(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
対向する一方および他方の両方の面に一方の外部電極と他方の外部電極とを有する半導体集積回路に対して電気的な特性検査を行う検査装置であって、
第１電極を有する検査回路基板と第２電極を有する配線基板とが対向して配置され、
検査回路基板に測定装置が接続され、
検査回路基板と配線基板との間に半導体集積回路を保持する保持部が形成され、
検査回路基板の第１電極と検査回路基板に対向する半導体集積回路の一方の外部電極とに当接してこれら電極間を電気的に接続する第１の導電性接触子が固定部材に設けられ、
配線基板の第２電極と配線基板に対向する半導体集積回路の他方の外部電極とに当接してこれら電極間を電気的に接続する第２の導電性接触子が可動部材に設けられ、
配線基板は可動部材に設けられ、
可動部材は、第２の導電性接触子が半導体集積回路の他方の外部電極に当接する当接位置と、第２の導電性接触子が前記他方の外部電極から離間する離間位置とに移動自在であり、
検査回路基板に一方の第３電極が形成され、
配線基板に、第２電極に配線回路を介して電気的に接続された他方の第３電極が形成され、
可動部材が当接位置まで移動した際、一方の第３電極と他方の第３電極とに当接してこれら電極間を電気的に接続する第３の導電性接触子が可動部材又は固定部材に設けられ、
配線基板の特性インピーダンスを検査回路基板又は測定装置の特性インピーダンスに整合させたことを特徴とする検査装置。
【請求項２】
第３の導電性接触子の全長が第１の導電性接触子の全長と第２の導電性接触子の全長と半導体集積回路の全高との和よりも短くなるようにしたことを特徴とする請求項１に記載の検査装置。
【請求項３】
第１〜第３の導電性接触子の少なくともいずれかの導電性接触子を異方性導電性ゴム方式のものにしたことを特徴とする請求項１または請求項２に記載の検査装置。
【請求項４】
可動部材は、半導体集積回路を保持部上へ搬送する搬送装置に設けられており、
上記可動部材に、第１の導電性接触子と第２の導電性接触子との間で半導体集積回路を吸着する吸着部材が設けられ、
吸着部材は、検査回路基板側に向かって突出する突出位置と、可動部材側に向かって退入する退入位置との間を移動自在であり、
可動部材が離間位置まで移動した際、吸着部材が突出位置まで移動して、吸着部材に吸着されている半導体集積回路が第２の導電性接触子から離間し、
可動部材が当接位置まで移動した際、吸着部材が退入位置まで移動して、半導体集積回路の他方の外部電極が第２の導電性接触子に当接することを特徴とする請求項１から請求項３のいずれか１項に記載の検査装置。
【請求項５】
前記請求項１から請求項４のいずれか１項に記載の検査装置を用いた検査方法であって、半導体集積回路を保持部に保持し、
可動部材を当接位置まで移動させて、第１の導電性接触子を介して検査回路基板の第１電極と半導体集積回路の一方の外部電極とを電気的に接続するとともに、第２の導電性接触子を介して配線基板の第２電極と半導体集積回路の他方の外部電極とを電気的に接続し、且つ、第３の導電性接触子を介して検査回路基板の一方の第３電極と配線基板の他方の第３電極とを電気的に接続し、
検査信号を測定装置から半導体集積回路の一方又は他方の外部電極に出力し、
検査信号に対する応答信号を半導体集積回路の一方又は他方の外部電極から測定装置で授受し、この応答信号を計測することを特徴とする検査方法。
【請求項６】
対向する一方および他方の両方の面に一方の外部電極と他方の外部電極とを有する半導体集積回路に対して電気的な特性検査を行う検査装置であって、
第１電極を有する検査回路基板と検査用半導体集積回路とが対向して配置され、
検査用半導体集積回路は、パッケージオンパッケージ方式によって前記半導体集積回路上に積み重ねられる別の半導体集積回路と同構造を有するとともに、検査回路基板に対向する面に検査用外部電極を備えており、
検査回路基板に測定装置が接続され、
検査回路基板と検査用半導体集積回路との間に半導体集積回路を保持する保持部が形成され、
検査回路基板の第１電極と検査回路基板に対向する半導体集積回路の一方の外部電極とに当接してこれら電極間を電気的に接続する第１の導電性接触子が固定部材に設けられ、
検査用半導体集積回路の検査用外部電極と検査用半導体集積回路に対向する半導体集積回路の他方の外部電極とに当接してこれら電極間を電気的に接続する第２の導電性接触子が可動部材に設けられ、
検査用半導体集積回路は可動部材に設けられ、
可動部材は、第２の導電性接触子が半導体集積回路の他方の外部電極に当接する当接位置と、第２の導電性接触子が前記他方の外部電極から離間する離間位置とに移動自在であることを特徴とする検査装置。
【請求項７】
測定装置は、半導体集積回路に対して検査信号を出力するとともに、検査信号に対する第１の応答信号を授受し、さらに、第３の応答信号又はダミー信号に対する第４の応答信号を授受し、
検査用半導体集積回路は、半導体集積回路から出力された第２の応答信号を授受するとともに、第２の応答信号に対する第３の応答信号又はダミー信号を半導体集積回路に対して出力することを特徴とする請求項６記載の検査装置。
【請求項８】
半導体集積回路の外部電極と第１の導電性接触子との接触抵抗よりも、検査用半導体集積回路の検査用外部電極と第２の導電性接触子との接触抵抗を小さくすることを特徴とする請求項６記載の検査装置。
【請求項９】
前記請求項６又は請求項７に記載の検査装置を用いた検査方法であって、
半導体集積回路を保持部に保持し、
可動部材を当接位置まで移動させて、第１の導電性接触子を介して検査回路基板の第１電極と半導体集積回路の一方の外部電極とを電気的に接続するとともに、第２の導電性接触子を介して検査用半導体集積回路の検査用外部電極と半導体集積回路の他方の外部電極とを電気的に接続し、
測定装置から第１の導電性接触子を介して半導体集積回路に対し検査信号を出力し、
検査信号に対する第１の応答信号を半導体集積回路から第１の導電性接触子を介して測定装置で授受し、
さらに、半導体集積回路から第２の導電性接触子を介して検査用半導体集積回路に対し第２の応答信号を出力し、
第２の応答信号に対する第３の応答信号又はダミー信号を検査用半導体集積回路から第２の導電性接触子を介して半導体集積回路に対して出力し、
第３の応答信号又はダミー信号に対する第４の応答信号を半導体集積回路から第１の導電性接触子を介して測定装置で授受し、
授受した前記第１と第４の応答信号を計測することを特徴とする検査方法。
【請求項１０】
対向する一方および他方の両方の面に一方の外部電極と他方の外部電極とを有する第１の半導体集積回路と、
一方の面のみに外部電極を有し且つパッケージオンパッケージ方式によって第１の半導体集積回路上に積み重ねられる第２の半導体集積回路との少なくともいずれかの半導体集積回路に対して電気的な特性検査を行う検査装置であって、
検査回路基板と可動部材との間に固定部材が備えられ、
検査回路基板に第１電極が設けられ、
検査回路基板に測定装置が接続され、
固定部材に第１の導電性接触子が設けられ、
可動部材は、固定部材に対して接近離間する移動経路上を移動自在であるとともに、個別に移動可能な第１の可動体と第２の可動体とで構成され、
第２の可動体は固定部材に対向して配置され、
第１の可動体は第２の可動体と固定部材との間に配置され、
第１の可動体に第２の導電性接触子が設けられ、
固定部材と第１の可動体との間に第１の半導体集積回路を保持する第１の保持部が形成され、
第１の可動体と第２の可動体との間に第２の半導体集積回路を保持する第２の保持部が形成され、
第１の導電性接触子は第１電極と第１の保持部に保持された第１の半導体集積回路の一方の外部電極とに当接してこれら電極間を電気的に接続し、
第２の導電性接触子は第１の保持部に保持された第１の半導体集積回路の他方の外部電極と第２の保持部に保持された第２の半導体集積回路の外部電極とに当接してこれら電極間を電気的に接続し、
第１の可動体は、第２の導電性接触子が第１の半導体集積回路の他方の外部電極に当接する第１の当接位置と、第２の導電性接触子が第１の半導体集積回路の他方の外部電極から離間する第１の離間位置とに移動自在であり、
第２の可動体は、第２の保持部に保持された第２の半導体集積回路に当接して第２の半導体集積回路の外部電極を第２の導電性接触子に押付ける第２の当接位置と、第２の半導体集積回路から離間する第２の離間位置とに移動自在であることを特徴とする検査装置。
【請求項１１】
第１の半導体集積回路に対して電気的な特性検査を行う場合、第１の半導体集積回路の外部電極と第１の導電性接触子との接触抵抗よりも、第２の半導体集積回路の外部電極と第２の導電性接触子との接触抵抗を小さくし、
第２の半導体集積回路に対して電気的な特性検査を行う場合、第２の半導体集積回路の外部電極と第２の導電性接触子との接触抵抗よりも、第１の半導体集積回路の外部電極と第１の導電性接触子との接触抵抗を小さくすることを特徴とする請求項１０記載の検査装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、対向する二面に電極を有する半導体集積回路の電気的特性を測定装置で測定して検査する検査装置および検査方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体集積回路の電気的特性検査を行う際、一般的に、半導体集積回路の外部電極を測定装置に電気的に接続して検査を行う検査装置が用いられる。従来における検査装置の一つとして、図２０に示すポゴピン方式の導電性接触子８１を用いた検査装置８２がある。
【０００３】
このポゴピン方式の導電性接触子８１は、筒体８３の内部に、コイル状の圧縮ばね８４と一方のプランジャ８５と他方のプランジャ８６とを備えたものである。一方のプランジャ８５の先端部は筒体８３から上方へ出退自在に突出し、他方のプランジャ８６の先端部は筒体８３から下方へ出退自在に突出している。また、圧縮ばね８４は、一方のプランジャ８５と他方のプランジャ８６との間に配置され、両プランジャ８５，８６を突出方向へ付勢している。
【０００４】
圧縮ばね８４の伸縮によって、一方のプランジャ８５が半導体集積回路８７の外部電極８８に押し当てられるとともに、他方のプランジャ８６が測定装置８９に接続された検査回路基板９０のランド電極９１に押し当てられることで、外部電極８８とランド電極９１とは両プランジャ８５，８６および筒体８３を介して電気的に接続される。
【０００５】
尚、検査回路基板９０は、半導体集積回路８７に対して一方向すなわち外部電極８８が形成されている面に相対する方向に配置されている。これは、外部電極８８とランド電極９１との間を、導電性接触子８１を用いて、最短距離で電気的に接続するためである。
【０００６】
近年、半導体集積回路の高密度化の要求にともない、組立後の半導体集積回路を積層するパッケージ・オン・パッケージ（以下、ＰＯＰと略記）構造を可能とするため、新たな半導体集積回路のパッケージ形態として、対向する二面にそれぞれ電極を有する半導体集積回路が開発されており、このような半導体集積回路構造に対応する検査装置が必要となってきた。また、積層される半導体集積回路間での電気信号の高速動作化に伴い、検査装置に対しても電気的性能の向上、すなわち伝送経路の低損失化が要求されている。
【０００７】
尚、下記特許文献１には、ポゴピン方式の導電性接触子を備えた半導体集積回路の検査装置が記載されている。
【特許文献１】特開２００１−２０８７９３
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
しかしながら、図２１に示すように、前記のような検査装置８２を、対向する二面８７ａ，８７ｂに外部電極８８ａ，８８ｂを有する半導体集積回路８７の電気的特性検査に使用する場合には、下記のような課題がある。
【０００９】
従来の検査装置８２では、検査回路基板９０は半導体集積回路８７に対して一方向に配置されているため、半導体集積回路８７の一方の面８７ａの外部電極８８ａを検査回路基板９０に相対させて配置した場合、半導体集積回路８７の他方の面８７ｂの外部電極８８ｂと検査回路基板９０のランド電極９１とを電気的に接続することが困難であった。
【００１０】
このため、図２２に示すように、半導体集積回路８７の一方の面８７ａに、他方の面８７ｂの外部電極８８ｂと基板内部で接続している複数の検査用外部電極９３を追加して設けている。導電性接触子８１を用いて、一方の面８７ａの外部電極８８ａと検査回路基板９０のランド電極９１とを電気的に接続するとともに、一方の面８７ａの検査用外部電極９３と検査回路基板９０のランド電極９１とを電気的に接続することにより、半導体集積回路８７の両面８７ａ，８７ｂの外部電極８８ａ，８８ｂと検査回路基板９０のランド電極９１とが電気的に接続され、半導体集積回路８７に対して検査を行うことができる。
【００１１】
しかしながら、外部電極８８ａ，８８ｂに加えて検査用外部電極９３を設けているため、半導体集積回路８７の外部電極８８ａ，８８ｂ，９３の個数が増加し、その結果、半導体集積回路８７の外形寸法が大きくなり、積層による高密度化の効果を阻害するといった問題がある。
【００１２】
本発明は、半導体集積回路に検査用外部電極を設けることなく、対向する二面に電極を有する半導体集積回路の電気的特性検査を行うことが可能な検査装置および検査方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
上記目的を達成するために本第１発明は、対向する一方および他方の両方の面に一方の外部電極と他方の外部電極とを有する半導体集積回路に対して電気的な特性検査を行う検査装置であって、第１電極を有する検査回路基板と第２電極を有する配線基板とが対向して配置され、検査回路基板に測定装置が接続され、検査回路基板と配線基板との間に半導体集積回路を保持する保持部が形成され、検査回路基板の第１電極と検査回路基板に対向する半導体集積回路の一方の外部電極とに当接してこれら電極間を電気的に接続する第１の導電性接触子が固定部材に設けられ、配線基板の第２電極と配線基板に対向する半導体集積回路の他方の外部電極とに当接してこれら電極間を電気的に接続する第２の導電性接触子が可動部材に設けられ、配線基板は可動部材に設けられ、可動部材は、第２の導電性接触子が半導体集積回路の他方の外部電極に当接する当接位置と、第２の導電性接触子が前記他方の外部電極から離間する離間位置とに移動自在であり、検査回路基板に一方の第３電極が形成され、配線基板に、第２電極に配線回路を介して電気的に接続された他方の第３電極が形成され、可動部材が当接位置まで移動した際、一方の第３電極と他方の第３電極とに当接してこれら電極間を電気的に接続する第３の導電性接触子が可動部材又は固定部材に設けられ、配線基板の特性インピーダンスを検査回路基板又は測定装置の特性インピーダンスに整合させたものである。
【００１４】
これによると、可動部材を離間位置まで移動させておき、一方の面を検査回路基板の方に向けた状態で半導体集積回路を保持部に保持する。これにより、半導体集積回路の一方の外部電極が第１の導電性接触子に接触して、第１の導電性接触子が検査回路基板の第１電極と半導体集積回路の一方の外部電極との間を接続する。
【００１５】
その後、可動部材を離間位置から当接位置まで移動させることにより、第２の導電性接触子が、半導体集積回路の他方の面の外部電極に接触して、配線基板の第２電極と半導体集積回路の他方の外部電極との間を接続するとともに、第３の導電性接触子が一方の第３電極と他方の第３電極とに接触してこれら両第３電極間を接続する。
【００１６】
これにより、半導体集積回路の一方の外部電極が第１の導電性接触子を介して検査回路基板に電気的に接続されるとともに、半導体集積回路の他方の外部電極が第２の導電性接触子と配線基板と第３の導電性接触子とを介して検査回路基板に電気的に接続され、半導体集積回路と測定装置とが電気的に接続され、半導体集積回路に対して電気的特性の検査を行うことができる。
【００１７】
したがって、従来のように、半導体集積回路の一方の面に、他方の面の外部電極と電気的に接続された検査用外部電極を追加して設ける必要はなく、これにより、半導体集積回路の外部電極の個数の増加を防止して、半導体集積回路の外形寸法の大型化を防止することができ、積層による高密度化の効果を得ることができる。
【００１８】
また、配線基板は検査回路基板又は測定装置とインピーダンスマッチングするため、良好な高周波伝送特性を得ることができる。
【００１９】
本第２発明は、第３の導電性接触子の全長が第１の導電性接触子の全長と第２の導電性接触子の全長と半導体集積回路の全高との和よりも短くなるようにしたものである。
これによると、一般的に、第１〜第３の各導電性接触子と検査回路基板又は測定装置とをインピーダンスマッチングさせることは困難であるため、インピーダンスマッチングし難い第３の導電性接触子の全長を短くすることによって、第３の導電性接触子においてもたらされる高周波伝送特性の低下を抑制することができる。
【００２０】
本第３発明は、第１〜第３の導電性接触子の少なくともいずれかの導電性接触子を異方性導電性ゴム方式のものにしたものである。
本第４発明は、可動部材は、半導体集積回路を保持部上へ搬送する搬送装置に設けられており、上記可動部材に、第１の導電性接触子と第２の導電性接触子との間で半導体集積回路を吸着する吸着部材が設けられ、吸着部材は、検査回路基板側に向かって突出する突出位置と、可動部材側に向かって退入する退入位置との間を移動自在であり、可動部材が離間位置まで移動した際、吸着部材が突出位置まで移動して、吸着部材に吸着されている半導体集積回路が第２の導電性接触子から離間し、可動部材が当接位置まで移動した際、吸着部材が退入位置まで移動して半導体集積回路の他方の外部電極が第２の導電性接触子に当接するものである。
【００２１】
これによると、吸着部材で半導体集積回路を吸着し、搬送装置によって半導体集積回路を可動部材と共に保持部上まで搬送する。そして、吸着部材による吸着を解除し、可動部材を離間位置から当接位置まで移動させる。これにより、半導体集積回路の一方の外部電極が第１の導電性接触子に接触して、第１の導電性接触子が検査回路基板の第１電極と半導体集積回路の一方の外部電極との間を接続するとともに、吸着部材が突出位置から退入位置まで移動し、半導体集積回路の他方の外部電極が第２の導電性接触子に接触して、第２の導電性接触子が半導体集積回路の他方の外部電極と配線基板の第２電極との間を接続し、さらに、第３の導電性接触子が一方の第３電極と他方の第３電極とに接触してこれら両第３電極間を接続する。
【００２２】
これにより、半導体集積回路の一方の外部電極が第１の導電性接触子を介して検査回路基板に電気的に接続されるとともに、半導体集積回路の他方の外部電極が第２の導電性接触子と配線基板と第３の導電性接触子とを介して検査回路基板に電気的に接続され、半導体集積回路と測定装置とが電気的に接続され、半導体集積回路に対して電気的特性の検査を行うことができる。
【００２３】
検査終了後、吸着部材で半導体集積回路を吸着し、可動部材を当接位置から離間位置まで移動させる。これにより、半導体集積回路の一方の外部電極が第１の導電性接触子から離間するとともに、吸着部材が退入位置から突出位置まで移動し、半導体集積回路が第２の導電性接触子から離間し、さらに、第３の導電性接触子が一方の第３電極又は他方の第３電極から離間する。この状態で、搬送装置によって、検査済みの半導体集積回路を可動部材と共に保持部上から別の場所へ搬送する。
【００２４】
本第５発明は、前記第１発明から第４発明のいずれか１項に記載の検査装置を用いた検
査方法であって、半導体集積回路を保持部に保持し、可動部材を当接位置まで移動させて、第１の導電性接触子を介して検査回路基板の第１電極と半導体集積回路の一方の外部電極とを電気的に接続するとともに、第２の導電性接触子を介して配線基板の第２電極と半導体集積回路の他方の外部電極とを電気的に接続し、且つ、第３の導電性接触子を介して検査回路基板の一方の第３電極と配線基板の他方の第３電極とを電気的に接続し、検査信号を測定装置から半導体集積回路の一方又は他方の外部電極に出力し、検査信号に対する応答信号を半導体集積回路の一方又は他方の外部電極から測定装置で授受し、この応答信号を計測するものである。
【００２５】
本第６発明は、対向する一方および他方の両方の面に一方の外部電極と他方の外部電極とを有する半導体集積回路に対して電気的な特性検査を行う検査装置であって、第１電極を有する検査回路基板と検査用半導体集積回路（ここで言う検査用半導体集積回路とは上記半導体集積回路の検査に用いられる検査専用の半導体集積回路を指す）とが対向して配置され、検査用半導体集積回路は、パッケージオンパッケージ方式によって前記半導体集積回路上に積み重ねられる別の半導体集積回路と同構造を有するとともに、検査回路基板に対向する面に検査用外部電極を備えており、検査回路基板に測定装置が接続され、検査回路基板と検査用半導体集積回路との間に半導体集積回路を保持する保持部が形成され、検査回路基板の第１電極と検査回路基板に対向する半導体集積回路の一方の外部電極とに当接してこれら電極間を電気的に接続する第１の導電性接触子が固定部材に設けられ、検査用半導体集積回路の検査用外部電極と検査用半導体集積回路に対向する半導体集積回路の他方の外部電極とに当接してこれら電極間を電気的に接続する第２の導電性接触子が可動部材に設けられ、検査用半導体集積回路は可動部材に設けられ、可動部材は、第２の導電性接触子が半導体集積回路の他方の外部電極に当接する当接位置と、第２の導電性接触子が前記他方の外部電極から離間する離間位置とに移動自在であるものである。
【００２６】
これによると、可動部材を離間位置まで移動させておき、一方の面を検査回路基板の方に向けた状態で半導体集積回路を保持部に保持する。これにより、半導体集積回路の一方の外部電極が第１の導電性接触子に接触して、第１の導電性接触子が検査回路基板の第１電極と半導体集積回路の一方の外部電極との間を接続する。
【００２７】
その後、可動部材を離間位置から当接位置まで移動させることにより、第２の導電性接触子が、半導体集積回路の他方の面の外部電極に接触して、半導体集積回路の他方の外部電極と検査用半導体集積回路の検査用外部電極との間を接続する。
【００２８】
これにより、半導体集積回路の一方の外部電極が第１の導電性接触子を介して検査回路基板に電気的に接続されるとともに、半導体集積回路の他方の外部電極が第２の導電性接触子を介して検査用半導体集積回路に電気的に接続される。
【００２９】
この状態で、測定装置から第１の導電性接触子を介して半導体集積回路に対し検査信号を出力し、この検査信号に対する第１の応答信号を半導体集積回路から第１の導電性接触子を介して測定装置で授受する。また、半導体集積回路から第２の導電性接触子を介して検査用半導体集積回路に対し第２の応答信号を出力し、この第２の応答信号に対する第３の応答信号又はダミー信号を検査用半導体集積回路から第２の導電性接触子を介して半導体集積回路に対して出力する。さらに、第３の応答信号又はダミー信号に対する第４の応答信号を半導体集積回路から第１の導電性接触子を介して測定装置で授受し、授受した前記第１の応答信号と第４の応答信号とを計測することによって、半導体集積回路に対して電気的特性の検査を行うことができる。
【００３０】
したがって、従来のように、半導体集積回路の一方の面に、他方の面の外部電極と電気的に接続された検査用外部電極を追加して設ける必要はなく、これにより、外部電極の個数の増加を防止して、半導体集積回路の外形寸法の大型化を防止することができ、積層による高密度化の効果を得ることができる。
【００３１】
本第７発明は、測定装置は、半導体集積回路に対して検査信号を出力するとともに、検査信号に対する第１の応答信号を授受し、さらに、第３の応答信号又はダミー信号に対する第４の応答信号を授受し、検査用半導体集積回路は、半導体集積回路から出力された第２の応答信号を授受するとともに、第２の応答信号に対する第３の応答信号又はダミー信号を半導体集積回路に対して出力するものである。
【００３２】
本第８発明は、半導体集積回路の外部電極と第１の導電性接触子との接触抵抗よりも、検査用半導体集積回路の検査用外部電極と第２の導電性接触子との接触抵抗を小さくするものである。
【００３３】
これによると、検査用半導体集積回路の検査用外部電極と第２の導電性接触子との電気的接続を長期間安定させることができ、半導体集積回路に対して、より精度の高い電気的特性検査を行なうことができる。
【００３４】
本第９発明は、前記第６発明又は第７発明に記載の検査装置を用いた検査方法であって、半導体集積回路を保持部に保持し、可動部材を当接位置まで移動させて、第１の導電性接触子を介して検査回路基板の第１電極と半導体集積回路の一方の外部電極とを電気的に接続するとともに、第２の導電性接触子を介して検査用半導体集積回路の検査用外部電極と半導体集積回路の他方の外部電極とを電気的に接続し、測定装置から第１の導電性接触子を介して半導体集積回路に対し検査信号を出力し、検査信号に対する第１の応答信号を半導体集積回路から第１の導電性接触子を介して測定装置で授受し、さらに、半導体集積回路から第２の導電性接触子を介して検査用半導体集積回路に対し第２の応答信号を出力し、第２の応答信号に対する第３の応答信号又はダミー信号を検査用半導体集積回路から第２の導電性接触子を介して半導体集積回路に対して出力し、第３の応答信号又はダミー信号に対する第４の応答信号を半導体集積回路から第１の導電性接触子を介して測定装置で授受し、授受した前記第１と第４の応答信号を計測するものである。
【００３５】
本第１０発明は、対向する一方および他方の両方の面に一方の外部電極と他方の外部電極とを有する第１の半導体集積回路と、一方の面のみに外部電極を有し且つパッケージオンパッケージ方式によって第１の半導体集積回路上に積み重ねられる第２の半導体集積回路との少なくともいずれかの半導体集積回路に対して電気的な特性検査を行う検査装置であって、検査回路基板と可動部材との間に固定部材が備えられ、検査回路基板に第１電極が設けられ、検査回路基板に測定装置が接続され、固定部材に第１の導電性接触子が設けられ、可動部材は、固定部材に対して接近離間する移動経路上を移動自在であるとともに、個別に移動可能な第１の可動体と第２の可動体とで構成され、第２の可動体は固定部材に対向して配置され、第１の可動体は第２の可動体と固定部材との間に配置され、第１の可動体に第２の導電性接触子が設けられ、固定部材と第１の可動体との間に第１の半導体集積回路を保持する第１の保持部が形成され、第１の可動体と第２の可動体との間に第２の半導体集積回路を保持する第２の保持部が形成され、第１の導電性接触子は第１電極と第１の保持部に保持された第１の半導体集積回路の一方の外部電極とに当接してこれら電極間を電気的に接続し、第２の導電性接触子は第１の保持部に保持された第１の半導体集積回路の他方の外部電極と第２の保持部に保持された第２の半導体集積回路の外部電極とに当接してこれら電極間を電気的に接続し、第１の可動体は、第２の導電性接触子が第１の半導体集積回路の他方の外部電極に当接する第１の当接位置と、第２の導電性接触子が第１の半導体集積回路の他方の外部電極から離間する第１の離間位置とに移動自在であり、第２の可動体は、第２の保持部に保持された第２の半導体集積回路に当接して第２の半導体集積回路の外部電極を第２の導電性接触子に押付ける第２の当接位置と、第２の半導体集積回路から離間する第２の離間位置とに移動自在であるものである。
【００３６】
これによると、第１の半導体集積回路に対して電気的特性の検査を行う場合、予め、第２の保持部に第２の半導体集積回路を保持し、第２の可動体を第２の当接位置まで移動させておく。これにより、第２の可動体が第２の半導体集積回路に当接して、第２の半導体集積回路の外部電極が第２の導電性接触子に押付けられる。
【００３７】
その後、第１の可動体を第１の離間位置まで移動させ、検査対象である第１の半導体集積回路を第１の保持部に保持する。これにより、第１の導電性接触子が第１電極と第１の半導体集積回路の一方の外部電極とに当接する。
【００３８】
そして、第２の可動体と共に第１の可動体を第１の当接位置まで移動させる。これにより、第２の導電性接触子が第１の半導体集積回路の他方の外部電極に当接するため、第１の導電性接触子が検査回路基板の第１電極と第１の半導体集積回路の一方の外部電極との間を接続するとともに、第２の導電性接触子が第１の半導体集積回路の他方の外部電極と第２の半導体集積回路の外部電極との間を接続する。
【００３９】
これにより、第１の半導体集積回路の一方の外部電極が第１の導電性接触子を介して検査回路基板に電気的に接続されるとともに、第１の半導体集積回路の他方の外部電極が第２の導電性接触子を介して第２の半導体集積回路に電気的に接続され、第１の半導体集積回路に対して電気的特性の検査を行うことができる。
【００４０】
その後、第２の可動体と共に第１の可動体を第１の当接位置から第１の離間位置まで移動させ、検査済みの第１の半導体集積回路を第１の保持部から取り出し、検査対象となる別の第１の半導体集積回路を第１の保持部に保持して、前記と同様な手順で第１の半導体集積回路を検査する。
【００４１】
また、第２の半導体集積回路に対して電気的特性の検査を行う場合、予め、第１の保持部に第１の半導体集積回路を保持し、第１の可動体を第１の当接位置まで移動させておく。これにより、第２の導電性接触子が第１の半導体集積回路の他方の外部電極に当接するとともに、第１の導電性接触子が検査回路基板の第１電極と第１の半導体集積回路の一方の外部電極との間を接続する。
【００４２】
その後、第２の可動体を第２の離間位置まで移動させ、検査対象である第２の半導体集積回路を第２の保持部に保持する。これにより、第２の導電性接触子が第２の半導体集積回路の外部電極に当接する。そして、第２の可動体を第２の当接位置まで移動させる。これにより、第２の可動体が第２の半導体集積回路に当接して、第２の半導体集積回路の外部電極が第２の導電性接触子に押付けられるため、第２の導電性接触子が第２の半導体集積回路の外部電極と第１の半導体集積回路の他方の外部電極との間を接続する。
【００４３】
これにより、第１の半導体集積回路の一方の外部電極が第１の導電性接触子を介して検査回路基板に電気的に接続されるとともに、第２の半導体集積回路の外部電極が第２の導電性接触子を介して第１の半導体集積回路の他方の外部電極に電気的に接続され、第２の半導体集積回路に対して電気的特性の検査を行うことができる。
【００４４】
その後、第２の可動体を第２の当接位置から第２の離間位置まで移動させ、検査済みの第２の半導体集積回路を第２の保持部から取り出し、検査対象となる別の第２の半導体集積回路を第２の保持部に保持して、前記と同様な手順で第２の半導体集積回路を検査する。
【００４５】
本第１１発明は、第１の半導体集積回路に対して電気的な特性検査を行う場合、第１の半導体集積回路の外部電極と第１の導電性接触子との接触抵抗よりも、第２の半導体集積回路の外部電極と第２の導電性接触子との接触抵抗を小さくし、第２の半導体集積回路に対して電気的な特性検査を行う場合、第２の半導体集積回路の外部電極と第２の導電性接触子との接触抵抗よりも、第１の半導体集積回路の外部電極と第１の導電性接触子との接触抵抗を小さくするものである。
【００４６】
これによると、第２の半導体集積回路を特性検査の対象にせず、第１の半導体集積回路のみに対して特性検査を行う場合、第２の半導体集積回路の外部電極と第２の導電性接触子との電気的接続を長期間安定させることができ、より精度の高い電気的特性検査を行なうことができる。
【００４７】
また、第１の半導体集積回路を特性検査の対象にせず、第２の半導体集積回路のみに対して特性検査を行う場合、第１の半導体集積回路の外部電極と第１の導電性接触子との電気的接続を長期間安定させることができ、より精度の高い電気的特性検査を行なうことができる。
【発明の効果】
【００４８】
以上のように、本発明によると、半導体集積回路に検査用外部電極を追加して設ける必要はなく、対向する二面に電極を有する半導体集積回路の電気的特性検査を行うことができる。これにより、半導体集積回路の外部電極の個数の増加を防止して、半導体集積回路の外形寸法の大型化を防止することができる。
【００４９】
また、配線基板と検査回路基板又は測定装置とがインピーダンスマッチングするため、良好な高周波伝送特性を得ることができる。
また、検査回路基板又は測定装置に対してインピーダンスマッチングさせることが困難である第３の導電性接触子の全長を短くすることによって、高周波伝送特性の低下を抑制することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００５０】
以下、本発明における実施の形態を図面に基いて説明する。
（実施の形態１）
本発明における実施の形態１を説明する。図１〜図４に示すように、１は、半導体集積回路２の電気的特性を測定装置４で測定して検査する検査装置である。また、図５に示すように、半導体集積回路２の対向する二面２ａ，２ｂにはそれぞれ複数の外部電極３ａ，３ｂが形成されている。
【００５１】
前記検査装置１は、ポゴピン方式の第１〜第３の導電性接触子１１〜１３と、固定部材１４と、前記測定装置４に接続された検査回路基板１５と、可動部材１６と、配線基板１７とを備えている。
【００５２】
検査回路基板１５の上方に配線基板１７が対向して配置されている。検査回路基板１５は、ねじ（図示せず）等により、固定部材１４の下部に着脱自在に設けられている。検査回路基板１５の上面には、複数の第１のランド電極２５（第１電極の一例）と、複数の固定側第３のランド電極２６（一方の第３電極の一例）とが形成されている。
【００５３】
各々の導電性接触子１１〜１３は、従来と同様に、筒体１９と圧縮ばね２０と一方のプランジャ２１と他方のプランジャ２２とで構成されている。尚、第１および第２の導電性接触子１１，１２は長さが等しいものであり、第３の導電性接触子１３は第１および第２の導電性接触子１１，１２よりも長いものである。
【００５４】
第１の導電性接触子１１は、検査回路基板１５の第１のランド電極２５と半導体集積回路２の一方の外部電極３ａとに当接してこれら電極２５，３ａ間を電気的に接続するものであり、一方のプランジャ２１を上向きにするとともに他方のプランジャ２２を下向きにして、固定部材１４に複数本設けられている。
【００５５】
図１，図２に示すように、前記固定部材１４は平面視において四角形のフレームからなり、固定部材１４の上部（すなわち検査回路基板１５と配線基板１７との間）には、半導体集積回路２を保持する保持部２４と、半導体集積回路２を保持部２４に位置決めする突起部３０とが設けられている。尚、突起部３０は保持部２４の周囲を取り囲むように複数配置されている。保持部２４において、半導体集積回路２が第１の導電性接触子１１により支持される。
【００５６】
図１，図３に示すように、可動部材１６は、平面視において四角形のフレームからなり、固定部材１４に対して上下方向に移動するように構成されており、可動部材１６を昇降させるシリンダー又はモータ等からなる駆動装置（図示せず）が設けられている。可動部材１６には、下方が開放された凹形状の収納部１８が形成されており、図１（ａ）に示すように下限位置Ａ（当接位置の一例）において、固定部材１４が可動部材１６の収納部１８内に収納され、図１（ｂ）に示すように上限位置Ｂ（離間位置の一例）において、収納部１８が固定部材１４の上方へ離間し、固定部材１４が可動部材１６の下方へ露出する。
【００５７】
図１，図４に示すように、配線基板１７は、ねじ（図示せず）等により、可動部材１６の上部に着脱自在に設けられている。配線基板１７の下面には、複数の第２のランド電極２７（第２電極の一例）と、複数の可動側第３のランド電極２８（他方の第３電極の一例）とが形成されている。各第２のランド電極２７と可動側第３のランド電極２８とは配線基板１７に形成された配線回路２３を介して電気的に接続されている。
【００５８】
第２および第３の導電性接触子１２，１３はそれぞれ、一方のプランジャ２１を上向きにするとともに他方のプランジャ２２を下向きにして、複数本ずつ可動部材１６に設けられている。第２の導電性接触子１２は配線基板１７の第２のランド電極２７と半導体集積回路２の他方の外部電極３ｂとに当接してこれら電極２７，３ｂ間を電気的に接続するものである。また、第３の導電性接触子１３は検査回路基板１５の固定側第３のランド電極２６と配線基板１７の可動側第３のランド電極２８とに当接してこれら電極２６，２８間を電気的に接続するものである。
【００５９】
以下、上記構成における作用を説明する。
図１（ｂ）に示すように、可動部材１６を上限位置Ｂまで上昇させた状態では、各第１の導電性接触子１１の他方のプランジャ２２の先端が第１のランド電極２５に接触しており、また、各第２の導電性接触子１２の一方のプランジャ２１の先端が第２のランド電極２７に接触しており、さらに、各第３の導電性接触子１３の一方のプランジャ２１の先端が可動側第３のランド電極２８に接触している。
【００６０】
この状態で、半導体集積回路２を保持部２４に配置することにより、半導体集積回路２の一方の面２ａの外部電極３ａが各第１の導電性接触子１１の一方のプランジャ２１の先端に接触する。
【００６１】
その後、図１（ａ）に示すように、可動部材１６を上限位置Ｂから下限位置Ａまで下降させることにより、固定部材１４が可動部材１６の収納部１８内に収納され、各第２の導電性接触子１２の他方のプランジャ２２の先端が半導体集積回路２の他方の面２ｂの外部電極３ｂに接触するとともに、各第３の導電性接触子１３の他方のプランジャ２２の先端が固定側第３のランド電極２６に接触する。
【００６２】
これにより、半導体集積回路２の一方の外部電極３ａが第１の導電性接触子１１を介して検査回路基板１５に電気的に接続されるとともに、半導体集積回路２の他方の外部電極３ｂが第２の導電性接触子１２と配線基板１７と第３の導電性接触子１３とを介して検査回路基板１５に電気的に接続されるため、半導体集積回路２と測定装置４とが電気的に接続され、半導体集積回路２に対して電気的特性の検査を行うことができる。
【００６３】
したがって、従来のように、半導体集積回路２の一方の面２ａに、他方の外部電極３ｂと電気的に接続された検査用外部電極を追加して設ける必要はなく、これにより、外部電極の個数の増加を防止して、半導体集積回路２の外形寸法の大型化を防止することができ、積層による高密度化の効果を得ることができる。
【００６４】
また、前記のように、可動部材１６を下限位置Ａまで下降させた際、各導電性接触子１１〜１３内の圧縮ばね２０が圧縮され、これら圧縮ばね２０の反発力によって、各電極３ａ，３ｂ，２５〜２８に対する各導電性接触子１１〜１３のプランジャ２１，２２のコンタクト荷重（接触荷重）が発生し、各導電性接触子１１〜１３のプランジャ２１，２２が各電極３ａ，３ｂ，２５〜２８に押付けられるため、安定した電気的導通を得ることができる。
【００６５】
検査終了後、図１（ｂ）に示すように、可動部材１６を下限位置Ａから上限位置Ｂまで上昇させることにより、各第２の導電性接触子１２の他方のプランジャ２２の先端が半導体集積回路２の他方の外部電極３ｂから上方へ離間するとともに、各第３の導電性接触子１３の他方のプランジャ２２の先端が固定側第３のランド電極２６から上方へ離間する。
【００６６】
次に、前記検査装置１を用いた半導体集積回路２の検査方法を説明する。
前記のように、可動部材１６を下限位置Ａまで下降させて、図１（ａ）に示すように、第１の導電性接触子１１を介して検査回路基板１５の第１のランド電極２５と半導体集積回路２の一方の外部電極３ａとを電気的に接続するとともに、第２の導電性接触子１２を介して配線基板１７の第２のランド電極２７と半導体集積回路２の他方の外部電極３ｂとを電気的に接続し、且つ、第３の導電性接触子１３を介して検査回路基板１５の固定側第３のランド電極２６と配線基板１７の可動側第３のランド電極２８とを電気的に接続する。
【００６７】
そして、図６に示すように、半導体集積回路２の各外部電極３ａ，３ｂと測定装置４とを電気的に接続した状態で、測定装置４から外部電極３ａ，３ｂに対して検査信号を任意の時間供給し、その後、前記検査信号に対する応答信号を外部電極３ａ，３ｂから測定装置４で任意の時間授受し、授受された応答信号を測定装置４で計測し、計測結果を判別することによって半導体装置２の電気的特性を検査する。
【００６８】
この場合、任意のいずれか１個又は複数個の一方の外部電極３ａに対する検査信号は、測定装置４から検査回路基板１５と第１の導電性接触子１１とを通って前記任意の一方の外部電極３ａに供給される。さらに、任意のいずれか１個又は複数個の一方の外部電極３ａから出力された応答信号は、第１の導電性接触子１１と検査回路基板１５とを通って測定装置４で授受され計測される。
【００６９】
また、任意のいずれか１個又は複数個の他方の外部電極３ｂに対する検査信号は、測定装置４から検査回路基板１５と第３の導電性接触子１３と配線基板１７と第２の導電性接触子１２とを通って前記任意の他方の外部電極３ｂに供給される。さらに、任意のいずれか１個又は複数個の他方の外部電極３ｂから出力された応答信号は、第２の導電性接触子１２と配線基板１７と第３の導電性接触子１３と検査回路基板１５とを通って測定装置４で授受され計測される。
（実施の形態２）
本発明における実施の形態２を説明する。図７に示すように、可動部材１６は外部材１６ａと内部材１６ｂとに分割されている。外部材１６ａと内部材１６ｂとはそれぞれ平面視において四角形状であり、外部材１６ａの中央部には、下方が開放された凹状の空間部３５が形成されている。内部材１６ｂは空間部３５内に配置されて外部材１６ａに取付けられている。
【００７０】
また、配線基板として、柔軟で屈曲自在なフレキシブル配線基板３６が用いられている。図８に示すように、フレキシブル配線基板３６の中央部には孔３７が形成されている。フレキシブル配線基板３６は、前記孔３７の周縁部（中央部）が上部３６ａとなり、外周縁部が上部３６ａよりも下方に位置する下部３６ｂとなるように、曲げられている。フレキシブル配線基板３６の上部３６ａは外部材１６ａと内部材１６ｂとの間隙に挿入されて取付けられ、フレキシブル配線基板３６の下部３６ｂは外部材１６ａの外縁部下面に取付けられている。
【００７１】
第２のランド電極２７はフレキシブル配線基板３６の上部３６ａの下面に複数形成され、可動側第３のランド電極２８はフレキシブル配線基板３６の下部３６ｂの下面に複数形成されている。第１および第３の導電性接触子１１，１３は固定部材１４に設けられ、第３の導電性接触子１３の他方のプランジャ２２の先端が固定側第３のランド電極２６に接触している。また、第２の導電性接触子１２は可動部材１６の内部材１６ｂに設けられている。
【００７２】
尚、前記検査回路基板１５と測定装置４とはそれぞれ所定の特性インピーダンスを有しており、フレキシブル配線基板３６の配線幅や間隔を適宜設計して、フレキシブル配線基板３６の特性インピーダンスを前記検査回路基板１５又は測定装置４の特性インピーダンスに整合させている。例えば、検査回路基板１５と測定装置４との各特性インピーダンスがそれぞれ５０Ωの場合、フレキシブル配線基板３６の特性インピーダンスを５０Ωに整合している。
【００７３】
以下、上記構成における作用を説明する。
図７（ｂ）に示すように、可動部材１６を上限位置Ｂまで上昇させておき、一方の面２ａを固定部材１４の方に向けた状態で半導体集積回路２を固定部材１４の保持部２４に配置する。これにより、半導体集積回路２の一方の各外部電極３ａが第１の導電性接触子１１の一方のプランジャ２１の先端に接触する。
【００７４】
その後、図７（ａ）に示すように、可動部材１６を下限位置Ａまで下降させることにより、各第２の導電性接触子１２の他方のプランジャ２２の先端が半導体集積回路２の他方の面２ｂの外部電極３ｂに接触するとともに、各第３の導電性接触子１３の一方のプランジャ２１の先端がフレキシブル配線基板３６の可動側第３のランド電極２８に接触する。
【００７５】
これにより、半導体集積回路２の一方の外部電極３ａが第１の導電性接触子１１を介して検査回路基板１５に電気的に接続されるとともに、半導体集積回路２の他方の外部電極３ｂが第２の導電性接触子１２とフレキシブル配線基板３６と第３の導電性接触子１３とを介して検査回路基板１５に電気的に接続される。これにより、半導体集積回路２と測定装置４とが電気的に接続され、半導体集積回路２に対して電気的特性の検査を行うことができる。
【００７６】
この際、フレキシブル配線基板３６は検査回路基板１５と測定装置４とにそれぞれインピーダンスマッチングするため、良好な高周波伝送特性を得ることができる。
また、本実施の形態２では、屈曲自在なフレキシブル配線基板３６を用いることにより、可動側第３のランド電極２８を第２のランド電極２７よりも下方（すなわち固定部材１４に接近する方）に位置させることができる。これにより、半導体集積回路２の全高をＨ（図５参照）、第１の導電性接触子１１の全長をＬ１、第２の導電性接触子１２の全長をＬ２、第３の導電性接触子１３の全長をＬ３とすると、全長Ｌ３を全高Ｈと全長Ｌ１と全長Ｌ２との和よりも短くする（すなわちＬ３＜Ｈ＋Ｌ１＋Ｌ２）ことができる。
【００７７】
一般的に、第１〜第３の各導電性接触子１１〜１３と検査回路基板１５又は測定装置４とをインピーダンスマッチングさせることは困難であるため、前記のような寸法関係（すなわちＬ３＜Ｈ＋Ｌ１＋Ｌ２）にすることによって、インピーダンスマッチングし難い第３の導電性接触子１３の全長Ｌ３が前述の実施の形態１のものよりも短くなり、したがって、第３の導電性接触子１３においてもたらされる高周波伝送特性の低下を抑制することができる。
【００７８】
さらに、フレキシブル配線基板３６を用いることにより、第１〜第３の各導電性接触子１１〜１３の全長Ｌ１〜Ｌ３を全て同じ値（例えば３ｍｍ）に統一することの可能であるため、第１〜第３の各導電性接触子１１〜１３を一種類に統一することが可能となり、部品の種類を減らすことができる。
（実施の形態３）
本発明における実施の形態３を説明する。本実施の形態３は、図９に示すように、先述した実施の形態２におけるポゴピン方式の第２の導電性接触子１２の代わりに、異方性導電性ゴム方式の第２の導電性接触子４１を用いたものである。
【００７９】
この第２の導電性接触子４１は、図１０，図１１に示すように、中央部に孔４２を有する円板状のシリコンゴム部４３と、良好な導電性を有する金粒子４４（又はニッケルに金メッキを施した金属粒子）をシリコンゴムの中に内包する複数の金属粒子内包部４５とで構成されている。前記金属粒子内包部４５の金粒子４４によって、一方向にのみ電気的導通が得られるように構成されている。
【００８０】
また、可動部材１６には、下方が開放された凹状の空間部４７が形成されている。この空間部４７内の天井部には、下向き（すなわち固定部材１４の向き）に突出する突部４８が形成されている。この突部４８がフレキシブル配線基板３６の孔３７とシリコンゴム部４３の孔４２とに挿入され、フレキシブル配線基板３６が可動部材１６の下面（固定部材１４に対向する面）に取付けられ、第２の導電性接触子４１がフレキシブル配線基板３６の下面に取付けられており、第２の導電性接触子４１の各金属粒子内包部４５の上端がフレキシブル配線基板３６の第２のランド電極２７に接触している。
【００８１】
以下、上記構成における作用を説明する。
図９（ｂ）に示すように、可動部材１６を上限位置Ｂまで上昇させておき、一方の面２ａを固定部材１４の方（下方）に向けた状態で半導体集積回路２を固定部材１４の保持部２４に配置する。これにより、半導体集積回路２の一方の各外部電極３ａが第１の導電性接触子１１の一方のプランジャ２１の先端に接触する。
【００８２】
その後、図９（ａ）に示すように、可動部材１６を下限位置Ａまで下降させることにより、第２の導電性接触子４１の各金属粒子内包部４５の下端が半導体集積回路２の他方の各外部電極３ｂに接触するとともに、各第３の導電性接触子１３の一方のプランジャ２１の先端がフレキシブル配線基板３６の可動側第３のランド電極２８に接触する。
【００８３】
これにより、半導体集積回路２の一方の外部電極３ａが第１の導電性接触子１１を介して検査回路基板１５に電気的に接続されるとともに、半導体集積回路２の他方の外部電極３ｂが第２の導電性接触子４１とフレキシブル配線基板３６と第３の導電性接触子１３とを介して検査回路基板１５に電気的に接続される。これにより、半導体集積回路２と測定装置４とが電気的に接続され、半導体集積回路２に対して電気的特性の検査を行うことができる。
【００８４】
また、前記のように、可動部材１６を下限位置Ａまで下降させた際、第１および第３の導電性接触子１１，１３内の圧縮ばね２０が圧縮されるとともに第２の導電性接触子１２の金属粒子内包部４５が圧縮され、これら圧縮ばね２０の反発力によって、各電極３ａ，２５，２６，２８に対する第１および第３の導電性接触子１１，１３のプランジャ２１，２２のコンタクト荷重（接触荷重）が発生するとともに、金属粒子内包部４５のシリコンゴムの弾性によって、各電極３ｂ，２７に対する第２の導電性接触子４１の粒子内包部４５のコンタクト荷重（接触荷重）が発生する。これにより、第１および第３の導電性接触子１１，１３のプランジャ２１，２２と第２の導電性接触子１２の金属粒子内包部４５とが各電極３ａ，３ｂ，２５〜２８に押付けられるため、安定した電気的導通を得ることができる。
（実施の形態４）
本発明における実施の形態４を説明する。前記実施の形態３では、第２の導電性接触子４１をシリコンゴム部４３と複数の金属粒子内包部４５とで構成しているが、本実施の形態４では、図１２に示すように、第２の導電性接触子４１をシリコンゴム部４３と複数の金属線内包部５３とで構成している。これら金属線内包部５３は、シリコンゴムの中に、良好な導電性を有する金又はニッケルに金メッキを施した金属線５４を斜め方向に内包したものであり、これにより、一方向にのみ電気的導通が得られるように構成されている。
【００８５】
前記実施の形態３，４では、第２の導電性接触子４１を異方性導電性ゴム方式にしているが、第１又は第３の導電性接触子１１，１３を異方性導電性ゴム方式にしてもよい。
（実施の形態５）
本発明における実施の形態５を説明する。図１３〜図１５に示すように、可動部材１６は、半導体集積回路２を複数のトレー（図示せず）と検査装置１の保持部２４との間で搬送するロボット式の自動搬送装置６０に設けられている。
【００８６】
可動部材１６は、平面視において四角平板状の上部材１６ｃと、上部材１６ｃの下面に取付けられた下部材１６ｄとで構成されている。可動部材１６には、下方が開放された凹状の空間部４７が形成されている。フレキシブル配線基板３６が可動部材１６の下面（固定部材１４に対向する面）に取付けられ、異方性導電性ゴム方式の第２の導電性接触子４１がフレキシブル配線基板３６の下面に取付けられており、第２の導電性接触子４１の各金属粒子内包部４５の上端がフレキシブル配線基板３６の第２のランド電極２７に接触している。
【００８７】
可動部材１６には、第１の導電性接触子１１と第２の導電性接触子４１との間で半導体集積回路２を吸着する吸着ブロック６１（吸着部材の一例）が上下方向（可動部材１６の移動方向と同し方向）へ移動自在に保持されている。上記吸着ブロック６１は可動部材１６に形成された保持穴６２内に嵌め込まれて保持されている。吸着ブロック６１の上端部には鍔部６１ａが形成されており、図１４に示すように、吸着ブロック６１が検査回路基板１５側に向かって突出位置Ｃまで下降した際、吸着ブロック６１の下端部がフレキシブル配線基板３６の孔３７と第２の導電性接触子４１の孔４２とを通って第２の導電性接触子４１よりも下方へ突出し、鍔部６１ａが下部材１６ｄに係合することにより、吸着ブロック６１の下降が阻止される。
【００８８】
また、図１５に示すように、吸着ブロック６１が可動部材１６側に向かって退入位置Ｄまで上昇した際、吸着ブロック６１の下端部が第２の導電性接触子４１の下端面よりも上方へ退入し、吸着ブロック６１の上端面が保持穴６２の上奥面に当接することにより、吸着ブロック６１の上昇が阻止される。
【００８９】
上記吸着ブロック６１の下端面には吸着口６３（図１４参照）が形成され、吸着ブロック６１の外周面には吸引口６４が形成され、吸着ブロック６１の内部には、吸着口６３と吸引口６４とに連通する直角に屈曲した吸引通路６５が形成されている。また、可動部材１６には真空通路６６が形成されており、この真空通路６６の一端が吸引口６４に連通し、真空通路６６の他端が接続配管（図示せず）等を介して真空ポンプ（図示せず）等の真空源に接続されている。尚、真空通路６６は、その長さ方向が吸着ブロック６１の移動方向（すなわち上下方向）に対して直交する方向（すなわち横方向）になるように形成されている。
【００９０】
以下、上記構成における作用を説明する。
自動搬送装置６０によって可動部材１６を、検査前の半導体集積回路２が収納されたトレーの上方へ搬送する。真空ポンプを作動させて真空通路６６および吸引通路６５内を大気圧よりも低圧にし、トレー内の半導体集積回路２を吸着ブロック６１の吸着口６３に吸着する。
【００９１】
その後、図１３に示すように、自動搬送装置６０によって半導体集積回路２を可動部材１６と共にトレーの上方から検査装置１の保持部２４上へ搬送する。この際、可動部材１６は上限位置Ｂにあり、吸着ブロック６１は、その自重と半導体集積回路２の重量とによって、突出位置Ｃまで下降している。これにより、半導体集積回路２が、第２の導電性接触子４１に接触せずに下方へ離間した状態で、吸着ブロック６１に吸着保持される。このため、第２の導電性接触子４１による下向きのコンタクト荷重（接触荷重）が下向きの反力として半導体集積回路２に作用することはない。したがって、吸着ブロック６１の吸着力は、上記反力によって打ち消されることなく、半導体集積回路２に作用し、これにより、安定した搬送動作が可能となる。
【００９２】
次に、図１４に示すように、真空ポンプを停止して大気開放することにより、吸着ブロック６１による吸着が解除され、半導体集積回路２が落下して保持部２４に保持される。これにより、半導体集積回路２の一方の各外部電極３ａが第１の導電性接触子１１の一方のプランジャ２１の先端に接触する。
【００９３】
その後、図１５に示すように、可動部材１６を上限位置Ｂから下限位置Ａまで下降させることにより、吸着ブロック６１が突出位置Ｃから退入位置Ｄまで押し上げられて退入し、半導体集積回路２の他方の各外部電極３ｂが第２の導電性接触子４１の各金属粒子内包部４５の下端に接触し、さらに、各第３の導電性接触子１３の一方のプランジャ２１の先端がフレキシブル配線基板３６の可動側第３のランド電極２８に接触する。
【００９４】
これにより、半導体集積回路２の一方の外部電極３ａが第１の導電性接触子１１を介して検査回路基板１５に電気的に接続されるとともに、半導体集積回路２の他方の外部電極３ｂが第２の導電性接触子４１とフレキシブル配線基板３６と第３の導電性接触子１３とを介して検査回路基板１５に電気的に接続される。これにより、半導体集積回路２と測定装置４とが電気的に接続され、半導体集積回路２に対して電気的特性の検査を行うことができる。
【００９５】
検査終了後、真空ポンプを作動させて半導体集積回路２を吸着口６３に吸着し、この状態で、図１３に示すように、可動部材１６を下限位置Ａから上限位置Ｂまで上昇させる。これにより、半導体集積回路２の一方の外部電極３ａが第１の導電性接触子１１から上方へ離間するとともに、可動側第３のランド電極２８が第３の導電性接触子１３から離間し、さらに、吸着ブロック６１がその自重と半導体集積回路２の重量とによって突出位置Ｃまで下降し、半導体集積回路２が、第２の導電性接触子４１に接触せずに下方へ離間した状態で、吸着ブロック６１に吸着保持される。
【００９６】
その後、自動搬送装置６０によって半導体集積回路２を可動部材１６と共に別の空のトレーの上方へ搬送し、真空ポンプを停止して大気開放することにより、吸着ブロック６１による吸着が解除され、検査済みの半導体集積回路２を吸着ブロック６１から前記空のトレー内へ収納する。
【００９７】
尚、吸着ブロック６１が突出位置Ｃと退入位置Ｄとの間を上下移動するのに対して、真空通路６６は横方向から吸着ブロック６１の吸引口６４に連通しているため、真空通路６６の長さ方向は、吸着ブロック６１の移動方向に対して、同じ方向ではなく、９０°ずれた方向になる。したがって、真空ポンプを作動して吸引力を発生させた際、吸着ブロック６１の上下移動が前記吸引力によって妨げられることはない。
（実施の形態６）
本発明における実施の形態６を説明する。図１６に示すように、検査装置１は、ポゴピン方式の第１，第２の導電性接触子１１，１２と、固定部材１４と、前記測定装置４に接続された検査回路基板１５と、可動部材１６と、検査用半導体集積回路７０とを備えている。
【００９８】
検査用半導体集積回路７０は検査回路基板１５の上方に対向して配置されている。検査回路基板１５は、ねじ（図示せず）等により、固定部材１４の下部に着脱自在に設けられている。検査回路基板１５の上面には、複数の第１のランド電極２５（第１電極の一例）が形成されている。
【００９９】
各々の導電性接触子１１，１２は、従来と同様に、筒体１９と圧縮ばね２０と一方のプランジャ２１と他方のプランジャ２２とで構成されている。尚、各プランジャ２１，２２には金メッキが施されている。
【０１００】
第１の導電性接触子１１は、検査回路基板１５の第１のランド電極２５と半導体集積回路２の一方の外部電極３ａとに当接してこれら電極２５，３ａ間を電気的に接続するものであり、一方のプランジャ２１を上向きにするとともに他方のプランジャ２２を下向きにして、固定部材１４に複数本設けられている。
【０１０１】
前記固定部材１４は平面視において四角形のフレームからなり、固定部材１４の上部（すなわち検査回路基板１５と検査用半導体集積回路７０との間）には、半導体集積回路２を保持する保持部２４と、半導体集積回路２を保持部２４に位置決めする突起部３０とが設けられている。尚、突起部３０は保持部２４の周囲を取り囲むように配置されている。保持部２４において、半導体集積回路２が第１の導電性接触子１１により支持される。
【０１０２】
また、可動部材１６は、平面視において四角形の本体フレーム１６ｅと、本体フレーム１６ｅの上部に着脱自在に取付けられたカバー１６ｆとで構成されており、固定部材１４に対して上下方向に移動自在であり、可動部材１６を昇降させるシリンダー又はモータ等からなる駆動装置（図示せず）が設けられている。
【０１０３】
また、検査用半導体集積回路７０は、パッケージオンパッケージ方式によって半導体集積回路２上に積み重ねられる別の半導体集積回路と同構造を有するものであり、可動部材１６のカバー１６ｆの下部に着脱自在に取付けられている。また、検査用半導体集積回路７０は、その下面（すなわち検査回路基板１５に対向する面）に、複数の検査用外部電極７１を有している。これら検査用外部電極７１は平坦状であり、その母材は銅やタングステンからなり、その表面には金メッキが施されている。
【０１０４】
各第２の導電性接触子１２は、検査用半導体集積回路７０の検査用外部電極７１と半導体集積回路２の他方の外部電極３ｂとに当接してこれら電極７１，３ｂ間を電気的に接続するものであり、可動部材１６の本体フレーム１６ｅに複数本設けられている。
【０１０５】
可動部材１６は下限位置Ａ（当接位置の一例）と上限位置Ｂ（離間位置の一例）との間を昇降し、図１６（ａ）に示すように下限位置Ａにおいて、第２の導電性接触子１２が半導体集積回路２の他方の外部電極３ｂに当接し、図１６（ｂ）に示すように上限位置Ｂにおいて、第２の導電性接触子１２が前記他方の外部電極３ｂから上方へ離間する。
【０１０６】
以下、上記構成における作用を説明する。
図１６（ｂ）に示すように、可動部材１６を上限位置Ｂまで上昇させた状態では、各第１の導電性接触子１１の他方のプランジャ２２の先端が第１のランド電極２５に接触しており、また、各第２の導電性接触子１２の一方のプランジャ２１の先端が検査用半導体集積回路７０の検査用外部電極７１に接触している。
【０１０７】
この状態で、半導体集積回路２を保持部２４に配置することにより、半導体集積回路２の一方の外部電極３ａが各第１の導電性接触子１１の一方のプランジャ２１の先端に接触する。
【０１０８】
その後、図１６（ａ）に示すように、可動部材１６を上限位置Ｂから下限位置Ａまで下降させることにより、各第２の導電性接触子１２の他方のプランジャ２２の先端が半導体集積回路２の他方の外部電極３ｂに接触する。
【０１０９】
これにより、半導体集積回路２の一方の外部電極３ａが第１の導電性接触子１１を介して検査回路基板１５に電気的に接続されるとともに、半導体集積回路２の他方の外部電極３ｂが第２の導電性接触子１２を介して検査用半導体集積回路７０に電気的に接続され、半導体集積回路２に対して電気的特性の検査を行うことができる。
【０１１０】
したがって、従来のように、半導体集積回路２の一方の面２ａに、他方の外部電極３ｂと電気的に接続された検査用外部電極を追加して設ける必要はなく、これにより、外部電極の個数の増加を防止して、半導体集積回路２の外形寸法の大型化を防止することができ、積層による高密度化の効果を得ることができる。
【０１１１】
また、前記のように、可動部材１６を下限位置Ａまで下降させた際、各導電性接触子１１，１２内の圧縮ばね２０が圧縮され、これら圧縮ばね２０の反発力によって、各電極３ａ，３ｂ，２５，７１に対する各導電性接触子１１，１２のプランジャ２１，２２のコンタクト荷重（接触荷重）が発生し、各導電性接触子１１，１２のプランジャ２１，２２が各電極３ａ，３ｂ，２５，７１に押付けられるため、安定した電気的導通を得ることができる。
【０１１２】
検査終了後、可動部材１６を下限位置Ａから上限位置Ｂまで上昇させることにより、各第２の導電性接触子１２の他方のプランジャ２２の先端が半導体集積回路２の他方の外部電極３ｂから上方へ離間する。
【０１１３】
また、検査用半導体集積回路７０の検査用外部電極７１は平坦状であり且つ金メッキされており、検査用外部電極７１と第２の導電性接触子１２の金メッキされた一方のプランジャ２１との当接部分は金同士の接触となるため、接触抵抗が小さく、良好な電気的導通が得られ、安定した電気的特性の検査を行うことができる。
【０１１４】
また、検査対象である半導体集積回路２の外部電極３ａと第１の導電性接触子１１との接触抵抗よりも、検査用半導体集積回路７０の検査用外部電極７１と第２の導電性接触子１２との接触抵抗の方が小さくなるので、半導体集積回路２に対して精度良く電気的特性検査を行うことができる。
【０１１５】
次に、前記検査装置１を用いた半導体集積回路２の検査方法を説明する。
前記のように、半導体集積回路２を保持部２４に保持した状態で、可動部材１６を下限位置Ａまで下降させて、第１の導電性接触子１１を介して検査回路基板１５の第１のランド電極２５と半導体集積回路２の一方の外部電極３ａとを電気的に接続するとともに、第２の導電性接触子１２を介して検査用半導体集積回路７０の検査用外部電極７１と半導体集積回路２の他方の外部電極３ｂとを電気的に接続する。
【０１１６】
そして、図１７に示すように、検査信号を測定装置４から第１の導電性接触子１１を介して半導体集積回路２の一方の外部電極３ａに対し任意の時間供給し、前記検査信号に対する第１の応答信号を半導体集積回路２の一方の外部電極３ａから第１の導電性接触子１１を介して測定装置４で授受する。
【０１１７】
さらに、第２の応答信号を半導体集積回路２の他方の外部電極３ｂから第２の導電性接触子１２を介して検査用半導体集積回路７０の検査用外部電極７１に対し供給し、前記第２の応答信号に対する第３の応答信号又はダミー信号を検査用半導体集積回路７０から第２の導電性接触子１２を介して半導体集積回路２の他方の外部電極３ｂに対し出力する。
【０１１８】
そして、前記第３の応答信号又はダミー信号に対する第４の応答信号を半導体集積回路２の一方の外部電極３ａから第１の導電性接触子１１を介して測定装置４で授受する。測定装置４で授受された前記第１の応答信号と第４の応答信号とを計測し、計測結果を判別することによって半導体装置２の電気的特性を検査する。
【０１１９】
尚、検査回路基板１５と検査用半導体集積回路７０との間を別途電気的に接続することで、検査用半導体集積回路７０の故障診断を行うことも可能となる。万一、検査用半導体集積回路７０が故障した場合、検査用半導体集積回路７０を可動部材１６のカバー１６ｆから取り外して、正常な検査用半導体集積回路７０と交換すればよい。
（実施の形態７）
本発明における実施の形態７を説明する。
【０１２０】
図１８，図１９に示すように、検査装置１は、第１の半導体集積回路１０１と第２の半導体集積回路１０５とのいずれか又は両者の半導体集積回路に対して電気的な特性検査を行うことができる。尚、第１の半導体集積回路１０１は、一方の面１０１ａに一方の外部電極１０２ａを複数有し、他方の面１０１ｂに他方の外部電極１０２ｂを複数有している。また、第２の半導体集積回路１０５は、パッケージオンパッケージ方式によって第１の半導体集積回路１０１上に積み重ねられるものであり、一方の面（下面）のみに複数の外部電極１０６を有している。
【０１２１】
検査装置１は、前記検査回路基板１５と、ポゴピン方式の第１および第２の導電性接触子１１，１２と、前記第１の半導体集積回路１０１と、前記第２の半導体集積回路１０５と、固定部材１０３と、可動部材１０４とにより構成されている。
【０１２２】
固定部材１０３は、平面視において四角形のフレーム形状となっており、検査回路基板１５と可動部材１０４との間に配置されている。
検査回路基板１５は、ねじ（図示せず）等により、固定部材１０３の下部に着脱自在に設けられている。検査回路基板１５の上面には、複数の第１のランド電極２５（第１電極の一例）が形成されている。また、検査回路基板１５には測定装置４が接続されている。
【０１２３】
可動部材１０４は、固定部材１０３に対して接近離間する移動経路１１０上を上下方向へ移動自在であり、個別に移動可能な可動フレーム１０４ａ（第１の可動体の一例）と可動カバー１０４ｂ（第２の可動体の一例）とで構成されている。可動カバー１０４ｂは、固定部材１０３の上方に対向しており、可動フレーム１０４ａの上方を覆うように配置されている。また、可動フレーム１０４ａは、平面視において四角形に形成され、可動カバー１０４ｂと固定部材１０３との間に配置されている。
【０１２４】
固定部材１０３と可動フレーム１０４ａとの間には第１の保持部１１１が形成され、第１の半導体集積回路１０１は第１の保持部１１１に保持される。固定部材１０３の上部には、第１の半導体集積回路１０１を第１の保持部１１１に位置決めする第１の突起部１１３が設けられている。尚、第１の突起部１１３は第１の保持部１１１の周囲を取り囲むように配置されている。
【０１２５】
可動フレーム１０４ａと可動カバー１０４ｂとの間には第２の保持部１１２が形成され、第２の半導体集積回路１０５は第２の保持部１１２に保持される。可動フレーム１０４ａの上部には、第２の半導体集積回路１０５を第２の保持部１１２に位置決めする第２の突起部１１４が設けられている。尚、第２の突起部１１４は第２の保持部１１２の周囲を取り囲むように配置されている。
【０１２６】
第１の導電性接触子１１は、第１のランド電極２５と第１の半導体集積回路１０１の一方の外部電極１０２ａとに当接してこれら電極２５，１０２ａ間を電気的に接続するものであり、固定部材１０３に複数本設けられている。各第１の導電性接触子１１の一方のプランジャ２１は上向きにされ、他方のプランジャ２２は下向きにされている。図１８（ｂ）に示すように、第１の保持部１１１において、第１の半導体集積回路１０１は第１の導電性接触子１１により支持される。
【０１２７】
第２の導電性接触子１２は、第１の半導体集積回路１０１の他方の外部電極１０２ｂと
第２の半導体集積回路１０５の外部電極１０６とに当接してこれら電極１０２ｂ，１０６間を電気的に接続するものであり、可動フレーム１０４ａに複数本設けられている。図１９（ｂ）に示すように、第２保持部１０８において、第２の半導体集積回路１０５は第２の導電性接触子１２により支持される。
【０１２８】
尚、第１および第２の導電性接触子１１，１２はそれぞれ、筒体１９と圧縮ばね２０と一方のプランジャ２１と他方のプランジャ２２とで構成されており、各プランジャ２１，２２には金メッキが施されている。
【０１２９】
前記可動部材１０４の可動フレーム１０４ａと可動カバー１０４ｂとは、シリンダー又はモータ等からなる駆動装置（図示せず）よって、個別に移動経路１１０上を移動する。すなわち、可動フレーム１０４ａは、可動カバー１０４ｂを伴って、図１８（ａ）に示すように、第２の導電性接触子１２の他方のプランジャ２２が第１の半導体集積回路１０１の他方の外部電極１０２ｂに当接する第１の下限位置Ａ１（第１の当接位置の一例）と、図１８（ｂ）に示すように、第２の導電性接触子１２が前記他方の外部電極１０２ｂから上方へ離間する第１の上限位置Ｂ１（第１の離間位置の一例）とに移動自在である。
【０１３０】
また、可動カバー１０４ｂは、図１９（ａ）に示すように、第２の保持部１１２に保持された第２の半導体集積回路１０５に当接して第２の半導体集積回路１０５の外部電極１０６を第２の導電性接触子１２の一方のプランジャ２１に押付ける第２の下限位置Ａ２（第２の当接位置の一例）と、図１９（ｂ）に示すように、第２の半導体集積回路１０５から上方へ離間する第２の上限位置Ｂ２（第２の離間位置の一例）とに移動自在である。
【０１３１】
以下、上記構成における作用を説明する。
第２の半導体集積回路１０５を電気的特性検査の対象にせず、第１の半導体集積回路１０１に対して電気的特性検査を行う場合、予め、可動カバー１０４ｂを上限位置Ｂ２まで上昇させ、第２の保持部１１２に第２の半導体集積回路１０５を保持させ、可動カバー１０４ｂを第２の下限位置Ａ２まで下降させておく。これにより、図１８（ｂ）に示すように、可動カバー１０４ｂが第２の半導体集積回路１０５に当接して、第２の半導体集積回路１０５の外部電極１０６が第２の導電性接触子１２の一方のプランジャ２１に押付けられる。
【０１３２】
この際、検査対象外である第２の半導体集積回路１０５の外部電極１０６は平坦状であり、その母材は銅やタングステンからなり、その表面には金メッキが施されている。
その後、図１８（ｂ）に示すように、可動カバー１０４ｂと一体に可動フレーム１０４ａを第１の上限位置Ｂ１まで上昇させ、検査対象である第１の半導体集積回路１０１を第１の保持部１１１に保持させる。これにより、第１の導電性接触子１１が検査回路基板１５の第１のランド電極２５と第１の半導体集積回路１０１の一方の外部電極１０２ａとに当接する。
【０１３３】
そして、図１８（ａ）に示すように、可動カバー１０４ｂと一体に可動フレーム１０４ａを第１の下限位置Ａ１まで下降させる。これにより、第２の導電性接触子１２の他方のプランジャ２２が第１の半導体集積回路１０１の他方の外部電極１０２ｂに当接するため、第１の導電性接触子１１が検査回路基板１５の第１のランド電極２５と第１の半導体集積回路１０１の一方の外部電極１０２ａとの間を接続するとともに、第２の導電性接触子１２が第１の半導体集積回路１０１の他方の外部電極１０２ｂと第２の半導体集積回路１０５の外部電極１０６との間を接続する。
【０１３４】
これにより、第１の半導体集積回路１０１の一方の外部電極１０２ａが第１の導電性接触子１１を介して検査回路基板１５に電気的に接続されるとともに、第１の半導体集積回路１０１の他方の外部電極１０２ｂが第２の導電性接触子１２を介して第２の半導体集積回路１０５に電気的に接続され、第１の半導体集積回路１０１に対して電気的特性の検査を行うことができる。
【０１３５】
その後、図１８（ｂ）に示すように、可動カバー１０４ｂと一体に可動フレーム１０４ａを第１の下限位置Ａ１から第１の上限位置Ｂ１まで上昇させ、検査済みの第１の半導体集積回路１０１を第１の保持部１１１から取り出し、検査対象となる別の第１の半導体集積回路１０１を第１の保持部１１１に保持させて、前記と同様な手順で第１の半導体集積回路１０１を検査する。
【０１３６】
この場合、検査対象外である第２の半導体集積回路１０５の外部電極１０６は平坦状であり且つ金メッキされており、前記外部電極１０６が第２の導電性接触子１２の金メッキされた一方のプランジャ２１に当接する際、金同士の接触となるため、接触抵抗が小さく、良好な電気的導通が得られ、安定した電気的特性の検査を行うことができる。
【０１３７】
また、検査対象である第１の半導体集積回路１０１の外部電極１０２ａと第１の導電性接触子１１との接触抵抗よりも、検査対象外である第２の半導体集積回路１０５の外部電極１０６と第２の導電性接触子１２との接触抵抗の方が小さくなるので、第１の半導体集積回路１０１に対して精度良く電気的特性検査を行うことができる。
【０１３８】
また、第１の半導体集積回路１０１を電気的特性検査の対象にせず、第２の半導体集積回路１０５に対して電気的特性検査を行う場合、予め、可動カバー１０４ｂと一体に可動フレーム１０４ａを第１の上限位置Ｂ１まで上昇させ、第１の保持部１１１に第１の半導体集積回路１０１を保持させ、可動カバー１０４ｂと一体に可動フレーム１０４ａを第１の下限位置Ａ１まで下降させておく。これにより、第２の導電性接触子１２の他方のプランジャ２２が第１の半導体集積回路１０１の他方の外部電極１０２ｂに当接するとともに、第１の導電性接触子１１が検査回路基板１５の第１のランド電極２５と第１の半導体集積回路１０１の一方の外部電極１０２ａとの間を接続する。
【０１３９】
この際、検査対象外である第１の半導体集積回路１０１の外部電極１０２ａ，１０２ｂは平坦状であり、その母材は銅やタングステンからなり、その表面には金メッキが施されている。
【０１４０】
その後、図１９（ｂ）に示すように、可動カバー１０４ｂを第２の上限位置Ｂ２まで上昇させ、検査対象である第２の半導体集積回路１０５を第２の保持部１１２に保持させる。これにより、第２の導電性接触子１２の一方のプランジャ２１が第２の半導体集積回路１０５の外部電極１０６に当接する。
【０１４１】
そして、図１９（ａ）に示すように、可動カバー１０４ｂを第２の下限位置Ａ２まで下降させる。これにより、可動カバー１０４ｂが第２の半導体集積回路１０５に当接して、第２の半導体集積回路１０５の外部電極１０６が第２の導電性接触子１２の一方のプランジャ２１に押付けられるため、第２の導電性接触子１２が第２の半導体集積回路１０５の外部電極１０６と第１の半導体集積回路１０１の他方の外部電極１０２ｂとの間を接続する。
【０１４２】
これにより、第１の半導体集積回路１０１の一方の外部電極１０２ａが第１の導電性接触子１１を介して検査回路基板１５に電気的に接続されるとともに、第２の半導体集積回路１０５の外部電極１０６が第２の導電性接触子１２を介して第１の半導体集積回路１０１の他方の外部電極１０２ｂに電気的に接続され、第２の半導体集積回路１０５に対して電気的特性の検査を行うことができる。
【０１４３】
その後、図１９（ｂ）に示すように、可動カバー１０４ｂを第２の下限位置Ａ２から第２の上限位置Ｂ２まで上昇させ、検査済みの第２の半導体集積回路１０５を第２の保持部１１２から取り出し、検査対象となる別の第２の半導体集積回路１０５を第２の保持部１１２に保持して、前記と同様な手順で第２の半導体集積回路１０５を検査する。
【０１４４】
この場合、検査対象外である第１の半導体集積回路１０１の外部電極１０２ａ，１０２ｂは平坦状であり且つ金メッキされており、前記外部電極１０２ａが第１の導電性接触子１１の金メッキされた一方のプランジャ２１に当接する際、金同士の接触となるため、接触抵抗が小さく、良好な電気的導通が得られ、安定した電気的特性の検査を行うことができる。
【０１４５】
また、検査対象である第２の半導体集積回路１０５の外部電極１０６と第２の導電性接触子１２との接触抵抗よりも、検査対象外である第１の半導体集積回路１０１の外部電極１０２ａと第１の導電性接触子１１との接触抵抗の方が小さくなるので、第２の半導体集積回路１０５に対して精度良く電気的特性検査を行うことができる。
【０１４６】
尚、第１の半導体集積回路１０１の外部電極１０２ａと第２の半導体集積回路１０５の外部電極１０６とはそれぞれ母材が銅やタングステンであり、電極に使用されることの多い半田ボール電極などに比べ硬度が高いので、各導電性接触子１１，１２との接触による変形も小さく、長期間安定した電気的導通が得られる。
【産業上の利用可能性】
【０１４７】
本発明の検査装置は、対向する２面に外部電極を有する半導体集積回路を測定することができる検査装置として有用である。
【図面の簡単な説明】
【０１４８】
【図１】本発明の実施の形態１における検査装置の図であり、（ａ）は可動部材を下限位置まで下降させた状態、（ｂ）は可動部材を上限位置まで上昇させた状態を示す。
【図２】図１（ｂ）におけるＸ−Ｘ矢視図である。
【図３】図１（ｂ）におけるＹ−Ｙ矢視図である。
【図４】図１（ｂ）におけるＺ−Ｚ矢視図である。
【図５】同、検査装置で検査される半導体集積回路の図である。
【図６】同、検査装置の信号伝達経路を示すブロック図である。
【図７】本発明の実施の形態２における検査装置の図であり、（ａ）は可動部材を下限位置まで下降させた状態、（ｂ）は可動部材を上限位置まで上昇させた状態を示す。
【図８】同、検査装置のフレキシブル配線基板の図であり、（ａ）は固定部材側（下方）から見た図、（ｂ）は（ａ）におけるＸ−Ｘ矢視図を示す。
【図９】本発明の実施の形態３における検査装置の図であり、（ａ）は可動部材を下限位置まで下降させた状態、（ｂ）は可動部材を上限位置まで上昇させた状態を示す。
【図１０】同、検査装置の第２の導電性接触子の平面図である。
【図１１】同、検査装置の第２の導電性接触子の一部拡大断面図である。
【図１２】本発明の実施の形態４における検査装置の第２の導電性接触子の一部拡大断面図である。
【図１３】本発明の実施の形態５における検査装置の図であり、半導体集積回路を吸着し、可動部材を上限位置まで上昇させた状態を示す。
【図１４】同、検査装置の図であり、半導体集積回路を落下させて保持部で保持した状態を示す。
【図１５】同、検査装置の図であり、可動部材を下限位置まで下降させた状態を示す。
【図１６】本発明の実施の形態６における検査装置の図であり、（ａ）は可動部材を下限位置まで下降させた状態、（ｂ）は可動部材を上限位置まで上昇させた状態を示す。
【図１７】同、検査装置の信号伝達経路を示すブロック図である。
【図１８】本発明の実施の形態７における第１の半導体集積回路を検査する時の検査装置の図であり、（ａ）は可動フレームを第１の下限位置まで下降させた状態、（ｂ）は可動フレームを第１の上限位置まで上昇させた状態を示す。
【図１９】同、第２の半導体集積回路を検査する時の検査装置の図であり、（ａ）は可動カバーを第２の下限位置まで下降させた状態、（ｂ）は可動カバーを第２の上限位置まで上昇させた状態を示す。
【図２０】従来の検査装置の導電性接触子の部分を拡大した図である。
【図２１】同、検査装置の図であり、対向する両方の面に外部電極を有する半導体集積回路をセットした状態を示す。
【図２２】従来の検査装置を用いて、対向する両方の面に外部電極を有する半導体集積回路を検査する方法を示す図である。
【符号の説明】
【０１４９】
１      検査装置
２      半導体集積回路
２ａ    一方の面
２ｂ    他方の面
３ａ，３ｂ      外部電極
４      測定装置
１１〜１３      第１〜第３の導電性接触子
１４      固定部材
１５      検査回路基板
１６      可動部材
１７      配線基板
２３      配線回路
２４      保持部
２５      第１のランド電極（第１電極）
２６      固定側第３のランド電極（一方の第３電極）
２７      第２のランド電極（第２電極）
２８      可動側第３のランド電極（他方の第３電極）
３６      フレキシブル配線基板
４１      第２の導電性接触子
６０      自動搬送装置
６１      吸着ブロック（吸着部材）
７０      検査用半導体集積回路
７１      検査用外部電極
１０１    第１の半導体集積回路
１０１ａ，１０１ｂ    一方および他方の面
１０２ａ，１０２ｂ    一方および他方の外部電極
１０３    固定部材
１０４    可動部材
１０４ａ    可動フレーム（第１の可動体）
１０４ｂ    可動カバー（第２の可動体）
１０５    第２の半導体集積回路
１０６    外部電極
１１０    移動経路
１１１    第１の保持部
１１２    第２の保持部
Ａ        下限位置（当接位置）
Ａ１      第１の下限位置（第１の当接位置）
Ａ２      第２の下限位置（第２の当接位置）
Ｂ        上限位置（離間位置）
Ｂ１      第１の上限位置（第１の離間位置）
Ｂ２      第２の上限位置（第２の離間位置）
Ｃ        突出位置
Ｄ        退入位置
Ｈ        半導体集積回路の全高
Ｌ１〜Ｌ３      第１〜第３の導電性接触子の全長
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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