(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
積層された複数の樹脂絶縁層を含む層構造体と、前記層構造体の外部に設けられた第１乃至第４の端子電極とを備え、
前記層構造体は、前記複数の樹脂絶縁層のうち第１の樹脂絶縁層上に形成された第１のスパイラル導体と、前記複数の樹脂絶縁層のうち第２の樹脂絶縁層上に形成された第２のスパイラル導体と、前記第１のスパイラル導体の内周端と前記第１の端子電極とを接続する第１の引き出し導体と、前記第２のスパイラル導体の内周端と前記第２の端子電極とを接続する第２の引き出し導体と、前記第１の樹脂絶縁層上に形成され前記第１の端子電極と前記第１の引き出し導体との間に接続された第３のスパイラル導体と、前記第２の樹脂絶縁層上に形成され前記第２の端子電極と前記第２の引き出し導体との間に接続された第４のスパイラル導体とを備え、
前記第１及び第２のスパイラル導体の外周端は、前記第３及び第４の端子電極にそれぞれ接続されており、
前記第１及び第２の引き出し導体は、前記複数の樹脂絶縁層のうち前記第１及び第２の樹脂絶縁層間に位置する第３及び第４の樹脂絶縁層上にそれぞれ形成されており、
前記第３のスパイラル導体と前記第４のスパイラル導体は、平面視で線対称な関係を有しており、
前記第３のスパイラル導体は、前記第１、第２及び第４のスパイラル導体のいずれとも磁気結合せず、
前記第４のスパイラル導体は、前記第１乃至第３のスパイラル導体のいずれとも磁気結合しないことを特徴とするコモンモードチョークコイル。
【請求項２】
前記第１及び第２の樹脂絶縁層間に位置する複数の樹脂絶縁層は合計厚さが１０μｍ以上であり、スピンコート可能な樹脂材料によって構成されていることを特徴とする請求項１に記載のコモンモードチョークコイル。
【請求項３】
前記第１及び第２のスパイラル導体が円弧状であることを特徴とする請求項１又は２に記載のコモンモードチョークコイル。
【請求項４】
前記第１及び第２の引き出し導体の少なくとも一部が積層方向に重なりを有していることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか一項に記載のコモンモードチョークコイル。
【請求項５】
少なくとも第１乃至第４の絶縁層を含む複数の絶縁層と、積層された第１及び第２のスパイラル導体と、第１乃至第４の端子電極と、前記第１のスパイラル導体の内周端と前記第１の端子電極とを接続する第１の引き出し導体と、前記第２のスパイラル導体の内周端と前記第２の端子電極とを接続する第２の引き出し導体と、前記第１の端子電極と前記第１の引き出し導体との間に接続された第３のスパイラル導体と、前記第２の端子電極と前記第２の引き出し導体との間に接続された第４のスパイラル導体とを備え、前記第１及び第２のスパイラル導体の外周端が前記第３及び第４の端子電極にそれぞれ接続されたコモンモードチョークコイルの製造方法であって、
前記第１の絶縁層上に前記第１及び第３のスパイラル導体を形成する工程と、
前記第１及び第３のスパイラル導体上に前記第２の絶縁層をスピンコート法により形成する工程と、
前記第２の絶縁層の前記第１及び第３のスパイラル導体の内周端に対応する位置にそれぞれコンタクトホールを形成する工程と、
両端が前記第２の絶縁層に設けられたコンタクトホールを介してそれぞれ前記第１及び第３のスパイラル導体の内周端に接続された前記第１の引き出し導体を前記第２の絶縁層上に形成する工程と、
前記第１の引き出し導体上に前記第３の絶縁層をスピンコート法により形成する工程と、
前記第３の絶縁層上に前記第２の引き出し導体を形成する工程と、
前記第２の引き出し導体上に前記第４の絶縁層をスピンコート法により形成する工程と、
前記第４の絶縁層の前記第２の引き出し導体の両端に対応する位置にそれぞれコンタクトホールを形成する工程と、
内周端が前記第４の絶縁層に設けられたコンタクトホールを介して前記第２の引き出し導体の一端に接続された第２のスパイラル導体及び内周端が前記第４の絶縁層に設けられたコンタクトホールを介して前記第２の引き出し導体の他端に接続された第４のスパイラル導体を前記第４の絶縁層上に形成する工程と、
前記複数の絶縁層の外部に前記第１乃至第４の端子電極を形成する工程とを備え、
前記第３のスパイラル導体と前記第４のスパイラル導体は、平面視で線対称な関係を有しており、
前記第３のスパイラル導体は、前記第１、第２及び第４のスパイラル導体のいずれとも磁気結合せず、
前記第４のスパイラル導体は、前記第１乃至第３のスパイラル導体のいずれとも磁気結合しないことを特徴とするコモンモードチョークコイルの製造方法。
【請求項６】
少なくとも前記第２乃至第４の絶縁層は、樹脂材料によって構成されていることを特徴とする請求項５に記載のコモンモードチョークコイルの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明はコモンモードチョークコイル及びその製造方法に関し、特に、ディファレンシャルモード信号に対するカットオフ周波数の高いコモンモードチョークコイル及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、高速な信号伝送インターフェースとして、ＵＳＢ２．０規格やＩＥＥＥ１３９４規格が広く普及し、パーソナルコンピュータやデジタルカメラなど数多くのデジタル機器に用いられている。ＵＳＢ２．０規格やＩＥＥＥインターフェースのインターフェースは、古くから一般的であったシングルエンド伝送方式とは異なり、一対の信号線を用いて差動信号（ディファレンシャルモード信号）を伝送する差動信号方式が採用されている。
【０００３】
差動伝送方式は、シングルエンド伝送方式と比べて信号線から発生する放射電磁界が少ないだけでなく、外来ノイズの影響を受けにくいという優れた特徴を有している。このため、信号の小振幅化が容易であり、小振幅化による立ち上がり時間及び立ち下がり時間の短縮によって、シングルエンド伝送方式よりも高速な信号伝送を行うことが可能となる。
【０００４】
図６は、一般的な差動伝送回路の回路図である。
【０００５】
図６に示す差動伝送回路は、一対の信号線２，４と、信号線２，４にディファレンシャルモード信号を供給する出力バッファ６と、信号線２，４からのディファレンシャルモード信号を受ける入力バッファ８とを備えている。かかる構成により、出力バッファ６に与えられる入力信号ＩＮは、一対の信号線２，４を経由して入力バッファ８へ伝えられ、出力信号ＯＵＴとして再生される。このような差動伝送回路は、上述の通り、信号線２，４から発生する放射電磁界が少ないという特徴を有しているが、信号線２，４に共通のノイズ（コモンモードノイズ）が重畳した場合には比較的大きな放射電磁界を発生させてしまう。コモンモードノイズによって発生する放射電磁界を低減するためには、図６に示すように、信号線２，４にコモンモードチョークコイル１０を挿入することが有効である。
【０００６】
コモンモードチョークコイル１０は、信号線２，４を伝わる差動成分（ディファレンシャルモード信号）に対するインピーダンスが低く、同相成分（コモンモードノイズ）に対するインピーダンスが高いという特性を有している。このため、信号線２，４にコモンモードチョークコイル１０を挿入することにより、ディファレンシャルモード信号を実質的に減衰させることなく、一対の信号線２，４を伝わるコモンモードノイズを遮断することができる。コモンモードチョークコイル１０としては、例えば特許文献１に記載された積層型のコモンモードチョークコイルが知られている。
【０００７】
近年、コモンモードチョークコイルには、より高速且つ低損失な信号伝送特性が求められている。これを実現するためには、コモンモードチョークコイルを構成するスパイラル導体の導体幅を広くすることが有効であるが、スパイラル導体の導体幅を広くすると、その分、一対のスパイラル導体間の寄生容量が増大してしまう。スパイラル導体間の寄生容量は、伝送すべき信号の周波数が高くなるほど信号品質に大きな影響を与えるため、伝送すべき信号の周波数が特に高い場合には、スパイラル導体間の寄生容量を低減させることが不可欠である。
【０００８】
スパイラル導体間の寄生容量を低減させる最も簡単な方法は、これらスパイラル導体間の距離を広げるとともに、スパイラル導体間に設けられる絶縁層の材料として低誘電率の樹脂を用いることである。しかしながら、単純にスパイラル導体間の距離を広げると、チップの高さが増大してしまい、低背化の要求に反してしまう。しかも、絶縁層の材料として樹脂材料を用いる場合には、スピンコート法によって樹脂絶縁層が形成されることから、十分な平坦性を確保しつつスパイラル導体間の距離を広くするためには、スパイラル導体間にてスピンコートを複数回行う必要があり、工程数が増大してしまう。
【０００９】
したがって、スパイラル導体間の距離を広げる場合、特許文献１の図１４に記載されているように、スパイラル導体間に引き出し導体を配置する構造を採用することが好ましいと考えられる。つまり、スパイラル導体の上下に配置されていた引き出し導体をスパイラル導体間に配置することにより、絶縁層の層数を増やすことなく、スパイラル導体間の距離を広げることが可能となる。
【特許文献１】特開平８−２０３７３７号公報
【特許文献２】特開２００５−１２９７９３号公報
【特許文献３】特開２００６−１４７６１５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
しかしながら、スパイラル導体間に引き出し導体を配置すると、一対の引き出し導体間の距離が近接してしまう。このため耐圧が低下し、場合によってはショート不良を引き起こす可能性が生じる。このような問題は、スパイラル導体が円弧状である場合において特に顕著となる。図７はこれを説明するための模式的な平面図であり、（ａ）はスパイラル導体が四角形状である場合における引き出し電極の形成位置を示し、（ｂ）及び（ｃ）はスパイラル導体が円弧状である場合における引き出し導体の形成位置を示している。
【００１１】
図７に示すように、スパイラル導体１０２は、その内周端１０２ａにて図示しないスルーホールを介して引き出し導体１１２に接続される。同様に、スパイラル導体１０４は、その内周端１０４ａにて図示しないスルーホールを介して引き出し導体１１４に接続される。ここで、引き出し導体１１２，１１４間の距離を十分に引き離すためには、スパイラル導体１０２，１０４の内周端１０２ａ，１０４ａの位置を十分に離す必要がある。この時、図７（ａ）に示すようにスパイラル導体１０２，１０４が四角形状であれば、内周端１０２ａ，１０４ａの距離をスパイラル導体１０２，１０４の内周径に相当する距離Ｄ１に設定すれば、スパイラル導体１０２，１０４の内周部における巻数差は１／４ターンとなる。
【００１２】
これに対し、図７（ｂ）に示すようにスパイラル導体１０２，１０４が円弧状であると、内周端１０２ａ，１０４ａの距離をスパイラル導体１０２，１０４の内周径に相当する距離Ｄ２に設定すると、スパイラル導体１０２，１０４の内周部における巻数差は１／２ターンとなってしまう。つまり、スパイラル導体１０２，１０４が四角形状である場合と比べて、巻数差が増大してしまう。
【００１３】
このように、スパイラル導体１０２，１０４が円弧状である場合、内周端１０２ａ，１０４ａの平面位置の相違によって対称性が崩れやすく、このため、スパイラル導体１０２，１０４が円弧状である場合は、内周端１０２ａ，１０４ａの平面位置を近づける必要性が特に高くなる。例えば、スパイラル導体１０２，１０４の内周部における巻数差を図７（ａ）と同じ１／４ターンとするためには、図７（ｃ）に示すように、内周端１０２ａ，１０４ａの距離をかなり近づけなければならない。その結果、引き出し導体１１２，１１４の距離Ｄ３が必然的に近くなり、耐圧低下ひいてはショート不良が生じやすくなってしまう。
【００１４】
本発明は、このような問題を解決すべくなされたものであって、スパイラル導体間の寄生容量を低減しつつ、引き出し導体間の耐圧が高められたコモンモードチョークコイル及びその製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１５】
本発明によるコモンモードチョークコイルは、積層された第１及び第２のスパイラル導体と、第１及び第２の端子電極と、第１のスパイラル導体の内周端と第１の端子電極とを接続する第１の引き出し導体と、第２のスパイラル導体の内周端と第２の端子電極とを接続する第２の引き出し導体と、第１及び第２のスパイラル導体間に設けられた複数の樹脂絶縁層とを備え、第１及び第２の引き出し導体は、複数の樹脂絶縁層のうち互いに異なる樹脂絶縁層上に形成されていることを特徴とする。
【００１６】
本発明によるコモンモードチョークコイルの製造方法は、積層された第１及び第２のスパイラル導体と、第１及び第２の端子電極と、第１のスパイラル導体の内周端と第１の端子電極とを接続する第１の引き出し導体と、第２のスパイラル導体の内周端と第２の端子電極とを接続する第２の引き出し導体とを備えるコモンモードチョークコイルの製造方法であって、第１の絶縁層上に第１のスパイラル導体を形成する工程と、第１のスパイラル導体上に第２の絶縁層をスピンコート法により形成する工程と、第２の絶縁層上に第１の引き出し導体を形成する工程と、第１の引き出し導体上に第３の絶縁層をスピンコート法により形成する工程と、第３の絶縁層上に前記第２の引き出し導体を形成する工程と、第２の引き出し導体上に第４の絶縁層をスピンコート法により形成する工程と、第４の絶縁層上に第２のスパイラル導体を形成する工程とを備えることを特徴とする。
【００１７】
本発明によれば、第１及び第２の引き出し導体が同一平面上ではなく、異なる平面上に位置することになるため、これらの間の耐圧を高めることが可能となる。尚、本発明に類似した構造を有するコモンモードチョークコイルとしては、特許文献２及び３に記載されたコモンモードチョークコイルが知られている。しかしながら、特許文献２及び３に記載されたコモンモードチョークコイルは、絶縁層がセラミック材料によって構成されていることから、樹脂を用いた場合とは異なり、スパイラル導体間の距離を拡大することはそもそも容易である。これに対し、本発明では絶縁層が樹脂によって構成されていることから、平坦性を確保しつつ、スパイラル導体間の距離を拡大することは容易ではない。また、セラミック材料は樹脂と比べて誘電率がかなり高いことから、スパイラル導体間に生じる寄生容量を考慮した場合、絶縁層の材料としては不適切である。これらの点が、特許文献２及び３に記載されたコモンモードチョークコイルとの本質的な相違点である。
【００１８】
本発明においては、複数の樹脂絶縁層は合計厚さが１０μｍ以上であり、スピンコート可能な樹脂材料によって構成されていることが好ましい。スパイラル導体間の距離が１０μｍ以上である場合、これを１回のスピンコートによって平坦性良く形成することは困難であり、スピンコートを複数回行う必要が生じる。この場合、スパイラル導体間には必然的に複数の樹脂絶縁層が介在することから、これを有効活用することができる。
【００１９】
本発明においては、第１及び第２のスパイラル導体が円弧状であることが好ましい。上述の通り、スパイラル導体が円弧状である場合には、引き出し導体の距離が近くなりやすいため、本発明を適用する意義が大きいからである。本発明において「円弧状」とは、略真円形状、楕円形状、さらには、直線部分を有するが全体的に円形である形状などを含む概念である。
【００２０】
本発明においては、第１及び第２の引き出し導体の少なくとも一部が積層方向に重なりを有していることが好ましい。これによれば、一対のスパイラル導体だけでなく、引き出し導体の対称性についても高めることが可能となる。
【００２１】
本発明によるコモンモードチョークコイルは、第１の端子電極と第１の引き出し導体との間に接続された第３のスパイラル導体と、第２の端子電極と第２の引き出し導体との間に接続された第４のスパイラル導体とをさらに備えていることが好ましい。これによれば、容量性素子を伝送線路に挿入することによるインピーダンス不整合を解消することが可能となる。しかも、第１のスパイラル導体と第３のスパイラル導体は、第１の引き出し導体を経由して直列接続され、第２のスパイラル導体と第４のスパイラル導体は、第２の引き出し導体を経由して直列接続されることから、第３のスパイラル導体と他のスパイラル導体との磁気結合、並びに、第４のスパイラル導体と他のスパイラル導体との磁気結合を抑制することが可能となる。
【発明の効果】
【００２２】
このように、本発明によれば、スパイラル導体間の寄生容量を低減しつつ、引き出し導体間の耐圧を高めることができる。したがって、カットオフ周波数が高く、且つ、信頼性の高いコモンモードチョークコイルを提供することが可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２３】
以下、添付図面を参照しながら、本発明の好ましい実施の形態について詳細に説明する。
【００２４】
図１は、本発明の好ましい実施形態によるコモンモードチョークコイル１００の構成を示す略斜視図である。
【００２５】
図１に示すように、本実施形態によるコモンモードチョークコイル１００は、薄膜タイプのコモンモードチョークコイルであって、第１及び第２の磁性基板１１Ａ、１１Bと、第１の磁性基板１１Ａと第２の磁性基板１１Ｂに挟まれた層構造体１２とを備えている。第１の磁性基板１１Ａ、層構造体１２、第２の磁性基板１１Ｂからなる積層体の外周面には、端子電極１４ａ〜１４ｄが形成されている。
【００２６】
第１及び第２の磁性基板１１Ａ、１１Ｂは、層構造体１２を物理的に保護すると共に、コモンモードチョークコイルの閉磁路としての役割を果たすものである。第１及び第２の磁性基板１１Ａ、１１Ｂの材料としては、焼結フェライト、複合フェライト（粉状のフェライトを含有した樹脂）等を用いることができる。
【００２７】
図２は、層構造体１２の略分解斜視図である。
【００２８】
図２に示すように、層構造体１２は、複数の層が薄膜成形技術により積層形成されたものであり、第１〜第５の樹脂絶縁層１５Ａ〜１５Ｅと、実際のコモンモードチョークコイルとして機能する第１及び第２のスパイラル導体２１，２２と、第１〜第４の引き出し導体３１〜３４とを備えている。本実施形態の層構造体１２は、第１乃至第５の樹脂絶縁層１５Ａ〜１５Ｅの間に設けられた４層構造の導電層を有している。
【００２９】
第１〜第５の樹脂絶縁層１５Ａ〜１５Ｅは、各導体パターン間、或いは導体パターンと磁性基板とを絶縁すると共に、導体パターンが形成される平面の平坦性を確保する役割を果たす。特に、第１及び第５の樹脂絶縁層１５Ａ，１５Ｅは第１及び第２の磁性基板１１Ａ、１１Ｂの表面の凹凸を緩和し、導体パターンの密着性を高める役割を果たす。樹脂絶縁層１５Ａ〜１５Ｅとしては、特に限定されるものではないが、ポリイミド樹脂やエポキシ樹脂等、電気的及び磁気的な絶縁性に優れ、加工性のよい樹脂材料を用いることが好ましい。
【００３０】
第１及び第２のスパイラル導体２１，２２の内側の中央領域には、第１〜第５の樹脂絶縁層１５Ａ〜１５Ｅを貫通する開口２５が設けられている。この開口２５の内部には、第１の磁性基板１１Ａと第２の磁性基板１１Ｂとの間に閉磁路を形成するための磁性体２６が設けられている。磁性体２６としては、複合フェライト等の磁性材料を用いることができる。
【００３１】
第１のスパイラル導体２１は、第１の樹脂絶縁層１５Ａ上に設けられている。第１のスパイラル導体２１はＣｕ等の金属材料からなる。第１のスパイラル導体２１の外周端は、第３の引き出し導体３３を介して端子電極１４ａに接続されている。一方、第１のスパイラル導体２１の内周端は、第２の樹脂絶縁層１５Ｂを貫通するコンタクトホール２４ａ及び第１の引き出し導体３１を介して、端子電極１４ｃに接続されている。
【００３２】
第２のスパイラル導体２２は、第４の樹脂絶縁層１５Ｄ上に設けられている。第２のスパイラル導体２２もまたＣｕ等の金属材料からなり、第１のスパイラル導体２１と同一の平面形状を有している。第２のスパイラル導体２２は、第１のスパイラル導体２１と平面視で同じ位置に設けられており、第１のスパイラル導体２１と完全に重なり合っていることから、第１のスパイラル導体２１と第２のスパイラル導体２２との間には強い磁気結合が生じている。第２のスパイラル導体２２の外周端は、第４の引き出し導体３４を介して端子電極１４ｂに接続されている。一方、第２のスパイラル導体２２の内周端は、第４の樹脂絶縁層１５Ｄを貫通するコンタクトホール２４ｂ及び第２の引き出し導体３２を介して、端子電極１４ｄに接続されている。
【００３３】
このように、本実施形態によるコモンモードチョークコイル１００は、第１及び第２のスパイラル導体２１，２２間に複数の樹脂絶縁層１５Ｂ〜１５Ｄが設けられており、これによって、第１のスパイラル導体２１と第２のスパイラル導体２２との距離が確保されている。このため、第１及び第２のスパイラル導体２１，２２間に生じる寄生容量が低減されることから、ディファレンシャルモード信号に対するカットオフ周波数を高めることが可能となる。
【００３４】
特に限定されるものではないが、第１及び第２のスパイラル導体２１，２２間に介在する樹脂絶縁層１５Ｂ〜１５Ｄの合計厚さは、１０μｍ以上であることが好ましく、２０μｍ程度であることが特に好ましい。これによれば、寄生容量が十分に低減されることから、カットオフ周波数を例えば５ＧＨｚ以上とすることが可能となる。
【００３５】
しかも、第１及び第２の引き出し導体３１，３２は、第１及び第２のスパイラル導体２１，２２間において互いに異なる樹脂絶縁層１５Ｂ，１５Ｃ上に形成されている。このため、第１及び第２の引き出し導体３１，３２の平面視における距離が近い場合であっても、両者を確実に絶縁することができ、高い耐圧特性を得ることが可能となる。図７を用いて説明したように、スパイラル導体が円弧状である場合、内周端の平面位置の相違によって対称性が崩れやすいが、本実施形態によれば各スパイラル導体２１，２２の内周端の平面位置をほぼ一致させることが可能となり、高い対称性を確保することが可能となる。
【００３６】
また、第１及び第２の引き出し導体３１，３２が互いに異なる平面に形成されていることから、第１及び第２の引き出し導体３１，３２の一部が積層方向に重なりを有するように形成することも可能である。これによれば、より高い対称性を得ることが可能となる。
【００３７】
次に、本実施形態によるコモンモードチョークコイル１００の製造方法について説明する。
【００３８】
図３は、本実施形態によるコモンモードチョークコイル１００の製造工程を示すフローチャートである。
【００３９】
まず、第１の磁性基板１１Ａを用意する（ステップＳ１）。第１の磁性基板１１Ａとしては、多数のチップを同時形成可能なウェハ状の基板を用いることが好ましい。次に、磁性基板１１Ａ上に感光性樹脂（例えば感光性ポリイミド樹脂）をスピンコートし（ステップＳ２）、これを露光・現像することによって（ステップＳ３）、開口２５を有する第１の樹脂絶縁層１５Ａを形成する。そして、蒸着法又はスパッタリング法により下地導電層を形成し、これを給電体としたメッキを行うことにより第１の樹脂絶縁層１５Ａ上に第１のスパイラル導体２１を形成する（ステップＳ４）。この場合、下地導電層の全表面にレジストを形成し、フォトリソグラフィー法によって所定領域の下地導電層を露出させた後、メッキを行っても構わないし、或いは、フォトリソグラフィー法によって下地導電層をパターニングした後、メッキを行っても構わない。このようなステップＳ２〜Ｓ４を繰り返し実行することにより、図２に示した層構造体１２が形成される。
【００４０】
このようにして第１の磁性基板１１Ａ上に層構造体１２を形成した後、第２の磁性基板１１Ｂを貼り付ける（ステップＳ５）。そして、ダイシングにより個別のチップに分割した後、端子電極１４ａ〜１４ｄを形成すれば（ステップＳ６）、本実施形態によるコモンモードチョークコイル１００が完成する。
【００４１】
ここで、感光性樹脂のスピンコートにおいて高い平坦性を得るためには、塗布液の粘度を十分に低く調製する必要がある。その結果、１回のスピンコートによって形成可能な樹脂絶縁層の厚さは数μｍ程度に制限される。このため、第１及び第２のスパイラル導体２１，２２間の距離を１０μｍ以上、例えば２０μｍ程度とするためには、第１及び第２のスパイラル導体２１，２２間に形成する樹脂絶縁層を複数層とする必要が生じる。つまり複数回のスピンコートを行う必要が生じる。
【００４２】
しかしながら、本実施形態によるコモンモードチョークコイル１００では、第１及び第２の引き出し導体３１，３２が、第１及び第２のスパイラル導体２１，２２間において互いに異なる樹脂絶縁層１５Ｂ，１５Ｃ上に形成されることから、これら複数の樹脂絶縁層を有効に利用することが可能となる。
【００４３】
尚、上記実施形態では、第１及び第２のスパイラル導体２１，２２が円弧状であるが、本発明がこれに限定されるものではなく、図４に示すようにスパイラル導体が四角形状であっても構わない。さらに、図５に示すように、樹脂絶縁層１５Ａ上に第３のスパイラル導体４１を追加し、樹脂絶縁層１５Ｄ上に第４のスパイラル導体４２を追加することも可能である。
【００４４】
第３のスパイラル導体４１は他のスパイラル導体と磁気結合しない導体であり、その内周端は、第２の樹脂絶縁層１５Ｂを貫通するコンタクトホール２４ｃを介して、第１の引き出し導体３１に接続されている。すなわち、第３のスパイラル導体４１は、第１の引き出し導体３１を介して第１のスパイラル導体２１に直列接続されている。第３のスパイラル導体４１の外周端は、端子電極１４ｃに接続されている。
【００４５】
第４のスパイラル導体４２も他のスパイラル導体と磁気結合しない導体であり、その内周端は、第４の樹脂絶縁層１５Ｄを貫通するコンタクトホール２４ｄを介して、第２の引き出し導体３２に接続されている。すなわち、第４のスパイラル導体４２は、第２の引き出し導体３２を介して第２のスパイラル導体２２に直列接続されている。第４のスパイラル導体４２の外周端は、端子電極１４ｄに接続されている。
【００４６】
このようなスパイラル導体４１，４２を付加することにより、特性インピーダンスの調整を行うことができる。つまり、ＨＤＭＩ等の高速インターフェースでは、ＩＣ自体の構造がＥＳＤ（Electrostatic Discharge：静電気放電）に対して脆弱であるため、その対策としてバリスタ、ツェナーダイオード等の容量性素子が伝送線路に挿入されることが多い。しかしながら、容量性素子を伝送線路に挿入すると、当該伝送線路を伝わる信号、特に高周波（２００ＭＨｚ以上）や高速のパルス信号が反射、減衰してしまうという問題がある。これは、容量性素子を伝送線路に挿入した場合、容量性素子が有する容量成分により、伝送線路における容量性素子を挿入した位置での特性インピーダンスが低下して、当該位置にてインピーダンス不整合となることに起因するものである。
【００４７】
このようなインピーダンスの不整合は、図５に示すコモンモードチョークコイルを用いることにより解消することが可能である。しかも、図５に示すコモンモードチョークコイルは、第３のスパイラル導体４１と第４のスパイラル導体４２がほぼ線対称な関係を有していることから、両者のインダクタンスのばらつきを低減することができ、特性インピーダンスの低下を確実に抑制することができる。
【００４８】
また、第１のスパイラル導体２１と第３のスパイラル導体４１は、互いの内周端において接続されており、同様に、第２のスパイラル導体２２と第４のスパイラル導体４２は、互いの内周端において接続されている。このため、両者を接続するためには必ず別の層に形成された引き出し導体３１，３２を経由する必要があり、両者を接続する配線距離は必然的に長くなる。このため、この部分において第１のスパイラル導体２１と第２のスパイラル導体２２の磁気的結合が大きく低下することになる。図５に示す例では、そのような磁気的結合が大きく低下する部分に第３及び第４のスパイラル導体４１，４２を設けていることから、第１及び第２のスパイラル導体２１，２２と、第３及び第４のスパイラル導体４１，４２との磁気結合を確実に抑制することができる。
【００４９】
以上、本発明の好ましい実施形態について説明したが、本発明は、上記の実施形態に限定されることなく、本発明の主旨を逸脱しない範囲で種々の変更が可能であり、それらも本発明の範囲内に包含されるものであることはいうまでもない。
【００５０】
例えば、上記実施形態では、第１及び第２のスパイラル導体２１，２２間に３層の樹脂絶縁層１５Ｂ〜１５Ｄが介在しているが、一対のスパイラル導体間に介在する樹脂絶縁層の数はこれに限定されない。したがって、第１及び第２のスパイラル導体２１，２２間の距離をより広くする必要がある場合には、例えば、樹脂絶縁層１５Ｂと１５Ｃとの間に１又は２以上の樹脂絶縁層を追加しても構わない。
【００５１】
さらに、上記実施形態では、感光性樹脂をスピンコートした後、これを露光・現像することによって開口を有する樹脂絶縁層を形成しているが、樹脂絶縁層に開口を形成する方法としてはこれに限定されるものではない。例えば、スピンコートによって樹脂絶縁層を形成した後、感光性レジストを形成し、これをマスクとしてエッチングを行うことによって樹脂絶縁層に開口を形成しても構わない。或いは、スピンコートによって樹脂絶縁層を形成した後、レーザビームを照射することによって樹脂絶縁層に開口を形成しても構わない。
【００５２】
さらに、上記実施形態では、樹脂絶縁層１５Ａ〜１５Ｅに開口２５が設けられ、ここに磁性体２６が挿入されているが、本発明においてこのような開口及び磁性体を設けることは必須でない。
【図面の簡単な説明】
【００５３】
【図１】本発明の好ましい実施形態によるコモンモードチョークコイル１００の構成を示す略斜視図である。
【図２】層構造体１２の略分解斜視図である。
【図３】コモンモードチョークコイル１００の製造工程を示すフローチャートである。
【図４】層構造体１２の一変形例を示す略分解斜視図である。
【図５】層構造体１２の他の変形例を示す略分解斜視図である。
【図６】一般的な差動伝送回路の回路図である。
【図７】（ａ）はスパイラル導体が四角形状である場合における引き出し電極の形成位置を示す模式的な平面図、（ｂ）及び（ｃ）はスパイラル導体が円弧状である場合における引き出し導体の形成位置を示す模式的な平面図である。
【符号の説明】
【００５４】
１１Ａ      第１の磁性基板
１１Ｂ      第２の磁性基板
１２        層構造体
１４ａ〜１４ｄ    端子電極
１５Ａ〜１５Ｅ    樹脂絶縁層
２１        第１のスパイラル導体
２２        第２のスパイラル導体
２４ａ〜２４ｄ    コンタクトホール
２５        開口
２６        磁性体
３１〜３４    引き出し導体
４１        第３のスパイラル導体
４２        第４のスパイラル導体
１００      コモンモードチョークコイル
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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