(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板、前記基板に形成された圧電体膜、及び前記圧電体膜上に形成された弾性表面波を励振させる励振電極を有する、複数の弾性表面波素子と、
前記複数の弾性表面波素子の前記励振電極を対向させ且つ空隙を介して密閉状態に固定する接合部と、を有し、
前記複数の弾性表面波素子のうち少なくとも一つの弾性表面波素子は、前記圧電体膜が形成された面とは異なる面に外部接続電極が形成され、
前記複数の弾性表面波素子のうち、少なくとも一つの弾性表面波素子は、前記圧電体膜が形成された一面と反対側の前記基板の表層部に、少なくとも前記弾性表面波を励振させる回路部が形成されていることを特徴とする弾性表面波デバイス。
【請求項２】
請求項１に記載の弾性表面波デバイスにおいて、
前記接合部は、少なくとも前記励振電極の外周に周状に形成されていることを特徴とする弾性表面波デバイス。
【請求項３】
請求項１または請求項２に記載の弾性表面波デバイスにおいて、
前記接合部は、前記複数の弾性表面波素子間の電気的接続を行なう導電部を有することを特徴とする弾性表面波デバイス。
【請求項４】
請求項１ないし請求項３のいずれか一項に記載の弾性表面波デバイスにおいて、
前記複数の弾性表面波素子のうち少なくとも一つの弾性表面波素子は、弾性表面波フィルタであることを特徴とする弾性表面波デバイス。
【請求項５】
請求項４に記載の弾性表面波デバイスにおいて、
前記複数の弾性表面波素子のうち、前記外部接続電極が形成されている前記弾性表面波素子を前記弾性表面波フィルタとしたことを特徴とする弾性表面波デバイス。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、薄膜弾性表面波共振子、薄膜弾性表面波フィルタなどの薄膜弾性表面波デバイスに関する。
【背景技術】
【０００２】
一般に、通信機器などの電子機器における各種信号処理には、共振子やフィルタなどを構成する弾性表面波デバイスを一例とする圧電デバイスが用いられている。このような従来の圧電デバイスの構成を、図５を用いて説明する。図５は、従来の圧電デバイスの概略の構造を示す正断面図である。
【０００３】
圧電デバイス１０００は、中央部に凹部を有する密閉容器１０１１、圧電振動片１０１３、圧電振動片１０１３を発振させる機能などを有する回路素子１０１２、密閉容器１０１１の凹部を封止する蓋体１０２０などから形成されている。密閉容器１０１１は、セラミックなどを用いて形成され、中央部の凹部には、中央部分の底面と外周部分の段部とが形成されている。密閉容器１０１１の凹部の底面には、回路素子１０１２が固着されている。回路素子１０１２の上面には、接続電極１０１５が形成されており、密閉容器１０１１の段部に形成された外部端子１０１６とワイヤーボンディングなどの導電ワイヤ１０１７によって接続されている。圧電振動片１０１３には、表裏に励振電極１０１４と、励振電極１０１４から延伸された支持電極１０２１とが形成されている。圧電振動片１０１３は、支持電極１０２１と回路素子１０１２の上面の接続電極１０１５とが、金属バンプ１０１８を介して接合され、回路素子１０１２の上方に支持されている。密閉容器１０１１は、その上面に蓋体１０２０が固着されており、その凹部内に回路素子１０１２、圧電振動片１０１３などが封止されている。なお、蓋体１０２０は、圧電振動片１０１３の励振電極１０１４との間に、空隙１０１９を有して固着されている（例えば、特許文献１参照）。
【０００４】
また、従来の圧電デバイスの一例としての、弾性表面波デバイスの構成を図６に示す。図６は、従来の弾性表面波デバイスの概略の構成を示す正断面図である。弾性表面波デバイス１１００は、中央部に凹部を有する密閉容器１１１１、圧電振動片１１１３、圧電振動片１１１３を発振させる機能などを有する回路素子１１１２、密閉容器１１１１の凹部を封止する蓋体１１２０などから形成されている。密閉容器１１１１の凹部の底面には、回路素子１１１２が固着されている。回路素子１１１２の上面には、接続電極１１１５が形成されており、密閉容器１１１１の段部に形成された外部端子１１１６と導電ワイヤ１１１７によって接続されている。圧電振動片１１１３の一面には、例えば、共振子を構成する励振電極１１１４ａと、例えば、フィルタを構成する励振電極１１１４ｂが並んで形成されており、それぞれの電極から支持電極１１２１に延伸されている。圧電振動片１１１３は、支持電極１１２１と回路素子１１１２の上面の接続電極１１１５とが、金属バンプ１１１８を介して接合され、回路素子１１１２の上方に支持されている。密閉容器１１１１は、その上面に蓋体１１２０が固着されており、その凹部内に回路素子１１１２、圧電振動片１１１３などが封止されている。
【０００５】
【特許文献１】特開平１１−１４５７２８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
近年、携帯機器の普及とも相まって電子機器の小型化が進み、用いられる圧電デバイスも小型・薄型化が要求されるようになってきている。しかしながら、前述の圧電デバイス１０００では、回路素子１０１２、圧電振動片１０１３、励振電極１０１４、及び蓋体１０２０が、平面視で重なるように（厚さ方向に直列的に配置）設けられている。さらに、励振電極１０１４と蓋体１０２０との間には、蓋体１０２０が圧電振動片１０１３の振動を阻害しないための空隙１０１９が設けられている。このように、回路素子１０１２、圧電振動片１０１３、励振電極１０１４、及び蓋体１０２０の厚さ寸法、及び空隙１０１９の寸法が加算されることにより、圧電デバイス１０００の厚さ寸法が大きくなってしまうという課題がある。
【０００７】
また、後述の弾性表面波デバイス１１００では、異なる機能を有する励振電極１１１４ａ，１１１４ｂが、圧電振動片１１１３上の一面に並んで形成されている。このため、圧電振動片１１１３の平面面積が大きくなり、その圧電振動片１１１３を収納する密閉容器１１１１の平面面積が大きくなる。即ち、弾性表面波デバイス１１００の平面面積も大きくなってしまうという課題がある。
【０００８】
本発明は、上記問題に鑑みてなされたものであり、その目的は、複数の励振電極を有する薄膜弾性表面波デバイスであっても、従来の単数の励振電極を有する薄膜弾性表面波デバイスと比べ体積を小さくすることが可能な薄膜弾性表面波デバイスを提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
かかる問題を解決するために、本発明の薄膜弾性表面波デバイスは、空隙を有して対向するそれぞれの励振電極が密閉されるように形成された接合部によって接合されている複数の薄膜弾性表面波素子を有し、前記複数の薄膜弾性表面波素子は、それぞれ、基板と、前記基板の少なくとも一面に形成された圧電体薄膜と、前記圧電体薄膜上に形成された弾性表面波を励振させる前記励振電極と、を有し、前記複数の薄膜弾性表面波素子のうち、少なくとも一つの薄膜弾性表面波素子は、前記圧電体薄膜が形成された一面と異なる他面に形成された接続電極、を有していることを特徴とする。
【００１０】
本発明の薄膜弾性表面波デバイスによれば、複数の薄膜弾性表面波素子が、接合部により、それぞれの励振電極を空隙を有して対向し密閉するように接合されている。
このため、これらの励振電極が薄膜弾性表面波素子の外側に露出することを防止することが可能となる。つまり、複数の薄膜弾性表面波素子のうちの一方の薄膜弾性表面波素子を、従来の蓋体として用いることができる。このように、従来、薄膜弾性表面波素子を密閉するために用いられていた蓋体が不要となり、従来の蓋体の厚さ寸法、及び蓋体と励振電極との空隙寸法が不要となることから厚さ寸法を小さくすることができる。
【００１１】
また、複数の薄膜弾性表面波素子が対向して接合されることにより、複数の薄膜弾性表面波素子を有していても、平面面積は単数の薄膜弾性表面波素子の場合と同じとなる。これらにより、複数の薄膜弾性表面波素子を有していても、従来の単数の薄膜弾性表面波素子を有する薄膜弾性表面波デバイスよりも、体積の小さな薄膜弾性表面波デバイスを提供することが可能となる。
【００１２】
さらに、前記接合部は、前記複数の薄膜弾性表面波素子の、少なくとも前記励振電極が内側となって密閉されるような周状に形成されていることが望ましい。
【００１３】
このようにすれば、複数の薄膜弾性表面波素子の少なくとも励振電極が、周状に形成された接合部によって密閉されるため、外気と接触することを防止できる。これにより、励振電極などが外気によって変質する（例えば、酸素による励振電極の酸化）ことによる、共振周波数の劣化などの薄膜弾性表面波デバイスの特性劣化を防止することが可能となる。
【００１４】
また、前記複数の薄膜弾性表面波素子は、前記接合部によって電気的接合がなされていることが望ましい。
【００１５】
このようにすれば、複数の薄膜弾性表面波素子の間の電気的接続を、他の接続手段を用いることなく行うことができる。
【００１６】
また、前記複数の薄膜弾性表面波素子のうち、少なくとも一つの薄膜弾性表面波素子は、前記圧電体薄膜が形成された一面と反対側の前記基板の表層部に、少なくとも前記弾性表面波を励振させる機能を含む回路部が形成されていることを特徴とする。
【００１７】
このようにすれば、圧電体薄膜及び励振電極とその回路部とをひとつのデバイス内に収納した薄膜弾性表面波デバイスを提供することが可能となる。
【００１８】
また、前記複数の薄膜弾性表面波素子は、それぞれが異なる機能を有していることが望ましい。
【００１９】
このようにすれば、異なる機能を有する薄膜弾性表面波素子をひとつのデバイス内に収納した薄膜弾性表面波デバイスを提供することができる。
【００２０】
また、前記複数の薄膜弾性表面波素子のうち、前記接続電極が形成されている前記薄膜弾性表面波素子は、他の前記薄膜弾性表面波素子と比べ、共振周波数精度が広く許容される機能を有していることが望ましい。
【００２１】
このようにすれば、接続電極が形成されている前記薄膜弾性表面波素子は、接続電極が固着される際の固着応力による共振周波数の変化があっても、共振周波数精度が広く許容されているため周波数変化を吸収し、その影響を受け難くすることが可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２２】
本発明に係る薄膜弾性表面波デバイスの最良の形態について、以下に図面を用いて説明する。
（第一実施形態）
【００２３】
図１は、本発明に係る第一実施形態の薄膜弾性表面波デバイスの概略構造を示す正断面図である。図２は、第一実施形態の薄膜弾性表面波デバイスの概略の平面図であり、図１のＡ−Ａ´断面図である。
【００２４】
薄膜弾性表面波デバイス１０は、接合部２５によって接続された二つの薄膜弾性表面波素子５，６によって構成されている。薄膜弾性表面波素子５は、基板２０、基板２０の一面に形成された圧電体薄膜２１、圧電体薄膜２１の上に形成された励振電極２２、および薄膜弾性表面波素子６との接続のための内部接続電極２４で構成されている。薄膜弾性表面波素子６は、基板１１、基板１１の一面に形成された圧電体薄膜１２、圧電体薄膜１２の上に形成された励振電極１９、薄膜弾性表面波素子５との接続のための内部接続電極２３、及び配線基板２７との接続のための外部接続電極２６で構成されている。
【００２５】
基板１１，２０は、シリコン（Ｓｉ）や化合物半導体（ＧａＡｓ，ＧａＰ，ＩｎＰ，ＳｉＧｅ，ＺｎＳなど）などで構成される半導体基板、ガラス基板、石英基板、セラミック基板などを用いることができる。本第一実施形態では、シリコン（Ｓｉ）を用いており、基板１１，２０の一面に弾性表面波を励振可能な圧電体で構成された圧電体薄膜１２，２１が形成されている。圧電体薄膜１２，２１は、ＺｎＯ、ＡｌＮ、ＰＺＴ（Ｐｂ−Ｚｒ−Ｔｉ）、ＣｄＳ、ＺｎＳ、Ｂｉ−Ｐｂ−Ｏ、ＬｉＮｂＯ３、ＴａＮｂＯ３、ＫＮｂＯ３などの、弾性表面波を励振可能な各種圧電体で構成される。なお、本第一実施形態では、圧電体薄膜１２，２１にＺｎＯ（酸化亜鉛）を用いている。
【００２６】
圧電体薄膜１２，２１の上には、励振電極１９，２２が形成されている。励振電極１９，２２は、駆動電極１５、および反射器１８ａ，１８ｂによって構成されている。駆動電極１５は、櫛歯電極１３ａ，１３ｂと、それらを接続するバスバー１４ａ，１４ｂとから形成されている。櫛歯電極１３ａ，１３ｂは、それぞれが複数設けられており、櫛歯電極１３ａと櫛歯電極１３ｂとが交互に一定間隔で弾性表面波の伝播方向（図示左右方向）に配列されている。そして櫛歯電極１３ａがバスバー１４ａにより接続され、櫛歯電極１３ｂがバスバー１４ｂにより接続されて駆動電極１５が構成される。反射器１８ａ，１８ｂは、反射電極１６ａ，１６ｂと、それらを接続するバスバー１７ａ，１７ｂとから構成されている。反射電極１６ａ，１６ｂは、それぞれ弾性表面波の伝播方向に一定間隔で複数配列されており、反射電極１６ａがバスバー１７ａにより接続され、反射電極１６ｂがバスバー１７ｂにより接続されて反射器１８ａ，１８ｂが構成される。この反射電極１６ａ，１６ｂは、櫛歯電極１３ａ，１３ｂの配列領域の、弾性表面波の伝播方向両側にそれぞれ配置されている。
【００２７】
さらに、圧電体薄膜１２，２１の上には、内部接続電極２３，２４が形成されている。内部接続電極２３，２４は、薄膜弾性表面波素子５と薄膜弾性表面波素子６とを接続するための電極であり、接続部２５に掛かる位置に設けられている。なお、内部接続電極２３，２４は、図示しない配線で励振電極１９，２２などの種々の電極と接続されている。
【００２８】
二つの薄膜弾性表面波素子５，６は、互いの励振電極１９，２２を対向（向かい合わせる）させ、接触しないような空隙を形成するように接合部２５によって接合されている。接合部２５は、励振電極１９，２２が、接合部２５の内側（薄膜弾性表面波素子５，６の平面視中心側）となるように、二つの薄膜弾性表面波素子５，６の平面視外周部にほぼ沿って切れ間なく周状に形成されている。また、接合部２５は、対向する励振電極１９と励振電極２２が接触しない程度の厚さを有しており、例えば、非導電性エポキシ系接着剤などの接合材を用いて形成されている。この接合部２５により、二つの薄膜弾性表面波素子５，６の対向する二つの面、及び励振電極１９，２２の間は、密閉された中空状態となっている。
【００２９】
なお、二つの薄膜弾性表面波素子５，６は、図示しない導通部、或いは、図示しない接合部２５の内部、又は表面などに導電性を有する材料を用いて、それぞれの電気的接続が行われている。
【００３０】
上述の第一実施形態の薄膜弾性表面波デバイス１０によれば、二つの薄膜弾性表面波素子５，６は、互いの励振電極１９，２２を対向させるように接合されている。この接合は、該薄膜弾性表面波素子５，６の平面視外周部にほぼ沿って切れ間なく周状に形成された接合部２５によって行われており、この接合部２５により、励振電極１９，２２が空隙を有して対向するように密閉されて接合されている。このため、これらの励振電極１９，２２が薄膜弾性表面波素子５，６の外側に露出することを防止することが可能である。即ち、二つの薄膜弾性表面波素子５，６のうちの一方の薄膜弾性表面波素子５を、従来の蓋体として用いることができる。このように、従来、薄膜弾性表面波素子を密閉するために用いられていた蓋体が不要となり、従来の蓋体の厚さ寸法、及び蓋体と励振電極との空隙寸法が不要となることから厚さ寸法を小さくすることができる。また、二つの薄膜弾性表面波素子５，６が平面視でほぼ重なるようにして接合されていることから、平面面積は単数の薄膜弾性表面波素子の場合と同じとなる。これらにより、二つの薄膜弾性表面波素子５，６を有していても、従来の単数の薄膜弾性表面波素子を有する薄膜弾性表面波デバイスよりも、体積の小さな薄膜弾性表面波デバイス１０を提供することが可能となる。また、一つの薄膜弾性表面波デバイス１０から二つの共振周波数を出力することも可能となる。
【００３１】
なお、薄膜弾性表面波デバイス１０は、配線基板２７などの固着電極２８に接続されて用いられることが多い。この接続は、一例として、薄膜弾性表面波デバイス１０の外部接続電極２６と、固着電極２８との間を金属バンプ２９を用いて行われる。なお、この接続には、はんだ付け、導電性接着剤等を用いることもできる。固着電極２８は、金属配線３０により図示しない他の回路素子などに接続されている。
【００３２】
また、前述の第一実施形態では、薄膜弾性表面波素子５，６を、電子機器などの基準信号（クロック）などの用いられる薄膜弾性表面波共振子として説明したがこれに限らない。薄膜弾性表面波素子５，６は、薄膜弾性表面波共振子の他に、薄膜弾性表面波フィルタを用いてもよい。この場合、外部接続電極２６を有し、配線基板２７の固着電極２８に接続される薄膜弾性表面波素子６を薄膜弾性表面波フィルタとし、薄膜弾性表面波素子６と対向する薄膜弾性表面波素子５を薄膜弾性表面波共振子とすることが望ましい。このことについて以下で説明する。
【００３３】
薄膜弾性表面波素子６である薄膜弾性表面波フィルタは、携帯電話などの電子機器において、必要な周波数信号のみを選択する素子である。また、薄膜弾性表面波素子５は、電子機器の基準信号（クロック）などに用いられる薄膜弾性表面波共振子である。一般的に、薄膜弾性表面波フィルタは、共振周波数精度の許容範囲が広く（「周波数精度が低い」とも言われる）、薄膜弾性表面波共振子は、共振周波数精度の許容範囲が狭い（「周波数精度が高い」とも言われる。）。薄膜弾性表面波素子６が、金属バンプ２９などを介し、配線基板２７の固着電極２８に接続されると、固着のための高温加熱などにより応力が発生し、この残留応力が薄膜弾性表面波素子６に加わることとなる。この残留応力は、共振周波数に影響し、共振周波数のばらつきを生じることがある。この共振周波数のばらつきを、薄膜弾性表面波デバイス１０を用いる電子機器などの制御に影響させないために、配線基板２７への接続側の薄膜弾性表面波素子６は、広い共振周波数の許容範囲を持っている薄膜弾性表面波フィルタとする。即ち、薄膜弾性表面波フィルタは、共振周波数のばらつきがあっても共振周波数の許容範囲が広いため共振周波数のばらつきを吸収することができ、特性への影響が発生しない。そして、残留応力の影響を受け難い、配線基板２７との接続部と離れた（従来の蓋体として用いる）薄膜弾性表面波素子５は、共振周波数精度の許容範囲の狭い薄膜弾性表面波共振子とする。
【００３４】
このように、薄膜弾性表面波素子５を薄膜弾性表面波共振子、薄膜弾性表面波素子６を薄膜弾性表面波フィルタとすることにより、共振周波数のばらつきの影響を受け難い薄膜弾性表面波デバイスを提供することができる。また、このように異なる機能の薄膜弾性表面波素子を一つに収納した薄膜弾性表面波デバイスを提供することができる。
（第二実施形態）
【００３５】
本発明に係る第二実施形態の薄膜弾性表面波デバイスについて図面に沿って説明する。なお、前述の第一実施形態と同じ構成部分については説明を省略する。図３は、本発明に係る第二実施形態の薄膜弾性表面波デバイスの概略構造を示す正断面図である。
【００３６】
薄膜弾性表面波デバイス５０は、接合部６５によって接続された二つの薄膜弾性表面波素子４５，４６によって構成されている。薄膜弾性表面波素子４５は、基板６０、基板６０の一面に形成された圧電体薄膜６１、圧電体薄膜６１の上に形成された励振電極６２、および薄膜弾性表面波素子４６との接続のための内部接続電極６４、を有している。さらに、基板６０の他の一面（すなわち、圧電体薄膜６１が形成されている側とは反対側の表面）の表層部（表面に近い部分）には、モノリシック集積回路や表面上に構成されたハイブリッド集積回路などで構成される回路部７３が形成されている。なお、本明細書では、基板６０の表面に近い内部と表面上を含む概念として表層部という言葉を用いる。回路部７３は、弾性表面波を励振させる駆動回路及び出力回路、フィルタの入出力制御回路などを例とする機能を有している。回路部７３は、例えば、アルミニウムなどで形成された配線部７２によって励振電極６２、内部接続電極６４などと接続されている。回路部７３、配線部７２などが形成された基板６０の他の一面には、絶縁保護層７４が形成されており、回路部７３、配線部７２などが露出することを防止している。薄膜弾性表面波素子４５は、上述の構成を有した薄膜弾性表面波共振子である。薄膜弾性表面波素子４６は、基板５１、基板５１の一面に形成された圧電体薄膜５２、圧電体薄膜５２の上に形成されたフィルタ電極５９、内部接続電極６３、及び外部接続電極６６から構成される。フィルタ電極５９は、送信用ＩＤＴ電極、受信用ＩＤＴ電極、反射電極から構成されている。内部接続電極６３は、薄膜弾性表面波素子４５との接続のための電極である。外部接続電極６６は、薄膜弾性表面波デバイス５０を、配線基板６７などの固着基板と接続するための電極である。薄膜弾性表面波素子４６は、上述の構成を有した薄膜弾性表面波フィルタである。
【００３７】
二つの薄膜弾性表面波素子４５，４６は、互いの励振電極６２、フィルタ電極５９を対向（向かい合わせる）させ、接触しないような空隙を形成するように接合部６５によって接合されている。接合部６５は、励振電極６２、フィルタ電極５９が、接合部６５の内側（薄膜弾性表面波素子４５，４６の平面視中心側）となるように、二つの薄膜弾性表面波素子４５，４６の平面視外周部にほぼ沿って切れ間なく周状に形成されている。また、接合部６５は、励振電極６２、フィルタ電極５９が接触しない程度の厚さを有しており、例えば、非導電性エポキシ系接着剤などの接合材を用いて形成されている。この接合部６５により、二つの薄膜弾性表面波素子４５，４６の対向する二つの面、及び励振電極６２、フィルタ電極５９の間は、密閉された中空状態となっている。
【００３８】
なお、二つの薄膜弾性表面波素子４５，４６は、接合部６５の内部に形成された導通部７１によって電気的接続が行われている。なお、この電気的接続は、図示しないが、基板６０，５１の表面、又は接合部６５の表面に導電性を有する材料を用いて形成される導通配線によって行うことも可能である。
【００３９】
上述の第二実施形態の薄膜弾性表面波デバイス５０によれば、一方の薄膜弾性表面波素子４５に回路部が形成されていても、前述の第一実施形態と同じように、従来の単数の薄膜弾性表面波素子を有する薄膜弾性表面波デバイスよりも、体積の小さな薄膜弾性表面波デバイス５０を提供することが可能となる。
【００４０】
さらに、二つの薄膜弾性表面波素子４５，４６が、別々の基板５１，６０に形成されているため、ノイズの影響を受けることを防止することが可能となる。従来は、同一基板に平面上に並べて薄膜弾性表面波素子４５，４６が形成されていたため、それぞれの素子間、或いは配線間の間隔が狭く、それぞれの薄膜弾性表面波素子４５，４６から発生する種々のノイズの影響を受け易かった。本第二実施形態では、二つの薄膜弾性表面波素子４５，４６が、別々の基板５１，６０に形成されているため、それぞれの素子間、或いは配線間の距離を長くすることが可能となり、ノイズの影響を受け難くすることができる。これらにより、従来はノイズの影響を受け難くするために用いられていた回路形成におけるトリプルウェルなどの分離のための構成が不要となり製造工程を簡便とすることが可能となる。
【００４１】
なお、薄膜弾性表面波デバイス５０は、配線基板６７などの固着電極６８に接続されて用いられることが多い。この接続は、一例として、薄膜弾性表面波デバイス５０の外部接続電極６６と、固着電極６８との間を金属バンプ６９を用いて行われる。なお、この接続には、はんだ付け、導電性接着剤等を用いることもできる。
（第三実施形態）
【００４２】
本発明に係る第三実施形態の薄膜弾性表面波デバイスについて図面に沿って説明する。なお、前述の第一実施形態及び第二実施形態と同じ構成部分については説明を省略する。図４は、本発明に係る第三実施形態の薄膜弾性表面波デバイスの概略構造を示す正断面図である。
【００４３】
薄膜弾性表面波デバイス１００は、接合部１２５，１５５により、三つの薄膜弾性表面波素子１０５，１０６，１０７が層状に接続されている。薄膜弾性表面波素子１０５は、基板１２０、基板１２０の一面、及び反対側の面に形成された圧電体薄膜１２１，１６１、圧電体薄膜１２１，１６１の上に形成された励振電極１２２，１５９、内部接続電極１２４，１５３で構成されている。内部接続電極１２４は、薄膜弾性表面波素子１０６との接続を行うための電極であり、内部接続電極１５３は、薄膜弾性表面波素子１０７との接続を行うための電極である。薄膜弾性表面波素子１０６は、基板１１１、基板１１１の一面に形成された圧電体薄膜１１２、圧電体薄膜１１２の上に形成された励振電極１１９、内部接続電極１２３、外部接続電極１２６で構成されている。内部接続電極１２３は、薄膜弾性表面波素子１０５との接続のための電極である。外部接続電極１２６は、薄膜弾性表面波デバイス１００を、配線基板１２７などの固着基板と接続するための電極である。
薄膜弾性表面波素子１０７は、基板１５０、基板１５０の一面に形成された圧電体薄膜１５１、圧電体薄膜１５１の上に形成された励振電極１６２、内部接続電極１５４で構成されている。内部接続電極１５４は、薄膜弾性表面波素子１０５との接続のための電極である。
【００４４】
三つの薄膜弾性表面波素子１０５，１０６，１０７は、励振電極１２２と励振電極１１９、及び励振電極１５９と励振電極１６２をそれぞれ対向（向かい合わせる）させ、接触しないように接合部１２５，１５５によって接合されている。薄膜弾性表面波素子１０６の励振電極１１９と薄膜弾性表面波素子１０５の一方の面に形成された励振電極１２２が対向して空隙を有し、接合部１２５によって接合されている。さらに、薄膜弾性表面波素子１０５の他方の面に形成された励振電極１５９と薄膜弾性表面波素子１０７の励振電極１６２が対向して空隙を有し、接合部１５５によって接合されている。この接合により図示下方から薄膜弾性表面波素子１０６、薄膜弾性表面波素子１０５、薄膜弾性表面波素子１０７の順に３層構造の薄膜弾性表面波デバイス１００が形成される。
【００４５】
接合部１２５は、励振電極１２２，１１９が、接合部１２５の内側（薄膜弾性表面波素子１０５，１０６の平面視中心側）となるように、二つの薄膜弾性表面波素子１０５，１０６の平面視外周部にほぼ沿って切れ間なく周状に形成されている。同様に、接合部１５５は、励振電極１５９，１６２が、接合部１５５の内側（薄膜弾性表面波素子１０５，１０７の平面視中心側）となるように、二つの薄膜弾性表面波素子１０５，１０７の平面視外周部にほぼ沿って切れ間なく周状に形成されている。また、それぞれの接合部１２５，１５５は、励振電極１２２，１１９、及び励振電極１５９，１６２が接触しない程度の厚さを有し、例えば、非導電性エポキシ系接着剤などの接合材を用いて形成されている。この接合部１２５により、周状の接合部１２５の平面視内側にある薄膜弾性表面波素子１０６，１０５の対向する二つの面、及び励振電極１２２と励振電極１１９の間は、密閉された中空状態が形成される。同様に、周状の接合部１５５の内側にある薄膜弾性表面波素子１０５，１０７の対向する二つの面、及び励振電極１５９と励振電極１６２の間は、密閉された中空状態が形成される。
【００４６】
なお、三つの薄膜弾性表面波素子１０６，１０５，１０７は、それぞれの電気的接続を、接合部１２５，１５５の内部、又は表面などに導電性を有する材料を用いて形成された導通部、或いは、それぞれが対向する面に形成された電気的接続のための導通部により行う。なお、導通部については図示していない。
【００４７】
なお、薄膜弾性表面波デバイス１００は、配線基板１２７などの固着電極１２８に接続されて用いられることが多い。この接続は、一例として、薄膜弾性表面波デバイス１００の外部接続電極１２６と、固着電極１２８との間を金属バンプ１２９を用いて行われる。なお、この接続には、はんだ付け、導電性接着剤等を用いることもできる。
【００４８】
なお、第一実施形態と同様に、三つの薄膜弾性表面波素子１０６，１０５，１０７は、薄膜弾性表面波素子１０６が、金属バンプ１２９などを介し、配線基板１２７の固着電極１２８に接続する際の応力に影響され難い配置とすることが望ましい。即ち、薄膜弾性表面波素子１０６は、影響を受け難い機能を有する素子、例えば、薄膜弾性表面波フィルタとし、金属バンプ１２９による接続箇所から離れる薄膜弾性表面波素子１０５，１０７は、共振周波数精度の比較的高い素子、例えば、薄膜弾性表面波共振子とする。特に、金属バンプ１２９による接続箇所から最も離れる薄膜弾性表面波素子１０７は、三つの薄膜弾性表面波素子１０６，１０５，１０７のうちで、最も高い共振周波数精度を要求される機能を有する薄膜弾性表面波素子とすることが望ましい。つまり、共振周波数精度の許容範囲が広い順に、薄膜弾性表面波素子１０６、薄膜弾性表面波素子１０５、薄膜弾性表面波素子１０７とすることが望ましい。
【００４９】
上述の第三実施形態の薄膜弾性表面波デバイス１００によれば、三つの薄膜弾性表面波素子１０５，１０６，１０７を一つに収納し、従来の蓋体が不要な体積の小さな薄膜弾性表面波デバイス１００を提供することが可能となる。
【００５０】
さらに、三つの薄膜弾性表面波素子１０５，１０６，１０７が、別々の基板１１１，１２０，１５０に形成されているため、それぞれの距離が離れて形成されている。このため、薄膜弾性表面波素子１０５，１０６，１０７から発生するノイズを、発生した薄膜弾性表面波素子１０５，１０６，１０７以外の他の薄膜弾性表面波素子が受けることを防ぐことが可能となる。これにより、ノイズの影響を受け難くした薄膜弾性表面波デバイスを提供することができる。
【００５１】
なお、本発明の薄膜弾性表面波デバイスは、上述の図示例にのみ限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲内において種々変更を加え得ることは勿論である。例えば、上記実施形態の駆動電極（ＩＤＴ：インタディジタル電極）は、シングル電極構造として描いてあるが、ダブル（スプリット）電極構造を有するものなど、種々の電極構造を用いることができる。また、上記実施形態では、１端子対形共振子構造やトランスバーサル型フィルタ構造を有するものとして説明してあるが、２端子対形共振子構造などの種々の弾性表面波デバイスの概略構造を採用することができる。
【図面の簡単な説明】
【００５２】
【図１】第一実施形態の薄膜弾性表面波デバイスの概略構造を示す正断面図。
【図２】薄膜弾性表面波デバイスの概略平面図。
【図３】第二実施形態の薄膜弾性表面波デバイスの概略構造を示す正断面図。
【図４】第三実施形態の薄膜弾性表面波デバイスの概略構造を示す正断面図。
【図５】弾性表面波デバイスを一例とする従来の圧電デバイスの概略の構造を示す正断面図。
【図６】従来の弾性表面波デバイスの概略の構造を示す正断面図。
【符号の説明】
【００５３】
５，６，４５，４６，１０５，１０６，１０７…薄膜弾性表面波素子、１０，５０，１００…薄膜弾性表面波デバイス、１１，２０，５１，６０，１１１，１２０，１５０…基板、１２，２１，５２，６１，１１２，１２１，１５１，１６１…圧電体薄膜、１３ａ，１３ｂ…櫛歯電極、１４ａ，１４ｂ，１７ａ，１７ｂ…バスバー、１５…駆動電極、１６ａ，１６ｂ…反射電極、１８ａ，１８ｂ…反射器、１９，２２，６２，１１９，１２２，１５９，１６２…励振電極、２３，２４，６４，６５，１２３，１２４，１５３，１５４…内部接続電極、２５，６５，１２５，１５５…接続部、２６，６６，１２６…外部接続電極、２７，６７，１２７…配線基板、２８，６８，１２８…固着電極、２９，６９，１２９…金属バンプ、３０…金属配線、５９…フィルタ電極、７１…導通部、７２…配線部、７３…回路部、７４…絶縁保護層。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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