(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板の表面側に少なくとも第一導電性クラッド層、活性層、第二導電性クラッド層が順次形成された発光層部と、前記発光層部上の中央に部分的に形成された第１の電流阻止部と、前記第二導電性クラッド層及び前記第１の電流阻止部の上に形成された導電層部と、前記基板の裏面に形成された下部電極とを有する発光ダイオードにおいて、
前記第１の電流阻止部の上方であって、前記１の電流阻止部の領域内に位置するように形成された上部電極と、前記基板と前記発光層部との間に形成された光反射層と、前記光反射層の表面上の前記第１の電流阻止部の下方に位置する部分に形成された部分電極と、前記部分電極が形成された部分以外の前記光反射層の表面上に形成された第２の電流阻止部とを有することを特徴とする発光ダイオード。
【請求項２】
基板の表面側に少なくとも第一導電性クラッド層、活性層、第二導電性クラッド層が順次形成された発光層部と、前記発光層部上の中央に部分的に形成された第１の電流阻止部と、前記第二導電性クラッド層及び前記第１の電流阻止部の上に形成された導電層部と、前記基板の裏面に形成された下部電極とを有する発光ダイオードにおいて、
前記基板と前記発光層部との間に形成された光反射層と、前記光反射層の表面上の前記第１の電流阻止部の下方に位置する部分に形成された部分電極と、前記部分電極が形成された部分以外の前記光反射層の表面上に形成された第２の電流阻止部とを有し、
前記導電層部が前記第二導電性クラッド層及び前記第１の電流阻止部の表面に接するように設けられた枝状電極と、前記第二導電性クラッド層及び前記枝状電極の上に設けられた電流分散層と、前記電流分散層上に設けられた上部電極とを有することを特徴とする発光ダイオード。
【請求項３】
前記第二導電性クラッド層のシート抵抗が前記第一導電性クラッド層のシート抵抗よりも高いことを特徴とする請求項１又は２に記載の発光ダイオード。
【請求項４】
前記光反射層がＡｇ、Ａｕ、Ａｌのいずれか若しくはそれらの内の少なくとも１つを含む合金からなる層、又はそれらの複合層からなることを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載の発光ダイオード。
【請求項５】
前記導電層部が前記第二導電性クラッド層及び前記第１の電流阻止部の上に設けられた電流分散層と、前記電流分散層上に設けられた前記上部電極とからなることを特徴とする請求項１に記載の発光ダイオード。
【請求項６】
前記導電層部が前記第二導電性クラッド層及び前記第１の電流阻止部の表面に接するように設けられた枝状電極を有することを特徴とする請求項１記載の発光ダイオード。
【請求項７】
前記導電層部が前記第二導電性クラッド層及び前記第１の電流阻止部の表面に接するように設けられた枝状電極と、前記第二導電性クラッド層上に前記枝状電極の表面の一部を露出させるように設けられた電流分散層とを有することを特徴とする請求項１に記載の発光ダイオード。
【請求項８】
前記電流分散層が透明導電膜であることを特徴とする請求項１又は２に記載の発光ダイオード。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、発光ダイオードに係り、特に、高効率で大電流を通電することが可能な発光ダイオードに関するものである。
【背景技術】
【０００２】
近年、発光ダイオードは、赤色から青色までがそろったことから、照明用への応用が積極的に試みられるようになり、発光ダイオードの発光効率はようやく電球の発光効率と同等な程度まで得られるようになってきている。
【０００３】
一方、汎用の発光ダイオードの通電電流は、２０ｍＡが一般的であるが、１個の発光ダイオードで数十ｍＷ程度の発光源にしかならず、電球のような数十Ｗ程度の明るさを得るためには、複数の発光ダイオードを並列または直列に配線して、必要とする明るさを得ている。例えば、交通信号などでは、電球１個に対し２００個程度の発光ダイオードを面上に並べてランプとして使用されている。そこで、発光ダイオードを照明用として広く使用するためにはエネルギー消費やコストの削減という面からも、より発光効率が高く、且つ大電流の通電が可能であることが要求されている。
【０００４】
従来の発光ダイオードは、電球や蛍光灯などの従来のランプに比べると、非常に熱に弱い素子であり、発光ダイオードに大電流を通電した際に発生する熱により、発光効率や信頼性が低下してしまう問題がある。これを回避するために、発生した熱を速やかにステムに逃がすことや熱をできるだけ発生させないなどの方法がある。
【０００５】
発生した熱を速やかに逃がす方法としては、例えば、図９のように透光性基板１０９の表面を取り出し面とし、当該基板１０９の裏面にｐ型クラッド層１０２、活性層１０３、ｎ型クラッド層１０４からなる発光層部を有し、ｎ型クラッド層用電極１１０及び実装用合金１１２を介して実装ステム１０７と接合されたｐ型クラッド層用電極１１１から電流を注入するフリップチップ構造にして、発熱部分である発光層部をできるだけ実装ステム１０７に近い位置に配置する方法がある。しかし、これらの構造では、発光層部で発生した熱を効率よくステムへ逃がすことができるが、発熱する発光層部と熱を逃がす基板との間の熱抵抗が問題となる。
【０００６】
そこで、図１０のように一旦、熱抵抗の高い基板（図示せず）上に、ｎ型クラッド層１０４、活性層１０３、ｐ型クラッド層１０２からなる発光層部を成長させ、半導体接合層１１４を介して熱抵抗の低い高熱伝導性基板１１３を貼り合わせ、その後、熱抵抗の高い基板を除去し、上部電極１０１、及び下部電極１０６を形成する方法がある。図１０に使用される高熱伝導性基板１１３としては、Ｓｉ基板が最も広く用いられている。また、線膨張係数の関係からＣｕＷなどを用いた基板も用いられることもある。
【０００７】
一方、熱をできるだけ発生させないようにするためには、発光ダイオードの発光効率を高くし、電気エネルギーをできるだけ光に変換して取り出し、熱に変換しないようにしなければならない。つまり、注入した電子や正孔を効率よく再結合させる内部量子効率をできるだけ高くし、さらに発光した光を発光ダイオードから取り出すための光取出し効率を高くする必要がある。
【０００８】
これに対して、図１０の構造の発光ダイオードでは、発光層部から表面側に向かった光のうち、一部の光は発光ダイオードの外部へ放出されるが、発光ダイオードの表面の屈折率と発光ダイオードの外部の屈折率との差から、ほとんどの光は発光ダイオードの表面で反射して高熱伝導性基板１１３側に向かった光は発光層部と高熱伝導性基板１１３の界面である接合層１１４まで達し、そこで光の一部が反射し一部が吸収されてしまう。仮に、接合層１１４での光反射率が高ければ、反射した光が発光ダイオード素子の表面側に向かい、その光の一部が素子の外へ放出され、残りの光がまた反射される。このような反射を繰り返すことにより光を取り出すことができる。しかし、この接合層１１４では、電気を流すことも考慮する必要があり、反射率をあまり高くすることができない。つまり、光の反射と電気伝導性がトレードオフの関係にある。
【０００９】
これを回避するために、図１１に示すように、図１０の発光ダイオードにおいて電気を流す部分電極１１５と光を反射させる接合層１１４を別々に形成する方法がある（例えば、特許文献１）。さらに、光が透過しない上部電極１０１の直下に電流阻止部１１６を形成することで、電流は上部電極１０１の周囲に分散するようになり、上部電極１０１直下での発光を抑えることにより、発光効率を高めている。
【特許文献１】特開２００１−１４４３２２
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
しかしながら、図１１の構造では、電気を流す部分電極１１５の面積の割合を増加させることにより駆動電圧は低く抑えることができる一方で、接合層１１４の面積の割合が減少してしまうため、反射率が低くなり発光効率が低下するという問題がある。即ち、図１１の構造においても、高い光反射率と低い電気抵抗を両立させることが難しい。
【００１１】
本発明の目的は、上記の課題を解決し、高発光効率で、且つ大電流が通電可能な発光ダイオードを提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
上記目的を達成するため、本発明は、次のように構成したものである。
【００１３】
本発明に係る発光ダイオードは、基板の表面側に少なくとも第一導電性クラッド層、活性層、第二導電性クラッド層が順次形成された発光層部と、前記発光層部上の中央に部分的に形成された第１の電流阻止部と、前記第二導電性クラッド層及び前記第１の電流阻止部の上に形成された導電層部と、前記基板の裏面に形成された下部電極とを有する発光ダイオードにおいて、
前記第１の電流阻止部の上方であって、前記１の電流阻止部の領域内に位置するように形成された上部電極と、前記基板と前記発光層部との間に形成された光反射層と、前記光反射層の表面上の前記第１の電流阻止部の下方に位置する部分に形成された部分電極と、前記部分電極が形成された部分以外の前記光反射層の表面上に形成された第２の電流阻止部とを有することを特徴としたものである。
【００１４】
本発明の他の形態に係る発光ダイオードは、基板の表面側に少なくとも第一導電性クラッド層、活性層、第二導電性クラッド層が順次形成された発光層部と、前記発光層部上の中央に部分的に形成された第１の電流阻止部と、前記第二導電性クラッド層及び前記第１の電流阻止部の上に形成された導電層部と、前記基板の裏面に形成された下部電極とを有する発光ダイオードにおいて、
前記基板と前記発光層部との間に形成された光反射層と、前記光反射層の表面上の前記第１の電流阻止部の下方に位置する部分に形成された部分電極と、前記部分電極が形成された部分以外の前記光反射層の表面上に形成された第２の電流阻止部とを有し、
前記導電層部が前記第二導電性クラッド層及び前記第１の電流阻止部の表面に接するように設けられた枝状電極と、前記第二導電性クラッド層及び前記枝状電極の上に設けられた電流分散層と、前記電流分散層上に設けられた上部電極とを有することを特徴としたものである。
【００１５】
前記発光ダイオードにおいて、前記第二導電性クラッド層のシート抵抗を前記第一導電性クラッド層のシート抵抗より高くしてもよい。
【００１６】
前記発光ダイオードにおいて、前記光反射層がＡｇ、Ａｕ、Ａｌのいずれか若しくはそれらの内の少なくとも１つを含む合金からなる層、又はそれらの複合層からなる構成としてもよい。
【００１７】
前記発光ダイオードにおいて、前記活性層を多重量子井戸構造としてもよい。
【００１８】
前記発光ダイオードにおいて、前記導電層部が前記第二導電性クラッド層及び前記第１の電流阻止部の上に設けられた電流分散層と、前記電流分散層上に設けられた前記上部電極とからなる構成としてもよい。
【００１９】
前記発光ダイオードにおいて、前記導電層部が前記第二導電性クラッド層及び前記第１の電流阻止部の表面に接するように設けられた枝状電極を有する構成としてもよい。
【００２０】
前記発光ダイオードにおいて、前記導電層部が前記第二導電性クラッド層及び前記第１の電流阻止部の表面に接するように設けられた枝状電極と、前記第二導電性クラッド層上に前記枝状電極の表面の一部を露出させるように設けられた電流分散層とを有する構成としてもよい。
【００２１】
前記発光ダイオードにおいて、前記電流分散層を透明導電膜としてもよい。
【００２２】
前記発光ダイオードにおいて、前記電流分散層がＩＴＯからなる構成としてもよい。
【発明の効果】
【００２３】
本発明の発光ダイオードによれば、大電流を通電した場合においても駆動電圧を低く抑えることができるとともに安定して高い光出力を得ることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２４】
以下、本発明の実施形態を添付図面に基づいて説明する。
【００２５】
図１は本発明の第１実施形態のＡｌＧａＩｎＰ発光ダイオードの断面構造である。発光ダイオード素子の大きさは、１mm×１mmで厚さが２５０μｍである。図１の発光ダイオードを作製するための手順を図２に基づいて以下に説明する。
【００２６】
まず、図２（ａ）に示すように、ｎ型のＧａＡｓ基板１上にＭＯＣＶＤ法を用いて、ｎ型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層（以下、ｎ型クラッド層）２、活性層３、ｐ型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層（以下、ｐ型クラッド層）４を順次積層する。ここで、ｎ型クラッド層２のシート抵抗がｐ型クラッド層４のシート抵抗よりも高くなるようにする。上記ｐ型クラッド層４の表面上に、ＳｉＯ２からなる電流阻止部５をＣＶＤ法で全面に形成する。その後フォトリソプロセスを用いて、電流阻止部５に１０５０μｍ間隔でマトリックス状に直径が１２０μｍの穴を開け、ｐ型クラッド層４を露出させる。次に、このｐ型クラッド層４を露出させた部分に、フォトリソプロセスと蒸着を用いてＡｕＢｅ及びＮｉからなる膜を積層形成し、その後アニール処理を行うことにより部分電極６を形成する。さらに、電流阻止部５及び部分電極６からなる層の上にＡｇ合金（商品名：ＡＰＣ、株式会社フルヤ金属製）からなる光反射層７、Ｔｉからなる拡散抑止層８、Ａｕ又はＡｕＳｎからなる接合層９ａを蒸着により形成する。
【００２７】
一方、図２（ｂ）に示すように、Ｓｉからなる高熱伝導性基板１０の表面側に、Ａｌからなる高熱伝導性基板用電極１１を蒸着し、高熱伝導性基板１０の裏面側にＡｌからなる下部電極１３を蒸着する。その後、高熱伝導性基板用電極１１の上にはＴｉからなる拡散抑止層１２とＡｕ又はＡｕＳｎからなる接合層９ｂを蒸着により順次形成する。
【００２８】
製作した上記２枚のウエハを貼り付け装置にセットする。この装置はＳＯＩ基板製作やマイクロマシン用に市販されているものである。貼り付け装置の下側のウエハホルダーには、高熱伝導性基板１０を接合層９ｂが上になるようにセットする。また、貼り付け装置の上側のウエハホルダーにはＧａＡｓ基板１側のウエハを接合層９ａが下になるようにセットする。この２種類のウエハをセットした後、貼り合わせ装置内を真空に排気する。真空に排気した後、２種類のウエハの接合層９ａ及び９ｂを接触させ、そのまま圧力を加える（接合層９ａ及び接合層９ｂは接合層９となる）。このときの圧力は反ったウエハが全面で接触する圧力であれば十分であり、この圧力で２種類のウエハが接合する訳ではない。この２種類のウエハをウエハホルダーにセットしたままヒーターに電気を流し、温度制御しながら３５０℃まで加熱する。１時間このまま保持した後、冷却を開始する。ウエハの温度が５０℃以下まで下がったところで、真空容器内に空気を入れ、貼り付け装置の蓋を開けて、接合させたウエハを取り出す。
【００２９】
この接合させたウエハを、ＧａＡｓ基板１側が上になるように研磨治具に接着し、ＧａＡｓ基板１の一部を研磨で除去し、ウエハを研磨治具から外す。その後、ＧａＡｓ基板１の残部をエッチングにより除去して、ｎ型クラッド層２がウエハの表面に現れるようにする。エッチングの際、裏面側の下部電極１３がとけないように保護しておく（図２（ｃ））。
【００３０】
この接合したウエハのｎ型クラッド層２上に、図２（ｄ）のようにＳｉＯ２からなる電流阻止部１４を形成する。この電流阻止部１４をフォトリソプロセスにより、直径４２０μｍの円形が１０５０μｍ間隔でマトリックス状に配列するようにパターン加工する。但し、このフォトリソプロセス時には、円形の電流阻止部１４の中心が、部分電極６と中心が一致するようにパターン加工している。その後、このウエハのｎ型クラッド層２と電流阻止部１４の表面上に、スパッタ法にてＩＴＯからなる電流分散層１５を形成する。その後、蒸着とフォトリソプロセスにより、電流阻止部１４の中心と中心が一致するように円形電極の上部電極１６を形成する。
【００３１】
ここで、上記の貼り合わせの際や上部電極１６を形成する際に過熱処理を施したが、この加熱処理によって接合層９から金属が拡散してしまい、光反射層７へ拡散してしまうと合金化反応を起こし、光反射率が低下してしまう。この合金化反応を抑制するために、拡散抑止層８および拡散抑止層１２を設けた。
【００３２】
上記の通り作製したウエハをダイサーにセットし、１mm角のチップに切断し、その断面をエッチングにより破砕層除去と汚染を取り除いて発光ダイオード素子を製作する。その後、実装用合金１７を介して放熱性特性の優れた実装ステム１８に発光ダイオード素子を共晶接合によりダイボンディングし、さらに実装ステム１８と離間した実装ステム（図示せず）へワイヤボンディングにより配線して、特性評価用サンプルを製作した。
【００３３】
図３には上記の通り作製された発光ダイオードの電流の流れが示されている。上部電極１６から注入された電子１９は、電流阻止部１４により素子の周囲へ流れる。一方、下部電極１３から注入された正孔２０は電流阻止部５により中央部に形成された部分電極６へ注入される。そして、ｎ型クラッド層２のシート抵抗がｐ型クラッド層４のシート抵抗よりも高いことにより、ｎ型クラッド層２での電流の経路は最短を選ぶようになるため、活性層３の周囲に向かって流れるようになり、発光部２１にて発光する。このため、上部電極１６が邪魔にならず、効率良く光を取り出すことができる。逆に、ｎ型クラッド層２のシート抵抗をｐ型クラッド層４のシート抵抗よりも低くした場合は、上部電極１６の直下へ電流が流れる量が増え、そこで発光する割合が増加してしまい、上部電極１６が邪魔になり発光効率を低下させてしまうこととなる。また、部分電極６がオーミック接合されていることにより、電流が流れる構造となっている。仮に、部分電極６と電流阻止部５とを設けない構造とした場合、ｐ型クラッド層４と光反射層７との間に電位障壁が発生し、電流が流れなくなってしまう。
【００３４】
上記の特性評価用サンプルに電流を流して発光出力を測定した。発光波長は６３０nmの赤色である。その結果、電流が５００ｍＡまで電流と発光出力はほぼ直線性を示した。これは、基板に高熱伝導性を有する材料を用いたことから発光ダイオード素子内で発生した熱を効率良く実装ステム１８へ逃がすことができるため、大電流を流したとしても発光ダイオード素子内の温度が高温とならず、活性層３における光電変換効率の低下を抑制しているためである。また、例えば通電電流３５０ｍＡ時の発光出力は４１０ｍＷであり、外部量子効率としては約６０％に相当する。これは、電流阻止部１４により上部電極１６の直下での発光を抑制し、発光部２１にて電気から効率良く変換された光のうち、発光ダイオード素子の裏面側へ放射した光が光反射率の高いＡｇ合金を用いた光反射層７によって効率よく反射されるため、高い外部量子効率を得ることができる。また、部分電極６と光反射層７とを独立させた構造としたことにより、従来のような光反射と電流を流すことの両立を必要とせず、通電電流を増加させたとしても光反射率の低下が起こらないため、大電流の通電においても高効率である発光ダイオードを提供することができる。
【００３５】
本発明の第２実施形態として、図４にフリップチップタイプの発光ダイオードの断面構造を示す。
【００３６】
光に対して透明な材料からなる透光性基板２２の下に、ｐ型クラッド層２３、活性層２４、ｎ型クラッド層２５から構成される発光層部が配置されている。ここでも実施形態１と同様に、ｎ型クラッド層２５のシート抵抗をｐ型クラッド層２３のシート抵抗よりも高くしている。また、この透光性基板２２の材料としては、ガラスやサファイア、ＳｉＣなどの他に、赤色や黄色の発光ダイオードであればＧａＰ基板を使用することもできる。そして、活性層２４及びｎ型クラッド層２５の一部が除去され、部分的にｐ型クラッド層２３が露出している。このｐ型クラッド層２３の露出した部分には、ｐ型クラッド層用電極３３が形成されている。また、ｎ型クラッド層２５の一部には、電流阻止部２６が設けられ、電流阻止層２６とｎ型クラッド層２５の両方を覆うように、透明導電膜のＩＴＯからなる電流分散層２７が形成されている。この電流分散層２７の下部であり電流阻止部２６の直下には、大きさが電流阻止部２６よりも小さい電流分散層用電極２８が形成されている。電流分散層２７の下であり、電流阻止部２６の直下以外の部分には、高い反射率を有するＡｇ合金（商品名：ＡＰＣ、株式会社フルヤ金属製）からなる光反射層３０が形成されている。ここで、光反射率をより高くするためには、ｎ型クラッド層２５と光反射層３０の間に、加熱プロセス時にｎ型クラッド層２５と光反射層３０が反応して、光反射率を低減することがないように絶縁層２９を形成した方が望ましい。
【００３７】
また、実装ステム３９との接合においては、光反射層３０の下部で発光層部の熱を効率良く逃がすために放熱用接合半田３５を介して接合させ、大電流通電時に対応できるような構造としている。この場合、発光ダイオード素子側には放熱用接合半田３５ののりが良好になるように放熱用接合層３２が形成されている。さらに、この放熱用接合層３２と光反射層３０の間には、ウエハプロセスや実装プロセスの高温処理時にそれらの層が合金化反応を起こして光反射層３０の光反射率が低下しないように拡散抑止層３１が形成されている。電流分散層用電極２８は通電用接合半田３６とステム用配線パターン３７を介して実装ステム３９へ接合され、ｐ型クラッド層用電極３３では、通電用接合半田３４とステム用配線パターン３８を介して実装ステム３９へ接合されている。この実装時において、半田が発光層部に接触してリークパスが形成されないように、発光層部の側面に保護膜４０及び４１がそれぞれ形成されている。上記のように実装することにより高放熱性を達成することができる。
【００３８】
本発明の第２実施形態における発光ダイオードでは、発光層部が光反射層３０の上部になるように電流分散層用電極２８の直上に電流阻止部２６を形成し、且つｎ型クラッド層２５のシート抵抗をｐ型クラッド層２３のシート抵抗よりも高くしている。更に、光反射層３０は、光反射率を高くすることだけを目的として形成されているため、大電流を通電したとしても光反射率が非常に高く、光取出し効率の高い発光ダイオードを提供することができる。これに対して、図９に示す従来のフリップチップ構造の発光ダイオードでは、ｎ型クラッド層１０４の下部に形成されたｎ型クラッド層用電極１１０が電流を流すための電極の機能と光を反射させるための光反射層との２つの機能を両立しなければならないため、高い光反射率を達成させることが難しく、光取出し効率が低下してしまう。
【００３９】
本発明の第１実施形態では、ｎ型クラッド層２と円形状の上部電極１６との間に電流分散層１５を設ける構造としたが、図５に示すように電流分散層を設けずに電流阻止部１４上及びｎ型クラッド層２の表面の一部に枝状電極４２を直接オーミック接合させた構造としてもよい。図５の構造では、注入された電流が枝状電極４２によって分散されることから、電流分散層を形成させる必要がなく、第１実施形態よりも低コストにて製造することが可能である。尚、図６に図５の発光ダイオードを枝状電極４２側から見た場合を示した。上述の枝状電極４２は図６の（ａ）から（ｄ）のいずれかのような形状としてもよく、電流の分散が効果的に行えるのであれば、この形状以外の枝状電極を用いてもかまわない。
【００４０】
さらに、図７では、図５の構造に電流分散層４３を枝状電極４２の表面の一部が露出するようにｎ型クラッド層２上に設ける構造とした。この構造により、図５において取り出すことのできなかった発光層部内で乱反射した光を電流分散層４３の部分から効率よく外部へ取り出すことができる。このとき、電流分散層４３の材料としては、ＩＴＯなどの透明導電膜を用いた。
【００４１】
本発明の第１実施形態では、電流分散層１５の表面上に円形状の上部電極１６のみを設けた構造としたが、この上部電極１６に加え、図８に示すように図５で用いた枝状電極４２をｎ型クラッド層２の一部、及び電流阻止部１４上にオーミック接合させた構造とすることにより、上部電極１６から注入された電流を効率良く分散させることができる。
【００４２】
本発明の各実施形態において、活性層をバンドギャップの大きな薄膜の半導体層からなる障壁層とバンドギャプの小さな薄膜の半導体層からなる井戸層とを交互に積み重ねた多重量子井戸構造としても同様の効果が得られる。
【００４３】
本発明の各実施形態では、ｎ型クラッド層のシート抵抗をｐ型クラッド層のシート抵抗よりも高くしたが、ｐ型クラッド層をシート抵抗の低い半導体層で組み合わせた多層構造とし、当該層のシート抵抗を総合的にｎ型クラッド層のシート抵抗よりも低くすることによっても本発明の実施形態と同様の効果が得られる。
【００４４】
また、本発明の各実施形態では、電流分散層に透明導電膜のＩＴＯを用いたが、ＩＴＯ以外の透明導電膜を用いても本発明の実施形態と同様の効果が得られる。
【００４５】
さらに、本発明の第１実施形態では、上部電極１６に円形状の電極を用いたが、この上部電極１６を枝状電極としても本発明の第１実施形態と同様の効果が得られる。
【図面の簡単な説明】
【００４６】
【図１】本発明の第１実施形態に係るＡｌＧａＩｎＰ発光ダイオードの断面図である。
【図２】図１のＡｌＧａＩｎＰ発光ダイオードの製造工程を示す図である。
【図３】図１のＡｌＧａＩｎＰ発光ダイオードの電流の流れを示す図である。
【図４】本発明の第２実施形態に係るＡｌＧａＩｎＰ発光ダイオードの断面図である。
【図５】本発明の他の実施形態に係るＡｌＧａＩｎＰ発光ダイオードの断面図である。
【図６】図５のＡｌＧａＩｎＰ発光ダイオードのＡ−Ａ線の断面図である。
【図７】本発明の他の実施形態に係るＡｌＧａＩｎＰ発光ダイオードの断面図である。
【図８】本発明の他の実施形態に係るＡｌＧａＩｎＰ発光ダイオードの断面図である。
【図９】従来の発光ダイオードの断面図である。
【図１０】従来の発光ダイオードの断面図である。
【図１１】従来の発光ダイオードの断面図である。
【符号の説明】
【００４７】
１  ＧａＡｓ基板
２、２５、１０４  ｎ型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層（ｎ型クラッド層）
３、２４、１０３  活性層
４、２３、１０２  ｐ型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層（ｐ型クラッド層）
５、１４、２６、１１６  電流阻止部
６、１１５  部分電極
７、３０  光反射層
８、１２、３１  拡散抑止層
９、９ａ、９ｂ、１１４  接合層
１０、１１３  高熱伝導性基板
１１  高熱伝導性基板用電極
１３、１０６  下部電極
１５、２７、４３、１１７  電流分散層
１６、１０１  上部電極
１７、１１２  実装用合金
１８、３９、１０７  実装ステム
１９  電子
２０  正孔
２１  発光部
２２、１０９  透光性基板
２８  電流分散層用電極
２９  絶縁層
３２  放熱用接合層
３３、１１１  ｐ型クラッド層用電極
３４、３６  通電用接合半田
３５  放熱用接合半田
３７、３８  ステム用配線パターン
４０、４１  保護膜
４２  枝状電極
１１０  ｎ型クラッド層用電極
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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