(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
薄ディスクのエッジから物質を除去する装置であって、
薄ディスクを縦向きに支持することができるディスク支持体と、
前記ディスク支持体によって支持されたディスクのエッジにエッチング剤を供給するとともに前記薄ディスクが回転するにつれて前記薄ディスクの主表面にエッチング剤が落ちることが回避される位置に配置されたエッチング剤ステーションと、
オーバーエッチングおよび前記薄ディスクの主表面にエッチング剤が落ちることの少なくとも一方を避けるために、前記ディスク支持体によって支持されたディスクのエッジからエッチング剤をリンスするように配置されたリンスステーションと、
前記ディスク支持体上に配置された薄ディスクのエッジと相対的に前記エッチング剤ステーションを走査させる機構と、
を備え、
前記エッチング剤ステーションは、前記薄ディスクのエッジの下半分に沿って配置されており、
前記リンスステーションは、前記前記薄ディスクのエッジの下半分に沿って配置されており、かつ、当該リンスステーションからのリンス流体に前記薄ディスクが出会う前に、前記薄ディスクが前記エッチング剤ステーションを通過するように、前記リンスステーションは前記エッチング剤ステーションに対して配置されている装置。
【請求項２】
前記エッチング剤ステーションが、前記ディスク支持体によって支持されたディスクのエッジを接触させるように配置された吸収性綿棒と、この吸収性綿棒にエッチング剤を供給する供給ラインと、を含んでいる、請求項１記載の装置。
【請求項３】
前記リンスステーションがノズルを含んでいる、請求項２記載の装置。
【請求項４】
前記リンスステーションは、リンス流体を含有するトラフを含んでいる、請求項２記載の装置。
【請求項５】
前記トラフは、流体供給ラインおよび流体流出ラインを含んでおり、この流体供給ラインおよび流体流出ラインは、前記ディスク支持体によって支持されたディスクのエッジを横切って前記流体供給ラインから前記流体流出ラインへリンス流体を流すように配置されている、請求項４記載の装置。
【請求項６】
前記トラフは、前記ディスク支持体によって支持されたディスクのエッジに音波エネルギーを向けるように配置されたトランスデューサを含んでいる、請求項４記載の装置。
【請求項７】
前記エッチング剤ステーションは、エッチング剤を含有するトラフを含んでいる、請求項１記載の装置。
【請求項８】
前記トラフは、前記ディスク支持体によって支持されたディスクのエッジに音波エネルギーを向けるように配置されたトランスデューサを含んでいる、請求項７記載の装置。
【請求項９】
前記トラフは、エッチング剤供給ラインおよびエッチング剤流出ラインを含んでおり、このエッチング剤供給ラインおよびエッチング剤流出ラインは、前記ディスク支持体によって支持されたディスクのエッジを横切って前記エッチング剤供給ラインから前記エッチング剤流出ラインへエッチング剤を流すように配置されている、請求項７記載の装置。
【請求項１０】
前記トラフは、流体供給ラインおよび流体流出ラインを更に含んでおり、この流体供給ラインおよび流体流出ラインは、前記ディスク支持体によって支持されたディスクのエッジを横切って前記流体供給ラインから前記流体流出ラインへリンス流体が流れるように配置されている、請求項８記載の装置。
【請求項１１】
前記ディスク支持体は前記薄ディスクのエッジに沿って配置された複数のローラを含んでおり、前記薄ディスクは当該複数のローラによって回転するように支持される、請求項１〜１０のいずれか一項記載の装置。
【請求項１２】
前記ディスク支持体が複数のローラを含んでおり、前記リンスステーションは、前記複数のローラの一つに連結されたリンス流体ソースを含んでおり、このローラを介してリンス流体を供給するようになっている請求項２記載の装置。
【請求項１３】
それを介して前記リンス流体が供給される前記ローラが、真空機構を更に備えている、請求項１２記載の装置。
【請求項１４】
前記真空機構が流体分析器に更に連結されている、請求項１２記載の装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、全般的に、半導体ウェーハ、コンパクトディスク等の薄ディスクを洗浄する装置および方法に関し、特に、薄ディスクのエッジから物質（例えば、処理残渣や堆積物質）を取り除く技術に関する。
【０００２】
【従来の技術】
半導体ウェーハなどの薄ディスクを製造するためには、半導体材料からなる細長いビレットを厚さが約１／２ｍｍの非常に薄いスライスにカットする。次いで、半導体材料のスライスまたはウェーハを、ウェーハ表面に研摩スラリーを塗布するプロセスによってラッピングおよび研磨する。同様に、ポリシングプロセスは、デバイスの形成中にウェーハ上に堆積した層を平坦化するために用いられる。ポリシング後、スラリー残渣は、一般的には、メカニカルスクラブ装置、例えば、ポリ酢酸ビニル（ＰＶＡ）ブラシ、その他の多孔性またはスポンジ状材料でできたブラシ、またはナイロン毛でできたブラシによってウェーハ表面から洗浄またはスクラブされる。これらの従来の洗浄装置は、ウェーハエッジに付着したスラリー残渣の大部分を除去するとはいえ、それでもなおスラリー粒子は残り、その後に続く処理中に欠陥を形成する可能性がある。
【０００３】
スラリー粒子に加え、エッジ残渣／パーティクルの他のソースも存在する。例えば、金属薄膜の堆積中は、ウェーハを堆積チャンバ内の熱したペデスタルに固定するためとウェーハエッジを膜堆積から保護するため（例えば、ウェーハエッジに沿って金属が堆積し、その後に形成されるデバイスをショートさせることを防止するため）に、通常はクランプリングが使われる。ウェーハとクランプリングは異なる熱膨張係数をもつので、金属薄膜が堆積する間に異なる速度でそれぞれが膨張し、クランプリングとウェーハエッジとの間の剪断力が、欠陥のソースとなるエッジパーティクルを生成することがある。その上、クランプリングの表面がウェーハの外周全体に沿ってウェーハ表面と密着していない場合、またはリングとウェーハが同心に配置されていない場合には、ウェーハエッジの一部は誤って露出し金属で被覆されてしまう。その後、半導体回路でウェーハをパターン形成する処理工程が行われる。フォトレジストマスクを用いた選択的ドーピング、全面的または選択的薄膜層の堆積、および材料の選択的エッチングを含むパターン形成は、残渣粒子をウェーハエッジ上にさらに堆積させることがある。この残渣粒子には、アッシング済のフォトレジスト、金属（Ｃｕ、Ｔａ、Ｗ、ＴａＮ、Ｔｉ等）、非金属堆積物からの物質などが含まれる。更に別の潜在的な汚染源は、一つの処理ステーションから別の処理ステーションへの搬送のためにウェーハが装填されるカセットである。上記の機械的手段は、エッジ残渣／パーティクルを多少は除去するが、全てのエッジ残渣／パーティクルを除去することはしばしば困難であり、後続の処理がエッジ残渣／パーティクルをウェーハの前面に再分布させ、欠陥を引き起こすことが分かっている。
【０００４】
本譲受人に譲渡されている同時係属米国特許出願第０９／１１３，４４７号「ウェーハエッジスクラバ」（１９９８年７月１０日出願）では、ウェーハエッジから残渣／パーティクルを更に効率良く機械的に除去するように形成された表面を有する改良スクラブ装置が提示されている。残渣の除去は非常に効率的であるが、開示のスクラブ装置と共に用いられる追加のエッジ洗浄装置がエッジ残渣／パーティクルレベルを更に低下させる。さらに、米国特許出願第０９／１１３，４４７号のスクラブ装置は、ウェーハエッジ上に誤って堆積した層を除去することはできない。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
このように、ディスク洗浄の分野においては、ディスクの主表面に悪影響を与えずにディスクのエッジから残渣および堆積物質の双方を効果的に除去する方法および装置が必要とされている。本発明は、このような方法および装置を提供することを課題としている。
【０００６】
【課題を解決するための手段】
本発明は、材料層をエッチングし、かつ／またはディスクのエッジから残渣を洗浄する方法および装置を提供することによって、ディスクのエッジから物質を更に効率良く除去する要望に対処するものである。第１の態様では、流体供給ラインがその中に延在している吸収性綿棒によって、エッチング剤がディスクエッジに塗布される。この綿棒は、ディスクエッジに接触するように配置され、ディスクが回転するにつれて、エッチング剤が流体供給ラインを介して供給される。ディスクが回転するにつれてエッチング剤がエッチング剤供給装置（例えば、綿棒）から離れて滴り落ち、これによりエッチング剤がディスクのパターン形成領域と接触するようになる可能性を考慮して、リンス流体ソース（例えば、トラフやノズル）がディスクエッジからエッチング剤を除去するように配置される。
【０００７】
第２の態様では、縦向きのディスクのエッジが浸漬されるエッチング剤充てんトラフによってエッチング剤がディスクエッジに供給される。このトラフは、メガソニックエネルギーをエッチング剤に与えることによって物質の除去効果を高めるトランスデューサを含んでいてもよい。従って、第１および第２態様では、本発明は、エッジ堆積を防止するために従来から用いられているエッジリングによってしばしば引き起こされるパーティクル生成を起こさずに、ディスクのエッジから物質を均一にエッチングする。
【０００８】
第３の態様では、縦向きのディスクのエッジが浸漬される洗浄流体充てんトラフによって洗浄流体がディスクエッジに供給される。このトラフは、メガソニックエネルギーを洗浄流体に与えることによって洗浄効果を高めるトランスデューサを含んでいてもよい。オプションの綿棒は、ディスクエッジがトラフに達する前またはトラフから離れた後に綿棒と接触するように配置することができる。この綿棒は、綿棒の中に延在する流体供給ラインを介して綿棒の表面から継続的に流れることのできるパーティクルを解放および／または除去する。
【０００９】
本発明の各態様は、単独で使用してもよいし、縦向きのディスクを回転させる他の洗浄装置と共に使用してもよい。特に、単一の工程でスクラブ洗浄とメガソニック洗浄の双方を組み合わせた洗浄を行うために、本発明の洗浄トラフは、一般譲渡された米国特許出願第０９／１１３，４４７号（１９９８年７月１０日出願）に開示されるような縦向きスクラバと共に使用することができる。なお、米国特許出願第０９／１１３，４４７号の全開示内容は、参照によって本明細書に組み込まれる。このように、本発明は、ディスクエッジから堆積材料層を除去するために使用することができ、かつ／または綿棒によるスクラブもしくは縦向きスクラバによるスクラブと本発明のトラフによるメガソニック洗浄とを組み合わせることによって優れたエッジ洗浄を提供することができる。本発明は、特に、半導体基板（層が付着した処理済基板、またはシリコン）から材料を除去したり、電気めっきディスクから材料を除去するのに特に好適である。例えば、銅の電気めっき中にウェーハのエッジ上に銅が全く堆積しないようにすることは難しい。銅の電気めっきの前に堆積したバリヤ層は、しばしばウェーハエッジにおいて不十分な厚さまたは連続性を有するので、ウェーハエッジ上に堆積した銅はエッジからウェーハ内に拡散し、ウェーハ上に製造されているデバイスの電気的性能を劣化させる。本発明は、ウェーハエッジから銅を完全に除去することを可能にする。同様に、タングステンもウェーハエッジ上に誤って堆積する場合がある。ウェーハエッジにおける付着層は、しばしば不十分な厚さまたは連続性を有するので、ウェーハエッジ上に堆積したタングステンは、しばしば弱い付着性を有することになる。付着性が弱いため、そしてタングステンの内部応力が高いため、ウェーハエッジは、後続の処理中にウェーハ表面に落ちる可能性を持つタングステン粒子のソースとなりうる。本発明は、ウェーハエッジからタングステンを完全に除去することを可能にする。
【００１０】
本発明の他の目的、特徴および利点は、下記の好適な実施形態の詳細な説明、特許請求の範囲、および添付の図面により十分に明らかになるであろう。
【００１１】
【発明の実施の形態】
図１は、綿棒１３によってエッチング剤を塗布する本発明のシステム１１ａの第１態様の側面図である。本発明のシステム１１ａは、縦にディスク（例えば、半導体ウェーハ１７）を支持する複数のローラ１５ａ〜１５ｃを含んでいる。ローラ１５ａ〜１５ｃは、好ましくはｖ形の切欠きを有しており、この切欠きには、半導体ウェーハ１７が半導体ウェーハ１７の主表面との最小限の接触で載っている。綿棒１３は、その端部に吸収材料２１が取り付けられたチューブ１９などの流体供給ラインを備えている。好ましくは、チューブ１９の端部に複数の穿孔があり、その大きさと数は吸収材料２１を所望のレベルの飽和に維持するように選ばれる。吸収材料２１は、流体を保持することができるスポンジ状の材料からなり（即ち、吸収性である）、機械的研摩による物質の除去を補助するように耐摩耗性であり、半導体ウェーハ１７のエッジの表面形状に合致するように弾性がある。
【００１２】
綿棒１３は、半導体ウェーハ１７の主表面に（例えば、重力のため）エッチング剤が落ちる可能性を回避するように配置されている。従って、チューブ１９は、半導体ウェーハ１７のエッジの下半分に沿って配置されることが好ましい。同様に、リンスノズル２３などのリンス流体ステージは、半導体ウェーハ１７のうちエッチング剤が付着した部分が、半導体ウェーハ１７の主表面にエッチング剤が接触しうる（例えば、重力のために）位置まで回転する前に、半導体ウェーハ１７からエッチング剤をリンスするように配置される。従って、リンスノズル２３は、好ましくは半導体ウェーハ１７のエッジの下半分に沿って配置され、好ましくは綿棒１３の下方にある。
【００１３】
ローラ１５ａ〜１５ｃは、ローラ１５ａ〜１５ｃを所定の方向に回転させるモータ２５に連結されている。モータ２５、綿棒１３およびリンスノズル２３は、それぞれ動作的にコントローラ２７に結合されている。コントローラ２７は、ローラ１５ａ〜１５ｃの回転速度、ならびにチューブ１９およびリンスノズル２３を通る流体の流量を制御する。
【００１４】
動作中、綿棒１３は、半導体ウェーハ１７のエッジから一定の距離（例えば、１〜２ｍｍ）で半導体ウェーハ１７と接触し、かつ吸収材料２１を許容限度外の速度で摩耗させることなく物質の除去を支援するような弱い圧力（例えば、＜１ｐｓｉ）で半導体ウェーハ１７に接触するように配置される。モータ２５が動作すると、ローラ１５ａ〜１５ｃおよびその上に配置された半導体ウェーハ１７を所望の速度で回転させる。この速度は、エッチング剤がリンスノズル２３からのリンス流体に出会う前に所望の厚さの物質をエッチングするのに十分に長い時間、エッチング剤が半導体ウェーハ１７のエッジと接触した状態にあるように選択される。除去すべき物質に応じたエッチング剤の供給装置は、綿棒１３のチューブ１９に動作的に連結されている。例えば、シリカスラリーを除去するためには、フッ化水素酸ソースを用いることが好ましく、銅を除去するために塩酸または硝酸が用いることが好ましく、タングステンを除去するためには水酸化アンモニウムおよび過酸化水素のソースを用いることが好ましい。しかしながら、除去すべき物質の適度なエッチング速度（＞１００オングストローム／分）を有する化学物質を任意に使用することができる。
【００１５】
半導体ウェーハ１７が回転すると、エッチング剤がチューブ１９に供給され、穿孔（図示せず）を通って吸収材料２１にしみ込み、純水などのリンス流体がリンスノズル２３を通って供給される。半導体ウェーハ１７の各領域が綿棒１３およびリンスノズル２３間で回転するにつれて、物質（これをエッチングするためにエッチング剤が選定される）がエッチングされる。スポンジ状綿棒材料は化学エッチングプロセスを補助するわずかな研摩作用を必然的に有するので、吸収材料２１および半導体ウェーハ１７間の研摩接触も物質の除去を促進するものと思われる。ディスクのエッジから特定の物質をエッチングするように選ばれるエッチング剤は、綿棒に連続的に注入される。
【００１６】
エッチング剤も半導体ウェーハ１７の主表面から特定の物質を除去するという事実のために、ウェーハの主表面からエッチング剤が離れた状態を維持することが重要である。エッチング剤を除去および／または中和する機構は、エッチング剤をエッジからリンスし、さもなければエッチング剤を中和するのに十分な流量で流体を吹き付けるリンスノズル２３によるものである。従って、リンスノズル２３は、オーバーエッチングを防止する。すなわち、リンス流体ノズルは、ディスク主表面をエッチングするのに十分な時間、かつ／またはディスクエッジに沿った過度のエッチング（例えば、絶縁層またはシリコン基板のエッチング）を防止するのに十分な時間にわたってエッチング剤が半導体ウェーハ１７の主表面に接触する（例えば、重力によって、または遠心力によって）ことを防止する。
【００１７】
エッチング剤−汚染物質の化学作用を除去する別の機構は、チューブおよび綿棒に隣接するローラ、すなわち図１のローラ１５ｂである。ローラは、吸収材料から製造され、エッチング剤に対して不活性であるように選択され、リンス流体供給ラインＲ、真空ラインＶおよび流体分析器Ａによって想像線で示されるように、エッチング剤−汚染物質化学作用を連続して除去するためのリンス流体ソースおよび／または真空手段を更に含むことができる。化学作用を除去するための更に別の手段は、図２の３１に示されるようなリンス流体トラフを含むことである。
【００１８】
綿棒１３は、ウェーハエッジの一部分が隣接ローラ上で回転する前にそのエッジ部分と接触するように配置されているように示されており、リンスノズル２３は、第１ローラおよび第２ローラ１５ａ、１５ｂ間に配置されているが、エッチング剤−汚染物質化学作用が半導体ウェーハ１７の主表面をエッチングする前に除去されるのであれば他の位置も可能である。異なるエッチング剤を収容するために、二以上のエッチング剤ステーション（すなわち、チューブ綿棒ステーション）を含めることもできる。必要に応じて、追加のリンスステーションを含めることもできる。ディスク処理の各段階の後にエッチングが行なわれる場合、単一のエッチング剤ステーションで十分なはずである。しかしながら、最終処理後に全てのエッチングが行なわれる場合には、複数のエッチングステーションが好ましいことがある。
【００１９】
図２は、トラフ３１によってエッチング剤を塗布する本発明の第２態様の側面図である。トラフ３１は、図１と同様に一対のローラ１５ａ、１５ｂ間に配置される。エッチング剤供給ライン３３、およびエッチング剤流出ライン３５は、トラフ３１に動作的に連結されている。好ましくは、エッチング剤供給ライン３３は、半導体ウェーハ１７がトラフ３１に入る前の位置でトラフ３１に連結され、エッチング剤流出ライン３５は、半導体ウェーハ１７がトラフ３１を出た後の位置でトラフ３１に連結されていることが好ましい。リンス流体ステーション（例えば、リンス流体ノズル３７）は、半導体ウェーハ１７のうちエッチング剤の付着した部分が、半導体ウェーハ１７の主表面にエッチング剤が（例えば、重力のために）接触する位置まで回転する前に、半導体ウェーハ１７からエッチング剤をリンスするように配置される。従って、リンス流体ノズル３７は、半導体ウェーハ１７のエッジの下半分に沿い、かつトラフ３１を出る半導体ウェーハ１７の側面に沿って配置されることが好ましい。トラフ３１は、音波エネルギーをエッチング剤を通過させて半導体ウェーハ１７のエッジに向けるように配置された一以上のトランスデューサ３９を任意で含んでいてもよい。
【００２０】
図１の実施形態と同様に、ローラ１５ａ〜１５ｂは、ローラ１５ａ〜１５ｂを回転させるモータ２５に連結されている。エッチング剤供給ライン３３、エッチング剤流出ライン３５、リンス流体ノズル３７およびモータ２５は、それぞれコントローラ２７に動作的に連結されている。コントローラ２７は、ローラ１５ａ〜１５ｂの回転速度、ならびにエッチング剤供給ライン３３、エッチング剤流出ライン３５およびリンス流体ノズル３７を通る流体の流量を制御する。
【００２１】
動作中、半導体ウェーハ１７はローラ１５ａ〜１５ｂ上に配置され、これにより半導体ウェーハ１７のエッジの所定部分がトラフ３１に浸される。モータ２５が作動し、ローラ１５ａ〜１５ｂを所望の速度で回転させ、ローラ１５ａ〜１５ｂの上に配置された半導体ウェーハ１７を所望の速度で方向Ｒに回転させる。この回転速度は、エッチング剤がリンス流体ノズル３７からのリンス流体に出会う前に所望の厚さの物質を半導体ウェーハ１７のエッジからエッチングするのに十分に長い時間にわたってエッチング剤がエッジと接触した状態を維持するように選択される。除去すべき物質に応じたエッチング剤の供給装置（図示せず）は、エッチング剤供給ライン３３に動作的に連結している。
【００２２】
半導体ウェーハ１７が回転すると、エッチング剤がエッチング剤供給ライン３３に供給され、純水などのリンス流体がリンス流体ノズル３７を通じて供給される。好ましくは、継続的に供給されるエッチング剤がエッチング剤供給ライン３３に流入し、トラフ３１を通って、エッチング剤流出ライン３５に流出するので、半導体ウェーハ１７から除去された物質はトラフ内に蓄積されず、エッチングプロセスに悪影響を及ぼさない。リンス流体はウェーハの表面に沿ってトラフ３１へ進むことができることから、エッチング剤流出ライン３５は再循環されるのではなくドレイン（図示せず）に連結されている。トラフ３１内のエッチング剤濃度を一定レベルに維持するために、エッチング剤がエッチング剤供給ライン３３を介してトラフ３１に入る速度はリンス流体がトラフ３１に入る速度に少なくとも等しいことが好ましい。従って、半導体ウェーハ１７の各領域がトラフ３１およびリンス流体ノズル３７間で回転すると、物質（これをエッチングするためにエッチング剤が選択されている）がエッチングされる。
【００２３】
半導体ウェーハ１７のエッジがトラフ３１内のエッチング剤から出てくると、半導体ウェーハ１７のエッジがリンス流体ノズル３７によってリンスされ、残留エッチング剤が半導体ウェーハ１７の主表面上に落ちないようにされるとともに、エッチング剤の残りが中和および／またはリンスされ取り除かれる。図１を参照しながら記載したチューブ・綿棒構成と同様に、特に数層の堆積物質をエッチングするために、異なるエッチング剤をトラフ３１に順次に流し込んでもよい。図３に示される洗浄システムの第３態様によって更に記載されるように、物質の除去効率を更に高めるために、オプションのトランスデューサ３９を駆動させてもよい。
【００２４】
図３は、図２のトラフ３１などのトラフによって洗浄流体を供給する本発明のシステム１１ｃの第３態様の側面図である。本発明に係るシステム１１ｃは、トラフ３１自体が洗浄流体で満たされ、そのためにリンス流体ノズル３７が省かれることを除いて、図２の本発明に係るシステム１１ｂと同様の構成を有している。更に、図２のトラフ３１内に任意で含まれるトランスデューサは、図３の発明システム１１ｃでは必須である。発明システム１１ｂと発明システム１１ｃは他の点では同じであることから、特定の構成要素の記載は繰り返さない。
【００２５】
動作中は、トランスデューサ３９が駆動させられ、モータ２５が作動して、ローラ１５ａ〜１５ｂを所望の速度で回転させ、ローラ１５ａ〜１５ｂの上に配置された半導体ウェーハ１７を所望の速度で方向Ｒに回転させる。その速度は、半導体ウェーハ１７のエッジから望ましくない物質を除去するのに十分に長い時間にわたって半導体ウェーハ１７がトラフ３１の音波エネルギー付与洗浄流体と接触した状態を維持するように選択される。
【００２６】
周知のように、振動電圧を印加することによりトランスデューサ３９を駆動させると、トランスデューサ３９が拡縮する。トランスデューサ３９の拡縮は、洗浄流体内に空洞化または気泡を生じさせる。気泡が拡縮することにより、半導体ウェーハ１７の表面が緩やかにスクラブされる。トランスデューサ３９が振動する振動数（例えば、５００ｋＨｚ〜２ＭＨｚ）は、パーティクル除去効率を最大にするが、半導体ウェーハ１７に損傷を与えない。既知の効果のために、半導体ウェーハ１７が引っ張られて空気／液体界面を通ると、メガソニック出力密度が空気／液体界面で増大する。従って、トラフ３１を通って半導体ウェーハ１７が回転するにつれて、洗浄流体の空気／液体界面が半導体ウェーハ１７の外周部を走査し、物質（例えば、スラリー粒子、カセット残渣、アッシングされたフォトレジスト等）を半導体ウェーハ１７の外周部から除去する。
【００２７】
好ましくは、洗浄流体は、純水または除去すべき物質および半導体ウェーハ１７間の静電反発作用を最大にするような他の液体である。例えば、負の電荷を有するディスク（例えば、酸化シリコン被覆付きウェーハ）からシリカスラリーを除去するのに好ましい洗浄液体は、Ｈ2Ｏ2で希釈した希ＮＨ4ＯＨである。
【００２８】
上記の説明は本発明の好適な実施形態のみを開示しており、本発明の範囲内に含まれる上記装置および方法の変形は当業者には明らかである。例えば、本明細書に描かれた綿棒は例示に過ぎず、基板外周部の長尺部分と接触し、かつ／またはディスクの両面と接触するような形の湾曲綿棒など、他の形を用いることもできる。同様に、本明細書に描かれたトラフは、浅く、従ってリンス流体を節約するために好適であるが、他のトラフ構造も使用することができる。ここで開示したローラ以外の機構でディスクを支持してもよく、ディスクを走査させてエッチング剤およびリンス流体ステーションを通過させるモータおよび回転ローラの代わりに、固定ディスク支持体と、ディスクエッジを走査する電動のエッチング剤およびリンス流体ステーションを用いることができる。従って、本明細書で用いたように、薄ディスクと相対的にエッチング剤またはリンス流体ステーションを走査させるステップは、ディスクおよび／またはそれぞれのステーションを移動させるステップを包含する。図示されていないが、他のディスク方向（例えば、横方向）も使用することができる。綿棒およびトラフは好適なエッチング剤ステーションであるが、他のあまり好ましくない実施形態も本発明の範囲内に含まれる。例えば、毛管をディスクエッジに十分近接して配置してもよく、このとき、毛管を通るエッチング剤の流量、およびディスクの回転速度を、エッチング流体のメニスカスがディスクのエッジ上に形成されるように調節してもよい。このメニスカスは、ディスクエッジ上にエッチング剤を保持し、エッチング剤がディスク主表面上に流れないようにする。結局、ディスクエッジの所望の領域（例えば、ディスクエッジから任意の距離にある領域）から物質を除去するようにトラフまたは綿棒を配置できることが分かる。
【００２９】
このように、本発明を好適な実施形態と共に開示してきたが、他の実施形態も特許請求の範囲によって定められる本発明の趣旨と範囲内に含まれていることは理解されるべきである。
【図面の簡単な説明】
【図１】綿棒によってエッチング剤を塗布する本発明の第１態様の側面図である。
【図２】トラフによってエッチング剤を塗布する本発明の第２態様の側面図である。
【図３】図２のトラフなどのメガソニックトラフによって洗浄流体を塗布する本発明の第３態様の側面図である。
【符号の説明】
１３…綿棒、１５…ローラ、１７…半導体ウェーハ、１９…チューブ、２１…吸収材料、２３…リンスノズル、２５…モータ、２７…コントローラ、３１…トラフ、３３…エッチング剤供給ライン、３５…エッチング剤流出ライン、３７…リンス流体ノズル、３９…トランスデューサ。
【図１】
0004709346.tif 000002
【図２】
0004709346.tif 000003
【図３】
0004709346.tif 000004