(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
メッキ及びエッチング可能な導電性の基材の両面に非メッキ部材を形成する工程と、
所定の回路電極をパターニングした第１のマスク部材を前記導電性の基材の一方の面に位置合わせする工程と、
所定数の端子電極をパターニングした第２のマスク部材を前記導電性の基材の他方の面に位置合わせする工程と、
前記導電性の基材の一方の面の非メッキ部材に前記第１のマスク部材を通して、ダイパッド部と配線電極を含む回路配線電極のパターンを露光し、同時に、前記導電性の基材の他方の面の非メッキ部材に前記第２のマスク部材を通して端子電極のパターンを露光する工程と、
前記回路配線電極と前記端子電極の各パターンを開口する非メッキ部材をマスクにして電解メッキ法により前記導電性の基材に導電部材をメッキし、該メッキ電流を調整して前記回路電極及び端子電極の厚みを制御して、前記導電性の基材の両面に所定の回路配線電極及び端子電極を形成する工程と、
前記基材の回路配線電極形成面側の全面に絶縁樹脂シートからなる担持部材を接合する工程と、
前記担持部材及び回路配線電極を有する回路電極基板から前記導電性の基材を、当該基材の前記担持部材が接合された面と反対側の面から、当該面の一部の領域を当該基材の厚さ方向全域でエッチングにより除去して前記ダイパッド部に接合される電子部品の実装空間を形成するとともに、当該エッチング時に、前記配線電極を外部リード端子としての前記端子電極に連結する前記導電性の基材の一部を前記実装空間の周囲に残す工程と
を含む電子部品実装基板の製造方法。
【請求項２】
前記担持部材には有機樹脂材料が使用される
請求項１に記載の電子部品実装基板の製造方法。
【請求項３】
前記導電性の基材を除去した後に、前記回路配線電極の前記ダイパッド部上に電子部品を実装する
請求項１または２に記載の電子部品実装基板の製造方法。
【請求項４】
前記電子部品はワイヤーボンディング可能な半導体チップである
請求項３に記載の電子部品実装基板の製造方法。
【請求項５】
前記電子部品は面接合可能なフリップチップ方式の半導体チップである
請求項３に記載の電子部品実装基板の製造方法。
【請求項６】
絶縁樹脂シートからなる担持部材と、
前記担持部材の一方の面に担持された、ダイパッド部および複数の配線電極を含む回路配線電極と、
前記回路配線電極の前記ダイパッド部に接合され、各端子が前記複数の配線電極それぞれと電気的に接続された電子部品と、
前記複数の配線電極から前記電子部品の周囲に立設し、導電性の基材をウエットエッチングして分離されたときに残る湾曲側面、および、前記担持部材と反対の側に前記電子部品よりも突出した端面をそれぞれが有する複数のエッチング形成プラグと、
前記複数のエッチング形成プラグの各端面に形成された外部リード電極としての複数の端子電極と、
を有する電子部品実装基板。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
この発明は超高周波領域で動作させる半導体チップを実装した高周波対応の実装基板に適用して好適な電子部品実装基板及びその製造方法に関する。
詳しくは、絶縁性の担持部材に担持された所定の回路配線電極及び端子電極を備え、しかも、所定の厚みでサイドエッジが垂直に切り立った電極を構成して、当該回路配線電極及び端子電極のインピーダンス特性（表皮効果）を改善できるようにすると共に、薄型の実装に優れ、かつ、高周波特性に優れた電子部品実装基板等を提供できるようにしたものである。
【０００２】
【従来の技術】
近年、情報通信分野ではマルチメディアの発達に伴い通信機能に加えて多種多様な機能を備えた携帯電話機や携帯ゲーム機等が使用される場合が多くなってきた。これらの携帯端末装置等には通信機能や情報検索機能などを実現する多数の電子部品や配線パターンを実装したモールド樹脂封止基板が使用される場合が多い。モールド樹脂封止基板に実装される半導体チップにはクロック信号で動作するデジタル回路が多く適用され、その動作の高速化が進んでいる。
【０００３】
この種のデジタル回路搭載のモールド樹脂封止基板には軽量化及び小型化に加えて高周波対応性が要求されるが、従来から両面銅箔を有した有機基板が使用されている。有機基板はガラスエポキシプリプレイグと呼ばれるガラス繊維布に半硬化状態のエポキシ樹脂を塗布したものである。
【０００４】
図９は従来例に係るＣＳＰ（チップ・サイズ・パッケージ）タイプのモールド樹脂封止基板１０の構成例を示す断面図である。図９に示すモールド樹脂封止基板１０はワイヤーボンディング可能な半導体チップ１を実装したものであり、チップ実装用の有機基板８を有している。この有機基板８の表面には所定の回路電極パターン３が設けられており、この回路電極パターン３上には半導体チップ１が実装されている。半導体チップ１は一方で端子電極５Ａに金線４Ａにより接続され、他方で端子電極５Ｂに金線４Ｂにより接続されている。
【０００５】
有機基板８の裏面には複数の端子電極５Ｃ，５Ｄ等が設けられており、上述の端子電極５Ａと端子電極５Ｃとがスルーホール７Ａにより電気的に接続されており、同様にして端子電極５Ｂと端子電極５Ｄとがスルーホール７Ｂにより電気的に接続されている。
【０００６】
この回路電極パターン３、半導体チップ１の全部及び端子電極５Ａ，５Ｂの一部を覆うように封止部材２により絶縁封止されている。これらの回路電極パターン３、端子電極５Ａ，５Ｂ及び端子電極５Ｃ，５Ｄは両面銅箔付きの有機基板８を使用して形成されたものである。
【０００７】
この製造方法によれば、図１０Ａにおいて、まず、両面銅箔付きの有機基板８の上下銅箔で導通を取るために、レーザ光あるいはドリルを使用してビアホール（Ｖia Ｈole）が開孔され、その後、ビアホール内に銅メッキ（スルーホールメッキ）が施される。
【０００８】
そして、有機基板８の一方の面の銅箔５にレジストのパターニング処理をした後に、図１０Ｂにおいて、レジスト膜６をマスクにして不要な銅箔５をエッチング除去することにより端子電極５Ａ〜５Ｂや、マウント部を含む回路電極パターン３を形成（素子分離）する。
【０００９】
その後、有機基板８の他方の面の銅箔５にレジストのパターニング処理をした後に、レジスト膜をマスクにして不要な銅箔５をエッチング除去することにより端子電極５Ｃや５Ｄを形成する。その後、半導体チップ１がマウントされてワイヤボンディングされる。完成後のモールド樹脂封止基板１０は、外部のプリント配線基板に対して半導体チップ１の搭載面と反対側の端子電極５Ｃ，５Ｄ等で接続するようになされる。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】
ところで、従来方式のモールド樹脂封止基板１０の製造方法によれば、両面銅箔付きの有機基板８の一方の面に回路電極パターン３や、マウント部、複数の端子電極５Ａ，５Ｂなどを形成し、その裏面に端子電極５Ｃ，５Ｄ等を形成していた。このため、次のような問題がある。
【００１１】
▲１▼  有機基板８の表裏の端子電極５Ａと端子電極５Ｃとを電気的に接続するスルーホール７Ａや、端子電極５Ｂと端子電極５Ｄとを接続するためのスルーホール７Ｂが必要となる。
【００１２】
▲２▼  図１０Ｂの波線円内図に示すように、レジスト膜６下がオーバーエッチングによって銅箔５の側面（エッチング面）が垂直に切り立つことなく、その側面が内部にえぐれた鼓状にラインエッジが仕上がってしまうおそれがある。これは配線パターンが微細化するほど著しい。因みに４０μｍのパターン幅に対して約５μｍのオーバーエッチが生じることが確認されている。
【００１３】
▲３▼  銅箔をエッチングして配線パターン等を作成する方法では、サイドエッチの量をコントロールすることが困難なことから、加工精度の高いＣＳＰタイプのモールド樹脂封止基板等の製造に妨げとなる。因みにファインパターンの作成要求に対して銅箔エッチングでは限界があり、ライン＆スペース（Ｌ／Ｓ）で３０μｍは困難な状況である。
【００１４】
▲４▼  銅箔をエッチングして得た配線パターンは、その残りしろが安定せず、表皮効果の点でインピーダンス特性にばらつきを生ずるおそれがある。これを改善するために整合回路などを別途設けなくてはならなくなる。
【００１５】
そこで、この発明はこのような従来の課題を解決したものであって、回路配線電極及び端子電極のインピーダンス特性（表皮効果）を改善できるようにすると共に、高周波対応の電子部品を高密度に実装できるようにした電子部品実装基板及びその製造方法を提供することを目的とする。
【００１６】
【課題を解決するための手段】
上述した課題は、メッキ及びエッチング可能な導電性の基材の両面に非メッキ部材を形成する工程と、所定の回路電極をパターニングした第１のマスク部材を前記導電性の基材の一方の面に位置合わせする工程と、所定数の端子電極をパターニングした第２のマスク部材を前記導電性の基材の他方の面に位置合わせする工程と、前記導電性の基材の一方の面の非メッキ部材に前記第１のマスク部材を通して、ダイパッド部と配線電極を含む回路配線電極のパターンを露光し、同時に、前記導電性の基材の他方の面の非メッキ部材に前記第２のマスク部材を通して端子電極のパターンを露光する工程と、前記回路配線電極と前記端子電極の各パターンを開口する非メッキ部材をマスクにして電解メッキ法により前記導電性の基材に導電部材をメッキし、該メッキ電流を調整して前記回路電極及び端子電極の厚みを制御して、前記導電性の基材の両面に所定の回路配線電極及び端子電極を形成する工程と、前記基材の回路配線電極形成面側の全面に絶縁樹脂シートからなる担持部材を接合する工程と、前記担持部材及び回路配線電極を有する回路電極基板から前記導電性の基材を、当該基材の前記担持部材が接合された面と反対側の面から、当該面の一部の領域を当該基材の厚さ方向全域でエッチングにより除去して前記ダイパッド部に接合される電子部品の実装空間を形成するとともに、当該エッチング時に、前記配線電極を外部リード端子としての前記端子電極に連結する前記導電性の基材の一部を前記実装空間の周囲に残す工程とを含む電子部品実装基板の製造方法によって解決される。
【００１７】
本発明に係る電子部品実装基板の製造方法によれば、銅箔をエッチングして形成された配線パターンに比べて所定の厚みでサイドエッジが垂直に切り立った回路配線電極及び端子電極を形成することができ、当該回路配線電極及び端子電極のインピーダンス特性（表皮効果）を改善することができる。これと共に、高周波対応の電子部品を高密度に実装することができる。従って、薄型の実装に優れ、かつ、高周波特性に優れた電子部品実装基板を提供することができる。
【００１９】
また、銅箔をエッチングして配線パターンを形成する場合に比べて所定の厚みでパターンエッジの整った回路配線電極や端子電極などを再現性良く形成することができる。特に回路配線電極のサイドエッジを垂直に切り立つように形成できることからインピーダンス特性（表皮効果）を改善することができる。
【００２０】
しかも、安定した回路配線電極及び端子電極の形状が得られるので、容易に回路設計を行うことができる。回路配線電極及び端子電極のインピーダンス特性が優れているので、高精度のインダクタンスや静電容量を作成することもできる。従来方式のようなスルーホールメッキ無しに端子電極を作成することができる。これにより、高周波特性に優れた電子部品実装基板を製造することができる。
【００２１】
【発明の実施の形態】
続いて、この発明に係る電子部品実装基板及びその製造方法の一実施の形態について、図面を参照しながら説明をする。
【００２２】
（１）第１の実施形態
図１は本発明に係る第１の実施形態としての電子部品実装基板１００の構成例を示す断面図である。
この実施形態では絶縁性の担持部材に担持された所定の回路配線電極及び端子電極を備え、しかも、所定の厚みでサイドエッジが垂直に切り立った電極を構成して、当該回路配線電極及び端子電極のインピーダンス特性（表皮効果）を改善できるようにすると共に、薄型の実装に優れ、かつ、高周波特性に優れた電子部品実装基板等を提供できるようにしたものである。
【００２３】
図１に示す電子部品実装基板１００はＵＦＰＬ（ウルトラ・ファインピッチ・リードフレーム）プロセス技術により作られた半導体（ＬＳＩ）チップ等を実装する高周波対応の半導体チップ実装基板に適用して好適であり、少なくとも、支持補強材を兼ねた絶縁性の担持部材２２を有している。
【００２４】
担持部材２２には少なくとも有機絶縁材料が使用される。この例で担持部材２２は熱硬化型ＰＰＥ（ポリフェニレンエーテル）をシート化して接着硬化したものである。この他に、耐熱性が必要な時はポリイミド系の担持部材２２が使用される。動作周波数の低い電子部品実装基板１００ではエポキシ系の担持部材２２が使用される。高周波用の担持部材２２と使い分けするようになされる。
【００２５】
この担持部材２２には回路配線電極１３が担持されている。回路配線電極１３は銅箔のエッチングによる配線パターンではなく、電気メッキによって形成された配線電極１３Ａ，１３Ｃ及びダイパッド部１３Ｂを有している。ダイパッド部１３Ｂには電子部品の一例となるワイヤーボンディング可能な半導体チップが接着剤１８を介在して接合されている。電子部品はこれに限られることはなく、面接合可能なフリップチップ方式の半導体チップであってもよい。
【００２６】
この半導体チップ１１又は／及び配線電極１３Ａ，１３Ｃには複数の端子電極１５Ａ，１５Ｂ等が接続されている。端子電極１５Ａ，１５Ｂは外部のプリント配線基板等に接続する際に使用される。この半導体チップ１１は一方の側で金線１４Ａを介在して端子電極（外部リード）１５Ａに接続されており、他方の側で金線１４Ｂを介在して端子電極１５Ｂに接続されている。電子部品実装基板１００によっては数十〜数百本の端子電極１５Ａ，１５Ｂが設けられる。
【００２７】
この例で配線電極１３Ａ，１３Ｃは半導体チップの接続方式によって、例えば、ワイヤボンディング方式の場合は金、ニッケル及び銅から構成され、フリップチップ方式の場合は金及び銅から構成される。
【００２８】
この端子電極１５Ａ，１５Ｂの一部、ダイパッド部１３Ｂ及び配線電極１３Ａ，１３Ｃの全部が電解メッキ法により形成されて成るものである。例えば、配線電極１３Ａ，１３Ｃ及び端子電極１５Ａ，１５Ｂはメッキ及びエッチング可能な導電性の基材の両面に選択的に形成された非メッキ部材をマスクにして該基材の両面に同時に導電部材をメッキした後、該基材を選択的にエッチング除去して形成されたものである。
【００２９】
この高周波対応の電子部品実装基板１００で半導体チップの実装領域は、封止部材が充填されず空間のまま使用される。空気は誘電率εｒ＝１であることによる。もちろん、用途に応じて実装領域に絶縁性の封止部材を充填するようにしてもよい。その際にはモールド樹脂が使用される。
【００３０】
続いて、半導体チップ実装基板１００の製造方法について説明をする。図２〜図７は半導体チップ実装基板１００の形成例（その１〜６）を示す工程図である。
この例ではメッキ及びエッチング可能な導電性の基材の両面に非メッキ部材を選択的に形成し、その後、非メッキ部材をマスクにして基材の両面に同時に導電部材をメッキし所定の配線電極１３Ａ，１３Ｃ及び端子電極１５Ａ，１５Ｂを形成する。そして、基材の配線電極形成面側に絶縁性の担持部材２２を接合する場合を前提とする。電子部品はワイヤーボンド方式の半導体チップの場合を想定する。メッキは電解メッキでも無電解メッキでもよいが、無電解メッキは膜厚制御が難しいので、この例では電解メッキの場合を例に挙げる。
【００３１】
これを製造条件にして、まず、メッキ及びエッチング可能な導電性の基材の一例となる、図２Ａの断面図に示すような板厚ｔの銅合金板２０を準備する。銅合金板２０は通常のリードフレームと同様の素材のものを用いるとよい。銅合金板２０の板厚ｔは１００〜２００μｍ程度であり、この例ではｔ＝１００μｍの銅合金板２０を使用する。この銅合金板２０は電子部品実装基板１００を製造する過程で仮の基板として使用されると共に、その銅合金板２０の一部が端子電極１５Ａ，１５Ｂの心材を構成するようになされる。
【００３２】
このような銅合金板２０が準備できたら、配線電極１３Ａ，１３Ｃ、チップ用のダイパッド部１３Ｂを含む回路配線電極１３及び、所定数の端子電極１５Ａ，１５Ｂを形成するために、銅合金板２０の両面に非メッキ部材を選択的に形成する。例えば、図２Ｂにおいて、銅合金板２０の両面及び端面に非メッキ部材の一例となる膜厚１０μｍ〜４０μｍ程度のレジスト１６’を塗布する。写真法によりレジスト１６’をパターニングするためである。
【００３３】
ファインパターンの場合は、膜厚の薄いレジスト１６’を使用する。均一な厚みが得やすいことから、レジスト１６’にはドライフイルム化したものを使用するとよい。液状のレジストを使用しても同じ効果が得られる。配線電極１３Ａ，１３Ｃや端子電極１５Ａ，１５Ｂの幅形状はレジストパターンで決まる。この例ではドライフイルム化したレジスト１６’を使用する。メッキ後のばらつきの少ない設計通りの配線電極１３Ａ，１３Ｃや端子電極１５Ａ，１５Ｂを得ることができる。
【００３４】
その後、図２Ｃにおいて第１のマスク部材の一例となるレチクル（ガラス乾板）２６を銅合金板２０の一方の面に位置合わせする。レチクル２６には所定の配線電極１３Ａ，１３Ｃやダイパッド部１３Ｂ等の回路配線電極パターンを焼き付けたものである。銅合金板２０の他方の面には第２のマスク部材の一例となるレチクル２７を位置合わせする。レチクル２７には所定数の端子電極パターンを焼き付けたものである。
【００３５】
そして、銅合金板２０の一方の面のレジスト１６’にレチクル２６を通して回路配線電極パターンを露光し、同時に、この銅合金板２０の他方の面のレジスト１６’にレチクル２７を通して端子電極パターンを露光する。これは銅合金板２０の両面に同時に同じ金属がメッキされるようにするためである。このとき、両面露光機を使用してレジスト１６’を露光する。
【００３６】
銅合金板２０の端面のレジスト１６’も露光する。この端面にはメッキを施さないようにするためである。その後、レジスト１６’を現像した後に不要なレジスト膜を除去する。この露光処理によって、銅合金板２０の一方の面にレジストパターン１６が形成され、他方の面にレジストパターン１７が形成される。端面にもメッキ保護用のレジストパターン１７’が形成される。
【００３７】
このレジストパターン１６を銅合金板２０の上面から見ると例えば、図３Ａに示すようになる。図３Ａの平面図において、銅合金板２０の一方の面に、配線電極パターンＰ１，Ｐ３、ダイパッドパターンＰ２を反転したレジストパターン１６を形成することができる。
【００３８】
なお、この例では端子電極１５Ａ，１５Ｂとなる銅合金板２０の側壁にもレジスト膜１７’が形成される。これは端子電極１５Ａ，１５Ｂとなる銅合金板２０の側壁にはメッキを成長しないようにする。こうすることで、銅合金板エッチング時にエッチャントを端子電極１５Ａ、１５Ｂの端面へ浸食するようになされる。
【００３９】
図３Ｂは図３Ａに示した銅合金板２０のＸ１−Ｘ２矢視断面図である。図３Ｂにおいて、レジストパターン１７は端子電極パターンＰ４，Ｐ５を反転したものである。端子電極パターンＰ４、Ｐ５によって数十〜数百本の端子電極１５Ａ，１５Ｂを銅合金板２０から電気的に素子分離するようになされる。
【００４０】
図４Ａは図３Ａに示した銅合金板２０のＹ１−Ｙ２矢視断面図である。図４Ａにおいて、レジストパターン１６，１７は配線電極パターンＰ３及び端子電極パターンＰ５を反転したものである。このようなレジストパターン１６，１７が形成できたら、図４Ｂに示す電気メッキ装置３００に銅合金板２０をセットし、レジストパターン１６、１７等の各々をマスクにして銅合金板２０の両面に同時に導電部材をメッキし所定の配線電極１３Ａ，１３Ｃ、ダイパッド部１３Ｂ及び端子電極１５Ａ，１５Ｂを形成する。
【００４１】
電気メッキ装置３００には周知の電解メッキ方法が適用される。電気メッキ装置３００はメッキ容器２０１の中に電解液２０２、１組の陽極２０３Ａ，２０３Ｂ、その外部に直流電源２０４及び電流計２０５を有している。陽極２０３Ａ，２０３Ｂには所望の導電部材を用いてもよい。
【００４２】
メッキ母材となる銅合金板２０は直流電源２０４の−端子に接続され、陽極２０３Ａ，２０３Ｂは電流計２０５を通じて直流電源２０４の＋端子に接続して使用される。電解液２０２は導電部材によって取り替えるようになされる。例えば銅のメッキ時には電解液２０２として硫酸銅の水溶液が使用される。導電部材はエッチングマスク兼半田付け良好な金属材料が好ましい。この例で導電部材（メッキ部材）には金、ニッケル及び銅が使用される。
【００４３】
この例で半導体チップ１１がワイヤボンディング方式の場合はレジストパターン１６、１７をマスクにしてニッケル、金、ニッケル、銅の順に銅合金板２０にメッキがなされる。フリップチップ方式の場合は金、銅の順にメッキがなされる。このメッキの多層化によって表皮効果の良い配線電極１３Ａ，１３Ｃや端子電極１５Ａ，１５Ｂを形成することができる。
【００４４】
各々のメッキ部材におけるメッキ電流Ｉは電流計２０５を見ながら調整し、各々のメッキ部材の厚みを調整することにより、回路配線電極１３の全体の厚みを制御するようになされる。各々のメッキ部材の厚みはメッキ電流Ｉを多くし、通電時間を長くするとメッキ量を多くすることができる。
【００４５】
この例では、第１層目のＮｉメッキを５μｍ程度、Ａｕメッキを０．５μｍ程度、第２層目のＮｉメッキを５μｍ程度、Ｃｕメッキを３０μｍ程度となるようにメッキ電流を調整するようになされる。これにより、有機基板の銅箔により配線パターンを形成する場合に比べて厚みのある回路配線電極１３等を形成することができる。
【００４６】
このようにメッキ電流Ｉを制御し、その後、レジスト膜１６，１７等を除去すると、図５Ａに示すような銅合金板２０の一方の面に配線電極１３Ａ，１３Ｃ及びダイパッド部１３Ｂを含む回路配線電極１３を形成することができる。銅合金板２０の他方の面には図５Ｂに示すように端子電極１５Ａ，１５Ｂのみを形成することができる。この例では銅合金板２０の側壁にはメッキが成長されない。
【００４７】
この時点では回路配線電極１３、端子電極１５Ａ，１５Ｂは電気的な素子分離はなされていない。銅合金板２０で短絡された状態となっている。なお、図６Ａは図５Ａに示した回路電極基板２０’のＺ１−Ｚ２矢視断面図である。以後の形成例では電子部品実装基板１００の断面の形成工程について説明する。
【００４８】
つまり、図６Ａに示す銅合金板２０の一方の面にはその波線円内図に示すように、Ｎｉ／Ａｕ／Ｎｉ／Ｃｕを積層した回路配線電極１３を形成することができる。銅合金板２０の他方の面にもＮｉ／Ａｕ／Ｎｉ／Ｃｕを積層した端子電極１５Ａ，１５Ｂを形成することができる。
【００４９】
この例ではドライフイルム化したレジスト１６’を使用したので、メッキ後、ばらつきの少ない設計通りのパターン幅の配線電極１３Ａ，１３Ｃや端子電極１５Ａ，１５Ｂを得ることができた。しかも、配線電極１３Ａ，１３Ｃ下の銅合金板２０を所定の形状に残すことで端子電極１５Ａ，１５Ｂを補強することができた。ここで回路配線電極１３、端子電極１５Ａ，１５Ｂに係るパターンをメッキされた銅合金板２０を以後、回路電極基板２０’ともいう。
【００５０】
そして、図６Ｂにおいて回路電極基板２０’の配線電極形成面側に絶縁性の担持部材２２を形成する。ここでは担持部材２２として膜厚１５μｍ乃至３０μｍ程度の長尺状の樹脂シート部材を接着する。樹脂シート部材は１パッケージ化する際に分離するようになされる。
【００５１】
この担持部材２２には樹脂部材だけのシートでもプリプレーグされたものでも、どちらを使用してもよい。耐熱性が必要な時はポリイミド系の樹脂部材を使用する。高周波用には熱硬化型ＰＰＥ（ポリフェニレンエーテル）系の樹脂部材を使用する。一般用はエポキシ系と使い分けをし、シート化されたものを接着し、その後、樹脂部材を硬化する。
【００５２】
このような担持部材２２によって配線電極１３Ａ，１３Ｃ及びダイパッド部１３Ｂを含む回路配線電極１３が裏打ちされるので、これらの回路配線電極１３下（半導体チップ搭載側）の銅合金板２０を除去しても担持姿勢を保つことができる。
【００５３】
その後、図７Ａにおいて、担持部材付きの回路電極基板２０’から、仮の基板として使用していた銅合金板２０の一部又は全部を回路配線電極１３及び端子電極１５Ａ，１５Ｂの各々をマスクにして選択的にエッチングし除去する。このとき、銅のエッチングにはニッケルが犯されない薬品としてｐＨ（ペーハー）を調整した弱アルカリ水溶液を使用する。
【００５４】
例えば、銅の専用エッチャントにはアンモニアのペーハーを８．０乃至８．５程度に調整した水溶液が使用される。この弱アルカリ水溶液を４５℃にしてエッチングする。このエッチングにより、不要部分の銅合金板２０が除去され、配線電極１３Ａ，１３Ｃ及びダイパッド部１３Ｂを含む回路配線電極１３と、複数の端子電極１５Ａ，１５Ｂとが電気的に同時に素子分離される。
【００５５】
ニッケル層を有する電極構造のものは、ニッケルは弱アルカリ水溶液ではエッチングされないので、ニッケル面が現れたらエッチングを終了する。なお、回路配線電極１３が金−ニッケル構造となるものは銅のエッチングだけになる。
【００５６】
この素子分離によって回路配線電極１３Ｃ下に空間部２８が生ずる。これと共に回路配線電極１３が露出する。この銅合金板２０のエッチング終了後、ニッケルをエッチングして金面が現れるようにするとよい。回路電極基板形成後も、配線電極１３Ａ，１３Ｃや端子電極１５Ａ，１５Ｂにおいて同じ金面（層）を有するようになる。金面は半田ボンディングがし易くなるからである。ニッケルのエッチング液には専用酸性エッチャントを温度３５℃にして使用する。この際に金面が現れたらエッチングを終了する。
【００５７】
その後、回路電極基板２０’のダイパッド部１３Ｂ下に半導体チップ１１を実装する。この時点で回路配線電極１３を露出した回路電極基板２０’を天地反転させ、開口部分を上に向けるように姿勢を整えてもよい。ここでは接着剤１８を使用して回路配線電極１３のダイパッド部１３Ｂに半導体チップ１１をダイボンディングして接合される。
【００５８】
半導体チップ１１の一方のパッド電極１９Ａと配線電極１３Ａとの間は金線１４Ａにより例えば、熱圧着ボンディングし、半導体チップ１１の他方のパッド電極１９Ｂと配線電極１３Ｃとを他の金線１４Ｂにより熱圧着ボンディングする。その後、樹脂シート部材を切断して、担持部材付きのパッケージに分離する。
【００５９】
このとき、樹脂シート部材をチップ・サイズ・パッケージ数個からなる集合体に切断することもできる。この例では個々に樹脂シート部材を切断することにより、図１に示したような高周波対応の電子部品実装基板１００が完成する。
【００６０】
もちろん、半導体チップ１１の実装後の空間部２８に絶縁性の封止部材を形成してもよい。その場合には、封止部材にはエポキシ系のモールド樹脂が使用される。この封止工程では金線１４Ａ，１４Ｂが隠れる厚みを確保するように回路電極基板２０’の内側にモールド樹脂が封止される。
【００６１】
このようにして、本発明に係る第１の実施形態としての電子部品実装基板１００によれば、銅箔をエッチングして形成された配線パターンに比べて所定の厚みでサイドエッジが垂直に切り立った配線電極１３Ａ，１３Ｃ及び端子電極１５Ａ，１５Ｂを構成することができ、当該配線電極１３Ａ，１３Ｃ及び端子電極１５Ａ，１５Ｂのインピーダンス特性（表皮効果）を改善にすることができる。しかも、メッキにより配線電極１３Ａ，１３Ｃや端子電極１５Ａ，１５Ｂ等を再現性良く形成できることから、ライン＆スペース（Ｌ／Ｓ）で１０μｍ以下のパターニングが正確に安価に提供できるようになる。これにより、高周波対応の半導体チップを高密度に実装することができる。
【００６２】
また、電子部品実装基板１００の製造方法によれば、安定した配線電極１３Ａ，１３Ｃ及び端子電極１５Ａ，１５Ｂの形状が得られるので、容易に回路設計を行うことができる。配線電極１３Ａ，１３Ｃ及び端子電極１５Ａ，１５Ｂのインピーダンス特性が優れているので、高精度のインダクタンスや静電容量を作成することもできる。従来方式のようなスルーホールメッキ工程無しに端子電極１５Ａ，１５Ｂを作成することができる。これにより、薄型の実装に優れ、かつ、高周波特性に優れた半導体チップ実装基板を製造することができる。
【００６３】
（２）第２の実施形態
図８は本発明に係る第２の実施形態としての電子部品実装基板２００の構成例を示す断面図である。この実施形態では電子部品に関してワイヤーボンディング可能な半導体チップ１１に代えて面接合可能なフリップチップ方式の半導体チップ３１を適用したものである。
【００６４】
図８に示す電子部品実装基板２００は高周波対応実装基板に適用して好適であり、第１の実施形態と同様にして支持補強材を兼ねた絶縁性の担持部材２２を有している。担持部材２２には少なくとも有機絶縁材料が使用される。この例で担持部材２２は熱硬化型ＰＰＥ（ポリフェニレンエーテル）をシート化して接着硬化したものである。この他に、耐熱性が必要な時はポリイミド系の担持部材２２が使用される。動作周波数の低い電子部品実装基板ではエポキシ系の担持部材２２が使用される。高周波用の担持部材２２と使い分けするようになされる。
【００６５】
この担持部材２２には所定数の端子電極１５Ａ，１５Ｂ及び所定の回路配線電極３３Ａ〜３３Ｇが担持されている。この回路配線電極３３Ａ〜３３Ｇ下には電子部品の一例となるフリップチップ方式の半導体チップ３１が実装されている。半導体チップ３１は複数のバンプ電極（エリアバンプ）３４Ａ〜３４Ｇ等を有している。
【００６６】
この半導体チップ３１のバンプ電極３４Ａは回路配線電極３３Ａに接続され、そのバンプ電極３４Ｂは回路配線電極３３Ｂに接続され、バンプ電極３４Ｃは回路配線電極３３Ｃに接続され、バンプ電極３４Ｄは回路配線電極３３Ｄに接続され、バンプ電極３４Ｅは回路配線電極３４Ｅに接続され、バンプ電極３４Ｆは回路配線電極３３Ｆに接続され、バンプ電極３４Ｇは回路配線電極３４Ｇに各々接続されている。各々の回路配線電極３３Ａ〜３３Ｇは端子電極１５Ａ，１５Ｂ等に接続されている。電子部品実装基板２００によっては数十〜数百本の端子電極１５Ａ，１５Ｂが設けられる。
【００６７】
回路配線電極３３Ａ〜３３Ｇは、端子電極１５Ａ，１５Ｂと共にメッキ及びエッチング可能な導電性の基材の一例となる銅合金板２０の一方の面に所望の導電部材がメッキにより形成され、その後、この銅合金板２０を選択的にエッチング除去して同時に形成されたものである。回路配線電極３３Ａ〜３３Ｇの全部、端子電極１５Ａ，１５Ｂの一部は電解メッキ法により形成されている。
【００６８】
この回路配線電極３３Ａ〜３３Ｇは膜厚０．５μｍ程度の金及び膜厚３０μｍ程度の銅が順にメッキされており、端子電極１５Ａ，１５Ｂは銅合金板２０のエッチング残留物を芯材となされ、この芯材の一方の面側には同様の膜厚の金及び銅の順にメッキされて成る。
【００６９】
このように形成すると、銅合金板２０を担持部材形成工程に至るまでの仮の基板として使用できる他に、その銅合金板２０のエッチング残留部分を使用した端子電極１５Ａ，１５Ｂを構成することができる。
【００７０】
しかも、回路配線電極３３Ａ〜３３Ｇのサイドエッジを垂直に切り立つように整形することができ、有機基板の銅箔をエッチングして配線パターン形成する場合に比べてラインエッジが整った高精度の回路配線電極３３Ａ〜３３Ｇ及び、表皮効果に優れた配線電極３３Ａ〜３３Ｇが得られ、超高周波動作に最適となる。端子電極１５Ａ，１５Ｂも、ある程度の高さを確保することができ、内部抵抗に低い電極を得ることができる。
【００７１】
この電子部品実装基板２００で半導体チップ３１の実装領域は空間のまま使用される。空気は誘電率εｒ＝１であることによる。もちろん用途に応じて絶縁性の封止部材を充填してもよい。その際には封止部材にはモールド樹脂が使用される。
【００７２】
このように、本発明に係る第２の実施形態としての電子部品実装基板２００によれば、銅箔をエッチングして配線パターンを形成する場合に比べて所定の厚みでパターンエッジの整った回路配線電極３３Ａ〜３３Ｇや端子電極１５Ａ、１５Ｂなどを同時に形成することができる。特に回路配線電極３３Ａ〜３３Ｇのサイドエッジを垂直に切り立つように形成できることから表皮効果を均一にすることができる。
【００７３】
しかも、電子部品実装基板２００によれば、有機絶縁材料から成る担持部材２２が使用されるので、超高周波回路に適用して好適な高周波特性に優れた、フリップチップ方式の半導体チップ実装の高周波対応実装基板を製造することができる。
【００７４】
【発明の効果】
以上説明したように本発明に係る電子部品実装基板によれば、絶縁性の担持部材に担持された所定の回路配線電極及び端子電極を備え、この回路配線電極及び端子電極はメッキ及びエッチング可能な導電性の基材の両面に選択的に形成された非メッキ部材をマスクにしてその基材の両面に同時に導電部材をメッキした後、その基材を選択的にエッチング除去して形成されたものである。
【００７５】
この構成によって、銅箔をエッチングして形成された配線パターンに比べて所定の厚みでサイドエッジが垂直に切り立った回路配線電極及び端子電極構造を具現化ができ、当該回路配線電極及び端子電極のインピーダンス特性（表皮効果）を均一にすることができる。これと共に、高周波対応の電子部品を高密度に実装することができる。従って、薄型の実装に優れ、かつ、高周波特性に優れた電子部品実装基板を提供することができる。
【００７６】
本発明に係る電子部品実装基板の製造方法によれば、導電性の基材の両面に非メッキ部材を選択的に形成し、その後、非メッキ部材をマスクにして基材の両面に同時に導電部材をメッキし所定の回路配線電極及び端子電極を形成し、更に、この基材の回路配線電極形成面側に絶縁性の担持部材を接合し、その後、担持部材及び回路配線電極を有する回路電極基板から導電性の基材をエッチングにより全部又は一部を除去するようになされる。
【００７７】
この構成によって、銅箔をエッチングして配線パターンを形成する場合に比べて所定の厚みでパターンエッジの整った回路配線電極や端子電極などを再現性良く形成することができる。特に回路配線電極のサイドエッジを垂直に切り立つように形成できることからインピーダンス特性（表皮効果）を均一にすることができる。
【００７８】
しかも、安定した回路配線電極及び端子電極の形状が得られるので、容易に回路設計を行うことができる。回路配線電極及び端子電極のインピーダンス特性が優れているので、高精度のインダクタンスや静電容量を作成することもできる。
【００７９】
この発明は超高周波領域で動作させる半導体チップを実装した高周波対応実装基板に適用して極めて好適である。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明に係る第１の実施形態としての電子部品実装基板１００の構成例を示す断面図である。
【図２】Ａ〜Ｃは半導体チップ実装基板１００の形成例（その１）を示す工程図である。
【図３】Ａ及びＢは半導体チップ実装基板１００の形成例（その２）を示す工程図である。
【図４】Ａ及びＢは半導体チップ実装基板１００の形成例（その３）を示す工程図である。
【図５】Ａ及びＢは半導体チップ実装基板１００の形成例（その４）を示す工程図である。
【図６】Ａ及びＢは半導体チップ実装基板１００の形成例（その５）を示す工程図である。
【図７】Ａ及びＢは半導体チップ実装基板１００の形成例（その６）を示す工程図である。
【図８】本発明に係る第２の実施形態としての電子部品実装基板２００の構成例を示す断面図である。
【図９】従来例に係るモールド樹脂封止基板１０の構成例を示す断面図である。
【図１０】Ａ及びＢはモールド樹脂封止基板１０のエッチング時の形成例を示す工程図である。
【符号の説明】
１１，３１・・・半導体チップ（電子部品）、１３・・・回路配線電極、１３Ａ，１３Ｃ，３３Ａ〜３３Ｇ・・・配線電極、１３Ｂ・・・ダイパッド部、１４Ａ，１４Ｂ・・・金線、１５Ａ，１５Ｂ・・・端子電極、１６，１７・・・レジスト膜（非メッキ部材）、２０・・・銅合金板（導電性の基材）、２２・・・担持部材、２６，２７・・・レチクル（第１，第２のマスク部材）、３４Ａ〜３４Ｇ・・・バンプ電極、１００，２００・・・電子部品実装基板、３００・・・電気メッキ装置
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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