(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
放射ビームを調整するように構成された照明システムと、
パターニングされた放射ビームを形成するために前記放射ビームにその横断面においてパターンを与えるように構成されたパターニングデバイスを支持するように構成された支持体と、
基板を把持するように構成された基板テーブルと、
前記パターニングされた放射ビームを前記基板のターゲット部分上に投影するように構成された投影システムと、
前記投影システムの前記放射ビームの位相分布および／または瞳分布を測定するように構成された放射分布測定システムと、
を含むリソグラフィ装置であって、
前記測定システムが、
前記基板テーブル上に配置された透明なキャリアプレートと、
前記透明なキャリアプレートの第１面で構成された格子および／またはピンホールと、
前記透明なキャリアプレートの前記第１面の反対側の第２面で構成されたカメラと、
前記透明なキャリアプレートと前記カメラとの間に構成された放射フィルタと、
を含み、
前記放射フィルタが、前記放射フィルタの中央で最も低く、前記放射フィルタの外側に向かって徐々にかつ同心円的に増大する透過率を有し、
前記キャリアプレートがＤＵＶ放射を通し、
前記ＤＵＶ放射を可視光に変換するように構成された変換層を前記キャリアプレートと前記放射フィルタとの間に含み、
前記基板テーブルと前記カメラとの間に配置され、前記カメラ及び前記放射フィルタを前記変換層に押し付けるバネをさらに備える、リソグラフィ装置。
【請求項２】
前記投影システムと前記基板テーブルとの間に液浸液をさらに含む、
請求項１に記載のリソグラフィ装置。
【請求項３】
前記放射分布測定システムから信号を受信し、前記信号を使用して前記投影システムの収差を決定するように構成されたプロセッサをさらに含む、
請求項１又は２に記載のリソグラフィ装置。
【請求項４】
前記放射分布測定システムから信号を受信し、前記信号を使用して前記投影システムの瞳分布を決定するように構成されたプロセッサをさらに含む、
請求項１〜３のいずれか１項に記載のリソグラフィ装置。
【請求項５】
前記放射フィルタの透過率分布がガウス形である、
請求項１〜４のいずれか１項に記載のリソグラフィ装置。
【請求項６】
前記カメラがＣＭＯＳカメラチップを含む、
請求項１〜５のいずれか１項に記載のリソグラフィ装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、投影システムの放射ビームの位相分布および／または瞳分布を測定する放射分布測定システムに関する。
【背景技術】
【０００２】
リソグラフィ装置は、所望のパターンを基板上に、通常、基板のターゲット部分上に付与する機械である。リソグラフィ装置は、たとえば集積回路（ＩＣ）の製造に使用されることができる。その場合、ＩＣの個々の層上に形成されるべき回路パターンを生成するために、代替としてマスクまたはレチクルとも呼ばれるパターニングデバイスが使用されてもよい。このパターンは基板（たとえば、シリコンウェーハ）上の（たとえば１つまたは複数のダイの部分を含む）ターゲット部分上に転写され得る。パターンは、通常、基板上に提供された放射感応性材料（レジスト）の層上に結像することによって転写される。一般に、単一の基板は連続してパターニングされる隣接するターゲット部分のネットワークを含む。既知のリソグラフィ装置は、パターン全体をターゲット部分上に一時に露光することにより各ターゲット部分が照射されるステッパ、および、放射ビームによって所与の方向（「スキャニング」方向）にパターンをスキャンし、同時に、この方向に平行にまたは逆平行に基板をスキャンすることにより各ターゲット部分が照射されるスキャナを含む。また、パターンを基板上にインプリントすることにより、パターニングデバイスから基板にパターンを転写することもできる。
【０００３】
低ｋ１リソグラフィ用の先端的な光学システムは、光近接効果補正法（ＯＰＣ）が維持されることができることを保証するために様々なイメージングパラメータの正確な描写を必要とする。これらのパラメータの中で、レンズ収差および照明プロファイルは考慮されるべき光学カラム特性である。ツール性能パラメータを測定し制御するために、位相測定干渉計がリソグラフィ投影ツールに集積されてもよい。そのような測定システムの主要な機能は、高い正確さと速度で全画像フィールドにわたって波面収差を測定し分析することである。ゼルニケ多項式に関する波面収差の取得のほかに、高解像波面の詳細な測定が可能である。
【０００４】
リソグラフィ装置の投影システムの収差を測定するために、位相測定干渉計がリソグラフィ装置の基板テーブル上にまたはその近くに配置されてもよい。そのような集積位相測定干渉計は、カメラの前で回折格子を使用するラテラルシアリング干渉法に基づいてもよい。
【０００５】
システムのオペレーションに関して、投影システムの特性のほかに、投影システムの照明瞳分布および透過率の詳細な形状（アポディゼーション）が考察される。瞳分布およびアポディゼーションは、前述の位相測定干渉計に非常によく似たセンサによって測定されることができる。しかし、この場合、回折格子は存在せず、センサ上またはレチクル上のいずれかの小さなアパーチャ（ピンホール）によって置き換えられる。もちろん、その場合、センサは干渉計ではない。以下では、「放射分布測定システム」は、位相測定干渉計と瞳分布センサの両方を含むものとして使用される。回折格子およびピンホールは、センサの１つの部分上に回折格子を配置し、センサの別の部分上にピンホールを配置することにより、同じセンサ内に集積され得る。
【０００６】
現在の位相測定干渉計は、光強度分布を測定するように構成される。この光強度分布は、格子構造体によって回折され、続いて、センサの前の変換層によってスペクトルの可視部分に変換されるレーザ光によって生成される。変換層は、たとえばＤＵＶ（深紫外線）感応性カメラが使用される場合は、必ずしも必要であるとは限らない。格子は、瞳分布を測定するためにピンホールによって置き換えられる。これらの強度測定から、（干渉計によって）投影システムの収差、ならびに（瞳分布センサによって）照明瞳の形状および強度に関する情報が取り出される。光強度分布は、ＣＭＯＳカメラまたはＣＣＤカメラ、あるいは複数のカメラピクセルを含むその他のいかなるカメラを使用してでも測定されることができる。
【０００７】
カメラ上の光分布は、通常、瞳の画像の中央の近くで最大の強度を有し、瞳の画像の端に向かって減少する強度を有する。この理由は、瞳の端では、光は大きな角度の下でカメラに入射し、瞳の中央においてよりも多くのピクセルにわたって光が分散されるからである。
【０００８】
典型的なカメラの限定されたダイナミックレンジとあいまって、この不均一な強度分布は、投影システムの瞳の端に向かって信号対雑音比（Ｓ／Ｎ）の望ましくない劣化を生じさせる。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
満足なＳ／Ｎ比を維持しながら、投影システムの収差および／またはレンズの瞳分布を測定するために使用される放射分布測定システムのダイナミックレンジを改善することが望ましい。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明の一実施形態によれば、投影システムの放射ビームの位相分布および／または瞳分布を測定するように構成された放射分布測定システムが提供される。測定システムは、透明なキャリアプレートと、透明なキャリアプレートの第１面で構成された格子およびピンホールの少なくとも１つと、透明なキャリアプレートの第１面の反対側の第２面で構成されたカメラとを含み、測定システムはまた、透明なキャリアプレートとカメラとの間に構成された放射フィルタを含み、放射フィルタは、フィルタの中央で最も低く、フィルタの外側に向かって徐々にかつ同心円的に増大する透過率を有する。
【００１１】
本発明の他の実施形態によれば、放射ビームを調整するように構成された照明システムと、パターニングされた放射ビームを形成するために放射ビームにその横断面においてパターンを与えるように構成されたパターニングデバイスを支持するように構成された支持体と、基板を把持するように構成された基板テーブルと、パターニングされた放射ビームを基板のターゲット部分上に投影するように構成された投影システムとを含むリソグラフィ装置であって、前述の放射分布測定システムを含む装置が提供される。
【００１２】
本発明の他の実施形態によれば、投影システムの放射ビームの位相分布および／または瞳分布を測定する方法であって、透明なキャリアプレートを提供すること、透明なキャリアプレートの第１面で格子および／またはピンホールを構成すること、透明なキャリアプレートの第１面の反対側の第２面でカメラを構成すること、透明なキャリアプレートとカメラとの間に放射フィルタを構成することを含み、放射フィルタはフィルタの中央で最も低く、フィルタの外側に向かって徐々にかつ同心円的に増大する透過率を有する方法が提供される。
【００１３】
次に、本発明の諸実施形態は、対応する参照符号が対応する部分を示す添付の概略図面を参照しながら例として説明される。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１４】
図１は、本発明によるリソグラフィ装置を概略的に示す。装置は、放射ビームＢ（たとえばＵＶ放射またはＤＵＶ放射）を調整するように構成された照明システム（イルミネータ）ＩＬを含む。支持体（たとえばマスクテーブル）ＭＴは、パターニングデバイス（たとえばマスク）ＭＡを支持するように構成され、パターニングデバイスを一定のパラメータに従って正確に位置決めするように構成された第１ポジショナＰＭに接続される。基板テーブル（たとえばウェーハテーブル）ＷＴは、基板（たとえばレジストコートウェーハ）Ｗを把持するように構成され、基板を一定のパラメータに従って正確に位置決めするように構成された第２ポジショナＰＷに接続される。投影システム（たとえば屈折投影レンズシステム）ＰＳは、パターニングデバイスＭＡによって放射ビームＢに与えられたパターンを基板Ｗの（たとえば１つまたは複数のダイを含む）ターゲット部分Ｃ上に投影するように構成される。
【００１５】
照明システムは、放射を方向づけ、成形し、及び／または制御する、屈折型、反射型、磁気、電磁、静電、またはその他のタイプの光学構成要素、あるいはそれらの任意の組合せなど、様々なタイプの光学構成要素を含んでもよい。
【００１６】
支持体は、たとえば、パターニングデバイスの重量を支える。支持体は、パターニングデバイスの方向、リソグラフィ装置のデザイン、およびその他の条件、たとえばパターニングデバイスが真空環境内で把持されているかどうかなどに依存するようなやり方で、パターニングデバイスを把持する。支持体は、パターニングデバイスを把持するために、機械的技法、真空法、静電法、またはその他のクランプ技法を使用することができる。支持体は、たとえば、必要に応じて固定でも可動でもよいフレームまたはテーブルでもよい。支持体は、パターニングデバイスが、たとえば投影システムに関して、所望の位置にあることを保証することができる。本明細書中における用語「レチクル」または「マスク」の使用は、より一般的な用語、「パターニングデバイス」と同義であるとみなされ得る。
【００１７】
本明細書中で使用される用語、「パターニングデバイス」は、基板のターゲット部分にパターンを生成するように放射ビームの横断面にパターンを与えるために使用されることができる、いかなるデバイスをも指すと広く解釈されるべきである。放射ビームに与えられたパターンは、たとえばパターンが位相シフトフィーチャ、またはいわゆるアシストフィーチャを含む場合、基板のターゲット部分内の所望のパターンに正確には対応しなくてもよいことが留意されるべきである。一般に、放射ビームに与えられたパターンは、集積回路など、ターゲット部分に生成されるデバイス内の特定の機能層に対応する。
【００１８】
パターニングデバイスは、透過型でも反射型でもよい。パターニングデバイスの例としては、マスク、プログラマブルミラーアレイ、およびプログラマブルＬＣＤパネルがある。マスクはリソグラフィではよく知られていて、バイナリ、Alternating位相シフト、および減衰型位相シフト、ならびに様々なハイブリッドマスクタイプなどのマスクタイプを含む。プログラマブルミラーアレイの一例は、小さなミラーのマトリックス構成を利用し、各ミラーは、様々な方向から入ってくる放射ビームを反射するために個別に傾けられることができる。傾けられたミラーは、ミラーマトリックスによって反射される放射ビーム内にパターンを与える。
【００１９】
本明細書中で使用される用語、「投影システム」は、使用される露光放射あるいは液浸液の使用または真空の使用などその他の要因に適した、屈折型、反射型、反射屈折型、磁気、電磁、および静電光学システム、またはそれらの任意の組合せを含むいかなるタイプの投影システムをも包含すると広く解釈されるべきである。本明細書中における用語、「投影レンズ」のいかなる使用も、より一般的な用語、「投影システム」と同義であるとみなされ得る。
【００２０】
本明細書中に示されているように、装置は、（たとえば透過型マスクを利用する）透過型のものである。その代替として、（たとえば、上記で言及されたタイプのプログラマブルミラーアレイを利用する、または反射型マスクを利用する）反射型の装置を用いてもよい。
【００２１】
リソグラフィ装置は、２つ（デュアルステージ）以上の基板テーブル（および／または２つ以上のマスクテーブル）を有するタイプのものでもよい。そのような「マルチステージ」の機械では、追加のテーブルが同時に使用されてもよく、あるいは１つまたは複数のテーブルが露光のために使用されている間に、準備ステップが１つまたは複数の別のテーブル上で実行されてもよい。
【００２２】
リソグラフィ装置はまた、基板の少なくとも一部分が、投影システムと基板との間の空間を満たすように比較的高い屈折率を有する液体、たとえば水によって覆われてもよいタイプのものでもよい。液浸液はまた、たとえばマスクと投影システムとの間の、リソグラフィ装置内のその他の空間に与えられてもよい。液浸技法は、投影システムの開口数を増大させる技術分野ではよく知られている。本明細書中で使用される用語、「液浸」は、たとえば基板などの構造体が液体に浸漬されなければならないことを意味するのではなく、露光中に液体が投影システムと基板との間に配置されることを意味するだけである。
【００２３】
図１を参照すると、イルミネータＩＬは放射源ＳＯから放射を受ける。放射源およびリソグラフィ装置は、たとえば放射源がエキシマレーザの場合、別体のものでもよい。そのような場合には、放射源はリソグラフィ装置の一部分を形成するとはみなされず、放射は、たとえば適切な誘導ミラーおよび／またはビームエキスパンダを含むビームデリバリシステムＢＤの助けを借りて放射源ＳＯからイルミネータＩＬに送られる。他の場合には、たとえば放射源が水銀ランプの場合、放射源はリソグラフィ装置の不可欠な構成部分でもよい。放射源ＳＯおよびイルミネータＩＬは、必要な場合はビームデリバリシステムＢＤと共に、放射システムと呼ばれ得る。
【００２４】
イルミネータＩＬは、放射ビームの角度強度分布を調整するアジャスタＡＤを含んでもよい。一般に、イルミネータの瞳面における強度分布の少なくとも（通常、それぞれσ-outerおよびσ-innerと呼ばれる）外側および／または内側半径範囲は、調整されることができる。さらに、イルミネータＩＬは、インテグレータＩＮおよびコンデンサＣＯなど、その他の様々な構成要素を含んでもよい。イルミネータは、放射ビームの横断面に所望の均一性および強度分布を有するように、放射ビームを調整するために使用されてもよい。
【００２５】
放射ビームＢは、支持体（たとえばマスクテーブルＭＴ）上に把持されているパターニングデバイス（たとえばマスクＭＡ）に入射し、パターニングデバイスによってパターニングされる。放射ビームＢは、マスクＭＡを横切ってから、ビームの焦点を基板Ｗのターゲット部分Ｃ上に合わせる投影システムＰＳを通過する。基板テーブルＷＴは、第２ポジショナＰＷおよびポジショセンサＩＦ（たとえば干渉計デバイス、リニアエンコーダまたは容量センサ）の助けを借りて、たとえば様々なターゲット部分Ｃを放射ビームＢのパス内に位置決めするために、正確に移動されることができる。同様に、第１ポジショナＰＭおよび別のポジションセンサ（図１には明確には示されていない）は、たとえば、マスクライブラリからの機械的な取り出しの後で、またはスキャン中に、放射ビームＢのパスに関してマスクＭＡを正確に位置決めするために使用され得る。一般に、マスクテーブルＭＴの移動は、第１ポジショナＰＭの一部分を形成するロングストロークモジュール（粗動位置決め）およびショートストロークモジュール（微動位置決め）によって行なわれ得る。同様に、基板テーブルＷＴの移動は、第２ポジショナＰＷの一部分を形成するロングストロークモジュールおよびショートストロークモジュールを使用して実現されてもよい。ステッパの場合は（スキャナとは対照的に）、マスクテーブルＭＴは、ショートストロークアクチュエータだけに接続されても固定されてもよい。マスクＭＡおよび基板Ｗは、マスクアライメントマークＭ１、Ｍ２および基板アライメントマークＰ１、Ｐ２を使用してアラインされてもよい。図示されている基板アライメントマークは専用ターゲット部分を占めるが、それらはターゲット部分間の空間に配置されてもよい（これらはスクライブレーンアライメントマークとして知られている）。同様に、複数のダイがマスクＭＡ上に提供されている状況では、マスクアライメントマークはダイ間に配置されてもよい。
【００２６】
図示されている装置は、下記のモードの少なくとも１つで使用されることができる。
１．ステップモードでは、マスクテーブルＭＴおよび基板テーブルＷＴは、本質的に静止したままにしておかれ、放射ビームに与えられたパターン全体が一時にターゲット部分Ｃ上に投影される（すなわち、単一静止露光）。次いで、別のターゲット部分Ｃが露光されることができるように基板テーブルＷＴがＸおよび／またはＹ方向にシフトされる。ステップモードでは、露光フィールドの最大サイズが単一静止露光で結像されるターゲット部分Ｃのサイズを限定する。
２．スキャンモードでは、マスクテーブルＭＴおよび基板テーブルＷＴが同時にスキャンされ、放射ビームに与えられたパターンがターゲット部分Ｃ上に投影される（すなわち、単一動的露光）。マスクテーブルＭＴに関する基板テーブルＷＴの速度および方向は、投影システムＰＳの拡大率（縮小率）および画像反転特性によって決められてもよい。スキャンモードでは、露光フィールドの最大サイズは、単一動的露光におけるターゲット部分の（非スキャニング方向の）幅を限定し、スキャン動作の長さは、ターゲット部分の（スキャン方向の）高さを決める。
３．別のモードでは、マスクテーブルＭＴは、プログラマブルパターニングデバイスを把持しながら本質的に静止したままにされ、基板テーブルＷＴは、放射ビームに与えられたパターンがターゲット部分Ｃ上に投影されている間に移動またはスキャンされる。このモードでは、一般に、パルス放射源が利用され、プログラマブルパターニングデバイスは、基板テーブルＷＴの移動の後ごとに、あるいはスキャン中に連続放射パルスの間に、必要に応じて更新される。この動作モードは、上記で言及されたようなタイプのプログラマブルミラーアレイなどのプログラマブルパターニングデバイスを利用するマスクレスリソグラフィに容易に与えられ得る。
【００２７】
上記で説明された使用モードの組合せおよび／または変形態様、あるいは完全に異なる使用モードが利用されてもよい。
【００２８】
一実施形態によれば、リソグラフィ装置は、基板テーブルＷＴ上に、またはその近くに構成された波面センサ１０を含む。センサ１０は、基板の露光の前に測定段階中に使用されてもよい。基板テーブルＷＴは、波面センサ１０が投影システムＰＳの下に位置決めされるように移動される。次いで、波面センサ１０上に放射が投影される。センサからの信号は、プロセッサ１２に向かって送信される。プロセッサ１２は、投影システムＰＳの収差を計算するように構成される。計算された収差は、レンズを適格にする、または調整するために使用されることができる。
【００２９】
図２は波面センサ１０の一実施形態を概略的に示す。波面センサ１０は、透明なキャリアプレート２０、透明なキャリアプレート２０の第１面で構成された格子２２、および透明なキャリアプレート２０の反対側の面で構成されたカメラ２４，２６を含む。キャリアプレート２０は、たとえば、融解石英、サファイア、またはその他のいかなる適切な材料を含んでもよい。格子２２は、関係のある放射を通さない複数のバーを含んでもよい。一実施形態では、キャリアプレート２０はＤＵＶ（１５７〜２４８ｎｍ）を通す。カメラ２４，２６は、プリント回路基板２６上に構成されたカメラチップ２４を含む。カメラチップ２４は、可視光に敏感な複数のカメラピクセルを含む。カメラチップ２４は、たとえばＣＭＯＳチップでもよい。波面センサ１０は、キャリアプレート２０とカメラ２４，２６との間に構成された変換層２８をさらに含む。変換層２８は、ＤＵＶ放射３４を可視光に変換するように構成される。波面センサ１０はまた、変換層２８とカメラ２４，２６との間に構成された放射フィルタ３０を含む。一実施形態では、波面センサ１０は、カメラ２４，２６および放射フィルタ３０を変換層２８に押しつけるように構成されたばね３２を含む。一実施形態では、変換層２８は、（接着剤での接着または別の方法によって）キャリアプレート２０に固定される。他の実施形態では、キャリアプレート２０と変換層２８との間に空気層があり、したがってこの場合、変換層２８はキャリアプレート２０に直接には固定されない。
【００３０】
放射フィルタ３０は、フィルタの中央で最も低く、フィルタの外側に向かって徐々にかつ同心円的に増大する透過率を有する。この放射フィルタ３０がない場合は、カメラピクセルによって測定された光の強度は、カメラ２４，２６の中央からの距離に応じて減少するであろう。これは、この光が、ある角度の下でセンサに到達するからである。その結果として、信号対雑音比は、カメラ２４，２６の中央領域と外部領域との間でかなり異なるであろう。増大するＮＡの場合、特に、液浸システムにおいてのようにＮＡ＞１の場合は、入射角が増大し、したがって、信号対雑音比の差異およびセンサの性能に対する影響が増大するであろう。特定の透過率を有する放射フィルタ３０を配置することにより、波面センサ１０全体にわたる強度の差異（すなわち、強度の勾配）は補正される。カメラチップ２４に入射する光の強度は、より均一にされる。これは、カメラチップ２４の中央領域にあるカメラピクセルおよび外部領域にあるカメラピクセルが、同じ、または少なくともより等しい強度を受けることを意味する。この結果は、クリッピングの危険なしに全てのピクセルの最適のＳ／Ｎ比、したがって波面センサ１０の改善された性能を得るように、カメラ２４，２６および変換層２８にバイアスをかけるために使用されることができる。
【００３１】
放射フィルタ３０は、変換層２８のすぐ下、カメラチップ２４の上面上に直接構成されることができる、図２参照。放射フィルタ３０はまた、ＤＵＶフィルタでもよく、この場合、石英キャリアプレート２０のすぐ下に付けられることができる。変換層２８は、ＤＵＶを可視光に変換することが知られている蛍燐光体を含んでもよい。放射フィルタ３０は、層上に蒸着された金属、無機物、またはそれらの酸化物を有するガラス、プラスチックなどで作られた透明なプレートを含んでもよい。
【００３２】
図３は、放射フィルタ３０およびカメラチップ２４の上面図を示す。格子２２を通り抜けたＤＵＶ放射ビーム３４は、図２参照、変換層２８によって可視光に変換され、放射フィルタ３０に到達する。放射フィルタ３０は、光がカメラチップ２４に到達する前に光強度の分布を変える。
【００３３】
図４は、一実施形態による、放射フィルタの中央からの距離ｘの関数としての放射フィルタ３０の透過率分布Ｔｒを示す、曲線４０参照。グラフから分かるように、透過率は、放射フィルタの中央で最も低く、放射フィルタの外部領域に向かって増大する。図５には、他の実施形態による透過率分布５０が示されており、その分布はガウス形である。その他の形状、たとえば非対称曲線が可能であることが理解されるべきである。透過率曲線の形状は、放射フィルタ３０に入射する放射の分布に応じて選択されてもよい。
【００３４】
図６は、放射フィルタに入射する放射の分布Ｉ、曲線６２参照、と共に、放射フィルタ３０の透過率の分布Ｔｒ、曲線６０参照、の他の実施形態を示す。カメラチップ２４に到達する結果としての強度分布が曲線６４によって示されている。図６から分かるように、曲線６４は直線ではない。実際には、放射フィルタ３０に到達する光の強度分布の正確な逆関数である理想的な分布を有する放射フィルタを製造することは非常に難しいので、曲線６４は直線にはならない。センサ１０の性能を改善するためには正確な直線は必要でないことが留意される。
【００３５】
図７は瞳分布センサ１０’の一実施形態を示す。瞳分布センサ１０’は、図２に関して上記で説明された波面センサ１０とほとんど同じ構成要素を含む。しかし、瞳分布センサ１０’は、格子２２の代わりに、キャリアプレート２０の上面上に堆積された非透明層７２内にピンホール７０を含む。ピンホール７０を通り抜けた放射は、カメラ２４によって検出される。リソグラフィ装置の瞳分布は、格子の代わりにピンホールを使用することにより決定され得る。
【００３６】
本文では、ＩＣの製造におけるリソグラフィ装置の使用が具体的に言及されることもあるが、本明細書中に記載されたリソグラフィ装置は、集積光学システム、磁気ドメインメモリの誘導パターンおよび検出パターン、フラットパネル・ディスプレイ、液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）、薄膜磁気ヘッドなどの製造など、その他の利用形態を含んでもよいことが理解されるべきである。そのような代替形態の場合には、本明細書中における用語、「ウェーハ」または「ダイ」は、それぞれ、より一般的な用語、「基板」または「ターゲット部分」と同義とみなされることができることが理解されるべきである。本明細書中で言及される基板は、露光の前または後で、たとえば、トラック（通常、レジストの層を基板に付け、露光されたレジストを現像するツール）、メトロロジー（計測）ツールおよび／またはインスペクション（検査）ツールで処理されてもよい。本明細書における開示内容は、与えることができる場合は、そのようなおよびその他の基板処理ツールに与えられてもよい。さらに、基板は、本明細書中で使用される用語、基板が、複数の処理された層をすでに含む基板も指してもよいように、たとえば多層ＩＣを作るために複数回処理されてもよい。
【００３７】
光学リソグラフィに関して本発明の諸実施形態の使用が上記で具体的に言及されてきたかもしれないが、本発明は他の利用形態、たとえばインプリントリソグラフィで使用されてもよく、状況が許せば、光学リソグラフィに限定されないことが理解されるであろう。インプリントリソグラフィでは、パターニングデバイスのトポグラフィが基板上に生成されるパターンを規定する。パターニングデバイスのトポグラフィは、レジストが電磁放射、熱、圧力、またはそれらの組合せを与えることによりその上で硬化される基板に供給されるレジストの層の中にプレスされてもよい。パターニングデバイスは、レジストが硬化された後で、パターニングデバイスにパターンを残してレジストを取り除かれる。
【００３８】
本明細書中で使用される用語、「放射」および「ビーム」は、（たとえば３６５、３５５、２４８、１９３、１５７または１２６ｎｍの、あるいは、ほぼそれらの波長を有する）紫外（ＵＶ）放射、および（５〜２０ｎｍの範囲の波長を有する）極端紫外（ＥＵＶ）放射、ならびに、イオンビームまたは電子ビームなどの粒子ビームを含めて全てのタイプの電磁放射を包含する。
【００３９】
用語、「レンズ」は、状況が許せば、屈折型、反射型、磁気、電磁および静電光学構成要素を含めて様々なタイプの光学構成要素のうちの任意の１つまたはそれらの組合せを指してもよい。
【００４０】
本発明の具体的な諸実施形態が上記で説明されてきたが、本発明は説明された以外の方法で実施されてもよいことが理解されるであろう。たとえば、本発明は、上記で開示されたような方法を記載した１つまたは複数のシーケンスの機械読取可能命令を含むコンピュータプログラム、またはそのようなコンピュータプログラムを記憶しているデータ記憶媒体（たとえば半導体メモリ、磁気ディスクまたは光ディスク）の形を取ってもよい。
【００４１】
上記の説明は、例示的であり、限定的ではないものとする。したがって、添付の特許請求の範囲の範囲から逸脱することなく、説明された本発明に対して変更がなされてもよいことは当業者には明らかであろう。
【図面の簡単な説明】
【００４２】
【図１】本発明の一実施形態によるリソグラフィ装置を示す図である。
【図２】波面センサの一実施形態を示す図である。
【図３】放射フィルタおよびカメラチップの上面図である。
【図４】一実施形態による、放射フィルタの中央からの距離ｘの関数としての放射フィルタの透過率分布を示すグラフである。
【図５】分布がガウス形の他の実施形態による透過率分布を示すグラフである。
【図６】放射フィルタに入射する放射の分布と共に放射フィルタの透過率の分布の他の実施形態を示すグラフである。
【図７】瞳分布センサの一実施形態を示す図である。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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