(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
イメージを形成するための画素が形成された画素領域と、前記画素領域を除く領域である周辺領域とを含む基板と、
前記基板の上に形成され、開口部を有する絶縁膜とを含み、
前記周辺領域は、外部から前記画素に電気的な信号を印加するために前記画素に連結されるパッドが形成される第２領域を含み、
前記画素領域は、前記第２領域を除く領域である第１領域内に形成され、
前記絶縁膜は、前記第１領域上に形成された第１有機絶縁膜と、前記第１領域及び前記第２領域上に形成され、前記画素領域の上部には凹凸部が形成され、前記パッドの一部を露出する前記開口部が形成された第２有機絶縁膜とにより構成され、前記第２領域内の前記開口部周辺における第２の厚さが、前記第２領域外の前記周辺領域上の第１の厚さに比べて小さいことを特徴とする液晶表示装置。
【請求項２】
前記画素領域は、前記基板の中央部に形成され、前記第２領域を除く前記周辺領域は、前記第２領域を取り囲むように形成されていることを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置。
【請求項３】
前記画素は、スイッチング素子として薄膜トランジスターを含み、前記パッドはゲート入力パッド及びデータ入力パッドであることを特徴とする請求項２に記載の液晶表示装置。
【請求項４】
前記第２の厚さは、０．３乃至３μｍであることを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置。
【請求項５】
前記第２の厚さと前記第１の厚さとの差異は２．１乃至２．４μｍであることを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置。
【請求項６】
前記画素領域上の前記絶縁膜の厚さは、前記第２の厚さと同一又は小さいことを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置。
【請求項７】
前記絶縁膜は、前記画素領域に形成された第１絶縁膜の反射電極パターンと前記周辺領域を覆う第１絶縁膜の周辺パターンとから成る第１絶縁膜パターン、及び前記画素領域の前記第１絶縁膜パターンを覆いかつ上部に多数の凹凸部を有し、前記第２領域に連続して形成され、前記第２領域に前記パッドの一部を露出する開口部を有する第２絶縁膜で構成されたことを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置。
【請求項８】
中央部にイメージを形成するための画素が形成された画素領域と、前記画素領域を除く領域である周辺領域とを含む第１基板と、
前記第１基板に対向して形成された第２基板と、
第１基板と第２基板との間に形成された液晶層と、
前記第１基板上の中央部に形成され、相対的な高低により形成された多数の凹凸部を有する反射電極と、
及び前記第１基板と前記反射電極との間の前記画素領域上及び周辺領域上に形成され、開口部を有する有機絶縁膜とを含み、
前記周辺領域は、外部から前記画素に電気的な信号を印加するためのパッドが形成される第２領域を含み、
前記画素領域は、前記第２領域を除く領域である第１領域内に形成され、
前記有機絶縁膜は、前記第１領域の中央部では前記反射電極と同一である表面構造を有し、前記第２領域には前記パッドの一部を露出するための前記開口部を有し、前記第２領域内の前記開口部周辺の第２の厚さは、前記第２領域を除く前記周辺領域の第１の厚さに比べて小さいことを特徴とする反射型液晶表示装置。
【請求項９】
前記多数の凹凸部は、相対的に低い高さを有するグルーブ形状と相対的に高い高さを有する多数の突出部の形状とを有することを特徴とする請求項８に記載の反射型液晶表示装置。
【請求項１０】
前記第２の厚さは０．３乃至３μｍであることを特徴とする請求項８に記載の反射型液晶表示装置。
【請求項１１】
前記第２の厚さと前記第１厚さとの差異は２．１乃至２．４μｍであることを特徴とする請求項８に記載の反射型液晶表示装置。
【請求項１２】
前記画素領域に形成された絶縁膜の厚さは、前記第２の厚さと同一又は小さいことを特徴とする請求項８に記載の反射型液晶表示装置。
【請求項１３】
画素領域と前記画素領域を除く領域である周辺部とから成る基板上の前記画素領域にイメージを形成するための画素を形成し、前記周辺部内の第２領域に前記画素に電気的な信号を印加するためのパッドを形成する段階と、前記基板上の前記画素領域及び周辺部に、前記第２領域の前記パッドの一部を露出する開口部を有し、前記第２領域内の前記開口部周辺の第２の厚さは前記第２領域を除く領域である第１領域の第１の厚さに比べて小さい絶縁膜を形成する段階と、
及び前記開口部の内面及び前記第２領域内の前記開口部周辺に形成された絶縁膜上にパッド電極を形成する段階とを含むことを特徴とする液晶表示装置の製造方法。
【請求項１４】
前記画素領域は、前記基板の中央部に形成され、前記第２領域は前記周辺部内に形成されることを特徴とする請求項１３に記載の液晶表示装置の製造方法。
【請求項１５】
前記画素は、スイッチング素子として薄膜トランジスターを含み、前記パッドは前記スイッチング素子に電気的な信号を印加するためのゲート入力パッド及びデータ入力パッドであることを特徴とする請求項１４に記載の液晶表示装置の製造方法。
【請求項１６】
前記画素領域上に形成された前記絶縁膜上に、反射電極を形成する段階をさらに含むことを特徴とする請求項１３に記載の液晶表示装置の製造方法。
【請求項１７】
前記反射電極及び前記パッド電極を形成する段階は、前記絶縁膜上に反射性メタルから成るメタル層を形成し、前記メタル層をパターニングして同時に形成することを特徴とする請求項１６に記載の液晶表示装置の製造方法。
【請求項１８】
前記絶縁膜を形成する段階は、前記基板上に第１絶縁膜を形成する段階と、選択的に前記第２領域上に形成された前記絶縁膜を除去する段階と、前記第１及び第２領域に第２絶縁膜を形成する段階と、及び前記第２絶縁膜に前記開口部を形成する段階とを含むことを特徴とする請求項１３に記載の液晶表示装置の製造方法。
【請求項１９】
前記第１及び第２絶縁膜は、同一である有機レジストにより成ることを特徴とする請求項１８に記載の液晶表示装置の製造方法。
【請求項２０】
前記第２領域上に形成された第１絶縁膜を除去する段階は、前記第１絶縁膜に前記画素との接続のためのコンタクトホールを形成し、前記第２領域の第１絶縁膜を除去するために前記第１絶縁膜の上部に第１マスクを位置させてコンタクトホールを形成するための露光量にフル露光した後、露光された第１絶縁膜を現像して行うことを特徴とする請求項１８に記載の液晶表示装置の製造方法。
【請求項２１】
前記第２絶縁膜に前記開口部を形成する段階は、前記第２絶縁膜の上部に第２マスクを位置させた後、前記第２絶縁膜の上部に凹凸部を形成し、前記開口部を形成するための第２マスクを位置させた後、前記第２絶縁膜を前記凹凸部を形成するための露光量により前記第２絶縁膜を露光した後、露光された第２絶縁膜を現像して行うことを特徴とする請求項１８に記載の液晶表示装置の製造方法。
【請求項２２】
前記絶縁膜を形成する段階は、前記基板上に第１絶縁膜を形成する段階と、前記第１絶縁膜をパターニングして前記画素領域には第１絶縁膜パターンを形成し、第２領域の第１絶縁膜を選択的に除去する段階と、前記第１及び第２領域に第２絶縁膜を形成する段階と、及び前記第２領域の前記第２絶縁膜に開口部を形成する段階とを含むことを特徴とする請求項１３に記載の液晶表示装置の製造方法。
【請求項２３】
前記第１絶縁膜をパターニングする段階は、前記第１絶縁膜の上部に画素電極との接続のためのコンタクトホール及び凹凸部を形成するための第１マスクを位置させた後、前記第１絶縁膜を前記コンタクトホールを形成するための露光量により前記第１絶縁膜をフル露光した後、露光された第１絶縁膜を現像して行うことを特徴とする請求項２２に記載の液晶表示装置の製造方法。
【請求項２４】
前記第２絶縁膜に開口部を形成する段階は、前記第２絶縁膜の上部に前記コンタクトホール及び前記開口部を形成するための第２マスクを位置させ、前記第２絶縁膜を露光した後、露光された第２絶縁膜を現像して行うことを特徴とする請求項２３に記載の液晶表示装置の製造方法。
【請求項２５】
前記絶縁膜を形成する段階は、前記基板上に有機絶縁膜を形成する段階と、前記有機絶縁膜を前記パッド上の前記有機絶縁膜を除去するためのフル露光量により１次露光する段階と、前記有機絶縁膜上に前記第２領域において形成された有機絶縁膜を２次露光として部分露光する段階と、及び前記１次及び２次露光された有機絶縁膜を現像して前記第２領域には開口部を形成し、前記開口部周辺の前記第２領域に形成された前記有機絶縁膜を部分的に除去する段階を含むことを特徴とする請求項１３に記載の液晶表示装置の製造方法。
【請求項２６】
前記１次露光する段階は、前記画素に電気的に接続するためのコンタクトホール形成及び前記開口部を形成するための第１マスクを前記有機絶縁膜の上部に位置させた後、前記有機絶縁膜を前記コンタクトホールを形成するためのフル露光量により前記有機絶縁膜を露光することを特徴とする請求項２５に記載の液晶表示装置の製造方法。
【請求項２７】
前記２次露光する段階は前記有機絶縁膜の上部に反射電極を形成するためのレンズ露光量で前記画素部位上の有機絶縁膜と前記第２領域を露光することを特徴とする請求項２６に記載の液晶表示装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は液晶表示装置及びこれの製造方法に関するものであり、より詳細には、駆動回路にＣＯＧ（Ｃｈｉｐ  ｏｎ  Ｇｌａｓｓ）、ＣＯＦ（Ｃｈｉｐ  ｏｎＦｉｌｍ）またはＦＰＣ（Ｆｌｅｘｉｂｌｅ  Ｐｒｉｎｔｅｄ  Ｃｉｒｃｕｉｔ  Ｆｉｌｍ）などを連結するとき、連結安定性を向上させることができる液晶表示装置及びこれの製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
最近、情報化社会において、電子ディスプレー装置の役割はますます大事になり、各種電子ディスプレー装置が多様な産業分野に広範囲に使用されている。このような電子ディスプレー分野は発展を重ねて、多様化した情報化社会の要求に適合する新しい機能の電子ディスプレー装置が続けて開発されている。
【０００３】
一般的に電子ディスプレー装置というものは多様な情報などを視覚を通じて人間に伝達する装置をいう。即ち、電子ディスプレー装置とは各種電子機器から出力される電気的な情報信号を人間の視覚により認識可能である光情報信号へ変換する電子装置であり、人間と電子機器を連結する架橋的な役割を担当する装置と言える。
【０００４】
このような電子ディスプレー装置において、光情報信号が発光現象によって表示される場合には発光型表示（ｅｍｉｓｓｉｖｅ  ｄｉｓｐｌａｙ）装置と言われ、反射、散乱、干渉現象などによって光変調で表示される場合には受光型表示（ｎｏｎ−ｅｍｉｓｓｉｖｅ  ｄｉｓｐｌａｙ）装置と言われる。能動型表示装置とも言われる前記発光型表示装置としては、陰極線管（ＣＲＴ）、プラズマディスプレーパネル（ＰＤＰ）、発光ダイオード（ＬＥＤ）及びエレクトロルミネセント（ｅｌｅｃｔｒｏｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｔ  ｄｉｓｐｌａｙ：ＥＬＤ）などを挙げることができる。かつ、受動型表示装置である前記受光型表示装置としては、液晶表示装置（ＬＣＤ又はｅｌｅｃｔｒｏｃｈｅｍｉｃａｌ  ｄｉｓｐｌａｙ：ＥＣＤ）及び電気泳動表示装置（ｅｌｅｃｔｒｏｐｈｏｒｅｔｉｃ  ｉｍａｇｅ  ｄｉｓｐｌａｙ：ＥＰＩＤ）などを挙げることができる。
【０００５】
テレビやコンピュータ用モニターなどのような画像表示装置に使用される一番長い歴史を有するディスプレー装置である陰極線管（ＣＲＴ）は表示品質及び経済性などの面で一番高い占有率を有しているが、大きい重量、大きい容積及び高い消費電力などのような多い短所を有している。
【０００６】
しかし、半導体技術の急速な進歩によって各種電子装置の固体化、低電圧及び低電力化と共に電子機器の小型及び軽量化に従って新しい環境に適合する電子ディスプレー装置、即ち薄くて軽くかつ低い駆動電圧及び低い消費電力の特性を備えた平板パネル型ディスプレー装置に対する要求が急激に増大している。
【０００７】
現在開発されたいろいろの平板ディスプレー装置のうちで、液晶表示装置は異なるディスプレー装置に比べて薄くて軽く、低い消費電力及び低い駆動電圧を備えていると同時に、陰極線管に近い画像表示が可能であるので、多様な電子装置に広範囲に使用されている。かつ、液晶表示装置は、製造が容易であるために、さらにその適用範囲を拡張している。前記液晶表示装置は外部光源を利用して画像を表示する透過型液晶表示装置と外部光源代わりに自然光を利用する反射型液晶表示装置で区分されることができる。このような反射型又は透過型液晶表示装置を製造する方法は各種文献に開示されている。
【０００８】
図１乃至図３は従来の液晶表示装置の製造方法を説明するための断面図である。
【０００９】
図１を参照すれば、絶縁物質により成る基板１０上にアルミニウム（ＡＬ）乃至クロム（Ｃｒ）などのメタルを蒸着し、パターニングしてゲート電極１５及びゲートパッド２０を形成する。続いて、ゲート電極及びパッド１５、２０が形成された基板１０の全面に窒化シリコンをプラズマ化学気相蒸着（ｐｌａｓｍａ  ｃｈｅｍｉｃａｌ  ｖａｐｏｒ  ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ：ＬＰＣＶＤ）方法により積層してゲート絶縁膜２５を形成する。
【００１０】
次に、前記ゲート絶縁膜２５上にアモルファス（ａｍｏｒｐｈｏｕｓ）シリコン及びイン−シチュ（ｉｎ−ｓｉｔｕ）ドーピングされたｎ+アモルファスシリコンを蒸着してパターニングしてゲート電極１５上にアモルファスシリコン膜３０及びオーミックコンタクト（ｏｈｍｉｃ  ｃｏｎｔａｃｔ）層３５を形成する。
【００１１】
続けて、前記ゲート電極１５の上部にモリブデン（Ｍｏ）、アルミニウム、クロムまたはタングステン（Ｗ）などのメタルを積層し、パターニングしてソース電極４０及びドレーン電極４５を形成する。従って、基板１０の周辺部であるパッド領域７０を除外した活性領域５０にはゲート電極１５、アモルファスシリコン膜３０、オーミックコンタクト層３５、ソース電極４０及びドレーン電極４５を含む薄膜トランジスター（Ｔｈｉｎ  Ｆｉｌｍ  Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ：ＴＦＴ）６０が形成される。
【００１２】
図２を参照すれば、基板１０上の前記活性領域５０及びパッド領域７０の全面に有機レジストを積層して有機絶縁膜７５を形成することで、液晶表示装置の下部基板１０を完成する。
【００１３】
図３を参照すれば、コンタクトホール８０及びパッド開口部８１を形成するために前記有機絶縁膜７５の上部にマスク（図示せず）を位置させる。次に、有機絶縁膜を露光及び現像工程を通じて有機絶縁膜７５にドレーン電極４５を露出させるコンタクトホール８０を形成する。この時、パッド領域７０には有機絶縁膜７５の下部のゲート絶縁膜も共に除去され、パッド２０を部分的に露出させる開口部８１を形成する。
【００１４】
続いて、前記コンタクトホール８０の内部及び有機絶縁膜７５上にアルミニウム乃至ニッケル（Ｎｉ）などの反射率が優れるメタルを蒸着させた後、蒸着されたメタルを所定の画素形状にパターニングして反射電極８５を形成する。この時、パッド領域７０には開口部の内面及び開口部８１の周辺有機絶縁膜７５上にパッド電極８６が形成される。
【００１５】
次に、前記結果物の上部に配向膜を形成する一方、下部基板１０に対応し、カラーフィルタ、透明電極及び配向膜などが形成された上部基板（図示せず）を製造する。次に、上部基板と下部基板１０はスペーサを挿入して連結し、上部基板と下部基板１０間の空間に液晶層を形成して液晶表示装置を完成する。
【００１６】
完成された液晶表示装置には、パッド２０を通じて外部から液晶表示装置の駆動信号を印加するためにＣＯＧ（Ｃｈｉｐ  ｏｎ  Ｇｌａｓｓ）、ＣＯＦ（Ｃｈｉｐ  ｏｎ  Ｆｉｌｍ）またはＦＰＣ（Ｆｌｅｘｉｂｌｅ  Ｐｒｉｎｔｅｄ  Ｃｉｒｃｕｉｔ  Ｆｉｌｍ）などのような連結装置が接続される。
【００１７】
しかし、前述した従来の液晶表示装置の製造方法において、薄膜トランジスターの保護膜として、前記有機絶縁膜やその他厚い厚さを有する膜を積層するために、下にメタル層が位置したパッド部分と残り部分間の段差によってＣＯＧ（Ｃｈｉｐ  ｏｎ  Ｇｌａｓｓ）、ＣＯＦ（Ｃｈｉｐ  ｏｎ  Ｆｉｌｍ）またはＦＰＣ（Ｆｌｅｘｉｂｌｅ  Ｐｒｉｎｔｅｄ  Ｃｉｒｃｕｉｔ  Ｆｉｌｍ）などのような外部装置をパッド部分に連結するとき圧着不良が発生する短所がある。
【００１８】
図４は図３に図示したパッド領域に外部装置を連結した場合の断面図である。
【００１９】
図４を参照すれば、パッド２０が位置したパッド領域７０の全面に有機絶縁膜７５を塗布して露光及び現像してパッド開口部８１を形成した次に、開口部８１の内面及び開口部８１周辺の有機絶縁膜７５上にパッド電極８６を形成する。
【００２０】
次に、パッド電極８６とＣＯＧ乃至ＣＯＦなどを連結するためには導電ボール９２を含む異方性導電性フィルム９０を前記パッド電極８６上に位置させた後、ＣＯＧ乃至ＣＯＦなどの出力端または入力部のバンプ（突出部）９４を整合した後、圧着工程を実行して導電ボール９２によってバンプ９４とパッド電極８６が相互電気的に接続するようにする。
【００２１】
有機絶縁膜７５は、薄膜トランジスターを保護し、反射電極８５を形成するために、パッド領域７０の上部にも厚くなるように積層されるために、パッド２０が位置した部分と残り部分との間に約３〜４μｍ程度の高い段差が発生する。このようなパッド部位にＣＯＧ乃至ＣＯＦなどを圧着して連結する場合には、前記パッド部分と残り部分との段差によって図４に図示したように、パッド開口部８１の内部で連結不良が発生しやすく、これによって液晶表示装置モジュールが動作しなくなったり誤動作を起こす問題がある。
【００２２】
特に、現在ＣＯＧで使用されている導電性ボールの大きさが５μｍであることを考慮すれば、ＣＯＧの圧着不良による連結不良の可能性は高まる。
【００２３】
前記有機絶縁膜は、多数のパッドとの間で互いに隣接するパッド間の電気的な短絡（ｓｈｏｒｔ）を防止する役割も果たすために、パッド部分とその周囲に形成された有機絶縁膜を除去する場合には、隣接するパッド間に電気的な短絡が発生する可能性が相当に高まり、結果的に製品の信頼性が低下される問題が発生することになる。従って、パッド部位で有機絶縁膜を完全に除去することはできない。
【００２４】
【発明が解決しようとする課題】
従って、本発明の一目的はパッド部分とその周辺部に発生する段差を最小化することで、駆動回路にＣＯＧ、ＣＯＦまたはＦＰＣなどを連結する場合の連結安定性を向上させることができる液晶表示装置を提供するものである。
【００２５】
本発明の他の目的は、前記液晶表示装置を製造することに適合する液晶表示装置の製造方法を提供するものである。
【００２６】
【課題を解決するための手段】
上述した本発明の目的を達成するための本発明は、イメージを形成するための画素が形成された画素領域と、画素付近の周辺領域を含む第１領域と外部から前記画素に電気的な信号を印加するために前記画素に連結されるパッドが形成される第２領域を含む基板と、前記第１領域及び第２領域上に形成され、前記第２領域に前記パッドを露出する開口部を有し、前記開口部周辺の第２の厚さは前記周辺領域上の第１も厚さに比べて小さい絶縁膜を含む液晶表示装置を提供する。
【００２７】
上述した本発明の目的は、中央部にイメージを形成するための画素が形成された画素領域と、画素付近の周辺領域を含む第１領域と外部から前記画素に電気的な信号を印加するためのパッドが形成される第２領域を含む第１基板と、前記第１基板に対向して形成された第２基板と、第１基板と第２基板との間に形成された液晶層と、前記第１基板上の中央部に形成され、相対的な高低で形成された多数の凹凸構造を有する反射電極と、前記第１基板と前記反射電極との間に前記第１領域及び第２領域が形成され、前記第１領域の中央部では反射電極と同一である表面構造を有し、前記第２領域には前記パッドを露出するための開口部を有し、前記開口部周辺の第２の厚さは前記周辺領域の第１の厚さに比べて小さい有機絶縁膜を含む反射型液晶表示装置によって達成されることもできる。
【００２８】
上述した本発明の他の目的を達成するための本発明は、画素領域と周辺部から成る第１領域を含む基板上の前記画素領域にイメージを形成するための画素を形成し、第２領域の前記画素に電気的な信号を印加するためのパッドを形成する段階と、前記基板上の第１領域及び第２領域に、前記第２領域の前記パッドを露出する開口部を有し、前記開口部周辺の第２の厚さは前記１領域の厚さに比べて小さい絶縁膜を形成する段階と、前記開口部の内面及び前記開口部周辺の第２領域に形成された絶縁膜上にパッド電極を形成する段階とを含む液晶表示装置の製造方法を提供する。
【００２９】
前記画素領域は前記基板の中央部に形成され、前記第２領域は前記周辺部内に形成される。前記画素はスイッチング素子として薄膜トランジスターを含み、前記パッドは前記スイッチング素子に電気的な信号を印加するためのゲート入力パッド及びデータ入力パッドである。前記画素領域上に形成された前記絶縁膜上に、反射電極を形成する段階をさらに含む。
【００３０】
本発明の一実施形態によると、前記絶縁膜を形成する段階は、前記基板上に第１絶縁膜を形成する段階と、選択的に前記第２領域上に形成された前記絶縁膜を除去する段階と、前記第１及び第２領域に第２絶縁膜を形成する段階と、前記第２絶縁膜に前記開口部を形成する段階とを含む。  前記第２領域上に形成された第１絶縁膜を除去する段階は、前記第１絶縁膜に前記画素と接続のためのコンタクトホールを形成し、前記第２領域の第１絶縁膜を除去するために前記第１絶縁膜の上部に第１マスクを位置させてコンタクトホールを形成するための露光量によりフル露光した後、露光された第１絶縁膜を現像して実行する。前記第２絶縁膜に前記開口部を形成する段階は、前記第２絶縁膜上部に第１マスクを位置させた後、前記第２絶縁膜の上部に凹凸部を形成し、前記開口部を形成するための第２マスクを位置させた後、前記第２絶縁膜を前記凹凸部を形成するための露光量により前記第２絶縁膜を露光した後、露光された第２絶縁膜を現像して実行する。
【００３１】
本発明の他の実施形態によると、前記絶縁膜を形成する段階は、前記基板上に第１絶縁膜を形成する段階と、前記第１絶縁膜をパターニングして前記画素領域には第１絶縁膜パターンを形成し、第２領域の第１絶縁膜を選択的に除去する段階と、前記第１及び第２領域に第２絶縁膜を形成する段階と、前記第２領域の前記第２絶縁膜に開口部を形成する段階とを含む。前記第１絶縁膜をパターニングする段階は前記第１絶縁膜の上部に画素電極との接続のためのコンタクトホール及び凹凸部を形成するための第１マスクを位置させた後、前記第１絶縁膜を前記コンタクトホールを形成するための露光量により前記第１絶縁膜をフル露光して実行した後、露光された第１絶縁膜を現像して行う。前記第２絶縁膜に開口部を形成する段階は、前記第２絶縁膜の上部に前記コンタクトホール及び前記開口部を形成するための第２マスクを位置させ、前記第２絶縁膜を露光した後、露光された第２絶縁膜を現像して実行する。
【００３２】
本発明のまた他の実施形態によると、前記絶縁膜を形成する段階は、
前記基板上に有機絶縁膜を形成する段階と、前記有機絶縁膜を前記パッド上の前記有機絶縁膜を除去するためのフル露光量により１次露光する段階と、前記有機絶縁膜に前記第２領域に形成された有機絶縁膜を２次露光として部分露光する段階と、前記１次及び２次露光された有機絶縁膜を現像して前記第２領域には開口部を形成し、前記開口部周辺の前記第２領域に形成された前記有機絶縁膜を部分的に除去する段階を含む。前記１次露光する段階は前記画素に電気的な接続をするためのコンタクトホール形成及び前記開口部を形成するための第１マスクを前記有機絶縁膜の上部に位置させた後、前記有機絶縁膜を前記コンタクトホールを形成するためのフル露光量により前記有機絶縁膜を露光する。前記２次露光する段階は前記有機絶縁膜の上部に反射電極を形成するためのレンズ露光量により前記画素部位上の有機絶縁膜と前記第２領域を露光する。
【００３３】
本発明に従うと、単一または二重の有機絶縁膜を露光及び現像してパッド部とこれに隣接する部分の上に形成された有機絶縁膜の高さの差異を最小化して前記パッド部にＣＯＧ、ＣＯＦ乃至ＦＰＣなどを圧着連結するときに、圧着不良を顕著に減少させることができ、各パッドとの間に有機絶縁膜が挿入されるようにすることで、各パッドとの間に電気的な短絡が起こすことを防止することができる。かつ、コンタクトホール及び反射電極などを形成するために有機絶縁膜を露光及び現像する工程の間に、パッド部及びこれに隣接する部分上の有機絶縁膜の高さの差異が減少されるので、パッド部の段差を減らすために別途の工程を行う必要なくしに、パッド部の段差を最小化することができる。
【００３４】
【発明の実施の形態】
以下、図面を参照して本発明の望ましい一実施形態による液晶表示装置の製造方法をより詳細に説明する。
【００３５】
〈実施形態１〉
図５は本発明の第１実施形態に従う液晶表示装置の製造工程を説明するための概略平面図である。図６乃至図１２は図５のＡ−Ａ′線に沿って切断して工程段階を説明するための断面概略図である。
【００３６】
反射型乃至半透過型液晶表示装置において、反射電極に凹凸構造を形成するためにまず有機絶縁膜を露光及び現像して有機絶縁膜に凹凸構造を形成した次に、凹凸構造が形成された有機絶縁膜の上部に反射電極を積層することにより、反射電極が凹凸構造を有するようにする。このうように、有機絶縁膜に凹凸構造を形成する工程としては二重膜を完全露光（フル露光と称す）する方法と単一膜を部分露光またはスリット（ｓｌｉｔ）露光する方法がある。
【００３７】
本実施形態によると、二重の有機絶縁膜を使用してフル露光工程を通じてパッド領域の段差を最小化する方法を説明する。
【００３８】
図５及び図６を参照すれば、ガラスまたはセラミックなどのような非導電性物質から成る第１基板１００上にスイッチング素子として薄膜トランジスターを形成する。まず、第１基板１００上にアルミニウム、モリブデン（Ｍｏ）、クロム（Ｃｒ）、タンタル（Ｔａ）、チタニウム（Ｔｉ）、銅（Ｃｕ）またはタングステン（Ｗ）などのようなメタルを蒸着してメタル層を形成する。第１基板１００はイメージを形成するための画素が形成される画素領域１７１と画素付近の周辺領域１７２の一部を含み、パッドが形成されない非パッド領域である第１領域１７０と前記画素に電気的な信号を印加するために前記画素に連結されるパッドが形成されるパッド領域である第２領域１８０に区分される。即ち、前記画素領域１７１は前記第１基板１００の中央部に形成され、前記周辺領域１７２は前記第１基板１００の周辺部位に形成される。平面的には、前記第２領域１８０は前記周辺領域１７２の領域内に形成される。即ち、前記周辺領域１７２の一部に前記第２領域１８０を形成する。
【００３９】
前記メタル層を通常的なフォトリソグラフィによってパターニング（ｐａｔｔｅｒｎｉｎｇ）してイメージを形成するための画素が形成される第１領域１７０の画素領域１７１には第１基板１００の幅方向に沿って所定の間隔に配列されるゲートライン１１５と、ゲートラインから分岐されるゲート電極１０５を形成する。これと同時に、前記画素に電気的な信号を印加するために第１基板１００の第１領域１７０の画素領域１７１の周辺にある周辺領域１７２の一部である第２領域１８０には、前記ゲートライン１１５から延長されたゲート入力パッド１１０を形成する。この時、ゲート入力パッド１１０はゲート電極１０５及びゲートライン１１５に比べて幅が広い領域を有するように形成される。
【００４０】
かつ、前記ゲート電極１０５、ゲート入力パッド１１０及びゲートライン１１５は各々アルミニウム−銅（Ａｌ−Ｃｕ）合金やアルミニウム−シリコン−銅（Ａｌ−Ｓｉ−Ｃｕ）のような合金を使用して形成されることもできる。
【００４１】
図７を参照すれば、ゲート電極１０５、ゲート入力パッド１１０及びゲートライン１１５が形成された第１基板１００の全面に窒化シリコン（ＳｉxＮy）膜をプラズマ化学気相蒸着方法で積層する。
【００４２】
続けて、前記ゲート絶縁膜１２０上にアモルファスシリコン膜及びイン−シチュ（ｉｎ−ｓｉｔｕ）ドーピングされたｎ+アモルファスシリコン膜をプラズマ化学気相蒸着方法で順次に積層した次に、積層されたアモルファスシリコン膜及びｎ+アモルファスシリコン膜をパターニングしてゲート絶縁膜１２０のうちの下にゲート電極１０５が位置した部分の上部には半導体層１３０及びオーミックコンタクト層１３５を形成する。
【００４３】
この時、アモルファスシリコン膜に所定の強度を有するレーザーを照射して半導体層１３０をポリシリコン層に転換させることができる。
【００４４】
続けて、前記結果物が形成された第１基板１００上にアルミニウム、モリブデン（Ｍｏ）、クロム（Ｃｒ）、タンタル（Ｔａ）、チタニウム（Ｔｉ）、銅（Ｃｕ）などのようなメタルから成るメタル層を積層した後、積層されたメタル層をパターニングして前記ゲートライン１１５に直交するデータライン１６０、データライン１６０から分岐されるソース電極１４０とドレーン電極１４５そしてデータライン１６０の一側のデータ入力パッド１５０を形成する。これによって、第１基板１００の中央部である第１領域の素子形成領域にはゲート電極１０５、半導体層１３０、オーミックコンタクト層１３５、ソース電極１４０及びドレーン電極１４５を含む薄膜トランジスター１５５が完成され、第１基板１００の外郭部である第２領域であるパッド領域１８０にはゲート入力パッド１１０とデータ入力パッド１５０が形成される。この場合、データライン１６０とゲートライン１１５との間にはゲート絶縁膜１２０が挿入されてデータライン１６０とゲートライン１２０との間に電気的な短絡を起こすことを防止する。
【００４５】
図８を参照すれば、薄膜トランジスター１５５が形成された第１基板１００の第１領域１７０及び第２領域１８０の全面に感光性有機レジスト（ｒｅｓｉｓｔ）をスピンコーティイング方法により約２〜３μｍ程度の厚さで塗布して第１の有機絶縁膜１９０を形成する。
【００４６】
図９を参照すれば、まず、コンタクトホール１７５、ゲート入力パッド１１０及びデータ入力パッド１５０とこれらの周辺を露出させるための第１マスク１８５を第１基板１００上に形成された第１有機絶縁膜１９０の上部に位置させた次に、所定の露光量でフル露光工程を行い、現像工程を通じて第１有機絶縁膜１９０に薄膜トランジスター１５５のドレーン電極１４５を露出させるコンタクトホール１７５を形成する。この場合、前記フル露光工程によって第２領域１８０上に形成されたゲート入力パッド１１０及びデータ入力パッド１５０の上の、かつその周辺の第１有機絶縁膜１９０は除去される。即ち、第１有機絶縁膜１９０のうちで画素領域１７１を除外した第１基板１００の外郭部である下にゲート入力パッド１１０が位置した部分及びこれに隣接する部分、及びデータ入力パッド１５０部分とこれに隣接する部分即ち、第２領域１８０に位置した第１有機絶縁膜１９０も共に除去される。この時、第２領域１８０のゲート絶縁膜１２０は第１有機絶縁膜１９０をエッチングマスクに使用してドライエッチングによって除去されてゲート入力パッド１１０を露出させる。
【００４７】
図１０を参照すれば、第２領域１８０の各ゲート及びデータ入力パッド１１０、１５０間の電気的な短絡を防止するために各パッド１１０、１５０を絶縁させる層を形成するために第２有機絶縁膜１９５を第１領域１７０及び第２領域１８０に塗布する。
【００４８】
前記素子領域１７０の第１有機絶縁膜１９０及びパッド領域１８０の上部に第１有機絶縁膜１９０と同一である有機レジスト（ｒｅｓｉｓｔ）をスピンコーティイングして約０．３乃至３、望ましくには０．５〜１．５、一番望ましくには約１μｍ程度の厚さを有する第２有機絶縁膜１９５を積層する。従って、第１基板１００のパッド領域である第２領域１８０のゲート入力パッド１１０とデータ入力パッド１５０とその周辺即ち、第２領域１８０には第２有機絶縁膜１９５のみが積層される。
【００４９】
次に、有機絶縁膜に凹凸構造２０５を形成し、またデータ入力パッド１５０を露出させる開口部１７６を形成するための、第２マスク２００をその上部に位置させる。
【００５０】
続けて、第１基板１００の第１領域１７０の画素領域１７１上に積層された第２有機絶縁膜１９５にはマイクロレンズ（ｍｉｃｒｏ  ｌｅｎｓ）である多数の凹凸構造２０５を形成するため、レンズ露光量（反射電極のレンズを形成するための露光量）により画素領域１７１を露出し、パッド形成領域である第２領域１８０には開口部１７６の形成部位を露光させる。次に、現像工程を進行して第２有機絶縁膜１９５の上部に凹凸構造２０５を形成することと同時に第２領域１８０ではゲート入力パッド１１０が露出される。この時、データ入力パッド１５０も共に露出される。
【００５１】
前記凹凸構造２０５は相対的な高低を有して形成され、相対的に低い高さを有する多数のグルーブ（溝）形状と相対的に高い高さを有する多数の突出部の形状を有する。この時、凹凸部のグルーブの深さ（又は突出部の高さ）は約０．５乃至１μｍである。
【００５２】
上述したようにパッド領域である第２領域１８０上に形成された第１有機絶縁膜１９０を除去した次に、低い高さを有する第２有機絶縁膜１９５を第２領域１８０上に塗布し、現像及び露光工程を通じてゲート及びデータ入力パッド１１０、１５０を露出させるために、ゲート及びデータ入力パッド１１０、１５０が位置した部分とこれに隣接した部分間の段差を大きく減らすことができる。
【００５３】
図１１を参照すれば、前述したように凹凸構造２０５が形成された有機絶縁膜１９０、１９５の上部とドレーン電極１４５を露出させるコンタクトホール１７５の内部及びパッド領域１８０上にアルミニウム、ニッケル、クロム又は銀（Ａｇ）などの反射率が優れるメタルを蒸着した後、蒸着されたメタルを所定の画素形状にパターニングして反射電極２１０を形成する。従って、第１基板１００の画素領域１７１に形成された反射電極２１０には有機絶縁膜１９０、１９５の形状を従って多数の凹凸構造が形成される。この時、ゲート入力パッド及びデータ入力パッド１１０、１５０上にはコンタクトホール１７５の高さよりは小さい高さを有する、鋭く陥入することのないパッド電極２１５が形成される。
【００５４】
以後の液晶表示装置の製造工程は通常的な場合と同一である。図１２は本実施形態に従って最終的に形成された液晶表示装置の断面図である。図１２を参照すれば、前記結果物上に第１配向膜３００を形成した次に、第１基板１００に対向し、カラーフィルタ３１０、共通電極３１５、第２配向膜３２０、位相差板３２５及び偏光板３３０などを具備する第２基板３０５を第１基板１００上に配置する。この時、第２基板３０５は第１基板１００と同一な物質であるガラス又はセラミックから成り、前記位相差板３２５及び偏光板３３０は第２基板３０５の上部に順次に形成される。前記カラーフィルタ３１０は第２基板３０５の下部に配置され、カラーフィルタ３１０の下部には共通電極３１５及び第２配向膜３２０が順次に形成される。
【００５５】
前記第１基板１００と第２基板３０５との間に多数のスペーサ３３５、３３６を挿入させて提供される第１基板１００と第２基板３０５との間の空間に液晶層２３０を形成して反射型乃至半透過型液晶表示装置を形成する。
【００５６】
次に、前記第１基板１００のパッド部１８０に形成されたゲート及びデータ入力パッド１１０、１５０上に導電ボール２９２を含む異方性樹脂２９０を位置させた後、ＣＯＧ、ＣＯＦ又はＦＰＣなどのバンプ２９４を圧着連結して反射型乃至半透過型液晶表示装置モジュールを完成することになる。
【００５７】
図１２に図示したように、完成された液晶表示装置は画素が形成されている第１領域には第１絶縁膜と第２絶縁膜が積層されて厚さが２．５乃至４．５μｍである絶縁膜が形成され、パッド形成領域には第２絶縁膜の厚さと同一である０．５乃至１．５μｍの絶縁膜が形成される。
【００５８】
前記絶縁膜は前記非パッド領域である第１領域１７０上に形成された第１有機絶縁膜１９０と前記第１領域及び第２領域１８０上に形成され、前記第１領域１７０の画素領域１７１の上部に凹凸部２０５が形成され、前記パッド領域である第２領域１８０にはパッドを露出するための開口部１７６が形成された第２有機絶縁膜１９５により構成される。
【００５９】
本実施形態によると、二重の有機絶縁膜を露光及び現像してパッド部とこれに隣接する部分上に形成された有機絶縁膜の高さの差異（段差）を画素部位のコンタクトホールの段差より小さくなるようにして、前記パッド電極にＣＯＧ、ＣＯＦ乃至ＦＰＣなどのバンプを圧着連結するときに、図４に図示したような圧着不良を顕著に減少させることができる。
【００６０】
〈実施形態２〉
実施形態１によると、フル露光工程を通じて第２領域１８０上の第１有機絶縁膜１９０を完全に除去した状態で第２有機絶縁膜１９５を塗布する。でも、素子領域１７０上に凹凸部を形成するための絶縁膜パターンをまず形成した後、第２絶縁膜を形成することもできる。本実施形態では第１絶縁膜１９０を素子領域１７０上にまず凹凸部パターンを形成するように用いる方法について説明する。
【００６１】
図１３乃至図１６は第２実施形態に従う液晶表示装置の製造方法を示すための断面概略図である。
【００６２】
図１３を参照すれば、図６乃至図８で示したものと同一である方法により薄膜トランジスター１５５が形成された第１基板１００上に第１有機絶縁膜１９０を形成する。次に、第１領域１７０に凹凸部を形成するための絶縁膜パターン１９０ａとコンタクトホール１７５を形成し、ゲート入力パッド１１０及びデータ入力パッド１５０とこれらの周辺であるパッド領域１８０に露光するための第１マスク１８５を第１基板１００上に形成された第１有機絶縁膜１９０の上部に位置させた次に、所定の露光量（コンタクトホール１７５を形成することに十分な露光量）でフル露光工程を行い、現像工程を通じて第１有機絶縁膜１９０に薄膜トランジスター１５５のドレーン電極１４５を露出させるコンタクトホール１７５を形成する。この時、画素領域１７１には（反射電極に屈曲を形成するための）凹凸部形成用第１有機絶縁膜パターン１９０ａが形成され、前記第２領域１８０上に形成されたゲート入力パッド１１０及びデータ入力パッド１５０の上及びその周辺の第１有機絶縁膜１９０は除去される。即ち、第１有機絶縁膜１９０のうちで画素領域１７１を除外した第１基板１００の周辺領域１７２内のゲート入力パッド１１０が位置した部分及びこれに隣接する部分のパッド領域である第２領域１８０の第１有機絶縁膜１９０は除去され、データ入力パッド１５０部分とこれに隣接する部分に位置した第１有機絶縁膜１９０も共に除去される。前記パッド領域である第２領域１８０を除外した第１基板１００の周辺領域１７２には前記第１有機絶縁膜１９０が残留される。
【００６３】
図１４を参照すれば、第１領域１７０及び第２領域１８０に第２有機絶縁膜１９５を塗布する。
【００６４】
前記第１有機絶縁膜パターン１９０ａ及び第１有機絶縁膜１９０が形成されている第１基板１００の上部に第１有機絶縁膜１９０と同一である有機レジストをスピンコーティングして約０．３乃至３、望ましくには０．５〜１．５、一番望ましくは約１μｍ程度の厚さを有する第２有機絶縁膜１９５を積層する。そうすると、前記第１基板１００の画素領域１７１には前記第１有機絶縁膜パターン１９０ａの存在によって上部に凹凸構造２０５が形成されて、また第２領域１８０ではそれを覆う第２有機絶縁膜１９５が得られる。
【００６５】
次に、第２領域１８０にデータ入力パッド１５０を露出させるための開口部１７６と画素領域１７１にコンタクトホール１７５を形成するための第２マスク２００をその上部に位置させる。次に、開口部１７６を形成するための露光量により画素領域１７１のコンタクトホール１７５を露出し、パッド領域である第２領域１８０では開口部１７６の形成部位を露光させる。次に、現像工程を行うことにより第２有機絶縁膜１９５にコンタクトホール１７５とパッドの開口部１７６が形成され、ゲート入力パッド１１０及びデータ入力パッド１５０が露出される。この時、ゲート入力パッド１１０及びデータ入力パッド１５０上にあるゲート絶縁膜１２０も共に除去される。
【００６６】
パッド領域である第２領域１８０に形成された第１有機絶縁膜１９０を除去した次に、低い高さを有する第２有機絶縁膜１９５を第２領域１８０上に塗布し、現像及び露光工程を通じてゲート入力パッド及びデータ入力パッド１１０、１５０を露出させるために、ゲート入力パッド及びデータ入力パッド１１０、１５０が位置した部分とこれに隣接した部分間の段差を減らすことができる。
【００６７】
図１５を参照すれば、図１１で説明したと同一の方法により反射電極２１０が形成される。従って、第１基板１００の画素領域１７０に形成された反射電極２１０には有機絶縁膜１９０、１９５の形状に従って多数の凹凸構造２０５が形成される。この時、ゲート入力パッド及びデータ入力パッド１１０、１５０上にはコンタクトホール１７５の高さより小さい高さを有する、鋭く陥入することのないパッド電極２１５が形成される。
【００６８】
図１６は本実施形態に従って最終的に形成された液晶表示装置の断面図である。図１２で説明したのと同一の方法で、前記結果物上に第１配向膜３００を形成した次に、第１基板１００に対向し、カラーフィルタ３１０、共通電極３１５、第２配向膜３２０、位相差板３２５及び偏光板３３０などを具備する第２基板３０５を第１基板１００上に配置する。
【００６９】
前記第１基板１００と第２基板３０５との間に多数のスペーサ３３５、３３６を挿入させて提供される第１基板１００と第２基板３０５との間の空間に液晶層２３０を形成して反射型乃至半透過型液晶表示装置を形成する。
【００７０】
次に、前記第１基板１００のパッド部１８０に形成されたゲート及びデータ入力パッド１１０、１５０上に導電ボール２９２を含む異方性樹脂２９０を位置させた後、ＣＯＧ、ＣＯＦ又はＦＰＣなどのバンプ２９４を圧着連結して反射型乃至半透過型液晶表示装置モジュールを完成することになる。
【００７１】
図１６に図示したように、完成された液晶表示装置で、画素が形成されている画素領域１７１には第１有機絶縁膜パターン１９０ａと第２絶縁膜が積層されて厚さが２．５乃至４．５μｍである絶縁膜が形成され、パッド領域である第２領域１８０には画素領域１７０上に形成された絶縁膜の厚さより小さい厚さである０．５乃至１．５μｍの厚さを有し、第２絶縁膜が形成されている。
【００７２】
前記絶縁膜は、第１及び第２の有機絶縁膜を含む。第１有機絶縁膜１９０は、第１領域１７０において、画素領域１７１上に形成された反射電極パターンを形成するための第１有機絶縁膜パターン１９０ａと、周辺領域１７２の非パッド領域に形成された部分とを含む。第２有機絶縁膜１９５は、前記第１有機絶縁膜パターン１９０ａを覆い上部に多数の凹凸部を有してかつ前記第２領域１８０に連続して形成されて、また前記第２領域１８０のパッドを露出する開口部１７６を有する。
【００７３】
本実施形態によると、まず第１有機絶縁膜を形成した後、素子領域にコンタクトホール及び絶縁膜パターンを形成するためのフル露光を行うことと同時に第２領域であるパッド領域には開口部を形成するための露光を行った後、現像工程を進行する。そうすると、素子領域には反射電極を形成するための絶縁膜パターンとコンタクトホールが形成され、パッド領域では第１の有機絶縁膜が選択的に除去される。次に、第２有機絶縁膜を塗布し、素子領域の第２有機絶縁膜にはコンタクトホールを形成するための露光を実行し、パッド領域には開口部を形成するための露光工程を実行した後、現像工程を実行する。
【００７４】
このような方法で、パッド部とこれに隣接する部分上に形成された有機絶縁膜の高さの差異（段差）を画素部位のコンタクトホールの段差より小さくなるようにして前記パッド部にＣＯＧ、ＣＯＦ乃至ＦＰＣなどを圧着連結するとき、図２に図示したような圧着不良を顕著に減少させることができる。
【００７５】
〈実施形態３〉
図１７乃至図２０は本発明の第３実施形態に従って有機絶縁膜を形成する工程を説明するための断面図である。前述した実施形態１及び２においては二重の有機絶縁膜を形成したが、本実施形態では単一有機絶縁膜を使用してパッド領域の段差を最小化する方法を説明する。
【００７６】
まず、実施形態１の図６乃至図８と同一の方法を行う。
図１７を参照すれば、薄膜トランジスター１５５が形成された第１基板１００の第１領域１７０及び第２領域１８０の全面にレジスト（ｒｅｓｉｓｔ）をスピンコーティイング方法により塗布し約２．５〜４μｍ程度の厚さを有する有機絶縁膜１６５を形成する。
【００７７】
続いて、薄膜トランジスター１５５のドレーン電極１４５を露出させるコンタクトホール１７５及びパッド１１０を露出させるための開口部１７６を形成するために第１マスク１８５を有機絶縁膜１６５の上部に位置させた次に、所定の露光量にフル（ｆｕｌｌ）露光工程（コンタクトホール１７５を形成するための露光量で露光する工程）を１次露光として行う。これを現像する場合には点線に図示したように、第１領域１７０の画素領域１７１ではドレーン電極１４５を露出させるコンタクトホール１７５を形成することと同時に、第２領域１８０ではゲート入力パッド１１０及びデータ入力パッド１５０上にゲート入力パッド１１０及びデータ入力パッド１５０を露出させるパッド開口部１７６を形成することができる。
【００７８】
図１８を参照すれば、前記有機絶縁膜１６５上に反射電極のレンズ形成用第２マスク２００を位置させた次に、有機絶縁膜をレンズ露光（反射電極のレンズを形成するための露光量により露光させる露光工程）させることと同時に、第２領域１８０の全体部位に対し２次露光を行う。第２領域１８０は画素領域１７１を露光するためのレンズ露光量と同一な量で部分露光したり、別途のスリット露光によって露光することができる。次に、１次及び２次で露光された有機絶縁膜１６５を現像すると、画素領域１７１に積層された有機絶縁膜１６５に多数の凹凸構造２０５を形成することと同時に第２領域１８０ではゲート入力パッド１１０に隣接する部分の有機絶縁膜１６５が部分的に除去され、開口部１７６が形成される。従って、第２領域１８０ではゲート入力パッド及びデータ入力パッド１１０、１５０との間の電気的な短絡を誘発しない範囲内で、有機絶縁膜１６５の上部が部分的に除去されるために、ゲート入力パッド１１０が位置した部分とそれに隣接する部分の段差が顕著に低まる。同様に、各データ入力パッド１５０間に有機絶縁膜が残留しながらゲート入力パッド１１０が位置した部分とこれに隣接する部分の段差が最小化される。第２領域１８０に形成された絶縁膜の厚さは０．３乃至３μｍである。
【００７９】
画素領域に形成された凹凸部は大きさ（グルーブの深さ又は突出部の高さ）は約０．５乃至１μｍであり、グルーブを基準にした有機絶縁膜の厚さは約１μｍ乃至３μｍである。従って、画素領域では突出部を基準にした本来の厚さから０．２乃至１μｍの厚さを減らすことになる。
【００８０】
この時、パッドの開口部１７６のゲート絶縁膜１２０はドライエッチングによって除去されてゲート入力パッド１１０とデータ入力パッド１５０を露出させる。
【００８１】
図１９を参照すれば、実施形態１の図１１で説明したことと同一の方法で反射電極２１０を形成する。従って、第１基板１００の画素領域１７１に形成された反射電極２１０には有機絶縁膜１９０、１９５の形状に従って多数の凹凸構造２０５が形成される。この時、ゲート入力パッド及びデータ入力パッド１１０、１５０上にはコンタクトホール１７５の高さより小さい高さを有する、鋭く陥入することのないパッド電極２１５が形成される。
【００８２】
図２０は実施形態に従って最終的に形成された液晶表示装置の断面図である。
図１２で説明したものと同一の方法で、前記結果物上に第１配向膜３００を形成した次に、第１基板１００に対向し、カラーフィルタ３１０、共通電極３１５、第２配向膜３２０、位相差板３２５及び偏光板３３０などを具備する第２基板３０５を第１基板１００上に配置する。
【００８３】
前記第１基板１００と第２基板３０５間に多数のスペーサ３３５、３３６を挿入させることで提供される第１基板１００と第２基板３０５間の空間に液晶層２３０を形成して反射型乃至半透過型液晶表示装置を形成する。
【００８４】
次に、前記第１基板１００のパッド部１８０に形成されたゲート及びデータ入力パッド１１０、１５０上に導電ボール２９２を含む異方性樹脂２９０を位置させた後、ＣＯＧ、ＣＯＦ又はＦＰＣなどのバンプ２９４を圧着連結して反射型乃至半透過型液晶表示装置モジュールを完成することになる。
【００８５】
図２０に図示したように、完成された液晶表示装置で、画素領域を含んだ第１領域には厚さが０．５乃至４μｍ（画素領域には０．５乃至４μｍ、周辺領域には２．５乃至４μｍ）であり、パッド形成領域には０．３乃至３μｍの厚さの絶縁膜が形成されている。
【００８６】
前記絶縁膜は前記第１領域１７０の画素領域１７１の上部に凹凸部２０５が形成され、前記パッド領域には開口部１７６が形成されている。
【００８７】
この時、レンズ露光時の２次露光量を調整して、前記画素領域１７１に形成された絶縁膜１６５の厚さがパッド領域である第２領域１８０に形成された絶縁膜の厚さに比べて同一又は小さく形成されることもできる。
【００８８】
〈部分露光に従うパッド別段差改善効果実験〉
前記実施形態３と同一である方法で液晶表示装置を製造した。形成された有機絶縁膜の厚さは３乃至４ミクロンであった。
【００８９】
部分露光やスリット露光を行わない状態で、各パッド部位の段差を測定した。
測定された各部位の段差は下記表１に示した。
【表１】
0004846123.tif 000002
【００９０】
図１４で説明したような方法でＣＯＧの入力パッド部と出力パッド部に露光量を変更しながら、部分露光を行った。部分露光を行った後の段差測定した結果を下記した表２に示した。この時、データＦＰＣパッド領域では部分露光やスリット露光を行わなかった。
【表２】
0004846123.tif 000003
【００９１】
前記表１及び表２から部分露光に従ってＣＯＧ入力及び出力パッド部の段差は改善されたし、かつ、部分露光量が増加することにつれて段差は線形的に減少したことが分かった。
【００９２】
絶縁膜上にレンズ形成のための屈曲部位を形成するためのレンズ露光量は２６００ｍｓである。このようなレンズ露光量の条件によってパッド形成部位を部分露光する場合に、段差は１．１乃至１．６μｍ程度で減少した。従って、従来の部分露光を行わない場合に比べて素子領域である第１領域とパッド領域である第２領域間の段差は２．１乃至２．４μｍが減少した。
【００９３】
【発明の効果】
本発明に従うと、単一又は二重の有機絶縁膜を露光及び現像してパッド部とこれに隣接する部分上に形成された有機絶縁膜の高さの差異を最小化して前記パッド部にＣＯＧ、ＣＯＦ乃至ＦＰＣなどを圧着連結するとき、圧着不良を顕著に減少させることができる。
【００９４】
かつ、パッド部とこれに隣接する部分間の段差を大きく低下させながら各パッド間に有機絶縁膜が挿入されるようにすることで、各パッド間に電気的な短絡を起こすことを防止することができる。
【００９５】
さらに、コンタクトホール及び反射電極などを形成するために有機絶縁膜を露光及び現像する工程の間に、パッド部及びこれに隣接する部分上の有機絶縁膜の高さの差が減少されるので、パッド部の段差を減らすために別途の工程を実行する必要なしに、パッド部の段差を最小化することができる。
【００９６】
前記実施形態では半透過型や反射型液晶表示装置を例を挙げて説明したが、絶縁膜が厚くなるよう形成され、パッド電極を含む表示装置であれば、本発明の概念を適用することができる。例えば、透過型液晶表示装置にも本発明の概念を適用することができる。
【００９７】
以上、本発明の実施例によって詳細に説明したが、本発明はこれに限定されず、本発明が属する技術分野において通常の知識を有するものであれば本発明の思想と精神を離れることなく、本発明を修正または変更できるであろう。
【図面の簡単な説明】
【図１】従来の液晶表示装置の製造方法を説明するための断面図である。
【図２】従来の液晶表示装置の製造方法を説明するための断面図である。
【図３】従来の液晶表示装置の製造方法を説明するための断面図である。
【図４】図３に図示したパッド領域に外部装置を連結した場合の断面図である。
【図５】本発明の第１実施形態に従う液晶表示装置の製造工程を説明するための概略平面図である。
【図６】図５のＡ−Ａ′線に沿って切断して工程段階を説明するための断面概略図である。
【図７】図５のＡ−Ａ′線に沿って切断して工程段階を説明するための断面概略図である。
【図８】図５のＡ−Ａ′線に沿って切断して工程段階を説明するための断面概略図である。
【図９】図５のＡ−Ａ′線に沿って切断して工程段階を説明するための断面概略図である。
【図１０】図５のＡ−Ａ′線に沿って切断して工程段階を説明するための断面概略図である。
【図１１】図５のＡ−Ａ′線に沿って切断して工程段階を説明するための断面概略図である。
【図１２】図５のＡ−Ａ′線に沿って切断して工程段階を説明するための断面概略図である。
【図１３】本発明の第２実施形態に従う液晶表示装置の製造方法を示すための断面概略図である。
【図１４】本発明の第２実施形態に従う液晶表示装置の製造方法を示すための断面概略図である。
【図１５】本発明の第２実施形態に従う液晶表示装置の製造方法を示すための断面概略図である。
【図１６】本発明の第２実施形態に従う液晶表示装置の製造方法を示すための断面概略図である。
【図１７】本発明の第３実施形態に従って有機絶縁膜を形成する工程を説明するための断面図である。
【図１８】本発明の第３実施形態に従って有機絶縁膜を形成する工程を説明するための断面図である。
【図１９】本発明の第３実施形態に従って有機絶縁膜を形成する工程を説明するための断面図である。
【図２０】本発明の第３実施形態に従って有機絶縁膜を形成する工程を説明するための断面図である。
【符号の説明】
１００    第１基板
１０５    ゲート電極
１１０    ゲート入力パッド
１１５    ゲートライン
１２０    ゲート絶縁膜
１３０    半導体層
１３５    オーミックコンタクト層
１４０    ソース電極
１４５    ドレーン電極
１５０    データ入力パッド
１５５    薄膜トランジスター
１６０    データライン
１６５    有機絶縁膜
１７０    第１領域
１７１    画素領域
１７２    周辺領域
１７５    コンタクトホール
１７６    開口部
１８０    第２領域
１８５    第１マスク
１９０    第１有機絶縁膜
１９５    第２有機絶縁膜
２００    第２マスク
２０５    凹凸構造
２１０    反射電極
【図１】
0004846123.tif 000004
【図２】
0004846123.tif 000005
【図３】
0004846123.tif 000006
【図４】
0004846123.tif 000007
【図５】
0004846123.tif 000008
【図６】
0004846123.tif 000009
【図７】
0004846123.tif 000010
【図８】
0004846123.tif 000011
【図９】
0004846123.tif 000012
【図１０】
0004846123.tif 000013
【図１１】
0004846123.tif 000014
【図１２】
0004846123.tif 000015
【図１３】
0004846123.tif 000016
【図１４】
0004846123.tif 000017
【図１５】
0004846123.tif 000018
【図１６】
0004846123.tif 000019
【図１７】
0004846123.tif 000020
【図１８】
0004846123.tif 000021
【図１９】
0004846123.tif 000022
【図２０】
0004846123.tif 000023