(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
立方晶ペロブスカイト構造を有するチタン酸バリウム系セラミック粉末を湿式法によって合成する工程と、
前記立方晶ペロブスカイト構造を有するチタン酸バリウム系セラミック粉末を、６×１０３Ｐａ以下の圧力下で熱処理する工程と
を備える、正方晶ペロブスカイト構造を有するチタン酸バリウム系セラミック粉末の製造方法。
【請求項２】
前記湿式法によって合成された立方晶ペロブスカイト構造を有するチタン酸バリウム系セラミック粉末の粒子径は、０．０１〜０．１μｍである、請求項１に記載の正方晶ペロブスカイト構造を有するチタン酸バリウム系セラミック粉末の製造方法。
【請求項３】
前記熱処理する工程において、６００〜１０００℃の範囲の温度が適用される、請求項１または２に記載の正方晶ペロブスカイト構造を有するチタン酸バリウム系セラミック粉末の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
この発明は、正方晶ペロブスカイト構造を有するチタン酸バリウム系セラミック粉末の製造方法に関するもので、特に、積層セラミックコンデンサにおいて、誘電体セラミック層の薄層化を図りかつ十分な強誘電性を示し得るようにするための改良に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
積層セラミックコンデンサの小型化および低コスト化が進み、そこに備える誘電体セラミック層の厚みについては、３μｍ近くまで薄層化が進行し、また、内部電極のための材料としても、銅、ニッケルなどの卑金属が使用されるようになってきている。近年では、薄層化がさらに進行し、誘電体セラミック層の厚みが１μｍ程度またはそれ以下のものも開発されている。
【０００３】
ところが、このように誘電体セラミック層が薄層化してくると、誘電体セラミック層にかかる電界が高くなり、電界による誘電率の変化が大きい誘電体をセラミック層の材料として使用することには問題がある。また、誘電体セラミック層の薄層化に伴い、当該セラミック層の厚み方向でのセラミックの結晶粒子数が少なくなり、信頼性に対する問題も引き起こされる。
【０００４】
このような状況に対応するため、セラミックの結晶粒子径を小さくすることによって、誘電体セラミック層の厚み方向でのセラミックの結晶粒子数を増やし、それによって、信頼性を高めることを可能にした誘電体セラミック材料が、たとえば、特開平９−２４１０７４号公報および特開平９−２４１０７５号公報において提案されている。また、特開平１１−２７３９８５号公報や特開平１１−２７３９８６号公報では、誘電体セラミック層の厚みを１μｍ程度にまで薄層化することに対応できるチタン酸バリウム系の材料が提案されている。
【０００５】
上述したチタン酸バリウム系のセラミック材料粉末は、小さな結晶粒子径を有するセラミックとするため、小さな粒子径のものとして用意されなければならないが、このように小さな粒子径のチタン酸バリウム系のセラミック材料粉末を得るため、加水分解法や水熱合成法などの湿式法によって合成されることが好ましい。
【０００６】
ところが、湿式法で合成されたチタン酸バリウム系のセラミック材料粉末は、粒子内に水酸基が０．２〜３重量％程度残留しており、粒子径は小さいが、立方晶であったり、正方晶であっても、ペロブスカイト構造の結晶格子のｃ軸とａ軸の比、すなわちｃ／ａ軸比が小さく、コンデンサ用の材料として十分な強誘電性を示さないことがあるという問題がある。
【０００７】
この問題を解決するため、合成されたチタン酸バリウム系のセラミック材料粉末を大気中で再熱処理することによって、水酸基を除去し、その結果、ｃ／ａ軸比が大きく、十分な強誘電性を示すチタン酸バリウム系セラミック材料粉末を得るようにすることが行なわれている。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上述のように再熱処理を行なうことにより、チタン酸バリウム系セラミック材料粉末が粒成長するため、粒子径がたとえば０．１５μｍ以下といった小さい粒子径のチタン酸バリウム系セラミック材料粉末を得ることが返って困難になるという別の問題に遭遇することがある。
【０００９】
また、このようなチタン酸バリウム系セラミックを誘電体セラミック層において用いた積層セラミックコンデンサでは、誘電体セラミック層の厚みをたとえば０．６μｍ程度あるいはそれ以下にまで薄くすると、ショート不良が生じたり、その他の信頼性が低下するといった問題にも遭遇することがある。
【００１０】
そこで、この発明の目的は、上述のような問題を解決し得る誘電体セラミックを得るために有利に用いられる、正方晶ペロブスカイト構造を有するチタン酸バリウム系セラミック粉末の製造方法を提供しようとすることである。
【００１１】
【課題を解決するための手段】
この発明に係る正方晶ペロブスカイト構造を有するチタン酸バリウム系セラミック粉末の製造方法は、立方晶ペロブスカイト構造を有するチタン酸バリウム系セラミック粉末を湿式法によって合成する工程と、この立方晶ペロブスカイト構造を有するチタン酸バリウム系セラミック粉末を、６×１０３Ｐａ以下の圧力下で熱処理する工程とを備えることを特徴としている。
【００１２】
上述した湿式法によって合成された立方晶ペロブスカイト構造を有するチタン酸バリウム系セラミック粉末の粒子径は、０．０１〜０．１μｍであることが好ましい。
【００１３】
また、上述の熱処理する工程において、６００〜１０００℃の範囲の温度が適用されることが好ましい。
【００２１】
【発明の実施の形態】
図１は、この発明に係る製造方法によって製造されたチタン酸バリウム系セラミック粉末を用いて構成される積層セラミックコンデンサ１を図解的に示す断面図である。
【００２２】
積層セラミックコンデンサ１は、複数の積層された誘電体セラミック層２を有する積層体３とこの積層体３の第１および第２の端面４および５上にそれぞれ形成される第１および第２の外部電極６および７とを備えている。
【００２３】
積層体３の内部には、第１の内部電極８と第２の内部電極９とが交互に配置されている。第１の内部電極８は、第１の外部電極６に電気的に接続されるように、各端縁を第１の端面４に露出させた状態で誘電体セラミック層２間の特定の複数の界面に沿ってそれぞれ形成され、他方、第２の内部電極９は、第２の外部電極７に電気的に接続されるように、各端縁を第２の端面５に露出させた状態で誘電体セラミック層２間の特定の複数の界面に沿ってそれぞれ形成されている。
【００２４】
また、必要に応じて、外部電極６および７は、それぞれ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｎｉ−Ｃｕ合金等からなる第１めっき層１０および１１によって被覆され、さらに、これら第１のめっき層１０および１１上に、それぞれ、半田、錫等からなる第２のめっき層１２および１３が形成されてもよい。
【００２５】
このような積層セラミックコンデンサ１において、その積層体３に備える誘電体セラミック層２が、この発明に係る製造方法によって製造された正方晶ペロブスカイト構造を有するチタン酸バリウム系セラミック粉末を主成分とする粉末を焼成して得られた誘電体セラミックから構成される。この正方晶ペロブスカイト構造を有するチタン酸バリウム系セラミック粉末およびその製造方法の詳細については後述する。
【００２６】
また、内部電極８および９を形成するため、たとえば、Ｐｔ、Ｐｄ−Ａｇ合金、Ｎｉなどを導電成分として含む導電性ペーストが用いられるが、コスト面から、Ｎｉのような卑金属を用いることが望ましい。
【００２７】
また、外部電極６および７は、たとえば、Ｂ2 Ｏ3 −Ｌｉ2 Ｏ−ＳｉＯ2 −ＢａＯ系ガラスフリットを含有するＡｇペーストを塗布し、これを還元性雰囲気中において焼き付けることによって形成されることができる。
【００２８】
なお、内部電極８および９ならびに外部電極６および７のための上述した材料は、特に限定されるものではない。たとえば、外部電極６および７の形成のために、内部電極８および９と同じ材料を用いることもできる。
【００２９】
前述した誘電体セラミック層２を構成する誘電体セラミックのための原料粉末となる正方晶ペロブスカイト構造を有するチタン酸バリウム系セラミック粉末は、湿式法によって合成された立方晶ペロブスカイト構造を有するチタン酸バリウム系セラミック粉末を、６×１０３Ｐａ以下の圧力下で熱処理することによって製造されることができる。
【００３０】
なお、上述の湿式法としては、たとえば、加水分解法や水熱合成法が知られているが、工業的には、生産性のより高い加水分解法を用いることが好ましい。
【００３１】
前述したように、熱処理するにあたって、６×１０３Ｐａ以下といった低い圧力を適用すれば、湿式法によって合成された立方晶ペロブスカイト構造を有するチタン酸バリウム系セラミック粉末の表面や内部に残留する水酸基および原料塩の未分解物や副生成物をより低温で取り除くことができるため、粒成長を抑えて、微粒の正方晶ペロブスカイト構造を有するチタン酸バリウム系セラミック粉末を得ることができる。
【００３２】
熱処理する際の圧力が６×１０３Ｐａより高いと、得られた正方晶ペロブスカイト構造を有するチタン酸バリウム系セラミック粉末におけるペロブスカイト構造のａ軸とｃ軸の比であるｃ／ａ軸比が小さくなり、かつ、粒子径が大きくなるので好ましくない。
【００３３】
なお、熱処理することによって得られた正方晶ペロブスカイト構造を有するチタン酸バリウム系セラミック粉末の粒子径をより小さくするには、熱処理前の立方晶ペロブスカイト構造を有するチタン酸バリウム系セラミック粉末の粒子径も小さくすることが有効である。そのため、湿式法によって合成された立方晶ペロブスカイト構造を有するチタン酸バリウム系セラミック粉末の粒子径は、０．０１〜０．１μｍの範囲にあることが好ましい。
【００３４】
また、立方晶ペロブスカイト構造を有するチタン酸バリウム系セラミック粉末を熱処理する際、６×１０３Ｐａ以下の圧力を適用すれば、このチタン酸バリウム系セラミック粉末の表面や内部に残留する水酸基および原料塩の未分解物や副生成物の除去のために、前述したように、それほど高温を付与する必要がなく、好ましくは、この熱処理工程において、６００〜１０００℃の範囲の温度が適用される。
【００３５】
この熱処理温度が６００℃未満であると、水酸基および原料塩の未分解物や副生成物の分解が十分に進まないことがあるばかりでなく、ｃ／ａ軸比が高くならないことがあり、他方、１０００℃を超えると、正方晶ペロブスカイト構造を有するチタン酸バリウム系セラミック粉末の粒成長や粒子同士の焼結が進行し、そのため、粒子径が大きくなってしまうことがある。
【００３６】
なお、熱処理を行なう温度および時間は、湿式法による立方晶ペロブスカイト構造を有するチタン酸バリウム系セラミック粉末の合成に用いられた原料や熱処理時の圧力等によって、表面や内部に残留する水酸基および原料塩の未分解物や副生成物の分解温度が異なるので、特に限定されるものではない。しかしながら、このような熱処理を行なう温度および時間についての最適条件は、低圧力下での熱分析などに基づいて予め求めておくことが好ましい。
【００３７】
また、同一の湿式合成粉末を用いて、同一の圧力下で熱処理を行なうならば、熱処理温度が高くなるに従って、得られた正方晶ペロブスカイト構造を有するチタン酸バリウム系セラミック粉末の粒子径は大きくなるものの、ｃ／ａ軸比はより大きくなることがわかっている。
【００３８】
以上説明したような好ましい条件に基づいて、正方晶ペロブスカイト構造を有するチタン酸バリウム系セラミック粉末を得るようにすれば、粒子径が０．０５〜０．１５μｍのものを得ることができる。
【００３９】
また、このようにして得られた正方晶ペロブスカイト構造を有するチタン酸バリウム系セラミック粉末によれば、ｃ／ａ軸比を１．００３以上とすることができ、これを用いて、積層セラミックコンデンサとして十分な強誘電性を示す誘電体セラミックを得ることができる。なお、ｃ／ａ軸比が１．００３未満の場合には、正方晶ペロブスカイト構造を有するチタン酸バリウム系セラミック粉末を用いて得られた誘電体セラミックの誘電性は、積層セラミックコンデンサとして用いるには十分でない。
【００４０】
より具体的には、この発明に従って製造される正方晶ペロブスカイト構造を有するチタン酸バリウム系セラミック粉末は、（Ｂａ１−ｘＣａｘ）ＴｉＯ３（ただし、０≦ｘ≦０．１５）で表わされるものである。
【００４１】
なお、この発明に係る製造方法によって製造される正方晶ペロブスカイト構造を有するチタン酸バリウム系セラミック粉末は、Ａサイト原子とＢサイト原子の比であるＡ／Ｂ比が１のもののみならず、使用の目的に応じて、たとえば０．９５〜１．０５のように、Ａ／Ｂ比を変化させた正方晶ペロブスカイト構造を有するチタン酸バリウム系セラミック粉末であってもよく、特に非還元性の正方晶ペロブスカイト構造を有するチタン酸バリウム系セラミック粉末を得るためには、Ａ／Ｂ比が１．０００〜１．０３５の範囲にあることが好ましい。
【００４２】
正方晶ペロブスカイト構造を有するチタン酸バリウム系セラミック粉末を焼成して得られた誘電体セラミックは、この正方晶ペロブスカイト構造を有するチタン酸バリウム系セラミック粉末に、必要とされる特性に応じて、希土類元素、Ｚｒ、Ｍｎ、Ｍｇ、Ｓｉなどの添加物を添加したり、あるいは、Ｓｉ、Ｂ、Ａｌ、Ｍｇ、Ｌｉなどを成分とする焼結助剤を添加したりして作製された誘電体セラミックであってもよい。
【００４３】
以下に、この発明を、加水分解法によって合成した立方晶チタン酸バリウム系セラミック粉末、すなわち、Ｂａ１．００２ＴｉＯ３粉末と（Ｂａ０．９７Ｃａ０．０５）ＴｉＯ３粉末とを用いて、正方晶チタン酸バリウム系セラミック粉末を製造しようとする具体的な実施例、ならびに、得られた正方晶チタン酸バリウム系セラミック粉末を用いて積層セラミックコンデンサを作製しようとする具体的な実施例について説明する。
【００４４】
なお、これら実施例の説明において、表１ないし表３を参照するが、これら表１ないし表３において、試料１〜１０については、立方晶チタン酸バリウム系セラミック粉末としてＢａ１．００２ＴｉＯ３の組成のものを用い、試料１１〜１３については、（Ｂａ０．９７Ｃａ０．０５）ＴｉＯ３の組成のものを用いた。
【００４５】
まず、Ｂａ１．００２ＴｉＯ３の組成を有するペロブスカイト構造のチタン酸バリウム系セラミック粉末を加水分解法によって合成した。得られたチタン酸バリウム系セラミック粉末は、表１の試料１〜１０において示すように、粒子径が１２〜５２ｎｍであり、ペロブスカイト構造の結晶中に多くの水酸基を含む立方晶ペロブスカイト構造を有する粉末であった。
【００４６】
次に、これら粉末を、表１の試料１〜１０において示す種々の圧力および熱処理温度で熱処理することによって、種々の粒子径およびｃ／ａ軸比を有するＢａ1.002 ＴｉＯ3 粉末を得た。これら熱処理によって生成した粉末の凝集は、熱処理後において解砕した。
【００４７】
他方、上記と同様のプロセスを経て、（Ｂａ０．９７Ｃａ０．０５）ＴｉＯ３の組成を有するペロブスカイト構造のチタン酸バリウム系セラミック粉末を合成した。得られたチタン酸バリウム系セラミック粉末は、表１の試料１１〜１３において示すように、粒子径が３７〜９８ｎｍであり、ペロブスカイト構造の結晶中に多くの水酸基を含む立方晶の粉末であった。
【００４８】
次に、これら粉末を、表１の試料１１〜１３に示す種々の圧力および熱処理温度で熱処理することによって、種々の粒径およびｃ／ａ軸比を有する（Ｂａ0.97Ｃａ0.05）ＴｉＯ3 粉末を得た。これら熱処理によって生成した粉末の凝集は、熱処理後において、解砕した。
【００４９】
なお、上述の粒子径は、試料となる粉末を走査型電子顕微鏡による観察を行なうことによって測定したものである。また、ｃ／ａ軸比は、Ｘ線回折を行ない、その結果をリートベルト解析して、Ｘ線プロファイルのフィッティングを行うことによって精密化して格子定数を求めることによって算出した。
【００５０】
【表１】
0004660935.tif 000002
【００５１】
次に、表１に示した原料粉末としての熱処理後のチタン酸バリウム系粉末に添加されるべき添加物として、Ｄｙ、Ｍｇ、Ｍｎ、ならびに（Ｓｉ−Ｂａ）を主成分とする焼結助剤を用意した。そして、上述した原料粉末としてのチタン酸バリウム系粉末を有機溶剤中に分散させた状態としながら、これら添加物を、それぞれ、有機溶剤に可溶なアルコキシド化合物として、チタン酸バリウム系粉末に添加した。
【００５２】
なお、上述した各添加物を、有機溶剤に可溶な状態とするため、アルコキシドとするほか、アセチルアセトネートまたは金属石鹸のような化合物としてもよい。
【００５３】
次に、上述のようにチタン酸バリウム系粉末および添加物を分散させている有機溶剤を蒸発乾燥し、さらに熱処理を施すことによって、有機成分を除去した。
【００５４】
次に、上述のように各添加物が添加された原料粉末の各試料に、ポリビニルブチラール系バインダおよびエタノール等の有機溶剤を加えて、ボールミルを用いて湿式混合することによって、セラミックスラリーを作製した。
【００５５】
次に、このセラミックスラリーをドクターブレード法によってシート状に成形し、厚み０．８μｍの矩形のセラミックグリーンシートを得た。
【００５６】
次に、このセラミックグリーンシート上に、Ｎｉを導電成分とする導電性ペーストを印刷し、積層セラミックコンデンサの内部電極を構成するための導電性ペースト膜を形成した。
【００５７】
次いで、セラミックグリーンシートを、上述の導電性ペースト膜が引き出されている側が互い違いとなるように複数枚積層し、生の積層体を得た。
【００５８】
次に、この生の積層体を、窒素雰囲気中において３５０℃の温度に加熱し、バインダを燃焼させた後、酸素分圧１０-9〜１０-12 ＭＰａのＨ2 −Ｎ2 −Ｈ2 Ｏガスからなる還元性雰囲気中において１１５０℃の温度で２時間焼成した。これによって、焼結後の誘電体セラミック層を備える積層体が得られ、前述の導電性ペースト膜は内部電極を与える状態となった。
【００５９】
次に、焼成後の積層体の両端面上に、Ｂ2 Ｏ3 −Ｌｉ2 Ｏ−ＳｉＯ2 −ＢａＯ系のガラスフリットを含有するＡｇペーストを塗布し、窒素雰囲気中において６００℃の温度で焼き付け、それによって、内部電極と電気的に接続された外部電極を形成し、試料となる積層セラミックコンデンサを完成させた。
【００６０】
このようにして得られた積層セラミックコンデンサの外形寸法は、幅が５．０ｍｍ、長さが５．７ｍｍ、厚さが２．４ｍｍであり、内部電極間に介在する誘電体セラミック層の厚みは０．５μｍであった。また、有効誘電体セラミック層の層数は５であり、１層あたりの対向電極面積は１６．３×１０-6ｍ2 であった。
【００６１】
次に、得られた積層セラミックコンデンサの各試料について、表２に示すように、「焼成後の結晶粒径」、「ショート不良発生率」、「誘電率」、「誘電損失」および「比抵抗」を求めた、
【００６２】
【表２】
0004660935.tif 000003
【００６３】
表２において、「焼成後の結晶粒径」は、得られた積層セラミックコンデンサに備える誘電体セラミック層を構成する誘電体セラミックの平均結晶粒径を、積層体の断面研磨面を化学エッチングし、走査型電子顕微鏡で観察することによって求めた。
【００６４】
「ショート不良発生率」については、得られた積層セラミックコンデンサの試料数に対するショート不良が発生した試料数の比率を示したものである。
【００６５】
また、「誘電率」については、試料となる積層セラミックコンデンサの静電容量（Ｃ）を自動ブリッジ式測定器を用いてＪＩＳ規格５１０２に従って測定し、求められた静電容量から誘電率（ε）を算出したものである。
【００６６】
また、「誘電損失」（ｔａｎδ）は、自動ブリッジ式測定器を用いてＪＩＳ規格５１０２に従って測定したものである。
【００６７】
また、「比抵抗」については、絶縁抵抗計を用い、試料となる積層セラミックコンデンサに５Ｖの直流電圧を２分間印加して２５℃での絶縁抵抗（Ｒ）を求め、この絶縁抵抗から算出したものである。
【００６８】
表１および表２において、試料番号に＊を付したものは、この発明の範囲から外れたものである。
【００６９】
表１に示すように、この発明の範囲内にある試料２〜１３によれば、加水分解法によって合成された粒子径１２〜９８ｎｍの立方晶チタン酸バリウム系粉末を、６×１０３Ｐａ以下の圧力下で、６００〜１０００℃の範囲の熱処理温度をもって熱処理することによって、粒子径５８〜１４６ｎｍの正方晶チタン酸バリウム系粉末を得ることができ、これら正方晶チタン酸バリウム系粉末のｃ／ａ軸比を１．００３以上とすることができる。
【００７０】
したがって、このような正方晶チタン酸バリウム系粉末をもって、積層セラミックコンデンサに備える誘電体セラミック層を構成すれば、この誘電体セラミック層の厚みが０．５μｍというように薄くされても、表２に示すように、ショート不良発生率が低く、十分な強誘電性を示す誘電体セラミック層を与えることができる。
【００７１】
これらに対して、この発明の範囲外の試料１によれば、加水分解法によって合成された立方晶チタン酸バリウム系粉末の粒子径が１２ｎｍであっても、これを熱処理するにあたり、６×１０３Ｐａを超える６×１０４Ｐａの圧力を適用しているので、熱処理後において、正方晶チタン酸バリウム系粉末の粒子径が１６０ｎｍにまで大きくなっている。そのため、誘電体セラミック層の厚みが０．６μｍの積層セラミックコンデンサを作製したとき、ショート不良発生率が高くなり、また、誘電損失が大きくなっている。
【００７２】
次に、表１および表２に示した試料８に係る積層セラミックコンデンサについて、表３に示すように、「ＤＣバイアス印加容量変化率」、「容量温度変化率」、「絶縁破壊電圧」および「平均寿命時間」を評価した。
【００７３】
【表３】
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【００７４】
表３において、「ＤＣバイアス印加容量変化率」は、試料となる積層セラミックコンデンサに対して、３ｋＶ／ｍｍの直流バイアスを印加したときの静電容量の変化率を、バイアス印加なしを基準として求めたものである。
【００７５】
「容量温度変化率」については、温度変化に対する静電容量の変化率を求めたもので、２０℃での静電容量を基準とした−２５℃〜＋８５℃の温度範囲での最大変化率（ΔＣ／Ｃ20）と、２５℃のでの静電容量を基準とした−５５℃〜＋１２５℃の温度範囲での最大変化率（ΔＣ／Ｃ25）とを示している。
【００７６】
「絶縁破壊電圧」は、試料となる積層セラミックコンデンサに対して、昇圧速度１００Ｖ／秒で直流電圧を印加し、積層セラミックコンデンサが破壊に至った電圧を求めたものである。
【００７７】
「平均寿命時間」は、試料となる積層セラミックコンデンサに対して、１５０℃の温度にて５Ｖの直流電圧を印加して、絶縁抵抗の経時変化を測定し、絶縁抵抗値が１０5 Ω以下になった時点を故障と判定し、平均寿命時間を評価したものである。
【００７８】
表３からわかるように、この発明の範囲内にある試料８によれば、信頼性の高い積層セラミックコンデンサを得ることができる。
【００７９】
【発明の効果】
以上のように、この発明に係る正方晶ペロブスカイト構造を有するチタン酸バリウム系セラミック粉末の製造方法によれば、湿式法によって合成された立方晶ペロブスカイト構造を有するチタン酸バリウム系セラミック粉末を熱処理するにあたり、６×１０３Ｐａ以下の比較的低い圧力を適用するので、たとえば６００〜１０００℃の範囲の比較的低い温度によって熱処理されても、立方晶ペロブスカイト構造を有するチタン酸バリウム系セラミック粉末の表面や内部に残留する水酸基および原料塩の未分解物や副生成物が効率的に除去され、そのため、粒成長が抑えられて、０．０５〜０．１５μｍといった小さい粒子径であり、かつｃ／ａ軸比が１．００３以上と大きく、十分な強誘電性を示す、正方晶ペロブスカイト構造を有するチタン酸バリウム系セラミック粉末を得ることができる。
【００８０】
したがって、この正方晶ペロブスカイト構造を有するチタン酸バリウム系セラミック粉末を用いて積層セラミックコンデンサにおける誘電体セラミック層を構成するようにすれば、誘電体セラミック層の厚みがたとえば０．６μｍ以下と薄くなっても、積層セラミックコンデンサを問題なく製造することができ、そのため、小型で大容量の積層セラミックコンデンサを高い信頼性をもって実現することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】  この発明に係る製造方法によって製造されたチタン酸バリウム系セラミック粉末を用いて構成される積層セラミックコンデンサ１を図解的に示す断面図である。
【符号の説明】
１  積層セラミックコンデンサ
２  誘電体セラミック層
３  積層体
４，５  端面
６，７  外部電極
８，９  内部電極
【図１】
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