(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
素子実装部と、前記素子実装部を有する面側に配置された接続パッドと、前記接続パッドと配線網を介して接続された外部接続端子とを備える配線基板と、
前記配線基板の前記素子実装部に実装され、かつ前記接続パッドと電気的に接続された電極パッドを有する半導体素子とを具備し、
前記外部接続端子は、電気的および機械的に接続される凸部と凹部との組合せに基づいて着脱可能な接続構造を有し、かつ前記凸部に相当すると共に、端部に行くにしたがって太くなる円錐台状の凸状コネクタと、前記凹部に相当すると共に、前記円錐台状の凸状コネクタに対応する形状を有する凹状コネクタとを備えることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
請求項１記載の半導体装置において、
前記外部接続端子による接続構造は、前記凸状コネクタの外形寸法より小さい内形寸法を有する前記凹状コネクタを備え、前記凸状コネクタと凹状コネクタの弾性変形に基づいて電気的および機械的な接続と分離を行うことを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
請求項１記載の半導体装置において、
前記外部接続端子による接続構造は、前記凸状コネクタより熱膨張係数が大きい前記凹状コネクタを備え、前記凸状コネクタと凹状コネクタとの熱膨張係数の違いに基づいて電気的および機械的な接続と分離を行うことを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
請求項１ないし請求項３のいずれか１項記載の半導体装置からなり、第１の電子部品として前記半導体素子を有する第１のモジュール部品と、
前記第１のモジュール部品の外部接続端子と前記凸部と凹部との組合せに基づいて接続可能な端子と、半導体素子および他の電子部品から選ばれる少なくとも1種の第２の電子部品とを有する第２のモジュール部品と
を具備することを特徴とする電子部品モジュール。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は半導体装置とそれを用いた電子部品モジュールに関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、半導体装置を回路基板等と接続するにあたっては、一般的に半田付けが適用されている。例えば、高速・多ピンの半導体装置として、配線基板の一方の主面上に半導体素子を実装すると共に、配線基板の他方の主面に外部接続端子として半田ボール等を形成したＢＧＡパッケージが普及している。ＢＧＡパッケージは外部接続端子としての半田ボールを溶融することによって、マザーボード等の回路基板に対して半田付けされる。
【０００３】
半導体装置の接続に半田付けを適用した場合、半導体装置を回路基板等から取り外すにあたっては半田の融点以上に加熱して、接続端子を構成している半田を溶融させる必要がある。このため、半田付けを適用した半導体装置のリペアは容易ではない。さらに、半導体装置は接続時においても半田の融点以上に加熱されることから、耐熱性に乏しい半導体装置の場合にはリペア自体が制限される場合がある。
【０００４】
さらに、半導体装置の小型化や高集積化を実現するために、複数の半導体素子を1つのパッケージ内に収納してシステム化したマルチチップモジュール（ＭＣＭ）が実用化されている。ＭＣＭの代表的な構造としては、1つの回路基板上にメモリ素子やプロセッサ素子等を実装し、これらを一括して封止した構造が挙げられる。さらに、ＭＣＭの小型・高密度実装化や高機能化等を図る上で、半導体素子を実装した回路基板を立体的に積層した構造、すなわちＰＯＰ（Package on Package）の実用化が進められている
【０００５】
上述したＰＯＰの具体的な構造としては、例えばＢＧＡパッケージを多段に積層した構造が知られている（例えば特許文献１参照）。このような従来のＰＯＰにおいては、パッケージ間の接続に半田ボールが使用されるため、通常の回路基板等に対して接続する場合と同様に、パッケージ間を切り離すにあたっては半田の融点以上に加熱する必要が生じる。従って、従来のＰＯＰを容易にリペアすることはできず、また耐熱性に乏しい半導体パッケージの場合にはリペア自体が制限されることになる。
【特許文献１】特開2004-241713号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本発明の目的は、半導体装置同士の接続や分離、また半導体装置と回路基板等との接続や分離を容易にかつ簡易的に実施することを可能にした半導体装置と、そのような半導体装置を用いた電子部品モジュールを提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の一態様に係る半導体装置は、素子実装部と、前記素子実装部を有する面側に配置された接続パッドと、前記接続パッドと配線網を介して接続された外部接続端子とを備える配線基板と、前記配線基板の前記素子実装部に実装され、かつ前記接続パッドと電気的に接続された電極パッドを有する半導体素子とを具備し、前記外部接続端子は電気的および機械的に接続される凸部と凹部との組合せに基づいて着脱可能な接続構造を有し、かつ前記凸部に相当すると共に、端部に行くにしたがって太くなる円錐台状の凸状コネクタと、前記凹部に相当すると共に、前記円錐台状の凸状コネクタに対応する形状を有する凹状コネクタとを備えることを特徴としている。
【０００８】
本発明の他の態様に係る電子部品モジュールは、本発明の一態様に係る半導体装置からなり、第１の電子部品として前記半導体素子を有する第１のモジュール部品と、前記第１のモジュール部品の外部接続端子と前記凸部と凹部との組合せに基づいて接続可能な端子と、半導体素子および他の電子部品から選ばれる少なくとも1種の第２の電子部品とを有する第２のモジュール部品とを具備することを特徴としている。
【発明の効果】
【０００９】
本発明の態様に係る半導体装置によれば、他の半導体装置や基板等との接続や分離を容易にかつ簡易的に実施することができる。従って、半導体装置の接続性と分離性、さらには半導体モジュールを含む電子部品モジュールの組立て性等を高めることが可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１０】
以下、本発明を実施するための形態について、図面を参照して説明する。なお、以下では本発明の実施形態を図面に基づいて述べるが、それらの図面は図解のみの目的のために提供されるものであり、本発明はそれらの図面に限定するものではない。
【００１１】
図１は本発明の一実施形態による半導体装置（半導体パッケージ）の構成を示す断面図である。同図に示す半導体装置１は、一方の主面側に素子実装部２と接続パッド３とが設けられた配線基板４をパッケージ基体として具備している。配線基板４は樹脂基板、セラミックス基板、ガラス基板等の各種絶縁基板の内部や表面に配線網（図示せず）を設けたものであり、具体的にはガラス−エポキシ樹脂やＢＴ樹脂（ビスマレイミド・トリアジン樹脂）等を使用した多層プリント配線板を適用することができる。
【００１２】
上述したような配線基板４の表面中央部には素子実装部２が設けられており、さらにその周囲に接続パッド３が形成されている。さらに、配線基板４の外周部側には他の半導体装置や基板等と機械的および電気的に接続される外部接続端子５が設けられている。なお、外部接続端子５の具体的な構造については後述する。接続パッド３はワイヤボンディング時のボンディング部となるものであり、配線基板４の配線網（表面配線や内部配線を含む）を介して外部接続端子５と電気的に接続されている。
【００１３】
配線基板４の素子実装部２上には、第１の半導体素子６が絶縁樹脂製接着剤（ダイアタッチ材等／図示せず）を介して接着されている。第１の半導体素子６の電極パッド（図示せず）は、第１のボンディングワイヤ７を介して接続パッド３と接続されている。さらに、第１の半導体素子６上には第２の半導体素子８が絶縁樹脂製接着剤等を介して接着されている。第２の半導体素子８の電極パッド（図示せず）は、第２のボンディングワイヤ９を介して接続パッド３と接続されている。
【００１４】
なお、ここでは配線基板４上に2個の半導体素子６、８を実装した例について説明するが、半導体素子の実装数は2個に限られるものではなく、1個もしくは3個以上であってもよい。また、複数の半導体素子を配線基板４上に実装する場合、それらを積層して実装する形態に限られるものではなく、複数の半導体素子を平面的に並列配置してもよい。さらに、配線基板４と半導体素子との接続はワイヤボンディングに限られるものではなく、フリップチップボンディング等を適用することも可能である。
【００１５】
配線基板４の素子実装面には、例えばエポキシ樹脂等からなる封止樹脂１０がモールド成形されている。すなわち、配線基板４上に実装された半導体素子６、８は、ボンディングワイヤ７、９等と共に封止樹脂１０で封止されており、これらによって半導体装置１が構成されている。なお、封止樹脂１０は外部接続端子５の形成領域を除く部分に配置されており、これによって外部接続端子５の端子部分（コネクタ部）は露出している。
【００１６】
次に、外部接続端子５の構造について、図２ないし図６を参照して述べる。配線基板４に設けられる外部接続端子５は、電気的および機械的に接続される凸部と凹部との組合せに基づいて着脱可能な接続構造を有している。すなわち、半導体装置１の外部接続端子５は凸部と凹部との組合せに基づいて、他の半導体装置の配線基板や実装ボードのような回路基板等に設けられた端子と電気的および機械的に接続可能とされており、さらに凸部と凹部との組合せに基づく接続構造は容易に着脱可能とされている。
【００１７】
外部接続端子５の具体的な構造としては、例えば図２および図３に示すように、配線基板４に埋め込まれる本体部分１１の一方の端部に例えば円筒状の凸状コネクタ１２を設け、他方の端部に凸状コネクタ１２に対応する円筒凹部を有する凹状コネクタ１３を設けた構造が挙げられる。凸状コネクタ１２は上述した接続構造の凸部に相当するものであり、凹状コネクタ１３は凹部に相当するものである。このような構造体を例えば導電性を有する金属材料等で一体的に作製することによって、外部接続端子５として使用することができる。なお、1つの半導体装置１に設けられる外部接続端子５は、凸状コネクタ１２と凹状コネクタ１３の少なくとも一方を有していればよい。
【００１８】
上述した外部接続端子５は、例えば配線基板４に設けられた貫通孔１４に埋め込まれており、これによって配線基板４に取り付けられている。貫通孔１４は例えば配線基板４の配線網と電気的に接続されたランド１５を貫通するように形成されている。このような貫通孔１４に外部接続端子５をその一部がランド１５と接触するように埋め込むことによって、外部接続端子５を配線基板４に取り付けると同時に、ランド１５ひいてはランド１５と配線網を介して接続された接続パッド３と電気的に接続することができる。なお、ここではランド１５を配線基板４の裏面側に設けた構造を示しているが、ランド１５は配線基板４の表面側に形成されていてもよい。
【００１９】
半導体装置１の外部接続端子５は、例えば図４に示すように、他の半導体装置や実装ボード等の基板１６に設けられた端子（外部接続端子５と同様な構造を有する端子）１７と着脱可能に接続されるものである。すなわち、半導体装置１は凹状コネクタ１３を他の装置１８側に配置した外部接続端子５を有している。一方、他の装置１８は凸状コネクタ１２を半導体装置１側に配置した端子１７を有している。これら半導体装置１の凹状コネクタ１３と他の装置１８の凸状コネクタ１２とは、凹部と凸部の嵌め合いに基づいて電気的および機械的に接続可能とされている。
【００２０】
このように、半導体装置１の外部接続端子５は、例えば凹状コネクタ１３を凸状コネクタ１２と嵌め合せることによって、他の装置（他の半導体装置や実装ボード等を含む）１８の同様な構造を有する端子１７と電気的および機械的に接続することが可能とされている。さらに、半導体装置１の外部接続端子５は、他の装置１８の端子１７と凹凸の嵌め合いで接続されるため、容易に組み立てが可能であると同時に、例えば半導体装置１をリペアする場合には他の装置１８から容易に分離することができる。
【００２１】
図４は半導体装置１を他の装置１８のみと接続した状態を示しているが、例えば外部接続端子５の凸状コネクタ１２にさらに他の装置の端子を接続することも可能である。また、他の装置１８も半導体装置１とは反対側の面に凹状コネクタ１３を有しているため、この凹状コネクタ１３を利用して他の装置に接続することができる。なお、半導体装置１を他の装置１８のみと接続する場合、外部接続端子５は少なくとも凹状コネクタ１３を有していればよい。また、半導体装置１を他の装置１８に接続するコネクタ（接続端子部）は凹状コネクタ１３に限らず、凸状コネクタ１２であってもよいことは言うまでもない。
【００２２】
半導体装置１の凹状コネクタ１３と他の装置１８の凸状コネクタ１２とは、例えば金属材料の弾性変形を利用することによって、コネクタ同士の接続と分離を容易に実施することができる。例えば、凹状コネクタ１３の内形寸法を凸状コネクタ１２の外形寸法より小さくすると共に、ばね性を有する金属材料等で端子５、１７を作製する。これによって、凹状コネクタ１３と凸状コネクタ１２とを容易にかつ確実に接続することができる。さらに、各コネクタ１３、１２の弾性変形を利用することによって、凹状コネクタ１３を凸状コネクタ１２から容易に引き抜くことができる。半導体装置１側の接続端子部が凸状コネクタ１２である場合も同様である。
【００２３】
このように、半導体装置１の外部接続端子５は、他の装置１８の端子１７と容易にかつ確実に接続することが可能であると同時に、半導体装置１を他の装置１８から分離するにあたっても、コネクタ５、１７間の接続を容易に切り離すことができる。従って、半導体装置１と他の半導体装置や基板等との接続や分離を容易にかつ簡易的に実施することが可能となる。凹状コネクタ１３と凸状コネクタ１２との接続と分離に金属材料の弾性変形を利用する場合、外部接続端子５、１７はばね鋼、リン青銅（Ｃｕ−Ｓｎ系合金）、洋白（Ｃｕ−Ｎｉ系合金）、ベリリウム銅（Ｃｕ−Ｂｅ系合金）等で作製することが好ましい。これらによればコネクタ同士の接続性と分離性を継続的に維持することができる。
【００２４】
半導体装置１の凹状コネクタ１３と他の装置１８の凸状コネクタ１２との接続と分離には、上述した金属材料の弾性変形に限らず、金属材料の熱膨張係数の差を利用することもできる。例えば図５および図６に示すように、外部接続端子５の凹状コネクタ１３と凸状コネクタ１２を異なる金属材料で作製する。この際、凹状コネクタ１３は凸状コネクタ１２を構成する金属材料より熱膨張係数が大きい金属材料で構成する。すなわち、凸状コネクタ１２を構成する金属材料の熱膨張係数をα1、凹状コネクタ１３を構成する金属材料の熱膨張係数をα2としたとき、α2＞α1の関係を満足させる。
【００２５】
上述した熱膨張係数の関係を満足する金属材料で凹状および凸状の各コネクタを構成した場合、半導体装置１の凹状コネクタ１３を他の装置１８の凸状コネクタ１２と接続するにあたって、金属材料間の熱膨張差に基づいて寸法差（凹状コネクタ１３の内形寸法と凸状コネクタ１２の外形寸法との差）に優位差が生じるように加熱する。凹状コネクタ１３は凸状コネクタ１２より熱膨張係数が相対的に大きいため、接続時に加熱することで凸状コネクタ１２の外形寸法より凹状コネクタ１３の内形寸法が大きくなる。これによって、凹状コネクタ１３を凸状コネクタ１２と容易に接続することができる。接続後は例えば常温まで冷却されることで、コネクタ１３、１２間の接続を確実にすることができる。
【００２６】
同様に、各コネクタ１３、１２間の熱膨張差に基づく加熱時の寸法差を利用することによって、凹状コネクタ１３を凸状コネクタ１２から容易に引き抜くことができる。半導体装置１の接続端子部が凸状コネクタ１２の場合も同様である。このように、各コネクタ１３、１２間の熱膨張係数の差を利用することによっても、半導体装置１の外部接続端子５と他の半導体装置や基板等の端子１７との接続や分離を容易にかつ簡易的に実施することが可能となる。コネクタ１３、１２間の接続と分離に構成材料の熱膨張係数の差を利用する場合、例えばＣｕ系材料とＡｌ系材料との組合せ、Ｆｅ系材料とＣｕ系材料との組合せ、Ｆｅ系材料とＡｌ系材料との組合せ等を適用することができる。
【００２７】
例えば、熱膨張係数が23ppm程度のＡｌ系材料（合金等）で凹状コネクタ１３を形成すると共に、熱膨張係数が17ppm程度のＣｕ系材料（合金等）で凸状コネクタ１２を形成することによって、半導体素子６、８等に熱的悪影響を及ぼさない程度の温度による熱処理で、凹状コネクタ１３と凸状コネクタ１２との接続と分離を容易にかつ確実に実施することができる。熱膨張係数が17ppm程度のＣｕ系材料で凹状コネクタ１３を形成すると共に、熱膨張係数が12ppm程度のＦｅ系材料で凸状コネクタ１２を形成した場合、また熱膨張係数が23ppm程度のＡｌ系材料で凹状コネクタ１３を形成すると共に、熱膨張係数が12ppm程度のＦｅ系材料で凸状コネクタ１２を形成した場合も同様である。
【００２８】
この実施形態の半導体装置１によれば、上述したように外部接続端子５を他の装置（他の半導体装置や実装ボード等を含む）１８の同様な構造を有する端子１７と容易にかつ簡易的に接続することができる。従って、半導体装置１の他の装置１８への接続性（例えばモジュールの組み立て性）と分離性を同時に高めることができる。このような半導体装置１を用いることによって、半導体装置１の基板等に対する実装性を高めることができるだけでなく、例えばＰＯＰ（Package on Package）構造の半導体モジュール、さらには他の電子部品と一体化した電子部品モジュール等を容易に実現することが可能となる。
【００２９】
図７は半導体装置１を実装ボード２１に直接実装した状態を示している。実装ボード２１にはコンデンサやチップ抵抗等の電子部品２２が実装されていると共に、半導体装置１の外部接続端子５と接続可能な端子（外部接続端子５と同様な構造を有する端子）２３が設けられている。半導体装置１は実装ボード２１側に凹状コネクタ１３を配置した外部接続端子５を備えている。一方、実装ボード２１の端子２３は半導体装置１の凹状コネクタ１３と接続可能な凸状コネクタ１２を有している。なお、端子２３は実装ボード２１を構成する回路基板のスルーホールを兼ねることができる。
【００３０】
上述したような実装ボード２１に半導体装置１が実装されている。半導体装置１を実装するにあたっては、半導体装置１の外部接続端子５と実装ボード２１の端子２２とを位置合せした後、例えば図２、図３および図４に示したように、金属材料の弾性変形を利用して凹状コネクタ１３と凸状コネクタ１２とを嵌め合わせることで、端子５、２２間を電気的および機械的に接続する。あるいは、図５および図６に示したように、金属材料間の熱膨張差を利用して凹状コネクタ１３と凸状コネクタ１２とを嵌め合わせることによって、端子５、２２間を電気的および機械的に接続する。
【００３１】
このように、半導体装置１は凹状コネクタ１３と凸状コネクタ１２との嵌め合いを利用することによって、実装ボード２１に対して容易にかつ簡易的に実装することができる。また、実装後の端子５、２２間の電気的な接続に関しては、前述したように十分な信頼性を得ることができる。さらに、半導体装置１の修理等が必要な場合には、実装ボード２１から容易に取り外すことができる。従って、半導体装置１と実装ボード２１との接続と分離を容易にかつ簡易的に実施することが可能となる。
【００３２】
次に、本発明の電子部品モジュールの実施形態について説明する。図８は本発明の電子部品モジュールを半導体モジュールに適用した一実施形態の構成を示す図である。図８に示す半導体モジュール３０は、複数の半導体装置１を積層したＰＯＰ構造を有している。図８に示す半導体モジュール３０は、第１の半導体素子６Ａとしてロジック素子が搭載された第１の半導体装置１Ａと、第２の半導体素子６ＢとしてＤＲＡＭが搭載された第２の半導体装置１Ｂと、第３および第４の半導体素子６Ｃ、８ＣとしてＮＡＮＤ型フラッシュメモリやコントローラが搭載された第３の半導体装置１Ｃを順に積層したものである。
【００３３】
第１の半導体装置１Ａにおいて、半導体素子６Ａは配線基板４Ａに対してフリップチップボンディングされている。第２および第３の半導体装置１Ｂ、１Ｃの各半導体素子６Ｂ、６Ｃ、８Ｃは前述した実施形態と同様に、配線基板４Ｂ、４Ｃに対してワイヤボンディングされている。なお、上述した各素子６Ａ、６Ｂ、６Ｃ、８Ｃはそれぞれ半導体素子の例示として挙げたものであり、これらに限定されるものではない。また、各半導体素子６Ａ、６Ｂ、６Ｃ、８Ｃは本発明の電子部品モジュールにおける電子部品に相当するものであり、また各半導体装置１Ａ、１Ｂ、１Ｃはモジュール部品に相当するものである。
【００３４】
第１の半導体装置１Ａと第２の半導体装置１Ｂ間、および第２の半導体装置１Ｂと第３の半導体装置１Ｃ間は、外部接続端子５Ａ、５Ｂ、５Ｃの凸状コネクタ１２と凹状コネクタ１３とを嵌め合せることによって、それぞれ電気的および機械的に接続されている。凸状コネクタ１２と凹状コネクタ１３との嵌め合いについては、前述したように金属材料の弾性変形や金属材料間の熱膨張差等を利用することができる。なお、ここでは3個の半導体装置１Ａ、１Ｂ、１Ｃを積層したＰＯＰについて説明したが、半導体装置の積層数はこれに限定されるものではなく、2個もしくは4個以上であってもよい。
【００３５】
上述したように、外部接続端子５の凸状コネクタ１２と凹状コネクタ１３との嵌め合いによる接続を利用することによって、ＰＯＰ構造の半導体モジュール３０を容易に組み立てることができる。これはＰＯＰ構造の半導体モジュール３０の製造工数の削減等に寄与すると共に、各種の半導体装置の組合せを実現可能にするものである。またそれだけでなく、いずれかの半導体装置１に修理が必要となった場合には、各装置間を容易に分離することができるため、従来のＰＯＰのように修理が困難であったり、また修理自体が制限されるというような不都合を解消することができる。
【００３６】
図９は本発明の他の実施形態による電子部品モジュールの構成を示す図である。図９に示す電子部品モジュール４０は、図８と同様なＰＯＰ構造を有する半導体モジュール４１を拡張したものであり、半導体素子以外の電子部品を有するモジュール部品とさらに接続したものである。すなわち、電子部品モジュール４０は第１、第２、第３および第４の半導体装置１Ａ、１Ｂ、１Ｃ、１Ｄ間を外部接続端子５で接続した半導体モジュール４１を、第１のモジュール部品として有している。
【００３７】
半導体モジュール４１の最下層に位置する第１の半導体装置１Ａの下部には、半田ボール４２を有する配線基板４３が配置されている。この半田ボール４２を有する配線基板４３も、外部接続端子５で第１の半導体装置１Ａと接続されている。さらに、第１の半導体装置１Ａは接続用基板４４を介して、コンデンサやチップ抵抗等の電子部品４５が実装された配線基板４６と接続されている。電子部品４５を有する配線基板４６は、電子部品モジュール４０の第２のモジュール部品を構成するものであり、その下部には半田ボール４７を有する配線基板４８が配置されている。
【００３８】
上述した第１の半導体装置１Ａの配線基板４、接続用基板４４、電子部品４５が実装された配線基板４６、半田ボール４７を有する配線基板４８間は、それぞれ外部接続端子５で接続されている。このように、凸状コネクタ１２と凹状コネクタ１３とを有する外部接続端子５を利用することによって、半導体装置以外のモジュール部品とも容易に接続することができ、各種の電子部品モジュール４０を容易に組み立てることが可能となる。また、各モジュール部品の分離も容易である。
【００３９】
図１０は図９に示した電子部品モジュール４０を素子構造体として適用した素子内蔵基板５０を示している。すなわち、電子部品モジュール４０は絶縁樹脂層５１を介して、銅箔等で形成された配線層５２を有する絶縁樹脂シート５３で挟み込まれており、これらを熱圧着することで素子内蔵基板５０が構成されている。この際、電子部品モジュール４０の外部接続端子５は素子内蔵基板５０内のスルーホール配線を兼ねており、その一部は配線層５２と接続されている。このように、電子部品モジュール４０を素子構造体として適用することによって、素子内蔵基板５０の製造性を高めることが可能となる。
【００４０】
なお、本発明は上記した実施形態に限定されるものではなく、凸部と凹部との組合せに基づく接続構造を適用した外部接続端子を有する各種の半導体装置、またそのような半導体装置を使用した各種の電子部品モジュールに適用することができる。そのような半導体装置および電子部品モジュールも本発明に含まれるものである。また、本発明の実施形態は本発明の技術的思想の範囲内で拡張もしくは変更することができ、この拡張、変更した実施形態も本発明の技術的範囲に含まれるものである。
【図面の簡単な説明】
【００４１】
【図１】本発明の一実施形態による半導体装置の構成を示す断面図である。
【図２】図１に示す半導体装置に適用される外部接続端子の一構成例を拡大して示す断面図である。
【図３】図２の外部接続端子の構成を示す斜視図である。
【図４】図２に示す外部接続端子の接続状態を示す断面図である。
【図５】図１に示す半導体装置に適用される外部接続端子の他の構成例を拡大して示す断面図である。
【図６】図５に示す外部接続端子の接続状態を示す断面図である。
【図７】図１に示す半導体装置を基板上に実装した状態を示す断面図である。
【図８】本発明の電子部品モジュールを半導体モジュールに適用した一実施形態の構成を示す断面図である。
【図９】本発明の他の実施形態による電子部品モジュールの構成を示す断面図である。
【図１０】本発明のさらに他の実施形態による電子部品モジュールの構成を示す断面図である。
【符号の説明】
【００４２】
１，１Ａ，１Ｂ，１Ｃ…半導体装置、２…素子実装部、３…接続パッド、４，４Ａ，４Ｂ，４Ｃ，４３，４４，４６，４８…配線基板、５，５Ａ，５Ｂ，５Ｃ…外部接続端子、６，６Ａ，６Ｂ，６Ｃ，８，８Ｃ…半導体素子、７，８…ボンディングワイヤ、１０…封止樹脂、１１…端子本体部分、１２…凸状コネクタ、１３…凹状コネクタ、１７，２３…端子、１８…他の装置、２１…実装ボード、２２，４５…電子部品、３０，４１…半導体モジュール、４０…電子部品モジュール、５０…素子内蔵基板。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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