(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
能動素子基板と、対向基板と、前記能動素子基板と前記対向基板との間に挟まれた状態で保持されている液晶層と、を少なくとも含む液晶表示装置であって、
前記対向基板は、ブラックマトリクス層を備え、
前記能動素子基板は、ゲート電極、ドレイン電極、ソース電極を有する薄膜トランジスタと、表示すべき画素に対応した画素電極と、基準電位が与えられる共通電極と、データ線と、走査線と、共通電極配線とを備え、
前記共通電極配線と前記走査線は第１の金属層からなり、同一工程で形成され、
前記データ線は、第２の金属層で形成され、前記第１の金属層形成後に形成され、
前記ゲート電極は前記走査線に、前記ドレイン電極は前記データ線に、前記ソース電極は前記画素電極に、前記共通電極は前記共通電極配線に、それぞれ電気的に接続されており、
前記画素電極と前記共通電極の間に印加される、前記能動素子基板の表面に略平行な電界により、前記液晶層の分子軸を前記能動素子基板に平行な面内において回転させることにより表示を行う横電界方式のアクティブマトリクス型液晶表示装置において、
前記共通電極は透明電極材料からなり、前記データ線より前記液晶層に近い層上に形成されており、
前記データ線は、絶縁膜を挟んで、前記共通電極によって覆われており、
各単位素子毎に、前記共通電極配線の一部もしくは前記走査線の一部からなる突起もしくは窪みを有し、前記突起もしくは窪みは、前記データ線の延在方向に有する前記データ線のエッジと平行に延在するエッジを、５μｍ以上にわたって、データ線の両側に有しており、前記第１の金属層形成後の前記第２の金属層形成の露光補正を行う構造を与えることを特徴とする横電界方式のアクティブマトリクス型液晶表示装置。
【請求項２】
能動素子基板と、対向基板と、前記能動素子基板と前記対向基板との間に挟まれた状態で保持されている液晶層と、を少なくとも含む液晶表示装置であって、
前記対向基板は、ブラックマトリクス層を備え、
前記能動素子基板は、ゲート電極、ドレイン電極、ソース電極を有する薄膜トランジスタと、表示すべき画素に対応した画素電極と、基準電位が与えられる共通電極と、データ線と、走査線と、共通電極配線とを備え、
前記共通電極配線と前記走査線は第１の金属層からなり、同一工程で形成され、
前記データ線は、第２の金属層で形成され、前記第１の金属層形成後に形成され、
前記ゲート電極は前記走査線に、前記ドレイン電極は前記データ線に、前記ソース電極は前記画素電極に、前記共通電極は前記共通電極配線に、それぞれ電気的に接続されており、
前記画素電極と前記共通電極の間に印加される、前記能動素子基板の表面に略平行な電界により、前記液晶層の分子軸を前記能動素子基板に平行な面内において回転させることにより表示を行う横電界方式のアクティブマトリクス型液晶表示装置において、
前記共通電極は透明電極材料からなり、前記データ線より前記液晶層に近い層上に形成されており、
前記データ線は、絶縁膜を挟んで、前記共通電極によって覆われており、
各単位素子毎に、前記第１の金属層からなる電気的なフローティングパターンを、前記データ線の外側の近傍もしくは、前記データ線と同一層で形成されるパターンの近傍に配置し、
前記フローティングパターンは、前記データ線の延在方向に有する前記データ線のエッジと平行に延在するエッジを、５μｍ以上にわたって、前記データ線の両側に有しており、前記第１の金属層形成後の前記第２の金属層形成の露光補正を行う構造を与えることを特徴とする横電界方式のアクティブマトリクス型液晶表示装置。
【請求項３】
前記共通電極配線の一部もしくは前記走査線の一部からなる突起もしくは窪みは、前記データ線を挟みこむように配置されることを特徴とする請求項１又は２に記載の横方向電界方式のアクティブマトリクス型液晶表示装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は液晶表示装置、特に、横電界方式のアクティブマトリクス型液晶表示装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
薄膜トランジスタ（（Thin Film Transistor）：以下、ＴＦＴとする）を画素のスイッチング素子として用いるアクティブマトリクス型液晶表示装置（以下、ＡＭＬＣＤと記す）は高品位の画質を有し、携帯型コンピュータの表示デバイス或いは最近では省スペースのデスクトップコンピュータのモニターとして幅広く用いられている。
【０００３】
ＡＭＬＣＤの種類には大きく区分して、配向した液晶分子の分子軸の方向（「ディレクタ」と呼ばれる）を基板に対して直交する面内において回転させ、表示を行う形式のものと、基板に対して平行な面内において回転させ、表示を行う形式のものがある。
【０００４】
前者の代表例がＴＮ（Twisted Nematic ：ねじれネマティック）モードの液晶表示装置であり、後者はＩＰＳ（In-Plane Switching）モード（横電界方式）の液晶表示装置と呼ばれる。
【０００５】
ＩＰＳモードの液晶表示装置は、基本的には、視点を動かしても液晶分子の短軸方向のみを見ていることになるため、液晶分子の「立ち方」の視野角に対する依存性が無く、ＴＮモードの液晶表示装置よりも広い視野角を達成することができる。
【０００６】
一般的に、液晶表示装置を製造するときは、基板上のパターニングはフォトマスクを用いたフォトリソグラフィにより行われる。
【０００７】
液晶パネルの大きさが大きくなると、液晶パネルパターンを基板全面に転写するフォトマスク自体が大きくなって非常に高価になることから、製造コスト低減のため、表示領域等の繰り返しのパターンは、サイズの小さいフォトマスクによって分割露光（一般にステッパ露光と称される）を行ってパターン形成することが多い。
【０００８】
しかしながら、ステッパ露光では基板内の表示領域で分割露光を行うため、上記層間の重ねを実行する際に、露光ショット毎に下地の層に対して精度よくパターン形成することと、隣り合う露光ショット同士で重ね差が小さいことが要求される。
【０００９】
隣り合う露光ショット同士で重ね差が大きい場合は、その露光ショット間で形成パターンの出来映えが異なるため、分割ムラと称される表示不良となる。
【００１０】
一方、ＩＰＳ液晶表示装置は広い視野角を有する一方で、開口部の面積が小さいというデメリットを併せもっており、近年開口部の面積増加技術の開発が盛んになってきている。
【００１１】
ＩＰＳモードの液晶表示装置として、特開平０７―０３６０５８号公報（以下、公知例１とする）で開示されたものがある。
【００１２】
公知例１に記載されたＩＰＳモードの液晶表示装置は、ＴＦＴアレイ基板において、最初に形成される走査線と同一金属層で共通電極が形成され、これと絶縁膜を挟んで形成される信号線と同一金属層で画素電極が形成される例が提案されている。
【００１３】
また、同じＩＰＳモードの液晶表示装置であっても、特開平１０−１８６４０７号公報（以下、公知例２とする）で開示された例の場合、実施の形態によっては、最初に形成される走査線と同一の層ではなく、最上層にのみ共通電極が形成される。
【００１４】
このようにすることにより、共通電極で信号線の電界を遮蔽することができ、画素の有効表示領域を広げることができるので、画素の開口率ひいては光利用効率を高めることができる。
【００１５】
【発明が解決しようとする課題】
通常大面積のＬＣＤをステッパを用いて露光しようとする場合、ショット間の位置精度が非常に高く要求される。
【００１６】
ステッパ露光を例に挙げて説明すると、基板へのパターン露光は、例えば図１のように分割して行う。透明絶縁性基板のサイズを３７Ｚのマスとすると、１Ｚ〜２０Ｚのマスは表示領域へ電圧を入力するための周辺端子部であり、液晶ディスプレイとしての表示領域は２１Ｚ〜３６Ｚのマスである（太線枠内）。
【００１７】
例えば２１Ｚの露光ショットのみが、ゲート層に対して右にずれた場合を図２に示す。ここで液晶の表示を行う単位素子のＴＦＴ素子付近のレイアウトが図３の場合、ゲート線に対して２１Ｚの露光ショットが右にずれると、２１Ｚの露光ショットで形成されたＴＦＴの特性のみがアモルファスシリコン層とオーバーラップしている面積が小さくなるため、液晶へ印加する電圧の書き込み特性及び保持特性の変化が発生し、露光ショット間で重ねズレが無い場合の液晶表示装置の均一な表示状態（図４）と比較すると、露光ショットがずれた領域のみ暗く見える不均一な表示状態となる（図５）。
【００１８】
このように隣り合う露光ショットにおいてゲート層に対してデータ線層の重ね状態が様々なズレ量でずれた場合は、表示ムラとして観察されるため、図６のような見え方をする分割ムラとなり、問題となる。
【００１９】
このような高精度のアラインメントを実施するために、できるだけ絶対位置精度を高めて行った第１層目の露光に引き続いて実施する第２層目以降の露光については、次のことを行うことが必要である。
【００２０】
まず、第１層目に形成されているアラインメントマーカを検出し、これを基準として、第１層目のパタンと設計通りの重なりが得られるようにプログラムして、試し露光を実施する。
【００２１】
このときのレジストパターンと第１層目のパターンとの位置関係を微寸測定機で測定し、これによりレジストパターンの最適な位置からのズレを検出し、露光プログラムにフィードバックを掛けることにより、より最適な位置への追い込みを掛ける必要がある。
【００２２】
上述の公知例１の場合、第１層目には信号線の長手方向に延伸する共通電極が存在するため、微寸測定機による横方向の位置測定には、これら複数の共通電極を基準として用いることで、横方向のアラインメントを精度よく行うことができる。
【００２３】
また、微寸測定機による縦方向の位置測定には、横方向に延伸する走査線もしくは共通電極に電位を供給する配線を用いることにより、縦方向のアラインメントを精度よく行うことができる。
【００２４】
しかし、上述の公知例２のように、第１層目に共通電極のように信号線の延伸方向に延伸するパターンが表示領域内に無い場合、微寸測定機による横方向の位置測定の基準になるものが無いため、横方向のアラインメントを精度よく実施することができず、これにより分割ムラが発生しやすいという問題を有していた。
【００２５】
本発明はこのような問題点に鑑みてなされたものであり、製造コストを上げることなく、表示ムラの少ない、且つ開口率を向上させることができるＩＰＳ型液晶表示装置を提供することを目的とする。
【００２６】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するために、請求項１に係る発明は、能動素子基板と、対向基板と、前記能動素子基板と前記対向基板との間に挟まれた状態で保持されている液晶層と、を少なくとも含む液晶表示装置であって、
前記対向基板は、ブラックマトリクス層を備え、
前記能動素子基板は、ゲート電極、ドレイン電極、ソース電極を有する薄膜トランジスタと、表示すべき画素に対応した画素電極と、基準電位が与えられる共通電極と、データ線と、走査線と、共通電極配線とを備え、
前記共通電極配線と前記走査線は第１の金属層からなり、同一工程で形成され、
前記データ線は、第２の金属層で形成され、前記第１の金属層形成後に形成され、
前記ゲート電極は前記走査線に、前記ドレイン電極は前記データ線に、前記ソース電極は前記画素電極に、前記共通電極は前記共通電極配線に、それぞれ電気的に接続されており、
前記画素電極と前記共通電極の間に印加される、前記能動素子基板の表面に略平行な電界により、前記液晶層の分子軸を前記能動素子基板に平行な面内において回転させることにより表示を行う横電界方式のアクティブマトリクス型液晶表示装置において、
前記共通電極は透明電極材料からなり、前記データ線より前記液晶層に近い層上に形成されており、
前記データ線は、絶縁膜を挟んで、前記共通電極によって覆われており、
各単位素子毎に、前記共通電極配線の一部もしくは前記走査線の一部からなる突起もしくは窪みを有し、前記突起もしくは窪みは、前記データ線の延在方向に有する前記データ線のエッジと平行に延在するエッジを、５μｍ以上にわたって、データ線の両側に有しており、前記第１の金属層形成後の前記第２の金属層形成の露光補正を行う構造を与えることを特徴とする横電界方式のアクティブマトリクス型液晶表示装置を提供する。
【００２７】
また、請求項２に係る発明は、能動素子基板と、対向基板と、前記能動素子基板と前記対向基板との間に挟まれた状態で保持されている液晶層と、を少なくとも含む液晶表示装置であって、
前記対向基板は、ブラックマトリクス層を備え、
前記能動素子基板は、ゲート電極、ドレイン電極、ソース電極を有する薄膜トランジスタと、表示すべき画素に対応した画素電極と、基準電位が与えられる共通電極と、データ線と、走査線と、共通電極配線とを備え、
前記共通電極配線と前記走査線は第１の金属層からなり、同一工程で形成され、
前記データ線は、第２の金属層で形成され、前記第１の金属層形成後に形成され、
前記ゲート電極は前記走査線に、前記ドレイン電極は前記データ線に、前記ソース電極は前記画素電極に、前記共通電極は前記共通電極配線に、それぞれ電気的に接続されており、
前記画素電極と前記共通電極の間に印加される、前記能動素子基板の表面に略平行な電界により、前記液晶層の分子軸を前記能動素子基板に平行な面内において回転させることにより表示を行う横電界方式のアクティブマトリクス型液晶表示装置において、
前記共通電極は透明電極材料からなり、前記データ線より前記液晶層に近い層上に形成されており、
前記データ線は、絶縁膜を挟んで、前記共通電極によって覆われており、
各単位素子毎に、前記第１の金属層からなる電気的なフローティングパターンを、前記データ線の外側の近傍もしくは、前記データ線と同一層で形成されるパターンの近傍に配置し、
前記フローティングパターンは、前記データ線の延在方向に有する前記データ線のエッジと平行に延在するエッジを、５μｍ以上にわたって、前記データ線の両側に有しており、前記第１の金属層形成後の前記第２の金属層形成の露光補正を行う構造を与えることを特徴とする横電界方式のアクティブマトリクス型液晶表示装置を提供する。
【００２８】
請求項１もしくは請求項２に係る発明を用いることにより、最初に形成される走査線及び共通電極配線と同一層で、信号線の長手方向に延伸するパターンが形成されるため、このパターンを微寸測定の基準とすることにより、第２層目以降のアラインメントを精度よく実施することができ、ステッパ露光に伴って生じる分割ムラの無い良好な高開口率のＩＰＳ液晶表示装置が得られる。
【００２９】
さらに、請求項３に係る発明は、前記共通電極配線の一部もしくは前記走査線の一部からなる突起もしくは窪みは、前記データ線を挟みこむように配置されることを特徴とする請求項１又は２記載に係る発明の横方向電界方式のアクティブマトリクス型液晶表示装置を提供する。
【００３０】
データ線を挟みこむように突起もしくは窪みを形成することにより、ＴＦＴのソース・ドレイン電極を形成する層（データ線と同一の層）と走査線を形成する層との間の微寸測定をより精度よく実施することができ、これらの間のアラインメントをさらに精度よく実施することができる。
【００３１】
さらに、好ましくは本発明は、前記共通電極配線の一部もしくは前記走査線の一部からなる前記データ線に延伸する突起のデータ線の延伸方向とは垂直な方向の幅は、２μｍ以上１０μｍ以下であることを特徴とする、横方向電界方式のアクティブマトリクス型液晶表示装置を提供する。
【００３２】
突起の幅を２μｍ以上１０μｍとすることにより、開口率を落とすことなく、微寸測定を精度よく安定に実施することができる。
【００３３】
さらに、好ましくは本発明は、前記共通電極配線の一部もしくは前記走査線の一部からなる突起もしくは窪みの前記データ線に平行に延伸する長さは、５μｍ以上開口部長さ以下であることを特徴とする、横方向電界方式のアクティブマトリクス型液晶表示装置を提供する。
【００３４】
突起もしくは窪みの長さを５μｍ以上、開口部の長さ以下とすることにより、微寸測定を精度よく安定に実施することができる。
【００３５】
さらに、好ましくは本発明は、前記共通電極配線及び前記走査線と同一の膜からなるパターンは、前記データ線の延伸方向に延伸し、且つ、データ線の延伸方向とは垂直な方向の幅は、２μｍ以上１０μｍ以下であることを特徴とする、横方向電界方式のアクティブマトリクス型液晶表示装置を提供する。
【００３６】
パターンの幅を２μｍ以上１０μｍ以下とすることにより、開口率を落とすことなく、微寸測定を精度よく安定に実施することができる。
【００３７】
さらに、好ましくは本発明は、前記共通電極配線及び前記走査線と同一の膜からなるパターンは、前記データ線の延伸方向に延伸し、且つ、前記データ線に平行に延伸する長さは、５μｍ以上開口部長さ以下であることを特徴とする、横方向電界方式のアクティブマトリクス型液晶表示装置を提供する。
【００３８】
パターンの長さを５μｍ以上開口部長さ以下とすることにより、微寸測定を精度よく安定に実施することができる。
【００３９】
さらに、好ましくは本発明は、前記データ線に平行に延伸する前記共通電極配線の一部もしくは前記走査線の一部からなる突起もしくは窪みもしくは、前記共通電極配線及び前記走査線と同一の膜からなるフローティング膜において、少なくとも一つは、ＲＧＢいずれかの画素のみに形成されることを特徴とする、横方向電界方式のアクティブマトリクス型液晶表示装置を提供する。
【００４０】
ＲＧＢのいずれかの画素に配することでも、十分微寸測定を精度よく安定に実施することができる。また、配置数を減らすことにより、開口率をさらに向上させることができる。
【００４１】
さらに、好ましくは本発明は、前記データ線に平行に延伸する前記共通電極配線の一部もしくは前記走査線の一部からなる突起もしくは窪みもしくは、前記共通電極配線及び前記走査線と同一の膜からなるフローティング膜において、少なくとも一つは、数画素おきに形成されることを特徴とする、横方向電界方式のアクティブマトリクス型液晶表示装置を提供する。
【００４２】
数画素おきに配することにでも、微寸測定を十分精度よく安定に実施することができる。また、配置数を減らすことにより、開口率をさらに向上させることができる。
【００４３】
さらに、好ましくは本発明は、前記データ線に平行に延伸する前記共通電極配線の一部もしくは前記走査線の一部からなる突起もしくは窪みもしくは、前記共通電極配線及び前記走査線と同一の膜からなるフローティング膜において、少なくとも一つは、絶縁膜を介して前記データ線の直下に形成されることを特徴とする、横方向電界方式のアクティブマトリクス型液晶表示装置を提供する。
【００４４】
データ線の直下に配することにより、開口率を落とすことなく、微寸測定が安定に実施できるパターンを形成することができる。また、これをフローティングとすることにより、データ線に容量負荷を与えることがないので、遅延を防止することができる。
【００４５】
好ましくは、能動素子基板と、対向基板と、前記能動素子基板と前記対向基板との間に挟まれた状態で保持されている液晶層と、を少なくとも含む液晶表示装置であって、前記対向基板は、色層と、ブラックマトリクス層とを備え、前記能動素子基板は、ゲート電極、ドレイン電極、ソース電極を有するＴＦＴと、表示すべき画素に対応した画素電極と、基準電位が与えられる共通電極と、データ線と、走査線と、共通電極配線と、データ線端子と、走査線端子と、共通電極配線端子とを備え、前記共通電極配線と前記走査線は同一材料でかつ同一工程で形成され、前記ゲート電極は前記走査線に、前記ドレイン電極は前記データ線に、前記ソース電極は前記画素電極に、前記共通電極は前記共通電極配線に、それぞれ電気的に接続されており、前記画素電極と前記共通電極との間に印加される、前記能動素子基板の表面に略平行な電界により、前記液晶層の分子軸を前記能動素子基板に平行な面内で回転させることにより表示を行う横電界方式のアクティブマトリクス型液晶表示装置の製造方法において、少なくとも表示領域のパターン形成は分割されたフォトマスクによる分割露光を行い、且つ前記共通電極配線が形成された層に対して、新たな層をフォトリソグラフィ法により、積層パターニングする際に、分割露光間の露光補正は、前記共通電極配線の突起もしくは窪みもしくは、前記共通電極配線と同一のフローティング膜のうち少なくとも一つにより、共通電極配線層との相対位置を微寸測定により、露光補正を行うアクティブマトリクス型液晶表示装置の製造方法を提供する。
【００４６】
上記製造方法を用いることにより、分割ムラの無い良好な高開口率のＩＰＳ液晶表示装置を製造することができる。
【００４７】
上記構成によって、本願発明の目的、すなわち製造コストを増加させることなく、開口率を向上させた上で且つ、分割ムラ等の表示ムラを防止したＩＰＳ液晶を提供すること、を達成することができる。
【００４８】
【発明の実施の形態】
次に、本発明の実施形態について、図面を参照して説明する。
【００４９】
図７、図８、図９に本発明の一実施形態に係る横電界方式のアクティブマトリクス型液晶表示装置を示す。図７は、本実施形態に係る液晶表示装置１０の平面図、図８は図７のＡ−Ａ’線における断面図、図９は図７の単位画素部分の回路図である。
【００５０】
図８に示すように、液晶表示装置１０は、能動素子基板１１と、対向基板１２と、能動素子基板１１と対向基板１２との間に挟まれた状態で保持されている液晶層１３とからなる。
【００５１】
対向基板１２は、透明絶縁性基板１６上に遮光膜としてブラックマトリクス層１７と、これと部分的に重なり合っている色層１８と、ブラックマトリクス層１７と色層１８の上に形成された透明なオーバーコート膜１９から形成されている。また、液晶表示パネル表面からの接触等による帯電が、液晶層１３へ電気的な影響を与えることを防止するために、透明絶縁性基板１６の裏面には、透明な導電層１５が形成されている。色層１８は、赤（Ｒ）、（Ｇ）及び青（Ｂ）の染料又は顔料を含む樹脂膜からなっている。
【００５２】
能動素子基板１１は、透明絶縁性基板２２上に、走査線２８及びゲート電極３０ｃを形成する第１の金属層と、その上に形成された第１の層間絶縁膜２３と、第１の層間絶縁膜２３上に形成された島状非晶質シリコン膜と、データ線２４及びＴＦＴ５０のソース電極３０ｂ、ドレイン電極３０ａを形成する第２の金属層と、この上に形成された第２の層間絶縁膜のうちの第１の膜２５ａと、第２の層間絶縁膜のうちの第２の膜２５ｂと、その上に透明電極材料により形成された共通電極２６及び画素電極２７とを有する。
【００５３】
また、第１の層間絶縁膜２３の上には、データ線２４とともに、後に説明する画素補助電極３５が形成されている。データ線２４及び画素補助電極３５は第２の金属層で形成されている。
【００５４】
尚、本明細書では、能動素子基板１１及び対向基板１２において、液晶層１３により近い層を上の層、液晶層１３からより遠い層を下の層と呼ぶ。
【００５５】
能動素子基板１１と対向基板１２とは、それぞれの上に配向膜３１、配向膜２０を配し、図７に示すように画素電極２７及び共通電極２６の延伸方向から、１０乃至３０度程度の角度を傾けた所定の方向に、液晶層１３がホモジニアス配向するように、ラビング処理がなされた後に、相互に向かい合うように貼り合わされている。この角度を液晶分子の初期配向方位という。
【００５６】
能動素子基板１１と対向基板１２との間には、液晶層１３の厚みを保持するためのスペーサー（図示せず）が配置されており、また、液晶層１３の周囲には、液晶分子を外部に漏らさないためのシール（図示せず）が形成されている。
【００５７】
ブラックマトリクス層１７は、データ線２４と重なり合う領域においては、隣の画素から漏れ出る光を遮光するために存在するため、データ線２４を完全に覆う透明電極材料からなる共通電極２６よりも幅狭にできており、共通電極を透過する光を遮らないように構成される。
【００５８】
図７に示すように、能動素子基板１１には、データ信号が供給されるデータ線２４と、基準電位が供給される共通電極配線２６ａ，２６ｂ及び共通電極２６と、表示すべき画素に対応する画素電極の他に、走査用信号が供給される走査線２８と、ＴＦＴ５０と、を備えている。
【００５９】
ＴＦＴ５０は、ゲート電極３０ｃと、ドレイン電極３０ａと、ソース電極３０ｂとを備えており、走査線２８とデータ線２４との交点の近傍に各画素に対応して設けられている。ゲート電極３０ｃは走査線２８に、ドレイン電極３０ａはデータ線２４に、ソース電極３０ｂは画素電極２７にそれぞれ電気的に接続されている。
【００６０】
共通電極２６及び画素電極２７はいずれも櫛歯形状をなしており、各電極の櫛歯はいずれもデータ線２４と平行に延びている。さらに、共通電極２６、画素電極２７の櫛歯は相互に噛み合うように、且つ、共通電極２６、画素電極２７の櫛歯が相互に隔置されるように、配置されている。
【００６１】
また、図７に示すように、透明電極材料で形成された共通電極２６は、共通電極用コンタクトホール３９ａを介して、共通電極配線２６ｂに接続される。
【００６２】
図１０は図７の平面図において、共通電極２６及び画素電極２７を形成する透明電極材料の層とそれ以外の層を分けて示した平面図である。
【００６３】
また、図１１は本実施形態に係る液晶表示装置１０のＴＦＴ素子部分、単位画素部分、単位画素部分の共通電極用コンタクトホール部を一つの図にまとめて示したものである。それぞれの部分は、図７と基本的に同じ図である図１２のＡ−Ａ’線，Ｂ−Ｂ’線，Ｃ−Ｃ’線における断面図として示されている。
【００６４】
図１１は第２の層間絶縁膜２５が第１の膜２５ａと第２の膜２５ｂの積層構造の場合である。第２の層間絶縁膜が単層構造の場合は、第２の層間絶縁膜の第１の膜は第２の層間絶縁膜の下の層、第２の層間絶縁膜の第２の膜は第２の層間絶縁膜の上の層と置き換えて考えることができる。
【００６５】
共通電極配線２６ｂ及び２６ａは、図１１及び図７に示すように、第１の金属層で形成され、走査線に平行な方向に延伸し、周辺部で共通電極電位に接続されている。
【００６６】
また、共通電極配線２６ａ及び２６ｂの少なくとも一方に、後に形成するデータ線２４の延伸方向にデータ線を挟みこむ形で、突起２９９ａ及び２９９ｂを形成する。
【００６７】
また、透明電極材料で形成された画素電極２７は、図７に示すように、画素電極用コンタクトホール３９ｂを介して、第２の金属層で形成され、ＴＦＴ５０のソース電極３０ｂと一体で形成された画素補助電極３５に接続されている。
【００６８】
横電界方式の本液晶表示装置１０においては、走査線２８を介して供給される走査用信号により選択され、且つ、データ線２４を介して供給されるデータ信号が書き込まれた画素において、共通電極２６と画素電極２７との間で、透明絶縁性基板１６、２２に平行な電界を生じさせ、この電界に従って液晶分子の配向方向を透明絶縁性基板１６，２２と平行な平面内において回転させ、所定の表示が行われる。図１において、共通電極２６と画素電極２７に囲まれた縦長の領域をコラムという。本液晶表示装置１０においては、共通電極２６及び画素電極２７はいずれも透明材料であるＩＴＯでつくられている。
【００６９】
本液晶表示装置１０においては、図１０及び図１１に示すように、第２の層間絶縁膜２５の下方に、第１の層間絶縁膜２３の上に第２の金属層で形成したＴＦＴ５０のソース電極３０ｂと一体で形成された画素補助電極３５を設けることができる。
【００７０】
画素補助電極３５は、図１０に示すように、第１の金属層で形成された共通電極配線２６ｂの上に、これとオーバーラップして蓄積容量を形成する第１部分３５ａと、同様に第１の金属層で形成された共通電極配線２６ａ上に、これとオーバーラップして蓄積容量を形成する第２部分３５ｂと、データ線２４と平行に延伸し、透明金属で形成された第２の層間絶縁膜２５上の画素電極２７の下方に位置し、上記第１部分３５ａ及び第２部分３５ｂとを接続する第３部分３５ｃとからなり、全体として、「Ｉ」の形状をなしている。
【００７１】
画素補助電極の第１乃至第３部分３５ａ，３５ｂ，３５ｃは第１の層間絶縁膜２３の上に、不透明な第２の金属層によって形成される。図１７から分かるように、ＴＦＴ５０のドレイン電極３０ａとソース電極３０ｂも第２の金属層から形成され、ソース電極３０ｂと画素補助電極３５は接続されている。このように不透明金属からなる画素補助電極３５を形成することにより、透過率は多少低下するが、画素補助電極３５を相互に接続することにより、画素の平面図上の上下両側に蓄積容量を形成することができるため、蓄積容量を大きくとることができ、表示を安定化することができる。尚、画素補助電極３５の形状は図１０に示したものに限定されるものではなく、画素電極２７の下方に位置している限り、いかなる形状をとることもできる。また、図１０には示していないが、画素補助電極３５と同様に、図１１の第１の層間絶縁膜２３上に第２の金属層で共通補助電極を形成し、第１の金属層で形成された共通電極配線２６ａ，２６ｂ及び共通電極２６と接続することもできる。
【００７２】
図１１から分かるように、ＴＦＴ５０のゲート電極３０ｃは第１の金属層から形成されている。このように共通電極２６を相互に接続することにより、画素の平面図上の上下両側に蓄積容量を形成することができるため、蓄積容量を大きくとることができ、表示を安定化することができる。
【００７３】
図７及び図８に示すように、共通電極２６はデータ線２４より上側の層上に形成されており、且つ、データ線２４が走査線２８と交差する領域及びその近傍の領域を除いて、共通電極２６はデータ線２４を完全に覆うように形成されている。すなわち、図１３に示すように、データ線２４の幅をＬ（Ｄ）、共通電極２６の幅をＬ（ＣＯＭ）とすると、
Ｌ（ＣＯＭ）＞Ｌ（Ｄ）
であり、且つ、データ線２４の幅Ｌ（Ｄ）は共通電極２６の幅Ｌ（ＣＯＭ）に包含される。図７において、データ線２４が走査線２８と交差する領域及びその近傍の領域は段差が大きいので、ショート防止のためにこの領域では、共通電極２６はデータ線２４を覆っていない。
【００７４】
前述のように、データ線２４上のブラックマトリクス層１７の幅は共通電極２６の幅よりも小さく設定され、上方から見た場合の平面図上、データ線を覆う共通電極２６とこれに隣接する位置にある画素電極２７との間には、いかなる遮光膜も存在していない。また、ブラックマトリクス層１７はデータ線２４よりも小さい幅を有しており、その全領域においてデータ線２４と重なり合っている。すなわち、図１４に示すように、データ線２４の幅をＬ（Ｄ）、ブラックマトリクス層１７の幅をＬ（ＢＭ）とすると、
Ｌ（Ｄ）＞Ｌ（ＢＭ）
であり、且つ、平面図上、ブラックマトリクス層１７の幅Ｌ（ＢＭ）はデータ線２４の幅Ｌ（Ｄ）に包含される。
【００７５】
ブラックマトリクス層１７がデータ線２４より小さい幅を有することにより、データ線２４を覆う透明な共通電極２６のはみだし部分からの透過光を全て利用することができ、パネル透過率をさらに向上させることができる。
【００７６】
本実施形態におけるブラックマトリクス層１７は６μｍの幅を有している。尚、ブラックマトリクス層１７の幅は６μｍに限定されるものではなく、６μｍ以上の任意の幅を有することが望ましい。６μｍ未満の場合、データ線２４からの反射が大きくなるため、明るい使用環境では見えにくくなる。
【００７７】
尚、共通電極２６は本液晶表示装置１０の端子を被覆する材料と同一材料から形成することができる。すなわち、図１１に示す共通電極用コンタクトホール３９ａのように端子を共通電極２６のＩＴＯと同じ層で形成することができる。走査線端子、データ線端子も同様に共通電極２６のＩＴＯと同じ層で形成することができる。
【００７８】
これにより、共通電極２６は本液晶表示装置１０の端子部と同じ工程で、且つ同じ材料で形成することが可能となり、ひいては、共通電極２６の形成のために工程数が増加することを防止することができる。
【００７９】
また、本液晶表示装置１０においては、平面図において、共通電極２６がデータ線２４を完全に覆っていない場合、データ線２４の電界を共通電極２６がシールドできない。このため、この部分とこれに隣接する画素電極２７との間に電界が発生し、この部分で液晶は誤動作する。すなわち、共通電極２６と画素電極２７との間の電位差で決まらない動きを行い、縦クロストークの原因となる。
【００８０】
対向基板１２にブラックマトリクス層１７があって、その幅が十分広い場合は、誤動作領域を観察者に対して遮光すればよいが、対向基板１２のブラックマトリクス層１７がデータ線２４を覆っていない場合は、データ線２４の下方に共通電極２６に接続された遮光層を設け、バックライトからの光を遮光することによって、誤動作領域を観察者に対して遮光することができる。この遮光層が共通電極２６に接続されていないと、電位的に不安定となり、画素電極２７との間にＤＣ電界を発生させてしまうか、もしくはクロストークなどの誤動作の原因となり得る。
【００８１】
具体的には、走査線２８を形成する第１の金属層で共通電極２６ａに接続された遮光層を形成する。共通電極配線２６ａ，２６ｂはスルーホール３９ａによって共通電極２６と接続されているので、共通電極配線２６ａ，２６ｂを遮光層にすることもできる。遮光層としては、例えばクロム，チタン，モリブデン，タングステン，アルミなどの単層や、これらの金属の積層構造を用いることができる。積層構造を用いることにより、さらに低抵抗化を図ることができる。
【００８２】
図７の平面図において、データ線２４が走査線２８と交差する箇所、及びその近傍では、共通電極２６はデータ線２４を覆っていない。従って、走査線２８と交差する箇所のデータ線２４の電界を共通電極２６はシールドできない。このため、この部分とこれに隣接する画素電極２７との間に電界が発生し、この部分で液晶は誤動作する。更に、走査線２８の電界によっても液晶は誤動作する。
【００８３】
しかし、共通電極配線２６ａ，２６ｂは走査線２８と同じ第１の金属層のため、共通電極配線２６ａ，２６ｂでこれらの誤動作領域を遮光することはできない。そこで、これらの誤動作領域はブラックマトリクス層１７によって遮光することが望ましい。
【００８４】
図１５はこの例であり、太線で囲まれた領域によって示されたブラックマトリクス層１７によって、走査線２８及びその近傍、走査線２８と画素電極２７との間及びその近傍を覆うことによって、これらの領域を遮光している。
【００８５】
本液晶表示装置１０における共通電極２６は透明材料であるＩＴＯから形成される。これにより、本液晶表示装置１０における透明領域が増大するので、本液晶表示装置１０における開口率を高めることができる。
【００８６】
ＩＴＯ膜のシート抵抗は１００Ω／□程度と大きいが、画素毎で、共通電極配線２６ａ又は２６ｂに接続し、ＩＴＯ層で形成した共通電極２６を、ＩＴＯ層でも横方向に接続することで、共通電極の配線全体の抵抗を下げ、且つ冗長性を持たせる効果がある。
【００８７】
図８から分かるように、共通電極２６とデータ線２４との間には、第２の層間絶縁膜２５が設けられている。この第２の層間絶縁膜２５の膜厚（ｄ）と誘電率（ε）をｄ／εを十分大きくとることにより、データ線２４と共通電極２６との間の寄生容量を低減させることができる。
【００８８】
さらに、縦クロストークの発生が抑制されることに伴い、データ線２４からの漏れ電界に起因して発生する表示不良を防止するためのブラックマトリクス層１７の形成は不要となる。従って、ブラックマトリクス層１７はコントラストの改善のためにのみ形成すればよいこととなり、ブラックマトリクス層１７の幅を短縮することが可能である。ブラックマトリクス層１７の幅を小さくすることに伴い、本液晶表示装置１０における開口率を大きくすることができる。
【００８９】
また、本液晶表示装置１０においては、共通電極２６と画素電極２７とはいずれも第２の層間絶縁膜２５上に形成されている。このように、共通電極２６と画素電極２７とを同層上に形成することにより、共通電極２６と画素電極２７とを同一工程において、且つ、同一材料で形成することができるようになり、ひいては、製造効率を向上させることができる。
【００９０】
上述のように、本液晶表示装置１０においては、データ線２４をシールドしている共通電極２６はＩＴＯから構成されている。ＩＴＯを用いることにより、共通電極２６を他の金属から構成する場合と比較して、本液晶表示装置１０の信頼性を向上させることができる。以下、その理由について説明する。
【００９１】
図１６に示すように、第２の層間絶縁膜２５上に、ＩＴＯ以外の金属からなる共通電極２６及び画素電極２７が形成されており、共通電極２６及び画素電極２７を覆って第２の層間絶縁膜２５上に厚さ５０乃至１００ナノメートル（ｎｍ）の配向膜３１が形成されているものとする。
【００９２】
仮に、配向膜３１にピンホール５１があると、このピンホール３２を介して、液晶層１３を構成する液晶材と共通電極２６及び画素電極２７を構成する金属とが電気化学反応を起こし、共通電極２６及び画素電極２７を構成する金属がイオン３３となって液晶層１３中に溶出することがある。このような金属イオン５２の液晶層１３中への溶出は液晶表示装置の表示ムラの原因となる。
【００９３】
特に、液晶層１３が極性の強い液晶材からなるものである場合には、金属イオン３３の液晶層１３中への溶出が一層激しくなる。横電界方式の液晶表示装置においては、大きな誘電率異方性Δεを有する材料を用いる必要があるため、金属イオン３３の溶出は特に多い。
【００９４】
このため、配向膜３１に接触して設けられる共通電極２６及び画素電極２７は液晶材との電気化学反応に対して安定な物質、すなわち、液晶材との反応性が低い物質であることが望まれる。
【００９５】
ＩＴＯは、ＴＮ（Twisted Nematic）やＳＴＮ（Super Twisted Nematic）型の液晶表示装置において透明電極として用いられていることからも明らかであるように、上記のような電気化学反応に対しては極めて安定している物質である。このため、ＩＴＯからなる共通電極２６及び画素電極２７は配向膜３１に直接的に接した形で用いることができ、共通電極２６及び画素電極２７をＩＴＯ以外の金属から構成する場合と比較して、本液晶表示装置１０の信頼性を向上させることができる。
【００９６】
本液晶表示装置１０においては、ほとんどの領域で共通電極２６はデータ線２４を完全に覆うように形成されているが、共通電極２６はデータ線２４の両側においてそれぞれ１．５μｍ以上の張り出し幅を有していることが好ましい。
【００９７】
本液晶表示装置１０における第２の層間絶縁膜２５は、例えば、１乃至２μｍの膜厚を有する。また、第２の層間絶縁膜２５は無機膜又は有機膜の何れかからなる単層膜として構成することができる。
【００９８】
或いは、図１１に示すように、第２の層間絶縁膜２５は、無機膜からなる第１の膜と、第１の膜を覆って形成され、有機膜からなる第２の膜とからなる積層膜構造とすることもできる。
【００９９】
有機膜の誘電率は無機膜の誘電率よりも低いため、層間絶縁膜を無機膜単体で構成する場合と比較して、このような積層膜構造とすることにより、層間絶縁膜全体の誘電率を下げることができる。
【０１００】
また、層間絶縁膜として、有機膜単体で構成すると、ＴＦＴの半導体層とこれを覆う有機膜との界面状態が不安定となり、高温で駆動させた場合に、ＴＦＴのリーク電流が増大して、表示ムラを引き起こす可能性がある。ＴＦＴの半導体層に接する第１の膜として、窒化シリコン膜のような無機膜を用い、この上に有機膜を積層することにより、無機膜と半導体層との間に安定な界面が形成され、上述のような不具合を抑止することができる。
【０１０１】
無機膜及び有機膜の使用例を表１に示す。
【０１０２】
【表１】
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【０１０３】
表１に示すように、第２の層間絶縁膜２５を無機膜単層とする場合には、無機膜としては、窒化シリコン（ＳｉＮｘ）膜、無機ポリシラザン膜、窒化シリコン膜と酸化シリコン膜との積層膜及び窒化シリコン膜と無機ポリシラザン膜との積層膜のいずれかを選択することができる。
【０１０４】
また、第２の層間絶縁膜２５を有機膜単層とする場合には、有機膜としては、ベンゾシクロブテン（ＢＣＢ）膜、有機ポリシラザン膜又はシロキサン膜のいずれかを選択することができる。
【０１０５】
さらに、第２の層間絶縁膜２５を第１の膜と第２との膜からなる積層膜構造とする場合には、第１の膜を窒化シリコン膜、第２の膜を感光性アクリル樹脂膜又は感光性ポリイミド樹脂膜のいずれかとすることができる。
【０１０６】
尚、表１においては、第２の層間絶縁膜２５を積層膜構造とする場合における無機膜の膜厚は０．１５μｍとしてあるが、無機膜の膜厚は必ずしもこれには限定されない。無機膜厚の好ましい範囲は約０．１乃至約１．０μｍである。
【０１０７】
さらに、表１に示した各膜の膜厚の値はあくまでも例示であり、表１に示した値に限定されるものではない。
【０１０８】
共通電極２６は透明材料からなるため、共通電極２６が占める領域の分だけ透明領域が増えることになり、本液晶表示装置１０の開口率の向上を図ることができる。
【０１０９】
また、共通電極配線２６ａを各単位素子の平面図において下側に、共通電極配線２６ｂを上側に形成することもできる。共通電極配線２６ａ，２６ｂを各単位素子のそれぞれ下側、上側に形成することにより、上下いずれか一方にのみ共通電極配線を形成する場合と比較して、蓄積容量を大きくすることができる。
【０１１０】
本液晶表示装置１０のように、ＴＦＴ５０を各単位画素の平面図の下側に配置した場合においては、図１７に示すように、例えば、画素電極２７とドレイン電極３０ａを形成しているドレイン層とは各単位素子の平面図上の下側においてコンタクトホール３９ｂを介して接続させ、共通電極２６と共通電極配線２６ｂとは、各単位素子の平面図上の上側において、コンタクトホール３９ａを介して接続させることができる。
【０１１１】
このように共通電極２６を、各単位画素毎にコンタクトホール３９ａ又は３９ｂを介して共通電極配線２６ａ又は２６ｂに接続することにより、共通電極２６の配線全体の低抵抗化を図ることができる。
【０１１２】
次いで、本実施形態に係る液晶表示装置１０の製造方法として、例を以下に挙げる。
【０１１３】
第２の層間絶縁膜２５は、無機膜と有機膜との積層構造として形成した場合の液晶表示装置１０の製造方法である（図１８から図２０）。
【０１１４】
図１８乃至図２０においては、ＴＦＴ素子部分、単位画素部分及び共通電極用コンタクトホール部のそれぞれの形成領域を一つの図にまとめて示すこととする。それぞれの領域は図１２のＡ−Ａ’線，Ｂ−Ｂ’線，Ｃ−Ｃ’線における断面図として示されている。
【０１１５】
上述のように、最初にフォトリソグラフィを用いて形成する走査線と同一層で、共通電極配線２６ａ及び２６ｂの少なくとも一方に、後に形成するデータ線２４の延伸方向にデータ線を挟みこむ形で、突起２９９ａ及び２９９ｂが形成される。
【０１１６】
従って、第２層目以降の露光では、横方向の位置精度を高めるために、試し露光を実施した後、レジストパターンの横方向の重ね状態を微寸測定機で測定する際の基準として、上記共通電極配線の突起２９９ａ及び２９９ｂを用いることができる。
【０１１７】
この突起２９９ａ及び２９９ｂが無い場合には、第１層目のパターンには、上記横方向の微寸測定の基準となるパターンが無いため、横方向のアラインメントを精度よく行うことができず、分割ムラが発生しやすい状態となるのに対して、上記突起２９９ａ及び２９９ｂが存在することにより、第２層目以降の露光を第１層目のパターンに対して重ね精度よく実施することができるため、分割ムラの無い良好な表示を得ることができる。
【０１１８】
また、この突起２９９ａ及び２９９ｂは、共通電極電位に固定されているため、電気的にも安定であり、表示領域にＤＣ電界を発生させて、表示を劣化させるといった問題を引き起こすことがない。
【０１１９】
以上のように、本発明を用いることにより、信頼性が高く、高開口率で広視野角の液晶表示装置を得ることができる。
【０１２０】
以下、具体的な実施例について更に説明する。
【０１２１】
（第１の実施例）
第１の実施例として、第２の層間絶縁膜２５を無機膜と有機膜との積層構造として形成した場合の液晶表示装置１０の製造方法を図１８乃至図２０に示す。
【０１２２】
まず、図１８（Ａ）に示すように、透明絶縁性基板２２としてのガラス基板上に第１の金属層としてクロム層からなるゲート電極３０ｃ及び共通電極配線２６ａ，２６ｂをフォトリソグラフィ及びドライエッチングによりパターニングし、形成する。図１８乃至図２０の断面図には共通電極配線２６ｂのみ示されているが、製造工程としては共通電極配線２６ａも含むため、以下の説明には２６ａも含めることにする。
【０１２３】
フォトリソグラフィとは、パターニングする膜を透明絶縁性基板２２の表面全面に堆積し、次いでスピンコートで感光性の樹脂を同じく透明絶縁性基板２２の表面全面に成膜し、この感光性の有機膜レジストに所望のパターンになるように、所望のパターンのみ遮光したフォトマスクにより、感光性の有機膜レジストを硬化させるように、特定の波長を有する光を露光し、感光して変質した有機膜レジスト以外の有機膜レジストを除去するように、特定の現像液で処理することを指す。残存したレジストをパターニングする膜の保護膜として機能させ、この状態でエッチングを行い、しかる後にレジストを剥離液に浸して除去することで、パターニングする膜のパターン形成が完了する。
【０１２４】
共通電極配線２６ａ及び２６ｂの少なくとも一方には、後に形成するデータ線２４を挟みこむ形で、データ線の長手方向に平行に延伸する突起の幅が２μｍ以上で１０μｍ以下かつその長さ５μｍ以上で開口部の長さを超えない突起２９９ａ，２９９ｂを形成する。
【０１２５】
ここでは共通電極配線の突起に、幅が２μｍで、且つ長さが２０μｍの２９９ａ，２９９ｂを例として記載する。
【０１２６】
次いで、図１８（Ｂ）に示すように、ゲート電極３０ｃ及び共通電極配線２６ａ，２６ｂ及び共通電極配線の突起２９９ａ，２９９ｂを覆って、透明絶縁性基板２２上に酸化シリコン膜（ＳｉＯ2 ）と窒化シリコン膜（ＳｉＮｘ）との積層膜からなる第１の層間絶縁膜２３を一面に形成する。
【０１２７】
次いで、図１８（Ｃ）に示すように、ａ−Ｓｉ膜３２とｎ＋ａ−Ｓｉ膜３３の積層膜からなる非晶質シリコン膜を第１の層間絶縁膜２３の上に一面に形成する。
【０１２８】
次いで、図１８（Ｄ）に示すように、非晶質シリコン膜３２，３３をフォトリソグラフィ及びドライエッチングによりＴＦＴの島状半導体層となるようにパターニングする。
【０１２９】
ここで、非晶質シリコン膜３２，３３へのフォトリソグラフィにおける露光は、ゲート電極３０ｃ及び共通電極配線２６ａ，２６ｂである下地の第１の金属層で目合わせ用のマーカーを作成しておき、これを基準に行う。
【０１３０】
下地の第１の金属層には、横方向に延伸した成分として、ゲート電極３０ｃ及び共通電極配線２６ａ及び２６ｂが、縦方向に延伸した成分として、共通電極配線の突起２９９ａ及び２９９ｂが存在するため、これを目印に非晶質シリコン３２，３３の露光工程及び現像工程を通って残存した有機膜レジストパターンについて、図２１に示すような平行線を測定し、横方向、縦方向にずれている量を露光ショット毎に微寸測定機で測定することが可能である。
【０１３１】
微寸測定機で寸法精度を測長する場合、読み取り誤差が大きくならないようにするためには、２μｍ以上の幅を持っているパターンである必要がある。また、突起の長さについて５μｍ以上必要である。突起の幅については、２μｍ以上であればよいが、あまり大きくなると開口部面積を不透明材料である共通電極配線で遮光してしまうため、１０μｍ以下であることが望ましい。突起の長さについても微寸測定上は５μｍ以上あればよいが、あまり長くなると透明材料で形成する共通電極を透過する有効な光を遮光するだけでなく、データ線との寄生容量が大きくなり、フリッカ及び横クロストーク等の表示不良になるため、開口部長さ以下、望ましくは２０〜４０μｍとあまり長くないほうがよい。
【０１３２】
ここでは共通電極配線の突起２９９ａ、２９９ｂの突起は、その幅２μｍであり、その長さ２０μｍであるため、読み取り誤差が大きくない範囲である。
【０１３３】
ここで、非晶質シリコンへのパターニングが露光ショット毎に、第１の金属層に対してずれている場合、感光して変質したレジストを剥離液に浸すことで除去することができる。しかる後に、改めて感光性の有機膜レジストをスピンコートで成膜し、微寸測定機で測長された情報をもとに露光データに補正を掛けて、下地の第１の金属層に対して正確なパターン形成を行うことができる。
【０１３４】
次いで、第２の金属層としてクロム層を一面に堆積させ、このクロム層をフォトリソグラフィ及びドライエッチングによりパターニングし、図１８（Ｅ）に示すように、第２の金属層でＴＦＴ５０のドレイン電極３０ａ、ソース電極３０ｂ、データ線２４、画素補助電極３５を形成する。
【０１３５】
ここでも図１８（Ｄ）と同様に、図１８（Ｅ）に示すように、第２の金属層からなるＴＦＴ５０のドレイン電極３０ａ、ソース電極３０ｂ、データ線２４、画素補助電極３５へのフォトリソグラフィによる露光は、ゲート電極３０ｃ及び共通電極配線２６ａ，２６ｂである下地の第１の金属層で目合わせ用のマーカーを作成しておき、これを基準に行う。
【０１３６】
非晶質シリコン膜のパターニングと同様に、図２２に示すような平行線を測定し、横方向及び縦方向にずれている量を露光ショット毎に微寸測定機で測定することができるため、非晶質シリコン膜のパターニングと同様に、下地の第１の金属層に対して正確なパターン形成を行うことができる。
【０１３７】
次いで、図１８（Ｆ）に示すように、ドレイン電極３０ａとソース電極３０ｂとの間の開口部において、非晶質シリコン膜の途中まで、ｎ＋型ａ−Ｓｉ膜３３及びａ−Ｓｉ膜３２をドレイン電極３０ａ及びソース電極３０ｂをマスクとしてエッチングし、ＴＦＴ５０のチャネルを形成する。
【０１３８】
次いで、図１９（Ｇ）に示すように、無機膜としての窒化シリコン膜からなる第２の層間絶縁膜２５の第１の膜２５ａを全面に堆積させる。
【０１３９】
次いで、図１９（Ｈ）に示すように、窒化シリコン膜からなる第２の層間絶縁膜２５の第１の膜２５ａの上に有機膜としての感光性アクリル樹脂膜からなる第２の層間絶縁膜２５の第２の膜２５ｂを堆積させる。
【０１４０】
次いで、図１９（Ｉ）に示すように、第２の層間絶縁膜の第２の膜２５ｂの感光性アクリル樹脂膜を露光、現像、焼成し、ソース電極３０ｂの上方において、第１の層間絶縁膜２３の窒化シリコン膜に到達する画素電極用コンタクトホール３９ｂを形成し、同時に、共通電極配線２６ｂの上方において、第１の層間絶縁膜２３の窒化シリコン膜に到達する共通電極用コンタクトホール３９ａを形成する。
【０１４１】
ここで、第２の層間絶縁膜の第２の膜２５ｂの感光性アクリル樹脂膜へのフォトリソグラフィによる露光は、第１の金属層からなる目合わせマーカーもしくは、第２の金属層からなる目合わせマーカーを基準に行う。この基準は、コンタクトホール３９ａ，３９ｂが第１の金属層パターンと第２の金属層パターンのどちらにマージンが少ない方に合わせて決定される。
【０１４２】
次いで、図２０（Ｊ）に示すように、画素電極用コンタクトホール３９ｂ、共通電極用コンタクトホール３９ａを介して、露出している第２の層間絶縁膜２５の第１の膜２５ａの窒化シリコン膜をエッチングし、共通電極用コンタクトホール３９ａの場合には、さらに酸化シリコン膜（SｉＯ2）と窒化シリコン膜（ＳｉＮｘ）との積層膜からなる第１の層間絶縁膜２３をエッチングし、画素電極用コンタクトホール３９ｂ、共通電極用コンタクトホール３９ａをそれぞれソース電極３０ｂ、共通電極配線２６ａもしくは２６ｂに到達させる。
【０１４３】
ここで、第２の層間絶縁膜の第１の膜２５ａの窒化膜シリコン膜へのフォトリソグラフィによる露光は、第１の金属層からなる目合わせマーカーもしくは、第２の金属層からなる目合わせマーカーを基準に行う。この基準は、コンタクトホール３９ａ，３９ｂが第１の金属層パターンと第２の金属層パターンのマージンが少ない方に合わせて決定される。
【０１４４】
次いで、ＩＴＯ４６を全面に堆積させ、各コンタクトホール３９ａ，３９ｂの内壁をＩＴＯ４６で覆うとともに、図２０（Ｋ）に示すように、フォトリソグラフィ及びエッチングにより、単位素子の形成領域内において、ＩＴＯ４６からなる共通電極２６及び画素電極２７を形成する。
【０１４５】
ここで、ＩＴＯ４６へのフォトリソグラフィによる露光は、第２の金属層からなる目合わせマーカーを基準に行う。これは、データ線を覆うＩＴＯからなる共通電極２６がデータ線２４に対してずれてしまうと、縦クロストークが発生するからである。
【０１４６】
このような突起を形成することにより、その後に形成される非晶質シリコン層及び第２の金属層の露光ズレに対する露光ズレ補正を掛けることができるため、開口率を向上した上で、製造コストを上げることなく、分割ムラ等の表示ムラの無い液晶表示装置を製造することができる。
【０１４７】
（第２の実施例）
第２の実施例は、基本的には第１の実施例に対応する、図７に示された平面構造を、第１の金属層及び第２の金属層で形成される領域（Ａ）と、ＩＴＯで形成される領域（Ｂ）に分けて示した平面図１０と同一であり、その製造プロセスも同一である。相違点は、データ線の長手方向に平行に延伸する、共通電極配線２６ａに形成した突起の形状が異なる。
【０１４８】
第１の実施例では、突起２９９ａ及び突起２９９ｂがデータ線２４を挟みこむ形で配しているのに対し、第２の実施例では、図２３に示すように、データ線に隣接する形で、共通電極配線２６ａの突起は一つのみ（２９９ａ）形成し、その幅を太くしている。第２の実施例における突起２９９ａの幅は５μｍであり、その窪み長さは５μｍである。突起の幅が十分太ければ、突起幅を測長することで、その後に形成される非晶質シリコン層及び第２の金属層の露光ズレに対する露光ズレ補正を掛けることができるため、開口率を向上した上で、製造コストを上げることなく、分割ムラ等の表示ムラの無い液晶表示装置を製造することができる。
【０１４９】
（第３の実施例）
第３の実施例は、基本的には第１の実施例に対応する、図７に示された平面構造を、第１の金属層及び第２の金属層で形成される領域（Ａ）と、ＩＴＯで形成される領域（Ｂ）に分けて示した平面図１０と同一であり、その製造プロセスも同一である。相違点は、データ線の長手方向に平行に延伸する、共通電極配線２６ａに形成する突起の形状が異なる。
【０１５０】
第１の実施例では、突起２９９ａ及び突起２９９ｂがデータ線２４を挟みこむ形で、近接して配されているのに対し、第３の実施例では、図２４に示すように、データ線に隣接する形で、共通電極配線２６ａの突起２９９ａを一つ配し、少し離れてもう一つの突起２９９ｃを形成している。
【０１５１】
このような突起配置においても、その後に形成される非晶質シリコン層及び第２の金属層の露光ズレに対する露光ズレ補正を掛けることができるため、開口率を向上した上で、製造コストを上げることなく、分割ムラ等の表示ムラの無い液晶表示装置を製造することができる。
【０１５２】
（第４の実施例）
第４の実施例は、基本的には第２の実施例に対応する平面図を、第１の金属層及び第２の金属層で形成される領域（Ａ）と、ＩＴＯで形成される領域（Ｂ）に分けて示した平面図２３と同一であり、その製造プロセスも同一である。相違点は、データ線の長手方向に平行に延伸する、共通電極配線２６ａに形成した突起の形状が異なる。
【０１５３】
第２の実施例では、共通電極配線２６ａに設けられた突起２９９ａが全ての画素に配されているのに対し、第４の実施例では、図２５に示すような突起２９９ａを、赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）の画素に対して、Ｒの画素のみに配した。
【０１５４】
このような突起配置においても、その後に形成される非晶質シリコン層及び第２の金属層の露光ズレに対する露光ズレ補正を掛けることができるため、開口率を向上した上で、製造コストを上げることなく、分割ムラ等の表示ムラの無い液晶表示装置を製造することができる。
【０１５５】
また、突起２９９ａは、Ｒの画素のみとは限定されず、ＢのみもしくはＧのみとすることもできる。また、ＲＧＢを一単位としたとき、ニ単位に１個とすることもできるし、またそれ以上の数単位に１個配することもできる。
【０１５６】
このような突起配置においても、その後に形成される非晶質シリコン層及び第２の金属層の露光ズレに対する露光ズレ補正を掛けることができるため、開口率を向上した上で、製造コストを上げることなく、分割ムラ等の表示ムラの無い液晶表示装置を製造することができる。
【０１５７】
（第５の実施例）
第５の実施例は、基本的には第１の実施例に対応する、図７に示された平面構造を、第１の金属層及び第２の金属層で形成される領域（Ａ）と、ＩＴＯで形成される領域（Ｂ）に分けて示した平面図１０と同一であり、その製造プロセスも同一である。相違点は、データ線の長手方向に平行に延伸する、共通電極配線２６ａに形成した突起の形状が異なる。
【０１５８】
第１の実施例では、突起２９９ａ及び突起２９９ｂがデータ線２４を挟みこむ形で、近接して配されているのに対し、第３の実施例では、図２６に示すように、画素補助電極３５を挟みこむ形で、共通電極配線２６ａの突起を２つ（２９９ａ，２９９ｂ）配している。
【０１５９】
このような突起配置においても、その後に形成される非晶質シリコン層及び第２の金属層の露光ズレに対する露光ズレ補正を掛けることができるため、開口率を向上した上で、製造コストを上げることなく、分割ムラ等の表示ムラの無い液晶表示装置を製造することができる。
【０１６０】
（第６の実施例）
第６の実施例は、基本的には第１の実施例に対応する、図７に示された平面構造を、第１の金属層及び第２の金属層で形成される領域（Ａ）と、ＩＴＯで形成される領域（Ｂ）に分けて示した平面図１０と同一であり、その製造プロセスも同一である。
【０１６１】
相違点は、第１の実施例では、データ線の長手方向な平行に延伸する、共通電極配線２６ａに突起を形成したのに対し、第６の実施例では、図２７に示すように、データ線２４を挟みこむ形で、データ線の長手方向に平行に延伸する、第１の金属層からなるフローティング膜３００ａ，３００ｂが配され、どの電極にも電気的に接続していない、いわゆるフローティングの状態にある。
【０１６２】
このような配置においても、その後に形成される非晶質シリコン層及び第２の金属層の露光ズレに対する露光ズレ補正を掛けることができるため、開口率を向上した上で、製造コストを上げることなく、分割ムラ等の表示ムラの無い液晶表示装置を製造することができる。
【０１６３】
（第７の実施例）
第７の実施例は、基本的には第１の実施例に対応する、図７に示された平面構造を、第１の金属層及び第２の金属層で形成される領域（Ａ）と、ＩＴＯで形成される領域（Ｂ）に分けて示した平面図１０と同一であり、その製造プロセスも同一である。
【０１６４】
相違点は、第１の実施例では、データ線の長手方向に平行に延伸する、共通電極配線２６ａに突起を形成したのに対し、第７の実施例では、図２８に示すように、データ線２４の直下に、データ線の長手方向に平行な延伸形状をとる、第１の金属層からなるフローティング膜３００が配され、どの電極にも電気的に接続していない、いわゆるフローティングの状態にある。
【０１６５】
図２８に示される領域（Ａ）を、第１の金属層及び非晶質シリコン層で形成される領域（Ｃ）と、第２の金属層で形成される領域（Ｄ）に分けて示した平面図２９を示す。
【０１６６】
このような配置においても、その後に形成される非晶質シリコン層及び第２の金属層の露光ズレに対する露光ズレ補正を掛けることができるため、開口率を向上した上で、製造コストを上げることなく、分割ムラ等の表示ムラの無い液晶表示装置を製造することができる。
【０１６７】
（第８の実施例）
第８の実施例は、基本的には第１の実施例に対応する、図７に示された平面構造を、第１の金属層及び第２の金属層で形成される領域（Ａ）と、ＩＴＯで形成される領域（Ｂ）に分けて示した平面図１０と同一であり、その製造プロセスも同一である。相違点は、共通電極配線２６ａに突起ではなく、データ線の長手方向に平行な延伸形状をとる窪みをしている点が異なる。
【０１６８】
第１の実施例では、突起２９９ａ及び突起２９９ｂがデータ線２４を挟みこむ形で配しているのに対し、第８の実施例では、図３０に示すように、データ線２４に隣接する形で、共通電極配線２６ａに窪み３０１を形成している。窪みの幅は第２の実施例の突起幅と同様、太く形成する。本実施例では、窪みの幅が５μｍ、窪みの長さが５μｍである。
【０１６９】
窪みの幅が十分太ければ、窪み幅を測長することで、その後に形成される非晶質シリコン層及び第２の金属層の露光ズレに対する露光ズレ補正を掛けることができるため、開口率を向上した上で、製造コストを上げることなく、分割ムラ等の表示ムラの無い液晶表示装置を製造することができる。
【０１７０】
（第９の実施例）
第９の実施例は、基本的には第８の実施例に対応する、単位素子の平面構造を、第１の金属層及び第２の金属層で形成される領域（Ａ）と、ＩＴＯで形成される領域（Ｂ）に分けて示した平面図３０と同一であり、その製造プロセスも同一である。相違点は、共通電極配線２６ａに形成する、データ線の長手方向に平行な延伸形状をとる、窪みの形状が異なる。
【０１７１】
第８の実施例では、窪み３０１がデータ線２４に隣接する形で、共通電極２６ａに形成されているのに対し、第９の実施例では、図３１に示すように、データ線２４を挟みこむ形で、共通電極配線２６ａに窪み３０１ａ，３０１ｂを形成している。窪みの幅は第８の実施例の窪みの幅よりは細くでき、本実施例では、窪みの幅が２μｍ、窪みの長さが５μｍである。
【０１７２】
窪みの幅が細くても、２つの窪みの両エッジを測長することで、その後に形成される非晶質シリコン層及び第２の金属層の露光ズレに対する露光ズレ補正を掛けることができるため、開口率を向上した上で、製造コストを上げることなく、分割ムラ等の表示ムラの無い液晶表示装置を製造することができる。
【０１７３】
（第１０の実施例）
第１０の実施例は、基本的には第８の実施例に対応する、単位素子の平面構造を、第１の金属層及び第２の金属層で形成される領域（Ａ）と、ＩＴＯで形成される領域（Ｂ）に分けて示した平面図３０と同一であり、その製造プロセスも同一である。相違点は、共通電極配線２６ａに形成したデータ線の長手方向に平行な延伸形状をとる、窪みの形状が異なる。
【０１７４】
第８の実施例では、窪み３０１がデータ線２４に隣接する形で、共通電極２６ａに形成されているのに対し、第１０の実施例では、図３２に示すように、データ線２４を挟みこむ形で、共通電極配線２６ａのうち、後に形成する第２の金属層からＩＴＯを電気的に接続するコンタクトホール３９ｂの近傍を抉り取る形の窪み３０１ｃを形成している。図３２の領域（Ａ）をさらに第１の金属層及び非晶質シリコン層で形成される領域（Ｃ）と、第２の金属層で形成される領域（Ｄ）に分けて示した平面図３３を参照すると、窪み３０１ｃの形状がよく分かる。窪み３０１ｃの幅は第８の実施例の突起幅より太く形成し、本実施例では、窪みの幅が２０μｍ、窪みの長さが８μｍである。
【０１７５】
窪み３０１ｃの両エッジを測長することで、その後に形成される非晶質シリコン層及び第２の金属層の露光ズレに対する露光ズレ補正を掛けることができるため、開口率を向上した上で、製造コストを上げることなく、分割ムラ等の表示ムラの無い液晶表示装置を製造することができる。
【０１７６】
（第１１の実施例）
第１１の実施例は、基本的には第１の実施例に対応する、図７に示された平面構造を、第１の金属層及び第２の金属層で形成される領域（Ａ）と、ＩＴＯで形成される領域（Ｂ）に分けて示した平面図１０と同一であり、その製造プロセスも同一である。相違点は、データ線の長手方向に平行な延伸形状をとる、共通電極配線に形成する突起に関して、突起を形成する共通電極配線が異なる。
【０１７７】
第１の実施例では、突起２９９ａ及び突起２９９ｂが、共通電極配線２６ａに形成されているのに対し、図３４に示すように、第１１の実施例では、共通電極配線２６ｂに形成されている。第１１の実施例における突起２９９ｄ，２９９ｅの幅は２μｍであり、その突起長さは２０μｍである。突起の幅が細くても２つの突起の両エッジを測長することで、その後に形成される非晶質シリコン層及び第２の金属層の露光ズレに対する露光ズレ補正を掛けることができるため、開口率を向上した上で、製造コストを上げることなく、分割ムラ等の表示ムラの無い液晶表示装置を製造することができる。
【０１７８】
（第１２の実施例）
第１２の実施例は、基本的には第９の実施例に対応する、単位素子の平面構造を、第１の金属層及び第２の金属層で形成される領域（Ａ）と、ＩＴＯで形成される領域（Ｂ）に分けて示した平面図３１と同一であり、その製造プロセスも同一である。相違点は、データ線の長手方向に平行な延伸形状をとる、共通電極配線に形成する窪みに関して、窪みを形成する共通電極配線と、窪みの個数が異なる。
【０１７９】
第８の実施例では、窪み３０１がデータ線２４に隣接する形で、共通電極２６ａに形成されているのに対し、第１２の実施例では、図３５に示すように、データ線２４を挟みこむ形で、共通電極配線２６ｂに窪み３０１ｄ，３０１ｅを形成している。窪みの幅は、本実施例では、窪みの幅が２μｍ、窪みの長さが５μｍである。
【０１８０】
窪みの幅が細くても、２つの窪みの両エッジを測長することで、その後に形成される非晶質シリコン層及び第２の金属層の露光ズレに対する露光ズレ補正を掛けることができるため、開口率を向上した上で、製造コストを上げることなく、分割ムラ等の表示ムラの無い液晶表示装置を製造することができる。
【０１８１】
（第１３の実施例）
第１３の実施例は、基本的には第１の実施例に対応する、単位素子の平面構造を、第１の金属層及び第２の金属層で形成される領域（Ａ）と、ＩＴＯで形成される領域（Ｂ）に分けて示した平面図１０と同一であり、その製造プロセスも同一である。相違点は、第１の金属層に形成する、データ線の長手方向に平行な延伸形状をとる、突起と窪みに関して異なる。
【０１８２】
第１の実施例では、データ線２４を挟みこむ形で、共通電極配線２６ａに２つの突起が形成されているのに対し、第１３の実施例では、図３６に示すように、走査線２８の一部に突起２８ａを形成し、且つ、共通電極配線２６ｂに窪み３０１ｆを形成する。
【０１８３】
突起２８ａの幅は５μｍで、長さが５μｍであり、窪み３０１ｆの幅は５μｍで、長さが５μｍである。本実施例では、走査線２８と共通電極配線２６ａ，２６ｂが同一材料で、同一工程で形成しているため、両者が電気的に短絡するのを防止するように、突起２８ａと窪み３０１ｆが形成される。
【０１８４】
突起２８ａの両エッジもしくは、窪み３０１ｆの両エッジを測長することで、その後に形成される非晶質シリコン層及び第２の金属層の露光ズレに対する露光ズレ補正を掛けることができるため、開口率を向上した上で、製造コストを上げることなく、分割ムラ等の表示ムラの無い液晶表示装置を製造することができる。
【０１８５】
（第１４の実施例）
第１４の実施例は、基本的には第１３の実施例に対応する、単位素子の平面構造を、第１の金属層及び第２の金属層で形成される領域（Ａ）と、ＩＴＯで形成される領域（Ｂ）に分けて示した平面図３６と同一であり、その製造プロセスも同一である。相違点は、第１の金属層に形成する、データ線の長手方向に平行な延伸形状をとる、突起と窪みに関して異なる。
【０１８６】
第１３の実施例では、走査線２８の一部に突起２８ａを形成し、且つ、共通電極配線２６ｂに窪み３０１ｆを形成しているのに対し、第１４の実施例では、図３７に示すように、走査線２８の一部に窪み２８ｂを形成する。窪み２８ｂの幅は５μｍで、長さが５μｍである。
【０１８７】
窪み２８ｂの両エッジを測長することで、その後に形成される非晶質シリコン層及び第２の金属層の露光ズレに対する露光ズレ補正を掛けることができるため、開口率を向上した上で、製造コストを上げることなく、分割ムラ等の表示ムラの無い液晶表示装置を製造することができる。
【０１８８】
ここまで液晶表示装置の単位素子構造について、液晶駆動電極である共通電極と画素電極が直線タイプのみ詳細に記述してきたが、製造コストを上げることなく、表示ムラを防止した液晶表示装置を提供するという点に関しては、液晶駆動電極が折れ曲った、いわゆるマルチドメイン単位素子構造についても、共通電極配線に突起を設けると同様の効果を得ることができる。
【０１８９】
また、共通電極と画素電極について、同一層で形成したものについてのみ言及してきたが、製造コストを上げることなく、表示ムラを防止した液晶表示装置を提供するという点に関しては、この両者が互いにもう一層の、第３の層間絶縁膜を介して配置されても、同様の効果を得ることができる。
【０１９０】
また、上記実施例のいずれの場合においても、アラインメント露光時の微寸測定の基準となり得る突起もしくは窪みを全ての画素に配するのではなく、例えば、赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）の画素に対して、Ｒの画素のみに配することもできる。
【０１９１】
また、配する位置を、Ｒの画素ではなく、ＢのみもしくはＧのみとすることもできる。
【０１９２】
また、ＲＧＢを一単位としたとき、ニ単位に１個とすることもできるし、またそれ以上の数単位に１個配することもできる。
【０１９３】
このように配した場合でも、横方向の微寸測定が可能となり、正確なアラインメントを実施することができ、分割ムラ等の表示ムラの無い液晶表示装置を製造することができる。
【０１９４】
尚、上記の各実施形態の説明においては、本発明の特徴となる部分について主に説明し、本分野において通常の知識を有する者にとって既知の事項については特に詳述していないが、たとえ記載が無くてもこれらの事項は上記の者にとっては類推可能な事項に属する。
【０１９５】
【発明の効果】
以上のように、本発明に係る液晶表示装置によれば、発明が解決しようとする課題に記載した本発明の具体的目的、すなわち、
製造コストを上げることなく、開口率を向上させ、且つ分割ムラ等の表示ムラの無いＩＰＳモードの液晶表示装置を提供することを達成することができる。
【０１９６】
本発明者の実験によれば、従来の液晶表示装置に比べ、製造コストを上げることなく、液晶表示装置の開口率を向上させ、且つ分割ムラ等の表示ムラの無いＩＰＳ型液晶表示装置を製造することができた。
【図面の簡単な説明】
【図１】フォトリソグラフィ法における分割露光が、理想的に行われた場合の露光ショット例を示した図である。
【図２】フォトリソグラフィ法における分割露光が、特定の露光ショットのみ、ずれた場合の露光ショットを示した図である。
【図３】図１、図２における、理想的な出来あがり単位素子（ＴＦＴ素子近傍のみ）図（ａ）と、データ線層がゲート線層に対して右にずれた場合の、出来あがり単位素子図（ｂ）を示した図である。
【図４】図１で示された分割露光により、製造される液晶パネルの中間調表示を示した摸擬図である。
【図５】図２で示された分割露光により、製造される液晶パネルの中間調表示を示した摸擬図である。
【図６】中間調表示における分割ムラを摸擬的に示した図である。
【図７】本発明の一実施形態に係る液晶表示装置の平面図である。
【図８】図７中のＡ−Ａ‘線における断面図である。
【図９】図７の単位画素の回路図である。
【図１０】図７を第１の金属層及び第２の金属層で形成される領域（Ａ）と、ＩＴＯで形成される領域（Ｂ）に分けて示した平面図である。
【図１１】図１２のＡ−Ａ‘線、Ｂ−Ｂ’線、Ｃ−Ｃ‘線における断面図である。
【図１２】本発明の一実施形態に係る液晶表示装置の製造方法を説明するための同装置の平面図である。
【図１３】データ線及び共通電極の双方の幅の関係を示す実施形態に係る液晶表示装置の部分的な断面図である。
【図１４】データ線及びブラックマトリクス層の双方の幅の関係を示す実施形態に係る液晶表示装置の部分的な断面図である。
【図１５】図７において、対向基板のブラックマトリクス層の形成領域を示した平面図である。
【図１６】共通電極がＩＴＯである場合の利点を説明するための実施形態に係る液晶表示装置の部分的な断面図である。
【図１７】実施形態に係る液晶表示装置のコンタクトホールの配置を摸擬的に示した図である。
【図１８】実施形態に係る液晶表示装置の製造方法の各工程を示す同装置の断面図である。
【図１９】実施形態に係る液晶表示装置の製造方法の各工程を示す同装置の断面図である。
【図２０】実施形態に係る液晶表示装置の製造方法の各工程を示す同装置の断面図である。
【図２１】フォトリソグラフィ法における、第１の金属層に対する非晶質シリコン層の露光パターニングについて、補正するやり方を示す説明図である。
【図２２】フォトリソグラフィ法における、第１の金属層に対する第２の金属層の露光パターニングについて、補正するやり方を示す説明図である。
【図２３】第２の実施例について、第１の金属層及び第２の金属層で形成される領域（Ａ）と、ＩＴＯで形成される領域（Ｂ）に分けて示した平面図である。
【図２４】第３の実施例について、第１の金属層及び第２の金属層で形成される領域（Ａ）と、ＩＴＯで形成される領域（Ｂ）に分けて示した平面図である。
【図２５】第４の実施例について、第１の金属層及び第２の金属層で形成される領域（Ａ）と、ＩＴＯで形成される領域（Ｂ）に分けて示した平面図である。
【図２６】第５の実施例について、第１の金属層及び第２の金属層で形成される領域（Ａ）と、ＩＴＯで形成される領域（Ｂ）に分けて示した平面図である。
【図２７】第６の実施例について、第１の金属層及び第２の金属層で形成される領域（Ａ）と、ＩＴＯで形成される領域（Ｂ）に分けて示した平面図である。
【図２８】第７の実施例について、第１の金属層及び第２の金属層で形成される領域（Ａ）と、ＩＴＯで形成される領域（Ｂ）に分けて示した平面図である。
【図２９】第７の実施例について、図２８の第１の金属層及び第２の金属層で形成される領域（Ａ）を第１の金属層及び非晶質シリコン層で形成される領域（Ｃ）と、第２の金属層で形成される領域（Ｄ）に分けて示した平面図である。
【図３０】第８の実施例について、第１の金属層及び第２の金属層で形成される領域（Ａ）と、ＩＴＯで形成される領域（Ｂ）に分けて示した平面図である。
【図３１】第９の実施例について、第１の金属層及び第２の金属層で形成される領域（Ａ）と、ＩＴＯで形成される領域（Ｂ）に分けて示した平面図である。
【図３２】第１０の実施例について、第１の金属層及び第２の金属層で形成される領域（Ａ）と、ＩＴＯで形成される領域（Ｂ）に分けて示した平面図である。
【図３３】第１０の実施例について、図３２の第１の金属層及び第２の金属層で形成される領域（Ａ）を第１の金属層及び非晶質シリコン層で形成される領域（Ｃ）と、第２の金属層で形成される領域（Ｄ）に分けて示した平面図である。
【図３４】第１１の実施例について、第１の金属層及び第２の金属層で形成される領域（Ａ）と、ＩＴＯで形成される領域（Ｂ）に分けて示した平面図である。
【図３５】第１２の実施例について、第１の金属層及び第２の金属層で形成される領域（Ａ）と、ＩＴＯで形成される領域（Ｂ）に分けて示した平面図である。
【図３６】第１３の実施例について、第１の金属層及び第２の金属層で形成される領域（Ａ）と、ＩＴＯで形成される領域（Ｂ）に分けて示した平面図である。
【図３７】第１４の実施例について、第１の金属層及び第２の金属層で形成される領域（Ａ）と、ＩＴＯで形成される領域（Ｂ）に分けて示した平面図である。
【符号の説明】
１０    液晶表示装置
１１    能動素子基板
１２    対向基板
１３    液晶層
１５    導電層
１６    透明絶縁性基板
１７    ブラックマトリクス層
１８    色層
１９    オーバーコート膜
２０，３１    配向膜
２３    第１の層間絶縁膜
２４    データ線
２５    第２の層間絶縁膜
２５ａ    第２の層間絶縁膜の第１の膜
２５ｂ    第２の層間絶縁膜の第２の膜
２６    共通電極
２６ａ，２６ｂ    共通電極配線
２７    画素電極
２８    走査線
２８ａ    突起
２８ｂ    窪み
３０ａ    ドレイン電極
３０ｂ    ソース電極
３０ｃ    ゲート電極
３２    ａ−Ｓｉ膜
３３    ｎ＋ａ−Ｓｉ膜
３５    画素補助電極
３５ａ    第１部分
３５ｂ    第２部分
３５ｃ    第３部分
３９ａ    共通電極用コンタクトホール
３９ｂ    画素電極用コンタクトホール
４６    ＩＴＯ
５０    ＴＦＴ
５１    ピンホール
５２    金属イオン
２９９ａ，２９９ｂ，２９９ｃ    突起
３００，３００ａ，３００ｂ    フローティング膜
３０１，３０１ａ，３０１ｂ    窪み
３０１ｃ，３０１ｄ，３０１ｅ，３０１f    窪み
１Ｚ〜２０Ｚ    表示領域へ電圧を入力する周辺端子部への分割露光ショット
２１Ｚ〜３６Ｚ    表示領域内の分割露光ショット
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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【図２７】
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【図２８】
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【図２９】
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【図３０】
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【図３１】
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【図３２】
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【図３３】
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【図３４】
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【図３５】
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【図３６】
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【図３７】
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