(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
記録媒体に対向する媒体対向面の側に磁極端部を有する主磁極層と、前記媒体対向面の側において、記録ギャップ層を形成するようにして前記磁極端部に対向するライトシールド層と、前記ライトシールド層又は前記主磁極層の周りに巻回された薄膜コイルと、前記主磁極層が充填され、且つ、前記磁極端部の形状を規定する極細溝部と該極細溝部の前記媒体対向面から遠い方の端部から一体的に延びる本体凹部とを含む磁極形成用凹部が形成されたベース絶縁層と、を備える薄膜磁気ヘッドを製造可能な薄膜磁気ヘッド用構造物の製造方法であって、
前記ベース絶縁層に前記磁極形成用凹部を形成する際に、
前記ベース絶縁層上に、前記磁極形成用凹部の前記極細溝部に対応する第１のスリットパターンと、前記第１のスリットパターンから一体的に延びると共に、前記本体凹部の外縁に沿うように前記極細溝部から一体的に延びる仮設溝部に対応する第２のスリットパターンと、を有する第１レジスト層を形成する工程と、
前記第１レジスト層をマスクとして前記ベース絶縁層のエッチングを行う工程と、
前記第１レジスト層を除去した後、前記ベース絶縁層上に、前記本体凹部に対応する開口パターンを有する第２レジスト層を形成する工程と、
前記第２レジスト層をマスクとして前記ベース絶縁層のエッチングを行う工程と
を備える、薄膜磁気ヘッド用構造物の製造方法。
【請求項２】
前記第２レジスト層をマスクとする前記ベース絶縁層のエッチング深さが、前記第１レジスト層をマスクとする前記ベース絶縁層のエッチング深さよりも深い、請求項１に記載された薄膜磁気ヘッド用構造物の製造方法。
【請求項３】
前記本体凹部の少なくとも一部が、前記極細溝部の前記媒体対向面から遠い方の端部から一体的に延び、且つ、前記極細溝部から離れるに従って漸次幅が広がる可変幅凹部で構成されており、
前記第２のスリットパターンが前記可変幅凹部の外縁に沿って延びる、請求項１又は２に記載された薄膜磁気ヘッド用構造物の製造方法。
【請求項４】
前記第２のスリットパターンが、前記本体凹部の両外縁に沿うように前記第１のスリットパターンから二股に分岐して延びる、請求項１〜３のいずれか一項に記載された薄膜磁気ヘッド用構造物の製造方法。
【請求項５】
記録媒体に対向する媒体対向面の側に磁極端部を有する主磁極層と、前記媒体対向面の側において、記録ギャップ層を形成するようにして前記磁極端部に対向するライトシールド層と、前記ライトシールド層又は前記主磁極層の周りに巻回された薄膜コイルと、前記主磁極層が充填され、且つ、前記磁極端部の形状を規定する極細溝部と該極細溝部の前記媒体対向面から遠い方の端部から一体的に延びる本体凹部とを含む磁極形成用凹部が形成されたベース絶縁層と、を備える薄膜磁気ヘッドを製造可能な薄膜磁気ヘッド用構造物であって、
前記本体凹部の側面のうちの少なくとも一部の側面の傾斜角が、前記極細溝部の側面の傾斜角と略同一であり、
前記本体凹部の少なくとも一部が、前記極細溝部の前記媒体対向面から遠い方の端部から一体的に延び、且つ、前記極細溝部から離れるに従って漸次幅が広がる可変幅凹部で構成されており、
前記可変幅凹部の側面の傾斜角が、前記極細溝部の側面の傾斜角と略同一であり、
前記極細溝部及び前記可変幅凹部の側面の傾斜角が、前記本体凹部のうちの前記可変幅凹部の残余部分の側面の傾斜角よりも小さい、薄膜磁気ヘッド用構造物。
【請求項６】
前記本体凹部の底面と前記極細溝部の底面との境界に段差部が形成された、請求項５に記載された薄膜磁気ヘッド用構造物。
【請求項７】
前記本体凹部の底面の高さ位置が、前記極細溝部の底面の高さ位置よりも低い、請求項６に記載された薄膜磁気ヘッド用構造物。
【請求項８】
前記段差部の傾斜角αが、０゜＜α＜９０゜の範囲である、請求項７に記載された薄膜磁気ヘッド用構造物。
【請求項９】
前記段差部と前記媒体対向面との距離が、０．１〜０．３μｍであることを特徴とする請求項７又は８に記載された薄膜磁気ヘッド用構造物。
【請求項１０】
記録媒体に対向する媒体対向面の側に磁極端部を有する主磁極層と、前記媒体対向面の側において、記録ギャップ層を形成するようにして前記磁極端部に対向するライトシールド層と、前記ライトシールド層又は前記主磁極層の周りに巻回された薄膜コイル、前記主磁極層が充填され、且つ、前記磁極端部の形状を規定する極細溝部と該極細溝部の前記媒体対向面から遠い方の端部から一体的に延びる本体凹部とを含む磁極形成用凹部が形成されたベース絶縁層と、を備える薄膜磁気ヘッドであって、
前記本体凹部の側面のうちの少なくとも一部の側面の傾斜角が、前記極細溝部の側面の傾斜角と略同一であり、
前記本体凹部の少なくとも一部が、前記極細溝部の前記媒体対向面から遠い方の端部から一体的に延び、且つ、前記極細溝部から離れるに従って漸次幅が広がる可変幅凹部で構成されており、
前記可変幅凹部の側面の傾斜角が、前記極細溝部の側面の傾斜角と略同一であり、
前記極細溝部及び前記可変幅凹部の側面の傾斜角が、前記本体凹部のうちの前記可変幅凹部の残余部分の側面の傾斜角よりも小さい、薄膜磁気ヘッド。
【請求項１１】
前記本体凹部の底面と前記極細溝部の底面との境界に段差部が形成された、請求項１０に記載された薄膜磁気ヘッド。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、垂直磁気記録動作を行う薄膜磁気ヘッドを製造するための薄膜磁気ヘッド用構造物及びその製造方法並びに薄膜磁気ヘッドに関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、ハードディスク装置の面記録密度が著しく向上している。特に、最近では、ハードディスク装置の面記録密度は１６０〜２００ギガバイト／プラッタに達し、更にそれを超える勢いである。これに伴い、薄膜磁気ヘッドの性能向上が求められている。
【０００３】
薄膜磁気ヘッドは、記録方式により大別すると、ハードディスク（記録媒体）の記録面内（長手）方向に情報を記録する長手記録方式と、ハードディスクに形成する記録磁化の向きを記録面の垂直方向に形成してデータを記録する垂直記録方式とに分けることができる。このうち、垂直磁気記録方式の薄膜磁気ヘッドは、長手記録方式に比べて格段に高い記録密度を実現できる上に、記録済みのハードディスクが熱揺らぎの影響を受けにくいので、長手記録方式よりも有望視されている。
従来の垂直磁気記録方式の薄膜磁気ヘッドとしては、例えば、特許文献１〜４に開示されている。
【０００４】
垂直記録方式の薄膜磁気ヘッドでは、ハードディスクの内周や外周の領域にデータを記録するときに、データを記録するトラックに対して記録媒体（ハードディスク）に対向する媒体対向面（エアベアリング面（ＡＢＳ：Air Bearing Surface）ともいう）の側に配置された磁極端部が、ある程度の傾き（Skew Angle：スキュー角）を生じる。垂直記録方式の磁気ヘッド（垂直磁気記録（ＰＭＲ：Perpendicular Magnetic Recording）ヘッドともいう）において書き込み能力が高い場合には、磁極端部にスキュー角が生じることで隣接するトラック同士の間に余分なデータを記録してしまう、いわゆる書きにじみと呼ばれる問題があった。この書きにじみが発生すると、サーボ信号の検出や、再生波形のＳ／Ｎ比に悪影響を及ぼす。そのため、従来のＰＭＲヘッドでは、主磁極層におけるエアベアリング面側の磁極端部を、一方向に向かって漸次幅の狭まるベベル形状としている（この点に関しては、例えば、特許文献５及び６を参照）。
【特許文献１】米国特許第６，５０４，６７５号明細書
【特許文献２】米国特許第４，６５６，５４６号明細書
【特許文献３】米国特許第４，６７２，４９３号明細書
【特許文献４】特開２００４−９４９９７号公報
【特許文献５】特開２００３−２４２６０７号公報
【特許文献６】特開２００３−２０３３１１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、上述した主磁極層におけるエアベアリング面側の磁極端部がベベル形状となっているＰＭＲヘッドでは、その磁極端部の幅（以下、磁極幅という）の均一性が不十分で、主磁極層の長さ方向に関して均等でなかった。そのため、ウエハ上に形成された主磁極層の上記磁極端部を所定位置で切断して、この主磁極層のエアベアリング面を規定する際に、その切断位置によってエアベアリング面における磁極幅が異なってしまうという問題があった。従って、従来のＰＭＲでは、製品毎に、エアベアリング面におけるトラック幅（記録トラック幅）に大きなズレが生じる場合があった。
【０００６】
そこで、本発明者等は、予め主磁極層に対応する形状に窪ませると共に、幅が略均一である極細溝部を含む磁極形成用凹部を有するベース絶縁層を備えた薄膜磁気ヘッド用構造物を提案している。この磁極形成用凹部は、極細溝部の端部から連続的に延びると共に、極細溝部から離れるに従って漸次幅が広がる可変幅凹部と、可変幅凹部の端部から連続的に延びる定幅凹部とを有している。このようなベース絶縁層を用いると、主磁極層が磁極形成用凹部に埋め込まれるようにして形成されるため、エアベアリング面を規定する際、磁極形成用凹部における極細溝部で主磁極層を切断することにより、エアベアリング面における磁極幅が高い精度で同一幅となる。
【０００７】
しかしながら、上記の磁極形成用凹部をベース絶縁層に形成する際、以下の問題を有する。
上記の磁極形成用凹部は、アルミナ（Ａｌ２Ｏ３）からなるベース絶縁層上にフォトレジストが塗布され、所定のフォトマスクを用いたフォトレジストのパターニングにより、磁極形成用凹部に対応した形状にベース絶縁層の表面が露出するレジスト層が形成された後、このレジスト層をマスクとして反応性イオンエッチング（以下、ＲＩＥ（Reactive Ion Etching）という）によりレジスト層が形成されていない部分を除去することによって形成される。ここで、極細溝部に対応したレジスト層の開口幅は、可変幅凹部及び定幅凹部に対応したレジスト層の開口幅に比べて極めて小さいものとなっている。そのため、このようなレジスト層を用いてＲＩＥを行うと、極細溝部に対応した部分においてはラジカルイオンがベース絶縁部に略鉛直方向から進入してくることとなるが、可変幅凹部及び定幅凹部に対応した部分においては、ラジカルイオンがそのような指向性をそれほど有さず、略垂直方向以外からもベース絶縁層に進入してくることが多い。従って、ＲＩＥを行って形成された磁極形成用凹部では、極細溝部以外の側面の傾斜角が極細溝部の側面の傾斜角よりも大きくなっていた。このため、極細溝部以外の開口面積に対する底面積の減少が、極細溝部の開口面積に対する底面積の減少に比べて著しく、磁極形成用凹部の容積が減少してしまっていた。このような磁極形成用凹部を用いて主磁極層を形成した場合、主磁極層の磁気量（磁気ボリューム（magnetic volume）ともいう）が減少し、そのためオーバライト特性のさらなる向上を図ることが難しかった。
【０００８】
本発明は、上記課題を解決するためになされたもので、オーバライト特性の更なる向上を図ることができる薄膜磁気ヘッド用構造物及びその製造方法並びに薄膜磁気ヘッドを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上記課題を解決するため、本発明に係る薄膜磁気ヘッド用構造物の製造方法は、記録媒体に対向する媒体対向面の側に磁極端部を有する主磁極層と、媒体対向面の側において、記録ギャップ層を形成するようにして磁極端部に対向するライトシールド層と、ライトシールド層又は主磁極層の周りに巻回された薄膜コイルと、主磁極層が充填され、且つ、磁極端部の形状を規定する極細溝部とその極細溝部の媒体対向面から遠い方の端部から一体的に延びる本体凹部とを含む磁極形成用凹部が形成されたベース絶縁層と、を備える薄膜磁気ヘッドを製造可能な薄膜磁気ヘッド用構造物の製造方法であって、ベース絶縁層に前記磁極形成用凹部を形成する際に、ベース絶縁層上に、磁極形成用凹部の極細溝部に対応する第１のスリットパターンと、第１のスリットパターンから一体的に延びると共に、本体凹部の外縁に沿うように極細溝部から一体的に延びる仮設溝部に対応する第２のスリットパターンと、を有する第１レジスト層を形成する工程と、第１レジスト層をマスクとしてベース絶縁層のエッチングを行う工程と、第１レジスト層を除去した後、ベース絶縁層上に、本体凹部に対応する開口パターンを有する第２レジスト層を形成する工程と、第２レジスト層をマスクとしてベース絶縁層のエッチングを行う工程とを備える。
【００１０】
本発明に係る薄膜磁気ヘッド用構造物の製造方法では、磁性材料を埋め込んで主磁極層を形成するための磁極形成用凹部を形成する際に、第１レジスト層及び第２レジスト層の２つのレジスト層を用いている。すなわち、まず、第１のスリットパターン及び第２のスリットパターンが形成された第１レジスト層によって、極細溝部と、本体凹部の外縁に沿うように極細溝部から一体的に延びる仮設溝部とを形成している。続いて、第２レジスト層により、本体凹部を形成している。これにより、第１レジスト層をマスクとしてエッチングを行った場合、第１のスリットパターン及び第２のスリットパターンによりベース絶縁層が露出した部分においてラジカルイオンが略鉛直方向に進入してくることとなるため、極細溝部及び仮設溝部の側面の傾斜角が極めて鋭くなる。その結果、磁極形成用凹部の底面積が広がり、磁極形成用凹部の全体としての容積が増加するため、主磁極層の磁気ボリュームが増加して、オーバライト特性の更なる向上を図ることができることとなる。
【００１１】
また、第２レジスト層をマスクとするベース絶縁層のエッチング深さが、第１レジスト層をマスクとするベース絶縁層のエッチング深さよりも深いことが好ましい。このようにすると、磁極形成用凹部の容積がより増加することとなり、この磁極形成用凹部に磁性材料が埋め込まれることで主磁極層の下層に下部ヨーク層が形成され、主磁極層とあわせて磁気ボリュームをより増加させることができる。
【００１２】
また、本体凹部の少なくとも一部が、極細溝部の媒体対向面から遠い方の端部から一体的に延び、且つ、極細溝部から離れるに従って漸次幅が広がる可変幅凹部で構成されており、第２のスリットパターンが可変幅凹部の外縁に沿って延びることが好ましい。このようにすると、主磁極層を形成する際に可変幅凹部内において成長した磁性材料が極細溝部の端部から極細溝部内に徐々に入り込むこととなるから、極細溝部を確実に磁性材料で充たすことができる。
【００１３】
また、第２のスリットパターンが、本体凹部の両外縁に沿うように第１のスリットパターンから二股に分岐して延びることが好ましい。従来は、可変幅凹部の側面の傾斜角が大きかったため、可変幅凹部の底面においてエアベアリング面から可変幅凹部の開始点までの距離が実質的に長いものとなっていた。そのため、高密度で情報記録を行う際に、既にハードディスクに記録されているデータを消去してしまうポールイレージャー（Pole Erasure）とよばれる現象が生じてしまうという問題があった。このポールイレージャーは、最大保磁力（Coercivity）Ｈｃの大きい記録媒体（ハードディスク）にデータの書込みを行った後、薄膜コイルに記録電流（write current）を流していないにもかかわらず漏れ磁束がエアベアリング面からハードディスクに流れて、他のデータを消去してしまう現象である。しかしながら、本発明によれば、可変幅凹部の側面の傾斜角を極めて鋭角にすることができ、これにより可変幅凹部の底面においてエアベアリング面から可変幅凹部の開始点までの距離が短くなるため、ポールイレージャーの発生を少なくすることができることとなる。
【００１４】
本発明に係る薄膜磁気ヘッド用構造物は、記録媒体に対向する媒体対向面の側に磁極端部を有する主磁極層と、媒体対向面の側において、記録ギャップ層を形成するようにして磁極端部に対向するライトシールド層と、ライトシールド層又は主磁極層の周りに巻回された薄膜コイルと、主磁極層が充填され、且つ、磁極端部の形状を規定する極細溝部とその極細溝部の媒体対向面から遠い方の端部から一体的に延びる本体凹部とを含む磁極形成用凹部が形成されたベース絶縁層と、を備える薄膜磁気ヘッドを製造可能な薄膜磁気ヘッド用構造物であって、本体凹部の底面と極細溝部の底面との境界に段差部が形成されている。
【００１５】
また、本体凹部の底面の高さ位置が、極細溝部の底面の高さ位置よりも低いことが好ましい。このようにすると、磁極形成用凹部の容積が増加し、この磁極形成用凹部に磁性材料が埋め込まれることで主磁極層の下層に下部ヨーク層が形成されることとなる。そのため、磁気ボリュームがより増加して、オーバライト特性の更なる向上を図ることができることとなる。
【００１６】
また、段差部の傾斜角αが、０゜＜α＜９０゜の範囲であることが好ましい。このようにすると、ポールイレージャーの発生を抑制しながら下部ヨーク層のエアベアリング面側の端部をエアベアリング面に近づけることができ、その分磁気ボリュームが増加するため、よりオーバライト特性を向上させることができる。
【００１７】
また、段差部と媒体対向面との距離が、０．１〜０．３μｍであることが好ましい。このようにすると、下部ヨーク層の磁気ボリュームを更に増加させることができる。
【００１８】
また、本体凹部の側面のうちの少なくとも一部の側面の傾斜角が、極細溝部の側面の傾斜角と略同一であることが好ましい。このようにすると、従来に比べて磁極形成用凹部の底面積が広がり、磁極形成用凹部の容積がより増加することとなるため、これに伴い主磁極層の磁気ボリュームをより増加させることができる。
【００１９】
また、本体凹部の少なくとも一部が、極細溝部の媒体対向面から遠い方の端部から一体的に延び、且つ、極細溝部から離れるに従って漸次幅が広がる可変幅凹部で構成されていることが好ましい。このようにすると、主磁極層を形成する際に可変幅凹部内において成長した磁性材料が極細溝部の端部から極細溝部内に徐々に入り込むこととなるから、極細溝部をより確実に磁性材料で充たすことができる。
【００２０】
本発明に係る薄膜磁気ヘッド用構造物は、記録媒体に対向する媒体対向面の側に磁極端部を有する主磁極層と、媒体対向面の側において、記録ギャップ層を形成するようにして磁極端部に対向するライトシールド層と、ライトシールド層又は主磁極層の周りに巻回された薄膜コイルと、主磁極層が充填され、且つ、磁極端部の形状を規定する極細溝部とその極細溝部の媒体対向面から遠い方の端部から一体的に延びる本体凹部とを含む磁極形成用凹部が形成されたベース絶縁層と、を備える薄膜磁気ヘッドを製造可能な薄膜磁気ヘッド用構造物であって、本体凹部の側面のうちの少なくとも一部の側面の傾斜角が、極細溝部の側面の傾斜角と略同一となっている。
【００２１】
本発明に係る薄膜磁気ヘッド用構造物では、極細溝部の側面の傾斜角と、本体凹部の少なくとも一部の側面の傾斜角とが略同一の構成となっている。そのため、従来に比べて磁極形成用凹部の底面積が広がり、磁極形成用凹部の容積が増加する。その結果、主磁極層の磁気ボリュームが増加して、オーバライト特性の更なる向上を図ることができることとなる。
【００２２】
また、本体凹部の少なくとも一部が、極細溝部の媒体対向面から遠い方の端部から一体的に延び、且つ、極細溝部から離れるに従って漸次幅が広がる可変幅凹部で構成されており、可変幅凹部の側面の傾斜角が、極細溝部の側面の傾斜角と略同一であることが好ましい。このようにすると、主磁極層を形成する際に可変幅凹部内において成長した磁性材料が極細溝部の端部から極細溝部内に徐々に入り込むこととなるから、極細溝部をより確実に磁性材料で充たすことができる。
【００２３】
また、極細溝部及び可変幅凹部の側面の傾斜角が、本体凹部のうちの可変幅凹部の残余部分の側面の傾斜角よりも小さいことが好ましい。
【００２４】
そして、本発明は、記録媒体に対向する媒体対向面の側に磁極端部を有する主磁極層と、媒体対向面の側において、記録ギャップ層を形成するようにして磁極端部に対向するライトシールド層と、ライトシールド層又は主磁極層の周りに巻回された薄膜コイル、主磁極層が充填され、且つ、磁極端部の形状を規定する極細溝部とその極細溝部の媒体対向面から遠い方の端部から一体的に延びる本体凹部とを含む磁極形成用凹部が形成されたベース絶縁層と、を備える薄膜磁気ヘッドであって、本体凹部の底面と極細溝部の底面との境界に段差部が形成された、薄膜磁気ヘッドを提供する。
【発明の効果】
【００２５】
本発明によれば、オーバライト特性の更なる向上を図ることができる薄膜磁気ヘッド用構造物及びその製造方法並びに薄膜磁気ヘッドを提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２６】
本発明の好適な実施形態について、図面を参照して説明する。なお、説明において、同一要素又は同一機能を有する要素には同一符号を用いることとし、重複する説明は省略する。
【００２７】
（薄膜磁気ヘッド用構造物の構成）
図１〜図４を参照して、本実施形態に係る薄膜磁気ヘッド用構造物１の構成について説明する。図１は、本実施形態に係る薄膜磁気ヘッド用構造物の断面図であり、（ａ）がエアベアリング面に対して垂直であってかつ薄膜コイルに交差する面における断面図を示し、（ｂ）がエアベアリング面における断面図を示す。図２は、キャビティが形成された絶縁層を示す図であり、（ａ）が斜視図を示し、（ｂ）が平面図を示す。図３は、図２の要部を示す断面図であり、（ａ）がＩＩＩＡ−ＩＩＩＡ線断面図（エアベアリング面における断面図）を示し、（ｂ）がＩＩＩＢ−ＩＩＩＢ線断面図を示し、（ｃ）がＩＩＩＣ−ＩＩＩＣ線断面図を示す。図４は、エアベアリング面に沿って切断した後の主磁極層及び下部ヨーク層を示す図であり、（ａ）が斜視図を示し、（ｂ）が平面図を示し、（ｃ）がＣ−Ｃ線断面図を示す。
【００２８】
本実施形態に係る薄膜磁気ヘッド用構造物１は、ＰＭＲヘッドを製造可能な構成を有している。この薄膜磁気ヘッド用構造物１は、図示しない基板上に形成されていて、記録媒体（ハードディスク）に対向する媒体対向面であるエアベアリング面Ｓで切断することによって、本発明における薄膜磁気ヘッド２が得られるようになっている。
【００２９】
薄膜磁気ヘッド用構造物１は、磁気抵抗効果（ＭＲ：magnetoresistive）素子等を備えた再生ヘッドを製造するための再生ヘッド用構造物と、記録ヘッドを製造するための記録ヘッド用構造物とを有している。なお、図１では、絶縁層（ベース絶縁層）１０上に形成されている記録ヘッド用構造物が示され、再生ヘッド用構造物は省略されている。
【００３０】
以下では、薄膜磁気ヘッド用構造物１における記録ヘッド用構造物の主要部の構造について説明し、その他の部分の構造については、後述する製造工程において説明する。なお、特に断りのない限り、記録ヘッド用構造物の各構成要素をエアベアリング面Ｓで切断する前後において共に同一名称及び同一符号によって説明するが、双方を区別する際にはエアベアリング面Ｓで切断した後における記録ヘッド用構造物の各構成要素の符号に“´”を付して説明する。
【００３１】
図１に示されるように、薄膜磁気ヘッド用構造物１は、記録ヘッド用構造物として、絶縁層１０と、絶縁層１０上に積層された主磁極層２０、記録ギャップ層２６、ライトシールド（write shield）層３０、バック磁極層３４及び薄膜コイル４０とを備えている。
【００３２】
絶縁層１０は、アルミナ（Ａｌ２Ｏ３）からなり、上述した基板上の所定領域に形成されている。図２に示されるように、絶縁層１０には、キャビティ（cavity）１１が形成されている。キャビティ１１は、本発明における磁極形成用凹部であって、主磁極層２０を設定通りの寸法及び形状とするため主磁極層２０の外形形状に対応する形状に窪ませたものである。そのために、キャビティ１１は、極細溝部１２と、本体凹部１３と、張出凹部１６とを有している。
【００３３】
極細溝部１２は、その溝幅によって薄膜磁気ヘッド２のトラック幅をほぼ規定することができるため、トラック幅を狭めて記録密度を向上させることが可能となっている。この極細溝部１２の長さＤは、極細溝部１２の奥行き方向における中間位置にエアベアリング面Ｓを確保するため、後述するネックハイトＮＨよりも長く設定されている。極細溝部１２の深さｄ１は、約０．２５〜０．３５μｍ（例えば、０．３μｍ程度）に設定されている。図３の（ａ）部分に示されるように、極細溝部１２の溝幅Ｗ１は、極細溝部１２の奥行き方向において均一に設計され、薄膜磁気ヘッドの記録密度を向上させるため、本体凹部１３よりも極めて狭くなっている。また、極細溝部１２では、後述する主磁極層２０の磁極端部２１が深さ方向に漸次狭まるベベル形状となるように、奥行き方向に交差する底面側の溝幅Ｗ２が奥行き方向に交差する表面側の溝幅Ｗ１よりも小さくなっている。すなわち、極細溝部１２の側面の傾斜角（極細溝部１２の側面と絶縁層１０の表面に対して垂直な面とがなす角）θ１（この傾斜角θ１は、ベベル角ともいう）が、約７〜１２°程度（例えば、１０°）に設定されている。
【００３４】
図２に戻って、本体凹部１３は、可変幅凹部１４及び定幅凹部１５からなっている。可変幅凹部１４は、第１可変幅凹部１４ａ及び第２可変幅凹部１４ｂからなっている。第１可変幅凹部１４ａは、極細溝部１２のエアベアリング面Ｓから遠い方の端部から一体的に延びており、極細溝部１２から離れるに従ってエアベアリング面Ｓに沿う方向における溝幅が漸次広がっている。第１可変幅凹部１４ａの内側には、第１可変幅凹部１４ａの外縁に沿うように延びる段差部１７が設けられており、段差部１７の側面と段差部１７の下面とにより形成されるエアベアリング面Ｓ側における隅部１７ａとエアベアリング面Ｓとの距離がネックハイトＮＨと略同一の０．１〜０．３μｍ程度となっている（図３の（ｄ）部分参照）。すなわち、第１可変幅凹部１４ａの底面の高さ位置は、段差部１７を境界として異なっている。具体的には、段差部１７よりも第２可変幅凹部１４ｂ側における底面の高さ位置（本体凹部１３の深さｄ２）が、段差部１７よりも極細溝部１２側における底面の高さ位置（極細溝部１２の深さｄ１）に比べて低く（ｄ２＞ｄ１）なっている。第２可変幅凹部１４ｂは、エアベアリング面Ｓ側の端部における溝幅が第１可変幅凹部１４ａの端部よりもやや狭まった状態で、第１可変幅凹部１４ａのエアベアリング面Ｓから離れた側の端部から連続的に延びていると共に、第１可変幅凹部１４ｂから離れるに従って溝幅が漸次広がっている。なお、第１可変幅凹部１４ａの側面の傾斜角（第１可変幅凹部１４ａの側面と絶縁層１０の表面に対して垂直な面とがなす角）θ２は、約７〜１２°程度（例えば、１０°）に設定されている。ここで、傾斜角θ２と傾斜角θ１とは同一となっているが、必ずしも同一である必要はない。また、段差部１７の傾斜角（段差部１７をなす面と極細溝部１２の底面を含む面（図３の（ｂ）部分の破線参照）とがなす角）αは、０°よりも大きくかつ９０°よりも小さいと好ましく、０°よりも大きくかつ６０°以下であるとより好ましい。
【００３５】
定幅凹部１５は、第２可変幅凹部１４ｂのエアベアリング面Ｓから離れた側の端部から連続的に延びており、エアベアリング面Ｓに沿う方向の溝幅が一定となっている。定幅凹部１５の側面の傾斜角（定幅凹部１５の側面と絶縁層１０の表面に対して垂直な面とがなす角）θ３は、約１２〜２０°程度（例えば１８°）となっている。すなわち、本体凹部１３のうち可変幅凹部１４の残余部分である定幅凹部１５の傾斜角θ３に比べて、傾斜角θ１及び傾斜角θ２が小さいものとなっている。張出凹部１６は、極細溝部１２の他方の端部から連続的に延びており、極細溝部１２から離れるに従ってエアベアリング面Ｓに沿う方向の溝幅が漸次広がっている。
【００３６】
そして、本発明における主磁極層２０´（切断前の主磁極層２０も同様）は、上述したキャビティ１１に磁性材料を充填することで形成される。そのため、主磁極層２０´は、図４に示されるように、キャビティ１１の極細溝部１２に対応する磁極端部２１´と、キャビティ１１の本体凹部１３に対応するヨーク磁極部２２´とを有する。主磁極層２０´は、その上面２０ａが段差のない平坦面となっている。
【００３７】
つまり、磁極端部２１´は、ヨーク磁極部２２´よりもエアベアリング面Ｓに近い位置（エアベアリング面Ｓ側）に配置されている。また、磁極端部２１´は、そのトラック幅が極細溝部１２によって均一に規定されている。さらに、磁極端部２１´のエアベアリング面Ｓに沿った方向における上面２０ａ側の幅Ｗ３及び下面２０ｂ側の幅Ｗ４は、極細溝部１２の各溝幅Ｗ１，Ｗ２に対応すると共に、磁極端部２１´の延在方向においてそれぞれ均一となっている。すなわち、磁極端部２１´においても、極細溝部１２と同様に幅Ｗ４が幅Ｗ３よりも狭くなっており、薄膜コイル４０から離れるに従い漸次幅の狭まるベベル形状となっている。磁極端部２１´の奥行き（エアベアリング面Ｓからヨーク磁極部２２´までの距離）は、ネックハイトＮＨに対応している。ネックハイトＮＨは、例えば、０．１〜０．３μｍ程度に設定されている。
【００３８】
ヨーク磁極部２２´は、磁極端部２１´と同じ磁性材料によって一体的に形成されており、磁極端部２１´よりも体積が十分大きくなっている。ヨーク磁極部２２´は、キャビティ１１の可変幅凹部１４に対応する可変幅部２３と、キャビティ１１の定幅凹部１５に対応する定幅部２４とを有している。また、可変幅部２３は、第１可変幅凹部１３ａ及び第２可変幅凹部１３ｂに対応する第１可変幅部２３ａ及び第２可変幅部２３ｂからなっている。なお、ヨーク磁極部２２´の下側部分には、本体凹部１３の一部に対応する形状の下部ヨーク層２５が、磁極端部２１´と同じ磁性材料によって一体的に形成されている。
【００３９】
再び図１を参照する。記録ギャップ層２６は、磁極端部２１と、後述するライトシールド層３０の第１シールド部３１及び絶縁層３５との間に介在するように形成されている。
【００４０】
ライトシールド層３０は、第１シールド部３１と、第２シールド部３２と、第３シールド部３３とを有している。第１シールド部３１は、エアベアリング面Ｓ側において記録ギャップ層２６を挟んで磁極端部２１と対向する位置に形成されており、エアベアリング面Ｓからの奥行きがネックハイトＮＨと略同一の０．１〜０．３μｍ程度となっている。第２シールド部３２は、第１シールド部３１及びバック磁極層３４の上部に形成され、第１シールド部３１及びバック磁極層３４と磁気的に接続されている。第３シールド部３３は、第２シールド部３２の上部に形成され、第２シールド部３２と磁気的に接続されている。
【００４１】
バック磁極層３４は、記録ギャップ層２６よりもエアベアリング面Ｓから離れた位置において、ヨーク磁極部２２及び第２シールド部３２と磁気的に接続されている。バック磁極層３４は、第２シールド部３２と共に連結部３６を形成している。
【００４２】
薄膜コイル４０は、ヨーク磁極部２２の上方に位置し、バック磁極層３４を介し可変幅部２３及び定幅部２４を跨ぐように形成されている。薄膜コイル４０は、ライトシールド層３０に対して絶縁膜３７，３８により絶縁された状態で、ライトシールド層３０の周りに平面スパイラル状に巻回されている。なお、薄膜コイル４０としては、主磁極層２０又は第３シールド部３３の周りに螺旋状に巻回されるヘリカル型であってもよい。
【００４３】
以上のような構成を有する薄膜磁気ヘッド用構造物１は、極細溝部１２の中間部分においてエアベアリング面Ｓを形成するように切断されることで、本発明における薄膜磁気ヘッド２となる。
【００４４】
（薄膜磁気ヘッド用構造物の製造方法）
次に、図１及び図５〜図１５上述した構成の薄膜磁気ヘッド用構造物１の製造方法について説明する。図５、図７及び図８は、薄膜磁気ヘッド用構造物の製造方法の各工程を示す図であり、（ａ）が上面図を示し、（ｂ）が（ａ）におけるＢ−Ｂ線断面図を示し、（ｃ）が（ａ）におけるＣ−Ｃ線断面図（エアベアリング面における断面図）を示す。図６及び図９は、薄膜磁気ヘッド用構造物の各工程を示す斜視図である。図１０及び図１１は、薄膜磁気ヘッド用構造物の製造方法の各工程を示す図であり、（ａ）が上面図を示し、（ｂ）が（ａ）におけるＢ−Ｂ線断面図を示し、（ｃ）が（ａ）におけるＣ−Ｃ線断面図（エアベアリング面における断面図）を示し、（ｄ）が（ａ）におけるＤ−Ｄ線断面図を示す。図１２〜図１５は、薄膜磁気ヘッド用構造物の製造方法の各工程を示す図であり、（ａ）がエアベアリング面に対して垂直であってかつ薄膜コイルに交差する面における断面図を示し、（ｂ）がエアベアリング面における断面図を示す。
【００４５】
薄膜磁気ヘッド用構造物１の製造にあたり、まず、例えばアルミニウムオキサイド・チタニウムカーバイド（Ａｌ２Ｏ３・ＴｉＣ）からなる図示しない基板上に、ＭＲ素子等を備えた再生ヘッド用構造物を積層する。次に、再生ヘッド用構造物の上部に、アルミナ（Ａｌ２Ｏ３）からなる絶縁層１０及びＴａ等からなる非磁性膜４１を形成する（図５参照）。なお、この非磁性層４１が設けられていなくてもよい。
【００４６】
続いて、非磁性膜４１にフォトレジストを塗布して、所定のフォトマスクを用いたパターニングを行い、上述した極細溝部１２、張出凹部１６及び後述する仮設溝部１８の対応領域が開口された第１レジスト層５１を形成する（図６及び図７参照）。第１レジスト層５１は、具体的には、極細溝部１２に対応する第１のスリットパターン５１ａと、第１可変幅凹部１４ａの両外縁に沿って延びる仮設溝部１８に対応する第２のスリットパターン５１ｂと、張出凹部１６に対応する開口パターン５１ｃとを有している。第２のスリットパターン５１ｂは、第１のスリットパターン５１ａから一体的に延びると共に、第１可変幅凹部１４ａの両外縁に沿うように二股に分岐して延びる。すなわち、第１のスリットパターン５１ａと、第２のスリットパターン５１ｂとで、Ｙ字形状のスリットパターンとなっている。そのため、第２のスリットパターン５１ｂでは、第１のスリットパターン５１ａから離れるに従って漸次互いの距離が離れるように、分岐したスリットが延びている。なお、第１のスリットパターン５１ａのスリット幅Ａ１及び第２のスリット５１ｂのスリット幅Ａ２は、共に、０．１５〜０．２５μｍ程度とすることができる（図７の（ａ）部分参照）。
【００４７】
続いて、第１レジスト層５１をマスクとしてＲＩＥを行い、第１レジスト層５１によって覆われていない部分の絶縁層１０及び非磁性層４１を除去する。これにより、極細溝部１２、張出凹部１６及び仮設溝部１８が形成されることとなる。仮設溝部１８は、第２のスリットパターン５１ｂに対応した形状となっており、極細溝部１２から二股に分岐して延びると共に、極細溝部１２から離れるに従って分岐された仮設溝部１８の間隔が漸次拡がるように延びている。すなわち、極細溝部１２と、仮設溝部１８とで、Ｙ字形状の溝となっている。なお、仮設溝部１８により第１可変幅凹部１４ａの外縁が規定され、仮設溝部１８の側面の傾斜角が第１可変幅凹部の側面の傾斜角θ２となる。そして、第１レジスト層５１を除去した後、絶縁層１０の表面全体に、アルミナからなる絶縁膜４２をＡＬＣＶＤ法によって形成する（図８参照）。この絶縁膜４２の膜厚は、高い精度で制御することができるため、絶縁膜４２の膜厚に大きく依存する極細溝部１２の寸法（幅及び深さ）についても高い精度で制御することができる。
【００４８】
続いて、絶縁膜４２が成膜された絶縁層１０の表面全体にフォトレジストを塗布して、所定のフォトマスクを用いたパターニングを行い、上述した本体凹部１３に対応する開口パターン５２ａが設けられた第２レジスト層５２を形成する（図９及び図１０参照）。開口パターン５２ａは、より詳しくは、その外縁が、仮設溝部１８の内側に位置すると共に、第２可変幅凹部１４ｂ及び定幅凹部１５の外縁に一致している。
【００４９】
続いて、第２レジスト層５２をマスクとしてＲＩＥを行い、第２レジスト層５２によって覆われていない部分の絶縁層１０、非磁性膜４１及び絶縁膜４２を除去する（図１１参照）。これにより、本体凹部１３が形成される。この際、第２レジスト層５２をマスクとするＲＩＥによるエッチング深さ（本体凹部１３の深さｄ２）が、第１レジスト層５１をマスクとするＲＩＥによるエッチング深さ（極細溝部１２の深さｄ１）よりも深くなるようにしている（図３参照）。この結果、第１可変幅凹部１４ａの両外縁に沿うように延びる段差部１７が形成され、第２レジスト層５２の開口パターン５２ａに対応する窪みが形成される。このため、第１可変幅凹部１４ａの高さ位置は、段差部１７を境界として異なっている。なお、第２レジスト層５２の開口パターン５２ａに対応する窪みに磁性材料が充填されることで、下部ヨーク層２５が形成される。
【００５０】
以上の工程によりキャビティ１１が形成される。そして、第２レジスト層５２を除去した後、絶縁層１０の表面全体に、Ｔａ又はＲｕからなる非磁性膜４３を形成する。
【００５１】
ところで、絶縁膜４２により基板の表面全体を覆ってしまうと、キャビティ１１の外側に形成される図示しない電極等もこの絶縁膜４２に覆われてしまう。そこで、この電極等を露出させる工程を第２レジスト層５２を用いたＲＩＥにより併せて行うことで、別途絶縁膜４２を開口させる工程を行う必要がなくなる。そのため、従来に比べてフォトレジストの数を増加させることがなく、コストの増加が抑えられている。
【００５２】
続いて、高い飽和磁束密度（２．３〜２．４Ｔ程度）を有する磁性材料（例えば、ＣｏＮｉＦｅ）を、メッキ成膜によりキャビティ１１に充填する。これにより、キャビティ１１内に主磁極層２０及び下部ヨーク層２５が形成される（図１２参照）。なお、主磁極層２０の表面には、機械化学研磨（以下、ＣＭＰという）による表面全体の平坦化処理を施す。このとき、非磁性膜４３がＣＭＰのストッパ材として働き、非磁性膜４３まで平坦化処理が行われる。このように、極細溝部１２の近傍に成膜されている非磁性層４３をＣＭＰの終点検出に利用することで、極細溝部１２の近傍における研磨量を高精度に調節している。
【００５３】
続いて、表面に露出している非磁性膜４３をイオンビームエッチング（ＩＢＥ）により除去した後、図１３に示されるように、記録ギャップ層２６、第１シールド部３１、バック磁極層３４及び絶縁層３５を形成する。具体的には、基板の表面全体を覆うように、記録ギャップ層２４を形成するための被膜４４を４００〜５００Åの厚さで形成する。被膜４４としては、例えば、アルミナ等の絶縁材料や、Ｒｕ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｔａ、Ｗ、Ｃｒ、Ａｌ２Ｏ３、Ｓｉ２Ｏ３、ＮｉＰｄ等の非磁性金属材料を用いることができる。次に、被膜４４のうちバック磁極層３４が形成される部分を開口して、第１シールド部３１及びバック磁極層３４を所定の位置に形成する。このとき、第１シールド部３１は、ネックハイトＮＨを決めるように、記録ギャップ層２６を介して磁極端部２１と対向するように形成される。また、バック磁極層３４は、表面に露出しているヨーク磁極部２２（図４参照）に接合されるように形成される。第１シールド部３１及びバック磁極層３４は、ヨーク磁極部２２と同様の磁性材料（例えば、ＣｏＮｉＦｅ、ＮｉＦｅ）を用いてメッキにより形成することができる。そして、絶縁層１０等の表面全体を覆うように、アルミナからなる絶縁層３５を、例えば１．０〜１．５μｍの厚さで形成する。
【００５４】
続いて、第１シールド部３１及びヨーク磁極層３４の厚さが０．５〜１．０μｍ程度となるように、ＣＭＰにより表面全体の平坦化処理を行う。そして、絶縁層１０等の表面全体を覆うように、アルミナからなる絶縁膜３７を０．２〜０．３μｍの厚さで形成する。次に、絶縁膜３７のうち第２シールド部３２が形成される部分を開口する。また、絶縁膜３７の上部に、導電性材料からなる電極膜（図示せず）と、フォトリゾグラフィによるフレームとを形成し、電極膜を用いた電気めっきを行うことでＣｕからなるめっき層を形成する。これにより、このめっき層及びめっき層の下の電極膜が薄膜コイル４０となり、薄膜コイル４０が絶縁膜３７を介してヨーク磁極部２０の上部に形成されることとなる。さらに、図示しないフォトリゾグラフィによってフレームを形成し、フレームめっき法によって第２シールド部３２を形成する（図１４参照）。第２シールド部３２としては、第１シールド部３１と同じ磁性材料を用いることができる。なお、第２シールド部３２を薄膜コイル４０よりも先に形成してもよい。
【００５５】
続いて、絶縁層１０等の表面全体を覆うようにフォトレジスト４５を塗布し、その上にアルミナからなる絶縁層４６を３．０〜４．０μｍ程度の厚さで形成した後、ＣＭＰにより表面全体の平坦化処理を行う（図１５参照）。そして、絶縁層１０等の表面全体を覆うようにアルミナからなる絶縁膜を０．２μｍ程度の厚さで形成した後、第２シールド部３２が露出するように絶縁膜を開口する。これによって、薄膜コイル４０を絶縁して、第３シールド部３３とのショートを防ぐための絶縁膜３８を得ることができる。最後に、第３シールド部３３を２〜３μｍ程度の厚さで形成することでライドシールド層３０が形成され、図１に示される薄膜磁気ヘッド用構造物１を得ることができることとなる（図１参照）。なお、以上の工程を経て形成された薄膜磁気ヘッド用構造物１は、極細溝部１２の中間部分においてエアベアリング面Ｓを形成するように切断されることで、本発明における薄膜磁気ヘッド２となる。
【００５６】
（従来の薄膜磁気ヘッド用構造物の製造方法）
ここで、図１６及び図１７を参照して、従来の薄膜磁気ヘッド用構造物の製造方法について説明する。図１６は、従来のキャビティが形成された絶縁層を示す斜視図である。図１７は、図１６の要部を示す断面図であり、（ａ）がＸＶＩＩＡ−ＸＶＩＩＡ線断面図を示し、（ｂ）がＸＶＩＩＢ−ＸＶＩＩＢ線断面図を示す。
【００５７】
従来、薄膜磁気ヘッド用構造物を製造する際には、１つのレジスト層を用いて極細溝部１１２、可変幅凹部１１３、定幅凹部１１４及び張出凹部１１５を有するキャビティ１１１を形成していた。そのレジスト層として、キャビティ１１１の形成領域と一致する開口パターンが設けられたレジスト層１５１を用いていた（図１７参照）。このレジスト層１５１では、均一な磁極幅を得るために、レジスト層１５１の極細溝部１１２に対応する部分の幅Ａ３をレジスト層１５１の可変幅凹部１１３に対応する部分の幅及び定幅凹部１１４に対応する部分の幅Ａ４に比べて極めて小さく設計する必要があった。
【００５８】
そして、レジスト層１５１を用いてＲＩＥを行った場合、図１７の（ａ）部分に示されるように、レジスト層１５１の極細溝部１１２に対応する部分では、極細溝部１１２の両側部分に位置するレジスト層１５１が近接している。そのため、鉛直方向に対して多少の傾きをもったラジカルイオンがレジスト層１５１によって阻まれ、ラジカルイオンが絶縁層１０に対して略鉛直方向から進入してくる。一方、レジスト層１５１の可変幅凹部１１３及び定幅凹部１１４に対応する部分では、図１７の（ｂ）部分に示されるように、可変幅凹部１１３及び定幅凹部１１４の両側に位置するレジスト層１５１が大きく離間している（幅Ａ４＞幅Ａ３となっている）。そのため、鉛直方向に対して多少の傾きをもって絶縁層１０に飛来してくるラジカルイオンを阻むことができず、ラジカルイオンが絶縁層１０に対して略鉛直方向以外からも進入してくる。
【００５９】
従って、従来のキャビティ１１１では、可変幅凹部１１３の側面の傾斜角（可変幅凹部１１３の側面と絶縁層１０の表面に対して垂直な面とがなす角）及び定幅凹部１１４の側面の傾斜角（定幅凹部１１４の側面と絶縁層１０の表面に対して垂直な面とがなす角）θ５が、極細溝部１１２の側面の傾斜角（極細溝部１１２の側面と絶縁層１０の表面に対して垂直な面とがなす角）θ４よりも大きくなっていた。これにより、極細溝部１１２以外の開口面積に対する底面積の減少が、極細溝部１１２の開口面積に対する底面積の減少に比べて著しく、キャビティ１１１の容積が減少してしまっていた。その結果、キャビティ１１１に磁性材料を充填して主磁極層を形成した場合、主磁極層の可変幅凹部１１３及び定幅凹部１１４に対応する部分であるヨーク磁極部の磁気ボリュームが減少してしまい、オーバライト特性の更なる向上を図ることが難しいという問題があった。
【００６０】
さらに、従来、キャビティ１１１においては、傾斜角θ５が傾斜角θ４よりも大きくなっていたために、以下に示すような問題があった。すなわち、キャビティ１１１に磁性材料を充填して主磁極層１２０を形成した場合、主磁極層１２０の上面側におけるエアベアリング面Ｓからヨーク磁極部１２２の開始点までの距離Ｌ２ａと、主磁極層１２０の下面側におけるエアベアリング面Ｓからヨーク磁極部１２２の開始点までの距離Ｌ２ｂとが、大きく相違していた（図１８の（ｂ）部分参照）。このため、主磁極層１２０の底面側において磁極端部１２１が長くなってしまい、ポールイレージャーが発生しやすいという問題があった。
【００６１】
これに対し、本実施形態に係る薄膜磁気ヘッド用構造物の製造方法では、キャビティ１１を形成するために、第１レジスト層５１及び第２レジスト層５２の２つのレジスト層を用いている。すなわち、まず、第１のスリットパターン５１ａ及び第２のスリットパターン５１ｂを有する第１レジスト層を絶縁層１０の表面に形成した後、第１レジスト層をマスクとしてＲＩＥを行うことで、極細溝部１２及び仮設溝部１８を形成している。そして、第１レジスト層５１を除去した後、第２レジスト層５２をマスクとしてＲＩＥを行うことで、本体凹部１３を形成している。
【００６２】
第１レジスト層５１をマスクとしてＲＩＥを行う際には、絶縁層１０のうち第１のスリットパターン５１ａ及び第２のスリットパターン５１ｂによって極細溝部１２及び仮設溝部１８に対応した部分のみが露出することとなるため、当該露出した部分においてラジカルイオンが絶縁層１０に略鉛直方向から進入してくる。これにより、極細溝部１２の傾斜角θ１だけでなく、第１可変幅凹部１４ａの側面の傾斜角θ２も極めて鋭くなる。この結果、従来よりもキャビティ１１の底面積が広がり、極細溝部１２の容積が増加する。従って、キャビティ１１を用いて主磁極層２０を形成した場合には、主磁極層２０の磁気ボリュームをより増加させることができるため、オーバライト特性の更なる向上を図ることができる。
【００６３】
これに加え、第１可変幅凹部１４ａの側面の傾斜角θ２が極めて鋭くなることから、図１８の（ａ）部分に示されるように、このキャビティ１１に磁性材料を充填して主磁極層２０を形成した場合、主磁極層２０の上面側におけるエアベアリング面Ｓからヨーク磁極部２２の開始点までの距離Ｌ１ａと、主磁極層２０の下面側におけるエアベアリング面Ｓからヨーク磁極部２２の開始点までの距離Ｌ１ｂとの相違が、従来に比べて極めて小さくなる。この結果、主磁極層２０の底面において磁極端部２１が短くなることから、ポールイレージャーの発生を抑制することができることとなる。
【００６４】
また、本実施形態に係る薄膜磁気ヘッド用構造物１の製造方法では、第２レジスト層５２をマスクとする絶縁層１０のエッチング深さｄ２を、第１レジスト層５１をマスクとする絶縁層１０のエッチング深さｄ１よりも深くしたため、キャビティ１１の本体凹部１３の底面と極細溝部１２の底面との境界には段差部１７が形成される。このため、キャビティ１１に磁性材料が埋め込まれることによって、主磁極層２０に加えて下部ヨーク層２５が形成される。従って、更なる磁気ボリュームの増加を図ることができる。
【００６５】
ところで、従来は、めっき法により下部ヨーク層２２５を形成していたため、下部ヨーク層２２５のエアベアリング面Ｓ側の端面と主磁極層１２０の下面（図１９の（ｂ）部分の破線参照）とがなす角γが９０°となっていた。そのため、下部ヨーク層２２５のエアベアリング面Ｓ側の端面をエアベアリング面Ｓに近づけると、下部ヨーク層２２５から記録媒体に磁束が漏れてポールイレージャーが発生してしまう。従って、ポールイレージャーの発生を避けるために、下部ヨーク層２２５をエアベアリング面Ｓから１μｍ程度離して形成しなければならなかった。
【００６６】
しかしながら、本実施形態においては、図３の（ｂ）部分に示されるように、キャビティ１１の内部に段差部１７が形成されており、この段差部１７が傾斜角αを有している。そして、キャビティ１１に磁性材料が充填されることにより、下部ヨーク層２５のエアベアリング側の端面と主磁極層２０の下面（図１９の（ａ）部分参照）とがなす角βが、段差部１７の傾斜角αと同一となるように、下部ヨーク層２５が形成されている。これにより、下部ヨーク層２５の下面と下部ヨーク層２５のエアベアリング面Ｓの端面２５ａとがなす角δが９０°よりも大きな鈍角となるため、角δの部分からの磁束の漏れが抑えられる。その結果、下部ヨーク層２５を従来よりもエアベアリング面Ｓに近づけながらポールイレージャーの発生を抑制することができると共に、下部ヨーク層２５がエアベアリング面Ｓに近づいた分だけ磁気ボリュームが増加するため、よりオーバライト特性を向上させることができることとなる。
【００６７】
以上、本発明の好適な実施形態について詳細に説明したが、本発明は上記した実施形態に限定されることなく、種々の変形が可能である。例えば、定幅凹部１５が第１可変幅凹部１４ａのエアベアリング面Ｓから離れた側の端部から連続的に延びているキャビティ１１を採用する場合には、前述した第１レジスト層５１をマスクとして用いた後に、図２０に示されるように、第１可変幅凹部１４ａ及び定幅凹部１５に対応し、肩部５３ｂを有する開口パターン５３ａが設けられた第２レジスト層５３を用いてもよい。このようにすると、第１レジスト層５１により極細溝部１２の側面の傾斜角θ１及び第１可変幅凹部１４ａの側面の傾斜角θ２が極めて鋭く形成されるので、ヨーク磁極部２２の磁気ボリュームを増加させることができる。また、第２レジスト層５３が肩部５３ｂを有するため、上述した実施形態に比べて肩部５３ｂの分だけヨーク磁極部２２の磁気ボリュームを増加させることができる。
【００６８】
また、本実施形態では第２のスリットパターン５１ｂが第１可変幅凹部１４ａの両外縁に対応する態様を示したが、第２のスリットパターン５１ｂが可変幅凹部１４の全外縁に対応する態様でもよく、本体凹部１３の全外縁に対応する態様となっていてもよい。
【図面の簡単な説明】
【００６９】
【図１】本実施形態に係る薄膜磁気ヘッド用構造物の断面図であり、（ａ）がエアベアリング面に対して垂直であってかつ薄膜コイルに交差する面における断面図を示し、（ｂ）がエアベアリング面における断面図を示す。
【図２】キャビティが形成された絶縁層を示す図であり、（ａ）が斜視図を示し、（ｂ）が平面図を示す。
【図３】図２の要部を示す断面図であり、（ａ）がＩＩＩＡ−ＩＩＩＡ線断面図（エアベアリング面における断面図）を示し、（ｂ）がＩＩＩＢ−ＩＩＩＢ線断面図を示し、（ｃ）がＩＩＩＣ−ＩＩＩＣ線断面図を示し、（ｄ）がＩＩＩＤ−ＩＩＩＤ断面図を示す。
【図４】エアベアリング面に沿って切断した後の主磁極層及び下部ヨーク層を示す図であり、（ａ）が斜視図を示し、（ｂ）が平面図を示し、（ｃ）がＣ−Ｃ線断面図を示す。
【図５】本実施形態に係る薄膜磁気ヘッド用構造物の製造方法の一工程を示す図であり、（ａ）が上面図を示し、（ｂ）が（ａ）におけるＢ−Ｂ線断面図を示し、（ｃ）が（ａ）におけるＣ−Ｃ線断面図（エアベアリング面における断面図）を示す。
【図６】図５の後続の工程を示す斜視図である。
【図７】図５の後続の工程を示す図であり、（ａ）が上面図を示し、（ｂ）が（ａ）におけるＢ−Ｂ線断面図を示し、（ｃ）が（ａ）におけるＣ−Ｃ線断面図（エアベアリング面における断面図）を示す。
【図８】図６及び図７の後続の工程を示す図であり、（ａ）が上面図を示し、（ｂ）が（ａ）におけるＢ−Ｂ線断面図を示し、（ｃ）が（ａ）におけるＣ−Ｃ線断面図（エアベアリング面における断面図）を示す。
【図９】図８の後続の工程を示す斜視図である。
【図１０】図８の後続の工程を示す図であり、（ａ）が上面図を示し、（ｂ）が（ａ）におけるＢ−Ｂ線断面図を示し、（ｃ）が（ａ）におけるＣ−Ｃ線断面図（エアベアリング面における断面図）を示し、（ｄ）が（ａ）におけるＤ−Ｄ線断面図を示す。
【図１１】図９及び図１０の後続の工程を示す図であり、（ａ）が上面図を示し、（ｂ）が（ａ）におけるＢ−Ｂ線断面図を示し、（ｃ）が（ａ）におけるＣ−Ｃ線断面図（エアベアリング面における断面図）を示し、（ｄ）が（ａ）におけるＤ−Ｄ線断面図を示す。
【図１２】図１１の後続の工程を示す図であり、（ａ）がエアベアリング面に対して垂直であってかつ薄膜コイルに交差する面における断面図を示し、（ｂ）がエアベアリング面における断面図を示す。
【図１３】図１２の後続の工程を示す図であり、（ａ）がエアベアリング面に対して垂直であってかつ薄膜コイルに交差する面における断面図を示し、（ｂ）がエアベアリング面における断面図を示す。
【図１４】図１３の後続の工程を示す図であり、（ａ）がエアベアリング面に対して垂直であってかつ薄膜コイルに交差する面における断面図を示し、（ｂ）がエアベアリング面における断面図を示す。
【図１５】図１４の後続の工程を示す図であり、（ａ）がエアベアリング面に対して垂直であってかつ薄膜コイルに交差する面における断面図を示し、（ｂ）がエアベアリング面における断面図を示す。
【図１６】従来のキャビティが形成された絶縁層を示す斜視図である。
【図１７】図１６の要部を示す断面図であり、（ａ）がＸＶＩＩＡ−ＸＶＩＩＡ線断面図を示し、（ｂ）がＸＶＩＩＢ−ＸＶＩＩＢ線断面図を示す。
【図１８】主磁極層の一部を示す上面図であり、（ａ）が本実施形態の主磁極層を示し、（ｂ）が従来の主磁極層を示す。
【図１９】主磁極層及び下部ヨーク層の一部を示す側面図であり、（ａ）が本実施形態の主磁極層及び下部ヨーク層を示し、（ｂ）が従来の主磁極層及び下部ヨーク層を示す。
【図２０】変形例に係る薄膜磁気ヘッド用構造物の製造方法の一工程を示す図であり、（ａ）が斜視図を示し、（ｂ）が上面図を示す。
【符号の説明】
【００７０】
１…薄膜磁気ヘッド用構造物、２…薄膜磁気ヘッド、１０…絶縁層、１１…キャビティ、１２…極細溝部、１３…本体凹部、１４…可変幅凹部、１５…定幅凹部、１６…張出凹部、１７…段差部、１８…仮設溝部、２０…主磁極層、２１…磁極端部、２２…ヨーク磁極部、２３…可変幅領域、２４…定幅領域、２５…下部ヨーク層、３０…ライトシールド層、４０…薄膜コイル、５１…第１レジスト層、５１ａ…第１のスリットパターン、５１ｂ…第２のスリットパターン、５２…第２レジスト層、Ｓ…エアベアリング面、θ１，θ２，θ３，α，β…傾斜角。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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