(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
ゲート線と信号線との交差部における前記ゲート線が、１又は複数の開口部を有する液晶ディスプレイパネルを製造する方法であって、
透光性基板に、前記ゲート線と前記信号線との前記交差部に１又は複数の前記開口部を有する前記ゲート線とゲート電極を形成する工程と、
ゲート絶縁膜を該基板全体に成膜する工程と、
該ゲート絶縁膜の上にチャネル層を成膜する工程と、
該チャネル層の上にエッチングストッパー層を成膜する工程と、
該エッチングストッパー層の上にレジストを成膜する工程と、
前記ゲート電極および前記ゲート線を遮光マスクとして前記基板の裏面から露光を行う工程と、
前記レジストを現像する工程と、
前記エッチングストッパー層をエッチングすると同時に、前記ゲート線の前記開口部上近傍部の前記エッチングストッパー層をサイド・エッチングする工程と、
前記レジストを剥離する工程とを含む液晶ディスプレイパネルの製造方法。
【請求項２】
基板上に少なくともゲート電極およびゲート線と、ゲート絶縁膜と、チャネル層と、エッチングストッパーと、ソース電極およびドレイン電極とを備え、該エッチングストッパーの相対する２組の側面の角度が異なる液晶素子を含み、前記ゲート線と信号線との交差部における前記ゲート線が、１又は複数の開口部を有する液晶ディスプレイパネルを製造する方法であって、
透光性基板に、前記ゲート線と前記信号線との前記交差部に１又は複数の前記開口部を有する前記ゲート線と前記ゲート電極を形成する工程と、
ゲート絶縁膜を該基板全体に成膜する工程と、
該ゲート絶縁膜の上にチャネル層を成膜する工程と、
該チャネル層の上にエッチングストッパー層を成膜する工程と、
該エッチングストッパー層の上にレジストを成膜する工程と、
前記ゲート電極および前記ゲート線を遮光マスクとして前記基板の裏面から露光を行う工程と、
前記レジストを現像する工程と、
前記エッチングストッパー層をエッチングすると同時に、前記ゲート線の前記開口部上近傍部の前記エッチングストッパー層をサイド・エッチングする工程と、
前記レジストを剥離する工程とを含む液晶ディスプレイパネルの製造方法。
【請求項３】
基板上に少なくともゲート電極およびゲート線と、ゲート絶縁膜と、チャネル層と、エッチングストッパーと、ソース電極およびドレイン電極とを備え、該エッチングストッパーの相対する少なくとも１側面が基板に対してほぼ直角又は順テーパーである液晶素子を含み、前記ゲート線と信号線との交差部における前記ゲート線が、１又は複数の開口部を有する液晶ディスプレイパネルを製造する方法であって、
透光性基板に、前記ゲート線と前記信号線との前記交差部に１又は複数の前記開口部を有する前記ゲート線と前記ゲート電極を形成する工程と、
ゲート絶縁膜を該基板全体に成膜する工程と、
該ゲート絶縁膜の上にチャネル層を成膜する工程と、
該チャネル層の上にエッチングストッパー層を成膜する工程と、
該エッチングストッパー層の上にレジストを成膜する工程と、
前記ゲート電極および前記ゲート線を遮光マスクとして前記基板の裏面から露光を行う工程と、
前記レジストを現像する工程と、
前記エッチングストッパー層をエッチングすると同時に、前記ゲート線の前記開口部上近傍部の前記エッチングストッパー層をサイド・エッチングする工程と、
前記レジストを剥離する工程とを含む液晶ディスプレイパネルの製造方法。
【請求項４】
基板上に少なくともゲート電極およびゲート線と、ゲート絶縁膜と、チャネル層と、エッチングストッパーと、ソース電極およびドレイン電極とを備え、該エッチングストッパーの電流の流れに直交する少なくとも１側面が基板に対してほぼ直角又は順テーパーである液晶素子を含み、前記ゲート線と信号線との交差部における前記ゲート線が、１又は複数の開口部を有する液晶ディスプレイパネルを製造する方法であって、
透光性基板に、前記ゲート線と前記信号線との前記交差部に１又は複数の前記開口部を有する前記ゲート線と前記ゲート電極を形成する工程と、
ゲート絶縁膜を該基板全体に成膜する工程と、
該ゲート絶縁膜の上にチャネル層を成膜する工程と、
該チャネル層の上にエッチングストッパー層を成膜する工程と、
該エッチングストッパー層の上にレジストを成膜する工程と、
前記ゲート電極および前記ゲート線を遮光マスクとして前記基板の裏面から露光を行う工程と、
前記レジストを現像する工程と、
前記エッチングストッパー層をエッチングすると同時に、前記ゲート線の前記開口部上近傍部の前記エッチングストッパー層をサイド・エッチングする工程と、
前記レジストを剥離する工程とを含む液晶ディスプレイパネルの製造方法。
【請求項５】
基板上に少なくともゲート電極およびゲート線と、ゲート絶縁膜と、チャネル層と、エッチングストッパーと、ソース・ドレイン電極下層と、ソース電極およびドレイン電極とを備え、少なくとも前記エッチングストッパーと前記ソース・ドレイン電極下層が同時にエッチングされている液晶素子を含み、前記ゲート線と信号線との交差部における前記ゲート線が、１又は複数の開口部を有する液晶ディスプレイパネルを製造する方法であって、
透光性基板に、前記ゲート線と前記信号線との前記交差部に１又は複数の前記開口部を有する前記ゲート線と前記ゲート電極を形成する工程と、
ゲート絶縁膜を該基板全体に成膜する工程と、
該ゲート絶縁膜の上にチャネル層を成膜する工程と、
該チャネル層の上にエッチングストッパー層を成膜する工程と、
該エッチングストッパー層の上にレジストを成膜する工程と、
前記ゲート電極および前記ゲート線を遮光マスクとして前記基板の裏面から露光を行う工程と、
前記レジストを現像する工程と、
前記エッチングストッパー層をエッチングすると同時に、前記ゲート線の前記開口部上近傍部の前記エッチングストッパー層をサイド・エッチングする工程と、
前記レジストを剥離する工程とを含む液晶ディスプレイパネルの製造方法。
【請求項６】
前記エッチングストッパー層をエッチングする工程は、希フッ酸を用いてウエットエッチングする工程である請求項１乃至５のいずれかに記載する液晶ディスプレイパネルの製造方法。
【請求項７】
前記レジストを剥離する工程に続いて、
ソース・ドレイン層を前記基板全体に成膜する工程と、
該ソース・ドレイン層の上にレジストを成膜する工程と、
露光を行う工程と、
前記レジストを現像する工程と、
化学気相エッチングにより前記ソース・ドレイン層と前記エッチングストッパーの残部をエッチングする工程と、
前記レジストを剥離する工程とを含む請求項１乃至６のいずれかに記載する液晶ディスプレイパネルの製造方法。
【請求項８】
前記ソース・ドレイン層がｎ+形ａ−Ｓｉ層である請求項７に記載する液晶ディスプレイパネルの製造方法。
【請求項９】
前記露光を行う工程は、レチクルを用いてステッパー露光を行う工程である請求項７又は請求項８に記載する液晶ディスプレイパネルの製造方法。
【請求項１０】
請求項７に記載する前記レジストを剥離する工程に続いて、透明電極を形成する工程と、
前記信号線を形成する工程とを含む液晶ディスプレイパネルの製造方法。
【請求項１１】
基板上に少なくともゲート電極およびゲート線と、ゲート絶縁膜と、チャネル層と、エッチングストッパーと、ソース電極およびドレイン電極とを備え、ウエットエッチング又はプラズマエッチングよりエッチングしてなる該エッチングストッパーの相対する２組の側面の角度が異なる液晶素子を含む液晶ディスプレイパネルにおいて、
前記ゲート線と信号線との交差部における前記ゲート線が、１又は複数の開口部を有する、請求項２に記載する液晶ディスプレイパネルの製造方法により製造されたことを特徴とする液晶ディスプレイパネル。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は液晶ディスプレイパネル及びその製造方法に関し、特により詳しくはゲート線の構造、及びゲート線と信号線との交差部に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来法によるａ−Ｓｉ形のＴＦＴ液晶ディスプレイパネルの製造方法を１つの液晶素子部を取り出して説明する。図１２に示すように、まずガラス基板２の上に常法により所定形状のゲート電極４とそれに繋がるゲート線５を形成した後、図１３に示すように、ゲート絶縁膜６、チャネル層８及びエッチングストッパー層となるＳｉＮｘ膜１０を順にガラス基板２全体に成膜して積層する。そして、そのＳｉＮｘ膜１０の上にレジストを塗布した後、図１４に示すように、所定形状のゲート電極４を遮光マスクとしてガラス基板２の裏面側から露光を行い、次に、ガラス基板２の正面側から、レチクルを用いてステッパー露光を行った後、レジストを現像する。その後、希フッ酸を用いてＳｉＮｘ膜１０をエッチングストッパー（チャネル保護膜）１２となる箇所以外の部分をエッチングした後、レジストを剥離している。
【０００３】
この製造方法において、エッチングストッパー１２を形成するには、本来、ガラス基板２の正面側からレチクルを用いてステッパー露光を行う１工程によって達成し得るものである。ところが、このエッチングストッパー１２の形成工程は、ガラス基板２の裏面側からの露光と、正面側からの露光の２段階の露光工程を経て形成されている。これは、エッチングストッパー１２の形成をガラス基板２の正面側から１回の露光工程で行うと、ゲート電極４との位置関係がずれ易く、また安定しないなどの問題が生ずる。これに対して、２段階の露光工程を採用し、ゲート電極４を活用することによって、エッチングストッパー１２をゲート電極４の中央にセルフアライン的に配置する働きをすることになる。これにより、ソース電極２６・ドレイン電極２８がゲート電極４に対して対称に配置され、さらにゲート電極４−ドレイン電極２８、ゲート電極４−ソース電極２６間のオーバーラップ面積を小さくすることができるなどの効果があり、２段階露光はトランジスタ特性の向上に役立っている。
【０００４】
しかしながら、液晶ディスプレイパネルの製造においては、その製造プロセスが煩雑で、工程数が非常に多く、しかもその一つ一つの工程が時間の要する作業を伴うものである。このため、工程数を減らすことは、生産性を向上させるだけでなく、プロセスコストが大きな割合を占めている液晶ディスプレイパネルの製造コストを低減することになる。
【０００５】
また、エッチングストッパー１２を形成するためのレジスト寸法は現像後、１画素当たり２０×１０μｍ程度になり、この長方形のレジストがアレイ基板一面に並んだ状態になっている。このように一個当たりのレジストの面積が小さいことから、下地である窒化膜（ＳｉＮｘ）との付着力が弱く、レジスト剥がれが発生しやすくなる。レジストがなくなると、正常なエッチングストッパー１２が形成されず、トランジスタ不良を引き起こす原因となる。
【０００６】
エッチングストッパー層１０を希フッ酸でエッチングするとき、通常はエッチング残りが生じないよう、オーバーエッチになるように設定されている。ところが、オーバーエッチが過剰に進行すると、図１４（ｃ）に示すように、エッチングストッパー１２側壁のスロープ形状が下方で逆テーパーになり、上方から見て隠れた”窪み”１５のようになる。この窪み１５の部分に後工程で堆積される膜や異物が付着すると、洗浄やエッチングで除去することができず、図１５に示すように、エッチングストッパー１２の上に形成されたソース電極２６とドレイン電極２８との間でリーク電流が流れ、トランジスタのリーク不良を起こす原因となる。
【０００７】
このような課題を解決するために、本発明者らはゲート電極及びゲート線を遮光マスクとして露光を行う１回の露光工程からなる液晶ディスプレイパネルの製造方法を想到し、先に特願平１０−２７８６８９号を出願した。この発明により、上述の課題を全て解決することができた。
【０００８】
ところが、この製造方法によると、ゲート線と信号線との交差部にエッチングストッパー層が残ってしまう。交差部にエッチングストッパー層が残ると、信号線のエッチング加工時にエッチング液の侵入を誘引しやすく、潜在的に信号線のオ−プン不良を招きやすいという課題が新たに生じた。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】
そこで、本発明者らは上記課題を解決するために鋭意研究と開発に努めた結果、本発明を想到するに至ったのであり、本発明の目的は、工程数、特に露光工程数を低減することにより、生産性を向上させ、以て製造コストを下げるために、ゲート電極及びゲート線を遮光マスクとして１回の露光工程のみでエッチングストッパーを形成する液晶ディスプレイパネルの製造方法を前提として、ゲート線の交差部上に存在するエッチングストッパー層を露光工程を増加させずに取り除くことにある。
【００１０】
【課題を解決するための手段】
本発明に係る液晶ディスプレイパネルは、マトリクス状に配設された液晶素子に電気信号を送るゲート線と信号線とが交差するゲート線の交差部に１又は複数の開口部が形成されて、構成されている。開口部を備えた交差部上からはエッチングストッパー層が除去されていて、その交差部上に形成される信号線の断線の原因となるエッチング液の染み込みなどが生じることはない。
【００１１】
次に、本発明に係る液晶ディスプレイパネルの製造方法は、ゲート電極・ゲート線の形成された透光性基板に、ゲート絶縁膜、チャネル層、エッチングストッパー層を成膜した後、フォトリソグラフィの手法により、ゲート電極・ゲート線を遮光マスクとして基板の裏面から露光を行い、そのままレジストを現像し、エッチングストッパー層をエッチングして、エッチングストッパーを形成することとしている。この製造方法により、１回の露光工程でエッチングストッパーを形成することができる。一方、ゲート線と信号線とが交差するゲート線の交差部には１又は複数の開口部が形成されていて、開口部の箇所からはレジストが除去さる。このため、エッチングストッパー層のエッチング工程では、開口部の箇所からもエッチングストッパー層がエッチングされ、更にサイド・エッチング効果により開口部近傍部のエッチングストッパー層もエッチングされる結果、交差部上からはエッチングストッパー層が除去される。
【００１２】
【発明の実施の形態】
次に、本発明に係る液晶素子及び液晶ディスプレイパネル並びにその製造方法の実施の形態を図面に基づいて詳しく説明する。なお、説明の簡略化のために、図面には１画素分のみを示す。
【００１３】
図１に示すように、まず透光性基板２にゲート電極４及びそのゲート電極４と一体的に繋がっているゲート線５を形成する。透光性基板２としては、ガラス基板が最も好ましいが、透光性を有する基板で特に耐熱性に優れた基板であれば、樹脂基板でもよく、また可撓性を有するものであってもよい。
【００１４】
ゲート電極４及びゲート線５はＭｏＷ，Ｃｒ，Ｃｕ，Ｎｉ，Ａｌ，Ｍｏ，Ａｇなどから選ばれる少なくとも１種から成り、１層又は２層以上から構成される。ゲート電極４及びゲート線５は導電性に優れるだけでなく、透光性基板２に対して被着性（密着性）がよいのが好ましく、さらにゲート電極４及びゲート線５の上に被せられるゲート絶縁膜６に電極材料の原子・分子が拡散しない材質が好ましい。また、ゲート電極４及びゲート線５の形成は、所定の金属を蒸着させたり、あるいは金属箔を貼着するなどの手法で透光性基板２全面に被着形成する。
【００１５】
その後、フォトレジストを塗布し、次いで、レチクルを用いてステッパー露光をした後、レジストを現像する。次に、プラズマエッチングなどにより、ゲート電極４及びゲート線５となる箇所以外の金属層を除去した後、フォトレジストを剥離して、ゲート電極４及びゲート線５が得られる。このとき、ゲート線５の後述する信号線と絶縁層を介して交差する箇所（交差部）５ａには、長方形の２つのスリット状の開口部５ｂが形成されている。
【００１６】
この開口部５ｂの大きさは、その上に被着されたレジストを現像で除去することができ、更にエッチングストッパー層をウエットエッチングで除去することができる幅又は大きさで形成される。また、この交差部５ａにおけるゲート線５の導線幅は、開口部５ｂ上のエッチングストッパー層をウエットエッチングすることにより、サイド・エッチング効果によりその導線上（交差部上）のエッチングストッパー層をほぼ完全に除去できるサイズであると同時に、導電抵抗が大きくならないサイズで設定される。なお、交差部５ａにおけるゲート線５の導線幅は過剰なオーバーエッチングを必要としない寸法であるのが好ましい。
【００１７】
次に、図２に示すように、ゲート電極４及びゲート線５が形成された透光性基板２の上に、順にゲート絶縁膜６、チャネル層８及びエッチングストッパー層１０を全体に成膜する。ゲート絶縁膜６は１種又は２種以上の材料により、１層又は２層以上から構成されるのが好ましい。特に、ゲート絶縁膜６の材質としてＳｉＯｘやＳｉＮｘが好ましく、透光性基板２側にＳｉＯｘ膜６ａを、その上にＳｉＮｘ膜６ｂを成膜するのが好ましい。ＳｉＮｘ膜６ｂは、その上に成膜されるチャネル層８との被着性を高めるのに好ましい。また、チャネル層８の材質としてアモルファスシリコンａ−Ｓｉが用いられ、更に、このチャネル層８の上に成膜されるエッチングストッパー層１０の材質としてＳｉＮｘが用いられる。これらは、いずれも常法により、成膜される。
【００１８】
次いで、エッチングストッパー層１０の上にフォトレジストを塗布した後、透光性基板２の裏面側、すなわちエッチングストッパー層１０などが成膜されていない側からゲート電極４及びゲート線５を遮光マスクにして露光を行う。そして、フォトレジストを現像すると、ゲート電極４及びゲート線５とほぼ同形状のフォトレジストが残ることになる。このとき、ゲート線５の交差部５ａにおけるフォトレジストには、現像により開口部５ｂの形状をした穴が開けられることになる。
【００１９】
そこで、フォトレジストを熱処理した後、エッチングストッパー層１０のみをウエットエッチングすると、図３に示すように、フォトレジストとほぼ同形状、すなわちゲート電極４及びゲート線５とほぼ同形状のエッチングストッパー１２が形成されるのである。ただし、開口部５ｂの形成されている交差部５ａからは、エッチングストッパー１２が幅方向からエッチングされるサイド・エッチング効果により、エッチングストッパー１２が除去されている。
【００２０】
その後、フォトレジストを剥離した後、図４に示すように、エッチングストッパー１２が形成された透光性基板２の上に、ソース・ドレイン層１４を成膜する。ソース・ドレイン層１４の材質としては、ｎ+ 形ａ−Ｓｉが一般に用いられる。これは、その上に形成されるソース・ドレイン電極とオーミック接合を得るためである。
【００２１】
ソース・ドレイン層１４の成膜後、その上にフォトレジストを塗布し、図５に示すように、ソース・ドレイン電極下層１６を含む信号線（２４）とほぼ同形状のマスクを有するレチクルを用いてステッパー露光した後、現像し、その後、プラズマエッチングを行う。このプラズマエッチングにより、ソース・ドレイン層１４、エッチングストッパー１２、チャネル層８及びゲート絶縁膜６のうちＳｉＮｘ膜６ｂを信号線（２４）とほぼ同形状に同時にエッチングする。このとき、図６に仮想線で示すように、エッチングストッパー１２のチャネル幅方向の両端はエッチングにより除去されることになる。また、このプラズマエッチングにより、ソース・ドレイン電極下層１６、エッチングストッパー１２、チャネル層８及びＳｉＮｘ膜６ｂは、透光性基板２に対してほぼ直角乃至順テーパーに形成される。その結果、エッチングストッパー１２の相対する２組の側面の角度は通常異なることになる。なお、図５（ｄ）において、符号Ｃｓは蓄積容量部、符号Ｐａはパッド部を示す。
【００２２】
一方、同図５（ａ）及び（ｂ）に示すように、信号線（２４）とゲート線５との交叉部５ａにおける層間絶縁膜は、ゲート絶縁膜６（６ａ，６ｂ）及びチャネル層８の積層構造から構成されることになる。その後、基板２全体に画素電極層となるＩＴＯなどの透明導電膜を成膜した後、常法により、フォトレジストの塗布、ステッパー露光、フォトレジストの現像、及びウエットエッチングにより、図７に示すように、所定形状の画素電極１８を形成する。そして、次いでフォトレジストを剥離する。
【００２３】
次に、図８及び図９（ａ）及び（ｂ）に示すように、信号線２４、ソース電極２６及びドレイン電極２８等を形成するために、導電性金属が被着される。導電性金属としては、１種又は２種以上の導電性に優れた金属が用いられ、１層又は２層以上で構成される。特にＭｏ層／Ａｌ層／Ｍｏ層の積層体から構成されるのが好ましいが、この構成に限定されるものではない。導電性金属を蒸着法などの手法により１層以上形成した後、同様にレジストの塗布、ステッパー露光及びレジストの現像を行った後、ウエットエッチングにより導電性金属をエッチングして、信号線２４、ソース電極２６及びドレイン電極２８等を形成する。
【００２４】
その後、プラズマエッチングによりソース電極２６とドレイン電極２８との間などの露出させられたソース・ドレイン電極下層１６をエッチングする。このプラズマエッチングにおいて、図１０に示すように、ｎ+ 形ａ−Ｓｉから成るソース・ドレイン電極下層１６がエッチングされ、チャネル層８はエッチングストッパー１２により保護される。その後、常法により、液晶ディスプレイパネルが製造される。
【００２５】
この液晶ディスプレイパネルの構造及びその製造方法において、図３で説明したように、基板２の裏面からのゲート電極４及びゲート線５を遮光マスクとする露光工程のみによって、エッチングストッパー１２を形成することとしている。この製造方法は、従来の製造方法と比べて１回、露光工程が少なく構成される。レチクルなどの遮光マスクを使った露光工程は、遮光マスクの位置決め作業が非常に精度を要求され、時間の要するものであるため、この工程が１工程少なくなることは、生産性が大幅に向上するだけでなく、歩留りが大幅に向上し、更に品質が安定することになる。
【００２６】
しかも、エッチングストッパー形成用のレジストがゲート電極４及びゲート線５上全体に形成され、従来の方法に比べて接着面積が大きくなるために、フォトレジストの剥がれが少なくなる。すなわち、従来方法ではエッチングストッパー１２を形成するためのフォトレジストは面積が小さく、その剥がれが多かった。ところが、本実施方法では、フォトレジストがゲート電極４及びゲート線５全体に形成されるため、レジストの形成不良が少なくなり、トランジスタ不良の発生率が下がる。更に、高価なレチクルなどを必要としないことも相まって、製造コストを大幅に低減することができる。
【００２７】
一方、ゲート線５と信号線２４とが交差する交差部５ａにおいては、その交差部５ａ上のエッチングストッパー層１０はウエット・エッチング工程でサイド・エッチングされて除去されている。このため、エッチング液などが信号線２４の下に染み込むことはなく、信号線２４が断線させられることはほとんどなくなる。
【００２８】
更に、図５及び図６において説明したように、ゲート電極４及びゲート線５とほぼ同形状に形成したエッチングストッパー１２を、ソース・ドレイン電極下層１６の形成と同時にその両端をエッチングして除去することとしている。このため、エッチングストッパー層１０のエッチングにおいて、図６に示すように、オーバーエッチングが過剰になって逆テーパー形状の窪み１５が生じたとしても、ソース電極２６・ドレイン電極２８間に跨がる窪み１５はエッチングにより除去される。その結果、ソース電極２６・ドレイン電極２８間にリークが生ずることはなく、性能及び品質が向上する。また、オーバーエッチングが過剰になったとしても、窪み１５が除去されることから、良品として使用することができ、不良率が大幅に減少することになる。
【００２９】
以上、本発明に係る液晶素子及び液晶ディスプレイパネルとその製造方法の１つの実施形態を詳述したが、本発明方法は上述の実施形態に限定されるものではなく、本発明はその他の形態で構成することも可能である。
【００３０】
たとえば、図１１（ａ）に示すように、ゲート線３６の信号線２４との交差部３８に形成される開口部４０の形状は長さの長いスリットと短いスリットから構成し、開口部４０の端部が交互に重なるように構成してもよい。このような構成にすることにより、１部の導線部４２に断線が生じたとしても通電を確保することができる。
【００３１】
また、同図（ｂ）に示すように、ゲート線３６の信号線２４との交差部３８に形成される開口部４４の形状を円形とすることも可能である。円形状の開口部４４の大きさは、フォトレジストを現像により除去することができ、それによって形成された穴を通してエッチングストッパー層をウエット・エッチングし、且つ開口部４４近傍のエッチングストッパー層をサイド・エッチングすることができるものであればよい。したがって、開口部４４の形状は円形に限定されるものではなく、三角形、四角形、五角形、六角形などの多角形や、楕円形、長円形、あるいは不規則な形状であってもよい。
【００３２】
さらに、同図（ｃ）に示すように、ゲート線４６の幅が狭くて開口部４８を形成することができない場合は、交差部５０の幅を広げることも可能である。
【００３３】
また、レジストはウエットタイプに限らず、フィルム状のレジストを熱圧着するタイプであってもよい。ウエットタイプのレジストの場合、塗布やスプレイなどの方法で成膜される。さらに、レジストはネガ型又はポジ型のいずれでもよく、限定されない。但し、レジストの種類に対応させて、遮光マスクの形式が反転することになる。
【００３４】
更に、エッチング方法は、エッチングされる素材に応じて適宜選定され、ウエットエッチング又はドライエッチングのいずれかが用いられる。ドライエッチングはプラズマエッチングに限らず、反応性イオンエッチング、イオンビームエッチング、反応性イオンビームエッチングなどの化学気相エッチングや、その他各種のエッチング方法を用いることができる。
【００３５】
また、遮光マスクは、１回の露光で済むように形成したマスクであってもよいが、マスクを移動させて繰り返し露光（ステッパー露光）を行うレチクルのタイプであってもよく、生産性と製造コストなどを考慮して設定される。
【００３６】
その他、基板は透光性基板が用いられるが、基板は平面に限らず、曲面であってもよいなど、本発明はその趣旨を逸脱しない範囲内で、当業者の知識に基づき種々なる改良、修正、変形を加えた態様で実施し得るものである。
【００３７】
【発明の効果】
本発明に係る液晶ディスプレイパネルとその製造方法は、エッチングストッパー層の露光工程がゲート電極及びゲート線を遮光マスクとする工程のみから構成され、従来の製造方法と比べて１回、露光工程が少なく構成されるため、位置決め作業に精度を要求され、且つ時間の要するレチクルなどの遮光マスクを使った露光工程がなくなることは、生産性が大幅に向上することになる。
【００３８】
その一方、ゲート線と信号線との交差部には、ゲート線に形成された開口部によりエッチングストッパー層がサイド・エッチングされて除去されているため、信号線の下にエッチング液が染み込むことなく、信号線が断線させられることはない。
【００３９】
しかも、エッチングストッパー形成用のレジストがゲート電極上全体に形成され、従来の方法に比べて接着面積が大きくなるために、フォトレジストの剥がれが少なくなるため、レジストの形成不良が少なくなり、トランジスタの不良の発生率が下がる。更に、高価なレチクルなどを必要としないことも相まって、製造コストを大幅に低減することができる。
【００４０】
更に、チャネル幅方向に長く形成したエッチングストッパーを、ソース・ドレイン電極下層の形成と同時にその両端をエッチングして除去することにより、エッチングストッパー層のエッチングにおいて、オーバーエッチングが過剰になって逆テーパー形状の窪みが生じたとしても、ソース電極・ドレイン電極間に跨がる窪みはエッチングにより除去される。その結果、ソース電極・ドレイン電極間にリークが生ずることはなく、性能及び品質が向上する。また、オーバーエッチングが過剰になったとしても、窪みが除去されることから、良品として使用することができ、不良率が大幅に減少することになる。
【図面の簡単な説明】
【図１】  本発明に係る液晶ディスプレイパネルの製造方法の工程のうち、ゲート電極の製造工程を示す図であり、（ａ）は要部拡大平面図、（ｂ）は要部拡大任意断面図である。
【図２】  ゲート絶縁膜、チャネル層及びエッチングストッパー層を成膜する工程を示す要部拡大断面説明図である。
【図３】  エッチングストッパーを形成する工程を示す説明図であり、（ａ）は要部拡大平面図、（ｂ）は要部拡大任意断面図である。
【図４】  ソース・ドレイン層を成膜する工程を示す要部拡大任意断面図である。
【図５】  ソース・ドレイン層の加工工程を示す説明図であり、（ａ）は要部拡大平面図、（ｂ）は要部拡大任意断面図、（ｃ）は図（ｂ）のｃ−ｃ断面図、（ｄ）は蓄積容量部及びパッド部の断面図である。
【図６】  図５に示す液晶素子部を拡大して示す要部斜視図である。
【図７】  透明導電膜の形成工程を示す要部拡大平面説明図である。
【図８】  信号配線を形成する工程を示す要部拡大平面説明図である。
【図９】  図９に示す工程における（ａ）は要部拡大任意断面図、（ｂ）はゲート線と信号線の交差部を示す要部拡大断面図である。
【図１０】  液晶素子部を拡大して示す要部斜視図である。
【図１１】  （ａ）乃至（ｃ）はいずれもゲート線の交差部の他の実施形態を示す要部拡大平面図である。
【図１２】  従来の液晶素子及び液晶ディスプレイパネルの製造方法の工程のうち、ゲート電極の製造工程を示す図であり、（ａ）は要部拡大平面図、（ｂ）は要部拡大断面図である。
【図１３】  ゲート絶縁膜、チャネル層及びエッチングストッパー層を成膜する工程を示す要部拡大断面説明図である。
【図１４】  エッチングストッパーを形成する工程を示す説明図であり、（ａ）は要部拡大平面図、（ｂ）は要部拡大断面図、（ｃ）はエッチングストッパーの拡大斜視説明図である。
【図１５】  従来の製造方法による液晶素子及び液晶ディスプレイパネルにおける液晶素子部を拡大して示す要部斜視図である。
【符号の説明】
２：透光性基板
４：ゲート電極
５，３６，４６：ゲート線
５ａ，３８，５０：交差部
５ｂ，４０，４８：開口部
６：ゲート絶縁膜
８：チャネル層
１０：エッチングストッパー層
１２：エッチングストッパー
１４：ソース・ドレイン層
１６：ソース・ドレイン電極下層
１８：画素電極
２４：信号線
２６：ソース電極
２８：ドレイン電極
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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