(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁物に電子線を照射することにより該絶縁物の表面を処理する絶縁物の表面処理方法であって、
上記絶縁物に上記電子線を照射すると同時に、該絶縁物に対して正のパルス状電圧と負のパルス状電圧とを交互に印加し、
上記正のパルス状電圧を印加したときに上記絶縁物にたまった電荷を該絶縁物に上記負のパルス状電圧を印加して中和させる絶縁物の表面処理方法。
【請求項２】
上記絶縁物に対して印加する正及び負のパルス状電圧の波形を、パルスピーク値、パルス立ち上がり時間、パルス間隔及びパルス幅のうちの少なくともいずれかが異なる複数のパルスを組み合わせた波形とする請求項１記載の絶縁物の表面処理方法。
【請求項３】
上記絶縁物に印加する正及び負のパルス状電圧の波形を制御することにより、該絶縁物に照射される電子線の照射密度及び／又は照射エネルギーを制御する請求項１記載の絶縁物の表面処理方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、絶縁物に電子線を照射することにより、当該絶縁物の表面を処理する表面処理方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
被処理物に対して表面処理を施すことにより、硬度、弾塑性、電気伝導度、潤滑性、耐久性、耐湿性、耐蝕性、濡れ性、気体透過率などの各種物理的・化学的特性を改善する手法としては、例えば、この被処理物に対して電子線を照射することで表面改質を施す手法（以下、電子線照射法と称する。）が知られている。
【０００３】
この電子線照射法は、図６に示すように、真空容器内のホルダ１００に固定された被処理物１０１に対して、電子線源１０２から電子線１０３を照射することによって行われる。この電子線照射法は、被処理物１０１を加熱する必要がなく、また、電子線の照射エネルギーを制御することによって被処理物１０１の様々な特性を改善することができることから、従来から半導体製造の分野などで用いられている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上述したような電子線照射法は、従来、主として、被処理物１０１が金属等の導電性を有する材料によって形成されている場合に限定されて用いられていた。或いは、被処理物１０１がプラスチック等の絶縁物によって形成されている場合でも、例えば重合処理等のような短時間での処理を必要としない用途に限定されて用いられていた。なぜなら、被処理物１０１が絶縁物の場合に電子線照射法を適用すると、この被処理物１０１に電荷がたまってしまい、いわゆるチャージアップした状態になってしまう。この場合に、被処理物１０１に対して電子線を効果的に照射することができなくなる。したがって、絶縁物に対して電子線照射法を適用する場合には、プロセス時間が長くなってしまい、生産性を向上させることが困難であるといった問題があった。
【０００５】
また、従来の電子線照射法では、被処理物１０１が例えばガラス材料のような絶縁物によって形成されている場合に、ガラス材料が電子線を照射されることによって加熱され、導電性が生じてチャージアップを中和している。ところが、例えば、プラスチック等の絶縁物に対して従来の電子線照射法を適用しようとした場合には、電子線加熱によって被処理物１０１が溶融したり変形したりしてしまうといった問題があった。
【０００６】
本発明は、以上のような従来の実状に鑑みて提案されたものであり、表面処理の対象が絶縁物であっても、電子線照射法によって効果的に表面処理を施すことが可能な絶縁物の表面処理方法を提供することを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
本発明に係る絶縁物の表面処理方法は、絶縁物に電子線を照射することにより絶縁物の表面を処理する絶縁物の表面処理方法である。絶縁物に電子線を照射すると同時に、絶縁物に対して正のパルス状電圧と負のパルス状電圧とを交互に印加し、正のパルス状電圧を印加したときに絶縁物にたまった電荷を絶縁物に負のパルス状電圧を印加して中和させる。
【０００８】
以上のような絶縁物の表面処理方法によれば、絶縁物に対して連続的に電子線を照射した場合であっても、正のパルス状電圧と負のパルス状電圧とを交互に印加することによって、この絶縁物が電気的な平衡状態、いわゆるチャージアップした状態になってしまうことを防止することができる。したがって、絶縁物に対しても連続的且つ効果的に電子線を照射することができる。
【０００９】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態について、図面を参照しながら詳細に説明する。以下では、本発明に係る絶縁物の表面処理法を、図１に示すような表面処理装置１０を用いて行う場合について説明する。この表面処理装置１０は、絶縁物からなる被処理物１１に対して電子線を照射することによって、いわゆる電子線照射法により被処理物１１の表面を処理する表面処理装置である。
【００１０】
本発明において、表面処理の対象となる被処理物１１の材料としては、例えば、アモルファスポリオレフィン（ＡＰＯ）、ポリカーボネート（ＰＣ）、ポリメチルメタクリレート（ＰＭＭＡ）、ポリエチレンテレフタラート（ＰＥＴ）、アクリル樹脂、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂及び塩化ビニル樹脂等のプラスチック、或いはカーボン、ガラス等が挙げられる。
【００１１】
表面処理装置１０は、図１に示すように、真空容器（図示せず。）内に設置されたホルダ１２と、このホルダ１２に固定された被処理物１１に対して電子線を照射する電子線源１３と、被処理物１１に対してパルス状電圧を印加するパルス電源１４とを備える。真空容器は、例えばクライオポンプ等の真空ポンプによって内部が排気され、１０-6Ｔｏｒｒ以下程度の高い真空状態に保たれる。
【００１２】
ホルダ１２は、被処理物１１を支持するためのものであり、真空容器に取り付けられた絶縁性の支持部材によって、真空容器の内部に固定支持されている。絶縁物からなる被処理物１１に対して表面処理を施す際に、この被処理物１１は、ホルダ１２に固定される。
【００１３】
また、ホルダ１２には、冷却水導入用パイプ（図示せず。）が組み込まれている。この冷却水導入用パイプは、例えば、ホルダ１２の支持部材を介して、真空容器の外部に導出されている。この冷却水導入用パイプに冷却水を流すことにより、ホルダ１２に固定された被処理物１１を冷却することができる。
【００１４】
被処理物１１に対して、電子線照射法により電子線を照射すると、被処理物１１の温度が上昇する。しかしながら、被処理物１１が、例えばプラスチック等のように高温での処理が好ましくない材料からなる場合には、電子線照射時に温度が上昇してしまうことは問題である。しかしながら、この表面処理装置１０では、水冷機能を備えたホルダ１２を備えていることにより、被処理物１１に対して電子線を照射する際に、この被処理物１１の温度を制御することが可能とされている。したがって、表面処理装置１０は、被処理物１２が、例えばプラスチック等のように高温での処理が好ましくない材料からなる場合でも、この被処理物１１の温度上昇を抑えて、電子線照射を行うことができる。
【００１５】
電子線源１３は、被処理物１１に対して照射する電子線を発生させる機能を有している。電子線源１３としては、例えば、ホロカソードやフィラメントカソードなどの陰極（カソード）を備えて構成された、いわゆる電子銃を用いることができる。なお、本発明は、電子線源１３の構成に限定されるものではなく、従来から用いられているような各種構成の電子銃を用いることができる。
【００１６】
パルス電源１４は、真空容器内のホルダ１２と電気的に接続されてなり、ホルダ１２を介して、被処理物１１に対してパルス状電圧を印加する機能を有している。パルス電源１４は、従来から用いられている各種回路構成によって構成することができるが、以下ではその一例を挙げて説明する。
【００１７】
パルス電源１４は、例えば、図２に示すように、正の直流電圧源となる第１の電源２１と、負の直流電圧源となる第２の電源２２と、第１の電源２１からの直流電圧をパルス状電圧に変換する第１のインバータ回路２３と、第２の電源２２からの直流電圧をパルス状電圧に変換する第２のインバータ回路２４と、第１及び第２のインバータ回路２３，２４からのパルス状電圧を昇圧するパルストランス２５と、第１及び第２のインバータ回路２３，２４を制御する制御回路２６と、制御回路２６の動作を制御するコンピュータ２７とを備える。
【００１８】
このパルス電源１４では、第１のインバータ回路２３により、第１の電源２１からの正の直流電圧をパルス状電圧に変換するとともに、第２のインバータ回路２４により、第２の電源２２からの負の直流電圧をパルス状電圧に変換する。
【００１９】
これらインバータ回路２３，２４からの出力は、制御回路２６により制御される。すなわち、このパルス電源１４は、正のパルス状電圧を出力する第１のインバータ回路２３と、負のパルス状電圧を出力する第２のインバータ回路２４とが並列に動作するとともに、それらのインバータ回路２３，２４から出力される正負のパルス状電圧をそれぞれ独立に、パルスピーク値、パルス立ち上がり時間、パルス間隔及びパルス幅等を変化させることが可能とされている。
【００２０】
具体的に例えると、制御回路２６は、第１のインバータ回路２３から出力される正のパルス状電圧と、第２のインバータ回路２４から出力される負のパルス状電圧とが交互に出力されるように、第１のインバータ回路２３からの出力と、第２のインバータ回路２４からの出力との切り替え及び出力調整を行う。そして、このように制御回路２６によって制御され、第１及び第２のインバータ回路２３，２４から出力されたパルス状電圧は、パルストランス２５の一次巻線に供給される。
【００２１】
パルストランス２５に供給されたパルス状電圧は、パルストランス２５により昇圧される。パルストランス２５は、二次巻線の一方の端子が接地されているとともに、この二次巻線の他方の端子がホルダ１２を支持する支持部材の内部を通って、ホルダ１２の被処理物固定面に接続されている。したがって、ホルダ１２に被処理物１１が固定されている場合には、パルストランス２５により昇圧されたパルス状電圧が被処理物１１に印加されることとなる。
【００２２】
また、パルス電源１４は、被処理物１１に対して印加するパルス状電圧のパルスピーク値、パルス立ち上がり時間、パルス間隔及びパルス幅、或いは正負パルスの順番等を、コンピュータ２７への入力指示を行うことによって、自由に制御することができるように構成されている。すなわち、このパルス電源１４を用いる際には、どのような波形のパルス状電圧を被処理物１１に対して印加するかをコンピュータ２７に入力する。コンピュータ２７は、この入力指示に基づいて、所望とする波形のパルス状電圧が被処理物１１に印加されるように、制御回路２６に対する指示を出力する。そして、制御回路２６は、コンピュータ２７の指示に基づいて、第１及び第２のインバータ回路２３，２４からの出力を制御する。
【００２３】
具体的に例えると、パルス電源１４では、被処理物１１に印加するパルス状電圧のパルスピーク値を、正負それぞれ１ｋＶから１００ｋＶ程度にまで、正負それぞれ独立に制御可能とされる。また、パルス幅は、１μｓから５０μｓ程度の範囲で制御可能とされる。また、パルス間隔（パルス周期）は、１ｋＨｚから１００ｋＨｚ程度の範囲で制御可能とされる。また、正負のパルス状電圧を出力する順番も、制御回路２６に接続されたコンピュータ２７によって制御可能とされる。
【００２４】
このように、表面処理装置１０では、制御回路２６が正負のパルス状電圧の切り替え及び出力調整を行うことによって、被処理物１１に対して印加するパルス状電圧の波形を自由に制御することができるように構成されている。
【００２５】
このパルス電源１４において、インバータ回路２３，２４には、半導体素子を用いて構成された回路を用いることが好ましい。半導体素子を用いて構成されたインバータ回路は廉価であることから、パルス電源１４に組み込むインバータ回路２３，２４を低コストで実現することが可能となる。また、半導体素子を用いて構成された回路は小型化が容易であることから、パルス電源１４を小型化することが可能となる。
【００２６】
なお、インバータ回路２３，２４として、半導体素子を用いて構成された回路を用いる場合には、インバータ回路２３，２４から高い出力電圧を得ることが難しくなるが、その場合は、上述したパルス電源１４のように、インバータ回路２３，２４からの出力をパルストランス２５によって昇圧するようにすればよい。
【００２７】
また、インバータ回路２３，２４には、真空管を用いて構成された回路を用いてもよい。真空管を用いて構成されたインバータ回路は、高い出力電圧を得ることが可能である。したがって、インバータ回路２３，２４として、真空管を用いて構成された回路を用いる場合には、パルストランス２５を介さずに、インバータ回路２３，２４から出力されるパルス状電圧を被処理物１１に直接印加するようにしてもよい。
【００２８】
以上のように構成された表面処理装置１０を用いて、絶縁物からなる被処理物１１に対して電子線を照射を行って表面処理を施す際には、先ず、表面処理の対象となる被処理物１１を、真空容器内に設けられたホルダ１２に固定する。その後、真空容器の内部を真空ポンプによって排気して、高真空状態とする。このときの真空容器内の圧力は、例えば１０-6Ｔｏｒｒ以下程度とする。
【００２９】
なお、被処理物１１が、例えばプラスチック等のように高温での処理が好ましくない材料からなる場合には、ホルダ１２に組み込まれた冷却水導入用パイプに冷却水を流して、被処理物１１の温度が上がりすぎないようにしておく。
【００３０】
次に、電子線源１３によって電子線を発生させ、この電子線を被処理物１１に対して照射する。また、電子線を照射すると同時に、パルス電源１４によって発生させたパルス状電圧を、被処理物１１に対して印加する。
【００３１】
このとき、被処理物１１は、電子線が照射されることによって、照射された表面における原子構造や組成が変質し、硬度、弾塑性特性、電気伝導度、潤滑性、耐久性、耐湿性、耐蝕性、濡れ性、気体透過率などの各種物理的・化学的特性が変化して、表面改質層が形成される。具体的には、例えば、エポキシ樹脂に対して電子線照射を行うと、重合反応が起こり、エポキシ構造が炭素−炭素二重結合に変化するといったことが起こる（Hirai et al.,J.Electrochem. Soc.,118(1971)669）。
【００３２】
そして、上述したようにして、被処理物１１に印加するパルス状電圧の波形を制御することによって、照射される電子線の照射密度及び／又は照射エネルギーを制御し、この被処理物１１の表面に形成される表面改質層が所望とする特性を有するように表面処理を行うことができる。
【００３３】
また、絶縁物である被処理物１１が、例えばプラスチック等のように、特に炭素を含む材料である場合には、図３に示すように、照射される電子線の照射エネルギーに応じて、この被処理物１１の表面近傍に位置していた炭素、水素、酸素などの粒子がはじき出されて、それらのラジカルやイオンが生成されることがある。なお、図３においては、電子線源１３及び電子線の図示を省略して示す。
【００３４】
そして、被処理物１１から生成されたラジカルやイオン等の粒子は、被処理物１１に印加されたパルス状電圧によって、この被処理物１１に引き込まれ、再注入される。このように、被処理物１１からスパッタされた粒子や、加熱による蒸発・昇華された粒子が再注入されることによっても、この被処理物１１の表面には、その物理的・化学的特性が変化した表面改質層が形成される。
【００３５】
すなわち、このように被処理物１１からスパッタされた粒子や、加熱による蒸発・昇華された粒子が被処理物１１自身に再注入される場合には、この被処理物１１自身がイオン源としての役割を兼ねていることとなる。このため、表面処理装置１０では、独立したイオン源を設置せずに、被処理物１１に対して、いわゆるイオン注入を行うことが可能となる。したがって、表面処理装置１０は、イオン源を不要とした低コストなイオン注入装置として用いることができる。
【００３６】
このように、被処理物１１に対して電子線を照射するとともに、パルス状電圧を印加することによって、電子線照射されることによって原子構造や組成が変化したり、イオン注入が行われたりして形成された表面改質層を、被処理物１１の表面に形成することができる。
【００３７】
より詳細には、正のパルス状電圧を被処理物１１に印加したときに、電子線源１３から照射された電子線が被処理物１１に向けて加速され、この被処理物１１に対して効果的に照射される。ここで、被処理物１１に対する電子線の照射密度及び／又は照射エネルギーは、この被処理物１１に印加する正のパルス状電圧のパルスピーク値、パルス立ち上がり時間、パルス間隔、パルス幅等に依存する。したがって、被処理物１１に印加する正のパルス状電圧の波形を制御することにより、被処理物１１に照射される電子線の照射密度及び／又は照射エネルギーを制御することができる。
【００３８】
ところで、このように正のパルス状電圧を印加しながら被処理物１１に対して電子線照射を行い続けると、被処理物１１が電気的な平衡状態、いわゆるチャージアップした状態となってしまう。被処理物１１がこのような状態となると、効果的に電子線を照射することができない。そこで、この表面処理装置１０では、被処理物１１に対して負のパルス状電圧を適度に印加することによって、被処理物１１の電気的な平衡状態を崩し、チャージアップしないようにする。
【００３９】
より詳細には、負のパルス状電圧を被処理物１１に印加することにより、この被処理物１１にたまっていた電荷が中和される。このように、被処理物１１にたまっていた電荷を中和しておけば、その後、正のパルス状電圧を印加した際に、被処理物１１に対して電子線が効果的に照射されることとなる。
【００４０】
また、負のパルス状電圧を被処理物１１に印加した際には、上述したようにして、正のパルス状電圧を印加したときに当該被処理物１１からラジカルやイオンの状態で生成された粒子が、この被処理物１１に対して再注入されて、いわゆるイオン注入が行われることとなる。
【００４１】
このとき、この被処理物１１に印加する負のパルス状電圧のパルスピーク値、パルス立ち上がり時間、パルス間隔、パルス幅など、すなわち、負のパルス状電圧の波形をパルス電源１４によって制御することにより、被処理物１１にたまっていた電荷の中和の程度や、粒子の再注入量などを制御することができる。
【００４２】
したがって、以上のような手法によって被処理物１１に対して電子線を照射することによって、この被処理物１１がチャージアップした状態になってしまうことを防止しながら、絶縁物である被処理物１１に対しても連続的且つ効果的に電子線照射を行うことができる。これにより、プロセス時間を短くして、生産性を向上させることができる。
【００４３】
つぎに、上述した表面処理装置１０によって電子線照射を行う際に、被処理物１１に印加するパルス状電圧の波形について、図４を参照しながら、具体的な例を挙げて説明する。なお、被処理物１１に印加するパルス状電圧の波形は、図４に示すような例に限定されるものではなく、上述したように、パルスピーク値やパルス立ち上がり時間等を制御することによって、所望とする表面処理が行われるように調整すればよい。
【００４４】
被処理物１１に印加するパルス状電圧は、例えば、図４に示すように、先ず、正のパルス状電圧を印加し、その直後に、パルスピークの絶対値がほぼ等しい負のパルス状電圧を印加し、その後、電圧を印加しない期間を設けた波形とする。そして、このような波形のパルス列を被処理物１１に対して繰り返し印加する。
【００４５】
パルス状電圧を図４に示すような波形にした場合では、正の電圧を印加したときに、この被処理物１１に対して効果的に電子線が照射されることとなる。また、負のパルス電圧を印加したときには、被処理物１１からラジカルやイオンの状態で生成された粒子が、被処理物１１に引き込まれて再注入される。また、このとき、被処理物１１にたまっていた電荷が中和される。これにより、再び正のパルス電圧を印加したときに、電子線が効果的に被処理物１１に照射されることとなる。
【００４６】
したがって、図４に示すような波形のパルス状電圧を被処理物１１に印加することにより、絶縁物である被処理物１１がチャージアップしてしまうことがなく、この被処理物１１への電子線照射を連続的且つ効果的に行うことができる。
【００４７】
ところで、上述した表面処理装置１０では、電子線源１３をパルス動作可能としたり、この電子線源１３と被処理物１１との間に開閉自在なシャッタを設けたりして構成してもよい。これにより、被処理物１１に対する電子線の照射を断続的に行うことができる。したがって、例えば、被処理物１１に対して印加するパルス状電圧に同調させて、電子線の照射を断続的に行うことにより、被処理物１１に対して純粋に電子線照射だけ、或いは純粋にイオン注入だけを行うとしてもよい。したがって、被処理物１１に対する表面処理を、所望とする条件でより細かく制御して行うことが可能となる。
【００４８】
【実施例】
つぎに、図１に示した表面処理装置１０を用いて、本発明に係る表面処理方法を実際に行った場合の実施例について説明する。
【００４９】
第１の実施例
本実施例において、被処理物１１は、エポキシ樹脂を円板状に成形したプラスチック基板とした。
【００５０】
先ず、表面処理の対象となるプラスチック基板を、真空容器内に設けられたホルダ１２に固定するとともに、このプラスチック基板の温度が上昇しすぎないように、ホルダ１２に組み込まれた冷却水導入用パイプに冷却水を流した。そして、真空容器の内部を排気して、高真空状態とした。
【００５１】
次に、電子線源１３から電子線を発生させ、プラスチック基板に対して照射した。このとき、電子線のプラスチック基板に対する照射密度は、１ｍＡ／ｃｍ2とした。また、同時に、このプラスチック基板に対して、パルス電源１４によってパルス状電圧を印加した。このパルス状電圧の波形は、図４に示したような、負のパルス状電圧と正のパルス状電圧とが交互に印加される波形とした。また、このパルス状電圧は、パルス幅を１０μｓ、正負のパルスピーク電圧を１０ｋＶ、パルス周期を１０ｋＨｚとした。そして、このプラスチック基板に対して、表面処理を１０分間行った。
【００５２】
次に、表面処理を施したプラスチック基板に対して、日本電気株式会社製の薄膜硬度計「ＭＨＡ−４００」によってナノインデンテーション試験を行った。この試験における測定の結果、表面処理を施す前のプラスチック基板の硬度が０．２ＧＰａであったのに対して、表面処理を施した後のプラスチック基板の硬度は、１．０ＧＰａであった。したがって、本発明に係る表面処理方法によれば、プラスチック基板の表面を改質して、硬度を変化させることができる。
【００５３】
第２の実施例
本実施例においては、ポリイミド樹脂を成形したプラスチック基板を被処理物１１として用いて、上述した第１の実施例と同様にして表面処理を行った。次に、表面処理を施したプラスチック基板に対して、水に対する濡れ性を測定した。この測定には、協和界面科学社製の接触角計（ＣＡ−Ｄ型）を用いた。この測定試験の結果、表面処理を施す前のプラスチック基板と水との接触角が１０６゜であったのに対して、表面処理を施した後のプラスチック基板と水との接触角は、５０゜であった。したがって、本発明に係る表面処理方法によれば、プラスチック基板の表面を改質して、濡れ性を変化させることができる。
【００５４】
さらに、プラスチック基板の表面における電気抵抗を測定したところ、表面処理を施す前は６ＭΩ／ｓｑ．であったのに対して、表面処理を施した後は、２ｋΩ／ｓｑ．であった。したがって、本発明に係る表面処理方法によれば、プラスチック基板の表面を改質して、表面の電気抵抗値を変化させることができる。
【００５５】
第３の実施例
本実施例においては、アモルファスポリオレフィン（ＡＰＯ）を成形したプラスチック基板を被処理物１１として用いて、上述した第１の実施例と同様にして表面処理を行った。この第２の実施例では、プラスチック基板に印加するパルス状電圧を、上述した第１の実施例と同様に、図４に示したような正のパルス状電圧と負のパルス状電圧とが交互に現れる波形とした。
【００５６】
また、この第２の実施例では、以下に示すような表面処理条件で第１乃至第３のサンプルディスクを作製した。他の条件は、第１の実施例と同じとした。
【００５７】
サンプルディスクの表面処理条件
パルスピーク電圧  ：  ＋１０ｋＶ，−１０ｋＶ
パルス周期        ：  １０ｋＨｚ
処理時間          ：  １０ｍｉｎ
そして、作製した各サンプルディスクについて、第１の実施例と同様にしてナノインデンテーション試験を行った。このときの測定結果を図５に示す。なお、図５において、横軸は押し込み硬度試験用のダイヤモンド圧子（Berkovich圧子）の押し込み深さを示しており、縦軸はこのダイヤモンド圧子に加えた押し込み荷重の大きさを示している。
【００５８】
図５に示す結果から、プラスチック基板に対して、本発明に係る表面処理を行うことによって、塑性変形のないプラスチック基板を作製することができることがわかる。
【００５９】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明によれば、電子線照射法を絶縁物に対して適用する場合であっても、照射された電子線によって、この絶縁物が、いわゆるチャージアップした状態になってしまうようなことがない。したがって、絶縁物に対しても連続して効果的に電子線を照射することができ、プロセス時間を短くして、生産性を向上させることができる。
【００６０】
特に本発明によれば、絶縁物であるプラスチックに対しても電子線照射法を適用し、このプラスチックに対して効率的に表面処理を施すことが可能となる。すなわち、本発明によれば、プラスチックに対して電子線照射法による表面処理を施して、硬度、弾塑性特性、電気伝導度、潤滑性、耐久性、耐湿性、耐蝕性、濡れ性、気体透過率などの各種物理的・化学的特性を改善することが可能となる。したがって、本発明によれば、従来は金属やガラスなどによって作られていた様々な部品を、安価なプラスチックに置き換えることが可能となり、産業上極めて有効である。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明に係る絶縁物の表面処理方法を行う際に用いる表面処理装置の一構成例を示す概略図である。
【図２】同表面処理装置に備えられるパルス電源の回路構成の一構成例を示す概略図である。
【図３】本発明に係る絶縁物の表面処理方法によって、被処理物に対してイオン注入が行われる様子を説明するための概略図である。
【図４】本発明を適用して表面処理を施す際に被処理物に印加するパルス状電圧の波形の一例を示す図である。
【図５】本発明を適用して表面処理を施したサンプルディスクに対して、ナノインデンテーション試験を行った結果を示す図である。
【図６】従来の電子線照射法を説明するための概略図である。
【符号の説明】
１０  表面処理装置、１１  被処理物、１２  ホルダ、１３  電子線源、１４パルス電源
【図１】
0004682387.tif 000002
【図２】
0004682387.tif 000003
【図３】
0004682387.tif 000004
【図４】
0004682387.tif 000005
【図５】
0004682387.tif 000006
【図６】
0004682387.tif 000007