(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
チップ抵抗器の製造方法であって、
チップ抵抗器における絶縁基板の素体となる基板素体で、絶縁基板の複数個分の大きさを少なくとも有する基板素体の上面に抵抗体を形成する抵抗体形成工程で、基板素体における上面の領域でチップ抵抗器の絶縁基板の上面の領域となる全ての領域に抵抗体ペーストを塗布した後に乾燥する抵抗体ペースト塗布・乾燥工程と、抵抗体ペーストにおける領域で、隣り合うチップ抵抗器間の境界位置を跨ぐ格子状の領域をＵＶレーザーにより除去することにより各チップ抵抗器ごとの抵抗体ペーストとする抵抗体ペースト除去工程と、抵抗体ペースト除去工程により形成された抵抗体ペーストを焼成する抵抗体ペースト焼成工程と、を有する抵抗体形成工程と、
抵抗体形成工程の後に行う上面電極形成工程で、基板素体と抵抗体の上面の領域で、抵抗体において上面電極が接続される両側を結ぶ方向である電極間方向には、電極間方向に隣り合うチップ抵抗器間の境界位置で電極間方向と直角方向をなす境界位置を跨ぐとともに該電極間方向に隣り合うチップ抵抗器の各抵抗体に接続し、電極間方向と直角方向には、複数のチップ抵抗器分となる領域に、電極間方向と直角方向に帯状に上面電極ペーストを塗布した後に乾燥する上面電極ペースト塗布・乾燥工程と、上面電極ペーストにおける電極間方向と直角方向に隣り合うチップ抵抗器間の境界位置で電極間方向をなす境界位置を跨ぐ領域をＵＶレーザーにより除去する上面電極ペースト除去工程と、上面電極ペースト除去工程により形成された上面電極ペーストを焼成する上面電極ペースト焼成工程と、を有する上面電極形成工程と、
を有することを特徴とするチップ抵抗器の製造方法。
【請求項２】
抵抗体にトリミング溝を形成して抵抗値を調整する抵抗値調整工程が上面電極形成工程よりも後に設けられ、抵抗体形成工程の後で上面電極形成工程の前、又は、上面電極形成工程の後で抵抗値調整工程の前に、基板素体の上面にレーザースクライブにより一次スリットを形成する一次スリット形成工程を有することを特徴とする請求項１に記載のチップ抵抗器の製造方法。
【請求項３】
上面電極形成工程の後で抵抗値調整工程の前に行なう二次スリット形成工程で、基板素体の上面にレーザースクライブにより二次スリットを形成する二次スリット形成工程を有することを特徴とする請求項２に記載のチップ抵抗器の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、チップ抵抗器の製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来、チップ抵抗器の製造に際して、抵抗体を形成する場合には、チップ抵抗器ごとに個々にスクリーン印刷により抵抗体ペーストを印刷、乾燥し、その後焼成して厚膜形成する方法が一般的である。また、上面電極の形成に際しても、隣接するチップ抵抗器の上面電極とともにスクリーン印刷により上面電極ペーストを個別に印刷、乾燥し、その後焼成して厚膜形成する方法が一般的である。
【０００３】
また、出願人は、特許文献１に示すように、抵抗体を形成する際に、複数のチップ抵抗器分の抵抗体を帯状に形成し、また、上面電極を形成する際に、複数のチップ抵抗器分の上面電極を抵抗体とは直角の方向に帯状に形成する方法を開示している。
【０００４】
また、出願人は、さらに、先行技術文献として特許文献２に示す文献を知得している。
【特許文献１】特開２００５−２７６９１６号公報
【特許文献２】特開平１１−１１１５１３号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかし、上記のチップ抵抗器の製造方法における一般的な方法においては、抵抗体や上面電極を個別に形成することから抵抗体ペーストや上面電極ペーストを所望の形状（例えば、矩形状）や大きさに印刷することが困難であり、特に、チップ抵抗器が小型化している近時の状況にあっては、より困難となっている。
【０００６】
特許文献１の方法によれば、抵抗体や上面電極を帯状に形成するので、抵抗体や上面電極を矩形状に近い形状に形成することができるが、それでも、帯状形状の長手方向の辺部に沿って凹凸が形成されてしまい、所望の形状に正確に形成することができない。特に、抵抗体が電極間方向とは直角の方向に広がってしまい、二次スリットに及んでしまうと、隣接する抵抗体と接続してしまい、トリミング等において支障となる。
【０００７】
この点に関して、特許文献２には、抵抗体膜や導体膜（上面電極）の境界部分をダイシングディスクを用いてダイシング処理する方法が開示されているが、この方法では、抵抗体膜や導体膜を物理的に削ることにより除去するので、特に小型チップ抵抗器の場合には、絶縁基板の厚みが薄いために絶縁基板にクラックが発生するおそれがあり、また、抵抗体や上面電極にもクラックが発生するおそれがあり、不良品が発生するおそれがある。
【０００８】
そこで、本発明は、チップ抵抗器が小型化する場合でも、抵抗体や上面電極を所望の形状や大きさに形成することができ、また、チップ抵抗器の製造に際して絶縁基板にクラックが入る等して不良品が発生することがないチップ抵抗器の製造方法を提供することを目的とするものである。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明は上記問題点を解決するために創作されたものであって、第１には、チップ抵抗器の製造方法であって、チップ抵抗器における絶縁基板の素体となる基板素体で、絶縁基板の複数個分の大きさを少なくとも有する基板素体の上面に抵抗体を形成する抵抗体形成工程で、基板素体における上面の領域でチップ抵抗器の絶縁基板の上面の領域となる全ての領域に抵抗体ペーストを塗布した後に乾燥する抵抗体ペースト塗布・乾燥工程と、抵抗体ペーストにおける領域で、隣り合うチップ抵抗器間の境界位置を跨ぐ格子状の領域をＵＶレーザーにより除去することにより各チップ抵抗器ごとの抵抗体ペーストとする抵抗体ペースト除去工程と、抵抗体ペースト除去工程により形成された抵抗体ペーストを焼成する抵抗体ペースト焼成工程と、を有する抵抗体形成工程と、抵抗体形成工程の後に行う上面電極形成工程で、基板素体と抵抗体の上面の領域で、抵抗体において上面電極が接続される両側を結ぶ方向である電極間方向には、電極間方向に隣り合うチップ抵抗器間の境界位置で電極間方向と直角方向をなす境界位置を跨ぐとともに該電極間方向に隣り合うチップ抵抗器の各抵抗体に接続し、電極間方向と直角方向には、複数のチップ抵抗器分となる領域に、電極間方向と直角方向に帯状に上面電極ペーストを塗布した後に乾燥する上面電極ペースト塗布・乾燥工程と、上面電極ペーストにおける電極間方向と直角方向に隣り合うチップ抵抗器間の境界位置で電極間方向をなす境界位置を跨ぐ領域をＵＶレーザーにより除去する上面電極ペースト除去工程と、上面電極ペースト除去工程により形成された上面電極ペーストを焼成する上面電極ペースト焼成工程と、を有する上面電極形成工程と、を有することを特徴とする。
【００１０】
この第１の構成のチップ抵抗器の製造方法においては、抵抗体の形成に際しては、抵抗体ペーストを塗布、乾燥後に抵抗体ペーストの一部をＵＶレーザーにより除去し、その後、抵抗体ペーストを焼成するので、抵抗体を所望の形状や大きさに形成することができる。また、上面電極の形成に際しては、上面電極ペーストを塗布、乾燥後に上面電極ペーストの一部をＵＶレーザーにより除去し、その後、上面電極ペーストを焼成するので、上面電極を所望の形状や大きさに形成することができる。また、抵抗体ペーストや上面電極ペーストの除去に際して、ＵＶレーザーを用いるので、絶縁基板にクラックが入る等の不都合がない。さらに、抵抗体ペーストや上面電極ペーストの焼成前にＵＶレーザーにより除去するので、除去が容易となる。また、チップ抵抗器の絶縁基板の上面の領域となる全ての領域に抵抗体ペーストを塗布し、その後、格子状の領域を除去するので、抵抗体の全ての領域について厚みを確保できるので、抵抗体の耐サージ特性を良好とすることができる。
【００１４】
また、第２には、上記第１の構成において、抵抗体にトリミング溝を形成して抵抗値を調整する抵抗値調整工程が上面電極形成工程よりも後に設けられ、抵抗体形成工程の後で上面電極形成工程の前、又は、上面電極形成工程の後で抵抗値調整工程の前に、基板素体の上面にレーザースクライブにより一次スリットを形成する一次スリット形成工程を有することを特徴とする。よって、抵抗体ペーストを全面塗布しても、一次スリットの中に抵抗体ペーストが入り込まず、一次スリットの中に抵抗体ペーストが残存しないので、トリミングを良好に行うことができる。
【００１８】
また、第３には、上記第２の構成において、上面電極形成工程の後で抵抗値調整工程の前に行なう二次スリット形成工程で、基板素体の上面にレーザースクライブにより二次スリットを形成する二次スリット形成工程を有することを特徴とする。よって、抵抗体ペーストや上面電極ペーストが二次スリット内に残存するおそれがなく、メッキを形成する際に、二次スリット内の抵抗体の素材や上面電極の素材にメッキが形成されるおそれがなく、チップ抵抗器の電気的特性に悪影響を及ぼすおそれがない。
【００２０】
また、第４の構成として以下の構成としてもよい。すなわち、「上記第１から第３までのいずれかの構成において、抵抗体形成工程及び上面電極形成工程の後に行う抵抗値調整工程で、抵抗体にトリミング溝を形成して抵抗値を調整する抵抗値調整工程と、抵抗値調整工程の後に行う保護膜形成工程で、抵抗体を保護するための保護膜を形成する保護膜形成工程と、基板素体を一次分割して複数の短冊状基板を形成する一次分割工程と、短冊状基板に対して側面電極を形成する側面電極形成工程と、短冊状基板を二次分割して個々のチップ片を形成する二次分割工程と、チップ片にメッキを行なうメッキ工程と、を有することを特徴とする。」とする。
【００２３】
また、第５の構成として以下の構成としてもよい。すなわち、「チップ抵抗器の製造方法であって、チップ抵抗器における絶縁基板の素体となる基板素体で、絶縁基板の複数個分の大きさを少なくとも有する基板素体における上面の領域でチップ抵抗器の絶縁基板の上面の領域となる全ての領域に抵抗体ペーストを塗布した後に乾燥する抵抗体ペースト塗布・乾燥工程と、抵抗体ペーストの一部をＵＶレーザーにより除去して、焼成前の形状とする抵抗体ペースト除去工程と、抵抗体ペースト除去工程により一部が除去された抵抗体ペーストを焼成する抵抗体ペースト焼成工程と、を有する抵抗体形成工程と、抵抗体形成工程の後に行う上面電極形成工程で、基板素体と抵抗体の上面に上面電極ペーストを抵抗体を電極間に形成する方向である抵抗体形成方向とは直角の方向である上面電極形成方向に帯状に塗布し、上面電極形成方向にチップ抵抗器複数個分を有し、かつ、抵抗体形成方向には隣接する２つの上面電極の形成領域を有する上面電極ペーストを形成した後に乾燥する上面電極ペースト塗布・乾燥工程と、上面電極ペーストにおける抵抗体に積層していない領域の一部をＵＶレーザーにより除去して、帯状の上面電極ペーストを各抵抗体ごとに独立した上面電極ペーストとする上面電極ペースト除去工程と、除去工程により一部が除去された上面電極ペーストを焼成する上面電極ペースト焼成工程と、を有する上面電極形成工程と、抵抗体形成工程及び上面電極形成工程の後に行う抵抗値調整工程で、抵抗体にトリミング溝を形成して抵抗値を調整する抵抗値調整工程と、抵抗値調整工程の後に行う保護膜形成工程で、抵抗体を保護するための保護膜を形成する保護膜形成工程と、基板素体を一次分割して複数の短冊状基板を形成する一次分割工程と、短冊状基板に対して側面電極を形成する側面電極形成工程と、短冊状基板を二次分割して個々のチップ片を形成する二次分割工程と、チップ片にメッキを行なうメッキ工程と、を有することを特徴とするチップ抵抗器の製造方法。」とする。
【００２４】
この第５の構成のチップ抵抗器の製造方法においては、抵抗体の形成に際しては、抵抗体ペーストを塗布、乾燥後に抵抗体ペーストの一部をＵＶレーザーにより除去し、その後、抵抗体ペーストを焼成するので、抵抗体を所望の形状や大きさに形成することができる。また、上面電極の形成に際しては、上面電極ペーストを塗布、乾燥後に上面電極ペーストの一部をＵＶレーザーにより除去し、その後、上面電極ペーストを焼成するので、上面電極を所望の形状や大きさに形成することができる。また、抵抗体ペーストや上面電極ペーストの除去に際して、ＵＶレーザーを用いるので、絶縁基板にクラックが入る等の不都合がない。さらに、抵抗体ペーストや上面電極ペーストの焼成前にＵＶレーザーにより除去するので、除去が容易となる。また、抵抗体ペーストを全面に塗布して、その後、ＵＶレーザーにより余分な領域を除去するので、耐サージ特性を良好とすることができる。つまり、抵抗体の厚みを全体に亘って均一にすることができ、よって、抵抗体の全ての領域について厚みを確保できるので、抵抗体の耐サージ特性を良好とすることができる。また、抵抗体の上面を従来に比べて平面状に形成することができるので、抵抗体の上側に形成される部材を良好に形成することが可能となる。
【００２６】
なお、上記各構成において、「塗布」とあるのは、「印刷等の塗布」としてもよく、「印刷」としてもよい。
【発明の効果】
【００２７】
本発明に基づくチップ抵抗器の製造方法によれば、チップ抵抗器が小型化する場合でも、抵抗体や上面電極を所望の形状や大きさに形成することができ、また、チップ抵抗器の製造に際して絶縁基板にクラックが入る等して不良品が発生するおそれを防止することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２８】
本発明においては、チップ抵抗器が小型化する場合でも、抵抗体や上面電極を所望の形状に形成することができ、また、チップ抵抗器の製造に際して絶縁基板にクラックが入る等して不良品が発生することがなく、さらに、抵抗体の耐サージ特性を良好にすることができるチップ抵抗器の製造方法を提供するという目的を以下のようにして実現した。
【実施例１】
【００２９】
すなわち、本発明に基づく実施例におけるチップ抵抗器Ａ１は、図１に示されるように、絶縁基板１０と、抵抗体（「抵抗体層」としてもよい）（機能素子）１２と、上面電極（「上面電極層」としてもよい）１４と、保護膜（「保護層」としてもよい）２０と、下面電極２２と、側面電極２４と、メッキ２６と、を有している。
【００３０】
ここで、チップ抵抗器Ａ１についてさらに詳しく説明すると、上記絶縁基板１０は、含有率９６％程度のアルミナにて形成された絶縁体である。この絶縁基板１０は、直方体形状を呈しており、平面視すると、略長方形形状を呈している。この絶縁基板１０は、上記チップ抵抗器Ａ１の基礎部材、すなわち、基体として用いられている。
【００３１】
なお、この絶縁基板１０にはレーザースクライブによりスリットが形成されるので、レーザースクライブして形成したスリットを分割することにより形成された切欠部が絶縁基板１０の角部に形成されていることになる。すなわち、本発明においては、絶縁基板の上面側には、一次スリットと二次スリットとを形成し、下面側には、二次スリットのみを形成することから、図１に示す断面図においては、絶縁基板１０の上面側の角部に切欠部が形成されていることになる。また、二次スリットは、上面側も下面側も形成されるので、図３におけるＹ１側の側面とＹ２側の側面においては、上面側と下面側に切欠部が形成されている。なお、絶縁基板の上面側においては、一次スリットの深さは、二次スリットの深さよりも深く形成するので、絶縁基板１０の上面側の切欠部も一次スリット側の方が深くなっている。
【００３２】
また、抵抗体１２は、図１に示すように、上記絶縁基板１０上面に設けられている。つまり、抵抗体１２は、長手方向（電極間方向、通電方向としてもよい））（Ｘ１−Ｘ２方向（図１参照））に帯状（長方形状としてもよい）に形成され、具体的には、絶縁基板１０のＸ１側の端部からＸ２側の端部にまで帯状に形成されている。この抵抗体１２は、具体的には、酸化ルテニウム系厚膜（例えば、酸化ルテニウム系メタルグレーズ厚膜）である。この抵抗体１２は、上記チップ抵抗器Ａ１として電気的特性を担う機能素子である。
【００３３】
また、上面電極１４は、図１に示すように、主に、上記抵抗体１２の上面の長手方向（Ｘ１−Ｘ２方向（図１参照））の両端部領域に一対形成されている。つまり、上面電極１４は、抵抗体１２の上面のＸ１側の端部から所定の長さに形成されているとともに、上面電極１４は、抵抗体１２の上面のＸ２側の端部から所定長さに形成されている。この上面電極１４は、具体的には、銀系厚膜（銀パラジウム系メタルグレーズ厚膜）により形成されている。また、上面電極１４のＹ１−Ｙ２方向（このＹ１−Ｙ２方向は、Ｘ１−Ｘ２方向及びＺ１−Ｚ２方向に直角な方向である。また、Ｚ１−Ｚ２方向は、Ｘ１−Ｘ２方向及びＹ１−Ｙ２方向に直角な方向である。）の幅は、抵抗体１２のＹ１−Ｙ２方向の幅よりも若干大きく形成されていて、絶縁基板１０のＹ１−Ｙ２方向の幅よりも小さく形成されている。これにより、上面電極１４は基本的には抵抗体１２の上面に積層して形成されているが、上面電極１４の一部（すなわち、幅方向（Ｙ１−Ｙ２方向）の両側）は絶縁基板１０の上面に積層している。なお、この上面電極１４のＹ１−Ｙ２方向の幅を抵抗体１２のＹ１−Ｙ２方向の幅と同一としてもよい。
【００３４】
また、保護膜２０は、図１に示すように、主に、抵抗体１２と上面電極１４の一部の上面を被覆するように配設されている。すなわち、この保護膜２０の配設位置をさらに詳しく説明すると、図２に示すように、Ｙ１−Ｙ２方向には、該絶縁基板１０の幅と略同一（同一としてもよい）に形成され、さらに、Ｘ１−Ｘ２方向には、抵抗体１２の露出部分と、両端に形成されている上記一対の上面電極１４の一部を被覆するように設けられている。つまり、保護膜２０は、図２のハッチング（つまり、左上から右下方向へのハッチング）に示す領域に設けられている。この保護膜２０は、樹脂（エポキシ、フェノール、シリコン等）により形成されている。なお、ほう珪酸鉛ガラスにより形成してもよい。
【００３５】
また、下面電極２２は、図１に示すように、上記絶縁基板１０の下面の長手方向（Ｘ１−Ｘ２方向（図１参照））の両端部領域に一対形成されている。つまり、下面電極２２は、絶縁基板１０の下面のＸ１側の端部から所定の長さに形成されているとともに、下面電極２２は、絶縁基板１０の下面のＸ２側の端部から所定の長さに形成されている。なお、下面電極２２のＹ１−Ｙ２方向の幅は、絶縁基板１０のＹ１−Ｙ２方向の幅と略同一（同一としてもよい）に形成されている。すなわち、下面電極２２は、図３のハッチング（つまり、左上から右下方向へのハッチング）に示す領域に設けられている。この下面電極２２は、金系薄膜により形成されている。なお、下面電極２２を銀系厚膜（例えば、銀系メタルグレーズ厚膜）により形成してもよい。
【００３６】
また、側面電極２４は、上面電極１４の一部と、下面電極２２の一部と、絶縁基板１０の側面や下面の一部を被覆するように断面略コ字状に層状に形成されている。この側面電極２４は、Ｘ１側の端部とＸ２側の端部にそれぞれ設けられている。この側面電極２４は、薄膜により形成されている。この側面電極２４の上面部分は、図２のハッチング（つまり、右上から左下方向へのハッチング）に示す領域に設けられており、また、側面電極２４の下面部分は、図３のハッチング（つまり、右上から左下方向へのハッチング）に示す領域に設けられている。なお、この側面電極２４は、具体的には、金属薄膜により形成されている。
【００３７】
また、メッキ２６は、ニッケルメッキ２８と、錫メッキ３０とから構成されていて、Ｘ１側の端部とＸ２側の端部にそれぞれ設けられている。ニッケルメッキ２８は、保護層２０の一部と、上面電極１４の一部と、側面電極２４と、下面電極２２の一部とを被覆するように形成されている。つまり、上面電極１４と側面電極２４と下面電極２２の露出部分を被覆するように形成されている。このニッケルメッキ２８は、電気メッキにより略均一の膜厚で配設されている。このニッケルメッキ２８は、ニッケルにて形成されており、上面電極１４等の内部電極のはんだ食われを防止するために形成されている。このニッケルメッキ２８は、ニッケル以外にも銅メッキが用いられる場合もある。
【００３８】
また、錫メッキ３０は、ニッケルメッキ２８の上面を被覆するように略均一の膜厚で配設されている。この錫メッキ３０は、上記チップ抵抗器Ａ１の配線基板へのはんだ付けを良好に行うために形成されている。なお、この錫メッキ３０は、錫メッキ以外に、はんだが用いられる場合もある。
【００３９】
なお、上記上面電極１４と、下面電極２２と、側面電極２４と、メッキ２６とで電極部４０が形成されるが、この電極部４０において絶縁基板１０の下面側に位置する部分が下面側電極部４２となる。
【００４０】
なお、上記の構成において、保護膜２０と抵抗体１２の間にカバーコートを設けるようにしてもよい。つまり、抵抗体１２の露出部分を被覆するようにカバーコートを設けてもよい。このカバーコートは、抵抗体へのトリミング時の熱衝撃を和らげてトリミング溝先端のマイクロクラックを防止するために形成され、ガラス、具体的には、ホウ珪酸鉛ガラス系厚膜により形成される。
【００４１】
なお、図２は、チップ抵抗器Ａ１を上面側から視認した場合の各部の配置を示す図であり、抵抗体１２、上面電極１４、保護膜２０、側面電極２４について平面視した際に、最外郭の輪郭を図示したものである。なお、実際には隠れて見えない部分を含めて、各部とも同様に表現している。同様に、図３は、チップ抵抗器Ａ１を下面側から視認した場合の各部の配置を示す図であり、下面電極２２、側面電極２４について平面視した際に、最外郭の輪郭を図示したものである。なお、実際には隠れて見えない部分を含めて、各部とも同様に表現している。
【００４２】
上記構成のチップ抵抗器Ａ１の製造方法について、図４〜図１０等を使用して説明する。まず、一次スリットや二次スリットが設けられていない無垢のアルミナ基板（このアルミナ基板は、複数のチップ抵抗器の絶縁基板の大きさを少なくとも有する大判のものである）（基板素体）５を用意し、このアルミナ基板５の下面（裏面、底面としてもよい）に下面電極Ｇ２２を形成する（図４のＳ１１、図５のＷ１参照、下面電極形成工程）。つまり、下面電極用の金レジネートペーストを印刷し、乾燥・焼成（８４０〜８６０℃（好適には８５０℃）による焼成）する。なお、図５に示すように、この下面電極の形成に際しては、隣接するチップ抵抗器について同時に下面電極Ｇ２２を形成する。つまり、Ｘ方向（このＸ方向は二次スリットの方向である）に隣接する２つのチップ抵抗器に対応するアルミナ基板の領域について、境界位置（つまり、一次スリット）となる位置を跨ぐように１つの印刷領域で下面電極を形成する。さらには、Ｙ方向（このＹ方向は一次スリットの方向であり、Ｘ方向とは直角の方向である）には、帯状に連続して下面電極を形成する。つまり、Ｙ方向には複数のチップ抵抗器分まとめて一連の帯状に下面電極を形成し、さらに、Ｘ方向に隣接する２つの下面電極については、その２つの下面電極をまとめて形成する。この下面電極Ｇ２２は、複数分の下面電極２２であるといえる。なお、図５のＷ１は、アルミナ基板を下面側から見た状態を示す図である。
【００４３】
次に、アルミナ基板５の下面にレーザースクライブによって二次スリットを形成する（図４のＳ１２、図５のＷ２参照、下面側スリット形成工程）。つまり、複数の二次スリットをＸ方向に溝状に形成する。この場合、アルミナ基板５の下面に溝状のスリットを形成するので、二次スリットを形成する際には、当然下面電極Ｇ２２も切断されることになる。なお、このステップＳ１２においては、二次スリットのみ形成し、一次スリットは形成しない。なお、アルミナ基板５の下面に形成する二次スリットは通常の深さとする。なお、図５のＷ２における二点鎖線は、アルミナ基板５の表側の面に形成される一次スリットＪ１に対応する位置を仮想的に示すものである。
【００４４】
次に、アルミナ基板５の表側の面（すなわち、上面）にレーザースクライブによって一次スリットＪ１を形成する（図４のＳ１３、図６のＷ３参照、上面側一次スリット形成工程）。つまり、複数の一次スリットＪ１をＹ方向に溝状に形成する。この一次スリットＪ１は、当然、複数のチップ抵抗器に分割した際にＸ方向に隣接するチップ抵抗器との境界位置に形成する。なお、このアルミナ基板５の表側に形成する一次スリットＪ１の深さについては、通常の深さよりも深く形成し、後に形成される二次スリットＪ２よりも深く形成する。つまり、アルミナ基板５の下面には、一次スリットを形成しないため、一次スリットに沿ってアルミナ基板５を分割しやすくするため、二次スリットＪ２よりも一次スリットＪ１を深く形成する。
【００４５】
次に、該アルミナ基板の表側の面（すなわち、上面）に抵抗体を形成するが、そのためにまず、アルミナ基板の上面に抵抗体ペーストを印刷して乾燥させる（図４のＳ１４、図６のＷ４参照、抵抗体ペースト塗布・乾燥工程）。つまり、アルミナ基板においてＸ方向（上面電極間方向）に抵抗体ペーストＧ１２’’を帯状に連続して印刷して形成する。つまり、アルミナ基板において、最終的に個々のチップ抵抗器となった場合のＸ方向に連なる一連の絶縁基板１０の領域（これを「集合領域」とする。この集合領域は、基板素体における個々のチップ抵抗器形成領域が直線状に複数連なる領域であるともいえる）において、該集合領域の一方の端部から他方の端部にまで１本の帯状に抵抗体ペーストＧ１２’’を印刷する。つまり、Ｘ方向に複数のチップ抵抗器分まとめて一連の帯状に抵抗体ペーストを印刷する。また、Ｙ方向には、抵抗体ペーストは、絶縁基板１０のＹ方向の幅よりも小さい幅に印刷する。この場合の抵抗体ペーストは、酸化ルテニウム系ペースト（例えば、酸化ルテニウム系メタルグレーズペースト）であり、これにより、抵抗体を厚膜に形成する。抵抗体ペーストの印刷に際しては、例えば、スクリーン印刷により形成する。
【００４６】
印刷された抵抗体ペーストの長辺（すなわち、帯状の長手方向に沿った両側の辺部）に沿った端部は、実際には、図６のＷ４に示すように、平面視において直線的ではなく凹凸が形成された状態となる。また、後述するように、形成された抵抗体ペーストの端部は、ＵＶレーザーにより除去されるので、なるべく抵抗体の厚み（すなわち、Ｙ方向の厚み）を均一にするために、抵抗体の形成幅（Ｙ方向の幅）よりも広く抵抗体ペーストを形成するのが好ましい。すなわち、抵抗体の形成領域を含む該形成領域よりもＹ方向に広い領域に抵抗体ペーストを印刷しておくことにより、ＵＶレーザーで端部を除去した際には、抵抗体ペーストの長辺に沿った端部の厚みを確保することができる。
【００４７】
次に、抵抗体ペーストの一部をＵＶレーザーで除去する（図４のＳ１５、図６のＷ５参照、抵抗体ペースト除去工程）。すなわち、抵抗体ペーストの長辺（すなわち、帯状の長手方向に沿った両側の辺部）に沿って抵抗体ペーストＧ１２’’の一部を削除して、抵抗体ペーストの長辺がＸ方向に直線状になるようにし、抵抗体ペーストの形状、大きさを所望の形状、大きさとする。ＵＶレーザーの照射に当たっては、ＵＶレーザーをＸ方向に抵抗体ペーストの長辺に沿って照射していき、抵抗体ペーストをＵＶレーザーにより加熱蒸発させて抵抗体ペーストの余分な部分を除去する。このようにして、余分な領域が除去された抵抗体ペーストＧ１２’を形成する。なお、このＵＶレーザーによる除去に際しては、抵抗体ペーストは焼成前であるので、容易に除去することが可能となる。
【００４８】
次に、抵抗体ペーストを焼成する（図４のＳ１６、図７のＷ６参照、抵抗体ペースト焼成工程）。その場合の焼成温度は、８４０〜８６０℃（好適には８５０℃）とする。このようにして、Ｘ方向に帯状につながった状態の抵抗体Ｇ１２を形成する。
【００４９】
なお、図６〜図９においては、抵抗体ペーストＧ１２’’、Ｇ１２’、抵抗体Ｇ１２、上面電極ペーストＧ１４’’、Ｇ１４’、上面電極Ｇ１４、保護膜Ｇ２０については見やすくするためにハッチングを付して示してある。また、図６〜図８は、アルミナ基板を上面側から見た状態を示す図である。
【００５０】
次に、上面電極を形成するが、そのためにまず、上面電極ペーストを印刷して乾燥させる（図４のＳ１７、図７のＷ７参照、上面電極ペースト塗布・乾燥工程）。つまり、抵抗体Ｇ１２の形成方向とは直角の方向（つまり、Ｙ方向。このＹ方向が上面電極形成方向となる）に帯状に上面電極ペーストＧ１４’’を印刷する。この上面電極ペーストＧ１４’’は、複数の上面電極１４分の大きさであり、隣接するチップ抵抗器について同時に上面電極ペーストを印刷する。つまり、最終的にチップ抵抗器になった場合にＸ方向に隣接する２つのチップ抵抗器に対応するアルミナ基板５の領域について、境界位置（つまり、一次スリット）を跨ぐように１つの印刷領域で上面電極ペーストを印刷する。さらには、Ｙ方向には、帯状に連続して上面電極ペーストを印刷する。つまり、Ｙ方向には複数のチップ抵抗器分まとめて一連の帯状に上面電極ペーストを形成し、さらに、Ｘ方向に隣接する２つの上面電極については、その２つの上面電極をまとめて印刷する。この場合の上面電極ペーストは、銀系ペースト（例えば、銀系メタルグレーズペースト）であり、これにより、上面電極を厚膜に形成する。上面電極ペーストの印刷に際しては、例えば、スクリーン印刷により形成する。
【００５１】
なお、印刷された上面電極ペーストの長辺（すなわち、帯状の長手方向に沿った両側の辺部）に沿った端部は、実際には、上記抵抗体ペーストの場合と同様に、平面視において直線的ではなく凹凸が形成された状態となるが、図７のＷ６においては省略して示している。また、上面電極ペーストの長辺に沿った端部をＵＶレーザーで除去しようとすると、抵抗体の上面にもＵＶレーザーを照射しなけれならず、この上面電極の場合には、上面電極ペーストの長辺に沿った端部における抵抗体の上面に積層した部分は、ＵＶレーザーを照射しないのが好ましいので、上面電極ペーストは、平面視において所望の形状、大きさに形成しておくのが好ましい。
【００５２】
次に、上面電極ペーストの一部をＵＶレーザーで除去する（図４のＳ１８、図７のＷ８参照、上面電極ペースト除去工程）。すなわち、上面電極ペーストにおける抵抗体Ｇ１２に積層していない領域の一部の領域で、後に形成される二次スリットを跨ぐ領域を矩形状に除去して、各上面電極ペーストＧ１４’ごとに分割された構成とする。つまり、各抵抗体Ｇ１２ごとに独立した上面電極ペーストＧ１４’を形成する。これにより、上面電極ペーストＧ１４’は、チップ抵抗器Ａ１における上面電極１４の２つ分の領域を有し、Ｙ方向には、抵抗体Ｇ１２の幅よりも若干大きく形成する。
【００５３】
なお、この上面電極ペーストＧ１４’における抵抗体Ｇ１２に接した両側の辺部については、抵抗体Ｇ１２に積層していない部分はＵＶレーザーにより余分な部分を除去してもよいが、抵抗体Ｇ１２に積層した部分は、抵抗体Ｇ１２にＵＶレーザーを照射することになるので、ＵＶレーザーによる余分な領域の除去を行わない方が好ましい。なお、抵抗体Ｇ１２の電気的特性に影響を与えない場合（例えば、ＵＶレーザーのパワーを上面電極ペーストは除去するが、抵抗体Ｇ１２には影響を与えない値とする）には、上面電極ペーストＧ１４における抵抗体Ｇ１２に接した両側の辺部について、抵抗体Ｇ１２に積層した部分も含めて、余分な領域を除去するようにしてもよい。
【００５４】
次に、上面電極ペーストを焼成する（図４のＳ１９、図８のＷ９参照、上面電極ペースト焼成工程）。その場合の焼成温度は、８４０〜８６０℃（好適には８５０℃）とする。このようにして、上面電極Ｇ１４を形成する。
【００５５】
次に、アルミナ基板５の表側の面（すなわち、上面）にレーザースクライブによって二次スリットＪ２を形成する（図４のＳ２０、図８のＷ１０参照、上面側二次スリット形成工程）。つまり、複数の二次スリットＪ２をＸ方向に溝状に形成する。この二次スリットＪ２は、当然、複数のチップ抵抗器に分割した際にＹ方向に隣接するチップ抵抗器との境界位置に形成し、アルミナ基板５の下面に形成された二次スリットＪ２に対応する位置に形成されることになる。また、アルミナ基板５の上面に形成する二次スリットＪ２の深さは、一次スリットＪ１の深さよりも浅くする。
【００５６】
なお、このステップＳ２０においては、抵抗体Ｇ１２の形成後に二次スリットＪ２を形成するので、アルミナ基板５の上面の二次スリットＪ２に抵抗体の素材が残存するのを防止することができる。また、上面電極Ｇ１４の形成後に二次スリットＪ２を形成するので、アルミナ基板５の上面の二次スリットＪ２に上面電極の素材が残存するのを防止することができる。つまり、二次スリットＪ２の形成後に抵抗体Ｇ１２及び／又は上面電極Ｇ１４を形成すると、抵抗体ペースト及び／又は上面電極ペーストが二次スリットＪ２内に進入し二次スリットＪ２内に残存する可能性があり、そうすると、メッキ形成の際にこの抵抗体の素材や上面電極の素材にメッキが形成されてしまい、チップ抵抗器Ａ１の電気的特性に悪影響を及ぼす可能性があるが、本実施例の場合には、そのようなおそれがない。
【００５７】
なお、二次スリットＪ２の形成工程は、抵抗体と上面電極の形成の後で二次分割（Ｓ２５）の前であればどの時期でもよい。
【００５８】
一方、二次スリットＪ２をステップＳ１３において形成して一次スリットＪ１と二次スリットＪ２とを同時に形成するようにし、ステップＳ１５において、ＵＶレーザーを二次スリットＪ２内にも照射して、二次スリットＪ２内に抵抗体ペーストが進入しても、除去するようにし、また、同様に、ステップＳ１８において、ＵＶレーザーを二次スリットＪ２内にも照射して、二次スリットＪ２内に上面電極ペーストが進入しても、除去するようにてもよい。なお、その際、上面電極ペーストの場合には、上面電極ペーストの一部を除去する際に、二次スリットに跨っている領域を除去するので、二次スリット内の上面電極ペーストも除去されることになる。
【００５９】
また、上記のように、二次スリットＪ２を抵抗体Ｇ１２と上面電極Ｇ１４の形成後に形成するものとし、一次スリットＪ１を二次スリットＪ２と同時に形成するようにしてもよい。
【００６０】
次に、抵抗体Ｇ１２をトリミングして抵抗値を調整する（図４のＳ２１、図９のＷ１１参照、抵抗値調整工程）。つまり、レーザートリミングにより抵抗体Ｇ１２にトリミング溝Ｔを形成する。
【００６１】
次に、抵抗体Ｇ１２の露出部分を覆うように保護膜Ｇ２０を形成する（図４のＳ２２、図９のＷ１２参照、保護膜形成工程）。つまり、Ｙ方向に帯状に樹脂ペーストを印刷し、乾燥・硬化（１９０〜２１０℃（好適には２００℃）による硬化）させる。つまり、Ｙ方向には複数のチップ抵抗器分まとめて一連の帯状に保護膜を形成する。なお、保護膜Ｇ２０は、Ｘ方向には、抵抗体Ｇ１２の露出部分の幅よりも若干大きくする。この保護膜Ｇ２０は、保護膜２０の複数分であるといえる。
【００６２】
なお、カバーコートを形成する場合には、保護膜Ｇ２０を形成する前にカバーコートを形成する。つまり、Ｙ方向に帯状にホウ珪酸鉛ガラス系のガラスペーストを印刷し、乾燥・焼成（５９０〜６１０℃（好適には６００℃）による焼成）する。つまり、Ｙ方向には複数のチップ抵抗器分まとめて一連の帯状にカバーコートを形成する。なお、Ｘ方向には、抵抗体Ｇ１２の露出部分の幅よりも若干大きくする。このように形成するカバーコートは、各チップ抵抗器におけるカバーコートの複数分であるといえる。
【００６３】
次に、一次スリットＪ１に沿って一次分割する（図４のＳ２３参照、一次分割工程）。この分割に際しては、例えば、下面側を基点として、アルミナ基板を折り曲げるようにして分割する。つまり、１つのチップ抵抗器分のアルミナ基板の部分を直線状に配列してなる短冊状基板を隣接する短冊状基板に対して折り曲げるように上面側から下方に折曲させて分割する。
【００６４】
その後、該短冊状基板に対して、側面電極を形成する（図４のＳ２４参照、側面電極形成工程）。つまり、スパッタ法により金属薄膜を形成する。なお、側面電極用ペーストを印刷し、乾燥・焼成（焼成ではなく硬化としてもよい）し、厚膜に形成してもよい。
【００６５】
その後、二次スリットＪ２に沿って二次分割する（図４のＳ２５参照）。そして、メッキを形成してチップ抵抗器とする（図４のＳ２６参照）。
【００６６】
なお、側面電極の形成に際して、スパッタ法により形成する場合には、具体的には以下のような方法を用いる。すなわち、レジストを形成した後、露光、現像を行うことにより、フォトリソ法によりマスクを形成し、スパッタ法により金属薄膜を形成する。
【００６７】
ここで、ポジタイプのレジストを用いる場合を図１０等を使用して説明すると、ステップＳ２２において保護膜Ｇ２０を形成したら、アルミナ基板５の表側の全面にポジタイプのレジスト７０を塗布し、塗布したレジスト７０を乾燥させ、レジスト７０を硬化させる。その後、透明なガラス８２と薄膜８４とからなるフォトマスク８０により露光を行う。この薄膜８４は、Ｙ方向（つまり、Ｘ方向とＺ方向に直角な方向）に帯状（具体的には、細長長方形状）に複数平行に設けられ、各チップ抵抗器において側面電極を形成すべき領域以外の領域の上方に設けられる。図１０のＷ１３に示すように、フォトマスク８０を上記の位置に配置したら、露光を行う。露光を行ったら、次に、現像を行う。つまり、レジスト７０において露光により光が照射された部分を薬品で溶解して除去する。すると、図１０のＷ１４に示すように、フォトマスク８０の薄膜８４で被覆された領域以外の領域のレジストが除去される。
【００６８】
以上のように、ポジタイプのレジストを使用してフォトリソ法によりマスクを形成する。つまり、図１０のＷ１４に示すように、現像後に残ったレジスト７０によりマスクが形成される。
【００６９】
また、ネガタイプのレジストを用いる場合を図１１等を使用して説明すると、ステップＳ２２において保護膜Ｇ２０を形成したら、アルミナ基板５の表側の全面にネガタイプのレジスト５０を塗布し、塗布したレジストを乾燥した後に、露光を行う。つまり、透明なガラス６２と薄膜６４とからなるフォトマスク６０を使用して露光を行う。この薄膜６４は、Ｙ方向に帯状（具体的には、細長長方形状）に複数平行に設けられ、各チップ抵抗器において側面電極を形成すべき領域の上方に設けられる。図１１のＷ１５に示すように、フォトマスク６０を上記の位置に配置したら、露光を行う。露光を行うことにより、レジスト５０において光が照射された部分のみが硬化する。次に、現像を行う。つまり、レジスト５０において露光により光が照射されず未硬化の部分を薬品で溶解して除去する。すると、図１１のＷ１６に示すように、フォトマスク６０の薄膜６４で被覆された領域のレジストが除去される。
【００７０】
以上のように、ネガタイプのレジストを使用してフォトリソ法によりマスクを形成する。つまり、図１１のＷ１６に示すように、現像後に残ったレジスト５０によりマスクが形成される。
【００７１】
なお、上記では、アルミナ基板の表面の全面にレジストを塗布するとしたが、これに限らず、スクリーン印刷によりスリット形成領域を除いた領域に限定してレジスト（ポジタイプのレジスト又はネガタイプのレジスト）を塗布してもよい。これによれば、スリット内部にレジストが残ることがなく、側面電極形成不良のおそれがない。
【００７２】
上記のように、ポジタイプのレジスト又はネガタイプのレジストを用いてマスクを形成したら、一次スリットＪ１に沿って一次分割する（図４のＳ２３）。その後、一次分割した短冊状基板を積層して、スパッタ法により金属薄膜を形成する。この金属薄膜の形成は、側面電極の形成のために行われる。そして、メッキを形成する前（二次分割の前でも後でもよい）にレジストを薬品により剥離することにより、残った金属薄膜が側面電極となる。
【００７３】
上記のチップ抵抗器の製造方法によれば、抵抗体や上面電極の形成に際して、抵抗体ペーストや上面電極ペーストを印刷、乾燥した後に余分な領域をＵＶレーザーにより除去するので、抵抗体や上面電極を所望の形状や大きさに形成することができ、特に、抵抗体ペーストについて長辺に沿って余分な領域を除去するので、抵抗体ペーストが二次スリットにまで及ぶことがなく、トリミング等において支障となることがない。また、抵抗体ペーストや上面電極ペーストの除去に際して、ＵＶレーザーを用いるので、絶縁基板にクラックが入る等の不都合がない。さらに、抵抗体ペーストや上面電極ペーストの焼成前にＵＶレーザーにより除去するので、除去が容易となる。
【００７４】
また、抵抗体ペーストをステップＳ１４において帯状に形成して、その後、ステップＳ１５においてＵＶレーザーにより長辺に沿って除去するので、耐サージ特性を良好とすることができる。すなわち、図１２に示すように、抵抗体１２は、抵抗体Ｇ１２を長手方向に長く帯状に形成することにより形成するので、長手方向には図１９に示すような盛り上がりがなく、また、短手方向においては図１２に示すように盛り上がりがあるものの、ステップＳ１５においてＵＶレーザーにより長辺に沿って余分な領域を除去するので、抵抗体１２の厚みを短手方向にも一定以上の厚みを確保できることから、全体に抵抗体の厚みを確保でき、よって、抵抗体１２の耐サージ特性を良好とすることができる。
【００７５】
また、抵抗体１２の上面や上面電極１４の上面を従来に比べて平面状に形成することができるので、抵抗体１２や上面電極１４の上側に形成される部材を良好に形成することが可能となる。つまり、抵抗体や上面電極を従来のように個別に形成した場合には、抵抗体や上面電極の上面が平面状に形成されないので、抵抗体や上面電極の上側に形成される部材が良好に形成されず、例えば、保護膜の電極間方向の端部の辺部が直線状に形成されず、場合によっては、抵抗体を良好に被覆できないおそれもあるが、本実施例の場合には、上記のように長手方向には盛り上がりがなく、また、短手方向にもＵＶレーザーにより除去することにより盛り上がりを少なくできるので、抵抗体や上面電極の上面をより平面状に形成することが可能となる。
【００７６】
なお、上記の実施例１においては、抵抗体を形成する工程（Ｓ１４〜Ｓ１６）の後に上面電極を形成する工程（Ｓ１７〜Ｓ１９）を行なうものとしたが、上面電極を形成する工程（Ｓ１７〜Ｓ１９）を抵抗体を形成する工程（Ｓ１４〜Ｓ１６）の前に行うようにして、上面電極Ｇ１４の上面に抵抗体Ｇ１２が積層するようにしてもよい。このように製造すると、完成状態においては、上面電極１４の上面に抵抗体１２が積層することになる。この場合においては、上面電極ペーストは抵抗体の上に積層しないので、上面電極Ｇ１４を所望の形状、大きさに正確に形成することができ、また、抵抗体Ｇ１２についても、少なくとも上面電極Ｇ１４に積層しない領域の長辺に沿った余分な領域を除去できるので、抵抗体Ｇ１２についても十分所望の形状、大きさに形成することが可能となる。
【００７７】
なお、上記実施例１においては、抵抗体の形成に際して、抵抗体ペーストを複数のチップ抵抗器分まとめてＸ方向に帯状に印刷、乾燥し、その後、帯状の抵抗体ペーストの長辺に沿ってＵＶレーザーで余分な領域を除去するものとして説明したが、これには限られず、図１９に示す従来のように、各チップ抵抗器ごとに個別に抵抗体ペーストを印刷するようにしてもよい。その場合には、方形状の抵抗体ペーストの各辺に沿ってＵＶレーザーで余分な領域を除去して直線状に形成する。つまり、この場合には、結果として、図１５のＷ５に示す形状に抵抗体を形成することになる。
【００７８】
また、図６のＷ４に示すように、抵抗体ペーストを複数のチップ抵抗器分まとめてＸ方向に帯状に印刷、乾燥し、その後、ＵＶレーザーで余分な領域を除去して、図１５のＷ４に示す形状に形成してもよい。
【００７９】
また、上記実施例１においては、上面電極の形成に際して、上面電極を複数のチップ抵抗器分まとめてＹ方向に帯状に印刷、乾燥し、ＵＶレーザーにより余分な領域を除去するものとして説明したが、これに限られず、従来と同様に、Ｘ方向に隣接する２つの上面電極についてまとめて上面電極ペーストを印刷、乾燥し、その後、ＵＶレーザーにより余分な領域を除去するものとしてもよい。
【００８０】
なお、上記の説明においては、抵抗体ペーストや上面電極ペーストを印刷するものとして説明したが、印刷以外の塗布を行なうものとしてもよい。すなわち、本出願において、「塗布」の語は「印刷」を含む上位概念として使用している。
【実施例２】
【００８１】
次に、実施例２について説明する。実施例２におけるチップ抵抗器Ａ２は、上記実施例１のチップ抵抗器Ａ１と略同様の構成であるが、抵抗体が絶縁基板の端部にまで形成されていない点が異なる。
【００８２】
すなわち、チップ抵抗器Ａ２は、図１３に示すように構成され、抵抗体１２は、長方形状に形成されているが、Ｘ１−Ｘ２方向の端部は、絶縁基板１０の端部にまで形成されておらず、抵抗体１２の端部と絶縁基板１０の端部との間には、間隔αが設けられている。これにより、上面電極１４の絶縁基板１０の端部側の領域は、抵抗体１２には積層しておらず、絶縁基板１０の上面に接している。
【００８３】
上記以外の構成は、実施例１のチップ抵抗器Ａ１と同様であるので、詳しい説明を省略する。図２、図３に示す各部の配置についても、チップ抵抗器Ａ２にも当てはまるが、図２については、抵抗体１２の端部は絶縁基板１０の端部にまで形成されていない点が異なる。
【００８４】
上記構成のチップ抵抗器Ａ２の製造方法について、図１４〜図１７等を使用して説明する。
【００８５】
まず、一次スリットや二次スリットが設けられていない無垢のアルミナ基板（このアルミナ基板は、複数のチップ抵抗器の絶縁基板の大きさを少なくとも有する大判のものである）（基板素体）５を用意し、このアルミナ基板５の下面（裏面、底面としてもよい）に下面電極Ｇ２２を形成する（図１４のＳ３１、図５のＷ１参照、下面電極形成工程）。このステップＳ３１の工程は、実施例１におけるステップＳ１１と同様であるので、詳しい説明を省略する。
【００８６】
次に、アルミナ基板５の下面にレーザースクライブによって二次スリットを形成する（図１４のＳ３２、図５のＷ２参照、下面側スリット形成工程）。このステップＳ３２の工程は、実施例１におけるステップＳ１２と同様であるので、詳しい説明を省略する。なお、このステップＳ３２においても、二次スリットのみ形成し、一次スリットは形成しない。
【００８７】
次に、該アルミナ基板の表側の面（すなわち、上面）に抵抗体を形成するが、そのためにまず、アルミナ基板５の表側の面（すなわち、上面）の全面に抵抗体ペーストを印刷して乾燥させる（図１４のＳ３３、図１５のＷ３参照、抵抗体ペースト塗布・乾燥工程）。すなわち、アルミナ基板５の上面の全面に抵抗体ペーストＧ１２’を印刷する。なお、少なくとも、アルミナ基板５の上面におけるチップ抵抗器Ａ２の絶縁基板１０となる領域に全体に亘って印刷すればよく、チップ抵抗器Ａ２の絶縁基板１０とならない領域には特に印刷する必要はない。抵抗体ペーストは、上記実施例１と同様に、酸化ルテニウム系ペースト（例えば、酸化ルテニウム系メタルグレーズペースト）であり、これにより、抵抗体を厚膜に形成する。抵抗体ペーストの印刷に際しては、例えば、スクリーン印刷により形成する。なお、アルミナ基板５の上面の全面に抵抗体ペーストを印刷するものとしたが、アルミナ基板５の上面の全面に抵抗体ペーストを塗布（すなわち、印刷以外の塗布）するものとしてもよい。
【００８８】
次に、抵抗体ペーストの一部をＵＶレーザーで除去する（図１４のＳ３４、図１５のＷ４参照、抵抗体ペースト除去工程）。すなわち、抵抗体ペーストＧ１２’にＵＶレーザーを照射して、格子状に抵抗体ペーストを除去して、各チップ抵抗器ごとの抵抗体ペースト１２’を形成する。つまり、後に形成される一次スリットと二次スリットとを跨ぐ領域に帯状に抵抗体ペーストを除去して、格子状に抵抗体ペーストを除去する。この抵抗体ペースト１２’は、抵抗体１２の形状、大きさとと同じであり、焼成することにより抵抗体１２となるものである。
【００８９】
次に、抵抗体ペーストを焼成する（図１４のＳ３５、図１５のＷ５参照、抵抗体ペースト焼成工程）。その場合の焼成温度は、８４０〜８６０℃（好適には８５０℃）とする。このようにして、各チップ抵抗器ごとに個別の抵抗体１２が形成される。
【００９０】
なお、図１５〜図１７においては、抵抗体ペーストＧ１２’、１２’、抵抗体１２、上面電極ペーストＧ１４’’、Ｇ１４’、上面電極Ｇ１４については見やすくするためにハッチングを付して示してある。また、図１５〜図１７は、アルミナ基板を上面側から見た状態を示す図である。
【００９１】
次に、アルミナ基板５の表側の面（すなわち、上面）にレーザースクライブによって一次スリットＪ１を形成する（図１４のＳ３６、図１６のＷ６参照、上面側一次スリット形成工程）。つまり、複数の一次スリットＪ１をＹ方向に溝状に形成する。この一次スリットＪ１は、当然、複数のチップ抵抗器に分割した際にＸ方向に隣接するチップ抵抗器との境界位置に形成する。また、一次スリットＪ１は、Ｘ方向に隣接する抵抗体１２の間の位置にＹ方向に形成する。なお、このアルミナ基板５の表側に形成する一次スリットＪ１の深さについては、通常の深さよりも深く形成し、後に形成される二次スリットＪ２よりも深く形成する。つまり、アルミナ基板５の下面には、一次スリットを形成しないため、一次スリットに沿ってアルミナ基板５を分割しやすくするため、二次スリットＪ２よりも一次スリットＪ１を深く形成する。
【００９２】
なお、実施例２においては、上記のように、抵抗体１２を形成した後に、アルミナ基板５の上面に一次スリットＪ１を形成するが、これは、抵抗体ペーストを全面に塗布するため、抵抗体ペーストの塗布前に一次スリットＪ１を形成しておくと、一次スリットＪ１に抵抗体ペーストが残存する可能性があり、特に、Ｙ方向に隣接するチップ抵抗器との境界位置に抵抗体ペーストが残存すると、Ｙ方向に隣接する抵抗体と導通してしまい、トリミングを良好に行うことができないからである。
【００９３】
ただし、ＵＶレーザーにより一次スリットＪ１内の抵抗体ペーストを十分除去できる場合には、抵抗体１２を形成する前にアルミナ基板５の上面側に一次スリットＪ１を形成してもよい。
【００９４】
次に、上面電極を形成するが、そのためにまず、上面電極ペーストを印刷して乾燥させる（図１４のＳ３７、図１６のＷ７参照、上面電極ペースト塗布・乾燥工程）。つまり、抵抗体１２の形成方向（Ｘ方向）とは直角の方向（つまり、Ｙ方向。このＹ方向が上面電極形成方向となる）に帯状に上面電極ペーストＧ１４’’を印刷する。このステップＳ３７の工程は、実施例１におけるステップＳ１７と同様であるので、詳しい説明を省略する。なお、上面電極１４と抵抗体１２とが接続されるように、この上面電極ペーストＧ１４’’の一部が、抵抗体１２の上面に積層して形成されることになる。
【００９５】
次に、上面電極ペーストの一部をＵＶレーザーで除去する（図１４のＳ３８、図１６のＷ８参照、上面電極ペースト除去工程）。すなわち、上面電極ペーストにおける抵抗体１２に積層していない領域の一部の領域で、後に形成される二次スリットを跨ぐ領域を矩形状に除去して、各上面電極ペーストＧ１４’ごとに分割された構成とする。これにより、上面電極ペーストＧ１４’は、チップ抵抗器Ａ２における上面電極１４の２つ分の領域を有し、Ｙ方向には、抵抗体１２の幅よりも若干大きく形成する。
【００９６】
なお、この上面電極ペーストＧ１４’における抵抗体１２に接した両側の辺部については、抵抗体１２に積層していない部分はＵＶレーザーにより余分な部分を除去してもよいが、抵抗体１２に積層した部分は、抵抗体１２にＵＶレーザーを照射することになるので、ＵＶレーザーによる余分な領域の除去を行わない方が好ましい。なお、抵抗体１２の電気的特性に影響を与えない場合（例えば、ＵＶレーザーのパワーを上面電極ペーストは除去するが、抵抗体１２には影響を与えない値とする）には、上面電極ペーストＧ１４’における抵抗体１２に接した両側の辺部について、抵抗体１２に積層した部分も含めて、余分な領域を除去するようにしてもよい。
【００９７】
次に、上面電極ペーストを焼成する（図１４のＳ３９、図１７のＷ９参照、上面電極ペースト焼成工程）。その場合の焼成温度は、８４０〜８６０℃（好適には８５０℃）とする。このようにして、上面電極Ｇ１４を形成する。
【００９８】
次に、アルミナ基板５の表側の面（すなわち、上面）にレーザースクライブによって二次スリットＪ２を形成する（図１４のＳ４０、図１７のＷ１０参照、上面側二次スリット形成工程）。つまり、複数の二次スリットＪ２をＸ方向に溝状に形成する。この二次スリットＪ２は、当然、複数のチップ抵抗器に分割した際にＹ方向に隣接するチップ抵抗器との境界位置に形成し、アルミナ基板５の下面に形成された二次スリットＪ２に対応する位置に形成されることになる。また、アルミナ基板５の上面に形成する二次スリットＪ２の深さは、一次スリットＪ１の深さよりも浅くする。
【００９９】
なお、このステップＳ４０においては、抵抗体１２の形成後に二次スリットＪ２を形成するので、アルミナ基板５の上面の二次スリットＪ２に抵抗体の素材が残存するのを防止することができる。また、上面電極Ｇ１４の形成後に二次スリットＪ２を形成するので、アルミナ基板５の上面の二次スリットＪ２に上面電極の素材が残存するのを防止することができる。つまり、二次スリットＪ２の形成後に抵抗体１２及び／又は上面電極Ｇ１４を形成すると、抵抗体ペースト及び／又は上面電極ペーストが二次スリットＪ２内に進入し二次スリットＪ２内に残存する可能性があり、そうすると、メッキ形成の際にこの抵抗体の素材や上面電極の素材にメッキが形成されてしまい、チップ抵抗器Ａ２の電気的特性に悪影響を及ぼす可能性があるが、本実施例の場合には、そのようなおそれがない。
【０１００】
なお、二次スリットＪ２の形成工程は、抵抗体と上面電極の形成の後で二次分割（Ｓ４５）の前であればどの時期でもよい。
【０１０１】
一方、二次スリットＪ２をステップＳ３６において形成して一次スリットＪ１と二次スリットＪ２とを同時に形成するようにし、ステップＳ３４において、ＵＶレーザーを二次スリットＪ２内にも照射して、二次スリットＪ２内に抵抗体ペーストが進入しても、除去するようにし、また、同様に、ステップＳ３８において、ＵＶレーザーを二次スリットＪ２内にも照射して、二次スリットＪ２内に上面電極ペーストが進入しても、除去するようにしてもよい。なお、その際、上面電極ペーストの場合には、上面電極ペーストの一部を除去する際に、二次スリットに跨っている領域を除去するので、二次スリット内の上面電極ペーストも除去されることになる。
【０１０２】
また、上記のように、二次スリットＪ２を抵抗体１２と上面電極Ｇ１４の形成後に形成するものとし、一次スリットＪ１を二次スリットＪ２と同時に形成するようにしてもよい。
【０１０３】
次に、抵抗体１２をトリミングして抵抗値を調整する（図１４のＳ４１参照、抵抗値調整工程）。つまり、上記実施例１と同様に、レーザートリミングにより抵抗体１２にトリミング溝を形成する。
【０１０４】
次に、抵抗体１２の露出部分を覆うように保護膜を形成する（図１４のＳ４２参照、保護膜形成工程）。つまり、上記実施例１と同様に、Ｙ方向に帯状に樹脂ペーストを印刷し、乾燥・硬化（１９０〜２１０℃（好適には２００℃）による硬化）させる。つまり、Ｙ方向には複数のチップ抵抗器分まとめて一連の帯状に保護膜を形成する。なお、形成される保護膜は、Ｘ方向には、抵抗体の露出部分の幅よりも若干大きくする。形成される保護膜は、保護膜２０の複数分であるといえる。
【０１０５】
なお、カバーコートを形成する場合には、ステップＳ４２の前にカバーコートを形成する。カバーコート形成の工程は、上記実施例１と同様であるので詳しい説明を省略する。
【０１０６】
次に、一次スリットＪ１に沿って一次分割する（図１４のＳ４３参照、一次分割工程）。この一次分割の構成は、上記実施例１のステップＳ２３と同様であるので詳しい説明を省略する。
【０１０７】
その後、該短冊状基板に対して、側面電極を形成する（図１４のＳ４４参照、側面電極形成工程）。つまり、スパッタ法により金属薄膜を形成する。なお、側面電極用ペーストを印刷し、乾燥・焼成（焼成ではなく硬化としてもよい）し、厚膜に形成してもよい。
【０１０８】
その後、二次スリットＪ２に沿って二次分割する（図１４のＳ４５参照）。そして、メッキを形成してチップ抵抗器とする（図１４のＳ４６参照）。これらステップＳ４４〜Ｓ４６の工程は、実施例１におけるステップＳ２４〜Ｓ２６と同様である。
【０１０９】
なお、側面電極の形成に際して、スパッタ法により形成する場合の方法は、上記実施例１における場合と同様であるので詳しい説明を省略する。つまり、ポジタイプ又はネガタイプのレジストを使用してフォトリソ法によりマスクを形成した後に、スパッタ法により金属薄膜を形成し、その後、残ったレジストを除去する。
【０１１０】
上記のチップ抵抗器の製造方法によれば、抵抗体や上面電極の形成に際して、抵抗体ペーストや上面電極ペーストを印刷、乾燥した後に余分な領域をＵＶレーザーにより除去するので、抵抗体を所望の形状や大きさに形成することができる。また、上面電極についても、上面電極ペーストを印刷、乾燥した後に余分な領域をＵＶレーザーにより除去するので、上面電極を所望の形状や大きさに形成することができる。また、抵抗体ペーストや上面電極ペーストの除去に際して、ＵＶレーザーを用いるので、絶縁基板にクラックが入る等の不都合がない。さらに、抵抗体ペーストや上面電極ペーストの焼成前にＵＶレーザーにより除去するので、除去が容易となる。
【０１１１】
また、抵抗体ペーストをステップＳ３３において全面に塗布して、その後、ステップＳ３４においてＵＶレーザーにより余分な領域を除去するので、耐サージ特性を良好とすることができる。すなわち、図１８に示すように、アルミナ基板５の上面全面に抵抗体ペーストを塗布した後に、ＵＶレーザーによって余分な領域を除去して各抵抗体１２についての抵抗体ペースト１２’を形成するので、抵抗体の厚みを全体に亘って均一にすることができ、よって、抵抗体１２の全ての領域について厚みを確保できるので、抵抗体１２の耐サージ特性を良好とすることができる。
【０１１２】
また、抵抗体１２の上面や上面電極１４の上面を従来に比べて平面状に形成することができるので、抵抗体１２や上面電極１４の上側に形成される部材を良好に形成することが可能となる。特に、抵抗体１２については、アルミナ基板の上面の全面に抵抗体ペーストを塗布した後にＵＶレーザーにより余分な領域を除去して形成するので、抵抗体１２の上面を平面状に形成することができ、これにより、抵抗体１２の上側に形成される部材を良好に形成することが可能となる。
【０１１３】
なお、上記の実施例２においては、抵抗体を形成する工程（Ｓ３３〜Ｓ３５）の後に上面電極を形成する工程（Ｓ３７〜Ｓ３９）を行なうものとしたが、上面電極を形成する工程を抵抗体を形成する工程よりも前に行うものとし、上面電極の形成は、上面電極ペーストをアルミナ基板５の上面の全面に印刷（塗布としてもよい）、乾燥した後に、ＵＶレーザーにより余分な領域を除去して上面電極Ｇ１４’を形成し、その後、上面電極Ｇ１４’を焼成することにより上面電極Ｇ１４を形成し、その後、抵抗体ペーストを実施例１のように帯状に印刷、乾燥させ、その後に、抵抗体ペーストの長辺に沿った余分な領域をＵＶレーザーにより除去し、その後に、抵抗体ペーストを焼成して抵抗体を形成するようにしてもよい。この場合には、一次スリットと二次スリットの形成時期は、抵抗体を形成した後とするのが好ましい。
【０１１４】
なお、上記の実施例２においては、アルミナ基板５の上面の全面に抵抗体ペーストを印刷、乾燥し（図１５のＷ３）、その後、図１５のＷ４に示すように、各チップ抵抗器ごとに抵抗体ペーストを設けるものとして説明したが、アルミナ基板５の上面の全面に抵抗体ペーストを印刷、乾燥し（図１５のＷ３）、その後、ＵＶレーザーによって余分な領域を除去して図６のＷ５に示すように、抵抗体を帯状に形成するようにしてもよい。
【０１１５】
なお、上記の説明で用いた図１２、図１８は、説明の都合上、チップ抵抗器における絶縁基板１０と抵抗体１２のみを示すものであり、また、図１９も、説明の都合上、絶縁基板１１０と、抵抗体１１２と、上面電極１１４のみを示すものである。
【０１１６】
なお、上記の実施例２の説明においては、上面電極ペーストを印刷するものとして説明したが、印刷以外の塗布を行なうものとしてもよい。
【図面の簡単な説明】
【０１１７】
【図１】本発明の実施例１に基づくチップ抵抗器の構成を示す断面図である。
【図２】本発明の実施例１に基づくチップ抵抗器の要部の配置を概念的に示す説明図である。
【図３】本発明の実施例１に基づくチップ抵抗器の要部の配置を概念的に示す説明図である。
【図４】本発明の実施例１に基づくチップ抵抗器の製造工程を示すフローチャート図である。
【図５】本発明の実施例１に基づくチップ抵抗器の製造工程を示す説明図である。
【図６】本発明の実施例１に基づくチップ抵抗器の製造工程を示す説明図である。
【図７】本発明の実施例１に基づくチップ抵抗器の製造工程を示す説明図である。
【図８】本発明の実施例１に基づくチップ抵抗器の製造工程を示す説明図である。
【図９】本発明の実施例１に基づくチップ抵抗器の製造工程を示す説明図である。
【図１０】本発明の実施例１に基づくチップ抵抗器の製造工程を示す説明図である。
【図１１】本発明の実施例１に基づくチップ抵抗器の製造工程を示す説明図である。
【図１２】本発明の実施例１に基づくチップ抵抗器の製造工程による作用を説明するための説明図である。
【図１３】本発明の実施例２に基づくチップ抵抗器の構成を示す断面図である。
【図１４】本発明の実施例２に基づくチップ抵抗器の製造工程を示すフローチャート図である。
【図１５】本発明の実施例２に基づくチップ抵抗器の製造工程を示す説明図である。
【図１６】本発明の実施例２に基づくチップ抵抗器の製造工程を示す説明図である。
【図１７】本発明の実施例２に基づくチップ抵抗器の製造工程を示す説明図である。
【図１８】本発明の実施例２に基づくチップ抵抗器の製造工程による作用を説明するための説明図である。
【図１９】従来のチップ抵抗器の製造方法における問題点を説明するための説明図である。
【符号の説明】
【０１１８】
Ａ１、Ａ２  チップ抵抗器
１０  絶縁基板
１２、Ｇ１２  抵抗体
１２’、Ｇ１２’、Ｇ１２’’  抵抗体ペースト
１４、Ｇ１４  上面電極
Ｇ１４’、Ｇ１４’’  上面電極ペースト
２０、Ｇ２０  保護膜
２２、Ｇ２２  下面電極
２４  側面電極
２６  メッキ
２８  ニッケルメッキ
３０  錫メッキ
４０  電極部
４２  下面側電極部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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