(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に二次元マスクパターンを形成する方法であって、
（ａ）非導電性材料を所望のマスクパターンの粗いバージョンで基板上に印刷することと、
（ｂ）前記所望のマスクパターンを形成するために、粗いパターンの精度を高めるために、レーザを用いて、前記材料の一部を選択的に融解除去することと、
を具備し、
ステップ（ｂ）が、前記ステップ（ａ）において前記非導電性材料の第１の部分と第２の部分とが隣接するように、前記非導電性材料が前記基板上に印刷された場合、当該第１の部分と当該第２の部分とにおける互いに隣接する部分を除去することを特徴とする
基板上に二次元マスクパターンを形成する方法。
【請求項２】
前記融解除去することが、前記材料を溶融若しくは蒸発させること、又は前記材料をプラズマに変換すること、を具備する、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記材料が、ＵＶ又は熱的に硬化可能な液体又は溶媒ベースのインクの１つを具備する、請求項１又は２に記載の方法。
【請求項４】
液体が基板と接触すると前記液体が凍結するように、前記材料が高温において印刷される前記液体を具備する、請求項１〜３のいずれかに記載の方法。
【請求項５】
前記材料が、アクリル酸、エポキシ、アクリル酸メチル、メタクリル酸メチル、アクリル酸エポキシ等異種機能別のアクリル酸、アクリル酸ウレタン、及びアクリル酸ポリエステルからなる群から選ばれた、請求項１〜４のいずれかに記載の方法。
【請求項６】
ステップ（ｂ）が、前記印刷された材料の上端から材料を除去することを具備する、請求項１〜５のいずれかに記載の方法。
【請求項７】
ステップ（ａ）の前記印刷プロセスが、インクジェット、タンポン、及びスクリーン印刷の１つを具備する、請求項１〜６のいずれかに記載の方法。
【請求項８】
ステップ（ａ）と（ｂ）との間に、前記印刷された材料を硬化することをさらに含む、請求項１〜７のいずれかに記載に方法。
【請求項９】
ステップ（ｂ）で使用される前記レーザが、ＣＯ2レーザ、固体レーザ、ダイオードレ
ーザ、周波数倍増固体レーザ、ＵＶレーザ、赤外線レーザ、可視レーザ、ＣＷレーザ、及びパルスレーザの１つを含む、請求項１〜８に記載の方法。
【請求項１０】
基板上での動作方法であって、請求項１〜９のいずれかに記載の方法を使用して、前記基板上に二次元マスクパターンを形成することと、前記マスクパターンを通って露出した前記基板のこれらの部分の上でプロセスを実行すること、とを具備する、方法。
【請求項１１】
前記プロセスが、前記パターンを通して露出した前記基板のこれらの部分をエッチングすることを具備する、請求項１０に記載の方法。
【請求項１２】
前記処理するステップが、前記マスクパターンを通って露出した前記基板のこれらの部分を、はんだ等の他の材料で充填することを具備する、請求項１０に記載の方法。
【請求項１３】
前記マスクパターンを通じて露出された前記基板のこれらの部分が、ＵＶ、ＩＲ又は光学的放射等の入射光に露光される、請求項１０に記載の方法。
【請求項１４】
前記処理ステップが、スパッタ、熱蒸着、分子線エピタキシ、レーザスパッタ蒸着、アブレーション蒸着、イオンめっき、クラスタビーム蒸着等の物理的気相成長法の１つを使用して、そこを通って前記基板が露出したマスクパターンのこれらの部分を充填することを具備する、請求項１０に記載の方法。
【請求項１５】
前記処理ステップが、化学的気相成長法を使用して、前記マスクパターンを通って露出した前記基板のこれらの部分を充填することを具備する、請求項１０に記載の方法。
【請求項１６】
前記処理ステップが、イオンビーム補助化学的気相成長法を使用して、前記マスクパターンを通って露出した前記基板のこれらの部分を充填することを具備する、請求項１０に記載の方法。
【請求項１７】
前記処理ステップが、真空プラズマ蒸着、大気プラズマ蒸着、及びプラズマスプレー等のプラズマ蒸着を使用して、前記マスクパターンを通って露出した前記基板のこれらの部分を充填することを具備する、請求項１０に記載の方法。
【請求項１８】
前記処理ステップが、インクジェット印刷、スクリーン印刷、タンポン印刷、及びテープキャスティング等の印刷堆積方法を使用して、前記マスクパターンを通って露出した前記基板のこれらの部分を充填することを具備する、請求項１０に記載の方法。
【請求項１９】
前記処理ステップが、液体をスプレーすること、粉末スプレー、及びスプレー熱分解等のスプレープロセスを使用して、前記マスクパターンを通って露出した前記基板のこれらの部分を充填することを具備する、請求項１０に記載の方法。
【請求項２０】
前記処理ステップの後に前記マスクパターンが除去されない、請求項１０〜１９のいずれかに記載の方法。
【請求項２１】
前記処理ステップの後に前記マスクパターンが除去される、請求項１０〜１９のいずれかに記載の方法。
【請求項２２】
前記処理ステップの後に、前記マスクパターンが、化学的ストリッピング、プラズマエッチング、又は機械的リフトオフ処理によって除去される、請求項２１に記載の方法。
【請求項２３】
前記処理方法が少なくとも１回繰り返される、請求項１０〜２２のいずれかに記載の方法。
【請求項２４】
前記マスクパターン材料が各繰返し毎に異なる、請求項２３に記載の方法。
【請求項２５】
各マスクパターンが、各繰返しにおいて前記基板の異なる領域に対応する、請求項２４に記載の方法。
【請求項２６】
各マスクパターンが、前記基板上で実行される異なるプロセスと結合して使用される、請求項２３〜２５のいずれかに記載の方法。
【請求項２７】
前記レーザと前記基板との間の相互作用をモニタすることによって、前記レーザを前記基板で見当合わせすることをさらに具備する、請求項１０〜２６のいずれかに記載の方法。
【請求項２８】
前記基板が、前記レーザを用いて検出可能な見当合わせマークを有する、請求項２７に記載の方法。
【請求項２９】
前記見当合わせマークが前記基板上に印刷された、請求項２８に記載の方法。
【請求項３０】
前記方法が、プリント回路基板を形成するプロセスで使用される、請求項１０〜２９のいずれかに記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、二次元マスクパターンを基板上に形成するための方法に関し、一般的には同一基板上で後続のプロセスを実行可能にするための方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
基板の選択的エッチング又は導電性トラック等の選択的な配置を含む種々の目的のために、半導体基板等の基板上に、マスクが設けられる。
【０００３】
現在では、マスクは、たとえば、スクリーン印刷等の印刷法又はホトリソグラフィによって形成される。印刷法は非常に高速であるが、厳しい精度制限がある。印刷法は低精度作業（たとえば、標準的なＰＣＢ）のみに使用可能である。たとえば、米国特許出願公開第４，７６７，４８９号を参照のこと。より高精度な作業には、ホトリソグラフィが使用される。そこでは、マスク層として感光性レジストが使用され、コピーフレーム内のフィルムマスタを用いて露光される。次の現像プロセスでは、マスクの露光部分（ポジレジストの場合）又は未露光部分（ネガレジストの場合）が洗い流される。「低精度」又は「標準的な精度」は、現在では、１５０／１５０マイクロメートルのトラック／ギャップ幅であり、「高精度」は、７５／７５マイクロメートルから５０／５０マイクロメートルのトラック／ギャップ幅の範囲内である。より高精度のためには、レーザーダイレクト画像形成（ＬＤＩ）が使用可能であるが、これは非常に高価な技術である。
【０００４】
１９９３年１１月発行のＩＢＭ  ＴＤＢのＰ．５８９〜５９０には、プリント回路基板の標準的な製造プロセスに追加される、レーザ融解除去（レーザアブレーション）のステップを含む、はんだマスクの製造プロセスが記載されている。この標準的なプロセスは、ホトリソグラフィであってもよく、ホトリソグラフィとレーザ融解除去とは比較的遅いプロセスであるから、このアプローチには、マスク生成に長時間かかるという欠点がある。レーザ融解除去技術の他の例は、米国特許出願公開第４，８７７，６４４号、同４，９８５，１１６号、同５，２７８，３８５号、同２００３／０１８４９７９号、及びＥＰ−Ａ−第１，０６７，４３６号に記載されている。
【特許文献１】米国特許第４，７６７，４８９号
【特許文献２】米国特許第４，８７７，６４４号
【特許文献３】米国特許第４，９８５，１１６号
【特許文献４】米国特許第５，２７８，３８５号
【特許文献５】米国特許出願公開第２００３／０１８４９７９号
【特許文献６】ＥＰ−Ａ第１，０６７，４３６号
【非特許文献１】ＩＢＭ  ＴＤＢ（１９９３年１１月発行）Ｐ．５８９〜５９０
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
基板上に二次元マスクパターンを形成する方法を提供することが、本発明の課題である。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の第１の態様によると、基板上への二次元マスクパターンの形成方法は、（ａ）非導電性材料を必要なマスクパターンの粗い（ｃｏａｒｓｅ）バージョンで基板上に印刷することと、（ｂ）所望のマスクパターンを形成するために、粗いパターンの精度を高める（リファインする）ために、レーザを用いて、材料の一部を選択的に融解除去することと、を具備する。
【０００７】
非導電性材料が不可欠とされるマスクパターンを形成する速度の著しい改善が、高速であるがあまり正確でない印刷プロセスを、遅いがより正確であるレーザ融解除去プロセスと結合することによって実現可能であると、我々は認識した。レーザ融解除去ステップは、配置された材料の一部以外には要求されないから、パターンを形成する全体的なプロセスを不当に遅延させない。
【０００８】
一般的には、材料は、液体が基板と接触すると凍結するように、高温で印刷される液体を含む。適切な材料は、ポリイミド又は水等媒質中の異なる基体から作られた熱溶融インク等のインクを含む。印字ヘッドは、高温（たとえば、６０〜８０°Ｃ）で使用され、ホットインク（高温のインク）は、基板上に印刷され、そこで凍結する。基板は通常、室温に置かれる。それゆえ、インクは、２５〜６０°Ｃ間の固相液相間遷移を通過しなければならない。
【０００９】
材料が、アクリル酸、エポキシ、アクリル酸メチル、メタクリル酸メチル、アクリル酸エポキシ等異種機能別のアクリル酸、アクリル酸ウレタン、アクリル酸ポリエステルからなる群から選ばれたものであることが望ましい。
【００１０】
レーザ融解除去ステップは、一般的には、印刷された材料の一つ以上の縁部から材料を除去することであるが、その代わりに又はそれに加えて、印刷された材料の上端部から材料を除去してもよい。
【００１１】
粗い縁部を取り除き、線幅を狭め、マスク層内に穴を開けるために、レーザが使用される。レーザ融解除去は追加のステップであり、印刷ステップよりも遅いが、全体プロセスは、従来のホトリソグラフィプロセス（同等のパネル当り数時間）よりも速い（パネル当り１〜２分）。
【００１２】
レーザトリミング領域は印刷領域に比べて小さいから、レーザトリミングのための時間は、印刷ステップと同じか又は短いことが望ましい。それは、マスクの縁部と詳細とに制限される。さらに、従来のホトリソグラフィプロセスに比べて、４ステップ（ホトレジスト塗布、硬化、洗浄、及び乾燥）が最早不要となる。
【００１３】
ステップ（ａ）では、インクジェット、タンポン、及びスクリーン印刷を含む、種々の印刷プロセスが使用可能である。しかしながら、これらの印刷方法の中で最も高い精度を有するから、インクジェット印刷が好ましい。それにもかかわらず、個々のインク滴下は直線ではなくばらばらの円錐（ｓｔｒａｙ  ｃｏｎｅ）として射出されるから、インクジェット印刷ヘッドは、限られた滴下配置精度を有する。画像構造は、この効果によってあいまいにされ、粗い縁部と小さい穴とが埋まると、滑らかな縁部が現れる。いくつかの応用では、この印刷品質は十分優れている。たとえば、標準的なＰＣＢ生産では、１００マイクロメートルのトラックギャップ幅は、スクリーン又はインクジェット印刷可能であり、それで十分である。しかしながら、いくつかのＰＣＢの応用は、７５から５０マイクロメートルまでのトラックギャップのより高い精度を必要とする。ほとんどの場合に、このより高い精度は、画像の選択された領域のみにおいて必要とされ、ボール・グリッド・アレイ（ＢＧＡ）についてのコンタクト領域又は高密度コネクタであり、ＰＣＢの他のすべての部分については標準印刷精度で十分である。ここでは、この発明的なプロセスは特に有利である。
【００１４】
不可欠ではないが、インクを基板上に固定し、材料が基板上でさらに広がるのを防ぐために、印刷された材料は、ステップ（ａ）と（ｂ）との間で硬化されてもよい。
【００１５】
ＣＯ2レーザ、固体レーザ、ダイオードレーザ、周波数倍増固体レーザ、ＵＶレーザ、赤外線レーザ、可視レーザ、ＣＷレーザ、及びパルスレーザの１つを含む、多くの異なる種類のレーザが、ステップ（ｂ）を実行するために使用可能である。
【００１６】
つまり、本発明の利点は、高い処理能力と、選択領域における高解像度と、ホトリソグラフィと比較したいくつかのプロセスステップの節約（ホトレジスト塗布、乾燥、ベーキング、現像、洗浄）と、湿式処理でないことと、見当合わせエラーを防止するために１つの機械で実行可能であることと、既存のＰＣＢ製造プロセス特にＣｕエッチング処理と互換性があること、とを含む。
【００１７】
本発明の第２の態様によると、基板上での動作方法は、本発明の第１の態様による方法を使用して、基板上に二次元マスクパターンを形成することと、マスクパターンを通して露出した基板のこれらの部分の上にプロセスを実行すること、とを含む。
【００１８】
これらのプロセスは、エッチング、充填、又は基板の露出部分の入射光への露光を含む。よって、本発明の第１の態様によるプロセスは、エッチングマスク、はんだマスク、又は露光マスクを作るために使用可能である。
【００１９】
充填プロセスの例は、化学的気相成長法、スパッタ、熱蒸着、分子線エピタキシ、レーザスパッタ蒸着、アブレーション蒸着、イオンめっき、クラスタビーム蒸着等の物理的気相成長法、たとえばイオンビーム補助化学的気相成長法、真空プラズマ蒸着、大気プラズマ蒸着、及びプラズマスプレー等のプラズマ蒸着、インクジェット印刷、スクリーン印刷、タンポン印刷、及びテープキャスティング、並びに液体をスプレーすること、粉末スプレー、及びスプレー熱分解等のスプレープロセスを使用することを含む。
【００２０】
いくつかの応用例では、マスクパターンは、処理ステップの後に除去されないが、他の応用例では、たとえば、化学的ストリッピング、プラズマエッチング、又は機械的リフトオフ処理によって除去される。
【００２１】
本方法は一般的には１回実行されるが、それは、異なるマスクを通じて異なるプロセスが実行されることと並んで、積層構造を作り上げるか又は異なるパターンを形成するように、１回より多く実行することも可能である。さらに、マスクパターン材料は、プロセスの各繰返しについて異なっていてもよい。第１の層については、エッチングマスクの材料は、印刷及び融解除去されてもよい。銅のトラックが次にエッチングされ、処理される。マスクは、次に、所定位置に留まるか、又は部分的に／完全に除去されてもよい。第２の層については、はんだマスク材料は、はんだ付けに続いて、印刷及びレーザー処理されてもよい。
【００２２】
材料が正確に融解除去されるように、レーザによって発生したビームを、基板と見当合わせ（位置合わせ）することが必要である。この見当合わせは、手動又は種々の自動的な方法で実行可能である。特に好ましいアプローチは、同じレーザ自身を使用してレーザと基板との間の相互作用をモニタすることである。たとえば、基板は、レーザによって利用可能な、１つ以上の見当合わせマークを有していてもよい。これらのマークは、一般的には基板上に印刷されている。
【００２３】
見当合わせは、基板上の少なくとも２つの特徴（基板に組み込まれた、又は基板に付加された）を参照して実行されてもよく、各見当合わせステップは、それぞれの特徴のレーザ融解除去ツールとの相対的位置を決定することを含む。たとえば、レーザは、光源から発せられて、基板上で反射された後の光を検出するための別個の検出器を備えた光源として、使用可能である。
【００２４】
本プロセスの応用例は、ＰＣＢ生産、集積回路等の稠密領域用の細線の詳細の実現、相互接続、ボール・グリッド・アレイ、及び表示素子の製造を含む。
【００２５】
本プロセスを実行するための装置は、従来の形式、たとえば、インクジェット・プリンタ及び別個のレーザ融解除去ツールを有していてもよい。しかしながら、印刷機構は、レーザ融解除去ツールと一体化されていると都合がよい。この場合には、見当合わせを助けるために、印刷機構とレーザ融解除去ツールとの間に固定した空間的関係が設けられていることが、最も都合がよい。
【００２６】
基板と印刷機構及びレーザとの間の相対的移動は手動で実行可能であるが、この相対的移動を生じさせるために、横移動システムが設けられていることが好ましい。
【００２７】
融解除去プロセスを提供することに加えて、レーザは、平滑化、粗面処理、又は穴あけを含む、マスクパターンの後続の表面処理を開始するためにも使用可能である。さらに、材料の物理的又は化学的特性は、湿潤特性を変えることによって、すなわち表面を閉じる／開くことによって、修正可能である。
【００２８】
本発明による方法及び装置の例を、添付の図を参照して説明する。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２９】
図１は、マスクパターンの部分の精度を高めるために後続の選択的なレーザ融解除去を施された、粗のマスクパターン３Ａ〜３Ｄの形状で、エッチングマスク材料２の層がその上に印刷された、銅の被覆されたＰＣＢボード等の基板１を示す。
【００３０】
マスクパターンを作るために、印刷プロセスが選択され、マスクパターンの少なくとも粗い描写を基板１に提供するためにインクジェットが、次に、高分解能が要求される領域において、マスクパターンのその部分がレーザ融解除去される。本例では、部位３Ｂは、さらにレーザ融解除去を必要とし、図２（Ａ）及び２（Ｂ）は、レーザ融解除去前後それぞれの部位３Ｂの外観を、断面で示している。レーザ融解除去前には（図２（Ａ））、印刷層２の２つの隣接する部位はほぼ接触しており、レーザ融解除去後には、はっきりと定義（画定）されておりかつ正確なギャップ４が、印刷層２の間に形成される。
【００３１】
図３は、上述したプロセスを実行するための装置の一般的な例を示す。本装置は、互いに固定されると共に親ねじ１３からブラケット１２によって懸架された、結合したインクジェットプリンタ１０及びレーザ融解除去ユニット１１を備える。インクジェットプリンタ１０は基板１の位置の方向に向いているインクジェットノズル１４を含み、レーザ融解除去ユニット１１は基板１の方向に案内されるビームを放射するレーザダイオード１５を含む。レーザビームは、従来の方法の変調器を作動する、制御コンピュータ１６の制御下で案内される。
【００３２】
本プロセスの間に、プリンタ１０によって印刷されたばかりの材料を融解除去するために、必要に応じて、レーザダイオード１５をともなった親ねじ１３が回転されると、プリンタ１０とレーザ融解除去ユニット１１とは、基板１全体を横断させられる。基板１全体をカバーするために、基板１は、親ねじ１３の横断方向と垂直方向に、ゆっくりと横断させられる。
【００３３】
レーザ融解除去が使用されるのは、下にある基板と隣接するマスク材料とへの衝撃が最小でクリーンなプロセスだからである。レーザは材料の上面に集束される。有機層のレーザ融解除去についての一般的な出力密度は、５〜５００Ｊ／ｃｍ2である。実際の値は、波長、材料の吸収率及び厚さ、プロセス速度、並びにレーザモード（パルス又はＣＷ）に依存する。高反射及び高吸収材料については、この値は、より低いか又はより高くてもよい。
【００３４】
光は、材料内で吸収され、分子の振動モードを励起し、材料を加熱する。エネルギー密度が十分高い場合には、温度は、材料の沸点又は溶融点よりはるかに高い。それゆえ、材料は、気体又はプラズマに変換される。このため、レーザ波長において印刷マスク材料が良好な光吸収を示すことが望ましい。はんだ及びエッチングマスクへの応用では、マスク材料は、金属層（Ｃｕ，Ｓｎ）の上端に印刷される。
【００３５】
融解除去レーザの出力は、インク層の融解除去しきい値より高く、金属の損傷しきい値より低い必要がある。これらの２つの出力レベル間の差異が大きい場合には、本プロセスは安定しており、調整が容易である。差異が小さい場合には、出力レベルは臨界的であり、小さいレーザ出力変化又は材料の厚さ変化が問題を引き起こす。出力があまりにも低い場合には、融解除去は完全でなく、材料の残渣が基板の上端に留まる。出力レベルが高すぎる場合には、基板は損傷を受ける。金属層と上端の有機材料間の良好なコントラストが、安定なプロセスのために望ましい。融解除去に最高の状態は、ミラー状金属表面の上端に黒いインク層があることである。
【００３６】
ＣＯ2レーザの場合には、大半の有機材料は、十分に大きな吸収係数を有し（そしてレーザについて実質上黒である）、金属は１０．６マイクロメートルのレーザ波長で高反射率である。ＩＲレーザ（たとえば、Ｎｄ−ＹＡＧ＝１０６４ｎｍ，Ｅｒファイバレーザ）に近い場合には、コントラストはより低く、出力レベルは臨界的である。
【００３７】
インク材料は、印刷プロセスとその次の融解除去プロセスについて最適化されるべきである。適切な材料は、高いレーザ吸収係数を有するインクジェット印刷用のエッチングマスク及びはんだマスクインクである。良好な結果が、次の例によって、実現可能である。
ａ）アベシア社（Ａｖｅｃｉａ）「ジェトラックはんだマスクインク００１（Ｊｅｔｒａｃｋ  Ｓｏｌｄｅｒｍａｓｋ  Ｉｎｋ  ００１）」が、インクジェット印刷用に最適化されており、ＣＯ2レーザ処理について、１０．６マイクロメートルにおいて強い吸収を有する。
ｂ）アビシア社（Ａｖｅｃｉａ）「ジェトラック・エッチング・レジスト００１（Ｊｅｔｒａｃｋ  Ｅｔｃｈ  ｒｅｓｉｓｔ  ００１）」が同様の特性を有する。
ｃ）エレクトラＬＰＩＳＭ従来のはんだマスクインク（スクリーン印刷）
ｄ）エレクトラ・インクジェット・はんだマスク
ほとんどすべての有機材料は、１０．６マイクロメートル波長において強い吸収があるので、原則的に、すべての有機インクジェットインクは、ＣＯ2レーザで動作する。
【００３８】
次に見当合わせプロセスを見ると、基板１に対するプリンタ１０の位置を決定するために、基板１は、ユニット１１からレーザビームによって見当合わせ可能な、一対の見当合わせマスク１７を有する。
【００３９】
見当合わせプロセスの第１のステップは、第１の見当合わせマークを見つけることである。反射された光強度を検出器で測定しながら、コンピュータがそこにあることを予想する領域上をレーザが移動させられ、レーザを低出力で切換え、その領域を一方向に移動する。レーザビームがマークと交差する時には、反射した光強度は変化する。その後、コンピュータは、マークの位置（通常、特徴の中間である）を計算する。
【００４０】
同様のプロセスが、第２の方向について繰り返される。このプロセスの後には、第１の見当合わせマークのＸ及びＹ位置が既知である。
【００４１】
第２のステップにおいて、本処理は、第２の見当合わせマークについて繰り返される。その後、両方のマークの位置は既知である。
【００４２】
これらの２つの座標軸を用いて、コンピュータは、基準位置及び方向に対するボードの補正値と傾きとを計算可能である。
【００４３】
レーザを印刷パターンに見当合わせするために、２つの選択が可能である。
ａ）レーザパターンを印刷パターンに合わせるためにボードが物理的に移動させられ、基準位置に傾けさせられる。
ｂ）印刷パターンに適合するために、見当合わせプロセスからの補正値と傾きとを使用して、レーザ用のパターンが再計算される。
【００４４】
本発明を使用することで、一般的な融解除去速度は、１〜１０００ｍｍ／秒の範囲にあり、より一般的には、１０〜３００ｍｍ／秒の範囲にある。この応用についてのレーザ出力密度は、金属吸収特性により、一般的には５〜１００ジュール／ｃｍ2の範囲である。
【００４５】
エッチング又ははんだマスクの一般的な層厚は、１０マイクロメートルと１００マイクロメートルとの間である（３０マイクロメートルが最も一般的である）。融解除去速度と出力とは、処理速度と層厚とに適合していなければならない。
【００４６】
次のレーザを含む、種々のレーザを用いることができる。
ａ）ＣＯ2（二酸化炭素）レーザ、波長＝１０．６マイクロメートル、出力：１０Ｗ〜１０ｋＷ（１０〜４００Ｗ  ｔｙｐ．）、種類：ＣＷ又はパルス。
ｂ）Ｎｄ−ＹＡＧ（ネオディウム＿イットリウム＿アルミニウム＿ガーネット）レーザ、波長＝１．０６４マイクロメートル、出力：１０Ｗ〜１ｋＷ（１００Ｗ〜５００Ｗ  ｔｙｐ．）、種類：ＣＷ又はパルス。
ｃ）ダイオードレーザ、波長＝６３０〜９８０ｎｍ、出力：２０Ｗ〜１ｋＷ（２０Ｗ〜１００Ｗ  ｔｙｐ．）、種類：ＣＷ。
ｄ）ＦＤ―ＹＡＧ（周波数２倍化ＹＡＧ）レーザ。
ｅ）ＦＱ（周波数４倍化ＹＡＧ）レーザ、波長＝可視：５３２，４５５，４８８，ＵＶ：４０４，３５５，２６６ｎｍ，出力：０．１Ｗ〜１０Ｗ（１〜３Ｗ  ｔｙｐ．）種類：ＣＷ又はパルス。
ｆ）エキシマレーザ（＝ＵＶレーザ）、波長＝ＵＶ：１９３，２４８，３５１，３０８，１５７，１４６，７２，２２２，可視：５５６，５５８ｎｍ，出力：１ｋＷ〜５０ｋＷ（パルスピーク出力）、種類：パルス
「ＣＷ」が、「持続波（Ｃｏｎｔｉｎｕｏｕｓ  Ｗａｖｅ）」を意味し、そこではレーザ出力が一定である（常に放射している）ことに注意されたい。「パルス（Ｐｕｌｓｅｄ）」が、レーザがパルスを放射しており、次のパルス等を送るまで放射を停止することを意味する。
【００４７】
一般的なマスクパターン寸法は、次の通りである。
【００４８】
通常又は低い精度：１００マイクロメートルのトラック幅、１００マイクロメートルのギャップ幅。
【００４９】
高精度：７５〜５０マイクロメートルのトラック幅、７５〜５０マイクロメートルのギャップ幅（又はより小さい）。
【００５０】
一般的な印刷回路基板（ＰＣＢ）の寸法は、小型（数ｍｍ長及び幅）から標準「Ｅｕｒｏ」寸法１００ｘ１６０ｍｍ（１〜２ｍｍ厚）までであるが、１ｍ2まで可能である。
【００５１】
基板は、１つのパネル内で、より大きなバッチで製造可能である。製造後、パネルは個々のＰＣＢに分離される。
【図面の簡単な説明】
【００５２】
【図１】マスクパターンを有する基板の、概略平面図である。
【図２】図２（Ａ）と２（Ｂ）とは、レーザ融解除去の前後それぞれの、図１の線Ａ―Ａの一部分の概略端面図である。
【図３】本プロセスを実行するための装置の概略図である。
【符号の説明】
【００５３】
１：基板
２：非導電性材料
３Ａ，３Ｂ，３Ｃ，３Ｄ：マスクパターン
【図１】
0004792224.tif 000002
【図２】
0004792224.tif 000003
【図３】
0004792224.tif 000004