(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
記録媒体に対向する媒体対向面の側に互いに対向する磁極部を有し、磁気的に連結された第１および第２の磁極群と、前記各磁極部の間に形成された記録ギャップ層と、前記第１および第２の磁極群に対して絶縁され、前記第１および第２の磁極群の少なくとも一方の回りに螺旋状または前記第１および第２の磁極群を連結する連結部の回りに平面渦巻き状に巻回された薄膜コイルとが基板上に積層された構成を有し、
前記薄膜コイルは、前記第１の磁極群と第２の磁極群との間に配置され、前記媒体対向面に沿って形成されている部分を備えた複数の内導体部を有し、該複数の内導体部の中で前記媒体対向面に沿って形成されている部分の長さが最も長い前記媒体対向面に沿った内導体部が最も前記媒体対向面に近い位置に配置されている第１の導体群と、前記第２の磁極群または前記連結部の外側に配置された複数の外導体部を有する第２の導体群と、前記各内導体部と前記各外導体部とを接続する接続部を有する接続部群とを有し、
前記第１の導体群が、前記各内導体部が互いに絶縁膜を介して接触する絶縁接触構造を有し、
前記第１の導体群よりも柔軟な材料からなり、前記第１の導体群における前記媒体対向面に沿った内導体部の前記媒体対向面に沿って形成されている部分の前記媒体対向面側に絶縁膜を介して接触し、前記媒体対向面に沿った内導体部を含む前記第１の導体群の自己膨張による幅の広がりを吸収する内緩和部を設けたことを特徴とする薄膜磁気ヘッド。
【請求項２】
前記第２の導体群が、前記各外導体部が互いに絶縁膜を介して接触する絶縁接触構造を有し、
前記第２の導体群よりも柔軟な材料からなり、前記第２の導体群と絶縁膜を介して接触し、該第２の導体群の自己膨張による幅の広がりを吸収する外緩和部を更に設けたことを特徴とする請求項１記載の薄膜磁気ヘッド。
【請求項３】
前記第１の導体群および第２の導体群は、前記各内導体部および各外導体部の媒体対向面に交差する方向の配置密度が、前記第２の磁極群の外側から該第２の磁極群に向かって増加していることを特徴とする請求項２記載の薄膜磁気ヘッド。
【請求項４】
前記各内導体部および各外導体部は、前記第２の磁極群に対応する部分からその外側に向かって、経路幅が漸次広がる可変幅構造を有していることを特徴とする請求項２記載の薄膜磁気ヘッド。
【請求項５】
前記第１の磁極群が、前記媒体対向面に向かって突出する突出部を有することを特徴とする請求項４記載の薄膜磁気ヘッド。
【請求項６】
前記各内導体部および各外導体部が、前記突出部に対応した箇所に、前記経路幅が最も狭い最狭部を有することを特徴とする請求項５記載の薄膜磁気ヘッド。
【請求項７】
前記突出部が、前記媒体対向面に向かって突出する曲面を有することを特徴とする請求項５記載の薄膜磁気ヘッド。
【請求項８】
前記各内導体部および各外導体部が、前記突出部の側面形状に対応して湾曲していることを特徴とする請求項７記載の薄膜磁気ヘッド。
【請求項９】
記録媒体に対向する媒体対向面の側に互いに対向する磁極部を有し、磁気的に連結された第１および第２の磁極群と、前記各磁極部の間に形成された記録ギャップ層と、前記第１および第２の磁極群に対して絶縁され、前記第１および第２の磁極群の少なくとも一方の回りに螺旋状に巻回された薄膜コイルとを、基板上に積層して薄膜磁気ヘッドを製造する薄膜磁気ヘッドの製造方法であって、
前記基板上に設けた第１の磁極層上に絶縁膜を介して接触し、前記媒体対向面に沿って形成されている部分を備えた複数の第１の内導体部および下部接続層と、ヨーク長を決める位置に配置された第２の磁極層とを、前記複数の第１の内導体部の中で前記媒体対向面に沿って形成されている部分の長さが最も長く、最も前記媒体対向面に近い位置に配置されている前記媒体対向面に沿った内導体部に隣接する緩和部用間隙を設けて形成する工程と、
前記第２の磁極層および互いに隣り合う前記各第１の内導体部の間と、前記緩和部用間隙に分離用絶縁膜で覆われた内溝部を形成する工程と、
前記各内溝部に、前記第１の内導体部よりも柔軟な材料からなり、前記媒体対向面に沿った内導体部の前記媒体対向面に沿って形成されている部分の前記媒体対向面側に前記分離用絶縁膜を介して接触する内緩和部と第２の内導体部とを形成し、前記第１および第２の内導体部により第１の導体群を形成する工程と、
前記第２の磁極層上に第３の磁極層を積層して前記第１の磁極群を形成する工程と、
前記記録ギャップ層を設けるようにして、前記第１の磁極群上に前記第２の磁極群を形成する工程と、
前記下部接続層に上部接続層を配置して接続部群を形成する工程と、
前記第２の磁極群に絶縁膜を介して接触する複数の第１の外導体部と、ヨーク長を決める位置に配置された絶縁部を形成する工程と、
前記絶縁部および互いに隣り合う前記各第１の外導体部の間に、分離用絶縁膜で覆われた外溝部を形成する工程と、
前記各外溝部に第２の外導体部を形成し、前記第１および第２の外導体部により第２の導体群を形成する工程と、
前記第１および第２の導体群と、前記接続部群とによって、前記薄膜コイルを形成する工程とを有することを特徴とする薄膜磁気ヘッドの製造方法。
【請求項１０】
記録媒体に対向する媒体対向面の側に互いに対向する磁極部を有し、磁気的に連結された第１および第２の磁極群と、前記各磁極部の間に形成された記録ギャップ層と、前記第１および第２の磁極群に対して絶縁され、前記第１および第２の磁極群の少なくとも一方の回りに螺旋状に巻回された薄膜コイルとを、基板上に積層して薄膜磁気ヘッドを製造する薄膜磁気ヘッドの製造方法であって、
前記基板上に設けた第１の磁極層上に絶縁膜を介して接触し、前記媒体対向面に沿って形成されている部分を備えた複数の第１の内導体部および下部接続層と、ヨーク長を決める位置に配置された第２の磁極層とを、前記複数の第１の内導体部の中で前記媒体対向面に沿って形成されている部分の長さが最も長く、最も前記媒体対向面に近い位置に配置されている前記媒体対向面に沿った内導体部に隣接する内緩和部用間隙を設けて形成する工程と、
前記第２の磁極層および互いに隣り合う前記各第１の内導体部の間と、前記内緩和部用間隙に分離用絶縁膜で覆われた内溝部を形成する工程と、
前記各内溝部に、前記第１の内導体部よりも柔軟な材料からなり、前記媒体対向面に沿った内導体部の前記媒体対向面に沿って形成されている部分の前記媒体対向面側に前記分離用絶縁膜を介して接触する内緩和部と第２の内導体部とを形成し、前記第１および第２の内導体部により第１の導体群を形成する工程と、
前記第２の磁極層上に第３の磁極層を積層して前記第１の磁極群を形成する工程と、
前記記録ギャップ層を設けるようにして、前記第１の磁極群上に前記第２の磁極群を形成する工程と、
前記下部接続層に上部接続層を配置して接続部群を形成する工程と、
前記第２の磁極群に絶縁膜を介して接触する複数の第１の外導体部と、ヨーク長を決める位置に配置された絶縁部とを、前記第１の外導体部に隣接する外緩和部用間隙を設けて形成する工程と、
前記絶縁部および互いに隣り合う前記各第１の外導体部の間と、前記外緩和部用間隙に分離用絶縁膜で覆われた外溝部を形成する工程と、
前記各外溝部に、前記第１の外導体部よりも柔軟な材料からなる外緩和部と第２の外導体部とを形成し、前記第１および第２の外導体部により第２の導体群を形成する工程と、
前記第１および第２の導体群と、前記接続部群とによって、前記薄膜コイルを形成する工程とを有することを特徴とする薄膜磁気ヘッドの製造方法。
【請求項１１】
前記第１の内導体部、第２の内導体部、前記第１の外導体部および第２の外導体部をそれぞれめっきにより形成することを特徴とする請求項１０記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
【請求項１２】
前記第２の内導体部および第２の外導体部は、電極膜をスパッタ法により形成し、該電極膜上にめっきによる導電層を形成することによって、形成されていることを特徴とする請求項１０記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
【請求項１３】
前記分離用絶縁膜を複数のアルミナ膜を積層して形成することを特徴とする請求項１０記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
【請求項１４】
基台上に形成された薄膜磁気ヘッドと、前記基台を固定するジンバルとを備え、
前記薄膜磁気ヘッドは、記録媒体に対向する媒体対向面の側に互いに対向する磁極部を有し、磁気的に連結された第１および第２の磁極群と、前記各磁極部の間に形成された記録ギャップ層と、前記第１および第２の磁極群に対して絶縁され、前記第１および第２の磁極群の少なくとも一方の回りに螺旋状または前記第１および第２の磁極群を連結する連結部の回りに平面渦巻き状に巻回された薄膜コイルとが基板上に積層された構成を有し、
前記薄膜コイルは、前記第１の磁極群と第２の磁極群との間に配置され、前記媒体対向面に沿って形成されている部分を備えた複数の内導体部を有し、該複数の内導体部の中で前記媒体対向面に沿って形成されている部分の長さが最も長い前記媒体対向面に沿った内導体部が最も前記媒体対向面に近い位置に配置されている第１の導体群と、前記第２の磁極群または前記連結部の外側に配置された複数の外導体部を有する第２の導体群と、前記各内導体部と前記各外導体部とを接続する接続部を有する接続部群とを有し、
前記第１の導体群が、前記各内導体部が互いに絶縁膜を介して接触する絶縁接触構造を有し、
前記第１の導体群よりも柔軟な材料からなり、前記第１の導体群における前記媒体対向面に沿った内導体部の前記媒体対向面に沿って形成されている部分の前記媒体対向面側に絶縁膜を介して接触し、前記媒体対向面に沿った内導体部を含む前記第１の導体群の自己膨張による幅の広がりを吸収する内緩和部を設けたことを特徴とするヘッドジンバルアセンブリ。
【請求項１５】
薄膜磁気ヘッドを有するヘッドジンバルアセンブリと、前記薄膜磁気ヘッドに対向する記録媒体とを備え、
前記薄膜磁気ヘッドは、記録媒体に対向する媒体対向面の側に互いに対向する磁極部を有し、磁気的に連結された第１および第２の磁極群と、前記各磁極部の間に形成された記録ギャップ層と、前記第１および第２の磁極群に対して絶縁され、前記第１および第２の磁極群の少なくとも一方の回りに螺旋状または前記第１および第２の磁極群を連結する連結部の回りに平面渦巻き状に巻回された薄膜コイルとが基板上に積層された構成を有し、
前記薄膜コイルは、前記第１の磁極群と第２の磁極群との間に配置され、前記媒体対向面に沿って形成されている部分を備えた複数の内導体部を有し、該複数の内導体部の中で前記媒体対向面に沿って形成されている部分の長さが最も長い前記媒体対向面に沿った内導体部が最も前記媒体対向面に近い位置に配置されている第１の導体群と、前記第２の磁極群または前記連結部の外側に配置された複数の外導体部を有する第２の導体群と、前記各内導体部と前記各外導体部とを接続する接続部を有する接続部群とを有し、
前記第１の導体群が、前記各内導体部が互いに絶縁膜を介して接触する絶縁接触構造を有し、
前記第１の導体群よりも柔軟な材料からなり、前記第１の導体群における前記媒体対向面に沿った内導体部の前記媒体対向面に沿って形成されている部分の前記媒体対向面側に絶縁膜を介して接触し、前記媒体対向面に沿った内導体部を含む前記第１の導体群の自己膨張による幅の広がりを吸収する内緩和部を設けたことを特徴とするハードディスク装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、少なくとも誘導型電磁変換素子を有する薄膜磁気ヘッドおよびその製造方法並びにヘッドジンバルアセンブリおよびハードディスク装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、ハードディスク装置の面記録密度が著しく向上している。特に最近ではハードディスク装置の面記録密度は、１６０〜２００ギガバイト／プラッタに達し、更にそれを超える勢いである。これに伴い、薄膜磁気ヘッドの性能向上が求められている。
【０００３】
薄膜磁気ヘッドは、書込み用の誘導型電磁変換素子を有する記録ヘッドと、読み出し用の磁気抵抗効果素子（以下、ＭＲ（Ｍａｇｎｅｔｏｒｅｓｉｓｔｉｖｅ）素子ともいう）を有する再生ヘッドとを積層した構造の複合型薄膜磁気ヘッドが広く用いられている。
【０００４】
この種の複合型薄膜磁気ヘッドでは、記録ヘッドは、一般に記録媒体に対向する媒体対向面（エアベアリング面、ＡＢＳともいう）、下部磁極層、上部磁極層、記録ギャップ層および薄膜コイルとを有している。下部磁極層および上部磁極層は、媒体対向面の側において互いに対向する磁極部（対向磁極部）を有し、その対向磁極部から離れた位置に配置された連結部によって、互いに磁気的に連結されている。記録ギャップ層は、各対向磁極部の間に形成されている。薄膜コイルは下部磁極層および上部磁極層と絶縁され、少なくとも一部がこれらの間に配置されている。
【０００５】
記録ヘッドの性能、とりわけ記録密度を上げるためには、記録媒体におけるトラック密度の向上が必要である。そのためには、トラック幅、すなわち、２つの対向磁極部の媒体対向面における幅を数ミクロンからサブミクロン寸法まで小さくした狭トラック構造の記録ヘッドを実現しなければならないことから、記録ヘッドは半導体加工技術を利用して製造されていた。
【０００６】
記録ヘッドは、トラック幅を小さくしていくと、２つの対向磁極部の間で高密度の磁束を発生させることが難しくなってくるため、磁極部の材料に高い飽和磁束密度を有する磁性材料を用いることが望まれていた。
その一方、記録密度の向上に伴い記録信号の周波数が高くなってくると、記録ヘッドでは、磁束が変化する速度を向上させること、すなわち、フラックスライズタイムを短縮することが求められる。しかも、高周波帯域において、オーバライト特性や非線形トランジションシフト（Ｎｏｎ−ｌｉｎｅａｒ  Ｔｒａｎｓｉｔｉｏｎ  Ｓｈｉｆｔ）等の記録特性の劣化が少ないことが求められる。
【０００７】
高周波帯域における記録特性の向上のためには、記録ヘッドの磁路長を短くすることによって、周波数が高く変化の速い記録信号のすばやい変化に追従し得るようにすることが望ましい。磁路長は、主に、下部磁極層または上部磁極層における媒体対向面から連結部までの長さ（以下「ヨーク長」という）によって決まるので、磁路長の短縮にはヨーク長の短縮が有効である。また、媒体対向面から連結部までの間に薄膜コイルが巻かれる場合、ヨーク長の短縮には、薄膜コイルの巻線のうち、媒体対向面から連結部までの間に配置される部分のピッチ（以下「巻線ピッチ」という）を小さくすることが有効である。
【０００８】
従来の薄膜磁気ヘッドは、大別すると、連結部の周りに巻かれた平面渦巻き状の薄膜コイルを有する薄膜磁気ヘッド（下記特許文献１参照）と、下部磁極層と上部磁極層の少なくとも一方の周りに螺旋状に（ｈｅｌｉｃａｌ）巻回された薄膜コイルを有する薄膜磁気ヘッド（下記特許文献２，３，４参照）とがあった。
【０００９】
前者の薄膜磁気ヘッドは、磁束の多くを連結部の近傍に発生し、そのうち下部磁極層および上部磁極層により対向磁極部に導かれた磁束によって、情報を記録する。しかし、前者の薄膜磁気ヘッドでは、磁束の多くが連結部の周りに発生するため、発生する磁束は数パーセント程度しか記録に用いられてなく、磁束による記録が効率的に行われていなかった。そのため、前者の薄膜磁気ヘッドでは、記録に用いられる磁束を増やすため、薄膜コイルのターン数をできるだけ多くするようにしていた。そのための技術として、従来、例えば、第１のコイルの巻線間に第２のコイルの巻線を配置することによって、巻線ピッチを小さくする技術があった（下記特許文献５参照）。
【００１０】
また、後者の薄膜磁気ヘッドでは、薄膜コイルが媒体対向面の近くに配置されているため、前者に比較すると、発生する磁束が効率的に記録に用いられる。そのため、後者の薄膜磁気ヘッドは、平面渦巻き状の薄膜コイルを有する前者の薄膜磁気ヘッドよりも薄膜コイルのターン数を少なくすることができ、ヨーク長の短縮に有益であった。
【００１１】
前者、後者いずれの薄膜磁気ヘッドも、高周波帯域における記録特性を向上するためには、ヨーク長の短縮が有効である点には違いがなく、これを実現するためには、薄膜コイルの巻線ピッチを可能な限り小さくすることが有効である。また、記録に用いられる磁束を増やすためには、薄膜コイルのターン数を増やすことも有効である。これらをすべて実現させるためには、可能な限り巻線ピッチを小さくすることによって、ヨーク長を短縮し、薄膜コイルのターン数を増やせるようにする必要がある。そのためには薄膜コイルの各ターンの幅（ターン幅）を狭める必要がある。
【特許文献１】米国特許第６，０４３，９５９号明細書
【特許文献２】米国特許第５，９９５，３４２号明細書
【特許文献３】特開２０００−３１１３１１号公報
【特許文献４】米国特許第６，４５９，５４３Ｂ１号明細書
【特許文献５】米国特許第６，１９１，９１６Ｂ１号明細書
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１２】
しかし、薄膜コイルにおけるターン幅を狭めると、薄膜コイルの抵抗値が上昇し、薄膜コイルから発生する熱も多くなる。薄膜コイルから発生する熱が多くなると、その熱によって、薄膜コイルが自己膨張を引き起こす。すると、磁極部が記録媒体に近づくように突出し、記録媒体に衝突しやすくなってしまう。このことから、従来の薄膜磁気ヘッドは、ターン幅をあまり小さくすることができなかった。そのため、ヨーク長を短縮することもできなかった。
【００１３】
また、従来から、薄膜コイルはフレームめっき法で形成されている。フレームめっき法で用いるフレームは、各ターンの間に配置される壁部分を有している。その壁部分は、形状を維持するため、幅をある程度の大きさにしなければならないから、薄膜コイルをフレームめっき法で形成するときは、隣接するターンの間隔（ターン間隔）を小さくすることが難しくなるという問題がある。
【００１４】
そこで、本発明は、上記課題を解決するためになされたもので、抵抗値を上げることなく、高周波帯域における記録特性に優れた構造を備えた薄膜磁気ヘッドおよびその製造方法並びにヘッドジンバルアセンブリおよびハードディスク装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１５】
上記課題を解決するため、本発明は、記録媒体に対向する媒体対向面の側に互いに対向する磁極部を有し、磁気的に連結された第１および第２の磁極群と、各磁極部の間に形成された記録ギャップ層と、第１および第２の磁極群に対して絶縁され、第１および第２の磁極群の少なくとも一方の回りに螺旋状または第１および第２の磁極群を連結する連結部の回りに平面渦巻き状に巻回された薄膜コイルとが基板上に積層された構成を有し、薄膜コイルは、第１の磁極群と第２の磁極群との間に配置され、媒体対向面に沿って形成されている部分を備えた複数の内導体部を有し、その複数の内導体部の中で媒体対向面に沿って形成されている部分の長さが最も長い媒体対向面に沿った内導体部が最も媒体対向面に近い位置に配置されている第１の導体群と、第２の磁極群または連結部の外側に配置された複数の外導体部を有する第２の導体群と、各内導体部と各外導体部とを接続する接続部を有する接続部群とを有し、第１の導体群が、各内導体部が互いに絶縁膜を介して接触する絶縁接触構造を有し、第１の導体群よりも柔軟な材料からなり、第１の導体群における媒体対向面に沿った内導体部の媒体対向面に沿って形成されている部分の媒体対向面側に絶縁膜を介して接触し、媒体対向面に沿った内導体部を含む第１の導体群の自己膨張による幅の広がりを吸収する内緩和部を設けた薄膜磁気ヘッドを特徴とする。
この薄膜磁気ヘッドは第１の導体群が絶縁接触構造を有しているから、各内導体部の、それぞれ隣り合うもの同士の間に絶縁膜のみが介在し、それぞれの間隔がその絶縁膜の厚さに等しくなっている。また、内緩和部を設けたので、第１の導体群の自己膨張の影響を受け難くなっている。
【００１７】
そして、第２の導体群が、各外導体部が互いに絶縁膜を介して接触する絶縁接触構造を有し、第２の導体群よりも柔軟な材料からなり、第２の導体群と絶縁膜を介して接触し、その第２の導体群の自己膨張による幅の広がりを吸収する外緩和部を更に設けることもできる。
こうすると、各内導体部だけでなく、各外導体部も、それぞれ隣り合うもの同士の間に絶縁膜のみが介在して、それぞれの間隔がその絶縁膜の厚さに等しくなる。また、外緩和部を設けたので、第２の導体群の自己膨張の影響を受け難くなっている。
【００１９】
そして、第１の導体群および第２の導体群は、各内導体部および各外導体部の媒体対向面に交差する方向の配置密度が、第２の磁極群の外側からその第２の磁極群に向かって増加しているとよい。
この場合、薄膜磁気ヘッドは、第２の磁極群に近づくにしたがい各内導体部と外導体部がそれぞれ次第に密集し、巻線ピッチが小さくなるようになっている。
【００２０】
さらに、各内導体部および各外導体部は、第２の磁極群に対応する部分からその外側に向かって、経路幅が漸次広がる可変幅構造を有しているとよい。
これにより、各内導体部および各外導体部は、電流の流れを妨げることが少なくなるから、電流の流れがスムーズになる。
【００２１】
この薄膜磁気ヘッドの場合、第１の磁極群が、媒体対向面に向かって突出する突出部を有することが好ましい。
こうすると、各内導体部および各外導体部の経路幅を第１の磁極群に沿って変化させることができる。
【００２２】
また、各内導体部および各外導体部が、突出部に対応した箇所に、経路幅が最も狭い最狭部を有することが好ましい。
これにより、各内導体部および各外導体部は、経路幅が狭くなる範囲が極力少なくなっている。
【００２３】
さらに、突出部が、媒体対向面に向かって突出する曲面を有するとよい。
この場合、各内導体部および各外導体部の側部の形状を突出部に沿って変化させることができる。
【００２４】
そして、各内導体部および各外導体部が、突出部の側面形状に対応して湾曲していることが好ましい。
この場合、各内導体部および各外導体部の経路幅をなだらかに変化させることができる。
【００２５】
そして、本発明は、記録媒体に対向する媒体対向面の側に互いに対向する磁極部を有し、磁気的に連結された第１および第２の磁極群と、各磁極部の間に形成された記録ギャップ層と、その第１および第２の磁極群に対して絶縁され、第１および第２の磁極群の少なくとも一方の回りに螺旋状に巻回された薄膜コイルとを、基板上に積層して薄膜磁気ヘッドを製造する薄膜磁気ヘッドの製造方法であって、以下の（１）〜（１０）に示す各工程を有する薄膜磁気ヘッドの製造方法を提供する
（１）基板上に設けた第１の磁極層上に絶縁膜を介して接触し、媒体対向面に沿って形成されている部分を備えた複数の第１の内導体部および下部接続層と、ヨーク長を決める位置に配置された第２の磁極層とを、複数の第１の内導体部の中で媒体対向面に沿って形成されている部分の長さが最も長く、最も媒体対向面に近い位置に配置されている媒体対向面に沿った内導体部に隣接する緩和部用間隙を設けて形成する工程、
（２）第２の磁極層および互いに隣り合う各第１の内導体部の間と、緩和部用間隙に分離用絶縁膜で覆われた内溝部を形成する工程、
（３）各内溝部に、第１の内導体部よりも柔軟な材料からなり、媒体対向面に沿った内導体部の媒体対向面に沿って形成されている部分の媒体対向面側に分離用絶縁膜を介して接触する内緩和部と第２の内導体部とを形成し、第１および第２の内導体部により第１の導体群を形成する工程と、
（４）第２の磁極層上に第３の磁極層を積層して第１の磁極群を形成する工程、
（５）記録ギャップ層を設けるようにして、第１の磁極群上に第２の磁極群を形成する工程、
（６）下部接続層に上部接続層を配置して接続部群を形成する工程と、
（７）第２の磁極群に絶縁膜を介して接触する複数の第１の外導体部と、ヨーク長を決める位置に配置された絶縁部を形成する工程、
（８）絶縁部および互いに隣り合う各第１の外導体部の間に、分離用絶縁膜で覆われた外溝部を形成する工程、
（９）各外溝部に第２の外導体部を形成し、第１および第２の外導体部により第２の導体群を形成する工程、
（１０）第１および第２の導体群と、接続部群とによって、薄膜コイルを形成する工程。
これらの各工程を経ることにより、第１の導体群が絶縁接触構造を有し、第１の導体群に絶縁膜を介して接触する内緩和部を有する薄膜磁気ヘッドを得ることができる。
【００２６】
さらに本発明は、記録媒体に対向する媒体対向面の側に互いに対向する磁極部を有し、磁気的に連結された第１および第２の磁極群と、各磁極部の間に形成された記録ギャップ層と、第１および第２の磁極群に対して絶縁され、第１および第２の磁極群の少なくとも一方の回りに螺旋状に巻回された薄膜コイルとを、基板上に積層して薄膜磁気ヘッドを製造する薄膜磁気ヘッドの製造方法であって、以下の（１）〜（１０）に示す各工程を有する薄膜磁気ヘッドの製造方法を提供する。
（１）基板上に設けた第１の磁極層上に絶縁膜を介して接触し、媒体対向面に沿って形成されている部分を備えた複数の第１の内導体部および下部接続層と、ヨーク長を決める位置に配置された第２の磁極層とを、複数の第１の内導体部の中で媒体対向面に沿って形成されている部分の長さが最も長く、最も媒体対向面に近い位置に配置されている媒体対向面に沿った内導体部に隣接する内緩和部用間隙を設けて形成する工程、
（２）第２の磁極層および互いに隣り合う各第１の内導体部の間と、内緩和部用間隙に分離用絶縁膜で覆われた内溝部を形成する工程、
（３）各内溝部に、第１の内導体部よりも柔軟な材料からなり、媒体対向面に沿った内導体部の媒体対向面に沿って形成されている部分の媒体対向面側に分離用絶縁膜を介して接触する内緩和部と第２の内導体部とを形成し、第１および第２の内導体部により第１の導体群を形成する工程、
（４）第２の磁極層上に第３の磁極層を積層して第１の磁極群を形成する工程、
（５）記録ギャップ層を設けるようにして、第１の磁極群上に第２の磁極群を形成する工程、
（６）下部接続層に上部接続層を配置して接続部群を形成する工程、
（７）第２の磁極群に絶縁膜を介して接触する複数の第１の外導体部と、ヨーク長を決める位置に配置された絶縁部とを、第１の外導体部に隣接する外緩和部用間隙を設けて形成する工程、
（８）絶縁部および互いに隣り合う各第１の外導体部の間と、外緩和部用間隙に分離用絶縁膜で覆われた外溝部を形成する工程、
（９）各外溝部に、第１の外導体部よりも柔軟な材料からなる外緩和部と第２の外導体部とを形成し、第１および第２の外導体部により第２の導体群を形成する工程、
（１０）第１および第２の導体群と、接続部群とによって、薄膜コイルを形成する工程。
これらの各工程を経ることにより、第１、第２の導体群が絶縁接触構造を有し、第１、第２の導体群にそれぞれ絶縁膜を介して接触する内緩和部、外緩和部を有する薄膜磁気ヘッドを得ることができる。
【００２７】
上記製造方法の場合、第１の内導体部、第２の内導体部、第１の外導体部および第２の外導体部をそれぞれめっきにより形成することができる。
また、第２の内導体部および第２の外導体部は、電極膜をスパッタ法により形成し、その電極膜上にめっきによる導電層を形成することによって、形成することもできる。
さらに、分離用絶縁膜を複数のアルミナ膜を積層して形成することもできる。
【００２８】
そして、本発明は、基台上に形成された薄膜磁気ヘッドと、基台を固定するジンバルとを備え、薄膜磁気ヘッドは、記録媒体に対向する媒体対向面の側に互いに対向する磁極部を有し、磁気的に連結された第１および第２の磁極群と、各磁極部の間に形成された記録ギャップ層と、第１および第２の磁極群に対して絶縁され、第１および第２の磁極群の少なくとも一方の回りに螺旋状または第１および第２の磁極群を連結する連結部の回りに平面渦巻き状に巻回された薄膜コイルとが基板上に積層された構成を有し、薄膜コイルは、第１の磁極群と第２の磁極群との間に配置され、媒体対向面に沿って形成されている部分を備えた複数の内導体部を有し、その複数の内導体部の中で媒体対向面に沿って形成されている部分の長さが最も長い媒体対向面に沿った内導体部が最も媒体対向面に近い位置に配置されている第１の導体群と、第２の磁極群または連結部の外側に配置された複数の外導体部を有する第２の導体群と、各内導体部と各外導体部とを接続する接続部を有する接続部群とを有し、第１の導体群が、各内導体部が互いに絶縁膜を介して接触する絶縁接触構造を有し、第１の導体群よりも柔軟な材料からなり、第１の導体群における媒体対向面に沿った内導体部の媒体対向面に沿って形成されている部分の媒体対向面側に絶縁膜を介して接触し、媒体対向面に沿った内導体部を含む第１の導体群の自己膨張による幅の広がりを吸収する内緩和部を設けたヘッドジンバルアセンブリを提供する。
【００２９】
また、本発明は、薄膜磁気ヘッドを有するヘッドジンバルアセンブリと、薄膜磁気ヘッドに対向する記録媒体とを備え、薄膜磁気ヘッドは、記録媒体に対向する媒体対向面の側に互いに対向する磁極部を有し、磁気的に連結された第１および第２の磁極群と、各磁極部の間に形成された記録ギャップ層と、第１および第２の磁極群に対して絶縁され、第１および第２の磁極群の少なくとも一方の回りに螺旋状または第１および第２の磁極群を連結する連結部の回りに平面渦巻き状に巻回された薄膜コイルとが基板上に積層された構成を有し、薄膜コイルは、第１の磁極群と第２の磁極群との間に配置され、媒体対向面に沿って形成されている部分を備えた複数の内導体部を有し、その複数の内導体部の中で媒体対向面に沿って形成されている部分の長さが最も長い媒体対向面に沿った内導体部が最も媒体対向面に近い位置に配置されている第１の導体群と、第２の磁極群または連結部の外側に配置された複数の外導体部を有する第２の導体群と、各内導体部と各外導体部とを接続する接続部を有する接続部群とを有し、第１の導体群が、各内導体部が互いに絶縁膜を介して接触する絶縁接触構造を有し、第１の導体群よりも柔軟な材料からなり、第１の導体群における媒体対向面に沿った内導体部の媒体対向面に沿って形成されている部分の媒体対向面側に絶縁膜を介して接触し、媒体対向面に沿った内導体部を含む第１の導体群の自己膨張による幅の広がりを吸収する内緩和部を設けたハードディスク装置を提供する。
【発明の効果】
【００３０】
本発明によれば、抵抗値を上げることなく、高周波帯域における記録特性に優れた構造を備えた薄膜磁気ヘッドおよびその製造方法並びにヘッドジンバルアセンブリおよびハードディスク装置を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３１】
以下、本発明の実施の形態について図面を参照しつつ説明する。なお、同一要素には同一符号を用い、重複する説明は省略する。
【００３２】
第１の実施の形態
（薄膜磁気ヘッドの構造）
まず、図１〜図４を参照して、本発明の第１の実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドの構造について説明する。ここで、図１は本発明の第１の実施の形態に係る薄膜磁気ヘッド３００の主要部を示す分解斜視図である。図２は、薄膜コイル１１０を構成する第１の導体群１１７および接続部群１３０を示す平面図、図３は同じく第２の導体群１２０を示す平面図である。図４（ａ）は図２のＩＶ−ＩＶ線断面図であり、図４（ｂ）はエアベアリング面３０に平行な断面図である。
【００３３】
第１の実施の形態にかかる薄膜磁気ヘッド３００は、基板１と、基板１に積層された再生ヘッドおよび記録ヘッド（誘導型電磁変換素子）とを有し、記録媒体に対向する媒体対向面としてのエアベアリング面３０を有している。なお、以下では、薄膜磁気ヘッド３００の主要部の構造について説明し、薄膜磁気ヘッドの構造のその他の部分については、後述する製造工程の中で説明する。
【００３４】
再生ヘッドは、エアベアリング面３０の近傍に配置された磁気的信号検出用のＧＭＲ素子５を有している。また、再生ヘッドはエアベアリング面３０側においてＧＭＲ素子５を挟んで対向するように配置され、ＧＭＲ素子５をシールドしている下部シールド層３および上部シールド層８を有し、さらに、ＧＭＲ素子５と下部シールド層３との間に配置された下部シールドギャップ膜４と、ＧＭＲ素子５と上部シールド層８との間に配置された上部シールドギャップ膜７とを有している。
【００３５】
記録ヘッドは、下部磁極層１０、上部磁極層２５、記録ギャップ層２４および薄膜コイル１１０を有し、これらが基板１上に積層された構成を有している。下部磁極層１０および上部磁極層２５は、エアベアリング面３０の側に互いに対向する磁極部（対向磁極部）を有し、後述する連結部３１において互いに磁気的に連結されている。記録ギャップ層２４は、下部磁極層１０の対向磁極部と上部磁極層２５の対向磁極部との間に形成されている。薄膜コイル１１０は、下部磁極層１０および上部磁極層２５に対して絶縁された状態で、上部磁極層２５の回りに螺旋状に巻回されている。本実施の形態における下部磁極層１０と上部磁極層２５は、それぞれ本発明における第１の磁極群と第２の磁極群に対応している。
【００３６】
下部磁極層１０は、図４に示すように、第１の磁極部１０ａと、第２の磁極部１０ｂと、第３の磁極部１０ｃとを有し、第４の磁極部１０ｄと、第５の磁極部１０ｅと、第６の磁極部１０ｆおよび第７の磁極部１０ｇを有している。
第１の磁極部１０ａは、薄膜コイル１１０の後述する第１の導体群１１７に対向するように配置されている。第２の磁極部１０ｂは、エアベアリング面３０の近傍において、第１の磁極部１０ａよりも上部磁極層２５側に突出するようにして、第１の磁極部１０ａに接続されている。第３の磁極部１０ｃは、第１の導体群１１７、後述する第２の導体群１２０の一部を挟んでエアベアリング面３０から離れた位置において、第１の磁極部１０ａよりも上部磁極層２５側に突出するようにして、第１の磁極部１０ａに接続されている。この第３の磁極部１０ｃは図２に示すように、柱部３２ａと、柱部３２ａからエアベアリング面３０側に向かって突出する突出部３２ｂとを有し、突出部３２ｂは円柱の一部をなす曲面（円柱状曲面）を有している。柱部３２ａは、平面形状が長方形の柱状に形成されている。
【００３７】
第３の磁極部１０ｃ、第５の磁極部１０ｅおよび第７の磁極部１０ｇは上部磁極層２５と下部磁極層１０とを磁気的に連結する連結部３１を構成している（図４（ａ）参照）。また、第６の磁極部１０ｆのうち、記録ギャップ層２４を挟んで後述するトラック幅規定部２５Ａと対向する部分が、本発明における対向磁極部となっている。第６の磁極部１０ｆは、トラック幅規定部２５Ａと対向する部分において、第４の磁極部１０ｄよりもエアベアリング面３０との間の幅が狭くなっていて、これにより、記録ギャップ層２４が多段構成になっている。
【００３８】
また、下部磁極層１０と上部磁極層２５は、図４（ｂ）に示すように、トリム構造を有している。このトリム構造により、狭トラックの書込み時に発生する磁束の広がりによる実効的な記録トラック幅の増加が防止されるようになっている。
上部磁極層２５は図１に示すように、エアベアリング面３０側において記録ギャップ層２４に接する第１の磁極部２５ａと、第１の磁極部２５ａの上に配置された第２の磁極部２５ｂとを有している。また、上部磁極層２５は、トラック幅規定部２５Ａと、ヨーク部２５Ｂとを有している。トラック幅規定部２５Ａは、本発明における対向磁極部であって、記録トラック幅を規定する。また、トラック幅規定部２５Ａは、エアベアリング面３０に配置される端部を有し、この端部からヨーク部２５Ｂにつながる腕部を有している。ヨーク部２５Ｂは、一定の幅を有する定幅部と、定幅部からトラック幅規定部２５Ａに近づくにしたがい、漸次幅が狭まる先細部とを有している。
【００３９】
薄膜コイル１１０は、第１の導体群１１７と、第２の導体群１２０と、接続部群１３０とを有し、これらがつながることによって、一連の６ターンループを形成し、上部磁極層２５の回りに螺旋状に巻回されている。
図２および図４（ａ）に示すように、第１の導体群１１７は、下部磁極層１０と上部磁極層２５との間に配置された第１の内導体部１１１，１１３，１１５と、第２の内導体部１１２，１１４，１１６とを有している。第１の導体群１１７は、各内導体部１１１〜１１６の互いに隣り合うもの同士が後述する分離用絶縁膜１５を介して接触する絶縁接触構造を有し、第１の磁極部１０ａにおける絶縁膜１１が配置された領域に設けられている。また、内導体部１１１が分離用絶縁膜１５を介して後述する内緩和部１００に接触し、内導体部１１６が第３の磁極部１０ｃに分離用絶縁膜１５を介して接触している（図１および図４（ａ）参照）。
【００４０】
各内導体部１１１〜１１６は、それぞれ矩形状端部１１１ａ〜１１６ａと、矩形状端部１１１ｂ〜１１６ｂとを有し、各矩形状端部の間の部分がエアベアリング面３０に沿った方向（図２のＹ方向）に長いつなぎ部１１１ｃ〜１１６ｃとなっている。そして、第１の導体群１１７は、各つなぎ部１１１ｃ〜１１６ｃにおいて、エアベアリング面３０に交差する方向（交差方向、図２および図３におけるＸ方向）の配置密度が変化する密度変化構造を有している。つまり、内導体部１１１〜１１６は、エアベアリング面３０から突出部３２ｂまでの最短ライン５０の長さと等しい幅Ｗの領域に配置されている個数（配置数）が、上部磁極層２５の外側から上部磁極層２５に向かい１本から６本まで順次増加している。これにより、第１の導体群１１７は、上部磁極層２５に近づくにしたがい内導体部１１１〜１１６が次第に密集し、巻線ピッチが小さくなるようになっている。
【００４１】
また、内導体部１１１〜１１６は、上部磁極層２５に対応する部分からその外側に向かって、それぞれの電流の流れる方向に交差する方向の幅（経路幅）が漸次広がる可変幅構造を有し、第３の磁極部１０ｃの突出部３２ｂに対応した箇所に、その経路幅が最も狭い最狭部を有している。
【００４２】
分離用絶縁膜１５は、厚さが第１の導体群１１７の底部と下部磁極層１０との間の最短距離以下に形成されている。つまり、図４（ａ）に示すように、第１の導体群１１７と下部磁極層１０との間の最短距離は、内導体部１１１，１１３，１１５の底部と下部磁極層１０との間に介在している絶縁膜１１の厚さと等しく、分離用絶縁膜１５の厚さが絶縁膜１１の厚さ以下になっている。
【００４３】
次に、図３に示すように、第２の導体群１２０は、いずれも上部磁極層２５の外側における第１の導体群１１７とは異なる平面上に配置された第１の外導体部１２１，１２３，１２５と、第２の外導体部１２２，１２４，１２６とを有している。また、第２の導体群１２０は、各外導体部１２１〜１２６の互いに隣り合うもの同士が分離用絶縁膜３４を介して接触する絶縁接触構造を有している。そして、外導体部１２１が分離用絶縁膜３４を介して後述する外緩和部１０１に接触し、外導体部１２６が絶縁部３３に分離用絶縁膜３４を介して接触している（図４（ａ）参照）。
【００４４】
外導体部１２１〜１２６はそれぞれ矩形状端部１２１ａ〜１２６ａと、矩形状端部１２１ｂ〜１２６ｂとを有し、各矩形状端部の間の部分がエアベアリング面３０に沿った方向に長いつなぎ部１２１ｃ〜１２６ｃとなっている。第２の導体群１２０は、第１の導体群１１７と同様に、外導体部１２１〜１２６のつなぎ部１２１ｃ〜１２６ｃにおいて、エアベアリング面３０に交差する方向の配置密度が変化する密度変化構造を有している。
【００４５】
また、外導体部１２１〜１２６も、上部磁極層２５に対応する部分からその外側に向かって、それぞれの経路幅が漸次広がる可変幅構造を有し、第３の磁極部１０ｃの突出部３２ｂに対応した箇所に、その経路幅が最も狭い最狭部を有している。
【００４６】
接続部群１３０は、複数の接続部１３１〜１４２を有している。接続部１３１〜１４１は、各内導体部１１１〜１１６と各外導体部１２１〜１２６とを接続するために設けられたもので、上部磁極層２５よりも外側において、エアベアリング面３０に沿って配置され、次のようにして設けられている。すなわち、接続部１３１，１３３，１３５，１３７，１３９，１４１は、それぞれ、外導体部１２１〜１２６の矩形状端部１２１ｂ〜１２６ｂと、内導体部１１１〜１１６の矩形状端部１１１ａ〜１１６ａとを接続するように設けられている。また、接続部１３２，１３４，１３６，１３８，１４０は、それぞれ、外導体部１２２〜１２６の矩形状端部１２２ａ〜１２６ａと、内導体部１１１〜１１５の矩形状端部１１１ｂ〜１１５ｂとを接続するように設けられている。さらに、接続部１４２は、リード層１２７と内導体部１１６の矩形状端部１１６ｂとを接続するように設けられている。
【００４７】
そして、薄膜コイル１１０は、外導体部１２１から接続部１３１を介して内導体部１１１へとつながり、さらに、内導体部１１１から接続部１３２を介して外導体部１２２へとつながり、これによって、１ターンのループを形成している。以下同様にして５ターンのループが形成されることによって、薄膜コイル１１０が全体で一連の螺旋状ループを形成している。その後、薄膜コイル１１０はリード層１２７から図示しない外部の電極パッドに接続されている（外導体部１２１にも図示しない電極パッドが接続されている）。
【００４８】
薄膜磁気ヘッド３００では、薄膜コイル１１０のエアベアリング面３０側に配置された内導体部１１１と、同じく、エアベアリング面３０側に配置された外導体部１２１とがそれぞれ分離用絶縁膜１５，３４を介して、内緩和部１００、外緩和部１０１に接触している。これら内緩和部１００、外緩和部１０１は、内導体部１１１および外導体部１２１と、エアベアリング面３０との間において、それぞれ第２の磁極部１０ｂ、絶縁部３３と接触するように形成されている。内緩和部１００、外緩和部１０１は、薄膜コイル１１０と、下部磁極層１０および上部磁極層２５のいずれか少なくとも一方よりも柔軟な材料からなり、例えばフォトレジストや、ポリイミド樹脂、ＳＯＧ（Ｓｐｉｎ  Ｏｎ  Ｇｌａｓｓ）膜等をスピンコータにより塗布する技術で形成することができる。
【００４９】
また、内緩和部１００、外緩和部１０１は、好ましくは薄膜コイル１１０または下部磁極層１０のいずれか少なくとも一方よりも自己(熱)膨張率の小さい方が好ましい。その方が、薄膜コイル１１０の自己膨張によって、第２の磁極部１０ｂを横方向（Ｘ方向）に押しやる力を効果的に抑制することができる。内緩和部１００および外緩和部１０１は、薄膜コイル１１０および下部磁極層１０よりも自己(熱)膨張率が大きくてもよいが、その場合は、内導体部１１１、外導体部１２１よりも、エアベアリング面３０に交差するＸ方向の幅を狭くするように寸法を調節すればよい。
【００５０】
以上のように、薄膜磁気ヘッド３００では、薄膜コイル１１０が絶縁接触構造を有し、第１の導体群１１７を構成する各内導体部１１１〜１１６と、第２の導体群１２０を構成する各外導体部１２１〜１２６とが絶縁膜（それぞれ、分離用絶縁膜１５，３４）を介して接触している。そのため、各内導体部１１１〜１１６と各外導体部１２１〜１２６は、それぞれ互いに隣り合うもの同士の間に絶縁膜のみが介在し、それぞれの間隔がその絶縁膜（分離用絶縁膜１５，３４）の厚さに等しくなっている。よって、各内導体部１１１〜１１６は、隣り合うもの同士の間の隙間がほとんどなく密集して高密に配置され、各外導体部１２１〜１２６も隣り合うもの同士の間の隙間がほとんどなく密集して高密に配置されている。したがって、各内導体部、各外導体部の経路幅をあまり狭めなくても、ヨーク長を短縮することができる。また、各内導体部、各外導体部の経路幅をあまり狭めなくてもよいので、電流の流れを妨げることが少なく、したがって、抵抗値の上昇が抑制されている。
【００５１】
そして、第３の磁極部１０ｃが上部磁極層２５と下部磁極層１０とを磁気的に連結する連結部３１の一部を構成しているから、第３の磁極部１０ｃ（の突出部３２ｂ）とエアベアリング面３０との間の最短距離、すなわち、最短ライン５０の長さがヨーク長になる。したがって、第１の導体群１１７と、第２の導体群１２０が上述の高密配置を有していることによって、薄膜磁気ヘッド３００では、ヨーク長がより短縮されている。
【００５２】
しかも、第１の導体部群１１７の両側に位置する内導体部１１１，１１６が分離用絶縁膜１５のみを介して、それぞれ内緩和部１００、第３の磁極部１０ｃに接触しており、このことがヨーク長の一層の短縮化に寄与している。
そして、薄膜コイル１１０は、第１の導体群１１７と第２の導体群１２０とが密度変化構造を有している。そのため、幅Ｗを狭めてヨーク長を短縮しても、最短ライン５０上に巻線が確保され、薄膜コイル１１０のターン数が確保されるようになっている。したがって、薄膜磁気ヘッド３００は、ターン数を確保しながらヨーク長を短縮することが可能である。これにより、高周波帯域における記録特性に優れた薄膜磁気ヘッドが実現される。しかも、薄膜コイル１１０における密度変化構造を有する部分、すなわち、各つなぎ部１１１ｃ〜１１６ｃ、１２１ｃ〜１２６ｃがエアベアリング面３０のごく近傍に配置されるので、薄膜コイル１１０から発生する磁束が効率的に記録に用いられる。
【００５３】
また、内導体部１１１と第２の磁極部１０ｂとの間、および外導体部１２１と絶縁部３３との間に、それぞれ内緩和部１００、外緩和部１０１が形成されている。内緩和部１００および外緩和部１０１は、薄膜コイル１１０と下部磁極層１０および上部磁極層２５のいずれか少なくとも一方よりも柔軟な材料からなっている。そのため、薄膜コイル１１０が自ら生成する熱により膨張する自己膨張が発生しても、薄膜コイル１１０の自己膨張による幅の広がりを、内導体部１１１のエアベアリング面３０側に隣接する内緩和部１００と、外導体部１２１のエアベアリング面３０側に隣接する外緩和部１０１とによって吸収することができる。つまり、内緩和部１００および外緩和部１０１は、薄膜コイル１１０の自己膨張による幅の広がりを吸収するクッション材の役割を有している。薄膜磁気ヘッド３００は、ターン幅の縮小化および高密配置に伴い、薄膜コイル１１０が自己膨張を発生しやすくなっても、磁極部が記録媒体に近づくように突出することがないから、ターン数を確保しながらヨーク長を一層短縮することが可能である。
【００５４】
特に、薄膜磁気ヘッド３００は、第１、第２の導体群１１７，１２０の双方を絶縁接触構造で形成し、隣接する各内導体部１１１〜１１６同士の間および各外導体部１２１〜１２６同士の間にはそれぞれ分離用絶縁膜１５，３４しか存在しないように高密配置になっている。そのため、各内導体部１１１〜１１６と、各外導体部１２１〜１２６とは互いに自己膨張の影響を受け易い構造になっている。したがって、薄膜磁気ヘッド３００では、薄膜コイル１１０の自己膨張による幅の広がりを吸収する内緩和部１００、外緩和部１０１の作用が一層効果的なものとなっている。
【００５５】
さらに、各内導体部１１１〜１１６と各外導体部１２１〜１２６とを接続する各接続部１３１〜１４２が、上部磁極層２５よりも外側において、エアベアリング面３０に沿って配置されている。そのため、エアベアリング面３０から各接続部までの距離が短縮されている。したがって、薄膜磁気ヘッド３００の全体の大きさが小さくなり、薄膜磁気ヘッド３００の小型化が可能である。
【００５６】
そして、各内導体部１１１〜１１６と各外導体部１２１〜１２６とは、上述のような可変幅構造を有しているから、電流の流れを妨げることが少なく、抵抗値の上昇を抑制することができる。したがって、薄膜磁気ヘッド３００は、薄膜コイル１１０による熱の発生を効果的に抑制することができる。また、第３の磁極部１０が突出部３２ｂを有しているから、その突出部３２ｂに対応して各内導体部１１１〜１１６および各外導体部１２１〜１２６の幅が変化している。そして、各内導体部１１１〜１１６および各外導体部１２１〜１２６は、突出部３２ｂに対応した箇所に最狭部を有しているから、経路幅が狭くなる範囲が極力小さくなっている。よって、より一層電流が流れやすくなり、抵抗値の上昇が抑制されるようになっている。
【００５７】
なお、詳しくは後述するが、分離用絶縁膜１５はＣＶＤ法によって形成される複数の薄いアルミナ膜が積層されてなっているから、緻密な膜である。そのため最短ライン５０上に配置される第２の磁極部１０ｂから、第１の導体群１１７および第３の磁極部１０ｃまでのそれぞれについて、相互の間隔を極めて小さくしながら確実に絶縁することができる。
【００５８】
後述するように、第２の磁極部１０ｂ、第４の磁極部１０ｄ、第６の磁極部１０ｆおよび上部磁極層２５の材料として、高飽和磁束密度材料を用いることができるが、そうすると、磁路の途中で磁束の飽和を防止することができる。その結果、薄膜コイル１１０で発生した起磁力を効率よく記録に用いることができる。
【００５９】
ところで、例えば上述した特許文献１に記載されているように、上部磁極層が幅の小さな磁極部分層と、その上面に接続された幅の大きなヨーク部分層とを含む薄膜磁気ヘッドでは、特に記録トラック幅が小さくなったときに以下のような問題が生じる。すなわち、まず、この種の薄膜磁気ヘッドでは、磁極部分層とヨーク部分層との接続部分で磁路の断面積が急激に減少するため、この部分で磁束の飽和が生じ、ヨーク部分層から磁極部分層へ磁束が十分に伝達されないおそれがある。そのため、この薄膜磁気ヘッドではオーバライト特性が劣化するおそれがある。
【００６０】
また、上部磁極層が磁極部分層とヨーク部分層とを含む上記薄膜磁気ヘッドでは、ヨーク部分層から記録媒体に向けて磁束が漏れ、幅の大きなヨーク部分層によって、記録媒体に対して、データを記録すべき領域以外の領域にデータを書き込んでしまう、いわゆるサイドライトや、データを消去すべきでない領域のデータを消去してしまう、いわゆるサイドイレーズが発生するおそれがある。いずれの場合にも、実効トラック幅が所望のトラック幅よりも大きくなってしまう。また、磁極部分層とヨーク部分層との位置関係は、フォトリゾグラフィにおけるアライメントによって決定されるため、所望の位置関係からずれるときもある。そうなると、サイドライトやサイドイレーズが顕著に発生してしまう。
【００６１】
これに対し、上述した薄膜磁気ヘッド３００では、トラック幅を規定する上部磁極層２５は平坦な層になっているので、磁極部分層とヨーク部分層との接続部分における磁束の飽和は発生しない。したがって、本実施の形態によれば、オーバライト特性の劣化や、上述のようなサイドライトやサイドイレーズが発生することはない。
【００６２】
また、薄膜磁気ヘッド３００は、平坦な下地の上に平坦な上部磁極層２５を形成しているから、上部磁極層２５のトラック幅規定部を微細にかつ精度よく形成することができる。これにより、例えば従来は薄膜磁気ヘッドを量産するときには困難とされた０．２μｍ以下のトラック幅を実現することが可能になる。
【００６３】
（薄膜磁気ヘッドの製造方法）
次に、上述の図１〜図４（ａ），（ｂ）とともに、図５（ａ），（ｂ）〜図２５（ａ），（ｂ）を参照して、上述の構造を有する第１の実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドの製造方法について説明する。
【００６４】
ここで、図５（ａ）〜図２５（ａ）は、図２のＩＶ−ＩＶ線に対応する各製造工程における断面を示している。図５（ｂ）〜図２５（ｂ）は、対向磁極部のエアベアリング面３０に平行な断面を示している。
【００６５】
本実施の形態に係る製造方法では、まず、図５（ａ），（ｂ）に示すように、例えばアルミニウムオキサイド・チタニウムカーバイド（Ａｌ２Ｏ３・ＴｉＣ）よりなる基板１の上に、例えばアルミナ（Ａｌ２Ｏ３）よりなる絶縁層２を約２〜５μｍの厚さで堆積する。次に、絶縁層２の上に、磁性材料（例えばパーマロイ）よりなる再生ヘッド用の下部シールド層３を約２〜３μｍの厚さで堆積する。下部シールド層３は、例えば、フォトレジストをマスクにして、めっき法によって絶縁層２の上に選択的に形成する。次に、図示しないが、全体に、例えばアルミナよりなる絶縁層を、例えば約３〜４μｍの厚さで形成し、その絶縁膜を下部シールド層３が露出するまで、例えば化学機械研摩（以下「ＣＭＰ」という）により研摩して、表面の平坦化処理を行う。
【００６６】
次に、下部シールド層３の上に、絶縁膜としての下部シールドギャップ膜４を例えば、約２０〜４０ｎｍの厚さで形成する。そして、下部シールドギャップ膜４の上に、ＧＭＲ素子５を数十ｎｍの厚みで形成する。このＧＭＲ素子５は、例えばスパッタによって形成したＧＭＲ膜を選択的にエッチングすることによって形成する。また、ＧＭＲ素子５はエアベアリング面３０が形成される位置の近傍に配置する。なお、ＧＭＲ素子５には、ＡＭＲ素子、ＭＲ素子、あるいはＴＭＲ（トンネル磁気抵抗効果）素子等の磁気抵抗効果を示す感磁膜を用いた素子を用いることができる。
【００６７】
次に、図示しないが、下部シールドギャップ膜４の上に、ＧＭＲ素子５に電気的に接続される一対の電極層を数十ｎｍの厚さで形成する。さらに、下部シールドギャップ膜４およびＧＭＲ素子５の上に、絶縁膜としての上部シールドギャップ膜７を例えば約２０〜４０ｎｍの厚さで形成し、ＧＭＲ素子５を下部シールドギャップ膜４と上部シールドギャップ膜７の中に埋設する（なお図示の都合上、下部シールドギャップ膜４と上部シールドギャップ膜７の境界の表示を省略している）。下部シールドギャップ膜４と上部シールドギャップ膜７に使用する絶縁材料としては、アルミナ、窒化アルミニウム、ダイヤモンドライクカーボン（ＤＬＣ）等がある。また、下部シールドギャップ膜４と上部シールドギャップ膜７はスパッタ法により形成してもよいし、化学的気相成長法（以下「ＣＶＤ法」という）により形成してもよい。
【００６８】
次に、上部シールドギャップ膜７の上に、磁性材料よりなる再生ヘッド用の上部シールド層８を約１．０〜１．５μｍの厚さで、例えばＮｉＦｅにより選択的に形成する。そして、ここまでの工程で得られた積層体の上面全体の上に、例えばアルミナよりなり、上部シールド層８と後に形成される記録ヘッドとを分離する絶縁層９を例えば約０．２〜０．３μｍの厚さで形成する。
次に、図６（ａ），（ｂ）に示すように、絶縁層９の上に、本発明における第１の磁極層として、下部磁極層１０を構成する第１の磁極部１０ａを例えば０．５〜１．０μｍの厚さで形成する。
【００６９】
この場合、第１の磁極部１０ａは、高飽和磁束密度材料であるＣｏＮｉＦｅ（２．３Ｔ）、ＣｏＦｅＮ（２．４Ｔ）等を材料に用い、スパッタ法で形成する。なお、第１の磁極部１０ａは、材料としてＮｉＦｅ（Ｎｉ：８０重量％、Ｆｅ：２０重量％）や、高飽和磁束密度材料であるＮｉＦｅ（Ｎｉ：４５重量％、Ｆｅ：５５重量％）等を材料に用い、めっき法によって形成してもよい。ここでは、一例として、飽和磁束密度がＣｏＮｉＦｅ（２．３Ｔ）または２．４ＴのＣｏＦｅＮを用いて、スパッタ法で形成する場合を想定している。
【００７０】
次に、第１の磁極部１０ａの上に、例えばアルミナよりなる絶縁膜１１を例えば０．２μｍの厚さで形成する。続いて、その絶縁膜１１を選択的にエッチングして、第２の磁極部１０ｂと、第３の磁極部１０ｃを形成すべき位置において、絶縁膜１１に開口部を設ける。
そして、図示しないが、第１の磁極部１０ａおよび絶縁膜１１を覆うように、例えばスパッタ法により、導電性材料よりなる電極膜を約５０〜８０ｎｍの厚さで形成する。この電極膜はめっきの際の電極およびシード層として機能する。
【００７１】
さらに、図示しないが、電極膜の上にフォトリゾグラフィによって、フレームを形成する。このフレームは、薄膜コイル１１０を構成する第１の内導体部１１１，１１３，１１５をフレームめっき法によって設けるために形成する。
次に、図７（ａ），（ｂ）に示すように、電極膜を用いて電気めっきを行い、例えばＣｕ（銅）よりなるめっき層を形成する。このめっき層およびその下の図示しない電極膜が第１の内導体部１１１，１１３，１１５を構成する。第１の内導体部１１１，１１３，１１５の厚さは、例えば３．０〜３．５μｍである。なお、図７（ａ），（ｂ）には示していないが、このめっき層を形成するときに、各矩形状端部も形成されている。次に、フレームを除去した後、電極膜について、第１の内導体部１１１，１１３，１１５（それぞれの矩形状端部を含む）の下に存在する部分を残し、その他の部分を例えばイオンビームエッチングにより除去する。
【００７２】
そして、図示しないが、フォトリゾグラフィによって、第１の磁極部１０ａおよび絶縁膜１１の上にフレームを形成する。このフレームは第２の磁極部１０ｂおよび第３の磁極部１０ｃをフレームめっき法によって設けるために形成する。
続いて、電気めっきを行い、第１の磁極部１０ａの上に、本発明における第２の磁極層として、ヨーク長を決める位置に配置された第３の磁極部１０ｃとともに、第２の磁極部１０ｂをそれぞれ磁性材料を用いて、例えば３．５〜４．０μｍの厚さで形成する。このとき、第２の磁極部１０ｂと、第１の内導体部１１１との間に、内緩和部１００を形成するための内緩和部用間隙１０２を第１の内導体部１１１に隣接するように設ける。なお、内緩和部用間隙１０２は第１の内導体部１１１よりも幅を狭くしている。
【００７３】
また、第２の磁極部１０ｂおよび第３の磁極部１０ｃの材料としては、例えば高飽和磁束密度材料が用いられる。例えば、飽和磁束密度が２．３ＴのＣｏＮｉＦｅや、飽和磁束密度が２．４ＴのＣｏＦｅＮを用いることができる。本実施の形態では、第２の磁極部１０ｂおよび第３の磁極部１０ｃを電気めっきによって形成する際に、特別な電極膜を設けることなく、パターニングされていない第１の磁極部１０ａをめっき用の電極およびシード層として用いる。
なお、上述のように、第１の内導体部１１１，１１３，１１５を形成した後に第２の磁極部１０ｂおよび第３の磁極部１０ｃを形成する代わりに、第２の磁極部１０ｂおよび第３の磁極部１０ｃを形成した後に第１の内導体部１１１，１１３，１１５を形成してもよい。
【００７４】
さらに、図８（ａ），（ｂ）に示すように、積層体の上面全体を覆うように、各内導体部、第２の磁極部１０ｂおよび第３の磁極部１０ｃを分離するための、アルミナよりなる分離用絶縁膜１５（膜厚は約０．１μｍ）を例えばＣＶＤ法によって形成する。これにより、第２の磁極部１０ｂと内導体部１１１との間、すなわち、内緩和部用間隙１０２と、各内導体部１１１，１１３，１１５の間と、内導体部１１５と第３の磁極部１０ｃとの間に、それぞれ分離用絶縁膜１５で覆われた内溝部が複数形成される。なお、分離用絶縁膜１５の厚さは絶縁膜１１の厚さ以下、すなわち、０．２μｍ以下にするのが好ましく、特に０．０８〜０．１５μｍの範囲内に設定するのが好ましい。この分離用絶縁膜１５は例えば減圧下で１００℃以上の温度下で、薄膜形成に用いられる材料としてのＨ２Ｏ、Ｎ２、Ｎ２ＯまたはＨ２Ｏ２と、薄膜形成に用いられる材料としてのＡｌ（ＣＨ３）３またはＡｌＣｌ３が交互に断続的に噴射されることにより、ＣＶＤ法によって形成される膜でもよい。この形成方法によると複数の薄いアルミナ膜が積層されることにより、所望の厚さを有する分離用絶縁膜１５が得られ、各内導体部を互いの間隔を狭めつつ確実に絶縁することができる。
【００７５】
次に、図９（ａ），（ｂ）に示すように、分離用絶縁膜１５で覆われた内緩和部用間隙１０２に、フォトレジスト、ポリイミド樹脂、ＳＯＧ等からなる被膜を選択的に形成する。すると、内緩和部用間隙１０２に内緩和部１００が形成される。その後第２の磁極部１０ｂおよび第３の磁極部１０ｃを被覆する絶縁膜１６を選択的に形成し、続いて積層体の全面に、Ｃｕからなる電極膜１７ａを約２００〜５００Åの厚さで形成する。電極膜１７ａはスパッタ法により第１の導電膜を形成し、その第１の導電膜の上にＣＶＤ法により第２の導電膜を形成することによって形成しており、後に行われるめっきにおける電極およびシード層として機能する。さらに続いてめっきを行い、例えばＣｕよりなる導電層１７ｂを約３〜５μｍの厚さで選択的に形成する。こうすることにより、第１の内導体部１１１，１１３，１１５と、第３の磁極部１０ｃとの間の内溝部に導電層１７ｂが確実に埋め込まれる。
そして、図１０（ａ），（ｂ）に示すように、導電層１７ｂをマスクにして例えばイオンビームエッチングにより、電極膜１７ａを選択的にエッチングし、続いて、積層体の上面全体を覆うように、アルミナからなる絶縁膜１８を約４〜６μｍの厚さで形成する。
【００７６】
次に、図１１（ａ），（ｂ）に示すように、絶縁膜１８で覆われた表面を第１の内導体部１１１，１１３，１１５が露出するまでＣＭＰにより研摩して、表面の平坦化処理を行う。この研摩により、各内溝部、すなわち第１の内導体部１１１，１１３，１１５の間と、第１の内導体部１１５と第３の磁極部１０ｃとの間に残った導電層１７ｂおよび電極膜１７ａによって、第２の内導体部１１２，１１４，１１６が形成される。このとき得られる第２の内導体部１１２，１１４，１１６と、前述の第１の内導体部１１１，１１３，１１５とによって、第１の導体群１１７が形成される。こうして得られる第２の内導体部１１２，１１４，１１６は、各内溝部に埋め込まれて形成されているので、第１の内導体部１１１，１１３，１１５に隣り合うように配置されている。しかも、第２の内導体部１１２，１１４，１１６は隣り合う第１の内導体部１１１，１１３，１１５との間に分離用絶縁膜１５のみが介在している。したがって、第１の内導体部１１１，１１３、１１５と、第２の内導体部１１２，１１４，１１６とは互いに絶縁接触構造を形成している。さらに、第１の内導体部１１１と、第２の磁極部１０ｂとの間には内緩和部１００が形成されている。
【００７７】
次に、図１２（ａ），（ｂ）に示すように、積層体の上面全体を覆うように例えばアルミナよりなる絶縁膜２０を例えば０．２μｍの厚さで形成し、その絶縁膜２０のうち、第２の磁極部１０ｂに対応する部分、第３の磁極部１０ｃに対応する部分、内導体部１１１〜１１６の各矩形状端部に対応する部分を選択的にエッチングして、開口する。次に、エッチングにより露出した第２の磁極部１０ｂと、第３の磁極部１０ｃの上に、例えばフレームめっき法により、本発明における第３の磁極層を構成する第４の磁極部１０ｄと第５の磁極部１０ｅとを形成し、内導体部１１１〜１１６の各矩形状端部の上に、本発明における下部接続層を形成する。なお、図１２（ａ）では、下部接続部層と、矩形状端部の図示を省略している。第４の磁極部１０ｄおよび第５の磁極部１０ｅは高飽和磁束密度材料、例えば、飽和磁束密度が２．３ＴのＣｏＮｉＦｅや、飽和磁束密度が２．４ＴのＣｏＦｅを材料に用いることができ、厚さは０．３〜０．５μｍで形成する。
【００７８】
さらに、図１３（ａ），（ｂ）に示すように、積層体の上面全体を覆うように、例えば、アルミナよりなる絶縁膜２１を０．５〜０．８μｍの厚さで形成する。そして、例えばＣＭＰにより、第４の磁極部１０ｄおよび第５の磁極部１０ｅが０．３〜０．５μｍの厚さになるように表面を研摩する。
続いて、積層体の上面全体を覆うように、スパッタ法によって、磁性層２２を０．３〜０．５μｍの厚さで形成する。磁性層２２の材料としては、例えば、ＣｏＦｅＮを用いることができる。さらに、積層体の上面全体を覆うように、フォトレジストを形成した後、所定のフォトマスクを用いて、第４の磁極部１０ｄと第５の磁極部１０ｅの間の部分が開口するようにパターニングを行い、フォトレジスト４１を形成する。
【００７９】
次に、図１４（ａ），（ｂ）に示すように、フォトレジスト４１をマスクにしてイオンビームエッチングを行い、磁性層２２のフォトレジスト４１で被覆されない部分を除去する。さらに、フォトレジスト４１をマスクにして、積層体の上面全体を覆うように、アルミナよりなる絶縁膜２３を０．３〜０．６μｍの厚さで形成（ＲＥ−ＦＥＥＬ）する。そして、絶縁膜２３とフォトレジスト４１を除去すると、図１５（ａ），（ｂ）に示すように、本発明における第３の磁極層を構成する第６の磁極部１０ｆと第７の磁極部１０ｇとが得られる。こうして得られる第６の磁極部１０ｆおよび第７の磁極部１０ｇと、上述の第１の磁極部１０ａ、第２の磁極部１０ｂ、第３の磁極部１０ｃ、第４の磁極部１０ｄおよび第５の磁極部１０ｅとによって、本発明における第１の磁極群が形成される。
【００８０】
絶縁膜２３と、第６の磁極部１０ｆおよび第７の磁極部１０ｇはエッジが凸状になっているので、その表面をＣＭＰで軽く研摩する。その後、図１６（ａ），（ｂ）に示すように、積層体の全面を覆うように、ギャップ膜２６を０．０８μｍの厚さで形成し、第７の磁極部１０ｇが露出するようにして、ギャップ膜２６に開口部を設ける。このギャップ膜２６は、ＳｉＯ２、Ｒｕ、ＡｌＣｕなどで形成することができるが、ここでは、アルミナで形成する場合を想定している。
【００８１】
そして、図１７（ａ），（ｂ）に示すように、積層体の上面全体を覆うように、第１の磁極部２５ａを形成するため、例えばＣｏＦｅＮからなる磁性層４０をスパッタ法により、０．２〜０．５μｍの厚さで形成する。さらに、積層体の上面全体を覆うように、フォトレジストを塗布した後、所定のフォトマスクを用いて、第１の磁極部２５ａの部分が残るようにパターニングを行い、フォトレジスト４２を形成する。また、残されたフォトレジスト４２をマスクにして、磁性層４０にイオンビームエッチングを行い、さらに続いてアルミナよりなる絶縁膜２７を０．２〜０．６μｍの厚さで形成（ＲＥ−ＦＥＥＬ）する。そして、絶縁膜２７とともにフォトレジスト４２を除去するリフトオフを行うと、図１８（ａ），（ｂ）に示すように、フォトレジスト４２に被覆されていたところに磁性層４０が残る。
【００８２】
次に、絶縁膜２７と、磁性層４０はエッジが凸状になっているので、その表面をＣＭＰで軽く研摩する。その後、第２の磁極部２５ｂを形成するため、図１９（ａ），（ｂ）に示すように、積層体の全面を覆うようにして、例えばＣｏＦｅＮ（２．４Ｔ）からなる磁性層４３をスパッタ法により、０．８〜１．５μｍの厚さで形成する。磁性層４３は、ＣｏＦｅまたはＣｏＮｉＦｅを用いてめっきにより、全面に形成してもよい。
【００８３】
次いで、図２０（ａ），（ｂ）に示すように、積層体の全面を覆うようにして、アルミナよりなる絶縁膜３５を１．０〜２．０μｍの厚さで形成する。その後、めっきのシード層となる電極膜（図示せず）を積層体の全面を覆うように形成し、その上にめっき膜３６を０．５〜１．０μｍの厚さで形成する。また、図示しないレジストパターンを用いてめっき膜３６をエッチングし、めっき膜３６をトラック幅規定部に対応した箇所に残す。また、その残されためっき膜３６により、図示しない電極膜をエッチングする。めっき膜３６は、ＣｏＮｉＦｅ、ＣｏＦｅ、ＮｉＦｅのいずれかで形成し、厚さは０．５〜１．０μｍ程度で形成する。
【００８４】
次に、図２１（ａ），（ｂ）に示すように、残されためっき膜３６をマスクにして、Ｃｌ２およびＢＣｌ３を４対１または５対１の割合で含むハロゲン系ガスを用いて、絶縁膜３５に反応性イオンエッチング（以下「ＲＩＥ」という）を行う。
引き続いて、図２２（ａ），（ｂ）に示すように、絶縁膜３５をマスクにして、５０℃〜３００℃、好ましくは２００℃±５０℃の範囲内の温度で、Ｃｌ２ガスか、Ｃｌ２およびＣｏ２を含むハロゲン系ガスを用いて磁性層４０および磁性層４３にＲＩＥを行う。さらに続いて、絶縁膜３５をマスクにして、Ｃｌ２およびＢＣｌ３を含むハロゲン系ガスを用いてギャップ膜２６にＲＩＥを行い、その後、Ｃｌ２ガスか、Ｃｌ２およびＣｏ２を含むハロゲン系ガスを用いて、第６の磁極部１０ｆにＲＩＥを行う。これにより、図２２（ｂ）に示すようなトリム構造が得られる。
【００８５】
このとき、ギャップ膜２６における第６の磁極部１０ｆと第１の磁極部２５ａの間の部分および絶縁膜２３の第５の磁極部１０ｄに配置されている部分が記録ギャップ層２４となり、記録ギャップ層２４が多段構成となる。また、磁性層４０の残された部分が第１の磁極部２５ａとなり、磁性層４３の残された部分が第２の磁極部２５ｂとなる。その第１の磁極部２５ａと第２磁極部２５ｂにより、本発明における第２の磁極群（上部磁極層２５）が下部磁極層１０の上に形成される。なお、第６の磁極部１０ｆのエアベアリング面３０から離れた内側の端部により、記録ヘッドのスロートハイトが与えられる。スロートハイトとは、２つの磁極層が記録ギャップ層２４を介して対向する部分、すなわち対向磁極部の、エアベアリング面３０側端部から反対側(内側)端部までの距離(長さ)ｈを示している。
【００８６】
さらに、図２３（ａ），（ｂ）に示すように、積層体の上面全体を覆うように、例えばアルミナよりなる絶縁膜３７を２〜３μｍの厚さで形成して、その表面をＣＭＰで研摩して平坦化する。また、絶縁膜３７における下部接続層の上に存在する部分を選択的にエッチングした上で、フレームめっき法により上部接続層を形成する。これによって、接続部群１３０が形成される。そして、アルミナよりなる絶縁膜３９を第１の外導体部１２１，１２３，１２５と、後に形成される第２の外導体部１２２，１２４，１２６および外緩和部１０１の範囲に、例えば０．２μｍの厚さで形成する。また、絶縁膜３９を介して第１の外導体部１２１，１２３，１２５を形成するため、その絶縁膜３９の上に図示しない電極膜を形成した後、その電極膜を用いて電気めっきを行い、例えばＣｕ（銅）よりなるめっき層を形成する。このめっき層およびその下の図示しない電極膜が第１の外導体部１２１，１２３，１２５を構成する。このめっき層を形成するときに、各矩形状端部も形成されている。
【００８７】
そして、積層体の上面全体を覆うようにして、フォトレジスト４４を形成した上で、図示しないフォトマスクを用いてパターニングを行い、フォトレジスト４４を第１の外導体部１２１，１２３，１２５と、後に形成される第２の外導体部１２２，１２４，１２６および後に形成される外緩和部用間隙１０３の範囲に残す。それから、再び、アルミナよりなる絶縁部３３を４〜５μｍの厚さで形成する。
【００８８】
次に、図２４（ａ），（ｂ）に示すように、絶縁部３３をフォトレジスト４４が露出するまで、ＣＭＰにより研摩して、表面の平坦化処理を行う。すると残った絶縁部３３が本発明における絶縁部となる。
次いで、図２５（ａ），（ｂ）に示すように、ＣＭＰにより露出したフォトレジスト４４を除去して、積層体の上面全体を覆うように、分離用絶縁膜３４として、アルミナよりなる絶縁膜を０．１μｍの厚さで形成する。このとき、第１の外導体部１２１と絶縁部３３の間に、外緩和部用間隙１０３が形成される。
【００８９】
その後、分離用絶縁膜３４で覆われた外緩和部用間隙１０３を被覆するようにフォトレジスト、ポリイミド樹脂、ＳＯＧ等からなる被膜を内緩和部用間隙１０２の場合と同様にして形成する。すると、外緩和部用間隙１０３に外緩和部１０１が形成される。続いて積層体の全面にスパッタ法、ＣＶＤ法によりＣｕからなる電極膜３７ａを約５００〜８００Åの厚さで形成する。この電極膜３７ａは後に行われるめっきにおける電極およびシード層として機能する。さらに続いて、例えばＣｕよりなる導電層３７ｂを約３〜４μｍの厚さで全面に形成する。こうすることによって、第１の外導体部１２１，１２３，１２５と、絶縁部３３との間の外溝部に導電層３７ｂが確実に埋め込まれる。
【００９０】
それから図４（ａ），（ｂ）に示すように、第１の外導体部１２１，１２３，１２５が露出するまで、電極膜３７ａと導電層３７ｂをＣＭＰにより研摩して、表面の平坦化処理を行う。この研摩により、各外溝部、すなわち第１の外導体部１２１，１２３，１２５の間と、第１の外導体部１２５と絶縁部３３との間に残った導電層３７ｂおよび電極膜３７ａによって、第２の外導体部１２２，１２４，１２６が形成される。このとき得られる第２の外導体部１２２，１２４，１２６と、前述の第１の外導体部１２１，１２３，１２５とによって、第２の導体群１２０が形成される。
【００９１】
こうして得られる第２の外導体部１２２，１２４，１２６は各外溝部に埋め込まれて形成されているので、第１の外導体部１２１，１２３，１２５に隣り合うように配置されている。しかも、第２の外導体部１２２，１２４，１２６は隣り合う第１の外導体部１２１，１２３，１２５との間に分離用絶縁膜３４のみが介在しているから、第１の外導体部１２１，１２３、１２５と、第２の外導体部１２２，１２４，１２６も互いに絶縁接触構造を形成している。さらに、第１の外導体部１２１と、絶縁部３３との間には外緩和部１０１が形成されている。
さらに、積層体の上面全体を覆うように例えばアルミナよりなる絶縁膜（オーバコート層）２９を形成すると、第１の導体群１１７、第２の導体群１２０および接続部層群１３０とによって、薄膜コイル１１０が形成され、薄膜磁気ヘッド３００が得られる。
【００９２】
こうして得られる薄膜磁気ヘッド３００は、上述の構成を有するから、抵抗値を上げることなく、高周波帯域における記録特性が良好になっている。また、上述の製造工程では、各第１の内導体部および各第１の外導体部の間に分離用絶縁膜で覆われた溝部を複数設け、その各溝部にそれぞれ第２の内導体部および第２の外導体部を設けて薄膜コイル１１０を得ている。この製造方法により得られる薄膜コイル１１０は、先に形成される第１の内導体部および第１の外導体部が後に形成される第２の内導体部および第２外導体部のフレームとして機能するため、各導体部の間隔が製造過程で設けられるフレームの幅に影響されることはない。よって、先に形成すべき各導体部をフレームめっきで形成しても、絶縁接触構造により、各導体部の間隔を極力狭めることができる。また、上述の製造工程では内緩和部１００、外緩和部１０１が第１の導体群１１７と、第２の導体群１２０の双方に形成されるから、薄膜コイル１１０の自己膨張を効果的に吸収可能な薄膜磁気ヘッド３００が得られる。
以下、上述した薄膜磁気ヘッド３００の構造における第１〜第４の変形例について説明する。
【００９３】
（第１の変形例）
第１の変形例における薄膜磁気ヘッド３００は、薄膜コイルの構成が相違し、他は共通であるから、以下の説明はその相違点について行い、共通点ついての説明は省略ないし簡略化する。ここで、図２６は第１の変形例における薄膜コイルのうち、第１の導体群１１７および各接続部を示す平面図、図２７は同じく第２の導体群１２０を示す平面図である。
【００９４】
図２６および図２７に示すように、第１の変形例における薄膜コイルは、第１の導体群１１７、第２の導体群１２０および接続部群１３０を有しているが、接続部群１３０の構成が相違している。第２の変形例における接続部群１３０も、複数の接続部１３１〜１４２を有しているが、各接続部１３１〜１４２は、隣り合うもの同士で、エアベアリング面３０からの距離が相違する位置に配置されている。すなわち、接続部１３１，１３３，１３５，１３７，１３９，１４１と、１３２，１３４，１３６，１３８，１４０，１４２の順にそれぞれエアベアリング面３０からの距離が拡大している。また、交差方向の間隔が上述の薄膜コイル１１０と比較して狭められている。
【００９５】
各接続部１３１〜１４２をこのような位置に配置することにより、各接続部１３１〜１４２は、エアベアリング面３０に沿った方向と交差方向の双方の方向にずれている。このようにして、第１の変形例における薄膜コイルは、各接続部の周囲に、絶縁膜２０，２３，２７の配置される領域を広く確保できるようにしている。
【００９６】
上述した薄膜コイル１１０では、各接続部１３１〜１４２が、エアベアリング面３０からの距離が等しい位置に配置されているため、それぞれが互いに邪魔をし合い、絶縁膜２０，２３，２７の配置される領域を広く確保し難しくなっている。したがって、隣り合う各接続部の間に絶縁層２０，２３，２７が十分に入り込み難く、空隙が生じるおそれがある。そうすると、その空隙に第２の導体群１２０の形成に用いられるめっき液等が入り込んで各外導体部の絶縁性が悪化し、薄膜磁気ヘッドの信頼性が低下するおそれがある。これに対し、第１の変形例における薄膜コイルは、各接続部の回りに絶縁膜２０，２３，２７の配置される領域が広く確保されているため、隣り合う各接続部の間に絶縁層２０，２３，２７が十分に入り込み、空隙を生じるおそれが排除されている。
【００９７】
また、内導体部１１３〜１１６は内導体部１１３のエアベアリング面３０側の側部を除いて、それぞれの側部が湾曲している。これらの各側部は、第３の磁極部１０ｃにおける突出部３２ｂの側面形状に対応するように湾曲し、すなわち円柱の側面形状に沿った曲面形状を有している（図２６および図２７では円弧状の曲線）。
【００９８】
さらに、本変形例における外導体部１２２は、側部の形状が薄膜コイル１１０と相違し、外導体部１２３〜１２６におけるそれぞれの側部が外導体部１２３のエアベアリング面３０側の側部を除いて、内導体部１１３〜１１６と同じように湾曲している。このように、内導体部１１３〜１１６、外導体部１２３〜１２６の側部が突出部３２ｂの側面形状に対応するように湾曲していると、内導体部１１３〜１１６、外導体部１２３〜１２６の経路幅がなだらかに変化する。そのため、内導体部１１３〜１１６、外導体部１２３〜１２６における電流の流れがスムーズになり、抵抗値の上昇を抑制することができる。また、薄膜コイルと比較して内導体部１１３〜１１６と外導体部１２３〜１２６を形成するためのフォトリゾグラフィが容易になり、これらをより微細な形状にすることができる。
【００９９】
（第２の変形例）
第２の変形例における薄膜磁気ヘッド３００は、上述の薄膜コイル１１０と構成の異なる薄膜コイルを有する点と、緩和部の形成されている箇所が相違し、他は共通であるから、以下の説明はその相違点について行い、共通点についての説明は省略ないし簡略化する。ここで、図２８（ａ），（ｂ）は、第２の変形例における図４（ａ），（ｂ）と同様の断面図である。
【０１００】
図２８（ａ），（ｂ）に示すように、本変形例における薄膜コイルは、第１の導体群１１７、第２の導体群１２０および接続部群１３０を有しているが、全体で一連の５ターンループを形成している点、第２の導体群１２０が絶縁接触構造を有していない点で相違している。第１の導体群１１７は、内導体部１１１，１１２，１１３，１１４，１１５を有し、それぞれが分離用絶縁膜１５を介して接触している。第２の導体群１２０は、外導体部１２１，１２２，１２３，１２４，１２５を有しているが、各外導体部がフレームめっき法によって形成されているため、フレームを設けたことに伴い、互いに離れた位置に配置されている。
【０１０１】
そして、第１の導体群１１７について、薄膜コイル１１０と同様に内導体部１１１と第２の磁極部１０ｂとの間に内緩和部１００を有するほか、薄膜コイル１１０とは異なり、連結部３１側に配置される内導体部１１５と第５の磁極部１０ｅとの間にも、更に内緩和部１０５を有し、第１の導体群１１７が２つの内緩和部１００，１０５の間に配置されている。この内緩和部１０５は、内緩和部１００と同様の材料からなり、上述した薄膜コイル１１０の製造工程において、図８（ａ）に示す間隙１０６に、フォトレジストなどを形成することによって形成することができる。なお、図示しないが、第１の導体群１１７に、内緩和部１００を形成しないで連結部３１側の内緩和部１０５のみを形成してもよい。
【０１０２】
以上のような本変形例における薄膜コイルは、第１の導体群１１７が薄膜コイル１１０と同様の絶縁接触構造を有し、各内導体部１１１〜１１５が高密度に配置されているから、自己膨張により、互いに横に押しやるようにして隣接するもの同士で影響を与え合い易い。しかしながら、第１の導体群１１７が２つの緩和部１００，１０５の間に配置されているから、コイルの自己膨張の影響が薄膜コイル１１０よりも、より一層緩和されるようになっている。
【０１０３】
これに対し、第２の導体群１２０では、各外導体部が互いに離れた位置に配置されているから、自己膨張により互いに隣接するもの同士で影響を与え合うことが第１の導体群１１７ほど強くなく、そのため、第２の導体群１２０では、緩和部を有していない。つまり、緩和部は、絶縁接触構造を有する方の導体群に形成してこそ有益なものになる。もちろん、第２の導体群１２０に緩和部を設けてもよい。
【０１０４】
以下、上述した薄膜磁気ヘッド３００の製造工程における変形例について、主に図２９〜図３１を参照して説明する。
（製造工程の変形例）
本変形例における製造方法では、図８（ａ），（ｂ）に示すように、分離用絶縁膜１５を形成するまでの工程は、上述した第１の実施の形態に係る製造方法と同様である。本変形例において相違するのはこれ以降の工程である。以下では、上述した第１の実施の形態に係る製造方法と相違する点を中心に行い、共通点については説明を省略ないし簡略化する。
【０１０５】
そして、図８（ａ），（ｂ）に示した工程に続いて図２９（ａ），（ｂ）に示すように、積層体の全面にフォトレジスト４５を４〜５μｍの厚さで形成した後、所定のフォトマスクを用いてパターニングを行い、分離用絶縁膜１５で覆われた内緩和部用間隙１０２と、第１の内導体部１１１，１１３，１１５の間と、第１の内導体部１１５と第３の磁極部１０ｃとの間を被覆するようにフォトレジスト４５を残す。その後、積層体の上面全体を覆うように例えばアルミナよりなる絶縁膜１６を例えば４〜５μｍの厚さで形成する。
【０１０６】
次に、図３０（ａ），（ｂ）に示すように、絶縁膜１６で覆われた表面をフォトレジスト４５が露出するまでＣＭＰにより研摩して、表面の平坦化処理を行う。
続いて、図３１（ａ），（ｂ）に示すように、フォトレジスト４５を除去した上で、分離用絶縁膜１５で覆われた内緩和部用間隙１０２を被覆するようにして、再びフォトレジストを形成するか、ポリイミド樹脂、ＳＯＧ等からなる被膜を選択的に形成する。すると、内緩和部用間隙１０２に内緩和部１００が形成される。その後、積層体の全面にＣｕからなる電極膜１７ａをスパッタ法またはＣＶＤ法により約２００〜５００Åの厚さで形成し、続いて、その電極膜１７ａの表面に、例えばＣｕよりなる導電層１７ｂを約３〜５μｍの厚さで形成する。こうすることによって、第１の内導体部１１１，１１３，１１５と、第３の磁極部１０ｃとの間の内溝部に導電層１７ｂが確実に埋め込まれる。
【０１０７】
続いて、導電層１７ｂで覆われた表面を第１の内導体部１１１，１１３，１１５が露出するまでＣＭＰにより研摩して、表面の平坦化処理を行う。この研摩により、図１１（ａ），（ｂ）に示したように、第１の内導体部１１１，１１３，１１５の間と、第１の内導体部１１５と第３の磁極部１０ｃとの間に残った導電層１７ｂおよび電極膜１７ａによって、第２の内導体部１１２，１１４，１１６が形成される。これ以降の工程を上述した第１の実施の形態に係る製造方法と同様に行うことにより、第１の導体群１１７、第２の導体群１２０および接続部層群１３０とによって薄膜コイル１１０が形成され、薄膜磁気ヘッド３００が得られる。
【０１０８】
第２の実施の形態
次に、図３２を参照して、本発明の第２の実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドについて説明する。図３２は本発明の第２の実施の形態に係る薄膜磁気ヘッド４５０を示す平面図である
第２の実施の形態にかかる薄膜磁気ヘッド４５０は、図示しない基板に積層された再生ヘッド、記録ヘッド（誘導型電磁変換素子）およびエアベアリング面３０を有している。この薄膜磁気ヘッド４５０は、薄膜磁気ヘッド３００と比較して、主に、記録ヘッドにおける薄膜コイル４１０の構成が相違している。
【０１０９】
記録ヘッドは薄膜磁気ヘッド３００と同様に下部磁極層、上部磁極層２５、記録ギャップ層および薄膜コイル４１０が基板上に積層された構成を有している。下部磁極層および上部磁極層２５は、薄膜磁気ヘッド３００と同様に、エアベアリング面３０の側に互いに対向する磁極部（対向磁極部）を有し、図示しない連結部で互いに磁気的に連結されている。記録ギャップ層は、下部磁極層の対向磁極部と上部磁極層２５の対向磁極部との間に形成されている。なお、図３２では図示の都合上、記録ギャップ層は図示を省略し、下部磁極層は、第２の磁極部１０ｂと第３の磁極部１０ｃのみを示している。
【０１１０】
薄膜コイル４１０は、下部磁極層および上部磁極層２５に対して絶縁された状態で、下部磁極層と上部磁極層２５を連結する連結部３１を軸に周回し、連結部３１の回りに平面渦巻き状に巻回されてなっている。この薄膜コイル４１０は、第１の導体群４１７と、第２の導体群４２０と、接続部群４３０、接続部群４４０とを有し、これらがつながることによって、一連の６ターンループを形成している
【０１１１】
第１の導体群４１７は、下部磁極層と上部磁極層２５との間に配置された第１の内導体部４１１，４１３，４１５と、第２の内導体部４１２，４１４，４１６とを有し、各内導体部４１１〜４１６の互いに隣り合うもの同士が分離用絶縁膜１５を介して接触する絶縁接触構造を有している。また、内導体部４１１が分離用絶縁膜１５を介して、後述する緩和部４００に接触している。
【０１１２】
各内導体部４１１〜４１６は、それぞれの側部が第３の磁極部１０ｃにおける突出部の側面形状に対応するように湾曲している。また、各内導体部４１１〜４１６は、上部磁極層２５に対応する部分からその外側に向かって、それぞれの経路幅が漸次広がる可変幅構造を有し、第３の磁極部１０ｃの突出部に対応した箇所に最狭部を有している。
第２の導体群４２０は、いずれも連結部３１の外側における第１の導体群４１７と同じ平面上に配置された第１の外導体部４２２，４２４，４２６と、第２の外導体部４２１，４２３，４２５とを有し、互いに隣り合うもの同士が分離用絶縁膜３４を介して接触する絶縁接触構造を有している。
【０１１３】
各外導体部４２１〜４２６は、各内導体部４１１〜４１６とともに、連結部３１の回りを周回する周回路を形成するように湾曲していて、ほぼ等しい経路幅を有している。
接続部群４３０は、複数の接続部４３１〜４３６を有している。接続部４３１〜４３６は、各内導体部４１１〜４１６と各外導体部４２１〜４２６とを接続するために設けられたもので、上部磁極層２５よりも外側において、エアベアリング面３０に沿って配置され、次のようにして設けられている。すなわち、接続部４３１，４３２，４３３，４３４，４３５，４３６は、それぞれ、外導体部４２１〜４２６と、内導体部４１１〜４１６を接続するように設けられている。
【０１１４】
接続部群４４０は、複数の接続部４４１〜４４７を有している。接続部４４２〜４４５は、各内導体部４１１，４１２，４１３，４１４と、各外導体部４２３，４２４，４２５，４２６とを接続するために設けられている。また、接続部４４１は外導体部４２２を端子部４５１に接続している。接続部４４６は内導体部４１５を端子部４５２に接続している。接続部４４７は内導体部４１６を端子部４５３に接続している。
【０１１５】
そして、薄膜コイル４１０は、外導体部４２１が接続部４３１を介して内導体部４１１へとつながり、さらに、内導体部４１１が接続部４４２を介して外導体部４２３へとつながり、これによって、１ターンのループを形成している。続いて、外導体部４２３が接続部４３３を介して内導体部４１３につながり、さらに内導体部４１３が接続部４４４を介して外導体部４２５につながり、外導体部４２５が接続部４３５を介して内導体部４１５、さらに接続部４４６を介して端子部４５２につながって２ターンのループを形成する。
【０１１６】
さらに、端子部４５２が導線部４５６を介して端子部４５１につながり、端子部４５１が接続部４４１を介して外導体部４２２につながる。また、外導体部４２２が接続部４３２を介して内導体部４１２につながり、内導体部４１２が接続部４４３を介して外導体部４２４につながって、再び１ターンのループを形成する。そして、外導体部４２４が接続部４３４を介して内導体部４１４につながり内導体部４１４が接続部４４５を介して外導体部４２６につながり、外導体部４２６が接続部４３６を介して内導体部４１６につながり、内導体部４１６が接続部４４７を端子部４５３につながって、２ターンのループを形成する。また、端子部４５３は、導線部４５７を介して端子部４５４につながっている。端子部４５４が図示しない外部の電極パッドに接続されている。
【０１１７】
緩和部４００は内緩和部１００と同様な材料からなり、図３２に示すように、エアベアリング面３０側に配置された内導体部４１１と分離用絶縁膜１５を介して接触するように配置されている。
以上のように、薄膜磁気ヘッド４５０は、薄膜コイル４１０が絶縁接触構造を有し、第１の導体群４１７を構成する各内導体部４１１〜４１６と、第２の導体群４２０を構成する外導体部４２１〜４２６とが、それぞれ互いに分離用絶縁膜１５、３４を介して接触している。そのため、各内導体部４１１〜４１６および外導体部４２１〜４２６は、隣り合うもの同士の間の隙間がほとんどなく密集して高密に配置されている。よって、各内導体部、外導体部の経路幅をあまり狭めなくてもヨーク長を短縮でき、また、各内導体部、外導体部の経路幅をあまり狭めなくてもよいので、電流の流れを妨げることが少なく、したがって、抵抗値の上昇が抑制されている。
【０１１８】
その上、内導体部４１１と、第２の磁極部１０ｂとの間に緩和部４００が形成されているので、薄膜コイル４１０が自己膨張を引き起こしても、自己膨張による幅の広がりを緩和部４００により吸収することができる。そのため、薄膜磁気ヘッド４５０も、薄膜磁気ヘッド３００と同様に、ターン幅の縮小化に伴い、薄膜コイル４１０が自己膨張を発生しやすくなっても、磁極部が記録媒体に近づくように突出することがないから、ターン数を確保しながらヨーク長を一層短縮することが可能である。
【０１１９】
（その他の変形例）
本発明は、上記の各実施の形態に限定されるものではなく、適宜変更することが可能である。例えば、薄膜コイル１１０は６ターンまたは５ターンに設定し、薄膜コイル４１０は６ターンに設定したが、薄膜コイルのターン数はこれら以外にも適宜選択可能である。
また、第１の実施の形態において、少なくとも第１の導体群までを製造した半製品（薄膜磁気ヘッド用基礎構造物）を用いて、所望のターン数の薄膜コイルを製造することもできる。その場合は、各接続部の形状と外導体部の数の両方を変更することによって、薄膜コイルのターン数を選択するようにしてもよい。
【０１２０】
さらに、本発明は、誘導型電磁変換素子のみを有する記録専用のヘッドにも適用することができ、誘導型電磁変換素子によって記録と再生を行う薄膜磁気ヘッドにも適用することができる。
【０１２１】
（ヘッドジンバルアセンブリおよびハードディスク装置の実施の形態）
次に、ヘッドジンバルアセンブリおよびハードディスク装置の実施の形態について説明する。
図３３は、上述の薄膜磁気ヘッド１１０を備えたハードディスク装置２０１を示す斜視図である。ハードディスク装置２０１は、高速回転するハードディスク（記録媒体）２０２と、ヘッドジンバルアセンブリ（ＨＧＡ：Ｈｅａｄ  Ｇｉｍｂａｌｓ  Ａｓｓｅｍｂｌｙ）２１５とを有している。ハードディスク装置２０１は、ＨＧＡ２１５を作動させて、ハードディスク２０２の記録面に、磁気情報の記録および再生を行う装置である。ハードディスク２０２は、複数枚（図では３枚）のディスクを有している。各ディスクは、それぞれの記録面が薄膜磁気ヘッド１１０に対向している。ＨＧＡ２１５は、薄膜磁気ヘッド１１０が形成された基台を有するヘッドスライダ２１１を搭載したジンバル２１２と、ジンバル２１２を支えるサスペンションアーム２１３とがディスクの各記録面に配置され、支軸２１４の回りに図示しない例えばボイスコイルモータによって回転可能になっている。そして、ＨＧＡ２１５を回転させると、ヘッドスライダ２１１がハードディスク２０２の半径方向、すなわち、トラックラインを横切る方向に移動する。
【０１２２】
このようなＨＧＡ２１５およびハードディスク装置２０１はいずれも薄膜磁気ヘッド１１０を有するから、高周波帯域における記録特性が優れている。なお、ＨＧＡ２１５およびハードディスク装置２０１が、第１の実施形態における各変形例に係る薄膜磁気ヘッドまたは第２の実施形態に係る薄膜磁気ヘッドを有するときも、同様に高周波帯域における記録特性が優れている。
【０１２３】
以上の説明に基づき、本発明の種々の態様や変形例を実施可能であることは明らかである。したがって、以下の請求の範囲と均等の範囲において、上記最良の形態以外でも本発明を実施することが可能である。
【図面の簡単な説明】
【０１２４】
【図１】本発明の第１の実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドの主要部を示す分解斜視図である。
【図２】薄膜コイルを構成する第１の導体群および接続部群を示す平面図である。
【図３】薄膜コイルを構成する第２の導体群を示す平面図である。
【図４】（ａ）は図２のＩＶ−ＩＶ線断面図であり、（ｂ）はエアベアリング面に平行な断面図である。
【図５】（ａ），（ｂ）は、それぞれ本発明の第１の実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドを製造する過程の一工程を示す断面図である。
【図６】（ａ），（ｂ）は、それぞれ図５（ａ），（ｂ）の後続の工程を示す断面図である。
【図７】（ａ），（ｂ）は、それぞれ図６（ａ），（ｂ）の後続の工程を示す断面図である。
【図８】（ａ），（ｂ）は、それぞれ図７（ａ），（ｂ）の後続の工程を示す断面図である。
【図９】（ａ），（ｂ）は、それぞれ図８（ａ），（ｂ）の後続の工程を示す断面図である。
【図１０】（ａ），（ｂ）は、それぞれ図９（ａ），（ｂ）の後続の工程を示す断面図である。
【図１１】（ａ），（ｂ）は、それぞれ図１０（ａ），（ｂ）の後続の工程を示す断面図である。
【図１２】（ａ），（ｂ）は、それぞれ図１１（ａ），（ｂ）の後続の工程を示す断面図である。
【図１３】（ａ），（ｂ）は、それぞれ図１２（ａ），（ｂ）の後続の工程を示す断面図である。
【図１４】（ａ），（ｂ）は、それぞれ図１３（ａ），（ｂ）の後続の工程を示す断面図である。
【図１５】（ａ），（ｂ）は、それぞれ図１４（ａ），（ｂ）の後続の工程を示す断面図である。
【図１６】（ａ），（ｂ）は、それぞれ図１５（ａ），（ｂ）の後続の工程を示す断面図である。
【図１７】（ａ），（ｂ）は、それぞれ図１６（ａ），（ｂ）の後続の工程を示す断面図である。
【図１８】（ａ），（ｂ）は、それぞれ図１７（ａ），（ｂ）の後続の工程を示す断面図である。
【図１９】（ａ），（ｂ）は、それぞれ図１８（ａ），（ｂ）の後続の工程を示す断面図である。
【図２０】（ａ），（ｂ）は、それぞれ図１９（ａ），（ｂ）の後続の工程を示す断面図である。
【図２１】（ａ），（ｂ）は、それぞれ図２０（ａ），（ｂ）の後続の工程を示す断面図である。
【図２２】（ａ），（ｂ）は、それぞれ図２１（ａ），（ｂ）の後続の工程を示す断面図である。
【図２３】（ａ），（ｂ）は、それぞれ図２２（ａ），（ｂ）の後続の工程を示す断面図である。
【図２４】（ａ），（ｂ）は、それぞれ図２３（ａ），（ｂ）の後続の工程を示す断面図である。
【図２５】（ａ），（ｂ）は、それぞれ図２４（ａ），（ｂ）の後続の工程を示す断面図である。
【図２６】第１の変形例における薄膜磁気ヘッドを構成する第１の導体群および接続部群を示す平面図である。
【図２７】第１の変形例における薄膜磁気ヘッドを構成する第２の導体群を示す平面図である。
【図２８】（ａ）は第２の変形例における薄膜磁気ヘッドの図４（ａ）同様の断面図であり、（ｂ）は第２の変形例における薄膜磁気ヘッドの図４（ｂ）同様の断面図である。
【図２９】（ａ），（ｂ）は、それぞれ別の製造方法による一工程を示す断面図である。
【図３０】（ａ），（ｂ）は、それぞれ図２９（ａ），（ｂ）の後続の工程を示す断面図である。
【図３１】（ａ），（ｂ）は、それぞれ図３０（ａ），（ｂ）の後続の工程を示す断面図である。
【図３２】本発明の第２の実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドを示す平面図である。
【図３３】本発明の第１の実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドを備えたハードディスク装置を示す斜視図である。
【符号の説明】
【０１２５】
１…基板、５…ＧＭＲ素子
１０ａ〜１０ｇ…第１〜第７の磁極部
１５，３４…分離用絶縁膜、２４…記録ギャップ層
２５Ａ…トラック幅規定部、２５Ｂ…ヨーク部
２５ａ，２５ｂ…第１，２の磁極部
２６…ギャップ膜、３０…エアベアリング面
３１…連結部、３２ａ…柱部、３２ｂ…突出部
５０…最短ライン、１００，１０５…内緩和部
１０１…外緩和部、１０２…内緩和部用間隙
１０３…外緩和部用間隙、１１０…薄膜コイル
１１１，１１３，１１５…第１の内部導体
１１２，１１４，１１６…第２の内部導体
１１７…第１の導体群、１２０…第２の導体群
１２１，１２３，１２５…第１の外導体部
１２２，１２４，１２６…第２の外導体部
１３０…接続部群、１３１〜１４２…接続部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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【図２７】
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【図２８】
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【図２９】
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【図３０】
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【図３１】
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【図３２】
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【図３３】
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