(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
電源端子に接続されたカレントミラー回路と、前記カレントミラー回路により電流値が制御される定電流源を含むバイアス電圧補正回路と、
前記定電流源とグランドとの間に接続され、流入電流に基づいて基準電圧が変化する第一半導体素子を備えた基準電圧発生回路と、
前記電源端子に接続され、前記基準電圧と出力電圧の電圧差に応じて出力端子からの出力電流を調整して定電圧制御する第二半導体素子と、
前記カレントミラー回路と前記出力端子との間に接続され、前記基準電圧と前記出力電圧の電圧差を検出する第三半導体素子を備えた電圧検出回路と、
を備え、
前記バイアス電圧補正回路のカレントミラー回路によって、前記電圧検出回路により検出された電圧差に対応した電流が前記定電流源から前記基準電圧発生回路に供給されるように構成されている定電圧回路であって、
前記第一半導体素子と前記第三半導体素子が同等の特性を備え、
前記第一半導体素子及び前記第三半導体素子の夫々に、抵抗値及び特性が同等で且つ電圧降下が前記第一半導体素子及び前記第三半導体素子よりも大きくなる抵抗が直列に接続されている定電圧回路。
【請求項２】
前記第二半導体素子がダーリントン接続された一対のトランジスタで構成されている請求項１記載の定電圧回路。
【請求項３】
前記第二半導体素子と前記出力端子との間にダイオードが順方向に接続されている請求項１記載の定電圧回路。
【請求項４】
前記第二半導体素子と前記出力端子との間及び前記電圧検出回路と前記出力端子との間に逆流防止ダイオードが接続され、電圧クランプ回路として動作する請求項１または２記載の定電圧回路。
【請求項５】
前記基準電圧が０Ｖに設定されるとともに、前記出力端子が集積回路の入力端子に接続されている請求項４記載の定電圧回路。
【請求項６】
請求項１から３の何れかに記載された定電圧回路と、前記定電圧回路から給電され、所定の負荷を制御する車載電子制御部を備えた電子機器。
【請求項７】
所定の負荷を制御する車載電子制御部と、前記車載電子制御部への入力信号電圧に重畳するサージノイズをクランプする請求項４または５記載の定電圧回路を備えた電子制御機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電子制御機器等の誤動作を防止することのできる定電圧回路等に関する。
【背景技術】
【０００２】
車両に搭載される電子制御機器は、通常供給される電圧と逆極性の電圧（負サージ）が印加されると、回路素子の故障発生等により誤動作する虞がある。そこで、電子制御機器に負サージクランプ回路を設けて、入力端子に印加される負サージを負サージクランプ回路において吸収することで、回路素子の故障発生等を防止することが従来行なわれてきた。
【０００３】
例えば、図１に示すような負サージクランプ回路では、入力端子ＩＮに負サージが印加されるとトランジスタＱ１がオン状態となり、電流ＩＡが電源端子ＶＣＣからトランジスタＱ１を介して入力端子ＩＮに供給され、負サージが吸収されていた。
【０００４】
しかし、図１に示すような負サージクランプ回路では、高い電圧レベルを有する負サージに対応可能とするためには、電流ＩＡの最大値を大きくする必要があった。そして、電流ＩＡの最大値を大きくするには、トランジスタＱ１のベース電流を大きくする必要があり、そのためには、定電流源９００に大きくしたベース電流以上の電流を常時流しておく必要があった。つまり、図１に示すような負サージクランプ回路では、常時流れる電流（暗電流）を大きくしておく必要があるので、電子制御機器等の消費電力が増加してしまうという問題があった。
【０００５】
また、トランジスタＱ１に流れる電流ＩＡの最大値を大きくすると、トランジスタＱ１のベースエミッタ間電圧が大きくなり、その結果、負サージクランプ回路のクランプレベル（ダイオードＤ１００において発生する電圧ＶＤ１からトランジスタＱ１のベースエミッタ間電圧を減じた電圧レベル）が変動してしまい、当該変動が原因で回路素子の故障を招くという問題もあった。
【０００６】
上述の問題を解決するために、特許文献１では、図２に示すように、電流を流すことにより基準電位ＶＱ２を発生する第一半導体素子Ｑ２と、前記基準電位ＶＱ２と端子ＩＮの電位間の電位差に応じて前記端子ＩＮに供給する電流を制御する第二半導体素子Ｑ３と、大きさが第二半導体素子Ｑ３の所定倍であり、基準電位ＶＱ２と端子ＩＮの電位間の電位差に応じて端子ＩＮに供給する電流を制御する第三半導体素子Ｑ４と、第二半導体素子Ｑ３から端子ＩＮに供給される電流を検出し、該検出電流の所定率の電流を第一半導体素子Ｑ２に供給する手段９０１とを有している負サージクランプ回路が開示されていた。
【０００７】
当該負サージクランプ回路では、第二半導体素子Ｑ３のベースエミッタ間電圧が変位した場合に、基準電位ＶＱ２が第二半導体素子Ｑ３のベースエミッタ間電圧の変化量と同じだけ変位するように構成されることによって、クランプレベルの変動が抑制されていた。
【０００８】
また、当該負サージクランプ回路では、クランプレベルの変動を抑制するための半導体素子（第二半導体素子Ｑ３）と、端子ＩＮに電流を供給するための半導体素子（第三半導体素子Ｑ４）とを設けることで、暗電流を低減していた。
【０００９】
一方、定電圧回路として特許文献２が開示されているが、当該定電圧回路は、出力端子に接続された出力トランジスタのベースエミッタ間電圧の変位に追随して基準電圧を変位させることで、出力電圧を一定に維持しようとするものであり、特許文献１と同様の思想に基づいている。
【特許文献１】特開平７−１４７５３２号公報
【特許文献２】特開２００５−１９０１１１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
特許文献１では、クランプレベルを一定に維持するために、基準電位ＶＱ２の変化量に対する第二半導体素子Ｑ３のベースエミッタ間電圧の変化量が等しいこと、つまり第一半導体素子Ｑ２と第二半導体素子Ｑ３の特性が一致していることが必要である。しかし、当該特性が一致するのは、各半導体素子に流れる電流が微小電流（例えば約１００μＡ以下）の場合である。
【００１１】
ところが、車両等に搭載される電子制御機器では、各半導体素子に流れる電流が前記微小電流よりも大きな電流（例えば１ｍＡ以上）である場合が多く、このような電流領域では、第一半導体素子Ｑ２と第二半導体素子Ｑ３が同一特性を示さなくなり、例えば、図３において破線で示すように、各半導体素子に流れる電流が大きくなるほど端子ＩＮの電圧（出力電圧）が低下してしまう。
【００１２】
このような出力電圧の低下は、特許文献２の場合でも同様に発生する。つまり、前記電流領域では、出力トランジスタと基準電圧を生成するためのトランジスタが同一特性を示さなくなり、出力電圧を一定に維持することができなくなってしまう。
【００１３】
その結果、負サージクランプ回路や定電圧回路に接続された回路素子が故障して、電子制御機器が誤動作を起こす虞がある。
【００１４】
本発明の目的は、上述した従来の問題点に鑑み、流れる電流の量にかかわらず出力電圧を一定に維持することで、電子制御機器等の誤動作を防止することのできる定電圧回路を提供する点にある。
【課題を解決するための手段】
【００１５】
上述の目的を達成するため、本発明による定電圧回路の特徴構成は、電源端子に接続されたカレントミラー回路と、前記カレントミラー回路により電流値が制御される定電流源を含むバイアス電圧補正回路と、前記定電流源とグランドとの間に接続され、流入電流に基づいて基準電圧が変化する第一半導体素子を備えた基準電圧発生回路と、前記電源端子に接続され、前記基準電圧と出力電圧の電圧差に応じて出力端子からの出力電流を調整して定電圧制御する第二半導体素子と、前記カレントミラー回路と前記出力端子との間に接続され、前記基準電圧と前記出力電圧の電圧差を検出する第三半導体素子を備えた電圧検出回路と、を備え、前記バイアス電圧補正回路のカレントミラー回路によって、前記電圧検出回路により検出された電圧差に対応した電流が前記定電流源から前記基準電圧発生回路に供給されるように構成されている定電圧回路であって、前記第一半導体素子と前記第三半導体素子が同等の特性を備え、前記第一半導体素子及び前記第三半導体素子の夫々に、抵抗値及び特性が同等で且つ電圧降下が前記第一半導体素子及び前記第三半導体素子よりも大きくなる抵抗が直列に接続されている点にある。
【００１６】
上述の構成によれば、定電圧回路における基準電圧は、第一半導体素子及び前記第一半導体素子に直接接続された抵抗に基づいて決定され、前記定電圧回路における出力電圧は、第三半導体素子及び前記第三半導体素子に直列接続された抵抗並びに前記基準電圧に基づいて決定される。
【００１７】
そして、前記定電圧回路に、前記第一半導体素子と前記第三半導体素子の特性の同一性を維持できなくなるほどの大電流が流れても、各半導体素子に直列に接続された抵抗の特性の直線性によって、前記第一半導体素子及び前記第一半導体素子に直列接続された抵抗による基準電圧の変化量と、前記第二半導体素子及び前記第一半導体素子に直列接続された抵抗による電圧の変化量とが等しくなる。その結果、前記定電圧回路では、出力電圧を一定に維持することができ、電子制御機器等の誤動作を防止することができる。
【発明の効果】
【００１８】
本発明によれば、流れる電流の量にかかわらず出力電圧を一定に維持することで、電子制御機器等の誤動作を防止することのできる定電圧回路を提供することができるようになった。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１９】
以下に、本発明による定電圧回路を説明する。定電圧回路１０は、一定電圧を出力端子１４から出力する回路であり、図４に示すように、流入電流に基づいて基準電圧が変化する第一半導体素子Ｑ１０を備えた基準電圧発生回路１１と、前記基準電圧と出力電圧の電圧差に応じて出力電流を調整して定電圧制御する第二半導体素子Ｑ２０と、前記基準電圧と出力電圧の電圧差を検出する第三半導体素子Ｑ３０を備えた電圧検出回路１２と、前記電圧検出回路１２により検出された電圧差に対応した電流を基準電圧発生回路１１に供給するバイアス電圧補正回路１３を備えて構成されており、第一半導体素子Ｑ１０及び第三半導体素子Ｑ３０の夫々に抵抗Ｒ１０、Ｒ３０が直列に接続されている。
【００２０】
また、定電圧回路１０は電源端子１５を備えており、電源端子１５を介して外部から給電される。
【００２１】
基準電圧発生回路１１は、ベースとコレクタが接続されたトランジスタで構成された第一半導体素子Ｑ１０と、抵抗Ｒ１０と、所定の電圧を生成する基準電源１１１とを備えて構成されており、直列に接続されたこれらの素子や電源によって基準電圧が生成される。基準電圧Ｖstは、数１に示すように、バイアス電圧補正回路１３より供給される電流に基づいて、第一半導体素子Ｑ１０のベースエミッタ間電圧ＶＢＥ（Ｑ１０）、抵抗Ｒ１０にて発生する電圧ＶＲ１０、及び基準電源１１１にて生成する電圧Ｖｒｅｆとの合計電圧であり、図４における位置Ａの電位が基準電圧Ｖstに相当する。
【数１】
0004781320.tif 000002
【００２２】
第二半導体素子Ｑ２０は、電源端子１５から供給される電流を出力端子１４に出力する。本実施形態において、第二半導体素子Ｑ２０はダーリントン接続された二個のトランジスタＱ２１、Ｑ２２で構成されている。
【００２３】
図４においてダーリントン接続された第二半導体素子Ｑ２０では、トランジスタＱ２１が、バイアス電圧補正回路１３から供給されたベース電流によってオン状態となり、トランジスタＱ２２が、オン状態となったトランジスタＱ２１から供給されたベース電流によってオン状態となる。トランジスタＱ２２に供給されるベース電流はトランジスタＱ２１のエミッタ電流であり、バイアス電圧補正回路１３からトランジスタＱ２１に供給される電流よりも大きいので、トランジスタＱ２２から出力端子１４へ流れるエミッタ電流は、トランジスタＱ２１のエミッタ電流よりも更に大きい。
【００２４】
つまり、第二半導体素子Ｑ２０にダーリントン接続を用いると、図２に示した従来の実施形態におけるトランジスタＱ３（図４ではトランジスタＱ３０に相当）とトランジスタＱ４（図４ではトランジスタＱ２２に相当）の間に、電流増幅手段としてのトランジスタＱ２１が挿入されて、トランジスタＱ３０、Ｑ２２が分離される。そして、ダーリントン接続を用いない場合と同一の電流で、更に大きな電流（トランジスタＱ２２に流れるコレクタ電流）を制御することができる。
【００２５】
電圧検出回路１２は、トランジスタＱ１０と同一の特性を有するトランジスタＱ３０で構成された第三半導体素子Ｑ３０と、抵抗Ｒ１０と等しい抵抗値で同一の特性を有する抵抗Ｒ３０とを備えている。
【００２６】
バイアス電圧補正回路１３は、一対のトランジスタＱ１３１、Ｑ１３２よりなるカレントミラー回路と、トランジスタＱ１０及びトランジスタＱ３０にバイアス電流を供給する定電流源１３１とを備えて構成されている。
【００２７】
カレントミラー回路は、トランジスタＱ１３１からトランジスタＱ１０へ、及び、トランジスタＱ１３２からトランジスタＱ３０へ、夫々等しい電流を供給する。
【００２８】
定電流源１３１は、カレントミラー回路（トランジスタＱ１３１）から基準電圧発生回路１１へ供給される電流値が零であるときも基準電圧Ｖstを発生させるために設けられており、定電流源１３１によって供給される電流は、トランジスタＱ１３１から基準電圧発生回路１１へ供給される電流よりも十分に小さく設定されている。
【００２９】
以上説明した定電圧回路１０の動作について説明する。バイアス電圧補正回路１３は、基準電圧発生回路１１、電圧検出回路１２、及び第二半導体素子Ｑ２０に電流を供給する。
【００３０】
基準電圧発生回路１１には数１で示すような基準電圧Ｖｓｔが発生する。第二半導体素子Ｑ２０は基準電圧Ｖｓｔをベース電圧として動作する。そして、バイアス電圧補正回路１３から供給された電流は、第二半導体素子Ｑ２０を介して出力端子１４へ出力される。
【００３１】
このときの出力電圧ＶＯＵＴは、基準電圧ＶｓｔからトランジスタＱ２１、Ｑ２２のベースエミッタ間電圧ＶＢＥ（Ｑ２１）、ＶＢＥ（Ｑ２２）を減じた電圧レベルであり、数２のように表される。
【数２】
0004781320.tif 000003
【００３２】
カレントミラー回路（トランジスタＱ１３２）からトランジスタＱ３０及び抵抗Ｒ３０には、第二半導体素子Ｑ２０に流れる電流に応じた電流が流れ、該電流によって、トランジスタＱ３０のベースエミッタ間電圧ＶＢＥ（Ｑ３０）及び抵抗Ｒ３０の両端の電圧ＶＲ３０が発生する。
【００３３】
そして、トランジスタＱ２１、Ｑ２２とトランジスタＱ３０、抵抗Ｒ３０とは並列接続であることから数３の関係が成立し、数２を数４に置き換えることができる。
【数３】
0004781320.tif 000004
【数４】
0004781320.tif 000005
【００３４】
また、カレントミラー回路（トランジスタＱ１３１）から基準電圧発生回路１１には、トランジスタＱ１３２によってトランジスタＱ３０と抵抗Ｒ３０に供給される電流と同一の電流が供給される。
【００３５】
なお、基準電圧発生回路１１に供給される電流には、トランジスタＱ１３１によって供給される電流の他に、定電流源１３１によって供給される電流があるが、上述したように、定電流源１３１からの供給電流は、カレントミラー回路からの供給電流に比べて十分小さく設定されているので、トランジスタＱ１０に供給される電流とトランジスタＱ３０に供給される電流は、同一とみなすことができる。
【００３６】
基準電圧発生回路１１から電圧検出回路１２に供給される電流が増加すると、ＶＢＥ（Ｑ３０）＋ＶＲ３０が増加するが、ＶＢＥ（Ｑ３０）と同じ電圧だけＶＢＥ（Ｑ１０）が増加し、ＶＲ３０と同じ電圧だけＶＲ１０が増加するので、出力電圧ＶＯＵＴは変化しない。電流が減少する場合も同様である。
【００３７】
ここで、抵抗Ｒ１０、Ｒ３０において発生する電圧ＶＲ１０、ＶＲ３０の各々が、トランジスタＱ１０、Ｑ３０のベースエミッタ間電圧ＶＢＥ（Ｑ１０）、ＶＢＥ（Ｑ３０）に比べて十分大きくなるように、抵抗Ｒ１０、Ｒ３０の抵抗値を設定することで、数４を数５に置き換えることができる。
【数５】
0004781320.tif 000006
【００３８】
つまり、出力電圧ＶＯＵＴがトランジスタＱ１０、Ｑ３０に依存しなくなる。また、抵抗Ｒ１０、Ｒ３０による電圧降下は流れる電流の大きさにかかわらずオームの法則に従う。つまり、基準電圧発生回路１１から電圧検出回路１２に供給される電流が増加すると、ＶＲ３０が増加するが、ＶＲ３０と同じ電圧だけＶＲ１０が増加するので、出力電圧ＶＯＵＴは変化しない。電流が減少する場合も同様である。
【００３９】
以上より、本発明による定電圧回路１０によれば、基準電圧発生回路１１から電圧検出回路１２に供給される電流が、トランジスタＱ１０、Ｑ３０の特性の同一性を維持できなくなる値以上、例えば１ｍＡ以上に増加しても、図３において実線で示すように、出力電圧ＶＯＵＴを一定の電圧、つまり基準電源１１１にて生成される電圧Ｖｒｅｆに維持することができる。
【００４０】
以上説明した定電圧回路１０は、電子機器に組み込むことができる。当該電子機器２０は、図５に示すように、定電圧回路１０と、定電圧回路１０から給電され、所定の負荷４０を制御する車載電子制御部３０を備えており、定電圧回路１０は、バッテリ電源５０から供給された電圧に基づいて一定の電圧Ｖｒｅｆを車載電子制御部３０に供給するように構成されている。
【００４１】
このような電子機器２０としてはドライブレコーダがある。ドライブレコーダは、自車両が事故に巻き込まれたことを検知した場合、または、事故につながるような急加速や急減速等を検知した場合に、検知前後の所定時間における自車両の周辺の映像や自車両の走行データを記録しておく装置である。
【００４２】
車載電子制御部３０は、ＣＰＵ３１と、ＣＰＵ３１で実行される制御プログラムが格納されたＲＯＭ３２と、ワーキングエリアとして使用されるＲＡＭ３３と、入出力インタフェース回路３４と、これらの機能ブロックを相互に接続する内部バス３５を備えており、ＣＰＵ３１がＲＯＭ３２に記憶された制御プログラムを実行することによって、上述したドライブレコーダの所定の機能を実現するように構成されている。
【００４３】
所定の負荷４０としては、危険運転時に運転者に対して警告用の音声を出力するブザー４１や、ブザー４１を介して出力する音声信号を増幅させるオーディオアンプ４２等がある。これら所定の負荷４０は、入出力インタフェース回路３４によって被制御対象である車載電子制御部３０と接続されている。
【００４４】
なお、図５では図示していないが、所定の負荷４０は、定電圧回路１０または定電圧回路１０とは別の定電圧回路を介して、バッテリ電源５０から給電されている。
【００４５】
以下、別実施形態について説明する。上述の実施形態では、第二半導体素子Ｑ２０がダーリントン接続された二個のトランジスタＱ２１、Ｑ２２を備えている構成について説明したが、第二半導体素子Ｑ２０はダーリントン接続に限らない。例えば、図６に示すように、第二半導体素子Ｑ２０が一個のトランジスタＱ２３で構成されており、トランジスタＱ２３と出力端子１４間にダイオードＤ１が順方向に接続されている構成であってもよい。
【００４６】
第二半導体素子Ｑ２０をダーリントン接続しない場合、トランジスタＱ２３に引き込まれるベース電流が大きくなってしまい、本来、基準電圧発生回路１０や第三半導体素子Ｑ３０に流れるべき電流がトランジスタＱ２３に流れてしまう。しかし、図６に示す構成によれば、ダイオードＤ１を挿入してトランジスタＱ２３のエミッタ端子の電位をダイオードＤ１の挿入分（例えば０．７Ｖ）だけ上昇させることで、トランジスタＱ２３のベース電流の上昇を抑制することができる。
【００４７】
上述の実施形態では、一定電圧を出力端子１４から出力する定電圧回路１０について説明したが、定電圧回路１０は、図７に示すように、第二半導体素子Ｑ２０及び電圧検出回路１２に逆流防止ダイオードＤ２、Ｄ３、Ｄ４が接続され、電圧クランプ回路として動作する構成であってもよい。
【００４８】
なお、図７において、逆流防止ダイオードＤ２、Ｄ３、Ｄ４は、ＰＮＰ型トランジスタのエミッタとベースを接続することで構成されている。また、逆流防止ダイオードＤ２、Ｄ３、Ｄ４の特性にばらつきがあっても、本発明では、抵抗Ｒ１０、Ｒ３０の特性の直線性によって出力電圧が一定に保持される。
【００４９】
図７に示す電圧クランプ回路には基準電源１１１が設けられていない。つまり、基準電圧が０Ｖに設定されている。
【００５０】
また、出力端子１４が集積回路６０の入力端子６１に接続されている。集積回路６０は、例えば、小信号を入力するためのコンパレータ６０であり、集積回路６０の入力端子６１はコンパレータ６０の反転入力端子である。コンパレータ６０の非反転入力端子には比較電圧が印加される。そして、コンパレータ６０の非反転入力端子には、外部からのパルス信号が抵抗Ｒ６０を介して入力される。
【００５１】
つまり、図７に示す電圧クランプ回路は、コンパレータ６０の非反転入力端子に外部からの負サージノイズが印加された場合に、当該負サージノイズを吸収して、コンパレータ６０及びコンパレータ６０の後段に接続されているマイクロコンピュータ６２等の誤動作を防止するように構成されている。
【００５２】
電圧クランプ回路の動作について説明する。コンパレータ６０の非反転入力端子に外部からの負サージノイズが印加されると、電圧クランプ回路の第二半導体素子Ｑ２０と第三半導体素子Ｑ３０がオン状態となって、電源端子１５から供給される電流が出力端子１４を介して出力される。そして、出力された電流によって、負サージノイズが吸収される。
【００５３】
以上説明した電圧クランプ回路は、電子制御機器に組み込むことができる。当該電子制御機器７０は、図８に示すように、所定の負荷を制御する車載電子制御部８０と、車載電子制御部８０への入力信号電圧に重畳するサージノイズをクランプする電圧クランプ回路１０を備えて構成されている。
【００５４】
このような電子制御機器７０としては、図５に示した電子機器２０と同様、ドライブレコーダがあり、当該ドライブレコーダでは、図５に示した車載電子制御部３０と同様の構成の車載電子制御部８０によって、所定の負荷４０と同様の負荷が制御される。
【００５５】
なお、電圧クランプ回路１０、コンパレータ６０、及び車載電子制御部８０は、バッテリ電源５０からのバッテリ電圧を所定の電圧に降圧するレギュレータ９０等により給電される。
【００５６】
上述の実施形態では、第一の半導体素子Ｑ１０、第二の半導体素子Ｑ２０、及び第三の半導体素子Ｑ３０がバイポーラトランジスタである構成について説明したがバイポーラトランジスタに限らず、例えば、図９に示すように、バイポーラトランジスタの代わりにＦＥＴで構成されていてもよい。
【００５７】
上述の実施形態では、定電圧回路１０がドライブレコーダに組み込まれている構成について説明したが、定電圧回路１０が組み込まれるのは、一定の電圧を必要とする電子機器であればドライブレコーダに限らず、例えば、エンジン制御用の電子制御装置等であってもよい。
【００５８】
上述の実施形態では、定電圧回路１０が組み込まれる電子機器２０が車載電子制御部３０を備えている構成、つまり電子機器２０が車両に搭載されている構成について説明したが、定電圧回路１０及び電子機器２０が搭載されるのは車両に限らない。例えば、船舶や航空機等の他の乗物、複写機やファクシミリ等の情報機器、またはオーディオ機器や家電製といった電化製品等に搭載される構成であってもよい。
【００５９】
尚、上述した各実施形態は、本発明の一例に過ぎず、本発明の作用効果を奏する範囲において各ブロックの具体的構成等を適宜変更設計できることは言うまでもない。
【図面の簡単な説明】
【００６０】
【図１】従来の負サージクランプ回路の回路図
【図２】電流を制御する半導体素子を二個備えた従来の負サージクランプ回路の回路図
【図３】半導体素子に流れる電流に対する出力電圧を示す説明図
【図４】本発明による定電圧回路の回路図
【図５】本発明による定電圧回路が組み込まれた電子機器のブロック構成図
【図６】第二半導体素子と出力端子間にダイオードが接続された定電圧回路の回路図
【図７】本発明による電圧クランプ回路の回路図
【図８】本発明による電圧クランプ回路が組み込まれた電子制御機器のブロック構成図
【図９】バイポーラトランジスタの代わりにＦＥＴを用いた本発明による定電圧回路の回路図
【符号の説明】
【００６１】
１０：定電圧回路（電圧クランプ回路）
１１：基準電圧発生回路
１２：電圧検出回路
１３：バイアス電圧補正回路
１４：出力端子
２０：電子機器
３０、８０：車載電子制御部
６０：集積回路（コンパレータ）
６１：入力端子
７０：電子制御機器
Ｄ１：ダイオード
Ｄ２、Ｄ３、Ｄ４：逆流防止ダイオード
Ｑ１０：第一半導体素子
Ｑ２０：第二半導体素子
Ｑ３０：第三半導体素子
【図１】
0004781320.tif 000007
【図２】
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【図３】
0004781320.tif 000009
【図４】
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【図５】
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【図６】
0004781320.tif 000012
【図７】
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【図８】
0004781320.tif 000014
【図９】
0004781320.tif 000015