(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、
前記基板上に形成された下部シールドと、
前記下部シールド上に形成された、固定層と、非磁性層と、自由層とを有する磁気抵抗効果膜と、
前記磁気抵抗効果膜の上に形成された上部シールドとを備え、
前記下部シールドと上部シールドとの間に電流を流す磁気ヘッドにおいて、
前記下部シールドは、前記基板側に形成された第１シールド層と、結晶リセット層と、前記磁気抵抗効果膜側に形成された第２シールド層とからなる積層構造を有し、
前記結晶リセット層はアモルファス層と、前記アモルファス層の上に形成された結晶制御層を有することを特徴とする磁気ヘッド。
【請求項２】
請求項１に記載の磁気ヘッドにおいて、磁気抵抗効果膜は金属と酸化物の混合体からなる電流狭窄層を有することを特徴とする磁気ヘッド。
【請求項３】
請求項１記載の磁気ヘッドにおいて、前記アモルファス層は非磁性であることを特徴とする磁気ヘッド。
【請求項４】
請求項３に記載の磁気ヘッドにおいて、前記アモルファス層はAlZr合金もしくはHf，Zr，Tiあるいはこれらを主成分とする合金からなることを特徴とする磁気ヘッド。
【請求項５】
請求項１に記載の磁気ヘッドにおいて、前記アモルファス層は磁性を有していることを特徴とする磁気ヘッド。
【請求項６】
請求項５に記載の磁気ヘッドにおいて、前記アモルファス層はCoを主成分とする合金であることを特徴とする磁気ヘッド。
【請求項７】
請求項１に記載の磁気ヘッドにおいて、前記結晶制御層はNiFeCr合金膜、あるいはNiFeCr合金膜とCu，Au，Ag，Pt，Pd，Ru，Ir又はRhあるいはこれらを主成分とする合金から選ばれた膜との積層膜からなることを特徴とする磁気ヘッド。
【請求項８】
請求項１に記載の磁気ヘッドにおいて、前記下部シールド及び上部シールドは電極を兼ねていることを特徴とする磁気ヘッド。
【請求項９】
基板と、
前記基板の上に設けられた結晶リセット層と、
前記結晶リセット層の上に設けられた下部シールドと、
前記下部シールド層の上に設けられた反強磁性層と、固定相と、非磁性層と、自由層とを有する磁気抵抗効果膜と、
前記磁気抵抗効果膜の上に設けられた上部シールドとを備え、
前記下部シールドと前記上部シールドとの間に電流を流す磁気ヘッドにおいて、
前記磁気抵抗効果膜と前記下部シールドは直接接して設けられ、
前記結晶リセット層はアモルファス層とその上に設けられた結晶制御層を有し、前記下部シールドと前記磁気抵抗効果膜の結晶配向を制御することを特徴とする磁気ヘッド。
【請求項１０】
請求項９に記載の磁気ヘッドにおいて、前記下部シールドの膜厚は100nm以下であり、NiFeで形成されることを特徴とする磁気ヘッド。
【請求項１１】
請求項９に記載の磁気ヘッドにおいて、前記結晶制御層はNiFeCr合金膜、あるいはNiFeCr合金膜とCu，Au，Ag，Pt，Pd，Ru，Ir又はRhあるいはこれらを主成分とする合金から選ばれた膜との積層膜からなることを特徴とする磁気ヘッド。
【請求項１２】
請求項９に記載の磁気ヘッドにおいて、前記結晶制御層はNiFeCr合金膜で形成され、Crの濃度が30〜50at%であることを特徴とする磁気ヘッド。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、高い磁気記録密度に対応した磁気ヘッド、磁気記録再生装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
磁気記録の高密度化に伴い、HDD（Hard Disk Drive）装置の再生ヘッド材料にはスピンバルブと呼ばれるGMR膜が用いられており、今日に至るまでに膜構成の改良により再生出力を向上させている。スピンバルブの膜構成は、反強磁性層/強磁性層/非磁性中間層/磁化自由層の構造を有する。反強磁性層と強磁性層界面に生じる交換結合磁界によりこの強磁性層の磁化は固定され、磁化自由層が外部磁界により磁化反転するために磁性層の磁化の相対的な向きが変化し、電気抵抗が変化することにより磁場を検出する。この場合、流す電流は膜面に平行方向である。近年、更なる高出力化のために、GMR膜の膜面の垂直方向に電流を流す、CPP(Current-Perpendicular to the Plane)-GMRヘッドの研究開発が行われており、絶縁層をスピンバルブ中に形成して、高出力化を図る方法や、積層界面を増加させて高出力化を図る方法などが開示されている。
【０００３】
【特許文献１】特開2002-204002号公報
【特許文献２】特開2002-222504号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
CPP-GMRヘッドの場合、上下のシールドは直接GMR膜と接続されて電極も兼用しているため、従来の磁気シールドとしての機能だけではなく、電極としての機能も果たす必要がある。さらに、従来の再生ヘッドでは、上下のシールド層とスピンバルブは主にアモルファスの絶縁ギャップ膜で分離されているため、シールドの結晶性は問題にならないが、CPP-GMRヘッドの場合、スピンバルブは下部シールド上に直接形成されるため、シールドの結晶性がGMR膜の特性に影響することとなる。従って、シールドの材料や膜構成はCPP-GMRヘッドの特性向上に対して非常に重要な要因となっている。
【０００５】
再生ヘッドのシールドとして、NiFe系合金、FeAlSi系合金、Co系アモルファス合金などが良く知られている。NiFe系合金及びFeAlSi系合金は結晶質であり、そのままCPP-GMRヘッドに適用すると、その結晶性がGMR膜の特性に大きく影響する。また、Co系アモルファス合金をシールドとして適用した場合、抵抗が高いため電極としての機能に劣ること、放熱性の劣化、及びシールド起因による再生変動を起こしやすいといった問題がある。
【０００６】
従来のCPP-GMRヘッドの問題点は、通常の1μｍ以上もの厚いNiFeシールド上にGMR膜を形成しても、安定して良好な特性が得られない点である。特に、電流絞込型と呼ばれる方式のGMR膜では、面積抵抗が高く、磁気抵抗変化率が低くなりやすい。面積抵抗が高いと、記録密度が向上するに従い、高周波における再生特性が劣化するため、磁気ヘッドへの適用には好ましくなく、低い面積抵抗で高い磁気抵抗変化率を示すGMR膜が望ましい。電流絞込型のCPP-GMRヘッドでは、電流を膜厚方向に部分的に流すための微細なピンホール構造を有する極薄酸化膜が適用されている。この極薄酸化膜の構造が、CPP-GMRヘッドの面積抵抗及び磁気抵抗変化率を決める大きな要因となっている。極薄酸化膜の形成には、下部シールドの結晶性が、大きく影響していると考えられるため、いかにGMRの結晶性をコントロールするかが重要である。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明では、少なくとも固定層と、自由層と、固定層と自由層に挟まれた非磁性層を有する磁気抵抗効果膜と、磁気抵抗効果膜の上下に電極を兼ねたシールドを有する垂直電流型磁気抵抗効果ヘッドにおいて、下部シールドを基板側に形成された第１シールド層と結晶リセット層と磁気抵抗効果膜側に形成された第２シールド層の積層構造とし、結晶リセット層の少なくとも一部の層をアモルファス層とする。このように下部シールドを、シールドの中間に少なくともアモルファス層を介在させた積層構造とすることにより、下部シールドの結晶配向性、結晶粒径に影響されず、高出力の磁気抵抗効果膜を作製することができる。結晶リセット層に適用するアモルファス層としては、ZrAl,Hf,Zr,Tiなどの非磁性材料、CoNbZr,CoTaHfなどのCo系の磁性材料を用いることができる。
【０００８】
また、結晶リセット層を、アモルファス層とその上に形成される結晶制御層とで構成することにより、第２シールド層とその上に形成されるGMR膜の結晶配向、結晶粒径をコントロールすることができ、低い面積抵抗で高い磁気抵抗変化率を示すCPP-GMRヘッドを製造することができる。
【０００９】
さらに、本発明のCPP-GMRヘッドと誘導型薄膜磁気ヘッドあるいは垂直磁気ヘッド（単磁極ヘッド）を組み合わせることにより、再生出力が大きく高性能な磁気ヘッドが得られる。
【発明の効果】
【００１０】
本発明によると、CPP-GMRヘッドのGMR膜は下部シールドの結晶配向や結晶粒径の影響を受けない。更に、結晶リセット層に結晶制御層を含ませるとGMR膜の結晶配向や結晶粒径をコントロールできる。特に電流狭窄層を適用したCPP-GMRヘッドにおいては、低い面積抵抗で高い磁気抵抗変化率を有する磁気抵抗効果ヘッドを得ることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１１】
以下に本発明の一実施例を挙げ、図表を参照しながらさらに具体的に説明する。
【００１２】
[実施例１]
図１は、下部シールド上に電流狭窄型のGMR膜を形成した磁気抵抗効果評価用のテストチップの模式図である。ここで、下部シールドの製造工程は、実際の磁気ヘッド製造工程と同じである。まず、アルミナなどの絶縁層を薄膜形成し、精密研磨した非磁性基板上111に、下部シールドの一部である第１シールド層112として約1.5μｍの膜厚のNiFe膜をパターンめっきにて形成する。この第１シールド層であるNiFe表面は、ＣＭＰ法（化学的機械研磨法）により平坦化されている。次に、この表面は酸化されているため、まずイオンミリング法により酸化膜を除去する。そのまま、大気に触れないよう、真空でつながれた成膜室に移動させ、その上に結晶リセット層を形成し、その上に第２シールド層、そしてGMR膜を連続して形成する。
【００１３】
具体的には、結晶リセット層として厚さ2nmのAlZr合金からなるアモルファス層113と厚さ6nmからなるNiFeCr結晶制御層114を形成し、その上に第２シールド層115として膜厚50nmあるいは100nmのNiFeを形成した。また、第２シールド層上に形成するGMR膜をスピンバルブとし、その構成を次のようにした。反強磁性層116として15nm厚のMnIrを用い、固定層は積層フェリ構成(117/118/119)とし、具体的にはCoFe(3nm)/Ru(0.8nm)/CoFe(3nm)とした。次に、電流狭窄層を形成する際に固定層への酸化防止層として機能する0.5nm厚のCu層120を形成し、電流狭窄層121としてCoFeを形成後、700Paの圧力にて自然酸化を１分間行った。この後、中間層122としてCu(2nm)、自由層123/124としてCoFe(1nm)/NiFe(2nm)２層膜、キャップ層125/126としてCu(5nm)/Ru(10nm)を順次形成した。この後、MnPt反強磁性膜の交換結合磁界を得るため、温度270℃で3時間の磁界中熱処理を行った。熱処理後、イオンミリング法により所望の大きさにパターニングした後、リフトオフプロセスにより上部電極127として、Ta(2nm)/Au(100nm)/Ta(2nm)を形成した。
【００１４】
比較例として、図２に示すように、シールド112上に２層下地層131/132としてTa(2.5nm)/NiFeCr(6nm)を形成し、反強磁性膜116からキャップ膜125/126までは上記実施例と同じ構成のGMR膜を形成した。
【００１５】
ここで図１中に示すように、熱処理によってCoFeの酸化膜が金属部分(121A)と酸化部分(121Ｂ)に分離することにより、電流狭窄の効果が得られ、高い磁気抵抗変化率を示すようになる。
【００１６】
図３に、酸化するCoFe層121の膜厚を変化させたときのGMR膜の面積抵抗（RA）と磁気抵抗変化率との関係を示す。図中、白抜きの四角は第２シールド115の膜厚が100ｎmの場合を示し、白抜きの菱形は第２シールドの膜厚が50ｎｍの場合を示す。また、黒丸は比較例を示す。図のように、比較例では、面積抵抗が高い領域で高い磁気抵抗変化率が得られているが、本発明の構造では、面積抵抗が低い領域において高い磁気抵抗変化率が得られている。結晶粒径を評価したところ、比較例では結晶粒径は、下部シールドの結晶粒径とほぼ同じ7〜12nmであるのに対し、本発明の例では、結晶粒径が10〜20nmとそれより大きくなっていた。GMR膜の面積抵抗は、これら結晶粒径に依存しており、結晶粒径の大きな膜において、低い面積抵抗で高い磁気抵抗変化率が得られたものと推測される。
【００１７】
図４は、本発明及び従来例の磁気ヘッド構成膜の結晶性の違いを説明する模式図である。従来例では、図４（ｂ）に示すように、下部シールド221の結晶粒径に従って、下地222及びGMR膜 223の結晶粒224が成長している。225は結晶粒界である。それに対して、本発明の構造では図４（ａ）に示すように、結晶リセット層を構成するAlZrアモルファス層 212によって、下部第１シールド層211の結晶性が分断され、NiFeCr結晶制御層213により第２シールド層214及びGMR膜215の結晶粒216が大きくなったものと考えられる。217は結晶粒界である。
【００１８】
本実施例では、結晶リセット層のアモルファス層により下部シールドの結晶性を分断し、結晶リセット層のNiFeCr結晶制御層により、結晶粒径の大きなGMR膜を形成したが、結晶制御層を工夫することにより結晶粒径の大きさを制御することが可能である。また、本実施例では、電流狭窄層を適用したGMR膜を用いているが、電流狭窄層のない通常のGMR膜を用いても構わない。
【００１９】
次に、電流狭窄層として、1.5nmのCoFeを酸化した膜を適用したGMR膜において、結晶リセット層を構成するアモルファス層及び結晶制御層を変化させたときの面積抵抗と磁気抵抗変化率との関係を表1に示す。比較例は、図２に示した膜構成である。
【００２０】
【表１】
0004705478.tif 000002
【００２１】
表１のように、アモルファス層113としてAlZr層を用いることにより、面積抵抗の低い領域で高い磁気抵抗変化率が得られる。本実施例ではAlZr層の組成は、Alが90at.%であったが、85〜95at%の範囲内であれば、アモルファスとなり、下部シールドの結晶性をリセットする効果が十分得られる。また、AlZrの他に、Hf,Zr,Ti等のアモルファス層を用いてもほぼ同様な効果が得られる。また、CuやNiなどのfccの材料とHf,Zr,Tiなどの元素との合金はアモルファスになりやすく、結晶リセット層としてこれらを適用しても、低い面積抵抗で高い磁気抵抗変化率が得られる。また、Ta,Nb,Vなどは、膜の形成方法によってはアモルファスになるので、これらの材料層をアモルファスになるような条件で成膜して使用しても構わない。
【００２２】
表１のように、結晶制御層がないアモルファス層のみの場合と比較すると、結晶制御層を形成した結晶リセット層を用いた場合、面積抵抗が減少し、磁気抵抗変化率が若干向上していることから、結晶制御層を形成することが好ましい。本実施例では、結晶制御層としてNiFeCrを適用した。NiFeCrのCr濃度が30〜50at%の領域であれば、特に良好な特性が得られる。おそらく、結晶制御層の上に形成される第２シールド層NiFeの結晶配向が良くなり、かつ結晶粒径が大きくなるためと推測される。また、NiFeCr中のNiFe組成は、その組成がfcc構造領域であるNiが約40at%以上であれば、優れた特性が得られる。
【００２３】
また、本実施例では、結晶制御層として、NiFeCr単層、NiFeCr/Cu,Ru,NiFe ２層膜などを用いたが、NiFeCrとCu,Ru,NiFe,Ir,Au,Ag,Pt,Pd,Rhあるいはこれらの合金を用いても同様な効果が得られる。
【００２４】
さらに、本実施例では、反強磁性膜116としてMnIrを用いたが、MnPtあるいは他の反強磁性膜を用いても同様な効果が得られる。さらに、本実施例では電流狭窄層としてCoFeを用いたが、Co,Ni,Feなどを主成分とする合金を用いても同様な効果が得られる。特に、電流狭窄層のうちの金属部分もしくは酸化部分のどちらか少なくとも一方が明らかに結晶質であれば、本発明の結晶制御層により電流狭窄層の結晶性を制御できるため、優れた特性を示す。
【００２５】
[実施例２]
本発明を適用した再生ヘッド（磁気抵抗効果ヘッド）を作製した。図５は、本実施例の磁気抵抗効果ヘッドを媒体対向面から見た図である。製造工程は実施例１のテストチップとほぼ同じである。まず、アルミナなどの絶縁層を薄膜形成し、精密研磨した非磁性基板上に、下部シールドの一部である第1シールド層411として約1.5μｍの膜厚のNiFe膜をパターンめっきにて形成する。この第1シールド層であるNiFe表面は、ＣＭＰ法（化学的機械研磨法）により平坦化されている。この表面は酸化されているため、まずイオンミリング法により酸化膜を除去する。そのまま、大気に触れないよう、真空でつながれた成膜室に移動させ、この上に結晶リセット層の一部を構成するアモルファス層412として厚さ2nmのAlZrアモルファス層、厚さ4nmのNiFeCrからなる結晶配向制御層413、厚さ100nmのNiFeからなる第２シールド層414、及びGMR膜を順次形成した。
【００２６】
GMR膜は、スピンバルブ構成とし、反強磁性層415として15nm厚のMnPtを用い、スピンバルブの機能部416の固定層から自由層までの構成として、CoFe(3nm)/Ru(0.8nm)/CoFe(3nm)積層フェリ固定層、電流狭窄層を形成する際に固定層への酸化防止として0.5nm厚のCu層、電流狭窄層として1.5nm厚のCoFeを形成後、700Paの圧力における1分間の自然酸化を行い、中間層Cu(2nm)、自由層CoFe(1nm)/NiFe(2nm)を順次形成した。キャップ層417としてCu(2nm)/Ru(8nm)/Ta(2nm)を形成した。このままでは、第２シールド層は基板全面に付着しているので、フォトリソ/イオンミリングによってパターン形成する。第２シールド層のパターニング完了後、イオンミリング法によりGMR膜を所定の形状にパターニングする。本実施例では、トラック幅を70nmとした。その後、上下のシールド、つまり電極の導通を防ぐための絶縁体のアルミナ418、及びGMR膜における自由層の磁区制御のためのCoCrPt419をGMR膜の脇に形成した。そして、GMR膜の表面の酸化膜をイオンミリングにより除去した後、この上に再生ヘッドのギャップ長を調整するための、Ta,Cr,Rhなどからなる導電性ギャップ膜420、及び厚さ3μｍのNiFeめっき膜を上部電極421として形成した。
【００２７】
図６は、本発明の磁気ヘッドを媒体対向面から低倍率で見た概略図である。第１シールド層311及び第２シールド層312からなる下部シールドと上部シールド314に挟まれてスピンバルブの機能部であるGMR膜313が配置されている。図のように、第２シールド層312の長さは、第１シールド層311より短く、かつGMR膜のトラック幅よりも長い範囲となる。
【００２８】
この膜の面積抵抗及び磁気抵抗変化率はそれぞれ0.7Ωμｍ2, 5.4%であり、実施例１で評価したテストチップとほぼ同等な値を示した。
【００２９】
図７に、本発明による別のヘッド構成の例を示す。図５では、反強磁性膜が平面に残っている形になっていたが、図７に示すように、反強磁性膜をイオンミリングによって削っても構わない。また、図７のように、第２シールド層414の一部が削られても、再生分解能には大きく影響しない。
【００３０】
図８には、さらに別のヘッド構成の例を示す。図８のように、GMR膜の端部が急峻でなくても構わない。しかし、図８の構成は、記録密度が向上すると、素子端部が斜めになっているため、トラック幅をきちんと決めることが難しいという問題点がある。
【００３１】
本実施例では、第２シールド層414として厚さ100nmのNiFeを適用したが、NiFeを厚くしすぎると、結晶性が悪くなり、膜凹凸が大きくなることから、100nm以下が好ましい。ただし、将来的に記録密度が向上して、下部シールドに必要な膜厚が数100nm程度にまでなった場合には、本実施例の第１シールド層411は不要であり、アルミナで覆った基板上に直接結晶リセット層としてのアモルファス層412もしくは結晶配向制御層413から形成して、シールドからGMR膜まで一括形成しても構わない。  
【００３２】
[実施例３]
実施例１と同様な方法によって、CPP-GMR評価用のテストチップを作製した。本実施例は、アモルファス層を磁性層で構成した例である。表２に、結晶リセット層の構成を変えたときの面積抵抗と磁気抵抗変化率との関係を示す。
【００３３】
【表２】
0004705478.tif 000003
【００３４】
表２のように、結晶リセット層の一部を構成するアモルファス層としてＣo系の磁性材料を用いても、実施例１と比較するとやや面積抵抗が高めではあるが、低い面積抵抗の領域で高い磁気抵抗変化率が得られた。アモルファス層として磁性アモルファス層を用いる場合には、再生変動の問題があり、アモルファス層が50nm以上になると再生変動を起こしやすくなるため、できるだけ薄くした方が好ましい。本実施例のようにCo系アモルファス材料を適用した場合、5nm〜10nmの範囲の比較的薄い領域において低い面積抵抗で高い磁気抵抗変化率が得られており、変動の問題は大きくならないと考えられる。
【００３５】
また、本実施例では、結晶制御層がない場合と比較して、結晶制御層を用いることにより、面積抵抗がやや低めで、高い磁気抵抗変化率が得られていることから、結晶制御層を用いることが好ましい。
【００３６】
さらに、本実施例では、結晶制御層として、NiFeCr単層膜あるいはNiFeCr/Cu,Ru,NiFe,Ir 2層膜を用いたが、NiFeCrとCu,Ru,NiFe,Ir,Au,Ag,Pt,Pd,Rhあるいはこれらの合金を用いても同様な効果が得られる。
【００３７】
[実施例４]
図９は、本発明の磁気抵抗効果素子を搭載した垂直記録用記録再生分離型磁気ヘッドの概念図である。スライダーを兼ねる基体上に形成された下部第１シールド層711、第２シールド層712、GMR膜713、絶縁ギャップ膜714、磁区制御膜715、導電性ギャップ膜716及び上部シールド717から再生ヘッドは構成される。ここで、第１シールド層と第２シールド層との間に形成される結晶リセット層（アモルファス層、結晶制御層）は、図示を省略した。再生ヘッドの上部側に、副磁極718、コイル719、主磁極720、ヨーク部721からなる垂直記録ヘッド（単磁極ヘッド）が形成されている。
【００３８】
本発明の磁気抵抗効果型再生ヘッドは、垂直記録ヘッドとも面内記録ヘッドとも組み合わせることができる。しかし、垂直記録ヘッドと組み合わせることで、より有効な機能を実現することができる。
【００３９】
[実施例５]
実施例４で作製した垂直記録用記録再生分離型磁気ヘッドを用いて、磁気ディスク装置を作製した。図１０は磁気ディスク装置の概略図であり、図１０（ａ）は平面模式図、図１０（ｂ）はそのＡＡ断面模式図である。
【００４０】
磁気記録媒体811には、CoCrPtとSiO2からなる垂直記録用グラニュラ媒体を用いた。磁気ヘッド813には実施例4で説明したヘッドを用いた。磁気的に情報を記録する記録媒体811をスピンドルモーター812にて回転させ、アクチュエーター814によってヘッド813を記録媒体811のトラック上に誘導する。即ち磁気ディスク装置においては、ヘッド813上に形成した再生ヘッド及び記録ヘッドがこの機構に依って記録媒体811上の所定の記録位置に近接して相対運動し、信号を順次書き込み、及び読み取るのである。記録信号は信号処理系815を通じて記録ヘッドにて媒体上に記録し、再生ヘッドの出力を、信号処理系815を経て信号として得る。
【００４１】
上述したような構成について、本発明の磁気ヘッド及びこれを搭載した磁気記録再生装置を試験した結果、充分な出力と、良好なバイアス特性を示し、また動作の信頼性も良好であった。これは、本発明の結晶リセット層を適用することにより、下部シールド上に電流狭窄型のGMR膜を形成したCPP-GMRヘッドであっても、低い面積抵抗で高い磁気抵抗変化率が得られているからである。
【図面の簡単な説明】
【００４２】
【図１】本発明によるCPP-GMR評価用テストチップのシールド構成及びGMR膜構成の説明図。
【図２】従来のCPP-GMR評価用テストチップのシールド構成及びGMR膜構成の説明図。
【図３】本発明のシールド構成および従来のシールド構成における、CPP-GMRの面積抵抗と磁気抵抗変化率との関係を示す図。
【図４】本発明及び従来例の磁気ヘッド構成膜の結晶性の違いを説明する模式図。
【図５】媒体対向面から見た本発明の磁気抵抗効果ヘッドの構成例を示す図。
【図６】本発明の磁気ヘッドを媒体対向面から低倍率で見た概略図。
【図７】媒体対向面から見た本発明の磁気抵抗効果ヘッドの別構成例を示す図。
【図８】媒体対向面から見た本発明の磁気抵抗効果ヘッドの別構成例を示す図。
【図９】垂直記録用記録再生分離型磁気ヘッドの概念図。
【図１０】磁気ディスク装置の概念図。
【符号の説明】
【００４３】
111  基板
112,211,311,411,711  第１シールド
113,212,412  アモルファス層
114,213,413  結晶制御層
115,214,312,414,712  第２シールド層
116,415,715  反強磁性層
117  第１固定層
118  反平行結合層
119  第２固定層
120  酸化防止Cu層
121  電流狭窄層
121A  電流狭窄層メタル部分
121B  電流狭窄層酸化部分
122  Cu中間層
123  CoFe自由層
124  NiFe自由層
125  Cuキャップ膜
126  Ruキャップ膜
127  上部電極
131  Ta下地膜
132  NiFeCr下地膜
215,223,313,713  GMR膜
416 スピンバルブ機能部
216,224  結晶粒
217,225  結晶粒界
221  下部シールド
222  下地膜
417  保護膜
418,714  絶縁ギャップ膜
419,715  磁区制御膜
420,716  導電性ギャップ膜
314,421,717  上部シールド
718  副磁極
719  コイル
720  主磁極
721  ヨーク
811  磁気記録媒体
812  スピンドルモーター
813  磁気ヘッド
814  アクチュエーター
815  記録再生信号処理系
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
0004705478.tif 000010
【図８】
0004705478.tif 000011
【図９】
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【図１０】
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