(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体照明装置のためのパッケージ構造であって、
互いに反対になった第１の表面と第２の表面を有するシリコン基板であって、前記第１の表面が反射空洞を有し、前記第２の表面が前記反射空洞に到達する少なくとも２つの電極アクセスホールを有するものであるシリコン基板、
前記シリコン基板に重畳された第１の絶縁層、
前記反射空洞に成膜された反射層、
前記反射層上に配置されかつ特定の光線の構造的干渉を生じるように調節された厚さを有する第２の絶縁層、
２つの電極パッドとして働きかつ前記反射層から電気的に隔離された、前記電極アクセスホールに配置された第１の導電層、および
前記第２の表面の下で前記電極アクセスホールに配置された第２の導電層、
を備えたパッケージ構造。
【請求項２】
前記第１の導電層および前記第２の導電層が電気的に接続されていることを特徴とする請求項１記載のパッケージ構造。
【請求項３】
前記第２の表面が、前記反射空洞に到達する４つの電極アクセスホールを有し、
前記第１の導電層が、前記４つの電極アクセスホール内に配置されかつ４つの電極パッドとして働き、
前記第２の導電層が、前記４つの電極アクセスホール内に配置され、前記第１の導電層と電気的に接続されていることを特徴とする請求項１記載のパッケージ構造。
【請求項４】
半導体照明装置のためのパッケージ構造を製造する方法であって、
シリコン基板を提供する工程、
前記シリコン基板の第１の表面にウェットエッチングにより反射空洞を形成する工程、
前記シリコン基板の第２の表面にウェットエッチングにより少なくとも２つの電極アクセスホールを形成する工程であって、前記電極アクセスホールは前記シリコン基板を通り前記反射空洞まで到達し、前記第２の表面は前記第１の表面とは反対にある工程、
前記シリコン基板に第１の絶縁層を重畳させる工程、
前記反射空洞に反射層を重畳させる工程、
前記反射層上に特定の光線の構造的干渉を生じるように調節された厚さを有する第２の絶縁層を重畳させる工程、
前記電極アクセスホールに第１の導電層を形成する工程であって、前記第１の導電層は、２つの電極パッドとして働き、前記反射層から電気的に隔離されている工程、および
前記第２の表面下で前記少なくとも２つの電極アクセスホールの内部に第２の導電層を形成する工程、
を有してなる方法。
【請求項５】
前記反射層が、銀、アルミニウム、金またはスズから製造されていることを特徴とする請求項４記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体照明装置のためのパッケージ構造体およびその製造方法に関し、より詳しくは、シリコン基板を用いた発光ダイオード（ＬＥＤ）のためのパッケージングおよび製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
ＬＥＤは、一般に、家庭電化製品の表示ランプ、照明装置、液晶ディスプレイのバックライト・モジュール、ブラウザー、車両のブレーキランプなどに適用されている。さらに、この頃では、ＬＥＤの線光源および面光源が容易に入手できる。
【０００３】
現在、ＬＥＤ分野の研究開発では、光抽出および熱放散の効率に焦点が当てられている。抽出効率を改善するために、エピタキシープロセス、ウェハープロセスおよびパッケージプロセスがより重要になってくる。しかしながら、熱放散の問題は、パッケージ構造を改良することによって、実質的に解決できる。それゆえ、パッケージ構造の改良には、抽出効率だけでなく、熱放散効率にも大きな影響がある。
【０００４】
ＬＥＤのパッケージには、ランプおよび反射カップなどいくつかのタイプがある。ＬＥＤでは、光反射の増大により抽出効率を向上させるために、反射カップを使用する。さらに、反射カップの好ましい改良設計により、熱放散効率を改善できる。特許文献１ではそのような改良設計が提案されており、特許文献３および４には同じ目的がある。さらに、特許文献４には、シリコン基板がパッケージ基板の代わりをしていることが開示されている。図１に示すように、ＭＥＭＳ（微小電気機械システム）によって、反射カップがシリコン基板１０上に形成される。絶縁層１２および金属層２０が、続いてシリコン基板１０を取り囲み、金属層２０に隣接して電極２２および２４が形成される。ＬＥＤダイ３０が反射カップ５０の内部に取り付けられ、金属線を接合することによって反射カップ５０に電気接続される。その後、エポキシ樹脂４０により、反射カップ５０内のＬＥＤダイ３０を被包する。
【０００５】
図２は、図１のデバイスを製造するための流れ図である。工程２１により示されているように、これらの工程のために、最初にシリコン基板１０を提供する。その後、工程２２に示されているように、ウェットエッチングによって、シリコン基板１０の第１の表面に複数の反射空洞を形成する。工程２３を参照すると、ドライエッチングによって、第１の表面とは反対の第２の表面に電極ガイドホールを開ける。工程２４において、指示にしたがって熱酸化法または熱窒化法によって、シリコン基板１０の表面に絶縁層を堆積させる。絶縁層は、ＳｉＯ2またはＳｉ3Ｎ4から製造することができる。その後、工程２５に示されるように、電気メッキによって、絶縁層上に導電層を堆積させる。最後に、レーザ処理によって、反射空洞上に反射層を形成し、反対表面に電極２２および２４を配置する。
【０００６】
しかしながら、シリコン基板上のＬＥＤの前述の構造には、欠点がいくつかある。第１に、反射層と電極が、同じ材料から製造されている。反射とはんだ性の両方に同時に適した金属はない。さらに、様々なＬＥＤは異なる波長を持つ光を放出するが、金属の反射効率は、発光波長に直接関連する。それゆえ、電極に最適な材料は、発光波長によっても異なる。はんだは、電極の材料にとっては好ましいが、可視光を反射することのできる材料には適していない。Ａｕ、Ａｇ、ＰｄおよびＰｔは、良好な反射材料であるが、電極には適していない。
【０００７】
さらに、一番下側のガイドホールはドライエッチングにより形成される。エッチングされたパターンは、その後のプロセスにおける順応性が低い。金属層には、反射表面を形成するためにレーザ処理が必要であり、製造コストが高くなってしまう。
【０００８】
その結果、光電子市場では、単純な構造を持つ信頼性のあるより大きな光面積を有する高出力ＬＥＤが緊急に必要とされている。上述した問題は、そのような高出力ＬＥＤにより解決すべきである。
【特許文献１】米国特許第６５６２６４３号明細書
【特許文献２】米国特許第６２６８６６０号明細書
【特許文献３】米国特許出願公開第２００４／０２１８３９０号明細書
【特許文献４】米国特許第６５３１３２８号明細書
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
本発明の課題は、半導体照明装置のためのパッケージ構造およびその製造方法を提供することにある。熱放散効率を向上させるためのパッケージ基板として、シリコン基板が用いられる。さらに、ＭＥＭＳプロセスをその基板に効果的に適用できる。
【００１０】
本発明の別の課題は、反射層および電極に異なる材料を使用できることにある。反射層の材料は、電極材料の選択に影響を与えずに、特定の波長の光を反射するための要件に基づいて選択される。したがって、反射層および電極に、それぞれ最適な材料が選択される。
【００１１】
本発明の別の課題は、酸化、加硫、または他の化学物質との反応から、反射層中の金属を保護するための絶縁層を提供することにある。絶縁層の厚さは、特定の光線の構造的干渉を生じるように調節して差し支えない。
【００１２】
本発明の別の課題は、ウェットエッチングによってデバイスの底のスルーホールを介して電極を形成して、その後のプロセス・ウィンドウのためにより多くの空間を残すことにある。
【００１３】
本発明の別の課題は、レーザ加工よりも費用がかからない電極製造のための単純なリソグラフィープロセスまたはリフトオフプロセスを使用することにある。
【００１４】
本発明の別の課題は、製造コストを下げるために各工程に成熟したプロセスを使用することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１５】
これらの課題を達成するために、本発明は、半導体照明装置のためのパッケージ構造であって、第１の表面と第２の表面を有するシリコン基板、シリコン基板を取り囲む第１の絶縁層、反射層、反射層上に配置される第２の絶縁層、２つの電極パッドとして働きかつ反射層から電気的に隔離された第１の導電層、および第２の導電層を備えたパッケージ構造を開示する。シリコン基板の第１の表面は、第２の表面の反対側にあり、その上に反射空洞を有する。第２の表面は、第２の表面を通って反射空洞まで到達する２つの電極アクセスホールを有する。反射層は反射空洞上に配置されている。第１の導電層は、２つの電極アクセスホール上に形成され、２つの電極パッドとして働き、反射層から電気的に隔離されている。第２の導電層は、第２の表面下であって、２つの電極アクセスホールの内部に配置されている。
【００１６】
本発明は、半導体照明装置のためのパッケージ構造を製造する方法も開示している。図３に示すように、この方法は、シリコン基板を提供し、ウェットエッチングによりシリコン基板の第１の表面に反射空洞を形成する工程；シリコン基板の第２の表面に、シリコン基板を通り反射空洞まで到達する２つの電極アクセスホールをウェットエッチングにより形成する工程であって、第２の表面は第１の表面とは反対にある工程；シリコン基板に第１の絶縁層を重畳させる工程；反射空洞に反射層を形成し、反射層上に第２の絶縁層を形成する工程；２つの電極アクセスホールに第１の導電層を形成する工程であって、第１の導電層は、２つの電極パッドとして働き、反射層から電気的に隔離されている工程；および、第２の表面下で２つの電極アクセスホールの内部に第２の導電層を形成する工程；の各工程を有してなる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１７】
本発明は、半導体照明装置のためのパッケージ構造であって、第１の表面と第２の表面を有するシリコン基板、シリコン基板を取り囲む第１の絶縁層、反射層、反射層上に配置される第２の絶縁層、２つの電極パッドとして働きかつ反射層から電気的に隔離された第１の導電層、および第２の導電層を備えたパッケージ構造を開示する。シリコン基板の第１の表面は、第２の表面の反対側にあり、その上に反射空洞を有する。第２の表面は、第２の表面を通って反射空洞まで到達する、その上の２つの電極アクセスホールを有する。反射層は反射空洞上に配置されている。第１の導電層は、２つの電極アクセスホール上に形成され、２つの電極パッドとして働き、反射層から電気的に隔離されている。第２の導電層は、第２の表面下であって、２つの電極アクセスホールの内部に配置されている。
【００１８】
本発明は、半導体照明装置のためのパッケージ構造を製造する方法も開示している。図３に示すように、この方法は、シリコン基板を提供し、ウェットエッチングによりシリコン基板の第１の表面に反射空洞を形成する工程；シリコン基板の第２の表面に、シリコン基板を通り反射空洞まで到達する２つの電極アクセスホールをウェットエッチングにより形成する工程であって、第２の表面は第１の表面とは反対にある工程；シリコン基板に第１の絶縁層を重畳させる工程；反射空洞に反射層を形成し、反射層上に第２の絶縁層を形成する工程；２つの電極アクセスホールに第１の導電層を形成する工程であって、第１の導電層は、２つの電極パッドとして働き、反射層から電気的に隔離されている工程；および、第２の表面下で２つの電極アクセスホールの内部に第２の導電層を形成する工程；の各工程３１〜３８を有してなる。
【００１９】
第１の絶縁層は、熱酸化または化学気相成長法により、好ましくは熱酸化により、シリコン基板上に形成された酸化シリコンであって差し支えない。反射層は、指定された光の波長に応じて、銀、アルミニウム、金またはスズであり得る。第１の導電層と第２の導電層は、はんだ付けできる材料から製造されており、電気的に接続されている。第１の導電層と第２の導電層は、エッチングまたはリフトオフから生じるパターン形成により形成される。第２の絶縁層は、化学気相成長法により、より詳しくは、プラズマ支援化学気相成長法により、反射層上に成膜された酸化シリコンである。２つの電極アクセスホールはウェットエッチングにより形成される。半導体照明装置は、発光ダイオードまたはレーザダイオードである。本発明のパッケージ構造は、ワイヤボンディングまたはフリップチップ実装に適用できる。
【００２０】
半導体照明装置のための上述したパッケージ構造およびその製造方法は、反射空洞まで到達するスルーホールであるさらに２つの電極アクセスホールを備えている。それゆえ、第１の導電層は４つの電極パッドを含み、一方で、第２の導電層は、４つの電極アクセスホール内に配置され、４つの電極パッドに電気的に接続されている。反射層は、電気メッキ、蒸着または電子ビームエピタキシーにより形成される。
【００２１】
図４〜１３は、本発明による製造の各工程にそれぞれ対応する断面図である。
【００２２】
図４に示すように、シリコン基板１００は、第１の表面と第２の表面を有する。ここで、第１の表面は上面であり、第２の表面は下面である。シリコン基板１００は、５インチ（約１２．５ｃｍ）、６インチ（約１５ｃｍ）、８インチ（約２０ｃｍ）または１２インチ（約３０ｃｍ）のウェハーであって差し支えない。この基板は、＜１００＞結晶配向表面を有していて差し支えない。シリコン基板により与えられるいくつかの重要な利点は、良好な熱放散およびよく発達したＭＥＭＳ加工への適性である。
【００２３】
図５に示すように、反射空洞１０２がウェットエッチングによりシリコン基板１００の第１の表面に形成されている。シリコン基板１００をウェットエッチングするために用いられる溶剤は、水酸化カリウム（ＫＯＨ）であってよい。この工程は、フォトリソグラフィープロセスを使用して行うべきである。すなわち、エッチングは、レジストコーティング、乾燥(soft baking)、露光、現像、焼成(hard baking)、エッチング、およびレジスト剥離の各工程によるパターンの転写によって完了する。ウェットエッチングにより形成された反射空洞１０２のエッチングされた外形は、ウェットエッチングの等方性のために調節可能である。
【００２４】
図６に示すように、連続工程において、電極アクセスホール１０４が、ウェットエッチングによりシリコン基板１００の第２の表面に形成される。電極アクセスホール１０４の数は２つ以上である。その数は、特に２つ以上の照明装置が用いられるときに、４つまたは６つであって差し支えない。ウェットエッチングにより形成された電極アクセスホール１０４は、その後のプロセスウィンドウのための許容範囲を大きくするために大きな開口部を有する。同様に、この工程は、フォトリソグラフィープロセスに含まれる。
【００２５】
図７に示すように、酸化シリコン層が、第１の絶縁層１１０としてシリコン基板１００上に形成される。この酸化シリコン層は、熱酸化または化学気相成長により、好ましくは、より小型の構造が得られるように、熱酸化により、シリコン基板１００上に形成することができる。本発明において、乾式または湿式いずれの熱酸化を用いても差し支えない。さらに、第１の絶縁層１１０は窒化シリコンであっても差し支えない。
【００２６】
図８に示すように、反射層１２０が反射空洞１０２に形成される。反射層１２０は、使用する光の波長に応じて、銀、アルミニウム、金またはスズから製造される。反射層１２０は、電気メッキ、蒸着または電子ビームエピタキシーにより形成される。反射層１２０はシリコン基板１００の第１の表面に成膜されるので、そのプロセス条件はより単純である。さらに、反射層１２０の形成後、反射空洞１０２の外側の反射層１２０の部分は、エッチングにより除去しても差し支えない。この工程は随意的である。
【００２７】
図９に示すように、第２の絶縁層１３０が反射層１２０上に重畳される。第２の絶縁層１３０は、化学気相成長により酸化シリコンまたは窒化シリコンにより製造される。ここで、酸化シリコンの成膜には、プラズマ支援化学気相成長が用いられ、窒化シリコンの成膜には、低圧化学気相成長が用いられる。成膜厚を、特定の光ビームの構造的干渉を生じるように調節しても差し支えない。反射層１２０は、酸化、加硫、または他の化学物質との反射金属の反応に対する保護のために、第２の絶縁層１３０により被覆される。特に、使用する反射金属がアルミニウムまたはスズの場合、これら二種類の金属は酸化を受けやすいので、コーティングの存在は重要である。
【００２８】
図１０に示すように、第１の金属層が頂部電極１４０−１および１４０−２として形成される。頂部電極１４０−１および１４０−２は、照明装置にはんだ付けされるので、その後のプロセス、例えば、ワイヤボンディングまたはフリップチップボンディングによって決定されるはんだ付けできる材料である。頂部電極１４０−１および１４０−２は、電気メッキまたは蒸着により形成してよい。頂部電極１４０−１および１４０−２のパターンは、エッチングまたはリフトオフにより形成される。リフトオフおよびエッチングは、類似のパターン転写プロセスであるが、異なる順序で行われる。リフトオフプロセスにおいて、フォトレジスト層が最初に形成され、フォトレジスト層上に金属層を成膜するために、露光および現像がそれに続く。フォトレジスト層のその後の除去において、フォトレジスト上の金属層は一緒に除去される。リフトオフプロセスは、金属層を除去するためのエッチング工程をさらに必要とすることはない。それゆえ、これは、エッチングプロセスよりも１工程少ない。いずれにせよ、エッチングプロセスまたはリフトオフプロセスは、十分に開発されたプロセスであり、従来のレーザ加工よりも費用がかからない。
【００２９】
第２の絶縁層１３０が存在するために、頂部電極１４０−１および１４０−２は、漏電がデバイスを損傷させないように、反射層１２０から電気的に隔離されている。
【００３０】
図１１に示すように、第２の金属層が底部電極１５０−１および１５０−２として形成される。底部電極１５０−１および１５０−２は、はんだ付けできる材料または通常の電極材料である。底部電極１５０−１および１５０−２は、頂部電極１４０−１および１４０−２と同じ様式で形成される。底部電極１５０−１および１５０−２がパターン転写により形成される場合、使用される形成方法は、頂部電極１４０−１および１４０−２のものと同じでも異なっても差し支えない。底部電極１５０−１および１５０−２は、導電性材料が充填された電極アクセスホール１０４によって、頂部電極１４０−１および１４０−２に電気的に接続されている。
【００３１】
図１２に示すように、ＬＥＤ１６０は、ワイヤボンディング後にエポキシ樹脂１７０により封止される。エポキシ樹脂１７０に、蛍光粉末がブレンドされていてもよい。蛍光粉末は、ＹＡＧ群またはケイ酸塩群からのものであって差し支えない。エポキシ樹脂１７０の封止は、トランスファー成形または計量分配により行われる。
【００３２】
図１３に示すように、ＬＥＤ１６０は、フリップチップボンディング後にエポキシ樹脂１７０により封止される。同様に、エポキシ樹脂１７０に、蛍光粉末がブレンドされていてもよく、これは、ＹＡＧ群またはケイ酸塩群からのものである。エポキシ樹脂１７０の封止は、トランスファー成形または計量分配により行われる。
【００３３】
パッケージングのためのシリコン基板の使用は、熱放散効率を向上させ、ＭＥＭＳプロセスに適している。反射層の材料が、電極材料の選択に影響せずに、特定の波長の光を反射する必要性に基づいて選択される場合、反射層および電極のための材料が異なっても差し支えないので、反射層と電極に、最適な材料がそれぞれ選択される。本発明はまた、反射層における金属を、酸化、加硫または他の化学物質との反応から保護するための絶縁層も提供する。この絶縁層の厚さは、特定の光線の構造的干渉を生じるように調節しても差し支えない。本発明では、その後のプロセスウィンドウのための空間を大きくするために、シリコン基板の底部に電極アクセスホールを形成するのにウェットエッチングを使用する。本発明では、電極製造に単純なリソグラフィーまたはリフトオフプロセスを使用する。これらのプロセスは、レーザ加工よりも費用がかからない。本発明では、各工程に十分に開発されたプロセスを使用する。それゆえ、全体の費用が安くなる。
【００３４】
本発明の上述した実施の形態は、説明のみを意図したものである。添付の特許請求の範囲から逸脱せずに、様々な代わりの実施の形態が、当業者により考えられるであろう。
【図面の簡単な説明】
【００３５】
【図１】ＬＥＤの従来のパッケージ構造を示す断面図
【図２】図１のパッケージ構造を製造するための流れ図
【図３】本発明によるパッケージ構造を製造するための流れ図
【図４】本発明による製造の工程に対応する断面図
【図５】本発明による製造の工程に対応する断面図
【図６】本発明による製造の工程に対応する断面図
【図７】本発明による製造の工程に対応する断面図
【図８】本発明による製造の工程に対応する断面図
【図９】本発明による製造の工程に対応する断面図
【図１０】本発明による製造の工程に対応する断面図
【図１１】本発明による製造の工程に対応する断面図
【図１２】本発明による製造の工程に対応する断面図
【図１３】本発明による製造の工程に対応する断面図
【符号の説明】
【００３６】
１００    シリコン基板
１０２    反射空洞
１０４    電極アクセスホール
１１０    第１の絶縁層
１２０    反射層
１３０    第２の絶縁層
１４０−１、１４０−２    頂部電極
１５０−１、１５０−２    底部電極
１６０    ＬＥＤ
１７０    エポキシ樹脂
【図１】
0004658897.tif 000002
【図２】
0004658897.tif 000003
【図３】
0004658897.tif 000004
【図４】
0004658897.tif 000005
【図５】
0004658897.tif 000006
【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
0004658897.tif 000010
【図１０】
0004658897.tif 000011
【図１１】
0004658897.tif 000012
【図１２】
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【図１３】
0004658897.tif 000014