(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
下記の一般式（１）で表されるシララクトン構造を有するケイ素含有樹脂を含み、リソグラフィーに供されることを特徴とするレジスト組成物。
【化１】
0004739613.tif 000010
但し、前記一般式（１）において、Ｒは水素原子を含む任意の置換基を表し、１，２−位を除く任意の位置に結合可能であり、ｎは自然数を表す。
【請求項２】
ｎは１〜６の自然数を表すことを特徴とする請求項１に記載のレジスト組成物。
【請求項３】
前記一般式（１）で表されるシララクトン構造を有するケイ素含有樹脂と、酸と反応してアルカリ現像液に対する溶解性を増加させる酸分解性基を有するケイ素含有樹脂とを共に含むことを特徴とする請求項１又は２に記載のレジスト組成物。
【請求項４】
酸と反応してアルカリ現像液に対する溶解性を増加させる酸分解性基と、前記一般式（１）で表されるシララクトン構造とを共に有するケイ素含有樹脂を含むことを特徴とする請求項１又は２に記載のレジスト組成物。
【請求項５】
アルカリ可溶性ケイ素含有樹脂と、前記一般式（１）で表されるシララクトン構造を有するケイ素含有樹脂とを含むことを特徴とする請求項１又は２に記載のレジスト組成物。
【請求項６】
酸発生剤を共に含むことを特徴とする請求項１〜５のいずれか１項に記載のレジスト組成物。
【請求項７】
被加工対象物上にレジストを塗布する工程と、
前記レジストをリソグラフィーにより加工してレジストパターンを形成する工程と、
前記レジストパターンをマスクとして前記被加工対象物を加工する工程と
を含み、前記レジストとして、請求項１〜６のいずれか１項に記載のレジスト組成物を用いることを特徴とするパターン形成方法。
【請求項８】
被加工対象物上に第１のレジストを塗布する工程と、
前記第１のレジスト上に第２のレジストを塗布する工程と、
前記第２のレジストをリソグラフィーにより加工して上部レジストパターンを形成する工程と、
前記上部レジストパターンをマスクとして前記第１のレジストを加工し、下部レジストパターンを形成する工程と、
前記上部及び下部レジストパターンをマスクとして前記被加工対象物を加工する工程と
を含み、前記第２のレジストとして、請求項１〜６のいずれか１項に記載のレジスト組成物を用いることを特徴とするパターン形成方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、新規なレジスト組成物及びこれを用いたパターン形成方法に関する。詳しく言えば、本発明は、半導体装置等の製造に好適な酸素プラズマエッチングに対する耐性が強く、且つアルカリ現像液での現像により微細なレジストパターンを得る化学増幅型レジスト組成物、及びこれを用いたパターン形成方法を主な対象とする。
【０００２】
【従来の技術】
半導体装置の高集積化に伴い、配線の微細化及び多層化が進行している。これに従ってリソグラフィー工程で使用されるレジスト材料への要求も厳しくなっており、解像性の他に、エッチング後の寸法精度が重要な特性に挙げられている。今後、露光光源の短波長化が進めばレジストの透過率の維持は難しくなるため、レジスト膜厚の薄膜化は必須となり、エッチングの問題はより重要性を増すことは明らかである。
【０００３】
また、配線の微細化に伴うフォトマスクの高精度化、さらには近年、急速に高記録密度化が進んでいる磁気抵抗効果ヘッドの製造の分野でも半導体製造と同様なリソグラフィー技術が用いられており、レジスト材料への厳しい要求は共通したものである。
【０００４】
上述したレジスト材料に対する要求に応える有望な技術として、サーフェスイメージングが提案されており、なかでもケイ素含有樹脂を含むレジスト組成物を用いた二層レジスト法が検討されている。この二層レジスト法は、例えば有機樹脂を０．５μｍ程度の膜厚に塗布して下層レジストを形成し、この下層レジスト上に０．１μｍ程度の薄膜の上層レジストを形成し、次いて、上層レジストの露光、現像により上層レジストをパターニングし、得られた上層パターンをマスクにして下層レジストをエッチングし、高アスペクト比のレジストパターンを形成する手法である。
【０００５】
上述の二層レジスト法に用いられるレジスト材料に求められる性能としては、酸素−反応性イオンエッチング（Ｏ2−ＲＩＥ）耐性の他、感度、解像性、保存安定性等が挙げられる。更に近年では、現状の単層レジストで一般的に使用されているアルカリ現像が使用可能であることが強く要求されている。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
このように近時では、リソグラフィーにおける極めて高い解像度、及びエッチングに対する極めて高い耐性を見込んだレジスト材料が要求されている。
【０００７】
そこで本発明は、リソグラフィーにおける解像度に優れ、高エッチング耐性を有し、極めて微細なレジストパターンを得ることを可能とするレジスト組成物を提供することを目的とする。また、当該レジスト組成物を用いてレジストパターンを形成し、これにより所望の微細パターンを加工形成するパターン形成方法を提供することを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
本発明者は、鋭意検討の結果、以下に示す発明の諸態様に想到した。
【０００９】
本発明のレジスト組成物は、下記の一般式（１）で表されるシララクトン構造を有するケイ素含有樹脂を含み、リソグラフィーに供されるものである。
【００１０】
【化２】
0004739613.tif 000002
【００１１】
但し、前記一般式（１）において、Ｒは水素原子を含む任意の置換基を表し、１，２−位を除く任意の位置に結合可能であり、ｎは自然数、好ましくは１〜６のいずれかを表す。
【００１２】
本発明のパターン形成方法は、被加工対象物上にレジストを塗布する工程と、前記レジストをリソグラフィーにより加工してレジストパターンを形成する工程と、前記レジストパターンをマスクとして前記被加工対象物を加工する工程とを含み、前記レジストとして、請求項１〜９のいずれか１項に記載のレジスト組成物を用いる。
【００１３】
また、本発明のパターン形成方法は、被加工対象物上に第１のレジストを塗布する工程と、前記第１のレジスト上に第２のレジストを塗布する工程と、前記第２のレジストをリソグラフィーにより加工して上部レジストパターンを形成する工程と、前記上部レジストパターンをマスクとして前記第１のレジストを加工し、下部レジストパターンを形成する工程と、前記上部及び下部レジストパターンをマスクとして前記被加工対象物を加工する工程とを含み、前記第２のレジストとして、請求項１〜９のいずれか１項に記載のレジスト組成物を用いる。
【００１４】
【発明の実施の形態】
以下、本発明を適用した好適な実施形態について、図面を参照しながら詳細に説明する。
【００１５】
−レジスト組成物の具体的態様−
本発明のレジスト組成物は、下記の一般式（１）で表されるシララクトン構造を有する。
【００１６】
【化３】
0004739613.tif 000003
【００１７】
但し、前記一般式（１）においてＲは水素原子を含む任意の置換基を表し、１，２−位を除く任意の位置に結合可能であり、ｎは１〜６の自然数を表す。好ましくは、ｎ＝２でＲが水素原子またはｎ＝１でＲが４位に結合したメチル基である。
【００１８】
シララクトンはラクトンにその構造及び特性が類似しており、レジスト組成物がシララクトン構造を有する化合物を含む場合には、被加工基板との密着性向上や、テトラメチルアンモニウムハイドロオキサイド水溶液や水酸化カリウム水溶液などのレジスト現像液のぬれ性が良くなる効果があり、また元来、疎水性が高いケイ素含有樹脂では特に現像時の溶解挙動をスムースにする効果が生じる。
【００１９】
また、シララクトンは、ある条件下ではアルカリ現像液に接触すると開環してカルボン酸が生成し、溶解性を高めることができる。従って、酸と反応してアルカリ現像液に対する溶解性を増加させる酸分解性基を有するポリマを基材樹脂とするポジレシストでは、シララクトンはその露光部においてレジストのアルカリ溶解速度を促進し、レジストの解像性を向上させることができる。
【００２０】
一方、アルカリ可溶性ポリマを基材樹脂とするネガレシストに用いる場合には、特にカルボン酸をアルカリ可溶性基とするポリマでの効果が著しい。ｐＫａ値が高いカルボン酸のみをアルカリ可溶性基とするレジストでは、アルカリ溶解速度を所望の範囲内に制御することが非常に困難であることに対し、シララクトン構造はそれ自体がカルボン酸に比べて弱いアルカリ溶解性を有するため、カルボン酸の一部をシララクトンに置き換えることで、またはシララクトン構造の化合物を別途添加することにより、樹脂全体のアルカリ溶解性をマイルドにする効果を有する。その結果、レジストのアルカリ溶解速度の制御が可能となり、解像性を向上させることができる。
【００２１】
本発明のレジスト組成物において、アルカリ可溶性ポリマは、アルカリ可溶性基を有していれば特に構造は規定されず、単層レジスト組成物の基材樹脂として一般的に用いられているフェノール系樹脂やアクリル酸系樹脂、及びこれらの共重合体、更にはフェノールやカルボン酸を有するケイ素含有樹脂などを用いることができる。好ましくは、カルボン酸を有するケイ素含有樹脂が良い。酸分解性基を有するポリマについては、酸分解性基が脱離した後はアルカリ可溶性ポリマとなり、これは前記のアルカリ可溶性ポリマと同じ条件を満たしているものを用いることができる。なお、シララクトン構造を有する化合物及びポリマは、上記条件を満たすものであれば、それぞれ複数種が同時に存在できる。
【００２２】
本発明のレジスト組成物は、シララクトン構造を有する化合物等と共に酸発生剤を添加して化学増幅型レジスト組成物となる。この酸発生剤としては、ジフェニルヨードニウム塩、トリフェニルスルホニウム塩などのオニウム塩や、ベンジルトシレート、ベンジルスルホネートなどのスルホン酸エステル、ジブロモビスフェノールＡ、トリスジブロモプロピルイソシアヌレートなどのハロゲン化有機化合物を好ましく用いることができるが、使用可能な酸発生剤はこれらに限定されない。
【００２３】
酸発生剤の添加量は、本発明のレジスト組成物の主剤であるアルカリ可溶性樹脂１００重量部に対して０．１〜２０重量部が好ましい。これより添加量が０．１重量部より少ないと化学増幅型レジストとしての感度が十分に得られず、また２０重量部より多いと成膜性や解像性の低下を引き起こす。
【００２４】
本発明のレジスト組成物を使用して、所定のパターンを形成する場合には、被加工対象物上に直接に本発明のレジスト組成物からなるレジスト層を形成する方法、または被加工対象物上に２層構造のレジスト層を形成し、その上層部分に本発明のレジスト組成物を適用する方法（二層レジスト法）がある。以下、前者の方法の具体例では図１を用い、前者の方法の具体例では図２を用いてそれぞれ説明する。
【００２５】
前者の方法では、先ず図１（ａ）に示すように、シリコン半導体基板１上に形成された被加工対象物、例えば多結晶シリコン膜２上に本発明のレジスト組成物からなるレジスト層３をスピンコート法等により塗布形成する。
【００２６】
続いて、図１（ｂ）に示すように、フォトリソグラフィー技術により、レジスト層３を所定パターンに露光し、必要に応じてレジスト層３をベークした後に、露光されたレジスト層３を現像し、レジストパターン４を形成する。
【００２７】
続いて、図１（ｃ）に示すように、レジストパターン４をマスクとして、多結晶シリコン膜２をエッチングし、レジストパターン４の形状に倣ったパターンに多結晶シリコン膜２を加工する。
【００２８】
しかる後、図１（ｄ）に示すように、例えば酸素プラズマを用いたアッシング処理により、レジストパターン４を灰化して除去し、多結晶シリコン膜２のパターン形成が完了する。
【００２９】
後者の方法では、先ず図２（ａ）に示すように、シリコン半導体基板１上に形成された被加工対象物、例えば多結晶シリコン膜２上に有機樹脂からなる第１のレジスト層１１をスピンコート法等により塗布形成する。
【００３０】
この有機樹脂としては、ノボラック樹脂、ビニルフェノール樹脂よりなる市販のレジスト材料、またはポリアニリン系やポリチオフェン系の導電性材料を好ましく用いることができる。また、第１のレジスト層１１は０．１〜１０．０μｍの膜厚に形成するが、好ましくは０．２〜１．０μｍ、ここでは膜厚０．５μｍ程度とする。
【００３１】
引き続き、第１のレジスト層１１上に本発明のレジスト組成物からなる第２のレジスト層１２をスピンコート法等により塗布形成する。このレジスト組成物の塗布膜厚は０．０３〜１．０μｍが好ましく、０．０３μｍより薄いとエッチング時の寸法変動が大きくなり、１．０μｍより厚いと解像性が低下する。より好ましい膜厚は０．０５〜０．２μｍである。
【００３２】
続いて、図２（ｂ）に示すように、先ず第２のレジスト層１２のレジストパターン１３を形成する、即ち、フォトリソグラフィー技術により、第２のレジスト層１２を所定パターンに露光し、必要に応じて第２のレジスト層１２をベークした後に、露光された第２のレジスト層１２を現像し、レジストパターン１３を形成する。
【００３３】
続いて、図２（ｃ）に示すように、レジストパターン１３をマスクとして、第１のレジスト層１１をエッチングし、レジストパターン１３の形状に倣ったレジストパターン１４を形成する。このとき、レジストパターン１３，１４により、高アスペクト比のレジストパターンが構成される。
【００３４】
ここで、下層のレジストパターン１３のエッチングには、特に酸素と二酸化硫黄の混合ガスを用いることが好ましい。またプラズマエッチング装置としては高密度プラズマエッチング装置を好ましく用いることができる。
【００３５】
続いて、図２（ｄ）に示すように、レジストパターン１３，１４をマスクとして、多結晶シリコン膜２をエッチングし、レジストパターン１３，１４の形状に倣ったパターンに多結晶シリコン膜２を加工する。
【００３６】
しかる後、図２（ｅ）に示すように、例えば酸素プラズマを用いたアッシング処理により、レジストパターン１３，１４を灰化して除去し、多結晶シリコン膜２のパターン形成が完了する。
【００３７】
上記したレジスト層３または第２のレジスト層１２を塗布する際には、必要に応じて溶剤を使用する。溶剤としては有機溶剤、例えばプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、ｎ−ブチルエーテル、メチルイソブチルケトン等が使用できる。
【００３８】
また、露光する放射線源としては、可視光、紫外線、ＫｒＦエキシマレーザ、ＡｒＦエキシマレーザ、Ｆ2エキシマレーザ等、ＶＵＶ，ＥＵＶ、電子線、イオンビーム等を好ましく用いることができる。また、第２のレジスト層１２を現像する際には、アルカリ現像液としてテトラメチルアンモニウムハイドロオキサイド水溶液、水酸化カリウム水溶液等が使用可能である。
【００３９】
以上説明したように、本実施形態によれば、フォトリソグラフィーにおける解像度に優れ、高エッチング耐性を有し、極めて微細なレジストパターンを得ることを可能とするレジスト組成物が実現する。そして、当該レジスト組成物を用いてレジストパターンを形成し、これにより所望の微細パターンを加工形成することができる。
【００４０】
【実施例】
以下、いくつかの実施例を挙げて本発明を更に詳細に説明する。なお、本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。
【００４１】
（実施例１）
本例では、前述した一般式（１）で表されるシララクトン構造を有する化合物と、酸と反応してアルカリ現像液に対する溶解性を増加させる酸分解性基を有するポリマとを共に含むレジスト組成物を構成し、これを用いてレジストパターンを形成した場合について例示する。
【００４２】
下記の式（２）で表される分子量５５００のケイ素含有樹脂１００重量部に対し、
【００４３】
【化４】
0004739613.tif 000004
【００４４】
下記の式（３）で表されるシララクトン構造を有する分子量４８００のケイ素含有樹脂を７０重量部、
【００４５】
【化５】
0004739613.tif 000005
【００４６】
トリフェニルスルフォニウムトリフレート６重量部を、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート（ＰＧＭＥＡ）に溶解し、レジスト溶液を調製した。
【００４７】
ＨＭＤＳ処理したＳｉ基板上に、ノボラック樹脂ベースの溶液を回転塗布し、２８０℃のオーブン中で３時間ベークして膜厚０．４μｍの下層レジスト層を形成した。続いて、調製したレジスト溶液を回転塗布し、１１０℃／６０秒プリベークして、膜厚０．１５μｍのレジスト膜を形成した。これをＡｒＦエキシマレーザステッパ（ＮＡ：０．６５）で露光した後、１１０℃で６０秒間ベークし、２．３８％ＴＭＡＨ水溶液で現像を行ったところ、露光量１５ｍＪ／ｃｍ2で０．１７μｍ幅のライン＆スペースパターンを解像した。
【００４８】
（実施例２）
本例では、酸と反応してアルカリ現像液に対する溶解性を増加させる酸分解性基と、前述した一般式（１）で表されるシララクトン構造とを共に有するポリマを含むレジスト組成物を構成し、これを用いてレジストパターンを形成した場合について例示する。
【００４９】
式（４）で表される分子量７０００のシララクトン構造と酸脱離基を有するケイ素含有樹脂１００重量部に対し、
【００５０】
【化６】
0004739613.tif 000006
【００５１】
トリフェニルスルフォニウムトリフレート３重量部をメチルイソブチルケトンに溶解し、レジスト溶液を調製した。
【００５２】
実施例１と同様にして膜厚０．４μｍの下層レジスト層を形成した後、次いで調製したレジスト溶液を下層レジスト上に回転塗布し、１１０℃／６０秒プリベークして膜厚０．１μｍの上層レジスト層を形成した。これを電子線露光装置で露光した後、１１０℃で６０秒間ベークし、２．３８％ＴＭＡＨ水溶液で現像を行ったところ、露光量２５μＣ／ｃｍ2で０．１２５μｍ幅のライン＆スペースパターンを解像した。
【００５３】
（実施例３）
本例では、実施例１を二層レジスト法に適用してレジストパターンを形成する場合について例示する。
実施例１の上層パターンをマスクとし、Ｏ2−ＲＩＥで当該レジストパターンを下層レジスト層に転写した。エッチング条件は、ＲＦパワー：０．１６Ｗ／ｃｍ2、酸素流量：１０ｓｃｃｍ、ガス圧１．３３Ｐａ（１０ｍＴｏｒｒ）とし、この時のエッチングレートは下層レジストに比べて１００倍のＯ2−ＲＩＥ耐性を示した。その結果、上層レジスト層のパターニングで得た０．１７μｍ幅のライン＆スペースパターンを寸法変動無く下層レジスト層に転写できることを確認した。
【００５４】
（実施例４）
本例では、実施例２を二層レジスト法に適用してレジストパターンを形成する場合について例示する。
【００５５】
実施例２の上層のレジストパターンをマスクとし、当該レジストパターンをＯ2−ＲＩＥで下層レジスト層に転写した。実施例３と同条件におけるエッチングレートは下層レジストに比べて９０倍のＯ2−ＲＩＥ耐性を示した。その結果、上層レジスト層のパターニングで得た０．１２５μｍ幅のライン＆スペースパターンを寸法変動無く下層レジスト層に転写できることを確認した。
【００５６】
（実施例５）
本例では、アルカリ可溶性ポリマと、前述した一般式（１）で表されるシララクトン構造を有する化合物とを含むレジスト組成物を生成した場合について例示する。
【００５７】
式（５）で表される分子量６８００のカルボン酸を有するアルカリ可溶性ケイ素含有樹脂及び、
【００５８】
【化７】
0004739613.tif 000007
【００５９】
式（６）で表される分子量６２００のカルボン酸及びシララクトンを有するアルカリ可溶性ケイ素含有樹脂について、
【００６０】
【化８】
0004739613.tif 000008
【００６１】
２．３８％ＴＭＡＨに対する溶解速度を測定した結果、式（５）のポリマは１μｍ／ｓｅｃ以上で計測が難しいのに対し、式（６）のポリマは０．１２μｍ／ｓｅｃであった。ここで、これらポリマの官能基比には式（５）のポリマにおけるａ＋ｄ＋ｅ：ｂ＝式（６）のポリマにおけるＡ＋Ｄ＋Ｅ：Ｂ＋Ｃ、且つＢ：Ｃ＝４０：６０の関係が成立する。式（６）は、式（５）のカルボン酸の６０％をシララクトンに置き換えることで、アルカリ溶解速度を抑えたポリマである。
【００６２】
（実施例６）
本例では、実施例５で示したポリマを含むレジスト組成物を用いてレジストパターンを形成した場合について例示する。
【００６３】
実施例５の式（５）、式（６）で表されるポリマ１００重量部に対し、それぞれトリス（２，３−ジブロモプロピル）イソシアヌレート５重量部をＭＩＢＫに溶解して２種のレジスト溶液を調製した。
【００６４】
実施例１と同様にして０，４μｍの下層レジスト層を形成した後、次いで式（５）のポリマを用いて調製したレジスト溶液を下層レジスト層上に回転塗布し、１１０℃で６０秒プリベークして膜厚０．１５μｍの上層レジスト層を形成した。これをＡｒＦエキシマレーザステッパ（ＮＡ：０．６５）で露光した後、１１０℃で６０秒間ベークし、２．３８％ＴＭＡＨ水溶液で現像を行ったところ、露光量２５ｍＪ／ｃｍ2で０．３μｍ幅のライン＆スペースパターンを解像した。
【００６５】
これに対して、式（６）のポリマを用いて調製したレジスト溶液について、同様に下層レジスト層上に膜厚０．１５μｍの上層レジスト層を形成し、ＡｒＦエキシマレーザで露光後、１１０℃で６０秒間ベークして現像を行ったところ、露光量３２ｍＪ／ｃｍ2で０．１７μｍ幅のライン＆スペースパターンを解像した。
【００６６】
このように、カルボン酸から、これに比べてアルカリ現像液に対する溶解性が小さいシララクトンに置き換えることで、レジストのアルカリ可溶性が適切に調整され、解像性の向上が見られた。
【００６７】
（実施例７）
本例では、実施例６を二層レジスト法に適用してレジストパターンを形成する場合について例示する。
【００６８】
実施例６の式（６）のケイ素含有重合体を用いたレジスト組成物を用い、これをパターニングしてなる上層のレジストパターンをマスクとし、Ｏ2−ＲＩＥにより当該レジストパターニングを下層レジスト層に転写した。実施例３と同条件によるエッチングレートは下層レジスト層に比べて９０倍のＯ2−ＲＩＥ耐性を示した。その結果、上層レジスト層のパターニングで得た０．１７μｍ幅のライン＆スペースパターンを寸法変動無く下層レジスト層に転写できることを確認した。
【００６９】
以下、本発明の諸態様を付記としてまとめて記載する。
【００７０】
（付記１）下記の一般式（１）で表されるシララクトン構造を有する化合物を含み、リソグラフィーに供されることを特徴とするレジスト組成物。
【００７１】
【化９】
0004739613.tif 000009
【００７２】
但し、前記一般式（１）において、Ｒは水素原子を含む任意の置換基を表し、１，２−位を除く任意の位置に結合可能であり、ｎは自然数を表す。
【００７３】
（付記２）ｎは１〜６の自然数を表すことを特徴とする付記１に記載のレジスト組成物。
【００７４】
（付記３）前記一般式（１）で表されるシララクトン構造を有する化合物と、酸と反応してアルカリ現像液に対する溶解性を増加させる酸分解性基を有するポリマとを共に含むことを特徴とする付記１又は２に記載のレジスト組成物。
【００７５】
（付記４）酸と反応してアルカリ現像液に対する溶解性を増加させる酸分解性基と、前記一般式（１）で表されるシララクトン構造とを共に有するポリマを含むことを特徴とする付記１又は２に記載のレジスト組成物。
【００７６】
（付記５）前記ポリマが、ケイ素含有樹脂であることを特徴とする付記３又は４に記載のレジスト組成物。
【００７７】
（付記６）アルカリ可溶性ポリマと、前記一般式（１）で表されるシララクトン構造を有する化合物とを含むことを特徴とする付記１又は２に記載のレジスト組成物。
【００７８】
（付記７）前記アルカリ可溶性ポリマが、カルボキシル基、フェノール性水酸基、ヘキサフルオロカルビノール基、ヒドロキシアミド基、イミド基のうちから選ばれた少なくとも１種を含むことを特徴とする付記６に記載のレジスト組成物。
【００７９】
（付記８）前記アルカリ可溶性ポリマがケイ素含有樹脂であることを特徴とする付記６又は７に記載のレジスト組成物。
【００８０】
（付記９）酸発生剤を共に含むことを特徴とする付記１〜８のいずれか１項に記載のレジスト組成物。
【００８１】
（付記１０）被加工対象物上にレジストを塗布する工程と、
前記レジストをリソグラフィーにより加工してレジストパターンを形成する工程と、
前記レジストパターンをマスクとして前記被加工対象物を加工する工程と
を含み、
前記レジストとして、付記１〜９のいずれか１項に記載のレジスト組成物を用いることを特徴とするパターン形成方法。
【００８２】
（付記１１）被加工対象物上に第１のレジストを塗布する工程と、
前記第１のレジスト上に第２のレジストを塗布する工程と、
前記第２のレジストをリソグラフィーにより加工して上部レジストパターンを形成する工程と、
前記上部レジストパターンをマスクとして前記第１のレジストを加工し、下部レジストパターンを形成する工程と、
前記上部及び下部レジストパターンをマスクとして前記被加工対象物を加工する工程と
を含み、
前記第２のレジストとして、付記１〜９のいずれか１項に記載のレジスト組成物を用いることを特徴とするパターン形成方法。
【００８３】
【発明の効果】
本発明のレジスト組成物によれば、リソグラフィーにおける解像度に優れ、高エッチング耐性を有し、極めて微細なレジストパターンを得ることができる。更に、このレジスト組成物を用いることにより、高集積化の要求される半導体装置の配線の微細加工技術に大きく貢献するものと期待される。
【図面の簡単な説明】
【図１】被加工対象物上に直接に本発明のレジスト組成物からなるレジスト層を形成する方法を示す概略断面図である。
【図２】被加工対象物上に２層構造のレジスト層を形成し、その上層部分に本発明のレジスト組成物を適用する方法を示す概略断面図である。
【符号の説明】
１  シリコン半導体基板
２  多結晶シリコン膜
３  レジスト層
４  レジストパターン
１１  第１のレジスト層
１２  第２のレジスト層
１３，１４  レジストパターン
【図１】
0004739613.tif 000011
【図２】
0004739613.tif 000012