(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
酸化珪素の層のエッチング方法であって、
酸化珪素の層の下にある導電または半導電層を備える半導体基板をプラズマ・エッチング反応装置内に導入するステップと、
前記導電または半導電層を露出するため、および前記酸化珪素の層を介して前記導電または半導電層まで真直ぐに延びる０．２５ミクロン以下のサイズでありかつ少なくとも５：１のアスペクト比を有する真直ぐな複数の開口を提供するために、前記酸化珪素の層をエッチングするステップとを有し、
前記エッチングが前記プラズマ・エッチング反応装置内でイオン化された状態にある無水素エッチング・ガスに酸化珪素の層を露出することによって実施され、前記エッチング・ガスが本質的にＣ４Ｆ８、アルゴン、窒素および酸素からなり、前記酸素および窒素が前記エッチング・ステップ中にポリマー・ビルドアップが前記開口内にエッチ・ストップを生じることを防止するのに有効な量で存在し、酸素の量がＣ４Ｆ８の量の５０〜７５％であることを特徴とするエッチング方法。
【請求項２】
前記酸化珪素の層が、ドープされたまたはドープされていない二酸化珪素を備えることを特徴とする請求項１に記載のエッチング方法。
【請求項３】
前記エッチング・ステップが中密度プラズマ反応装置内で実施されることを特徴とする請求項１に記載のエッチング方法。
【請求項４】
前記開口がボーイングされることなくエッチングされると共に、最大１０：１のアスペクト比を有する開口を提供することを特徴とする請求項１に記載のエッチング方法。
【請求項５】
前記導電または半導電層が、ドープされたおよびドープされていない多結晶または単結晶シリコン、アルミニウム、銅、チタン、タングステン、モリブデン、またはそれらの合金、窒化チタン、珪化チタン、珪化タングステン、珪化コバルト、および珪化モリブデンからなるグループから選択される金属含有層を備えることを特徴とする請求項１に記載のエッチング方法。
【請求項６】
前記酸素が、３〜１５ｓｃｃｍの流量で前記プラズマ反応装置に供給されることを特徴とする請求項１に記載のエッチング方法。
【請求項７】
前記窒素が、１〜１００ｓｃｃｍの流量で前記プラズマ反応装置に供給されることを特徴とする請求項１に記載のエッチング方法。
【請求項８】
前記Ｃ４Ｆ８が、３〜１５ｓｃｃｍの流量で前記プラズマ反応装置に供給されることを特徴とする請求項１に記載のエッチング方法。
【請求項９】
さらに、前記エッチング・ステップ後に前記開口に金属を充填することを特徴とする請求項１に記載のエッチング方法。
【請求項１０】
さらに、前記酸化珪素の層上にフォトレジスト層を形成するステップと、複数の開口を形成するように前記フォトレジストにパターン形成するステップとを有し、前記エッチング・ステップが酸化珪素のバイアまたはコンタクト開口を形成することを特徴とする請求項１に記載のエッチング方法。
【請求項１１】
前記エッチング・ステップ中、前記エッチング・ガス中の酸素が、前記開口内に付着されたポリマーと反応してＣＯを形成し、前記エッチング・ガス中の窒素が、前記開口内に付着されたポリマーと反応してＣＮを形成することを特徴とする請求項１に記載のエッチング方法。
【請求項１２】
前記エッチング・ステップ中、プラズマ反応装置が２００ｍＴｏｒｒよりも低い圧力にあることを特徴とする請求項１に記載のエッチング方法。
【請求項１３】
前記半導体基板がシリコン・ウェハを備え、前記エッチング・ステップ中、ウェハが１３０℃以下の温度で維持されることを特徴とする請求項１に記載のエッチング方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
発明の分野
本発明は、集積回路の製造において酸化珪素エッチングの改善された方法に関する。
【０００２】
発明の背景
集積回路製造で一般的な要件は、ドープされたまたはドープされていない酸化珪素にコンタクト（contact）やバイアなどの開口をエッチングすることである。そのような酸化珪素は、純粋な二酸化珪素と、ホウ素、リン、および／またはヒ素によってドープされた珪酸塩など二酸化珪素のガラスとを含む。酸化珪素は、多結晶シリコン、アルミニウム、チタン、タングステン、モリブデンなどの金属またはそれらの合金、窒化チタンなどの窒化物、珪化チタン、珪化コバルト、珪化タングステン、珪化モリブデンなどの金属珪化物などの導電または半導電層を覆うことができる。
【０００３】
酸化珪素に開口をエッチングするための様々なプラズマ・エッチング技法が、米国特許第５０１３３９８号、５０１３４００号、５０２１１２１号、５０２２９５８号、５２６９８７９号、５５２９６５７号、５５９５６２７号、および５６１１８８８号に開示されている。プラズマ・エッチングは、'３９８特許に記載された平行平板型プラズマ反応装置チャンバ、'４００特許に記載されたトライオード型反応装置などの中密度反応装置内で、または'６５７特許に記載された誘導結合反応装置などの高密度反応装置内で実施することができる。エッチング・ガスケミストリーは、'１２１および'９５８特許に記載された無酸素の、ＡｒとＣＨＦ３と任意選択でＣＦ４とのガス混合物、'８７９特許に記載された無酸素のフッ素含有窒素ガス混合物、'６２７特許に記載されたＣＦ４とＣＯのガス混合物、'４００特許に記載された酸素とＣＦ４のガス混合物、'６５７特許に記載された酸素とＣＦ４とＣＨ４とのガス混合物、'８８８特許に記載されたフレオンとネオンのガス混合物を含む。
【０００４】
デバイス幾何形状が小さくなればなるほど、酸化珪素に深くかつ狭い開口をプラズマ・エッチングすることが必要になる。したがって、そのような深くかつ狭い開口を達成するプラズマ・エッチング技法が当技術分野で求められている。さらに、開口の側壁のボーイング（bowing）を伴わずにそのような開口幾何形状を達成することが非常に望ましい。
【０００５】
発明の概要
本発明は、酸化珪素の層をエッチングする方法であって、酸化珪素の層の下にある導電または半導電層を備える半導体基板をプラズマ・エッチング反応装置内に導入するステップと、導電または半導電層を露出するためおよび酸化珪素の層を介して前記導電または半導電層まで延びる開口を提供するために酸化珪素の層をエッチングするステップとを含み、エッチングが、プラズマ・エッチング反応装置内でイオン化された状態にあるエッチング・ガスに酸化珪素の層を露出することによって実施され、前記エッチング・ガスが、炭化フッ素、窒素、および酸素反応物と、不活性キャリア・ガスとを含み、酸素および窒素が、エッチング・ステップ中にポリマー・ビルドアップが開口内にエッチ・ストップを生じることを防止するのに有効な量で存在する方法を提供する。
【０００６】
本発明の一態様によれば、酸化珪素の層が、ドープされたまたはドープされていない二酸化珪素を備えることができ、エッチング・ステップを中密度プラズマ反応装置内で実施することができる。本発明の他の態様によれば、開口がボーイング（bowing）されることなくエッチングされ、少なくとも５：１のアスペクト比を有することができる。エッチング・ガスは、本質的にＣ４Ｆ８、アルゴン、窒素、および酸素からなることが好ましい。導電または半導電層は、Ａｌ、Ａｌ合金、Ｃｕ、Ｃｕ合金、Ｔｉ、Ｔｉ合金、ドープされた、またはドープされていない多結晶または単結晶シリコン、ＴｉＮ、ＴｉＷ、Ｍｏ、あるいはＴｉ、Ｗ、Ｃｏおよび／またはＭｏの珪化物などからなるグループから選択される金属含有層を備えることができる。
【０００７】
本発明の方法は、ｎが少なくとも２であり、ｍがｎよりも大きい無水素ＣｎＦｍ、例えばＣ２Ｆ６、Ｃ３Ｆ６、Ｃ４Ｆ８、およびその混合物を備える炭化フッ素ガスを使用して、０．６ミクロン、特に０．２５ミクロン以下のサイズの開口をエッチングすることができる。キャリア・ガスは、Ａｒ、Ｈｅ、Ｎｅ、Ｋｒ、Ｘｅ、またはそれらの混合物からなるグループから選択することができる。中密度平行平板型プラズマ反応装置内でエッチングするとき、酸素を３〜１５ｓｃｃｍの流量でプラズマ反応装置に供給することができ、窒素を１〜１００ｓｃｃｍの流量でプラズマ反応装置に供給することができ、炭化フッ素ガスを３〜１５ｓｃｃｍの流量でプラズマ反応装置に供給することができる。一例として、炭化フッ素、酸素、および窒素ガスを、それぞれ５〜１０ｓｃｃｍ、５〜１０ｓｃｃｍ、および２０〜６０ｓｃｃｍの流量でプラズマ反応装置に供給することができる。エッチング・ステップは、２００％オーバーエッチングが達成されるまで行うことができ、次いで開口に金属を充填することができる。本発明の方法はまた、酸化珪素の層上にフォトレジスト層を形成するステップと、複数の開口を形成するようにフォトレジスト層にパターン形成するステップとを含むことができ、エッチング・ステップが酸化珪素のバイアまたはコンタクト開口を形成する。この方法を用いて、少なくとも５：１のアスペクト比を有する開口を形成することができる。この方法では、酸素は、開口内部に付着されたポリマーと反応し、それによってＣＯを形成することができ、窒素は、開口内に付着されたポリマーと反応し、それによってＣＮを形成することができる。プラズマ反応装置は、エッチング・ステップ中、２００ｍＴｏｒｒ未満の圧力にすることできる。
【０００８】
したがって、本発明の方法は、深くかつ狭い４分の１ミクロン以下の開口を、ドープされた、またはドープされていない酸化珪素にプラズマ・エッチングすることができる半導体製造方法を提供する。プラズマ・ガスケミストリーは、炭化フッ素、酸素、および窒素を含み、それらが協働して酸化珪素をエッチングし、それと同時に異方性エッチングされた開口を得るため、および５：１以上のアスペクト比を有するエッチングされた開口のエッチ・ストップを避けるために十分なポリマー・ビルドアップを提供する。この方法は、シャワーヘッド電極を有する平行平板型プラズマ反応装置で実施することができる。
【０００９】
発明の詳細な説明
本発明は、半導体基板上の酸化珪素層に、バイアやコンタクトなど０．６μｍ、特に０．３μｍ以下の高アスペクト比フィーチャをプラズマ・エッチングするための方法を提供する。この方法では、炭化フッ素、酸素、および窒素反応物を含有するガス混合物がプラズマ状態に励磁され、エッチング・プロセス中に、窒素と酸素が相乗的に反応して、ポリマー・ビルドアップが「エッチ・ストップ」と呼ばれる現象を生じるのを防止する。エッチ・ストップとは、非常に多量のポリマーを形成するガスケミストリーを使用して酸化珪素に深くかつ狭い開口をプラズマ・エッチングする間に生じる問題であり、すなわち開口内のポリマー・ビルドアップが酸化珪素のさらなるエッチングを妨げる。本発明の方法では、エッチング・ガス混合物中の酸素および窒素を用いてポリマーを破壊するという相乗効果によってポリマー・ビルドアップを低減することができる。
【００１０】
本発明によれば、酸素および窒素は、エッチングされる開口のプロファイルを制御するのに有効な量で添加される。例えば、酸素の量を所望のレベルまで増大させることにより、真直な開口を形成することが可能になる。一方、エッチング・ガス混合物中の酸素を減少させる、またはなくすることにより、テーパ形開口を形成することが可能になる。一例として、Ｃ４Ｆ８、ＡｒおよびＮ２の無酸素エッチング・ガス混合物を使用して、上端での０．３μｍから下端での０．１μｍまでサイズが変化するテーパ形開口を形成することができる。真直な開口に関して、酸素の好ましい量は、炭化フッ素ガスの量の５０〜７５％であり、より好ましくは６０〜７０％である。ただし、酸素の量がより多い場合、Ｃ３Ｆ６などのそれほど複雑でない炭化フッ素に関してよりも、Ｃ４Ｆ８などのより複雑な炭化フッ素に関して有利である。
【００１１】
酸素は、エッチングされる開口の底部にあるポリマーを排除するのに有効な量でプラズマ・エッチング反応装置に供給することができる。中密度プラズマを形成する反応装置では、３〜１５ｓｃｃｍの流量で酸素を反応装置に供給することができる。
【００１２】
真直な側壁を有する開口を得るために、ボーイング（bowing）を避けるまたは最小限に抑えるために十分なポリマーが存在し、かつエッチ・ストップ現象を避けるために十分なポリマーが除去されるように酸素添加を制御することが望まれる。ポリマー除去に関して、酸素は、窒素よりもはるかに有効である。例えば１ｓｃｃｍのＯ２が、１５ｓｃｃｍのＮ２とほぼ同じくらいポリマー除去に有効である。したがって、Ｏ２とＮ２の流量を選択的に調整することによって、真直であり、かつ狭い高アスペクト比開口を得ることが可能になる。
【００１３】
エッチング・ガス混合物は、不活性キャリア・ガスを含むことが好ましい。アルゴンは、フッ素が酸化珪素を腐食するのを助ける特に有用な不活性キャリア・ガスである。しかし、キャリア・ガスとしてＨｅ、Ｎｅ、Ｋｒ、および／またはＸｅなど他の不活性ガスを使用することもできる。プラズマ・エッチング反応装置内の圧力をできるだけ低く維持するために、リアクタ内に導入されるキャリア・ガスの量をできるだけ小さくすべきである。例えば、中密度プラズマ反応装置では、１５０〜３００ｓｃｃｍの量でアルゴンを反応装置内に供給することができる。キャリア・ガスは、酸化物のスパッタリングによる酸化物エッチング・レートを助けることが好ましい。
【００１４】
炭化フッ素は、ｎが少なくとも２であり、ｍがｎよりも大きいＣｎＦｍ、例えばＣ４Ｆ８やＣ３Ｆ６を備えることが好ましい。水素含有炭化フッ素はかなり重合するが、エッチ・ステップ現象を避けるために無水素炭化フッ素ガスを使用し、それにより重合の程度を制御し、窒素と酸素の相乗的な結合を使用して深くかつ狭い開口を達成することができる。プラズマ反応装置に供給される炭化フッ素ガスの量は、所望の程度の重合を達成するのに十分なものであるべきである。一例として、中密度プラズマ反応装置では、３〜１５ｓｃｃｍ、好ましくは５〜１５ｓｃｃｍ、より好ましくは６〜７ｓｃｃｍの量で炭化フッ素ガスを供給することができる。
【００１５】
窒素はポリマー除去に有効であるが、酸素ほど有効ではない。さらに、酸素はＣＯを形成することによってポリマーを除去するのに対し、ＮはＣＮ（シアン化物ガス）を生成する。ポリマー除去は窒素にあまり敏感でないため、窒素流量を変更することによって、真直であり、かつ狭い開口を達成するようにエッチング・プロセスを選択的に調整することが可能となる。例えば、ある特定の酸素流量が、検討中のサイズ開口に関してエッチ・ストップを生じる場合、エッチ・ストップの問題が克服されるまで窒素を添加することができる。中密度プラズマ反応装置では、０〜１００ｓｃｃｍの量で窒素を供給することができる。一例として、０．２５μｍコンタクト開口では、酸素が４〜７ｓｃｃｍで供給され、アルゴンが１５０〜１６０ｓｃｃｍで供給され、Ｃ４Ｆ８が５〜８ｓｃｃｍで供給されるとき、窒素流量は、２０〜６０ｓｃｃｍの範囲を取ることができる。
【００１６】
本発明の方法は、少なくとも５：１の非常に高いアスペクト比を得るために有用であり、特に、０．３μｍよりも小さい開口に関して最大１０：１のアスペクト比を得るために有用である。例えば、０．２５μｍ開口に関して、２．１μｍよりも大きい深さで真直な壁を得ることが可能である。
【００１７】
反応装置圧力は、できるだけ低く維持されることが好ましい。一般に、反応装置圧力が低すぎると、プラズマ消滅が生じる可能性があり、それに対し反応装置圧力が高すぎると、エッチ・ストップの問題が生じる可能性がある。中密度プラズマ反応装置では、反応装置は、２０〜４０ｍＴｏｒｒなど２００ｍＴｏｒｒよりも低い圧力にあることが好ましい。エッチングを受ける半導体基板でのプラズマ閉込めにより、基板表面での圧力が、３０〜１００ｍＴｏｒｒ、例えば４５〜６５ｍＴｏｒｒの範囲を取る場合がある。
【００１８】
エッチングを受ける半導体基板を支持する基板支持は、基板上のフォトレジストの燃焼を防止するよう十分に基板を冷却する、例えば１４０℃以下に基板を維持することが好ましい。中密度プラズマ反応装置では、−１０〜４０℃の温度に基板支持を冷却すれば十分である。デュアル・プレート・プラズマ反応装置またはトライオード型反応装置では、基板支持は、ＥＳＣなどの下部電極を備えることができ、その上でシリコン・ウェハなどの基板が、ウェハとＥＳＣの上面との間に所望の圧力でヘリウムを供給することによって静電的にクランプされ、冷却される。例えば６０〜１２０℃の所望の温度でウェハを維持するために、ウェハとチャックの間の空間内にＨｅを１０〜３０Ｔｏｒｒの圧力で維持することができる。
【００１９】
プラズマ反応装置は、中密度平行平板型またはトライオード型プラズマ反応装置を備えることが好ましい。そのような反応装置では、約１．３〜２．５ｃｍ離れた距離で半導体基板を支持する上部電極と下部電極の間にギャップを維持することが望ましい。上部電極および下部電極に供給される総電力は、約１０００〜４０００ワットの範囲内にある場合がある。適切な反応装置は、ＬＡＭ４５２０ＸＬ反応装置であり、上部電極が２７ＭＨｚで駆動されるシリコン・シャワーヘッド電極であり、下部電極が２ＭＨｚで駆動される静電チャックである。
【００２０】
酸化珪素は、様々な方法で形成することができ、Ｆ、Ｂ、Ｐ、Ａｓなどのドーパントを含むことができる。例えば、酸化珪素は、ＵＳＧ（ドープされていない珪酸塩ガラス）、ＢＰＳＧ（ホウ素リン珪酸塩ガラス）、ＰＳＧ（リン珪酸塩ガラス）、ＳＯＧ（スピン・オン・ガラス）、ドープされた、またはドープされていないＴＥＯＳ、ＳｉＯＦ（フッ化酸化珪素）、熱酸化物、または他の形の酸化珪素であってよい。
【００２１】
本発明の方法は、酸化珪素を介してその下にある導電または半導電層まで、深くかつ狭い開口をエッチングするのに特によく適している。この層は、Ａｌ、Ｔｉ、Ｃｕ、Ｍｏなどの金属、またはそれらの合金、窒化チタンなどの金属窒化物、ドープされた、またはドープされていない多結晶または単結晶シリコン、珪化チタン、珪化タングステン、珪化コバルト、珪化モリブデンなどの金属珪化物などであってよい。酸素がエッチング・ガス混合物に添加される場合、下にある導電材料は、窒化シリコンなど酸素によって腐食される材料を除外することが好ましい。
【００２２】
次に、本発明を、本発明の様々な態様を示す以下の例を参照しながら説明する。以下の表は、平行平板型プラズマ反応装置内での６または８インチ・シリコン・ウェハの処理に関するデータを示す。データは、上部および下部電極に関する電力（単位はワット）および温度（単位は℃）と、様々なガスに関する流量（単位はｓｃｃｍ）と、チャンバ圧力（単位はｍＴｏｒｒ）と、Ｈｅウェハ後方冷却圧力（単位はＴｏｒｒ）と、上部電極と下部電極の間のギャップ（単位はｃｍ）と、Ｈｉｔａｃｈｉ  Ｓ７２８０ＣＤ−ＳＥＭを使用して得られるＣＤ測定値とを含む。以下の結果に示されるように、ＣＯよりも窒素を用いたエッチングがより良いエッチ・レートを提供し、驚くべきことに深くかつ狭い開口を達成し、それに対しＣＯの使用は、低いエッチ・レートを提供し、エッチ・ストップを生じた。
【００２３】
表１は、ＬＡＭ４５２０ＸＬ単一ウェハ・プラズマ・エッチング反応装置上で処理された２００ｍｍウェハに関するデータを示す。試験では、０．２５μｍのパターン付き酸化物ウェハを１５０秒間エッチングし、最後のウェハだけは、２７０秒間エッチングして、５０％オーバーエッチをもたらした。図１ａおよびｂは、２０００ワット下部電極電源、１０００ワット上部電極電源、１５０ｓｃｃｍＡｒ、６．５ｓｃｃｍＣ４Ｆ８、６ｓｃｃｍＯ２、２０ｓｃｃｍＮ２、１．３ｃｍギャップ、１５℃下部電極温度、および２０℃上部電極を使用してウェアの中心および縁部に異方性エッチングされた開口を示す。表２は、反復性試験中の試験の分配を示し、表３は、反復性試験中に２５ウェハ・マラソン・ランで得られたデータを示す。図２ａおよびｂは、マラソン・ラン中の第３のウェハの中心および縁部でのエッチ・プロファイルを示す。ウェハの中心から縁部への均一性は、本発明による炭化フッ素、酸素、窒素、およびアルゴン・ガスケミストリーを使用する４分の１ミクロン・コンタクトに受け入れることができるものであることが確定された。
【００２４】
【表１】
0004758002.tif 000002
【００２５】
【表２】
0004758002.tif 000003
【００２６】
【表３】
0004758002.tif 000004
【００２７】
以下の表では、開領域エッチ・レート、インコンタクト・エッチ・レート、フォトレジスト選択性、および酸化物均一性が、Ｐｒｏｃｅｓｓ  ＳｐｅｃｉａｌｔｙウェハおよびＩＢＭ  ＩＩＩウェハを使用して検査された。さらに、このプロセスによって生成されたコンタクトのボーイング（bowing）の影響を求めるために、ガス流れが高められた。表４は固定された条件を示し、表５は、様々なガスの流量の変化を示す。最良の結果を与えるプロセス条件（recipe）は、２２００ワット下部電極、１２００ワット上部電極、１５０ｓｃｃｍＡｒ、６．５ｓｃｃｍＣ４Ｆ８、６ｓｃｃｍＯ２、２０ｓｃｃｍＮ２、１．３ｃｍギャップ、１５℃下部電極温度、および２０℃上部電極であった。完全なプロセス条件（recipe）は表６に示される。
【００２８】
【表４】
0004758002.tif 000005
【００２９】
【表５】
0004758002.tif 000006
【００３０】
【表６】
0004758002.tif 000007
フォトレジスト選択性およびインコンタクト・エッチ・レートは、表７〜９に示され、表７は、０．５ミクロンのコンタクトに関する結果を示し、表８は、０．３５ミクロンのコンタクトに関する結果を示し、表９は、０．３ミクロンのコンタクトに関する結果を示す。
【００３１】
【表７】
0004758002.tif 000008
【００３２】
【表８】
0004758002.tif 000009
【００３３】
【表９】
0004758002.tif 000010
【００３４】
開領域エッチングのエッチ・レートおよび均一性に関する結果が、表１０に示される。開領域エッチは、エッチ・レートに影響を与える最も重要な因子が、Ｃ８Ｆ８流れ、およびＣ４Ｆ８とＯ２ガスの相互作用であることを示す。Ｃ４Ｆ８流れの増大が、エッチ・レートを増大させる。Ｃ４Ｆ８とＯ２の相互作用は、Ｃ４Ｆ８とＯ２の増大がエッチ・レートを増大させることを示す。この傾向は、０．３ミクロンエッチ・レート傾向とは異なる。コンタクト吹出し（blow out）は開領域エッチ・レートにおける考慮事項でないため、諸傾向が小さなコンタクト・エッチ・レートと異なる。最も重合する条件に関する均一性は高く、Ｃ４Ｆ８の流れが、均一性に最大の影響を示した。
【００３５】
【表１０】
0004758002.tif 000011
【００３６】
上に、本発明の原理、好ましい実施形態、および動作の形態を記述した。しかし本発明は、論じた特定の実施形態に限定されるものと解釈されるべきでない。したがって、上述した実施形態は限定ではなく例示と見なされるべきであり、頭記の特許請求の範囲によって定義される本発明の範囲から逸脱することなく、当業者がそれらの実施形態に変更を行うことができることを理解されたい。
【図面の簡単な説明】
【図１ａ】  本発明によるプラズマ・ガスケミストリーを使用して、シリコン・ウェハ上のそれぞれ中心および端部位置に、二酸化珪素に形成されたコンタクト開口のプロファイルを示す。
【図１ｂ】  本発明によるプラズマ・ガスケミストリーを使用して、シリコン・ウェハ上のそれぞれ中心および端部位置に、二酸化珪素に形成されたコンタクト開口のプロファイルを示す。
【図２ａ】  本発明によるプラズマ・ガスケミストリーを使用して、２５枚のウェハがマラソン・ランで処理された反復性調査中に、シリコン・ウェハ上のそれぞれ中心および端部位置に、二酸化珪素に形成されたコンタクト開口のプロファイルを示す。
【図２ｂ】  本発明によるプラズマ・ガスケミストリーを使用して、２５枚のウェハがマラソン・ランで処理された反復性調査中に、シリコン・ウェハ上のそれぞれ中心および端部位置に、二酸化珪素に形成されたコンタクト開口のプロファイルを示す。
【図３】  本発明による好ましいプラズマ・ガスケミストリーを使用して、シリコン・ウェハの中心に、二酸化珪素に形成されたコンタクト開口のプロファイルを示す。
【図１ａ】
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【図１ｂ】
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【図２ａ】
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【図２ｂ】
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【図３】
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