(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
内部が減圧雰囲気となるチャンバーの中に被処理体を置いて処理する装置であって、
前記チャンバーの隔壁と、
該隔壁の計器取付部に取り付けられた、前記被処理体の位置等を計測する計器と、
前記隔壁の計器取付部が前記チャンバー内の減圧により変形するのを抑制する変形抑制機構と、
を具備することを特徴とする減圧雰囲気下処理装置。
【請求項２】
内部が減圧雰囲気となるチャンバーの中に被処理体を置いて、該被処理体にエネルギビームを照射する装置であって、
該エネルギビームの照射光学系と、
前記チャンバーの隔壁と、
該隔壁の計器取付部に取り付けられた、前記被処理体の位置等を計測する計器と、
前記隔壁の計器取付部が前記チャンバー内の減圧により変形するのを抑制する変形抑制機構と、
を具備することを特徴とするエネルギビーム照射装置。
【請求項３】
内部が減圧雰囲気となるチャンバーの中に被処理体を置いて、該被処理体にエネルギビームを照射する露光装置であって、
該エネルギビームの照射光学系と、
前記チャンバーの隔壁と、
該隔壁の計器取付部に取り付けられた、前記被処理体の位置等を計測する計器と、
前記隔壁の計器取付部が前記チャンバー内の減圧により変形するのを抑制する変形抑制機構と、
を具備することを特徴とする露光装置。
【請求項４】
前記変形抑制機構として、前記隔壁の外側に副減圧室が付設されていることを特徴とする請求項１記載の減圧雰囲気下処理装置、請求項２記載のエネルギビーム照射装置又は請求項３記載の露光装置。
【請求項５】
大気圧変動に応じて前記副減圧室内の圧力を調整することを特徴とする請求項４記載の減圧雰囲気下処理装置、エネルギビーム照射装置又は露光装置。
【請求項６】
感応基板上に転写すべき原版パターンを有するレチクルをエネルギビーム照明し、該レチクルを通過したエネルギビームを前記感応基板上に投影・結像させて前記パターンを転写する露光装置であって、
前記レチクルを搭載するステージを収納するレチクル真空チャンバーと、
前記感応基板を搭載するステージを収納する感応基板真空チャンバーと、
前記レチクル又は感応基板の位置等を計測する計器と、
前記チャンバーの隔壁を構成するとともに前記計器を搭載する計器搭載プレートと、を具備し、
さらに、該プレートの外側に付設された副減圧室を具備することを特徴とする露光装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、内部が減圧雰囲気となるチャンバーの中に被処理体を置いて処理する装置に関する。あるいは、このようなチャンバーの中の被処理体にエネルギビームを照射する装置や露光装置に関する。特には、チャンバー内減圧時や大気圧変動時におけるチャンバー隔壁の変形を抑制し、該隔壁に取り付けた計器の精度低下を防止できるよう改良を加えた露光装置等に関する。
【０００２】
【従来の技術及び発明が解決しようとする課題】
半導体集積回路の微細回路パターンをウェハ上に形成するためのＥＢ露光装置を例として説明する。
ＥＢ露光装置は、電子ビームをウェハ上に塗布されたレジスト層に照射してパターン形成を行う。電子ビームは、気体分子に衝突すると減衰するので、露光装置中は真空とされる。
【０００３】
このようなＥＢ露光装置には、ウェハ真空チャンバーやレチクル真空チャンバー等の真空チャンバーが設けられている。このような真空チャンバーを高真空に引くと、真空空間と装置外部の大気圧空間との圧力差や大気圧変動により、真空チャンバーが変形する。この変形が起こると、真空チャンバーに付設されているオートフォーカスやアライメント用の計器や光学顕微鏡類等の姿勢・位置がずれたりして、パターンの形成精度が低下する。
【０００４】
そこで、各機器の姿勢・位置のずれを抑制するため、構造体（チャンバー隔壁等）をリブ構造としたり、比較的ヤング率の高い材料で構成する等により、構造体の剛性を高くすることが考えられる。しかながら、このような構造体の剛性を高くする従来型の手法では、アライメント系の測定精度への要求が厳しくなるにつれて、構造体の大型化や重量増加が引き起こされ、それに伴って装置全体も大型化せざるを得ない。このような傾向を避けるため、他の対処方法が望まれている。
【０００５】
本発明は、このような課題に鑑みてなされたものであって、チャンバー内減圧時や大気圧変動時におけるチャンバー隔壁の変形を抑制し、該隔壁に取り付けた計器の精度低下を防止できるよう改良を加えた露光装置等を提供することを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】
前記の課題を解決するため、本発明の減圧雰囲気下処理装置は、内部が減圧雰囲気となるチャンバーの中に被処理体を置いて処理する装置であって、  前記チャンバーの隔壁と、  該隔壁の計器取付部に取り付けられた、前記被処理体の位置等を計測する計器と、  前記隔壁の計器取付部が前記チャンバー内の減圧により変形するのを抑制する変形抑制機構と、  を具備することを特徴とする。
【０００７】
本発明のエネルギビーム照射装置は、内部が減圧雰囲気となるチャンバーの中に被処理体を置いて、該被処理体にエネルギビームを照射する装置であって、  該エネルギビームの照射光学系と、  前記チャンバーの隔壁と、  該隔壁の計器取付部に取り付けられた、前記被処理体の位置等を計測する計器と、  前記隔壁の計器取付部が前記チャンバー内の減圧により変形するのを抑制する変形抑制機構と、  を具備することを特徴とする。
【０００８】
本発明の露光装置は、内部が減圧雰囲気となるチャンバーの中に被処理体を置いて、該被処理体にエネルギビームを照射する露光装置であって、  該エネルギビームの照射光学系と、  前記チャンバーの隔壁と、  該隔壁の計器取付部に取り付けられた、前記被処理体の位置等を計測する計器と、  前記隔壁の計器取付部が前記チャンバー内の減圧により変形するのを抑制する変形抑制機構と、  を具備することを特徴とする。ここで、露光装置の被処理体とは、Ｓｉウェハ等の感応基板及び原版であるレチクルやマスク等をいう。
【０００９】
本発明のこれらの装置は、チャンバー内減圧時や大気圧変動時における隔壁の変形を抑制する機構を備えるので、この隔壁の計器取付部や計器そのものの変形も抑制できる。そのため、被処理体の位置等を高精度に計測することが可能となり、高精度の処理・ビーム照射・露光パターン形成を実現できる。なお、変形抑制機構としては、後述する副減圧室の他、ピエゾ素子等を用いることができる。
【００１０】
なお、真空下で使用するエネルギビームの例としては、電子線やイオンビーム、極端紫外光（ＥＵＶ）、Ｘ線等を挙げることができる。
エネルギビーム照射装置の例としては、露光装置や座標計測装置、ＳＥＭ等を挙げることができる。
計器の例としては、オートフォーカス装置（特開平６−２８３４０３号、特開平８−６４５０６号等、以下ＡＦ装置ともいう）、あるいは、アライメント装置（特開平５−２１３１４号等、以下ＡＬ装置ともいう）、干渉計等を挙げることができる。
【００１１】
本発明の減圧雰囲気下処理装置、エネルギビーム照射装置及び露光装置においては、前記変形抑制機構として、前記隔壁の外側に副減圧室を付設することができる。
この場合、チャンバー内の圧力と副減圧室内の圧力とをほぼ同じにすることにより、計器取付部周辺の隔壁そのものに内外差圧があまりかからないようにできるので、隔壁の変形を抑制できる。なお、付設された副減圧室の外壁は内外差圧により変形するが、この外壁の変形に計器が拘束されないようにしておけば問題はない。そのような手法として、計器と外壁の間にスライド可能なパッキン（Ｏリング）を設けたり、ダイヤフラムを設けたりすることができる。
【００１２】
ここで、隔壁や計器取付部の変形抑制とは、該計器取付部が歪む（波打つ）ことや傾くことを防止することを主に指す。歪みや傾きのないまま計器取付部の位置だけが少しずれるような形態の“変形”であって、計器の計測精度に影響を与えないような“変形”は、抑制対象としなくてもよい。
【００１３】
また、本発明の減圧雰囲気下処理装置、エネルギビーム照射装置及び露光装置においては、大気圧変動に応じて前記副減圧室内の圧力を調整することができる。すなわち、副減圧室の圧力を意図的にコントロールして計器取付部の状態を最適なようにすることもできる。
【００１４】
本発明の他の露光装置は、感応基板上に転写すべき原版パターンを有するレチクルをエネルギビーム照明し、該レチクルを通過したエネルギビームを前記感応基板上に投影・結像させて前記パターンを転写する露光装置であって、  前記レチクルを搭載するステージを収納するレチクル真空チャンバーと、  前記感応基板を搭載するステージを収納する感応基板真空チャンバーと、  前記レチクル又は感応基板の位置等を計測する計器と、  前記チャンバーの隔壁を構成するとともに前記計器を搭載する計器搭載プレートと、を具備し、  さらに、該プレートの外側に付設された副減圧室を具備することを特徴とする。
【００１５】
【発明の実施の形態】
以下、図面を参照しつつ説明する。
まず、図７を参照しつつ、電子線露光装置全体の構成と結像関係の概要について説明する。
図７は、電子線露光装置（分割転写方式の例）の構成を模式的に示す図である。
光学系の最上流に配置されている電子銃１は、下方に向けて電子線を放射する。電子銃１の下方には、コンデンサレンズ２及び照明レンズ３が備えられており、電子線は、これらのレンズ２、３を通って、レチクル１０を照明する。
【００１６】
これらのレンズ２、３を主な構成要素とする照明光学系中には、図示されていないが、照明ビーム成形開口やブランキング偏向器、ブランキング開口、照明ビーム偏向器等が配置されている。照明光学系において成形された照明ビームＩＢは、レチクル１０上で順次走査され、照明光学系の視野内にあるレチクル１０の各サブフィールドの照明を行う。
【００１７】
レチクル１０は多数のサブフィールドを有し、移動可能なレチクルステージ１１に載置されている。レチクルステージ１１を光軸垂直面内で移動させることにより、照明光学系の視野よりも広い範囲に広がるレチクル上の各サブフィールドを照明する。
【００１８】
レチクル１０の下方には第１投影レンズ１５、第２投影レンズ１９、及び、収差補正や像位置調整に用いられる偏向器１６（１６−１〜１６−６）が設けられている。レチクル１０の一つのサブフィールドを通過した電子線は、投影レンズ１５、１９、偏向器１６によってウェハ（感応基板）２３上の所定の位置に結像される。ウェハ２３上には適当なレジストが塗布されており、レジスト上に電子線のドーズが与えられ、レチクル１０上のパターンが縮小（一例で１／４）されてウェハ２３上に転写される。
【００１９】
レチクル１０とウェハ２３の間を縮小率比で内分する点にクロスオーバーＣ．Ｏ．が形成され、同クロスオーバー位置にはコントラスト開口１８が設けられている。同開口１８は、レチクル１０の非パターン部で散乱された電子線がウェハ２３に達しないように遮断する。
【００２０】
ウェハ２３は、静電チャックを介してＸＹ方向に移動可能なウェハステージ２４上に載置されている。レチクルステージ１１とウェハステージ２４とを互いに逆方向に同期走査することにより、投影光学系の視野を越えて広がるデバイスパターンの各部を順次露光することができる。
【００２１】
以下、図１〜図５を参照しつつ、本発明に係る露光装置について説明する。
図１は、本発明に係る露光装置の全体構成を示す概念図である。
図２は、本発明に係る露光装置のウェハオプチカルプレート周りの構成を示す平面図である。
図３は、図２のＸ−Ｘ線に沿う断面図である。
図４は、図３のウェハオートフォーカス装置の構成を詳細に示す拡大図である。
図５は、図４のＹ方向矢視断面図である。
【００２２】
図１に示す露光装置１００の上部には、照明光学系鏡筒１０１が示されている。この照明光学系鏡筒１０１内は、前述の電子銃１やコンデンサレンズ２、照明レンズ３等が配置されている。照明光学系鏡筒１０１の下には、レチクル真空チャンバー１０３が配置されている。このレチクル真空チャンバー１０３内には、前述のレチクルステージ１１等が配置されている。
【００２３】
レチクル真空チャンバー１０３には、図１の右方に示すレチクルローダー室１０５及びレチクルロードロック室１０７が接続されている。レチクルローダー室１０５内には、複数の異なるパターンが形成されたレチクルが配置されているとともに、これらのレチクルの交換手段としてのマニュピレーターが内蔵されている。このマニュピレーターを操作して、レチクルステージ１１上のレチクルをレチクルローダー室１０５内の所望のレチクルと交換する。レチクル真空チャンバー１０３内やローダー室１０５と露光装置外でレチクルを出し入れする際は、レチクルロードロック室１０７内を経由する。レチクル真空チャンバー１０３とレチクルロードロック室１０７には、それぞれ図示せぬ真空ポンプが接続されている。なお、前述の照明光学系鏡筒１０１内や後述する投影光学系鏡筒１１１内も通常は真空排気されている。
【００２４】
レチクル真空チャンバー１０３には、図１の左方に示すレチクル干渉計１０９が設置されている。このレチクル干渉計１０９は、図示せぬコントローラーに接続されている。レチクル干渉計１０９で計測されたレチクルステージ１１の正確な位置情報がコントローラーに入力され、それに基づいてレチクルステージ１１の位置をリアルタイムで正確に制御することができる。
【００２５】
レチクルステージ１１は、レチクルオプチカルプレート（隔壁兼計器搭載プレート）１３１の上に載っている。このレチクルオプチカルプレート１３１の下方には、ウェハオプチカルプレート（隔壁）１３２が配置されている。そして、これらのプレート１３１、１３２間には、投影光学系鏡筒１１１が挟まれて配置されている。各オプチカルプレート１３１、１３２は、軟鋼板等からなる８角形状をした板状体である（図２参照）。両プレート１３１、１３２間の投影光学系鏡筒１１１内は、前述の第１投影レンズ１５や第２投影レンズ１９が配置されている。
【００２６】
投影光学系鏡筒１１１の周囲において、レチクルオプチカルプレート１３１下面には、レチクルＡＦ装置１４１及びレチクルＡＬ装置１４２が設けられており、ウェハオプチカルプレート１３２上面には、ウェハＡＦ装置１５１及びウェハＡＬ装置１５２が設けられている（これらについては詳しくは後述する）。両オプチカルプレート１３１、１３２間の側部には、メインボディ１３０が設けられている。
【００２７】
ウェハオプチカルプレート１３２の下には、ウェハ真空チャンバー１１３が配置されている。このウェハ真空チャンバー１１３内には、前述のウェハステージ２４等が配置されている。ウェハ真空チャンバー１１３には、図１の右方に示すウェハローダー室１１５及びウェハロードロック室１１７が接続されている。ウェハ真空チャンバー１１３やウェハロードロック室１１７には、それぞれ図示せぬ真空ポンプが接続されている。
【００２８】
ウェハ真空チャンバー１１３には、図１の左方に示すウェハ干渉計１１９が設置されている。このウェハ干渉計１１９も、前述のレチクル干渉計１０９と同様に、図示せぬコントローラーに接続されている。そして、ウェハ干渉計１１９で計測されたウェハステージ２４の正確な位置情報がコントローラーに入力され、それに基づいてウェハステージ２４の位置をリアルタイムで正確に制御することができる。
【００２９】
このウェハ真空チャンバー１１３は、台１２２を介して、ベースプレート１２６上に載っている。前述のメインボディ１３０は、アクティブ防振台１２８を介して、ベースプレート１２６上に支持されている。
【００３０】
次に、主に図２〜図５を参照して、ウェハ側（下側）のＡＦ装置１５１及びＡＬ装置１５２周辺の構造について説明する。なお、レチクル側もウェハ側と同様に構成されている。
図２及び図３に分かり易く示すように、ＡＦ装置１５１は、送光系１５３と受光系１５５を備えている。これら送光系１５３と受光系１５５は、投影光学系鏡筒１１１を挟んで対向する位置にそれぞれ配置されている。送光系１５３から送られた信号光は、ウェハステージ２４上のウェハＷの上面に照射され、その反射像を受光系１５５で受ける。一方、ＡＬ装置１５２（図３には図示されず）は、ＡＦ装置１５１の送光系１５３及び受光系１５５とは離れて、投影光学系鏡筒１１１の周囲の所定位置に配置されている。ＡＬ装置１５２の測定データは、ウェハ上の既存パターンやウェハステージ２４上のマークプレートの位置を測定する等をして、ウェハ上の既形成パターンと次に形成するパターンの相対的な位置合わせに供される。
【００３１】
これらＡＦ装置１５１及びＡＬ装置１５２は、前述の公報等に開示されている公知のもの等を用いることができる。以下、図４及び図５を参照して、ＡＦ装置１５１の送光系１５３の周りの構成について、より詳しく説明する。
図５に示すように、送光系１５３は、垂直鏡筒部１５６、水平鏡筒部１５７及び光源部１５８を備えている。
垂直鏡筒部１５６は、ＡＦ鏡筒１５６ａ内に上下に配列された対物レンズ１５６ｂや真空隔壁窓１５６ｅ等を有する。ＡＦ鏡筒１５６ａの上端部には、ミラー１５６ｃや窓１５６ｄ等が設けられている。
【００３２】
図４及び図５に示すように、ＡＦ鏡筒１５６ａの下部は、ボックス状のミラー室１６１に接続されている。このミラー室１６１の上端開口部の全周には、鍔部１６１ａが外側に張り出すように設けられている。ミラー室１６１は、ウェハオプチカルプレート１３２及びウェハ真空チャンバー１１３の上リブ１１３ａを貫通しており、下端がウェハ真空チャンバー１１３内に突出している。ミラー室１６１の鍔部１６１ａは、ウェハオプチカルプレート１３２の上面に当接して固定されている。これら両者の間は、Ｏリング１６２でシールされている。このミラー室１６１内には、ミラー１６１ｃや窓１６１ｄ等が設けられている。
【００３３】
図５に示すように、水平鏡筒部１５７及び光源部１５８は、台１６５上に固定されている。この台１６５は、脚１６６を介してウェハオプチカルプレート１３２の上面に固定支持されている。
【００３４】
図２に分かり易く示すように、ウェハオプチカルプレート１３２上面には、ほぼ全域にわたり、隙間Ｈを隔ててパン１７０が設けられている。このパン１７０下面とウェハオプチカルプレート１３２上面との間には、副減圧室Ｓ１が形成されている。パン１７０は、アルミニウム等の比較的軟らかい金属板からなる。図４及び図５に示すように、パン１７０は、ミラー室１６１の鍔部１６１ａの上側に位置する。副減圧室Ｓ１は、図示せぬ真空ポンプ（図２の符号１７１）に接続されているとともに、ミラー室１６１内のミラー１６１ｃが配置されるスペースＳ２と連通している。
【００３５】
パン１７０には、垂直鏡筒部１５６を通す孔１７０ａ、及び、台１６５の脚１６６を通す孔１７０ｂが開けられている。パン１７０上側において、孔１７０ａと垂直鏡筒部１５６のＡＦ鏡筒１５６ａ間には、リング状の閉塞部材１８６が固定されている。閉塞部材１８６とパン１７０間はＯリング１８７でシールされており、閉塞部材１８６とＡＦ鏡筒１５６ａ間はＯリング１８８でシールされている。一方、パン１７０の孔１７０ｂと脚１６６外周面間には、リング状の閉塞部材１９２がそれぞれ固定されている。各閉塞部材１９２とパン１７０間はＯリング１９３でシールされており、閉塞部材１９２と脚１６６間はＯリング１９４でシールされている。
【００３６】
パン１７０下面とウェハオプチカルプレート１３２上面との間の副減圧室Ｓ１は、装置の外部の大気圧空間やウェハ真空チャンバー１１３内の真空空間とは隔離されている。パン１７０には、図２に符号１７１で示す真空ポンプが接続されている。この真空ポンプ１７１で副減圧室Ｓ１内を減圧するとともに圧力を調節できる。なお、ミラー室１６１の内面に歪センサ等を設けて変形量を測定し、パン１７０内の圧力を適宜調節することもできる。
【００３７】
なお、図４において符号１７５で示す部材は、投影光学系鏡筒１１１下面とウェハオプチカルプレート１３２上面との間に介装されたリング状部材である。このリング状部材１７５は、ステンレス等の非磁性材からなる。リング状部材１７５は、ともに磁性材からなる投影光学系鏡筒１１１及びウェハオプチカルプレート１３２間の磁気回路を遮断する役割を果たす。
【００３８】
次に、図６を参照しつつ、本発明の作用について説明する。
図６（Ａ）はパンを設けていない場合のウェハオプチカルプレートの変形の様子を示す模式図であり、図６（Ｂ）はパンを設けた本発明の場合の変形の様子を示す模式図である。
【００３９】
図６（Ａ）には、パン１７０の無い、所謂通常のＡＦ装置１５１（あるいはＡＬ装置１５２）とウェハオプチカルプレート１３２が模式的に示されている。ウェハオプチカルプレート１３２上面側には大気圧がかかる。ウェハオプチカルプレート１３２下面側（ウェハ真空チャンバー１１３内）は、通常時は真空ポンプで１０-6Ｔｏｒｒ程度の高真空に引かれる。ウェハ真空チャンバー１１３内の減圧時や大きな大気圧変動時には、差圧（あるいはその変動）がウェハオプチカルプレート１３２に直接かかり、同プレート１３２がウェハ真空チャンバー１１３側（図の下側）に押されて、図に点線で示すように変形する。すると、ウェハオプチカルプレート１３２に支持されているＡＦ装置１５１も影響を受ける。
【００４０】
一方、図６（Ｂ）に示す本発明の場合は、ウェハオプチカルプレート１３２上に副減圧室Ｓ１及びパン１７０を有する。パン１７０上面側には大気圧がかかるが、ウェハオプチカルプレート１３２には大気圧が直接的にはかからない。というのは、パン１７０とウェハオプチカルプレート１３２間の副減圧室Ｓ１内は、真空ポンプ１７１（図２参照）で１０-4Ｔｏｒｒ程度の低真空に引かれるからである。
【００４１】
図６（Ｂ）の場合、パン１７０には、大気圧と副減圧室Ｓ１内の圧力との差圧が加わることとなる。そのため、パン１７０は、ウェハ真空チャンバー１１３内の減圧時には図に点線で示すように変形するが、ウェハオプチカルプレート１３２には内外差圧があまりかからず、同プレート１３２自体の変形は抑制される。なお、パン１７０とＡＦ装置１５１の間は、図５に示すように、閉塞部材１８６、１９２やＯリング１８８、１９４等で相対摺動自在にシールされているので、パン１７０の変形によってＡＦ装置１５１に影響が及ぶことはない。
【００４２】
一方、前述のように、ウェハオプチカルプレート１３２自体の変形は抑制されるため、ＡＦ装置１５１を支えているＡＦ鏡筒１５６ａやミラー室１６１、台１６５を支える脚１６６等の変形は抑制される。そのため、高精度の焦点合わせや位置合わせが可能となり、高精度の露光パターン形成が実現できる。
なお、ウェハオプチカルプレート１３２の変形の残留分や変動分が問題となる場合は、大気圧センサや変形センサでそれを検知し、副減圧室Ｓ１の圧力をフィードバック制御して、残留分や変動分をキャンセルすることもできる。
【００４３】
【発明の効果】
以上の説明から明らかなように、本発明によれば、チャンバー内減圧時や大気圧変動時におけるチャンバー隔壁の変形を抑制し、該隔壁に取り付けた計器の精度低下を防止できるよう改良を加えた露光装置等を提供できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明に係る露光装置の全体構成を示す概念図である。
【図２】本発明に係る露光装置のウェハオプチカルプレート周りの構成を示す平面図である。
【図３】図２のＸ−Ｘ線に沿う断面図である。
【図４】図３のウェハオートフォーカス装置の構成を詳細に示す拡大図である。
【図５】図４のＹ方向矢視断面図である。
【図６】図６（Ａ）はパンを設けていない場合のウェハオプチカルプレートの変形の様子を示す模式図であり、図６（Ｂ）はパンを設けた本発明の場合の変形の様子を示す模式図である。
【図７】電子線露光装置（分割転写方式の例）の構成を模式的に示す図である。
【符号の説明】
１１  レチクルステージ                ２４  ウェハステージ
１００  露光装置                      １０１  照明光学系鏡筒
１０３  レチクル真空チャンバー        １０５  レチクルローダー室
１０７  レチクルロードロック室        １０９  レチクル干渉計
１１１  投影光学系鏡筒                １１３  ウェハ真空チャンバー
１１３ａ  （ウェハ真空チャンバーの）上リブ
１１５  ウェハローダー室              １１７  ウェハロードロック室
１１９  ウェハ干渉計                  １２２  台
１２６  ベースプレート                １２８  アクティブ防振台
１３１  レチクルオプチカルプレート
１３２  ウェハオプチカルプレート
１４１  レチクルＡＦ装置              １４２  レチクルＡＬ装置
１５１  ウェハＡＦ装置                １５２  ウェハＡＬ装置
１５３  送光系                        １５５  受光系
１５６  垂直鏡筒部                    １５６ａ  ＡＦ鏡筒
１５７  水平鏡筒部                    １５８  光源部
１６１  ミラー室                      １６２  Ｏリング
１６５  台                            １６６  脚
１７０  パン                          １７１  真空ポンプ
１８６、１９２  閉塞部材              １８７、１９３、１９４、  Ｏリング
Ｓ１  副減圧室                        Ｓ２  （ミラー室内の）スペース
【図１】
0004655433.tif 000002
【図２】
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【図３】
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【図４】
0004655433.tif 000005
【図５】
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【図６】
0004655433.tif 000007
【図７】
0004655433.tif 000008