(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
エッチングマスクとして使用されたフォトレジストパターンを溶解し、基板に新たなフォトレジストパターンを形成するリフロー工程において、前記溶解前の処理を実施する基  板処理装置であって、
前記エッチングマスクとして使用されたフォトレジストパターンに形成された変質層を剥離するためのエッチング液を基板に供給する第一の処理液供給手段と、前記変質層が剥離されたフォトレジストパターンから不要なレジストを除去するための薬液を基板に供給する第二の処理液供給手段と、前記第一または第二の処理液供給手段により基板上に供給されたエッチング液または薬液を除去するためのリンス液を基板に供給する第三の処理液供給手段と、基板上のリンス液を基板から除去するよう乾燥処理を行う乾燥手段と、前記乾燥手段の動作制御を行う制御手段とを備え、
前記乾燥手段が前記エッチング液の除去に使用されたリンス液を基板から除去するよう乾燥処理を行う際、前記制御手段は、少なくとも基板全面にリンス液が残存する状態で乾燥処理を停止させることを特徴とする基板処理装置。
【請求項２】
前記乾燥手段は、水平状態に保持した前記基板を鉛直軸周りに回転することにより前記リンス液を基板から振りきり除去する手段であって、
前記乾燥手段が前記エッチング液の除去に使用されたリンス液を基板から除去するよう乾燥処理を行う際、前記制御手段は、１２００ｒｐｍ以下の基板回転数で１５〜２０ｓｅｃの間、基板を回転させる処理を実行させることを特徴とする請求項１に記載された基板処理装置。
【請求項３】
エッチングマスクとして使用されたフォトレジストパターンを溶解し、基板に新たなフォトレジストパターンを形成するリフロー工程前に実施される基板処理方法であって、
前記エッチングマスクとして使用されたフォトレジストパターンに形成された変質層を剥離するためのエッチング液を基板に塗布するステップと、
前記基板上のエッチング液をリンス液により除去するステップと、
前記基板の乾燥処理を実施し、少なくとも基板全面にリンス液が残存する状態で処理を停止するステップと、
前記変質層が剥離されたフォトレジストパターンから不要なレジストを除去するための薬液を基板に塗布するステップと、
前記基板上の薬液をリンス液により除去するステップと、
前記基板の乾燥処理を実施し、基板上のリンス液を除去するステップとを実行することを特徴とする基板処理方法。
【請求項４】
前記基板の乾燥処理を実施し、少なくとも基板全面にリンス液が残存する状態で処理を停止するステップにおいて、
水平状態に保持した前記基板を鉛直軸周りに１２００ｒｐｍ以下の基板回転数で１５〜２０ｓｅｃの間回転させる処理を実行することを特徴とする請求項３に記載された基板処理方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、フォトリソグラフィ工程により形成されエッチングマスクとして使用されたレジストパターンを溶解し、新たなレジストパターンを形成するリフロー工程において、前記溶解前の処理を実施する基板処理装置及び基板処理方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
例えばＬＣＤ（液晶ディスプレイ）製造工程におけるアモルファスＳｉＴＦＴ（アモルファスシリコン薄膜トランジスタ）の形成においては、複数回のエッチング処理が必要とされる。このため従来は、複数回のフォトリソグラフィ工程、即ち露光・現像処理を行い、フォトレジストパターンを形成している。
しかしながら、ＴＦＴ形成工程において、エッチングで得たいパターン毎に塗布現像装置と露光装置とが必要となり、装置にかかるコストが高くなるという課題があった。
【０００３】
このような課題に対し、一度エッチングマスクとして使用したレジストパターンを溶解し変形することにより、新たなレジストパターンを形成するリフロー処理が注目されている。このリフロー処理によれば、二度目のレジストパターン形成において、塗布現像装置及び露光装置を用いた処理を必要とせず、装置コストを低減し、製造効率を向上することができる。このリフロー処理を用いたＴＦＴ形成工程について図を用いて説明する。
【０００４】
アモルファスＳｉＴＦＴを形成する場合、図７（ａ）に示すように、ガラス基板２００に形成されたゲート電極２０１上に、絶縁層２０２、ａ−Ｓｉ層（ノンドープアモルファスＳｉ層）２０３ａとｎ+ａ−Ｓｉ層（リンドープアモルファスＳｉ層）２０３ｂからなるＳｉ層２０３、ドレイン・ソース電極を形成するためのメタル層２０５が順に積層される。
【０００５】
そして、メタル層２０５をエッチングするため、フォトリソグラフィ工程により、メタル層２０５上にフォトレジストが成膜され、露光、現像処理によりレジストパターン２０６が形成される。但し、このレジストパターン２０６は、光の透過率に差が設けられたハーフトーンマスクを用いるハーフ露光処理により、異なる膜厚（厚膜部と薄膜部）を有するものとなされる。尚、ハーフ露光技術については、特許文献１に開示されている。
レジストパターン２０６は、メタル層２０５をエッチングするためのマスクとして使用され、エッチング後は図７（ｂ）に示すようにメタル層２０５の非マスク部分がエッチングされる。
【０００６】
メタルエッチングによりレジスト層２０６の表面には、エッチング液の影響によりレジストが変質した変質層２０７が形成される。そこで、リフロー処理の前処理として、この変質層２０７を除去する処理を行う。
【０００７】
この前処理においては、アルカリ溶液がエッチング液として変質層２０７に滴下され、これにより図７（ｃ）に示すように変質層２０７が除去される。
次いで再現像処理により、図７（ｄ）に示すように次のレジストパターン形成においてマスクが不要な薄膜部のレジスト２０６を除去し、マスクしたいターゲットＴｇ周辺のレジスト（厚膜部）のみを残す処理が行われる。
【０００８】
次いで図７（ｄ）に示すようにレジスト２０６が残された状態から、レジスト２０６に溶解雰囲気を曝すことによりレジスト２０６の溶解、拡散処理（リフロー処理）が行われ、図７（ｅ）に示すようにターゲットＴｇ上にレジスト層が形成される。
尚、このレジスト層形成後は、図８（ａ）に示すようにメタル層２０５をマスクとしてＳｉ層２０３のエッチングを行い、図８（ｂ）に示すようにレジスト層２０６を除去する。そして、図８（ｃ）に示すように、チャネル領域におけるｎ+ａ−Ｓｉ層２０３ｂのエッチングが行われ、ＴＦＴが形成される。
【特許文献１】特開２００５−１０８９０４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
前記したようにリフロー処理の前処理では、変質層２０７をアルカリ溶液からなるエッチング液により剥離して除去する処理が行われる。
より詳しくは、先ず変質層２０７上にエッチング液が滴下され、所定時間放置することにより変質層２０７がフォトレジスト２０６から剥離される。
【００１０】
そして、例えばスピンチャックにより水平保持された基板を高速回転させ、回転する基板上に例えば純水からなるリンス液を吐出し、フォトレジスト２０６から分離した変質層２０７及びエッチング液をリンス液により排除する洗浄処理（リンス工程）がなされる。
さらに、基板上に残るリンス液は、スピンドライ、即ち、基板を高速回転させることにより振り切られ、基板が乾燥状態になされる（乾燥工程）。
【００１１】
しかしながら、前記前処理において、リンス液で洗浄を行うリンス工程にあってはフォトレジスト２０６から分離した変質層２０７の断片を基板上から完全に排除できず、乾燥工程で基板表面を乾燥させると、基板上に残った変質層２０７の断片がメタル層２０５やフォトレジスト２０６に固着する虞があった。
その場合、基板上に固着した変質層２０７の断片は、その後の工程である再現像処理によっても除去されず、パターン不良を引き起こすという課題があった。
【００１２】
本発明は、前記したような事情の下になされたものであり、エッチングマスクとして使用されたフォトレジストパターンを溶解し所望のレジストパターンを形成するリフロー工程において、エッチング処理後にレジスト表面に形成された変質層を剥離後、レジスト溶解前に前記剥離された変質層を基板から効果的に排除することによりパターン不良の発生を抑制することができる基板処理装置及び基板処理方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
前記課題を解決するために、本発明にかかる基板処理装置は、エッチングマスクとして使用されたフォトレジストパターンを溶解し、基板に新たなフォトレジストパターンを形成するリフロー工程において、前記溶解前の処理を実施する基板処理装置であって、前記エッチングマスクとして使用されたフォトレジストパターンに形成された変質層を剥離するためのエッチング液を基板に供給する第一の処理液供給手段と、前記変質層が剥離されたフォトレジストパターンから不要なレジストを除去するための薬液を基板に供給する第二の処理液供給手段と、前記第一または第二の処理液供給手段により基板上に供給されたエッチング液または薬液を除去するためのリンス液を基板に供給する第三の処理液供給手段と、基板上のリンス液を基板から除去するよう乾燥処理を行う乾燥手段と、前記乾燥手段の動作制御を行う制御手段とを備え、前記乾燥手段が前記エッチング液の除去に使用されたリンス液を基板から除去するよう乾燥処理を行う際、前記制御手段は、少なくとも基板全面にリンス液が残存する状態で乾燥処理を停止させることに特徴を有する。
【００１４】
このように、前記乾燥手段は、前記エッチング液の除去に使用したリンス液を基板から除去するよう乾燥処理を行う際、前記制御手段の制御により、少なくとも基板全面にリンス液が残存する状態で乾燥処理を停止する。したがって、リンス液によるエッチング液の除去により基板上から排除しきれなかった変質層の断片を基板表面に固着しないようにすることができる。
これにより、再現像処理での基板洗浄において、基板上の変質層の断片を容易に除去することが可能となり、変質層の残存に起因するパターン不良を抑制することができる。
【００１５】
また、この構成によれば、前処理と再現像処理とを同一ハウジング内で行うことができるため、前処理後に基板をハウジング外に搬出する必要がない。即ち、ハウジング外に形成されるダウンフローの影響を受けないため、前処理後の基板表面の乾燥状態の制御を容易にすることができる。
【００１６】
また、前記乾燥手段は、水平状態に保持した前記基板を鉛直軸周りに回転することにより前記リンス液を基板から振りきり除去する手段であって、前記乾燥手段が前記エッチング液の除去に使用されたリンス液を基板から除去するよう乾燥処理を行う際、前記制御手段は、１２００ｒｐｍ以下の基板回転数で１５〜２０ｓｅｃの間、基板を回転させる処理を実行させることが望ましい。
このようにすれば、前処理工程での基板洗浄後の乾燥処理において、少なくとも基板全面にリンス液が残存する状態にすることができる。
【００１７】
また、前記課題を解決するために、本発明にかかる基板処理方法は、エッチングマスクとして使用されたフォトレジストパターンを溶解し、基板に新たなフォトレジストパターンを形成するリフロー工程前に実施される基板処理方法であって、前記エッチングマスクとして使用されたフォトレジストパターンに形成された変質層を剥離するためのエッチング液を基板に塗布するステップと、前記基板上のエッチング液をリンス液により除去するステップと、前記基板の乾燥処理を実施し、少なくとも基板全面にリンス液が残存する状態で処理を停止するステップと、前記変質層が剥離されたフォトレジストパターンから不要なレジストを除去するための薬液を基板に塗布するステップと、前記基板上の薬液をリンス液により除去するステップと、前記基板の乾燥処理を実施し、基板上のリンス液を除去するステップとを実行することに特徴を有する。
【００１８】
このような方法によれば、リンス液によるエッチング液の除去により基板上から排除しきれなかった変質層の断片を基板表面に固着しないようにすることができる。
これにより、再現像処理での基板洗浄において、基板上の変質層の断片を容易に除去することが可能となり、変質層の残存に起因するパターン不良を抑制することができる。
【００１９】
また、前記基板の乾燥処理を実施し、少なくとも基板全面にリンス液が残存する状態で処理を停止するステップにおいて、水平状態に保持した前記基板を鉛直軸周りに１２００ｒｐｍ以下の基板回転数で１５〜２０ｓｅｃの間回転させる処理を実行することが望ましい。
このようにすれば、前処理工程での基板洗浄後の乾燥処理において、少なくとも基板全面にリンス液が残存する状態にすることができる。
【発明の効果】
【００２０】
本発明によれば、エッチングマスクとして使用されたフォトレジストパターンを溶解し所望のレジストパターンを形成するリフロー工程において、エッチング処理後にレジスト表面に形成された変質層を剥離後、レジスト溶解前に前記剥離された変質層を基板から効果的に排除することによりパターン不良の発生を抑制することができる基板処理装置及び基板処理方法を得ることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２１】
以下、本発明に係る基板処理装置及び基板処理方法につき、図に示す実施の形態に基づいて説明する。図１は、本発明に係る基板処理装置としてのリムーバ・再現像ユニットを有するリフローパターン形成装置のレイアウトを示す平面ブロック図である。
【００２２】
図１に示すリフローパターン形成装置１は、例えばＴＦＴ形成のため、塗布現像処理装置（ＣＯＴ／ＤＥＶ）５０及び露光装置（Ｅｘｐ）５１においてレジストパターン形成、エッチング装置（Ｅｔｃｈｉｎｇ）５２によりエッチング処理が施された基板Ｇに対し、レジストパターンのリフロー処理を行い、レジストパターンを再形成するための装置である。
【００２３】
このリフローパターン形成装置１は、複数の基板Ｇをカセット単位で外部（エッチング装置）から搬入出したり、カセットに対して基板Ｇを搬入出したりするカセットステーション（Ｃ／Ｓ）２を備える。
また、カセットステーション２に隣接して基板処理部３が設けられ、この基板処理部３は、各ユニット間での基板Ｇの搬送及び各ユニットに対する基板Ｇの搬入出を行うアーム装置を有する基板搬送部（Ｍ／Ａ）４を有する。そして、図中矢印で示す基板処理方向に沿って基板搬送部４の左右には、基板Ｇを処理するための複数の処理ユニットが配置されている。
【００２４】
処理ユニットとして、図中、矢印で示す処理方向に沿って基板搬送部４の右側には、フォトレジストに生じた変質層を除去するための前処理と、不要なレジストを除去するための再現像処理とを同一ハウジング内で続けて行うリムーバ・再現像ユニット（ＲＭ／ＲＤＶ）５が配置される。
さらに、リムーバ・再現像ユニット５に隣接して、フォトレジストを溶解するリフローユニット（ＲＦ）７が配置される。このリフローユニット（ＲＦ）７においては、チャンバ内（図示せず）に基板Ｇが載置され、チャンバ内を溶剤雰囲気に置換することによりフォトレジストが溶剤により溶解されて新たなパターンが形成される。
また図中、基板処理方向に沿って基板搬送部４の左側には、複数のホットプレート及びクールプレートからなる熱処理装置（ＨＰ／ＣＯＬ）８が配置される。
【００２５】
次に、本発明に係る基板処理装置としてのリムーバ・再現像ユニット５についてさらに説明する。図２は、リムーバ・再現像ユニット５の概略構成を示す断面図、図３はその平面図である。
図示するように、リムーバ・再現像ユニット５は、アウターカップ１０と、このアウターカップ１０内に設けられ基板Ｇを保持する基板保持部１１と、２つのリニアノズル１２、１３をスキャン駆動し、いずれかのノズルから前記基板Ｇ上に処理液を供給する処理液供給部１４とを備える。
【００２６】
尚、リニアノズルとは、多数の液吐出孔を一直線上に所定の間隔を配列してなる構造を有するノズルのことである。
また、この処理液供給部１４において、リニアノズル１２（第一の処理液供給手段）はリフロー処理の前処理において変質層を剥離するためのウェットエッチング液を塗布するノズルであり、リニアノズル１３（第二の処理液供給手段）は再現像処理において不要なフォトレジストを除去するための薬液を塗布するノズルである。即ち、リニアノズル１２には図示しないエッチング液タンクに接続され、リニアノズル１３には図示しない薬液タンクに接続されている。そして、これらタンク内の処理液を不活性ガス例えばＮ2ガスで加圧することにより、処理液を夫々のノズルから吐出できるようになされている。
【００２７】
またリムーバ・再現像ユニット５は、前処理または再現像処理後の基板Ｇをリンス処理するためのリンスノズル１５を備えたリンス液供給部１６（第三の処理液供給手段）と、これら各機構を制御する制御部１７（制御手段）とを備えている。
【００２８】
前記アウターカップ１０の上部開口は、図３に示すように、例えば矩形状に形成されている。また、前記基板保持部１１は、図２に示すように、基板Ｇを水平状態に吸着保持するスピンチャック１８と、このスピンチャック１８を鉛直軸周りに回転駆動すると共に昇降駆動するスピンチャック駆動機構１９とを備えている。
この基板保持部１１は、処理液供給部１４によって供給された処理液をリンス処理する際に基板Ｇを高速で回転させ、遠心力により処理液を振り切る機能を有する（即ち乾燥手段として機能する）。基板Ｇの縁部から振り切られた処理液は、アウターカップ１０により受け止められ、このカップ１０の下端部に設けられた図示しない排液路から外部に排出されるようになされている。
【００２９】
また、処理液供給部１４は、リニアノズル１２、１３を保持し、夫々独立に上下移動の制御が可能な例えばエアシリンダ等の上下動駆動機構２０と、この上下動駆動機構２０を例えばＸ方向に沿って設けられたレールに沿ってスキャン駆動するリニアガイド機構２１とを有する。
この処理液供給部１４は、前記リニアノズル１２、１３を図５に実線で示す待機部２２、２３から上下駆動し且つ、Ｘ方向に移動させることで、リニアノズル１２、１３のいずれかを、アウターカップ１０内のＢＥＧＩＮ位置に位置させる。そして、リニアガイド機構２１を作動させることで、リニアノズル１２または１３を基板Ｇの表面に沿って図にＥＮＤで示す位置までＸ方向にスキャン駆動する。
【００３０】
また、リンス液供給部１６は、リンスノズル１５を保持する上下駆動機構２４と、この上下駆動機構２４をＸ方向に駆動するリニアガイド機構２５とを有する。このリンスノズル１５は、前記リニアノズル１２、１３の待機部２２、２３と前記アウターカップ１０を挟んだ逆側の位置に配置されている。前記リンスノズル１５は、図示しないリンス液タンクに接続されており、このリンス液タンク内のリンス液を不活性ガス例えばＮ2ガスで加圧することにより、リンス液を吐出できるようになされている。
【００３１】
続いて、リフローパターン形成装置１による処理工程及びリムーバ・再現像ユニット５での処理工程について夫々説明する。先ず、図４のフローに従い、図１のブロック図及び既に説明した図７の基板断面図を用いて、リフロー処理全体の流れについて説明する。
【００３２】
先ず、エッチング装置５２より搬送された基板Ｇが収容されたカセットステーション２から、１枚の基板Ｇが基板搬送部４によりリムーバ・再現像ユニット５に搬送される。尚、図７（ａ）に示すように、この基板Ｇに形成されたフォトレジストパターン２０６は、塗布現像処理装置５０及び露光装置５１において、リフロー処理で必要なフォトレジストを厚膜に形成し、不要なフォトレジストを薄膜に形成するハーフ露光処理が施されている。
【００３３】
リムーバ・再現像ユニット５において、先ず基板Ｇは、図７（ｂ）に示すように、エッチング処理によりフォトレジスト２０６の表面に生じた変質層２０７を、例えばアルカリ溶液からなるエッチング液に曝すことにより除去する前処理が行われる（図４のステップＳ１）。
前記前処理後、図７（ｃ）に示す状態の基板Ｇは、不要な薄膜部分のレジストを除去するために再現像処理が行われ、図７（ｄ）に示すように厚膜部分のレジストが残る状態となされる（図４のステップＳ２）。即ち、マスクすべき所定エリアであるターゲットＴｇの周囲にレジスト２０６が残る状態になされる。
【００３４】
次いで基板Ｇは基板搬送部４により熱処理装置８に搬送されて所定の熱処理が行われた後、基板搬送部４によりリフローユニット７に搬送され、そこでレジスト２０６を溶解するリフロー処理が行われる（図４のステップＳ３）。そして処理レシピに定められた所定時間の間、フォトレジストの溶解処理を行うことにより、ターゲットＴｇをマスクするレジストパターンが形成される。
【００３５】
また、リフローユニット７でのレジストパターン形成がなされた基板Ｇは、基板搬送部４により熱処理装置８に搬送され、加熱によるレジストパターンの定着処理が行われる。そして、再び基板搬送部４によりカセットステーション２のカセットに戻され、その後、エッチング装置５２に搬送される。
【００３６】
次に、図５のフロー図に従い、さらに図２、図３のリムーバ・再現像ユニット５の断面図、平面図を用いて、前記前処理及び再現像処理の工程について詳細に説明する。
リムーバ・再現像ユニット５に搬入された基板Ｇは、スピンチャック１８により水平状態に吸着保持される。即ち、スピンチャック１８がアウターカップ１０の上方まで上昇駆動され、基板Ｇが図示しないアームによりスピンチャック１８上に受け渡される。そして、スピンチャック１８が下降駆動され、基板Ｇはアウターカップ１０内に収容される。
【００３７】
アウターカップ１０内に収容された基板Ｇに対しては、先ずフォトレジスト２０６表面の変質層２０７を剥離して除去する前処理が行われる。即ち、リニアノズル１２、１３が上下駆動機構２０によりＺ方向（鉛直方向）に上昇移動され、さらにリニアガイド機構２１によりアウターカップ２０上方に移動される。そして、上下駆動機構２０によりリニアノズル１２のみが下降移動され、リニアノズル１２がカップ１０内のＢＥＧＩＮ位置に位置される。
【００３８】
次いでリニアノズル１２にアルカリ溶液からなるエッチング液が供給されてノズル先端から基板Ｇ上に吐出されると共に、リニアノズル１２はリニアガイド機構２１によりＸ方向にスキャン駆動され、ＥＮＤ位置で停止する。これにより基板Ｇ上には一様にエッチング液が塗布される（図５のステップＳ１）。
基板Ｇ上にエッチング液が塗布されると、リニアノズル１２は上下駆動機構２０及びリニアガイド機構２１の駆動によりリニアノズル１３と共に再び待機部２２、２３に戻される。
【００３９】
一方、エッチング液が塗布された基板Ｇは、所定時間放置され、これにより変質層２０７がフォトレジスト２０６から剥離し、分離状態になされる（図５のステップＳ２）。
次いで、リンスノズル１５が上下動機構２４によりＺ方向に上昇移動され、リニアガイド機構２５により基板Ｇの中央上方まで移動される。そして、リンスノズル１５に例えば純水からなるリンス液が供給され、ノズル先端から基板Ｇ上にリンス液が吐出される。尚、このリンス液吐出の際には、スピンチャック駆動機構１９によりスピンチャック１８が軸周りに所定の回転数（例えば１２００ｒｐｍ）で高速回転し、これにより回転される基板Ｇ上にリンス液が供給されて、基板Ｇ全体が洗浄処理され、フォトレジスト２０６から分離した変質層２０７の大部分がエッチング液と共に基板上から流し落とされる（図５のステップＳ３）。
【００４０】
このリンス工程の後、リンスノズル１５が待機位置に戻される一方、スピンチャック１８は、制御部１７の制御により、例えば１２００ｒｐｍの基板回転数で１５〜２０ｓｅｃの間のみ基板Ｇを回転し、その遠心力によりリンス液を振り切る乾燥処理を行う。即ち、基板上のリンス液の大部分は除去されるが、少なくとも基板全面にリンス液が残る状態（生乾き状態）で基板回転を停止する制御がなされる（図５のステップＳ４）。
これは、例えば基板上からリンス液を全て排除し、完全に乾燥した状態にした場合、基板上から排除しきれずに残った変質層２０７の断片が、基板表面に固着し、その後の再現像処理での変質層２０７の排除が困難となるためである。
【００４１】
前記のように前処理が行われた後、次いで、不要なレジスト２０６（薄膜部）を除去する再現像処理が行われる。再現像処理では先ず、待機部２２、２３に位置するリニアノズル１２、１３が上下駆動機構２０によりＺ方向に上昇移動され、さらにリニアガイド機構２１によりアウターカップ２０上方に移動される。そして、上下駆動機構２０によりリニアノズル１３のみが下降移動され、リニアノズル１３がカップ１０内のＢＥＧＩＮ位置に位置される。
【００４２】
次いでリニアノズル１３に薬液が供給されてノズル先端から基板Ｇ上に吐出されると共に、リニアノズル１３はリニアガイド機構２１によりＸ方向にスキャン駆動され、ＥＮＤ位置で停止する。これにより基板Ｇ上には一様に薬液が塗布される（図５のステップＳ５）。
基板Ｇ上に薬液が塗布されると、リニアノズル１３は上下駆動機構２０及びリニアガイド機構２１の駆動により再び待機部２２、２３に戻される。
【００４３】
一方、薬液が塗布された基板Ｇは、所定時間放置され、これによりレジスト薄膜部分がエッチング除去される。
次いで、リンスノズル１５が上下動機構２４によりＺ方向に上昇移動され、リニアガイド機構２５により基板Ｇの中央上方まで移動される。そして、リンスノズル１５に純水からなるリンス液が供給され、ノズル先端から基板Ｇ上にリンス液が吐出される。
【００４４】
尚、このリンス液吐出の際には、スピンチャック駆動機構１９によりスピンチャック１８が鉛直軸周りに所定の回転数（例えば１２００ｒｐｍ）で高速回転し、これにより回転される基板Ｇ上にリンス液が供給されて、基板Ｇ全体が洗浄処理され、薬液が基板上から流し落とされる（図５のステップＳ７）。
【００４５】
また、このリンス液による洗浄処理により、前処理で排除しきれずに残った変質層２０７の断片が基板上から略排除される。即ち、前処理後においては少なくとも基板全面にリンス液が残存し、その中に排除されずに残った変質層２０７の断片が基板表面に固着せずに存在するため、その後の薬液を除去する基板洗浄の際に容易に基板上から流し落とされる。
【００４６】
このリンス工程の後、リンスノズル１５が待機位置に戻される一方、スピンチャック１８は、例えば１２００ｒｐｍの回転数で基板を所定時間（例えば４０ｓｅｃ）回転し、その遠心力によりリンス液を完全に振り切る工程が行われる（図５のステップＳ８）。
【００４７】
以上の本発明に係る基板処理装置の実施の形態によれば、前記前処理の工程において、フォトレジストから変質層が剥離された基板をリンス液により洗浄後、乾燥処理を行う際、基板を完全に乾燥せず、少なくとも基板全面にリンス液が残存する状態になされる。
即ち、前処理での基板洗浄により基板上から排除されなかった変質層の断片が、基板表面に固着しないようになされる。このようになされることにより、再現像処理での基板洗浄において、基板上の変質層の断片を容易に除去することが可能となり、変質層の残存に起因するパターン不良を抑制することができる。
【００４８】
また、前記リムーバ・再現像処理ユニット５の構成によれば、前処理と再現像処理とを同一ハウジング内で行うため、前処理後に基板Ｇをハウジング外に搬出する必要がない。即ち、ハウジング外に形成されるダウンフローの影響を受けないため、前処理後の基板表面の乾燥状態の制御を容易にすることができる。
【００４９】
尚、前記実施の形態においては、図２、図３に示したようにリニアノズル１２、１３を共通の上下駆動機構２０及びリニアガイド機構２１によりスキャン駆動等を行うようにしたが、それに限定されず、夫々独立した駆動機構を有する構成であってもよい。
また、エッチング液を供給するリニアノズル１２、薬液を供給するリニアノズル１３、リンス液を供給するリンスノズル１５の３つのノズルを有する構成としたが、ノズルの数を限定する必要はなく、３種類の処理液を切り換えて供給可能な構成であればよい。
【００５０】
また、前記実施の形態においては、リムーバ・再現像処理ユニット５は、スピンチャックにより基板を保持した状態で処理工程を実施する例を示したが、本発明に係る基板処理装置においては、その形態に限定されるものではない。
例えば、図６に概略構成を示すように、コロ機構により搬送される基板Ｇに対し連続して処理を行うように構成してもよい。
その場合、図６に示すように、リムーバ・再現像ユニット５は、一つのハウジング内に前処理部３０と再現像処理部３１とを有し、コロ搬送装置３２により基板Ｇが前処理部３０から再現像処理部３１に向けて搬送され、その搬送経路において各処理工程が行われる。
【００５１】
即ち、前処理部３０では、コロ搬送される基板Ｇに対し、フォトレジスト表面の変質層を剥離するウェットエッチング液を吐出するリニアノズル３３（第一の処理液供給手段）、剥離された変質層及びウェットエッチング液を洗い流すためのリンス液を吐出するリンスノズル３４（第三の処理液供給手段）、さらに基板Ｇ上に対し送風することによりリンス液を除去するブロー装置３５（乾燥手段）が、処理方向に沿って順に設けられる。
【００５２】
また再現像処理部３１では、コロ搬送される基板Ｇに対し、不要なフォトレジスト薄膜部を除去するための薬液を吐出するリニアノズル３６（第二の処理液供給手段）、除去されたレジスト及び薬液を洗い流すためのリンス液を吐出するリンスノズル３７（第三の処理液供給手段）、さらに基板Ｇ上に対し送風することによりリンス液を除去するブロー装置３８（乾燥手段）が、処理方向に沿って順に設けられる。
【００５３】
この場合、リムーバ・再現像処理ユニット５では、先ず前処理部３０において変質層２０７がフォトレジスト２０６から剥離され除去されるが、ブロー装置３５による乾燥処理においては、少なくとも基板全面にリンス液が残存する状態で処理が停止される。即ち、前処理での基板洗浄により基板上から排除されなかった変質層の断片が、基板表面に固着しないようになされる。
【００５４】
そして、基板Ｇはその全面にリンス液が残存する状態で再現像処理部３１にコロ搬送され、薬液による再現像処理後、リンスノズル３７から吐出されるリンス液によって洗浄される。ここで、前処理後に基板上に残された変質層２０７の断片は、基板表面に固着していないため、薬液や不要なレジストと共に基板から容易に洗い流され排除される。
【００５５】
このようにリムーバ・再現像処理ユニット５は、コロ搬送により搬送される基板を枚葉処理する形態であってもよく、この場合、連続的に複数の基板を処理可能であるため、図２、３に示した形態よりも基板搬送時間の短縮、装置コストの低減といった効果を得ることができる。
【実施例】
【００５６】
続いて、本発明に係る基板処理装置及び基板処理方法について、実施例に基づきさらに説明する。本実施例では、図２、図３に示した構成を用いて前処理及び再現像処理を行い、本発明の効果について検証した。
具体的には、前処理でのリンス液の乾燥処理において、スピンドライによる振り切り時間の変化とブロー処理の有無とが、再現像処理での乾燥処理後における変質層の有無にどのように影響するのかを検証した。また、処理液による斑の発生の有無についても検査した。この斑が生じた場合、製品となったディスプレイ上で斑となって見える不良となる。
【００５７】
実験条件は、前処理工程において、リンス液振り切り時の基板回転数を１２００ｒｐｍ、振り切り時間を１０、１５、２０ｓｅｃの３パターン、リンス量７Ｌ／ｍｉｎを２０ｓｅｃ供給、ブロー流量を３０Ｌ／ｍｉｎとした。
実験結果を表１に示す。
【００５８】
【表１】
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【００５９】
この表１に示される結果から、ブロー乾燥を併用することにより乾燥状態が強くなると変質層の残りが生じ、乾燥状態が弱いとリンス液とエッチング液（アルカリ溶液）との混合による斑が生じやすいと考察された。また、ブロー乾燥無しで１５〜２０ｓｅｃの振り切り処理が最適であることを確認した。
したがって、この実施例の結果、前処理工程におけるリンス液の乾燥処理において、少なくとも基板全面にリンス液が残存する状態で処理を停止すれば、その後の再現像処理において変質層を排除することができ、変質層残りに起因するパターン不良を抑制することができることを確認した。
【産業上の利用可能性】
【００６０】
本発明は、複数回に亘りフォトレジストパターンを形成する工程に適用することができ、電子デバイス製造業界等において好適に用いることができる。
【図面の簡単な説明】
【００６１】
【図１】図１は、本発明に係る基板処理装置としてのリムーバ・再現像処理ユニットを具備するリフローパターン形成装置のレイアウトを示す平面ブロック図である。
【図２】図２は、リムーバ・再現像処理ユニットの概略構成を示す断面図である。
【図３】図３は、リムーバ・再現像処理ユニットの平面図である。
【図４】図４は、リフローパターン形成装置による処理工程を示すフローである。
【図５】図５は、リムーバ・再現像処理ユニットの処理工程を示すフローである。
【図６】図６は、リムーバ・再現像処理ユニットの他の形態を示すブロック図である。
【図７】図７は、リフロー処理によりガラス基板に形成されるＴＦＴの形成過程を説明するための基板の状態を示す断面図である。
【図８】図８は、リフロー処理によりガラス基板に形成されるＴＦＴの形成過程を説明するための基板の状態を示す断面図である。
【符号の説明】
【００６２】
１          リフローパターン形成装置
２          カセットステーション
３          基板処理部
４          基板搬送部
５          リムーバ・再現像処理ユニット（基板処理装置）
７          リフローユニット
８          熱処理装置
１１        基板保持部（乾燥手段）
１２        リニアノズル（第一の処理液供給手段）
１３        リニアノズル（第二の処理液供給手段）
１５        リンスノズル（第三の処理液供給手段）
１７        制御部（制御手段）
Ｇ          基板
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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