(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
ＳｉＧｅ系半導体薄膜を、スパッタ蒸着法を利用して作製する方法において、１）ターゲット上に発生するプラズマの周辺に、高周波コイルを設置し、これに電流を流すことで、プラズマを発生させ、スパッタ蒸着すること、２）高周波コイルに印可する高周波電流が、出力０．５〜２．５Ｗ／ターゲット面ｃｍ２であること、３）それにより、熱処理後の薄膜中の酸素濃度が低く、その表面の平滑性が保たれ、優れた半導体特性を有するＳｉＧｅ系薄膜を作製すること、を特徴とするＳｉＧｅ系薄膜の作製方法。
【請求項２】
ＳｉＧｅ系半導体薄膜をスパッタ蒸着法で作製する際に、基板とターゲットの距離を、通常のスパッタ蒸着により採用される距離である５０ｍｍと対比して、２〜６倍の範囲で長くすることで、良質の薄膜蒸着を可能とする、請求項１に記載のＳｉＧｅ系薄膜の作製方法。
【請求項３】
スパッタ蒸着法により作製したＳｉＧｅ系薄膜を、熱処理により結晶化する、請求項１に記載のＳｉＧｅ系薄膜の作製方法。
【請求項４】
熱処理を、雰囲気を制御したファーネスアニール、又は雰囲気制御可能な赤外線ランプ加熱装置を用いた急速加熱処理により行う、請求項３に記載のＳｉＧｅ系薄膜の作製方法。
【請求項５】
急速加熱処理による加熱処理の、昇温速度が１〜１００℃／秒である、請求項４に記載のＳｉＧｅ系薄膜の作製方法。
【請求項６】
スパッタ蒸着の際に、ＳｉＧｅのターゲットに予め不純物をドープして薄膜を作製し、熱処理の際に、ガス雰囲気、温度、熱処理時間及び昇温時間を制御することにより、半導体薄膜の中の不純物量を制御しながら結晶化を行う、請求項１に記載のＳｉＧｅ系薄膜の作製方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、スパッタ蒸着法により、ＳｉＧｅ系の半導体薄膜を作製する方法、及びその方法により作製したＳｉＧｅ系薄膜に関するものであり、更に詳しくは、ＳｉＧｅ系の半導体薄膜を、スパッタ蒸着法により作製するにあたり、ターゲット上に発生するプラズマの周りに設置した高周波コイルに、電流を流すことにより、良質のプラズマを発生させ、半導体特性が優れたＳｉＧｅ系薄膜を作製する方法に関するものである。本発明は、次世代の重要な半導体技術として、情報通信、環境、エネルギー等の幅広い分野での実用化が期待されている、ＳｉＧｅ系半導体薄膜の製造の技術分野において、従来のスパッタ蒸着法では達成することができなかった、結晶性が良く、高い導電性を有し、信号出力の安定した半導体薄膜を提供することを可能とする、新しいＳｉＧｅ系半導体薄膜の作製方法を提供するものである。本発明により作製したＳｉＧｅ系半導体薄膜は、半導体デバイス、例えば、大容量のデータ通信機器等で採用されている、高周波領域での高速動作に用いられる薄膜トランジスタ、その他の電子デバイス等への適用が可能であり、また、熱電変換薄膜材料として、熱電堆いわゆるサーモパイルの部材、又はマイクロ発電素子の部材として有用である。
【背景技術】
【０００２】
従来、ＳｉＧｅ薄膜を製作する方法については、例えば、ＳｉＧｅ薄膜を、シラン（ＳｉＨ４）ガスに、水素やＧｅＦ３を混合して、減圧ＣＶＤ法や、プラズマＣＶＤ法を用いることによって堆積する薄膜を結晶化する方法や、アモルファス状態の前駆体として基板上にアモルファス薄膜を形成し、次いで、薄膜を結晶化する方法が知られている（特許文献１，２参照）。前者の、堆積する薄膜を結晶化する方法では、薄膜の形成と同時に結晶化を進めるものであるが、プロセス設備が高価であること、基板自体を比較的高温の６００℃以上にする必要がある等の問題点があった。後者の、一旦アモルファスシリコン薄膜を形成し、これを結晶化する方法としては、長時間のアニールを行う固相成長法も知られているが、長時間にわたるために、実用性を欠き、また、製造コストも高くなるという問題点があった。
【０００３】
また、結晶質又は非晶質半導体薄膜の成膜にＣＶＤ方法を用いた場合には、膜中に水素が約２から２０ａｔ％程度含有され、膜中の水素を脱ガス化するために電気炉でのアニ−ル処理が必要であった。このプロセスは、高温で長時間、脱ガスアニールを行う必要があり、それが生産性の向上の妨げとなっていた。更に、このプロセスには、脱ガス処理のための熱によって基板が変形する、又は基板からの汚染物質が薄膜に拡散するなどの問題点があった。
【０００４】
熱処理には、例えば、エキシマレーザーを照射して結晶化する方法もあり、この方法では、基板上にアモルファス薄膜や多結晶薄膜を形成し、エキシマレーザーを照射することで薄膜を加熱して結晶化が行われる。しかしながら、この技術では、薄膜の結晶品質を安定して制御することは極めて難しく、製造される薄膜の電気的特性にもばらつきが生じ易いという問題点があった。
【０００５】
また、ＳｉＧｅ系の半導体薄膜の作製には、スパッタ法を用いる方法が知られている（特許文献３，４参照）。この方法は、高性能で、特性の安定したデバイスの作製に好適であって、しかも、その製造工程も簡単であり、短い時間で十分な半導体薄膜を作製することを可能とする。更に、この方法では、メタルマスクを用いた同時パターンも可能であり、全体のプロセスを簡単にすることも可能である。
【０００６】
しかしながら、スパッタ法で作製したＳｉＧｅ薄膜には、抵抗が高く、信号出力の安定性が悪い等の問題があった。これらの問題を解決するために、薄膜蒸着の際に、多少でも結晶化の進んだ薄膜を作り、熱処理を簡単にすることで、良質の薄膜を作製する方法もある。例えば、非単結晶薄膜を単結晶化するに際して、基板温度及びプラズマの出力を高めて、蒸着直後の状態のままでも結晶化が進んだ構造の薄膜が形成されるようにすることが提案されている。しかし、これらの方法を取り入れたプロセスを行っても、スパッタ蒸着方法で作られる薄膜は、その電気特性が、ＣＶＤ法で作られた薄膜のものと比べると抵抗が高いということで、プロセスの観点からは長所が多いが、最終的な膜質に関しては、問題点があった。
【０００７】
更に、スパッタ蒸着で作製された薄膜は、その表面が粗く、マイクロ素子への応用のためには、より平滑な表面の薄い薄膜である必要があるが、特に、熱処理後に表面が更に粗くなるなどの解決すべき技術的課題を有していた。
【０００８】
【特許文献１】特開平１１−１２６７８１号公報
【特許文献２】特開平９−３１５８１１号公報
【特許文献３】特開２００３−２８２９７７号公報
【特許文献４】特開平９−１８６１６５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
このような状況の中で、本発明者らは、上記従来技術に鑑みて、上記諸問題を抜本的に解決することが可能な、新しいＳｉＧｅ薄膜を作製する技術を開発することを目標として、鋭意研究を積み重ねた結果、プラズマセルの外周に巻回された高周波コイルを用いてプラズマ源とし、基板上に蒸着される原料イオンにエネルギーを付加することで、スパッタ蒸着すると、結晶性の良いＳｉＧｅ薄膜材料の作製が可能となることを見出し、本発明を完成するに至った。
【００１０】
本発明の目的は、スパッタ蒸着法で作製したＳｉＧｅ系薄膜が、ＣＶＤ方法で作製した薄膜と比較して、導電率が低い、移動度が低いという問題を、抜本的に解決することを可能とする、新しいＳｉＧｅ系半導体薄膜を製作する方法及びそのＳｉＧｅ系薄膜を提供することである。
また、本発明の目的は、表面が滑らかな良質な薄膜を作製すると共に、熱処理後の表面も平滑性が保たれたＧｉＧｅ系薄膜を作製し、提供することである。
また、本発明の目的は、ドーピングが効率的に行え、また、作製した薄膜が平滑な表面を有し、優れたデバイス特性を持つ、ＳｉＧｅ系薄膜を提供することである。
更に、本発明の目的は、高周波領域で高速作動に用いられる薄膜電子デバイス、熱電変換薄膜材料等として有用なＳｉＧｅ系薄膜の提供を可能とすることである。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
上記課題を解決するための本発明は、以下の技術的手段から構成される。
（１）ＳｉＧｅ系半導体薄膜を、スパッタ蒸着法を利用して作製する方法において、１）ターゲット上に発生するプラズマの周辺に、高周波コイルを設置し、これに電流を流すことで、プラズマを発生させ、スパッタ蒸着すること、２）高周波コイルに印可する高周波電流が、出力０．５〜２．５Ｗ／ターゲット面ｃｍ２であること、３）それにより、熱処理後の薄膜中の酸素濃度が低く、その表面の平滑性が保たれ、優れた半導体特性を有するＳｉＧｅ系薄膜を作製すること、を特徴とするＳｉＧｅ系薄膜の作製方法。
（２）ＳｉＧｅ系半導体薄膜をスパッタ蒸着法で作製する際に、基板とターゲットの距離を、通常のスパッタ蒸着により採用される距離である５０ｍｍと対比して、２〜６倍の範囲で長くすることで、良質の薄膜蒸着を可能とする、前記（１）に記載のＳｉＧｅ系薄膜の作製方法。
（３）スパッタ蒸着法により作製したＳｉＧｅ系薄膜を、熱処理により結晶化する、前記（１）に記載のＳｉＧｅ系薄膜の作製方法。
（４）熱処理を、雰囲気を制御したファーネスアニール、又は雰囲気制御可能な赤外線ランプ加熱装置を用いた急速加熱処理により行う、前記（３）に記載のＳｉＧｅ系薄膜の作製方法。
（５）急速加熱処理による加熱処理の、昇温速度が１〜１００℃／秒である、前記（４）に記載のＳｉＧｅ系薄膜の作製方法。
（６）スパッタ蒸着の際に、ＳｉＧｅのターゲットに予め不純物をドープして薄膜を作製し、熱処理の際に、ガス雰囲気、温度、熱処理時間及び昇温時間を制御することにより、半導体薄膜の中の不純物量を制御しながら結晶化を行う、前記（１）に記載のＳｉＧｅ系薄膜の作製方法。
【００１２】
次に、本発明について更に詳細に説明する。
本発明は、ＳｉＧｅ系の半導体薄膜のスパッタ蒸着法を利用して作製する方法であって、ターゲット上に、高周波コイルを設置し、これに高周波電流を流し、良質のプラズマを発生させることにより、半導体特性が優れたＳｉＧｅ薄膜材料を作製することを特徴とするものである。
【００１３】
本発明では、高周波コイル付きマグネトロンスパッタ蒸着方法及び装置が使用される。その一例としては、プラズマ源を、筒状のケーシングと、このケーシングの先端部の内側に、この内部と間隔を置くように取り付けられた内部がプラズマ室となった有低形状のプラズマセルと、このプラズマセルの外周に巻回された高周波コイルと、プラズマセルの底部背後に配置され、高周波コイルの軸線と平行な磁場を形成する永久磁石と、プラズマセルのプラズマ室側の底部に取り付けたスパッタターゲットを備えた装置が例示される。本発明は、この装置を、ＳｉＧｅ薄膜作製に応用することで、優れた特性を持つＳｉＧｅ系薄膜の作製を可能とするものである。
【００１４】
本発明で使用されるターゲットとして、例えば、ＳｉＧｅ合金等が例示され、具体的には、ターゲットを予めＳｉＧｅ合金半導体にすることで、単一ターゲットのスパッタ蒸着を行うことができ、また、ターゲットは、予め不純物元素である、ホウ素、リン等をドープしてスパッタ蒸着を行い、薄膜蒸着中に成膜と同時にドープを施し、ドープされた半導体薄膜を作製して使用することができる。
【００１５】
本発明においては、ターゲット上に配置した高周波コイルに電流を流すことにより、プラズマを発生させる。良質のプラズマを発生させるには、高周波コイルに、０．５〜２．５Ｗ／ターゲット面ｃｍ２、好ましくは、１〜１．５Ｗ／ターゲット面ｃｍ２の高周波が印加される。
【００１６】
また、本発明においては、基板とターゲット間の距離を長くすることで、良質の薄膜を蒸着することが可能となる。一般に、基板とターゲット間の最適な距離は、装置の形状構造、プラズマの発生条件、ターゲットの種類等の様々な条件により影響されるので、本発明と従来法を、単純に対比することはできないが、当該距離以外は、ほぼ同一の条件で実施される、通常のスパッタ蒸着法で採用されている基板とターゲットの距離と対比して、本発明では、それよりも長い値を採用することが可能となる。
【００１７】
例えば、通常の方法における、基板とターゲット間の距離を１とするならば、本発明での値は、２〜６の値、好ましくは３．５〜４．５の値である。この値が、６を超えると、成膜速度が遅すぎ、２未満の値となると、蒸着された膜が損傷されやすいので好ましくない。基板については、スパッタ蒸着している間、室温〜５００℃の範囲の温度に保持しておくのが好ましい。
【００１８】
本発明においては、ターゲットを通常のスパッタ蒸着と対比して遠いところに設置し、ＳｉＧｅを蒸着した直後のＳｉＧｅ薄膜は、結晶性が十分ではない場合があるので、これを熱処理により結晶化するのが好適である。こうした熱処理は、例えば、通常の電気炉を用い、雰囲気を制御したファーネスアニ−ルで実現できる。また、処理プロセス中の昇温速度を上げる熱処理、例えば、赤外線ランプ加熱装置を用いた急速加熱処理法を利用すると、より制御性を高めた結晶質薄膜製造方法となり好適である。
【００１９】
熱処理については、例えば、４５０〜１０５０℃、好ましくは、８００〜１０００℃の温度で行われる。熱処理の雰囲気調整には、アルゴン等の不活性ガスが、１３３〜１１１５００Ｐａの圧力で、加熱炉中に導入される。ＳｉＧｅ薄膜は、こうした加熱炉中での加熱により、例えば、結晶性等を向上させることができるが、昇温速度は、例えば、１〜１００℃／秒、好ましくは、１０〜５０℃／秒が例示される。ＳｉＧｅ薄膜の特性は、昇温速度を大きな値とすると、熱衝撃の問題が生じ、小さな値とすると、結晶性が悪くなったり、不純物によるドーププロセスに失敗する傾向がある。
【００２０】
更に、熱処理の際に、ガス雰囲気及び温度及び熱処理時間及び昇温時間を制御することにより、薄膜のドープ量を制御しながら結晶化を行う結晶質薄膜を製造することができる。また、本発明の方法で作製した、ＳｉＧｅ薄膜は、熱処理後も、酸素濃度は低く、良好な平滑性を保ち、優れた平面を形成し、長時間の加熱処理を必要としないで優れた結晶性の薄膜に変換することができる。
【００２１】
このように、本発明のスパッタ蒸着法により、導電率、及び移動度が高く、特性の安定したＳｉＧｅ系薄膜を作製することが可能であり、ターゲット上のプラズマの周りに巻回した高周波コイルに印加する高周波の出力、及び、製膜後の熱処理温度を調整することによりＳｉＧｅ系薄膜の導電率、移動度を制御し、好適な値を得ることができる。また、本発明は、作製されたＳｉＧｅ系薄膜は、表面が滑らかであり、従来の熱処理後に表面が粗くなる等の問題点をも解消するものであり、製造工程が簡単で、短い時間で十分な半導体膜を作製することが可能であり、メタルマスクを用いた同時パターンも可能である等のスパッタ蒸着法の利点を十分に生かすことができる、優れた方法である。本発明により作製された、ＳｉＧｅ系薄膜は、高周波領域で高速作動に用いられる薄膜電子デバイス、熱電変換薄膜材料等として有用である。
【００２２】
本発明の方法により、ターゲットと基板間距離を、カソード磁場及びカソード近傍の不均一プラズマが、基板に影響を与えない範囲まで長くすることが可能となり、それにより、スパッタ粒子の基板への入射を均一化できること、高品位で膜厚分布が良好な膜形成ができること、低レート制御によるオングストロームの膜厚制御が可能になり、大型の基板に対する優れた一様性と均一性を有する膜形成ができること、熱処理後も、良好な平滑性を有するＳｉＧｅ薄膜を形成できること等の従来法では、到底達成することが不可能な、優れたデバイス特性を有するＳｉＧｅ系半導体薄膜を作製することが実現できる。
【発明の効果】
【００２３】
本発明により、（１）スパッタ蒸着法により作製したＳｉＧｅ系薄膜が、ＣＶＤ方法で作製した薄膜と比べて、導電率が低い、移動度が低いという問題を抜本的に解決することを可能とするＳｉＧｅ系半導体薄膜を作製する方法及び作製したＳｉＧｅ系半導体薄膜を提供することができる、（２）表面が滑らかな良質な薄膜を作製すると共に、熱処理後の表面も平滑性が保たれたＳｉＧｅ系薄膜を作製し、提供することができる、（３）ドーピングが効率的に行え、また、作製した薄膜の酸素濃度が低いＳｉＧｅ系薄膜を提供することができる、（４）高周波領域で高速作動に用いられる薄膜電子デバイス、熱電変換薄膜材料等として有用なＳｉＧｅ系薄膜の提供を可能とする、という格別の効果が奏される。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２４】
次に、実施例に基づいて本発明を具体的に説明するが、本発明は、以下の実施例によって何ら限定されるものではない。
【実施例１】
【００２５】
ＳｉＧｅ合金（Ｓｉ８０％、Ｇｅ２０％）にリンを１．０ａｔ％ドープしたターゲットを作り、高周波コイル付きのＲＦマグネトロンスパッタ装置によりＳｉＧｅの薄膜を作製した。また、比較として、通常のＲＦマグネトロンスパッタによりＳｉＧｅ薄膜を作製した。
【００２６】
表１に、本発明と、従来のスパッタの、二つの異なる方法の蒸着条件をまとめて示した。蒸着条件については、両者の方法の間に基本的に大きな違いが発生しないように蒸着条件を調整した。但し、本発明の方法（以下、高周波コイル法と称する。）は、１）基板とターゲット間の距離が長い点、及び、２）高周波コイルによるプラズマ支援が追加されている点、で従来のスパッタ蒸着法とは本質的に相違している。
【００２７】
【表１】
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【００２８】
この二つの方法の比較検討を行うために、リンをドープした薄膜を、絶縁膜を形成したシリコン基板上に蒸着し、熱処理は、両方とも同じく８５０℃にして、その物性を分析し、比較検討した。基板とターゲット間の距離の比は、本発明：従来法＝４：１であった。分析を行ったのは、導電率測定、ホール測定、及びゼーベック係数測定であり、これらのデータから、導電率、キャリアー濃度、ホール移動度、及びゼーベック係数の温度依存性をプロットした。図１及び図２に、従来のスパッタ法により作製した試料、及び本発明のスパッタ法により作製した試料を各々示す。従来のスパッタ法では、極薄い薄膜の場合、高温熱処理後の薄膜は、比較検討することができる程に安定な導電性が得られないことから比較的厚い膜のものにした。
【００２９】
両者を比較検討すると、両者ともゼーベック係数は殆ど同じであった。導電率は、高周波コイル法が１００倍高く、より優れた電導特性を示した。このことは、より詳細に分析すると、１）キャリアの濃度が高いこと、２）ホール移動度が高いこと、が原因であり、本発明の方法を用いることで、同じターゲットを出発原料としても、キャリア濃度を高くするドーピングが可能だということが明らかになった。
【００３０】
実際の薄膜中の、ドーパントであるリンの成分を分析した。二つの異なるスパッタ法で作られた試料についてＳｉＧｅ薄膜中リン濃度をＳＩＭＳ分析により定量した。ＳＩＭＳ (Secondary Ion Mass Spectrometry)は、固体表面に一次イオンを照射することでスパッタアウトされた粒子のうち、二次イオンを質量分析し、試料の構成成分の定性、定量を行う手法である。膜の深さ方向で分析を行い、基板のところまで分析した結果、全ての試料において、深さ方向の均一性を確認することができた。リン成分の数値は、深さ方向の平均値である。従来のスパッタ法で作られた薄膜は、１×１０２０／ｃｍ３の濃度であり、高周波コイル法の場合は、１．３×１０２０／ｃｍ３の濃度であった。
【００３１】
しかし、図１と図２の比較検討からは、キャリア濃度に１０倍以上の差があることが分かった。このことから、本発明の新しいスパッタ方法では、同じ熱処理条件でもドーピングがより効果的に行われたことが分かる。従来のスパッタ法で作られた試料薄膜中で、リンは、局所的な偏析が生じるため、有効にキャリアとして振舞わないことが考えられる。また、このＳＩＭＳ分析から、従来のスパッタ薄膜中には、酸素が、深さ方向に一様に１×１０２２／ｃｍ３の濃度で含まれていることが分かった。これは、薄膜が平滑ではないため、熱処理時に形成された自然酸化膜が酸素拡散防止に働きにくくなったためだと考えられる。ちなみに、本発明の新しいスパッタ方法で作製された薄膜中の酸素濃度は、１×１０２１／ｃｍ３以下であり、この薄膜は、表面が平滑であることが分かる。
【実施例２】
【００３２】
ＳｉＧｅ合金（Ｓｉ８０％、Ｇｅ２０％）にホウ素を１．０ａｔ％ドープしたターゲットを作り、高周波コイル付きのＲＦマグネトロンスパッタ装置によりＳｉＧｅの薄膜を作製した。高周波コイルの有無が最終的な薄膜の物性に及ぼす影響を調べるために、コイル出力を０、３０、５０Ｗと変えた。更に、熱処理温度を８００、９００、及び１０００℃と変化させて調べることで、これらの組み合わせの試料を作製し、すべての試料の物性を評価した。
【００３３】
図３に、作製されたＳｉＧｅ薄膜の熱処理後の導電率の温度依存性を示す。高周波コイル出力を０にすると、導電性は数Ｓ／ｃｍとなり、従来のスパッタ法で作製したものとほぼ同じ程度であった。しかし、高周波コイル出力を３０Ｗに上げると、約１０倍程度導電率が高くなった。更に、５０Ｗに出力を上げた条件では、３０Ｗの場合と殆ど同じか、又は、むしろ若干低くなった。
【００３４】
図４に、作製されたＳｉＧｅ薄膜の熱処理後のホール移動度の温度依存性を示す。高周波コイル出力を３０Ｗにした場合、ホール移動度が改善されていることが一目で分かる。５０Ｗに上げた場合、導電性がそれほどよくならない理由としては、ホール移動度の低下が主な原因だと考えられる。ホール移動度は、薄膜の品質を判断する基準となる。以上の実施例では、特に、３０Ｗの高周波コイル出力が好適な条件であることが分かった。
【産業上の利用可能性】
【００３５】
以上詳述したように、本発明は、ＳｉＧｅ系の半導体薄膜の作製方法に係るものであり、本発明により、高性能で、特性の安定したデバイスを提供でき、ＣＶＤ方法で作製した薄膜と比べて、導電率が低い、移動度が低い等の問題点を抜本的に解決でき、また、信号安定性に優れたＳｉＧｅ系半導体薄膜を提供することが可能である。作製された薄膜の表面は滑らかな良質な薄膜を示し、熱処理後の薄膜中の酸素濃度が低く、その表面も平滑性が保たれた、優れたデバイス特性を有するＳｉＧｅ系薄膜を提供することができる。本発明により提供される半導体薄膜は、例えば、高周波領域で高速作動に用いられる薄膜電子デバイス、熱電変換薄膜材料等として有用である。
【００３６】
本発明は、次世代の重要な半導体技術として、例えば、情報通信、環境、エネルギー等の幅広い分野での実用化が期待されているＳｉＧｅ半導体薄膜の製造技術として有用である。
【図面の簡単な説明】
【００３７】
【図１】従来のマグネトロンスパッタ法で蒸着した、リンドープのＳｉＧｅ薄膜の熱処理後の電気的物性の、(a) 導電率（electrical conductivity）、 (b) キャリア濃度（carrier concentration）、(c)ホール移動度（ Hall mobility）、及び(d)ゼーベック係数（Seebeck coefficient）を示す。
【図２】高周波コイルを追加したマグネトロンスパッタ法で蒸着した、リンドープのＳｉＧｅ薄膜の熱処理後の電気的物性の、 (a) 導電率（electrical conductivity）、(b) キャリア濃度（carrier concentration）、(c)ホール移動度（Hall mobility）、及び(d)ゼーベック係数（Seebeck coefficient）を示す。
【図３】高周波コイルの電力を変えて蒸着した場合の、ホウ素をドープしたＳｉＧｅ薄膜の導電率の変化を示す。
【図４】高周波コイルの電力を変えて蒸着した場合の、ホウ素ドープのＳｉＧｅ薄膜のホール移動度の変化を示す。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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