(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に空間を介して両端が前記基板上に支持された振動子と、
前記振動子下に前記空間の一部を介して前記基板上に形成された第１電極と、
前記振動子下に前記空間の一部を介して前記基板上に前記第１電極と並設された第２電極と
を備えた静電容量型共振素子であって、
前記振動子は２次モードの振動で振動し、
前記第１電極および前記第２電極は、前記振動子の支持端間の中心を挟んで一方側に前記第１電極が配置され、他方側に前記第２電極が配置されるとともに、前記振動子と重なる位置で前記第１電極および前記第２電極の対向する側面には前記中心よりも当該各電極側にそれぞれ突起部が形成されている
静電容量型共振素子。
【請求項２】
前記第１電極および前記第２電極の突起状に形成されている部分は、前記振動子の支持端間の中心に向かうにしたがって細くなるように形成されている
請求項１記載の静電容量型共振素子。
【請求項３】
前記突起部の数もしくは占有面積によって静電力を設定する
請求項１または２記載の静電容量型共振素子。
【請求項４】
基板上に空間を介して両端が前記基板上に支持された振動子と、
前記振動子と空間を介して前記基板上に形成された電極と
を備えた静電容量型共振素子であって、
前記電極は前記振動子の支持端間の中心を含む領域に開口部が形成されている
静電容量型共振素子。
【請求項５】
基板上に空間を介して両端が前記基板上に支持された振動子と、
前記振動子下に前記空間の一部を介して前記基板上に形成された第１電極と、
前記振動子下に前記空間の一部を介して前記基板上に前記第１電極と並設された第２電極と
を備えた静電容量型共振素子の製造方法であって、
前記第１電極および前記第２電極を形成する際に、
前記振動子の支持端間の中心を挟んで一方側に前記第１電極を形成し、他方側に前記第２電極を形成するとともに、前記振動子と重なる位置で前記第１電極および前記第２電極が対向する各電極側面で前記中心よりも当該各電極側にそれぞれ突起部を形成する
こ静電容量型共振素子の製造方法。
【請求項６】
基板上に空間を介して両端が前記基板上に支持された振動子と、
前記振動子と空間を介して前記基板上に形成された電極と
を備えた静電容量型共振素子の製造方法であって、
前記電極を形成する際に、
前記電極における前記振動子の支持端間の中心を含む領域に開口部を形成する
静電容量型共振素子の製造方法。
【請求項７】
基板上に空間を介して両端が前記基板上に支持された振動子と、
前記振動子下に前記空間の一部を介して前記基板上に形成された第１電極と、
前記振動子下に前記空間の一部を介して前記基板上に前記第１電極と並設された第２電極と
を備えた静電容量型共振素子を有するフィルタを搭載した通信装置において、
前記振動子は２次モードの振動で振動し、
前記第１電極および前記第２電極は、前記振動子の支持端間の中心を挟んで一方側に前記第１電極が配置され、他方側に前記第２電極が配置されるとともに、前記振動子と重なる位置で前記第１電極および前記第２電極が対向する各電極側面には前記中心よりも当該各電極側にそれぞれ突起部が形成されている
通信装置。
【請求項８】
基板上に空間を介して両端が前記基板上に支持された振動子と、
前記振動子下に前記空間の一部を介して前記基板上に形成された電極と
を備えた静電容量型共振素子を有するフィルタを搭載した通信装置において、
前記電極は前記振動子の支持端間の中心を含む領域に開口部が形成されている
通信装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、スティクションを防止するとともに大きな静電力を得ることが容易な静電容量型共振素子、静電容量型共振素子の製造方法および通信装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
半導体プロセスを用いて形成された微小振動子は、デバイスの占有面積が小さいこと、高いＱ値を実現できること、他の半導体デバイスとの集積が可能であることという特徴により、無線通信デバイスの中でも高周波フィルタとしての利用がミシガン大学を始めとする研究機関から提案されている（例えば、非特許文献１参照。）。
【０００３】
例えば、図１０に示すように、シリコン基板上に酸化シリコン膜および窒化シリコン膜の積層膜を形成した基板３１０上に、離間した状態で入力電極３１１と出力電極３１２とが平行に配設され、その上部に微小な隙間を形成する空間３２１を介して上記入力電極３１１および上記出力電極３１２を横切るように両端支持されたビーム型振動子３１３が配設されているものである。このような共振器では、上記入力電極３１１に高周波の入力信号が印加された場合、上記出力電極３１２上に形成された空間３２１を介して設けられた振動子電極３１３のビーム（振動部）３１３ａが固有振動周波数に一致する高周波信号によって機械的な共振が励起され、出力電極３１２とビーム（振動部）３１３ａとの間の空間３２１で構成されるキャパシタの容量が変化し、これが出力電極３１２からフィルタリングされた信号として出力される。上記振動子３１３は２次モードの振動となる。なお、図１０の（１）図は平面レイアウト図であり、（２）図は（１）図中のＣ−Ｃ’線断面図である。
【０００４】
２次モードの振動を利用した振動子の特性は、寄生容量が小さくできることが最大の特徴である。またビーム長を長く形成することができるため、加工ばらつきを小さくすることができる特徴があり、並列に配置することに適している。
【０００５】
その反面、ビーム長が長いため低周波用（１００ＭＨｚ以下）の共振素子の場合は、振動子と電極との間に振動子を振動させるための空間を形成する犠牲膜エッチングの際に、溶液の表面張力によってビームが電極に接触する現象、すなわちスティクションが発生しやすい。
【０００６】
また、図１１に示すように、シリコン基板上に酸化シリコン膜および窒化シリコン膜の積層膜を形成した基板４１０上に、電極（入出力電極）４１１が配設され、その上部に微小な隙間を形成する空間４２１を介して上記電極４１１を横切るように両端支持されたビーム型の振動子電極４１３が配設されているものである。この共振器では１次モードの振動を発現する。なお、図１１の（１）図は平面レイアウト図であり、（２）図は（１）図中のＤ−Ｄ’線断面図である。
【０００７】
このような共振器でも、低周波用（１００ＭＨｚ以下）の共振素子とする場合には、ビーム（振動部）長を長く形成する必要があるため、振動子電極４１３と電極（入出力電極）４１１との間に振動子電極のビーム（振動部）４１３ａを振動させるための空間を形成する犠牲膜エッチングの際に、溶液の表面張力によってビーム４１３ａが電極４１１に接触する現象、すなわちスティクションが発生しやすい。
【０００８】
【非特許文献１】Clark T.-C.Nguyen著  「Microelectromechanical Components for Miniaturized Low-Power Communications」Proceedings,1999 IEEE MTT-S International Microwave Symposium RF MEMS Workshop, pp.48-77  １９９９年
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
解決しようとする問題点は、低周波用（１００ＭＨｚ以下）の振動モードを利用した微小振動子は、ビーム長が長いため、製造工程においてスティクションを防止することが困難な点である。
【００１０】
本発明は、ビーム長が長い場合でもスティクションの発生を防止することができる静電容量型共振素子およびその製造方法およびそれを用いた通信装置を提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本発明の静電容量型共振素子は、基板上に空間を介して両端が前記基板上に支持された振動子と、前記振動子下に前記空間の一部を介して前記基板上に形成された第１電極と、前記振動子下に前記空間の一部を介して前記基板上に前記第１電極と並設された第２電極とを備えた静電容量型共振素子であって、前記振動子は２次モードの振動で振動し、前記第１電極および前記第２電極は、前記振動子の支持端間の中心を挟んで一方側に前記第１電極が配置され、他方側に前記第２電極が配置されるとともに、前記振動子と重なる位置で前記第１電極および前記第２電極の対向する側面には前記中心よりも当該各電極側にそれぞれ突起部が形成されていることを特徴とする。 
【００１２】
上記静電容量型共振素子では、振動子の支持端間の中心を挟んで一方側に第１電極が配置され、他方側に第２電極が配置されていて、各突起部が対向する各電極側面に振動子の支持端間の中心よりも各電極側に形成されていることから、スティクションが発生しやすい領域は、第１電極も第２電極も形成されていない。このため、空間を形成するための犠牲膜エッチングの際に、溶液の表面張力によって振動子の振動部が第１電極や第２電極に接触することが避けられる。さらに、第１電極および第２電極は、各電極が対向する各電極側面に振動子の支持端間の中心よりも各電極側に突起部が形成されている。これにより、振動子に重なり合う領域の第１電極および第２電極の面積が稼げるので、振動子に振動を与える際に十分な静電力が確保される。
【００１３】
本発明の静電容量型共振素子は、基板上に空間を介して両端が前記基板上に支持された振動子と、前記振動子下に前記空間の一部を介して前記基板上に形成された電極とを備えた静電容量型共振素子であって、前記電極は前記基板面上において前記振動子の支持端間の中心を含む領域に開口部が形成されていることを特徴とする。
【００１４】
上記静電容量型共振素子では、振動子の支持端間の中心に電極に形成された開口部が配置されていることから、スティクションが発生しやすい領域は、電極が形成されていない。このため、空間を形成するための犠牲膜エッチングの際に、溶液の表面張力によって振動子の振動部が電極に接触することが避けられる。
【００１５】
本発明の静電容量型共振素子の製造方法は、基板上に空間を介して両端が前記基板上に支持された振動子と、前記振動子下に前記空間の一部を介して前記基板上に形成された第１電極と、前記振動子下に前記空間の一部を介して前記基板上に前記第１電極と並設された第２電極とを備えた静電容量型共振素子の製造方法であって、前記第１電極および前記第２電極を形成する際に、前記振動子の支持端間の中心を挟んで一方側に前記第１電極を形成し、他方側に前記第２電極を形成するとともに、前記振動子と重なる位置で前記第１電極および前記第２電極が対向する各電極側面で前記中心よりも当該各電極側にそれぞれ突起部を形成することを特徴とする。 
【００１６】
上記静電容量型共振素子の製造方法では、振動子の支持端間の中心を挟んで一方側に第１電極を配置し、他方側に第２電極を配置して、対向する各電極側面に振動子の支持端間の中心よりも各電極側に突起部を形成することから、スティクションが発生しやすい領域は、第１電極も第２電極も形成しないことになる。このため、空間を形成するための犠牲膜エッチングの際に、溶液の表面張力によって振動子の振動部が第１電極や第２電極に接触することが避けられる。すなわち、スティクションの発生が防止される。さらに、第１電極および第２電極同士が対向する各電極側面にそれぞれ突起部を形成することにより、振動子に重なり合う領域の第１電極および第２電極の面積が稼げるので、振動子に振動を与える際に十分な静電力が確保される。
【００１７】
本発明の静電容量型共振素子の製造方法は、基板上に空間を介して両端が前記基板上に支持された振動子と、前記振動子下に前記空間の一部を介して前記基板上に形成された電極とを備えた静電容量型共振素子の製造方法であって、前記電極を形成する際に、前記電極における前記振動子の支持端間の中心を含む領域に開口部を形成することを特徴とする。
【００１８】
上記静電容量型共振素子の製造方法では、振動子の支持端間の中心に電極に開口部を形成することから、スティクションが発生しやすい領域は、電極が形成されない。このため、空間を形成するための犠牲膜エッチングの際に、溶液の表面張力によって振動子の振動部が電極に接触することが避けられる。
【００１９】
本発明の通信装置は、基板上に空間を介して両端が前記基板上に支持された振動子と、前記振動子下に前記空間の一部を介して前記基板上に形成された第１電極と、前記振動子下に前記空間の一部を介して前記基板上に前記第１電極と並設された第２電極とを備えた静電容量型共振素子を有するフィルタを搭載した通信装置において、前記振動子は２次モードの振動で振動し、前記第１電極および前記第２電極は、前記振動子の支持端間の中心を挟んで一方側に前記第１電極が配置され、他方側に前記第２電極が配置されるとともに、前記振動子と重なる位置で前記第１電極および前記第２電極が対向する各電極側面には前記中心よりも当該各電極側にそれぞれ突起部が形成されていることを特徴とする。
【００２０】
上記通信装置では、本発明の静電容量型共振素子を有するフィルタを搭載したことから、スティクションが防止された信頼性の高いフィルタを搭載することが可能になり、通信装置の信頼性が高められる。
【００２１】
本発明の通信装置は、基板上に空間を介して両端が前記基板上に支持された振動子と、前記振動子下に前記空間の一部を介して前記基板上に形成された電極とを備えた静電容量型共振素子を有するフィルタを搭載した通信装置において、前記電極は前記振動子の支持端間の中心を含む領域に開口部が形成されていることを特徴とする。
【００２２】
上記通信装置では、本発明の静電容量型共振素子を有するフィルタを搭載したことから、スティクションが防止された信頼性の高いフィルタを搭載することが可能になり、通信装置の信頼性が高められる。
【発明の効果】
【００２３】
本発明の静電容量型共振素子は、スティクションが発生しやすい振動子の支持端間の中心に電極を配置しないようにしたため、スティクションの発生を防止することができるので、信頼性の高い静電容量型共振素子が構成されるという利点がある。
【００２４】
本発明の静電容量型共振素子の製造方法は、スティクションが発生しやすい振動子の支持端間の中心に電極を配置しないように、電極を形成するため、スティクションの発生を防止することができるので、信頼性の高い静電容量型共振素子を製造することができるという利点がある。
【００２５】
本発明の通信装置は、本発明の静電容量型共振素子を有するフィルタを搭載したことから、スティクションが防止された信頼性の高いフィルタを搭載することが可能になり、通信装置の信頼性が高めることができるという利点がある。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２６】
本発明の静電容量型共振素子に係る一実施の形態の第１例を、図１より説明する。図１における（１）図は平面レイアウト図であり、（２）図は（１）図中のＡ−Ａ’線断面図である。
【００２７】
図１に示すように、表面が絶縁性の基板１０上に空間３１を介して振動子２１が形成されている。この振動子２１は、両端を上記基板１１上に形成された支持部２２、２３によって支持されたもので、例えば導電性を有するポリシリコンにより形成されていて、２次モードの振動を発現するものである。上記基板１０は、例えば半導体基板１１上に第１絶縁膜１２として例えば酸化シリコン膜、第２絶縁膜１３として例えば窒化シリコン膜が積層されたものである。また、上記支持部２２、２３は、導電性を有し振動子２１の電極配線を兼ねる。
【００２８】
さらに、上記基板１０上には上記振動子２１下に上記空間３１の一部を介して第１電極４１と第２電極５１とが並設されている。上記第１電極４１上および上記第２電極５１は、上記振動子２１の中心（上記支持部２２、２３間の中心：図面の中心線Ｌｃ）、すなわち上記振動子２１が振動した際にできる節を挟んで一方側に第１電極４１が配置され、他方側に第２電極５１が配置されるとともに、第１電極４１および第２電極５１が対向する側は上記振動子２１の中心（上記支持部２２、２３間の中心：図面の中心線Ｌｃ）側に向かって突起状に形成されている。
【００２９】
すなわち、上記第１電極４１の中心線Ｌｃ側は、例えば突起部４２、４２が、上記振動子２１の短手方向に配列され、振動子２１の短手方向の中心を挟んで形成されている。この突起部４２、４３は、例えば、四角形に形成されている。また、上記第２電極５１の中心線Ｌｃ側は、例えば突起部５２が、形成されている。この突起部５２は上記振動子２１の短手方向の中心に配置されている。この突起部５２は、例えば、四角形に形成されている。
【００３０】
また、上記支持部２２には電極６１が接続されている。
【００３１】
上記説明したように、静電容量型共振素子１は、振動子２１の支持端間の中心（図面の中心線Ｌｃ）を挟んで一方側に第１電極４１が配置され、他方側に第２電極５１が配置されていて、各突起部４２、４３、５２が対向する各電極側面に振動子４１、５１の支持端間の中心よりも各電極側に形成されていることから、スティクションが発生しやすい領域は、第１電極４１も第２電極５１も形成されていない。このため、空間３１を形成するための犠牲膜エッチングの際に、溶液の表面張力によって振動子２１の振動部が第１電極４１や第２電極５１に接触することが避けられる。さらに、第１電極４１および第２電極５１は、各電極が対向する各電極側面に振動子２１の支持端間の中心よりも各電極側に突起部４２、４３、５２が形成されている。これにより、振動子２１に重なり合う領域の第１電極４１および第２電極５１の面積が稼げるので、振動子２１に振動を与える際に十分な静電力を確保することができ、大きな静電容量を得ることができる。よって、信頼性の高い静電容量型共振素子が構成されるという利点がある。
【００３２】
次に、本発明の構成が従来技術の構成よりもスティクションを発生しにくい構成であることを、図２のＰｕｌｌ−ｉｎ電圧と下部電極（第１電極）面積との関係により説明する。
【００３３】
図２に示すように、Ｐｕｌｌ−ｉｎ電圧と下部電極（第１電極）面積との関係を調べると、下部電極の面積が同一面積の場合、従来技術よりも本発明のほうがＰｕｌｌ−ｉｎ電圧が小さくなることがわかる。このＰｕｌｌ−ｉｎ電圧とは、下部電極（例えば第１電極４１もしくは第２電極５１）に電圧が印加された場合に振動子２１を引っ張って下部電極に接触する電圧である。したがって、電極面積にスティクション耐性が反比例することから、同じＰｕｌｌ−ｉｎ電圧でも電極面積の小さい本発明のほうがスティクションは発生しにくい。
【００３４】
一方、図３に示すように、電極間の誘電率をε、電極の面積をＳ、電極間距離をｄ、印加電圧をＶとすると、電極間に働く静電力Ｆは、Ｆ＝（１／２）・（ε・Ｓ／ｄ2）・Ｖ2）で表すことができる。すなわち、静電力は電極の面積に比例することがわかる。したがって、本発明の静電容量型共振素子では、十分な静電力を確保するために例えば、第１電極４１に突起部４２、４３を設け、第２電極５１に突起部５２を設けている。これによって、従来よりも振動子２１の中心（支持部２２、２３間の中心）より電極を離間させることによる電極面積の減少を抑制して、十分な静電力が得られるようになっている。
【００３５】
次に、本発明の静電容量型共振素子に係る一実施の形態の第２例〜第４例を、図４の平面レイアウト図により説明する。なお、振動子は第１電極および第２電極の各形状を見易くするために仮想線（２点鎖線）で示した。
【００３６】
図４（１）に示す第２例の静電容量型共振素子２は、第１電極４１の形状を前記図１によって説明した静電容量型共振素子１の第２電極５１の形状とし、第２電極５１の形状を前記図１によって説明した静電容量型共振素子１の第１電極４１の形状としたものであり、その他の構成は、前記図１によって説明した静電容量型共振素子１と同様である。
【００３７】
すなわち、表面が絶縁性の基板１０上に空間を介して振動子２１が形成される。この振動子２１は、両端を上記基板１０上に形成された支持部２２、２３によって支持されたもので、例えば導電性を有するポリシリコンにより形成されていて、２次モードの振動を発現するものである。上記基板１０は、例えば半導体基板上に第１絶縁膜として例えば酸化シリコン膜、第２絶縁膜として例えば窒化シリコン膜が積層されたものである。また、上記支持部２２、２３は、導電性を有し振動子２１の電極配線を兼ねる。
【００３８】
さらに、上記基板１０上には上記振動子２１下に上記空間の一部を介して第１電極４１と第２電極５１とが並設されている。上記第１電極４１上および上記第２電極５１は、上記振動子２１の中心（上記支持部２２、２３間の中心：図面の中心線Ｌｃ）を挟んで一方側に第１電極４１が配置され、他方側に第２電極５１が配置されるとともに、第１電極４１および第２電極５１が対向する側は上記振動子２１の中心（上記支持部２２、２３間の中心：図面の中心線Ｌｃ）側に向かって突起状に上記突起部４２、５２、５３が形成されている。また、上記支持部２２には電極６１が接続されている。
【００３９】
図４（２）に示す第３例の静電容量型共振素子３は、突起部４２、４３、５２の形状を台形状としたものであり、その他の構成は、前記図１によって説明した静電容量型共振素子１と同様である。
【００４０】
すなわち、表面が絶縁性の基板１０上に空間を介して振動子２１が形成される。この振動子２１は、両端を上記基板１０上に形成された支持部２２、２３によって支持されたもので、例えば導電性を有するポリシリコンにより形成されていて、２次モードの振動を発現するものである。上記基板１０は、例えば半導体基板上に第１絶縁膜として例えば酸化シリコン膜、第２絶縁膜として例えば窒化シリコン膜が積層されたものである。
【００４１】
さらに、上記基板１０上には上記振動子２１下に上記空間の一部を介して第１電極４１と第２電極５１とが並設されている。上記第１電極４１上および上記第２電極５１は、上記振動子２１の中心（上記支持部２２、２３間の中心：図面の中心線Ｌｃ）を挟んで一方側に第１電極４１が配置され、他方側に第２電極５１が配置されるとともに、第１電極４１および第２電極５１が対向する側は上記振動子２１の中心（上記支持部２２、２３間の中心：図面の中心線Ｌｃ）側に向かって突起状に上記突起部４２、４３、５２が形成されている。また、上記支持部２２には電極６１が接続されている。
【００４２】
図４（３）に示す第４例の静電容量型共振素子４は、突起部の配置のみ異なるもので、その他の構成は、前記図１によって説明した静電容量型共振素子１と同様である。
【００４３】
すなわち、表面が絶縁性の基板１０上に空間を介して振動子２１が形成されている。この振動子２１は、両端を上記基板１０上に形成された支持部２２、２３によって支持されたもので、例えば導電性を有するポリシリコンにより形成されていて、２次モードの振動を発現するものである。上記基板１０は、例えば半導体基板上に第１絶縁膜として例えば酸化シリコン膜、第２絶縁膜として例えば窒化シリコン膜が積層されたものである。また、上記支持部２２、２３は、導電性を有し振動子２１の電極配線を兼ねる。
【００４４】
さらに、上記基板１０上には上記振動子２１下に上記空間の一部を介して第１電極４１と第２電極５１とが並設されている。上記第１電極４１上および上記第２電極５１は、上記振動子２１の中心（上記支持部２２、２３間の中心：図面の中心線Ｌｃ）を挟んで一方側に第１電極４１が配置され、他方側に第２電極５１が配置されるとともに、第１電極４１および第２電極５１が対向する側は上記振動子２１の中心（上記支持部２２、２３間の中心：図面の中心線Ｌｃ）側に向かって突起状に上記突起部４２、５２が形成されている。
【００４５】
すなわち、上記第１電極４１の中心線Ｌｃ側は、例えば突起部４２が、上記振動子２１の短手方向の中心に形成されている。この突起部４２は、好ましくは台形状に形成されるが、例えば四角形に形成することもできる。また、上記第２電極５１の中心線Ｌｃ側は、例えば突起部５２が、上記振動子２１の短手方向の中心に形成されている。この突起部５２は、好ましくは台形状に形成されるが、例えば四角形に形成することもできる。
【００４６】
また、上記支持部２２には電極６１が接続されている。
【００４７】
上記説明したように、突起部４２、４３、５２、５３等を形成することにより、振動子２１に振動を与えるに十分な静電力を確保することができ、大きな静電容量を得ることができる。また、前記図１によって説明した静電容量型共振素子１と同様に、振動子２１の支持端間の中心（図面の中心線Ｌｃ）を挟んで一方側に第１電極４１が配置され、他方側に第２電極５１が配置されていて、各突起部４２、４３、５２、５３等が対向する各電極側面に振動子４１、５１の支持端間の中心よりも各電極側に形成されていることから、スティクションが発生しやすい領域は、第１電極４１も第２電極５１も形成されていない。このため、振動子２１と各電極との間に空間を形成するための犠牲膜エッチングの際に、溶液の表面張力によって振動子２１の振動部が第１電極４１や第２電極５１に接触することが避けられる。よって、信頼性の高い静電容量型共振素子を製造することができるという利点がある。
【００４８】
次に、本発明の静電容量型共振素子に係る一実施の形態の第５例を、図５より説明する。図５における（１）図は平面レイアウト図であり、（２）図は（１）図中のＢ−Ｂ’線断面図である。
【００４９】
図５に示すように、表面が絶縁性の基板１０上に空間３１を介して振動子２１が形成されている。この振動子２１は、両端を上記基板１０上に形成された支持部２２、２３によって支持されたもので、例えば導電性を有するポリシリコンにより形成されていて、２次モードの振動を発現するものである。上記基板１０は、例えば半導体基板１１上に第１絶縁膜１２として例えば酸化シリコン膜、第２絶縁膜１３として例えば窒化シリコン膜が積層されたものである。また、上記支持部２２、２３は、導電性を有し振動子２１の電極配線を兼ねる。
【００５０】
さらに、上記基板１０上には上記振動子２１下に上記空間３１の一部を介して電極７１が形成されている。この電極７１は、上記振動子２１の中心（上記支持部２２、２３間の中心：図面の中心線Ｌｃ）に配置されるように形成されていて、上記電極７１の中心には開口部７２が形成されている。この開口部７２は、例えば、四角形に形成されている。また、上記電極７１は、上記開口部７２が形成されている部分が振動子２１の長手方向に拡張した形状に形成されている。
【００５１】
また、上記支持部２２には電極６１が接続されている。
【００５２】
上記説明したように、上記静電容量型共振素子５では、振動子２１の支持端間の中心（図面の中心線Ｌｃ）に電極７１に形成された開口部７２が配置されていることから、スティクションが発生しやすい領域は、電極７１が形成されていない。このため、空間３１を形成するための犠牲膜エッチングの際に、溶液の表面張力によって振動子の振動部２１が電極７１に接触することが避けられる。また、開口部７２の両側に幅を有する電極７１が形成されていることから、振動子２１に振動を与えるに十分な静電力を確保することができ、大きな静電容量を得ることができる。よって、信頼性の高い静電容量型共振素子が構成されるという利点がある。
【００５３】
次に、本発明の静電容量型共振素子に係る一実施の形態の一例を、図６〜図８の製造工程断面図により説明する。図６〜図８で説明する製造工程は、前記図１、図４によって説明した静電容量型共振素子１〜４の製造工程であり、第１電極および第２電極のパターン形状を代えることによって各静電容量型共振素子１〜４を製造することができる。
【００５４】
図６（１）に示すように、例えば半導体基板１１上に第１絶縁膜１２として例えば酸化シリコン膜、第２絶縁膜１３として例えば窒化シリコン膜を積層して、基板１０を構成する。上記酸化シリコン膜、窒化シリコン膜は、例えば化学的気相成長（以下ＣＶＤという、ＣＶＤはChemical Vapor Deposition の略）法、例えば減圧ＣＶＤ法により形成される。
【００５５】
次に、図６（２）に示すように、上記基板１０上に電極を形成するための電極形成膜を形成する。この電極形成膜は、導電性を有する多結晶シリコンで形成する。このような導電性を有する多結晶シリコンとしては、例えばリン（Ｐ）を含有した多結晶シリコンがある。その後、リソグラフィ技術によるレジストマスク（図示せず）の形成、そのレジストマスクを用いたエッチングにより上記電極形成膜を加工して、第１電極４１、第２電極５１および後に形成される振動子が支持されるもので振動子の電極配線となる支持部２２、支持部２３を形成する。その後、上記エッチングに用いたレジストマスクを除去する。
【００５６】
上記第１電極４１上および上記第２電極５１は、並設され、上記支持部２２、支持部２３間の中心（図面の中心線Ｌｃ）を挟んで両側に並設される。図８に示すように、上記第１電極４１は、上記第２電極５１と対向する側の側面に連続して、上記支持部２２、２３間の中心（図面の中心線Ｌｃ）側に向かって突起部４２、４３が形成される。同様に、上記第２電極５１は、上記第１電極４１と対向する側の側面に連続して、上記支持部２２、２３間の中心（図面の中心線Ｌｃ）側に向かって突起部５２が形成される。この突起部の形状、形成数、形成位置は、前記図１、図４によって説明したのと同様とすることができる。
【００５７】
次に、図６（３）に示すように、上記支持部２２、２３、第１電極４１、第２電極５１等を被覆するように、犠牲膜８１を形成する。この犠牲膜８１は、例えば酸化シリコン（ＳｉＯ2）膜で形成することができ、例えば減圧ＣＶＤ法により形成することができる。その後、平坦化技術を用いて上記支持部２２、２３、第１電極４１、第２電極５１等の間を埋め込む。この平坦化技術としては、例えばリフロー技術がある。また、平坦化技術に化学的機械研磨（以下ＣＭＰという、ＣＭＰはChemical Mechanical Polishingの略）によることもできる。また、酸化シリコン膜の形成は、上記成膜方法に限定されず、その他のＣＶＤ技術、塗布技術等によって形成することもできる。
【００５８】
次に、図６（４）に示すように、リソグラフィ技術によるレジストマスク（図示せず）の形成、そのレジストマスクを用いたエッチングにより上記犠牲膜８１を加工して、振動子が支持されるもので振動子の電極配線となる支持部２２、支持部２３に達する開口部８２、８３を形成する。その後、上記エッチングに用いたレジストマスクを除去する。
【００５９】
次に、図６（５）に示すように、上記開口部８２、８３を含む上記犠牲膜８１上に振動子形成膜を形成する。この振動子形成膜は、例えば多結晶シリコン膜で形成され、例えば減圧ＣＶＤ法により形成することができる。次いで、リソグラフィ技術によるレジストマスク（図示せず）の形成、そのレジストマスクを用いたエッチングにより上記振動子形成膜を加工して、上記開口部８２、８３を通じて上記支持部２２、支持部２３に支持される振動子２１を形成する。上記エッチング加工は、例えば反応性イオンエッチングによる。
【００６０】
次に、エッチング技術により選択的に上記犠牲膜８１を除去する。その結果、図７（６）に示すように、支持部２２、２３に両端が支持された振動子２１が形成される。上記エッチングは例えばウエットエッチングにより、例えば、犠牲膜８１を形成する酸化シリコンを選択的にエッチングできるエッチング液には、例えば希フッ酸（ＤＨＦ）を用いる。このようにエッチングして犠牲膜８１を完全に除去することで、上記振動子２１が形成されるとともに、第１電極４１上および第２電極５１上に所定の間隔の空間３１が形成される。この空間３１の上記第１電極４１および第２電極５１と振動子２１との間隔（ギャップ）は、上記第１電極４１上および第２電極５１上の犠牲膜８１の膜厚によって決定される。
【００６１】
次に、図７（７）に示すように、電極配線形成膜を成膜した後、通常のリソグラフィ技術およびエッチング技術により上記電極配線形成膜をパターニングして、上記支持部２２に接続される電極配線６１を形成する。上記電極配線形成膜は、例えばアルミニウム銅合金、アルミニウムシリコン合金等で形成することができ、成膜方法としては、例えばスパッタリング法、蒸着法等を用いることができる。またエッチング加工には、通常のドライエッチング技術を用い、例えば反応性イオンエッチングにより加工する。
【００６２】
上記静電容量型共振素子１の製造方法では、振動子２１の支持端間の中心を挟んで一方側に第１電極４１を配置し、他方側に第２電極５１を配置して、対向する各電極側面に振動子２１の支持端間の中心よりも各電極側に突起部４２、４３、５２等を形成することから、スティクションが発生しやすい領域は、第１電極４１も第２電極５１も形成しないことになる。このため、空間３１を形成するための犠牲膜８１のエッチングの際に、溶液の表面張力によって振動子２１の振動部が第１電極４１や第２電極５１に接触することが避けられる。すなわち、スティクションの発生が防止される。さらに、第１電極４１および第２電極５１同士が対向する各電極側面で振動子２１の支持端間の中心よりも各電極側に突起部４２、４３、５２等を形成することにより、振動子２１に重なり合う領域の第１電極４１および第２電極５１の面積が稼げるので、振動子２１に振動を与える際に十分な静電力が確保される。
【００６３】
また、前記図５によって接続した静電容量型共振素子５を製造する場合には、第１電極および第２電極の代わりに前記図５によって説明したような電極７１を形成すればよい。この製造方法では、振動子２１の支持端間の中心に電極７１に開口部７２を形成することから、スティクションが発生しやすい領域は、電極７１が形成されない。このため、空間３１を形成するための犠牲膜８１のエッチングの際に、溶液（例えばエッチング液やエッチング洗浄液等）の表面張力によって振動子２１の振動部２１ａが電極７１に接触することが避けられる。また、開口部７２の両側に幅を有する電極７１が形成されていることから、振動子２１に振動を与えるに十分な静電力を確保することができ、大きな静電容量を得ることができる。よって、信頼性の高い静電容量型共振素子を製造することができるという利点がある。
【００６４】
次に、本発明の通信装置に係る一実施の形態の一例を、図９のブロック図により説明する。図９で説明する通信装置は、前記本発明の静電容量型共振素子１〜５のいずれかを用いたフィルタを備えたものである。このフィルタとしては、高周波（ＲＦ）フィルタ、中間周波（ＩＦ）フィルタ等として用いることができる。このようなフィルタを備えた通信装置には、例えば携帯電話機、個人用携帯情報端末（ＰＤＡ：Personal Digital Assistance）機器、無線ＬＡＮ機器、無線トランシーバ、テレビジョンチューナ、ラジオチューナ等の、電磁波を利用して通信する通信装置がある。
【００６５】
図９に示すように、通信装置２００の送信系の構成を説明する。この送信系は、例えば、Ｉチャンネルの送信データをデジタル／アナログ変換器（ＤＡＣ）２０１Ｉに供給してアナログ信号に変換する。またＱチャンネルの送信データをデジタル／アナログ変換器（ＤＡＣ）２０１Ｑに供給してアナログ信号に変換する。変換された各チャンネルの信号は、バンド・パス・フィルタ２０２Ｉおよび２０２Ｑに供給して、送信信号の帯域以外の信号成分を除去し、バンド・パス・フィルタ２０２Ｉおよび２０２Ｑの出力を変調器２１０に供給する。
【００６６】
変調器２１０では、各チャンネルにバッファアンプ２１１Ｉおよび２１１Ｑを介してミキサ２１２Ｉおよび２１２Ｑに供給して、送信用のＰＬＬ（phase-locked loop）回路２０３から供給される送信周波数に対応した周波数信号を混合して変調し、両混合信号を加算器２１４で加算して１系統の送信信号とする。この場合、ミキサ２１２Ｉに供給する周波数信号は、移相器２１３で信号位相を９０°シフトさせてあり、Ｉチャンネルの信号とＱチャンネルの信号とが直交変調されるようにしてある。
【００６７】
加算器２１４の出力は、バッファアンプ２１５を介して電力増幅器２０４に供給し、所定の送信電力となるように増幅する。電力増幅器２０４で増幅された信号は、送受信切換器２０５と高周波フィルタ２０６を介してアンテナ２０７に供給し、アンテナ２０７から無線送信させる。高周波フィルタ２０６は、この通信装置で送信および受信する周波数帯域以外の信号成分を除去するバンド・パス・フィルタである。
【００６８】
受信系の構成としては、アンテナ２０７で受信した信号を、高周波フィルタ２０６および送受信切換器２０５を介して高周波部２２０に供給する。高周波部２２０では、受信信号を低ノイズアンプ（ＬＮＡ）２２１で増幅した後、バンド・パス・フィルタ２２２に供給して、受信周波数帯域以外の信号成分を除去し、バッファアンプ２２３を介して除去された信号をミキサ２２４に供給する。そして、チャンネル選択用ＰＬＬ回路２５１から供給される周波数信号を混合して、所定の送信チャンネルの信号を中間周波信号とし、バッファアンプ２２５を介してその中間周波信号を中間周波回路２３０に供給する。
【００６９】
中間周波回路２３０では、バッファアンプ２３１を介して供給される中間周波信号をバンド・パス・フィルタ２３２に供給して、中間周波信号の帯域以外の信号成分を除去し、除去された信号を自動ゲイン調整回路（ＡＧＣ回路）２３３に供給して、ほぼ一定のゲインの信号とする。自動ゲイン調整回路２３３でゲイン調整された中間周波信号は、バッファアンプ２３４を介して復調器２４０に供給する。
【００７０】
復調器２４０では、バッファアンプ２４１を介して供給される中間周波信号をミキサ２４２Ｉおよび２４２Ｑに供給して、中間周波用ＰＬＬ回路２５２から供給される周波数信号を混合して、受信したＩチャンネルの信号成分とＱチャンネルの信号成分を復調する。この場合、Ｉ信号用のミキサ２４２Ｉには、移相器２４３で信号位相を９０°シフトさせた周波数信号を供給するようにしてあり、直交変調されたＩチャンネルの信号成分とＱチャンネルの信号成分を復調する。
【００７１】
復調されたＩチャンネルとＱチャンネルの信号は、それぞれバッファアンプ２４４Ｉおよび２４４Ｑを介してバンド・パス・フィルタ２５３Ｉおよび２５３Ｑに供給して、ＩチャンネルおよびＱチャンネルの信号以外の信号成分を除去し、除去された信号をアナログ／デジタル変換器（ＡＤＣ）２５４Ｉおよび２５４Ｑに供給してサンプリングしてデジタルデータ化し、Ｉチャンネルの受信データおよびＱチャンネルの受信データを得る。
【００７２】
ここまで説明した構成において、各バンド・パス・フィルタ２０２Ｉ、２０２Ｑ、２０６、２２２、２３２、２５３Ｉ、２５３Ｑの一部又は全てとして、上述した実施の形態の構成のフィルタを適用して帯域制限することが可能である。
【００７３】
本発明の通信装置２００によれば、フィルタを構成する静電駆動型振動子に安定な直流バイアス電圧を供給することができるので、出力される高周波信号又は／および中間周波信号の時間変動を抑制することができ、また、突発的に印加される高電圧パルス（サージ電圧）による振動子の破壊を防止することができ、信頼性の高い通信装置を提供することができる。
【００７４】
上記実施の形態では、各フィルタをバンド・パス・フィルタとして構成したが、所定の周波数よりも下の周波数帯域だけを通過させるロー・パス・フィルタや、所定の周波数よりも上の周波数帯域だけを通過させるハイ・パス・フィルタとして構成して、それらのフィルタに上述した各実施の形態の構成のフィルタを適用してもよい。また、前記図９の例では、無線送信および無線受信を行う通信装置としたが、有線の伝送路を介して送信および受信を行う通信装置が備えるフィルタに適用してもよく、さらに送信処理だけを行う通信装置や受信処理だけを行う通信装置が備えるフィルタに、上述した実施の形態の構成のフィルタを適用してもよい。
【００７５】
本発明の通信装置２００は、本発明の静電容量型共振素子を有するフィルタを搭載したことから、スティクションが防止された信頼性の高いフィルタを搭載することが可能になり、通信装置の信頼性が高めることができるという利点がある。
【図面の簡単な説明】
【００７６】
【図１】本発明の静電容量型共振素子に係る一実施の形態の第１例を示す平面レイアウト図および（１）図中のＡ−Ａ’線断面図である。
【図２】Ｐｕｌｌ−ｉｎ電圧と下部電極（第１電極）面積との関係図である。
【図３】電極間の静電力Ｆを説明する概略構成斜視図である。
【図４】本発明の静電容量型共振素子に係る一実施の形態の第２例〜第４例を示す平面レイアウト図である。
【図５】本発明の静電容量型共振素子に係る一実施の形態の第５例を示す平面レイアウト図および（１）図中のＢ−Ｂ’線断面図である。
【図６】本発明の静電容量型共振素子の製造方法に係る一実施の形態の一例を示す製造工程断面図である。
【図７】本発明の静電容量型共振素子の製造方法に係る一実施の形態の一例を示す製造工程断面図である。
【図８】本発明の静電容量型共振素子の製造方法に係る一実施の形態の一例を示す平面レイアウト図である。
【図９】本発明の通信装置に係る一実施の形態の一例を示すブロック図である。
【図１０】従来の静電容量型共振素子に係る一例を示す平面レイアウト図および（１）図中のＣ−Ｃ’線断面図である。
【図１１】従来の静電容量型共振素子に係る一例を示す平面レイアウト図および（１）図中のＤ−Ｄ’線断面図である。
【符号の説明】
【００７７】
１…静電容量型共振素子、１０…基板、２１…振動子、３１…空間、４１…第１電極、４２，４３…突起部、５１…第２電極、５２…突起部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
0004736735.tif 000009
【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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