(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
α-(BEDT-TTF)2I3又はθ-(BEDT-TTF)2(RbZn)(SCN)4からなる二次元電荷移動錯体を用いた光媒体と、
該光媒体に対してスイッチング光を照射する位置に設けられたスイッチング光源と、
前記スイッチング光が照射する位置と略同じ位置に信号光を照射する信号光光源と、
該信号光に基づく前記光媒体から反射された検出光を検出する位置に設けられた検出部と
を有し、電場をかけない状態でスイッチング光を照射する光スイッチング装置。
【請求項２】
α-(BEDT-TTF)2I3又はθ-(BEDT-TTF)2(RbZn)(SCN)4からなる二次元電荷移動錯体を用いた光媒体と、
該光媒体に対してスイッチング光と信号光とを照射する位置に設けられた光源と、
前記信号光に基づく前記光媒体から反射された検出光を検出する位置に設けられた検出部と
を有し、電場をかけない状態でスイッチング光を照射する光スイッチング装置。
【請求項３】
前記スイッチング光の光強度を調整する光強度調整部を有することを特徴とする請求項１又は２に記載の光スイッチング装置。
【請求項４】
前記スイッチング光はフェムト秒パルス光であり、通信波長域を含む１から１０μｍ領域の前記信号光の光反射率を前記フェムト秒パルス光により制御することを特徴とする請求項１から３までのいずれか１項に記載の光スイッチング装置。
【請求項５】
前記スイッチング光は、紫外から中赤外までの波長範囲から選択可能であることを特徴とする請求項１から４までのいずれか１項に記載の光スイッチング装置。
【請求項６】
α-(BEDT-TTF)2I3又はθ-(BEDT-TTF)2(RbZn)(SCN)4からなる二次元電荷移動錯体を用いた光媒体に対して、絶縁体金属転移を生じさせる程度の励起強度を有するスイッチング光を照射するステップと、
絶縁体金属転移が生じた領域に、絶縁体金属転移が生じない程度の励起強度を有する信号光を照射するステップと、
前記信号光の反射光を検出するステップと
を有し、電場をかけない状態でスイッチング光を照射することを特徴とする光スイッチング方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、光媒体及びそれを用いた光素子に関し、特に、有機強相関絶縁体(BEDT-TTF)2X結晶の光誘起絶縁体金属転移を用いた応答速度制御型中赤外光スイッチに関する。
【背景技術】
【０００２】
光スイッチは、高速通信などに関する応用が期待されており、様々な研究がされている。例えば、AD2（A:アクセプター分子、B:ドナー分子）型有機導体の高速光スイッチとしては、擬一次元系の（EDO-TTF）2PF6に対する報告（非特許文献１参照）及び特許文献１などがある。
【０００３】
特許文献１には、ＥＤＯ-ＴＴＦ系錯体結晶に、微弱なフォトンを照射することにより、ＥＤＯ-ＴＴＦ系錯体結晶は金属相（高温相）と絶縁体相（低温度相）との間で相転位することを利用し、反射スペクトルや電気伝導度を変化させ、波長１.５〜０.８μｍ領域での高感度、高速度での応答が得られることが記載されている。光照射により反射率（Ｒ）が変化することが図３などに記載されている。
【０００４】
また、非特許文献１は、ＥＤＯ-ＴＴＦ系錯体結晶を用いた高速光応答に関する文献である。この文献の記載は上記特許文献１と同様の記載があり、光照射により反射率（Ｒ）が変化することが、非特許文献の図３、図４に記載されている。
【０００５】
【特許文献１】特開２００５−８４３４０号公報
【非特許文献１】”Giantic Photoresponse in 1/4-Fileed-Band Organic Salt (EDO-TTF)2PF6”, 7 January 2005, VOL 307 SCIRNCE p.86-89.
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、上記いずれの文献にも、光スイッチングにおける応答速度の制御とその機構等に関する記述はない。光スイッチングにおける応答速度が制御可能であれば、電子デバイスにおける制御電極による電流制御と同様の機能を持たせることができる。
【０００７】
本発明の目的は、広い波長領域（スイッチング光；４００nm-１０μm、信号光:１-10μm）で動作する応答速度制御型中赤外光スイッチを提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明は、絶縁体である(BEDT-TTF)2Xの電荷秩序状態を、フェムト秒パルス光によって瞬時に融解し、金属へと変えることにより、中赤外光領域の光スイッチングを行うことを特徴とする。検出方法としては、絶縁体金属転位が生じない程度の励起強度を有する信号光を照射して、その反射光を検出する。スイッチング光としては、広い波長領域（スイッチング光；４００nm-１０μm、信号光:１-10μm）、例えば紫外から中赤外までの広い波長範囲の光を用いることができる。
【発明の効果】
【０００９】
本発明によれば、光学スイッチにおいて、広い波長領域（スイッチング光；４００nm-１０μm、信号光:１-10μm）、例えば中赤外光領域全域で動作させることができ、かつ、１００フェムト秒〜数ナノ秒の間の大きな範囲で、応答速度が変化させることができる。
【００１０】
また、スイッチング光としては、紫外から中赤外までの広い波長範囲の光を用いることができるため、波長選択の幅が広がるという利点がある。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１１】
以下、本発明の一実施の形態による応答速度制御型中赤外光スイッチについて図面を参照しながら説明を行う。
【００１２】
（１）(BEDT-TTF)2Xにおける電荷秩序
α型およびθ型(BEDT-TTF)2Xは、有機強相関絶縁体である。図１（ａ）に示すように、アクセプター（Ａ）であるX分子の層１と、ドナー（Ｄ）であるBEDT-TTF分子の層３と、が交互に積み重なっているＡＤ２型の電荷移動錯体である。このタイプの電荷移動錯体は、ドナー１分子あたりの平均電荷は１／２価であり、電子の占有度は３／４（３／４フィリング）となる。図１（ａ）の右側の図は、BEDT-TTF分子５の層の実際の分子構造を示す図である。この状態は、しばしば正孔の描像で表され、１／４フィリングとも呼ばれる。
【００１３】
図１（ｂ）は、アクセプター層１の方向からドナー分子層３を見た様子を示す図である。図に示すように、BEDT-TTF分子５が、分子の長軸方向（図１（ａ））を紙面に垂直にして配列している。この配列は、一見、上下方向（積層軸；ＡＲ方向）の一次元鎖状分子配列が、一列ごとに互い違いに傾きを変えているようにも見える。
【００１４】
しかしながら、実際には、分子間の電子移動積分（電子の乗り移りやすさ）は積層軸方向（図の上下方向、すなわち矢印ＡＲで示す方向）よりも、積層軸ＡＲに垂直な方向に隣り合った分子間の方が大きい。したがって、この配列は、一次元鎖が並んでいると見るよりも、図の真ん中の分子に着目し、その周りに、６個の分子が、最密充填していると考えた方が適切である。このドナー分子からなる分子シートが２次元電子系を形成する。
【００１５】
この系の価電子帯はバンド理論の予想に従うならば、１／４フィリング（価電子帯が満たされていない）であるため、金属的な伝導を持つはずである。
【００１６】
ところが、実際には転移温度Ｔｃ（１００−２００Ｋ、物質の種類に依存する）以下では、電気伝導度が急速に減少し絶縁体へと転移する。この現象は、以下のような電荷秩序、あるいは電荷整列という現象を用いて理解される。
【００１７】
図２は、図１（ｂ）に対応する図であり、併せて、電子の広がりを示す図である。図２（ａ）に示すように、１／４フィリングの(BEDT-TTF)2Xは、高温では１分子あたりの平均価数が＋０．５価の金属であり、BEDT-TTF分子５の配置に対して全体に広がっている電子状態７を示す。
【００１８】
一方、図２（ｂ）に示すように、低温では電子間に働くクーロン斥力(長距離クーロン相互作用)によって電荷（正孔）１１は不均化を起こし、積層軸に沿って＋１価、０価と１分子おきに局在する。電荷１１が局在しているため、この状態は絶縁体（電荷秩序型絶縁体）となる。この(BEDT-TTF)2Xの電荷秩序状態は、ウィグナー結晶（電子の結晶）に類似の状態であり、転移点近傍において多彩な物性を示す。
【００１９】
（２）フェムト秒パルス光による電荷秩序の光融解（絶縁体−金属転移）
図３（ａ）は、θ-(BEDT-TTF)2(RbZn)(SCN)4の光学特性を示す図である。図３（ａ）は、中赤外光領域(０．１〜１ｅＶ、波長領域１〜１０μｍに対応)におけるθ-(BEDT-TTF)2(RbZn)(SCN)4の光反射スペクトルを示す図である。この波長領域のスペクトルの構造は、分子間の電荷移動遷移によるものと考えられている。縦軸は反射率Ｒ、横軸は光の波長に対応する光子エネルギー（ｅＶ）である。図に示すように、広い光子エネルギーの範囲で、絶縁体である２０Ｋと金属である２００Ｋとで反射率Ｒが異なることがわかる。この様子をわかりやすく示したのが、図３（ｂ）であり、縦軸に（Ｒ２００Ｋ−Ｒ2０Ｋ）／Ｒ2０Ｋをとった図である。図３（ｂ）に示すように、温度差分スペクトルは、電荷秩序相から金属相への熱的相転移にともなう差分スペクトルであり、光子エネルギーにより差分スペクトルが大きく変化することがわかる。差分スペクトルは、光子エネルギーが０．２ｅＶ程度までは正の値をとり（２００Ｋで反射率が増大する）、それよりも高いエネルギーでは負の値をとる（２００Ｋで反射率が減少する）。
【００２０】
図３（ｃ）は、紫外から中赤外までの広い波長範囲の光（例えば、４００ｎｍ〜１０μｍ）をスイッチング光として励起することにより、中赤外全域の反射率が変化することを示す図である。具体的には、フェムト秒パルス（波長1400 nm, パルス幅１２０ｆｓ、 励起密度０．１ｍＪ／ｃｍ２）を照射した後の、過渡反射スペクトル（ΔＲ／Ｒ＝（Ｒ−Ｒ０）／Ｒ０）を示す図である。過渡反射スペクトルは、フェムト秒パルスを照射した後の反射スペクトル（Ｒ）から照射前のスペクトル（Ｒ０）を引いた後、Ｒ０ で除算したものである。照射直後（０．１ｐｓ）の過渡スペクトルの形状は、図３（ｂ）に示した温度差分スペクトル（Ｒ２００Ｋ−Ｒ2０Ｋ）／Ｒ2０Ｋすなわち電荷秩序相から金属相への熱的相転移にともなう差分スペクトル）に類似している。
【００２１】
これらの結果は、θ-(BEDT-TTF)2(RbZn)(SCN)4に対する光照射直後に電荷秩序が融解し、金属相が形成したことに起因するとものと推定される。
【００２２】
図４は、θ-(BEDT-TTF)2(RbZn)(SCN)4のフェムト秒パルスを照射時の、光子エネルギー0.12eVにおいて観測される、反射率変化（ΔＲ／Ｒ）の時間発展を示す図である。フェムト秒パルスを照射直後にΔＲ／Ｒは大きくなり、減衰は、二成分の指数関数（時定数τ１＝０．１ ｐｓ（８３％）、τ２＝ ２．１ ｐｓ（１７％））で表すことができ、反射率変化の大部分が、１００ ｆｓ程度の極めて短い時間内に回復することがわかる。この結果は、照射光エネルギー密度が０．００１〜０．１ ｍＪ／ｃｍ２の範囲内で励起強度に依存せず、また、転移温度（Ｔｃ＝１８０Ｋ）以下では、温度にも依存しない。
【００２３】
(３) α-(BEDT-TTF)2I3  におけるピコ〜ナノ秒可変スイッチング
次に、アクセプターイオン（X）の種類を、上記の（RbZn）(SCN)4からI3に変えた物質α-(BEDT-TTF)2I3（以下「α-I3」と称する。）の光スイッチングに関して説明する。この物質α-I3においても、θ-Rbの場合と同様に、金属への瞬時スイッチングが観測される。(BEDT-TTF)2Xは、Xの種類によらず中赤外光領域のスペクトル形状が顕著には変化しないため、スイッチングの波長特性に大きな変化はない。
【００２４】
図５（ａ）、（ｂ）（（b）は、長寿命成分）は、反射率変化の時間発展を示す図である。弱励起（例えば０．００１ｍＪ／ｃｍ２）下においては、ピコ秒程度の寿命が観測されるのに対し（図５（ａ））、図４の場合と同様の励起強度（０．１ ｍＪ／ｃｍ２）下では、数ナノ秒の長い寿命が観測される（図５（ｂ））。すなわち、ピコ秒から１０ナノ秒以上の範囲で、励起強度による反射率変化に関する寿命の制御が可能であることがわかる。
【００２５】
以上のように、アクセプターイオン（X）の種類および励起強度によって、光誘起金属状態の寿命が変化約５桁にわたって光スイッチの応答速度を変えることができる。その原理としては、以下のようなことが考えられる。
【００２６】
（４）応答速度変化のメカニズム
α-I3において観測される励起強度による寿命の変化は、二次相転移に関係した概念として知られている動的臨界緩和によるものと考えられる。ある相Ａが安定な温度において、別の相Ｂを形成した場合に、Ｂ相は、巨視的な復元力によってＡ相へと戻ろうとする。その際、Ｂ相の寿命τが、転移温度に近づくに従って、発散的に増加していく現象を動的臨界緩和と呼び、寿命τは、以下の式で表される。
【００２７】
【数１】
0004676263.tif 000002
【００２８】
但し、νとzは、それぞれ、相関距離に対する臨界指数と動的臨界指数である。νzは、励起強度の増加に伴って大きくなるため、寿命τは、励起強度にともなって増加する。
【００２９】
以下、図６を参照しつつ、上記の原理について説明する。図６（ａ）は、弱励起下において微視的金属ドメインが形成されている様子（１５）を示す図である。白丸は、BEDT-TTF５を示す。電荷（正孔）１１が規則的に局在、配列しているが、微弱光による励起によって、一部領域にｎｍオーダーの微視的金属ドメイン１７が形成されている。
【００３０】
一方、図６（ｂ）に示すように、強励起下においては、準巨視的金属ドメイン２１が形成されている。光励起によって絶縁相（電荷秩序相）の中に、過渡的な金属ドメイン２１が光によって生成されるが、光励起強度の増加に伴って、金属ドメイン２１は大きく成長する。絶縁相の中で、金属ドメイン２１が占有する度合いが大きくなると、絶縁相全体の不安定性が二次転移的に増加し、その結果、金属ドメイン２１の絶縁相への復元力は減少して、金属ドメイン２１の寿命は延びる。
【００３１】
図７は、励起強度を変えた場合におけるa-(BEDT-TTF)2I3中の金属ドメイン２１（図６）の寿命τをＴ／Ｔｃ−１に対してプロットした両対数グラフである。このようなプロットは、動的臨界緩和の議論を行う際にしばしば用いられるものである。励起強度xｐｈ（×１０−３）＝０．０５から５までのいずれの励起強度においても、この両対数プロットは、直線に乗っており、べき乗則に従うことが確認できる。従って、励起強度が大きくなるにつれてτが増加するのは、動的臨界緩和によるものと推測できる。特に、励起強度xph=１.６×１０-３のときの指数νzは、約２.２と見積もられるが、この値は、二次元正方格子におけるIsingモデルによって見積もられる値とよく一致している。弱励起における臨界指数が、顕著に小さいことは、希釈効果によるものと考えられる。
【００３２】
次に、アクセプター（X）の種類による寿命の変化について述べる。すなわち、α-I3においては、上述のように、金属ドメインの寿命は、励起強度に依存して（臨界緩和によって）ピコ秒からナノ秒まで変化する。一方、θ-Rbでは、励起強度に依存せず、サブピコ秒の超高速緩和を示す。この違いは、α-I3とθ-Rbとの一次転移性の違いに起因するものである。すなわち、α-I3の絶縁体金属転移は、一次転移性が弱く（＝転移にともなう格子変位が小さく）、二次転移的描像が成り立つのに対し、一次転移性の大きなθ-Rbでは、格子変位のバリアに妨げられて、強励起下でも金属ドメインは成長できず、長寿命化が生じにくい。
【００３３】
次に、上記のようなα-(BEDT-TTF)2I3光媒体のデバイス応用について説明する。図８は、本実施の形態による閾値制御型光スイッチの模式的な図である。図８に示すように、閾値制御型光スイッチは、有機強相関絶縁体３１を光媒体として利用する。有機強相関絶縁体３１に対してスイッチング光３３を照射すると、照射された領域には金属的領域３１ａが形成される。スイッチング光３３を照射してから寿命を超えた後には、金属的領域３１ａは絶縁体領域３１ｂに戻る。従って、信号光３５を照射した際に得られる検出光３７は、スイッチング光３３を照射してからΔｔ時間後までの間に信号光３５を照射すると、スイッチング光３３を照射してからΔｔ時間後までに金属的領域３１ａが絶縁体領域３１ｂに戻る度合いに応じた強度の検出光３７が得られる。すなわち、スイッチング光３３の強度によって同じ信号光を照射させた場合でも検出光の強度に違いが生じることになる。
【００３４】
図９（ａ）は、有機強相関絶縁体３１であるα-(BEDT-TTF)2I3に対して励起光（スイッチング光）３３を照射した時点（太い矢印）を始点として（横軸の遅延時間が０の時点）、反射率（ΔＲ）の経時変化を示す図である。励起光（スイッチング光）３３照射時の反射率（ΔＲ）は金属的性質に基づきほぼ１になっており、時間の経過とともに絶縁体的性質が高まるため、反射率が０に近づく。Ｌ１からＬ４までの曲線は、それぞれ異なる励起強度であってＬ１からＬ４まで励起光強度を高めた場合の曲線である。図に示すように、励起強度を高くすることにより（点線の矢印）、金属から絶縁体への復帰に要する時間は長くなる傾向にあることがわかる。このように、α-I3では、励起強度の増加に伴って、反射率（ΔR）の減衰は、ピコ秒からナノ秒まで変化する。尚、図に示すａ、ｂ、ｃは、始点からの経過時間の異なる３点を示す。
【００３５】
図９（ｂ）は、図９（ａ）のａ、ｂ、ｃのそれぞれの時間における反射率（ΔＲ）の励起強度依存性を示す図である。ａ、ｂ、ｃはそれぞれ図９（ａ）の信号光照射時間に対応する。図に示すように、光スイッチの励起光（スイッチング光）と信号光の時間差をピコ秒からナノ秒まで変化させることにより、ａ、ｂ、ｃに示すように、反射率変化の閾値も３桁増加することがわかる。このような非線形性に基づいて、“０”と“１”との間でデジタル的なスイッチングを行うことができる。尚、閾値を上げた場合には、応答速度はΔｔと同程度に制限される。
【００３６】
図１０は、上記の特性を利用した光スイッチの原理を示す模式的な図である。有機強相関絶縁体３１であるα-(BEDT-TTF)2I3に対して絶縁体から金属への変化が起こらない程度の強度に抑えられた信号光３５を照射すると、絶縁体の反射率が小さいため、ある小さな強度の検出光３７が観測される。一方、絶縁体から金属への変化が起こる程度の強度を有するスイッチング光３３を照射した後に、同じく絶縁体から金属への変化が生じない程度の信号光３５を照射すると、金属の高い反射率に基づいて検出光３７の強度も高くなる。尚、スイッチング光、検出光の偏向方向は、積層軸方向、積層軸に垂直な方向のいずれでもよい。
【００３７】
ある時間経過後には、金属から絶縁体への復帰が生じ、最初の絶縁体の信号光３５を照射した場合の検出光３７の強度と同じになる。すなわち、信号光３５を照射した場合の検出光３７の強度を、スイッチング光３３の照射により制御することができることがわかる。さらに、スイッチング光３３の強度を変化させることにより、ある時間における検出光の強度を制御することができる。
【実施例１】
【００３８】
図１１は、本発明による光スイッチングを利用した応答速度制御型中赤外スイッチの構成例を示す図である。図１１に示すように、応答速度制御型中赤外スイッチは、有機強相関絶縁体からなる光媒体３１と、光媒体３１に対してスイッチング光を照射する位置に設けられ、光強度を調整することができる光強度調整部４３ａを備えたスイッチング光出射部４３と、スイッチング光が照射される領域３１ｃとほぼ同じ位置に信号光を照射できるように設けられた信号光出射部４５と、信号光に基づく反射光を検出できる位置に設けられた光検出部４７と、を有している。尚、反射測定では、検出光（プローブ光）の波長は、フェムト秒ＯＰＡ（パラメトリック増幅器）で１〜１０μｍの範囲で変化させている。
【００３９】
この光スイッチは、中赤外光領域全域で動作するため、高速の光スイッチング素子として利用することができる。また、この応答速度制御型中赤外スイッチによれば、スイッチング光を照射した後に信号光を照射した際に得られる検出光の強度を、光強度調整部４３ａにより強度調整された光強度によって制御することができる。励起強度により検出光の強度を制御することで、電界効果型トランジスタ（ＦＥＴ）のドレイン電流をゲート電極により制御することができる原理と同様の原理により、光スイッチング素子に基づくデジタル回路などの基本素子として利用することができる。この場合、制御光強度により検出光強度を制御できるという特徴がある。従って、一般的な光スイッチング素子のように電圧などの電気信号により光制御を行う場合と比べて、光ＩＣとして素子を集積化した場合の設計と製造とが簡単化できる可能性がある。
【産業上の利用可能性】
【００４０】
本発明は、光スイッチング素子に利用可能である。
【図面の簡単な説明】
【００４１】
【図１】図１（ａ）は、(BEDT-TTF)2X有機強相関絶縁体の構造を示す図であり、図１（ｂ）は、アクセプター層の方向からドナー分子層を見た様子を示す図である。
【図２】図１（ｂ）に対応する図であり、併せて、電子の広がりを示す図である。
【図３】図３（ａ）は、θ-(BEDT-TTF)2(RbZn)(SCN)4の光物性を示す図である。図３（ｂ）は、縦軸に（Ｒ２００Ｋ−Ｒ４０Ｋ）／Ｒ４０Ｋをとった図である。図３（ｃ）は、フェムト秒パルス（パルス幅１２０ ｆｓ、 励起密度０．１ｍＪ／ｃｍ２）を照射した後の、過渡反射スペクトル（ΔＲ／Ｒ＝（Ｒ−Ｒ０）／Ｒ０）を示す図である。
【図４】θ-(BEDT-TTF)2(RbZn)(SCN)4のフェムト秒パルスを照射時の反射率変化（ΔＲ／Ｒ）の時間発展を示す図である。
【図５】図５（ａ）、（ｂ）（（b）は、長寿命成分）は、反射率変化の時間発展を示す図である。
【図６】図６（ａ）は、弱励起下において微視的金属ドメインが形成されている様子を示す図である。図６（ｂ）は、強励起下においては、準巨視的金属ドメイン２１が形成される様子を示す図である。
【図７】励起強度を変えた場合におけるα-(BEDT-TTF)2I3中の金属ドメイン２１（図６）の寿命τをＴ／Ｔｃ−１に対してプロットした両対数グラフである。
【図８】本実施の形態による閾値制御型光スイッチの模式的な図である。
【図９】図９（ａ）は、有機強相関絶縁体であるα-(BEDT-TTF)2I3に対して励起光（スイッチング光）を照射した時点（太い矢印）を始点として（横軸の遅延時間が０の時点）、反射率（ΔＲ）の経時変化を示す図である。図９（ｂ）は、図９（ａ）のａ、ｂ、ｃのそれぞれの時間における反射率（ΔＲ）の励起強度依存性を示す図である。
【図１０】図１０は、上記の特性を利用した光スイッチの原理を示す模式的な図である。
【図１１】本発明による光スイッチングを利用した応答速度制御型中赤外スイッチの構成例を示す図である。
【符号の説明】
【００４２】
１…アクセプター（Ａ：−ｅ）（X）分子の層、３…ドナー（Ｄ：＋１／２ｅ）であるBEDT-TTF分子の層、５…BEDT-TTF分子、１１…電子の局在、１７…微視的金属ドメイン、２１…準巨視的金属ドメイン、３１…有機強相関絶縁体からなる光媒体、４３…スイッチング光出射部、４３ａ…光強度調整部、４５…信号光出射部、４７…光検出部。
【図１】
0004676263.tif 000003
【図２】
0004676263.tif 000004
【図３】
0004676263.tif 000005
【図４】
0004676263.tif 000006
【図５】
0004676263.tif 000007
【図６】
0004676263.tif 000008
【図７】
0004676263.tif 000009
【図８】
0004676263.tif 000010
【図９】
0004676263.tif 000011
【図１０】
0004676263.tif 000012
【図１１】
0004676263.tif 000013