(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
上部電極と下部電極とを備える容量結合型平行平板エッチング装置を用い、その処理チャンバ内で前記上部電極と前記下部電極に高周波を印加してエッチングガスのプラズマを発生させ、当該プラズマにより被処理基板に形成されたＣＦx膜をエッチングするプラズマエッチング方法であって、
前記エッチングガスをＣＨ４ガスとＯ２ガスとを含む混合ガスとし、前記ＣＦx膜を前記プラズマでエッチングしてトレンチを形成する際にマイクロトレンチの発生を抑制する
ことを特徴とするプラズマエッチング方法。
【請求項２】
請求項１記載のプラズマエッチング方法であって、
前記エッチングガスが、さらに水素含有ガスを含む
ことを特徴とするプラズマエッチング方法。
【請求項３】
請求項２記載のプラズマエッチング方法であって、
前記水素含有ガスが、ＣＨＦ３又はＣＨ２Ｆ２である
ことを特徴とするプラズマエッチング方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ＣＦｘ膜をプラズマエッチングするプラズマエッチング方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来から半導体装置の製造工程においては、エッチングガスのプラズマを発生させ、このプラズマの作用によってエッチングを行うプラズマエッチングが多用されている。また、半導体装置においては、層間絶縁膜として低誘電率膜が使用されるようになっており、このような低誘電率膜の１つとして、ＣＦx膜を使用することも検討されている（例えば、特許文献１参照。）。また、このようなＣＦx膜をプラズマエッチングする方法としては、エッチングガスとしてＮ2とＨ2の混合ガスを使用する方法がある。
【特許文献１】特開２０００−２３２１５８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
しかしながら、上記したように、エッチングガスとしてＮ2とＨ2の混合ガスを使用してＣＦx膜をプラズマエッチングし、トレンチ等を形成すると、トレンチの底部等にマイクロトレンチが発生するという課題がある。
【０００４】
本発明は、上記課題を解決するためになされたもので、ＣＦｘ膜のプラズマエッチングにおけるマイクロトレンチの発生を従来に比べて抑制することのできるプラズマエッチング方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
請求項１記載のプラズマエッチング方法は、上部電極と下部電極とを備える容量結合型平行平板エッチング装置を用い、その処理チャンバ内で前記上部電極と前記下部電極に高周波を印加してエッチングガスのプラズマを発生させ、当該プラズマにより被処理基板に形成されたＣＦx膜をエッチングするプラズマエッチング方法であって、前記エッチングガスをＣＨ４ガスとＯ２ガスとを含む混合ガスとし、前記ＣＦx膜を前記プラズマでエッチングしてトレンチを形成する際にマイクロトレンチの発生を抑制することを特徴とする。
【０００６】
請求項２記載のプラズマエッチング方法は、請求項１記載のプラズマエッチング方法であって、前記エッチングガスが、さらに水素含有ガスを含むことを特徴とする。
【０００７】
請求項３記載のプラズマエッチング方法は、請求項２記載のプラズマエッチング方法であって、前記水素含有ガスが、ＣＨＦ３又はＣＨ２Ｆ２であることを特徴とする。
【発明の効果】
【００１０】
本発明によれば、ＣＦｘ膜のプラズマエッチングにおけるマイクロトレンチ（トレンチの底部が山形状になり裾部分が極端に削られた形状となること）の発生を従来に比べて抑制することのできるプラズマエッチング方法を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１１】
以下、本発明の実施の形態について図面を参照して説明する。図１は、本実施形態に係るプラズマエッチング方法における半導体ウエハ（半導体基板）Ｗの断面構成を拡大して示すものであり、図２は、本実施形態に係るプラズマエッチング装置の構成を示すものである。まず、図２を参照してプラズマエッチング装置の構成について説明する。
【００１２】
プラズマエッチング装置１は、電極板が上下平行に対向し、プラズマ形成用電源が接続された容量結合型平行平板エッチング装置として構成されている。
【００１３】
プラズマエッチング装置１は、例えば表面が陽極酸化処理されたアルミニウム等からなり円筒形状に成形された処理チャンバー（処理容器）２を有しており、この処理チャンバー２は接地されている。処理チャンバー２内の底部にはセラミックなどの絶縁板３を介して、被処理物、例えば半導体ウエハＷを載置するための略円柱状のサセプタ支持台４が設けられている。さらに、このサセプタ支持台４の上には、下部電極を構成するサセプタ５が設けられている。このサセプタ５には、ハイパスフィルター（ＨＰＦ）６が接続されている。
【００１４】
サセプタ支持台４の内部には、冷媒室７が設けられており、この冷媒室７には、冷媒が冷媒導入管８を介して導入されて循環し冷媒排出管９から排出される。そして、その冷熱がサセプタ５を介して半導体ウエハＷに対して伝熱され、これにより半導体ウエハＷが所望の温度に制御される。
【００１５】
サセプタ５は、その上側中央部が凸状の円板状に成形され、その上に半導体ウエハＷと略同形の静電チャック１１が設けられている。静電チャック１１は、絶縁材の間に電極１２を配置して構成されている。そして、電極１２に接続された直流電源１３から例えば１．５ｋＶの直流電圧が印加されることにより、例えばクーロン力によって半導体ウエハＷを静電吸着する。
【００１６】
絶縁板３、サセプタ支持台４、サセプタ５、静電チャック１１には、半導体ウエハＷの裏面に、伝熱媒体（例えばＨｅガス等）を供給するためのガス通路１４が形成されており、この伝熱媒体を介してサセプタ５の冷熱が半導体ウエハＷに伝達され半導体ウエハＷが所定の温度に維持されるようになっている。
【００１７】
サセプタ５の上端周縁部には、静電チャック１１上に載置された半導体ウエハＷを囲むように、環状のフォーカスリング１５が配置されている。このフォーカスリング１５は、例えば、シリコンなどの導電性材料から構成されており、エッチングの均一性を向上させる作用を有する。
【００１８】
サセプタ５の上方には、このサセプタ５と平行に対向して上部電極２１が設けられている。この上部電極２１は、絶縁材２２を介して、処理チャンバー２の上部に支持されている。上部電極２１は、電極板２４と、この電極板２４を支持する導電性材料からなる電極支持体２５とによって構成されている。電極板２４は、例えば、表面に陽極酸化処理（アルマイト処理）されたアルミニウムに石英カバーを設けて構成され、多数の吐出孔２３を有する。この電極板２４は、サセプタ５との対向面を形成する。サセプタ５と上部電極２１とは、その間隔を変更可能とされている。
【００１９】
上部電極２１における電極支持体２５の中央にはガス導入口２６が設けられ、このガス導入口２６には、ガス供給管２７が接続されている。さらにこのガス供給管２７には、バルブ２８、並びにマスフローコントローラ２９を介して、処理ガス供給源３０が接続されている。処理ガス供給源３０から、プラズマエッチング処理のためのエッチングガスが供給される。
【００２０】
処理チャンバー２の底部には排気管３１が接続されており、この排気管３１には排気装置３５が接続されている。排気装置３５はターボ分子ポンプなどの真空ポンプを備えており、処理チャンバー２内を所定の減圧雰囲気、例えば１Ｐａ以下の所定の圧力まで真空引き可能なように構成されている。また、処理チャンバー２の側壁にはゲートバルブ３２が設けられており、このゲートバルブ３２を開にした状態で半導体ウエハＷが隣接するロードロック室（図示せず）との間で搬送されるようになっている。
【００２１】
上部電極２１には、第１の高周波電源４０が接続されており、その給電線には整合器４１が介挿されている。また、上部電極２１にはローパスフィルター（ＬＰＦ）４２が接続されている。この第１の高周波電源４０は、５０〜１５０ＭＨｚの範囲の周波数を有している。このように高い周波数を印加することにより処理チャンバー２内に好ましい解離状態でかつ高密度のプラズマを形成することができる。
【００２２】
下部電極としてのサセプタ５には、第２の高周波電源５０が接続されており、その給電線には整合器５１が介挿されている。この第２の高周波電源５０は、第１の高周波電源４０より低い周波数の範囲を有しており、このような範囲の周波数を印加することにより、被処理体である半導体ウエハＷに対してダメージを与えることなく適切なイオン作用を与えることができる。第２の高周波電源５０の周波数は１〜２０ＭＨｚの範囲が好ましい。
【００２３】
上記構成のプラズマエッチング装置１は、制御部６０によって、その動作が統括的に制御される。この制御部６０には、ＣＰＵを備えプラズマエッチング装置１の各部を制御するプロセスコントローラ６１と、ユーザインタフェース６２と、記憶部６３とが設けられている。
【００２４】
ユーザインタフェース６２は、工程管理者がプラズマエッチング装置１を管理するためにコマンドの入力操作を行うキーボードや、プラズマエッチング装置１の稼働状況を可視化して表示するディスプレイ等から構成されている。
【００２５】
記憶部６３には、プラズマエッチング装置１で実行される各種処理をプロセスコントローラ６１の制御にて実現するための制御プログラム（ソフトウエア）や処理条件データ等が記憶されたレシピが格納されている。そして、必要に応じて、ユーザインタフェース６２からの指示等にて任意のレシピを記憶部６３から呼び出してプロセスコントローラ６１に実行させることで、プロセスコントローラ６１の制御下で、プラズマエッチング装置１での所望の処理が行われる。また、制御プログラムや処理条件データ等のレシピは、コンピュータで読取り可能なコンピュータ記憶媒体（例えば、ハードディスク、ＣＤ、フレキシブルディスク、半導体メモリ等）などに格納された状態のものを利用したり、或いは、他の装置から、例えば専用回線を介して随時伝送させてオンラインで利用したりすることも可能である。
【００２６】
上記構成のプラズマエッチング装置１によって、半導体ウエハＷのプラズマエッチングを行う場合、まず、半導体ウエハＷは、ゲートバルブ３２が開放された後、図示しないロードロック室から処理チャンバー２内へと搬入され、静電チャック１１上に載置される。そして、直流電源１３から直流電圧が印加されることによって、半導体ウエハＷが静電チャック１１上に静電吸着される。次いで、ゲートバルブ３２が閉じられ、排気装置３５によって、処理チャンバー２内が所定の真空度まで真空引きされる。
【００２７】
その後、バルブ２８が開放されて、処理ガス供給源３０から所定のエッチングガスが、マスフローコントローラ２９によってその流量が調整されつつ、処理ガス供給管２７、ガス導入口２６を通って上部電極２１の中空部へと導入され、さらに電極板２４の吐出孔２３を通って、図２の矢印に示すように、半導体ウエハＷに対して均一に吐出される。
【００２８】
そして、処理チャンバー２内の圧力が、所定の圧力に維持される。その後、第１の高周波電源４０から所定の周波数の高周波電力が上部電極２１に印加される。これにより、上部電極２１と下部電極としてのサセプタ５との間に高周波電界が生じ、エッチングガスが解離してプラズマ化する。
【００２９】
他方、第２の高周波電源５０から、上記の第１の高周波電源４０より低い周波数の高周波電力が下部電極であるサセプタ５に印加される。これにより、プラズマ中のイオンがサセプタ５側へ引き込まれ、イオンアシストによりエッチングの異方性が高められる。
【００３０】
そして、所定のプラズマエッチング処理が終了すると、高周波電力の供給及び処理ガスの供給が停止され、上記した手順とは逆の手順で、半導体ウエハＷが処理チャンバー２内から搬出される。
【００３１】
次に、図１を参照して、本実施形態に係るプラズマエッチング方法について説明する。図１は、後述する実施例において使用した被処理基板としての半導体ウエハＷの断面構成を模式的に示すものである。図１（ａ）に示すように、シリコンからなる半導体ウエハＷには、ＣＦx膜１０１が形成されており、ＣＦx膜１０１の上部には、ＳｉＣＮ膜１０２、反射防止膜（ＢＡＲＣ）１０３、フォトレジスト膜１０４が下側からこの順で形成されている。また、フォトレジスト膜１０４には、トレンチを形成するための開口部１０５が形成されている。
【００３２】
なお、上記の半導体ウエハＷの構造は、ＣＦx膜のエッチング状態を検証するためのサンプルのものであり、実際の半導体装置の製造工程においては、ＣＦx膜１０１の下層及び上層に、ＳｉＣＮ膜、絶縁膜等の種々の膜が形成される場合がある。
【００３３】
そして、図１（ａ）の状態から、フォトレジスト膜１０４をマスクとして、反射防止膜（ＢＡＲＣ）１０３、ＳｉＣＮ膜１０２をプラズマエッチングして図１（ｂ）の状態とする。
【００３４】
次に、エッチングガスとして、ＣＨ4とＯ2とを含む混合ガスを用い、ＣＦx膜１０１をプラズマエッチングし、図１（ｃ）に示すように、ＣＦx膜１０１にトレンチ１０６を形成する。ＣＦx膜１０１をプラズマエッチングするためのエッチングガスとしては、例えば、ＣＨ4とＯ2との混合ガス、あるいは、この混合ガスに更に他のガスを添加した混合ガスを用いることができる。添加ガスとしては、例えば水素含有ガス（ＣＨ3Ｆ又はＣＨ2Ｆ2等）を用いることができる。このように、水素含有ガスを添加すると、Ｈラジカルが増加し等方性エッチングの傾向が強くなることで、マイクロトレンチの発生を抑制することができる。また、例えば、ＣＦx膜の下層がＳｉＣＮ系の膜やＳｉＣＯＨ系の膜であると、ＣＦxのエッチング中に発生するＦラジカルにより、下層膜が削られてエッチング形状が悪化する可能性があるが、この不要なＦラジカルをＨラジカルによって排除することができ、エッチング形状の悪化を防止することができる。
【００３５】
実施例として、図２に示したプラズマエッチング装置１を使用し、図１に示した構造の半導体ウエハＷ（直径２０ｃｍ）に、プラズマエッチングを、以下に示すようなレシピにより実施した。      
【００３６】
なお、以下に示される実施例の処理レシピは、制御部６０の記憶部６３から読み出されて、プロセスコントローラ６１に取り込まれ、プロセスコントローラ６１がプラズマエッチング装置１の各部を制御プログラムに基づいて制御することにより、読み出された処理レシピ通りのプラズマエッチング工程が実行される。
【００３７】
（反射防止膜（ＢＡＲＣ）１０３のエッチング）
エッチングガス：ＣＦ4 ＝１００ｓｃｃｍ、圧力６．６５Ｐａ（５０ｍTorr）、電力（上部／下部）＝１０００／１００Ｗ、温度（下部／上部／側壁部）＝２０／６０／５０℃、電極間距離＝６０ｍｍ、冷却用ヘリウム圧力（中央部／周辺部）＝１３３０／４６５５Ｐａ（１０／３５Torr）、エッチング時間＝２０秒。
【００３８】
（ＳｉＣＮ膜１０２のエッチング）
エッチングガス：ＣＨ2Ｆ2 ／Ａｒ／Ｏ2＝２０／２００／１５ｓｃｃｍ、圧力６．６５Ｐａ（５０ｍTorr）、電力（上部／下部）＝２０００／１００Ｗ、温度（下部／上部／側壁部）＝２０／６０／５０℃、電極間距離＝５５ｍｍ、冷却用ヘリウム圧力（中央部／周辺部）＝１３３０／４６５５Ｐａ（１０／３５Torr）、エッチング時間＝２５秒。
【００３９】
（ＣＦx膜１０１のエッチング）
エッチングガス：ＣＨ4／Ｏ2 ＝４５０／３００ｓｃｃｍ、圧力７．９８Ｐａ（６０ｍTorr）、電力（上部／下部）＝２０００／２００Ｗ、温度（下部／上部／側壁部）＝２０／６０／５０℃、電極間距離＝４５ｍｍ、冷却用ヘリウム圧力（中央部／周辺部）＝１３３０／４６５５Ｐａ（１０／３５Torr）、エッチング時間＝４５秒。
【００４０】
上記のプラズマエッチングにおけるＣＦx膜１０１のエッチングレートは、半導体ウエハ中央部で２８８ｎｍ／ｍｉｎ、半導体ウエハ周辺部で２９６ｎｍ／ｍｉｎであった。また、電子顕微鏡で観察したところ、ＣＦx膜１０１のトレンチ１０６内にマイクロトレンチは見られなかった。
【００４１】
次に、比較例として、上記実施例と同じ工程で、反射防止膜（ＢＡＲＣ）１０３のエッチング、ＳｉＣＮ膜１０２のエッチングを行った後、以下のようにしてＣＦx膜のエッチングを行った。
【００４２】
（ＣＦx膜１０１のエッチング）
エッチングガス：Ｎ2／Ｈ2 ＝３００／３００ｓｃｃｍ、圧力３．９９Ｐａ（３０ｍTorr）、電力（上部／下部）＝１５００／２００Ｗ、温度（下部／上部／側壁部）＝２０／６０／５０℃、電極間距離＝４５ｍｍ、冷却用ヘリウム圧力（中央部／周辺部）＝１３３０／４６５５Ｐａ（１０／３５Torr）、エッチング時間＝３０秒。
【００４３】
上記のプラズマエッチングにおけるＣＦx膜１０１のエッチングレートは、半導体ウエハ中央部で２５７ｎｍ／ｍｉｎ、半導体ウエハ周辺部で２６６ｎｍ／ｍｉｎであった。また、電子顕微鏡で観察したところ、図３に示すように、ＣＦx膜１０１のトレンチ１０６の底部１０６ａが山形状になり、裾部分１０６ｂが極端に削られたマイクロトレンチ形状が見られた。
【００４４】
以上説明したとおり、本実施形態によれば、ＣＦx膜のプラズマエッチングにおけるマイクロトレンチの発生を従来に比べて抑制することができる。なお、本発明は上記の実施形態に限定されるものではなく、各種の変形が可能である。例えば、プラズマエッチング装置は、図２に示した平行平板型の上下部高周波印加型に限らず、各種のプラズマエッチング装置を使用することができる。
【図面の簡単な説明】
【００４５】
【図１】本発明の実施形態のプラズマエッチング方法に係る半導体ウエハの断面構成を示す図。
【図２】本発明の実施形態に係るプラズマエッチング装置の概略構成を示す図。
【図３】比較例におけるマイクロトレンチの発生状態を示す図。
【符号の説明】
【００４６】
１０１……ＣＦx膜、１０２……ＳｉＣＮ膜、１０３……反射防止膜（ＢＡＲＣ）、１０４……フォトレジスト膜、１０５……開口部、１０６……トレンチ、Ｗ……半導体ウエハ。
【図１】
0004800077.tif 000002
【図２】
0004800077.tif 000003
【図３】
0004800077.tif 000004