(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
被加工物をチャンバ内で処理ガスによりエッチング処理するエッチング装置であって：
前記被加工物を前記チャンバ内へ搬入出する搬送手段と；
前記搬送手段により前記チャンバ外に搬出された前記被加工物を載置する載置台と；
前記載置台に載置された前記被加工物に付着した異物を吸引して除去する吸引手段と；
を備え，
前記吸引手段は，
前記被加工物に付着した異物を吸引する吸引口を有する吸引部と，
前記載置台に載置された前記被加工物の上面に沿って，前記吸引部を所定の方向に移動させる移動機構と，
を備え，
前記吸引口は，前記吸引部の移動方向に対して直交方向に延びる直線状のスリットであり，
前記吸引部の移動方向前方側には，前記被加工物の表面に働く吸引力を強めるカーテンが設けられていることを特徴とする，エッチング装置。
【請求項２】
請求項１に記載のエッチング装置による被加工物の異物除去方法であって：
前記チャンバ内でエッチング処理された前記被加工物を，前記搬送手段により前記チャンバ外へ搬出し，前記載置台に載置する搬送ステップと；
前記吸引手段の前記吸引部を，前記載置台に載置された前記被加工物の上方を前記被加工物に対して略平行に往復移動させて，前記被加工物に付着した異物を吸引して除去する吸引ステップと；
を含むことを特徴とする，被加工物の異物除去方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は，エッチング装置に関し，より詳細には，エッチング処理後の被加工物に付着した異物を除去する吸引除去手段を備えるエッチング装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年，半導体装置の薄型化の要請に応えるため，半導体ウェハの回路形成面の裏面をグラインダー等によって機械研削して，半導体ウェハを薄型化することがなされている。このような半導体ウェハの裏面研削加工では，回路形成面を保護するとともに，脆化した半導体ウェハの破損を防止するために，回路形成面に保護テープを貼り付けることにより補強する。
【０００３】
ところで，上記裏面研削加工を行うと，半導体ウェハの裏面には機械研削により発生したマイクロクラック等を含むストレス層が形成されてしまう。かかるストレス層による半導体ウェハの強度低下を防止するため，裏面研削加工後に，プラズマエッチング処理装置を用いて半導体ウェハの裏面をエッチング処置することにより，上記ストレス層を除去する。
【０００４】
このプラズマエッチング処理装置は，例えばエッチング処置を行うためのチャンバ内に，略平行に対向配置された上部電極と下部電極とを備える。下部電極の上に半導体ウェハを被処理面である裏面を上向きにして載置して，上部電極から例えばＳＦ６等の処理ガスをチャンバ内に供給してチャンバ内を処理ガスで満たすとともに，下部電極に接続された高周波電源によってプラズマを発生させて，半導体ウェハの裏面をエッチング処理する。
【０００５】
【特許文献１】特開２００１−２５７２４８号公報
【特許文献２】特開２０００−１５０３９４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
エッチング処理された半導体ウェハは，半導体ウェハの裏面にダイシングテープを貼り付ける装置であるテープマウンターへ移動される。このとき，エッチング工程において何らかの要因によって半導体ウェハの裏面に異物が堆積してしまうという問題がある。このため，テープマウンターにより半導体ウェハの裏面にダイシングテープを貼り付けたときに，半導体ウェハの裏面とダイシングテープとの間に異物を挟み込んでしまう。この状態でダイシング装置のチャックテーブルに半導体ウェハを載置すると，半導体ウェハが異物によって破損してしまう恐れがあった。
【０００７】
また，半導体ウェハの裏面を真空吸着パッドにより全面吸引して保持して移動させる場合にも，真空吸着パッドと半導体ウェハとの間に異物が挟み込まれてしまうため，半導体ウェハを破損させてしまうという恐れもある。さらに，真空吸着パッドに異物が転写してしまった場合には，連続的な半導体ウェハの破損につながる可能性もある。
【０００８】
半導体ウェハの裏面に異物が堆積してしまう要因のひとつとして，エッチング装置の上部電極の構造によることが考えられる。上部電極は，下部電極との対向面をなす電極板と，電極板を支持する電極支持体とから構成される。電極板は略円盤状の部材であり，これまでは石英などに複数のガス噴射孔が貫通形成されて構成されていたが，処理ガスを半導体ウェハの裏面に均一に供給することが困難であったため，電極板にガス噴射孔を設ける代わりに，アルミナセラミックなどからなる微細孔を有する多孔質材料で電極板を構成している。
【０００９】
ところが，多孔質材料は非常に脆いため，ガス供給によって多孔質材料が崩れて粒子となって飛散してしまい，半導体ウェハ上に堆積してしまう可能性がある。また，チャンバ内のゴミが半導体ウェハ上に付着することも考えられる。
【００１０】
そこで，本発明は，上記問題に鑑みてなされたものであり，本発明の目的とするところは，被加工物に付着した異物を除去し，被加工物の破損を防止することの可能な，新規かつ改良されたエッチング装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
上記課題を解決するために，本発明のある観点によれば，被加工物をチャンバ内で処理ガスによりエッチング処理するエッチング装置が提供される。かかるエッチング装置は，被加工物をチャンバ内へ搬入出する搬送手段と，搬送手段によりチャンバ外に搬出された被加工物を載置する載置台と，載置台に載置された被加工物に付着した異物を吸引して除去する吸引手段とを備えることを特徴とする。
【００１２】
かかる構成によれば，エッチング装置に吸引手段を備えることにより，エッチング処理後の被加工物に付着した異物を吸引手段によって吸引して除去することが可能となる。したがって，次のダイシング工程に移行する際には，被加工物に付着した異物は除去されているので，被加工物をダイシング装置のチャックテーブルに載置して固定させたときに，チャックテーブルと被加工物との間に異物が挟み込まれて被加工物が破損してしまうことがない。
【００１３】
ここで，吸引手段は，被加工物に付着した異物を吸引する吸引口を有する吸引部と，載置台に載置された被加工物の上面に沿って，吸引部を所定の方向に移動させる移動機構とを備える。このとき，吸引部の吸引口は，吸引部の移動方向に対して直交方向に延びる直線状のスリットであることを特徴とする。これにより，被加工物の表面に対して均一な吸引力を与えることができる。
【００１４】
また，上記エッチング装置による被加工物の異物除去方法は，チャンバ内でエッチング処理された被加工物を搬送手段によりチャンバ外へ搬出し，載置台に載置する搬送ステップと，吸引手段の吸引部を，載置台に載置された被加工物の上方を被加工物に対して略平行に往復移動させて，被加工物に付着した異物を吸引して除去する吸引ステップと，を含んでなる。このように，吸引手段の吸引部を，載置台に載置された被加工物の上方を被加工物に対して略平行に往復移動させることにより，好適に被加工物に付着した異物を吸引して除去することができる。
【発明の効果】
【００１５】
以上説明したように本発明によれば，被加工物に付着した異物を除去し，被加工物の破損を防止することの可能なエッチング装置を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１６】
以下に添付図面を参照しながら，本発明の好適な実施の形態について詳細に説明する。なお，本明細書及び図面において，実質的に同一の機能構成を有する構成要素については，同一の符号を付することにより重複説明を省略する。
【００１７】
本発明を実施するための最良の形態として，被加工物の裏面研削後に，被加工物の裏面をエッチング処理するために用いられるエッチング装置について説明する。そこで，まず，図１に基づいて，被加工物を裏面研削するための研削装置１および本発明の実施形態にかかるエッチング装置１００について説明する。ここで，図１は，研削装置１および本発明の実施形態にかかるエッチング装置１００を示す概略斜視図である。
【００１８】
研削装置１は，被加工物である例えば半導体ウェハＷの裏面を研削加工する装置として構成されている。半導体ウェハＷは，例えば，略円板状のシリコンウェハである。研削装置１は，この半導体ウェハＷの裏面（回路面と反対側の面）を研削加工して，例えば１００〜５０μｍの厚さにまで薄くする。
【００１９】
かかる研削装置１の各構成要素について具体的に説明する。図１に示すように，研削装置１は，ハウジング２と，粗研削ユニット３と，仕上げ研削ユニット４と，ターンテーブル５上に設置された例えば３つのチャックテーブル６と，カセット１１，１２と，ポジションテーブル１３と，搬送アーム１７，１８と，搬送部２０と，スピンナー洗浄装置４０とを備える。
【００２０】
粗研削ユニット３は，スピンドル３ａの下端に装着された研削ホイール３ｂを回転させながら，チャックテーブル６に保持された半導体ウェハＷの裏面に押圧することによって，半導体ウェハＷの裏面を粗研削加工する。また，同時に，仕上げ研削ユニット４は，スピンドル４ａに装着された研削ホイール４ｂを回転させながら，上記粗研削された後の半導体ウェハＷの裏面に押圧することによって，当該半導体ウェハＷの裏面を高精度で仕上げ研削加工する。なお，本実施形態にかかる研削装置１は，２つの研削ユニット３，４を具備するが，かかる例に限定されず，研削装置１は，研削ユニットを１つまたは３つ以上具備するように構成することもできる。
【００２１】
ターンテーブル５は，ハウジング２の上面に設けられた円板上のテーブルであり，水平方向に回転可能である。このターンテーブル５には，例えば，３つのチャックテーブル６が，例えば１２０度の位相角で等間隔に配設されている。このチャックテーブル６は，その上面に真空チャックを備えており，載置された半導体ウェハＷを真空吸着して保持する。このチャックテーブル６は，研削加工時には，回転駆動機構（図示せず。）によって水平方向に回転可能である。かかる構成にチャックテーブル６は，ターンテーブル５の回転によって，搬入・搬出領域，粗研削加工領域，仕上げ研削加工領域，搬入・搬出領域に，順次移動される。
【００２２】
カセット１１，１２は，複数のスロットを有する半導体ウェハ用の収容器である。カセット１１は，研削加工前の半導体ウェハＷを収容し，一方，カセット１２は，研削加工後の半導体ウェハＷを収容する。
【００２３】
ポジションテーブル１３は，カセット１１から取り出された半導体ウェハＷが仮置きされるテーブルである。このポジションテーブル１３は，例えば，６本のピンがテーブルの中心に向かって同時に縮径運動することによって，半導体ウェハＷの中心位置を合わせる中心位置合わせ機構を備える。
【００２４】
搬送アーム１７，１８は，半導体ウェハＷを上方より吸着する吸着部と，吸着部を支持するアーム部と，アーム部を水平方向に回動させる回転駆動部とを備える。搬送アーム１７は，ポジションテーブル１３に載置された研削加工前の半導体ウェハＷを搬送して，搬入・搬出領域に位置するチャックテーブル６に載置する。また，搬送アーム１８は，搬入・搬出領域に位置するチャックテーブル６に載置された研削加工後の半導体ウェハＷを搬送して，スピンナー洗浄装置４０のスピンナーテーブル４２に載置する。
【００２５】
搬送部２０は，吸着パッド（図示せず。）が設けられた例えばＣ字型のウェハ保持部２２を備えた搬送部２０である。搬送部２０は，ウェハ保持部２２によって半導体ウェハＷを吸着保持してピックアップする。搬送部２０により，研削加工前の半導体ウェハＷは，カセット１１からポジションテーブル１３へ搬送される。また，研削加工後の半導体ウェハＷは，スピンナーテーブル４２からカセット１２へ搬送される。
【００２６】
このような研削装置１においては，まず，カセット１１に収容された半導体ウェハＷは，搬送部２０のウェハ保持部２２により保持されて，ポジションテーブル１３へ搬送される。次いで，ポジションテーブル１３にて半導体ウェハＷの中心位置合わせを行った後，搬送アーム１７によりターンテーブル５のチャックテーブル６上に載置される。さらに，チャックテーブル６に載置された半導体ウェハＷは，ターンテーブル５を回転させて，粗研削ユニット３，仕上げ研削ユニット４により研削加工される。その後，半導体ウェハＷは，搬送アーム１８によってスピンナー洗浄装置４０のスピンナーテーブル４２へ搬送されて，洗浄される。
【００２７】
このような研削装置１により裏面研削された半導体ウェハＷは，研削によってその裏面に発生したマイクロクラック等を含むストレス層を除去するため，エッチング装置１００によりエッチング処理される。次に，本実施形態にかかるエッチング装置１００の構成について説明する。
【００２８】
本実施形態にかかるエッチング装置１００は，図１に示すように，半導体ウェハＷを搬送する搬送手段１１０と，半導体ウェハＷに対するエッチング処理が行われるエッチング処理手段１３０と，エッチング処理された半導体ウェハＷの異物を除去する吸引手段１５０とを有して構成される。
【００２９】
搬送手段１１０は，半導体ウェハＷを保持する保持部１１１と，保持部１１１を水平方向および垂直方向に移動させるアーム部１１２と，アーム部１１２を駆動する駆動部（図示せず。）とからなる。保持部１１１は，研削装置１のスピンナー洗浄装置４０において洗浄された半導体ウェハＷを保持し，アーム部１１２を基台１１５に形成された搬送路１１３に沿って移動させて半導体ウェハＷをチャンバ１３５内へ搬送する。また，保持部１１１は，エッチング処理後の半導体ウェハＷを保持し，アーム部１１２を移動させることにより半導体ウェハＷを載置台１６０へ搬送する。なお，半導体ウェハＷを保持部１１１により保持する方法としては，真空吸着により吸着保持する接触方式を採用してもよく，ベルヌーイの原理を利用した非接触搬送方式を採用してもよい。
【００３０】
チャンバ１３５内に搬送された半導体ウェハＷは，その裏面に発生したストレス層を除去するため，例えばＳＦ６等の処理ガスによりエッチング処理される。ここで，図２に基づいて，エッチング処理手段１３０の構成について説明する。図２は，本実施形態にかかるエッチング装置１００の概略構成を示す断面図である。
【００３１】
本実施形態にかかるエッチング装置１００のエッチング処置手段１３０は，図２に示すように，プラズマエッチング処理を行うための処理室を構成するチャンバ１３５と，チャンバ１３５内に略平行に対向配置された上部電極１２０および下部電極１４０を備える。
【００３２】
チャンバ１３５は，例えば略円筒形状を有する真空チャンバであり，プラズマエッチング処理を行うための処理室を構成している。このチャンバ１３５の内部表面は，例えば，陽極酸化処理（アルマイト処理）されたアルミニウムからなる。また，チャンバ１３５の一側面には，半導体ウェハＷを出し入れするための密閉可能な搬入出用開口１３５ａが形成されている。チャンバ１３５内には，上部電極１２０と下部電極１４０とが上下に対向して略平行に配設されている。
【００３３】
下部電極１４０は，例えば，導電性材料（例えばカーボン等）で形成されたサセプタ（電極体）１４２と，絶縁材料で形成された絶縁層１４４とを備えている。サセプタ１４２は，例えば，断面略Ｔ字形のテーブル状に成形されており，その上面は例えば円形の略平坦面である。サセプタ１４２は，チャンバ１３５に対して電気的に絶縁した状態で配設され，プラズマを発生させるための高周波電源（ＲＦ電源）１８１が接続されている。
【００３４】
サセプタ１４２の上面には，薄い絶縁層１４４が配設されており，絶縁層１４４上には，被加工物である半導体ウェハＷが載置される。また，かかる半導体ウェハＷの回路形成面（表面）側には，半導体ウェハＷを粘着して固定するために保護テープ１４１が貼り付けられており，下部電極１４０の絶縁層１４４上に，エッチング処理の被処理面である裏面を上向きにした状態で載置される。また，下部電極１４０は，静電チャックとしても機能し，上記のようにして載置された半導体ウェハＷを静電吸着して保持することができる。さらに，下部電極１４０の内部には，吸引路１４７を介して真空吸引手段１４８と連通する吸引管が配設されており，下部電極１４０の絶縁層１４４の表面に吸引口が形成されている。これにより，下部電極１４０上に載置された半導体ウェハＷは，下部電極１４０によって吸引保持することもできる。
【００３５】
また，このような保持手段（静電チャック）として構成された下部電極１４０の内部（例えばサセプタ１４２の内部）には，冷却液流路（冷媒流路）である冷却液流路１４６が形成されており，冷却液（例えば冷却水）がサセプタ１４２内を略均等に巡回するように配設されている。これにより，下部電極１４０を直接的に冷却し，半導体ウェハＷおよび保護テープ１４１を間接的に冷却する。また，下部電極１４０内に設けられた冷却液流路１４６に冷却液を流通させるために，冷却液流路１９２，１９４を介して冷却手段１９０が設けられている。
【００３６】
一方，上部電極１２０は，下部電極１４０と対向するように，チャンバ１３５内の上部に配設されている。かかる上部電極１２０は，下部電極１４０との対向面を成す電極板１２２と，この電極板１２２を支持する電極支持体１２４とから構成されている。電極板１２２は，例えば略円盤状の部材であり，例えばアルミナセラミック等の微細孔を有する多孔質材料から形成される。また，電極支持体１２４は，例えば表面がアルマイト処理されたアルミニウムなどの導電性材料からなり，接地されている。この電極支持体１２４の内部には，ガス導入路１２８が形成されている。このガス導入路１２８は，ガス供給用配管１３６ａを介してガス供給装置１３６に接続されている。
【００３７】
ガス供給装置１３６は，例えば，処理ガスを貯蔵するタンク，マスフローコントローラ，バルブ（いずれも図示せず。）などを備えており，プラズマエッチング処理のための処理ガスをチャンバ１３５内に供給する。
【００３８】
一方，チャンバ１３５の底部には排気口１３７が設けられており，この排気口１３７は，排気管１７１を介して排気装置１７０に接続されている。この排気装置１７０は，排気用ドライポンプ等の真空ポンプ，排ガス処理装置（図示せず。）などを備えており，チャンバ１３５内を所定の減圧雰囲気まで真空引き可能に構成されている。さらに，本実施形態にかかるエッチング装置１００は，プラズマ発生のための高周波電源１８１と，静電吸着のための直流電源１８２とを備えている。
【００３９】
以上，エッチング処理手段１３０の構成について説明した。このようなエッチング処理手段１３０によりエッチング処理された半導体ウェハＷは，搬送手段１１０によりチャンバ１３５の外へ搬送されて，吸引手段１５０の領域に設けられた載置台１６０上に載置される。
【００４０】
吸引手段１５０は，エッチング処理された半導体ウェハＷに付着した異物を除去するための清掃手段であり，異物を吸引する吸引部１５７と，吸引部１５７を移動させる移動機構１５１とを有する。吸引部１５７を，載置台１６０に載置された半導体ウェハＷの表面に沿って移動機構１５１により水平移動させることによって，半導体ウェハＷに付着した異物を除去する。吸引手段１５０の詳細な構成については，後述する。
【００４１】
以上，本実施形態にかかるエッチング装置１００の構成について説明した。このようなエッチング装置１００による半導体ウェハＷのエッチング処理では，まず，半導体ウェハＷを，開口された搬入出用開口１３５ａからチャンバ１３５内へ搬送手段１１０により搬送し，下部電極１４０の絶縁層１４４上に載置する。そして，真空吸引手段１４８により吸引力を作用させて保護テープ１４１を吸引し，半導体ウェハＷを吸引保持する。さらに，搬入出用開口１３５ａを閉口して，排気装置１７０を起動して，チャンバ１３５内を真空にする。その後，ガス供給装置１３６により上部電極１２０から例えばＳＦ６等の処理ガスをチャンバ１３５内に供給してチャンバ１３５内を処理ガスで満たすとともに，下部電極１４０に接続された高周波電源１８１により高周波電力を印加することによってプラズマを発生させて，半導体ウェハＷの裏面をエッチング処理する。また，プラズマが発生した後，直流電源１８２より下部電極１４０に直流電圧を印加することにより，半導体ウェハＷを静電吸着することができる。
【００４２】
ここで，上記のようにエッチング処理された半導体ウェハＷのエッチング被処理面（裏面）には，異物が付着してしまうことが判明した。このため，異物が付着したままの状態で半導体ウェハＷに対して次工程であるダイシング工程の処理を行うと，ダイシング装置のチャックテーブルに載置した際に半導体ウェハＷが破損してしまう恐れがある。そこで，本実施形態にかかるエッチング装置１００では，エッチング処理後に半導体ウェハＷに付着した異物を除去して次工程の処理に移行させることにより，半導体ウェハＷの破損を確実に防止するため，半導体ウェハＷに付着した異物を吸引除去する吸引手段１５０を備えることを特徴とする。
【００４３】
以下に，図３および図４に基づいて，本実施形態にかかるエッチング装置１００の特徴的部分である吸引手段１５０の構成について説明する。ここで，図３は，本実施形態にかかるエッチング装置１００の吸引手段１５０を示す側面図である。また，図４は，吸引部１５７の底面図である。
【００４４】
本実施形態にかかる吸引手段１５０は，図３に示すように，移動機構１５１と，吸引部１５７とを有して構成される。移動機構１５１は，支柱１５２と，Ｙ軸方向に延設される案内レール１５３とを備える。支柱１５１は，基台１１５上に設けられ，Ｚ軸方向に延びる２つの柱と，２つの柱を連結するＹ軸方向に延びる連結部とからなる。支柱１５１の連結部には案内レール１５３が設けられ，案内レール１５３には吸引部１５７を支持する支持部１５４が設けられている。支持部１５４は，駆動部（図示せず。）により案内レール１５３に沿ってＹ軸方向に移動可能であり，また，吸引部１５７の高さを調節するためにＺ軸方向にも移動可能である。
【００４５】
支持部１５４は，連結部材１５５および吸引部１５７の一端に設けられた被支持部１５６を介して，吸引部１５７を支持する。吸引部１５７は，例えば被加工物である半導体ウェハＷの直径より長い長さを有する略円筒形状に形成され，その両端は閉口している。吸引部１５７の，載置台１６０に載置された半導体ウェハＷと対向する側には，異物Ｐを吸引する口である吸引口１５７ａが形成される。吸引口１５７ａは，例えば図４に示すように，半導体ウェハＷの直径より長い直線状のスリットとして形成することができる。このとき，吸引部１５７は，吸引口１５７ａが吸引部１５７の移動方向（Ｙ軸方向）と直交するように，すなわち，吸引口１５７ａがＸ軸方向に延びるように配置されるのがよい。かかる構成により，半導体ウェハＷ上の異物Ｐを効率よく吸引することができる。
【００４６】
また，吸引部１５７の移動方向前方（Ｙ軸正方向）側には，例えばプラスチック製のカーテン１５９が設けられる。カーテン１５９を設けることにより，半導体ウェハＷの表面に働く吸引力を強めることができる。吸引部１５７の吸引口１５７ａから吸引された半導体ウェハＷ上の異物Ｐは，吸引部１５７に連結されたホース１５８を介して吸引装置（図示せず。）に集積される。
【００４７】
次に，図５に基づいて，本実施形態にかかるエッチング装置１００の吸引手段１５０による異物除去方法について説明する。ここで，図５は，本実施形態にかかる吸引手段１５０による異物除去方法を示すフローチャートである。
【００４８】
本実施形態にかかる吸引手段１５０による異物除去方法は，図５に示すように，まず，チャンバ１３５内でエッチング処理された半導体ウェハＷを，搬送手段１１０によりチャンバ１３５の外へ搬出する（ステップＳ１１０；搬出ステップ）。エッチング処理された半導体ウェハＷは，その裏面側を搬送手段１１０の保持部１１１により保持されて，アーム部１１２を移動させることにより載置台１６０へ搬送される。このとき，例えば，搬送手段１１０の保持部１１１が半導体ウェハＷを全面吸引して保持する場合，半導体ウェハＷ上の異物Ｐが保持部１１１との間に挟み込まれてしまい，半導体ウェハＷが破損する恐れがある。しかし，ベルヌーイの原理を利用した非接触搬送方式を用いることにより，チャンバ１３５から載置台１６０に半導体ウェハＷを搬送する段階での半導体ウェハＷの破損を低減させることができる。
【００４９】
次いで，搬送手段１１０によりチャンバ１３５の外へ搬出された半導体ウェハＷを，載置台１６０に載置する（ステップＳ１２０；載置ステップ）。かかる半導体ウェハＷは，エッチング被処理面（裏面）を上向きにして載置台１６０に載置される。載置台１６０に載置された半導体ウェハＷは，載置台１６０と接する面（表面）側を真空吸着して固定される。
【００５０】
さらに，載置台１６０に載置された半導体ウェハＷ上の異物Ｐを吸引部１５７により除去する（ステップＳ１３０；異物除去ステップ）。載置台１６０に半導体ウェハＷが載置されると，移動機構１５１の支持部材１５５の長さが調節されて，吸引部１５７の高さが所定の高さに調整される。吸引部１５７のエッチング処理された面からの所定の高さは，例えば半導体ウェハＷの厚さによって決定される。なお，この吸引部１５７の高さは，予め調節しておいてもよい。
【００５１】
吸引部１５７の高さが所定の高さに調整されると，吸引装置（図示せず。）を起動させて異物Ｐの吸引を開始し，移動機構１５１により吸引部１５７をＹ軸方向に往復移動させる。このとき，例えば，吸引部１５７は，吸引風速約７〜８ｍ／ｓで吸引し，約８ｍｍ／ｓの速度で半導体ウェハＷ上を１往復されて，半導体ウェハＷ上の異物Ｐを吸引する。このように，移動機構１５１により吸引部１５７を水平方向に少なくとも１往復以上往復移動させることにより，半導体ウェハＷに付着した異物Ｐを除去することができる。
【００５２】
ステップＳ１３０により半導体ウェハＷに付着した異物Ｐを除去した後，半導体ウェハＷは，搬送手段６０によりテープマウンターへ搬送されて，その裏面にテープが貼り付けられる。この際，半導体ウェハＷの裏面は異物Ｐが除去された状態であるので，半導体ウェハＷとテープとの間に異物Ｐを挟み込んでテープを貼り付けることがない。したがって，テープマウンターにより半導体ウェハＷにテープを貼り付けた後，ダイシング装置のチャックテーブルに半導体ウェハＷを固定した際に半導体ウェハＷが破損することを防止することができる。
【００５３】
以上，本発明の実施形態にかかるエッチング装置１００の構成と，エッチング装置１００の吸引手段１５０による異物除去方法について説明した。かかる構成により，半導体ウェハＷのエッチング被処理面（裏面）に付着した異物Ｐを吸引手段１５０により吸引除去することができる。したがって，次工程であるダイシング工程において，半導体ウェハＷをダイシング装置のチャックテーブルに載置したとき，半導体ウェハＷが破損するのを防止できる。また，ダイシング工程に移行するときに，半導体ウェハＷを保持部１１１の真空吸着パッドで全面吸引して保持する場合においても，真空吸着パッドと半導体ウェハＷとの間に異物Ｐがないため，半導体ウェハＷの破損を防止することができる。
【００５４】
以上，添付図面を参照しながら本発明の好適な実施形態について説明したが，本発明は係る例に限定されないことは言うまでもない。当業者であれば，特許請求の範囲に記載された範疇内において，各種の変更例または修正例に想到し得ることは明らかであり，それらについても当然に本発明の技術的範囲に属するものと了解される。
【００５５】
例えば，上記実施形態において，吸引部１５７の吸引口１５７ａの形状は直線状のスリットであったが，本発明はかかる例に限定されず，例えば複数の穴を直線状に並べて設けてもよい。しかし，複数の穴を設ける場合と比較して，被加工物に対して均等な吸引力を働かせることができることから直線状のスリットを形成する方が好ましい。
【産業上の利用可能性】
【００５６】
本発明は，エッチング装置に適用可能であり，特に，エッチング処理後の被加工物に付着した異物を除去する吸引除去手段を備えるエッチング装置に適用可能である。
【図面の簡単な説明】
【００５７】
【図１】研削装置および本発明の実施形態にかかるエッチング装置を示す概略斜視図である。
【図２】同実施形態にかかるエッチング装置の構成を示す断面図である。
【図３】同実施形態にかかるエッチング装置の吸引手段を示す側面図である。
【図４】同実施形態にかかる吸引部の底面図である。
【図５】吸引手段による異物除去方法を示すフローチャートである。
【符号の説明】
【００５８】
１００      エッチング装置
１１０      搬送手段
１２０      上部電極
１３０      エッチング処理手段
１３５      チャンバ
１４０      下部電極
１５０      吸引手段
１５１      移動機構
１５７      吸引部
１５７ａ    吸引口
１５９      カーテン
１６０      載置台
Ｐ          異物
Ｗ          半導体ウェハ
【図１】
0004781833.tif 000002
【図２】
0004781833.tif 000003
【図３】
0004781833.tif 000004
【図４】
0004781833.tif 000005
【図５】
0004781833.tif 000006