(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
被実装基板に形成された電極に異方性導電膜を介して接続される複数のバンプが並列されているとともに、
前記バンプは、熱圧着される前記異方性導電膜を前記バンプの並列方向以外に排出させる方向に切り込まれたスリットを有しており、
前記異方性導電膜に含まれる導電粒子の粒径をＲとした場合において、前記バンプの幅寸法は５Ｒ〜２０Ｒ、前記バンプの高さ寸法は３Ｒ〜７Ｒ、前記スリットの幅寸法は１Ｒ〜３Ｒ、前記スリットの深さ寸法は１．５Ｒ〜２．５Ｒとされていることを特徴とする半導体集積回路。
【請求項２】
前記複数のバンプが複数列に並列されているとともに各列の前記バンプが互い違いに配置されており、
互い違いに配置された各バンプ同士の対向角領域が削り取られている請求項１に記載の半導体集積回路。
【請求項３】
前記バンプ同士の対向角領域はバンプの並列方向に対して４５度に削り取られている請求項２に記載の半導体集積回路。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体集積回路に係り、特に、被実装基板に異方性導電膜を介して接続されるＬＳＩやドライバＩＣなどに好適に用いられる半導体集積回路に関する。
【背景技術】
【０００２】
一般的に、液晶表示装置などに用いられるＬＳＩやドライバＩＣなどの半導体集積回路は、接続面側に形成したバンプ（突出電極）を被実装基板となる配線板上の電極に異方性導電膜（ＡＣＦ）などを介して接続されるようになっている。たとえば、従来の半導体集積回路１０１Ａにおいては、図４（ａ）に示すような矩形の回路形成面１０３の２つの長辺の端縁や当該回路形成面１０３の周縁全体（図示せず）に複数のバンプ１０２が一列に並列されていることが多い。また、これらのバンプ１０２は、被実装基板の電極（図示せず）との接続面１０２ｃが矩形状に形成されているものが多い。
【０００３】
近年、半導体集積回路１０１Ａの小型化、高密度化に伴うバンプ１０２の個数増加により、同一のバンプ列１０４上において隣接するバンプ間１０５の距離（以下、「隣接バンプ間距離」という。）ｄ１が狭くなりつつある（特許文献１を参照）。
【０００４】
【特許文献１】特開２００３−２９７８６５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、図４（ｂ）に示すように、隣接バンプ間距離ｄ１が狭くなると、半導体集積回路１０１Ａと被実装基板との間に介在するＡＣＦ１２０が熱圧着される際に隣接バンプ間１０５に滞留しやすくなるので、隣接バンプ間１０５に滞留したＡＣＦ１２０に含有された導電粒子１２１が数珠つなぎするように電気的に接続し、隣接バンプ間１０５にリークを引き起こすおそれがあった。
【０００６】
また、図５（ａ）および（ｂ）に示すように、隣接バンプ間距離ｄ１を広くするため、半導体集積回路１０１Ｂのバンプ１０２を複数列のバンプ列１０４ａ、１０４ｂとし、各列のバンプ１０２を互い違いに配置（千鳥配置）すると、外側のバンプ列１０４ａが熱圧着の際にＡＣＦ１２０の流動の障壁となるとともに、異なるバンプ列１０４ａ、１０４ｂ間において対向するバンプ間１０６の距離が狭くなるため、半導体集積回路１０１Ｂの内側に配列された内側バンプ列１０４ｂの隣接バンプ間１０５や対向するバンプ間１０６にＡＣＦ１２０が滞留しやすくなる。よって、内側バンプ列１０４ｂの隣接バンプ間１０５や対向するバンプ間１０６に滞留したＡＣＦ１２０の導電粒子１２１が数珠つなぎするように電気的に接続し、内側バンプ列１０４ｂの隣接バンプ間１０５や対向するバンプ間１０６にリークを引き起こすおそれがあるという問題があった。
【０００７】
そこで、本発明はこれらの点に鑑みてなされたものであり、熱圧着の際にＡＣＦ（異方性導電膜）の流動を阻害しない半導体集積回路を提供することを本発明の目的としている。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
前述した目的を達成するため、本発明の半導体集積回路は、その第１の態様として、被実装基板に形成された電極に異方性導電膜を介して接続される複数のバンプが並列されているとともに、当該バンプが熱圧着される異方性導電膜をバンプの並列方向以外に排出させる方向に切り込まれたスリットを有しており、前記異方性導電膜に含まれる導電粒子の粒径をＲとした場合において、前記バンプの幅寸法は５Ｒ〜２０Ｒ、前記バンプの高さ寸法は３Ｒ〜７Ｒ、前記スリットの幅寸法は１Ｒ〜３Ｒ、前記スリットの深さ寸法は１．５Ｒ〜２．５Ｒとされていることを特徴としている。
【０００９】
本発明の第１の態様によって、熱圧着の際に異方性導電膜の一部がバンプのスリットからバンプの並列方向以外の方向に、目詰まりすることなく確実に排出されるので、隣接バンプ間に滞留しやすい異方性導電膜を少なくし、隣接バンプ間のリークを抑えることができる。
【００１０】
本発明の第２の態様は、複数のバンプが複数列に並列されているとともに各列のバンプが互い違いに配置されており、互い違いに配置された各バンプ同士の対向角領域が削り取られていることを特徴としている。なお、バンプ同士の対向角領域とは、複数列に互い違いに配置されたバンプ同士においてそれぞれ対向しているバンプの角領域をいう。
【００１１】
本発明の第２の態様によって、複数列に互い違いに配置されたバンプ間の距離が拡大するため、例えば半導体集積回路の周縁にバンプを２列で千鳥配置した場合、内側のバンプ列の隣接バンプ間に滞留しやすい異方性導電膜を好適に排出させることができる。
【００１２】
本発明の第３の態様は、第２の態様の半導体集積回路において、バンプ同士の対向角領域はバンプの並列方向に対して４５度に削り取られていることを特徴としている。
【００１３】
本発明の第３の態様によって、内側のバンプ列の隣接バンプ間や異なるバンプ列間において対向するバンプ間に滞留した異方性導電膜を効率よく排出させることができる。
【発明の効果】
【００１４】
本発明の半導体集積回路によって、熱圧着の際に異方性導電膜を好適に排出して隣接バンプ間のリークを防止することができるので、異方性導電膜を介して接続された半導体集積回路を備える半導体装置の歩留まりが向上するという効果を奏する。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１５】
以下、本発明の半導体集積回路における２つの実施形態を説明する。
【００１６】
はじめに、図１および図２を用いて、第１の実施形態の半導体集積回路１Ａを説明する。ここで、図１は、第１の実施形態の半導体集積回路１Ａのバンプが形成されている回路形成面側の接続状態を平面的に示している。また、図２は、半導体集積回路１Ａの接続状態の断面図を正面から示している。
【００１７】
図１に示すように、第１の実施形態の半導体集積回路１Ａは、図２に示すような配線板等からなる被実装基板１０に形成された電極１１に対してＡＣＦ（異方性導電膜）２０を介して接続される複数のバンプ２が回路形成面３の長辺の端縁近傍に一列に並列されている。当該バンプ２は、図１（ｂ）に示すように、電極１１との接続面２ｃが矩形状に形成されており、バンプ２の接続面２ｃに対して、熱圧着されたＡＣＦ２０をバンプ２の並列方向以外に排出させる方向（以下、「排出方向」という。）ＤＤに切り込まれたスリット２ａが形成されている。スリット２ａの排出方向ＤＤは、図１（ａ）に示すような回路形成面３の内側からバンプ列４と直交して外側へ向かう方向であっても良いし、回路形成面３の中央から放射線状に外側へ向かう方向であっても良い。第１の実施形態におけるスリット２ａの排出方向ＤＤは、図１に示すようにバンプ列４と直交している。
【００１８】
ここで、図２に示すように、ＡＣＦ２０に含有されている導電粒子２１の粒径をＲとし、バンプ幅（バンプ２の並列方向と同方向の幅）Ｗを５Ｒ〜２０Ｒ、バンプ高さＨを３Ｒ〜７Ｒとした場合、スリット幅ＬをＲ〜３Ｒとし、スリット深さｈを１．５Ｒ〜２．５Ｒとすることが好ましい。
【００１９】
つぎに、図１および図２を用いて、第１の実施形態の半導体集積回路１Ａの作用を説明する。
【００２０】
図１に示すように、第１の実施形態の半導体集積回路１Ａは、所定の排出方向ＤＤに切り欠かれたスリット２ａがバンプ２に形成されているので、半導体集積回路１Ａのバンプ２と被実装基板１０の電極１１との熱圧着の際に、半導体集積回路１Ａと被実装基板１０との間に介在したＡＣＦ２０の一部をスリット２ａからバンプ２の並列方向以外の方向に排出させることができる。これによって、図１に示すように、熱圧着の際に隣接バンプ間５およびバンプ２のスリット２ａからＡＣＦ２０を流動させて排出させることができるので、隣接バンプ間５に滞留するＡＣＦ２０が少なくなる。つまり、ＡＣＦ２０の一部をスリット２ａから流動させることによって、隣接バンプ間５に存在するＡＣＦ２０の導電粒子２１が相対的に少なくなるので、導電粒子２１の数珠つなぎによる隣接バンプ間５のリークを防止することができる。
【００２１】
また、図２に示すように、スリット幅Ｌやスリット深さｈを前述したように設定すると、スリット２ａの目詰まりを防止しつつ、必要なバンプ２の接続面積を確保することができる。
【００２２】
すなわち、第１の実施形態の半導体集積回路１Ａによって、熱圧着の際にＡＣＦ２０が好適に排出されて隣接バンプ間５のリークを防止することができるので、ＡＣＦ２０によって接続された半導体集積回路１Ａを備える半導体装置の歩留まりが向上するという効果を奏する。
【００２３】
つづいて、図３を用いて、第２の実施形態の半導体集積回路１Ｂを説明する。ここで、図３は、第２の実施形態の半導体集積回路１Ｂの接続状態を被実装基板１０側からみて平面的に示している。
【００２４】
図３に示すように、第２の実施形態の半導体集積回路１Ｂは、被実装基板１０に形成された電極１１（図２を参照）に対してＡＣＦ２０を介して接続する複数のバンプ２を複数のバンプ列に並列し、さらに各列のバンプが互い違いとなるように配置されている。第２の実施形態においては、図３に示すような半導体集積回路１Ｂに対して、外側のバンプ列４ａと内側のバンプ列４ｂとによる２列のバンプ列４ａ、４ｂによって形成されている。互い違いに配置（千鳥配置）されたバンプ２は接続面２ｃが矩形状に形成されており、互い違いに配置された対向するバンプ同士においてそれぞれ対向する角の領域（以下、「バンプ同士の対向角領域」という。）２ｂが削り取られている。ここで、対向するバンプ同士の対向角領域２ｂは、凹もしくは凸に突出した円弧状もしくは球面状に削り取られていても良いし、所定の角度をもって削り取られていても良い。第２の実施形態においては、図３に示すように、対向するバンプ同士の対向角領域２ｂに対してバンプの並列方向に４５度に削り取られている。
【００２５】
なお、当該バンプ２は、熱圧着の際に流動するＡＣＦ２０をバンプの並列方向以外に排出させる方向（排出方向）ＤＤに切り込まれたスリット２ａを有していることが好ましい。この場合、図３に示すようなスリット２ａの排出方向ＤＤ、スリット幅Ｌ、スリット深さｈなどは、第１の実施形態のスリット（図１および図２を参照）２ａと同様に形成されていることが好ましい。
【００２６】
つぎに、図３を用いて、第２の実施形態の半導体集積回路１Ｂの作用を説明する。
【００２７】
図３に示すように、第２の実施形態の半導体集積回路１Ｂは、バンプ２が２列かつ互い違いに配置（千鳥配置）されているとともに、対向するバンプ同士の対向角領域２ｂが削り取られているので、隣接バンプ間距離ｄ１および対向するバンプ間６の対向距離ｄ３を拡大させることができる。たとえば、図３（ｂ）に示すように、バンプ幅Ｗを４０〜５０μｍ、バンプ列４ａ、４ｂの間隔ｄ２を３０μｍとし、バンプ同士の対向角領域２ｂに対してＷ／２の範囲でバンプ２の並列方向に４５度の削り取りが施されているとすると、４５度の削り取りがなされた対向するバンプ間６の対向距離ｄ３が３３．４μｍとなるので、対向するバンプ間６の対向距離ｄ３を１１．３％ほど拡大させることができる。また、バンプ同士の対向角領域２ｂに４５度の削り取りがなされて熱圧着されると、ＡＣＦ２０を効率よく流動させることができる。
【００２８】
つまり、バンプ２が２列に互い違いに配置（千鳥配置）された状態において、対向するバンプ同士の対向角領域２ｂが削り取られていると、半導体集積回路１Ｂの小型化やバンプ２の高密度化に寄与しつつ、内側のバンプ列４ｂの隣接バンプ間５や異なるバンプ列４ａ、４ｂ間において対向するバンプ間６に滞留しやすいＡＣＦ２０を好適に排出することができる。
【００２９】
また、第２の実施形態の半導体集積回路１Ｂは、所定の排出方向ＤＤに切り欠かれたスリット２ａがバンプ２に形成されているので、半導体集積回路１Ｂのバンプ２と被実装基板１０の電極１１との熱圧着の際に介在するＡＣＦ２０の一部をスリット２ａから排出させることができる。これによって、隣接バンプ間５に滞留しやすいＡＣＦ２０が相対的に少なくなり、導電粒子２１の数珠つなぎによる隣接バンプ間５のリークを防止することができる。
【００３０】
なお、スリット幅Ｌやスリット深さｈなどを第１の実施形態と同様に設定すると、スリット２ａの目詰まりを防止しつつ、必要なバンプ２の接触面積を確保することができる。
【００３１】
すなわち、第２の実施形態の半導体集積回路１Ｂによって、第１の実施形態と同様、熱圧着の際にＡＣＦ２０を好適に排出して隣接バンプ間５のリークを防止することができるので、ＡＣＦ２０によって接続された半導体集積回路１Ｂを備える半導体装置の歩留まりが向上するという効果を奏する。
【００３２】
なお、本発明は、前述した実施形態などに限定されるものではなく、必要に応じて種々の変更が可能である。たとえば、図３においては２列に並列したバンプ列４ａ、４ｂが記載されているが、第２の実施形態においては２列のバンプ列４ａ、４ｂに限られるものではなく、３列や４列のような複数列のバンプ列を有する半導体集積回路においても適用することができる。
【図面の簡単な説明】
【００３３】
【図１】本発明の半導体集積回路における一実施形態（第１の実施形態）の接続状態を被実装基板側から示した平面図；（ａ）は全体図、（ｂ）は（ａ）のＡ部拡大図
【図２】第１の実施形態の半導体集積回路の接続状態を正面から示した縦断面図；（ａ）は全体図、（ｂ）は（ａ）のＢ部拡大図
【図３】本発明の半導体集積回路における他の実施形態（第２の実施形態）の接続状態を被実装基板側から示した平面図；（ａ）は全体図、（ｂ）は（ａ）のＣ部拡大図
【図４】従来の半導体集積回路における一実施例の接続状態を被実装基板側から示した平面図；（ａ）は全体図、（ｂ）は（ａ）のＤ部拡大図
【図５】従来の半導体集積回路における他の実施例の接続状態を被実装基板側から示した平面図；（ａ）は全体図、（ｂ）は（ａ）のＥ部拡大図
【符号の説明】
【００３４】
１Ａ、１Ｂ  半導体集積回路
２  バンプ
２ａ  スリット
２ｂ  バンプ同士の対向角領域
２ｃ  接続面
３  回路形成面
４  バンプ列
４ａ  外側のバンプ列
４ｂ  内側のバンプ列
５  隣接バンプ間
６  対向するバンプ間
１０  被実装基板
１１  電極
２０  異方性導電膜（ＡＣＦ）
２１  導電粒子
ｄ１  隣接バンプ間距離
ｄ２  バンプ列の間隔
ｄ３  バンプ間の対向距離
ＤＤ  排出方向
Ｈ  バンプ高さ
ｈ  スリット深さ
Ｌ  スリット幅
Ｒ  粒径
Ｗ  バンプ幅
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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