(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板にプラズマエッチング処理を施すエッチング装置を少なくとも備え、前記エッチング装置は前記基板を静電吸着する静電チャックを有し、該静電チャックは基板の裏面と接触する基板処理システムにおける基板処理方法であって、
前記基板の裏面に光硬化性樹脂を塗布する塗布ステップと、
前記基板の裏面に塗布された光硬化性樹脂を露光により硬化させて保護膜を形成する硬化ステップと、
前記基板の表裏面を反転させる反転ステップと、
前記基板の表面に所定のマスクパターンのレジスト膜を形成するレジスト膜形成ステップと、
前記基板の表面に前記プラズマエッチング処理を施すエッチングステップと、
前記保護膜を除去する洗浄ステップと、を有することを特徴とする基板処理方法。
【請求項２】
基板にプラズマエッチング処理を施すエッチング装置を少なくとも備え、前記エッチング装置は前記基板を静電吸着する静電チャックを有し、該静電チャックは基板の裏面と接触する基板処理システムにおける基板処理方法であって、
前記基板の表面に所定のマスクパターンのレジスト膜を形成するレジスト膜形成ステップと、
前記基板の表裏面を反転させる第１の反転ステップと、
前記基板の裏面に光硬化性樹脂を塗布する塗布ステップと、
前記基板の裏面に塗布された光硬化性樹脂を露光により硬化させて保護膜を形成する硬化ステップと、
前記基板の表裏面を反転させる第２の反転ステップと、
前記基板の表面に前記プラズマエッチング処理を施すエッチングステップと、
前記保護膜を除去する洗浄ステップと、を有することを特徴とする基板処理方法。
【請求項３】
前記露光に用いる光は紫外線であることを特徴とする請求項１又は２記載の基板処理方法。
【請求項４】
前記静電チャックは、Ｙ２Ｏ３、Ａｌ２Ｏ３又はＳｉＯ２のいずれかで形成されていることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の基板処理方法。
【請求項５】
基板にプラズマエッチング処理を施すエッチング装置を少なくとも備え、前記エッチング装置は前記基板を静電吸着する静電チャックを有し、該静電チャックは基板の裏面と接触する基板処理システムにおける基板処理方法をコンピュータに実行させるプログラムを格納するコンピュータ読み取り可能な記憶媒体であって、
前記基板処理方法は、
前記基板の裏面に光硬化性樹脂を塗布する塗布ステップと、
前記基板の裏面に塗布された硬化性樹脂を露光により硬化させて保護膜を形成する硬化ステップと、
前記基板の表裏面を反転させる反転ステップと、
前記基板の表面に所定のマスクパターンのレジスト膜を形成するレジスト膜形成ステップと、
前記基板の表面に前記プラズマエッチング処理を施すエッチングステップと、
前記保護膜を除去する洗浄ステップと、を有することを特徴とする記憶媒体。
【請求項６】
基板にプラズマエッチング処理を施すエッチング装置を少なくとも備え、前記エッチング装置は前記基板を静電吸着する静電チャックを有し、該静電チャックは基板の裏面と接触する基板処理システムにおける基板処理方法をコンピュータに実行させるプログラムを格納するコンピュータ読み取り可能な記憶媒体であって、
前記基板処理方法は、
前記基板の表面に所定のマスクパターンのレジスト膜を形成するレジスト膜形成ステップと、
前記基板の表裏面を反転させる第１の反転ステップと、
前記基板の裏面に光硬化性樹脂を塗布する塗布ステップと、
前記基板の裏面に塗布された硬化性樹脂を露光により硬化させて保護膜を形成する硬化
ステップと、
前記基板の表裏面を反転させる第２の反転ステップと、
前記基板の表面に前記プラズマエッチング処理を施すエッチングステップと、
前記保護膜を除去する洗浄ステップと、を有することを特徴とする記憶媒体。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板処理方法及び記憶媒体に関し、特に、基板を静電吸着する静電チャックを有するエッチング装置を備える基板処理システムにおける基板処理方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
基板としてのウエハの表面にプラズマを利用して所望のパターンの配線溝やビアホールを形成する基板処理システムは、ポジ型のレジストをウエハの表面に塗布するコータと、加熱等によって硬化したレジストの一部を露光する露光機と、ウエハの表面から露光されたレジストを現像液によって除去してレジスト膜を形成するデベロッパと、ウエハの表面にエッチング処理、例えば、ＲＩＥ（Reactive Ion Etching）処理を施すエッチング装置と、レジスト膜を除去する洗浄装置とを備える。近年、基板処理システムでは、スペース節約の観点からコータとデベロッパとは一体化されていることが多い。
【０００３】
また、エッチング装置は、ウエハを収容し且つプラズマが生成される収容室と、該収容室内に配置されて、ウエハにエッチング処理が施される間、ウエハを静電吸着する静電チャックとを有する（例えば、特許文献１参照。）。
【０００４】
露光機では所望のマスクパターンに対して反転したパターンの紫外線光等をウエハの表面におけるレジストに照射するが、近年、所望のマスクパターンの微細化に伴い短波長、例えば、波長が１９３ｎｍの紫外線光が露光機で用いられる。波長が短いと焦点深度も小さくなり、許容されるウエハの平面度、傾きも小さくなる。特に、露光機では複数のピン状の突起がウエハの裏面を支持することから、ウエハの裏面の傷、異物等がウエハの平面度、傾きに大きな影響を与える。
【０００５】
ところで、ウエハにおいて複雑な半導体デバイス用の配線構造や電極構造を実現するため、ウエハには基板処理システムによってエッチング処理が繰り返して施されるが、エッチング処理の度にウエハは静電チャックによって静電吸着される。静電チャックの表面はイットリア（Ｙ２Ｏ３）で覆われるため、吸着したシリコン（Ｓｉ）からなるウエハの裏面に傷が付くことがある。また、静電チャック表面に存在する異物がウエハの裏面に転写して付着することがある。
【特許文献１】特開２００５−３４７６２０号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、ウエハの裏面に付着した異物は洗浄液等を用いたウェット洗浄によって除去することができるが、ウエハの裏面の傷を効果的に除去する方法は知られていない。そして、上述したようにウエハの裏面の傷によって許容されるウエハの平面度を維持できなくなるおそれがある。また、ウエハの裏面の傷及び静電チャックの表面の擦れによってイットリア等が剥がれて（発塵して）パーティクルとなることがある。したがって、ウエハが静電チャックに吸着されるときにウエハの裏面に傷が付くのを防止する必要がある。
【０００７】
本発明の目的は、基板の裏面に、基板の平面度を乱し且つパーティクルの発生要因となる傷が付くのを防止することができる基板処理方法及び記憶媒体を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記目的を達成するために、請求項１記載の基板処理方法は、基板にプラズマエッチング処理を施すエッチング装置を少なくとも備え、前記エッチング装置は前記基板を静電吸着する静電チャックを有し、該静電チャックは基板の裏面と接触する基板処理システムにおける基板処理方法であって、前記基板の裏面に光硬化性樹脂を塗布する塗布ステップと、前記基板の裏面に塗布された硬化性樹脂を露光により硬化させて保護膜を形成する硬化ステップと、前記基板の表裏面を反転させる反転ステップと、前記基板の表面に所定のマスクパターンのレジスト膜を形成するレジスト膜形成ステップと、前記基板の表面に前記プラズマエッチング処理を施すエッチングステップと、前記保護膜を除去する洗浄ステップと、を有することを特徴とする。
【０００９】
上記目的を達成するために、請求項２記載の基板処理方法は、基板にプラズマエッチング処理を施すエッチング装置を少なくとも備え、前記エッチング装置は前記基板を静電吸着する静電チャックを有し、該静電チャックは基板の裏面と接触する基板処理システムにおける基板処理方法であって、前記基板の表面に所定のマスクパターンのレジスト膜を形成するレジスト膜形成ステップと、前記基板の表裏面を反転させる第１の反転ステップと、前記基板の裏面に光硬化性樹脂を塗布する塗布ステップと、前記基板の裏面に塗布された硬化性樹脂を露光により硬化させて保護膜を形成する硬化ステップと、前記基板の表裏面を反転させる第２の反転ステップと、前記基板の表面に前記プラズマエッチング処理を施すエッチングステップと、前記保護膜を除去する洗浄ステップと、を有することを特徴とする。
【００１０】
請求項３記載の基板処理方法は、請求項１又は２記載の基板処理方法において、前記露光に用いる光は紫外線であることを特徴とする。
【００１１】
請求項４記載の基板処理方法は、請求項１乃至３のいずれか１項に記載の基板処理方法において、前記静電チャックは、Ｙ２Ｏ３、Ａｌ２Ｏ３又はＳｉＯ２のいずれかで形成されていることを特徴とする。
【００１２】
上記目的を達成するために、請求項５記載の記憶媒体は、基板にプラズマエッチング処理を施すエッチング装置を少なくとも備え、前記エッチング装置は前記基板を静電吸着する静電チャックを有し、該静電チャックは基板の裏面と接触する基板処理システムにおける基板処理方法をコンピュータに実行させるプログラムを格納するコンピュータ読み取り可能な記憶媒体であって、前記基板処理方法は、前記基板の裏面に光硬化性樹脂を塗布する塗布ステップと、前記基板の裏面に塗布された硬化性樹脂を露光により硬化させて保護膜を形成する硬化ステップと、前記基板の表裏面を反転させる反転ステップと、前記基板の表面に所定のマスクパターンのレジスト膜を形成するレジスト膜形成ステップと、前記基板の表面に前記プラズマエッチング処理を施すエッチングステップと、前記保護膜を除去する洗浄ステップと、を有することを特徴とする。
【００１３】
上記目的を達成するために、請求項６記載の記憶媒体は、基板にプラズマエッチング処理を施すエッチング装置を少なくとも備え、前記エッチング装置は前記基板を静電吸着する静電チャックを有し、該静電チャックは基板の裏面と接触する基板処理システムにおける基板処理方法をコンピュータに実行させるプログラムを格納するコンピュータ読み取り可能な記憶媒体であって、前記基板処理方法は、前記基板の表面に所定のマスクパターンのレジスト膜を形成するレジスト膜形成ステップと、前記基板の表裏面を反転させる第１の反転ステップと、前記基板の裏面に光硬化性樹脂を塗布する塗布ステップと、前記基板の裏面に塗布された硬化性樹脂を露光により硬化させて保護膜を形成する硬化ステップと、前記基板の表裏面を反転させる第２の反転ステップと、前記基板の表面に前記プラズマエッチング処理を施すエッチングステップと、前記保護膜を除去する洗浄ステップと、を有することを特徴とする。
【発明の効果】
【００１７】
請求項１，２に記載の基板処理方法及び請求項５，６記載の記憶媒体によれば、静電チャックは、基板の裏面において硬化性樹脂が硬化されて形成された保護膜と接触する。したがって、基板が静電チャックに吸着されるときに基板の裏面に、基板の平面度を乱し且つパーティクルの発生要因となる傷が付くのを防止することができる。
【００１９】
請求項１記載の基板処理方法及び請求項５記載の記憶媒体によれば、保護膜の形成とレジスト膜の形成を別々に行うことができ、もって、保護膜及びレジスト膜をそれぞれ安定して形成することができる。また、基板の表面が露光されてレジスト膜が形成される際には、基板の裏面がピン状の突起で支持されるが、基板の裏面及び突起の間に保護膜が介在するので、基板を安定して支持することができ、露光を安定して行うことができる。
【００２０】
請求項２記載の基板処理方法及び請求項６記載の記憶媒体によれば、保護膜の形成とレジスト膜の形成を別々に行うことができ、もって、保護膜及びレジスト膜をそれぞれ安定して形成することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２４】
以下、本発明の実施の形態について図面を参照しながら説明する。
【００２５】
まず、本発明の第１の実施の形態に係る基板処理方法を実行する基板処理システムについて説明する。
【００２６】
図１は、本実施の形態に係る基板処理方法を実行する基板処理システムの概略構成を示す図である。
【００２７】
図１において、基板処理システム１０は、コータ／デベロッパ１１と、エッチング装置１３と、洗浄装置１４と、コータ／デベロッパ１１、エッチング装置１３及び洗浄装置１４の並びに対して平行に配設されたガイドレール１５と、ＡＧＶ（Automatic Guided Vehicle）１６と、コータ／デベロッパ１１に隣接して配される露光機１２とを備える。
【００２８】
コータ／デベロッパ１１は、半導体デバイス用のウエハ（以下、単に「ウエハ」という。）（基板）Ｗの表面にポジ型の硬化性樹脂であるレジストを塗布し、且つウエハＷの裏面に紫外線光の照射で硬化する光硬化性樹脂を塗布するコータの機能と、塗布後に加熱等によって硬化されたレジストのうち露光機１２によって所定のマスクパターンに対して反転したパターンの露光処理が施されたレジストをアルカリ性の洗浄液を用いて除去することによって所定のマスクパターンのレジスト膜等を形成するデベロッパの機能とを有する。
【００２９】
露光機１２は、ウエハＷを支持するピン状の突起を表面に有する載置台（図示しない）と、該載置台に対向して配置される紫外線照射ランプ（図示しない）とを備え、ウエハＷの表面に塗布されたレジストに紫外線を照射して露光することにより、レジストに露光処理を施す。ここで、レジストには所定のマスクパターンに対して反転したパターンに対応する部分にのみ紫外線が照射されるので、反転したパターンのレジストが変質してアルカリ可溶性になる。また、露光機１２においてレジストに露光処理が施される際、ウエハＷは載置台のピン状の突起によって支持される。
【００３０】
エッチング装置１３は、ウエハＷを搬送する搬送系と、ウエハＷの表面にＲＩＥ処理を施す後述する複数のプロセスモジュール１７とを備える。
【００３１】
洗浄装置１４は、ウエハＷの表面に形成されたレジスト膜及び裏面に形成された樹脂保護膜を洗浄液によって除去する。
【００３２】
ＡＧＶ１６は、ガイドレール１５に沿って移動自在な運搬ロボットであり、複数のウエハＷが収容された容器であるウエハカセットＣＲを載置し、各装置、例えば、コータ／デベロッパ１１へのウエハカセットＣＲの搬出入を行う。ＡＧＶ１６は、ウエハカセットＣＲをコータ／デベロッパ１１、エッチング装置１３及び洗浄装置１４の順で搬送する。
【００３３】
図２は、図１におけるコータ／デベロッパの概略構成を示す正面図である。
【００３４】
図２において、コータ／デベロッパ１１は、ＡＧＶ１６との間でウエハカセットＣＲの受け渡し等を行うカセットステーション１８と、ウエハＷへのレジスト又は光硬化性樹脂の塗布やレジスト膜等の現像を行う処理ステーション１９と、露光機１２との間でウエハＷの受け渡しを行うインタフェース部２０とからなる。カセットステーション１８、処理ステーション１９及びインタフェース部２０は一体的に接続されている。カセットステーション１８は、ＡＧＶ１６との間でウエハカセットＣＲの受け渡しを行うだけでなく、ウエハカセットＣＲに対するウエハＷの搬出入も行う。
【００３５】
処理ステーション１９は、多段配置された、ウエハＷに１枚ずつ所定の処理を施す枚葉式の各種処理ユニットを有する。また、多段配置された各種処理ユニットはユニット組を構成する。処理ステーション１９は、複数のユニット組と、各ユニット組に囲まれるように配置され且つウエハＷを各ユニット組に配送するウエハ搬送機構（図示しない）と、配送されるウエハＷを表裏反転させるウエハ反転ユニット（図示しない）とを有する。複数のユニット組のうち、ユニット組２１ａ，２１ｂはそれぞれ２つの塗布ユニット（コータ）２２ａ，２２ｃと、塗布ユニット２２ａ及び２２ｃの間に配されたウエハ反転ユニット２２ｂと、塗布ユニット２２ｃ上に重ねられた硬化ユニット８２ａと、該硬化ユニット８２ａ上に重ねられた２つの現像ユニット（デベロッパ）８２ｂ，８２ｃとを有する。また、他のユニット組（図示しない）が、ウエハＷを載置する載置台を有するオーブンユニットを有する。
【００３６】
塗布ユニット２２ａ，２２ｃはそれぞれウエハＷの表面にレジストを塗布し、ウエハＷの裏面に光硬化性樹脂を塗布する。現像ユニット８２ｂ，８２ｃはウエハの表面から露光処理が施されてアルカリ可溶性に変質したレジストをアルカリ性の現像液を用いることによって除去する。これにより、現像ユニット８２ｂ，８２ｃは所定のマスクパターンのレジスト膜等を形成する。硬化ユニット８２ａはウエハＷの裏面に塗布された光硬化性樹脂に紫外線を照射することによって露光処理を施し、光硬化性樹脂を硬化させる。また、オーブンユニットはウエハＷの表面に塗布されたレジストを加熱によって硬化させる。
【００３７】
図３は、図２における塗布ユニットの概略構成を示す断面図である。
【００３８】
図３において、塗布ユニット２２ａは、ウエハＷを収容する筐体状の収容室としてのチャンバ２３と、該チャンバ２３の中央部に配置されたスピンチャック２４と、該スピンチャック２４を囲むように配置された環状のカップ２５と、レジスト吐出機構２６とを備える。
【００３９】
スピンチャック２４はＰＥＥＫ樹脂からなり、スピンモータ（図示しない）に接続され、ウエハＷを載置したまま回転する。スピンチャック２４に載置されたウエハＷは水平面内において回転する。また、スピンチャック２４はエアシリンダ（図示しない）等によって昇降自在に移動する。なお、ウエハＷはスピンチャック２４にメカチャックや真空吸着チャック（いずれも図示しない）によってチャックされる。
【００４０】
カップ２５は環状の容器であり、上部が全周に亘って開口する開口部２９を有する。載置台２７に真空吸着されたウエハＷが下降したときに、開口部２９は該ウエハＷの周縁部を収容する。また、カップ２５は底部に余剰液排出管３０を有する。
【００４１】
レジスト吐出機構２６は、載置台２７の上面に真空吸着されたウエハＷに対向するように配置されたノズル３１と、該ノズル３１及びレジストを供給するレジスト供給装置（図示しない）を互いに接続するレジスト供給管３２と、ノズル３１が着脱自在に取り付けられたノズル保持体３３と、該ノズル保持体３３を先端に有するノズルスキャンアーム３４とを有する。ノズルスキャンアーム３４は、チャンバ２３の底部に敷設されたガイドレール３５によって水平移動可能な垂直支持部材３６の上端に取り付けられており、垂直支持部材３６と一体的に図中奥行き方向に自在に移動する。
【００４２】
また、チャンバ２３の側壁には、スピンチャック２４によって上方へ持ち上げられたウエハＷの高さに対応する位置にウエハＷの搬出入口３７が設けられる。
【００４３】
塗布ユニット２２では、水平面内において回転するウエハＷの表面に向けてノズル３１がレジストを吐出する。吐出されたレジストはウエハＷの表面に到達すると、遠心力によってウエハＷの表面において均一に広がる。これにより、ウエハＷの表面に均一にレジストが塗布される（スピンコート処理）。このとき、余剰となったレジストはカップ２５によって捕捉され、余剰液排出管３０によって外部に排出される。
【００４４】
また、塗布ユニット２２ｃは、レジスト吐出機構２６の代わりに光硬化性樹脂を吐出する光硬化性樹脂吐出機構を有する。ここで、ウエハＷは塗布ユニット２２ｃのチャンバ２３に搬入される前に、ウエハ反転ユニット２２ｂによって表裏が反転される。したがって、塗布ユニット２２ｃではウエハＷの裏面と光硬化性樹脂吐出機構とが対向する。塗布ユニット２２ｃで用いられる光硬化性樹脂としては、例えば、カルボキシル基を有し、酸価が３０〜２２０ＫＯＨｍｇ／ｇのセルロース誘導体を含む樹脂が該当する。また、塗布ユニット２２ｃにおいてウエハＷの裏面には、光硬化性樹脂の代わりに熱硬化性樹脂、例えば、ポリイミドを含む樹脂が塗布されてもよい。
【００４５】
ウエハ反転ユニット２２ｂは、ウエハＷの周縁を把持するメカチャックを有する。したがって、ウエハ反転ユニット２２ｂではウエハＷの表面がメカチャックと接触することがなく、表面に形成される半導体デバイスが損傷するのを防止できる。
【００４６】
コータ／デベロッパ１１では、ウエハカセットＣＲから搬出されたウエハＷがウエハ反転ユニット２２ｂによって表裏が反転され、塗布ユニット２２ｃによってウエハＷの裏面に光硬化性樹脂が先に塗布される。ウエハＷは塗布ユニット２２ｃから搬出されると硬化ユニット８２ａに搬入され、硬化ユニット８２ａはウエハＷの裏面に塗布された光硬化性樹脂に紫外線を照射することによって露光処理を施して光硬化性樹脂を硬化させる。これにより、裏面に塗布された光硬化性樹脂は樹脂保護膜となる。その後、ウエハＷはウエハ反転ユニット２２ｂによって表裏が反転される。表裏が反転して表面が上を向いたウエハＷには塗布ユニット２２ａにおいて該表面にレジストが塗布され、その後、塗布ユニット２２ａから搬出されると、該ウエハＷはオーブンユニットに搬入され、該オーブンユニットはウエハＷの表面に塗布されたレジストを加熱によって硬化させる。その後、ウエハＷはインタフェース部２０によって露光機１２に搬入されて載置台に載置される。このとき、紫外線照射ランプからウエハＷの表面に向けて所定のマスクパターンに対して反転したパターンに対応する部分にのみ紫外線が照射されて露光処理が施される。これにより、ウエハＷの表面において反転したパターンのレジストが変質してアルカリ可溶性になる。
【００４７】
レジストに上記反転したパターンの露光処理が施されたウエハＷは、インタフェース部２０によってコータ／デベロッパ１１に搬入され、現像ユニット８２ｂ，８２ｃにおいてアルカリ性の現像液によって該表面からアルカリ可溶性に変質した、反転したパターンのレジストが除去される。これにより、ウエハＷの表面において所定のマスクパターンのレジスト膜等が形成される。
【００４８】
図４は、図１におけるエッチング装置のプロセスモジュールの概略構成を示す断面図である。
【００４９】
図４において、プロセスモジュール１７は、ウエハＷを収容するチャンバ３８を有し、該チャンバ３８内にはウエハを載置する載置台としての円柱状のサセプタ３９が配置されている。
【００５０】
プロセスモジュール１７では、チャンバ３８の内側壁とサセプタ３９の側面とによって、サセプタ３９上方のガスをチャンバ３８の外へ排出する流路として機能する側方排気路４０が形成される。この側方排気路４０の途中にはバッフル板４１が配置される。
【００５１】
バッフル板４１は多数の孔を有する板状部材であり、チャンバ３８を上部と下部に仕切る仕切り板として機能する。バッフル板４１によって仕切られたチャンバ３８の上部４２には、ウエハＷを載置するサセプタ３９等が配置され、プラズマが発生する。以下、チャンバ３８の上部４２を「反応室」と称する。また、チャンバ３８の下部（以下、「排気室（マニホールド）」という。）４３にはチャンバ３８内のガスを排出する粗引き排気管４４及び本排気管４５が開口する。粗引き排気管４４にはＤＰ（Dry Pump）（図示しない）が接続され、本排気管４５にはＴＭＰ（Turbo Molecular Pump）（図示しない）が接続される。また、バッフル板４１は反応室４２の後述する処理空間Ｓにおいて発生するイオンやラジカルを捕捉又は反射してこれらのマニホールド４３への漏洩を防止する。
【００５２】
粗引き排気管４４、本排気管４５、ＤＰ及びＴＭＰ等は排気装置を構成し、粗引き排気管４４及び本排気管４５は反応室４２のガスをマニホールド４３を介してチャンバ３８の外部へ排出する。具体的には、粗引き排気管４４はチャンバ３８内を大気圧から低真空状態まで減圧し、本排気管４５は粗引き排気管４４と協働してチャンバ３８内を大気圧から低真空状態より低い圧力である高真空状態（例えば、１３３Ｐａ（１Ｔｏｒｒ）以下）まで減圧する。
【００５３】
サセプタ３９には下部高周波電源４６が整合器４７を介して接続されており、該下部高周波電源４６は、所定の高周波電力をサセプタ３９に供給する。これにより、サセプタ３９は下部電極として機能する。また、整合器４７は、サセプタ３９からの高周波電力の反射を低減して高周波電力のサセプタ３９への供給効率を最大にする。
【００５４】
サセプタ３９の上部には、電極板４８を内部に有する絶縁性部材、例えば、イットリア、アルミナ（Ａｌ２Ｏ３）やシリカ（ＳｉＯ２）からなる円板状の静電チャック４９が配置されている。サセプタ３９がウエハＷを載置するとき、該ウエハＷは静電チャック４９上に配される。電極板４８には直流電源５０が電気的に接続されている。電極板４８に負の直流電圧が印加されると、ウエハＷの裏面には正電位が発生し、さらに、ウエハの表面には負電位が発生する。そして、電極板４８及びウエハＷの裏面の間に電位差が生じ、該電位差に起因するクーロン力又はジョンソン・ラーベック力によってウエハＷは静電チャック４９の上面に吸着保持される。
【００５５】
また、サセプタ３９の上方には、静電チャック４９に吸着保持されたウエハＷの周りを囲うように円環状のフォーカスリング５１が配設される。このフォーカスリング５１は、処理空間Ｓに露出し、該処理空間ＳにおいてプラズマをウエハＷの表面に向けて収束し、ＲＩＥ処理の効率を向上させる。
【００５６】
また、サセプタ３９の内部には、例えば、円周方向に延在する環状の冷媒室５２が設けられる。この冷媒室５２には、チラーユニット（図示しない）から冷媒用配管５３を介して所定温度の冷媒、例えば、冷却水やガルデンが循環供給され、当該冷媒の温度によって静電チャック４９に吸着保持されたウエハＷの処理温度が制御される。
【００５７】
静電チャック４９のウエハＷが吸着保持される部分（以下、「吸着面」という。）には、複数の伝熱ガス供給孔５４が開口している。これら複数の伝熱ガス供給孔５４は、伝熱ガス供給ライン５５を介して伝熱ガス供給部（図示しない）に接続され、該伝熱ガス供給部は伝熱ガスとしてのヘリウムガスを、伝熱ガス供給孔５４を介して吸着面及びウエハＷの裏面の間隙に供給する。吸着面及びウエハＷの裏面の間隙に供給されたヘリウムガスはウエハＷの熱を静電チャック４９を介してサセプタ３９に伝熱する。
【００５８】
また、サセプタ３９の吸着面には、静電チャック４９から突出自在なリフトピンとしての複数のプッシャーピン５６が配置されている。これらのプッシャーピン５６は、モータ（図示しない）とボールねじ（図示しない）を介して接続され、ボールねじによって直線運動に変換されたモータの回転運動に起因して吸着面から自在に突出する。ウエハＷの表面にＲＩＥ処理を施すためにウエハＷを吸着面に吸着保持するときには、プッシャーピン５６はサセプタ３９に収容され、ＲＩＥ処理が施されたウエハＷをチャンバ３８から搬出するときには、プッシャーピン５６は静電チャック４９から突出してウエハＷをサセプタ３９から離間させて上方へ持ち上げる。
【００５９】
チャンバ３８（反応室４２）の天井部には、サセプタ３９と対向するようにガス導入シャワーヘッド５７が配置されている。ガス導入シャワーヘッド５７には整合器５８を介して上部高周波電源５９が接続されており、上部高周波電源５９は所定の高周波電力をガス導入シャワーヘッド５７に供給するので、ガス導入シャワーヘッド５７は上部電極として機能する。なお、整合器５８の機能は上述した整合器４７の機能と同じである。
【００６０】
ガス導入シャワーヘッド５７は、多数のガス穴６０を有する天井電極板６１と、該天井電極板６１を着脱可能に支持する電極支持体６２とを有する。また、該電極支持体６２の内部にはバッファ室６３が設けられ、このバッファ室６３には処理ガス導入管６４が接続されている。ガス導入シャワーヘッド５７は、処理ガス導入管６４からバッファ室６３へ供給された処理ガスをガス穴６０を経由してチャンバ３８（反応室４２）内へ供給する。
【００６１】
また、チャンバ３８の側壁には、プッシャーピン５６によってサセプタ３９から上方へ持ち上げられたウエハＷの高さに対応する位置にウエハＷの搬出入口６５が設けられ、搬出入口６５には、該搬出入口６５を開閉する真空ゲートバルブ６６が取り付けられている。
【００６２】
このプロセスモジュール１７のチャンバ３８内では、上述したように、サセプタ３９及びガス導入シャワーヘッド５７に高周波電力を供給して、サセプタ３９及びガス導入シャワーヘッド５７の間の処理空間Ｓに高周波電力を印加することにより、該処理空間Ｓにおいてガス導入シャワーヘッド５７から供給された処理ガスを高密度のプラズマにしてイオンやラジカルを発生させ、該イオン等によってウエハＷの表面にＲＩＥ処理を施す。
【００６３】
図５は、図１における洗浄装置の概略構成を示す平面図である。
【００６４】
図５において、洗浄装置１４は、ＲＩＥ処理が施されたウエハＷに洗浄処理を施す洗浄処理部６７と、該洗浄処理部６７へのウエハＷの搬出入を行う搬出入部６８とを備える。
【００６５】
搬出入部６８は、ＡＧＶ１６から受け渡されるウエハカセットＣＲを載置するためのカセット載置台６９と、該ウエハカセットＣＲ及び洗浄処理部６７の間においてウエハＷの受け渡しを行う搬送アーム型のウエハ搬送装置７０を有するウエハ搬送部７１とを備える。カセット載置台６９及びウエハ搬送部７１の間には仕切壁７２が立設され、該仕切壁７２においてカセット載置台６９に載置された各ウエハカセットＣＲに対応する位置にはポート７３が形成されており、ポート７３のウエハ搬送部７１側には、ポート７３をシャッタ等により開閉するポート開閉機構７４が設けられている。
【００６６】
ウエハ搬送装置７０は、水平方向及び鉛直方向に移動自在であり且つ水平面内において回転自在である。該ウエハ搬送装置７０は、搬出入部６８から洗浄処理部６７へ、また、洗浄処理部６７から搬出入部６８へウエハＷを搬送する。
【００６７】
洗浄処理部６７は、搬送アーム型の搬送手段である主ウエハ搬送装置７５と、該主ウエハ搬送装置７５及びウエハ搬送部７１の間でウエハＷの受け渡しを行う際にウエハＷを一時的に載置するウエハ受け渡しユニット７６と、基板洗浄ユニット７７，７８，７９，８０と、基板洗浄ユニット７７，７８，７９，８０に送液する所定の洗浄液を貯蔵する洗浄液貯蔵ユニット８１とを備える。主ウエハ搬送装置７５は、水平方向及び鉛直方向に移動自在であり且つ水平面内において回転自在である。該主ウエハ搬送装置７５は、ウエハ搬送装置７０、基板洗浄ユニット７７，７８，７９，８０の全てにアクセス可能である。
【００６８】
各基板洗浄ユニット７７，７８，７９，８０は、ウエハＷを収容し、該収容されたウエハＷに向けて洗浄液、例えば、アルカリ水溶液、過酸化水素水や硫酸化水を噴射する。洗浄液はウエハＷの表面に形成されたレジスト膜を溶解して除去すると共に、ウエハＷの裏面に形成された樹脂保護膜を溶解して除去する。
【００６９】
次に、本実施の形態に係る基板処理方法について説明する。
【００７０】
図６は、本実施の形態に係る基板処理方法のフローチャートである。
【００７１】
図６において、まず、ＡＧＶ１６がウエハカセットＣＲをコータ／デベロッパ１１に受け渡し、該コータ／デベロッパ１１は、カセットステーション１８によってウエハカセットＣＲからウエハＷを取り出し、ウエハ反転ユニットによってウエハＷの表裏を反転し、ウエハ搬送機構によってウエハＷを塗布ユニット２２ｃのチャンバ２３に搬入し、塗布ユニット２２ｃによってウエハＷの裏面に光硬化性樹脂を塗布する（ステップＳ６１）（塗布ステップ）。
【００７２】
次いで、コータ／デベロッパ１１は、ウエハＷを硬化ユニット８２ａに搬入し、該硬化ユニット８２ａはウエハＷの裏面に塗布された光硬化性樹脂に露光処理を施して光硬化性樹脂を硬化させる（ステップＳ６２）（硬化ステップ）。これにより、ウエハＷの裏面において樹脂保護膜が形成される（ステップＳ６３）（裏面保護膜形成ステップ）。
【００７３】
次いで、コータ／デベロッパ１１は、ウエハ反転ユニットによって表裏を反転し、該ウエハＷを塗布ユニット２２のチャンバ２３に搬入し、塗布ユニット２２ａによってウエハＷの表面にレジストを塗布する（ステップＳ６４）（塗布ステップ）。
【００７４】
次いで、コータ／デベロッパ１１はレジストが塗布されたウエハＷをオーブンユニットに搬入し、該オーブンユニットはウエハＷの表面に塗布されたレジストを加熱によって硬化させる（ステップＳ６５）（硬化ステップ）。
【００７５】
次いで、コータ／デベロッパ１１は、ウエハＷをインタフェース部２０によって露光機１２に搬入し、該露光機１２は紫外線照射ランプによってウエハＷの表面に向けて所定のマスクパターンに対して反転したパターンに対応する部分にのみ紫外線を照射してレジストに露光処理を施す（ステップＳ６６）。これにより、ウエハＷの表面において反転したパターンのレジストが変質してアルカリ可溶性になる。
【００７６】
次いで、コータ／デベロッパ１１は、インタフェース部２０によってレジストに露光処理が施されたウエハＷを当該コータ／デベロッパ１１に搬入し、現像ユニット８２ｂ，８２ｃによって表面からアルカリ可溶性に変質した、反転したパターンのレジストを除去する。これにより、ウエハＷの表面において所定のマスクパターンのレジスト膜を形成する（ステップＳ６７）。
【００７７】
次いで、コータ／デベロッパ１１は、レジスト膜が形成されたウエハＷをカセットステーション１８によってウエハカセットＣＲに格納し、さらに、該ウエハカセットＣＲをＡＧＶ１６に受け渡す。該ＡＧＶ１６はコータ／デベロッパ１１からエッチング装置１３まで移動し、エッチング装置１３の搬送系にウエハカセットＣＲを受け渡す。エッチング装置１３は、搬送系によってウエハカセットＣＲからウエハＷを取り出してプロセスモジュール１７のチャンバ３８に搬入し、該ウエハＷをサセプタ３９の静電チャック４９に吸着保持させる。さらに、エッチング装置１３は、プロセスモジュール１７によってウエハＷの表面にＲＩＥ処理を施す（ステップＳ６８）（エッチングステップ）。
【００７８】
次いで、エッチング装置１３は搬送系によってＲＩＥ処理が施されたウエハＷをウエハカセットＣＲに格納し、さらに、該ウエハカセットＣＲをＡＧＶ１６に受け渡す。該ＡＧＶ１６はエッチング装置１３から洗浄装置１４まで移動し、洗浄装置１４の搬出入部６８にウエハカセットＣＲを受け渡す。洗浄装置１４は、ウエハ搬送部７１によってウエハカセットＣＲからウエハＷを洗浄処理部６７に搬入し、主ウエハ搬送装置７５によって該ウエハＷを基板洗浄ユニット７７等に搬入し、基板洗浄ユニット７７等によってウエハＷの表面に形成されたレジスト膜を溶解して除去すると共に、ウエハＷの裏面に形成された樹脂保護膜を溶解して除去し（ステップＳ６９）（洗浄ステップ、保護膜除去ステップ）、本処理を終了する。
【００７９】
図６の処理によれば、ウエハＷの表面にＲＩＥ処理が施される前に、ウエハＷの裏面において塗布された光硬化性樹脂に紫外線照射による露光処理が施されて樹脂保護膜が形成され、ウエハＷの表面にＲＩＥ処理が施された後にウエハＷの裏面から樹脂保護膜が除去されるので、静電チャック４９は、ウエハＷの裏面において形成された樹脂保護膜と接触する。したがって、ウエハＷが静電チャック４９に吸着されるときにウエハＷの裏面に傷が付くのを防止することができ、さらに、ウエハＷと静電チャック４９の密着性が向上するため、ウエハＷの温度制御性を向上することができる。
【００８０】
また、図６の処理によれば、ウエハＷの裏面に樹脂保護膜が形成された後、且つウエハＷの表面にＲＩＥ処理が施される前に、ウエハＷの表面に所定のマスクパターンのレジスト膜が形成されるので、樹脂保護膜の形成とレジスト膜の形成を別々に行うことができ、もって、樹脂保護膜及びレジスト膜をそれぞれ安定して形成することができる。また、ウエハＷの表面が露光されてレジスト膜が形成される際には、露光機１２においてウエハＷの裏面が載置台のピン状の突起で支持されるが、ウエハＷの裏面及び突起の間に樹脂保護膜が介在するので、ウエハＷを安定して支持することができ、露光を安定して行うことができる。さらに、オーブンユニットの載置台にウエハＷが載置される際にも、該載置台とウエハＷの裏面における樹脂保護膜とが接触する。したがって、オーブンユニットにおいても、ウエハＷの裏面に傷が付くのを防止することができると共に、ウエハＷと載置台の密着性を向上することができる。
【００８１】
また、図６の処理によれば、スピンコート処理（塗布処理）によって樹脂保護膜が形成されるので、樹脂保護膜を簡便に形成することができる。
【００８２】
上述した図６の処理では、ウエハＷの裏面に樹脂保護膜を形成した後に、ウエハＷの表面にレジスト膜を形成したが、ウエハＷの裏面に樹脂保護膜を形成する前に、ウエハＷの表面にレジスト膜を形成してもよい。これによっても、樹脂保護膜の形成とレジスト膜の形成を別々に行うことができるため、樹脂保護膜及びレジスト膜をそれぞれ安定して形成することができる。
【００８３】
また、図６の処理では、ウエハＷの表面のレジスト膜及びウエハＷの裏面の樹脂保護膜は洗浄液によって溶解されて除去されたが、樹脂保護膜の除去方法はこれに限られず、例えば、酸素ラジカル等を用いるアッシング処理であってもよい。
【００８４】
また、コータ／デベロッパ１１の処理ステーション１９がウエハ反転ユニットを備えていなくてもよく、この場合、塗布ユニットはレジスト吐出機構２６に加えて水平面内において回転するウエハＷの下方から該ウエハＷの裏面に向けて光硬化性樹脂を吹き付けるノズルを有するのが好ましい。光硬化性樹脂は粘着性を有するため、ウエハＷの裏面に付着し、さらに、遠心力によってウエハＷの裏面に均一に広がる。
【００８５】
さらに、ウエハＷの裏面において樹脂保護膜を上述したスピンコート処理によって形成する代わりに、ウエハＷの裏面に樹脂シートを貼り付けることによって形成してもよい。
【００８６】
次に、本発明の第２の実施の形態に係る基板処理方法を実行する基板処理システムについて説明する。
【００８７】
本実施の形態は、その構成や作用が上述した第１の実施の形態と基本的に同じであり、基板処理システムの構成の一部及び基板処理方法の行程の一部が上述した第１の実施の形態と異なるのみである。したがって、同様の構成、行程については説明を省略し、以下に第１の実施の形態と異なる作用についてのみ説明を行う。
【００８８】
図７は、本実施の形態に係る基板処理方法を実行する基板処理システムの概略構成を示す図である。
【００８９】
図７において、基板処理システム８３は、ＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）装置８４と、コータ／デベロッパ１１と、エッチング装置１３と、洗浄装置１４と、アッシング装置８５と、ＣＶＤ装置８４、コータ／デベロッパ１１、エッチング装置１３、洗浄装置１４及びアッシング装置８５に対して平行に配設されたガイドレール１５と、ＡＧＶ１６と、コータ／デベロッパ１１に隣接して配される露光機１２とを備える。
【００９０】
ＣＶＤ装置８４は、ウエハＷを搬送する搬送系と、ＣＶＤ処理によってウエハＷの裏面にＣＦ系保護膜を形成する、後述の複数のプロセスモジュール８６とを備える。
【００９１】
アッシング装置８５は、ウエハＷを搬送する搬送系と、ウエハＷの裏面にアッシング処理を施す複数のプロセスモジュールとを備える。アッシング装置８５におけるプロセスモジュールは、エッチング装置１３におけるプロセスモジュール１７と同様の構成を有する。
【００９２】
ＡＧＶ１６は、ウエハカセットＣＲをＣＶＤ装置８４、コータ／デベロッパ１１、エッチング装置１３、洗浄装置１４及びアッシング装置８５の順で搬送する。
【００９３】
図８は、図７におけるＣＶＤ装置のプロセスモジュールの概略構成を示す断面図である。
【００９４】
図８において、プロセスモジュール８６は、ウエハＷを収容する筐体状の収容室としてのチャンバ８７と、該チャンバ８７の天井部８８に配置されたウエハ吸着部８９と、チャンバ８７の底面部９０にウエハ吸着部８９と対向するように配置され、且つ該ウエハ吸着部８９と所定の間隔だけ離間されて配置された電極９１と、チャンバ８７内のガス等を外部へ排出する排気管９２とを備える。
【００９５】
ウエハ吸着部８９は円柱状の突出物であり、底面に開口する複数の真空吸着穴（図示しない）を有する。チャンバ８７内に搬入されたウエハＷは、ウエハ吸着部８９の複数の真空吸着穴によって真空吸着され、ウエハ吸着部８９の底面に保持される。また、ウエハ吸着部８９は、下面に耐熱樹脂、例えば、ポリイミドからなる緩衝膜９３を有する。したがって、ウエハＷの表面は緩衝膜９３を介してウエハ吸着部８９の底面に接触するので、ウエハＷの表面に形成された配線溝やビアホールの形状が崩れることがない。また、ウエハ吸着部８９はヒータ（図示しない）を内蔵し、ウエハＷの裏面に保護膜が形成される間、該ウエハＷの温度を所定の温度に維持する。
【００９６】
電極９１はテーブル状の導電性部材からなり、ウエハ吸着部８９と対向する面（上面）において複数のガス噴出穴（図示しない）を有する。また、電極９１には高周波電源９４が整合器９５を介して接続されており、該高周波電源９４は、所定の高周波電力を電極９１に供給する。これにより、電極９１は、ウエハ吸着部８９及び電極９１に挟まれた処理空間Ｓ’に高周波電力を印加する。また、整合器９５は、電極９１からの高周波電力の反射を低減して高周波電力の電極９１への供給効率を最大にする。
【００９７】
また、チャンバ８７の側壁には、ウエハ吸着部８９によって吸着されたウエハＷに対応する位置にウエハＷの搬出入口９６が設けられ、搬出入口９６には、該搬出入口９６を開閉する真空ゲートバルブ９７が取り付けられている。
【００９８】
プロセスモジュール８６では、ＣＶＤ処理によってウエハＷの裏面に保護膜を形成する。具体的には、電極９１における複数のガス噴出穴からデポ性の処理ガス、例えば、ＣＦ系ガスが処理空間Ｓ’に供給され、高周波電力が処理空間Ｓ’に印加された際に、ＣＦ系ガスからラジカルやイオンが発生し、該ラジカル等がウエハ吸着部８９に吸着されているウエハＷの裏面に付着・堆積してＣＦ系保護膜を形成する。このとき、余剰のラジカル等は排気管９２によって外部へ排出される。
【００９９】
プロセスモジュール８６で形成される保護膜の厚さは１０μｍ以下であればよく、好ましくは約１μｍであるのがよい。なお、形成される保護膜の種類はＣＦ系保護膜に限られず、アモルファスカーボンからなる保護膜であってもよい。
【０１００】
また、アッシング装置８５のプロセスモジュールでは、裏面にＣＦ系保護膜が形成されたウエハＷがチャンバ３８内に搬入されてプッシャーピン５６に支持されると、ガス導入シャワーヘッド５７から酸素（Ｏ２）ガスが処理空間Ｓに導入される。このとき、プッシャーピン５６はウエハＷをサセプタ３９から上方へ持ち上げたままの状態で支持する。したがって、ウエハＷの裏面の下方にも空間が存在する。
【０１０１】
さらに、サセプタ３９及びガス導入シャワーヘッド５７に高周波電力が供給されて、サセプタ３９及びガス導入シャワーヘッド５７の間の処理空間Ｓに高周波電力が印加されると、処理空間Ｓの酸素ガスからプラズマが発生して酸素ラジカルが発生する。このとき、ウエハＷの裏面の下方の空間にも酸素ラジカルが回り込み、該酸素ラジカルはウエハＷの裏面におけるＣＦ系保護膜を分解・除去する（アッシング処理）。
【０１０２】
なお、上記プロセスモジュールでは酸素ラジカルによってＣＦ系保護膜を除去したが、処理空間Ｓにおいて弗素ラジカルを発生させ、該弗素ラジカルによってウエハＷの裏面におけるＣＦ系保護膜を分解・除去してもよく、又は、処理空間Ｓにオゾンガスを供給して該オゾンガスによってＣＦ系保護膜を分解・除去してもよい。
【０１０３】
次に、本実施の形態に係る基板処理方法について説明する。
【０１０４】
図９は、本実施の形態に係る基板処理方法のフローチャートである。
【０１０５】
図９において、まず、ＡＧＶ１６がウエハカセットＣＲをＣＶＤ装置８４に受け渡し、該ＣＶＤ装置８４は、搬送系によってウエハＷをウエハカセットＣＲからプロセスモジュール８６のチャンバ８７に搬入し、プロセスモジュール８６によってウエハＷの裏面にＣＦ系保護膜を形成する（ステップＳ９１）（裏面保護膜形成ステップ）。
【０１０６】
次いで、ＣＶＤ装置８４は、ＣＦ系保護膜が形成されたウエハＷを搬送系によってウエハカセットＣＲに格納し、さらに、該ウエハカセットＣＲをＡＧＶ１６に受け渡す。該ＡＧＶ１６はＣＶＤ装置８４からコータ／デベロッパ１１まで移動してウエハカセットＣＲをコータ／デベロッパ１１に受け渡す。該コータ／デベロッパ１１は、カセットステーション１８によってウエハカセットＣＲからウエハＷを取り出し、ウエハ搬送機構によってウエハＷを塗布ユニット２２ａのチャンバ２３に搬入し、レジスト吐出機構２６によってウエハＷの表面にレジストを塗布する（ステップＳ９２）。
【０１０７】
次いで、コータ／デベロッパ１１はレジストが塗布されたウエハＷをオーブンユニットに搬入し、該オーブンユニットはウエハＷの表面に塗布されたレジストを加熱によって硬化させる（ステップＳ９３）（硬化ステップ）。
【０１０８】
次いで、コータ／デベロッパ１１は、ウエハＷをインタフェース部２０によって露光機１２に搬入し、該露光機１２は紫外線照射ランプによってウエハＷの表面に向けて所定のマスクパターンに対して反転したパターンに対応する部分にのみ紫外線を照射してレジストに露光処理を施す（ステップＳ９４）。これにより、反転したパターンのレジストが変質してアルカリ可溶性になる。
【０１０９】
次いで、コータ／デベロッパ１１は、インタフェース部２０によってレジストに露光処理が施されたウエハＷを当該コータ／デベロッパ１１に搬入し、現像ユニット８２ｂ，８２ｃによって表面からアルカリ可溶性に変質した、反転したパターンのレジストを除去する。これにより、ウエハＷの表面において所定のマスクパターンのレジスト膜を形成する（ステップＳ９５）。
【０１１０】
次いで、コータ／デベロッパ１１は、レジスト膜が形成されたウエハＷをカセットステーション１８によってウエハカセットＣＲに格納し、さらに、該ウエハカセットＣＲをＡＧＶ１６に受け渡す。該ＡＧＶ１６はコータ／デベロッパ１１からエッチング装置１３まで移動し、エッチング装置１３の搬送系にウエハカセットＣＲを受け渡す。エッチング装置１３は、搬送系によってウエハカセットＣＲからウエハＷを取り出してプロセスモジュール１７のチャンバ３８に搬入し、該ウエハＷをサセプタ３９の静電チャック４９に吸着保持させる。さらに、エッチング装置１３は、プロセスモジュール１７によってウエハＷの表面にＲＩＥ処理を施す（ステップＳ９６）（エッチングステップ）。
【０１１１】
次いで、エッチング装置１３は搬送系によってＲＩＥ処理が施されたウエハＷをウエハカセットＣＲに格納し、さらに、該ウエハカセットＣＲをＡＧＶ１６に受け渡す。該ＡＧＶ１６はエッチング装置１３から洗浄装置１４まで移動し、洗浄装置１４の搬出入部６８にウエハカセットＣＲを受け渡す。洗浄装置１４は、ウエハ搬送部７１によってウエハカセットＣＲからウエハＷを洗浄処理部６７に搬入し、主ウエハ搬送装置７５によって該ウエハＷを基板洗浄ユニット７７等に搬入し、基板洗浄ユニット７７等によってウエハＷの表面に形成されたレジスト膜を溶解して除去する（ステップＳ９７）（洗浄ステップ）。
【０１１２】
次いで、洗浄装置１４はウエハ搬送部７１によってレジスト膜が除去されたウエハＷをウエハカセットＣＲに格納し、さらに、該ウエハカセットＣＲをＡＧＶ１６に受け渡す。該ＡＧＶ１６は洗浄装置１４からアッシング装置８５まで移動し、アッシング装置８５の搬送系にウエハカセットＣＲを受け渡す。アッシング装置８５は、搬送系によってウエハカセットＣＲからウエハＷを取り出してプロセスモジュールのチャンバ３８に搬入し、さらに、該プロセスモジュールにおいてアッシング処理によってウエハＷの裏面におけるＣＦ系保護膜を分解・除去し（ステップＳ９８）（保護膜除去ステップ）、本処理を終了する。
【０１１３】
図９の処理によれば、ウエハＷの表面にＲＩＥ処理が施される前に、ウエハＷの裏面においてＣＦ系保護膜が形成され、ウエハＷの表面にＲＩＥ処理が施された後にウエハＷの裏面からＣＦ系保護膜が除去されるので、静電チャック４９は、ウエハＷの裏面に形成されたＣＦ系保護膜と接触する。したがって、第１の実施の形態と同様の効果を奏することができる。
【０１１４】
また、図９の処理によれば、ウエハＷの裏面にＣＦ系保護膜が形成された後、且つウエハＷの表面にＲＩＥ処理が施される前に、ウエハＷの表面に所定のマスクパターンのレジスト膜が形成されるので、ＣＦ系保護膜の形成とレジスト膜の形成を別々に行うことができ、さらに、レジスト膜が形成される際には、ウエハＷの裏面及び露光機１２の載置台における突起の間にＣＦ系保護膜が介在する。したがって、第１の実施の形態と同様の効果を奏することができる。
【０１１５】
また、図９の処理によれば、蒸着処理であるＣＶＤ処理によってＣＦ系保護膜が形成されるので、安定した膜厚のＣＦ系保護膜を確実に形成することができ、もって、ウエハＷの裏面に傷が付くのを確実に防止することができる。
【０１１６】
上述した図９の処理では、ウエハＷの裏面にＣＦ系保護膜を形成した後に、ウエハＷの表面にレジスト膜を形成したが、ウエハＷの裏面にＣＦ系保護膜を形成する前に、ウエハＷの表面にレジスト膜を形成してもよい。これによっても、ＣＦ系保護膜の形成とレジスト膜の形成を別々に行うことができるため、ＣＦ系保護膜及びレジスト膜をそれぞれ安定して形成することができる。
【０１１７】
なお、上述した基板処理システム８３では、ＣＶＤ装置８４がＣＶＤ処理によってＣＦ系保護膜を形成したが、保護膜はＣＦ系保護膜に限られず、光硬化性樹脂からなる保護膜を形成してもよい。また、保護膜の形成方法もＣＶＤ処理に限られず、蒸着を用いるものであればよく、例えば、ＰＶＤ（Physical Vapor Deposition）処理であってもよい。
【０１１８】
上述した各実施の形態においてＲＩＥ処理が施される基板は半導体ウエハに限られず、ＬＣＤ（Liquid Crystal Display）やＦＰＤ（Flat Panel Display）等に用いる各種基板や、フォトマスク、ＣＤ基板、プリント基板等であってもよい。
【０１１９】
また、上述した各実施の形態における加工性樹脂はポジ型であったが、ネガ型であってもよい。
【０１２０】
また、本発明の目的は、上述した各実施の形態の機能を実現するソフトウェアのプログラムコードを記憶した記憶媒体を、システム或いは装置に供給し、そのシステム或いは装置のコンピュータ（またはＣＰＵやＭＰＵ等）が記憶媒体に格納されたプログラムコードを読み出し実行することによっても達成される。
【０１２１】
この場合、記憶媒体から読み出されたプログラムコード自体が上述した各実施の形態の機能を実現することになり、そのプログラムコード及び該プログラムコードを記憶した記憶媒体は本発明を構成することになる。
【０１２２】
また、プログラムコードを供給するための記憶媒体としては、例えば、フロッピー（登録商標）ディスク、ハードディスク、光磁気ディスク、ＣＤ−ＲＯＭ、ＣＤ−Ｒ、ＣＤ−ＲＷ、ＤＶＤ−ＲＯＭ、ＤＶＤ−ＲＡＭ、ＤＶＤ−ＲＷ、ＤＶＤ＋ＲＷ等の光ディスク、磁気テープ、不揮発性のメモリカード、ＲＯＭ等を用いることができる。または、プログラムコードをネットワークを介してダウンロードしてもよい。
【０１２３】
また、コンピュータが読み出したプログラムコードを実行することにより、上述した各実施の形態の機能が実現されるだけではなく、そのプログラムコードの指示に基づき、コンピュータ上で稼動しているＯＳ（オペレーティングシステム）等が実際の処理の一部または全部を行い、その処理によって上述した各実施の形態の機能が実現される場合も含まれる。
【０１２４】
さらに、記憶媒体から読み出されたプログラムコードが、コンピュータに挿入された機能拡張ボードやコンピュータに接続された機能拡張ユニットに備わるメモリに書き込まれた後、そのプログラムコードの指示に基づき、その拡張機能を拡張ボードや拡張ユニットに備わるＣＰＵ等が実際の処理の一部または全部を行い、その処理によって上述した各実施の形態の機能が実現される場合も含まれる。
【図面の簡単な説明】
【０１２５】
【図１】本発明の第１の実施の形態に係る基板処理方法を実行する基板処理システムの概略構成を示す図である。
【図２】図１におけるコータ／デベロッパの概略構成を示す正面図である。
【図３】図２における塗布ユニットの概略構成を示す断面図である。
【図４】図１におけるエッチング装置のプロセスモジュールの概略構成を示す断面図である。
【図５】図１における洗浄装置の概略構成を示す平面図である。
【図６】本実施の形態に係る基板処理方法のフローチャートである。
【図７】本発明の第２の実施の形態に係る基板処理方法を実行する基板処理システムの概略構成を示す図である。
【図８】図７におけるＣＶＤ装置のプロセスモジュールの概略構成を示す断面図である。
【図９】本実施の形態に係る基板処理方法のフローチャートである。
【符号の説明】
【０１２６】
Ｗ  ウエハ
１０  基板処理システム
１１  コータ／デベロッパ
１２  露光機
１３  エッチング装置
１４  洗浄装置
２２ａ，２２ｃ  塗布ユニット
８２ａ  硬化ユニット
４９  静電チャック
７７，７８,７９，８０  基板洗浄ユニット
８４  ＣＶＤ装置
８５  アッシング装置
【図１】
0004771845.tif 000002
【図２】
0004771845.tif 000003
【図３】
0004771845.tif 000004
【図４】
0004771845.tif 000005
【図５】
0004771845.tif 000006
【図６】
0004771845.tif 000007
【図７】
0004771845.tif 000008
【図８】
0004771845.tif 000009
【図９】
0004771845.tif 000010