(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
内部に設けられた配設部に、接続孔が形成された基板が上記配設部を構成する内壁との間にクリアランスが設けられるように立てられた状態で配設される処理槽と、
上記処理槽の上側に設けられ、上記配設部を閉塞することで上記基板の処理空間を構成する蓋体と、
上記蓋体に設けられ、上記処理空間内に処理液を供給する供給手段と、
上記処理槽に設けられ、上記処理空間に貯留された処理液を排出する排出手段とを備え、
上記蓋体には、上記処理液の上流側が先鋭状に形成され、上記供給手段より供給される上記処理液を、上記処理空間に配設された上記基板の幅方向に広げるための第１の整流板と、上記処理液の上流側が先鋭状に形成され、上記第１の整流板で上記基板の幅方向に整流された上記処理液を上記処理空間に配設された基板の厚さ方向に広げるための第２の整流板とが設けられ、
上記供給手段の上記処理空間に上記処理液を供給する開口部の大きさが、上記処理空間の上記供給手段と接続される開口部の大きさと略同じ又はより大きく形成され、
上記蓋体は、上記供給手段が接続された側から上記処理槽に近接される側に向かって拡幅に形成され、
上記処理槽は、上記排出手段に向かって幅が狭くなるように形成されている基板処理装置。
【請求項２】
処理中の上記基板表面を流れる上記処理液の流速は、０．５ｍ／ｓｅｃ以上である請求項１記載の基板処理装置。
【請求項３】
化学メッキ処理の前処理で用いられる請求項１記載の基板処理装置。
【請求項４】
デスミア処理で用いられる請求項１記載の基板処理装置。
【請求項５】
プリフラックス処理で用いられる請求項１記載の基板処理装置。
【請求項６】
処理槽内部に設けられた配設部に、接続孔が形成された基板を、上記配設部を構成する内壁との間にクリアランスが設けられるように立てた状態で配設し、
上記配設部を蓋体で閉塞し、上記基板の処理空間を構成し、
処理液を上記処理空間に供給する供給手段が接続された側から、上記処理液の排出手段に向かって幅が狭くなるように形成されている上記処理槽に近接される側に向かって拡幅に形成された上記蓋体に設けられ、上記処理空間に上記処理液を供給する供給手段の上記処理空間に上記処理液を供給する開口部の大きさが、上記処理空間の上記供給手段と接続される開口部の大きさと略同じ又はより大きく形成され、上記供給手段の開口部及び上記処理空間の開口部を介して上記処理液を上記処理空間に供給し、
上記処理空間に上記処理液を供給する際に、上記蓋体に設けられ、上記処理液の上流側が略先鋭状に形成された第１の整流板で、上記供給手段より供給された上記処理液を、上記処理空間に配設された上記基板の幅方向に広げ、上記第１の整流板で上記基板の幅方向に整流された上記処理液を第２の整流板で、上記処理空間に配設された基板の厚さ方向に広げ、
上記処理空間内に上記処理液を充填し、上記処理液を上記蓋体側から供給しながら上記処理槽側から上記排出手段を介して排出し、上記基板表面に流れを発生させ上記基板を処理する基板処理方法。
【請求項７】
処理中の上記基板表面を流れる上記処理液の流速は、０．５ｍ／ｓｅｃ以上である請求項６記載の基板処理方法。
【請求項８】
化学メッキ処理の前処理で行われる請求項６記載の基板処理方法。
【請求項９】
デスミア処理で行われる請求項６記載の基板処理方法。
【請求項１０】
プリフラックス処理で用いられる請求項６記載の基板処理方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、接続孔が形成された基板の表面を処理する基板処理装置及び基板処理方法に関し、特に、基板表面のみならず接続孔内も確実に処理できる基板処理装置及び基板処理方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
ビルドアップ法により形成されるプリント配線基板がある。このプリント配線基板は、内層基板の少なくとも一方の面に１層目の配線パターンを形成し、この１層目の配線パターンの形成された面上に絶縁層を形成し、次いで、１層目の配線パターンを外部に臨ませる非貫通の接続孔を形成し、この絶縁層上に更に１層目の配線パターンと層間接続がされた２層目の配線パターンを形成してなる。
【０００３】
ここで、絶縁層上に設けられる２層目の配線パターンは、無電解銅メッキにより形成される。そこで、非貫通の接続孔が形成された絶縁層表面には、無電解銅メッキの前処理として、活性剤で電荷の調整を行うコンディショナ処理工程、Ｐｄ−Ｓｎ等を絶縁層表面に被着させるキャタライジング前処理工程、Ｓｎ化合物を除去しＰｄに活性を与えるアクセラレータ処理等が行われる。
【０００４】
これらの処理を行う装置としては、処理液が貯留された処理槽内に接続孔が形成された内層基板を浸漬する装置や処理液を噴射するノズルが設けられた処理液が貯留された処理槽内を、接続孔が形成された内層基板を寝かした状態で水平方向に移動させる装置がある。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、処理液が貯留された処理槽内に接続孔が形成された内層基板を浸漬する装置は、接続孔内に処理液が拡散し置換されるまでに時間を要し、基板を数分間以上浸漬する必要があった。そのため、無電解銅メッキの前処理を迅速に行うことができなかった。
【０００６】
また、処理液を噴射するノズルが設けられた処理液が貯留された処理槽内を、接続孔が形成された内層基板を寝かした状態で水平方向に移動させる装置は、装置全体が大型化してしまう。また、この装置では、絶縁層がコンベアに接触することから、絶縁層が傷付いてしまうことがある。また、基板の下側となる面に設けられた非貫通の接続孔には、エアが溜まり前処理を確実に行うことができないことがあった。これを防止するときには、基板を裏返す必要が生じ、前処理を迅速に行うことができなくなる。
【０００７】
特に、ファインパターンが形成される基板では、接続孔も微細化し、接続孔内に処理液を拡散しづらくなることから、上述した装置では更に多くの時間を要することになる。
【０００８】
本発明の目的は、微細な接続孔であっても処理液を接続孔内に迅速に拡散し、確実に処理を行うことができると共に処理時間の短縮を図ることができる基板処理装置及び基板処理方法を提供することにある。
【０００９】
また、本発明の目的は、接続孔が形成された基板の表面を処理する基板処理装置の小型化を図ることにある。
【００１０】
【課題を解決するための手段】
本発明に係る基板処理装置は、上述した課題を解決すべく、内部に設けられた配設部に、接続孔が形成された基板が配設部を構成する内壁との間にクリアランスが設けられるように立てられた状態で配設される処理槽と、処理槽の上側に設けられ、配設部を閉塞することで基板の処理空間を構成する蓋体と、蓋体に設けられ、処理空間内に処理液を供給する供給手段と、処理槽に設けられ、処理空間に貯留された処理液を排出する排出手段とを備える。そして、蓋体には、処理液の上流側が略先鋭状に形成され、供給手段より供給される処理液を、処理空間に配設された基板の幅方向に広げるための第１の整流板と、第１の整流板で基板の幅方向に整流された処理液を処理空間に配設された基板の厚さ方向に広げるための第２の整流板とが設けられ、供給手段の処理空間に処理液を供給する開口部の大きさが、処理空間の供給手段と接続される開口部の大きさと略同じ又はより大きく形成されている。また、蓋体は、供給手段が接続された側から処理槽に近接される側に向かって拡幅に形成され、処理槽は、排出手段に向かって幅が狭くなるように形成されている。
【００１１】
また、本発明に係る基板処理方法は、上述した課題を解決すべく、処理槽内部に設けられた配設部に、接続孔が形成された基板を、配設部を構成する内壁との間にクリアランスが設けられるように立てた状態で配設し、配設部を蓋体で閉塞し、基板の処理空間を構成し、処理液を処理空間に供給する供給手段が接続された側から、処理液の排出手段に向かって幅が狭くなるように形成されている処理槽に近接される側に向かって拡幅に形成された蓋体に設けられ、処理空間に処理液を供給する供給手段の処理空間に処理液を供給する開口部の大きさが、処理空間の供給手段と接続される開口部の大きさと略同じ又はより大きく形成され、供給手段の開口部及び処理空間の開口部を介して処理液を処理空間に供給し、処理空間に処理液を供給する際に、蓋体に設けられ、処理液の上流側が略先鋭状に形成された第１の整流板で、供給手段より供給された上記処理液を、処理空間に配設された基板の幅方向に広げ、第１の整流板で基板の幅方向に整流された処理液を第２の整流板で、処理空間に配設された基板の厚さ方向に広げ、処理空間内に処理液を充填し、処理液を蓋体側から供給しながら処理槽側から排出し、基板表面に流れを発生させ上記基板を処理する。
【００１２】
【発明の実施の形態】
以下、本発明が適用された基板処理装置及び基板処理方法について図面を参照して説明する。
【００１３】
先ず、本発明が適用された基板処理装置及び基板処理方法の説明に先立ってプリント配線基板について、図１を参照して説明する。
【００１４】
このプリント配線基板１は、ビルドアップ法によって複数の導電層が積層される多層型のプリント配線基板であって、図１（Ａ）に示すように、内層基板２を有する。この内層基板２は、例えばガラス繊維にエポキシ樹脂等を含浸させた絶縁基板であり、両面に内層パターン３，４が形成されている。これら内層パターン３，４は、絶縁基板２に貼り合わされた銅箔を露光、現像、エッチングすることによって形成される。また、内層パターン３と内層パターン４とは、ドリル等によって絶縁基板２を貫通した第１の接続孔５によって電気的に接続されている。この第１の接続孔５は、銅箔をパターニングする前に、所定位置にドリル、レーザ等によって絶縁基板２に形成された貫通孔５ａを形成し、次いで、この貫通孔５ａの内壁を含む銅箔前面に無電解銅メッキ等によって導電層５ｂを形成することによって形成され、この導電層５ｂで、絶縁基板２の各面に形成された内層パターン３と内層パターン４との電気的接続を図っている。
【００１５】
そして、内層パターン３，４の上には、図１（Ｂ）に示すように、熱硬化型の樹脂、例えばエポキシ樹脂により絶縁層６，７が形成される。絶縁層６，７には、図１（Ｃ）及び図１（Ｄ）に示すように、熱硬化された後、次工程で形成される外層パターンと層間接続を図るための第２の接続孔８，９が所定位置に形成される。この第２の接続孔８，９は、先ず、レーザ等で絶縁層６，７に内層パターン３，４が外部に臨ませる非貫通孔８ａ，９ａを形成し、次いで、非貫通孔８ａ，９ａの内壁を含む絶縁層６，７の表面に無電解銅メッキにより導電層８ｂ，９ｂが形成されることによって形成される。なお、本発明が適用された基板処理装置は、この無電解銅メッキの前処理に用いられる。そして、絶縁層６，７上には、この導電層を、露光、現像、エッチング等することによって、内層パターン３，４と層間接続がされた外層パターン１０，１１が形成される。
【００１６】
ところで、第２の接続孔８，９を形成するため無電解銅メッキを施すための前処理では、図２に示すように、先ず、非貫通孔８ａ，９ａが形成された基板に対して、先ず、活性剤で電荷の調整を行うコンディショナ処理を行い、次いで、活性剤を水洗する水洗処理を行い、次いで、水洗での基板に付着した純水を除去するためのプリディップ処理を行い、次いで、Ｐｄ（パラジウム）−Ｓｎ（錫）等の溶液で触媒を絶縁層６，７の表面に吸着させるキャタライジング処理を行い、次いで、キャタライジング処理で基板に付着した溶液を水洗する水洗処理を行い、次いで、Ｓｎを除去しＰｄに活性を与えるアクセラレータ処理を行い、次いで、溶液を水洗する水洗処理が行われる。
【００１７】
本発明に適用された基板処理装置２０は、このような無電解銅メッキの前処理、具体的には、上記図２に示したコンディショナ処理工程、水洗処理工程、プリディップ工程、キャタライジング工程、水洗処理工程、アクセラレータ処理工程、水洗処理工程で用いられる。この基板処理装置２０は、図３及び図４に示すように、上記図１（Ｃ）に示した第２の接続孔８，９を構成する非貫通孔８ａ，９ａが絶縁層６，７に形成された内層基板２が配設される処理槽２１と、この処理槽２１を閉塞する蓋体２２とを備える。
【００１８】
処理槽２１は、処理液と化学反応を起こさない材料で形成され、塩化ビニル、ポリプロピレン、テフロン（登録商標）、ステンレス、アルミニウム等で形成されている。また、処理槽２１は、上面側が開口された上記内層基板２が配設される配設部２３が形成されている。
【００１９】
配設部２３は、図３及び図４に示すように、内層基板２の外形よりやや大きく形成されており、内層基板２が配設されたとき、配設部２３を構成する内壁と内層基板２との間にクリアランス２４が設けられるようになっている。具体的に、図５に示すように、配設部２３は、内層基板２の幅Ｗ１が長手方向の幅と略同じになるように形成され、短辺方向の幅Ｔ１が内層基板２の厚さＴ２よりやや大きくなるように形成され、少なくとも内層基板２の主面と内壁との間にクリアランス２４が設けられるようになっている。なお、内層基板２の幅方向の端面と内壁との間にもクリアランスを設けるようにしてもよい。
【００２０】
また、配設部２３には、内層基板２を略鉛直に立てた状態で支持し、配設部２３の内壁と内層基板２が接触しないようにするための支持部材３０が設けられている。
【００２１】
支持部材３０に略鉛直に支持された内層基板２と配設部２３を構成する内壁との間には、クリアランス２４が設けられていることから、処理液は、内層基板２の表面を流れることになる。また、内層基板２と配設部２３の内壁とは、クリアランス２４が設けられることで、処理中に接触することが防止することができる。更に、内層基板２は、配設部２３に略鉛直に立てた状態で支持されることから、内層基板２の両面に設けられた非貫通孔８ａ，９ａ内の処理液を迅速に置換することができる。
【００２２】
なお、クリアランス２４は、広すぎると処理液を大量に流す必要が生じ、一方、狭すぎると処理中に内層基板２が撓み内壁と接触してしまうおそれがあることから、内層基板２の厚さ等の関係で定められる。
【００２３】
また、配設部２３の下側は、処理液の排出管２５に処理液を集めることができるように徐々に狭くなるように形成されている。排出管２５は、処理中に常に処理空間内が処理液で充填された状態で処理空間に処理液により大気圧程度の圧力が加わった状態となるように処理液を排出する。したがって、排出管２５は、この条件を満たすような太さの管或いはこの条件を満たすようにバルブが設けられる。
【００２４】
また、処理槽２１の蓋体２２が近接される側の周囲には、蓋体２２とで密閉された処理空間を構成するためのフランジ部２６が形成されている。
【００２５】
このような処理槽２１とで処理空間を構成するための蓋体２２は、上述した処理槽２１と同じ材料で形成されている。蓋体２２は、図３及び図４に示すように、配設部２３に配設された内層基板２の上側を収納し、配設部２３とで処理空間２７を構成する空間部２８が形成されている。空間部２８は、図６に示すように、幅方向が、供給管２９の寸法から処理槽２１の配設部２３の長手方向の幅Ｗ１に寸法を合わせるように、処理液の供給管２９が接続される上側から処理槽２１に近接される下側に向かって徐々に拡幅するように形成され、また、図７に示すように、供給管２９の寸法から配設部２３の短辺方向の幅Ｔ１に寸法を合わせるように、厚さ方向が上側から下側に向かって狭くなるように形成されている。空間部２８は、このように形成されることで、配設部２３に配設された内層基板２の全体に処理液を流すことができるようになっている。
【００２６】
また、空間部２８の供給管２９の接続部となる開口部の断面積は、図６に示すように、幅方向において、供給管２９の断面積と略同じ若しくは供給管２９の断面積より小さくなるように形成され、また、図７に示すように、厚さ方向において、供給管２９の断面積と略同じ若しくは供給管２９の断面積より小さくなるなるように形成されている。すなわち、供給管２９の断面積は、空間部２８の供給管２９の接続部となる開口部の断面積より略同じ若しくは大きくなるように形成されることで、処理液の流速を確保し、また、処理時の内部圧力を確保することができるようにしている。
【００２７】
また、空間部２８には、図６及び図７に示すように、供給管２９側に、供給管２９から空間部２８に供給された処理液を配設部２３に配設された内層基板２の幅方向に振り分けるための第１の整流板３１が設けられている。この第１の整流板３１は、円滑に供給管２９から供給される処理液を内層基板２の幅方向に分流することができるように供給管２９側、すなわち処理液の上流側が略先鋭状に形成されている。
【００２８】
また、空間部２８には、図６及び図７に示すように、第１の整流板３１で配設部２３に配設された内層基板２の幅方向に振り分けられた処理液を内層基板２の厚さ方向に振り分けるための第２の整流板３２が設けられている。この第２の整流板３２も、第１の整流板３１で内層基板２の幅方向に整流された処理液を円滑に分流することができるように上流側が略先鋭状に形成されている。
【００２９】
なお、空間部２８に設けられる第１の整流板３１と第２の整流板３３は、処理液の上流側に第２の整流板３２を設け、下流側に第１の整流板３１を設けるようにしてもよい。
【００３０】
供給管２９は、蓋体２２が処理槽２１に近接し、処理空間２７を構成しているとき、内部が処理液により大気圧程度の圧力が加わった状態となるような流量で処理液を供給する。また、この蓋体２２は、駆動機構に接続されており、処理槽２１に内層基板２が配設されたとき、処理槽２１に近接する方向に移動し処理空間２７を構成するようになっている。
【００３１】
なお、この蓋体２２の処理槽２１側の周囲には、処理槽２１に設けられたフランジ部２６に対応してフランジ部３３が設けられている。
【００３２】
次に、以上のように構成された基板処理装置２０の動作について説明する。先ず、図３に示すように、蓋体２２が処理槽２１から離間した状態で、内層基板２が配設部２３に配設される。なお、ここで用いられる内層基板２は、図１（Ｃ）に示すように、内層基板２の両面に内層パターン３，４が形成され、この上層に絶縁層６，７が形成され、絶縁層６，７の所定位置に内層パターン３，４が外部に臨む非貫通孔８ａ，９ａが形成されたものである。この内層基板２は、支持部材３０に支持されることにより、配設部２３内に、配設部２３を構成する内壁と内層基板２の主面との間にクリアランス２４が設けられた状態で、略鉛直に立った状態で支持される。
【００３３】
次いで、蓋体２２は、駆動機構により処理槽２１に近接する方向に移動されることによって、図４に示すように、処理空間２７が構成される。ここで、蓋体２２のフランジ部３３は処理槽２１のフランジ部２６に圧接され、これにより、処理空間２７には、外気が混入することが防止される。なお、ここで、処理槽２１と蓋体２２とは、フランジ部２６，３３とをパッキン等で止めるようにしてもよい。
【００３４】
処理空間２７が構成されると、供給管２９からは、所定の処理液が処理空間２７に供給される。ここで、先ず、処理空間２７には、処理液が充填される。そして、更に処理液が処理空間２７内に供給され続けると共に排出管２５からの処理液の排出量を供給量より少なくすることで、処理空間２７内は、大気圧程度の圧力が形成されると共に、処理液の供給管２９から排出管２５への流れが形成される。ここで、処理液は、図４中矢印Ｆ１に示すように、第１の整流板３１により、配設部２３に配設された内層基板２の幅方向に流れが振り分けられ、内層基板２の幅方向に亘って処理液が同じ速度で流れるようになる。次いで、第１の整流板３１で配設部２３に配設された内層基板２の幅方向に流れが振り分けられた処理液は、図４中矢印Ｆ２に示すように、第２の整流板３２によって、配設部２３に配設された内層基板２の厚さ方向に流れが振り分けられる。これによって、内層基板２の両面には、処理液が同じ流速で流れることになる。かくして、処理空間２７内の内層基板２は、全体が同じ条件で処理液が流れることになり、全体が同じ速度で処理が進むことになる。ここで、配設部２３に配設された内層基板２の表面の流速は、好ましくは０．５ｍ／ｓｅｃ以上である。
【００３５】
処理空間２７内の内層基板２の処理が終了すると、先ず、基板処理装置２０は、供給管２９からの処理液の供給を停止すると共に、排出管２５からの処理液の排出を継続することで、処理空間２７内の処理液を全て排出する。次いで、蓋体２２は、駆動機構によって処理槽２１から離間する方向に移動される。これによって、配設部２３より処理の終了した内層基板２は取り出される。
【００３６】
なお、下記表１に、非貫通孔８ａ，９ａを含む絶縁層６，７の表面に導電層８ｂ，８ｂを形成するための無電解銅メッキを行う際の前処理に基板処理装置２０を用いたときの実験結果を示す。なお、基板処理装置２０との比較のため、従来用いられていた処理液が貯留された槽内に内層基板を浸漬する装置や処理液を噴射するノズルが設けられた処理液が貯留された槽内を、内層基板を寝かした状態で水平方向に移動させる装置を用いて実験を行った。
【００３７】
【表１】
0004626062.tif 000002
【００３８】
なお、配設部２３を構成する内壁と内層基板２との間のクリアランス２４は、図８に示すように設定した。また、供給管２９より供給する処理液の流量は、４５リットル／３０ｓｅｃ（実測：１．５リットル／ｓｅｃ）とし、配設部２３に配設した内層基板２の表面における処理液の流速（理論値）を２．７ｍ／ｓｅｃと０．５ｍ／ｓｅｃとした。処理液を噴射するノズルが設けられた処理液が貯留された槽内を、内層基板を寝かした状態で水平方向に移動させる装置では、液中スプレーの流速は、１ｍ／ｓｅｃである。
【００３９】
処理液が貯留された槽内に内層基板を浸漬する装置を用いた浸漬処理では、各工程の処理時間を６０ｓｅｃとすると、非貫通孔８ａ，９ａの底面付近でメッキを析出することができなかった。
【００４０】
また、処理液を噴射するノズルが設けられた処理液が貯留された槽内を、内層基板を寝かした状態で水平方向に移動させる装置を用いたコンベア処理では、各工程を６０ｓｅｃから３０ｓｅｃにすると、内層基板２の下面側でメッキを析出することができなかった。
【００４１】
これに対して、本発明が適用された基板処理装置２０では、配設部２３に配設した内層基板２の表面における処理液の流速を２．７ｍ／ｓｅｃに設定すると、各工程を３０ｓｅｃ行うだけでもメッキ処理を完全に行うことができた。
【００４２】
また、基板処理装置２０では、配設部２３に配設した内層基板２の表面における処理液の流速を０．５ｍ／ｓｅｃに設定し、各工程を３０ｓｅｃ行うだけでもメッキ処理を完全に行うことができた。
【００４３】
以上のように、本発明が適用された基板処理装置２０では、従来の装置より処理時間を短縮することができる。また、基板処理装置２０では、配設部２３に配設された内層基板２の表面を流れる処理液の流速を少なくとも０．５ｍ／ｓｅｃ以上とすることが必要であることが確認できる。
【００４４】
以上のような基板処理装置２０では、処理を行う内層基板２が略鉛直に立てられた状態で処理が行われる。したがって、従来のように略水平に寝かした状態で内層基板２の処理を行うときには、下側となる面に設けられた非貫通孔８ａ，９ａにおけるエア溜まりによって処理液の置換が行われづらい状態となるが、この基板処理装置２０では、処理を行う内層基板２を配設部２３に略鉛直に立てた状態で処理を行うことから、内層基板２の両面に設けられた非貫通孔８ａ，９ａの処理を同時に行うことができ、処理時間の短縮を図ることができる。
【００４５】
また、蓋体２２には、供給管２９からの処理液を、配設部２３に配設された内層基板２の幅方向に振り分ける第１の整流板３１と内層基板２の厚さ方向に振り分ける第２の整流板３２が設けられていることから、内層基板２の各面の全体に同じ流速で処理液を流すことができ、同じ速さで処理を進めることができる。なお、配設部２３に配設された内層基板２は、支持部材３０に支持されており、また、配設部２３を構成する内壁との間にクリアランス２４が設けられていることから、処理中に内層基板２が配設部２３の内壁に接触し損傷することを防止することができる。
【００４６】
なお、以上、非貫通孔８ａ，９ａが形成された絶縁層６，７の表面に無電解銅メッキを行う際の前処理を行うときに本発明が適用された基板処理装置２０を用いた例を説明したが、基板処理装置２０は、貫通孔５ａの内壁に導電層５ｂを無電解銅メッキで形成する際の前処理に用いてもよい。また、以上の例では、処理空間２７に１枚の内層基板２を収納する場合を説明したが、本発明は、処理空間相に複数枚の内層基板を収納し、これらの内層基板の処理を一度に行うことができるようにすることで、更に基板処理効率の向上を図ることができる。更に、プリント配線基板１における導電層の数は、特に限定されるものではない。
【００４７】
また、この基板処理装置２０は、貫通孔や非貫通孔をドリルやレーザで形成した後、内部に残った樹脂残滓を化学的に除去するデスミア工程やクリーム半田をランドに印刷する際の前処理であるプリフラックス工程等で用いてもよい。このように、本発明は、化学的処理の前工程で用いるのが有効である。
【００４８】
【発明の効果】
本発明によれば、処理を行う基板が略鉛直に立てられた状態で処理が行われる。したがって、従来のように略水平に寝かした状態で基板の処理を行うときには、下側となる面に設けられた接続孔における処理液の置換が行われづらい状態となるが、本発明では、処理を行う基板を配設部に略鉛直に立てた状態で処理を行うことから、基板の両面に設けられた接続孔の処理を同時に行うことができ、処理時間の短縮を図ることができる。
【００４９】
また、蓋体には、供給手段からの処理液を、配設部に配設された基板の幅方向に振り分ける第１の整流板と基板の厚さ方向に振り分ける第２の整流板が設けられていることから、基板の各面の全体に同じ流速で処理液を流すことができ、同じ早さで処理を進めることができる。更に、配設部とここに配設された基板との間にはクリアランスが設けられていることから、処理中に基板が配設部の内壁に接触し損傷することを防止することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】プリント配線基板の製造工程を説明する断面図であり、（Ａ）は、内層基板の両面に内層パターンが形成された状態を示す図であり、（Ｂ）は、内層パターンが形成された内層基板の両面に絶縁層が形成された状態を示す図であり、（Ｃ）は、内層パターン上に形成された絶縁層に層間接続をするための非貫通孔を形成した状態を示す図であり、（Ｄ）は、絶縁層上に外層パターンを形成した状態を示す図である。
【図２】外層パターンを形成するための無電解銅メッキの前処理を説明する工程図である。
【図３】本発明が適用された基板処理装置の斜視図であり、処理槽に対して蓋体が離間した状態を示す図である。
【図４】本発明が適用された基板処理装置の斜視図であり、処理槽に対して蓋体が密着した状態を示す図である。
【図５】処理槽の開口端側からみた平面図である。
【図６】蓋体の断面図である。
【図７】蓋体の断面図である。
【図８】処理槽に構成される配設部と内層基板との関係を説明する平面図である。
【符号の説明】
１  プリント配線基板、２  内層基板、３，４  内層パターン、５  第１の接続孔、５ａ  貫通孔、５ｂ  導電層、６，７  絶縁層、８，９  第２の接続孔、８ａ，９ａ  非貫通孔、８ｂ，９ｂ  導電層、１０，１１  外層パターン、２０  基板処理装置、２１  処理槽、２２  蓋体、２３  配設部、２４  クリアランス、２５  排出管、２６  フランジ部、２７  処理空間、２８  空間部、２９  供給管、３０  支持部材、３１  第１の整流板、３２  第２の整流板、３３  フランジ部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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