(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
固体装置にその表面を対向させた状態で接合される半導体チップであって、
前記表面から突出して形成されて、前記固体装置との電気接続のための機能バンプと、
前記機能バンプによる電気接続の状態を確認するための複数の接続確認用バンプと、
前記半導体チップに設けられた前記機能バンプと前記固体装置に設けられた固体装置側機能バンプとの間、および前記半導体チップに設けられた前記複数の接続確認用バンプの各々と前記固体装置に設けられた対応する固体装置側接続確認用バンプとの間にそれぞれ介在され、それらの間の接続を達成するための接続金属層とを含み、
前記半導体チップに設けられた前記機能バンプおよび前記接続確認用バンプは、同じ金属材料を用いて形成されており、
前記半導体チップに設けられた前記接続確認用バンプの前記表面からの突出量は、前記機能バンプの前記表面からの突出量よりも小さく、
前記接続確認用バンプの前記突出量は、前記固体装置と前記半導体チップとを接続する熱処理時に、前記固体装置と前記半導体チップとが平行である場合に、前記複数の接続確認用バンプのすべてについて、対応する前記接続金属層が溶融膨張して対応する前記固体装置側接続確認用バンプに接続される突出量であることを特徴とする、半導体チップ。
【請求項２】
第１の半導体チップと第２の半導体チップとを前記第１の半導体チップの表面に前記第２の半導体チップの表面を対向させた状態で接合した、チップ・オン・チップ構造を有する半導体装置であって、
前記第１の半導体チップの表面から突出して形成された第１半導体チップ側機能バンプと、
前記第１の半導体チップの表面から突出して形成された複数の第１半導体チップ側接続確認用バンプと、
前記第２の半導体チップの表面から突出して形成され、前記第１半導体チップ側機能バンプに接続されて、前記第１の半導体チップと前記第２の半導体チップとの電気接続を達成するための第２半導体チップ側機能バンプと、
前記第２の半導体チップの表面からの前記第２半導体チップ側機能バンプの突出量よりも小さい突出量で、前記第２の半導体チップの表面から突出して形成され、前記複数の第１半導体チップ側接続確認用バンプとそれぞれ接続されて、前記第１の半導体チップと前記第２の半導体チップとの電気接続の状態を確認するための複数の第２半導体チップ側接続確認用バンプと、
前記第１半導体チップ側機能バンプと前記第２半導体チップ側機能バンプとの間、および前記第１半導体チップ側接続確認用バンプと前記第２半導体チップ側接続確認用バンプとの間にそれぞれ介在され、それらの間の接続を達成するための接続金属層とを含み、
前記第１半導体チップ側機能バンプ、前記第２半導体チップ側機能バンプ、前記第１半導体チップ側接続確認用バンプおよび前記第２半導体チップ側接続確認用バンプは、同じ金属材料を用いて形成されており、
前記第２半導体チップ側接続確認用バンプの前記突出量は、前記第１の半導体チップと前記第２の半導体チップとを接続する熱処理時に、前記第１の半導体チップと前記第２の半導体チップとが平行である場合に、前記複数の第２半導体チップ側接続確認用バンプのすべてについて、対応する前記接続金属層が溶融膨張して対応する前記第１半導体チップ側接続確認用バンプに接続される突出量であることを特徴とする、半導体装置。
【請求項３】
前記第２の半導体チップは、その表面を垂直に見下ろしたときの形状が略矩形状をなしており、
前記第２半導体チップ側機能バンプは、前記第２の半導体チップの表面の中央部に配置され、
前記第２半導体チップ側接続確認用バンプは、前記第２の半導体チップの表面の各角部に配置されていることを特徴とする、請求項２記載の半導体装置。
【請求項４】
前記第１半導体チップ側接続確認用バンプは、前記第１の半導体チップの表面からの前記第１半導体チップ側機能バンプの突出量よりも小さい突出量で、前記第１の半導体チップの表面から突出して形成されていることを特徴とする、請求項２または３記載の半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、チップ・オン・チップ構造やフリップ・チップ・ボンディング構造の半導体装置およびそのような半導体装置に用いられる半導体チップに関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体装置の小型化および高集積化を図るための構造として、たとえば、半導体チップの表面を他の半導体チップの表面に対向させて接合するチップ・オン・チップ構造が知られている。
チップ・オン・チップ構造の半導体装置では、各半導体チップの表面に、多数の機能バンプおよび接続確認用バンプが設けられる。たとえば、各半導体チップの表面において、その中央部に多数の機能バンプが格子状に配列され、４つの角部に接続確認用バンプが配置される。
【０００３】
各半導体チップにおいて、機能バンプは、銅（Ｃｕ）などの金属材料を用いて、すべて同じ高さ（半導体チップの表面からの突出量）に形成されている。また、一方の半導体チップの各機能バンプの先端部には、機能バンプの材料と合金化をなし得るはんだ接合材が形成されている。このはんだ接合材を介して、一方の半導体チップの各機能バンプと他方の半導体チップの各機能バンプとが接続されることにより、半導体チップ間における電気的および機械的な接続が達成される。
【０００４】
一方、各半導体チップにおいて、接続確認用バンプは、機能バンプと同じ金属材料を用いて、機能バンプと同じ高さ（半導体チップの表面からの突出量）に形成されている。また、一方の半導体チップの各接続確認用バンプの先端部には、はんだ接合材が形成されている。これにより、両半導体チップが互いに平行に接合された場合には、一方の半導体チップの各接続確認用バンプと他方の半導体チップの各接続確認用バンプとがはんだ接合材を介して接続される。したがって、それらの接続確認用バンプ間の接続状態を調べることにより、両半導体チップが互いに平行に接合されているか否かを判定することができる。すなわち、すべての接続確認用バンプ間の接続状態が良好であれば、両半導体チップは互いに平行に接合されていると判定することができる。一方、接続確認用バンプの接続状態が１つでも不良であれば、両半導体チップが互いに平行に接合されていない（一方の半導体チップが他方の半導体チップに対して傾いて接合されている）と判定することができる。
【特許文献１】特開平８−１５３７４７号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
ところが、従来の構成では、一方の半導体チップが他方の半導体チップに対して多少傾いた状態で接合されても、接続確認用バンプの先端部のはんだ接合材が熱処理時に溶融して膨張することにより、両半導体チップのすべての接続確認用バンプが接続されるという不具合を生じることがあった。この場合、一方の半導体チップが他方の半導体チップに対して傾いて接合されているにもかかわらず、両半導体チップが互いに平行に接合されていると判断されてしまう。
【０００６】
そこで、この発明の目的は、半導体チップが他の半導体チップなどの固体装置に対して平行に接合されているか否かを正確に判定することができる半導体チップおよび半導体装置を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記の目的を達成するための請求項１記載の発明は、固体装置にその表面を対向させた状態で接合される半導体チップであって、前記表面から突出して形成されて、前記固体装置との電気接続のための機能バンプと、前記機能バンプによる電気接続の状態を確認するための複数の接続確認用バンプと、前記半導体チップに設けられた前記機能バンプと前記固体装置に設けられた固体装置側機能バンプとの間、および前記半導体チップに設けられた前記複数の接続確認用バンプの各々と前記固体装置に設けられた対応する固体装置側接続確認用バンプとの間にそれぞれ介在され、それらの間の接続を達成するための接続金属層とを含み、前記半導体チップに設けられた前記機能バンプおよび前記接続確認用バンプは、同じ金属材料を用いて形成されており、前記半導体チップに設けられた前記接続確認用バンプの前記表面からの突出量は、前記機能バンプの前記表面からの突出量よりも小さく、前記接続確認用バンプの前記突出量は、前記固体装置と前記半導体チップとを接続する熱処理時に、前記固体装置と前記半導体チップとが平行である場合に、前記複数の接続確認用バンプのすべてについて、対応する前記接続金属層が溶融膨張して対応する前記固体装置側接続確認用バンプに接続される突出量であることを特徴とする。
【０００８】
この構成では、接続確認用バンプが機能バンプよりも低く形成されているので、半導体チップの表面が固体装置に対して少しでも傾いていると、固体装置と半導体チップの表面との間隔が広い部分において、固体装置において接続確認用バンプが接続される部分（たとえば、固体装置の表面に配置されたパッドまたはバンプ）と接続確認用バンプの先端部との間に広い隙間が生じる。そのため、接続確認用バンプと固体装置とが接続確認用バンプに形成された接合材を介して接合される場合に、接合材が膨張しても、その接合材は固体装置に届かず、接続確認用バンプと固体装置との接続が達成されない。よって、接続確認用バンプと固体装置との接続状態に基づいて、半導体チップが固体装置に対して平行に接合されているか否かを正確に判定することができる。
【０００９】
請求項２記載の発明は、第１の半導体チップと第２の半導体チップとを前記第１の半導体チップの表面に前記第２の半導体チップの表面を対向させた状態で接合した、チップ・オン・チップ構造を有する半導体装置であって、前記第１の半導体チップの表面から突出して形成された第１半導体チップ側機能バンプと、前記第１の半導体チップの表面から突出して形成された複数の第１半導体チップ側接続確認用バンプと、前記第２の半導体チップの表面から突出して形成され、前記第１半導体チップ側機能バンプに接続されて、前記第１の半導体チップと前記第２の半導体チップとの電気接続を達成するための第２半導体チップ側機能バンプと、前記第２の半導体チップの表面からの前記第２半導体チップ側機能バンプの突出量よりも小さい突出量で、前記第２の半導体チップの表面から突出して形成され、前記複数の第１半導体チップ側接続確認用バンプとそれぞれ接続されて、前記第１の半導体チップと前記第２の半導体チップとの電気接続の状態を確認するための複数の第２半導体チップ側接続確認用バンプと、前記第１半導体チップ側機能バンプと前記第２半導体チップ側機能バンプとの間、および前記第１半導体チップ側接続確認用バンプと前記第２半導体チップ側接続確認用バンプとの間にそれぞれ介在され、それらの間の接続を達成するための接続金属層とを含み、前記第１半導体チップ側機能バンプ、前記第２半導体チップ側機能バンプ、前記第１半導体チップ側接続確認用バンプおよび前記第２半導体チップ側接続確認用バンプは、同じ金属材料を用いて形成されており、前記第２半導体チップ側接続確認用バンプの前記突出量は、前記第１の半導体チップと前記第２の半導体チップとを接続する熱処理時に、前記第１の半導体チップと前記第２の半導体チップとが平行である場合に、前記複数の第２半導体チップ側接続確認用バンプのすべてについて、対応する前記接続金属層が溶融膨張して対応する前記第１半導体チップ側接続確認用バンプに接続される突出量であることを特徴とする。
【００１０】
この構成では、第２半導体チップ側接続確認用バンプが第２半導体チップ側機能バンプよりも低く形成されているので、第２の半導体チップの表面が第１の半導体チップの表面に対して少しでも傾いていると、第１の半導体チップの表面と第２の半導体チップの表面との間隔が広い部分において、互いに対向する第１半導体チップ側接続確認用バンプと第２半導体チップ側接続確認用バンプとの間に広い隙間が生じる。そのため、それらの接続確認用バンプが一方の接続確認用バンプに形成された接合材を介して接合される場合に、接合材が膨張しても、その接合材は他方の接続確認用バンプに届かず、第１半導体チップ側接続確認用バンプと第２半導体チップ側接続確認用バンプとの間の接続が達成されない。よって、第１半導体チップ側接続確認用バンプと第２半導体チップ側接続確認用バンプとの間の接続状態に基づいて、第２の半導体チップが第１の半導体チップに対して平行に接合されているか否かを正確に判定することができる。
【００１１】
前記第１半導体チップ側機能バンプ、前記第２半導体チップ側機能バンプ、前記第１半導体チップ側接続確認用バンプおよび前記第２半導体チップ側接続確認用バンプが銅または金からなる場合、前記接続金属層は、前記第１半導体チップ側機能バンプおよび前記第１半導体チップ側接続確認用バンプ、ならびに／または、前記第２半導体チップ側機能バンプおよび前記第２半導体チップ側接続確認用バンプの頂面に設けられたはんだ接合材により形成されてもよい。
【００１２】
請求項３記載の発明は、請求項２記載の半導体装置において、前記第２の半導体チップは、その表面を垂直に見下ろしたときの形状が略矩形状をなしており、前記第２半導体チップ側機能バンプは、前記第２の半導体チップの表面の中央部に配置され、前記第２半導体チップ側接続確認用バンプは、前記第２の半導体チップの表面の各角部に配置されていることを特徴とする。
【００１３】
この構成によれば、第２の半導体チップの表面の各角部に、第２半導体チップ側接続確認用バンプが配置されている。そのため、第２の半導体チップの表面が第１の半導体チップの表面に対して傾いていると、少なくとも１組の第１半導体チップ側接続確認用バンプと第２半導体チップ側接続確認用バンプとの間に広い隙間が生じる。よって、第１半導体チップ側接続確認用バンプと第２半導体チップ側接続確認用バンプとの間の接続状態に基づいて、第２の半導体チップが第１の半導体チップに対して平行に接合されているか否かをより正確に判定することができる。
【００１４】
なお、第２半導体チップ側接続確認用バンプが第２半導体チップ側機能バンプよりも低く形成されているだけでなく、請求項４に記載のように、前記第１半導体チップ側接続確認用バンプも、前記第１の半導体チップの表面からの前記第１半導体チップ側機能バンプの突出量よりも小さい突出量で、前記第１の半導体チップの表面から突出して形成されていてもよい。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１５】
以下では、この発明の実施の形態を、添付図面を参照して詳細に説明する。
図１は、この発明の一実施形態に係る半導体装置の構成を示す図解的な断面図である。
この半導体装置は、第１の半導体チップとしての親チップ１と第２の半導体チップとしての子チップ２とを重ね合わせて接合したチップ・オン・チップ構造を有している。
親チップ１は、平面視略矩形状に形成されており、その表面（デバイスが形成された活性領域側表面）３を上方に向けたフェイスアップ姿勢で、リードフレーム４のアイランド部５にダイボンディングされている。この親チップ１の表面３には、その中央部に、子チップ２が接合される略矩形状のチップ接合領域が設定されている。そして、チップ接合領域内に、複数の機能バンプ６が突出（隆起）して形成されている。また、チップ接合領域内の各角部には、接続確認用バンプ７が突出して形成されている。さらに、親チップ１の表面３には、チップ接合領域を取り囲む周縁部に、複数の外部接続用パッド８が設けられている。この外部接続用パッド８は、ボンディングワイヤ９を介して、リードフレーム４のリード部１０に電気的に接続（ワイヤボンディング）されている。
【００１６】
子チップ２は、平面視において親チップ１よりも小さな略矩形状に形成されており、その表面（デバイスが形成された活性領域側表面）１１を下方に向けたフェイスダウン姿勢で、親チップ１の表面３のチップ接合領域に接合されている。この子チップ２の表面１１には、親チップ１の機能バンプ６とそれぞれ接続される機能バンプ１２が突出して形成されている。また、子チップ２の表面１１の各角部には、親チップ１の接続確認用バンプ７とそれぞれ接続される接続確認用バンプ１３が突出して形成されている。
【００１７】
親チップ１と子チップ２とが接合された状態で、親チップ１の機能バンプ６および接続確認用バンプ７とこれらにそれぞれ対応する子チップ２の機能バンプ１２および接続確認用バンプ１３とは、互いに頂面を突き合わせて対向し、それらの間に介在される接続金属層１４を挟んで接続されている。これにより、親チップ１および子チップ２は、機能バンプ６，１２を介して、電気的に接続され、かつ、互いの間に所定間隔を保った状態で機械的に接続されている。また、親チップ１および子チップ２は、リードフレーム４およびボンディングワイヤ９とともに、封止樹脂１５により封止されている。リードフレーム４のリード部１０の一部は、封止樹脂１５から露出し、外部接続部（アウターリード部）として機能する。
【００１８】
図２は、機能バンプ６，１２の接続部分および接続確認用バンプ７，１３の接続部分を図解的に示す断面図である。
親チップ１において、機能バンプ６は、銅（Ｃｕ）または金（Ａｕ）などの金属材料を用いて、すべて同じ高さ（親チップ１の表面３からの突出量）に形成されている。また、接続確認用バンプ７は、機能バンプ６と同じ材料を用いて、機能バンプ６と同じ高さに形成されている。
【００１９】
一方、子チップ２において、機能バンプ１２は、親チップ１の機能バンプ６と同じ材料を用いて、すべて同じ高さ（子チップ２の表面１１からの突出量）に形成されている。また、接続確認用バンプ１３は、機能バンプ１２と同じ材料（親チップ１の機能バンプ６と同じ材料）を用いて、機能バンプ１２よりも１〜５μｍ（好ましくは、１〜２μｍ）だけ低く（子チップ２の表面１１からの突出量が小さく）形成されている。
【００２０】
図２（ａ）に示すように、親チップ１と子チップ２との接合前の状態において、子チップ２の機能バンプ１２および接続確認用バンプ１３の先端部には、はんだ接合材１６が形成されている。
機能バンプ１２と接続確認用バンプ１３との高さの違いにより、親チップ１と子チップ２とが接合される過程において、機能バンプ１２の先端部のはんだ接合材１６が親チップ１の機能バンプ６の頂面に接触した時点で、接続確認用バンプ１３の先端部のはんだ接合材１６と親チップ１の接続確認用バンプ７の頂面との間に隙間Ｄが生じる。
【００２１】
親チップ１の表面３と子チップ２の表面１１とが互いに平行であれば、すべての接続確認用バンプ１３の先端部のはんだ接合材１６と接続確認用バンプ７の頂面との間の隙間Ｄは、機能バンプ１２と接続確認用バンプ１３との高さの差に相当する間隔となる。したがって、その後に熱処理が行われると、接続確認用バンプ１３の先端部のはんだ接合材１６が溶融して膨張し、そのはんだ接合材１６により、すべての接続確認用バンプ７，１３間が接続される。そして、図２（ｂ）に示すように、互いに対向する各機能バンプ６，１２間および各接続確認用バンプ７，１３間のはんだ接合材１６が接続金属層１４となって、それらの各間の良好な接続（導通）が達成される。
【００２２】
一方、子チップ２の表面１１が親チップ１の表面３に対して傾いていると、親チップ１の表面３と子チップ２の表面１１との間隔が広い部分と狭い部分とが生じ、接続確認用バンプ１３の先端部のはんだ接合材１６と接続確認用バンプ７の頂面との間の隙間Ｄに広狭が生じる。そして、親チップ１の表面３と子チップ２の表面１１との間隔が広い部分では、接続確認用バンプ１３の先端部のはんだ接合材１６と接続確認用バンプ７の頂面との間の隙間Ｄの間隔が、機能バンプ１２と接続確認用バンプ１３との高さの差よりも広くなる。そのため、はんだ接合材１６の量が適当な一定量であれば、親チップ１の表面３と子チップ２の表面１１との間隔が広い部分において、熱処理時に接続確認用バンプ１３の先端部のはんだ接合材１６が膨張しても、そのはんだ接合材１６が接続確認用バンプ７の頂面に届かず、接続確認用バンプ７，１３間の接続が達成されない。
【００２３】
したがって、すべての接続確認用バンプ７，１３間の接続が達成されていれば、子チップ２が親チップ１に対して平行に接合されていると判定することができ、いずれか１組の接続確認用バンプ７，１３間の接続が達成されていなければ、子チップ２が親チップ１に対して傾いて接合されている（平行に接合されていない）と判定することができる。
従来の構成と同様に、親チップ１の接続確認用バンプ７が機能バンプ６と同じ高さに形成され、子チップ２の接続確認用バンプ１３が機能バンプ１２と同じ高さに形成されている場合、子チップ２が親チップ１に対して傾いて接合されても、親チップ１の表面３と子チップ２の表面１１との間隔が広い部分において、接続確認用バンプ１３の先端部のはんだ接合材１６と接続確認用バンプ７の頂面との間に生じる隙間は僅かである。そのため、はんだ接合材１６が溶融して膨張すると、そのはんだ接合材１６が接続確認用バンプ７の頂面に達し、接続確認用バンプ７，１３間の接続が達成されてしまう。
【００２４】
これに対し、この実施形態の構成では、子チップ２の接続確認用バンプ１３が機能バンプ１２よりも低く形成されているので、子チップ２の表面１１が親チップ１の表面３に対して少しでも傾いていると、親チップ１の表面３と子チップ２の表面１１との間隔が広い部分において、接続確認用バンプ１３の先端部のはんだ接合材１６と接続確認用バンプ７の頂面との間に広い隙間が生じる。そのため、はんだ接合材１６が膨張しても、そのはんだ接合材１６が接続確認用バンプ７の頂面に届かず、接続確認用バンプ７，１３間の接続が達成されない。よって、子チップ２が親チップ１に対して平行に接合されているか否かを正確に判定することができる。
【００２５】
なお、高さの異なる機能バンプ１２および接続確認用バンプ１３は、それぞれ別工程で形成してもよいし、２段バンプ形成法により形成してもよい。すなわち、機能バンプ１２および接続確認用バンプ１３の一方を先に形成し、他方を次に形成してもよい。また、機能バンプ１２および接続確認用バンプ１３を形成すべき各位置に、接続確認用バンプ１３の高さに応じた高さに金属材料を選択的に堆積させ、その後、機能バンプ１２を形成すべき位置のみに、さらに金属材料を選択的に堆積させることにより、機能バンプ１２および接続確認用バンプ１３を形成してもよい。
【００２６】
以上、この発明の一実施形態を説明したが、この発明は他の形態で実施することもできる。たとえば、上述の実施形態では、子チップ２において、接続確認用バンプ１３が機能バンプ１２よりも低く形成されているとしたが、図３に示すように、親チップ１においても、接続確認用バンプ７が機能バンプ６よりも低く形成されてもよい。この場合、図３（ａ）に示すように、接続確認用バンプ７，１３は、親チップ１と子チップ２とが接合される過程において、機能バンプ１２の先端部のはんだ接合材１６が親チップ１の機能バンプ６の頂面に接触した時点で、接続確認用バンプ１３の先端部のはんだ接合材１６と親チップ１の接続確認用バンプ７の頂面との間に、１〜５μｍ（好ましくは、１〜２μｍ）の隙間Ｄが生じるような高さにそれぞれ形成されるとよい。このように形成すれば、図３（ｂ）に示すように、親チップ１の表面３と子チップ２の表面１１とが互いに平行であれば、互いに対向する各機能バンプ６，１２間および各接続確認用バンプ７，１３間のはんだ接合材１６が接続金属層１４となって、それらの各間の良好な接続が達成される。
【００２７】
また、子チップ２において、機能バンプ１２と接続確認用バンプ１３とが同じ高さに形成され、親チップ１において、接続確認用バンプ７が機能バンプ６よりも低く形成されてもよい。すなわち、この実施形態では、親チップ１および子チップ２をそれぞれ第１の半導体チップおよび第２の半導体チップとしたが、親チップ１を第２の半導体チップとし、子チップ２を第１の半導体チップとしてもよい。
【００２８】
さらにまた、接続確認用バンプ７，１３は、それぞれ親チップ１および子チップ２の内部回路と接続されていてもよいし、それぞれ親チップ１および子チップ２の内部回路から電気的に切り離されていてもよい。接続確認用バンプ７，１３が内部回路から切り離される場合、図４に示すように、親チップ１において、チップ接合領域の各角部に２個１組の接続確認用バンプ７が配置されるとともに、チップ接合領域外に各接続確認用バンプ７と電気的に接続された外部取出用電極１７が設けられる。一方、子チップ２において、各角部に２個１組の接続確認用バンプ１３が配置されるとともに、その２個１組の接続確認用バンプ１３が互いに電気的に接続される。これにより、親チップ１と子チップ２とが平行をなして接合されると、各組の接続確認用バンプ７，１３の間が接続されて、各組の外部取出用電極１７間が短絡されるので、これらの間の電気抵抗が小さくなる。一方、子チップ２が親チップ１に対して傾いて接合されると、それらの表面間の間隔が広い部分において、接続確認用バンプ７，１３の接続が達成されず、外部取出用電極１７間の電気的導通が得られないので、それらの間の電気抵抗が大きくなる。したがって、各組の外部取出用電極１７間の電気抵抗の測定結果に基づいて、子チップ２が親チップ１に対して平行に接合されているか否かを正確に判定することができる。
【００２９】
また、チップ・チップ・オン・チップ構造の半導体装置を例示したが、この発明は、半導体チップの表面を配線基板（固体装置）に対向させて接合するフリップ・チップ・ボンディング構造の半導体装置に適用されてもよい。
その他、特許請求の範囲に記載された事項の範囲で種々の設計変更を施すことが可能である。
【図面の簡単な説明】
【００３０】
【図１】この発明の一実施形態に係る半導体装置の構成を示す図解的な断面図である。
【図２】親チップおよび子チップ間における機能バンプの接続部分および接続確認用バンプの接続部分の図解的な断面図であり、（ａ）は、子チップの機能バンプの先端部のはんだ接合材が親チップの機能バンプの頂面に接触した時の状態を示し、（ｂ）は、親チップと子チップとの接合が完了した時の状態を示す。
【図３】この発明の他の実施形態（親チップにおいても、接続確認用バンプが機能バンプよりも低く形成された態様）を説明するための図解的な断面図であり、（ａ）は、子チップの機能バンプの先端部のはんだ接合材が親チップの機能バンプの頂面に接触した時の状態を示し、（ｂ）は、親チップと子チップとの接合が完了した時の状態を示す。
【図４】接続確認用バンプが親チップおよび子チップの内部回路から電気的に切り離された場合の構成を示す図解的な平面図である。
【符号の説明】
【００３１】
１      親チップ
２      子チップ
３      表面
６      機能バンプ
７      接続確認用バンプ
１１    表面
１２    機能バンプ
１３    接続確認用バンプ
１４    接続金属層
【図１】
0004723312.tif 000002
【図２】
0004723312.tif 000003
【図３】
0004723312.tif 000004
【図４】
0004723312.tif 000005