(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
リチウムのアルコキシド化合物と、テトラメトキシシランまたはテトラエトキシシランと、エーテル、ケトン、エステル、アルコール、及び炭化水素から選ばれる１種以上の有機溶媒からなることを特徴とする絶縁膜成膜用原料。
【請求項２】
リチウムのカルボン酸塩、テトラメトキシシランまたはテトラエトキシシラン、及び有機溶媒からなり、原料全量に対するテトラメトキシシランまたはテトラエトキシシランの含有量が、５〜７５ｗｔ％であることを特徴とする絶縁膜成膜用原料。
【請求項３】
リチウムのアルコキシド化合物が、メトキシリチウム、エトキシリチウム、ｎ‐プロポキシリチウム、ｉｓｏ‐プロポキシリチウム、ｎ‐ブトキシリチウム、ｉｓｏ‐ブトキシリチウム、ｓｅｃ‐ブトキシリチウム、またはｔｅｒｔ‐ブトキシリチウムである請求項１に記載の絶縁膜成膜用原料。
【請求項４】
リチウムのカルボン酸塩が、蟻酸リチウム、酢酸リチウム、またはプロピオン酸リチウムである請求項２に記載の絶縁膜成膜用原料。
【請求項５】
有機溶媒が、エーテル、ケトン、エステル、アルコール、及び炭化水素から選ばれる１種以上の有機溶媒である請求項２に記載の絶縁膜成膜用原料。
【請求項６】
原料全量に対するリチウムのアルコキシド化合物の含有量が、５〜８０ｗｔ％である請求項１に記載の絶縁膜成膜用原料。
【請求項７】
原料全量に対するリチウムのカルボン酸塩の含有量が、１〜５０ｗｔ％である請求項２に記載の絶縁膜成膜用原料。
【請求項８】
さらに、界面活性剤を添加した請求項１または請求項２に記載の絶縁膜成膜用原料。
【請求項９】
請求項１または請求項２に記載の絶縁膜成膜用原料を用いて、スピンコーター法、ミストデポジション法、またはＣＶＤ法により、基板の表面にリチウムシリケートを含む絶縁膜を成膜することを特徴とする成膜方法。
【請求項１０】
基板が、シリコン基板、セラミックス基板、ガラス基板、金属基板、または合金基板である請求項９に記載の成膜方法。
【請求項１１】
絶縁膜を成膜する際の処理温度が、１５０〜８００℃である請求項９に記載の成膜方法。
【請求項１２】
成膜の際に、酸素、オゾン、及び水蒸気から選ばれる１種以上を添加して成膜する請求項９に記載の成膜方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、各種基板の表面に、スピンコーター法、ミストデポジション法、またはＣＶＤ法により、リチウムシリケートを含む絶縁膜を成膜するための絶縁膜成膜用原料、及びそれを用いた成膜方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）等のフラットパネルディスプレイ（ＦＰＤ）に用いられる絶縁薄膜としては、ＳｉＯ2、Ｓｉ3Ｎ4、ＰＳＧ（リン・シリコン・ガラス）、ＢＰＳＧ（ボロン・リン・シリコン・ガラス）がある。また、近年これらの絶縁膜より耐熱性が優れているＬｉ2ＳｉＯ3（リチウムシリケート）が開発されている。（例えば、特開平８−４５７２３号公報、特開２００２−２６５８１７号公報）また、基板の表面にリチウムシリケート膜を成膜する方法として、特開平８−４５７２３号公報及び特開２００２−２６５８１７号公報は、Ｌｉ2Ｏ及びＳｉＯ2からなるリチウムシリケート水溶液を、基板にコーティングし乾燥させる方法を開示している。さらに、特表２０００−５０９１００号公報は、スパッタリング法によりリチウムを含む膜を成膜する方法を開示している。
【０００３】
その他、スピンコーター法、ミストデポジション法、またはＣＶＤ法により、リチウムシリケート膜を成膜する方法も考えられるが、絶縁膜成膜用原料が上記のような水溶液ではゲル状であり、均一な状態で霧化、気化することができないという不都合があった。また、原料中の水を単に有機溶媒に替えても溶解度が小さく、均一に混合することができなかった。そのため、これらの方法で絶縁膜を成膜すると、かえってゾル−ゲル法あるいはスパッタリング法より低品質の絶縁膜となってしまうので、これらの方法によるリチウムシリケート膜の成膜は実施されていなかった。
【０００４】
特にＣＶＤ法により、固体原料をテトラヒドロフラン等の溶媒に溶解させた液体原料を、気化器に供給して気化する際には、上記のような原料が均一になり難いという問題点のほか、固体原料の気化温度と溶媒の気化温度が大きく相異するため、加熱により溶媒のみが気化して固体原料が析出しやすいという問題点があった。
【特許文献１】特開平８−４５７２３号公報
【特許文献２】特開２０００−５０９１００号公報
【特許文献３】特開２００２−２６５８１７号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
このようにリチウムシリケート絶縁膜は、従来からスピンコーター法、ミストデポジション法、またはＣＶＤ法では成膜が困難であると考えられているが、これらの方法による絶縁膜の成膜、特にＣＶＤ法による絶縁膜の成膜は、高品質、高純度のものが期待できる。
従って、本発明が解決しようとする課題は、スピンコーター法、ミストデポジション法、またはＣＶＤ法により、各種基板の表面に、高品質、高純度のリチウムシリケートを含む絶縁膜を成膜するための絶縁膜成膜用原料、及びそれを用いた成膜方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明者らは、これらの課題を解決すべく鋭意検討した結果、リチウムのアルコキシド化合物またはリチウムのカルボン酸塩、テトラメトキシシランまたはテトラエトキシシラン、及び有機溶媒は、容易に均一に混合できること、及び、これらの混合物を原料として使用することにより、気化の際に溶媒のみが気化し固体原料と溶媒が分離することを防止し得ること等を見出し本発明に到達した。
【０００７】
すなわち本発明は、（Ａ）リチウムのアルコキシド化合物と、（Ｂ）テトラメトキシシランまたはテトラエトキシシランと、エーテル、ケトン、エステル、アルコール、及び炭化水素から選ばれる１種以上の（Ｃ）有機溶媒からなることを特徴とする絶縁膜成膜用原料である。また、本発明は、（Ａ’）リチウムのカルボン酸塩、（Ｂ）テトラメトキシシランまたはテトラエトキシシラン、及び（Ｃ）有機溶媒からなり、原料全量に対するテトラメトキシシランまたはテトラエトキシシランの含有量が、５〜７５ｗｔ％であることを特徴とする絶縁膜成膜用原料である。また、本発明は、前記の絶縁膜成膜用原料を用いて、スピンコーター法、ミストデポジション法、またはＣＶＤ法により、基板の表面にリチウムシリケートを含む絶縁膜を成膜することを特徴とする成膜方法である。
【発明の効果】
【０００８】
本発明により、従来から均一にすることができなかったリチウムシリケートを含む絶縁膜を成膜するための原料を、均一に調製することができるようになった。その結果、これらの原料を用いて、スピンコーター法、ミストデポジション法、またはＣＶＤ法により、均一に基板の表面に前記の膜を成膜することが可能となり、高品質、高純度の絶縁膜が得られるようになった。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００９】
本発明は、各種基板の表面に、リチウムシリケートを含む絶縁膜を成膜するための絶縁膜成膜用原料、及びその原料を用いて各種基板の表面に絶縁膜を成膜する方法に適用される。本発明の絶縁膜成膜用原料においては、リチウム源として（Ａ）リチウムのアルコキシド化合物または（Ａ’）リチウムのカルボン酸塩が用いられる。また、ケイ素源として（Ｂ）テトラメトキシシランまたはテトラエトキシシランが用いられる。さらに、原料を均一な液体とするために、前記の原料に、エーテル、ケトン、エステル、アルコール、炭化水素等の（Ｃ）有機溶媒が添加される。
【００１０】
本発明において用いられる（Ａ）リチウムのアルコキシド化合物としては、メトキシリチウム、エトキシリチウム、ｎ‐プロポキシリチウム、ｉｓｏ‐プロポキシリチウム、ｎ‐ブトキシリチウム、ｉｓｏ‐ブトキシリチウム、ｓｅｃ‐ブトキシリチウム、ｔｅｒｔ‐ブトキシリチウム等を例示することができる。また、（Ａ’）リチウムのカルボン酸塩としては、蟻酸リチウム、酢酸リチウム、プロピオン酸リチウム等を例示することができる。また、エーテル、ケトン、エステル、アルコール、炭化水素等の（Ｃ）有機溶媒は、通常は４０℃〜１８０℃の沸点を有するものであり、これらのうち１種を用いてもよく、また２種以上を用いることも可能である。
【００１１】
尚、前記のエーテルとしては、プロピルエーテル、メチルブチルエーテル、エチルプロピルエーテル、エチルブチルエーテル、酸化トリメチレン、テトラヒドロフラン、テトラヒドロピラン等を、ケトンとしては、アセトン、エチルメチルケトン、iso-プロピルメチルケトン、iso-ブチルメチルケトン等を、エステルとしては、ギ酸エチル、ギ酸プロピル、ギ酸イソブチル、酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸プロピル、酢酸ブチル、酢酸イソブチル、プロピオン酸メチル、プロピオン酸プロピル、酪酸メチル、酪酸エチル等を、アルコールとしては、メチルアルコール、エチルアルコール、プロピルアルコール、ブチルアルコール等を、炭化水素としては、ヘキサン、ヘプタン、オクタン等を例示することができる。
【００１２】
本発明の（Ａ）リチウムのアルコキシド化合物（リチウム源）、（Ｂ）テトラメトキシシランまたはテトラエトキシシラン（ケイ素源）、及び（Ｃ）有機溶媒からなる絶縁膜成膜用原料において、全量に対するリチウム源の含有量は、通常は５〜８０ｗｔ％、好ましくは２０〜８０ｗｔ％であり、原料全量に対するケイ素源の含有量は、通常は５〜７５ｗｔ％、好ましくは２０〜７５ｗｔ％である。また、（Ａ’）リチウムのカルボン酸塩（リチウム源）、（Ｂ）テトラメトキシシランまたはテトラエトキシシラン（ケイ素源）、及び（Ｃ）有機溶媒からなる絶縁膜成膜用原料において、全量に対するリチウム源の含有量は、通常は１〜５０ｗｔ％、好ましくは２〜３０ｗｔ％であり、原料全量に対するケイ素源の含有量は、５〜７５ｗｔ％、好ましくは２０〜７５ｗｔ％である。
【００１３】
これらを調製する方法については特に制限されることはなく、例えば、（Ａ’）リチウムのカルボン酸塩、（Ｂ）テトラメトキシシランまたはテトラエトキシシラン、及び（Ｃ）有機溶媒からなる原料の調製においては、これらのリチウム源、シラン源、有機溶媒のうち、いずれか２成分を混合した後、残りの１成分を添加、混合して原料を調製するか、あるいは全成分を同時に混合して調製することができる。しかし、テトラメトキシシラン、テトラエトキシシランは水分によって分解しやすいので、予めこれら以外の成分を混合した後、最後にテトラメトキシシランまたはテトラエトキシシランを混合することが好ましい。
【００１４】
このように調製された原料は均一であり、室温または室温近辺の温度（０〜４０℃）、常圧または常圧近辺の圧力（８０〜１２０ｋＰａ）、不活性ガスの雰囲気下で安定である。
また、本発明においては、さらに界面活性剤を添加することもできる。界面活性剤を添加する場合は、全液量に対して、通常は５ｗｔ％以下、好ましくは１ｗｔ％以下となるように添加される。
【００１５】
また、本発明の絶縁膜成膜用原料は、実質的に前述のような成分からなる原料であり、リチウム源としてリチウムのアルコキシド化合物、リチウムのカルボン酸塩以外の原料が少量含まれている場合、あるいはケイ素源としてテトラメトキシシラン、テトラエトキシシラン以外の原料が少量含まれている場合であっても、混合後の均一性に大きな悪影響を及ぼさなければ、本発明の絶縁膜成膜用原料の範囲内である。さらに、原料の均一性、絶縁膜の品質に悪影響を及ぼさないその他の成分が少量含まれている場合であっても、本発明の絶縁膜成膜用原料の範囲内である。例えば、絶縁膜成膜用原料に、ドーパントとしてＰ2Ｏ5、ＰＯ（ＯＣＨ3）3を適宜の添加量で添加することも可能である。
【００１６】
本発明の成膜方法は、以上のように調製された絶縁膜成膜用原料を用いて、スピンコーター法、ミストデポジション法、またはＣＶＤ法により、シリコン基板、セラミックス基板、ガラス基板、金属基板、合金基板等の基板の表面にリチウムを含む絶縁膜またはリチウムシリケートを含む絶縁膜を成膜する方法である。
【００１７】
図１はスピンコーター法により絶縁膜を成膜するための装置、図２はミストデポジション法により絶縁膜を成膜するための装置、図３〜図５はＣＶＤ法により絶縁膜を成膜するための装置の例を示す構成図であるが、本発明を実施するための装置がこれらに限定されるものではない。
図１及び図２において、不活性ガス供給ライン１から供給される不活性ガスの圧力により、原料容器３中の絶縁膜製膜用原料２がスピンコーター７またはミストデポジション装置８へ送られる。
【００１８】
スピンコーター法による成膜においては、図１に示すように、通常はスピンコーター７には高速で回転する回転円盤１４及びヒーターが設置される。絶縁膜の成膜の際には、スピンコーター内を所定の温度、圧力に設定した後、回転円盤及び回転円盤の上に設置された基板１３が高速で回転するとともに、原料容器３から不活性ガスの圧力により、絶縁膜成膜用原料が基板の中心部に滴下される。その際、本発明の均一性に優れた原料が、遠心力により基板上の外周方向に向かって均一に広げられるので、その後、これを１５０〜８００℃程度で熱処理することにより、基板上に高品質、高純度の絶縁膜が得られる。
【００１９】
ミストデポジション法による成膜においては、図２に示すように、通常はミストデポジション装置８には、原料をミスト状にして基板に供給するシャワーヘッド１５、サセプター１６、及びヒーターが設置される。絶縁膜の成膜の際には、ミストデポジション装置８内を所定の温度、圧力に設定した後、原料容器３から不活性ガスの圧力により、絶縁膜成膜用原料がシャワーヘッド１５に供給される。その際、本発明の均一性に優れた原料を、均一に霧化することができるので、その後、基板を１５０〜８００℃程度で熱処理することにより、基板上に高品質、高純度の絶縁膜が得られる。
【００２０】
ＣＶＤ法による成膜においては、図３〜図５に示すように、通常は液体マスフローコントローラー等の液体流量制御器５、気化器９、ＣＶＤ装置１０が設置されるほか、必要に応じて脱ガス器４が設けられる。気化器９にはさらに、気体流量制御器１１、キャリアガス供給ライン１２を接続し、断熱材６を設ける。また、ＣＶＤ装置１０にはさらに、ガス予熱器１７、酸素供給ライン１８を接続する。絶縁膜の成膜の際には、気化器内、ＣＶＤ装置を所定の温度、圧力に設定した後、原料容器３から不活性ガスの圧力により、絶縁膜成膜用原料２が気化器９に供給されて気化され、さらにＣＶＤ装置１０に供給される。その際、本発明の均一性に優れた原料を、均一に気化することができるので、基板上に高品質、高純度の絶縁膜が得られる。
【００２１】
また、ＣＶＤ法による成膜においては、通常は、気化された原料を含むガスがＣＶＤ装置に供給される前、またはＣＶＤ装置に供給された後すぐに、酸素、オゾン、及び水蒸気から選ばれる１種以上のガス、またはこれらを含むガスが添加される。
【００２２】
尚、本発明において使用される気化器９としては、特に制限されることはないが、例えば、図６に示すように、原料供給部２１の内部が、フッ素系樹脂、ポリイミド系樹脂等の耐腐食性合成樹脂２４で構成される気化器、気化室２０ヘ液体原料を噴出して気化させるための噴出管２５が、液体原料を噴出する内管とキャリアガスを噴出する外管からなる二重構造の噴出管である気化器、あるいは、ＣＶＤ原料供給部の側面部に冷却水を流す手段２６を有する気化器等を挙げることができる。また、本発明においては、１種類の液体原料を気化する気化器のほか、２種類以上の液体原料を同時に気化する気化器を使用することができる。
【００２３】
次に、本発明を実施例により具体的に説明するが、本発明がこれらにより限定されるものではない。
【実施例１】
【００２４】
（絶縁膜成膜用原料の調製）
内径８ｃｍ、高さ１０ｃｍのステンレス鋼（ＳＵＳ３１６）製の容器に、不活性ガス供給ラインから窒素を供給して、容器の内部を窒素雰囲気にした。次に、容器に、リチウムのアルコキシド化合物としてｔｅｒｔ‐ブトキシリチウムを３０ｇ、テトラエトキシシランを３０ｇ投入し、これに有機溶媒として、オクタンを４０ｇ添加してｔｅｒｔ‐ブトキシリチウムを溶解し、２５℃、常圧の状態で混合液を撹拌して絶縁膜成膜用原料を調製した。
【００２５】
（絶縁膜成膜用原料の均一性調査）
前記のような条件下を維持しながら、混合してから、０．５時間後、２時間後、１０時間後、２４時間後、１００時間後に、絶縁膜成膜用原料をサンプリングして、均一に混合されているか否か調査した。その結果を表１に示す。
【００２６】
（実施例２、３）
実施例１の絶縁膜成膜用原料の調製において、ｔｅｒｔ‐ブトキシリチウムの含有率を変えたほかは実施例１と同様にして絶縁膜成膜用原料を調製した。これらの絶縁膜成膜用原料の均一性について、実施例１と同様に調査した結果を表１に示す。
【００２７】
（実施例４、５）
実施例１の絶縁膜成膜用原料の調製において、テトラエトキシシランの含有率を変えたほかは実施例１と同様にして絶縁膜成膜用原料を調製した。これらの絶縁膜成膜用原料の均一性について、実施例１と同様に調査した結果を表１に示す。
【００２８】
（実施例６〜１２）
実施例１の絶縁膜成膜用原料の調製において、ｔｅｒｔ‐ブトキシリチウムの替わりに、各々メトキシリチウム、エトキシリチウム、ｎ‐プロポキシリチウム、ｉｓｏ‐プロポキシリチウム、ｎ‐ブトキシリチウム、ｉｓｏ‐ブトキシリチウム、ｓｅｃ‐ブトキシリチウムを用いたほかは実施例１と同様にして絶縁膜成膜用原料を調製した。この絶縁膜成膜用原料の均一性について、実施例１と同様に調査した結果を表１に示す。
【００２９】
（実施例１３）
実施例１の絶縁膜成膜用原料の調製において、テトラエトキシシランの替わりに、テトラメトキシシランを用いたほかは実施例１と同様にして絶縁膜成膜用原料を調製した。この絶縁膜成膜用原料の均一性について、実施例１と同様に調査した結果を表１に示す。
【００３０】
（実施例１４〜１６）
実施例１の絶縁膜成膜用原料の調製において、オクタンの替わりに、各々アセトン、酢酸エチル、エチルアルコールを用いたほかは実施例１と同様にして絶縁膜成膜用原料を調製した。これらの絶縁膜成膜用原料の均一性について、実施例１と同様に調査した結果を表１に示す。
【００３１】
（実施例１〜１６の結果）
表１の時間の経過による均一性から明らかなように、本発明の（Ａ）リチウムのアルコキシド化合物、（Ｂ）テトラメトキシシランまたはテトラエトキシシラン、及び（Ｃ）有機溶媒からなる絶縁膜成膜用原料において、２４時間以上で絶縁膜成膜用原料の調製は、一部やや不均一ながらも実用的であった。
【００３２】
（実施例１７）
（気化器の製作）
内部がフッ素系合成樹脂（ＰＦＡ）で構成され、気化器外部との接触部がステンレス鋼（ＳＵＳ３１６）で構成される原料供給部２１を製作した。フッ素系合成樹脂の構成部２４は、外径１６ｍｍ、高さ３４．２ｍｍの円柱状であり、その外側のステンレス鋼の厚みは２．０ｍｍである。また、先端が二重構造であり、内管が原料の流路、外管がキャリアガスの流路である噴出管２５を２個設けた。また、原料供給部の側面には、冷却水を流してＣＶＤ原料供給部を冷却することができる冷却管２６を設けた。
【００３３】
前記の原料供給部２１のほか、気化ガス排出口２２、ヒーター２３を有する図６に示すようなステンレス製（ＳＵＳ３１６）の気化器９を製作した。（但し、気化室への噴出管２５を２個有する。）尚、気化室２０は、内径が６５ｍｍ、高さが９２．５ｍｍの円柱状で、底部の突起は高さ２７．５ｍｍであり、また底部から１５ｍｍの高さには気化ガス排出口２２を設けた。
【００３４】
（気化供給装置の製作）
前記の気化器９を、脱ガス器４、液体マスフローコントローラー５、キャリアガス供給ライン１２、酸素供給ライン１８、ガス予熱器１７、気体流量制御器１１、ＣＶＤ装置１０等と接続し、断熱材６を設けて、図３に示すような気化供給装置を製作した。尚、酸素供給ライン１８は、反応器の直前で酸素が添加されるように設定した。次に、実施例１の絶縁膜成膜用原料が充填された原料容器を接続した。
【００３５】
（リチウムシリケート膜の製作）
実施例１の絶縁膜成膜用原料を用い、前記の気化供給装置を使用して、ＣＶＤ法により、直径５０ｍｍの鉄−ニッケル合金基板上に、リチウムシリケートを主成分とする絶縁膜を以下のようにして成膜した。気化供給装置内、ＣＶＤ装置内に窒素ガスを供給した後、気化器内を１６０℃、常圧にするとともに、ＣＶＤ装置内を６８０℃、常圧に保持した。次に、実施例１の絶縁膜成膜用原料を、液体マスフローコントローラーを用いて、１．９ｇ／ｍｉｎで気化器に供給するとともに、キャリアガス供給ラインから１５０℃に加熱された窒素を、５０００ｍｌ／ｍｉｎの流量で気化器に供給して、原料を気化させＣＶＤ装置に供給した。また、ＣＶＤ装置の直前で１６０℃に加熱された酸素を２０００ｍｌ／ｍｉｎの流量で添加した。
【００３６】
（リチウムシリケート膜の評価）
このようにして得られた絶縁膜を、原子間力顕微鏡により分析した結果、膜厚は０．２８μｍであり、高純度で均一なリチウムシリケートを主成分とする絶縁膜が得られていることが確認された。
【００３７】
（実施例１８）
（絶縁膜成膜用原料の調製）
内径８ｃｍ、高さ１０ｃｍのステンレス鋼（ＳＵＳ３１６）製の容器に、不活性ガス供給ラインから窒素を供給して、容器の内部を窒素雰囲気にした。次に、容器に、リチウムのカルボン酸塩として酢酸リチウムを１０ｇ投入し、これに有機溶媒としてメチルアルコールを８６ｇ、アセトンを４ｇ添加して酢酸リチウムを溶解した。さらにテトラエトキシケイ素を１００ｇ添加し、２５℃、常圧の状態で混合液を撹拌した。（酢酸リチウム：５ｗｔ％、テトラエトキシケイ素：５０ｗｔ％、有機溶媒４５ｗｔ％）
【００３８】
（絶縁膜成膜用原料の均一性調査）
前記のような熟成条件を維持しながら、各成分を混合してから、０．５時間後、２時間後、１０時間後、２４時間後、１００時間後に、絶縁膜成膜用原料をサンプリングして、均一に混合されているか否か調査した。その結果を表２に示す。
【００３９】
（実施例１９〜２２）
実施例１８の絶縁膜成膜用原料の調製において、各成分の含有率を変えたほかは実施例１８と同様にして絶縁膜成膜用原料を調製した。これらの絶縁膜成膜用原料の熟成時間による均一性について、実施例１８と同様に調査した結果を表２に示す。
【００４０】
（実施例２３〜２５）
実施例１８の絶縁膜成膜用原料の調製において、アセトンの替わりに、各々テトラヒドロフラン、酢酸ブチル、オクタンを用いたほかは実施例１８と同様にして絶縁膜成膜用原料を調製した。これらの絶縁膜成膜用原料の熟成時間による均一性について、実施例１８と同様に調査した結果を表２に示す。
【００４１】
（実施例２６）
実施例１８の絶縁膜成膜用原料の調製において、メチルアルコールの替わりに、エチルアルコールを用いたほかは実施例１８と同様にして絶縁膜成膜用原料を調製した。この絶縁膜成膜用原料の熟成時間による均一性について、実施例１８と同様に調査した結果を表２に示す。
【００４２】
（実施例１８〜２６の結果）
表２の時間の経過による均一性から明らかなように、（Ａ’）リチウムのカルボン酸塩、（Ｂ）テトラメトキシシランまたはテトラエトキシシラン、及び（Ｃ）有機溶媒からなる絶縁膜成膜用原料において、１０時間以上で絶縁膜成膜用原料の調製は、一部やや不均一ながらも実用的であった。
【００４３】
（実施例２７）
実施例１８の絶縁膜成膜用原料（熟成時間：２時間）を用い、図１の装置を使用して、スピンコーター法により、直径５０ｍｍの鉄−ニッケル合金基板上に、リチウムシリケートを主成分とする絶縁膜を成膜した。絶縁膜の成膜の際には、スピンコーター内を室温（２５℃）、常圧に保持し、基板を５０００ｒｐｍで回転するとともに、絶縁膜成膜用原料を２ｇ／ｍｉｎの流量で基板の中心部に滴下、塗布し、その後、基板を取出して６８０℃で３０分間熱処理した。
このようにして得られた絶縁膜を、原子間力顕微鏡により分析した結果、膜厚は０．３μｍであり、高純度で均一なリチウムシリケートを主成分とする絶縁膜が得られていることが確認された。
【００４４】
（実施例２８）
実施例１８の絶縁膜成膜用原料（熟成時間：２時間）を用い、図２の装置を使用して、ミストデポジション法により、直径５０ｍｍの鉄−ニッケル合金基板上に、リチウムシリケートを主成分とする絶縁膜を成膜した。絶縁膜の成膜の際には、ミストデポジション装置内を室温（２５℃）、常圧に保持するとともに、絶縁膜成膜用原料を２ｇ／ｍｉｎの流量でシャワーヘッドに供給して、基板に塗布し、その後、基板を取出して６８０℃で３０分間熱処理した。
このようにして得られた絶縁膜を、原子間力顕微鏡により分析した結果、膜厚は０．５μｍであり、高純度で均一なリチウムシリケートを主成分とする絶縁膜が得られていることが確認された。
【００４５】
（比較例１）
実施例１の絶縁膜成膜用原料の調製において、ｔｅｒｔ‐ブトキシリチウムの替わりに、酸化リチウム（Ｌｉ２Ｏ）を用いたほかは実施例１と同様にして絶縁膜成膜用原料を調製した。この絶縁膜成膜用原料の均一性について、実施例１と同様に調査した結果を表３に示す。
【００４６】
（比較例１の結果）
表３の時間の経過による均一性から明らかなように、比較例１において、１００時間以上で絶縁膜成膜用原料の調製は不均一で実用的でなかった。
【００４７】
【表１】
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【００４８】
【表２】
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【００４９】
【表３】
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【００５０】
【図１】本発明の成膜方法を、スピンコーター法により実施するための装置の一例を示す構成図
【図２】本発明の成膜方法を、ミストデポジション法により実施するための装置の一例を示す構成図
【図３】本発明の成膜方法を、ＣＶＤ法により実施するための装置の一例を示す構成図
【図４】本発明の成膜方法を、ＣＶＤ法により実施するための装置の図３以外の一例を示す構成図
【図５】本発明の成膜方法を、ＣＶＤ法により実施するための装置の図３、図４以外の一例を示す構成図
【図６】本発明のＣＶＤ法による成膜方法に用いられる気化器の一例を示す構成図
【００５１】
１  不活性ガス供給ライン
２  絶縁膜成膜用原料
３  原料容器
４  脱ガス器
５  液体流量制御器
６  断熱材
７  スピンコーター
８  ミストデポジション装置
９  気化器
１０  ＣＶＤ装置
１１  気体流量制御器
１２  キャリアガス供給ライン
１３  基板
１４  回転円盤
１５  シャワ−ヘッド
１６  サセプター
１７  ガス予熱器
１８  酸素、オゾン、水蒸気供給ライン
１９  ガス混合器
２０  気化室
２１  原料供給部
２２  気化ガス排出口
２３  ヒーター
２４  合成樹脂構成部
２５  二重構造の噴出管
２６  冷却水を流す手段
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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