(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
基体と、
前記基体を内壁の一部に有し、内部を流体が移動可能な流体通路と、
前記基体の流体通路内壁に立設された支持部と、
該支持部に対して前記内壁に平行な方向に取着された平板状の振動体と、
前記支持部を介して前記振動体を曲げ振動させることにより前記流体通路内の前記流体を駆動する振動印加部とを備える、流体アクチュエータ。
【請求項２】
前記支持部上の前記振動体の取り付け位置が、該振動体の中心から、前記流体通路方向にずれた位置に配置されている請求項１記載の流体アクチュエータ。
【請求項３】
前記振動印加部の振動周波数が変更可能である請求項１又は請求項２記載の流体アクチュエータ。
【請求項４】
前記流体通路は、流体が循環可能である請求項１から請求項３のいずれかに記載の流体アクチュエータ。
【請求項５】
請求項４に記載の流体アクチュエータを冷却装置として利用する発熱装置であって、
当該発熱装置を実装する基板を有し、
前記流体通路は、当該基板に設けられている発熱装置。
【請求項６】
請求項１から請求項４のいずれかに記載の流体アクチュエータを備えた分析装置であって、
流体状のサンプルを供給するサンプル供給部と、前記サンプルを分析する分析部とが設けられ、
前記流体通路は、前記サンプル供給部から前記分析部へ前記流体状のサンプルを輸送するように設けられている分析装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、フィン型振動体を用いて流体に一定の流れや旋回流を生じさせるための流体アクチュエータに関する。また、本発明は前記流体アクチュエータを用いた発熱装置及び分析装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、マイクロプロセッサー（ＭＰＵ）の高速化が著しく、現在数ＧＨｚ以上の動作周波数に達しており、更なる高速化の動向にある。ＭＰＵを高速化は、集積密度を上げることによって実現されるため、発熱密度が高くなることが避けられない。現在の最高速度のＭＰＵにおいて、総発熱量が１００Ｗ以上、発熱密度では４００Ｗ／ｍｍ2以上に達しており、更なる高速化により、発熱量も増大し続けている。
【０００３】
ＭＰＵを冷却するために、ＭＰＵパッケージ上面にファンや水冷装置を取付けたものがある。しかし、ＭＰＵの発熱部はシリコン基板上に形成された回路部であるが、ファンや冷却はパッケージ等を介して行われるため、冷却効率が低いという問題がある。
そのため、非特許文献１に開示されているようにＭＰＵのシリコン基板に流体通路を形成し、流体通路に流体を循環させる構造が提案されている。発熱部である半導体基板の極近傍で冷却が可能となり、ＭＰＵの高速化に伴う発熱増大に対応できる。しかしながら、非特許文献１に開示されているＭＰＵ水冷システムは、ポンプとして電気浸透流ポンプを用いるが、ＭＰＵのシリコン基板に形成される細い流体通路においては流体通路抵抗が大きくなるため、４００Ｖ程度と高い駆動電圧が必要であるという問題がある。
【０００４】
また、マイクロ分析システム（μＴＡＳ(Micro Total Analysis Systems)）においても、分析サンプルを含む溶媒を流すために電気浸透流が用いられたり、溶媒中のサンプル粒子を移動させるため電気泳動や誘電泳動などの原理が用いられたりしているが、溶液に電界を直接加えるため、電界を印加すると変質するようなサンプルには不向きであるという問題がある。
【０００５】
以上の条件を鑑みると、流体を駆動する流体アクチュエータが好適であり、非特許文献２にフィンの振動を用いた流体アクチュエータが開示されている。非特許文献２に開示されているのは、流路の底面に共振するフィン状の流体アクチュエータを配置したマイクロポンプである。
【非特許文献１】Daniel J. Laser et. al., 「集積回路の熱管理用シリコン電気浸透流マイクロポンプ」"Silicon Electroosmotic Micropumps for Integrated Circuit Thermal Management", IEEE Transducers, pp151-154, 2003
【非特許文献２】R. J. Linderman, Oyvind Nilsen, Victor M. Bright , “The Resonant Micro Fan Gas Pump for Active Breathing Microchannels”, IEEE TRANSDUCERS ’03 , pp1923-1926, 2003
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、従来の流体アクチュエータにおいては、以下のような問題点があった。
非特許文献１のＭＰＵ水冷システムで用いられる、流体アクチュエータとしての電気浸透流ポンプは、ＭＰＵのシリコン基板に形成される細い流体通路においては流体通路抵抗が大きくなるため、４００Ｖ程度と高い駆動電圧が必要である。
非特許文献２の共振フィンを用いたマイクロポンプは、流体が一方向にしか流れないように設計されているため、流体が流れる向きを可変にし難いという問題がある。
【０００７】
本発明は、以上のような従来の技術における問題点を解決すべく案出されたものであり、その目的は、比較的低電圧で高出力の流体駆動が可能であり、しかも、流れる方向の制御ができ、小型・軽量化が可能である流体アクチュエータを提供することにある。
また、本発明の目的は、前記流体アクチュエータと一緒に集積化することで外部のポンプが不要で、さらにはバッチプロセスで同時に作製が可能な発熱装置及び分析装置を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記目的を達成するため、本発明の液体アクチュエータは、基体を内壁の一部に有し内部を流体が移動可能な流体通路と、前記基体の流体通路の内壁に立設された支持部と、該支持部に対して前記内壁に平行な方向に取着された平板状の振動体と、前記支持部を介して前記振動体を曲げ振動させることにより前記流体通路内の前記流体を駆動する振動印加部とを備えるものである。
【０００９】
本発明の液体アクチュエータによれば、前記振動印加部から振動を加えるだけで、前記振動体が曲げ振動するため、前記流体通路内の流体があたかも団扇であおがれたような状態となり、流体を流すことができる。
前記支持部上の前記振動体の取り付け位置が、該振動体の中心から、前記流体通路方向にずれた位置に配置されていることが好ましい。この構造であれば、前記振動印加部を所定振動数で振動させたときに、振動体は、流体通路方向の一方側と他方側とで異なる大きさの曲げ振動をするので、流体通路内の流体の流れは一方向に流れることとなる。いずれの方向に流れるかは、前記振動印加部の振動周波数に応じて異なる。
【００１０】
したがって、前記振動印加部の振動周波数を変更可能とすれば、流体通路内の流体の流れの方向を制御することができる。
前記流体通路は、流体が循環可能である場合には、この流体通路に熱交換器又は放熱器を設けることにより、装置の冷却又は加熱が可能となる。
本発明の発熱装置は、前記流体アクチュエータを冷却装置として利用する発熱装置であって、当該発熱装置を実装する基板を有し、前記流体通路は、当該発熱装置を実装する基板に設けられているものである。この構成であれば、前記流体通路は、前記発熱装置の近傍を通過する放熱路として利用することができ、当該発熱装置を実装する基板から発生する熱を流体に移動させて当該発熱装置を冷却することができ、高い冷却効率が期待できる。
【００１１】
本発明の分析装置は、流体状のサンプルを供給するサンプル供給部と、前記サンプルを分析する分析部とを有し、前記流体通路は、前記サンプル供給部から前記分析部へ前記流体状のサンプルを輸送するように設けられていることを特徴とする。従来の分析装置においては電気泳動などの原理を用いてサンプルを輸送するので扱えるサンプルが電気泳動で動き、高電界を印加されても破壊しないものに限られていたが、本発明の分析装置においては、振動体によるあおりによって流体を駆動してサンプルを移動させるのでサンプルの種類を選ばないという利点がある。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１２】
以下に、本発明の流体アクチュエータ並びにそれを用いた発熱装置及び分析装置について、図面を参照しつつ詳細に説明する。
図１は、本発明の流体アクチュエータの実施の形態の一例を示す透視平面図（ａ）及びＡ−Ａ線断面図（ｂ）を示す。
この流体アクチュエータにおいて、上下二枚の平板４，３が接合されている。上側の平板４（以下「蓋体４」という）の接合面に、平面視したときにＵ字型となる形状の溝を作っている。このＵ字状の溝は、上下二枚の平板４，３を張り合わせたときに、流体通路２となる空洞部を形成する。
【００１３】
流体通路２の断面形状は、図１（ａ）のような断面矩形状であるが、これ以外に断面半円状、断面三角状などであってもよい。
下側の平板３（以下「基体３」という）は、流体通路２の内壁面の一部を形成する。
基体３上の、流体通路２の一部には、１個又は複数個（この例では３個）の支持部２２が取り付けられ、支持部２２には、板状の振動体（フィン）２１が取り付けられている。この振動体２１が設置されている部分を「振動発生部１」という。
【００１４】
また、基体３の下面には、圧電振動印加部３３が装着されている。圧電振動印加部３３は、例えば圧電セラミックスや圧電単結晶などの圧電体で形成されている。
１６は流体通路２に設置された流速センサである。流速センサ１６は図示しない測定回路につながれており、流体通路内の流体の流速が測定できるようになっている。
図２（ａ）は、振動発生部１の付近を示す図（図１（ｂ）の拡大図）である。図２（ｂ）は、そのＢ−Ｂ線断面図である。
【００１５】
図３は、振動体２１と支持部２２の拡大図である。（ａ）は平面図、（ｂ）は正面図、（ｃ）は断面図を示す。
支持部２２は、図２（ｂ）に示すように、基体３から立設された２本の柱からなる。支持部２２は、振動印加時に塑性変形しない程度に硬いものであればよく、その材質は問わない。例えば、アルミニウムなどを好適に使うことができる。
【００１６】
図に示す例では、振動体２１は長方形の板状をしている。振動体２１は、２本の支持部２２を介して基体３に取り付けられているが、振動体２１に対する支持部２２の取り付け位置は、振動体２１の中心Ｃから長手方向にずれた位置になっている。この振動体２１は、流体通路２の流体通路方向と長手方向とを一致させて配置されるので、振動体２１に対する支持部２２の取り付け位置は、流体通路方向にずれた位置となる。なお、図に示す例では、取り付け位置から振動体２１の中心Ｃまでの距離、方向は、３つの振動体２１ともに、同一距離、同一方向となっている。このように、振動体２１と支持部２２とを同一形状で構成して複数配置すれば、後述するように同じ周波数の振動を印加したときにはすべてが同じ挙動を示すので、一つの圧電振動印加部３３からの振動によって、すべてのフィンを一様に制御することができる。
【００１７】
具体的には、図３（ａ）に示すように、振動体２１の長さをＬ＋Ｒで表すと、支持部２２の取り付け位置は、振動体２１の一方の辺からＬ、他方の辺からＲとなっている。Ｌ≠Ｒの関係がある（図ではＬ＜Ｒとなっている）。
また、図３（ｂ）に示すように、振動体２１の厚さをＴ２、支持部２２の高さをＴ１、支持部２２の取り付け位置における幅（振動体２１の長手方向に沿った幅）をＷで示す。
【００１８】
以上の構成において、流体通路２に流体を満たし、圧電振動印加部３３に所定周波数の交流電圧を印加すれば、図２（ａ）に示すように圧電振動印加部３３が上下振動する。この上下振動が基体３を伝搬して、支持部２２を振動させると、振動体２１が団扇をあおぐかのような往復振動をする。その結果、流体通路２内の流体に対して、振動体２１により矢印方向に駆動力が与えられる。
【００１９】
なお、圧電振動印加部３３の上下振動波形は、正弦波であってもよいが、必ずしも単一の周波数成分を持った正弦波である必要はなく、鋸歯状波や三角波などの一定の周波数分布を持った振動波形であってもよい。少なくとも振動体２１を往復振動させることができるものであれば種類を問わない。
この振動体２１の振動により、流体通路２内の流体が所定方向に駆動される。「所定方向」とは、支持部２２の取り付け位置から見て、振動体２１の中心Ｃを向く方向となる。
【００２０】
図３において振動体２１の厚さＴ２＝１μｍ、Ｌ＝１５μｍ、Ｒ＝２５μｍとして、振動体２１の材質をアルミニウム単体の金属とした場合の、振動の有限要素法（ＦＥＭ）によるシミュレーションを行った結果を図４（ａ），（ｂ）に示す。なお、支持部２２の幅Ｗ＝１μｍ、高さＴ１＝１μｍとした。
図４（ａ）は、周波数４．５ＭＨｚで圧電振動印加部３３を振動させたときの振動体２１の振動変位を示す側面図である。
【００２１】
振動体２１の変位は、振動体２１の右側（振動体２１の中心から見て支持部２２の取り付け位置と反対側）が大きく、振動体２１の左側（振動体２１の中心から見て支持部２２の取り付け位置と同一側）が小さいことが分かる。これによって、流体通路２中の流体は、図の右向きに流れる。
図４（ｂ）は、周波数１２．４ＭＨｚで圧電振動印加部３３を振動させたときの振動体２１の振動変位を示す側面図である。
【００２２】
この場合、振動体２１の変位は、振動体２１の左側が大きく、振動体２１の右側が小さくなる。したがって、流体通路２中の流体は左向きに流れることが分かる。
以上の結果から、圧電振動印加部３３の駆動周波数によって、流体通路２中の流体が流れる向きを左右にコントロールできることが分かる。
なお、このときの流量の比は、右向きの流量（４．５ＭＨｚの場合）：左向きの流量（１２．４ＭＨｚの場合）＝３７：２６となる。流量の比は１から大きく異なることはなく、１２．４ＭＨｚで駆動するときは、振動の振幅を大きくするなどして若干駆動力を強めることで、左右どちらにも同じ流速を得ることができることがわかる。
【００２３】
以上のように有限要素法シミュレーションの結果からも、本アクチュエータは、圧電振動印加部３３の駆動周波数を変えるだけで、流体通路２内の流体の流れの向きを左右のいずれか、任意の向きにすることができることがわかる。
次に、振動体２１の支持部２２からのアンバランス度、即ちＬとＲの比を変化させて、左向き、右向きの流量を計算した結果を、図５のシミュレーションの結果を示す線図に示す。図５の横軸に、支持部２２の取り付け位置から振動体２１の左辺までの長さＬをとっている。なお、Ｌ＋Ｒ＝４０（μｍ）の関係を満たしている。縦軸は、流体の流量比（右向きの流量／左向きの流量）を対数スケールで表している。
【００２４】
長さＬを３μｍ〜１９μｍの範囲で変化させている。グラフより、Ｌが１１μｍ以下の場合、右向きの流量が左向きの流量の１０倍を超えるため、一方向の流れを作りやすくなる。ただし、１０倍を超えると、周波数を変えたときに逆方向の流れを作り出す効果は弱くなる。
また、Ｌが小さすぎて、支持部２２を設ける位置が振動体２１の端部に近づきすぎると、支持部２２にかかるモーメントが大きくなり、構造の寿命に影響を与える可能性がある。
【００２５】
そこで、Ｌが１１μｍ以上１９μｍ以下の場合が、右向きの流量と左向きの流量とが近づいてきて、その比が１０以下になるので好ましい。
特に、周波数を変えたときにバランスの取れた左右の流れを作り出すことができるという観点から、Ｌは１５μｍ以上１９μｍであることがより望ましい。
ここで、Ｌの長さで望ましい範囲を規定したが、実際はＬ＋Ｒ＝４０μｍの拘束があるため、ＬとＲの比で規定することもできる。「Ｌが１１μｍ以上１９μｍ以下」という規定は、「Ｌ／Ｒが１１／２９以上１９／２１以下である」ことと同値である。
【００２６】
Ｌ＝Ｒ＝２０μｍの場合は振動体２１の左右が同じだけ振動してしまうため、左右どちらにも流体を駆動することはできず、攪拌するだけとなる。
次に、犠牲層エッチング技術を用いる本発明の流体アクチュエータの製造方法について、図６を参照しながら説明する。
基体３としてシリコン板を用い、支持部２２と振動体２１の材質としてアルミニウムを用いる。
【００２７】
まず基体３上に犠牲層として、アモルファスシリコン膜２９をＣＶＤ装置にて１μｍの厚さに成膜する。次に、アモルファスシリコン膜２９上にフォトリソグラフィによって、支持部２２を形成する部位に、支持部２２の形状の開口部を有するフォトレジストのパターンを形成する（図６（ａ）参照）。
次に、ＲＩＥ装置によって支持部２２を形成する部分が開口するようにアモルファスシリコン膜２９を除去し、フォトレジストをアセトンなどにより除去する。次にアルミニウムをスパッタにより１μｍの厚さに成膜する。そして表面を丁度１μｍ研磨することにより、アモルファスシリコン膜２９の開口部にアルミニウムの支持部２２が形成された状態となる（図６（ｂ）参照）。
【００２８】
次に、振動印加部に相当する部分が開口したフォトレジストのパターンを、ＡＺ等のネガ型フォトレジストを用いてフォトリソグラフィにより形成する。そして、このフォトレジストのパターンを形成した面全面にアルミニウムを、真空蒸着等を用いて１μｍ成膜する。その後、リフトオフ法により、フォトレジストを、剥離液を用いて除去すると、不要な部分のアルミニウムも同時に除去され、アモルファスシリコン膜２９の一部にアルミニウムの支持部２２が形成された上に振動体２１が形成された状態となる（図６（ｃ）参照）。
【００２９】
最後にアモルファスシリコンを弗化キセノンにより犠牲層エッチングすることにより、支持部２２の上に振動体２１が形成される（図６（ｄ）参照）。
なお、基体３の材料としてシリコンを使う場合を説明したが、ガラス基板やその他の基板を利用しても良い。また、支持部２２と振動体２１としてアルミニウムを用いたが、その他の金属や無機材料、有機材料を用いても構わない。また、プロセスも上記方法に限定するものではない。
【００３０】
次に流体通路２として、溝を形成した蓋体４を作製する。金属を機械加工した型に、シリコンゴムの一種であるＰＤＭＳ（poly dimethylsiloxane）を流し込み、８０℃で３０分間重合反応させることにより、溝が形成されたＰＤＭＳの蓋体４が作製できる。
このＰＤＭＳの蓋体４の溝の中に、先ほど作製した振動体２１及び支持部２２が入るようにして、蓋体４と基体３とを接合することで、内部に振動体２１と支持部２２が設置された流体通路２ができあがる。
【００３１】
最後に、基体３の、流体通路２と反対側の面に、圧電振動印加部３３を張り付ける。圧電振動印加部３３に所定の交流電圧を印加することで、振動体２１を振動させることが可能となる。
前述のシミュレーションに用いた形状のアクチュエータの場合、圧電振動体２１を４．５ＭＨｚで振動させることにより、所定方向に流体を流すことが可能となり、圧電振動体２１を１２．４ＭＨｚで駆動することにより、反対の方向に流体を流すことが可能となる。
【００３２】
なお、本発明の流体アクチュエータは、上述の構造に限定されるものではない。例えば、流体通路２の形状は任意である。図１に示したＵ字状のものに限定されるものではなく、直線状でもよく、円弧上でも良い。直角に曲がった「コ」の字状のものであってもよい。
また、上述において、圧電振動印加部を基体の下面に装着した例によって説明したが、これに限るものではなく、基体の中に埋め込んだり、嵌め込んだりするようにしても良い。さらに、基体自体を圧電体で構成し、基体と圧電振動印加部を共通の構成としても良い。
【００３３】
さらに、振動体として長方形の形状を有するものを用いた例によって説明したが、これに限るものではない。さらに、振動体の最も激しく振動する先端部に、あおりの効果を増大するためにフィンを設けるようにしても良い。
また、図に示した例では、フィンの数を３つとしているが、実際には、多数のフィンを流体通路に対して、縦横に複数列となるように配置して、同時に振動印加部から所定の振動を印加するようにして、必要な流量を得るようにすると良い。
【００３４】
図７は、集積回路、外部記憶装置、発光素子、冷陰極管などの発熱する装置（発熱装置という）に、本発明の流体アクチュエータを適用した例を示す平面図（ａ）と、Ｆ−Ｆ線断面図（ｂ）である。
図７では、流体アクチュエータの蓋体４として、半導体基板を用いている。半導体基板には例えば、シリコンの間に絶縁層としてＳｉＯ2が挟まれたＳＯＩ（Silicon on Insulator）基板を用いている。
【００３５】
下側のシリコン層２３には半導体回路３２を形成し、絶縁層２４を挟んだ上側のシリコン層２５には、アルミ膜をマスクとしてＩＣＰ−ＲＩＥによりエッチングを行い、ミアンダ状の流体通路２を形成している。
基体３の流体通路２に対応する２つの位置には、それぞれ振動発生部１ａ，１ｂが配置されている。そして、半導体基板の流体通路２を形成した側を、振動発生部１ａ，１ｂが実装された基体３と接合している。基体３には、振動発生部１ａ，１ｂの裏側に圧電振動印加部３３を貼り付けて、本発熱装置が完成する。
【００３６】
流体として、純水７２％、プロピレングリコール２４％、金属の防腐剤など４％を混合したものや、純水７５％、エチレングリコール２５％を混合したものや、軽改質油などを用いる。
なお、振動発生部の数は、２つに限られるものではなく、１つでもよく、３つ以上でもよい。
【００３７】
この図７の構造で、振動発生部１ａ，１ｂにおいて、流体を駆動させる方向は、それぞれ−ｘ方向に設定されている。したがって、振動発生部１ａ，１ｂによってそれぞれ流体を駆動させれば、全体として、流体通路２内の流体を一方向に流すことができる。
流体通路２の両端口２６，２７には、配管を通して、流体を貯める容器６が接続されている。容器６の中の流体が、前記配管及び流体通路２を循環して容器６に戻ってくる。この循環の途中で、放熱フィンなどの熱交換器２８が設けられていて、この熱交換器により、半導体回路で発生した熱を外部に逃がすことができる。
【００３８】
図８は、本発明の流体アクチュエータを利用した分析装置の実施の形態を示す平面図（ａ）と断面図（ｂ）である。
図８（ａ）は、本発明の分析装置の蓋体４０を示す平面図であり、蓋体４０には、略十字の溝が形成されている。この蓋体４０を、基体３に接合させることで、横向きの流体通路２ａと、縦向きの流体通路２ｂが形成される。
【００３９】
蓋体４０を基体３に接合させた状態で、横向きの流体通路２ａの両端は、基体３に設けられた流体通路２ｃ，２ｄと連通し、縦向きの流体通路２ｂの両端は、基体３に設けられた流体通路２ｅ，２ｆと連通している。
基体３上の流体通路２ａ，２ｂに対応する位置には、それぞれ振動発生部１ｃ，１ｄが配置されている。振動発生部１ｃ，１ｄは、スイッチ（図示せず）により、いずれか１つが駆動されるようになっている。４３は、サンプル流体を測定する測定部である。測定部の測定原理は限定されないが、例えば吸光度スペクトルを測定することにより、サンプル流体の分析を行う。
【００４０】
流体通路２ｃ，２ａ，２ｄにはサンプル流体Ｓが流され、流体通路２ｅ，２ｂ，２ｆには、サンプル流体を測定部４３の測定ポイントまで運ぶためのキャリア流体が流されるようになっている。
サンプル流体としては、血液や、細胞やＤＮＡを含有したサンプル溶液や、緩衝液などを用いることができる。
【００４１】
振動発生部１ｃを駆動しているときには、図９（ａ）に示すように、流体通路２ｃ，２ａ，２ｄを通してサンプル流体Ｓが流される。
この状態でスイッチを切り替えて、振動発生部１ｄを駆動すると、図９（ｂ）に示すように、流体通路２ｅ，２ｂ，２ｆを通してキャリア流体が流される。このとき、キャリア流体は、十字の連結部に存在するサンプル流体Ｓを、流体通路２ｂを通して搬送して測定部４３の測定ポイントまで運ぶことができる。したがって、測定部４３によってサンプル流体を測定することができる。
【図面の簡単な説明】
【００４２】
【図１】本発明の流体アクチュエータの実施形態の一例を模式的に示す図であり、（ａ）は流体アクチュエータの透視平面図、（ｂ）はＡ−Ａ線断面図を示す。
【図２】振動発生部付近の流体アクチュエータの構造を示す拡大図であり、（ａ）はＡ−Ａ線断面図、（ｂ）はＢ−Ｂ線断面図を示す。
【図３】支持部に取り付けられた振動体の構造を示す平面図（ａ）、正面図（ｂ）、及び断面図（ｃ）である。
【図４】（ａ）は周波数４．５ＭＨｚで振動させたときの振動体の振動変位を示す側面図である。（ｂ）は周波数１２．４ＭＨｚで振動させたときの振動体の振動変位を示す側面図である。
【図５】振動体の支持部からのアンバランス度を変化させて、左向き、右向きの流量比を計算した結果を示す線図である。
【図６】犠牲層エッチング技術を用いた本発明の流体アクチュエータの製造方法を示す工程図である。
【図７】本発明の流体アクチュエータを備えた発熱装置の構造例を模式的に示す平面図（ａ）とＦ−Ｆ線断面図（ｂ）である。
【図８】本発明の流体アクチュエータを備えた分析装置の構造例を模式的に示す平面図（ａ）とＨ−Ｈ線断面図（ｂ）である。
【図９】前記平面図（図８（ａ））の拡大図であり、（ａ）は、前記分析装置における横向きの流体通路を通してサンプル流体Ｓが流される状態を示す図であり、（ｂ）は、縦向きの流体通路２ａを通してサンプル流体Ｓが流される状態を示す図である。
【符号の説明】
【００４３】
１  振動発生部
２  流体通路
３  基体
４  蓋体
５  電源
６  容器
２１  振動体
２２  支持部
３２  発熱部
３３  圧電振動印加部
４０  分析装置
４３  分析部
【図１】
0004718986.tif 000002
【図２】
0004718986.tif 000003
【図３】
0004718986.tif 000004
【図４】
0004718986.tif 000005
【図５】
0004718986.tif 000006
【図６】
0004718986.tif 000007
【図７】
0004718986.tif 000008
【図８】
0004718986.tif 000009
【図９】
0004718986.tif 000010