(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
表面が（１００）面の単結晶の酸化マグネシウム基板の表面に、イリジウム層をその表面が（１００）面となるように形成する工程と、
前記イリジウム層の表面に、プラズマによるイオン照射してイオン照射層を形成する工程と、
前記イオン照射層を、所定のパターンに加工する工程と、
ダイヤモンド粒子が横方向に成長することにより、前記所定のパターンに沿って、前記イオン照射層の表面に、単結晶ダイヤモンド膜の一辺または径に相当する長さａの値と前記単結晶ダイヤモンド膜の厚みｂの値の比（ｂ／ａ）が１／２０以下となるように、前記単結晶ダイヤモンド膜をエピタキシャル成長させる工程と
を含むことを特徴とするダイヤモンド膜成長基板の形成方法。
【請求項２】
前記所定のパターンとして、複数本の直線状のパターンが、それぞれ所定の間隔で長手方向に延伸し、 前記所定のパターンに沿って、直線状の前記単結晶ダイヤモンド膜が形成されることを特徴とする請求項１に記載のダイヤモンド膜成長基板の形成方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明はダイヤモンド膜成長基板の形成方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
ダイヤモンドは、例えば、禁制帯幅が５．４７ｅＶ、絶縁破壊電圧が３．５×１０6Ｖ／ｃｍ、電子飽和ドリフト速度が２．５×１０7ｃｍ／ｓ、電子移動度が１８００ｃｍ2／Ｖｓ以上、正孔移動度が１６００ｃｍ2／Ｖｓ以上であるなど、半導体として優れた特性を有しており、さらに、ＪＦＭ値が５３３０、ＫＦＭ値が３１、ＢＦＭ値が１４８６０、ＢＨＦＭ値が１０８０であるなど、高周波・ハイパワー素子として特性の優れた半導体材料あるいはこの優れた半導体的性質を利用したレーザーやダイオードなどの光デバイス材料であることから、近年ますます注目を集めている。
【０００３】
上記のダイヤモンドを人工的に形成する方法について説明する。
図１１は、従来例に係るダイヤモンドを形成する方法を示す断面図である。
シリコンなどの基板１００上に気相成長によりダイヤモンド膜１０１を形成する。
【０００４】
図１２は、従来例に係るダイヤモンドを基板にホモエピタキシャル成長によりダイヤモンドを形成する方法を示す断面図である。
高圧下で合成したダイヤモンドを基板（高圧ダイヤモンド基板）１１０として、ホモエピタキシャル成長によりダイヤモンド膜１１１を形成する。
【０００５】
上記のシリコンなどの基板上に気相成長によりダイヤモンドを形成する方法では、形成されるダイヤモンドは多結晶あるいは高配向のダイヤモンドであって、結晶粒界が多数存在しており、例えばダイヤモンドを半導体材料あるいは光デバイス材料として用いる場合には、結晶粒界を電子が通過することによりダイヤモンド本来の高い特性を十分に活かすことが困難となっている。
【０００６】
一方、上記の高圧下で合成したダイヤモンドを基板として、ホモエピタキシャル成長によりダイヤモンドを形成する方法では、高圧下で合成したダイヤモンド基板の大きさ（面積）および導電性の均一性に限界があり、またのダイヤモンド基板の電気抵抗値が高く、この基板を用いた半導体装置などにおいて基板に通電する場合など不利益を有する。
ここで、上記のいずれの方法でも、ダイヤモンド膜の一辺または径に相当する長さａの値とダイヤモンド膜の厚みｂの値の比（ｂ／ａ）が１／２０以下などの薄い範囲のダイヤモンド膜を容易かつ安定に形成することが非常に難しい。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
解決しようとする問題点は、従来方法では、ダイヤモンド膜の一辺または径に相当する長さａの値とダイヤモンド膜の厚みｂの値の比（ｂ／ａ）が１／２０以下などの薄い範囲のダイヤモンド膜を容易かつ安定に形成することができなかったという点であり、特に、例えば半導体材料あるいは光デバイス材料などとして用いる場合に、ダイヤモンドの特性を十分に活かすことができる単結晶のダイヤモンド膜や基板の大きさや導電性の均一性、電気抵抗値に優れたダイヤモンド膜を上記のように薄く形成することが困難であった点である。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明のダイヤモンド膜成長基板は、単結晶の酸化マグネシウム基板と、酸化マグネシウム基板の表面に（１００）面となるように形成されたイリジウム層と、イリジウム層の表面をプラズマによるイオン照射して形成されたイオン照射層であって、イリジウム層上に所定のパターをなして設けられたイオン照射層と、イオン照射層上に、所定のパターンに沿って形成された単結晶のダイヤモンド膜とを備え、 ダイヤモンド膜の一辺または径に相当する長さａの値とダイヤモンド膜の厚みｂの値の比（ｂ／ａ）が１／２０以下である。
【００１４】
本発明のダイヤモンド膜成長基板の形成方法は、単結晶の酸化マグネシウム基板の表面に、イリジウム層をその表面が（１００）面となるように形成する工程と、イリジウム層の表面に、プラズマによるイオン照射してイオン照射層を形成する工程と、イオン照射層を所定のパターンに加工する工程と、所定のパターンに沿って、イオン照射層の表面に、ダイヤモンド膜の一辺または径に相当する長さａの値と前記ダイヤモンド膜の厚みｂの値の比（ｂ／ａ）が１／２０以下となるように、単結晶のダイヤモンド膜をエピタキシャル成長させる工程とを含む。
【００１８】
上記の本発明のダイヤモンド膜成長基板およびダイヤモンド膜は、半導体装置、光デバイス、マイクロフィルタ、マイクロマシン用部品、装飾表示基板並びに砥粒に適用できる。
【発明の効果】
【００１９】
本発明のダイヤモンド膜成長基板は、ヘテロエピタキシャル成長で形成できるダイヤモンド膜を有する基板であって、従来形成するのが困難であった上記の比（ｂ／ａ）が１／２０以下などの薄い範囲のダイヤモンド膜を有する基板を容易かつ安定に実現できる。
【００２０】
また、本発明のダイヤモンド膜は、ヘテロエピタキシャル成長などで形成できるダイヤモンド膜であって、従来形成するのが困難であった上記の比（ｂ／ａ）が１／２０以下などの薄い範囲のダイヤモンド膜である。
【００２１】
本発明のダイヤモンド膜成長基板の形成方法によれば、ヘテロエピタキシャル成長により、従来形成するのが困難であった上記の比（ｂ／ａ）が１／２０以下などの薄い範囲のダイヤモンド膜成長基板を容易かつ安定に形成することができる。
【００２２】
本発明のダイヤモンド膜の形成方法によれば、ヘテロエピタキシャル成長により、従来形成するのが困難であった上記の比（ｂ／ａ）が１／２０以下などの薄い範囲のダイヤモンド膜を容易かつ安定に形成することができる。
【００２３】
本発明の半導体装置、光デバイス、マイクロフィルタ、マイクロマシン用部品、装飾表示基板並びに砥粒は、上記のヘテロエピタキシャル成長で形成できる単結晶ダイヤモンド膜に加工などを施して形成することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２４】
以下に、本発明に係るダイヤモンド膜成長基板及びその形成方法の実施の形態について、図面を参照して説明する。
【００２５】
第１実施形態
図１は、本実施形態に係るダイヤモンド膜成長基板の断面図である。 例えば、ダイヤモンドのエピタキシャル成長が可能な表面を有するダイヤモンド成長用基板として、酸化マグネシウム基板１０上に、イリジウム層１１が形成されている。 イリジウム層１１との境界における酸化マグネシウム基板１０の表面が（１００）面であり、イリジウム層１１の表面が（１００）面であってダイヤモンドのエピタキシャル成長が可能な表面となっている。 このイリジウム層１１のダイヤモンドのエピタキシャル成長が可能な表面に、所定のパターンに沿って、単結晶のダイヤモンド膜１３が形成されている。
【００２６】
ダイヤモンド成長基板としては、（１）ダイヤモンドの格子間隔と整合する格子間隔を持つこと、および（２）ダイヤモンドが固溶しないことが必要である。さらに、（３）高温処理をしても相変化しないで安定であること、（４）Ｈ2を用いたプラズマに対する耐性を有すること、などの条件を満たすことが好ましい。これらの条件を満たしていれば、上記の酸化マグネシウム基板上にイリジウム層が形成された構成に限定されない。
【００２７】
例えば、ダイヤモンド膜の一辺または径に相当する長さａの値とダイヤモンド膜の厚みｂの値の比（ｂ／ａ）が１／２０以下である。このｂ／ａ比としては、好ましくは１／５０、より好ましくは１／１００、さらに好ましくは１／１５０である。本実施形態においては、従来では実現できなかった薄い範囲のダイヤモンド膜を容易かつ安定に実現できる。
また、ダイヤモンド膜が所定のサイズおよび形状に制御して形成されたダイヤモンド膜である。例えば、３ｍｍ×３ｍｍ、５ｍｍ×５ｍｍ、１０ｍｍ×１０ｍｍなどの正方形形状や、あるいは５ｍｍ×３ｍｍ、７ｍｍ×３ｍｍ、１０ｍｍ×３ｍｍなどの長方形形状など、所望するサイズおよび形状に制御して実現することが可能となっている。
例えば、ダイヤモンド膜１３は単結晶ダイヤモンド膜であって、面積が例えば４ｍｍ×９ｍｍ程度であり、厚みが数１００μｍ以下である。
【００２８】
本実施形態に係る上記のダイヤモンド膜成長基板は、ヘテロエピタキシャル成長で形成できる単結晶ダイヤモンド膜を有する基板であり、従来形成するのが困難であったダイヤモンド膜の一辺または径に相当する長さａの値とダイヤモンド膜の厚みｂの値の比（ｂ／ａ）が１／２０以下などの薄い範囲のダイヤモンド膜を有する基板を容易かつ安定に実現できる。また、本実施形態に係る上記のダイヤモンド膜は単結晶であるので、例えばダイヤモンド膜を半導体材料あるいは光デバイス材料などに用いた場合に、ダイヤモンドの電気的、機械的、熱的、光学的特性を最大限に引き出して利用することができ、基板の大きさや導電性の均一性、電気抵抗値なども問題がない。
【００２９】
例えば、ダイヤモンド成長用基板（酸化マグネシウム／イリジウム基板）にダイヤモンド膜が付着した状態で用いることで、高周波用半導体装置やスイッチング用半導体装置などの半導体装置、光デバイス、装飾表示基板などに適用することが可能である。また、例えば、上記のダイヤモンド膜成長基板からダイヤモンド膜を剥離して用いることも可能であり、マイクロフィルタ、マイクロマシン用部品、砥粒などに適用することが可能である。
【００３０】
次に、本実施形態に係るダイヤモンド膜成長基板の形成方法について、図２および図３の断面図を参照して説明する。
まず、図２（ａ）に示すように、例えば、酸化マグネシウム基板１０を準備する。
酸化マグネシウム基板１０の主面Ｆ１は（１００）面とする。
次に、図２（ｂ）に示すように、酸化マグネシウム基板１０の主面Ｆ１上に、イリジウム層１１をエピタキシャル成長により形成する。
イリジウム層１１の表面Ｆ２も（１００）面として形成され、ダイヤモンドのエピタキシャル成長が可能な表面となる。
以上で、ダイヤモンドのエピタキシャル成長が可能な表面を有するダイヤモンド成長用基板が形成される。
【００３１】
次に、図２（ｃ）に示すように、例えば、原料ガスとしてＣＨ4／Ｈ2を供給しながらダイヤモンド成長基板とこれに対向するように配置された対向電極に直流電圧を印加してプラズマＰ１を発生させ、上記のように形成したダイヤモンド成長基板のイリジウム層１１の表面を上記のプラズマＰ１に曝すことでイオン照射してイオン照射層１２を形成する。このイオン照射により、ダイヤモンドがエピタキシャル成長する核（サイト）が形成される。
上記のイオン照射の条件としては、例えば、電流密度を２００ｍＡ／ｃｍ2、反応圧力を１１５Ｔｏｒｒ、ＣＨ4／Ｈ2ガス混合比を２％、ガス流量を２００ｓｃｃｍ、放電電圧を３９０Ｖ、ダイヤモンド成長基板の温度を９４０℃、照射時間を３分とする。
【００３２】
次に、図３（ａ）に示すように、リソグラフィー工程により、所定のダイヤモンド成長領域を保護するレジスト膜Ｒをパターン形成する。
次に、図３（ｂ）に示すように、レジスト膜Ｒをマスクとしてイオンビームエッチングなどのエッチング処理Ｅｔを施し、所定のダイヤモンド成長領域のパターンに加工されたイオン照射層１２ａとする。この後、アッシング処理などによりレジスト膜Ｒを除去する。
【００３３】
次に、図３（ｃ）に示すように、例えば、原料ガスとしてＣＨ4／Ｈ2を供給しながらダイヤモンド成長基板とこれに対向するように配置された対向電極に直流電圧を印加してプラズマＰ２を発生させ、所定のパターンに加工したイオン照射層１２ａの表面を上記のプラズマＰ２に曝すことで、ダイヤモンド成長領域に単結晶のダイヤモンド膜１３ａをエピタキシャル成長させる。
上記のエピタキシャル成長の条件としては、ダイヤモンド成長基板と対向電極に印加する電圧の極性を上記のイオン照射におけるプラズマとは逆にして（基板側を負電位の陰極とし、対向電極をアースとする陽極として）、例えば、放電電流を（６００〜１０００）×３ｍＡ、反応圧力を１２０Ｔｏｒｒ、ＣＨ4／Ｈ2ガス混合比を１〜５％、ダイヤモンド成長基板の温度を９８０〜１２００℃、成長時間を２０〜１２０分とする。
【００３４】
以上のようにして、本実施形態に係るダイヤモンド膜成長基板を形成することができる。
図３（ｃ）上は、ピラミッド型のダイヤモンド膜１３ａが形成されていることを示しているが、ダイヤモンド成長領域のパターン形状や、エピタキシャル成長の時間などを含む条件を調整することにより、種々の形状に制御してダイヤモンド膜１３を形成することができる。
【００３５】
上記の本実施形態に係るダイヤモンド膜成長基板は、ダイヤモンド膜がダイヤモンド成長用基板（酸化マグネシウム／イリジウム基板）に付着した状態で用いることができる。さらに必要に応じて、ダイヤモンド膜をダイヤモンド膜成長基板から剥離して、ダイヤモンド膜のみを用いることも可能である。
【００３６】
ダイヤモンド膜の形状は、上記のようにダイヤモンド成長領域のパターン形状やエピタキシャル成長条件によって変わってくる。
図４（ａ）は図３（ｃ）と同様のピラミッド型の形状に成長したダイヤモンド膜１３ａの斜視図であり、図４（ｂ）は上面図である。
ダイヤモンド膜１３ａの表面は、実質的に４つの三角形状の面から構成され、これらはイリジウム層の（１００）面Ｆ２に対して斜めに傾斜した（１１１）面Ｆ３となっている。
上記の形状のダイヤモンド膜は、イリジウム層の（１００）面上にダイヤモンド成長領域を正方形に取り、４つの辺から成長する面にそれぞれ（１１１）面が出現する条件に調整することで、形成することができる。
【００３７】
図５（ａ）は直線状のパターンで形成されたダイヤモンド膜１３ｂの斜視図であり、図５（ｂ）は上面図である。
ダイヤモンド膜１３ｂの表面は、側面がイリジウム層の（１００）面Ｆ２に対して斜めに傾斜した（１１１）面Ｆ４となっており、上面に（１００）面Ｆ５が出現している。
上記の形状のダイヤモンド膜は、イリジウム層の（１００）面上にダイヤモンド成長領域を直線状に取り、上記と同様に各側面に（１１１）面が出現する条件に調整することで、形成することができる。
【００３８】
上記の図４および図５に示すピラミッド型や直線状のパターンで形成されたダイヤモンド膜は、それぞれ（１１１）面を有している。
ダイヤモンド膜に対するホウ素などのｐ型の導電性不純物は、（１００）面および（１１１）面のいずれに対しても導入することができるが、リンなどのｎ型の導電性不純物は、（１００）面には導入することができず、（１１１）面には導入が可能である。
従って、上記のピラミッド型や直線状のパターンで形成されたダイヤモンド膜は、それぞれ（１１１）面を有しているので、ｎ型不純物とｐ型不純物のいずれも導入することが可能となっており、それらの導入により、ダイヤモンドを用いた半導体デバイスを実現するこことができる。
【００３９】
図６（ａ）および（ｂ）は、図３（ｃ）に示す工程の続きの工程を示す断面図である。
また、図６（ａ）に示すピラミッド型の形状のダイヤモンド膜１３ａからさらに横方向にエピタキシャル成長させることで、図６（ｂ）に示すように、平面状のダイヤモンド膜１３ｃに成長させることができる。
【００４０】
このような平面状のダイヤモンド膜としては、例えば、ダイヤモンド膜の一辺または径に相当する長さａの値とダイヤモンド膜の厚みｂの値の比（ｂ／ａ）が１／２０以下となるように形成する。
このｂ／ａ比としては、好ましくは１／５０、より好ましくは１／１００、さらに好ましくは１／１５０である。従来薄くするほど形成するのが困難となっていたが、本実施形態においては、従来では実現できなかった薄い範囲のダイヤモンド膜を容易かつ安定に実現できる。
また、本実施形態でダイヤモンド膜を形成するときには、所定のサイズおよび形状に制御して成長させる。３ｍｍ×３ｍｍ、５ｍｍ×５ｍｍ、１０ｍｍ×１０ｍｍなどの正方形形状や、あるいは５ｍｍ×３ｍｍ、７ｍｍ×３ｍｍ、１０ｍｍ×３ｍｍなどの長方形形状など、所望するサイズおよび形状に制御して形成する。
例えば、ダイヤモンド膜１３は単結晶ダイヤモンド膜であって、面積が例えば４ｍｍ×９ｍｍ程度であり、厚みが数１００μｍ以下とする。
【００４１】
また、上記のようにして形成した平面状のダイヤモンド膜では、結晶欠陥Ｄの成長をダイヤモンド膜の側面へと伸ばすことで、結晶欠陥Ｄの無いダイヤモンド表面を提供できる。
【００４２】
上記の本実施形態に係るダイヤモンド膜成長基板の形成方法の形成方法によれば、ヘテロエピタキシャル成長により、従来形成するのが困難であった上記の比（ｂ／ａ）が１／２０以下などの薄い範囲のダイヤモンド膜成長基板を容易かつ安定に形成することができる。
また、ダイヤモンド膜が単結晶であるので、例えばダイヤモンド膜を半導体材料や光デバイス材料として用いる場合にもダイヤモンドの特性を十分に活かすことができ、また、基板の大きさや導電性の均一性、電気抵抗値なども問題がない。
【００４３】
第２実施形態
本実施形態に係るダイヤモンド膜は、ダイヤモンド膜の一辺または径に相当する長さａの値とダイヤモンド膜の厚みｂの値の比（ｂ／ａ）が１／２０以下となっている。
上記のｂ／ａ比としては、好ましくは１／５０、より好ましくは１／１００、さらに好ましくは１／１５０である。本実施形態のダイヤモンド膜においては、従来では実現できなかった薄い範囲のダイヤモンド膜を容易かつ安定に実現できる。
【００４４】
また、本実施形態のダイヤモンド膜は、所定のサイズおよび形状に制御して形成されたダイヤモンド膜である。例えば、３ｍｍ×３ｍｍ、５ｍｍ×５ｍｍ、１０ｍｍ×１０ｍｍなどの正方形形状や、あるいは５ｍｍ×３ｍｍ、７ｍｍ×３ｍｍ、１０ｍｍ×３ｍｍなどの長方形形状など、所望するサイズおよび形状に制御して実現することが可能となっている。
例えば、ダイヤモンド膜１３は単結晶ダイヤモンド膜であって、面積が例えば４ｍｍ×９ｍｍ程度であり、厚みが数１００μｍ以下である。
【００４５】
本実施形態に係るダイヤモンド膜は、単結晶ダイヤモンド膜あるいは多結晶ダイヤモンド膜の他、高配向ダイヤモンド膜とすることができる。
ここで、高配向ダイヤモンド膜とは、単結晶程に結晶粒界が少なくはないが、結晶の向きが比較的揃っている状態で、例えばシリコン基板にバイアス処理を行い、ダイヤモンドを成長させる場合などに形成することができる。
【００４６】
本実施形態に係る上記のダイヤモンド膜によれば、ヘテロエピタキシャル成長などで形成できるダイヤモンド膜であって、従来形成するのが困難であった上記の比（ｂ／ａ）が１／２０以下などの薄い範囲のダイヤモンド膜を容易かつ安定に実現することができる。
【００４７】
上記の本実施形態に係るダイヤモンド膜は、例えば第１実施形態に係るダイヤモンド膜成長基板からダイヤモンド膜を剥離して得ることができる。この場合には、例えば単結晶のダイヤモンド膜が得られる。
また、ヘテロエピタキシャル成長以外の方法、例えばシリコン基板上にダイヤモンドを成長させる方法や、シリコン基板にバイアス処理を行ってからダイヤモンドを成長させる方法でダイヤモンド膜を形成し、これを剥離して得ることで、多結晶あるいは高配向のダイヤモンド膜を形成することができる。
上記以外は、第１実施形態と同様にして形成することが可能である。
【００４８】
また、例えば、本実施形態に係るダイヤモンド膜は、マイクロフィルタ、マイクロマシン用部品、砥粒などに適用することが可能である。半導体材料あるいは光デバイス材料などに必要な特性は、上記のマイクロフィルタなどに適用する場合には必ずしも必要ではなく、場合によっては多結晶あるいは高配向のダイヤモンド膜の方が好ましく用いることもできる。
さらに、例えば窓材に利用する場合には純度が高い方が好ましいが、多結晶あるいは高配向のダイヤモンド膜でも表面を研磨することなどにより好ましく用いることが可能である。素子の放熱板などに利用する場合にも、単結晶、多結晶あるいは高配向のいずれのダイヤモンド膜を用いることが可能である。
【００４９】
本実施形態のダイヤモンド膜の形成方法によれば、例えばヘテロエピタキシャル成長などにより、従来形成するのが困難であった上記の比（ｂ／ａ）が１／２０以下などの薄い範囲のダイヤモンド膜を容易かつ安定に形成することができる。
マイクロフィルタ、マイクロマシン用部品あるいは砥粒などの微細なパターンや形状を制御して形成することが可能である。
【００５０】
（実施例１）
図４（ａ）および（ｂ）に示す構造のダイヤモンド膜の電子顕微鏡写真を撮影した。図７は１つのピラミッド型のダイヤモンド膜を斜め上方から観察した電子顕微鏡写真であり、図８は複数のピラミッド型のダイヤモンド膜を上面から観察した写真である。
ダイヤモンド膜がピラミッド型の形状となっていることが確認できる。
【００５１】
（実施例２）
図５（ａ）および（ｂ）に示す構造と同様のダイヤモンド膜の電子顕微鏡写真を撮影した。図９は複数本の直線状のダイヤモンド膜を斜め上方から観察した写真である。
ダイヤモンド膜の長手方向の２つの側面である（１１１）面が頂部まで延びており、図５（ａ）および（ｂ）に示す（１００）面は出現していない構造となっている。
【００５２】
（実施例３）
図１０は本発明に係るダイヤモンド膜で構成したマイクロフィルタの電子顕微鏡写真である。
薄いダイヤモンド膜に、所定パターンのフィルタ機能として、直径数μｍの孔が多数開口している構成である。ダイヤモンド成長基板からは剥離されて用いられる。
ダイヤモンド成長基板にイオン照射してイオン照射層を形成し、マイクロフィルタの開口部となる部分を除去するようにイオン照射層をパターン加工し、イオン照射層の表面に、単結晶のダイヤモンド膜をエピタキシャル成長させ、ダイヤモンド膜をダイヤモンド成長基板から剥離して、形成することができる。
【００５３】
本発明のダイヤモンド膜付き基板およびダイヤモンド膜は、以下のような例に適用することができる。
まず、本発明のダイヤモンド膜付き基板において、ダイヤモンド膜中にｎ型および／またはｐ型の導電性不純物が導入することで、高周波用半導体装置やスイッチング用半導体装置などの半導体装置とすることができる。
また、ダイヤモンド成長基板上に所定のパターンに沿って光導波路となる単結晶のダイヤモンド膜が形成された構成として、優れた半導体的性質を利用したレーザーやダイオードなどの光デバイスとすることができる。
さらに、ダイヤモンド成長基板に、ダイヤモンド膜が、装飾および／または情報の表示のパターンに沿って形成されている構成として装飾表示基板とすることができる。
【００５４】
また、本発明のダイヤモンド膜成長基板から剥離したダイヤモンド膜において、一辺または径に相当する長さａの値と厚みｂの値の比（ｂ／ａ）が１／２０以下である単結晶のダイヤモンド膜に所定のパターンのフィルタ機能が形成されたマイクロフィルタとすることができる。
また、所定のパターンのマイクロマシン用部品の形状として、マイクロマシン用部品とすることができる。
マイクロマシン用部品を形成する場合には、同一基板上に複数個の前記マイクロマシン用部品が同時に形成されたものであることは好ましい。
さらに、ダイヤモンド膜をダイヤモンド膜成長基板から剥離して砥粒とすることができる。この場合、ダイヤモンドの粒子が、立方体構造、直方体構造、六八面体構造および／あるいは角錐型構造を有することが好ましい。本実施形態において、ダイヤモンド膜（粒子）のサイズや形状を種々に制御して、所望のサイズや形状の砥粒となるダイヤモンド膜を得ることができる。
【００５５】
本発明は上記の説明に限定されない。
例えば、ダイヤモンド成長用基板は、酸化マグネシウム基板にイリジウム層が形成された基板の他、ダイヤモンドが成長可能な基板であれば特に限定はない。
本発明のダイヤモンド膜成長基板、ダイヤモンド膜およびそれらの形成方法は、ダイヤモンド膜の一辺または径に相当する長さａの値とダイヤモンド膜の厚みｂの値の比（ｂ／ａ）が１／２０以下の薄い範囲のダイヤモンド膜を容易かつ安定に形成するために開発されたが、いうまでもなく、本発明は上記よりも厚い領域にも適用可能であり、種々のサイズや形状のダイヤモンド膜を有する基板およびその形成方法を実現することができる。
その他、本発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の変更が可能である。
【産業上の利用可能性】
【００５６】
本発明のダイヤモンド膜成長基板は、半導体装置、光デバイス、装飾表示基板などに適用できる。
【００５７】
本発明のダイヤモンド膜は、マイクロフィルタ、マイクロマシン用部品、砥粒などに適用できる。
【００５８】
本発明のダイヤモンド膜成長基板の形成方法は、半導体装置、光デバイス、装飾表示基板などの形成方法に適用できる。
【００５９】
本発明のダイヤモンド膜の形成方法は、マイクロフィルタ、マイクロマシン用部品、砥粒などの形成方法に適用できる。
【図面の簡単な説明】
【００６０】
【図１】図１は、本発明の第１実施形態に係るダイヤモンド膜成長基板の断面図である。
【図２】図２（ａ）〜（ｃ）は本発明の第１実施形態に係るダイヤモンド膜成長基板の形成方法を説明する断面図である。
【図３】図３（ａ）〜（ｃ）は本発明の第１実施形態に係るダイヤモンド膜成長基板の形成方法を説明する断面図である。
【図４】図４（ａ）はピラミッド型の形状に成長したダイヤモンド膜の斜視図であり、図４（ｂ）は上面図である。
【図５】図５（ａ）は直線状のパターンで形成されたダイヤモンド膜の斜視図であり、図５（ｂ）は上面図である。
【図６】図６（ａ）および（ｂ）は、図３（ｃ）に示す工程の続きの工程を示す断面図である。
【図７】図７は実施例１に係る１つのピラミッド型のダイヤモンド膜を斜め上方から観察した電子顕微鏡写真である。
【図８】図８は実施例１に係る複数のピラミッド型のダイヤモンド膜を上面から観察した電子顕微鏡写真である。
【図９】図９は実施例２に係る複数本の直線状のダイヤモンド膜を斜め上方から観察した写真である。
【図１０】図１０は実施例３に係るダイヤモンド膜で構成したマイクロフィルタの電子顕微鏡写真である。
【図１１】図１１は、第１従来例に係るヘテロエピタキシャル成長によりダイヤモンドを形成する方法を示す断面図である。
【図１２】図１２は、第２従来例に係るダイヤモンドを基板にホモエピタキシャル成長によりダイヤモンドを形成する方法を示す断面図である。
【符号の説明】
【００６１】
１０…酸化マグネシウム基板
１１…イリジウム層
１２，１２ａ…イオン照射層
１３，１３ａ，１３ｂ，１３ｃ…ダイヤモンド膜
１００…シリコン基板
１０１…ダイヤモンド膜
１１０…高圧ダイヤモンド基板
１１１…ダイヤモンド膜
Ｄ…結晶欠陥
Ｒ…レジスト膜
【図１】
0004769428.tif 000002
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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