(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
（ａ）半導体基板の一面である表面に電子回路を形成し、該電子回路の電極端子を前記半導体基板上で配線を介して分散することにより再配置された電極パッドを形成する工程と、
（ｂ）該半導体基板の他面である裏面側を研削する工程と、
（ｃ）該半導体基板の研削した面に第１の樹脂層を形成する工程と、
（ｄ）該第１の樹脂層を形成した後に、前記電極パッド上に、無電解メッキによりバリアメタル層を形成する工程と、
（ｅ）該バリアメタル層上に、ハンダペーストを印刷し熱処理をすることにより、ハンダコアを形成する工程と、
（ｆ）前記半導体基板の該ハンダコアを形成した表面側に第２の樹脂層を形成する工程と、
（ｇ）該第２の樹脂層を研削して前記ハンダコアを露出させる工程と、
（ｈ）前記露出したハンダコア上に、さらにハンダペーストを印刷し熱処理をすることにより、ハンダバンプを形成する工程
とを含み、
前記（ｃ）工程を、前記半導体基板の切削した面に、有機溶液により溶解し得る樹脂からなり、前記半導体基板より大きい樹脂シートを貼り付け、該樹脂シートが貼り付けられた前記半導体基板を回転させながら、該半導体基板の表面側から有機溶剤を滴下させて、前記半導体基板と接着していない部分の前記樹脂シートを溶解して除去することにより、前記半導体基板の裏面全面に前記樹脂シートを貼り付け、該樹脂シートを硬化させることにより前記第１の樹脂層を形成することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、小型、薄型、軽量、低価格を達成し得る半導体装置の製造方法に関する。さらに詳しくは、微細な電極端子を有しながらリードフレームやインターポーザーなどを用いないで、直接マザーボードなどにマウントすることができる構造の半導体装置を簡単な製造工程で、しかも安価に得られる半導体装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体装置は、一般的には、たとえば図１５に示されるように、半導体チップ２１をリードフレームのダイパッド２２にダイボンディングし、電極パッド２１ａとリードフレームのリード２３とを金線２４によりワイヤボンディングして、樹脂でモールドすることによりパッケージ２５を形成することにより製造されている。
【０００３】
また、小型、薄型、軽量化を実現させる手段として、図１６または図１７に示されるように、半導体チップ２１周囲の電極パッド２１ａを半導体チップ２１上に分散させてハンダボールを形成するチップサイズパッケージが考えられている。すなわち、図１６に示される例は、セラミック基板、ポリイミドなどの有機材基板、フィルムテープなどからなるインターポーザー２６の一面に配線（図示せず）を形成して半導体チップ２１の電極パッド２１ａとその配線とを金線２４などを用いたワイヤボンディングにより接続し、そのインターポーザー２６の裏面にその配線とそれぞれ接続してハンダボールなどからなる外部電極２７を形成し、半導体チップ２１側を樹脂２５により被覆する技術である。なお、図１７に示される例は、半導体チップ２１の電極パッド２１ａと配線との接続をワイヤボンディングによらないで、電極パッド（図示せず）にハンダバンプ２１ｂを形成し、そのハンダバンプ２１ｂとインターポーザー２６の配線とを直接接合するもので、他の構成は図１６に示される例と同じである。２８は半導体チップを固定する樹脂層である。
【０００４】
このようなインターポーザーを介在させることにより、半導体チップの周囲に非常に狭い間隔で設けられている電極パッドを半導体チップの面積全体に分散させて回路基板などに直接接続することを可能としている。すなわち、近年の半導体チップの高集積化および小型化に伴い、その電極パッドは半導体チップの周囲に１００〜２００μｍ程度の間隔で設けられている。しかし、半導体装置がマウントされる回路基板の配線は、０.５ｍｍ程度の間隔があり、半導体チップの電極パッドにバンプ電極を形成しても直接回路基板にマウントすることができないが、このインターポーザーを介在させることにより、インターポーザー全体に電極を分散させることができるため、直接回路基板にマウントすることができる。
【０００５】
前述のように、チップサイズパッケージは小型化が可能であるが、インターポーザーとそれに接続する接続工程が必要となる。このインターポーザーは、リードフレームを使用する半導体装置に比べて、流通量、すなわち生産量が少なく、また、微細な成型が要求されるものもあるため、一般的にコストが高くなる。また、このインターポーザーと半導体チップとのワイヤボンディングは、ワンバイワンの接続であるため、一括処理をすることができないし、一般的な電解工法によるメッキバンプは一括処理をすることができるものの、特にバリアメタルを形成する工程では、ステッパ装置、レジスト塗布・現像・露光装置など高額な設備が必要となる。そのため、チップサイズパッケージは、小型、薄型、軽量化を実現することができるが、コスト高になるという問題がある。
【０００６】
一方、本発明者は、このような問題を解決するため、電子回路を形成した半導体基板表面に配線で電極パッドを半導体チップの表面全体に分散させ、その電極パッド上に無電解メッキ法によりバリアメタル層を形成して、その上にハンダコアを形成し、表面全体に樹脂層を形成してから研削することによりハンダコアを露出させ、その露出したハンダコアの表面にハンダバンプを形成すると共に、半導体基板裏面を研削して薄くしてから裏面樹脂層を設けることにより小型で薄型の半導体装置を製造する方法を開示している（特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特開２００３−３３８５１５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
しかし、このような方法によっても、たとえば裏面樹脂層を印刷法により塗布して硬化させる方法で形成すると、裏面樹脂層の厚さのバラツキが、数十μｍ程度生じ、必ずしも所望の値で薄型を達成することができないという問題がある。さらに、バリアメタル層を形成するのに、前述の無電解メッキ法で形成することにより、真空蒸着法やスパッタリング法などに比べて金属の無駄なく簡単に形成することができるが、半導体基板も導電性であるため、半導体基板裏面に絶縁シートを貼り付け、無電解メッキ終了後にその絶縁シートを除去しなければならず、その絶縁シートの貼り付けおよび除去の工程が煩雑になるという問題がある。
【０００９】
本発明は、このような状況に鑑みてなされたもので、インターポーザーを用いないで、電極間隔を広げ、バリアメタルを無電解メッキ法により形成しながら、無電解メッキのために半導体基板裏面を絶縁シートでマスクする特別な工程を省くことができ、さらには確実に所望の厚さに形成して、小型、薄型、軽量化を実現しながら、コストを低減することができる半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明による半導体装置の製造方法は、（ａ）半導体基板の一面である表面に電子回路を形成し、該電子回路の電極端子を前記半導体基板上で配線を介して分散することにより再配置された電極パッドを形成する工程と、（ｂ）該半導体基板の他面である裏面側を研削する工程と、（ｃ）該半導体基板の研削した面に第１の樹脂層を形成する工程と、（ｄ）該第１の樹脂層を形成した後に、前記電極パッド上に、無電解メッキによりバリアメタル層を形成する工程と、（ｅ）該バリアメタル層上に、ハンダペーストを印刷し熱処理をすることにより、ハンダコアを形成する工程と、（ｆ）前記半導体基板の該ハンダコアを形成した表面側に第２の樹脂層を形成する工程と、（ｇ）該第２の樹脂層を研削して前記ハンダコアを露出させる工程と、（ｈ）前記露出したハンダコア上に、さらにハンダペーストを印刷し熱処理をすることにより、ハンダバンプを形成する工程とを含み、前記（ｃ）工程を、前記半導体基板の切削した面に、有機溶液により溶解し得る樹脂からなり、前記半導体基板より大きい樹脂シートを貼り付け、該樹脂シートが貼り付けられた前記半導体基板を回転させながら、該半導体基板の表面側から有機溶剤を滴下させて、前記半導体基板と接着していない部分の前記樹脂シートを溶解して除去することにより、前記半導体基板の裏面全面に前記樹脂シートを貼り付け、該樹脂シートを硬化させることにより前記第１の樹脂層を形成することを特徴とする。
【発明の効果】
【００１２】
この方法を用いることにより、バリアメタル層を無電解メッキ法により形成しながら、その無電解メッキ前の工程で半導体基板裏面を研削して薄くし、第１の樹脂層を形成しているため、無電解メッキの際に半導体基板裏面にもバリアメタル層の金属被膜が形成されることが無く、電極パッドのみにバリアメタル層の金属被膜を形成することができる。その結果、無電解メッキの工程のためにわざわざ絶縁膜で半導体基板裏面を被覆して、メッキ後の絶縁膜を除去するという無駄な工程を挟むことなく、バンプ電極を形成する必要な電極パッド部分のみにバリアメタル層を形成することができる。無電解メッキは、電解メッキのように、全面にスパッタリングなどにより設けた金属膜にレジストを形成し、電解メッキを行い、その後、レジストや不要な金属膜をエッチングするというような煩雑な工程を経ることなく形成することができる。さらに、衝撃に強い樹脂層で半導体基板の裏面が被覆されているため、薄くしながら製造工程の搬送中などにおける破損を防止することができると共に、半導体基板の両面が樹脂層により挟まれるため、ウェハの反りを防止することができる。その結果、非常に簡単な製造工程で歩留りが高く、安価に製造することができる。
【００１３】
さらに、第１の樹脂層の形成を、樹脂シートを貼り付けて、熱処理により硬化させる方法で行うことにより、薄い層で一定の厚さで形成することができるため、狙い通りの厚さで非常に薄型の半導体装置を得ることができる。すなわち、印刷法により樹脂を塗布して樹脂層を形成すると、その厚さのバラツキは数十μｍ程度と非常に大きなバラツキが生じ、全体の厚さが５００μｍ程度の半導体装置では、所望の厚さ以内という薄型化を図っても、その寸法公差をオーバしてしまう場合も生じるが、本発明によれば、第１の樹脂層を樹脂シートから形成しているため、その第１の樹脂層を薄く、かつ、一定の厚さで形成することができる。その結果、非常に薄型の半導体装置を製造するのに大きく寄与する。
【図面の簡単な説明】
【００１４】
【図１】本発明による製造方法の一実施形態の製造工程を示す説明図である。
【図２】本発明による製造方法の一実施形態の製造工程を示す説明図である。
【図３】本発明による製造方法の一実施形態の製造工程を示す説明図である。
【図４】本発明による製造方法の一実施形態の製造工程を示す説明図である。
【図５】本発明による製造方法の一実施形態の製造工程、およびその詳細な具体的工程図を示す説明図である。
【図６】本発明による製造方法の一実施形態の製造工程を示す説明図である。
【図７】本発明による製造方法の一実施形態の製造工程を示す説明図である。
【図８】本発明による製造方法の一実施形態の製造工程を示す説明図である。
【図９】本発明による製造方法の一実施形態の製造工程を示す説明図である。
【図１０】本発明による製造方法の一実施形態の製造工程を示す説明図である。
【図１１】本発明による製造方法の一実施形態の製造工程を示す説明図である。
【図１２】本発明による製造方法の一実施形態の製造工程を示す説明図である。
【図１３】本発明による製造方法の一実施形態の製造工程を示す説明図である。
【図１４】本発明による製造方法の一実施形態の製造工程を示す説明図である。
【図１５】従来の半導体装置における構造の一例を示す説明図である。
【図１６】従来の半導体装置における構造の一例を示す説明図である。
【図１７】従来の半導体装置における構造の一例を示す説明図である。
【発明を実施するための形態】
【００１５】
つぎに、図面を参照しながら本発明の半導体装置の製造方法について説明をする。本発明による半導体装置の製造方法は、まず、図１〜３に示されるように、半導体基板１に電子回路を形成し、その電子回路の電極端子２を半導体基板１上で配線４を介して分散することにより再配置された電極パッド４ａを形成し、図４に示されるように、半導体基板１の裏面を研削する。そして、図５に示されるように、半導体基板１の裏面に第１の樹脂層６を形成し、図６に示されるように、その電極パッド４ａ上に、無電解メッキによりバリアメタル層７を形成し、図７に示されるように、バリアメタル層７上に、ハンダペーストを印刷し熱処理をすることにより、ハンダコア８を形成し、図８に示されるように、半導体基板１のハンダコア８を形成した表面側に樹脂を印刷することにより第２の樹脂層９を形成し、図９に示されるように、第２の樹脂層９を研削してハンダコア８を露出させ、図１０に示されるように、露出したハンダコア８上に、さらにハンダペーストを印刷し熱処理をすることにより、ハンダバンプ１０を形成することにより製造する。
【００１６】
この半導体装置の製造方法について、具体例を交えて、さらに詳細に説明する。まず、図１に示されるように、半導体基板（ウェハ）１にトランジスタやダイオードなどの回路素子（図示せず）を形成して電子回路を形成し、その表面に電子回路の電極端子２を形成すると共に、半導体基板１の表面に絶縁膜３を形成して回路素子を保護している。この状態は、通常の半導体チップにする前のウェハの状態である。なお、図１〜１０においては、１個の電極端子およびその電極端子に接続して設けるバンプ電極が１個の例で示されているが、多数ある電極端子全てについて同時に同様の方法でバンプ電極の形成が行われる。
【００１７】
つぎに、Ａｌ-Ｓｉ（Ｓｉが１ｗｔ％）などからなる電極材料をスパッタ法などにより３μｍ程度の厚さに成膜して、図示しないレジスト膜を設けてパターニングすることにより、図２に示されるように、電極端子２と接続してバンプ電極を形成する所望の場所まで延在する配線４を形成する。その後、図３に示されるように、ＣＶＤ法などによりＳｉＯ2またはＳｉ3Ｎ4などからなる被覆層５を全面に設け、前述の配線４の端部であるバンプ電極形成場所のみが露出するようにパターニングする。この際、バンプ電極形成場所として配線４を露出させた再配置の電極パッド４ａは、他の再配置の電極パッドとの間隔が０.４ｍｍピッチ程度となり、その大きさが１５０μｍφ程度となるように形成する。
【００１８】
つぎに、図４に示されるように、半導体基板１の厚さが１５０〜３５０μｍになるように、半導体基板１の裏面を研削する。具体的には、６３０μｍ厚の半導体基板１を研削して、２００±１５μｍ厚にした。
【００１９】
ついで、図５に示されるように、半導体基板１の裏面側に、たとえばフィラー入りエポキシ樹脂をシート状に加工した樹脂シートを貼り付けて第１の樹脂層６を、たとえば５０±１０μｍ程度の厚さで、ウェハの裏面全面に形成する。具体的には、たとえば図５Ａに示されるように、厚さが５０±５μｍ程度でアセトンなどの有機溶剤に溶解し得る材料からなり、半導体ウェハ１ａより大きく樹脂シート６ａを切断し、半導体基板１のウェハ状態であるウェハ１ａの裏面に重ねて、たとえば７０℃程度に加熱することにより貼り付ける。そして、図５Ｂに示されるように、樹脂シート６ａ側をスピナー１７に固定して回転させながら、ウェハ１ａの表面側からアセトン１８を滴下することにより、図５Ｃに示されるように、ウェハ１ａの周囲からはみ出た樹脂シート６ａを溶解して除去する。その後、たとえば１２０℃程度で８時間程度、さらに１７５℃程度に昇温して１.５時間程度の熱処理をして、樹脂を硬化させることにより、第１の樹脂層６が５０±１０μｍ程度の厚さで、ウェハ１ａの裏面全面に形成される。
【００２０】
つぎに、図６に示されるように、再配置した電極パッド４ａ上にバリアメタル層７を形成する。具体的にはつぎのように行った。まず、再配置した電極パッド４ａ表面の親水性改善のため、脱脂処理を行い、ついで、硫酸または硝酸により表面に付着した酸化膜を除去した。その後、その表面にＺｎ膜を置換メッキした。硝酸によりこのＺｎ膜を一旦除去した後、再度Ｚｎ膜を置換メッキし、電極パッド４ａ表面に均一なＺｎ膜を形成した。つぎに、還元反応により、Ｎｉを５〜９μｍ析出させた。さらに、Ｎｉ表面の酸化を防止するため、置換メッキ法によりＡｕ膜を０.０３μｍ形成することにより、バリアメタル層７を形成した。なお、このバリアメタル層７の直径は１６０μｍであった。ここで、電極パッド４ａは、１回目のＺｎを置換メッキで形成する際のエッチング量が大きい。具体的には、０.７μｍ程度エッチングされた。したがって、配線４の厚さを１μｍ程度以上設けることが必要である。１μｍ以下の場合は、２回目のＺｎを形成するまでに電極パッド４ａの材料が溶けて無くなる場合が生じ、Ｎｉメッキが成長しない場合が生じ、好ましくない。
【００２１】
つぎに、図７に示されるように、バリアメタル層７の表面にハンダコア８を印刷法により形成する。この場合のマスクとして、（マスクの開口面積πｒ2）／（開口部におけるマスク壁面面積２πｒｔ）＝ｒ／２ｔの比率が１／２以上のハンダマスクを使用するのがよかった。これは、（マスクの開口面積）／（マスク壁面面積）が１／２より小さくなると、たとえばマスク開口の直径２ｒが２５０μｍφで、マスク厚ｔを２００μｍにした場合、マスク壁面との接着力の方が大きく、マスクにハンダペーストが残っており、転写の再現性が劣るためである。具体的には、直径が２５０μｍφの開口で、厚さｔが１００μｍのマスクを用い、Ｓｎ-Ｃｕ（Ｃｕが２ｗｔ％）のハンダペーストを使用して印刷した。そして、酸素濃度が１０００ｐｐｍ以下の不活性ガス雰囲気で、２６０℃、１０秒以上の熱処理をしてリフローした。ハンダマスクの開口の直径が２５０μｍのとき、マスク厚を変化させた結果、厚さｔが１２５μｍ（すなわちｒ／２ｔ=０.５）まではハンダが転写されることを確認できた。また、リフロー時の酸素濃度が１０００ｐｐｍ以上の場合、ハンダコア８の高さにバラツキが生じた。バリアメタル層の直径が１６０μｍφ、マスク開口の直径が２５０μｍφ、マスク厚ｔが１００μｍのとき、ハンダコア８の高さは１３０±２０μｍの範囲で得られた。
【００２２】
つぎに、図８に示されるように、半導体基板１の表面（ハンダコア８を形成した面）側に、たとえばフィラー入りエポキシ樹脂を大気圧下で印刷法により塗布して、第２の樹脂層９を形成する。この際、第２の樹脂層９の厚さを規定するウェハ周囲を除いて開口孔を形成した樹脂印刷マスクをつけて行うが、この樹脂印刷マスクは、ハンダコア８の高さと同じ厚さから、それより１５０μｍ程度厚い範囲の厚さとする。印刷後、真空雰囲気下に放置して印刷時に巻き込んだ気泡を脱泡する。その後、高温にして樹脂を硬化させる。具体的には、印刷に用いるマスク厚をハンダコア高さより大きい２５０μｍ厚のものを使用し、１００Ｐａ・ｓの粘度の樹脂を用いて６６５Ｐａの減圧下で、２０分間放置して脱泡をした。その後、１００℃で１時間、１５０℃で２時間の熱処理をして樹脂を硬化させた。硬化後の第２の樹脂層９の厚さは２５０±５０μｍであった。なお、使用する樹脂の粘度は、２５、２００、３００、６００Ｐａ・ｓでも使用できることが確認されている。
【００２３】
つぎに、図９に示されるように、半導体基板１の表面側の第２の樹脂層９を研削して、ハンダコア８を露出させる。樹脂の研削量は、第２の樹脂層９の研削面がハンダコア８の高さの２／３〜１／２となるように設定した。具体的には、１３０μｍ高のハンダコア８の場合に、第２の樹脂層９の厚さ（研削後のハンダコア８の高さ）が７０〜９０（８０±１０）μｍとなるように研削を行った。このとき、露出したハンダコア８の直径は、１５０±２０μｍφの範囲で得られた。
【００２４】
つぎに、図１０に示されるように、ハンダコア８上にハンダバンプ１０を印刷法により形成する。ここで、前述のハンダコア８を形成する場合と同様に、ハンダペーストを印刷する際に用いるマスクは、（マスクの開口面積）／（開口部におけるマスク壁面面積）の比率が１／２以上のハンダマスクを使用するのがよかった。そして、酸素濃度が１０００ｐｐｍ以下の不活性ガス雰囲気で、２６０℃、１０秒間の熱処理をしてリフローをした。具体的には、マスクとして、直径が２５０μｍφの開口で、厚さｔが１００μｍのマスクを用い、Ｓｎ-Ｃｕ（Ｃｕが２ｗｔ％）のハンダペーストを使用して印刷した。ハンダマスクの開口の直径が２５０μｍのとき、マスク厚を変化させた結果、前述の場合と同様に、厚さｔが１２５μｍまではハンダが転写されることを確認できたが、１５０μｍの厚さでは、マスクにハンダが残っており、転写の再現性に劣った。また、リフロー時の酸素濃度を１０００ｐｐｍ以上にした場合、ハンダバンプ１０の高さにバラツキが生じた。ハンダコア８の直径が１５０±２０μｍφ、マスク開口の直径が２５０μｍφ、マスク厚ｔが１００μｍのとき、ハンダバンプ１０の高さは１２０±３０μｍの範囲で得られた。
【００２５】
つぎに、図１１に１２３で示されるように、ウェハ１ａ（図１１では２個のチップ分が示されている）の裏面、すなわち第１の樹脂層６の露出面に型名などのマーク１１を付する。このマーキングは、印刷またはレーザ刻印などの方法により行う。
【００２６】
つぎに、図１２に示されるように、ウェハに多数形成された同じ電子回路をそれぞれその境界部でダイシングをしてチップ化（個片化）する。具体的には、ウェハの裏面側をダイシングテープ１２に貼着し、ダイサー１３によりチップ間を切断する。切断した後も、ダイシングテープ１２に貼着したまま、次工程のテストを行うことができる。
【００２７】
その後、図１３に示されるように、ハンダバンプ１０にテスターのプローブ１４を接触させて、電気試験を行う。このように、梱包直前にテストを行なうことにより、ダイシング時の不良も検出することができ、不良品の流出を完全に防止することができ、信頼性を向上させることができる。また、このように、ダイシングテープ１２に貼着したままテストを行うことにより、各チップは電気的には分離されながら、ダイシングテープ１２上に整列しているため、図１３に示されるように、２個以上のチップを同時にテストすることができる。具体的には、４個のチップを同時にテストすることができた。このように同時に複数個のチップのテストを行うことができるため、テストインデックスを短くすることができ、コストダウンを図ることができた。もちろん、従来通りピックアンドプレスによる１個単位でのテストをすることもできる。
【００２８】
最後に、外観検査を行い、ダイシングテープから分離されて完成した半導体装置１５を、図１４に示されるように、１個ごとに収納できる凹部が形成されたキャリアテープ１６の凹部に収納し、キャリアテープ１６を梱包することにより、出荷できる状態になる。
【００２９】
以上のように、本発明によれば、半導体基板表面にウェハのプロセスを用いて、電極端子の再配置を行って電極パッドの間隔を広げているため、インターポーザーを用いることなく、直接マザーボードなどにマウントすることができるチップサイズの非常に小型の半導体装置を得ることができる。しかも、半導体基板裏面を研削して薄くし、その研削面に第１の樹脂層を形成してから、半導体基板表面にハンダコアやハンダバンプを形成する前にバリアメタル層を無電解メッキにより形成し、さらに、ハンダコアやハンダバンプの形成を、印刷と加熱処理とにより行っているため、製造工程での破損を防止しやすいと共に、無電解メッキのためのマスクをわざわざ形成することなく、非常に簡単な設備で、しかもウェハ単位で一括処理により製造することができる。その結果、直接マザーボードなどにマウントすることができる、チップサイズ程度の小型、薄型、軽量の半導体装置を非常に安価に得ることができる。さらに、第１の樹脂層を樹脂シートの貼り付けにより形成することにより、薄くて、かつ、寸法精度をシビアにすることができ、非常に正確な薄型の半導体装置が得られる。
【００３０】
なお、前述の具体例では、電極端子を再配置するための配線４として、Ａｌ-Ｓｉ（Ｓｉが１ｗｔ％）を用いる例であったが、配線４として、ＡｕまたはＣｕを用いる場合には、この膜を形成するのに、スパッタ法以外に真空蒸着で成膜してもよい。また、図６のバリアメタル層７の形成工程は以下のように行ってもよい。
【００３１】
まず、前述の例と同様に、再配置した電極パッド４ａ表面の親水性改善のため、脱脂処理を行い、ついで、硫酸または硝酸により表面に付着した酸化膜を除去する。その後、電極パッド４ａの表面に、Ｐｄを置換メッキにより成膜する。つぎに、還元反応により、Ｎｉを５〜９μｍ析出させる。さらに、置換メッキ法によりＡｕ膜を０.０３μｍ形成することにより、バリアメタル層７を形成する。なお、このバリアメタル層７の直径は１６０μｍであった。ここで、配線４は、半導体基板１表面の凹凸により断線が生じる場合があるので、１μｍ以上の厚さに形成することが必要である。
【産業上の利用可能性】
【００３２】
本発明は、携帯電話機などの携帯機器、ＣＤ、ＤＶＤ、ノート型パーソナルコンピュータなどの各種電子機器で軽薄短小化が要求される電子機器に用いられる半導体装置に適用することができる。
【符号の説明】
【００３３】
１    半導体基板
２    電極端子
４    配線
４ａ  電極パッド
６    第１の樹脂層
７    バリアメタル層
８    ハンダコア
９    第２の樹脂層
１０  ハンダバンプ
【図１】
0004739198.tif 000002
【図２】
0004739198.tif 000003
【図３】
0004739198.tif 000004
【図４】
0004739198.tif 000005
【図５】
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【図６】
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【図７】
0004739198.tif 000008
【図８】
0004739198.tif 000009
【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
0004739198.tif 000014
【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
0004739198.tif 000018