(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
回路基板と、
バンプを挟んで前記回路基板の主面上に実装された第１半導体チップと、
前記第１半導体チップとの間に１ｍｍ以下の隙間を設けてバンプを挟んで前記回路基板の前記主面上に実装された第２半導体チップと、
前記第１半導体チップと前記第２半導体チップとの間の前記回路基板上において、設けられた凸部または凹部と、
前記第１半導体チップに接合されている前記バンプの周囲を覆うとともに前記第１半導体チップと前記回路基板との間に介在する第１封止樹脂層と、
前記第２半導体チップに接合されている前記バンプの周囲を覆うとともに前記第２半導体チップと前記回路基板との間に介在する第２封止樹脂層と、
前記回路基板の前記主面側において前記第１半導体チップおよび前記第２半導体チップを覆うカバー部と、
を備えて、
前記凸部または凹部が、前記第１封止樹脂層と前記第２封止樹脂層とを分離させていることを特徴とするＳＤメモリカード。
【請求項２】
前記の凸部の前記回路基板面からの高さが、前記第１半導体チップと前記第２半導体チップの上面より低い請求項１記載のＳＤメモリカード。
【請求項３】
前記カバー部が、前記第１半導体チップおよび前記第２半導体チップを収容する凹部を有するとともに前記凹部の開口を介して前記回路基板に取り付けられる成型部品からなることを特徴とする請求項１または２に記載のＳＤメモリカード。
【請求項４】
前記第１封止樹脂層および前記第２封止樹脂層が、前記回路基板の前記主面に貼付されたフィルム状の樹脂材料からなることを特徴とする請求項１から３のいずれか１項に記載のＳＤメモリカード。
【請求項５】
前記第１半導体チップが情報を記憶するＳＤチップであり、
前記第２半導体チップが、前記第１半導体チップを制御するコントロールチップであることを特徴とする請求項１から４のいずれか１項に記載のＳＤメモリカード。
【請求項６】
前記第１半導体チップとの間に１ｍｍ以下の隙間を設けてバンプを挟んで前記回路基板の前記主面上に実装された第３半導体チップと、
前記第３半導体チップに接合されている前記バンプの周囲を覆うとともに前記第３半導体チップと前記回路基板との間に介在する第３封止樹脂層と、をさらに備えていることを特徴とする請求項１から５のいずれか１項に記載のＳＤメモリカード。
【請求項７】
ａ）回路基板の主面に第１封止樹脂層を形成するステップと、
ｂ）前記回路基板の前記主面に第２封止樹脂層を形成するステップと、
ｃ）第１半導体チップを前記第１封止樹脂層を介して前記回路基板の前記主面に向けて押圧してバンプを挟んで前記第１半導体チップを前記回路基板に電気的に接続するとともに前記第１封止樹脂層を硬化させるステップと、
ｄ）前記ｃ）ステップと並行して、前記第１半導体チップとの間に１ｍｍ以下の隙間を設けてバンプを挟んで前記回路基板の前記主面上に、第２半導体チップを前記第２封止樹脂層を介して前記回路基板の前記主面に向けて押圧してバンプを挟んで前記第２半導体チップを前記回路基板に電気的に接続するとともに前記第２封止樹脂層を硬化させるステップと、
ｅ）前記回路基板の前記主面側において前記第１半導体チップおよび前記第２半導体チップをカバー部で覆うステップと、
を含むことを特徴とするＳＤメモリカードの製造方法。
【請求項８】
前記第１半導体チップと前記第２半導体チップとの間の前記回路基板上において、凸部または凹部を設けて配置されることを特徴とする請求項７に記載のＳＤメモリカードの製造方法。
【請求項９】
前記第１封止樹脂層および前記第２封止樹脂層が同一種類の樹脂材料からなり、前記ａ）ステップおよび前記ｂ）ステップを連続して、または、互いに並行して行うことを特徴とする請求項７または８に記載のＳＤメモリカードの製造方法。
【請求項１０】
前記カバー部が凹部を有する成型部品であって、
前記ｅ）ステップにおいて、前記カバー部の前記凹部の開口に前記第１半導体チップおよび前記第２半導体チップを収容するとともに、前記カバー部が前記凹部の開口を介して前記回路基板に取り付けられることを特徴とする請求項７から９のいずれか１項に記載のＳＤメモリカードの製造方法。
【請求項１１】
前記ａ）ステップにおいて、フィルム状の樹脂材料を前記回路基板の前記主面に貼付することにより前記第１封止樹脂層が形成され、
前記ｂ）ステップにおいて、フィルム状の樹脂材料を前記回路基板の前記主面に貼付することにより前記第２封止樹脂層が形成されることを特徴とする請求項７から１０のいずれか１項に記載のＳＤメモリカードの製造方法。
【請求項１２】
前記第１半導体チップが情報を記憶するメモリチップであり、
前記第２半導体チップが、前記第１半導体チップを制御するコントロールチップであることを特徴とする請求項７から１１のいずれか１項に記載のＳＤメモリカードの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、メモリカードおよびメモリカードの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、情報を記録する記録媒体の一つとしてメモリチップを内蔵したメモリカードが利用されている。また、メモリカードは携帯性に優れているため、携帯型情報端末や携帯電話などの携帯型電子機器の記録媒体として広く使用されている。そして、これらの携帯型電子機器は、携帯性向上などの観点から小型化および薄型化の要求に伴ってメモリカードのさらなる小型化が要望されている。さらに、メモリカードでは、形状や大きさ、厚さなどが規格で定められているため、規格を満足しつつ大容量化を実現することが求められる。
【０００３】
そこで、リードフレーム上に搭載されたメモリチップ上に、もう１つのメモリチップをずらして積層する。そして、２つのメモリチップの電極およびリードフレーム上に搭載されたコントロールチップの電極を金ワイヤを介してリードフレームに接続して、メモリカードを薄型化する技術が開示されている（例えば、特許文献１参照）。
【０００４】
しかしながら、特許文献１のメモリカードでは、メモリチップを積層しているため薄型化に限界があり、さらに構造も複雑になる。また、メモリチップやコントロールチップのリードフレームへの実装をワイヤボンディングで行うため、実装後にこれらの各チップやワイヤ、リードフレームなどを熱硬化性樹脂などにより封止する必要がある。このとき、メモリチップやワイヤを十分に覆う厚い封止層が必要となるため、メモリカードの小型化や薄型化に限界がある。また、実装ステップとは別に封止ステップが必要となるため、製造コストの低減にも限界がある。
【０００５】
一方、メモリチップやコントロールチップなどの半導体チップの実装方法として、半導体チップの電極と回路基板の電極とをバンプを挟んで接合するフリップチップ実装が知られている。フリップチップ実装は、回路基板の電極上に付与された樹脂を介して半導体チップを回路基板に押圧し、この状態で樹脂を硬化することにより半導体チップを回路基板に実装するものである。これにより、実装された半導体チップなどを覆う封止層を不要とし、特許文献１のメモリカードに比べて小型化や薄型化が可能となる。このとき、メモリカードの薄型化には、メモリチップやコントロールチップなどを回路基板上で積層せずに平面的に配置し、メモリカードの小型化には、これらの半導体チップが互いに近接して配置することが要求される。
【０００６】
しかし、フリップチップ実装では、半導体チップを回路基板に押圧する際に、半導体チップの下方の樹脂が半導体チップの周囲に広がり、その状態で硬化する。このため、複数の半導体チップを、例えば１ｍｍ以下で近接して配置すると、一方の半導体チップの実装に使用される樹脂が、周囲に配置される別の半導体チップの実装予定領域にまではみ出して硬化する。また、別の半導体チップの実装予定領域に既に付与されている樹脂層が、一方の半導体チップの硬化時に変質する。その結果、実装予定領域に別の半導体チップを実装することが困難となる。一方、樹脂層のはみ出しや変質を避けるために、１ｍｍを超えて離して複数の半導体チップを配置すると、メモリカードを小型化できない。このように、半導体チップをある程度（例えば、１ｍｍ）以下に近接させて実装することは困難であるため、メモリカードの小型化に限界がある。
【特許文献１】特開２００４−１３７３８号公報
【発明の開示】
【０００７】
本発明のメモリカードは、回路基板と、バンプを挟んで回路基板の主面上に実装された第１半導体チップと、第１半導体チップとの間に１ｍｍ以下の隙間を設けてバンプを挟んで回路基板の主面上に実装された第２半導体チップと、第１半導体チップに接合されているバンプの周囲を覆うとともに第１半導体チップと回路基板との間に介在する第１封止樹脂層と、第２半導体チップに接合されているバンプの周囲を覆うとともに第２半導体チップと回路基板との間に介在する第２封止樹脂層と、回路基板の主面側において第１半導体チップおよび第２半導体チップを覆うカバー部と、を備える。
【０００８】
この構成により、構造を簡略化できるとともに、小型で薄型のメモリカードを実現できる。
【０００９】
また、本発明のメモリカードの製造方法は、ａ）回路基板の主面に第１封止樹脂層を形成するステップと、ｂ）回路基板の主面に第２封止樹脂層を形成するステップと、ｃ）第１半導体チップを第１封止樹脂層を介して回路基板の主面に向けて押圧してバンプを挟んで第１半導体チップを回路基板に電気的に接続するとともに第１封止樹脂層を硬化させるステップと、ｄ）ｃ）ステップと並行して第２半導体チップを第２封止樹脂層を介して回路基板の主面に向けて押圧してバンプを挟んで第２半導体チップを回路基板に電気的に接続するとともに第２封止樹脂層を硬化させるステップと、ｅ）回路基板の主面側において第１半導体チップおよび第２半導体チップをカバー部で覆うステップとを含む。
【００１０】
この方法により、生産性に優れ、信頼性の高い小型で薄型のメモリカードを容易に作製できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１１】
以下、本発明の実施の形態について、図面を参照しながら説明する。なお、同じ要素については同じ符号を付し、説明を省略する場合がある。
【００１２】
（第１の実施の形態）
図１は、本発明の第１の実施の形態に係るメモリカード１の構成を示す平面図である。図２は、メモリカード１を図１の２−２線の位置で切断した断面図である。なお、図１では、メモリカード１の内部構造の理解を容易にするために、カバー部７については輪郭のみを破線で示しており、以下の図５、図７および図８についても同様である。
【００１３】
本実施の形態では、メモリカード１はＳＤメモリカード（Ｓｅｃｕｒｅ  Ｄｉｇｉｔａｌ  ｍｅｍｏｒｙ  ｃａｒｄ）である。通常、メモリカード１の長さと幅（図１中の左右方向と上下方向の大きさ）および厚さ（図２中の上下方向の大きさ）は、それぞれ、１４．９ｍｍ以上１５．１ｍｍ以下、１０．９ｍｍ以上１１．１ｍｍ以下および０．９ｍｍ以上１．１ｍｍ以下である。また、便宜上、図２中の上側および下側をそれぞれ、メモリカード１の上側および下側として説明するが、以下の各実施の形態においても同様である。
【００１４】
図１と図２に示すように、メモリカード１は、略矩形状の回路基板２と、ボールバンプ（いわゆる「スタッドバンプ」であり、以下、単に「バンプ」と記す）３３を挟んで回路基板２の上側の主面（以下、「上面」と記す）２１上に実装された第１半導体チップ３と、バンプ５３を挟んで回路基板２の上面２１に実装された第２半導体チップ５と、第１半導体チップ３および第２半導体チップ５と回路基板２との間に介在する封止樹脂層４と、回路基板２の上面２１にはんだを用いて実装される抵抗などの微細なチップ部品６と、回路基板２の上面２１側において第１半導体チップ３、第２半導体チップ５、封止樹脂層４とチップ部品６とを覆うカバー部７を備える。なお、第１半導体チップ３と第２半導体チップ５を実装する位置のメモリカード１の厚さは０．６ｍｍ以上０．８ｍｍ以下である。
【００１５】
回路基板２は、ＦＲ−４．５相当のガラスエポキシ基板であり、厚さは０．１ｍｍ以上０．４ｍｍ以下である。図２に示すように、回路基板２は、第１半導体チップ３が接合される電極２１１、第２半導体チップ５が接合される電極２１２およびチップ部品６が接合される電極２１３を上面２１に備える。さらに、回路基板２は、外部の電子機器との接続用の複数の外部電極２２１を下面２２に備える。外部電極２２１は、回路基板２の下面２２から上面２１へと連通するスルーホール（図示せず）を介して、上面２１上に設けられている配線と電気的に接続される。
【００１６】
第１半導体チップ３と第２半導体チップ５はベアチップであり、厚さはそれぞれ０．０５ｍｍ以上０．３ｍｍ以下である。ここで、第１半導体チップ３は情報を記憶するメモリチップで、第２半導体チップ５は第１半導体チップ３を制御するコントロールチップである。そして、回路基板２上で第２半導体チップ５と第１半導体チップ３とは、重ならないように、その間に、例えば０ｍｍを超えて、１ｍｍ以下の隙間を設けて配置されている。このとき、メモリカード１の回路基板２上には、第１半導体チップ３と第２半導体チップ５のみが実装されている。
【００１７】
第１半導体チップ３は下面の電極上に形成されたバンプ３３を備え、バンプ３３は封止樹脂層４により回路基板２の電極２１１と接続されている。同様に、第２半導体チップ５は下面の電極上に形成されたバンプ５３を備え、バンプ５３は封止樹脂層４により回路基板２の電極２１２と接続されている。
【００１８】
本実施の形態では、封止樹脂層４は、例えばフィルム状の樹脂材料などの非導電性樹脂フィルム（ＮＣＦ（Ｎｏｎ−Ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ  Ｆｉｌｍ））を回路基板２の上面２１に貼付することにより形成されている。以下の説明においては、封止樹脂層４のうち、第１半導体チップ３に接合されているバンプ３３の周囲を覆うとともに第１半導体チップ３と回路基板２との間に介在する部位を「第１封止樹脂層４１」と記す。また、第２半導体チップ５に接合されているバンプ５３の周囲を覆うとともに第２半導体チップ５と回路基板２との間に介在する部位を「第２封止樹脂層４２」と記す。そして、メモリカード１では、第１封止樹脂層４１と第２封止樹脂層４２として、例えばＮＣＦなどの同一種類の樹脂材料が連続して設けられて形成されている。
【００１９】
カバー部７は、例えばエポキシ樹脂などで形成された成型部品からなり、第１半導体チップ３、第２半導体チップ５、封止樹脂層４とチップ部品６を収容する凹部７１を備える。そして、カバー部７は、その凹部７１の開口を介して回路基板２に取り付けられる。
【００２０】
以下に、本発明の第１の実施の形態に係るメモリカード１の製造方法について図３と図４Ａ、図４Ｂを用いて説明する。図３は、メモリカード１の製造方法を説明するフローチャートであり、図４Ａと図４Ｂは、メモリカード１の製造方法の主なステップを説明する断面図である。なお、図４Ａと図４Ｂは、図２と同様に、メモリカード１を図１の２−２線の位置で切断した断面図で示している。
【００２１】
まず、図４Ａに示すように、第１半導体チップ３の下面の電極上にバンプ３３を形成する（ステップＳ１１）。次に、第２半導体チップ５の下面の電極上にバンプ５３を形成する（ステップＳ１２）。
【００２２】
次に、回路基板２の上面２１において、第１半導体チップ３を実装する予定の複数の電極２１１を含む領域（以下、「第１実装領域」と記す）と第２半導体チップ５を実装する予定の複数の電極２１２を含む領域（以下、「第２実装領域」と記す）にＮＣＦを貼付して封止樹脂層４を形成する（ステップＳ１３）。ここでは、回路基板２の上面２１の第１実装領域にＮＣＦを貼付して第１封止樹脂層４１を形成し、それと並行して、第２実装領域に第１封止樹脂層４１と同一種類のＮＣＦを貼付して第２封止樹脂層４２を形成する。すなわち、封止樹脂層４は、第１封止樹脂層４１と第２封止樹脂層４２で構成される。
【００２３】
次に、実装装置（図示せず）のチップ保持部により、第１半導体チップ３の下面が回路基板２の上面２１と対向して保持される。そして、チップ保持部を回路基板２に対して相対的に移動して第１半導体チップ３の位置を調整する。これにより、バンプ３３は第１封止樹脂層４１（封止樹脂層４）を介して電極２１１と対向する。さらに、チップ保持部を下降させて、第１半導体チップ３を回路基板２上に装着する。また、同様の動作により第２半導体チップ５を第２封止樹脂層４２（封止樹脂層４）を介して回路基板２上に装着する。
【００２４】
その後、図４Ｂに示すように、押圧ツール９１で第１半導体チップ３と第２半導体チップ５を、対応する第１封止樹脂層４１と第２封止樹脂層４２を介して回路基板２の上面２１に向けて押圧する。同時に、第１半導体チップ３と第２半導体チップ５を回路基板２に対して押圧した状態で、押圧ツール９１に設けられたヒータ９２で加熱する。
【００２５】
これにより、第１半導体チップ３をバンプ３３を挟んで回路基板２と電気的に接続するとともに、第１封止樹脂層４１を硬化させて第１半導体チップ３を回路基板２と接合し、実装する。同時に、第１半導体チップ３の実装と並行して、第２半導体チップ５をバンプ５３を挟んで回路基板２と電気的に接続するとともに、第２封止樹脂層４２を硬化させて第２半導体チップ５を回路基板２と接合し、実装する（ステップＳ１４）。
【００２６】
次に、図２に示すように、回路基板２の上面２１の電極２１３上に付与されたはんだを介してチップ部品６を搭載してリフローを行う。これにより、チップ部品６の電極と回路基板２の電極２１３を接合し、実装する（ステップＳ１５）。
【００２７】
次に、カバー部７を、その凹部７１の開口を介して回路基板２に取り付ける。これにより、回路基板２の上面２１側において、第１半導体チップ３、第２半導体チップ５、封止樹脂層４とチップ部品６がカバー部７で覆われ、メモリカード１が作製される（ステップＳ１６）。
【００２８】
以上に説明したように、本実施の形態のメモリカード１によれば、第１半導体チップ３と第２半導体チップ５が、バンプ３３、５３を挟んで封止樹脂層４を介して回路基板２に、並行して同時にフリップチップ実装される。このとき、第１半導体チップ３と第２半導体チップ５とを、例えば０ｍｍを超えて１ｍｍ以下の隙間を設けて配置することができる。
【００２９】
これにより、第１半導体チップ３と第２半導体チップ５を近接させて回路基板２の上面２１に沿う方向に並べて実装できるため、構造が簡素化された、小型で薄型のメモリカード１を実現できる。また、厚さなどが規格化されているメモリカード１において、従来、回路基板２や第１半導体チップ３と第２半導体チップ５の積層のために必要となる過剰な薄型化を避けることができる。その結果、変形などに対する機械的な強度を高め、信頼性に優れたメモリカードが得られる。
【００３０】
一方、従来のメモリカードでは、半導体チップを、例えばワイヤボンディングにより回路基板に実装する場合、実装後に半導体チップとワイヤを、例えば粘度が低い熱硬化性樹脂などにより封止するステップが必要であった。そのため、回路基板の上面側で半導体チップなどを覆って熱硬化性樹脂の成型により、メモリカードのカバー部を一体に形成する場合がある。
【００３１】
これに対して、本実施の形態では、第１半導体チップ３と第２半導体チップ５を、バンプ３３、５３を挟んで回路基板２にフリップチップ実装する。そのため、必ずしも粘度の低い熱硬化性樹脂などにより第１半導体チップ３と第２半導体チップ５などを封止したり、カバー部を形成する必要がない。その結果、カバー部７の材料や形成方法に対する選択の自由度が向上する。また、第１半導体チップ３と第２半導体チップ５とをフリップチップ実装することにより、ワイヤボンディング実装に比べて、実装時の接続の信頼性が向上する。さらに、第１半導体チップ３と第２半導体チップ５を、第１封止樹脂層４１と第２封止樹脂層４２からなる封止樹脂層４を介して回路基板に実装するため、両半導体チップと回路基板２との電気的接続部を別途封止するステップを省略し、メモリカード１の製造を簡素化することができる。
【００３２】
また、本実施の形態では、第１封止樹脂層４１と第２封止樹脂層４２はともに封止樹脂層４の一部であるため、同一種類の樹脂材料などを用いて互いに連続して形成できる。これにより、メモリカード１の製造方法をより簡素化することができる。また、封止樹脂層４を、例えばフィルム状の樹脂材料からなるＮＣＦの回路基板２の上面２１への貼付により形成できるため、メモリカード１の製造をさらに簡素化することができる。さらに、予め形成した成型部品からなるカバー部７で第１半導体チップ３と第２半導体チップ５などを覆う構成とすることにより、熱硬化性樹脂や熱可塑性樹脂などで封止してカバー部を形成する場合に比べて、メモリカード１の製造をよりいっそう簡素化することができる。
【００３３】
また、本実施の形態によれば、第１半導体チップ３と第２半導体チップ５を並行して同時に実装するため、一方の半導体チップの実装が他方の半導体チップの実装に与える影響を回避し、２つの半導体チップを回路基板２に良好に実装できる。つまり、第１半導体チップの実装後に第２半導体チップの実装を行う場合、第１半導体チップによる第１封止樹脂層が、第２封止樹脂層へと押し出されて硬化するため、第２半導体チップを実装できなくなるという課題を未然に防止できる。
【００３４】
なお、本実施の形態では、第１封止樹脂層４１と第２封止樹脂層４２とを、同一種類の樹脂材料などで互いに連続して形成した例で説明したが、これに限られない。例えば、第１封止樹脂層４１と第２封止樹脂層４２とを個別に形成してもよい。すなわち、回路基板２の第１実装領域への第１封止樹脂層４１の形成と連続して、回路基板２の上面２１の第２実装領域にＮＣＦを貼付し、第２封止樹脂層４２を形成してもよい。さらに、第１封止樹脂層４１と第２封止樹脂層４２とを、互いに異なる種類の樹脂材料で形成してもよい。
【００３５】
また、本実施の形態では、第１半導体チップ３と第２半導体チップ５をはんだ接合でフリップチップ実装する場合、以下の方法で実装してもよい。つまり、第１半導体チップ３と第２半導体チップ５を回路基板２にはんだ接合した後、回路基板２と第１半導体チップ３および第２半導体チップ５との間に封止樹脂を並行して注入し、両半導体チップと回路基板２との電気的接続部を封止してもよい。これにより、第１半導体チップ３と第２半導体チップ５を１ｍｍ以下の隙間を設けて実装できるので、構造が簡素化でき、小型で薄型のメモリカード１を実現できる。
【００３６】
（第２の実施の形態）
以下に、本発明の第２の実施の形態に係るメモリカードについて、図５と図６を用いて説明する。
【００３７】
図５は、本発明の第２の実施の形態に係るメモリカード１ａの構成を示す平面図である。図６は、メモリカード１ａを図５の６−６線の位置で切断した断面図である。
【００３８】
図５と図６に示すように、メモリカード１ａは、図１と図２に示すメモリカード１の構成に、バンプ８３を挟んで回路基板２の上面２１上に実装された、例えばメモリチップなどの第３半導体チップ８をさらに備えている。その他の構成は図１と図２と同様であり、同じ符号を付して説明する。
【００３９】
図５と図６に示すように、メモリカード１ａでは、第１半導体チップ３、第２半導体チップ５と第３半導体チップ８が、回路基板２の上面２１に沿って直線状に配列されている。そして、第３半導体チップ８は第１半導体チップ３との間に、例えば１ｍｍ以下の隙間を設けて配置されている。さらに、第３半導体チップ８は、その下面の電極上に形成されたバンプ８３を備え、バンプ８３を介して封止樹脂層４により回路基板２の電極２１４と接合（接触が保たれている状態を含む）されている。以下では、封止樹脂層４のうち、第３半導体チップ８に接合されているバンプ８３の周囲を覆うとともに第３半導体チップ８と回路基板２との間に介在する部位を「第３封止樹脂層４３」と記す。
【００４０】
以下、本発明の第２の実施の形態に係るメモリカード１ａの製造方法について、第１の実施の形態と同様に図３を参照しながら説明する。
【００４１】
まず、第１半導体チップ３と第２半導体チップ５の下面の電極上にバンプ３３、５３を形成する（ステップＳ１１）。また、第３半導体チップ８の下面の電極上にバンプ８３を形成する（ステップＳ１２）。
【００４２】
次に、回路基板２の上面２１において、第１実装領域、第２実装領域と第３半導体チップ８が実装される予定の複数の電極２１４を含む領域（以下、「第３実装領域」と記す）にＮＣＦを貼付して封止樹脂層４を形成する（ステップＳ１３）。
【００４３】
次に、実装装置（図示せず）のチップ保持部により、第１半導体チップ３を保持して回路基板２上に装着する。そして、第２半導体チップ５と第３半導体チップ８も同様に、チップ保持部により回路基板２上に順次装着する。その後、押圧ツールで第１半導体チップ３、第２半導体チップ５と第３半導体チップ８を、封止樹脂層４を介して回路基板２の上面２１に向けて押圧し、加熱する。これにより、第１半導体チップ３と第２半導体チップ５が回路基板２に同時に実装される（ステップＳ１４）。さらに、これと並行して、第３半導体チップ８も回路基板２に実装する。上記各ステップにより、３つの半導体チップの実装が終了する。
【００４４】
次に、回路基板２にチップ部品６をはんだを介して接合した後、カバー部７を回路基板２に取り付ける。これにより、回路基板２の上面２１側において第１半導体チップ３、第２半導体チップ５、第３半導体チップ８、封止樹脂層４とチップ部品６がカバー部７で覆われて、メモリカード１ａが作製される（ステップＳ１５、Ｓ１６）。
【００４５】
以上に説明したように、本実施の形態のメモリカード１ａによれば、第１半導体チップ３と第２半導体チップ５とが重ならないように、例えば０ｍｍを超えて１ｍｍ以下の隙間を設けて配置される。さらに、第１半導体チップ３と第３半導体チップ８とが重ならないように、例えば０ｍｍを超えて１ｍｍ以下の隙間を設けて配置される。これにより、第１の実施の形態と同様に、構造を簡素化しながら、小型で薄型のメモリカード１ａを実現できる。
【００４６】
また、本実施の形態では、第１封止樹脂層４１、第２封止樹脂層４２と第３封止樹脂層４３は、それぞれが封止樹脂層４の一部であるため、同一種類の樹脂材料で互いに連続して形成できる。これにより、メモリカード１ａの製造方法を簡素化することができる。また、封止樹脂層４を、例えばフィルム状の樹脂材料であるＮＣＦの回路基板２の上面２１への貼付により形成できるため、メモリカード１ａの製造をさらに簡素化できる。さらに、第１の実施の形態と同様に、カバー部７として成型部品を用いることにより、メモリカード１ａの製造をよりいっそう簡素化できる。
【００４７】
また、本実施の形態によれば、第１半導体チップ３、第２半導体チップ５と第３半導体チップ８を回路基板２へ並行して同時に実装するため、一方の半導体チップの実装が他方の半導体チップの実装に与える影響を回避し、３つの半導体チップを回路基板２に良好に実装できる。
【００４８】
なお、本実施の形態では、第１半導体チップ３、第２半導体チップ５と第３半導体チップ８を直線状に配列する例で説明したが、これに限られない。例えば、図７に別の例で示すメモリカード１ｂのように、第３半導体チップ８を第１半導体チップ３と並置し、これらに対して、第２半導体チップ５を、例えば０ｍｍを超えて１ｍｍ以下の隙間を設けて近接して配置してもよい。
【００４９】
また、本実施の形態では、３つの半導体チップを回路基板に実装した例で説明したが、これに限られない。例えば、４つ以上の半導体チップを回路基板２の上面２１上に実装してもよい。この場合においても、メモリカード１ａの小型化の観点から、近接する半導体チップとの間に、例えば０ｍｍを超えて１ｍｍ以下の隙間を設けて配置することが好ましい。
【００５０】
（第３の実施の形態）
以下に、本発明の第３の実施の形態に係るメモリカードについて、図８と図９を用いて説明する。
【００５１】
図８は、本発明の第３の実施の形態に係るメモリカード１ｃの構成を示す平面図である。図９は、メモリカード１ｃを図８の９−９線の位置で切断した断面図である。
【００５２】
図８と図９に示すように、メモリカード１ｃは、図１と図２に示すメモリカード１の構成に、第１半導体チップ３と第２半導体チップ５との間に設けた回路基板２の上面２１に沿う線状の凸部（以下、「線状凸部」と記す。）２３を備えるものである。その他の構成は、図１と図２と同様であり、以下の説明において同符号を付して説明する。なお、メモリカード１ｃでは、第１封止樹脂層４１と第２封止樹脂層４２とは、線状凸部２３で分離されて互いに連続してはいない。
【００５３】
以下、本発明の第３の実施の形態に係るメモリカード１ｃの製造方法について、図１０を用いて説明する。図１０は、本発明の第３の実施の形態に係るメモリカード１ｃの製造方法を説明するフローチャートである。
【００５４】
まず、第１半導体チップ３および第２半導体チップ５の下面の電極上にバンプ３３、５３を形成する（ステップＳ２１、Ｓ２２）。
【００５５】
次に、回路基板２の上面２１の第１実装領域に、例えばＮＣＦを貼付して第１封止樹脂層４１を形成する（ステップＳ２３）。
【００５６】
次に、第１半導体チップ３を実装装置（図示せず）のチップ保持部により保持し、第１封止樹脂層４１を介して回路基板２上に装着する。そして、押圧ツールで回路基板２の上面２１に第１半導体チップ３を押圧し、加熱することにより、回路基板２に第１半導体チップ３を実装する（ステップＳ２４）。このとき、第１半導体チップ３の周囲へと押し出された第１実装領域上の第１封止樹脂層４は、第１半導体チップ３と第２半導体チップ５との間の線状凸部２３で堰き止められ、第２実装領域へと広がることが防止される。上述のステップにより、第１半導体チップ３の実装が終了する。
【００５７】
次に、第１封止樹脂層４１の形成とは独立して第２実装領域に、例えばＮＣＦを貼付けて第２封止樹脂層４２を形成する（ステップＳ２５）。そして、第２半導体チップ５をチップ保持部により保持し、第２封止樹脂層４２を介して回路基板２上に装着する。さらに、押圧ツールで回路基板２の上面２１に第２半導体チップ５を押圧し、加熱する。これにより、回路基板２に第２半導体チップ５の実装が、第１半導体チップ３の実装とは独立して行われる（ステップＳ２６）。上述のステップにより、第２半導体チップ５の実装が終了する。
【００５８】
次に、チップ部品６を回路基板２に接合した後、回路基板２の上面２１側で、第１半導体チップ３、第２半導体チップ５、第１封止樹脂層４１、第２封止樹脂層４２とチップ部品６をカバー部７で覆う。これにより、メモリカード１ｃが作製される（ステップＳ２７、Ｓ２８）。
【００５９】
以上に説明したように、本実施の形態のメモリカード１ｃによれば、第１半導体チップ３と第２半導体チップ５との間に設けた線状凸部２３により、第１半導体チップ３の実装時に第１封止樹脂層４１が第２実装領域へ広がることを防止できる。また、同様に第２半導体チップ５の実装時に第２封止樹脂層４２が第１実装領域へ広がることも防止できる。そのため、第１の実施の形態と同様に、一方の半導体チップの実装が他方の半導体チップの実装に与える影響を回避し、２つの半導体チップを回路基板２に良好に実装できる。
【００６０】
なお、本実施の形態では、第１半導体チップ３の実装後に、第２封止樹脂層４２を形成する例で説明したが、これに限られない。例えば、第１封止樹脂層４１後に、第２封止樹脂層４２を形成してもよい。この場合、第１封止樹脂層４１と第２封止樹脂層４２とは連続していないので、第１半導体チップ３の実装時に第１封止樹脂層４１に加えられる熱が第２封止樹脂層４２に伝達することが防止される。これにより、第１半導体チップ３の実装時、すなわち、第２半導体チップ５の実装前に、第２封止樹脂層４２が硬化することを防止できる。
【００６１】
また、本実施の形態では、第１半導体チップ３と第２半導体チップ５を回路基板２に別々に実装する例で説明したが、これに限られない。例えば、回路基板２の上面２１からの線状凸部２３の高さが、実装後の第１半導体チップ３と第２半導体チップ５の回路基板２の上面２１からの高さよりも低い場合、第１半導体チップ３と第２半導体チップ５とを１つの押圧ツールにより回路基板２に同時に押圧して実装してもよい。これにより、メモリカードの生産性を向上できる。
【００６２】
（第４の実施の形態）
以下に、本発明の第４の実施の形態に係るメモリカードについて、図１１を用いて説明する。
【００６３】
図１１は、本発明の第４の実施の形態に係るメモリカード１ｄの構成を示す断面図である。
【００６４】
本実施の形態のメモリカード１ｄは、第１半導体チップ３と第２半導体チップ５の間に設けた回路基板２の上面２１に沿う線状の凹部（以下、「線状凹部」と記す。）２４を備える点で、第３の実施の形態とは異なるものである。そして、第１封止樹脂層４１と第２封止樹脂層４２とは線状凹部２４で分離されて互いに連続してはいない。なお、その他の構成は図８と図９と同様であり、同じ符号を付して説明する。また、メモリカード１ｄの製造方法は、第３の実施の形態と同様であるので、説明を省略する。
【００６５】
以上に説明したように、本実施の形態のメモリカード１ｄによれば、第１半導体チップ３の実装時に押し出された第１封止樹脂層４１は線状凹部２４に流れ込む。これにより、第３の実施の形態と同様に、第１封止樹脂層４１が第２実装領域へ広がることを防止できる。同様に、第２半導体チップ５の実装時に第２封止樹脂層４２が第１実装領域へ広がることも防止できる。そのため、第３の実施の形態と同様に、一方の半導体チップの実装が他方の半導体チップの実装に与える影響を回避し、２つの半導体チップを回路基板２に良好に実装することができる。
【００６６】
以上、本発明の各実施の形態について説明してきたが、本発明は上記実施の形態に限定されるものではなく、以下に示すように様々な変更が可能である。
【００６７】
すなわち、上記各実施の形態では、第１半導体チップ３と第２半導体チップ５をメモリチップとコントロールチップを例に説明したが、これに限られない。例えば、ＡＳＩＣなどの他のベアチップを第１半導体チップ３と第２半導体チップ５として用いてもよい。さらに、第１半導体チップ３と第２半導体チップ５として２つのメモリチップを積層して、第２回路基板４の他の領域に実装したコントロールチップにより２つのメモリチップを制御する構成としてもよい。また、第２半導体チップ５として、情報の記憶と他のメモリチップを制御するメモリ・コントローラ兼用チップを第２回路基板４に実装してもよい。このとき、半導体チップは、部分的に半導体機能を利用したチップであれば、全体が半導体機能を有するチップでなくてもよい。
【００６８】
また、上記各実施の形態では、バンプ３３、５３、８３を第１半導体チップ３の電極上、第２半導体チップの電極上や第３半導体チップの電極上に形成した例で説明したが、回路基板２の電極２１１、２１２、２１４上に形成してもよい。さらに、バンプ３３、５３として、ボールバンプ以外に、メッキバンプやはんだバンプなどを用いてもよい。
【００６９】
また、上記各実施の形態では、封止樹脂層として、ＮＣＦなどの貼付を例に説明したが、これに限られない。例えば、非導電性樹脂ペーストの塗布、異方導電性樹脂フィルムや異方導電性樹脂ペーストを用いて封止樹脂層を形成してもよい。
【００７０】
このとき、第１の実施の形態と第２の実施の形態では、樹脂ペーストにより封止樹脂層を形成する場合、ディスペンサなどにより第１実装領域に樹脂材料を塗布した後、連続して第２実装領域に樹脂材料を塗布してもよい。さらに、第１実装領域と第２実装領域上をディスペンサが往復移動することにより、第１実装領域と第２実装領域に並行して樹脂材料を線状に塗布してもよい。
【００７１】
また、第１の実施の形態において、樹脂ペーストで封止樹脂層を形成する場合、第１半導体チップ３と第２半導体チップ５を、以下の方法により実装してもよい。つまり、まず、第１半導体チップ３を第１封止樹脂層４１上に載置し、第１封止樹脂層４１をある程度仮硬化する。そして、第２半導体チップ５を第２封止樹脂層４２上に載置し第２封止樹脂層４２をある程度仮硬化した後、第１半導体チップ３と第２半導体チップ５を同時に回路基板２に押圧して加熱するものである。これにより、第１半導体チップ３と第２半導体チップ５を同時に実装できるため、一方の半導体チップの実装が他方の半導体チップの実装に与える影響を防止し、２つの半導体チップを回路基板２に良好に実装することができる。
【００７２】
また、上記各実施の形態では、カバー部として、樹脂からなる成型部品で構成されたカバー部を例に説明したが、これに限られない。例えば、熱可塑性樹脂や熱硬化性樹脂などをインサート成型により、第１半導体チップ３や第２半導体チップ５などを回路基板２の上面２１上で覆うようにカバー部を形成してもよい。
【００７３】
なお、本発明のメモリカードは、ＳＤカード以外の、例えばＩＣカードなどの他のカード型記録媒体として利用してもよいものである。
【産業上の利用可能性】
【００７４】
本発明は、情報を記録する、特に小型化や薄型化が要望されるメモリカードなどの技術分野に有用である。
【図面の簡単な説明】
【００７５】
【図１】本発明の第１の実施の形態に係るメモリカードの構成を示す平面図
【図２】図１の２−２線の位置で切断した断面図
【図３】本発明の第１の実施の形態に係るメモリカードの製造方法を説明するフローチャート
【図４Ａ】本発明の第１の実施の形態に係るメモリカードの製造方法の主なステップを説明する断面図
【図４Ｂ】本発明の第１の実施の形態に係るメモリカードの製造方法の主なステップを説明する断面図
【図５】本発明の第２の実施の形態に係るメモリカードの構成を示す平面図
【図６】図５の６−６線の位置で切断した断面図
【図７】本発明の第２の実施の形態に係るメモリカードの別の例を示す平面図
【図８】本発明の第３の実施の形態に係るメモリカードの構成を示す平面図
【図９】図８の９−９線の位置で切断した断面図
【図１０】本発明の第３の実施の形態に係るメモリカードの製造方法を説明するフローチャート
【図１１】本発明の第４の実施の形態に係るメモリカードの断面図
【符号の説明】
【００７６】
１，１ａ，１ｃ，１ｄ    メモリカード
２    回路基板
３    第１半導体チップ
４    封止樹脂層
５    第２半導体チップ
６    チップ部品
７    カバー部
８    第３半導体チップ
２１    上面
２２    下面
２３    線状凸部
２４    線状凹部
３３，５３，８３    バンプ
４１    第１封止樹脂層
４２    第２封止樹脂層
４３    第３封止樹脂層
７１    凹部
９１    押圧ツール
９２    ヒータ
２１１，２１２，２１３，２１４    電極
２２１    外部電極
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４Ａ】
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【図４Ｂ】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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