(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
アンドープの第１の窒化物半導体からなる第１の半導体層と、
前記第１の半導体層の主面上に形成され、バンドギャップが前記第１の窒化物半導体よりも大きいアンドープの第２の窒化物半導体からなる第２の半導体層と、
前記第２の半導体層上に選択的に形成され、ｐ型の導電性を有する第３の窒化物半導体からなるコントロール層と、
前記第２の半導体層の上で且つ前記コントロール層の両側方の領域にそれぞれ形成されたソース電極及びドレイン電極と、
前記コントロール層の上側に形成されたゲート電極と、
前記第１の半導体層の前記主面と反対側の面上に形成され、前記第１の窒化物半導体に対して価電子帯にポテンシャル障壁を有し、組成にアルミニウムを含む第４の窒化物半導体からなる第４の半導体層とを備え、
前記コントロール層に電圧を印加しない状態ではノーマリオフであり、
前記コントロール層は、前記ゲート電極に順方向バイアスが印加された場合に、前記第１の半導体層に生じるチャネル領域にホールが注入され、前記ソース電極と前記ドレイン電極との間の電気伝導性を制御することを特徴とする窒化物半導体装置。
【請求項２】
前記第１の半導体層の厚さは、前記第４の半導体層の厚さよりも薄いことを特徴とする請求項１に記載の窒化物半導体装置。
【請求項３】
前記第４の半導体層におけるアルミニウムの組成比の値は、０．０３以上且つ０．１以下に設定されていることを特徴とする請求項１に記載の窒化物半導体装置。
【請求項４】
前記第１の窒化物半導体は、組成にインジウムを含むことを特徴とする請求項１〜３のうちいずれか１項に記載の窒化物半導体装置。
【請求項５】
前記第１の半導体層は、厚さが０ｎｍより大きく且つ３０ｎｍ以下であることを特徴とする請求項１〜４のうちいずれか１項に記載の窒化物半導体装置。
【請求項６】
前記第１の窒化物半導体は、組成にインジウムを含み、
前記第１の半導体層は、厚さが０ｎｍより大きく且つ３０ｎｍ以下であることを特徴とする請求項１〜３のうちいずれか１項に記載の窒化物半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、窒化ガリウム（ＧａＮ）を主成分とするIII−Ｖ族窒化物半導体からなり、正電圧動作（ノーマリオフ動作）が可能な窒化物半導体装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、高周波大電力デバイスとしてＧａＮ系の化合物半導体材料を用いた電界効果トランジスタ（Field Effect Transistor、以下ＦＥＴと表記する。）の研究が活発に行われている。ＧａＮ等の窒化物半導体材料は窒化アルミニウム（ＡｌＮ）又は窒化インジウム（ＩｎＮ）と種々の混晶を作ることができるため、従来から用いられている砒化ガリウム（ＧａＡｓ）を主成分とする砒素系半導体材料と同様にヘテロ接合を形成することができる。しかし、窒化物半導体におけるヘテロ接合では、ドーピングされていない状態でも接合面に窒化物半導体が有する自発分極又はピエゾ分極によって生じる高濃度のキャリアが発生する。このため、ＦＥＴを作製した場合にはデプレッション型（ノーマリオン型）になり易く、エンハンスメント型（ノーマリオフ型）の特性を得ることが難しい。現在、パワーエレクトロニクス市場に一般に流通しているデバイスはノーマリオフ型であり、ＧａＮ系の窒化物半導体装置に対してもノーマリオフ型が強く求められている。
【０００３】
以下、従来の窒化物半導体材料を用いたＦＥＴについて説明する。
【０００４】
図７に示すように、従来のＡｌＧａＮとＧａＮとのへテロ接合を用いたＦＥＴは、主面の面方位が（０００１）面であるサファイアからなる基板７０１と、基板７０１の主面上に形成されたアンドープＧａＮ層７０２と、アンドープＧａＮ層７０２の上に形成されたアンドープＡｌ0.25Ｇａ0.75Ｎ層７０３とを有している。
【０００５】
また、アンドープＡｌ0.25Ｇａ0.75Ｎ層７０３の上にチタン（Ｔｉ）及びアルミニウム（Ａｌ）からなるソース電極７０４並びにドレイン電極７０５が形成され、ソース電極７０４とドレイン電極７０５との間にパラジウム（Ｐｄ）からなるゲート電極７０６が形成されている。さらに、アンドープＡｌ0.25Ｇａ0.75Ｎ層７０３の上面で且つソース電極７０４、ドレイン電極７０５及びゲート電極７０６が形成されていない領域に窒化シリコン（ＳｉＮ）からなるパッシベーション膜７０７が形成されている。
【０００６】
アンドープＧａＮ層７０２とアンドープＡｌ0.25Ｇａ0.75Ｎ層７０３とのヘテロ接合面には、アンドープＡｌ0.25Ｇａ0.75Ｎ層７０３が有する自発分極及びピエゾ分極のために、１×１０13ｃｍ-2程度の２次元電子ガス層が形成されている。
【０００７】
このことは、図８に示すように、従来のＦＥＴにおいて分極によって生じる固定電荷と自由電子の分布から説明される。すなわち、アンドープＧａＮ層７０２及びアンドープＡｌ0.25Ｇａ0.75Ｎ層７０３の上面にそれぞれ負の固定電荷が形成され、また、それぞれの下面に正の固定電荷が形成される。このことを図８において、アンドープＡｌ0.25Ｇａ0.75Ｎ層７０３に形成される固定電荷を実線、アンドープＧａＮ層７０２に形成される固定電荷を破線で示す。このように、アンドープＡｌ0.25Ｇａ0.75Ｎ層７０３に形成される固定電荷の量がアンドープＧａＮ層７０２に形成される固定電荷の量よりも大きいため、ヘテロ接合面に固定電荷の量の差を補償する量のシートキャリアが２次元電子ガス層の形で形成される（図８の太線、Ｎsで示す。）。
【０００８】
この分極によってアンドープＧａＮ層７０２及びアンドープＡｌ0.25Ｇａ0.75Ｎ層７０３に電界が生じるため、従来のＦＥＴのエネルギーバンドが図９に示すようになる。従って、図１０に示すように、ゲート電圧とドレイン電流との電気特性は、基本的にノーマリオンの特性を示すことになる。
【０００９】
また、ソース電極７０４及びドレイン電極７０５はアンドープＡｌ0.25Ｇａ0.75Ｎ層７０３に接するように形成されるが、アンドープＡｌ0.25Ｇａ0.75Ｎ層７０３の膜厚が例えば３０ｎｍ以下と薄い場合には、ソース電極７０４及びドレイン電極７０５は、トンネル電流によりヘテロ接合面に形成される高濃度の２次元電子ガス層と接続可能となるため、良好なオーミック接触となる。また、ゲート電極７０６は５．１ｅＶの大きな仕事関数を有しており、アンドープＡｌ0.25Ｇａ0.75Ｎ層７０３に対して良好なショットキ接合となる（非特許文献１を参照。）。
【００１０】
このように、ノーマリオン型になり易いＧａＮ系の化合物半導体材料を用いてノーマリオフ型の動作特性を実現するには、ＧａＮ系の窒化物半導体材料が有する自発分極及びピエゾ分極によってチャネル内に生成されるキャリアを減らす必要がある。従来のＡｌＧａＮ層とＧａＮ層とのヘテロ接合を用いたＦＥＴの場合は、ＡｌＧａＮ層中のＡｌ組成を下げればＧａＮ層との格子定数差によるストレスが低減できるため、ピエゾ分極を減少させることができ、その結果、シートキャリア濃度を減少させることが可能である（非特許文献２を参照。）。
【００１１】
具体的に図７に示すアンドープＡｌ0.25Ｇａ0.75Ｎ層７０３を膜厚３０ｎｍのままでＡｌの組成を０．２５から０．１５に低下させると、シートキャリア濃度は１．２×１０13ｃｍ-2から５×１０12ｃｍ-2まで大幅に減少させることができる。しかし、シートキャリア濃度の減少に伴い、動作電流が低減するだけでなく、アンドープＡｌ0.25Ｇａ0.75Ｎ層７０３のＡｌ組成の低下に伴い、ゲート部のポテンシャルバリアも低下する。また、ゲート電極でのリーク電流の発生を抑えるために、ゲート電極７０６に印加可能な順方向電圧には上限がある。
【００１２】
従って、ノーマリオフ型で且つより大きな順方向電圧を印加可能とするためには、ゲート部をｐ型領域化させることで、ポテンシャルバリアを高めることが一つの方法である。このような特徴を有するＦＥＴが、接合型ＦＥＴ（Junction Field Effect Transistor、以下ＪＦＥＴと表記する。）である（非特許文献３及び特許文献１を参照。）。
【００１３】
しかしながら、ＪＦＥＴをノーマリオフ化した場合、ゲート電極に順方向バイアスを印加しても予めチャネルに生成される電子濃度を大きくすることが困難であった。また、ゲート電極に対して順方向バイアスを印加できるのはゲートから電流が流れ始めるまでであり、具体的にはバンドギャップを考慮して３Ｖ程度までが限界であった。このことにより、これまでのＪＦＥＴではドレイン動作電流を大きくすることが困難であるという問題があった。
【００１４】
図１１はこの問題を解決するための比較例である窒化物半導体装置の断面図を示している。
【００１５】
図１１に示すように、従来の課題を解決する比較例である窒化物半導体装置は、主面の面方位が（０００１）面であるサファイアからなる基板９０１と、基板９０１の主面上に形成されたＡｌＮバッファ層９０２と、ＡｌＮバッファ層９０２の上に形成されたアンドープＧａＮ層９０３と、アンドープＧａＮ層９０３の上に形成されたアンドープＡｌＧａＮ層９０４と、アンドープＡｌＧａＮ層９０４の一部の上に形成され、ｐ型不純物を含むＡｌＧａＮで構成されたｐ型コントロール層９０５と、ｐ型コントロール層９０５の上に形成されｐ型コントロール層９０５よりも高濃度のｐ型不純物を含むＧａＮで構成されたｐ型コンタクト層９０６とを有している。
【００１６】
また、ｐ型コンタクト層９０６の上で、ｐ型コンタクト層９０６とオーミック接触するゲート電極９０７と、ｐ型コンタクト層９０６を挟むようにしてアンドープＡｌＧａＮ層９０４の上に形成されたソース電極９０８及びドレイン電極９０９と、ゲート電極９０７、ソース電極９０８及びドレイン電極９０９以外の上部表面に形成されたパッシベーション膜９１０とが形成されている。
【００１７】
上記の窒化物半導体装置において、アンドープＡｌＧａＮ層９０４のバンドギャップは、チャネル領域であるアンドープＧａＮ層９０３のバンドギャップよりも大きい。アンドープＡｌＧａＮ層９０４とｐ型コントロール層９０５とは同一の材料からなるため、ｐ型コントロール領域を形成するｐ型コントロール層９０５のバンドギャップもアンドープＧａＮ層９０３のバンドギャップよりも大きい。また、アンドープＧａＮ層９０３とアンドープＡｌＧａＮ層９０４との界面にはヘテロ障壁が形成されており、半導体装置の動作時に２次元電子ガス層が形成されている。
【００１８】
このように、窒化物半導体からなるチャネル領域（アンドープＧａＮ層９０３）の上にバンドギャップが大きいｐ型コントロール領域（ｐ型コントロール層９０５）を設け、該ｐ型コントロール領域をチャネル領域に対して順方向にバイアスをかけることにより、チャネル領域内にホールが注入される。このようにすると、チャネル領域内にホールと同量の電子が発生するため、大きな動作電流を得ることができる。このような構造により、チャネル領域に注入されたホールによってチャネル領域内の電子の発生を促し、チャネル領域を流れる電流量を飛躍的に増加させることが可能である。
【００１９】
また、窒化物半導体におけるホールの移動度は電子の移動度に比べて非常に小さいため、窒化物半導体で構成されるチャネル領域へ注入されたホールは電流を流す単体として殆ど寄与しなくなる。従って、ｐ型コントロール領域から注入されたホールは同量の電子をチャネル領域に生成し、動作電流を増大させることが可能となる。チャネル領域に注入されたホールの移動度が０に近いほど、ホールはドナーイオンのような役割を果たすことになるため、チャネル領域でキャリア濃度の変調を行うことが可能となる。このため、大きな動作電流を有するノーマリオフ型の窒化物半導体装置を実現できることになる。
【００２０】
このような構造はＪＦＥＴに類似しているが、ゲート電極の接合面でチャネル領域内のキャリア濃度の変調を行う接合型電界効果トランジスタ（ＪＦＥＴ）とはキャリア注入を意図的に行わせるという点で全く異なった動作原理である。
【非特許文献１】M.Hikita et al., Technical Digest of 2004 International Electron Devices Meeting (2004) p.803
【非特許文献２】O. Ambacher et al., J.Appl.Phys. Vol.85 (1999) p.3222
【非特許文献３】L. Zhang et al., IEEE Transactions on Electron Devices, vol.47, no.3, pp.507-511, 2000
【特許文献１】特開２００４−２７３４８６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００２１】
前述した比較例に係る窒化物半導体装置構造において、ｐ型コントロール領域からチャネル領域にホールを注入した際に、ホールがチャネル領域内に留まることができないため下方に流れ出し、チャネル領域内で有効に働くホールの量が少なくなってしまうという問題がある。また、スイッチング速度がホールと電子との再結合速度に依存しているため、動作電流を高めるには、スイッチング速度を向上させる必要がある。
【００２２】
本発明は前記従来の課題に鑑み、ノーマリオフ型の特性を有し、動作電流を高めることができる窒化物半導体装置を得られるようにすることを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００２３】
前記の目的を達成するため、本発明の窒化物半導体装置は、窒化物半導体材料から形成され、チャネル領域を含む半導体層の下部にチャネル領域に対して価電子帯にポテンシャル障壁を有する窒化物半導体材料から形成される半導体層を設けた構成とする。
【００２４】
具体的に、本発明に係る窒化物半導体装置は、アンドープの第１の窒化物半導体からなる第１の半導体層と、第１の半導体層の主面上に形成され、バンドギャップが第１の窒化物半導体よりも大きいアンドープの第２の窒化物半導体からなる第２の半導体層と、第２の半導体層上に選択的に形成され、ｐ型の導電性を有する第３の窒化物半導体からなるコントロール層と、第２の半導体層の上で且つコントロール層の両側方の領域にそれぞれ形成されたソース電極及びドレイン電極と、コントロール層の上側に形成されたゲート電極と、第１の半導体層の主面と反対側の面上に形成され、第１の窒化物半導体に対して価電子帯にポテンシャル障壁を有し、組成にアルミニウムを含む第４の窒化物半導体からなる第４の半導体層とを備え、コントロール層に電圧を印加しない状態ではノーマリオフであり、コントロール層は、ゲート電極に順方向バイアスが印加された場合に、第１の半導体層に生じるチャネル領域にホールが注入され、ソース電極とドレイン電極との間の電気伝導性を制御することを特徴とする。
【００２５】
本発明の窒化物半導体装置によると、第１の半導体層の下部に第１の半導体層に対して価電子帯にポテンシャル障壁を有するような窒化物半導体から形成される第４の半導体層を設けることにより、コントロール層を第１の半導体層に対して順方向バイアスを印加した場合には、第１の半導体層に注入されたホールを散逸させることなく効率的に第１の半導体層の電子濃度増加に寄与させることができるため、動作電流を高めたノーマリオフ型の窒化物半導体装置を実現できる。
【００２６】
また、第１の半導体層の厚さは、第４の半導体層の厚さよりも薄くてもよい。
【００２７】
また、本発明の窒化物半導体装置において、第４の半導体層におけるアルミニウムの組成比の値は、０．０３以上且つ０．１以下に設定されていることが好ましい。
【００２８】
このような構成にすると、より大きな動作電流を有する窒化物半導体装置を実現することができる。Ａｌの組成比の値が小さすぎると価電子帯のポテンシャル障壁として機能しなくなり、ホールを第１の半導体層に留めておくことができなくなる。また、Ａｌの組成比の値が大きすぎると第１の半導体層との分極差が大きくなり第１の半導体層のエネルギーバンドが持ち上がり、第１の半導体層に電子が蓄積しにくくなる。従って、窒化物半導体装置の動作電流を高めるためには、第４の半導体層を構成する半導体材料のＡｌの組成比の値を適切な値に設定することが必要となる。このようにすると、動作電流を高めたノーマリオフ型の窒化物半導体装置を実現することが可能となる。
【００２９】
また、本発明の窒化物半導体装置において、第１の窒化物半導体は、組成にインジウムを含むことが好ましい。
【００３０】
このような構成にすると、第１の半導体層にインジウム（Ｉｎ）が含まれるため、第１の半導体層のバンドギャップが小さくなり、第１の半導体層に注入されたホールの蓄積及び第１の半導体層内の電子の発生をより促すことが可能となる。このため、より大きな動作電流を流すことが可能なノーマリオフ型窒化物半導体装置を実現することができる。
【００３１】
また、本発明の窒化物半導体装置において、第１の半導体層は、厚さが０ｎｍより大きく且つ３０ｎｍ以下であることが好ましい。
【００３２】
このような構成にすると、本発明の窒化物半導体装置において、高速なスイッチングを行うことが可能となる。第１の半導体層の厚さが厚いと、ホール及び電子が蓄積する場所が離れてしまい、再結合時定数が長くなるため、高速なスイッチング動作が不可能になるので、第１の半導体層の厚さを適切に設定することが必要である。
【発明の効果】
【００３３】
本発明に係る窒化物半導体装置によると、ノーマリオフ型の特徴を有し、且つ、動作電流を高められる窒化物半導体装置を実現することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３４】
以下、本発明の実施形態について図面を参照しながら説明する。
【００３５】
（第１の実施形態）
図１は本発明の第１の実施形態に係る窒化物半導体装置の断面構造の一例を示している。
【００３６】
図１に示すように、本実施形態の窒化物半導体装置であるトランジスタは、主面の面方位が（０００１）面であるサファイア（Ａｌ2Ｏ3）からなる基板１０１と、基板１０１上に形成された膜厚１００ｎｍのＡｌＮからなるバッファ層１０２と、バッファ層１０２の上に形成された膜厚１μｍのアンドープのＡｌxＧａ1-xＮ（但し、ｘは０＜ｘ≦１である。）からなる下地層１０３と、下地層１０３の上に形成された膜厚３．５ｎｍのアンドープのＧａＮからなる第１の半導体層１０４と、第１の半導体層１０４の上に形成された膜厚２５ｎｍのアンドープのＡｌ0.15Ｇａ0.85Ｎからなる第２の半導体層１０５と、第２の半導体層１０５の上に形成された膜厚１００ｎｍのｐ型Ａｌ0.15Ｇａ0.85Ｎからなるコントロール層１０６と、コントロール層１０６の上に形成された膜厚５ｎｍの高濃度のｐ型ＧａＮからなるコンタクト層１０７とを有している。
【００３７】
また、コンタクト層１０７及びコントロール層１０６を選択的にエッチングすることにより、コントロール層１０６及びコンタクト層１０７からなるコントロール領域が形成され、第２の半導体層１０５の上で且つコントロール領域の両側方の領域にそれぞれＴｉ及びＡｌからなるソース電極１０８並びにドレイン電極１０９が形成されている。さらに、コンタクト層１０７の上にニッケル（Ｎｉ）からなるゲート電極１１０が形成されている。また、ソース電極１０８、ドレイン電極１０９及びゲート電極１１０が形成されていない上部表面は、ＳｉＮからなるパッシベーション膜１１１に覆われている。さらに素子分離領域として、例えばホウ素（Ｂ）などのイオン注入による高抵抗化層を形成してもよい。
【００３８】
コントロール層１０６には１×１０19ｃｍ-3程度のマグネシウム（Ｍｇ）がドーピングされ、キャリア濃度が１×１０18ｃｍ-3程度であり、コンタクト層１０７にはＭｇが１×１０20ｃｍ-3程度ドーピングされている。コントロール層１０６及びコンタクト層１０７は、基板１０１の上面からみた場合、例えば１．５μｍ幅のストライプ状にエッチングされており、その上に幅１μｍのゲート電極１１０が形成されている。
【００３９】
本実施形態の窒化物半導体装置において、第２の半導体層１０５のバンドギャップは第１の半導体層１０４のバンドギャップよりも大きい。第２の半導体層１０５とコントロール層１０６とは同一の材料から形成されているため、コントロール層１０６のバンドギャップは第１の半導体層１０４のバンドギャップよりも大きい。このとき第１の半導体層１０４と第２の半導体層１０５との界面にはヘテロ障壁が形成されており、本窒化物半導体装置の動作時には第１の半導体層１０４における第２の半導体層１０５との界面の近傍に２次元電子ガス層からなるチャネル領域が形成される。
【００４０】
チャネル領域を含む第１の半導体層１０４の上側にバンドギャップが大きい第２の半導体層１０５を形成し、下側にチャネル領域に対して価電子帯にポテンシャル障壁を有する下地層１０３を形成すると、コントロール層１０６をチャネル領域に対して順方向にバイアスをかけた場合、第１の半導体層１０４に生じるチャネル領域にホールが注入され、注入されたホールは、散逸されることなく効率的に第１の半導体層１０４の電子濃度増加に寄与される。
【００４１】
また、十分に大きなドレイン耐圧を実現するため、図１に示されるコントロール層１０６とドレイン電極１０９との間の距離は５μｍ程度かそれ以上としている。また、従来例において説明した通り、ソース電極１０８及びドレイン電極１０９は第２の半導体層１０５に接して形成されているが、トンネル電流を介して第２の半導体層１０５と第１の半導体層１０４とのへテロ接合面に形成される２次元電子ガス層と接続されるため良好なオーミック接触となる。ここではさらに良好なオーミック接触を実現するためにソース電極１０８及びドレイン電極１０９下方の第２の半導体層１０５中にｎ型不純物であるシリコン（Ｓｉ）を選択的に拡散させた構成としてもよい。
【００４２】
図２は、本発明の第１の実施形態に係る窒化物半導体装置の下地層１０３を構成するＡｌの組成比ｘの値に対する窒化物半導体装置の最大ドレイン電流値との関係（シミュレーション値）を示している。
【００４３】
図２に示されるように、下地層１０３を構成するＡｌの組成比ｘの値は、０．０６付近が頂点であり、ｘが小さくなりすぎても、大きくなりすぎても、窒化物半導体装置の最大ドレイン電流値が小さくなることが示されている。
【００４４】
このように、本発明に係る窒化物半導体装置において、チャネル領域（第１の半導体層１０４）に対して価電子帯にポテンシャル障壁を有するような半導体材料である下地層１０３を備えた構成とし、下地層１０３を構成するＡｌの組成比ｘの値を０．０３以上且つ０．１以下に設定することにより、窒化物半導体装置の最大ドレイン電流値が高い値を達成することができる。
【００４５】
本実施形態においては、基板１０１の材料としてサファイアを用いたが、サファイアからなる基板に代えて、例えば炭化シリコン（ＳｉＣ）、ＧａＮ又はＳｉ等の材料からなる基板でよく、また良好な結晶性を実現できるのであればいかなる面方位でもよい。なお、ゲート電極１１０の材料は、Ｎｉに代えてコンタクト層１０７と良好なオーミック接触を有する材料であればＰｄなどの金属でもよい。また、本実施形態ではコントロール層１０６及び第２の半導体層１０５のＡｌ組成が一致しているが、組成を揃える必要はなく、例えばコントロール層にｐ型ＧａＮを用いてもよい。
【００４６】
このように、本発明に係る窒化物半導体装置であるトランジスタによると、チャネル層である第１の半導体層の下部に第１の半導体層に対して価電子帯にポテンシャル障壁を有する下地層１０３を形成し、下地層１０３を構成するＡｌの組成比を適切な値に設定することにより、ノーマリオフ型で前述のホール注入によってのみドレイン電流が流れ、ホールのチャネル内での閉じ込めを促進することにより大きな動作電流を実現することが可能となる。
【００４７】
（第２の実施形態）
図３は本発明の第２の実施形態に係る窒化物半導体装置の断面構造の一例を示している。
【００４８】
図３に示すように、本実施形態の窒化物半導体装置であるトランジスタは、主面の面方位が（１１１）であるｎ型Ｓｉからなる基板３０１と、基板３０１の上に形成された膜厚４０ｎｍのＡｌＮからなるバッファ層３０２と、バッファ層３０２の上に形成された膜厚１μｍのアンドープのＡｌ0.05Ｇａ0.95Ｎからなる下地層３０３と、下地層３０３の上に形成された膜厚３．５ｎｍのアンドープのＩｎyＧａ1-yＮ（但し、ｙは０＜ｙ≦１である。）からなる第１の半導体層３０４と、第１の半導体層３０４の上に形成された膜厚２５ｎｍのアンドープのＡｌ0.15Ｇａ0.85Ｎからなる第２の半導体層３０５と、第２の半導体層３０５の上に形成された膜厚１００ｎｍのｐ型Ａｌ0.15Ｇａ0.85Ｎからなるコントロール層３０６と、コントロール層３０６の上に形成された膜厚５ｎｍの高濃度のｐ型ＧａＮからなるコンタクト層３０７とを有している。
【００４９】
また、コンタクト層３０７及びコントロール層３０６を選択的にエッチングすることにより、コントロール層３０６及びコンタクト層３０７からなるコントロール領域が形成され、第２の半導体層３０５の上で且つコントロール領域の両側方の領域にそれぞれＴｉ及びＡｌからなるソース電極３０８並びにドレイン電極３０９が形成されている。さらに、コンタクト層３０７上には、Ｎｉからなるゲート電極３１０が形成されている。また、ソース電極３０８、ドレイン電極３０９及びゲート電極３１０が形成されていない上部表面は、ＳｉＮからなるパッシベーション膜３１１に覆われている。また、ソース電極３０８は、コントロール領域以外の電極の配線抵抗を低減させるため、基板３０１まで延びる貫通穴３１２を介して接続されるソースビア構造を有している。
【００５０】
本実施形態の窒化物半導体装置は第１の実施形態と同様に、下地層３０３が、第１の半導体層３０４に対して価電子帯にポテンシャル障壁を有しており、コントロール領域のバンドギャップはチャネル領域のバンドギャップよりも大きい。
【００５１】
図４は本発明の第２の実施形態に係る窒化物半導体装置の第１の半導体層３０４を構成するＩｎの組成比ｙの値と窒化物半導体装置の最大ドレイン電流特性（シミュレーション値）との関係を示している。
【００５２】
図４に示されるように、第１の半導体層３０４を構成するＩｎの組成比ｙの値が大きくなるに従って、窒化物半導体装置の最大ドレイン電流値が増加している。
【００５３】
このように、本発明に係る窒化物半導体装置は、第１の半導体層３０４に対して価電子帯にポテンシャル障壁を有するような半導体材料からなる下地層３０３を備えた構成とし、第１の半導体層３０４にＩｎを含む構成とすることによりチャネル領域のバンドギャップが小さくなり、電子もホールもチャネル領域により多く蓄積することが可能になる。また、チャネル領域のＩｎの組成比ｙの値を大きくすることにより、より高い最大ドレイン電流値を達成することができる。
【００５４】
（第３の実施形態）
図５は本発明の第３の実施形態に係る窒化物半導体装置の断面構造の一例を示している。
【００５５】
図５に示すように、本実施形態の窒化物半導体装置であるトランジスタは、主面の面方位が（０００１）であるサファイアからなる基板５０１と、基板５０１の上に形成された膜厚１００ｎｍのＡｌＮからなるバッファ層５０２と、バッファ層５０２の上に形成された膜厚１μｍのアンドープのＡｌ0.05Ｇａ0.95Ｎからなる下地層５０３と、下地層５０３の上に形成された膜厚３．５ｎｍのアンドープのＧａＮからなる第１の半導体層５０４と、第１の半導体層５０４の上に形成された膜厚２５ｎｍのアンドープのＡｌ0.15Ｇａ0.85Ｎからなる第２の半導体層５０５と、第２の半導体層５０５の上に形成された膜厚１００ｎｍのｐ型Ａｌ0.15Ｇａ0.85Ｎからなるコントロール層５０６と、コントロール層５０６の上に形成された膜厚５ｎｍの高濃度のｐ型ＧａＮからなるコンタクト層５０７とを有している。
【００５６】
また、コンタクト層５０７及びコントロール層５０６を選択的にエッチングすることにより、コントロール層５０６及びコンタクト層５０７からなるコントロール領域が形成され、第２の半導体層５０５の上で且つコントロール領域の両側方の領域にそれぞれＴｉ及びＡｌからなるソース電極５０８並びにドレイン電極５０９が形成されている。さらに、コンタクト層５０７上に、Ｎｉからなるゲート電極５１０が形成されている。また、ソース電極５０８、ドレイン電極５０９及びゲート電極５１０が形成されていない上部表面は、ＳｉＮからなるパッシベーション膜５１１に覆われている。
【００５７】
本実施形態の窒化物半導体装置も第１の実施形態と同様に、下地層５０３が、第１の半導体層５０４に対して価電子帯にポテンシャル障壁を有しており、コントロール領域のバンドギャップは第１の半導体層５０４のバンドギャップよりも大きい。
【００５８】
図６は、本実施形態に係る窒化物半導体装置の一例であるトランジスタの第１の半導体層５０４の厚さとスイッチング速度との関係を示している。
【００５９】
図６に示されるように、第１の半導体層５０４の厚さが厚くなるに従って、スイッチング速度が遅くなる。
【００６０】
このように、本発明に係る窒化物半導体装置において、チャネル層を構成する第１の半導体層５０４に対して価電子帯にポテンシャル障壁を有する半導体からなる下地層５０３を備えた構成とし、第１の半導体層５０４の厚さを適切な値に設定することにより、高速なスイッチングを行うことが可能となる。このため、ノーマリオフ型で動作電流が大きく且つリーク電流が小さく、スイッチング速度が速い窒化物半導体トランジスタを実現することが可能となる。
【産業上の利用可能性】
【００６１】
本発明に係る窒化物半導体装置は、ノーマリオフ型で動作電流を大きくでき且つ高速スイッチングを行うことが可能な窒化物半導体装置等に有用である。
【図面の簡単な説明】
【００６２】
【図１】本発明の第１の実施形態に係る窒化物半導体装置を示す断面図である。
【図２】本発明の第１の実施形態に係る窒化物半導体装置のアンドープＡｌxＧａ1-xＮ下地層のＡｌの組成比ｘの値とデバイスの最大電流値との関係を示す構成図である。
【図３】本発明の第２の実施形態に係る窒化物半導体装置を示す断面図である。
【図４】本発明の第２の実施形態に係る窒化物半導体装置のアンドープＩｎyＧａ1-yＮ層のＩｎの組成比ｙの値とデバイスの最大電流値との関係を示す構成図である。
【図５】本発明の第３の実施形態に係る窒化物半導体装置を示す断面図である。
【図６】本発明の第３の実施形態に係る窒化物半導体装置のアンドープＧａＮ層の厚さとスイッチング速度との関係を示す構成図である。
【図７】従来の窒化物半導体電界効果トランジスタを示す断面図である。
【図８】従来の窒化物半導体電界効果トランジスタにおいて分極によって生じる固定電荷と自由電子の分布を示す構成図である。
【図９】従来の窒化物半導体電界効果トランジスタのエネルギーバンド図を示す構成図である。
【図１０】従来の窒化物半導体電界効果トランジスタのドレイン電流-ドレイン電圧特性を示す構成図である。
【図１１】比較例に係る窒化物半導体装置を示す断面図である。
【符号の説明】
【００６３】
１０１  基板
１０２  バッファ層
１０３  下地層
１０４  第１の半導体層
１０５  第２の半導体層
１０６  コントロール層
１０７  コンタクト層
１０８  ソース電極
１０９  ドレイン電極
１１０  ゲート電極
１１１  パッシベーション膜
３０１  基板
３０２  バッファ層
３０３  下地層
３０４  第１の半導体層
３０５  第２の半導体層
３０６  コントロール層
３０７  コンタクト層
３０８  ソース電極
３０９  ドレイン電極
３１０  ゲート電極
３１１  パッシベーション膜
３１２  貫通穴
５０１  基板
５０２  バッファ層
５０３  下地層
５０４  第１の半導体層
５０５  第２の半導体層
５０６  コントロール層
５０７  コンタクト層
５０８  ソース電極
５０９  ドレイン電極
５１０  ゲート電極
５１１  パッシベーション膜
７０１  基板
７０２  アンドープＧａＮ層
７０３  アンドープＡｌ0.25Ｇａ0.75Ｎ層
７０４  ソース電極
７０５  ドレイン電極
７０６  ゲート電極
７０７  パッシベーション膜
９０１  基板
９０２  ＡｌＮバッファ層
９０３  アンドープＧａＮ層
９０４  アンドープＡｌＧａＮ層
９０５  ｐ型コントロール層
９０６  ｐ型コンタクト層
９０７  ゲート電極
９０８  ソース電極
９０９  ドレイン電極
９１０  パッシベーション膜
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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