(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
ＳＬＤデバイス（１０２）の１つまたは複数の出力特性を周囲温度に対して安定化する方法であって、前記ＳＬＤデバイスが、（ｉ）ＳＬＤチップ（１０５）を冷却する熱電冷却モジュール（ＴＥＣ）（１１４）、および（ｉｉ）前記熱電冷却モジュール上に配置され設定温度に対応する設定信号を供給する温度センサ（１０４）を含み、前記ＴＥＣおよび前記温度センサが、温度制御電子回路（１０６）と共に、前記設定温度を予め決められた温度範囲内に維持するための温度制御帰還ループを形成し、前記方法は、
別の温度センサ（１１６）の傍にある、前記ＳＬＤデバイスを囲むケースの外側における周囲温度を決定する工程と、
前記１つまたは複数の出力特性の変化を周囲温度の関数として決定する工程と、
前記設定信号の変化を周囲温度の関数として決定する工程であって、前記設定信号の前記変化が前記１つまたは複数の出力特性の前記変化に対応し、前記設定信号が温度変化に比例して変化する可変抵抗値を示す、工程と、
前記温度制御電子回路内のブリッジ回路の第１の部分において、前記温度センサ（１０４）からの出力を受信する工程と、
前記ブリッジ回路の第２の部分において、前記別の温度センサ（１１６）の出力を受信する工程と、
前記ブリッジ回路内の増幅器（Ｕ５Ａ）に前記ブリッジ回路の第１の部分及び第２の部分を結合させることにより、前記増幅器からの出力が、前記ブリッジ回路の第１の部分及び第２の部分の出力の結合に基づいて制御される工程であって、前記増幅器からの出力は入力として前記熱電冷却モジュールへ結合される制御電圧である、工程と、
前記設定信号の前記変化を相殺するために前記熱電冷却モジュールへの入力を制御するように、前記増幅器、前記ブリッジ回路の第１の部分及び第２の部分を含む前記温度制御帰還ループを修正し、それによって、周囲温度の関数として、前記１つまたは複数の出力特性の前記変化を安定させる工程と、を備える方法。
【請求項２】
前記１つまたは複数の出力特性の変化を周囲温度の関数として決定する前記工程は、周囲温度に対する前記ＳＬＤデバイスの光パワー出力の変化を決定する工程である、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
ＳＬＤデバイス（１０２）の１つまたは複数の出力特性を周囲温度に対して安定化するシステムであって、前記ＳＬＤデバイスが、（ｉ）ＳＬＤチップ（１０５）を冷却する熱電冷却モジュール（ＴＥＣ）（１１４）、および（ｉｉ）設定温度に対応する設定信号を供給する設定温度センサ（１０４）を含み、前記ＴＥＣおよび前記設定温度センサが、温度制御電子回路と共に、前記設定温度を予め決められた温度範囲内に維持するための温度制御帰還ループを形成し、
前記システムは、
周囲温度を表す検出信号を提供するために、周囲温度センサ（１１６）が前記ＳＬＤデバイスを囲むケース（１１８）に近接して設置され、
増幅器（Ｕ５Ａ）が前記ＴＥＣにより提供される冷却量を駆動制御するための出力電圧を提供し、
前記設定温度センサ及び周囲温度センサが、各々、互いに接続される一方の端子を有し、前記増幅器に接続されたブリッジ回路の部分を形成し、前記周囲温度センサの他方の端子が前記増幅器の出力に接続され、前記設定温度センサの他方の端子が前記増幅器の入力に接続され、
前記ブリッジ回路が前記増幅器に接続されることにより、前記増幅器の出力は、前記設定温度センサの出力及び前記周囲温度センサの出力の結合に基づき制御され、前記増幅器の出力電圧は、入力として前記ＴＥＣへ結合され、前記ＴＥＣにより提供される冷却量を制御し、
前記増幅器の出力は、周囲温度の関数として前記設定信号中の変化を相殺する前記ＴＥＣへ、補償されたＴＥＣ制御信号を提供し、それによって、温度変化に関する前記ＳＬＤデバイスの１つまたは複数の出力特性を安定させる、
ことを特徴とするシステム。
【請求項４】
前記設定温度センサがサーミスタを含む、請求項３に記載のシステム。
【請求項５】
前記周囲温度センサが、前記ＳＬＤデバイスを囲む前記ケースのケース温度を感知するサーミスタを含む、請求項３に記載のシステム。
【請求項６】
前記サーミスタが、前記ＳＬＤデバイスを囲む前記ケースに物理的に接触する、請求項５に記載のシステム。
【請求項７】
前記サーミスタが、前記ＳＬＤデバイスを囲む前記ケースに取り付けられる、請求項６に記載のシステム。
【請求項８】
前記設定信号及び周囲温度の関数として、補償されたＴＥＣ制御信号をアルゴリズム的に生成するためのコードを実行するプロセッサをさらに含む、請求項３に記載のシステム。
【請求項９】
前記設定温度センサの一端（Ｅ２−２）が前記周囲温度センサの一端（ＲＴＤ２−２）に接続することにより、前記増幅器の入力へ接続される共通接続ポイントを形成することを特徴とする、請求項３に記載のシステム。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
関連出願の参照
該当なし
連邦政府後援調査に関する陳述
該当なし
マイクロフィッシュ付加物の参照
該当なし
本発明は、ファイバ光ジャイロスコープ（本明細書でＦＯＧと呼ぶ）の高強度光源に関し、より詳細には、広い温度範囲にわたって超発光ダイオードの出力特性を安定化する方法およびシステムに関する。
【背景技術】
【０００２】
ＦＯＧ測定誤差は、一般に、偏り誤差とスケーリング誤差の種類に分けることができる。全てのジャイロスコープは、偏り誤差と呼ばれる初期化のときに存在するある程度の測定誤差を有する。本明細書でスケーリング誤差（もしくは、換算係数誤差）と呼ぶ第2の種類の誤差は、ジャイロスコープが回転する角度にわたって累積する。スケーリング誤差は、ＦＯＧが受ける実際の回転角とＦＯＧ出力に示される回転角の差である。実際には９２度回転したとき９０度回転したと表示するＦＯＧは、スケーリング誤差の例である。スケーリング誤差の量は、様々な環境要素の影響を受ける可能性があるので、一定の補償値は、一般に、ＦＯＧ出力を完全に補正するのに十分でない。
【０００３】
ＦＯＧは、一般に、光源として超発光ダイオード（本明細書でＳＬＤと呼ぶ）を使用する。ＦＯＧの性能は光源の波長に依存する。その理由は、ＦＯＧに関連したスケーリング誤差はＳＬＤの光の波長に正比例するからである。ＳＬＤの波長は動作温度と共に直線的に変化するので、換算係数の変化をＦＯＧ動作温度の広い範囲にわたって制限するために、熱電冷却モジュール（ＴＥＣ）でＳＬＤを温度安定化することが必要である。
【０００４】
市販の（従来技術）ＳＬＤデバイス１０は、図１にブロック図の形で示すように、一般に、ＳＬＤデバイス・パッケージ１４の内部に取り付けられたＴＥＣ部品１２を含む。発光素子のＳＬＤチップ１６は、サーミスタ１８と共にＴＥＣ１２の表面に直接に取り付けられる。サーミスタ・リード線２０は、外部の温度制御電子回路２２との協働を可能にするように、パッケージから引き出される。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
ＳＬＤの波長（および結果として換算係数）感度は、一般に、おおよそ１摂氏度（１℃）当たり百万分の４００（ｐｐｍ）である。換算係数の変化を１００ｐｐｍの例示の達成目標内に制限するために、動作温度範囲にわたって少なくとも０．２５℃以内にＳＬＤの温度を制御することが必要である。一般的な動作温度範囲は、−５４℃から７１℃である。理想的なＴＥＣと結合された温度制御電子回路は、このレベルの安定度に必要な制御機能を実現することができるであろう。しかし、市販のＴＥＣモジュールの構造および性能の制限によって、１００ｐｐｍよりも優れた換算係数安定度は妨げられる。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
一態様では、周囲温度に対してＳＬＤデバイスの１つまたは複数の出力特性を安定化する方法が開示される。ＳＬＤデバイスは、（ｉ）ＳＬＤチップを冷却する熱電冷却モジュール（ＴＥＣ）、および（ｉｉ）設定温度に対応する設定信号を供給する温度センサを含む。ＴＥＣおよび温度センサは、温度制御電子回路と共に、設定温度を予め決められた温度範囲内に維持するための温度制御帰還ループを形成する。本方法は、１つまたは複数の出力特性の変化を周囲温度の関数として決定することを含む。本方法は、さらに、設定信号の変化を周囲温度の関数として決定することを含み、この設定信号の変化は１つまたは複数の出力特性の変化に対応する。本方法は、また、設定信号の変化を相殺するように温度制御帰還ループを修正することを含み、それによって、１つまたは複数の出力特性の変化を周囲温度の関数として安定化する。
【０００７】
他の実施形態は、周囲温度に対するＳＬＤデバイスの光パワー出力の変化を決定することをさらに含む。
他の実施形態は、サーミスタ設定抵抗の変化を決定することをさらに含み、温度センサはサーミスタを含み、設定信号は設定抵抗を含む。
他の実施形態は、ＳＬＤデバイスを囲むケースのケース温度を感知し、かつケース温度を周囲温度として使用して設定信号の変化を相殺するように温度制御帰還ループを修正することをさらに含む。そのようにすることで、１つまたは複数の出力特性の変化を周囲温度の関数として安定化する。
【０００８】
他の実施形態は、ＳＬＤデバイスを囲むケースに実質的に近接してサーミスタを配置し、かつこのサーミスタに関連した抵抗を温度制御帰還ループで設定信号の変化を相殺するように使用することをさらに含む。
他の実施形態は、ＳＬＤデバイスを囲むケースにサーミスタを取り付けることをさらに含む。
【０００９】
他の実施形態は、設定信号の変化を相殺するように、サーミスタを温度制御電子回路中のブリッジ回路に電気的に結合することをさらに含む。
他の実施形態は、支援回路と組み合わされたサーミスタが所望の抵抗プロファイルを示すように、ブリッジ回路中でサーミスタと支援回路を組み合わせることをさらに含む。
他の実施形態は、ＳＬＤデバイスを囲むケースのケース温度を感知することによって周囲温度を決定することをさらに含む。
他の実施形態は、設定信号および周囲温度の関数として補償されたＴＥＣ制御信号をアルゴリズム的に生成するプロセッサ実行符号で、温度制御帰還ループを修正することをさらに含む。
【００１０】
他の態様では、周囲温度に対してＳＬＤデバイスの１つまたは複数の出力特性を安定化するシステムが開示される。ＳＬＤデバイスは、（ｉ）ＳＬＤチップを冷却する熱電冷却モジュール（ＴＥＣ）、および（ｉｉ）設定温度に対応する設定信号を供給する設定温度センサを含む。ＴＥＣおよび温度センサは、温度制御電子回路と共に、設定温度を予め決められた温度範囲内に維持するための温度制御帰還ループを形成する。本システムは、周囲温度を表す感知信号を供給するために、ＳＬＤデバイスを囲むケースに実質的に近接して配置された周囲温度センサを備える。本システムは、さらに、周囲温度を表す感知信号を受け取り、設定信号の変化を周囲温度の関数として相殺し、かつ補償されたＴＥＣ制御信号をＴＥＣに供給するための、温度制御帰還ループと関連した相殺回路を備える。
【００１１】
他の実施形態では、設定温度センサはサーミスタを含み、設定信号は設定抵抗を含む。
他の実施形態では、周囲温度センサは、ＳＬＤデバイスを囲むケースのケース温度を感知するサーミスタを含む。
他の実施形態では、サーミスタは、ＳＬＤデバイスを囲むケースに物理的に接触する。
他の実施形態では、サーミスタは、ＳＬＤデバイスを囲むケースに取り付けられる。
他の実施形態では、相殺回路は、サーミスタを温度制御電子回路内のブリッジ回路に電気的に結合するための導体を含む。
【００１２】
他の実施形態では、相殺回路および支援回路と組み合わされたサーミスタが所望の抵抗プロファイルを示すように、相殺回路はさらに支援回路と組み合わされる。
他の実施形態では、相殺回路は、補償されたＴＥＣ制御信号を設定信号および周囲温度の関数としてアルゴリズム的に生成するプロセッサ実行符号を含む。
他の実施形態では、相殺回路は、設定信号および周囲温度を表す感知信号を受け取りかつそれから補償されたＴＥＣ制御信号を生成するＡＳＩＣデバイスを含む。
【００１３】
他の態様では、周囲温度に対してＳＬＤデバイスの１つまたは複数の出力特性を安定化するシステムが開示される。ＳＬＤデバイスは、（ｉ）ＳＬＤチップを冷却する熱電冷却モジュール（ＴＥＣ）、および（ｉｉ）設定温度に対応する設定信号を供給する設定温度センサを含む。ＴＥＣおよび温度センサは、温度制御電子回路と共に、設定温度を予め決められた温度範囲内に維持するための温度制御帰還ループを形成する。本システムは、周囲温度を表す感知信号を供給するために、ＳＬＤデバイスを囲むケースに実質的に近接して配置された周囲温度を感知する手段を備える。本システムは、さらに、周囲温度を表す感知信号を受け取り、かつ設定信号の変化を周囲温度の関数として相殺する手段を備える。
本発明自体はもちろんのこと、本発明の前述および他の目的、様々な特徴もまた、添付の図面と共に読むとき以下の説明によって、より完全に理解することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１４】
図２および３は、従来技術ＳＬＤデバイスについて行なわれた２つのパラメータ試験の結果を示す。図２は、一定サーミスタ設定温度での、周囲温度に対するＳＬＤデバイスから測定された光パワーを示す。外部温度制御電子回路は、一定サーミスタ設定温度を維持するようにＴＥＣを制御するための帰還としてサーミスタ信号を使用する。図３は、一定周囲温度での、サーミスタ設定温度に対するＳＬＤデバイスから測定された光パワーを示す。図２および３は、１つの特定のデバイスの特性を表すが、この一般的な結果は様々な製造業者からの多くのＳＬＤデバイスを代表している。
【００１５】
図３は、ＳＬＤチップの光パワー出力がＳＬＤチップの温度に逆比例することを示す。すなわち、パワー出力は上昇するＳＬＤチップ温度の関数として直線的に減少する。図２は、ＳＬＤチップの光パワー出力が周囲温度に正比例することを示す。図３の結果を考慮すると、図２は、周囲温度が上昇するにつれてＳＬＤチップの温度が下がることを暗示している。しかし、図２の条件は一定サーミスタ設定温度を含むので、ＳＬＤチップからサーミスタへの温度勾配がある場合だけ、ＳＬＤチップの実際の温度が下がることはあり得る。この現象は、ＳＬＤデバイス・パッケージへの熱の流れ／漏れの結果ではあり得ない。というのは、冷却モード中に、そのような熱の流れはＳＬＤチップの動作温度を高める傾向があるからである。サーミスタの局部的な加熱で、より低い動作温度したがって光パワーの増加をもたらす熱の流れをつり合わせるように追加の冷却が起こるかもしれない。しかし、サーミスタの小さな表面積およびＴＥＣ表面への小さな熱抵抗のために、局部的な加熱が生じることは起こりそうにない。この現象は、ＳＬＤチップとサーミスタの間の空間的な間隔、ＴＥＣ基板の有限な面内伝導率、および熱電材料の温度依存性という３つの効果の結果であると理論づけられる。
熱電冷却の式は、次式で与えられる。
Ｑ＝αＴＩ−１／２Ｉ２Ｒ−ＫΔＴ                                    （１）
ここで、αはゼーベック係数、Ｒはモジュールの平均電気抵抗、Ｋはモジュールの平均熱抵抗、Ｉは電流、ＴはＴＥＣの平均温度、ΔＴはＴＥＣの両端間の温度度差である。
【００１６】
式（１）は、温度差ΔＴを横切ってくみ出すことができる熱負荷は、（ｉ）ＴＥＣの熱伝導および（ｉｉ）ＴＥＣ要素の電気抵抗のために生じるジュール熱によって制限されることを示す。また、式（１）は、ゼーベック係数、熱コンダクタンス、および電気抵抗は平均温度に依存するので、ＴＥＣの冷却性能は動作温度に依存することを示す。
【００１７】
ＳＬＤチップが非活動状態（すなわち、入力パワーが加えられない）であるとき、ＴＥＣの両端間の温度差は特定の温度で最大であり、ＴＥＣ基板表面全体にわたって温度は一様である。ＳＬＤチップが活動状態（すなわち、給電されている）であるとき、ＳＬＤチップはＴＥＣに局部的な熱負荷を加え、ＳＬＤチップと帰還制御を行なうサーミスタの間の空間的な間隔の両端間に温度勾配が発生する。熱源（すなわち、ＳＬＤチップ）が局部的であり、かつ基板を横切る伝導が有限で、基板材料の熱伝導率で制限されるので、この温度勾配が生じる。さらに、ＴＥＣ材料は温度に依存しているので、ＳＬＤとサーミスタの間の温度差も同様に温度に依存している。
【００１８】
（ｉ）ＳＬＤ出力の光パワーとＳＬＤチップ温度の間、および（ｉｉ）ＳＬＤ出力の波長とＳＬＤチップ温度の間に関係が存在する。したがって、図２および３の結果で例示したＳＬＤの試験を使用して、ＳＬＤ出力の波長は、ＳＬＤ製造業者に依存して、ほぼ２〜３ｐｐｍ／ケース温度℃で変化することを推定した。この波長感度の結果は、光スペクトル分析器（ＯＳＡ）を使用したＳＬＤ波長の直接測定によって実証された。このことは、周囲温度に対するＳＬＤの光パワー感度を安定させるために取られた対策は、また、周囲温度に対するＳＬＤの波長感度を安定させる。
したがって、次のステップが、周囲温度に対するＳＬＤデバイスの波長感度を安定させる方法を与える。
１．図２に示すものと同様な、デバイス・ケース（すなわち、パッケージ）温度に対するＳＬＤデバイスの光パワー感度（ｄＰｏ／ＤＴｃ）を実験的に決定する。
２．ｄＰｏ／ｄＴｃに対応する、ケース温度に対するサーミスタ設定抵抗の変化（ｄＲ／ｄＴｃ）を計算する。
３．ＴＥＣ、サーミスタおよび外部温度制御電子回路から成る温度制御帰還ループに補償を入れる。ここで、補償はｄＲ／ｄＴｃに等しくかつ逆の量に相当する。
【００１９】
この説明では、「周囲」温度は、デバイス・ケースの温度を感知して求められる。留意すべきことであるが、ケース温度と周囲温度は関係づけられるが、いくつかの場合には、相当な差があるかもしれない。一般には、この差は無視できるほどである。しかし、いくつかの実施形態では、本方法は真の周囲温度を感知することを含むことができる。図２および３で特徴付けられる特定のＳＬＤを以下の例で使用して、この方法を説明することができる。図２は、この特定のＳＬＤのｄＰｏ／ｄＴｃがほぼ０．００２３ｍＷ／℃（ケース）であることを示す。図３は、サーミスタ設定温度に対するＳＬＤデバイスの光パワー感度ｄＰｏ／ｄＴｓがほぼ０．３１４ｍＷ／℃（設定）であることを示す。ｄＰｏ／ｄＴｃをｄＰｏ／ｄＴｓで割ることで、ケース温度の変化に対する設定温度の増分変化、すなわち−０．００７３のｄＴｓ／ｄＴｃが与えられる。サーミスタに関連したデータ・シートから、設定温度に対するサーミスタ抵抗の変化ｄＲ／ｄＴｓは、５００Ω／℃で与えられる。ｄＲ／ｄＴｓにｄＴｓ／ｄＴｃを掛けることで、次式が与えられる。
ｄＲ／ｄＴｃ＝（５００Ω／℃）（−０．００７３）＝−３．６５Ω／℃
【００２０】
したがって、図２および３のデータで表されたＳＬＤは、ほぼ０．００２３ｍＷ／℃（ケース）のケース温度に対する光パワー感度を示す。このパワー感度は、ケース温度に対する−３．６５Ω／℃の設定抵抗の変化で表すことができる。ケース温度に対する光パワー変化（および、結果として波長変化）を軽減するために、−３．６５Ω／℃のｄＲ／ｄＴｃ変化を等しくかつ逆の量で、すなわち＋３．６５Ω／℃で相殺するように温度制御電子回路が修正される。図４に示すＳＬＤデバイス１０２を安定化するシステム１００の一実施形態では、ＳＬＤチップ１０５の近くに位置付けされた設定サーミスタ１０４は、温度制御電子回路１０６に電気的に結合されて、ブリッジ回路１０８の一要素として使用される。ブリッジ回路１０８の出力は、ＳＬＤチップ１０５を冷却するようにＴＥＣ１１４を駆動するＴＥＣ駆動回路１１２に制御信号１１０を供給する。駆動回路１１２は、ＴＥＣ１１４の冷却特性を決める補償されたＴＥＣ制御信号１１３を生成する。設定サーミスタ１０４、温度制御電子回路１０６およびＴＥＣは、このように温度制御帰還ループを形成する。この実施形態では、ケース感知サーミスタ１１６は、ＳＬＤデバイス１０２のケース１１８に取り付けられる。ケース感知サーミスタ１１６は、設定サーミスタ１０４の変化（ケース温度に対する）を相殺するようにブリッジ回路１０８に電気的に結合される。一実施形態では、結果として得られる組合せがケース温度の関数として所望の抵抗プロファイル、すなわち設定サーミスタ１０４の変化（ケース温度に対する）を相殺する抵抗プロファイル、を示すように、第２のサーミスタ１１６が追加の支援回路（図示されない）と組み合わされる。
【００２１】
他の実施形態では、ケース温度に対する設定サーミスタ抵抗の変化（すなわち、ｄＲ／ｄＴｃ）は、当技術分野で知られている他の技術で相殺することができる。例えば、温度制御電子回路は、補償されたＴＥＣ制御信号を設定温度とケース温度の関数として生成する特定用途向け集積回路（ＡＳＩＣ）を含むことができる。他の実施形態では、温度制御電子回路は、補償されたＴＥＣ制御信号を設定温度とケース温度の関数としてアルゴリズム的に生成するプロセッサ実行符合（すなわち、ソフトウェア、ファームウェア、その他）を含むことができる。そのようなディジタル的に基礎を形成されたシステムは、当技術分野で知られているＡ／Ｄ変換器およびＤ／Ａ変換器を使用して、アナログ部品とディジタル部品の間の必要なインタフェースを実現する。他の実施形態では、温度制御電子回路は、特定のＳＬＤデバイスの固有の特性を満たすように明確に表現されたルックアップ・テーブル（ＬＵＴ）を含むことができる。本明細書で一般的に説明した実施形態は、設定温度およびケース温度を感知するためにサーミスタを使用するが、サーミスタ以外の抵抗温度検出器（ＲＴＤ）、熱電対、赤外線温度検出器、および当技術分野で知られている他の温度感知デバイスのような他の温度感知デバイスを使用することもできる。そのような実施形態では、温度感知デバイスは、必ずしも抵抗でない温度感知信号を供給して、関連した温度の表示を与える。他の実施形態では、温度感知デバイスは、ケース温度ではなく真の周囲温度を感知して、ＳＬＤデバイス内の温度設定を偏らせる信号を与えることができる。
【００２２】
図５は、図４の温度制御電子回路１０６の一実施形態の詳細を示す。ブリッジ回路１０８は、ケース・サーミスタ１１６および設定サーミスタ１０４に電気的に結合された状態で示されている。ブリッジ回路１０８は、ＴＥＣ駆動回路１１２に制御信号１１０を供給し、このＴＥＣ駆動回路１１２が本明細書で説明したようにＴＥＣ１１４を駆動する。
【００２３】
図６および７は、図４で説明したケース温度帰還の実施形態を使用する図２および３に関連したＳＬＤデバイスに対応した、２つの異なる日に取られた光パワー・データを示す。図６および７のデータは、この実施形態が、温度安定性、したがって換算係数安定度の約１０倍の改善を実現することを示す。
【００２４】
本明細書で説明した概念および実施形態に基づいて、またＳＬＤ製造業者による妥当なレベルのプロセス制御を想定すると、適度な範囲の換算係数安定度要求を満たすように、特定の補償方式を含む単一の実施形態を単一の製造業者からの全てのデバイスに適用することができるだろう。非常に厳密な換算係数安定度要件を満たすために、個々のＳＬＤデバイスに対して補償計画を調整すると高度の換算係数安定度が得られる。
本発明は、本発明の精神または基本的な特徴から逸脱することなしに他の特定の形で具現することができる。したがって、現在の実施形態は、例示的で制限的でないような点で考えられるべきであり、本発明の範囲は前述の説明ではなく添付の特許請求の範囲で示され、したがって、この特許請求の範囲の同等の意味および範囲内に入る全ての変化物は、特許請求の範囲に含まれる意図である。
【図面の簡単な説明】
【００２５】
【図１】一般的な従来技術ＳＬＤデバイスを示すブロック・ダイアグラムである。
【図２】一定設定温度での、周囲温度に対する従来技術ＳＬＤデバイスから測定された光パワーを示す図である。
【図３】一定周囲温度での、サーミスタ設定温度に対する従来技術ＳＬＤデバイスから測定された光パワーを示す図である。
【図４】ＳＬＤデバイスを安定化するシステムの一実施形態を示すブロック図である。
【図５】図４の温度制御電子回路の一実施形態の詳細を示す図である。
【図６】図４に示す実施形態を使用して、周囲温度に対してＳＬＤデバイスから測定された光パワーを示す図である。
【図７】異なる日に取られた、図６のそれと同様なデータを示す図である。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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