(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
単数又は複数の厚み縦振動モード又は厚みすべり振動モードのエネルギー閉じ込め型の圧電薄膜共振子を含む圧電薄膜デバイスであって、
圧電体薄膜と、
前記圧電体薄膜の一の主面に形成され、励振領域から相反する２方向へ引き出され、引き出し方向と垂直な第１の対称軸に関して全体が軸対称となっている第１の電極と、
前記圧電体薄膜の他の主面に形成され、前記励振領域において前記圧電体薄膜を挟んで前記第１の電極と対向し、前記励振領域から相反する２方向へ引き出され、引き出し方向と垂直な第２の対称軸に関して全体が軸対象となっている第２の電極と、
を備え、
前記第１の電極の引き出し方向と前記第２の電極の引き出し方向とが直交し、
前記第１の電極の第１の方向に引き出された第１の引き出し部は、伸延方向を前記第１の方向に垂直な第２の方向及び前記第１の方向に反対の第３の方向に順次に折り曲げられ、前記圧電薄膜デバイスの外部と電気的に接続される接続部へ至り、
前記第１の電極の前記第３の方向に引き出された第２の引き出し部は、伸延方向を前記第２の方向及び前記第１の方向に順次に折り曲げられ、前記接続部へ至ることを特徴とする圧電薄膜デバイス。
【請求項２】
請求項１に記載の圧電薄膜デバイスにおいて、
前記第１の電極及び前記第２の電極は、前記励振領域から幅を維持したまま引き出されていることを特徴とする圧電薄膜デバイス。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、単数又は複数の圧電薄膜共振子を含む圧電薄膜デバイスに関する。
【背景技術】
【０００２】
図７は、従来の圧電薄膜共振子９の主要部の概略構成を示す斜視図である。図７には、説明の便宜上、左右方向をＸ軸方向、前後方向をＹ軸方向、上下方向をＺ軸方向とするＸＹＺ直交座標系が定義されている。
【０００３】
図７に示すように、圧電薄膜共振子９は、圧電体薄膜９１と、励振領域９１１において圧電体薄膜９１を挟んで対向するように圧電体薄膜９１の両主面に形成された上面電極９２及び下面電極９３とを備える。
【０００４】
圧電体薄膜９１の上面に形成された上面電極９２は、羽子板形状のパターンを有しており、矩形の励振領域９１１から−Ｘ方向に引き出され、その先端は外部配線の接続用のパット９２Ｐとなっている。
【０００５】
また、圧電体薄膜９１の下面に形成された下面電極９３も、羽子板形状のパターンを有しており、励振領域９１１から上面電極９２とは逆の＋Ｘ方向に引き出され、その先端は外部配線の接続用のパット９３Ｐとなっている。
【０００６】
なお、特許文献１は、従来の圧電薄膜共振子に関する先行技術文献である。
【０００７】
【特許文献１】特開２００３−３１８６９５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
しかし、従来の圧電薄膜共振子では、電極パターンの非対称性に起因して、非対称モードや反対称モードの振動が励振され、周波数インピーダンス特性がスプリアスの影響を受けやすくなるという問題があった。
【０００９】
本発明は、この問題を解決するためになされたもので、単数又は複数の圧電薄膜共振子を含む圧電薄膜デバイスにおいて、周波数インピーダンス特性がスプリアスの影響を受けにくくすることを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
上記課題を解決するため、請求項１の発明は、単数又は複数の厚み縦振動モード又は厚みすべり振動モードのエネルギー閉じ込め型の圧電薄膜共振子を含む圧電薄膜デバイスであって、圧電体薄膜と、前記圧電体薄膜の一の主面に形成され、励振領域から相反する２方向へ引き出され、引き出し方向と垂直な第１の対称軸に関して全体が軸対称となっている第１の電極と、前記圧電体薄膜の他の主面に形成され、前記励振領域において前記圧電体薄膜を挟んで前記第１の電極と対向し、前記励振領域から相反する２方向へ引き出され、引き出し方向と垂直な第２の対称軸に関して全体が軸対象となっている第２の電極とを備え、前記第１の電極の引き出し方向と前記第２の電極の引き出し方向とが直交し、前記第１の電極の第１の方向に引き出された第１の引き出し部は、伸延方向を前記第１の方向に垂直な第２の方向及び前記第１の方向に反対の第３の方向に順次に折り曲げられ、前記圧電薄膜デバイスの外部と電気的に接続される接続部へ至り、前記第１の電極の前記第３の方向に引き出された第２の引き出し部は、伸延方向を前記第２の方向及び前記第１の方向に順次に折り曲げられ、前記接続部へ至る。
【００１２】
請求項２の発明は、請求項１に記載の圧電薄膜デバイスにおいて、前記第１の電極及び前記第２の電極は、前記励振領域から幅を維持したまま引き出されている。
【発明の効果】
【００１６】
請求項１及び請求項２の発明によれば、非対称モード又は反対称モードの振動の励振を抑制することができるので、周波数インピーダンス特性がスプリアスの影響を受けにくくなる。
【００１７】
請求項２の発明によれば、電極の直流抵抗成分を低下させることができるので、圧電薄膜共振子の損失を減らすことができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１８】
＜１  圧電薄膜共振子の構成＞
図１は、本発明の望ましい実施形態に係る圧電薄膜共振子（ＦＢＡＲ；Film Bulk Acoustic Resonator）１の概略構成を示す斜視図である。また、図２は、図１のII-IIの切断線における圧電薄膜共振子１の断面を示す断面図である。図１及び図２には、説明の便宜上、左右方向をＸ軸方向、前後方向をＹ軸方向、上下方向をＺ軸方向とするＸＹＺ直交座標系が定義されている。この点は、後述する各図においても同様である。圧電薄膜共振子１は、圧電体薄膜１４に励振される厚み縦振動による電気的な応答を利用した共振子となっている。
【００１９】
図１及び図２に示すように、圧電薄膜共振子１は、支持基板１１の上に、接着層１２、下面電極１３、圧電体薄膜１４及び上面電極１５をこの順序で積層した構造を有している。圧電薄膜共振子１において、圧電体薄膜１４の大きさは支持基板１１より小さくなっており、下面電極１３の一部は露出した状態となっている。
【００２０】
圧電薄膜共振子１の製造にあたっては、単独で自重に耐え得る圧電体基板を除去加工することにより圧電体薄膜１４を得ているが、除去加工によって得られる圧電体薄膜１４は単独で自重に耐え得ない。このため、圧電薄膜共振子１の製造にあたっては、除去加工に先立って、圧電体基板を含む所定の部材を、支持体となる支持基板１１にあらかじめ接着している。
【００２１】
○支持基板；
支持基板１１は、圧電薄膜共振子１の製造途上で圧電体基板を除去加工するときに、下面電極１３が下面に形成された圧電体基板を接着層１２を介して支持する支持体としての役割を有している。加えて、支持基板１１は、圧電薄膜共振子１の製造後に、下面電極１３が下面に形成され、上面電極１５が上面に形成された圧電体薄膜１４を接着層１２を介して支持する支持体としての役割も有している。したがって、支持基板１１には、圧電体基板を除去加工するときに加わる力に耐え得ることと、圧電薄膜共振子１の製造後にも強度が低下しないこととが要請される。
【００２２】
支持基板１１の材料及び厚さは、このような要請を満足するように、適宜選択することができる。ただし、支持基板１１の材料を、圧電体薄膜１４を構成する圧電材料と近い熱膨張率、より望ましくは、圧電体薄膜１４を構成する圧電材料と同じ熱膨張率を有する材料、例えば、圧電体薄膜１４を構成する圧電材料と同じ材料とすれば、圧電薄膜共振子１の製造途上において、熱膨張率の差に起因する反りや破損を抑制することができる。また、圧電薄膜共振子１の製造後において、熱膨張率の差に起因する特性変動や破損を抑制することができる。なお、熱膨張率に異方性がある材料を用いる場合、各方向の熱膨張率がともに同じとなるように配慮することが望ましい。また圧電材料と同じ材料を同じ方位で用いるこ場合もある。
【００２３】
圧電体薄膜１４の励振領域１４１に対向する支持基板１１の所定の領域には、正方形の孔形状を有する陥没（凹部又は掘り込み）１１１が形成されている。陥没１１１は、圧電体薄膜１４の励振領域１４１の下方にキャビティ（空洞）を形成し、圧電体薄膜１４の励振領域１４１を支持基板１１から離隔させ、励振領域１４１に励振された振動が支持基板１１と干渉しないようにする役割を果たしている。
【００２４】
○接着層；
接着層１２は、圧電薄膜共振子１の製造途上で圧電体基板を除去加工するときに、下面電極１３が下面に形成された圧電体基板を支持基板１１に接着固定する役割を有している。加えて、接着層１２は、圧電薄膜共振子１の製造後に、下面電極１３が下面に形成され、上面電極１５が上面に形成された圧電体薄膜１４を支持基板１１に接着固定する役割も有している。したがって、接着層１２には、圧電体基板を除去加工するときに加わる力に耐え得ることと、圧電薄膜共振子１の製造後にも接着力が低下しないこととが要請される。
【００２５】
このような要請を満足する接着層１２の望ましい例としては、有機接着剤、望ましくは、充填効果を有し、接着対象が完全に平坦ではなくても十分な接着力を発揮するエポキシ接着剤（熱硬化性を利用するエポキシ樹脂の接着剤）やアクリル接着剤（光硬化性及び熱硬化性を併用するアクリル樹脂の接着剤）により形成された接着層１２を挙げることができる。このような樹脂を採用することにより、圧電体基板と支持基板１１との間に期待しない空隙が生じることを防止し、当該空隙により圧電体基板の除去加工時にクラック等が発生することを防止可能である。ただし、このことは、これ以外の接着層１２によって圧電体薄膜１４と支持基板１１とが接着固定されることを妨げるものではない。
【００２６】
○圧電体薄膜；
圧電体薄膜１４は、圧電体基板を除去加工することにより得られる。より具体的には、圧電体薄膜１４は、単独で自重に耐え得る厚み（例えば、５０μｍ以上）を有する圧電体基板を、単独で自重に耐え得ない膜厚（例えば、１０μｍ以下）まで除去加工で薄肉化することにより得られる。
【００２７】
圧電体薄膜１４を構成する圧電材料としては、所望の圧電特性を有する圧電材料を選択することができるが、水晶（SiO2）、ニオブ酸リチウム(LiNbO3）、タンタル酸リチウム（LiTaO3）、四ホウ酸リチウム（Li2B4O7）、酸化亜鉛（ZnO）、ニオブ酸カリウム（KNbO3）及びランガサイト（La3Ga3SiO14）等の粒界を含まない単結晶材料を選択することが望ましい。圧電体薄膜１４を構成する圧電材料として単結晶材料を用いることにより、圧電体薄膜１４の電気機械結合係数及び機械的品質係数を向上させることができるからである。
【００２８】
また、圧電体薄膜１４における結晶方位も、所望の圧電特性を有する結晶方位を選択することができる。ここで、圧電体薄膜１４における結晶方位は、圧電薄膜共振子１の共振周波数や反共振周波数の温度特性が良好となる結晶方位とすることが望ましく、周波数温度係数が「０」となる結晶方位とすることがさらに望ましい。
【００２９】
圧電体基板の除去加工は、切削、研削及び研磨等の機械加工並びにエッチング等の化学加工等により行う。ここで、複数の除去加工方法を組み合わせ、加工速度が速い除去加工方法から、加工対象に生じる加工変質が小さい除去加工方法へと除去加工方法を段階的に切り替えながら圧電体基板を除去加工すれば、高い生産性を維持しつつ、圧電体薄膜１４の品質を向上し、圧電薄膜共振子１の特性を向上することができる。例えば、圧電体基板を固定砥粒に接触させて削る研削及び圧電体基板を遊離砥粒に接触させて削る研磨を順次行った後に、当該研磨によって圧電体基板に生じた加工変質層を仕上げ研磨により除去するようにすれば、圧電体基板を削る速度が早くなり、圧電薄膜共振子１の生産性を向上可能であるとともに、圧電体薄膜１４の品質を向上することにより、圧電薄膜共振子１の特性を向上可能である。なお、圧電体基板の除去加工のより具体的な方法については、後述する実施例において説明する。
【００３０】
このような圧電薄膜共振子１では、圧電体薄膜１４をスパッタリング等により成膜した場合と異なり、圧電体薄膜１４を構成する圧電材料や圧電体薄膜１４における結晶方位が下地の制約を受けないので、圧電体薄膜１４を構成する圧電材料や圧電体薄膜１４における結晶方位の選択の自由度が高くなっている。したがって、圧電薄膜共振子１では、所望の特性を実現することが容易になっている。
【００３１】
○上面電極及び下面電極；
以下では、図３を参照しながら、上面電極１５及び下面電極１３について説明する。ここで、図３は、上面電極１５及び下面電極１３のパターンを示す図であり、図３（Ａ）及び図３（Ｂ）は、それぞれ、上方から見た場合の上面電極１５及び下面電極１３のパターンを示している。
【００３２】
上面電極１５及び下面電極１３は、導電材料を成膜することにより得られた導電体薄膜である。
【００３３】
上面電極１５及び下面電極１３の膜厚は、圧電体薄膜１４への密着性、電気抵抗及び耐電力等を考慮して決定される。なお、圧電体薄膜１４の音速や膜厚のばらつきに起因する圧電薄膜共振子１の共振周波数や反共振周波数のばらつきを抑制するため、上面電極１５及び下面電極１３の膜厚を適宜調整するようにしてもよい。
【００３４】
上面電極１５及び下面電極１３を構成する導電材料は、特に制限されないが、アルミニウム（Al）、銀（Ag）、銅（Cu）、白金（Pt）、金（Au）、クロム（Cr）、ニッケル（Ni）、モリブデン（Mo）、タングステン(W)及びタンタル（Ta）等の金属から選択することが望ましい。もちろん、上面電極１５及び下面電極１３を構成する導電材料として合金を用いてもよい。また、複数種類の導電材料を重ねて成膜することにより、上面電極１５及び下面電極１３を形成してもよい。
【００３５】
上面電極１５及び下面電極１３は、励振信号が印加される励振電極となっており、振動が励振される正方形の励振領域１４１において、圧電体薄膜１４を挟んで対向している。
【００３６】
圧電体薄膜１４の上面に形成された上面電極１５は、励振領域１４１から、＋方向及び−Ｘ方向の両方向に直線的に引き出されている。−Ｘ方向に引き出された上面電極１５は、圧電薄膜共振子１の外部と電気的に接続される外部配線の接続用のパット１５Ｐに至っている。
【００３７】
圧電体薄膜１４の下面に形成された下面電極１３は、励振領域１４１から、＋Ｙ方向及び−Ｙ方向の両方向に直線的に引き出されている。＋Ｙ方向に引き出された下面電極１３は、伸延方向を＋Ｘ方向及び−Ｙ方向に順次折り曲げられ、圧電薄膜共振子１の外部と電気的に接続される外部配線の接続用のパット１３Ｐに至っている。一方、下面電極１３の、−Ｙ方向に引き出された引き出し部は、伸延方向を＋Ｘ方向及び＋Ｙ方向に順次折り曲げられ、パット１３Ｐに至っている。
【００３８】
このように、上面電極１５及び下面電極１３を、励振領域１４１から、相反する（１８０°異なる）２方向へ引き出すことにより、励振領域１４１及びその近傍における電極質量の分布の非対称性を緩和することができるので、非対称モードや反対称モードの振動の励振を抑制することができ、圧電薄膜共振子１の周波数インピーダンス特性がスプリアスの影響を受けにくくなる。
【００３９】
さらに、上面電極１５のパターンを、引き出し方向と垂直な±Ｙ方向に伸びる対称軸Ｓ１に関して軸対称となるようにし、下面電極１３のパターンを、引き出し方向と垂直な±Ｘ方向に伸びる対称軸Ｓ２に関して軸対称となるようにすれば、励振領域１４１及びその近傍における質量の分布の非対称性をさらに緩和することができるので、周波数インピーダンス特性がさらにスプリアスの影響を受けにくくなる。
【００４０】
ここで、図３に示すように、上面電極１５及び下面電極１３のパターンの全体が、それぞれ、対称軸Ｓ１及びＳ２に関して軸対称となるようにすることが最も望ましいが、励振領域１４１へのエネルギー閉じ込めが実現している場合には、励振領域１４１から遠く離れた部分の電極質量の分布が、励振領域１４１に励振される振動へ与える影響は小さいため、励振領域１４１及びその近傍における上面電極１５及び下面電極１３のパターンが、それぞれ、対称軸Ｓ１及びＳ２に関して軸対称となっており、上面電極１５及び下面電極１３が、それぞれ、対称軸Ｓ１及びＳ２の両側に軸対称に引き出されているようにすれば、十分なスプリアス抑制効果を得ることができる。
【００４１】
加えて、圧電薄膜共振子１においては、上面電極１５の引き出し方向と下面電極１３の引き出し方向が直交しており、帯状の上面電極１５及び下面電極１３が励振領域１４１において十字交差する構造になっていることも、励振領域１４１及びその近傍における質量の分布の非対称性を緩和し、周波数インピーダンス特性がスプリアスの影響を受けにくくすることに寄与している。
【００４２】
なお、従来の圧電薄膜共振子では、図７に示したように、励振領域からの電極の引き出しは、細幅の引き出し部によって行われていたが、本実施形態の圧電薄膜共振子１では、上面電極１４１及び下面電極１４２は、励振領域１４１から幅を維持したまま引き出されている。これにより、圧電薄膜共振子１では、上面電極１５及び下面電極１３の直流抵抗成分を低下させ、圧電薄膜共振子１の損失を減らしている。
【００４３】
また、圧電薄膜共振子１では、励振領域１４１から±Ｙ方向に引き出された下面電極１３の両方の引き出し先がいずれもパット１３Ｐに接続されている。これにより、圧電薄膜共振子１では、下面電極１３の直流抵抗成分をさらに低下させている。
【００４４】
なお、圧電薄膜共振子１では、パット１３Ｐへの外部配線の接続を可能ならしめるために、パット１３Ｐの近傍の圧電体薄膜１４（図１において点線で図示した部分）が除去され、パット１３Ｐが露出した状態となっている。このような上面電極１５及び下面電極１３により、圧電薄膜共振子１では、パット１５Ｐ及び１３Ｐを介して上面電極１５及び下面電極１３に励振信号が印加されると、上面電極１５と下面電極１３とが対向する励振領域１４１において圧電体薄膜１４の内部に電界Ｅが発生し、励振領域１４１に振動が励振される。
【実施例】
【００４５】
以下では、本発明の望ましい実施形態に係る実施例と本発明の範囲外の比較例とについて説明する。
【００４６】
［実施例］
実施例では、支持基板１１及び圧電体薄膜１４を構成する圧電材料としてニオブ酸リチウムの単結晶、接着層１２を構成する材料としてエポキシ接着剤、下面電極１３を構成する導電材料としてモリブデン及びタンタル、上面電極１５を構成する導電材料としてクロム及び金を用いて圧電薄膜共振子１を作製した。
【００４７】
実施例の圧電薄膜共振子１は、図４の断面図に示すように、製造原価の低減のために、多数の圧電薄膜共振子１を一体化した集合体Ｕを作製した後に、集合体Ｕをダイシングソーで切断して個々の圧電薄膜共振子１へ分離することによって得られている。なお、図４には、３個の圧電薄膜共振子１が集合体Ｕに含まれる例が示されているが、集合体Ｕに含まれる圧電薄膜共振子１の数は、４個以上であってもよく、典型的に言えば、集合体Ｕには、数１００個〜数１０００個の圧電薄膜共振子１が含まれる。
【００４８】
以下では、便宜上、集合体Ｕに含まれる１個の圧電薄膜共振子１に着目して説明を進めるが、集合体に含まれる他の圧電薄膜共振子１も着目した圧電薄膜共振子１と同時平行して製造されている。
【００４９】
続いて、図５及び図６を参照しながら、実施例に係る圧電薄膜共振子１の製造方法を説明する。なお、図５（Ａ）〜図５（Ｄ）及び図６（Ｅ）〜図６（Ｇ）は、図１のII-IIの切断面における製造途上の圧電薄膜共振子１の断面図となっている。
【００５０】
圧電薄膜共振子１の製造にあたっては、最初に、厚み０．５ｍｍ、直径３インチのニオブ酸リチウムの単結晶の円形ウエハ（３６度カットＹ板）を支持基板１１及び圧電体基板１７として準備した。
【００５１】
そして、陥没１１１を形成すべき領域が開口部となっているマスク（クロム膜と金膜とからなる積層膜）Ｍ１を支持基板１１の上面に形成し（図５（Ａ））、温度６０℃の１：１バッファードフッ酸溶液に支持基板１１を浸漬することにより、陥没１１１が形成された支持基板１１を得た（図５（Ｂ））。
【００５２】
その後、圧電体基板１７の下面に、厚さ０．０５７μｍのモリブデン膜と厚さ０．０２μｍのタンタル膜とをスパッタリングにより成膜し、フォトリソグラフィにより、図３（Ｂ）に示すパターンを有する下面電極１３を得た（図５（Ｃ））。
【００５３】
続いて、支持基板１１の上面に接着層１２となるエポキシ接着剤を塗布し、支持基板１１の上面と、圧電体基板１７の下面とを張り合わせた。そして、支持基板１１及び圧電体基板１７に圧力を印加してプレス圧着を行い、接着層１２の厚みを０．５μｍとした。しかる後に、張り合わせた支持基板１１及び圧電体基板１７を２００℃の環境下で１時間放置してエポキシ接着剤を硬化させ、支持基板１１と圧電体基板１７とを接着した（図５（Ｄ））。
【００５４】
支持基板１１と圧電体基板１７との接着が完了した後、圧電体基板１７を支持基板１１に接着した状態を維持したまま、支持基板１１の下面を炭化ケイ素（SiC）で作製した研磨治具に固定し、圧電体基板１７の上面を固定砥粒の研削機で研削加工し、圧電体基板１７の厚さを５０μｍまで薄肉化した。さらに、圧電体基板１７の上面をダイヤモンド砥粒で研磨加工し、圧電体基板１７の厚さを２μｍまで薄肉化した。最後に、ダイヤモンド砥粒による研磨加工で圧電体基板１７に生じた加工変質層を除去するために、遊離砥粒及び不繊布系研磨パッドを使用して圧電体基板１７の仕上げ研磨を行い、厚さが１μｍの圧電体薄膜１４を得た（図６（Ｅ））。
【００５５】
続いて、圧電体薄膜１４の上面（研磨面）を有機溶剤で洗浄し、厚さ０．０２μｍのクロム膜と厚さ０．０５１５μｍの金膜とをスパッタリングにより成膜し、フォトリソグラフィにより、図３（１）に示すパターンを有する上面電極１５を得た（図６（Ｆ））。
【００５６】
さらに、圧電体薄膜１４の、下面電極１３のパット１３Ｐを被覆する部分をフッ酸によるエッチングで除去し、パット１３Ｐが露出された圧電薄膜共振子１を得た（図６（Ｇ））。
【００５７】
このようにして得られた圧電薄膜共振子１について、ネットワークアナライザ及びプローバーを用いて周波数インピーダンス特性を評価したところ、スプリアスの影響のほとんどない単一共振波形を観察することができた。
【００５８】
［比較例］
比較例では、上面電極及び下面電極のパターンを図７に示す羽子板形状としたこと以外は、実施例と同様の手順で圧電薄膜共振子を製造した。このようにして得られた圧電薄膜共振子について、ネットワークアナライザ及びプローバーを用いて、周波数インピーダンス特性を評価したところ、スプリアスが重畳した波形しか観察できず、スプリアスの影響により、共振抵抗は実施例の圧電薄膜共振子１より劣化していた。
【００５９】
＜変形例＞
上述の説明では、単数の圧電薄膜共振子からなる圧電薄膜デバイスについて説明を行ったが、本発明における圧電薄膜デバイスとは、一般的に言えば、単数又は複数の圧電薄膜共振子を含む圧電薄膜デバイス全般を意味しており、単一の圧電薄膜共振子を含む発振子及びトラップ等並びに複数の圧電薄膜共振子を含むフィルタ、デュプレクサ、トリプレクサ及びトラップ等を含んでいる。
【００６０】
また、上述の説明では、圧電体薄膜に励振される厚み縦振動による電気的な応答を利用した圧電薄膜共振子について説明したが、厚み縦振動以外のモード、例えば、厚みすべり振動等も利用可能である。
【００６１】
さらに、上述の説明では励振領域が正方形であるとして説明を進めたが、励振領域は正方形に制限されず、他の形状（例えば、円形や正方形以外の多角形）であってもよい。なお、励振領域を多角形とする場合、多角形の最長の対角線の長さは、典型的には、３０μｍ〜３００μｍであり、励振領域を円形とする場合、円の直径は、典型的には、３０μｍ〜３００μｍである。
【図面の簡単な説明】
【００６２】
【図１】本発明の望ましい実施形態に係る圧電薄膜共振子１の概略構成を示す斜視図である。
【図２】図のII-IIの切断線における圧電薄膜共振子１の断面を示す断面図である。
【図３】上面電極１５及び下面電極１３のパターンを示す図である。
【図４】多数の圧電薄膜共振子１を一体化した集合体Ｕを切断して個々の圧電薄膜共振子１へ分離する様子を示す断面図である。
【図５】実施例の圧電薄膜共振子１の製造方法を説明する図である。
【図６】実施例の圧電薄膜共振子１の製造方法を説明する図である。
【図７】従来の圧電薄膜共振子の主要部の概略構成を示す斜視図である。
【符号の説明】
【００６３】
１  圧電薄膜共振子
１１  支持基板
１２  接着層
１３  下面電極
１３Ｐ  パット
１４  圧電体薄膜
１５  上面電極
１５Ｐ  パット
１７  圧電体基板
１４１  励振領域
【図１】
0004739068.tif 000002
【図２】
0004739068.tif 000003
【図３】
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【図４】
0004739068.tif 000005
【図５】
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【図６】
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【図７】
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