(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
重ね合わせの精度に係る複数の調整対象をそれぞれの調整量だけ調整して基板を露光する露光装置であって、
前記基板面上の複数の基準位置での複数の前記重ね合わせの誤差の各絶対値に共通の限界値を変数とし、前記複数の調整対象を前記それぞれの調整量だけ調整する場合の当該調整の前の当該複数の前記重ね合わせの誤差の１つと当該それぞれの調整量とに関する１次式で表される当該調整の後の当該複数の前記重ね合わせの誤差それぞれの絶対値が前記変数の値以下となるとの条件の下で最小化される目的関数を前記変数とし、前記目的関数を最小化する前記それぞれの調整量を線形計画法により求める、ことを特徴とする露光装置。
【請求項２】
投影光学系を有し、
当該複数の前記重ね合わせの誤差それぞれは、前記投影光学系のディストーションである、ことを特徴とする請求項１に記載の露光装置。
【請求項３】
当該複数の前記重ね合わせの誤差それぞれは、前記基板上のショットのアライメント誤差である、ことを特徴とする請求項１に記載の露光装置。
【請求項４】
投影光学系を有し、
当該複数の前記重ね合わせの誤差それぞれは、投影光学系を有する他の露光装置との間の投影光学系のディストーションの差である、ことを特徴とする請求項１に記載の露光装置。
【請求項５】
半導体デバイス製造用の半導体露光装置または液晶デバイス製造用の液晶露光装置であることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載の露光装置。
【請求項６】
請求項１乃至５のいずれかに１項に記載の露光装置を用いて基板を露光する工程と、
前記工程で露光された基板を現像する工程と、を有することを特徴とするデバイス製造方法。
【請求項７】
基板を露光する露光装置における重ね合わせの精度に係る複数の調整対象それぞれの調整量を求め、求められた前記それぞれの調整量だけ前記複数の調整対象を調整する調整方法であって、
前記基板面上の複数の基準位置での複数の前記重ね合わせの誤差の各絶対値に共通の限界値を変数とし、前記複数の調整対象を前記それぞれの調整量だけ調整する場合の当該調整の前の当該複数の前記重ね合わせの誤差の１つと当該それぞれの調整量とに関する１次式で表される当該調整の後の当該複数の前記重ね合わせの誤差それぞれの絶対値が前記変数の値以下となるとの条件の下で最小化される目的関数を前記変数とし、前記目的関数を最小化する前記それぞれの調整量を線形計画法により求める、ことを特徴とする調整方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、露光装置、露光装置の調整方法、およびデバイス製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
半導体素子を製造するに際しては、ウエハ上に多層の回路パターンを重ねて転写するため、投影レンズのディストーション誤差が小さくなるように調整を行っている。
【０００３】
また、各層に要求される精度の違いから異なる露光装置を用いる場合は、異なる露光装置間での重ね合せ精度（マッチング精度）を高めるために、異なる装置間でのディストーション差を小さくするように調整している。いずれの場合でも、ショット内の重ね合わせ誤差の最大絶対値が最小になることが好ましいため、ディストーション調整量を算出するための複数データを実験で求め、調整後には、これらの重ね合わせ誤差ベクトルの最大絶対値を最小にするための計算を行っている。
【０００４】
また、１枚のウエハから生産されるデバイスの歩留まりを向上させるため、ショット配列のアライメント精度に関しても計測したアライメント誤差の最大絶対値を略最小にする方法が特開平１０−２２１９０号等において提案されている。
【０００５】
（１）式に、調整前の誤差ｅi 、調整後の誤差ｅi'と調整感度ａij、調整量ｘj の関係を示す。
【０００６】
【数１】
0004689081.tif 000002
【０００７】
ここで、ｍは調整可能な制御変数の数を示し、ｎは座標系（Ｘ，Ｙ）における２方向での誤差を同等に扱い、基板面上の基準位置数の２倍である。従来は、調整後の誤差ｅi'の２乗和を最小にする解を初期解とし、この解を起点とした探索法によって準最適な解を求めていた。また、最近では、特開平１０−２２１９０号で提案されているように、探索の代わりに重み付き最小自乗法を繰り返し計算する方法も提案されている。
【０００８】
図１２は、従来例に係わる重み付き最小自乗法を繰り返し計算して準最適な解を求める方法を説明するフローチャートである。図１２に示すように、ステップＳ７０１では重みの初期化を行い、ステップＳ７０２では最小自乗法でパラメータを、ステップＳ７０３では補正データ値をそれぞれ求め、ステップＳ７０４では繰り返し計算終了の判定を行う。ステップＳ７０４で１．停滞収束および２．拒絶収束の場合は終了（ＥＮＤ）し、３．計算続行の場合はステップＳ７０５で重みの加算を行い、ステップＳ７０２に戻る。つまり、最小２乗解で調整した後の誤差ｅi の中で、絶対値が最大となるものを探し、この値の重みを大きくした重み付き最小自乗法を繰り返し、最大絶対値の低減が鈍くなったところで演算を中止するというものである。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、従来行われてきた方法や特開平１０−２２１９０号に記載の方法は、いわゆる非線形計画法の探索的方法であり、有限回の繰り返し演算で最適解を得られる保証はない。そのため、真の最適解に近づけるには、繰り返し演算の回数を非常に多くしなくてはならず、逆に演算回数を少なくすると真の最適解に近づけないという問題があった。
【００１０】
本発明は、上記問題に鑑みてなされたものである。
【００１１】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するため、本発明の露光装置は、重ね合わせの精度に係る複数の調整対象をそれぞれの調整量だけ調整して基板を露光する露光装置であって、
前記基板面上の複数の基準位置での複数の前記重ね合わせの誤差の各絶対値に共通の限界値を変数とし、前記複数の調整対象を前記それぞれの調整量だけ調整する場合の当該調整の前の当該複数の前記重ね合わせの誤差の１つと当該それぞれの調整量とに関する１次式で表される当該調整の後の当該複数の前記重ね合わせの誤差それぞれの絶対値が前記変数の値以下となるとの条件の下で最小化される目的関数を前記変数とし、前記目的関数を最小化する前記それぞれの調整量を線形計画法により求める、ことを特徴とする露光装置である。
【００１３】
本発明の調整方法は、基板を露光する露光装置における重ね合わせの精度に係る複数の調整対象それぞれの調整量を求め、求められた前記それぞれの調整量だけ前記複数の調整対象を調整する調整方法であって、
前記基板面上の複数の基準位置での複数の前記重ね合わせの誤差の各絶対値に共通の限界値を変数とし、前記複数の調整対象を前記それぞれの調整量だけ調整する場合の当該調整の前の当該複数の前記重ね合わせの誤差の１つと当該それぞれの調整量とに関する１次式で表される当該調整の後の当該複数の前記重ね合わせの誤差それぞれの絶対値が前記変数の値以下となるとの条件の下で最小化される目的関数を前記変数とし、前記目的関数を最小化する前記それぞれの調整量を線形計画法により求める、ことを特徴とする調整方法である。
【００１６】
【発明の実施の形態】
本発明の好ましい実施の形態においては、ｅi'，（ｉ＝１，・・・ ，ｎ）の最大絶対値を最小化するために、線形計画問題へと定式化することで最適なパラメータ調整量を求める。
【００１７】
線形計画問題の解法には、シンプレックス法や内点法とそこから派生した様々な解法がある。これらの解法は、いずれも繰り返し演算のロジックを含んでいるものの演算回数は有限回であり、解が存在するなら厳密に最適解である。また、現在では、大規模な問題でさえ高速に計算できる解法も提案されている。
【００１８】
従って、特開平１０−２２１９０号のように、演算打切り条件を設定する必要もなく、厳密に最適な解が高速に得られるという長所がある。ただし、求めたい解の条件と最小化あるいは最大化したい目的関数を１次式で表現できることが前提条件であるため、線形計画法を適用できる問題が限定されるという制約はある。従来の方法も、調整量による誤差の変化は線形であるとしているため、この制約は問題とならない。
【００１９】
さて、線形計画問題は、（２）式の目的関数と（３）式の条件式によって表される。
【００２０】
【数２】
0004689081.tif 000003
【００２１】
【数３】
0004689081.tif 000004
【００２２】
このうち、目的関数は、制御変数の１次式で定義された関数で、最小化あるいは最大化したい関数である。また、条件式も制御変数の１次関数で表された等式、あるいは不等式である。一部の線形計画問題のソルバーでは、非負の制御変数しか扱えない場合がある。しかし、この非負条件については、（４）式で示す変数の置き換えによって、非負条件を満足しない実際の制御変数ｘj を非負条件を満たす２つの変数ｘj'、ｘj'' で表すことができるため、線形計画法の適用を妨げるものとはならない。
【００２３】
【数４】
0004689081.tif 000005
【００２４】
また、実際は制御量が一定の範囲内であることが要求される場合があるが、この条件は（３）式に示される条件式で表現することができる。
【００２５】
本実施形態では、ｅi'，（ｉ＝１，・・・ ，ｎ）の最大絶対値を最小化するために、｜ｅi'｜≦ｔ，（ｉ＝１，・・・ ，ｎ）となるダミー変数ｔを導入し、このｔを最小化する線形計画問題へ定式化する。つまり、（５）式に示すように，制御変数ｔを最小化する目的関数を設定し、このダミー変数ｔが誤差およびその符号を反転させた値の限界値になるように（６）、（７）式の条件式を設定した線形計画問題とする。この問題を解くことで、調整後残差の最大絶対値を最小化することができる。
【００２６】
【数５】
0004689081.tif 000006
【００２７】
【数６】
0004689081.tif 000007
【００２８】
【数７】
0004689081.tif 000008
【００２９】
以上の手順を図１に示す。ここで、図１は、本実施形態に係わるダミー変数を用いた線形計画法による最大絶対値最小化の手順を示すフローチャートである。図１において、ステップＳ１０１では、評価項（各点の調整後誤差絶対値：｜ｅi'｜）よりも等しいか大きいことを条件とするダミー変数ｔを不等式で定義する。ステップＳ１０２では、制御変数の範囲を不等式で表現する（（２）、（３）式参照）。ステップＳ１０３では、非負条件に合うように変数を変換する（（４）式参照）。ステップＳ１０４では、線形計画モデルの定式化を行い、ステップＳ１０５では、線形計画法による制御変数の最適解算出を行う（（５）、（６）、（７）式参照）。
【００３０】
定式化された問題には、必ず解が存在するため、かかる計算方法によれば、誤差の最大絶対値を厳密に最小化する制御変数ｘj を求めることができる。また、本実施形態が対象とする露光装置では、制御変数の数は多くなく、通常の線形計画問題ソルバーでさえ、短時間で計算が終了する。従って、リアルタイムに調整する場合は、安定した高いスループットを維持できる点で有効である。
【００３１】
【実施例】
本発明の実施例について図面を用いて説明する。
［第１の実施例］
図２は、本発明の一実施例に係わるレチクルと露光装置の主要ユニットを示す構成図である。図２において、１はテストレチクル、２はウエハをそれぞれ示す。また、３は投影レンズ、４は平面移動ステージ、５はｙ軸レーザ干渉計、６はｘ軸レーザ干渉計、７はωｚ軸レーザ干渉計をそれぞれ示し、露光装置の主要ユニットを構成する。
【００３２】
図３は、図２のテストレチクル１を説明する図である。投影レンズ３は、複数のレンズエレメントで構成されているが、この組立調整を行うとき、図３に示すような中実箱型マーク■８と中空箱型マーク□９が前面に配置されたテストレチクル１を用いた評価を行う。具体的には、テストレチクル１を露光投影し、中実箱型マーク■８と中空箱型マーク□９をウエハ２上に転写する。次に、１つの重ね合わせマーク（中実箱型マーク■８あるいは中空箱型マーク□９）だけが転写されるよう遮光板によって投影領域を狭め、レーザ干渉計５，６，７で計測され精密に位置制御できる平面移動ステージ４を逐次移動させ、既に転写したマーク（中空箱型マーク□９あるいは中実箱型マーク■８）を投影領域に移動して転写する。
【００３３】
図４は、図２のテストレチクル１におけるディストーション評価用ショットの一例を示す図である。上記した投影領域へのマークの転写を行うことで、ウエハ２上に図４のような中実箱型マーク■８と中空箱型マーク□９を重畳させて形成した重ね合わせマーク１０がショット内に形成され、この重ね合わせ誤差に平面移動ステージ４の移動位置を基準としたレンズディストーションが現れる。
【００３４】
本実施例では、上記のようにして計測したレンズディストーションのデータから、レンズディストーションの最大絶対値を最小化する。図５は、本発明の一実施例に係わる投影レンズの調整方法を説明する図である。図５に示すように、テストレチクル１の位置と姿勢、および複数の固定レンズエレメント１３の相対的間隔をスペーサ１４の厚さによって調整する。
【００３５】
このとき、テストレチクル１の位置と姿勢やスペーサ１４の厚さの変化ｘj ，（ｊ＝１，２，・・・ ，ｍ）と、各々固有の敏感度ａijの積の分だけディストーション誤差を調整するとき、調整後のディストーション誤差ｅi'は、比例係数によって（１）式のように表される。
【００３６】
従って、テストレチクル１の位置と姿勢やスペーサ１４の厚さの調整によって、ディストーション誤差の最大絶対値を最小化するには、（５）、（６）、（７）式によって定式化されたダミー変数を用いた線形計画法を用いればよい。
【００３７】
［第２の実施例］
次に、本発明の第２の実施例について述べる。
本実施例では、異なる露光装置によって転写されたウエハ上の各ショットの回路パターンに、別の回路パターンを重ね合わせて転写するとき、その重ね合わせ誤差の最大絶対値を最小にするよう、異なる露光装置のレンズディストーションに合わせるディストーションマッチングが行われる。具体的には、図３に示すように、複数の重ね合わせマークを持つテストレチクル１を用い、異なる露光装置で重ね合わせマークを転写し現像したウエハを、調整対象である露光装置の図２に示す平面移動ステージ４にチャッキングし、異なる露光装置によって既に転写された図３に示す中実箱型マーク■８あるいは中空箱型マーク□９に当該レチクル１の中空箱型マーク□９あるいは中実箱型マーク■８が重なるよう、図４に示すウエハ重ね合わせマーク１０を形成することで、異なる装置間のレンズディストーション差を重ね合わせ誤差として計測する。
【００３８】
そして、レンズディストーション差の最大絶対値を最小化するように露光装置のレンズディストーション調整機構を調整する。
【００３９】
例えば、図５に示す第１可動レンズエレメント１１、第２可動レンズエレメント１２の位置と姿勢を調整可能な不図示のレンズディストーション調整機構は、２つの可動レンズエレメント１１，１２の位置や傾き等を増減できるようになっていて（図中の矢印参照）、投影されたショット内に分布する各計測点のディストーション変化が、各可動レンズエレメント１１，１２の位置や姿勢等、各自由度の変化ｘj ，（ｊ＝１，２，・・・ ，ｍ）に比例するとして構わないとき、調整後のレンズディストーション差ｅi'は、比例係数ａijによって（１）式のように表される。
【００４０】
従って、レンズディストーション調整機構によって、調整後のディストーション差の最大絶対値を最小化するには、（５）、（６）、（７）式によって定式化された線形計画法を用いればよい。
なお、調整可能なレンズエレメントは特に２つである必要はなく、また各可動レンズエレメントの調整自由度の次元数は６以下である。
【００４１】
［第３の実施例］
次に、本発明の第３の実施例について述べる。
図６は、本実施例に係わるショットが転写されたウエハを説明する図である。例えば、図６のように、全面に複数のショットが転写されたウエハ１５の全ショットあるいは一部ショットのアライメント誤差について、その最大絶対値を最小化することで歩留まりを向上させたい場合、ウエハ１５上に転写されたｘ方向位置計測用アライメントマーク１６とｙ方向位置計測用アライメントマーク１７の全てあるいはその一部を抽出した複数のアライメントマークの位置を計測し、これと設計値で与えられたアライメントマークの位置の差からアライメント誤差を求め、チャッキングされたウエハ１５の平面内における位置誤差と平面内の回転誤差、ショット配列のスケール誤差と直交度、さらにチップ倍率誤差やチップ回転誤差の全部または一部で構成されたアライメント調整機能を用いて調整する。
【００４２】
このとき、アライメント誤差の変化量は各アライメント調整量の変化ｘj ，（ｊ＝１，２，・・・ ，ｍ）に比例するから、調整後の誤差ｅi'は、比例係数ａijよって（１）式のように表される。
【００４３】
従って、アライメントによって、調整後の配列重ね合わせ誤差の最大絶対値を厳密に最小化するには、（５）、（６）、（７）式によって定式化されたダミー変数を用いた線形計画法を用いる。
【００４４】
［半導体生産システムの実施例］
次に、上記説明した露光装置を利用した半導体等のデバイス（ＩＣやＬＳＩ等の半導体チップ、液晶パネル、ＣＣＤ、薄膜磁気ヘッド、マイクロマシン等）の生産システムの例を説明する。これは、半導体製造工場に設置された製造装置のトラブル対応や定期メンテナンス、若しくはソフトウェア提供等の保守サービスを、製造工場外のコンピュータネットワーク等を利用して行うものである。
【００４５】
図７は、全体システムをある角度から切り出して表現したものである。図中、１０１は半導体デバイスの製造装置を提供するベンダ（装置供給メーカ）の事業所である。製造装置の実例として、半導体製造工場で使用する各種プロセス用の半導体製造装置、例えば、前工程用機器（露光装置、レジスト処理装置、エッチング装置等のリソグラフィ装置、熱処理装置、成膜装置、平坦化装置等）や後工程用機器（組立て装置、検査装置等）を想定している。事業所１０１内には、製造装置の保守データベースを提供するホスト管理システム１０８、複数の操作端末コンピュータ１１０、これらを結んでイントラネット等を構築するローカルエリアネットワーク（ＬＡＮ）１１０９を備える。ホスト管理システム１０８は、ＬＡＮ１０９を事業所の外部ネットワークであるインターネット１０５に接続するためのゲートウェイと、外部からのアクセスを制限するセキュリティ機能を備える。
【００４６】
一方、１０２〜１０４は、製造装置のユーザとしての半導体製造メーカ（半導体デバイスメーカ）の製造工場である。製造工場１０２〜１０４は、互いに異なるメーカに属する工場であってもよいし、同一のメーカに属する工場（例えば、前工程用の工場、後工程用の工場等）であってもよい。各工場１０２〜１０４内には、夫々、複数の製造装置１０６と、それらを結んでイントラネット等を構築するローカルエリアネットワーク（ＬＡＮ）１１１と、各製造装置１０６の稼動状況を監視する監視装置としてホスト管理システム１０７とが設けられている。各工場１０２〜１０４に設けられたホスト管理システム１０７は、各工場内のＬＡＮ１１１を工場の外部ネットワークであるインターネット１０５に接続するためのゲートウェイを備える。これにより各工場のＬＡＮ１１１からインターネット１０５を介してベンダ１０１側のホスト管理システム１０８にアクセスが可能となり、ホスト管理システム１０８のセキュリティ機能によって限られたユーザだけがアクセスが許可となっている。具体的には、インターネット１０５を介して、各製造装置１０６の稼動状況を示すステータス情報（例えば、トラブルが発生した製造装置の症状）を工場側からベンダ側に通知する他、その通知に対応する応答情報（例えば、トラブルに対する対処方法を指示する情報、対処用のソフトウェアやデータ）や、最新のソフトウェア、ヘルプ情報等の保守情報をベンダ側から受け取ることができる。各工場１０２〜１０４とベンダ１０１との間のデータ通信および各工場内のＬＡＮ１１１でのデータ通信には、インターネットで一般的に使用されている通信プロトコル（ＴＣＰ／ＩＰ）が使用される。なお、工場外の外部ネットワークとしてインターネットを利用する代わりに、第三者からのアクセスができずにセキュリティの高い専用線ネットワーク（ＩＳＤＮ等）を利用することもできる。また、ホスト管理システムはベンダが提供するものに限らずユーザがデータベースを構築して外部ネットワーク上に置き、ユーザの複数の工場から該データベースへのアクセスを許可するようにしてもよい。
【００４７】
さて、図８は、本実施形態の全体システムを図７とは別の角度から切り出して表現した概念図である。先の例では、それぞれが製造装置を備えた複数のユーザ工場と、該製造装置のベンダの管理システムとを外部ネットワークで接続して、該外部ネットワークを介して各工場の生産管理や少なくとも１台の製造装置の情報をデータ通信するものであった。これに対し本例は、複数のベンダの製造装置を備えた工場と、該複数の製造装置のそれぞれのベンダの管理システムとを工場外の外部ネットワークで接続して、各製造装置の保守情報をデータ通信するものである。図中、２０１は製造装置ユーザ（半導体デバイス製造メーカ）の製造工場であり、工場の製造ラインには各種プロセスを行う製造装置、ここでは例として露光装置２０２、レジスト処理装置２０３、成膜処理装置２０４が導入されている。なお、図８では、製造工場２０１は１つだけ描いているが、実際は複数の工場が同様にネットワーク化されている。工場内の各装置はＬＡＮ２０６で接続されてイントラネット等を構成し、ホスト管理システム２０５で製造ラインの稼動管理がされている。一方、露光装置メーカ２１０、レジスト処理装置メーカ２２０、成膜装置メーカ２３０等、ベンダ（装置供給メーカ）の各事業所には、それぞれ供給した機器の遠隔保守を行うためのホスト管理システム２１１，２２１，２３１を備え、これらは上述したように保守データベースと外部ネットワークのゲートウェイを備える。ユーザの製造工場内の各装置を管理するホスト管理システム２０５と、各装置のベンダの管理システム２１１，２２１，２３１とは、外部ネットワーク２００であるインターネット若しくは専用線ネットワークによって接続されている。このシステムにおいて、製造ラインの一連の製造機器の中のどれかにトラブルが起きると、製造ラインの稼動が休止してしまうが、トラブルが起きた機器のベンダからインターネット２００を介した遠隔保守を受けることで迅速な対応が可能で、製造ラインの休止を最小限に抑えることができる。
【００４８】
半導体製造工場に設置された各製造装置はそれぞれ、ディスプレイと、ネットワークインタフェースと、記憶装置にストアされたネットワークアクセス用ソフトウェア並びに装置動作用のソフトウェアを実行するコンピュータを備える。記憶装置としては内蔵メモリやハードディスク、若しくはネットワークファイルサーバ等である。上記ネットワークアクセス用ソフトウェアは、専用または汎用のウェブブラウザを含み、例えば図９に一例を示す様な画面のユーザインタフェースをディスプレイ上に提供する。各工場で製造装置を管理するオペレータは、画面を参照しながら、製造装置の機種（４０１）、シリアルナンバー（４０２）、トラブルの件名（４０３）、発生日（４０４）、緊急度（４０５）、症状（４０６）、対処法（４０７）、経過（４０８）等の情報を画面上の入力項目に入力する。入力された情報はインターネットを介して保守データベースに送信され、その結果の適切な保守情報が保守データベースから返信されディスプレイ上に提示される。また、ウェブブラウザが提供するユーザインタフェースは、さらに図示のごとくハイパーリンク機能（４１０，４１１，４１２）を実現し、オペレータは各項目のさらに詳細な情報にアクセスしたり、ベンダが提供するソフトウェアライブラリから製造装置に使用する最新バージョンのソフトウェアを引出したり、工場のオペレータの参考に供する操作ガイド（ヘルプ情報）を引出したりすることができる。ここで、保守データベースが提供する保守情報には、上記説明した本発明に関する情報も含まれ、また前記ソフトウェアライブラリは本発明を実現するための最新のソフトウェアも提供する。
【００４９】
次に、上記説明した生産システムを利用した半導体デバイスの製造プロセスを説明する。図１０は、半導体デバイスの全体的な製造プロセスのフローを示す。ステップ１（回路設計）では半導体デバイスの回路設計を行う。ステップ２（マスク製作）では設計した回路パターンを形成したマスクを製作する。一方、ステップ３（ウエハ製造）ではシリコン等の材料を用いてウエハを製造する。ステップ４（ウエハプロセス）は前工程と呼ばれ、上記用意したマスクとウエハを用いて、リソグラフィ技術によってウエハ上に実際の回路を形成する。次のステップ５（組み立て）は後工程と呼ばれ、ステップ４によって作製されたウエハを用いて半導体チップ化する工程であり、アッセンブリ工程（ダイシング、ボンディング）、パッケージング工程（チップ封入）等の組立て工程を含む。ステップ６（検査）ではステップ５で作製された半導体デバイスの動作確認テスト、耐久性テスト等の検査を行う。こうした工程を経て半導体デバイスが完成し、これを出荷（ステップ７）する。前工程と後工程はそれぞれ専用の別の工場で行い、これらの工場毎に上記説明した遠隔保守システムによって保守がなされる。また、前工程工場と後工程工場との間でも、インターネットまたは専用線ネットワークを介して生産管理や装置保守のための情報等がデータ通信される。
【００５０】
図１１は、上記ウエハプロセスの詳細なフローを示す。ステップ１１（酸化）ではウエハの表面を酸化させる。ステップ１２（ＣＶＤ）ではウエハ表面に絶縁膜を成膜する。ステップ１３（電極形成）ではウエハ上に電極を蒸着によって形成する。ステップ１４（イオン打込み）ではウエハにイオンを打ち込む。ステップ１５（レジスト処理）ではウエハに感光剤を塗布する。ステップ１６（露光）では上記説明した露光装置によってマスクの回路パターンをウエハに焼付露光する。ステップ１７（現像）では露光したウエハを現像する。ステップ１８（エッチング）では現像したレジスト像以外の部分を削り取る。ステップ１９（レジスト剥離）ではエッチングが済んで不要となったレジストを取り除く。これらのステップを繰り返し行うことによって、ウエハ上に多重に回路パターンを形成する。各工程で使用する製造機器は上記説明した遠隔保守システムによって保守がなされているので、トラブルを未然に防ぐと共に、もしトラブルが発生しても迅速な復旧が可能で、従来に比べて半導体デバイスの生産性を向上させることができる。
【００５１】
【発明の効果】
本発明は、従来よりも露光装置の性能を向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】  本発明の一実施形態に係わるダミー変数を用いた線形計画法による最大絶対値最小化の手順を示すフローチャートである。
【図２】  本発明の一実施例に係わるレチクルと露光装置の主要ユニットを示す構成図である。
【図３】  図２のテストレチクル１を説明する図である。
【図４】  本発明の一実施例に係わるテストレチクルにおけるディストーション評価用ショットの一例を示す図である。
【図５】  本発明の一実施例に係わる投影レンズの調整方法を説明する図である。
【図６】  本発明の一実施例に係わるショットが転写されたウエハを説明する図である。
【図７】  本発明の一実施例に係わる露光装置を含む半導体デバイスの生産システムをある角度から見た概念図である。
【図８】  本発明の一実施例に係わる露光装置を含む半導体デバイスの生産システムを別の角度から見た概念図である。
【図９】  本発明の一実施例に係わる露光装置を含む半導体デバイスの生産システムにおけるユーザインタフェースの具体例を示す図である。
【図１０】  本発明の一実施例に係わる露光装置によるデバイスの製造プロセスのフローを説明する図である。
【図１１】  本発明の一実施例に係わる露光装置によるウエハプロセスを説明する図である。
【図１２】  従来例に係わる重み付き最小自乗法を繰り返し計算して準最適な解を求める方法を示すフローチャートである。
【符号の説明】
１：テストレチクル、２：ウエハ、３：投影レンズ、４：平面移動ステージ、５：ｙ軸レーザ干渉計、６：ｘ軸レーザ干渉計、７：ωｚ軸レーザ干渉計、８：中実箱型マーク、９：中空箱型マーク、１０：重ね合わせマーク、１１：第１可動レンズエレメント、１２：第２可動レンズエレメント、１３：固定レンズエレメント、１４：スペーサ、１５：全面にショットが転写されたウエハ、１６：ｘ方向位置計測用のアライメントマーク、１７：ｙ方向位置計測用のアライメントマーク。
【図１】
0004689081.tif 000009
【図２】
0004689081.tif 000010
【図３】
0004689081.tif 000011
【図４】
0004689081.tif 000012
【図５】
0004689081.tif 000013
【図６】
0004689081.tif 000014
【図７】
0004689081.tif 000015
【図８】
0004689081.tif 000016
【図９】
0004689081.tif 000017
【図１０】
0004689081.tif 000018
【図１１】
0004689081.tif 000019
【図１２】
0004689081.tif 000020