(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
レジスト塗布装置において、基板を載置して回転する基板載置部と、該基板載置部の上面側に基板表面と平行で向き合う位置にノズル滴下部と、装置近傍の位置に付帯設備を含む装置全体を管理する装置制御部からなるレジスト塗布装置であって、前記ノズル滴下部の中心に滴下ノズルが配置されるともに、該滴下ノズルの外側に複数のガス吹き出しノズルが配置され、前記滴下ノズルの圧力がＰｃ、前記ガス吹き出しノズルのガス噴射ゾーンにおけるノズル圧力がＰｉｎ、前記ガス吹き出しノズルの未噴射ゾーンにおけるノズル圧力がＰｏｕ、排気口のガス圧がＰｇであるとき、Ｐｃ＞Ｐｉｎ＞Ｐｏｕ＞Ｐｇの関係であることを特徴とするレジスト塗布装置。
【請求項２】
前記装置制御部には、被塗布基板を基板載置部に載置する動作から基板の片側表面にレジストを塗布する動作までの逐次に動作を実行する手順のうち、少なくとも下記の手順を含むことを特徴とする請求項１記載のレジスト塗布装置。
（ａ）レジスト滴下ノズルより、基板の表面の中心近傍にレジスト溶液を滴下する手順。
（ｂ）前記レジスト滴下ノズルの直近の外側に配置されるガス吹き出しノズルから、ガスを吹き出し、所定時間までガスの吹き出しを維持する手順。
（ｃ）前記ガスの吹き出し後、直ちに前記ガス吹き出しノズルの直近の外側に配置されるガス吹き出しノズルから、ガスを吹き出し、所定時間までガスの吹き出しを維持する手順。
（ｄ）前記（ｃ）の手順を繰り返し、最外周のガス吹き出しノズルから、ガスを吹き出し、所定時間までガスの吹き出しを維持する手順。
【請求項３】
前記装置制御部には、被塗布基板を基板載置部に載置する動作から基板の片側表面にレジストを塗布する動作までの逐次に動作を実行する手順のうち、当該領域のレジスト膜厚をそれ以外の領域のレジスト膜厚より薄くするため、少なくとも下記の手順を含むことを特徴とする請求項１、又は２記載のレジスト塗布装置。
（ａ）特定領域の直近にあるガス吹き出しノズルから、ガスを吹き出し、所定時間までガスの吹き出しを維持する手順において、再度手順を実行する、又は前記所定時間を延長する手順。
（ｂ）前記ガスの吹き出し後、直ちに前記ガス吹き出しノズルの直近の外側に配置されるガス吹き出しノズルから、ガスを吹き出し、所定時間までガスの吹き出しを維持する手順において、再度（ｂ）手順を実行する、又は前記所定時間を延長する手順。
（ｃ）前記の手順を繰り返し、特定領域の最外周のガス吹き出しノズルから、ガスを吹き出し、所定時間までガスの吹き出しを維持する手順において、再度（ｃ）手順を実行する、又は前記所定時間を延長する手順。
【請求項４】
前記装置制御部には、被塗布基板を基板載置部に載置する動作から基板の片側表面にレジストを塗布する動作までの逐次に動作を実行する手順のうち、当該領域のレジスト膜厚をそれ以外の領域のレジスト膜厚より薄くするため、少なくとも下記の手順を含むことを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項記載のレジスト塗布装置。
（ａ）特定領域の直近にあるガス吹き出しノズルから、ガスを吹き出し、所定時間までガスの吹き出しを維持する手順において、ガスの流量及び／又はガスの圧力をより大きくする手順。
（ｂ）前記ガスの吹き出し後、直ちに前記ガス吹き出しノズルの直近にあるガス吹き出しノズルから、ガスを吹き出し、所定時間までガスの吹き出しを維持する手順において、ガスの流量及び／又はガスの圧力をより大きくする手順。
（ｃ）前記の手順を繰り返し、特定領域の最外周のガス吹き出しノズルから、ガスを吹き出し、所定時間までガスの吹き出しを維持する手順において、ガスの流量及び／又はガスの圧力をより大きくする手順。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体集積回路用のフォトマスクの製造時、レジスト膜の形成に用いるレジスト塗布装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年の半導体集積回路の高集積化、回路のパターンの形状の微細化に伴い、半導体集積回路の製造に用いるフォトマスクにも、回路パターンの微細化、高精度化が要求されている。
【０００３】
すなわち、半導体集積回路の急激な微細化に伴い、半導体集積回路用のＳｉウエハ上にマスクパターンを転写するリソグラフィ技術も同時に進歩を遂げてきた。縮小投影露光装置（ステッパー）は解像性を向上させるために、ｉ線（波長３６５ｎｍ）以降ではＫｒＦエキシマレーザー（波長２４８ｎｍ），ＡｒＦエキシマレーザー（波長１９３ｎｍ）といった遠紫外線領域、さらにはＦ２レーザー（波長１５７ｎｍ）の真空紫外線領域へと、短波長化の一途を辿っている。露光光の波長が短波長化すれば、被転写基板上に形成したレジスト膜厚もより薄膜化となり、レジスト膜厚のバラツキの影響がより顕著となる問題がある。
【０００４】
回路パターンの微細化、高精度化の要求に応えるために、パターンの解像性の向上はもちろんのこと、パターン寸法の面内均一性の制御をより高いレベルまでに高めることが要求されている。回路パターンの微細化となれば、パターン解像の光量が微少量となり、レジスト膜厚のバラツキの影響がより顕著となる問題がある。
【０００５】
また、回路パターンの配置密度の面内バラツキ、すなわちパターンの配置密度の疎密差に起因するパターン寸法の面内バラツキの制御をより高いレベルまでに高めることが要求されている。
【０００６】
従来、フォトマスク上にパターンを形成する方法は、レジストへの露光光を照射し、その照射エネルギーの積算量、すなわちドーズ量だけ変質させ、重合等による不溶解性のレジストとなり、アルカリ溶液等による現像処理を経てレジストパターンを形成する。レジストパターンの形成では、レジストの断面形状の良否が重要となる。レジストでは、微細化のための感度アップをし、露光光の短波長化となり、その対応のため、レジスト膜のより薄膜化と、高感度化が重要となる。
【０００７】
最近、レジストは、より薄い膜厚となり、溶解／不溶解の境界の位置の変動が顕著となり、レジストの裾の形状が不安定となる問題がある。レジストの面内での膜厚がバラツキ上限に近づけば、該近傍のパターンは、溶解／不溶解の境界より外側に位置をシフトし、すなわち、レジストパターンの形状が大ききなり、逆に下限に近づけば、該近傍のパターンは、溶解／不溶解の境界より内側に位置をシフトし、レジストパターンの形状が小さくなる。所望のパターン形状が面内均一に形成できない問題がある。そのため、レジスト膜厚のバラツキが問題となる。
【０００８】
同様に、レジストは、より低いドーズ量の設定値となり、溶解／不溶解の境界の位置の変動が顕著となり、レジストの裾の形状が不安定となる問題がある。レジストの面内での照射領域の積算面積がバラツキ上限に近づけば、該近傍のパターンはドーズ量が不足傾向となり、溶解／不溶解の境界より内側に位置をシフトし、すなわち、レジストパターンの形状が小さくなり、逆に照射領域の全面積が下限に近づけば、該近傍のパターンはドーズ
量が過剰傾向となり、溶解／不溶解の境界より外側に位置をシフトし、レジストパターンの形状が大きくなる。所望のパターン形状が面内均一に形成できない問題がある。そのため、レジスト膜厚の平均値が問題となる、すなわち。照射領域の積算面積がバラツキ上限の領域では、レジスト膜厚をより薄い膜厚に微調整することが必要となる場合もある。
【０００９】
先に、従来のフォトマスクの製造について説明する。最初に、フォトマスク用のマスクブランクの製造では、透明基板の片側全面に遮光膜を形成し、該遮光膜上に感光性レジストを塗布し、該レジスト膜の感度を揃えるためにプレベークの処理をして製造する。次いで、回路パターンの形成は、前記マスクブランクを用いて、描画、又は露光装置により、前記レジストへ描画、又は露光の処理を行い、レジストの現像処理、該レジストパターンをマスクとして遮光膜をエッチング処理後、レジストを剥膜処理して製造する。
【００１０】
前述したようなフォトマスクに対する要求を満足させるために、フォトマスクの製造、特にフォトマスク用のマスクブランクの製造では、レジストの塗布膜厚の面内均一性が要求され、同時にレジストの感度の面内均一性が要求されている。さらに、必要な場合、特定領域のレジスト膜厚をより薄く微調整することも要求される。
【００１１】
マスクブランクの製造では、感光性レジストを均一膜厚に塗布し、該レジスト膜の感度を均一に揃えるためにプレベークの処理をすることでパターン寸法の面内均一性を保つ制御をおこなってきた。
【００１２】
前記レジスト塗布工程では、スピンコータ装置を用いた、レジスト滴下回転方式によりレジスト膜を透明基板上に形成する方法である。
【００１３】
スピンコータ装置のレジスト滴下回転方式（以下スピンコータと記す）は、ステージ上にマスクブランクを載置し、高速で回転させながら上面からレジストを滴下する方法である。塗布方法は、基板を載置した基板載置部を高速度で回転させながら、基板の上面側のレジスト滴下ノズルから基板中心部に所定量のレジスト溶液を滴下し、該レジスト溶液を遠心力により基板周辺まで拡散する方法である。
【００１４】
この塗布方法では、透明基板の面内のレジスト膜厚のバラツキが同心円傾向になる問題があり、使用するレジストの消費量に無駄がある。
【００１５】
透明基板は、四角形のため、四隅の区域のレジストが先に乾燥してしまい、面内のレジスト膜厚を均一に制御することが困難となる問題がある（特許文献１参照）。
【００１６】
以下に公知文献を記す。
【特許文献１】特開平５―９６２２４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１７】
本発明の課題は、フォトマスク用のマスクブランクにレジストを面内均一の膜厚で塗布するための装置を提供することであり、さらに塗布時に、レジスト膜厚を任意の領域毎に調整する膜厚制御が可能なレジスト塗布装置を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１９】
本発明の請求項１に係る発明は、レジスト塗布装置において、基板を載置して回転する基板載置部と、該基板載置部の上面側に基板表面と平行で向き合う位置にノズル滴下部と、装置近傍の位置に付帯設備を含む装置全体を管理する装置制御部からなるレジスト塗布装置であって、前記ノズル滴下部の中心に滴下ノズルが配置されるともに、該滴下ノズルの外側に複数のガス吹き出しノズルが配置され、前記滴下ノズルの圧力がＰｃ、前記ガス吹き出しノズルのガス噴射ゾーンにおけるノズル圧力がＰｉｎ、前記ガス吹き出しノズルの未噴射ゾーンにおけるノズル圧力がＰｏｕ、排気口のガス圧がＰｇであるとき、Ｐｃ＞Ｐｉｎ＞Ｐｏｕ＞Ｐｇの関係であることを特徴とするレジスト塗布装置である。
【００２０】
本発明の請求項２に係る発明は、前記装置制御部には、被塗布基板を基板載置部に載置する動作から基板の片側表面にレジストを塗布する動作までの逐次に動作を実行する手順のうち、少なくとも下記の手順を含むことを特徴とする請求項１記載のレジスト塗布装置である。
（ａ）レジスト滴下ノズルより、基板の表面の中心近傍にレジスト溶液を滴下する手順。
（ｂ）前記レジスト滴下ノズルの直近の外側に配置されるガス吹き出しノズルから、ガスを吹き出し、所定時間までガスの吹き出しを維持する手順。
（ｃ）前記ガスの吹き出し後、直ちに前記ガス吹き出しノズルの直近の外側に配置されるガス吹き出しノズルから、ガスを吹き出し、所定時間までガスの吹き出しを維持する手順。
（ｄ）前記（ｃ）の手順を繰り返し、最外周のガス吹き出しノズルから、ガスを吹き出し、所定時間までガスの吹き出しを維持する手順。
【００２１】
本発明の請求項３に係る発明は、前記装置制御部には、被塗布基板を基板載置部に載置する動作から基板の片側表面にレジストを塗布する動作までの逐次に動作を実行する手順のうち、当該領域のレジスト膜厚をそれ以外の領域のレジスト膜厚より薄くするため、少なくとも下記の手順を含むことを特徴とする請求項１、又は２記載のレジスト塗布装置である。
（ａ）特定領域の直近にあるガス吹き出しノズルから、ガスを吹き出し、所定時間までガスの吹き出しを維持する手順において、再度手順を実行する、又は前記所定時間を延長する手順。
（ｂ）前記ガスの吹き出し後、直ちに前記ガス吹き出しノズルの直近の外側に配置されるガス吹き出しノズルから、ガスを吹き出し、所定時間までガスの吹き出しを維持する手順において、再度（ｂ）手順を実行する、又は前記所定時間を延長する手順。
（ｃ）前記の手順を繰り返し、特定領域の最外周のガス吹き出しノズルから、ガスを吹き出し、所定時間までガスの吹き出しを維持する手順において、再度（ｃ）手順を実行する、又は前記所定時間を延長する手順。
【００２２】
本発明の請求項４に係る発明は、前記装置制御部には、被塗布基板を基板載置部に載置する動作から基板の片側表面にレジストを塗布する動作までの逐次に動作を実行する手順のうち、当該領域のレジスト膜厚をそれ以外の領域のレジスト膜厚より薄くするため、少なくとも下記の手順を含むことを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項記載のレジスト塗布装置である。
（ａ）特定領域の直近にあるガス吹き出しノズルから、ガスを吹き出し、所定時間までガスの吹き出しを維持する手順において、ガスの流量及び／又はガスの圧力をより大きくする手順。
（ｂ）前記ガスの吹き出し後、直ちに前記ガス吹き出しノズルの直近にあるガス吹き出しノズルから、ガスを吹き出し、所定時間までガスの吹き出しを維持する手順において、ガスの流量及び／又はガスの圧力をより大きくする手順。
（ｃ）前記の手順を繰り返し、特定領域の最外周のガス吹き出しノズルから、ガスを吹き出し、所定時間までガスの吹き出しを維持する手順において、ガスの流量及び／又はガスの圧力をより大きくする手順。
【発明の効果】
【００２４】
本発明の請求項１に係るレジスト塗布装置によれば、レジスト滴下ノズルを中心に、その外側の複数のガス吹き出しノズルを配置したことにより、レジスト滴下ノズルより滴下したレジスト溶液を、複数のガス吹き出しノズルのうち、中心のレジスト滴下ノズルの隣合うガス吹き出しノズルから外側のガス吹き出しノズルへ順次にガスを吹き出すことにより、レジスト溶液を中心から外側へ拡散するレジスト溶液の流れを形成し、該レジスト溶液の流れによるレジスト溶液の拡がりによる、透明基板の中心から外側の周辺部まで均一な膜厚に制御することができる。
【００２５】
本発明の請求項３、又は４に係るレジスト塗布装置によれば、特定の領域毎にレジストの塗布膜厚を調整する膜厚制御が可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２７】
本発明のレジスト塗布装置を一実施形態に基づいて以下に説明する。
【００２８】
図１は、本発明のレジスト塗布装置を説明する部分拡大図であり、（ａ）は、全体の側面図であり、（ｂ）は、部分拡大の平面図である。
【００２９】
図１（ａ）の本発明のレジスト塗布装置では、装置下部に基板２１を載置する基板載置部２０が配置されている。前記基板載置部２０の上面側に基板表面と平行で向き合う位置に、ノズル滴下部１０が配置されている。装置近傍に付帯設備を含む装置全体を管理する装置制御部３０が配置され、レジスト塗布装置の機能、又は動作及びその順序等を制御している。前記ノズル滴下部では、前記の数１式（２ｎ＋１）×（２ｎ＋１）による複数個のノズルの集合体で構成されている。ノズル集合体は、縦横同数で、奇数からなる列数で形成されている。
【００３０】
本発明のレジスト塗布装置では、最初に、装置制御部３０の指示命令により、装置外の基板の供給部から基板２１を受け取り、基板載置部２０へ載置する。次いで、予め登録した製造条件に従って、レジスト溶液吐出口３を開放し、所定量のレジスト溶液を基板上へ滴下する。同時に、中心部から外周部へ、順番にガス吐出口４を開放して、中心部から外周部の方向にガスの流れを発生させ、該ガスの流れによりレジスト溶液を基板の中心部から基板の周辺部へ押し広げ、基板表面に均一な量のレジスト溶液を分散させる。
【００３１】
図１（ｂ）の本発明のノズル滴下部１０では、その集合体の中心の１個のノズルは、レジスト滴下ノズル１である。前記レジスト滴下ノズル１には、１個、又は複数のレジスト溶液吐出口３を備えている。それ以外の複数個のノズルは、ガス吹き出しノズル２である。前記各々のガス吹き出しノズル２には、１個、又は複数のガス吐出口４を備えている。前記集合体は、（２ｎ＋１）×（２ｎ＋１）で、ｎが３の整数の場合であり、すなわち７×７＝４９個の場合である。ノズルは、１ｍｍ四方の区画に１個を配置された４９個の集合体であり、すなわち７ｍｍ四方に４９個のノズルが配置され、中心のノズルは、１個のレジスト溶液吐出口３を備えたレジスト滴下ノズル１である。それ以外の４８個のノズルは、１個のガス吐出口４を備えたガス吹き出しノズル２である。各々のノズルには、吐出口の開／閉と、吐出時間と、吐出口の内部圧力の数値指示及び動作開始／その終了等の命令に従って、逐次に動作を実行する機能がある。
【００３２】
次に、図２は、本発明のノズル滴下部の状態を説明する部分拡大のモデル図であり、（ａ）は、平面図であり、（ｂ）は、側断面図であり、（ｃ）は、その部分拡大図である。以下に具体的な実施例に従ってノズル滴下部の状態を説明する。
【００３３】
ノズル滴下部の状態、すなわちレジスト溶液を基板上に塗布する状態を説明する。図２（ａ）の実施例のノズル滴下部１０では、中心にレジスト滴下ノズル１を配置し、その外側には、ガス吹き出しノズル２を配置した。レジスト溶液をレジスト滴下ノズル１から基板上へ放出した。次いで、ｎ１群のガス吹き出しノズル２から基板側へガスを噴射した。次いで、ｎ２群のガス吹き出しノズル２から基板側へガスを噴射した。次いで、ｎ３群のガス吹き出しノズル２から基板側へガスを噴射した。前記ガスの噴射の開始時間は、ｎ１群〜ｎ２群〜ｎ３群と順次開始時間を遅らせて、その時間差は、基板上のレジスト溶液の流れ、すなわちレジスト溶液の拡大に追従するように最適化した。
【００３４】
図２（ｂ）の実施例のレジスト溶液を基板上に塗布する状態では、レジスト溶液をレジスト滴下ノズル１から基板上へ放出した。次いで、ｎ１群のガス吹き出しノズル２から基板側へガスを噴射した。ｎ１群のガスの噴射では、中心部近傍のガスの噴射量が急増し、該ガス群は、基板表面のレジスト溶液の表面に衝突し、方向を変えレジスト溶液の表面に沿って、より低い溶液面へ層流するガス流を起こし、より低い溶液面、すなわち基板周辺部へと高速度で流される。前記ガス群のレジスト溶液の表面への衝突では、その衝突力がレジスト溶液の表面を押さえつけて、レジスト溶液の厚さを制御する。すなわち、衝突力が強い場合は、薄くなり、弱い場合はやや厚くなり、衝突力を最適化して、最適なレジスト膜厚に制御する。同様に、ｎ２群〜ｎ３群と順次ガス噴射を行い、該ガス流の作用によりレジスト溶液の高い液面より低い液面側へ拡散しながら基板周辺部まで流され、基板上に均一のレジスト溶液を形成する。また、排気口３１は、噴射ガスを装置外に排気する役割であり、所定排気量を排気処理するため、中心部近傍から排気口近傍までガスの圧力傾斜が発生し、より安定した、中心部近傍から排気口近傍へのガスの層流を発生する。
【００３５】
図２（ｃ）の実施例のレジスト溶液を基板上に塗布する状態では、レジスト溶液がｎ４群のガス吹き出しノズル２まで順次ガス噴射を開始し、レジスト溶液のその先端流がｎ４群にある。この状態でのガス圧力量では、中心部のガス圧は、Ｐcとし、ガス噴射ゾーン部（ｎ０〜ｎ４群）のガス圧は、Ｐinとし、未噴射ゾーン部（ｎ５〜ｎ８群）のガス圧は、Ｐouとし、排気口のガス圧は、Ｐgとしたとき、そのガス圧の高低では、常時、Ｐc＞Ｐin＞Ｐou＞Ｐgの関係のガス圧に最適化することが重要となる。また、ガス圧の調整では、基板表面とノズル滴下部１０の表面の距離を近接させ、調整することができる。当然レジスト溶液の粘度による影響も重要な要素であり、粘度を上下させ、調整することができる。
【００３６】
また、基板外周部での排気量を均一な量とするため、排気口３１を回転させ、排気口境界での排気量を均一に最適化することにより、全ての基板表面では、ガス流の方向が中心から放射方向になり、そのガス流量も同量となる層流となり、レジスト膜厚も面内均一と
なる。排気口３１を回転させる場合、ノズル滴下部１０と基板載置部２０は、１つのチャンバで囲い、該チャンバの外周部に沿って排気口３１を配置する方法がある。基板の外周部に、載置した基板表面と同じ高さを持つ治具を挿入し、その治具の外形は、円形とし、該治具により基板外周域での基板表面の層流を乱さない工夫をする。前記チャンバは、外部と遮断し、その室温及び湿度、又は圧力を制御し、最適なレジスト塗布環境と、又はレジスト乾燥環境を提供する。
【００３７】
本レジスト塗布装置では、レジスト溶液を塗布した後、その乾燥方法は、本装置特有の乾燥方法を備え、該方法で乾燥処理した後、公知の方法によりプレベークの処理を行い、本発明の方法によるマスクブランクを作製した。
【００３８】
本発明のレジスト塗布装置の装置制御部が、被塗布基板を基板載置部に載置する動作から基板の片側表面にレジストを塗布する動作までの逐次に動作を実行する手順のうち、レジスト滴下から、均一の膜厚に処理するために逐次実行する動作手順のフロー図を説明する。図３は、本発明のレジスト塗布装置の動作手順のフロー図である。最初に、図３のフロー図の（ａ）は、予め塗布条件を登録する手順である。塗布条件は、グループ分けした種類毎に分類し、当該分類毎に、レジスト名及びその粘度と、滴下するレジスト溶液量と、塗布膜厚と、滴下ノズル及びガス吹き出しノズルのノズル開始の順番及びその時間差と、ノズル閉終の順番及びその時間差を登録する。吹き出しノズルのガス流量及びガス圧を登録する。前記塗布条件の登録は、分類毎には基本型の条件であり、登録以降では、コード番号化され、データベースより引き出し、使用する。次いで図３のフロー図の（ｂ）に移動する。追加の塗布条件がない場合は、フロー図（ｅ）へ移動して、実行する。また、追加の塗布条件が必要な場合は、図３のフロー図の（ｃ）へ移動する。
【００３９】
図３のフロー図の（ｃ）では、最初にノズルの配置区域を設定する。前記区域内では、塗布条件は同一とし、１条件とする。次いで、図３のフロー図の（ｃ１）では、ノズル毎の開／閉の時間、所定の時間を登録する。分類毎のデータベースより算出した所定の時間と、前記登録した所定の時間とを比較し、その増減時間を加算して新規塗布条件とする。
【００４０】
次いで、図３のフロー図の（ｃ２）では、ガス流量（単位ｃｃ／ｓｅｃ）を登録する。分類毎のデータベースより算出した単位当たりのガス流量と、前記登録した単位当たりのガス流量とを比較し、その増減するガス流量を加算して新規塗布条件とする。次いで図３のフロー図の（ｃ３）では、ガス圧力（単位Ｐａ）を登録する。分類毎のデータベースより算出したガス圧力と、前記登録したガス圧力とを比較し、その増減するガス圧力を加算して新規塗布条件とする。次いで図３のフロー図の（ｃ４）では、ガス吹き出しノズルの開／閉間の所定の時間を変更せず、データベースのガス吹き出しノズルの開／閉間の所定の時間をｎ回繰り返す方法を登録する。従って、ｎ＝１の場合がデータベースの登録値であり、例えばｎ＝２と登録の場合は、所定の時間の２倍の時間となる。
【００４１】
次いで、図３のフロー図の（ｄ）では、ノズルの区域の残の有無であり、追加がある場合は、フロー図の（ｃ）へ戻る。また、追加がない場合は、図３のフロー図の（ｅ）へ移動する。この段階では、基本型及び追加変更型ともに、塗布条件は全て設定された状態である。
【００４２】
図３のフロー図の（ｅ）では、基板表面の中心にレジスト滴下ノズルよりレジスト溶液を滴下する。滴下するレジスト溶液量は、最小限の必要量とし、塗布ロスを最小にした。次いで、図３のフロー図の（ｆ）では、滴下ノズルの直近にあるガス吹き出しノズルよりガスを所定時間まで噴出する。次いで、図３のフロー図の（ｇ）では、前記ガス噴出後、直ちに前記ガス吹き出しノズルの直近にある次のガス吹き出しノズルよりガスを所定時間噴出する。次いで、図３のフロー図の（ｈ）では、前記（ｆ）の手順を順次繰り返し、最
外周のガス吹き出しノズルよりガスを所定時間噴出する。
【００４３】
請求項３に係る本発明のレジスト塗布装置において、装置制御部が、レジスト滴下から、均一の膜厚に処理するために逐次実行する動作手順のうち、当該領域のレジスト膜厚をそれ以外の領域のレジスト膜厚より薄くするために処理する逐次実行する動作手順フロー図を説明する。塗布方法は、塗布条件の追加変更型であり、塗布方法（ａ）では、図３のフロー図の（ｃ）の区域設定と、図３のフロー図の（ｃ４）の噴出回数、ｎを２以上で設定した後、図３のフロー図の（ｅ）〜（ｈ）の手順を順次繰り返しレジストを塗布する方法である。また、塗布方法（ｂ）では、図３のフロー図の（ｃ）の区域設定と、図３のフロー図の（ｃ１）の所定の時間を変更し設定した後、図３のフロー図の（ｅ）〜（ｈ）の手順を順次繰り返しレジストを塗布する方法である。
【００４４】
請求項４に係る本発明のレジスト塗布装置において、装置制御部が、レジスト滴下から、均一の膜厚に処理するために逐次実行する動作手順のうち、当該領域のレジスト膜厚をそれ以外の領域のレジスト膜厚より薄くするために処理する逐次実行する動作手順フロー図を説明する。塗布方法（ａ）〜（ｃ）では、図３のフロー図の（ｃ）の区域設定と、図３のフロー図の（ｃ２）のガス流量の変更及び（ｃ３）のガス圧力を変更し設定した後、図３のフロー図の（ｅ）〜（ｈ）の手順を順次繰り返しレジストを塗布する方法である。
【００４５】
ガスノズルより吹き出すガスは、窒素ガスが最適であり、他の不活性ガスでもよい。
【図面の簡単な説明】
【００４６】
【図１】本発明のレジスト塗布装置を説明する部分拡大図であり、（ａ）は、全体の側面図であり、（ｂ）は、平面図である。
【図２】本発明のノズル滴下部の状態を説明する部分拡大のモデル図であり、（ａ）は、平面図であり、（ｂ）は、側断面図であり、（ｃ）は、その部分拡大図である。
【図３】本発明のレジスト塗布装置の動作手順のフロー図である。
【符号の説明】
【００４７】
１…滴下ノズル
２…ガス吹き出しノズル
３…レジスト溶液吐出口
４…ガス吐出口
１０…ノズル滴下部
２０…基板載置部
２１…基板
３０…装置制御部
３１…排気口
【図１】
0004816892.tif 000002
【図２】
0004816892.tif 000003
【図３】
0004816892.tif 000004