(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
化学的機械的研磨における研磨パッドの単位時間当たりの研削量とその化学的機械的研磨により被研磨物に生じたスクラッチの発生数のデータを収集してスクラッチを低減させるために最適な研磨パッドの単位時間当たりの研削量を予め求め、
化学的機械的研磨を行うために研磨パッドを装着し、装着された前記研磨パッドの膜厚、前記研磨パッドの表面に形成されている尖端凸部の高さ、及び前記尖端凸部の分布を計測することにより、前記研磨パッドの形状を測定し、
前記研磨パッドにウエハを装着し、前記研磨パッドにドレッサーを押圧するドレッシングを行いつつ、前記研磨パッドを用いて前記ウエハの表面を化学的機械的研磨し、その後前記研磨パッドの形状を測定し、
当該化学的機械的研磨において、前記ウエハの表面を化学的機械的研磨する前後に行われた前記研磨パッドの形状の測定に基づいて得られた前記研磨パッドの単位時間当たりの研削量が、予め求めておいた研磨パッドの単位時間当たりの研削量の最適値をとるようにドレッシング条件を調整し、
前記研磨パッドに本処理用被研磨物を装着し、前記研磨パッドに前記ドレッサーを押圧するドレッシングを行いつつ、前記研磨パッドを用いて前記本処理用被研磨物の表面を化学的機械的研磨する
化学的機械的研磨方法。
【請求項２】
前記研磨パッドの膜厚、前記研磨パッドの表面に形成されている尖端凸部の高さ、及び前記尖端凸部の分布を計測することにより測定された前記研磨パッドの形状から前記研磨パッドの寿命を検出する
請求項１記載の化学的機械的研磨方法。
【請求項３】
前記研磨パッドの単位時間当たりの研削量が最適値をとるように、前記研磨パッドに対する前記ドレッサーの押圧力を調整してドレッシングを行う
請求項１又は２記載の化学的機械的研磨方法。
【請求項４】
ウエハを被研磨物としてドレッシングしつつ化学的機械的研磨する予備処理を行い、予備処理の前後の前記研磨パッドの形状測定に基づいて、予備処理における前記研磨パッドの単位時間当たりの研削量を求め、その研削量が、予め求めておいた前記研磨パッドの単位時間当たりの研削量の最適値をとるように、ドレッシング条件を調整する
請求項１又は２記載の化学的機械的研磨方法。
【請求項５】
ダイアルゲージを用いて前記研磨パッドの膜厚、前記研磨パッドの表面に形成されている前記尖端凸部の高さ、及び前記尖端凸部の分布を計測することにより、前記研磨パッドの形状を測定する
請求項１又は２記載の化学的機械的研磨方法。
【請求項６】
レーザー式又は光学式ライン状変位計を用いて前記研磨パッドの膜厚、前記研磨パッドの表面に形成されている前記尖端凸部の高さ、及び前記尖端凸部の分布を計測することにより、前記研磨パッドの形状を測定する
請求項１又は２記載の化学的機械的研磨方法。
【請求項７】
研磨パッドと、
前記研磨パッドを固定する定盤と、
被研磨物を保持し、被研磨物を前記研磨パッドに押圧する研磨ヘッドと、
前記研磨パッドにドレッシングを行うドレッサーと、
前記研磨パッドの膜厚、前記研磨パッドの表面に形成されている尖端凸部の高さ、及び前記尖端凸部の分布を計測することにより、前記研磨パッドの形状を測定する研磨パッド形状測定手段と、
ウエハの表面を化学的機械的研磨する前後に行われる前記研磨パッド形状測定手段による前記研磨パッドの形状の測定に基づいて得られた前記研磨パッドの単位時間当たりの研削量が、被研磨物に生じるスクラッチを低減させるために予め求めておいた研磨パッドの単位時間当たりの研削量の最適値をとるようにドレッシング条件を調整し、前記研磨パッドに対する前記ドレッサーの押圧力を調整する圧力調整手段と、
を備え、
前記研磨パッドに前記ドレッサーを押圧するドレッシングを行いつつ、前記研磨パッドを用いて前記研磨ヘッドに保持された本処理用被研磨物の表面を化学的機械的研磨する
化学的機械的研磨装置。
【請求項８】
前記研磨パッド形状測定手段により得られる前記研磨パッドの形状から前記研磨パッドの寿命を検出する研磨パッド寿命検出手段
を備える
請求項７記載の化学的機械的研磨装置。
【請求項９】
前記研磨パッド形状測定手段が、ダイアルゲージを備え、前記ダイアルゲージを用いて前記研磨パッドの膜厚、前記研磨パッドの表面に形成されている前記尖端凸部の高さ、及び前記尖端凸部の分布を計測することにより、前記研磨パッドの形状を測定する
請求項７又は８記載の化学的機械的研磨装置。
【請求項１０】
前記研磨パッド形状測定手段が、レーザー式又は光学式ライン状変位計を備え、前記レーザー式又は光学式ライン状変位計を用いて前記研磨パッドの膜厚、前記研磨パッドの表面に形成されている前記尖端凸部の高さ、及び前記尖端凸部の分布を計測することにより、前記研磨パッドの形状を測定する
請求項７又は８記載の化学的機械的研磨装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体ウエハ、ＬＣＤ用ガラス板等の薄板状被研磨物の研磨に有用な化学的機械的研磨（ＣＭＰ）方法及びその実施に使用する装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
ＣＭＰは、半導体装置の製造プロセスにおける半導体ウエハや、ＬＣＤパネルの製造プロセスにおけるガラス板等の平坦化技術として使用されている。
【０００３】
図７は、従来のＣＭＰ装置１の概略断面図である。この装置は、回転機構を有する定盤２、定盤２上に両面テープ等で固定された研磨パッド３、半導体ウエハ等の被研磨物４を保持する研磨ヘッド５を備えている。研磨ヘッド５の被研磨物４の保持面には、吸着保持材及び緩衝材として吸着フィルム６が設けられており、研磨ヘッド５の外周部には、被研磨物４が研磨ヘッド５から外れないようにするため、リテーナリング７が設けられている。
【０００４】
研磨ヘッド５の近傍には、スラリ状の研磨剤９を研磨パッド３上に供給する研磨剤供給ライン１０が設けられている。
【０００５】
研磨時には、研磨剤供給ライン１０から研磨剤９を研磨パッド３に供給しつつ、定盤２を回転させると共に被研磨物４を保持した研磨ヘッド５を回転させながら研磨ヘッド５をシリンダ８により降下させ、被研磨物４が研磨パッド３に接した後、さらに被研磨物４を研磨パッド３に押圧し、研磨を行う。
【０００６】
研磨パッド３は、図８に示すように、高さｈが１〜２ｍｍ程度の無数の尖端凸部１１を有するように目立てられており、研磨時には研磨剤９に含まれる砥粒１２が、尖端凸部１１同士の間隙の凹部に入り込み、この砥粒１２と尖端凸部１１とが被研磨物４の研磨面を適度に圧接して磨く。
【０００７】
研磨により研磨パッド３の尖端凸部１１が摩滅し、研磨パッド３の研磨面が平坦化すると被研磨物４に接する研磨パッド３の面積が広くなるため、砥粒１２や尖端凸部１１を所期の力で被研磨物４に圧接させることが困難になる。また、研磨パッド３の研磨屑が尖端凸部１１間の凹部で目詰まりしたり、尖端凸部１１間の凹部に溜まっている研磨屑が被研磨物４の研磨面にスクラッチ（引っかき傷）を生じさせる。
【０００８】
そこで、ＣＭＰ装置１には、ドレッシング（即ち、摩耗した研磨パッド３の研磨面を削り、その表面状態を修正する処理）を行うドレッサーユニット２０が具備されている。ドレッシングは、研磨時にあるいは研磨と別個に、ドレッサーユニット２０を研磨ヘッド５と同様に回転させながら研磨パッド３に押圧することにより行う。
【０００９】
ドレッサーユニット２０は、ドレッサー２１とその支持部２２からなる。ドレッサー２１は、例えば図９のように、ＳＵＳ板２３上に取り付けた台金２４上にダイヤモンド粒子２５を同心円状にＮｉ蒸着で固定したものから構成される。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、従来のＣＭＰ方法では、一般にドレッシングが不十分になる場合が多いため、被研磨物４の研磨面にスクラッチが起こりやすい。ＣＭＰにより半導体ウエハにスクラッチが生じると、ゲート電極の破壊や、スクラッチ上に成膜した絶縁膜が絶縁破壊を起こす等の問題が引き起こされ、半導体装置の歩留まりが著しく低下する。
【００１１】
これに対しては、ドレッシングを過剰に行うことが考えられるが、ドレッシングを過剰に行うと、研磨パッド３の寿命が短くなるのでＣＭＰのコストが高くつく。
【００１２】
本発明は、以上のような従来の問題点に対し、ＣＭＰを行うにあたり、スクラッチを低減させ、かつ研磨パッドの寿命が過度に短くならないようにすることを目的とする。
【００１３】
【課題を解決するための手段】
本発明者は、ドレッシングを行いつつＣＭＰを行う方法において、(i)研磨パッドの摩耗は、専らドレッシングにより生じること、(ii)ドレッシングによる研磨パッドの単位時間当たりの研削量と、被研磨物に生じるスクラッチの発生数とは密接な関係があること、(iii)したがって、予め研磨パッドの単位時間当たりの研削量と被研磨物に生じたスクラッチの発生数とのデータを蓄積しておき、そのデータに基づいて、スクラッチの発生数を低減させるために最適な研磨パッドの単位時間当たりの研削量を求め、そのような研削量となるようにドレッシング条件を調整して化学的機械的研磨を行うと、被研磨物に生じるスクラッチを著しく低減させられること、(iv)特に、この場合のドレッシング条件の調整方法としては、研磨パッドに対するドレッサーの押圧力を調整することが有効であることを見出した。
【００１４】
即ち、本発明の化学的機械的研磨方法は、化学的機械的研磨における研磨パッドの単位時間当たりの研削量とその化学的機械的研磨により被研磨物に生じたスクラッチの発生数のデータを収集してスクラッチを低減させるために最適な研磨パッドの単位時間当たりの研削量を予め求め、化学的機械的研磨を行うために研磨パッドを装着し、装着された前記研磨パッドの膜厚、前記研磨パッドの表面に形成されている尖端凸部の高さ、及び前記尖端凸部の分布を計測することにより、前記研磨パッドの形状を測定し、前記研磨パッドにウエハを装着し、前記研磨パッドに前記ドレッサーを押圧するドレッシングを行いつつ、前記研磨パッドを用いて前記ウエハの表面を化学的機械的研磨し、その後前記研磨パッドの形状を測定し、当該化学的機械的研磨において、前記ウエハの表面を化学的機械的研磨する前後に行われた前記研磨パッドの形状の測定に基づいて得られた前記研磨パッドの単位時間当たりの研削量が、予め求めておいた研磨パッドの単位時間当たりの研削量の最適値をとるようにドレッシング条件を調整し、前記研磨パッドに本処理用被研磨物を装着し、前記研磨パッドに前記ドレッサーを押圧するドレッシングを行いつつ、前記研磨パッドを用いて前記本処理用被研磨物の表面を化学的機械的研磨する。
【００１５】
また、本発明の化学的機械的研磨装置は、研磨パッドと、前記研磨パッドを固定する定盤と、被研磨物を保持し、被研磨物を前記研磨パッドに押圧する研磨ヘッドと、前記研磨パッドにドレッシングを行うドレッサーと、前記研磨パッドの膜厚、前記研磨パッドの表面に形成されている尖端凸部の高さ、及び前記尖端凸部の分布を計測することにより、前記研磨パッドの形状を測定する研磨パッド形状測定手段と、ウエハの表面を化学的機械的研磨する前後に行われる前記研磨パッド形状測定手段による前記研磨パッドの形状の測定に基づいて得られた前記研磨パッドの単位時間当たりの研削量が、被研磨物に生じるスクラッチを低減させるために予め求めておいた研磨パッドの単位時間当たりの研削量の最適値をとるようにドレッシング条件を調整し、前記研磨パッドに対する前記ドレッサーの押圧力を調整する圧力調整手段と、を備え、前記研磨パッドに前記ドレッサーを押圧するドレッシングを行いつつ、前記研磨パッドを用いて前記研磨ヘッドに保持された本処理用被研磨物の表面を化学的機械的研磨する。
【００１６】
【発明の実施の形態】
以下、図面を参照しつつ、本発明を詳細に説明する。なお、各図中、同一符号は、同一又は同等の構成要素を表している。
【００１７】
図１は、本発明のＣＭＰ装置の一実施例の全体構成図である。このＣＭＰ装置１Ａは、概略、研磨ユニット１００、研磨ユニット１００内でドレッシングを行うドレッサーユニット２０、研磨ユニット１００内で研磨パッドの形状を測定するパッド形状測定ユニット２００、ＣＭＰ後に被研磨物の洗浄、乾燥を行う洗浄ユニット３００、洗浄ユニット３００で使用するＨＦ、ＮＨ3等の洗浄薬液を供給する薬液供給ユニット４００、被研磨物を順にカセット５００からロードし、研磨ユニット１００、洗浄ユニット３００、カセット５００へアンロードする搬送ユニット６００からなっている。
【００１８】
研磨ユニット１００には、従来のＣＭＰ装置と同様に、回転機構を有する定盤２、定盤２上に両面テープ等で固定された研磨パッド３、半導体ウエハ等の被研磨物を保持する研磨ヘッド５を備えている。研磨ヘッド５は、軸５ａを中心に回転し、上下可動になっている。研磨ヘッド５の近傍には、研磨剤供給ユニット７００から供給されるスラリ状の研磨剤を研磨パッド３上に供給する研磨剤供給ライン１０が設けられている。
【００１９】
また、このＣＭＰ装置１Ａにおいて、研磨パッド３としては、図８に示したように無数の尖端凸部１１を有する公知の研磨パッドを使用することができる。
【００２０】
図２に示すように、ドレッサーユニット２０は、研磨パッド３の半径方向に可動となっている支持部２２に図９に示した、回転可能なドレッサー２１を取り付けたものからなり、ドレッサー２１の研磨パッド３に対する押圧力を調整する圧力調整機構が備えられている。
【００２１】
パッド形状測定ユニット２００は、このＣＭＰ装置１Ａの特徴的な構成の一つである。このパッド形状測定ユニット２００は、パッド形状測定手段としてのダイアルゲージ２０１を、ドレッサーユニット２０の支持部２２に取り付けたものからなっている。研磨パッド３の形状の測定は、定盤２の静止時に行う。この測定方法としては、例えば、まず支持部２２を研磨パッド３の半径方向に動かしてダイアルゲージ２０１を研磨パッド３のセンター上に移動し、そのセンターから研磨パッド３の外周に向かって半径方向に順次所定間隔移動した１０点程度を測定点とし、ダイアルゲージ２０１により研磨パッド３の表面の位置を測定し、必要に応じて各測定点の平均を求めることにより行う。
【００２２】
図３は、このＣＭＰ装置１Ａを用いて本発明の方法を実施する場合の工程図である。まず、予め、このＣＭＰ装置１Ａを用いて所定の押圧力でドレッシングしつつＣＭＰを行った場合のドレッシングの押圧力と、そのときの研磨パッドの単位時間あたりの研削量と、被研磨物に発生した所定の大きさ以上のスクラッチの数との関係を、種々のＣＭＰ条件（研磨パッドの種類、ドレッサーの種類、ドレッサーの回転数、ドレッサーの押圧力、定盤の回転数、研磨ヘッドの押圧力、研磨ヘッドの回転数、被研磨物の膜種等）ごとに収集し、当該ＣＭＰ条件において、低減させるために最適な研磨パッドの単位時間当たりの研削量を求めておく。最適な研削量としては、例えば、研磨パッドとして、単層の発泡ウレタンを使用し、他のＣＭＰ条件をドレッサー荷重６lbf（26.7N）、ドレッサー回転数８７rpm、研磨ヘッド荷重５lbf（22.3N）、研磨ヘッド回転数９３rpm、定盤回転数９０rpmとする場合、４５〜５５μm/hrとすることができ、また、研磨パッドとして、表層が発泡ウレタンからなり、下地に柔軟なパッドを積層したスタッドパッドを使用し、他のＣＭＰ条件を上述と同様とする場合、３０〜３５μm/hrとすることができる。
【００２３】
次に、パッド形状測定ユニット２００を用いて、研磨パッド３の膜厚、研磨パッド３の表面に形成されている尖端凸部の高さ、尖端凸部の分布を調べるパッド形状測定を行う。
【００２４】
次に、研磨ヘッド５にダミーウエハを装着し、所定の押圧力でドレッシングしつつＣＭＰ処理を行い（予備処理）、その後、再度パッド形状測定を行う。
【００２５】
この予備処理の前後のパッド形状測定から、この予備処理における研磨パッド３の単位時間当たりの研削量を求め、その値が予め得ておいた研磨パッドの単位時間当たりの研削量の最適値と合致しているかを判断し、最適値から外れる場合には、研磨パッド３に対するドレッサーユニット２０の押圧力を適宜調整して再度予備処理を行う。こうして、研磨パッド３の単位時間あたりの研削量が最適値と合致するまでドレッサーユニット２０の押圧力を調整する。なお、研磨パッド３の研削量は、専らドレッシング条件に依存し、研磨ヘッド５への被研磨物の装着の有無には殆ど依存しないので、予備処理において、研磨ヘッド５へダミーウエハを装着することは、必ずしも必要ではないが、本来の被研磨物のＣＭＰ処理後の研磨面の仕上がりは研磨温度の影響を受けるので、予備処理時の温度を、本来の被研磨物のＣＭＰ処理の温度と合わせるために、予備処理においては、ダミーウエハを使用することが好ましい。
【００２６】
またこの方法において、上述のドレッサーユニット２０の押圧力の調整は、研磨パッド３の単位時間あたりの研削量を最適値に合致させるためのドレッシング条件の調整方法の一つとして行うものであるが、ドレッシング条件の調整方法としては、この他、研磨パッド３の半径方向に揺動するドレッサーユニット２０の揺動幅や揺動速度を調整してもよく、さらに、定盤２、研磨ヘッド５、ドレッサーユニット２０のそれぞれの回転速度、押圧力等を調整してもよい。
【００２７】
また、パッド形状測定において、研磨パッド３の膜厚あるいは尖端凸部の高さの、研磨パッド３の半径方向のばらつきが所定範囲（例えば、１０μｍ以内）を超えることがわかった場合、それらを均一化するため、ドレッシング条件の調整時に、ドレッサーユニット２０の揺動速度を研磨パッド３の半径方向の所定の領域ごとに異ならせてもよい。
【００２８】
ドレッシング条件を上述のように調整した上で、ドレッシングしつつ本来の被研磨物のＣＭＰを行う（本体処理）。この本体処理では、所定数の被研磨物にＣＭＰを行う（例えば、半導体ウエハ２５〜５０枚）。
【００２９】
こうして本体処理した被研磨物については、その研磨面のスクラッチ数を計測し、計測されたスクラッチ数と、この本体処理における研磨パッドの単位時間当たりの研削量との関係を、前述の、研磨パッドの単位時間あたりの研削量と、被研磨物に発生したスクラッチ数との関係のデータの一つとして蓄積することが好ましい。
【００３０】
所定数の本体処理を行った後には、前述と同様に予備処理と、予備処理の前後での研磨パッド３の形状測定を行い、研磨パッドの単位時間当たりの研削量を求め、その値が最適値となるようにドレッシング条件を調整し、その後に本体処理を再開する。
【００３１】
以上のようにＣＭＰを行うと、ドレッシングで研磨される研磨パッドの単位時間当たりの研削量が、研磨パッドに対するドレッサーユニットの押圧力の調整により、被研磨物にスクラッチを生じさせない最適値となっているので、被研磨物におけるスクラッチの発生を著しく低減させることができ、かつ、ドレッシングが過度になされることがないので、研磨パッドの寿命を伸ばすことができる。また、パッド形状測定により、研磨パッドの寿命の到来をモニタリングすることもできる。
【００３２】
また、所定数の本体処理を行うごとにドレッサーユニットの押圧力を調整する本発明の態様に対し、従来のＣＭＰ方法では、一旦設定したドレッサーユニットの押圧力を本体処理の途中で変更することは行われていない。しかしながら、研磨パッドの尖端凸部の高さが摩耗により低くなると、ドレッサーの最適な圧力が変わる。このため、本実施例のように、所定数の本体処理を行うごとにドレッサーユニットの押圧力を再調整することがスクラッチの低減に有効となる。
【００３３】
本発明は、種々の態様をとることができる。例えば、上述のパッド形状測定ユニット２００に代えて、図４に示したように、ダイアルゲージ２０１を、定盤２外の独立したスタンド２０２に、研磨パッド３の半径方向に移動可能となるように取り付けてもよい。
【００３４】
また、パッド形状測定手段としては、ダイアルゲージ２０１に代えて、図５に示したように、定盤２の真上にレーザー式あるいは光学式のライン状変位計２０３を取り付け、パッド形状測定手段を研磨パッド３の半径方向に移動させることなく、一度に研磨パッド３の半径方向の厚みや尖端凸部の高さ等が測定できるようにしてもよい。
【００３５】
また、ドレッサーユニット２０に設ける圧力調整機構とパッド形状測定ユニット２００とをパソコン等の演算制御装置に接続し、その演算制御装置によって、パッド形状測定ユニット２００で得られた測定データに基づいて研磨パッドの単位時間当たりの研削量が自動計算されるようにし、その研削量を所定の設定値と比較し、研削量が所定の設定値をとるように、ドレッサーの研磨パッドに対する押圧力が自動的に調整されるようにしてもよい。
【００３６】
ドレッサーユニットとしては、ドレッサーが研磨パッドに対してその半径方向に揺動するタイプの他に、ドレッサーが研磨パッドの半径に対して十分な大きさを有し、研磨パッドの半径方向に揺動することなく取り付けられるタイプのものを使用してもよい。
【００３７】
【実施例】
図１に示したＣＭＰ装置を用いて半導体ウエハにＣＭＰを行った。この場合、研磨パッドとしては、発泡ウレタンからなる直径２０inch（50.8cm）のものを使用し、定盤の回転数は９５rpm とした。ダイアモンドドレッサーとしては、直径４inch（10.2cm）のものを使用し、研磨パッドの半径方向に揺動させつつ９３rpm で回転させて使用した。ダイアルゲージとしてはミツトヨ社製、型番ＩＤ−Ｃ１１２Ｐを使用した。研磨剤としては、シリカ系スラリー（Cabot社製、SS-25）を使用し、１５０ml/minで供給した。
【００３８】
この条件のＣＭＰにおいて、研磨パッドの単位時間あたりの研削量と被研磨物のスクラッチ数との関係のデータを収集し、研削量の最適値を予め求めたところ、３０〜３５μｍ／ｈｒであり、それを実現するために最適なドレッサーの押圧力は５．５〜６．５lbf（24.5〜28.9N）であった。そこで、ドレッサーの押圧力を６lbf（26.7N）とし、本体処理として８００枚の半導体ウエハ（＃１〜＃８００）を順次ＣＭＰ処理し、ＣＭＰ後の各半導体ウエハに生じた、幅又は長さが０．２μｍ以上のスクラッチ数を計測した。結果を図６に示す。なお、８００枚の半導体ウエハのＣＭＰ処理の間に、図６に示すように研磨パッドを４回交換した。
【００３９】
比較のため、ドレッサーの押圧力を４lbf（17.8N）とする以外は同様にして、本体処理として８００枚の半導体ウエハ（＃１〜＃８００）を順次ＣＭＰを行い、ＣＭＰ後の各半導体ウエハに生じた幅又は長さが０．２μｍ以上のスクラッチ数を計測した。結果を図６に示す。
【００４０】
図６から、研磨パッドの単位時間あたりの研削量が最適値となるように、ドレッサーの押圧力を調整してＣＭＰを行うと、スクラッチ数を著しく低減できることがわかる。
【００４１】
【発明の効果】
本発明によれば、ＣＭＰを行うにあたり、研磨パッドの寿命を過度に縮めることなく、被研磨物に生じるスクラッチを著しく低減させることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】  実施例のＣＭＰ装置の全体構成図である。
【図２】  パッド形状測定ユニットが取り付けられたドレッサーユニットの側面図である。
【図３】  実施例のＣＭＰ方法の工程図である。
【図４】  パッド形状測定ユニットが取り付けられたＣＭＰ装置のドレッサーユニット付近の側面図である。
【図５】  レーザーあるいは光学式のライン状変位計が取り付けられたＣＭＰ装置のドレッサーユニット付近の側面図である。
【図６】  本体処理における被研磨物の処理数とスクラッチ数との関係図である。
【図７】  従来のＣＭＰ装置の概略断面図である。
【図８】  研磨パッドの断面説明図である。
【図９】  ドレッサーの模式図（（ａ）平面図、（ｂ）側面図）である。
【符号の説明】
１Ａ…実施例のＣＭＰ装置、  ２…定盤、  ３…研磨パッド、  ４…被研磨物、  ５…研磨ヘッド、  ９…研磨剤、  １０…研磨剤供給ライン、  １１…尖端凸部、  １２…砥粒、  ２０…ドレッサーユニット、  ２１…ドレッサー
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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