(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
導波管を介して伝搬されたマイクロ波のエネルギーに基づきプラズマ化したガスを生成して放出するプラズマ発生ノズルが前記導波管に取付けられて成る複数のプラズマ発生モジュールと、
前記プラズマ発生モジュールを１または複数組合わせてプラズマ発生部を形成するモジュール設定手段と、
前記プラズマ発生部を通過するようにワークを搬送するワーク搬送手段とを含み、
前記モジュール設定手段は、前記導波管の両端に設けられるフランジ接合部から成り、そのフランジ接合部による連結または解放によって、前記プラズマ発生モジュールを、狭幅のワークを処理する場合に単体で用いる態様と、幅広のワークを処理する場合に直列に配列する態様との異なる態様で使用可能とすることを特徴とするワーク処理装置。
【請求項２】
前記プラズマ発生ノズルは、同心状の内側導電体と外側導電体とを有し、前記内側導電体と外側導電体との間に高周波のパルス電界を印加することで、グロー放電を生じさせてプラズマを発生させ、前記内側導電体と外側導電体との間にガス供給源からの処理ガスを供給することで、吹出し口のノズルから常圧下でプラズマ化したガスを被処理ワークに放射することを特徴とする請求項１記載のワーク処理装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板等の被処理ワークなどに対してプラズマを照射することで、前記ワークの表面の清浄化や改質などを図ることが可能なワーク処理装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
たとえば半導体基板等の被処理ワークに対してプラズマを照射し、その表面の有機汚染物の除去、表面改質、エッチング、薄膜形成または薄膜除去等を行うワーク処理装置が知られている。たとえば特許文献１には、同心状の内側導電体と外側導電体とを有するプラズマ発生ノズルを用い、両導電体間に高周波のパルス電界を印加することで、アーク放電ではなく、グロー放電を生じさせてプラズマを発生させ、ガス供給源からの処理ガスを両導電体間で旋回させながら基端側から遊端側へ向かわせることで高密度なプラズマを生成し、前記遊端に取付けられたノズルから被処理ワークに放射することで、常圧下で高密度なプラズマを得ることができるプラズマ処理装置が開示されている。
【特許文献１】特開２００３−１９７３９７号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
しかしながら、上述の従来技術では、単体のプラズマ発生ノズルが示されているだけで、そのプラズマ発生ノズルにワークを搬送するワーク搬送手段を設けても、処理すべきワークの幅が違ったり、要求される処理速度が違ったりすると対応できないという問題がある。
【０００４】
ここで、マグネトロンから導波管を介してマイクロ波を伝搬し、その導波管に最大サイズのワークに対応したプラズマ発生ノズルを設け、そのプラズマ発生ノズル、マグネトロンおよびワーク搬送手段などに、要求される最大の処理速度に対応した能力を持たせることで、あらゆるワークの処理に対応することができる。しかしながら、特にプラズマ発生ノズルやマグネトロンは消耗が著しく、余裕を見て大型のワーク処理装置を導入しても、狭幅のワークを多く処理していたのでは、処理に関与しないプラズマ発生ノズルやマグネトロンが消耗することになり、無駄が多くなる。また、消費電力や処理ガスも無駄になる。特に、上記のように常圧下で使用可能なワークの処理では、この問題が顕著である。
【０００５】
本発明の目的は、単一のワーク処理装置で、処理すべきワークの幅や要求される処理速度などに柔軟に対応し、無駄なく最適な処理を行うことができるワーク処理装置を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明のワーク処理装置は、導波管を介して伝搬されたマイクロ波のエネルギーに基づきプラズマ化したガスを生成して放出するプラズマ発生ノズルが前記導波管に取付けられて成る複数のプラズマ発生モジュールと、前記プラズマ発生モジュールを１または複数組合わせてプラズマ発生部を形成するモジュール設定手段と、前記プラズマ発生部を通過するようにワークを搬送するワーク搬送手段とを含み、前記モジュール設定手段は、前記導波管の両端に設けられるフランジ接合部から成り、そのフランジ接合部による連結または解放によって、前記プラズマ発生モジュールを、狭幅のワークを処理する場合に単体で用いる態様と、幅広のワークを処理する場合に直列に配列する態様との異なる態様で使用可能とすることを特徴とする。
【０００７】
上記の構成によれば、プラズマを照射して、基板の改質等、ワークに所定の処理を施与するワーク処理装置において、プラズマ化したガスを生成して放出するプラズマ発生ノズルが導波管を介して伝搬されたマイクロ波のエネルギーに基づき前記プラズマ化したガスを生成する場合、１または複数のプラズマ発生ノズルが取付けられる導波管部分をモジュール化して複数準備しておき、処理すべきワークの幅に対応した所定の配列となるように、モジュール設定手段によって、プラズマ発生モジュールを１または複数組合わせてプラズマ発生部を形成し、そのプラズマ発生部を通過するようにワーク搬送手段でワークを搬送する。
【０００８】
具体的には、単一のマイクロ波発生手段を用い、広幅のワークを処理する場合には複数のプラズマ発生モジュールをフランジ部分で連結するとともに、マイクロ波発生手段から送信するマイクロ波電力を高くし、狭幅のワークを処理する場合には単一のプラズマ発生モジュールのみを用いるとともに、前記マイクロ波発生手段から送信するマイクロ波電力を低くする。
【０００９】
したがって、共通のプラズマ発生モジュールを、幅広のワークを処理する場合には略直列（導波管の長手方向）に配列することで、単一のワーク処理装置で、処理すべきワークの幅に柔軟に対応し、無駄なく最適な処理を行うことができる。また、必要のないプラズマ発生モジュールを取外すことで、そのプラズマ発生モジュールの消耗を抑えることができるとともに、マグネトロンなどのマイクロ波発生手段の消耗および消費電力や処理ガスの消費量を抑えることもできる。
【００１０】
また、本発明のワーク処理装置では、前記プラズマ発生ノズルは、同心状の内側導電体と外側導電体とを有し、前記内側導電体と外側導電体との間に高周波のパルス電界を印加することで、グロー放電を生じさせてプラズマを発生させ、前記内側導電体と外側導電体との間にガス供給源からの処理ガスを供給することで、吹出し口のノズルから常圧下でプラズマ化したガスを被処理ワークに放射することを特徴とする。
【００１１】
上記の構成によれば、常圧下で使用可能であるので、プラズマ発生ノズルやマグネトロンの消耗が激しく、本発明が効果的である。
【発明の効果】
【００１２】
本発明のワーク処理装置は、以上のように、プラズマを照射して、基板の改質等、ワークに所定の処理を施与するワーク処理装置において、プラズマ化したガスを生成して放出するプラズマ発生ノズルが導波管を介して伝搬されたマイクロ波のエネルギーに基づき前記プラズマ化したガスを生成する場合、１または複数のプラズマ発生ノズルが取付けられる導波管部分をモジュール化して複数準備しておき、処理すべきワークの幅に対応した所定の配列となるように、モジュール設定手段によって、プラズマ発生モジュールを１または複数組合わせてプラズマ発生部を形成し、そのプラズマ発生部を通過するようにワーク搬送手段でワークを搬送する。
【００１３】
それゆえ、共通のプラズマ発生モジュールを、幅広のワークを処理する場合には略直列（導波管の長手方向）に配列することで、単一のワーク処理装置で、処理すべきワークの幅に柔軟に対応し、無駄なく最適な処理を行うことができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１４】
［実施の形態１］
図１は、本発明の実施の一形態に係るワーク処理装置Ｓの全体構成を示す斜視図である。このワーク処理装置Ｓは、プラズマを発生し被処理物となるワークＷに前記プラズマを照射するプラズマ発生ユニットＰＵ（プラズマ発生装置）と、ワークＷを前記プラズマの照射領域を経由する所定のルートで搬送する搬送手段Ｃとから構成されている。図２は、図１とは視線方向を異ならせたプラズマ発生ユニットＰＵの斜視図、図３は一部透視側面図である。なお、図１〜図３において、Ｘ−Ｘ方向を前後方向、Ｙ−Ｙ方向を左右方向、Ｚ−Ｚ方向を上下方向というものとし、−Ｘ方向を前方向、＋Ｘ方向を後方向、−Ｙを左方向、＋Ｙ方向を右方向、−Ｚ方向を下方向、＋Ｚ方向を上方向として説明する。
【００１５】
プラズマ発生ユニットＰＵは、マイクロ波を利用し、常温常圧でのプラズマ発生が可能なユニットであって、大略的に、マイクロ波を伝搬させる導波管１０、この導波管１０の一端側（左側）に配置され所定波長のマイクロ波を発生するマイクロ波発生装置２０、導波管１０に２段設けられたプラズマ発生部３０、導波管１０の他端側（右側）に配置されマイクロ波を反射させるスライディングショート４０、導波管１０に放出されたマイクロ波のうち反射マイクロ波がマイクロ波発生装置２０に戻らないよう分離するサーキュレータ５０、サーキュレータ５０で分離された反射マイクロ波を吸収するダミーロード６０および導波管１０とプラズマ発生ノズル３１とのインピーダンス整合を図るスタブチューナ７０を備えて構成されている。また搬送手段Ｃは、図略の駆動手段により回転駆動される搬送ローラ８０を含んで構成されている。本実施形態では、平板状のワークＷが搬送手段Ｃにより搬送される例を示している。
【００１６】
導波管１０は、アルミニウム等の非磁性金属から成り、断面矩形の長尺管状を呈し、マイクロ波発生装置２０により発生されたマイクロ波をプラズマ発生部３０へ向けて、その長手方向に伝搬させるものである。導波管１０は、分割された複数の導波管ピース１１〜１４が互いのフランジ部Ｆ同士で連結された連結体で構成されており、一端側から順に、マイクロ波発生装置２０が搭載される第１導波管ピース１１、スタブチューナ７０が組付けられる第２導波管ピース１２および前記２段のプラズマ発生部３０が設けられている第３導波管ピース１３および第４導波管ピース１４が連結されて成る。なお、第１導波管ピース１１と第２導波管ピース１２との間にはサーキュレータ５０が介在され、第４導波管ピース１４の他端側にはスライディングショート４０が連結されている。
【００１７】
また、第１〜第４導波管ピース１１〜１４は、それぞれ金属平板からなる上面板、下面板および２枚の側面板を用いて角筒状に組立てられ、その両端にフランジ板が取付けられて構成されている。なお、このような平板の組み立てによらず、押出し成形や板状部材の折り曲げ加工等により形成された矩形導波管ピースもしくは非分割型の導波管を用いるようにしてもよい。また、断面矩形の導波管に限らず、たとえば断面楕円の導波管を用いることも可能である。さらに、非磁性金属に限らず、導波作用を有する各種の部材で導波管を構成することができる。
【００１８】
マイクロ波発生装置２０は、たとえば２．４５ＧＨｚのマイクロ波を発生するマグネトロン等のマイクロ波発生源を具備する装置本体部２１と、装置本体部２１で発生されたマイクロ波を導波管１０の内部へ放出するマイクロ波送信アンテナ２２とを備えて構成されている。本実施形態に係るプラズマ発生ユニットＰＵでは、たとえば１Ｗ〜３ｋＷのマイクロ波エネルギーを出力できる連続可変型のマイクロ波発生装置２０が好適に用いられる。
【００１９】
図３に示すように、マイクロ波発生装置２０は、装置本体部２１からマイクロ波送信アンテナ２２が突設された形態のものであり、第１導波管ピース１１に載置される態様で固定されている。詳しくは、装置本体部２１が第１導波管ピース１１の上面板１１Ｕに載置され、マイクロ波送信アンテナ２２が上面板１１Ｕに穿設された貫通孔１１１を通して第１導波管ピース１１内部の導波空間１１０に突出する態様で固定されている。このように構成されることで、マイクロ波送信アンテナ２２から放出された、たとえば２．４５ＧＨｚのマイクロ波は、導波管１０により、その一端側（左側）から他端側（右側）に向けて伝搬される。
【００２０】
プラズマ発生部３０は、両端に増結可能なフランジ接合部Ｆをモジュール設定手段として有する第３および第４導波管ピース１３，１４の下面板１３Ｂ，１４Ｂ（処理対象ワークとの対向面）に、左右方向へ一列に整列して突設された１０個のプラズマ発生ノズル３１を具備しており、本実施の形態でのプラズマ発生モジュールＭ１，Ｍ２を構成する。このプラズマ発生部３０の幅員、つまり１０個のプラズマ発生ノズル３１の左右方向の配列幅は、平板状ワークＷの搬送方向と直交する幅方向の種々のサイズを勘案した幅員、たとえば２４０ｍｍとされている。
【００２１】
そして、複数のプラズマ発生モジュールＭ１，Ｍ２を準備しておき、広幅のワークＷにプラズマ照射する場合には、たとえば図１〜図３で示すように前記２段のプラズマ発生モジュールＭ１，Ｍ２を連結し、狭幅のワークＷ’にプラズマ照射する場合には、図１１で示すように、必要のないプラズマ発生モジュール（図１１ではＭ２）を取外すことで、ワークＷを搬送ローラ８０で搬送しながら、ワークＷの全表面（下面板１３Ｂ，１４Ｂと対向する面）に対してプラズマ処理が行えるようになっているとともに、その必要のないプラズマ発生モジュールＭ２の消耗を抑えることができるとともに、マグネトロンなどのマイクロ波発生装置２０の消耗および消費電力や処理ガスの消費量を抑えることもできるようになっている。
【００２２】
なお、１０個のプラズマ発生ノズル３１の配列間隔は、導波管１０内を伝搬させるマイクロ波の波長λＧに応じて定めることが望ましい。たとえば、波長λＧの１／２ピッチ、１／４ピッチでプラズマ発生ノズル３１を配列することが望ましく、２．４５ＧＨｚのマイクロ波を用い、矩形の導波管１０の断面サイズが２．８４インチ×１．３８インチの場合、λＧ＝２３０ｍｍであるので、１１５ｍｍ（λＧ／２）ピッチ、或いは５７．５ｍｍ（λＧ／４）ピッチでプラズマ発生ノズル３１を配列すればよい。
【００２３】
図４は、２つのプラズマ発生ノズル３１を拡大して示す側面図（一方のプラズマ発生ノズル３１は分解図として描いている）、図５は、図４のＡ−Ａ線側断面図である。プラズマ発生ノズル３１は、中心導電体３２（内部導電体）、ノズル本体３３（外部導電体）、ノズルホルダ３４、シール部材３５および保護管３６を含んで構成されている。
【００２４】
中心導電体３２は、銅、アルミ、真鍮などの良導電性の金属から構成され、φ１〜５ｍｍ程度の棒状部材から成り、その上端部３２１の側が第３および第４導波管ピース１３，１４の下面板１３Ｂ，１４Ｂを貫通して導波空間１３０，１４０に所定長さだけ突出（この突出部分を受信アンテナ部３２０という）する一方で、下端部３２２がノズル本体３３の下端縁３３１と略面一になるように、上下方向に配置されている。この中心導電体３２には、受信アンテナ部３２０が導波管１０内を伝搬するマイクロ波を受信することで、マイクロ波エネルギー（マイクロ波電力）が与えられるようになっている。当該中心導電体３２は、長さ方向略中間部において、シール部材３５により保持されている。
【００２５】
ノズル本体３３は、良導電性の金属から構成され、中心導電体３２を収納する筒状空間３３２を有する筒状体である。また、ノズルホルダ３４も良導電性の金属から構成され、ノズル本体３３を保持する比較的大径の下部保持空間３４１と、シール部材３５を保持する比較的小径の上部保持空間３４２とを有する筒状体である。一方、シール部材３５は、テフロン（登録商標）等の耐熱性樹脂材料やセラミック等の絶縁性部材から成り、前記中心導電体３２を固定的に保持する保持孔３５１をその中心軸上に備える筒状体から成る。
【００２６】
ノズル本体３３は、上方から順に、ノズルホルダ３４の下部保持空間３４１に嵌合される上側胴部３３Ｕと、後述するガスシールリング３７を保持するための環状凹部３３Ｓと、環状に突設されたフランジ部３３Ｆと、ノズルホルダ３４から突出する下側胴部３３Ｂとを具備している。また、上側胴部３３Ｕには、所定の処理ガスを前記筒状空間３３２へ供給させるための連通孔３３３が穿孔されている。
【００２７】
このノズル本体３３は、中心導電体３２の周囲に配置された外部導電体として機能するもので、中心導電体３２は所定の環状空間Ｈ（絶縁間隔）が周囲に確保された状態で筒状空間３３２の中心軸上に挿通されている。ノズル本体３３は、上側胴部３３Ｕの外周部がノズルホルダ３４の下部保持空間３４１の内周壁と接触し、またフランジ部３３Ｆの上端面がノズルホルダ３４の下端縁３４３と接触するようにノズルホルダ３４に嵌合されている。なお、ノズル本体３３は、たとえばプランジャやセットビス等を用いて、ノズルホルダ３４に対して着脱自在な固定構造で装着されることが望ましい。
【００２８】
ノズルホルダ３４は、第３および第４導波管ピース１３，１４の下面板１３Ｂ，１４Ｂに穿孔された貫通孔１３１に密嵌合される上側胴部３４Ｕ（上部保持空間３４２の位置に略対応する）と、下面板１３Ｂ，１４Ｂから下方向に延出する下側胴部３４Ｂ（下部保持空間３４１の位置に略対応する）とを備えている。下側胴部３４Ｂの外周には、処理ガスを前記環状空間Ｈに供給するためのガス供給孔３４４が穿孔されている。図示は省略しているが、このガス供給孔３４４には、所定の処理ガスを供給するガス供給管の終端部が接続するための管継手等が取り付けられる。かかるガス供給孔３４４と、ノズル本体３３の連通孔３３３とは、ノズル本体３３がノズルホルダ３４への定位置嵌合された場合に互いに連通状態となるように、各々位置設定されている。なお、ガス供給孔３４４と連通孔３３３との突き合わせ部からのガス漏洩を抑止するために、ノズル本体３３とノズルホルダ３４との間にはガスシールリング３７が介在されている。
【００２９】
これらガス供給孔３４４および連通孔３３３は、周方向に等間隔に複数穿孔されていてもよく、また中心へ向けて半径方向に穿孔されるのではなく、前述の特許文献１のように、処理ガスを旋回させるように、前記筒状空間３３２の外周面の接線方向に穿孔されてもよい。また、ガス供給孔３４４および連通孔３３３は、中心導電体３２に対して垂直ではなく、処理ガスの流れを良くするために、上端部３２１側から下端部３２２側へ斜めに穿設されてもよい。
【００３０】
シール部材３５は、その下端縁３５２がノズル本体３３の上端縁３３４と当接し、その上端縁３５３がノズルホルダ３４の上端係止部３４５と当接する態様で、ノズルホルダ３４の上部保持空間３４２に保持されている。すなわち、上部保持空間３４２に中心導電体３２を支持した状態のシール部材３５が嵌合され、ノズル本体３３の上端縁３３４でその下端縁３５２が押圧されるようにして組付けられているものである。
【００３１】
保護管３６（図５では図示省略している）は、所定長さの石英ガラスパイプ等から成り、ノズル本体３３の筒状空間３３２の内径に略等しい外径を有する。この保護管３６は、ノズル本体３３の下端縁３３１での異常放電（アーキング）を防止して、後述するプルームＰを正常に放射させる機能を有しており、その一部がノズル本体３３の下端縁３３１から突出するように、前記筒状空間３３２に内挿されている。なお、保護管３６は、その先端部が下端縁３３１と一致するように、或いは下端縁３３１よりも内側へ入り込むように、その全体が筒状空間３３２に収納されていてもよい。
【００３２】
プラズマ発生ノズル３１は上記のように構成されている結果、ノズル本体３３、ノズルホルダ３４ならびに第３および第４導波管ピース１３，１４（導波管１０）は導通状態（同電位）とされている一方で、中心導電体３２は絶縁性のシール部材３５で支持されていることから、これらの部材とは電気的に絶縁されている。したがって、図６に示すように、導波管１０がアース電位とされた状態で、中心導電体３２の受信アンテナ部３２０でマイクロ波が受信され中心導電体３２にマイクロ波電力が給電されると、その下端部３２２およびノズル本体３３の下端縁３３１の近傍に電界集中部が形成されるようになる。
【００３３】
かかる状態で、ガス供給孔３４４から、たとえば酸素ガスや空気のような酸素系の処理ガスが環状空間Ｈへ供給されると、前記マイクロ波電力により処理ガスが励起されて中心導電体３２の下端部３２２付近においてプラズマ（電離気体）が発生する。このプラズマは、電子温度が数万度であるものの、ガス温度は外界温度に近い反応性プラズマ（中性分子が示すガス温度に比較して、電子が示す電子温度が極めて高い状態のプラズマ）であって、常圧下で発生するプラズマである。
【００３４】
このようにしてプラズマ化された処理ガスは、ガス供給孔３４４から与えられるガス流によりプルームＰとしてノズル本体３３の下端縁３３１から放射される。このプルームＰにはラジカルが含まれ、たとえば処理ガスとして酸素系ガスを使用すると酸素ラジカルが生成されることとなり、有機物の分解・除去作用、レジスト除去作用等を有するプルームＰとすることができる。本実施形態に係るプラズマ発生ユニットＰＵでは、プラズマ発生ノズル３１が複数個配列されていることから、左右方向に延びるライン状のプルームＰを発生させることが可能となる。
【００３５】
因みに、処理ガスとしてアルゴンガスのような不活性ガスや窒素ガスを用いれば、各種基板の表面クリーニングや表面改質を行うことができる。また、フッ素を含有する化合物ガスを用いれば基板表面を撥水性表面に改質することができ、親水基を含む化合物ガスを用いることで基板表面を親水性表面に改質することができる。さらに、金属元素を含む化合物ガスを用いれば、基板上に金属薄膜層を形成することができる。
【００３６】
スライディングショート４０は、各々のプラズマ発生ノズル３１に備えられている中心導電体３２と、導波管１０の内部を伝搬されるマイクロ波との結合状態を最適化するために備えられているもので、マイクロ波の反射位置を変化させて定在波パターンを調整可能とするべく第３または第４導波管ピース１３，１４の右側端部に連結されている。したがって、定在波を利用しない場合は、当該スライディングショート４０に代えて、電波吸収作用を有するダミーロードが取付けられる。
【００３７】
図７は、スライディングショート４０の内部構造を示す透視斜視図である。図７に示すように、スライディングショート４０は、導波管１０と同様な断面矩形の筐体構造を備えており、導波管１０と同じ材料で構成された中空空間４１０を有する筐体部４１と、前記中空空間４１０内に収納された円柱状の反射ブロック４２と、反射ブロック４２の基端部に一体的に取り付けられ前記中空空間４１０内を左右方向に摺動する矩形ブロック４３と、この矩形ブロック４３に組付けられた移動機構４４と、反射ブロック４２にシャフト４５を介して直結されている調整ノブ４６とを備えている。
【００３８】
反射ブロック４２は、マイクロ波の反射面となる先端面４２１が第３または第４導波管ピース１３，１４の導波空間１３０，１４０に対向するよう左右方向に延在する円柱体である。この反射ブロック４２は、矩形ブロック４３と同様な角柱状を呈していてもよい。前記移動機構４４は、調整ノブ４６の回転操作により、矩形ブロック４３およびこれと一体化された反射ブロック４２を左右方向に推進若しくは後退させる機構であって、調整ノブ４６を回転させることで反射ブロック４２が中空空間４１０内において矩形ブロック４３にてガイドされつつ左右方向に移動可能とされている。かかる反射ブロック４２の移動による先端面４２１の位置調整によって、定在波パターンが最適化される。なお、調整ノブ４６の回転操作を、ステッピングモータ等を用いて自動化することが望ましい。
【００３９】
サーキュレータ５０は、たとえばフェライト柱を内蔵する導波管型の３ポートサーキュレータからなり、一旦はプラズマ発生部３０へ向けて伝搬されたマイクロ波のうち、プラズマ発生部３０で電力消費されずに戻って来る反射マイクロ波を、マイクロ波発生装置２０に戻さずダミーロード６０へ向かわせるものである。このようなサーキュレータ５０を配置することで、マイクロ波発生装置２０が反射マイクロ波によって過熱状態となることが防止される。
【００４０】
図８は、サーキュレータ５０の作用を説明するためのプラズマ発生ユニットＰＵの上面図である。図示するように、サーキュレータ５０の第１ポート５１には第１導波管ピース１１が、第２ポート５２には第２導波管ピース１２が、さらに第３ポート５３にはダミーロード６０がそれぞれ接続されている。そして、マイクロ波発生装置２０のマイクロ波送信アンテナ２２から発生されたマイクロ波は、矢印ａで示すように第１ポート５１から第２ポート５２を経由して第２導波管ピース１２へ向かう。これに対して、第２導波管ピース１２側から入射する反射マイクロ波は、矢印ｂで示すように、第２ポート５２から第３ポート５３へ向かうよう偏向され、ダミーロード６０へ入射される。
【００４１】
ダミーロード６０は、上述の反射マイクロ波を吸収して熱に変換する水冷型（空冷型でも良い）の電波吸収体である。このダミーロード６０には、冷却水を内部に流通させるための冷却水流通口６１が設けられており、反射マイクロ波を熱変換することにより発生した熱が前記冷却水に熱交換されるようになっている。
【００４２】
スタブチューナ７０は、導波管１０とプラズマ発生ノズル３１とのインピーダンス整合を図るためのもので、第２導波管ピース１２の上面板１２Ｕに所定間隔を置いて直列配置された３つのスタブチューナユニット７０Ａ〜７０Ｃを備えている。図９は、スタブチューナ７０の設置状況を示す透視側面図である。図示するように、３つのスタブチューナユニット７０Ａ〜７０Ｃは同一構造を備えており、第２導波管ピース１２の導波空間１２０に突出するスタブ７１と、該スタブ７１に直結された操作棒７２と、スタブ７１を上下方向に出没動作させるための移動機構７３と、これら機構を保持する外套７４とから構成されている。
【００４３】
スタブチューナユニット７０Ａ〜７０Ｃに各々備えられているスタブ７１は、その導波空間１２０への突出長が各操作棒７２により独立して調整可能とされている。これらスタブ７１の突出長は、たとえばマイクロ波電力パワーをモニタしつつ、中心導電体３２による消費電力が最大となるポイント（反射マイクロ波が最小になるポイント）を探索することで決定される。なお、このようなインピーダンス整合は、必要に応じてスライディングショート４０と連動させて実行される。このスタブチューナ７０の操作も、ステッピングモータ等を用いて自動化することが望ましい。
【００４４】
搬送手段Ｃは、所定の搬送路に沿って配置された複数の搬送ローラ８０を備え、図略の駆動手段により搬送ローラ８０が駆動されることで、処理対象となるワークＷを、前記プラズマ発生部３０を経由して搬送させるものである。ここで、処理対象となるワークＷとしては、プラズマディスプレイパネルや半導体基板のような平型基板、電子部品が実装された回路基板等を例示することができる。また、平型形状でないパーツや組部品等も処理対象とすることができ、この場合は搬送ローラに代えてベルトコンベア等を採用すればよい。
【００４５】
次に、本実施形態に係るワーク処理装置Ｓの電気的構成について説明する。図１０は、ワーク処理装置Ｓの制御系を示すブロック図である。この制御系は、ＣＰＵ（中央演算処理装置）９０１およびその周辺回路等から成る全体制御部９０と、出力インタフェイスや駆動回路等から成るマイクロ波出力制御部９１、ガス流量制御部９２および搬送制御部９３と、表示手段や操作パネル等から成り、前記全体制御部９０に対して所定の操作信号を与える操作部９５と、入力インタフェイスやアナログ／デジタル変換器等から成るセンサ入力部９６，９７と、センサ９６１，９７１ならびに駆動モータ９３１および流量制御弁９２３とを備えて構成される。
【００４６】
マイクロ波出力制御部９１は、マイクロ波発生装置２０から出力されるマイクロ波のＯＮ−ＯＦＦ制御、出力強度制御を行うもので、前記２．４５ＧＨｚのパルス信号を生成してマイクロ波発生装置２０の装置本体部２１によるマイクロ波発生の動作制御を行う。
【００４７】
ガス流量制御部９２は、プラズマ発生部３０の各プラズマ発生ノズル３１へ供給する処理ガスの流量制御を行うものである。具体的には、ガスボンベ等の処理ガス供給源９２１と各プラズマ発生ノズル３１との間を接続するガス供給管９２２に設けられた前記流量制御弁９２３の開度調整をそれぞれ行う。
【００４８】
搬送制御部９３は、搬送ローラ８０を回転駆動させる駆動モータ９３１の動作制御を行うもので、ワークＷ，Ｗ’の搬送開始／停止、および搬送速度の制御等を行うものである。
【００４９】
全体制御部９０は、当該ワーク処理装置Ｓの全体的な動作制御を司るもので、操作部９５から与えられる操作信号に応じて、センサ入力部９６から入力される流量センサ９６１の測定結果、センサ入力部９７から入力される速度センサ９７１によるワークＷの搬送速度の測定結果等をモニタし、上記マイクロ波出力制御部９１、ガス流量制御部９２および搬送制御部９３を、所定のシーケンスに基づいて動作制御する。
【００５０】
具体的には、前記ＣＰＵ９０１は、メモリ９０２に予め格納されている制御プログラムに基づいて、ワークＷ，Ｗ’の搬送を開始させてワークＷ，Ｗ’をプラズマ発生部３０へ導き、所定流量の処理ガスを各プラズマ発生ノズル３１へ供給させつつマイクロ波電力を与えてプラズマ（プルームＰ）を発生させ、ワークＷ，Ｗ’を搬送しながらその表面にプルームＰを放射させるものである。これにより、ワークＷ，Ｗ’を連続的に処理する。
【００５１】
このとき、制御手段である前記ＣＰＵ９０１は、前記操作部９５の操作パネルからの設定に応じて、プラズマ発生モジュールが１段であるのかまたは２段であるのかを判定し、その判定結果に対応した電力のマイクロ波を前記マイクロ波発生装置２０に発生させる。プラズマ発生モジュールが１段の場合、外されたプラズマ発生モジュールに対する流量制御弁９２３への制御出力は停止されてもよく、或いはガス供給管９２２のガス供給源９２１への接続および流量制御弁９２３のセンサ入力部９６への接続が行われない場合は、１段目と同じ出力が出力されるなど、任意の出力とされてもよい。
【００５２】
以上説明したワーク処理装置Ｓによれば、ワーク搬送手段ＣでワークＷを搬送しつつ、導波管１０に複数個が一列に整列して取付けられたプラズマ発生ノズル３１からプラズマ化されたガスをワークＷ，Ｗ’に対して放射することが可能であるので、複数の被処理ワークに対して連続的に、かつ当該ワークＷ，Ｗ’を一度だけプラズマ発生部３０を通過させるだけで、その全面の処理を完了させることができ、平板状のワークに対するプラズマ処理効率を格段に向上させることができる。また、搬送されて来るワークＷに対して同じタイミングでプラズマ化されたガスを放射できるようになり、均質的な表面処理等を行うことができる。したがって、バッチ処理タイプのワーク処理装置に比較して、各種の被処理ワークに対するプラズマ処理作業性に優れるワーク処理装置Ｓを提供することができる。しかも、外界の温度および圧力でプラズマを発生させることができるので、真空チャンバー等を必要とせず、設備構成を簡素化することができる。
【００５３】
さらにまた、ワークＷ，Ｗ’の幅に応じてプラズマ発生モジュールＭ１，Ｍ２を付け替えすることで、狭幅のワークＷ’から広幅のワークＷまで、単一のワーク処理装置Ｓで柔軟に対応し、無駄なく最適な処理を行うことができる。特に、プラズマ発生ノズル３１は、同心状の内側導電体である中心導電体３２と外側導電体であるノズル本体３３とを有し、両導電体間に高周波のパルス電界を印加することで、グロー放電を生じさせてプラズマを発生させ、それらの間に処理ガス供給源９２１からの処理ガスを供給することで、吹出し口であるノズル本体３３の下端縁３３１から常圧下でプラズマ化したガスを被処理ワークＷ，Ｗ’に放射可能であるので、当該プラズマ発生ノズル３１やマグネトロンなどのマイクロ波発生装置２０の消耗が激しく、本発明が効果的である。また、プラズマ発生モジュールＭ１，Ｍ２を規格化することで、開発の負担も軽減することができる。
【００５４】
また、マイクロ波発生装置２０から発生されたマイクロ波を、各々のプラズマ発生ノズル３１が備える中心導電体３２で受信させ、そのマイクロ波のエネルギーに基づきそれぞれのプラズマ発生ノズル３１からプラズマ化されたガスを放出させることができるので、マイクロ波が保有するエネルギーの各プラズマ発生ノズル３１への伝達系を簡素化することができる。したがって、装置構成のシンプル化、コストダウン等を図ることができる。
【００５５】
［実施の形態２］
図１２は、本発明の実施の他の形態に係るワーク処理装置Ｓ’の全体構成を示す斜視図である。このワーク処理装置Ｓ’は、前述のワーク処理装置Ｓに類似し、対応する部分には同一の参照符号を付して示し、その説明を省略する。注目すべきは、このワーク処理装置Ｓ’では、導波管１０、マイクロ波発生装置２０、プラズマ発生部３０、スライディングショート４０、サーキュレータ５０、ダミーロード６０およびスタブチューナ７０を備えて構成されているプラズマ発生ユニットＰＵが１つのプラズマ発生モジュールとされており、１または複数のプラズマ発生モジュール（図１２ではｍ１〜ｍ３の３つ）が、任意に組合わせて使用可能となっていることである。
【００５６】
したがって、予めモジュール設定手段としてのフレームなどに各プラズマ発生モジュールｍ１〜ｍ３が組付けられており、前述のワークＷ，Ｗ’のように、処理すべきワークの幅に応じて、それらの各プラズマ発生モジュールｍ１〜ｍ３が選択的に使用され、プラズマ照射が行われる。
【００５７】
また、図１３で模式的に示すように、複数段（図１３ではｍ１〜ｍ３の３段）のプラズマ発生モジュールが並列に配列され、共通のワークＷ’にそれぞれプラズマ照射を行うように構成してもよい。この場合、各プラズマ発生モジュールｍ１〜ｍ３で、同じ処理を行うことで、搬送手段ＣによるワークＷ’の搬送速度を速くしたり、処理の強度を強くすることができ、或いは処理条件（ガスの流量、流速、種類または混合比等）を変えるなどして、異なる処理を一括で行うことができる。こうして、単一のワーク処理装置Ｓ’で、処理すべきワークＷ，Ｗ’の幅や要求される処理条件などに柔軟に対応し、無駄なく最適な処理を行うことができる。
【００５８】
以上、本発明の一実施形態に係るワーク処理装置Ｓ，Ｓ’について説明したが、本発明はこれに限定されるものではなく、たとえば下記の実施形態を取ることができる。
（１）上記実施形態では、複数のプラズマ発生ノズル３１を一列に整列配置した例を示したが、ノズル配列はワークＷ，Ｗ’の形状やマイクロ波電力のパワー等に応じて適宜決定すればよく、たとえばワークＷ，Ｗ’の搬送方向に複数列プラズマ発生ノズル３１をマトリクス整列したり、千鳥配列したりしてもよい。また、図１２では、プラズマ発生モジュールｍ１〜ｍ３は階段状に配列されていたけれども、千鳥状に配列されてもよい。
（２）上記実施形態では、搬送手段Ｃとして搬送ローラ８０の上面に平板状のワークＷ，Ｗ’を載置して搬送する形態を例示したが、この他に、たとえば上下の搬送ローラ間にワークをニップさせて搬送させる形態、搬送ローラを用いず所定のバスケット等にワークを収納し前記バスケット等をラインコンベア等で搬送させる形態、或いはロボットハンド等でワークを把持してプラズマ発生部３０へ搬送させる形態であってもよい。
（３）上記実施形態では、マイクロ波発生源として２．４５ＧＨｚのマイクロ波を発生するマグネトロンを例示したが、マグネトロン以外の各種高周波電源も使用可能であり、また２．４５ＧＨｚとは異なる波長のマイクロ波を用いるようにしてもよい。
（４）導波管１０内におけるマイクロ波電力を測定するために、パワーメータを導波管１０の適所に設置することが望ましい。たとえば、マイクロ波発生装置２０のマイクロ波送信アンテナ２２から放出されたマイクロ波電力に対する反射マイクロ波電力の比を知見するために、サーキュレータ５０と第２導波管ピース１２との間に、パワーメータを内蔵する導波管を介在させるようにすることができる。
（５）ワーク処理装置Ｓ’において、フレームに各プラズマ発生モジュールｍ１〜ｍ３が組付けられ、選択的に駆動される場合には、前記ＣＰＵ９０１は、各プラズマ発生モジュールｍ１〜ｍ３の稼働時間を積算し、清掃や消耗部品の交換時期となると、前記操作部９５の表示手段に、そのようなメンテナンス情報を表示するようにしてもよい。
（６）上述の例では、導波管１０は一直線に形成されているけれども、複数に分岐し、分岐した各導波管ピースにプラズマ発生ノズル３１が取付けられてもよい。
【産業上の利用可能性】
【００５９】
本発明に係るワーク処理装置およびプラズマ発生装置は、半導体ウェハ等の半導体基板に対するエッチング処理装置や成膜装置、プラズマディスプレイパネル等のガラス基板やプリント基板の清浄化処理装置、医療機器等に対する滅菌処理装置、タンパク質の分解装置等に好適に適用することができる。
【図面の簡単な説明】
【００６０】
【図１】本発明の実施の一形態に係るワーク処理装置の広幅ワーク処理時の全体構成を示す斜視図である。
【図２】図１とは視線方向を異ならせたプラズマ発生ユニットの斜視図である。
【図３】図１で示すワーク処理装置の一部透視側面図である。
【図４】２つのプラズマ発生ノズルを拡大して示す側面図（一方のプラズマ発生ノズルは分解図として描いている）である。
【図５】図４のＡ−Ａ線側断面図である。
【図６】プラズマ発生ノズルにおけるプラズマの発生状態を説明するための透視側面図である。
【図７】スライディングショートの内部構造を示す透視斜視図である。
【図８】サーキュレータの作用を説明するためのプラズマ発生ユニットの上面図である。
【図９】スタブチューナの設置状況を示す透視側面図である。
【図１０】ワーク処理装置の制御系を示すブロック図である。
【図１１】本発明の実施の一形態に係るワーク処理装置の狭幅ワーク処理時の全体構成を示す斜視図である。
【図１２】本発明の実施の他の形態に係るワーク処理装置の広幅ワーク処理時の全体構成を示す斜視図である。
【図１３】本発明の実施の他の形態に係るワーク処理装置の狭幅ワーク処理時の全体構成を示す斜視図である。
【符号の説明】
【００６１】
１０    導波管
２０    マイクロ波発生装置（マイクロ波発生手段）
３０    プラズマ発生部
３１    プラズマ発生ノズル
３２    中心導電体（内部導電体）
３３    ノズル本体（外部導電体）
３４    ノズルホルダ
３４４  ガス供給孔（ガス供給部）
４０    スライディングショート
５０    サーキュレータ
６０    ダミーロード
７０    スタブチューナ
８０    搬送ローラ
９０    全体制御部
９０１  ＣＰＵ
９０２  メモリ
９１    マイクロ波出力制御部
９２    ガス流量制御部
９２１  処理ガス供給源
９２２  ガス供給管
９２３  流量制御弁
９３    搬送制御部
９３１  駆動モータ
９５    操作部
９６，９７    センサ入力部
９６１  流量センサ
９７１  速度センサ
Ｓ，Ｓ’    ワーク処理装置
Ｃ    搬送手段
Ｍ１，Ｍ２    プラズマ発生モジュール
ｍ１〜ｍ３    プラズマ発生モジュール
ＰＵ    プラズマ発生ユニット（プラズマ発生装置）
Ｗ，Ｗ’    ワーク
【図１】
0004724572.tif 000002
【図２】
0004724572.tif 000003
【図３】
0004724572.tif 000004
【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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