(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の画素電極と第２の画素電極とを有する第１の基板と、
前記第１及び前記第２の画素電極に対向する対向電極が形成された第２の基板と、
前記第１の基板と前記第２の基板との間に封入された液晶層とを有する液晶表示装置であって、
前記第１の画素電極上の第１の画素領域における前記液晶層の厚さは、前記第２の画素電極上の第２の画素領域における前記液晶層の厚さより厚く、
前記第１の画素領域は、第１の部分領域と、閾値電圧が前記第１の部分領域より高い第２の部分領域とを含み、前記第２の画素領域は、第３の部分領域と、閾値電圧が前記第３の部分領域より高い第４の部分領域とを含み、
前記第１の部分領域における閾値電圧と前記第３の部分領域における閾値電圧とが互いに等しく、前記第２の部分領域における閾値電圧と前記第４の部分領域における閾値電圧とが互いに等しく、
前記第２の部分領域における前記第１の基板側又は前記第２の基板側に、前記液晶層の液晶分子に加わる電界を制御する第１の電界制御用構造物が形成されており、
前記第４の部分領域における前記第１の基板側又は前記第２の基板側に、前記液晶層の液晶分子に加わる電界を制御する第２の電界制御用構造物が形成されており、
前記第１の電界制御用構造物の高さが、前記第２の電界制御用構造物の高さより高く、
前記第１の部分領域における前記第１の基板側又は前記第２の基板側に、前記液晶層の液晶分子の配向方向を規制する第１の配向規制用構造物が形成されており、
前記第３の部分領域における前記第１の基板側又は前記第２の基板側に、前記液晶層の液晶分子の配向方向を規制する第２の配向規制用構造物が形成されており、
前記第１の配向規制用構造物の高さが、前記第２の配向規制用構造物の高さより高い
ことを特徴とする液晶表示装置。
【請求項２】
第１の画素電極と第２の画素電極とを有する第１の基板と、
前記第１及び前記第２の画素電極に対向する対向電極が形成された第２の基板と、
前記第１の基板と前記第２の基板との間に封入された液晶層とを有する液晶表示装置であって、
前記第１の画素電極上の第１の画素領域における前記液晶層の厚さは、前記第２の画素電極上の第２の画素領域における前記液晶層の厚さより厚く、
前記第１の画素領域は、第１の部分領域と、閾値電圧が前記第１の部分領域より高い第２の部分領域とを含み、前記第２の画素領域は、第３の部分領域と、閾値電圧が前記第３の部分領域より高い第４の部分領域とを含み、
前記第１の部分領域における閾値電圧と前記第３の部分領域における閾値電圧とが互いに等しく、前記第２の部分領域における閾値電圧と前記第４の部分領域における閾値電圧とが互いに等しく、
前記第２の部分領域における前記第１の基板側又は前記第２の基板側に、前記液晶層の液晶分子に加わる電界を制御する第１の電界制御用構造物が形成されており、
前記第４の部分領域における前記第１の基板側又は前記第２の基板側に、前記液晶層の液晶分子に加わる電界を制御する第２の電界制御用構造物が形成されており、
前記第１の電界制御用構造物の高さが、前記第２の電界制御用構造物の高さより高く、
前記第１の部分領域における前記第１の基板側又は前記第２の基板側に、前記液晶層の液晶分子の配向方向を規制する第１の配向規制用構造物が形成されており、
前記第３の部分領域における前記第１の基板側又は前記第２の基板側に、前記液晶層の液晶分子の配向方向を規制する第２の配向規制用構造物が形成されており、
前記第１の配向規制用構造物の幅が、前記第２の配向規制用構造物の幅より広い
ことを特徴とする液晶表示装置。
【請求項３】
請求項１又は２記載の液晶表示装置において、
前記第２の部分領域における前記第１の画素電極、又は前記第２の部分領域における前記対向電極に、前記液晶層の液晶分子の配向方向を規制する第１の配向規制用抜きパターンが形成されており、
前記第４の部分領域における前記第２の画素電極、又は前記第４の部分領域における前記対向電極に、前記液晶層の液晶分子の配向方向を規制する第２の配向規制用抜きパターンが形成されており、
前記第１の配向規制用抜きパターンの幅が、前記第２の配向規制用抜きパターンの幅より広い
ことを特徴とする液晶表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、液晶表示装置に係り、特に表示品位を向上し得る液晶表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
ＭＶＡ（Multi-domain Vertical Alignment）型の液晶表示装置は、高コントラスト、高速応答を実現する垂直配向（Vertical Alignment）技術と、広視野角を実現する配向分割（Multi-domain）技術を組み合わせた液晶表示装置である。
【０００３】
従来のＭＶＡ型の液晶表示装置について図９を用いて説明する。図９は、従来の液晶表示装置を示す断面図である。紙面左側はＲ（赤色）の画素領域１０８Ｒ及びＧ（緑色）の画素領域１０８Ｇを示しており、紙面右側はＢ（青色）の画素領域１０８Ｂを示している。
【０００４】
まず、ＴＦＴ基板１０２について説明する。図９に示すように、ガラス基板１１０上には、画素電極１１２ａ、１１２ｂが形成されている。画素電極１１２ａ、１１２ｂには、配向規制用抜きパターン（電極の抜き）１１４ａ、１１４ｂが形成されている。配向規制用抜きパターン１１４ａ、１１４ｂの幅ｗ１２、ｗ２２は、いずれも１０μｍに設定されている。画素電極１１２ａ、１１２ｂが形成されたガラス基板１１０上には、配向膜（図示せず）が形成されている。こうして、ＴＦＴ基板１０２が構成されている。
【０００５】
次に、ＣＦ基板１０４について説明する。ガラス基板１１８の下面側には、カラーフィルタ層１２０ａ、１２０ｂが形成されている。カラーフィルタ層１２０ａ、１２０ｂの厚さは、Ｒ、Ｇ、Ｂのいずれの画素領域１０８Ｒ、１０８Ｇ、１０８Ｂにおいても等しく設定されている。カラーフィルタ層１２０ａ、１２０ｂの下面側には、配向規制用構造物１２４ａ、１２４ｂが形成されている。配向規制用構造物１２４ａ、１２４ｂの幅ｗ１１、ｗ２１は、いずれも例えば１０μｍに設定されている。配向規制用構造物１２４ａ、１２４ｂの高さｈ１１、ｈ２１は、いずれも例えば１．２μｍに設定されている。
【０００６】
ＴＦＴ基板１０２とＣＦ基板１０４との間には液晶１０６が封入されている。液晶１０６としては、負の誘電率異方性を有する液晶であるネマティック液晶が用いられている。液晶層１０６の厚さ、即ち、セル厚ｄ１、ｄ２は、Ｒ、Ｇ、Ｂのいずれの画素領域１０８Ｒ、１０８Ｇ、１０８Ｂにおいても、例えば４．０μｍに設定されている。
【０００７】
こうして従来のＭＶＡ型の液晶表示装置が構成されている。
【０００８】
ＭＶＡ型の液晶表示装置では、ＴＦＴ基板１０２やＣＦ基板１０４にそれぞれ設けられた配向規制用抜きパターン１１４や配向規制用構造物１２４により、液晶分子１２６の配向方向が規制される。ＭＶＡ型の液晶表示装置は、生産性低下の大きな要因であるラビング処理が不要であるため、高い生産性を実現することができる。
【特許文献１】特許２９４７３５０号公報
【特許文献２】特開２００２−１０７７３０号公報
【特許文献３】特開２００３−４３４８９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
しかしながら、図９に示す従来のＭＶＡ型の液晶表示装置は、斜め方向から観測したときの画像の明るさが、正面方向から観測したときの画像の明るさより明るくなってしまうことがあった。このように、従来の液晶表示装置は、必ずしも良好な表示品位を有するものではなかった。
【００１０】
本発明の目的は、表示品位を向上し得る液晶表示装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
上記目的は、第１の画素電極と第２の画素電極とを有する第１の基板と、前記第１及び前記第２の画素電極に対向する対向電極が形成された第２の基板と、前記第１の基板と前記第２の基板との間に封入された液晶層とを有する液晶表示装置であって、前記第１の画素電極上の第１の画素領域における前記液晶層の厚さは、前記第２の画素電極上の第２の画素領域における前記液晶層の厚さより厚く、前記第１の画素領域は、第１の部分領域と、閾値電圧が前記第１の部分領域より高い第２の部分領域とを含み、前記第２の画素領域は、第３の部分領域と、閾値電圧が前記第３の部分領域より高い第４の部分領域とを含み、前記第１の部分領域における閾値電圧と前記第３の部分領域における閾値電圧とが互いに等しく、前記第２の部分領域における閾値電圧と前記第４の部分領域における閾値電圧とが互いに等しく、前記第２の部分領域における前記第１の基板側又は前記第２の基板側に、前記液晶層の液晶分子に加わる電界を制御する第１の電界制御用構造物が形成されており、前記第４の部分領域における前記第１の基板側又は前記第２の基板側に、前記液晶層の液晶分子に加わる電界を制御する第２の電界制御用構造物が形成されており、前記第１の電界制御用構造物の高さが、前記第２の電界制御用構造物の高さより高く、前記第１の部分領域における前記第１の基板側又は前記第２の基板側に、前記液晶層の液晶分子の配向方向を規制する第１の配向規制用構造物が形成されており、前記第３の部分領域における前記第１の基板側又は前記第２の基板側に、前記液晶層の液晶分子の配向方向を規制する第２の配向規制用構造物が形成されており、前記第１の配向規制用構造物の幅が、前記第２の配向規制用構造物の幅より広いことを特徴とする液晶表示装置により達成される。
また、上記目的は、第１の画素電極と第２の画素電極とを有する第１の基板と、前記第１及び前記第２の画素電極に対向する対向電極が形成された第２の基板と、前記第１の基板と前記第２の基板との間に封入された液晶層とを有する液晶表示装置であって、前記第１の画素電極上の第１の画素領域における前記液晶層の厚さは、前記第２の画素電極上の第２の画素領域における前記液晶層の厚さより厚く、前記第１の画素領域は、第１の部分領域と、閾値電圧が前記第１の部分領域より高い第２の部分領域とを含み、前記第２の画素領域は、第３の部分領域と、閾値電圧が前記第３の部分領域より高い第４の部分領域とを含み、前記第１の部分領域における閾値電圧と前記第３の部分領域における閾値電圧とが互いに等しく、前記第２の部分領域における閾値電圧と前記第４の部分領域における閾値電圧とが互いに等しく、前記第２の部分領域における前記第１の基板側又は前記第２の基板側に、前記液晶層の液晶分子に加わる電界を制御する第１の電界制御用構造物が形成されており、前記第４の部分領域における前記第１の基板側又は前記第２の基板側に、前記液晶層の液晶分子に加わる電界を制御する第２の電界制御用構造物が形成されており、前記第１の電界制御用構造物の高さが、前記第２の電界制御用構造物の高さより高く、前記第１の部分領域における前記第１の基板側又は前記第２の基板側に、前記液晶層の液晶分子の配向方向を規制する第１の配向規制用構造物が形成されており、前記第３の部分領域における前記第１の基板側又は前記第２の基板側に、前記液晶層の液晶分子の配向方向を規制する第２の配向規制用構造物が形成されており、前記第１の配向規制用構造物の幅が、前記第２の配向規制用構造物の幅より広いことを特徴とする液晶表示装置により達成される。
【発明の効果】
【００１２】
以上の通り、本発明によれば、配向規制用抜きパターンと配向規制用構造物との間の領域に低閾値領域と高閾値領域とが存在しているため、印加電圧の変化に対する透過率の変化を緩やかにすることができる。このため、本発明によれば、斜め方向から観測したときの透過率が正面方向から観測したときの透過率に対して高くなってしまうのを抑制することができ、斜め方向から観測したときの明るさが、正面方向から観測したときの明るさより明るくなってしまうのを防止することができる。しかも、本発明によれば、配向規制用構造物、配向規制用抜きパターン及び電界制御用構造物のパラメータが、それぞれセル厚に比例するように設定されているため、第１の画素領域と第２の画素領域とでセル厚が互いに異なるにもかかわらず、第１の画素領域の高閾値領域における閾値電圧と第２の画素領域の高閾値領域における閾値電圧とを互いにほぼ等しくすることができ、第１の画素領域の低閾値領域における閾値電圧と第２の画素領域の低閾値領域における閾値電圧とを互いにほぼ等しくすることができる。このため、本発明によれば、階調、視角の変化により色度が大きく変化してしまうのを防止することができ、ひいては、色付きが生じるのを防止することができる。従って、本発明によれば、良好な表示品位を有する液晶表示装置を提供することができる。
【００１３】
また、本発明によれば、電界制御用抜きパターンのパラメータがセル厚に応じて適宜設定されているため、第１の画素領域と第２の画素領域とでセル厚が互いに異なるにもかかわらず、第１の画素領域の高閾値領域における閾値電圧と第２の画素領域の高閾値領域における閾値電圧とを互いにほぼ等しくすることができ、第１の画素領域の低閾値領域における閾値電圧と第２の画素領域の低閾値領域における閾値電圧とを互いにほぼ等しくすることができる。このため、本発明によれば、斜め方向から見たときの明るさが正面方向から見たときの明るさより明るくなってしまう現象が生じるのを抑制しつつ、色付きの現象が生じるのを防止することができる。
【００１４】
また、本発明によれば、電界制御用抜きパターンのパラメータがセル厚に応じて適宜設定されているため、電界制御用抜きパターン、電界制御用構造物、及び配向規制用構造物のパラメータを各画素領域において互いに等しく設定した場合であっても、高閾値領域における閾値電圧を各画素領域において互いにほぼ等しくすることができる。従って、本発明によれば、斜め方向から見たときの明るさが正面方向から見たときの明るさより明るくなってしまう現象が生じるのを防止しつつ、色付きの現象が生じるのを防止することができる。また、本発明によれば、電界制御用構造物や配向規制用構造物等のパラメータが各画素領域間で等しく設定されているため、製造プロセスを簡略化することができる。また、本発明によれば、電界制御用構造物や配向規制用構造物等のパラメータが各画素領域間で等しく設定されているため、各画素領域間で応答速度が異なってしまうのを防止することができる。
【００１５】
また、本発明によれば、狭い電界制御用抜きパターンを形成することを要する画素領域においては、電界制御用抜きパターンを敢えて形成しないため、表示ムラ等が生じるのを防止することができる。
【００１６】
また、本発明によれば、第１の画素領域におけるセル厚と第３の画素領域におけるセル厚とを互いに等しく設定するため、構造を簡略化することができる。従って、本発明によれば、良好な表示品位を有する液晶表示装置を低コストで提供することが可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１７】
［第１実施形態］
本発明の第１実施形態による液晶表示装置について説明するに先立って、提案されている液晶表示装置について説明する。図１２は、提案されている液晶表示装置を示す断面図である。図１２において、紙面左側はＲの画素領域２０８Ｒ及びＧの画素領域２０８Ｇを示しており、紙面右側はＢの画素領域２０８Ｂを示している。Ｒの画素領域２０８ＲとＧの画素領域２０８Ｇは、カラーフィルタ層２２０の色が異なることを除いて同じ構成であるため、Ｒの画素領域２０８ＲとＧの画素領域２０８Ｇとを別個に図示することなく、同じ図を用いて用いて説明する。
【００１８】
まず、ＴＦＴ基板２０２について説明する。ガラス基板２１０上には、画素電極２１２ａ、２１２ｂが形成されている。画素電極２１２ａ、２１２ｂには、それぞれ配向規制用抜きパターン（電極の抜き）２１４ａ、２１４ｂが形成されている。配向規制用抜きパターン２１４ａ、２１４ｂの幅ｗ１２、ｗ２２は、いずれも１０μｍに設定されている。配向規制用抜きパターン２１４ａ、２１４ｂが形成された画素電極２１２ａ、２１２ｂ上には、例えば誘電体層より成る電界制御用構造物２１６ａ、２１６ｂが形成されている。電界制御用構造物２１６ａ、２１６ｂの高さｈ１２、ｈ２２は、いずれも１．０μｍに設定されている。電界制御用構造物２１６ａ、２１６ｂ等が形成されたガラス基板２１０上には、配向膜（図示せず）が形成されている。こうして、ＴＦＴ基板２０２が構成されている。
【００１９】
次に、ＣＦ基板２０４について説明する。ガラス基板２１８の下面側には、カラーフィルタ層２２０ａ、２２０ｂが形成されている。Ｒ、Ｇの画素領域におけるカラーフィルタ層２２０ａの厚さは、Ｂの画素領域におけるカラーフィルタ層２２０ｂの厚さより１．０μｍ薄く設定されている。カラーフィルタ層２２０の下側には、対向電極２２２が形成されている。対向電極２２２の下面側には、それぞれ配向規制用構造物２２４ａ、２２４ｂが形成されている。配向規制用構造物２２４ａ、２２４ｂの幅ｗ１１、ｗ２１は、いずれも１０μｍに設定されている。配向規制用構造物２２４ａ、２２４ｂの高さｈ１１、ｈ２１は、いずれも１．５μｍに設定されている。
【００２０】
ＴＦＴ基板２０２とＣＦ基板２０４との間には液晶２０６が封入されている。Ｒ、Ｇの画素領域２０８Ｒ、２０８Ｇにおける液晶層２０６の厚さ、即ち、セル厚ｄ１は、５．０μｍに設定されている。Ｂの画素領域２０８Ｂにおけるセル厚ｄ２は、４．０μｍに設定されている。Ｒ、Ｇの画素領域２０８Ｒ、２０８Ｇにおけるセル厚ｄ１と、Ｂの画素領域２０８Ｂにおけるセル厚ｄ２とを異ならせているのは、Ｒ、Ｇ、Ｂの各画素領域２０８Ｒ、２０８Ｇ、２０８Ｂ間におけるΔｎ・ｄ／λの差を小さくするするためである。なおΔｎは液晶の屈折率異方性を示しており、ｄはセル厚を示しており、λは光の波長を示している。Ｒ、Ｇ、Ｂの各画素領域２０８Ｒ、２０８Ｇ、２０８Ｂ間におけるΔｎ・ｄ／λの差をより小さくするためには、Ｒの画素領域２０８Ｒにおけるセル厚と、Ｇの画素領域２０８Ｇにおけるセル厚と、Ｂの画素領域２０８Ｂにおけるセル厚とを、それぞれ最適値に設定することが望ましいが、ここでは、構造を簡略化するため、Ｒの画素領域２０８Ｒにおけるセル厚とＧの画素領域２０８Ｇにおけるセル厚とを等しく設定している。
【００２１】
こうして提案されている液晶表示装置が構成されている。
【００２２】
提案されている液晶表示装置では、配向規制用抜きパターン２１４ａ、２１４ｂと配向規制用構造物２２４ａ、２２４ｂとの間に、電界制御用構造物２１６ａ、２１６ｂが形成されていない領域２１１ａ、２１１ｂと電界制御用構造物２１６ａ、２１６ｂが形成されている領域２１３ａ、２１３ｂとが存在している。電界制御用構造物２１６ａ、２１６ｂが形成されている領域２１３ａ、２１３ｂにおける閾値電圧は、電界制御用構造物２１６ａ、２１６ｂが形成されていない領域２１１ａ、２１１ｂにおける閾値電圧より高くなっている。閾値電圧が比較的高い領域（高閾値領域）２１３ａ、２１３ｂと閾値電圧が比較的低い領域（低閾値領域）２１１ａ、２１１ｂとでは、互いに異なるＴ−Ｖ特性が得られる。なお、閾値電圧とは、画素電極１２と対向電極２２との間に印加する電圧を徐々に上昇させていった際に、液晶分子が傾きはじめるときの電圧のことをいう。
【００２３】
図１０は、従来の液晶表示装置のＴ−Ｖ特性（電圧−透過率特性）を示すグラフである。図１３は、提案されている液晶表示装置のＴ−Ｖ特性を示すグラフである。図１０、図１３において、横軸は印加電圧を示しており、縦軸は透過率を示している。◇印は正面方向から観測した場合を示しており、△印は斜め方向から観測した場合を示している。斜め方向から観測する際には、視点の極角を６０度とし、画面の上方向から観測した。なお、極角とは、基板面の法線方向に対する角度のことである。
【００２４】
図１０に示すように、従来の液晶表示装置では、斜め方向から観測したときの透過率が正面方向から観測したときの透過率より高くなってしまうような電圧の範囲が存在している。このため、従来の液晶表示装置では、斜め方向から観測したときの画像の明るさが、正面方向から観測したときの画像の明るさより明るくなってしまっていた。
【００２５】
なお、斜め方向から観測したときの明るさがが正面方向から観測したときの明るさより明るくなってしまうのは、以下のような理由によるものと考えられる。即ち、負の誘電率異方性を有する液晶は、視点の方向と液晶分子の長軸方向との為す角が一致しているときには光が透過せず、視点の方向と液晶分子の長軸方向との為す角が大きくなるに伴って光の透過率が大きくなる。傾斜している液晶分子を正面から観測したときにおける、視点の方向と液晶分子の長軸方向との為す角をθとし、傾斜している液晶分子を斜め方向から観測したときにおける、視点の方向と液晶分子の長軸方向との為す角をθ′とすると、θ′がθより大きくなるような条件が存在する。このような条件の下では、斜め方向から観測したときの透過率が正面方向から観測したときの透過率より大きくなる。従って、斜め方向から観測したときの明るさが正面方向から観測したときの明るさより明るくなってしまう現象が生じる。
【００２６】
これに対し、図１３に示すように、提案されている液晶表示装置では、斜め方向から観測したときの透過率が正面方向から観測したときの透過率より高くなってしまうのが抑制されている。従って、提案されている液晶表示装置によれば、斜め方向から見たときの画像の明るさが正面方向から見たときの画像の明るさより明るく見えてしまうのを防止することが可能となる。
【００２７】
なお、提案されている液晶表示装置が、斜め方向から見たときの明るさが正面から見たときの明るさより明るくなってしまう現象が生ずるのを抑制し得るのは、以下のような理由によるものと考えられる。即ち、画素電極２１２と対向電極２２２との間に印加する電圧を徐々に上昇させていき、画素電極２１２と対向電極２２２との間に印加する電圧が、低閾値領域２１１における閾値電圧を超えると、低閾値領域２１１における液晶分子２２６が傾斜し始める。この際、高閾値領域２１３における液晶分子２２６は傾斜しないため、印加電圧の上昇に対する透過率の上昇は、比較的緩やかとなる。この後、画素電極２１２と対向電極２２２との間に印加する電圧が、高閾値領域２１３における閾値電圧を超えると、高閾値領域２１３における液晶分子２２６も傾斜し始める。このため、提案されている液晶表示装置では、従来の液晶表示装置と比較して、印加電圧の上昇に対する透過率の上昇を緩やかにすることが可能となる。印加電圧の上昇に対する透過率の上昇は、正面方向から観測した際と斜め方向から観測した際のいずれにおいても緩やかになる。このため、斜め方向から観測したときの透過率が正面方向から観測したときの透過率に対して著しく高くなってしまうことが抑制され、斜め方向から見たときの明るさが正面方向から見たときの明るさより明るくなってしまう現象が生じるのを抑制することが可能となる。
【００２８】
しかしながら、提案されている液晶表示装置では、Ｒ、Ｇ、Ｂの色バランスが崩れてしまう場合があった。
【００２９】
図１４は、提案されている液晶表示装置の階調色度変化特性を示すグラフである。◇は正面方向から観測した場合を示しており、△は斜め方向から観測した場合を示している。階調色度変化特性を測定する際には、階調を黒から白へ徐々に変化させ、各階調におけるｘｙ色度（ｘ，ｙ）を求めた。斜め方向から観測する際には、視点の極角を６０度とし、画面の上方向から観測した。
【００３０】
図１４から分かるように、提案されている液晶表示装置では、階調の変化に伴って色度が大きく変化してしまい、色バランスが大きく崩れてしまっている。また、正面方向から観測したときの色度と、斜め方向から観測したときの色度とのずれも、かなり大きい。
【００３１】
このため提案されている液晶表示装置では、本来、無彩色を表示すべきにもかかわらず、有彩色が表示されてしまうという現象が生ずる。かかる現象は、色付きと称される。
【００３２】
提案されている液晶表示装置において色付きが生じてしまうのは、画素領域２０８Ｒ、２０８Ｇと画素領域２０８Ｂとの間でセル厚ｄ１、ｄ２が互いに異なっているにもかかわらず、配向規制用構造物２２４ａ、２２４ｂ、配向規制用抜きパターン２１４ａ、２１４ｂ及び電界制御用構造物２１６ａ、２１６ｂの各パラメータが互いに等しく設定されているためと考えられる。即ち、提案されている液晶表示装置では、画素領域２０８Ｒ、２０８Ｇのセル厚ｄ１が画素領域２０８Ｂのセル厚ｄ２より厚いにもかかわらず、電界制御用構造物２１６ａ、２１６ｂの高さｈ１２、ｈ２２が互いに等しく設定されている。このため、提案されている液晶表示装置では、高閾値領域２１３ａの液晶２０６に印加される電圧が、高閾値領域２１３ｂの液晶２０６に印加される電圧より高くなってしまう。このことは、各画素領域２０８の高閾値領域２１３ａ、２１３ｂにおける閾値電圧が互いに異なってしまう要因となっている。また、提案されている液晶表示装置では、画素領域２０８Ｒ、２０８Ｇのセル厚ｄ１が画素領域２０８Ｂのセル厚ｄ２より厚いにもかかわらず、配向規制用構造物２２４の高さｈ１１、ｈ２１、幅ｗ１１、ｗ２１、配向規制用抜きパターン２１４の幅ｗ１２、ｗ２２等が互いに等しく設定されている。このため、液晶分子２２６に及ぶ配向規制力が各画素領域２０８間で互いに異ってしまう。このことも、各画素領域２０８における閾値電圧が互いに異なってしまう要因となっている。
【００３３】
本願発明者らは、鋭意検討した結果、配向規制用構造物２２４ａ、２２４ｂ、配向規制用抜きパターン２１４ａ、２１４ｂ、及び電界制御用構造物２１６ａ、２１６ｂ等のパラメータを、各画素領域２０８のセル厚ｄに応じて設定することに想到した。配向規制用構造物２２４ａ、２２４ｂ、配向規制用抜きパターン２１４ａ、２１４ｂ、及び電界制御用構造物２１６ａ、２１６ｂ等のパラメータを、各画素領域２０８のセル厚ｄに応じて設定すれば、各画素領域２０８間において閾値電圧が互いに異なってしまうのを防止することができ、色バランスが崩れるのを防止することができるため、色付きの現象が生じるのを防止することができる。
【００３４】
本発明の第１実施形態による液晶表示装置を図１乃至図４を用いて説明する。図１は、本実施形態による液晶表示装置を示す断面図である。図２は、本実施形態による液晶表示装置を示す平面図である。
【００３５】
本実施形態による液晶表示装置は、画素電極等が形成されたＴＦＴ基板２と、画素電極に対向する対向電極等が形成されたＣＦ基板４と、ＴＦＴ基板２とＣＦ基板４との間に封入された液晶６とを有している。
【００３６】
図１において紙面左側は、Ｒ（赤色）、Ｇ（緑色）の画素領域（第１の画素領域）８Ｒ、８Ｇを示しており、紙面右側は、Ｂ（青色）の画素領域（第２の画素領域）８Ｂを示している。Ｒの画素領域８ＲとＧの画素領域８Ｇは、カラーフィルタ層２０の色が異なることを除いて同様の構成であるため、Ｒの画素領域８ＲとＧの画素領域８Ｇとを別個に図示することなく、同じ図を用いて用いて説明する。Ｒ、Ｇの画素領域８Ｒ、８Ｇにおいては、液晶層６の厚さ、即ち、セル厚ｄ１は例えば５．０μｍに設定されている。Ｂの画素領域８Ｂにおいては、セル厚ｄ２は例えば４．０μｍに設定されている。
【００３７】
なお、Ｒ、Ｇの画素領域８Ｒ、８Ｇにおけるセル厚ｄ１を、Ｂの画素領域８Ｂにおけるセル厚ｄ２より厚く設定しているのは、Ｒ、Ｇ、Ｂの各画素領域８間におけるΔｎ・ｄ／λの差を小さくするためである。
【００３８】
Ｒ、Ｇ、Ｂの各画素領域８Ｒ、８Ｇ、８Ｂ間におけるΔｎ・ｄ／λの差をより小さくするためには、Ｒの画素領域８Ｒにおけるセル厚と、Ｇの画素領域８Ｇにおけるセル厚と、Ｂの画素領域８Ｂにおけるセル厚とを、それぞれ最適値に設定することが望ましいが、本実施形態では、構造を簡略化するため、Ｒの画素領域８Ｒにおけるセル厚とＧの画素領域８Ｇにおけるセル厚とを等しく設定している。
【００３９】
まず、ＴＦＴ基板２について説明する。
【００４０】
ガラス基板１０上には、複数のゲートバスライン２８が互いにほぼ平行に形成されている（図２参照）。ゲートバスライン２８が形成されたガラス基板１０上には、ゲート絶縁膜（図示せず）が形成されている。ゲート絶縁膜等が形成されたガラス基板１０上には、ゲートバスライン２８にほぼ直交するように、複数のデータバスライン３０が形成されている。ゲートバスライン２８とデータバスライン３０との交差部の近傍には、ＴＦＴ（Thin-Film Transistor）３２が形成されている。ゲートバスライン２８は、ＴＦＴ３２のゲート電極を兼ねている。ＴＦＴ３２のソース電極３４は、データバスライン３０に電気的に接続されている。ＴＦＴ３２のドレイン電極３６は、ＩＴＯ（Indium-Tin Oxide）より成る画素電極１２ａ、１２ｂに接続されている。
【００４１】
画素電極１２ａ、１２ｂには、それぞれ配向規制用抜きパターン１４ａ、１４ｂが形成されている。配向規制用抜きパターン１４は、全体としてジグザグ状に屈曲するように配されている（図２参照）。配向規制用抜きパターン１４ａ、１４ｂは、液晶層６の液晶分子２６の配向方向を制御するためのものである。
【００４２】
Ｒ、Ｇの画素領域８Ｒ、８Ｇにおける配向規制用抜きパターン１４ａの幅Ｗ１２は、例えば１２μｍに設定されている。一方、Ｂの画素領域８Ｂにおける配向規制用抜きパターン１４ｂの幅Ｗ２２は、例えば１０μｍに設定されている。Ｒ、Ｇのセル厚ｄ１に対する配向規制用抜きパターンの幅ｗ１２の比（ｗ１２／ｄ１）と、Ｂのセル厚ｄ２に対する配向規制用抜きパターンの幅ｗ２２の比（ｗ２２／ｄ２）とは、ほぼ等しく設定されている。
【００４３】
なお、本出願の特許請求の範囲において、等しいとは、完全に等しいものに限定されるものではなく、ほぼ等しいものも含むものとする。
【００４４】
Ｒ、Ｇのセル厚ｄ１に対する配向規制用抜きパターンの幅ｗ１２の比と、Ｂのセル厚ｄ２に対する配向規制用抜きパターンの幅ｗ２２の比とを、ほぼ等しく設定しているのは、以下のような理由によるものである。即ち、セル厚ｄ１、ｄ２が厚くなるに伴って、配向規制用抜きパターン１４ａ、１４ｂによる配向規制力は液晶分子２６に及びにくくなる。このため、画素領域８Ｒ、８Ｇのセル厚ｄ１が画素領域８Ｂのセル厚ｄ２より厚いにもかかわらず、配向規制用抜きパターン１４ａの幅Ｗ１２と配向規制用抜きパターン１４ｂの幅Ｗ２２とを等しく設定した場合には、セル厚ｄ１の厚い画素領域８Ｒ、８Ｇにおいては液晶分子２６が配向規制されにくくなる一方、セル厚ｄ２の薄い画素領域８Ｂにおいては液晶分子２６が配向規制されやすくなる。そうすると、Ｒ、Ｇの画素領域８Ｒ、８ＢとＢの画素領域８Ｂとの間において閾値電圧に大きな差が生じてしまい、ひいては表示品位の劣化を招いてしまう。これに対し、本実施形態では、Ｒ、Ｇの画素領域８Ｒ、８Ｇにおける配向規制用抜きパターン１４ａの幅ｗ１２と、Ｂの画素領域８Ｂにおける配向規制用抜きパターン１４ｂの幅ｗ２２とが、セル厚ｄ１、ｄ２に比例するように設定されている。配向規制用抜きパターン１４ａ、１４ｂによる配向規制力は、幅ｗ１２、ｗ２２が広くなるに伴って大きくなる。本実施形態では、セル厚ｄ１、ｄ２に応じて配向規制用抜きパターン１４ａ、１４ｂの幅ｗ１２、ｗ２２を設定しているため、画素領域８Ｒ、８Ｇのセル厚ｄ１を画素領域８Ｂのセル厚ｄ２より厚く設定した場合であっても、セル厚ｄ１の厚い画素領域８Ｒ、８Ｂにおいて液晶分子２６が配向しにくくなるのを防止することができる。このため、本実施形態によれば、各画素領域８間でセル厚ｄが互いに異なる場合であっても、閾値電圧を互いにほぼ等しくすることが可能となる。
【００４５】
画素電極１２ａ、１２ｂが形成されたガラス基板１０上には、例えば誘電体層より成る電界制御用構造物１６ａ、１６ｂが形成されている。電界制御用構造物１６ｂは、ジグザグ状に屈曲するように配されている（図２参照）。電界制御用構造物１６の中心線は、配向規制用抜きパターン１４の中心線とほぼ一致している。電界制御用構造物１６は、液晶分子２６に加わる電界を制御することにより、閾値電圧を制御するためのものである。配向規制用抜きパターン１４ａ、１４ｂと配向規制用構造物２４ａ、２４ｂとの間の領域のうち、電界制御用構造物１６ａ、１６ｂが形成されている領域１３ａ、１３ｂは、閾値電圧が比較的高い領域、即ち、高閾値領域となっている。配向規制用抜きパターン１４ａ、１４ｂと配向規制用構造物２４ａ、２４ｂとの間の領域のうち、電界制御用構造物１６ａ、１６ｂが形成されていない領域１１ａ、１１ｂは、閾値電圧が比較的低い領域、即ち、低閾値領域となっている。
【００４６】
Ｒ、Ｇの画素領域８Ｒ、８Ｇにおける電界制御用構造物１６ａの高さｈ１２は、例えば１μｍに設定されている。一方、Ｂの画素領域８Ｂにおける電界制御用構造物１６ｂの高さｈ２２は、例えば０．８μｍに設定されている。Ｒ、Ｇのセル厚ｄ１に対する電界制御用構造物１６ａの高さｈ１２の比（ｈ１２／ｄ１）と、Ｂのセル厚ｄ２に対する電界制御用構造物１６ｂの高さｈ２２の比（ｈ２２／ｄ２）とは、ほぼ等しく設定されている。電界制御用構造物１６ａ、１６ｂの幅は、いずれも例えば５０μｍに設定されている。電界制御用構造物１６ａ、１６ｂのピッチは、いずれも例えば７０μｍに設定されている。
【００４７】
Ｒ、Ｇのセル厚ｄ１に対する電界制御用構造物１６ａの厚さｈ１２の比と、Ｂのセル厚ｄ２に対する電界制御用構造物１６ｂの厚さｈ２２の比とを、ほぼ等しく設定しているのは、以下のような理由によるものである。即ち、電界制御用構造物１６ａ、１６ｂが形成されている領域においては、液晶層６に印加される電圧が電界制御用構造物１６ａ、１６ｂにより低減される。このため、画素領域８Ｒ、８Ｇのセル厚ｄ１が画素領域８Ｂのセル厚ｄ２より厚いにもかかわらず、電界制御用構造物の厚さｈ１２と電界制御用構造物の厚さｈ２２とを等しく設定した場合には、セル厚ｄ１が厚い画素領域８Ｒ、８Ｇにおいて液晶層６に印加される電圧が、セル厚ｄ２が薄い画素領域８Ｂにおいて液晶層６に印加される電圧より高くなってしまう。また、電界制御用構造物１６ａ、１６ｂは、液晶分子２６の配向方向を規制する配向規制手段としても機能するものである。このため、画素領域８Ｒ、８Ｇのセル厚ｄ１が画素領域８Ｂのセル厚ｄ２より厚いにもかかわらず、電界制御用構造物の高さｈ１２と電界制御用構造物の高さｈ２２とを等しく設定した場合には、セル厚ｄ１が厚い画素領域８Ｒ、８Ｇの液晶分子２６には配向規制力が及びにくくなる一方、セル厚ｄ２が薄い画素領域８Ｂの液晶分子２６には配向規制力が及びやすくなる。このため、セル厚ｄの異なる画素領域８間において閾値電圧に大きな差が生じてしまい、表示品位の劣化を招いてしまう。これに対し、本実施形態では、セル厚ｄ１、ｄ２の厚さに比例するように電界制御用構造物１６ａ、１６ｂの厚さｈ１２、ｈ２２が設定されているため、画素領域８Ｒ、８Ｇのセル厚ｄ１が画素領域８Ｂのセル厚ｄ２より厚いにもかかわらず、液晶分子２６に加わる電界強度をほぼ等しくすることが可能となる。また、セル厚ｄ１、ｄ２の厚さに比例するように電界制御用構造物１６ａ、１６ｂの高さｈ１２、ｈ２２が設定されているため、画素領域８Ｒ、８Ｇのセル厚ｄ１が画素領域８Ｂのセル厚ｄ２より厚いにもかかわらず、画素領域８Ｒ、８Ｇ内の液晶分子２６に及ぶ配向規制力と画素領域８Ｂ内の液晶分子２６に及ぶ配向規制力とをほぼ等しくすることができる。従って、本実施形態によれば、画素領域８Ｒ、８Ｇのセル厚ｄ１と画素領域８Ｂのセル厚ｄ２とが互いに異なる場合であっても、画素領域８Ｒ、８Ｇにおける閾値電圧と画素領域８Ｂにおける閾値電圧とをほぼ等しくすることが可能となる。
【００４８】
こうして、ＴＦＴ基板２が構成されている。
【００４９】
次に、ＣＦ基板４について説明する。
【００５０】
ガラス基板１８の下面側には、カラーフィルタ層２０ａ、２０ｂが形成されている。Ｒ、Ｇの画素領域８Ｒ、８Ｇにおいては、カラーフィルタ層２０ａの厚さは、例えば２．０μｍに設定されている。Ｂの画素領域８Ｂにおいては、カラーフィルタ層２０ｂの厚さは、例えば３．０μｍに設定されている。Ｂの画素領域８Ｂにおけるカラーフィルタ層２０ｂの厚さは、Ｒ、Ｇの画素領域８Ｒ、８Ｇにおけるカラーフィルタ層２０ａの厚さより、例えば１．０μｍ厚く設定されている。
【００５１】
カラーフィルタ層２０ａ、２０ｂの下面側には、ＩＴＯより成る対向電極２２が形成されている。
【００５２】
対向電極２２の下面側には、配向規制用構造物２４ａ、２４ｂが形成されている。配向規制用構造物２４は、ジグザグ状に屈曲するように形成されている（図２参照）。配向規制用構造物２４は、配向規制用抜きパターン１４に対して半ピッチずらして配されている。Ｒ、Ｇの画素領域８Ｒ、８Ｇに形成された配向規制用構造物１６ａの高さｈ１１は、例えば１．４μｍに設定されている。一方、Ｂの画素領域８Ｂに形成された配向規制用構造物１６ｂの高さｈ２１は、例えば１．２μｍに設定されている。Ｒ、Ｇのセル厚ｄ１に対する配向規制用構造物２４ａの高さｈ１１の比（ｈ１１／ｄ１）と、Ｂのセル厚ｄ２に対する配向規制用構造物の高さｈ２１の比（ｈ２１／ｄ２）とは、ほぼ等しく設定されている。
【００５３】
Ｒ、Ｇのセル厚ｄ１に対する配向規制用構造物２４ａの高さｈ１１の比と、Ｂのセル厚ｄ２に対する配向規制用構造物２４ｂの高さｈ２１の比とを、ほぼ等しく設定しているのは、以下のような理由によるものである。即ち、配向規制用構造物２４ａ、２４ｂによる配向規制力は、セル厚ｄが厚くなるに伴って、液晶分子２６に及びにくくなる。このため、セル厚ｄが異なる互いに画素領域８において、配向規制用構造物２４を同じ高さで形成した場合には、セル厚ｄ１が厚い画素領域８Ｒ、８Ｇにおいては液晶分子２６が配向しにくくなる一方、セル厚ｄ２の薄い画素領域８Ｂにおいては液晶分子２６が配向しやすくなる。そうすると、セル厚ｄが互いに異なる画素領域８間において閾値電圧に大きな差が生じてしまい、表示品位の劣化を招いてしまう。これに対し、本実施形態では、セル厚ｄに応じて配向規制用構造物２４の高さを高く設定しているため、セル厚ｄ１の厚い画素領域２４ａにおいて液晶分子２６が配向しにくくなるのを防止することができる。従って、本実施形態によれば、セル厚ｄ１、ｄ２が互いに異なる場合であっても、各画素領域８における閾値電圧をほぼ等しくすることが可能となる。
【００５４】
また、Ｒ、Ｇの画素領域８Ｒ、８Ｇにおいては、配向規制用構造物２４ａの幅ｗ１１は、例えば１２μｍに設定されている。一方、Ｂの画素領域８Ｂにおいては、配向規制用構造物の幅ｗ２１は、例えば１０μｍに設定されている。Ｒ、Ｇのセル厚ｄ１に対する配向規制用構造物２４ａの幅ｗ１１の比と、Ｂのセル厚ｄ２に対する配向規制用構造物２４ｂの幅ｗ２１の比とは、ほぼ等しく設定されている。
【００５５】
Ｒ、Ｇのセル厚ｄ１に対する配向規制用構造物２４ａの幅Ｗ１１の比と、Ｂのセル厚ｄ２に対する配向規制用構造物２４ｂの幅Ｗ２１の比とを、ほぼ等しく設定しているのは、以下のような理由によるものである。即ち、上述したように、セル厚ｄが厚くなるに伴って、配向規制用構造物２４による配向規制力は液晶分子２６に及びにくくなる。このため、セル厚ｄが互いに異なる画素領域８において、配向規制用構造物２４をそれぞれ同じ幅で形成した場合には、セル厚ｄ１の厚い画素領域８Ｒ、８Ｇにおいては液晶分子２６が配向しにくくなる一方、セル厚ｄ２の薄い画素領域８Ｂにおいては液晶分子２６が配向しやすくなる。そうすると、セル厚ｄが互いに異なる画素領域８間において閾値電圧に大きな差が生じてしまい、表示品位の劣化を招いてしまう。これに対し、本実施形態では、セル厚ｄに比例するように配向規制用構造物２４の幅を広くしているため、セル厚ｄ１の厚い画素領域８Ｒ、８Ｇにおいて液晶分子２６が配向しにくくなるのを防止することができる。従って、本実施形態によれば、セル厚ｄが互いに異なる場合であっても、各画素領域８における閾値電圧をほぼ等しくすることが可能となる。
【００５６】
こうしてＣＦ基板４が構成されている。
【００５７】
Ｂの画素領域８Ｂには、例えば柱状のスペーサ（図示せず）が形成されている。スペーサにより、液晶層６の厚さが保持されている。
【００５８】
ＴＦＴ基板２及びＣＦ基板４には、液晶分子２６を垂直方向に配向する垂直配向膜（図示せず）が、それぞれ形成されている。垂直配向膜としては、例えばＪＳＲ株式会社製の垂直配向膜を用いる。
【００５９】
ＴＦＴ基板２とＣＦ基板４との間には、液晶６が封入されている。液晶６としては、例えば、負の誘電率異方性を有する液晶であるネマティック液晶が用いる。液晶６の屈折率異方性Δｎは、例えば０．１程度とする。
【００６０】
本実施形態による液晶表示装置では、配向規制用構造物２４や配向規制用抜きパターン１４がジグザグ状に屈曲するように配されているため、大まかに４方向の配向分割が実現される。液晶分子の配向方向は、表示画面の右方向を０度とした場合、４５度、１３５度、２２５度、又は３１５度となる。配向分割された各表示ドメインの面積は、一画素内においてほぼ均等となる。
【００６１】
こうして、本実施形態による液晶表示装置が構成されている。
【００６２】
次に、本実施形態による液晶表示装置の評価結果について説明する。
【００６３】
まず、Ｔ−Ｖ特性の評価結果について図３を用いて説明する。図３は、本実施形態による液晶表示装置のＴ−Ｖ特性を示すグラフである。図３において、◇は正面方向から観測したときのＴ−Ｖ特性を示しており、△は斜め方向から観測したときのＴ−Ｖ特性を示している。Ｔ−Ｖ特性を測定する際には、画素電極と対向電極との間に印加する電圧を徐々に変化させ、各印加電圧に対して透過率を測定した。斜め方向から観測したときの透過率を測定する際には、視点の極角を６０度とし、上方向から観測した。
【００６４】
図３に示すように、本実施形態による液晶表示装置では、図１２に示す提案されている液晶表示装置と同様に、斜め方向から観測したときの透過率が、正面から観測したときの透過率より高くなってしまうのが抑制されている（図１３参照）。
【００６５】
このことから、本実施形態によれば、提案されている液晶表示装置と同様に、斜めから観測したときの画像が正面から観測した時の画像より明るく見えてしまうのを防止し得ることが分かる。
【００６６】
次に、透過率の比較結果について説明する。
【００６７】
従来の液晶表示装置における透過率を１．０とした場合、提案されている液晶表示装置における透過率は０．９２であり、本実施形態による液晶表示装置における透過率は０．９３であった。
【００６８】
このことから、本実施形態では、従来の液晶表示装置や提案されている液晶表示装置と同様に、良好な透過率が得られることが分かる。
【００６９】
次に、斜め方向から見たときの画像の明るさが正面方向から見たときの画像の明るさより明るく見えてしまう現象が生じるか否かについて、目視により観測した。
【００７０】
従来の液晶表示装置では、かかる現象が生じた。
【００７１】
提案されている液晶表示装置及び本実施形態による液晶表示装置では、かかる現象は生じなかった。
【００７２】
これらのことから、本実施形態によれば、斜めから観測した場合の方が正面方向から観測した場合より明るくなってしまうのを、防止し得ることが分かる。
【００７３】
次に、階調色度変化特性の測定結果について説明する。図４は、本実施形態による液晶表示装置の階調色度変化特性を示すグラフである。図１１は、従来の液晶表示装置の階調色度変化特性を示すグラフである。階調色度変化特性を測定する際には、階調を黒から白へ徐々に変化させ、各階調におけるｘｙ色度（ｘ，ｙ）を測定した。図４、図１１において、◇は正面方向から観測した場合を示しており、△は斜め方向から観測した場合を示している。斜め方向から観測する際には、視点の極角を６０度とし、上方向から観測した。
【００７４】
図１１から分かるように、従来の液晶表示装置では、階調の変化に伴って色度が比較的大きく変化してしまっている。また、正面方向から観測したときの色度と斜め方向から観測したときの色度とのずれも、比較的大きい。
【００７５】
また、図１４を用いて上述したように、提案されている液晶表示装置では、階調の変化に伴って色度が大きく変化してしまっている。また、正面方向から観測したときの色度と斜め方向から観測したときの色度とのずれも、比較的大きい。
【００７６】
これに対し、図４から分かるように、本実施形態による液晶表示装置では、階調の変化に伴う色度の変化は抑制されている。また、正面方向から観測したときの色度と斜め方向から観測したときの色度とのずれも、比較的小さくなっている。
【００７７】
これらのことから、本実施形態によれば、階調、視角の変化による色度の変化を抑制することができ、色バランスが崩れるのを抑制しうることが分かる。
【００７８】
次に、黒色から白色に階調を変化させた際における色度の変化量について説明する。
【００７９】
従来の液晶表示装置では、正面方向から観測した場合には、黒色から白色に階調を変化させた際における色度の変化量は０．１０２であった。
【００８０】
また、提案されている液晶表示装置では、正面方向から観測した場合には、黒色から白色に階調を変化させた際における色度の変化量は０．０５６であった。
【００８１】
これに対し、本実施形態による液晶表示装置では、正面方向から観測した場合には、黒色から白色に階調を変化させた際における色度の変化量は０．０４６であった。
【００８２】
また、従来の液晶表示装置では、斜め方向から観測した場合には、黒色から白色に階調を変化させた際における色度の変化量は０．１４１であった。
【００８３】
また、提案されている液晶表示装置では、斜め方向から観測した場合には、黒色から白色に階調を変化させた際における色度の変化量は０．１６８であった。
【００８４】
本実施形態による液晶表示装置では、斜め方向から観測した場合には、黒色から白色に階調を変化させた際における色度の変化量は０．０８９であった。
【００８５】
なお、いずれの場合も、斜め方向から観測する際には、視点の極角を６０度とし、画面の上方向から観測した。
【００８６】
これらのことから、本実施形態による液晶表示装置によれば、正面方向と斜め方向のいずれから観測した場合においても、黒色から白色に階調を変化させた際における色度の変化量を抑制し得ることが分かる。
【００８７】
次に、黒から白へ階調を変化させた際に色付きが生ずるか否かを、目視により観測した。
【００８８】
従来の液晶表示装置では、色バランスが大きく崩れ、色付きが目立った。
【００８９】
提案されている液晶表示装置では、色バランスが崩れ、色付きが生じた。
【００９０】
これに対し、本実施形態による液晶表示装置では、色付きは確認されなかった。
【００９１】
このことから、本実施形態によれば、色バランスが崩れるのを抑制することができ、色付きが生じるのを防止し得ることが分かる。
【００９２】
本実施形態による液晶表示装置は、配向規制用抜きパターン１４ａ、１４ｂと配向規制用構造物２４ａ、２４ｂとの間の領域に低閾値領域１１ａ、１１ｂと高閾値領域１３ａ、１３ｂとが存在しており、しかも、配向規制用構造物２４ａ、２４ｂ、配向規制用抜きパターン１４ａ、１４ｂ、及び電界制御用構造物１６ａ、１６ｂのパラメータがセル厚ｄ１、ｄ２に応じて設定されていることに主な特徴がある。
【００９３】
本実施形態によれば、配向規制用抜きパターン１４ａ、１４ｂと配向規制用構造物２４ａ、２４ｂとの間の領域に低閾値領域１１ａ、１１ｂと高閾値領域１３ａ、１３ｂとが存在しているため、印加電圧の上昇に対する透過率の上昇を緩やかにすることができる。このため、本実施形態によれば、斜め方向から観測したときの透過率が正面方向から観測したときの透過率に対して著しく高くなってしまうのを抑制することができ、斜め方向から観測したときの明るさが、正面方向から観測したときの明るさより明るくなってしまうのを防止することができる。しかも、本実施形態によれば、配向規制用構造物２４ａ、２４ｂ、配向規制用抜きパターン１４ａ、１４ｂ及び電界制御用構造物１６ａ、１６ｂのパラメータが、それぞれセル厚ｄ１、ｄ２に比例するように設定されているため、セル厚ｄ１、ｄ２が互いに異なるにもかかわらず、各画素領域８における閾値電圧を互いにほぼ等しくすることができる。このため、本実施形態によれば、階調、視角の変化により色度が大きく変化してしまうのを防止することができ、ひいては、色付きが生じるのを防止することができる。従って、本実施形態によれば、良好な表示品位を有する液晶表示装置を提供することができる。
【００９４】
［第２実施形態］
本発明の第２実施形態による液晶表示装置を図５を用いて説明する。図５は、本実施形態による液晶表示装置を示す斜視図である。図１乃至図４に示す第１実施形態による液晶表示装置と同一の構成要素には、同一の符号を付して説明を省略または簡潔にする。
【００９５】
本実施形態による液晶表示装置は、電界制御用抜きパターン３８ａ、３８ｂにより高閾値領域１３ａ、１３ｂが形成されており、電界制御用抜きパターン３８ａ、３８ｂのパラメータがセル厚ｄ１、ｄ２に応じて異なっていることに主な特徴がある。
【００９６】
まず、ＴＦＴ基板２ａについて説明する。
【００９７】
図５に示すように、画素電極１２ａ、１２ｂには、配向規制用抜きパターン１４ａ、１４ｂにほぼ直交するように複数の電界制御用抜きパターン３８ａ、３８ｂが形成されている。電界制御用抜きパターン３８ａ、３８ｂは、液晶分子２６に加わる電界を制御することにより、閾値電圧を制御するためのものである。配向規制用構造物２４ａ、２４ｂと配向規制用抜きパターン１４ａ、１４ｂとの間の領域のうち、電界制御用抜きパターン３８ａ、３８ｂが形成されている領域１３ａ、１３ｂは、閾値電圧が比較的高い高閾値領域となっている。配向規制用構造物２４ａ、２４ｂと配向規制用抜きパターン１４ａ、１４ｂとの間の領域のうち、電界制御用抜きパターン３８ａ、３８ｂが形成されていない領域１１ａ、１１ｂは、閾値電圧が比較的低い低閾値領域となっている。Ｒ、Ｇの画素領域８Ｒ、８Ｇにおいては、電界制御用抜きパターン３８ａの幅Ｓ１は、例えば５μｍに設定されている。互いに隣接する電界制御用抜きパターン３８ａの間隔Ｌ１は、例えば５μｍに設定されている。Ｂの画素領域８Ｂにおいては、電界制御用抜きパターン３８ｂの幅Ｓ２は、例えば３μｍに設定されている。互いに隣接する電界制御用抜きパターン３８ｂの間隔Ｌ２は、例えば７μｍとなっている。
【００９８】
Ｂの画素領域８Ｂにおける電界制御用抜きパターン３８ｂの幅Ｓ２を、Ｒ、Ｇの画素領域８Ｒ、８Ｇにおける電界制御用抜きパターン３８ａの幅Ｓ１より狭く設定しているのは、以下のような理由によるものである。
【００９９】
即ち、Ｂの画素領域８Ｂのセル厚ｄ２がＲ、Ｇの画素領域８Ｒ、８Ｇのセル厚ｄ１より薄いにもかかわらず、電界制御用抜きパターン３８ａ、３８ｂの幅Ｓ１、Ｓ２を各画素領域８で互いに等しく設定し、電界制御用抜きパターン３８ａ、３８ｂの間隔Ｌ１、Ｌ２を各画素領域８で互いに等しく設定した場合には、画素領域８Ｂの高閾値領域１３ｂにおける電界の歪みが、画素領域８Ｒ、８Ｂの高閾値領域１３ａにおける電界の歪みより大きくなってしまう。このため、Ｂの画素領域８Ｂの高閾値領域１３ｂにおける閾値電圧が、Ｒ、Ｇの画素領域８Ｒ、８Ｇの高閾値領域１３ａにおける閾値電圧より高くなってしまう。これに対し、本実施形態では、Ｂの画素領域８Ｂにおける電界制御用抜きパターン３８ｂの幅Ｓ２を狭く設定しているため、電界制御用抜きパターン３８ｂによる電界の歪みを緩和することができる。このため、本実施形態によれば、Ｂの画素領域８Ｂのセル厚ｄ２がＲ、Ｇの画素領域８Ｒ、８Ｇのセル厚ｄ１より薄いにもかかわらず、Ｂの画素領域８Ｂの高閾値領域１３ｂにおける閾値電圧とＲ、Ｇの画素領域８Ｒ、８Ｇの高閾値領域１３ａにおける閾値電圧とをほぼ等しくすることができる。
【０１００】
Ｒ、Ｇの画素領域８Ｒ、８Ｇにおける配向規制用抜きパターン１４ａ、１４ｂの幅Ｗ１２は、第１実施形態による液晶表示装置と同様に、例えば１２μｍに設定されている。Ｂの画素領域８Ｂにおける配向規制用抜きパターン１４ｂの幅Ｗ２２は、第１実施形態による液晶表示装置と同様に、例えば１０μｍに設定されている。
【０１０１】
こうして、ＴＦＴ基板２ａが構成されている。
【０１０２】
ＣＦ基板４については、第１実施形態による液晶表示装置のＣＦ基板と同様であるので、説明を省略する。
【０１０３】
ＴＦＴ基板２ａとＣＦ基板４との間には、第１実施形態による液晶表示装置と同様に、液晶６が封入されている。
【０１０４】
こうして本実施形態による液晶表示装置が構成されている。
【０１０５】
電界制御用抜きパターン３８ａ、３８ｂを形成することによる閾値電圧の変化は、電界制御用構造物１６ａ、１６ｂを形成することによる閾値電圧の変化より小さい。このため、高閾値領域１３ａ、１３ｂにおける閾値電圧を高く設定するという観点からは、電界制御用構造物１６ａ、１６ｂを形成する場合の方が、電界制御用抜きパターン３８ａ、３８ｂを形成する場合より有利である。このため、斜め方向から観測したときの明るさが正面方向から観測したときの明るさより明るくなってしまう現象が生ずるのを抑制する点では、第１実施形態による液晶表示装置の方が、本実施形態による液晶表示装置より有利となる。
【０１０６】
しかし、本実施形態による液晶表示装置では、画素電極１２ａ、１２ｂに電界制御用抜きパターン１４ａ、１４ｂを形成する際に電界制御用構造物３８ａ、３８ｂを形成することが可能であり、電界制御用構造物１６ａ、１６ｂを別個に形成することを要しない。このため、本実施形態によれば、第１実施形態による液晶表示装置と比較して、低コスト化を図ることが可能となる。
【０１０７】
本実施形態による液晶表示装置は、上述したように、電界制御用抜きパターン３８ａ、３８ｂにより高閾値領域１３ａ、１３ｂが形成されており、電界制御用抜きパターン３８ａ、３８ｂのパラメータがセル厚ｄ１、ｄ２に応じて異なっていることに主な特徴がある。
【０１０８】
本実施形態によれば、電界制御用抜きパターン３８ａ、３８ｂのパラメータがセル厚ｄ１、ｄ２に応じて異なっているため、第１実施形態による液晶表示装置と同様に、Ｂの画素領域８Ｂのセル厚ｄ２がＲ、Ｇの画素領域８Ｒ、８Ｇのセル厚ｄ１より薄いにもかかわらず、Ｒ、Ｇの画素領域８Ｒ、８Ｇの高閾値領域１３ａにおける閾値電圧と、Ｂの各画素領域８Ｂの高閾値領域１３ｂにおける閾値電圧とを、互いにほぼ等しくすることができる。このため、本実施形態によっても、第１実施形態による液晶表示装置と同様に、斜め方向から見たときの明るさが正面方向から見たときの明るさより明るくなってしまう現象が生じるのを抑制しつつ、色付きの現象が生じるのを防止することができる。
【０１０９】
［第３実施形態］
本発明の第３実施形態による液晶表示装置を図６を用いて説明する。図６は、本実施形態による液晶表示装置を示す斜視図である。図１乃至図５に示す第１実施形態による液晶表示装置と同一の構成要素には、同一の符号を付して説明を省略または簡潔にする。
【０１１０】
図６において、紙面左側はＲの画素領域（第３の画素領域）８Ｒを示しており、紙面中央はＧの画素領域（第１の画素領域）８Ｇを示しており、紙面右側はＢの画素領域（第２の画素領域）８Ｂを示している。
【０１１１】
Ｒの画素領域８Ｒにおいては、液晶層６の厚さ、即ち、セル厚ｄＲは５．５μｍに設定されている。Ｇの画素領域８Ｒにおいては、セル厚ｄＧは５．０μｍに設定されている。Ｂの画素領域８Ｂにおいては、セル厚ｄＢは４．０μｍとなっている。
【０１１２】
なお、Ｒ、Ｇ、Ｂの各画素領域８におけるセル厚ｄＲ、ｄＧ、ｄＢを互いに異ならせているのは、Ｒ、Ｇ、Ｂの各画素領域８間におけるΔｎ・ｄ／λの差を小さくするするためである。なお、Δｎは屈折率異方性を示しており、ｄはセル厚を示しており、λは光の波長を示している。
【０１１３】
まず、ＴＦＴ基板２ｂについて説明する。
【０１１４】
ガラス基板１０（図１参照）上には、ＩＴＯより成る画素電極１２Ｒ、１２Ｇ、１２Ｂが形成されている。
【０１１５】
画素電極１２Ｒ、１２Ｇ、１２Ｂには、それぞれ配向規制用抜きパターン１４が形成されている。配向規制用抜きパターン１４の幅は、いずれも例えば１２μｍに設定されている。
【０１１６】
各画素領域８には、配向規制用抜きパターン１４にほぼ直交するように、複数の電界制御用抜きパターン３８Ｒ、３８Ｇ、３８Ｂがそれぞれ形成されている。電界制御用抜きパターン３８は、電界強度を適宜調整し、閾値電圧を制御するためのものである。
【０１１７】
Ｒの画素領域８Ｒにおいては、電界制御用抜きパターン３８Ｒの幅ＳＲは、例えば４．０μｍに設定されている。また、互いに隣接する電界制御用抜きパターン３８Ｒの間隔ＬＲは、例えば２．０μｍに設定されている。
【０１１８】
Ｇの画素領域８Ｇにおいては、電界制御用抜きパターン３８Ｇの幅ＳＧは、例えば３．０μｍに設定されている。また、Ｇの画素領域８Ｇにおいては、互いに隣接する電界制御用抜きパターン３８Ｇの間隔ＬＧは、例えば３．０μｍに設定されている。
【０１１９】
Ｂの画素領域８Ｂにおいては、電界制御用抜きパターン３８Ｂの幅ＳＢは、例えば５．０μｍに設定されている。また、Ｂの画素領域８Ｂにおいては、互いに隣接する電界制御用抜きパターンの幅ＬＢは、例えば１．０μｍに設定されている。
【０１２０】
画素電極１２ａ、１２ｂ上には、誘電体層より成る電界制御用構造物１６がそれぞれ形成されている。電界制御用構造物１６の高さは、いずれも例えば１．０μｍに設定されている。電界制御用構造物１６の幅は、いずれも例えば５０μｍに設定されている。電界制御用構造物１６のピッチは、例えば７０μｍとなっている。
【０１２１】
配向規制用抜きパターン１４と電界制御用構造物２４との間の領域のうち、電界制御用構造物１６が形成されている領域は、高閾値領域１３Ｒ、１３Ｇ、１３Ｂとなっている。配向規制用抜きパターン１４と電界制御用構造物２４との間の領域のうち、電界制御用構造物１６が形成されていない領域は、低閾値領域１１Ｒ、１１Ｇ、１１Ｂとなっている。
【０１２２】
本実施形態で電界制御用抜きパターン３８Ｒ、３８Ｇ、３８Ｂの幅Ｓや間隔Ｌを、セル厚ｄＲ、ｄＧ、ＤＢに応じて異ならせているのは、以下のような理由によるものである。
【０１２３】
即ち、Ｒ、Ｇ、Ｂの各画素領域８においてセル厚ｄが異なるにもかかわらず、電界制御用構造物１６の高さ等をいずれの画素領域８においても等しく設定した場合には、高閾値領域１３における閾値電圧が各画素領域８において互いに異なってしまう。そうすると、色バランスが崩れてしまい、色付きの現象が生じてしまう。
【０１２４】
これに対し、本実施形態による液晶表示装置では、電界制御用構造物１６の下に電界制御用抜きパターン３８が形成されており、電界制御用抜きパターン３８の幅Ｓや間隔Ｌをセル厚ｄに応じて適宜設定しているため、電界制御用構造物１６の高さをいずれの画素領域８においても等しく設定した場合であっても、高閾値領域１３Ｒ、１３Ｇ、１３Ｂにおける閾値電圧を各画素領域８Ｒ、８Ｇ、８Ｂにおいて互いにほぼ等しくすることが可能となる。従って、本実施形態によれば、色バランスの崩れを防止することができ、色付きの現象が生ずるのを防止することが可能となる。
【０１２５】
こうして、ＴＦＴ基板２ｂが構成されている。
【０１２６】
次に、ＣＦ基板４ａについて説明する。
【０１２７】
ガラス基板１８（図１参照）の下面側には、カラーフィルタ層２０Ｒ、２０Ｇ、２０Ｂが形成されている。Ｒの画素領域８Ｒにおいては、カラーフィルタ層２０Ｒの厚さは、例えば１．５μｍに設定されている。Ｇの画素領域２０Ｇにおいては、カラーフィルタ層２０Ｇの厚さは、例えば２．０μｍに設定されている。Ｂの画素領域８Ｂにおいては、カラーフィルタ層２０Ｂの厚さは、例えば３．０μｍに設定されている。Ｂの画素領域８Ｂにおけるカラーフィルタ層２０Ｂの厚さは、Ｒの画素領域８Ｒにおけるカラーフィルタ層２０Ｒの厚さより、１．５μｍ厚く設定されている。Ｇの画素領域８Ｇにおけるカラーフィルタ層２０Ｇの厚さは、Ｒの画素領域８Ｒにおけるカラーフィルタ層２０Ｒの厚さより０．５μｍ厚く設定されている。
【０１２８】
カラーフィルタ層２０の下面側には、ＩＴＯより成る対向電極２２（図１参照）が形成されている。
【０１２９】
対向電極２２の下面側には、配向規制用構造物２４が形成されている。配向規制用構造物２４の高さは、いずれも例えば１．５μｍに設定されている。配向規制用構造物２４の幅は、いずれも例えば１２μｍに設定されている。配向規制用構造物２４のピッチは、例えば７０μｍに設定されている。
【０１３０】
こうしてＣＦ基板４ａが構成されている。
【０１３１】
ＴＦＴ基板２ｂとＣＦ基板４ａとの間には、液晶６が封入されている。
【０１３２】
こうして本実施形態による液晶表示装置が構成されている。
【０１３３】
次に、本実施形態による液晶表示装置の評価結果について説明する。
【０１３４】
まず、黒色から白色に階調を変化させた際における色度の変化量について説明する。
【０１３５】
図１５は、比較例１による液晶表示装置を示す斜視図である。比較例１による液晶表示装置では、電界制御用抜きパターン３８Ｒ、３８Ｇ、３８Ｂの幅ＳＲ、ＳＧ、ＳＢをいずれも３．０μｍに設定した。また、電界制御用抜きパターン３８Ｒ、３８Ｇ、３８Ｂの間隔ＬＲ、ＬＧ、ＬＢをいずれも３．０μｍに設定した。
【０１３６】
比較例１による液晶表示装置では、黒色から白色に階調を変化させた際における色度の変化量は、正面方向から観測した場合には０．０４８であり、斜め方向から観測した場合には０．１４３であった。
【０１３７】
これに対し、本実施形態による液晶表示装置では、黒色から白色に階調を変化させた際における色度の変化量は、正面方向から観測した場合には０．０３２であり、斜め方向から観測した場合には０．０６８であった。
【０１３８】
なお、いずれの場合も、斜め方向から観測する際には、視角極角を６０度とし、画面の上方向から観測した。
【０１３９】
これらのことから、本実施形態による液晶表示装置によれば、正面方向と斜め方向のいずれから観測した場合においても、黒色から白色に階調を変化させた際における色度の変化量を抑制し得ることが分かる。
【０１４０】
次に、正面方向から観測すると暗く見える画像が斜め方向から観測すると明るく見えてしまう現象が生じるか否かを、目視により観測した。
【０１４１】
比較例１による液晶表示装置と本実施形態による液晶表示装置のいずれにおいても、かかる現象は生じなかった。
【０１４２】
これらのことから、本実施形態によれば、斜め方向から見たときの明るさが正面方向から見たときの明るさより明るくなってしまうのを、防止し得ることが分かる。
【０１４３】
次に、黒から白へ階調を変化させた際に色バランスが崩れる現象が生ずるか否かを、目視により観測した。
【０１４４】
比較例１による液晶表示装置では、色バランスが崩れ、色付きの現象が生じてしまった。具体的には、特定の中間調において黄色っぽい色になってしまった。
【０１４５】
これに対し、本実施形態による液晶表示装置では、全階調にわたって色付きの現象は確認されなかった。
【０１４６】
これらのことから、本実施形態によれば、色付きの現象が生じるのを防止し得ることができ、良好な表示品位を有する液晶表示装置を提供し得ることが分かる。
【０１４７】
本実施形態による液晶表示装置は、電界制御用抜きパターン３８の幅や間隔がセル厚ｄに応じて適宜設定されていることに主な特徴がある。
【０１４８】
本実施形態によれば、電界制御用抜きパターン３８の幅や間隔等のパラメータが、セル厚ｄに応じて適宜設定されているため、電界制御用抜きパターン１４、電界制御用構造物１６、及び配向規制用構造物２４のパラメータを各画素領域８において互いに等しく設定した場合であっても、高閾値領域１３における閾値電圧を各画素領域８において互いにほぼ等しくすることができる。従って、本実施形態によれば、斜め方向から見たときの明るさが正面方向から見たときの明るさより明るくなってしまう現象が生じるのを防止しつつ、色付きの現象が生じるのを防止することができる。
【０１４９】
また、本実施形態によれば、電界制御用構造物１６や配向規制用構造物２４等のパラメータが各画素領域８間で等しく設定されているため、製造プロセスを簡略化することができる。
【０１５０】
また、本実施形態によれば、電界制御用構造物１６や配向規制用構造物２４等のパラメータが各画素領域８間で等しく設定されているため、各画素領域８間で応答速度が異なってしまうのを防止することができる。
【０１５１】
［第４実施形態］
本発明の第４実施形態による液晶表示装置を図７を用いて説明する。図７は、本実施形態による液晶表示装置を示す斜視図である。図１乃至図６に示す第１乃至第３実施形態による液晶表示装置と同一の構成要素には、同一の符号を付して説明を省略または簡潔にする。
【０１５２】
本実施形態による液晶表示装置は、Ｂの画素領域８Ｂの高閾値領域１３Ｂに電界制御用抜きパターン１６Ｂ（図６参照）が形成されていないことに主な特徴がある。
【０１５３】
まず、ＴＦＴ基板２ｃについて説明する。
【０１５４】
図７に示すように、Ｒの画素領域８Ｒの高閾値領域１３Ｒには、第３実施形態による液晶表示装置と同様に、電界制御用抜きパターン３８Ｒが形成されている。電界制御用抜きパターン３８Ｒのパラメータは、第３実施形態による液晶表示装置と同様に設定されている。
【０１５５】
また、Ｇの画素領域８Ｇには、第３実施形態による液晶表示装置と同様に、電界制御用抜きパターン３８Ｇが形成されている。電界制御用抜きパターン３８Ｇのパラメータは、第３実施形態による液晶表示装置と同様に設定されている。
【０１５６】
これに対し、Ｂの画素領域８Ｂには、電界制御用抜きパターン３８Ｂ（図６参照）が形成されていない。本実施形態においてＢの画素領域８Ｂに電界制御用抜きパターン３８Ｂを形成していないのは、以下のような理由によるものである。即ち、第３実施形態において説明したように、Ｂの画素領域８Ｂにおいては、電界制御用抜きパターン３８Ｂの幅ＳＢを１．０μｍ程度に設定することが望ましい。しかし、３．０μｍより幅の狭い電界制御用抜きパターン３８Ｂを形成することは、製造プロセス上、容易ではない。このため、幅１．０μｍ程度の電界制御用抜きパターン３８Ｂを形成しようとした場合には、電界制御用抜きパターン３８Ｂの幅ＳＢがばらついてしまい、表示ムラ等の要因となってしまう。そこで、本実施形態では、Ｂの画素領域８Ｂにおいては、電界制御用抜きパターン３８Ｂを形成しないこととしている。このような幅の極めて狭い電界制御用抜きパターン３８Ｂは、電界強度を低減する効果はあまり大きくないため、電界制御用抜きパターン３８Ｂを形成しなくても、表示特性に悪影響を及ぼすことはない。
【０１５７】
こうして、ＴＦＴ基板２ｃが構成されている。
【０１５８】
なお、ＣＦ基板４ａについては、図６を用いて上述した第３実施形態による液晶表示装置と同様であるので、説明を省略する。
【０１５９】
ＴＦＴ基板２ｃとＣＦ基板４との間には、液晶６が封入されている。
【０１６０】
こうして、本実施形態による液晶表示装置が構成されている。
【０１６１】
次に、本実施形態による液晶表示装置の評価結果について説明する。
【０１６２】
まず、黒色から白色に階調を変化させた際における色度の変化量について説明する。
【０１６３】
本実施形態による液晶表示装置では、黒色から白色に階調を変化させた際における色度の変化量は、正面方向から観測した場合には０．０４０であり、斜め方向から観測した場合には０．０８１であった。なお、斜め方向から観測する際には、視点の極角を６０度とし、画面上方向から観測した。
【０１６４】
このことから、本実施形態による液晶表示装置は、上述した比較例１による液晶表示装置と比較して、黒色から白色に階調を変化させた際における色度の変化量を小さくし得ることが分かる。
【０１６５】
但し、本実施形態による液晶表示装置では、上述した第３実施形態による液晶表示装置と比較して、黒色から白色に階調を変化させた際における色度の変化量が大きくなっている。
【０１６６】
次に、斜め方向から見たときの明るさが正面方向から見たときの明るさより明るくなってしまう現象が生じるか否かを、目視により観測した。
【０１６７】
本実施形態による液晶表示装置では、かかる現象は生じなかった。このことから、本実施形態によっても、斜めから見たときの明るさが正面方向から見たときの明るさより明るくなってしまうのを、防止し得ることが分かる。
【０１６８】
次に、黒から白へ階調を変化させた際に色付きの現象が生ずるか否かを、目視により観測した。
【０１６９】
本実施形態による液晶表示装置では、いわゆる色付きは確認されなかった。このことから、本実施形態によれば、色付きの現象が生じるのを防止し得ることが分かる。
【０１７０】
本実施形態による液晶表示装置は、上述したように、Ｂの画素領域８Ｂの高閾値領域１３Ｂに電界制御用抜きパターン３８Ｂが形成されていないことに主な特徴がある。
【０１７１】
上述したように、極めて狭い幅の電界制御用抜きパターン３８Ｂを形成することは、製造プロセス上、容易ではない。このため、極めて狭い幅の電界制御用抜きパターン３８Ｂを形成しようとした場合には、電界制御用抜きパターン３８Ｂの幅がばらついてしまい、表示ムラ等の要因となってしまう。これに対し、本実施形態では、狭い電界制御用抜きパターン３８Ｂを形成することを要するＢの画素領域８Ｂにおいては、電界制御用抜きパターン３８Ｂを敢えて形成しないため、表示ムラ等が生じるのを防止することができる。
【０１７２】
［第５実施形態］
本発明の第５実施形態による液晶表示装置を図８を用いて説明する。図８は、本実施形態による液晶表示装置を示す斜視図である。図１乃至図７に示す第１乃至第４実施形態による液晶表示装置と同一の構成要素には、同一の符号を付して説明を省略または簡潔にする。
【０１７３】
本実施形態による液晶表示装置は、Ｒの画素領域８Ｒにおけるセル厚ｄＲとＧの画素領域８Ｇにおけるセル厚ｄＧとが、互いに等しく設定されていることに主な特徴がある。
【０１７４】
まず、ＴＦＴ基板２ｄについて説明する。
【０１７５】
図８に示すように、Ｒの画素領域８Ｒの画素電極１２Ｒには、電界制御用抜きパターン３８Ｒが形成されている。電界制御用抜きパターン３８Ｒの幅ＳＲは、例えば３．０μｍに設定されている。互いに隣接する電界制御用抜きパターン３８Ｒの間隔ＬＲは、例えば３．０μｍに設定されている。
【０１７６】
また、Ｇの画素領域８Ｇの画素電極１２Ｇには、第３実施形態による液晶表示装置と同様に、電界制御用抜きパターン３８Ｇが形成されている。電界制御用抜きパターン３８Ｇのパラメータは、第３実施形態による液晶表示装置と同様に設定されている。
【０１７７】
Ｒの画素領域８Ｒにおける電界制御用抜きパターン３８ＲのパラメータとＧの画素領域８Ｇにおける電界制御用抜きパターン３８Ｇのパラメータとは、互いに等しく設定されている。本実施形態においてＲの画素領域８Ｒにおける電界制御用抜きパターン３８ＲのパラメータとＧの画素領域８Ｇにおける電界制御用抜きパターン３８Ｇのパラメータとを互いに等しく設定しているのは、後述するように、Ｒの画素領域８Ｒにおけるセル厚ｄＲとＧの画素領域８Ｇにおけるセル厚ｄＧとが、互いに等しく設定されているためである。
【０１７８】
なお、Ｂの画素領域８Ｂには、第４実施形態による液晶表示装置と同様に、電界制御用抜きパターン３８Ｂ（図６参照）は形成されていない。
【０１７９】
こうしてＴＦＴ基板２ｄが構成されている。
【０１８０】
次に、ＣＦ基板４ｂについて説明する。
【０１８１】
ガラス基板１８（図１参照）の下面側には、カラーフィルタ層２０Ｒ、２０Ｇ、２０Ｂが形成されている。Ｒ、Ｇの画素領域８Ｒ、８Ｇにおいては、カラーフィルタ層２０Ｒ、２０Ｇの厚さは、例えば２．０μｍに設定されている。Ｂの画素領域８Ｂにおいては、カラーフィルタ層２０Ｂの厚さは、例えば３．０μｍに設定されている。Ｂの画素領域８Ｂにおけるカラーフィルタ層２０Ｂの厚さは、Ｒ、Ｇの画素領域８Ｒ、８Ｇにおけるカラーフィルタ層２０Ｒ、２０Ｇの厚さより、１．０μｍ厚く設定されている。
【０１８２】
カラーフィルタ層２０の下面側には、ＩＴＯより成る対向電極２２（図１参照）が形成されている。
【０１８３】
対向電極２２の下面側には、配向規制用構造物２４が形成されている。配向規制用構造物２４の高さは、第３及び第４実施形態による液晶表示装置と同様に、いずれも例えば１．５μｍに設定されている。配向規制用構造物２４の幅は、第３及び第４実施形態による液晶表示装置と同様に、いずれも例えば１２μｍに設定されている。配向規制用構造物２４のピッチ（周期）は、例えば７０μｍに設定されている。
【０１８４】
こうしてＣＦ基板４ｂが構成されている。
【０１８５】
ＴＦＴ基板２ｄとＣＦ基板４ｂとの間には、液晶６が封入されている。
【０１８６】
Ｒの画素領域８Ｒにおけるセル厚ｄＲとＧの画素領域８Ｇにおけるセル厚ｄＧとは、互いに等しく設定されている。Ｒの画素領域８Ｒにおけるセル厚ｄＲ、及びＧの画素領域８Ｇにおけるセル厚ｄＧは、いずれも例えば５．０μｍに設定されている。Ｂの画素領域８Ｂにおけるセル厚ｄＢは、例えば４．０μｍに設定されている。
【０１８７】
本実施形態においてＲの画素領域８Ｒにおけるセル厚ｄＲとＧの画素領域８Ｇにおけるセル厚ｄＧとを互いに等しく設定しているのは、構造を簡略化し、低コスト化を図るためである。
【０１８８】
また、Ｇの画素領域８Ｇにおけるセル厚ｄＧとＢの画素領域８Ｂにおけるセル厚ｄＢとを互いに等しく設定することなく、Ｒの画素領域８Ｒにおけるセル厚ｄＲとＧの画素領域８Ｇにおけるセル厚ｄＧとを互いに等しく設定しているのは、以下のような理由によるものである。即ち、セル厚ｄを理想的な厚さより厚く設定した場合には、液晶分子２６（図１参照）に対する配向制御が困難となり、ザラツキ等の表示不良が発生しやすくなる。このため、セル厚ｄを理想値より厚くするよりは、セル厚ｄを理想値より薄くする方が望ましい。また、Ｒの画素領域８Ｒのセル厚ｄＲとＧの画素領域８Ｇのセル厚ｄＧとを等しく設定した場合におけるΔｎ・ｄ／λの差は、Ｇの画素領域のセル厚ｄＧとＢの画素領域８Ｂのセル厚ｄＢとを等しく設定した場合におけるΔｎ・ｄ／λの差より小さい。このような理由により、本実施形態では、Ｇの画素領域８Ｇにおけるセル厚ｄＧとＢの画素領域８Ｂにおけるセル厚ｄＢとを等しく設定せずに、Ｒの画素領域８Ｒにおけるセル厚ｄＲとＧの画素領域８Ｇにおけるセル厚ｄＧとを等しく設定している。
【０１８９】
こうして、本実施形態による液晶表示装置が構成されている。
【０１９０】
次に、本実施形態による液晶表示装置の評価結果について説明する。
【０１９１】
まず、黒色から白色に階調を変化させた際における色度の変化量について説明する。
【０１９２】
図１６は、比較例２による液晶表示装置を示す斜視図である。比較例２による液晶表示装置では、電界制御用抜きパターン３８Ｒ、３８Ｇ、３８Ｂの幅ＳＲ、ＳＧ、ＳＢをいずれも３．０μｍに設定した。また、電界制御用抜きパターン３８Ｒ、３８Ｇ、３８Ｂの間隔ＬＲ、ＬＧ、ＬＢをいずれも３．０μｍに設定した。また、Ｒの画素領域８Ｒにおけるセル厚ｄＲとＧの画素領域８Ｇにおけるセル厚ｄＧとを、等しく設定した。具体的には、Ｒの画素領域８Ｒにおけるセル厚ｄＲとＧの画素領域８Ｇにおけるセル厚ｄＧとを、５．０μｍに設定した。Ｂの画素領域８Ｂにおけるセル厚は、本実施形態による液晶表示装置と同様に４．０μｍに設定した。
【０１９３】
比較例２による液晶表示装置では、黒色から白色に階調を変化させた際における色度の変化量は、正面方向から観測した場合には０．０５６であり、斜め方向から観測した場合には０．１６８であった。
【０１９４】
これに対し、本実施形態による液晶表示装置では、黒色から白色に階調を変化させた際における色度の変化量は、正面方向から観測した場合には０．０５３であり、斜め方向から観測した場合には０．０９２であった。
【０１９５】
なお、斜め方向から観測する際には、視点の極角を６０度に設定し、表示画面の上方向から観測した。
【０１９６】
これらのことから、本実施形態による液晶表示装置によれば、比較例２による液晶表示装置と比較して、黒色から白色に階調を変化させた際における色度の変化量を抑制し得ることが分かる。
【０１９７】
但し、第３実施形態による液晶表示装置や第４実施形態による液晶表示装置と比較した場合には、黒色から白色に階調を変化させた際における色度の変化量は大きくなる。
【０１９８】
次に、斜め方向から見たときの明るさが正面方向から見たときの明るさよりも明るくなってしまう現象が生じるか否かを、目視により観測した。
【０１９９】
本実施形態による液晶表示装置においても、かかる現象は生じなかった。このことから、本実施形態によっても、斜めから見たときの明るさが正面方向から見たときの明るさより明るくなってしまうのを防止し得ることが分かる。
【０２００】
次に、黒から白へ階調を変化させた際に色付きの現象が生ずるか否かを、目視により観測した。
【０２０１】
本実施形態による液晶表示装置では、色付きの現象は確認されなかった。このことから、本実施形態によれば、色付きの現象が生じるのを防止し得ることが分かる。
【０２０２】
本実施形態による液晶表示装置は、上述したように、Ｒの画素領域８Ｒにおけるセル厚ｄＲとＧの画素領域８Ｇにおけるセル厚ｄＧとが、互いに等しく設定されていることに主な特徴がある。
【０２０３】
本実施形態によれば、Ｒの画素領域８Ｒにおけるセル厚ｄＲとＧの画素領域８Ｇにおけるセル厚ｄＧとを互いに等しく設定するため、構造を簡略化することができる。従って、本実施形態によれば、良好な表示品位を有する液晶表示装置を低コストで提供することが可能となる。
【０２０４】
［変形実施形態］
本発明は上記実施形態に限らず種々の変形が可能である。
【０２０５】
例えば、上記実施形態では、ＭＶＡ型の液晶表示装置に本発明を適用する場合を例に説明したが、本発明の原理は、ＭＶＡ型の液晶表示装置のみならず、他のあらゆる液晶表示装置にも適用することが可能である。
【０２０６】
また、上記実施形態では、ＴＦＴ基板側に形成する配向規制手段として配向規制用抜きパターンを形成したが、ＴＦＴ基板側に形成する配向規制手段は、配向規制用抜きパターンに限定されるものではない。例えば、ＴＦＴ基板側に形成する配向規制手段として、配向規制用構造物を形成するようにしてもよい。
【０２０７】
また、上記実施形態では、ＣＦ基板側に形成する配向規制手段として配向規制用構造物を形成したが、ＣＦ基板側に形成する配向規制手段は、配向規制用構造物に限定されるものではない。例えば、ＣＦ基板側に形成する配向規制手段として、配向規制用抜きパターンを形成するようにしてもよい。
【０２０８】
また、上記実施形態では、ＴＦＴ基板側に配向規制用抜きパターンを形成し、ＣＦ基板側に配向規制用構造物を形成したが、ＴＦＴ基板側に配向規制用構造物を形成し、ＣＦ基板側に配向規制用抜きパターンを形成するようにしてもよい。
【０２０９】
また、上記実施形態では、ＴＦＴ基板側に電界制御用構造物を形成したが、ＣＦ基板側に電界制御用構造物を形成してもよい。
【０２１０】
また、上記実施形態では、ＴＦＴ基板側の画素電極に電界制御用抜きパターンを形成したが、ＣＦ基板側の対向電極に電界制御用抜きパターンを形成してもよい。
【０２１１】
また、上記実施形態では、電界制御用抜きパターンの幅と間隔とを適宜設定したが、電界制御用抜きパターンのピッチを適宜設定するようにしてもよい。
【０２１２】
また、上記実施形態では、電界制御用抜きパターンをストライプ状に形成したが、電界制御用抜きパターンをメッシュ状に形成してもよい。
【０２１３】
また、上記実施形態では、配向規制用構造物や電界制御用構造物の材料として誘電体を用いたが、配向規制用構造物や電界制御用構造物の材料は誘電体に限定されるものではない。例えば、配向規制用構造物や電界制御用構造物の材料として、導電体を適宜用いるようにしてもよい。
【０２１４】
また、上記実施形態では、配向規制用抜きパターンの中心線と電界制御用構造物の中心線とが一致するようにレイアウトする場合を例に説明したが、電界制御用構造物のレイアウトはこれに限定されるものではない。但し、電界制御用構造物は、配向規制手段としても機能するため、液晶分子が所望の方向に配向されるように、適切なレイアウトで配置することが望ましい。
【０２１５】
また、上記実施形態では、電界制御用抜きパターンの形状が矩形である場合を例に説明したが、電界制御用抜きパターンの形状は矩形に限定されるものではない。電界制御用抜きパターンの形状は、例えばくさび形状であってもよい。
【０２１６】
（付記１）
第１の画素電極と第２の画素電極とを有する第１の基板と、
前記第１及び前記第２の画素電極に対向する対向電極が形成された第２の基板と、
前記第１の基板と前記第２の基板との間に封入された液晶層とを有する液晶表示装置であって、
前記第１の画素電極上の第１の画素領域における前記液晶層の厚さは、前記第２の画素電極上の第２の画素領域における前記液晶層の厚さより厚く、
前記第１の画素領域は、第１の部分領域と、閾値電圧が前記第１の部分領域より高い第２の部分領域とを含み、前記第２の画素領域は、第３の部分領域と、閾値電圧が前記第３の部分領域より高い第４の部分領域とを含み、
前記第１の部分領域における閾値電圧と前記第３の部分領域における閾値電圧とが互いに等しく、前記第２の部分領域における閾値電圧と前記第４の部分領域における閾値電圧とが互いに等しい
ことを特徴とする液晶表示装置。
【０２１７】
（付記２）
付記１記載の液晶表示装置において、
前記第２の部分領域における前記第１の基板側又は前記第２の基板側に、前記液晶層の液晶分子に加わる電界を制御する第１の電界制御用構造物が形成されており、
前記第４の部分領域における前記第１の基板側又は前記第２の基板側に、前記液晶層の液晶分子に加わる電界を制御する第２の電界制御用構造物が形成されており、
前記第１の電界制御用構造物の高さが、前記第２の電界制御用構造物の高さより高い
ことを特徴とする液晶表示装置。
【０２１８】
（付記３）
付記２記載の液晶表示装置において、
前記第１の画素領域における前記液晶層の厚さに対する前記第１の電界制御用構造物の高さの比と、前記第２の画素領域における前記液晶層の厚さに対する前記第２の電界制御用構造物の高さの比とが等しい
ことを特徴とする液晶表示装置。
【０２１９】
（付記４）
付記２又は３記載の液晶表示装置において、
前記第１の画素領域における前記第１の基板側又は前記第２の基板側に、前記液晶層の液晶分子の配向方向を規制する第１の配向規制用構造物が形成されており、
前記第２の画素領域における前記第１の基板側又は前記第２の基板側に、前記液晶層の液晶分子の配向方向を規制する第２の配向規制用構造物が形成されており、
前記第１の配向規制用構造物の高さが、前記第２の配向規制用構造物の高さより高い
ことを特徴とする液晶表示装置。
【０２２０】
（付記５）
付記４記載の液晶表示装置において、
前記第１の画素領域における前記液晶層の厚さに対する前記第１の配向規制用構造物の高さの比と、前記第２の画素領域における前記液晶層の厚さに対する前記第２の配向規制用構造物の高さの比とが等しい
ことを特徴とする液晶表示装置。
【０２２１】
（付記６）
付記２又は３記載の液晶表示装置において、
前記第１の画素領域における前記第１の基板側又は前記第２の基板側に、前記液晶層の液晶分子の配向方向を規制する第１の配向規制用構造物が形成されており、
前記第２の画素領域における前記第１の基板側又は前記第２の基板側に、前記液晶層の液晶分子の配向方向を規制する第２の配向規制用構造物が形成されており、
前記第１の配向規制用構造物の幅が、前記第２の配向規制用構造物の幅より広い
ことを特徴とする液晶表示装置。
【０２２２】
（付記７）
付記６記載の液晶表示装置において、
前記第１の画素領域における前記液晶層の厚さに対する前記第１の配向規制用構造物の幅の比と、前記第２の画素領域における前記液晶層の厚さに対する前記第２の配向規制用構造物の幅の比とが等しい
ことを特徴とする液晶表示装置。
【０２２３】
（付記８）
付記２又は３記載の液晶表示装置において、
前記第１の画素電極、又は前記第１の画素領域における前記対向電極に、前記液晶層の液晶分子の配向方向を規制する第１の配向規制用抜きパターンが形成されており、
前記第２の画素電極、又は前記第２の画素領域における前記対向電極に、前記液晶層の液晶分子の配向方向を規制する第２の配向規制用抜きパターンが形成されており、
前記第１の配向規制用抜きパターンの幅が、前記第２の配向規制用抜きパターンの幅より広い
ことを特徴とする液晶表示装置。
【０２２４】
（付記９）
付記８記載の液晶表示装置において、
前記第１の画素領域における前記液晶層の厚さに対する前記第１の配向規制用抜きパターンの幅の比と、前記第２の画素領域における前記液晶層の厚さに対する前記第２の配向規制用抜きパターンの幅の比とが等しい
ことを特徴とする液晶表示装置。
【０２２５】
（付記１０）
付記１記載の液晶表示装置において、
前記第２の部分領域における前記第１の画素電極又は前記対向電極に、前記液晶層の液晶分子に加わる電界を制御する複数の第１の電界制御用抜きパターンが形成されており、
前記第４の部分領域における前記第２の画素電極又は前記対向電極に、前記液晶層の液晶分子に加わる電界を制御する複数の第２の電界制御用抜きパターンが形成されており、
前記第１の電界制御用抜きパターンの幅又はピッチが、前記第２の電界制御用抜きパターンの幅又はピッチと異なる
ことを特徴とする液晶表示装置。
【０２２６】
（付記１１）
付記２乃至１０のいずれかに記載の液晶表示装置において、
前記第１の画素領域は、赤色又は緑色を表示する画素領域であり、
前記第２の画素領域は、青色を表示する画素領域である
ことを特徴とする液晶表示装置。
【０２２７】
（付記１２）
付記１記載の液晶表示装置において、
前記第１の基板は、第３の画素電極を更に有し、
前記第３の画素電極上の第３の画素領域における前記液晶層の厚さは、前記第１の画素領域における前記液晶層の厚さより厚く、
前記第３の画素領域は、第５の部分領域と、閾値電圧が前記第５の部分領域より高い第６の部分領域とを含み、
前記第１の部分領域における閾値電圧と前記第３の部分領域における閾値電圧と前記第５の部分領域における閾値電圧とが互いに等しく、前記第２の部分領域における閾値電圧と前記第４の部分領域における閾値電圧と前記第６の部分領域における閾値電圧とが互いに等しい
ことを特徴とする液晶表示装置。
【０２２８】
（付記１３）
付記１２記載の液晶表示装置において、
前記第１の画素領域は、緑色を表示する画素領域であり、
前記第２の画素領域は、青色を表示する画素領域であり、
前記第３の画素領域は、赤色を表示する画素領域である
ことを特徴とする液晶表示装置。
【０２２９】
（付記１４）
付記１記載の液晶表示装置において、
前記第２の部分領域における前記第１の基板側又は前記第２の基板側に、前記液晶層の液晶分子に加わる電界を制御する第１の電界制御用構造物が形成されており、前記第４の部分領域における前記第１の基板側又は前記第２の基板側に、前記液晶層の液晶分子に加わる電界を制御する第２の電界制御用構造物が形成されており、
前記第２の部分領域における前記第１の画素電極又は前記対向電極に、前記液晶層の液晶分子に加わる電界を制御する複数の第１の電界制御用抜きパターンが形成されており、前記第４の部分領域における前記第２の画素電極又は前記対向電極に、前記液晶層の液晶分子に加わる電界を制御する複数の第２の電界制御用抜きパターンが形成されており、
前記第１の電界制御用抜きパターンの幅又はピッチが、前記第２の電界制御用抜きパターンの幅又はピッチと異なる
ことを特徴とする液晶表示装置。
【０２３０】
（付記１５）
付記１４記載の液晶表示装置において、
前記第２の部分領域における前記第１の画素電極又は前記対向電極に、前記液晶層の液晶分子の配向方向を規制する第１の配向規制用抜きパターンが形成されており、
前記第４の部分領域における前記第２の画素電極又は前記対向電極に、前記液晶層の液晶分子の配向方向を規制する第２の配向規制用抜きパターンが形成されており、
前記第１の電界制御用抜きパターンは、前記第１の配向規制用抜きパターンに交差するように形成されており、
前記第２の電界制御用抜きパターンは、前記第２の配向規制用抜きパターンに交差するように形成されている
ことを特徴とする液晶表示装置。
【０２３１】
（付記１６）
付記１５記載の液晶表示装置において、
前記第１の基板は、第３の画素電極を更に有し、
前記第３の画素電極上の第３の画素領域における前記液晶層の厚さは、前記第１の画素領域における前記液晶層の厚さより厚く、
前記第３の画素領域は、第５の部分領域と、閾値電圧が前記第５の部分領域より高い第６の部分領域とを含み、
前記第６の部分領域における前記第１の基板側又は前記第２の基板側に、前記液晶層の液晶分子に加わる電界を制御する第３の電界制御用構造物が形成されており、
前記第６の部分領域における前記第３の画素電極又は前記対向電極に、前記液晶層の液晶分子に加わる電界を制御する複数の第３の電界制御用抜きパターンが形成されており、
前記第３の電界制御用抜きパターンの幅又はピッチが、前記第１及び第２の電界制御用抜きパターンの幅又はピッチと異なる
ことを特徴とする液晶表示装置。
【０２３２】
（付記１７）
付記１記載の液晶表示装置において、
前記第２の部分領域における前記第１の基板側又は前記第２の基板側に、前記液晶層の液晶分子に加わる電界を制御する第１の電界制御用構造物が形成されており、前記第４の部分領域における前記第１の基板側又は前記第２の基板側に、前記液晶層の液晶分子に加わる電界を制御する第２の電界制御用構造物が形成されており、
前記第２の部分領域における前記第１の画素電極又は前記対向電極に、前記液晶層の液晶分子に加わる電界を制御する複数の電界制御用抜きパターンが形成されており、前記第４の部分領域における前記第２の画素電極又は前記対向電極に、前記電界制御用抜きパターンが形成されていない
ことを特徴とする液晶表示装置。
【０２３３】
（付記１８）
付記１７記載の液晶表示装置において、
前記第２の領域における前記第１の画素電極又は前記対向電極に、前記液晶層の液晶分子の配向方向を規制する第１の配向規制用抜きパターンが形成されており、
前記第４の領域における前記第２の画素電極又は前記対向電極に、前記液晶層の液晶分子の配向方向を規制する第２の配向規制用抜きパターンが形成されており、
前記複数の電界制御用抜きパターンは、前記第１の配向規制用抜きパターンに交差するように形成されている
ことを特徴とする液晶表示装置。
【０２３４】
（付記１９）
付記１７記載の液晶表示装置において、
前記第１の基板は、第３の画素電極を更に有し、
前記第３の画素電極上の第３の画素領域における前記液晶層の厚さは、前記第１の画素領域における前記液晶層の厚さより厚く、
前記第３の画素領域は、第５の部分領域と、閾値電圧が前記第５の部分領域より高い第６の部分領域とを含み、
前記第６の部分領域における前記第１の基板側又は前記第２の基板側に、前記液晶層の液晶分子に加わる電界を制御する第３の電界制御用構造物が形成されており、
前記第６の部分領域における前記第３の画素電極又は前記対向電極に、前記液晶層の液晶分子に加わる電界を制御する複数の他の電界制御用抜きパターンが形成されており、
前記他の電界制御用抜きパターンの幅又はピッチが、前記電界制御用抜きパターンの幅又はピッチと異なる
ことを特徴とする液晶表示装置。
【０２３５】
（付記２０）
付記１７記載の液晶表示装置において、
前記第１の基板は、第３の画素電極を更に有し、
前記第３の画素電極上の第３の画素領域における前記液晶層の厚さは、前記第１の画素領域における前記液晶層の厚さと等しく、
前記第３の画素領域は、第５の部分領域と、閾値電圧が前記第５の部分領域より高い第６の部分領域とを含み、
前記第６の部分領域における前記第１の基板側又は前記第２の基板側に、前記液晶層の液晶分子に加わる電界を制御する第３の電界制御用構造物が形成されており、
前記第６の部分領域における前記第３の画素電極又は前記対向電極に、前記液晶層の液晶分子に加わる電界を制御する複数の他の電界制御用抜きパターンが形成されており、
前記他の電界制御用抜きパターンの幅又はピッチは、前記電界制御用抜きパターンの幅又はピッチと等しい
ことを特徴とする液晶表示装置。
【０２３６】
（付記２１）
付記１６、１９又は２０記載の液晶表示装置において、
前記第１の画素領域は、緑色を表示する画素領域であり、
前記第２の画素領域は、青色を表示する画素領域であり、
前記第３の画素領域は、赤色を表示する画素領域である
ことを特徴とする液晶表示装置。
【０２３７】
（付記２２）
付記１乃至２１のいずれかに記載の液晶表示装置において、
前記液晶層は、負の誘電率異方性を有する液晶より成る
ことを特徴とする液晶表示装置。
【図面の簡単な説明】
【０２３８】
【図１】本発明の第１実施形態による液晶表示装置を示す断面図である。
【図２】本発明の第１実施形態による液晶表示装置を示す平面図である。
【図３】本発明の第１実施形態による液晶表示装置のＴ−Ｖ特性を示すグラフである。
【図４】本発明の第１実施形態による液晶表示装置の階調色度変化特性を示すグラフである。
【図５】本発明の第２実施形態による液晶表示装置を示す斜視図である。
【図６】本発明の第３実施形態による液晶表示装置を示す斜視図である。
【図７】本発明の第４実施形態による液晶表示装置を示す斜視図である。
【図８】本発明の第５実施形態による液晶表示装置を示す斜視図である。
【図９】従来の液晶表示装置を示す断面図である。
【図１０】従来の液晶表示装置のＴ−Ｖ特性を示すグラフである。
【図１１】従来の液晶表示装置の階調色度変化特性を示すグラフである。
【図１２】提案されている液晶表示装置を示す断面図である。
【図１３】提案されている液晶表示装置のＴ−Ｖ特性を示すグラフである。
【図１４】提案されている液晶表示装置の階調色度変化特性を示すグラフである。
【図１５】比較例１による液晶表示装置を示す斜視図である。
【図１６】比較例２による液晶表示装置を示す斜視図である。
【符号の説明】
【０２３９】
２…ＴＦＴ基板
４…ＣＦ基板
６…液晶層
８…画素領域
１０…ガラス基板
１１…低閾値領域
１２…画素電極
１３…高閾値領域
１４…配向規制用抜きパターン
１６…電界制御用構造物
１８…ガラス基板
２０…カラーフィルタ層
２２…対向電極
２４…配向規制用構造物
２６…液晶分子
２８…ゲートバスライン
３０…データバスライン
３２…ＴＦＴ
３４…ソース電極
３６…ドレイン電極
３８…電界制御用抜きパターン
１０２…ＴＦＴ基板
１０４…ＣＦ基板
１０６…液晶層
１０８…画素領域
１１０…ガラス基板
１１２…画素電極
１１４…配向規制用抜きパターン
１１８…ガラス基板
１２０…カラーフィルタ層
１２２…対向電極
１２４…配向規制用構造物
１２６…液晶分子
２０２…ＴＦＴ基板
２０４…ＣＦ基板
２０６…液晶層
２０８…画素領域
２１０…ガラス基板
２１１…低閾値領域
２１２…画素電極
２１３…高閾値領域
２１４…配向規制用抜きパターン
２１６…電界制御用構造物
２１８…ガラス基板
２２０…カラーフィルタ層
２２２…対向電極
２２４…配向規制用構造物
２２６…液晶分子
【図１】
0004657613.tif 000002
【図２】
0004657613.tif 000003
【図３】
0004657613.tif 000004
【図４】
0004657613.tif 000005
【図５】
0004657613.tif 000006
【図６】
0004657613.tif 000007
【図７】
0004657613.tif 000008
【図８】
0004657613.tif 000009
【図９】
0004657613.tif 000010
【図１０】
0004657613.tif 000011
【図１１】
0004657613.tif 000012
【図１２】
0004657613.tif 000013
【図１３】
0004657613.tif 000014
【図１４】
0004657613.tif 000015
【図１５】
0004657613.tif 000016
【図１６】
0004657613.tif 000017