(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
金属から成る回路基板と、
前記回路基板の上面を被覆する絶縁層と、
前記絶縁層の上面に形成された導電パターンと、
前記導電パターンに固着された半導体素子と、
前記半導体素子の下方で前記回路基板の上面を部分的に上方に連続して突出させた部位であり、少なくとも曲面形状を呈する側面が前記絶縁層により被覆される突出部と、
を具備することを特徴とする回路装置。
【請求項２】
前記突出部と前記導電パターンとを直に接触させることを特徴とする請求項１に記載の回路装置。
【請求項３】
前記突出部と前記導電パターンとの間に前記絶縁層を介在させることを特徴とする請求項１に記載の回路装置。
【請求項４】
前記回路基板は、銅を主体とする金属から成ることを特徴とする請求項１から請求項３の何れかに記載の回路装置。
【請求項５】
前記突出部を柱状に設けることを特徴とする請求項１に記載の回路装置。
【請求項６】
前記半導体素子として、裏面に端子を有さない前記半導体素子を採用し、
前記半導体素子が固着される前記導電パターンと前記突出部とを直に接触させることを特徴とする請求項１に記載の回路装置。
【請求項７】
前記突出部の上方に位置する前記導電パターンの下面に凸部を設け、前記凸部を前記絶縁層に埋め込むことを特徴とする請求項１から請求項６の何れかに記載の回路装置。
【請求項８】
金属から成る回路基板の上面に、部分的に連続して上方に突出して側面が曲面形状を呈する突出部を設ける工程と、
前記回路基板の上面を被覆する絶縁層を介して前記回路基板に導電箔を密着させ、前記突出部の少なくとも側面を前記絶縁層で被覆する工程と、
前記導電箔をパターニングすることにより導電パターンを形成する工程と、
前記突出部の上方で前記導電パターンに半導体素子を固着する工程と、
を具備することを特徴とする回路装置の製造方法。
【請求項９】
エッチングにより前記突出部を形成することを特徴とする請求項８に記載の回路装置の製造方法。
【請求項１０】
前記突出部を柱状に形成することを特徴とする請求項８または請求項９に記載の回路装置の製造方法。
【請求項１１】
前記突出部と前記導電パターンとの間に前記絶縁層を介在させることを特徴とする請求項８または請求項９に記載の回路装置の製造方法。
【請求項１２】
前記突出部と前記導電パターンとを直に接触させることを特徴とする請求項８から請求項１０の何れかに記載の回路装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は回路装置およびその製造方法に関し、特に、放熱性が考慮された回路装置およびその製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
第１０図を参照して、例えば、特開平６−１７７２９５号公報（第４頁、第１図）に示すような、従来の混成集積回路装置の構成を説明する。第１０図（Ａ）は混成集積回路装置１００の斜視図であり、第１０図（Ｂ）は第１０図（Ａ）のＸ−Ｘ’線に於ける断面図である。
【０００３】
従来の混成集積回路装置１００は次のような構成を有する。矩形の基板１０６と、基板１０６の表面に設けられた絶縁層１０７と、この絶縁層１０７上に形成された導電パターン１０８と、導電パターン１０８上に固着された回路素子１０４と、回路素子１０４と導電パターン１０８とを電気的に接続する金属細線１０５と、導電パターン１０８と電気的に接続されたリード１０１とで、混成集積回路装置１００は構成されている。更に、混成集積回路装置１００は全体が封止樹脂１０２で封止されている。
【０００４】
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上述したような混成集積回路装置１００では、絶縁層１０７の表面に電気回路が構成されていたため、回路素子１０４と基板１０６とは絶縁層１０７により熱的に分離されていた。従って、回路素子１０４から放出される熱の放熱性に問題があった。この絶縁層１０７を薄くすることにより、放熱性を向上させることができるが、耐圧性を確保するためには絶縁層１０７は所定の厚さ以上に形成する必要性がある。具体的には、絶縁層１０７の厚さは数百μｍ程度が必要となる。一方、絶縁層１０７自体の熱抵抗を向上させるために無機フィラーが充填されているものの、絶縁層１０７を介した熱の放熱には限界があった。
【０００５】
本発明は、上記した問題を鑑みて成されたものである。本発明の主な目的は、所定の耐圧性を確保しつつ放熱性に優れた回路装置およびの製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の回路装置は、金属から成る回路基板と前記回路基板の上面を被覆する絶縁層と、前記絶縁層の上面に形成された導電パターンと、前記導電パターンに固着された半導体素子と、前記半導体素子の下方で前記回路基板の上面を部分的に上方に連続して突出させた部位であり、曲面形状を呈する側面が前記絶縁層により被覆される突出部と、を具備することを特徴とする。
【０００７】
更に本発明の回路装置の製造方法は、金属から成る回路基板の上面に、部分的に連続して上方に突出して側面が曲面形状を呈する突出部を設ける工程と、前記回路基板の上面を被覆する絶縁層を介して前記回路基板に導電箔を密着させ、前記突出部の少なくとも側面を前記絶縁層で被覆する工程と、前記導電箔をパターニングすることにより導電パターンを形成する工程と、前記突出部の上方で前記導電パターンに半導体素子を固着する工程と、を具備することを特徴とする。
【発明の効果】
【０００８】
本発明によれば、回路基板の表面に設けた突出部を絶縁層に埋め込むことにより、絶縁層の表面に形成される導電パターンと回路基板との距離を局所的に短くすることができる。従って、絶縁層による熱抵抗を小さくすることができるので、放熱性を向上させることが出来る。更に、導電パターンの裏面に突出部を接触させることで、放熱の効果を飛躍的に向上させることが出来る。また、導電パターンと突出部との間に、絶縁層を構成する樹脂を介在させた状態で両者を接近させることで、絶縁性を確保しつつ両者を接近させることが可能となる。また、突出部を柱状に形成することにより、突出部を絶縁層に埋め込むことを容易にすることが出来る。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００９】
第１図を参照して、本発明の混成集積回路装置１０の構成を説明する。第１図（Ａ）は混成集積回路装置１０の斜視図であり、第１図（Ｂ）は第１図（Ａ）のＸ−Ｘ’断面での断面図である。
【００１０】
回路基板１６は、金属またはセラミック等から成る基板が放熱の意味で好ましい。また回路基板１６の材料としては、金属としてＡｌ、ＣｕまたはＦｅ等を採用可能であり、セラミックとしてはＡｌ２Ｏ３、ＡｌＮを採用することができる。その他にも機械的強度や放熱性に優れるものを回路基板１６の材料として採用することが出来る。一例として回路基板１６としてＡｌより成る基板を採用した場合、回路基板１６とその表面に形成される導電パターン１８とを絶縁させる方法は２つの方法がある。１つは、アルミ基板の表面をアルマイト処理する方法である。もう１つの方法は、アルミ基板の表面に絶縁層１７を形成して、絶縁層１７の表面に導電パターン１８を形成する方法である。また、本形態では、回路基板１６の材料として銅を主体とする金属を採用することが好適である。銅は熱伝導性に優れた材料であることから装置全体の放熱性を向上させることが出来る。ここで、銅を回路基板１６の材料として採用する場合は、絶縁層１７は必須の構成要素となる。
【００１１】
突出部２５は、回路基板１６の表面を上方に部分的に突出させた部分であり、絶縁層１７に埋め込まれている。突出部２５の上面と導電パターン１８の裏面との距離は、他の領域に於ける回路基板１６の表面と導電パターン１８の裏面よりも接近している。従って、突出部２５が形成された領域では、絶縁層１７による熱抵抗が小さいので、回路基板１６を介した放熱を積極的に行うことが出来る。また、突出部２５の上端部は、導電パターン１８の裏面に接触しても良いし、接触しなくても良い。突出部２５の形状の詳細等に付いては、後述する。また、半導体素子１４Ａ等の発熱を伴う素子の下方に対応する領域に、突出部２５を設けることが好適である。斯かる構成により、半導体素子１４Ａから発生する熱を効率よく外部に放出することが出来る。
【００１２】
回路素子１４は導電パターン１８上に固着され、回路素子１４と導電パターン１８とで所定の電気回路が構成されている。回路素子１４としては、トランジスタやダイオード等の能動素子や、コンデンサや抵抗等の受動素子が採用される。また、パワー系の半導体素子等の発熱量が大きいものは、金属より成るヒートシンクを介して回路基板１６に固着されても良い。ここで、フェイスアップで実装される能動素子等は、金属細線１５を介して、導電パターン１８と電気的に接続される。
【００１３】
回路素子１４の具体例としては、ＬＳＩチップ、コンデンサ、抵抗等である。ＬＳＩチップは、Ｓｉチップ裏面がＧＮＤまたはフローティングにより、接着剤が区別される。ＧＮＤの場合は、回路素子１４はロウ材または導電ペーストで固着され、ボンディングパットとの接続は、フェイスアップまたはダウンにより、金属細線またはロウ材等が採用される。更に、半導体素子１４Ａとしては、大きな電流を制御するパワー系のトランジスタ、例えばパワーモス、ＧＴＢＴ、ＩＧＢＴ、サイリスタ等を採用することができる。またパワー系のＩＣも該当する。近年、チップもサイズが小さく薄型で高機能なため、発生する熱量は増大している。例えば、コンピューターを制御するＣＰＵ等がその一例である。
【００１４】
導電パターン１８は銅等の金属から成り、基板１６と絶縁して形成される。また、リード１１が導出する辺に、導電パターン１８からなるパッドが形成される。リードは、片側導出で説明しているが、少なくとも一側辺から導出されていれば良い。更に、導電パターン１８は、絶縁層１７を接着剤として、回路基板１６の表面に接着されている。
【００１５】
絶縁層１７は、回路基板１６の表面全域に形成されて、導電パターン１８の裏面と回路基板１６の表面とを接着させる働きを有する。また、絶縁層１７は、アルミナなどの無機フィラーを樹脂に高充填させたものであり、熱伝導性に優れたものと成っている。導電パターン１８の下端と回路基板１６の表面との距離は、耐圧によりその厚みが変化するが、だいたい５０μｍから数百μｍ程度以上が好ましい。
【００１６】
リード１１は、回路基板１６の周辺部に設けられたパッドに固着され、例えば外部との入力・出力を行う働きを有する。ここでは、一辺に多数個のリード１１が設けられている。リード１１とパッドとの接着は、半田（ロウ材）等の導電性接着剤を介して行われている。
【００１７】
封止樹脂１２は、熱硬化性樹脂を用いるトランスファーモールド、または、熱可塑性樹脂を用いるインジェクションモールドにより形成される。ここでは、回路基板１６およびその表面に形成された電気回路を封止するように封止樹脂１２が形成され、回路基板１６の裏面は封止樹脂１２から露出している。更にまた、モールドによる封止以外の封止方法も本形態の混成集積回路装置に適用可能であり、例えば、樹脂のポッティングによる封止、ケース材による封止、等の周知の封止方法を適用させることが可能である。第１図（Ｂ）を参照して、回路基板１６表面に載置された回路素子１４から発生する熱を好適に外部に逃がすために、回路基板１６の裏面は封止樹脂１２から外部に露出している。また装置全体の耐湿性を向上させるために、回路基板１６の裏面も含めて封止樹脂１２により全体を封止することもできる。
【００１８】
第２図の斜視図を参照して、回路基板１６の表面に形成される導電パターン１８の具体的形状の一例を説明する。同図では、全体を封止する樹脂を省いて図示している。
【００１９】
同図を参照して、導電パターン１８は、回路素子１４が実装されるボンディングパッドの部分と、リード１１が固着されるパッド１８Ａと、各パッドを連結する配線部等とを構成している。本形態では、半導体素子１４Ａの下方に対応する領域の回路基板１６に、突起部２５を形成することが出来る。また、他の回路素子１４の放熱性が問題になるならば、その素子の下方に対応する領域の回路基板１６の表面に突起部２５を形成することもできる。
【００２０】
第３図を参照して、突出部２５が設けられる箇所の詳細を説明する。第３図（Ａ）から第３図（Ｃ）は、各形態の突起部２５の形状を示している。
【００２１】
第３図（Ａ）を参照して、突出部２５は、半導体素子１４Ａの下方に対応する領域の、回路基板１６の表面に形成されている。そして、突出部２５の上端部と導電パターン１８の裏面とは離間している。また、突出部２５と導電パターン１８との間には絶縁層１７を構成する樹脂が介在している。即ち、導電パターン１８と回路基板１６とは導通していない。この構成により、半導体素子１４Ａから発生する熱を突出部２５を介して外部に放散させつつ、半導体素子１４Ａが載置された導電パターン１８と回路基板１６との絶縁を確保することが出来る。ここで、半導体素子１４Ａとしては、裏面に電極を有する素子を採用することができる。具体的には、裏面にドレイン電極を有するパワートランジスタを、半導体素子１４Ａとして採用することが出来る。突出部２５の上面の平坦面にすることで、突出部２５と導電パターン１８とが接触してしまうのを抑止することができる。
【００２２】
突出部２５の上端部と導電パターン１８の裏面との距離は、耐圧性が確保できる範囲で接近させることが好ましい。また、両者の距離を、絶縁層１７に含まれるフィラーよりも大きくすることで、突出部２５と導電パターン１８との間にフィラーが介在され、放熱性を向上させることが可能となる。
【００２３】
第３図（Ｂ）を参照して、突出部２５の最上部は、半導体素子１４Ａが上部に載置された導電パターン１８の裏面に当接している。突出部２５が導電パターン１８の裏面に直に当接することにより、半導体素子１４Ａから発生する熱を更に積極的に外部に放出させることが可能となる。このような構成の場合は、裏面に電極を有さない半導体素子を半導体素子１４Ａとして採用することが出来る。更に、突出部２５を介して回路基板１６を接地電位と接続することも可能である。また、同図に示す状態でも、絶縁性の接着剤を介して半導体素子１４Ａの固着を行うことで、半導体素子１４Ａと回路基板１６とを絶縁させることが出来る。
【００２４】
第３図（Ｃ）を参照して、複数個の柱状の突出部２５が形成され、突出部２５の上端部と導電パターン１８の裏面とは直に当接している。ここでは、各々の突出部２５は、上端が切り取られた円錐状の形状を有している。この形状は、エッチャントを用いたウェットエッチングを行うことにより得られる。更に、１つの導電パターン１８の下方に、複数個の突出部２５が形成されている。このように、突出部２５を柱状にすることにより、突出部２５の絶縁層への埋め込みを容易にすることが出来る。また、突出部２５の上端部と導電パターン１８との接触をより確実に行うことも出来る。
【００２５】
第４図を参照して、突出部２５が設けられる箇所の詳細を説明する。第４図（Ａ）から第４図（Ｃ）は、各形態の突起部２５と導電パターン１８との関連構成を示している。これらの図では、半導体素子１４Ａが載置される導電パターン１８の裏面に凸部２２が設けられている。
【００２６】
第４図（Ａ）を参照して、半導体素子１４Ａが載置される導電パターン１８には、下方に突出して絶縁層１７に埋め込まれる凸部２２が形成されている。凸部２２に対応した箇所の回路基板１６の表面には突出部２５が形成されている。そして、凸部２２と突出部２５とが接近することで、半導体素子１４Ａから発生する熱を効率的に外部に放出することが出来る。
【００２７】
導電パターン１８が部分的に絶縁層１７に埋め込まれることによるメリットを説明する。先ず、導電パターン１８の下面が回路基板１６の表面に接近するので、装置内部で発生する熱を、導電パターン１８および絶縁層１７を介して外部に放出させることができる。本形態では、フィラーが高充填された絶縁層１７を用いている。また、放熱性の向上のためには、耐圧性を確保出来る範囲で絶縁層１７は薄い方がよい。従って、導電パターン１８を部分的に絶縁層１７に埋め込む構成にすることで、第導電パターン１８と回路基板１６との距離を短くすることが出来る。このことが、装置全体の放熱性の向上に寄与する。
【００２８】
更に、導電パターン１８を絶縁層１７に埋め込む構成にすることで、導電パターン１８の裏面と絶縁層１７とが接触する面積を大きくすることができる。従って、放熱性を更に向上させることができる。裏面の凸部を立方体に例えれば、実質上面を除いた四面が絶縁層１７と当接していることになる。よって放熱性の向上が図れることから、ヒートシンクを省いた構成を実現することも可能である。更にまた、導電パターン１８が部分的に絶縁層１７に埋め込まれることで、両者の密着性を向上させることができる。従って、導電パターン１８の剥がれ強度を向上させることが出来る。他の領域の導電パターン１８は絶縁層１７に埋め込まれないので、回路基板１６との距離を長く確保することが可能になり、大きな寄生容量の発生を抑止することが出来る。従って、高周波の電気信号を導電パターン１８に通過させた場合でも、寄生容量により発生する信号の劣化等の防止が可能である。
【００２９】
第４図（Ｂ）を参照して、ここでは、凸部２２の下面と突出部２５の上面とが直に当接している。従って、半導体素子１４Ａが載置された導電パターン１８は、回路基板１６と導通している。導電パターン１８に凸部２２が設けられていることから、突出部２５が突出する量を小さくすることができる。
【００３０】
第４図（Ｃ）を参照して、ここでは、柱状の突出部２５が形成され、突出部２５の上端部は、凸部２２の下面に当接している。
【００３１】
次に、第５図以降を参照して、上記した混成集積回路装置の製造方法を説明する。先ず、第５図を参照して、第３図（Ａ）または第３図（Ｂ）に示した断面形状を有する導電パターン１８の製造方法を説明する。
【００３２】
第５図（Ａ）を参照して、回路基板１６を用意してその表面にレジスト２１をパターニングする。回路基板１６の材料としては、銅を主材料とするもの、Ｆｅ−ＮｉまたはＡｌを主材料とする材料を採用することができる。表面に形成されるパターンの機械的支持を行うために回路基板１６の厚みは１〜２ｍｍ程度の範囲で選択される。また、回路基板１６の材料として銅を採用した場合は、銅は熱伝導性に極めて優れた材料であるので、放熱の効果を向上させることが出来る。ここでは、レジスト２１は、突出部２５が形成予定の領域の回路基板１６の表面を被覆している。
【００３３】
第５図（Ｂ）を参照して、次に、レジスト２１をエッチングマスクとしてウェットエッチングを行う。このエッチングによりレジスト２１により被覆されていない領域の回路基板１６の表面はエッチングされる。そして、レジスト２１で被覆された領域は突出部２５として上方に突出する形状と成る。具体的には、突出部２５が突出する高さは数十μｍから数百μｍ程度にすることができる。本工程が終了した後にレジスト２１は剥離される。
【００３４】
第５図（Ｃ）および第５図（Ｄ）を参照して、絶縁層１７を介して回路基板１６と導電箔２０とを密着させる。具体的には、突出部２５を絶縁層１７に埋め込むように導電箔２０を回路基板１６に密着される。この密着は真空プレスで行うと、導電箔２０と絶縁層１７との間の空気により発生するボイドを防止することが出来る。また、等方エッチングにより形成される突出部２５の側面は、滑らかな曲面となっている。従って、導電箔２０を絶縁層１７に圧入する際に、この曲面に沿って樹脂が浸入し、未充填部が無くなる。このような突出部２５の側面形状によっても、ボイドの発生を抑止することができる。更に、突出部２５が絶縁層１７に埋め込まれることで、回路基板１６と絶縁層１７との密着強度を向上させることが出来る。
【００３５】
第５図（Ｅ）および第５図（Ｆ）を参照して、次に、レジスト２１を介してエッチングを行うことで、導電パターン１８を形成する。このエッチングが終了した後に、レジスト２１は剥離される。
【００３６】
第６図を参照して、第３図（Ｃ）に示す構成の製造方法を説明する。ここでの導電パターン１８の形成方法は、第５図を参照して説明した形成方法と基本的には同一であるので、相違する箇所を中心に説明する。
【００３７】
先ず、第６図（Ａ）および第６図（Ｂ）を参照して、回路基板１６の表面をレジスト２１で被覆してからエッチングを行うことで、突出部２５を形成する。ここでは、離散的にレジスト２１を形成してエッチングを行うことで、柱状の突出部２５が複数個形成されている。また、エッチングにより形成される個々の突出部２５の側面は湾曲面である。
【００３８】
次に、第６図（Ｃ）を参照して、絶縁層を介して回路基板１６と導電箔２０とを密着させる。本形態では、突出部２５は柱状に形成されていることから、突出部２５の絶縁層１７への埋め込みが容易になる利点がある。また、各突出部２５の上面の面積が小さいことから、絶縁層１７を容易に貫通して、導電箔２０の裏面に突出部２５の上端部を接触させることが出来る。しかしながら、突出部２５の上端部が導電箔２０の裏面に接触しない程度に突出部２５の埋め込みをおこなうこともできる。
【００３９】
第６図（Ｅ）および第６図（Ｆ）を参照して、レジスト２１を導電箔２０の表面に塗布した後に、導電パターン１８が形成されるようにレジスト２１のパターンニングを行う。そして、エッチングを行うことで、各導電パターン１８を得る。
【００４０】
第７図を参照して、第４図に示す構成の混成集積回路装置の製造方法を説明する。
【００４１】
先ず、第７図（Ａ）および第７図（Ｂ）を参照して、回路基板１６の表面を部分的にレジスト２１にて被覆した後に、エッチングを行うことで、突出部２５を形成する。
【００４２】
次に、第７図（Ｃ）および第７図（Ｄ）を参照して、絶縁層１７を介して導電箔２０と回路基板１６とを密着させる。ここで、導電箔２０の下面には、凸部２２が形成され、この凸部２２が絶縁層１７に埋め込まれるように導電箔２０は回路基板１６に密着される。ここでは、凸部２２が設けられる箇所は、回路基板１６に設けられる突出部２５に対応している。密着を行った後は、導電箔２０の凸部２２と突出部２５とが接触しても良い。また、この場合は、凸部２２の突出量と突出部２５の突出量とを加算した長さを、絶縁層１７の厚みと同等にすると好適である。更に、凸部２２の下端と、突出部２５の上端を離間させて絶縁させても良い。
【００４３】
次に、第７図（Ｅ）および第７図（Ｆ）を参照して、所望のパターンを形成するようにレジスト２１を導電箔２０の表面にパターニングした後にエッチングを行う。このことにより、導電パターン１８が形成される。
【００４４】
以降では、導電パターン１８のパターニングを行った後の工程の詳細を説明する。
【００４５】
第８図（Ａ）を参照して、先ず、半田や導電ペースト等を介して回路素子１４を導電パターン（アイランド）１８に固着する。ここでは、１つの混成集積回路装置を構成する複数のユニット２４が、１枚の回路基板１６に形成され、一括してダイボンディングおよびワイヤボンディングを行うことが出来る。ここでは、能動素子をフェイスダウンで実装しているが必要によりフェイスダウンでも良い。また、発熱を伴う回路素子１４Ａは、下方に突出部２５が形成された導電パターン１８に固着されている。半導体素子１４Ａの裏面が外部と導通する場合は、導電性の接着剤を介して半導体素子１４Ａの固着を行うことが出来る。また、半導体素子１４Ａの裏面が外部と導通しない場合は、絶縁性の接着剤を介して、半導体素子１４Ａの固着が行われる。
【００４６】
第８図（Ｂ）を参照して、金属細線１５を介して半導体素子１４Ａと導電パターン１８との電気的接続を行う。
【００４７】
上記工程が終了した後に、各ユニット２４の分離を行う。各ユニットの分離は、プレス機を用いた打ち抜き、ダイシング、曲折等により行うことが出来る。その後に、各ユニットの回路基板１６にリード１１を固着する。
【００４８】
第９図を参照して、各回路基板１６の樹脂封止を行う。ここでは、熱硬化性樹脂を用いたトランスファーモールドにより封止が行われている。即ち、上金型３０Ａおよび下金型３０Ｂとから成る金型３０に回路基板１６を収納した後に、両金型を当接させることでリード１１を固定する。そして、キャビティ３１に樹脂を封入することで、樹脂封止の工程が行われる。以上の工程で、第１図に示すような混成集積回路装置が製造される。
【図面の簡単な説明】
【００４９】
【図１】第１図（Ａ）は、本発明の混成集積回路装置の斜視図であり、第１図（Ｂ）は、本発明の混成集積回路装置の断面図である。
【図２】第２図は、本発明の混成集積回路装置の斜視図であり、第３図（Ａ）は、本発明の混成集積回路装置の断面図である。
【図３】第３図（Ｂ）は、本発明の混成集積回路装置の断面図であり、第３図（Ｃ）は、本発明の混成集積回路装置の断面図である。
【図４】第４図（Ａ）は、本発明の混成集積回路装置の断面図であり、第４図（Ｂ）は、本発明の混成集積回路装置の断面図であり、第４図（Ｃ）は、本発明の混成集積回路装置の断面図である。
【図５】第５図（Ａ）は、本発明の混成集積回路装置の製造方法を説明する断面図であり、第５図（Ｂ）は、本発明の混成集積回路装置の製造方法を説明する断面図であり、第５図（Ｃ）は、本発明の混成集積回路装置の製造方法を説明する断面図であり、第５図（Ｄ）は、本発明の混成集積回路装置の製造方法を説明する断面図であり、第５図（Ｅ）は、本発明の混成集積回路装置の製造方法を説明する断面図であり、第５図（Ｆ）は、本発明の混成集積回路装置の製造方法を説明する断面図である。
【図６】第６図（Ａ）は、本発明の混成集積回路装置の製造方法を説明する断面図であり、第６図（Ｂ）は、本発明の混成集積回路装置の製造方法を説明する断面図であり、第６図（Ｃ）は、本発明の混成集積回路装置の製造方法を説明する断面図であり、第６図（Ｄ）は、本発明の混成集積回路装置の製造方法を説明する断面図であり、第６図（Ｅ）は、本発明の混成集積回路装置の製造方法を説明する断面図であり、第６図（Ｆ）は、本発明の混成集積回路装置の製造方法を説明する断面図である。
【図７】第７図（Ａ）は、本発明の混成集積回路装置の製造方法を説明する断面図であり、第７図（Ｂ）は、本発明の混成集積回路装置の製造方法を説明する断面図であり、第７図（Ｃ）は、本発明の混成集積回路装置の製造方法を説明する断面図であり、第７図（Ｄ）は、本発明の混成集積回路装置の製造方法を説明する断面図であり、第７図（Ｅ）は、本発明の混成集積回路装置の製造方法を説明する断面図であり、第７図（Ｆ）は、本発明の混成集積回路装置の製造方法を説明する断面図である。
【図８】第８図（Ａ）は、本発明の混成集積回路装置の製造方法を説明する断面図であり、第８図（Ｂ）は、本発明の混成集積回路装置の製造方法を説明する断面図である。
【図９】第９図は、本発明の混成集積回路装置の製造方法を説明する断面図である。
【図１０】第１０図（Ａ）は、従来の混成集積回路装置の斜視図であり、第１０図（Ｂ）は、従来の混成集積回路装置の断面図である。
【符号の説明】
【００５０】
１０ 混成集積回路装置
２４ ユニット
１１ リード
２５ 突出部
１２ 封止樹脂
３０ 金型
１４ 回路素子
３０Ａ 上金型
１４Ａ 半導体素子
３０Ｂ 下金型
１５ 金属細線
３１ キャビティ
１６ 回路基板
１００ 混成集積回路装置
１７ 絶縁層
１０１ リード
１８ 導電パターン
１０２ 封止樹脂
１８Ａ パッド
１０４ 回路素子
１９ ロウ材
１０５ 金属細線
２０ 導電箔
１０６ 基板
２１ レジスト
１０７ 絶縁層
２２ 凸部
１０８ 導電パターン
【図１】
0004722836.tif 000002
【図２】
0004722836.tif 000003
【図３】
0004722836.tif 000004
【図４】
0004722836.tif 000005
【図５】
0004722836.tif 000006
【図６】
0004722836.tif 000007
【図７】
0004722836.tif 000008
【図８】
0004722836.tif 000009
【図９】
0004722836.tif 000010
【図１０】
0004722836.tif 000011