(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基材の表面を研磨するのに有用な研磨パッドであって、
（ａ）回転軸、
（ｂ）（ｉ）中央領域、
（ii）前記中央領域から離間した外周縁、及び
（iii）加工物の表面を研磨するように配置され、前記中央領域に隣接する内周及び前記内周から離間した外周を有するほぼ環状の研磨領域を含む研磨層、
（ｃ）それぞれが、前記中央領域内に位置する第一端と、前記研磨領域内に位置し、前記外周縁の半径方向内側及び前記回転軸の半径方向外側にある第二端とを有する、前記研磨層における第一の複数の溝、ならびに
（ｄ）それぞれが、前記研磨領域内に位置する第一端と、
（ｉ）前記外周縁、及び
（ii）前記研磨領域の前記外周から半径方向外側
の少なくとも一方の中の、前記第一の複数の溝の前記第二端の半径方向外側に位置する第二端とを有し、前記第一の複数の溝それぞれから離間する、前記研磨層における第二の複数の溝
を含む研磨パッドであって、
前記第一の複数の溝のそれぞれの溝の前記第二端が、研磨領域の外周に隣接して位置し、前記第二の複数の溝のそれぞれの溝の前記第一端が、研磨領域の内周に隣接して位置する、研磨パッド。
【請求項２】
前記第一の複数の溝ぞれぞれが前記第二の複数の溝それぞれと交互に位置している、請求項１記載の研磨パッド。
【請求項３】
前記研磨層に第三の複数の溝をさらに含み、前記第三の複数の溝のそれぞれの溝が前記研磨領域内に完全に位置する、請求項１記載の研磨パッド。
【請求項４】
前記研磨層中に第一の複数の組の分岐分配溝をさらに含み、各組中の各溝が、前記研磨領域内に完全に位置し、前記第一の複数の溝の対応する各溝と流動的に連絡する端部を有し；及び前記研磨層中に第二の複数の組の分岐収集溝をさらに含み、各組中の各溝が、前記研磨領域内に完全に位置し、前記第二の複数の溝の対応する各溝と流動的に連絡する端部を有する、請求項１記載の研磨パッド。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は一般に、ケミカルメカニカルポリッシングの分野に関する。より具体的には、本発明は、スラリー消費を減らすための溝構造を有する研磨パッドに関する。
【背景技術】
【０００２】
集積回路及び他の電子素子の製造においては、導体、半導体及び絶縁材料の多数の層を半導体ウェーハの表面に付着させたり同表面から除去したりする。導体、半導体及び絶縁材料の薄い層は、多数の付着技術によって付着させることができる。最新のウェーハ加工で一般的な付着技術は、スパッタリングとも知られる物理蒸着法（ＰＶＤ）、化学蒸着法（ＣＶＤ）、プラズマ化学蒸着法（ＰＥＣＶＤ）及び電気化学的めっき法を含む。一般的な除去技術は、とりわけ、湿式及び乾式の等方性及び異方性のエッチングを含む。
【０００３】
材料層が逐次に付着され、除去されるにつれ、ウェーハの一番上の表面が非平坦になる。後続の半導体加工（たとえばメタライゼーション）はウェーハが平坦面を有することを要するため、ウェーハは平坦化されなければならない。望ましくない表面凹凸及び表面欠陥、たとえば粗面、凝集した材料、結晶格子の損傷、スクラッチ及び汚染された層もしくは材料を除去する際にはプラナリゼーションが有用である。
【０００４】
ケミカルメカニカルプラナリゼーション又はケミカルメカニカルポリッシング（ＣＭＰ）は、半導体ウェーハのような加工物を平坦化するために使用される一般的な技術である。従来のＣＭＰでは、ウェーハキャリヤ又は研磨ヘッドがキャリヤアセンブリに取り付けられる。研磨ヘッドがウェーハを保持し、ウェーハを、ＣＭＰ装置中で研磨パッドの研磨層と接する状態に配置する。キャリヤアセンブリは、制御可能な圧力をウェーハと研磨パッドとの間に供給する。それと同時に、スラリー又は他の研磨媒体が研磨パッド上に流され、ウェーハと研磨層との隙間に流れ込む。研磨を有効にするためには、研磨パッド及びウェーハを互いに対して動かす、通常は回転させる。ウェーハ表面は、研磨層及び表面上のスラリーの化学的かつ機械的作用によって研磨され、平坦化される。
【０００５】
研磨層を設計する際に考慮すべき重要な点は、とりわけ、研磨層の面におけるスラリーの分散、研磨領域への新鮮なスラリーの流れ、研磨領域からの使用済みスラリーの流れ及び実質的に使用されないまま研磨ゾーンを通過するスラリーの量を含む。これらの考慮すべき点に対処する一つの方法は、研磨層に溝を設けることである。何年にもわたり、多くの異なる溝パターン及び形状が具現化されてきた。従来技術の溝パターンは、とりわけ、放射状、同心円状、デカルト格子状及びらせん状を含む。従来技術の溝形状は、すべての溝の深さが均一である形状及び溝の深さが溝ごとに異なる形状を含む。
【０００６】
ＣＭＰ実施者の間では、匹敵しうる材料除去速度を達成する場合に特定の溝パターンが他のパターンよりも結果的に高いスラリー消費を生じさせるということが一般に認知されている。研磨層の外周に接続しない円形の溝は、パッド回転の力の下でスラリーが最短経路でパッド円周に達することを可能にする放射状の溝よりもスラリー消費が少ない傾向にある。研磨層の外周までに種々の長さの流路を提供するデカルト格子状の溝は中間的な立場をとる。
【０００７】
従来技術において、スラリー消費を減らし、研磨層上でのスラリー滞留時間を最大にしようとする種々の溝パターンが開示されている。たとえば、Osterheldらへの米国特許第６，２４１，５９６号は、パッドの中心から外方へほぼ放射状に延びるジグザグ路を画定する溝を有する回転タイプ研磨パッドを開示している。一つの実施態様では、Osterheldらのパッドは、長方形の「ｘ−ｙ」格子状の溝を含む。ジグザグ路は、ｘ方向の溝とｙ方向の溝との交差点を選択的にブロックし、他の交差点をブロックしないままにすることによって画定される。もう一つの実施態様では、Osterheldらのパッドは、ほぼ放射状に延びる複数の別個のジグザグ溝を含む。一般に、ｘ−ｙ格子状の溝の中に又は別個のジグザグ溝によって画定されるジグザグ路は、少なくとも、溝の遮断されない長方形のｘ−ｙ格子及びまっすぐな半径方向溝に関して、対応する溝を通過するスラリーの流れを阻害する。スラリー滞留時間を増大させるとして記載されているもう一つの従来技術の溝パターンは、パッド回転の力の下でスラリーを研磨層の中心に向けて押し出すと考えられるらせんパターンの溝である。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
最高水準の計算流体力学的シミュレーションをはじめとする今日までのＣＭＰの研究及びモデル化が、一定の深さ又は徐々に変化する深さを有する溝のネットワークにおいて、各溝の最深部のスラリーがウェーハの下を接触しないで流れるため、有意量の研磨スラリーがウェーハと接しないおそれがあることを明らかにした。溝は、スラリーを確実に運ぶために最小限の深さで設けなければならないが、従来の研磨層においては、スラリーが研磨に加わることなく流れる途切れのない流路が加工物の下に存在するため、研磨層の表面が損耗するにつれ、研磨層に供給される利用されていないスラリーの一部で過度の深さが生じる。したがって、研磨層に供給されるスラリーの十分に利用されない量を減らし、結果的にスラリーの浪費を減らすようなやり方で設けられた溝を有する研磨層が要望される。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明の一つの態様で、半導体基材の表面を研磨するのに有用な研磨パッドであって、（ａ）（ｉ）中央領域、（ii）中央領域から離間した外周縁、及び（iii）加工物の表面を研磨するように配置され、中央領域に隣接する内周及び内周から離間した外周を有するほぼ環状の研磨領域を含む研磨層、（ｂ）それぞれが、中央領域内に位置する第一端と、研磨領域内に位置する第二端とを有する、研磨層における第一の複数の溝、ならびに（ｃ）それぞれが、第一の複数の溝それぞれから離間し、研磨領域内に位置する第一端と、（ｉ）外周縁及び（ii）研磨領域の外周から半径方向外側の少なくとも一方の中に位置する第二端とを有する、研磨層における第二の複数の溝を含む研磨パッドを提供する。
【００１０】
本発明のもう一つの態様で、半導体基材をケミカルメカニカルポリッシングする方法であって、（ａ）（ｉ）（Ａ）中央領域、（Ｂ）中央領域から離間した外周縁、及び（Ｃ）半導体基材の表面を研磨するように配置され、中央領域に隣接する内周及び内周から離間した外周を有するほぼ環状の研磨領域を含む研磨層、（ii）それぞれが、中央領域内に位置する第一端と、研磨領域内に位置する第二端とを有する、研磨層における第一の複数の溝、ならびに（iii）それぞれが、第一の複数の溝それぞれから離間し、研磨領域内に位置する第一端と、外周縁及び研磨領域の外周から半径方向外側の少なくとも一方の中に位置する第二端とを有する、研磨層における第二の複数の溝を含む研磨パッドを用意する工程、ならびに（ｂ）研磨パッドの中央領域に研磨溶液を供給する工程を含む方法を提供する。
【００１１】
本発明のもう一つの態様で、半導体基材の表面を研磨するために研磨溶液とともに使用するための研磨システムであって、（ａ）（ｉ）（Ａ）中央領域、（Ｂ）中央領域から離間した外周縁、及び（Ｃ）半導体基材の表面を研磨するように配置され、中央領域に隣接する内周及び内周から離間した外周を有するほぼ環状の研磨領域を含む研磨層、（ii）それぞれが、中央領域内に位置する第一端と、研磨領域内に位置する第二端とを有する、研磨層における第一の複数の溝、ならびに（iii）それぞれが、第一の複数の溝それぞれから離間し、研磨領域内に位置する第一端と、外周縁及び研磨領域の外周から半径方向外側の少なくとも一方の中に位置する第二端とを有する、研磨層における第二の複数の溝を含む研磨パッド、ならびに（ｂ）研磨パッドの中央領域に研磨溶液を送り出すための研磨溶液送出しシステムを含む研磨システムを提供する。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１２】
図面を参照すると、図１は、符号１００によって指定される本発明のケミカルメカニカルポリッシング（ＣＭＰ）システムを示す。ＣＭＰシステム１００は、半導体基材、たとえば半導体ウェーハ１２０又は他の加工物、たとえばとりわけガラス、シリコンウェーハ及び磁気情報記憶ディスクの研磨の際に研磨パッドに適用されるスラリー１１６又は他の液状研磨媒体の利用度を高めるように配設及び配置された複数の溝１１２を含む研磨層１０８を有する研磨パッド１０４を含む。便宜上、以後の記載では「ウェーハ」を使用する。しかし、当業者は、ウェーハ以外の加工物が本発明の範囲に入るということを理解するであろう。以下、研磨パッド１０４及びその独自の特徴を詳細に説明する。
【００１３】
ＣＭＰシステム１００は、プラテンドライバ１２８によって軸１２６を中心に回転可能である研磨プラテン１２４を含むことができる。プラテン１２４は、研磨パッド１０４が取り付けられる上面１３２を有することができる。軸１４０を中心に回転可能であるウェーハキャリヤ１３６を研磨層１０８の上方に支持することができる。ウェーハキャリヤ１３６は、ウェーハ１２０と係合する下面１４４を有することができる。ウェーハ１２０は、研磨層１０８と対面し、研磨中に平坦化される表面１４８を有する。ウェーハキャリヤ１３６は、ウェーハ１２０を回転させ、ウェーハ表面１４８を研磨層１０８に押し付けるためのダウンフォースＦを提供して、研磨中にウェーハ表面と研磨層との間に所望の圧力が存在するように適合されたキャリヤ支持アセンブリ１５２によって支持することができる。
【００１４】
ＣＭＰシステム１００はまた、研磨層１０８にスラリー１１６を供給するためのスラリー供給システム１５６を含むことができる。スラリー供給システム１５６は、スラリー１１６を保持するタンク１６０、たとえば温度制御式タンクを含むことができる。導管１６４がスラリー１１６をタンク１６０から研磨パッド１０４に隣接する位置まで運ぶことができ、その位置でスラリーが研磨層１０８の上に小出しされる。流量制御弁１６８を使用してパッド１０４へのスラリー１１６の小出しを制御してもよい。
【００１５】
ＣＭＰシステム１００は、装填、研磨及び取り出し作業の間に種々のシステム構成部品、たとえばとりわけスラリー供給システム１５６の流量制御弁１６８、プラテンドライバ１２８及びキャリヤ支持アセンブリ１５２を制御するためのシステム制御装置１７２を備えることができる。典型的な実施態様では、システム制御装置１７２は、プロセッサ１７６、プロセッサに接続されたメモリ１８０ならびにプロセッサ、メモリ及びシステム制御装置の他の構成部品の動作を支援するための支援回路１８４を含む。
【００１６】
研磨作業中、システム制御装置１７２がプラテン１２４及び研磨パッド１０４を回転させ、スラリー供給システム１５６を起動してスラリー１１６を回転中の研磨パッド上に小出しさせる。スラリーは、研磨パッド１０４の回転のせいで、研磨層１０８上に、ウェーハ１２０と研磨パッド１０４との隙間を含めて一面に広がる。システム制御装置１７２はまた、ウェーハ表面１４８が研磨層１０８に対して動くように、ウェーハキャリヤ１３６を、選択した速度、たとえば０rpm〜１５０rpmで回転させることができる。システム制御装置１７２はさらに、ウェーハ１２０と研磨パッド１０４との間に所望の圧力、たとえば０psi〜１５psiの圧力を誘発するため、ウェーハキャリヤ１３６を制御してダウンフォースＦを提供することができる。システム制御装置１７２はさらに、通常は０〜１５０rpmの速度で回転させられる研磨プラテン１２４の回転速度を制御する。
【００１７】
図２は、図１の研磨パッド１０４として使用することもできるし、同様なパッドを使用する他の研磨システムで使用することもできる典型的な研磨パッド２００を示す。研磨パッド２００は、内周２１２及び外周２１６によって画定される研磨領域２０８（半導体ウェーハプラナリゼーションに関しては一般に「ウェーハトラック」と呼ぶ）を含む研磨層２０４を含む。研磨領域２０８は、研磨層２０４のうち、研磨パッド２００がウェーハに対して回転するとき研磨中に（符号２２０で表わされる外郭によって示される）ウェーハの被研磨面（図示せず）に対面する部分である。図示する実施態様では、研磨パッド２００は、ウェーハ１２０（２２０）が研磨パッド１０４（２００）に対して固定位置で回転させられる図１のＣＭＰシステム１００での使用のために設計されている。その結果、研磨領域２０８は環状形であり、その幅Ｗがウェーハ２２０の被研磨面の直径に等しい。ウェーハ２２０が、回転させられるだけでなく、研磨層２０４に対して平行な方向に振動させられる実施態様では、通常、研磨領域は２０８は同じく環状形であるが、内周２１２と外周２１６との間の幅Ｗは、振動範囲を考慮して、ウェーハの被研磨面の直径よりも大きくなる。研磨領域２０８の内周２１２は、研磨中にスラリー（図示せず）又は他の研磨溶液を研磨パッド２００に供給することができる中央領域２２４を画定する。ウェーハ２２０が、回転させられるだけでなく、研磨層に対して平行な方向に振動させられる実施態様では、振動範囲が研磨パッド２００の中心又はその近くまで及ぶ場合、研磨領域２０８の内周２１２が過度に小さくなることがある。その場合、スラリー又は他の研磨溶液は、わずかに中心から離れた位置で研磨パッドに供給してもよい。研磨領域２０８の外周２１６は通常、研磨パッド２００の外周縁２２８の半径方向内側に位置するが、この外周縁と同じ位置まで延ばしてもよい。
【００１８】
研磨層２０４は一般に、中央領域２２４内から研磨領域２０８へと延びる一組のインフロー溝２３２を含む。スラリーが中央部２２４に供給され、研磨パッド２００がその回転軸２３４を中心に回転すると、インフロー溝２３２は、遠心力の影響の下、スラリーを研磨領域２０８に送るように作用する。各インフロー溝２３２は、中央領域２２４から研磨領域を通って研磨領域の外又は研磨パッド２００の外周縁２２８もしくはそれに隣接するところまで連続する流路を形成しないように、研磨領域２０８内で終端する。研磨層２０４はまた、インフロー溝２３２から離間した一組のアウトフロー溝２３６を含む。アウトフロー溝２３６は、研磨領域２０８内に始まり、研磨領域２０８の外周２１６の半径方向外側又は研磨層２０４の外周縁２２８又はその両方で終端する。一般に、アウトフロー溝２３６は、研磨領域２０８内の使用済みスラリーを捕らえ、そのスラリーを研磨層２０４の外周縁２２８に向けて運び、ウェーハ２２０の下から外に出すために設けられている。
【００１９】
一般に、インフロー溝２３２とアウトフロー溝２３６とは以下のように協働する。上述したように、スラリーが研磨層２０４の中央部２２４に供給され、研磨パッド２００がその回転軸２３４を中心に回転すると、インフロー溝２３２が新鮮なスラリーを研磨領域２０８に運ぶ。この流れを矢印２２４によって示す。研磨パッド２００がウェーハ２２０の下でスイープすると、ウェーハの被研磨面とウェーハの下のインフロー溝２３２内のスラリーとの相互作用が新鮮なスラリーをこれらの溝の外に掻き出し、研磨層２０４の上面２４８で移動させ（矢印２５２によって示す）、スラリーを隣接するアウトフロー溝２３６に落し込む。スラリーがインフロー溝２３２から掻き出されると、新鮮なスラリーが中央領域２２４からこれらの溝に引き込まれる。対応して、スラリーがアウトフロー溝２３６に落とし込まれると、使用済みスラリーが、ウェーハ２２０の下よりも外に位置する領域と自由に流動的に連絡するアウトフロー溝によって研磨領域２０８の外に引き出される。アウトフロー溝２３６におけるスラリーの流れを矢印２５６によって示す。
【００２０】
インフロー溝２３２及びアウトフロー溝２３６の重要な側面は、これらの溝のいずれも研磨領域２０８の一方の側から反対側まで完全には延びない、すなわち、中央領域２２４から研磨領域の外周２１６の半径方向外側の位置又は研磨層２０４の外周縁２２８（又はその両方）まで完全には延びないということである。したがって、スラリーが流路の底に隣接するところで利用されないまま研磨領域２０８を通過して流れてしまう途切れのない流路は存在しない。それどころか、スラリーは一般に、研磨パッド２００がウェーハの下で回転するとき各インフロー溝２３２から隣接するアウトフロー溝２３６へと移されるため、ウェーハ２２０の被研磨面と研磨層２０４の上面２４８との間で強制的に利用される。
【００２１】
図示する実施態様では、インフロー溝２３２及びアウトフロー溝２３６は、１本のアウトフロー溝の両側に２本のインフロー溝が位置する、又は１本のインフロー溝の両側に２本のアウトフロー溝が位置する状態で交互に配置されている。この配置では、各インフロー溝２３２に対応して１本のアウトフロー溝２３６がある。しかし、代替態様では、インフロー溝２３２及びアウトフロー溝２３６の配置は、たとえば以下に図３で示すように異なってもよい。インフロー溝２３２及びアウトフロー溝２３６が交互に配置されている場合、インフロー溝とアウトフロー溝とは、適当な距離Ｄだけ互いに沿って延びることができる。距離Ｄは、設計パラメータ、たとえばとりわけウェーハ２２０及び研磨パッド２００の回転速度にしたがって異なることができる。
【００２２】
インフロー溝２３２及びアウトフロー溝２３６は、平面的に見て特定の設計に適したいかなる形状を有してもよく、図示する弓形に限定される必要は決してない。他の形状は、とりわけ、直線、ジグザグ、波形及びこれらの組み合わせを含む。加えて、インフロー溝２３２及びアウトフロー溝２３６は、実質的に半径方向でなくてもよく、それどころか、研磨パッド２００の回転軸２３４から放射状に延びる線に対して斜行していてもよい。当業者は、本発明の範囲に属する多様な溝パターン及び形状を容易に認めるであろう。多数の変形が存在するため、すべての可能性を挙げることは不可能であり、不必要でもある。
【００２３】
また、当業者は、研磨パッド２００上に示すインフロー溝２３２及びアウトフロー溝２３６の数が、本発明を例示するために好都合に選択したものであることを認識するであろう。本発明にしたがって製造される実際の研磨パッドは、研磨パッドのサイズ及び意図する用途に依存して、図示するものよりも多数又は少数のインフロー溝及びアウトフロー溝を有することができる。加えて、インフロー溝２３２及びアウトフロー溝２３６は、いかなる所望の断面形状、たとえばとりわけ略Ｕ字形、長方形、半円形又はＶ字形を有してもよい。研磨パッド２００は、いかなる従来の構造又は他のタイプの構造であってもよい。たとえば、研磨パッド２００は、とりわけ中実又は微孔質のポリウレタンでできていることができ、場合によっては、研磨中にパッドに対して適切な支持を提供するため、可撓性又は剛性の裏地（図示せず）を含むことができる。インフロー溝２３２及びアウトフロー溝２３６は、パッドを製造するために使用される材料に適したいかなる加工によって研磨パッド２００中に形成してもよい。たとえば、とりわけ、インフロー溝２３２及びアウトフロー溝２３６は、研磨パッド２００と一体に成形してもよいし、パッドを形成したのちパッド中に切削してもよい。当業者は、本発明にしたがって研磨パッド２００を製造する方法を理解するであろう。本段落及び直前の段落に記載した特徴及び代替は、図３〜５の研磨パッド３００、４００及び５００それぞれにも等しく当てはまる。
【００２４】
図３は、本発明にしたがって製造された第二の研磨パッド３００を示す。図２の研磨パッド２００と同じく、図３の研磨パッド３００は、新鮮なスラリー（図示せず）を研磨領域３０８に供給するための一組のインフロー溝３０４と、使用済みのスラリーを研磨領域から運び出すための、インフロー溝から離間した一組のアウトフロー溝３１２とを含む。しかし、研磨パッド３００はさらに、インフロー溝３０４及びアウトフロー溝３１２のいずれからも離間した一組の中間溝３１６を含む。各中間溝３１６は、対応する各インフロー溝３０４と、対応する各アウトフロー溝３１２とのほぼ中間に位置している。各中間溝３１６の一方の端部３２０は、対応するインフロー溝３０４の一部に沿って距離ＤIだけ延びることができる。各中間溝３１６の反対側端部３２４は、対応するアウトフロー溝３１２の一部に沿って距離ＤOだけ延びることができる。距離ＤI、ＤOは、具体的な設計に適するような所望の距離であることができる。
【００２５】
インフロー溝３０４、中間溝３１６及びアウトフロー溝３１２のこの配置では、研磨中のウェーハ３２８と研磨層３３０との間のスラリーの動きはほぼ以下のとおりである。研磨層３３０がウェーハ３２８の下でスイープすると、ウェーハの被研磨面（図示せず）とスラリーとの間の相互作用がスラリーを対応するインフロー溝３０４から掻き出し、スラリーを研磨層３３０の上面３３２で移動させ（矢印３３６）、スラリーを対応する中間溝３１６の端部３２０に落し込む。同様に、ウェーハ３２８の被研磨面とスラリーとの間の相互作用がスラリーを対応する中間溝３１６の端部３２４から掻き出し、スラリーを研磨層３３０の上面３３２で移動させ（矢印３４０）、スラリーを対応するアウトフロー溝３１２に落し込む。同時に、研磨パッド３００の回転によって生じる遠心力が、インフロー溝３０４から掻き出されたスラリーを中央領域３４２からの新鮮なスラリーで交換し（矢印３４４）、スラリーを中間溝３１６の中で端部３２０から端部３２４まで移動させ（矢印３４８）、使用済みスラリーをアウトフロー溝３１２から取り除く（矢印３５２）。
【００２６】
インフロー溝３０４、中間溝３１６及び及びアウトフロー溝３１２のこの配置は、一般に、研磨層３３０の上面３３２で、対応するインフロー溝３０４及びアウトフロー溝３１２の各対の間で２段階（矢印３３６及び矢印３４０）流路をスラリーに提供すると考えることができる。当業者が認めるとおり、３以上の段階を有する流路をスラリーに提供するため、対応するインフロー溝３０４及びアウトフロー溝３１２の各対の間に２本以上の中間溝３１６を配置してもよい。たとえば、対応するインフロー溝３０４及びアウトフロー溝３１２の各対の間に３本の中間溝（図示せず）を配置して、研磨層３３０の上面３３２で研磨領域３０８内にスラリーの４段階流路を設けてもよい。中間溝３１６の正確な数及び間隔ならびに中間溝が相応に形成される距離は、研磨領域３０８上の種々の半径位置に存在するスラリーの相対量及び各領域におけるスラリーの相対滞留時間を制御するために使用することができる設計変数である。
【００２７】
図４は、本発明にしたがって製造された第三の研磨パッド４００を示す。図２の研磨パッド２００と同様に、図４の研磨パッド４００は、新鮮なスラリー（図示せず）を研磨領域４０８に供給するための一組のインフロー溝４０４と、使用済みのスラリーを研磨領域から運び出すための、インフロー溝から離間した一組のアウトフロー溝４１２とを含む。しかし、図４の研磨パッド４００では、各インフロー溝４０４は、スラリー（図示せず）を、そのインフロー溝の有効長を本質的に増す複数の分岐分配溝４１６に供給するための分配マニホールドとして働く。同様に、各アウトフロー溝４１２は、そのアウトフロー溝の有効長を本質的に増す複数の分岐収集溝４２０からのスラリーを統合する。インフロー溝４０４の中のスラリー流路、分岐分配溝４１６と分岐収集溝４２０との間のスラリー流路及びアウトフロー溝４１２中のスラリー流路をそれぞれ矢印４２４、矢印４２８及び矢印４３２によって示す。
【００２８】
各分岐分配溝４１６及び各分岐収集溝４２０は通常、研磨領域４０８内だけに設けられる。各分岐分配溝４１６及び各分岐収集溝４２０は、望むならば、対応するインフロー溝４０４及びアウトフロー溝４１２の断面積よりも小さい断面積を有することができる。加えて、分岐分配溝４１６及び分岐収集溝４２０それぞれの断面形状は、望むならば、対応するインフロー溝４０４及びアウトフロー溝４１２の断面形状と異なってもよい。分岐分配溝４１６及び分岐収集溝４２０は、対応するインフロー溝４０４及びアウトフロー溝４１２ならびに互いに対してどのような向きであってもよい。したがって、分岐分配溝４１６及び分岐収集溝４２０が、対応するインフロー溝４０４及びアウトフロー溝４１２に対しては斜行し、互いに対しては平行である図４に示す向きは、適当な向きの一例にすぎない。そのうえ、分岐分配溝４１６及び分岐収集溝４２０は、平面的に見て望みの形状、たとえばとりわけ直線形（図示）、弓形、ジグザグ又は波形を有することができる。
【００２９】
図５は、一般に図４の研磨パッド４００の変形である本発明の第四の研磨パッド５００を示す。すなわち、図５の研磨パッド５００は、インフロー溝５０４及びアウトフロー溝５０８ならびに対応する分岐分配溝５１２及び分岐収集溝５１６を含む。図５の研磨パッド５００と図４の研磨パッド４００との主な違いは、図５の分岐分配溝５１２が対応する分岐収集溝５１６と噛み合うが、図４の分岐分配溝４１６は対応する分岐収集溝４２０と噛み合わないということである。図５の研磨パッド５００の他の様相は、図４の研磨パッド４００の種々の様相と同じであってもよい。
【００３０】
噛み合う分岐分配溝５１２及び分岐収集溝５１６を使用すると、スラリーが分岐分配溝から対応する分岐収集溝まで移動しなければならない距離を減らすことができ、研磨領域５２０内により均一なスラリー分散を生じさせることができる微細な溝ネットワークを形成することができる。インフロー溝５０４内のスラリー流路及びアウトフロー溝５０８内のスラリー流路をそれぞれ矢印５２４及び矢印５２８によって示す。分岐分配溝５１２と分岐収集溝５１６との間のスラリーの流路を、陰影模様５３２によって表す。望むならば、さらに微細な溝ネットワークを形成するため、分岐分配溝及び分岐収集溝が対応する細分岐溝５１２、５１６を有し、その細分岐溝がさらに細分した分岐溝（図示せず）を有することなどもできる。
【図面の簡単な説明】
【００３１】
【図１】本発明のケミカルメカニカルポリッシング（ＣＭＰ）システムの一部概略一部斜視図である。
【図２】本発明の研磨パッドの平面図である。
【図３】本発明のもう一つの研磨パッドの平面図である。
【図４】本発明のさらに別の研磨パッドの平面図である。
【図５】本発明のさらに別の研磨パッドの平面図である。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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