(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
Ｍｏを５０％以上含む合金からなる第３配線上に層間絶縁膜を形成し、前記層間絶縁膜上に、Ａｌを５０％以上含む合金からなる第１配線、及び、Ａｌを５０％以上含む合金からなる第２配線を形成し、前記第１配線及び前記第２配線の少なくとも一方における短絡箇所を、短パルス幅レーザ光を用いて除去する修正工程を有し、
前記修正工程において、前記短パルス幅レーザ光のエネルギー密度を、前記第３配線を構成する材料の加工閾値より小さく、かつ前記第１配線又は前記第２配線と同じ材料からなる前記短絡箇所を構成する材料の加工閾値より大きくし、
前記短パルス幅レーザ光のパルス幅、波長、及び、照射エネルギーから選ばれる少なくとも１つ以上を、前記層間絶縁膜の厚さに基づいて選定する
配線基板の製造方法。
【請求項２】
前記配線基板が、アクティブマトリクス型の薄膜トランジスタを含む請求項１に記載の配線基板の製造方法。
【請求項３】
前記第１配線が信号配線であり、前記第２配線が電流供給配線であり、前記第３配線が走査配線である請求項１に記載の配線基板の製造方法。
【請求項４】
前記第１配線及び前記第２配線を構成する材料がアルミニウムである請求項１に記載の配線基板の製造方法。
【請求項５】
前記第３配線を構成する材料がモリブデンである請求項１に記載の配線基板の製造方法。
【請求項６】
前記短パルス幅レーザ光の照射エネルギーが、被照射箇所において０．０２Ｊ／ｃｍ２以下である請求項１に記載の配線基板の製造方法。
【請求項７】
Ｍｏを５０％以上含む合金からなる第３配線上に層間絶縁膜を形成し、前記層間絶縁膜上に、Ａｌを５０％以上含む合金からなる第１配線、及び、Ａｌを５０％以上含む合金からなる第２配線を形成し、前記第１配線及び前記第２配線の少なくとも一方における短絡箇所を、短パルス幅レーザ光を用いて除去する修正工程を有し、
前記修正工程において、前記短パルス幅レーザ光のエネルギー密度を、前記第３配線を構成する材料の加工閾値より小さく、かつ前記第１配線又は前記第２配線と同じ材料からなる前記短絡箇所を構成する材料の加工閾値より大きくし、
前記短パルス幅レーザ光のパルス幅、波長、及び、照射エネルギーから選ばれる少なくとも１つ以上を、前記層間絶縁膜の厚さに基づいて選定する
表示装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、アクティブマトリクス型の薄膜トランジスタ等を含む配線基板の製造方法と、この配線基板によって構成される表示装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
有機エレクトロルミネッセンス（有機ＥＬ）ディスプレイや液晶ディスプレイなどの表示装置は、アクティブマトリクス型の薄膜トランジスタ（ＴＦＴ；Thin Film Transistor）素子などの配線、例えば信号配線や電流供給配線などの配線を各々複数含む配線基板によって構成され、駆動可能な装置構成とされる。
有機ＥＬによる従来の表示装置の要部の構成例を、図５に示す。この表示装置１０１では、基体１０３上に、陽極１０８とその駆動素子であるＴＦＴ素子１０９を有する画素１１０が設けられ、この画素１１０を区画するように、それぞれ独立して縦方向に延在する信号配線１０６及び電流供給配線１０７と、これらとは層間絶縁膜１０５により分離されて横方向に延在する走査配線１０４（破線図示）とが、それぞれ画素の配列に応じて多数設けられる。
【０００３】
各画素１１０においては、前述した陽極１０８上に、少なくとも有機発光材料からなる有機層１１１と陰極１１２とがこの順に積層形成され、これによって主たる発光構造が形成される。
このような表示装置１０１においては、陽極１０８の駆動が、走査配線１０４と、信号配線１０６と、電流供給配線１０７と、これらの配線により電流供給されるＴＦＴ素子１０９とによってなされ、陰極１１２との間の通電により、有機層１１１における発光がなされる。
【０００４】
この表示装置１０１における陽極１０８の駆動、すなわち各配線１０４，１０６及び１０７による画素１１０の発光動作について、図６に示す単位画素の等価回路を用い、走査配線１０４をＸ１及びＸ２、信号配線１０６をＹ１、電流供給配線１０７をＹ２として説明する。
この等価回路は、有機ＥＬの発光部ＥＬと、第１のＴＦＴトランジスタ（ＭＯＳトランジスタ）Ｔｒ１と、第２のＴＦＴトランジスタ（ＭＯＳトランジスタ）Ｔｒ２と、容量Ｃとを有して成る。第２のＴＦＴトランジスタＴｒ２の一方の主電極（例えばソース）が信号線Ｙ１に接続され、他方の主電極（例えばドレイン）が容量Ｃを介して電流供給配線Ｙ２に接続され、ゲート電極が走査線Ｘ１に接続される。一方、発光部ＥＬの陽極が第１のＴＦＴトランジスタＴｒ１を介して電流供給配線Ｙ２に接続され、第１のＴＦＴトランジスタＴｒ１のゲート電極が第２のＴＦＴトランジスタＴｒ２と容量Ｃの接続中点に接続される。
【０００５】
この等価回路の動作は次の通りである。
電流供給配線Ｙ２には常時電流が供給されている。走査線Ｘ１に走査パルスが印加され、信号線Ｙ１に所要の信号が供給されると、第２のＴＦＴトランジスタＴｒ２がオン状態になり、容量Ｃに所要の信号が書き込まれる。この書き込まれた信号に基づいて第１のＴＦＴトランジスタＴｒ１がオン状態になり、信号量に応じた電流が電流供給部Ｙ２を通して発光部ＥＬに供給されて、発光部ＥＬが発光表示される。
このようにして発光動作がなされる単位画素１１０が、複数個ＸＹマトリックス状に配列されて、表示装置１０１が構成される。
【０００６】
このような表示装置等を構成する配線基板の製造においては、図７Ａ及び図７Ｂに示すように、本来互いに分離して設けられる各配線、例えば信号配線１０６と電流供給配線１０７との間に、不純物やパターン誤差などによって短絡（配線短絡部１１２）を生じるおそれがあることから、この短絡を、新たな問題を生じることなく修正する方法が求められてきた。
従来、このような短絡に対する修正方法として、レーザ光照射により短絡箇所に位置する配線材料を除去する方法が、広く用いられてきた。
【０００７】
しかし、通常のレーザ光照射による場合、被加工基板となる配線基板が、前述の信号配線や電流供給配線と熱的に連結される位置に、例えば層間絶縁膜を介して下層に設けられる配線（例えば、所謂走査配線）を有する場合、前述の短絡箇所に対する修正は不可能とされている。
これは、配線短絡箇所に対するレーザ光照射で除去した場合、その加工時に発生する熱が絶縁膜や走査配線などにまで拡散してしまうため、図７Ｃに示すように、この熱によって下層の走査配線が損傷ないし断線してしまうおそれがあることによる。
【０００８】
また、通常のレーザ光に比して熱拡散が少ないとされている、例えば１０ピコ秒以下のパルス幅を有する（所謂フェムト秒オーダーの）短パルス幅レーザ光によって修正を行う方法が知られている。
しかし、この短パルス幅レーザ光による方法は、直接の修正対象である基板表面の配線における除去時の溶融や飛散が低減されるものの、通常用いられる短波長帯（例えば３９０ｎｍ）のレーザ光が絶縁膜を通過して下層の走査配線に到達してしまうために、やはり走査配線に損傷ないし断線を生じてしまう。
【０００９】
この問題に対し、焦点位置を基板表面とは異なる位置へと意図的に変えることにより、下地層へ透過するエネルギーを抑えて、損傷を抑制する加工方法が提案されている（例えば特許文献１参照）。
【特許文献１】特開2003-1467号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
しかしながら、特許文献１に記載された手法を用いる場合には、焦点位置が基板表面から外れているために加工精度が著しく低下してしまう。
近年、アクティブマトリクス基板をはじめとする配線基板には、実装密度の向上などを目的として更なる狭ピッチ化（高精細化）が求められていることから、特許文献１に記載の加工方法は、基板製造における修正手法として最適とは言い難い。
【００１１】
本発明の目的は、加工精度を損なうことなく短絡を修正することが可能な配線基板の製造方法と、この配線基板により構成される表示装置の製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
本発明に係る配線基板の製造方法は、Ｍｏを５０％以上含む合金からなる第３配線上に層間絶縁膜を形成し、層間絶縁膜上に、Ａｌを５０％以上含む合金からなる第１配線、及び、Ａｌを５０％以上含む合金からなる第２配線を形成し、第１配線及び第２配線の少なくとも一方における短絡箇所を、短パルス幅レーザ光を用いて除去する修正工程を有する。そして、修正工程において、短パルス幅レーザ光のエネルギー密度を、第３配線を構成する材料の加工閾値より小さく、かつ短絡箇所を構成する第１配線又は第２配線と同じ材料からなる材料の加工閾値より大きくする。さらに、短パルス幅レーザ光のパルス幅、波長、及び、照射エネルギーから選ばれる少なくとも１つ以上を、層間絶縁膜の厚さに基づいて選定する。
【００１３】
本発明に係る表示装置の製造方法は、Ｍｏを５０％以上含む合金からなる第３配線上に層間絶縁膜を形成し、層間絶縁膜上に、Ａｌを５０％以上含む合金からなる第１配線、及び、Ａｌを５０％以上含む合金からなる第２配線を形成し、第１配線及び第２配線の少なくとも一方における短絡箇所を、短パルス幅レーザ光を用いて除去する修正工程を有する。そして、修正工程において、短パルス幅レーザ光のエネルギー密度を、第３配線を構成する材料の加工閾値より小さく、かつ第１配線又は第２配線と同じ材料からなる短絡箇所を構成する材料の加工閾値より大きくする。さらに、短パルス幅レーザ光のパルス幅、波長、及び、照射エネルギーから選ばれる少なくとも１つ以上を、層間絶縁膜の厚さに基づいて選定する。
【発明の効果】
【００１４】
本発明に係る配線基板の製造方法によれば、第１配線及び前記第２配線の少なくとも一方における短絡箇所を除去する修正工程を有し、除去を、第３配線を構成する材料の加工閾値より小さく第１配線及び第２配線の少なくとも一方を構成する材料の加工閾値より大きいエネルギー密度を有する短パルス幅レーザ光の照射によって行うことから、加工精度を損なうことなく短絡を修正することが可能となる。
【００１５】
本発明に係る表示装置の製造方法によれば、表示装置を構成する配線基板の製造において、第１配線及び第２配線の少なくとも一方における短絡箇所の除去を、第３配線を構成する材料の加工閾値より小さく、かつ第１配線及び第２配線の少なくとも一方を構成する材料の加工閾値より大きいエネルギー密度を有する短パルス幅レーザ光の照射によって行うことから、第３配線の損傷ないし断線を回避して表示装置を製造することが可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１６】
以下、図面を参照して本発明の実施の形態を説明する。
【００１７】
まず、本発明に係る製造方法を実施するのに好適な加工装置の一例の構成について説明する。
【００１８】
図１Ａ及び図１Ｂは、それぞれ、本発明に係る配線基板の製造方法に用いて好適な加工装置の一例を示す概略構成図と、この加工装置を構成する局所排気装置の概略断面図を示す。
本実施形態に係る加工装置１は、所謂レーザリペア装置であり、液晶や有機エレクトロルミネッセンスディスプレイなどの表示装置の製造において、短絡箇所をレーザ光照射で除去することによって、所謂欠陥となるおそれのある箇所を修正するために用いられるものである。
【００１９】
本実施形態において、加工装置１は、少なくとも図１Ａに示すように、パルスレーザ光源部２と、レーザ光による主たる被照射部（加工部）となる局所排気部３を規定する局所排気装置４と、局所排気装置４と共通のチャンバー内に設けられ、かつ被加工基板（配線基板；本実施形態においてはアクティブマトリクス型のＴＦＴ素子を含む配線基板）６の配置部となる支持台５とを有する。
【００２０】
局所排気装置４には、圧縮した窒素を支持台５に向けて噴射することによって局所排気装置４を静圧浮上させる圧縮ガス供給手段９と、支持台５に向けて噴射された圧縮ガスをリング状の排気流路（吸引溝）１５から排気する排気手段１０と、局所排気部３にパージガス流路１６からパージガスを供給するパージガス供給手段１１と、局所排気部３におけるレーザＣＶＤの原料ガスとなる材料ガスを流路１７から供給する供給手段１２とが設けられる。
圧縮ガス供給手段１１からの圧縮ガスは、供給路及び通気孔を構成するリング状の圧縮ガス供給路１４及びその開口部に配置された多孔質通気膜１３により、局所排気装置４に対向する支持台５に向けて出射され、所謂静圧浮上パッド構成による浮上がなされる。
【００２１】
一方、局所排気部３は、図１Ｂに示すように、排気流路１５の端部を構成する吸引溝によって囲まれた領域内で、透明窓１８と配線基板６の配置部との間に規定される。この局所排気部３は、局所排気装置４内の透明窓１８から支持台５上に載置された配線基板６までの間で、吸引溝１５が形成する同心環に比して内側に、略円筒状空間として形成されると考えられる。
また、局所排気部３には主に、材料ガス供給手段１２による原料ガスのほか、パージガス供給手段１１によるパージガスが導入され、このパージガスを導入する圧力、速度、位置、角度等を選定することにより、透明窓１８の表面における、配線基板６で除去された材料の飛散に伴う付着を抑制することなどが可能となる。
【００２２】
この局所排気装置４は、支持台５上の配線基板６に対して相対的に変位可能とされ、材料ガス供給手段１２と、パージガス供給手段１１と、排気手段１０とによって、浮上剛性の向上が図られる。
なお、ここで浮上剛性とは、局所排気装置４と配線基板６との間の吸着力であり、この浮上剛性が十分でない場合には、局所排気装置４の配線基板６に対する高さ（ギャップ）の安定性が不十分となるとか、局所排気装置４の機械的もしくは力学的な安定性が不十分になるなどの問題が生じることから、配線基板６の短絡修正作業を通じて浮上剛性を十分に確保しておくことが望ましい。
【００２３】
次に、本実施形態に係る配線基板の製造方法について、前述の加工装置１を用いて説明する。
【００２４】
まず、支持台５上に、パルスレーザ光源部２からのレーザ光Ｌの照射対象となる配線基板６を載置した後、局所排気装置４の下へと移動させる。
このとき、予め圧縮ガス供給手段９によって、所要の圧力、例えば０．２ＭＰａの圧縮窒素を圧縮ガス供給路１４及び多孔質通気膜１３を経て噴射するとともに、排気手段１０からの排気を開始して、局所排気装置４を十分安定して静圧浮上させることによって、移動してきた配線基板６との衝突回避を図ることが好ましい。
【００２５】
続いて、パージガス供給手段１１からアルゴンガスを、所要の流量、例えば５０ｃｃｍ導入するとともに、排気手段１０と局所排気部４の主たる圧力調整手段となる局所排気手段（図示せず）によって、最終的に行うレーザ光Ｌの照射における被照射部となる配線基板６の所定位置の雰囲気、すなわち局所排気部３の雰囲気を十分減圧する。同時に、局所排気部３以外すなわち周辺部の圧力の調整を行って、局所排気装置４と配線基板６との間の高さ及び剛性を確保する。最適な高さは、配線基板６の厚さにもよるが、例えば１０μｍ程度に選定することができる。
【００２６】
続いて、局所排気装置４の透明窓１８を通してレーザ照射部を観察しながら、支持台５を移動させて、配線基板６を所望の位置に移動させる。その後、局所排気手段による局所排気部３に対する局所排気を継続しながら、パルスレーザ光源部２から短パルス幅レーザ光Ｌを出射する。
パルスレーザ光源部２からの短パルス幅レーザ光を、光路を規定するミラー７、レンズ８、及び透過孔１９内の透明窓１８を介し、局所排気部３に導入して配線基板６上の短絡箇所に照射することにより、この短絡箇所を除去する修正工程を行う。なお、短パルス幅レーザ光のパルス幅は、後述するように、被照射箇所における熱拡散が進行するよりも短くなる間隔として、一般にフェムト秒オーダーとされる１０ピコ秒（ｐｓ）以下とすることが好ましい。
【００２７】
ここで、本実施形態に係る配線基板６は、表示装置の要部を構成する、アクティブマトリクス型のＴＦＴ素子を含む配線基板である。本実施形態においては、図２に示すように、例えばガラスによる基体２１上に、例えば厚さ１００ｎｍのＭｏ（モリブデン）による走査配線２２と、例えば厚さ１００ｎｍのＳｉｘＮｙ（シリコンナイトライド）による層間絶縁膜２３がこの順に積層形成され、この層間絶縁膜２３上に、走査配線２２とは分離されて、例えば厚さ５００ｎｍのＡｌ（アルミニウム）による信号配線２４及び電流供給配線２５が、それぞれ独立に形成された構成を有する。すなわち、本実施形態においては、配線基板を構成する信号配線（第１配線）２４及び電流供給配線２５（第２配線）と、走査配線（第３配線）２２とが、層間絶縁膜２３によって分離されている。
【００２８】
この配線基板６の表面に生じた、信号配線２４から電流供給配線２５に渡る配線短絡部（短絡箇所）２６に対し、前述した修正工程を行って、配線短絡部２６を除去することにより、信号配線２４と電流供給配線２５の間の電気的短絡を解消することができる。
そして、本実施形態に係る配線基板の製造方法においては、後述するように、短パルス幅レーザ光の照射を、少なくとも被照射箇所において、信号配線２４及び電流供給配２５による第１配線及び第２配線を構成する材料（Ａｌ）の加工閾値より大きく、走査配線２２による第３配線を構成する材料（Ｍｏ）の加工閾値より小さいエネルギー密度を選定して行うことにより、第３配線（走査配線）２２の損傷ないし断線を回避することが可能となる。
【００２９】
次に、この短パルス幅レーザ光のエネルギー密度の選定と、その検討結果について、図３及び図４を参照して説明する。
【００３０】
図３は、パルス幅３ピコ秒の短パルス幅レーザの照射における、アルミニウムとモリブデンの、加工閾値の波長依存性を測定した結果である。図中、点で示したものがアルミニウムの測定結果、破線で示したものがモリブデンの測定結果である。
この測定結果から、アルミニウムの場合はレーザ光の波長が長くなるにしたがって加工閾値エネルギーが低下しているのに対し、モリブデンの場合は閾値が０．０２Ｊ／ｃｍ２と略一定で、レーザ光の波長の変化による閾値変動が殆ど生じていないことが確認できる。
【００３１】
したがって、アルミニウムにおいてのみ、レーザ光吸収が長波長化に伴って増加することから、少なくとも配線短絡部２６が信号配線２４及び電流供給配線２５の少なくとも一方と同じ材料で構成される場合、短パルス幅レーザ光の波長が７００ｎｍ未満では、層間絶縁膜２３を透過して走査配線２２に至るレーザ光によって、走査配線２２に損傷ないし断線が生じてしまう。
すなわち、本実施形態におけるように、信号配線２４及び電流供給配線２５をアルミニウムによって構成し、これらとは層間絶縁膜２３によって分離される走査配線２２をモリブデンによって構成する場合には、短パルス幅レーザ光の波長を７００ｎｍ以上とすることによって、０．０２Ｊ／ｃｍ２以下のエネルギー密度とし、下層の走査配線２２を構成する材料の変質を抑制することが可能となる。
【００３２】
図４は、信号配線２４及び電流供給配線２５を構成するアルミニウムの薄膜の、パルスレーザ照射に対する、溶融厚さのパルス幅依存性を測定した結果である。溶融温度は、アルミニウムの融点に相当する６００℃とした。
この測定結果から、レーザ光のパルス幅が３５ピコ秒より長い場合に溶融厚さが１５５ｎｍとなってしまうことが確認できる。また、レーザ光のパルス幅が０．２５ピコ秒の場合には略２０ｎｍ程度であることも確認できる。
【００３３】
一般的に、層間絶縁膜２３は１００ｎｍ以上の厚さで形成されるため、層間絶縁膜２３の下層にあたる走査配線２２に、層間絶縁膜２３の上側における溶融の影響が及ぼされないためには、溶融厚さを１００ｎｍ以下に抑制する必要がある。
したがって、図４の測定結果からは、短パルス幅レーザ光のパルス幅を１０ピコ秒以下とすることが好ましいと考えられる。
【００３４】
以上説明したように、本実施形態に係る配線基板の製造方法によれば、少なくとも第１配線及び第２配線と、層間絶縁膜によって第１配線及び第２配線とは分離された第３配線とを有する配線基板の製造において、第１配線及び前記第２配線の少なくとも一方における短絡箇所を除去する修正工程における除去を、第３配線を構成する材料の加工閾値より小さく第１配線及び第２配線の少なくとも一方を構成する材料の加工閾値より大きいエネルギー密度を有する短パルス幅レーザ光の照射によって行うことから、加工精度を損なうことなく短絡を修正することが可能となる。
更に、本実施形態に係る製造方法によって得られる配線基板によって表示を構成した場合には、第３配線の損傷ないし断線を回避して、画質などの品質の高い表示装置を、歩留まり良く製造することが可能となるものである。
【００３５】
なお、本発明に係る配線基板の製造方法においては、短パルス幅レーザ光のパルス幅と、波長と、照射エネルギーとのうち、少なくとも１つを、層間絶縁膜の厚さに基づいて選定することが好ましい。これは、前述の溶融厚さをはじめ、層間絶縁膜上へのレーザ光照射による熱的影響が、下層の第３配線（本実施形態では走査配線）に及ぼされる程度が、層間絶縁膜の材料よりも、特にその厚さによって変動するためである。
また、短パルス幅レーザ光の波長については、層間絶縁膜を構成する材料の吸収波長帯に基づいて選定することが好ましい。これは、レーザ光自体が層間絶縁膜に吸収されてしまうと、層間絶縁膜が変質ないし除去されてしまうために、層間絶縁膜によって上下に分離されていた第１配線及び第２配線と第３配線との間で新たに短絡が生じてしまうおそれが生じるためである。
【００３６】
＜実施例＞
本発明の実施例を説明する。
波長７８０ｎｍ、パルス幅３ピコ秒のレーザ光の加工エネルギーを、アルミニウムの加工閾値である０．０１５Ｊ／ｃｍ２以下になるようにアッテネーターを設定し、加工サイズを１０μm□として、スリット位置を配線短絡部に合わせ、所定の条件で複数回レーザー光のパルス照射を行ったところ、モリブデンによる下層の走査配線に影響を生じることなく、層間絶縁膜上の配線短絡部のみを除去して完全に修復することができた。
【００３７】
これに対し比較例として、波長３９０nm、パルス幅３ピコ秒のレーザ光の加工エネルギーをアルミニウムの加工閾値である０．０４Ｊ／ｃｍ２になるようにアッテネーターを設定し、加工サイズを１０μm□として、所定の条件で同様に配線短絡部に対して複数回レーザー光のパルス照射を行ったところ、従来技術による場合（図７Ｃ）と同様に、アルミニウムによる配線短絡部だけでなく、層間絶縁膜及び走査配線まで除去され、走査配線が断線してしまうことが確認された。
【００３８】
以上、本発明に係る配線基板の製造方法及び表示装置の、製造方法の実施の形態及び実施例を説明したが、以上の実施の形態の説明で挙げた使用材料及びその量、処理時間及び寸法などの数値的条件は好適例に過ぎず、説明に用いた各図における寸法形状及び配置関係も概略的なものである。すなわち、本発明は、この実施の形態に限られるものではない。
【００３９】
例えば、第３配線は必ずしも配線短絡部の直下に存在する必要はなく、配線短絡部から層間絶縁膜を介して熱的に連結される位置にあれば本発明を適用することが可能である。
また、例えば信号配線と電流供給配線は互いに異なる材料で構成されても良く、この場合には、配線短絡部の除去が可能である限り、少なくとも一方を構成する材料の加工閾値より大きいエネルギー密度のレーザ光を照射すれば良い。
【００４０】
また、第１配線〜第３配線を構成する各材料もアルミニウムやモリブデンに限られず、各配線の構成についても、例えばアルミニウムやモリブデンを５０％以上含むものをはじめとして、合金や積層構造による構成とすることもできる。
また、例えば加工装置１について、ミラー７などの配置を選定しながら、例えばＣＷ（Continuous Wave；連続発振）レーザ光源を有する装置構成とすることにより、レーザＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）による修正と併せた配線基板の製造を行うことも可能となるなど、本発明に係る製造方法は、種々の変形及び変更をなされうる。
【図面の簡単な説明】
【００４１】
【図１】Ａ，Ｂ  それぞれ、本発明に係る配線基板の製造方法に用いて好適な加工装置の一例を示す概略構成図と、この加工装置を構成する局所排気装置の概略断面図である。
【図２】本発明に係る配線基板の製造方法の、一例の説明に供する配線基板の概略断面図である。
【図３】本発明に係る配線基板の製造方法の一例における、第１配線及び第２配線と第３配線とを構成する材料の、加工閾値の波長依存性の測定結果を示す模式図である。
【図４】本発明に係る配線基板の製造方法の一例における、第１配線及び第２配線を構成する材料の、溶融厚さのパルス幅依存性を測定した結果を示す模式図である。
【図５】従来の表示装置の要部の構成例を示す模式的斜視図である。
【図６】従来の表示装置の画素における駆動及び発光動作の説明に供する回路図である。
【図７】Ａ，Ｂ，Ｃ  それぞれ、従来の表示装置を構成する配線基板における短絡の説明に供する模式的斜視図と、配線基板における短絡の説明に供する概略断面図と、従来の製造方法による短絡修正手法の説明に供する概略断面図である。
【符号の説明】
【００４２】
１・・・加工装置、２・・・パルスレーザ光源部、３・・・局所排気部、４・・・局所排気装置、５・・・支持台、６・・・配線基板（被加工基板）、７・・・ミラー、８・・・レンズ、９・・・圧縮ガス供給手段、１０・・・排気手段、１１・・・パージガス供給手段、１２・・・材料ガス供給手段、１３・・・多孔質通気膜、１４・・・圧縮ガス供給路、１５・・・排気流路（吸引溝）、１６・・・パージガス流路、１７・・・材料ガス流路、１８・・・透明窓、１９・・・透過孔、２１・・・基体、２２・・・走査配線、２３・・・層間絶縁膜、２４・・・信号配線、２５・・・電流供給配線、２６・・・配線短絡部、１０１・・・従来の表示装置、１０２・・・従来の配線基板、１０３・・・基体、１０４・・・走査配線、１０５・・・層間絶縁膜、１０６・・・信号配線、１０７・・・電流供給配線、１０８・・・陽極、１０９・・・ＴＦＴ素子、１１０・・・画素、１１１・・・有機層、１１２・・・陰極、１１３・・・配線短絡部
【図１】
0004760270.tif 000002
【図２】
0004760270.tif 000003
【図３】
0004760270.tif 000004
【図４】
0004760270.tif 000005
【図５】
0004760270.tif 000006
【図６】
0004760270.tif 000007
【図７】
0004760270.tif 000008