(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
平面状に回路パターンを展開したリードフレーム基体を複数積層一体化してなるリードフレームにおいて、前記リードフレーム基体の母材となる金属板の外周を切り離す際の切断面として、積層した前記リードフレーム基体の側端面での端子ピンとの半田による接続を可能にする接続部を形成し、各々の前記回路パターンを分離する分離溝に絶縁樹脂が隙間なく埋設されたことを特徴とするリードフレーム。
【請求項２】
積層した前記リードフレーム基体にメッキ層を被覆したことを特徴とする請求項１記載のリードフレーム。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、平面状に回路パターンを展開したリードフレーム基体単独、若しくはリードフレーム基体を複数積層一体化してなるリードフレームに関する。
【背景技術】
【０００２】
従来のハイブリッド回路は、例えばガラスエポキシ樹脂などの絶縁基材の片面または両面に、導電パターンとなる銅箔を印刷形成した基板体を複数個積層一体化させ、この一体化した多層プリント基板の表面に回路素子やコネクタなどの部品を搭載する構成を採用している。しかし、絶縁基材上に印刷形成できる導電パターンは、銅箔の厚さや幅を広げるにも上限があり、基板体の積層枚数も無制限に多くできない。しかも、基板体間の電気的な接続がスルーホールで行なわれるので、大きな電力を電送するには自ずと限界があった。
【０００３】
こうした問題に対処するために、例えば特許文献１には、回路パターンに対応したリードフレームに実装部品としてのチップ素子を接続固定し、この部品付きのリードフレームを絶縁樹脂製の外装パッケージで一体成形した単層の組立体を、リードフレームに一体形成した電気接続手段で相互に接続しながら、複数個積層一体化することで、複雑な回路構成を可能にすると共に、リードフレームによる大電流の対応を可能にした多層ハイブリッド回路が提案されている。
【特許文献１】特許第２５６８９５２号明細書
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
上記特許文献１で利用するリードフレームは、従来のプリント基板よりも回路パターンとなる部分に大電流を流せるという利点がある。しかし、より大きな電流を取り扱うために、リードフレームの板厚を厚くする（例えば、１０Ａ程度の電流を流す場合、リードフレームの板厚は約１ｍｍとなる）と、回路パターン間を分離する分離溝や、回路パターンそのものの幅も広がり、高密度のパターン配線が困難になって、リードフレーム上に搭載する部品の実装密度が上げにくくなる。また、板厚が厚くなれば、当然エッチング処理などにも手間がかかって、製造性の低下も懸念される。
【０００５】
こうした問題に対し、本願出願人は、各々のリードフレームを外装パッケージに封止した組立体を積層するのではなく、複数枚のリードフレームそのものを重ね合わせ、回路パターン間の空間（分離溝）に絶縁樹脂を埋設した回路基板を先に提案している（特願２００３−２８４９０６号参照）。
【０００６】
ところが、リードフレームを多層重ね合わせる構造では、各リードフレームの層間を電気的に接続する手段が必要となり、従来の積層したリードフレームを垂直方向にプレスで押圧するだけの方法では、積層したリードフレーム間を流れる電流密度に部分的なバラツキを生じて、電気的な接続が確実に達成できないという問題があった。また、リードフレーム単独の構成であっても、回路基板の外部にある部品との接続を確実に行なうことが求められていた。
【０００７】
本願発明は上記問題点に鑑み、回路パターンと導通を図るための外部部品などとの、電気的な接続を確実に行なうことができるリードフレームを提供することをその目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明の請求項１の発明は、平面状に回路パターンを展開したリードフレーム基体を複数積層一体化してなるリードフレームにおいて、前記リードフレーム基体の母材となる金属板の外周を切り離す際の切断面として、積層した前記リードフレーム基体の側端面での端子ピンとの半田による接続を可能にする接続部を形成し、各々の前記回路パターンを分離する分離溝に絶縁樹脂が隙間なく埋設されたものである。
【０００９】
個々のリードフレーム基体は、プリント基板に形成した導電路パターンよりも、その板厚が遥かに厚い。したがって、リードフレーム基体の母材となる金属板の外周を切り離す際の切断面として、積層状態にあるリードフレーム基体の側端面を、端子ピンを固着するための寸法を有する接続部として利用すれば、ここに半田を付着して、各リードフレーム基体どうしあるいはリードフレームの回路パターンとリードフレームの外部にある部品の端子ピンとの電気的な接続を確実に行なうことができる。
【００１０】
本発明の請求項２の発明は、前記請求項２の発明において、積層した前記リードフレーム基体にメッキ層を被覆したものである。
【００１１】
こうすると、積層状態にあるリードフレーム基体全体を覆うようにメッキ層が被着されるので、このメッキ層を介してリードフレーム基体間の電気的な接続を確実に行なうことができる。
【発明の効果】
【００１２】
本発明の請求項１の発明によれば、積層したリードフレーム基体の側端面に形成した接続部を利用して、他のリードフレーム基体や、回路パターンと導通を図るための外部部品と、電気的な接続を確実に行なうことができる。
【００１３】
本発明の請求項２の発明によれば、積層したリードフレーム基体全体を覆うようにメッキ層を被着することにより、積層した各リードフレーム基体どうしで、電気的な接続を確実に行なうことができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１４】
以下、本発明におけるリードフレームおよびその製造方法の好ましい実施例について、添付図面を参照しながら詳細に説明する。なお、それぞれの実施例について、共通する部分には共通する符号を極力用いることとする。
【実施例１】
【００１５】
図１〜図８は、本発明の第１実施例を示すものである。単独のリードフレーム基体１を示す図１において、リードフレーム基体１の母材となる良導電性の金属板２は、微細な回路パターン３を高密度で配線できるように、約0.25ｍｍ〜1.0ｍｍの厚みを有する一様な圧延板からなる。また金属板２は、熱伝導性を考慮して、例えば銅，鉄，アルミニウム，ニッケルから選ばれた少なくとも１種を主成分とする金属から構成するのが好ましい。この金属板２には、その両面に施された周知のエッチング処理により、電流が流れる回路パターン３と空間状の分離溝４がそれぞれ形成される。各分離溝４は、いずれも金属板の上面から下面を貫通して開口形成されており、この分離溝４によって各々の回路パターン３が金属板２の平面方向に分離される。こうして、最初のリードフレーム形成工程では、分離溝４によって分離された複数の回路パターン３が、切断加工前のリードフレーム基体１の周縁部９に連結するようにして所望のパターン形状に形成される。なお、ここではエッチングにより所望の形状のリードフレーム基体１を形成する例を示したが、レーザ加工やプレス打抜きなどの方法でリードフレーム基体１を形成してもよい。
【００１６】
本実施例における回路パターン３は、大電流伝送用のパワーパターン３Ａと、このパワーパターン３Ａよりも幅狭な小信号伝送用のファインパターン３Ｂとにより構成され、後述する基板実装部品21の実装領域であるリードフレーム基体１の部品搭載部５に迷路状に形成される。回路パターン３としては、パワーパターン３Ａ若しくはファインパターン３Ｂだけで構成してもよい。
【００１７】
前記部品搭載部５に開口形成された分離溝４には、図２に示すように、絶縁樹脂12が隙間なく埋設される。この絶縁樹脂12は、その後のリードフレーム組立体11の外枠切断工程において、独立した島状の回路パターン３が、部品搭載部５から離脱するのを防止すると共に、回路パターン３（特に、ファインパターン３Ｂ）がぐらつくのを防止するためにある。この実施例では、絶縁樹脂12の上面および下面が、リードフレーム組立体11の上面および下面と面一になるように形成される。
【００１８】
この絶縁樹脂12の埋め込み工程では、図示しない樹脂注入機の上型と下型間に、リードフレーム組立体11の上面と下面が接する状態にして、部品搭載部５に位置する分離溝４に未硬化状態の絶縁樹脂12を注入する。特に部品搭載部５内の分離溝４は、全ての回路パターン３の一側だけがリードフレーム基体１の周縁につながれている関係で、島状に点在するのではなく、一つの連続した穴で形成されるので、分離溝４の適所に絶縁樹脂12を注入すると、分離溝４全体に絶縁樹脂12を隙間なく埋め込むことができる。絶縁樹脂12はその後熱などにより硬化され、部品搭載部５に形成される回路パターン３を保持する。
【００１９】
図３および図４は、部品搭載部５を残して、リードフレーム組立体11の外枠（周縁部９）を切り離した状態を示している。各回路パターン３は、リードフレーム組立体11の外枠切断工程において島状に独立するが、その前の樹脂注入工程で硬化された絶縁樹脂12が各回路パターン３を保持しているので、部品搭載部５から脱落する虞れはない。このリードフレーム組立体11の外枠切断工程が終了した段階で、後述する基板実装部品21の半田付け接続が可能な回路基板15が完成する。
【００２０】
図５および図６は、前記回路基板15に基板実装部品21を半田付け接続した状態を示している。これらの各図において、基板実装部品21は回路基板15の上面だけでなく、反対側の下面にも実装される。回路パターン３の表面適所には、各種基板実装部品との半田付け接続を可能にする接続部17が設けられる。基板実装部品21は回路基板15の表面に載せた状態で半田付け接続されてもよいし、回路パターン３に予め形成したスルーホールに基板実装部品21のリードを挿入した状態で半田付け接続されてもよい。
【００２１】
本実施例の回路基板15と基板実装部品21は、トランスの介在しない非絶縁のスイッチング電源装置を提供するものであり、回路基板15の上面には、例えばコモンモードチョークコイル22や、抵抗23や、トランジスタ24や、フォトカプラ25や、ツェナーダイオード26などが基板実装部品21として実装され、回路基板15の下面には、例えばコンデンサ28や、トランジスタ29や、主スイッチング素子であるパワーＭＯＳＦＥＴ30や、抵抗31などが同じく基板実装部品21として実装される。もちろん、本実施例における回路基板15は、種々の電気機器に適用することができるので、その用途は電源装置に限定されない。また、どのような基板実装部品21を搭載するのかについても特に限定しない。
【００２２】
また、上述の例ではリードフレーム組立体11の外枠切断工程が終了した後に、基板実装部品21の半田付け接続を行なっているが、基板実装部品21の半田付け接続を先に行なってから、リードフレーム組立体11の不要部分を切断してもよい。
【００２３】
矩形状に切り取られた回路基板15の平坦な切断面は、回路パターン３や絶縁樹脂12の側端面が露出する。とりわけ回路パターン３の側端面は、図７に示すように、他の部品である端子ピン18が半田19により接続可能な接続部20が形成される。接続部20も、パワーパターン３Ａにつながる幅広の電力用接続部20Ａと、ファインパターン３Ｂにつながる信号用端子片20Ｂとにより構成される。もちろん、回路パターン３がパワーパターン３Ａだけで構成される場合は、接続部20も電力用接続部20Ａだけで構成してよい。接続部20の高さ寸法は、リードフレーム基体１の板厚に等しく、半田19により端子ピン18を接続部20に固着するに十分な寸法を有している。図７では、端子ピン18を垂直方向に立てて取付けているが、端子ピン18を水平方向に取付ければ、回路基板15ひいてはリードフレーム基体１の上面や下面から端子ピン18が突出せず、被接続部品を含めた薄型化が達成される。
【００２４】
なお、接続部20に固着する他の部品としては、端子ピン18以外の導電性部材でも構わない。また、図８に示すように、端子ピン18の外形に沿った形状（湾曲状）に回路パターン３の側端面を形成し、この湾曲状の壁面を接続部20としてもよい。こうすると、端子ピン18の外周面と接続部20の壁面との間に、略均一の厚みで半田19が付着し、端子ピン18をより強固に接続部20に固着できる。また、ここでは絶縁樹脂12により各回路パターン３を保持する例を示したが、例えば回路パターン３間に基板実装部品21を接続し、この基板実装部品21により各々の回路パターン３を保持する構成としてもよい。
【００２５】
接続部20は、リードフレーム基体１の外周にある不要な部分（周縁部９）を切り離す際に、リードフレーム基体１の切断面として形成されるので、回路パターン３の端部を部分的に残して他の部品との接続部を形成するのとは異なり、極めて簡単に形成できる。また、端子ピン18は、回路パターン３の表面に形成した接続部17に基板実装部品21を取付けるのと同じ行程で半田付け接続されてもよいし、別行程で半田付け接続されてもよい。いずれにせよ、回路パターン３の露出した側端面に形成される接続部20に、端子ピン18が半田19で強固に固着される。
【００２６】
以上のように本実施例によれば、平面状に回路パターン３を展開してなる一枚のリードフレーム基体１（リードフレーム）において、回路パターン３の露出した側端面に他の部品である端子ピン18との半田19による接続を可能にし、する接続部20を形成している。
【００２７】
この場合、金属板２からなるリードフレーム基体１は、プリント基板に形成した導電路パターンよりも、その板厚が遥かに厚い。したがって、リードフレーム基体１の母材となる金属板２の外周を切り離す際の切断面として、リードフレーム基体１に形成した回路パターン３の側端面を、端子ピン18を固着するための寸法を有する接続部20として利用すれば、ここに半田19を付着して、リードフレーム基体１の回路パターン３とリードフレーム基体１の外部にある端子ピン18との電気的な接続を確実に行なうことができる。
【実施例２】
【００２８】
図９〜図１６は、本発明の第２実施例を示すものである。この実施例は、複数枚のリードフレーム基体１を積層したリードフレームに適用される。
【００２９】
図９は、分離溝４によって回路パターン３を形成した各リードフレーム基体１の重ね合せ前の状態を示しており、また図１０は重ねあわせた後の状態を示している。所望の形状を有するリードフレーム基体１を製造する方法は、第１実施例で説明したとおりである。本実施例では、図９に示す同一形状のリードフレーム基体１を４枚密着状態に重ね合わせることで、全体の厚さがリードフレーム基体１単体の板厚の４倍のリードフレーム組立体11を形成している。リードフレーム基体１の重ね合せ枚数については特に限定されないが、パワーパターン３Ａを流れる電流量を考慮して適宜選定すればよい。回路パターン３の厚みひいては断面積は、リードフレーム基体１の重ね合せ枚数に比例して増加し、これらの回路パターン３に対して、より多くの電流を流すことができるようになる。
【００３０】
積層したリードフレーム基体１には、各リードフレーム基体１の側端面に跨って、他の部品との半田19による接続を可能にする接続部20が形成される（図１１参照）。ここでの接続部20は、後工程で回路基板15を形成する際に切り落とされる周縁部９以外の、回路パターン３の側端面に形成するのが好ましい。ここでの接続部20は、リードフレーム基体１が複数枚積層されている関係で、半田19により端子ピン18を接続部20に固着するにより十分な高さ寸法を有している。
【００３１】
上記リードフレーム組立体11の製造工程においては、図１１に示すように、回路パターン３の各位置が高さ方向に揃うように、複数枚のリードフレーム基体１を並べた状態で、このリードフレーム基体１の回路パターン３の側端面に形成された接続部20に、溶融した半田19を付着させる。半田19は各回路パターン３の側端面に跨って付着するので、半田19が冷却固化した状態では、各リードフレーム基体１の回路パターン３どうしが半田19により強固に接続される。しかも、隣り合うリードフレーム基体１の接合面が完全に密着しなくても、各リードフレーム基体１の回路パターン３は半田19を介して電気的に確実に接続される。なお、リードフレーム基体１間の接合力を高めるために、複数枚のリードフレーム基体１を積層した状態で、このリードフレーム基体１の最外面から押圧力を加えてもよい。また、それと同時に例えば導電性を有する接着剤を、リードフレーム基体１，１の接合面に介在させて接着してもよい。さらに図１１に示すように、半田19による接続をより強固にするために、各リードフレーム基体１の側端面に跨るようにして接続部20に接続板32を設け、この接続板32を介して均等な半田フィレット19Ａを形成してもよい。
【００３２】
リードフレーム組立体11の厚さを変えることは、製造時においてリードフレーム基体１の重ね合わせ枚数を変えるだけのことなので、任意の厚みの回路パターン３を有するリードフレーム組立体11を極めて簡単に得ることができる。また、パワーパターン３Ａやファインパターン３Ｂの幅、および回路パターン３間にある分離溝４の幅は、リードフレーム基体１を何枚重ね合わせても広がることはないので、回路パターン３の配線密度を変えることなく、回路パターン３の厚さだけを増やすことができる。とりわけ本実施例では、リードフレーム基体１にパワーパターン３Ａとファインパターン３Ｂを混在させた回路パターン３を形成しているので、このリードフレーム基体１を複数枚重ね合わせることで、大電流のみならず小信号の伝送にも適した高配線密度の回路基板を得ることができる。
【００３３】
前記部品搭載部５に開口形成された分離溝４には、絶縁樹脂12が隙間なく埋設される。この絶縁樹脂12は、その後のリードフレーム組立体11の外枠切断工程において、独立した島状の回路パターン３が、部品搭載部５から離脱するのを防止すると共に、回路パターン３（特に、ファインパターン３Ｂ）がぐらつくのを防止するためにある。絶縁樹脂12を埋設した状態のリードフレーム組立体11の平面図は、図２に示すようになる。
【００３４】
絶縁樹脂12は、各リードフレーム基体１の接合力を高めるのにも有効に作用する。図１２は、絶縁樹脂12を埋め込んだ状態のリードフレーム基体１の断面図を示しているが、エッチングにより分離溝４を形成した場合は、リードフレーム基体１の両面が円弧状に削り取られて行くので、分離溝４の縦壁面が平坦ではなく中央部に突起を有する形状となり、リードフレーム基体１を重ね合わせたときに、リードフレーム基体１，１の中央部付近に凸状の楔部14が形成される。したがって、このような形状の分離溝４に絶縁樹脂12を埋め込むと、前記楔部14がリードフレーム基体１の抜け止めとして作用して、リードフレーム基体１，１間の接合力が高まる。
【００３５】
その後、部品搭載部５を残して、リードフレーム組立体11の外枠（周縁部９）を切り離して回路基板15を完成させ、回路基板15に基板実装部品21を半田付け接続する手順は、第１実施例で説明したとおりである。回路基板15は、種々の電気機器に適用することができる。
【００３６】
本実施例では、リードフレーム組立体11の外枠を切断する前の状態で、各リードフレーム基体１に形成した回路パターン３の露出する側端面を接続部20としてもよいし、リードフレーム組立体11の外枠を切断した後に、完成した回路基板15の切断面となる回路パターン３の側端面を接続部20としてもよい。いずれの場合も、接続部20に半田19だけを付着させて、各リードフレーム基体１どうしの電気的な接続を図るだけでなく、例えば図１３に示すように、他の部品である端子ピン18を半田19により接続部20に接続してもよい。また、第１実施例でも説明したように、接続部20は平坦面とする必要はなく、例えば端子ピン18の外形形状に沿って湾曲状の壁面を形成してもよい。
【００３７】
別な変形例として、例えば図１４に示すように、積層したリードフレーム基体１の回路パターン３に、各リードフレーム基体１を貫通する孔33を設け、この孔33の内壁面であって回路パターン３の露出する側端面を、上述した接続部20としてもよい。この場合、孔33を塞ぐように接続部20に半田19を付着させるだけで、各リードフレーム基体１どうしの電気的な接続が確実に図られる。半田19を付着させる方法としては、半田槽や半田こてを利用することが考えられるが、図１５に示すように、孔33の一方から他方に半田19を吸い上げやすいように、半田付け時に補助部材としての導電性の線材34を孔33に挿入してもよい。こうすると、半田19は孔33の内壁面と線材34の外面との間を毛細管現象によって吸い上げられ、半田33が孔34の略全体を速やかに塞いで、各リードフレーム基体１どうしの電気的な接続をより一層確実に行なうことができる。
【００３８】
図１６はさらに別の変形例を示すもので、ここでは各リードフレーム基体１で孔径が異なる孔33を、積層したリードフレーム基体１に貫通して設けており、孔33の内壁面に形成される接続部20に段差部35が設けられる。段差部35は、例えば各リードフレーム基体１の側端面を意図的に揃えないで積層しても簡単に実現できる。このような段差部35を接続部20に設けると、一方のリードフレーム基体１の側端面と他方のリードフレーム基体１の上面に跨って、段差部35上に半田19が付着（半田フィレット）する。これにより、各リードフレーム基体１どうしをより強固に接続できる。
【００３９】
以上のように本実施例では、平面状に回路パターン３を展開したリードフレーム基体１を複数積層一体化してなるリードフレームにおいて、リードフレーム基体１の母材となる金属板２の外周を切り離す際の切断面として、積層したリードフレーム基体１の側端面に他の部品との半田による接続を可能にし、他の部品を固着するための寸法を有する接続部20を形成している。
【００４０】
この場合も、個々のリードフレーム基体１は、プリント基板に形成した導電路パターンよりも、その板厚が遥かに厚い。したがって、リードフレーム基体１の母材となる金属板２の外周を切り離す際の切断面として、積層状態にあるリードフレーム基体１の側端面を、他の部品を固着するための寸法を有する接続部20として利用すれば、ここに半田19を付着して、各リードフレーム基体１どうし、あるいはリードフレームの回路パターン３とリードフレームの外部にある部品との電気的な接続を確実に行なうことができる。
【実施例３】
【００４１】
図１７は、本発明の第３実施例を示すものである。同図において、37は積層されたリードフレーム基体１の表面全体に、例えば銀などの導電性に優れた材料からなるメッキ層37が被覆される。このメッキ層37は、リードフレーム基体１の表面を保護するのと同時に、積層する各リードフレーム基体１の表面に跨って被覆されることで、リードフレーム基体１間の電気的な接続を確実にする。
【００４２】
次に、本実施例における好ましい製造方法を説明する。ここでは先ず、図１０に示すような複数枚のリードフレーム基体１を重ね合わせたリードフレーム組立体11を形成し、各リードフレーム基体１の周縁部９を例えば図示しない樹脂や半田などで仮固定する。次いで、周縁部９以外に形成された回路パターン３の全体を覆うように、上記メッキ層37を被着する。各リードフレーム基体１の回路パターン３は、メッキ層37により積層状態で固定されると共に、メッキ層37を介して各リードフレーム基体１どうしの電気的な接続が図られる。その後、回路パターン３間の分離溝４に前述の絶縁樹脂12を充填した後、リードフレーム基体１の外周にある不要な部分（周縁部９）を切り離して、所望の回路基板15を組立てる。こうすることで、積層したリードフレーム基体１をプレス加工することなく、各リードフレーム基体１どうしで電気的な接続を確実にした状態で、各リードフレーム基体１を接合することが可能になる。
【００４３】
以上のように本実施例では、平面状に回路パターン３を展開したリードフレーム基体１を複数積層一体化してなるリードフレームにおいて、積層した前記リードフレーム基体に導電性に優れた材料からなるメッキ層37を被覆している。こうすると、積層状態にあるリードフレーム基体１全体を覆うようにメッキ層37が被着されるので、このメッキ層37を介してリードフレーム基体１間の電気的な接続を確実に行なうことができる。
【００４４】
なお、こうしたメッキ層37を表面に形成した回路パターン３の側端面を、上述したような接続部20として利用しても勿論よい。
【実施例４】
【００４５】
図１８は、本発明の第４実施例を示すものである。同図において、本実施例では積層されるリードフレーム基体１の接合面を粗面化するために、リードフレーム基体１どうしを加圧接合する前処理の段階で、リードフレーム基体１の接合面に平坦ではない凹凸部41を形成している。リードフレーム基体１の接合面を粗面化するには、他に微細状の突起やエンボスを設けてもよい。リードフレーム基体１の接合面を粗面化した状態で、積層したリードフレーム基体１のプレス加工を行なうと、加圧接合時にリードフレーム基体１の接合面の密着性が安定化し、接合面を通しての電流密度にバラツキを生じにくくなる。
【００４６】
以上のように本実施例では、平面状に回路パターン３を展開したリードフレーム基体１を複数積層一体化してなるリードフレームにおいて、隣り合うリードフレーム基体１の接合面を粗面化して、リードフレーム基体１，１どうしを加圧接合している。
【００４７】
このように、リードフレーム基体１の接合面を予め粗面化する前処理を行なうと、積層したリードフレーム基体１どうしをプレスなどで加圧接合する際に、リードフレーム基体１の接合面間の密着性が高まり、電流密度のバラツキが生じなくなる。そのため、積層した各リードフレーム基体１どうしで、電気的な接続を確実に行なうことができる。
【００４８】
なお、本実施例におけるリードフレーム基体１の接合方法を、上記第２実施例や第３実施例に併用させてもよい。
【実施例５】
【００４９】
図１９は、本発明の第５実施例を示すものである。ここでは、積層したリードフレーム基体１の接合すべき部分、すなわち接合部51に超音波振動を付与して、双方のリードフレーム基体１，１の接合を達成している。なお、接合部51に対する超音波溶接中にリードフレーム基体１，１間の密着性を高めるために、リードフレーム基体１が変形しない程度の押圧力を、積層したリードフレーム基体１に加えてもよい。こうした超音波溶接は、接合すべきリードフレーム基体１，１が同種または異種のものでも適合し、とりわけ軟質な金属（銅，銀，金，アルミニウムなど）であるほど接合しやすい。そのため、従来のような積層したリードフレーム基体１をプレス加工するものよりも、隣り合うリードフレーム基体１どうしの電気的な接続を確実に達成することができる。
【００５０】
以上のように本実施例では、平面状に回路パターン３を展開したリードフレーム基体１を複数積層一体化してなるリードフレームにおいて、隣り合うリードフレーム基体１，１を超音波溶接により接合している。こうすると、積層したリードフレーム基体１に対し、接合すべき部分（接合部51）に超音波振動を与えることにより、加圧によるリードフレーム基体１の変形を回避しつつ、機械的に強固な結合が達成され、ひいては積層した各リードフレーム基体１どうしで、電気的な接続を確実に行なうことができる。
【００５１】
なお、ここでのリードフレーム基体１の接合方法は、上記第２〜第４実施例にあるものと適宜組み合わせてもよい。
【００５２】
本発明は上記各実施例に限定されるものではなく、種々の変形実施が可能である。例えば、積層するリードフレーム基体１の形状などについては、実施例中のものに特に限定されない。また、接続部17，20や孔33を除く回路パターン３の表面に半田レジスト層を設けて、不要な部分に半田19が付着しないようにしてもよい。
【図面の簡単な説明】
【００５３】
【図１】本発明の好ましい実施例におけるリードフレーム基体の単独の状態を示す斜視図である。
【図２】同上、リードフレーム基体に樹脂を埋め込んだ状態の平面図である。
【図３】同上、リードフレーム組立体の周辺を切り離した状態の平面図である。
【図４】同上、リードフレーム組立体の周辺を切り離した状態の背面図である。
【図５】同上、回路基板に基板実装部品を半田付け接続した状態の平面図である。
【図６】同上、回路基板に基板実装部品を半田付け接続した状態の背面図である。
【図７】同上、端子ピンを取付けた状態の要部斜視図である。
【図８】同上、接続部の別な変形例を示す要部斜視図である。
【図９】本発明の第２実施例を示す各リードフレーム基体を重ね合わせる前の状態をあらわした斜視図である。
【図１０】同上、各リードフレーム基体を重ね合わせた後の状態を示す斜視図である。
【図１１】同上、接続部に半田を付着させた状態の要部斜視図である。
【図１２】同上、分離溝に絶縁樹脂を埋め込んだ状態の断面図である。
【図１３】同上、回路基板の接続部に端子ピンを接続した状態の要部斜視図である。
【図１４】同上、接続部の別な変形例を示す要部斜視図である。
【図１５】同上、半田を吸い上げやすくするための好適な例を示す要部斜視図である。
【図１６】同上、接続部のさらに別な変形例を示す要部斜視図である。
【図１７】本発明の第３実施例を示すリードフレーム組立体の要部断面図である。
【図１８】本発明の第４実施例を示すリードフレーム組立体の接合する前の要部断面図である。
【図１９】本発明の第５実施例を示すリードフレーム組立体の要部断面図である。
【符号の説明】
【００５４】
１  リードフレーム基体
２  金属板
３  回路パターン
４  分離溝
18  端子ピン
19  半田
20  接続部
37  メッキ層
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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