(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
平均粒子径１〜２０μｍの球状ポリオルガノシロキサン粒子を、酸素の存在下にその中に含まれる有機基の熱分解温度以上の温度で焼成処理することにより、熱分解および酸化させると共に、半球状に分裂させることを特徴とする半球状シリカ微粒子の製造方法。
【請求項２】
焼成処理により、球状ポリオルガノシロキサン粒子の個数の少なくとも３０％を半球状に分裂させる請求項１に記載の方法。
【請求項３】
０．５℃／分以上の昇温速度で有機基の熱分解温度以上の温度に昇温し、焼成処理する請求項１または２に記載の方法。
【請求項４】
酸素濃度１０容量％以上の雰囲気下に焼成処理する請求項１、２または３に記載の方法。
【請求項５】
平均粒子径１〜２０μｍの球状ポリオルガノシロキサン粒子が、一般式（Ｉ）
Ｒ1ｎＳｉ（ＯＲ2）4-n                               ・・・（Ｉ）
（式中、Ｒ1は非加水分解性基であって、炭素数１〜２０のアルキル基、（メタ）アクリロイルオキシ基若しくはエポキシ基を有する炭素数１〜２０のアルキル基、炭素数２〜２０のアルケニル基、炭素数６〜２０のアリール基または炭素数７〜２０のアラルキル基、Ｒ2は炭素数１〜６のアルキル基、ｎは１〜３の整数を示し、Ｒ1が複数ある場合、各Ｒ1はたがいに同一であっても異なっていてもよく、ＯＲ2が複数ある場合、各ＯＲ2はたがいに同一であっても異なっていてもよい。）
で表されるアルコキシシラン化合物を加水分解、縮合させて得られた粒子、またはこの粒子をシード粒子として、粒径成長させてなる粒子である請求項１ないし４のいずれか１項に記載の方法。
【請求項６】
球状ポリオルガノシロキサン粒子の焼成により、該粒子のほぼ中央部より分裂してなる半球状シリカ微粒子であって、平均直径が１〜１８μｍで、かつ窒素吸着比表面積が０．１〜５ｍ2／ｇであることを特徴とする半球状シリカ微粒子。
【請求項７】
請求項６に記載の半球状シリカ微粒子を、個数で少なくとも３０％含むことを特徴とするシリカ微粒子。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半球状シリカ微粒子の製造方法及び半球状シリカ微粒子に関する。
さらに詳しくは、本発明は、シリコンウェーハなどの半導体基板やメモリーハードディスク用基板などの鏡面研磨処理における研磨剤などとして好適な半球状シリカ微粒子を、ゾル−ゲル法により効率よく製造する方法、および上記用途に好適に用いられる半球状シリカ微粒子に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
近年、コンピュータをはじめとするハイテク製品の進捗は目覚ましく、これに使用される半導体素子や各種装置、部品は年々高集積化、高速化、高容量化、小型化などの高機能化の一途をたどっている。
それに伴い、半導体素子の製造においても、サブミクロン、ハーフミクロンの超微細パターンの加工精度が要求されており、基板であるシリコンウェーハも、極めて高い平坦性、無傷性の表面を有するものが求められている。また、メモリーハードディスクにおいても、小型化、大容量化のために、表面の平坦性の高いものが求められている。
【０００３】
このような表面をもつ材料は、鏡面研磨と呼ばれる微細な研磨によって得られるのが一般的である。例えば、半導体素子の製造において用いられるこのような鏡面をもつシリコンウェーハは、単結晶珪素棒を薄い円板状に切断した後、逐次、この薄い円板を鏡面状を呈するまで磨き上げていくことにより造られている。通常、この研磨には、上記切断直後の粗い表面に施されるラッピング工程と、これに続く精密研磨のためのポリシング工程が採用されている。そしてこのポリシング工程において、粗研磨と最終研磨が行われ、鏡面状を呈するシリコンウェーハが造られている。上記ラッピング工程には主としてアルミナ粉末等が使用されるが、上記粗研磨及び最終研磨には、一般に、主成分としてシリカ微粒子を水に分散させたスラリーが使用されている。
【０００４】
一方、メモリーハードディスクの基板には、アルミニウムの表面に下地処理したものが使われ、Ｎｉ−Ｐを化学メッキで付着したものなどが一般的である。アルミニウム基板用の研磨剤には、主成分としてアルミナを水に分散させたスラリーが広く使用されている。また、最近では、小型化、大容量化に対応するためにガラス基板も普及しつつあり、ガラス基板用の研磨剤には酸化セリウム、酸化ジルコニウム、シリカなどを水に分散させたスラリーが使用される。このメモリーハードディスク基板に対しても、前記の半導体基板と同様に、高研磨速度と共に、高い平坦性および無傷性の表面を有するものが要求される。
【０００５】
このような鏡面研磨処理において、研磨剤として用いられるシリカ微粒子は、各種の方法、例えば焼成シリカゲルを粉砕分級する方法、四塩化ケイ素を高温加水分解する方法、ゾル−ゲル法などにより得られるが、これらの方法の中で、焼成シリカゲルを粉砕分級する方法や四塩化ケイ素を高温加水分解する方法は、半導体に悪影響を及ぼす不純物が混入するおそれがあるので、ゾル−ゲル法が好ましい。
【０００６】
シリカ微粒子の性状としては、研磨速度を上げるには、該粒子の粒径を大きくすることが望ましいが、粒径を大きくすると、沈降しやすくなる上、鏡面性が低下するので、最適な粒径を選定することが肝要である。また、無傷性の点から、球状の表面を有することが望ましいが、球状粒子の場合、研磨時に粒子が転がりやすく、研磨効率が向上しないという問題がある。さらに、粒度分布が広いと、粗粒度の粒子が研磨面で嵩高となり、集中的に研磨圧力を受けるために、研磨面に損傷を与えやすいという問題が生じる。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】
本発明は、このような事情のもとで、シリコンウェーハなどの半導体基板やメモリーハードディスク用基板などの鏡面研磨処理における研磨剤として用いた場合、極めて高い平坦性および無傷性の表面を有する基板を与えると共に、研磨速度が速く、しかも研磨剤液中での分散性に優れるシリカ微粒子を、ゾル−ゲル法により効率よく製造する方法、および上記の優れた機能を有するシリカ微粒子を提供することを目的とするものである。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
本発明者らは、前記目的を達成するために鋭意研究を重ねた結果、特定の粒径をもつ球状ポリオルガノシロキサン粒子を、酸素の存在下に、その中に含まれる有機基の熱分解温度以上の温度で焼成処理して、熱分解および酸化させることにより、該粒子を半球状に分裂させてなるものが、前記の優れた機能を有することを見出し、この知見に基づいて、本発明を完成するに至った。
【０００９】
すなわち、本発明は、
（１）平均粒子径１〜２０μｍの球状ポリオルガノシロキサン粒子を、酸素の存在下にその中に含まれる有機基の熱分解温度以上の温度で焼成処理することにより、熱分解および酸化させると共に、半球状に分裂させることを特徴とする半球状シリカ微粒子の製造方法、
（２）球状ポリオルガノシロキサン粒子の焼成により、該粒子のほぼ中央部より分裂してなる半球状シリカ微粒子であって、平均直径が１〜１８μｍで、かつ窒素吸着比表面積が０．１〜５ｍ2／ｇであることを特徴とする半球状シリカ微粒子、および
（３）上記（２）半球状シリカ微粒子を個数で少なくとも３０％含むことを特徴とするシリカ微粒子、
を提供するものである。
【００１０】
【発明の実施の形態】
本発明の半球状シリカ微粒子の製造方法においては、まず、平均粒子径１〜２０μｍの球状ポリオルガノシロキサン粒子を作製する。次いで、この球状ポリオルガノシロキサン粒子を、酸素の存在下に焼成処理して熱分解および酸化させると共に、半球状に分裂させる。
【００１１】
上記の球状ポリオルガノシロキサン粒子としては、非加水分解性基をもつアルコキシシラン化合物を加水分解、縮合させて得られた粒子、または、この粒子をシード粒子として、粒径成長させてなる粒子が好ましい。特に、（Ａ）シード粒子液調製工程、（Ｂ）シード粒子成長工程および（Ｃ）粒子洗浄・乾燥工程を施すことにより得られる球状ポリオルガノシロキサン粒子が好適である。
【００１２】
原料として用いられる非加水分解性基をもつアルコキシシラン化合物としては、一般式（Ｉ）
Ｒ1ｎＳｉ（ＯＲ2）4-n                               ・・・（Ｉ）
（式中、Ｒ1は非加水分解性基であって、炭素数１〜２０のアルキル基、（メタ）アクリロイルオキシ基若しくはエポキシ基を有する炭素数１〜２０のアルキル基、炭素数２〜２０のアルケニル基、炭素数６〜２０のアリール基または炭素数７〜２０のアラルキル基、Ｒ2は炭素数１〜６のアルキル基、ｎは１〜３の整数を示し、Ｒ1が複数ある場合、各Ｒ1はたがいに同一であっても異なっていてもよく、ＯＲ2が複数ある場合、各ＯＲ2はたがいに同一であっても異なっていてもよい。）
で表されるアルコキシシラン化合物を挙げることができる。
【００１３】
上記一般式（Ｉ）におけるＲ1において、炭素数１〜２０のアルキル基としては、炭素数１〜１０のものが好ましく、またこのアルキル基は直鎖状、分岐状、環状のいずれであってもよい。このアルキル基の例としては、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、イソブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、オクチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基などが挙げられる。（メタ）アクリロイルオキシ基若しくはエポキシ基を有する炭素数１〜２０のアルキル基としては、上記置換基を有する炭素数１〜１０のアルキル基が好ましく、またこのアルキル基は直鎖状、分岐状、環状のいずれであってもよい。この置換基を有するアルキル基の例としては、γ−アクリロイルオキシプロピル基、γ−メタクリロイルオキシプロピル基、γ−グリシドキシプロピル基、３，４−エポキシシクロヘキシル基などが挙げられる。炭素数２〜２０のアルケニル基としては、炭素数２〜１０のアルケニル基が好ましく、また、このアルケニル基は直鎖状、分岐状、環状のいずれであってもよい。このアルケニル基の例としては、ビニル基、アリル基、ブテニル基、ヘキセニル基、オクテニル基などが挙げられる。炭素数６〜２０のアリール基としては、炭素数６〜１０のものが好ましく、例えばフェニル基、トリル基、キシリル基、ナフチル基などが挙げられる。炭素数７〜２０のアラルキル基としては、炭素数７〜１０のものが好ましく、例えばベンジル基、フェネチル基、フェニルプロピル基、ナフチルメチル基などが挙げられる。
【００１４】
一方、Ｒ2で示される炭素数１〜６のアルキル基は、直鎖状、分岐状、環状のいずれであってもよく、その例としては、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、イソブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基などが挙げられる。
【００１５】
前記一般式（Ｉ）で表されるアルコキシシラン化合物の例としては、メチルトリメトキシシラン、メチルトリエトキシシラン、メチルトリプロポキシシラン、メチルトリイソプロポキシシラン、エチルトリメトキシシラン、エチルトリエトキシシラン、プロピルトリエトキシシラン、ブチルトリメトキシシラン、フェニルトリメトキシシラン、フェニルトリエトキシシラン、ビニルトリメトキシシラン、ビニルトリエトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、γ−アクリロイルオキシプロピルトリメトキシシラン、γ−メタクリロイルオキシプロピルトリメトキシシラン、ジメチルジメトキシシラン、メチルフェニルジメトキシシランなどが挙げられる。これらの中で、特にメチルトリメトキシシランおよびビニルトリメトキシシランが好適である。これらのアルコキシシラン化合物は、一種を単独で用いてもよいし、２種以上を組み合わせて用いてもよい。
【００１６】
次に、各工程について説明する。
（Ａ）シード粒子液調製工程
この（Ａ）工程は、前記一般式（Ｉ）で表されるアルコキシシラン化合物を加水分解、縮合させて、シード粒子液を調製する工程である。
【００１７】
この（Ａ）工程においては、所望によりノニオン性界面活性剤を含有する水性溶液に、前記一般式（Ｉ）で表されるアルコキシシラン化合物を溶解させ、ここにアンモニアおよび／またはアミンを添加し、該アルコキシシラン化合物を加水分解・縮合させる。上記アンモニアやアミンは、該アルコキシシラン化合物の加水分解・縮合の触媒である。ここで、アミンとしては、例えばモノメチルアミン、ジメチルアミン、モノエチルアミン、ジエチルアミン、エチレンジアミンなどを好ましく挙げることができる。このアンモニアやアミンは単独で用いてもよいし、２種以上を組み合わせて用いてもよいが、毒性が少なく、除去が容易で、かつ安価なことから、アンモニアが好適である。
【００１８】
ノニオン性界面活性剤を含有する水性溶液としては、水または水と水混和性有機溶剤との混合溶剤にノニオン性界面活性剤を溶解した溶液が挙げられる。ここで、水混和性有機溶剤の例としては、メタノール、エタノール、プロパノール、ブタノールなどの低級アルコール類、アセトン、ジメチルケトン、メチルエチルケトンなどのケトン類、ジエチルエーテル、ジプロピルエーテルなどのエーテル類などが挙げられる。これらは単独で水と混合してもよいし、２種以上を組み合わせて水と混合してもよい。
アンモニアやアミンの使用量としては特に制限はないが、反応開始前の水層のｐＨが、７．５〜１１．０の範囲になるように選定するのが好ましい。
【００１９】
本発明においては、所望により用いられるノニオン性界面活性剤として、ＨＬＢ値が８〜２０の範囲にあるものが好ましく用いられる。このＨＬＢは、親水性と親油性のバランスを表す指標であり、その値が小さいほど、親油性が高い。ＨＬＢ値が上記範囲を逸脱するものでは、本発明の効果が十分に発揮されない。本発明の効果をよりよく発揮させるには、ＨＬＢ値が１０〜１７の範囲にあるものが好ましい。
【００２０】
反応形式としては特に制限はなく、混合均一系反応および２層系反応のいずれも用いることができるが、粒度分布の変動係数（ＣＶ値）が小さく、粒径精度のよい粒子が得られ、かつ反応操作が容易で、比重によって原料の種類が制限されない混合均一系反応の方が有利である。
この混合均一系反応においては、原料のアルコキシシラン化合物として、水性媒体に対して混和性を有するものであればよく、特に制限がないが、なかでも水性媒体に溶解しやすいもの、例えばメトキシ基を有するケイ素化号物が好適である。
【００２１】
まず、このアルコキシシラン化合物を、ノニオン性界面活性剤を有する水性溶液に添加し、通常０〜５０℃程度の温度で攪拌して均一な水性溶液とする。この水性溶液を攪拌しながら、触媒として、好ましくはアンモニアおよび／またはアミン含有水性溶液を一気に添加し、アルコキシシラン化合物を加水分解、縮合させて、シード粒子を形成させ、シード粒子液とする。
【００２２】
（Ｂ）シード粒子成長工程
この（Ｂ）工程は、上記（Ａ）工程で得られたシード粒子を成長させる工程であって、まず、別途ビルドアップ溶液を調製する。
このビルドアップ溶液は、水または水と前述の水混和性有機溶剤との混合溶剤からなる水性媒体に、一般式（Ｉ）で表されるアルコキシシラン化合物を溶解させることにより調製することができる。このビルドアップ溶液におけるアルコキシシラン化合物の濃度としては、水性媒体１リットルに対し、アルコキシシラン化合物の含有量が８〜２０モルの範囲が好ましい。アルコキシシラン化合物の濃度が上記範囲より低いと焼成時に粒子の割れが生じにくくなるおそれがあるし、一方、上記範囲より高い場合には、粒度分布の変動係数（ＣＶ値）が３％を超え単分散粒子が得られにくくなる。
なお、該変動係数（ＣＶ値）は下式により求められる。
ＣＶ値（％）＝（粒径の標準偏差／平均粒径）×１００
【００２３】
次に、このようにして調製されたビルトアップ溶液をゆっくり撹拌しながら、これに前記（Ａ）工程で得られたシード粒子液を添加し、粒子を成長させる。この際の反応温度は、原料のアルコキシシラン化合物の種類などに左右されるが、一般的には０〜６０℃の範囲である。この成長反応においては、シード粒子液添加後のビルドアップ溶液中のアンモニア濃度（触媒としてアンモニアを用いた場合）は、０．００１モル／リットル以下が好ましい。このアンモニア濃度が０．００１モル／リットルを超えると、焼成時に粒子の割れが生じにくくなる。
【００２４】
シード粒子液添加後、粒径成長が停止したことを確認したのち、アンモニアおよび／またはアミンを添加して熟成させる。
アンモニアやアミンの添加量は特に制限はないが、反応系のｐＨが９．０〜１２．０の範囲になるように選ぶのが望ましい。熟成温度は上記の反応の際と同じ温度で行ってもよいし、若干昇温して行ってもよい。また、熟成時間は反応温度やｐＨなどによって左右され、一概に定めることはできないが、通常は１〜２０時間程度で充分である。
このようにして、平均粒子径１〜２０μｍの真球状ポリオルガノシロキサン粒子を形成させる。この粒子は、ＣＶ値が通常３％以下の単分散粒子である。
【００２５】
（Ｃ）粒子洗浄・乾燥工程
この（Ｃ）工程は、上記（Ｂ）工程で得られたポリオルガノシロキサン粒子を洗浄、乾燥処理する工程である。
この工程における該粒子の洗浄処理としては特に制限はなく、常法に従い、メタノールなどの低級アルコールを用いて、十分に洗浄処理する。
洗浄処理後、必要ならば分級処理を行い、極大粒子または極小粒子を取り除き、乾燥処理を行ってもよい。分級処理方法としては特に制限はないが、粒径により沈降速度が異なるのを利用して分級を行う湿式分級法が好ましい。乾燥処理は、通常１００〜２００℃の範囲の温度で行われる。
【００２６】
本発明の半球状シリカ微粒子の製造方法においては、このようにして得られた平均粒子径１〜２０μｍの単分散真球状ポリオルガノシロキサン粒子を焼成処理して熱分解および酸化させ、半球状に分裂させる。
【００２７】
焼成処理は、酸素の存在下に、該粒子中に含まれる有機基の熱分解温度以上の温度で焼成を行い、該粒子を熱分解および酸化させる。この焼成処理は酸素存在下で実施されるが、酸素濃度は１０容量％以上が好ましく、特に経済性の面から空気中で焼成するのが有利である。焼成温度は通常３００〜１１００℃の範囲である。この温度が３００℃未満では焼成が不十分であるし、また、１１００℃より高い温度で焼成する必要はなく、１１００℃以下の温度で、十分に焼成することができる。
【００２８】
焼成処理に空気を用いる場合には、１分間に焼成炉容量の６％以上の空気を流通させるのが好ましい。また、昇温速度は、速い方が割れ粒子の発生率が高くなり、少なくとも０．５℃／分以上が望ましい。焼成装置については特に制限はなく、電気炉やロータリーキルンなどを用いることができる。
この焼成処理により、通常球状ポリオルガノシロキサン粒子の個数の少なくとも３０％、好ましくは５０％以上、より好ましくは７０％以上を、半球状に分裂させるのがよい。
【００２９】
本発明においては、このようにして焼成処理されたポリオルガノシロキサン粒子は、通常真球状粒子と半球状粒子との混合物であり、そのまま使用してもよいし、公知の手段により分級処理し、半球状粒子のみを得ることもできる。シリコンウェーハなどの半導体基板やメモリーハードディスク用基板の鏡面研磨処理に用いられる研磨剤用途を想定する場合は、分級処理し、半球状粒子のみとするのが好ましい。
【００３０】
本発明はまた、球状ポリオルガノシロキサン粒子の焼成により、該粒子のほぼ中央部より分裂してなる半球状シリカ微粒子であって、平均直径が１〜１８μｍで、かつ窒素吸着比表面積が０．１〜５ｍ2／ｇである半球状シリカ微粒子を提供すると共に、この半球状シリカ微粒子を、個数で少なくとも３０％含むシリカ微粒子をも提供する。
なお、前記窒素吸着比表面積は、ＡＳＴＭ  Ｄ４８２０−９３に準拠して測定した値である。
前記の半球状シリカ微粒子は、特にシリコンウェーハなどの半導体基板やメモリーハードディスク用基板などの鏡面研磨処理における研磨剤として好適である。
【００３１】
【実施例】
次に、本発明を実施例によりさらに詳細に説明するが、本発明は、これらの例によってなんら限定されるものではない。
【００３２】
実施例１
（１）シード粒子液の調製
イオン交換水５０００ｇに、メチルトリメトキシシラン（以下、ＭＴＭＳと略記する。）５００ｇと、ポリオキシエチレンアルキルエーテル系ノニオン性界面活性剤「ノイゲンＥＡ−１３７（ＨＬＢ１３）」（第一工業製薬社製、商品名）の０．１重量％水溶液５ミリリットルを加え、３０℃にて１００ｐｐｍで攪拌した。ＭＴＭＳ添加当初は、水溶液中に油滴の状態で分散していたが、約３時間後、ＭＴＭＳは完全に溶解して均一溶液となった。
【００３３】
上記で調製した溶液の、攪拌速度を３０ｒｐｍに下げ、これに１モル／リットルアンモニア水５０ミリリットルを一気に添加した。アンモニア水を添加してから２分後には、粒子が成長し、溶液が白濁した。アンモニア水添加３０分後のシード粒子液のｐＨは９．４７であった。上記アンモニア水添加３０分後のシード粒子液０．２ミリリットルを、０．１重量％ポリビニルアルコール水溶液２ミリリットルに加え、ただちにコールターカウンターで粒子径を測定した。その結果、シード粒子は、平均粒子径２．５６９μｍ（ＣＶ値１．４９％）であった。
【００３４】
（２）シード粒子成長工程
撹拌装置付きの反応容器に、イオン交換水３３０００ｇ、ＭＴＭＳ４９５０ｇを仕込み、３０℃にて１００ｒｐｍで撹拌した。３時間後、ＭＴＭＳは水に完全に溶解し、均一な溶液となった。次いで、撹拌速度を２０ｒｐｍに落とし、上記（１）で得られたシード粒子液のうち、１４５０ｇを添加した。
シード粒子液の添加後から１０分後に、光学顕微鏡ビデオミクロメーター（オリンパス社製ビデオミクロメーター「ＶＭ−５０」）で粒子径を測定した。添加２時間５０分後と３時間後は、いずれも粒子径が約９．５μｍであり、粒径成長が終了したと判断し、２５重量％アンモニア水５００ｇを定量ポンプにて滴下して熟成を室温で１６時間行った。
このようにして得られた粒子の粒子径をコールターカウンターにより測定したところ、平均粒子径９．４５３μｍ（ＣＶ値１．７４％）であった。
【００３５】
（３）焼成工程
上記（２）で得られた粒子を遠心分離器で水と分離したのち、メタノールを用いて洗浄後乾燥させた。この乾燥粒子４００ｇを、容積４０リットルのマッフル炉（中外エンジニアリング社製）に入れ、空気導入量４リットル／分、昇温速度２℃／分の条件で４００℃まで昇温し、この温度で２４時間保持した。その後、同じ昇温速度で６００℃まで昇温し、この温度で９時間保持した。
焼成後粒子を光学顕微鏡により観察したところ、半球状に分裂した粒子が観察された。コールターカウンターにより観察したところ、真球状である粒子（平均粒径７．８μｍ）が個数にして２９％に対し、半球状に分裂した粒子の個数は７１％であった。
図１に、焼成後粒子のコールターカウンターチャートを示し、図２に、半球状シリカ粒子の走査型電子顕微鏡写真図を示す。
【００３６】
実施例２
実施例１（３）の焼成工程において、昇温速度を２℃／分から１０℃／分に変更して焼成したところ、真球状の粒子が、個数にして１１％に対し、半球状に割れた粒子の個数は８９％であった。
図３に、焼成後粒子のコールターカウンターチャートを示す。
【００３７】
実施例３
実施例１（３）の焼成工程において、昇温速度を２℃／分から１℃／分に変更して焼成したところ、真球状の粒子が、個数にして４１％に対し、半球状に割れた粒子の個数は５９％であった。
【００３８】
比較例１
実施例１（３）の焼成工程において、昇温速度を２℃／分から０．２℃／分に変更して焼成したところ、全ての粒子が真球状の粒子であり、半球状に割れた粒子の発生は認められなかった。
【００３９】
比較例２
実施例１（３）の焼成工程において、焼成時に空気の代わりに窒素ガスを用いて焼成したところ、全ての粒子が真球状の粒子であり、半球状に割れた粒子の発生は認められなかった。
【００４０】
【発明の効果】
本発明によれば、真球状シリカ微粒子のほぼ中央部より分裂してなる半球状シリカ微粒子を効率よく製造することができる。この半球状シリカ微粒子は、不純物の混入が少なく、シリコンウェーハなどの半導体基板やメモリーハードディスク用基板などの鏡面研磨処理における研磨剤として好適であり、これを用いることにより、極めて高い平坦性および無傷性の表面を有する基板を与えると共に、研磨速度が速く、しかもこの粒子は、研磨剤液中での分散性にも優れている。
【図面の簡単な説明】
【図１】実施例１における焼成後粒子のコールターカウンターチャートである。
【図２】実施例１で得られた半球状シリカ粒子の走査型電子顕微鏡写真図である。
【図３】実施例２における焼成後粒子のコールターカウンターチャートである。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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