(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
プリント回路基板が含むタイバーが切断されてなるタイバー切断部を含んでなる、端側に端子部が形成してあるプリント回路基板チップ上にメモリチップが実装されたメモリチップモジュールと、
前記メモリチップモジュールを、前記端子部と前記タイバー切断部が露出するようにパッケージングしているメモリカード本体とよりなり、
該メモリカード本体は、該メモリチップモジュールに対してインサート成形されて形成された部分であることを特徴とするメモリカード。
【請求項２】
端側に端子部が形成してある複数のプリント回路基板チップがタイバーで支持されて整列している形状のプリント回路基板の各プリント回路基板チップ上にメモリチップを実装してメモリチップモジュールが前記タイバーで支持されて整列しているメモリチップモジュールプリント回路基板を製造するメモリチップマウント工程と、
前記メモリチップモジュールプリント回路基板を成形金型にセットしインサート成形を行なって、各メモリチップモジュールに対してその前記端子部及び前記タイバーが露出するようにパッケージングするメモリカード本体を成形して、複数のメモリカードが前記タイバーで支持されて整列しているメモリカードプリント回路基板を製造するインサート成形工程と、
前記メモリカードプリント回路基板の前記タイバーを切断して、前記タイバーが切断されてなるタイバー切断部が露出されたメモリカードを個片化するメモリカード個片化工程とよりなることを特徴とするメモリカードの製造方法。
【請求項３】
請求項２に記載のメモリカードの製造方法において、
前記プリント回路基板は、枠部と、該枠部を横切る横切りバーとを有し、
前記プリント回路基板チップが、前記タイバーで前記横切りバーに対して支持されて、前記横切りバーの両側に該横切りバーに沿って並んでいる配置である構成としたことを特徴とするメモリカードの製造方法。
【請求項４】
請求項２に記載のメモリカードの製造方法において、
前記プリント回路基板の前記タイバーは、スリットを有する形状であることを特徴とするメモリカードの製造方法。
【請求項５】
請求項２に記載のメモリカードの製造方法において、
前記インサート成形工程で使用する前記成形金型は、前記プリント回路基板チップの前記端子部を吸引する吸引口を有する構成であり、
前記プリント回路基板チップの前記端子部が前記吸引口によって真空吸引されて前記成形金型の面に密着された状態で、前記インサート成形工程を行なう構成としたことを特徴とするメモリカードの製造方法。
【請求項６】
請求項２に記載のメモリカードの製造方法において、
前記インサート成形工程と前記メモリカード個片化工程との間に、
前記メモリカードプリント回路基板の全部のメモリカードに一度に印刷を行なうマーキング工程を更に有することを特徴とするメモリカードの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明はメモリカード及びその製造方法に係り、特に、パソコン、携帯電話、デジタルカメラ等に装着して使用される小型のメモリカード及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
現在、半導体フラッシュメモリチップを利用したメモリカードとして、パソコンに装着される通常のサイズのメモリカードと、携帯電話、デジタルカメラ等に装着される小型のサイズの小型メモリカードとが市販されている。
【０００３】
図１（Ａ）、（Ｂ）、図２、及び図３は、従来の１例の小型のメモリカード１を示す。図１（Ａ、はメモリカード１の斜視図、図１（Ｂ）はメモリカード１を表裏反転させた状態で示す斜視図、図２は図１（Ｂ）に示す姿勢でメモリカード１を分解して示す図である。図３は図１（Ｂ）中、III-IIIに沿う断面図である。
【０００４】
メモリカード１は、下ケース２と上ケース５との間に、メモリチップモジュール１０が収まっている構造である。下ケース２は、先端側に切欠窓３を有する。下ケース２と上ケース５とは、周囲の部分が溶着してある。２０は溶着部である。
【０００５】
メモリチップモジュール１０は、プリント回路基板１１の図２中の上面１１ａに半導体フラッシュメモリチップ１２とコントロールチップ１３等が実装してあり、プリント回路基板１１の上面１１ａの先端の縁１１ｃに沿って複数のパッド状端子１５が並んで形成してある構成である。
【０００６】
メモリカード１の下ケース２の切欠窓４からは、パッド状端子１５が露出している。
【特許文献１】特公平６−６２０２６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
このメモリカード１を製造するには、共に個別化してあるメモリチップモジュール１０、
下ケース２、上ケース５を用意しておき、メモリチップモジュール１０を下ケース２上にセットする工程、上ケース５を被せる工程、周囲の部分を溶着する工程が必要となる。しかも、この三つの工程を経てメモリカード１を一つ一つ製造している。このため、メモリカード１の製造コストが高くなっていた。
【０００８】
そこで、本発明は、上記の点に鑑みてなされたメモリカード及びその製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明は、プリント回路基板が含むタイバーが切断されてなるタイバー切断部を含んでなる、端側に端子部が形成してあるプリント回路基板チップ上にメモリチップが実装されたメモリチップモジュールと、
前記メモリチップモジュールを、前記端子部と前記タイバー切断部が露出するようにパッケージングしているメモリカード本体とよりなり、
該メモリカード本体は、該メモリチップモジュールに対してインサート成形されて形成された部分であることを特徴とする。
【発明の効果】
【００１０】
本発明によれば、メモリチップモジュールを、端子部が露出するようにパッケージングしているメモリカード本体、メモリチップモジュールに対してインサート成形されて形成された部分であるため、多数個取りが可能となり、従来の上下のケースを溶着してメモリカード本体を内部に収容している構造に比較して、製造コストを安価に出来るという効果を有する。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１１】
次に本発明の実施の形態について説明する。
【実施例１】
【００１２】
図４は（Ａ），（Ｂ）本発明の実施例１になる小型のメモリカード３０を示す。図４（Ａ）はメモリカード３０の斜視図、図４（Ｂ）はメモリカード３０を表裏反転させた状態で示す斜視図、図５は図４（Ｂ）中、V-Vに沿う断面図である。
【００１３】
メモリカード３０は、ＳＤカード（商品名）であり、メモリチップモジュール４０がメモリカード本体５０の内部にパッケージングされている構成である。
【００１４】
メモリカード本体５０はメモリチップモジュール４０をインサート成形して形成された樹脂部であり、メモリカード３０の外形を形成しており、表面５１、裏面５２、側面５３，５４、背面５６、先端面５７を有する。メモリカード本体５０は、裏面５２の一端側に窓部５８を有し、窓部５８から複数のパッド状端子５５が露出している。
【００１５】
メモリチップモジュール４０は、図８に併せて示すように、ポリイミド製のプリント回路基板チップ４１の図５中の上面４１ａに半導体フラッシュメモリチップ４２とコントロールチップ４３等が実装してあり、プリント回路基板チップ４１の上面４１ａの先端の縁４１ｃに沿って複数のパッド状端子５５が並んで形成してある構成である。
【００１６】
パッド状端子５５は、メモリカード本体５０に形成してある窓５８から露出している。
【００１７】
背面５６には、ゲート切断部６０を有し、且つ、タイバー切断部６１が露出している。
【００１８】
側面５３，５４には、夫々タイバー切断部６２，６３が露出している。
【００１９】
後述するようにタイバーはポリイミド製であり絶縁体であるため、タイバー切断部６１、６２，６３がメモリカード３０の周側面に露出していても、メモリカード３０の使用時にメモリカード３０を使用している人に静電気が帯電している場合でも、静電気がタイバー切断部６１、６２，６３を通してメモリカード３０の内部に流れ込むことは起きず、よって、半導体フラッシュメモリチップ４２、コントロールチップ４３等が静電気によって破壊される事故は起きず安全である。
【００２０】
図６はメモリカード３０の製造工程を示す。
【００２１】
メモリカード３０は、以下に説明するように、１０個取りして製造される。
【００２２】
先ず、図７に示すプリント回路基板７０を用意する。プリント回路基板７０は、例えばエポキシ又はポリイミド製であり、パターンが形成されたプリント回路基板をプレスで打ち抜いたものであり、１０つのプリント回路基板チップ４１−１〜４１−１０が５つずつ並んでいる構成である。プリント回路基板チップ４１−１〜４１−５が横切りバー７２のＹ１側に沿って一列に、プリント回路基板チップ４１−６〜４１−１０が横切りバー７２のＹ２側に沿って一列に並んでいる。
【００２３】
プリント回路基板７０は、枠部７１と、プリント回路基板チップ４１−１〜４１−１０と、枠部７１をＸ方向に横切る横切りバー７２と、タイバー７３，７４、７５とを有する。各プリント回路基板チップ４１−１〜４１−１０は３つのタイバー７３，７４、７５によって三辺を支持されている。タイバー７３はプリント回路基板チップ４１−１〜４１−１０と横切りバー７２との間に延在しており、タイバー７４、７５はプリント回路基板チップ４１−１等と枠部７１との間及び隣り合うプリント回路基板チップ４１−１等の間に延在している。タイバー７３はプリント回路基板チップ４１−１〜４１−１０を横切りバー７２に対して支持しており、タイバー７４、７５はプリント回路基板チップ４１−１〜４１−５、４１−６〜４１−１０のＸ１−Ｘ２方向の変位を拘束して位置を定めている。
【００２４】
図７に拡大して示すように、プリント回路基板チップ４１−１の上面４１ａには、先端の縁４１ｃに沿って複数のパッド状端子５５が並んで形成してあり、タイバー７３が延びている側に、コントロールチップ実装用のパッド８０が形成してあり、パッド状端子５５とパッド８０とその間には、半導体フラッシュメモリチップ実装用のパッド８１が形成してある。プリント回路基板チップ４１−２〜４１−５には、プリント回路基板チップ４１−１と同様にパッド状端子５５、パッド８０，８１が形成してある。
【００２５】
プリント回路基板チップ４１−６〜４１−１０には、夫々、パッド状端子５５、パッド８０，８１が横切りバー７２上の点Ｏ１〜Ｏ５を中心にプリント回路基板チップ４１−２〜４１−５上のパッド状端子５５、パッド８０，８１とは点対称の配置で形成してある。
【００２６】
先ず、チップマウント工程１００を行なう。
【００２７】
プリント回路基板７０をチップマウント装置にセットして、図８に示すように、全部のプリント回路基板チップ４１−１〜４１−１０上に、半導体フラッシュメモリチップ４２とコントロールチップ４３等をフリップチップボンディングして実装し、メモリチップモジュール４０−１〜４０−１０が並んだメモリチップモジュールプリント回路基板９０を製造する。
【００２８】
次いで、インサート成形工程１０１を行なう。
【００２９】
メモリチップモジュールプリント回路基板９０を樹脂封止装置の成形下側金型１１０上に位置決めして置き、成形上側金型１２０を下降させてセットする。成形金型１１０，１２０は付き合わされる面に各プリント回路基板チップ４１−１〜４１−１０に対応するキャビティ、ランナー、ゲート、エアベント等が形成してあるものである。
【００３０】
図９は一つのメモリチップモジュール４０−１の成形金型１１０，１２０との関係を拡大して示す。プリント回路基板チップ４１−１は、タイバー７３，７４、７５を成形下側金型１１０と成形上側金型１２０との間に挟まれて、成形下側金型１１０のキャビティ部１１１と成形上側金型１２０のキャビティ部１２１とが合わさって形成してあるキャビティ１３０内に支持された状態となる。成形上側金型１２０には真空ポンプ（図示せず）が接続してあり、パッド状端子５５は成形上側金型１２０に形成してある吸引口１２２に真空吸引されて成形上側金型１２０の面１２３に密着している。
【００３１】
他のプリント回路基板チップ４１−２〜４１−１０も上記のプリント回路基板チップ４１−１と同様に、キャビティ内に支持された状態となる。
【００３２】
樹脂封止装置のプランジャ（図示せず）を駆動させて、成形温度まで加熱された熱硬化性樹脂（例えばエポキシ樹脂）をプランジャでもってランナー、ゲートを通して、全部のキャビティ１３０内に流し込む。図１０は、熱硬化性樹脂が、キャビティ１３０内を占めており、プリント回路基板チップ４１−１、半導体フラッシュメモリチップ４２、コントロールチップ４３を覆った状態を示す。パッド状端子５５は成形上側金型１２０の面１２３に吸着されて密着しており、熱硬化性樹脂はパッド状端子５５上には入り込まない。その後に、適宜、キュアを行なう。
【００３３】
次いで、離型工程１０２を行なう。
【００３４】
成形上側金型１２０を上昇させ、インサート成形品を成形下側金型１１０より押し上げて、インサート成形品を離型させる。
【００３５】
図１１は離型されたインサート成形品である未印刷メモリカードプリント回路基板１４０を示す。未印刷メモリカードプリント回路基板１４０は、未印刷メモリカード３０Ａ−１〜３０Ａ−５、３０Ａ−６〜３０Ａ−１０が横切りバー７２の両側に沿って並んで連結されている構成である。１４１はランナーによって成形されたランナー跡部分、１４２はゲートによって成形されたゲート跡部分である。図１２は図１１中の一部を拡大して示す。
【００３６】
次いで、マーキング工程１０３を行なう。
【００３７】
未印刷メモリカードプリント回路基板１４０を印刷装置（図示せず）にセットして、全部のメモリカード３０Ａ−１〜３０Ａ−１０の上面に、マーク１６０を一度に印刷する。
【００３８】
図１３はマーク１６０が印刷されたメモリカードプリント回路基板１５０を示す。全部のメモリカード３０Ａ−１〜３０Ａ−１０の上面にマーク１６０が印刷されており、メモリカード３０−１〜３０−５、３０−６〜３０−１０が横切りバー７２の両側に沿って並んで連結されている構成である。図１４は図１３の一部を拡大して示す。
【００３９】
ここで、マーク１６０の印刷は全部のメモリカード３０Ａ−１〜３０Ａ−１０の上面に一括して行なわれるため、マーク１６０を一つずつ印刷する場合に比較して工数は少なくて足りる。
【００４０】
最後に、個片化工程１０４を行なう。
【００４１】
メモリカードプリント回路基板１５０を切断装置（図示せず）にセットし、ゲート跡部分１３２、及び３つのタイバー７３，７４、７５を切断する。
【００４２】
これによって、メモリカード３０−１〜３０−１０がプリント回路基板７０から切り離され、
個片化されて、図４及び図５に示すメモリカード３０が製造される。
【００４３】
一度のインサート成形によって及び一度の印刷によって１０個のメモリカード３０−１〜３０−１０を製造することが出来るため、また、溶着工程が不要であるため、メモリカード３０の製造コストは、図１乃至図３の従来のメモリカード１の製造コストに比較して安価である。
【００４４】
上記の製造手法は、メモリスティック（商品名）の製造にも適用が可能である。
【実施例２】
【００４５】
図１５は（Ａ），（Ｂ）本発明の実施例２になる小型のメモリカード３０Ｂを示す。
【００４６】
図１６に拡大して示すように、プリント回路基板７０Ｂのタイバー７３Ｂ，７４Ｂ、７５Ｂは夫々タイバーの長手方向に長いスリット１７０、１７１，１７２を有する。
【００４７】
よって、図４に示すメモリカード３０に比較して、サイズの小さいタイバー切断部６１Ｂ−１、６１Ｂ−２、６２Ｂ−１、６２Ｂ−２、６３Ｂ−１、６３Ｂ−２が二つずつ並んだ構成となり、図４に示すメモリカード３０に比較して、タイバー切断部は目立ち難い。
【図面の簡単な説明】
【００４８】
【図１】従来のメモリカードを示し、（Ａ）は斜視図、（Ｂ）は表裏反転した姿勢の斜視図である。
【図２】従来のメモリカードの分解斜視図である。
【図３】図１（Ｂ）中、III-III線に沿う断面図である。
【図４】本発明の実施例１になるメモリカードを示し、（Ａ）は斜視図、（Ｂ）は表裏反転した姿勢の斜視図である。
【図５】図４（Ｂ）中、V-V線に沿う断面図である。
【図６】メモリカードの製造工程図である。
【図７】プリント回路基板を示す図である。
【図８】メモリチップモジュールプリント回路基板を示す図である。
【図９】メモリチップモジュールプリント回路基板を成形金型にセットした場合の、一つのメモリチップモジュールと成形金型との関係を拡大して示す図である。
【図１０】メモリチップモジュールがインサート成形された状態を拡大して示す図である。
【図１１】未印刷メモリカードプリント回路基板を示す図である。
【図１２】図１１の未印刷メモリカードプリント回路基板の一部を拡大して示す図である。
【図１３】メモリカードプリント回路基板を示す図である。
【図１４】図１３のメモリカードプリント回路基板の一部を拡大して示す図である。
【図１５】本発明の実施例２になるメモリカードを示し、（Ａ）は斜視図、（Ｂ）は表裏反転した姿勢の斜視図である。
【図１６】プリント回路基板の一部を拡大して示す図である。
【符号の説明】
【００４９】
３０、３０−１〜３０−１０、３０Ｂ  メモリカード
３０Ａ−１〜３０Ａ−１０  未印刷メモリカード
４０  メモリチップモジュール
４１、４１−１〜４１−１０  プリント回路基板チップ
４２  半導体フラッシュメモリチップ
４３  コントロールチップ
５０  メモリカード本体
５１  表面
５２  裏面
５３、５４  側面
５５  パッド状端子
５６  背面
５７  先端面
５８  窓部
６０  ゲート切断部
６１，６２，６３、６１Ｂ−１〜６６Ｂ−２  タイバー切断部
７０、７０Ｂ  プリント回路基板
７１  枠部
７２  横切りバー
７３，７４、７５、７３Ｂ，７４Ｂ、７５Ｂ  タイバー
８０  コントロールチップ実装用のパッド
８１  半導体フラッシュメモリチップ実装用のパッド
１００  チップマウント工程
１０１  インサート成形工程
１０２  離型工程
１０３  マーキング工程
１０４  個片化工程
１１０  成形上側金型
１２０  成形下側金型
１２２  吸引口
１３０  キャビティ
１４０  未印刷メモリカードプリント回路基板
１４１  ランナー跡部分
１４２  ゲート跡部分
１５０  メモリカードプリント回路基板
１６０  マーク
１７０，１７１，１７２  スリット
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
0004843311.tif 000014
【図１４】
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【図１５】
0004843311.tif 000016
【図１６】
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