(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
走査線に電気的に連結された制御電極を備え、データ線および第１電源電圧線の間に電気的に連結されてデータ信号を伝達する第１スイッチング素子と、
前記第１スイッチング素子に電気的に連結された制御電極を備え、前記第１電源電圧線および第２電源電圧線の間に電気的に連結された駆動トランジスタと、
前記駆動トランジスタに電気的に連結され、前記駆動トランジスタにより供給される電流によって画像を表示する有機電界発光素子と、
前記駆動トランジスタの制御電極および前記第１スイッチング素子の間に電気的に連結された第１容量性素子と、
前記第１容量性素子および前記第２電源電圧線の間に電気的に連結された第２容量性素子と、
前記第１電源電圧線および前記駆動トランジスタの制御電極の間に電気的に連結された第２スイッチング素子と、
前記第１スイッチング素子および前記駆動トランジスタの間に電気的に連結された第３スイッチング素子と、
前記駆動トランジスタの制御電極および前記第２電源電圧線の間に電気的に連結された第４スイッチング素子と、
前記駆動トランジスタおよび前記第２電源電圧線の間に電気的に連結された第５スイッチング素子とを備え、
１フレームの画像表示期間中に前記第２スイッチング素子および前記第５スイッチング素子がターンオフされ、前記第１スイッチング素子、前記第３スイッチング素子および前記第４スイッチング素子がターンオンされると、前記駆動トランジスタの第２電極にデータ信号が印加され、前記駆動トランジスタの制御電極に第２電源電圧が印加されることを特徴とする有機電界発光表示装置。
【請求項２】
前記第１スイッチング素子は、第１電極が前記データ線に電気的に連結され、第２電極が前記第３スイッチング素子の第１電極と前記第１容量性素子の第２電極と前記第２容量性素子の第１電極との間に電気的に連結されることを特徴とする請求項１に記載の有機電界発光表示装置。
【請求項３】
前記第２スイッチング素子は、制御電極が直前走査線に電気的に連結され、第１電極が前記第４スイッチング素子の第１電極と前記第１容量性素子の第１電極と前記駆動トランジスタの制御電極との間に電気的に連結され、第２電極が前記第１電源電圧線と前記駆動トランジスタの第１電極間に電気的に連結されることを特徴とする請求項１に記載の有機電界発光表示装置。
【請求項４】
前記第３スイッチング素子は、制御電極がしきい値電圧補償線に電気的に連結され、第１電極が前記第１スイッチング素子の第２電極と前記第１容量性素子の第２電極と前記第２容量性素子の第１電極との間に電気的に連結され、第２電極が前記駆動トランジスタと前記第５スイッチング素子との間に電気的に連結されることを特徴とする請求項１に記載の有機電界発光表示装置。
【請求項５】
前記第４スイッチング素子は、制御電極がネガティブアニーリング線に電気的に連結され、第１電極が前記駆動トランジスタの制御電極と第２スイッチング素子の第１電極と前記第１容量性素子の第１電極との間に電気的に連結され、第２電極が前記第２電源電圧線に電気的に連結されることを特徴とする請求項１に記載の有機電界発光表示装置。
【請求項６】
前記第５スイッチング素子は、制御電極が発光制御線に電気的に連結され、第１電極が前記駆動トランジスタの第２電極と前記第３スイッチング素子の第２電極との間に電気的に連結され、第２電極が前記第２電源電圧線に電気的に連結されることを特徴とする請求項１に記載の有機電界発光表示装置。
【請求項７】
前記有機電界発光素子は、アノード電極が前記第５スイッチング素子と電気的に連結され、カソード電極が前記第２電源電圧線に電気的に連結されることを特徴とする請求項１に記載の有機電界発光表示装置。
【請求項８】
前記有機電界発光素子は、アノード電極が前記第１電源電圧線に電気的に連結され、カソード電極が前記駆動トランジスタの第１電極と前記第２のスイッチング素子の第２電極との間に電気的に連結されることを特徴とする請求項１に記載の有機電界発光表示装置。
【請求項９】
前記第１容量性素子は、第１電極が前記第２スイッチング素子の第１電極と前記駆動トランジスタの制御電極と前記第４スイッチング素子の第１電極との間に電気的に連結され、第２電極が前記第１スイッチング素子の第２電極と前記第３スイッチング素子の第１電極と前記第２容量性素子の第１電極との間に電気的に連結されることを特徴とする請求項１に記載の有機電界発光表示装置。
【請求項１０】
前記第２容量性素子は、第１電極が前記第１容量性素子の第２電極と前記第１スイッチング素子の第２電極と前記第３スイッチング素子の第１電極との間に電気的に連結され、第２電極が前記第４スイッチング素子の第２電極と前記第２電源電圧線との間に電気的に連結されることを特徴とする請求項１に記載の有機電界発光表示装置。
【請求項１１】
前記第１スイッチング素子、前記第２スイッチング素子、前記第３スイッチング素子、前記第４スイッチング素子、前記第５スイッチング素子、および前記駆動トランジスタは、Ｎ型チャンネルトランジスタであることを特徴とする請求項１に記載の有機電界発光表示装置。
【請求項１２】
走査線が電気的に連結された制御電極を備え、データ線および第１電源電圧線の間に電気的に連結されてデータ信号を伝達する第１スイッチング素子と、
前記第１スイッチング素子に電気的に連結された制御電極を備え、前記第１電源電圧線および第２電源電圧線の間に電気的に連結された駆動トランジスタと、
前記駆動トランジスタに電気的に連結され、前記駆動トランジスタにより供給される電流によって画像を表示する有機電界発光素子と、
前記駆動トランジスタの制御電極および前記第１スイッチング素子の間に電気的に連結された第１容量性素子と、
前記第１容量性素子および前記第１電源電圧線の間に電気的に連結された第２容量性素子と、
前記第２電源電圧線および前記駆動トランジスタの制御電極の間に電気的に連結された第２スイッチング素子と、
前記第１スイッチング素子および前記駆動トランジスタの間に電気的に連結された第３スイッチング素子と、
前記駆動トランジスタの制御電極および前記第１電源電圧線の間に電気的に連結された第４スイッチング素子と、
前記駆動トランジスタおよび前記第１電源電圧線の間に電気的に連結された第５スイッチング素子を備え、
１フレームの画像表示期間中に前記第２スイッチング素子および前記第５スイッチング素子がターンオフされ、前記第１スイッチング素子、前記第３スイッチング素子および前記第４スイッチング素子がターンオンされると、前記駆動トランジスタの第１電極にデータ信号が印加され、前記駆動トランジスタの制御電極に第１電源電圧が印加されることを特徴とする有機電界発光表示装置。
【請求項１３】
前記第１スイッチング素子は、第１電極が前記データ線に電気的に連結され、第２電極が前記第３スイッチング素子の第１電極と前記第１容量性素子の第１電極と前記第２容量性素子の第２電極との間に電気的に連結されることを特徴とする請求項１２に記載の有機電界発光表示装置。
【請求項１４】
前記第２スイッチング素子は、制御電極が直前走査線に電気的に連結され、第１電極が前記第４スイッチング素子の第２電極と前記第１容量性素子の第２電極と前記駆動トランジスタの制御電極との間に電気的に連結され、第２電極が前記第２電源電圧線と前記駆動トランジスタの第２電極との間に電気的に連結されることを特徴とする請求項１２に記載の有機電界発光表示装置。
【請求項１５】
前記第３スイッチング素子は、制御電極がしきい値電圧補償線に電気的に連結され、第１電極が前記第１スイッチング素子の第２電極と前記第１容量性素子の第１電極と前記第２容量性素子の第２電極との間に電気的に連結され、第２電極が前記駆動トランジスタと前記第５スイッチング素子との間に電気的に連結されることを特徴とする請求項１２に記載の有機電界発光表示装置。
【請求項１６】
前記第４スイッチング素子は、制御電極がネガティブアニーリング線に電気的に連結され、第１電極が前記第１電源電圧線に電気的に連結され、第２電極が前記駆動トランジスタの制御電極と第２スイッチング素子の第１電極と前記第１容量性素子の第２電極との間に電気的に連結されることを特徴とする請求項１２に記載の有機電界発光表示装置。
【請求項１７】
前記第５スイッチング素子は、制御電極が発光制御線に電気的に連結され、第１電極が前記第１電源電圧線に電気的に連結され、第２電極が前記駆動トランジスタの第１電極と前記第３スイッチング素子の第２電極との間に電気的に連結されることを特徴とする請求項１２に記載の有機電界発光表示装置。
【請求項１８】
前記有機電界発光素子は、アノード電極が前記駆動トランジスタの第２電極と第２スイッチング素子の第２電極との間に電気的に連結され、カソード電極が前記第２電源電圧線に電気的に連結されることを特徴とする請求項１２に記載の有機電界発光表示装置。
【請求項１９】
前記有機電界発光素子は、アノード電極が前記第１電源電圧線に電気的に連結され、カソード電極が前記第５スイッチング素子の第１電極に電気的に連結されることを特徴とする請求項１２に記載の有機電界発光表示装置。
【請求項２０】
前記第１容量性素子は、第１電極が前記第１スイッチング素子の第２電極と前記第３スイッチング素子の第１電極と前記第２容量性素子の第２電極との間に電気的に連結され、第２電極が前記第２スイッチング素子の第１電極と前記駆動トランジスタの制御電極と前記第４スイッチング素子の第２電極との間に電気的に連結されることを特徴とする請求項１２に記載の有機電界発光表示装置。
【請求項２１】
前記第２容量性素子は、第１電極が前記第４スイッチング素子の第１電極と前記第１電源電圧線間に電気的に連結され、第２電極が前記第１容量性素子の第１電極と前記第１スイッチング素子の第２電極と前記第３スイッチング素子の第１電極との間に電気的に連結されることを特徴とする請求項１２に記載の有機電界発光表示装置。
【請求項２２】
前記第１スイッチング素子、前記第２スイッチング素子、前記第３スイッチング素子、前記第４スイッチング素子、前記第５スイッチング素子、および前記駆動トランジスタは、Ｐ型チャンネルトランジスタであることを特徴とする請求項１２に記載の有機電界発光表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、有機電界発光表示装置に関するものであって、より詳しくは有機電界発光表示装置の画素回路内駆動トランジスタの劣化現象と、その劣化による有機発光素子の明るさの変化を最小化できる有機電界発光表示装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来の有機電界発光表示装置においては、蛍光性、または燐光性有機化合物を電気的に励起し発光させる表示装置によって、ＮｘＭ個の有機発光セルを駆動し映像が表現できるようになっている。このような有機発光セルは、図１に示したようにアノード（ＩＴＯ）、有機薄膜、カソード（金属）の構造からなっている。有機薄膜は、電子と正孔のバランスを良くして発光効率を向上させるため、発光層（ｅｍｉｔｔｉｎｇ  ｌａｙｅｒ、ＥＭＬ）、電子輸送層（ｅｌｅｃｔｒｏｎ  ｔｒａｎｓｐｏｒｔ  ｌａｙｅｒ、ＥＴＬ）、および正孔輸送層（ｈｏｌｅ  ｔｒａｎｓｐｏｒｔ  ｌａｙｅｒ、ＨＴＬ）を含む多層構造からなり、さらに、別途の電子注入層（Ｅｌｅｃｔｒｏｎ  ｉｎｊｅｃｔｉｎｇ  ｌａｙｅｒ、ＥＩＬ）と正孔注入層（ｈｏｌｅ  ｉｎｊｅｃｔｉｎｇ  ｌａｙｅｒ、ＨＩＬ）を含み得る。  
【０００３】
このような有機発光セルを駆動する方式としては、単純マトリックス（ｐａｓｓｉｖｅ  ｍａｔｒｉｘ）方式と薄膜トランジスタ（ｔｈｉｎ  ｆｉｌｍ  ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ、ＴＦＴ）、またはＭＯＳＦＥＴを用いた能動駆動（ａｃｔｉｖｅ  ｍａｔｒｉｘ）方式がある。単純マトリックス方式は正極と負極を直交するように形成しラインを選択して駆動するのに対して、能動駆動方式はトランジスタとキャパシタを各ＩＴＯ（ｉｎｄｉｕｍ  ｔｉｎ  ｏｘｉｄｅ）画素電極に接続してキャパシタ容量によって電圧を維持する駆動方式である。  
【０００４】
このような能動駆動方式に使用されるトランジスタは、非晶質シリコン薄膜トランジスタ、または多結晶シリコン薄膜トランジスタを用いる。非晶質シリコン薄膜トランジスタを駆動素子に用いる場合、電流駆動能力は相対的に低いが、表示装置の均一度に優れ、大面積工程に有利であるという長所を持つ。しかしながら、電流を流す画素回路内の駆動トランジスタは、制御電極に電圧が印加されて電流が流れるようになることにより、シリコンの構造が損傷して段々としきい値電圧が増加することになる。このようにしきい値電圧の増加は、下記の数式（１）のトランジスタ電流式から分かるように、有機電界発光素子に印加される電流の量を減少させることになる。これによって各画素の明るさが減少することで、上記画素回路を採択した有機電界発光表示装置の明るさが時間の経過に伴い段々と減少してしまうという問題がある。
【０００５】
なお、画素回路ごとのしきい値電圧の劣化の程度は直前まで各画素回路に印加されていたデータ電圧によって変わるため、結果的に有機電界発光表示装置全体の輝度が不均一になってしまうという問題がある。  
【０００６】
ＩＯＬＥＤ＝β（ＶＧＳ−ＶＴＨ）２／２                    （１）
【０００７】
ここで、ＩＯＬＥＤは駆動トランジスタと有機電界発光素子に流れる電流、ＶＧＳは駆動トランジスタのゲートとソース間の電圧、ＶＴＨは駆動トランジスタのしきい値電圧、βは駆動トランジスタの電気伝導度に関係された常数である。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
本発明は、上述した従来の問題点を克服するためのものであって、本発明の目的は、１フレームの画像表示期間を第１期間と第２期間に分け、第１期間には、データ信号として駆動トランジスタの制御電極に正の電圧（または負の電圧）を印加して有機電界発光素子が発光するようにし、第２期間には、第１期間に駆動トランジスタの制御電極に印加された電圧とは反対の負の電圧（または正の電圧）を印加して、有機電界発光素子をオフさせると同時に駆動トランジスタがネガティブアニーリング（Ｎｅｇａｔｉｖｅ  ａｎｎｅａｌｉｎｇ）されるようにすることによって、駆動トランジスタのしきい値電圧の変移、すなわち、劣化現象を最小化し、且つ有機電界発光表示装置全体の輝度均一度を向上させることができる有機電界発光表示装置を提供することにある。  
【０００９】
また、本発明の他の目的は、１フレームの画像表示期間中に発光駆動期間とネガティブアニーリング期間の割合を１：１、またはその他の割合で多様に調節し、自然と１フレームと次のフレーム間に第１画像が表示されるようにすることによって、モーションブラー（Ｍｏｔｉｏｎ  Ｂｌｕｒ）現象が防止でき、さらに、高い明暗比の実現が可能な有機電界発光表示装置を提供することにある。  
【００１０】
また、本発明のまた他の目的は、第１期間に駆動トランジスタをダイオード構造で連結し、駆動トランジスタと電気的に連結された容量性素子に駆動トランジスタのしきい値電圧を保存し、駆動トランジスタにデータ電圧が印加される時、しきい値電圧がデータ電圧と合算されて駆動トランジスタの制御電極に印加されることにより、駆動トランジスタのしきい値電圧を補償できる有機電界発光表示装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
上述の目的を達成するための本発明に係る有機電界発光表示装置は、走査線に電気的に連結された制御電極を備え、データ線および第１電源電圧線の間に電気的に連結されてデータ信号を伝達する第１スイッチング素子と、前記第１スイッチング素子に電気的に連結された制御電極を備え、前記第１電源電圧線および第２電源電圧線の間に電気的に連結された駆動トランジスタと、前記駆動トランジスタに電気的に連結され、前記駆動トランジスタにより供給される電流によって画像を表示する有機電界発光素子と、前記駆動トランジスタの制御電極および前記第１スイッチング素子の間に電気的に連結された第１容量性素子と、前記第１容量性素子および前記第２電源電圧線の間に電気的に連結された第２容量性素子と、前記第１電源電圧線および前記駆動トランジスタの制御電極の間に電気的に連結された第２スイッチング素子と、前記第１スイッチング素子および前記駆動トランジスタの間に電気的に連結された第３スイッチング素子と、前記駆動トランジスタの制御電極および前記第２電源電圧線の間に電気的に連結された第４スイッチング素子と、前記駆動トランジスタおよび前記第２電源電圧線の間に電気的に連結された第５スイッチング素子とを備え、１フレームの画像表示期間中に前記第２スイッチング素子および前記第５スイッチング素子がターンオフされ、前記第１スイッチング素子、前記第３スイッチング素子、および前記第４スイッチング素子がターンオンされると、前記駆動トランジスタの第２電極にデータ信号が印加され、前記駆動トランジスタの制御電極に第２電源電圧が印加されることを特徴とする。
【００１２】
前記第１スイッチング素子は、第１電極が前記データ線に電気的に連結され、第２電極が前記第３スイッチング素子の第１電極と前記第１容量性素子の第２電極と前記第２容量性素子の第１電極とに電気的に連結されることを特徴とする。
【００１３】
前記第２スイッチング素子は、制御電極が直前走査線に電気的に連結され、第１電極が前記第４スイッチング素子の第１電極と前記第１容量性素子の第１電極と前記駆動トランジスタの制御電極とに電気的に連結され、第２電極が前記第１電源電圧線と前記駆動トランジスタの第１電極とに電気的に連結されることを特徴とする。
【００１４】
前記第３スイッチング素子は、制御電極がしきい値電圧補償線に電気的に連結され、第１電極が前記第１スイッチング素子の第２電極と前記第１容量性素子の第２電極と前記第２容量性素子の第１電極とに電気的に連結され、第２電極が前記駆動トランジスタと前記第５スイッチング素子とに電気的に連結されることを特徴とする。
【００１５】
前記第４スイッチング素子は、制御電極がネガティブアニーリング線に電気的に連結され、第１電極が前記駆動トランジスタの制御電極と第２スイッチング素子の第１電極と前記第１容量性素子の第１電極とに電気的に連結され、第２電極が前記第２電源電圧線に電気的に連結されることを特徴とする。
【００１６】
前記第５スイッチング素子は、制御電極が発光制御線に電気的に連結され、第１電極が前記駆動トランジスタの第２電極と前記第３スイッチング素子の第２電極とに電気的に連結され、第２電極が前記第２電源電圧線に電気的に連結されることを特徴とする。
【００１７】
前記有機電界発光素子は、アノード電極が前記第５スイッチング素子と電気的に連結され、カソード電極が前記第２電源電圧線に電気的に連結されることを特徴とする。
【００１８】
前記有機電界発光素子は、アノード電極が前記第１電源電圧線に電気的に連結され、カソード電極が前記駆動トランジスタの第１電極と前記第２のスイッチング素子の第２電極とに電気的に連結されることを特徴とする。
【００１９】
前記第１容量性素子は、第１電極が前記第２スイッチング素子の第１電極と前記駆動トランジスタの制御電極と前記第４スイッチング素子の第１電極とに電気的に連結され、第２電極が前記第１スイッチング素子の第２電極と前記第３スイッチング素子の第１電極と前記第２容量性素子の第１電極とに電気的に連結されることを特徴とする。
【００２０】
前記第２容量性素子は、第１電極が前記第１容量性素子の第２電極と前記第１スイッチング素子の第２電極と前記第３スイッチング素子の第１電極とに電気的に連結され、第２電極が前記第４スイッチング素子の第２電極と前記第２電源電圧線とに電気的に連結されることを特徴とする。
【００２１】
前記第１スイッチング素子、前記第２スイッチング素子、前記第３スイッチング素子、前記第４スイッチング素子、前記第５スイッチング素子、および前記駆動トランジスタは、Ｎ型チャンネルトランジスタであることを特徴とする。
【００２２】
有機電界発光表示装置は、走査線に電気的に連結された制御電極を備え、データ線および第１電源電圧線の間に電気的に連結されてデータ信号を伝達する第１スイッチング素子と、前記第１スイッチング素子に電気的に連結された制御電極を備え、前記第１電源電圧線および第２電源電圧線の間に電気的に連結された駆動トランジスタと、前記駆動トランジスタに電気的に連結され、前記駆動トランジスタにより供給される電流によって画像を表示する有機電界発光素子と、前記駆動トランジスタの制御電極および前記第１スイッチング素子の間に電気的に連結された第１容量性素子と、前記第１容量性素子および前記第１電源電圧線の間に電気的に連結された第２容量性素子と、前記第２電源電圧線および前記駆動トランジスタの制御電極の間に電気的に連結された第２スイッチング素子と、前記第１スイッチング素子および前記駆動トランジスタの間に電気的に連結された第３スイッチング素子と、前記駆動トランジスタの制御電極および前記第１電源電圧線の間に電気的に連結された第４スイッチング素子と、前記駆動トランジスタおよび前記第１電源電圧線の間に電気的に連結された第５スイッチング素子とを備え、１フレームの画像表示期間中に前記第２スイッチング素子および前記第５スイッチング素子がターンオフされ、前記第１スイッチング素子、前記第３スイッチング素子および前記第４スイッチング素子がターンオンされると、前記駆動トランジスタの第１電極にデータ信号が印加され、前記駆動トランジスタの制御電極に第１電源電圧が印加されることを特徴とする。
【００２３】
前記第１スイッチング素子は、第１電極が前記データ線に電気的に連結され、第２電極が前記第３スイッチング素子の第１電極と前記第１容量性素子の第１電極と前記第２容量性素子の第２電極とに電気的に連結されることを特徴とする。
【００２４】
前記第２スイッチング素子は、制御電極が直前走査線に電気的に連結され、第１電極が前記第４スイッチング素子の第２電極と前記第１容量性素子の第２電極と前記駆動トランジスタの制御電極とに電気的に連結され、第２電極が前記第２電源電圧線と前記駆動トランジスタの第２電極とに電気的に連結されることを特徴とする。
【００２５】
前記第３スイッチング素子は、制御電極がしきい値電圧補償線に電気的に連結され、第１電極が前記第１スイッチング素子の第２電極と前記第１容量性素子の第１電極と前記第２容量性素子の第２電極とに電気的に連結され、第２電極が前記駆動トランジスタと前記第５スイッチング素子とに電気的に連結されることを特徴とする。
【００２６】
前記第４スイッチング素子は、制御電極がネガティブアニーリング線に電気的に連結され、第１電極が前記第１電源電圧線に電気的に連結され、第２電極が前記駆動トランジスタの制御電極と第２スイッチング素子の第１電極と前記第１容量性素子の第２電極とに電気的に連結されることを特徴とする。
【００２７】
前記第５スイッチング素子は、制御電極が発光制御線に電気的に連結され、第１電極が前記第１電源電圧線に電気的に連結され、第２電極が前記駆動トランジスタの第１電極と前記第３スイッチング素子の第２電極とに電気的に連結されることを特徴とする。
【００２８】
前記有機電界発光素子は、アノード電極が前記駆動トランジスタの第２電極と第２スイッチング素子の第２電極とに電気的に連結され、カソード電極が前記第２電源電圧線に電気的に連結されることを特徴とする。
【００２９】
前記有機電界発光素子は、アノード電極が前記第１電源電圧線に電気的に連結され、カソード電極が前記第５スイッチング素子の第１電極に電気的に連結されることを特徴とする。
【００３０】
前記第１容量性素子は、第１電極が前記第１スイッチング素子の第２電極と前記第３スイッチング素子の第１電極と前記第２容量性素子の第２電極とに電気的に連結され、第２電極が前記第２スイッチング素子の第１電極と前記駆動トランジスタの制御電極と前記第４スイッチング素子の第２電極とに電気的に連結されることを特徴とする。
【００３１】
前記第２容量性素子は、第１電極が前記第４スイッチング素子の第１電極と前記第１電源電圧線とに電気的に連結され、第２電極が前記第１容量性素子の第１電極と前記第１スイッチング素子の第２電極と前記第３スイッチング素子の第１電極とに電気的に連結されることを特徴とする。
【００３２】
前記第１スイッチング素子、前記第２スイッチング素子、前記第３スイッチング素子、前記第４スイッチング素子、前記第５スイッチング素子、および前記駆動トランジスタは、Ｐ型チャンネルトランジスタであることを特徴とする。
【発明の効果】
【００３３】
本発明による有機電界発光表示装置は、１フレームの画像表示期間を第１期間と第２期間に分け、第１期間には、データ信号として駆動トランジスタの制御電極に正の電圧（または負の電圧）を印加して有機電界発光素子が発光するようにし、第２期間には、第１期間に駆動トランジスタの制御電極に印加された電圧とは反対の負の電圧（または正の電圧）を印加して、有機電界発光素子をオフさせると同時に駆動トランジスタがネガティブアニーリング（Ｎｅｇａｔｉｖｅ  ａｎｎｅａｌｉｎｇ）されるようにすることによって、駆動トランジスタのしきい値電圧の変移、すなわち、劣化現象を最小化し、且つ有機電界発光表示装置全体の輝度均一度を向上させることができる。
【００３４】
また、上記のようにして、本発明による有機電界発光表示装置は、１フレームの画像表示期間中に発光駆動期間とネガティブアニーリング期間の割合を１：１、またはその他の割合で多様に調節し、自然と１フレームと次のフレーム間に第１の画像が表示されるようにすることによって、モーションブラー（Ｍｏｔｉｏｎ  Ｂｌｕｒ）現象が防止でき、さらに、高い明暗比の実現が可能である。
【００３５】
また、上記のようにして、本発明による有機電界発光表示装置は、第１期間に駆動トランジスタをダイオード構造で連結し、駆動トランジスタと電気的に連結された容量性素子に駆動トランジスタのしきい値電圧を保存し、駆動トランジスタにデータ電圧が印加される時、しきい値電圧がデータ電圧と合算されて駆動トランジスタの制御電極に印加されるため、駆動トランジスタのしきい値電圧を補償できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３６】
以下、本発明が属する技術分野において通常の知識を有する者が本発明を容易に実施できる程度に本発明の好ましい実施例を添付図面を参照しながら詳しく説明する。  
【００３７】
本発明の実施例は、本発明の有機電界発光表示装置を実施するための１つの実施例に過ぎず、本発明を限定するものではない。
【００３８】
ここで、明細書全体に亘り、類似構成および動作部分に対しては同じ図面符号を付与した。また、ある部分が他の部分と電気的に連結されて（ｅｌｅｃｔｒｉｃａｌｌｙ  ｃｏｕｐｌｅｄ）いるとは、直接的に連結されている場合だけでなく、その中間に他の素子を介して連結されている場合も含む。
【００３９】
図２は、本発明に係る有機電界発光表示装置の構成のブロック図が示されている。
【００４０】
図２に示すように、有機電界発光表示装置１００は、走査駆動部１１０、データ駆動部１２０、発光制御駆動部１３０、有機電界発光表示パネル１４０（以下、パネル）を含み得る。
【００４１】
上記走査駆動部１１０は、複数の走査線Ｓｃａｎ［１］、Ｓｃａｎ［２］、…、Ｓｃａｎ［ｎ］を介して上記パネル１４０に走査信号を順次供給することができる。
【００４２】
上記データ駆動部１２０は、複数のデータ線Ｄａｔａ［１］、Ｄａｔａ［２］、…、Ｄａｔａ［ｍ］を介して上記パネル１４０にデータ信号を供給することができる。
【００４３】
上記発光制御駆動部１３０は、複数の発光制御線Ｅｍ［１］、Ｅｍ［２］、…、Ｅｍ［ｎ］を介して上記パネル１４０に発光制御信号を順次供給することができる。また、発光制御駆動部１３０は、発光制御信号のパルス幅が調節できるようにし、１区間で発生する発光制御信号のパルスの数を調節することができる。発光制御線Ｅｍ［１］、Ｅｍ［２］、…、Ｅｍ［ｎ］と連結されている画素回路１４１は、発光制御信号が伝達されて画素回路１４１で生成した電流が発光素子に流れるようにする時点を決めることができる。この時、発光制御駆動部１３０、走査駆動部１１０、およびデータ駆動部１２０の回路は、画素回路と同一のトランジスタから構成され、パネルが形成される時に別途の工程がなくても基板上に形成されるようにして、別途のチップ形態に構成しなくても良い。
【００４４】
また、上記パネル１４０は、行方向に配列されている複数の走査線Ｓｃａｎ［１］、Ｓｃａｎ［２］、…、Ｓｃａｎ［ｎ］および発光制御線Ｅｍ［１］、Ｅｍ［２］、…、Ｅｍ［ｎ］と、列方向に配列される複数のデータ線Ｄａｔａ［１］、Ｄａｔａ［２］、…、Ｄａｔａ［ｍ］と、上記の複数の走査線Ｓｃａｎ［１］、Ｓｃａｎ［２］、…、Ｓｃａｎ［ｎ］およびデータ線Ｄａｔａ［１］、Ｄａｔａ［２］、…、Ｄａｔａ［ｍ］と、発光制御線Ｅｍ［１］、Ｅｍ［２］、…、Ｅｍ［ｎ］により定義される画素回路１４１（Ｐｉｘｅｌ）を含み得る。
【００４５】
ここで、上記画素回路（Ｐｉｘｅｌ）は、隣り合う２本の走査線（または発光制御線）と隣り合う２本のデータ線により定義される画素領域に形成され得る。もちろん、上述したように走査線Ｓｃａｎ［１］、Ｓｃａｎ［２］、…、Ｓｃａｎ［ｎ］には、走査駆動部１１０から走査信号が供給され得、データ線Ｄａｔａ［１］、Ｄａｔａ［２］、…、Ｄａｔａ［ｍ］には、データ駆動部１２０からデータ信号が供給され得、上記発光制御線Ｅｍ［１］、Ｅｍ［２］、…、Ｅｍ［ｎ］には、上記発光制御駆動部１３０から発光制御信号が供給され得る。
【００４６】
図３は、本発明の一実施例に係る有機電界発光表示装置の画素回路の回路図が示されている。
【００４７】
図３に示すように、有機電界発光表示装置の画素回路は、走査線Ｓｃａｎ［ｎ］、直前走査線Ｓｃａｎ［ｎ−１］、データ線Ｄａｔａ［ｍ］、発光制御線Ｅｍ［ｎ］、しきい値電圧補償線Ｔｈ、ネガティブアニーリング線ＮＡ、第１電源電圧線ＥＬＶＤＤ、第２電源電圧線ＥＬＶＳＳ、駆動トランジスタＭＤＲ、第１スイッチング素子Ｓ１、第２スイッチング素子Ｓ２、第３スイッチング素子Ｓ３、第４スイッチング素子Ｓ４、第５スイッチング素子Ｓ５、第１容量性素子Ｃ１、第２容量性素子Ｃ２、および有機電界発光素子ＯＬＥＤを含み得る。
【００４８】
上記走査線Ｓｃａｎ［ｎ］は、発光させようとする有機電界発光素子ＯＬＥＤを選択する走査信号を上記第１スイッチング素子Ｓ１の制御電極に印加する役割をする。もちろん、このような走査線Ｓｃａｎ［ｎ］は、走査信号を生成する走査駆動部１１０（図２参照）に電気的に連結される。
【００４９】
上記直前走査線Ｓｃａｎ［ｎ−１］は、先立って選択されるｎ−１番目の走査線を共通に連結して用いるという点からＳｃａｎ［ｎ−１］と表わした。上記直前走査線Ｓｃａｎ［ｎ−１］は、第２スイッチング素子Ｓ２の制御電極に電気的に連結されて第２スイッチング素子Ｓ２を制御する。上記第２スイッチング素子Ｓ２は、制御電極にハイレベルの直前走査信号が印加されると、駆動トランジスタＭＤＲをダイオード構造で連結させる。
【００５０】
上記データ線Ｄａｔａ［ｍ］は、発光輝度を決めるデータ信号（電圧）を上記第１スイッチング素子Ｓ１に印加する。もちろん、このようなデータ線Ｄａｔａ［ｍ］はデータ信号を生成するデータ駆動部１２０（図２参照）に電気的に連結され得る。
【００５１】
上記発光制御線Ｅｍ［ｎ］は、実質的に上記有機電界発光素子ＯＬＥＤの発光時間が制御できるように、上記第５スイッチング素子Ｓ５の制御電極に電気的に連結されて第５スイッチング素子Ｓ５を制御する。もちろん、このような発光制御線Ｅｍ［ｎ］は発光制御信号を生成する発光制御駆動部１３０（図２参照）に電気的に連結される。
【００５２】
上記しきい値電圧補償線Ｔｈは、第１の容量性素子Ｃ１が発光駆動期間Ｔ１（図４参照）に上記駆動トランジスタＭＤＲのしきい値電圧を保存できるように、第３スイッチング素子Ｓ３の制御電極に電気的に連結されて第３スイッチング素子Ｓ３を制御する。ネガティブアニーリング期間Ｔ２（図４参照）にデータ電圧が駆動トランジスタＭＤＲの第２電極に印加できるように第３スイッチング素子Ｓ３を制御する。
【００５３】
上記ネガティブアニーリング線（ＮＡ）は、駆動トランジスタＭＤＲの制御電極への第２電源電圧の印加を制御できるように、上記第４スイッチング素子Ｓ４の制御電極に電気的に連結されて第４スイッチング素子Ｓ４を制御する。上記第１電源電圧線ＥＬＶＤＤは、第１電源電圧が有機電界発光素子ＯＬＥＤに印加されるようにする。
【００５４】
上記第２電源電圧線ＥＬＶＳＳは、第２電源電圧が有機電界発光素子ＯＬＥＤに印加されるようにする。ここで、上記第１電源電圧は、通常的に上記第２電源電圧に比べてハイレベル（ｈｉｇｈ  ｌｅｖｅｌ）である。
【００５５】
上記駆動トランジスタＭＤＲは、第１電極が上記第１電源電圧線ＥＬＶＤＤに電気的に連結され、第２電極が第５スイッチング素子Ｓ５の第１電極および第３スイッチング素子Ｓ３の第２電極に電気的に連結され、制御電極が上記第１容量性素子Ｃ１の第１電極に電気的に連結される。この時、第１容量性素子Ｃ１の第２電極は、データ線Ｄａｔａ［ｍ］に電気的に連結されてデータ信号を駆動トランジスタＭＤＲの制御電極に印加する。このような駆動トランジスタＭＤＲは、Ｎ型チャンネルトランジスタであり、制御電極を介してハイレベル（または正の電圧）のデータ信号が印加されるとターンオンされ、第１電源電圧線ＥＬＶＤＤから一定量の電圧を有機電界発光素子ＯＬＥＤ側に供給する役割をする。そして、上記第１スイッチング素子Ｓ１の制御電極に走査信号がローレベルに印加されてターンオフされても、ハイレベル（または正の電圧）のデータ信号が、第１容量性素子Ｃ１の第２電極および第２容量性素子Ｃ２の第１電極の間（Ｎ２）に供給され充填させるため、一定時間、上記第２容量性素子Ｃ２の充填電圧によって上記駆動トランジスタＭＤＲの制御電極にハイレベル（または正の電圧）のデータ信号が続けて印加される。
【００５６】
ここで、上記駆動トランジスタＭＤＲは、非晶質シリコン薄膜トランジスタ、ポリシリコン薄膜トランジスタ、有機薄膜トランジスタ、ナノ薄膜半導体トランジスタ、酸化物薄膜トランジスタ、およびその等価物から選択されるいずれか１つであるが、ここで、その材質、または種類を限定するのではない。
【００５７】
また、上記駆動トランジスタＭＤＲがポリシリコン薄膜トランジスタである場合、これはレーザ結晶化方法、金属誘導結晶化方法、高圧結晶化方法、高温結晶化、直接蒸着方法、およびその等価方法から選択されるいずれか１つの方法で形成されるが、本発明において上記ポリシリコン薄膜トランジスタの製造方法を限定するのではない。
【００５８】
参考として上記レーザ結晶化方法は、非晶質シリコンに例えばエキシマレーザを照射して結晶化する方法であり、上記金属誘導結晶化方法は、非晶質シリコンの上に例えば金属を位置させ所定温度を加えて、上記金属から結晶化が始まるようにする方法であり、上記高圧結晶化方法は、非晶質シリコンに例えば所定圧力を加えて結晶化する方法である。
【００５９】
なお、上記金属誘導結晶化方法によって上記駆動トランジスタＭＤＲが製造された場合、上記駆動トランジスタＭＤＲには、ニッケル（Ｎｉ）、カドミウム（Ｃｄ）、コバルト（Ｃｏ）、チタニウム（Ｔｉ）、パラジウム（Ｐｄ）、タングステン（Ｗ）、およびその等価物から選択されるいずれか１つをさらに含み得る。
【００６０】
上記第１スイッチング素子Ｓ１は、第１電極（ドレイン電極またはソース電極）が上記データ線Ｄａｔａ［ｍ］に電気的に連結され、第２電極（ソース電極またはドレイン電極）が第１容量性素子Ｃ１の第２電極および第２容量性素子Ｃ２の第１電極の間（Ｎ２）に電気的に連結され、制御電極が走査線Ｓｃａｎ［ｎ］に電気的に連結される。このような第１スイッチング素子Ｓ１は、制御電極にハイレベルの走査信号が印加されるとターンオンされ、データ線Ｄａｔａ［ｍ］から印加されるデータ信号を第１容量性素子Ｃ１の第２電極および第２容量性素子Ｃ２の第１電極の間（Ｎ２）に供給する。
【００６１】
上記第２スイッチング素子Ｓ２は、第１電極が第１容量性素子Ｃ１の第１電極Ｎ１および駆動トランジスタＭＤＲの制御電極に電気的に連結され、第２電極が駆動トランジスタＭＤＲの第１電極および第１電源電圧線ＥＬＶＤＤに電気的に連結され、制御電極が直前走査線Ｓｃａｎ［ｎ−１］に電気的に連結される。このような第２スイッチング素子Ｓ２は、制御電極にハイレベルの直前走査信号が印加されるとターンオンされ、駆動トランジスタＭＤＲをダイオード構造で連結する。  
【００６２】
上記第３スイッチング素子Ｓ３は、第１電極が第１スイッチング素子Ｓ１の第２電極および第１容量性素子Ｃ１の第２電極と第２容量性素子Ｃ２の第１電極の間（Ｎ２）に電気的に連結され、第２電極が駆動トランジスタＭＤＲの第２電極および第５スイッチング素子Ｓ５の第１電極に電気的に連結され、制御電極がしきい値電圧補償線Ｔｈに電気的に連結される。このような第３スイッチング素子Ｓ３は、制御電極にハイレベルのしきい値電圧補償信号が印加されるとターンオンされ、発光駆動期間には、第１電源電圧で駆動トランジスタＭＤＲのしきい値電圧に該当する電圧を第１容量性素子Ｃ１に保存させ、ネガティブアニーリング期間には、駆動トランジスタＭＤＲの第２電極にデータ信号を印加する。
【００６３】
上記第４スイッチング素子Ｓ４は、第１電極が駆動トランジスタＭＤＲの制御電極および第１容量性素子Ｃ１の第１電極Ｎ１に電気的に連結され、第２電極が第２容量性素子Ｃ２の第２電極と第２電源電圧線ＥＬＶＳＳとに電気的に連結され、制御電極がネガティブアニーリング線ＮＡに電気的に連結される。このような第４スイッチング素子Ｓ４は、制御電極にハイレベルのネガティブアニーリング信号が印加されるとターンオンされ、第２電源電圧を駆動トランジスタＭＤＲの制御電極に印加する。
【００６４】
上記第５スイッチング素子Ｓ５は、第１電極が駆動トランジスタＭＤＲの第２電極に電気的に連結され、第２電極が有機電界発光素子ＯＬＥＤに電気的に連結され、制御電極が発光制御線Ｅｍ［ｎ］に電気的に連結される。このような第５スイッチング素子Ｓ５は、制御電極にハイレベルの発光制御信号が印加されるとターンオンされ、駆動トランジスタＭＤＲの駆動電流を有機電界発光素子ＯＬＥＤに印加する。  
【００６５】
上記第１容量性素子Ｃ１は、第１電極が駆動トランジスタＭＤＲの制御電極および第２スイッチング素子Ｓ２に電気的に連結され、第２電極が第１スイッチング素子Ｓ１、第３スイッチング素子Ｓ３、および第２容量性素子Ｃ２に電気的に連結される。このような第１容量性素子Ｃ１は、第１容量性素子Ｃ１の第１電極と第２電極との電圧差に該当する電圧を保存する。
【００６６】
上記第２容量性素子Ｃ２は、第１電極が第１容量性素子Ｃ１、第１スイッチング素子Ｓ１、および第３スイッチング素子Ｓ３に電気的に連結され、第２電極が第４スイッチング素子Ｓ４の第２電極および第２電源電圧線ＥＬＶＳＳに電気的に連結される。このような第２容量性素子Ｃ２は、第２容量性素子Ｃ２の第１電極と第２電極との電圧差に該当する電圧を保存する。
【００６７】
上記有機電界発光素子ＯＬＥＤは、アノードが第５スイッチング素子Ｓ５の第２電極に電気的に連結され、カソードが第２電源電圧線ＥＬＶＳＳに電気的に連結されることができる。このような有機電界発光素子ＯＬＥＤは、上記駆動トランジスタＭＤＲによって制御される電流により所定の明るさで発光する役割をする。
【００６８】
ここで、上記有機電界発光素子ＯＬＥＤは、発光層ＥＭＬ（図１参照）を備えており、上記発光層ＥＭＬは、蛍光材料、燐光材料、その混合物、およびその等価物から選択されるいずれか１つである。しかし、ここで上記発光層ＥＭＬの材質または種類を限定するのではない。また、上記発光層ＥＭＬは、赤色発光材料、緑色発光材料、青色発光材料、その混合物質、およびその等価物から選択されるいずれか１つであるが、ここでその材質または種類を限定するのではない。
【００６９】
図４は、図３に示した画素回路の駆動のタイミングチャートが示されている。図４に示されるように、画素回路の駆動のタイミングチャートは１フレーム（１ｆｒａｍｅ）が第１期間と第２期間に分離できる。より具体的に、１フレーム（１ｆｒａｍｅ）は、発光駆動期間Ｔ１とネガティブアニーリング期間Ｔ２からなっている。好ましくは、上記発光駆動期間Ｔ１とネガティブアニーリング期間Ｔ２は、１：１の割合で形成され得るが、このような割合が本発明を限定するのではない。  
【００７０】
上記発光駆動期間Ｔ１は、実際に有機電界発光素子ＯＬＥＤが所定の明るさで発光すると同時に、駆動トランジスタＭＤＲの制御電極に所定のデータ信号が印加される期間であり、上記ネガティブアニーリング期間Ｔ２は、上記有機電界発光素子ＯＬＥＤがオフされた状態で、発光駆動期間Ｔ１に上記駆動トランジスタＭＤＲの制御電極に印加されていた上記データ信号とは反対極性の信号が印加されてアニーリングされる期間である。そしてネガティブアニーリング期間Ｔ２は、発光駆動期間Ｔ１に印加されていた信号とは反対極性の信号が駆動トランジスタＭＤＲに印加されてアニーリングされるため、ネガティブアニーリングという。上記発光駆動期間Ｔ１は、しきい値電圧補償期間Ｔ１１、データ書き込み期間Ｔ１２、および発光器間Ｔ１３からなっており、上記ネガティブアニーリング期間Ｔ２は、遅延期間Ｔ２１、アニーリング信号書き込み期間Ｔ２２、およびアニーリング期間Ｔ２３からなっている。
【００７１】
図５は、図４に示した画素回路の発光駆動期間Ｔ１の中、しきい値電圧補償期間Ｔ１１における画素回路の動作の回路図が示されている。ここで、上記画素回路の動作は、図４のタイミングチャートを共に参照して説明する。
【００７２】
上記しきい値電圧補償期間Ｔ１１は、直前走査線Ｓｃａｎ［ｎ−１］にハイレベルの直前走査信号が印加されて第２スイッチング素子Ｓ２がターンオンされ、しきい値電圧補償線Ｔｈにハイレベルのしきい値電圧補償信号が印加されて第３スイッチング素子Ｓ３がターンオンされ、発光制御線Ｅｍ［ｎ］にハイレベルの発光制御信号が印加されて第５スイッチング素子Ｓ５がターンオンされる。走査線Ｓｃａｎ［ｎ］とネガティブアニーリング線ＮＡには、ローレベルの信号が印加されて、第１スイッチング素子Ｓ１と第４スイッチング素子Ｓ４はターンオフされる。
【００７３】
上記第２スイッチング素子Ｓ２がターンオンされ、駆動トランジスタＭＤＲをダイオード構造で連結し、第３スイッチング素子Ｓ３がターンオンされ、第１電源電圧ＥＬＶＤＤと駆動トランジスタＭＤＲのしきい値電圧の差の分程の電圧を第１容量性素子Ｃ１と第２容量性素子Ｃ２の間（Ｎ２）に印加する。
【００７４】
上記第１容量性素子Ｃ１は、第１電極Ｎ１が第１電源電圧線ＥＬＶＤＤに電気的に連結され、第２電極は、第３スイッチング素子Ｓ３がターンオンされることにより駆動トランジスタＭＤＲの第２電極と電気的に連結されるが、この時、駆動トランジスタＭＤＲは、ダイオード構造で連結されるため、駆動トランジスタＭＤＲの第２電極の電圧は、第１電源電圧ＥＬＶＤＤと駆動トランジスタＭＤＲのしきい値電圧との差に該当する電圧が印加される。この時、第１容量性素子Ｃ１の第１電極Ｎ１と第２電極Ｎ２との電圧差は、駆動トランジスタＭＤＲのしきい値電圧と同一になるため、第１容量性素子Ｃ１は駆動トランジスタＭＤＲのしきい値電圧を保存する。
【００７５】
図６は、図４に示した画素回路の発光駆動期間Ｔ１中、データ書き込み期間Ｔ１２における画素回路の動作の回路図が示されている。ここで、上記画素回路の動作は、図４のタイミングチャートを共に参照して説明する。
【００７６】
上記データ書き込み期間Ｔ１２は、走査線Ｓｃａｎ［ｎ］にハイレベルの走査信号が印加されて第１スイッチング素子Ｓ１がターンオンされ、発光制御線Ｅｍ［ｎ］にハイレベルの発光制御信号が印加されて第５スイッチング素子Ｓ５がターンオンされる。直前走査線Ｓｃａｎ［ｎ−１］、しきい値電圧補償線Ｔｈ、ネガティブアニーリング線ＮＡには、ローレベルの信号が印加されて、第２スイッチング素子Ｓ２、第３スイッチング素子Ｓ３、および第４スイッチング素子Ｓ４はターンオフされる。
【００７７】
上記第１スイッチング素子Ｓ１がターンオンされ、データ線Ｄａｔａ［ｍ］から印加されるハイレベル（正の電圧）のデータ信号を第１容量性素子Ｃ１の第２電極と第２容量性素子Ｃ２の第１電極間（Ｎ２）に印加すると、第１容量性素子Ｃ１は、しきい値電圧補償期間Ｔ１１に、第１容量性素子Ｃ１に保存された駆動トランジスタＭＤＲのしきい値電圧と第１容量性素子Ｃ１の第２電極に印加されるデータ信号（正の電圧）との和に該当する電圧を駆動トランジスタＭＤＲの制御電極に印加し、第５スイッチング素子Ｓ５はターンオンされ、駆動トランジスタＭＤＲから印加される電圧を有機電界発光素子ＯＬＥＤに伝達する。第２容量性素子Ｃ２は第１電極Ｎ２にデータ信号が印加され、第２電極Ｎ３は第２の電源電圧線ＥＬＶＳＳと電気的に連結されるため、データ信号を保存することになる。  
【００７８】
上記データ書き込み期間Ｔ１２の有機電界発光素子ＯＬＥＤに伝達される電流は数式（２）の通りである。
【００７９】
ＩＯＬＥＤ＝β（ＶＧＳ−ＶＴＨ）２／２
＝β（ＶＧ−ＶＳ−ＶＴＨ）２／２
＝β（ＶＤＡＴＡ＋ＶＴＨ−ＶＳ−ＶＴＨ）２／２
＝β（ＶＤＡＴＡ−ＶＳ）２／２                                           （２）
【００８０】
ここで、ＶＧＳは駆動トランジスタＭＤＲのゲートとソースの間の電圧であり、ＶＧは駆動トランジスタＭＤＲのゲート電圧であり、ＶＳは駆動トランジスタＭＤＲのソース電圧であり、ＶＤＡＴＡはデータ線Ｄａｔａ［ｍ］から印加されるデータ信号（正の電圧）であり、ＶＴＨは駆動トランジスタＭＤＲのしきい値電圧であり、βは常数値であり、ＩＯＬＥＤは有機電界発光素子ＯＬＥＤに流れる駆動電流である。
【００８１】
数式（２）から分かるように、有機電界発光素子ＯＬＥＤに印加される駆動電流ＩＯＬＥＤは、しきい値電圧補償期間Ｔ１１に、第１容量性素子Ｃ１に保存されていた駆動トランジスタＭＤＲのゲート電圧によって、駆動トランジスタＭＤＲのしきい値電圧は相殺されて駆動電流ＩＯＬＥＤには存在しなくなる。これによって、それぞれの画素回路１４１（Ｐｉｘｅｌ、図２参照）の有機電界発光素子ＯＬＥＤは、それぞれの駆動トランジスタＭＤＲのしきい値電圧ＶＴＨの差と関係なく、同じ輝度で発光することになり、高階調の有機電界発光表示装置を実現することができ、時間の経過によって駆動トランジスタＭＤＲのしきい値電圧の劣化による有機電界発光表示装置の輝度変化を防止することができる。  
【００８２】
図７は、図４に示した画素回路の発光駆動期間Ｔ１中、発光期間Ｔ１３における画素回路の動作の回路図が示されている。ここで、上記画素回路の動作は、図４のタイミングチャートを共に参照して説明する。
【００８３】
上記発光期間Ｔ１３は、発光制御線Ｅｍ［ｎ］にハイレベルの発光制御信号が印加されて第５スイッチング素子Ｓ５がターンオンされる。走査線Ｓｃａｎ［ｎ］、直前走査線Ｓｃａｎ［ｎ−１］、しきい値電圧補償線Ｔｈ、ネガティブアニーリング線ＮＡにはローレベルの信号が印加されて、第１スイッチング素子Ｓ１、第２スイッチング素子Ｓ２、第３スイッチング素子Ｓ３、および第４スイッチング素子Ｓ４はターンオフされる。
【００８４】
上記第１スイッチング素子Ｓ１がターンオフされて、第１容量性素子Ｃ１の第２電極と第２容量性素子Ｃ２の第１電極の間（Ｎ２）へのデータ信号の印加は中断されても、上記第５スイッチング素子Ｓ５がターンオフされる前までは、駆動トランジスタＭＤＲはデータ書き込み期間Ｔ１２に第２容量性素子Ｃ２に保存されたデータ信号でデータ書き込み期間Ｔ１２と同様に動作する。したがって、有機電界発光素子ＯＬＥＤには、データ書き込み期間Ｔ１２と同様の電流が流れ、有機電界発光素子ＯＬＥＤは発光することになる。図８は、図４に示した画素回路のネガティブアニーリング期間Ｔ２における画素回路の動作の回路図が示されている。ここで、上記画素回路の動作は、図４のタイミングチャートを共に参照して説明する。
【００８５】
上記ネガティブアニーリング期間Ｔ２は、遅延期間Ｔ２１、アニーリング信号書き込み期間Ｔ２２、およびアニーリング期間Ｔ２３からなっており、図８に示す画素回路動作の回路図は、アニーリング信号書き込み期間Ｔ２２である。
【００８６】
上記遅延期間Ｔ２１は、上記アニーリング信号書き込み期間Ｔ２２、およびアニーリング期間Ｔ２３直前に直前走査線Ｓｃａｎ［ｎ−１］にハイレベルの走査信号が印加される期間である。この期間は、発光駆動期間Ｔ１に第２スイッチング素子Ｓ２を直前走査線Ｓｃａｎ［ｎ−１］を用いて動作し、上記直前走査線Ｓｃａｎ［ｎ−１］の直前走査信号は、走査線Ｓｃａｎ［ｎ］の走査信号がハイレベルに印加される直前にハイレベルに同一に印加される信号であり、発光駆動期間Ｔ１には使用するが、ネガティブアニーリング期間Ｔ２には使用しないため画素回路が動作しない遅延期間となる。
【００８７】
上記アニーリング信号書き込み期間Ｔ２２の画素回路の動作は図８に示されている。上記アニーリング信号書き込み期間Ｔ２２は、走査線Ｓｃａｎ［ｎ］にハイレベルの走査信号が印加されて第１スイッチング素子Ｓ１がターンオンされ、しきい値電圧補償線Ｔｈにハイレベルのしきい値電圧補償信号が印加されて第３スイッチング素子Ｓ３がターンオンされ、ネガティブアニーリング線ＮＡにハイレベルの信号が印加されて、第４スイッチング素子Ｓ４がターンオンされる。上記直前走査線Ｓｃａｎ［ｎ−１］と発光制御線Ｅｍ［ｎ］にはローレベルの信号が印加されて、第２スイッチング素子Ｓ２および第５スイッチング素子Ｓ５がターンオフされる。
【００８８】
上記第１スイッチング素子Ｓ１がターンオンされ、データ線Ｄａｔａ［ｍ］から印加されるハイレベル（正の電圧）のデータ信号を第１容量性素子Ｃ１の第２電極と第２容量性素子Ｃ２の第１電極の間（Ｎ２）に印加し、上記第３スイッチング素子Ｓ３がターンオンされ、駆動トランジスタＭＤＲの第２電極にデータ信号を印加する。上記第４スイッチング素子Ｓ４は、ターンオンされ、第２電源電圧ＥＬＶＳＳを駆動トランジスタＭＤＲの制御電極に印加することになる。すなわち、駆動トランジスタＭＤＲの制御電極と第２電極と間に、データ書き込み期間Ｔ１２に駆動トランジスタＭＤＲに印加されるハイレベル（正の電圧）のデータ信号とは反対のローレベル（負の電圧）のデータ信号が印加される。上記駆動トランジスタＭＤＲは、発光駆動期間Ｔ１とは正反対のローレベル（負の電圧）のデータ信号が印加されてネガティブアニーリングされる。
【００８９】
上記第４スイッチング素子Ｓ４はターンオンされるため、上記第１容量性素子Ｃ１の第１電極Ｎ１に第２電源電圧ＥＬＶＳＳが印加され、第２電極Ｎ２にハイレベル（正の電圧）のデータ信号が印加される。この時、上記第１容量性素子Ｃ１は、第１容量性素子Ｃ１の第１電極と第２電極との電圧差に該当する電圧が保存される。
【００９０】
上記第２容量性素子Ｃ２は、第１電極Ｎ２にハイレベル（正の電圧）のデータ信号が印加され、第２電極Ｎ３に第２電源電圧ＥＬＶＳＳが印加されて、上記第２容量性素子Ｃ２は第２容量性素子Ｃ２の第１電極と第２電極との電圧差に該当する電圧が保存される。
【００９１】
上記アニーリング期間Ｔ２３は、しきい値電圧補償線Ｔｈにハイレベルのしきい値電圧補償信号が印加されて、第３スイッチング素子Ｓ３がターンオンされる。発光制御線Ｅｍ［ｎ］、走査線Ｓｃａｎ［ｎ］、直前走査線Ｓｃａｎ［ｎ−１］、ネガティブアニーリング線ＮＡには、ローレベルの信号が印加されて、第１スイッチング素子Ｓ１、第２スイッチング素子Ｓ２、第４スイッチング素子Ｓ４、および第５スイッチング素子Ｓ５はターンオフされる。
【００９２】
上記第１スイッチング素子Ｓ１がターンオフされて、第１容量性素子Ｃ１の第２電極と第２容量性素子Ｃ２の第１電極の間（Ｎ２）へのデータ信号の印加は中断され、第４スイッチング素子Ｓ４がターンオフされて、駆動トランジスタＭＤＲの制御電極への第２電源電圧の印加が中断される。このようにしても、第３スイッチング素子Ｓ３がターンオフされる前までは、アニーリング信号書き込み期間Ｔ２２に第１容量性素子Ｃ１と第２容量性素子Ｃ２に保存されたデータ信号が駆動トランジスタＭＤＲに印加されることによって、上記駆動トランジスタＭＤＲは完全にターンオフされた状態で１フレームが終わるまで続けてネガティブアニーリングされる。
【００９３】
ここで、上述したように、発光駆動期間Ｔ１とネガティブアニーリング期間Ｔ２に駆動トランジスタの制御電極と第２電極間に印加されるデータ信号は、正の電圧と負の電圧が順次印加される。すなわち、本発明は、発光時に使用されたデータ信号をそのまま反映し、負の電圧を駆動トランジスタＭＤＲの制御電極に供給するため、直前データ信号が小さいと小さい負の電圧が駆動トランジスタＭＤＲの制御電極に印加され、逆に直前発光時にデータ信号が大きいと大きい負の電圧が駆動トランジスタＭＤＲの制御電極に印加される。したがって、本発明は、画素回路ごとに供給されるデータ信号に比例してネガティブアニーリングすることによって、パネル全体の輝度の不均一現象が防止できる。また、上述したように、本発明は１フレーム内の発光駆動期間Ｔ１とネガティブアニーリング期間Ｔ２の割合を１：１、またはその以外の割合で多様に調節することができる。例えば、発光駆動期間Ｔ１とネガティブアニーリング期間Ｔ２の割合を１：１にする場合、秒当たり６０フレームの画面を具現するために、秒当たり１２０フレームの速度でデータ信号を印加し、各画素に同一のデータ電圧で、発光期間に一度、ネガティブアニーリング期間にもう一度印加することになる。したがって、画素の発光駆動期間と次の発光駆動期間までネガティブアニーリング期間が存在することになり、この時には、発光をしない期間となるため、自然と第１画像（例えば、ブラック画像（Ｂｌａｃｋ  Ｉｍａｇｅ））がフレームとフレームの間に表示されて、モーションブラー（Ｍｏｔｉｏｎ  Ｂｌｕｒ）現象が自然と除かれ、さらに、高い明暗比を得ることができる。
【００９４】
図９は、本発明の他の実施例に係る有機電界発光表示装置の画素回路の回路図が示されている。
【００９５】
図９に示すように、有機電界発光表示装置の画素回路は図３に示した画素回路と類似する。但し、図９に示す画素回路においては、有機電界発光素子ＯＬＥＤが第１電源電圧線ＥＬＶＤＤと駆動トランジスタＭＤＲの第１電極とに電気的に連結される。このような有機電界発光素子ＯＬＥＤは、回路設計上、図３に示したように第５スイッチング素子Ｓ５と第２電源電圧線ＥＬＶＳＳとの間に位置させるか、または、図９に示したように第１電源電圧線ＥＬＶＤＤと駆動トランジスタＭＤＲとの間に位置させることができる。そして図９の画素回路の動作は、図４〜図８で説明した通り図３の画素回路と同様に動作する。
【００９６】
図１０は、本発明の他の実施例に係る有機電界発光表示装置の画素回路の回路図が示されている。
【００９７】
図１０に示すように、有機電界発光表示装置の画素回路は図３に示した画素回路と類似する。但し、図３に示した画素回路においては、駆動トランジスタＭＤＲと全てのスイッチング素子がＮ型チャンネルトランジスタであったが、図１０に示す画素回路の駆動トランジスタＭＤＲと全てのスイッチング素子はＰ型チャンネルトランジスタである。これにより、各素子間の電気的連結関係が図３に示したものと若干相異する。
【００９８】
例えば、駆動トランジスタＭＤＲの第１電極が第５スイッチング素子Ｓ５の第２電極に電気的に連結され、第２電極が第２電源電圧線ＥＬＶＳＳに電気的に連結される。また、有機電界発光素子ＯＬＥＤのアノードが第１電源電圧線ＥＬＶＤＤに電気的に連結され、カソードが第５スイッチング素子Ｓ５の第１電極に電気的に連結されることができる。また、第２スイッチング素子Ｓ２の第１電極は駆動トランジスタＭＤＲの制御電極に電気的に連結され、第２電極は第２電源電圧線ＥＬＶＳＳに電気的に連結される。また、第４スイッチング素子Ｓ４は、第１電極が第１電源電圧線ＥＬＶＤＤに電気的に連結され、第２電極が駆動トランジスタＭＤＲの制御電極に電気的に連結される。さらに、第２容量性素子Ｃ２の第１電極は第１電源電圧線ＥＬＶＤＤに電気的に連結され、第２電極は第１スイッチング素子Ｓ１と第３スイッチング素子Ｓ３間に電気的に連結される。その他の構成は図３に示した画素回路と同様である。
【００９９】
図１１は、図１０に示した画素回路の駆動タイミングチャートが示されている。
【０１００】
図１１に示すように、図１０に示した画素回路の動作は、図３および図４に示した画素回路および駆動タイミングチャートの動作とほぼ類似する。但し、駆動トランジスタＭＤＲとスイッチング素子がＰ型チャンネルトランジスタのため、駆動トランジスタＭＤＲとスイッチング素子の制御電極にローレベルが印加される時にターンオンされる。また、データ線Ｄａｔａ［ｍ］から印加されるデータ信号もローレベルである。  
【０１０１】
したがって、図１０に示した画素回路は、１フレーム（１ｆｒａｍｅ）が発光駆動期間とネガティブアニーリング期間からなっている。言い換えれば、発光駆動期間Ｔ１中に駆動トランジスタＭＤＲの制御電極にローレベルのデータ信号（または負の電圧）が印加され、ネガティブアニーリング期間Ｔ２には、駆動トランジスタＭＤＲの制御電極に第１電源電圧が印加され、第１電極にデータ信号（または負の電圧）が印加される。すなわち、駆動トランジスタＭＤＲの制御電極と第１電極の間に、発光駆動期間Ｔ１とネガティブアニーリング期間Ｔ２に負の電圧と正の電圧とが交互に順次印加される。
【０１０２】
図１２は、本発明の他の実施例に係る有機電界発光表示装置の画素回路の回路図が示されている。
【０１０３】
図１２に示すように、有機電界発光表示装置の画素回路は図１０に示した画素回路と類似する。但し、図１２に示す画素回路においては、有機電界発光素子ＯＬＥＤが駆動トランジスタＭＤＲの第２電極と第２電源電圧線ＥＬＶＳＳとに電気的に連結される。このような有機電界発光素子ＯＬＥＤは、回路設計上、図１０に示したように第１電源電圧線ＥＬＶＤＤと第５スイッチング素子Ｓ５との間に位置させるか、または、図１２に示されたように駆動トランジスタＭＤＲと第２電源電圧線ＥＬＶＳＳとの間に位置させることができる。そして図１２の画素回路の動作は、図１１で説明した通り図１０の画素回路と同様に動作する。
【図面の簡単な説明】
【０１０４】
【図１】一般的な有機電界発光素子を示す概略図である。
【図２】本発明に係る有機電界発光表示装置の構成を示すブロック図である。
【図３】本発明の一実施例に係る有機電界発光表示装置の画素回路を示す回路図である。
【図４】図３に示した画素回路の駆動タイミングチャートである。
【図５】図４に示した画素回路の発光駆動期間Ｔ１中、しきい値電圧補償期間Ｔ１１における画素回路の動作を示す回路図である。
【図６】図４に示した画素回路の発光駆動期間Ｔ１中、データ書き込み期間Ｔ１２における画素回路の動作を示す回路図である。
【図７】図４に示した画素回路の発光駆動期間Ｔ１中、発光期間Ｔ１３における画素回路の動作を示す回路図である。
【図８】図４に示した画素回路のネガティブアニーリング（Ｎｅｇａｔｉｖｅ  ａｎｎｅａｌｉｎｇ）期間Ｔ２における画素回路の動作を示す回路図である。
【図９】本発明の他の実施例に係る有機電界発光表示装置の画素回路を示す回路図である。
【図１０】本発明の他の実施例に係る有機電界発光表示装置の画素回路を示す回路図である。
【図１１】図１０に示した画素回路の駆動タイミングチャートである。
【図１２】本発明の他の実施例に係る有機電界発光表示装置の画素回路を示す回路図である。
【符号の説明】
【０１０５】
１００  有機電界発光表示装置
１１０  走査駆動部
１２０  データ駆動部
１３０  発光制御駆動部
１４０  有機電界発光表示パネル
１４１  画素回路
Ｓｃａｎ［ｎ］  走査線
Ｓｃａｎ［ｎ−１］  直前走査線
Ｄａｔａ［ｍ］  データ線
Ｅｍ［ｎ］  発光制御線
Ｔｈ  しきい値電圧補償線
ＮＡ  ネガティブアニーリング線
Ｓ１  第１スイッチング素子
Ｓ２  第２スイッチング素子
Ｓ３  第３スイッチング素子
Ｓ４  第４スイッチング素子
Ｓ５  第５スイッチング素子
ＭＤＲ  駆動トランジスタ
Ｃ１  第１容量性素子
Ｃ２  第２容量性素子
ＥＬＶＤＤ  第１電源電圧線
ＥＬＶＳＳ  第２電源電圧線
ＯＬＥＤ  有機電界発光素子
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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