(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
冷却液が循環する循環ラインと、
前記冷却液により電子装置を冷却する冷却部と、
前記循環ラインに設けられ、前記冷却液中のイオン成分と腐食防止剤成分とを分離して、前記イオン成分を含む第１支流と前記腐食防止剤成分を含む第２支流とに前記冷却液を分ける分離部と、
前記分離部よりも下流の前記循環ラインに設けられ、前記第１支流に含まれる前記イオン成分を低減するイオン交換部と、
前記イオン交換部よりも下流の前記循環ラインで前記第２支流が前記第１支流と合流する合流点と、
を有することを特徴とする電子装置用冷却システム。
【請求項２】
前記冷却液と接する部分の前記冷却部に銅を含む材料が用いられると供に、前記腐食防止剤として銅の腐食防止剤が用いられ、該腐食防止剤が添加された純水が前記冷却液として用いられたことを特徴とする請求項１に記載の電子装置用冷却システム。
【請求項３】
前記循環ラインの途中に、前記冷却液の熱を放熱する熱交換器が設けられると供に、前記冷却液と接する部分の前記熱交換器に銅を含む材料が用いられることを特徴とする請求項２に記載の電子装置用冷却システム。
【請求項４】
前記循環ラインの途中に設けられ、前記冷却液の導電率をモニターする導電率モニターと、
前記分離部よりも上流の前記循環ラインの分岐点において、前記冷却液を前記イオン交換部よりも下流の前記循環ラインに分岐する分岐ラインと、
前記分岐点よりも下流の前記循環ラインに設けられたバルブと、
前記導電率モニターで得られた前記冷却液の導電率が許容値以下のときに、前記バルブを閉じて前記冷却水の全てを前記分岐ラインに流し、前記導電率モニターで得られた前記循環ラインの導電率が前記許容値を超えたときに、前記バルブを開いて前記冷却液の一部を前記分離部に流す制御部とを更に有することを特徴とする請求項１に記載の電子装置用冷却システム。
【請求項５】
前記腐食防止剤は、前記冷却液中において電気的に中性であることを特徴とする請求項１に記載の電子装置用冷却システム。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電子装置用冷却システムに関する。
【背景技術】
【０００２】
コンピュータ等の電子装置では、搭載される半導体装置の高容量化や実装密度の高密度化に伴い、半導体装置で発生する発熱量が年々上昇する傾向にある。電子装置の冷却は、従来より冷却ファンにより風を送り込む強制空冷方式が用いられてきたが、空冷方式では高い発熱量に対して半導体装置を許容温度以下に冷却するのが難しいので、液冷方式による冷却を検討する必要がある。
【０００３】
液冷方式としては、冷却効率の高い水冷方式が提案されている。水冷方式では、銅製の冷却板が半導体装置に接して設けられ、その冷却板中に冷却水が通水されて半導体装置が冷却される。
【０００４】
その冷却水は、冷却板を通った後、配管や熱交換器等で構成される循環経路を循環して再び冷却板に通水される。
【０００５】
ところが、このように循環経路を何回も循環するうちに、ゴム等の樹脂よりなる配管から冷却水中にイオンが溶出し、そのイオンによって銅製の冷却板が腐食することがある。腐食がひどい場合には、冷却板から漏水が発生し、電子装置が故障してしまうこともある。
【０００６】
このような問題に鑑み、特許文献１では、冷却水の循環経路の途中にイオン交換樹脂を封入した袋を設け、冷却水中のイオンをそのイオン交換樹脂で吸着し、冷却水中のイオンの濃度を低減するようにしている。
【０００７】
ここで、イオンによる腐食を更に効果的に防止し、電子装置の長期にわたる信頼性を維持するには、冷却水中にインヒビターと呼ばれる腐食防止剤を添加するのが有効と考えられる。
【０００８】
しかしながら、特許文献１の技術においてインヒビターを使用すると、イオン交換樹脂によってインヒビターが吸着されてしまうので、インヒビターによる腐食防止効果が十分に発揮できない。
【０００９】
この他に、本発明に関連する技術が下記の特許文献２、３にも開示されている。
【特許文献１】特開２００５−７２２１６号公報
【特許文献２】特許第３４９３９９２号明細書
【特許文献３】特開平８−３０４５８９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
本発明の目的は、腐食防止剤による腐食防止効果を十分に発揮させることが可能な電子装置用冷却システムを提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本発明の一観点によれば、冷却液が循環する循環ラインと、前記冷却液により電子装置を冷却する冷却部と、前記循環ラインに設けられ、前記冷却液中のイオン成分と腐食防止剤成分とを分離して、前記イオン成分を含む第１支流と前記腐食防止剤成分を含む第２支流とに前記冷却液を分ける分離部と、前記分離部よりも下流の前記循環ラインに設けられ、前記第１支流に含まれる前記イオン成分を低減するイオン交換部と、前記イオン交換部よりも下流の前記循環ラインで前記第２支流が前記第１支流と合流する合流点とを有する電子装置用冷却システムが提供される。
【発明の効果】
【００１２】
本発明によれば、分離部で分離された二つの支流のうち、イオン成分を含む第１支流のみをイオン交換部に導いてイオン成分を低減し、腐食防止剤成分を含む第２支流についてはイオン交換部に通さずに該イオン交換部の下流で第１支流と合流させる。
【００１３】
これにより、イオン交換部では、イオン成分のみが選択的に除去され、腐食防止剤は除去されないので、循環ラインにおける腐食防止剤濃度を略一定に保つことが可能となると供に、腐食性のイオンの濃度を連続的に低減することができる。
【００１４】
また、このように腐食防止剤濃度を保つことができるため、使用途中で腐食防止剤を補充する必要がない。しかも、イオン交換部に腐食防止剤が吸着しないので、イオン交換部の寿命も延びる。更に、イオン交換部によりイオン濃度の上昇を抑えることができるので、使用途中で冷却液を交換する必要もない。これらにより、本発明に係る電子装置用冷却システムは、実質的にメンテナンスフリーとなる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１５】
次に、本発明の実施の形態について、添付図面を参照しながら詳細に説明する。なお、これらの図面は本発明を例示するものであって、本発明を限定するものではない。
【００１６】
（１）第１実施形態
図１は、本発明の第１実施形態に係る電子装置用冷却システムの構成図である。
【００１７】
この冷却システム２０では、循環ポンプ１３の駆動力によって冷却液C0が循環ライン２を循環しており、冷却部３によって電子計算機等の電子装置７が冷却される。
【００１８】
冷却部３は、冷却液C0を電子装置７内で分流するためのマニフォールド４と、マニフォールド４から出た冷却液C0が通るゴムチューブ５と、冷却板６とを備える。冷却板６は、電子装置７に搭載されたLSI等の半導体装置毎に設けられ、各半導体装置が個別に冷却板６により冷却される。
【００１９】
冷却板６の材料としては、熱伝導率が高く電子装置７の熱を奪い易い銅を用いるのが好ましい。
【００２０】
冷却液C0は特に限定されないが、本実施形態ではインヒビター（腐食防止剤）を純水に溶解してなるものを使用する。インヒビターとしては、銅材料の腐食防止に有効なベンゾトリアゾールを使用するのが好適である。この場合、インヒビター濃度は、例えば１００ppmとすればよい。
【００２１】
このように銅用のインヒビターを使用することで、銅製の冷却板６において冷却液C0と接する部分が冷却液C0によって溶出するのが防止される。
【００２２】
電子装置７によって温められた冷却液C0は、冷却部３の下流の循環ライン２に設けられた熱交換器１６に入る。熱交換器１６では、ファンにより冷却液C0が空冷され、冷却液C0の熱が外部に放熱される。冷却液C0と接する部分の熱交換器１６には銅材料が使用されるが、上記のように冷却液C0に銅用のインヒビターを添加することにより、熱交換器１６の腐食を抑制し、熱交換器１６における漏水を防止できる。
【００２３】
ここで、冷却液C0には、既述のインヒビター成分の他に、ナトリウムイオン（Na+）や硫酸イオン（SO42-）といったイオン成分も含まれる。これらのイオンは、ゴムチューブ５から冷却液C0に溶出したり、大気との接触で冷却液C0に溶解したものであって、銅製の冷却板６や熱交換機１６の腐食を促進させてしまう。
【００２４】
そこで、本実施形態では、循環ライン２の途中に分離部１０を設けることにより、冷却液C0中のイオン成分とインヒビター成分とを分離し、イオン成分を主に含む第１支流C1とインヒビター成分を主に含む第２支流C2とに冷却液C0を分けると供に、第１支流C1に含まれるイオン成分をイオン交換部１１において低減するようにする。
【００２５】
第１支流C1は、このようにイオン交換部１１でイオン濃度が低減された後、タンク１２に供給される。
【００２６】
一方、インヒビター成分を含む第２支流C2については、イオン交換部１１に供給せずに、バイパスライン１８を通してイオン交換部１１の下流に設けられたタンク１２にバイパスし、第２支流C2中のインヒビター成分がイオン交換部１１で低減されないようにする。
【００２７】
各支流C1、C2は、合流点となるタンク１２で混合された後、再び冷却液C0として循環ライン２内を循環する。そして、タンク１２の下流に設けられた導電率モニター１５において冷却液C0の導電率が測定され、その測定値に基づいて冷却液C0中のイオン濃度がモニターされる。
【００２８】
ここで、既述の分離部１０の構造は特に限定されないが、本実施形態では電気透析により冷却液C0を各支流C1、C2に分離する。
【００２９】
図２は、電気透析を用いた分離部１０の構成図である。
【００３０】
この分離部１０は、陽イオン交換樹脂膜３１と陰イオン交換樹脂膜３３により画定され冷却液C0が供給される脱塩室３５と、陽イオン交換樹脂膜３１と陰極３２により画定された陰極側濃縮室３６と、陰イオン交換樹脂膜３３と陽極３４により画定された陽極側濃縮室３７とを有する。
【００３１】
各イオン交換樹脂膜３１、３３は特に限定されないが、本実施形態では陽イオン交換樹脂膜３１としてデュポン社製のナフィオン４５０を用い、陰イオン交換樹脂膜３３としてトクヤマ社製のACMを用いる。
【００３２】
冷却液C0中の陽イオン（例えばNa+）は、陰極３２に引き付けられて陽イオン交換樹脂膜３１を透過し、陰極側濃縮室３６に移動する。そして、冷却液C0中の陰イオン（例えばSO42-）は、陽極３４に引き付けられて陰イオン交換樹脂膜３３を透過し、陽極側濃縮室３７に移動する。
【００３３】
このように移動した各イオンを含む冷却液C0は、イオン成分を含む第１支流C1として各濃縮室３６、３７から排出される。
【００３４】
一方、脱塩室３５では、各イオンが移動したことで冷却液C0におけるイオン濃度が低減される。また、冷却液C0にインヒビターとして添加されているベンゾトリアゾールは、水溶液中で電気的に中性なため、濃縮室３６、３７に移動することはない。これにより、脱塩室３５からは、腐食性のイオンが低減され、かつ腐食防止剤を主に含む第２支流C2が排出されることになる。
【００３５】
また、イオン交換部１１の構造も特に限定されない。図３は、イオン交換部１１の構成図である。
【００３６】
図３に示されるように、イオン交換部１１では、イオン交換塔４０に収容された混床型のイオン交換樹脂４１が第１支流C1に曝され、混床式イオン交換により第１支流C1中のイオン濃度が低減される。混床型のイオン交換樹脂４１としては、例えばシグマアルドリッチ製のアンバーライトIRN150を使用し得る。
【００３７】
なお、このような混床式イオン交換に代えて、陽イオン交換樹脂を収容したイオン交換塔と陰イオン交換樹脂を収容したイオン交換塔とを直列に繋ぎ、これらのイオン交換塔に冷却液C1を通してイオン交換を行ってもよい。
【００３８】
以上説明した本実施形態に係る冷却システム２０によれば、図１を参照して説明したように、腐食性のイオンがイオン交換部１１において低減されるので、イオンによって冷却板６等が腐食するのを抑制でき、冷却液C0の漏洩トラブルを防ぐことができる。
【００３９】
更に、インヒビター成分を含む第２支流C2をイオン交換部１１に通さないので、イオン交換部１１中のイオン交換樹脂４１（図３参照）にインヒビター成分が吸着せず、冷却液C0中におけるインヒビター濃度を略一定に保つことができる。この結果、使用途中で冷却液C0にインヒビターを補充しなくても、インヒビターによる冷却板６等の腐食防止効果を長期にわたって維持することが可能となる。
【００４０】
しかも、このようにインヒビター成分がイオン交換部１１のイオン樹脂４１に吸着しないので、イオン交換樹脂４１による腐食性イオンの吸着能力がインヒビターによって阻害されない。そのため、イオン交換樹脂に腐食性のイオンを優先的に吸着させることができ、冷却液C0中のイオン濃度を低減させ易くすることができる。更に、このようにイオン交換樹脂４１がインヒビター成分を吸着しなくてよいので、イオン交換樹脂の寿命を延ばすこともできる。
【００４１】
そして、上記のようにイオン交換樹脂によりイオン濃度の上昇を抑えることができるので、使用途中で冷却液C0を交換する必要もない。これらにより、本実施形態に係る電子装置用冷却システム２０は、実質的にメンテナンスフリーとなる。
【００４２】
（２）第２実施形態
次に、本発明の第２実施形態に係る電子装置用冷却システムについて説明する。
【００４３】
図４は、本実施形態に係る電子装置用冷却システムの構成図である。なお、図４において、第１実施形態で説明したのと同じ要素には第１実施形態と同じ符号を付し、以下ではその説明を省略する。
【００４４】
この電子装置用冷却システム５０では、分離部１０よりも上流の循環ライン２に分岐点Bを設ける。そして、この分岐点Bに、冷却液C0をタンク１２に分岐する分岐ライン５４を接続する。
【００４５】
更に、分岐点Bよりも下流の循環ライン２に第１バルブ５２を設けると供に、分岐ライン５４に第２バルブ５３を設ける。
【００４６】
各バルブ５２、５３は、いずれも流量調整機能を兼ねたニードルバルブであって、冷却液C0の流れを完全に停止させたり、その流量を調整したりすることができる。
【００４７】
その流量調整は、パーソナルコンピュータ等の制御部５１からバルブ５２、５３に出力される流量制御信号S1、S2によって行われる。
【００４８】
また、制御部５１には導電率モニター１５から出力された導電率信号S3が入力される。
【００４９】
制御部５１は、この導電率信号S3に基づいて、以下のようにして冷却液C0の流れをコントロールする。
【００５０】
まず、冷却板６等での腐食が顕著となるような冷却液C0の導電率の許容値Qを予め設定しておく。冷却液C0中のイオン濃度が高くなって導電率が３００μS/cmを超えると腐食が顕著となることが経験的に分かっているので、上記の許容値Qを３００μS/cmとすればよい。
【００５１】
導電率信号S3から把握される冷却液C0の導電率がこの許容値Q以下のときは、腐食の進行が起こりにくい。
【００５２】
したがって、この場合は、第１バルブ５２を閉じると供に、第２バルブ５３を開いて、冷却液C0の全てを分岐ライン５４に流し、分離部１０やイオン交換部１１には冷却液C0を通さない。
【００５３】
一方、冷却液C0の水質が劣化し、導電率信号S3から把握される冷却液C0の導電率が許容値Qを超えたときは、第１バルブ５２を開いて冷却液C0の一部を分離部１０に流す。このとき、各バルブ５２、５３での流量を制御部５１が制御し、分離部１０に過剰の冷却液C0が流れて循環ライン２の全体としての流れが悪くなるのを防止するのが好ましい。
【００５４】
このような状態を維持することで、冷却液C0中のイオン成分がイオン交換部１１により低減される。また、第１実施形態で説明したように、冷却液C0中のインヒビター成分は分離部１０においてタンク１２にバイパスされるので、インヒビター成分がイオン交換部１１によって低減されることはない。
【００５５】
そして、このような状態を維持した結果、冷却液C0の導電率が再び許容値Q以下となったときには、再び第１バルブ５２を閉じ、分離部１０側への冷却液C0の流れを完全に遮断する。
【００５６】
このような電子装置用冷却システム５０によれば、必要なときのみ冷却液C0を分離部１０やイオン交換部１１に通す。そのため、イオン交換部１１のイオン交換樹脂４１（図３参照）が冷却液C0の第１支流C1に曝される時間が第１実施形態よりも短くなるので、該イオン交換樹脂の寿命を長くすることができ、メンテナンスを殆ど要しない電子装置用冷却システム５０を実現することができる。
【００５７】
（３）調査結果について
本願発明者は、上記した第１、第２実施形態で説明した電子装置用冷却システム２０、５０により、銅板の腐食がどの程度抑制されるかを調査した。
【００５８】
また、この調査では、図５に示すような比較例に係る電子装置用冷却システム６０についても調べられた。図５では、第１実施形態と同じ要素には第１実施形態と同じ符号を付してある。この比較例に係る電子装置用冷却システム６０は、第１実施形態における分離部１０を省いて冷却液C0の全てをイオン交換部１１に導入するようにしたものである。
【００５９】
更に、この調査では、冷却液中の残存インヒビター濃度と、冷却液の導電率も併せて調べられた。
【００６０】
調査結果を表１に示す。
【００６１】
【表１】
0004809377.tif 000002
これらのうち、銅板の腐食については、銅板よりなる試験片（50mm×30mm×3mm）の全面を研磨布紙の４００番までを用いて研磨した。その後、この試験片の寸法から全表面積を算出した。次いで、試験片を水で洗浄した後、メタノール、アセトンで脱脂し、乾燥後の試験片の重量を測定した。
【００６２】
そして、試験片を循環ライン２に接続された試験片保持容器内に入れ、循環ポンプ１３により冷却液C0を循環させた。冷却液C0としては、純水中にベンゾトリアゾールを１００ppmの濃度で溶解させたものを使用した。
【００６３】
試験期間は３０日と６０日であり、試験時の冷却液の温度は６０℃にした。
【００６４】
試験を終了後、試験片に付着した腐食生成物を除去し、メタノール、アセトンで洗浄し、乾燥後の試験片の重量を測定した。
【００６５】
表中の侵食度は腐食度Wを用いて算出された。腐食度Wは、試験片の表面積１dm2に対する一日あたりの腐食減量のmg数であって、次式で定義されるようにその単位はmddとなる。
【００６６】
W=(M1−M2)／(S×T)
この式における各パラメータの意味は次の通りである。
【００６７】
W：腐食度（mdd）
M1：試験片の試験前の重量（mg）
M2：試験片の試験後の重量（mg）
S：試験片の表面積（dm2）
T：試験日数
この腐食度Wを用いて、侵食度Pは以下のようにして算出される。
【００６８】
P＝W×３６５×１０-4／d
式中の各パラメータの意味は次の通りである。
【００６９】
P：侵食度（mm／y）
W：腐食度（mdd）
d：試験片の密度（g／cm3）
このようにして定義される侵食度Pは、一年あたりの侵食深さをmmで表したものであり、その単位はmm／yとなる。
【００７０】
なお、表１中のインヒビター濃度は、紫外分光光度計（日立製作所製U−1100）により測定した。また、冷却液の導電率は、卓上型導電率計（メトラートレド製S30）により測定した。
【００７１】
表１の結果より、第１、第２実施形態では、インヒビター濃度が試験期間に関わらず略一定となっている。これは、分離部１０において冷却液中のインヒビター成分を分離し、インヒビター成分がイオン交換部１１を通らないようにしたことで、イオン交換部１１でインヒビター成分が低減されなかったためと考えられる。
【００７２】
また、第１、第２実施形態では、冷却液の導電率が常に１５０μS／cm程度の値となっており、導電率の上昇が防がれている。これは、分離部１０で分離されたイオン成分がイオン交換部１１で吸着されためと考えられる。
【００７３】
そして、このようにインヒビター濃度を一定に維持することができ、かつイオンに起因した導電率の上昇を防止できたことにより、インヒビターによる銅の腐食防止効果が長期にわたって発揮されると供に、腐食性のイオンによる腐食を防止でき、６０日後でも侵食度が０．０１１（mm／y）という非常に小さな値となった。
【００７４】
これに対し、比較例では、試験期間と供にインヒビター濃度が低下していることから、インヒビター成分がイオン交換部１１に吸着していると考えられる。このようにインヒビター成分が減少したことで、比較例ではインヒビターによる腐食防止の効果が十分に発揮されず、銅の侵食度が大きくなった。
【００７５】
更に、比較例では、イオン交換部１１のイオン交換樹脂４１にインヒビターが吸着したことで、イオン交換樹脂によるイオンの吸着能力が低下し、冷却液中のイオン濃度が上昇して試験期間と供に導電率が上昇している。上記した侵食度の増大は、このように冷却液中で除去されずに残存しているイオンにも起因していると考えられる。
【００７６】
このような調査結果から、第１、第２実施形態のように分離部１０を設けることが、銅等の腐食防止に効果的であることが裏付けられた。
【００７７】
以下に、本発明の特徴について付記する。
【００７８】
（付記１）  冷却液が循環する循環ラインと、
前記冷却液により電子装置を冷却する冷却部と、
前記循環ラインに設けられ、前記冷却液中のイオン成分と腐食防止剤成分とを分離して、前記イオン成分を含む第１支流と前記腐食防止剤成分を含む第２支流とに前記冷却液を分ける分離部と、
前記分離部よりも下流の前記循環ラインに設けられ、前記第１支流に含まれる前記イオン成分を低減するイオン交換部と、
前記イオン交換部よりも下流の前記循環ラインで前記第２支流が前記第１支流と合流する合流点と、
を有することを特徴とする電子装置用冷却システム。
【００７９】
（付記２）  前記冷却液と接する部分の前記冷却部に銅を含む材料が用いられると供に、前記腐食防止剤として銅の腐食防止剤が用いられ、該腐食防止剤が添加された純水が前記冷却液として用いられたことを特徴とする付記１に記載の電子装置用冷却システム。
【００８０】
（付記３）  前記循環ラインの途中に、前記冷却液の熱を放熱する熱交換器が設けられたる供に、前記冷却液と接する部分の前記熱交換器に銅を含む材料が用いられることを特徴とする付記２に記載の電子装置用冷却システム。
【００８１】
（付記４）  前記循環ラインの途中に設けられ、前記冷却液の導電率をモニターする導電率モニターと、
前記分離部よりも上流の前記循環ラインの分岐点において、前記冷却液を前記イオン交換部よりも下流の前記循環ラインに分岐する分岐ラインと、
前記分岐点よりも下流の前記循環ラインに設けられたバルブと、
前記導電率モニターで得られた前記冷却液の導電率が許容値以下のときに、前記バルブを閉じて前記冷却水の全てを前記分岐ラインに流し、前記導電率モニターで得られた前記循環ラインの導電率が前記許容値を超えたときに、前記バルブを開いて前記冷却液の一部を前記分離部に流す制御部とを更に有することを特徴とする付記１に記載の電子装置用冷却システム。
【００８２】
（付記５）  前記腐食防止剤は、前記冷却液中において電気的に中性であることを特徴とする付記１に記載の電子装置用冷却システム。
【００８３】
（付記６）  前記分離部は、
陽イオン交換樹脂膜と陰イオン交換樹脂膜により画定され、前記冷却液が供給される脱塩室と、
前記陽イオン交換樹脂膜と陰極により画定された陰極側濃縮室と、
前記陰イオン交換樹脂膜と陽極により画定された陽極側濃縮室とを有し、
前記第１支流が前記陽極側濃縮室と前記陰極側濃縮室から排出され、前記第２支流が前記脱塩室から排出されることを特徴とする付記１に記載の電子装置用冷却システム。
【００８４】
（付記７）  前記イオン交換部は、前記第１支流に曝されるイオン交換樹脂を収容したイオン交換塔を有することを特徴とする付記１に記載の電子装置用冷却システム。
【図面の簡単な説明】
【００８５】
【図１】図１は、本発明の第１実施形態に係る電子装置用冷却システムの構成図である。
【図２】図２は、本発明の各実施形態に係る電子装置用冷却システムが備える分離部の構成図である。
【図３】図３は、本発明の各実施形態に係る電子装置用冷却システムが備えるイオン交換部の構成図である。
【図４】図４は、本発明の第２実施形態に係る電子装置用冷却システムの構成図である。
【図５】図５は、比較例に係る電子装置用冷却システムの構成図である。
【符号の説明】
【００８６】
２…循環ライン、３…冷却部、４…マニフォールド、５…ゴムチューブ、６…冷却板、７…電子装置、１０…分離部、１１…イオン交換部、１２…タンク、１３…循環ポンプ、１５…導電率モニター、１６…熱交換器、１８…バイパスライン、２０、５０、６０…電子装置用冷却システム、３１…陽イオン交換樹脂膜、３２…陰極、３３…陰イオン交換樹脂膜、３４…陽極、３５…脱塩室、３６…陽極室、３７…陽極室、４０…イオン交換塔、４１…イオン交換樹脂、５１…制御部、５２、５３…第１、第２バルブ、５４…分岐ライン。
【図１】
0004809377.tif 000003
【図２】
0004809377.tif 000004
【図３】
0004809377.tif 000005
【図４】
0004809377.tif 000006
【図５】
0004809377.tif 000007