(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
銀若しくは銀合金導電層と前記銀若しくは銀合金導電層を被覆しかつ積層された導電性を有する導電保護層からなる銀若しくは銀合金配線であって、前記導電保護層は、前記銀若しくは銀合金導電層及び導電保護層が共通の溶解性薬液に接触した場合、前記銀若しくは銀合金導電層よりもサイドエッチング量が小さい材料からなり、かつ、前記導電保護層の膜厚は、前記銀若しくは銀合金導電層及び導電保護層が共通の溶解性薬液に接触した場合、（前記導電保護層の膜厚）／（前記銀若しくは銀合金導電層の膜厚）の比が（前記導電保護層の前記溶解性薬液に対する溶解速度）／（前記銀若しくは銀合金導電層の前記溶解性薬液に対する溶解速度）よりも小さくなるようになされていることを特徴とする銀若しくは銀合金配線。
【請求項２】
銀若しくは銀合金導電層と前記銀若しくは銀合金導電層を被覆しかつ積層された導電性を有する導電保護層からなる銀若しくは銀合金配線の形成方法であって、基板上に前記銀若しくは銀合金導電層及び導電保護層を順に積層する工程と、所定パターンを介して、前記導電保護層を、前記銀若しくは銀合金導電層及び導電保護層に対して共通の溶解性薬液に接触させる工程と、を含み、前記銀導電保護層の膜厚は、（前記導電保護層の膜厚）／（前記銀若しくは銀合金導電層の膜厚）の比が（前記導電保護層の前記溶解性薬液に対する溶解速度）／（前記銀若しくは銀合金導電層の前記溶解性薬液に対する溶解速度）よりも小さいこと、並びに、前記銀若しくは銀合金導電層及び導電保護層が共通の溶解性薬液に接触した場合、前記導電保護層は前記銀若しくは銀合金導電層よりもサイドエッチング量が小さい材料からなること、を特徴とする銀若しくは銀合金配線の形成方法。
【請求項３】
各々が積層された複数の表示電極及び前記表示電極に接続された表示素子の複数からなる表示パネル領域を含む基板と、前記基板上の前記表示パネル領域を囲む領域に形成された、前記電極に電気的に接続された導電性の接続ラインと、からなる表示パネル基板であって、
前記接続ラインは銀若しくは銀合金導電層と前記銀若しくは銀合金導電層を被覆しかつ積層された導電性を有する導電保護層からなる銀若しくは銀合金配線であり、
前記導電保護層は、前記銀若しくは銀合金導電層及び導電保護層が共通の溶解性薬液に接触した場合、前記銀若しくは銀合金導電層よりもサイドエッチング量が小さい材料からなり、かつ、前記銀導電保護層の膜厚は、前記銀若しくは銀合金導電層及び導電保護層が共通の溶解性薬液に接触した場合、（前記導電保護層の膜厚）／（前記銀若しくは銀合金導電層の膜厚）の比が（前記導電保護層の前記溶解性薬液に対する溶解速度）／（前記銀若しくは銀合金導電層の前記溶解性薬液に対する溶解速度）よりも小さくなるようになされていることを特徴とする表示パネル基板。
【請求項４】
前記表示素子は有機材料層からなる有機エレクトロルミネッセンス素子からなることを特徴とする請求項３記載の表示パネル基板。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】
本発明は、銀若しくは銀合金配線及び表示パネル基板に関する。
【０００２】
【従来の技術】
集積回路や表示素子の高密度化に伴い、印刷回路基板や表示パネル基板における導電性の配線幅はどんどん狭くなってきており、配線材料の低抵抗化が求められている。
一例として有機エレクトロルミネッセンス素子を挙げる。電流の注入によって発光するエレクトロルミネッセンス（以下、ＥＬともいう）を呈する有機化合物材料の少なくとも１つの薄膜からなる発光層を含む有機材料層（以下、単に、有機材料層ともいう）を各々が備えた複数の有機ＥＬ素子を、所定パターンにて表示パネル基板上に形成する
有機ＥＬ素子は、透明基板上に、透明電極と、有機ＥＬ媒体と、金属電極とが順次積層されて構成される。例えば、有機ＥＬ媒体は、有機発光層の単一層、あるいは有機正孔輸送層、有機発光層及び有機電子輸送層の３層構造の媒体、又は有機正孔輸送層及び有機発光層２層構造の媒体、さらにこれらの適切な層間に電子或いは正孔の注入層を挿入した積層体の媒体などである。
【０００３】
有機ＥＬ表示パネルの例えばマトリクス表示タイプのものは、透明電極層を含む行電極と、有機ＥＬ媒体と、行電極に交差する金属電極層を含む列電極と、が順次積層されて構成される。行電極は、各々が帯状に形成されるとともに、所定の間隔をおいて互いに平行となるように配列されており、列電極も同様である。このように、マトリクス表示タイプの表示パネルは、複数の行と列の電極の交差点（ドットともいう）に形成された複数の有機ＥＬ素子の発光画素からなる画像表示配列すなわち表示パネル領域を有している。
【０００４】
有機ＥＬ素子は、電流注入型の素子であるため、消費電力は、電極ラインの抵抗に大きく依存する。したがって、電極の低抵抗化が特に強く求められ、電極ラインの抵抗が高いと、流れる電流によって大きな電圧降下が起こり、輝度ムラを生じ表示品位を損ねる。
よって、基板上表示パネル領域内での電極の配線は、抵抗の低い材料を用いる必要があるが、特に陽極として用いられるインジウム錫酸化物（以下、ＩＴＯという）などの透明電極は、シート抵抗が高く問題となっていた。
【０００５】
そこで、表示パネル領域内での透明電極（陽極）どうしの配線には、抵抗値の小さい補助の金属ラインを補助電極として用いて低抵抗化を図っていた。すなわち、基板上に陽極をパターン化して積層しその上にさらに金属ラインパターン化して積層し、その後、有機化合物からなる有機材料層や隔壁をパターン化して積層し、さらに陰極を積層して各素子を形成して、さらに、陰極及び陽極の各々を外部端子へ接続されるように形成していた。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
有機ＥＬ素子の表示パネルの性能向上のために開口率を上げようとすると配線の線幅が狭くなり、電極材料の低抵抗化は必須である。
低抵抗な配線材料として一般的にはアルミニウム（Ａｌ）系材料が用いられるが、Ａｌ系材料を薄膜として用いた場合、比抵抗は約４（μΩ・ｃｍ）程度が限界であった。また、表示パネルの配線にＡｌ系材料を用いる場合、Ａｌ系材料は透明電極として最も一般的であるＩＴＯと電気化学反応を起こしやすいという問題があった。
【０００７】
本発明は上述の問題点に鑑みなされたものであり、電極配線の低抵抗化を図った銀若しくは銀合金配線、すなわち、非常に低抵抗であるが、耐酸化性が低く実用化が困難であつた銀（Ａｇ）系の配線材料の耐酸化性を向上すること、さらに、銀若しくは銀合金配線を用いた表示品位の高い表示パネル基板を提供することを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
本発明の銀若しくは銀合金配線は、銀若しくは銀合金導電層と前記銀若しくは銀合金導電層を被覆しかつ積層された導電性を有する導電保護層からなることを特徴とする。
本発明の銀若しくは銀合金配線においては、前記銀導電保護層の膜厚は、前記銀若しくは銀合金導電層及び導電保護層が共通の溶解性薬液に接触した場合、（前記導電保護層の膜厚）／（前記銀若しくは銀合金導電層の膜厚）の比が（前記導電保護層の前記溶解性薬液に対する溶解速度）／（前記銀若しくは銀合金導電層の前記溶解性薬液に対する溶解速度）よりも小さいことを特徴とする。
本発明の銀若しくは銀合金配線の形成方法は、銀若しくは銀合金導電層と前記銀若しくは銀合金導電層を被覆しかつ積層された導電性を有する導電保護層からなる銀若しくは銀合金配線の形成方法であって、
基板上に前記銀若しくは銀合金導電層及び導電保護層を順に積層する工程と、
所定パターンを介して、前記導電保護層を、前記銀若しくは銀合金導電層及び導電保護層に対して共通の溶解性薬液に接触させる工程と、を含み、
前記銀導電保護層の膜厚は、（前記導電保護層の膜厚）／（前記銀若しくは銀合金導電層の膜厚）の比が（前記導電保護層の前記溶解性薬液に対する溶解速度）／（前記銀若しくは銀合金導電層の前記溶解性薬液に対する溶解速度）よりも小さいことを特徴とする。
本発明の表示パネル基板は、各々が積層された複数の表示電極及び前記表示電極に接続された表示素子の複数からなる表示パネル領域を含む基板と、
前記基板上の前記表示パネル領域を囲む領域に形成された、前記電極に電気的に接続された導電性の接続ラインと、からなり、
前記接続ラインは銀若しくは銀合金導電層と前記銀若しくは銀合金導電層を被覆しかつ積層された導電性を有する導電保護層からなる銀若しくは銀合金配線であることを特徴とする。
本発明の表示パネル基板においては、前記表示素子は有機材料層からなる有機エレクトロルミネッセンス素子からなることを特徴とする。
【０００９】
【発明の実施の形態】
発明者は、Ａｇ材料薄膜の比抵抗が３（μΩ・ｃｍ）程度と、Ａｌ系材料薄膜よりも低くすることができ、Ａｌ系材料に比べＡｇ系材料はＩＴＯとの電気化学反応を生じにくいので適当と考え、表示パネル基板においてＡｇ−Ｐｄ合金などのＡｇ系材料を配線材料に用いて実験を行った。
【００１０】
しかし、有機ＥＬ素子の表示パネルへの一般的な基板処理であるＵＶ／Ｏ3洗浄（特開２００１−３１１８６９号）やＯ2プラズマ処理（C.C.Wu, C.I.Wu, J.C.Sturm, and A.Kahn,   Appl. Phys. Lett. vol.70 No.11 1348 (1997)）を施すと、Ａｇ系材料配線は酸化し易く、酸化後に抵抗が著しく高くなってしまう。
有機ＥＬ素子では有機材料層形成前に基板をＵＶ／Ｏ3洗浄やＯ2プラズマ処理を施すことにより、素子の発光効率が向上することが確認されている。Ａｇ系材料を用い透明電極用補助電極の配線を形成する場合、有機材料層形成前に、ＵＶ／Ｏ3洗浄やＯ2プラズマ処理を施すので、Ａｇ系材料補助電極が酸化され配線抵抗が上昇し高性能な有機ＥＬ素子表示パネルを製作することは困難であった。
【００１１】
そこで、発明者は、Ａｇ系材料を単一層配線ではなく多層配線として、電極銀若しくは銀合金導電層とこれを被覆しかつ積層された導電性の保護層からなる多層配線を提案する。かかる導電保護層は以下の（１）〜（９）の特性及び条件を満たすものである。
（１）導電保護層材料は少なくとも下層の銀若しくは銀合金導電層よりも耐酸化性が高い、又は酸化しても抵抗が大きく上昇しない材料である。
（２）導電保護層材料は下層の銀若しくは銀合金導電層と密着性が高い材料である。
（３）導電保護層材料は加熱などにより下層の銀若しくは銀合金導電層と反応を起こさない材料である。
（４）導電保護層材料は他の金属（例えば有機ＥＬの陰極）と接触を取る場合、膜厚方向の抵抗が大きくならないようある程度導電性が低く、その金属と接触抵抗が低い良好な接触が取れ、安定性も高い材料である。
（５）導電保護層膜厚は、下層のＡｇ合金を保護するのに必要な最低の膜厚を有する。
（６）導電保護層材料はフォトレジストの現像液、剥離液などパターニングに必要な薬液に耐える材料である。
（７）銀若しくは銀合金導電層材料と導電保護層材料は同一のエッチャントに溶解すること。
（８）（７）の場合、銀若しくは銀合金導電層材料と導電保護層材料はエッチング速度が互いに大きく違わないこと。
（９）（７）の場合、導電保護層の膜厚を（導電保護層の膜厚）／（銀若しくは銀合金導電層の膜厚）の比が（導電保護層のエッチングレート）よりも小さくなるようにする。
【００１２】
以下に、本発明の実施の形態を図面を参照しつつ説明する。
図１のように基板２上の銀若しくは銀合金導電層３２及び導電保護層３１を順に積層して多層配線を形成する。これにより、下層の銀若しくは銀合金導電層３２は保護され酸化しにくくなるので、ＵＶ／Ｏ3洗浄やＯ2プラズマ処理を行っても配線抵抗が増大しない。この多層配線は、低抵抗を維持し配線の耐酸化性が高くなり、基板処理であるＵＶ／Ｏ3洗浄やＯ2プラズマ処理に強くなり、耐環境性も向上する。
【００１３】
積層される導電保護層３１は、少なくとも銀若しくは銀合金導電層３２よりも耐酸化性が高いか、もしくは酸化しても抵抗の上昇が少ない材料から構成される。また、導電保護層３１の膜厚は所定の基板処理もしくは所定の耐環境性に耐えうる範囲で、できるだけ薄い方が望ましい。具体的には導電保護層３１に用いる材料によるが、５０〜１０００Åが好ましい。当然、２つの層の密着性は高い方が好ましい。
【００１４】
さらに、基板２側からの酸素の侵入を考慮すると、図２のように下層の銀若しくは銀合金導電層３２と基板２間に第２導電保護層３３を設けることができる。
銀若しくは銀合金導電層３２及び導電保護層３１の形成にはスパッタ法、蒸着法、ＣＶＤ法などあらゆる成膜手段を用いることができる。
銀若しくは銀合金導電層３２には、Ａｇ単体又はＡｇと他の任意の物質との合金を用いることができる。合金として用いる場合、混入する物質は１種類でも複数種類でも構わない。混入率はいくらでも構わないが、一般的に他の物質の混入量が大きくなると、膜の比抵抗が高くなるため混入率は１０（重量％）以下で用いるのが好ましい。一例として、種々のＡｇ合金膜の特性を表１に示す。
【００１５】
【表１】
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上層の導電保護層３１の材料としては少なくとも銀若しくは銀合金導電層３２よりも耐酸化性が高いか、もしくは酸化しても抵抗の上昇が少ない材料を用いる。耐酸化性が高い材料としては、Ｃｒ，Ｔａ，Ｗ，Ｔｉ，Ｍｏなどの高融点材料単体もしくはこれらを含む合金、表面に不導体を形成するため酸化が内部まで進行しないＡｌ単体またはＡｌ合金、ＩＴＯ、インジウム亜鉛酸化物（以下、ＩＺＯという）、酸化錫、酸化亜鉛、酸化インジウム、酸化マグネシウムなどの金属酸化物、金属フッ化物、金属窒化物などが挙げられる。酸化しても抵抗の上昇が少ない材料としては、Ｓｎ，Ｚｎ，Ｉｎ，Ｍｇ単体もしくはこれらを含む合金などが挙げられる。
【００１６】
図３は本発明による他の実施形態の有機ＥＬ素子表示パネル基板における銀若しくは銀合金配線を示すが、銀若しくは銀合金配線を有機ＥＬ素子中の陽極となる透明ＩＴＯ電極３ａの補助電極に用いた場合、下層の銀若しくは銀合金導電層３２は基板２に予め成膜されているＩＴＯに接触する。このように、ＩＴＯや外部電気端子など他の金属や、例えば有機ＥＬ素子の陰極に用いた場合には有機物質などとの接触を取る場合、膜厚方向の抵抗が大きくならないように、ある程度導電性が低いこと、その金属などと接触抵抗が低い良好な接触が取れることなどが求められる。
＜比較例１、実施例１＞
３０ｍｍ×３０ｍｍのガラス基板上に銀若しくは銀合金導電層としてＡｇ―０．９Ｐｄ―１Ｃｕ（重量％）合金（以下、ＡＰＣという）を２０００Å、導電保護層としてＭｏ、ＩＺＯの２種を所定の膜厚、Ｍｏを１００Å，２００Å，３００Åで、ＩＺＯを１００Å，２００Å，１０００Åで、それぞれスパッタにより形成し、サンプルを作製して、種々の評価を行った。比較例として導電保護層を形成しないサンプルも作製、評価した。
（１）密着性（基盤目試験）
銀若しくは銀合金導電層及び導電保護層の積層膜に１ｍｍピッチで縦横それぞれ１１本ずつカッターで切り込みを入れ計１００個のマスを作製した。メンディングテープを貼付した後、このテープを勢いよく剥がし、剥がれずに残ったマスの数を数え、膜の密着性を評価した（１００／１００が満点、０／１００が最低点）。結果を表２に示す。銀若しくは銀合金導電層―導電保護層間で剥がれは見られず、導電保護層を積層したサンプルでも密着性は全く問題なかった。
（２）加熱特性
サンプルを３００℃のホットプレートで１０分間加熱。加熱前後でシート抵抗を測定した。結果を表２に示す。導電保護層の有無、種類、膜厚に関わらず加熱後にシート抵抗が約１．２倍に増加した。導電保護層の積層により過熱特性は特に悪影響を受けないことがわかった。
（３）耐酸化性（耐ＵＶ／Ｏ3洗浄性）
滝沢産業製ＵＶ／Ｏ3洗浄装置でサンプルを１０分間処理し、処理前後でシート抵抗を測定した。結果を表２に示す。導電保護層なしのサンプルではシート抵抗が増大し、膜も黒く変色した。導電保護層付のサンプルは何れもシート抵抗が変化せず、また膜の変色も見られなかった。導電保護層により耐酸化性が向上し、僅か１００Å程度でもその効果が十分であることが確認された。
【００１７】
【表２】
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低抵抗配線材料は微細なパターンに加工されて用いられる。微細なパターン化には一般的にフォトリソグラフィー技術が用いられる。本発明による配線材料をフォトリソグラフィーによりパターニングする場合、通常は導電保護層、銀若しくは銀合金導電層と別の条件で２回エッチングを行う必要が生じ、銀若しくは銀合金導電層単層の場合よりも工程が複数になってしまう。しかし、導電保護層材料として、銀若しくは銀合金導電層と同様な条件でエッチングが可能な材料を選択することにより、２層を一括してエッチングでき、工程の複雑化は解決される。その際、導電保護層材料がフォトリソグラフィーの工程で用いられる薬液、例えば、フォトレジストの現像液、剥離液などに十分な耐性が必要であることは言うまでもない。
【００１８】
銀若しくは銀合金導電層は、一般にエッチングレートが大きく、特にウエットエッチングではサイドエッチングの進行が速い。よって、ウエットエッチングによる一括エッチングは図４〜図６のように進む。
図４は、厚い導電保護層のエッチング進行を示す模式図である。図の上方から矢印方向の下方に向けてエッチングが進行して、エッチングが電導保護膜まで進み下層の銀若しくは銀合金導電層が露出した状態を示す。
【００１９】
図５は、さらに進行したエッチングが銀若しくは銀合金導電層途中まで進んだ状態を示す。銀若しくは銀合金導電層はサイドエッチングの進行が速いので、図の直角矢印方向に示すように、厚い導電保護層の下部エッジは銀若しくは銀合金導電層のサイドエッチング部分に入り込んだエッチャントにより下側からも溶解される。
【００２０】
図６は、エッチング終了状態を示す。銀若しくは銀合金導電層に比べ導電保護層のサイドエッチング量が小さいと、配線パターンの断面がオーバーハングを持った「Ｔ字型」になってしまう。
図６のように配線パターン断面がＴ字型になると、導電保護層の突出した部分が非常に剥離しやすくなり、剥離すれば不良の原因となってしまうという問題がある。この問題を回避するためには、導電保護層材料として下層の銀若しくは銀合金導電層よりもサイドエッチングが大きい材料を用いればよい。しかし、Ａｇ系膜は一般にサイドエッチングが非常に大きく、Ａｇ系膜よりもサイドエッチングが大きい材料は少ない。そこでサイドエッチングが小さい材料でも、導電保護層材料の膜厚を、（導電保護層の膜厚）／（銀若しくは銀合金導電層の膜厚）の比が（導電保護層のエッチングレート）／（銀若しくは銀合金導電層のエッチングレート）よりも小さくなるように特定膜厚とすれば、一括エッチングは図７〜図９のように進み、良好な配線パターン断面形状を得ることができる。
【００２１】
図７は薄い導電保護層を銀若しくは銀合金導電層上に積層した場合のエッチング進行を示す模式図である。図の上方から矢印方向の下方に向けてエッチングが進行して、エッチングが電導保護膜まで進み下層の銀若しくは銀合金導電層が露出した状態を示す。
図８は、さらに進行したエッチングが銀若しくは銀合金導電層途中まで進んだ状態を示す。図の直角矢印方向に示すように、銀若しくは銀合金導電層はサイドエッチングの進行が早いが特定膜厚の薄い導電保護層のエッジも銀若しくは銀合金導電層のサイドエッチング部分に入り込んだエッチャントにより下側からも溶解される。
【００２２】
図９は、エッチング終了状態を示す。導電保護層が薄いため、銀若しくは銀合金導電層のサイドエッチング部分に入り込んだエッチャントによって導電保護層のオーバーハングとなるはずの部分が完全に溶解され、良好な断面形状となる。
例えば、あるエッチャントに対し、導電保護層のエッチングレートが５Å／秒、銀若しくは銀合金導電層では５０Å／秒の場合、比は１／１０となる。銀若しくは銀合金導電層の膜厚が２０００Åとすると、導電保護層の膜厚は２０００×１／１０＝２００Å以下であれば、良好な断面形状が得られる。ただし前述した通り、薄ければ薄い方が良いわけではなく、保護効果を発揮できる最低限の膜厚は必要である。
＜実施例２、比較例２＞
銀若しくは銀合金導電層としてＡｇ―０．９Ｐｄ―１Ｃｕ（重量％）合金を、導電保護層としてＩＺＯを選び、それぞれの膜をりん酸、硝酸、酢酸、水の混合液すなわち溶解性薬液でエッチングし、エッチングレートを調べた。その結果、ＡＰＣが約３２Å／秒、ＩＺＯは約４Å／秒であり、両者とも良好に溶解、エッチングレートの比は１／８であった。
【００２３】
３０ｍｍ×３０ｍｍのガラス基板上に銀若しくは銀合金導電層としてＡＰＣを２０００Å、導電保護層としてＩＺＯを１００Å，２００Å，３００Å，５００Åそれぞれスパッタにより形成した。導電保護層の膜厚２０００×１／８＝２５０Å以下が実施例、それ以上が比較例となる。
このサンプル上に東京応化製フォトレジストＯＦＰＲ―８００を用いて、所定の工程でＬｉｎｅ／Ｓｐａｃｅ＝１０／１００（μｍ）のストライプパターンを形成した。これらをりん酸、硝酸、酢酸、水の混合液でエッチングした後、レジストを剥離、パターン形状を観察した。結果を表３に示す。銀若しくは銀合金導電層の膜厚に対し導電保護層の膜厚をエッチングレートの比以下にしたサンプルについて、オーバーハングのない良好な断面形状が得られた。
【００２４】
【表３】
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本発明によれば、従来抵抗は低いが耐酸化性、耐環境性が劣り実用的ではなかったＡｇ系の材料を、導電保護層を必要最低限以上の膜厚で形成することにより低抵抗かつ耐酸化性、耐環境性の高い配線材料として用いることができる。
【００２５】
特に本発明による配線材料を有機ＥＬパネルに応用した場合、従来のＡｇ系単層膜では不可能であった有機材料層形成前のＵＶ／Ｏ3洗浄やＯ2プラズマ処理を行うことが可能となり、高効率な素子を作製することができる。
また、本発明によれば、導電保護層材料として下層の銀若しくは銀合金導電層と同一のエッチング条件で溶解、除去できる材料を用いることにより、Ａｇ系単層膜と同様の単純な工程でパターンニングを行うことができる。
【００２６】
更に、本発明によれば、導電保護層材料の膜厚を（導電保護層の膜厚）／（銀若しくは銀合金導電層の膜厚）の比が（導電保護層のエッチングレート）／（銀若しくは銀合金導電層のエッチングレート）よりも小さくなるようにすれば、良好な断面形状を持った配線パターンを形成できる。
図１０は他の実施形態の有機ＥＬ素子表示パネルの正面から透視した部分拡大正面図である。有機ＥＬ素子の表示パネル回路基板は、図１０に示すように、ガラス等からなる透明な基板２上にマトリクス状に配置されかつ各々が赤Ｒ、緑Ｇ及び青Ｂの発光部からなる発光画素１の複数からなる画像表示配列領域１ａを有している。互いに平行な第１表示電極ライン３すなわち陽極と該ライン３に対し垂直方向の互いに平行な第２表示電極ライン９すなわち陰極との交差する部分の透明電極３ａの位置で発光部すなわち有機ＥＬ素子が形成されている。陽極の第１表示電極３は、島状透明電極３ａを水平方向に電気的に接続する補助電極３ｂからなる。有機ＥＬ表示パネルは基板２上の有機ＥＬ素子の間に設けられた複数の隔壁７を備えている。
【００２７】
本発明による銀若しくは銀合金配線は、陽極の第１表示電極３における補助電極３ｂと、陰極の第２表示電極ライン９に応用されている。
図１１に示すように、補助電極３ｂは基板２及び島状透明電極３ａ上の銀若しくは銀合金導電層３２及び導電保護層３１を順に積層して、陰極の第２表示電極ライン９は隔壁７及び有機材料層８上の銀若しくは銀合金導電層９２及び導電保護層９１を順に積層して、それぞれ形成されている。
【００２８】
有機ＥＬ素子の各々は、基板２上に順に積層された、第１表示電極３、有機化合物からなる発光層を含む１以上の有機材料層８、及び第２表示電極９、からなる。隔壁７は、基板２から突出するように有機ＥＬ素子の間に設けられている。例えば、有機ＥＬ素子の各々は、透明なガラス基板２上にＩＴＯからなる陽極の島状透明電極３ａと補助電極３ｂを順に蒸着又はスパッタする。電極３ａ上に、銅フタロシアニンからなる正孔注入層、ＴＰＤ（トリフェニルアミン誘導体）からなる正孔輸送層、Ａｌｑ３（アルミキレート錯体）からなる発光層、Ｌｉ2Ｏ（酸化リチウム）からなる電子注入層を順次、蒸着して有機材料層８を形成する。さらに、この上に電極３ａと対向するように第２表示電極９として蒸着によって陰極９を成膜する。なお、島状透明電極の画素部分を除き、第１表示電極ライン上を絶縁膜６で被覆することもできる。
【００２９】
さらに、有機ＥＬ表示パネルは、有機ＥＬ素子１０及び隔壁７を覆う内部の無機パッシベーション膜２０、この無機パッシベーション膜２０を覆う樹脂からなる封止膜３０と、該封止膜３０を覆う無機物からなる無機パッシベーション膜４０と、を有している。無機パッシベーション膜２０は窒化シリコンなどの窒化物、或いは酸化物又は炭素などの無機物からなる。封止膜３０を構成する樹脂としては、フッ素系やシリコン系の樹脂、その他、フォトレジスト、ポリイミドなど合成樹脂が用いられる。
【００３０】
【発明の効果】
本発明は以上のように構成したため、印刷回路における接続ラインの低抵抗化を達成でき、さらに表示パネル基板では輝度ムラがなく表示品位の高い表示パネルを実現できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】    本発明による銀若しくは銀合金配線を示す概略断面図。
【図２】    本発明による他の実施形態の銀若しくは銀合金配線を示す概略断面図。
【図３】    本発明による他の実施形態の銀若しくは銀合金配線を示す概略斜視図。
【図４】    本発明による銀若しくは銀合金配線形成方法における基板上の銀若しくは銀合金導電層と導電保護層の積層のエッチング進行を示す模式断面図。
【図５】    本発明による銀若しくは銀合金配線形成方法における基板上の銀若しくは銀合金導電層と導電保護層の積層のエッチング進行を示す模式断面図。
【図６】    本発明による銀若しくは銀合金配線形成方法における基板上の銀若しくは銀合金導電層と導電保護層の積層のエッチング進行を示す模式断面図。
【図７】    本発明による銀若しくは銀合金配線形成方法における基板上の銀若しくは銀合金導電層と導電保護層の積層のエッチング進行を示す模式断面図。
【図８】    本発明による銀若しくは銀合金配線形成方法における基板上の銀若しくは銀合金導電層と導電保護層の積層のエッチング進行を示す模式断面図。
【図９】    本発明による銀若しくは銀合金配線形成方法における基板上の銀若しくは銀合金導電層と導電保護層の積層のエッチング進行を示す模式断面図。
【図１０】  本発明による他の実施形態の表示パネル基板の概略部分拡大平面図。
【図１１】  図１０の線ＢＢに沿った部分拡大断面図。
【符号の説明】
２  ……  基板
３  ……  第１表示電極
６  ……  絶縁膜
８  ……  有機材料層
９  ……  第２表示電極
【図１】
0004620298.tif 000005
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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