(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
圧電基板と、
前記圧電基板上に配置される励振電極と、
前記圧電基板上に配置され、前記励振電極に接続される配線電極と、
前記励振電極の振動空間を構成する凹部を有し、外周縁が前記圧電基板の直上領域内に位置するようにして前記圧電基板上に配置されるカバー体と、
前記カバー体を覆う絶縁性保護体と、
前記絶縁性保護体上に配置される外部電極と、
前記絶縁性保護体に配設されるとともに、前記配線電極と、前記外部電極の双方に接続される柱状導体と、を備え、
前記配線電極と前記柱状導体との接続部は、前記振動空間の外側に位置しており、
前記柱状導体は、前記配線電極に接続された第１の柱状部と前記外部電極に接続された第２の柱状部とを有し、前記第１の柱状部の中心軸と前記第２の柱状部の中心軸とがずれている弾性表面波装置。
【請求項２】
前記圧電基板の裏面には樹脂層が設けられている請求項１に記載の弾性表面波装置。
【請求項３】
前記絶縁性保護体が樹脂からなる請求項１または２に記載の弾性表面波装置。
【請求項４】
前記カバー体が、金属、樹脂、ガラスのいずれかにより形成されている請求項１乃至３のいずれかに記載の弾性表面波装置。
【請求項５】
前記柱状導体は、メッキにより形成された柱状部を有する請求項１乃至４のいずれかに記載の弾性表面波装置。
【請求項６】
前記外部電極は、前記圧電基板の直上領域内に位置している請求項１乃至５のいずれかに記載の弾性表面波装置。
【請求項７】
前記励振電極は複数個設けられており、前記カバー体の凹部が励振電極ごとに設けられている請求項１乃至６のいずれかに記載の弾性表面波装置。
【請求項８】
前記配線電極と前記柱状導体との接続部は、前記絶縁性保護体によって覆われている請求項１乃至７のいずれかに記載の弾性表面波装置。
【請求項９】
複数の弾性表面波素子領域を有する圧電性のウエハ上に励振電極及び配線電極を形成する工程と、
前記圧電性のウエハ上に前記励振電極の振動空間を構成する凹部を有するカバー体を形成する工程と、
前記配線電極と接続され、メッキにより形成された柱状部を有する柱状導体を形成する工程と、
前記カバー体を覆う絶縁性保護体を形成する工程と、
前記絶縁性保護体上に前記柱状導体と接続される外部電極を形成する工程と、
前記圧電性のウエハを前記弾性表面波素子領域ごとに切断する工程と、を含む弾性表面波装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、移動体通信機器等の無線通信回路に用いられる弾性表面波装置に関し、特に表面実装が可能な弾性表面波装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来から、電波を利用する電子機器のフィルタ，遅延線，発振器等の素子として種々の弾性表面波装置が用いられている。
【０００３】
近年、特に小型・軽量でかつフィルタとしての急峻遮断性能が高い弾性表面波フィルタが、移動体通信分野における携帯端末装置のＲＦ段及びＩＦ段のフィルタとして多用されている。
【０００４】
この携帯端末装置は、小型・軽量化が進むとともに、複数の通信システムに対応するマルチバンド化のために、内蔵する回路が増加してきており、携帯端末装置に使用される電子部品には、実装密度向上のために、表面実装可能な小型部品が強く要望されている。携帯端末装置のキーパーツである弾性表面波フィルタにおいても、低損失かつ通過帯域外の遮断特性とともに、表面実装可能な小型の弾性表面波フィルタが要求されている。
【０００５】
現在、弾性表面波装置はキャンパッケージ型やセラミックパッケージ型が実用化されおり、セラミックパッケージ型は、キャンパッケージ型に比べ、表面実装可能で小型化が実現可能なものとして広く用いられている。
【０００６】
第１世代のセラミックパッケージ型弾性表面波装置は、パッケージ内に接着固定した弾性表面波素子とパッケージの内部電極とを、ワイヤ−ボンディングにより電気接続していたが、ワイヤーボンディングを用いることにより、パッケージ外形が大きくなり、弾性表面波装置は内蔵する弾性表面波素子の５倍〜６倍の占有面積となっていた。
【０００７】
これを解決し小型化を図るために、第２世代のセラミックパッケージ型弾性表面波フィルタ装置として、例えば図１５に示すように、圧電基板１上に励振電極である櫛歯状電極２及び配線電極３が形成された弾性表面波素子をパッケージ内部にフェースダウンボンディングした弾性表面波装置Ｊ１が実用化されている。
【０００８】
このように、弾性表面波素子表面に形成され配線電極３に接続された金属バンプ１２とパッケージ基体１５に形成された内部電極１１ａとを接続することにより電気的接続を行うため、ワイヤーボンディングを使用する必要がなく、そのため、第１世代のセラミックパッケージ型弾性表面波装置に比べ、約２分の１の小型化が図られている。なお、図中、１３はパッケージ蓋体、１４はパッケージ枠状体、１１はパッケージ基体１５に形成された電極、１１ｂは側面電極、１１ｃは下面電極である。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００９】
【特許文献１】特開平９−１６２６８８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
しかしながら、上記第２世代のフェースダウン実装方式のセラミックパッケージ型弾性表面波装置においても、パッケージ外形の大きさは、内蔵する弾性表面波フィルタ素子の約３倍もあり、十分に小型化されていない。
【００１１】
さらに、弾性表面波素子のパッケージへの実装方法は、デバイスチップをウエハから切断した後に、個別のパッケージを用いて組み立てを行うために、量産性に欠けるという問題があった。
【００１２】
そこで、本発明はこのような課題に対処するためになされたものであり、外形の占有面積の大きさが内蔵する弾性表面波素子とほぼ等しいまでに小型化が可能で、かつ、信頼性の高い表面実装可能な弾性表面波装置を提供すること、及びウエハ状態でパッケージングまで行うことが可能な量産性に優れた弾性表面波装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
本発明の弾性表面波装置は、圧電基板と、前記圧電基板上に配置される励振電極と、前記圧電基板上に配置され、前記励振電極に接続される配線電極と、前記励振電極の振動空間を構成する凹部を有し、外周縁が前記圧電基板の直上領域内に位置するようにして前記圧電基板上に配置されるカバー体と、前記カバー体を覆う絶縁性保護体と、前記絶縁性保護体上に配置される外部電極と、前記絶縁性保護体内に設けられるとともに、前記配線電極と、前記外部電極の双方に接続される柱状導体と、を備えたものである。
【００１４】
また本発明の弾性表面波装置の製造方法は、複数の弾性表面波素子領域を有する圧電性のウエハ上に励振電極及び配線電極を形成する工程と、前記圧電性のウエハ上に前記励振電極の振動空間を構成する凹部を有するカバー体を形成する工程と、前記配線電極と接続され、メッキにより形成された柱状部を有する柱状導体を形成する工程と、前記カバー体を覆う絶縁性保護体を形成する工程と、前記絶縁性保護体上に前記柱状導体と接続される外部電極を形成する工程と、前記圧電性のウエハを前記弾性表面波素子領域ごとに切断する工程と、を含むものである。
【発明の効果】
【００１５】
本発明の弾性表面波装置によれば、圧電基板を下部筐体とし、樹脂モールドにより封止を行いそれを上部筐体とすることができ、従来のセラミックパッケージ等が不要となり、大幅な小型・軽量化が図れ、外形の占有面積の大きさが、内蔵する弾性表面波素子とほぼ等しい、究極的に小型化された表面実装可能な弾性表面波装置を提供することができる。
【００１６】
また、全ての製造工程をウエハプロセスで行うことができ、ウエハ単位の加工で弾性表面波装置を多数個同時に形成できる、すなわち、樹脂封止まで完了したウエハをダイシング工程で個別の弾性表面波装置にカッティングすることにより完成品を得ることができるため、従来のダイシング工程以降の工程のように個別に弾性表面波素子を組み立てる必要が無く、しかも処理能力の小さいダイボンダー，ワイヤーボンダー，シーム溶接機等の組立装置が不要となり、大幅に工程を簡略化するとともに、量産性の高い弾性表面波装置を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１７】
【図１】本発明に係わる弾性表面波装置の実施形態を説明する断面模式図である。
【図２】本発明に係わる他の弾性表面波装置の実施形態を説明する断面模式図である。
【図３】（ａ）〜（ｅ）は、それぞれ本発明に係わる導体の構造例を模式的に説明する平面図と側面図である。
【図４】本発明に係わる他の導体の構造例を模式的に説明する平面図と側面図である。
【図５】（ａ）〜（ｃ）は、それぞれ本発明に係わる他の導体の構造例を模式的に説明する平面図と側面図である。
【図６】本発明に係わる他の導体の構造例を模式的に説明する平面図と側面図である。
【図７】本発明に係わる他の導体の構造例を模式的に説明する平面図と側面図である。
【図８】本発明に係わるカバー体を作製するためのウエハの様子を説明する斜視図である。
【図９】（ａ）〜（ｆ）はそれぞれ本発明に係わる弾性表面波装置のカバー体の製造工程を模式的に説明する断面図である。
【図１０】（ａ）〜（ｅ）はそれぞれ本発明に係わる弾性表面波素子の製造工程を模式的に説明する断面図である。
【図１１】（ａ）〜（ｄ）はそれぞれ本発明に係わる弾性表面波素子の製造工程を模式的に説明する断面図である。
【図１２】（ａ）〜（ｄ）はそれぞれ本発明に係わる弾性表面波素子の製造工程を模式的に説明する断面図である。
【図１３】（ａ）はラダー型弾性表面波フィルタ素子の電極パターンを示す平面模式図であり、（ｂ）はカバー体を説明するための断面模式図である。
【図１４】（ａ）は二重モード共振器型弾性表面波フィルタ素子の電極パターンを示す平面模式図であり（ｂ）はカバー体を説明するための断面模式図である。
【図１５】従来の弾性表面波装置を説明する断面模式図である。
【発明を実施するための形態】
【００１８】
以下、本発明に係わる弾性表面波装置の一実施形態を図面に基づいて詳細に説明する。
【００１９】
図１及び図２に本発明に係る弾性表面波装置Ｓ１，Ｓ２を模式的に示す要部断面図である。
【００２０】
弾性表面波装置Ｓ１，Ｓ２は、例えばタンタル酸リチウム単結晶、ニオブ酸リチウム単結晶、四ホウ酸リチウム単結晶、ランガサイト型結晶構造を有する単結晶、またはＰＺＴやＺｎＯ等の、圧電セラミックスその他の材料から成る圧電基板１上に、少なくとも１対の櫛歯状電極から成り弾性表面波を発生させる励振電極２と、これに接続される配線電極とが配設され、励振電極２及び配線電極３を絶縁性保護体６で被覆したものである。
【００２１】
ここで、励振電極２はアルミニウムやその合金等の金属から成り、その両端に反射器電極が配設されたり、これらの複数が直列及び／又は並列に接続されていてもよい。また、配線電極３は励振電極２に接続され、励振電極２と同様な金属材料から構成される。また、絶縁性保護体６は熱硬化性樹脂（エポキシ系、シリコーン系、フェノール系、ポリイミド系、ポリウレタン系等）、熱可塑性樹脂（ポリフェニレンサルファイド等）、又は低融点ガラス等から成るものとする。
【００２２】
絶縁性保護体６内には、絶縁性保護体６を貫通しかつ複数の屈曲部（５ｚ，５ｙ）を有する金属（銅，金，ニッケル等の単体や合金）や導電性樹脂等から成る柱状導体５を配設しており、この柱状導体５は、励振電極２と同様な材質から成る配線電極３と、絶縁性保護体６の表面に形成した半田バンプ等の金属材料から成る外部電極７との双方に接続されている。
【００２３】
そして、励振電極２の振動空間１１を確保するために、金属，樹脂，またはガラス等から成るカバー体４を、絶縁性保護体６と励振電極２との間に配設している。
【００２４】
柱状導体５は、例えば図１，図３（ａ）に示すように、２つの柱状部５ａ，５ｂを１つの平板状部５ｃで接続するのが最も簡単な構造である。また、図３（ｂ），（ｄ），（ｅ）に示すように、１つの平板状部５ｃを屈曲させたり、平面外形が円弧状等の自由曲線を含むように形成することも可能である。なお、図３（ａ）〜（ｅ）の各図は、柱状導体５の平面図及び側面図を図示したものである。後記する図４〜図６においても、導体の平面図及び側面図を図示したものとする。
【００２５】
また、図２，図３（ｃ）に示すように、３つの柱状部５ａ，５ｂ，５ｄと２つの平板状部５ｃ，５ｅで構成することも可能である。このように屈曲部を増やすことにより、応力緩和の効果がいっそう大きくなる。
【００２６】
また、図３（ａ），（ｂ），（ｅ）に示すように、第１の柱状部５ａの中心軸に対し、第２の柱状部５ｂの中心軸をずらすようにしてもよく、これにより、外部電極７の配置や圧電基板１上の電極配置等に自由度を持たすことができ、電極パターンの最適位置設計を行うことができる。
【００２７】
また、上記例では柱状部が円柱状のものを示したが、三角柱状や四角柱状などの多角柱状のものとしてもよい。また、図３（ａ）〜（ｅ）を複数個組合せることにより、すなわち、例えば図４に示すように、屈曲部を増やした構造も本発明に含まれることはもちろんである。このように、屈曲部を多数設けることにより、外部電極７に働く応力が柱状導体に緩和されて伝達されるため、圧電基板１への影響を極力抑えることができる。これにより、弾性表面波装置を回路基板に半田等で実装して使用する際に、実装時の熱歪みや温度変化による応力が柱状の電極５を介して圧電基板１に伝わり、特性が著しく劣化したり、場合によっては圧電基板にクラックが発生するという問題を極力防止でき、高信頼性を有する弾性表面波装置を得ることができる。
【００２８】
また、図５（ａ），（ｂ）に示すように、平板状部５ｃの上下で柱状部の数を異なるようにしてもよく、また、図５（ｃ）に示すように、平板状部５ｃを狭くし柱状部どうしが重なるようにしてもよい。
【００２９】
また、図６に示すように、下側導体５（５ａ，５ｃ，５ｂ）と上側導体５’（５’ａ，５’ｂ，５’ｃ）とが分離されるように配設してもよく、これにより、例えば下側導体を信号用とした場合に、上側導体を信号用又は接地用にすることができ、また、下側導体を接地用としたときに上側導体を信号用又は接地用にすることができる。
【００３０】
いずれにしろ、屈曲部を複数設けることにより、プリント基板等に半田等で接続された外部電極７に加わる外部応力が柱状導体を通じて圧電基板１に働くことによる緩和効果により、破損を極力防止することができる。
【００３１】
また、図７（ｂ）に示すように、外部電極７の位置が弾性表面波装置の端部側にあっても、図７（ａ）に示すように、圧電基板１上における電極位置，態様（配線位置，態様）の自由度を拡大させることが可能である。このように、圧電基板１上では不規則な位置にある電極（配線）を保護体６の外部に形成される外部電極７の位置を規則配置とすることも可能であり、圧電基板１上の電極（配線）位置は、外部回路基板の配線により制限される外部電極７の位置，態様に制限されることがない。
【００３２】
次に、上記弾性表面波装置の製造方法の一例について説明する。
【００３３】
最初に、本発明に係わる弾性表面波装置のカバー体の製造方法を説明する。なお、図９においてはカバー体４を１つ形成する場合について示すが、実際には、図８に示すように、ウエハＷ上に多数のカバー体Ａが形成されるものとする。このように、まず最初にカバー体ＡをウエハＷ上に多数形成し、その後、別に用意した圧電性のウエハ上に弾性表面波素子領域を多数形成し、二つのウエハを重ねて接合し、ウエハＷを研磨等により除去した後に、絶縁性保護体で封止し、さらに、外部電極を絶縁性保護体上に形成して、最後に個々のチップに分離して弾性表面波装置を完成させる。
【００３４】
まず、図９（ａ）に示すように、弾性表面波素子を形成する圧電性のウエハと同サイズのウエハの領域１０にメッキ用の電極膜４ａを形成する。このウエハには圧電基板，シリコン基板，またはガラス基板を用いることができ、後工程で簡便に除去できる材質のものを使用する。
電極膜４ａは例えば銅等の金属材料を用いスパッタ成膜により厚さ０．２μｍ〜１μｍ程度に形成する。
【００３５】
次に、図９（ｂ）に示すように、カバー体４の上部に相当する箇所のメッキ用ガイドをフォトリソグラフィーにより形成する。
フォトレジスト９ａの厚さは５０μｍ〜１００μｍとする。
【００３６】
次に、図９（ｃ）に示すように、銅の電解メッキによりカバー体の上部に相当する部分４ｂを形成する。
この電解液には、硫酸銅０．５〜１．０×１０3 mol／ｍ3 と硫酸１．５〜２×１０3 mol ／ｍ3 を用い、参照電極には塩化カリウム・塩化銀の標準電極を用いる。
【００３７】
次に、図９（ｄ）に示すように、カバー体の壁部に相当する部分のメッキ用ガイドをフォトリソグラフィーにより形成する。
フォトレジスト９ｂの厚みは５０μｍ〜１００μｍ、また壁の厚さに相当する溝の幅は５０μｍ〜１００μｍ程度とする。
【００３８】
次に、図９（ｅ）に示すように、銅の電解メッキによりカバー体の壁部に相当する部分４ｃを形成し、その後、カバー体４ｃの上にスクリーン印刷により低融点ガラス８を厚さ５〜１０μｍで形成する。
最後に、フォトレジストを除去しカバー体が配列された基板が完成する。
【００３９】
次に、本発明に係わる弾性表面波装置の製造方法について説明する。図１０〜図１２は弾性表面波装置の製造工程を示した図である。なお、これら図においても、図９と同様に圧電基板であるウエハの、ある領域の断面図のみを模式的に示している。
【００４０】
まず、図１０（ａ）に示すように、圧電基板１上に櫛歯状の励振電極２及び第１の配線電極３ａを形成する。
圧電基板１には、ニオブ酸リチウム結晶基板，タンタル酸リチウム結晶基板，水晶結晶基板，四ホウ酸リチウム結晶基板，ランガサイト結晶基板，ＰＺＴ基板等の圧電基板を用いる。励振電極２及び第１の配線電極３ａはアルミニウムまたは銅等を添加したアルミニウム合金が用いられる。励振電極２は弾性表面波を励振及び受信を行うためのものであり、この例では単層としているが、電極の耐電力性向上のため多層電極とすることもある。これらの成膜は蒸着又はスパッタで行い、厚さ０．２μｍ〜１μｍである。
【００４１】
次に、図１０（ｂ）に示すように、第２の配線電極３ｂをフォトリソグラフィーにより選択的に形成する。第２の配線電極３ｂの電極材料としてニッケル，クロム，チタン等と銅が用いられる。第２の配線電極３ｂの厚さは０．２μｍ〜０．５μｍである。
【００４２】
次に、図１０（ｃ）に示すように、図９で説明したウエハ上に形成したカバー体を圧電ウエハ上に位置を合わせ載置させ、不活性ガス雰囲気中で低融点ガラスを接着剤とし接着する。低融点ガラスの接着温度は３５０℃〜４５０℃である。
【００４３】
次に、図１０（ｄ）に示すように、カバー体形成用に用いた基板（ウエハ）及びメッキ用電極４ａの一部を研磨により除去する。研磨は研磨剤のみのメカニカル研磨による粗研磨とメカノケミカル研磨の２段階で行う。
【００４４】
次に、図１０（ｅ）に示すように、柱状部をメッキで形成するためのメッキ用ガイドをフォトリソグラフィーで形成する。フォトレジスト９の厚さは１００μｍ〜４００μｍ程度とし、また、柱状導体用の孔の径は５０μｍ〜２００μｍ程度とする。
【００４５】
次に、図１１（ａ）に示すように、銅の電解メッキにより、第１の柱状部５ａを形成する。電解液には、硫酸銅０．５〜１．０×１０3 mol ／ｍ3 と硫酸１．５〜２×１０3 mol ／ｍ3 を用い、参照電極には塩化カリウム・塩化銀の標準電極を用いる。
【００４６】
次に、図１１（ｂ）に示すように、フォトレジスト９を除去する。その後、柱状導体形成用の第２の配線電極３ｂの一部を、第１の柱状部５ａ及びカバー体４をマスクにしてエッチングにより除去する。
エッチングにはウエットエッチング又はＲＩＥ等のドライエッチングが用いられる。
【００４７】
次に、図１１（ｃ）に示すように、熱硬化樹脂のトランスファーモールドにより樹脂層６ａを形成する。この時、樹脂を上部から押えるダイの面に厚さ約１００μｍ樹脂フィルムを装着しておくことにより、柱状導体の上部を樹脂層から露出させることができる。樹脂層６ａの厚さは１００μｍ〜４００μｍ程度とする。
【００４８】
次に、図１１（ｄ）に示すように、フォトリソグラフィーにより選択的に第１の平板状部５ｆを形成した後、第２の平板状部５ｇを形成し、その後、第３の柱状部形成用のメッキガイド用をフォトレジスト９で形成する。第１の平板状部には金，銅等が用いられ、第２の平板状部にはニッケル，クロム，チタン等と銅が用いられる。第１の平板状部の厚さは０．５μｍ〜１０μｍ、第２の平板状部の厚さは０．２μｍ〜０．５μｍである。また、フォトレジスト９の厚さは１０μｍ〜２００μｍである。
【００４９】
次に、図１２（ａ）に示すように、図１１（ａ）と同様の方法で銅の電解メッキにより第３の柱状体５ｄを形成する。
【００５０】
次に、図１２（ｂ）に示すようにフォトレジスト９を除去し、その後、第２の平板状部５ｇの一部を、第３の柱状部５ｄをマスクにしてエッチングにより除去する。このエッチングにはウエットエッチング又はＲＩＥ等のドライエッチングが用いられる。
【００５１】
次に、図１２（ｃ）に示すように、熱硬化樹脂のトランスファーモールドにより樹脂層６ａを形成する。
この時、樹脂を上部から押えるダイの面に厚さ約１００μｍ樹脂フィルムを装着しておくことにより、柱状導体の上部を樹脂層から露出させることができる。樹脂層６ｂの厚さは１０μｍ〜２００μｍである。
【００５２】
次に、図１２（ｄ）に示すように、図１２（ａ）〜（ｄ）の工程を繰り返すことにより、平面状電極５，第２の柱状導体５ｂ，及び第３の樹脂層６ｃを形成する。
【００５３】
最後に、図２に示すように、クリーム半田を柱状導体５の上部にスクリーン印刷し、リフロ−することにより半田バンプからなる外部電極７を形成し、弾性表面波装置が多数個含まれたウエハが完成する。このウエハをダイシング等で切断・分離することにより、所望の弾性表面波装置が得られる。
【００５４】
かくして、高信頼性且つチップサイズと同等な大きさの小型な弾性表面装置を、量産性に富んだ大幅に工程が簡略化された製造方法で製造することができる。
【００５５】
なお、図１，図２に示すように、圧電基板１の裏面に樹脂層６６を形成しておいてもよい。ダイシング工程を経て製造された本発明のウエアレベルパッケージング弾性表面波装置は、回路基板への塔載時に圧電基板側をマウンター装置のコレット等でつかまれるため、基板が損傷することがある。このように、圧電基板の裏面に樹脂層を設けることにより、この基板損傷を防止することができる。
【００５６】
また、図１３（ａ），（ｂ）及び図１４（ａ），（ｂ）は、それぞれラダー型フィルタ及び二重モード共振器型フィルタにおける、本発明のカバー体４の一例を平面的に説明する図である。
各図（ａ）は圧電基板１上の櫛歯状電極及び配線電極のパターンを示し、各図（ｂ）は、カバー体４の壁面（凹部）における断面模式図を示したものである。各図（ｂ）において、励振電極２の上部に相当する部分のみカバー体４の凹部を設けることにより、カバー体４の機械的信頼性を大きく向上させることができる。
【００５７】
特に、励振電極２及び配線電極３の占める面積が大きい場合には、金属からなるカバー体４の凹部を励振電極２毎に分割することにより、更に機械的信頼性を向上するのに有効である。カバー体４に形成された複数個の凹部は、それぞれが独立した凹部であれば有効であるのはいうまでもないが、機械的強度を損なわないように凹部どうしが繋がっていても同様の効果が得られる。これにより、更に信頼性の高い小型化可能な弾性表面波装置を提供することができる。
【実施例】
【００５８】
次に、本発明の具体的な実施例について説明する。
【００５９】
まず、図１０（ａ）に示すように、圧電基板１上に励振電極２と第１の配線電極３ａを形成した。圧電基板１として厚さ３５０μｍの３６°Ｙカットタンタル酸リチウム基板を用い、励振電極２及び配線電極３の第１層目の配線電極３ａにはアルミニウム合金（銅含有率１％）を用いた。
電極厚さは２０００〜４０００Åとした。第２の配線電極３ｂにはニッケル，銅の２層電極を用い、それぞれの厚さは１０００Å，２０００Åとし、フォトリソグラフィーを用いて選択的に形成した。
【００６０】
次に、図１０（ｃ）に示すように、シリコン基板１０上に形成されたカバー体４ａを低融点ガラス８で接着し、その後、研磨機を用いシリコン基板１０及びカバー体４ａの一部を除去した。
このときの研磨液は水酸化ナトリウム水溶液等のアルカリ水溶液にコロイダルシリカを混入させたものを使用して行った。
【００６１】
次に、図１０（ｅ），図１１（ａ）に示すように、第１の柱状部５ａをメッキにて形成するためのガイドをフォトレジストで形成し、銅の電解メッキにて第１の柱状部５ａを形成した。
このときの第１の柱状部５ａの直径は１００μｍ、高さは２００μｍとした。
【００６２】
次に、図１１（ｃ），（ｄ）に示すように、メッキガイド用のフォトレジストを除去した後、熱硬化性のモールド用樹脂を用い、トランスファーモールドによる封止を行った。樹脂を上部から押えるダイに１００μｍ厚の耐熱樹脂フィルムを装着することにより、第１の柱状部５ａの上部が第１の樹脂層６ａから露出させるようにした。第１の樹脂層６ａの厚みは約２００μｍとした。
【００６３】
次に、図１２（ａ）〜（ｄ）に示すように、平板状部５ｃ，第３の柱状部５ｄ，第２の樹脂層６ｂ，平板状部５ｅ，第２の柱状部５ｂ、及び第３の樹脂層６ｃを順次形成した。
【００６４】
平板状部には銅の単層電極及びニッケル，銅の２層電極を用い、それぞれの厚さは１μｍ，１０００Å，２０００Åとした。柱状部には銅メッキを用い、厚さは１００μｍとした。
【００６５】
次に、クリーム半田を１０μｍの厚さで、柱状導体５の上部にスクリーン印刷した後、リフローを２７０℃で行い、外部電極７となる半田バンプを形成した。
【００６６】
最後に、基板をダイシングにより弾性表面波装置（チップ）を1 個ずつに分離し、弾性表面波装置を完成した。
得られた弾性表面波装置は、櫛歯状電極がカバー体および絶縁性保護体である封止樹脂により保護されているとともに、柱状導体に応力緩和用の屈曲部が設けられていることにより、−４０℃〜８５℃の温度サイクル試験においても、圧電基板の損傷は無く、しかも特性劣化は全く観測されなかった。
また、弾性表面波フィルタ素子（１ｍｍ×１．５ｍｍ）とほぼ同じ占有面積の小型化及び、高さ０．８ｍｍの低背化が実現できた。
【００６７】
以上、詳細に述べたように、本発明の弾性表面波装置によれば、弾性表面波素子の配線電極と外部電極を接続する導体に複数個の屈曲部を設けることにより、外部電極に加わる応力を十分に緩和できるため、温度変化等により劣化の生じない高信頼性の弾性表面波装置を提供できる。
【００６８】
また、導体に屈曲部を設けることにより、弾性表面波素子の配線電極位置と外部電極位置を圧電基板の平面方向で異ならせることができる。これにより外部電極や配線パターンの配置態様に自由度を持たすことができ、電極の最適設計を行うことができる。
【００６９】
また、圧電基板を下部筐体とし、樹脂モールドにより封止を行いそれを上部筐体とすることができ、従来のセラミックパッケージ等が不要となり、大幅な小型・軽量化が図れ、外形の占有面積の大きさが、内蔵する弾性表面波素子とほぼ等しい、究極的に小型化された表面実装可能な弾性表面波装置を提供することができる。
【００７０】
また、全ての製造工程をウエハプロセスで行うことができ、ウエハ単位の加工で弾性表面波装置を多数個同時に形成できる、すなわち、樹脂封止まで完了したウエハをダイシング工程で個別の弾性表面波装置にカッティングすることにより完成品を得ることができるため、従来のダイシング工程以降の工程のように個別に弾性表面波素子を組み立てる必要が無く、しかも処理能力の小さいダイボンダー，ワイヤーボンダー，シーム溶接機等の組立装置が不要となり、大幅に工程を簡略化するとともに、量産性の高い弾性表面波装置を提供することができる。
【符号の説明】
【００７１】
１  ：圧電基板
２  ：励振電極（１対の櫛歯状電極）
３  ：配線電極
３ａ：第１の配線電極
３ｂ：第２の配線電極
４  ：カバー体
４ａ：カバー体形成用金属膜
４ｂ：カバー体上部
４ｃ：カバー体壁部
５，５’：柱状導体（導体）
５ａ：第１の柱状部
５ｂ：第２の柱状部
５ｃ：平板状部
５ｄ：第３の柱状部
５ｅ：平板状部
５ｆ：第１の平板状部
５ｇ：第２の平板状部
６  ：樹脂層（絶縁性保護体）
６ａ：第１の樹脂層
６ｂ：第２の樹脂層
６ｃ：第３の樹脂層
７  ：外部電極
８  ：低融点ガラス
９  ：フォトレジスト
９ａ：フォトレジスト
９ｂ：フォトレジスト
１０  ：基板
６６  ：樹脂層
Ｓ１，Ｓ２：弾性表面波装置
【図１】
0004722204.tif 000002
【図２】
0004722204.tif 000003
【図３】
0004722204.tif 000004
【図４】
0004722204.tif 000005
【図５】
0004722204.tif 000006
【図６】
0004722204.tif 000007
【図７】
0004722204.tif 000008
【図８】
0004722204.tif 000009
【図９】
0004722204.tif 000010
【図１０】
0004722204.tif 000011
【図１１】
0004722204.tif 000012
【図１２】
0004722204.tif 000013
【図１３】
0004722204.tif 000014
【図１４】
0004722204.tif 000015
【図１５】
0004722204.tif 000016