(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体ウェハに液浸リソグラフィ用の感光層を形成する工程と、
約1500ｒｐｍより速い第１の速度で、前記半導体ウェハを回転させながら、この半導体ウェハの前側縁部から第１の距離に在る前記半導体ウェハの前側表面に第１の液体を供給し、第２の速度で前記半導体ウェハを回転させながら、この半導体ウェハの前側と後側縁部から第２の距離に在る前記半導体ウェハの前側表面と後側表面に第２の液体を供給し、第３の速度で前記半導体ウェハを回転させながら、この半導体ウェハの前側と後側縁部から第３の距離に在る前記半導体ウェハの前側表面と後側表面に第３の液体を供給して、エッジビード除去処理を行なう工程と、
半導体ウェハをスピンドライする工程と、
前記半導体ウェハをスピンドライした後、前記半導体ウェハをベークする工程と、
前記半導体ウェハをベークした後、前記感光層を露光する工程と、
前記感光層を露光後ベークする工程と、
前記感光層を露光後ベークした後、前記感光層を現像する工程と、からなり
前記第２の速度が前記第１の速度よりも遅いか或いは等しく、前記第３の速度が前記第２の速度よりも遅いか或いは等しく、
前記第２の距離が前記第１の距離よりも短く、前記第３の距離が前記第２の距離よりも短いかいか或いは等しいことを特徴とする半導体ウェハの処理方法。
【請求項２】
前記第１の液体，前記第２の液体，および前記第３の液体は、ＰＧＭＥ，ＰＧＭＥＡ，シクロヘキサノール，水溶液，界面活性剤液，およびこれらを組み合わせたもののグループの中から、各々が独立した材料で構成されることを特徴とする請求項１記載の処理方法。
【請求項３】
前記感光層が、半導体ウェハの外縁部の５ｍｍ以内にまで広がっていることを特徴とする請求項１記載の処理方法。
【請求項４】
前記感光層を形成する前に、基板に下面反射防止コーティング（ＢＡＲＣ）層を形成する工程を更に備え、前記ＢＡＲＣ層が、半導体ウェハの外縁部の５ｍｍより短い距離にまで広がっていることを特徴とする請求項１記載の処理方法。
【請求項５】
前記感光層を形成した後に、前記基板に上面コート層を形成する工程を更に備え、前記上面コート層が、前記半導体ウェハの外縁部の５ｍｍ以内にまで広がっていることを特徴とする請求項１記載の処理方法。
【請求項６】
半導体ウェハの表面上にレジスト層を供給する工程と、
約1000ｒｐｍより速い第１の速度で前記ウェハを回転し、この回転中に前記ウェハの前側縁部から第１の距離に在る前記半導体ウェハの前側表面に向けて第１の溶剤を供給し、前記第１の速度よりも遅いか或いは等しい第２の速度で前記ウェハを回転し、この回転中に前記ウェハの前側と後側縁部から第２の距離に在る前記半導体ウェハの前側表面と後側表面に向けて第２の溶剤を供給し、前記第２の速度よりも遅いか或いは等しい第３の速度で前記ウェハを回転し、この回転中に前記ウェハの前側と後側縁部から第３の距離に在る前記半導体ウェハの前側表面と後側表面に向けて第３の溶剤を供給して、エッジビードの除去処理を行なう工程と、
液浸リソグラフィ露光装置を利用して前記レジスト層を露光する工程と、からなり、
前記第２の距離が前記第１の距離よりも短く、前記第３の距離が前記第２の距離よりも短いかいか或いは等しいことを特徴とする半導体ウェハ上における液浸リソグラフィの実施方法。
【請求項７】
1500ｒｐｍより速い第１のチャック速度，約1000ｒｐｍ〜約1500ｒｐｍの間にある第２のチャック速度，および1000ｒｐｍより遅い第３のチャック速度を順次維持するように構成された、ウェハチャックを回転させる多速度モーターと、
半導体ウェハの縁部が前記チャック上に存在する近傍で、このチャック上に位置した溶剤供給用の第１のノズルと、
半導体ウェハの縁部が前記チャック上に存在する近傍で、このチャック上に位置した第２のノズルと、を備え、
この第２のノズルは、前記第１のノズルが溶剤を供給する側とは反対の、前記半導体ウェハの他側上に溶剤を供給するものであり、
前記モーターが前記第１のチャック速度で回転中に、前記ウェハの縁部から第１の距離で、前記第１のノズルが溶剤を供給し、前記モーターが前記第２のチャック速度で回転中に、前記ウェハの縁部から第２の距離で、前記第１のノズルと前記第２のノズルが溶剤を供給し、前記モーターが前記第３のチャック速度で回転中に、前記ウェハの縁部から第３の距離で、前記第１のノズルと前記第２のノズルが溶剤を供給するように構成され、
前記第２の距離が前記第１の距離よりも短く、前記第３の距離が前記第２の距離よりも短いか或いは等しいことを特徴とする液浸リソグラフィ処理と共に使用するエッジビード除去装置。
【請求項８】
前記第１の距離は約２.５ｍｍで、前記第２の距離は約１.０〜１.５ｍｍで、前記第３の距離は約１.０ｍｍであることを特徴とする請求項７記載のエッジビード除去装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、一般に半導体デバイスの製造に関するものであり、より詳しくは、半導体基板からフォトレジストの残留物を除去する方法と装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
リソグラフィは、半導体ウェハなどの基板上に、マスク上のパターンを投影するメカニズムである。半導体フォトリソグラフィのような分野では、解像限界若しくは臨界寸法（ＣＤ）の下で、最小の機能サイズを組み込んだ半導体ウェハに、イメージを形成することが必要となってくる。現在、この臨界寸法は、６５ナノメータ以下に達する。
【０００３】
液漬リソグラフィは、フォトリソグラフィにおける新しい進展であり、ウェハの表面とレンズとの間の空間を液体で満たした状態で、露光処理が行なわれる。液漬リソグラフィを使用すると、レンズを空気中で使用する場合よりも、より大きな開口数が確立されて、解像度が向上する。さらに、液漬により、今までよりもより小さい形状を印刷する場合に、より深い焦点深度（ＤＯＦ）が得られる。
【０００４】
液浸露光ステップは、ウェハとレンズとの間の空間中に、脱イオン水，或いは他の適正な液浸露光流体を使用することがある。露光時間は短いが、この液体と感光層（フォトレジスト、または単に「レジスト」）の組み合わせは、従来予測できなかった問題を引き起こす。例えば、レジストの残留物が、液浸露光流体および／またはレンズと接触するに至り、それにより流体および／またはレンズを汚染して、ウェハ上での欠陥の原因となる。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
前記液浸露光流体とレンズの汚染を減少し、ウェハ上の欠陥を減少する液浸リソグラフィ処理を提供することが望まれる。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
一つの実施例において、半導体ウェハに液浸リソグラフィを実施する方法を提供する。この方法は、半導体基板の表面にレジスト層を供給する。次に、エッジビード除去処理は、毎分1000回転以上（例えば、約1500ｒｐｍ）の速度でウェハを回転し、ウェハの回転中にノズルを通してウェハの縁部から第１の距離に在るウェハの前側表面と後側表面に溶剤を供給する。それから、液浸リソグラフィ露光装置を利用してレジスト層を露光する。
【０００７】
幾つかの実施例では、このエッジビード除去ステップは、1000ｒｐｍより速い第１の速度でウェハを回転し、その回転中にウェハの縁部に溶剤を供給する第１のスピン処理と、第１の速度よりも遅いか或いは第１の速度と等しい第２の速度でウェハを回転し、その回転中にウェハの縁部に溶剤を供給する第２のスピン処理と、第２の速度よりも遅いか或いは第２の速度と等しい第３の速度でウェハを回転し、その回転中にウェハの縁部に溶剤を供給する第３のスピン処理と、から構成される。
【０００８】
その他の実施例において、半導体基板に液浸リソグラフィを実施する方法は、半導体基板の表面に、基板の縁部近辺まで広がるレジスト層を設ける。このレジスト全体を覆って、上面反射防止コーティング（ＴＡＲＣ）層が形成される。このＴＡＲＣ層は、レジスト層よりも基板の縁部近傍まで広がっており、それによりレジスト層を包み込む。ここで、エッジビード除去（ＥＢＲ）処理が実施される。このＥＢＲ処理は、毎分1000回転（ｒｐｍ）より速い速度でウェハを回転し、このウェハの回転中に、ウェハの縁部から第１の距離に在るウェハの前側表面と後側表面に向けてノズルから溶剤を供給するものである。その後で、レジスト層は、液浸リソグラフィ露光装置を利用して露光される。
【０００９】
他の実施例において、液浸リソグラフィ処理と共に使用するエッジビード除去装置を提供する。この装置は、ウェハチャックを回転させるための多速度モーターを有する。このモーターは、1000ｒｐｍより速い第１のチャック速度と、約1000ｒｐｍの第２のチャック速度と、1000ｒｐｍより遅い第３のチャック速度と、を順次持続するように構成される。この装置は、半導体ウェハの縁部がチャック上に存在する近傍で、このチャック上に位置した第１のノズルを有する。この第１のノズルは、溶剤を供給するものである。またこの装置は、半導体ウェハの縁部がチャック上に存在する近傍で、チャック上に位置した第２のノズルを更に有する。この第２のノズルは、第１のノズルが溶剤を供給する側とは反対の、半導体ウェハの他側上に溶剤を供給する。
【００１０】
幾つかの実施例において、第１のノズルは、少なくとも２種類の異なる前記チャック速度に対応して、異なる場所に位置するように構成される。
【００１１】
幾つかの実施例において、この多速度モーターは、第１のチャック速度が約2500ｒｐｍ，第２のチャック速度が約1000ｒｐｍ，第３のチャック速度が約500ｒｐｍとなるようにさらに構成される。
【００１２】
幾つかの実施例において、第１のノズルは、モーターが第１のチャック速度にある場合、ウェハの縁部から約2.5ｍｍの位置で、溶剤を供給するように構成される。第１のノズルと第２のノズルは、モーターが第２のチャック速度にある場合、ウェハの縁部から1.0ｍｍ〜1.5ｍｍの間の位置で、溶剤を供給するように構成される。さらに、第１のノズルと第２のノズルは、モーターが第３のチャック速度にある場合、ウェハの縁部から約1.0ｍｍの位置で、溶剤を供給するように構成される。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１３】
添付の図面を参照しながら、以下の実施例で詳細な説明を行なう。
【００１４】
下記の記述は、本発明を実行するために最良に熟慮された形態である。この説明は、本発明の全般的な原理を説明する目的のために書かれたものであり、限定する意味に考えてはならない。本発明の範囲は、添付の請求項を参照することにより決定するのが、最良である。
【００１５】
本発明は、広く半導体デバイスの製造に関するものであり、とりわけ、半導体基板からフォトレジストの残留物を除去する方法と装置に関する。特定の実施例は、より広く発明の概念を与えるために、例としてあげたもので、当業者ならば、本発明が教示するものを、他の方法や装置に簡単に適用できることが理解されよう。また、本発明において検討される方法と装置は、いくつかの従来構造および／またはステップを含んでいることも、また理解されよう。これらの構造とステップは、この技術分野では周知であるから、これらは、一般的な詳細レベルだけが検討されるであろう。さらに、利便性と明確性のために、参照番号が終始図面で繰り返し使用されるが、この繰り返しの使用は、図面を通して、機構若しくはステップの如何なる必要な組み合わせをも示すものではない。
【００１６】
図１を参照すると、ここでは欠陥数の少ない液浸リソグラフィ用の工程の実施例について、簡略化されたフローチャートが参照番号１００で示されている。ステップ１０２において、感光層（ＰＳＬ）が、ウェハの表面を覆って形成される。ウェハ基板は、ベアシリコンウェハ，薄膜積層，多結晶シリコン，窒化シリコン，酸化シリコン，低ｋ誘電体，導電材料(例えば金属)からなる。
【００１７】
一つの実施例において、前記ＰＳＬは、65ｎｍのリソグラフィに対して約2500Å（オングストローム＝10１０ｍ），55ｎｍのリソグラフィに対して約1800Å未満の高分子フォトレジスト層（レジスト）である。本実施例においては、この高分子フォトレジスト層が使用され、対応するリソグラフィ解像度に関連した回路形状に対し、幅に対する高さの比率が望ましい値に維持される。ＰＳＬの厚さを減らすと、以後の処理（例えば、現像やスピンドライ）中に、パターンの潰れを減少させたり、或いはパターンの潰れを防止したりすることができる。
【００１８】
レジストは、下面反射防止コーティング（ＢＡＲＣ）層，下層ポリマー，シリコン含有ポリマー，シリコン炭化物含有ポリマー，ネガ型若しくはポジ型のレジスト，上面反射防止コーティング（ＴＡＲＣ）層であってもよく、既知の材料、或いは今後この目的のために開発される材料から成ってもよい。例えば、このレジストは、１つの，２つの，或いは複数の構成要素からなるレジスト系でもよい。レジストの塗布は、スピンコーティング、若しくは他の好適な手段で行なわれる。レジストの塗布前に、ウェハは、フォトリソグラフィ処理（プロセス）に対して備えるために、初期処理を行ってもよい。例えば、レジストの塗布前に、ウェハを洗浄したり、乾燥したり、および／または接着促進材料で表面を覆ったりしてもよい。
【００１９】
本実施例では、レジストが塗布される前に、ＢＡＲＣ層がウェハに配置され、レジストを塗布した後に、上面コート（例えばＴＡＲＣ）層がウェハに配置される。このＢＡＲＣ層は、均一なコーティング厚と、所望の反射率を容易に実現するために、約50Åを超える高さを有する。さらにＴＡＲＣ層は、均一なコーティング厚を容易に実現するために、約50Åを超える高さを有する。
【００２０】
ステップ１０４において、溶剤リンス（洗浄）が、ウェハ縁部に存在するレジスト（これを「エッジビード」と称する）を除去するのに塗布される。この処理は、露光中におけるレジストの汚染防止に役立つ。従来のエッジビード除去（ＥＢＲ）処理は、下記の表１に示す次のパラメータを有している。それは２ステップの処理があり、第１のステップでは、５秒間，毎分1000回転の回転数で、ウェハを回転させる。このステップ中、溶剤を供給する２個のノズルが、ウェハの縁部から1.5ミリメートルのところにあって、一方のノズルはウェハの前方表面に、他方のノズルはウェハの後方表面に位置している。ここで、「前方」という用語は、レジストを有するウェハの側のことを言い、「後方」という言葉は、その反対側のことを言う。
【００２１】
【表１】
0004709698.tif 000002
【００２２】
ステップ１０６において、液浸リソグラフィ処理が実施される。ウェハおよびレジスト（および他の任意の層）は、脱イオン水などの液浸露光液中に浸され、放射線光源に露光される。この放射線光源は、例えば、フッ化クリプトン（ＫｒＦ，248nm），フッ化アルゴン（ＡｒＦ，193nm），或いはＦ２（157nm）エキシマレーザのような紫外線光源とすることができる。ウェハは、使用されるレジストの種類，紫外線光源の強さ，および／またはその他の要因に応じて、所定の時間、この放射線に露光される。露光時間を、例えば約0.2秒から約３０秒間持続させてもよい。露光後に、露光後ベーク処理がポリマー（高分子物質）を分裂させるために実施され、現像工程がレジスト層のパターニングを完結するために使用される。
【００２３】
図２を参照すると、ここでは上述の液浸リソグラフィ処理１００により処理される半導体ウェハ１０の１つの例が示されている。ウェハ１０は、基板１２と感光層１４とを備えている。基板１２は、パターン化するのに望ましい多結晶（poly），金属，および／または誘電体を含み、一乃至複数の層からなる。感光層１４は、フォトレジスト（レジスト）層であり、パターンを生成するための露光処理に反応する。
【００２４】
必須ではないが、ウェハ１０は、下面反射防止コーティング（ＢＡＲＣ）層１６と、上面反射防止コーティング（ＴＡＲＣ）層１８とを有する。図２は、ウェハ１０の右側の縁部１９のみを示している。ウェハ１０の左端は、右端１９と同様な側面図を有すると考えてよい。図２では更に、３つの層が、ずれた位置にあることが示されており、ＢＡＲＣ層１６が感光層１４よりも、ウェハの縁部１９に向けて（近づいて）さらに広がっている。感光層１４は、ＴＡＲＣ層１８よりもさらにウェハの縁部に向けて広がっている。
【００２５】
図３を参照すると、ＥＢＲ処理の後に、ウェハ１０は液浸リソグラフィ装置２０に供給される。液浸リソグラフィ装置は、レンズ装置２２と、脱イオン水のような流体２６を収容する液浸ヘッド２４と、液体を注入または除去できるような様々な隙間２８と、レンズ装置２２に対してウェハ１０を固定したり動かしたりするステージ３０とを備えている。さらにステージ３０は、流体２６を収容する構造体３２を有している。図３において、レンズ装置２２と液浸ヘッド２４は、ウェハ１０の右側縁部１９の近傍に位置している。ウェハの上部全体でレンズがレジスト層１４を露光できるように、レンズ２２とウェハ１０が相対運動を行なうことが理解されるであろう。
【００２６】
図２と図３の双方を参照すると、限定する意図ではないが、従来の液浸リソグラフィ処理中に、不完全なレジストの切断面が形成され、そのレジスト１４からの溶解性物質が微粒子４０を形成すると、欠陥の原因となる不良メカニズムが発生し、その後の工程で問題を生じることになる。図２においては、２つの微粒子４０が、縁部１９の近傍に示されている。微粒子４０は、レジスト層１４，ＢＡＲＣ層１６，ＴＡＲＣ層１８，若しくはこれらの各層の組み合わせからの溶解性物質からなる。図３においては、多くの微粒子４０がウェハの縁部１９近傍のみならず、流体２６の至る所に浸漬されている。
【００２７】
ＥＢＲ処理においては、不良が存在すると考えられている。1000ｒｐｍ（表１）で回転するウェハの遠心力は、レジスト１４の縁部からＥＢＲ溶剤を除去するほど強力ではない。ウェハの縁部におけるレジスト１４は、さらに溶剤で浸され、スポンジのような状態をもたらす。ある場合には、これによりレジスト縁部が柔らかくなり、その結果、ウェハのスピンドライステップ（ステップ２）中に、容易に回転除去される。回転除去された溶剤を多く含んだレジストは、さらに、露光後処理中に剥がれを起こすことになる。ドライ・リソグラフィの場合は、これは問題を起こさないが、液浸リソグラフィ装置２０（図３）における流体２６，および／またはレンズ２２は、微粒子４０で汚染され、（ダイが存在する箇所で、）ウェハ上に増加した多数の欠陥が発生する。
【００２８】
ここで図４を参照すると、従来のＥＢＲ処理で液浸リソグラフィ処理を行った後のウェハ１０が、示されている。ウェハ１０は、この処理中に原因と成った欠陥５０を含んでいる。この欠陥は、図２や図３に示されている微粒子４０に起因するものであり、レジストにおける微粒子，および／または変形若しくは「穴型の空白パターン」（欠落パターン）の存在を表している。さらに他の種類の欠陥も、存在することがある。
【００２９】
図５を参照すると、ここでは液浸流体２６内およびレンズ２２上に、微粒子４０が形成されるのを減少および／または防ぐと共に、処理後におけるウェハの欠陥５０の数を減少させるために、新規なＥＢＲ処理が提供される。この新規なＥＢＲ処理は、一乃至複数のノズル６０，６２に加えて、モーター５４により駆動されるチャック５２を利用する。このモーター５４は、下記に検討するように、比較的高速でチャック５２を回転させる能力を有する。幾つかの実施例において、ノズル６０〜６２は、モーター速度と協調して、独自の動きを行なうことができる。
【００３０】
表２により、（上記表１と比較して）改良された２つのステップのＥＢＲ処理を、下記に説明する。第１のステップでは、約５秒間，1000ｒｐｍよりも高速（例えば1500rpm）で、モーター５４がチャック５２を回転させる。溶剤を供給する２つのノズル６０，６２は、ウェハの縁部から約1.5ｍｍに位置し、１つはウェハ１０の前方表面に、他の１つはウェハ１０の後方表面に位置している。溶剤の例としては、プロピレン・グリコール・モノメチル・エーテル（ＰＧＭＥ），プロピレン・グリコール・モノメチル・エーテル・アセテート（ＰＧＭＥＡ），シクロヘキサノール，水溶液，界面活性剤液，或いはこれらを組み合わせたものが含まれている。ここでは、多くの種類のレジストが、上記一乃至複数の溶剤に対して可溶性であることが理解されよう。本実施例では、エッジビードに作用する遠心力を増加させ、ウェハの縁部近傍に存在するスポンジ状態のレジストを低減する。表２の各ステップを実施した後、露光前ベーキング処理が利用して、レジストの高分子物質の密度を高め、溶剤を蒸発させることができる。
【００３１】
【表２】
0004709698.tif 000003
【００３２】
別な実施例において、第２のＥＢＲ処理によって、液浸流体２６に微粒子４０が形成されるのを、さらに減少または防止する。下記の表３は、改善された４つのステップの各工程を示している。第１ステップでは、約５秒間，1000ｒｐｍを超える速度（例えば2500ｒｐｍ）で、ウェハを回転させる。そして、ウェハの縁部から約2.5ｍｍの位置で、ウェハの前方上に存在するノズル６０を通して、溶剤が供給される。第２ステップでは、約５秒間，先程よりも遅い速度（例えば1000ｒｐｍ）で、ウェハを回転させる。そして、ウェハの縁部から約1.5ｍｍの位置で、ウェハ１０の前方と後方の各側に存在するノズル６０，６２の両方を通して、溶剤が供給される。第３ステップでは、約５秒間，さらに遅い速度（例えば500ｒｐｍ）で、ウェハを回転させる。そして、ウェハの縁部から約1.0ｍｍの位置で、ウェハ１０の前方と後方の各側に存在するノズル６０，６２の両方を通して、溶剤が供給される。
【００３３】
【表３】
0004709698.tif 000004
【００３４】
チャンバ壁の全てに跳ね返り、ウェハの表面上に戻ってくるような、除去後のレジストから生じる如何なる「跳ね返り（bounce back）」をも、速度と位置の双方を変更することにより、防止または低減することができる。また、第１の高速度でのステップで、エッジビードを除去した後で、低速回転を行なうことにより、ウェハの縁部の汚れを落とすことができる。
【００３５】
図６を参照すると、幾つかの実施例において、レジストのエッジビードの除去を容易にし、および／または「跳ね返り」を減少させる角度に、ノズル６０，６２を設けることが可能である。
【００３６】
図７〜図９を参照すると、その他の実施例においては（図２の実施例と比較して）、ＴＡＲＣ層は、レジスト層１４上を覆って広がっており、レジストの微粒子が形成される可能性を低減する。図７において、ＴＡＲＣ層は参照番号１８ａで識別され、レジスト層１４とＢＡＲＣ層１６の双方を覆っている。このＴＡＲＣ層１８ａは、ウェハ基板１２の縁部１９からほぼ５ｍｍ未満の距離にまで広がっている。図８において、ＴＡＲＣ層は参照番号１８ｂで識別され、レジスト層１４を覆っているが、ＢＡＲＣ層１６は覆っていない。ここでは、ＢＡＲＣ層１６が、ウェハ基板１２の縁部１９により近い距離まで、広がっている。図９において、ＴＡＲＣ層は参照番号１８ｃで識別され、レジスト層１４を覆っている。レジスト層１４は、ウェハ基板１２の縁部１９により近い距離まで、広がっている。ＴＡＲＣ材料の中には、ウェハ基板とよりも、レジスト層との接着力がより強いものがある。図９に示すようなウェハ縁部膜積層は、液浸露光処理中に、ウェハ縁部のＴＡＲＣ層が剥がれるのを防止することができる。
【００３７】
下記の表４は、改良された４つのステップのＥＢＲ処理を示し、ここでのＥＢＲ処理は、上記検討したＴＡＲＣ層１８ａ，１８ｂを有する様々な層の組み合わせを備えて良好に動作する。第１ステップでは、約５秒間，1000ｒｐｍよりも高速度（例えば2500ｒｐｍ）で、ウェハを回転させる。そして、ウェハの縁部から約1.5ｍｍの位置で、ウェハ10の前方上に存在するノズル６０を通して、溶剤が供給される。溶剤の例としては、ＰＧＭＥ，ＰＧＭＥＡ，シクロヘキサノール，水溶液，界面活性剤液，或いはこれらを組み合わせたものが含まれている。第２ステップでは、約５秒間，より遅い速度（例えば1000ｒｐｍ）で、ウェハを回転させる。そして、ウェハの縁部から約1.0ｍｍの位置で、ウェハ１０の前方と後方の各側に存在するノズル６０，６２の両方を通して、溶剤が供給される。第３ステップでは、約５秒間，更に遅い速度（例えば500ｒｐｍ）で、ウェハを回転させる。そして、ウェハの縁部から約1.0ｍｍの位置で、ウェハ１０の前方と後方の各側に存在するノズル６０，６２の両方を通して、溶剤が供給される。
【００３８】
【表４】
0004709698.tif 000005
【００３９】
本発明の代表的な実施例の幾つかのみを、上記詳細に説明したが、本発明の新規な教示と利点から大きく逸脱することなく、この代表的な実施例において、多くの変形が可能であることを、当業者ならば容易に十分に理解するであろう。上記の処理ステップの種々の組み合わせが、様々な順序で、或いは同時に平行して使用可能であり、特別に臨界的な、または必須とされるステップは存在しないことが、理解されよう。また、幾つかの実施例に関して、上記説明および検討した特徴は、その他の実施例に関して、上記説明および検討した特徴と組み合わせることが可能である。従って、このような全ての変形が、本発明の範囲に包含される。
【００４０】
本発明は、例を示して好ましい実施例に関して説明してきたが、これらの開示した実施例に、本発明が限定されないことを理解すべきである。これとは反対に、（当業者にとっては明らかなことであろうが、）種々の修正や同様の装置に及ぶことを、ここでは意図している。したがって、添付の請求項の範囲は、このような全ての修正と同様な装置を包含するように、最大の範囲の解釈を許容されるべきである。
【図面の簡単な説明】
【００４１】
【図１】エッジビード除去（ＥＢＲ）処理を行なって、液浸リソグラフィを実施する方法のフローチャートである。
【図２】半導体ウェハの（図面で示されたような）右側大部分の側面断面図である。
【図３】液浸リソグラフィ装置の側面図である。
【図４】一乃至複数の欠陥を被った図１，図４，および／または図５の半導体ウェハを示す図である。
【図５】本発明の一乃至複数の実施例に基づき、図６のＥＢＲ処理において使用される種々のドライ処理を示す図である。
【図６】本発明の一乃至複数の実施例に基づき、図６のＥＢＲ処理において使用される種々のドライ処理を示す図である。
【図７】半導体ウェハの（図面で示されたような）右側大部分の側面断面図である。
【図８】半導体ウェハの（図面で示されたような）右側大部分の側面断面図である。
【図９】半導体ウェハの（図面で示されたような）右側大部分の側面断面図である。
【符号の説明】
【００４２】
１０  半導体ウェハ，ウェハ
１２  基板
１４  感光層，レジスト層
１６  下面反射防止コーティング層
１８  上面反射防止コーティング層（上面コート層）
１９  縁部
２０  液浸リソグラフィ装置（液浸リソグラフィ露光装置）
２６  流体
５２  チャック（ウェハチャック）
５４  モーター（多速度モーター）
６０，６２  ノズル
【図１】
0004709698.tif 000006
【図２】
0004709698.tif 000007
【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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