(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体封止材料の原料混合物を溶融混練して混練物を得る混練工程と、前記混練物を冷却して粉砕可能な固化物を得る冷却工程と、前記固化物を粉砕して粉砕物を得る粉砕工程とを有する半導体封止材料の製造方法であって、
前記粉砕工程中に、前記粉砕物に乾燥空気を接触させることを特徴とする半導体封止材料の製造方法。
【請求項２】
前記乾燥空気は、温度が１５℃以上２３℃以下、２０℃での相対湿度が２０％ＲＨ以下であることを特徴とする請求項１記載の半導体封止材料の製造方法。
【請求項３】
半導体封止材料の原料混合物を溶融混練、冷却してなる固化物を粉砕する粉砕機と、前記粉砕機に乾燥空気を供給する乾燥空気供給部とを有することを特徴とする半導体封止材料の製造装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は半導体封止材料の製造方法、製造装置に係り、特に吸湿による特性低下が抑制された半導体封止材料の製造方法、製造装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体装置に適用される半導体封止材料は、例えばエポキシ樹脂、硬化剤、硬化促進剤および無機充填材等を所定量配合して均一に混合した後、溶融混練、冷却固化した後、さらに所定の大きさに粉砕することにより製造されている（例えば、特許文献１参照。）。
【０００３】
近年、このような半導体封止材料において、低軟化点樹脂の使用により充填材を高充填化することが行われている。しかしながら、このような低軟化点樹脂は吸湿しやすいため、半導体封止材料の吸湿は多くなる傾向にある。
【０００４】
半導体封止材料の吸湿が多くなると、その中の硬化促進剤に水分子が付着して触媒活性が失われ、本来機能すべき硬化促進剤の絶対量が不足することにより硬化反応の進行が妨げられる。このため半導体封止材料を成形したときに、ランナー部や成形物の機械的強度が低下することがある。
【０００５】
このような吸湿による硬化性の低下等を抑制するため、例えば半導体封止材料を製造する際の環境を低温低湿とし、半導体封止材料を吸湿させないような環境下で製造することが行われている。
【特許文献１】特開２００３−３２７６６６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、近年、半導体封止材料のさらなる高充填化を達成するために、さらに低軟化点の樹脂が使用されるようになっている。このため、半導体封止材料の吸湿による保存安定性の低下、硬化性の低下がより顕著になっている。特に、夏期は高温高湿のため製造環境を十分に低温低湿にすることが困難であり、半導体封止材料の保存安定性の低下、硬化性の低下を抑制することが困難となっている。
【０００７】
半導体封止材料を製造する際の環境を真空中で行うものとすればこのような半導体封止材料の吸湿を抑制することが可能となるが、そのために必要な設備、付帯設備、設置工事に要する費用は膨大であり、実現するのは困難である。
【０００８】
本発明は上述したような課題を解決するためになされたものであって、吸湿による保存安定性の低下、硬化性の低下が抑制された半導体封止材料を提供することを目的としている。また、本発明は吸湿による特性低下が抑制された半導体封止材料を製造するための製造方法、製造装置を提供することを目的としている。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明の半導体封止材料の製造方法は、半導体封止材料の原料混合物を溶融混練して混練物を得る混練工程と、前記混練物を冷却して粉砕可能な固化物を得る冷却工程と、前記固化物を粉砕して粉砕物を得る粉砕工程とを有する半導体封止材料の製造方法であって、前記粉砕工程中に、前記粉砕物に乾燥空気を接触させることを特徴とする。
【００１１】
本発明の半導体封止材料の製造方法に用いられる前記乾燥空気は、温度が１５℃以上２３℃以下、２０℃での相対湿度が２０％ＲＨ以下であれば好ましい。
【００１２】
本発明の半導体封止材料の製造装置は、半導体封止材料の原料混合物を溶融混練、冷却してなる固化物を粉砕する粉砕機と、前記粉砕機に乾燥空気を供給する乾燥空気供給部とを有することを特徴とする。
【発明の効果】
【００１５】
本発明では、半導体封止材料の原料混合物を溶融混練して混練物を得る混練工程と、混練物を冷却して固化物を得る冷却工程と、固化物を粉砕して粉砕物を得る粉砕工程とを有する半導体封止材料の製造方法において、粉砕工程中に粉砕物に乾燥空気を接触させることにより半導体封止材料の吸湿を抑制し、保存安定性、硬化性等に優れた半導体封止材料を提供することが可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１７】
以下、本発明について詳細に説明する。図１は本発明の半導体封止材料の製造方法の一例を示した流れ図である。本発明の半導体封止材料の製造方法では、まず原料調製工程１にて所定の組成となるように原料を配合、混合して半導体封止材料の原料混合物を調製する。
【００１８】
所定の組成とされた半導体封止材料の原料混合物は、混練工程２にて二軸混練機などで溶融混練した後、成形工程３にて例えばシート状に延伸する。このシート状混練物は冷却工程４にて、例えば冷却水を接触させて冷却することにより粉砕可能な状態にまで固化させてシート状固化物とする。さらに、粉砕工程５にて、このシート状固化物を粉砕機で粉砕して粉砕物である半導体封止材料６を得る。
【００１９】
本発明ではこのような半導体封止材料の製造において、粉砕工程５における粉砕中または粉砕後に粉砕物に乾燥空気７を接触させる。半導体封止材料の製造においては特に溶融混練物の固化物を粉砕するときまたは粉砕した後において粉砕した粉砕物が吸湿しやすく、この粉砕物である半導体封止材料６の保存安定性、硬化性が低下する。このため粉砕工程５中あるいは粉砕工程５後において、粉砕物に乾燥空気７を接触させることとしたものである。
【００２０】
本発明では粉砕中および粉砕後の少なくとも一方で粉砕物である半導体封止材料に乾燥空気７を接触させればよいが、好ましくは粉砕中および粉砕物を所定の容器に収容するまで、粉砕物に乾燥空気７を接触させる。このようにすることで、粉砕物である半導体封止材料の吸湿をより抑制することが可能となる。
【００２１】
本発明では、粉砕工程５における粉砕中または粉砕後に粉砕物に乾燥空気を接触させるものであるが、特に粉砕により平均粒径を３ｍｍ以下にするとき、または、そのような平均粒径とした後に乾燥空気に接触させればより効果的である。
【００２２】
図２、図３に、粉砕工程５に用いられる装置の一例を示す。なお、ここでは粉砕工程５を２回（粗砕、微砕）に分けて行う場合について説明する。図２に示す装置は、例えば混練工程２、成形工程３により得られたシート状混練物を冷却、固化するための冷却機１０とこれに接続された粉砕機１１（以下、粗砕機１１と呼ぶ）とを有するものである。
【００２３】
冷却機１０には、混練工程２、成形工程３により得られたシート状混練物が混練物供給部１２に供給され、ベルトコンベア１３にて粗砕機１１へと運ばれる。この際、冷却手段（図示せず）により、例えば冷却水が噴霧されシート状混練物を固化させシート状固化物とする。このシート状固化物は粗砕機１１に投入する直前に切断手段（図示せず）により、粗砕機１１に投入できる程度の大きさに切断される。
【００２４】
この切断されたシート状固化物は粗砕機１１に投入され、粗く粉砕が行われる。このとき粗砕機１１には、後述するような乾燥空気製造装置にて製造された乾燥空気が乾燥空気供給部１４を通して供給され、乾燥空気が供給された状態で固化物の粉砕が行われる。このようにして粗く粉砕が行われた粉砕物（以下、粗砕物と呼ぶ）は、粗砕機１１の下部に設けられた排出口より排出され、その下部に設置された粗砕物収容容器１５に収容される。
【００２５】
さらに、粗砕物収容容器１５に収容された粗砕物は、粉砕機２０（以下、微砕機２０と呼ぶ）を用いて微細に粉砕して粉砕物（以下、微砕物と呼ぶ）とする。すなわち、粗砕物収容容器１５に収容された粗砕物は、微砕機２０の投入口２１より投入され、粉砕部２２において微細に粉砕される。このとき粉砕部２２には、上記粗砕機１１に乾燥空気を供給した乾燥空気製造装置にて製造された乾燥空気が乾燥空気供給部２３を通して供給され、乾燥空気中にて粗砕物の粉砕が行われる。
【００２６】
このようにして得られた微砕物は、粉砕部２２の下部に設けられた排出口２４より排出され、その下部に設置された微砕物収容容器２５に収容される。この得られた微砕物は半導体封止材料として、一般の半導体封止材料と同様に半導体素子の封止に用いることができる。
【００２７】
以上、本発明の製造方法について説明したが、本発明においては粉砕工程５は必ずしも２回に分けて行わなくてもよく１回のみとしてもよいし、また３回以上に分けて行っても構わない。粉砕工程５を複数回に分けて行う場合、必ずしも全ての段階について乾燥空気を接触させる必要はなく、乾燥空気を接触させる段階は適宜選択することができる。
【００２８】
また、上述した例では粉砕機中に乾燥空気を供給し、乾燥空気中で粉砕を行う例について説明したが、例えば粉砕機の排出口から排出された粉砕物に乾燥空気を吹きつけたり、また排出口から排出された粉砕物を乾燥空気中に通過させるようなものとしてもよい。さらに、粉砕機の排出口から排出された粉砕物が収容された粉砕物収容容器中に乾燥空気を導入、接触させるようにしても構わない。
【００２９】
このように、乾燥空気を接触させる段階、位置等は特に制限されるものではないが、最終的に得られる粉砕物（半導体封止材料）の硬化性等の観点から、乾燥空気を接触させる段階、位置、さらには乾燥空気の供給量等を設定することが好ましい。
【００３０】
本発明では、このように粉砕工程中あるいは粉砕工程後に粉砕物に乾燥空気を接触させることで、吸湿しやすい粉砕物の吸湿を抑制し、これにより粉砕物である半導体封止材料の保存安定性、硬化性の低下を抑制することが可能となる。
【００３１】
次に、本発明の半導体封止材料の他の製造方法について説明する。本発明の半導体封止材料の製造方法は、所定の組成とされた半導体封止材料の原料を溶融混練、冷却、粉砕してなり、粉砕後に吸湿した半導体封止材料に乾燥空気を接触させることを特徴とするものである。
【００３２】
先に説明した半導体封止材料の製造方法は粉砕工程中あるいは粉砕工程後に粉砕物に乾燥空気を接触させることにより吸湿を抑制するものであるが、本製造方法は半導体封止材料を製造した後に所定の期間を経て吸湿してしまったものに乾燥空気を接触させて水分を除去することにより、その硬化性等を改善あるいは回復するものである。
【００３３】
図４は、この半導体封止材料の製造方法を模式的に示したものである。乾燥用容器３０には、吸湿した半導体封止材料が収容される。乾燥用容器３０には、乾燥空気を導入するための円状の孔部等からなる乾燥空気導入部３１が設けられている。この乾燥空気導入部３１には後述するような乾燥空気供給装置から乾燥空気供給部を通して乾燥空気が供給され、乾燥用容器３０内の半導体封止材料に乾燥空気を接触させる。このようにすることで一旦吸湿してしまった半導体封止材料から水分を除去することが可能となり、その硬化性等を改善あるいは回復することができる。
【００３４】
なお、図４における乾燥用容器３０は乾燥空気導入部３１において乾燥空気が供給されると共に、この乾燥空気導入部３１から半導体封止材料の乾燥に用いられた乾燥空気が排出される。すなわち、図４における乾燥用容器では乾燥空気導入部３１が乾燥空気排出部を兼ねている。
【００３５】
また、図４に示すような簡易な構造のものの他に、例えば図５に示すように、乾燥用容器３５に乾燥空気導入部３６と乾燥空気排出部３７とを別個に設けたものであってもよい。このような構造とすれば乾燥空気の導入と排出とが効率的に行われ、半導体封止材料の乾燥がより効率的に行われるため好ましい。
【００３６】
本発明は粉砕物である半導体封止材料の大きさによらずに有効であるが、特に平均粒径が３ｍｍ以下の吸湿しやすい半導体封止材料の水分の除去に用いればより効果を発揮する。
【００３７】
このような乾燥用容器での乾燥空気による処理時間は、乾燥用容器の容量、その中に収容される粉砕物の重量、乾燥空気の供給量等により適宜選択することができるが、処理された後の粉砕物（半導体封止材料）の硬化性等が向上するように行うことが好ましい。
【００３８】
次に、本発明に用いられる乾燥空気の製造について説明する。図６は乾燥空気供給装置４０の一例を示したものである。乾燥空気供給装置４０における原料空気としては、例えば一般の工場等に設置されている一般圧縮空気供給装置からの一般圧縮空気を利用することができる。
【００３９】
乾燥空気供給装置４０は、バルブ４１を介して一般圧縮空気供給装置に接続されている。バルブ４１には、フィルタ付きレギュレータ４２が接続されており、一般圧縮空気供給装置からの一般圧縮空気の圧力調整を行うと共に、一般圧縮空気中の比較的大きな不純物を除去する。一般の工場等に設置されている一般圧縮空気供給装置からの一般圧縮空気にはコンプレッサからの油分や配管からの鉄粉が混入しており、これらが半導体封止材料の特性に悪影響を与えるため、これを取り除くためにフィルタを通す。
【００４０】
フィルタ付きレギュレータ４２には、ミストセパレータ４３、４４、ドレインキャッチ４５が接続される。ミストセパレータ４３、４４は、フィルタ付きレギュレータ４２で除去されなかった油分、鉄粉等の微粒子のうち、例えば０．３μｍ以上のものを分離、除去するために接続される。また、ドレインキャッチ４５は、水滴を除去するために用いられる。
【００４１】
さらに、このドレインキャッチ４５には、レギュレータ４６、フィルタ４７、ヒートレスエアドライヤ４８が接続される。ヒートレスエアドライヤ４８は、ヒータを有せず小型であり、低露点の乾燥空気を比較的容易に得ることができるため用いられる。このヒートレスエアドライヤ４８には、レギュレータ４９、マイクロミストセパレータ５０、スーパーミストセパレータ５１、フィルタ５２が順次接続される。
【００４２】
マイクロミストセパレータ５０は、例えば０．１μｍ以上の油分、鉄粉等の微粒子を分離、除去し、さらにスーパーミストセパレータ５１では、マイクロミストセパレータ５０で除去できなかった油分、鉄粉等の微粒子を分離、除去するために用いられる。
【００４３】
このように、一般圧縮空気の圧力を調整しながら、各種ミストセパレータを用いて微粒子のうち形状の大きなものから順に分離、除去していくことで、不純物が極めて少ない乾燥空気を容易に得ることが可能となる。
【００４４】
なお、乾燥空気供給装置４０の装置構成は必ずしもこのようなものに限られず、レギュレータ、ミストセパレータ、ヒートレスエアドライヤ等は適宜選択して用いることができ、またそれらの接続順序も適宜変更することが可能である。
【００４５】
また、乾燥空気供給装置４０の末端部には分岐部５３が設けられており、一般圧縮空気を処理して得られる乾燥空気の一部が測定用容器５４に導入される。この測定用容器５４には管理用温湿度計５５が設けられており、乾燥空気が所定の温度、湿度となっているかを測定する。
【００４６】
このような乾燥空気は１５℃以上２３℃以下となっていることが好ましい。また、乾燥空気は２０℃での相対湿度が２０％ＲＨ以下であればより好ましい。乾燥空気の温度が高すぎると粉砕物である半導体封止材料に接触させたとき硬化するおそれがあり、温度が低すぎると粉砕物である半導体封止材料に接触させたときにかえって吸湿してしまうおそれがある。また、２０℃での相対湿度が２０％ＲＨを超えると、粉砕物である半導体封止材料から水分を除去する効果が低くなるため好ましくない。
【００４７】
このようにして乾燥空気供給装置４０において一般圧縮空気より油分、鉄粉等の不純物および水分が除去され、温度、湿度が所定の範囲に調整された乾燥空気は、上述したような乾燥空気供給部１４、２３、３６により、粉砕機（粗砕機１１、微砕機２０）、乾燥用容器３０、３５等に供給される。
【００４８】
このような本発明の半導体封止材料の製造方法により製造される半導体封止材料は特に制限されるものではなく、一般的な半導体封止材料の製造に用いることができる。半導体封止材料としては、例えばエポキシ樹脂、硬化剤、硬化促進剤および無機充填剤等からなるものが挙げられる。
【００４９】
エポキシ樹脂としては一般に半導体封止材料に用いられるものを使用することができる。このようなエポキシ樹脂としては、例えばｏ−クレゾールノボラックエポキシ樹脂に代表されるノボラック型エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂、２官能のビフェニル型エポキシ樹脂、ビスフェノール型エポキシ樹脂、ナフタレン型エポキシ樹脂などが挙げられる。これらは単独で使用しても良く、また、２種以上併用しても良い。
【００５０】
硬化剤としては一般に半導体封止材料に用いられるものを使用することができ、例えばフェノール系樹脂や酸無水物が挙げられる。フェノール系樹脂としては、例えばフェノールノボラック樹脂、フェノールアラルキル樹脂、シクロペンタジエン、フェノール重合体、ナフタレン型フェノール樹脂、ビスフェノールＡ、ビスフェノールＦ等が挙げられる。これらは単独で使用してもよく、２種以上併用してもよい。
【００５１】
また、酸無水物としては、分子中に酸無水物基を有するものであれば特に限定されるものではなく、例えば、ヘキサヒドロ無水フタル酸、テトラヒドロ無水フタル酸、メチルヘキサヒドロ無水フタル酸、メチルテトラヒドロ無水フタル酸等が挙げられる。これらは単独で使用してもよく、２種以上併用してもよい。
【００５２】
硬化促進剤としては、一般に上述したようなフェノール樹脂を用いてエポキシ樹脂を硬化する際に硬化促進剤剤として使用されることが知られているものであれば特に制限されるものではなく、例えばトリメチルホスフィン、トリエチルホスフィン、トリブチルホスフィン、トリフェニルホスフィン、トリ（ｐ−メチルフェニル）ホスフィン、トリ（ノニルフェニル）ホスフィン、メチルジフェニルホスフィン、ジブチルフェニルホスフィン、トリシクロヘキシルホスフィン、ビス（ジフェニルホスフィノ）メタン、１，２−ビス（ジフェニルホスフィノ）エタン、テトラフェニルホスホニウムテトラフェニルボレート、トリフェニルホスフィンテトラフェニルボレート、トリフェニルホスフィントリフェニルボラン等の有機ホスフィン化合物、１，８−ジアザビシクロ［５，４，０］ウンデセン−７（ＤＢＵ）、２，６−ジクロロベンゾニトリル（ＤＢＮ）、トリエチルアミン、トリエチレンジアミン、ベンジルジメチルアミン、α−メチルベンジルジメチルアミン、トリエタノールアミン、ジメチルアミノエタノール、トリス（ジメチルアミノメチル）フェノール等の３級アミン化合物、２−ヘプタデシルイミダゾール、２−メチルイミダゾール、２−エチルイミダゾール、２−フェニルイミダゾール、２−フェニル−４−メチルイミダゾール、４−メチルイミダゾール、４−エチルイミダゾール、２−フェニル−４−ヒドロキシメチルイミダゾール、２−エニル−４−メチルイミダゾール、１−シアノエチル−２−メチルイミダゾール、２−フェニル−４−メチル−５−ヒドロキシメチルイミダゾール、２−フェニル−４、５−ジヒドロキシメチルイミダゾール等のイミダゾール化合物等が挙げられる。
【００５３】
また、無機充填剤としては、シリカ粉末、アルミナ粉末、窒化アルミ粉末、窒化珪素粉末、硝子粉末、三酸化アンチモン等が挙げられ、これらは単独又は２種以上混合して使用することができる。これらの中でも特にシリカ粉末が線膨張率が低いことなどの理由から好ましく用いられる。
【００５４】
本発明の製造方法は、樹脂、硬化剤、硬化促進剤等の組み合わせによらず有効であるが、特に上述したようなエポキシ樹脂と酸無水物との組み合わせにおいては硬化促進剤の種類によらず、また、エポキシ樹脂とフェノール系樹脂との組み合わせにおいては硬化促進剤として有機ホスフィン化合物、ＤＢＵ、ＤＢＮ等の強化塩基性アミン化合物を用いた場合に高い効果を発揮するものである。
【実施例】
【００５５】
次に、本発明を実施例を参照して説明する。なお、本発明はこれらの実施例により限定されるものではない。
【００５６】
（実施例１）
以下の表１に示される原料を用い、表１に示されるような組成で配合、混合し、半導体封止材料の原料混合物を得た。なお、原料混合物の製造量は５０ｋｇとした。この原料混合物を８０℃〜１１０℃で溶融混練した後、冷却して固化させ固化物を得た。
【００５７】
この固化物を粉砕機にて、温度２０℃、相対湿度１８％ＲＨの乾燥空気を毎分１０Ｌの通気量で２０分間通気しながら粉砕し粉砕物である半導体封止材料を得た。
【００５８】
（実施例２）
実施例１と同様にして得た固化物を粉砕機にて、温度１５℃、相対湿度１８％ＲＨの乾燥空気を毎分２Ｌの通気量で６０分間通気しながら粉砕し粉砕物を得た。
【００５９】
（参考例１）
実施例１と同様にして得た固化物を温度２０℃、相対湿度６０％ＲＨの環境下で粉砕して粉砕物とした後、この粉砕物を容量１５０Ｌの乾燥用容器に収容し、この乾燥用容器に温度２０℃、相対湿度１８％ＲＨの乾燥空気を毎分１０Ｌの通気量で３０分間通気を行い半導体封止材料を得た。
【００６０】
（比較例１）
実施例１と同様にして得た固化物を、温度２０℃、相対湿度６０％ＲＨの環境下で粉砕して粉砕物である半導体封止材料を得た。
【００６１】
（比較例２）
実施例１と同様にして得た固化物を、温度１５℃、相対湿度４０％ＲＨの環境下で粉砕して粉砕物である半導体封止材料を得た。
【００６２】
なお、実施例１、２、参考例１の半導体封止材料の製造に用いた乾燥空気は、図６に示す乾燥空気供給装置とほぼ同様の装置構成の乾燥空気供給装置を用いて製造した。この乾燥空気供給装置に用いた主要な装置、機器を表２に示す。
【００６３】
【表１】
0004647223.tif 000002
【００６４】
【表２】
0004647223.tif 000003
【００６５】
次に、実施例１、２、参考例１、比較例１、２の半導体封止材料についてＳＦ（スパイラルフロー）値、ゲルタイム、フロー粘度の測定を行った。また、実施例１〜３、比較例１、２の半導体封止材料を用いて成形を行い、熱時硬度、曲げ強度、曲げ弾性率、連続ショット数の測定を行った。結果を表３に示す。
【００６６】
【表３】
0004647223.tif 000004
【００６７】
表３から明らかなように、実施例１、２の半導体封止材料は従来のものと同等の成形性を有していることが認められた。また、それを用いて製造された成形物は従来のものに比べて機械的強度等が向上していることが認められた。
【００６８】
（参考例２）
上記表１に示される原料を用い、表１に示されるような組成で配合、混合し、半導体封止材料の原料混合物を得た。なお、原料混合物の製造量は５０ｋｇとした。この原料混合物を８０℃〜１１０℃で溶融混練した後、冷却して固化させ固化物を得た。
【００６９】
この固化物を粉砕機にて粉砕して粉砕物とした後、この粉砕物を容量１５０Ｌの乾燥用容器に収容し、温度１５℃、相対湿度２１％ＲＨの乾燥空気を毎分１０Ｌの通気量で６０分間通気して半導体封止材料を得た。
【００７０】
（比較例３）
実施例４と同様にして固化物の作製、粉砕、乾燥空気による処理を行った。この後、乾燥空気による処理が行われた粉砕物を、夏場の高温、高湿下での製造、貯蔵を想定し、３０℃、相対湿度６０％ＲＨの環境下で４時間放置し、半導体封止材料を得た。
【００７１】
なお、参考例２、比較例３の半導体封止材料の製造に用いた乾燥空気は、図６に示す乾燥空気供給装置とほぼ同様の装置構成の乾燥空気供給装置を用いて製造した。この乾燥空気供給装置に用いた主要な装置、機器は上記表２に示した通りである。
【００７２】
次に、参考例２、比較例３の半導体封止材料の含水率を測定した後、これらの半導体封止材料を用いて成形を行い、熱時硬度、曲げ強度、曲げ弾性率、連続ショット数の測定を行った。結果を表４に示す。
【００７３】
【表４】
0004647223.tif 000005
【００７４】
表４から明らかなように、参考例２の半導体封止材料は従来の製造方法による半導体封止材料に比べて含水率が少なく、その硬化物は機械的強度等に優れていることが認められた。
【図面の簡単な説明】
【００７５】
【図１】本発明の半導体封止材料の製造工程の一例を示した流れ図
【図２】本発明に用いられる粉砕機（粗砕機）の一例を示した図
【図３】本発明に用いられる粉砕機（微砕機）の一例を示した図
【図４】本発明に用いられる乾燥容器の一例を示した図
【図５】本発明に用いられる乾燥容器の他の例を示した図
【図６】本発明に用いられる乾燥空気供給装置の一例を示した図
【符号の説明】
【００７６】
１…原料調製工程、２…混練工程、３…成形工程、４…冷却工程、５…粉砕工程、６…半導体封止材料、７…乾燥空気、１０…冷却機、１１…粉砕機（粗砕機）、１４…乾燥空気供給部、１５…粉砕物収容容器（粗砕物収容容器）、２０…粉砕機（微砕機）、２２…粉砕部、２３…乾燥空気供給部、２４…排出口、２５…粉砕物収容容器（微砕物収容容器）、３０，３５…乾燥用容器、３１，３６…乾燥空気導入部、３７…乾燥空気排出部、４０…乾燥空気供給装置
【図１】
0004647223.tif 000006
【図２】
0004647223.tif 000007
【図３】
0004647223.tif 000008
【図４】
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【図５】
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【図６】
0004647223.tif 000011