(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
イメージセンサデバイスの製造方法であって：
中央チップ取付フラグ（１４）と外側ボンディングパッド領域（１６）を有するリードレス型クワッドフラットのリードフレーム（１２）を提供するステップであって、前記外側ボンディングパッド領域（１６）は、リードフレームボンディングパッド（１８）を有することと；
前記中央チップ取付フラグ（１４）上にチップ接着材料（２４）を配置するステップと；
前記中央チップ取付フラグ（１４）にセンサ集積回路（２２）を、前記チップ接着材料（２４）を用いて取付けるセンサ集積回路取付ステップであって、前記センサ集積回路（２２）の第１表面は、能動領域（２６）と周辺ボンディングパッド領域（２８）を有し、前記周辺ボンディングパッド領域（２８）は、集積回路ボンディングパッド（３０）を有することと；
前記リードフレーム（１２）を、硬化ヒートブロック（５０）の上に搬送するステップであって、前記中央チップ取付フラグ（１４）は、前記硬化ヒートブロック（５０）の真空穴（５２）を覆うように配置されることと；
前記真空穴（５２）を介して真空荷重を加えることによって、前記チップ接着材料（２４）を前記真空穴（５２）に崩落させて硬化させ、その結果、前記チップ接着材料（２４）から突出する突出バンプ（５４）を形成する突出バンプ形成ステップと；
前記集積回路ボンディングパッド（３０）と、該当する前記リードフレームボンディングパッド（１８）とを、ワイヤ（３２）によって電気的に接続するステップと；
前記能動領域（２６）を覆うように透明カバー（３６）を搭置する透明カバー搭置ステップであって、光は前記透明カバー（３６）を透過して前記能動領域（２６）に到達しうることと；
モールドキャビティを区画する上側の壁（６２）を、前記透明カバー（３６）に接触するように配置するステップと；
前記リードフレーム（１２）と、前記ワイヤ（３２）と、前記透明カバー（３６）の周辺領域とを覆うように、成形用化合物（４２）を形成する成形用化合物形成ステップと；
前記突出バンプ（５４）を潰すことによって生じさせた荷重によって、前記透明カバー（３６）が前記壁（６２）に接触することを維持させるステップと
を備えることを特徴とする、イメージセンサデバイスの製造方法。
【請求項２】
前記透明カバー搭置ステップの前に、前記第１表面の上にスタッドバンプ（３４）を形成するステップを更に有し、前記透明カバー搭置ステップは、前記スタッドバンプ（３４）の上に前記透明カバーを搭置する、請求項１記載の製造方法。
【請求項３】
前記スタッドバンプ（３４）は金を用いて形成される、請求項２記載の製造方法。
【請求項４】
前記製造方法は更に：
前記透明カバー搭置ステップの前に、前記能動領域（２６）を覆うように透明化合物（３８）を塗布するステップであって、前記透明化合物（３８）の厚さを、前記スタッドバンプ（３４）の高さと同じように形成することと
を備える、請求項２記載の製造方法。
【請求項５】
前記透明カバー（３６）はガラス製である、請求項１記載の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明はイメージ光センサに関し、より詳細には光センサのパッケージング方法及びこの方法を用いて得られるパッケージングされたセンサ製品に関する。
【背景技術】
【０００２】
デジタルカメラ、カムコーダ、オーディオプレイヤーなどのような産業用コンシューマ電子製品に対する更なる小型化かつ高性能化の要求が常にある。このような小型化及び高機能化は半導体回路及び半導体ウェハの設計及び製造の進歩によって可能になっている。また、電子製品における光イメージセンサの使用が急速に増えてきている。このようなセンサデバイスは多種多様な方法でパッケージングされる。例えば、セラミックリードレスチップキャリアに搭載される光センサは良好な光学品質を示すが、パッケージのフォームファクタが大きい。全体としてのフォームファクタが小さく、良好な光学品質を示すウェハレベルパッケージは非常に高価である。イメージセンサはモールド型クワッドフラットパッケージ（ｑｕａｄ  ｆｌａｔ  ｐａｃｋ：ＱＦＰ）として利用することもできる。ＱＦＰは中くらいのコストを要するが、光学品質が低く、かつパッケージのフォームファクタが大きい。
【０００３】
パッケージのフォームファクタが小さく、コストが中程度であり、高い光学品質を示すパッケージングされたイメージセンサを提供できれば非常に有利である。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００４】
添付の図とともに以下に示す詳細な記述は、本発明の現時点での好適な実施形態に関する記述として行なうものであり、本発明を実施することができる唯一の形態を表わすものではない。ここで、同じ、または等価な機能は、本発明の技術思想及び技術範囲に含まれると考えられる異なる実施形態によって実現することができることを理解されたい。
【０００５】
図に示される或る形状は説明を容易にするために拡大しているので、図及び図に示す構成要素は必ずしも正しい比率で示されていない。しかしながら、この技術分野の当業者であれば、このような細かな点については容易に理解できるものと考える。これらの図においては、これらの図全体を通じて同様な番号を使用して同様な構成要素を示す。
【０００６】
本発明は、ほぼチップサイズに近いパッケージに低いコストで、かつ高い光学品質のイメージセンサデバイスを標準の高密度配列構成のリードレス型クワッドフラット（ｑｕａｄ  ｆｌａｔ  ｎｏ−ｌｅａｄ：ＱＦＮ）アセンブリ基本構造に基づいて提供する。アセンブリ高さ及び特殊な機械的構造設計における非常に厳しい許容精度によって寸法がモールドキャビティの高さと非常に精度良く一致する。パッケージングされたセンサデバイスはスタッドバンプを高精度の高さを有するスタンドオフとして使用してセンサの能動領域を覆う窓を取り付ける。組み立て中にデバイスの下方に位置する真空穴を使用してバンプを形成し、このバンプによって成形時の高さを補償し、そして高さ不一致によるクランプ傷を防止する２つの機能が実現する。この窓はモールドキャビティ面と接触するように保持され、これによって樹脂にじみ出しを最小限に抑え、そして成形後のクリーニングを容易にすることができる。
【０００７】
更に詳細には、一の実施形態において、本発明は、中央チップ取り付けフラグと、複数のボンディングパッドを有する外側ボンディングパッド領域と、を有するＱＦＮタイプのリードフレームを含むイメージセンサデバイスを提供する。センサ集積回路（ＩＣ）がフラグに取り付けられる。ＩＣは、能動領域と、ボンディングパッドを含む周辺ボンディン
グパッド領域と、を有する第１表面を有する。複数のワイヤは、ＩＣボンディングパッドのそれぞれのパッド及びリードフレームボンディングパッドの該当するパッドにワイヤボンディングによって接続されて、ＩＣとリードフレームとを電気的に接続する。複数のスタッドバンプはＩＣの第１表面の上に配置され、そして透明カバーはＩＣの能動領域を覆う形に配置され、そしてスタッドバンプの上に搭置される。このカバーは光を透過してＩＣの能動領域に到達させることができる。成形用化合物はリードフレーム、ボンディングワイヤ、及びカバーの周辺部を覆うように形成される。
【０００８】
別の実施形態では、本発明は、中央チップ取り付けフラグを有するＱＦＮタイプのリードフレームと、複数のボンディングパッドを有する外側ボンディングパッド領域と、を含むイメージセンサデバイスを提供する。フラグは、リードフレームの厚さとほぼ同じの高さを有するボンド線を形成する周辺リングを有する。センサ集積回路（ＩＣ）はフラグに、フラグの周辺リング内に配置される低弾性接着剤で取り付けられる。ＩＣは、能動領域と、周辺ボンディングパッド領域と、を有する第１表面を有する。周辺ボンディングパッド領域は複数のボンディングパッドを含む。複数の金ワイヤは、ＩＣボンディングパッドのそれぞれのパッド及びリードフレームボンディングパッドの該当するパッドにワイヤボンディングによって接続されてＩＣとリードフレームとを電気的に接続する。複数の金スタッドバンプはＩＣの第１表面の能動領域の上に形成される。透明化合物はＩＣの能動領域を覆う形に配置される。透明ガラスカバーはＩＣの能動領域の上の透明化合物を覆う形で配置され、そしてスタッドバンプの上に搭置される。光はカバー及び透明化合物を透過してＩＣの能動領域に到達することができる。成形用化合物はリードフレーム、ボンディングワイヤ、及びカバーの周辺部を覆うように形成される。デバイスは約１０１６ミクロン（４０ミル）未満の高さを有する。
【０００９】
更に別の実施形態では、本発明は、中央チップ取り付けフラグを有するＱＦＮタイプのリードフレームと、複数のボンディングパッドを有する外側ボンディングパッド領域と、を含むイメージセンサデバイスを提供する。センサＩＣはフラグに取り付けられる。ＩＣは、能動領域と、非能動領域と、ボンディングパッドを含む周辺ボンディングパッド領域と、を有する第１表面を有する。複数のワイヤは、ＩＣボンディングパッドのそれぞれのパッド及びリードフレームボンディングパッドの該当するパッドにワイヤボンディングによって接続されてＩＣとリードフレームとを電気的に接続する。透明化合物はＩＣの能動領域を覆う形に配置され、そして透明ガラスカバーはＩＣの能動領域の上の透明化合物を覆う形で配置される。光はカバー及び透明化合物を透過してＩＣの能動領域に到達することができる。成形用化合物はリードフレーム、ボンディングワイヤ、ＩＣボンディングワイヤ、ＩＣの非能動領域、及びカバーの周辺部を覆うように形成される。
【００１０】
更に別の実施形態では、本発明はイメージセンサデバイスの形成方法を提供し、この方法は、
中央チップ取り付けフラグと、複数のボンディングパッドを有する外側ボンディングパッド領域と、を有するＱＦＮタイプのリードフレームを設ける工程を含み、フラグは、リードフレームの厚さとほぼ同じの高さを有するボンド線を形成する周辺リングを有し、
チップ取り付け材料をフラグの上に、かつ周辺リングの内側に配置する工程と、
センサ集積回路（ＩＣ）をフラグにチップ取り付け材料で取り付ける工程と、を含み、ＩＣは、能動領域と、複数のボンディングパッドを含む周辺ボンディングパッド領域と、を有する第１表面を有し、
ＩＣボンディングパッドのそれぞれのパッド及びリードフレームボンディングパッドの該当するパッドを複数のワイヤでワイヤボンディングによって電気的に接続する工程と、
複数のスタッドバンプをＩＣの第１表面の上に形成する工程と、
透明カバーをＩＣの能動領域を覆うように配置して、カバーがスタッドバンプの上に搭置され、かつ光がカバーを透過してＩＣの能動領域に到達することができるようにする工
程と、そして
成形用化合物をリードフレーム、ボンディングワイヤ、及びカバーの周辺部を覆うように形成する工程と、を含む。
【００１１】
更に別の実施形態では、本発明はイメージセンサデバイスの形成方法であり、この方法は、
中央チップ取り付けフラグと、複数のボンディングパッドを有する外側ボンディングパッド領域と、を有するＱＦＮタイプのリードフレームを設ける工程を含み、フラグは、リードフレームの厚さとほぼ同じ高さを有するボンド線を形成する周辺リングを有し、
チップ取り付け材料をフラグの上に、かつ周辺リングの内側に配置する工程と、
センサ集積回路（ＩＣ）をフラグにチップ取り付け材料で取り付ける工程と、を含み、ＩＣは、能動領域と、複数のボンディングパッドを含む周辺ボンディングパッド領域と、を有する第１表面を有し、
リードフレームを、フラグ下の中央位置に真空穴を有する段階的硬化ヒートブロックの上に搭載する工程と、
ＩＣボンディングパッドのそれぞれのパッド及びリードフレームボンディングパッドの該当するパッドを複数のワイヤでワイヤボンディングによって電気的に接続する工程と、
透明化合物をＩＣの能動領域を覆うように塗布する工程と、
透明カバーをＩＣの能動領域を覆うように配置して、光がカバー及び化合物を透過してＩＣの能動領域に到達することができるようにする工程と、そして
成形用化合物をリードフレーム、ボンディングワイヤ、及びカバーの周辺部を覆うように形成する工程と、を含む。
【００１２】
図１及び２を参照すると、図１は本発明によるイメージセンサデバイス１０の拡大側面図であり、図２はセンサデバイス１０の拡大展開図である。センサデバイス１０は金属ＱＦＮ（リードレス型クワッドフラット）リードフレーム１２を含む。ＱＦＮリードフレームは、そのフォームファクタが小さく、断面形状の高さが低く（ｌｏｗ  ｐｒｏｆｉｌｅ）、かつ組み立てコストが低いので好適である。リードフレーム１２は中央チップ取り付けフラグ１４、及び複数のボンディングパッド１８を含む外側ボンディングパッド領域１６を有する。フラグはまた、ボンド線を形成する周辺リング２０を有する。周辺リング２０はリードフレーム１２の厚さとほぼ同じの高さを有する。
【００１３】
センサ集積回路（ＩＣ）２２はリードフレーム１２のフラグ１４に好ましくは、フラグ周辺リング２０の内側に配置される低応力かつ低弾性のチップ接着剤２４で取り付けられる。ＩＣ２２は、能動領域２６（図２）と、周辺ボンディングパッド領域２８と、を有する第１表面を有する。周辺ボンディングパッド領域２８は複数のボンディングパッド３０を含む。ＩＣ２２は、この技術分野の当業者には公知であって、容易に市販品として手に入れることができるタイプのＣＭＯＳセンサデバイスであることが好ましい。ＩＣ２２は約３８１ミクロン（約１５ミル）の厚さ、または高さを有する。ＩＣ２２は、受光領域（能動領域２６）を含む他に、数学的動作を実行するＡ／Ｄ変換器及びＤＳＰまたは論理領域のような回路及び論理を含む。複数のワイヤ３２はワイヤボンディングによってＩＣボンディングパッド３０のそれぞれのパッド及びリードフレームボンディングパッド１８の該当するパッドに接続されてＩＣ２２とリードフレーム１２とを電気的に接続する。ワイヤ３２は、この技術分野の当業者に公知のどのような導電金属、または金属の組み合わせからも形成することができる。適切なボンディングワイヤは通常、銅または金のような導電金属を含み、そして細線ワイヤ（直径５０μｍ未満）または太線ワイヤ（直径５０μｍ超）のいずれかとすることができる。現時点での好適な本実施形態では、ワイヤ３２は金から作製される細線ワイヤである。
【００１４】
「ワイヤボンディング」という用語は、ワイヤを介して行なわれるチップ及び基板の相
互接続を意味するために一般的に受け入れられている表現である。ワイヤをパッドに接合させるために最も多用される方法は、超音波併用熱圧着ボンディングまたは超音波ボンディングのいずれかを用いるものである。超音波ワイヤボンディングは振動及び荷重の組み合わせを利用してワイヤとボンディングパッドとの界面を摩擦することにより温度を局所的に上昇させ、この温度上昇によって分子が界面を通過して拡散し易くなる。超音波併用熱圧着ボンディングは振動に加えて熱を利用して材料の移動を促進する。
【００１５】
複数のスタッドバンプ３４はＩＣ２２の第１表面の上に形成される。好適な実施形態では、スタッドバンプ３４はワイヤ３２と同じ材料、例えば金から作製される。スタッドバンプ３４は約７６．２ミクロン（約３ミル）の高さを有し、そしてＩＣの能動領域２６に近接配置される。スタッドバンプ３４は、ワイヤボンディングを行なうワイヤボンダーのキャピラリィを使用してＩＣ２２の上に形成される。スタッドバンプ３４はＩＣ２２の上に、ワイヤボンディングを行なう方法と同じ方法で形成、または配置される。すなわち、スタッドバンプ３４の形成プロセスは金ボールを使用する普通の超音波併用熱圧着ボンディングプロセスと非常に類似するが、ループ形成工程及び第２ボンド形成工程が無いことが異なる。更に詳細には、ワイヤの先端にボール（ｆｒｅｅ  ａｉｒ  ｂａｌｌ）が電気火炎を飛ばすことによって形成され、そしてキャピラリィに捕捉され、次に第１ボンドがＩＣ２２の表面の上に形成される。第１ボンドを形成した後、テイル長部分を確保した後に第１ボンドから離れ、そしてテイル分離（第１ボンドから引き離す）を行なう。このプロセスは各スタッドバンプに対して繰り返される。
【００１６】
透明カバー３６（図２）をＩＣの能動領域２６を覆うように配置すると、カバーがスタッドバンプ３４の上に搭置される。現時点での好適な本実施形態では、カバー３６は、ＩＣの能動領域２６を覆うように配置される透明化合物３８と、透明化合物３８を覆い、かつスタッドバンプ３４の上に搭置される窓４０と、を含む。従って、スタッドバンプ３４は窓４０のスタンドオフとして機能する。カバー３６は光を透過してＩＣの能動領域２６に到達させることができる。窓４０は非反射の屈折率傾斜光学ガラスであり、約３８１ミクロン〜４０６．４ミクロン（約１５ミル〜１６ミル）の厚さを有する。窓４０には種々の材料をコーティングして所望通りに光をフィルタリングすることができる。透明化合物３８は硬化前は液状の透明エポキシとすることができる。透明化合物３８はセンサの能動領域２６の上にどのような塗布システムを使用しても塗布することができる。次に、窓４０を透明化合物３８（及びスタッドバンプ３４）の最上部に搭置する。次に熱硬化プロセスを実施してエポキシを硬化及び固化すると、窓４０がＩＣの能動領域２６に接合される。
【００１７】
デバイス１０を完成させるために、成形用化合物４２をリードフレーム１２、ボンディングワイヤ、及びカバー３６の周辺部を覆うように形成する。スタッドバンプ３４は正確な高さのスタンドオフとして機能し、そして窓４０をＩＣ２２と成形用化合物４２との間の位置に保持する。イメージセンサデバイス１０は約１０１６ミクロン（約４０ミル）の合計高さを有する。
【００１８】
次に図３を参照すると、本発明の別の実施形態によるイメージセンサデバイス４４の拡大側面図が示されている。センサデバイス４４はセンサデバイス１０（図１）と同様であるが、センサデバイス４４が大きな非能動領域を有するセンサＩＣ４５を有する点が異なる。すなわち、センサＩＣ４５は、能動受光領域と、フォトセルを含まない非能動領域と、周辺ボンディングパッド領域と、を有する上面を有する。透明化合物３８はＩＣの能動領域を覆って配置され、そして能動領域のみを覆う大きさのカバー４６が能動領域に透明化合物３８によって接着される。成形用化合物４８は、リードフレーム１２、ワイヤ３２、ＩＣ４５の非能動領域、及びカバー４６の周辺部を覆って形成される。成形用化合物４８がＩＣ４５の非能動領域を覆うので、ＩＣ４５の能動領域のみが光に晒される。従って、ＩＣ４５が感光性のメモリセルを含む場合、このようなセルを成形用化合物４８によって遮光する。
【００１９】
ここで、センサデバイス４４がスタッドバンプを含まないが、デバイスは必要に応じてスタッドバンプを含むことができることにも留意されたい。この技術分野の当業者であれば、第１の実施形態（デバイス１０）はスタッドバンプ３４無しで形成することもできることが分かるであろう。
【００２０】
次に図４Ａ〜４Ｅを参照すると、図１及び２のセンサデバイス１０の形成工程を示す拡大断面図が示されている。図４Ａは、中央チップ取り付けフラグ１４と、複数のボンディングパッドを有する外側ボンディングパッド領域と、を有する金属ＱＦＮリードフレーム１２を示している。フラグ１４は、リードフレーム１２の厚さとほぼ同じの高さを有するボンド線を形成する周辺リング２０を有する。チップ取り付け材料２４はフラグ１４の上に、かつ周辺リング２０の内側に配置される。すなわち、フラグ１４は低弾性接着剤またはチップ接着剤を収容するための中央開口を有する。チップ接着材料２４は公知のタイプのものであり、そしてフラグ１４の上に従来方法により塗布する。センサ集積回路（ＩＣ）２２はチップ接着材料２４が付着したフラグ１４に接着される。リードフレーム１２にはモールドから保護するためのマスキングテープを貼り付けることができる。図１及び２を参照しながら前に議論したように、ＩＣ２２は、能動領域と、周辺ボンディングパッド領域と、を有する第１表面を有する。周辺ボンディングパッド領域は複数のボンディングパッドを含む。
【００２１】
ＩＣ２２をリードフレーム１２のフラグ１４に接着させた後、アセンブリを真空穴５２を有する段階的硬化ヒートブロック５０に搬送する。図４Ｂに示すように、アセンブリはフラグ１４が穴５２を覆うようにヒートブロック５０の上に位置させる。真空荷重を加えてテープ及びチップ接着材料２４が真空穴に向かって崩れ落ちるようにする。この崩落現象は加える真空荷重の大きさ及び穴５２のサイズによって制御する。ほとんど同時に、チップ接着材料２４が硬化する。硬化サイクルが完了すると、チップ接着層から突出するバンプ５４が形成される。バンプ５４は通常柔らかいので下地の形状を反映する。以下に更に議論するように、バンプ５４を使用して成形工程中に高さを補正する。
【００２２】
次に図４Ｃを参照すると、アセンブリを従来のワイヤボンダーの位置まで移動させる。ワイヤボンダーは、バンプ５４のサイズよりも大きい穴５８を有するヒートブロック５６を含み、この構成によってアセンブリはヒートブロック５６の上に安定して搭置される。ワイヤボンディングを行なってＩＣボンディングパッドのそれぞれのパッド及びリードフレームボンディングパッドの該当するパッドを複数のワイヤで従来方法により電気的に接続する。また、スタッドバンプ３４をＩＣ２２の第１表面の上にワイヤボンダーキャピラリィ６０によって形成する。前に議論したように、スタッドバンプ３４はワイヤ３２と同じ材料、例えば金から作製される。更に、スタッドバンプ３４を形成するためにキャピラリィ６０に変更を加える必要は全くない。
【００２３】
次に図４Ｄを参照すると、透明化合物またはゲル３８をセンサＩＣ２２の能動領域２６を覆うように塗布する。透明化合物３８のボンド線厚さはスタッドバンプ３４の高さによって決まる。本発明によれば、スタッドバンプ３４の高さは約７６．２ミクロン（約３ミル）である。次に窓４０、好適にはガラスをＩＣの能動領域２６を覆うように搭載して窓４０がスタッドバンプ３４の上に搭置されるようにする。透明化合物３８は窓４０をＩＣの能動領域２６に固定するが、窓４０がＩＣ２２からスタッドバンプ３４の分だけ離れる点が異なる。アセンブリの全体としての厚さは非常に厳しい許容範囲に制御される。例えば、リードフレーム１２、ＩＣ２２、スタッドバンプ３４、及び窓４０の典型的な高さばらつきは約＋／−３８．１ミクロン（約＋／−１．５ミル）である。窓４０及び透明化合物３８は光を透過してＩＣの能動領域２６に到達させることができる。
【００２４】
最後に図４Ｅに示すように、上部成形用化合物（図１の化合物４２）をリードフレーム１２、ボンディングワイヤ、及びカバー４０の周辺部を覆うように形成する。モールドキャビティ深さＡは、ＩＣ２２とスタッドバンプ３４と窓４０と、を合計した厚さに等しい。バンプ５４の高さは、ＩＣ２２とスタッドバンプ３４と窓４０とを合計した分の許容誤差範囲に等しく、約３ミルである。成形用化合物をリードフレーム１２、ボンディングワイヤ、及びカバー４０の周辺部を覆うように形成した後、バンプ５４を潰して、窓４０がモールドキャビティ６２と接触したままの状態を維持する荷重を生じさせる。すなわち、アセンブリがモールド封止された状態で、バンプ５４を潰して生じさせた小さな荷重によりガラス窓４０が上部モールドキャビティ６２と接触する状態を維持する。窓４０がモールドキャビティ６２に押し付けられるので、流し込み樹脂の量を減らすことができる。樹脂がガラス表面に滲み出ても、続いてウォータージェット噴射による洗浄を行なうことにより全て取り除くことができる。更に、ガラス窓４０に加わる接触圧が小さいので、保護テープを使用しなくても表面引っかき傷の発生を防止することもできる。複数個のデバイスを同時に形成する場合には、これらのデバイスに単体化処理を施して図１に示すデバイス１０を形成する。製品デバイスは約１０１６ミクロン（約４０ミル）未満の高さを有する。
【００２５】
本発明の好適な実施形態についての記述を提示して例示及び説明を行なってきたが、この記述によって全てを網羅するのではなく、または本発明を開示した形態に制限するものでもない。この技術分野の当業者であれば、上に記載した実施形態に本発明の広範囲に渡る新規のコンセプトから逸脱しない範囲で変更を加え得ることが分かるであろう。従って本発明は、開示した特定の実施形態に制限されるのではなく、添付の請求項に定義される本発明の技術思想内及び技術範囲内の変更を含むことを理解されたい。
【図面の簡単な説明】
【００２６】
【図１】本発明による光センサデバイスの拡大断面図。
【図２】本発明による光センサデバイスの拡大分解斜視図。
【図３】本発明による光センサデバイスの別の実施形態の拡大断面図。
【図４Ａ】図１，２のセンサデバイスの形成工程を示す拡大断面図。
【図４Ｂ】図１，２のセンサデバイスの形成工程を示す拡大断面図。
【図４Ｃ】図１，２のセンサデバイスの形成工程を示す拡大断面図。
【図４Ｄ】図１，２のセンサデバイスの形成工程を示す拡大断面図。
【図４Ｅ】図１，２のセンサデバイスの形成工程を示す拡大断面図。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４Ａ】
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【図４Ｂ】
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【図４Ｃ】
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【図４Ｄ】
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【図４Ｅ】
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