(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
ガラス基体と、前記ガラス基体に陽極接合されるシリコン基体と、前記ガラス基体および前記シリコン基体のうち少なくともいずれか一方に形成される孔に充填されて、０．００１重量％〜１．０重量％の含有量でアルミニウムを含む亜鉛アルミニウム合金から構成される導体とを備えることを特徴とする構造体。
【請求項２】
請求項１に記載の構造体において、前記孔は前記シリコン基体および前記シリコン基板の前記少なくともいずれか一方を貫通する貫通孔であることを特徴とする構造体。
【請求項３】
請求項１または２に記載の構造体において、前記孔のアスペクト比は３以上に設定されることを特徴とする構造体。
【請求項４】
ガラス基板と、前記ガラス基板に陽極接合されるシリコン基板と、前記ガラス基板および前記シリコン基板のうち少なくともいずれか一方に形成される孔に充填されて、０．００１重量％〜１．０重量％の含有量でアルミニウムを含む亜鉛アルミニウム合金から構成される導体とを備えることを特徴とする配線基板。
【請求項５】
請求項４に記載の配線基板において、前記ガラス基板および前記シリコン基板の前記少なくともいずれか一方の表面には、アルミニウムまたは銅から構成されて、前記導体に接続される配線パターンが形成されることを特徴とする配線基板。
【請求項６】
請求項４または５に記載の配線基板において、前記孔は前記シリコン基体および前記シリコン基板の前記少なくともいずれか一方を貫通する貫通孔であることを特徴とする配線基板。
【請求項７】
請求項４〜６のいずれか１項に記載の配線基板において、前記孔のアスペクト比は３以上に設定されることを特徴とする配線基板。
【請求項８】
ガラス基体またはシリコン基体の孔に、０．００１重量％〜１．０重量％の含有量でアルミニウムを含む亜鉛アルミニウム合金を充填する工程と、少なくとも部分的に前記ガラス基体またはシリコン基体の表面に露出する前記亜鉛アルミニウム合金の導体に接続される配線を形成する工程と、少なくとも前記導体および配線に加熱処理を施す工程と、前記ガラス基体または前記シリコン基体にシリコン基体またはガラス基体を陽極接合する工程とを備えることを特徴とする配線付き構造体の製造方法。
【請求項９】
ガラス基体またはシリコン基体の孔に、０．００１重量％〜１．０重量％の含有量でアルミニウムを含む亜鉛アルミニウム合金を充填する工程と、無酸素雰囲気下で、少なくとも部分的に前記ガラス基体または前記シリコン基体の表面に露出する前記亜鉛アルミニウム合金の導体に接続される配線を形成する工程と、前記ガラス基体または前記シリコン基体にシリコン基体またはガラス基体を陽極接合する工程とを備えることを特徴とする配線付き構造体の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基体と、基体の孔に充填される導体とを備える構造体に関する。特に、本発明は、そういった構造体で構成される配線基板に関する。
【背景技術】
【０００２】
いわゆる小型のパッケージ基板でスルーホールの形成が模索される。パッケージ基板では、一般の大型プリント基板に比べてスルーホールのアスペクト比が大きいだけでなくスルーホールの内径が小さい。スルーホールの内側に導体が充填されなければ、電気抵抗が著しく増大してしまう。
【特許文献１】特開平１１−３４０６１０号公報
【特許文献２】特開２００２−４３７５１号公報
【特許文献３】特開２００３−１１０２４３号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
例えば特許文献２では、スルーホールにはんだ合金が充填される。しかしながら、はんだ合金の融点は比較的に低いことから、その後のパッケージ基板の実装時などにはんだ合金は溶融してしまう。溶融したはんだ合金はスルーホールから漏れ出てしまう。例えば特許文献３では、スルーホールに導電ペーストが充填される。しかしながら、こういった導電ペーストは２程度を越えるアスペクト比のスルーホールには充填されることはできない。その他、スルーホールの充填にあたって例えば銅の無電解めっきが考えられる。しかしながら、スルーホールの充填には相当程度の処理時間が要求される。生産効率が著しく低い。
【０００４】
本発明は、上記実状に鑑みてなされたもので、基体の孔の充填に大いに役立つ導体を提供することを目的とする。本発明は、そういった導体に基づき実現される構造体や配線基板、それらの製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
上記目的を達成するために、第１発明によれば、基体と、基体の孔に充填されて、亜鉛もしくは亜鉛アルミニウム合金から構成される導体とを備えることを特徴とする構造体が提供される。
【０００６】
亜鉛もしくは亜鉛アルミニウム合金は摂氏３７５度以上の温度で溶融する。溶融した亜鉛もしくは亜鉛アルミニウム合金は基体の孔に確実に充填されることができる。亜鉛もしくは亜鉛アルミニウム合金は導電性を有することから、孔は確実に導体で塞がれることができる。こういった構造体は、例えば二次的にはんだ合金の溶融温度に曝されても固体状態を維持することができる。
【０００７】
亜鉛アルミニウム合金が用いられる場合には、亜鉛アルミニウム合金は１．０重量％以下のアルミニウムを含むことが望まれる。こうした亜鉛アルミニウム合金によれば、融点は摂氏４００度以上に維持されることができる。したがって、例えば陽極接合といった高温処理にあたって固体状態を維持することができる。亜鉛アルミニウム合金は２０．０重量％以下のアルミニウムを含んでもよい。こういった亜鉛アルミニウム合金によれば、融点は摂氏３７０度〜摂氏４４０度の範囲に維持されることができる。アルミニウムの含有量は曝される温度に応じて２０．０重量％以下の範囲で適宜に設定されればよい。
【０００８】
構造体の孔は基体を貫通する貫通孔であればよい。貫通孔であれば、確実に溶融状態の亜鉛もしくは亜鉛アルミニウム合金は孔に充填されることができる。孔のアスペクト比は３以上に設定されればよい。こういったアスペクト比の孔に対して溶融状態の亜鉛もしくは亜鉛アルミニウム合金は確実に充填されることができる。
【０００９】
基体はガラス基板またはシリコン基板から構成されてもよい。ガラス基板やシリコン基板のビッカーズ硬度は例えば５５０［Ｈｖ］程度に達する。その一方で、亜鉛や、２０．０重量％以下でアルミニウムを含む亜鉛アルミニウム合金は１１０［Ｈｖ］以下のビッカーズ硬度を有する。したがって、ガラス基板やシリコン基板の孔に亜鉛や亜鉛アルミニウム合金が充填されても、温度変化に応じて孔中の亜鉛や亜鉛アルミニウム合金の導体の破壊は確実に回避されることができる。
【００１０】
第２発明によれば、基板と、基板の孔に充填されて、亜鉛もしくは亜鉛アルミニウム合金から構成される導体とを備えることを特徴とする配線基板が提供される。
【００１１】
亜鉛もしくは亜鉛アルミニウム合金は摂氏３７５度以上の温度で溶融する。溶融した亜鉛もしくは亜鉛アルミニウム合金は基板の孔に確実に充填されることができる。亜鉛もしくは亜鉛アルミニウム合金は導電性を有することから、孔は確実に導体で塞がれることができる。こういった配線基板は、例えば二次的にはんだ合金の溶融温度に曝されても固体状態を維持することができる。前述と同様に、孔は基板を貫通する貫通孔であればよい。
【００１２】
孔の内壁には少なくともニッケルめっき膜および金めっき膜のいずれかが形成されてもよい。こういっためっき膜によれば、溶融した亜鉛や亜鉛アルミニウム合金は孔内に確実に進入することができる。
【００１３】
こういった配線基板では、アルミニウムまたは銅から構成されて、導体に接続される配線パターンが基板の表面に形成されてもよい。例えば亜鉛アルミニウム合金では、亜鉛単体に比べて表面酸化膜の成長が抑制される。その結果、導体と配線パターンとの間で確実に電気導通は確保されることができる。基板はガラス、シリコンおよびセラミックのいずれかから構成されればよい。こういった基板は特に小型のパッケージ基板に利用されることができる。
【００１４】
第３発明によれば、少なくとも部分的に基体の表面に露出する亜鉛アルミニウム合金の導体に接続される配線を形成する工程と、少なくとも導体および配線に加熱処理を施す工程とを備えることを特徴とする配線付き構造体の製造方法が提供される。
【００１５】
こういった製造方法によれば、加熱処理に基づき導体および配線の間で化学反応が促進される。その結果、導体中および配線中の酸素が解放される。こうして導体および配線の接合面では酸化が解消される。電気抵抗は減少する。導体および配線の間で電気導通が確立される。
【００１６】
前述と同様に、亜鉛アルミニウム合金は１．０重量％以下のアルミニウムを含むことが望まれる。その他、亜鉛アルミニウム合金は２０．０重量％以下のアルミニウムを含んでもよい。孔は基体を貫通する貫通孔であることが望まれる。孔のアスペクト比は３以上に設定されればよい。基体はガラス、シリコンおよびセラミックのいずれかから構成されればよい。基体はガラス基板、シリコン基板およびセラミック基板のいずれかから構成されてもよい。配線はアルミニウムまたは銅から構成されればよい。配線は、基体の表面に積層される配線パターンであってもよい。
【００１７】
第４発明によれば、無酸素雰囲気下で、少なくとも部分的に基体の表面に露出する亜鉛アルミニウム合金の導体に接続される配線を形成する工程を備えることを特徴とする配線付き構造体の製造方法が提供される。
【００１８】
こういった製造方法では、亜鉛アルミニウム合金の導体ではアルミニウムの添加に基づき表面酸化層の成長が抑制される。その結果、無酸素雰囲気下で導体に配線が接続されると、導体および配線の間で電気導通が確立される。
【発明の効果】
【００１９】
以上のように本発明によれば、基体の孔の充填に大いに役立つ導体は提供されることができる。そういった導体に基づき、有用な構造体や配線基板、構造体の製造方法は実現されることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２０】
以下、添付図面を参照しつつ本発明の一実施形態を説明する。
【００２１】
図１は本発明の第１実施形態に係るパッケージ基板１１を概略的に示す。このパッケージ基板１１はガラス基板１２を備える。ガラス基板１２の表面には配線パターン１３が形成される。配線パターン１３は例えばアルミニウムや銅といった導電材料から形成される。配線パターン１３には例えば複数のパッド１３ａ、１３ｂが区画される。パッド１３ａはガラス基板１２の周縁に沿って配置される。パッド１３ｂはパッド１３ａよりも内側に配置される。パッケージ基板１１ではガラス基板１２に代えてシリコン基板やセラミック基板といった無機材料基板が用いられてもよい。ここでは、ガラス基板１２の厚みは例えば４００μｍ程度に設定される。ただし、こういった厚みに限定されるわけではない。
【００２２】
図２に示されるように、ガラス基板１２には複数の貫通孔１４が穿たれる。貫通孔１４は、ガラス基板１２の表面に直交する垂直方向に延びる。貫通孔１４はガラス基板１２の表面から裏面に突き抜ける。貫通孔１４の内径は２０μｍ〜１００μｍ程度に設定される。その結果、貫通孔１４のアスペクト比Ｌ／ｄは４〜２０程度に設定される。
【００２３】
個々の貫通孔１４内には柱状導体１５が埋め込まれる。柱状導体１５は完全に貫通孔１４を塞ぐ。この柱状導体１５は亜鉛もしくは亜鉛アルミニウム合金から構成される。後述されるように、柱状導体１５には亜鉛アルミニウム合金が用いられることが望まれる。ここでは、貫通孔１４の内面にはニッケルめっき膜１６および金めっき膜１７が順番に積層される。柱状導体１５はガラス基板１２の表面で配線パターン１３のパッド１３ｂに接続される。亜鉛アルミニウム合金の採用によれば、パッド１３ｂと柱状導体１５との間で確実に電気導通は確立されることができる。
【００２４】
ガラス基板１２の裏面にはボールグリッドアレイ１８が形成される。ボールグリッドアレイ１８は複数個のボール端子１９、１９…を備える。ボール端子１９は例えばはんだで形成されればよい。個々のボール端子１９は、例えばガラス基板１２の裏面に形成される金属パッド２１上に受け止められる。金属パッド２１は例えばアルミニウムや銅といった導電材料から形成されればよい。個々の金属パッド２１はガラス基板１２の裏面で対応の柱状導体１５に接続される。こうして配線パターン１３からボール端子１９まで信号経路は確立されることができる。
【００２５】
パッケージ基板１１の製造にあたって、例えば図３に示されるように、ガラス基板１２は用意される。ガラス基板１２には任意の行列に従って貫通孔１４が穿たれる。貫通孔１４の内径は例えば２０μｍ〜１００μｍ程度に設定される。こういった貫通孔１４の形成にあたって例えばレーザビームやディープリアクティブイオンエッチング（ＲＩＥ）、サンドブラストが用いられればよい。
【００２６】
続いてガラス基板１２にはニッケルおよび金の無電解めっきが相次いで施される。こうして貫通孔１４の内面には、図４に示されるように、ニッケルめっき膜１６および金めっき膜１７が相次いで積層される。その後、ガラス基板１２は超音波洗浄機中でフラックスに浸される。例えば１分間にわたって超音波は適用される。こうして貫通孔１４にフラックスは充填される。
【００２７】
続いて貫通孔１４には亜鉛アルミニウム合金が充填される。図５に示されるように、ガラス基板１２は溶融状態の亜鉛アルミニウム合金２２に浸される。こうした浸漬にあたって噴流はんだ槽が用いられる。このとき、ガラス基板１２の裏面は噴流の向きに直交する。浸漬は大気中で実施されればよい。浸漬に先立ってガラス基板１２は常温に維持されればよい。１０秒程度の浸漬で亜鉛アルミニウム合金２２は貫通孔１４に十分に充填される。毛細管現象の働きで亜鉛アルミニウム合金２２はガラス基板１２の裏面から表面に到達する。その後、ガラス基板１２は常温まで冷却される。こうして柱状導体１５は形成される。
【００２８】
ガラス基板１２の表面および裏面にはラッピング処理すなわち研磨処理が施される。この研磨処理に基づきガラス基板１２の表面や裏面で貫通孔１４から盛り上がる柱状導体１５は除去される。同時に、ガラス基板１２の表面や裏面に付着するニッケルめっき膜１６や金めっき膜１７は除去される。ガラス基板１２の表面および裏面では平坦面が確立される。図６に示されるように、平坦面で柱状導体１５は露出する。
【００２９】
その後、ガラス基板１２の表面には配線パターン１３が形成される。大気中でアルミニウムの蒸着が実施される。蒸着に先立ってガラス基板１２の表面には例えばレジスト膜が形成されればよい。レジスト膜は配線パターン１３の形状を象る。同様に、ガラス基板１２の裏面には金属パッド２１が形成される。配線パターン１３や金属パッド２１の形成後にレジスト膜は除去されればよい。
【００３０】
配線パターン１３や金属パッド２１が形成されると、ガラス基板１２には加熱処理が施される。例えばガラス基板１２は摂氏１５０度の雰囲気中で２時間にわたって放置されればよい。こういった加熱処理に応じて柱状導体１５中の亜鉛が配線パターン１３のパッド１３ｂや金属パッド２１に拡散する。配線パターン１３と柱状導体１５との接合面で金属間接合が促進される。同様に金属パッド２１と柱状導体１５との接合面で金属間接合が促進される。こうして配線パターン１３と柱状導体１５との間および金属パッド２１および柱状導体１５との間で電気導通は確立される。
【００３１】
本発明者は亜鉛と亜鉛アルミニウム合金との相違を検証した。検証にあたって、本発明者は、前述の研磨処理後にガラス基板１２の表面で露出する柱状導体１５の酸化具合を観察した。観察にあたって、亜鉛単体の柱状導体１５、０．６５重量％のアルミニウムを含む亜鉛アルミニウム合金Ｚｎ−０．６５Ａｌの柱状導体１５、および２．０重量％のアルミニウムを含む亜鉛アルミニウム合金Ｚｎ−２．０Ａｌの柱状導体１５が用意された。柱状導体１５の露出面で酸素の含有量が測定された。オージェ電子分光装置（ＡＥＳ）が用いられた。測定にあたって柱状導体１５はエッチング処理に曝された。エッチング処理の進行に伴い柱状導体１５はエッチング前の露出面から徐々に削られた。こうして最初の露出面からの深さごとに柱状導体１５中の酸素濃度は特定された。その結果、図７に示されるように、アルミニウムの添加に応じて表面酸化膜の薄型化が達成された。表面酸化膜の膜厚は２分の１未満に抑制された。本発明者の観察によれば、１０ｐｐｍ以上の含有量でＺｎ−０．６５ＡｌおよびＺｎ−２．０Ａｌと同等な表面酸化膜は確保されることが確認された。
【００３２】
続いて本発明者はアルミニウム製の配線パターン１３とＺｎ−０．６５Ａｌの柱状導体１５との間で電気導通状態を観察した。加熱処理の前後で信号の導通が観察された。その結果、加熱処理以前には配線パターン１３および柱状導体１５の間で信号の導通は確認されることができなかった。その一方で、前述の加熱処理後には配線パターン１３および柱状導体１５の間で電気導通が確認された。ここで、本発明者は加熱処理の前後で配線パターン１３および柱状導体１５の組成を観察した。観察にあたって、前述と同様に、オージェ電子分光装置が用いられた。図８に示されるように、柱状導体１５ではガラス基板１２の表面すなわち配線パターン１３との接合面に向かってアルミニウムの偏析が確認された。同時に、柱状導体１５から配線パターン１３に向かって亜鉛の拡散が確認された。図９に示されるように、加熱処理後には接合面で酸素の減少が確認された。酸素の減少すなわち酸化の解消が電気導通の確立に寄与することが確認された。同時に、加熱処理に基づき亜鉛の拡散が促進されたことが確認された。アルミナ（Ａｌ２Ｏ３）中のアルミニウムと酸化亜鉛（ＺｎＯ）中の亜鉛とが加熱に基づき化合物ＺｎｎＡｌｍを形成した結果、アルミナ中および酸化亜鉛中の酸素が解放されたことが予想される。こういった化学反応は銅製の配線パターン１３にも同様に当てはめられることができると容易に予想される。その他、配線パターン１３の形成にあたって例えばＲＦ（高周波）プラズマ処理が用いられると、常温のままで配線パターン１３および柱状導体１５の間に電気導通が確認された。この場合には、ＲＦプラズマ処理の実施にあたって所定の真空状態が確立された。こうして無酸素状態で配線パターン１３の形成が実施されると、前述の加熱処理は省略されることができる。
【００３３】
次に本発明者は亜鉛アルミニウム合金の融点を測定した。その結果、図１０に示されるように、アルミニウムの含有量が０．００１重量％〜２０．０重量％の範囲で設定されると、融点は確実に摂氏３７０度〜摂氏４４０度の間に留まることが確認された。こういった温度範囲であれば、亜鉛アルミニウム合金の充填時にガラス基板１２の負荷は十分に軽減されることができる。しかも、アルミニウムの含有量が１．０重量％以下に設定されると、融点は摂氏４００度以上に維持されることが確認された。アルミニウムの含有量が８０．０重量％を越えると、融点は摂氏５７０度を越えてしまった。
【００３４】
次に本発明者は亜鉛アルミニウム合金の硬度を測定した。その結果、図１１に示されるように、アルミニウムの含有量が０．００１重量％〜２０．０重量％の範囲で設定されると、硬度は確実に１１０［Ｈｖ］以下に留まることが確認された。しかも、アルミニウムの含有量が１６．０重量％から減少するにつれて、硬度は減少することが確認された。アルミニウムの含有量が０．００１重量％に設定されると、３７．８６［ＨＶ］の硬度が得られた。
【００３５】
図１２は本発明の第２実施形態に係るパッケージ基板１１ａを概略的に示す。このパッケージ基板１１ａではガラス基板１２上にシリコン基板２３が接合される。この接合にあたって例えば陽極接合が用いられる。シリコン基板２３上の信号線は例えばパッド１３ａに接続される。その結果、シリコン基板２３上で周縁に沿って配置される信号線はガラス基板１２のボール端子１９、１９…から集中的に取り出されることができる。その他、前述の第１実施形態と均等な構成や構造には同一の参照符号が付される。
【００３６】
こういったパッケージ基板１１ａの実現にあたって柱状導体１５には亜鉛アルミニウム合金が用いられる。ここでは、陽極接合の温度に応じて亜鉛アルミニウム合金中でアルミニウムの含有量が設定されればよい。例えばアルミニウムの含有量が０．００１重量％〜１．０重量％の範囲で設定されれば、前述のように融点は摂氏４００度以上に維持される。その結果、たいていの陽極接合では柱状導体１５の再溶融は確実に回避されることができる。
【００３７】
なお、前述の亜鉛アルミニウム合金２２の浸漬は例えば無酸素雰囲気下で実施されてもよい。こういった場合には、微細な貫通孔１４に確実に溶融状態の亜鉛アルミニウム合金２２は充填されることができる。確実に良好な柱状導体１５は確立されることができる。
【００３８】
（付記１）  基体と、基体の孔に充填されて、亜鉛もしくは亜鉛アルミニウム合金から構成される導体とを備えることを特徴とする構造体。
【００３９】
（付記２）  付記１に記載の構造体において、前記亜鉛アルミニウム合金は１．０重量％以下のアルミニウムを含むことを特徴とする構造体。
【００４０】
（付記３）  付記１に記載の構造体において、前記亜鉛アルミニウム合金は２０．０重量％以下のアルミニウムを含むことを特徴とする構造体。
【００４１】
（付記４）  付記１に記載の構造体において、前記孔は基体を貫通する貫通孔であることを特徴とする構造体。
【００４２】
（付記５）  付記１に記載の構造体において、前記孔のアスペクト比は３以上に設定されることを特徴とする構造体。
【００４３】
（付記６）  付記１に記載の構造体において、前記基体はガラス基板またはシリコン基板から構成されることを特徴とする構造体。
【００４４】
（付記７）  基板と、基板の孔に充填されて、亜鉛もしくは亜鉛アルミニウム合金から構成される導体とを備えることを特徴とする配線基板。
【００４５】
（付記８）  付記７に記載の配線基板において、前記孔は基板を貫通する貫通孔であることを特徴とする配線基板。
【００４６】
（付記９）  付記７に記載の配線基板において、前記孔の内壁には少なくともニッケルめっき膜および金めっき膜のいずれかが形成されることを特徴とする配線基板。
【００４７】
（付記１０）  付記７に記載の配線基板において、前記基板の表面には、アルミニウムまたは銅から構成されて、前記導体に接続される配線パターンが形成されることを特徴とする配線基板。
【００４８】
（付記１１）  付記７に記載の配線基板において、前記基板はガラス、シリコンおよびセラミックのいずれかから構成されることを特徴とする配線基板。
【００４９】
（付記１２）  少なくとも部分的に基体の表面に露出する亜鉛アルミニウム合金の導体に接続される配線を形成する工程と、少なくとも導体および配線に加熱処理を施す工程とを備えることを特徴とする配線付き構造体の製造方法。
【００５０】
（付記１３）  付記１２に記載の配線付き構造体の製造方法において、前記亜鉛アルミニウム合金は１．０重量％以下のアルミニウムを含むことを特徴とする配線付き構造体の製造方法。
【００５１】
（付記１４）  付記１２に記載の配線付き構造体の製造方法において、前記亜鉛アルミニウム合金は２０．０重量％以下のアルミニウムを含むことを特徴とする配線付き構造体の製造方法。
【００５２】
（付記１５）  付記１２に記載の配線付き構造体の製造方法において、前記導体は、基体を貫通する貫通孔に充填されることを特徴とする配線付き構造体の製造方法。
【００５３】
（付記１６）  付記１５に記載の配線付き構造体の製造方法において、前記貫通孔のアスペクト比は３以上に設定されることを特徴とする配線付き構造体の製造方法。
【００５４】
（付記１７）  付記１２に記載の配線付き構造体の製造方法において、前記基体はガラス、シリコンおよびセラミックのいずれかから構成されることを特徴とする配線付き構造体の製造方法。
【００５５】
（付記１８）  付記１２に記載の配線付き構造体の製造方法において、前記基体はガラス基板、シリコン基板およびセラミック基板のいずれかから構成されることを特徴とする配線付き構造体の製造方法。
【００５６】
（付記１９）  付記１２に記載の配線付き構造体の製造方法において、前記配線はアルミニウムまたは銅から構成されることを特徴とする配線付き構造体の製造方法。
【００５７】
（付記２０）  付記１２に記載の配線付き構造体の製造方法において、前記配線は、前記基体の表面に積層される配線パターンであることを特徴とする配線付き構造体の製造方法。
【００５８】
（付記２１）
無酸素雰囲気下で、少なくとも部分的に基体の表面に露出する亜鉛アルミニウム合金の導体に接続される配線を形成する工程を備えることを特徴とする配線付き構造体の製造方法。
【図面の簡単な説明】
【００５９】
【図１】本発明の第１実施形態に係るパッケージ基板の外観を概略的に示す斜視図である。
【図２】パッケージ基板の構造を詳細に示す拡大部分垂直断面図である。
【図３】図２に対応し、ガラス基板に形成された貫通孔を示すガラス基板の拡大部分垂直断面図である。
【図４】貫通孔に形成されたニッケルめっき膜および金めっき膜を概略的に示すガラス基板の拡大部分垂直断面図である。
【図５】図２に対応し、貫通孔に充填される溶融状態の亜鉛アルミニウム合金を概略的に示すガラス基板の拡大部分垂直断面図である。
【図６】図２に対応し、研磨処理後のガラス基板を示すガラス基板の拡大部分垂直断面図である。
【図７】柱状導体で露出面からの距離に応じて酸素の含有量を示すグラフである。
【図８】加熱処理前の柱状導体で接合面からの距離に応じて組成の変化を示すグラフである。
【図９】加熱処理後の柱状導体で接合面からの距離に応じて組成の変化を示すグラフである。
【図１０】亜鉛アルミニウム合金の組成と融点との関係を示すグラフである。
【図１１】亜鉛アルミニウム合金の組成とビッカーズ硬度との関係を示すグラフである。
【図１２】本発明の第２実施形態に係るパッケージ基板の構造を概略的に示す拡大部分垂直断面図である。
【符号の説明】
【００６０】
１１  構造体（配線基板すなわちパッケージ基板）、１２  基体（ガラス基板）、１３  配線すなわち配線パターン、１４  孔（貫通孔）、１５  導体（柱状導体）、１６  ニッケルめっき膜、１７  金めっき膜。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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