(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
表面が導電性を有する金属からなる基材粒子と前記基材粒子を被覆する絶縁性のコアシェル粒子とからなる被覆導電性粒子であって、
前記コアシェル粒子は、コア粒子と前記コア粒子の表面に形成されたシェル層とからなり、
前記コアシェル粒子は、コア粒子のガラス転移温度又は軟化温度よりもシェル層のガラス転移温度又は軟化温度が高いものであることを特徴とする被覆導電粒子。
【請求項２】
コアシェル粒子は、基材粒子の表面のアミノ基に対して結合性を有するエポキシ基を介して前記基材粒子の表面を部分的に被覆していることを特徴とする請求項１記載の被覆導電粒子。
【請求項３】
請求項１又は２記載の被覆導電粒子が絶縁性のバインダー樹脂中に分散されていることを特徴とする異方性導電材料。
【請求項４】
請求項１又は２記載の被覆導電粒子又は請求項３記載の異方性導電材料により導電接続されていることを特徴とする導電接続構造体。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板間の導電接続を確実に行うことができるとともに、隣接する粒子間でのリ
ークを防止することができる被覆導電粒子、該被覆導電粒子を用いてなる異方性導電材料
及び導電接続構造体に関する。
【背景技術】
【０００２】
基材粒子の表面の一部を樹脂により被覆した粒子（以下、被覆粒子ともいう）は、基材粒
子に耐熱性、耐磨耗性、絶縁性、導電性、撥水性、接着性、分散性、光沢、着色等の性能
が付与可能であり、種々の充填剤、改質剤としてフィルム、粘着剤、接着剤、塗料等に用
いられている。なかでも、金属表面を有した導電性粒子の表面を絶縁性の樹脂で被覆した
被覆導電粒子を接着剤に分散した異方導電フィルムや異方導電接着剤は、被覆した絶縁樹
脂により隣接する導電粒子間の導通を防ぐことが可能となり、接続信頼性の向上が期待さ
れている。
【０００３】
このような被覆導電粒子としては、例えば、特許文献１には、ハイブリダイゼーションに
より導電粒子の表面に絶縁層を形成させた被覆導電粒子が開示されており、また、例えば
、特許文献２には、導電粒子の表面に導電粒子より粒径が小さくかつ導電粒子と電荷の符
号が異なる子粒子を用いて被覆した被覆導電粒子が開示されている。
しかしながら、絶縁層や子粒子のガラス転移温度（Ｔｇ）又は軟化点温度が低いと、貯蔵
安定性が低く、被覆導電粒子同士が合着や凝集を起こしやすくなり、また、異方導電ペー
ストや異方導電フィルムとして電極間で熱圧着を行う際に、隣接粒子間でのリークが起こ
りやすくなるといった問題があり、絶縁層や子粒子のＴｇ又は軟化点温度が高いと、電極
間で熱圧着する際の条件が厳しくなり、基板や液晶セルガラスに大きな負担がかかるとい
った問題があった。
【０００４】
【特許文献１】特開平７−１０５７１６号公報
【特許文献２】特開２００３−２６８１３号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
本発明は、上記に鑑み、基板間の導電接続を確実に行うことができるとともに、隣接する
粒子間でのリークを防止することができる被覆導電粒子、該被覆導電粒子を用いてなる異
方性導電材料及び導電接続構造体を提供することを目的する。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明は、表面が導電性を有する金属からなる基材粒子と前記基材粒子を被覆するコアシェル粒子とからなる被覆導電性粒子であって、前記コアシェル粒子は、コア粒子と前記コア粒子の表面に形成されたシェル層とからなり、前記コアシェル粒子は、コア粒子のガラス転移温度又は軟化温度よりもシェル層のガラス転移温度又は軟化温度が高いものである被覆導電粒子である。
以下に本発明を詳述する。
【０００７】
本発明の被覆粒子は、表面が導電性を有する金属からなる基材粒子と該基材粒子を被覆す
る絶縁性のコアシェル粒子とからなる。
上記基材粒子は、その表面が導電性を有する金属からなる。このような被覆導電粒子は、
半導体素子等の小型電機部品を基板に電気的に接続したり、基板同士を電気的に接続した
りするためのいわゆる異方性導電材料として用いることができる。
この場合、上記基材粒子は、後述する無機化合物や有機化合物からなる球状芯材粒子の表
面に上記導電性を有する金属の層が形成されていてもよく、上記導電性を有する金属のみ
からなる金属粒子であってもよい。なかでも、有機化合物からなる球状芯材粒子の表面に
導電性の金属層が形成されたものは、基板間を導電接続する際の圧着時に変形して接合面
積を増やすことができることから、接続安定性の点で好ましい。
【０００８】
上記導電性を有する金属としては特に限定されず、例えば、金、銀、銅、白金、亜鉛、鉄
、錫、鉛、アルミニウム、コバルト、インジウム、ニッケル、クロム、チタン、アンチモ
ン、ビスマス、ゲルマニウム、カドミウム等の金属や、ＩＴＯ、ハンダ等の金属化合物か
らなるもの等が挙げられる。
【０００９】
上記導電性を有する金属からなる金属層が有機化合物からなる球状芯材粒子の表面に形成
されている場合、上記金属層は、単層構造であってもよく、複数の層からなる積層構造で
あってもよい。積層構造からなる場合には、最外層は金からなることが好ましい。最外層
を金からなるものにすることにより、耐食性が高く接触抵抗も小さいので、得られる被覆
粒子は更に優れたものとなる。
【００１０】
上記有機化合物からなる球状芯材粒子の表面に導電性の金属層を形成する方法としては特
に限定されず、例えば、物理的な金属蒸着法、化学的な無電解メッキ法等の公知の方法が
挙げられるが、工程の簡便さから無電解メッキ法が好適である。無電解メッキ法で形成で
きる金属層としては、例えば、金、銀、銅、プラチナ、パラジウム、ニッケル、ロジウム
、ルテニウム、コバルト、錫及びこれらの合金等が挙げられるが、本発明の被覆導電粒子
においては、均一な被覆を高密度で形成できることから金属層の一部又は全部が無電解ニ
ッケルメッキによって形成されたものであることが好ましい。
【００１１】
上記金属層の最外層に金層を形成する方法としては特に限定されず、例えば、無電解メッ
キ、置換メッキ、電気メッキ、スパッタリング等の既知の方法等が挙げられる。
【００１２】
上記金属層の厚みとしては特に限定されないが、好ましい下限は０．００５μｍ、好まし
い上限は２μｍである。０．００５μｍ未満であると、導電層としての充分な効果が得ら
れないことがあり、２μｍを超えると、得られる被覆導電粒子の比重が高くなりすぎたり
、有機化合物からなる母粒子の硬さがもはや充分変形できる硬度ではなくなったりするこ
とがある。より好ましい下限は０．０１μｍ、より好ましい上限は１μｍである。
【００１３】
また、上記金属層の最外層を金層とする場合には、金層の厚みの好ましい下限は０．００
１μｍ、好ましい上限は０．５μｍである。０．００１μｍ未満であると、均一に金属層
を被覆することが困難になり耐食性や接触抵抗値の向上効果が期待できないことがあり、
０．５μｍを超えると、その効果の割には高価である。より好ましい下限は０．０１μｍ
、より好ましい上限は０．３μｍである。
【００１４】
上記基材粒子が球状芯材粒子の表面に上記導電性を有する金属の層が形成されている場合
、上記球状芯材粒子としては特に限定されず、例えば、均一な組成からなる粒子や、複数
の原料が層状に構成された多層構造の粒子等が挙げられる。なかでも、基材粒子に機械的
特性や電気的特性等の種々の特性を付与したい場合には、多層構造の粒子が好適である。
【００１５】
上記球状芯材粒子を構成する材料としては特に限定されず、公知のシリカ等の無機材料や
有機材料等が挙げられる。なかでも、本発明の被覆導電粒子が異方性導電材料に用いられ
る場合に、基板間を導電接続する際の圧着時に変形して基材粒子表面と電極との接合面積
を増やすことができ、接続安定性に優れることから、有機材料が好ましい。
【００１６】
上記有機材料としては特に限定されず、例えば、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリス
チレン、ポリプロピレン、ポリイソブチレン、ポリブタジエン等のポリオレフィン、ポリ
メチルメタクリレート、ポリメチルアクリレート等のアクリル樹脂、ポリアルキレンテレ
フタレート、ポリスルホン、ポリカーボネート、ポリアミド、フェノールホルムアルデヒ
ド樹脂等のフェノール樹脂、メラミンホルムアルデヒド樹脂等のメラミン樹脂、ベンゾグ
アナミンホルムアルデヒド樹脂等のベンゾグアナミン樹脂、尿素ホルムアルデヒド樹脂、
エポキシ樹脂、（不）飽和ポリエステル樹脂、ポリエチレンテレフタレート、ポリスルホ
ン、ポリフェニレンオキサイド、ポリアセタール、ポリイミド、ポリアミドイミド、ポリ
エーテルエーテルケトン、ポリエーテルスルホン等からなるものが挙げられる。なかでも
、エチレン性不飽和基を有する種々の重合性単量体を１種又は２種以上重合させてなる樹
脂を用いてなるものは、好適な硬さを得やすいことから好ましい。
【００１７】
上記エチレン性不飽和基を有する重合性単量体は、非架橋性の単量体でも架橋性の単量体
でもよい。
上記非架橋性の単量体としては、例えば、スチレン、α−メチルスチレン、ｐ−メチルス
チレン、ｐ−クロロスチレン、クロロメチルスチレン等のスチレン系単量体；（メタ）ア
クリル酸、マレイン酸、無水マレイン酸等のカルボキシル基含有単量体；メチル（メタ）
アクリレート、エチル（メタ）アクリレート、プロピル（メタ）アクリレート、ブチル（
メタ）アクリレート、２−エチルヘキシル（メタ）アクリレート、ラウリル（メタ）アク
リレート、セチル（メタ）アクリレート、ステアリル（メタ）アクリレート、シクロヘキ
シル（メタ）アクリレート、イソボルニル（メタ）アクリレート、エチレングリコール（
メタ）アクリレート、トリフルオロエチル（メタ）アクリレート、ペンタフルオロプロピ
ル（メタ）アクリレート等のアルキル（メタ）アクリレート類；２−ヒドロキシエチル（
メタ）アクリレート、グリセロール（メタ）アクリレート、ポリオキシエチレン（メタ）
アクリレート、グリシジル（メタ）アクリレート等の酸素原子含有（メタ）アクリレート
類；（メタ）アクリロニトリル等のニトリル含有単量体；メチルビニルエーテル、エチル
ビニルエーテル、プロピルビニルエーテル等のビニルエーテル類；酢酸ビニル、酪酸ビニ
ル、ラウリン酸ビニル、ステアリン酸ビニル、フッ化ビニル、塩化ビニル、プロピオン酸
ビニル等の酸ビニルエステル類；エチレン、プロピレン、ブチレン、メチルペンテン、イ
ソプレン、ブタジエン等の不飽和炭化水素等が挙げられる。
【００１８】
上記架橋性の単量体としては、例えば、テトラメチロールメタンテトラ（メタ）アクリレ
ート、テトラメチロールメタントリ（メタ）アクリレート、テトラメチロールメタンジ（
メタ）アクリレート、トリメチロールプロパントリ（メタ）アクリレート、ジペンタエリ
スリトールヘキサ（メタ）アクリレート、ジペンタエリスリトールペンタ（メタ）アクリ
レート、グリセロールトリ（メタ）アクリレート；グリセロールジ（メタ）アクリレート
、ポリエチレングリコールジ（メタ）アクリレート、ポリプロピレングリコールジ（メタ
）アクリレート等の多官能（メタ）アクリレート類；トリアリル（イソ）シアヌレート、
トリアリルトリメリテート、ジビニルベンゼン、ジアリルフタレート、ジアリルアクリル
アミド、ジアリルエーテル等；γ―（メタ）アクリロキシプロピルトリメトキシシラン、
トリメトキシシリルスチレン、ビニルトリメトキシシラン等のシラン含有単量体；フタル
酸等のジカルボン酸類；ジアミン類；ジアリルフタレート、ベンゾグアナミン、トリアリ
ルイソシアネート等が挙げられる。
【００１９】
上記球状芯材粒子の平均粒子径の好ましい下限は０．５μｍ、好ましい上限は１０００μ
ｍである。０．５μｍ未満であると、球状芯材粒子の表面に金属層を形成する場合、球状
芯材粒子の凝集が生じやすく、このような凝集を起こした球状芯材粒子を用いて製造され
る被覆導電粒子が、異方性導電材料に用いられると隣接する電極間でショートを引き起こ
すことがある。１０００μｍを超えると、電極当たりの被覆導電粒子の個数が少なくなり
すぎ接続信頼性が低下し、基板間の導電接続が不良となることがある。なお、上記球状芯
材粒子の平均粒子径は光学顕微鏡、電子顕微鏡、粒度分布計等を用いて計測した粒子径を
統計的に処理して求めることができる。
【００２０】
上記球状芯材粒子の平均粒子径の変動係数は１０％以下であることが好ましい。１０％を
超えると、得られる被覆導電粒子が異方性導電材料に用いられると、相対向する基板間隔
を任意に制御することが困難になる。なお、上記変動係数とは、粒子径分布から得られる
標準偏差を平均粒子径で除して得られる数値である。
上記球状芯材粒子の１０％Ｋ値の好ましい下限は１０００ＭＰａ、好ましい上限は１５０
００ＭＰａである。１０００ＭＰａ未満であると、得られる被覆導電粒子の強度が不充分
であるため、本発明の被覆導電粒子が異方性導電材料に用いられると、圧縮変形させたと
きに粒子の破壊が生じ導電材料としての機能を果たさなくなることがあり、１５０００Ｍ
Ｐａを超えると、本発明の被覆導電粒子が異方性導電材料に用いられると、基板を傷つけ
ることがある。より好ましい下限は２０００ＭＰａ、より好ましい上限は１００００ＭＰ
ａである。なお、上記１０％Ｋ値は、微小圧縮試験器（例えば、島津製作所製ＰＣＴ−２
００等）を用い、粒子を直径５０μｍのダイアモンド製円柱からなる平滑圧子端面で、圧
縮速度２．６ｍＮ／秒、最大試験荷重１０ｇの条件下で圧縮した場合の圧縮変位（ｍｍ）
を測定し、下記式により求めることができる。
Ｋ値（Ｎ／ｍｍ2）＝（３／√２）・Ｆ・Ｓ−３／２・Ｒ−１／２
Ｆ：粒子の１０％圧縮変形における荷重値（Ｎ）
Ｓ：粒子の１０％圧縮変形における圧縮変位（ｍｍ）
Ｒ：粒子の半径（ｍｍ）
【００２１】
なお、１０％Ｋ値が上記条件を満たす球状芯材粒子を得るためには、球状芯材粒子は、上
述のエチレン性不飽和基を有する重合性単量体を重合させてなる樹脂からなることが好ま
しく、この場合、構成成分として架橋性単量体を少なくとも２０重量％以上含有すること
がより好ましい。
【００２２】
上記球状芯材粒子は、回復率が２０％以上であることが好ましい。２０％未満であると、
得られる被覆導電粒子を圧縮した場合に変形しても元に戻らないため接続不良を起こすこ
とがある。より好ましくは４０％以上である。なお、上記回復率とは、粒子に９．８ｍＮ
の荷重を負荷した後の回復率をいう。
【００２３】
このような球状芯材粒子の製造方法としては、従来公知の方法を用いることができ特に限
定されないが、例えば、エマルジョン重合法、転相乳化重合、懸濁重合法、分散重合法、
シード重合法、ソープフリー析出重合法等が挙げられる。なかでも粒径の制御性に優れる
シード重合法が好適である。
また、上記球状芯材粒子として市販されているものを用いることもできる。
【００２４】
本発明の被覆導電粒子において、上記基材粒子の表面には絶縁性のコアシェル粒子が被覆
されており、上記コアシェル粒子は、コア粒子と該コア粒子の表面に形成されたシェル層
とから構成されている。
上記コアシェル粒子を構成するコア粒子及びシェル層の材料としては絶縁性を有するもの
であれば特に限定されないが、有機材料からなることが好ましい。上記コア粒子及びシェ
ル層を構成する有機材料の種類を適宜選択することで上記コアシェル粒子の熱的特性を調
整することができるため、コアシェル粒子が変形又は破壊されやすくなり、基板間の圧着
を行う際に、基板との間からコアシェル粒子を確実に排除することができるようにするこ
とができる。
また、上記コア粒子及びシェル層の材料は、必要に応じて、熱特性、光学特性及び力学特
性等の異なる組み合わせを適宜選択することができる。
【００２５】
すなわち、上記コアシェル粒子は、上記コア粒子及びシェル層を構成する有機化合物の種
類を適宜選択することで、１）コア粒子のガラス転移温度（Ｔｇ）又は軟化点温度よりも
シェル層のＴｇ又は軟化点温度が高く、及び／又は、コア粒子の融点よりもシェル層の融
点が高いものや、逆に、２）シェル層のＴｇ又は軟化点温度に対するコア粒子のＴｇ又は
軟化点温度、及び／又は、シェル層の融点温度に対するコア粒子の融点温度が高いものと
することができる。
【００２６】
本発明の被覆導電粒子において、上記コアシェル粒子は、上記１）の中で、コア粒子のＴｇ又は軟化点温度よりもシェル層のＴｇ又は軟化点温度が高いものである。上記コアシェル粒子の材料として、従来凝集してしまうという問題があったＴｇ又は軟化点温度の低い有機材料を使用することができるからである。即ち、コア粒子を構成する材料としてＴｇ又は軟化点温度の低い有機材料を使用し、シェル層を構成する材料としてコア粒子よりＴｇ又は軟化点温度の高い有機材料を使用することで、本発明の被覆導電粒子は、従来の熱圧着条件より低温低圧で被覆粒子が変形・溶融しやすくなり、その結果、電極と導電被覆粒子間で確実に導電接続が可能となる。
この場合、上記コア粒子のＴｇ又は軟化点温度の上限は６０℃であることが好ましく、上記シェル層のＴｇ又は軟化点温度の上限は８０℃であることが好ましい。
【００２７】
上記コアシェル粒子のコア粒子の軟化点温度に対するシェル層の軟化点温度、及び／又は
、コア粒子の融点に対するシェル層の融点に差をつける方法としては特に限定されず、例
えば、コア粒子及びシェル層を構成する材料としてＴｇが異なる材料を用いてマイクロカ
プセル化する方法や、コア粒子及びシェル層を構成する材料として架橋度の異なる材料を
用いてマイクロカプセル化する方法等が挙げられる。
【００２８】
なお、樹脂のＴｇは、用いる重合性単量体を選択することにより、また、Ｔｇの異なる２
種以上の重合性単量体を共重合させることにより任意に調整可能である。例えば、Ｔｇ又
は軟化点温度が単独で６０℃以下となる重合性単量体としては、イソブチルメタクリレー
ト、グリシジルメタクリレート等が挙げられる。また、Ｔｇが６０℃以上のスチレンやメ
タクリル酸メチル等とＴｇが６０℃未満のブチルアクリレートやドデシルメタクリレート
等とを適当な比率で共重合させることによりＴｇを６０℃以下にすることができる。
また、Ｔｇが８０℃以上の樹脂としては、例えば、スチレン、α−メチルスチレン、メチ
ルメタクリレート、ｔ−ブチルメタクリレート等が挙げられる。これらは、単独で用いら
れてもよく、２種以上が併用されてもよい。
【００２９】
また、コア粒子及びシェル層を構成する材料として架橋度の異なる材料を用い、上記コア
粒子の軟化点温度よりもシェル層の軟化温度が高く、及び／又は、コア粒子の融点よりも
シェル層の融点が高いものである場合、上記コア粒子となる樹脂の架橋度は５％未満であ
ることが好ましく、上記シェル層となる樹脂の架橋度は５％以上であることが好ましい。
【００３０】
上記コアシェル粒子のコア粒子及びシェル層を構成する有機材料としては絶縁性を有する
ものであれば特に限定されず、例えば、上述の基材粒子に用いられる有機材料等が挙げら
れる。
なお、上記コアシェル粒子を構成する材料としては上記有機材料に限定されることはなく
、例えば、シリカ等の無機材料からなるものであってもよい。
【００３１】
上記有機材料の中では、本発明の被覆導電粒子が異方性導電材料として用いられる場合に
は、加熱圧着の際に、上記被覆導電粒子と基板間の有機材料粒子が溶融又は軟化し、良好
な基板間の導電接続が得られるため、熱可塑性の樹脂が好適に用いられる。
【００３２】
なお、本発明の被覆導電粒子において、上記コアシェル粒子を作製する方法としては、例
えば、ソープフリー重合が好適に用いられる。
【００３３】
上記コアシェル粒子において、コア粒子の粒径及びシェル層の厚さとしては特に限定され
ないが、好ましくはシェル層の厚さがコア粒子の粒径の１／１００以上、より好ましくは
１／５０以上であり、また、シェル層の厚さはコア層の粒径の１／５以下であることが好
ましい。１／１００未満であると、シェル層が薄すぎ、シェル層が破壊されやすく被覆粒
子同士が凝集することがあり、１／５を超えると、コアシェル粒子の物性がシェル層の物
性に支配され、コアシェル粒子が変形しにくくなり、基材粒子表面が露出しにくくなるた
め、基板間の導電接続を行う場合に電極間の導通不良を起こしやすくなることがある。
【００３４】
上記コアシェル粒子の粒子径は、基材粒子の粒子径及び本発明の被覆導電粒子の用途によ
っても異なるが、基材粒子の粒子径の１／１０以下であることが好ましい。１／１０を超
えると、基材粒子の物性が、コアシェル粒子の物性によって支配されることがあり、基材
粒子を用いる効果が得られにくくなる。更に好ましくは、コアシェル粒子の粒子径の下限
は１０ｎｍ、好ましい上限は２０００ｎｍである。
また、上記コアシェル粒子の粒子径が上記基材粒子の粒子径の１／１０以下である場合、
後述するヘテロ凝集法により本発明の被覆導電粒子を製造する際に、効率よく基材粒子上
にコアシェル粒子を吸着させることができる。
また、本発明の被覆粒子を異方性導電材料として用いる場合は、上記コアシェル粒子の粒
子径の好ましい下限は５ｎｍ、上限は１０００ｎｍであり、より好ましい下限は１０ｎｍ
、上限は５００ｎｍである。５ｎｍ未満であると、隣接する被覆導電粒子間の距離が電子
のホッピング距離より小さくなり、リークが起こりやすくなり、１０００ｎｍを超えると
、圧着する際に必要な圧力や熱が大きくなりすぎることがある。
なお、大きなコアシェル粒子により被覆された隙間に小さなコアシェル粒子が入り込み、
被覆密度を向上できるため、粒子径の異なる２種以上のコアシェル粒子を併用してもよい
。この際、小さなコアシェル粒子の粒子径は大きなコアシェル粒子の粒子径の１／２以下
であることが好ましく、また、小さなコアシェル粒子の数は大きなコアシェル粒子の数の
１／４以下であることが好ましい。
【００３５】
上記コアシェル粒子は、粒子径のＣＶ値が２０％以下であることことが好ましい。２０％
を超えると、得られる被覆導電粒子の大きさが不均一となり、本発明の被覆導電粒子が異
方性導電材料に用いられる場合、基板間で圧着する際に均一に圧力がかけにくくなり、導
電接続が不良となることがある。なお、上記粒子径のＣＶ値は、下記式により算出するこ
とができる。
粒子径のＣＶ値（％）＝粒子径の標準偏差／平均粒子径×１００
上記粒子径分布の測定方法としては、基材粒子を被覆する前は粒度分布計等で測定できる
が、被覆した後はＳＥＭ写真の画像解析等で測定することができる。
【００３６】
本発明の被覆導電粒子は、このようなコアシェル粒子が基材粒子の表面に被覆されている
のであるが、上記コアシェル粒子は、その表面積の２０％以下が上記基材表面粒子の表面
と接触していることが好ましい。２０％を超えると、上記コアシェル粒子の変形が大きく
、得られる被覆導電粒子の大きさが不均一となったり、シェル層が破壊されてコアシェル
構造を維持できなくなったりする。なお、下限については特に限定されず、コアシェル粒
子と基材粒子とが、例えば鎖長の長いポリマー等により結ばれている場合には、実質的に
０％であってもよい。
【００３７】
本発明の被覆導電粒子は、上記基材粒子の表面の５％以上が上記コアシェル粒子により被
覆されていることが好ましい。５％未満であると、被覆導電粒子の絶縁性を確保できなこ
とがある。また、本発明の被覆粒子が異方性導電材料に用いられる場合、コアシェル粒子
の被覆密度の好ましい下限は５％、好ましい上限は６０％である。５％未満であると、隣
接粒子間で基材粒子の金属表面が接触して横方向のリークが起こりやすくなり、６０％を
超えると、充分な導通性を確保することができなくなるおそれがある。
なお、上記基材粒子表面のコアシェル粒子による被覆率は、コアシェル粒子の添加量（濃
度）、基材粒子表面に導入する官能基の量（密度）、反応溶媒の種類等によって制御可能
である。
【００３８】
本発明の被覆導電粒子において、上記コアシェル粒子は、基材粒子に対して結合性を有す
る官能基（Ａ）を介して上記基材粒子の表面を部分的に被覆していることが好ましい。こ
の場合、上記コアシェル粒子は、上記基材粒子に化学結合されることとなり、ファンデル
ワールス力や静電気力のみによる結合に比べて結合力が強く、本発明の被覆導電粒子が異
方性導電材料に用いられる場合、バインダー樹脂等に混練する際にコアシェル粒子が剥が
れ落ちたり、隣接する被覆導電粒子との接触によりコアシェル粒子が剥がれ落ちてリーク
が起こったりするのを防ぐことができる。また、この化学結合は基材粒子とコアシェル粒
子との間にのみ形成され、コアシェル粒子同士が結合することはないので、コアシェル粒
子は単層で被覆されることとなる。このことから、基材粒子及びコアシェル粒子として粒
子径の揃ったものを用いれば、容易に本発明の被覆導電粒子の粒子径を均一なものとする
ことができる。
【００３９】
上記官能基（Ａ）としては、金属に対して官能基（Ａ）が結合性を有する場合に金属と
イオン結合、共有結合、配位結合が可能な基であれば特に限定されず、例えば、シラン基
、シラノール基、カルボキシル基、アミノ基、アンモニウム基、ニトロ基、水酸基、カル
ボニル基、チオール基、スルホン酸基、スルホニウム基、ホウ酸基、オキサゾリン基、ピ
ロリドン基、燐酸基、ニトリル基等が挙げられる。基材粒子が金属からなる表面を有する
本発明の被覆導電粒子では、金属との結合は配位結合が好適に用いられるため、Ｓ、Ｎ、
Ｐ原子を有する官能基が好適に用いられる。例えば、上記金属が金の場合には、金に対し
て配位結合を形成するＳ原子を有する官能基、特にチオール基、スルフィド基であること
が好ましい。
【００４０】
このような官能基（Ａ）を用いて基材粒子とコアシェル粒子とを化学結合させる方法とし
ては特に限定されないが、例えば、１）官能基（Ａ）を表面に有するコアシェル粒子を基
材粒子の表面に導入する方法、２）官能基（Ａ）と反応性官能基（Ｂ）とを有する化合物
を基材粒子表面に導入し、その後一段階又は多段階の反応により反応性官能基（Ｂ）とコ
アシェル粒子とを反応させて結合する方法等が挙げられる。
【００４１】
上記１）の方法において、官能基（Ａ）を表面に有するコアシェル粒子を作製する方法と
しては特に限定されず、例えば、官能基（Ａ）を有するモノマーをコアシェル粒子の製造
時に混入させる方法；コアシェル粒子の表面に化学結合により官能基（Ａ）を導入する方
法；コアシェル粒子の表面を化学処理し官能基（Ａ）に改質する方法；コアシェル粒子の
表面をプラズマ等で官能基（Ａ）に改質する方法等が挙げられる。
【００４２】
上記２）の方法としては、例えば、同一分子内に官能基（Ａ）とヒドロキシル基、カルボ
キシル基、アミノ基、エポキシ基、シリル基、シラノール基、イソシアネート基等の反応
性官能基（Ｂ）とを有する化合物を基材粒子と反応させ、次いで、反応性官能基（Ｂ）に
共有結合可能な官能基を表面に有する有機化合物粒子を反応させる方法等が挙げられる。
このような同一分子内に官能基（Ａ）と反応性官能基（Ｂ）とを有する化合物としては、
例えば、２−アミノエタンチオール、ｐ−アミノチオフェノール等が挙げられる。２−ア
ミノエタンチオールを用いれば、基材粒子の表面にＳＨ基を介して２−アミノエタンチオ
ールを結合させ、一方のアミノ基に対して例えば表面にエポキシ基やカルボキシル基等を
有するコアシェル粒子を反応させることにより、基材粒子とコアシェル粒子とを結合する
ことができる。
【００４３】
本発明の被覆導電粒子を製造する方法としては特に限定されず、例えば、静電相互作用、
ドライブレンド法、融解分散冷却法、溶解分散乾燥法、ヘテロ凝集法、スプレードライ法
、界面重合法等で基材粒子の表面にコアシェル粒子を導入し、コアシェル粒子と基材粒子
とを化学結合させる方法が挙げられる。基材粒子の表面が導電性の金属からなる本発明の
被覆導電粒子では、単層のコアシェル粒子で被覆する場合、コアシェル粒子の導入の際に
はヘテロ凝集法が好適に用いられる。
【００４４】
上記ヘテロ凝集法は、水及び／又は有機溶剤中でコアシェル粒子を基材粒子表面に凝集さ
せことにより導電性を有する金属からなる基材粒子表面に均一にコアシェル粒子を被覆す
ることができる。また、水及び／又は有機溶剤が介在することにより、溶媒効果により基
材粒子表面又は基材粒子表面に導入された官能基とコアシェル粒子の官能基との化学反応
が迅速に起こるため、必要以上の圧力を必要とせず、また、系全体の温度の制御も容易で
あるため、基材粒子への負荷が小さくなる。また、コアシェル粒子が過剰の熱により変形
や破壊するといった問題が起こりにくくなり、被覆の精度が極めて高くなる。
【００４５】
これに比べて、例えば、高速攪拌機やハイブリダイザー等を用いた乾式方法により基材粒
子表面にコアシェル粒子を導入すると、必要以上の圧力や摩擦熱等の負荷がかかりやすく
なる。この際、コアシェル粒子が基材粒子との衝撃や塵擦熱により変形または破壊し、被
覆粒子の膜厚が不均一になったり、コアシェル粒子が積層付着し、被覆厚の制御が困難に
なったりすることがある。
上記有機溶剤としては、コアシェル粒子を溶解しないのもであれば特に限定されない。
【００４６】
本発明の被覆導電粒子は、コアシェル粒子によって基材粒子表面が単層で被覆されている
ことが好ましい。単層であると、コアシェル粒子の粒子径を制御することで、容易に本発
明の被覆導電粒子の粒子径を制御することができ、本発明の被覆導電粒子を用いて圧着に
より基板等の接続を行う際、被覆粒子に加わる圧力を均一なものとすることができ、確実
な接続を実現することができるからである。なお、コアシェル粒子によって基材粒子表面
を単層で被覆する方法としては、上述したヘテロ凝集法が好ましい。
【００４７】
本発明の被覆導電粒子は、被覆導電粒子１ｇと１０ｍＬの超純水とを石英管に封入し、１
２０℃、２４時間抽出したときに、上記超純水中に抽出されるイオンの濃度が１０ｐｐｍ
以下であることが好ましい。１０ｐｐｍを超えると、本発明の被覆導電粒子を液晶表示素
子用上下導通材料として用いた場合、被覆導電粒子に起因するイオンマイグレーションが
発生し、短絡等の原因となったり、液晶を汚染したりすることがある。
このような抽出されるイオンの濃度を達成する方法としては特に限定されないが、上記被
覆導電粒子を構成する基材粒子又は被覆するコアシェル粒子を以下の方法により作製する
方法が挙げられる。
【００４８】
すなわち、イオン性官能基を有する重合性単量体を含む重合性単量体混合物と、ノニオン
性重合開始剤とを含有する重合性組成物を水中に均一に分散した状態で重合して表面にイ
オン性官能基を有する基材樹脂又はコアシェル粒子となる樹脂微粒子を得る。更に、得ら
れた樹脂微粒子のイオン性官能基を非イオン性官能基に変換する方法により基材粒子又は
被覆するコアシェル粒子を作製したり、基材粒子をコアシェル粒子で被覆した後、コアシ
ェル粒子表面のイオン性官能基を非イオン性官能基に変換したりすることによって作製す
る。
【００４９】
本発明の被覆導電粒子は、異方性導電材料、熱線反射材料、電磁波シールド材料等の用途
に用いることができる。なかでも、絶縁性のバインダー樹脂中に分散させることにより異
方性導電材料として好適に用いることができる。
本発明の被覆導電粒子が絶縁性のバインダー樹脂中に分散されている異方性導電材料もま
た、本発明の１つである。
なお、本明細書において、異方性導電材料には、異方性導電膜、異方性導電ペースト、異
方性導電接着剤、異方性導電インク等が含まれる。
【００５０】
上記絶縁性のバインダー樹脂としては、絶縁性であれば特に限定されないが、例えば、ア
クリル酸エステル、エチレン−酢酸ビニル樹脂、スチレン−ブタジエンブロック共重合体
及びその水添物、スチレン−イソプレンブロック共重合体及びその水添物等の熱可塑性樹
脂；エポキシ樹脂、アクリル酸エステル樹脂、メラミン樹脂、尿素樹脂、フェノール樹脂
等の熱硬化性樹脂；多価アルコールのアクリル酸エステル、ポリエステルアクリレート、
多価カルボン酸の不飽和エステル等の紫外線、電子線等により硬化する樹脂等が挙げられ
る。なかでも、熱及び／又は光により硬化する粘接着剤が好適である。
【００５１】
また、本発明の異方性導電材料を用いて液晶表示素子の液晶基板を導電接続する場合、上
記バインダー樹脂は、液晶の汚染を防止するために光及び／又は熱による硬化後の体積抵
抗値が１×１０１３Ω・ｃｍ以上、１００ｋＨｚにおける誘電率（比誘電率）が３以上で
あることが好ましい。
【００５２】
本発明の異方性導電材料においては、含有される本発明の被覆導電粒子のコアシェル粒子
に含まれる官能基と、バインダー樹脂中の官能基とが化学結合することが好ましい。上記
コアシェル粒子とバインダー樹脂とが化学結合することにより、バインダー樹脂中に分散
された本発明の被覆導電粒子の安定性に優れるとともに、熱溶融したコアシェル粒子がブ
リードアウトして基板や液晶を汚染することがなく、かつ、長期的な接続の安定性や信頼
性に優れる異方性導電材料となる。
【００５３】
このようなコアシェル粒子とバインダー樹脂との組み合わせとしては、例えば、コアシェ
ル粒子はカルボキシル基、エポキシ基、イソシアネート基、アミノ基、水酸基、スルホン
酸、シラン基、シラノール基等の官能基を有することが好ましく、なかでもエポキシ基、
アミノ基を有することがより好ましい。これに対して、バインダー樹脂は、常温下、加熱
下又は光照射下でこれらの官能基と反応性の官能基を有する（共）重合体や、上記反応性
の官能基を有し、重合反応や重縮合反応により（共）重合体や重縮合体を形成することが
できる単量体等を用いることが好ましい。これらのバインダー樹脂は、単独で用いられて
もよいし、２種類以上が併用されてもよい。
【００５４】
本発明の異方性導電材料には、必須成分であるバインダー樹脂及び本発明の被覆導電粒子
以外に、本発明の課題達成を阻害しない範囲で必要に応じて、例えば、充填剤、増量剤、
軟化剤、可塑剤、重合触媒、硬化触媒、着色剤、酸化防止剤、熱安定剤、光安定剤、紫外
線吸収剤、滑剤、帯電防止剤、難燃剤等の各種添加剤の１種類又は２種類以上が添加され
てもよい。
【００５５】
上記バインダー樹脂中に本発明の被覆導電粒子を分散させる方法としては特に限定されず
、従来公知の分散方法を用いることができ、例えば、バインダー樹脂中に被覆導電粒子を
添加した後、プラネタリーミキサー等で混練して分散させる方法；被覆導電粒子を水や有
機溶剤中にホモジナイザー等を用いて均一に分散させた後、バインダー樹脂中へ添加し、
プラネタリーミキサー等で混練して分散させる方法；バインダー樹脂を水や有機溶剤等で
希釈した後、被覆導電粒子を添加し、プラネタリーミキサー等で混練して分散させる方法
等の機械的剪断力を付与する分散方法等が挙げられる。これらの分散方法は、単独で用い
られてもよいし、２種類以上が併用されてもよい。
【００５６】
上記機械的剪断力を付与する方法としては特に限定されず、例えば、遊星式攪拌機、万能
攪拌機、プラネタリーミキサー、ロール、プロペラ撹拌機、ディスパー等の各種混合攪拌
機やこれらを用いる各種混合撹拌方法等が挙げられる。なお、上記機械的剪断力の付与に
際しては、バインダー樹脂中に分散させる本発明の被覆導電粒子の構造を破壊するほどの
機械的剪断力を加えないような方法や条件を適宜選択して行うことが好ましい。
【００５７】
本発明の異方性導電材料の形態としては特に限定されず、例えば、バインダー樹脂として
絶縁性の液状又は固形の粘接着剤を用い、この粘接着剤中に本発明の被覆粒子を分散させ
てなる不定形の異方性導電接着剤であってもよいし、定形の異方性導電膜であってもよい
。
【００５８】
本発明の異方性導電材料を用いて基板間の接合を行う場合、熱及び圧力を加えて圧着する
ことにより基材粒子の金属表面を露出させて導電接続を行う。ここで金属表面が露出する
とは、基材粒子の金属表面がコアシェル粒子に妨げられずに直接基板の電極等と接するこ
とができる状態になることをいう。なお、上記圧着の条件としては、異方性導電材料中の
被覆導電粒子の密度や接続する電子部品の種類等により必ずしも限定されないが、通常は
１２０〜２２０℃の温度で、９．８×１０４〜４．９×１０６Ｐａの圧力により行う。
【発明の効果】
【００５９】
本発明の被覆導電粒子は、表面が導電性を有する金属からなる基材粒子の表面に絶縁性の
コアシェル粒子が被覆されたものであるため、上記コアシェル粒子のコア粒子及びシェル
層を構成する材料を適宜選択することで、該コアシェル粒子の熱的特性等を調整すること
ができる。その結果、コアシェル粒子を変形又は破壊されやすくすることができるため、
本発明の被覆導電粒子を用いて基板の圧着を行うと、基板との間のコアシェル粒子のみを
確実に排除することができ、基板間を確実に導電接続させることができ、隣接する被覆導
電粒子間の絶縁性は確保することができる。
また、基材粒子を被覆する材料としてはガラス転移温度（Ｔｇ）又は軟化点温度が低くブ
ロック化しやすいため長期保存ができないとされていた長鎖アルキル基を有する（メタ）
アクリル樹脂やポリオレフィン系樹脂等であっても、コアシェル粒子のコア粒子とし、シ
ェル層のＴｇをより高い物質とすることで、長期安定性に優れ、低温低圧条件下で基板間
の圧着を行った場合であっても、基材粒子と基板との間のコアシェル粒子のみが排除され
、基材粒子表面と基板表面とを確実に接触させた状態で導電接続することができる。
また、コアシェル粒子のコア粒子を構成する材料を変えることで、複数の成分からなるコ
アシェル粒子を基材粒子の表面に被覆させることができ、被覆導電粒子の粒径の制御もコ
アシェル粒子の粒径を制御することで可能となる。
【００６０】
また、本発明の被覆導電粒子のコアシェル粒子が基材粒子に対して結合性を有する官能基
（Ａ）を介して基材粒子表面に被覆されている場合、隣接する粒子間にかかる圧力では絶
縁性を有するコアシェル粒子が基材粒子の表面から剥がれることはなく、確実な絶縁性を
得ることができる。
【００６１】
このような本発明の被覆導電粒子が絶縁性のバインダー樹脂中に分散されている本発明の
異方性導電材料は、圧着により基板等の電極同士を電気的に接続する際に、基板と基材粒
子との間のコアシェル粒子のみが変形又は破壊されことで排除され、基材粒子の金属表面
が露出して確実な導通が得られる。
また、被覆導電粒子のコアシェル粒子が基材粒子に対して結合性を有する官能基（Ａ）を
介して基材粒子表面に被覆されている場合、隣接する被覆導電粒子間にかかる圧力や、バ
インダー樹脂中に分散させる際の衝撃等によってコアシェル粒子が基材粒子の表面から剥
がれることはなく、確実な絶縁性を得ることができる。
【００６２】
本発明の被覆導電粒子又は本発明の異方性導電材料により接続される対象物としては、例
えば、表面に電極若しくは導電パターンが形成された基板、又は、フィルム、半導体パッ
ケージ、半導体チップ等の微細な電子部品や、スイッチ、コネクタ等を含む電子部品等が
挙げられる。これらの電子部品が導電接続されてなる導電接続構造体もまた、本発明の１
つである。
【発明を実施するための最良の形態】
【００６３】
以下に実施例を掲げて本発明を更に詳しく説明するが、本発明はこれら実施例のみに限定
されるものではない。
【００６４】
（１）コアシェル粒子の作製
４ツ口セパラブルカバー、攪拌翼、三方コック、冷却管、温度プローブを取り付けた１０
００ｍＬ容のセパラブルフラスコに、メタクリル酸グリシジル１５０ｍｍｏｌ、ジメタク
リル酸エチレングリコール４．５ｍｍｏｌ、メタクリル酸フェニルジメチルスルホニウム
メチル硫酸塩３ｍｍｏｌ、２，２’−アゾビス［Ｎ−（２−カルボキシエチル）−２−メ
チル−プロピオンアミジン］４水和物３ｍｍｏｌ、及び、蒸留水５００ｍＬを秤量した後
、２００ｒｐｍで攪拌し、窒素雰囲気下７０℃で５時間重合を行い粒径１６５ｎｍのポリ
メタクリル酸グリシジルを主成分とするコア粒子を得た。
引き続き、メタクリル酸メチル１３５ｍｍｏｌ、メタクリル酸グリシジル１５ｍｍｏｌ、
ジメタクリル酸エチレングリコール４．５ｍｍｏｌ、メタクリル酸フェニルジメチルスル
ホニウムメチル硫酸塩３ｍｍｏｌ、及び、２，２’−アゾビス［Ｎ−（２−カルボキシエ
チル）−２−メチル−プロピオンアミジン］４水和物３ｍｍｏｌの混合物を１時間かけて
滴下し、更に、４時間重合を行った。
得られたコアシェル粒子を遠心分離操作による未反応モノマー、開始剤塔の除去・洗浄を
２回行うことにより、ポリメタクリル酸グリシジルを主成分とするコアとメタクリル酸メ
チルを主成分とするシェルとからなり、表面にエポキシ基を有するコアシェル粒子を得た
。得られたコアシェル粒子は、粒子径２０３ｎｍ、ＣＶ値８．５％であった。なお、粒子
径及び分布は、動的光散乱粒度分布計（大塚電子社製、「ＤＬＳ８０００」）により測定
した。
【００６５】
（２）基材粒子の作製
平均粒子径５μｍのテトラメチロールメタンテトラアクリレート／ジビニルベンゼンから
なる球状芯材粒子（積水化学工業社製、「ミクロパールＳＰ−２０５」）に、脱脂、セン
シタイジング、アクチベイチングを行い樹脂表面にＰｄ核を生成させ、無電解メッキの触
媒核とした。次に、所定の方法に従って建浴、加温した無電解Ｎｉメッキ浴に浸漬し、Ｎ
ｉメッキ層を形成した。次に、ニッケル層の表面に無電解置換金メッキを行い、金属表面
を有する基材粒子（１）を得た。
得られた基材粒子（１）のＮｉメッキ厚みは９００ｎｍであり、金メッキの厚みは２１０
ｎｍであった。
【００６６】
（３）被覆導電粒子の作製
４ツ口セパラブルカバー、攪拌翼、三方コックを取り付けた２０００ｍＬ容のセパラブル
フラスコ中で、２−アミノエタンチオール２０ｍｍｏｌをメタノール１０００ｍＬに溶解
させて反応溶液を得た。（２）で得られた基材粒子（１）２０ｇを窒素雰囲気下で反応溶
液に分散させ、室温で３時間攪拌し、濾過により未反応の２−アミノエタンチオールを除
去し、メタノールで洗浄後、乾燥し、表面に反応性の官能基であるアミノ基を有する基材
粒子（２）を得た。
得られた基材粒子（２）１０ｇをアセトン５００ｍＬに分散させ、コアシェル粒子を超音
波照射下でアセトンに固形分率が１０％となるように分散したコアシェル粒子分散液３ｇ
を添加し、室温で３時間攪拌した。３μｍのメッシュフィルターで濾過後、更に、乳鉢で
軽く粉砕した後、１０μｍの篩を通すことにより単粒子状態の被覆導電粒子（１）を得た
。
得られた被覆導電粒子（１）は、基材粒子（２）の表面にコアシェル粒子が１層のみ形成
されており、画像解析により被覆導電粒子の中心より２．５μｍの面積に対するコアシェ
ル粒子の被覆面積（即ち、コアシェル粒子の粒子径の投影面積）を算出したところ、被覆
率は３０％であった。また、ＴＥＭによる断面間接により、コアシェル粒子と基材粒子（
２）との結合界面は、コアシェル粒子の円周の１２％であることから、基材粒子（２）と
の界面結合面積は、コアシェル粒子の表面積の１２％であった。
【００６７】
（４）異方性導電材料の作製
バインダー樹脂としてエポキシ樹脂（油化シェルエポキシ社製：「エピコート８２８」）
１００部及びトリスジメチルアミノエチルフェノール、トルエン１００部を、遊星式攪拌
機を用い、充分に分散混合させ、離型フィルム上に乾燥後の厚みが１０μｍとなるように
一定の厚みで塗布し、トルエンを蒸発させ、被覆導電粒子を含有しない接着性フィルムを
得た。
【００６８】
次に、バインダー樹脂としてエポキシ樹脂（油化シェルエポキシ社製：「エピコート８２
８」）１００部及びトリスジメチルアミノエチルフェノール、トルエン１００部に実施例
１にかかる被覆導電粒子（１）を添加し、遊星式攪拌機を用い、充分に分散混合させ、バ
インダー樹脂分散体を得た後、離型フィルム上に乾燥後の厚みが７μｍとなるように一定
の厚みで塗布し、トルエンを蒸発させ、（３）で得られた被覆導電粒子（１）を含有する
接着性フィルムを作製した。なお、被覆導電粒子（１）の添加量は、異方性導電膜中の含
有量が２０万個／ｃｍ２となるように設定した。
【００６９】
（３）で得られた被覆導電粒子（１）を含有する接着性フィルムに、被覆導電粒子（１）
を含有しない接着性フィルムを常温でラミネートすることにより、２層構造を有する厚さ
１７μｍの異方性導電フィルム（１）を得た。
【００７０】
（比較例１）
４ツ口セパラブルカバー、攪拌翼、三方コック、冷却管、温度プローブを取り付けた１０
００ｍＬ容のセパラブルフラスコに、メタクリル酸グリシジル２００ｍｍｏｌ、ジメタク
リル酸エチレングリコール６ｍｍｏｌ、メタクリル酸フェニルジメチルスルホニウムメチ
ル硫酸塩４ｍｍｏｌ、２，２’−アゾビス［Ｎ−（２−カルボキシエチル）−２−メチル
−プロピオンアミジン］４水和物４ｍｍｏｌ、及び、蒸留水５００ｍＬを秤量した後、２
００ｒｐｍで攪拌し、窒素雰囲気下７０℃で５時間重合を行い粒径２０４ｎｍのポリメタ
クリル酸グリシジル粒子を得た。
その後、実施例１と同様の方法により、被覆導電粒子（２）を作製し、更に、異方性導電
フィルム（２）を得た。
【００７１】
（比較例２）
メタクリル酸グリシジル２００ｍｍｏｌの代わりに、メタクリル酸メチル１８０ｍｍｏｌ
及びメタクリル酸グリシジル２０ｍｍｏｌを用いた以外は、比較例１と同様の方法で、粒
径１９５ｎｍのポリメタクリル酸メチル／メタクリル酸グリシジル粒子を得た。
その後、実施例１と同様の方法により、被覆導電粒子（３）を作製し、更に、異方性導電
フィルム（３）を得た。
【００７２】
（保存安定性の評価）
実施例１及び比較例１、２で得られた被覆導電粒子（１）〜（３）について、６０℃、４
０％ＲＨの恒温恒湿槽にて２４時間の環境試験を行い、ＳＥＭにより観察した。
結果を表１に示す。なお、表１中○は、被覆導電粒子が５個以上凝集した凝集塊が観察さ
れなかったことを示し、×は、被覆導電粒子が５個以上凝集した凝集塊が観察されたこと
を示す。
【００７３】
（導通の評価）
ＩＴＯ電極（幅１００μｍ、高さ０．２μｍ、長さ２ｃｍ）を有したガラス基板（幅１ｃ
ｍ、長さ２．５ｃｍ）の一方に、実施例１及び比較例１、２で得られた異方性導電フィル
ム（１）〜（３）を５×５ｍｍに切断し、ほぼ中央部に貼り付けた後、同じＩＴＯ電極を
有したガラス基板を互いの電極が９０度に重なるように位置合わせを行って貼り付けた。
ガラス基板の接合部を１０Ｎ、１５０℃の圧着条件で圧着を行った後、電極間の抵抗値を
測定した。
結果を表１に示す。なお、表１中○は、良好な導通が確保されていたことを示し、×は、
導通不良が起こったことを示す。
【００７４】
【表１】
0004686120.tif 000002
【００７５】
表１に示したように、比較例１に係る被覆導電粒子は凝集塊が多数観察されたが、実施例
１及び比較例２に係る被覆導電粒子は凝集塊は観察されず単粒子状態を維持していた。
また、実施例１及び比較例１にかかる異方性導電フィルム（１）及び（２）は、抵抗値が
０．６〜１．３Ωであり、充分な導通性が確保されていたことから、圧着面のコアシェル
粒子が充分につぶれていたことが確認された。一方、比較例２にかかる異方性導電フィル
ム（３）は、抵抗値が１２．５Ωであり、導通不良が発生したことから、圧着面に微粒子
が残っており、圧着が充分でなかったことが確認された。
【産業上の利用可能性】
【００７６】
本発明は、上記の構成よりなるので、基板間の導電接続を確実に行うことができるととも
に、隣接する粒子間でのリークを防止することができる被覆導電粒子、該被覆導電粒子を
用いてなる異方性導電材料及び導電接続構造体を提供することができる。