(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
液晶層を介して貼り合わされた第１及び第２の基板からなり、画素選択用トランジスタを備えた複数の表示画素を含む画素領域と、その領域の外側で異方性導電フィルムを介して外部回路の端子が接続される外部接続領域とを備えた液晶表示装置であって、
前記画素領域では、前記第１の基板に配置された能動層と、前記能動層を含む前記第１の基板を覆う第１の絶縁膜と、前記第１の絶縁膜上のうち前記能動層上に配置されたゲート電極と、前記ゲート電極を覆う第２の絶縁膜と、を備えると共に、
前記外部接続領域では、前記第１の絶縁膜上であって前記外部接続領域の一部に配置された金属層と、前記金属層を覆う前記第２の絶縁膜と、前記金属層を覆って前記第２の絶縁膜上に配置された第１の導電層と、前記第１の導電層上のうち前記金属層を覆う領域を露出する開口部を有するようにして前記第１の導電層上に配置されたパッシベーション膜と、を備え、前記第１の導電層上に、前記異方性導電フィルムを介して前記外部回路の端子が接続されており、前記金属層上の前記第１の導電層の表面は、前記パッシベーション膜の表面より高いか、もしくは同じ高さになっていることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項２】
液晶層を介して貼り合わされた第１及び第２の基板からなり、画素選択用トランジスタを備えた複数の表示画素を含む画素領域と、その領域の外側で異方性導電フィルムを介して外部回路の端子が接続される外部接続領域とを備えた液晶表示装置であって、
前記画素領域では、前記第１の基板に配置された能動層と、前記能動層を含む前記第１の基板を覆う第１の絶縁膜と、前記第１の絶縁膜上のうち前記能動層上に配置されたゲート電極と、前記ゲート電極を覆う第２の絶縁膜と、を備えると共に、
前記外部接続領域では、前記第１の絶縁膜上であって前記外部接続領域の一部に配置された金属層と、前記金属層を覆う前記第２の絶縁膜と、前記金属層を覆って前記第２の絶縁膜上に配置された第１の導電層と、前記第１の導電層上のうち前記金属層を覆う領域を露出する開口部を有するようにして前記第１の導電層上に配置されたパッシベーション膜と、前記開口部で露出する前記第１の導電層上を覆うようにして配置された第２の導電層とを備え、前記第２の導電層上に、前記異方性導電フィルムを介して前記外部回路の端子が接続されており、前記金属層上の前記第２の導電層の表面は、前記パッシベーション膜の表面より高いか、もしくは同じ程度の高さになっていることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項３】
前記ゲート電極及び前記金属層は、同一の材料からなることを特徴とする請求項１又は２に記載の液晶表示装置。
【請求項４】
前記能動層に接続されたソース電極及びドレイン電極を備え、前記ソース電極、前記ドレイン電極、及び前記第１の導電層は、同一の材料からなることを特徴とする請求項１、２、３のいずれかに記載の液晶表示装置。
【請求項５】
前記画素領域では、前記第１の基板と前記第２の基板との間に、平坦化膜と、反射金属層と、画素電極と、第１及び第２の配向膜と、共通電極とが配置されており、前記第２の基板の外側の主面に、位相差板及び偏光板が積層されていることを特徴とする請求項１、２、３、４のいずれかに記載の液晶表示装置。
【請求項６】
前記第２の導電層と前記画素電極は、同一の材料からなることを特徴とする請求項５に記載の液晶表示装置。
【請求項７】
前記パッシベーション膜は、シリコン酸化膜またはシリコン窒化膜からなることを特徴とする請求項１乃至６のいずれかに記載の液晶表示装置。
【請求項８】
画素選択用トランジスタを備えた複数の表示画素を含む画素領域と、その領域の外側で異方性導電フィルムを介して外部回路の端子が接続される外部接続領域と、を備えた液晶表示装置の製造方法であって、
前記画素領域及び前記外部接続領域が画定された第１の基板を準備し、
前記画素領域の前記第１の基板上に能動層を形成する工程と、
前記能動層を含む前記第１の基板上に第１の絶縁膜を形成する工程と、
前記画素領域の前記第１の絶縁膜上にゲート電極を形成すると共に、前記第１の絶縁膜上であって前記外部接続領域の一部に金属層を形成する工程と、
前記ゲート電極及び前記金属層を覆う第２の絶縁膜を形成する工程と、
前記外部接続領域の前記第２の絶縁膜上に前記金属層を覆う導電層を形成する工程と、
前記導電層上のうち前記金属層を覆う領域を露出する開口部を設けるようにして、前記導電層上にパッシベーション膜を形成する工程と、
前記第１の基板に第２の基板を貼り合わせ、前記第１の基板と前記第２の基板の間に液晶を封入する工程と、
前記導電層上に前記異方性導電フィルムを介して前記外部回路の端子を接続する工程と、を含み、前記金属層上の前記導電層の表面を前記パッシベーション膜の表面より高いか、もしくは同じ高さにすることを特徴とする液晶表示装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、液晶表示装置に関し、特に、画素領域と、外部回路とを接続する外部接続領域とを備えた液晶表示装置及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、携帯電話やデジタルカメラ等の携帯型電子機器の普及に伴い、液晶表示装置の需要が益々高まっている。液晶表示装置の１つとして、それを構成するガラス基板上に外部回路が実装されるＣＯＧ（Ｃｈｉｐ  ｏｎ  Ｇｌａｓｓ）実装が知られている。次に、外部回路がＣＯＧ実装される場合の、従来例に係る液晶表示装置の概略について、図面を参照して説明する。図１０は、この液晶表示装置の概略構成を示す上面図である。
【０００３】
図１０に示すように、液晶表示装置、即ち、ガラス基板からなる液晶表示パネル１００に、画素選択用薄膜トランジスタ（ＴＦＴ；Ｔｈｉｎ  Ｆｉｌｍ  Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）を備えた複数の表示画素からなる画素領域１００Ｐが形成されている。
【０００４】
この画素領域１００Ｐでは、行方向に延びた走査線１０１と列方向に延びたデータ線１０２の交差点の付近に、例えばＮチャネル型の画素選択用ＴＦＴ１０３が配置されている。この画素選択用ＴＦＴ１０３のゲートは、走査線１０１に接続されており、そのソースは、データ線１０２に接続されている。走査線１０１には垂直駆動回路２０１から出力される画素選択信号Ｇが印加され、それに応じて画素選択用ＴＦＴ１０３のオンまたはオフが制御される。データ線１０２には水平駆動回路２０２から表示信号Ｄが出力される。
【０００５】
画素選択用ＴＦＴ１０３のドレインは、液晶層ＬＣを挟む不図示の画素電極及び共通電極のうち、画素電極に接続されている。なお、この液晶層ＬＣは誘電体として機能するためキャパシタとして表されている。また、画素選択用ＴＦＴ１０３のドレインには、上記画素電極に印加される表示信号Ｄを一水平期間保持するための不図示の保持容量が接続されている。なお、上記構成では、画素選択用ＴＦＴ１０３のソースにデータ線１０２が接続され、そのドレインに画素電極が接続されているが、ソースに画素電極が接続され、ドレインにデータ線１０２が接続されてもよい。
【０００６】
一方、画素領域１００Ｐの外側、即ち液晶表示パネル１００の額縁では、垂直駆動回路２０１や水平駆動回路２０２等と、後付される不図示の外部回路（基準クロック等の信号や電源などを供給する駆動回路）とを接続する外部接続領域１０７が配置されている。この外部接続領域１０７には、垂直駆動回路２０１や水平駆動回路２０２等から引き出された配線層及び端子１０８が形成されている。この外部接続領域１０７の端子１０８には、均一サイズの複数の導電性樹脂ボール１４０と絶縁性粘着剤からなる異方性導電フィルム（ＡＣＦ；Ａｎｉｓｏｔｒｏｐｉｃ  Ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ  Ｆｉｌｍ）１４１を介して、不図示の外部回路の端子である金属バンプ１５０が接続される。
【０００７】
次に、液晶表示装置の外部接続領域１０７の端子１０８の構造について図面を参照して説明する。図１１は、図１０の外部接続領域１０７の端子１０８のＸ−Ｘ沿った断面図である。図１１に示すように、外部接続領域１０７では、基板１１０上に、例えば画素選択用ＴＦＴ１０３のゲート電極と同一の材料からなるゲートメタル層１１１が形成されている。また、基板１１０上には、ゲートメタル層１１１の一部を露出する開口部１２０を有すようにして、ゲート絶縁膜１１２及び平坦化膜１１３が形成されている。
【０００８】
開口部１２０で露出するゲートメタル層１１１上には、表示画素に形成された不図示の画素電極と同一の材料、例えばＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ  Ｔｉｎ  Ｏｘｉｄｅ）からなる層（以降、「ＩＴＯ層１１４」と略称する）が形成されている。そして、この開口部１２０内を含むＩＴＯ層１１４上に、複数の導電性樹脂ボール１４０を含む異方性導電フィルム１４１が配置されている。そして、外部接続領域１０７の端子１０８の最上層電極であるＩＴＯ層１１４上に、外部回路の端子である金属バンプ１５０が位置するように載置され、熱圧着されて接続される。
【０００９】
次に、上記液晶表示装置の動作について説明する。不図示の外部接続回路や垂直駆動回路２０１からのハイレベルの画素選択信号Ｇが、１水平期間にわたって走査線１０１に印加されると、画素選択用ＴＦＴ１０３がオンする。すると、不図示の外部回路や水平駆動回路２０２からデータ線１０２に出力された表示信号Ｄが画素選択用ＴＦＴ１０３を通して不図示の保持容量によって保持されると共に、上記画素電極に印加される。そして、表示信号Ｄに応じて、１水平期間にわたって液晶層ＬＣの電界が制御され、その電界に応じて液晶分子の配向が制御される。これにより、黒表示もしくは白表示の液晶表示が行われる。この動作を１フィールド期間にわたって、全ての行の表示画素に対して行うことにより、表示領域の全体に所望の画像を表示することができる。
【００１０】
なお、本願に関連する技術文献としては、以下の特許文献が挙げられる。
【特許文献１】特開２００２−２２９０５８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１１】
しかしながら、図１１に示すように、外部接続領域１０７の開口部１２０内部では、不図示の外部回路の端子である金属バンプ１５０の表面とＩＴＯ層１１４の表面との距離が、開口部１２０の外部における距離に比して大きくなる。そのため、異方性導電フィルム中の導電性樹脂ボール１４０が、不図示の外部回路の金属バンプ１５０、ＩＴＯ層１１４のいずれにも接触しない状態で存在する。即ち、金属バンプ１５０と、外部接続領域１０７の端子１０８との間に、電気的な接続不良が発生する。結果として、外部回路が接続される液晶表示装置の歩留まりが劣化するという問題が生じていた。
【００１２】
そこで本発明は、外部回路が接続される液晶表示装置及びその製造方法において、外部回路と液晶表示装置との接続不良の発生の抑止を図る。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
本発明の液晶表示装置は、上記課題に鑑みて為されたものであり、液晶層を介して貼り合わされた第１及び第２の基板からなり、画素選択用トランジスタを備えた複数の表示画素を含む画素領域と、その領域の外側で異方性導電フィルムを介して外部回路の端子が接続される外部接続領域とを備えた液晶表示装置であって、以下の特徴を有する。
【００１４】
即ち、本発明の液晶表示装置の上記画素領域では、第１の基板に配置された能動層と、能動層を含む第１の基板の全面を覆う第１の絶縁膜と、第１の絶縁膜上のうち能動層上の領域に配置されたゲート電極と、ゲート電極を覆う第２の絶縁膜と、を備えると共に、外部接続領域では、第１の絶縁膜上に配置された金属層と、金属層を覆う第２の絶縁膜と、第２の絶縁膜上のうち金属層上の領域を覆うようにして配置された第１の導電層と、第１の導電層上のうち金属層を覆う領域を露出する開口部を有するようにして第１の導電層上に配置されたパッシベーション膜と、を備える。さらに、本発明の液晶表示装置の外部接続領域では、上記開口部で露出する第１の導電層上を覆うようにして、第２の導電層が配置されていてもよい。
【００１５】
また、本発明の液晶表示装置の製造方法は、画素選択用トランジスタを備えた複数の表示画素を含む画素領域と、その領域の外側で異方性導電フィルムを介して外部回路の端子が接続される外部接領域と、を備えた液晶表示装置の製造方法であって、画素領域外部接続領域が画定された第１の基板を準備し、画素領域の第１の基板上に能動層を形成する工程と、能動層を含む第１の基板の全面上に第１の絶縁膜を形成する工程と、画素領域の第１の絶縁膜上にゲート電極を形成すると共に、外部接続領域の第１の絶縁膜上に、金属層を形成する工程と、ゲート電極及び金属層を覆う第２の絶縁膜を形成する工程と、外部接続領域の第２の絶縁膜上のうち金属層上の領域を覆うようにして、導電層を形成する工程と、導電層上のうち金属層を覆う領域を露出する開口部を設けるようにして、導電層上にパッシベーション膜を形成する工程と、第１の基板に第２の基板を貼り合わせ、それらの間に液晶を封入し、第１の及び第２の基板を切断して複数の液晶表示装置に分離する工程と、を含むことを特徴とする。
【発明の効果】
【００１６】
本発明の液晶表示装置及びその製造方法によれば、液晶表示装置の外部接続領域に、異方性導電フィルムを介して外部回路の端子を接続する際、従来例にみられたような接続不良の発生を抑止することができる。そのため、液晶表示装置の歩留まりの向上を図ることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１７】
次に、本発明の実施形態に係る液晶表示装置の製造方法について図面を参照して説明する。図１乃至図９は、本実施形態に係る液晶表示装置の製造方法を説明する図である。図１乃至図９では、図１０及び図１１に示したものと同様の構成要素については同一の符号を付して説明を行う。なお、図１（Ａ）は、図１０の画素領域素１００Ｐの複数の表示画素のうち、１つの表示画素の画素選択用ＴＦＴ１０３近傍の断面を示している。
【００１８】
また、図１（Ｂ）は、図１０で示した外部接続領域１０７の端子１０８のＸ−Ｘ線に沿った断面を示している。なお、後述する図２乃至図７においても、図１と同様に、上記２つの領域の断面を示すものとする。また、図８は、図１０の画素領域素１００Ｐの１つの表示画素の画素選択用ＴＦＴ１０３近傍の断面を示しており、図９は、図１０で示した外部接続領域１０７の端子１０８のＸ−Ｘ線に沿った断面を示している。
【００１９】
最初に、図１（Ａ）及び図１（Ｂ）に示すように、例えばガラスからなる第１の基板１０を準備する。この第１の基板１０は、図１０の画素領域１００Ｐ、及び外部接続領域１０７に対応する領域が画定されている。
【００２０】
次に、図１（Ａ）の画素領域１００Ｐの第１の基板上に、図１０に示した画素選択用ＴＦＴ１０３の能動層として、ポリシリコン層１１を形成する。そして、ポリシリコン層１１を覆うようにして、第１の絶縁膜として、例えばシリコン酸化膜やシリコン窒化膜からなるゲート絶縁膜１２を、第１の基板１０上に形成する。このとき、図１（Ｂ）の外部接続領域１０７では、その第１の基板上に、ゲート絶縁膜１２のみが形成される。
【００２１】
次に、図２（Ａ）及び図２（Ｂ）に示すように、ゲート絶縁膜１２の全面に、ゲート電極となりうる金属層、例えばクロム（Ｃｒ）層を、例えば約０．２５μｍの厚さを以って形成する。そして、不図示のマスクを用いて上記クロム層が所定のパターンにエッチングされる。このとき、図２（Ａ）の画素領域１００Ｐでは、同一の金属からなる層として、ゲート電極１３が形成されると共に、所定の位置に延びる配線層１３Ｌが形成される。また、図２（Ｂ）の外部接続領域１０７では、ゲート絶縁膜１２上に、ゲート電極１３と同一の金属からなる層として、不図示の垂直駆動回路２０１や水平駆動回路２０２等に接続して所定の位置に延びる配線層１４が形成される。それと共に、外部接続領域１０７の端子１０８に対応する位置のゲート絶縁膜１２上に、その端子１０８の平面的なサイズに応じた面積を有して、ゲート電極１３と同一の金属からなる層として、ゲートメタル層１５が形成される。
【００２２】
次に、図３（Ａ）及び図３（Ｂ）に示すように、ゲート絶縁膜１２上に、ゲート電極１３、配線層１３Ｌ，１４、及びゲートメタル層１５を覆うように、第２の絶縁膜として、例えばシリコン酸化膜やシリコン窒化膜からなる層間絶縁膜１６が、例えば約０．５μｍの厚さを以って形成される。さらに、図３（Ａ）の画素領域１００Ｐでは、ゲート絶縁膜１２及び層間絶縁膜１６の一部を貫通し、ポリシリコン層１１のソース領域及びドレイン領域を露出する第１及び第２のコンタクトホールＣ１，Ｃ２が形成される。一方、図３（Ｂ）の外部接続領域１０７では、配線層１４の一部を露出する第３のコンタクトホールＣ３を形成する。
【００２３】
次に、図４（Ａ）及び図４（Ｂ）に示すように、第１、第２、及び第３のコンタクトホールＣ１，Ｃ２，Ｃ３内を含む層間絶縁膜１６の全面に、例えば画素選択用ＴＦＴ１０３のソース電極及びドレイン電極となりうる金属層、例えばアルミニウム層（Ａｌ）が、例えば約０．４μｍの厚さを以って形成される。
【００２４】
そして、不図示のマスクを用いて上記アルミニウム層が所定のパターンにエッチングされる。このとき、図４（Ａ）の画素領域１００Ｐでは、同一の金属からなる層として、ソース電極１７及びドレイン電極１８が形成される。一方、図４（Ｂ）の外部接続領域１０７では、層間絶縁膜１６上のうち、ゲートメタル層１５上の領域を覆うように、ソース電極１７及びドレイン電極１８と同一の金属からなる層として、第１の導電層１９が形成される。この第１の導電層１９は、配線層１４の形成位置に至るまで延び、第３のコンタクトホールを通して配線層１４と接続される。
【００２５】
次に、図５（Ａ）及び図５（Ｂ）に示すように、ソース領域１７及びドレイン領域１８を覆うようにして、層間絶縁膜１６上に、例えばシリコン酸化膜やシリコン窒化膜等からなるパッシベーション膜２０が、例えば０．３μｍの厚さを以って形成される。
【００２６】
そして、不図示のマスクを用いて上記パッシベーション膜２０が所定のパターンにエッチングされる。このとき、図５（Ａ）の画素領域１００Ｐでは、ドレイン電極１８の一部を露出する第１の開口部２１が形成される。一方、図５（Ｂ）の外部接続領域１０７では、第１の導電層１９のうちゲートメタル層１５を覆う領域を露出するようにして第２の開口部２２が形成される。このとき、第２の開口部２２は、その開口径がゲートメタル層２０の平面的なサイズよりも大きくなるようにして形成される。
【００２７】
次に、図６（Ａ）及び図６（Ｂ）に示すように、第１及び第２の開口部２１，２２内を含むパッシベーション膜２０の全面上に、例えば塗布酸化膜等の平坦化膜２３が形成される。
【００２８】
そして、不図示のマスクを用いて平坦化膜２３をエッチングすることにより、図６（Ａ）の画素領域１００Ｐでは、後述する画素電極の形成領域に、所定の深さを有した複数の凹部２３Ｃが形成される。なお、この凹部２３Ｃの形成は省略されてもよい。次に、先のエッチングに用いたものとは異なる不図示のマスクを用いて平坦化膜２３をエッチングすることにより、図６（Ａ）の画素領域１００Ｐでは、第１の開口部２１に対応する位置に、ドレイン電極１８の位置を露出する第４のコンタクトホールＣ４が形成される。一方、図６（Ｂ）の外部接続領域１０７では、平坦化膜２３は除去される。
【００２９】
次に、図７（Ａ）に示すように、画素領域では、凹部２３Ｃ内を含む平坦化膜２３の一部上に、例えばアルミニウム（Ａｌ）からなる反射金属層２４が形成される。次に、図７（Ａ）及び図７（Ｂ）に示すように、画素領域１００Ｐ及び外部接続領域１０７の両領域において、第４のコンタクトホールＣ４内、パッシベーション膜２０、平坦化膜２３、及び反射金属層２４、及び第２の開口部２２で露出する第１の導電層１９を覆うようにして、液晶表示装置の画素電極となりうる金属層、例えばＩＴＯ層が、例えば０．１μｍの厚さを以って形成される。
【００３０】
そして、不図示のマスクを用いてＩＴＯ層が所定のパターンにエッチングされる。このとき、図７（Ａ）の画素領域１００Ｐでは、第４のコンタクトホールＣ４を通してドレイン電極１８と接続し、平坦化膜２３上に延びて反射金属層２４を覆う画素電極２５が形成されている。一方、図７（Ｂ）の外部接続領域１０７では、第２の開口部２２で露出する第１の導電層１９を覆うようにして、画素電極２５と同一の金属からなる層として、第２の導電層２６が形成される。この第２の導電層２６が、外部接続領域１０７の端子１０８の最上層電極となる。
【００３１】
ここで、この第２の導電層２６の表面は、その周囲に存在するパッシベーション膜２０の表面に比して、それよりも高いか、もしくは同じ程度の高さとなっている。なお、同等の作用効果を奏する範囲であれば、第２の導電層２６の表面が、その周辺に存在するパッシベーション膜２０の表面に比して、それよりも低くてもよい。この場合は、例えば、第２の導電層２６の表面と、第２の導電層２６のうちパッシべーション膜２０に乗り上げた部分の表面の高さとの差を、後述する導電性樹脂ボールが良好な導通を示すために必要な「潰し量」が確保できる程度にすればよい。
【００３２】
この高さの関係を満たす限り、上記工程において形成された外部接続領域１０７のゲートメタル層１５、層間絶縁膜１６、第１の導電層１９、及び第２の導電層２６の各層の所定の厚さは、特に限定されずに、任意の厚さであってよい。
【００３３】
次に、図８に示すように、画素領域１００Ｐでは、画素電極２５を覆う第１の配向膜２７を形成する。そして、例えばガラスからなり、例えばＩＴＯ層からなる共通電極２８、及び第２の配向膜２９が形成された第２の基板３０が、スペーサー３１を介して、第１の基板１０側に貼り合わされる。その後、所定の液晶を第１及び第２の配向膜２７，２９の間に封入して液晶層３２が形成される。さらに、第２の基板３０の外側の面には、位相差板３３及び偏光板３４が積層される。こうして、画素領域１００Ｐにおいて、液晶表示装置の表示画素が形成される。
【００３４】
そして、図９に示すように、外部接続領域１０７には、例えば基準クロック等の信号や電源などを供給する駆動回路である後付けの外部回路が接続される。図９では、外部回路のうち、その端子である金属バンプ５０のみを示している。この金属バンプ５０を外部接続領域１０７に接続する際には、第２の導電層２６を覆うようにして、均一サイズの複数の導電性樹脂ボール４０と絶縁性粘着剤からなる異方性導電フィルム４１が貼り合わされる。次に、金属バンプ５０が、異方性導電フィルム４１を介して、外部接続領域の端子１０８の最上層電極、即ち第２の導電層２６上に載置され、所定の温度の熱処理が施されながら、外部接続領域１０７の端子１０８に圧着される。
【００３５】
この圧着時には、異方性導電フィルム４１に含まれ複数の導電性樹脂ボール４０のうち、第２の導電層２６上に存在する導電性樹脂ボール４０は、金属バンプ５０と第２の導電層２６とに挟まれて、それらの表面に対して所定の接触面積を有するようにして潰される。即ち、導電性樹脂ボール４０を介して、金属バンプ５０と外部接続領域１０７の端子１０８とが電気的に接続される。
【００３６】
こうして、金属バンプ５０と第２の導電層２６とを異方性導電フィルム４１を介して接続する際、従来例にみられたような接続不良を回避することができる。結果として、外部回路が接続された液晶表示装置の歩留まりの向上を図ることができる。
【００３７】
なお、上記実施形態では、外部接続領域１０７の端子１０８の最上層電極を第２の導電層２６としたが、本発明はこれに限定されない。即ち、第２の導電層２６の形成を省き、第１の導電層１９を、外部接続領域１０７の端子１０８の最上層電極としてもよい。
【００３８】
ただし、この場合、外部回路の金属バンプ５０と第１の導電層１９とを接続する際に、導電性樹脂ボール４０が金属バンプ５０と第１の導電層１９とに挟まれ、それらの表面に対して所定の接触面積を有するようにして潰される必要がある。そのために、第１の導電層１９は、その表面がパッシベーション膜２０の表面と同じ高さか、もしくはそれより高くなるように形成される必要がある。例えば、上記高さの関係を満たすように、十分な厚さを有したゲートメタル層１５が形成されてもよい。
【００３９】
なお、同等の作用効果を奏する範囲であれば、第２の導電層２６の表面が、その周辺に存在するパッシベーション膜２０の表面に比して、それよりも低くてもよい。この場合は、例えば、第２の導電層２６の表面と、第２の導電層２６がパッシべーション膜２０に乗り上げた部分の表面の高さとの差を、導電性樹脂ボール４０が良好な導通を示すために必要な「潰し量」が確保できる程度にすればよい。このようにすることで、第２の導電層２６のうちパッシべーション膜２０に乗り上げた部分が壁となって、導電性樹脂ボール４０が第２の導電層２６上から逃げることを防止する効果が期待できる。
【００４０】
また、上記実施形態では、外部接続領域１０７のゲートメタル層１５は、ゲート電極１３と同一の金属からなる層としたが、本発明はこれに限定されず、その他の金属を用いて、ゲート電極の形成工程とは別の工程により形成されるもであってもよい。
【図面の簡単な説明】
【００４１】
【図１】本発明の実施形態に係る液晶表示装置の製造方法を示す断面図である。
【図２】本発明の実施形態に係る液晶表示装置の製造方法を示す断面図である。
【図３】本発明の実施形態に係る液晶表示装置の製造方法を示す断面図である。
【図４】本発明の実施形態に係る液晶表示装置の製造方法を示す断面図である。
【図５】本発明の実施形態に係る液晶表示装置の製造方法を示す断面図である。
【図６】本発明の実施形態に係る液晶表示装置の製造方法を示す断面図である。
【図７】本発明の実施形態に係る液晶表示装置の製造方法を示す断面図である。
【図８】本発明の実施形態に係る液晶表示装置及びその製造方法を示す断面図である。
【図９】本発明の実施形態に係る液晶表示装置及びその製造方法を示す断面図である。
【図１０】従来例に係る液晶表示装置を示す概略平面図である。
【図１１】従来例に係る液晶表示装置を示す断面図である。
【図１】
0004662350.tif 000002
【図２】
0004662350.tif 000003
【図３】
0004662350.tif 000004
【図４】
0004662350.tif 000005
【図５】
0004662350.tif 000006
【図６】
0004662350.tif 000007
【図７】
0004662350.tif 000008
【図８】
0004662350.tif 000009
【図９】
0004662350.tif 000010
【図１０】
0004662350.tif 000011
【図１１】
0004662350.tif 000012