(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
加熱中の熱硬化膜からの昇華物を、検出部分に組み込まれたノズルによって水晶振動子の表面に付着させ、該水晶振動子への昇華物の付着量に応じた共振周波数の変化から、昇華物量を加熱時間の経過と共にリアルタイムで測定する方法。
【請求項２】
熱硬化膜がシリコンウエハー上に形成され、シリコンウエハー下部の熱源により加熱された状態で測定を行う請求項１に記載の方法。
【請求項３】
昇華物が、熱硬化膜を覆う囲いの上部に向かって気流と共に流れ、その気流の過程に設置された検出部分に組み込まれたノズルによって水晶振動子に直接気流が接触するよう設定された請求項１又は請求項２に記載の方法。
【請求項４】
気流がポンプの吸引によって生じ、その流量が０．０１〜２０．０ｍ3／ｓである請求項１乃至請求項３のいずれか１項に記載の方法。
【請求項５】
検出部分に組み込まれたノズルは、ノズル口径がセンサー直径よりも小さく、ノズルとセンサーの距離がセンサー直径よりも短い距離に設置されている請求項１乃至請求項４のいずれか１項に記載の方法。
【請求項６】
熱源がホットプレートにより１００〜４００℃の温度にコントロールされたものである請求項１乃至請求項５のいずれか１項に記載の方法。
【請求項７】
水晶振動子の表面が、熱硬化膜を覆う囲いの表面材と同一の材料又は該熱硬化膜を形成するコート材料で被覆されているものである請求項１乃至請求項６のいずれか１項に記載の方法。
【請求項８】
水晶振動子の表面の被覆物が、シリコンとアルミニウムを含有する化合物である請求項７に記載の方法。
【請求項９】
水晶振動子の共振周波数が１００Ｈｚ〜１００ＭＨｚの範囲で使用される請求項１乃至請求項８のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１０】
熱硬化膜が、半導体装置を製造するリソグラフィー工程で使用されるフォトレジストの下層に用いられる反射防止膜である請求項１乃至請求項９のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１１】
請求項１乃至請求項１０のいずれか１項に記載の方法を利用した熱硬化膜からの昇華物を測定する装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
ＱＣＭ法（Ｑｕａｒｔｚ  Ｃｒｙｓｔａｌ  Ｍｉｃｒｏｂａｌａｎｃｅ：クオーツクリスタル  マイクロバランス法）を用いた、熱硬化膜中の昇華物の測定方法に係わる。
【背景技術】
【０００２】
水晶振動子は電圧をかけると振動する逆圧電現象を生ずる。水晶振動子の表面に物質が付着すると、水晶振動子部分の重量に変化が起こり、水晶振動子の振動数が低下することが知られている。この振動数変化から付着物の重量を測定する方法がＱＣＭを用いた重量センサーである。
所定の溶媒に所定の被検知物質が溶解してなる混合溶液中の被検知物質の濃度を検知するセンサーにおいて、被検知物質の濃度の変化に応じて固有振動数が変化する水晶振動子と、水晶振動子を発振させる発振回路とを備え、水晶振動子を混合溶液に含浸させて発振させ、その時の水晶振動子の固有振動数を求めることによって混合溶液中の被検知物質の濃度を求めるようにしたことを特徴とする濃度センサーが開示されている（特許文献１）。
特定物質と結合するシクロデキストリン誘導体を水晶振動子に設けた電極に固定してなる検出センサーであって、シクロデキストリン誘導体は、ジスルフィド化合物またはチオール化合物によって電極に固定したことを特徴とする検出センサーが開示されている（特許文献２）。
ＱＣＭセンサーを用いて数種類の下層反射防止膜の昇華物を２００℃の加熱下で定量し比較したことが記載されている。４インチウエハーに塗布された反射防止膜の昇華物の測定において、ウエハーを数十枚ベークし測定することで材料間の差を確認できたと報告されている（非特許文献１）。
【特許文献１】特開平６−１８３９４号公報（特許請求の範囲）
【特許文献２】特開２００４−１７７２５８（特許請求の範囲）
【非特許文献１】ＳＰＩＥ  Ｖｏｌ．５７５３  ２００５年  第６５５頁〜第６６２頁
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
本願発明は、水晶振動子の表面に熱硬化膜中の昇華物を付着させ、振動子の圧電気的性質により電気的共振周波数の変化が起こり、この周波数変化から付着した昇華物量を定量するセンサーに係わる。
半導体装置の製造におけるリソグラフィー工程では、半導体基板上にフォトレジストを被覆し、フォトマスクを介して露光して得られたレジストパターンにより半導体基板を加工する工程がある。
フォトレジストの露光時に半導体基板からの乱反射を防止するために、フォトレジストの下層に反射防止膜を成膜する方法が行われている。それらの方法では半導体基板に反射防止膜形成組成物をスピンコート法で被覆し、加熱硬化して反射防止膜を得る。一般に反射防止膜形成組成物は、樹脂成分、吸光基成分、添加剤成分、及び溶媒成分からなり、それら成分を加熱により硬化させ反射防止膜とするが、加熱過程で反射防止膜形成組成物中のそれら成分は単独で又は反応生成物として空気中に昇華物を飛散させることがある。その昇華物がチャンバーから吸引によって外部に放出される時にチャンバー内部に付着し、付着物がやがて時間の経過と共に、半導体基板上に形成された反射防止膜に落下するという現象を生ずる場合がある。このような付着物の落下物は異物となり、リソグラフィー工程で障害やエラーとなる。また、同様に反射防止膜が形成された表面にフォトレジスト形成組成物を被覆し、それを加熱によりフォトレジスト膜とする場合に、フォトレジスト膜から成分や反応生成物が空気中に昇華物として飛散し、昇華物が付着物となり、付着物がフォトレジスト膜上に落下し異物となり、障害やエラーが発生する場合がある。
数十ｎｍの配線幅を有する半導体を加工する工程では、微量の落下物であってもその落下部分は断線やショートを引き起こすことがあり問題である。
これらの落下の原因となる昇華物は、溶媒成分の様な低分子成分ではなく、樹脂成分、吸光性基成分、添加剤成分、及びそれらの反応生成物といった分子量分布を持ち、比較的分子量の高い成分であると考えられる。
この様な問題を事前に防止するために、熱硬化膜、とりわけ反射防止膜形成組成物やレジスト膜形成組成物を、熱硬化させる時に発生する昇華成分の有無、又はその量を測定することができれば、昇華物が発生しないか又は昇華物の発生量の少ない反射防止膜形成組成物やレジスト膜形成組成物の開発に役立つと考えられる。
更には加熱時間の経過と共に発生する量を感知することにより、反射防止膜形成組成物やレジスト膜形成組成物をコートして、それらを加熱による熱硬化させる時に昇華物の発生し難い昇温工程を検討する事に役立つと考えられる。
本願発明はこれら課題を解決するための方法を提供するものである。
【課題を解決するための手段】
【０００４】
本願発明は第1観点として、加熱中の熱硬化膜からの昇華物を、検出部分に組み込まれたノズルによって水晶振動子の表面に付着させ、該水晶振動子への昇華物の付着量に応じた共振周波数の変化から、昇華物量を加熱時間の経過と共にリアルタイムで測定する方法、
第２観点として、熱硬化膜がシリコンウエハー上に形成され、シリコンウエハー下部の熱源により加熱された状態で測定を行う第１観点に記載の方法、
第３観点として、昇華物が、熱硬化膜を覆う囲いの上部に向かって気流と共に流れ、その気流の過程に設置された検出部分に組み込まれたノズルによって水晶振動子に直接気流が接触するよう設定された第１観点又は第２観点に記載の方法、
第４観点として、気流がポンプの吸引によって生じ、その流量が０．０１〜２０．０ｍ3／ｓである第１観点乃至第３観点のいずれか一つに記載の方法、
第５観点として、検出部分に組み込まれたノズルは、ノズル口径がセンサー直径よりも小さく、ノズルとセンサーの距離がセンサー直径よりも短い距離に設置されている第１観点乃至第４観点のいずれか一つに記載の方法、
第６観点として、熱源がホットプレートにより１００〜４００℃の温度にコントロールされたものである第１観点乃至第５観点のいずれか一つに記載の方法、
第７観点として、水晶振動子の表面が、熱硬化膜を覆う囲いの表面材と同一の材料又は該熱硬化膜を形成するコート材料で被覆されているものである第１観点乃至第６観点のいずれか一つに記載の方法、
第８観点として、水晶振動子の表面の被覆物が、シリコンとアルミニウムを含有する化合物である第７観点に記載の方法、
第９観点として、水晶振動子の共振周波数が１００Ｈｚ〜１００ＭＨｚの範囲で使用される第１観点乃至第８観点のいずれか一つに記載の方法、
第１０観点として、熱硬化膜が、半導体装置を製造するリソグラフィー工程で使用されるフォトレジストの下層に用いられる反射防止膜である第１観点乃至第９観点のいずれか一つに記載の方法、及び
第１１観点として、第１観点乃至第１０観点のいずれか一つに記載の方法を利用した熱硬化膜からの昇華物を測定する装置である。
【発明の効果】
【０００５】
熱硬化膜、とりわけ半導体基板上の反射防止膜形成組成物やレジスト膜形成組成物を熱硬化させる時に発生する昇華成分の有無、又はその量をより正確に検知することができるため、昇華物が発生しないか又は昇華物の発生量の少ない反射防止膜形成組成物やレジスト膜形成組成物の開発を行うことができる。更には加熱時間の経過と共に発生する量を感知することにより、反射防止膜形成組成物やレジスト膜形成組成物をコートして、それらを加熱による熱硬化させる時に昇華物の発生し難い昇温工程を検討する事が出来る。
【図面の簡単な説明】
【０００６】
【図１】熱硬化膜からの昇華物の測定装置の全体構成を示す図である。
【図２】図１に示す測定装置の検出部分を拡大した図である。
【図３】熱硬化膜からの昇華物の測定装置全体の模式図である。
【図４】熱硬化膜からの昇華物の測定装置の検出部分を示す図である。
【図５】実施例１の方法により測定された共振周波数から換算した昇華物発生量の経時変化を示すグラフである。
【図６】比較例１の方法により測定された共振周波数から換算した昇華物発生量の経時変化を示すグラフである。
【図７】比較例２の方法により測定された共振周波数から換算した昇華物発生量の経時変化を示すグラフである。
【図８】比較例３の方法により測定された共振周波数から換算した昇華物発生量の経時変化を示すグラフである。
【図９】実施例２の方法により測定された共振周波数から換算した昇華物発生量の経時変化を示すグラフである。
【図１０】比較例４の方法により測定された共振周波数から換算した昇華物発生量の経時変化を示すグラフである。
【図１１】比較例５の方法により測定された共振周波数から換算した昇華物発生量の経時変化を示すグラフである。
【図１２】比較例６の方法により測定された共振周波数から換算した昇華物発生量の経時変化を示すグラフである。  図中の（１）はポンプである。（２）は三角ロート状に覆う囲い（捕集ロート）である。（３）はフローアタッチメント（検出部分）である。（４）はＱＣＭセンサーである。（５）はノズルである。（６）は三角ロート状に覆う囲いとホットプレートの間の気体流入口である。（７）はパーソナルコンピューターである。（８）はホットプレートである。（９）は天板である。（１０）はＯリングである。（１１）は水晶振動子である。（１２）はガイドである。（１３）は下地基板である。（１４）は電極である。（１５）は流量コントローラーである。（１６）は被測定物が被覆してあるウエハーである。（１７）は構成全体の中でのポンプユニットの位置を示す。（１８）は構成全体の中でフローアタッチメントの位置を示す。（１９）は構成全体の中でチャンバーユニットの位置を示す。（２０）は水晶振動子の直径を示す。（２１）は電極の直径を示す。（２２）はノズルの口径を示す。（２３）は気流を示す。（２４）はノズルとセンサーの距離を示す。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００７】
本願発明は、加熱中の熱硬化膜からの昇華物を、水晶振動子の表面に付着させ、該水晶振動子への昇華物の付着量に応じた共振周波数の変化から昇華物量を、加熱時間の経過と共に測定する方法である。【０００８】
本願発明に用いられる熱硬化膜は、熱硬化性化合物と溶媒を含む熱硬化膜形成組成物を加熱硬化することによって得られる。そして必要に応じて吸光性化合物や添加剤成分を含有することができる。添加剤成分は架橋性化合物、酸、酸発生剤、レオロジー調整剤、及び界面活性剤を含有することができる。本願発明に用いられる熱硬化膜形成組成物における固形分の割合は、各成分が溶剤に均一に溶解している限りは特に限定はないが、例えば１〜５０質量％であり、または、１〜３０質量％であり、または１〜２５質量％である。ここで固形分とは、熱硬化膜形成組成物の全成分から溶媒成分を除いたものである。
熱硬化性化合物は熱硬化性モノマー、熱硬化性樹脂、又はそれらの混合物が用いられる。熱硬化性化合物は加熱により硬化する成分であれば制限はなく、分子内のヒドロキシル基、エポキシ基、及びカルボキシル基等の架橋基が反応することにより架橋反応を生じ硬化することができる。
例えばビニルフェノール及びその重合体、ヒドロキシル基を有するマレイミド誘導体を有する単位構造を含む化合物及びその重合体、トリス−(２，３−エポキシプロピル)−イソシアヌレート及びその重合体、トリス−(２−ヒドロキシエチル)−イソシアヌレート及びその重合体、ヒドロキシル基含有ハロゲン化ビスフェノールＡ型樹脂、ラクトンを有する単位構造を含む化合物とヒドロキシアルキルメタクリレート（アルキル基は炭素数１〜４）の重合体、ヒドロキシベンジルメタクリレート及びその重合体、フェノールノボラック樹脂、クレゾールノボラック樹脂、ナフタレンノボラック樹脂、ノルボルネンを有する単位構造を含む化合物とヒドロキシアルキルメタクリレート（アルキル基は炭素数１〜４）の重合体、エポキシ基を含有する単位構造を含む化合物とフェノール性ヒドロキシル基、カルボキシル基、又は保護されたカルボキシル基を含む単位構造を含む化合物との重合体、ヒドロキシル基含有アクリル酸エステル重合体、グリシジルメタクリレートとアクリル酸エステルの重合体、ポリアミック酸とエポキシ基含有化合物との反応物、モノアリルイソシアヌル酸系重合体、グリシジルイソシアヌレートとヒドロキシル基含有安息香酸の反応物、マレイン酸又はフマル酸とエポキシ化合物との反応物、フルオレン構造を有する化合物とフェノールノボラック樹脂との混合物等が挙げられる。
これら熱硬化性モノマー及び熱硬化性樹脂は分子量１００〜１００００００までの範囲で用いることができる。重量平均分子量として、例えば、１０００〜２０００００であり、また例えば３０００〜１０００００であり、または４０００〜３００００であり、または５０００〜２５０００である。熱硬化性モノマー及び熱硬化性樹脂は固形分中で、例えば５０〜９９質量％であり、または６０〜９０質量％である。【０００９】
本願発明に用いられる熱硬化膜形成組成物の溶媒は、固形分を溶解できる溶剤であれば、特に制限無く使用することができる。そのような溶剤としては、例えば、エチレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、メチルセロソルブアセテート、エチルセロソルブアセテート、ジエチレングリコールモノメチルエーテル、ジエチレングリコールモノエチルエーテル、プロピレングリコール、プロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、プロピレングリコールプロピルエーテルアセテート、トルエン、キシレン、メチルエチルケトン、シクロペンタノン、シクロヘキサノン、２−ヒドロキシプロピオン酸エチル、２−ヒドロキシ−２−メチルプロピオン酸エチル、エトキシ酢酸エチル、ヒドロキシ酢酸エチル、２−ヒドロキシ−３−メチルブタン酸メチル、３−メトキシプロピオン酸メチル、３−メトキシプロピオン酸エチル、３−エトキシプロピオン酸エチル、３−エトキシプロピオン酸メチル、ピルビン酸メチル、ピルビン酸エチル、酢酸エチル、酢酸ブチル、乳酸エチル、及び乳酸ブチル等を挙げることができる。これらの溶剤は単独で、または二種以上の組み合わせで使用される。さらに、プロピレングリコールモノブチルエーテル、プロピレングリコールモノブチルエーテルアセテート等の高沸点溶剤を混合して使用することができる。【００１０】
本願発明に用いられる熱硬化膜形成組成物に任意に添加できる架橋性化合物は、特に制限はないが、少なくとも二つの架橋形成置換基を有する架橋性化合物が好ましく用いられる。例えば、イソシアネート基、エポキシ基、ヒドロキシメチルアミノ基、及びアルコキシメチルアミノ基等の架橋反応可能な基を二つ以上、例えば二つ乃至六つ有する化合物を使用することができる。
架橋性化合物としては、例えば、メチロール基またはメトキシメチル基、エトキシメチル基、ブトキシメチル基、及びヘキシルオキシメチル基等のアルコキシメチル基で置換された窒素原子を一つ乃至六つ、または二つ乃至四つ有する含窒素化合物が挙げられる。具体的には、ヘキサメトキシメチルメラミン、テトラメトキシメチルベンゾグアナミン、１，３，４，６−テトラキス（メトキシメチル）グリコールウリル、１，３，４，６−テトラキス（ブトキシメチル）グリコールウリル、１，３，４，６−テトラキス（ヒドロキシメチル）グリコールウリル、１，３−ビス（ヒドロキシメチル）尿素、１，１，３，３−テトラキス（ブトキシメチル）尿素、１，１，３，３−テトラキス（メトキシメチル）尿素、１，３−ビス（ヒドロキシメチル）−４，５−ジヒドロキシ−２−イミダゾリノン、及び１，３−ビス（メトキシメチル）−４，５−ジメトキシ−２−イミダゾリノン等の含窒素化合物が挙げられる。また、三井サイテック（株）製メトキシメチルタイプメラミン化合物（商品名サイメル３００、サイメル３０１、サイメル３０３、サイメル３５０）、ブトキシメチルタイプメラミン化合物（商品名マイコート５０６、マイコート５０８）、グリコールウリル化合物（商品名サイメル１１７０、パウダーリンク１１７４）、メチル化尿素樹脂（商品名ＵＦＲ６５）、ブチル化尿素樹脂（商品名ＵＦＲ３００、Ｕ−ＶＡＮ１０Ｓ６０、Ｕ−ＶＡＮ１０Ｒ、Ｕ−ＶＡＮ１１ＨＶ）、大日本インキ化学工業（株）製尿素／ホルムアルデヒド系樹脂（商品名ベッカミンＪ−３００Ｓ、ベッカミンＰ−９５５、ベッカミンＮ）等の市販されている含窒素化合物を挙げることができる。また、架橋性化合物としては、Ｎ−ヒドロキシメチルアクリルアミド、Ｎ−メトキシメチルメタクリルアミド、Ｎ−エトキシメチルアクリルアミド及びＮ−ブトキシメチルメタクリルアミド等のヒドロキシメチル基またはアルコキシメチル基で置換されたアクリルアミド化合物またはメタクリルアミド化合物を使用して製造されるポリマーを用いることができる。そのようなポリマーとしては、例えば、ポリ（Ｎ−ブトキシメチルアクリルアミド）、Ｎ−ブトキシメチルアクリルアミドとスチレンの共重合体、Ｎ−ヒドロキシメチルメタクリルアミドとメチルメタクリレートの共重合体、Ｎ−エトキシメチルメタクリルアミドとベンジルメタクリレートの共重合体、及びＮ−ブトキシメチルアクリルアミドとベンジルメタクリレートと２−ヒドロキシプロピルメタクリレートの共重合体等を挙げることができる。
架橋性化合物の含有量としては固形分中で、例えば１〜５０質量％であり、または１０〜４０質量％である。【００１１】
本願発明に用いられる熱硬化膜形成組成物は酸化合物を含むことができる。酸化合物としては、例えば、ｐ−トルエンスルホン酸、トリフルオロメタンスルホン酸、ピリジニウム−ｐ−トルエンスルホン酸、サリチル酸、カンファースルホン酸、スルホサリチル酸、４−クロロベンゼンスルホン酸、４−ヒドロキシベンゼンスルホン酸、ベンゼンジスルホン酸、１−ナフタレンスルホン酸及びピリジニウム−１−ナフタレンスルホン酸等のスルホン酸化合物、及びサリチル酸、スルホサリチル酸、クエン酸、安息香酸及びヒドロキシ安息香酸等のカルボン酸化合物を挙げることができる。また、酸化合物としては、例えば、２，４，４，６−テトラブロモシクロヘキサジエノン、ベンゾイントシレート、２−ニトロベンジルトシレート、ビス（フェニルスルホニル）ジアゾメタン、ｐ−トリフルオロメチルベンゼンスルホン酸−２，４−ジニトロベンジル、フェニル−ビス（トリクロロメチル）−ｓ−トリアジン、及びＮ−ヒドロキシスクシンイミドトリフルオロメタンスルホネート等の熱または光によって酸を発生する酸発生剤を挙げることができる。酸化合物としては、また、ジフェニルヨードニウムヘキサフルオロホスフエート、ジフェニルヨードニウムトリフルオロメタンスルホネート、ジフェニルヨードニウムノナフルオロ−ノルマルブタンスルホネート、ジフェニルヨードニウムパーフルオロ−ノルマルオクタンスルホネート、ジフェニルヨードニウムカンファースルホネート、ビス（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）ヨードニウムカンファースルホネート及びビス（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）ヨードニウムトリフルオロメタンスルホネート等のヨードニウム塩系酸発生剤、トリフェニルスルホニウムヘキサフルオロアンチモネート、トリフェニルスルホニウムノナフルオロノルマルブタンスルホネート、トリフェニルスルホニウムカンファースルホネート及びトリフェニルスルホニウムトリフルオロメタンスルホネート等のスルホニウム塩系酸発生剤、及びＮ−（トリフルオロメタンスルホニルオキシ）スクシンイミド、Ｎ−（ノナフルオロノルマルブタンスルホニルオキシ）スクシンイミド、Ｎ−（カンファースルホニルオキシ）スクシンイミド及びＮ−（トリフルオロメタンスルホニルオキシ）ナフタルイミド等のスルホンイミド化合物系酸発生剤を挙げることができる。酸化合物としては、スルホン酸化合物、ヨードニウム塩系酸発生剤、スルホニウム塩系酸発生剤またはスルホンイミド化合物系酸発生剤が好ましく使用される。酸化合物は一種のみを使用してもよく、また二種以上を組み合わせて使用することができる。例えば、酸化合物としてスルホン酸化合物のみを使用できる。また、酸化合物として、スルホン酸化合物とヨードニウム塩系酸発生剤を組み合わせて、またはスルホン酸化合物とスルホニウム塩系酸発生剤を組み合わせて、またはスルホン酸化合物とスルホンイミド化合物系酸発生剤を組み合わせて使用することができる。酸化合物又は酸発生剤の含有量としては固形分中で、例えば０．１〜１０質量％であり、または０．１〜５質量％である。【００１２】
吸光性化合物としては、反射防止膜に用いる場合、その上に設けられるフォトレジスト中の感光成分の感光特性波長領域における光に対して高い吸収能を有するであれば特に制限なく使用することができる。吸光性化合物としては、例えば、ベンゾフェノン化合物、ベンゾトリアゾール化合物、アゾ化合物、ナフタレン化合物、アントラセン化合物、アントラキノン化合物、トリアジン化合物、トリアジントリオン化合物、キノリン化合物などを使用することができる。ナフタレン化合物、アントラセン化合物、トリアジン化合物、トリアジントリオン化合物が用いられる。具体例としては、例えば、１−ナフタレンカルボン酸、２−ナフタレンカルボン酸、１−ナフトール、２−ナフトール、ナフチル酢酸、１−ヒドロキシ−２−ナフタレンカルボン酸、３−ヒドロキシ−２−ナフタレンカルボン酸、３，７−ジヒドロキシ−２−ナフタレンカルボン酸、６−ブロモ−２−ヒドロキシナフタレン、２，６−ナフタレンジカルボン酸、９−アントラセンカルボン酸、１０−ブロモ−９−アントラセンカルボン酸、アントラセン−９，１０−ジカルボン酸、１−アントラセンカルボン酸、１−ヒドロキシアントラセン、１，２，３−アントラセントリオール、９−ヒドロキシメチルアントラセン、２，７，９−アントラセントリオール、安息香酸、４−ヒドロキシ安息香酸、４−ブロモ安息香酸、３−ヨード安息香酸、２，４，６−トリブロモフェノール、２，４，６−トリブロモレゾルシノール、３，４，５−トリヨード安息香酸、２，４，６−トリヨード−３−アミノ安息香酸、２，４，６−トリヨード−３−ヒドロキシ安息香酸、及び２，４，６−トリブロモ−３−ヒドロキシ安息香酸等を挙げることができる。吸光性化合物が使用される場合、その使用量としては、固形分中で、例えば０．１〜４０質量％である。【００１３】
レオロジー調整剤としては、例えば、ジメチルフタレート、ジエチルフタレート、ジイソブチルフタレート、ジヘキシルフタレート、ブチルイソデシルフタレート等のフタル酸化合物、ジノルマルブチルアジペート、ジイソブチルアジペート、ジイソオクチルアジペート、オクチルデシルアジペート等のアジピン酸化合物、ジノルマルブチルマレート、ジエチルマレート、ジノニルマレート等のマレイン酸化合物、メチルオレート、ブチルオレート、テトラヒドロフルフリルオレート等のオレイン酸化合物、及びノルマルブチルステアレート、グリセリルステアレート等のステアリン酸化合物を挙げることができる。レオロジー調整剤が使用される場合、その使用量としては、固形分中で、例えば０．００１〜１０質量％である。【００１４】
界面活性剤としては、例えば、ポリオキシエチレンラウリルエーテル、ポリオキシエチレンステアリルエーテル、ポリオキシエチレンセチルエーテル、ポリオキシエチレンオレイルエーテル等のポリオキシエチレンアルキルエーテル類、ポリオキシエチレンオクチルフエノールエーテル、ポリオキシエチレンノニルフエノールエーテル等のポリオキシエチレンアルキルアリルエーテル類、ポリオキシエチレン・ポリオキシプロピレンブロツクコポリマー類、ソルビタンモノラウレート、ソルビタンモノパルミテート、ソルビタンモノステアレート、ソルビタンモノオレエート、ソルビタントリオレエート、ソルビタントリステアレート等のソルビタン脂肪酸エステル類、ポリオキシエチレンソルビタンモノラウレート、ポリオキシエチレンソルビタンモノパルミテート、ポリオキシエチレンソルビタンモノステアレート、ポリオキシエチレンソルビタントリオレエート、ポリオキシエチレンソルビタントリステアレート等のポリオキシエチレンソルビタン脂肪酸エステル類等のノニオン系界面活性剤、商品名エフトップＥＦ３０１、ＥＦ３０３、ＥＦ３５２（（株）トーケムプロダクツ製）、商品名メガファックＦ１７１、Ｆ１７３、Ｒ−０８、Ｒ−３０（大日本インキ化学工業（株）製）、フロラードＦＣ４３０、ＦＣ４３１（住友スリーエム（株）製）、商品名アサヒガードＡＧ７１０，サーフロンＳ−３８２、ＳＣ１０１、ＳＣ１０２、ＳＣ１０３、ＳＣ１０４、ＳＣ１０５、ＳＣ１０６（旭硝子（株）製）等のフッ素系界面活性剤、及びオルガノシロキサンポリマ−ＫＰ３４１（信越化学工業（株）製）等を挙げることができる。これらの界面活性剤は単独で使用してもよいし、また２種以上の組み合わせで使用することもできる。界面活性剤が使用される場合、その使用量としては、固形分中で、例えば０．０００１〜５質量％である。【００１５】
以下、熱硬化膜を半導体装置の製造のリソグラフィー工程に用いる反射防止膜として説明する。
本願発明の測定方法が実施される測定装置は、ウエハー（基板）上の反射防止膜をベークして発生する昇華物を覆い囲うことができるチャンバーユニット、その昇華物を効率よくＱＣＭセンサーに付着させるためのフローアタッチメント、気流の流れを作りその流量をコントロールするためのポンプユニットから主に形成される。これら３つのユニットは気密状態で繋がっており、チャンバーユニットより発生した昇華物は、フローアタッチメントを介して、ポンプユニットで吸引されて気流が順に流れる仕組みとなっている。フローアタッチメントは検出部分であり、水晶振動子に電極を付けたＱＣＭセンサーとその下部にあるノズルを含むユニットであり、ノズルから昇華物を含む気流がセンサーにあたり、昇華物はセンサー表面に付着し、気流はセンサーを越えてポンプユニットに流れる。
チャンバーユニットは、ホットプレートとその上から気密性を持たせた囲いとの２つ部位から主に形成される。それらの部位は、４インチ乃至１６インチのシリコンウエハー、もしくは、塗膜基板から昇華物を発生させるのに適した形状に加工されている。チャンバーユニットにあるホットプレートはウエハー上の熱硬化膜を１００〜４００℃の温度に加温しそこから発生する昇華物の測定が行われ、１回の測定の間はホットプレートで１００〜４００℃の間の任意に設定された一定温度に保たれる。このチャンバーの囲い部分（捕集ロート）には、効率よく昇華物を捕集し、かつ、その表面に昇華物が付着しにくいように表面積が小さいものが好ましい。このチャンバーとしては例えば三角ロート状の形状物が考えられる。【００１６】
チャンバーユニットおいて、測定する前に塗布基板をインストールする方法としては、熱変化による温度ブレを抑えるために、スライド方式のインストール方法が好ましい。つまり、チャンバーの開閉は最小限に抑えることが好ましく、より好ましくは開閉がないものが良い。例えば、予めインストール用のスライド口として、チャンバー囲いとホットプレートにスリットを開けておき、そこから反射防止膜が被覆されたウエハーを導入する方法が考えられる。
また、上記３つのユニットは気密性を持たせることが重要であるが、気流の流れをつけるために、チャンバーユニットのホットプレートと囲い部分の間には気流を流入するためのスリットを、インストール用のスライド口とは別に設ける必要がある。気流を発生させる気体の流入のためのスリット（気体流入口）はホットプレート面から１〜５ｍｍ程度、好ましくは２ｍｍ程度の開口部を設けた設計である。流入して気流となる気体は、例えば空気や不活性ガス（窒素、アルゴン、ヘリウム）が挙げられるが、空気が好ましい。
フローアタッチメント部分は、ＱＣＭセンサー、昇華物をセンサーに直接的に付着するためのノズル、それらを内包させて気密性を考慮した囲いから主に形成される。昇華物は、チャンバーユニットからフローアタッチメントに流入してくるとき、ノズルを介してＱＣＭセンサーに吹き付ける流路に設計されており、ノズル以外の経路からフローアタッチメントに流入してくることはない。【００１７】
本願発明の装置は、高感度で測定が可能であることが特徴となる。本願発明の測定方法による装置では、測定しようとする反射防止膜（測定物）が基準とする反射防止膜（対象物）に対して相対的な大小の差を重量で計測することが出来るので、測定物のウエハーが１枚でも材料間の差を確認することができる。このために必要なファクターとして、センサーにダイレクトに付着するためのノズル、もしくは、それに対応したセンサーへの気流の絞り部位の存在が必須となってくる。ノズルに対する要求として、ノズル口径がセンサー直径よりも小さく、ノズルとセンサーの距離がセンサー直径よりも短い距離という条件が必須となる。これらの条件を満たすことで、高感度の昇華物量測定が可能となる。ここでセンサー直径とは水晶振動子の直径である。
水晶振動子の共振周波数は、大きいものほど分解能が高いが、ノイズが大きくなるため、一般には１００Ｈｚ〜１００ＭＨｚ程度のものが好ましく、より好ましくは１ＭＨｚ〜３０ＭＨｚ程度のセンサーが好ましい。なお、この値は水晶片の厚みに対応し、厚みが薄いものほど高い共振周波数を持つ。その周波数変化が大きい場合がセンサーとしての分解能が高い。【００１８】
水晶振動子の電極サイズは、小さいものほど感度がよく、大きいものほどノイズが少ない。このため、一般的には０．１ｍｍ〜１００ｍｍ程度が知られており、本願発明の装置では１ｍｍ〜１０ｍｍ程度の電極サイズが好ましい。
また、電極材質は金、銅、銀、鉄、アルミ、チタン、クロム、アルミ銅の混合物、アルミシリコンの混合物、ステンレス、亜鉛、タングステン、鉛、ステンレスなどの導電性の金属、半導体、導電性高分子が挙げられる。本願発明の装置では、反射防止膜中の昇華物がチャンバー内に飛散してその落下物による異物発生という問題に昇華物の測定という方法で対応することを考え、従来法にはないリアルタイムでの昇華物量を正確に定量することで反射防止膜形成組成物の改良や、熱硬化工程の温度管理を主目的とする。従って、飛散した昇華物が付着する環境を予め形成することが、この測定の趣旨にかなうため、チャンバーの内壁又はウエハー上のスピンコート膜と同一材料を、この水晶振動子の表面にコートすることで、問題となる昇華物の定量がより現実的となる。また、水晶振動子の表面が、熱硬化膜を覆う囲いの表面材と同一の材料又は該熱硬化膜を形成するコート材料で、例えばシリコンとアルミニウムを含有する化合物で被覆されていることが好ましい。本願発明の装置では、電極部分が上記に記載したような電極であっても、スピンコートによって電極の表面状態を改質することが可能である。例えば、シリコンとアルミニウムを含有する化合物を電極に用いることで、実機の天板と同じ材質にしたり、電極を変えなくても実機の天板と同じ材質を前もって電極にコートしたりすることができる。
また、フローアタッチメント（検出部分）には、水晶振動子を振動させるための発信機を導入しても良い。この発信機にはインバーター発信回路が内蔵されており、センサーから近い距離での導入が好ましく、３ｃｍ以下の距離に導入することがより好ましい。このため、設計上、フローアタッチメントの内部、もしくは、外部の近い部分への導入が必要となるが、導入方法はどちらでもかまわない。
ポンプユニットは、気流を作るためのポンプと、気流の流量を制御するための流量コントローラーから形成される。ポンプで発生する気流は流量コントローラーによって流量を制御した状態で、フローアタッチメントから気流が流入する。この際、流量コントローラーはポンプが一体化していても良い。
ポンプの吸引による気流は、その流量で０．０１〜５０ｍ3／ｓで実施され、それらは流量コントローラーによって０．０１〜２０．０ｍ3／ｓ、より好ましくは０．１〜１０．０ｍ3／ｓで制御され、１回の測定の間における流量は一定に制御される。【００１９】
本願発明に用いる装置には昇華物が発生して効率良く捕集するための３つのユニット以外に、周波数変化を確認するためのディスプレイが必要となる。ディスプレイにはリアルタイムで測定するために、データ処理をパソコン上で行う。そのため、パソコン用シリアルケーブルと専用のソフトが必要となる。これらの装置を付属することで連続的なデータ解析が可能となり、非連続的なデータを比較しても誤差が少なくなる。
測定は、各ユニットを固定した状態で行う。このときにホットプレートとそれによって加熱されるチャンバーユニットとフローアタッチメントも一定温度にする必要がある。そのためにホットプレートが指定の測定温度に達したあとに、流量をコンロトールするポンプも稼動して各ユニットの温度が一定化するまで安定化する必要があり、その変化はパソコン上で連続的に見ることができるディスプレイによって確認が可能となる。
安定化後、測定するサンプルを塗布したウエハーをインストール時に温度変化が少ないように装置に導入し、周波数変化をパソコン上で確認する。その際の温度、流量は常に一定にし、所要の時間そのままの状態を維持する。【００２０】
この測定装置を用いた実施例を以下に示す。
【実施例】
【００２１】
実施例１
直径４インチのシリコンウエハー基板にスピンコーターにて、市販の反射防止膜形成組成物を２５００ｒｐｍ、６０秒間で塗布した。なお、その時の反射防止膜の膜厚は７８ｎｍであった。
上記反射防止膜形成組成物（半導体装置の製造のリソグラフィー工程に使用する反射防止膜を形成するための組成物）は、ヒドロキシル基含有アクリル酸エステル系のポリマー（重量平均分子量は８００００）、架橋性化合物（ヘキサメトキシメチルメラミン）、架橋触媒（Ｐ−トルエンスルホン酸）、溶媒（プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートと乳酸エチル）からなり、その固形分は４．３質量％であった。
上記反射防止膜が塗膜されたウエハーを２０５℃に調整されたホットプレートが一体化した昇華物測定装置にセットして、１２０秒間ベークおよび昇華物をＱＣＭセンサーに捕集し定量した。
測定はホットプレートを２０５℃に昇温し、ポンプ流量を１ｍ3／ｓに設定し、最初の６０秒間はエージングのために放置する。その後直ちに、スライド口から速やかに反射防止膜が被覆されたウエハーをホットプレートに乗せ（測定物をインストール）、６０秒の時点から１８０秒の時点（１２０秒間）の昇華物の捕集を行った。
またＱＣＭセンサーと捕集ロート部分の接続となるフローアタッチメント（検出部分）には口径２ｍｍのノズルをつけ、センサーとノズルの距離は０．５ｍｍを保っている。また、ＱＣＭセンサーはシリコンとアルミニウムを含有する化合物による材質の電極を用い、水晶振動子の直径（センサー直径）が１４ｍｍ、水晶振動子表面の電極直径が５ｍｍ、共振周波数が９ＭＨｚのものを用いた。【００２２】
実施例２
直径４インチのシリコンウエハー基板にスピンコーターにて、市販の反射防止膜形成組成物を２５００ｒｐｍ、６０秒間で塗布した。なお、その時の反射防止膜の膜厚は３５ｎｍであった。
上記反射防止膜形成組成物（半導体装置の製造のリソグラフィー工程に使用する反射防止膜を形成するための組成物）は、ヒドロキシル基含有トリアジントリオン系のポリマー（重量平均分子量は１００００）、架橋性化合物（ヘキサメトキシメチルメラミン）、架橋触媒（Ｐ−トルエンスルホン酸）、溶媒（プロピレングリコールモノメチルエーテルとプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート）からなり、その固形分は１．９質量％であった。
上記反射防止膜が塗膜されたウエハーを２０５℃に調整されたホットプレートが一体化した昇華物測定装置にセットして、１２０秒間ベークおよび昇華物をＱＣＭセンサーに捕集し定量した。
測定はホットプレートを２０５℃に昇温し、ポンプ流量を１ｍ3／ｓに設定し、最初の６０秒間はエージングのために放置する。その後直ちに、スライド口から速やかに反射防止膜が被覆されたウエハーをホットプレートに乗せ（測定物をインストール）、６０秒の時点から１８０秒の時点（１２０秒間）の昇華物の捕集を行った。
またＱＣＭセンサーと捕集ロート部分の接続となるフローアタッチメント（検出部分）には口径２ｍｍのノズルをつけ、センサーとノズルの距離は０．５ｍｍを保っている。また、ＱＣＭセンサーはシリコンとアルミニウムを含有する化合物による材質の電極を用い、水晶振動子の直径（センサー直径）が１４ｍｍ、水晶振動子表面の電極直径が５ｍｍ、共振周波数が９ＭＨｚのものを用いた。【００２３】
比較例１
直径４インチのシリコンウエハー基板にスピンコーターにて、実施例１で使用したものと同じ反射防止膜形成組成物を２５００ｒｐｍ、６０秒間で塗布した。反射防止膜が塗膜されたウエハーを２０５℃に調整されたホットプレートが一体化した昇華物測定装置にセットして、１２０秒間ベークおよび昇華物をＱＣＭセンサーに捕集する。
測定はホットプレートを２０５℃に昇温し、ポンプ流量を０ｍ3／ｓに設定し（即ち、気流の流れがない状態）、最初の６０秒間はエージングのために放置する。その後直ちに、スライド口から速やかに反射防止膜が被覆されたウエハーをホットプレートに乗せ（測定物をインストール）、６０秒の時点から１８０秒の時点（１２０秒間）の昇華物の捕集を行った。
また、ＱＣＭセンサーと捕集ロート部分の接続となるフローアタッチメント（検出部分）には口径２ｍｍのノズルをつけ、センサーとノズルの距離は０．５ｍｍを保っている。また、ＱＣＭセンサーはシリコンとアルミニウムを含有する化合物による材質の電極を用い、水晶振動子の直径（センサー直径）が１４ｍｍ、水晶振動子表面の電極直径が５ｍｍ、共振周波数が９ＭＨｚのものを用いた。【００２４】
比較例２
直径４インチのシリコンウエハー基板にスピンコーターにて、実施例１で使用したものと同じ反射防止膜形成組成物を２５００ｒｐｍ、６０秒間で塗布した。反射防止膜が塗膜されたウエハーを２０５℃に調整されたホットプレートが一体化した昇華物測定装置にセットして、１２０秒間ベークおよび昇華物をＱＣＭセンサーに捕集した。
測定はホットプレートを２０５℃に昇温し、ポンプ流量を１ｍ3／ｓに設定し、最初の６０秒間はエージングのために放置する。その後直ちに、スライド口から速やかに反射防止膜が被覆されたウエハーをホットプレートに乗せ（測定物をインストール）、６０秒の時点から１８０秒の時点（１２０秒間）の昇華物の捕集を行った。
また、フローアタッチメント（検出部分）には口径２０ｍｍのノズルをつけ、センサーとノズルの距離は０．５ｍｍを保っている。また、ＱＣＭセンサーはシリコンとアルミニウムを含有する化合物による材質の電極を用い、水晶振動子の直径（センサー直径）が１４ｍｍ、水晶振動子表面の電極直径が５ｍｍ、共振周波数が９ＭＨｚのものを用いた。【００２５】
比較例３
直径４インチのシリコンウエハー基板にスピンコーターにて、実施例1と使用したものと同じ反射防止膜形成組成物を２５００ｒｐｍ、６０秒間で塗布した。反射防止膜が塗膜されたウエハーを２０５℃に調整されたホットプレートが一体化した昇華物測定装置にセットして、１２０秒間ベークおよび昇華物をＱＣＭセンサーに捕集する。
測定はホットプレートを２０５℃に昇温し、ポンプ流量を１ｍ3／ｓに設定し、最初の６０秒間はエージングのために放置する。その後直ちに、スライド口から速やかに反射防止膜が被覆されたウエハーをホットプレートに乗せ（測定物をインストール）、６０秒の時点から１８０秒の時点（１２０秒間）の昇華物の捕集を行った。
また、フローアタッチメント（検出部分）にはノズルをつけず、そのため口径が３２ｍｍになり、センサーとの距離が３０ｍｍのチャンバーユニットとの流路から気流が絞られることなく流入する。また、ＱＣＭセンサーはアルミシリコン材質の電極を用い、水晶振動子の直径（センサー直径）が１４ｍｍ、水晶振動子表面の電極直径が５ｍｍ、共振周波数が９ＭＨｚのものを用いた。【００２６】
比較例４
直径４インチのシリコンウエハー基板にスピンコーターにて、実施例２で使用したものと同じ反射防止膜形成組成物を２５００ｒｐｍ、６０秒間で塗布した。反射防止膜が塗膜されたウエハーを２０５℃に調整されたホットプレートが一体化した昇華物測定装置にセットして、１２０秒間ベークおよび昇華物をＱＣＭセンサーに捕集する。
測定はホットプレートを２０５℃に昇温し、ポンプ流量を０ｍ3／ｓに設定し（即ち、気流の流れがない状態）、最初の６０秒間はエージングのために放置する。その後直ちに、スライド口から速やかに反射防止膜が被覆されたウエハーをホットプレートに乗せ（測定物をインストール）、６０秒の時点から１８０秒の時点（１２０秒間）の昇華物の捕集を行った。
また、ＱＣＭセンサーと捕集ロート部分の接続となるフローアタッチメント（検出部分）には口径２ｍｍのノズルをつけ、センサーとノズルの距離は０．５ｍｍを保っている。また、ＱＣＭセンサーはシリコンとアルミニウムを含有する化合物による材質の電極を用い、水晶振動子の直径（センサー直径）が１４ｍｍ、水晶振動子表面の電極直径が５ｍｍ、共振周波数が９ＭＨｚのものを用いた。【００２７】
比較例５
直径４インチのシリコンウエハー基板にスピンコーターにて、実施例２で使用したものと同じ反射防止膜形成組成物を２５００ｒｐｍ、６０秒間で塗布した。反射防止膜が塗膜されたウエハーを２０５℃に調整されたホットプレートが一体化した昇華物測定装置にセットして、１２０秒間ベークおよび昇華物をＱＣＭセンサーに捕集した。
測定はホットプレートを２０５℃に昇温し、ポンプ流量を１ｍ3／ｓに設定し、最初の６０秒間はエージングのために放置する。その後直ちに、スライド口から速やかに反射防止膜が被覆されたウエハーをホットプレートに乗せ（測定物をインストール）、６０秒の時点から１８０秒の時点（１２０秒間）の昇華物の捕集を行った。
また、フローアタッチメント（検出部分）には口径２０ｍｍのノズルをつけ、センサーとノズルの距離は０．５ｍｍを保っている。また、ＱＣＭセンサーはシリコンとアルミニウムを含有する化合物による材質の電極を用い、水晶振動子の直径（センサー直径）が１４ｍｍ、水晶振動子表面の電極直径が５ｍｍ、共振周波数が９ＭＨｚのものを用いた。【００２８】
比較例６
直径４インチのシリコンウエハー基板にスピンコーターにて、実施例２と使用したものと同じ反射防止膜形成組成物を２５００ｒｐｍ、６０秒間で塗布した。反射防止膜が塗膜されたウエハーを２０５℃に調整されたホットプレートが一体化した昇華物測定装置にセットして、１２０秒間ベークおよび昇華物をＱＣＭセンサーに捕集する。
測定はホットプレートを２０５℃に昇温し、ポンプ流量を１ｍ3／ｓに設定し、最初の６０秒間はエージングのために放置する。その後直ちに、スライド口から速やかに反射防止膜が被覆されたウエハーをホットプレートに乗せ（測定物をインストール）、６０秒の時点から１８０秒の時点（１２０秒間）の昇華物の捕集を行った。
また、フローアタッチメント（検出部分）にはノズルをつけず、そのため口径が３２ｍｍになり、センサーとの距離が３０ｍｍのチャンバーユニットとの流路から気流が絞られることなく流入する。また、ＱＣＭセンサーはアルミシリコン材質の電極を用い、水晶振動子の直径（センサー直径）が１４ｍｍ、水晶振動子表面の電極直径が５ｍｍ、共振周波数が９ＭＨｚのものを用いた。【００２９】
実施例１及び２、並びに比較例１ないし６の各測定において、ＱＣＭセンサーはリアルタイムで昇華物測定できるように、パソコンにデータを直接取り込めるようにシリアルケーブルからの接続と専用ソフトのインストールを行った。
得られた周波数変化は、測定に使用した水晶振動子の固有値からグラム換算して、反射防止膜が塗布されたウエハー１枚の昇華物量と時間経過のグラフを記載した。
表１、２には、実施例１、２及び比較例１〜６における０秒から１８０秒までの測定装置が示す昇華物量（単位はｎｇ：ナノグラム）を記載した。即ち、０秒の時点から６０秒の時点までのエージング時間（放置時間）と、６０秒の時点から１８０秒の時点までの昇華物測定値を示した。
また、図５〜図１２は、実施例１、２及び比較例１〜６について上記経過時間と昇華物量をグラフにした。
【表１】
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【表２】
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表１、２及びそれに対応する図面において、０秒時点〜６０秒時点での測定装置が昇華物を測定していない状態での、測定装置の安定状態を示すために測定装置が示す昇華物量をそのまま記載したものであり、マイナスを示す値もそのまま読み取った。
実施例１、２の方法では最初のエージング時間（放置時間）は、測定装置の示す値が安定していて、その後の昇華物の付着量が測定時間と共に増えていく状況が観測できた。
実施例１と実施例２を比較すると、相対的に昇華物量の大小を対比できる。このように、被測定物をウエハー上に被覆し、本願発明による測定装置を同一条件で測定することにより被測定物間の昇華物量の大小を相対的に判別できる。つまり、上記実施例１と実施例２とを対比すると、実施例２で用いた反射防止膜材料組成物の方が昇華物量がより抑えられていることが判る。また、相対比較の際、被測定物を形成する組成物の固形分と被測定物のウエハー上の膜厚とを考慮に入れると更に正確な対比が可能となった。
一方、比較例１〜３は測定物が実施例１と同じ、比較例４〜６は測定物が実施例２と同じであるにもかかわらず、比較例１と４、比較例２と５、比較例３と６との間での昇華物量の違いが、実施例１と実施例２との間の昇華物量の違いほど明確ではなく、また測定時間毎の値の変化が少なく、経過時間による昇華物量の変化の判断が難しかった。
【産業上の利用可能性】
【００３０】
熱硬化膜、例えば反射防止膜形成組成物やレジスト膜形成組成物を、熱硬化させる時に発生する昇華成分の有無、又はその量を検知し、昇華物が発生しないか又は昇華物の発生量の少ない反射防止膜形成組成物やレジスト膜形成組成物の開発に役立つ。
更には加熱時間の経過と共に発生する量を感知することにより、反射防止膜形成組成物やレジスト膜形成組成物をコートして、それらを加熱による熱硬化させる時に昇華物の発生し難い昇温工程を検討する事に役立つ。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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