(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
一方の面に電極（２）により形成された導電性パターンと、導電性経路（４）と、接触領域（６）とが設けられた透明な基体（３）により形成された、目に見えない電極を有する透明な素子（１）を製造する方法であって、
前記基体（３）の全表面に亘って透明な導電性酸化物の膜（ＴＣＯ）を堆積させ、マスクを介して前記導電性パターン（２、４、６）を形成しないＴＣＯの領域をエッチングにより除去し、次にマスクの残った部分を除去する工程と、
低屈折率を有する透明誘電体材料（Ｌ）からなる第１の層（５）を堆積させる工程と、
前記第１の層の屈折率に対して高屈折率を有する別の透明誘電体材料（Ｈ）からなる第２の層を堆積させる工程であって、この高屈折率を有する透明誘電体材料（Ｈ）が最外部の層である、
ことを特徴とする方法。
【請求項２】
前記透明な導電性酸化物は、錫およびインジウムの酸化物（ＩＴＯ）であることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記基体（３）は、前記第１の誘電体層（５）の堆積が実施される前に、酸素の分圧下で略２５０℃まで予め温度を上げておくことを特徴とする請求項２に記載の方法。
【請求項４】
前記低屈折率を有する透明誘電体材料（Ｌ）と高屈折率を有する透明誘電体材料（Ｈ）の双方の誘電体堆積は、同じ密閉室で実施されることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項５】
前記第１の層（５）および前記第２の層（７）の前記誘電体は、屈折率が増える順に等級分けされた化合物、ＭｇＦ2、ＬｉＦ、ＳｉＯ2、ＳｉＯX、ＡｌＯ3、Ｓｉ3Ν4、ＺｎＳ、ＴｉＯ2、ΑｌΝ、Ｔａ2Ｏ5、およびＤＬＣ（ダイアモンド状炭素）の中から選択されることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項６】
前記第１の層（５）の前記誘電体は、フッ化マグネシウムまたはフッ化リチウムで、かつ、前記第２の層（７）の前記誘電体は、アルミナ、五酸化タンタル、またはダイアモンド状炭素であることを特徴とする請求項５に記載の方法。
【請求項７】
前記第１の層（５）の厚さは、５０〜１００ナノメータであり、かつ、前記第２の層の厚さは、８〜２５ナノメータの厚さであることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項８】
前記透明な基体（３）は、サファイアもしくは強化ガラスであることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項９】
前記誘電体層（５、７）の前記堆積は、前記低屈折率を有する透明誘電体材料（Ｌ）と高屈折率を有する透明誘電体材料（Ｈ）の順番を維持しながら、少なくとも１回は反復されることを特徴とする請求項１から８のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１０】
前記電極（２）は、容量性タッチ画面のセンサーを形成することを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項１１】
前記透明な素子は、腕時計のガラスであることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、反射防止効果を併せ持つ透明な誘電材料の特殊な配列により、可視光の波長範囲では輪郭が認識できない電極を含む透明な素子を製造する方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
「透明な素子」とは、例えば、腕時計のガラス、あるいは、液晶表示セルもしくは光電池セルの透明板の上にでも構成させることができる透明電極を有する、接眼レンズ、腕時計のガラス、タッチ式画面のことを非限定的に意味する。
【０００３】
反射防止効果は、高屈折率を有する透明な誘電体材料（Ｈ）の少なくとも１つの層および低屈折率を有する誘電体材料（Ｌ）からなる第２の層を含む積層を透明な基体（Ｓ）上に形成することにより既知の方法で得られる。
【０００４】
先行タイプの方法は、例えば、フランス特許第２７５１６３８号に開示されている。ガラス基体は、ＬＰＣＶＤを介してΤｉＯ2（ｎは、２．３５）の薄膜のガス状前駆物質（ｐｒｅｃｕｒｓｏｒ）がコーティングされ、次にＳｉＯ2（ｎは、１．４６）のより厚い膜がコーティングされる。この操作は、１回の反復が可能であり、次の「ＳＨＬＨＬ」と簡潔に呼ばれる手順に続く。
【０００５】
同じタイプの手順は、米国特許第５，１７０，２９１号にも見られるが、異なった誘電体を使用し、その一例としては、順番にＴｉＯ2（ｎは、２．４）／Αｌ2Ｏ3（ｎは、１．６）／ＴｉＯ2（ｎは、２．４）／ＳｉＯ2（ｎは、１．４８）を含むもので、手順「ＳＨＬ1ＨＬ2」に対応する。
【０００６】
透明な基体が電極を含む必要があるとき、例えば、腕時計のガラス中に容量性タッチ画面を形成する必要があるとき、ＩＴＯ膜もしくは他の透明な導電性酸化物（ＴＣＯ）が最終の誘電体層上に堆積され、低屈折率を有する誘電体材料の最終コーティングで構造化される。この方法は、したがって、手順「ＳΗＬ1（ＴＣΟ）Ｌ2」と表現されている。この方法は、非常に良好な結果を与える、即ち、電極を実用上目に見えないようにすることが可能である。しかし、いくつかの欠点を持っている。とりわけ、ＣＶＤもしくは同等の方法でいくつかの異なった膜を堆積させねばならないので高価である。この方法は実施が困難で、特に、電極の構造化の段階では、最終誘電体膜が損傷を受けるという大きなリスクがあるので干渉の問題が新たに発生し、ある電極を依然として可視状態にする。低屈折率を有する最終の誘電体層は、一般的には、ＭｇＦ2（ｎは、１．３７）であるが、低い磨耗耐性を持っており、腕時計の場合、その層がタッチ画面の装着操作の際に損傷を受けるというリスクもある。
【特許文献１】フランス特許第２７５１６３８号
【特許文献２】米国特許第５，１７０，２９１号
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
したがって、本発明の目的は、取り扱いの容易な最終製品を得るために実施される、より容易で、より経済的な方法を提供することにより、上記の先行技術の欠点を克服することである。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明は、より具体的には、透明素子がサファイアもしくは強化ガラスにより作られた透明な基体により形成され、その基体の一方の面上に容量性センサーを形成するための電極を含む場合に関するものである。
【０００９】
したがって、本発明は透明な基体上に、電極、導電性経路、接触領域を含む透明な導電性酸化物（ＴＣＯ）からなる導電性パターンを形成する工程と、次の、低屈折率を有する第１の透明誘電体層（Ｌ）を堆積させる工程と、更に、第１の層よりも高い屈折率を有する別の透明誘電体からなる第２の層を堆積させる工程からなる方法に関するものである。
【００１０】
本明細書の最初の方で引用した先行技術に対して、本発明による方法は、手順「Ｓ（ＴＣＯ）ＬＨ」に対応して、目に見えない電極を有する透明な素子を得るということに集約できる。
【発明の効果】
【００１１】
本方法により、非常に良好な反射防止特性を得ることができるが、最外部の層を形成するための誘電体材料の選択次第で、卓越した光学的補償と、更に良好な耐摩耗性をも得ることができる。
【００１２】
好ましい実施の態様において、基体は、サファイアもしくは強化ガラスからなり、本方法により容量性タッチ画面が得られ、特に、文字盤上に表示される情報がはっきりと読み取れるように完全に透明でなければならない、腕時計のガラスの形成が可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１３】
本発明の他の特徴および利点は、添付の図面を参照し、非限定の例証として以下に説明される。
【００１４】
図１は、腕時計に装着される予定の、サファイアもしくは強化ガラスで作られたガラス１の底面図である。ガラス１は、ガラス１の外表面上に指で触れることにより作動可能な容量性タッチ方式センサー２の電極を形成する透明な導電性酸化物（ＴＣＯ）のパターンを含む透明な基体３により形成される。センサー２は、導電性経路４によりそれ自体腕時計の電子的ムーブメント、および／または、時間に関係した機能、時間に関係しない機能を制御するマイクロ・プロセッサーに接続された周辺接触領域６に接続されている。図１では、コントラストが非常に誇張されているが、なんらの処理もなされていない場合は、これら導電性素子２、４、６の全てがガラス１を通して目に見え、特に斜めから見ると、よく見える。
【００１５】
次に図２を参照にして、センサー２、導電性経路４、必要性は少ないが接触領域６を目に見えなくする、本発明による方法を以下に説明する。接触領域はフランジもしくはベゼルによって隠すこともできる。
【００１６】
第１のステップでは、サファイアもしくは強化ガラスの基体３の全表面にＴＣＯ膜をコーティングする。例えば、錫および酸化インジウム（ＩＴＯ）の堆積を、２５〜７５ナノメータ、好ましくは４５〜５５ナノメータの範囲の厚みで実施する。ＴＣＯは、アンチモンがドーピングされたΙｎ2Ｏ3およびＳｎＯ2から選択してもよい。次に化学エッチングを実施してセンサー２、導電性経路４、接触領域６に相当しない全ての領域のＴＣＯを除去する。マスクの残りの部分は、適切な溶剤と用いて超音波で剥離する。
【００１７】
第２のステップでは、基体を密閉室に導入し、低屈折率を有する透明誘電体（Ｌ）からなる第１の層５を、既知の物理蒸着技術（ＰＶＤ）もしくは関連技術（ＰＡＣＶＤ、ＰＥＣＶＤ、ＬＩＣＶＤなど）によりターゲットから堆積させる。堆積は、ＴＣＯがＩＴＯであるときは、導電性パターン２、４、６と共に、基体３を酸素の分圧下で略２５０℃の温度まで上げておいてから実施することが好ましい。
【００１８】
第三のステップでは、基体を同じ密閉室内に維持し、第１の層５よりも高い屈折率を有する他の透明誘電体（Ｈ）の第２の層７を同一の方法に従って堆積させる。
【００１９】
第１および第２の層を形成するために使用可能な誘電体材料は、周知の化合物であり、例えば、以下の化合物より選択できる。屈折率が増える順に等級分けすると、ＭｇＦ2、ＬｉＦ、ＳｉＯ2、ＳｉＯＸ、ＡｌＯ3、Ｓｉ3Ν4、ＺｎＳ、ＴｉＯ2、ΑｌΝ、Ｔａ2Ｏ5、ＤＬＣ（ダイアモンド状炭素）である。
【００２０】
例えば、堆積をＰＶＤにより実施する場合は、第１の層５用に低屈折率を有するフッ化マグネシウムもしくはフッ化リチウム（Ｌ）を使用することができ、ＭｇＦ2およびＬｉＦのｎは、それぞれ１．３７および１．３９である。この第１の層の厚さは、５０〜１００ナノメータであり、好ましくは約６０ナノメータの厚さである。
【００２１】
第２の層７を形成するために、アルミナ（ｎは、１．７０）、五酸化タンタル（ｎは、２．４）、またはダイアモンド状炭素などの高屈折率の誘電体材料が選択される。第２の層７の厚さは、８〜２５ナノメータであり、好ましくは約１６ナノメータの厚さである。この第２の、最外部の層には、良好な磨耗耐性を持つという利点もある。
【００２２】
最初に低屈折率材料で、次に高屈折率材料で行う、２回の誘電体堆積ステップは、少なくとも１回は繰り返すことが可能であり、手順Ｓ（ＴＣＯ）ＬＨＬＨに相当する。
【００２３】
本発明の範囲内で、手順Ｓ（ＴＣＯ）ＬＨＬＨがある場合も含み、ＳｉＯ2／Ｓｉ2Ν4もしくはＡｌ2Ｏ3／ＡｌΝなどの他のＬ／Ｈ誘電体対を使用することも可能である。この後者の例はまた、同一の誘電体が、この場合はＡｌ2Ｏ3であるが、低屈折率の第２の誘電体と関連付けられると、タイプ「Ｈ」であるとみなされ、逆に、高屈折率（ｎは、ＡｌＮに対して２．３８）の第２の誘電体と関連付けられると、タイプ「Ｌ」であるとみなされる。
【図面の簡単な説明】
【００２４】
【図１】容量性のタッチ方式センサーを含む時計ガラスの底面図である。
【図２】異なる層からなる積層の、図１の線ＩＩ〜ＩＩに沿った断面図である。
【符号の説明】
【００２５】
１  ガラス、２  容量性タッチ・タイプ・センサー、３  透明な基体、４  導電性経路、５  第１の層、６  周辺接触領域、７  第２の層
【図１】
0004689259.tif 000002
【図２】
0004689259.tif 000003