(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の記憶デバイス装置を収容する記憶デバイス収容装置において，
電源から記憶デバイス装置側へ流れる電流の検出抵抗値が異なる複数の抵抗によって構成され，前記複数の抵抗のそれぞれに対してスイッチが直列に接続され，前記直列に接続された抵抗とスイッチとの組が電源入力に対して並列に接続された検出素子と，
記憶デバイス装置側から入力される装置識別信号によって前記検出素子において電流を検出する検出抵抗値を，前記検出素子における前記スイッチの開閉により切り替える検出素子切替回路と，
前記検出素子の両端の電位差と所定の閾値との比較により記憶デバイス装置への電源の接続または切断を制御する制御回路と，
前記制御回路の出力により記憶デバイス装置への電源の接続または切断を行うスイッチ回路とを備えた
ことを特徴とする記憶デバイス収容装置。
【請求項２】
複数の記憶デバイス装置を収容する記憶デバイス収容装置において，
電源から記憶デバイス装置側へ流れる電流の検出抵抗値が異なる複数の抵抗によって構成され，前記複数の抵抗のそれぞれに対してスイッチが直列に接続され，前記直列に接続された抵抗とスイッチとの組が電源入力に対して並列に接続された検出素子と，
記憶デバイス装置活性枠の構造によって装置種別を判別した情報に基づき，前記検出素子において電流を検出する検出抵抗値を，前記検出素子における前記スイッチの開閉により切り替える検出素子切替回路と，
前記検出素子の両端の電位差と所定の閾値との比較により記憶デバイス装置への電源の接続または切断を制御する制御回路と，
前記制御回路の出力により記憶デバイス装置への電源の接続または切断を行うスイッチ回路とを備えた
ことを特徴とする記憶デバイス収容装置。
【請求項３】
複数の記憶デバイス装置を収容する記憶デバイス収容装置において，
電源から記憶デバイス装置側へ流れる電流の検出抵抗値が異なる複数の抵抗によって構成され，前記複数の抵抗のそれぞれに対してスイッチが直列に接続され，前記直列に接続された抵抗とスイッチとの組が電源入力に対して並列に接続された検出素子と，
上位装置が記憶デバイス媒体に格納されたインクワイアリ情報に基づいて決定した選択情報に基づき，前記検出素子において電流を検出する検出抵抗値を，前記検出素子における前記スイッチの開閉により切り替える検出素子切替回路と，
前記検出素子の両端の電位差と所定の閾値との比較により記憶デバイス装置への電源の接続または切断を制御する制御回路と，
前記制御回路の出力により記憶デバイス装置への電源の接続または切断を行うスイッチ回路とを備えた
ことを特徴とする記憶デバイス収容装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は，ＲＡＩＤ装置などを構成する複数のディスク装置等を収容する記憶デバイス収容装置に関し，特に収容する各記憶デバイス装置ごとに適切に過電流の検出を行うことができるようにした記憶デバイス収容装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
デバイスエンクロージャー（ＤＥ：Device Enclosure）と呼ばれるディスク収容装置は，複数本のディスク装置を格納し，これらへの電源供給機能，データインタフェース（Data Interface）のＨＵＢ機能を持つ。この種のディスク収容装置では，各ディスク装置とバックパネル側の電源との間に，電流検出制御回路を挿入している。電流検出制御回路を挿入する目的は，以下の２つである。
【０００３】
目的の一つは，ディスク収容装置に電源供給した活性状態で，ディスク装置の挿抜を可能とするためであり，他の目的は，１本のディスク装置の電源障害（例えば，コンデンサの短絡などによる過電流）発生時に，影響範囲を限定するためである。実際に過去の障害事例として，電源ユニット側で過電流保護回路が動作し，ディスク収容装置全体の電源断を引き起こす障害があった。
【０００４】
図５は，従来のディスク収容装置における過電流保護回路の例を示す図である。図５において，１は電源部，２はディスク収容装置のバックパネル部，３はディスク装置が収容されるディスク装置部である。
【０００５】
ディスク装置が挿入され，コネクタ２２に接続されると，電源１０からコネクタ１１，電流の検出素子（抵抗）２００，トランジスタ（ＦＥＴ）２１，コネクタ２２を経由して，ディスク装置に電源が供給される。電流制御回路２４は，通常の状態ではＦＥＴ２１をＯＮにしている。電圧検出回路２３は，検出素子２００の両端の電位差を検出する。電流制御回路２４は，電圧検出回路２３が検出した電位差からディスク装置に流れ込む電流が所定の設計許容値の範囲内であるかどうかを測定する。設計許容値よりも過剰な電流を検出した場合には，電流制御回路２４は，ＦＥＴ２１をＯＦＦにし，ディスク装置部３へ流れる電流を遮断し，ディスク装置内部回路３０その他を保護する。
【０００６】
磁気ディスク装置の過電流を検出したり電流を制御する他の従来技術として，下記の特許文献１，特許文献２に記載されているような技術がある。しかし，これらは消費電流の設計値が固定的に定められた単一の磁気ディスク装置の電流を制御するものであり，複数のディスク装置を収容するディスク収容装置において，共通の電源ユニットからの個々のディスク装置への電流の検出および過電流からの保護を目的としたものではない。
【特許文献１】特開平３−２８０２６１号公報
【特許文献２】特開２００５−７３３４０号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
ＲＡＩＤ装置などのディスク収容装置では，共通の電源ユニットから各ディスク装置へ供給する電流が個々に正常値の範囲内であるかどうかを電流検出制御回路によって検出する。このとき，電流検出に用いる抵抗値は，ディスク装置の型格毎に消費電流値が異なるため，使用されるディスク装置の中で，最大の消費電流となる型格に合わせる必要がある。この場合，次の問題が生じる。
【０００８】
（１）電流検出用の抵抗値を最大の消費電流となる型格に合わせた場合，消費電流が少ないディスク装置（仮にディスクＡと呼ぶ) に関しては，電圧−グランドショートという過大な電流が流れるような障害モードについては問題なく検出することができる。しかし，ディスクＡの消費電流よりも過大な電流が流れるような障害モードが発生したときに，その過大である消費電流でも設計値よりも小さいものになることがあるため，このような障害モードは検出することができなかった。
【０００９】
（２）また，現時点では製品化されていないディスク装置の消費電流が増大化した場合に，その新しいディスク装置に対応することができない。
【００１０】
本発明は上記問題点の解決を図り，複数のディスク装置を収容するディスク収容装置において，ディスク装置に起因する電源系統障害に対応する保護回路の高精度化，高機能化を実現することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本発明は上記課題を解決するため，複数のディスク装置等を収容する記憶デバイス収容装置において，個々の記憶デバイス装置への電流の検出抵抗値を切り替える手段を下記のように実現する。
【００１２】
第１の発明では，各ディスク装置側に定格消費電流値を意味する信号を追加する。一方，ディスク収容装置側でその信号に合わせた検出抵抗値の選択回路を構成する。信号線は，ディスク装置そのものか，ディスク装置を格納する活性枠（ディスク装置のケース）のいずれかに追加する。
【００１３】
第２の発明では，ディスク装置の活性枠に消費電流が識別可能な構造を追加する。ディスク収容装置側にその構造を識別できる回路（例えばスイッチ，センサ，リーダ等，何でも可) を構成し，検出抵抗値の選択回路を構成する。
【００１４】
第３の発明では，例えばＲＡＩＤコントローラ等の上位装置経由でディスク装置のインクワイアリ(inquiry) 情報を取得する。各ディスク装置の消費電流をデータベース化し，上位装置からディスク収容装置に消費電流，抵抗値の選択指示を与え，検出抵抗値を切り替える。
【発明の効果】
【００１５】
本発明によれば，ディスク装置の種類毎に，異常検出電流値が設定可能となる。これにより，従来検出できなかった閾値に掛からない異常電流値も検出可能となり，異常電流検出の精度が向上する。また，設計が完了しているディスク収容装置でも，新機種などの消費電流が未知のディスク装置に対応可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１６】
図１は，本発明のディスク収容装置の構成例を示す図である。図１において，１は電源部，２はディスク収容装置のバックパネル部，３はディスク装置が収容されるディスク装置部である。
【００１７】
ディスク装置が挿入され，コネクタ２２に接続されると，電源１０から電流の検出素子（抵抗）２０，トランジスタ（ＦＥＴ）２１，コネクタ２２を経由して，ディスク装置に電源が供給される。電流制御回路２４は，通常の状態ではＦＥＴ２１をＯＮにしている。電圧検出回路２３は，検出素子２０の両端の電位差を検出する。電流制御回路２４は，電圧検出回路２３が検出した電位差からディスク装置に流れ込む電流が所定の設計許容値の範囲内であるかどうかを測定する。設計許容値よりも過剰な電流を検出した場合には，電流制御回路２４は，ＦＥＴ２１をＯＦＦにし，ディスク装置部３へ流れる電流を遮断し，ディスク装置内部回路３０その他を保護する。
【００１８】
本発明では，消費電流値が異なる複数種のディスク装置に対応できるようにするため，検出素子２０の抵抗値をディスク装置の型格に合わせて切り替えることができるようになっている。検出素子切替回路２５は，装置識別手段３１によって，接続されるディスク装置に適した電流値を識別し，検出素子２０の抵抗値を切り替える。装置識別手段３１としては，ディスク装置部３側から電流識別信号出力回路によって，消費電流の設計許容値を検出素子切替回路２５に通知する方法，もしくはスイッチ，センサ，リーダその他による装置識別構造を判別できる回路によって，ディスク装置の活性枠の構造により，検出素子切替回路２５が，予め定められた消費電流の設計許容値を認識できるようにする方法を用いることができる。
【００１９】
さらに，以上の電気的または機構的な識別手段によらずに，ディスク装置に格納された各種の媒体情報であるインクワイアリ(inquiry) 情報の一つとして，消費電流の設計許容値またはディスク装置の型格などの情報を設定しておき，それを上位装置が判別して検出素子切替回路２５に通知する方法を用いてもよい。
【００２０】
以上の回路を，ディスク収容装置に挿入可能な各ディスク装置ごとに設ける。
【００２１】
図２は，本発明が適用されるディスク収容装置の外観図を示している。図２（Ａ）は，ディスク収容装置を前面側から見た図であり，活性枠に収納したディスク装置（ＨＤＤ）を複数台，必要数だけ差し込むことができるようになっている。図２（Ｂ）は，ディスク収容装置を後面側から見た図であり，後面側に電源部，ＰＢＣ（Port Bypass Circuit ）などが配置されている。
【実施例１】
【００２２】
図３は，本発明の一実施例を示す図である。図３において，図１と同符号のものは図１に示すものに対応する。２６はＦＰＧＡ(Field Programmable Gate Array) で構成される過電流検出素子選択回路であって，図１に示す検出素子切替回路２５に相当するもの，２７はホットスワップ・コントローラであって，ディスク収容装置に電源を供給した活性状態で，ディスク装置の挿抜を可能とするための制御回路である。
【００２３】
また，ディスク装置活性枠３２は，活性状態でディスク装置を挿抜するためのディスク装置のケースである。本実施例１では，図１の装置識別手段３１として，ディスク装置活性枠３２に装置識別ハードピン３３が設けられている。
【００２４】
検出素子２０としては，ｎ個の各トランジスタＦＥＴ１〜ＦＥＴｎと，抵抗値が異なるｎ個の各抵抗Ｒ１〜Ｒｎの直列回路を並列で構成したものが用いられている。過電流検出素子選択回路２６は，ディスク装置活性枠３２にディスク装置と共に併設された装置識別ハードピンのピン配置状態に応じて生成される装置識別信号を受け，ＦＰＧＡにて装置種別を識別し，検出素子２０内にあるトランジスタＦＥＴ１〜ＦＥＴｎのいずれか一つまたは複数をＯＮにして過電流検出に必要な抵抗Ｒ１〜Ｒｎを回路に接続する。
【００２５】
ホットスワップ・コントローラ２７に内蔵される電圧検出回路２３は，ＯＮ指示を受けた並列抵抗の両端の電位差を検出し，電流制御回路２４を動作させる。すなわち，過電流の検出値は，トランジスタＦＥＴ１〜ＦＥＴｎのＯＮによって接続された並列抵抗の合成抵抗値によって設定される。
【００２６】
電流制御回路２４は，両端の電位差がホットスワップ・コントローラ２７において予め定められた設計許容値の閾値以下であれば，トランジスタ２１にＦＥＴ−ＯＮ指示信号を出力し，電源１０とディスク装置内部回路３０の電源入力部とを接続する。一方，両端の電位差が予め定められた設計許容値の閾値を超えていれば，トランジスタ２１をＯＦＦにし，電源１０とディスク装置内部回路３０の電源入力部とを切断する。
【００２７】
ここで，電圧検出回路２３において検出した電圧がＶ以上であった場合に，電流制御回路２４においてトランジスタ２１をＯＦＦにするものとする。この場合，挿入されるディスク装置が消費する電流の設計許容値が，例えばＩk であったとすると，過電流検出素子選択回路２６は，検出素子２０における合成抵抗値がＲk ＝Ｖ／Ｉk となるように，抵抗値を選択する。これにより，電圧検出回路２３において過電流として検出する電圧を一定値のＶとすることができ，電圧検出回路２３および電流制御回路２４の構成を簡易化することができる。
【実施例２】
【００２８】
図４は，本発明の他の一実施例を示す図である。本実施例２について，特に前述した実施例１の違いの部分を中心に説明する。
【００２９】
本実施例２のディスク収容装置は，ＲＡＩＤシステムにおける複数のディスク装置の収容に用いられている。ここで，上位装置であるＲＡＩＤコントローラ４０は，ディスク装置の種別に応じてディスク媒体に予め書き込まれたディスク・インクワイアリ情報３４をＰＢＣ４１経由で取得し，そのディスク・インクワイアリ情報３４をもとに，検出素子の選択指示をＰＢＣ４１を介して過電流検出素子選択回路２６に送る。過電流検出素子選択回路２６は，この選択指示をもとに検出素子２０の検出抵抗値を切り替える。他の構成および動作については，前述した実施例１と同様である。
【図面の簡単な説明】
【００３０】
【図１】本発明のディスク収容装置の構成例を示す図である。
【図２】本発明が適用されるディスク収容装置の外観図である。
【図３】本発明の一実施例を示す図である。
【図４】本発明の他の一実施例を示す図である。
【図５】従来技術の例を示す図である。
【符号の説明】
【００３１】
１    電源部
２    バックパネル部
３    ディスク装置部
１０  電源
２０  検出素子（抵抗）
２１  トランジスタ（ＦＥＴ）
２２  コネクタ
２３  電圧検出回路
２４  電流制御回路
２５  検出素子切替回路
３０  ディスク装置内部回路
３１  装置識別手段
【図１】
0004634316.tif 000002
【図２】
0004634316.tif 000003
【図３】
0004634316.tif 000004
【図４】
0004634316.tif 000005
【図５】
0004634316.tif 000006