(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
ボロン、ヒ素またはリンがドーパントとして添加されたシリコン単結晶基板の主表面上に副エピタキシャル層を形成する副エピタキシャル層形成工程と、
前記副エピタキシャル層上に主エピタキシャル層を形成する主エピタキシャル層形成工程と、をこの順に行うことにより、前記シリコン単結晶基板の主表面上に、主エピタキシャル層と副エピタキシャル層とを有するシリコンエピタキシャル層を形成するシリコンエピタキシャルウェーハの製造方法において、
前記シリコン単結晶基板として、裏面にオートドープ防止用シリコン酸化膜が形成されたものを用い、
前記シリコン単結晶基板をフッ酸中に浸漬し、前記オートドープ防止用シリコン酸化膜を残存させつつ、前記シリコン単結晶基板の主表面上に形成された酸化膜をウェットエッチングするフッ酸処理工程と、
前記主エピタキシャル層の成長温度より低い温度に前記シリコン単結晶基板を加熱しながら、前記シリコン単結晶基板の主表面上に形成された自然酸化膜を水素ガス雰囲気中でドライエッチングするベーキング工程と、をこの順に行ってから、前記シリコン単結晶基板の昇温中に前記副エピタキシャル層形成工程を行うことを特徴とするシリコンエピタキシャルウェーハの製造方法。
【請求項２】
前記シリコン単結晶基板を９５０℃以下の温度に加熱しながら、前記ベーキング工程を行うことを特徴とする請求項１記載のシリコンエピタキシャルウェーハの製造方法。
【請求項３】
前記副エピタキシャル層の厚さを０．５μｍ未満とすることを特徴とする請求項１または２記載のシリコンエピタキシャルウェーハの製造方法。
【請求項４】
前記フッ酸処理工程から前記ベーキング工程までの間で、前記シリコン単結晶基板を大気に曝す時間を６０分以内とすることを特徴とする請求項１〜３の何れか一項に記載のシリコンエピタキシャルウェーハの製造方法。
【請求項５】
前記シリコン単結晶基板を９００℃以上１２００℃以下の温度に加熱しながら、前記主エピタキシャル層形成工程を行うことを特徴とする請求項１〜４の何れか一項に記載のシリコンエピタキシャルウェーハの製造方法。
【請求項６】
前記主エピタキシャル層の主表面の抵抗率を前記シリコン単結晶基板の抵抗率の２０倍以上とすることを特徴とする請求項１〜５の何れか一項に記載のシリコンエピタキシャルウェーハの製造方法。
【請求項７】
前記シリコン単結晶基板として、ドーパント濃度が１×１０19／ｃｍ3以上のものを用いることを特徴とする請求項１〜６の何れか一項に記載のシリコンエピタキシャルウェーハの製造方法。
【請求項８】
ボロン、ヒ素またはリンがドーパントとして１×１０19／ｃｍ3以上の濃度に添加され、裏面にオートドープ防止用シリコン酸化膜が形成されたシリコン単結晶基板を用い、
前記シリコン単結晶基板をフッ酸中に浸漬し、前記オートドープ防止用シリコン酸化膜を残存させつつ、前記シリコン単結晶基板の主表面上に形成された酸化膜をウェットエッチングするフッ酸処理工程と、
前記フッ酸処理工程の後、前記シリコン単結晶基板を大気に曝す時間を６０分以内として前記シリコン単結晶基板を気相成長装置に投入し、前記シリコン単結晶基板を９５０℃以下の温度に加熱しながら、前記シリコン単結晶基板の主表面上に形成された自然酸化膜を水素ガス雰囲気中でドライエッチングするベーキング工程と、
前記ベーキング工程終了直後から、主エピタキシャル層の気相成長温度に向けて前記シリコン単結晶基板を昇温しながら、厚さ０．５μｍ未満の副エピタキシャル層を前記シリコン単結晶基板の主表面上に気相成長する副エピタキシャル層形成工程と、
前記副エピタキシャル層上に、主表面の抵抗率が前記シリコン単結晶基板の２０倍以上である主エピタキシャル層を気相成長する主エピタキシャル層形成工程と、
を行うことを特徴とするシリコンエピタキシャルウェーハの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、シリコン単結晶基板の主表面上にシリコンエピタキシャル層を形成するシリコンエピタキシャルウェーハの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
シリコン単結晶基板の主表面上にシリコンエピタキシャル層を形成する方法として、気相エピタキシャル成長方法がある。気相エピタキシャル成長方法とは、シリコン単結晶基板の主表面上に原料ガスを供給することによって、シリコン単結晶基板と同一の面方位を有する単結晶薄膜、つまりシリコンエピタキシャル層を成長させる方法である。
【０００３】
このような気相エピタキシャル成長方法を用いて、高濃度のボロン、ヒ素またはリンをドーパントとして有する低抵抗率のシリコン単結晶基板の主表面上に高抵抗率のシリコンエピタキシャル層を形成する場合には、シリコン単結晶基板内からドーパントが気相中に一旦放出されて成長中のシリコンエピタキシャル層にドーピングされる現象、いわゆるオートドープ現象が生じてしまい、その結果、シリコン単結晶基板とシリコンエピタキシャル層との界面において不純物プロファイルが緩やかになってしまう場合がある。
【０００４】
高濃度ドープのシリコン単結晶基板上に低濃度ドープのシリコンエピタキシャル層を気相成長する際、つまり、低抵抗率のシリコン単結晶基板上に該基板と同一導電型で高抵抗率のシリコンエピタキシャル層を気相成長する際にオートドープ現象が生じるのは、シリコン単結晶基板の主表面や裏面からドーパントが放出され、気相成長中のシリコンエピタキシャル層に再び取り込まれるからである。シリコン単結晶基板の裏面から放出されたドーパントは、シリコン単結晶基板の外周部から主表面側に回り込むため、オートドープ現象の影響はシリコンエピタキシャル層の周縁で顕著になる。
【０００５】
シリコンエピタキシャル層を気相成長する際に、シリコン単結晶基板の主表面からのドーパントの放出によるオートドープ現象を抑制するためには、シリコン単結晶基板の主表面上に主エピタキシャル層を形成する前に、ドーパントガスを外部から供給せずにキャップ層（副エピタキシャル層）を予め低温で形成しておけばよい（例えば、特許文献１，２参照）。
【０００６】
ここで、オートドープ現象を抑制するためには、キャップ層の形成温度は低い方が好ましい。そして、シリコン単結晶基板を１０００℃未満、例えば５００℃〜８５０℃の低温に加熱して良好な結晶状態を保ちながらキャップ層の気相成長を行うためには、特許文献２に記載されるように主または副チャンバー内で予めフッ酸蒸気等による処理を行い、シリコン単結晶基板の主表面上に形成されている自然酸化膜を除去する必要があった。
【０００７】
一方、シリコン単結晶基板の裏面からのドーパントの放出を抑制するためには、当該シリコン単結晶基板の裏面に、オートドープ防止用のシリコン酸化膜を予め形成しておけばよい。
【特許文献１】特開昭５８−４１７９９号公報
【特許文献２】特開平９−１２０９４７号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
しかしながら、シリコン酸化膜はフッ酸処理によりエッチングされてしまうため、フッ酸処理の必要な低温キャップ層成長を行う場合、従来、シリコン単結晶基板にはオートドープ防止用シリコン酸化膜が適用されていない。そのため、ドーパントが高濃度にドープされたシリコン単結晶基板の主表面上に、急峻な不純物濃度プロファイルのシリコンエピタキシャル層を気相成長することは難しかった。
【０００９】
本発明は上記課題を解決するためになされたものであり、シリコン単結晶基板の主表面上により急峻な不純物濃度プロファイルのシリコンエピタキシャル層を気相成長することができるシリコンエピタキシャルウェーハの製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明のシリコンエピタキシャルウェーハの製造方法の第１は、ボロン、ヒ素またはリンがドーパントとして添加されたシリコン単結晶基板の主表面上に副エピタキシャル層を形成する副エピタキシャル層形成工程と、
副エピタキシャル層上に主エピタキシャル層を形成する主エピタキシャル層形成工程と、をこの順に行うことにより、シリコン単結晶基板の主表面上に、主エピタキシャル層と副エピタキシャル層とを有するシリコンエピタキシャル層を形成するシリコンエピタキシャルウェーハの製造方法において、
シリコン単結晶基板として、裏面にオートドープ防止用シリコン酸化膜が形成されたものを用い、
シリコン単結晶基板をフッ酸中に浸漬し、オートドープ防止用シリコン酸化膜を残存させつつ、シリコン単結晶基板の主表面上に形成された酸化膜をウェットエッチングするフッ酸処理工程と、
主エピタキシャル層の成長温度より低い温度にシリコン単結晶基板を加熱しながら、シリコン単結晶基板の主表面上に形成された自然酸化膜を水素ガス雰囲気中でドライエッチングするベーキング工程と、をこの順に行ってから、シリコン単結晶基板の昇温中に副エピタキシャル層形成工程を行うことを特徴とする。
【００１１】
本発明によれば、フッ酸処理工程において、オートドープ防止用シリコン酸化膜を残存させつつシリコン単結晶基板の主表面上に形成された酸化膜をウェットエッチングするので、フッ酸処理の必要な低温キャップ層成長を行う場合でもオートドープ防止用にシリコン酸化膜を適用することができる。従って、シリコン単結晶基板の主表面上に、急峻な不純物濃度プロファイルのシリコンエピタキシャル層を気相成長することが可能となる。
但し、フッ酸処理工程と副エピタキシャル層形成工程との間にシリコン単結晶基板が大気に曝されると自然酸化膜が形成されるので、水素ガス雰囲気中でベーキング工程をさらに行うことにより、当該シリコン単結晶基板の主表面上に形成された自然酸化膜をドライエッチングする。その際、無用なオートドープ現象の発生を抑制するため、ベーキング工程は、主エピタキシャル層の成長温度より低い温度、例えば９５０℃以下の温度にシリコン単結晶基板を加熱しながら行う。ベーキング工程中にシリコン単結晶基板を９５０℃よりも高温に加熱すると、オートドープ現象が無視できないほど大きくなる。
【００１２】
前記副エピタキシャル層は、シリコン単結晶基板の主表面からのオートドープを抑制できるように、例えば０．５μｍ未満の厚さに形成しておけばよい。一方、副エピタキシャル層の厚さが０．５μｍ以上になると、シリコン単結晶基板からのドーパントの外方拡散幅よりも副エピタキシャル層の厚さが大きくなることがあり、副エピタキシャル層の存在が顕在化してシリコンエピタキシャルウェーハの特性に影響を及ぼすようになる。
但し、副エピタキシャル層成長後に施される一連の熱処理の際に生じるシリコン単結晶基板からのドーパントの外方拡散によりシリコン単結晶基板と副エピタキシャル層とは殆ど区別がつかなくなるので、副エピタキシャル層の厚さと抵抗率は重要でない。そのため、厚さと抵抗率が変化しやすいシリコン単結晶基板の昇温中に、副エピタキシャル層形成工程を行うことにより、シリコンエピタキシャルウェーハの生産性を高めることができる。
【００１３】
フッ酸処理工程からベーキング工程までの間に、シリコン単結晶基板を大気中に曝す時間は、６０分以内であることが好ましい。この間にシリコン単結晶基板の表面に形成される自然酸化膜の厚さは僅かであるので、例えばシリコン単結晶基板を９００℃に加熱しながら水素ガス雰囲気中でベーキング工程を行うことにより、自然酸化膜は瞬時にエッチング除去される。
一方、シリコン単結晶基板を大気中に曝す時間が６０分を越えると、自然酸化膜をエッチング除去するために、ベーキング工程の時間を長くしたりシリコン単結晶基板のベーキング温度を９５０℃よりも高くしたりする必要があり、何れもオートドープ現象の影響を大きくするので好ましくない。
【００１４】
上記のようにして副エピタキシャル層を予め形成しておくことにより、シリコン単結晶基板を９００℃以上１２００℃以下の温度に加熱しながら、副エピタキシャル層上に主エピタキシャル層を形成しても、オートドープ現象の抑制された状態でシリコンエピタキシャルウェーハを製造することができる。
一方、シリコン単結晶基板を１２００℃よりも高温に加熱して主エピタキシャル層を気相成長する場合は、副エピタキシャル層あるいはオートドープ防止用シリコン酸化膜を介して外方拡散するドーパント量が著しく大きくなり、もはやオートドープ現象を抑制することができなくなる。また、シリコン単結晶基板を９００℃未満に加熱して主エピタキシャル層を気相成長する場合は、オートドープ現象は実質的に発現しなくなり、副エピタキシャル層の形成が不要である。
【００１５】
オートドープ現象は、主エピタキシャル層の主表面の抵抗率をシリコン単結晶基板の抵抗率の２０倍以上とする場合、より具体的には、ドーパント濃度が１×１０19／ｃｍ3以上のシリコン単結晶基板を用いる場合に、特に顕在化しやすい。そこで、上記のような副エピタキシャル層を予め形成しておき、主エピタキシャル層形成工程で、主表面の抵抗率がシリコン単結晶基板の２０倍以上である主エピタキシャル層を副エピタキシャル層上に気相成長すると、オートドープ現象の抑制に大きな効果が得られる。
【００１６】
本発明のシリコンエピタキシャルウェーハの製造方法の第２は、
ボロン、ヒ素またはリンがドーパントとして１×１０19／ｃｍ3以上の濃度に添加され、裏面にオートドープ防止用シリコン酸化膜が形成されたシリコン単結晶基板を用い、
シリコン単結晶基板をフッ酸中に浸漬し、オートドープ防止用シリコン酸化膜を残存させつつ、シリコン単結晶基板の主表面上に形成された酸化膜をウェットエッチングするフッ酸処理工程と、
フッ酸処理工程の後、シリコン単結晶基板を大気に曝す時間を６０分以内としてシリコン単結晶基板を気相成長装置に投入し、シリコン単結晶基板を９５０℃以下の温度に加熱しながら、シリコン単結晶基板の主表面上に形成された自然酸化膜を水素ガス雰囲気中でドライエッチングするベーキング工程と、
ベーキング工程終了直後から、主エピタキシャル層の気相成長温度に向けてシリコン単結晶基板を昇温しながら、厚さ０．５μｍ未満の副エピタキシャル層をシリコン単結晶基板の主表面上に気相成長する副エピタキシャル層形成工程と、
副エピタキシャル層上に、主表面の抵抗率がシリコン単結晶基板の２０倍以上である主エピタキシャル層を気相成長する主エピタキシャル層形成工程と、
を行うことを特徴とする。
【発明の効果】
【００１７】
本発明によれば、シリコン単結晶基板の主表面上に、より急峻な不純物プロファイルでシリコンエピタキシャル層を気相成長することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１８】
以下、本発明の実施の形態について、図を参照して説明する。図１の右側に、本発明の実施形態に係るシリコンエピタキシャルウェーハの製造工程を、左側には各工程に対応するシリコン単結晶基板ＣＷ等の断面図を示す。
まず、ボロン、ヒ素またはリンがドーパントとして１×１０19／ｃｍ3以上の濃度に添加されたシリコン単結晶棒をＣＺ（Czochralski）法により引き上げ、さらに、ブロック切断、外径研削、オリエンテーションフラット加工、スライシング、面取り、ラッピング、ケミカルエッチング等の加工を施して、ケミカルエッチング済のシリコン単結晶基板ＣＷを準備する（ステップＳ１）
【００１９】
次に、シリコン単結晶基板ＣＷの第２主表面（図１中、下側の面）に、ＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition)法を用いてオートドープ防止用シリコン酸化膜１（以下、単にＣＶＤ酸化膜とする）を形成する（ステップＳ２）。
より具体的には、３５０〜４５０℃に加熱されたシリコン単結晶基板ＣＷの第２主表面に、モノシラン（ＳｉＨ4）ガスと酸素ガスとを原料ガスとして供給し、厚さ約５００ｎｍのＣＶＤ酸化膜１を気相成長させる。
【００２０】
ＣＶＤ酸化膜１を形成後、該ＣＶＤ酸化膜１の形成された面とは反対側の第１主表面に機械的化学的研磨を施して（ステップＳ３）、鏡面状態の第１主表面を有するシリコン単結晶基板ＰＷとなす。シリコン単結晶基板ＰＷには、その表面に付着している有機物、金属、パーティクル等を除去するために、ＳＣ−１（アンモニア―過酸化水素水）洗浄とＳＣ−２（塩酸―過酸化水素水）洗浄を用いた洗浄が施される（ステップＳ４）。
【００２１】
ＳＣ−１洗浄やＳＣ−２洗浄の際には、その酸化作用により、シリコン単結晶基板ＰＷの表面にシリコン酸化膜が形成される。また、洗浄工程と気相エピタキシャル成長工程との間に大気中に保管される時間が長いと、９５０℃以下での低温熱処理では除去しきれない厚さの自然酸化膜が形成されることがある。これらの酸化膜５が、後工程で低温成長させる副エピタキシャル層２の形成時に残存すると、該副エピタキシャル層２の結晶性に悪影響を及ぼすので、洗浄工程と気相成長工程との間にフッ酸処理工程を行い、シリコン単結晶基板ＰＷの表面に形成された酸化膜５をエッチング除去する（ステップＳ５）。
ただし、シリコン単結晶基板ＰＷの第２主表面にオートドープ防止用に形成したＣＶＤ酸化膜１もフッ酸処理によりエッチング除去されるので、濃度１％程度の希フッ酸を用い、該希フッ酸中にシリコン単結晶基板ＰＷを浸漬する時間を１分程度に短くすることにより、ＣＶＤ酸化膜１を残存させつつ酸化膜５のウェットエッチングを行う。この間にエッチングされるシリコン酸化膜の厚さは約６ｎｍなので、１〜２ｎｍ程度の酸化膜５は完全に除去される一方、約５００ｎｍの厚さを有するＣＶＤ酸化膜１は残存する。
フッ酸処理後は、純水リンス及び乾燥のみを行い、酸化作用を伴う洗浄は行わない。
【００２２】
シリコン単結晶基板ＰＷの表面の酸化膜５を除去後、自然酸化膜６の再形成を抑制するため、該シリコン単結晶基板ＰＷを６０分間よりも長く大気に曝すことなく、気相成長装置内に投入する（ステップＳ６）。気相成長装置内に投入後は、シリコン単結晶基板ＰＷは非酸化性雰囲気中に置かれるので、自然酸化膜６はこれ以降形成されない。
投入される気相成長装置がパンケーキ型あるいはバレル型（シリンダー型）の場合、シリコン単結晶基板ＰＷは気相成長炉内のサセプタ上に直接載置され、気相成長炉内の空気を窒素により置換した後、水素により更に置換し、水素雰囲気中で気相成長工程が行われる。
投入される気相成長装置が枚葉式の場合、シリコン単結晶基板ＰＷは窒素雰囲気に保たれたロードロック室内に一旦保管された後、水素雰囲気に保たれた気相成長炉内に搬送され、水素雰囲気中で気相成長工程が行われる。
【００２３】
気相成長炉内に載置されたシリコン単結晶基板ＰＷは水素雰囲気中で昇温され、９５０℃以下の温度（例えば９００℃）で５分間以下（例えば１〜２分間）の時間だけベーキングされる（ステップＳ７）。これにより、フッ酸処理から気相成長装置内投入までの間にシリコン単結晶基板ＰＷの主表面に再生した自然酸化膜６がドライエッチングされる。
前記したように、シリコン単結晶基板ＰＷの表面上に形成された自然酸化膜６等をフッ酸処理工程によって予め除去してから、自然酸化膜６の再生を極力防止した状態でシリコン単結晶基板ＰＷを気相成長装置内に投入することで、ＳｉＯ2がＨ2により還元されてＳｉＯとして蒸発するために必要な温度とされる１０５０℃よりも低い、９５０℃以下という比較的低温条件での水素ベーキングによっても、シリコン単結晶基板ＰＷ上に再生した自然酸化膜６を完全にドライエッチングできる。従って、オートドープ現象の原因となるシリコン単結晶基板ＰＷから気相中へのドーパントの外方拡散を抑制することができる。また、自然酸化膜６が完全に除去されるので、良好な結晶性を有するエピタキシャル層を７００℃以上９５０℃以下の比較的低温条件でも気相成長することができ、次工程以降の副エピタキシャル層２及び主エピタキシャル層３の成長時に、良好な結晶性を保ちながらオートドープ現象を抑制することが可能となり、ひいては、急峻な不純物プロファイルを有するシリコンエピタキシャル層を気相成長することが可能となる。
【００２４】
水素ベーキング終了後直ちに、原料ガス（例えば、ＳｉＨ2Ｃｌ2、ＳｉＨＣｌ3またはＳｉＨ4等）をキャリアガスの水素とともにシリコン単結晶基板ＰＷ上に供給することにより、該シリコン単結晶基板ＰＷの第１主表面上に副エピタキシャル層２を気相成長させてシリコン単結晶基板ＰＷの第１主表面を被覆し、該シリコン単結晶基板ＰＷの主表面からのオートドープ現象を抑制する（ステップＳ８）。
従来は、高温条件で水素ベーキングを行った後に副エピタキシャル層２を気相成長したので、オートドープ現象を抑制するために、一旦降温して、水素ベーキング時にシリコン単結晶基板ＰＷから気相中に放出されたドーパントをパージする必要があった。しかし、本実施形態では比較的低温条件で水素ベーキングを行うため気相中へのドーパントの放出が殆ど無く、該水素ベーキングの直後に副エピタキシャル層２を気相成長しても、オートドープ現象の発現を当該気相成長の開始温度で必然的に生じる最低レベルに留めることができる。
【００２５】
副エピタキシャル層２の形成は、水素ベーキング終了直後から、主エピタキシャル層３の気相成長温度に向けてシリコン単結晶基板ＰＷを昇温しながら、所定の温度（例えば１０００℃）に達するまでの間に、厚さ０．５μｍ未満、例えば０．２μｍのエピタキシャル層を気相成長することにより行う。このように、副エピタキシャル層２の厚さを０．５μｍ未満とすることにより、より好ましくは、さらに副エピタキシャル層２の厚さを主エピタキシャル層３の厚さの１０分の１以下とすることにより、シリコン単結晶基板ＰＷからのドーパントの外方拡散幅よりも副エピタキシャル層２の厚さが大きくなってしまうことを防止できるので、副エピタキシャル層２が顕在化せずに、シリコン単結晶基板ＰＷとエピタキシャル層との界面において急峻なドーパントプロファイルを実現することができる。
【００２６】
副エピタキシャル層２の形成後、該副エピタキシャル層２の表面上に、シリコン単結晶基板ＰＷと同一導電型の主エピタキシャル層３を気相成長する（ステップＳ９）。より具体的には、シリコン単結晶基板ＰＷを加熱して９００℃以上１２００℃以下の温度（例えば約１１３０℃）とし、副エピタキシャル層２の主表面上にキャリアガスとともに原料ガス（例えばＳｉＨ2Ｃｌ2、ＳｉＨＣｌ3またはＳｉＨ4等）とドーパントガスとを供給することにより、主表面の抵抗率がシリコン単結晶基板ＰＷの２０倍以上となる主エピタキシャル層３を形成する。
この主エピタキシャル層３の気相成長の際、シリコン単結晶基板ＰＷの第１主表面は副エピタキシャル層２により被覆され、第２主表面はＣＶＤ酸化膜１により被覆され、さらに、ベーキング工程（ステップＳ７）等の前熱処理中に気相中にシリコン単結晶基板ＰＷからドーパントが殆ど放出されないため、シリコン単結晶基板ＰＷの第１主表面上に、より急峻な不純物プロファイルで主エピタキシャル層３を気相成長することができる。
【実施例１】
【００２７】
以下に、実施例および比較例を挙げることにより、本発明をさらに具体的に説明する。
【００２８】
＜実施例＞
実施例では、上記実施の形態におけるシリコンエピタキシャルウェーハの製造方法によって、シリコン単結晶基板ＰＷの主表面上にシリコンエピタキシャル層を形成した。なお、シリコン単結晶基板ＰＷとしては、ヒ素を２×１０19／ｃｍ3の濃度に添加して、抵抗率が約３．５ｍΩのものを用いた。また、ステップＳ７のベーキング工程ではシリコン単結晶基板ＰＷを９００℃で加熱した。また、副エピタキシャル層の厚さを０．０８μｍとした。また、主エピタキシャル層の形成温度を１１３０℃とし、シリコンエピタキシャル層全体の厚さを１．２μｍとした。
【００２９】
＜比較例＞
比較例では、シリコン単結晶基板ＰＷを１１５０℃に昇温してベーキング工程を行うこと以外は実施例と同一条件で行った。
【００３０】
以上の実施例および比較例のシリコンエピタキシャルウェーハの製造方法によってシリコンエピタキシャル層を形成した結果を、図２に示す。
この図２に示されるように、比較例ではオートドープの影響が大きく、シリコンエピタキシャル層の表面付近までドーパント濃度が一定にならないが、実施例ではシリコンエピタキシャル層の表面から０．６μｍ以上の深さまでドーパント濃度のフラットな領域が得られた。
これにより、本発明に係るシリコンエピタキシャルウェーハの製造方法によれば、より急峻なドーパントプロファイルでシリコンエピタキシャル層を形成できることが分かる。
【図面の簡単な説明】
【００３１】
【図１】本実施の形態におけるシリコンエピタキシャルウェーハの製造工程と、各工程におけるシリコン単結晶基板等の断面図とを示す図である。
【図２】本発明に係るシリコンエピタキシャルウェーハの製造方法を用いた場合のドーパントプロファイルと、従来のシリコンエピタキシャルウェーハの製造方法を用いた場合のドーパントプロファイルとを示す図である。
【符号の説明】
【００３２】
１          オートドープ防止用シリコン酸化膜
２          副エピタキシャル層
３          主エピタキシャル層
ＰＷ，ＣＷ  シリコン単結晶基板
【図１】
0004682508.tif 000002
【図２】
0004682508.tif 000003