(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
ポリカーボネート樹脂から形成され、エンボスピットまたは案内溝が設けられた０.３〜１.２ｍｍの厚さの基板上に、反射層および３〜２００μｍの厚さの透明保護層がこの順に具備され、当該透明保護層側から光ビームを照射してその反射光の光強度変化に基づいて記録情報を再生する光学記録媒体において、
（ｉ）当該ポリカーボネート樹脂が下記式（Ｉ）で表される繰り返し単位の主鎖を有すると共に、
（ｉｉ）全末端基の少なくとも２０ｍｏｌ％が、下記式（III）および（IV）で表される末端基で構成され、これらのモル比が７０：３０〜８０：２０の範囲であるか、または下記式（Ｖ）で表される末端基で構成され、
（ｉｉｉ）その粘度平均分子量が１００００〜１７０００であり、
（ｉｖ）ＡＳＴＭ  Ｄ−０５７０で定義する吸水率が０.２１重量％以下であり、かつ、
（ｖ）ガラス転移温度が１３０℃以上である、
ことを特徴とした光学記録媒体。
【化１】
0004644392.tif 000008
【化３】
0004644392.tif 000009
【化４】
0004644392.tif 000010
（式中アルキル鎖の結合位置はｏ−、ｍ−、ｐ−のいずれでもよい）
【化５】
0004644392.tif 000011
（式中フェニル基の結合位置はｏ−、ｍ−、ｐ−のいずれでもよい）
【請求項２】
該反射層と透明保護層との間に記録膜を有する請求項１記載の光学記録媒体。
【請求項３】
記録膜あるいは反射層が複数積層される、多層構造であることを特徴とする請求項１記載の光学記録媒体。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、透明保護層側から光ビームを照射してその反射光の光強度変化に基づいて記録情報を再生する表面記録再生用情報記録媒体に関する。
【０００２】
【従来の技術】
通常のＣＤ、ＣＤ−ＲＯＭなどの光ディスクにおいては、１.２ｍｍ厚の透明基板の一方の面上に記録データに応じたエンボスピットが形成され、さらにその上にＡｌ（アルミニウム）などからなる反射膜が形成されている。こうしたＣＤに記録された情報は、反射膜が設けられた面とは反対側の透明基板側から集光ビームを照射することにより再生される。
【０００３】
より記録密度が高密度化されたＤＶＤやＤＶＤ−ＲＯＭディスクにおいては、０.６ｍｍ厚の透明基板の一方の面上にＣＤの場合よりも微細なエンボスピットが形成され、さらにその上にＡｌなどからなる反射膜が形成されている。こうしたディスクの記録面に記録された情報の再生は、ＣＤの場合と同様に反射膜が形成されている面とは反対側の透明基板側から集光ビームを照射することにより行われる。
【０００４】
０.６ｍｍ厚の基板の材料としては、透明な樹脂材料であるＰＣ（ポリカーボネート）が一般的に使用されている。０.６ｍｍのＰＣ基板では、機械的特性が十分ではなく、そのままでは基板が反ってしまうため、記録面が内側となるよう２枚の０.６ｍｍＰＣ基板を貼り合わせて、合計厚さ１.２ｍｍのディスクとして機械的特性を確保している。
【０００５】
なお、ＤＶＤディスクの基板厚が０.６ｍｍとなったのは、チルトマージンを確保するためである。トラックピッチ、ピット密度がより詰まるとディスクの傾き、いわゆるチルトのマージンが減少してしまう。１.２ｍｍから０.６ｍｍへと基板厚を小さくすることによって、チルトマージンは確保することができるが、機械的強度の低下は避けられない。
【０００６】
ところが近年になって、新しい方式の光学記録媒体が提案された。例えば、特開平１１−７６５８号公報には「熱可塑性樹脂からなり、０.３〜１.２ｍｍの厚さの支持体と、上記支持体上に案内溝と、該案内溝上に、順に、少なくとも反射膜と、相変化型記録膜とからなる記録領域を有し、少なくとも上記記録領域において、３〜１７７μｍの厚さの透明保護層が形成されて成り、上記透明保護層の、厚さムラをΔｔとしたときに、再生、もしくは記録再生する光学系のＮ.Ａ.および波長λとの間に、
Δｔ≦５.２６（λ／Ｎ.Ａ.4）（μｍ）（Ｎ.Ａ.は開口数）
の関係を満たすことを特徴とする光学記録媒体」が提案され、透明保護層の厚さと、その厚さむらの関係を規定することにより、大容量化が可能な光記録媒体が提供されるとしている。
【０００７】
そして一つの例として、記録容量８ＧＢの高密度を達成するための光学記録媒体に必要な条件をまとめ、次のように示されている。即ち、記録再生光学系がλ≦０.６８μｍかつＮ.Ａ.／λ≦１.２０をみたし、かつ、記録領域内で透明保護層の厚さｔ＝３〜１７７μｍ、透明保護層の厚さむら、およびその他特性が、
△ｔ≦±５.２６（λ／Ｎ.Ａ.4）（μｍ）
トラックピッチＰ≦０.６４（μｍ）
公差△Ｐ≦±０.０４Ｐ（μｍ）
線密度ｄ≦０.１１６１／Ｐ（μｍ／ｂｉｔ）
ディスクスキュー  Θ≦８４.１１５×（λ／Ｎ.Ａ.3／ｔ）
偏心Ｅ≦６７.５７Ｐ（μｍ）
表面粗さＲａ≦±３λ／１００（スポット照射領域内）
というものである。
【０００８】
その他、片面記録方式として、特開平１１−２９６９０４号公報において、
「エンボスピットまたは案内溝が設けられた記録面を有する基板と、この基板の前記記録面の上に形成された反射膜と、この反射膜の上に形成された保護膜とを具備し、前期保護膜が形成された側である第１の表面と、この第１の表面に対向する第２の表面との２つの面により表面が構成され、前記第１の表面側から光ビームを照射してその反射光の光強度変化に基づいて記録情報を再生する情報記録媒体であって、前記基板の記録面から前記第１の表面までの距離は、前記基板の厚さより小さく前記第１の表面は平滑であることを特徴とする情報記録媒体」のように提案されている。
このような構成にするのは記録密度を高めても十分なチルトマージンと機械的強度とを確保しうる情報記録媒体を提供するためである。
【０００９】
しかし、上記改良により機械特性の課題を解決しても片面信号の光記録媒体であるため、温度湿度の環境変化における基板の吸湿、または脱湿によりディスクが時間の経過とともに反りを生じ、信号が読み出せない等のフォーカスエラーやトラッキングエラーを起こしやすいといった問題が生じている。
このような環境変化におけるディスクの反りは従来のＣＤでも問題となっていたが、本発明で課題とするディスクは、高Ｎ.Ａ.（開口率）の対物レンズを使用し、光ピックアップが複雑となっているため、要求は一層厳しいものになっている。
【００１０】
日経エレクトロニクス  ２０００.７.１７（Ｎｏ.７７４）１４２〜１６８ページ記載の内容によれば、本発明で課題としているディスクの光ピックアップ方式は従来と全く異なっている。図１に簡単に本発明で課題としているディスクの光学系とディスクの関係を図示するが、前述したように、高Ｎ.Ａ.の対物レンズ（１）が使用され、透明保護層（２）の厚さは３〜２００μｍと非常に薄くなっている。さらに、新しい光ピックアップ方式はディスク面と対物レンズの距離（３）ｗｏｒｋｉｎｇ  ｄｉｓｔａｎｃｅ）が０.１５ｍｍ前後と非常に小さくなっているのが特徴である。
【００１１】
さらに、この新しい方式のディスクは環境変化による反りによって、フォーカスエラーおよびトラッキングエラーを起こし易いだけでなく、光ピックアップが透明保護層に衝突するといった問題も生じている。
ディスクが反ることにより発生する読み取りエラーおよびディスクとレンズの衝突の回避には基板の吸水率を下げる方法、またはハードコートで透明保護層の表面を保護するといった方法が用いられている。
【００１２】
基板の吸水率を下げる方法としては特開平９−５４９８２号公報で開示されている２、２−ビス（３−メチル−４−ヒドロキシフェニル）プロパンからのポリカーボネートを基板に用いる手段が挙げられる。しかし、２、２−ビス（３−メチル−４−ヒドロキシフェニル）プロパンは高価であるため、この方法は経済性に乏しくなるといった欠点を有する。
【００１３】
ところでポリカーボネート樹脂の末端基については、その多くは既に公知となっている。
【００１４】
特開平９−３２０１１０号公報では下記式（VI）および（ＶII）で表される末端基を有するポリカーボネート樹脂が開示されているものの、デジタルビデオディスク（ＤＶＤ）を対象としたものであり、表面記録再生用情報記録媒体については一切、記述されていない。また効果として成形時の割れが少ない、複屈折が小さい、転写性に優れるなどを挙げてはいるものの環境変化におけるディスクの反りを低減することに関しては一切記述されてなく、具体的事例も示されていない。
【００１５】
【化７】
0004644392.tif 000002
【００１６】
【化８】
0004644392.tif 000003
【００１７】
また、特開平１１−３００８４２号公報では炭素数５以上のアルキルフェノール末端を有したポリカーボネート樹脂が開示されているが、これに関しても表面記録再生用情報記録媒体は対象とされておらず、環境変化におけるディスクの反りを低減することに関しても一切記述されていない。
【００１８】
【発明が解決しようとする課題】
本発明者らは、前記の如き従来技術の動向に鑑み、簡単な改良により、安価で、且つ環境変化における反りの小さな表面記録再生用情報記録媒体を提供することを目的とし、鋭意研究し、本発明に到達した。
【００１９】
すなわち、本発明によれば、ポリカーボネート樹脂から形成され、エンボスピットまたは案内溝が設けられた０.３〜１.２ｍｍの厚さの基板上に、反射層および３〜２００μｍの厚さの透明保護層がこの順に具備され、当該透明保護層側から光ビームを照射してその反射光の光強度変化に基づいて記録情報を再生する光学記録媒体において、
（ｉ）当該ポリカーボネート樹脂が下記式（Ｉ）で表される繰り返し単位の主鎖を有すると共に、
（ｉｉ）全末端基の少なくとも２０ｍｏｌ％が、下記式（III）および（IV）で表される末端基で構成され、これらのモル比が７０：３０〜８０：２０の範囲であるか、または下記式（Ｖ）で表される末端基で構成され、
（ｉｉｉ）その粘度平均分子量が１００００〜１７０００であり、
（ｉｖ）ＡＳＴＭ  Ｄ−０５７０で定義する吸水率が０.２１重量％以下であり、かつ、
（ｖ）ガラス転移温度が１３０℃以上である、
ことを特徴とした光学記録媒体が提供される。
【００２０】
【化９】
0004644392.tif 000004
【００２１】
【化１０】
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【００２２】
【化１１】
0004644392.tif 000006
【００２３】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の具体的な実施の形態について、図面を参照しながら詳細に説明する。図２〜４は、それぞれ本発明を適用した光記録媒体として、光ディスクの一例を示す断面模式図である。なお、本発明で提案する光ディスクの構成はここに挙げた例に限定するものではない。
【００２４】
本発明を適用した光ディスク４は、図２に示すように、案内溝を有する基板（４ａ）上に光反射層（４ｂ）、記録層（４ｃ）、透明保護層（４ｄ）が順次積層形成されてなるものである。基板（４ａ）には、表面にデータ情報やトラッキングサーボ信号等の記録がなされる位相ピットや、プリグルーブ等の微細な凸凹等の所定の凸凹パターンからなる案内溝が形成されている。
【００２５】
また、光ディスク５は、図３に示すように、案内溝を有する基板（５ａ）上に光反射層（５ｂおよび５ｅ）、記録層（５ｃおよび５ｆ）が中間層（５ｄ）を挟み込み複数積層された多層構造であることを特徴としており、表面には透明保護層（５ｇ）が形成される。  さらに、光ディスク６では、図４に示すようにエンボスピットまたは案内溝が基板（６ａ）の両面に設けられ、該反射層（６ｂおよび６ｄ）および記録層（６ｃおよび６ｅ）、透明保護層（６ｆ）も共に両面に順次積層形成することを特徴としている。なお、これら光ディスクを構成する基板、光反射層、記録層および透明保護層には同一もしくは類似の特性を持つ材料が使用可能である。
以下に好適な材料ならびに基板の特性を示す。
【００２６】
本発明におけるポリカーボネート樹脂は、式（Ｉ）で表される繰り返し単位の主鎖を有すると共に、末端が式（III）〜(Ｖ)で封止されていることを特徴とする。ポリカーボネート樹脂は吸水率が０.２１重量％以下であればよい。吸水率が０.２１重量％を超える場合は環境変化による吸湿、脱湿によりディスクの反り変形が増大し、フォーカスエラーやトラッキングエラーを引き起こすため、好ましくない。なお、光ディスクの吸湿および脱湿過程における反り変形は後述する方法により測定し、ΔＴｉｌｔが０.９度以内になればよく、好ましくは０.７５度以内、さらに好ましくは０.５度以内となればよい。
【００２８】
末端基は二種以上含まれていても良く、一般式（III）で示すｐ−ｔｅｒｔ−ブチルフェノキシ基と一般式（IV）で表す末端基を組み合わせて用いるか、一般式（Ｖ）を単独で用いるのが好適である。
一般式（III）で示すｐ−ｔｅｒｔ−ブチルフェノキシ基と一般式（IV）で表す末端基を組み合わせる場合、モル比で７０：３０〜８０：２０の範囲で用いるのが好ましい。ｐ−ｔｅｒｔ−ブチルフェノキシ基が８０モル％を超えると、吸水率が０.２１重量％以下とならず、環境変化におけるディスクの反り変化が増大し、期待する効果が得られない。また、ｐ−ｔｅｒｔ−ブチルフェノキシ基が７０モル％より少ないとガラス転移温度が１３０℃より低くなり、ディスクとしての耐熱性が低下するため適切ではない。
次にかかるポリカーボネート樹脂の製造方法の例を挙げる。
【００２９】
本発明で使用されるポリカーボネート樹脂は通常の芳香族ポリカーボネート樹脂を製造する際に用いる公知の方法、例えば二価フェノールにホスゲンや炭酸ジエステルなどのカーボネート前駆物質を反応させる方法により製造される。
カーボネート前駆物質として、例えばホスゲンを使用する反応では、通常酸結合剤の水溶液に二価フェノールを溶解し、有機溶剤の存在下に反応させる。このとき、反応前もしくは反応後に、末端停止剤としてアルキル基またはアリール基により修飾された単官能フェノール類を投入することで、所望の分子量に調節することが可能である。酸結合剤としては、例えば水酸化ナトリウム、水酸化カリウム等のアルカリ金属水酸化物またはピリジン等のアミン化合物が用いられ、有機溶媒としては、例えば塩化メチレン、クロロベンゼン等のハロゲン化炭化水素が用いられる。
【００３０】
また、反応促進のために例えばトリエチルアミン、テトラ−ｎ−ブチルアンモニウムブロマイド、テトラ−ｎ−ブチルホスホニウムブロマイド等の第三級アミン、第四級アンモニウム化合物、第四級ホスホニウム化合物等の触媒を用いることもできる。その際、反応温度は通常０〜４０℃、反応時間は１０分〜５時間程度、反応中のｐＨは９以上に保つのが好ましい。
【００３１】
かくして得られる芳香族ポリカーボネート樹脂はそのポリマー０.７ｇを１００ｍｌの塩化メチレンに溶解し、２０℃で測定した比粘度が０.２〜０.５のものが好ましく、０.２５〜０.３５の範囲のものがより好ましい。比粘度が０.２未満では成形品が脆くなり、０.５より高くなると溶融流動性が悪く、成形不良を生じ、光学的に良好な成形品が得られ難くなる。
【００３２】
また、得られるポリカーボネート樹脂の粘度平均分子量は１００００〜１７０００の範囲にあることを要する。この粘度平均分子量が１００００未満では基板成型時に割れが生じるおそれがあり、また１７０００を超えると流動性が悪化し、成型性が劣る。
本発明のポリカーボネート樹脂には、熱安定剤としてリン酸、亜リン酸、ホスホン酸、亜ホスホン酸およびこれらのエステルよりなる群から選択された少なくとも１種のリン化合物を熱安定剤として配合することができる。このリン化合物を配合することにより、かかる光ディスク用樹脂の熱安定性が向上し、成形時における分子量の低下や色相の悪化が防止される。
【００３３】
かかる熱安定剤の配合量は、該ポリカーボネート樹脂に対して０.０００１〜０.０５重量％であり、０.０００５〜０.０２重量％が好ましく、０.００１〜０.０１重量％が特に好ましい。配合量が０.０００１重量％未満では上記効果が得られ難く、０.０５重量％を超えると、逆に該ポリカーボネート樹脂の熱安定性に悪影響を与えることがあり、また樹脂によっては耐加水分解性も低下するので好ましくない。
【００３４】
本発明のポリカーボネート樹脂には、酸化防止の目的で通常知られた酸化防止剤を添加することができる。その例としてはフェノール系酸化防止剤を示すことができる。これら酸化防止剤の好ましい添加量の範囲は該ポリカーボネート樹脂に対して、０.０００１〜０.０５重量％である。
さらに本発明のポリカーボネート樹脂には、必要に応じて一価または多価アルコールの高級脂肪酸エステルを加えることもできる。この一価または多価アルコールの高級脂肪酸エステルを配合することにより、前記ポリカーボネート樹脂の成形時の金型からの離型性が改良され、ディスク基板の成形においては、離型荷重が少なく離型不良によるディスク基板の変形、ピットずれを防止できる。また、該ポリカーボネート樹脂の溶融流動性が改善される利点もある。
【００３５】
かかるアルコールと高級脂肪酸とのエステルの配合量は、該ポリカーボネート樹脂に対して０.０１〜２重量％であり、０.０１５〜０.５重量％が好ましく、０.０２〜０.２重量％がより好ましい。配合量が０.０１重量％未満では上記効果が得られず、２重量％を越えると成形の際に金型表面の汚れの原因ともなる。
本発明の光ディスク基板用樹脂には、さらに他の熱可塑性樹脂、光安定剤、着色剤、帯電防止剤、滑剤などの添加剤を、転写性、ならびに成形したディスクの吸湿および脱湿過程における反りの低減効果を損なわない範囲で加えることができる。
【００３６】
本発明の樹脂組成物の調製において、他の樹脂との混合は、ポリマー溶液、粉粒体またはペレット等の成形品の各段階での実施が考えられるが、特に制限するものではない。また混合の方法については、ポリマー溶液の段階では、例えば、攪拌機付き容器が主として考えられ、また、粉粒体、ペレット等の成形品の段階では、例えばタンブラー、Ｖ型ブレンダー、ナウターミキサー、バンバリーミキサー、混練ロールまたは押出機などで混合する方法が用いられる。いずれの場合も任意の方法が採用でき、特に制限はないが、混合操作中の異物混入に対する除去方法の簡便さからポリマー溶液状態での混合後、適切な目開きのフィルターを通過させる方法が好ましい。
次に光ディスクの製造方法について説明する。
【００３７】
上記光ディスク基板用樹脂より光ディスク基板を製造する場合には光記録媒体に必要なスペックを満たすピッチおよびグルーブ、並びに表面むらを実現したスタンパが装着された射出成形機（射出圧縮成形機を含む）を用い、射出成形法にて作成する。この時ディスク基板の厚さは０.３〜１.２ｍｍとする。この射出成形機としては一般的に使用されているもので良いが、炭化物の発生を抑制しディスク基板の信頼性を高める観点からシリンダーやスクリューと樹脂との付着性が低く、かつ耐食性、耐摩耗性を有する材料を使用したものを用いるのが好ましい。成形工程での環境は、本発明の目的から考えて、可能な限りクリーンであることが好ましい。また、成形に供する材料を十分乾燥して水分を除去することや、溶融樹脂の分解を招くような滞留を起こさないように配慮することも重要となる。
本発明における光ディスク基板用樹脂は、射出成形または射出圧縮成形の際に、転写性の良好となる十分な流動性を有していることが好ましい。
【００３８】
つづいて本発明の光ディスク基板は、その片面に少なくとも反射膜を形成させることにより光ディスクとなる。この材料としては、金属元素を単独で、あるいは複合させて用いることができる。そのうちＡｌおよびＡｕを単独で使用するか、もしくは０.５重量％以上１０重量％以下、特に好ましくは３.０重量％以上１０重量％以下のＴｉを含有するＡｌ合金、０.５重量％以上１０重量％以下のＣｒを含有するＡｌ合金を使用するのが好ましい。また該反射膜は、イオンビームスパッタ法、ＤＣスパッタ法またはＲＦスパッタ法などの手段で形成させることができる。
【００３９】
通常この金属薄膜（反射層）の他に、基本的には記録層４（ＤＶＤ−ＲＡＭ、ＤＶＤ−Ｒタイプの場合は相変化膜、染料が挙げられ、光磁気ディスクの場合は光磁気記録膜が挙げられる）および透明保護層５が形成されて本発明の光ディスクとなる。
かかる相変化膜記録材料層としては、例えば単体のカルコゲンやカルコゲン化合物が用いられる。具体的には、Ｔｅ、Ｓｅの各単体、Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅ，Ｇｅ−Ｔｅ，Ｉｎ−Ｓｂ−Ｔｅ，Ｉｎ−Ｓｅ−Ｔｅ−Ａｇ，Ｉｎ−Ｓｅ，Ｉｎ−Ｓｅ−Ｔｌ−Ｃｏ，Ｉｎ−Ｓｂ−Ｓｅ，Ｂｉ2Ｔｅ3，ＢｉＳｅ，Ｓｂ2Ｓｅ3，Ｓｂ2Ｔｅ3等のカルコゲナイト系材料が使用される。
【００４０】
また、光磁気記録膜層には、Ｔｂ−Ｆｅ−Ｃｏ等の非晶質合金薄膜等の、カー効果やファラデー効果等の磁気光学特性を有する垂直磁化膜等が用いられる。
続いて、透明保護層５は記録層４上に形成される。この透明保護層５は、レーザー光を透過する材料よりなり、かかる材料としては、例えば、ポリカーボネート樹脂や非晶性ポリオレフィン系樹脂などの熱可塑性樹脂や、各種熱硬化性樹脂等が挙げられる。
【００４１】
透明保護層を形成する手段は、例えば、記録層４上にポリカーボネート樹脂や非晶性ポリオレフィン系樹脂などの熱可塑性樹脂からなるシートやガラス板等の透明版を貼り合わせる方法、また紫外線硬化樹脂をスピンコート等の手法によって塗布し、紫外線照射することによって形成する方法が挙げられる。さらにこの透明保護層はコマ収差をかなり小さく抑えるために、３〜２００μｍの厚さに制限される。
【００４２】
以上が本発明の光ディスクの基本的構成であるが、この構成に加えて誘電体層を設けて、光学的特性や熱的特性を制御しても良い。この場合、基板２上に光反射層３、第一の誘電体層、記録層４、第２の誘電体層、透明保護層５を順次、形成する。
【００４３】
【実施例】
以下に実施例を挙げて本発明をさらに説明する。なお実施例中の部は重量部である。なお、評価は下記の方法に従った。
（１）ガラス転移温度（Ｔｇ）
ティー・エイ・インスツルメント・ジャパン（株）社製２９１０型ＤＳＣを使用し、昇温速度２０℃／ｍｉｎにて測定した。
（２）吸水率
ＡＳＴＭ  Ｄ−０５７０に従い、φ４５ｍｍ成形プレート（約６ｇ）の２３℃純水中における２４時間後の重量変化率（重量％）により求めた。
また、２０日後の変化率も同時に求め、飽和吸水率として扱った。
（３）初期機械特性
名機製作所（株）製Ｍ３５Ｂ−Ｄ−ＤＭを用いて各ペレットから１２０ｍｍφ、１.２ｍｍ厚みのディスク基板を射出成形した。表１に各基板の成形条件を示した。その後、射出成形により得られたディスク基板に順に反射膜、誘電体層１、相変化記録膜、誘電体層２をスパッタ蒸着させ、その上にポリカーボネート樹脂製薄膜カバー層を貼り合わせることで目的の光ディスク基板を得た。
続いて、ディスクが互いに接触しないようスペーサーを挟み、温度２３℃、湿度５０％ＲＨ環境に２日間以上放置した。熱収縮および環境変化に対するＴｉｌｔの変化が安定した時点でジャパン・イー・エム（株）製３次元形状測定器ＤＬＤ−３０００ＵによりＴｉｌｔ（初期基板形状）の評価を行い、初期機械特性とした。
（４）△Ｔｉｌｔ
初期機械特性を評価したディスク基板を温度３０℃、湿度９０％ＲＨの環境下（Ａ環境）に飽和吸水率に達するまで暴露した後、温度２３℃、湿度５０％ＲＨ環境（Ｂ環境）に移した。
移動後、環境変化によって生じる中心から５８ｍｍ部のＴｉｌｔ変化をジャパン・イー・エム（株）製３次元形状測定器ＤＬＤ−３０００Ｕにより経時的に測定し、Ｔｉｌｔ変化が最大に達した値および定常に達した値の差を△Ｔｉｌｔとした。
【００４４】
実施例１
［Ａ］ｍ−ペンタデシルフェニル末端（一般式ＩＶ）ポリカーボネートの合成；
温度計、攪拌機および還流冷却器付き反応器にイオン交換水１１０５７部、４８％水酸化ナトリウム水溶液１５６０部を仕込み、これにビスフェノールＡを２１３４部およびハイドロサルファイト２.１部を溶解した後、塩化メチレン６４４５部を加え、攪拌下１５〜２０℃でホスゲン１００５部を６０分要して吹込んだ。ホスゲン吹込み終了後、ｍ−ペンタデシルフェノール（一般式ＩＶに対応）１８６.５部および４８％水酸化ナトリウム水溶液８３０部を加え、撹拌して乳化させた後トリエチルアミン０.０９部を加え、２８〜３３℃で１時間攪拌して反応を終了した。反応終了後生成物溶液を多孔板付遠心抽出機［（株）日立製作所製ウルトレックスＥＰ−０２］にてイオン交換水流量１,０００ｍｌ／分、反応生成物溶液流量１,５００ｍｌ／分、回転数３,５００ｒｐｍの条件で遠心分離した後、塩化メチレン相を塩酸酸性にし、さらに同様の条件で遠心分離操作を繰返し、水相の導電率がイオン交換水と殆ど同じになったところで、軸受部に異物取出口を有する隔離室を設けたニーダーにより塩化メチレンを蒸発して、粉粒状のポリカーボネート樹脂２,４００部（収率９２％）を得た。得られたポリカーボネート樹脂は、１５,０００の粘度平均分子量を有し、全末端基の８０モル％以上はｍ−ペンタデシルフェノキシ末端基であった。
【００４５】
［Ｂ］  ｐ−ｔ−ブチルフェニル末端（一般式III）ポリカーボネートの合成；
前述［Ａ］で用いたｍ−ペンタデシルフェノール１８６.５部をｐ−ｔ−ブチルフェノール９２部に変更した以外は同様の方法により合成を行った。このときの収率は９２％であった。得られたポリカーボネート樹脂は、１５,３００の粘度平均分子量を有し、全末端基の８０モル％以上はｐ−ｔ−ブチルフェノキシ末端基であった。
【００４６】
［Ｃ］  樹脂組成物の調製
［Ａ］で合成したｍ−ペンタデシルフェニル末端ポリカーボネート（ポリマーＡ）の塩化メチレン溶液と［Ｂ］で合成したｐ−ｔ−ブチルフェニル末端ポリカーボネート（ポリマーＢ）の塩化メチレン溶液とを溶液中のポリマー重量比（ポリマーＡ：ポリマーＢ）が３０：７０となるようにそれぞれ攪拌機付容器に投入した後、攪拌して混合した。混合後、目開き０.３μｍのフィルターを通過させた後、軸受部に異物取出口を有する隔離室を設けたニーダーにこの混合溶液を投入して塩化メチレンを蒸発することにより該ポリカーボネート樹脂粉粒体を得た。
この樹脂粉粒体にトリスノニルフェニルフォスフェートを０.００５％、トリメチルフォスフェートを０.００３％、ステアリン酸モノグリセリドを０.０３０％加えて、ベント付きφ３０ｍｍ二軸押出機を用いて、ペレット化した後、名機製作所（株）製Ｍ３５Ｂ−Ｄ−ＤＭを用いて１２０ｍｍφ、１.２ｍｍ厚みのディスク基板を射出成形した。このディスク基板に順に反射膜、第一の誘電体層、相変化記録膜、第二の誘電体層をスパッタ蒸着させ、その上にポリカーボネート製薄膜カバー層を貼り合わせることで目的の光ディスクを得た。このディスク基板の初期機械特性および△Ｔｉｌｔを評価した。また、Ｔｇおよび吸水率も前述の方法にて評価した。
各評価結果は表１に示した。
【００４７】
実施例２
実施例１の［Ｃ］における「樹脂組成物の調製」で示した混合するポリマー重量比（ポリマーＡ：ポリマーＢ）を２０：８０としたほかは、実施例１と同様の方法にてポリマーを調整した。
ポリマー調整後、実施例１と同様の方法で基板の成型、評価を実施した。各評価結果は表１に示した。
【００４８】
実施例３
前述実施例１の［Ａ］で用いたｍ−ペンタデシルフェノール１８６.５部をクミルフェノール（一般式VIに対応）１３０部に変更した以外は同様の方法により合成を行った。このときの収率は９３％であった。得られたポリカーボネート樹脂は、１４,５００の粘度平均分子量を有し、全末端基の８０モル％以上はクミルフェノキシ末端基であった。
ポリマー調製後も実施例１と同様に基板の成型、評価を実施した。各評価結果は表１に示した。
【００４９】
実施例４
前述実施例１の［Ａ］で用いたｍ−ペンタデシルフェノール１８６.５部をｏ−フェニルフェノール（一般式Ｖに対応）１０４.３部に変更した以外は同様の方法により合成を行った。このときの収率は９３％であった。得られたポリカーボネート樹脂は、１４,５００の粘度平均分子量を有し、全末端基の８０モル％以上はｏ−フェニルフェノキシ末端基であった。ポリマー調製後も実施例１と同様に基板の成型、評価を実施した。各評価結果は表１に示した。
【００５０】
実施例５
前述実施例１の［Ａ］で用いたｍ−ペンタデシルフェノール１８６.５部をｐ−フェニルフェノール（一般式Ｖに対応）１０４.３部に変更した以外は同様の方法により合成を行った。このときの収率は９３％であった。得られたポリカーボネート樹脂は、１４,３００の粘度平均分子量を有し、全末端基の８０モル％以上はｐ−フェニルフェノキシ末端基であった。ポリマー調製後も実施例１と同様に基板の成型、評価を実施した。各評価結果は表１に示した。
【００５１】
比較例１
実施例１の［Ｂ］で合成したｐ−ｔ−ブチルフェニル末端ポリカーボネートを用いて、基板の成型、評価を実施した。各評価結果は表１に示した。
【００５２】
比較例２
実施例１の［Ａ］で合成したｍ−ペンタデシルフェニル末端ポリカーボネートを用いて、基板の成型、評価を実施した。各評価結果は表１に示した。
【００５３】
比較例３
実施例１の［Ｃ］における「樹脂組成物の調製」で混合したポリマーの重量比（ポリマーＡ：ポリマーＢ）を１０：９０としたほかは、実施例１と同様の方法にてポリマーを調整した。
ポリマー調製後、実施例１と同様の方法で基板の成型、評価を実施した。各評価結果は表１に示した。
【００５４】
【表１】
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【００５５】
【発明の効果】
環境変化によって基板の反り形状が急激に変化すると、サーボ機構の追従が難しくフォーカスエラー等の原因となる。また、エラーの原因となるばかりでなく、時にはピックアップ部とディスクが衝突を起こし、ディスク表面を傷つけてしまうことさえある。
本発明の光ディスク基板は複雑な構成にすることなく、反り変化を緩やかにすることが可能なため、これらの問題にも十分に対処することが可能である。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明に適用する光ディスク基板の光学系とディスクの関係を示す模式図を示す。
【図２】本発明に適用する光ディスクの一例の断面の模式図を示す。
【図３】本発明に適用する光ディスクの一例の断面の模式図を示す。
【図４】本発明に適用する光ディスクの一例の断面の模式図を示す。
【符号の説明】
１    対物レンズ
２    透明保護層
３    ディスク面と対物レンズの距離
４    光ディスク
４ａ  基板
４ｂ  光反射層
４ｃ  記録層
４ｄ  透明保護層
５    光ディスク
５ａ  基板
５ｂ  光反射層
５ｃ  記録層
５ｄ  中間層
５ｅ  光反射層
５ｆ  記録層
５ｇ  透明保護層
６    光ディスク
６ａ  基板
６ｂ  光反射層
６ｃ  記録層
６ｄ  光反射層
６ｅ  記録層
６ｆ  透明保護層
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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