(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
下層電極、有機層及び上層電極からなる積層体を封止手段によって封止する工程と、
前記有機層に対して光を照射する光エージングを行なう工程と、を備え、
前記積層体は、前記有機層の発する光の色が異なる複数のタイプが存在し、
前記光エージングを行なう工程において、前記有機層の発光する光の色によって該有機層に照射する光の波長を異ならせ、該光の波長が有機層を構成する有機材料の吸収率の高い波長であるフィルターを介して光エージングを行なうことを特徴とする有機ＥＬ素子の製造方法。
【請求項２】
前記光エージングを行なう工程において、前記有機層の温度を略一定に保持することを特徴とする請求項１に記載の有機ＥＬ素子の製造方法。
【請求項３】
前記光エージングは、前記下層電極と前記上層電極との間に電圧を印加せずに行われることを特徴とする請求項１または請求項２に記載の有機ＥＬ素子の製造方法。
【請求項４】
前記封止手段の光透過率が、発光強度がピーク波長となる波長で９０％以上、且つ前記有機層に照射される光の波長で６０％以上であることを特徴とする請求項１乃至請求項３のいずれかに記載の有機ＥＬ素子の製造方法。
【請求項５】
前記封止手段は前記積層体上に配置される封止基板または前記積層体上に被着される封止層であることを特徴とする請求項１乃至請求項４のいずれかに記載の有機ＥＬ素子の製造方法。
【請求項６】
前記封止手段の表面粗さがＲａで１ｎｍ以下であることを特徴とする請求項５に記載の有機ＥＬ素子の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、エージング処理を施す有機エレクトロルミネッセンス（以下、略して「有機ＥＬ」という。）を含む発光素子の製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
高輝度発光、薄型、低消費電力が可能な有機ＥＬ素子は次世代の発光素子として注目されている。図１０に示すように、周知の有機ＥＬ素子１０の基本構造は、基板１２の上にアノード１４、有機層２０、カソード１６の順に積層された積層体１８を有し、これらは封止基板等の封止手段１１によって外部から封止されている。基板１２と封止基板とは接着剤（図示せず）で隙間無く接着する。有機層２０は発光層２６のみでもよいが、その他発光層２６の発光効率の向上のために正孔注入層２２、正孔輸送層２４、電子輸送層２８、電子注入層３０などの複数の機能層を含んで構成されることが多い。
【０００３】
有機ＥＬ素子１０の有機層２０を挟むアノード１４とカソード１６の２つの電極間に直流電圧をかけると、上記各機能層を通して発光層２６に正孔と電子が注入される。発光層２６中で正孔と電子が再結合を起こして放出するエネルギーを、発光層２６に含まれる有機分子が受け取り、この分子が励起状態になる。この不安定な励起分子状態が基底状態に戻る際にエネルギーを光として放出し、有機層２０が発光する。このエレクトロルミネッセンス（以下、略してＥＬともいう）の現象が発光ダイオード（ＬＥＤ；Light  Emitting  Diode）の発光メカニズムと類似することから、有機ＥＬ素子１０は有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ；Organic  Light  Emitting  Diode）と呼ばれている。従って以下、本明細書において有機ＥＬ素子１０はＯＬＥＤ１０ともいう。
【０００４】
また、ＯＬＥＤ１０を種々の表示装置として使用するのであれば、基板１２の上に画素が縦横に配列される。ＯＬＥＤ１０がカラー表示をおこなうのであれば、画素はサブ画素に分割され、サブ画素ごとに発光層２６の発する光の色が異なる。周知の画素の回路構成は、図１１に示すようになっている。ＴＦＴ（Thin film transistor）よりなる２つのスイッチング素子があり、これらのスイッチング素子によって発光層２６の発光をスイッチングしている。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかし、ＯＬＥＤ１０は長時間にわたって安定な発光が実現されないという問題があり、発光強度（輝度）は駆動時間とともに減衰する。この問題に対して、積層体１８の外側を封止手段１１により覆って外気を遮断して有機層２０の劣化を防ぐ、有機層２０の材料の耐久性を向上させる、印加電圧を低下させる、等の方法が提案されている。
【０００６】
一方、ＯＬＥＤ１０の上記輝度劣化の特性として、例えば、非特許文献１や、非特許文献２で詳細に調査されているように、輝度劣化は駆動直後に顕著に見られ、その後徐々に劣化速度が減少することが知られている。このことから、駆動直後の顕著な劣化を事前に起こさせておくエージング処理が実施されている。
【０００７】
例えば特許文献１、特許文献２に開示されているように、エージング処理は、ＯＬＥＤ１０を通常の条件で駆動したり、またはエージング時間を短縮するために通常の駆動条件よりもＯＬＥＤ１０に負荷を掛ける条件で駆動することで実施されている。しかしながら、いずれの条件も電流を有機層２０と駆動用ＴＦＴに流すため、有機層２０のエージング以外に駆動用ＴＦＴをも劣化させるという問題があった。これは図１２に示すような閾値シフトと呼ばれる急速な劣化である。
【０００８】
特許文献３においては、ＵＶ（Ultraviolet）硬化剤を用いた封止基板による封止の前に有機層２０に光を照射してエージング処理を行なう、光エージングが提案されている。光エージングにおいては、光照射後有機層２０が発光するというフォトルミネッセンス（以下、略してＰＬともいう。）という現象が生じる。このＰＬは、光を有機層２０に照射することによって有機層２０中の分子が励起され、励起分子が元の状態に戻るときに有機層２０が発光する現象と考えられる。したがって、ＰＬとＥＬとでは発光波長は同一ではないものの、類似したメカニズムで発光が起こっており、ともに有機層２０はエージングを受け安定化することが知られている。しかも有機層２０に光を照射してエージング処理できるため、ＯＬＥＤ１０を駆動させるためのＴＦＴには電流を流す必要が無く、ＴＦＴを劣化させることを防止することができる。
【０００９】
しかし、特許文献３においてなされるＵＶ硬化剤による封止は封止性能が低く好ましくない。さらに、ＯＬＥＤ１０への光照射の後にＵＶ硬化剤への光照射が必要であるが、上記特許文献３においてはＯＬＥＤ１０の温度が６０℃程度まで上昇することが記されており、熱によって有機層２０が劣化してしまうという問題が発生する。
【００１０】
【非特許文献１】Applied Physics Letter vol.70 (1997) pp.1665-1667
【非特許文献２】SID (2003) pp.539-541
【特許文献１】特開２００２−１９８１７２号公報
【特許文献２】特開２００２−２０３６７２号公報
【特許文献３】特開２００２−１２４３７９号公報
【００１１】
本発明は、上記課題を鑑み解決するためになされたものであり、駆動用ＴＦＴの劣化を防ぎ、熱による有機層の劣化を防止し得るＯＬＥＤの製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
本発明の有機ＥＬ素子の製造方法は、下層電極、有機層及び上層電極からなる積層体上に封止手段によって封止する工程と、前記有機層に対して光を照射する光エージングを行なう工程と、を備え、前記積層体は、前記有機層の発する光の色が異なる複数のタイプが存在し、前記光エージングを行なう工程において、前記有機層の発光する光の色によって該有機層に照射する光の波長を異ならせ、該光の波長が有機層を構成する有機材料の吸収率の高い波長であるフィルターを介して光エージングを行なうことを特徴とする。前記有機層に通電を行なうことなく、前記有機層に対して光を照射するので、ＯＬＥＤの駆動素子であるＴＦＴを劣化させることなくエージングを行なうことができる。
【００１３】
照射する光のピーク波長は、有機材料の吸収スペクトルのピーク波長から２０ｎｍ以下に近接することが好ましい。さらに、照射する光のスペクトルの半値幅が広い場合には目的の有機材料以外の材料まで励起する可能性があるので、半値幅は目的の有機材料の吸収スペクトルの半値幅以下にすることが好ましい。
【００１４】
本発明の有機ＥＬ素子の製造方法は、前記光エージングを行なう工程において、前記有機層の温度を略一定に保持することを特徴とする。ここで、略一定に保つ温度とは、有機層を構成する有機材料中で、最もガラス転移点Ｔｇが低い有機材料のＴｇよりも低くすることが必須であり、さらに有機材料の変質や応力剥離を防ぐため、５０℃以下で光エージングすることが望ましい。
【００１５】
本発明の有機ＥＬ素子の製造方法は、前記光エージングが前記下層電極と前記上層電極との間に電圧を印加せずに行われることを特徴とする。
【００１７】
本発明の有機ＥＬ素子の製造方法は、前記封止手段の光透過率が、発光強度がピーク波長となる波長で９０％以上、且つ前記有機層に照射される光の波長で６０％以上であることを特徴とする。
【００１８】
本発明の有機ＥＬ素子の製造方法は、前記封止手段は前記積層体上に配置される封止基板または前記積層体上に被着される封止層であることを特徴とする。また前記封止手段の表面粗さがＲａで１ｎｍ以下であることを特徴とする。
【００２０】
本明細書において、有機層は発光層のみでもよいが、その他正孔注入層、正孔輸送層、電子輸送層、電子注入層などの複数の機能層を含んで構成されてもよく、これらの各々異なる材料で形成される発光層、機能層の各層を指して「有機材料」ともいう。
【発明の効果】
【００２１】
本発明によると、ＯＬＥＤの駆動回路であるＴＦＴに電流を流すことなくエージングをおこなうことができる。したがって、エージング時におけるＴＦＴの劣化を防ぐことができる。また、有機層中の劣化速度が速い有機材料のみを光エージングするため、効果的に初期的な急速劣化成分を除去することができる。特定の有機材料・有機層ごとに光エージングをおこなうことによって、光エージングを行う有機層ごとのキャリア移動度、屈折率等を考慮した積層体のキャリアバランス、光学設計などが可能となる。さらに、ＯＬＥＤのドライバＩＣ（Integrated circuit）を実装せずにエージングをおこなうことができるため、光エージング後にＯＬＥＤが不良となってもドライバＩＣの損失を防ぎ、製造コストを低減することができる。
【００２２】
また本発明によれば、前記封止手段の光透過率を、発光強度がピーク波長となる波長で９０％以上、且つ前記有機層に照射される光の波長で６０％以上とすることにより、光エージングの際に照射する光の強度を低く抑え、エージング効率を向上させることができる。
さらに本発明によれば、前記封止手段の表面粗さをＲａで１ｎｍ以下とすることにより、光エージングの際の表面散乱を小さく抑えることで照射する光の強度を低減し、エージング効率を向上させることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２３】
以下に、本発明に係るＯＬＥＤの製造方法、特に本発明で用いる光エージング法について詳細に図面を用いて説明する。ＯＬＥＤの基本構造については従来技術で説明した図１０、図１１のＯＬＥＤ１０であっても良い。以下の説明においても、ＯＬＥＤ１０の基本構造は図１０、１１と基本的に同一とする。
【００２４】
図１０において、本発明のＯＬＥＤ１０の製造方法は、次の（１）〜（４）の順でおこなう。（１）基板１２を準備する。（２）基板１２の上にアノード１４、有機層２０、カソード１６の順に積層して積層体１８を形成する。（３）基板１２の上に封止手段１１を設けて積層体１８を封止する。（４）有機層２０に対して光を照射することによって光エージングを行ない、有機層の輝度劣化成分を取り除く。
【００２５】
上記（１）で準備する基板１２は、ボトムエミッションのＯＬＥＤ１０であればガラスやプラスチックなどの透明材料であり、トップエミッションのＯＬＥＤ１０であれば不透明金属であってもよい。
【００２６】
上記（２）の積層体１８の形成は、真空チャンバー内に基板１２を配置し、基板１２に対して所定の材料を積層して行う。積層は、蒸着が一般的である。必要に応じて積層された材料のパターニングをおこなう。
【００２７】
上記（２）で形成するアノード１４とカソード１６は、それぞれ下層電極、上層電極となり、ボトムエミッションであればアノード１４をＩＴＯなどの透明電極とし、カソード１６をアルミニウムなどの金属電極とする。トップエミッションであれば、ボトムエミッションとはアノード１４とカソード１６の材料が入れ替わる。
【００２８】
有機層２０は発光層２６のみから構成され得るが、正孔注入層２２、正孔輸送層２４、電子輸送層２８、電子注入層３０などの複数の機能層を含めて形成し、発光効率を上げることが好ましい。有機層２０を構成する発光層２６や各機能層は異なる有機材料から形成されており、本明細書において有機層２０を構成する各層を、単に有機材料ともいうこととする。
【００２９】
上記（２）の工程の前後、または同時にＯＬＥＤ１０を駆動させるための回路を基板１２上に形成する。回路は図１１に示すように２つのスイッチング素子が設けられたものであっても良い。スイッチング素子はＴＦＴである。
【００３０】
上記（３）の封止手段１１による封止は、例えば封止基板で積層体１８を外気から遮断することである。封止基板で積層体１８を封止する場合は、上記特許文献３に記載されるようにＵＶ硬化剤を光照射して封止基板を基板１２に接着してもよいが、公知の手段を用いて照射熱によって有機層２０が劣化するのを防ぐ対策が必須である。
【００３１】
また、封止手段１１は、積層体１８をＳｉＮ系および／またはＳｉＯ系の封止層で覆って、積層体１８を外気から遮断することであっても良い。上記の薄膜で積層体１８を覆うのであれば、真空チャンバー内で薄膜の成膜をすることになり、上記（２）の工程の後、スムーズに成膜をおこなうことができる。本封止手段による封止は、有機層２０を熱に曝すことなく、容易に酸素や水分によって有機層２０が劣化するのを防止することができ好適である。ここで、封止手段１１の表面（封止手段１１が封止基板である場合、封止基板の上面及び下面、封止手段１１が封止層である場合、の封止層の表面）の表面粗さはＲａで１ｎｍ以下（０．００１μｍ以下）であることが好ましい。表面粗さがＲａで１ｎｍよりも大きいと、上記（４）の工程において有機層２０に照射される光が封止手段の表面で大きく散乱し、有機層２０に入射する光の強度が低下するため、光の強度を上げる必要がある。その結果、有機層２０に本来起こらないはずの劣化が生じるおそれがある。なお、封止手段１１の表面粗さはＲａで０．１ｎｍ以上とすることが好ましい。
【００３２】
また封止手段１１の光透過率は、発光強度がピーク波長となる波長で９０％以上、且つ前記有機層に照射される光の波長で６０％以上とすることにより、光エージングの際に照射する光の強度を低く抑え、エージング効率を向上させることができる。この光透過率を達成するためには、封止基板もしくは素子を形成した基板として可視光領域から近紫外領域で透過率の高いガラス基板が適している。有機層の照射側に接している電極も上述した範囲の光透過率が必要であり、酸化インジウムと酸化錫の混合物（一般的にITO）や、酸化亜鉛（ZnO）で膜厚を５０ｎｍ以下で形成することが好ましい。封止層を用いる場合には、ＳｉＯｘのほかＳｉＮｘ（ＳｉＮｘＯｙも含む）等の材料おり、光透過率をさらに高めるには膜厚を薄くすればよい。
【００３３】
上記（４）は有機層２０に光を照射する光エージングである。輝度を低下させることは輝度劣化成分を除去することとも言える。ＯＬＥＤ１０の輝度経時変化は、有機層２０内での酸素や水分による化学変化や各層の有機材料に含まれる不純物の拡散・崩壊による拡散現象による。このような化学変化や拡散現象が輝度劣化成分であり、ＯＬＥＤ１０の点灯初期によく発生し、時間がたつにつれて減少する。したがって、ＯＬＥＤ１０の発光強度（輝度）は、図６のような輝度経時変化となる。エージングをおこなって輝度を低下させることによって、初期の輝度の半分となる時間（半減寿命）が長くなる。従来であれば有機層に電流を流すことによっておこなっていたが、本願は光を照射することによって有機層２０に光エージングを行なう。
【００３４】
ＯＬＥＤ１０に光エージングをおこなうための装置は、図１のように、ＯＬＥＤ１０（即ち有機層２０）に対して光を照射する光源３２を有する。光源３２としては高圧水銀ランプなどが使用可能である。ＯＬＥＤ１０に照射する光の光量を調節する手段を設けても良い。照射光量を調節する手段としては、光源３２を変圧装置に接続してその発光量を調節したり、照射時間を調節する等の手段があり得る。
【００３５】
図１において光源３２の発する光を照射するＯＬＥＤ１０は、従来の上記図１０に示したＯＬＥＤ１０である。本実施形態においてＯＬＥＤ１０の有機層２０は、発光層２６と、これを挟んで正孔注入層２２、正孔輸送層２４、及び電子輸送層２８、電子注入層３０の複数の機能層から構成される。なお、本実施形態のＯＬＥＤ１０の封止は封止基板により行なわれていてもよいが、上記のような照射熱による有機層２０の劣化に対する対策が十分になされているものとする。
【００３６】
一般に、図７に示すように、発光層２６や各機能層の有機材料は、それぞれ特有の光透過スペクトルを有している。すなわち有機層２０を構成する各有機材料は、それぞれ特有の光吸収波長を有している。また、薄膜有機多層構造では、光照射による劣化はすべての層で起こるのではなく、特定の有機材料に対して起こっている。従って、劣化しやすい有機材料の吸収率が高い特定の波長を有する光を有機層２０に対して照射することにより、光エージングの効率を高めることができる。
【００３７】
また、ＯＬＥＤ１０がカラー表示をおこなうのであれば、図２のように基板１２の上に複数の画素が縦横に形成され、その画素はＲＧＢの各色を発するサブ画素１８ｒ，１８ｇ，１８ｂで構成される。ＯＬＥＤ１０がカラーフィルターを使わずにカラー表示をおこなう場合、サブ画素によって発光する色が異なり、有機層の材料も異なる。したがって、サブ画素ごとにエージングで利用される光の光量や波長が異なる場合がある。そこで、図２に示すように、発光層が発光する色ごとにエージングに利用される光の波長を透過させるフィルター３４ｒ，３４ｇ，３４ｂを設けてもよい。なお、図および明細書で符号にｒ、ｇ、ｂを付加したものは、赤、緑、青に対応している。
【００３８】
ＯＬＥＤ１０の上にフィルター３４ｒ，３４ｇ，３４ｂを配置したときに、有機層の上方には各サブ画素の有機層をエージングする光の波長に対応したフィルター３４ｒ，３４ｇ，３４ｂが配置される。そして、フィルター３４ｒ，３４ｇ，３４ｂを透過した光は、そのフィルター３４ｒ，３４ｇ，３４ｂに対応した有機層に照射される。この場合、光源３２は白色光を発してよい。
【００３９】
また、複数の光源と複数のマスクを利用しても良い。例えば、図３（ａ）においては、赤のサブ画素１８ｒの有機層の位置に対応した開口３８を有するマスク３６ｒと、赤のサブ画素１８ｒの有機層のエージングに利用される波長の光を発する光源３２ｒとを使用している。ＯＬＥＤ１０の上にマスク３６ｒを配置したときに、赤のサブ画素１８ｒの有機層の箇所だけにマスクの開口３８が配置され、その開口３８を介してその有機層に光が照射される。また、図３（ｂ）および図３（ｃ）は、それぞれ緑と青に対応したものである。順番にそれぞれの光を照射していく。
【００４０】
図４に示すように、エージング中の有機層の温度を一定に保つための温度調節装置４０を設けても良い。温度調節装置４０により、光照射の間に有機層の温度が上昇するのを防ぐことができる。ＯＬＥＤ１０は、有機材料の変質や応力剥離を防ぐため、５０℃以下で光エージングすることが望ましい。図４において温度調節装置４０はＯＬＥＤ１０が配置されるプレート状の温度調節装置４０であるが、エージングをおこなう空間全体の温度を調節する空調装置であっても良い。
【００４１】
エージングの状況を検査するために、図５に示すように、ＯＬＥＤ１０のフォトルミネッセンス強度を測定するための手段を設けてもよい。測定手段は、フォトルミネッセンス光の波長のみを透過する光学フィルター４２と、フィルター４２を透過した光を受光するフォトダイオード４４とを含む。フォトルミネッセンス強度を測定することにより、光エージングを行う有機材料の劣化の程度を知ることができる。
【００４２】
以上、ＯＬＥＤ１０を光エージングの方法、光エージングするための装置について説明したが、図１〜５で示した光エージングをおこなうための装置は、種々組み合わせても良い。例えば、図２のフィルターを有する構成と、図４の有機層の温度を一定にするための構成とを組み合わせることが考えられる。上述した図１〜５の装置の１つまたは複数組み合わせ、あるいは光量、照射光の波長の選択により、光エージングを効率化することができる。
【００４３】
ＯＬＥＤ１０を種々の表示装置として使用するのであれば、基板１２上に縦横に画素を配列する必要がある。表示装置がカラー表示をおこなうのであれば、各画素は複数のサブ画素より構成される。そのため、上記（２）の積層体１８の形成は、基板１２の上に複数の積層体１８を縦横に配列して行う。そして、上記（４）の光エージングにより有機層２０の輝度劣化成分を有効に取り除くためには、各サブ画素の劣化する有機材料によって有機層２０に照射する光の光量を異ならせるようにしてもよい。
【００４４】
あるいは、ＯＬＥＤ１０をカラー表示する場合において、上記（４）の光エージングを有効に行うために、各サブ画素の劣化する有機材料によって有機層２０に照射する光の波長を異ならせるようにしてもよい。また、各サブ画素によって、光の光量と波長の両方を異ならせるようにしても良い。
【００４５】
すなわち、有機層２０の劣化する有機材料によって発光する光の色が異なり、また上述した輝度劣化成分も異なる場合がある。このような場合に、照射する光の光量、波長、またはその両方を上記のように変えることによって、サブ画素ごとに最適なエージングをおこなうことができる。
【００４６】
光の波長は、有機層２０の材料に対して吸収率の高い特定の波長となるようにするのが好ましい。最も効率よく光エージングをおこなうためである。
【００４７】
上記（４）の有機層２０の輝度劣化成分の除去は、温度を一定に保ちながらおこなう。温度上昇によって有機層２０が劣化するのを防ぐためである。例えば、有機層２０の材料の変質や応力剥離を防ぐために約５０℃以下であることが好ましい。
【００４８】
また、本願においては、上記（３）と（４）の工程の順番は変えない方が好ましい。すなわち、封止手段１１により積層体１８を封止後に光エージングをおこなうのが望ましい。基板１２と封止手段１１とを接着剤で接着して封止するときに、接着剤の種類によっては酸素や水分が発生し、封止した内部に入り込む場合がある。これらは輝度劣化成分となり得るため、光エージングによってこのような輝度劣化成分を消滅させることが望ましい。しかし、上記（３）と（４）の工程の順番が逆になると、光エージングをおこなった後に酸素や水分などの輝度劣化成分が封止した内部に発生し、光エージングをおこなった意味が無くなる場合がある。
【００４９】
以上のように、本発明であればＯＬＥＤ１０の駆動回路に電流を流すことが無い。エージングによる駆動回路、特に駆動用ＴＦＴの劣化を防ぐことができる。なお、上記実施形態及び下記する実施例において、ＯＬＥＤ１０のタイプは特に限定されず、あらゆる公知のＯＬＥＤが含まれ得る。また、本発明の光エージングに用いる照射装置も、特定の波長の光をＯＬＥＤ１０に照射できる装置であれば特に限定されず、光源３２も適宜適した光源を用いてよい。
【実施例１】
【００５０】
基板１２を準備し、基板１２上に上述の駆動回路および積層体１８を形成した。積層体１８を形成後、直ちに積層体１８をＳｉＮｘやＳｉＯｘなどの封止性の高い薄膜で覆うことで外気を遮断した。従来のＵＶ硬化剤による封止は封止性能が低く好ましくないので使用しなかった。
【００５１】
次にエージング処理を行った。上記の積層体１８で、用いた有機材料のうち最も劣化速度が速いものが電子輸送層２８に用いた有機材料であった。図７に示すように、有機層２０を形成する有機材料の光透過波長が材料ごとに異なっていることから、電子輸送層２８が最も吸収する波長を選択し、光を照射した。この波長は、例えば約３８０ｎｍである。
【００５２】
電子輸送層２８の材料が劣化したことを確認するために、フォトルミネッセンス強度を測定した。図９のフォトルミネッセンス強度変化は、電子輸送層２８からの発光強度を測定したものである。フォトルミネッセンス強度は光照射時間とともに減少し、電子輸送層２８の材料が劣化したことを確認できた。図８に示すように、フォトルミネッセンス強度とエレクトロルミネッセンス強度は相関があったので、初期輝度を所望の輝度までエージングによって減少させることができた。
【００５３】
光照射の間に素子の温度が上昇することを防ぐために、積層体の温度を２０℃に保った状態で光エージングを行った。上記のように、積層体の温度は有機材料の変質や応力剥離を防ぐために５０℃以下で行うことが望ましい。
【００５４】
また、本実施例においては、３色の異なった発光色を有するサブ画素があったが、電子輸送層２８に関しては同じ材料を用いていたので、照射する光の波長は１種類で行った。サブ画素ごとに劣化させる有機材料が異なる場合には、上述のようにサブ画素ごとに照射する波長および／または照射時間を変えることが望ましい。
【００５５】
以上、本発明について説明したが、本発明は上述の実施形態に限定されるものではない。その他、本発明は、その主旨を逸脱しない範囲で当業者の知識に基づき種々の改良、修正、変更を加えた態様で実施できるものである。
【図面の簡単な説明】
【００５６】
【図１】ＯＬＥＤのエージングをおこなうための装置を示す図である。
【図２】フィルターを設けたエージング装置の図である。
【図３】マスクを設けたエージング装置の図であり、（ａ）は赤色光を発する有機層用であり、（ｂ）は緑色光を発する有機層用であり、（ｃ）は青色光を発する有機層用の図である。
【図４】ＯＬＥＤの温度調節装置を設けたエージング装置の図である。
【図５】フォトルミネッセンス（ＰＬ）強度を測定するための装置を有するエージング装置の図である。
【図６】ＯＬＥＤの輝度経時変化を示す図である。
【図７】有機層の材料の光透過スペクトルを示す図である。
【図８】フォトルミネッセンス(ＰＬ)強度と電流注入発光（エレクトロルミネッセンス（ＥＬ））強度との関係を示す図である。
【図９】光エージングによるフォトルミネッセンス(ＰＬ)強度の経時変化を示す図である。
【図１０】ＯＬＥＤの基本的な構造を示す図である。
【図１１】ＯＬＥＤを駆動させるための画素の回路構成を示す図である。
【図１２】ＴＦＴの閾値シフトを示す図である。
【符号の説明】
【００５７】
１０：ＯＬＥＤ
１１：封止手段
１２：基板
１４：アノード
１６：カソード
１８：積層体
２０：有機層
２２：正孔注入層
２４：正孔輸送層
２６：発光層
２８：電子輸送層
３０：電子注入層
３２：光源
３４：フィルター
３６：マスク
３８：開口
４０：温度調節装置
４２：フォトルミネッセンス光の波長を透過させる光学フィルター
４４：フォトダイオード
【図１】
0004669333.tif 000002
【図２】
0004669333.tif 000003
【図３】
0004669333.tif 000004
【図４】
0004669333.tif 000005
【図５】
0004669333.tif 000006
【図６】
0004669333.tif 000007
【図７】
0004669333.tif 000008
【図８】
0004669333.tif 000009
【図９】
0004669333.tif 000010
【図１０】
0004669333.tif 000011
【図１１】
0004669333.tif 000012
【図１２】
0004669333.tif 000013