(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
（Ｉ）極板間の電気的等価回路が、極板間キャパシタンスＣＢ［Ｆ］と内部インダクタンスＬｂ［Ｈ］及び内部抵抗Ｒ２［Ω］の直列回路との並列回路と極板抵抗Ｒ１［Ω］との直列回路で表される供試絶縁物の２つの電極間に、測定回路として、可変周波数電圧印加用キャパシタンスＣＣ［Ｆ］及び電流検出用抵抗の直列回路を介して可変周波数電源を接続し、その電源周波数を５００ＨＺから１０００ＨＺの低周波から、５ＫＨＺから１０ＫＨＺの高周波の範囲で電圧を印加し、そのときの供試絶縁物の両端電圧と供試絶縁物に流れる電流を測定し、可変周波数に対する供試絶縁物のインピーダンス曲線と位相曲線を取得し、
（ＩＩ）その曲線から求まる、上記可変周波数電圧印加用キャパシタンスＣＣ［Ｆ］が比較的大きい場合の低周波領域での直列共振周波数をｆ０［ＨＺ］、ｆ０点での抵抗値をＲ０（＝Ｒ１＋Ｒ２）［Ω］、低周波数領域のインピーダンス最小値となる周波数をｆｍ［ＨＺ］、ｆｍ点でのインピーダンスをＺｍｉｎ［Ω］、略５００ＨＺから上記直列共振周波数ｆ０までのインピーダンスの単調減衰帯での任意点周波数をｆｃ［ＨＺ］、ｆｃ点のインピーダンスをＺＣ［Ω］、上記可変周波数電圧印加用キャパシタンスＣＣ［Ｆ］が比較的小さい場合の直列共振点周波数をｆ０ｈ［ＨＺ］としたとき、ｆ０ｈ点では、高周波数であることより、回路電流が、Ｒ２，Ｌｂ側に分流せずにＣＢ側に通電するので、供試絶縁物のインピーダンスＺ０ｈは、極板抵抗Ｒ１［Ω］となり、
高周波数領域での供試絶縁物のインピーダンス曲線の最小値となる周波数をｆｈｍ［ＨＺ］、ｆｈｍ点でのインピーダンスをＺｈｍ［Ω］、インピーダンス単調増加帯である任意な点の周波数をｆｈｈ［ＨＺ］、ｆｈｈ点でのインピーダンスをＺｈｈ［Ω］、並列共振点周波数をｆ０ｐ［ＨＺ］、ｆ０ｐ点でのインピーダンスをＺ０ｐ［Ω］、この高周波数領域でのインピーダンス最大値点周波数をｆｍｐ［ＨＺ］、ｆｍｐ点でのインピーダンスをＺｍh［Ω］、前記測定回路の測定線のインダクタンスをＬＬ［Ｈ］、ｆｈｈ点のインピーダンスをＺｈｈ［Ω］、ｆｈｈ点での位相角をθｈｈとすると、リアクタンスＸＬＬはＸＬＬ≒Ｚｈｈ・Ｓｉｎθｈｈとなるので、ＬＬ＝ＸＬＬ／（２π・ｆｈｈ）から、ＬＬ［Ｈ］が求まり、ｆ０から抵抗値Ｒ０、ｆｍからωｍ（ただし、ωｍ＝２π・ｆｍ）、Ｚｍｉｎ，Ｚ０ｈから極板抵抗Ｒ１が求まるので、内部インダクタンスＬｂ［Ｈ］は、次式により算出し、
0004745621.tif 000043
内部抵抗Ｒ２［Ω］は、次式から算出し、
0004745621.tif 000044
インピーダンス曲線が単調減衰帯の任意点周波数ｆｃ、この点のインピーダンスをＺｃ、位相角をθｃとすると、リアクタンスＸＣは、ＸＣ＝Ｚｃ・Ｓｉｎθｃから求まり、
極板間キャパシタンスＣＢは、次式から算出し、
0004745621.tif 000045
（ＩＩＩ）供試絶縁物が蓄電池でない低絶縁物の劣化は、上記極板間キャパシタンスＣＢ［Ｆ］、上記内部抵抗Ｒ２［Ω］及び、上記直列共振周波数ｆ０点の角速度ω０（ω０＝２π・ｆ０）とを用い、
次式から求まる誘電体損正接のｔａｎδにより定量化され、
0004745621.tif 000046
誘電体損正接ｔａｎδが１．５％以上である場合は、供試絶縁物は劣化していると判定し、
（ＩＶ）供試絶縁物が低絶縁物に属する蓄電池の場合は、高周波数領域での直列共振周波数ｆ０ｈ［ＨＺ］点でのインピーダンスＺ０ｈ［Ω］を極板抵抗Ｒ１とし、上記内部抵抗Ｒ２を上記極板抵抗Ｒ１に加算した値を次式のＲ０として代入することで、誘電体損正接ｔａｎδ［％］を算出し、
0004745621.tif 000047
この誘電体損正接ｔａｎδが１．５％以上である場合は、供試絶縁物は劣化していると判定する、ことを特徴とする供試絶縁物の劣化診断方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、絶縁物の経年変化による劣化を診断するための供試絶縁物の劣化診断方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、低抵抗の供試物の劣化程度を検知する方法として、例えば、蓄電池の場合、電解
液である硫酸の比重測定により検知していた。
【０００３】
また、微分内部抵抗の増加による検知も行われていた。
【０００４】
また、１ｋＨｚの固定周波数における供試物の両端電圧を電流に対する比をインピーダンスＺ［Ω］として、電圧降下法で算出しているが、このＺによる劣化診断では、純抵抗Ｒの微分増加となって表れるが、このインピーダンスＺによる方法では、変動する電解液や浮遊容量等のキャパシタンス分の誤差を伴う。また、極板抵抗Ｒ１と蓄電池液抵抗Ｒ２との合成抵抗Ｒ０（＝Ｒ１＋Ｒ２）のみでは、充電不足により、増加している蓄電池液抵抗Ｒ２も含めてしまうので、劣化していない場合でも合成抵抗Ｒ０が大となり、劣化として読んでしまう。充電すれば、蓄電池液抵抗Ｒ２が減少する。従来技術では、真の劣化は、極板抵抗Ｒ１で判定すべきところ、蓄電池液抵抗Ｒ２も含めているので、充電不足時に蓄電池液抵抗Ｒ２が大きくなるので劣化判定の誤差が大きく、実験的に、Ｒ２＞１７８ｍΩ、Ｒ１＞３０ｍΩの領域では、充電しても、Ｒ２、Ｒ１が減少せず、回復出来ない。これは劣化と言える。Ｒ２＝１００ｍΩ程度では、充電すれば、Ｒ１は２０ｍΩ付近まで減少するため、蓄電池液抵抗Ｒ２のみでは劣化判定が困難であった。
【０００５】
さらに、上記の１ｋＨｚの固定周波数での電圧降下法では、供試物の充電不足が大の時、Ｒ２が大きく、極板間のキャパシタンスＣＢが小となり、電流が微小となり、測定不能となる場合があった。
【０００６】
また、コンデンサー、低圧の乾式変圧器、電力線ケーブル、交直変換器等を運転中のまま、非破壊試験領域での劣化診断は、実用されていなかった。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
この発明は、上記実状に鑑みてなされたもので、運転中の絶縁物の劣化程度を診断する方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明は、次の方法により供試絶縁物の劣化診断を行う。供試絶縁物がたとえ低絶縁物と言える蓄電池であっても診断不能を無くすため、また、残存寿命まで算出ができるように周波数を可変とし、所定の直列共振回路を付加し、高周波域までの可変周波数を印加することにより、供試絶縁物はキャパシタンス型であるので電流が流れ、共振周波数時点の純抵抗値が検出できる。
【０００９】
供試絶縁物が劣化に至ると、この抵抗成分が変化し、共振周波数時点と、インピーダンス最小時点の周波数点とがずれてくる。このずれが発生すれば、劣化が進行したと言え、この劣化程度は、鉛蓄電池の場合、電極に堆積する硫酸鉛（鉛蓄電池のとき）の抵抗値に比例してくる。
【００１０】
この抵抗値から、誘電体損正接ｔａｎδを算出できるので、この指標に置き換えて劣化程度が定量化できる。
【００１１】
さらに、減衰特性、位相特性も出力できるので、供試絶縁物が高絶縁物の場合、高抵抗であるので、高周波領域で測定すれば、キャパシタンス作用で、通電できるので、減衰特性だけでは、変化が現れない場合、位相特性曲線の極小値または、極大値から高絶縁物の固有抵抗とキャパシタンスが計算できる。
【００１２】
この極小値、極大値の周波数点の減衰定数と位相定数を読み、この両者の方程式から測定系の等価回路の諸定数が換算できる。これらから、高絶縁物の劣化の指標である誘電体損正接ｔａｎδが算出され、劣化の進み具合が分る。図２１（位相特性とインピーダンス）、図２２（測定系自身の利得）、図２３（極値点インピーダンスとｔａｎδ）に適用例を示す。
【００１３】
一方、低絶縁物である蓄電池のバッテリ液の減少程度や比重の変化、及び、劣化程度を残存寿命から残り、あと何年使用可能かを、所定の共振回路により、共振周波数とインピーダンスの最小点から、解読できる。
【００１４】
図１に示されるような供試絶縁物の劣化診断装置において、供試絶縁物の等価回路の諸定数を算出するには、図２に示す供試絶縁物の等価回路から、直列共振用キャパシタンスＣＣ両端のインピーダンスＺは、
0004745621.tif 000002
ただし、
0004745621.tif 000003
で示され、
ω・ＬＬ＝２／ω・ＣＣ、そして、
0004745621.tif 000004
が共振条件となる。共振周波数をｆ０は、ＣＣ＝２６０００μＦとしたときであり、６００ＨＺ付近となる。ＣＣ＝３００μＦのときの共振周波数ｆ０ｈは、およそ５ＫＨＺとなる。ω０＝２π・ｆ０、ω０ｈ＝２π・ｆ０ｈ、測定値ω０ｈ、既知のＣＣから、
0004745621.tif 000005
が求まる。
この高周波では、リアクタンスＸＣＢ＝０とみなせるので、ｆ０ｈの共振点では、Ｒ２，Ｌｂが無視でき、この時のインピーダンスＺ０ｈが測定できて、Ｒ１＝Ｚ０ｈとしてＲ１が求まる。
ｆ０からｆｍに可変すると、インピーダンス最小値Ｚｍｉｎが得られ、ｆ０点では、Ｒ０＝（１／ＰＡＲＡ）＋Ｒ１となる。
ただし、
0004745621.tif 000006
最小値Ｚｍｉｎ時のｆｍ点では、
0004745621.tif 000007
ただし、
0004745621.tif 000008
測定値から、
0004745621.tif 000009
が求まり、
Ｒ２は、次式の根から求まる。
0004745621.tif 000010
等価回路の定数値を算出するには、周波数領域を次の４箇所にて測定し、式を解く。
ｆ０＜ｆｍ＜ｆ０ｈ＜ｆｈｍ＜ｆｈｈ＜ｆｍｐ＜ｆ０ｐ
ｆ０：低周波（約６００ＨＺ）での直列共振点周波数、ｆｍ：低周波でのインピーダンス最小値、ｆ０ｈ：高周波（約５ＫＨ）での直列共振点周波数、ｆｈｍ：高周波でのインピーダンス最小値、ｆｈｈ：インピーダンス単調増加帯（約１０ＫＨＺ）、ｆ０ｐ：並列共振点周波数（約２０ＫＨＺ）、ｆｍｐ：インピーダンス最大値点周波数
【００１５】
また、ＸＣＢ＜＜Ｒ２＋ｊω０ｈ・Ｌｂとなるときは、Ｒ２，Ｌｂが無視でき、Ｒ１が共振点の位相零点からのインピーダンスＺ０ｈとして読み取れる。蓄電池の両極に付加するＣＣを既知の容量［Ｆ］とするとＲ１が得られる。Ｒ２の両端がＣＢでバイパスして短絡状態となることによる。
【００１６】
バッテリ液の誘電率εｒをキャパシタンスＣＢから、バッテリ液の導電率σをＲ２から、
0004745621.tif 000011
そして、極板劣化程度は、Ｒ１から算出できる。
【００１７】
また、コンデンサー、電力線ケーブル、高絶縁物の４００Ｖ／２００Ｖの乾式変圧器は、可変周波数による位相特性から、ｔａｎδを算出して、微小劣化の程度が判明する。
【００１８】
一方、交直変換器等も運転中に、微小電圧の可変周波数との重畳により、劣化程度が測定できる。運転回路から、分離して個別に測定するサイリスター、ダイオード、アレスターの等の素子は、非破壊試験領域での直流電圧と可変周波数電圧との重畳から劣化程度を把握できる。
【００１９】
さらに、直流増幅器の劣化は、入力と出力の利得特性と位相特性から、劣化進行程度が分る。
【発明の効果】
【００２０】
以上より明らかなように、この発明の供試絶縁物の劣化診断方法によれば、誘電体損正
接ｔａｎδを低絶縁物と高絶縁物とに分けて算出するようにしたので、絶縁物の劣化の判
断を低絶縁物と高絶縁物と関わらずｔａｎδで評価できるとともに、絶縁物の内部抵抗を
正確に測定でき、これにより、絶縁物の劣化状況を正確に判断することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２１】
以下、この発明に係る供試絶縁物（以下、供試物という）の劣化診断方法を実施するためのシステムについて図示の実施の形態により詳細に説明する。
【００２２】
図１はこの発明を実施するための供試物の劣化診断システムの構成を、図２は供試物の内部抵抗を演算する際の基本となる供試物の電気的な等価回路を示す図である。
【００２３】
運転中のまま器具の残存寿命を把握するため、劣化診断対象回路である運転中の蓄電池群や、コンデンサー、電力線ケーブル、乾式変圧器、そして、交直変換器等の劣化測定を運転中のまま、コンデンサーによる分岐後段に接続する可変周波数電源とインピーダンス測定器により共振周波数ｆ０点のインピーダンス（純抵抗値）Ｒ０と位相零、及びインピーダンス最小値（または最大値）Ｚｍ点の周波数ｆｍを測定し、供試物の等価回路定数を算出し（蓄電池の場合極板抵抗をＲ１，電解液抵抗をＲ２，そして、Ｒ０＝Ｒ１＋Ｒ２となる）、劣化の指標であるＲ１，Ｒ２，蓄電池極間キャパシタンスＣＢから、ｔａｎδ（損失角）を導出し、さらに、供試物が蓄電池の場合、電解液中の電荷移動過程のインピーダンスの複素平面図（Ｃｏｌｅ−Ｃｏｌｅ−Ｐｌｏｔ）の円軌道、
0004745621.tif 000012
と物質移動過程の、
0004745621.tif 000013
から、液の固有抵抗ρが算出できる。
【００２４】
等価抵抗Ｒ０と負荷電流ＩＬの相乗積が温度上昇となりアレニウスの式から劣化の定量
化を示し、測定データから算出した回路諸定数を用いて残存寿命も推計できる。
【００２５】
また、運転停止し、供試物の劣化診断として、サイリスター、ダイオード、アレスター等の素子の診断時は供試物を回路から切り離して、その両端に直流電圧と可変周波数電圧とを重畳させ、本実施形態の共振回路と、インピーダンス測定器により、共振点と極値である最小または、最大のインピーダンス点を探索し、純抵抗値と位相特性から、ｔａｎδを算出できる。
【００２６】
さらに、低圧の乾式変圧器のような紙やエポキシ樹脂等の高絶縁物の診断として、各周波数ごとの減衰定数と位相定数から、比誘電率と抵抗率を算出し、ｔａｎδに逆算して、劣化程度を定量的に測定できる。
【００２７】
図２で示すように、第１の供試物である運転中の蓄電池、コンデンサー、電力線ケーブル、乾式変圧器、インバータ回路等の劣化診断時は、運転回路に接続して稼動のままの供試物から分岐した測定系へのラインに、大容量コンデンサーＣＣを介在させ、その後段に測定系を接続する。
【００２８】
上記測定系は、可変周波数（ｆ）電源と直列に本実施形態の大容量のインダクタンスＬと位相調整コンデンサーＣＶとの並列回路を直列接続し、ＣＣとＬとの直列共振により、図１に示すように、供試物両端の二つのＣＣの後段から電圧Ｖを検出し、可変周波数電源出力出口に１Ωの標準抵抗を接続し、この両端から電流Ｉを検出し、インピーダンスＺ（ｆ）は、Ｚ（ｆ）＝Ｖ（ｆ）・Ｉ（ｆ）から算出する。
【００２９】
インピーダンス曲線は、５００Ｈｚから１０００Ｈｚの低周波領域に、インピーダンス最小点Ｚｍが出現する２次曲線とし、位相曲線は零点を通過させ、この時の共振周波数ｆ０点のインピーダンスＺ（ｆ０）は、コンデンサーＣＣと供試物を含む純抵抗値Ｒ０となる。蓄電池の場合、ＣＣ＝２６０００μＦと大きくすれば、供試物のインダクタンスＬＢと電圧検出電線インダクタンスＬＬ、すなわち、インダクタンス合計ＬＢ＝Ｌｂ＋ＬＬ  と、コンデンサーＣＣ／２との直列共振が顕著となる。低絶縁物と言える蓄電池や、高絶縁物の劣化が大なる時の測定結果を図５に示す。
【００３０】
供試物は、図２に示すように、キャパシタンスＣＢとＬｂに直列の抵抗Ｒ２とが、並列の等価回路となる。
【００３１】
周波数ｆ０付近では、ＣＢのリアクタンス＝ｊＸＣＢ＞＞Ｒ２＋ｊω・Ｌｂとなり、
直列共振となり、ｆ０点で、インピーダンスＺ＝Ｒ０に合致し、Ｒ０＝Ｒ１＋Ｒ２となり、ｆ０近傍のインピーダンスは、
0004745621.tif 000014
と示せる。但し、Ｃ０＝ＣＣ／２とおいた。
【００３２】
次に、５ｋＨｚから１０ｋＨｚ程度に高周波数にすると、供試物の等価キャパシタンスＣＢを通じる電流が多くなり、Ｌｂと直列のＲ２のインピーダンスが、無視できるようになる。これにより、供試物の等価回路は、図２に示すものから、低周波のとき図３に示すものに、高周波のとき図４に示すものに表される。すなわち、ｊＸＣＢ＜＜Ｒ２＋ｊωｈｍ・Ｌｂとなり、この時点で周波数ｆｈｍでインピーダンスＺｈｍｉｎは、
0004745621.tif 000015
となる。
ただし、ωｈｍ＝２π・ｆｈｍ、
合成キャパシタンスは、
0004745621.tif 000016
となる。
【００３３】
ここで、Ｒ２＝０の時、共振点ｆ０ｈとインピーダンス最小値Ｚｈｍｉｎ点、周波数ｆｈｍ点とが一致し、Ｒ１＝Ｚｈｍｉｎとなる。
【００３４】
また、Ｒ２＞０の時、Ｒ２が大きく成るにつれ、ｆ０ｈからｆｈｍ点は大きく移動する。この時の測定データを、図６（ａ）から（ｂ）に示す。高周波領域で測定した時のグラフを図７に示し、測定系自身のインピーダンスを図８に示している。真の測定値は、図６（ａ）（ｂ）等に示す測定値から、図８の測定系自身のインピーダンスを引くことで得られる。
【００３５】
電気絶縁物の劣化は、ＣＢの電流に対してＲ２に分流する電流比として、ｔａｎδ［％］＝１００・Ｒ２／ω０・ＣＢから定量化しており、共振点ｆ０のＲ０とインピーダンス最小値周波数ｆｍ点のＺｍｉｎとから、等価回路の諸定数を算出し、ｔａｎδで、劣化程度と残存寿命を計算できる。
【００３６】
また、２０ｋＨｚ以上にすると絶縁物内のＬｂによるリアクタンスＸＬｂ＝ωｐ・Ｌｂが大きくなり、並列のＣＢのリアクタンスＸＣＢ＝ωｐ・ＣＢとが並列共振する。
この時のアドミタンスは、
0004745621.tif 000017
となり、並列共振点周波数ｆ０ｐの角周波数ω０ｐ点で、Ｒ０ｐ＝Ｚ（ｆ０ｐ）、そして、Ｒ２＞０なら、インピーダンス最大Ｚｍａｘ点＝ｆｍｐがｆ０ｐ点から移動する。ｆｍｐ点で、Ｙが最小値（インピーダンス最大点＝Ｚｍａｘ）となるので、微係数が零のとき、
0004745621.tif 000018
から、
0004745621.tif 000019
が導出され、Ｒ２が求まり、この並列共振点からもｔａｎδが算出できる。
【００３７】
この絶縁物の劣化診断において、直列共振点ｆ０とインピーダンス最小点、ｆｍ、そして、ＣＣを可変して、ＸＣＢ＜＜Ｒ２＋ｊω０ｈ、なるｆ０ｈ点での直列共振から、Ｒ１が求まり、その近傍のｆｈｍ点で、インピーダンス最小値Ｚｈｍが測定でき、さらに、周波数を上昇させると、単調増加部分が得られ、この領域での周波数をｆｈｈとして、ＬＬが求まる。ＬＬ＝ＸＬＬ／２π・ｆｈｈとなり、ＸＬＬ＝ＺＨＨ・Ｓｉｎ（θｆｈｈ）から求め、（θｆｈｈ）は、ｆｈｈ点の位相角である。高周波領域になると、並列共振点ｆ０ｐとインピーダンス最大点ｆｍｐ点は、図７のように極大値が得られる。
【００３８】
また、インピーダンス曲線において、Ｒ２＝０の時、並列共振周波数ｆ０ｐ点でのインピーダンスＺ（ｆ０ｐ）＝Ｒ０ｐとなり、インピーダンスの最大値Ｚｍａｘ＝Ｚｍｈと一致する。
【００３９】
また、Ｒ２＞０の時、Ｚｍａｘ＞Ｒ０ｐとなり、Ｒ２が大きくなると、これに比例して、インピーダンス最大点周波数ｆｍｐと並列共振周波数ｆ０ｐ点の差が大となる。
【００４０】
いま、供試物が低絶縁物と言える蓄電池の場合は、抵抗Ｒ０が大きくなると発熱が大となり、劣化が加速度的に進行するので、このＲ２が大きくなり、１８０ｍΩ以上になると、Ｒ１に加算され、Ｒ０＝Ｒ１＋Ｒ２となり、劣化が進行したと言える。
【００４１】
この時、ｔａｎδ［％］＝１００・Ｒ０／（ω０・ＣＢ）から劣化程度が表示できる。
【００４２】
さらに蓄電池の場合、Ｒ１から、使用可能残存寿命を算出する。
【００４３】
そして、蓄電池以外の１０ｋΩ程度の高絶縁物になると、インピーダンスの共振点が得られない場合がある。この時は、伝播式の位相曲線βが、或る周波数ｆＨｍで極値となるようにコンデンサーＣＣ＝３００μＦとして回路を構成する。
【００４４】
位相曲線の極値から、δβ／δω＝０となる周波数をｆｍβとし、角速度をωｍβとして、極値δβ／δω＝０から求まる導電率σは、ｆｍβ点でのものであるから、σｍとおき、δβ／δω＝０を解析することで、σｍが、
σｍ＝（３２＾０．５）・π・εγ・ε０・ｆｍβから得られ、このσｍを、
ｔａｎδ［％］＝１００・σｍ／（ωｍβ・ＣＢ）に代入して、高絶縁物の絶縁劣化程度を算出する。
【００４５】
このように、共振点、反共振点、位相曲線上に極値が出るように、回路は構成される。
【００４６】
この供試物両端に、周波数ごとの電圧と可変周波数電源からの周波数ごとの電流から、インピーダンスを算出する。電圧と電流とが同一位相となる直列共振周波数でのインダクタンスＬＢ、キャパシタンスＣＢ、抵抗値Ｒ０、プログラムソフトから計算し、チャート紙にｔａｎδ、残存寿命等をプリント出力させるプリンターを接続する。
【００４７】
上記は第１の供試物の場合を説明したが、次に、運転を停止できる第２の供試物について説明する。第２の供試物は、サイリスター、ダイオード素子や避雷器素子等であり、それらの劣化診断は、運転回路から、これらの素子を切り離して、上記の可変周波数電源に並列に直流電源を接続する。非破壊試験の領域で電子移動を促進させるために直流を加え、上記の可変周波数の交流とを重畳させる。第１の供試物の運転中に診断する場合も、第２の供試物について稼動停止の上、供試物単体を診断する場合も、共に上記の共振点抵抗値とインピーダンス最小値、または、反共振点（並列共振点）抵抗値とインピーダンス最大値、これが出現しない場合は、位相曲線変歪部の極小値、極大値からｔａｎδに換算して、劣化程度を定量化する。
【００４８】
運転中の蓄電池、コンデンサー、電力ケーブル、乾式変圧器や、交直変換器等の劣化診断の時は、この供試物の正極を分岐用の第１の大容量コンデンサーを通して、インダクタンスを経て、図５に示すようにインピーダンス曲線が最小点が得られ、そして、位相曲線が零点を通過し、全体の回路が直列共振となるように位相調整コンデンサーと大インダクタンスとの並列回路に直列に接続する。これを経て直列に、可変周波数電源付きネットワークアナライザーに接続し、第２の大容量コンデンサーを通して供試物の負極に接続する。この可変周波数によって、各周波数ごとの供試物両端の電圧と電流からインピーダンスを算出し、電圧と電流が同一位相となる点（位相零）を自動探索し、この点のインピーダンスが純抵抗値Ｒ０［Ω］となり、共振周波数ｆ０で位相零点を示し、インピーダンス測定器で図示できる。
【００４９】
たとえば、鉛蓄電池の場合は、蓄電池通電時に発生する硫酸鉛が極板に蓄積して抵抗が増加する。この極板表面上の抵抗値をＲ１とし、極板間の電解液によるキャパシタンスをＣＢ、これに並列に、蓄電池液の抵抗をＲ２とインダクタンスＬｂとの直列線を結ぶ。この並列回路が、Ｒ１に直列となる図２に示す等価回路で表すことができ、発信器からの印加電圧と回路電流からのインピーダンスをＺ［Ω］とすれば、
0004745621.tif 000020
で表される。
アドミタンスＹは、次式となる。
0004745621.tif 000021
｜Ｙ｜をω２で微分して、０となる極値で、
0004745621.tif 000022
から、
0004745621.tif 000023
が導出される。
５００ＨＺ点からｆ０ｈ点までは、インピーダンス曲線は右下がりの単調減衰となり、
0004745621.tif 000024
この間のｆｃ点のリアクタンス
0004745621.tif 000025
から、ＣＢを算出する。
さらに、
0004745621.tif 000026
が算出される。
【００５０】
ここで、Ｒ０＝Ｒ１＋Ｒ２、とおけるので、Ｚの最小値Ｚｍの時の周波数ｆｍは、Ｒ２＞０の時、共振点ｆ０からずれる。Ｒ２＝０の時が、ｆ０＝ｆｍとなる。電解質や絶縁物の劣化が進むと、このＲ１，Ｒ２が増加する。蓄電池では、Ｒ２は、完全充電の時Ｒ２＝０であるが、充電量より放電量が大となるとＲ２が増加する。
【００５１】
このように、Ｒ１は、印加用コンデンサーＣＣを可変して共振周波数ｆ０ｈを５ＫＨｚ程度の高周波とすると、ＣＢは、短絡状態となり、Ｒ２が無視され、Ｒ１のみが測定できる。
【００５２】
鉛蓄電池の場合、容量の９０％（残存容量１０％）まで放電したとき、Ｒ２は、約１８０ｍΩにも達する。逆に、これが充電量を大とし、完全充電に達すると、また、Ｒ２＝０に近づく。
Ｒ２＞１８０ｍΩ、Ｒ１＞３０ｍΩでは、劣化が急速に進み異常範囲と言える。
Ｒ２＜１８０ｍΩの時、充電不足であり、蓄電池の劣化と言えない。再び充電することにより、Ｒ２が、ほぼ零まで回復する。Ｒ２が、１８０ｍΩ以上のとき充電しても端子電圧が上昇しなくなり、異常範囲と言える。この関係は、図９のようにＣｏｌｅ−Ｃｏｌｅ−Ｐｌｏｔから電解液のインピーダンスが円軌道となり、電荷移動過程からＲ１＝３０ｍΩ、Ｒ２＝１８０ｍΩの点を通過する。Ｒ１も３０ｍΩ程度以上は、異常で、残存寿命が、１年程度となり、極板抵抗Ｒ１と使用可能残存年数Ｎとの関係は、多くの供試物のデータから最小自乗法により、
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となり、抵抗値Ｒ１の３乗に比例して、Ｎが減少する。図１０、図１１，図１２に示す。
また、Ｒ１＝ｆ（負荷電流、使用年数）の関係があり、負荷電流ＩＲ［ｍＡ］．使用年数Ｎ［年］とすると蓄電池極板抵抗値Ｒ１［ｍΩ］は、
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の関係があり、ＩＲ＝１０［Ａ］の時を図１３に、ＩＲ＝１２［Ａ］の時を図１４に、ＩＲ＝１４［Ａ］の時を図１５に示す。
蓄電池液の比重ｓｇとＣＢとの関係は、
ｓｇ＝１．１７２３１＋０．０００１１５９８・ＣＢとなり、図１６に示す。
ただし、ＣＢ＝１／（２π・ｆｃ・ＸＣ）
【００５３】
蓄電池のインピーダンスＺＦは、複素平面図で示すと図９のようになるコール・コールプロットであり、電荷移動過程は、円軌道部分で、物質移動過程は、右側の直線部分で、これから液の抵抗率ρ［Ω・ｍ］は、
0004745621.tif 000029
より求まり、さらに、遮断周波数ｆｃからもＬＢ，Ｒ１，Ｒ２，ＣＢが算出でき、同種の蓄電池ごとの、これらの諸定数からバッテリ劣化程度とεｒ（誘電率）とバッテリ抵抗率ρ［Ω・ｍ］、と液比重ｓｇとの相関係数が解かる。
【００５４】
例として、ρの共振周波数ｆ０との関係は図１７に示す通り、ρとＲ２との関係は図１８に示す通りとなる。
【００５５】
つぎに、電解液のない蓄電池（乾電池）やコンデンサー等の一般の低絶縁物の低下した絶縁劣化の診断は、このＲ２で判定でき、劣化が進行すると、ＣＢ電流に対してＲ２への電流が増加するので、
ｔａｎδ［％］＝１００・Ｒ２／（ω０・ＣＢ）から、低絶縁物の劣化が判断できる。
【００５６】
そして、Ｒ２が発生すれば、共振点ｆ０点とインピーダンス最小点Ｚｍの周波数ｆｍ点がずれてくる。ｆ０点より、ｆｍの方が周波数は高くなる。図６（ａ）（ｂ）に示す。ｆ０とｆｍがずれてくる。図６（ａ）のｆ０点インピーダンスＺ０より、図６（ｂ）のｆｍ点インピーダンスＺｍの方が低下してくる、一方、劣化が無いときは、Ｒ２＝０となる。
本発明においては、絶縁劣化があれば、Ｒ２＞０となり、蓄電池の場合は、Ｒ１で劣化程度を算出し、Ｒ２＞１７８ｍΩの時は、Ｒ２をＲ１に加える、すなわち、Ｒ１＋Ｒ２＝Ｒ１で劣化程度を算出する。
【００５７】
このように、インピーダンスＺが、Ｚｍで最小となる共振回路を構成することとｆ０とｆｍからＲ２を算出し、供試物のＲ２による劣化程度を判定できる。図６（ａ）にｆ０点、図６（ｂ）にｆｍ点を示す。
【００５８】
例えば、電解液を入れている鉛蓄電池の場合は、充電状態で左右されないＲ１によって、残存寿命を算出する。Ｒ１での損失角ｔａｎδは、
ｔａｎδ［％］＝１００・Ｒ１／（ωｃ・ＣＢ）
（ただし、ここでは、ω＝ωｃ＝２π・ｆｃとしている。）
で算出され、図１９は、Ｒ２［ＯＨＭ］とｔａｎδＲ２［％］を描き、Ｒ２＝１８０ｍΩ付近から急速に増加し、１．５％を越えるので、劣化と言える。一般の絶縁物は、ｔａｎδが１．５％を越えると劣化と言っていることに一致する。鉛蓄電池の場合、Ｒ１＝３０ｍΩ（ｔａｎδＲ１＝０．８８％）、Ｒ２＝１８０ｍΩ（ｔａｎδＲ２＝１．５％）から劣化範囲は、２．３８［％］以上の場合と言える。Ｒ１＝３０ｍΩ（ｔａｎδＲ１＝０．８８％）、Ｒ２＝１８０ｍΩ（ｔａｎδＲ２＝１．５％）から劣化範囲は、Ｒ１＋Ｒ２＝Ｒ１からｔａｎδが２．３８［％］以上の場合と言える。
【００５９】
さらに、高絶縁物の場合は、劣化の少ない場合でも、健全程度が本願発明の位相曲線の極値点から定量化できる。図２１の位相曲線βから、導電率σ、そして、ｔａｎδにより、高絶縁物の健全程度の定量化が可能となる。
誘電率をε＝８．８５×１０−１２・εｒ
ここでεｒは、比誘電率、透磁率をμ＝４π・１０−７・μｒ、ここでμｒは、比透磁率とし、角速度ωｍ＝２π・ｆＨｍ、ｆＨｍを位相曲線の極値点の周波数とすると、導電率σ［ＭＨＯ／ｍ］は、
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【００６０】
ここで、高絶縁物の場合、
0004745621.tif 000031
となるので、図２０のような減衰定数α［ｄＢ／ｍ］は、
0004745621.tif 000032
となり、図２０のような位相曲線β［ｒａｄ／ｍ］は、
0004745621.tif 000033
固有抵抗ρ［Ω−ｍ］として、これらα、βから、σを打ち消して、√ε＝Ｘとおくと
0004745621.tif 000034
となり、この根を、Ｘ１，Ｘ２とすると、比誘電率
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一方、固有抵抗ρ［Ω―ｍ］は、位相曲線の極値から、
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として、
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から
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となる。ｆＨｍ：極値点周波数、ωｍ＝２π・ｆＨｍ、等価キャパシタンスをεｒから算出し、これをＣＢとおき、
インピーダンスＺ０［Ω］は、
0004745621.tif 000040
一方、測定レンジを利得（ｄＢ ）を示す図２０ から、インピーダンス（Ω）を示す図２１ に、切り替えて位相特性β（ｆ ）の極値点の周波数ｆＨｍ点のインピーダンスＺＨｍ［Ω]を測定して、
α＝σ（（μ／ε）＾０ ．５ ）／２ ，（μ／ε）＾０ ．５ ＝ＺＨｍ ，αｍ ＝２０ ・ｌｏｇ （Ｅ１ ／Ｅ２ ）からσ＝２ ・αｍ ／ＺＨｍ
そして、αｓ を測定系自身のベース利得であり、これを図２２ に示す。真の利得αｍｓ は、αｍｓ ＝αｍ −αｓ となる。
これらから、
0004745621.tif 000041
ただし、８ ．６９６ は、Ｎｅｐｅｒ −＞ｄＢ の換算係数であり、このρからＺ０ を求め、劣化の指標である
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を算出する。
この例は、図２３ に示す。
【００６１】
サイリスター、ダイオード、アレスター等の試験の時は、直流電圧例えば、１ＫＶ程度を可変周波数電圧に重畳させ、供試物に並列に（第１、第２の大容量コンデンサーの前段へ）印加する回路、および、直流増幅器の劣化は、同様に本発明における大容量コンデンサーを通して入力側に印加し、入力側端子に対する出力側端子側への利得（ｄＢ）特性、位相特性を測定して良否を判定することができる。
【００６２】
直流電圧は、供試物が破損しない、非破壊試験をねらいとしている値を印加し、Ｒ１、Ｒ２，ＣＢ，ＬＢ，ｆ０とｆｍ、素子の順方向耐電圧値そして、逆方向耐電圧値との相関係数から劣化による不良範囲を定め、前記と同様に劣化が発生すれば、Ｒ２が表れ、ｆ０とｆｍがずれてくるため、ｆｍ＞ｆ０、Ｚ０＞Ｚｍとなり、これらの検出した定数からｔａｎδを算出する。
【００６３】
このように、常時は、高耐電圧、大容量コンデンサーで２個で分岐し、任意の劣化診断時は分岐用コンデンサー（３００μＦから３００００μＦ）は共用し、この後段に直列に共振回路である大インダクタンスと位相調整用コンデンサーとの並列回路に接続する回路を本案で提案しており、この回路に、既売の可変周波数（２Ｈｚから１ＭＨＺ）電源とインピーダンス測定器を直列接続し、更に、半導体素子へは、直流電源も並列接続することで劣化診断ができる。
【図面の簡単な説明】
【００６４】
【図１】図１は本発明に用いられる、供試絶縁物の劣化診断システムの構成図。
【図２】図２は供試絶縁物の等価回路図。
【図３】図３は低周波（約６００ＨＺ）での低絶縁物としての蓄電池の等価回路図。
【図４】図４は高周波（約２０００ＨＺ以上）での蓄電池の等価回路図。
【図５】図５は供試絶縁物に劣化の無い時は低周波領域での位相角が零の共振周波数ｆ０とインピーダンス最小点周波数ｆｍとが一致することを示すグラフ。
【図６】図６（ａ）は低周波領域での位相が零点のｆ０点の抵抗値Ｒ０、位相θを示すグラフ、図６（ｂ）は低周波領域でのインピーダンス最小点周波数ｆｍでのＺｍｉｎと位相θｍを示すグラフ。
【図７】図７は高周波領域での並列共振点ｆ０ｈでのＺ０ｈ，およびインピーダンス最大値Ｚｍｐとｆｍｐ、そしてｆｈｈ、Ｚｈｈを示すグラフ。
【図８】図８はデータ校正用の測定系のみのインピーダンス曲線を示すグラフ。
【図９】図９は絶縁物が電解液のベクトル図。
【図１０】図１０は、ｔａｎδが３％付近の使用可能残存年数ＮとＲ１との寿命特性（蓄電池抵抗１００〜５００ｍΩ）を示す図。
【図１１】図１１は、少しの劣化での使用可能残存年数ＮとＲ１との寿命特性（蓄電池抵抗０〜１００ｍΩ）を示す図。
【図１２】図１２は、健全な時の使用可能残存年数ＮとＲ１との寿命特性（蓄電池抵抗３〜１０ｍΩ）を示す図。
【図１３】図１３は負荷電流１０Ａの時の抵抗と使用年数特性図。
【図１４】図１４は負荷電流１２Ａの時の抵抗と使用年数特性図。
【図１５】図１５は負荷電流１４Ａの時の抵抗と使用年数特性図。
【図１６】図１６はＣＢと比重の関係図。
【図１７】図１７はρの周波数特性図。
【図１８】図１８はρとＲ２の関係図。
【図１９】図１９は低絶縁物のＲ２の増加とｔａｎδとの関係図。
【図２０】図２０は高絶縁物の通過電流の位相特性（位相角ｄｅｇ表示）と減衰特性（利得ｄＢ表示）図。
【図２１】図２１は高絶縁物の位相曲線の極値と減衰特性（インピーダンス表示）図。
【図２２】図２２は高絶縁物のｔａｎδが０．１％付近のｔａｎδとρとの関係図。
【図２３】図２３は高絶縁物のｔａｎδが０．０６％付近のｔａｎδとρとの関係図。
【符号の説明】
【００６５】
Ｃ１…直流成分の遮断用コンデンサー（ＣＣ）
Ｃ２…直流成分の遮断用コンデンサー（ＣＣ）
Ｂ１…劣化診断を行う蓄電池
Ｅ  …可変周波数電源
ＭＶ…蓄電池の両端電圧測定回路
ＭＩ…蓄電池の供給電流測定回路
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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