(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
式（１）で表されるケイ素化合物。
【化１】
0004655387.tif 000123
（式中、Ｙ1は炭素数１〜1０のアルキレンであり、このアルキレンの任意の−ＣＨ2−は−Ｓ−、−ＣＯ−、−ＣＨ＝ＣＨ−または−Ｃ≡Ｃ−で置き替えられてもよいが、−Ｓ−と−Ｓ−、または−Ｓ−とＳｉＨ3が隣接することはなく、またこのアルキレンの少なくとも１つの−Ｈは、ハロゲンまたは−ＣＮで置き替えられてもよく；Ｙ2は−Ｈ、ハロゲン、−ＣＮ、−Ｃ≡Ｃ−ＣＮ、または炭素数１〜1０のアルキルであり、このアルキルの任意の−ＣＨ2−は−Ｏ−、−Ｓ−、−ＣＯ−、−ＣＨ＝ＣＨ−、または−Ｃ≡Ｃ−で置き替えられてもよいが、−Ｏ−と−Ｏ−、−Ｓ−と−Ｓ−または−Ｏ−と−Ｓ−が隣接することはなく、またこのアルキルの任意の−Ｈは、ハロゲンまたは−ＣＮで置き替えられてもよく；Ａ1、Ａ2、Ａ3およびＡ4は各々独立して、１，４−シクロヘキシレン、１，４−シクロヘキセニレン、１，４−フェニレン、または任意の−Ｈがハロゲンで置き替えられた１，４−フェニレンであり、１，４−シクロヘキシレンまたは１，４−シクロヘキセニレンの任意の−Ｈはハロゲンで置き替えられてもよく、また、それらの環の任意の−ＣＨ2−は−Ｏ−で置き替えられてもよいが、−Ｏ−と−Ｏ−が隣接することはなく、１，４−フェニレンの任意の−ＣＨ＝は−Ｎ＝で置き替えられてもよく；Ｚ1、Ｚ2およびＺ3は各々独立して単結合、−（ＣＨ2）2−、−ＯＣＨ2−、−ＣＨ2Ｏ−、−ＣＨ＝ＣＨ−、−Ｃ≡Ｃ−、−（ＣＨ2）4−、−Ｏ（ＣＨ2）3−、−（ＣＨ2）3Ｏ−、−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−、−ＯＣＦ2−、または−ＣＦ2Ｏ−であり；ｐ，ｑは各々独立して０または１である。）
【請求項２】
請求項１に記載の式（１）において、ｐおよびｑが０であり、Ａ1およびＡ2が各々独立して、１，４−シクロヘキシレン、１つまたは隣接しない少なくとも２つの−ＣＨ2−が−Ｏ−で置き替えられた１，４−シクロヘキシレン、１，４−フェニレン、任意の−Ｈがハロゲンで置き替えられた１，４−フェニレン、またはピリミジン−２，５−ジイルであり、Ｚ1が単結合、−（ＣＨ2）2−、−ＣＨ＝ＣＨ−、−Ｃ≡Ｃ−、−（ＣＨ2）4−、−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−、−ＯＣＦ2−、または−ＣＦ2Ｏ−である請求項１に記載のケイ素化合物。
【請求項３】
請求項１に記載の式（１）において、ｐが１、ｑが０であり、Ａ1、Ａ2およびＡ3が各々独立して、１，４−シクロヘキシレン、１つまたは隣接しない少なくとも２つの−ＣＨ2−が−Ｏ−で置き替えられた１，４−シクロヘキシレン、１，４−フェニレン、任意の−Ｈがハロゲンで置き替えられた１，４−フェニレン、またはピリミジン−２，５−ジイルであり、Ｚ1およびＺ2が各々独立して、単結合、−（ＣＨ2）2−、−ＣＨ＝ＣＨ−、−Ｃ≡Ｃ−、−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−、−（ＣＨ2）4−、−ＯＣＦ2−、または−ＣＦ2Ｏ−である請求項１に記載のケイ素化合物。
【請求項４】
請求項１に記載の式（１）においてｐおよびｑが１であり、Ａ1、Ａ2、Ａ3およびＡ4が各々独立して、１，４−シクロヘキシレン、１つまたは隣接しない少なくとも２つの−ＣＨ2−が−Ｏ−で置き替えられた１，４−シクロヘキシレン、１，４−フェニレン、任意の−Ｈがハロゲンで置き替えられた１，４−フェニレン、またはピリミジン−２，５−ジイルであり、Ｚ1、Ｚ2およびＺ3が各々独立して単結合、−（ＣＨ2）2−、−ＣＨ＝ＣＨ−、−Ｃ≡Ｃ−、−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−、−（ＣＨ2）4−、−ＯＣＦ2−、または−ＣＦ2Ｏ−である請求項１に記載のケイ素化合物。
【請求項５】
請求項１に記載の式（１）において、Ｙ1が炭素数１〜1０のアルキレンであり、このアルキレンの任意の−ＣＨ2−は−ＣＨ＝ＣＨ−で置き替えられてもよく；Ｙ2が炭素数１〜1０のアルキルであり、このアルキルの任意の−ＣＨ2−は−Ｏ−、−ＣＨ＝ＣＨ−または−Ｃ≡Ｃ−で置き替えられてもよいが、−Ｏ−と−Ｏ−が隣接することはなく；Ａ1、Ａ2、Ａ3およびＡ4が各々独立して、１，４−シクロヘキシレン、１つまたは隣接しない少なくとも２つの−ＣＨ2−が−Ｏ−で置き替えられた１，４−シクロヘキシレン、１，４−フェニレン、またはピリミジン−２，５−ジイルである請求項１に記載のケイ素化合物。
【請求項６】
請求項１に記載の式（１）において、Ｙ1が炭素数１〜1０のアルキレンであり、このアルキレンの任意の−ＣＨ2−は−ＣＨ＝ＣＨ−で置き替えられてもよく；Ｙ2がハロゲン、−ＣＮ、−Ｃ≡Ｃ−ＣＮまたは炭素数１〜1０のアルキルであり、このアルキルの任意の−ＣＨ2−は−Ｏ−で置き替えられてもよいが、−Ｏ−と−Ｏ−が隣接することはなく、少なくとも１つの−Ｈはハロゲンで置き替えられており；Ａ1、Ａ2、Ａ3およびＡ4が各々独立して、１，４−シクロヘキシレン、１つまたは隣接しない少なくとも２つの−ＣＨ2−が−Ｏ−で置き替えられた１，４−シクロヘキシレン、１，４−フェニレン、少なくとも１つの−Ｈがハロゲンで置き替えられた１，４−フェニレン、またはピリミジン−２，５−ジイルである請求項１に記載のケイ素化合物。
【請求項７】
請求項１に記載の式（１）において、Ｙ1が炭素数１〜1０のアルキレンであり、このアルキレンの任意の−ＣＨ2−は−ＣＨ＝ＣＨ−で置き替えられてもよく；Ｙ2が炭素数１〜1０のアルキルであり、このアルキルの任意の−ＣＨ2−は−Ｏ−、−Ｓ−または−ＣＨ＝ＣＨ−で置き替えられてもよいが、−Ｏ−と−Ｏ−、−Ｓ−と−Ｓ−および−Ｏ−と−Ｓ−が隣接することはなく；Ａ1、Ａ2、Ａ3およびＡ4が各々独立して、１，４−シクロヘキシレン、１つまたは隣接しない少なくとも２つの−ＣＨ2−が−Ｏ−で置き替えられた１，４−シクロヘキシレン、２位がハロゲンで置き替えられた１，４−フェニレン、３位がハロゲンで置き替えられた１，４−フェニレン、または２位および３位がハロゲンで置き替えられた１，４−フェニレンであるが、Ａ1、Ａ2、Ａ3およびＡ4のうち必ず１つは２位または３位がハロゲンで置き替えられた１，４−フェニレンまたは２位および３位がハロゲンで置き替えられた１，４−フェニレンである請求項１に記載のケイ素化合物。
【請求項８】
請求項１〜７のいずれか１項に記載のケイ素化合物を少なくとも１種類含有することを特徴とする液晶組成物。
【請求項９】
第一成分として、請求項１〜７のいずれか１項に記載のケイ素化合物を少なくとも１種含有し、第２成分として、式（２）、（３）および（４）で表される化合物群から選択される化合物を少なくとも１種含有することを特徴とする請求項８に記載の液晶組成物。
【化２】
0004655387.tif 000124
（式中、Ｒ1は炭素数１〜１０のアルキルであり、このアルキルの任意の−ＣＨ2−は−Ｏ−または−ＣＨ＝ＣＨ−で置き替えられてもよいが、−Ｏ−と−Ｏ−が隣接することはなく、また、この基の任意の−Ｈは−Ｆで置き替えられてもよく；Ｘ1は−Ｆ、−Ｃｌ、−ＯＣＦ3、−ＯＣＦ2Ｈ、−ＣＦ3、−ＣＦ2Ｈ、−ＣＦＨ2、−ＯＣＦ2ＣＦ2Ｈ、または−ＯＣＦ2ＣＦＨＣＦ3であり；Ｌ1およびＬ2は各々独立して−Ｈまたは−Ｆであり；Ｚ4およびＺ5は各々独立して−（ＣＨ2）2−、−（ＣＨ2）4−、−ＣＯＯ−、−ＣＦ2Ｏ−、−ＯＣＦ2−、−ＣＨ＝ＣＨ−、または単結合であり；環Ｂおよび環Ｃはそれぞれ独立して１，４−シクロヘキシレン、１，３−ジオキサン−２，５−ジイル、１，４−フェニレン、または少なくとも１つの−Ｈが−Ｆで置き替えられた１，４−フェニレンであり；環Ｄは１，４−シクロヘキシレン、１，４−フェニレン、または少なくとも１つの−Ｈが−Ｆで置き替えられた１，４−フェニレンである。）
【請求項１０】
第一成分として、請求項１〜７のいずれか１項に記載のケイ素化合物を少なくとも１種含有し、第二成分として、式（５）および（６）で表される化合物群から選択される化合物を少なくとも１種含有することを特徴とする請求項８に記載の液晶組成物。
【化３】
0004655387.tif 000125
（式中、Ｒ2およびＲ3は各々独立して炭素数１〜１０のアルキルであり、このアルキルの任意の−ＣＨ2−は−Ｏ−または−ＣＨ＝ＣＨ−で置き替えられてもよいが、−Ｏ−と−Ｏ−が隣接することはなく、また、アルキルの任意−Ｈは−Ｆで置き替えられてもよく；Ｘ2は−ＣＮまたは−Ｃ≡Ｃ−ＣＮであり；環Ｅは１，４−シクロヘキシレン、１，４−フェニレン、１，３−ジオキサン−２，５−ジイル、またはピリミジン−２，５−ジイルであり；環Ｆは１，４−シクロヘキシレン、１，４−フェニレン、−Ｈが−Ｆで置き替えられた１，４−フェニレン、またはピリミジン−２，５−ジイルであり；環Ｇは１，４−シクロヘキシレンまたは１，４−フェニレンであり；Ｚ6は−（ＣＨ2）2−、−ＣＯＯ−、−ＣＦ2Ｏ−、−ＯＣＦ2−、または単結合であり；Ｌ3、Ｌ4およびＬ5は各々独立して−Ｈまたは−Ｆであり；ａ、ｂおよびｃは各々独立して０または１である。）
【請求項１１】
第一成分として、請求項１〜７のいずれか１項に記載のケイ素化合物を少なくとも１種含有し、第二成分として、式（７）、（８）および（９）で表される化合物群から選択される化合物を少なくとも１種含有することを特徴とする請求項８に記載の液晶組成物。
【化４】
0004655387.tif 000126
（式中、Ｒ4およびＲ5は各々独立して炭素数１〜１０のアルキルであり、このアルキルの任意の−ＣＨ2−は−Ｏ−または−ＣＨ＝ＣＨ−で置き替えられてもよいが、−Ｏ−と−Ｏ−が隣接することはなく、また、このアルキルの任意の−Ｈは−Ｆで置き替えられてもよく；環Ｉおよび環Ｊは各々独立して、１，４−シクロヘキシレンまたは１，４−フェニレンであり；Ｌ6、Ｌ7、Ｌ8およびＬ9は各々独立して−Ｈまたは−Ｆであるが、すべてが同時に−Ｈであることはなく；Ｚ7およびＺ8は各々独立して−（ＣＨ2）2−、−ＣＯＯ−、または単結合である。）
【請求項１２】
第一成分として、請求項１〜７のいずれか１項に記載のケイ素化合物を少なくとも１種含有し、第二成分として、前記請求項９に記載の式（２）、（３）および（４）で表される化合物群から選択される化合物を少なくとも１種含有し、第三成分として、式（１０）、（１１）および（１２）で表される化合物群から選択される化合物を少なくとも１種含有することを特徴とする請求項８に記載の液晶組成物。
【化５】
0004655387.tif 000127
（式中、Ｒ6およびＲ7は各々独立して炭素数１〜１０のアルキルであり、このアルキルの任意の−ＣＨ2−は−Ｏ−または−ＣＨ＝ＣＨ−で置き替えられてもよいが、−Ｏ−と−Ｏ−が隣接することはなく、また、このアルキルの任意の−Ｈは−Ｆで置き替えられてもよく；環Ｋ、環Ｍおよび環Ｎは各々独立して、１，４−シクロヘキシレン、ピリミジン−２，５−ジイル、１，４−フェニレンまたは−Ｈが−Ｆで置き替えられた１，４−フェニレンであり；Ｚ9およびＺ10は各々独立して−Ｃ≡Ｃ−、−ＣＯＯ−、−（ＣＨ2）2−、−ＣＨ＝ＣＨ−、または単結合である。）
【請求項１３】
第一成分として、請求項１〜７のいずれか１項に記載のケイ素化合物を少なくとも１種含有し、第二成分として、前記請求項１０に記載の式（５）および（６）で表される化合物群から選択される化合物を少なくとも１種含有し、第三成分として、前記請求項１２に記載の式（１０）、（１１）および（１２）で表される化合物群から選択される化合物を少なくとも１種含有することを特徴とする請求項８に記載の液晶組成物。
【請求項１４】
第一成分として、請求項１〜７のいずれか１項に記載のケイ素化合物を少なくとも１種含有し、第二成分として、前記請求項１１に記載の式（７）、（８）および（９）で表される化合物群から選択される化合物を少なくとも１種含有し、第三成分として、前記請求項１２に記載の式（１０）、（１１）および（１２）で表される化合物群から選択される化合物を少なくとも１種含有することを特徴とする請求項８に記載の液晶組成物。
【請求項１５】
第一成分として、請求項１〜７のいずれか１項に記載のケイ素化合物を少なくとも１種含有し、第二成分として、前記請求項９に記載の式（２）、（３）および（４）で表される化合物群から選択される化合物を少なくとも１種含有し、第三成分として、前記請求項１０に記載の式（５）および（６）で表される化合物群から選択される化合物を少なくとも１種含有し、第四成分として、前記請求項１２に記載の式（１０）、（１１）および（１２）で表される化合物群から選択される化合物を少なくとも１種含有することを特徴とする請求項８に記載の液晶組成物。
【請求項１６】
請求項８〜１５のいずれか１項に記載の液晶組成物に、さらに１種以上の光学活性化合物を添加したことを特徴とする液晶組成物。
【請求項１７】
請求項８〜１６のいずれか１項に記載の液晶組成物を用いることを特徴とする液晶表示素子。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は新規な液晶性化合物および液晶組成物（以下、単に組成物と略記することがある）に関する。さらに詳しくは末端にＳｉＨ3基を有する液晶性化合物、およびこれらを含有する組成物、さらにはこの組成物を用いて構成した液晶表示素子に関する。なお、本願において液晶性化合物なる用語は、液晶相を示す化合物および液晶相を示さないが液晶組成物の成分として有用である化合物の総称として用いられる。
【０００２】
【従来の技術】
ネマチック液晶相の特性を利用した液晶表示素子（ＬＣＤ）は、パソコンのモニター、携帯電話をはじめ様々な用途に広く利用され、需要も年々高くなってきている。それにつれてＬＣＤに要求される性能の改善項目も、可動温度範囲の拡大、表示画面の高密度化およびカラー化、応答の高速化や視野角の拡大等多岐にわたるようになった。これを解決する手段として、ＤＳ（動的散乱）モード、ＴＮ（ツイストネマチック）モード、ＧＨ（ゲストホスト）モード、ＳＴＮ（スーパーツイストネマチック（ＳＴＮ）モード、ＩＰＳ（インプレーン  スイッチング）モード、ＶＡ（バーチカリー  アライメント）モード、ＯＣＢ（オプティカリィ・コンペンセイテッド・ベンド）等の、電気光学効果を用いた表示方式が順次提案されてきた。
このような状況において、ＬＣＤに使用される組成物にも、それぞれの表示方式に応じて様々な特性を要求されている。まず、組成物の屈折率異方性値（△ｎ）、誘電率異方性値（△ε）、粘度（η）、電導度および弾性定数比Ｋ33／Ｋ11（Ｋ33：ベンド弾性定数、Ｋ11：スプレイ弾性定数）等の物性値は、表示方式および素子の形状に最適な値である必要がある。さらには先に示した様ないずれのＬＣＤにおいても高速応答を実現するために、粘度の低い組成物が求められており、液晶性化合物の粘度を低くすることも不可欠である。その他に組成物に要求される特徴の共通項として、使用環境下に通常に存在する水分、光、熱、空気等に対する安定性、電場および電磁放射に対する安定性があげられる。さらには組成物を構成する液晶性化合物が使用条件下で化学的に安定であり、かつ相互に良好な溶解性を持つことが重要である。
しかし、既存の液晶化合物や組成物だけではこれらの問題を解決するのは非常に難しいのが現状であり、上述の諸々の要求に応えられる新しい液晶性化合物および組成物の開発が急務である。
【０００３】
近年液晶表示素子は画面の大型化を目的に様々な技術開発が試みられているが、なかでも消費電力の低下と高速応答に大きく寄与する組成物の開発が望まれている。消費電力を下げるには、組成物のしきい値電圧（Ｅ．Ｊａｋｅｍａｎ等、Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．，３９Ａ．６９（１９７２））のさらなる低下が必須である。また高速応答のためには低粘性であることも重要である。これらの目的を達成するためにかねてより種々の化合物が開発されている。例えば下記の式（ａ）、（ｂ）および（ｃ）に示す、分子中にシリル基を含む化合物が、それぞれ特開平６−９６５３、特開平７−２８７８および特開平７−２８７９により知られている。
【０００４】
【化６】
0004655387.tif 000002
【０００５】
これらの化合物はケイ素が三つのアルキルによって置き替えられている。例えば、本発明者等がプロピルジメチルシリルを有する下記の式（ｄ）に示す化合物の物性値を測定したところ、粘性が著しく高いうえ、組成物を構成する他の成分との相溶性が充分でないといった問題点が分かった。
【０００６】
【化７】
0004655387.tif 000003
【０００７】
物性測定：メルク社製の組成物ＺＬＩ−１１３２のネマチック相−等方相転移温度（ＮＩ）と２０℃における粘度（η）は、それぞれ７２．６℃および２６．７ｍＰａ・ｓであった。次いで、この組成物８５重量％に式（ｄ）の化合物１５重量％を添加し、得られた組成物のＮＩとηを測定したところ、それぞれ１５℃以下および３９．７ｍＰａ・ｓであった。この結果から式（ｄ）の化合物を用いて調製した組成物は、粘度が著しく高くなるうえ、５０℃以上もＮＩが低下することが分かった。そして、さらに式（ｄ）の化合物は他の組成物との相溶性が良くなかった。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】
本発明の目的は、従来技術の課題を克服するため、低粘性で、低いしきい値電圧を有し、相溶性が改善された新規ケイ素化合物、これを含む組成物および該組成物を用いた液晶表示素子を提供することである。
【０００９】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するため、本願で特許請求される発明は以下の通りである。なお、「任意の」の語は「少なくとも１つの」を意味する。
［１］式（１）で表されるケイ素化合物。
【００１０】
【化８】
0004655387.tif 000004
【００１１】
（式中、Ｙ1は炭素数１〜1０のアルキレンであり、このアルキレンの任意の−ＣＨ2−は−Ｏ−、−Ｓ−、−ＣＯ−、−ＣＨ＝ＣＨ−または−Ｃ≡Ｃ−で置き替えられてもよいが、−Ｏ−と−Ｏ−、−Ｓ−と−Ｓ−、−Ｏ−と−Ｓ−、−Ｏ−とＳｉＨ3、および−Ｓ−とＳｉＨ3が隣接することはなく、またこのアルキレンの少なくとも１つの−Ｈは、ハロゲンまたは−ＣＮで置き替えられてもよく；Ｙ2は−Ｈ、ハロゲン、−ＣＮ、−Ｃ≡Ｃ−ＣＮ、または炭素数１〜1０のアルキルであり、このアルキルの任意の−ＣＨ2−は−Ｏ−、−Ｓ−、−ＣＯ−、−ＣＨ＝ＣＨ−、または−Ｃ≡Ｃ−で置き替えられてもよいが、−Ｏ−と−Ｏ−、−Ｓ−と−Ｓ−または−Ｏ−と−Ｓ−が隣接することはなく、またこのアルキルの任意の−Ｈは、ハロゲンまたは−ＣＮで置き替えられてもよく；Ａ1、Ａ2、Ａ3およびＡ4は各々独立して、１，４−シクロヘキシレン、１，４−シクロヘキセニレン、１，４−フェニレン、または任意の−Ｈがハロゲンで置き替えられた１，４−フェニレンであり、１，４−シクロヘキシレンまたは１，４−シクロヘキセニレンの任意の−Ｈはハロゲンで置き替えられてもよく、また、これらの環の任意の−ＣＨ2−は−Ｏ−で置き替えられてもよいが、−Ｏ−と−Ｏ−が隣接することはなく、１，４−フェニレンの任意の−ＣＨ＝は−Ｎ＝で置き替えられてもよく；Ｚ1、Ｚ2およびＺ3は各々独立して単結合、−（ＣＨ2）2−、−ＯＣＨ2−、−ＣＨ2Ｏ−、−ＣＨ＝ＣＨ−、−Ｃ≡Ｃ−、−（ＣＨ2）4−、−Ｏ（ＣＨ2）3−、−（ＣＨ2）3Ｏ−、−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−、−ＯＣＦ2−、または−ＣＦ2Ｏ−であり；ｐ，ｑは各々独立して０または１である。）
[２]  前記の式（１）においてｐおよびｑが０であり、Ａ1およびＡ2が各々独立して、１，４−シクロヘキシレン、１つまたは隣接しない少なくとも２つの−ＣＨ2−が−Ｏ−で置き替えられた１，４−シクロヘキシレン、１，４−フェニレン、任意の−Ｈがハロゲンで置き替えられた１，４−フェニレン、またはピリミジン−２，５−ジイルであり、Ｚ1が単結合、−（ＣＨ2）2−、−ＣＨ＝ＣＨ−、−Ｃ≡Ｃ−、−（ＣＨ2）4−、−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−、−ＯＣＦ2−、または−ＣＦ2Ｏ−である前記[１]に記載のケイ素化合物。
[３]  前記の式（１）においてｐが１、ｑが０であり、Ａ1、Ａ2およびＡ3が各々独立して、１，４−シクロヘキシレン、１つまたは隣接しない少なくとも２つの−ＣＨ2−が−Ｏ−で置き替えられた１，４−シクロヘキシレン、１，４−フェニレン、任意の−Ｈがハロゲンで置き替えられた１，４−フェニレン、またはピリミジン−２，５−ジイルであり、Ｚ1およびＺ2が各々独立して、単結合、−（ＣＨ2）2−、−ＣＨ＝ＣＨ−、−Ｃ≡Ｃ−、−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−、−（ＣＨ2）4−、−ＯＣＦ2−、または−ＣＦ2Ｏ−である前記[１]に記載のケイ素化合物。
【００１２】
[４]  前記の式（１）においてｐおよびｑが１であり、Ａ1、Ａ2、Ａ3およびＡ4が各々独立して、１，４−シクロヘキシレン、１つまたは隣接しない少なくとも２つの−ＣＨ2−が−Ｏ−で置き替えられた１，４−シクロヘキシレン、１，４−フェニレン、任意の−Ｈがハロゲンで置き替えられた１，４−フェニレン、またはピリミジン−２，５−ジイルであり、Ｚ1、Ｚ2およびＺ3が各々独立して単結合、−（ＣＨ2）2−、−ＣＨ＝ＣＨ−、−Ｃ≡Ｃ−、−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−、−（ＣＨ2）4−、−ＯＣＦ2−、または−ＣＦ2Ｏ−である前記[１]に記載のケイ素化合物。
[５]  前記の式（１）においてＹ1は炭素数１〜1０のアルキレンであり、このアルキレンの任意の−ＣＨ2−は−Ｏ−または−ＣＨ＝ＣＨ−で置き替えられてもよいが、−Ｏ−と−Ｏ−、−Ｏ−とＳｉＨ3が隣接することはなく；Ｙ2が炭素数１〜1０のアルキルであり、このアルキルの任意の−ＣＨ2−は−Ｏ−、−ＣＨ＝ＣＨ−または−Ｃ≡Ｃ−で置き替えられてもよいが、−Ｏ−と−Ｏ−が隣接することはなく；Ａ1、Ａ2、Ａ3およびＡ4が各々独立して、１，４−シクロヘキシレン、１つまたは隣接しない少なくとも２つの−ＣＨ2−が−Ｏ−で置き替えられた１，４−シクロヘキシレン、１，４−フェニレン、またはピリミジン−２，５−ジイルである前記[１]に記載のケイ素化合物。
[６]  前記の式（１）においてＹ1が炭素数１〜1０のアルキレンであり、このアルキレンの任意の−ＣＨ2−は−Ｏ−または−ＣＨ＝ＣＨ−で置き替えられてもよいが、−Ｏ−と−Ｏ−、−Ｏ−とＳｉＨ3が隣接することはなく；Ｙ2がハロゲン、−ＣＮ、−Ｃ≡Ｃ−ＣＮまたは炭素数１〜1０のアルキルであり、このアルキルの任意の−ＣＨ2−は−Ｏ−で置き替えられてもよいが、−Ｏ−と−Ｏ−が隣接することはなく、少なくとも１つの−Ｈはハロゲンで置き替えられており；Ａ1、Ａ2、Ａ3およびＡ4が各々独立して、１つまたは隣接しない少なくとも２つの−ＣＨ2−が−Ｏ−で置き替えられた１，４−シクロヘキシレン、１，４−フェニレン、少なくとも１つの−Ｈがハロゲンで置き替えられた１，４−フェニレン、またはピリミジン−２，５−ジイルである前記[１]に記載のケイ素化合物。
【００１３】
[７]  前記の式（１）においてＹ1は炭素数１〜1０のアルキレンであり、このアルキレンの任意の−ＣＨ2−は−Ｏ−または−ＣＨ＝ＣＨ−で置き替えられてもよいが、−Ｏ−と−Ｏ−、−Ｏ−とＳｉＨ3が隣接することはなく；Ｙ2が炭素数１〜1０のアルキルであり、このアルキルの任意の−ＣＨ2−は−Ｏ−、−Ｓ−または−ＣＨ＝ＣＨ−で置き替えられてもよいが、−Ｏ−と−Ｏ−、−Ｓ−と−Ｓ−および−Ｏ−と−Ｓ−が隣接することはなく；Ａ1、Ａ2、Ａ3およびＡ4が各々独立して、１，４−シクロヘキシレン、１つまたは隣接しない少なくとも２つの−ＣＨ2−が−Ｏ−で置き替えられた１，４−シクロヘキシレン、２位がハロゲンで置き替えられた１，４−フェニレン、３位がハロゲンで置き替えられた１，４−フェニレン、または２位および３位がハロゲンで置き替えられた１，４−フェニレンであるが、Ａ1、Ａ2、Ａ3およびＡ4のうち必ず１つは２位または３位にハロゲン置き替えられた１，４−フェニレンまたは２位および３位がハロゲンで置き替えられた１，４−フェニレンである前記[１]に記載のケイ素化合物。
[８]  [１]〜[７]のいずれか１項に記載のケイ素化合物を少なくとも１種類含有することを特徴とする液晶組成物。
[９]  第一成分として、[１]〜[７]のいずれか１項に記載のケイ素化合物を少なくとも１種含有し、第２成分として、式（２）、（３）および（４）で表される化合物群から選択される化合物を少なくとも１種含有することを特徴とする前記［８］に記載の液晶組成物。
【００１４】
【化９】
0004655387.tif 000005
【００１５】
（式中、Ｒ1は炭素数１〜１０のアルキルであり、このアルキルの任意の−ＣＨ2−は−Ｏ−または−ＣＨ＝ＣＨ−で置き替えられてもよいが、−Ｏ−と−Ｏ−が隣接することはなく、また、この基の任意の−Ｈは−Ｆで置き替えられてもよく；Ｘ1は−Ｆ、−Ｃｌ、−ＯＣＦ3、−ＯＣＦ2Ｈ、−ＣＦ3、−ＣＦ2Ｈ、−ＣＦＨ2、−ＯＣＦ2ＣＦ2Ｈ、または−ＯＣＦ2ＣＦＨＣＦ3であり；Ｌ1およびＬ2は各々独立して−Ｈまたは−Ｆであり；Ｚ4およびＺ5は各々独立して−（ＣＨ2）2−、−（ＣＨ2）4−、−ＣＯＯ−、−ＣＦ2Ｏ−、−ＯＣＦ2−、−ＣＨ＝ＣＨ−、または単結合であり；環Ｂおよび環Ｃはそれぞれ独立して１，４−シクロヘキシレン、１，３−ジオキサン−２，５−ジイル、１，４−フェニレン、または少なくとも１つの−Ｈが−Ｆで置き替えられた１，４−フェニレンであり；環Ｄは１，４−シクロヘキシレン、１，４−フェニレン、または少なくとも１つの−Ｈが−Ｆで置き替えられた１，４−フェニレンである。）
[１０]  第一成分として、[１]〜[７]のいずれか１項に記載のケイ素化合物を少なくとも１種含有し、第二成分として、式（５）および（６）で表される化合物群から選択される化合物を少なくとも１種含有することを特徴とする前記［８］に記載の液晶組成物。
【００１６】
【化１０】
0004655387.tif 000006
【００１７】
（式中、Ｒ2およびＲ3は各々独立して炭素数１〜１０のアルキルであり、このアルキルの任意の−ＣＨ2−は−Ｏ−または−ＣＨ＝ＣＨ−で置き替えられてもよいが、−Ｏ−と−Ｏ−が隣接することはなく、また、このアルキルの任意の−Ｈは−Ｆで置き替えられてもよく；Ｘ2は−ＣＮまたは−Ｃ≡Ｃ−ＣＮであり；環Ｅは１，４−シクロヘキシレン、１，４−フェニレン、１，３−ジオキサン−２，５−ジイル、またはピリミジン−２，５−ジイルであり；環Ｆは１，４−シクロヘキシレン、１，４−フェニレン、−Ｈが−Ｆで置き替えられた１，４−フェニレン、またはピリミジン−２，５−ジイルであり；環Ｇは１，４−シクロヘキシレンまたは１，４−フェニレンであり；Ｚ6は−（ＣＨ2）2−、−ＣＯＯ−、−ＣＦ2Ｏ−、−ＯＣＦ2−、または単結合であり；Ｌ3、Ｌ4およびＬ5は各々独立して−Ｈまたは−Ｆであり；ａ、ｂおよびｃは各々独立して０または１である）
[１１]  第一成分として、[１]〜[７]のいずれか１項に記載のケイ素化合物を少なくとも１種含有し、第二成分として、式（７）、（８）および（９）で表される化合物群から選択される化合物を少なくとも１種含有することを特徴とする前記［８］に記載の液晶組成物。
【００１８】
【化１１】
0004655387.tif 000007
【００１９】
（式中、Ｒ4およびＲ5は各々独立して炭素数１〜１０のアルキルであり、このアルキルの任意の−ＣＨ2−は−Ｏ−または−ＣＨ＝ＣＨ−で置き替えられてもよいが、−Ｏ−と−Ｏ−が隣接することはなく、また、このアルキルの任意の−Ｈは−Ｆで置き替えられてもよく；環Ｉおよび環Ｊは各々独立して、１，４−シクロヘキシレンまたは１，４−フェニレンであり；Ｌ6、Ｌ7、Ｌ8およびＬ9は各々独立して−Ｈまたは−Ｆであるが、すべてが同時に−Ｈであることはなく；Ｚ7およびＺ8は各々独立して−（ＣＨ2）2−、−ＣＯＯ−または単結合である）
[１２] 第一成分として、[１]〜[７]のいずれか１項に記載のケイ素化合物を少なくとも１種含有し、第二成分として、前記［９］に記載の式（２）、（３）および（４）で表される化合物群から選択される化合物を少なくとも１種含有し、第三成分として、式（１０）、（１１）および（１２）で表される化合物群から選択される化合物を少なくとも１種含有することを特徴とする前記［８］に記載の液晶組成物。
【００２０】
【化１２】
0004655387.tif 000008
【００２１】
（式中、Ｒ6およびＲ7は各々独立して炭素数１〜１０のアルキルであり、このアルキルの任意の−ＣＨ2−は−Ｏ−または−ＣＨ＝ＣＨ−で置き替えられてもよいが、−Ｏ−と−Ｏ−が隣接することはなく、また、このアルキルの任意の−Ｈは−Ｆで置き替えられてもよく；環Ｋ、環Ｍおよび環Ｎは各々独立して、１，４−シクロヘキシレン、ピリミジン−２，５−ジイル、１，４−フェニレンまたは−Ｈが−Ｆで置き替えられた１，４−フェニレンであり；Ｚ9およびＺ10は各々独立して−Ｃ≡Ｃ−、−ＣＯＯ−、−（ＣＨ2）2−、−ＣＨ＝ＣＨ−、または単結合である。）
[１３]  第一成分として、[１]〜[７]のいずれか１項に記載のケイ素化合物を少なくとも１種含有し、第二成分として、前記［１０］に記載の式（５）および（６）で表される化合物群から選択される化合物を少なくとも１種含有し、第三成分として、前記［１２］に記載の式（１０）、（１１）および（１２）で表される化合物群から選択される化合物を少なくとも１種含有することを特徴とする前記［８］に記載の液晶組成物。
[１４]  第一成分として、[１]〜[７]のいずれか１項に記載のケイ素化合物を少なくとも１種含有し、第二成分として、前記［１１］に記載の式（７）、（８）および（９）で表される化合物群から選択される化合物を少なくとも１種含有し、第三成分として、前記［１２］に記載の式（１０）、（１１）および（１２）で表される化合物群から選択される化合物を少なくとも１種含有することを特徴とする前記［８］に記載の液晶組成物。
[１５]  第一成分として、[１]〜[７]のいずれか１項に記載のケイ素化合物を少なくとも１種含有し、第二成分として、前記［９］に記載の式（２）、（３）および（４）で表される化合物群から選択される化合物を少なくとも１種含有し、第三成分として、前記［１０］に記載の式（５）および（６）で表される化合物群から選択される化合物を少なくとも１種含有し、第四成分として、前記［１２］に記載の式（１０）、（１１）および（１２）で表される化合物群から選択される化合物を少なくとも１種含有することを特徴とする前記［８］に記載の液晶組成物。
[１６]  [８]〜[１５]のいずれか１項に記載の液晶組成物に、さらに１種以上の光学活性化合物を添加したことを特徴とする液晶組成物。
[１７]  [８]〜[１６]のいずれか１項に記載の液晶組成物を用いることを特徴とする液晶表示素子。
【００２２】
本発明の化合物（１）は末端基にＳｉＨ3を有し、２個から４個の六員環を持つ（以下、二環系から四環系と表記することがある）化合物であり、表示素子が使用される条件下で物理的および化学的にも極めて安定である。さらに、相溶性が良く、低粘性、低いしきい値電圧を有する。化合物（１）を構成する六員環、結合基または側鎖を適当に選ぶことにより、所望の物性値を任意に調整することが可能である。好ましい化合物を以下に示す。
【００２３】
【化１３】
0004655387.tif 000009
【００２４】
【化１４】
0004655387.tif 000010
【００２５】
【化１５】
0004655387.tif 000011
【００２６】
【化１６】
0004655387.tif 000012
【００２７】
【化１７】
0004655387.tif 000013
【００２８】
【化１８】
0004655387.tif 000014
【００２９】
【化１９】
0004655387.tif 000015
【００３０】
【化２０】
0004655387.tif 000016
【００３１】
【化２１】
0004655387.tif 000017
【００３２】
【化２２】
0004655387.tif 000018
【００３３】
【化２３】
0004655387.tif 000019
【００３４】
【化２４】
0004655387.tif 000020
【００３５】
【化２５】
0004655387.tif 000021
【００３６】
【化２６】
0004655387.tif 000022
【００３７】
【化２７】
0004655387.tif 000023
【００３８】
【化２８】
0004655387.tif 000024
【００３９】
【化２９】
0004655387.tif 000025
【００４０】
【化３０】
0004655387.tif 000026
【００４１】
【化３１】
0004655387.tif 000027
【００４２】
Ｙ1、Ｙ2は前記［１］の記載と同じ意味を示す。
好ましいＹ1は、炭素数１〜１０のアルキレン、アルキレンオキシ、アルキレンオキシアルキレン、アルケニレン、アルケニレンオキシ、アルケニレンオキシアルキレンもしくはアルキレンオキシアルケニレンを挙げることができる。その中でも特に好ましい基は、メチレン、エチレン、プロピレン、ブチレン、ペンチレン、ヘキシレン、ヘプチレン、メチレンオキシ、エチレンオキシ、プロピレンオキシ、ブチレンオキシ、ペンチレンオキシ、ヘキシレンオキシ、ヘプチレンオキシ、メチレンオキシメチレン、エチレンオキシメチレン、プロピレンオキシメチレン、メチレンオキシエチレン、エチレンオキシエチレン、メチレンオキシプロピレン、エチレンオキシプロピレン、ビニレン、１−プロペニレン、２−プロペニレン、１−ブテニレン、２−ブテニレン、３−ブテニレン、２−プロペニレンオキシ、２−ブテニレンオキシ等である。
好ましいＹ2は、炭素数１〜１０のアルキル、アルコキシ、アルコキシアルキル、アルケニル、アルケニルオキシ、アルケニルオキシアルキルもしくはアルキルオキシアルケニル、アルキニル、フルオロアルキル、フルオロアルキルオキシ、ハロゲン、シアノ、シアノアルキニルを挙げることができる。その中でも特に好ましい基は、メチル、エチル、プロピル、ブチル、ペンチル、ヘキシル、ヘプチル、オクチル、メトキシ、エトキシ、プロポキシ、ブトキシ、ペンチルオキシ、ヘキシルオキシ、ヘプチルオキシ、オクチルオキシ、メトキシメチル、エトキシメチル、プロポキシメチル、ブトキシメチル、メトキシエチル、エトキシエチル、プロポキシエチル、メトキシプロピル、エトキシプロピル、プロポキシプロピル、ビニル、１−プロペニル、２−プロペニル、１−ブテニル、２−ブテニル、３−ブテニル、１−ペンテニル、２−ペンテニル、３−ペンテニル、４−ペンテニル、２−プロペニルオキシ、２−ブテニルオキシ、２−ペンテニルオキシ、４−ペンテニルオキシ、２−プロペニルオキシメチル、２−プロペニルオキシエチル、３−ブテニルオキシメチル、３−メトキシ−１−プロペニル、３−メトキシ−１−ペンテニル、３−メトキシ−２−ペンテニル、エチニル、１−プロピニル、２−プロピニル、１−ブチニル、２−ブチニル、３−ブチニル、１−ペンチニル、２−ペンチニル、３−ペンチニル、４−ペンチニル、−Ｆ、−Ｃｌ、−ＣＮ、−Ｃ≡Ｃ−ＣＮ、−ＣＦ3、−ＯＣＦ3、−ＯＣＦ2Ｈ等である。
【００４３】
Ｙ1とＹ2の一方または両方が光学活性基である化合物は、キラルドープ剤として特に有用である。これらを組成物に添加することによってリバース・ツイスト・ドメインの発生を防止することができる。
【００４４】
化合物（１）はＴＮ型、ＳＴＮ型およびＴＦＴ型用等をはじめとする種々の表示素子に使用する組成物の成分として好適に使用することができる。化合物（１）のうち二環、三環系化合物は低粘性を示し、三環、四環系化合物は高い等方相転移温度を示す。
分子内に２個以上のシクロヘキサン環を有する化合物（１）は、高い等方相転移温度と小さなΔｎおよび低粘性を示す。また、ジオキサン環またはピリミジン環を有する化合物（１）は比較的大きなΔεを示す。
分子内にベンゼン環を１つ以上有する化合物（１）は、比較的大きなΔｎと高い液晶配向パラメーターを示すので優れている。特に分子内に２個以上のベンゼン環を有する化合物は、特に大きなΔｎと広い液晶温度範囲と化学的に高い安定性を有する。
【００４５】
双極子モーメントが分子長軸方向に大きくなるように、−Ｆ、−ＣＮ、−ＣＦ3、−ＯＣＦ3、−ＯＣＦ2Ｈ等の基が置換した化合物（１）は、大きな正のΔε高い等方相転移点、比較的低い粘性を有する。これらの基がベンゼン環に置換した化合物は優れた安定性と特に大きな正のΔεを示す。さらに複数の基がベンゼン環に置換した化合物はより大きなΔεを示す。
双極子モーメントが分子短軸方向に大きくなるように、−Ｆが置換した化合物（１）は、大きな負のΔε、高い等方相転移点、比較的低い粘性を示す。ベンゼン環の側方位に−Ｆが置換した化合物は優れた化学的安定性と大きな負のΔεを示す。このような−Ｆを２個以上有する化合物は特に大きな負のΔεを示す。
Ｚ1、Ｚ2および／またはＺ3に二重結合を有する化合物（１）は、広い液晶温度範囲と大きな弾性定数比を示すのでＳＴＮ用の組成物として用いるのに好適である。三重結合を有する化合物（１）は、大きなΔｎを示す。
これらのことから環、側鎖および／または結合基を適当に選択することにより所望の物性を有する新たな液晶性化合物を得ることができる。また、化合物（１）は、それを構成する原子がその同位体で置き替えられた場合も、同様の特性を示すので用いることができる。
【００４６】
以下、本発明の組成物に関して説明する。この組成物は、優良な特性を発現するために、少なくとも１種の化合物（１）（以下、第１成分という）を０．１〜９９．９重量％含有するのが好ましい。より好ましい量は１〜８０重量％、さらに好ましくは１〜６０重量％である。
組成物は第一成分のみでもよい。第二成分として化合物（２）、（３）および（４）から選ばれた少なくとも１種の化合物（以下第二Ａ成分と称する）および／または化合物（５）および（６）から選ばれた少なくとも１種の化合物（以下第二Ｂ成分と称する）を第一成分に加えてもよい。しきい値電圧、液晶相温度範囲、屈折率異方性、誘電率異方性および粘度等を調整する目的で、化合物（１０）、（１１）および（１２）から選ばれる少なくとも１種類の化合物を第三成分として加えることもできる。
組成物の各成分である化合物は、各元素の同位体からなる類縁体でも、物理特性に大きな差異が無いので差し支えない。
上記第二Ａ成分のうち、化合物（２）の好適な例は（２−１）〜（２−９）であり、化合物（３）の好適な例は（３−１）〜（３−９７）であり、化合物（４）の好適な例は（４−１）〜（４−３３）である。
【００４７】
【化３２】
0004655387.tif 000028
【００４８】
【化３３】
0004655387.tif 000029
【００４９】
【化３４】
0004655387.tif 000030
【００５０】
【化３５】
0004655387.tif 000031
【００５１】
【化３６】
0004655387.tif 000032
【００５２】
【化３７】
0004655387.tif 000033
【００５３】
【化３８】
0004655387.tif 000034
【００５４】
【化３９】
0004655387.tif 000035
【００５５】
【化４０】
0004655387.tif 000036
【００５６】
【化４１】
0004655387.tif 000037
【００５７】
【化４２】
0004655387.tif 000038
【００５８】
【化４３】
0004655387.tif 000039
【００５９】
【化４４】
0004655387.tif 000040
【００６０】
式中、Ｒ1、Ｘ1は前記［９］の記載と同じ意味を表す。
これらの化合物（２）、（３）および（４）は、正の誘電率異方性を有し、熱安定性や化学的安定性が非常に優れているので、主としてＴＦＴ用の組成物に用いられる。ＴＦＴ用の組成物を調製する場合、該化合物の量は、組成物の全重量に対して０．１〜９９．９重量％の範囲である。好ましくは１０〜９７重量％、より好ましくは４０〜９５重量％である。化合物（１０）〜（１２）を粘度調整の目的でさらに組成物に加えてもよい。
【００６１】
前記第二Ｂ成分のうち、化合物（５）および（６）の好適な例は、それぞれ（５−１）〜（５−５８）および（６−１）〜（６−３）である。
【００６２】
【化４５】
0004655387.tif 000041
【００６３】
【化４６】
0004655387.tif 000042
【００６４】
【化４７】
0004655387.tif 000043
【００６５】
【化４８】
0004655387.tif 000044
【００６６】
【化４９】
0004655387.tif 000045
【００６７】
【化５０】
0004655387.tif 000046
【００６８】
【化５１】
0004655387.tif 000047
【００６９】
（式中、Ｒ2，Ｒ3およびＸ2は前記［１０］の記載と同じ意味を表す）
これらの化合物（５）および（６）は、正の非常に大きな誘電率異方性を有するので、主としてＳＴＮ、ＴＮ用の組成物に用いられる。これらの化合物は特にしきい値電圧を低くする目的で使用される。粘度および屈折率異方性を調整する、液晶相温度範囲を広げる、および急峻性を改良する目的にも使用される。ＳＴＮまたはＴＮ用の組成物を調製する場合、化合物（５）および（６）の使用量は０．１〜９９．９重量％の範囲である。好ましくは１０〜９７重量％、より好ましくは４０〜９５重量％である。しきい値電圧、液晶相温度範囲、屈折率異方性、誘電率異方性および粘度等を調整する目的で後述の第三成分をさらに加えることもできる。
【００７０】
垂直配向モード（ＶＡモード）等に適した、誘電率異方性が負の組成物を調製する場合には化合物（７）〜（９）から選ばれた少なくとも一種の化合物（以下第二Ｃ成分）を混合するのが好ましい。第二Ｃ成分の化合物（７）〜（９）の好適な例は、それぞれ（７−１）〜（７−３）、（８−１）〜（８−５）および（９−１）〜（９−３）である。
【００７１】
【化５２】
0004655387.tif 000048
【００７２】
【化５３】
0004655387.tif 000049
【００７３】
【化５４】
0004655387.tif 000050
【００７４】
式中、Ｒ4、Ｒ5は前記［１１］の記載と同じ意味を表す。
化合物（７）〜（９）は、誘電率異方性が負である。２つの六員環を有する化合物（７）は、主としてしきい値電圧、粘度または屈折率異方性を調整する目的で使用される。化合物（８）は、透明点を高くしてネマチックレンジを広げる、しきい値電圧を低くするおよび屈折率異方性値を大きくする、との目的で使用される。
化合物（７）〜（９）は、ＶＡモード用の誘電率異方性の値が負である組成物に使用される。その量を増加させると組成物のしきい値電圧が低くなるが、粘度が高くなる。従って、しきい値電圧の要求値を満たす限り、できるだけ少ない量が好ましい。化合物（７）〜（９）の量は、ＶＡモードの用途では４０重量％以上が好ましく、より好ましくは５０〜９０重量％である。
弾性定数をコントロールし、組成物の電圧透過率曲線を制御する目的で、化合物（７）〜（９）を誘電率異方性が正である組成物に混合することもある。その量は３０重量％以下が好ましい。
【００７５】
前記の第三成分のうち、化合物（１０）〜（１２）の好適な例は、それぞれ（１０−１）〜（１０−１１）、（１１−１）〜（１１−１２）および（１２−１）〜（１２−６）である。
【００７６】
【化５５】
0004655387.tif 000051
【００７７】
【化５６】
0004655387.tif 000052
【００７８】
【化５７】
0004655387.tif 000053
【００７９】
式中、Ｒ6およびＲ7は前記［１２］の記載と同じ意味を表す。
化合物（１０）〜（１２）は、誘電率異方性値の絶対値が小さく、中性に近い。化合物（１０）は主として粘度または屈折率異方性を調整する目的で使用される。また化合物（１１）および（１２）は、透明点を高くしてネマチックレンジを広げる、または屈折率異方性を調整する目的で使用される。化合物（１０）〜（１１）の量を増加させると組成物のしきい値電圧が高くなり、粘度が低くなる。従って、しきい値電圧の要求値を満たす限り、多量に使用したほうがよい。化合物（１０）〜（１２）の量は、ＴＦＴの用途では４０重量％以下、好ましくは３５重量％以下である。ＳＴＮまたはＴＮ用の用途における量は、７０重量％以下、好ましくは６０重量％以下である。
【００８０】
本発明の組成物は、化合物（１）の少なくとも１種を０．１〜９９重量％含有することによって、優良な特性を発現する。
組成物は公知の方法、例えば種々の成分を加熱によって相互に溶解させることにより調製される。必要により適当な添加物を加えることによって、意図する用途に応じて最適化される。このような添加物は当業者によく知られており、文献等に詳細に記載されている。キラルドープ剤は液晶のらせん構造を誘起してねじれを与え、逆ねじれを防ぐ。キラルドープ剤の例として以下の光学活性化合物を挙げることができる。
【００８１】
【化５８】
0004655387.tif 000054
【００８２】
本発明の組成物は、通常これらの光学活性化合物を添加して、ねじれのピッチを調整する。ねじれのピッチはＴＦＴ用およびＴＮ用の組成物であれば４０〜２００μｍの範囲が好ましい。ＳＴＮ用の場合は６〜２０μｍの範囲が好ましい。また、双安定ＴＮ（Ｂｉｓｔａｂｌｅ  ＴＮ）モード用の場合は、１．５〜４μｍの範囲が好ましい。また、ピッチの温度依存性を調整する目的で２種以上の光学活性化合物を添加してもよい。
【００８３】
メロシアニン系、スチリル系、アゾ系、アゾメチン系、アゾキシ系、キノフタロン系、アントラキノン系およびテトラジン系等の二色性色素を添加すれば、Ｇ−Ｈ型用の組成物として使用することもできる。本発明に係る組成物は、ネマチック液晶をマイクロカプセル化して作製したＮＣＡＰや、液晶中に三次元網目状高分子を形成して作製したポリマー分散型液晶表示素子（ＰＤＬＣＤ）例えばポリマーネットワーク液晶表示素子（ＰＮＬＣＤ）にも使用することができる。複屈折制御（ＥＣＢ）型やＤＳ型用の組成物としても使用できる。
【００８４】
化合物（１）は通常の有機合成法により製造する。例えばＯｒｇａｎｉｃ  Ｓｙｎｔｈｅｓｉｓ（Ｊｏｈｎ  Ｗｉｌｅｙ  ＆  Ｓｏｎｓ）、Ｏｒｇａｎｉｃ  Ｒｅａｃｔｉｏｎｓ（Ｊｏｈｎ  Ｗｉｌｅｙ  ＆  Ｓｏｎｓ）、Ｃｏｍｐｒｅｈｅｎｓｉｖｅ  Ｏｒｇａｎｉｃ  Ｓｙｎｔｈｅｓｉｓ（Ｐｅｒｇａｍｏｎ  Ｐｒｅｓｓ）、新実験化学講座（丸善）等の成書、雑誌に記載の、公知の一般的な合成法を適当に選択、組み合わせる。
Ｓｉ部位の導入については、例えばＳｉｌｉｃｏｎ  ｉｎ  Ｏｒｇａｎｉｃ  Ｓｙｎｔｈｅｓｉｓ（Ｂｕｔｔｅｒｗｏｒｔｏｎｓ）、Ｓｉｌｉｃｏｎ  Ｒｅａｇｅｎｔｓ  ｆｏｒ  Ｏｒｇａｎｉｃ  Ｓｙｎｔｈｅｓｉｓ（Ｓｐｒｉｎｇｅｒ−Ｖｅｒｌａｇ）、Ｓｉｌｉｃｏｎ  Ｒｅａｇｅｎｔｓ  ｉｎ  ＯｒｇａｎｉｃＳｙｎｔｈｅｓｉｓ（Ａｃａｄｅｍｉｃ  Ｐｒｅｓｓ）等の成書、雑誌に記載の、公知の一般的な合成法を適当に選択、組み合わせる。
具体的な例として、次に示した経路を挙げることができる。
【００８５】
【化５９】
0004655387.tif 000055
【００８６】
上記Ｙ1、Ｙ2、Ａ1、Ａ2、Ａ3、Ａ4、Ｚ1、Ｚ2、Ｚ3、ｐおよびｑは前記［１］の記載と同様である。また、Ｑ1はハロゲンであり、Ｑ2はハロゲンまたはアルコキシである。Ｍｔはリチウム、カリウム、ハロゲン化マグネシウムまたはハロゲン化亜鉛である。
まず、化合物（１１）をマグネシウム等の金属単体やアルキルリチウム化合物、アルキル亜鉛化合物、アルキルカリウム化合物またはアルキルカドミウム化合物等、種々の有機金属試薬を作用させることにより、有機金属試薬（１２）を調製する。これにテトラアルコキシシラン、テトラハロシラン等の四置換シランを作用させケイ素化合物（１３）を得る。水素化リチウムアルミニウム、水素化ジイソブチルアルミニウム、水素化ホウ素ナトリウム、水素化シアノホウ素ナトリウム、ジボラン−ＴＨＦ等の適当な還元剤で、化合物（１３）を還元処理することによって化合物（１）に誘導する。これらの還元剤によって化合物（１３）における他の置換基が還元される場合には、適当な添加物を用いるかあるいは反応条件を調節してＳｉＱ23のみを選択的に還元する。
【００８７】
【実施例】
実施例により本発明をより詳細に説明するが、本発明はこれらの実施例により制限されるものではない。化合物の構造は核磁気共鳴スペクトル、質量スペクトル（以下ＭＳと略す）等で確認した。ＭＳにおいてＭ＋は分子イオンピークを表す。Ｃは結晶相を、Ｓはスメクチック相を、Ｎはネマチック相を、Ｉｓｏは等方性液体相を示す。相転移温度の単位はすべて℃である。
【００８８】
実施例１
トランス−１−ペンチル−４−（トランス−４−シリルメチルシクロヘキシル）シクロヘキサン（（１）式において、Ｙ1がメチレン、Ｙ2がペンチル、Ａ1およびＡ2がトランス−１，４−シクロヘキシレン、Ｚ1が単結合、ｐおよびｑが０である化合物（Ｎｏ．７４２））の製造
第１段
ＴＨＦ１００ミリリットル、マグネシウム（１２０ミリモル）とトランス−１−ペンチル−４−（トランス−４−クロロメチルシクロヘキシル）シクロヘキサン（１００ミリモル）からグリニャール試薬を窒素雰囲気下で調製した。テトラメトキシシラン（１５０ミリモル）のＴＨＦ１００ミリリットル溶液を、６５℃に加温して、グリニャール試薬を滴下し、さらに同温度で２時間攪拌した。放冷後反応混合物を濾過し、溶媒を留去した後、減圧蒸留によりトランス−１−ペンチル−４−（トランス−４−トリメトキシシリルメチルシクロヘキシル）シクロヘキサン（６５ミリモル）を得た。
第２段
窒素雰囲気下、氷浴上で、水素化リチウムアルミニウム（５９ミリモル）をＴＨＦ５０ミリリットルに懸濁させ、第１段の反応で得たトランス−１−ペンチル−４−（トランス−４−トリメトキシシリルメチルシクロヘキシル）シクロヘキサン（６５ミリモル）のＴＨＦ５０ミリリットル溶液を滴下した。１時間攪拌した後、反応混合物に水を加え、不溶物を濾別した。分液した有機層を無水硫酸マグネシウムで乾燥した。減圧下で溶媒を留去し、残査をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（展開溶媒：ヘプタン）で精製し、次いでヘプタンから再結晶してトランス−１−ペンチル−４−（トランス−４−シリルメチルシクロヘキシル）シクロヘキサン（３０ミリモル）を得た。
相転移温度：  Ｃｒ  −０．９  Ｓ  ７４．２  Ｉｓｏ
ＭＳ：  ｍ／ｅ＝２８０（Ｍ＋）
【００８９】
実施例２
１−トリフルオロメトキシ−４−（トランス−４−（トランス−４−シリルエチルシクロヘキシル）シクロヘキシル）ベンゼン（（１）式において、Ｙ1がエチレン、Ｙ2が−ＯＣＦ3、Ａ1およびＡ2がトランス−１，４−シクロヘキシレン、Ａ3が１，４−フェニレン、Ｚ1およびＺ2が単結合、ｐが１、ｑが０である化合物（Ｎｏ．３４））の製造
第１段
ＴＨＦ１００ミリリットル、マグネシウム（１２０ミリモル）と１−トリフルオロメトキシ−４−（トランス−４−（トランス−４−クロロエチルシクロヘキシル）シクロヘキシル）ベンゼン（１００ミリモル）から、グリニャール試薬を窒素雰囲気下で調製した。テトラメトキシシラン（１５０ミリモル）のＴＨＦ１００ミリリットル溶液を６５℃に加温し、グリニャール試薬を滴下し、同温度で２時間攪拌した。放冷後反応混合物を濾過し、溶媒を留去した後、減圧蒸留により１−トリフルオロメトキシ−４−（トランス−４−（トランス−４−トリメトキシシリルエチルシクロヘキシル）シクロヘキシル）ベンゼン（５７ミリモル）を得た。
第２段
窒素雰囲気下、氷浴上で、水素化リチウムアルミニウム（５１ミリモル）をＴＨＦ５０ミリリットルに懸濁させ、第１段の反応で得た１−トリフルオロメトキシ−４−（トランス−４−（トランス−４−トリメトキシシリルエチルシクロヘキシル）シクロヘキシル）ベンゼン（５７ミリモル）のＴＨＦ５０ミリリットル溶液を滴下した。滴下後１時間攪拌し、反応混合物に水を加え、不溶物を濾別した。分液した有機層を無水硫酸マグネシウムで乾燥した。減圧下溶媒を留去し、残査をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（展開溶媒：ヘプタン／トルエンの混合溶媒）で精製し、ヘプタンから再結晶して１−トリフルオロメトキシ−４−（トランス−４−（トランス−４−シリルエチルシクロヘキシル）シクロヘキシル）ベンゼン（２６ミリモル）を得た。
ＭＳ：  ｍ／ｅ＝３８４（Ｍ＋）
【００９０】
実施例３
１−エトキシ−２，３−ジフルオロ−４−（トランス−４−シリルブチルシクロヘキシル）ベンゼン（（１）式において、Ｙ1がブチレン、Ｙ2がエトキシ、Ａ1がトランス−１，４−シクロヘキシレン、Ａ2が２，３−ジフルオロ−１，４−フェニレン、Ｚ1が単結合、ｐおよびｑが０である化合物（Ｎｏ．６７６））の製造
第１段
ＴＨＦ１００ミリリットル、マグネシウム（１２０ミリモル）と１−エトキシ−２，３−ジフルオロ−４−（トランス−４−クロロブチルシクロヘキシル）ベンゼン（１００ミリモル）から、グリニャール試薬を窒素雰囲気下で調製した。テトラメトキシシラン（１５０ミリモル）のＴＨＦ１００ミリリットル溶液を６５℃に加温し、グリニャール試薬を滴下し、さらに同温度で２時間攪拌した。放冷後反応混合物を濾過し、溶媒を留去した後、減圧蒸留により１−エトキシ−２，３−ジフルオロ−４−（トランス−４−トチメトキシシリルブチルシクロヘキシル）ベンゼン（５８ミリモル）を得た。
第２段
窒素雰囲気下、氷浴上で、水素化リチウムアルミニウム（５２ミリモル）をＴＨＦ５０ミリリットルに懸濁させ、第１段の反応で得た１−エトキシ−２，３−ジフルオロ−４−（トランス−４−トチメトキシシリルブチルシクロヘキシル）ベンゼン（５８ミリモル）のＴＨＦ５０ミリリットル溶液を滴下した。滴下後１時間攪拌し、反応混合物に水を加え、不溶物を濾別し、分液した有機層を無水硫酸マグネシウムで乾燥した。減圧下で溶媒を留去し、残査をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（展開溶媒：ヘプタン／トルエンの混合溶媒）で精製し、ヘプタンから再結晶して１−エトキシ−２，３−ジフルオロ−４−（トランス−４−シリルブチルシクロヘキシル）ベンゼン（２５ミリモル）を得た。
ＭＳ：  ｍ／ｅ＝３２６（Ｍ＋）
【００９１】
実施例４
２−フルオロ−１−（４−プロピルフェニル）−４−（４−シリルエチルフェニル）ベンゼン（（１）式において、Ｙ1がエチレン、Ｙ2がプロピル、Ａ1およびＡ3が１，４−フェニレン、Ａ2が２−フルオロ−１，４−フェニレン、Ｚ1およびＺ2が単結合、ｐが１、ｑが０である化合物（Ｎｏ．８６１））の製造
第１段
ＴＨＦ１００ミリリットル、マグネシウム（１２０ミリモル）と２−フルオロ−１−（４−プロピルフェニル）−４−（４−クロロエチルフェニル）ベンゼン（１００ミリモル）から、グリニャール試薬を窒素雰囲気下で調製した。テトラメトキシシラン（１５０ミリモル）のＴＨＦ１００ミリリットル溶液を６５℃に加温し、グリニャール試薬を滴下し、さらに同温度で２時間攪拌した。放冷後反応混合物を濾過し、溶媒を留去した後、減圧蒸留により２−フルオロ−１−（４−プロピルフェニル）−４−（４−トリメトキシシリルエチルフェニル）ベンゼン（５９ミリモル）を得た。
第２段
窒素雰囲気下、氷浴上で、水素化リチウムアルミニウム（５３ミリモル）をＴＨＦ５０ミリリットルに懸濁させ、第１段の反応で得た２−フルオロ−１−（４−プロピルフェニル）−４−（４−トリメトキシシリルエチルフェニル）ベンゼン（５９ミリモル）のＴＨＦ５０ミリリットル溶液を滴下した。滴下後１時間攪拌し、反応混合物に水を加え、不溶物を濾別した。分液した有機層を無水硫酸マグネシウムで乾燥した。減圧下で溶媒を留去し、残査をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（展開溶媒：ヘプタン）で精製し、ヘプタンから再結晶して２−フルオロ−１−（４−プロピルフェニル）−４−（４−シリルエチルフェニル）ベンゼン（２２ミリモル）を得た。
ＭＳ：  ｍ／ｅ＝３４８（Ｍ＋）
実施例１〜４の方法に準拠して次の化合物を製造する。
【００９２】
【化６０】
0004655387.tif 000056
【００９３】
【化６１】
0004655387.tif 000057
【００９４】
【化６２】
0004655387.tif 000058
【００９５】
【化６３】
0004655387.tif 000059
【００９６】
【化６４】
0004655387.tif 000060
【００９７】
【化６５】
0004655387.tif 000061
【００９８】
【化６６】
0004655387.tif 000062
【００９９】
【化６７】
0004655387.tif 000063
【０１００】
【化６８】
0004655387.tif 000064
【０１０１】
【化６９】
0004655387.tif 000065
【０１０２】
【化７０】
0004655387.tif 000066
【０１０３】
【化７１】
0004655387.tif 000067
【０１０４】
【化７２】
0004655387.tif 000068
【０１０５】
【化７３】
0004655387.tif 000069
【０１０６】
【化７４】
0004655387.tif 000070
【０１０７】
【化７５】
0004655387.tif 000071
【０１０８】
【化７６】
0004655387.tif 000072
【０１０９】
【化７７】
0004655387.tif 000073
【０１１０】
【化７８】
0004655387.tif 000074
【０１１１】
【化７９】
0004655387.tif 000075
【０１１２】
【化８０】
0004655387.tif 000076
【０１１３】
【化８１】
0004655387.tif 000077
【０１１４】
【化８２】
0004655387.tif 000078
【０１１５】
【化８３】
0004655387.tif 000079
【０１１６】
【化８４】
0004655387.tif 000080
【０１１７】
【化８５】
0004655387.tif 000081
【０１１８】
【化８６】
0004655387.tif 000082
【０１１９】
【化８７】
0004655387.tif 000083
【０１２０】
【化８８】
0004655387.tif 000084
【０１２１】
【化８９】
0004655387.tif 000085
【０１２２】
【化９０】
0004655387.tif 000086
【０１２３】
【化９１】
0004655387.tif 000087
【０１２４】
【化９２】
0004655387.tif 000088
【０１２５】
【化９３】
0004655387.tif 000089
【０１２６】
【化９４】
0004655387.tif 000090
【０１２７】
【化９５】
0004655387.tif 000091
【０１２８】
【化９６】
0004655387.tif 000092
【０１２９】
【化９７】
0004655387.tif 000093
【０１３０】
【化９８】
0004655387.tif 000094
【０１３１】
【化９９】
0004655387.tif 000095
【０１３２】
【化１００】
0004655387.tif 000096
【０１３３】
【化１０１】
0004655387.tif 000097
【０１３４】
【化１０２】
0004655387.tif 000098
【０１３５】
【化１０３】
0004655387.tif 000099
【０１３６】
【化１０４】
0004655387.tif 000100
【０１３７】
【化１０５】
0004655387.tif 000101
【０１３８】
【化１０６】
0004655387.tif 000102
【０１３９】
【化１０７】
0004655387.tif 000103
【０１４０】
【化１０８】
0004655387.tif 000104
【０１４１】
【化１０９】
0004655387.tif 000105
【０１４２】
【化１１０】
0004655387.tif 000106
【０１４３】
【化１１１】
0004655387.tif 000107
【０１４４】
【化１１２】
0004655387.tif 000108
【０１４５】
【化１１３】
0004655387.tif 000109
【０１４６】
【化１１４】
0004655387.tif 000110
【０１４７】
【化１１５】
0004655387.tif 000111
【０１４８】
【化１１６】
0004655387.tif 000112
【０１４９】
【化１１７】
0004655387.tif 000113
【０１５０】
【化１１８】
0004655387.tif 000114
【０１５１】
【化１１９】
0004655387.tif 000115
【０１５２】
【化１２０】
0004655387.tif 000116
【０１５３】
【化１２１】
0004655387.tif 000117
【０１５４】
【化１２２】
0004655387.tif 000118
【０１５５】
【化１２３】
0004655387.tif 000119
【０１５６】
【化１２４】
0004655387.tif 000120
【０１５７】
【化１２５】
0004655387.tif 000121
【０１５８】
以下に本発明の化合物を組成物の成分として用いた場合の実施例を示す。なお、組成物例および後述の実施例中の化合物は、以下の表１に示した定義によって記号化して表記した。
【０１５９】
【表１】
0004655387.tif 000122
【０１６０】
実施例中において、特に断りのない限り「％」は「重量％」を、「部」は「重量部」を示し、化合物にシス−トランス異性体が存在する場合には、トランス型を意味する。左末端基の記載がない場合、その基は水素原子を示す。
【０１６１】
実施例５
Ｓｉ２−ＨＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｃ    （Ｎｏ．４５９）            １５．０％
Ｓｉ１−ＨＨ−５              （Ｎｏ．７４２）              ８．０％
１Ｖ２−ＢＥＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｃ                                ５．０％
３−ＨＢ−Ｃ                                              １０．０％
１−ＢＴＢ−３                                              ５．０％
２−ＢＴＢ−１                                            １０．０％
３−ＨＨ−４                                                ３．０％
３−ＨＨＢ−１                                            １１．０％
３−ＨＨＢ−３                                              ９．０％
３−Ｈ２ＢＴＢ−２                                          ４．０％
３−Ｈ２ＢＴＢ−３                                          ４．０％
３−Ｈ２ＢＴＢ−４                                          ４．０％
３−ＨＢ（Ｆ）ＴＢ−２                                      ６．０％
３−ＨＢ（Ｆ）ＴＢ−３                                      ６．０％
ＮＩ  ＝７４．１（℃）
η    ＝１５．５（ｍＰａ・s）
Δｎ  ＝０．１５０
Δε  ＝９．６
Ｖｔｈ＝１．８１（Ｖ）
上記組成物１００部にＣＭ３３を０．８部添加したときのピッチは１１．３μｍであった。
【０１６２】
実施例６
Ｓｉ２−ＨＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｃ     （Ｎｏ．４５９）           １３．０％
２Ｏ１−ＢＥＢ（Ｆ）−Ｃ                                    ５．０％
３Ｏ１−ＢＥＢ（Ｆ）−Ｃ                                  １５．０％
４Ｏ１−ＢＥＢ（Ｆ）−Ｃ                                  １３．０％
２−ＨＨＢ（Ｆ）−Ｃ                                      １５．０％
３−ＨＨＢ（Ｆ）−Ｃ                                      １５．０％
３−ＨＢ（Ｆ）ＴＢ−２                                      ４．０％
３−ＨＢ（Ｆ）ＴＢ−３                                      ４．０％
３−ＨＢ（Ｆ）ＴＢ−４                                      ４．０％
３−ＨＨＢ−１                                              ８．０％
３−ＨＨＢ−Ｏ１                                            ４．０％
ＮＩ  ＝８５．４（℃）
η    ＝８０．２（ｍＰａ・s）
Δｎ  ＝０．１４３
Δε  ＝３１．１
Ｖｔｈ＝０．８６（Ｖ）
【０１６３】
実施例７
Ｓｉ３−ＨＢ（Ｆ，Ｆ）Ｂ（Ｆ）−Ｆ  （Ｎｏ．１８９）        ４．０％
５−ＰｙＢ−Ｆ                                              ４．０％
３−ＰｙＢ（Ｆ）−Ｆ                                        ４．０％
２−ＢＢ−Ｃ                                                ５．０％
５−ＢＢ−Ｃ                                                ５．０％
２−ＰｙＢ−２                                              ２．０％
３−ＰｙＢ−２                                              ２．０％
４−ＰｙＢ−２                                              ２．０％
６−ＰｙＢ−Ｏ５                                            ３．０％
６−ＰｙＢ−Ｏ６                                            ３．０％
６−ＰｙＢ−Ｏ７                                            ３．０％
６−ＰｙＢ−Ｏ８                                            ３．０％
３−ＰｙＢＢ−Ｆ                                            ６．０％
４−ＰｙＢＢ−Ｆ                                            ６．０％
５−ＰｙＢＢ−Ｆ                                            ６．０％
３−ＨＨＢ−１                                              ６．０％
３−ＨＨＢ−３                                              ８．０％
２−Ｈ２ＢＴＢ−２                                          ４．０％
２−Ｈ２ＢＴＢ−３                                          ４．０％
２−Ｈ２ＢＴＢ−４                                          ５．０％
３−Ｈ２ＢＴＢ−２                                          ５．０％
３−Ｈ２ＢＴＢ−３                                          ５．０％
３−Ｈ２ＢＴＢ−４                                          ５．０％
ＮＩ  ＝９３．２（℃）
η    ＝３３．４（ｍＰａ・s）
Δｎ  ＝０．１９８
Δε  ＝６．５
Ｖｔｈ＝２．２６（Ｖ）
【０１６４】
実施例８
Ｓｉ２−ＨＨＢ（Ｆ）−ＯＣＦ３   （Ｎｏ． ３６）            ５．０％
Ｓｉ３−ＨＨＢ（Ｆ）−ＯＣＦ３   （Ｎｏ． ３９）            ５．０％
３−ＧＢ−Ｃ                                              １０．０％
２−ＢＥＢ−Ｃ                                            １２．０％
３−ＢＥＢ−Ｃ                                              ４．０％
３−ＰｙＢ（Ｆ）−Ｆ                                        ６．０％
３−ＨＥＢ−Ｏ４                                            ８．０％
４−ＨＥＢ−Ｏ２                                            ６．０％
５−ＨＥＢ−Ｏ１                                            ６．０％
３−ＨＥＢ−Ｏ２                                            ５．０％
５−ＨＥＢ−Ｏ２                                            ４．０％
５−ＨＥＢ−５                                              ５．０％
４−ＨＥＢ−５                                              ５．０％
１Ｏ−ＢＥＢ−２                                            ４．０％
３−ＨＨＢ−１                                              ６．０％
３−ＨＨＥＢＢ−Ｃ                                          ３．０％
３−ＨＢＥＢＢ−Ｃ                                          ３．０％
５−ＨＢＥＢＢ−Ｃ                                          ３．０％
ＮＩ  ＝７４．０（℃）
η    ＝３９．５（ｍＰａ・s）
Δｎ  ＝０．１１７
Δε  ＝１０．７
Ｖｔｈ＝１．３６（Ｖ）
【０１６５】
実施例９
Ｓｉ４−ＨＢ（Ｆ）ＥＢ−ＯＣＦ３  （Ｎｏ．２１９）          ３．０％
３−ＨＢ−Ｃ                                              １８．０％
１Ｏ１−ＨＢ−Ｃ                                          １０．０％
３−ＨＢ（Ｆ）−Ｃ                                        １０．０％
２−ＰｙＢ−２                                              ２．０％
３−ＰｙＢ−２                                              ２．０％
４−ＰｙＢ−２                                              ２．０％
１Ｏ１−ＨＨ−３                                            ７．０％
２−ＢＴＢ−Ｏ１                                            ７．０％
３−ＨＨＢ−１                                              ７．０％
３−ＨＨＢ−Ｆ                                              ４．０％
３−ＨＨＢ−Ｏ１                                            ４．０％
３−ＨＨＢ−３                                              ８．０％
３−Ｈ２ＢＴＢ−２                                          ３．０％
３−Ｈ２ＢＴＢ−３                                          ３．０％
２−ＰｙＢＨ−３                                            ４．０％
３−ＰｙＢＨ−３                                            ３．０％
３−ＰｙＢＢ−２                                            ３．０％
ＮＩ  ＝８０．２（℃）
η    ＝１８．３（ｍＰａ・s）
Δｎ  ＝０．１４０
Δε  ＝８．３
Ｖｔｈ＝１．７３（Ｖ）
【０１６６】
実施例１０
Ｓｉ２−ＨＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｃ   （Ｎｏ．４５９）             １２．０％
２−ＢＥＢ（Ｆ）−Ｃ                                        ５．０％
３−ＢＥＢ（Ｆ）−Ｃ                                        ４．０％
１Ｖ２−ＢＥＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｃ                              １０．０％
３−ＨＨ−ＥＭｅ                                          １０．０％
３−ＨＢ−Ｏ２                                            １８．０％
７−ＨＥＢ−Ｆ                                              ２．０％
３−ＨＨＥＢ−Ｆ                                            ２．０％
５−ＨＨＥＢ−Ｆ                                            ２．０％
３−ＨＢＥＢ−Ｆ                                            ４．０％
２Ｏ１−ＨＢＥＢ（Ｆ）−Ｃ                                  ２．０％
３−ＨＢ（Ｆ）ＥＢ（Ｆ）−Ｃ                                ２．０％
３−ＨＢＥＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｃ                                  ２．０％
３−ＨＨＢ−Ｆ                                              ４．０％
３−ＨＨＢ−Ｏ１                                            ４．０％
３−ＨＨＢ−３                                            １３．０％
３−ＨＥＢＥＢ−Ｆ                                          ２．０％
３−ＨＥＢＥＢ−１                                          ２．０％
ＮＩ  ＝６９．６（℃）
η    ＝３１．６（ｍＰａ・s）
Δｎ  ＝０．１０９
Δε  ＝２４．１
Ｖｔｈ＝０．９０（Ｖ）
【０１６７】
実施例１１
Ｓｉ２−ＨＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｃ   （Ｎｏ．４５９）             １０．０％
２−ＢＥＢ（Ｆ）−Ｃ                                        ５．０％
３−ＢＥＢ（Ｆ）−Ｃ                                        ４．０％
４−ＢＥＢ（Ｆ）−Ｃ                                      １２．０％
１Ｖ２−ＢＥＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｃ                                ６．０％
３−ＨＢ−Ｏ２                                            １０．０％
３−ＨＨ−４                                                ３．０％
３−ＨＨＢ−Ｆ                                              ３．０％
３−ＨＨＢ−１                                              ８．０％
３−ＨＨＢ−Ｏ１                                            ４．０％
３−ＨＢＥＢ−Ｆ                                            ４．０％
３−ＨＨＥＢ−Ｆ                                            ７．０％
５−ＨＨＥＢ−Ｆ                                            ７．０％
３−Ｈ２ＢＴＢ−２                                          ４．０％
３−Ｈ２ＢＴＢ−３                                          ４．０％
３−Ｈ２ＢＴＢ−４                                          ４．０％
３−ＨＢ（Ｆ）ＴＢ−２                                      ５．０％
ＮＩ  ＝８１．３（℃）
η    ＝３６．２（ｍＰａ・s）
Δｎ  ＝０．１３３
Δε  ＝２４．５
Ｖｔｈ＝１．１２（Ｖ）
【０１６８】
実施例１２
Ｓｉ２−ＨＢ（２Ｆ３Ｆ）−Ｏ２  （Ｎｏ．６７８）            ６．０％
Ｓｉ４−ＨＢ（２Ｆ３Ｆ）−Ｏ２  （Ｎｏ．６７６）            ６．０％
２−ＢＥＢ−Ｃ                                            １２．０％
３−ＢＥＢ−Ｃ                                              ４．０％
４−ＢＥＢ−Ｃ                                              ６．０％
３−ＨＢ−Ｃ                                              ２８．０％
４−ＨＥＢ−Ｏ２                                            ８．０％
５−ＨＥＢ−Ｏ１                                            ８．０％
３−ＨＥＢ−Ｏ２                                            ６．０％
５−ＨＥＢ−Ｏ２                                            ５．０％
３−ＨＨＢ−１                                              ７．０％
３−ＨＨＢ−Ｏ１                                            ４．０％
ＮＩ  ＝５５．４（℃）
η    ＝２７．６（ｍＰａ・s）
Δｎ  ＝０．１１４
Δε  ＝９．３
Ｖｔｈ＝１．４１（Ｖ）
【０１６９】
実施例１３
Ｓｉ２−ＨＢ（Ｆ）Ｂ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ  （Ｎｏ．１９３）        ７．０％
２−ＢＥＢ−Ｃ                                            １０．０％
５−ＢＢ−Ｃ                                              １２．０％
１−ＢＴＢ−３                                              ７．０％
２−ＢＴＢ−１                                            １０．０％
１Ｏ−ＢＥＢ−２                                          １０．０％
１Ｏ−ＢＥＢ−５                                          １２．０％
２−ＨＨＢ−１                                              ４．０％
３−ＨＨＢ−Ｆ                                              ４．０％
３−ＨＨＢ−１                                              ７．０％
３−ＨＨＢ−Ｏ１                                            ４．０％
３−ＨＨＢ−３                                            １３．０％
ＮＩ  ＝６５．２（℃）
η    ＝２０．６（ｍＰａ・s）
Δｎ  ＝０．１５５
Δε  ＝６．９
Ｖｔｈ＝１．７１（Ｖ）
【０１７０】
実施例１４
Ｓｉ２−ＨＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｃ           （Ｎｏ．４５９）     １２．０％
Ｓｉ２−ＨＨＢ（Ｆ，Ｆ）−ＯＣＦ２Ｈ （Ｎｏ． ４１）        ７．０％
Ｓｉ３−ＨＨＢ（Ｆ，Ｆ）−ＯＣＦ２Ｈ （Ｎｏ． ４４）        ７．０％
Ｓｉ４−ＨＨＢ（Ｆ，Ｆ）−ＯＣＦ２Ｈ （Ｎｏ． ４５）        ７．０％
２−ＨＢ−Ｃ                                                ５．０％
３−ＨＢ−Ｏ２                                            １５．０％
２−ＢＴＢ−１                                              ３．０％
３−ＨＨＢ−１                                              ８．０％
３−ＨＨＢ−Ｆ                                              ４．０％
３−ＨＨＢ−Ｏ１                                            ５．０％
３−ＨＨＢ−３                                            １４．０％
３−ＨＨＥＢ−Ｆ                                            ４．０％
５−ＨＨＥＢ−Ｆ                                            ４．０％
３−ＨＨＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ                                    ５．０％
ＮＩ  ＝８１．４（℃）
η    ＝２４．９（ｍＰａ・s）
Δｎ  ＝０．０９１
Δε  ＝７．３
Ｖｔｈ＝２．００（Ｖ）
【０１７１】
実施例１５
Ｓｉ２−ＨＢ（Ｆ）ＥＢ−ＯＣＦ３  （Ｎｏ．２１１）          ４．０％
Ｓｉ３−ＨＢ（Ｆ）ＥＢ−ＯＣＦ３  （Ｎｏ．２２４）          ４．０％
Ｓｉ２−ＨＨ−２Ｖ                （Ｎｏ．７３８）          ７．０％
３−ＢＥＢ（Ｆ）−Ｃ                                        ８．０％
３−ＨＢ−Ｃ                                                ８．０％
Ｖ−ＨＢ−Ｃ                                                ８．０％
３−ＨＢ−Ｏ２                                              ３．０％
３−ＨＨ−２Ｖ                                            １４．０％
Ｖ２−ＨＨＢ−１                                          １５．０％
３−ＨＨＢ−１                                              ５．０％
３−ＨＨＥＢ−Ｆ                                            ７．０％
３−Ｈ２ＢＴＢ−２                                          ６．０％
３−Ｈ２ＢＴＢ−３                                          ６．０％
３−Ｈ２ＢＴＢ−４                                          ５．０％
ＮＩ  ＝１０１．０（℃）
η    ＝１７．１（ｍＰａ・s）
Δｎ  ＝０．１３０
Δε  ＝８．６
Ｖｔｈ＝２．１８（Ｖ）
【０１７２】
実施例１６
Ｓｉ２−ＨＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｃ   （Ｎｏ．４５９）             ２４．０％
Ｖ２−ＨＢ−Ｃ                                            １２．０％
１Ｖ２−ＨＢ−Ｃ                                          １２．０％
３−ＨＢ（Ｆ）−Ｃ                                          ５．０％
２−ＢＴＢ−１                                              ２．０％
３−ＨＨ−４                                                ８．０％
３−ＨＨ−ＶＦＦ                                            ６．０％
２−ＨＨＢ−Ｃ                                              ３．０％
３−ＨＨＢ−Ｃ                                              ６．０％
３−ＨＢ（Ｆ）ＴＢ−２                                      ８．０％
３−Ｈ２ＢＴＢ−２                                          ５．０％
３−Ｈ２ＢＴＢ−３                                          ５．０％
３−Ｈ２ＢＴＢ−４                                          ４．０％
ＮＩ  ＝６０．６（℃）
η    ＝１９．３（ｍＰａ・s）
Δｎ  ＝０．１３５
Δε  ＝１２．８
Ｖｔｈ＝１．６７（Ｖ）
【０１７３】
実施例１７
Ｓｉ２−ＨＨＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２  （Ｎｏ．６９１）        ７．０％
５−ＢＥＢ（Ｆ）−Ｃ                                        ５．０％
Ｖ−ＨＢ−Ｃ                                              １１．０％
５−ＰｙＢ−Ｃ                                              ６．０％
４−ＢＢ−３                                              １１．０％
３−ＨＨ−２Ｖ                                            １０．０％
５−ＨＨ−Ｖ                                              １１．０％
Ｖ２−ＨＨＢ−１                                          １５．０％
３−ＨＨＢ−１                                              ９．０％
１Ｖ２−ＨＢＢ−２                                        １０．０％
３−ＨＨＥＢＨ−３                                          ５．０％
ＮＩ  ＝９１．１（℃）
η    ＝１７．８（ｍＰａ・s）
Δｎ  ＝０．１１６
Δε  ＝４．２
Ｖｔｈ＝２．５３（Ｖ）
【０１７４】
実施例１８
Ｓｉ２−ＨＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｃ   （Ｎｏ．４５９）             １０．０％
１Ｖ２−ＢＥＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｃ                                ８．０％
３−ＨＢ−Ｃ                                              １０．０％
Ｖ２Ｖ−ＨＢ−Ｃ                                            ４．０％
Ｖ２Ｖ−ＨＨ−３                                          １９．０％
３−ＨＢ−Ｏ２                                              ４．０％
３−ＨＨＢ−１                                            １０．０％
３−ＨＨＢ−３                                            １５．０％
３−ＨＢ（Ｆ）ＴＢ−２                                      ４．０％
３−ＨＢ（Ｆ）ＴＢ−３                                      ４．０％
３−Ｈ２ＢＴＢ−２                                          ４．０％
３−Ｈ２ＢＴＢ−３                                          ４．０％
３−Ｈ２ＢＴＢ−４                                          ４．０％
ＮＩ  ＝８７．６（℃）
η    ＝１７．６（ｍＰａ・s）
Δｎ  ＝０．１２１
Δε  ＝９．７
Ｖｔｈ＝１．９１（Ｖ）
【０１７５】
実施例１９
Ｓｉ２−ＨＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｃ   （Ｎｏ．４５９）             １０．０％
Ｖ２−ＨＢ−ＴＣ                                          １０．０％
３−ＨＢ−ＴＣ                                            １０．０％
５−ＨＢ−Ｃ                                                ７．０％
５−ＢＢ−Ｃ                                                ３．０％
２−ＢＴＢ−１                                            １０．０％
２−ＢＴＢ−Ｏ１                                            ５．０％
３−ＨＨ−４                                                ５．０％
３−ＨＨＢ−１                                            １０．０％
３−ＨＨＢ−３                                            １１．０％
３−Ｈ２ＢＴＢ−２                                          ３．０％
３−Ｈ２ＢＴＢ−３                                          ３．０％
３−ＨＢ（Ｆ）ＴＢ−２                                      ３．０％
５−ＢＴＢ（Ｆ）ＴＢ−３                                  １０．０％
ＮＩ  ＝８９．６（℃）
η    ＝１４．５（ｍＰａ・s）
Δｎ  ＝０．１９７
Δε  ＝８．５
Ｖｔｈ＝１．８７（Ｖ）
【０１７６】
実施例２０
Ｓｉ２−ＨＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｃ   （Ｎｏ．４５９）             １２．０％
Ｓｉ１−ＨＨ−５             （Ｎｏ．７４２）             １０．０％
Ｓｉ２−ＨＨ−２Ｖ           （Ｎｏ．７３８）             １０．０％
１Ｖ２−ＢＥＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｃ                                ６．０％
３−ＨＢ−Ｃ                                                ６．０％
２−ＢＴＢ−１                                            １０．０％
５−ＨＨ−ＶＦＦ                                          １０．０％
１−ＢＨＨ−ＶＦＦ                                          ８．０％
１−ＢＨＨ−２ＶＦＦ                                      １１．０％
３−Ｈ２ＢＴＢ−２                                          ５．０％
３−Ｈ２ＢＴＢ−３                                          ４．０％
３−Ｈ２ＢＴＢ−４                                          ４．０％
３−ＨＨＢ−１                                              ４．０％
ＮＩ  ＝６７．８（℃）
η    ＝１２．７（ｍＰａ・s）
Δｎ  ＝０．１２１
Δε  ＝８．５
Ｖｔｈ＝１．７９（Ｖ）
【０１７７】
実施例２１
Ｓｉ２−ＨＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｃ   （Ｎｏ．４５９）             １５．０％
５−ＨＢＣＦ２ＯＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｃ                            ３．０％
３−ＨＢ（Ｆ，Ｆ）ＣＦ２ＯＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｃ                  ３．０％
３−ＨＢ−Ｃ                                                ３．０％
２−ＢＴＢ−１                                            １０．０％
５−ＨＨ−ＶＦＦ                                          ３０．０％
１−ＢＨＨ−ＶＦＦ                                          ８．０％
１−ＢＨＨ−２ＶＦＦ                                      １１．０％
３−Ｈ２ＢＴＢ−２                                          ５．０％
３−Ｈ２ＢＴＢ−３                                          ４．０％
３−Ｈ２ＢＴＢ−４                                          ４．０％
３−ＨＨＢ−１                                              ４．０％
ＮＩ  ＝６６．８（℃）
η    ＝１３．０（ｍＰａ・s）
Δｎ  ＝０．１１６
Δε  ＝７．０
Ｖｔｈ＝２．０３（Ｖ）
【０１７８】
実施例２２
Ｓｉ３−ＨＨＢ（Ｆ）−ＯＣＦ３      （Ｎｏ．  ３９）        ８．０％
Ｓｉ４−ＨＨＢ（Ｆ）−ＯＣＦ３      （Ｎｏ．  ３８）        ８．０％
Ｓｉ２−ＨＢ（Ｆ，Ｆ）Ｂ（Ｆ）−Ｆ  （Ｎｏ．１８８）        ６．０％
Ｓｉ３−ＨＢ（Ｆ，Ｆ）Ｂ（Ｆ）−Ｆ  （Ｎｏ．１８９）        ６．０％
２−ＨＨＢ（Ｆ）−Ｆ                                      １７．０％
３−ＨＨＢ（Ｆ）−Ｆ                                      １７．０％
２−Ｈ２ＨＢ（Ｆ）−Ｆ                                    １０．０％
３−Ｈ２ＨＢ（Ｆ）−Ｆ                                      ５．０％
５−Ｈ２ＨＢ（Ｆ）−Ｆ                                    １０．０％
５−ＨＢＢ（Ｆ）−Ｆ                                      １３．０％
ＮＩ  ＝８６．７（℃）
η    ＝２９．８（ｍＰａ・s）
Δｎ  ＝０．０８９
Δε  ＝６．６
Ｖｔｈ＝１．９０（Ｖ）
上記組成物１００部にＣＮを０．３部添加したときのピッチは７８．７μｍであった。
【０１７９】
実施例２３
Ｓｉ２−ＨＨＢ（Ｆ，Ｆ）−ＯＣＦ２Ｈ（Ｎｏ． ４１）       １０．０％
Ｓｉ３−ＨＨＢ（Ｆ，Ｆ）−ＯＣＦ２Ｈ（Ｎｏ． ４４）       １０．０％
Ｓｉ２−ＨＢ（Ｆ）Ｂ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ  （Ｎｏ．１９３）        ９．０％
Ｓｉ３−ＨＢ（Ｆ）Ｂ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ   （Ｎｏ．１９４）       ９．０％
７−ＨＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ                                      ３．０％
３−ＨＢ−Ｏ２                                              ７．０％
５−ＨＨＢ（Ｆ）−Ｆ                                      １０．０％
５−ＨＢＢ（Ｆ）−Ｆ                                      １６．０％
２−ＨＢＢ−Ｆ                                              ４．０％
３−ＨＢＢ−Ｆ                                              ４．０％
５−ＨＢＢ−Ｆ                                              ３．０％
３−ＨＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ                                    ５．０％
５−ＨＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ                                  １０．０％
ＮＩ  ＝７１．１（℃）
η    ＝３１．５（ｍＰａ・s）
Δｎ  ＝０．１１１
Δε  ＝７．７
Ｖｔｈ＝１．６９（Ｖ）
【０１８０】
実施例２４
Ｓｉ２−ＨＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｃ   （Ｎｏ．４５９）               ８．０％
Ｓｉ１−ＨＨ−５             （Ｎｏ．７４２）               ６．０％
５−ＨＢ−ＣＬ                                            １６．０％
３−ＨＨ−４                                                ６．０％
３−ＨＨ−５                                                ４．０％
３−ＨＨＢ−Ｆ                                              ４．０％
３−ＨＨＢ−ＣＬ                                            ３．０％
４−ＨＨＢ−ＣＬ                                            ４．０％
３−ＨＨＢ（Ｆ）−Ｆ                                      １０．０％
４−ＨＨＢ（Ｆ）−Ｆ                                        ９．０％
５−ＨＨＢ（Ｆ）−Ｆ                                        ９．０％
５−ＨＢＢ（Ｆ）−Ｆ                                        ４．０％
５−ＨＢＢＨ−１Ｏ１                                        ３．０％
３−ＨＨＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ                                  ２．０％
４−ＨＨＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ                                  ３．０％
５−ＨＨＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ                                  ３．０％
３−ＨＨ２ＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ                                ３．０％
４−ＨＨ２ＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ                                ３．０％
ＮＩ  ＝１００．８（℃）
η    ＝１８．７（ｍＰａ・s）
Δｎ  ＝０．０８９
Δε  ＝５．７
Ｖｔｈ＝２．２５（Ｖ）
【０１８１】
実施例２５
Ｓｉ２−ＨＨＢ（Ｆ）−ＯＣＦ３      （Ｎｏ．  ３６）        ８．０％
Ｓｉ３−ＨＨＢ（Ｆ）−ＯＣＦ３      （Ｎｏ．  ３９）        ８．０％
Ｓｉ２−ＨＢ（Ｆ）ＥＢ−ＯＣＦ３    （Ｎｏ．２１１）      １０．０％
Ｓｉ４−ＨＢ（Ｆ，Ｆ）Ｂ（Ｆ）−Ｆ  （Ｎｏ．１８２）      １０．０％
Ｓｉ４−ＨＢ（Ｆ）Ｂ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ  （Ｎｏ．１９１）      １０．０％
３−ＨＨＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ                                    ９．０％
５−Ｈ２ＨＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ                                  ８．０％
３−ＨＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ                                  １１．０％
３−Ｈ２ＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ                                １０．０％
５−ＨＨＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ                                  ３．０％
５−ＨＨＥＢＢ−Ｆ                                          ２．０％
３−ＨＨ２ＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ                                ３．０％
４−ＨＢＢＨ−１Ｏ１                                        ４．０％
５−ＨＢＢＨ−１Ｏ１                                        ４．０％
ＮＩ  ＝８３．７（℃）
η    ＝３８．０（ｍＰａ・s）
Δｎ  ＝０．１１８
Δε  ＝１１．１
Ｖｔｈ＝１．５８（Ｖ）
上記組成物１００部にＣＭ−４３Ｌを０．２５部添加したときのピッチは６３．７μｍであった。
【０１８２】
実施例２６
Ｓｉ２−ＨＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｃ         （Ｎｏ．４５９）       １２．０％
Ｓｉ４−ＨＨＢ（Ｆ）−ＯＣＦ３     （Ｎｏ．  ３８）         ５．０％
Ｓｉ４−ＨＢ（Ｆ）ＥＢ−ＯＣＦ３   （Ｎｏ．２１９）       １０．０％
６−ＨＢ−Ｆ                                                ９．０％
７−ＨＢ−Ｆ                                                ７．０％
２−ＨＨＢ−ＯＣＦ３                                        ７．０％
３−ＨＨＢ−ＯＣＦ３                                        ７．０％
４−ＨＨＢ−ＯＣＦ３                                        ７．０％
３−ＨＨ２Ｂ−ＯＣＦ３                                      ４．０％
５−ＨＨ２Ｂ−ＯＣＦ３                                      ４．０％
３−ＨＨＢ（Ｆ，Ｆ）−ＯＣＦ３                              ５．０％
３−ＨＢＢ（Ｆ）−Ｆ                                      １０．０％
３−ＨＨ２Ｂ（Ｆ）−Ｆ                                      ３．０％
３−ＨＢ（Ｆ）ＢＨ−３                                      ３．０％
５−ＨＢＢＨ−３                                            ３．０％
３−ＨＨＢ（Ｆ，Ｆ）−ＯＣＦ２Ｈ                            ４．０％
ＮＩ  ＝７９．４（℃）
η    ＝２２．３（ｍＰａ・s）
Δｎ  ＝０．０９４
Δε  ＝８．８
Ｖｔｈ＝１．６５（Ｖ）
【０１８３】
実施例２７
Ｓｉ２−ＨＢ（Ｆ，Ｆ）Ｂ（Ｆ）−Ｆ  （Ｎｏ．１８８）        ７．０％
Ｓｉ３−ＨＢ（Ｆ，Ｆ）Ｂ（Ｆ）−Ｆ  （Ｎｏ．１８９）        ７．０％
Ｓｉ４−ＨＢ（Ｆ，Ｆ）Ｂ（Ｆ）−Ｆ  （Ｎｏ．１８２）      １５．０％
Ｓｉ２−ＨＢ（Ｆ）Ｂ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ  （Ｎｏ．１９３）      １０．０％
Ｓｉ３−ＨＢ（Ｆ）Ｂ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ  （Ｎｏ．１９４）      １１．０％
Ｓｉ４−ＨＢ（Ｆ）Ｂ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ  （Ｎｏ．１９１）      １１．０％
２−ＨＨＢ（Ｆ）−Ｆ                                        ３．０％
４−ＨＢＢ（Ｆ）−Ｆ                                        ２．０％
３−Ｈ２ＢＢ（Ｆ）−Ｆ                                    １０．０％
５−ＨＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ                                    ６．０％
２−ＨＨＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ                                    ５．０％
３−ＨＨＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ                                    ５．０％
４−ＨＨＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ                                    ５．０％
３−ＨＨＢ−Ｆ                                              ３．０％
ＮＩ  ＝６４．０（℃）
η    ＝４１．６（ｍＰａ・s）
Δｎ  ＝０．１２５
Δε  ＝１１．１
Ｖｔｈ＝１．５３（Ｖ）
【０１８４】
実施例２８
Ｓｉ２−ＨＨＢ（Ｆ，Ｆ）−ＯＣＦ２Ｈ   （Ｎｏ．  ４１）   １０．０％
Ｓｉ４−ＨＨＢ（Ｆ，Ｆ）−ＯＣＦ２Ｈ   （Ｎｏ．  ４５）   １０．０％
Ｓｉ２−ＨＢ（Ｆ）ＥＢ−ＯＣＦ３       （Ｎｏ．２１１）     ３．０％
Ｓｉ３−ＨＢ（Ｆ）ＥＢ−ＯＣＦ３       （Ｎｏ．２２４）     ３．０％
Ｓｉ４−ＨＢ（Ｆ）ＥＢ−ＯＣＦ３       （Ｎｏ．２１９）     ３．０％
５−ＨＢ−ＣＬ                                            １１．０％
３−ＨＨ−４                                                ８．０％
５−ＨＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ                                  １５．０％
３−ＨＨＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ                                    ８．０％
３−ＨＨＥＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ                                １０．０％
３−ＨＢＥＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ                                  ５．０％
５−ＨＢＥＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ                                  ３．０％
３−ＨＨＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ                                  ６．０％
３−ＨＨＢ−１                                              ５．０％
ＮＩ  ＝８５．７（℃）
η    ＝２５．５（ｍＰａ・s）
Δｎ  ＝０．１００
Δε  ＝８．６
Ｖｔｈ＝１．７０（Ｖ）
【０１８５】
実施例２９
Ｓｉ４−ＨＢ（Ｆ）Ｂ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ  （Ｎｏ．１９１）        ４．０％
Ｓｉ２−ＨＨ−２Ｖ                  （Ｎｏ．７３８）        ６．０％
７−ＨＢ（Ｆ）−Ｆ                                          ６．０％
５−Ｈ２Ｂ（Ｆ）−Ｆ                                        ６．０％
３−ＨＢ−Ｏ２                                              ４．０％
３−ＨＨ−４                                                ６．０％
２−ＨＨＢ（Ｆ）−Ｆ                                      １１．０％
３−ＨＨＢ（Ｆ）−Ｆ                                      １１．０％
５−ＨＨＢ（Ｆ）−Ｆ                                      １１．０％
２−ＨＢＢ（Ｆ）−Ｆ                                        ２．０％
３−ＨＢＢ（Ｆ）−Ｆ                                        ２．０％
３−ＨＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ                                    ３．０％
２−ＨＨＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ                                  ４．０％
３−ＨＨＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ                                  ５．０％
３−ＨＨＥＢ−Ｆ                                            ４．０％
５−ＨＨＥＢ−Ｆ                                            ４．０％
３−ＨＨＢ−１                                              ７．０％
３−ＨＨＢ−Ｆ                                              ４．０％
ＮＩ  ＝９７．３（℃）
η    ＝２０．４（ｍＰａ・s）
Δｎ  ＝０．０８６
Δε  ＝４．８
Ｖｔｈ＝２．３４（Ｖ）
【０１８６】
実施例３０
Ｓｉ２−ＨＨＢ（Ｆ）−ＯＣＦ３      （Ｎｏ．  ３６）      １０．０％
Ｓｉ３−ＨＨＢ（Ｆ）−ＯＣＦ３      （Ｎｏ．  ３９）      １０．０％
Ｓｉ２−ＨＢ（Ｆ，Ｆ）Ｂ（Ｆ）−Ｆ  （Ｎｏ．１８８）      １５．０％
Ｓｉ４−ＨＢ（Ｆ，Ｆ）Ｂ（Ｆ）−Ｆ   （Ｎｏ．１８２）     １５．０％
Ｓｉ２−ＨＢ（Ｆ）Ｂ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ   （Ｎｏ．１９３）     １６．０％
Ｓｉ４−ＨＢ（Ｆ）Ｂ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ   （Ｎｏ．１９１）     １６．０％
３−ＨＨ−４                                                ４．０％
５−Ｈ２ＨＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ                                  ８．０％
３−ＨＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ                                    ３．０％
３−ＨＨＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ                                  ３．０％
ＮＩ  ＝４１．８（℃）
η    ＝３４．８（ｍＰａ・s）
Δｎ  ＝０．１０２
Δε  ＝１２．２
Ｖｔｈ＝１．１８（Ｖ）
【０１８７】
実施例３１
Ｓｉ２−ＨＨＢ（Ｆ，Ｆ）−ＯＣＦ２Ｈ  （Ｎｏ． ４１）     １０．０％
Ｓｉ４−ＨＨＢ（Ｆ，Ｆ）−ＯＣＦ２Ｈ  （Ｎｏ． ４５）     １０．０％
Ｓｉ２−ＨＨＢ（Ｆ）−ＯＣＦ３         （Ｎｏ．  ３６）   １０．０％
Ｓｉ２−ＨＢ（Ｆ）ＥＢ−ＯＣＦ３       （Ｎｏ．２１１）   １０．０％
７−ＨＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ                                      ５．０％
３−Ｈ２ＨＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ                                  ２．０％
４−ＨＨＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ                                    ５．０％
３−ＨＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ                                  １０．０％
４−ＨＨＥＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ                                  ３．０％
５−ＨＨＥＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ                                  ３．０％
２−ＨＢＥＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ                                  ３．０％
３−ＨＢＥＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ                                  ５．０％
５−ＨＢＥＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ                                  ３．０％
３−ＨＧＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ                                  １５．０％
３−ＨＨＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ                                  ６．０％
ＮＩ  ＝７６．９（℃）
η    ＝３９．０（ｍＰａ・s）
Δｎ  ＝０．０９４
Δε  ＝１４．５
Ｖｔｈ＝１．３２（Ｖ）
【０１８８】
実施例３２
Ｓｉ２−ＨＢ（Ｆ，Ｆ）Ｂ（Ｆ）−Ｆ   （Ｎｏ．１８８）       ５．０％
Ｓｉ３−ＨＢ（Ｆ，Ｆ）Ｂ（Ｆ）−Ｆ   （Ｎｏ．１８９）       ５．０％
Ｓｉ４−ＨＨＢ（Ｆ）−ＯＣＦ３       （Ｎｏ．  ３８）       ５．０％
５−Ｈ４ＨＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ                                  ７．０％
５−Ｈ４ＨＢ−ＯＣＦ３                                    １５．０％
３−Ｈ４ＨＢ（Ｆ，Ｆ）−ＣＦ３                              ８．０％
５−Ｈ４ＨＢ（Ｆ，Ｆ）−ＣＦ３                            １０．０％
３−ＨＢ−ＣＬ                                              ６．０％
５−ＨＢ−ＣＬ                                              ４．０％
２−Ｈ２ＢＢ（Ｆ）−Ｆ                                      ５．０％
５−Ｈ２ＨＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ                                  ５．０％
３−ＨＨＢ−ＯＣＦ３                                        ５．０％
３−Ｈ２ＨＢ−ＯＣＦ３                                      ５．０％
Ｖ−ＨＨＢ（Ｆ）−Ｆ                                        ５．０％
３−ＨＨＢ（Ｆ）−Ｆ                                        ５．０％
３−ＨＢＥＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ                                  ５．０％
ＮＩ  ＝６０．５（℃）
η    ＝２８．６（ｍＰａ・s）
Δｎ  ＝０．０９３
Δε  ＝９．３
Ｖｔｈ＝１．６４（Ｖ）
【０１８９】
実施例３３
Ｓｉ４−ＨＨＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２  （Ｎｏ．６９３）        ３．０％
Ｓｉ１−ＨＨ−５                    （Ｎｏ．７４２）        ５．０％
Ｓｉ２−ＨＨ−２Ｖ                  （Ｎｏ．７３８）        ５．０％
５−ＨＢ−ＣＬ                                            １７．０％
７−ＨＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ                                      ３．０％
３−ＨＨ−５                                                ５．０％
３−ＨＢ−Ｏ２                                            １５．０％
３−Ｈ２ＨＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ                                  ５．０％
４−Ｈ２ＨＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ                                  ５．０％
３−ＨＨＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ                                    ６．０％
２−ＨＨＢ（Ｆ）−Ｆ                                        ７．０％
３−ＨＨＢ（Ｆ）−Ｆ                                        ７．０％
５−ＨＨＢ（Ｆ）−Ｆ                                        ７．０％
３−ＨＨＢ−１                                              ５．０％
３−ＨＨＢ−Ｏ１                                            ５．０％
ＮＩ  ＝７０．６（℃）
η    ＝１４．０（ｍＰａ・s）
Δｎ  ＝０．０７４
Δε  ＝２．５
Ｖｔｈ＝２．４５（Ｖ）
【０１９０】
実施例３４
Ｓｉ３−ＨＨＢ（Ｆ）−ＯＣＦ３        （Ｎｏ．  ３９）    １０．０％
Ｓｉ４−ＨＨＢ（Ｆ）−ＯＣＦ３        （Ｎｏ．  ３８）      ９．０％
Ｓｉ２−ＨＨＢ（Ｆ，Ｆ）−ＯＣＦ２Ｈ  （Ｎｏ．  ４１）      ８．０％
Ｓｉ２−ＨＢ（Ｆ，Ｆ）Ｂ（Ｆ）−Ｆ     （Ｎｏ．１８８）   １０．０％
Ｓｉ４−ＨＢ（Ｆ）Ｂ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ     （Ｎｏ．１９１）   １０．０％
５−ＨＢ−ＣＬ                                              ４．０％
７−ＨＨＢ（Ｆ）−Ｆ                                        ９．０％
４−ＨＨＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ                                    ３．０％
３−Ｈ２ＨＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ                                １２．０％
３−ＨＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ                                    ２．０％
２−ＨＨＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ                                  ６．０％
３−ＧＨＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ                                    ３．０％
４−ＧＨＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ                                    ８．０％
５−ＧＨＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ                                    ６．０％
ＮＩ  ＝６６．８（℃）
η    ＝３９．４（ｍＰａ・s）
Δｎ  ＝０．０８９
Δε  ＝１０．６
Ｖｔｈ＝１．１８（Ｖ）
【０１９１】
実施例３５
Ｓｉ２−ＨＨＢ（Ｆ）−ＯＣＦ３       （Ｎｏ．  ３６）       ７．０％
Ｓｉ４−ＨＨＢ（Ｆ）−ＯＣＦ３       （Ｎｏ．  ３８）       ７．０％
Ｓｉ３−ＨＢ（Ｆ）ＥＢ−ＯＣＦ３    （Ｎｏ．２２４）      １０．０％
Ｓｉ３−ＨＢ（Ｆ，Ｆ）Ｂ（Ｆ）−Ｆ   （Ｎｏ．１８９）       ７．０％
Ｓｉ３−ＨＢ（Ｆ）Ｂ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ  （Ｎｏ．１９４）        ７．０％
３−ＨＨＢ（Ｆ）−Ｆ                                        ８．０％
３−ＨＨＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ                                    ８．０％
３−ＨＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ                                    ７．０％
３−Ｈ２ＨＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ                                １０．０％
４−ＨＨＥＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ                                  ３．０％
２−ＨＢＥＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ                                  ２．０％
３−ＨＢＥＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ                                  ３．０％
３−ＧＨＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ                                    ３．０％
４−ＧＨＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ                                    ７．０％
５−ＧＨＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ                                    ７．０％
３−ＨＨＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ                                  ４．０％
ＮＩ  ＝７０．５（℃）
η    ＝４１．０（ｍＰａ・s）
Δｎ  ＝０．０９２
Δε  ＝１２．３
Ｖｔｈ＝１．１６（Ｖ）
【０１９２】
実施例３６
Ｓｉ２−ＨＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｃ             （Ｎｏ．４５９）     ４．０％
Ｓｉ３−ＨＢ（Ｆ）ＥＢ−ＯＣＦ３       （Ｎｏ．２２４）     ５．０％
Ｓｉ４−ＨＨＢ（Ｆ，Ｆ）−ＯＣＦ２Ｈ   （Ｎｏ．  ４５）     ６．０％
Ｓｉ２−ＨＨＢ（Ｆ）−ＯＣＦ３         （Ｎｏ．  ３６）     ４．０％
７−ＨＢ（Ｆ）−Ｆ                                          ３．０％
５−ＨＢ−ＣＬ                                              ３．０％
３−ＨＨ−４                                                ９．０％
３−ＨＨ−ＥＭｅ                                          ２３．０％
３−ＨＨＥＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ                                １０．０％
３−ＨＨＥＢ−Ｆ                                            ８．０％
５−ＨＨＥＢ−Ｆ                                            ８．０％
４−ＨＧＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ                                    ５．０％
３−Ｈ２ＧＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ                                  ５．０％
５−ＧＨＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ                                    ７．０％
ＮＩ  ＝８１．０（℃）
η    ＝２２．５（ｍＰａ・s）
Δｎ  ＝０．０６９
Δε  ＝６．７
Ｖｔｈ＝１．４１（Ｖ）
【０１９３】
実施例３７
Ｓｉ２−ＨＢ（Ｆ）Ｂ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ  （Ｎｏ．１９３）      １０．０％
Ｓｉ３−ＨＢ（Ｆ）Ｂ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ  （Ｎｏ．１９４）      １０．０％
Ｓｉ４−ＨＢ（Ｆ）Ｂ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ   （Ｎｏ．１９１）     １０．０％
３−Ｈ２ＨＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ                                  ５．０％
５−Ｈ２ＨＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ                                  ５．０％
５−ＨＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ                                  ３０．０％
５−ＨＢＢ（Ｆ）Ｂ−２                                    １０．０％
５−ＨＢＢ（Ｆ）Ｂ−３                                    １０．０％
３−ＢＢ（Ｆ）Ｂ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ                              ５．０％
５−Ｂ２Ｂ（Ｆ，Ｆ）Ｂ（Ｆ）−Ｆ                            ５．０％
ＮＩ  ＝９４．０（℃）
η    ＝５２．１（ｍＰａ・s）
Δｎ  ＝０．１４８
Δε  ＝１１．３
Ｖｔｈ＝１．６６（Ｖ）
【０１９４】
実施例３８
Ｓｉ２−ＨＨＢ（Ｆ，Ｆ）−ＯＣＦ２Ｈ  （Ｎｏ．  ４１）      ６．０％
Ｓｉ２−ＨＢ（Ｆ）ＥＢ−ＯＣＦ３      （Ｎｏ．２１１）      ８．０％
Ｓｉ２−ＨＨ−２Ｖ                    （Ｎｏ．７３８）    １０．０％
３−ＨＢ（Ｆ，Ｆ）ＣＦ２ＯＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ                １１．０％
５−ＨＢ（Ｆ，Ｆ）ＣＦ２ＯＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ                １１．０％
５−ＨＢ−ＣＬ                                              ７．０％
３−ＨＨ−４                                                ４．０％
２−ＨＨ−５                                                ４．０％
３−ＨＨＢ−１                                              ４．０％
３−ＨＨＥＢ−Ｆ                                            ６．０％
５−ＨＨＥＢ−Ｆ                                            ６．０％
４−ＨＨＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ                                    ３．０％
４−ＨＨＥＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ                                  ３．０％
５−ＨＨＥＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ                                  ２．０％
２−ＨＢＥＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ                                  ３．０％
３−ＨＢＥＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ                                  ３．０％
５−ＨＢＥＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ                                  ３．０％
２−ＨＨＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ                                  ３．０％
３−ＨＨＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ                                  ３．０％
ＮＩ  ＝８１．０（℃）
η    ＝２２．１（ｍＰａ・s）
Δｎ  ＝０．０８３
Δε  ＝９．０
Ｖｔｈ＝１．３８（Ｖ）
【０１９５】
実施例３９
Ｓｉ２−ＨＨＢ（Ｆ）−ＯＣＦ３      （Ｎｏ．  ３６）        ５．０％
Ｓｉ２−ＨＢ（Ｆ，Ｆ）Ｂ（Ｆ）−Ｆ  （Ｎｏ．１８８）        ５．０％
Ｓｉ２−ＨＢ（Ｆ）Ｂ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ  （Ｎｏ．１９３）        ５．０％
３−ＢＢ（Ｆ，Ｆ）ＣＦ２ＯＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ                ３５．０％
３−ＨＨ−４                                                ８．０％
３−ＨＨＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ                                    ５．０％
３−Ｈ２ＨＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ                                  ９．０％
３−ＨＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ                                    ５．０％
２−ＨＨＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ                                  ３．０％
３−ＨＨＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ                                  ３．０％
３−ＨＨ２ＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ                                ４．０％
３−ＨＨＢ−１                                              ６．０％
５−ＨＢＢＨ−１Ｏ１                                        ７．０％
ＮＩ  ＝７６．７（℃）
η    ＝２９．８（ｍＰａ・s）
Δｎ  ＝０．１１４
Δε  ＝１２．８
Ｖｔｈ＝１．３６（Ｖ）
【０１９６】
実施例４０
Ｓｉ２−ＨＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２ （Ｎｏ．６７８）           ７．０％
Ｓｉ４−ＨＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２ （Ｎｏ．６７６）           ７．０％
３−ＨＥＢ−Ｏ４                                          ２８．０％
４−ＨＥＢ−Ｏ２                                          ２０．０％
５−ＨＥＢ−Ｏ１                                          ２０．０％
３−ＨＥＢ−Ｏ２                                          １８．０％
ＮＩ  ＝６４．７（℃）
η    ＝１９．８（ｍＰａ・s）
Δｎ  ＝０．０８９
【０１９７】
実施例４１
Ｓｉ２−ＨＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２   （Ｎｏ．６７８）       １２．０％
Ｓｉ４−ＨＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２   （Ｎｏ．６７６）       １１．０％
Ｓｉ２−ＨＨＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２ （Ｎｏ．６９１）       １４．０％
Ｓｉ４−ＨＨＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２ （Ｎｏ．６９３）       １５．０％
Ｓｉ２−ＨＨＢ（２Ｆ，３Ｆ）−２   （Ｎｏ．６９４）       １４．０％
３−ＨＨ−２                                                ５．０％
３−ＨＨ−４                                                ６．０％
３−ＨＨ−Ｏ１                                              ４．０％
３−ＨＨ−Ｏ３                                              ５．０％
５−ＨＨ−Ｏ１                                              ４．０％
３−ＨＨＢ（２Ｆ，３Ｆ）−２                              １０．０％
ＮＩ  ＝７４．０（℃）
Δｎ  ＝０．０８０
Δε  ＝−４．０
【０１９８】
実施例４２
Ｓｉ２−ＨＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２   （Ｎｏ．６７８）       １０．０％
Ｓｉ４−ＨＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２   （Ｎｏ．６７６）       １０．０％
Ｓｉ２−ＨＨＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２ （Ｎｏ．６９１）       １２．０％
Ｓｉ４−ＨＨＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２ （Ｎｏ．６９３）       １３．０％
Ｓｉ２−ＨＨＢ（２Ｆ，３Ｆ）−２   （Ｎｏ．６９４）         ４．０％
３−ＨＨ−５                                                ５．０％
３−ＨＨ−４                                                ５．０％
３−ＨＨ−Ｏ１                                              ６．０％
３−ＨＨ−Ｏ３                                              ６．０％
３−ＨＢ−Ｏ１                                              ５．０％
３−ＨＢ−Ｏ２                                              ５．０％
２−ＨＨＢ（２Ｆ，３Ｆ）−１                                ４．０％
３−ＨＨＥＨ−３                                            ５．０％
３−ＨＨＥＨ−５                                            ５．０％
４−ＨＨＥＨ−３                                            ５．０％
ＮＩ  ＝７８．５（℃）
Δｎ  ＝０．０７７
Δε  ＝−３．３
【０１９９】
実施例４３
Ｓｉ２−ＨＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｃ   （Ｎｏ．４５９）               ５．０％
３−ＢＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２                              １２．０％
３−ＢＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ４                              １０．０％
５−ＢＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ４                              １０．０％
２−ＢＢ（２Ｆ，３Ｆ）Ｂ−３                              ２０．０％
３−ＢＢ（２Ｆ，３Ｆ）Ｂ−５                              １３．０％
５−ＢＢ（２Ｆ，３Ｆ）Ｂ−５                              １４．０％
５−ＢＢ（２Ｆ，３Ｆ）Ｂ−７                              １６．０％
ＮＩ  ＝６６．４（℃）
Δｎ  ＝０．１９０
Δε  ＝−１．９
【０２００】
実施例４４
Ｓｉ２−ＨＢ（Ｆ，Ｆ）Ｂ（Ｆ）−Ｆ  （Ｎｏ．１８８）        ３．０％
Ｓｉ２−ＨＢ（Ｆ）Ｂ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ  （Ｎｏ．１９３）        ３．０％
３−ＨＢ−Ｏ１                                            １５．０％
３−ＨＢ−Ｏ２                                              ６．０％
３−ＨＥＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２                              ９．０％
４−ＨＥＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２                              ９．０％
５−ＨＥＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２                              ９．０％
２−ＢＢ２Ｂ−Ｏ２                                          ６．０％
３−ＢＢ２Ｂ−Ｏ２                                          ６．０％
５−ＢＢ２Ｂ−Ｏ１                                          ６．０％
１−Ｂ２ＢＢ（２Ｆ）−５                                    ７．０％
３−Ｂ２ＢＢ（２Ｆ）−５                                    ７．０％
５−Ｂ（Ｆ）ＢＢ−Ｏ２                                      ７．０％
３−ＢＢ（２Ｆ，３Ｆ）Ｂ−３                                ７．０％
ＮＩ  ＝７５．４（℃）
η    ＝２４．２（ｍＰａ・s）
Δｎ  ＝０．１５５
【０２０１】
実施例４５
Ｓｉ４−ＨＨＢ（Ｆ）−ＯＣＦ３   （Ｎｏ．３８）             ５．０％
３−ＨＨ−Ｏ１                                              ８．０％
５−ＨＨ−Ｏ１                                              ４．０％
３−ＨＨ−４                                                ５．０％
３−ＨＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２                              １６．０％
５−ＨＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２                              ２１．０％
３−ＨＨＢ（２Ｆ，３Ｆ）−１                                ７．０％
３−ＨＨＢ（２Ｆ，３Ｆ）−０２                            １４．０％
５−ＨＨＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２                            ２０．０％
ＮＩ  ＝６１．０（℃）
η    ＝２３．８（ｍＰａ・s）
Δｎ  ＝０．０７６
Δε  ＝−３．５
【０２０２】
実施例４６
Ｓｉ２−ＨＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２   （Ｎｏ．６７８）       １２．０％
Ｓｉ４−ＨＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２   （Ｎｏ．６７６）       １２．０％
Ｓｉ２−ＨＨＢ（２Ｆ，３Ｆ）−１   （Ｎｏ．６９２）       １２．０％
Ｓｉ２−ＨＨＢ（２Ｆ，３Ｆ）−２   （Ｎｏ．６９４）       １２．０％
Ｓｉ２−ＨＨＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２ （Ｎｏ．６９１）       １３．０％
Ｓｉ４−ＨＨＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２ （Ｎｏ．６９３）       １３．０％
３−ＨＢ−Ｏ１                                            １５．０％
３−ＨＨ−４                                                ５．０％
３−ＨＨＢ−１                                              ６．０％
ＮＩ  ＝７４．５（℃）
η    ＝３８．３（ｍＰａ・s）
Δｎ  ＝０．０９０
Δε  ＝−３．４
【０２０３】
実施例４７
Ｓｉ２−ＨＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２  （Ｎｏ．６７８）        １２．０％
Ｓｉ４−ＨＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２  （Ｎｏ．６７６）        １２．０％
Ｓｉ２−ＨＨＢ（２Ｆ，３Ｆ）−１  （Ｎｏ．６９２）        １２．０％
Ｓｉ２−ＨＨＢ（２Ｆ，３Ｆ）−２  （Ｎｏ．６９４）        １２．０％
３−ＨＢ−Ｏ１                                            １５．０％
３−ＨＨ−４                                                ５．０％
３−ＨＨＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２                            １３．０％
５−ＨＨＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２                            １３．０％
６−ＨＥＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２                              ６．０％
ＮＩ  ＝７４．２（℃）
η    ＝３６．２（ｍＰａ・s）
Δｎ  ＝０．０８７
Δε  ＝−３．７
【０２０４】
実施例４８
Ｓｉ２−ＨＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２    （Ｎｏ．６７８）        ３．０％
Ｓｉ４−ＨＨＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２  （Ｎｏ．６９３）        ３．０％
３−ＨＢ−Ｏ２                                            ２０．０％
１Ｏ１−ＨＨ−３                                            ６．０％
１Ｏ１−ＨＨ−５                                            ５．０％
３−ＨＨ−ＥＭｅ                                          １２．０％
４−ＨＥＢ−Ｏ１                                            ９．０％
４−ＨＥＢ−Ｏ２                                            ７．０％
５−ＨＥＢ−Ｏ１                                            ８．０％
３−ＨＨＢ−１                                              ６．０％
３−ＨＨＢ−３                                              ６．０％
３−ＨＥＢ（２ＣＮ，３ＣＮ）−Ｏ５                          ４．０％
４−ＨＥＢ（２ＣＮ，３ＣＮ）−Ｏ５                          ３．０％
５−ＨＥＢ（２ＣＮ，３ＣＮ）−Ｏ５                          ２．０％
２−ＨＢＥＢ（２ＣＮ，３ＣＮ）−Ｏ２                        ２．０％
４−ＨＢＥＢ（２ＣＮ，３ＣＮ）−Ｏ４                        ４．０％
ＮＩ  ＝７０．４（℃）
η    ＝３０．７（ｍＰａ・s）
Δｎ  ＝０．０８０
Δε  ＝−５．４
Ｖｔｈ＝１．６０（Ｖ）
【０２０５】
【発明の効果】
本発明の化合物すなわち末端にＳｉＨ3を有する二〜四環系の化合物は、いずれも液晶表示素子が使用される条件において、物理的および化学的に極めて安定である。そして、相溶性が良く、低い粘性、低いしきい値電圧を有する等の特徴を示す。さらには、本発明の化合物を含有することにより、実施例に示した様に特性が良好で新規な液晶組成物および液晶表示素子を提供し得る。