(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板（１）の上に、下部絶縁膜（２）、チタンよりなる密着層（７）、白金よりなる抵抗膜（３、４、５）、上部絶縁膜（８）を順次成膜することにより、前記各膜が積層されてなる薄膜構造部（１０）を形成するようにしたフローセンサの製造方法において、
前記抵抗膜を成膜した後、前記抵抗膜のアニールを、Ｎ２ガスとＯ２ガスの流量をコントロールすることにより酸素を容積パーセントで９．１％含む雰囲気中にて９００℃以上１０００℃以下の温度で１分行い、
その後、積層された前記密着層および前記抵抗膜を所定形状にパターニングし、
前記抵抗膜上の前記上部絶縁膜として、絶縁性の酸化膜（８１）、絶縁性の窒化膜（８２）を順次成膜するものであり、
前記酸化膜を成膜した後、前記窒化膜を成膜する前に、前記酸化膜のアニールを炉アニールにて行うものであり、この炉アニールは、７８０℃の温度で４時間以上２５時間以下行うものであり、
前記窒化膜は７６５℃の温度での減圧ＣＶＤにより成膜されたシリコン窒化膜とするものであることを特徴とするフローセンサの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、抵抗膜を絶縁膜で挟んだ積層構造をなす薄膜構造部を有する薄膜式フローセンサの製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
薄膜式フローセンサは、一般に、基板の上に、下部絶縁膜、金属や高不純物濃度の半導体等よりなる抵抗膜、上部絶縁膜を順次成膜することにより、これら各膜が積層されてなる薄膜構造部を形成したものである。
【０００３】
ここで、抵抗膜は、流体の温度や流量を検出するためのヒータや流体温度計を構成するものであるが、この抵抗膜には、次のような特性▲１▼、▲２▼が要求される。
▲１▼ＴＣＲ（抵抗温度係数）が大きいこと。▲２▼長時間、高温にさらされたり、電流を流したり、応力をかけられたり、または、高温中で電流を流したり、高温中で応力が変化しても抵抗率やＴＣＲの値が変化しないこと。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
この抵抗膜は、通常、Ｐｔ等の金属により形成される。この金属抵抗膜は、ＴＣＲ向上や膜の応力緩和のために例えば７００℃以上で熱処理（アニール）することが多いが、金属抵抗膜と下部絶縁膜（シリコン酸化膜やシリコン窒化膜等）との密着性が悪いため、このアニール工程以後の工程で金属抵抗膜が剥離するという問題がある。
【０００５】
この問題に対して、金属抵抗膜と下部絶縁膜との間に、金属酸化物や金属よりなる密着層を挿入したものが提案されている（米国特許第４９５２９０４号明細書、特開２０００−１４６６５６号公報等）。しかしながら、本発明者等が検討したところ、このように密着層を設けた構成においては、次のような問題が生じることを実験的に見出した。
【０００６】
第１の問題は、密着層が金属（例えばＴｉ等）である場合、金属抵抗膜の成膜後、該抵抗膜のアニールを行うと、このアニールによって抵抗膜のＴＣＲが低下することである。これは、アニールの熱によって密着層を構成する金属が金属抵抗膜中に一様に拡散するためであると考えられる。
【０００７】
この第１の問題は、密着層として金属酸化物を用いれば抑制できると考えられるが、金属酸化物を密着層に用いた場合でも、さらに、次のような第２、第３の問題が生じる。なお、第２、第３の問題は、密着層に金属を用いた場合でも、もちろん生じる。
【０００８】
すなわち、第２の問題は、金属抵抗膜の上に、上部絶縁膜として酸化膜、窒化膜を、この順に積層形成する場合、酸化膜の上に形成される窒化膜の成膜またはそのアニールによって、金属抵抗膜のＴＣＲが低下することである。
【０００９】
これは、上部絶縁膜としての窒化膜を成膜するときに、従来では、窒化膜をプラズマＣＶＤで成膜しアニールするが、そのときに窒化膜の原料ガスまたは窒化膜内部から水素が発生し、この水素が、密着層を構成する金属酸化物を金属に還元する。すると、密着層において還元された金属が、上記第１の問題と同様、窒化膜成膜時またはアニール時の熱により、金属抵抗膜中に一様に拡散するため、第２の問題が生じると考えられる。
【００１０】
また、第３の問題は、メカニズムは不明ではあるが、金属抵抗膜の抵抗値やＴＣＲが経時変化してしまうことである。
【００１１】
本発明は、上記諸問題に鑑み、金属よりなる抵抗膜のＴＣＲの低下を極力抑制できるような薄膜式フローセンサの製造方法を提供することを目的とする。
【００１２】
【課題を解決するための手段】
本発明は、本発明者等が行った上記諸問題についての実験検討の結果に基づいて、実験的に創出されたものである。
【００１３】
すなわち、請求項１に記載の発明では、基板（１）の上に、下部絶縁膜（２）、チタンよりなる密着層（７）、白金よりなる抵抗膜（３、４、５）、上部絶縁膜（８）を順次成膜することにより、前記各膜が積層されてなる薄膜構造部（１０）を形成するようにしたフローセンサの製造方法において、抵抗膜を成膜した後、抵抗膜のアニールを、Ｎ２ガスとＯ２ガスの流量をコントロールすることにより酸素を容積パーセントで９．１％含む雰囲気中にて９００℃以上１０００℃以下の温度で１分行い、その後、積層された密着層および抵抗膜を所定形状にパターニングし、抵抗膜上の上部絶縁膜として、絶縁性の酸化膜（８１）、絶縁性の窒化膜（８２）を順次成膜するものであり、酸化膜を成膜した後、窒化膜を成膜する前に、酸化膜のアニールを炉アニールにて行うものであり、この炉アニールは、７８０℃の温度で４時間以上２５時間以下行うものであり、窒化膜は７６５℃の温度での減圧ＣＶＤにより成膜されたシリコン窒化膜とするものであることを特徴とする。
【００１４】
本発明によれば、アニールの熱によって密着層を構成する金属が金属抵抗膜中に拡散するものの、雰囲気中から金属抵抗膜中の粒界を拡散してきた酸素と化合し、安定な金属酸化物として凝縮するためＴＣＲを低下させないと考えられる。実際に、本発明者等の検討によれば、ＴＣＲの低下を防止できることを確認した。
【００１５】
従って、本発明によれば、主に、上記第１の問題を解決することにより、金属よりなる抵抗膜のＴＣＲの低下を極力抑制することのできる薄膜式フローセンサの製造方法を提供できる。
【００１８】
また、本発明の製造方法によれば、金属抵抗膜を被覆する酸化膜について、当該酸化膜を成膜した後、当該酸化膜のアニールを、比較的低温でゆったりした加熱を行う炉アニールにて行うことにより、酸化膜の膜質が向上する。そのため、その上に窒化膜を成膜しアニールしても、窒化膜の原料ガスから発生する水素の密着層への侵入が、酸化膜により防止される。
【００１９】
従って、本発明によれば、さらに、上記第２の問題を解決することにより、金属よりなる抵抗膜のＴＣＲの低下を極力抑制することのできる薄膜式フローセンサの製造方法を提供できる。また、本発明によれば、実際に、抵抗値やＴＣＲの経時変化を抑制することができる。
【００２４】
なお、上記各手段の括弧内の符号は、後述する実施形態に記載の具体的手段との対応関係を示す一例である。
【００２５】
【発明の実施の形態】
以下、本発明を図に示す実施形態について説明する。図１は、本実施形態に係るフローセンサＳ１の斜視図であり、図２はこのフローセンサＳ１の断面図であって、図１におけるＡ−Ａ断面を模式的に示す図である。
【００２６】
１は、本発明でいう基板であり、単結晶シリコン等で形成された半導体基板より構成されている。本例では、図２に示す様に、基板１には、一面（図中の上面）から他面（図中の下面）へと貫通する空洞部１ａが形成されている。
【００２７】
基板１の一面上には、空洞部１ａの開口部を覆うように、下部絶縁膜２が形成されている。この下部絶縁膜２は、絶縁性のシリコン窒化膜（ＳｉＮ）やシリコン酸化膜（ＳｉＯ2）等により構成することができ、本例では、下側からシリコン窒化膜２１、シリコン酸化膜２２が順次形成されてなるものである。
【００２８】
下部絶縁膜２の上には、流体温度計３、測温体（流量検出体）４、ヒータ（発熱体）５およびこれら部材３〜５のリード部６が形成されている。これら部材３〜５は、ＰｔやＮｉＣｒ、Ｗ等の金属（本例ではＰｔ）よりなる流量検出用の抵抗膜として構成されており、本例では、図１に示す様に、蛇行形状にパターニングされている。また、図１に示すように、リード部６は、抵抗膜３〜５よりも幅広の配線形状をなし、各抵抗膜３〜５から基板１の端部に引き回されている。
【００２９】
ここで、図２に示す様に、この抵抗膜３〜５およびリード部６の下には、抵抗膜およびリード部形状と同一形状にパターニングされたＴｉ等の金属または金属酸化物（本例ではＴｉ）よりなる密着層７が介在設定されており、抵抗膜３〜５およびリード部６と下部絶縁膜であるシリコン酸化膜２２とは、密着層７を介して密着している。
【００３０】
流体温度計３、測温体４およびヒータ５は、流体の流れの方向（図１中の白抜き矢印で示す）に対し、上流側からその順で配置されている。流体温度計３は、流体の温度を検出するもので、ヒータ５の熱がその温度検出に影響を及ぼさないようにヒータ５から十分離隔した位置に配設されている。ヒータ５は、流体温度計３で検出された温度より一定温度高い基準温度（例えば、流体温度計３で検出された温度より２００℃高い温度）になるように、図示しない制御回路によって制御される。
【００３１】
これら配線部３〜５および下部絶縁膜２の上には、上部絶縁膜８が形成されている。この上部絶縁膜８は、本例では、下側から絶縁性のシリコン酸化膜８１、絶縁性のシリコン窒化膜８２が順次形成されてなるものである。
【００３２】
また、上記各リード部６の引き回し終端には、金やアルミ等よりなるパッド部９が形成されており、このパッド部９を介してワイヤボンディング等により、各抵抗膜３〜５は上記制御回路等に電気的に接続されるようになっている。これらパッド部９は、上部絶縁膜８に形成された開口部を介してリード部６に接続されている。
【００３３】
こうして、本実施形態では、基板の上に、下部絶縁膜２、金属よりなる密着層７、金属よりなる抵抗膜３〜５およびリード部６、上部絶縁膜８を順次成膜することにより、これら各膜２〜８が積層されてなる薄膜構造部１０が形成されている。そして、特に、空洞部１ａ上においては、上記測温体４およびヒータ５が下部絶縁膜２と上部絶縁膜６とに挟まれて積層されたメンブレン１１が形成されている。
【００３４】
このようなフローセンサＳ１では、流体温度計３から得られる流体温度よりも一定温度高い温度になるようにヒータ５を駆動する。そして、流体が流れることにより、図１の白抜き矢印で示す順流においては、測温体４は熱を奪われて温度が下がり、白抜き矢印の逆方向である逆流では熱が運ばれて温度が上がるため、この測温体４と流体温度計３との温度差から流体の流量および流れ方向を検出するものである。このとき、流体温度計３および測温体４を形成している金属配線の抵抗値変動から温度を測定（検出）している。
【００３５】
次に、上記した本例のフローセンサＳ１の製造方法について具体的に説明する。図３は、本製造方法を示す工程図であり、上記図２に対応した断面にて、各製造工程におけるワークの状態を示している。
【００３６】
まず、図３（ａ）に示すように、基板として単結晶のシリコン基板（Ｓｉ原石）１を用意し、その一面（表面）上に、プラズマＣＶＤ（ＰＥ−ＣＶＤ）法または減圧ＣＶＤ（ＬＰ−ＣＶＤ）法等によりシリコン窒化膜２１を成膜する。ここで、ＬＰ−ＣＶＤによって成膜する場合には、ウェハ裏面（基板１の裏面）にもシリコン窒化膜が成膜されるが、本発明の本質とは関係ないので図示はしない。
【００３７】
その上に、図３（ｂ）に示すように、ＰＥ−ＣＶＤ法等によりシリコン酸化膜２２を成膜する。これにより、下部絶縁膜２が成膜される（下部絶縁膜成膜工程）。
【００３８】
次に、図３（ｃ）に示すように、密着層７の材料としてＴｉ膜を蒸着法やスパッタ法等によりシリコン酸化膜２２の上に堆積させ、その上に、抵抗膜３〜５の材料としてＰｔ膜を蒸着法やスパッタ法等によりに堆積させる。なお、図３（ｃ）では、Ｔｉ膜の上にＰｔ膜が積層されてなるＰｔ／Ｔｉ膜７ａとして示されている。
【００３９】
続いて、Ｐｔ膜のアニールを酸素を含む雰囲気中にて行う。このＰｔ膜のアニールは、本発明でいう抵抗膜３〜５のアニールに相当するものであり、ランプを用いたＲＴＡ（ラピッド・サーマル・アニール）や炉アニールにより、酸素を含む雰囲気中にて行う。例えば、Ｎ2／Ｏ2＝１０／１Ｌ／ｍｉｎ（リットル／分）の雰囲気にて９００℃、６０秒の条件、または、Ｎ2／Ｏ2＝１０／１０Ｌ／ｍｉｎの雰囲気にて１０００℃、６０秒の条件にて行うことができる。
【００４０】
次に、図３（ｄ）に示すように、Ｐｔ／Ｔｉ膜７ａを、フォトリソグラフ法を用いたイオンミリングによりエッチングし、抵抗膜３〜５およびリード部６の形状にパターニングし、抵抗膜およびリード部３〜６を形成する（抵抗膜成膜工程）。
【００４１】
次に、図３（ｅ）に示すように、抵抗膜３〜５およびリード部６、下部絶縁膜２の上に、ＰＥ−ＣＶＤ法等によりシリコン酸化膜８１を成膜した（上部酸化膜成膜工程）後、このシリコン酸化膜８１のアニールを炉アニールにて行う（上部酸化膜アニール工程）。この炉アニールは、例えば、７８０℃、４時間、または、７８０℃、２５時間の条件にて行うことができる。
【００４２】
続いて、図３（ｆ）に示すように、減圧ＣＶＤ（ＬＰ−ＣＶＤ）法によりシリコン窒化膜８２を成膜する（上部窒化膜成膜工程）。この減圧ＣＶＤの条件は、例えば、圧力０．２ｍＴｏｒｒ、成膜温度７６５℃（ＳｉＨ2Ｃｌ2：ＮＨ3＝１：３）とすることができる。
【００４３】
こうして、酸化膜８１および窒化膜８２とが順次積層されてなる上部絶縁膜８が成膜される（上部絶縁膜成膜工程）。その後、図３では示さないが、上記抵抗膜３〜５のリード部６に上記パッド部９を形成するために上部絶縁膜８に開口を形成し、蒸着やスパッタ等によりパッド部９を形成する。
【００４４】
次に、図示しないが、シリコン基板１の裏面にマスク材（例えばシリコン酸化膜もしくはシリコン窒化膜、図示せず）を形成し、エッチングして上記空洞部１ａに対応した開口部を形成した後、シリコン基板１の裏面側をシリコン窒化膜２１が露出するまで異方性エッチングして空洞部１ａを形成する。
【００４５】
このときの終点検出は、例えばエッチング液にＴＭＡＨ（水酸化４メチルアンモニウム）を用いることにより、シリコンに対してシリコン窒化膜２１のエッチング速度が非常に小さいため容易に止めることができる。このようにして、図１、図２に示すフローセンサを適切に製造することができる。
【００４６】
ところで、上記製造方法においては、Ｐｔ膜としての抵抗膜３〜５およびリード部６を成膜した後、これらＰｔ膜３〜６のアニールを酸素を含む雰囲気中にて行うこと（以下、抵抗膜の酸素アニールという）、シリコン酸化膜８１を成膜した後、当該酸化膜８１のアニールを炉アニールにて行うこと（以下、上部酸化膜の炉アニールという）、上部のシリコン窒化膜８２を減圧ＣＶＤにより成膜すること（以下、上部窒化膜の減圧ＣＶＤ成膜という）の３点が、特徴的な工程である。次に、これら特徴的な工程の効果等について述べる。
【００４７】
［抵抗膜の酸素アニール］
抵抗膜３〜５のアニール（Ｐｔ膜のアニール）は、膜中の粒径を大きくして粒界の数を減らし、粒界抵抗を低減することでＴＣＲ（抵抗温度係数）を向上させる目的で行われる。
【００４８】
そして、抵抗膜アニールを酸素雰囲気中で行うことにより、アニールの熱によって密着層７を構成する金属（本例ではＴｉ）がＰｔ膜（金属抵抗膜）３〜６中に拡散するものの、雰囲気中からＰｔ膜中の粒界（白金粒界）を拡散してきた酸素と化合し、安定な金属酸化物として凝縮するためＴＣＲを低下させず、Ｐｔ粒径の増加によってＴＣＲを向上できると考えられる。
【００４９】
実際に、本発明者等が調べた抵抗膜の酸素アニールの効果の一例を図４に示す。図４では、抵抗膜の酸素アニールを行った場合（Ｎ2／Ｏ2＝１０／１Ｌ／ｍｉｎの雰囲気にてＲＴＡによる９００℃、６０秒のアニール条件）、抵抗膜のアニールを行わなかった場合（アニール無し）、さらに、比較例として、従来一般に行われていると思われる、酸素を含まない窒素雰囲気におけるアニールを行った場合（Ｎ2／Ｏ2＝２０／０Ｌ／ｍｉｎの雰囲気にてＲＴＡによる９００℃、６０秒のアニール条件）の各場合について調べた。
【００５０】
そして、これら３つの場合について、ヒータ５、測温体４、補正温度計、流体温度計３におけるＴＣＲ（単位：ｐｐｍ／℃）を調べた。なお、上記補正温度計は、図示されていないが、基板１において、抵抗膜の一部として流体温度計３に隣接して設けられているものであり、上記Ｐｔ膜により形成されたものである。
【００５１】
図４からわかるように、本実施形態における抵抗膜の酸素アニールを行った場合には、アニール無しの場合に比べて、アニールによる抵抗膜（Ｐｔ膜）３〜５のＴＣＲ向上効果が現れている。
【００５２】
一方、比較例の場合、窒素のみの雰囲気では、アニールの熱によって密着層７を構成するＴｉが抵抗膜３〜５中に一様に拡散すると考えられ、実際に、アニールによって上記補正温度計を含む抵抗膜３〜５のＴＣＲが低下してしまっている。
【００５３】
このように、抵抗膜の酸素アニールを行うことにより、密着層が金属である場合において抵抗膜のアニールによって抵抗膜３〜５のＴＣＲが低下するという問題を解決することができ、かつ、金属膜の粒径を増加させることができるため、金属よりなる抵抗膜のＴＣＲをアニールにより増加させることができる。
【００５４】
また、上記図４では、抵抗膜の酸素アニールを、Ｎ2／Ｏ2＝１０／１Ｌ／ｍｉｎの雰囲気すなわち酸素を９．１％以上含む雰囲気にて行っている。本発明者等は、酸素を５０％含む雰囲気および酸素が１００％の雰囲気についても、同様に、抵抗膜の酸素アニールの効果を調べたが、図４と同様に、抵抗膜３〜５のＴＣＲの低下は見られず、アニールによりＴＣＲを増加させることができた。
【００５５】
［上部酸化膜の炉アニール］
上部のシリコン酸化膜８１のアニールは、当該酸化膜８１の膜応力緩和等の目的で行われるものである。そして、抵抗膜を被覆するシリコン酸化膜８１のアニールを、従来行われていたＲＴＡに比べて低温でゆったりした加熱を行う炉アニールにて行うことにより、シリコン酸化膜８１の膜質が緻密になると考えられる。
【００５６】
それにより、その上にシリコン窒化膜８２を減圧ＣＶＤ法にて成膜しても、窒化膜の原料ガス（ＳｉＨ2Ｃｌ2やＮＨ3等）から発生する水素は、緻密な膜質を有するシリコン酸化膜８１により透過を抑制され、Ｐｔ膜３〜６へ侵入しにくくなる。
【００５７】
なお、本例では、上部のシリコン窒化膜８２は、熱平衡状態に近い減圧ＣＶＤにて成膜するため、窒化膜８２のアニールは行わないが、例えば、プラズマＣＶＤ法にて窒化膜８２を成膜した場合は、当該窒化膜のアニールを行うことがある。このように窒化膜８２のアニールを行った場合でも、それにより発生する水素のＰｔ膜３〜６への侵入は抑制される。
【００５８】
一方、本例において密着層７のＴｉは、上記した抵抗膜の酸素アニールにより、金属酸化物（Ｔｉ酸化物）としてＰｔ膜中に凝縮している。
【００５９】
ここにおいて、上記水素のＰｔ膜３〜６への侵入が大幅に抑制されるため、密着層７を構成する金属酸化物は金属に還元されず、従って、密着層を構成していた金属が、シリコン窒化膜８２の成膜時またはアニール時の熱により、抵抗膜３〜５中に拡散することが防止される。また、このことは、密着層７に金属酸化物を用いた場合も同様である。
【００６０】
実際に、上記製造方法においてシリコン酸化膜８１の炉アニール（上部酸化膜の炉アニール）を行うことの効果について、本発明者等が調べた一例を図５、図６に示す。
【００６１】
図５は、プラズマＣＶＤ法により成膜されたシリコン酸化膜８１のアニールにおいて、炉アニールの場合（７８０℃で４時間保持するアニール条件）と、比較例として従来のＲＴＡによるアニールの場合（１０００℃で６０秒保持するアニール条件）とについて、シリコン酸化膜８１の上にシリコン窒化膜８２を減圧ＣＶＤ法にて成膜する前と後における抵抗膜３〜５のＴＣＲ変化（ΔＴＣＲ、単位ｐｐｍ／℃）を調べた結果を示す図である。
【００６２】
図５からわかるように、従来に比べて、本実施形態において炉アニールを行った場合には、上部窒化膜８２の成膜前後におけるＴＣＲ低下量すなわちΔＴＣＲが、大幅に小さくなっている。
【００６３】
また、図６は、上部酸化膜の炉アニールによって抵抗膜３〜５の抵抗値およびＴＣＲの経時変化が抑制される効果の具体例を示す図である。図６では、プラズマＣＶＤ法にて成膜されアニールされたシリコン酸化膜８１の上にシリコン窒化膜８２を減圧ＣＶＤ法にて成膜した場合について、（ａ）シリコン酸化膜８１のアニールをＲＴＡで行った場合、（ｂ）シリコン酸化膜８１のアニールを炉アニールで行った場合を示す。
【００６４】
そして、図６では、（ａ）、（ｂ）の各場合について多数のセンサを作成し、これらを１２０℃のオーブンに入れ、ヒータ５に１４ｍＡの電流を通電し発熱させるという、実用上かなり厳しい条件にて耐久試験を行った。この耐久試験において、一定時間（例えば１００時間）毎に、抵抗膜３〜５の抵抗値およびＴＣＲを測定し、感度（センサ特性）に換算し、耐久時間（単位：時間）に対する特性変化（初期感度からの感度変化、単位：％）を表してある。
【００６５】
図６からわかるように、上部酸化膜の炉アニールを行うことにより、上部酸化膜８をＲＴＡする場合に比べて、センサ特性の経時変化（低下）が大幅に低減されている。つまり、上部酸化膜の炉アニールにより、抵抗値およびＴＣＲの経時変化を大幅に低減できると言える。
【００６６】
このように、上部酸化膜の炉アニールを行うことにより、その上の窒化膜８２の成膜やアニールによって抵抗膜３〜５のＴＣＲが低下するという問題、および、抵抗膜３〜５の抵抗値やＴＣＲの経時変化という問題を解決することができる。
【００６７】
［上部窒化膜の減圧ＣＶＤ成膜］
従来の上部シリコン窒化膜は、一般にプラズマＣＶＤ法により成膜されていたが、本実施形態では、より高温であって熱平衡状態で成膜する減圧ＣＶＤ法により、上部のシリコン窒化膜８２を形成する。
【００６８】
実際に、本発明者等が調べた上部窒化膜の減圧ＣＶＤの効果の一例を図７に示す。上記製造方法において、密着層７の上に抵抗膜３〜５を構成するＰｔ膜の成膜（Ｐｔ／Ｔｉ成膜）、当該Ｐｔ膜の酸素アニール（Ｐｔアニール）、Ｐｔ／Ｔｉ膜のパターニング、上部のシリコン酸化膜８１の成膜（ＳｉＯ2成膜）、上部酸化膜のＲＴＡ（ＳｉＯ2アニール）を順次行う。
【００６９】
その後、図７において、（ａ）シリコン窒化膜８２の成膜（ＳｉＮ成膜）を、減圧ＣＶＤにより行いアニールは行わない場合（ＬＰ−ＣＶＤ）と、比較例として（ｂ）プラズマＣＶＤとその後のアニールは行わない場合（ＰＥ−ＣＶＤ）とした。そして、図７では、センサ特性の経時変化を測定した。
【００７０】
図７からわかるように、上部シリコン窒化膜８２の成膜を減圧ＣＶＤ（ＬＰ−ＣＶＤ）で行うことにより、上部シリコン窒化膜の成膜を減圧ＣＶＤ（ＰＥ−ＣＶＤ）にて行う場合に比べて、センサ特性の経時変化が大幅に低減されている。つまり、上部窒化膜の減圧ＣＶＤによる成膜により、抵抗値およびＴＣＲの経時変化を大幅に低減できると言える。
【００７１】
このように、上部窒化膜の減圧ＣＶＤを行うことにより、金属よりなる抵抗膜のＴＣＲの低下を極力抑制することができる。ここまでが、抵抗膜の酸素アニール、上部酸化膜の炉アニール、上部窒化膜の減圧ＣＶＤ成膜といった３つの特徴的な工程の効果等の説明である。
【００７２】
（他の実施形態）
なお、上記実施形態に述べた製造方法では、上記３つの特徴的な工程を全て採用しているが、例えば、密着層７が、従来用いられているような金属酸化物である場合、抵抗膜３〜５のアニールはＲＴＡで行い、その後は、上部酸化膜の炉アニール工程または上部窒化膜の減圧ＣＶＤ工程だけ採用しても良い。いずれにせよ、場合によって、上記３つの特徴的な工程のうちの２つの工程あるいは１つの工程のみを採用した製造方法としても良い。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施形態に係るフローセンサの斜視図である。
【図２】図１中のＡ−Ａ概略断面図である。
【図３】上記実施形態に係るフローセンサの製造方法を示す工程図である。
【図４】抵抗膜の酸素アニールによるＴＣＲ低下抑制の具体的効果を示す図である。
【図５】上部酸化膜の炉アニールによるＴＣＲ低下抑制の具体的効果を示す図である。
【図６】上部酸化膜の炉アニールによるＴＣＲ経時変化抑制の具体的効果を示す図である。
【図７】上部窒化膜の減圧ＣＶＤによるＴＣＲ経時変化抑制の具体的効果を示す図である。
【符号の説明】
１…基板、２…下部絶縁膜、３…流体温度計、４…測温体、５…ヒータ、
７…密着層、８…上部絶縁膜、１０…薄膜構造部、８１…シリコン酸化膜、
８２…シリコン窒化膜。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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