(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板に対して処理液を用いた処理を行うための処理室と、
一定液位まで液体を貯留することができ、上記処理室から排出される高濃度廃液およびその高濃度廃液を希釈するための希釈用液が導入される希釈容器と、
高濃度廃液を希釈するための希釈用液を上記希釈容器に供給する第１希釈用液供給手段と、
廃棄されるべき処理液が流通する廃液ユーティリティラインに接続され、上記希釈容器から上記一定液位を超えて溢れる液体を上記廃液ユーティリティラインに排出するためのオーバフロー配管と、
上記処理室から排気される処理対象の基板の周囲の雰囲気および上記処理室から排出される低濃度廃液が導入されて、その導入された雰囲気および低濃度廃液を分離して排出する気液分離容器と、
低濃度廃液を希釈するための希釈用液を上記気液分離容器に供給する第２希釈用液供給手段と
を含むことを特徴とする基板処理装置。
【請求項２】
上記処理室から排出される廃液の導入先を切り替えるための切替バルブと、
上記処理室から排出される高濃度廃液が上記希釈容器に導入され、上記処理室から排出される低濃度廃液が上記気液分離容器に導入されるように、上記切替バルブの切替えを制御する切替制御手段とをさらに含むことを特徴とする請求項１記載の基板処理装置。
【請求項３】
上記希釈容器内に溜められた液体の温度を検出するための第１液温検出手段と、
上記第１希釈用液供給手段を制御して、上記希釈容器への高濃度廃液の導入開始に応答して上記希釈容器への希釈用液の所定流量での供給を開始させ、上記希釈容器への廃液の導入停止後、上記第１液温検出手段による検出温度が予め定める供給停止温度以下に下がったことに応答して上記希釈容器への希釈用液の所定流量での供給を停止させる第１希釈用液供給制御手段とをさらに含むことを特徴とする請求項２記載の基板処理装置。
【請求項４】
上記第１希釈用液供給手段は、
上記希釈容器へ供給すべき希釈用液が流通する第１希釈用液配管と、
上記第１希釈用液配管に介装されて、開状態で希釈用液を上記所定流量で流通させ、閉状態で希釈用液を上記所定流量よりも小さな微小流量で流通させる第１スローリーク機能付バルブとを備えていることを特徴とする請求項３記載の基板処理装置。
【請求項５】
上記気液分離容器内に溜められた液体の温度を検出するための第２液温検出手段と、
上記第２希釈用液供給手段を制御して、上記気液分離容器への低濃度廃液の導入開始に応答して上記気液分離容器への希釈用液の所定流量での供給を開始させ、上記第２液温検出手段による検出温度が予め定める供給停止温度以下に下がったことに応答して上記気液分離容器への希釈用液の所定流量での供給を停止させる第２希釈用液供給制御手段とをさらに含むことを特徴とする請求項２〜４のいずれか一項に記載の基板処理装置。
【請求項６】
上記第２希釈用液供給手段は、
上記気液分離容器へ供給すべき希釈用液が流通する第２希釈用液配管と、
上記第２希釈用液配管に介装されて、開状態で希釈用液を上記所定流量で流通させ、閉状態で希釈用液を上記所定流量よりも小さな微小流量で流通させる第２スローリーク機能付バルブとを備えていることを特徴とする請求項５記載の基板処理装置。
【請求項７】
上記希釈容器は、上記気液分離容器よりも小さなサイズに形成されていることを特徴とする請求項１〜６のいずれか一項に記載の基板処理装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、処理液を用いて基板を処理する基板処理装置に関する。処理の対象となる基板には、たとえば、半導体ウエハ、液晶表示装置用ガラス基板、プラズマディスプレイ用ガラス基板、光ディスク用基板、磁気ディスク用基板、光磁気ディスク用基板、フォトマスク用基板などが含まれる。
【背景技術】
【０００２】
半導体装置や液晶表示装置の製造工程では、半導体ウエハや液晶表示パネル用ガラス基板などの基板に対して処理液を用いた処理が行われる。たとえば、基板を１枚ずつ処理する枚葉式の基板処理装置では、基板を水平に保持して回転させるスピンチャックと、このスピンチャックに保持された基板の表面に処理液を供給する処理液ノズルとが備えられていて、スピンチャックによって基板が回転されつつ、その回転している基板の表面に処理液ノズルから処理液が供給されることにより、基板の表面の全域に処理液が行き渡って、基板の表面に対する処理液を用いた処理が達成される。
【０００３】
基板の表面に供給された処理液は、基板の周縁から飛散または流下して、スピンチャックを収容している有底円筒形状のカップに受け取られる。カップの底面には、カップに受け取られた処理液（廃液）を排出するための廃液配管と、カップ内の雰囲気を排気するための排気配管とが接続されている。廃液配管および排気配管は、カップの下方へと延びて、それぞれの先端がカップの下方に配置された気液分離ボックス内に挿入されている。これにより、カップに受け取られた処理液およびカップ内の雰囲気は、それぞれ廃液配管および排気配管を通して気液分離ボックスに導入される。
【０００４】
図７は、気液分離ボックスの構成を図解的に示す断面図である。気液分離ボックス９０１は、たとえば、耐熱性ＰＶＣ（ポリ塩化ビニル）材料を用いて形成されている。気液分離ボックスの底面には、廃液分離配管９０２が接続されており、廃液配管９０３を通して気液分離ボックス９０１に導入される廃液は、廃液分離配管９０２に流入して排出されるようになっている。
【０００５】
また、気液分離ボックス９０１の底面には、気液分離ボックス９０１内の雰囲気を吸引して排出するための排気吸引管９０４が挿通されている。排気吸引管９０４の一端は、気液分離ボックス９０１内の所定高さの位置で開放されており、排気吸引管９０４の他端は、常時駆動されている負圧源（図示せず）に接続されている。これにより、気液分離ボックス９０１内は常に負圧に保たれて、カップ内の雰囲気を排気配管９０５を通して気液分離ボックス９０１内に吸い込み、さらに気液分離ボックス９０１から排気吸引管９０４を通して排気することができる。また、気液分離ボックス９０１内の雰囲気が常に排気されているから、気液分離ボックス９０１から廃液分離配管９０２に排出される処理液の気化物を含む雰囲気が廃液配管９０３または排気配管９０５を通ってカップ内に逆流するおそれがない。
【特許文献１】特開平９−６４００９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
基板に対する処理液を用いた処理の中には、たとえば、処理液としてＳＰＭ（sulfuric acid／hydrogen peroxide mixture：硫酸過酸化水素水）を用いて、基板の表面から不要となったレジスト膜を剥離する処理がある。このレジスト剥離処理のためのＳＰＭは、硫酸と過酸化水素水とを化学反応させて生成され、この化学反応時に生じる反応熱を利用して１５０℃まで昇温する。そして、その高温のＳＰＭが基板に供給されることにより、基板の表面のレジスト膜がＳＰＭに含まれるＨ２ＳＯ５によって酸化されて剥離される。したがって、上記した従来の基板処理装置でレジスト剥離処理を実施した場合、廃液配管９０３から気液分離ボックス９０１に高温のＳＰＭが廃液として導入されることになる。
【０００７】
ところが、耐熱性ＰＶＣ材料の耐熱温度は８０℃程度であるため、耐熱性ＰＶＣ材料を用いて形成されている気液分離ボックス９０１は、廃液配管９０３から導入される高温のＳＰＭに耐えることができない。よって、従来の基板処理装置の構成では、高温のＳＰＭを用いたレジスト剥離処理を行って、その処理時に生じる廃液（高温のＳＰＭ）を排出することはできない。
【０００８】
そこで、気液分離ボックス９０１の材質を、耐熱性および対薬液性に優れたＰＴＦＥ（ポリテトラフルオロエチレン）などに変更することが考えられる。しかしながら、耐熱性ＰＶＣからＰＴＦＥへの材質変更は、装置のイニシャルコストの増大を招いてしまう。また、気液分離ボックス９０１の材質をＰＴＦＥに変更しても、気液分離ボックス９０１に導入される高温のＳＰＭをそのまま、廃液分離配管９０２を通して、基板処理装置が設置される工場の廃液ユーティリティラインに排出することはできない。そのため、廃液分離配管９０２を流れてくる高温のＳＰＭを希釈および冷却するためのアスピレータユニットを追加して設ける必要があり、装置のイニシャルコストがさらに増大するだけでなく、装置のフットプリントが増大するという問題も生じる。
【０００９】
そこで、この発明の目的は、高温のＳＰＭなどの処理液を用いる場合でも、基板の処理時に生じる廃液を工場の廃液ユーティリティラインなどに排出することができる基板処理装置を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
上記の目的を達成するための請求項１記載の発明は、基板（Ｗ）に対して処理液を用いた処理を行うための処理室（１）と、一定液位まで液体を貯留することができ、上記処理室から排出される高濃度廃液およびその高濃度廃液を希釈するための希釈用液が導入される希釈容器（８）と、高濃度廃液を希釈するための希釈用液を上記希釈容器に供給する第１希釈用液供給手段（８１，８２）と、廃棄されるべき処理液が流通する廃液ユーティリティラインに接続され、上記希釈容器から上記一定液位を超えて溢れる液体を上記廃液ユーティリティラインに排出するためのオーバフロー配管（８３）と、上記処理室から排気される処理対象の基板の周囲の雰囲気および上記処理室から排出される低濃度廃液が導入されて、その導入された雰囲気および低濃度廃液を分離して（個別に）排出する気液分離容器（９）と、低濃度廃液を希釈するための希釈用液を上記気液分離容器に供給する第２希釈用液供給手段（９１，９２）とを含むことを特徴とする基板処理装置である。
【００１１】
なお、括弧内の英数字は、後述の実施形態における対応構成要素等を表す。以下、この項において同じ。
【００１２】
この構成によれば、処理液を高濃度に含む高濃度廃液は、希釈容器に導入されて、その希釈容器内で第１希釈用液供給手段から供給される希釈用液によって希釈されるので、アスピレータユニットを用いなくても、容器からの廃液をそのまま工場の廃液ユーティリティラインに排出することができる。一方、処理液が多く含まれない低濃度廃液は、気液分離容器を介してそのまま排出しても、工場の廃液ユーティリティラインに悪影響を与えるおそれはないが、第２希釈用液供給手段からの希釈用液の供給によって、低濃度廃液も十分に希釈することができる。
【００１３】
また、高濃度廃液が導かれる希釈容器は、低濃度廃液が導入されない分、従来の基板処理装置に備えられている気液分離ボックスよりもサイズを小さくできるから、希釈容器をＰＴＦＥ製またはＰＦＡ製（perfluoro−alkylvinyl−ether−tetrafluoro−ethlene−copolymer）にしても大幅なコストアップを招くことがない。
【００１４】
請求項２記載の発明は、上記処理室から排出される廃液の導入先を切り替えるための切替バルブ（７５）と、上記処理室から排出される高濃度廃液が上記希釈容器に導入され、上記処理室から排出される低濃度廃液が上記気液分離容器に導入されるように、上記切替バルブの切替えを制御する切替制御手段（１００）とをさらに含むことを特徴とする請求項１記載の基板処理装置である。
【００１５】
この構成により、処理室から排出される高濃度廃液と低濃度廃液とを、それぞれ希釈容器および気液分離容器に分別して導入することができる。
【００１６】
請求項３に記載の発明は、上記希釈容器内に溜められた液体の温度を検出するための第１液温検出手段（８４）と、上記第１希釈用液供給手段を制御して、上記希釈容器への高濃度廃液の導入開始に応答して上記希釈容器への希釈用液の所定流量での供給を開始させ、上記希釈容器への廃液の導入停止後、上記第１液温検出手段による検出温度が予め定める供給停止温度以下に下がったことに応答して上記希釈容器への希釈用液の所定流量での供給を停止させる第１希釈用液供給制御手段（１００，Ｔ２〜Ｔ６）とをさらに含むことを特徴とする請求項２記載の基板処理装置である。
【００１７】
この構成によれば、希釈容器への高濃度廃液の導入が開始されてから、高濃度廃液の導入停止後、希釈容器内に貯留されている液体の液温が予め定める供給停止温度以下に下がるまで、希釈用液を希釈容器に供給し続けることにより、希釈容器内に貯留されている液体を十分に希釈することができる。よって、その後、高濃度廃液が再び希釈容器に導入されたときに、その導入される高濃度廃液を希釈容器に貯留されている液体で十分に希釈して排出することができる。
【００１８】
請求項４に記載の発明は、上記第１希釈用液供給手段は、上記希釈容器へ供給すべき希釈用液が流通する第１希釈用液配管（８２）と、上記第１希釈用液配管に介装されて、開状態で希釈用液を上記所定流量で流通させ、閉状態で希釈用液を上記所定流量よりも小さな微小流量で流通させる第１スローリーク機能付バルブ（８１）とを備えていることを特徴とする請求項３記載の基板処理装置である。
【００１９】
この構成によれば、第１スローリーク機能付バルブが閉じられている間も、希釈用液が微小流量で希釈容器に供給し続けられるから、高濃度廃液の導入が停止されている期間内に、希釈容器内に貯留されている液体を確実に希釈することができる。また、処理液として純水などが用いられる場合には、希釈容器内におけるバクテリアの発生などを防止することができる。
【００２０】
請求項５に記載の発明は、上記気液分離容器内に溜められた液体の温度を検出するための第２液温検出手段（９５）と、上記第２希釈用液供給手段を制御して、上記気液分離容器への低濃度廃液の導入開始に応答して上記気液分離容器への希釈用液の所定流量での供給を開始させ、上記第２液温検出手段による検出温度が予め定める供給停止温度以下に下がったことに応答して上記気液分離容器への希釈用液の所定流量での供給を停止させる第２希釈用液供給制御手段（１００，Ｅ２，Ｅ３，Ｅ４）とをさらに含むことを特徴とする請求項２〜４のいずれか一項に記載の基板処理装置である。
【００２１】
この構成によれば、気液分離容器への低濃度廃液の導入が開始されてから、低濃度廃液の導入停止後、気液分離容器内に貯留されている液体の液温が予め定める供給停止温度以下に下がるまで、希釈用液を気液分離容器に供給し続けることにより、気液分離容器内に貯留されている液体を十分に希釈することができる。よって、その後、低濃度廃液が再び気液分離容器に導入されたときに、その導入される低濃度廃液を気液分離容器に貯留されている液体で十分に希釈して排出することができる。
【００２２】
請求項６に記載の発明は、上記第２希釈用液供給手段は、上記気液分離容器へ供給すべき希釈用液が流通する第２希釈用液配管（９２）と、上記第２希釈用液配管に介装されて、開状態で希釈用液を上記所定流量で流通させ、閉状態で希釈用液を上記所定流量よりも小さな微小流量で流通させる第２スローリーク機能付バルブ（９１）とを備えていることを特徴とする請求項５記載の基板処理装置である。
【００２３】
この構成によれば、第２スローリーク機能付バルブが閉じられている間も、希釈用液が微小流量で気液分離容器に供給し続けられるから、低濃度廃液の導入が停止されている期間内に、気液分離容器内に貯留されている液体を確実に希釈することができる。また、処理液として純水などが用いられる場合には、気液分離容器内におけるバクテリアの発生などを防止することができる。
【００２４】
請求項７に記載の発明は、上記希釈容器は、上記気液分離容器よりも小さなサイズに形成されていることが好ましい。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２５】
以下では、この発明の実施の形態を、添付図面を参照して詳細に説明する。
【００２６】
図１は、この発明の一実施形態に係る基板処理装置の構成を図解的に示す図である。この基板処理装置は、基板の一例であるシリコン半導体ウエハＷ（以下、単に「ウエハＷ」という。）の表面（上面）にＳＰＭ（sulfuric acid／hydrogen peroxide mixture：硫酸過酸化水素水）を供給して、そのウエハＷの表面から不要になったレジスト膜を剥離するレジスト剥離処理を行う枚葉式の装置であり、隔壁で区画された処理室１内に、ウエハＷをほぼ水平に保持して回転させるためのスピンチャック２と、このスピンチャック２に保持されたウエハＷの表面にＳＰＭを供給するためのノズル３と、ウエハＷから流下または飛散するＳＰＭなどの処理液を受け取るためのカップ４とを備えている。
【００２７】
スピンチャック２は、たとえば、複数個の挟持部材２１でウエハＷを挟持することにより、ウエハＷをほぼ水平な姿勢で保持することができ、さらにその状態でほぼ鉛直な軸線まわりに回転することによって、その保持したウエハＷをほぼ水平な姿勢を保ったまま回転させることができる。
【００２８】
スピンチャック２の側方には、旋回軸３１が鉛直方向にほぼ沿って配置されており、ノズル３は、その旋回軸３１の上端部からほぼ水平に延びたノズルアーム３２の先端部に取り付けられている。旋回軸３１は、その中心軸線まわりに回転可能に設けられていて、旋回軸３１を回転させることにより、ノズル３をスピンチャック２に保持されたウエハＷの上方に配置したり、カップ４の外側に設定された待機位置に配置したりすることができる。また、旋回軸３１を所定の角度範囲内で往復回転させることにより、スピンチャック２に保持されたウエハＷの上方でノズルアーム３２を揺動させることができ、これに伴って、スピンチャック２に保持されたウエハＷの表面上で、ノズル３からのＳＰＭの供給位置をスキャン（移動）させることができる。
【００２９】
ノズル３には、耐薬液性および耐熱性に優れたＰＦＡ（perfluoro−alkylvinyl−ether−tetrafluoro−ethlene−copolymer）製の処理液配管５の先端が接続されている。処理液配管５の他端は、処理室１外へ延びており、処理室１に隣接して設けられた流体ボックス６内に配置されたミキシングバルブ６１に接続されている。
【００３０】
ミキシングバルブ６１は、硫酸ポート６１１、過酸化水素水ポート６１２および窒素ガスポート６１３の３つの入力ポートを有している。これらの硫酸ポート６１１、過酸化水素水ポート６１２および窒素ガスポート６１３には、それぞれ、硫酸供給源からの一定温度（たとえば、８０℃）に温度調節された硫酸を供給するための硫酸配管６２、過酸化水素水供給源からの過酸化水素水を供給するための過酸化水素水配管６３および窒素ガス供給源からの窒素ガスを供給するための窒素ガス配管６４が接続されている。
【００３１】
硫酸配管６２の途中部には、ミキシングバルブ６１への硫酸の供給／停止を切り換えるための硫酸バルブ６２１と、硫酸配管６２を流れる硫酸の流量を検出するための硫酸流量計６２２とが、硫酸の流通方向上流側からこの順に介装されている。また、硫酸配管６２には、硫酸の流通方向に関して硫酸バルブ６２１よりも上流側の分岐点において、硫酸帰還路６５が分岐接続されており、硫酸バルブ６２１が閉じられている期間は、硫酸配管６２を流れてくる硫酸が硫酸帰還路６５を通って硫酸供給源に戻されるようになっている。これにより、硫酸バルブ６２１が閉じられている期間には、硫酸供給源、硫酸配管６２および硫酸帰還路６５からなる硫酸循環路を一定温度に温度調節された硫酸が循環し、硫酸配管６２の硫酸バルブ６２１の下流側の部分に硫酸が滞ることがないので、硫酸バルブ６２１の開成直後から一定温度に温度調節された硫酸をミキシングバルブ６１に供給することができる。
【００３２】
過酸化水素水配管６３の途中部には、ミキシングバルブ６１への過酸化水素水の供給／停止を切り換えるための過酸化水素水バルブ６３１と、過酸化水素水配管６３を流れる過酸化水素水の流量を検出するための過酸化水素水流量計６３２とが、過酸化水素水の流通方向上流側からこの順に介装されている。また、過酸化水素水配管６３には、過酸化水素水の流通方向に関して過酸化水素水バルブ６３１よりも上流側の分岐点において、過酸化水素水帰還路６６が分岐接続されており、過酸化水素水バルブ６３１が閉じられている期間は、過酸化水素水配管６３を流れてくる過酸化水素水が過酸化水素水帰還路６６を通って過酸化水素水供給源に戻されるようになっている。これにより、過酸化水素水バルブ６３１が閉じられている期間には、過酸化水素水供給源、過酸化水素水配管６３および過酸化水素水帰還路６６からなる過酸化水素水循環路を過酸化水素水が循環し、過酸化水素水配管６３の過酸化水素水バルブ６３１の下流側の部分に過酸化水素水が滞ることが防止されている。なお、この実施形態では、過酸化水素水は温度調節されておらず、過酸化水素水配管６３には室温（約２５℃）程度の過酸化水素水が流れる。
【００３３】
窒素ガス配管６４の途中部には、ミキシングバルブ６１への窒素ガスの供給／停止を切り換えるための窒素ガスバルブ６４１が介装されている。
【００３４】
硫酸バルブ６２１および過酸化水素水バルブ６３１が開かれるとともに、ミキシングバルブ６１の硫酸ポート６１１および過酸化水素水ポート６１２が開かれると、硫酸配管６２および過酸化水素水配管６３からそれぞれ硫酸および過酸化水素水がミキシングバルブ６１に流入し、このミキシングバルブ６１で硫酸と過酸化水素水とが合流することによって、硫酸および過酸化水素水の混合液が作成される。この作成された硫酸および過酸化水素水の混合液は、ミキシングバルブ６１から処理液配管５に流出し、処理液配管５をノズル３に向けて流れる。
【００３５】
ミキシングバルブ６１では、硫酸配管６２からの硫酸と過酸化水素水配管６３からの過酸化水素水とが単に合流するだけであり、ミキシングバルブ６１から処理液配管５に流出する混合液は、硫酸と過酸化水素水とが十分に混ざり合ったＳＰＭには至っていない。そこで、処理液配管５には、その処理液配管５を流れる硫酸および過酸化水素水の混合液を撹拌してＳＰＭを生成するための撹拌フィン付流通管５１が介装されている。
【００３６】
撹拌フィン付流通管５１は、管部材内に、それぞれ液体流通方向を軸にほぼ１８０度のねじれを加えた長方形板状体からなる複数の撹拌フィンを、液体流通方向に沿う管中心軸まわりの回転角度を９０度ずつ交互に異ならせて配置した構成のものであり、たとえば、株式会社ノリタケカンパニーリミテド・アドバンス電気工業株式会社製の商品名「ＭＸシリーズ：インラインミキサー」を用いることができる。撹拌フィン付流通管５１では、硫酸および過酸化水素水の混合液が十分に撹拌されることにより、硫酸と過酸化水素水との化学反応（Ｈ２ＳＯ４＋Ｈ２Ｏ２→Ｈ２ＳＯ５＋Ｈ２Ｏ）が生じて、強い酸化力を有するＨ２ＳＯ５を含むＳＰＭが生成される。その際、化学反応による発熱（反応熱）を生じ、この発熱によって、ＳＰＭの液温は、ウエハＷの表面に形成されているレジスト膜を良好に剥離可能な高温度（たとえば、８０℃以上）まで確実に昇温する。
【００３７】
撹拌フィン付流通管５１は、ノズルアーム３２に取り付けられることによって処理室１内に設けられている。より具体的には、図２に示すように、ノズルアーム３２の上面には、取付台５１１が固定されており、撹拌フィン付流通管５１は、流体流通方向の下流側が上流側よりも低くなるように傾斜をつけた状態で取付台５１１に取り付けられている。また、ノズルアーム３２の先端部には、ブラケット３２１が固定されており、このブラケット３２１にノズル３が取り付けられている。ノズル３は、く字状に屈曲した管状のストレートノズルであって、先端の吐出口を鉛直下方に向けた状態で取り付けられており、ノズル３の先端と撹拌フィン付流通管５１の流体流通方向下流側の端部との間の配管長Ｌは、たとえば、２００ｍｍ程度に設計されている。
【００３８】
これにより、撹拌フィン付流通管５１で生成される高温度のＳＰＭは、その液温が低下することなくノズル３に供給される。よって、スピンチャック２に保持されているウエハＷに高温度のＳＰＭを供給することができ、ウエハＷの表面から不要なレジスト膜を残すことなく良好に剥離して除去することができる。
【００３９】
図１を再び参照して、カップ４の底面には、カップ４内の雰囲気を排気するための耐熱性ＰＶＣまたはＰＦＡ製の排気配管７１と、カップ４に受け取られたＳＰＭなどの廃液（ウエハＷの処理に用いられた後に廃棄されるべき処理液）を排出するためのＰＦＡ製の廃液配管７２とが接続されている。
【００４０】
廃液配管７２の先端には、廃液配管７２を流れてくる廃液を流体ボックス６内に設けられた希釈タンク８に導くためのＰＦＡ製の高濃度廃液導入管７３と、廃液配管７２を流れてくる廃液を処理室１の下方に設けられた気液分離タンク９に導くための一般廃液導入管７４とが分岐して接続されている。そして、高濃度廃液導入管７３と一般廃液導入管７４との分岐点には、廃液配管７２を流れてくる廃液の導入先を高濃度廃液導入管７３（希釈タンク８）と一般廃液導入管７４（気液分離タンク９）とに切り替えるための廃液切替バルブ７５が介装されている。
【００４１】
希釈タンク８は、ＰＴＦＥ（ポリテトラフルオロエチレン）材料またはＰＦＡ材料を用いて、気液分離タンク９よりもかなり小さなサイズに形成されている。希釈タンク８には、高濃度廃液導入管７３から導入される廃液（高濃度廃液）を希釈および冷却するための冷却水が、希釈タンク用冷却水バルブ８１および希釈タンク用冷却水配管８２を介して供給されるようになっている。希釈タンク用冷却水バルブ８１は、スローリーク機能付きのバルブであり、この希釈タンク用冷却水バルブ８１を開いた状態では、希釈タンク用冷却水配管８２から希釈タンク８に所定の大流量で冷却水が供給され、希釈タンク用冷却水バルブ８１を閉じた状態であっても、希釈タンク用冷却水配管８２から希釈タンク８に所定の微小流量（上記所定の大流量よりも小さな流量）で冷却水が供給される。
【００４２】
希釈タンク８の底面には、希釈廃液オーバフロー配管８３が挿通されている。この希釈廃液オーバフロー配管８３の一端は、希釈タンク８内の所定高さの位置で開放されており、廃液オーバフロー配管８３の他端は、たとえば、この基板処理装置が設置される工場の廃液ユーティリティラインに接続されている。これにより、希釈タンク８内に希釈廃液オーバフロー配管８３の一端の高さ（上記所定高さ）まで液体を貯留させることができ、その高さを超えて希釈廃液オーバフロー配管８３に流れ込む液体を廃液ユーティリティラインへと排出することができる。
【００４３】
気液分離タンク９は、平面視において処理室１とほぼ同じサイズに形成されている。気液分離タンク９には、一般廃液導入管７４から廃液（低濃度廃液）が導入される以外に、排気配管７１を通してカップ４内から排気される雰囲気が導入されるようになっている。また、気液分離タンク９には、一般廃液導入管７４から導入される廃液を希釈および冷却するための冷却水が、気液分離タンク用冷却水バルブ９１および気液分離タンク用冷却水配管９２を介して供給されるようになっている。気液分離タンク用冷却水バルブ９１は、スローリーク機能付きのバルブであり、この気液分離タンク用冷却水バルブ９１を開いた状態では、気液分離タンク用冷却水配管９２から気液分離タンク９に所定の大流量で冷却水が供給され、気液分離タンク用冷却水バルブ９１を閉じた状態であっても、気液分離タンク用冷却水配管９２から気液分離タンク９に所定の微小流量（上記所定の大流量よりも小さな流量）で冷却水が供給される。
【００４４】
気液分離タンク９の底面には、一般廃液オーバフロー配管９３が挿通されている。この一般廃液オーバフロー配管９３の一端は、気液分離タンク９内の所定高さの位置で開放されており、一般廃液オーバフロー配管９３の他端は、たとえば、この基板処理装置が設置される工場の廃液ユーティリティラインに接続されている。これにより、気液分離タンク９内に一般廃液オーバフロー配管９３の一端の高さ（上記所定高さ）まで液体を貯留させることができ、その高さを超えて一般廃液オーバフロー配管９３に流れ込む液体を廃液ユーティリティラインへと排出することができる。
【００４５】
気液分離タンク９の底面にはさらに、気液分離タンク９内の雰囲気を吸引して排出するための排気吸引管９４が挿通されている。排気吸引管９４の一端は、気液分離タンク９内の一般廃液オーバフロー配管９３の一端よりも高い位置で開放されており、排気吸引管９４の他端は、常時駆動されている負圧源（図示せず）に接続されている。これにより、気液分離タンク９内は常に負圧に保たれて、カップ４内の雰囲気を排気配管７１を通して気液分離タンク９内に吸い込み、さらに気液分離タンク９から排気吸引管９４を通して排気することができる。また、気液分離タンク９内の雰囲気が常に排気されているから、気液分離タンク９内に貯留された液体の気化物を含む雰囲気が一般廃液導入管７４および廃液配管７２または排気配管７１を通ってカップ４内に流入（逆流）するおそれがない。
【００４６】
また、希釈タンク８内には、希釈タンク８に貯留されている液体の液温を検出するための希釈廃液温度センサ８４が設けられており、気液分離タンク９内には、気液分離タンク９に貯留されている液体の液温を検出するための一般廃液温度センサ９５が設けられている。
【００４７】
図３は、この基板処理装置の電気的構成を示すブロック図である。この基板処理装置はさらに、マイクロコンピュータを含む構成の制御装置１００を備えている。
【００４８】
制御装置１００には、希釈廃液温度センサ８４および一般廃液温度センサ９５などの各種センサ類からの検出信号が入力されるようになっている。また、制御装置１００には、スピンチャック２に回転駆動力を入力するためのチャック駆動機構２２、旋回軸３１にノズルアーム３２の揺動駆動力を入力するためのアーム駆動機構３３、ミキシングバルブ６１、硫酸バルブ６２１、過酸化水素水バルブ６３１、窒素ガスバルブ６４１、廃液切替バルブ７５、希釈タンク用冷却水バルブ８１および気液分離タンク用冷却水バルブ９１などが制御対象として接続されている。
【００４９】
制御装置１００は、予め作成されたプログラムに従って、各種センサ類からの入力信号に基づいて、チャック駆動機構２２、アーム駆動機構３３および廃液切替バルブ７５を制御し、また、ミキシングバルブ６１の各ポート６１１〜６１３、硫酸バルブ６２１、過酸化水素水バルブ６３１、窒素ガスバルブ６４１、希釈タンク用冷却水バルブ８１および気液分離タンク用冷却水バルブ９１の開閉を制御する。これにより、ノズル３からＳＰＭを吐出させて、ウエハＷの表面に形成されているレジスト膜を剥離するＳＰＭ供給工程、ＳＰＭによるレジスト膜剥離後のウエハＷの表面に純水を供給して、ウエハＷに付着したＳＰＭを純水で洗い流すリンス工程、およびリンス工程後のウエハＷを高速回転させて乾燥させるスピンドライ工程など、レジスト剥離処理に含まれる各工程が実施される。
【００５０】
図４は、ＳＰＭ吐出工程について説明するためのフローチャートである。処理対象のウエハＷは、搬送ロボット（図示せず）によって搬入されてきて、その搬送ロボットからスピンチャック２に受け渡される。スピンチャック２にウエハＷが保持されると、スピンチャック２によってウエハＷが所定の回転速度で回転される（ステップＳ１）。また、ノズルアーム３２が旋回されて、ノズル３がカップ４の外側に設定された待機位置からスピンチャック２に保持されたウエハＷの上方に配置される（ステップＳ２）。
【００５１】
つづいて、ミキシングバルブ６１の硫酸ポート６１１および過酸化水素水ポート６１２が開かれるとともに、硫酸バルブ６２１および過酸化水素水バルブ６３１が開かれる（ステップＳ３）。硫酸配管６２および過酸化水素水配管６３からミキシングバルブ６１にそれぞれ流入する硫酸および過酸化水素水は、ミキシングバルブ６１で合流して、硫酸および過酸化水素水の混合液となって処理液配管５を流れる。そして、撹拌フィン付流通管５１を通過する際に十分に撹拌されることによって、強い酸化力を有するＨ２ＳＯ５を含む高温のＳＰＭとなってノズル３に供給され、ノズル３からスピンチャック２によって回転されているウエハＷの表面に供給される。
【００５２】
その一方で、ノズルアーム３２の揺動が開始されて（ステップＳ４）、ノズルアーム３２が所定の角度範囲内で繰り返し揺動される。このノズルアーム３２の揺動によって、ノズル３からの高温のＳＰＭが導かれるウエハＷの表面上の供給位置が、ウエハＷの回転中心からウエハＷの周縁部に至る範囲内を円弧状の軌跡を描きつつ繰り返しスキャンされる。また、ウエハＷの表面に供給されたＳＰＭは、ウエハＷの回転による遠心力を受けて、その供給位置からウエハＷの周縁に向けて、ウエハＷの表面上を拡がりつつ流れる。これによって、ウエハＷの表面全域にＳＰＭがむらなく行き渡り、ウエハＷの表面に形成されているレジスト膜がＳＰＭに含まれるＨ２ＳＯ５の強い酸化力によって剥離される。
【００５３】
ミキシングバルブ６１の硫酸ポート６１１および過酸化水素水ポート６１２、硫酸バルブ６２１ならびに過酸化水素水バルブ６３１が開かれてから所定のＳＰＭ供給時間が経過すると（ステップＳ５のＹＥＳ）、ミキシングバルブ６１の硫酸ポート６１１および過酸化水素水ポート６１２が閉じられるとともに、硫酸バルブ６２１および過酸化水素水バルブ６３１が閉じられて（ステップＳ６）、ミキシングバルブ６１への硫酸および過酸化水素水の供給が停止される。ミキシングバルブ６１への硫酸および過酸化水素水の供給停止に応答して、処理液配管５内の硫酸および過酸化水素水の混合液の流通が停止し、硫酸および過酸化水素水の供給停止後のミキシングバルブ６１および処理液配管５内に硫酸および過酸化水素水の混合液が滞留した状態となる。
【００５４】
ミキシングバルブ６１への硫酸および過酸化水素水の供給停止後、ミキシングバルブ６１の窒素ガスポート６１３が開かれるとともに、窒素ガスバルブ６４１が開かれて（ステップＳ７）、窒素ガス配管６４からミキシングバルブ６１に窒素ガスが供給される。ミキシングバルブ６１に供給される窒素ガスは、ミキシングバルブ６１から処理液配管５へと流れて、ミキシングバルブ６１および処理液配管５内に滞留している硫酸および過酸化水素水の混合液をノズル３に向けて圧送する。こうして処理液配管５内を流れる硫酸および過酸化水素水の混合液は、撹拌フィン付流通管５１を通過することによって高温のＳＰＭとなり、ウエハＷの上方で往復揺動しているノズルアーム３２の先端のノズル３から吐出される。
【００５５】
ミキシングバルブ６１への窒素ガスの供給が所定のガス圧送時間（ミキシングバルブ６４１に供給された窒素ガスがノズル３から吐出されるまでの時間、すなわち、ミキシングバルブ６１および処理液配管５内に滞留している混合液をすべてノズル３から吐出させるのに十分な時間）にわたって行われると（ステップＳ８のＹＥＳ）、ミキシングバルブ６１の窒素ガスポート６１３および窒素ガスバルブ６４１が閉じられる（ステップＳ９）。そして、ノズルアーム３２が旋回されて、ノズル３がウエハＷの上方からカップ４の外側に設定された待機位置へと戻される（ステップＳ１０）。
【００５６】
このように、ミキシングバルブ６１への硫酸および過酸化水素水の供給停止後、ミキシングバルブ６１に窒素ガスが供給されて、ミキシングバルブ６１および処理液配管５内に滞留している硫酸および過酸化水素水の混合液がＳＰＭとなってノズル３から押し出される。これにより、ミキシングバルブ６１および処理液配管５内に硫酸および過酸化水素水の混合液が滞留したまま放置されることがない。よって、従来の基板処理装置とは異なり、プリディスペンスを行わなくても、ウエハＷに劣化（処理能力が低下）したＳＰＭが供給されることがない。また、ＳＰＭ吐出工程の全期間を通して、ウエハＷに対してほぼ一定の処理能力を有するＳＰＭを供給することができるから、ウエハＷ間における処理のばらつきやウエハＷの処理不良を生じるおそれがない。
【００５７】
さらに、ノズル３から押し出されるＳＰＭは、ウエハＷの表面に供給されて、ウエハＷの表面のレジスト膜の剥離に寄与するから、プリディスペンスの手法とは異なり、高価なＳＰＭが無駄になることがない。
【００５８】
さらにまた、ノズル３がウエハＷの上方からカップ４の外側に設定された待機位置に戻される時には、ミキシングバルブ６１、処理液配管５およびノズル３内に硫酸および過酸化水素水の混合液またはＳＰＭは残っていないから、そのノズル３の移動の途中で、ノズル３からＳＰＭが漏れ出るといったことがない。よって、カップ４外がＳＰＭによって汚染されるおそれがない。
【００５９】
なお、カップ４外の汚染を防止する観点からは、窒素ガスによってノズル３から押し出されるＳＰＭがウエハＷの表面に供給されなくてもよく、たとえば、ノズル３がウエハＷの上方からカップ４の外側に設定された待機位置に戻される途中、ノズル３から吐出されるＳＰＭがカップ４内に受け取られる位置にノズル３が存在している間に、ミキシングバルブ６１への窒素ガスの供給が行われてもよい。
【００６０】
図５は、ＳＰＭ吐出工程時に生じる廃液の処理について説明するためのフローチャートである。希釈タンク用冷却水バルブ８１はスローリーク機能付きのバルブであって、希釈タンク用冷却水バルブ８１が閉じられている間も希釈タンク用冷却水配管８２から希釈タンク８に冷却水が所定の微小流量で供給されているから、ＳＰＭ吐出工程の開始時点で、希釈タンク８内には、ほぼ冷却水のみを含む液体が所定高さまで貯留されている。
【００６１】
ＳＰＭ吐出工程が開始されると、廃液切替バルブ７５が制御されて、廃液配管７２を流れてくる廃液の導入先が希釈タンク８に切り替えられる（ステップＴ１）。また、希釈タンク用冷却水バルブ８１が開かれて（ステップＴ２）、希釈タンク用冷却水配管８２から希釈タンク８に所定の大流量で冷却水が供給される。
【００６２】
ＳＰＭ吐出工程では、ウエハＷに対して高温のＳＰＭが供給され、ウエハＷから流下または飛散するＳＰＭがカップ４に受け取られるから、カップ４から廃液配管７２を通して高濃度廃液導入管７３に流れ込む廃液は、ほぼ高温のＳＰＭのみからなる高濃度廃液（ＳＰＭを高濃度に含む廃液）である。したがって、ＳＰＭ吐出工程では、高濃度廃液導入管７３から希釈タンク８に高濃度廃液が導入され、その導入された高濃度廃液が、希釈タンク８に貯留されている液体（冷却水）に混入されることになる。また、その希釈タンク８に貯留されている液体に、希釈タンク用冷却水配管８２から希釈タンク８に供給される冷却水が大流量で混入される。これにより、希釈タンク８に導入される高濃度廃液は、希釈タンク８に貯留されている液体および希釈タンク用冷却水配管８２から供給される冷却水によって希釈および冷却される。そして、十分に希釈および冷却された廃液（高濃度廃液と多量の冷却水との混合液）は、希釈タンク８内に突出した希釈廃液オーバフロー配管８３の上端を超えると、希釈廃液オーバフロー配管８３に流入して廃液ユーティリティラインへと排出される。
【００６３】
ＳＰＭ吐出工程が終了すると（ステップＴ３のＹＥＳ）、廃液切替バルブ７５が制御されて、廃液配管７２を流れてくる廃液の導入先が気液分離タンク９に切り替えられる（ステップＴ４）。また、ＳＰＭ吐出工程の終了後は、希釈廃液温度センサ８４による検出温度（希釈タンク８に貯留されている液体の液温）が予め定める供給停止温度（たとえば４０℃）以下に低下したか否かが繰り返し調べられる（ステップＴ５）。そして、希釈廃液温度センサ８４による検出温度が供給停止温度以下に低下すると、希釈タンク用冷却水バルブ８１が閉じられて（ステップＴ６）、それ以降は、ＳＰＭ吐出工程が再び実施されるまで、希釈タンク用冷却水配管８２から希釈タンク８に微小流量で冷却水が供給される。
【００６４】
このようにして、ＳＰＭ吐出工程時にカップ４から排出される高濃度廃液は、希釈タンク８で十分に希釈および冷却されることにより、十分に希釈および冷却された廃液となって、希釈タンク８から希釈廃液オーバフロー配管８３を通して排出される。従来の基板処理装置では、高温のＳＰＭを処理液として用いた場合、気液分離ボックスから排出される廃液（高温のＳＰＭを高濃度に含む廃液）を希釈および冷却するためにアスピレータユニットを付設する必要があったのに対し、この基板処理装置では、十分に希釈および冷却された廃液が希釈タンク８から排出されるので、そのようなアスピレータユニットが不要である。よって、そのアスピレータユニットが不要な分だけ、装置のイニシャルコストおよびフットプリントを低減させることができる。
【００６５】
なお、希釈廃液温度センサ８４による検出温度を常に監視して、希釈廃液温度センサ８４による検出温度が第１温度（たとえば４０℃）に達した場合には、希釈タンク用冷却水バルブ８１を開成して希釈タンク８内に冷却水を大量に注いで廃液の温度を低下させるのが好ましい。さらには、万が一、冷却水配管８２に関連する供給系統の不具合などにより温度低下が十分に行われない場合（異常時）に備えて、希釈廃液温度センサ８４による検出温度が上記第１温度よりも高い第２温度（たとえば８０℃）を超えた場合には、基板処理装置の稼働を即停止させるようにすることが好ましい。こうすることにより、何らかの原因で十分に希釈および冷却されていない廃液が希釈タンク８から排出されることを確実に防止することができ、この基板処理装置の安全性をさらに高めることができる。
【００６６】
図６は、リンス工程以降に生じる廃液の処理について説明するためのフローチャートである。気液分離タンク用冷却水バルブ９１はスローリーク機能付きのバルブであって、気液分離タンク用冷却水バルブ９１が閉じられている間も気液分離タンク用冷却水配管９２から気液分離タンク９に冷却水が所定の微小流量で供給されているから、リンス工程の開始時点で、気液分離タンク９内には、ほぼ冷却水のみを含む液体が所定高さまで貯留されている。
【００６７】
ＳＰＭ吐出工程が終了し、これに引き続いてリンス工程が開始されると、廃液切替バルブ７５が制御されて、廃液配管７２を流れてくる廃液の導入先が気液分離タンク９に切り替えられる（ステップＥ１）。また、気液分離タンク用冷却水バルブ９１が開かれて（ステップＥ２）、気液分離タンク用冷却水配管９２から気液分離タンク９に所定の大流量で冷却水が供給される。
【００６８】
リンス工程では、ウエハＷに対して純水が供給され、ウエハＷに付着しているＳＰＭを洗い流した純水がカップ４に受け取られるから、カップ４から廃液配管７２を通して一般廃液導入管７４に流れ込む廃液は、微量のＳＰＭを含む純水からなる低濃度廃液である。したがって、リンス工程では、一般廃液導入管７４から気液分離タンク９に低濃度廃液が導入され、その導入された低濃度廃液が、気液分離タンク９に貯留されている液体（冷却水）に混入されることになる。また、その気液分離タンク９に貯留されている液体に、気液分離タンク用冷却水配管９２から気液分離タンク９に供給される冷却水が大流量で混入される。これにより、気液分離タンク９に導入される低濃度廃液は、気液分離タンク９に貯留されている液体および気液分離タンク用冷却水配管９２から新たに供給される冷却水によってさらに希釈される。そして、その希釈された廃液は、気液分離タンク９内に突出した一般廃液オーバフロー配管９３の上端を超えると、一般廃液オーバフロー配管９３に流入して廃液ユーティリティラインへと排出される。
【００６９】
リンス工程の終了後は、一般廃液温度センサ９５による検出温度（気液分離タンク９に貯留されている液体の液温）が予め定める供給停止温度（たとえば４０℃）以下に低下したか否かが繰り返し調べられる（ステップＥ３）。そして、一般廃液温度センサ９５による検出温度が供給停止温度以下に低下すると、気液分離タンク用冷却水バルブ９１が閉じられて（ステップＥ４）、それ以降は、リンス工程が再び実施されるまで、気液分離タンク用冷却水配管９２から気液分離タンク９に微小流量で冷却水が供給される。
【００７０】
このように、気液分離タンク９に導入される廃液は、リンス工程時以降にカップ４から排出される低濃度廃液であり、ＳＰＭをほとんど含まないから、希釈タンク８に比べて大型の気液分離タンク９を耐薬液性および耐熱性に優れたＰＴＦＥ材料またはＰＦＡ材料で構成しなくてもよい。これにより、ＰＴＦＥ製またはＰＦＡ製の気液分離タンクを採用した装置に比べて、装置のイニシャルコストを大幅に低減させることができる。
【００７１】
なお、リンス工程時以降にカップ４から排出される低濃度廃液も希釈タンク８に導入して、希釈タンク８から希釈廃液オーバフロー配管８３を通して排出することも考えられるが、そのためには、希釈タンク８を気液分離タンク９と同等のサイズに形成する必要がある。ＰＦＡ製の希釈タンク８が大型になると、装置のイニシャルコストが大幅にアップするので、リンス工程時以降にカップ４から排出される低濃度廃液をも希釈タンク８に導入することは望ましいとは言えない。
【００７２】
また、この実施形態では、気液分離タンク９に液体が溜められていて、気液分離タンク９に導入される廃液は、気液分離タンク９でさらに希釈された廃液となって、気液分離タンク９から一般廃液オーバフロー配管９３を通して排出される。これによって、たとえ気液分離タンク９にＳＰＭの高濃度廃液が流れ込んでも、その高濃度廃液を十分に希釈および冷却して排出することができる。
【００７３】
さらに、一般廃液温度センサ９５による検出温度を常に監視して、一般廃液温度センサ９５による検出温度が第１温度（たとえば４０℃）に達した場合には、気液分離タンク用冷却水バルブ９１を開成して気液分離タンク９内に冷却水を大量に注いで廃液の温度を低下させるのが好ましい。さらには、万が一、冷却水配管９２に関連する供給系統の不具合などにより温度低下が十分に行われない場合（異常時）に備えて、一般廃液温度センサ９５による検出温度が上記第１温度よりも高い第２温度（たとえば８０℃）を超えた場合には、基板処理装置の稼働を即停止させるようにしてもよい。こうすることにより、何らかの原因で十分に希釈および冷却されていない廃液が気液分離タンク９から排出されることを確実に防止することができ、この基板処理装置の安全性をさらに高めることができる。
【００７４】
以上、この発明の一実施形態について説明したが、この発明は他の形態で実施することもできる。たとえば、スピンチャック２としては、ウエハＷの下面を真空吸着することにより、ウエハＷをほぼ水平な姿勢で保持し、さらにその状態でほぼ鉛直な軸線まわりに回転することにより、その保持したウエハＷを回転させることができる真空吸着式のもの（バキュームチャック）が採用されてもよい。
【００７５】
また、上記の実施形態では、気液分離タンク９を所定高さまで液体を貯留可能な構造にしているが、この気液分離タンク９に代えて、カップ４から廃液配管７２および一般廃液導入管７４を通して排出される廃液を貯留せずに排出する構成の気液分離ボックス（図７参照）が採用されてもよい。
【００７６】
さらに、ウエハＷの表面から不要になったレジスト膜を剥離するレジスト剥離処理を例にとったが、処理対象となる基板は、ウエハＷに限らず、液晶表示装置用ガラス基板、プラズマディプレイパネル用ガラス基板、フォトマスク用ガラス基板および磁気／光ディスク用基板などの他の種類の基板であってもよい。また、基板に対する処理は、レジスト剥離処理以外の処理であってもよい。
【００７７】
その他、特許請求の範囲に記載された事項の範囲で種々の設計変更を施すことが可能である。
【図面の簡単な説明】
【００７８】
【図１】この発明の一実施形態に係る基板処理装置の構成を図解的に示す図である。
【図２】撹拌フィン付流通管の取付状態を説明するための図である。
【図３】上記基板処理装置の電気的構成を示すブロック図である。
【図４】ＳＰＭ吐出工程について説明するためのフローチャートである。
【図５】ＳＰＭ吐出工程時に生じる廃液の処理について説明するためのフローチャートである。
【図６】リンス工程以降に生じる廃液の処理について説明するためのフローチャートである。
【図７】気液分離ボックスの構成を図解的に示す断面図である。
【符号の説明】
【００７９】
１      処理室
８      希釈タンク
９      気液分離タンク
７２    廃液配管
７３    高濃度廃液導入管
７４    一般廃液導入管
７５    廃液切替バルブ
８１    希釈タンク用冷却水バルブ
８２    希釈タンク用冷却水配管
８３    希釈廃液オーバフロー配管
８４    希釈廃液温度センサ
９１    気液分離タンク用冷却水バルブ
９２    気液分離タンク用冷却水配管
９３    一般廃液オーバフロー配管
９５    一般廃液温度センサ
１００  制御装置
Ｗ      ウエハ
【図１】
0004739390.tif 000002
【図２】
0004739390.tif 000003
【図３】
0004739390.tif 000004
【図４】
0004739390.tif 000005
【図５】
0004739390.tif 000006
【図６】
0004739390.tif 000007
【図７】
0004739390.tif 000008