(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
フォトリソグラフィプロセスによってレジストパターンを作製するレジストパターン作製方法において、
パターンをパターン密度が略同一とみなせるパターン領域に分割し、
前記パターン領域ごとの前記レジストパターンの作製に必要なパターン領域露光量と、前記パターン領域ごとの前記レジストパターンの作製に必要なパターン領域フォーカスとの設定条件が存在可能な領域である設定条件存在領域を決定し、
前記パターン領域ごとの前記設定条件存在領域を重ね合わせ、
重ね合わせた前記設定条件存在領域に共通する領域内であって、かつ、面積が最大となるような楕円形状の設定値存在領域を決定し、
前記設定値存在領域が示す楕円の中心から決定される露光量を前記レジストパターンの作製に用いる露光量設定値とし、前記楕円の中心から決定されるフォーカスを前記レジストパターンの作製に用いるフォーカス設定値とし、
前記露光量設定値と前記フォーカス設定値とを用いて露光によって前記レジストパターンを作製する、
レジストパターン作製方法。
【請求項２】
前記楕円は、
前記レジストパターンの作製時の露光量の標準偏差と、フォーカスの標準偏差との比が、長軸と短軸との比、あるいは短軸と長軸との比である、
請求項１記載のレジストパターン作製方法。
【請求項３】
前記レジストパターンは、
前記レジストパターンでマスクされているパターン部分が前記レジストパターンの作製後のエッチングプロセスにおいて同時にエッチングされる量であるパターン部分エッチング量が、あらかじめ前記レジストパターンの設計線幅に加算される、
請求項１記載のレジストパターン作製方法。
【請求項４】
請求項１記載のレジストパターン作製方法を用いて前記リソグラフィプロセスを管理するリソグラフィプロセス管理方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明はレジストパターン作製方法に関し、特にリソグラフィプロセスにおける条件の最適化を行いレジストパターンを作製するパターン作製方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
近年の半導体集積回路の微細化、高集積化の進展に伴い、リソグラフィプロセスで作製すべきレジストパターンも微細化、高密度化が要求されている。
【０００３】
このような半導体製造プロセスにおけるリソグラフィ技術としては、フォトリソグラフィが広く実用されている。
フォトリソグラフィによる微細パターンの作製のため、露光光源の短波長化、レンズの明るさを示すの開口数（Numerical Aperture，ＮＡ）の大きな投影レンズの使用、高解像度レジストの開発、超解像技術などの検討がなされ、実用化されている。
【０００４】
しかし、このような技術を用いてもリソグラフィプロセスにおける微細パターンの作製においては、装置の性能に起因する露光量の設定値からのずれ、レンズの性能あるいは露光すべき基板のずれや基板内の平滑度の違いなどに起因するフォーカスの設定値からのずれが生じてしまう場合がある。さらに、レジストパターンの微細化に伴い、露光量およびフォーカスの設定値に対する余裕度はますます小さくなり、歩留まりは低下し、チップの製造コストは増大している。
【０００５】
そこで、リソグラフィプロセスにおけるレジストパターンの作製において、作製に用いる露光量とフォーカスの関係を示すExposure-Defocus Window（ＥＤＷ）を利用してレジストパターンを作製する手法が提案されている。
【０００６】
図７はＥＤＷを利用した露光量およびフォーカス条件の設定方法を説明する図である。
図７において横軸は露光量、縦軸はフォーカスをそれぞれ示している。
【０００７】
また、図７には、レジストパターンを作製する際の露光量とフォーカスにおいて、スペック内の線幅のレジストパターンを作製するために必要な露光量およびフォーカスの設定条件が存在可能な領域である設定条件存在領域１０１が示されている。
【０００８】
例えば、レジストパターン作製の露光量を露光量Ｍに固定した場合、設定条件存在領域１０１から求められる可能なフォーカスの設定値はフォーカスＮ１からフォーカスＮ２の範囲になる。すなわち、露光量Ｍでのフォーカスの値がフォーカスＮ１を下回った場合、あるいはフォーカスＮ２を上回った場合には、形成されるパターンの実際の線幅が所望の線幅スペックから外れてしまう。
【０００９】
一方、レジストパターン作製のフォーカスをフォーカスＮに固定した場合、設定条件存在領域１０１から求められる可能な露光量の設定値は露光量Ｍ１から露光量Ｍ２の範囲になる。すなわち、フォーカスＮでの露光量の値が露光量Ｍ１を下回った場合、あるいは露光量Ｍ２を上回った場合には、形成されるパターンの実際の線幅が所望の線幅スペックから外れてしまう。
【００１０】
この設定条件存在領域１０１は、レジストパターン作製後に最終的に形成するパターン線幅の許容上限値と許容下限値とで決定される範囲である製品としてのスペックなどを考慮して決定される。
【００１１】
リソグラフィプロセスでは、この設定条件存在領域１０１の内部に、例えば矩形などの図形で示されるＥＤＷ１０２を作成する。そして、このＥＤＷ１０２を最大にする条件を見つけ、その条件下でレジストパターンを作製する。従来は、このレジストパターンのねらい線幅を、作製するパターンの設計値と同じにしていた。
【００１２】
【発明が解決しようとする課題】
しかし、ねらい線幅を設計値と同じにすることで、ＥＤＷ１０２を小さくしてしまうという問題点があった。
【００１３】
さらに、リソグラフィプロセスで作製されるロジックゲートレイヤーなどのレジストパターンは、形成されるパターンが疎な部分と密な部分とが混在している。そのため、従来は、まず、形成されるパターンを、パターン密度がほぼ同一とみなせるパターン領域に分割し、これら分割パターンについて共通するＥＤＷ１０２を最大にする条件を見つけ、この条件下でレジストパターンを作製していた。その際、パターン全体を代表するパターンを設計値通りに作製する露光量設定値１０４およびフォーカス設定値１０５を決定していた。
【００１４】
したがって、例えば、形成されるパターン全体を代表するパターン領域に、パターンが疎な部分を選択した場合には、形成されたパターン内の疎な部分についてはスペック内のパターンを作製することができるが、形成されたパターン内の密な部分は必ずしも設計値通りのパターンを作製することができず、さらに、スペックから外れる場合が出てくる。形成されるパターン全体を代表するパターン領域に、パターンが密な部分を選択した場合も同様に、形成されたパターン内の疎な部分についてはスペック内のパターンを作製することができるが、形成されたパターン内の密な部分はスペックから外れる場合が出てくる。
【００１５】
すなわち、リソグラフィプロセスにおいて、形成されるパターン全体を代表するパターン領域の選択の仕方によっては形成されたパターンの線幅がスペックを外れ、歩留まりが低下するという問題点があった。
【００１６】
本発明はこのような点に鑑みてなされたものであり、リソグラフィプロセスにおけるレジストパターン作製条件を最適化して歩留まりを向上するレジストパターン作製方法を提供することを目的とする。
【００１７】
【課題を解決するための手段】
本発明によれば、フォトリソグラフィプロセスによってレジストパターンを作製するレジストパターン作製方法において、パターンをパターン密度が略同一とみなせるパターン領域に分割し、パターン領域ごとのレジストパターンの作製に必要なパターン領域露光量と、パターン領域ごとのレジストパターンの作製に必要なパターン領域フォーカスとの設定条件が存在可能な領域である設定条件存在領域を決定し、パターン領域ごとの設定条件存在領域を重ね合わせ、重ね合わせた設定条件存在領域に共通する領域内であって、かつ、面積が最大となるような楕円形状の設定値存在領域を決定し、設定値存在領域が示す楕円の中心から決定される露光量をレジストパターンの作製に用いる露光量設定値とし、設定値存在領域の楕円の中心から決定されるフォーカスをレジストパターンの作製に用いるフォーカス設定値とし、露光量設定値とフォーカス設定値とを用いて露光によってレジストパターンを作製することを特徴とするレジストパターン作製方法が提供される。
【００１８】
上記構成によれば、パターンをパターン密度が略同一とみなせるパターン領域に分割し、各パターン領域についてレジストパターンの作製に必要なパターン領域露光量とパターン領域フォーカスとの設定条件が存在可能な領域である設定条件存在領域を決定し、これらの設定条件存在領域を重ね合わせ、重ね合わせた設定条件存在領域に共通する領域内であって、かつ、面積が最大となるような楕円形状の設定値存在領域を決定するので、各パターン領域に共通の露光量およびフォーカスの設定値が存在する領域が求められる。
【００１９】
さらに、設定値存在領域は、その面積が最大となるように作成されるので、各パターン領域に共通の露光量およびフォーカスの設定値であって、その設定値が存在可能である最大領域が求められる。
【００２０】
また、設定値存在領域が示す楕円の中心から決定される露光量およびフォーカスを、レジストパターンを作製する露光量設定値およびフォーカス設定値とするので、各パターン領域の設定条件存在領域に共通する設定値が存在可能である領域の、さらにその中心値を示し、この中心から決定される露光量設定値およびフォーカス設定値を用いてレジストパターンの作製を行うので、実際の露光量やフォーカスにずれが生じた場合であっても、レジストパターン作製中の露光量とフォーカスとが、設定値存在領域内の値から外れる確率が低くなる。
【００２１】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態を図面を参照して説明する。
まず、露光量設定値とフォーカス設定値とが存在する設定値存在領域を示すＥＤＷの形状について説明する。
【００２２】
レジストパターンの作製に使用する露光装置の性能、およびレジストパターンを作製する下地基板の平坦度や下地基板のずれに起因する露光量およびフォーカスのばらつきは、正規分布で近似することができる。露光量をＸ、露光量Ｘのばらつきの標準偏差をα１とすると、露光量設定値の存在確率Ｚ１（Ｚ１＜１）は、以下に示す式（１）で表すことができる。
【００２３】
【数１】
0004660968.tif 000002
【００２４】
また、フォーカスをＹ、フォーカスＹのばらつきの標準偏差をα２とすると、フォーカス設定値の存在確率Ｚ２（Ｚ２＜１）は、以下に示す式（２）で表すことができる。
【００２５】
【数２】
0004660968.tif 000003
【００２６】
露光量設定値とフォーカス設定値とが同時に存在する存在確率は、式（１）に示した露光量の存在確率Ｚ１と、式（２）に示したフォーカス設定値の存在確率Ｚ２とを掛け合わせることによって得ることができる。存在確率Ｚ１と存在確率Ｚ２とを掛け合わせた後、得られる式の両辺について対数をとり、以下に示す式（３）を得る。
【００２７】
【数３】
0004660968.tif 000004
【００２８】
したがって、式（３）で表される露光量設定値とフォーカス設定値とが同時に存在する存在確率は、露光量方向半径とフォーカス方向半径との比がα１対α２の楕円で表される。露光量設定値およびフォーカス設定値は、楕円形状のＥＤＷを用いて、その楕円の中心が示す露光量を露光量設定値として決定することができ、楕円の中心が示すフォーカスをフォーカス設定値として決定することができる。
【００２９】
次に所望のレジストパターンを作製するために必要な露光量であるパターン領域露光量と、所望のレジストパターンを作製するために必要なフォーカスであるパターン領域フォーカスとの設定条件が存在可能な領域である設定条件存在領域について説明する。
【００３０】
設定条件存在領域は、レジストパターン作製後に最終的に形成するパターン線幅の許容上限値と許容下限値とで決定される範囲である製品としてのスペックなどを考慮して決定される。
【００３１】
図２は決定された設定条件存在領域のひとつの例を示す図である。
例えば、レジストパターン作製の露光量を露光量Ｍに固定した場合、設定条件存在領域２０から求められる可能なフォーカスの設定値はフォーカスＮ１からフォーカスＮ２の範囲になる。すなわち、露光量Ｍでのフォーカスの値がフォーカスＮ１を下回った場合、あるいはフォーカスＮ２を上回った場合には、形成されるパターンの実際の線幅が所望の線幅スペックから外れてしまう。
【００３２】
一方、レジストパターン作製のフォーカスをフォーカスＮに固定した場合、設定条件存在領域２０から求められる可能な露光量の設定値は露光量Ｍ１から露光量Ｍ２の範囲になる。すなわち、フォーカスＮでの露光量の値が露光量Ｍ１を下回った場合、あるいは露光量Ｍ２を上回った場合には、形成されるパターンの実際の線幅が所望の線幅スペックから外れてしまう。
【００３３】
このように、レジストパターンの作製環境、作製条件を考慮して、レジストパターン作製前に、目的の線幅のパターンを形成するために必要な露光量ＭおよびフォーカスＮを調査して設定条件存在領域を決定する。
【００３４】
次に、レジストパターン作製に用いる露光量設定値およびフォーカス設定値の設定方法について説明する。
図１は露光量およびフォーカスの各設定値の設定方法を説明する図であり、（ａ）は作製パターン、（ｂ）は分割したパターン領域、（ｃ）は各パターン領域の設定条件存在領域、（ｄ）はＥＤＷをそれぞれ示している。
【００３５】
また、図１において横軸は露光量を表し、縦軸はフォーカスを表している。
まず、図１（ａ）に示した作製すべきパターン１について、パターン１が疎な部分、パターン１が密な部分を考慮してパターン密度がほぼ同一とみなすことができるパターン領域に分割する。ここでは、図１（ｂ）に示すように、ラインが孤立している領域であるパターン孤立領域２と、パターン同士が密に形成される領域であるパターン密集領域３と、パターン孤立領域２とパターン密集領域３との中間程度にパターン同士が集合している領域であるパターン集合領域４とに分割を行う。
【００３６】
次いで、図１（ｃ）に示すように、分割したパターン孤立領域２、パターン密集領域３、パターン集合領域４のそれぞれの領域について、所望のレジストパターンを作製するために必要な露光量であるパターン領域露光量と、所望のレジストパターンを作製するために必要なフォーカスであるパターン領域フォーカスとの設定条件が存在可能な領域である設定条件存在領域２ａ、３ａ、４ａを、作製すべきレジストパターンの線幅、露光装置の性能、下地基板の平坦度、およびレジストパターン作製後に最終的に形成するパターン線幅の許容上限値と許容下限値とで決定される範囲である製品としてのスペックなどを考慮して決定する。
【００３７】
さらに、図１（ｄ）に示すように、パターン孤立領域２、パターン密集領域３、パターン集合領域４の各領域について決定された設定条件存在領域２ａ、３ａ、４ａをすべて重ね合わせ、重ね合わされた設定条件存在領域である共通設定条件存在領域５ａを作成する。
【００３８】
この共通設定条件存在領域５ａに含まれるすべてのパターン領域に共通する共通設定条件存在領域５ａ内であって、かつ、露光量のばらつきの標準偏差α１とフォーカスのばらつきの標準偏差α２との軸比を有する式（３）で表される楕円のうち、その面積が最大となるような楕円形状の共通ＥＤＷ５ｂを決定する。この共通ＥＤＷ５ｂは、レジストパターンの作製に用いる露光量およびフォーカスの各設定値が存在する領域である設定値存在領域を示している。そして、この共通ＥＤＷ５ｂを示す楕円の中心５ｃによって決定される露光量とフォーカスとをレジストパターン作製の露光量設定値６とフォーカス設定値７とする。
【００３９】
共通ＥＤＷ５ｂは、所望のレジストパターンを作製するのに必要な露光量およびフォーカスの設定条件が存在する領域である共通設定条件存在領域５ａの中心的領域であって、実際のレジストパターン作製の際に露光量やフォーカスの中心５ｃが示す値からのずれが許容される余裕度を示している。すなわち、レジストパターン作製時に露光量やフォーカスにずれが生じた場合でも、ずれた露光量やフォーカスの値が、ＥＤＷ５ｂ内であれば、作製したパターンの線幅を十分スペック内に抑えることができる。
【００４０】
もちろん、あるパターン領域、例えばパターン孤立領域２について、レジストパターン作製時の露光量やフォーカスのずれが、このパターン孤立領域２について決定した設定条件存在領域２ａ内であれば、このパターン孤立領域２に含まれるパターンはスペック内に抑えられる。パターン密集領域３、パターン集合領域４についても同様である。
【００４１】
図３は（ａ）各領域の設定条件存在領域についてＥＤＷを作成した場合と、（ｂ）各領域の共通設定条件存在領域に対して共通ＥＤＷを作成した場合とを示す図である。
【００４２】
パターン孤立領域２、パターン密集領域３、パターン集合領域４の各領域について見ると、図３（ａ）に示した各領域の設定条件存在領域２ａ、３ａ、４ａについて作製したＥＤＷ２ｂ、３ｂ、４ｂの楕円の中心２ｃ、３ｃ、４ｃと、図３（ｂ）に示した各領域の共通ＥＤＷ５ｂの中心５ｃを各領域の設定条件存在領域２ａ、３ａ、４ａに当てはめた場合とでは、各領域について中心２ｃと中心５ｃ、中心３ｃと中心５ｃ、中心４ｃと中心５ｃとはそれぞれ異なっている。すなわち、設定値として決定される露光量とフォーカスとが、ＥＤＷ２ｂ、３ｂ、４ｂを用いて決定した場合と、共通ＥＤＷ５ｂを用いて決定した場合とで異なる。
【００４３】
従来のように、図３（ａ）に示したパターン孤立領域２、パターン密集領域３、パターン集合領域４のうちのいずれかひとつ、例えばパターン孤立領域２を、レジストパターン全体を代表するパターン領域として選択した場合、この選択されたパターン孤立領域２に作成されるＥＤＷ２ｂの中心２ｃが、他のパターン領域に作成されるＥＤＷ３ｂ、４ｂの中心３ｃ、４ｃと一致しない。その結果、選択されたパターン孤立領域２に作成されるＥＤＷ２ｂの中心２ｃから決定された露光量設定値とフォーカス設定値とが、他のパターン領域であるパターン密集領域３の設定条件存在領域３ａ、パターン集合領域４の設定条件存在領域４ａから外れてしまう場合が生じる。
【００４４】
一方、図３（ｂ）に示した共通ＥＤＷ５ｂの中心５ｃは必ずパターン孤立領域２、パターン密集領域３、パターン集合領域４の各領域の設定条件存在領域２ａ、３ａ、４ａ内にあるので、作製するレジストパターン全体について共通して使用することができ、かつ、スペック内の線幅のパターンを形成するためのレジストパターンを作製することのできる露光量設定値６とフォーカス設定値７とを得ることができる。
【００４５】
以上説明したように、パターンをパターン孤立領域２、パターン密集領域３、パターン集合領域４の各領域に分割し、それぞれの領域について設定条件存在領域２ａ、３ａ、４ａを決定し、設定条件存在領域２ａ、３ａ、４ａを重ね合わせ、共通設定条件存在領域５ａを作成した後、この共通設定条件存在領域５ａに共通ＥＤＷ５ｂを決定し、この共通ＥＤＷ５ｂを示す楕円の中心５ｃによって決定される露光量およびフォーカスをレジストパターン作製の露光量設定値６およびフォーカス設定値７とする。
【００４６】
これにより、作製すべきパターン１内に、パターン密度の異なる領域が存在する場合であっても、共通ＥＤＷ５ｂから決定される露光量設定値６とフォーカス設定値７とは、レジストパターン全体について共通して使用することができ、さらに共通ＥＤＷ５ｂの面積が最大となるように決定するので、スペック内のパターンを高い歩留まりで作製することができるようになる。
【００４７】
次に、本発明の実施の形態を、０．１８μｍのゲート長を持つＤＲＡＭ（Dynamic Random Access Memory）ゲートパターンの作製に適用した場合を例にして説明する。ここではＤＲＡＭゲートパターンのゲート線同士の間隔であるゲートピッチが０．４２μｍである場合について説明する。
【００４８】
ＤＲＡＭゲートパターンの作製は、まず、レジストを塗布し、温度９０℃、時間６０秒のポストベークを施した後、露光を行う。露光後、温度１００℃、時間９０秒のポストエクスポージャーベークを行い、パドル現像を時間６０秒施し、純水リンス後、温度９０℃、時間６０秒のプリベイクを行う。次いで、レジストパターン作製後、レジストによってマスクされていない部分のエッチングを行う。
【００４９】
このような手順で進められるＤＲＡＭゲートパターンの作製において、レジストパターン作製後のエッチングの際、ゲート線はマスクされているレジストの外縁からパターンの内側に削られる量であるエッチング変換差が０．０２μｍ存在することがわかっている。したがって、ゲート線幅を目的の０．１８μｍにするためには、レジストパターン作製後のエッチングによって削られてしまうエッチング変換差をあらかじめ考慮してレジスト線幅を０．２０μｍにしておく必要がある。
【００５０】
図４はＤＲＡＭゲートパターンのＥＤＷを示す図である。
図４では、上記のエッチング変換差を考慮したレジストの設計線幅を０．２０μｍとし、この設計線幅に対してレジスト線幅のスペックを、０．２０±０．０２μｍと設定し、設定条件存在領域８を決定する。作成された設定条件存在領域８において、フォーカスが０μｍ、すなわちベストフォーカスで、設計線幅０．２０μｍのレジスト線幅を作製することができる露光量の設計値である設計露光量が決定する。この設計露光量およびベストフォーカスを点Ｐで示す。
【００５１】
ここで、露光装置の露光量のばらつきの標準偏差は１．０ｍＪ／ｃｍ2、フォーカスのばらつきの標準偏差は０．２μｍであり、点Ｐを中心として設定条件存在領域８内に、長軸と短軸との比である軸比が１．０対０．２の楕円形状のＥＤＷ９を作成することができる。
【００５２】
一方、設定条件存在領域８内に軸比１．０対０．２の楕円形状であって、その面積が最大となるＥＤＷ１０を決定した場合、このＥＤＷ１０の中心である点Ｑが示す露光量設定値およびフォーカス設定値によって作製されるレジストパターンの線幅は０．２０７μｍとなる。このように決定したＥＤＷ１０の面積は、設計線幅が中央部にあるＥＤＷ９の面積より大きくなっている。したがって、設計線幅である０．２０μｍに代えて、０．２０７μｍをリソグラフィプロセスのねらい線幅にしてレジストパターンの作製を行うことで、レジストパターン作製時の露光量およびフォーカスの変動に対する余裕度が大きくなり、形成するパターンの線幅がスペックから外れる確率は低くなる。
【００５３】
これに対し、従来のように設計線幅０．２０μｍをねらい線幅にしてレジストパターンの作製を行う場合、ＥＤＷ９が小さいため、レジストパターン作製時の露光量やフォーカスの変動によって設計線幅から外れ、形成されるパターンの線幅がスペックを外れてしまう確率が高くなり、その結果として、歩留まりが低下してしまうことが予想される。
【００５４】
次に、本発明の実施の形態を、０．１５μｍのゲート長を持つロジックゲートパターンの作製に適用した場合を例にして説明する。
図５はロジックゲートパターンの光近接効果補正後のレジスト線幅を示す図である。
【００５５】
まず、形成すべきロジックゲートパターン１１を、孤立ライン領域１２、０．４２μｍピッチ領域１３、０．８０μｍピッチ領域１４の各領域に分割する。これらのパターンは同露光量で作製しなければならない。そのため、光近接効果補正を行う。光近接効果補正により、孤立ライン領域１２のラインは０．１５μｍ、０．４２μｍピッチ領域１３のラインは０．１５５μｍ、０．８０μｍピッチ領域１４のラインは０．１７μｍのマスク線幅を持ったマスクパターンでレジストパターンを作製する。また、レジストパターン作製後のエッチングの際、ゲート線がマスクされているレジストの外縁からパターンの内側に削られてしまう量であるエッチング変換差がないものとし、レジストパターンのねらい線幅はすべてのパターンについて０．１５μｍとする。
【００５６】
図６はロジックゲートパターンの共通ＥＤＷを示す図である。
線幅スペックを０．１５±０．０１５μｍとして、孤立ライン領域１２、０．４２μｍピッチ領域１３、０．８０μｍピッチ領域１４のそれぞれの領域について設定条件存在領域１２ａ、１３ａ、１４ａを決定し、設定条件存在領域１２ａ、１３ａ、１４ａを重ね合わせ、共通設定条件存在領域を決定する。
【００５７】
この共通設定条件存在領域内であって、かつ、露光量のばらつきの標準偏差α１とフォーカスのばらつきの標準偏差α２との軸比を有する式（３）で表される楕円のうち、その面積が最大となるような楕円である共通ＥＤＷ１５ｂを決定する。この共通ＥＤＷ１５ｂはレジストパターンの作製に用いる露光量およびフォーカスの各設定値が存在する領域である設定値存在領域を示している。そして、この共通ＥＤＷ１５ｂである楕円の中心１５ｃによって決定される露光量およびフォーカスをレジストパターン作製の露光量設定値１６およびフォーカス設定値１７とし、露光してレジストパターンを作製する。
【００５８】
この共通ＥＤＷ１５ｂの中心における各パターンのレジスト線幅は、孤立ライン領域１２では０．１５６μｍ、０．４２μｍピッチ領域１３では０．１４９μｍ、０．８０μｍピッチ領域１４では０．１５１μｍとなる。レジストパターン全体を代表するパターン領域として、孤立ライン領域を選んだ場合、０．１５６μｍをねらい線幅とすることになる。
【００５９】
なお、上記の説明では、単純なロジックパターンを例示したが、コンタクトホールパターン、複雑な形状を有するパターンの作製についても適用可能である。
【００６０】
【発明の効果】
以上説明したように本発明では、パターンをパターン密度が略同一とみなせるパターン領域に分割し、パターン領域ごとの設定条件存在領域を決定した後、パターン領域ごとの設定条件存在領域を重ね合わせ、重ね合わせた設定条件存在領域に共通する領域内であって、かつ、面積が最大となるような楕円形状の設定値存在領域を決定し、設定値存在領域が示す楕円の中心から決定される露光量およびフォーカスの値を露光量設定値およびフォーカス設定値とし、露光によってレジストパターンを作製する。
【００６１】
これにより、各パターン領域に共通の露光量およびフォーカスの設定値が存在する領域を求めることができ、さらに、その設定値が存在可能である最大領域を求めることができる。
【００６２】
したがって、形成するパターンにパターン密度の異なる領域が存在する場合であっても、すべての領域に適用可能な設定値を得ることができるとともに、レジストパターン作製時の露光量やフォーカスの変動に対する余裕度を大きくとることができる。これにより、形成したパターンの線幅がスペックから外れる確率は低くなるので、スペック内のパターンを高い歩留まりで作製することができるようになる。
【図面の簡単な説明】
【図１】露光量およびフォーカスの各設定値の設定方法を説明する図であり、（ａ）は作製パターン、（ｂ）は分割したパターン領域、（ｃ）は各パターン領域の設定条件存在領域、（ｄ）はＥＤＷをそれぞれ示している。
【図２】決定された設定条件存在領域のひとつの例を示す図である。
【図３】（ａ）各領域の設定条件存在領域についてＥＤＷを作成した場合と、（ｂ）各領域の共通設定条件存在領域に対して共通ＥＤＷを作成した場合とを示す図である。
【図４】ＤＲＡＭゲートパターンのＥＤＷを示す図である。
【図５】ロジックゲートパターンの光近接効果補正後のレジスト線幅を示す図である。
【図６】ロジックゲートパターンの共通ＥＤＷを示す図である。
【図７】ＥＤＷを利用した露光量およびフォーカス条件の設定方法を説明する図である。
【符号の説明】
１……パターン、２……パターン孤立領域、３……パターン密集領域、４……パターン集合領域、２ａ，３ａ，４ａ……設定条件存在領域、２ｂ，３ｂ，４ｂ……ＥＤＷ、２ｃ，３ｃ，４ｃ，５ｃ……中心、５ａ……共通設定条件存在領域、５ｂ……共通ＥＤＷ、６……露光量設定値、７……フォーカス設定値。
【図１】
0004660968.tif 000005
【図２】
0004660968.tif 000006
【図３】
0004660968.tif 000007
【図４】
0004660968.tif 000008
【図５】
0004660968.tif 000009
【図６】
0004660968.tif 000010
【図７】
0004660968.tif 000011