(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
結晶格子面に平行でない表面を有する非対称反射結晶を用いてＸ線マイクロビームを生成するためのＸ線マイクロビーム生成装置であって、
第１の非対称反射結晶、および、前記第１の非対称反射結晶による回折Ｘ線が入射する第２の非対称反射結晶を、これらで反射したＸ線のビーム幅が共に第１の方向について縮小されるように支持しつつ、支持された前記第１および第２の非対称反射結晶の表面角度をそれぞれ調整することが可能である第１の結晶支持部材と、
前記第２の非対称反射結晶による回折Ｘ線が入射する第３の非対称反射結晶、および、前記第３の非対称反射結晶による回折Ｘ線が入射する第４の非対称反射結晶を、これらで反射したＸ線のビーム幅が共に前記第１の方向と垂直な第２の方向について縮小されるように支持しつつ、支持された前記第３および第４の非対称反射結晶の表面角度をそれぞれ調整することが可能である第２の結晶支持部材とを備え、
前記第１の結晶支持部材が、前記第１および第２の非対称反射結晶を同一軸の回りに回動させることによってその表面角度を同時に調整する第１の調整機構と、前記第１および第２の非対称反射結晶のいずれか一方だけの表面角度を調整する第２の調整機構とを備えており、
前記第２の結晶支持部材が、前記第３および第４の非対称反射結晶を同一軸の回りに回動させることによってその表面角度を同時に調整する第３の調整機構と、前記第３および第４の非対称反射結晶のいずれか一方だけの表面角度を調整する第４の調整機構とを備えていることを特徴とするＸ線マイクロビーム生成装置。
【請求項２】
前記第２の調整機構および前記第４の調整機構が、前記非対称反射結晶の表面角度を調整するために固体アクチュエータをそれぞれ有していることを特徴とする請求項１に記載のＸ線マイクロビーム生成装置。
【請求項３】
前記第１および第２の非対称反射結晶の支持軸と前記第３および第４の非対称反射結晶の支持軸とが互いに直交するように、前記第１の結晶支持部材および前記第２の結晶支持部材が配置されていることを特徴とする請求項１又は２に記載のＸ線マイクロビーム生成装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、非対称反射結晶を用いることによってＸ線マイクロビームを生成するためのＸ線マイクロビーム生成装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
近年、半導体素子を微細化するに当たり、半導体素子の特定領域（例えば、ＭＯＳトランジスタのゲート電極直下領域）に作用している局在応力などを高精度に解析する必要が生じている。かかる解析を行うためには、指向性の高い放射光を光源とする高平行Ｘ線マイクロビームをプローブとするＸ線回折を行うのが最適であると考えられる。そのため、半導体素子の微細化に合わせた小径（数マイクロメータ程度）且つ小発散角（１０-5ラジアン程度）のＸ線マイクロビームを生成するための研究が進められている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】
Ｘ線マイクロビームを生成する技術としては、湾曲多層膜ミラーまたはフレネルゾーンプレートを使用するものが知られている。これらの技術によっては、ビーム径をある程度まで小さくすることができるものの、発散角が十分に小さな高平行ビームを得ることができない。そのため、半導体素子の特定領域に作用している局在応力などを高精度に解析するために上記技術によって得られるＸ線マイクロビーム生成装置を用いることは、事実上不可能である。また、結晶格子面に平行でない表面を有する非対称反射結晶を用いることによって小径で小発散角のＸ線マイクロビームを生成することも考えられるが、そのための具体的な構成は未だ知られていない。
【０００４】
そこで、本発明の目的は、非対称反射結晶を用いることによって、十分に小径且つ小発散角のＸ線マイクロビームを生成することが可能なＸ線マイクロビーム生成装置を提供することである。
【０００５】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するために、請求項１のＸ線マイクロビーム生成装置は、結晶格子面に平行でない表面を有する非対称反射結晶を用いてＸ線マイクロビームを生成するためのＸ線マイクロビーム生成装置であって、第１の結晶支持部材と第２の結晶支持部材とを備えている。前記第１の結晶支持部材は、第１の非対称反射結晶、および、前記第１の非対称反射結晶による回折Ｘ線が入射する第２の非対称反射結晶を、これらで反射したＸ線のビーム幅が共に第１の方向について縮小されるように支持しつつ、支持された前記第１および第２の非対称反射結晶の表面角度をそれぞれ調整することが可能である。また、前記第２の結晶支持部材は、前記第２の非対称反射結晶による回折Ｘ線が入射する第３の非対称反射結晶、および、前記第３の非対称反射結晶による回折Ｘ線が入射する第４の非対称反射結晶を、これらで反射したＸ線のビーム幅が共に前記第１の方向と垂直な第２の方向について縮小されるように支持しつつ、支持された前記第３および第４の非対称反射結晶の表面角度をそれぞれ調整することが可能である。
【０００６】
請求項１によると、第１の非対称反射結晶および第２の非対称反射結晶がそれぞれ表面角度を調整可能に第１の結晶支持部材に支持されるので、第１および第２の非対称反射結晶どうしを十分に近接して配置することが可能になる。これにより、第１の非対称反射結晶で第１の方向に縮小されたビームが拡がってしまう前に再び第２の非対称反射結晶で第１の方向に縮小されることになるため、第１の方向（例えば水平方向）について十分に小径且つ小発散角のＸ線マイクロビームが生成される。同様に、第３の非対称反射結晶および第４の非対称反射結晶がそれぞれ表面角度を調整可能に第２の結晶支持部材に支持されるので、第３および第４の非対称反射結晶どうしを十分に近接して配置することが可能になる。これにより、第３の非対称反射結晶で第２の方向に縮小されたビームが拡がってしまう前に再び第４の非対称反射結晶で第２の方向に縮小されることになるため、第２の方向（例えば垂直方向）について十分に小径且つ小発散角のＸ線マイクロビームが生成される。これにより、直交する２方向のいずれについても十分に小径且つ小発散角のＸ線マイクロビームを生成することが可能になる。
【０００７】
また、請求項１のＸ線マイクロビーム生成装置は、前記第１の結晶支持部材が、前記第１および第２の非対称反射結晶を同一軸の回りに回動させることによってその表面角度を同時に調整する第１の調整機構と、前記第１および第２の非対称反射結晶のいずれか一方だけの表面角度を調整する第２の調整機構とを備えており、前記第２の結晶支持部材が、前記第３および第４の非対称反射結晶を同一軸の回りに回動させることによってその表面角度を同時に調整する第３の調整機構と、前記第３および第４の非対称反射結晶のいずれか一方だけの表面角度を調整する第４の調整機構とを備えている。
【０００８】
請求項１によると、２つの非対称反射結晶が第１または第３の調整機構によってそれぞれ同一軸の回りに回動させられるので、入射Ｘ線に対する２つの非対称反射結晶の相対的な位置関係を大きな自由度で変更することが可能である。従って、連続エネルギー値を有するシンクロトロン放射光を光源とするＸ線回折を利用してＸ線マイクロビームを生成する場合に、表面近傍の入射Ｘ線のエネルギーをサンプルの測定深さなどに応じて大きな自由度で変更して任意のブラッグの回折条件に適応させることが可能になる。また、第２および第４の調整機構は２つの非対称反射結晶の一方だけの表面角度を調整するので、第１または第３の調整機構によって２つの非対称反射結晶が同一軸の回りに回動することによって生じた、第２および第４の非対称反射結晶で回折を起こすために要求される入射角度との角度ずれを補償することが可能になる。
【０００９】
また、請求項２のＸ線マイクロビーム生成装置は、前記第２の調整機構および前記第４の調整機構が、前記非対称反射結晶の表面角度を調整するために固体アクチュエータをそれぞれ有していることを特徴とするものである。
【００１０】
請求項２によると、固体アクチュエータにより非対称反射結晶の表面角度を調整できるので、第２の調整機構および第４の調整機構を小型で簡略な構成を有するものとすることができる。これにより、第１および第２の非対称反射結晶どうし並びに第３および第４の非対称反射結晶どうしを十分に近接して配置することが可能になる。固体アクチュエータとしては、例えば、ピエゾ素子、磁歪素子などを有するものを用いることができる。
【００１１】
また、請求項３のＸ線マイクロビーム生成装置は、前記第１および第２の非対称反射結晶の支持軸と前記第３および第４の非対称反射結晶の支持軸とが互いに直交するように、前記第１の結晶支持部材および前記第２の結晶支持部材が配置されていることを特徴とするものである。
【００１２】
請求項３によると、両方の支持軸が直交するようになっているために、第１の結晶支持部材および第２の結晶支持部材が互いに干渉することがほとんどなく、両方の支持軸の先端位置を近づけることができる。これにより、第２の非対称反射結晶と第３の非対称反射結晶とを十分に近接して配置することが可能になって、より小径且つ小発散角のＸ線マイクロビームを生成することができるようになる。
【００１３】
なお、本発明のＸ線マイクロビーム生成装置には、上記した第１〜第４の非対称反射結晶だけに限らず、５個以上の非対称反射結晶が用いられてもよい。その場合、第１の結晶支持部材（または第２の結晶支持部材）に第１および第２の非対称反射結晶（または第３および第４の非対称反射結晶）に加えてさらに別の非対称反射結晶を支持させてもよいし、或いは、別途設けられた結晶支持部材に第１〜第４の非対称反射結晶とは別の非対称反射結晶を支持させてもよい。ただし、直交する２方向のそれぞれについてビームを縮小する非対称反射結晶を２の倍数個用いることによって、入射Ｘ線ビームの方向と反射Ｘ線ビームの方向とを同方向にすることが容易となる。一方、使用する非対称反射結晶の数が増えるにつれて回折Ｘ線の強度が低下することを考慮すると、直交する２方向のそれぞれについてビームを縮小するための非対称反射結晶の個数は４個程度とするのが現実的である。
【００１４】
【発明の実施の形態】
まず、本発明によるＸ線の非対称反射の原理について、図１を参照して説明する。図１に示すように、シリコン単結晶１は非対称結晶であって、その表面１ａと結晶格子面１ｂとが平行でなく角度αをなしている。そのため、入射Ｘ線ビーム２は、表面１ａに垂直な軸に対称となるように反射するのではなく、結晶格子面１ｂに垂直な軸に対称となるように反射する。つまり、入射Ｘ線ビーム２が結晶格子面１ｂとなす角度をθB とすると、結晶格子面１ｂで反射された回折Ｘ線ビーム３が結晶格子面１ｂとなす角度もθB となる。一方、入射Ｘ線ビーム２がシリコン単結晶１の表面１ａとなす角度はθB ＋αとなり、回折Ｘ線ビーム３がシリコン単結晶１の表面１ａとなす角度はθB −αとなる。
【００１５】
また、入射Ｘ線ビーム２のビーム幅をＬ0 とすると、回折Ｘ線ビーム３のビーム幅Ｌh はｂ×Ｌ0 に等しくなる。ここで、ｂは非対称因子であって、ｓｉｎ（θB −α）／ｓｉｎ（θB ＋α）に等しい。非対称因子ｂは１以下の値となるので、回折Ｘ線ビーム３のビーム幅Ｌh は入射Ｘ線ビーム２のビーム幅Ｌ0 よりも小さくなる。また、発散角については、回折Ｘ線ビーム３は入射Ｘ線ビーム２よりも大きくなる。その発散角の大きさは、対称反射結晶からの回折Ｘ線の発散角の√ｂ倍程度であるので、極端に大きくなることが回避される。このように、非対称結晶を用いてＸ線を反射させることによって、小径で発散角の小さい回折Ｘ線ビームを得ることが可能である。
【００１６】
次に、本発明の好適な一実施の形態について、図面を参照しつつ説明する。
【００１７】
図２は、本実施の形態に係るＸ線マイクロビーム生成部を含むＸ線解析装置の光学系の概略構成図である。図２に示すように、Ｘ線解析装置１０に与えられたシンクロトロン放射光１１は、共にシリコン単結晶である２つの対称反射結晶１２ａ、１２ｂを有する分光器１２に入射する。分光器１２から取り出されたＸ線ビーム１３は、スリット１５を経た後に、共にシリコン単結晶である４つの非対称反射結晶１８ａ、１８ｂ、１８ｃ、１８ｄを有するＸ線マイクロビーム生成部１６に供給される。
【００１８】
４つの非対称反射結晶１８ａ〜１８ｄのうち、非対称反射結晶１８ａ、１８ｂは、上述した原理に基づいて入射したＸ線ビーム１３の径および発散角を水平方向について縮小させることができるように配置されており、非対称反射結晶１８ｃ、１８ｄは、入射したＸ線ビーム１３の径および発散角を垂直方向について縮小させることができるように配置されている。そのため、Ｘ線マイクロビーム生成部１６を通過したＸ線ビーム１３は、水平および垂直の２方向について径および発散角が縮小されたマイクロビームとなる。
【００１９】
Ｘ線マイクロビーム生成部１６で径および発散角が縮小されたＸ線ビーム１９は、解析対象であるサンプル２０に入射する。サンプル２０表面のＸ線ビーム１９が照射される部分は、２つのＣＣＤカメラ２１ａ、２１ｂで撮影される。サンプル２０で回折したＸ線ビーム２２は、アナライザ２３を経てシンチレーションカウンタ２４に入射する。
【００２０】
次に、図２に描かれたＸ線解析装置１０に含まれるＸ線マイクロビーム生成部１６の詳細な構造について、さらに図３〜図７を参照して説明する。図３は、図２に示すＸ線解析装置に装着される非対称反射結晶の支持機構の斜視図である。図４は、非対称反射結晶の支持機構に含まれる結晶ホルダの側面図である。図５は、図４に示す結晶ホルダの平面図である。図６は、図４に示す結晶ホルダにおけるピエゾ素子の先端部付近の拡大図である。図７は、図３に描かれた支持機構の要部模式図である。
【００２１】
図２に示されたＸ線マイクロビーム生成部１６には、図３に示すような非対称反射結晶の支持機構３０が含まれている。支持機構３０は、ほぼＬ字形の本体３１と、本体３１の内側側面３１ａに設けられた取付部３２ａに水平方向へ突出するように取り付けられた結晶ホルダ３３と、本体３１の下側上面３１ｂに設けられた取付部３２ｂに上方へ突出するように取り付けられた結晶ホルダ３４とから構成されている。
【００２２】
本体３１内には、取付部３２ａ、３２ｂと連動したレバー（図示せず）が、結晶ホルダ３３、３４の径方向に伸延するようにそれぞれ設けられている。これらのレバーはその外側端部近傍において結晶ホルダ３３、３４の周方向にばね付勢されており、また、このばねと反対側にはマイクロヘッド（回転角度に応じて回転軸方向の長さが変化する部材：図示せず）が配置されている。マイクロヘッドの回転量は、これと複数のギアを介して結合されたモータ（図示せず）によって制御される。つまり、モータ制御によってマイクロヘッドの長さを変更することによってレバーの回動位置を制御することが可能になり、これによって取付部３２ａ、３２ｂの回転角度を、モータの最小回転角度単位および複数のギアでのギアダウン比に応じた微小角度を単位として、所望の角度に調整することができるようになっている。
【００２３】
図４および図５にも示すように、結晶ホルダ３３（以下、結晶ホルダ３３について説明するが、結晶ホルダ３４は結晶ホルダ３３と実質的に同様に構成されているので、結晶ホルダ３４についての説明は省略する）は、取付部３２ａと嵌合するほぼ円柱状の基部４１と、取付部３２ａの回転軸上にある第１の支持軸４２と、第１の支持軸４２によってその側方に支持された第２の支持軸４３とを有している。第１の支持軸４２および第２の支持軸４３の頂部には、非対称反射結晶１８ａ、１８ｂがそれぞれ設置される結晶ステージ４２ａ、４３ａがそれぞれ設けられている。第２の支持軸４３の長手方向中央付近には、その軸中心までの深さを有する凹部４３ｃが設けられている。また、第１の支持軸４２および第２の支持軸４３は、結晶ステージ４２ａ、４３ａ上に設置される結晶の位置をねじヘッド４２ｂ、４３ｂを回動させることにより手動で角度調整することができるように、複数の部分にそれぞれ分かれている。
【００２４】
上述したように、取付部３２ｂは本体３１内部のモータ回転に応じて回転可能であるから、第１の支持軸４２は取付部３２ｂの回転に合わせてその軸回りに回転する。また、第１の支持軸４２に支持された第２の支持軸４３は、第１の支持軸４２の回転に合わせてその回りを回転する。つまり、第１の支持軸４２および第２の支持軸４３は、取付部３２ｂの回転に伴って第１の支持軸４２の中心軸の回りを同時に回転する。
【００２５】
また、結晶ホルダ３３には、第１の支持軸４２を貫き且つ先端が凹部４３ｃ内において第２の支持軸４３と当接するように、第１の支持軸４２の中心軸と直交する方向を変位方向とするピエゾアクチュエータ４５が支持されている。図６に示すように、ピエゾアクチュエータ４５は、半球状の先端部４５ａを有しており、先端部４５ａは第２の支持軸４３の軸中心４３ｄから距離ｄだけ離れた位置４３ｅにおいて第２の支持軸４３に当接している。そのため、ピエゾアクチュエータ４５に電気信号が与えられてその長さが変化すると第２の支持軸４３が軸中心４３ｄを中心として回転し、その回転変位角度はピエゾアクチュエータ４５の長さの変化量に比例したものとなる。
【００２６】
このように、本実施の形態では、２つの非対称反射結晶１８ａ、１８ｂがそれぞれ表面角度を調整可能に１つの結晶ホルダ３３に支持されているので、２つの非対称反射結晶１８ａ、１８ｂどうしを十分に近接して配置することが可能となっている。従って、非対称反射結晶１８ａで水平方向に縮小されたビームが拡がってしまう前に再び非対称反射結晶１８ｂで水平方向に縮小されることになるため、水平方向について十分に小径且つ小発散角のＸ線マイクロビームが生成される。また、ここでは、詳述を省略したが、結晶ホルダ３４では、結晶ホルダ３３と同様に、垂直方向について十分に小径且つ小発散角のＸ線マイクロビームが生成される。そのため、本実施の形態のＸ線マイクロビーム生成部１６によって、水平および垂直の２方向のいずれについても十分に小径且つ小発散角のＸ線マイクロビームを生成することが可能となっている。
【００２７】
また、本実施の形態では、Ｘ線マイクロビーム生成部１６に含まれる支持機構３０の本体３１に取り付けられた結晶ホルダ３３が、第１および第２の支持軸４２、４３にそれぞれ支持された２つの非対称反射結晶１８ａ、１８ｂを第１の支持軸４２の回りに回動させることによって非対称反射結晶１８ａ、１８ｂの表面角度を同時に調整する機構と、ピエゾアクチュエータ４５によって第２の支持軸４３上に設置された非対称反射結晶１８ｂだけの表面角度を調整する機構とを有している。
【００２８】
これにより、本実施の形態では、２つの非対称反射結晶１８ａ、１８ｂを第１の支持軸４２の回りに回動させた場合に、入射したＸ線ビーム１３に対する２つの非対称反射結晶１８ａ、１８ｂの相対的な位置関係を大きな自由度で変更することが可能である。従って、ブラッグの回折式（２ｄｓｉｎθB ＝ｎλ：ｄ＝格子面間距離、θB ＝Ｘ線ビームの格子面に対する入射角度、ｎ＝任意の自然数、λ＝Ｘ線ビームの波長）に基づいて判断すると、入射したＸ線ビーム１３のエネルギーをサンプル２０の測定深さなどに応じて大きな自由度で変更することが可能になる。
【００２９】
また、本実施の形態では、ピエゾアクチュエータ４５を駆動することによって２つの非対称反射結晶１８ａ、１８ｂのうち非対称反射結晶１８ｂだけの表面角度を調整することができるので、２つの非対称反射結晶１８ａ、１８ｂが第１の支持軸４２の回りに回動することによって生じた、非対称反射結晶１８ｂで回折を起こすために要求されるＸ線ビーム１３の入射角度との角度ずれを補償することが可能となっている。
【００３０】
また、本実施の形態では、ピエゾアクチュエータ４５のような固体アクチュエータにより非対称反射結晶１８ｂの表面角度を調整するので、１００分の１秒程度の高精度で角度調整が可能であると共に、非対称反射結晶１８ｂの表面角度を調整する機構が小型で簡略な構成のものとなる。従って、２つの非対称反射結晶１８ａ、１８ｂどうしを十分に近接して配置することが可能となっている。なお、固体アクチュエータとしては、例えば、ピエゾアクチュエータ４５のほかに磁歪素子などを有するアクチュエータを用いてもよい。
【００３１】
また、図３および図７に示すように、本実施の形態では、結晶ホルダ３３の２つの支持軸４２、４３と結晶ホルダ３４の２つの支持軸４２、４３とが直交しているので、これら２つの結晶ホルダ３３、３４が基部４１や取付部３２ａ、３２ｂにおいて互いに干渉することがなく、結晶ホルダ３３の支持軸４３の先端にある結晶ステージ４３ａと、結晶ホルダ３４の支持軸４２の先端にある結晶ステージ４２ａとを近づけることができる。これにより、結晶ホルダ３３の非対称反射結晶１８ｂと結晶ホルダ３４の非対称反射結晶１８ｃとを十分に近接して配置することが可能であるから、本実施の形態のＸ線マイクロビーム生成部１６は、きわめて小径（１．０〜１．５μｍ程度）且つ小発散角（１〜２秒程度）のＸ線マイクロビームを生成することが可能になっている。
【００３２】
以上、本発明の好適な一実施の形態について説明したが、本発明は上述の実施の形態に限られるものではなく、特許請求の範囲に記載した限りにおいて様々な設計変更が可能なものである。例えば、上述の実施の形態では水平および垂直方向にそれぞれ２つの非対称反射結晶を用いたが、各方向について３つ以上の非対称反射結晶を用いてもよい。また、非対称反射結晶としては、シリコン単結晶に限らずその他公知のものを用いることができる。また、図３〜図６に示した例は本発明を具体化する場合の一例であり、非対称反射結晶を支持する具体的な装置構成としては様々な機構が考えられる。
【００３３】
【発明の効果】
以上説明したように、請求項１によると、非対称反射結晶を用いて、直交する２方向のいずれについても十分に小径且つ小発散角のＸ線マイクロビームを生成することが可能になる。これにより、例えば、化合物半導体レーザ素子などの微細な電子デバイスの局所的な歪みの解析などを高精度に行うことが可能になって、これら歪み解析のデータに基づいて電子デバイスの製造過程の改良を行うことにより製品歩留まりが大幅に向上することが期待される。
【００３４】
さらに、請求項１によると、入射Ｘ線に対する２つの非対称反射結晶の相対的な位置関係を大きな自由度で変更することができるために、入射Ｘ線のエネルギーをサンプルの測定深さなどに応じて大きな自由度で変更することが可能になる。請求項２によると、第１および第２の非対称反射結晶どうし並びに第３および第４の非対称反射結晶どうしを十分に近接して配置することが可能になる。請求項３によると、第２の非対称反射結晶と第３の非対称反射結晶とを十分に近接して配置することが可能になって、より小径且つ小発散角のＸ線マイクロビームを生成することができるようになる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明によるＸ線の非対称反射の原理について説明するための模式図である。。
【図２】本発明の一実施の形態に係るＸ線マイクロビーム生成部を含むＸ線解析装置の光学系の概略構成図である。
【図３】図２に示すＸ線解析装置に装着される非対称反射結晶の支持機構の斜視図である。
【図４】非対称反射結晶の支持機構に含まれる結晶ホルダの側面図である。
【図５】図４に示す結晶ホルダの平面図である。
【図６】図４に示す結晶ホルダにおけるピエゾ素子の先端部付近の拡大図である。
【図７】図３に描かれた支持機構の要部模式図である。
【符号の説明】
１  シリコン単結晶
２  入射Ｘ線ビーム
３  回折Ｘ線ビーム
１０  Ｘ線解析装置
１１  放射光ビーム
１２  分光器
１３  Ｘ線ビーム
１５  スリット
１６  Ｘ線マイクロビーム生成部
１８ａ〜１８ｄ  非対称反射結晶
２０  サンプル
２４  シンチレーションカウンタ
３０  支持機構
３１  本体
３２ａ、３２ｂ  取付部
３３、３４  結晶ホルダ
４１  基部
４２  第１の支持軸
４３  第２の支持軸
４５  ピエゾアクチュエータ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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