(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
成膜材料を拡散させて被処理物に付着させることにより成膜を行う成膜装置であって、
前記被処理物を搭載するためのＮ個（Ｎ≧２）のキャリア、前記Ｎ個のキャリアそれぞれに搭載され前記被処理物の成膜面の一部を覆うＮ個のマスク、及び前記Ｎ個のキャリアそれぞれにおいて前記Ｎ個のマスクそれぞれを支持するＮ個のマスクホルダを収容しておくためのマスクストック室と、
前記成膜材料を拡散させるための成膜室と、
前記成膜室上に配置され、所定の搬送方向に延びており、その一端が前記マスクストック室に繋がっている搬送室と、
前記搬送室内に設けられ、前記被処理物、前記マスク、及び前記マスクホルダを搭載した前記キャリアを前記搬送方向に搬送するための搬送機構と、
前記被処理物を前記マスク、前記マスクホルダ、及び前記キャリアから分離して支持するための被処理物支持部と
を備えることを特徴とする、成膜装置。
【請求項２】
前記搬送室の他端にゲートバルブを介して繋がるロードロック室を更に備え、
前記被処理物支持部が、前記ロードロック室内に配置されていることを特徴とする、請求項１に記載の成膜装置。
【請求項３】
前記被処理物支持部が、
前記被処理物を引っ掛けて支持するためのアームと、
前記被処理物を下方から突き上げることにより該被処理物を前記マスク、前記マスクホルダ、及び前記キャリアから分離するための突き上げ部材と
を有し、
前記Ｎ個のキャリアそれぞれが、前記突き上げ部材を通過させるための貫通孔を有することを特徴とする、請求項１または２に記載の成膜装置。
【請求項４】
前記Ｎ個のマスクホルダそれぞれが、前記突き上げ部材との干渉を回避するための切り欠きまたは孔を有することを特徴とする、請求項３に記載の成膜装置。
【請求項５】
前記マスクストック室内に設けられ、前記Ｎ個のキャリアそれぞれを支持するためのＮ個のキャリア支持部を更に備え、
前記Ｎ個のキャリア支持部が、上下方向に並設されるとともに上下方向に移動可能に設けられていることを特徴とする、請求項１〜４のいずれか一項に記載の成膜装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、成膜装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
被処理物の表面に成膜する装置としては、例えば蒸着装置が知られている。蒸着装置は、真空容器内において成膜材料を気化させ、拡散した成膜材料を被処理物の表面に付着させて成膜する。このような蒸着装置においては、生産効率上、真空容器の真空状態を維持したまま成膜作業を連続して行うことが好ましい。
【０００３】
特許文献１には、膜を所望のパターンに形成するためのマスクを、真空装置の真空状態を維持したまま交換可能にするための真空成膜装置が開示されている。図５は、この真空成膜装置の概略を示す図である。図５に示すように、真空成膜装置１００は、真空槽１０１と、真空槽１０１内において左右方向に配置された搬送機構１０３と、真空槽１０１内の左右に設けられたマスクホルダ機構１０５及び１０６と、マスクホルダ機構１０５とマスクホルダ機構１０６との間に配置され、ルツボ１０７、電子銃１０８、及びシャッタ１０９を含む薄膜形成部１１０とを備える。
【０００４】
更に、真空成膜装置１００は、搬送機構１０３によって移動可能に支持された搬送トレイ１１１と、搬送トレイ１１１に吊持された基板ホルダ１１２と、基板ホルダ１１２に固定された電磁石１１３とを備える。そして、基板ホルダ１１２には、被処理物として基板が取り付けられている。マスクホルダ機構１０５及び１０６には、強磁性体からなり互いに異なるパターンを有するマスク１１５及び１１６が保持されている。
【０００５】
真空成膜装置１００の動作は次のとおりである。まず、基板ホルダ１１２を一方のマスクホルダ機構１０５の直上へ移動し、マスクホルダ機構１０５を上昇させてマスク１１５を基板面に密着させる。そして、電磁石１１３によってマスク１１５を基板面に吸着させながら、薄膜形成部１１０において成膜を行う。マスク交換の際には、マスク１１５をマスクホルダ機構１０５へ戻した後に、基板ホルダ１１２を他方のマスクホルダ機構１０６の直上へ移動する。そして、マスクホルダ機構１０６を上昇させてマスク１１６を基板面に密着させた後、電磁石１１３によってマスク１１６を基板面に吸着させながら、薄膜形成部１１０において再び成膜を行う。
【０００６】
【特許文献１】特開平０２−１７３２６１
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかしながら、真空成膜装置１００には、次の問題点がある。すなわち、真空成膜装置１００においては、成膜の際、マスク１１５または１１６を電磁石１１３によって基板面に吸着させながら、基板（基板ホルダ１１２）を移動する必要がある。従って、可動機構である基板ホルダ１１２において、電磁石１１３へ励磁電流を供給するための機構（配線の取り回し等）が必要となり、装置が複雑化してしまう。また、電磁石１１３を使用することにより、磁場が発生し、これが膜性能に悪影響を及ぼすことがある。
【０００８】
本発明は、上記した問題点を鑑みてなされたものであり、真空状態を維持したまま簡易な機構によってマスクを交換できる成膜装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上記課題を解決するために、本発明による成膜装置は、成膜材料を拡散させて被処理物に付着させることにより成膜を行う成膜装置であって、被処理物を搭載するためのＮ個（Ｎ≧２）のキャリア、Ｎ個のキャリアそれぞれに搭載され被処理物の成膜面の一部を覆うＮ個のマスク、及びＮ個のキャリアそれぞれにおいてＮ個のマスクそれぞれを支持するＮ個のマスクホルダを収容しておくためのマスクストック室と、成膜材料を拡散させるための成膜室と、成膜室上に配置され、所定の搬送方向に延びており、その一端がマスクストック室に繋がっている搬送室と、搬送室内に設けられ、被処理物、マスク、及びマスクホルダを搭載したキャリアを搬送方向に搬送するための搬送機構と、被処理物をマスク、マスクホルダ、及びキャリアから分離して支持するための被処理物支持部とを備えることを特徴とする。
【００１０】
上記した成膜装置の動作は、次のとおりである。まず、マスクストック室から一つのキャリア（以下、第１のキャリアという）が搬送機構によって搬送される。このとき、該第１のキャリアにはマスクホルダに支持されたマスクと、該マスク上に載置された被処理物とが搭載されている。第１のキャリアは、被処理物を搭載したまま成膜室上に搬送される。そして、マスクを介して被処理物の表面に膜が形成された後、第１のキャリアは被処理物支持部へ搬送される。被処理物支持部は、被処理物をマスク、マスクホルダ、及び第１のキャリアから分離して支持する。第１のキャリアはマスクストック室へ搬送され、再び収容される。続いて、マスクストック室から別のキャリア（以下、第２のキャリアという）が搬送機構によって被処理物支持部へ搬送される。被処理物支持部に支持されていた被処理物は、第２のキャリアに搭載されたマスク上に載置される。そして、被処理物を搭載したまま、第２のキャリアは成膜室上に搬送され、マスクを介して被処理物の表面に膜が形成される。以降、Ｎ個のキャリアをマスクストック室から順次取り出しつつ、これらのキャリア上に搭載されたマスクを用いて成膜を行う。
【００１１】
上記した成膜装置においては、複数（Ｎ個）のキャリアそれぞれに複数のマスクを予め搭載し、マスクを交換する際にキャリアごと交換しているので、従来の成膜装置（図５参照）のようにマスクを保持するための電磁石１１３といった複雑な機構を必要とせず、磁場の影響も受けない。従って、上記した成膜装置によれば、真空状態を維持したまま簡易な機構によってマスクを交換できる。
【００１２】
また、成膜装置は、搬送室の他端にゲートバルブを介して繋がるロードロック室を更に備え、被処理物支持部が、ロードロック室内に配置されていることを特徴としてもよい。このように、成膜装置が通常備えているロードロック室に被処理物支持部を配置することにより、成膜装置を小型に構成できる。
【００１３】
また、成膜装置は、被処理物支持部が、被処理物を引っ掛けて支持するためのアームと、被処理物を下方から突き上げることにより該被処理物をマスク、マスクホルダ、及びキャリアから分離するための突き上げ部材とを有し、Ｎ個のキャリアそれぞれが、突き上げ部材を通過させるための貫通孔を有することを特徴としてもよい。この被処理物支持部においては、被処理物を搭載したキャリアが搬送されてくると、まず突き上げ部材がキャリアの貫通孔を通過して被処理物を突き上げる。そして、アームが被処理物を引っ掛け、被処理物を持ち上げる。その後、突き上げ部材が引っ込み、キャリアが搬送可能な状態となる。このような構成を有する被処理物支持部によって、真空容器内において被処理物をマスク、マスクホルダ、及びキャリアから好適に分離して支持することができる。また、この場合、Ｎ個のマスクホルダそれぞれが、突き上げ部材との干渉を回避するための切り欠きまたは孔を有することが好ましい。
【００１４】
また、成膜装置は、マスクストック室内に設けられ、Ｎ個のキャリアそれぞれを支持するためのＮ個のキャリア支持部を更に備え、Ｎ個のキャリア支持部が、上下方向に並設されるとともに上下方向に移動可能に設けられていることを特徴としてもよい。これにより、Ｎ個のキャリアをマスクストック室から効率的に送り出すことができる。
【発明の効果】
【００１５】
本発明による成膜装置によれば、真空状態を維持したまま簡易な機構によってマスクを交換できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１６】
以下、添付図面を参照しながら本発明による成膜装置の実施の形態を詳細に説明する。なお、図面の説明において同一の要素には同一の符号を付し、重複する説明を省略する。
【００１７】
図１は、本発明による成膜装置の一実施形態の構成を示す側面断面図である。本実施形態の成膜装置１は、いわゆるイオンプレーティング法に用いられるイオンプレーティング装置である。なお、図１には、説明を容易にする為にＸＹＺ直交座標系も示されている。
【００１８】
本実施形態の成膜装置１は、被処理物１４の表面に成膜を行うための装置であって、被処理物支持部２、搬送機構３、ハース機構４、プラズマ源５、補助陽極６、及び真空容器１０を備える。
【００１９】
真空容器１０は、キャリア１１（後述）を搬送するための搬送室１０ａと、成膜材料Ｍａ１（Ｍａ２）を拡散させるための成膜室１０ｂと、キャリア１１、マスクホルダ１２、及びマスク１３（後述）を収容しておくためのマスクストック室１０ｃと、成膜室１０ｂの真空状態を維持しつつ被処理物１４を入れ替えるためのロードロック室１０ｄとを有する。搬送室１０ａは、所定の搬送方向（図中の矢印Ａ）に延びており、成膜室１０ｂ上に配置されている。本実施形態においては、搬送方向（矢印Ａ）はＸ軸に沿って設定されている。そして、搬送室１０ａと成膜室１０ｂとの境界部分には、シャッタ機構１６が設けられている。また、成膜室１０ｂは、導電性の材料からなり接地電位に接続されている。
【００２０】
搬送室１０ａ内には、搬送機構３が設けられている。搬送機構３は、被処理物１４を搭載するキャリア１１を移動させるための機構である。搬送機構３は、搬送室１０ａ内に設置された複数の搬送ローラ３１によって構成されている。搬送ローラ３１は、搬送方向（矢印Ａ）に沿って等間隔で並んでおり、キャリア１１を支持しつつ搬送方向に搬送することができる。
【００２１】
成膜室１０ｂには、ハース機構４、プラズマ源５、及び補助陽極６が設けられている。プラズマ源５は、圧力勾配型であることが好ましく、その本体部分が成膜室１０ｂの側壁に設けられている。プラズマ源５において生成されたプラズマＰは、成膜室１０ｂの側壁に設けられたプラズマ口から成膜室１０ｂ内へ出射される。プラズマＰの出射方向は、プラズマ源５の出射口を囲むように設けられたステアリングコイル５１によって制御される。
【００２２】
ハース機構４は、二種類の成膜材料Ｍａ１，Ｍａ２を保持するための機構である。ハース機構４は、成膜室１０ｂ内に設けられ、搬送機構３の下方（Ｚ軸方向の負方向）に配置されている。ハース機構４は、プラズマ源５から出射されたプラズマＰを成膜材料Ｍａ１，Ｍａ２それぞれへ導く複数のハース４１ａ，４１ｂを有する。すなわち、複数のハース４１ａ，４１ｂは、それぞれ成膜材料Ｍａ１，Ｍａ２を保持する主陽極である。ハース４１ａ，４１ｂは、回転可能なテーブル４２上の周方向に並置されており、一方のハース４１ａ（または４１ｂ）がハース押上げ機構４３によって上方の所定位置へ押し上げられることにより、成膜材料Ｍａ１（またはＭａ２）が成膜に供される。ハース４１ａ（または４１ｂ）は、ハース押上げ機構４３によって押し上げられた状態で、接地電位である真空容器１０に対して正電位に保たれ、プラズマＰを吸引する。
【００２３】
成膜材料Ｍａ１，Ｍａ２としては、ＩＴＯなどの透明導電材料や、ＳｉＯなどの絶縁封止材料が例示される。成膜材料Ｍａ１（Ｍａ２）が絶縁性物質からなる場合、ハース４１ａ（４１ｂ）にプラズマＰが照射されると、プラズマＰからの電流によってハース４１ａ（４１ｂ）が加熱され、成膜材料Ｍａ１（Ｍａ２）の先端部分が蒸発する。また、成膜材料Ｍａ１（Ｍａ２）が導電性物質からなる場合、ハース４１ａ（４１ｂ）にプラズマＰが照射されると、プラズマＰが成膜材料Ｍａ１（Ｍａ２）に直接入射し、成膜材料Ｍａ１（Ｍａ２）の先端部分が加熱されて蒸発する。蒸発した成膜材料Ｍａ１（Ｍａ２）は、プラズマＰによってイオン化されてイオン化成膜材料粒子となる。イオン化成膜材料粒子は、成膜室１０ｂ内に拡散しながら成膜室１０ｂの上方（Ｚ軸正方向）へ移動し、搬送室１０ａ内において被処理物１４の表面に付着する。なお、成膜材料Ｍａ１（Ｍａ２）は、その先端部分が所定の位置を常に維持するように、ハース４１ａ（４１ｂ）の下方から材料押上げ部材４４によって押し出される。
【００２４】
補助陽極６は、プラズマＰを誘導するための電磁石である。補助陽極６は、押し上げられたハース４１ａ（４１ｂ）の周囲に配置されており、環状の容器、並びに該容器内に収容されたコイル及び永久磁石を有する。コイル及び永久磁石は、コイルに流れる電流量に応じて、ハース４１ａ（４１ｂ）に入射するプラズマＰの向きを制御する。
【００２５】
マスクストック室１０ｃは、搬送方向Ａにおける搬送室１０ａの一端と繋がっている。マスクストック室１０ｃ内には、キャリア１１の個数に応じて二つのキャリア支持部１８が上下方向（Ｚ軸方向）に並設されている。また、二つのキャリア支持部１８は、マスクストック室１０ｃ内において上下方向に移動可能に設けられており、いずれかのキャリア支持部１８のＺ軸方向位置を搬送機構３のＺ軸方向位置と一致させ得るしくみになっている。また、図１に示すように、各キャリア支持部１８は、搬送機構３と同様の搬送ローラを有することが好ましい。
【００２６】
二つのキャリア支持部１８のそれぞれには、被処理物１４を搭載するための二つのキャリア１１それぞれが搭載される。また、二つのキャリア１１には、被処理物１４の成膜面の一部を覆うマスク１３、及びマスク１３を支持するためのマスクホルダ１２からなる組が、それぞれ一組ずつ搭載される。なお、図１は、一方のキャリア支持部１８上に搭載されていたキャリア１１がキャリア支持部１８から移動した後の状態を示している。
【００２７】
ここで、図２は、キャリア１１、マスクホルダ１２、マスク１３、及び被処理物１４の形状の一例を示す分解斜視図である。図２においては、矩形板状の被処理物１４を例示している。なお、被処理物１４としては、例えばガラス基板やプラスチック基板などの板状部材や、該板状部材の上に有機ＥＬ層などの機能素子層が形成された基板生産物が例示される。
【００２８】
図２を参照すると、キャリア１１は、被処理物１４の外形に応じた枠状に成形されており、枠内の側面１１ａに台座部分１１ｂを有する。台座部分１１ｂは、マスクホルダ１２、マスク１３、及び被処理物１４を支持するための部分であり、互いに対向する台座部分１１ｂ同士の間隔はマスクホルダ１２の外形寸法よりも小さく形成されている。また、キャリア１１は、後述する被処理物支持部２の突き上げ部材２１（図１参照）を通過させるための貫通孔１１ｃを有する。貫通孔１１ｃは、被処理物１４の外形に応じた位置に形成されている。本実施形態では、貫通孔１１ｃは、矩形状の被処理物１４の四隅と重なる位置に形成されている。
【００２９】
マスクホルダ１２は、マスク１３の外形に応じた枠状に成形されており、枠内の側面１２ａに台座部分１２ｂを有する。台座部分１２ｂはマスク１３を支持するための部分であり、互いに対向する台座部分１２ｂ同士の間隔はマスク１３の外形寸法よりも小さく形成されている。また、マスクホルダ１２は、後述する被処理物支持部２の突き上げ部材２１（図１参照）との干渉を回避するための切り欠き部分１２ｃを有する。切り欠き部分１２ｃは、キャリア１１の貫通孔１１ｃの配置に応じて形成されている。本実施形態では、切り欠き部分１２ｃは、矩形状の被処理物１４の四隅に対応する位置に形成された貫通孔１１ｃを避けるように面取り形状に形成されている。
【００３０】
マスク１３は、被処理物１４の成膜面１４ａの一部を覆うことにより、膜を所望のパターンに形成するための部材である。マスク１３は、被処理物１４の外形に応じた板状に成形されており、所望のパターンに応じた開口１３ａを有する。なお、開口１３ａの形状は、図２に示した形状に限られるものではなく、任意の形状にできる。また、二つのキャリア１１のそれぞれに搭載される二つのマスク１３それぞれは、互いに異なるパターンを有する。すなわち、各マスク１３のパターンは、成膜材料Ｍａ１及びＭａ２それぞれに応じた所望のパターンに形成されている。なお、マスク１３は、従来の装置（図５参照）とは異なり、強磁性体に限らず様々な材料によって構成されることができる。
【００３１】
再び図１を参照する。ロードロック室１０ｄは、搬送室１０ａの他端にゲートバルブ１０ｅを介して繋がっており、搬送室１０ａ及び成膜室１０ｂとは独立して真空状態を制御できるしくみになっている。また、ロードロック室１０ｄには、被処理物１４を出し入れするためのゲートバルブ１０ｆと、ロードロック室１０ｄ内に搬送されたキャリア１１を支持するためのキャリア支持部１５とが設けられている。図１に示すように、ゲートバルブ１０ｅのＺ軸方向位置（すなわち搬送機構３のＺ軸方向位置）とゲートバルブ１０ｆのＺ軸方向位置とが異なる場合には、キャリア支持部１５を上下方向（Ｚ軸方向）に移動可能とすることにより、被処理物１４を好適に出し入れできる。
【００３２】
また、ロードロック室１０ｄには、被処理物支持部２が設けられている。被処理物支持部２は、真空容器１０内において、被処理物１４をキャリア１１、マスクホルダ１２、及びマスク１３から分離して支持するための機構である。本実施形態の被処理物支持部２は、キャリア支持部１５を貫通するように設けられた突き上げ部材２１と、キャリア支持部１５の上方（Ｚ軸正方向）に配置されたアーム２２とを有する。突き上げ部材２１は、被処理物１４を下方から突き上げることにより、被処理物１４をマスク１３、マスクホルダ１２、及びキャリア１１から分離することができる。また、アーム２２は、被処理物１４を引っ掛けて支持するための鉤部２２ａを下端に有しており、被処理物１４に対して上方から接離可能に設けられている。
【００３３】
ここで、図３は、本実施形態の被処理物支持部２の詳細な構成例を示す斜視図である。図３を参照すると、被処理物支持部２は、４本の突き上げ部材２１と、４本のアーム２２とを有する。４本の突き上げ部材２１は、キャリア１１の貫通孔１１ｃに対応してそれぞれ配置されており、キャリア１１の下方から貫通孔１１ｃを通過して被処理物１４の四隅を突き上げる。なお、このとき、マスクホルダ１２に切り欠き部分１２ｃ（図２参照）が形成されていることによって、マスクホルダ１２と突き上げ部材２１との干渉が回避される。
【００３４】
また、４本のアーム２２は、被処理物１４の四辺に対応してそれぞれ配置されている。４本のアーム２２は、鉤部２２ａが被処理物１４の下方に位置するまで降下したのち、回動して鉤部２２ａを被処理物１４に引っ掛け、被処理物１４を支持する。４本のアーム２２は、鉤部２２ａを被処理物１４に引っ掛けた状態で一斉に上昇することにより、被処理物１４を上方へ持ち上げることができる。この後、４本の突き上げ部材２１はキャリア１１の下方へ引っ込み、キャリア１１が搬送可能な状態となる。なお、被処理物１４を上方へ持ち上げる方法としては、これ以外にも、例えば４本のアーム２２が上下動せず、突き上げ部材２１によって被処理物１４が鉤部２２ａの高さまで持ち上げられた後、鉤部２２ａを被処理物１４に引っ掛けるような構成でもよい。
【００３５】
次に、図１を参照しながら、成膜装置１の動作について説明する。まず、成膜材料Ｍａ１，Ｍａ２を装着したハース４１ａ，４１ｂをハース機構４へ配置するとともに、マスク１３及びマスクホルダ１２をそれぞれ搭載した二つのキャリア１１をマスクストック室１０ｃに収容する。このうち、一つのキャリア１１上（マスク１３上）には、被処理物１４が搭載されている。そして、被処理物１４を搭載したキャリア１１は、マスクストック室１０ｃから成膜室１０ｂ上へ搬送される。
【００３６】
続いて、シャッタ機構１６を開き、被処理物１４の表面に成膜を行う。まず、接地電位にある真空容器１０を挟んで、負電圧をプラズマ源５に、正電圧をハース４１ａに印加して放電を生じさせ、プラズマＰを生成する。プラズマＰは、補助陽極６に案内されてハース４１ａへ照射される。本実施形態では、キャリア１１を搬送方向（矢印Ａ）に搬送しつつ、このようにプラズマＰをハース４１ａへ照射する。これにより、イオン化成膜粒子が発生し、被処理物１４の表面に付着する。このとき、被処理物１４の表面の一部はマスク１３によって覆われているので、イオン化成膜粒子はマスク１３に覆われていない被処理物１４の表面に付着する。こうして、被処理物１４の表面に、成膜材料Ｍａ１からなり所望のパターンを有する膜が形成される。
【００３７】
被処理物１４の表面に膜が形成された後、該被処理物１４を搭載したキャリア１１は被処理物支持部２へ搬送される。被処理物支持部２は、被処理物１４をキャリア１１、マスクホルダ１２、及びマスク１３から分離して支持する（図３参照）。この後、キャリア１１はマスクストック室１０ｃへ搬送され、再びマスクストック室１０ｃに収容される。
【００３８】
続いて、マスクストック室１０ｃ内の二つのキャリア支持部１８が上方（または下方）に移動し、マスクストック室１０ｃから別のキャリア１１が排出される。このキャリア１１は、搬送機構３によって被処理物支持部２へ搬送される。そして、被処理物支持部２に支持されていた被処理物１４は、このキャリア１１に搭載されたマスク１３上に載置される。キャリア１１は、被処理物１４を搭載したまま成膜室１０ｂ上に搬送される。続いて、ハース４１ａ（成膜材料Ｍａ１）がハース４１ｂ（成膜材料Ｍａ２）へ交換されたのち、上記と同様にして被処理物１４の表面に膜が形成される。
【００３９】
本実施形態の成膜装置１による効果について説明する。成膜装置１においては、複数（本実施形態では二つ）のキャリア１１それぞれにマスク１３を予め搭載し、マスク１３を交換する際にキャリア１１ごと交換している。従って、従来の成膜装置のようにマスクを保持するための電磁石といった複雑な機構を必要とせず、磁場の影響も受けないので、本実施形態の成膜装置１によれば、真空状態を維持したまま簡易な機構によってマスク１３を交換できる。
【００４０】
また、本実施形態のように、搬送室１０ａの他端にゲートバルブ１０ｅを介して繋がるロードロック室１０ｄを真空容器１０が有し、被処理物支持部２がロードロック室１０ｄ内に配置されていることが好ましい。このように、成膜装置が通常備えているロードロック室に被処理物支持部２を配置することにより、成膜装置１を小型に構成できる。もちろん、被処理物支持部２は、真空容器１０内であれば様々な場所に配置されることができ、例えば搬送室１０ａ内において搬送機構３に沿った位置に配置されてもよい。
【００４１】
また、本実施形態のように、被処理物支持部２は、突き上げ部材２１及びアーム２２を有することが好ましい。また、この場合、二つのキャリア１１それぞれは、突き上げ部材２１を通過させるための貫通孔１１ｃを有することが好ましい。このような構成を有する被処理物支持部２によって、真空容器１０内において被処理物１４をキャリア１１、マスクホルダ１２、及びマスク１３から好適に分離して支持することができる。また、この場合、二つのマスクホルダ１２それぞれが、突き上げ部材２１との干渉を回避するための切り欠き１２ｃ（図２参照）を有することが好ましい。
【００４２】
ここで、図４（ａ）及び（ｂ）は、突き上げ部材２１との干渉を回避するためのマスクホルダの形状に関する他の例を示す図である。例えば、図４（ａ）に示すマスクホルダ７２は、突き上げ部材２１との干渉を回避するための切り欠きとして半円筒状の溝７２ａを有する。また、図４（ｂ）に示すマスクホルダ７３は、突き上げ部材２１との干渉を回避するための孔（貫通孔）７３ａを有する。突き上げ部材２１との干渉を回避するためのマスクホルダの形状は、これらのような切り欠きまたは孔であってもよく、或いは突き上げ部材２１との干渉を回避できるのであれば他の形状であってもよい。
【００４３】
また、本実施形態のように、成膜装置１は、キャリア１１の個数に応じた数のキャリア支持部１８をマスクストック室１０ｃ内に備えることが好ましい。また、キャリア支持部１８は、上下方向に並設されるとともに上下方向に移動可能に設けられていることが好ましい。これにより、二つのキャリア１１をマスクストック室１０ｃから効率的に送り出すことができる。
【００４４】
なお、本実施形態では二種類のマスク１３を用いる場合を示したが、本発明の成膜装置は、Ｎ個（Ｎは２以上の整数）のマスク交換に対して適用可能である。この場合、成膜装置１は、Ｎ個のキャリア１１をマスクストック室１０ｃ内に収容し、該Ｎ個のキャリア１１上にＮ個のマスクホルダ１２及びＮ個のマスク１３をそれぞれ搭載するとよい。また、成膜装置１は、Ｎ個のキャリア１１を支持するためのＮ個のキャリア支持部１８をマスクストック室１０ｃに備えるとよい。
【００４５】
また、本実施形態では成膜装置１が二個のハース４１ａ，４１ｂ及び二種類の成膜材料Ｍａ１，Ｍａ２を備える（用いる）場合を示したが、本発明の成膜装置は、Ｎ個（Ｎは２以上の整数）のハースを備える構成が可能であり、Ｎ種類（Ｎは２以上の整数）の成膜材料を用いることができる。
【００４６】
本発明による成膜装置は、上記した実施形態に限られるものではなく、他に様々な変形が可能である。例えば、上記実施形態では本発明の構成をイオンプレーティング装置に適用しているが、本発明の構成はこれ以外にも例えば真空蒸着装置やスパッタ装置などの様々な物理蒸着装置に適用できる。
【図面の簡単な説明】
【００４７】
【図１】本発明による成膜装置の一実施形態の構成を示す側面断面図である。
【図２】キャリア、マスクホルダ、マスク、及び被処理物の形状の一例を示す分解斜視図である。
【図３】被処理物支持部の詳細な構成例を示す斜視図である。
【図４】（ａ），（ｂ）突き上げ部材との干渉を回避するためのマスクホルダの形状に関する他の例を示す図である。
【図５】従来の真空成膜装置の概略を示す図である。
【符号の説明】
【００４８】
１…成膜装置、２…被処理物支持部、３…搬送機構、４…ハース機構、５…プラズマ源、６…補助陽極、１０…真空容器、１０ａ…搬送室、１０ｂ…成膜室、１０ｃ…マスクストック室、１０ｄ…ロードロック室、１０ｅ…ゲートバルブ、１１…キャリア、１１ｃ…貫通孔、１２…マスクホルダ、１２ｃ…切り欠き部分、１３…マスク、１４…被処理物、１５，１８…キャリア支持部、２１…突き上げ部材、２２…アーム、２２ａ…鉤部、４１ａ，４１ｂ…ハース、Ｍａ１，Ｍａ２…成膜材料、Ｐ…プラズマ。
【図１】
0004781835.tif 000002
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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