(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
ディスプレイ装置から汚染物質を除去する装置であって、前記汚染物質を除去する装置は、補助チャンバーを備え、
前記補助チャンバーは、金属からなるハウジングであって、
前記ハウジングは、気密シールを形成する絶縁部、導電素子およびゲッタを収容し、
前記導電素子は、前記絶縁部を貫通して、前記ハウジングの内部空間から外部空間に延在し、
前記ゲッタは、蒸発型または非蒸発型のゲッタ物質からなるとともに、前記ハウジング内部で前記導電素子と電気的に接続し、さらに前記ゲッタは、前記ハウジングの内面と電気的に接続し、
さらに前記ハウジングは、前記ディスプレイ装置に設けられた開口の上に配され、前記ディスプレイ装置の表面に結合されている
事を特徴とする装置。
【請求項２】
前記補助チャンバーが円筒状ハウジングを含む請求項１に記載の装置。
【請求項３】
前記ゲッタが、螺旋状の非蒸発型ゲッタ物質を含む請求項１または２に記載の装置。
【請求項４】
請求項１記載の装置において、
前記導電素子に結合され、かつ前記円筒状ハウジングに結合された電源を含み、前記電源が、前記ゲッタを活性化するための電流を供給するように構成される装置。
【請求項５】
請求項４記載の装置において、
前記円筒状ハウジングに結合された管を含み、前記管が、前記円筒状ハウジングの真空排気中、真空源に結合されるように構成される装置。
【請求項６】
前記管が、真空排気接続の可能なポンプ用端部を含む請求項５に記載の装置。
【請求項７】
請求項１−６に記載の装置において、
高圧フィードスルーと、
前記高圧フィードスルーに結合され、ばね付勢された接点とを含む装置。
【請求項８】
請求項１−７に記載の装置において、
前記ゲッタが、フィラメント上に配置されている装置。
【請求項９】
前記フィラメントが、格子配列で構成される請求項８に記載の装置。
【請求項１０】
前記フィラメントが、束にされた配列で構成される請求項８に記載の装置。
【請求項１１】
前記ゲッタが、前記補助チャンバー内にある複数の別個のフィラメント上に配置されている請求項１に記載の装置。
【請求項１２】
前記蒸発性ゲッタが、バリウムを含む請求項１１に記載の装置。
【請求項１３】
前記ゲッタが、前記フィラメント上に被覆されたバリウムを含む請求項９に記載の装置。
【請求項１４】
前記補助チャンバーが、
貫通するように配置された開口を有する底部プレートと、
間に筺体を形成するように前記底部プレートの上に配置されたハウジングと、  前記ハウジングを通って延び、かつ前記フィラメントに電気的に接続された第１の電気フィードスルーと、
前記ハウジングを通って延び、かつ前記フィラメントに電気的に接続された第２の電気フィードスルーとを含む請求項１３に記載の装置。
【請求項１５】
前記底部プレート上に配置されたフリットをさらに含み、
前記フリットが、前記補助チャンバーを前記ディスプレイ装置の前記表面に結合するように構成される請求項１４に記載の装置。
【請求項１６】
請求項１記載の装置において、
前記補助チャンバー内に選択的に付着された金属膜を含み、前記金属膜が、前記ゲッタの活性化の際に蒸発型ゲッタ物質を獲得するように構成された装置。
【請求項１７】
請求項１−１６の何れか1項に記載の装置において、
前記ゲッタの活性化の際に蒸発型ゲッタ物質を獲得するように構成されたカーボンフェルト構造を含む装置。
【請求項１８】
前記補助チャンバーが、複数の側面を含み、前記装置が、
前記ゲッタに結合された支持体を含み、前記支持体がそれから延びる複数の延長部材を有し、前記複数の延長部材が、前記ゲッタが前記補助チャンバー内で吊るされるように前記補助チャンバーの前記複数の側面の１つに係合するように構成される請求項１に記載の装置。
【請求項１９】
前記ゲッタが非蒸発型ゲッタ物質を含み、前記ゲッタがガスを吸収するために活性化され、かつその後、前記ガスが前記ゲッタの中へ拡散されるように再活性化される請求項１に記載の装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
（発明の分野）
本発明は、フラットパネルディスプレイの分野に関するものである。より詳細には、本発明は、改良された汚染物質除去を有する補助チャンバーおよびディスプレイ装置に関するものである。
【０００２】
（背景技術）
例えば、フラットパネルディスプレイ装置のようなディスプレイ装置は、一般的には、動作中、真空排気環境を利用する。電界放出型ディスプレイ装置では、カソードにある電界放出器は、フェースプレート上のそれぞれのピクセルあるいはサブピクセル領域の方へ向けられた電子を放出する。このような装置では、フェースプレートとカソードとの間の領域（すなわち、活性環境）が、電子が妨げられないでカソードからフェースプレートに移動できるように汚染物質がないままであることが必ず必要である。さらにもう一つの関心として、ある種の汚染物質がカソードとフェースプレートとの間の活性環境にある場合、電界放出器のようなある種の形体を損傷し得る。
【０００３】
次に、先行技術の図１に関して、従来の汚染物質削減方式を使用するディスプレイ装置１００の側面断面図が示されている。特に、先行技術の図１は、シーリングフレーム１０６によってフェースプレート１０４に固定されたバックプレートあるいはカソード１０２を示す。活性環境は、カソード１０２とフェースプレート１０４との間にある領域である。一般的には１０８のような電界放出器は、カソード１０２に結合され、活性環境内に配置される。先行技術の図１の従来の方式では、ゲッタ物質１１０は、カソードにも結合され、活性環境内に配置される。このゲッタ物質は、真空排気処理後、活性環境に残っている汚染物質粒子を獲得することを目的としている。このゲッタ物質は、ディスプレイ装置１００の動作中発生される汚染物質粒子を獲得することも目的としている。
【０００４】
あいにく、先行技術の図１の従来の方式は、それに関連した重大な欠点を有する。ゲッタ物質１１０を活性環境内に置くことによって、領域１１２はもはや使用に役立たない。すなわち、このような従来の方式は、例えば電界放出器のような形体によって使用されるのに使用可能な空間量を減らすかあるいは危なくする。さらに、ゲッタ物質１１０を活性環境内に入れることによって、このような従来技術の方式は、活性環境、つまり電界放出器１０８を危険なゲッタ物質１１０に有害であるように曝す。結果として、電界放出器１０８は、しばしばゲッタ物質１１０に非常に接近しているために劣化あるいは損傷される。
【０００５】
次に先行技術の図２に関して、汚染物質を減少させようと試みる他の従来の方式を使用するディスプレイ装置１００の側面断面図が示されている。この方式では、排気電子管は、活性環境に直接に結合される。この排気電子管は、ディスプレイ装置１００の真空排気を容易にするよう、つまりそこから汚染物質を除去するために使用される。繰り返すと、このような従来の方式はそれに関連した重大な欠点を有する。チュービュレーション（管）をディスプレイ装置１００の活性環境に直接取り付けることは、ディスプレイ装置１００を製造する工程を非常に複雑にする。さらに、チュービュレーションをディスプレイ装置１００に直接取り付けることに関連して増加される複雑さは、付加費用を製造工程に加える。さらに、ディスプレイ装置１００の欠陥の可能性は、チュービュレーション１１４をディスプレイ装置１００に直接取り付けることによって高められる。
【０００６】
さらに先行技術の図２を参照すると、チュービュレーション１１４のような従来のチュービュレーションは、ディスプレイ装置１００の「外囲器」を著しく変え、増加させる。ディスプレイ装置１００の外囲器は、ディスプレイ装置１００によって占有される空間量をおおざっぱに示す。先行技術の図２では、ディスプレイ装置１００の外囲器は点線１１６によって示される。チュービュレーション１１４を突き出す結果として、ディスプレイ装置１００は作動するより大きな領域を割り当てられなければならない。先行技術の図２に見られるように、チュービュレーション１１４によって必要とされる増加された領域あるいは外囲器１１６は、ディスプレイ装置１００が使用できる位置および環境を限定または制限し得る。
【０００７】
次に先行技術の図３に関して、汚染物質を減少させようと試みる他の従来の方式を使用するディスプレイ装置１００の側面断面図が示される。この従来の方式では、チュービュレーション１１８は、ディスプレイ装置１００の活性環境に直接に再度取り付けられる。さらに他の欠点として、チュービュレーション１１８は、ディスプレイ装置のエッジを越えて延びる。結果として、先行技術のチュービュレーション１１８は、カソード１０２およびフェースプレート１０４を一緒に固定するために使用されるシーリング工程をしばしば妨害する。より詳細には、レーザシーリング工程中、例えば、レーザビームあるいはビームは、ディスプレイ装置１００の全周辺を接触しなければならない。先行技術の図３に示された構成では、チュービュレーション１１８は、レーザビームを妨害でき、それによってディスプレイ装置１００の周辺の一部を「暗くする」。結果として、カソード１０２とフェースプレート１０４との間のシールを弱めることができるし、あるいはシーリング工程はチュービュレーション１１８を収容するように変更されねばならない。
【０００８】
そして、ディスプレイ装置内で使用可能である使用に適した空間量を変えずに汚染物質をディスプレイ装置から除去する装置に対する要求がある。上記に列挙された要求をかなえるが、ディスプレイ装置の形体をゲッタ物質に有害であるように曝さない補助チャンバーに対する他の要求がある。上記に列挙された要求をかなえるが、ディスプレイ装置の全寸法を著しく増加あるいは変更しない補助チャンバーに対するさらにもう一つの要求がある。改良された汚染物質粒子除去を有する装置に対するさらにもう一つの要求がある。
【０００９】
（発明の概要）
本発明は、ディスプレイ装置内の使用可能である使用に適した空間量を変えずに汚染物質をディスプレイ装置から除去する装置を提供する。本発明は、上記に列挙された成果を実現し、しかもディスプレイ装置の形体をゲッタ物質に有害であるように曝さない補助チャンバーも提供する。本発明は、上記に列挙された成果を達成し、しかもディスプレイ装置の全寸法を著しく増加あるいは変更しない補助チャンバーをさらに提供する。本発明は、改良された汚染物質除去を有する装置も提供する。
【００１０】
特に、本発明は、汚染物質を補助チャンバーを使用するディスプレイ装置から除去する装置および補助チャンバーをディスプレイ装置に取り付ける方法を提供する。一実施形態において、補助チャンバーは、ディスプレイ装置の表面に結合されるように構成される。この補助チャンバーは、ディスプレイ装置内の汚染物質がディスプレイ装置から補助チャンバーの中へ移動できるように、ディスプレイ装置の表面に結合されるように構成される。この補助チャンバーは、それに配置されたゲッタも含む。このゲッタは、一旦汚染物質がディスプレイ装置から補助チャンバーの中へ移動すると、汚染物質を獲得するように構成される。そのようにする際、本発明は、ディスプレイ装置の活性領域内に入れるゲッタ物質に対する要求を除去する。結果として、本発明は、ディスプレイ装置内で使用可能である使用できる空間量を増加させる。したがって、この余分の空間は、例えば、付加電界放出器のような形体によって使用できる。
【００１１】
他の実施形態において、本発明は、補助チャンバーをディスプレイ装置に取り付ける方法を提供する。本実施形態において、本発明は、ディスプレイ装置の条件付けられた表面が生成されるように、ディスプレイ装置の表面を最初に条件付ける。このディスプレイ装置の条件付けられた表面は、それによってそれに結合された補助チャンバーを有するように構成される。次に、本発明は、補助チャンバーの条件付けられた表面が発生されるように補助チャンバーの表面を条件付ける。そのようにする際、補助チャンバーの条件付けられた表面がディスプレイ装置の条件付けられた表面に結合するように構成される。条件付けステップ後、本発明は、補助チャンバーの条件付けられた表面をディスプレイ装置の条件付けられた表面に結合する。
【００１２】
さらにもう一つの実施形態において、円筒状ハウジングを含む補助チャンバーが開示される。非蒸発性ゲッタ物質の円筒状リングは、中心に配置された導電素子の周りの円筒状ハウジング内に配置されている。他の実施形態において、バリウムフラッシュバルブを収容する補助チャンバーが開示される。
【００１３】
本発明は、改良された汚染物質粒子除去のために装備する様々な装置も提供する。一実施形態において、改良された粒子除去は、低熱放射率を有する表面を形成する金属膜を使用して行われる。他の実施形態において、カーボンフェルト構造は、改良された汚染物質除去を行うために使用される。さらにもう一つの実施形態において、予め振り撒かれたゲッタカプセルが使用される。他の実施形態は、ゲッタ物質を選択的に活性化するＲＦコイルの使用を開示する。さらに他の実施形態において、様々な形状の平面蒸発性ゲッタが使用される。
【００１４】
本発明のこれらおよび他の目的および長所は、様々な図面に示される好ましい実施形態の下記の詳細な説明を読むことにより、当業者に明らかになる。
【００１５】
（好ましい実施形態の説明）
次に、その例が添付図面に示される好ましい実施形態に対する参照が行われる。本発明は、好ましい実施形態とともに説明されるが、この好ましい実施形態は本発明をこれらの実施形態に限定することを目的としないことが分かる。これに反して、本発明は、添付された特許請求の範囲によって規定される本発明の精神および範囲内に含まれ得る変更、修正および等価を保護することを目的としている。さらに、本発明の下記の詳細な説明では、多数の特定の詳細な説明が、本発明の完全な理解を行うためになされる。しかしながら、本発明はこれらの特定の詳細な説明なしに実施できることは当業者に明らかである。他の例では、周知の方法、手順、部品、および回路は、本発明の態様を不必要に曖昧にしないように詳述されていない。
【００１６】
次に図４に関して、それに結合された補助チャンバー４０８を有するディスプレイ装置４００の側面断面図が示されている。本実施形態において、バックプレート／カソード４０２は、シーリングフレーム４０６を使用してフェースプレート４０４に固定される。シーリングフレームは本実施形態に示されているが、本発明は、カソード４０２およびフェースプレート４０４を一緒に固定するために、多数の方法および装置の何れかを使用する実施形態にも適している。さらに、本実施形態のディスプレイ装置４００は、フラットパネルディスプレイ装置であり、一方、本発明は、汚染物質削減あるいは汚染物質封じ込めが望まれるいかなる装置でも使用するのに適している。さらに、本実施形態のディスプレイ装置４００は、明確化のために図４には示されていない、電界放出器、ピクセル領域、スペーサ構造等のような多数の形体を含んでもよい。さらに、本実施形態において、補助チャンバー４０８は、ディスプレイ装置４００のバックプレート／カソード４０２に結合される。しかしながら、本発明は、補助チャンバー４０８がバックプレート／カソード４０２以外のディスプレイ装置４００の一部に結合される実施形態にも適している。
【００１７】
さらに図４を参照すると、本発明によるディスプレイ装置４００の表面に結合された補助チャンバー４０８が示されている。より詳細には、図４の実施形態において、補助チャンバー４０８は、カソード４０２の外部表面に結合されている。本実施形態の補助チャンバー４０８は、それに配置されたゲッタ４１０を有する。さらに、本実施形態において、補助チャンバー４０８は、一般的には４１２として示される小さい開口の上に配置されている。開口４１２は、カソード４０２の表面を通ってディスプレイ装置４００の活性環境に延びる。補助チャンバー４０８を小さい開口４１２の上に配置することによって、ディスプレイ装置４００の活性環境内の汚染物質は、開口４１２を通って補助チャンバー４０８の中に移動し、ゲッタ４１０によって獲得できる。
【００１８】
次に、図５に関して、本発明の斜視図が示されている。本実施形態において、補助チャンバー４０８は、カソード４０２の全長にわたって延び（すなわち、カソード４０２の一方の側に向き合う他方の側）、補助チャンバーは、カソード４０２を通って延びる複数の穴４１２の上に配置される。このような形状は本実施形態で示されるが、本発明は、様々な他の形状にも適している。代替形状は、例えば、部分的にだけカソード４０２の表面を横切って延びる改造補助チャンバー４０８、カソード４０２の表面のより大きい部分を覆う改造補助チャンバー４０８、カソード４０２の表面のより小さい部分を覆う改造補助チャンバー４０８等を含む。さらに、本発明は、複数の補助チャンバーがカソード４０２に結合される実施形態にも適している。
【００１９】
さらに図４に関して、本実施形態の補助チャンバー４０８は、極端に低いプロフィールを有する。すなわち、先行技術の装置（例えば、図２の先行技術の装置１１４を参照せよ）とは違って、本実施形態の補助チャンバー４０８は、ディスプレイ装置４００の全寸法を著しく増加あるいは変更しない。したがって、ディスプレイ装置４００の「外囲器」（点線１１６によって示される）は、補助チャンバー４０８の付加によって著しく影響を及ぼされていない。したがって、多数の従来の装置とは違って、補助チャンバー４０８は、ディスプレイ装置４００を使用できる位置および環境を制限しない。
【００２０】
本発明の実施形態において、補助チャンバー４０８は、様々な物質あるいは物質の組合せの何れかで形成される。一実施形態において、補助チャンバー４０８はガラスで形成される。本発明の他の実施形態において、補助チャンバー４０８は、例えばアルミナのようなセラミック材料で形成される。これらの特定の物質はここに詳述されるが、本発明は、金属、組成、プラスティック等のような様々な他の物質の中から補助チャンバーを形成することに適している。セラミック材料で形成された実施形態は、それに関連したいくつかの長所を有する。例えば、一実施形態において、セラミック材料を使用する場合、補助チャンバー４０８は、押出し工程を使用して形成される。他の実施形態において、セラミック材料を使用する場合、補助チャンバー４０８は、モールディング工程を使用して形成される。さらにもう一つの実施形態において、セラミック材料を使用する場合、補助チャンバー４０８は、成形工程を使用して形成される。さらにもう一つの実施形態において、セラミック材料を使用する場合、補助チャンバー４０８は、積層工程を使用して形成される。これらの前述された製造工程は、補助チャンバー４０８を形成する仕事を非常に簡単にし、補助チャンバー４０８を製造するのに関連したコストを削減し、補助チャンバー４０８の頑丈さを改良する。さらに、熱分布は、補助チャンバーがセラミック材料で形成される実施形態で改良される。この改良された熱分布は、下記に詳述されるゲッタ活性化工程中特に有利である。特に、熱を容易に均一に分布させることによって、セラミック補助チャンバー４０８は、例えば、ゲッタ活性化中に生じ得る重大な熱誘起応力を受けない。本発明は、セラミック実施形態および非セラミック実施形態の両方を含むために、別段特に示されない限り、下記の説明は、セラミック実施形態および非実施形態の両方に関するものである。
【００２１】
さらに図４に関して、本実施形態は、補助チャンバー４０８内にゲッタ４１０を配置する。従来の方式と違って、ゲッタを補助チャンバー内に置くことによって、本実施形態は、例えば、電界放出器のような形体によって利用されるように使用可能である活性環境内の空間量を削減しないしあるいは妥協すものではない。さらに、ゲッタ４１０を補助チャンバー４０８内に置くことによって、本実施形態は、活性環境、したがって電界放出器を危険なゲッタ４１０に有害であるように曝さない。このような装置は本実施形態で詳述されているが、本発明は、付加ゲッタがディスプレイ装置４００の活性環境内あるいはこの活性環境に近接して配置される実施形態にも適している。
【００２２】
一実施形態において、ゲッタ４１０は、例えば、バリウム、チタン等のような蒸発性ゲッタで構成される。他の実施形態において、ゲッタ４１０は、非蒸発性ゲッタで構成されている。一実施形態において、ゲッタ４１０はバリウムリングを含む。もう一つの実施形態において、ゲッタ４１０は、蒸発性ゲッタおよび非蒸発性ゲッタの組合せで構成される。本発明のある種の実施形態において、ゲッタ４１０は活性化されねばならないことが分かる。本発明は、当該技術分野で周知の様々なゲッタ活性化工程の何れかに適合することに最適できる。
【００２３】
次に図６Ａに関して、本発明の一実施形態による束にされたフィラメント６００上に配置されたゲッタ物質の概略図が示される。本実施形態において、例えば、バリウムのようなゲッタ物質がフィラメント上に被覆される。本実施形態において、束にされたフィラメント６００は、タンタルで構成され、一方、本実施形態は、例えば、チタン、タングステン、タンタル‐チタン合金等のような様々な他のフィラメント物質の使用にも適している。熱に曝された場合、束にされたフィラメント６００は、補助チャンバー４０８の内部表面全体の上に被覆されたゲッタ物質を分散させるか、あるいはこのバリウム物質を「振り撒く」か、あるいは昇華させる。本実施形態において、束にされたフィラメント６００は、ｒｆ（無線周波数）加熱源、レーザ加熱源等に曝される。
【００２４】
さらに図６Ａを参照すると、本実施形態によっていくつかの重要な長所が実現される。フラッシュされるかあるいは加熱される場合、束にされたフィラメント６００は、補助チャンバー４０８の内部表面中にゲッタ物質を幅広くおよび均一に分散させる。すなわち、多数の先行技術の方式は、ゲッタ物質の最初の供給源の非常に近くだけにゲッタ物質を「投げる」。したがって、束にされたフィラメント６００は、従来のゲッタ分散方法より優れているかなりの分散改善をもたらす。束にされたフィラメント６００は、非常に長くて回りくねっていて補助チャンバー４０８の内部表面を充填でき、それによって最新のゲッタ供給源装置が供給するよりも多くのゲッタ物質を含む。さらに、ゲッタ物質の分散後、フィラメントは補助チャンバー内に残る。補助チャンバー４０８の内部表面とともにフィラメントは、その上に分散されたゲッタ物質を有する。フィラメントの存在は、ゲッタで被覆されるように使用可能である表面積を増加させる。したがって、ゲッタ機能は本実施形態で高められる。さらに、束にされたフィラメント６００は、迅速に加熱し、フラッシュされるかあるいは昇華して、補助チャンバー４０８の内部領域全体に熱を均一に分布させ、それによって補助チャンバー４０８およびカソード４０２を熱衝撃に曝す度合いを最少にする。
【００２５】
図６Ａの実施形態のさらにもう一つの長所として、束にされたフィラメント６００をサブアセンブリとして用意し、次に所望される場合、補助チャンバー４０８内に分散できる。この製造適応性は、先行技術のゲッタ供給源より優れているかなりの改良を行う。さらに、その極端に低い質量（したがって、最少熱伝達）のために、束にされたフィラメント６００は、補助チャンバー４０８内で、カソード４０２の表面上に直接、および／または補助チャンバー４０８の内部面に直接、置くことができる。束にされたフィラメント６００の配置のこの汎用性は、従来のゲッタ分散方法と関連した正確なゲッタ供給源取り付けの負担を実質的に緩和する。
【００２６】
次に、図６Ｂを参照すると、本発明の一実施形態による格子形状に配列されたフィラメント上に配置されたゲッタ物質の概略図が示されている。このフィラメントは、「格子フィラメント」６０２を生じるように格子形状で配列され、この格子フィラメント６０２の異なった行および列は、そのそれぞれの交差で互いに接触しない。本実施形態は、図６Ａの実施形態と同様に形成され、この図６Ａの実施形態と同様な機能を果たす。すなわち、例えばバリウムのようなゲッタ物質は、フィラメント上に被覆される。本実施形態において、格子フィラメント６０２はタンタルで構成され、一方、本実施形態は、例えば、チタン、タングステン、タンタル‐チタン合金等のような様々な他のフィラメント物質の使用にも適している。熱に曝された場合、格子フィラメント６０２は、補助チャンバー４０８の内部表面全体の上に被覆されたゲッタ物質を分散するかあるいは「振り撒く」。しかしながら、本実施形態において、格子フィラメント６０２は、所望の加熱を行うように電流に曝されるように構成される。その全長中に電流の適切な通過を保証するために、格子フィラメント６０２の異なった行および列は、その交差で互いに接触してはいけない。図６Ａの実施形態とともに記載されている多数の重要な利点の多数は、本実施形態にもまた応用する。
【００２７】
図６Ｃおよび図６Ｄは、本発明の他の実施形態による複数の別個に束にされたフィラメント６０４ａ、６０４ｂ、６０６ａおよび６０６ｂに配置されたゲッタ物質の概略図である。これらの実施形態において、ゲッタ被覆フィラメントの複数の束および格子は、補助チャンバー４０８内に配置されている。そのようにする際、明確に区分されたフィラメントは、別個に活性化できる。例えば、第１のフィラメント（例えば、６０４ａあるいは６０６ａ）は、工場で活性化でき、第２のフィラメント（例えば、６０４ｂあるいは６０６ｂ）は、後で元の位置で活性化できる。結果として、ゲッタ物質は、所望であれば、顧客によってリフレッシュ可能である。フィラメントの特定の組合せが図６Ｃおよび図６Ｄに示されているが、本発明は、所与の補助チャンバーで多数のフィラメントを使用することに適しており、本発明は、同じ補助チャンバーに束にされたフィラメントおよび格子フィラメントを含む組合せを有することにも適している。
【００２８】
図４に関して、本発明の補助チャンバー４０８は、そこから延びるチュービュレーションを有しない。すなわち、補助チャンバー４０８は、例えば、真空環境でディスプレイ装置４００に取り付けられる。このような実施形態において、何らかの付加的な真空排気工程を実行することは必要でなくてもよい。したがって、本発明は、補助装置４０８がチュービュレーションを含まない実施形態に適している。
【００２９】
次に、図７を参照すると、本発明の他の実施形態が示される。本実施形態において、図４の補助チャンバー４０８は、チュービュレーション７００を含む。チュービュレーションをディスプレイ装置の活性環境に直接取り付ける従来の装置と違って、本実施形態のチュービュレーション７００は、補助チャンバー４０８に取り付けられる。チュービュレーション７００は、排気処理中、ディスプレイ装置４００と補助チャンバー４０８の活性環境を真空排気するために使用される。より詳細には、チュービュレーション７００の端部７０２は図示されない真空源に結合される。真空源は、チュービュレーション７００を通って補助チャンバー４０８の内部とディスプレイ装置４００の活性環境を真空排気する。本実施形態において、チュービュレーション７００はディスプレイ装置４００のエッジを越えて延びないように、補助チャンバー４０８から延びる。図７の実施形態において、チュービュレーション７００は、外側に突き出す（すなわち直接ディスプレイ装置４００の境界の方へ）のとは対照的に「内側」に突き出す（すなわち、ディスプレイ装置４００の中心部の方へ）。したがって、従来のチュービュレーション形状（例えば先行技術の図３のチュービュレーション１１８を参照せよ）と違って、本実施形態のチュービュレーション７００は、例えば、カソード４０２およびフェースプレート４０４を一緒に固定するために使用されるシーリング工程を妨害しない。さらに、従来のチュービュレーション形状（例えば、先行技術の図２のチュービュレーション１１４を参照せよ）と違って、チュービュレーション７００は、低プロフィールを保持し、したがってディスプレイ装置４００の「外囲器」を著しく変更あるいは増加させない。したがって、チュービュレーション７００を内側に突き出す低プロフィールは、ディスプレイ装置４００を使用できる位置および環境を制限しない。本発明は、チュービュレーション７００がディスプレイ装置４００の中心部の方向以外に向って突き出す環境にも適している。
【００３０】
さらに図７を参照すると、本実施形態において、チュービュレーション７００は金属で構成されている。より詳細には、図７の実施形態において、チュービュレーション７００は、例えば、ニッケル、銅、アルミニウム等のような軟金属で構成される。このような軟金属が本実施形態で詳述されるが、本発明は、様々な他の種類の金属の使用にも適している。同様に、本実施形態は、ガラス、セラミック、あるいは他の様々な他の非金属物質のチュービュレーション７００を形成することにも適している。
【００３１】
さらに図７に関して、いくつかの重要な長所は、金属のチュービュレーション７００を形成することによって達成される。例えば、金属のチュービュレーション７００は、一般的にガラスチュービュレーションよりも強い。この増加された強度は、製造工程の頑丈さを改善し、改善された歩留まりをもたらす。さらに、金属チュービュレーションは、より容易に製造され、補助チャンバー４０８に結合される。例えば、補助チャンバー４０８が金属で形成される場合、チュービュレーション７００が金属でも形成されるならば、溶接工程は、信頼できるようにチュービュレーション７００を補助チャンバー４０８に固定できる。本発明は、様々な他の結合手順を使用して、金属チュービュレーションを金属あるいは非金属補助チャンバーに固定することにも適している。補助チャンバー４０８がセラミック材料で構成され、チュービュレーション７００が金属で構成される実施形態において、チュービュレーション７００は、例えばセラミック補助チャンバー４０８にフリットシールあるいは高温鑞付けられていることに適している。
【００３２】
図８を参照すると、チュービュレーション７００を金属から形成することのもう一つの利点が示されている。他の図８の実施形態において、チュービュレーション７００は、湾曲可能金属で構成されている。結果として、チュービュレーション７００は、真空源へのチュービュレーション７００の結合を容易にするために曲げられる。したがって、補助チャンバー４０８の位置および向きにもかかわらず、チュービュレーション７００は、湾曲されるか、あるいは真空供給源あるいは他の装置がチュービュレーション７００の端部７０２への容易な接近を行うように構成できる。さらに、真空排気工程後、チュービュレーション７００は、図７に示された位置まで曲げることができる。このようにする際、本実施形態は、その低いプロフィールを保持し、ディスプレイ装置４００の「外囲器」を著しく変更あるいは増加させる。さらに、本実施形態のチュービュレーション７００は、ディスプレイ装置４００のエッジを越えて延び、真空供給源への容易な接近を容易にするために構成できる。しかしながら、真空排気工程より前に、チュービュレーション７００は、チュービュレーション７００が例えばレーザシーリング工程を妨害しないことを保証するために曲げることができる。チュービュレーション７００がガラスで形成される実施形態において、ガラスチュービュレーションは、加熱され、次に所望の形状まで曲げられる。
【００３３】
次に図９を参照すると、補助チャンバー４０８から延びるチュービュレーション７００が密封端部９００を有する本発明の他の実施形態が示されている。一般的には、最終真空排気工程後、本実施形態は、密封端部９００を形成するチュービュレーション７００を密封する。そのようにする際、真空排気環境は、ディスプレイ装置４００の補助チャンバー４０８および活性環境内で保持される。本発明の実施形態において、密封端部９００は、多数の方法の何れかで得られる。チュービュレーション７００がガラスで構成されている実施形態において、加熱処理は密封端部９００を得るために使用される。チュービュレーション７００が金属で構成される場合、本実施形態は、非熱シーリング工程を使用して密封端部９００を形成する。このような非熱処理工程は、例えば機械ピンチ工程等を含む。このような非熱シーリング工程を使用することによって、本実施形態は、ディスプレイ装置４００の部品および／または補助チャンバー４０８を有害な熱負荷あるいは熱衝撃に曝さない。さらに、機械シーリング工程は、補助チャンバー４０８から延びる残留チュービュレーションを最少にする。
【００３４】
次に図１０に関して、本実施形態の補助チャンバー４０８は、そこから延びるチュービュレーションを有しない。その代わりに、補助チャンバー４０８はプラグシール１０００を使用して密封される。このような実施形態において、例えば溶融石英ガラスあるいはインジウムのプラグは、真空排気工程の後、補助チャンバー４０８を密封するために使用される。図１０の実施形態から分かるように、プラグシール１０００を使用することによって、本実施形態は、低プロフィールを保持し、ディスプレイ装置４００の「外囲器」を著しく変更あるいは増加させない。さらに、プラグシールは、補助チャンバー４０８上のいかなる位置でも使用できる。したがって、低プロフィールのプラグシール１０００は、ディスプレイ装置４００を使用できる位置および環境を制限しない。
【００３５】
次に図１１に関して、図４、図５および図７〜図１０の両方の補助チャンバー４０８をカソード４０２に取り付けるために使用されるステップのフローチャート１１００が示される。例えば、低温シーリングフリットのようなある種のシーリング材料は、表面を滑らかにするために完全に結合しない。すなわち、所定の条件では、このようなシーリングフリットを使用する場合、２つの表面間で形成されるシールあるいはボンドは、化学的よりもより機械的であってもよい。本実施形態は、一方の滑らかな表面（例えば、ディスプレイ装置４００のカソード４０２あるいは他の表面）および他の滑らかな表面（例えば、補助チャンバー４０８の底部表面）を一緒に取り付ける方法を提供する。ステップ１１０２で示されるように、本実施形態は、ディスプレイ装置４００の条件付けられた表面が生成されるように、ディスプレイ装置４００の表面を最初に条件付ける。本実施形態において、ディスプレイ装置４００の表面は、ディスプレイ装置４００のカソード４０２の上部表面である。そのようにする際、ディスプレイ装置４００の条件付けられた表面は、そのときそれに結合された補助チャンバー４０８を有するように構成される。ステップ１１０２の工程の実施形態は、図１２の説明とともに下記に詳述される。
【００３６】
ステップ１１０４で、本実施形態は、補助チャンバー４０８の条件付けられた表面が生成されるように、補助チャンバー４０８の表面を条件付ける。本実施形態において、補助チャンバー４０８の条件付けられた表面は、補助チャンバー４０８の底部表面である。このようにする際、補助チャンバー４０８の条件付けられた表面は、そのときディスプレイ装置４００の条件付けられた表面に結合されるように構成される。ステップ１１０４の処理の実施形態は、図１３の説明とともに下記に詳述される。
【００３７】
次に、ステップ１１０６で、本実施形態は、補助チャンバー４０８の条件付けられた表面をディスプレイ装置４００の条件付けられた表面に結合する。この結合ステップは、例えば、チュービュレーションが補助チャンバー４０８に取り付けられる必要が全然ないように真空で生じ得る。しかしながら、本実施形態は、非真空環境で補助チャンバー４０８をカソード４０２に結合し、次に補助チャンバー４０８に結合されたチュービュレーションを使用してディスプレイ装置４００の補助チャンバー４０８および活性環境を真空排気することにも適している。ステップ１１０６の工程の実施形態は、図１４の説明とともに下記に詳述される。さらに、本発明は、ディスプレイ装置４００の表面だけが条件付けられるか、あるいは補助チャンバー４０８の表面だけが条件付けられる実施形態にも適している。
【００３８】
次に図１２に関して、ディスプレイ装置４００の表面の条件付け中、実行されるステップのフローチャート１２００が示される。ステップ１２０２で示されるように、本実施形態は、フリットをディスプレイ装置４００の表面に応用する。より詳細には、ステップ１２０２で、本実施形態は、結合剤なしにフリットをディスプレイ装置４００の表面に適用する。結果として、フリットは、空気中でなく真空中で予め鏡のような面にされるので、ディスプレイ装置の能動素子は酸化せず、有害なようにいかなる結合剤にも曝されない。一実施形態において、フリットはイソプロピルアルコール（ＩＰＡ）中に吊るされる。その中にフリットを含むＩＰＡは、次に、所望の位置でディスプレイ装置４００の表面上に例えば「塗装」される。
【００３９】
次に、ステップ１２０４で、ディスプレイ装置４００の表面は、ＩＰＡの蒸発を促進するように加熱ステップに曝される。ＩＰＡの蒸発は、ディスプレイ装置４００の表面上にフリット被覆を残す。この加熱は、高温の真空オーブンあるいは不活性雰囲気で生じる。このようにする際、ディスプレイ装置４００の感度がよい能動素子は、有害であるようには何れの結合剤にも曝されておらず、ディスプレイ装置４００の能動素子は、有害であるように好ましくない酸素雰囲気に曝されることがない。
【００４０】
次に図１３に関して、補助チャンバー４０８の表面の条件付け中、実行されるステップのフローチャート１３００が示される。ステップ１３０２で示されるように、本実施形態は、フリットを補助チャンバー４０８の表面に応用する。より詳細には、本実施形態において、補助チャンバー４０８がディスプレイ装置４００に接触する場合、フリット物質は、補助チャンバー４０８の底部表面に適用される。
【００４１】
次に、ステップ１３０４で、本実施形態は、フリットがその底部に結合されるように補助チャンバー４０８を加熱することによって、フリットを補助チャンバー４０８の底部表面に予め結合される。
【００４２】
次に図１４に関して、ディスプレイ装置４００の条件付けられた表面および補助チャンバー４０８の条件付けられた表面の結合中、実行されるステップのフローチャート１４００が示される。ステップ１４０２に示されるように、本実施形態は、ディスプレイ装置４００の条件付けられた表面および補助チャンバー４０８の条件付けられた表面を互いに接触させる。
【００４３】
次に、ステップ１４０４で、本実施形態は、ディスプレイ装置４００の条件付けられた表面および補助チャンバー４０８の条件付けられた表面が一緒に結合されるように、ディスプレイ装置４００の条件付けられた表面および補助チャンバー４０８の条件付けられた表面を熱源に曝す。本実施形態において、ディスプレイ装置４００の条件付けられた表面および補助チャンバー４０８の条件付けられた表面は、レーザ熱源に曝される。このような加熱は本実施形態に示されているが、本実施形態は、ディスプレイ装置４００の条件付けられた表面および補助チャンバー４０８の条件付けられた表面を、例えば無線周波数（ＲＦ）加熱、オーブン加熱等のような様々な他の加熱方法に曝すことにも適している。さらに、一実施形態において、ディスプレイ装置４００の条件付けられた表面および補助チャンバー４０８の条件付けられた表面は、熱がディスプレイ装置４００の能動素子を損傷しないように、不活性環境で熱源に曝される。レーザがディスプレイ装置４００および補助チャンバー４０８を一緒に結合するために使用される実施形態において、このような結合は、ＩＰＡで吊るされた低温フリットの使用を必要としないで行うことができる。
【００４４】
次に図１５に関して、本発明の他の実施形態中で実行されるステップのフローチャート１５００が示される。本発明のこの実施形態において、ディスプレイ装置４００の表面および補助チャンバー４０８の表面は荒らし工程によって条件付けられる。ステップ１５０２に示されるように、ディスプレイ装置４００の表面は、例えば、化学処理、機械処理、レーザ処理等を使用して荒らされる。この工程は、ディスプレイ装置４００の表面上にトポグラフィを形成するために使用され、このトポグラフィはボンディング工程を容易にする。本実施形態において、化学的に荒らす工程は、例えば、ディスプレイ装置４００の表面を酸エッチング処理に曝すことを含む。機械的に荒らす処理は、例えばディスプレイ装置４００の表面をサンドブラストで磨くかあるいは砂で磨くことを含む。レーザで荒らす工程は、例えばディスプレイ装置４００の表面をレーザに曝し、その表面にマークをつけるかあるいはくぼみをつける。
【００４５】
ステップ１５０４で、補助チャンバー４０８の表面は、例えば、化学処理、機械処理、レーザ処理等を使用して荒らされる。この工程は、ディスプレイ装置４００の表面上にトポグラフィを形成するために使用され、このトポグラフィはボンディング工程を容易にする。本実施形態において、化学的に荒らす工程は、例えば、補助チャンバー４０８の表面を酸エッチング処理に曝すことを含む。機械的に荒らす処理は、例えば補助チャンバー４０８の表面をサンドブラストで磨くかあるいは砂で磨くことを含む。レーザで荒らす工程は、例えば補助チャンバー４０８の表面をレーザに曝し、その表面にマークを付けるかあるいは窪みを付ける。
【００４６】
ステップ１５０６で、本実施形態は、ディスプレイ装置４００の荒らされた表面および補助チャンバー４０８の荒らされた表面を一緒に結合するために、接着剤を使用する。本実施形態は、ステップ１５０６を実行するために様々な種類の接着剤の何れかを使用することに適している。さらに、本発明は、ディスプレイ装置４００の表面だけが荒らされるか、あるいは補助チャンバー４０８の表面だけが荒らされる実施形態にも適している。さらに、本発明は、ディスプレイ装置４００の表面がフリットで条件付けられ、補助チャンバー４０８の表面が前述されるように荒らされるか、あるいはディスプレイ装置４００の表面が前述のように荒らされ、補助チャンバー４０８の表面がフリットで条件付けられる実施形態にも適している。
【００４７】
次に、図１６Ａに関して、補助チャンバー４０８′が可変容量を有する本発明の他の実施形態が示される。より詳細には、本実施形態において、補助チャンバー４０８′は拡張可能部１６００を有する。図１６Ａでは、拡張可能部１６００は、圧縮状態にある。本実施形態において、拡張可能部は、ディスプレイ４００の真空排気およびシーリング（すなわち、チップオフ）中、圧縮状態に保持される。結果として、本実施形態は、上記に詳述されるように低プロフィールを保持する。
【００４８】
次に図１６Ｂを参照すると、補助チャンバー４０８′は、拡張状態で示される。結果として、補助チャンバーの容量は増加される。したがって、本発明は、可変容量を有する補助チャンバーを提供する。動作において、本実施形態は、補助チャンバー４０８′の容量を増加するように、ディスプレイ４００の真空排気およびシーリング（すなわち、チップオフ）の後に延ばされる。次に、ゲッタ４１０は、活性化され（例えばフラッシュされ）、次に補助チャンバー４０８′は、ディスプレイ４００を所望のプロフィールに戻すように、その圧縮状態に戻される。本実施形態において、ゲッタの表面は、堆積（振り撒き）され、ゲッタ物質の改善された分散が得られ、所望の低プロフィールを保持する。
【００４９】
図１７Ａ〜図１７Ｃに関して、補助チャンバー１７０が円筒状ハウジング１７１を含む本発明の実施形態が示されている。一実施形態において、円筒状ハウジング１７１はスチールで形成される。しかしながら、本発明は、様々な他の種類の金属を使用することに適している。本発明は、ディスプレイガラスの熱膨張係数に近い低膨張合金の使用にも適している。
【００５０】
図１７Ｂ〜図１７Ｃに示された実施形態において、ゲッタは、螺旋の非蒸発性ゲッタ（ＮＥＧ）物質１７３で形成される。導電素子１７４は、各円筒状ハウジング１７１内の中心に配置され、円筒状ハウジング１７１と導電素子１７４との間に気密シールを形成する絶縁体１７５を通って延びる。導電素子１７４は、ＮＥＧ物質１７３の一端部に電気的に接続する。ＮＥＧ物質１７３の他端部は、円筒状ハウジング１７１に電気的に接続される。導電素子１７４を通って、円筒状ハウジング１７１を通って外側に電流を通過させることは、ＮＥＧ物質１７３の活性化のためにＮＥＧ物質１７３を加熱する。
【００５１】
図１７Ｄに示された実施形態において、一連の補助チャンバー１７０はディスプレイガラス１７２に取り付けられる。開口（図示せず）は、補助チャンバー１７０の各々の下のディスプレイガラス１７２を通って延びる。一実施形態において、補助チャンバー１７０の各々は、加熱あるいは摩擦溶接によって金属ハンダ、ハンダガラスあるいは他の接着剤を使用して、ディスプレイガラス１７２に取り付けられる。しかしながら、本発明は、補助チャンバー１７０をディスプレイガラス１７２に取り付けるための、他の方法の使用に適している。
【００５２】
図１７Ｄを参照すると、電源１７７は、導電ワイヤ１７６によって円筒状ハウジング１７１および導電素子１７４に電気的に結合される。電力の印加の際に、各円筒状ハウジング１７１内のＮＥＧ物質１７３が活性化される。図１７Ｄに示された実施形態は直列にワイヤで接続されているが、本発明は、円筒状ハウジング１７１および導電素子１７４の各々が電源１７７に並列にワイヤで接続される実施形態に適している。円筒状ハウジング１７１の各々が電源１７７に並列にワイヤで接続されている実施形態において、円筒状ハウジング１７１は個別に活性化できる。
【００５３】
さらに、図１７Ｄを参照すると、一実施形態において、各円筒状ハウジング１７１は縮小された高さを有する。一実施形態において、各円筒状ハウジングは、約０．５ｃｍの高さおよび約１ｃｍの直径を有する。本実施形態において、５００ｍｍ２以上の０．４ｍｍの厚さのＮＥＧ物質は、円筒状ハウジング１７１内に配置される。円筒状ハウジング１７１は金属で作られ、先行技術の装置に対して小さいサイズを有するために、本発明は、先行技術の大きなガラス補助区画よりもあまり機械特性（例えば、コンプライアンス、シール強度等）に悪影響を及ぼす可能性が少ない。
【００５４】
図１７Ａ〜図１７Ｄに示された実施形態は、様々な条件付の工程中電流加熱によって周期的活性化を可能にする。さらに、図１７Ａ〜１７Ｄに示された実施形態は、ディスプレイの寿命中再活性化される。したがって、例えば、ＮＥＧ物質１７３は、ディスプレイの消費者寿命中、幾つかの間隔中で再活性化できる。例えば、ＮＥＧ物質１７３は、ディスプレイの最初の電源投入等中に電池充電動作中、再活性化できる。これは、周期的に真空を改善し、ガス抜きおよびシール浸透性に関連した長期真空低下を補償することによって、ディスプレイの寿命を延ばす。
【００５５】
図１７Ｅに示された１つの代替実施形態において、チュービュレーション１７８は、円筒状ハウジング１７１から延びる。一実施形態において、チュービュレーション１７８は、補助チャンバー１７０および補助チャンバー１７０が取り付けられるディスプレイ装置の真空排気のために、真空排気接続の可能なポンプ用端部である。
【００５６】
図１７Ｆに示されたさらにもう一つの実施形態において、高圧（アノード）フィードスルーは、ディスプレイガラス１７２で開口１９３を通って延びる導電ケーブル１９１によって提供される。一実施形態において、ばねで留められた接点１９２は導電ケーブル１９１に取り付けられる。
【００５７】
次に図１８を参照すると、補助チャンバー１８０内に配置されたバリウムフラッシュバルブ１８１を含む実施形態が示されている。本実施形態において、バリウムフラッシュバルブ１８１は、フィラメント１８３上に配置されたバリウム物質を含む。一実施形態において、フィラメント１８３は、図６Ａの束にされたフィラメント６００のような束にされたフィラメントである。一方、フィラメント１８３は、図６Ｂの格子フィラメント６０２のような「格子フィラメント」を生じるように格子形状に配列される。本実施形態において、フィラメント１８３はタングステンで構成される。しかしながら、本実施形態は、例えば、チタン、タンタル、タングステン、タンタル‐チタン合金等のような様々な他のフィラメント物質の使用にも適している。
【００５８】
さらに図１８を参照すると、一実施形態において、補助チャンバー１８０は、それを通って延びる開口１８２を含むこし器状の底部プレート１８７を含む。開口１８２によって、汚染物質粒子は補助チャンバー１８０の中に移動できる。一実施形態において、底部プレート１８７は、ハウジング１８８を組み立てるより前に、フリットで被覆される。一旦補助チャンバー１８０が組み立てられると、フィラメント１８３は補助チャンバー１８０内に保持される。フィラメント１８３は、移送中および補助チャンバー１８０をディスプレイガラスに取り付け中、補助チャンバー１８０内に保持されるために、これは、ディスプレイ装置への補助チャンバー１８０の容易な設置のために備える。
【００５９】
図１８につき続けると、電気フィードスルー１８４および電気フィードスルー１８５は、フィラメント１８３に電気的に結合される。一実施形態において、電気フィードスルー１８４および電気フィードスルー１８５は、補助チャンバー１８０に溶着される。一方、電気フィードスルー１８４〜１８５は補助チャンバー１８０に高温で鑞付けされる。一実施形態において、補助チャンバー１８０はセラミックあるいはガラスである。一方、補助チャンバー１８０は、例えばセラミックのような絶縁材料で被覆される金属である。
【００６０】
一実施形態において、活性化は、直流６〜１２ボルトを電気フィードスルー１８４〜１８５に印加することによって行われる。電流が電気フィードスルー１８４〜１８５に印加される場合、フィラメント１８３は、補助チャンバー１８０の内部表面全体に、その上に被覆されたバリウム物質を分散するか、あるいはこのバリウム物質を振り撒く。
【００６１】
単一フラッシュバルブが図１８の実施形態に示されているが、本発明は、フィラメントが２つあるいはそれ以上のより小さいフラッシュバルブに分離される実施形態にも適している。２つのフラッシュバルブの使用は、組み立て中１つのフラッシュバルブの動作を可能にし、顧客による第２のフラッシュバルブの動作を可能にする。いくつかの重要な長所は、その多くが図４ないし図６Ｄの実施形態に関して述べられている本実施形態によって実現される。
【００６２】
バリウムゲッタのフラッシュイングは、ディスプレイの活性領域に有害であり得るガスを生じることが分かった。本実施形態において、バリウムゲッタは、ディスプレイの真空排気中、活性化される。これは、バリウムゲッタによって発生されたガスを排気し、バリウムゲッタの活性化によって発生されたガスの有害な影響を取り除く。
【００６３】
図１９を参照すると、バックプレート２０１、フェースプレート２０２、周辺シール２０３、真空ギャップ２０４および補助区画２０５を含むフラットパネルディスプレイ２００が示されている。開口２０６は、バックプレート２０１を通って延びる。高放射率表面２０９は、熱が低放射率表面２０８から離れた所に伝達されることを可能にする。一実施形態において、高放射率表面２０９は、被覆されていないガラス表面であり、低放射率表面２０８は、金属膜２１０で被覆されるガラス表面である。
【００６４】
図１９につき続けると、ゲッタ２０７は、活性化の際にゲッタが低放射率表面２０８の上に、ゲッタ物質の膜を配置するように補助区画２０５内に配置される。ゲッタ２０７にフラッシュされることによって発生された熱は、矢印２１１によって示されるように補助区画２０５の後部の外へ伝達される。これは、低放射率表面２０８の温度増加を最少にする。
【００６５】
図２０は、低放射率表面２０８′がディスプレイの活性領域を囲む境界領域にある実施形態を示す。ゲッタ２０７の活性化の際に、ゲッタ物質の膜は低放射率表面２０８′の上に配置されている。ゲッタ２０７にフラッシュされることによって発生された熱は、ディスプレイの外へおよび高放射率表面２０９′を通って低放射率表面２０８′から離れた所に伝達される。
【００６６】
図１９〜図２０を参照すると、一実施形態において、ゲッタ２０７はバリウムゲッタである。ゲッタ２０７にフラッシュされることによって発生された熱は、ディスプレイの外へおよび低放射率表面２０８から離れた所に伝達されるために、低放射率表面２０８は比較的冷たいままである。その上にバリウム膜が付着されるべきである表面は比較的冷たいために、生じるバリウム膜は多孔性であり、良好なゲッタ特性を有する。
【００６７】
図２１Ａ〜図２１Ｂは、ディスプレイ装置２１４およびディスプレイ装置２１４′が大きい表面積構造２１２を含む実施形態を示す。本実施形態において、大きい表面積構造２１２は、ゲッタ２０７の近くに配置されたカーボンフェルト構造である。本実施形態において、ゲッタ２０７はバリウムゲッタである。カーボンフェルト構造２１２は、図２１Ａに示されるように補助区画２０５に配置できるかあるいは図２１Ｂによって示されるように、ディスプレイの活性領域を囲む境界領域に配置できる。ゲッタ２０７がフラッシュされる場合、ゲッタ物質の膜はカーボンフェルト構造２１２の上に付着される。カーボンフェルト構造２１２は、大きな表面積を与え、高温、真空互換性物質である。したがって、ゲッタ物質の生じる膜、高表面積および良好なゲッタ能力を有する。境界領域の空間量は制限されるために、カーボンフェルトの使用は、図２１Ｂに示された実施形態で特に有利である。
【００６８】
図２２は、支持体２２０の各端部の近くの支持体２２０の各側面から延びる延長部材２２１を含む支持体２２０を示す。本実施形態において、支持体２２０は、スポット溶接されるワイヤで構成される。延長部材２２１は、支持体２２０が補助チャンバー２２３の中に容易に挿入できるように、支持体２２０の本体２２２の方へ挟まれるように構成される。一旦、支持体２２０が補助チャンバー２２３に適切に置かれると、延長部材２２１は、補助チャンバー２２３の側面に接触するように膨張することが可能にされる。延長部材２２１によって与えられる張力は、所定の位置にしっかりと支持体２２０を保持する。ゲッタ２２４は、ゲッタ２２４が補助チャンバー２２３内に吊るされるように支持体２２０を保持する。一実施形態において、ゲッタ２２４は、バリウムゲッタである。しかしながら、本発明は、他の物質で形成されるゲッタ２２４との併用に適している。
【００６９】
さらに図２２を参照すると、補助チャンバー２２３内にゲッタ２２４を吊るすことによって、ゲッタ２２４は、管および補助区画ガラスから分離される。支持体２２の使用は、ゲッタを取り付けるために接着剤を使用することに対する要求を除去する。ゲッタガス抜きを取り付けるための接着剤は、先行技術で一般的に用いられている。したがって、本発明は、先行技術のゲッタアセンブリで一般的に生じるような接着剤に関連したガス抜きを除去する。さらに、先行技術のゲッタアセンブリの時間のかかる接着剤硬化操作は、本発明の使用によって回避される。
【００７０】
非蒸発性ゲッタ（ＮＥＧ）は、ＮＥＧのバルク容量に比べて非常に小さい表面容量を有する。一旦表面飽和が生じると、本発明は、ＮＥＧの再活性化を行う。ＮＥＧを再活性化することによって、吸収ガスは、ＮＥＧの大部分に拡散され、ＮＥＧの室温表面容量を回復する。ＮＥＧの数倍の再活性化によって、ＮＥＧのバルク容量は完全に利用される。
【００７１】
一実施形態において、再活性化は、所定の時間ＮＥＧを高温に加熱することによって実行される。本実施形態は、再活性化のためにレーザを使用する。しかしながら、本発明は、他の加熱方法の使用に適している。一実施形態において、ゲッタの全領域にわたるレーザの単一パスは、約２０秒間ＮＥＧを約９００℃の温度に加熱するように実行される。一実施形態において、ディスプレイ構成要素のガス抜きレベルがなお高い場合、ＮＥＧは、ディスプレイバーンインおよびディスプレイの初期寿命中の幾つかの間隔中に再活性化される。この再活性化は、ディスプレイの寿命の間継続できる。
【００７２】
次に図２３Ａを参照すると、予め振り撒かれたゲッタカプセル２３０は、支持体構造２３２が延びるハウジング２３１を含む。一実施形態において、支持体構造２３２はリブである。一方、支持体構造２３２は柱である。カバー２３３は、その間に筺体を形成するように、ハウジング２３１に取り付ける。一実施形態において、カバー２２３は薄い金属プレートである。筺体内で、予め振り撒かれたゲッタ物質２３５は、ハウジング２３１の内部表面の上に延び、支持体構造２３２の上に延びる膜である。一実施形態において、ハウジング２３１および支持体構造２３２は金属で形成される。しかしながら、本発明は、例えばガラスのような他の物質で形成されるハウジング２３１、支持体構造２３２およびカバー２３３の使用のために適している。薄いプラグ２３４は、カバー２３３内で形成され、予め振り撒かれたゲッタカプセル２３０の内部を曝すように砕かれ、溶かされるかあるいはその他除去されるように構成される。しかしながら、本発明は、薄いプラグを含まず、予め振り撒かれたゲッタカプセル２３０の内部を曝すようにように砕かれ、溶かされるかあるいはその他除去されるように構成されるカバーの使用のために適している。
【００７３】
図２３Ａの予め振り撒かれたゲッタカプセル２３０は、真空室のハウジング２３１の内部上にバリウムゲッタに振り撒かれることによって形成できる。好ましくは、バリウムゲッタは長い距離から振り撒かれる。次に、カバー２３３は、ハウジング２３１の上に配置され、ハウジング２３１にシールされる。完了された予め振り撒かれたカプセルは、次に真空室から除去され、補助チャンバー（図示せず）に入れられる。一方、予め振り撒かれたゲッタカプセル２３０は、ディスプレイ装置の活性領域を囲む境界領域に入れられる。
【００７４】
図２３Ａにつき続けると、予め振り撒かれたゲッタカプセル２３０は、予め振り撒かれたゲッタカプセル２３０の内部を曝すように薄いプラグ２３４を砕き、溶かすかあるいはその他除去することによって活性化される。一実施形態において、薄いプラグ２３４は、レーザ加熱あるいは無線周波数エネルギーによって破壊される低温プラグである。本発明は、その上に金属アンテナを有するかあるいは金属のクラッシュ室の高熱膨張片に結合される薄いプラグ２３４を使用するためあるいは内部スチールボールを移動させる磁石を使用することによっても十分に適合される。
【００７５】
図２３Ｂは、予め振り撒かれたゲッタカプセル２３６が補助チャンバー２３７内に形成される実施形態を示す。任意には、チュービュレーション２２９は補助チャンバー２３７にも配置されている。本実施形態において、支持体構造２３２は補助チャンバー２３７内に形成される。予め振り撒かれたゲッタ物質２３５は、予め振り撒かれたゲッタ物質２３５が補助チャンバー２３７および支持体構造２３２の内部表面の上にあるように、レッジ２３８の上の補助チャンバー２３７の内部表面の上に配置される。カバー２３９は、シール筺体を形成するようにレッジ２３８上にある。本実施形態において、カバー２３９は、約２ミルの厚さを有するシールガラスである。しかしながら、本発明は、他の物質で形成されるカバーの使用のために適している。さらに、本発明は、カバー２３９内に配置された薄いプラグの使用のために適している。
【００７６】
図２３Ｂを継続すると、多数の異なる方法の何れかがカバー２３９を補助チャンバー２３７に密封するために使用できるが、本実施形態において、ガラスフリットシールが使用される。支持体構造２３２は、図２３Ｃに示されるような柱２３２′あるいは図２３Ｄに示されるようなリブ２３２″であってもよい。しかしながら、本発明は、支持体構造の他の形状にも適している。
【００７７】
さらに図２３Ｂを参照すると、活性化は、カバー２３９内の開口を砕き、溶かすかあるいはその他形成することによって行われる。これは、予め振り撒かれたゲッタ物質２３５を曝す。ゲッタを真空環境で振り撒かれることによって、振り撒かれる操作は最適条件の下で行うことができる。これは、良好なゲッタリング能力を有する高品質の予め振り撒かれたゲッタ物質２３５を生じる。
【００７８】
次に、図２４を参照すると、補助チャンバー２０５に配置される下位無線周波数（ＲＦ）コイル２４１、上位ＲＦコイル２４２およびゲッタ２４３〜２４４を含むアセンブリ２４０が示される。一方、アセンブリ２４０は、ディスプレイ装置の境界領域内にあってもよいし、あるいはＲＦコイル２４１〜２４２は、補助チャンバーの外側にあってもよい。一実施形態において、ＲＦコイル２４１およびＲＦコイル２４２は、下位ＲＦコイル２４１および上位ＲＦコイル２４２が励磁される場合、建設的な干渉の領域および破壊的な干渉の領域が生じるように配置され、位相を同じくされるフェーズアレイアンテナである。
【００７９】
一実施形態において、ゲッタ２４３は、建設的な干渉の領域にあり、ゲッタ２４４は、破壊的な干渉の領域にある。これは、上位ＲＦコイル２４１および下位ＲＦコイル２４３を通るＲＦ放射線を発生することによってゲッタ２４３の選択活性化を可能にする。次に、残りのゲッタ２４４は後の時間に活性化できる。一実施形態において、ゲッタ２４３はバリウムゲッタであり、ゲッタ２４４はＮＥＧ物質で構成されている。これは、ゲッタ２４４を活性化させないでバリウムゲッタ２４３を選択的に活性化することを可能にする。一実施形態において、レーザあるいは他の加熱手段は、後でゲッタ２４４を活性化するために使用される。
【００８０】
図２５は、ディスプレイ２５０の内部に配置される非蒸発性ゲッタ２５１および２５２を含む実施形態を示す。ゲッタ２５１および２５２の両方は、ゲッタ２５１およびゲッタ２５２が選択的に活性化できるように電源（図示せず）に結合される。一実施形態において、ゲッタ２５１は、ディスプレイを密封する直前に活性化されるが、ディスプレイはなお熱く、ディスプレイの部品は高ガス抜き速度を有する。ゲッタ２５１は、ディスプレイの他の部品が室温まで冷却されるまで、活性化温度（例えば、５００℃）のままである。これは、ＣＯ、ＣＯ２およびＨ２Ｏの吸収に対して最大容量を生じる。
【００８１】
次に、図２５を参照すると、ゲッタ２５２は、ディスプレイがなお工場にある場合、後で活性化できる。一実施形態において、ゲッタ２５２は、約１０分間約５００℃の温度までゲッタ２５２を加熱するように熱を加えることにより活性化される。ゲッタ２５２の活性化は、ディスプレイの寿命にわたってディスプレイ内部に必要な圧力を生じる。
【００８２】
次に、図２６Ａを参照すると、その上にバリウムアルミニウム（ＢａＡｌ４）物質２６２が配置されたニッケル薄片層２６１を含む平面蒸発性ゲッタ２６０が示されている。ニッケル薄片層２６３がバリウムアルミニウム層２６２の上に配置されている。
【００８３】
次に、図２６Ｂを参照すると、形成されたニッケル基板２６４を含む平面蒸発性ゲッタ２６０′が示されている。本実施形態において、ニッケル基板２６４は、ニッケル基板２６４内に多数の平行溝を生じるように形成される。バリウムアルミニウム（ＢａＡｌ４）物質２６２は各溝内に配置されている。ニッケル膜２６５は、バリウムアルミニウム物質２６２の上にあるように配置されている。
【００８４】
図２６Ｃに示された実施形態において、平面蒸発性ゲッタ２６０″は、円形空洞を有するニッケル基板２６４′を含む。バリウムアルミニウム物質２６２は、各円形空洞内に配置される。ニッケル膜２６５′は、バリウムアルミニウム物質２６２の上にある。空洞は円形空洞であるように示されているが、本発明は、例えば、矩形状、三角状等の、他の形状の使用に良好に適合する。
【００８５】
一実施形態において、ニッケル基板２６４およびニッケル基板２６４′は、ニッケルシートをプレス成形し、電気成形し、あるいはその他成形することによって形成される。バリウムアルミニウム物質２６２は、次に粉末付着を使用して、あるいはバリウム物質２６２をシートにプレス成形し、この表面をドクターブレードでこすることによって付着される。一実施形態において、図２６Ａ〜図２６Ｃに示された空洞は、幅が０．００１〜０．０１インチおよび深さが０．００１〜０．１０インチの範囲にある。
【００８６】
図２６Ｄに示された実施形態において、平面蒸発性ゲッタ２６０はフラットパネルディスプレイ２７０に配置される。本実施形態において、図２６Ａの平面蒸発性ゲッタ２６０、図２６Ｂの平面蒸発性ゲッタ２６０′あるいは図２６Ｃの平面蒸発性ゲッタ２６０″が使用される。平面蒸発性ゲッタ２６０の光照射（レーザあるいは赤外放射線）の際に、バリウムアルミニウム物質２６２が振り撒かれ、バリウム物質２６７の膜を形成する。発熱反応は、ＢａＡｌ４＋４Ｎｉ→Ｂａ＋４ＮｉＡｌである。さらに、本発明は、例えば、リチウムのようなバリウム以外の物質を使用するのに良好に適合する。
【００８７】
図２６Ｅに示された実施形態において、２つの平面蒸発性ゲッタ２６０は、フラットパネルディスプレイ２７０′内で互いに対向して配置される。本実施形態において、図２６Ａの平面蒸発性ゲッタ２６０、図２６Ｂの平面蒸発性ゲッタ２６０′あるいは図２６Ｃの平面蒸発性ゲッタ２６０″が使用される。本実施形態において、両方の平面蒸発性ゲッタ２６０は、同時に活性化され、バリウム物質２６８の膜を生じる。互いに対向して置かれた２つの平面蒸発性ゲッタ２６０を使用することによって、生じるバリウム物質２６８の膜は、図２６Ｄにおけるバリウム物質２６７の膜の、２倍の寸法である。
【００８８】
図２６Ｂおよび図２６Ｃに示された実施形態は、バリウムアルミニウム物質２６２の付着の逐次加熱（フラッシュされること）を可能にする。バリウムアルミニウム物質２６２の堆積物を順次加熱することによって、低堆積速度が得られる。これは、バリウム物質２６７および２６８の取り換え可能薄膜の形成を可能にする。バリウムアルミニウム物質２６２の個別堆積物を順次加熱することによって、薄膜は、低堆積速度で増加するように堆積される。これは、既存の薄膜の加熱（焼結）を最少限にし、関連の削減吸着機能を防止する。
【００８９】
さらに図２６Ａ〜２６Ｅを参照すると、一実施形態において、バリウムアルミニウム物質２６２の付着は、この装置のターンオン中ガス抜きの可変レベルを補償するためにディスプレイの最初の寿命中逐次活性化される。任意のＮＥＧ２６９とともに使用される場合、任意のＮＥＧ２６９は、ディスプレイ部品の最初のガス抜き中に日常的に活性化でき、平面蒸発性ゲッタは、ディスプレイが顧客に出荷されたときに非常に大きい容量のポンピングを行うように、振り撒かれることができる。
【００９０】
したがって、本発明は、ディスプレイ装置内に使用可能な空間量を減らさないでディスプレイ装置から汚染物質を除去する装置を提供する。本発明は、上記に列挙された成果を実現し、ディスプレイ装置の形体をゲッタ物質に有害となるように曝さない補助チャンバーも提供する。本発明は、さらに上記に列挙された成果を得るが、ディスプレイ装置の全寸法を著しく増加あるいは平行させない補助チャンバーを提供する。本発明は、改良された粒子除去を有する装置も提供する。
【００９１】
本発明の特定の実施形態についての前述の説明は、例示および説明の目的のために示された。この実施形態は、完全であるかあるいは本発明を開示された正確な形式に限定することを目的とするものではなく、明らかに多数の修正および変更が上記の教示に照らして可能である。この実施形態は、本発明の原理およびその実用的な用途を十分に説明し、それによって本発明を十分に利用するために選択され、説明され、様々な修正を有する様々な実施形態は、熟考された特定の使用に適している。本発明の範囲は、これに添付された特許請求の範囲およびその均等物によって規定されるべきであることが意図される。
【図面の簡単な説明】
本明細書の一部に組み込まれ、本明細書の一部を形成する添付図面は、本発明の実施形態を示し、説明とともに本発明の原理を説明するのに役立つ。
【図１】従来の汚染物質削減方式を使用するディスプレイ装置の側面断面図である。
【図２】汚染物質を減少させようと試る際に使用される他の方式を使用するディスプレイ装置の側面断面図である。
【図３】ディスプレイ装置のエッジを越えて突き出すチュービュレーションを有するディスプレイ装置の側面断面図である。
【図４】本発明の一実施形態によるそれに結合された補助チャンバーを有するディスプレイ装置の側面断面図である。
【図５】本発明の一実施形態による図４の実施形態の斜視図である。
【図６Ａ】本発明の一実施形態による束にされたフィラメント上に配置されたゲッタ物質の概略図である。
【図６Ｂ】本発明の一実施形態による格子形状に配置されたフィラメント上に配置されたゲッタ物質の概略図である。
【図６Ｃ】本発明の一実施形態による複数の別々に束にされたフィラメント上に配置されたゲッタ物質の概略図である。
【図６Ｄ】本発明の一実施形態による別個の格子形状に配置された複数のフィラメント上に配置されたゲッタ物質の概略図である。
【図７】結合された補助チャンバーを有するディスプレイ装置の側面断面図であり、この補助チャンバーが本発明の一実施形態によるそこから突き出すチュービュレーションを有する。
【図８】結合された補助チャンバーを有するディスプレイ装置の側面断面図であり、この補助チャンバーが本発明の一実施形態によるそこから突き出し曲がった形状のチュービュレーションを有する。
【図９】結合された補助チャンバーを有するディスプレイ装置の側面断面図であり、この補助チャンバーが本発明の一実施形態によるそこから突き出すシールされたチュービュレーションを有する。
【図１０】結合された補助チャンバーを有するディスプレイ装置の側面断面図であり、この補助チャンバーが本発明の一実施形態によりプラグシールされる。
【図１１】本発明の一実施形態による補助チャンバーをディスプレイ装置の表面に取り付けるように実行されるステップのフローチャートである。
【図１２】本発明の一実施形態によるディスプレイ装置の表面を条件付けるように実行されるステップのフローチャートである。
【図１３】本発明の一実施形態による補助チャンバーの表面を条件付けるように実行されるステップのフローチャートである。
【図１４】本発明の一実施形態による補助チャンバーの条件付けられた表面をディスプレイ装置の条件を付けられた表面に結合するように実行されるステップのフローチャートである。
【図１５】本発明の一実施形態による接着剤を使用して補助チャンバーをディスプレイ装置の表面に取り付けるように実行されるステップのフローチャートである。
【図１６Ａ】結合された圧縮状態の補助チャンバーを有するディスプレイ装置の側面断面図であり、この補助チャンバーが本発明の一実施形態における可変容量を有する。
【図１６Ｂ】結合された伸張状態の補助チャンバーを有するディスプレイ装置の側面断面図であり、この補助チャンバーが本発明の一実施形態における可変容量を有する。
【図１７Ａ】本発明の一実施形態における円筒状ハウジングを含む補助チャンバーの斜視図である。
【図１７Ｂ】本発明の一実施形態における円筒状ハウジングを含む補助チャンバーの側面断面図である。
【図１７Ｃ】本発明の一実施形態における螺旋のＮＥＧ物質を含む補助チャンバーの底部図である。
【図１７Ｄ】本発明の一実施形態におけるディスプレイ装置の表面に取り付けられた補助チャンバーの斜視図である。
【図１７Ｅ】本発明の一実施形態における円筒状ハウジングおよびチュービュレーションを含む補助チャンバーの斜視図である。
【図１７Ｆ】本発明の一実施形態における円筒状ハウジングおよび高圧アノードフィードスルーを含む補助チャンバーの側面断面図である。
【図１８】本発明の一実施形態におけるフラッシュバルブが配置された補助チャンバーの側面断面図である。
【図１９】本発明の一実施形態におけるそれに結合された補助チャンバーを有し、かつ低放射率表面および高放射率表面を有するディスプレイ装置の側面断面図である。
【図２０】本発明の一実施形態における低放射率表面および高放射率表面を有するディスプレイ装置の側面断面図である。
【図２１Ａ】本発明の一実施形態における結合された補助チャンバーを有し、かつ補助チャンバー内に配置されたカーボンフェルト構造を有するディスプレイ装置の側面断面図である。
【図２１Ｂ】本発明の一実施形態におけるカーボンフェルト構造が配置されたディスプレイ装置の側面断面図である。
【図２２】本発明の一実施形態における支持体および２つのゲッタが配置された補助チャンバーの上部断面図である。
【図２３Ａ】本発明の一実施形態における予め振り撒かれたゲッタカプセルの側面断面図である。
【図２３Ｂ】本発明の一実施形態における補助チャンバー内に形成された予め振り撒かれたゲッタカプセルの側面断面図である。
【図２３Ｃ】本発明の一実施形態における柱である支持体構造を含む補助チャンバー内に形成された予め振り撒かれたゲッタカプセルの上部断面図である。
【図２３Ｄ】本発明の一実施形態におけるリブである支持体構造を含む補助チャンバー内に形成された予め振り撒かれたゲッタカプセルの上部断面図である。
【図２４】本発明の一実施形態におけるＲＦコイルを含み、かつ補助チャンバー内に配置されたアセンブリの概略図である。
【図２５】本発明の一実施形態における２つのゲッタを有するディスプレイの概略図である。
【図２６Ａ】本発明の一実施形態におけるバリウムアルミニウムを含むゲッタの側面断面図である。
【図２６Ｂ】本発明の一実施形態における溝を有するニッケル基板を含むゲッタの斜視図である。
【図２６Ｃ】本発明の一実施形態における円形空洞を有するニッケル基板を含むゲッタの斜視図である。
【図２６Ｄ】本発明の一実施形態における２つのゲッタが配置されたディスプレイの側面断面図である。
【図２６Ｅ】本発明の一実施形態における３つのゲッタが配置されたディスプレイの側面断面図である。
特に示される場合を除いて、この説明で参照される図面は一定の比率に応じて描写されていないものとして理解されるべきである。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６Ａ】
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【図６Ｂ】
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【図６Ｃ】
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【図６Ｄ】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６Ａ】
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【図１６Ｂ】
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【図１７Ａ】
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【図１７Ｂ】
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【図１７Ｃ】
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【図１７Ｄ】
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【図１７Ｅ】
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【図１７Ｆ】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１Ａ】
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【図２１Ｂ】
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【図２２】
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【図２３Ａ】
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【図２３Ｂ】
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【図２３Ｃ】
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【図２３Ｄ】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６Ａ】
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【図２６Ｂ】
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【図２６Ｃ】
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【図２６Ｄ】
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【図２６Ｅ】
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