(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
第一導電型の半導体太陽電池基板の第一主表面側に、第二導電型のドーパント拡散層が形成され、該第一主表面上に出力取出用の線状のフィンガー電極が複数形成され、該フィンガー電極の間に露出した第一主表面領域にて太陽光を受光するとともに、
前記半導体太陽電池基板の前記第一主表面には、前記ドーパントの濃度が周囲の領域よりも高く設定された線状形態の高濃度拡散層が複数形成され、該高濃度拡散層の周囲領域が、それよりも前記ドーパントの濃度が低い低濃度拡散層とされてなり、
前記フィンガー電極が、複数の前記高濃度拡散層と交差する位置関係にて、その各々の交差位置にてそれら高濃度拡散層と接して形成されてなるとともに、
前記高濃度拡散層が、前記半導体太陽電池基板の前記第一主表面上に刻設された拡散溝の内面に沿って形成されていることを特徴とする太陽電池。
【請求項２】
複数の前記高濃度拡散層が前記半導体太陽電池基板の前記第一主表面上の第一方向に互いに平行に形成され、
複数の前記フィンガー電極が、前記第一方向と交差する第二方向に互いに平行に形成されてなることを特徴とする請求項１記載の太陽電池。
【請求項３】
前記高濃度拡散層が形成される前記第一方向と、前記フィンガー電極が形成される前記第二方向とのなす角度が、９０゜±２０゜の範囲内であることを特徴とする請求項２記載の太陽電池。
【請求項４】
前記半導体太陽電池基板は、前記第一主表面が｛１００｝面であるシリコン単結晶からなり、前記拡散溝が任意の＜１１０＞方向と交差する向きに形成されていることを特徴とする請求項１ないし請求項３のいずれか１項に記載の太陽電池。
【請求項５】
前記拡散溝の深さが前記フィンガー電極の厚さよりも小さく設定されていることを特徴とする請求項１ないし請求項４のいずれか１項に記載の太陽電池。
【請求項６】
第一導電型の半導体太陽電池基板の第一主表面側に、第二導電型のドーパント拡散層が形成され、該第一主表面上に出力取出用の線状のフィンガー電極が複数形成され、該フィンガー電極の間に露出した第一主表面領域にて太陽光を受光するとともに、前記半導体太陽電池基板の前記第一主表面には、前記ドーパントの濃度が周囲の領域よりも高く設定された線状形態の高濃度拡散層が複数形成され、該高濃度拡散層の周囲領域が、それよりも前記ドーパントの濃度が低い低濃度拡散層とされてなり、前記フィンガー電極が、複数の前記高濃度拡散層と交差する位置関係にて、その各々の交差位置にてそれら高濃度拡散層と接して形成されてなる太陽電池を製造するために、
前記半導体太陽電池基板の前記第一主表面の全面を拡散阻止皮膜にて覆い、
該拡散阻止皮膜を線状に除去して拡散ウィンドウを形成し、
該拡散ウィンドウ領域内に前記ドーパントを選択的に拡散させることにより前記高濃度拡散層を形成し、
前記拡散阻止皮膜を除去して前記高濃度拡散層を含む前記第一主表面の全面に前記ドーパントを拡散させて、前記高濃度拡散層の周囲領域を、該高濃度拡散層よりもドーパント濃度の低い前記低濃度拡散層となし、
さらに、前記第一主表面に前記高濃度拡散層と交差する向きに線状のフィンガー電極を形成することを特徴とする太陽電池の製造方法。
【請求項７】
前記拡散ウィンドウを形成する際に、前記拡散阻止皮膜とともに下地の基板部分を除去して拡散溝を形成し、当該拡散溝内面に前記ドーパントを拡散することにより、前記高濃度拡散層を該拡散溝内面に沿って形成することを特徴とする請求項６記載の太陽電池の製造方法。
【請求項８】
前記拡散溝をレーザー加工にて刻設することを特徴とする請求項７記載の太陽電池の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、光エネルギーを直接電気エネルギーに変換する太陽電池とその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
【特許文献１】特表平９−５０３３４５号公報
【０００３】
太陽電池は、光エネルギーを電力に変換する半導体素子であり、ｐ−ｎ接合型、ｐｉｎ型、ショットキー型などがあり、特にｐ−ｎ接合型が広く用いられている。また、太陽電池をその基板材料をもとに分類すると、シリコン結晶系太陽電池、アモルファス（非晶質）シリコン系太陽電池、化合物半導体系太陽電池の３種類に大きく分けられる。シリコン結晶系太陽電池は、さらに、単結晶系太陽電池と多結晶系太陽電池に分類される。太陽電池用シリコン結晶基板は比較的容易に製造できることから、シリコン結晶系太陽電池が最も普及している。
【０００４】
太陽電池の出力特性は、一般に、ソーラーシミュレータを用いて出力電流電圧曲線を測定することにより評価される。この曲線上で、出力電流Ｉｐと出力電圧Ｖｐとの積Ｉｐ・Ｖｐが最大となる点Ｐｍを最大出力Ｐｍと呼び、該Ｐｍを太陽電池に入射する総光エネルギー（Ｓ×Ｉ：Ｓは素子面積、Ｉは照射する光の強度）にて除した値：
η≡｛Ｐｍ／（Ｓ×Ｉ）｝×１００  （％）  ‥‥（１）
が太陽電池の変換効率ηとして定義される。変換効率ηを高めるには、短絡電流Ｉｓｃ（電流電圧曲線上にてＶ＝０のときの出力電流値）あるいは開放電圧Ｖｏｃ（同じくＩ＝０のときの出力電圧値）を大きくすること、及び、出力電流電圧曲線をなるべく角型に近い形状のものとすることが重要である。なお、出力電流電圧曲線の角型の度合いは、一般に、
ＦＦ≡Ｉｐｍ×Ｖｐｍ／（Ｉｓｃ×Ｖｏｃ）  ‥‥（２）
にて定義されるフィルファクタ（曲線因子）により評価でき、該ＦＦの値が１に近いほど出力電流電圧曲線が理想的な角型に近づき、変換効率ηも高められることを意味する。
【０００５】
短絡電流Ｉｓｃは、太陽電池の内部抵抗が大きいほど小さくなる傾向にある。太陽電池において内部抵抗を増加させる要因は種々存在するが、特に受光面側における電極の接触抵抗が問題になることが多い。太陽電池のｐ−ｎ接合構造は、半導体基板の受光面となる第一主表面側からのドーパント拡散により形成され、該第一主表面には、基板本体部分とは逆導電型となるドーパント拡散層が形成される。該第一主表面には太陽電池出力を取り出すための電極を形成する必要がある。他方、該第一主表面は受光面としても機能させなければならないが、電極で覆われた領域は光が遮断されてシャドウイングロスを生ず。そこで、光の入射効率を高めるために、図４に示すように、該光取出面側の電極は、内部抵抗低減のため適当な間隔で形成された太いバスバー電極１０と、そのバスバー電極１０から所定間隔で櫛型に分岐する細いフィンガー電極４とを有するものとして構成される。しかし、このフィンガー電極４は非常に細いため（例えば幅３０μｍ以上１５０μｍ以下、厚さ５μｍ以上５０μｍ以下）、電極接触抵抗が高くなりやすい傾向にある。
【０００６】
電極接触抵抗を低減するには、ドーパント拡散層のドーパント濃度を高くすればよい。しかし、太陽電池では、短波長領域での変換効率を向上させるために、受光面におけるドーパント拡散層のドーパント濃度はなるべく低いこと、また、ドーパント拡散層の厚みは小さくすることが望ましい。
【０００７】
そこで、上記の相反する要求を両立させるために、フィンガー電極と接触している領域のみに高濃度拡散層を形成し、他の受光面領域を低濃度のドーパント拡散層とする方法が種々考案されている。具体的には、２種類の濃度のドーパント拡散層を受光面上に形成するために、次の３種類の方法が用いられている：
（１）フォトマスク法
フォトマスクを用いた選択拡散によって、後にフィンガー電極直下となる領域のみに高濃度拡散層を形成する。そして、もう一度フォトマスクを用いて真空蒸着やスパッタ等の成膜工程を行い、高濃度拡散層上にのみフィンガー電極を作製する。
（２）ベリッドコンタクト法（特許文献１）
受光面上に形成した誘電体膜を、引っ掻き等の機械的加工や化学エッチ、レーザー等によって線状に除去する。その後、この線状の開口領域に高濃度拡散層を形成し、これに重なるように線状のフィンガー電極をめっき法により形成する。誘電体膜は、そのままパッシベーション皮膜として利用する。
（３）セレクティブエミッタ法
ドーパントを含んだ導電性ペーストでフィンガー電極をスクリーン印刷等により作製し、熱処理によってフィンガー電極直下のみペーストからのドーパント拡散による高濃度拡散層を形成する。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
しかし、上記の方法には次のような問題点がある。
まず、フォトマスク法では、フォトマスクを使用することにより工程数の増大と高精度の製造装置が要求され、製造コストを低減させることが困難となる。また、ベリッドコンタクト法では、主に無電解めっきでフィンガー電極を作製することから、太陽電池に必要な厚いフィンガー電極を作製するのは困難であり、生産性が劣る。セレクティブエミッタ法では、ドーパントを含んだペーストの価格が高いことと、ペーストからの拡散工程の安定性に問題がある。このように、どの方法においても製造工程におけるコストや生産性、安定性に問題を抱えている。また、どの方法においても、受光面側から太陽電池を見た場合、導電率の高い高濃度拡散層とフィンガー電極とが互いに重なるように形成されており、ドーパント拡散層の面内に高導電率を担保できる領域が偏って位置することになる。その結果、高濃度拡散層両側のドーパント濃度の低い領域（低濃度拡散層ともいう）には、フィンガー電極と直接接する部分がほとんど生じないので、フィンガー電極直下以外の領域でのドーパント濃度が不足し、該領域での電圧降下による電力損失が大きくなる欠点がある。
【０００９】
本発明の課題は、込み入ったマスク工程を採用せずとも容易に製造でき、しかも、受光面側のドーパント拡散層での電圧降下による電力損失が生じにくく変換効率の高い太陽電池と、その製造方法とを提供することにある。
【課題を解決するための手段及び発明の効果】
【００１０】
上記の課題を解決するために、本発明の太陽電池は、
第一導電型の半導体太陽電池基板の第一主表面側に、第二導電型のドーパント拡散層が形成され、該第一主表面上に出力取出用の線状のフィンガー電極が複数形成され、該フィンガー電極の間に露出した第一主表面領域にて太陽光を受光するとともに、
半導体太陽電池基板の第一主表面には、ドーパントの濃度が周囲の領域よりも高く設定された線状形態の高濃度拡散層が複数形成され、該高濃度拡散層の周囲領域が、それよりもドーパントの濃度が低い高濃度拡散層とされてなり、
フィンガー電極が、複数の高濃度拡散層と交差する位置関係にて、その各々の交差位置にてそれら高濃度拡散層と接して形成されてなることを特徴とする。
【００１１】
上記本発明の太陽電池によると、受光面をなすドーパント拡散層上に形成される複数の線状の高濃度拡散層にまたがるように、これらと交差するフィンガー電極を設けた。高濃度拡散層が線状にまばらに形成されることで、短波長領域での変換効率低下を生じにくい。そして、同様に導電率の高い線状のフィンガー電極は、高濃度拡散層との交差位置においては、該高濃度拡散層と低抵抗にてコンタクトが形成される。また、高濃度拡散層の間に位置する低高度拡散領域は、両側の高濃度拡散層以外にフィンガー電極とも直接接触する形となるから、該領域での電圧降下による電力損失も小さい。その結果、変換効率の高い太陽電池が実現する。
【００１２】
また、上記本発明の太陽電池は、以下の本発明の方法により容易に製造できる。すなわち、半導体太陽電池基板の第一主表面の全面を拡散阻止皮膜にて覆い、
該拡散阻止皮膜を線状に除去して拡散ウィンドウを形成し、
該拡散ウィンドウ領域内にドーパントを選択的に拡散させることにより高濃度拡散層を形成し、
拡散阻止皮膜を除去して高濃度拡散層を含む第一主表面の全面にドーパントを拡散させて、高濃度拡散層の周囲領域を、該高濃度拡散層よりもドーパント濃度の低い低濃度拡散層となし、
さらに、第一主表面に高濃度拡散層と交差する向きに線状のフィンガー電極を形成する。
【００１３】
半導体太陽電池基板に拡散阻止被膜を形成し、これに線状の拡散ウィンドウを形成してドーパント拡散処理を行なうことにより、線状の高濃度拡散層を簡単に形成できる。また、高濃度拡散後は拡散阻止皮膜を除去後に基板の主表面全面にドーパント拡散を追加して行なうことにより、高濃度拡散層の周囲に低濃度拡散層を一様にかつ簡便に形成できる。そして、その後、高濃度拡散層と交差する向きに線状のフィンガー電極を形成することで、本発明の太陽電池特有の受光面側電極構造を簡単に得ることができる。フィンガー電極は、高濃度拡散層との交差位置でのみ該高濃度拡散層との電気的なコンタクトが形成されればよいから、特許文献１のように、線状の高濃度拡散層に細いフィンガー電極を高精度で重ね合わせる必要がなくなり、金属製のフィンガー電極を蒸着やメッキ等で形成する際の、面倒なマスク合わせ工程も不要となる。
【００１４】
半導体太陽電池基板がシリコンにて形成される場合は、拡散阻止皮膜として例えばシリコン酸化被膜を使用できるが、シリコン窒化膜を用いてもよい。
【００１５】
複数の高濃度拡散層は、半導体太陽電池基板の第一主表面上の第一方向に互いに平行に形成することができ、複数のフィンガー電極が、第一方向と交差する第二方向に互いに平行に形成することができる。線状の高濃度拡散層及びフィンガー電極を各々互いに平行に形成することで、基板主表面に高濃度拡散層及びフィンガー電極を一様に形成でき、受光面の全面に渡って均一な起電力分布を得ることができる。この場合、高濃度拡散層が形成される第一方向と、フィンガー電極が形成される第二方向とのなす角度が、９０゜±２０゜の範囲内であることが望ましい。該角度を上記範囲内とすることにより、高濃度拡散層内を流れる電流の流路を最短にすることができ、基板面内方向での電圧降下ひいては電池の内部抵抗増大を抑制することができる。この場合、複数の高濃度拡散層と複数のフィンガー電極とは、各々互いに等間隔に配置されていることが望ましい。
【００１６】
高濃度拡散層は、半導体太陽電池基板の第一主表面上に刻設された拡散溝の内面に沿って形成することができる。この場合、拡散ウィンドウを形成する際に、拡散阻止皮膜とともに下地の基板部分を除去して拡散溝を形成し、当該拡散溝内面にドーパントを拡散することにより、高濃度拡散層を該拡散溝内面に沿って形成することができる。溝内面に沿って高濃度拡散層を形成すれば、該溝内部を充填する形でこれと交差する向きにフィンガー電極が形成されるので、フィンガー電極と高濃度拡散層とのコンタクト面積が増大し、電極抵抗のさらなる低減を図ることができる。また、溝内面にてフィンガー電極と半導体太陽電池基板との接触面積が増大することは、電極の付着強度を向上させる効果も生ずる。
【００１７】
上記拡散溝は、レーザー加工にて刻設することができる。レーザーを使用することで拡散阻止層（例えばシリコン酸化膜）部分と、下地の半導体部分とを一括して除去でき、また、スポット状のレーザービームを溝形成方向に移動させることで簡単に溝刻設できる利点がある。また、レーザービームの移動により溝に対応した拡散ウィンドウがパターニングされるからエッチングマスクも不要であり、効率的である（なお、レーザービームの強度を調整することにより、拡散阻止層への拡散ウィンドウの刻設のみを行なって、基板下地への溝形成を敢えて行なわないようにすることも可能である）。
【００１８】
半導体太陽電池基板が、第一主表面が｛１００｝面であるシリコン単結晶からなる場合、拡散溝は任意の＜１１０＞方向と交差する向きに形成することが望ましい。こうすれば、拡散溝の長手方向がシリコン単結晶基板の劈開方向である＜１１０＞方向と交差するので、拡散溝に沿ったシリコン単結晶基板の割れ発生確率を減少させることができる。また、拡散溝の深さは、フィンガー電極の厚さよりも小さく設定することが望ましい。これにより、拡散溝側面でのフィンガー電極の断線の確率を大きく低減できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１９】
図１は、本発明の太陽電池の一実施例を模式的に示す斜視図である。該太陽電池１００は、半導体太陽電池基板としての第一導電型のシリコン単結晶基板１（以下、単に基板１と記載する：本実施形態ではｐ型とする）の第一主表面側に、第二導電型層のエミッタ層６５（ドーパント拡散層：本実施形態ではｎ型とする）が形成され、基板面内方向にｐ−ｎ接合面１６７が形成されている。エミッタ層６５の主表面には、出力取出用の電極が形成されている。エミッタ層６５は太陽電池の受光面を形成するので、ｐ−ｎ接合面１６７への光の入射効率を高めるために、電極は図４に示すように、ＡｌあるいはＡｇ等により、例えば内部抵抗低減のため適当な間隔で形成された太いバスバー電極１０と、そのバスバー電極から所定間隔で櫛型に分岐する線状のフィンガー電極４とを有するものとして構成される。そして、エミッタ層６５のフィンガー電極４の非形成領域が、窒化珪素からなるパッシベーション膜８にて覆われている。
【００２０】
エミッタ層６５には、ドーパントの濃度が周囲の領域よりも高く設定された線状形態の高濃度拡散層３が複数形成され、該高濃度拡散層３の周囲領域が、それよりもドーパントの濃度が低い低濃度拡散層２とされている。フィンガー電極４は、複数の高濃度拡散層３と交差する位置関係にて、その各々の交差位置にてそれら高濃度拡散層３と接して形成されてなる。本実施形態では、複数の高濃度拡散層３が基板１の第一主表面上の第一方向ＤＬ１に互いに平行に形成され、複数のフィンガー電極４が、第一方向ＤＬ１と交差する第二方向ＤＬ２に互いに平行に形成されてなる。高濃度拡散層３が形成される第一方向ＤＬ１と、フィンガー電極４が形成される第二方向ＤＬ２とのなす角度は、９０゜±２０゜の範囲内である。なお、低濃度拡散層２の最表面部分が反転層（本実施形態では、低濃度拡散層２の要部がｎ型だから、反転層はｐ型となる）となっていてもよい。
【００２１】
また、高濃度拡散層３は、基板１の第一主表面上に刻設された拡散溝Ｇの内面に沿って形成されている。基板１は第一主表面が｛１００｝面であり、拡散溝Ｇは、任意の＜１１０＞方向と交差する向きに形成されている。そして、フィンガー電極４は、拡散溝Ｇを横切る形態で形成されるとともに、その内部を充填してなる。そして、該拡散溝Ｇの深さは、フィンガー電極４の厚さよりも小さく設定されている。
【００２２】
他方、基板１の第二主表面（裏面）は、窒化珪素もしくは酸化珪素からなる裏面側絶縁膜５にて覆われてなり、当該裏面側絶縁膜５の全面がＡｌ等からなる裏面電極７により覆われている。該裏面電極７は、該裏面側絶縁膜５を貫通する導通部（コンタクトホール）６を介して基板１の裏面と導通してなる。
【００２３】
シリコン単結晶基板１は、ＦＺ（Floating Zone Melting）法及びＣＺ（Czochralski）法のいずれを用いてもよい。また、シリコン単結晶基板１に代えてＧａＡｓ単結晶基板や多結晶シリコン基板を用いることもできる。シリコン単結晶基板１を用いる場合は、結晶製造時にホウ素、ガリウムなどのＩＩＩ族元素がドープされたｐ型基板を用いてもよく、又はリン、ヒ素などのＶ族元素がドープされたｎ型基板を用いてもよいが、本実施形態ではｐ型基板を用いている。なお、基板抵抗は０．１Ω・ｃｍ以上１０Ω・ｃｍ以下、望ましくは０．５Ω・ｃｍ以上２Ω・ｃｍ以下とすることが、高性能の太陽電池を実現する上で好適である。また、基板厚さについては、５０μｍ程度であれば、入射した光を太陽電池内にとらえることが可能であり、コスト面でも有利であるが、その後の基板への加工に対して十分な機械的強度を持つためには、１５０〜３００μｍであることが望ましい。
【００２４】
以下、より具体的な例を挙げながらさらに詳しく説明する。図２は、フィンガー電極４に平行な方向での太陽電池１００の断面模式図であり、図３はフィンガー電極４に垂直な方向での太陽電池１００の断面模式図である。そして、図８〜図１０は、その製造工程の一例を模式的に示す説明図である。
【００２５】
まず、ＩＩＩ族元素のガリウムをドーパント元素とするｐ型単結晶太陽電池用シリコン単結晶基板１（１０ｃｍ角、面方位｛１００｝、基板厚３００μｍ、抵抗率０．５Ω・ｃｍ）を用意し、図８の工程１に示すごとく、例えば水酸化カリウム水溶液等のエッチング液によりエッチングして、加工により生じたダメージ層１ｄを取り除く。さらに異方性エッチング液として、イソプロピルアルコールを混入した水酸化カリウム水溶液を用い、反射防止構造である図５に示すようなテクスチャ構造を形成する。
【００２６】
次に、工程２に示すように、シリコン単結晶基板１の第一主表面及び第二主表面に、拡散阻止層をなす酸化膜８０，５を熱酸化により形成する。なお、受光面となる第一主表面側にのみ液相ＣＶＤ法により、拡散阻止層をなす窒化膜を形成しても良い。そして、工程３に示すように、受光面側に複数の拡散溝Ｇを、互いに平行となるようにレーザー加工で作製する。溝深さは０．１μｍ以上５０μｍ以下（例えば３μｍ）である。このレーザー加工工程により、拡散溝Ｇ形成部において酸化膜８０は一定幅（５μｍ以上５００μｍ以下（例えば１００μｍ）の線状に除去される。
【００２７】
この際、拡散溝Ｇの長手方向はシリコン単結晶基板１の＜１１０＞方向と直交するのが好ましい。レーザー加工によって形成される拡散溝の長手方向を、単結晶シリコン単結晶基板の劈開方向（＜１１０＞方向）と交差させることにより、拡散溝Ｇに沿ったシリコン単結晶基板１の割れ発生確率を減少させることができる。また、拡散溝Ｇの深さは後に形成されるフィンガー電極４の厚さよりも小さいことが望ましい。これにより、拡散溝側面でのフィンガー電極の断線の確率を大きく低減できる。なお、レーザー加工には、炭酸ガスレーザ、エキシマレーザ、アルゴンレーザ、ＹＡＧレーザー等が用いられる。ここでは、特にＹＡＧレーザーが生産コストの観点にて望ましい。
【００２８】
図２に示すように、本実施形態では、拡散溝Ｇの断面形状を円弧状としているが、図６に示すように矩形断面形状の拡散溝Ｇを形成してもよいし、図７に示すようにＶ字断面形状の拡散溝Ｇを形成してもよい。
【００２９】
図９の工程４に進み、第一拡散処理として、ｎ型の高濃度拡散層３’を拡散溝Ｇの内面に沿って形成する。本実施形態では、ＰＯＣｌ３液体ソースを利用した熱拡散により、Ｖ族元素のリンをドーパントとして拡散処理を行なっている。このとき、第一主表面上に残っている酸化膜８０がリン拡散に対するマスクとして働くため、拡散溝Ｇの内面にリンを選択的に拡散させることができる。なお、該工程は塗布拡散法やイオン注入法によって行なうこともできる。第一拡散処理が終了後、工程５に示すように、フッ酸水溶液等のエッチング液により第一主表面側の酸化膜８０を除去する。
【００３０】
酸化膜８０を除去したら工程６に進み、第一主表面に対し第二拡散処理を行なってｎ型の低濃度拡散層２を形成する。この第二拡散処理も熱拡散によりＶ族元素のリンをドーパントとして行なうことができる。低濃度拡散層２は、シート抵抗が５０Ω／□以上３００Ω／□以下（例えば１００Ω／□）となるように形成する。この第二拡散処理により、第一拡散処理にて既に形成されている拡散溝Ｇ内面の高濃度拡散層３’にはドーパントが追加拡散され、シート抵抗が１Ω／□以上５０Ω／□以下（例えば１０Ω／□）の高濃度拡散層３となる。この第二拡散処理も、塗布拡散、もしくはイオン注入法によって代替することが可能である。
【００３１】
次に、図１０の工程７に進み、第二主表面においてレーザー加工により酸化膜５に開口部６を設け、さらに開口部６とともに酸化膜５の全面を覆うように、アルミニウム等の真空蒸着ないしスパッタ等により裏面電極７を形成する。この裏面電極７は、厚さが例えば１μｍ以上１０μｍ以下（例えば５μｍ）に形成される。なお、第一主表面側に拡散阻止層として窒化膜を形成した場合は、蒸着やスパッタリング以外に、ファイヤースルー法によりフィンガー電極を形成することもできる。これは、導電性ペーストのスクリーン印刷によりフィンガー電極のパターンを窒化膜上に形成し、さらに焼成する方法である。これにより、ペースト内に含まれる金属とガラスのフリットとが熱によって溶融し、窒化膜を突き破ってエミッタ層に到達することによりコンタクトホールが形成される。この場合は、導電性ペースト（例えばアルミニウムペースト）印刷＋焼成法により裏面電極７をフィンガー電極４と同時に形成することも可能である。
【００３２】
次に、工程８に示すように、基板１の第一主表面にフィンガー電極４を、アルミニウム等の真空蒸着により、高濃度拡散層３と交差するように（つまり、長手方向と平行にならないように）形成する。フィンガー電極４は、スクリーン印刷法やスパッタによって形成してもなんら構わない。この際、電力損失の観点から、フィンガー電極４と高濃度拡散層３とは直角ないしそれに近い角度（９０°±２０°）で交差していること好ましい。それによって、高濃度拡散層３内を流れる電流の流路を最短にすることができる。
【００３３】
最後に、太陽光反射防止と表面保護をかねて、窒化珪素等からなるパッシペーション膜８を第一主表面上に形成する。このパッシペーション膜の成膜はプラズマＣＶＤ法により実施することが可能であるが、ＰＶＤ法を用いても問題ない。
【００３４】
以上の方法にて形成した太陽電池を実施例１とする一方、レーザー加工に代えてフォトリソグラフィー工程を用いて高濃度拡散領域３を線状に形成し、さらに高濃度拡散領域３の直上のみに、これと長手方向に重なるようにフィンガー電極を４形成した太陽電池を用意した（比較例１）。また、受光面全体にリンのドーパント拡散層を均一に形成した太陽電池も作製した。（比較例２）。なお、比較例１、２とも、第一主表面上のドーパント拡散領域の配置以外の仕様は実施例１と同じとした。これらの太陽電池をの出力特性、市販のソーラーシミュレータ（光強度：１ｋＷ／ｍ２、スペクトル：ＡＭ１．５グローバル）を用いて測定した。得られた結果を表１に示す。
【００３５】
【表１】
0004660642.tif 000002
【００３６】
上記の結果によると、実施例１の太陽電池の出力特性は、フォトリソグラフィー工程を用いた比較例１と比べれば多少劣るが、受光面全体に均一に拡散を施した比較例２よりは明らかに出力特性が良好であり、かつ製造は比較例１の太陽電池よりもはるかに容易である。つまり、実施例１は、フォトリソ工程を用いないことによって作製工程の大幅な簡略化が達成され、製造に要する経費低減が可能である。
【００３７】
次に、実施例１のタイプの太陽電池と比較例２のタイプの太陽電池とで、ドーパント拡散層とフィンガー電極内の電力損失と、フィンガー電極によるシャドーイングロスとについて計算した。太陽電池の受光面は１０ｃｍ四方の正方形とし、その他の計算条件を表２にまとめて示している。また、計算結果を表３に示す。
【００３８】
【表２】
0004660642.tif 000003
【００３９】
【表３】
0004660642.tif 000004
【００４０】
この結果から、実施例１では電流路に起因する損失の割合が多少大きくなるものの、比較例２との差はごく僅かである（２．９％）。これは、太陽電池出力に換算しても０．６Ｗ程度に過ぎない。なお、上記の計算では、低拡散濃度層３とフィンガー電極４との接触抵抗を無限大に設定したが、実際の接触抵抗はもっと低いため、接触抵抗による損失は本計算結果よりも小さくなる。
【００４１】
次に、市販の太陽電池解析プログラム（University of New South Wales：ＰＣ１Ｄ、Ｖｅｒ．５．３）を用い、実施例１と比較例２とを解析した。解析条件を表４に示し、また、得られた解析結果を表５に示す。
【００４２】
【表４】
0004660642.tif 000005
【００４３】
【表５】
0004660642.tif 000006
【００４４】
上記の結果によると、実施例１の太陽電池出力は、比較例２と比べて１．１Ｗ向上することがわかる。よって本発明に係る実施例１の太陽電池は、電流路に起因する損失を差し引いても、比較例２に比べ少なくとも０．５Ｗ動作出力が向上することがわかる。
【００４５】
以上のごとく、本発明の太陽電池によると、以下のような効果を達成することができる。すなわち、フィンガー電極と高濃度拡散層とが接触した領域では、他の低濃度拡散層と接触した領域に比べ、低い接触抵抗を得ることができる。そして、線状に形成された高濃度拡散層がフィンガー電極と交わるように配置されていることにより、高濃度拡散層とフィンガー電極とは、その作製工程において位置精度がそれほど問題でなくなり、フォトリソグラフィー工程等の高コストの工程を省略することが可能である。また、低濃度拡散層からフィンガー電極に向かって移動するキャリアは、高濃度拡散層を経由してフィンガー電極に移動することによって、より低い電力損失で集電される。この結果、フィンガー電極間の間隔を増大させても電力損失を低く保つことができ、フィンガー電極本数を減らすことが可能である。これにより、フィンガー電極によるシャドーイング損失を減少させることができる。
【図面の簡単な説明】
【００４６】
【図１】本発明の太陽電池の一例を示す斜視図。
【図２】図１の太陽電池の第一の断面模式図。
【図３】図１の太陽電池の第二の断面模式図。
【図４】受光面側の電極形態を示す模式図。
【図５】テクスチャ構造の概念図。
【図６】拡散溝の断面形態の第一変形例を示す図。
【図７】拡散溝の断面形態の第二変形例を示す図。
【図８】図１の太陽電池の製造方法の一例を示す工程説明図。
【図９】図８に続く工程説明図。
【図１０】図９に続く工程説明図。
【符号の説明】
【００４７】
１  シリコン単結晶基板（半導体太陽電池基板）
２  低濃度拡散層
３  高濃度拡散層
４  フィンガー電極
６５  エミッタ層（ドーパント拡散層）
１００  太陽電池
Ｇ  拡散溝
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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