎ−β−（アミノエチル）−γ−アミノプロピルメチルメトキシシラン、Ｎ，Ｎ−ビス（β−ヒドロキシエチル）−γ−アミノプロピルトリエトキシシラン、γ−クロルプロピルトリメトキシシランなどが挙げられるが、これらに限定されるものではない。
【００８５】
また、不飽和基を持つシランカップリング剤としてはビニルトリメトキシシラン、ビニルトリエトキシシラン、γ−メタクリロキシプロピルメチルジメトキシシラン、γ−メタクリロキシプロピルトリエトキシシラン、γ−メタクリロキシプロピルトリメトキシシランなどが挙げられるが、これらに限定されるものではない。
【００８６】
表面処理方法は、公知の方法であればいかなる方法でも使用可能であるが、乾式法あるいは湿式法を用いることができる。
乾式法にて表面処理を施す場合には、金属酸化物粒子をせん断力の大きなミキサ等で攪拌しながら、直接あるいは有機溶媒に溶解させたシランカップリング剤を滴下、乾燥空気や窒素ガスとともに噴霧させることによって均一に処理される。添加あるいは噴霧する際には溶剤の沸点以下の温度で行われることが好ましい。溶剤の沸点以上の温度で噴霧すると、均一に攪拌される前に溶剤が蒸発し、シランカップリング剤が局部的にかたまってしまい均一な処理ができにくい欠点があり、好ましくない。添加あるいは噴霧した後、さらに１００℃以上で焼き付けを行うことができる。焼き付けは所望の電子写真特性が得られる温度、時間であれば任意の範囲で実施できる。
【００８７】
湿式法としては、金属酸化物粒子を溶剤中で攪拌、超音波、サンドミルやアトライター、ボールミルなどを用いて分散し、シランカップリング剤溶液を添加し攪拌あるいは分散したのち、溶剤除去することで均一に処理される。溶剤除去方法はろ過あるいは蒸留により留去される。溶剤除去後にはさらに１００℃以上で焼き付けを行うことができる。焼き付けは所望の電子写真特性が得られる温度、時間であれば任意の範囲で実施できる。湿式法においては表面処理剤を添加する前に金属酸化物粒子含有水分を除去することもでき、その例として表面処理に用いる溶剤中で攪拌加熱しながら除去する方法、溶剤と共沸させて除去する方法を用いることもできる。
【００８８】
下引層２中の金属酸化物粒子に対するシランカップリング剤の量は、所望の電子写真特性が得られる量であれば任意に設定できる。
【００８９】
また、下引層２は前記金属酸化物粒子と該金属酸化物粒子と反応可能な基を有するアクセプター性化合物とを含有させて形成されることが好ましい。
上記金属酸化物粒子を介して下引層２中にアクセプター性化合物を含ませることにより、下引層２中での、導電性基体７と電荷発生層３１との電荷の授受を効率的なものとし、高画質、高速対応の画像形成に対しても長期に渡って使用できる。
【００９０】
アクセプター性化合物としては所望の特性が得られる金属酸化物粒子と反応可能な基を有するものならばいかなるものでも使用可能であるが、特に水酸基を有する化合物が好ましく用いられる。さらに水酸基を有するアントラキノン構造を有するアクセプター性化合物が好ましく用いられる。水酸基を有するアントラキノン構造を有する化合物としては、ヒドロキシアントラキノン系化合物、アミノヒドロキシアントラキノン系化合物などがあげられ、いずれも好ましく用いることができる。さらに具体的にはアリザリン、キニザリン、アントラルフィン、プルプリン、１―ヒドロキシアントラキノン、２―アミノ―３―ヒドロキシアントラキノン、１―アミノ―４―ヒドロキシアントラキノンなどが特に好ましく用いられる。
【００９１】
アクセプター性化合物の含有量は、所望の特性が得られる範囲であれば任意に設定できるが、好ましくは金属酸化物粒子に対して０．０１質量％以上２０質量％以下の範囲で用いられる。さらに好ましくは金属酸化物粒子に対して０．０５質量％以上１０質量％以下感光体１２の範囲で用いられる。０．０１質量％未満では下引層２内の電荷蓄積改善に寄与するだけの十分なアクセプター性を付与できないため、繰り返し使用時に残留電位の上昇など維持性の悪化を招きやすい。また２０質量％を超えると金属酸化物同士の凝集を引き起こしやすく、その為下引層形成時に下引層内で金属酸化物が良好な導電路を形成することができず、繰り返し使用時に残留電位の上昇など維持性の悪化を招きやすくなるだけでなく、黒点などの画質欠陥も引き起こしやすくなる。
【００９２】
これらのアクセプター性化合物の付与量は、所望の特性が得られる範囲であれば任意に設定できるが、好ましくは金属酸化物粒子に対して０．０１質量％以上２０質量％以下の範囲で付与される。さらに好ましくは金属酸化物粒子に対して０．０５質量％以上１０質量％以下の範囲で付与される。アクセプター性化合物の付与量が０．０１質量％未満では下引層２内の電荷蓄積低減に寄与するだけの十分なアクセプター性を付与できないため、繰り返し使用時に残留電位の上昇など維持性の悪化を招きやすい。
【００９３】
また２０質量％を超えると、金属酸化物同士の凝集を引き起こしやすく、その為下引層２形成時に下引層２内で金属酸化物が良好な導電路を形成することができず、繰り返し使用時に残留電位の上昇など維持性の悪化を招きやすくなるだけでなく、黒点などの画質欠陥も引き起こしやすくなる。
【００９４】
金属酸化物粒子へのアクセプター化合物の付与方法としては、金属酸化物粒子をせん断力の大きなミキサ等で攪拌しながら、有機溶媒に溶解させたアクセプター化合物を滴下、乾燥空気や窒素ガスとともに噴霧させることによって均一に付与される。
アクセプター化合物を添加あるいは噴霧する際には溶剤の沸点以下の温度で行われることが好ましく、溶剤の沸点以上の温度で噴霧すると、均一に攪拌される前に溶剤が蒸発し、アクセプター化合物が局部的にかたまってしまい均一な処理ができにくい欠点があるため好ましくない。添加あるいは噴霧した後、さらに溶剤の沸点温度以上で乾燥を行うことができる。また、金属酸化物粒子を溶剤中で攪拌、超音波、サンドミルやアトライター、ボールミルなどを用いて分散し、アクセプター化合物の有機溶剤溶液を添加し、還流あるいは有機溶剤の沸点以下で攪拌あるいは分散したのち、溶剤除去することで均一に付与される。また、溶剤除去方法はろ過あるいは蒸留、加熱乾燥により留去される。
【００９５】
下引層２に用いられるバインダー樹脂としては、良好な膜を形成できるもので、かつ所望の特性が得られるものであれば公知のいかなるものでも使用可能であるが、例えばポリビニルブチラールなどのアセタール樹脂、ポリビニルアルコール樹脂、カゼイン、ポリアミド樹脂、セルロース樹脂、ゼラチン、ポリウレタン樹脂、ポリエステル樹脂、メタクリル樹脂、アクリル樹脂、ポリ塩化ビニル樹脂、ポリビニルアセテート樹脂、塩化ビニル−酢酸ビニル−無水マレイン酸樹脂、シリコーン樹脂、シリコーン−アルキッド樹脂、フェノール樹脂、フェノール−ホルムアルデヒド樹脂、メラミン樹脂、ウレタン樹脂などの公知の高分子樹脂化合物、また電荷輸送性基を有する電荷輸送性樹脂やポリアニリン等の導電性樹脂などを用いることができる。中でも上層の塗布溶剤に不溶な樹脂が好ましく用いられ、特にフェノール樹脂、フェノール−ホルムアルデヒド樹脂、メラミン樹脂、ウレタン樹脂、エポキシ樹脂などが好ましく用いられる。
【００９６】
下引層形成用塗布液中の金属酸化物粒子とバインダー樹脂との比率は、所望する感光体１２特性を得られる範囲で任意に設定できるが、照射される光に対する下引層２のダメージをより少なくするという観点から、金属酸化物粒子とバインダー樹脂との体積比（金属酸化物粒子／バインダー樹脂）を１０／９０以上９０／１０以下の範囲とすることが好ましく、１５／８５以上６０／４０以下の範囲とすることがより好ましい。
【００９７】
また、下引層形成用塗布液には電気特性向上、環境安定性向上、画質向上のために種々の添加物を用いることができる。
上記添加物としては、クロラニル、ブロモアニル等のキノン系化合物、テトラシアノキノジメタン系化合物、２，４，７−トリニトロフルオレノン、２，４，５，７−テトラニトロ−９−フルオレノン等のフルオレノン化合物、２−（４−ビフェニル）−５−（４−ｔ−ブチルフェニル）−１，３，４−オキサジアゾールや２，５−ビス（４−ナフチル）−１，３，４−オキサジアゾール、２，５−ビス（４−ジエチルアミノフェニル）−１，３，４オキサジアゾール等のオキサジアゾール系化合物、キサントン系化合物、チオフェン化合物、３，３’，５，５’−テトラ−ｔ−ブチルジフェノキノン等のジフェノキノン化合物等の電子輸送性物質、多環縮合系、アゾ系等の電子輸送性顔料、ジルコニウムキレート化合物、チタニウムキレート化合物、アルミニウムキレート化合物、チタニウムアルコキシド化合物、有機チタニウム化合物、シランカップリング剤等の公知の材料を用いることができる。
【００９８】
前記シランカップリング剤はフィラーの表面処理にも用いられるが、添加剤としてさらに塗布液に添加して用いることもできる。ここで用いられるシランカップリング剤の具体例としては、ビニルトリメトキシシラン、γ−メタクリルオキシプロピル−トリス（β−メトキシエトキシ）シラン、β−（３，４−エポキシシクロヘキシル）エチルトリメトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、ビニルトリアセトキシシラン、γ−メルカプトプロピルトリメトキシシラン、γ−アミノプロピルトリエトキシシラン、Ｎ−β−（アミノエチル）−γ−アミノプロピルトリメトキシシラン、Ｎ−β−（アミノエチル）−γ−アミノプロピルメチルメトキシシラン、Ｎ，Ｎ−ビス（β−ヒドロキシエチル）−γ−アミノプロピルトリエトキシシラン、γ−クロルプロピルトリメトキシシラン等である。ジルコニウムキレート化合物の例として、ジルコニウムブトキシド、ジルコニウムアセト酢酸エチル、ジルコニウムトリエタノールアミン、アセチルアセトネートジルコニウムブトキシド、アセト酢酸エチルジルコニウムブトキシド、ジルコニウムアセテート、ジルコニウムオキサレート、ジルコニウムラクテート、ジルコニウムホスホネート、オクタン酸ジルコニウム、ナフテン酸ジルコニウム、ラウリン酸ジルコニウム、ステアリン酸ジルコニウム、イソステアリン酸ジルコニウム、メタクリレートジルコニウムブトキシド、ステアレートジルコニウムブトキシド、イソステアレートジルコニウムブトキシド等が挙げられる。
【００９９】
前記チタニウムキレート化合物の例としては、テトライソプロピルチタネート、テトラノルマルブチルチタネート、ブチルチタネートダイマー、テトラ（２−エチルヘキシル）チタネート、チタンアセチルアセトネート、ポリチタンアセチルアセトネート、チタンオクチレングリコレート、チタンラクテートアンモニウム塩、チタンラクテート、チタンラクテートエチルエステル、チタントリエタノールアミネート、ポリヒドロキシチタンステアレート等が挙げられる。
【０１００】
前記アルミニウムキレート化合物の例としては、アルミニウムイソプロピレート、モノブトキシアルミニウムジイソプロピレート、アルミニウムブチレート、ジエチルアセトアセテートアルミニウムジイソプロピレート、アルミニウムトリス（エチルアセトアセテート）等が挙げられる。
これらの化合物は単独にあるいは複数の化合物の混合物あるいは重縮合物として用いることができる。
【０１０１】
下引層形成用塗布液を調製するための溶媒としては、公知の有機溶剤、例えばアルコール系、芳香族系、ハロゲン化炭化水素系、ケトン系、ケトンアルコール系、エーテル系、エステル系等から任意で選択することができる。例えば、メタノール、エタノール、ｎ−プロパノール、ｉｓｏ−プロパノール、ｎ−ブタノール、ベンジルアルコール、メチルセルソルブ、エチルセルソルブ、アセトン、メチルエチルケトン、シクロヘキサノン、酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸ｎ−ブチル、ジオキサン、テトラヒドロフラン、メチレンクロライド、クロロホルム、クロルベンゼン、トルエン等の通常の有機溶剤を用いることができる。
【０１０２】
また、これらの分散に用いる溶剤は単独あるいは２種以上混合して用いることができる。混合する際、使用される溶剤としては、混合溶剤としてバインダー樹脂を溶かすことができる溶剤であれば、いかなるものでも使用することが可能である。
【０１０３】
金属酸化物粒子を分散させる方法としては、ロールミル、ボールミル、振動ボールミル、アトライター、サンドミル、コロイドミル、ペイントシェーカー等の公知の方法を用いることができる。
【０１０４】
さらに、このようにして調製した塗布液を用いて下引層２を設けるときに用いる塗布方法としては、ブレード塗布法、ワイヤーバー塗布法、スプレー塗布法、浸漬塗布法、ビード塗布法、エアーナイフ塗布法、カーテン塗布法等の通常の方法を用いることができる。
【０１０５】
このようにして導電性基体上に形成された下引層２は、ビッカース硬度が３５以上であることが好ましい。また、下引層２の体積抵抗率は１０6Ωｃｍ以上１０13Ωｃｍ以下の範囲であることが好ましく、１０8Ωｃｍ以上１０12Ωｃｍ以下の範囲であることがより好ましい。
体積抵抗率が１０6Ωｃｍ未満では、帯電電位が十分のらなかったりリークが発生することがある。また、１０13Ωｃｍを超えると繰り返し使用で安定した電位特性を得ることができない場合がある。
【０１０６】
さらに、下引層２は、所望の特性が得られるのであれば、いかなる厚さに設定することができるが、厚さが１５μｍ以上５０μｍ以下の範囲であることが好ましく、２０μｍ以上５０μｍ以下の範囲がより好ましい。
下引層２の厚さが１５μｍ未満であるときには、充分な耐リーク性能を得ることができず、また５０μｍを超えると、長期使用時に残留電位が残りやすくなるため画像濃度異常を招きやすい欠点がある。
【０１０７】
下引層２の表面粗さは、モアレ像防止のために、使用される露光用レーザー波長λの１／４ｎ（ｎは上層の屈折率）〜１／２λの範囲に調整される。表面粗さ調整のために、下引層中に樹脂などの粒子を添加することもできる。樹脂粒子としてはシリコーン樹脂粒子、架橋型ＰＭＭＡ樹脂粒子等を用いることができる。
また、表面粗さ調整のために下引層を研磨することもできる。研磨方法としては、バフ研磨、サンドブラスト処理、ウェットホーニング、研削処理等を用いることもできる。
【０１０８】
下引層２を、上述のように、濃度測定装置２２の発光素子２２Ａから照射される第１の波長の光に対する光透過率が５０％以上であり、好ましくは５０％以上９５％以下である。また、上記式１で示される関係を満たすように構成するためには、上記フィラーの分散状態や、下引層２の厚みを制御すればよい。
【０１０９】
このフィラーの分散状態を制御するためには、例えばフィラー濃度の調整、フィラー径の調整、互いに径の異なる複数種のフィラーの混合、高分散処理を行えばよい。
例えば、フィラー濃度を増やすと、透過率が低下する傾向があり、フィラー径を大きくすると、透過率が低下する傾向がある。また、２種以上の異なる径を有するフィラーを混合する場合、大きな径のフィラーが多くなれば透過率は低下し、 小さな径のフィラーが多くなれば透過率は上昇させられる傾向があるので混合割合を調整することで透過率をコントロールすることができる。また、分散処理が進むと透過率は高くなる傾向がある。
【０１１０】
この下引層２と感光層３との間には、電気特性向上、画質向上、画質維持性向上、感光層接着性向上などのために中間層４を設けた構成であってもよい。中間層４には、ポリビニルブチラールなどのアセタール樹脂、ポリビニルアルコール樹脂、カゼイン、ポリアミド樹脂、セルロース樹脂、ゼラチン、ポリウレタン樹脂、ポリエステル樹脂、メタクリル樹脂、アクリル樹脂、ポリ塩化ビニル樹脂、ポリビニルアセテート樹脂、塩化ビニル−酢酸ビニル−無水マレイン酸樹脂、シリコーン樹脂、シリコーン−アルキッド樹脂、フェノール−ホルムアルデヒド樹脂、メラミン樹脂などの高分子樹脂化合物のほかに、ジルコニウム、チタニウム、アルミニウム、マンガン、シリコン原子などを含有する有機金属化合物などを用いることができる。これらの化合物は、単独にあるいは複数の化合物の混合物あるいは重縮合物として用いることができる。 中でも、ジルコニウムもしくはシリコンを含有する有機金属化合物は残留電位が低く環境による電位変化が少なく、また繰り返し使用による電位の変化が少ないなど性能上優れている。
【０１１１】
シリコン化合物の例としてはビニルトリメトキシシラン、γ−メタクリルオキシプロピル−トリス（β−メトキシエトキシ）シラン、β−（３，４−エポキシシクロヘキシル）エチルトリメトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、ビニルトリアセトキシシラン、γ−ルカプトプロピルトリメトキシシラン、γ−アミノプロピルトリエトキシシラン、Ｎ−β−（アミノエチル）−γ−アミノプロピルトリメトキシシラン、Ｎ−β−（アミノエチル）−γ−アミノプロピルメチルメトキシシラン、Ｎ，Ｎ−ビス（β−ヒドロキシエチル）−γ−アミノプロピルトリエトキシシラン、γ−クロルプロピルトリメトキシシラン等である。
【０１１２】
これらのなかでも特に好ましく用いられるシリコン化合物は、ビニルトリエトキシシラン、ビニルトリス（２−メトキシエトキシシラン）、３−メタクリロキシプロピルトリメトキシシラン、３−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、２−（３，４−エポキシシクロヘキシル）エチルトリメトキシシラン、Ｎ−２−（アミノエチル）３−アミノプロピルトリメトキシシラン、Ｎ−２−（アミノエチル）３−アミノプロピルメチルジメトキシシラン、３−アミノプロピルトリエトキシシラン、Ｎ−フェニル−３−アミノプロピルトリメトキシシラン、３−メルカプトプロピルトリメトキシシラン、３−クロロプロピルトリメトキシシラン等のシランカップリング剤が挙げられる。
【０１１３】
有機ジルコニウム化合物の例としては、ジルコニウムブトキシド、ジルコニウムアセト酢酸エチル、ジルコニウムトリエタノールアミン、アセチルアセトネートジルコニウムブトキシド、アセト酢酸エチルジルコニウムブトキシド、ジルコニウムアセテート、ジルコニウムオキサレート、ジルコニウムラクテート、ジルコニウムホスホネート、オクタン酸ジルコニウム、ナフテン酸ジルコニウム、ラウリン酸ジルコニウム、ステアリン酸ジルコニウム、イソステアリン酸ジルコニウム、メタクリレートジルコニウムブトキシド、ステアレートジルコニウムブトキシド、イソステアレートジルコニウムブトキシド等が挙げられる。
【０１１４】
有機チタン化合物の例としては、テトライソプロピルチタネート、テトラノルマルブチルチタネート、ブチルチタネートダイマー、テトラ（２−エチルヘキシル）チタネート、チタンアセチルアセトネート、ポリチタンアセチルアセトネート、チタンオクチレングリコレート、チタンラクテートアンモニウム塩、チタンラクテート、チタンラクテートエチルエステル、チタントリエタノールアミネート、ポリヒドロキシチタンステアレート等が挙げられる。
【０１１５】
有機アルミニウム化合物の例としては、アルミニウムイソプロピレート、モノブトキシアルミニウムジイソプロピレート、アルミニウムブチレート、ジエチルアセトアセテートアルミニウムジイソプロピレート、アルミニウムトリス（エチルアセトアセテート）等が挙げられる。
【０１１６】
前記中間層４は、上層の塗布性改善の他に電気的なブロキング層の役割も果たすが、層厚が大きすぎる場合には電気的な障壁が強くなりすぎて減感や繰り返しによる電位の上昇を引き起こす。したがって、中間層４を形成する場合には、０．１μｍ以上５μm以下の層厚範囲に設定される。
【０１１７】
次に、感光層３について説明する。
感光層３における電荷発生層３１は、電荷発生物質を真空蒸着により形成するか、電荷発生物質を含む分散液塗布により形成される。分散液塗布により電荷発生層を形成する場合、電荷発生物質を有機溶剤及び結着樹脂、添加剤等とともに分散し、得られた分散液を塗布することにより電荷発生層３１は形成される。
【０１１８】
上述のように、感光層３は、濃度測定装置２２の発光素子２２Ａから照射される第１の波長の光に対しては吸収を有さず、上記露光装置１８から照射される該第１の波長の光とは異なる第２の波長の光に対して吸収を有している。
【０１１９】
このように感光層３を構成するためには、電荷発生層３１を構成する電荷発生材料として、濃度測定装置２２の発光素子２２Ａから照射される第１の波長の光に対しては吸収を有さず、上記露光装置１８から照射される該第１の波長の光とは異なる第２の波長の光に対して吸収を有する材料を選択すればよい。
【０１２０】
このような特性を有する電荷発生材料としては、第１の波長がどのような値であるかにもよるが、例えば、第１の波長が９２０ｎｍ以上１０００ｎｍ以下の範囲内の波長であり、且つ第２の波長が３５０ｎｍ以上９００ｎｍ以下の範囲内の波長である場合には、電荷発生材料としては、フタロシアニン系顔料、スクアリリウム、ビスアゾ、トリスアゾ、ペリレン、ジチオケトピロロピロール、可視光用としては縮合多環顔料、ビスアゾ、ペリレン、トリゴナルセレン、色素増感した酸化亜鉛粒子等を用いる。これらの中で、特に優れた性能が得られ、好ましく使用される電荷発生物質として、アゾ系顔料、フタロシアニン系顔料が用いられる。特にフタロシアニン系顔料を用いることにより、特に高感度で、繰り返し安定性の優れる感光体１２が得られる。
【０１２１】
フタロシアニン系顔料やアゾ系顔料は一般に数種の結晶型を有しており、目的にあった感度が得られる結晶型であるならば、これらのいずれの結晶型でも用いることができる。特に好ましく用いられるフタロシアニン系顔料としては、クロロガリウムフタロシアニン、ジクロロスズフタロシアニン、ヒドロキシガリウムフタロシアニン、無金属フタロシアニン、オキシチタニルフタロシアニン、クロロインジウムフタロシアニン等が挙げられる。
【０１２２】
フタロシアニン顔料結晶は、公知の方法で製造されるフタロシアニン顔料を、自動乳鉢、遊星ミル、振動ミル、ＣＦミル、ローラーミル、サンドミル、ニーダー等で機械的に乾式粉砕するか、乾式粉砕後、溶剤と共にボールミル、乳鉢、サンドミル、ニーダー等を用いて湿式粉砕処理を行うことによって製造することができる。
【０１２３】
上記の処理において使用される溶剤は、芳香族類（トルエン、クロロベンゼン等）、アミド類（ジメチルホルムアミド、Ｎ−メチルピロリドン等）、脂肪族アルコール類（メタノール、エタノール、ブタノール等）、脂肪族多価アルコール類（エチレングリコール、グリセリン、ポリエチレングリコール等）、芳香族アルコール類（ベンジルアルコール、フェネチルアルコール等）、エステル類（酢酸エステル、酢酸ブチル等）、ケトン類（アセトン、メチルエチルケトン等）、ジメチルスルホキシド、エーテル類（ジエチルエーテル、テトラヒドロフラン等）、さらには数種の混合系、水とこれら有機溶剤の混合系があげられる。使用される溶剤は、顔料結晶に対して、１質量部以上２００質量部、好ましくは１０質量部以上１００質量部の範囲で用いる。処理温度は、−２０℃以上溶剤の沸点以下、好ましくは−１０℃以上６０℃の範囲で行う。また、粉砕の際に食塩、ぼう硝等の磨砕助剤を用いることもできる。磨砕助剤は顔料に対し０．５倍以上２０倍以下、好ましくは１倍以上１０倍以下を用いればよい。
【０１２４】
また、公知の方法で製造されるフタロシアニン系顔料結晶は、アシッドペースティングあるいはアシッドペースティングと前述したような乾式粉砕あるいは湿式粉砕を組み合わせることにより、結晶制御することもできる。アシッドペースティングに用いる酸としては、硫酸が好ましく、濃度７０％以上１００％以下、好ましくは９５％以上１００％以下のものが使用され、溶解温度は、−２０℃以上１００℃以下が好ましくは−１０℃以上６０℃以下の範囲に設定される。濃硫酸の量は、フタロシアニン顔料結晶の質量に対して、１倍以上１００倍以下、好ましくは３倍以上５０倍以下の範囲に設定される。析出させる溶剤としては、水あるいは、水と有機溶剤の混合溶剤が任意の量で用いられる。析出させる温度については特に制限はないが、発熱を防ぐために、氷等で冷却することが好ましい。
【０１２５】
なかでも好ましく用いられるヒドロキシガリウムフタロシアニンは、ＣｕＫα特性Ｘ線に対するブラッグ角度（２θ±０．２°）の７．５°、９．９°、１２．５°、１６．３°、１８．６°、２５．１°、及び２８．３°に回折ピークを有するものである。本発明のヒドロキシガリウムフタロシアニンの製造方法において、原料として使用されるＩ型ヒドロキシガリウムフタロシアニンは、従来から公知の方法によって得ることができる。以下にその一例を示す。
【０１２６】
先ず、ｏ−フタロジニトリルまたは１，３−ジイミノイソインドリンと三塩化ガリウムとを所定の溶媒中で反応させる方法（Ｉ型クロロガリウムフタロシアニン法）；ｏ−フタロジニトリル、アルコキシガリウムおよびエチレングリコールを所定の溶媒中で加熱し反応させてフタロシアニン二量体（フタロシアニン・ダイマー）を合成する方法（フタロシアニン・ダイマー法）、等により粗ガリウムフタロシアニンを製造する。上記の反応における溶媒としては、α−クロロナフタレン、β−クロロナフタレン、α−メチルナフタレン、メトキシナフタレン、ジメチルアミノエタノール、ジフェニルエタン、エチレングリコール、ジアルキルエーテル、キノリン、スルホラン、ジクロロベンゼン、ジメチルホルムアミド、ジメチルスルホキシド、ジメチルスルホアミドなどの不活性且つ高沸点の溶剤を用いることが好ましい。
【０１２７】
次に、上記の工程で得られた粗ガリウムフタロシアニンについてアシッドペースティング処理を行うことによって、粗ガリウムフタロシアニンを粒子化するとともにＩ型ヒドロキシガリウムフタロシアニン顔料に変換する。ここで、アシッドペースティング処理とは、具体的には、粗ガリウムフタロシアニンを硫酸などの酸に溶解させたものあるいは硫酸塩などの酸塩としたものを、アルカリ水溶液、水または氷水中に注ぎ、再結晶させることをいう。前記アシッドペースティング処理に用いる酸としては硫酸が好ましく、中でも濃度７０％以上１００％以下（特に好ましくは９５％以上１００％以下）の硫酸がより好ましい。
【０１２８】
上記ヒドロキシガリウムフタロシアニンは、上記のアシッドペースティング処理によって得られたＩ型ヒドロキシガリウムフタロシアニン顔料を溶剤とともに湿式粉砕処理して結晶変換することによって得られるが、本発明のヒドロキシガリウムフタロシアニンの製造方法では、該湿式粉砕処理が、外径０．１ｍｍ以上３．０ｍｍ以下の球形状メディアを使用した粉砕装置が好ましく、外径０．２以上２．５ｍｍ以下の球形状メディアを用いることが特に好ましい。メディアの外形が３．０ｍｍより大きい場合、粉砕効率が低下するため粒子径が小さくならずに凝集体が生成し易い。また、０．１ｍｍより小さい場合、メディアとヒドロキシガリウムフタロシアニンを分離し難くなる。さらに、メディアが球形状でなく、円柱状や不定形状等、他の形状の場合、粉砕効率が低下するとともに、粉砕によってメディアが磨耗し易く、磨耗粉が不純物となりヒドロキシガリウムフタロシアニンの特性を劣化させ易くなる。
【０１２９】
メディアの材質は、いかなるものでも使用できるが、顔料中に混入した場合にも画質欠陥を発生しにくいものが好ましく、ガラス、ジルコニア、アルミナ、メノーなどを好ましく使用できる。
【０１３０】
容器材質もいかなるものでも使用できるが、顔料中に混入した場合にも画質欠陥を発生しにくいものが好ましく、ガラス、ジルコニア、アルミナ、メノー、ポリプロピレン、テフロン（登録商標）、ポリフェニレンサルファイドなどを好ましく使用できる。また、鉄、ステンレスなどの金属容器の内面にガラス、ポリプロピレン、テフロン（登録商標）、ポリフェニレンサルファイドなどをライニングしても良い。
【０１３１】
メディアの使用量は、使用する装置によっても異なるが、Ｉ型ヒドロキシガリウムフタロシアニン顔料１質量部に対して５０質量部以上、好ましくは５５質量部以上１００質量部以下が選択される。また、メディアの外径が小さくなると同じ質量でも装置内に占めるメディア密度が高まり、混合溶液の粘度が上昇して粉砕効率が変化するため、メディア外径を小さくするに従い、適宜メディア使用量と溶剤使用量をコントロールすることによって最適な混合比で湿式処理を行うことが望ましい。
【０１３２】
また、該湿式粉砕処理の温度は、０℃以上１００℃以下、好ましくは、５℃以上８０℃以下、より好ましくは１０℃以上５０℃以下の範囲で行う。温度が低い場合には、結晶転移の速度が遅くなり、また、温度が高すぎる場合にはヒドロキシガリウムフタロシアニンの溶解性が高くなり結晶成長しやすく微粒化が困難となってしまう。
【０１３３】
上記湿式粉砕処理に使用される溶剤としては、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、Ｎ−メチルピロリドンなどのアミド類；酢酸エチル、酢酸ｎ−ブチル、酢酸ｉｓｏ−アミルなどのエステル類；アセトン、メチルエチルケトン、メチルｉｓｏ−ブチルケトンなどのケトン類の他に、ジメチルスルホキシドなどが挙げられる。これらの溶剤の使用量はヒドロキシガリウムフタロシアニン顔料１質量部に対して通常１質量部以上２００質量部以下、好ましくは１質量部以上１００質量部以下が選択される。
【０１３４】
湿式粉砕処理に用いられる装置としては、振動ミル、自動乳鉢、サンドミル、ダイノーミル、コボールミル、アトライター、遊星ボールミル、ボールミルなどのメデイアを分散媒体として使用する装置を用いることができる。
【０１３５】
結晶変換の進行スピードは、湿式粉砕処理工程のスケール、攪拌スピード、メディア材質などによって大きく影響されるが、ヒドロキシガリウムフタロシアニンの分光吸収スペクトルの６００ｎｍ〜９００ｎｍの範囲における最大ピークが８１０ｎｍ〜８３９ｎｍの範囲内に吸収を有するように、結晶変換状態を湿式粉砕処理液の吸収波長測定によりモニターしながら、本発明のヒドロキシガリウムフタロシアニンに変換されるまで継続する。一般的には、湿式粉砕処理の処理時間は５時間〜５００時間の範囲、好ましくは７時間〜３００時間の範囲で行われる。処理時間が５時間より少ないと、結晶変換が完結せず、電子写真特性の低下、特に感度不足の問題が生じやすい。また、処理時間が５００時間より増えると、粉砕ストレスの影響により感度低下を生じたり、生産性低下、メディアの摩滅粉の混入などの問題が生じる。湿式粉砕処理時間をこのように決定することにより、ヒドロキシガリウムフタロシアニン粒子が均一に粒子化した状態で湿式粉砕処理を完了することが可能となる。
【０１３６】
電荷発生層３１に用いる結着樹脂としては、広範な絶縁性樹脂から選択することができる、また、ポリ−Ｎ−ビニルカルバゾール、ポリビニルアントラセン、ポリビニルピレン、ポリシラン等の有機光導電性ポリマーから選択することもできる。好ましい結着樹脂としては、ポリビニルアセタール樹脂、ポリアリレート樹脂（ビスフェノールＡとフタル酸の重縮合体等）、ポリカーボネート樹脂、ポリエステル樹脂、フェノキシ樹脂、塩化ビニル−酢酸ビニル共重合体、ポリアミド樹脂、アクリル樹脂、ポリアクリルアミド樹脂、ポリビニルピリジン樹脂、セルロース樹脂、ウレタン樹脂、エポキシ樹脂、カゼイン、ポリビニルアルコール樹脂、ポリビニルピロリドン樹脂等の絶縁性樹脂をあげることができるが、これらに限定されるものではない。これらの結着樹脂は単独あるいは２種以上混合して用いることができる。これらの中で特にポリビニルアセタール樹脂が好ましく用いられる
【０１３７】
電荷発生層形成用塗布液において、電荷発生物質と結着樹脂との配合比（質量比）は、１０：１〜１：１０の範囲が好ましい。塗布液を調整するための溶媒としては公知の有機溶剤、例えばアルコール系、芳香族系、ハロゲン化炭化水素系、ケトン系、ケトンアルコール系、エーテル系、エステル系等から任意で選択することができる。例えば、メタノール、エタノール、ｎ−プロパノール、ｉｓｏ−プロパノール、ｎ−ブタノール、ベンジルアルコール、メチルセルソルブ、エチルセルソルブ、アセトン、メチルエチルケトン、シクロヘキサノン、酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸ｎ−ブチル、ジオキサン、テトラヒドロフラン、メチレンクロライド、クロロホルム、クロルベンゼン、トルエン等の通常の有機溶剤を用いることができる。
【０１３８】
また、これらの分散に用いる溶剤は単独あるいは２種以上混合して用いることができる。混合する際、使用される溶剤としては、混合溶剤としてバインダー樹脂を溶かす事ができる溶剤であれば、いかなるものでも使用することが可能である。
【０１３９】
分散させる方法としては、ロールミル、ボールミル、振動ボールミル、アトライター、サンドミル、コロイドミル、ペイントシェーカー等の方法を用いることができる。さらにこの電荷発生層を設けるときに用いる塗布方法としては、ブレード塗布法、ワイヤーバー塗布法、スプレー塗布法、浸漬塗布法、ビード塗布法、エアーナイフ塗布法、カーテン塗布法等の通常の方法を用いることができる。
【０１４０】
さらにこの分散の際、粒子を０．５μｍ以下、好ましくは０．３μｍ以下、さらに好ましくは０．１５μｍ以下の粒子サイズにすることは高感度・高安定性に対して有効である。
【０１４１】
さらに、電荷発生材料は電気特性の安定性向上、画質欠陥防止などのために表面処理を施すことができる。かかる表面処理によって電荷発生材料の分散性や電荷発生層用塗布液の塗布性が向上し、平滑で分散均一性の高い電荷発生層３１を容易に且つ確実に成膜することができ、その結果、カブリやゴースト等の画質欠陥が防止され、画質維持性を向上させることができる。また、電荷発生層用塗布液の保存性も著しく向上するので、ポットライフ（ｐｏｔ  ｌｉｆｅ）の延長の点でも効果的であり、感光体のコストダウンも可能となる。
【０１４２】
表面処理剤としては加水分解性基を有機金属化合物又はシランカップリング剤を用いることができる。
【０１４３】
加水分解性基を有する有機金属化合物又はシランカップリング剤は、下記一般式（Ａ）：Ｒｐ−Ｍ−Ｙｑ（式中、Ｒは有機基を表し、Ｍはアルカリ金属以外の金属原子又はケイ素原子を表し、Ｙは加水分解性基を表し、ｐ及びｑはそれぞれ１〜４の整数であり、ｐとｑとの和はＭの原子価に相当する）で表される化合物を用いることが好ましい。
【０１４４】
一般式（Ａ）中、Ｒで表される有機基としては、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、オクチル基等のアルキル基、ビニル基、アリル基等のアルケニル基、シクロヘキシル基等のシクロアルキル基、フェニル基、ナフチル基等のアリール基、トリル基等のアルカリール基、ベンジル基、フェニルエチル基等のアリールアルキル基、スチリル基等のアリールアルケニル基、フリル基、チエニル基、ピロリジニル基、ピリジル基、イミダゾリル基等の複素環残基等が挙げられる。これらの有機基は１または２種以上の各種の置換基を有していてもよい。
【０１４５】
また、一般式（Ａ）中、Ｙで表される加水分解性基としては、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、ブトキシ基、シクロヘキシルオキシ基、フェノキシ基、ベンジロキシ基等のエーテル基、アセトキシ基、プロピオニルオキシ基、アクリロキシ基、メタクリロキシ基、ベンゾイルオキシ基、メタンスルホニルオキシ基、ベンゼンスルホニルオキシ基、ベンジロキシカルボニル基等のエステル基、塩素原子等のハロゲン原子等が挙げられる。
【０１４６】
また、一般式（Ａ）中、Ｍはアルカリ金属以外であれば特に制限されるものではないが、好ましくはチタン原子、アルミニウム原子、ジルコニウム原子又はケイ素原子である。すなわち、本発明においては、上記の有機基や加水分解性の官能基を置換した有機チタン化合物、有機アルミニウム化合物、有機ジルコニウム化合物、さらにはシランカップリング剤が好ましく用いられる。
【０１４７】
シランカップリング剤の例としてはビニルトリメトキシシラン、γ−メタクリルオキシプロピル−トリス（β−メトキシエトキシ）シラン、β−（３，４−エポキシシクロヘキシル）エチルトリメトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、ビニルトリアセトキシシラン、γ−メルカプトプロピルトリメトキシシラン、γ−アミノプロピルトリエトキシシラン、Ｎ−β−（アミノエチル）−γ−アミノプロピルトリメトキシシラン、Ｎ−β−（アミノエチル）−γ−アミノプロピルメチルメトキシシラン、Ｎ，Ｎ−ビス（β−ヒドロキシエチル）−γ−アミノプロピルトリエトキシシラン、γ−クロルプロピルトリメトキシシラン等である。これらの中でも、ビニルトリエトキシシラン、ビニルトリス（２−メトキシエトキシシラン）、３−メタクリロキシプロピルトリメトキシシラン、３−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、２−（３，４−エポキシシクロヘキシル）エチルトリメトキシシラン、Ｎ−２−（アミノエチル）−３−アミノプロピルトリメトキシシラン、Ｎ−２−（アミノエチル）−３−アミノプロピルメチルジメトキシシラン、３−アミノプロピルトリエトキシシラン、Ｎ−フェニル−３−アミノプロピルトリメトキシシラン、３−メルカプトプロピルトリメトキシシラン、３−クロロプロピルトリメトキシシランがより好ましい。
【０１４８】
また、ジルコニウムブトキシド、ジルコニウムアセト酢酸エチル、ジルコニウムトリエタノールアミン、アセチルアセトネートジルコニウムブトキシド、アセト酢酸エチルジルコニウムブトキシド、ジルコニウムアセテート、ジルコニウムオキサレート、ジルコニウムラクテート、ジルコニウムホスホネート、オクタン酸ジルコニウム、ナフテン酸ジルコニウム、ラウリン酸ジルコニウム、ステアリン酸ジルコニウム、イソステアリン酸ジルコニウム、メタクリレートジルコニウムブトキシド、ステアレートジルコニウムブトキシド、イソステアレートジルコニウムブトキシド等の有機ジルコニウム化合物も用いることができる。
【０１４９】
また、テトライソプロピルチタネート、テトラノルマルブチルチタネート、ブチルチタネートダイマー、テトラ（２−エチルヘキシル）チタネート、チタンアセチルアセトネート、ポリチタンアセチルアセトネート、チタンオクチレングリコレート、チタンラクテートアンモニウム塩、チタンラクテート、チタンラクテートエチルエステル、チタントリエタノールアミネート、ポリヒドロキシチタンステアレート等の有機チタン化合物、アルミニウムイソプロピレート、モノブトキシアルミニウムジイソプロピレート、アルミニウムブチレート、ジエチルアセトアセテートアルミニウムジイソプロピレート、アルミニウムトリス（エチルアセトアセテート）等の有機アルミニウム化合物も用いることができる。
【０１５０】
また、上記の有機金属化合物及びシランカップリング剤の加水分解生成物も使用することができる。この加水分解生成物としては、前記一般式で示される有機金属化合物のＭ（アルカリ金属以外の金属原子又はケイ素原子）に結合するＹ（加水分解性基）やＲ（有機基）に置換する加水分解性基が加水分解したものが挙げられる。なお。有機金属化合物及びシランカップリング剤が加水分解基を複数含有する場合は、必ずしも全ての官能基を加水分解する必要はなく部分的に加水分解された生成物であってもよい。また、これらの有機金属化合物及びシランカップリング剤は、１種を単独で使用してもよく、２種以上混合して使用してもよい。
【０１５１】
加水分解性基を有する有機金属化合物及び／又はシランカップリング剤（以下、単に「有機金属化合物」という）を用いてフタロシアニン顔料を被覆処理する方法としては、フタロシアニン顔料の結晶を整える過程で該フタロシアニン顔料を被覆処理する方法、フタロシアニン顔料を結着樹脂に分散する前に被覆処理する方法、フタロシアニン顔料の結着樹脂への分散時に有機金属化合物を混合処理する方法、フタロシアニン顔料の結着樹脂への分散後に有機金属化合物で更に分散処理する方法等が挙げられる。
【０１５２】
より具体的には、顔料の結晶を整える過程で予め被覆処理する方法としては、有機金属化合物と結晶が整う前のフタロシアニン顔料とを混合した後加熱する方法、有機金属化合物を結晶が整う前のフタロシアニン顔料に混合し機械的に乾式粉砕する方法、有機金属化合物の水または有機溶剤中の混合液を結晶が整う前のフタロシアニン顔料に混合し湿式粉砕処理方法等が挙げられる。
【０１５３】
また、フタロシアニン顔料を結着樹脂に分散する前に被覆処理する方法としては、有機金属化合物、水又は水と有機溶剤との混合液、並びにフタロシアニン顔料を混合して加熱する方法、有機金属化合物をフタロシアニン顔料に直接噴霧する方法、有機金属化合物をフタロシアニン顔料と混合しミリングする方法等がある。
【０１５４】
また、分散時に混合処理する方法としては、分散溶剤に有機金属化合物、フタロシアニン顔料、結着樹脂を順次添加しながら混合する方法、これらの電荷発生層形成成分を同時に添加し混合する方法等が挙げられる。
【０１５５】
さらに、この電荷発生層用塗布液には電気特性向上、画質向上などのために種々の添加剤を添加することもできる。添加物としては、クロラニル、ブロモアニル、アントラキノン等のキノン系化合物、テトラシアノキノジメタン系化合物、２，  ４，  ７−トリニトロフルオレノン、２，４，５，７−テトラニトロ−９−フルオレノン等のフルオレノン化合物、２−（４−ビフェニル）−５−（４−ｔ−ブチルフェニル）−１，３，４−オキサジアゾールや２，５−ビス（４−ナフチル）−１，３，４−オキサジアゾール、２，５−ビス（４−ジエチルアミノフェニル）１，３，４オキサジアゾール等のオキサジアゾール系化合物、キサントン系化合物、チオフェン化合物、３，３’，５，５’テトラ−ｔ−ブチルジフェノキノン等のジフェノキノン化合物等の電子輸送性物質、多環縮合系、アゾ系等の電子輸送性顔料、ジルコニウムキレート化合物、チタニウムキレート化合物、アルミニウムキレート化合物、チタニウムアルコキシド化合物、有機チタニウム化合物、シランカップリング剤等の公知の材料を用いることができる。
【０１５６】
シランカップリング剤の例としてはビニルトリメトキシシラン、γ−メタクリルオキシプロピル−トリス（β−メトキシエトキシ）シラン、β−（３，４−エポキシシクロヘキシル）エチルトリメトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、ビニルトリアセトキシシラン、γ−メルカプトプロピルトリメトキシシラン、γ−アミノプロピルトリエトキシシラン、Ｎ−β−（アミノエチル）−γ−アミノプロピルトリメトキシシラン、Ｎ−β−（アミノエチル）−γ−アミノプロピルメチルメトキシシラン、Ｎ，Ｎ−ビス（β−ヒドロキシエチル）−γ−アミノプロピルトリエトキシシラン、γ−クロルプロピルトリメトキシシラン等である。
【０１５７】
ジルコニウムキレート化合物の例として、ジルコニウムブトキシド、ジルコニウムアセト酢酸エチル、ジルコニウムトリエタノールアミン、アセチルアセトネートジルコニウムブトキシド、アセト酢酸エチルジルコニウムブトキシド、ジルコニウムアセテート、ジルコニウムオキサレート、ジルコニウムラクテート、ジルコニウムホスホネート、オクタン酸ジルコニウム、ナフテン酸ジルコニウム、ラウリン酸ジルコニウム、ステアリン酸ジルコニウム、イソステアリン酸ジルコニウム、メタクリレートジルコニウムブトキシド、ステアレートジルコニウムブトキシド、イソステアレートジルコニウムブトキシド等が挙げられる。
【０１５８】
チタニウムキレート化合物の例としてはテトライソプロピルチタネート、テトラノルマルブチルチタネート、ブチルチタネートダイマー、テトラ（２−エチルヘキシル）チタネート、チタンアセチルアセトネート、ポリチタンアセチルアセトネート、チタンオクチレングリコレート、チタンラクテートアンモニウム塩、チタンラクテート、チタンラクテートエチルエステル、チタントリエタノールアミネート、ポリヒドロキシチタンステアレート等が挙げられる。
【０１５９】
アルミニウムキレート化合物の例としてはアルミニウムイソプロピレート、モノブトキシアルミニウムジイソプロピレート、アルミニウムブチレート、ジエチルアセトアセテートアルミニウムジイソプロピレート、アルミニウムトリス（エチルアセトアセテート）等が挙げられる。
【０１６０】
これらの化合物は単独にあるいは複数の化合物の混合物あるいは重縮合物として用いることができる。
【０１６１】
さらにこの電荷発生層３１を設けるときに用いる塗布方法としては、ブレード塗布法、ワイヤーバー塗布法、スプレー塗布法、浸漬塗布法、ビード塗布法、エアーナイフ塗布法、カーテン塗布法等の通常の方法を用いることができる。
【０１６２】
また、塗布液には塗膜の平滑性向上のためのレベリング剤としてシリコーンオイルを微量添加することもできる。このようにして得られる電荷発生層３１の層厚は、好ましくは０．０５μｍ以上５μｍ以下、より好ましくは０．１μｍ以上２．０μｍ以下である。
【０１６３】
電荷輸送層３２としては、公知の技術によって形成されたものを使用できる。それらの電荷輸送層は、電荷輸送材料と結着樹脂を含有して形成されるか、あるいは高分子電荷輸送材を含有して形成される。
【０１６４】
電荷輸送層３２に含有される電荷輸送物質としては、公知のものならいかなるものでも使用可能であるが、下記に示すものを例示することができる。２，５−ビス（ｐ−ジエチルアミノフェニル）−１，３，４−オキサジアゾール等のオキサジアゾール誘導体、１，３，５−トリフェニル−ピラゾリン、１−［ピリジル−（２）］−３−（ｐ−ジエチルアミノスチリル）−５−（ｐ−ジエチルアミノスチリル）ピラゾリン等のピラゾリン誘導体、トリフェニルアミン、トリ（ｐ−メチル）フェニルアミン、Ｎ，Ｎ’−ビス（３，４−ジメチルフェニル）ビフェニル−４−アミン、ジベンジルアニリン、９，９−ジメチル−Ｎ，Ｎ’−ジ（ｐ−トリル）フルオレノン−２−アミン等の芳香族第３級アミノ化合物、Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−Ｎ，Ｎ’−ビス（３−メチルフェニル）−［１，１−ビフェニル］−４，４’−ジアミン等の芳香族第３級ジアミノ化合物、３−（４’ジメチルアミノフェニル）−５，６−ジ−（４’−メトキシフェニル）−１，２，４−トリアジン等の１，２，４−トリアジン誘導体、４−ジエチルアミノベンズアルデヒド−１，１−ジフェニルヒドラゾン、４−ジフェニルアミノベンズアルデヒド−１，１−ジフェニルヒドラゾン、［ｐ−（ジエチルアミノ）フェニル］（１−ナフチル）フェニルヒドラゾン等のヒドラゾン誘導体、２−フェニル−４−スチリル−キナゾリン等のキナゾリン誘導体、６−ヒドロキシ−２，３−ジ（ｐ−メトキシフェニル）−ベンゾフラン等のベンゾフラン誘導体、ｐ−（２，２−ジフェニルビニル）−Ｎ，Ｎ’−ジフェニルアニリン等のα−スチルベン誘導体、エナミン誘導体、Ｎ−エチルカルバゾール等のカルバゾール誘導体、ポリ−Ｎ−ビニルカルバゾールおよびその誘導体等の正孔輸送物質。クロラニル、ブロモアニル、アントラキノン等のキノン系化合物、テトラシアノキノジメタン系化合物、２，４，７−トリニトロフルオレノン、２，４，５，７−テトラニトロ−９−フルオレノン等のフルオレノン化合物、２−（４−ビフェニル）−５−（４−ｔ−ブチルフェニル）−１，３，４−オキサジアゾールや２，５−ビス（４−ナフチル）−１，３，４−オキサジアゾール、２，５−ビス（４−ジエチルアミノフェニル）１，３，４オキサジアゾール等のオキサジアゾール系化合物、キサントン系化合物、チオフェン化合物、３，３’，５，５’テトラ−ｔ−ブチルジフェノキノン等のジフェノキノン化合物等の電子輸送物質。あるいは以上に示した化合物からなる基を主鎖又は側鎖に有する重合体等があげられる。これらの電荷輸送材料は、１種又は２種以上を組み合せて使用できる。
【０１６５】
なかでも、モビリティーの観点から、以下の式（Ｂ−１）〜（Ｂ−３）のものが好ましい。
【０１６６】
【化１】
0004840271.tif 000002
【０１６７】
（式中、ＲB1は、メチル基を示す。また、ｎ'は０〜２の整数を意味する。ＡｒB1及びＡｒB2は置換又は未置換のアリール基を示し、置換基としてはハロゲン原子、炭素数が１〜５の範囲のアルキル基、炭素数が１〜５の範囲のアルコキシ基、又は炭素数が１〜３の範囲のアルキル基で置換された置換アミノ基を示す。）
【０１６８】
【化２】
0004840271.tif 000003
【０１６９】
（式中ＲB2、ＲB2'は同一でも異なってもよく、水素原子、ハロゲン原子、炭素数１〜５のアルキル基、炭素数１〜５のアルコキシ基、を表わす。ＲB3、ＲB3'、ＲB4、ＲB4'は同一でも異なってもよく、水素原子、ハロゲン原子、炭素数１〜５のアルキル基、炭素数１〜５のアルコキシ基、炭素数１〜２のアルキル基で置換されたアミノ基、置換又は未置換のアリール基、あるいは、−Ｃ（ＲB5）＝Ｃ（ＲB6）（ＲB7）を表わし、ＲB5、ＲB6、ＲB7は水素原子、置換又は未置換のアルキル基、置換又は未置換のアリール基を表す。ｍ'およびｎ''は０〜２の整数である。）
【０１７０】
【化３】
0004840271.tif 000004
【０１７１】
（式中ＲB8は水素原子、炭素数１〜５のアルキル基、炭素数１〜５のアルコキシ基、置換又は未置換のアリール基、または、―ＣＨ＝ＣＨ―ＣＨ＝Ｃ（ＡｒB3）2を表す。ＡｒB3は、置換又は未置換のアリール基を表す。ＲB9、ＲB10は同一でも異なってもよく、水素原子、ハロゲン原子、炭素数１〜５のアルキル基、炭素数１〜５のアルコキシ基、炭素数１〜２のアルキル基で置換されたアミノ基、置換又は未置換のアリール基を表す。）
【０１７２】
電荷輸送層３２の結着樹脂は公知のものであればいかなるものでも使用することが出来るが、電気絶縁性のフィルム形成可能な樹脂が好ましい。例えば、ポリカーボネート樹脂、ポリエステル樹脂、ポリアリレート樹脂、メタクリル樹脂、アクリル樹脂、ポリ塩化ビニル樹脂、ポリ塩化ビニリデン樹脂、ポリスチレン樹脂、アクリロニトリル−スチレン共重合体、アクリロニトリル−ブタジエン共重合体、ポリビニルアセテート樹脂、スチレンーブタジエン共重合体、塩化ビニリデンーアクリロニトリル共重合体、塩化ビニル−酢酸ビニル共重合体、塩化ビニル−酢酸ビニル−無水マレイン酸共重合体、シリコン樹脂、シリコン−アルキッド樹脂、フェノールーホルムアルデヒド樹脂、スチレンーアルキッド樹脂、ポリーＮ―カルバゾール、ポリビニルブチラール、ポリビニルフォルマール、ポリスルホン、カゼイン、ゼラチン、ポリビニルアルコール、エチルセルロース、フェノール樹脂、ポリアミド、ポリアクリルアミド、カルボキシーメチルセルロース、塩化ビニリデン系ポリマーワックス、ポリウレタン等の絶縁性樹脂、及びポリビニルカルバゾール、ポリビニルアントラセン、ポリビニルピレン、ポリシラン、特開平８−１７６２９３号公報や特開平８−２０８８２０号公報に示されているポリエステル系高分子電荷輸送材等の有機光導電性ポリマー等があげられが、これらに限定されるものではない。これらの結着樹脂は、単独又は２種類以上混合して用いられるが、特にポリカーボネート樹脂、ポリエステル樹脂、メタクリル樹脂、アクリル樹脂が電荷輸送材との相溶性、溶剤への溶解性、強度の点で優れ好ましく用いられる。結着樹脂と電荷輸送物質との配合比（質量比）はいずれの場合も任意に設定することができるが、電気特性低下、膜強度低下に注意しなくてはならない。
【０１７３】
有機光導電性ポリマーを単独で用いることもできる。有機光導電性ポリマーとしては、ポリ−Ｎ−ビニルカルバゾール、ポリシランなどの電荷輸送性を有する公知のものを用いることができる。特に、特開平８−１７６２９３号公報や特開平８−２０８８２０号公報に示されているポリエステル系高分子電荷輸送材は、高い電荷輸送性を有しており、とくに好ましいものである。高分子電荷輸送材はそれだけでも電荷輸送層３２として使用可能であるが、上記結着樹脂と混合して成膜してもよい。
【０１７４】
また、電荷輸送層３２は、電荷輸送層３２が電子写真感光体の表面層（感光層の導電性基体から最も遠い側に配置される層）である場合、潤滑性を付与させ、表面層を磨耗しにくくしたり、傷がつきにくくするため、また感光体表面に付着した現像剤のクリーニング性を高めるために、潤滑性粒子（例えば、シリカ粒子、アルミナ粒子やポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）等のフッ素系樹脂粒子、シリコーン系樹脂粒子）を含有することが好ましい。これらの潤滑性粒子は、２種以上を混合して用いることもできる。特に、フッ素系樹脂粒子は好ましく用いられる。
【０１７５】
フッ素系樹脂粒子としては、４フッ化エチレン樹脂、３フッ化塩化エチレン樹脂、６フッ化プロピレン樹脂、フッ化ビニル樹脂、フッ化ビニリデン樹脂、２フッ化２塩化エチレン樹脂およびそれらの共重合体の中から１種あるいは２種以上を適宜選択するのが望ましいが、特に、４フッ化エチレン樹脂、フッ化ビニリデン樹脂が好ましい。
【０１７６】
フッ素系樹脂の一次粒径は０．０５μｍ以上１μｍ以下が良く、更に好ましくは０．１μｍ以上０．５μｍ以下が好ましい。一次粒径が０．０５μｍを下回ると分散時あるいは分散後の凝集が進みやすくなる。又、１μｍを上回ると画質欠陥が発生し易くなる。
【０１７７】
フッ素系樹脂を含有する電荷輸送層におけるフッ素系樹脂の電荷輸送層中含量は、電荷輸送層全量に対し、０．１質量％以上４０質量％以下が適当であり、特に１質量％以上３０質量％以下が好ましい。含量が１質量％未満ではフッ素系樹脂粒子の分散による改質効果が十分でなく、一方、４０質量％を越えると光通過性が低下し、かつ、繰返し使用による残留電位の上昇が生じてくる。
【０１７８】
電荷輸送層３２は、電荷輸送物質及び結着樹脂、並びにその他の材料を適当な溶媒に溶解させた電荷輸送層形成用塗布液を塗布して乾燥することによって形成することができる。
【０１７９】
電荷輸送層３２の形成に使用される溶媒としては、例えば、トルエン、クロロベンゼン等の芳香族炭化水素系溶剤、メタノール、エタノール、ｎ―ブタノール等の脂肪族アルコール系溶剤、アセトン、シクロヘキサノン、２−ブタノン等のケトン系溶剤、塩化メチレン、クロロホルム、塩化エチレン等のハロゲン化脂肪族炭化水素溶剤、テトラヒドロフラン、ジオキサン、エチレングリコール、ジエチルエーテル等の環状或いは直鎖状エーテル系溶剤、或いはこれらの混合溶剤等を用いることができる。なお、電荷輸送物質と上記結着樹脂との配合比は１０：１〜１：５が好ましい。
【０１８０】
また、電荷輸送層形成用塗布液には塗膜の平滑性向上のため、シリコーンオイル等のレベリング剤を微量添加することもできる。
【０１８１】
電荷輸送層３２中にフッ素系樹脂を分散させる方法としては、ロールミル、ボールミル、振動ボールミル、アトライター、サンドミル、高圧ホモジナイザー、超音波分散機、コロイドミル、衝突式メディアレス分散機、貫通式メディアレス分散機等の方法を用いることができる。
【０１８２】
電荷輸送層３２を形成する塗布液の分散例としては、溶媒に溶解した結着樹脂、電荷輸送材料などの溶液中にフッ素系樹脂粒子を分散する方法が挙げられる。
【０１８３】
電荷輸送層３２を形成する塗工液を製造する工程では、塗工液の温度を０℃〜５０℃の範囲に制御することが好ましい。
【０１８４】
塗工液製造工程での塗工液の温度を０℃〜５０℃に制御する方法として、水で冷やす、風で冷やす、冷媒で冷やす、製造工程の室温を調節する、温水で暖める、熱風で温める、ヒーターで暖める、発熱しにくい材料で塗工液製造設備を作る、放熱しやすい材料で塗工液製造設備を作る、蓄熱しやすい材料で塗工液製造設備を作るなどの方法が利用できる。分散液の分散安定性を向上させるため、及び塗膜形成時の凝集を防止するために分散助剤を少量添加することも有効である。分散助剤として、フッ素系界面活性剤、フッ素系ポリマー、シリコーン系ポリマー、シリコーンオイル等が挙げられる。
【０１８５】
また、フッ素系樹脂と前記分散助剤を少量の分散溶剤中であらかじめ分散、攪拌、混合した後、電荷輸送材料と結着樹脂と分散溶剤とを混合溶解した液と攪拌、混合した後に前記方法により分散することも有効な手段である。
【０１８６】
電荷輸送層３２を設けるときに用いられる塗布方法としては、浸漬塗布法、突き上げ塗布法、スプレー塗布法、ロールコータ塗布法、ワイヤーバー塗布法、グラビアコータ塗布法、ビード塗布法、カーテン塗布法、ブレード塗布法、エアーナイフ塗布法等を用いることができる。
【０１８７】
電荷輸送層３２の層厚は、５μｍ以上５０μｍ以下が好ましく、１０μｍ以上４０μｍ以下がより好ましい。
【０１８８】
さらに、感光体１２には電子写真装置中で発生するオゾンや酸化性ガス、あるいは光・熱による感光体１２の劣化を防止する目的で、感光層３中に酸化防止剤・光安定剤などの添加剤を添加する事ができる。
【０１８９】
たとえば、酸化防止剤としてはヒンダードフェノール、ヒンダードアミン、パラフェニレンジアミン、アリールアルカン、ハイドロキノン、スピロクロマン、スピロインダノン及びそれらの誘導体、有機硫黄化合物、有機燐化合物等が挙げられる。
【０１９０】
酸化防止剤の具体的な化合物例として、フェノール系酸化防止剤では２，６−ジ−ｔ−ブチル−４−メチル  フェノール、スチレン化フェノール、ｎ−オクタデシル−３−（３’，５’−ジ−ｔ−ブチル  ４’−ヒドロキシフェニル）−プロピオネート、２，２’−メチレン−ビス−（４−メチル−６−ｔ−ブチル  フェノール）、２−ｔ−ブチル−６−（３’−ｔ−ブチル−５’−メチル−２’−ヒドロキシベンジル）−４−メチルフェニル  アクリレート、４，４’−ブチリデン−ビス−（３−メチル−６−ｔ−ブチル−フェノール）、４，４’−チオ−ビス−（３−メチル  ６−ｔ−ブチル  フェノール）、１，３，５−トリス（４−ｔ−ブチル−３−ヒドロキシ−２，６−ジメチル  ベンジル）イソシアヌレート、テトラキス−［メチレン−３−（３’，５’−ジ−ｔ−ブチル−４’−ヒドロキシ−フェニル）プロピオネート］−メタン、３，９−ビス［２−［３−（３−ｔ−ブチル−４−ヒドロキシ−５−メチル  フェニル）プロピオニルオキシ］−１，１−ジメチル  エチル］−２，４，８，１０−テトラオキサスピロ［５，５］ウンデカン等が挙げられる。
【０１９１】
ヒンダードアミン系化合物ではビス（２，２，６，６−テトラメチル−４−ピペリジル）セバケート、ビス（１，２，２，６，６−ペンタメチル−４−ピペリジル）セバケート、１−［２−［３−（３，５−ジ−ｔ−ブチル−４−ヒドロキシフェニル）プロピオニルオキシ］エチル］−４−［３−（３，５−ジ−ｔ−ブチル−４−ヒドロキシフェニル）プロピオニルオキシ］−２，２，６，６−テトラメチルピペリジン、８−ベンジル−７，７，９，９−テトラメチル−３−オクチル−１，３，８−トリアザスピロ［４，５］ウンデカン−２，４−ジオン、４−ベンゾイルオキシ−２，２，６，６−テトラメチルピペリジン、コハク酸ジメチル−１−（２−ヒドロキシエチル）−４−ヒドロキシ−２，２，６，６−テトラメチルピペリジン重縮合物、ポリ［｛６−（１，１，３，３−テトラメチルブチル）イミノ−１，３，５−トリアジン−２，４−ジイミル｝｛（２，２，６，６−テトラメチル−４−ピペリジル）イミノ｝ヘキサメチレン｛（２，３，６，６，−テトラメチル−４−ピペリジル）イミノ｝］、２−（３，５−ジ−ｔ−ブチル−４−ヒドロキシベンジル）−２−ｎ−ブチルマロン酸ビス（１，２，２，６，６−ペンタメチル−４−ピペリジル）、Ｎ，Ｎ’−ビス（３−アミノプロピル）エチレンジアミン−２，４−ビス［Ｎ−ブチル−Ｎ−（１，２，２，６，６−ペンタメチル−４ピペリジル）アミノ］−６−クロロ−１，３，５−トリアジン縮合物等が挙げられる。
【０１９２】
有機イオウ系酸化防止剤としてジラウリル−３，３’−チオジプロピオネート、ジミリスチル−３，３’−チオジプロピオネート、ジステアリル−３，３’−チオジプロピオネート、ペンタエリスリトール−テトラキス−（β−ラウリル−チオプロピオネート）、ジトリデシル−３，３’−チオジプロピオネート、２−メルカプト  ベンズイミダゾール等が挙げられる。
【０１９３】
有機燐系酸化防止剤としてトリスノニルフェニル  フォスフィート、トリフェニル  フォスフィート、トリス（２，４−ジ−ｔ−ブチル  フェニル）−フォスフィート等が挙げられる。
【０１９４】
有機硫黄系および有機燐系酸化防止剤は２次酸化防止剤と言われフェノール系あるいはアミン系などの１次酸化防止剤と併用することにより相乗効果を得ることができる。
【０１９５】
光安定剤としては、ベンゾフェノン系、ベンゾトリアゾール系、ジチオカルバメート系、テトラメチルピペリジン系などの誘導体が挙げられる。
【０１９６】
ベンゾフェノン系光安定剤として２−ヒドロキシ−４−メトキシ  ベンゾフェノン、２−ヒドロキシ−４−オクトキシ  ベンゾフェノン、２，２’−ジ−ヒドロキシ−４−メトキシ  ベンゾフェノン等が挙げられる。ベンゾトリアゾール系光安定剤として２−（２’−ヒドロキシ−５’メチル  フェニル−）−ベンゾトリアゾール、２−［２’−ヒドロキシ−３’−（３’’，４’’，５’’，６’’−テトラ−ヒドロフタルイミド−メチル）−５’−メチルフェニル］−ベンゾトリアゾール、２−（２’−ヒドロキシ−３’−ｔ−ブチル５’−メチルフェニル−）−５−クロロ  ベンゾトリアゾール、２−（２’−ヒドロキシ−３’−ｔ−ブチル  ５’−メチルフェニル−）−５−クロロ  ベンゾトリアゾール、２−（２’−ヒドロキシ−３’，５’−ｔ−ブチルフェニル−）−ベンゾトリアゾール、２−（２’−ヒドロキシ−５’−ｔ−オクチル  フェニル）−ベンゾトリアゾール、２−（２’−ヒドロキシ  ３’，５’−ジ−ｔ−アミル  フェニル−）−ベンゾトリアゾール等が挙げられる。
【０１９７】
その他の化合物として２，４−ジ−ｔ−ブチルフェニル  ３’，５’−ジ−ｔ−ブチル−４’−ヒドロキシベンゾエート、ニッケル  ジブチル−ジチオカルバメート等がある。
【０１９８】
また感度の向上、残留電位の低減、繰り返し使用時の疲労低減等を目的として少なくとも１種の電子受容性物質を含有せしめることができる。
【０１９９】
電子受容性物質としては、例えば無水琥珀酸、無水マレイン酸、ジブロム無水マレイン酸、無水フタル酸、テトラブロム無水フタル酸、テトラシアノエチレン、テトラシアノキノジメタン、ｏ−ジニトロベンゼン、ｍ−ジニトロベンゼン、クロラニル、ジニトロアントラキノン、トリニトロフルオレノン、ピクリン酸、ｏ−ニトロ安息香酸、ｍ−ニトロ安息香酸、フタル酸等をあげる事ができる。これらのうち、フルオレノン系、キノン系や、Ｃｌ，ＣＮ，ＮＯ2等の電子吸引性置換基を有するベンゼン誘導体が特によい。
【０２００】
保護層５は、積層構造からなる感光体１２では帯電時の電荷輸送層の化学的変化を防止したり、感光体１２の機械的強度を向上させ、表面層の磨耗、傷などへの耐性をさらに改善する為に用いられる。
【０２０１】
本実施の形態においては、電荷輸送層３２の上に、さらに保護層５を設けることもできる。保護層５は、帯電時の電荷輸送層３２の化学的変化を防止したり、感光層３の機械的強度をさらに改善したりする為に用いられる。
この保護層５は、結着樹脂（硬化性樹脂を含む）、電荷輸送性化合物を含んで構成されている。保護層５の形態としては、硬化性樹脂や電荷輸送性化合物を含む樹脂硬化膜、導電性材料を適当な結着樹脂中に含有させて形成された膜などから成る。硬化性樹脂としては公地の樹脂であれば何でも使用できるが、例えばフェノール樹脂、ポリウレタン樹脂、メラミン樹脂、ジアリルフタレート樹脂、シロキサン樹脂等が挙げられる。
【０２０２】
前記電荷輸送性化合物としては、前述の電荷輸送層３２に用いる電荷輸送物質や電荷輸送性樹脂を用いることができる。また、前記導電性材料としては、ジメチルフェロセン等のメタロセン化合物、酸化アンチモン、酸化スズ、酸化チタン、酸化インジウム、ＩＴＯ等の金属酸化物等の材料を用いることができるが、これらに限定されるものではない。
【０２０３】
保護層５の電気抵抗は、１０9Ω・ｃｍ以上１０14Ω・ｃｍ以下の範囲であることが好適である。電気抵抗が１０14Ω・ｃｍを越えると残留電位が増加する場合があり、他方、１０9Ω・ｃｍ未満であると沿面方向での電荷漏洩が無視できなくなり、解像度の低下が生じてしまう場合がある。
【０２０４】
保護層５の層厚は０．５μｍ以上２０μｍ以下の範囲が好ましく、２μｍ以上１０μｍ以下の範囲であることがより好ましい。保護層５を設けた場合、必要に応じて、感光層３と保護層５との間に、保護層５から感光層３への電荷の漏洩を阻止するためのブロッキング層を設けることができる。このブロッキング層としては、保護層５の場合と同様に公知のものを用いることができる。
【０２０５】
前記保護層５には、表面潤滑性を付与する目的でフッ素原子含有化合物を添加できる。表面潤滑性を向上させることによりクリーニング部材との摩擦係数が低下し、耐摩耗性を向上させることができる。また、感光体表面に対する放電生成物、現像剤および紙粉などの付着を防止する効果も有し、感光体の寿命向上に役立つ。
【０２０６】
前記フッ素含有化合物としては、ポリテトラフルオロエチレンなどのフッ素原子含有ポリマーをそのまま添加するか、あるいはそれらポリマーの粒子を添加することができる。
前記フッ素含有化合物の添加量としては、保護層中の２０質量％以下とすることが好ましい。これを越えると、架橋硬化膜の成膜性に問題が生じる場合がある。
【０２０７】
前記保護層５は十分な耐酸化性を有しているが、さらに強い耐酸化性を付与する目的で、酸化防止剤を添加してもよい。酸化防止剤としては、ヒンダードフェノール系あるいはヒンダードアミン系が望ましく、有機イオウ系酸化防止剤、フォスファイト系酸化防止剤、ジチオカルバミン酸塩系酸化防止剤、チオウレア系酸化防止剤、ベンズイミダゾール系酸化防止剤、などの公知の酸化防止剤を用いてもよい。酸化防止剤の添加量としては、保護層中の１５質量％以下が好ましく、１０質量％以下がさらに好ましい。
【０２０８】
前記ヒンダードフェノール系酸化防止剤としては、ヒンダードフェノール系酸化防止剤としては、２，６−ジ−ｔ−ブチル−４−メチルフェノール、２，５−ジ−ｔ−ブチルヒドロキノン、Ｎ，Ｎ'−ヘキサメチレンビス（３，５−ジ−ｔ−ブチル−４−ヒドロキシヒドロシンナマイド、３，５−ジ−ｔ−ブチル−４−ヒドロキシ−ベンジルフォスフォネート−ジエチルエステル、２，４−ビス［（オクチルチオ）メチル］−ｏ−クレゾール、２，６−ジ−ｔ−ブチル−４−エチルフェノール、２，２'−メチレンビス（４−メチル−６−ｔ−ブチルフェノール）、２，２'−メチレンビス（４−エチル−６−ｔ−ブチルフェノール）、４，４'−ブチリデンビス（３−メチル−６−ｔ−ブチルフェノール）、２，５−ジ−ｔ−アミルヒドロキノン、２−ｔ−ブチル−６−（３−ブチル−２−ヒドロキシ−５−メチルベンジル）−４−メチルフェニルアクリレート、４，４'−ブチリデンビス（３−メチル−６−ｔ−ブチルフェノール）、等が挙げられる。
【０２０９】
また前記保護層５には、公知の塗膜形成に用いられるその他の添加剤を添加することも可能であり、レベリング剤、紫外線吸収剤、光安定化剤、界面活性剤、など公知のものを用いることができる。
前記保護層５を形成するためには、前述の各種材料、および各種添加剤の混合物を感光層の上に塗布し加熱処理する。これにより、３次元的に架橋硬化反応を起こさせ、強固な硬化膜を形成する。加熱処理の温度は、下層である感光層３に影響しなければ特に制限はないが、室温〜２００℃の範囲、特に１００〜１６０℃の範囲に設定するのが好ましい。
【０２１０】
前記保護層５の形成において、架橋性材料を用いた場合は架橋硬化反応を行うが、その際には無触媒で行なってもよいが、適切な触媒を用いてもよい。触媒としては、塩酸、硫酸、燐酸、蟻酸、酢酸、トリフルオロ酢酸、等の酸触媒、アンモニア、トリエチルアミン等の塩基、ジブチル錫ジアセテート、ジブチル錫ジオクトエート、オクエ酸第一錫等の有機錫化合物、テトラ−ｎ−ブチルチタネート、テトライソプロピルチタネート等の有機チタン化合物、有機カルボン酸の鉄塩、マンガン塩、コバルト塩、亜鉛塩、ジルコニウム塩、アルミニウムキレート化合物等が挙げられる。
【０２１１】
前記保護層５には、塗布を容易にするため、必要に応じて溶剤を添加して用いることができる。具体的には、水、メタノール、エタノール、ｎ−プロパノール、ｉ−プロパノール、ｎ−ブタノール、ベンジルアルコール、メチルセロソルブ、エチルセロソルブ、アセトン、メチルエチルケトン、シクロヘキサノン、酢酸メチル、酢酸ｎ−ブチル、ジオキサン、テトラヒドロフラン、メチレンクロライド、クロロホルム、ジメチルエーテル、ジブチルエーテル、等の通常の有機溶剤を単独あるいは２種以上混合して用いることができる。
【０２１２】
前記保護層５の形成において、塗布方法としては、ブレード塗布法、ワイヤーバー塗布法、スプレー塗布法、浸漬塗布法、ビード塗布法、エアーナイフ塗布法、カーテン塗布法等の通常の方法を用いることができる。
【０２１３】
なお、本実施の形態の感光体１２は、高解像度を得るための電荷発生層より上層の機能層の層厚は、所望の特性が得られるのであればいかなる層厚に設定することができるが、５０μｍ以下とすることが好ましい。機能層が薄膜の場合は、金属酸化物粒子とアクセプター性化合物とを含む下引層２と高強度な保護層５との組み合わせが特に有効に用いられる。
【０２１４】
なお、感光体１２は、上記構成に限定されるものではない。例えば、感光体１２において、上記中間層及び上記保護層５の何れか一方または双方が存在しない構成のものでもよい。すなわち、導電性基体７に下引層２及び感光層３が積層された構成のもの、導電性基体７上に下引層２、中間層４、及び感光層３が順次形成された構成のもの、導電性基体７上に下引層２、感光層３、及び保護層５が順次形成された構成のものでもよい。
【０２１５】
また、電荷発生層３１と電荷輸送層３２とは、その積層順序が逆であってもよい。また、感光層３が単層構造であってもよい。その場合、感光層３上に保護層５を備えるものであってもよく、下引層２と保護層５を共に有するものであってもよい。さらに、下引層上には、上述したように中間層４を設けてもよい。
【０２１６】
なお、感光体１２の下引層２は、上述のように、フィラーを含有していることが好ましい旨を上記説明したが、感光体１２においては、感光体１２の上記電荷発生層３１及び該電荷発生層３１より表面側（導電性基体７とは反対側）に設けられた層は、フィラーを含有しないことが好ましい。
これは、例えば、感光層３にフィラーが含まれていると、より感光体１２の表面に近い領域で第1の波長の光に対する乱反射が生じることから、結果的に、感光体１２に照射された第1の波長の光の反射光の光量が低下するため、トナー濃度の測定精度の低下となるためである。感光層３の膜厚を制御することにより感光体１２に照射された第1の波長の光の反射光の光量制御も可能であるが、感光層３の膜厚は感光体１２の感度や維持性に直接作用する為、所望の感光体特性を得る為に感光層３の膜厚制御を用いる。よって、感光体１２に照射された第1の波長の光の反射光の光量制御には感光層３の膜厚制御を用いることは困難である。
一方、下引層２にフィラーを含有させた場合には、基材と下引層２からのされた第1の波長の光の反射光の光量の調整がしやすく、感光体１２全体の第1の反射光に対する反射率を調整することが容易となり好ましい。
【０２１７】
また、感光体１２は、上記説明したように、濃度測定装置２２の発光素子２２Ａから照射される第１の波長の光に対する表面の正反射率が、30％以上95％以下の範囲内である導電性基体７上に、この発光素子２２Ａから照射されるこの第１の波長の光に対する光透過率が５０％以上である下引層２と、この第１の波長の光に対しては吸収を有さず且つ該第１の波長とは異なり上記露光装置１８から照射される上記第２の波長の光に対して吸収を有する感光層３と、を少なくとも積層して構成されていることを説明したが、上述のように、感光体１２が、保護層５や中間層４等の、導電性基体７、下引層２、及び感光層３以外の他の層を含んだ構成である場合には、少なくとも感光層３より、表面側に設けられた層は、第１の波長の光に対して吸収を有さない特性を有することが好ましい。
【０２１８】
次に、本実施の形態で用いられる現像剤について説明する。本発明の画像形成装置には、トナーのみからなる一成分系、トナーとキャリアとからなる二成分系の現像剤を用いることができる。
【０２１９】
使用されうるトナーとしては、トナーの形状は特に限定されるものではないが、高画質化、エコロジーの観点から球形トナーが好ましい。球形トナーとは、高転写効率を達成するために、平均形状係数（ＳＦ１）１００以上１５０以下、好ましくは１００以上１４０以下の範囲で表される球形状を有するトナーである。この平均形状係数ＳＦ１が１４０より大きくなると転写効率が低下してしまい、プリントサンプルの画質の低下が目視で確認できてしまう。
【０２２０】
球形トナーは、少なくとも結着樹脂と着色剤を含有してなる。この球形トナーは、好ましくは２μｍ以上１２μｍ以下の粒子、より好ましくは３μｍ以上９μｍ以下の粒子を用いることができる。
【０２２１】
結着樹脂としては、のスチレン類、モノオレフィン類、ビニルエステル類、α―メチレン脂肪族モノカルボン酸エステル類、ビニルエーテル類、ビニルケトン類等の単独重合体および共重合体を例示することができ、特に代表的な結着樹脂としては、ポリスチレン、スチレンーアクリル酸アルキル共重合体、スチレンーメタクリル酸アルキル共重合体、スチレンーアクリロニトリル共重合体、スチレンーブタジエン共重合体、スチレンー無水マレイン酸共重合体、ポリエチレン、ポリプロピレン等が挙げられる。さらに、ポリエステル、ポリウレタン、エポキシ樹脂、シリコーン樹脂、ポリアミド、変性ロジン、パラフィンワックス等も挙げられる。
【０２２２】
着色剤としては、マグネタイト、フェライト等の磁性粉、カーボンブラック、アニリンブルー、カルコイルブルー、クロムイエロー、ウルトラマリンブルー、デュポンオイルレッド、キノリンイエロー、メチレンブルークロリド、フタロシアニンブルー、マラカイトグリーンオキサレート、ランプブラック、ローズベンガル、Ｃ．Ｉ．ピグメント・レッド４８：１、Ｃ．Ｉ．ピグメント・レッド１２２、Ｃ．Ｉ．ピグメント・レッド５７：１、Ｃ．Ｉ．ピグメント・イエロー９７、Ｃ．Ｉ．ピグメント・イエロー１７、Ｃ．Ｉ．ピグメント・ブルー１５：１、Ｃ．Ｉ．ピグメント・ブルー１５：３等を代表的なものとして挙げられる。
【０２２３】
球形トナーには、帯電制御剤、離型剤、他の無機粒子等の公知の添加剤を内添加処理や外添加処理してもよい。
【０２２４】
離型剤としては低分子ポリエチレン、低分子ポリプロピレン、フィッシャートロプシュワックス、モンタンワックス、カルナバワックス、ライスワックス、キャンデリラワックス等を代表的なものとして挙げられる。
【０２２５】
帯電制御剤としては、公知のものを使用することができるが、アゾ系金属錯化合物、サリチル酸の金属錯化合物、極性基を含有するレジンタイプの帯電制御剤を用いることができる。
【０２２６】
他の無機粒子としては、粉体流動性、帯電制御等の目的で、平均１次粒径が４０ｎｍ以下の小径無機粒子を用い、更に必要に応じて、付着力低減の為、それより大径の無機あるいは有機粒子を併用してもよい。これらの他の無機粒子は公知のものを使用できる。
【０２２７】
また、小径無機粒子については表面処理することにより、分散性が高くなり、粉体流動性をあげる効果が大きくなるため有効である。
【０２２８】
球形トナーは、特に製造方法により限定されるものではなく、公知の方法により得ることができる。具体的には、例えば混練粉砕法、混練粉砕法にて得られた粒子を機械的衝撃力または熱エネルギーにて形状を変化させる方法、乳化重合凝集法、溶解懸濁法等が挙げられる。また上記方法で得られた球形トナーをコアにして、さらに凝集粒子を付着、加熱融合してコアシェル構造をもたせる製造方法を行ってもよい。外添剤を添加する場合、球形トナー及び外添剤をヘンシェルミキサーあるいはＶブレンダー等で混合することによって製造することができる。また、球形トナーを湿式にて製造する場合は、湿式にて外添することも可能である。
【０２２９】
画像形成装置１０は、さらに、画像形成装置１０全体を制御するためのシステム制御部３８と、画像形成装置１０で記録する画像の画像データを取得する取得部４２が設けられている。
【０２３０】
システム制御部３８は、上記帯電装置１４の電源１４Ａ、露光装置１８、現像装置２０の現像バイアス電圧印加部２０Ａ、濃度測定装置２２の上記発光素子２２Ａ、濃度測定装置２２の演算部２２Ｃ、転写バイアス電圧印加部２４Ａ、及び取得部４２にデータや信号授受可能に接続されると共に、画像形成装置１０に設けられた図示を省略する各種機器に信号授受可能に接続されている。
【０２３１】
取得部４２は、無線通信網や有線通信網等を介して画像形成装置１０の外部装置(パーソナルコンピュータ等)からデータを受信する。
【０２３２】
システム制御部３８は、図示を省略するＣＰＵ、ＲＯＭ、及びＲＡＭを含むマイクロコンピュータとして構成されており、画像形成装置１０に含まれる装置各部を制御するとともに、濃度測定装置２２によって測定されたトナー濃度の測定結果に基づいて、画像形成条件を制御する。
【０２３３】
なお、このシステム制御部３８が、本発明の画像形成装置の制御手段に相当する。
【０２３４】
システム制御部３８は、画像形成装置１０に含まれる装置各部を制御し、濃度測定装置２２によって測定されたトナー濃度の測定結果に基づいて、画像形成条件を制御する。
【０２３５】
このような画像形成装置１０においては、システム制御部３８による電源１４Ａの制御によって、帯電装置１４により感光体１２表面が所定の帯電電位に帯電される。また、システム制御部３８の露光装置１８の制御によって、露光装置１８は、画像形成装置１０で形成する対象となる画像データに基づいて変調した露光光（上記第２の波長の光）を感光体１２へ照射する。これにより、感光体１２上に画像データに応じた静電潜像が形成される。
感光体１２の回転によって、感光体１２上の静電潜像の形成された領域が、現像装置２０の設けられている領域に達すると、この静電潜像がトナーによって現像されて、感光体１２上に静電潜像に応じたトナー像が形成される。この現像装置２０による現像は、システム制御部３８の制御に応じた現像バイアス電圧が現像バイアス電圧印加部２０Ａから現像ロール２０Ｂへ印加されることによって行われる。
【０２３６】
さらに、感光体１２の回転によってトナー像の形成された領域が、濃度測定装置２２の設置された領域に到ると、濃度測定装置２２によってトナー像の濃度が測定される。
【０２３７】
システム制御部３８では、濃度測定装置２２によって測定されたトナー濃度が、露光装置１８によって形成した静電潜像の画像の該画像データの濃度と一致するか否かを判別し、不一致である場合には、画像形成条件を制御する。
【０２３８】
この画像形成条件とは、帯電装置１４の帯電電位、露光装置１８による露光量、現像装置２０の現像バイアス電圧、転写装置２４の転写バイアス電圧の内の少なくとも１つである。すなわち、システム制御部３８では、画像形成条件として、帯電装置１４の帯電電位、露光装置１８による露光量、現像装置２０の現像バイアス電圧、転写装置２４の転写バイアス電圧の内の少なくとも１つを調整するように、帯電装置１４、露光装置１８、現像装置２０、及び転写装置２４の少なくとも１つを制御する。
【０２３９】
ここで、電子写真方式の画像形成装置１０では、図４に示すように、感光体１２上に担持されるトナーの量は、帯電装置１４によって感光体１２が帯電電位Ｖｈとなるように帯電され、露光装置１８によって露光されると、この露光された露光領域が露光電位Ｖ１となる。そして、この露光領域の露光電位Ｖ１と、現像装置２０による現像バイアス電圧Ｖdeveとの電位差に応じて、電位差が大きくなるほど多くのトナーが感光体１２表面に担持される。すなわち、露光電位Ｖ１と現像バイアス電圧Ｖｄｅｖｅとの差が大きくなるほど、感光体１２上に担持されるトナー量が増え、形成されたときの画像の濃度が高くなる。
【０２４０】
このため、濃度測定装置２２検出されたトナー像濃度が形成する対象となる画像データの画像の濃度より高い場合には、システム制御部３８における上記、濃度測定装置２２で検出されるトナー像の濃度が画像データの画像の濃度となるように制御する処理では、例えば、この露光電位Ｖ１と現像バイアス電圧Ｖdeveとの電位差が、該高濃度のトナー像を形成したときの露光電位Ｖ１と現像バイアス電圧Ｖdeveとの電位差(以下、基準電位差と称する)より小さくなるように、露光装置１８による露光量を調整すればよい。
【０２４１】
ここで、上述のように、濃度測定装置２２により測定されたトナー像の濃度に基づいて、画像形成条件を調整すれば、画像形成装置１０における濃度変動を抑制することができ、画質劣化を抑制することはできるが、濃度測定装置２２による測定結果の精度が低下すると、結果的に得られる画像の画質劣化につながることが懸念される。
【０２４２】
しかしながら、本実施の形態の画像形成装置１０では、上記説明したように、感光体１２が、濃度測定装置２２の発光素子２２Ａから照射される第１の波長の光に対する表面の正反射率が、30％以上95％以下の範囲内である導電性基体７上に、この発光素子２２Ａから照射されるこの第１の波長の光に対する光透過率が５０％以上である下引層２と、この第１の波長の光に対しては吸収を有さず且つ該第１の波長とは異なり上記露光装置１８から照射される上記第２の波長の光に対して吸収を有する感光層３と、を少なくとも積層して構成されている。
【０２４３】
このため、濃度測定装置２２により、感光体１２上に形成されトナー像の濃度を精度良く測定することができるとともに、画像形成装置１０において、濃度変動の少ない画像を形成することができ、画像形成装置１０における画質劣化を抑制することができる。
【０２４４】
なお、図１には、モノクロの画像を形成する画像形成装置を示したが、このような形態にかぎられず、本発明の画像形成装置は、タンデム型のカラー画像形成装置等の複数の画像形成ユニットを備えた装置、あるいはロータリー型現像装置（回転現像機ともいう）であってもよい。ここで、ロータリー型現像装置とは、複数の現像装置を回転移動させ、必要な現像装置のみを感光体に対向させ、目的とする色のトナーを感光体上に順次形成する方式の現像装置を意味する。
【０２４５】
更に、感光体と、帯電装置、現像装置、転写装置及びクリーニング装置から選ばれる少なくとも１種とを一体化し、画像形成装置に着脱可能なプロセスカートリッジとしてもよい。
【実施例】
【０２４６】
以下、実施例及び比較例に基づき本発明を更に具体的に説明するが、本発明は以下の実施例に何ら限定されるものではない。
【０２４７】
〔実施例１〕
まず、導電性基体として、アルミニウム基体を用意した。このアルミニウム基体の表面について、砥石による精密切削処理を用いて表面処理を行った後に、第１の波長として950ｎｍの波長の光を、鏡面基体からの反射率を100％となる強度で大塚電子社製、商品名瞬間マルチ測光システムMCPD-2000を用いて正反射率を測定したところ、55％であった。
【０２４８】
次に、酸化亜鉛：（平均粒子径７０ｎｍ：テイカ社製：比表面積値１５m2/g）１００質量部をトルエン５００質量部と攪拌混合し、シランカップリング剤（KBM603：信越化学社製）1.25質量部を添加し、２時間攪拌した。その後トルエンを減圧蒸留にて留去し、120℃で3時間）焼き付けを行い、シランカップリング剤表面処理酸化亜鉛顔料を得た。
【０２４９】
前記表面処理を施した酸化亜鉛顔料60質量部と、アリザリン0.6質量部と硬化剤 ブロック化イソシアネート スミジュール3175(住友バイエルンウレタン社製) ：13.5質量部とブチラール樹脂 BM-1 (積水化学社製) １５質量部をメチルエチルケトン８５質量部に溶解した溶液３８質量部とメチルエチルケトン ：２５質量部とを混合し、1mmφのガラスビーズを用いてサンドミルにて２時間の分散を行い、分散液を得た。得られた分散液に触媒としてジオクチルスズジラウレート：0.005質量部、シリコーン樹脂粒子トスパール145（GE東芝シリコーン社製）：4.0質量部を添加し、下引層塗布用液を得た。この塗布液を浸漬塗布法にて上記作製したアルミニウム基体上に塗布し、170℃、40分の乾燥硬化を行い厚さ15μmの下引層を得た。
【０２５０】
また、この塗布液を浸漬塗布法にてガラスプレート（まつなみガラス社製、商品名S-1111、第１の波長としての上記９５０ｎｍの波長の光に対する透過率１００％）上に塗布し、透過率測定用サンプルを得た。この透過率測定用サンプルの950nm光における透過率を、
日立社製、商品名U-2000を用いて測定したところ、3.7％であり、下引層の厚は１５μｍであることから、下引層の単位層厚あたりの第１の波長の光（９５０ｎｍ）に対する透過率は５５％であった。
【０２５１】
また、５５（％）／４．５＝１２．２であることから、１５（μｍ）＞１２．２であり、式（１）の関係を満たしていた。
【０２５２】
次に、下引層上に感光層を形成した。まず、電荷発生物質としてのCukα線を用いたＸ線回折スペクトルのブラッグ角度(２θ±０．２°)が少なくとも７．３゜，１６．０゜，２４．９゜，２８．０゜の位置に回折ピークを有するヒドロキシガリウムフタロシアニン１５部、結着樹脂としての塩化ビニル・酢酸ビニル共重合体樹脂（ＶＭＣＨ、日本ユニカー社製）１０部、ｎ-酢酸ブチル200部からなる混合物を、1mmφのガラスビーズを用いてサンドミルにて４時間分散した。得られた分散液にｎ-酢酸ブチル175部、メチルエチルケトン180部を添加し、攪拌して電荷発生層用の塗布液を得た。この電荷発生層用塗布液を下引層上に浸漬塗布し、常温で乾燥して、厚みが０．２μｍの電荷発生層を形成した。
【０２５３】
次に、電荷輸送物質としてＮ，Ｎ’−ジフェニル−Ｎ，Ｎ’−ビス（３−メチルフェニル）−［１，１’］ビフェニル−４，４’−ジアミン４質量部、ビスフェノールＺ型ポリカーボネート樹脂（粘度平均分子量４０，０００）６質量部を、テトラヒドロフラン２３質量部、トルエン１０質量部に混合溶解した後、２，６−ジ−ｔ−ブチル−４−メチルフェノール０．２質量部を混合して電荷輸送層形成用塗布液を得た。この塗布液を電荷発生層上に塗布して１３５℃で４０分間乾燥し、層厚２８μｍの電荷輸送層を形成し、感光体を得た。
【０２５４】
この感光層について、吸収測定用の試料として同様にしてガラスプレート（まつなみガラス社製、商品名S-1111を別途作製し、第１の波長の光として用いる９５０ｎｍの光に対する吸光度、及び第２の波長（露光光）として用いる780ｎｍの光に対する吸光度各々を、日立社製、商品名U-2000を用いて測定したところ、各々0.05、1.0であり、第１の波長の光に対しては吸収を有さず、且つ第２の波長の光に対しては吸収を有していた。
【０２５５】
さらに、作製した感光体について、第１の波長の光として用いる９５０ｎｍの光を電荷輸送層側から導電性基体側へ向かって照射し、上記下引層と同様にして第１の波長の光に対する正反射率を測定したところ、4％であった。
【０２５６】
上記作製した感光体を富士ゼロックス社製レーザープリンターＤｏｃｕ Ｃｅｎｔｒｅ f1100に、濃度検知装置として、感光体へ照射する第1の波長の光を９５０ｎｍとしたものを用い、普通紙（富士ゼロックス社製、Ａ３  Ｐ紙）を用いてプリント試験を行った。
【０２５７】
このプリント試験は、20℃40％ＲＨの環境下で、Ａ：画像密度100%，Ｂ:画像密度70%，Ｃ: 画像密度50%、Ｄ：画像密度20%各々の密度の画像各々を1枚形成し、各々の画像密度において1画像濃度をエックスライト社製、商品名反射分光濃度計を用いて測定したところ、各々の入力画像密度に対する再現率はＡ：97％、Ｂ：95％、Ｃ：95％、Ｄ：89％であった。
【０２５８】
〔実施例２〕
実施例１のサンドミル分散時間を5時間とし、下引層層厚を20μｍとした以外は実施例１と同様にして感光体を得た。下引層透過率測定用サンプルも実施例１と同様にして作製し、実施例１と同様にして測定をおこなった結果、波長950nmの光における透過率は、
3.75％であり、下引層層厚が２０μｍであることから、下引層の単位層厚あたりの第１の波長の光（９５０ｎｍ）に対する透過率は７５％であった。
【０２５９】
また、７５（％）／４．５＝１６．７であることから、２０（μｍ）＞１６．７であり、式（１）の関係を満たしていた。
【０２６０】
また、実施例２で作製した感光体について、第１の波長の光として用いる９５０ｎｍの光を電荷輸送層側から導電性基体側へ向かって照射し、上記下引層と同様にして第１の波長の光に対する正反射率を測定したところ、5％であった。
【０２６１】
上記作製した感光体を実施例１と同様にしてプリント試験を行ったところ、画像密度100%，Ｂ:画像密度70%，Ｃ: 画像密度50%、Ｄ：画像密度20%各々の画像密度に対する再現率はＡ：99％、Ｂ：98％、Ｃ：93％、Ｄ：89％であった。
【０２６２】
〔実施例３〕
実施例１のサンドミル分散時間を10時間とし、下引層層厚を２５μｍとした以外は実施例１と同様にして感光体を得た。下引層透過率測定用サンプルも実施例１と同様にして作製し、実施例１と同様にして測定をおこなった結果、波長950nmの光における透過率は、3.6％であり、下引層層厚が２５μｍであることから、下引層の単位層厚あたりの第１の波長の光（９５０ｎｍ）に対する透過率は９０％であった。
【０２６３】
また、９０（％）／４．５＝２０であることから、２５（μｍ）＞２０であり、式（１）の関係を満たしていた。
【０２６４】
また、実施例３で作製した感光体について、第１の波長の光として用いる９５０ｎｍの光を電荷輸送層側から導電性基体側へ向かって照射し、上記下引層と同様にして第１の波長の光に対する正反射率を測定したところ、6％であった。
【０２６５】
上記作製した感光体を実施例１と同様にしてプリント試験を行ったところ、Ａ：画像密度100%，Ｂ:画像密度70%，Ｃ: 画像密度50%、Ｄ：画像密度20%各々の画像密度に対する再現率はＡ：99％、Ｂ：98％、Ｃ：94％、Ｄ：88％であった。
【０２６６】
[実施例４]
実施例１のサンドミル分散時間を5時間とし、下引層層厚を12μｍとした以外は実施例１と同様にして感光体を得た。下引層透過率測定用サンプルも実施例１と同様にして作製し、測定をおこなった結果950nmの光における透過率は、6.3％であり、下引層層厚が１２μｍであることから、下引層の単位層厚あたりの第１の波長の光（９５０ｎｍ）に対する透過率は７５％であった。
【０２６７】
また、７５（％）／４．５＝１６．７であることから、１２（μｍ）＜１６．７であり、式（１）の関係は満たしていなかった。
【０２６８】
また、実施例４で作製した感光体について、第１の波長の光として用いる９５０ｎｍの光を電荷輸送層側から導電性基体側へ向かって照射し、上記下引層と同様にして第１の波長の光に対する正反射率を測定したところ、9％であった。
【０２６９】
上記作製した感光体を実施例１と同様にしてプリント試験を行ったところ、Ａ：画像密度100%，Ｂ:画像密度70%，Ｃ: 画像密度50%、Ｄ：画像密度20%各々の画像密度に対する再現率はＡ：75％、Ｂ：70％、Ｃ：65％、Ｄ：50％であった。
【０２７０】
[実施例５]
導電性基体として、アルミニウム基体を用意した。このアルミニウム基体の表面について、砥石による精密切削処理を用いて表面処理を行った後に、第１の波長として950ｎｍの波長の光を、実施例１と同様にして測定したところ、30％であった。この基体上に、実施例１と同様にして実施例１と同じ下引層、感光層を設けて感光体を作製した。この感光体について、第１の波長の光として用いる９５０ｎｍの光を電荷輸送層側から導電性基体側へ向かって照射し、上記実施例１と同様にして第１の波長の光に対する正反射率を測定したところ、1.5％であった。
【０２７１】
上記作製した感光体を実施例１と同様にしてプリント試験を行ったところ、Ａ：画像密度100%，Ｂ:画像密度70%，Ｃ: 画像密度50%、Ｄ：画像密度20%各々の画像密度に対する再現率はＡ：70％、Ｂ：70％、Ｃ：55％、Ｄ：40％であった。
【０２７２】
[実施例６]
導電性基体として、アルミニウム基体を用意した。このアルミニウム基体の表面について、砥石による精密切削処理を用いて表面処理を行った後に、第１の波長として950ｎｍの波長の光を、実施例１と同様にして測定したところ、95％であった。この基体上に実施例１と同様にして実施例１と同じ下引層、感光層を設けて感光体を作製した。この感光体について、第１の波長の光として用いる９５０ｎｍの光を電荷輸送層側から導電性基体側へ向かって照射し、上記実施例１と同様にして第１の波長の光に対する正反射率を測定したところ、9.5％であった。
【０２７３】
上記作製した感光体を実施例１と同様にしてプリント試験を行ったところ、Ａ：画像密度100%，Ｂ:画像密度70%，Ｃ: 画像密度50%、Ｄ：画像密度20%各々の画像密度に対する再現率はＡ：60％、Ｂ：60％、Ｃ：50％、Ｄ：35％であった。
【０２７４】
[実施例７]
導電性基体として用意したアルミニウム基体を、実施例１と同様にして表面処理を行った。実施例１のサンドミル分散時間を1.8時間とした以外は実施例１と同様にして感光体を得た。下引層透過率測定用サンプルも実施例１と同様にして作製し、実施例１と同様にして測定をおこなった結果、波長950nmの光における透過率は、3.33％であり、下引層層厚が15μｍであることから、下引層の単位層厚あたりの第１の波長の光（９５０ｎｍ）に対する透過率は７５％であった。
また、５０（％）／４．５＝１１.１であることから、１５（μｍ）＞１１.１であり、式（１）の関係を満たしていた。
【０２７５】
また、実施例７で作製した感光体について、第１の波長の光として用いる９５０ｎｍの光を電荷輸送層側から導電性基体側へ向かって照射し、上記下引層と同様にして第１の波長の光に対する正反射率を測定したところ、5％であった
【０２７６】
〔比較例１〕
実施例１のサンドミル分散時間を1時間とし、下引層層厚を12μｍとした以外は実施例１と同様にして感光体を得た。下引層透過率測定用サンプルも実施例１と同様にして作製し、測定をおこなった結果950nmの光における透過率は、２．９％であり、下引層層厚が１２μｍであることから、下引層の単位層厚あたりの第１の波長の光（９５０ｎｍ）に対する透過率は３５％であった。
【０２７７】
また、３５（％）／４．５＝７．８であることから、１２（μｍ）＞７．８であり、式（１）の関係は満たしていた。
【０２７８】
また、比較例１で作製した感光体について、第１の波長の光として用いる９５０ｎｍの光を電荷輸送層側から導電性基体側へ向かって照射し、上記下引層と同様にして第１の波長の光に対する正反射率を測定したところ、１３％であった。
【０２７９】
上記作製した感光体を実施例１と同様にしてプリント試験を行ったところ、Ａ：画像密度100%，Ｂ:画像密度70%，Ｃ: 画像密度50%、Ｄ：画像密度20%各々の画像密度に対する再現率はＡ：55％、Ｂ：40％、Ｃ：40％、Ｄ：30％であり、実施例１〜実施例7に比べて著しく劣っていた。
【０２８０】
[比較例２]
導電性基体として、鏡面アルミニウム基体を用意した。
第１の波長として950ｎｍの波長の光を、実施例１と同様にして測定したところ、１００％であった。この基体上に実施例１と下引層、感光層を設け第１の波長の光として用いる９５０ｎｍの光を電荷輸送層側から導電性基体側へ向かって照射し、上記下引層と同様にして第１の波長の光に対する正反射率を測定したところ、１５％であった。
【０２８１】
上記作製した感光体を実施例１と同様にしてプリント試験を行ったところ、Ａ：画像密度100%，Ｂ:画像密度70%，Ｃ: 画像密度50%、Ｄ：画像密度20%各々の画像密度に対する再現率はＡ：50％、Ｂ：40％、Ｃ：40％、Ｄ：35％であり、実施例１〜実施例7に比べて著しく劣っていた。
【０２８２】
〔比較例３〕
導電性基体として、鏡面アルミニウム基体を用意し、Ra0.2μmとなるようにウェットホーニング処理を行った。第１の波長として950ｎｍの波長の光を、実施例１と同様にして測定したところ、20％であった。この基体上に実施例１と下引層、感光層を設け第１の波長の光として用いる９５０ｎｍの光を電荷輸送層側から導電性基体側へ向かって照射し、上記下引層と同様にして第１の波長の光に対する正反射率を測定したところ、１％であった。
【０２８３】
上記作製した感光体を実施例１と同様にしてプリント試験を行ったところ、Ａ：画像密度100%，Ｂ:画像密度70%，Ｃ: 画像密度50%、Ｄ：画像密度20%各々の画像密度に対する再現率はＡ：50％、Ｂ：45％、Ｃ：40％、Ｄ：40％であり、実施例１〜実施例7に比べて著しく劣っていた。
【図面の簡単な説明】
【０２８４】
【図１】本実施の形態の画像形成装置に係る一実施形態を示す概略構成図である。
【図２】本実施の形態の画像形成装置に設けられている濃度測定装置の一形態を示す模式図である。
【図３】本実施の形態の画像形成装置における感光体の一例を示す概略断面図である。
【図４】感光体における帯電電位、露光電位、及び現像電位を示す模式図である。
【符号の説明】
【０２８５】
２  下引層
３  感光層
４  中間層
５  保護層
７  導電性基体
１０  画像形成装置
１２  感光体
１４  帯電装置
１８  露光装置
２０  現像装置
２２Ｃ  演算部
２２Ｂ  受光素子
２２Ａ  発光素子
２２  濃度測定装置
２４  転写装置
２８  除電器
３８  システム制御部
【図１】
0004840271.tif 000005
【図２】
0004840271.tif 000006
【図３】
0004840271.tif 000007
【図４】
0004840271.tif 000008