(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
５０重量％以下の充填材を含んだ絶縁樹脂膜と、
前記絶縁樹脂膜に埋め込まれた複数の回路素子と、
を含み、
前記複数の回路素子は、前記絶縁樹脂膜に固着されており、
前記絶縁樹脂膜において、前記複数の回路素子が埋め込まれた面とは反対の面に設けられた導電性膜を含んでおり、
また、前記絶縁樹脂膜において、前記導電性膜が設けられた面における前記充填材の含有量が、前記面と反対の面における前記充填材の含有量よりも高いことを特徴とする半導体モジュール。
【請求項２】
前記導電性膜は、前記基板の積層方向に水平な方向に長軸を有する結晶粒子を含む金属により構成されたことを特徴とする請求項１に記載の半導体モジュール。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】  本発明は、回路素子を含む半導体モジュールおよび半導体装置、およびそれらの製造方法、および光学素子を含む表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】  携帯電話、ＰＤＡ、ＤＶＣ、ＤＳＣといったポータブルエレクトロニクス機器の高機能化が加速するなか、こうした製品が市場で受け入れられるためには小型・軽量化が必須となっており、その実現のために高集積のシステムＬＳＩが求められている。一方、これらのエレクトロニクス機器に対しては、より使い易く便利なものが求められており、機器に使用されるＬＳＩに対し、高機能化、高性能化が要求されている。このため、ＬＳＩチップの高集積化にともないそのＩ／Ｏ数が増大する一方でパッケージ自体の小型化要求も強く、これらを両立させるために、半導体部品の高密度な基板実装に適合した半導体パッケージの開発が強く求められている。こうした要求に対応するため、ＣＳＰ（Ｃｈｉｐ  Ｓｉｚｅ  Ｐａｃｋａｇｅ）と呼ばれるパッケージ技術が種々開発されている。【０００３】  こうしたパッケージの例として、ＢＧＡ（Ｂａｌｌ  Ｇｒｉｄ  Ａｒｒａｙ）が知られている。ＢＧＡは、パッケージ用基板の上に半導体チップを実装し、それを樹脂モールディングした後、反対側の面に外部端子としてハンダボールをエリア状に形成したものである。ＢＧＡでは、実装エリアが面で達成されるので、パッケージを比較的容易に小型化することができる。また、回路基板側でも狭ピッチ対応とする必要がなく、高精度な実装技術も不要となるので、ＢＧＡを用いると、パッケージコストが多少高い場合でもトータルな実装コストとしては低減することが可能となる。【０００４】  図１は、一般的なＢＧＡの概略構成を示す図である。ＢＧＡ１００は、ガラスエポキシ基板１０６上に、接着層１０８を介してＬＳＩチップ１０２が搭載された構造を有する。ＬＳＩチップ１０２は封止樹脂１１０によってモールドされている。ＬＳＩチップ１０２とガラスエポキシ基板１０６とは、金属線１０４により電気的に接続されている。ガラスエポキシ基板１０６の裏面には、半田ボール１１２がアレイ状に配列されている。この半田ボール１１２を介して、ＢＧＡ１００がプリント配線基板に実装される。【０００５】  このようなパッケージにおいて、半導体チップの封止には、たとえばトランスファーモールド、インジェクションモールド、ポッティングまたはディッピング等が用いられている（たとえば特許文献１）。
【特許文献１】特開平８−１６２４８６号公報
【特許文献２】特開２００２−１１０７１７号公報
【特許文献３】特開２０００−９１４２５号公報（第２−３頁、第１５図）
【特許文献４】特開平１１−２４６０６号公報（段落００２１、第１図）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】  しかしながら、これら従来のＣＳＰでは、ポータブルエレクトロニクス機器等において現在望まれている水準の小型化、薄型化、軽量化を実現することは難しかった。また、放熱性の改善にも一定の限界があった。【０００７】  本発明は上記事情を踏まえてなされたものであり、本発明の目的は、半導体モジュールを含む電子装置を小型化・薄型化する技術を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】  上記課題の解決策として鋭意検討を行った結果、本発明者は以下に述べる第一から第三の発明群に想到した。
まず、第一のグループの発明について述べる。【０００９】  本発明の半導体モジュールは、絶縁樹脂膜と、絶縁樹脂膜に埋め込まれた複数の回路素子と、を含み、複数の回路素子は、絶縁樹脂膜に固着されたことを特徴とする。ここで、固着する手段としては圧着が好ましく、その中でも熱圧着が特に好ましい。回路素子は、半導体素子や受動素子を含む。【００１０】  絶縁樹脂膜として、熱硬化性樹脂を用いることが好ましい。また、絶縁樹脂膜は、軟化した状態で回路素子に圧着されてよい。このようにすれば、絶縁樹脂膜と回路素子との密着性を高めることができる。【００１１】  圧着により複数の回路素子を絶縁樹脂膜に貼り付けることにより、絶縁樹脂膜と回路素子との密着性を良好にすることができる。これにより、接着材料等の不純物を用いることなく回路素子を絶縁樹脂膜と圧着することができるので、半導体モジュールの電気的特性を良好にすることができる。また、接着層を別途設ける必要がないため、半導体モジュールを小型化、軽量化、および薄型化することができる。【００１２】  本発明の半導体モジュールは、絶縁樹脂膜と、絶縁樹脂膜に埋め込まれた複数の回路素子と、絶縁樹脂上に設けられた導電性膜と、を含み、複数の回路素子は、絶縁樹脂膜において導電性膜が設けられた面と反対の面に露出したことを特徴とする。【００１３】  このように、複数の回路素子を露出させることにより、回路素子を動作させた際の放熱性を良好にすることができる。また、複数の回路素子を基板上に配置した場合等に比べて、半導体モジュールを小型化することができる。さらに、絶縁樹脂膜の露出面を平坦にすることができる。露出面を平坦にすることにより、他の部材を露出面で接着等させる際に、他の部材との密着性を高めることができる。【００１４】  本発明の半導体モジュールは、充填材を含む絶縁樹脂膜と、絶縁樹脂膜に埋め込まれた複数の回路素子と、絶縁樹脂膜上に設けられた導電性膜と、を含み、絶縁樹脂膜は、第一の絶縁樹脂膜と、第一の絶縁樹脂膜を構成する材料よりも充填材の含有量が高い材料により構成され、導電性膜と接して設けられた第二の絶縁樹脂膜と、を含み、複数の回路素子は、第一の絶縁樹脂膜内に埋め込まれたことを特徴とする。【００１５】  ここで、充填材は、フィラーや繊維である。充填材としては、絶縁樹脂膜の熱膨張係数を回路素子の熱膨張係数に近づけることのできる材料を用いることができる。充填材としては、たとえば粒子状または繊維状のＳｉＯ２、ＳｉＮ、ＡｌＮやＡｌ２Ｏ３などを用いることができる。このように、絶縁樹脂層に充填材を含めることにより、絶縁樹脂膜の反りを低減することができる。絶縁樹脂膜における充填材の含有量は、材料に応じて適宜設定されるが、絶縁樹脂膜に含める充填材の含有量を上記範囲とすることにより、絶縁樹脂膜と回路素子との密着性を良好にすることができる。これにより、接着材料等を用いることなく絶縁樹脂膜と回路素子とを圧着により良好に接着することができるので、半導体モジュールを小型化することができる。また、繊維としてはアラミド不織布が好ましく用いられる。このような材料を用いることにより、絶縁樹脂膜の流動性を高めることができる。【００１６】  このよう��絶縁樹脂膜が第一の絶縁樹脂膜および第二の絶縁樹脂膜を含むことにより、複数の回路素子を絶縁樹脂膜に押し込む際に、充填材の含有量の低い第一の絶縁樹脂膜が変形して複数の回路素子を容易に埋め込むことができるとともに、第二の絶縁樹脂膜がある程度の剛性を有するので、絶縁樹脂膜の変形を抑えることができる。これにより、第二の絶縁樹脂膜が複数の回路素子への押し込みをある程度規制するので、複数の回路素子の高さが異なっていても、絶縁性樹脂膜において導電性膜が形成された面を平坦にすることができる。また、第一の絶縁樹脂膜において充填材の含有量が低いので、複数の回路素子との密着性を高めることができる。さらに、第二の絶縁樹脂膜において充填材の含有量が高いので、絶縁樹脂膜の反りを低減することもできる。なお、第一の絶縁樹脂膜には充填材を含めない構成とすることもできる。【００１７】  本発明の半導体モジュールの製造方法は、回路素子を固定した状態で、絶縁樹脂膜および導電性膜の積層体を配置し、回路素子を絶縁樹脂膜内に埋め込む工程と、圧着により回路素子を絶縁樹脂膜内に固定する工程と、を含むことを特徴とする。ここで、複数の回路素子を固定した状態でこれらの回路素子を絶縁樹脂膜内に埋め込むことができる。回路素子を絶縁樹脂膜内に埋め込む工程において、基材上に設けられた回路素子を絶縁樹脂膜内に埋め込むことができる。また、回路素子を絶縁樹脂膜内に固定する工程の後、基材を回路素子から取り外し、回路素子を露出させる工程をさらに含むことができる。【００１８】  本発明の半導体モジュールは、配線と、配線上に設けられた絶縁樹脂膜と、絶縁樹脂膜上に設けられた回路素子と、絶縁樹脂膜上に設けられ、回路素子を固定する固定部材と、を含み、回路素子は、絶縁樹脂膜に固着されたことを特徴とする。ここで、固着する手段としては圧着が好ましく、その中でも熱圧着が特に好ましい。回路素子は、半導体素子や受動素子を含む。【００１９】  本発明の半導体モジュールは、複数の回路素子を含むことができる。複数の回路素子は固定部材に埋め込まれてよく、複数の回路素子と固定部材とで略平坦な面を形成するよう構成することができる。【００２０】  このようにすれば、複数の回路素子が絶縁樹脂膜と接着する面をフラットにすることができ、絶縁樹脂膜と複数の回路素子との密着性を高めることができる。【００２１】  本発明の半導体モジュールは、配線と、配線上に設けられた絶縁層と、絶縁層上に搭載された回路素子と、を含み、その製造方法は、回路素子を固定部材に固定する工程と、回路素子上に絶縁樹脂膜を配置し、絶縁樹脂膜を回路素子に圧着して絶縁層を形成する工程と、絶縁樹脂膜上に配線を形成する工程と、を含むことを特徴とする。【００２２】  本発明の半導体モジュールの製造方法において、回路素子を固定してから絶縁層および配線を形成するので、半導体モジュールの製造安定性を高めることができる。また、圧着により回路素子上に絶縁樹脂膜および配線を形成することができるので、半導体モジュールの製造工程を簡略化することができる。【００２３】  本発明の半導体モジュールの製造方法において、回路素子を固定する工程は、複数の回路素子を、当該複数の回路素子それぞれの一面が略同一平面上に位置するように固定部材の表面に固定する工程を含むことができ、絶縁層を形成する工程において、絶縁樹脂膜を複数の回路素子それぞれの表面に圧着して絶縁層を形成することができる。【００２４】  複数の回路素子が絶縁樹脂膜と接着する面を同一平面とすることができるので、複数の回路素子と絶縁樹脂膜の密着性を高めることができる。【００２５】  本発明の半導体モジュールの製造方法において、半導体モジュールは、回路素子を覆うように形成された封止層をさらに含むことができ、回路素子を固定する工程は、回路素子の一部が露出するように当該回路素子を絶縁樹脂材料により封止して封止層を形成する工程を含むことができ、絶縁層を形成する工程において、封止層上に絶縁樹脂膜を配置し、絶縁樹脂膜を回路素子の露出した一部に圧着して絶縁層を形成することができる。【００２６】  このように回路素子を封止した後に絶縁層および配線を形成することにより、封止層が配線層を形成する際の支持基板として機能するので、支持基板を取り除くという工程を省くことができ、半導体モジュールの製造工程を簡略化することができる。また、回路素子が絶縁層と配線により構成される配線層に直接マウントされた構成とすることができるので、半導体モジュールの放熱性を良好にすることができる。
次に、第二のグループの発明について述べる。【００２７】  本発明に係る半導体装置は、回路素子が設けられた基板と、基板上に設けられ、回路素子と接続する下層配線を含む下層配線層と、下層配線層に固着された絶縁樹脂膜と、当該絶縁樹脂膜に設けられた上層配線とを含む上層配線層と、を含むことを特徴とする。ここで、固着する手段としては圧着が好ましく、その中でも熱圧着が特に好ましい。回路素子は、半導体素子や受動素子を含む。【００２８】  多層配線構造を有する半導体装置において、下層配線層では装置の高速動作や小型化、製造コストの抑制を実現するために微細化が要求される。そのため、配線材料としてＣｕを用いた場合、ダマシン法を用いて配線形成を行う必要がある。しかし、上層配線層のグローバル配線では、安定した電源供給を行うために、むしろ配線幅が広い方が好ましい。ここで、上層配線層の配線幅は、たとえば１０μｍ以上とすることができる。配線幅を微細化する必要がない場合、エッチング等で配線パターンを形成して得られた配線でも充分な性能を有する。本発明によれば、下層配線層をダマシン法等のいわゆる半導体プロセスで作成した後、その上に絶縁樹脂膜および導電性膜を圧着により貼り付け、エッチング等により上層配線層の配線パターンを形成することができるので、多層配線構造の製造プロセスを簡略化して製造時間を大幅に短縮することができる。【００２９】  また、本発明の半導体装置によれば、下層配線層の形成にダマシン法を用いた場合に限らず、たとえば下層配線層の配線材料としてアルミニウム（Ａｌ）を用いた場合であっても、上層配線層の配線材料として銅を用いることができる。このようにすれば、上層配線層の配線材料のエレクトロマイグレーション耐性を高めることができ、半導体装置の安定性を高めることができる。【００３０】  本発明に係る半導体装置は、回路素子が設けられた基板と、基板上に設けられ、回路素子と接続する下層配線を含む下層配線層と、下層配線層上に形成され、エポキシ樹脂、ＢＴレジン、液晶ポリマー、ＰＰＥ樹脂、ポリイミド樹脂、フッ素樹脂、フェノール樹脂、またはポリアミドビスマレイミドを含む絶縁樹脂膜と、当該絶縁樹脂膜に設けられた上層配線とを含む上層配線層と、を含むことを特徴とする。【００３１】  絶縁樹脂膜としてこのような材料を用いることにより、半導体装置の剛性を保つことができ、半導体装置の安定性を高めることができる。このような観点からは、絶縁樹脂膜として、熱硬化性樹脂を用いることが好ましい。本発明の半導体装置によれば、下層配線層の絶縁膜としては配線の電気抵抗を低減する目的を達成する、たとえば低誘電率材料を用いることができる。一方、上層配線層の絶縁膜としては半導体装置の剛性を高める目的を達成する上記のような材料を用いることができる。このように、下層配線層および上層配線層において、それぞれ好ましい特性を有する材料を適宜用いることができる。これにより、半導体装置の配線遅延の問題を低減すると共に、半導体装置の安定性を高めることができる。【００３２】  本発明に係る半導体装置の製造方法は、回路素子が設けられた基板上に多層配線構造を形成する半導体装置の製造方法であって、基板上に、回路���子と接続する下層配線層を形成する工程と、下層配線層上に、絶縁樹脂膜および導電性膜の積層体を配置し、絶縁樹脂膜を下層配線層に圧着して上層配線層を形成する工程と、を含むことを特徴とする。【００３３】  上層配線層において、積層体を下層配線上に圧着した後に配線パターンを形成して配線構造をも形成してもよく、予め上層配線層の配線構造を形成した後に上層配線層を下層配線層上に配置して圧着してもよい。上層配線層の配線構造を形成した後に当該上層配線層を下層配線層上に配置する手法をとれば、回路素子の素子特性への影響を考慮することなく種々の薬液等を用いて自由に上層配線層の配線構造を形成することができる。上層配線層の配線構造を予め形成しておく場合は、上層配線層を下層配線層に熱圧着する際に生じる熱収縮を考慮して配線構造を形成しておくことが好ましい。
次に、第三のグループの発明について述べる。【００３４】  本発明によれば、表示領域と、回路素子が配置された駆動回路領域と、を有する基板と、基板の駆動回路領域において、回路素子を覆うように設けられ、回路素子および基板に固着された絶縁樹脂膜と、絶縁樹脂膜上に設けられた導電性膜と、を含むことを特徴とする表示装置が提供される。駆動回路領域は、表示領域の外周部に設けることができる。ここで、固着する手段としては圧着が好ましく、その中でも熱圧着が特に好ましい。【００３５】  固着により絶縁樹脂膜を回路素子および基板に貼り付けることにより、絶縁樹脂膜と回路素子および基板との密着性を良好にすることができる。これにより、フレキシブル基板等を用いることなく、駆動回路を形成することができるので、表示装置の構成を簡略化することができる。また、表示装置を小型化および軽量化することもできる。【００３６】  なお、表示装置は光学素子を含むことができ、表示領域には光学素子により形成される画像が表示される。光学素子は、駆動回路と同一の基板上に形成されてもよく、また駆動回路とは別の基板上に形成されてもいずれでもよい。すなわち、本発明における「基板」とは、表示領域および駆動回路領域が形成される単一の基板を含むことはもちろん、表示領域および駆動回路領域が個々に形成された複数の基板から構成されるものをも含む。【００３７】  以上、本発明の構成について説明したが、これらの構成を任意に組み合わせたものも本発明の態様として有効である。また、本発明の表現を他のカテゴリーに変換したものもまた本発明の態様として有効である。
【発明の効果】
【００３８】  本発明の第一のグループによれば、半導体モジュールを小型化・薄型化することができる。本発明の第二のグループによれば、多層配線構造を有する半導体装置の製造安定性を高めることができる。また、半導体装置の多層配線構造の形成時間を短縮しつつ、半導体装置の性能を良好に保つことができる。本発明の第三のグループによれば、表示装置を簡易な構成とすることができる。
【図面の簡単な説明】
【００３９】
【図１】一般的なＢＧＡの概略構成を示す図である。
【図２】ＩＳＢ（登録商標）の構造を説明するための図である。
【図３】ＢＧＡおよびＩＳＢ（登録商標）の製造プロセスを説明するための図である。
【図４】本発明の第一のグループの、第一の実施の形態における半導体モジュールの製造工程を示す断面図である。
【図５】本発明の第一のグループの、第二の実施の形態における半導体モジュールの製造工程を示す断面図である。
【図６】本発明の第一のグループの、第三の実施の形態における半導体モジュールの製造工程を示す断面図である。
【図７】本発明の第一のグループの、第四の実施の形態における導電性膜付き絶縁樹脂膜の構成を示す断面図である。
【図８】本発明の第一のグループの、第四の実施の形態における半導体モジュールの製造工程を示す断面図である。
【図９】本発明の第一のグループの、第一〜第四の実施の形態で説明した工程により製造した半導体モジュールの構成を示す断面図である。
【図１０】本発明の第一のグループの、第五の実施の形態における半導体モジュールの製造工程を示す断面図である。
【図１１】本発明の第一のグループの、第五の実施の形態における半導体モジュールの製造工程を示す断面図である。
【図１２】本発明の第一のグループの、第五の実施の形態における半導体モジュールの構成を示す断面図である。
【図１３】本発明の第一のグループの実施の形態における半導体モジュールの他の例を示す断面図である。
【図１４】一般的なデュアルダマシン法による配線形成工程を示す断面図である。
【図１５】本発明の第二のグループの実施の形態における半導体装置の製造工程を示す断面図である。
【図１６】本発明の第二のグループの実施の形態における半導体装置の製造工程を示す断面図である。
【図１７】本発明の第二のグループの実施の形態における半導体装置の製造工程を示す断面図である。
【図１８】本発明の第二のグループの実施の形態における半導体装置の製造工程の他の例を示す断面図である。
【図１９】本発明の第二のグループの実施の形態における半導体装置の製造工程の他の例を示す断面図である。
【図２０】本発明の第二のグループの半導体装置の他の例を示す断面図である。
【図２１】本発明の第二のグループにおける実施例で作製した半導体装置の断面図（ＯＭ写真）を示す図である。
【図２２】本発明の第三のグループの、第一の実施の形態における表示装置の構成を示す図である。
【図２３】光学素子を含む各画素の構成を示す回路図である。
【図２４】本発明の第三のグループの、第一の実施の形態における表示装置の製造工程を示す断面図である。
【図２５】本発明の第三のグループの、第一の実施の形態における表示装置の構成の他の例を示す図である。
【図２６】本発明の第三のグループの、第一の実施の形態における表示装置の構成を示す断面図である。
【図２７】本発明の第三のグループの、第二の実施の形態における表示装置の構成を示す断面図である。
【符号の説明】
【００４０】１２０…導電性膜、１２２…絶縁樹脂膜、１２３…導電性膜付き絶縁樹脂膜、１２５…構造体、１４２…半導体素子、１４４…受動素子、１４６…支持台、１４８…基材、１５０…樹脂層、１５１…基板、７００…半導体装置、７０２…基板、７０４…ゲート電極、７０６…プラグ、７０８…配線、７１０…絶縁膜、７１２…表面膜、７１４…下層配線層、７２０…導電性膜、７２２…絶縁樹脂膜、７２３…導電性膜付き絶縁樹脂膜、７２４…導電性プラグ、７２６…上層配線層、７３０…ワイヤ、７３２…封止材、８２０…画素、８２２…光学素子、８２４…画素回路、８２６…電源線、８８０…スイッチング用トランジスタ、８８２…駆動用トランジスタ、９２０…導電性膜、９２２…絶縁樹脂膜、９２３…導電性膜付き絶縁樹脂膜、９４２…回路素子、９６０…ガラス基板、９６２…表示領域、９６４…駆動回路領域。
【発明を実施するための最良の形態】
【００４１】  以下、第一から第三の発明群の実施の形態について順に説明する。
第一のグループ【００４２】  まず実施の形態の説明に先立ち、これらの実施の形態を適用することのできるＩＳＢ構造について説明する。【００４３】  ＩＳＢ（Ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ  Ｓｙｓｔｅｍ  ｉｎ  Ｂｏａｒｄ；登録商標）は、本出願人により開発された独自のパッケージである。ＩＳＢは、半導体ベアチップを中心とする電子回路のパッケージングにおいて、銅による配線パターンを持ちながら回路部品を支持するためのコア（基材）を使用しない独自のコアレスシステム・イン・パッケージである。【００４４】  図２はＩＳＢの一例を示す概略構成図である。ここではＩＳＢの全体構造をわかりやすくするため、単一の配線層のみ示しているが、実際には、複数の配線層が積層した構造となっている。このＩＳＢでは、ＬＳＩベアチップ２０１、Ｔｒベアチップ２０２およびチップＣＲ２０３が銅パターン２０５からなる配線により結線された構造となっている。ＬＳＩベアチップ２０１は、裏面にハンダボール２０８が設けられた引き出し電極や配線に対し、金線ボンディング２０４により導通されている。ＬＳＩベアチップ２０１の直下には、導電性ペースト２０６が設けられ、これを介してＩＳＢがプリント配線基板に実装される。ＩＳＢ全体はエポキシ樹脂などからなる樹脂パッケージ２０７により封止された構造となっている。【００４５】  このパッケージによれば、以下の利点が得られる。
（ｉ）コアレスで実装できるため、トランジスタ、ＩＣ、ＬＳＩの小型・薄型化を実現できる。
（ｉｉ）トランジスタからシステムＬＳＩ、さらにチップタイプのコンデンサや抵抗を回路形成し、パッケージングすることができるため、高度なＳＩＰ（Ｓｙｓｔｅｍ  ｉｎ  Ｐａｃｋａｇｅ）を実現できる。
（ｉｉｉ）現有の半導体素子を組合せできるため、システムＬＳＩを短期間に開発できる。
（ｉｖ）半導体ベアチップが直下の銅材に直接マウントされており、良好な放熱性を得ることができる。
（ｖ）回路配線が銅材でありコア材がないため、低誘電率の回路配線となり、高速データ転送や高周波回路で優れた特性を発揮する。
（ｖｉ）電極がパッケージの内部に埋め込まれる構造のため、電極材料のパーティクルコンタミの発生を抑制できる。
（ｖｉｉ）パッケージサイズはフリーであり、１個あたりの廃材を６４ピンのＳＱＦＰパッケージと比較すると、約１／１０の量となるため、環境負荷を低減できる。
（ｖｉｉｉ）部品を載せるプリント回路基板から、機能の入った回路基板へと、新しい概念のシステム構成を実現できる。
（ｉｘ）ＩＳＢのパターン設計は、プリント回路基板のパターン設計と同じように容易であり、セットメーカーのエンジニアが自ら設計できる。【００４６】  次にＩＳＢの製造プロセス上のメリットについて説明する。図３（Ａ）、図３（Ｂ）は、従来のＣＳＰおよび本発明に係るＩＳＢの製造プロセスの対比図である。図３（Ｂ）は、従来のＣＳＰの製造プロセスを示す。はじめにベース基板上にフレームを形成し、各フレームに区画された素子形成領域にチップが実装される。その後、各素子について熱硬化性樹脂によりパッケージが設けられ、その後、素子毎に金型を利用して打ち抜きを行う。最終工程の打ち抜きでは、モールド樹脂およびベース基板が同時に切断されるようになっており、切断面における表面荒れなどが問題になる。また打ち抜きを終わった後の廃材が多量に生じるため、環境負荷の点で課題を有していた。【００４７】  一方、図３（Ａ）は、ＩＳＢの製造プロセスを示す図である。はじめに、金属箔の上にフレームを設け、各モジュール形成領域に、配線パターンを形成し、その上にＬＳＩなどの回路素子を搭載する。続いて各モジュール毎にパッケージを施し、スクライブ領域に沿ってダイシングを行い、製品を得る。パッケージ終了後、スクライブ工程の前に、下地となる金属箔を除去するので、スクライブ工程におけるダイシングでは、樹脂層のみの切断となる。このため、切断面の荒れを抑制し、ダイシングの正確性を向上させることが可能となる。【００４８】（第一の実施の形態）
図４（ａ）〜図４（ｆ）は、本発明の第一の実施の形態における半導体モジュールの製造工程を示す断面図である。【００４９】  まず、図４（ａ）に示すように、基材１４０上に複数の半導体素子１４２や受動素子１４４等の回路素子を固定する。ここで、基材１４０は接着性を有し、半導体素子１４２および受動素子１４４を表面に固定することのできるテープ基材とすることができる。また、基材１４０は、半導体素子１４２および受動素子１４４を絶縁樹脂膜１２２に埋め込んだ後に絶縁樹脂膜１２２から剥離可能な材料により構成することができる。このような材料として、たとえばＰＥＴフィルムを用いることができる。【００５０】  半導体素子１４２は、たとえば、トランジスタ、ダイオード、ＩＣチップ等である。また、受動素子１４４は、たとえば、チップコンデンサ、チップ抵抗等である。【００５１】  図４（ｂ）に示すように、このようにして複数の半導体素子１４２および受動素子１４４を固定した状態で、導電性膜１２０および絶縁樹脂膜１２２により構成された導電性膜付き絶縁樹脂膜１２３を基材１４０上に配置し、導電性膜付き絶縁樹脂膜１２３を基材１４０に押し当て、絶縁樹脂膜１２２内に半導体素子１４２および受動素子１４４を押し込む。つづいて、絶縁樹脂膜１２２を真空下または減圧下で加熱して基材１４０に圧着する。これにより、図４（ｃ）に示すように、半導体素子１４２および受動素子１４４が絶縁樹脂膜１２２内に埋め込まれ、半導体素子１４２および受動素子１４４が絶縁樹脂膜１２２内に圧着される。【００５２】  導電性膜１２０は、基板の積層方向に略垂直な方向に長軸を有する結晶粒子を含む金属により構成することができる。基板の積層方向に略垂直な方向に長軸を有する結晶粒子を含む金属は、たとえば圧延金属とすることができる。圧延金属としては、たとえば銅箔を用いることができる。導電性膜１２０として圧延金属を用いることにより、スパッタ法、ＣＶＤ法、またはめっき法等により配線材料を形成した場合に発生するガス等の不純物が配線に入り込むことがない。そのため、このような不純物を除去するためにアニール処理を行う必要がない。このようなアニール処理のための加熱を行う必要がないため、半導体素子１４２および受動素子１４４の特性を損なうことなく配線層を形成することができる。これにより、半導体モジュールの安定性を高めることができる。また、基板の積層方向に略垂直な方向に長軸を有する結晶粒子を含む金属は、電解めっきにより形成した金属膜をプレスした金属とすることもできる。絶縁樹脂膜１２２としては、加熱することにより軟化する材料であればどのようなものを用いることもできるが、たとえばエポキシ樹脂、ＢＴレジン等のメラミン誘導体、液晶ポリマー、ＰＰＥ樹脂、ポリイミド樹脂、フッ素樹脂、フェノール樹脂、ポリアミドビスマレイミド等を用いることができる。このような樹脂を用いることにより、高周波特性や製品信頼性に優れる半導体モジュールが得られる。また、このような材料を用いることにより、半導体モジュールの剛性を高めることができ、半導体モジュールの安定性を向上することができる。絶縁樹脂膜１２２として、エポキシ樹脂、またはＢＴレジン、ＰＰＥ樹脂、���リイミド樹脂、フッ素樹脂、フェノール樹脂、ポリアミドビスマレイミド等の熱硬化性樹脂を用いることにより、さらに半導体モジュールの剛性を高めることができる。【００５３】  エポキシ樹脂としては、ビスフェノールＡ型樹脂、ビスフェノールＦ型樹脂、ビスフェノールＳ型樹脂、フェノールノボラック樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、トリスフェノールメタン型エポキシ樹脂、脂環式エポキシ樹脂等が挙げられる。
メラミン誘導体としては、メラミン、メラミンシアヌレート、メチロール化メラミン、（イソ）シアヌール酸、メラム、メレム、メロン、サクシノグアミン、硫酸メラミン、硫酸アセトグアナミン、硫酸メラム、硫酸グアニルメラミン、メラミン樹脂、ＢＴレジン、シアヌール酸、イソシアネール酸、イソシアヌール酸誘導体、メラミンイソシアヌレート、ベンゾグアナミン、アセトグアナミン等のメラミン誘導体、グアニジン系化合物等が例示される。【００５４】  液晶ポリマーとしては、芳香族系液晶ポリエステル、ポリイミド、ポリエステルアミドや、それらを含有する樹脂組成物が例示される。このうち、耐熱性、加工性および吸湿性のバランスに優れる液晶ポリエステルまたは液晶ポリエステルを含有する組成物が好ましい。【００５５】  液晶ポリエステルとしては、たとえば、（１）芳香族ジカルボン酸と芳香族ジオールと芳香族ヒドロキシカルボン酸とを反応させて得られるもの、（２）異種の芳香族ヒドロキシカルボン酸の組み合わせを反応させて得られるもの、（３）芳香族ジカルボン酸と芳香族ジオールとを反応させて得られるもの、（４）ポリエチレンテレフタレート等のポリエステルに芳香族ヒドロキシカルボン酸を反応させて得られるもの、等が挙げられる。なお、これらの芳香族ジカルボン酸、芳香族ジオール及び芳香族ヒドロキシカルボン酸の代わりに、それらのエステル誘導体が使用されることもある。さらに、これらの芳香族ジカルボン酸、芳香族ジオール及び芳香族ヒドロキシカルボン酸は、芳香族部分がハロゲン原子、アルキル基、アリール基等で置換されたものが使用されることもある。【００５６】  液晶ポリエステルの繰返し構造単位としては、芳香族ジカルボン酸に由来する繰返し構造単位（下記式（ｉ））、芳香族ジオールに由来する繰返し構造単位（下記式（ｉｉ））、芳香族ヒドロキシカルボン酸に由来する繰返し構造単位（下記式（ｉｉｉ））を例示することができる。
（ｉ）−ＣＯ−Ａ１−ＣＯ−
（但しＡ１は、芳香環を含有する２価の結合基を示す。）
（ｉｉ）−Ｏ−Ａ２−Ｏ−
（但しＡ２は、芳香環を含有する２価の結合基を示す。）
（ｉｉｉ）−ＣＯ−Ａ３−Ｏ−
（但しＡ３は、芳香環を含有する２価の結合基を示す。）【００５７】  また、絶縁樹脂膜１２２には、フィラーまたは繊維等の充填材を含めることができる。フィラーとしては、たとえば粒子状または繊維状のＳｉＯ２、ＳｉＮ、ＡｌＮやＡｌ２Ｏ３などを用いることができる。絶縁樹脂膜１２２にフィラーや繊維を含めることにより、絶縁樹脂膜１２２を加熱して半導体素子１４２および受動素子１４４を熱圧着した後、絶縁樹脂膜１２２をたとえば室温に冷却する際に、絶縁樹脂膜１２２の反りを低減することができる。これにより、半導体素子１４２および受動素子１４４と絶縁樹脂膜１２２との密着性を高めることができる。また、絶縁樹脂膜１２２に繊維を含めた場合、絶縁樹脂膜１２２の流動性を高めることができるため、絶縁樹脂膜１２２と半導体素子１４２および受動素子１４４との密着性を高めることができる。このような観点からは、絶縁樹脂膜１２２を構成する材料としてアラミド不織布が好ましく用いられる。これにより、加工性を良好にすることができる。【００５８】  アラミド繊維としては、パラアラミド繊維またはメタアラミド繊維を用いることができる。パラアラミド繊維としては、たとえば、ポリ（ｐ−フェニレンテレフタルアミド）（ＰＰＤ−Ｔ）、メタアラミドとしては、たとえば、ポリ（ｍ−フェニレンイソフタルアミド）（ＭＰＤ−Ｉ）を用いることができる。【００５９】  絶縁樹脂膜１２２を構成する材料中における充填材の含有量は材料に応じて適宜設定することができるが、たとえば５０重量％以下とすることができる。これにより、絶縁樹脂膜１２２と半導体素子１４２および受動素子１４４との接着性を良好に保つことができる。これにより、接着材料等を用いることなく絶縁樹脂膜１２２と半導体素子１４２および受動素子１４４とを良好に接着することができるので、半導体モジュールを小型化することができる。【００６０】  導電性膜付き絶縁樹脂膜１２３としては、フィルム状の絶縁樹脂膜１２２上に導電性膜１２０が付着したものを用いることができる。また、導電性膜付き絶縁樹脂膜１２３は、導電性膜１２０上に絶縁樹脂膜１２２を構成する樹脂組成物を塗布・乾燥することにより形成することもできる。本実施の形態において、樹脂組成物は、本発明の目的に反しない範囲において、硬化剤、硬化促進剤、その他の成分を含むことができる。導電性膜付き絶縁樹脂膜１２３は、絶縁樹脂膜１２２がＢステージ化した状態で基材１４０上に配置される。このようにすれば、絶縁樹脂膜１２２と半導体素子１４２および受動素子１４４との密着性を高めることができる。この後、絶縁樹脂膜１２２を構成する樹脂の種類に応じて絶縁樹脂膜１２２を加熱し、真空下または減圧下で導電性膜付き絶縁樹脂膜１２３と半導体素子１４２および受動素子１４４を圧着する。また、他の例において、フィルム状の絶縁樹脂膜１２２をＢステージ化した状態で基材１４０上に配置し、さらにその上に導電性膜１２０を配置して絶縁樹脂膜１２２を半導体素子１４２および受動素子１４４と熱圧着する際に、導電性膜１２０を絶縁樹脂膜１２２に熱圧着することによっても導電性膜付き絶縁樹脂膜１２３を形成することができる。これにより、回路素子に損傷を与えるこ���なく、絶縁樹脂膜１２２と半導体素子１４２および受動素子１４４との密着性を良好に保つことができる。【００６１】  以上のようにして、導電性膜付き絶縁樹脂膜１２３を半導体素子１４２および受動素子１４４と熱圧着して半導体素子１４２および受動素子１４４を絶縁樹脂膜１２２内に埋め込んだ後、図４（ｄ）に示すように、基材１４０を絶縁樹脂膜１２２から剥離する。ここで、半導体素子１４２および受動素子１４４を絶縁樹脂膜１２２に圧着させた後、基材を付けたまま搬送等行い、実装時に基材を剥離することもできる。これにより、搬送時に回路素子を保護することができる。【００６２】  また、この後、樹脂膜にスルーホールを形成し、スルーホール内を導電性材料で埋め込み、ビア１２１を形成する。続いて、導電性膜１２０をパターニングして複数の半導体素子１４２および受動素子１４４間を電気的に接続する。これにより、図４（ｅ）に示すように、半導体素子１４２および受動素子１４４をそれぞれ一方の面で絶縁樹脂膜１２２により封止するとともに、他方の面で露出させた構造体１２５を得ることができる。その後、図４（ｆ）に示すように構造体１２５の上面に保護層である絶縁膜１３０、および半田ボール１３２を形成する。【００６３】  このように半導体素子１４２および受動素子１４４の封止面と反対側の面を露出させることにより、半導体素子１４２および受動素子１４４を動作させた際に、半導体素子１４２や受動素子１４４の温度が上昇しても、露出した面から熱を逃がすことができ、放熱性の良好な半導体モジュールを提供することができる。また、半導体素子１４２および受動素子１４４の露出した面にヒートシンクを設けたり、露出した面を空冷する等種々の方法を適用することができる。【００６４】  さらに、半導体素子１４２および受動素子１４４の封止面と反対側の面に基板等が設けられていないので、半導体モジュールを小型化することができる。さらに、絶縁樹脂膜の露出面を平坦にすることができる。露出面を平坦にすることにより、他の部材を露出面で接着等させる際に、他の部材との密着性を高めることができる。【００６５】  後述するように、このようにして形成した半導体モジュールは、導電性膜付き絶縁樹脂膜１２３の導電性膜１２０上に別の導電性膜付き絶縁樹脂膜１２３を積み重ねて配線層を形成し、複数の半導体素子１４２や受動素子１４４間を電気的に接続したり、他のデバイスと電気的に接続することができる。【００６６】  本実施の形態における半導体モジュールの製造工程によれば、簡易な方法で複数の半導体素子１４２や受動素子１４４を絶縁樹脂膜１２２内に埋め込み封止することができる。さらに、半導体モジュールの放熱性を良好にすることもできる。また、半導体モジュールを小型化することもできる。【００６７】（第二の実施の形態）
図５（ａ）〜図５（ｄ）は、本発明の第二の実施の形態における半導体モジュールの製造工程を示す断面図である。本実施の形態において、第一の実施の形態と同様の構成要素には同様の符号を付し、適宜説明を省略する。本実施の形態において、基材１４０として、伸縮可能な材料を用いる点で第一の実施の形態と異なる。本実施の形態における基材１４０としては、たとえばＰＥＴフィルムを用いることができる。【００６８】  図５（ａ）に示すように、基材１４０上に複数の半導体素子１４２および受動素子１４４を固定した後、基材１４０を図中横方向に伸張させる。つづいて、図５（ｂ）に示すように、基材１４０を伸張させた状態で、導電性膜付き絶縁樹脂膜１２３を基材１４０上に配置し、半導体素子１４２および受動素子１４４を絶縁樹脂膜１２２内に押し込む。半導体素子１４２および受動素子１４４が絶縁樹脂膜１２２内に押し込まれた後、基材１４０を伸張させていた力を除去し、絶縁樹脂膜１２２を真空下または減圧下で加熱して基材１４０に圧着する。これにより、図５（ｃ）に示すように、半導体素子１４２および受動素子１４４が絶縁樹脂膜１２２内に埋め込まれ、半導体素子１４２および受動素子１４４が絶縁樹脂膜１２２内に圧着される。本実施の形態において、半導体素子１４２および受動素子１４４が固定された基材１４０を伸張させた状態で半導体素子１４２および受動素子１４４を絶縁樹脂膜１２２内に押し込むので、絶縁樹脂膜１２２内に半導体素子１４２および受動素子１４４を押し込む際に、素子間の間隔が広くなり、素子間に絶縁樹脂膜１２２が押し込まれやすくなる。そのため、半導体素子１４２および受動素子１４４と絶縁樹脂膜１２２との密着性を良好にすることができる。【００６９】  この後、図５（ｄ）に示すように、基材１４０を絶縁樹脂膜１２２から剥離する。その後、ビアを形成して導電性膜１２０をパターニングすることにより、第一の実施の形態と同様、半導体モジュールの放熱性を良効にすることができる。また、半導体モジュールを小型化することもできる。【００７０】（第三の実施の形態）
図６（ａ）〜図６（ｄ）は、本発明の第三の実施の形態における半導体モジュールの製造工程を示す断面図である。本実施の形態において、第一の実施の形態および第二の実施の形態と同様の構成要素には同様の符号を付し、適宜説明を省略する。本実施の形態において、半導体素子１４２および受動素子１４４を固定した基材１４０を支持台１４６上に載置した状態で半導体素子１４２および受動素子１４４を絶縁樹脂膜１２２内に押し込み、絶縁樹脂膜１２２と熱圧着させる点で第一および第二の実施の形態と異なる。【００７１】  図６（ａ）に示すように、基材１４０上に複数の半導体素子１４２および受動素子１４４を固定した後、基材１４０を支持台１４６上に載置する。支持台１４６としては特に制限はないが、基材１４０を構成する材料よりも剛性の高い材料により構成されたものを用いることができる。これにより、基材１４０として柔軟性を有する材料を用いた場合でも、絶縁樹脂膜１２２と、半導体素子１４２および受動素子１４４の封止面と反対側の面を平坦にすることができる。【００７２】  つづいて、導電性膜付き絶縁樹脂膜１２３を基材１４０上に配置し、導電性膜付き絶縁樹脂膜１２３を基材１４０に押し当て、絶縁樹脂膜１２２内に半導体素子１４２および受動素子１４４を押し込む。このとき、第二の実施の形態で説明したように、基材１４０を図中横方向に伸縮させて半導体素子１４２および受動素子１４４を絶縁樹脂膜１２２内に押し込んでもよい。【００７３】  その後、絶縁樹脂膜１２２を真空下または減圧下で加熱して基材１４０に貼り付ける。これにより、図６（ｂ）に示すように、半導体素子１４２および受動素子１４４が絶縁樹脂膜１２２内に埋め込まれ、半導体素子１４２および受動素子１４４が絶縁樹脂膜１２２内に固定される。その後、図６（ｃ）に示すように、基材１４０を支持台１４６上から取り外す。また、本実施の形態においても、図６（ｄ）に示すように、基材１４０を絶縁樹脂膜１２２から剥離することができる。【００７４】  本実施の形態において、基材１４０を基材１４０よりも剛性の高い支持台１４６上に載置した状態で半導体素子１４２および受動素子１４４を絶縁樹脂膜１２２内に押し込み、熱圧着するので、絶縁樹脂膜１２２が基材１４０と接する面を平坦にすることができる。これにより、基材１４０を絶縁樹脂膜１２２から剥離したときに、半導体素子１４２および受動素子１４４が露出した面（以下露出面という。）を平坦にすることができる。これにより、半導体素子１４２および受動素子１４４が埋め込まれた絶縁樹脂膜１２２を露出面で他の部材に接着等させる場合に、当該他の部材との密着性を高めることができる。また、半導体素子１４２および受動素子１４４が埋め込まれた絶縁樹脂膜１２２をたとえばヒートシンク等の他の部材上に配置する際に、絶縁樹脂膜１２２が傾くことなく略水平に配置することもできる。【００７５】（第四の実施の形態）
図７は、本発明の第四の実施の形態における導電性膜付き絶縁樹脂膜１２３の構成を示す断面図である。図８（ａ）〜図８（ｄ）は、本実施の形態における半導体モジュールの製造工程を示す断面図である。本実施の形態において、導電性膜付き絶縁樹脂膜１２３の絶縁樹脂膜１２２が第一の絶縁樹脂膜１２２ａおよび第二の絶縁樹脂膜１２２ｂにより構成される点で第一から第三の実施の形態と異なる。導電性膜付き絶縁樹脂膜１２３において、第一の絶縁樹脂膜１２２ａ上に第二の絶縁樹脂膜１２２ｂが形成され、第二の絶縁樹脂膜１２２ｂ上に導電性膜１２０が形成される。【００７６】  本実施の形態において、第二の絶縁樹脂膜１２２ｂは、半導体素子１４２および受動素子１４４を絶縁樹脂膜１２２（図８（ａ）〜図８（ｄ）参照）内に埋め込み熱圧着する際に、第一の絶縁樹脂膜１２２ａを構成する材料よりも、剛性の高い材料により構成される。これにより、熱圧着時に、半導体素子１４２および受動素子１４４を第一の絶縁樹脂膜１２２ａ内に埋め込むとともに、絶縁樹脂膜１２２の形状を剛直に保つことができる。【００７７】  以下、図８（ａ）〜図８（ｄ）を参照して説明する。
まず、図８（ａ）および図８（ｂ）に示すように、基材１４０上に複数の半導体素子１４２および受動素子１４４を固定した状態で、導電性膜付き絶縁樹脂膜１２３を基材１４０上に配置し、半導体素子１４２および受動素子１４４を絶縁樹脂膜１２２内に押し込む。つづいて、絶縁樹脂膜１２２を真空下または減圧下で加熱して基材１４０に貼り付ける。【００７８】  第一の絶縁樹脂膜１２２ａおよび第二の絶縁樹脂膜１２２ｂを構成する材料は、第一の実施の形態において説明した、たとえばエポキシ樹脂、ＢＴレジン等のメラミン誘導体、液晶ポリマー、ＰＰＥ樹脂、ポリイミド樹脂、フッ素樹脂、フェノール樹脂、ポリアミドビスマレイミド等の中から適宜選択して用いることができる。【００７９】  ここで、たとえば、第一の絶縁樹脂膜１２２ａは、第二の絶縁樹脂膜１２２ｂを構成する材料よりも軟化しやすい材料により構成することができる。これにより、熱圧着時に第一の絶縁樹脂膜１２２ａの方が第二の絶縁樹脂膜１２２ｂよりも変形しやすくなるので、第一の絶縁樹脂膜１２２ａ内に半導体素子１４２および受動素子１４４がスムーズに押し込まれるとともに、第二の絶縁樹脂膜１２２ｂが剛直性を保ち、絶縁樹脂膜１２２全体が変形するのを防ぐことができる。また、複数の半導体素子１４２および受動素子１４４に段差が生じている場合でも、第二の絶縁樹脂膜１２２ｂが半導体素子１４２および受動素子１４４内へ絶縁樹脂膜１２２の入り込みを阻止するストッパ層として機能するため、絶縁樹脂膜１２２の膜厚を均一に保つこともできる。これにより、半導体モジュールの寸法精度を高めることができる。また、半導体モジュールの剛直性を高めることもできる。【００８０】  また、たとえば、第一の絶縁樹脂膜１２２ａは、第二の絶縁樹脂膜１２２ｂを構成する材料よりもガラス転移温度の低い材料により構成することもできる。また、他の例において、第一の絶縁樹脂膜１２２ａは、第二の絶縁樹脂膜１２２ｂを構成する材料よりも、半導体素子１４２や受動素子１４４との密着性が高い材料により構成することもできる。このようにしても、上述したのと同様の効果を得ることができる。【００８１】  さらに、第一の絶縁樹脂膜１２２ａおよび第二の絶縁樹脂膜１２２ｂには、フィラーまたは繊維等の充填材を含めることができる。この場合、第一の絶縁樹脂膜１２２ａにおける充填材の含有量が、第二の絶縁樹脂膜１２２ｂにおける充填材の含有量よりも少なくなるように構成される。また、第二の絶縁樹脂膜１２２ｂにのみ充填材を含め、第一の絶縁樹脂膜１２２ａには充填材を含めない構成とすることもできる。このようにすれば、第一の絶縁樹脂膜１２２ａの柔軟性を高めて半導体素子１４２および受動素子１４４の埋め込みを行いやすくするとともに、第二の絶縁樹脂膜１２２ｂにより絶縁樹脂膜１２２の反りを低減することができる。【００８２】  以上のように、第一の絶縁樹脂膜１２２ａおよび第二の絶縁樹脂膜１２２ｂをそれぞれ目的に応じて好ましい材料により構成することにより、絶縁樹脂膜１２２への半導体素子１４２および受動素子１４４の埋め込みを良好に行うことができるとともに、半導体モジュールの剛性を高めたり、成型性を向上することができる。【��０８３】  図９は、第一〜第四の実施の形態で説明した工程により、半導体素子１４２および受動素子１４４を導電性膜付き絶縁樹脂膜１２３の絶縁樹脂膜１２２内に埋め込み封止した構造体１２５を積層した半導体モジュールの構成を示す断面図である。【００８４】  図９において、半導体モジュールは、構造体１２５上に導電性膜付き絶縁樹脂膜１２３を熱圧着により貼り付け、さらにその上に別の構造体１２５を積層して形成される。導電性膜１２０には配線パターンが形成される。上層の構造体１２５の導電性膜１２０とその下層の導電性膜付き絶縁樹脂膜１２３の導電性膜１２０とは、常温接合や半田を介して電気的に接続することができる。また、絶縁樹脂膜１２２にはたとえば炭酸ガスレーザー等でスルーホールが形成され、スルーホール内に導電性材料が埋め込まれてビア１２１が形成される。これにより層間の電気的接続がとられる。なお、スルーホールの形成には、炭酸ガスレーザーのほか、機械加工、薬液による化学エッチング加工、プラズマを用いたドライエッチング法などを用いることもできる。【００８５】  以上の実施の形態における半導体モジュールの製造工程によれば、複数の構造体１２５を積層した半導体モジュールを容易に形成することができる。多数の半導体素子１４２および受動素子１４４を一平面上に並べて配置した場合には、一層毎の面積が広くなり、それらの素子を封止する際の反りが問題となるが、このように複数の半導体素子１４２および受動素子１４４を縦方向に積層した場合、各層の面積を小さくすることができ、半導体モジュールの反りを低減することができる。【００８６】  以上のように、複数の回路素子の封止を導電性膜付き絶縁樹脂膜１２３を用いた熱圧着により行うことにより、複数の回路素子と導電性膜付き絶縁樹脂膜１２３との密着性を高めることができるので、たとえばトランスファーモールド等により複数の回路素子を封止する際に必要とされるソルダーレジストやダイペースト等の接着材料を用いることなく、回路素子の封止を行うことができる。これにより、半導体モジュールを小型化することができる。さらに、接着材料を用いないので、半導体モジュールの電気的特性を向上させることもできる。【００８７】  トランスファーモールド等のように、金型を用いて回路素子の封止を行う場合、複数の半導体モジュールの封止を同時に行い、その後にダイシング等して半導体モジュールを分割していたため、厚さに対する平面方向の面積が大きく、反りが起こりやすいという問題があった。しかし、本実施の形態における半導体モジュールの製造方法によれば、それぞれの半導体モジュール毎に簡易に封止を行うことができるので、封止を行う対象物の平面方向の面積を小さくすることができ、反りを低減することができる。これにより樹脂中に含有させる充填材の量を低くすることができ、さらに密着性を向上させることができる。【００８８】（第五の実施の形態）
図１０（ａ）〜図１０（ｅ）、図１１（ａ）および図１１（ｂ）は、本発明の第五の実施の形態における半導体モジュールの製造工程を示す断面図である。【００８９】  本実施の形態においては、高さが異なる複数の半導体素子１４２および受動素子１４４を予め樹脂層中に固定して表面を平坦にした後に半導体素子１４２および受動素子１４４上に導電性膜付き絶縁樹脂膜１２３を熱圧着する点で第一から第四の実施の形態と異なる。これにより、半導体素子１４２および受動素子１４４と導電性膜付き絶縁樹脂膜１２３の絶縁樹脂膜１２２との密着性をさらに良好にすることができる。【００９０】  まず、図１０（ｃ）に示すように、複数の半導体素子１４２および受動素子１４４が埋め込まれた基板１５１を形成する。基板１５１の形成は、第一〜第四の実施の形態で説明したのと同様の手順で行うことができる。この場合、図１０（ａ）および図１０（ｂ）に示すように、基材１４０上に固定された半導体素子１４２および受動素子１４４を樹脂層１５０中に押し込み、樹脂層１５０と半導体素子１４２および受動素子１４４とを真空下または減圧下で熱圧着して半導体素子１４２および受動素子１４４を樹脂層１５０内に固定する。ここで、樹脂層１５０は、上述した絶縁樹脂膜１２２を構成する材料と同様の材料により構成することができる。こうした樹脂を用いることにより高周波特性や製品信頼性に優れる半導体モジュールが得られる。また、絶縁樹脂膜としてこのような材料を用いることにより、半導体モジュールの剛性を保つことができ、半導体モジュールの安定性を高めることができる。また、導電性膜１２０の記載を省略しているが、樹脂層１５０には導電性膜１２０が設けられていてもよい。その後、基材１４０を樹脂層１５０から剥離することにより、図１０（ｃ）に示した基板１５１を得ることができる。また、樹脂層１５０としては、第四の実施の形態において説明したのと同様の、第一の絶縁樹脂膜１２２ａおよび第二の絶縁樹脂膜１２２ｂを用いることもできる。【００９１】  また、他の例において、基板１５１は、金型を用いてトランスファーモールド、インジェクションモールド、ポッティングまたはディッピング等により形成することもできる。この場合、樹脂材料としては、エポキシ樹脂等の熱硬化性樹脂がトランスファーモールドまたはポッティングで実現でき、ポリイミド樹脂、ポリフェニレンサルファイド等の熱可塑性樹脂はインジェクションモールドで実現できる。【００９２】  以上のようにして、図１０（ｃ）に示すように、半導体素子１４２および受動素子１４４が表面に露出して形成された基板１５１を得ることができる。
つづいて、図１０（ｄ）に示すように、基板１５１上に導電性膜付き絶縁樹脂膜１２３を配置し、絶縁樹脂膜１２２を真空下または減圧下で加熱して基板１５１に圧着する。【００９３】  その後、フォトレジストをマスクとして、導電性膜１２０を所定形状にエッチングして配線パターンを形成する。たとえば、レジストから露出した箇所に、化学エッチング液をスプレー噴霧して不要な導電性膜をエッチング除去し、配線パターンを形成することができる。エッチングレジストは、通常のプリント配線板に用いることのできるエッチングレジスト材料を用いることができ、レジストインクをシルクスクリーン印刷して形成したり、エッチングレジスト用感光性ドライフィルムを導電性膜１２０の上にラミネートして、その上に配線導体の形状に光を透過するフォトマスクを重ね、紫外線を露光し、露光しなかった箇所を現像液で除去して形成することができる。導電性膜１２０として銅箔を用いる場合、化学エッチング液には、塩化第二銅と塩酸の溶液、塩化第二鉄溶液、硫酸と過酸化水素の溶液、過硫酸アンモニウム溶液等、通常のプリント配線板に用いる化学エッチング液を用いることができる。これにより、図１０（ｅ）に示すように、半導体素子１４２および受動素子１４４上に配線層が形成された半導体モジュールを得ることができる。【００９４】  つづいて、導電性膜付き絶縁樹脂膜１２３の所定の箇所に炭酸ガスレーザー等によりスルーホールを形成し、そのスルーホールを導電性材料で埋め込み、ビア（１２１、図１１（ａ）参照）を形成する。ビアは、無電界めっきにより形成することもでき、電界めっき法により形成することもできる。【００９５】  その後、同様の工程を繰り返し、再び導電性膜付き絶縁樹脂膜１２３を積層し、導電性プラグを形成し、図１１（ａ）に示すように、複数の層からなる多層配線構造１２６を形成する。これにより、複数の半導体素子１４２および受動素子１４４上に多層配線構造１２６が形成された半導体モジュールが形成される。【００９６】  なお、本実施の形態においても、第四の実施の形態において図８（ａ）〜図８（ｄ）を参照して説明したのと同様、第一の絶縁樹脂膜１２２ａおよび第二の絶縁樹脂膜１２２ｂにより構成された絶縁樹脂膜に埋め込まれた半導体素子および受動素子上に導電性膜付き絶縁樹脂膜１２３を熱圧着した構成とすることもできる。この構成を図１２に示す。【００９７】  本実施の形態おける半導体モジュールは、予め樹脂層１５０中に半導体素子１４２および受動素子１４４を埋め込み、導電性膜付き絶縁樹脂膜１２３との接着面を平坦にしてから導電性膜付き絶縁樹脂膜１２３を貼り付ける。そのため、半導体素子１４２および受動素子１４４上に形成された導電性膜付き絶縁樹脂膜１２３における絶縁樹脂膜１２２の膜厚を層全体にわたって均一にすることができるので、レーザーでビアホールを形成する際の加工性を良好にすることができる。【００９８】  また、本実施の形態においては、複数の半導体素子１４２および受動素子１４４が導電性膜付き絶縁樹脂膜１２３と接着する面を平坦にしているので、半導体素子１４２および受動素子１４４と導電性膜付き絶縁樹脂膜１２３の絶縁樹脂膜１２２との密着性を良好にすることができる。【００９９】（ＩＳＢパッケージへの適用）
本実施の形態における半導体モジュールの製造方法をＩＳＢパッケージの製造に適用する場合、まず半導体素子１４２および受動素子１４４等の回路素子を樹脂層１５０で封止して基板１５１を形成する。ついで基板１５１を支持基板として、その上に導電性膜付き絶縁樹脂膜１２３を積層して多層配線構造１２６を形成する。そして、図１１（ｂ）に示すように、最上層の導電性膜付き絶縁樹脂膜１２３上には保護層である絶縁膜１３０および半田ボール１３２を設け、裏面電極を形成することができる。以上の工程により、支持基板を有しない半導体モジュールを作製することができる。本実施の形態によれば、回路素子が封止された基板１５１自体を支持基板として機能させることができるため、多層配線構造を形成した後に基板を除去するという手間を省くことができる。これにより、ＩＳＢパッケージの製造工程を簡略化することができるとともに、上述の利点を得ることもできる。【０１００】  樹脂層１５０を半導体素子１４２および受動素子１４４の封止に用いるためには、樹脂層１５０を半導体素子１４２および受動素子１４４との密着性が良好な材料、Ｓｉ等の半導体材料との熱膨張係数の差が小さい材料を用いることが好ましい。このような材料としては、上述したようなエポキシ樹脂、ＢＴレジン等のメラミン誘導体、液晶ポリマー、ＰＰＥ樹脂、ポリイミド樹脂、フッ素樹脂、フェノール樹脂、ポリアミドビスマレイミド等を用いることができる。また、これらの材料にフィラーや繊維等の充填材を適宜添加することにより、樹脂層１５０の熱膨張係数を半導体材料の熱膨張係数に近づけることができる。【０１０１】  また、本実施の形態における半導体モジュールの製造方法によれば、半導体素子１４２および受動素子１４４に導電性膜付き絶縁樹脂膜１２３を熱圧着して多層配線構造１２６が形成されるので、半導体素子１４２および受動素子１４４と多層配線構造１２６との密着性を良好にすることができる。そのため、ソルダーレジストやダイペースト等の接着材料を用いることなく、半導体素子１４２および受動素子１４４と多層配線構造１２６とを良好に接着することができる。このような接着材料等の不純物を含まないため、ＩＳＢパッケージの電気的特性を向上させることができる。また、ＩＳＢパッケージを小型化することもできる。【０１０２】  以上、本発明を実施の形態および実施例に基づいて説明した。この実施の形態および実施例はあくまで例示であり、種々の変形例が可能なこと、またそうした変形例も本発明の範囲にあることは当業者に理解されるところである。【０１０３】  たとえば、配線層において、層間の電気的接続は、スルーホールを導電性材料で埋め込む方法に限られず、たとえば、ワイヤを介して行うこともできる。この場合ワイヤを封止材により覆ってよい。【０１０４】  なお、図１３に示すように、第一の素子１４３ａ上に第二の素子１４３ｂが配置された回路素子を含む構成とすることもできる。第一の素子１４３ａ上に第二の素子１４３ｂの組み合わせとしては、たとえばＳＲＡＭとＦｌａｓｈメモリ、ＳＲＡＭとＰＲＡＭとすることができる。この場合、第一の素子１４３ａ上に第二の素子１４３ｂとはビア１２１により電気的に接続される��【０１０５】第二のグループ
初めに、本実施の形態で導入されるダマシン法について説明する。【０１０６】  近年、半導体装置の高速動作および製造コストの抑制といった課題に対するひとつの解として、多層配線の微細化が進んでいる。同時に、配線の電気抵抗および配線間の電気容量の増大に伴う、配線遅延（ＲＣ遅延）の問題が表面化し、半導体装置の動作速度を律速するようになった。そこで、配線の電気抵抗を低減するために配線材料銅（Ｃｕ）を用いたり、配線間の電気容量を低減するため、絶縁膜に低誘電率材料を用いたりするといった対策が広く知られるようになってきた。【０１０７】  Ｃｕは反応性イオンエッチングによる微細加工が困難なため、Ｃｕを配線材料として用いるためには、ダマシン（Ｄａｍａｓｃｅｎｅ）法を用いた配線形成がなされる。【０１０８】  図１４（ａ）〜図１４（ｄ）にダマシン法を用いたＣｕ配線形成工程の一例を示す。現在ダマシン法としては、配線層とビアプラグとを段階的に形成していくシングルダマシン法と、配線層およびビアプラグを同時に形成するデュアルダマシン法（たとえば特許文献３）が知られているが、ここでは後者の例を示す。【０１０９】  まず、図１４（ａ）に示すように、Ｃｕを含む下層配線６０１および下層絶縁膜６０２上に、Ｃｕの拡散防止膜６０３、たとえばＳｉＮ膜をプラズマＣＶＤ法によって形成し、次いで層間絶縁膜６０４を形成する。層間絶縁膜６０４には従来用いられているＳｉＯ２をプラズマＣＶＤ法によって成膜してもよいが、さらなる配線遅延低減のため、前述のように低誘電率の材料を用いることが好ましい。ここで低誘電率の材料とは、ＳｉＯ２の比誘電率、すなわち４．１〜４．２程度より低い比誘電率を有する材料であり、プラズマＣＶＤ法により成膜するＳｉＯＣ系膜、ＳｉＯＦ系膜や、塗布法により成膜する有機ＳＯＧ膜、無機ＳＯＧ（Ｓｐｉｎ  ｏｎ  Ｇｌａｓｓ）膜、有機ポリマー膜等が挙げられる。【０１１０】  次に、エッチング阻止膜６０５を形成し、さらに上層絶縁膜６０６を形成する。エッチング阻止膜６０５はＳｉＮ膜、ＳｉＣ膜、ＳｉＯ２膜等、上層絶縁膜６０６に対してエッチング選択比の高い材料を選択する。上層絶縁膜６０６はＳｉＯ２膜の他、層間絶縁膜６０４と同様に低誘電率の材料を用いてもよい。【０１１１】  次に図１４（ｂ）に示すように、ホール状に形成された第１のレジストパターン６０７をマスクとして異方性エッチングを行い、ビアホール６０７Ａを開口する。第１のレジストパターン６０７を除去した後、図１４（ｃ）に示すように、溝状に形成された第２のレジストパターン６０８をマスクとして異方性エッチングを行い、上層配線用溝６０８Ａを開口する。このときエッチング阻止膜６０５によって層間絶縁膜６０４へのエッチング進行が阻止される。【０１１２】  さらに図１４（ｄ）に示すように、ビアホール６０７Ａおよび上層配線用溝６０８Ａ内壁をバリアメタル６０９で被覆した後、Ｃｕ等の配線金属６１０を埋め込む。バリアメタルの形成はＣｕの拡散防止や絶縁膜との密着性向上等を目的とし、一般には高融点金属、たとえばＴａやＴｉ、またはその窒化物等をＰＶＤ法等によって成膜する。Ｃｕはめっき法等によって、ビアホール６０７Ａおよび上層配線用溝６０８Ａを埋め込みながら上層絶縁膜６０６を覆うように形成されるため（図示せず）、化学的機械研磨（Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ  Ｐｏｌｉｓｈｉｎｇ；ＣＭＰ）を施すことにより、ビアプラグ６０７Ｂおよび上層配線６０８Ｂを形成する。以上のような工程を繰り返すことにより、多層配線構造を形成することができる。【０１１３】  しかし、上述したようなダマシン法では、各層毎に配線溝を形成し、めっき法等によるＣｕの埋め込みを行う必要があり、多層配線構造を形成するのに時間がかかっていた。【０１１４】  ところで、多層配線構造において、半導体装置の高速動作、製造コストの抑制、および装置の小型化を実現するため、下層配線層では微細化が要求されるが、グローバル配線として機能する上層配線層においては、複数のローカル配線に安定的に電源を供給するために、配線幅が広い方が好ましいという要求がある。そのため、下層配線層と上層配線層とでは、それぞれ望ましい特性を実現する材料を用いることが好ましい。【０１１５】  次に本実施の形態について説明する。
図１５（ａ）〜図１７（ｇ）は、本実施の形態における半導体装置７００の製造工程を示す断面図である。【０１１６】  半導体装置７００において、下層配線層７１４は、ダマシン法により形成する（図１５（ａ））。以下、デュアルダマシン法を用いた配線構造の製造方法を説明する。
基板７０２としては、シリコンやＧａＡｓ等の半導体材料を用いることができる。基板７０２上にはゲート電極７０４が設けられている。ここで、まず、基板７０２上に絶縁膜７１０を形成する。絶縁膜７１０としては、ＳｉＯ２膜や、ＳｉＯＣ膜、無機ＳＯＧ膜、ＭＳＱ、有機ポリマー、またはポーラス膜等の低い比誘電率を有する材料をプラズマＣＶＤ法等により成膜することができる。【０１１７】  ここで図示していないが、絶縁膜７１０は、ビアホールが形成される下層絶縁膜と、配線溝が形成される上層絶縁膜とを含む。また、下層絶縁膜と上層絶縁膜との間には、エッチング阻止膜が設けられる。エッチング阻止膜は、たとえばＳｉＮ膜、ＳｉＣ膜、ＳｉＯ２膜等により構成することができ、プラズマＣＶＤ法等により形成することができる。【０１１８】  つづいて、絶縁膜７１０上に所定形状にパターニングされたレジスト膜（不図示）を設け、絶縁膜７１０を段階的にエッチングして配線溝およびビアホールを形成する。【０１１９】  次いで、スパッタおよびＣＶＤ法により、ビアホールおよび配線溝内にバリアメタル膜を形成する。バリアメタル膜としては、たとえば、Ｔｉ、Ｔａ、ＴｉＮ、ＴａＮ、ＴｉＷ、ＴａＷ、ＷＮ等を用いることができる。バリアメタル膜は、これらを積層した構造とすることもできる。【０１２０】  その後、バリアメタル膜上に配線金属膜を成膜する。配線金属膜としては、たとえば、Ｃｕを用いることができるが、他にもＡｇやＡｇＣｕ等低抵抗の配線材料を用いることもできる。配線金属膜の成膜は、スパッタ法、ＣＶＤ法、またはめっき法、もしくはそれらの組み合わせで行うことができる。配線金属をスパッタ法およびめっき法で成膜する場合、たとえば以下のように行うことができる。まず、シード金属膜をスパッタリング法により堆積する。次に、基板をめっき液に浸積し、電解めっき法により配線金属膜を形成する。めっき後、基板をアニーリングしてもよい。これにより、アニーリングの前に比べて配線金属膜中の金属の粒子径が大きくなり、配線金属膜の抵抗値を低下させることができる。【０１２１】  つづいて、配線溝外部に成膜された不要なバリアメタル膜および配線金属膜をＣＭＰにより除去する。これにより、プラグ７０６および配線７０８が形成される。【０１２２】  次いで、配線７０８上に拡散防止膜（不図示）を設ける。拡散防止膜は、たとえば、ＳｉＮ膜またはＳｉＣ膜等により構成することができ、プラズマＣＶＤ法により成膜することができる。拡散防止膜は、たとえば、ＳｉＯ２／ＳｉＮ、ＳｉＣ／ＳｉＮ、またはＳｉＯ２／ＳｉＣＮ等の積層構造とすることもできる。【０１２３】  また、ＣＭＰ時に絶縁膜７１０に欠陥が発生するのを防止するため、絶縁膜７１０上部にＳｉＮ、ＳｉＣまたはＳｉＯ２等のキャップ膜を形成した後に、配線金属膜の成膜を行うこともできる。【０１２４】  以上の工程を順次繰り返すことにより、配線層を積層していき、２以上の多層配線構造を形成することができる。また、以上では、デュアルダマシン法による配線構造の製造方法を説明したが、同様の手法によりシングルダマシン法における本発明の適用も有効である。【０１２５】  下層配線層７１４の最上層には、表面膜７１２を形成してもよい。ここで、表面膜７１２は、ポリイミドにより構成される。このような表面膜７１２を設けることにより、下層配線層７１４の表面を保護することができ、半導体装置７００の信頼性を高めることができる。また、このような表面膜７１２を設けることにより、以下に説明する上層配線層と下層配線層７１４との密着性を高めることもできる。【０１２６】  以上のようにして下層配線層７１４を形成した後、導電性膜７２０および絶縁樹脂膜７２２により構成された導電性膜付き絶縁樹脂膜７２３を下層配線層７１４上に配置し、絶縁樹脂膜７２２を真空下で加熱して下層配線層７１４に圧着して貼り付ける（図１５（ｂ）および図１６（ｃ））。導電性膜付き絶縁樹脂膜７２３は、Ｂステージ化した状態の絶縁樹脂膜７２２を、絶縁樹脂膜７２２を構成する樹脂のガラス転移温度以上の温度に加熱し、下層配線層７１４に熱圧着することができる。ここで、導電性膜７２０は、基板の積層方向に略垂直な方向に長軸を有する結晶粒子を含む金属により構成することができる。このような金属は、たとえば圧延金属とすることができる。圧延金属としては、たとえば銅箔を用いることができる。上層配線層の配線材料として圧延金属を用いることにより、スパッタ法、ＣＶＤ法、またはめっき法等により配線材料を形成した場合に発生するガス等の不純物が配線に入り込むことがない。そのため、このような不純物を除去するためにアニール処理を行う必要がない。上層配線層形成時にアニール処理のための加熱を行う必要がないため、下層配線層７１４の素子特性を損なうことなく上層配線層を形成することができる。これにより、半導体装置の安定性を高めることができる。また、基板の積層方向に略垂直な方向に長軸を有する結晶粒子を含む金属は、電解めっきにより形成した金属膜をプレスした金属とすることもできる。【０１２７】  絶縁樹脂膜７２２としては、加熱することにより軟化する材料であればどのようなものを用いることもできるが、たとえばエポキシ樹脂、ＢＴレジン等のメラミン誘導体、液晶ポリマー、ＰＰＥ樹脂、ポリイミド樹脂、フッ素樹脂、フェノール樹脂、ポリアミドビスマレイミド等を用いることができる。このような材料を用いることにより、半導体装置７００の剛性を高めることができ、半導体装置７００の安定性を向上することができる。絶縁樹脂膜７２２として、エポキシ樹脂、またはＢＴレジン、ＰＰＥ樹脂、ポリイミド樹脂、フッ素樹脂、フェノール樹脂、ポリアミドビスマレイミド等の熱硬化性樹脂を用いることにより、さらに半導体装置７００の剛性を高めることができる。【０１２８】  エポキシ樹脂としては、ビスフェノールＡ型樹脂、ビスフェノールＦ型樹脂、ビスフェノールＳ型樹脂、フェノールノボラック樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、トリスフェノールメタン型エポキシ樹脂、脂環式エポキシ樹脂等が挙げられる。
メラミン誘導体としては、メラミン、メラミンシアヌレート、メチロール化メラミン、（イソ）シアヌール酸、メラム、メレム、メロン、サクシノグアミン、硫酸メラミン、硫酸アセトグアナミン、硫酸メラム、硫酸グアニルメラミン、メラミン樹脂、ＢＴレジン、シアヌール酸、イソシアネール酸、イソシアヌール酸誘導体、メラミンイソシアヌレート、ベンゾグアナミン、アセトグアナミン等のメラミン誘導体、グアニジン系化合物等が例示される。【０１２９】  液晶ポリマーとしては、芳香族系液晶ポリエステル、ポリイミド、ポリエステルアミドや、それらを含有する樹脂組成物が例示される。このうち、耐熱性、加工性および吸湿性のバランスに優れる液晶ポリエステルまたは液晶ポリエステルを含有する組成物が好ましい。【０１３０】  液晶ポリエステルとしては、たとえば、（１）芳香族ジカルボン酸と芳香族ジオールと芳香族ヒドロキシカルボン酸とを反応させて得られるもの、（２）異種の芳香族ヒドロキシカルボン酸の組み合わせを反応させて得られるもの、（３）芳香族ジカルボン酸と芳香族ジオールとを反応させて得られるもの、（４）ポリエチレンテレフタレート等のポリエステルに芳香族ヒドロキシカルボン酸を反応させて得られるもの、等が挙げられる。なお、これらの芳香族ジカルボン酸、芳香族ジオール及び芳香族ヒドロキシカルボン酸の代わりに、それらのエステル誘導体が使用されることもある。さらに、これらの芳香族ジカルボン酸、芳香族ジオール及び芳香族ヒドロキシカルボン酸は、芳香族部分がハロゲン原子、アルキル基、アリール基等で置換されたものが使用されることもある。【０１３１】  液晶ポリエステルの繰返し構造単位としては、芳香族ジカルボン酸に由来する繰返し構造単位（下記式（ｉ））、芳香族ジオールに由来する繰返し構造単位（下記式（ｉｉ））、芳香族ヒドロキシカルボン酸に由来する繰返し構造単位（下記式（ｉｉｉ））を例示することができる。
（ｉ）−ＣＯ−Ａ１−ＣＯ−
（但しＡ１は、芳香環を含有する２価の結合基を示す。）
（ｉｉ）−Ｏ−Ａ２−Ｏ−
（但しＡ２は、芳香環を含有する２価の結合基を示す。）
（ｉｉｉ）−ＣＯ−Ａ３−Ｏ−
（但しＡ３は、芳香環を含有する２価の結合基を示す。）【０１３２】  また、絶縁樹脂膜７２２の熱膨張係数を基板７０２や下層配線層７１４を構成する絶縁膜７１０、配線７０８、プラグ７０６等の熱膨張係数に近づけるために、絶縁樹脂膜７２２には、フィラーまたは繊維を含めることができる。フィラーとしては、たとえば粒子状または繊維状のＳｉＯ２、ＳｉＮ、ＡｌＮやＡｌ２Ｏ３などを用いることができる。これにより、絶縁樹脂膜７２２の材料として種々の材料を適宜選択することができる。絶縁樹脂膜７２２における充填材の含有量は、材料に応じて適宜設定される。絶縁樹脂膜７２２における充填材の含有量は、絶縁樹脂膜７２２の熱膨張係数が好ましい範囲となる量とするとともに、絶縁樹脂膜と下層配線層７１４の最上層との密着性を阻害しない程度の量とすることが好ましい。このようにすれば、絶縁樹脂膜７２２を加熱して下層配線層７１４に貼り付けた後、絶縁樹脂膜７２２をたとえば室温に冷却する際に、絶縁樹脂膜７２２の反りを低減することができ、絶縁樹脂膜７２２が下層配線層７１４から剥がれるのを防ぐことができる。絶縁樹脂膜７２２に繊維を含めた場合、絶縁樹脂膜７２２の流動性を高めることができるため、絶縁樹脂膜７２２と下層配線層７１４との密着性を高めることができるとともに、上述したような絶縁樹脂膜７２２の反りを低減することもできる。このような観点からは、絶縁樹脂膜７２２を構成する材料としてアラミド不織布が好ましく用いられる。これにより、加工性を良好にすることができる。【０１３３】  アラミドとしては、パラアラミド繊維またはメタアラミド繊維を用いることができる。パラアラミド繊維としては、たとえば、ポリ（ｐ−フェニレンテレフタルアミド）（ＰＰＤ−Ｔ）、メタアラミドとしては、たとえば、ポリ（ｍ−フェニレンイソフタルアミド）（ＭＰＤ−Ｉ）を用いることができる。【０１３４】  導電性膜付き絶縁樹脂膜７２３としては、フィルム状の絶縁樹脂膜７２２上に導電性膜７２０が付着したものを用いることができる。また、導電性膜付き絶縁樹脂膜７２３は、導電性膜７２０上に絶縁樹脂膜７２２を構成する樹脂組成物を塗布・乾燥することにより形成することもできる。本実施の形態において、樹脂組成物は、本発明の目的に反しない範囲において、硬化剤、硬化促進剤、その他の成分を含むことができる。導電性膜付き絶縁樹脂膜７２３は、絶縁樹脂膜７２２がＢステージ化した状態で下層配線層７１４上に配置される。このようにすれば、絶縁樹脂膜７２２と下層配線層７１４との密着性を高めることができる。この後、絶縁樹脂膜７２２を構成する樹脂の種類に応じて絶縁樹脂膜７２２を加熱し、真空下または減圧下で導電性膜付き絶縁樹脂膜７２３を下層配線層７１４に貼り付ける。また、他の例において、フィルム状の絶縁樹脂膜７２２をＢステージ化した状態で下層配線層７１４上に配置し、さらにその上に導電性膜７２０を配置して絶縁樹脂膜７２２を下層配線層７１４に熱圧着する際に、導電性膜７２０を絶縁樹脂膜７２２に熱圧着することによっても下層配線層７１４上に導電性膜付き絶縁樹脂膜７２３を形成することができる。導電性膜７２０として銅箔を用いる場合、導電性膜付き絶縁樹脂膜７２３と下層配線層７１４との位置合わせは、Ｘ線を用いて行うことができる。【０１３５】  つづいて、フォトレジストをマスクとして、導電性膜７２０を所定形状にエッチングして配線層を形成する。たとえば、レジストから露出した箇所に、化学エッチング液をスプレー噴霧して不要な導電性膜をエッチング除去し、配線パターンを形成することができる。エッチングレジストは、通常のプリント配線板に用いることのできるエッチングレジスト材料を用いることができ、レジストインクをシルクスクリーン印刷して形成したり、エッチングレジスト用感光性ドライフィルムを銅箔の上にラミネートして、その上に配線導体の形状に光を透過するフォトマスクを重ね、紫外線を露光し、露光しなかった箇所を現像液で除去して形成することができる。導電性膜７２０として銅箔を用いる場合、化学エッチング液には、塩化第二銅と塩酸の溶液、塩化第二鉄溶液、硫酸と過酸化水素の溶液、過硫酸アンモニウム溶液等、通常のプリント配線板に用いる化学エッチング液を用いることができる。【０１３６】  つづいて、導電性膜付き絶縁樹脂膜７２３の所定の箇所にエッチングによりスルーホールを形成し、そのスルーホールを導電性材料で埋め込み、導電性プラグ７２４を形成する。導電性プラグ７２４は、無電解めっきにより形成することもでき、電解めっき法により形成することもできる（図１６（ｄ））。【０１３７】  その後、同様の工程を繰り返し、再び導電性膜付き絶縁樹脂膜７２３を半導体装置７００に貼り付け、導電性プラグ７２４を形成し、複数の層からなる上層配線層７２６を形成する（図１７（ｅ）および図１７（ｆ））。その後、上層配線層７２６の上面に保護層である絶縁膜７２７を形成し、導電性プラグ７２４の上面に半田ボール７２９を形成する（図１７（ｇ））。【０１３８】  ここで、上層配線層７２６における配線幅は、たとえば１０μｍ〜２０μｍであり、下層配線層７１４における配線幅（たとえば０．１３μｍ）に比べて幅広である。そのため、ダマシン法のような微細加工用の技術を用いなくても、導電性膜７２０を所定形状にエッチングすることにより、配線を形成することができる。このような方法により、上層配線層７２６の製造工程を簡略化することができ、半導体装置７００の製造時間を大幅に短縮することができる。【０１３９】  図１８および図１９は、図１５（ａ）〜図１７（ｇ）に示した半導体装置７００の製造工程とは異なる他の例を示す断面図である。【０１４０】  ここでは、図１８に示すように、上層配線層７２６を下層配線層７１４上に貼り付ける前に上層配線層７２６の配線構造を形成しておく。このようにして配線構造を形成した上層配線層７２６を下層配線層７１４上に熱圧着することにより、図１９に示すような半導体装置７００を製造することができる。【０１４１】  このようにすれば、上層配線層７２６の配線構造を下層配線層７１４とは独立して別に形成することができるので、上層配線層７２６の配線構造形成時に用いる薬液等の選択の幅が広がる。これにより、上層配線層７２６を構成する材料としても、上層配線層７２６の特性として好ましいものを幅広い範囲の材料の中から適宜選択することができる。このように上層配線層７２���の配線構造を予め形成した後に下層配線層７１４上に熱圧着する場合、熱圧着する際に生じる熱収縮を考慮して上層配線層７２６の配線構造を形成しておくことが好ましい。【０１４２】  図２０は、図１６（ｃ）〜図１７（ｇ）に示した半導体装置７００の他の例を示す図である。このように、下層配線層７１４の配線７０８と導電性膜７２０との電気的接触は、ワイヤ７３０を介して得ることもできる。この場合ワイヤ７３０は封止材７３２により覆われる。
【実施例】
【０１４３】  図１５（ａ）、図１５（ｂ）を参照して説明したのと同様にして、デュアルダマシン法により下層配線層を形成し、下層配線層の最上層にポリアミド膜を形成した。つづいて、片面に圧延銅箔が貼り付けられたアラミド繊維を含むエポキシ樹脂フィルム（Ｂステージ化した状態のもの）を下層配線層上に配置し、真空下で１８５℃に加熱し、エポキシ樹脂フィルムを下層配線層のポリアミド膜に熱圧着した。【０１４４】  このようにして得られた半導体装置７００のＯＭ写真を図２１に示す。
図中「Ａ」は、圧延銅箔を示す。「Ｂ」は、エポキシ樹脂を示す。「Ｂ」の部分には、アラミド繊維が示されている。「Ｃ」は、下層配線層を示す。図２１に示すように、エポキシ樹脂フィルムは、下層配線層のポリアミド膜に良好に貼り付けられていた。また、アラミド繊維に貼り付けられた圧延銅箔は、圧延されているため、結晶粒子が横方向に伸展した形状を有することが確認された。【０１４５】  以上、本発明を実施の形態および実施例に基づいて説明した。この実施の形態および実施例はあくまで例示であり、種々の変形例が可能なこと、またそうした変形例も本発明の範囲にあることは当業者に理解されるところである。【０１４６】  また、以上の実施の形態では、下層配線層７１４の配線材料としてＣｕを用いたダマシン法を説明したが、下層配線層７１４の配線材料としてはＡｌを用いてもよい。この場合、下層配線層７１４の配線７０８はダマシン法ではなく、ドライエッチングにより形成される。この場合であっても、上層配線層７２６を導電性膜付き絶縁樹脂膜７２３を用いて形成することにより、たとえば上層配線層７２６の配線材料をＣｕとすることができる。このようにすれば、上層配線層７２６において、エレクトロマイグレーション耐性の高いＣｕを用いることができ、配線の信頼性を高めることができる。【０１４７】  さらに、以上の実施の形態では、下層配線層７１４および上層配線層７２６共に複数の層を含む形態を示したが、下層配線層７１４および上層配線層７２６は、それぞれ単層とすることもできる。また、下層配線層７１４は、ロジック回路、メモリ、またはこれらの混載のいずれとすることもできる。【０１４８】第三のグループ
はじめに、本実施の形態の基礎となる表示装置について説明する。【０１４９】  近年、ＣＲＴに代わる表示装置として、液晶（ＬＣＤ）、有機ＥＬ（ＯＬＥＤ：Ｏｒｇａｎｉｃ  Ｌｉｇｈｔ  Ｅｍｉｔｔｉｎｇ  Ｄｉｏｄｅ）、プラズマディスプレイ（ＰＤＰ）等の開発が進められている。
たとえば、特許文献４には、エレクトロルミネッセンス素子またはＬＥＤ素子のような発光素子を備える表示装置が記載されている。ここで、基体となる透明基板の外周部分には、画像信号を出力するデータ側駆動回路、走査信号を出力する走査側駆動回路、および検査回路が設けられている。さらに、透明基板上において、データ側駆動回路よりも外周領域には、画像信号や各種の電位、パルス信号を入力するための端子群とされる実装用パッドが形成されている。【０１５０】  従来、基体の外周部分に設けられた回路やパッドは、それぞれ基体上に並置されており、表示装置が大型化してしまうという問題があった。【０１５１】  次に本実施の形態について説明する。
（第一の実施の形態）
図２２（ａ）、図２２（ｂ）は、本発明の第一の実施の形態における表示装置の構成を示す図である。
図２２（ａ）は、表示装置９００の上面図、図２２（ｂ）は、図２２（ａ）のＡ−Ａ’断面図を示す。【０１５２】  表示装置９００は、複数の光学素子（不図示）を含み、光学素子により形成される画像を表示する表示領域９６２、およびその外周部に設けられ、光学素子を駆動する駆動回路が形成された駆動回路領域９６４とを含む。光学素子は、液晶（ＬＣＤ）、有機ＥＬ（ＯＬＥＤ：Ｏｒｇａｎｉｃ  Ｌｉｇｈｔ  Ｅｍｉｔｔｉｎｇ  Ｄｉｏｄｅ）、およびプラズマディスプレイ（ＰＤＰ）等の種々のディスプレイ用の光学素子とすることができる。以下では、光学素子が有機ＥＬである場合を例として説明する。【０１５３】  表示装置９００は、ガラス基板９６０と、その上に設けられた複数の回路素子９４２と、ガラス基板９６０および回路素子９４２に圧着された絶縁樹脂膜９２２と、絶縁樹脂膜上に設けられた導電性膜９２０とを含む。ガラス基板９６０としては、石英ガラスや無アルカリガラス等が用いられる。複数の回路素子９４２、絶縁樹脂膜９２２、および導電性膜９２０は、駆動回路領域９６４に設けられる。回路素子９４２は、たとえば、トランジスタ、ダイオード、ＩＣチップ等の半導体素子やたとえば、チップコンデンサ、チップ抵抗等の受動素子を含む。【０１５４】  ここでは図示していないが、表示領域９６２には、ガラス基板９６０上に、複数の光学素子がマトリクス状に配置される。本実施の形態において、光学素子は、有機ＥＬである。【０１５５】  図２３は、光学素子を含む各画素の構成を示す回路図である。画素８２０は、画素回路８２４および光学素子８２２を有する。光学素子８２２は、互いに対向して設けられた一対の陽極および陰極と、その間に配置された発光素子層とを含む。発光素子層は、陽極上に、ホール輸送層、発光層および電子輸送層がこの順で積層形成された構造を持つ。【０１５６】  画素回路８２４は、薄膜トランジスタ（Ｔｈｉｎ  Ｆｉｌｍ  Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ：以下、単にトランジスタという）であるスイッチング用トランジスタ８８０および光学素子８２２を駆動する駆動用トランジスタ８８２、ならびに容量Ｃを含む。また、ここでは一のスイッチングトランジスタしか示していないが、スイッチング用トランジスタは複数設けることができる。これにより、トランジスタの保持特性が向上し、漏れ電流を低減することができる。【０１５７】  スイッチング用トランジスタ８８０において、ゲート電極は第１の走査線ＳＬ１に接続され、ドレイン電極（またはソース電極）は第１の信号線ＤＬ１に接続され、ソース電極（またはドレイン電極）は駆動用トランジスタ８８２のゲート電極および容量Ｃの一方の電極に接続される。容量Ｃの他方の電極は駆動用トランジスタ８８２のソース電極に接続される。【０１５８】  駆動用トランジスタ８８２において、ソース電極は光学素子８２２の陽極に接続され、ドレイン電極は電源線８２６に接続され、実際に光学素子８２２を発光させるための電圧Ｖｄｄが印加される。光学素子８２２の陽極は駆動用トランジスタ８８２のソース電極に接続され、陰極は接地される。【０１５９】  図２２（ａ）、図２２（ｂ）に戻り、駆動回路領域９６４には、複数の光学素子の信号線を駆動する信号線駆動���路と、走査線を駆動する走査線駆動回路と、信号線駆動回路および走査線駆動回路にこれらを制御する信号をそれぞれ供給する制御回路とが設けられる。上述した導電性膜９２０および回路素子９４２によりこれらの回路が構成される。【０１６０】  図２４（ａ）〜図２４（ｅ）は、図２２（ａ）、図２２（ｂ）に示した駆動回路領域９６４における駆動回路の製造工程を示す工程断面図である。【０１６１】  まず、図２４（ａ）に示すように、ガラス基板９６０上に複数の回路素子９４２を固定する。つづいて、図２４（ｂ）に示すように、導電性膜９２０および絶縁樹脂膜９２２により構成された導電性膜付き絶縁樹脂膜９２３をガラス基板９６０上に配置し、導電性膜付き絶縁樹脂膜９２３をガラス基板９６０に押し当て、絶縁樹脂膜９２２内に回路素子９４２を押し込む。このとき、導電性膜付き絶縁樹脂膜９２３は、図２２（ａ）に示したように、表示領域９６２上をくり抜いた形状にしてガラス基板９６０上に配置することができる。また、ここでは、ガラス基板９６０上の四辺に駆動回路領域９６４が設けられているが、駆動回路領域９６４は、ガラス基板９６０上の縦横の二辺にのみ設けた構成とすることもできる。【０１６２】  つづいて、絶縁樹脂膜９２２を真空下または減圧下で加熱してガラス基板９６０に圧着する。これにより、図２４（ｃ）に示すように、回路素子９４２が絶縁樹脂膜９２２内に埋め込まれ、回路素子９４２が絶縁樹脂膜９２２内に圧着される。このとき、絶縁樹脂膜９２２はガラス基板９６０にも圧着される。これにより、絶縁樹脂膜９２２と回路素子９４２との密着性を良好にすることができる。【０１６３】  導電性膜９２０は、基板の面内方向（横方向）に長軸を有する結晶粒子を含む金属、たとえば圧延金属とすることができる。圧延金属としては、たとえば銅箔を用いることができる。導電性膜９２０として圧延金属を用いることにより、スパッタ法、ＣＶＤ法、またはめっき法等により配線材料を形成した場合に発生するガス等の不純物が駆動回路に入り込むことがない。そのため、このような不純物を除去するためにアニール処理を行う必要がない。このようなアニール処理のための加熱を行う必要がないため、回路素子９４２の特性を損なうことなく駆動回路を形成することができる。これにより、表示装置の安定性を高めることができる。また、基板の面内方向に長軸を有する結晶粒子を含む金属は、電解めっきにより形成した金属膜をプレスした金属とすることもできる。絶縁樹脂膜９２２としては、加熱することにより軟化する材料であればどのようなものを用いることもできるが、たとえばエポキシ樹脂、ＢＴレジン等のメラミン誘導体、液晶ポリマー、ＰＰＥ樹脂、ポリイミド樹脂、フッ素樹脂、フェノール樹脂、ポリアミドビスマレイミド等を用いることができる。このような材料を用いることにより、表示装置の剛性を高めることができ、表示装置の安定性を向上することができる。絶縁樹脂膜９２２として、エポキシ樹脂、またはＢＴレジン、ＰＰＥ樹脂、ポリイミド樹脂、フッ素樹脂、フェノール樹脂、ポリアミドビスマレイミド等の熱硬化性樹脂を用いることにより、さらに表示装置の剛性を高めることができる。【０１６４】  エポキシ樹脂としては、ビスフェノールＡ型樹脂、ビスフェノールＦ型樹脂、ビスフェノールＳ型樹脂、フェノールノボラック樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、トリスフェノールメタン型エポキシ樹脂、脂環式エポキシ樹脂等が挙げられる。
メラミン誘導体としては、メラミン、メラミンシアヌレート、メチロール化メラミン、（イソ）シアヌール酸、メラム、メレム、メロン、サクシノグアミン、硫酸メラミン、硫酸アセトグアナミン、硫酸メラム、硫酸グアニルメラミン、メラミン樹脂、ＢＴレジン、シアヌール酸、イソシアヌール酸、イソシアヌール酸誘導体、メラミンイソシアヌレート、ベンゾグアナミン、アセトグアナミン等のメラミン誘導体、グアニジン系化合物等が例示される。【０１６５】  液晶ポリマーとしては、芳香族系液晶ポリエステル、ポリイミド、ポリエステルアミドや、それらを含有する樹脂組成物が例示される。このうち、耐熱性、加工性および吸湿性のバランスに優れる液晶ポリエステルまたは液晶ポリエステルを含有する組成物が好ましい。【０１６６】  液晶ポリエステルとしては、たとえば、（１）芳香族ジカルボン酸と芳香族ジオールと芳香族ヒドロキシカルボン酸とを反応させて得られるもの、（２）異種の芳香族ヒドロキシカルボン酸の組み合わせを反応させて得られるもの、（３）芳香族ジカルボン酸と芳香族ジオールとを反応させて得られるもの、（４）ポリエチレンテレフタレート等のポリエステルに芳香族ヒドロキシカルボン酸を反応させて得られるもの、等が挙げられる。なお、これらの芳香族ジカルボン酸、芳香族ジオール及び芳香族ヒドロキシカルボン酸の代わりに、それらのエステル誘導体が使用されることもある。さらに、これらの芳香族ジカルボン酸、芳香族ジオール及び芳香族ヒドロキシカルボン酸は、芳香族部分がハロゲン原子、アルキル基、アリール基等で置換されたものが使用されることもある。【０１６７】  液晶ポリエステルの繰返し構造単位としては、芳香族ジカルボン酸に由来する繰返し構造単位（下記式（ｉ））、芳香族ジオールに由来する繰返し構造単位（下記式（ｉｉ））、芳香族ヒドロキシカルボン酸に由来する繰返し構造単位（下記式（ｉｉｉ））を例示することができる。
（ｉ）−ＣＯ−Ａ１−ＣＯ−
（但しＡ１は、芳香環を含有する２価の結合基を示す。）
（ｉｉ）−Ｏ−Ａ２−Ｏ−
（但しＡ２は、芳香環を含有する２価の結合基を示す。）
（ｉｉｉ）−ＣＯ−Ａ３−Ｏ−
（但しＡ３は、芳香環を含有する２価の結合基を示す。）【０１６８】  また、絶縁樹脂膜９２２には、フィラーまたは繊維等の充填材を含めることができる。フィラーとしては、たとえば粒子状または繊維状のＳｉＯ２、ＳｉＮ、ＡｌＮやＡｌ２Ｏ３などを用いることができる。絶縁樹脂膜９２２にフィラーや繊維を含めることにより、絶縁樹脂膜９２２を加熱して回路素子９４２を熱圧着した後、絶縁樹脂膜９２２をたとえば室温に冷却する際に、絶縁樹脂膜９２２の反りを低減することができる。これにより、回路素子９４２およびガラス基板９６０と絶縁樹脂膜９２２との密着性を高めることができる。また、絶縁樹脂膜９２２に繊維を含めた場合、絶縁樹脂膜９２２の流動性を高めることができるため、絶縁樹脂膜９２２と回路素子９４２およびガラス基板９６０との密着性を高めることができる。このような観点からは、絶縁樹脂膜９２２を構成する材料としてアラミド不織布が好ましく用いられる。これにより、加工性を良好にすることができる。【０１６９】  アラミド繊維としては、パラアラミド繊維またはメタアラミド繊維を用いることができる。パラアラミド繊維としては、たとえば、ポリ（ｐ−フェニレンテレフタルアミド）（ＰＰＤ−Ｔ）、メタアラミド繊維としては、たとえば、ポリ（ｍ−フェニレンイソフタルアミド）（ＭＰＤ−Ｉ）を用いることができる。【０１７０】  絶縁樹脂膜９２２を構成する材料中における充填材の含有量は材料に応じて適宜設定することができるが、たとえば５０重量％以下とすることができる。これにより、絶縁樹脂膜９２２と回路素子９４２およびガラス基板９６０との接着性を良好に保つことができる。【０１７１】  導電性膜付き絶縁樹脂膜９２３としては、フィルム状の絶縁樹脂膜９２２上に導電性膜９２０が付着したものを用いることができる。また、導電性膜付き絶縁樹脂膜９２３は、導電性膜９２０上に絶縁樹脂膜９２２を構成する樹脂組成物を塗布・乾燥することにより形成することもできる。本実施の形態において、樹脂組成物は、本発明の目的に反しない範囲において、硬化剤、硬化促進剤、その他の成分を含むことができる。導電性膜付き絶縁樹脂膜９２３は、絶縁樹脂膜９２２がＢステージ化した状態でガラス基板９６０上に配置される。このようにすれば、絶縁樹脂膜９２２と回路素子９４２およびガラス基板９６０との密着性を高めることができる。この後、絶縁樹脂膜９２２を構成する樹脂の種類に応じて絶縁樹脂膜９２２を加熱し、真空下または減圧下で導電性膜付き絶縁樹脂膜９２３と回路素子９４２およびガラス基板９６０とを圧着する。また、他の例において、フィルム状の絶縁樹脂膜９２２をＢステージ化した状態でガラス基板９６０上に配置し、さらにその上に導電性膜９２０を配置して絶縁樹脂膜９２２を回路素子９４２と熱圧着する際に、導電性膜９２０を絶縁樹脂膜９２２に熱圧着することによっても導電性膜付き絶縁樹脂膜９２３を形成することができる。【０１７２】  この後、絶縁樹脂膜９２２にスルーホールを形成し、スルーホール内を導電性材料で埋め込み、ビア９２１を形成する。スルーホールは、たとえば炭酸ガスレーザ等により形成することができる。ビア９２１は、無電界めっきにより形成するこ��もでき、電界めっき法により形成することもできる。このとき、表示領域９６２にはたとえばＰＥＴフィルム等のカバーを設けておくことにより、表示領域９６２に導電性材料が付着するのを防ぐことができる。【０１７３】  続いて、導電性膜９２０をパターニングして複数の回路素子９４２間を電気的に接続する。パターニングは、たとえばフォトレジストをマスクとしたエッチングにより行うことができる。レジストから露出した箇所に、化学エッチング液をスプレー噴霧して不要な導電性膜をエッチング除去し、配線パターンを形成することができる。エッチングレジストは、通常のプリント配線板に用いることのできるエッチングレジスト材料を用いることができ、レジストインクをシルクスクリーン印刷して形成したり、エッチングレジスト用感光性ドライフィルムを導電性膜９２０の上にラミネートして、その上に配線導体の形状に光を透過するフォトマスクを重ね、紫外線を露光し、露光しなかった箇所を現像液で除去して形成することができる。導電性膜９２０として銅箔を用いる場合、化学エッチング液には、塩化第二銅と塩酸の溶液、塩化第二鉄溶液、硫酸と過酸化水素の溶液、過硫酸アンモニウム溶液等、通常のプリント配線板に用いる化学エッチング液を用いることができる。これにより、図２４（ｄ）に示すように、配線パターンの形成された駆動回路を形成することができる。このように、導電性膜９２０をパターニングすることにより、微細な配線パターンを形成することができ、複雑な駆動回路を形成することができる。その後、図２４（ｅ）に示すように、保護膜である絶縁膜９３０、および半田ボール９３２を形成する。【０１７４】  本実施の形態において、絶縁樹脂膜９２２を回路素子９４２およびガラス基板９６０に固着させるので、フレーム等を用いなくても、回路素子９４２を駆動回路領域９６４にしっかりと固定することができる。これにより、表示装置の構成を簡易にすることができる。また、フレーム等を必要としないので、表示装置を小型化することができる。【０１７５】  後述するように、このようにして形成した表示装置は、導電性膜付き絶縁樹脂膜９２３の導電性膜９２０上に別の導電性膜付き絶縁樹脂膜９２３を積み重ねて配線層を形成し、複数の回路素子９４２間を電気的に接続して駆動回路を構成することができる。【０１７６】  また、導電性膜付き絶縁樹脂膜９２３は、図２５（ａ）〜図２５（ｃ）に示す構成とすることもできる。図２５（ａ）〜図２５（ｃ）に示すように、導電性膜付き絶縁樹脂膜９２３の絶縁樹脂膜９２２は、第一の絶縁樹脂膜９２２ａおよび第二の絶縁樹脂膜９２２ｂにより構成することができる。ここで、第一の絶縁樹脂膜９２２ａ上に第二の絶縁樹脂膜９２２ｂが形成され、第二の絶縁樹脂膜９２２ｂ上に導電性膜９２０が形成される。【０１７７】  第二の絶縁樹脂膜９２２ｂは、回路素子９４２を絶縁樹脂膜９２２内に埋め込み熱圧着する際に、第一の絶縁樹脂膜９２２ａを構成する材料よりも、剛性の高い材料により構成される。これにより、熱圧着時に、回路素子９４２を第一の絶縁樹脂膜９２２ａ内に埋め込むとともに、絶縁樹脂膜９２２の形状を剛直に保つことができる。【０１７８】  以下、図２５（ａ）〜図��５（ｃ）を参照して説明する。
まず、図２５（ａ）および図２５（ｂ）に示すように、ガラス基板９６０上に複数の回路素子９４２を固定した状態で、導電性膜付き絶縁樹脂膜９２３をガラス基板９６０上に配置し、回路素子９４２を絶縁樹脂膜９２２内に押し込む。つづいて、絶縁樹脂膜９２２を真空下または減圧下で加熱してガラス基板９６０に貼り付ける。これにより、図２５（ｃ）に示す構成の表示装置が得られる。【０１７９】  第一の絶縁樹脂膜９２２ａおよび第二の絶縁樹脂膜９２２ｂを構成する材料は、上述した、たとえばエポキシ樹脂、ＢＴレジン等のメラミン誘導体、液晶ポリマー、ＰＰＥ樹脂、ポリイミド樹脂、フッ素樹脂、フェノール樹脂、ポリアミドビスマレイミド等の中から適宜選択して用いることができる。【０１８０】  ここで、たとえば、第一の絶縁樹脂膜９２２ａは、第二の絶縁樹脂膜９２２ｂを構成する材料よりも軟化しやすい材料により構成することができる。これにより、熱圧着時に第一の絶縁樹脂膜９２２ａの方が第二の絶縁樹脂膜９２２ｂよりも変形しやすくなるので、第一の絶縁樹脂膜９２２ａ内に回路素子９４２がスムーズに押し込まれるとともに、第二の絶縁樹脂膜９２２ｂが剛直性を保ち、絶縁樹脂膜９２２全体が変形するのを防ぐことができる。また、複数の回路素子９４２に段差が生じている場合でも、第二の絶縁樹脂膜９２２ｂが回路素子９４２内へ絶縁樹脂膜９２２の入り込みを阻止するストッパ層として機能するため、絶縁樹脂膜９２２の膜厚を均一に保つこともできる。これにより、表示装置の寸法精度を高めることができる。また、表示装置の剛直性を高めることもできる。【０１８１】  また、たとえば、第一の絶縁樹脂膜９２２ａは、第二の絶縁樹脂膜９２２ｂを構成する材料よりもガラス転移温度の低い材料により構成することもできる。また、他の例において、第一の絶縁樹脂膜９２２ａは、第二の絶縁樹脂膜９２２ｂを構成する材料よりも、回路素子９４２との密着性が高い材料により構成することもできる。このようにしても、上述したのと同様の効果を得ることができる。【０１８２】  さらに、第一の絶縁樹脂膜９２２ａおよび第二の絶縁樹脂膜９２２ｂには、フィラーまたは繊維等の充填材を含めることができる。この場合、第一の絶縁樹脂膜９２２ａにおける充填材の含有量が、第二の絶縁樹脂膜９２２ｂにおける充填材の含有量よりも少なくなるように構成される。また、第二の絶縁樹脂膜９２２ｂにのみ充填材を含め、第一の絶縁樹脂膜９２２ａには充填材を含めない構成とすることもできる。このようにすれば、第一の絶縁樹脂膜９２２ａの柔軟性を高めて回路素子９４２の埋め込みを行いやすくするとともに、第二の絶縁樹脂膜９２２ｂにより絶縁樹脂膜９２２の反りを低減することができる。【０１８３】  以上のように、第一の絶縁樹脂膜９２２ａおよび第二の絶縁樹脂膜９２２ｂをそれぞれ目的に応じて好ましい材料により構成することにより、絶縁樹脂膜９２２への回路素子９４２の埋め込みを良好に行うことができるとともに、表示装置の剛性を高めたり、成型性を向上することができる。【０１８４】  図２６は、上述した工程により、回路素子９４２を導電性膜付き絶縁樹脂膜９２３の絶縁樹脂膜９２２内に埋め込み封止した構造体を積層した表示装置の構成を示す断面図である。【０１８５】  図２６において、表示装置は、構造体上に導電性膜付き絶縁樹脂膜（図２６において不図示）を熱圧着により貼り付け、さらにその上に別の構造体を積層して形成される。導電性膜９２０には配線パターンが形成される。上層の構造体の導電性膜９２０とその下層の導電性膜付き絶縁樹脂膜の導電性膜９２０とは、常温接合や半田を介して電気的に接続することができる。また、絶縁樹脂膜９２２にはたとえば炭酸ガスレーザ等でスルーホールが形成され、スルーホール内に導電性材料が埋め込まれてビア９２１が形成される。これにより層間の電気的接続がとられる。なお、スルーホールの形成には、炭酸ガスレーザのほか、機械加工、薬液による化学エッチング加工、プラズマを用いたドライエッチング法などを用いることもできる。このような構成を用いることにより、たとえば表示領域９６２の外周に設けた信号線駆動回路および走査線駆動回路上に、これらを駆動する制御回路を設けた構成とすることができる。このような構成とすることにより、表示装置を小型化することができる。【０１８６】（第二の実施の形態）
図２７は、本実施の形態における表示装置の構成を示す断面図である。
本実施の形態において、ガラス基板９６０の上に導電性膜付き絶縁樹脂膜９２３が圧着され、その上に複数の回路素子９４２が配置される点で第一の実施の形態と異なる。本実施の形態において、第一の実施の形態と同様の構成要素には同様の符号を付し、適宜説明を省略する。【０１８７】  このように、ガラス基板９６０上に絶縁樹脂膜９２２がガラス基板９６０と接するように設け、その上に導電性膜９２０を形成するので、導電性膜９２０を構成する金属がガラス基板９６０と直接接することがない。そのため、絶縁樹脂膜９２２を銅により構成しても、銅がガラス基板９６０に拡散するのを防ぐことができる。これにより、配線材料として、抵抗の低い銅を用いることができ、表示装置の電気特性を良好にすることができる。さらに、本実施の形態においても、第一の実施の形態と同様、表示装置の構成を簡略化することができる。また、表示装置を小型化、軽量化することができる。【０１８８】  以上、本発明を実施の形態および実施例に基づいて説明した。この実施の形態および実施例はあくまで例示であり、種々の変形例が可能なこと、またそうした変形例も本発明の範囲にあることは当業者に理解されるところである。【０１８９】  以上の実施の形態において、光学素子と駆動回路が同一ガラス基板９６０上に設けられる形態を示したが、光学素子と駆動回路とは異なる基板上に設けることもできる。【０１９０】  また、以上の実施の形態において、光学素子が形成されたガラス基板９６０上に導電性膜付き絶縁樹脂膜９２３を形成した後に配線パターンを形成する例を説明したが、ガラス基板９６０に貼り付ける前に配線パターンを形成し、その後にガラス基板９６０に貼り付けることもできる。本発明の実施の形態で説明したように、絶縁樹脂膜９２２と導電性膜９２０との構成を用いることにより、このような製造手順とすることも可能となる。この場合、配線パターンを形成した構造体の電気的特性を評価した後にガラス基板９６０上に貼り付けることができる。このようにすれば、配線パターンに欠陥がある場合に、ガラス基板９６０に貼り付ける前にその欠陥を検知することができ、表示装置の歩留まりを向上することができる。
【産業上の利用可能性】
【０１９１】  以上のように、本発明は、回路素子を含む半導体モジュールおよび半導体装置、回路素子を含む半導体モジュールおよび半導体装置の製造方法、光学素子を含む表示装置などに利用可能である。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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【図２７】
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