(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上にゲート電極を形成する段階と、
薄膜トランジスタの活性領域が形成される領域に対応する領域に溝（ｇｒｏｏｖｅ）を有するゲート絶縁膜を前記ゲート電極上に形成する段階と、
前記ゲート絶縁膜の溝にインクジェットを用いてナノワイヤを形成することにより、前記薄膜トランジスタの活性層を形成する段階と、
前記活性層上にソース電極とドレイン電極を形成する段階と
を含み、
前記ゲート絶縁膜の溝は、前記溝に対応した突出部を有するモールドを用いて前記ゲート絶縁膜をパターニングして形成される
ことを特徴とする薄膜トランジスタ基板の製造方法。
【請求項２】
前記ドレイン電極の一部分を露出するコンタクトホール（ｃｏｎｔａｃｔ  ｈｏｌｅ）を有する保護膜を形成する段階と、前記コンタクトホールを介して前記ドレイン電極に接続される画素電極を形成する段階とをさらに含むことを特徴とする請求項１に記載の薄膜トランジスタ基板の製造方法。
【請求項３】
前記ゲート絶縁膜を形成する段階は、前記薄膜トランジスタの活性層が形成される領域と突出部を有するソフトモールド又はハードモールドを整列させる段階と、前記ソフトモールド又はハードモールドを前記基板上の前記ゲート絶縁膜に接触させる段階と、前記ソフトモールド又はハードモールドを加圧して、前記ゲート絶縁膜に溝を形成する段階とを含むことを特徴とする請求項１に記載の薄膜トランジスタ基板の製造方法。
【請求項４】
前記薄膜トランジスタの活性層を形成する段階は、インクジェットを用いて、前記ゲート絶縁膜の溝に前記ナノワイヤを塗布する段階を含むことを特徴とする請求項１に記載の薄膜トランジスタ基板の製造方法。
【請求項５】
前記ナノワイヤは、前記インクジェットにより塗布されるようにアルコール系溶媒に溶解されることを特徴とする請求項４に記載の薄膜トランジスタ基板の製造方法。
【請求項６】
前記薄膜トランジスタの活性層を形成する段階は、前記ソース電極及びドレイン電極と接続される前記ナノワイヤの端部を熱処理する段階をさらに含むことを特徴とする請求項１に記載の薄膜トランジスタ基板の製造方法。
【請求項７】
前記ナノワイヤの位置を前記ゲート絶縁膜の溝に固定するように高分子絶縁膜を前記薄膜トランジスタの活性層上に形成する段階をさらに含むことを特徴とする請求項１に記載の薄膜トランジスタ基板の製造方法。
【請求項８】
基板上にゲート電極を形成する段階と、
薄膜トランジスタの活性領域が形成される領域に対応する領域に溝を有するゲート絶縁膜を前記ゲート電極上に形成する段階と、
前記ゲート絶縁膜の溝にインクジェットを用いてナノワイヤを形成することにより、前記薄膜トランジスタの活性層を形成する段階と、
前記活性層上に薄膜トランジスタのソース電極とドレイン電極を形成する段階と
を含み、
前記ゲート絶縁膜の溝は、前記溝に対応した突出部を有するモールドを用いて前記ゲート絶縁膜をパターニングして形成される
ことを特徴とする液晶表示装置の薄膜トランジスタ製造方法。
【請求項９】
前記ゲート絶縁膜を形成する段階は、前記モールドを整列させる段階と、前記モールドを前記基板上の前記ゲート絶縁膜に接触させる段階と、前記モールドを加圧して、前記ゲート絶縁膜に溝を形成する段階とを含むことを特徴とする請求項８に記載の液晶表示装置の薄膜トランジスタ製造方法。
【請求項１０】
前記薄膜トランジスタの活性層を形成する段階は、インクジェットを用いて、前記ゲート絶縁膜の溝に前記ナノワイヤを塗布する段階を含むことを特徴とする請求項８に記載の液晶表示装置の薄膜トランジスタ製造方法。
【請求項１１】
前記ナノワイヤは、前記インクジェットにより塗布されるようにアルコール系溶媒に溶解されることを特徴とする請求項１０に記載の液晶表示装置の薄膜トランジスタ製造方法。
【請求項１２】
前記薄膜トランジスタの活性層を形成する段階は、前記ソース電極及びドレイン電極と接続される前記ナノワイヤの端部を熱処理する段階を含むことを特徴とする請求項８に記載の液晶表示装置の薄膜トランジスタ製造方法。
【請求項１３】
前記ナノワイヤの位置を前記ゲート絶縁膜の溝に固定するように高分子絶縁膜を前記薄膜トランジスタの活性層上に形成する段階をさらに含むことを特徴とする請求項８に記載の液晶表示装置の薄膜トランジスタ製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は薄膜トランジスタ基板及びその製造方法に関し、特にナノワイヤを用いて、薄膜トランジスタ基板の収率を向上することのできる薄膜トランジスタ基板の製造方法及びそれを用いた薄膜トランジスタ基板と、液晶表示装置の薄膜トランジスタ製造方法及び液晶表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
通常、液晶表示装置（Ｌｉｑｕｉｄ  Ｃｒｙｓｔａｌ  Ｄｉｓｐｌａｙ：ＬＣＤ）は、電界を用いて、液晶の光透過率を調節することにより画像を表示する。
【０００３】
図１及び図２は、従来の液晶表示パネルを示す斜視図及び断面図である。
図１及び図２を参照すると、液晶表示パネルは液晶１６を間に置いて互いに対向する薄膜トランジスタ（Ｔｈｉｎ  Ｆｉｌｍ  Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ：以下“ＴＦＴ”という）基板７０及びカラーフィルタ基板８０を備える。
カラーフィルタ基板８０は、上部基板１１上にゲートライン２またはデータライン４と対応する位置に形成され、セル領域を区画するブラックマトリクス１８と、ブラックマトリクス１８により区画されたセル領域にカラー具現のためのカラーフィルタ１２及び画素電極２２と垂直電界をなす共通電極１４とを備える。
【０００４】
また、液晶表示パネルのＴＦＴ基板７０は、下部基板１上にゲート絶縁膜６を間に置いて交差するように形成されたゲートライン２及びデータライン４と、それらの交差部毎に形成されるＴＦＴ３０と、ゲートライン２及びデータライン４の交差構造により備えられたセル領域に形成される画素電極２２とを備える。
【０００５】
ＴＦＴ３０は、ゲートライン２のゲート信号に応答し、データライン４の画素信号を画素電極２２に供給する。このため、ＴＦＴ３０は、ゲートライン２に接続されたゲート電極３２と、データライン４に接続されたソース電極３４と、画素電極２２に接続されたドレイン電極３６と、ゲート電極３２と重畳され、ソース電極３４とドレイン電極３６間にチャネルを形成する活性層３８とを備える。このような活性層３８上には、ソース電極３４及びドレイン電極３６とオーミック接触のためのオーミック接触層４０がさらに形成される。
【０００６】
このような液晶表示パネルのＴＦＴ基板８０のＴＦＴ３０を含む多数の薄膜は、主にマスクを用いるフォトリソグラフィー工程により形成された。
【０００７】
しかし、最近、ＴＦＴ３０の活性層３８をナノワイヤを用いて形成しようとする工夫が盛んに行われている。
図３は、従来の他のＴＦＴ基板を示す断面図である。
図３を参照すると、従来の他のＴＦＴ基板は、ナノワイヤ３９（図４参照）を用いて形成したＴＦＴの活性層３８を備える。
従来の図３に示すＴＦＴ基板は前述の図１に示したＴＦＴ基板８０に比べ、ＴＦＴの活性層３８をナノワイヤ３９を用いて形成した点を除いては、前述のＴＦＴ基板８０と同一であるため、ナノワイヤ３９を用いて形成したＴＦＴの活性層３８を除く他の構成要素に対する説明は省略する。
【０００８】
ＴＦＴの活性層３８を形成するナノワイヤ３９は、例えば、Ｓｉ、ＺｎＯ、ＣＮＴ（カーボンナノチューブ）などの半導体物質３９ａを無機及び有機絶縁体３９ｂが覆う、図４のような構造で形成される。
【０００９】
このようなナノワイヤ３９を用いたＴＦＴの活性層３８の形成は、図５Ａ及び図５Ｂに示したように、ゲート電極３２及びゲート絶縁膜６が形成された下部基板１上に、ナノワイヤ３９をランダム（Ｒａｎｄｏｍ）に散布した後、ゲート絶縁膜６が塗布されたゲート電極３２上、特にＴＦＴの活性層３８が形成される位置に散布されたナノワイヤ３９を用いて、ＴＦＴの活性層３８を形成する。
【００１０】
しかし、ナノワイヤ３９を用いたＴＦＴの活性層３８の形成は、図５Ａ及び図５Ｂに示すように、ＴＦＴの活性層３８を形成するため、ナノワイヤ３９を下部基板１上にランダムに散布することにより、活性層３８が形成されるべき正位置にナノワイヤ３９が正確に安着されないなど、ＴＦＴ基板の収率を下げる短所があり、場合によっては、ＴＦＴの活性層３８が形成される位置ではない任意の位置Ａにナノワイヤ３９が散布され、ナノワイヤ３９が浪費されるという問題点がある。また、ナノワイヤ３９は図５Ｂの“Ｂ”に示されたように、ゲート電極と整列されないこともある。つまり、ナノワイヤ３９がＴＦＴの活性層３８が形成される位置ではない領域に散布されるので、下部基板１を用いられないという問題点が生じる。
【００１１】
このような問題点を解決するため、インクジェット（Ｉｎｋｊｅｔ）などを用いて、ナノワイヤ３９を下部基板１上にＴＦＴの活性層３８が形成される領域のみに塗布する方法が提案されている。この方法においては、ナノワイヤ３９をエタノル及びメタノル等のアルコール系溶媒に溶解させた後、下部基板１上にＴＦＴの活性層３８が形成される領域にインクジェットを用いて塗布する。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１２】
しかし、この場合、ナノワイヤ３９が溶解されたアルコール系溶媒は、その特性により、インクジェットによって塗布された領域外の領域、即ち、ＴＦＴの活性層３８が形成される領域外の領域まで広がる等の問題点があり、これにより、ＴＦＴの活性層３８のパターニング不良でＴＦＴ基板の収率が下がるという問題点がある。
【００１３】
本発明は、かかる問題点を解決するためになされたものであり、ナノワイヤを用いた薄膜トランジスタ基板の収率を向上し得る薄膜トランジスタ基板の製造方法及びこれを用いた薄膜トランジスタ基板を提供することを目的としている。
【００１４】
また、本発明は、従来の技術と関連する制限や問題点を解消できる液晶表示装置の薄膜トランジスタの製造方法およびそれを用いた液晶表示装置を提供することを目的としている。
【課題を解決するための手段】
【００１５】
上記の目的を達成するため、本発明の薄膜トランジスタ基板の製造方法は、基板上にゲート電極を形成する段階と、薄膜トランジスタの活性領域が形成される領域に対応する領域に溝（ｇｒｏｏｖｅ）を有するゲート絶縁膜を前記ゲート電極上に形成する段階と、前記ゲート絶縁膜の溝にインクジェットを用いてナノワイヤを形成することにより、前記薄膜トランジスタの活性層を形成する段階と、前記活性層上にソース電極とドレイン電極を形成する段階とを含み、前記ゲート絶縁膜の溝は、前記溝に対応した突出部を有するモールドを用いて前記ゲート絶縁膜をパターニングして形成されることを特徴とする。
また、本発明の液晶表示装置の薄膜トランジスタ製造方法は、基板上にゲート電極を形成する段階と、薄膜トランジスタの活性領域が形成される領域に対応する領域に溝を有するゲート絶縁膜を前記ゲート電極上に形成する段階と、前記ゲート絶縁膜の溝にインクジェットを用いてナノワイヤを形成することにより、前記薄膜トランジスタの活性層を形成する段階と、前記活性層上に薄膜トランジスタのソース電極とドレイン電極を形成する段階とを含み、前記ゲート絶縁膜の溝は、前記溝に対応した突出部を有するモールドを用いて前記ゲート絶縁膜をパターニングして形成されることを特徴とする。
【発明の効果】
【００１９】
上述のように、本発明の実施の形態に係るＴＦＴ基板の製造方法及びこれを用いたＴＦＴ基板は、ナノワイヤを用いたＴＦＴの活性層の形成の際、ＴＦＴの活性層が形成されるゲート絶縁膜に溝を形成し、形成されたゲート絶縁膜の溝にインクジェットを用いて、ナノワイヤを塗布することにより、従来ランダムにナノワイヤを散布することにより生じていたＴＦＴ活性層のパターニング不良を防止することができる。
【００２０】
また、インクジェットを用いたナノワイヤの塗布の際、ナノワイヤがエタノル及びメタノル等のアルコール系溶媒に溶解されることにより発生されていた、溶媒の特性によるナノワイヤの広がりをゲート絶縁膜の溝の形成を通じて防止することにより、ＴＦＴ基板の収率を向上することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２１】
以下、図６〜図１０を参照して、本発明の望ましい実施の形態について説明する。以下の説明は、液晶表示装置の薄膜トランジスタ基板に集中しているが、本発明の液晶表示装置は、例えば、カラーフィルタ基板、液晶層、駆動回路など関連技術分野において、よく知られた他の構成要素を含んでいる。薄膜トランジスタと液晶表示装置の全ての構成要素は、動作可能に組み合わせて提供される。
【００２２】
図６は、本発明の実施の形態に係るＴＦＴ基板を示す断面図である。
図６を参照すると、本発明の実施の形態に係るＴＦＴ基板は、下部基板１０１上にゲート絶縁膜１０６を間に置いて、交差して形成されたゲートライン（図示せず）及びデータライン（図示せず）と、それらの交差部毎に形成されるＴＦＴ１３０と、ゲートライン及びデータラインの交差構造で備えられたセル領域に形成される画素電極１２２を備える。
【００２３】
ＴＦＴ１３０は、ゲートラインのゲート信号に応答し、データラインの画素信号を画素電極１２２に供給する。このため、ＴＦＴ１３０は、ゲートラインに接続されたゲート電極１３２と、データラインに接続されたソース電極１３４と、画素電極１２２に接続されたドレイン電極１３６と、ゲート電極ゲート１３２と重畳され、ソース電極１３４とドレイン電極１３６との間にチャネルを形成する活性層１３８を備える。
【００２４】
本発明の実施の形態に係るＴＦＴ１３０の活性層１３８は、ナノワイヤ１３９（例えば、図１０に示されたようなもの）を用いて形成され、また、ゲート絶縁膜１０６には、ナノワイヤ１３９が収容されるようにＴＦＴ１３０の活性層１３８が形成される領域と対応する領域に溝１０７が形成される。
【００２５】
このような本発明の実施の形態に係るＴＦＴ基板の製造方法を、図７ａ〜図７ｅを参照して説明する。図７Ａ〜図７Ｅは、二つの薄膜トランジスタ形成方法を示しているが、本発明はいずれの数の薄膜トランジスタも網羅する。本発明に係る液晶表示装置の薄膜トランジスタ基板は、複数の薄膜トランジスタを含む。
【００２６】
図７Ａを参照すると、第１のマスク工程を用いて、下部基板１０１上にゲートライン（図示せず）及びゲート電極１３２が形成される。
【００２７】
これを詳細に説明すると、下部基板１０１上にスパッタリング法などの蒸着方法を通じてゲート金属層が形成される。次いで、第１のマスクを用いたフォトリソグラフィー工程と、エッチング工程によりゲート金属層がパターニングされることにより、ゲートライン及びゲート電極１３２が形成される。ここで、ゲート金属層の材料としては、アルミニウム（Ａｌ）、アルミニウム／ネオジム（Ａｌ／Ｎｄ）を含むアルミニウム系金属などが用いられる。
【００２８】
図７Ｂを参照すると、ゲートライン及びゲート電極１３２が形成された下部基板１０１上にソフトモールド又はハードモールド用いたパターニング工程及びインクジェットを用いた塗布工程で、ＴＦＴの活性層３８が形成される領域と対応する領域に溝１０７が形成されたゲート絶縁膜１０６及びＴＦＴの活性層１３８が形成される。
【００２９】
これを詳細に説明すると、ゲートライン及びゲート電極１３２が形成された下部基板１０１上に無機または有機ハイブリッド絶縁物質が全面塗布された後、下部基板１０１上にＴＦＴの活性層１３８が形成される領域と対応する領域に突出部及びその他の領域に溝を有するソフトモールド又はハードモールドを整列させ、ソフトモールド又はハードモールドを無機または有機ハイブリッド絶縁物質に接触させ、ＴＦＴの活性層１３８が形成される領域と対応する領域に溝１０７を有するゲート絶縁膜１０６を形成する。次いで、ゲート絶縁膜１０６の溝１０７にインクジェットなどを用いて、ナノワイヤ１３９を塗布することにより、ＴＦＴの活性層１３８を形成する。ここで、ナノワイヤ１３９は、インクジェットを用いて塗布するため、溶媒またはエタノル及びメタノル等のアルコール系溶媒に溶解された状態で、インクジェットなどを用いて、ゲート絶縁膜１０６の溝１０７に塗布される。
【００３０】
次いで、ＴＦＴの活性層１３８が形成された下部基板１０１上に第２のマスクを用いて、図７Ｃのようにソース電極１３４及ドレイン電極１３６を形成する。
これを詳細にすると、ＴＦＴの活性層１３８が形成された下部基板１０１上にＰＥＣＶＤ、スパッタリングなどの蒸着方法を通じ、ソース／ドレイン金属層が形成される。次いで、ソース／ドレイン金属層上にフォトレジスト膜を形成し、第２のマスクを用いて下部基板１０１上にフォトレジストパターンを形成する。
【００３１】
このような、フォトレジストパターンをマスクとして用いたエッチング工程でソース／ドレイン金属層がパターニングされることにより、データライン、データラインと接続されたソース電極１３４及びドレイン電極１３６が形成され、ＴＦＴのチャネル部のソース電極１３４及びドレイン電極１３６がエッチング工程で除去されることにより、ＴＦＴの活性層１３８が露出されたＴＦＴのチャネルが形成される。ここで、ソース／ドレイン金属層の材料としては、モリブデン（Ｍｏ）、銅（Ｃｕ）などのような金属が用いられる。
【００３２】
次いで、ソース電極１３４及びドレイン電極１３６が形成された下部基板１０１上に図７Ｄに示すように第３のマスク工程を用いて保護膜１５０が形成される。
これを詳細に説明すると、下部基板１０１上に無機または有機絶縁物質及びフォトレジスト膜が全面塗布され、第３のマスクを用いたフォトレジストパターンを形成する。
【００３３】
このようなフォトレジストパターンをマスクとして用いた蝕刻工程で無機または有機絶縁物質がパターニングされることにより、ドレイン電極１３６の一部分を露出させるコンタクトホール１４８が形成される。
【００３４】
この後、保護膜１５０が形成された下部基板１０１上には、図７Ｅに示すように、第４のマスクを用いた画素電極１２２が形成される。画素電極１２２は、コンタクトホール１４８を介して露出されたドレイン電極１３６と接触される。ここで、画素電極１２２の材料としては、インジウム鈴酸化物（Ｉｎｄｉｕｍ  Ｔｉｎ  Ｏｘｉｄｅ：ＩＴＯ）、酸化鈴（Ｔｉｎ  Ｏｘｉｄｅ：ＴＯ）、インジウム鈴亜鉛酸化物（Ｉｎｄｉｕｍ  Ｔｉｎ  Ｚｉｎｃ  Ｏｘｉｄｅ：ＩＴＺＯ）及び酸化インジウム亜鉛（Ｉｎｄｉｕｍ  Ｚｉｎｃ  Ｏｘｉｄｅ：ＩＺＯ）のうち何れか一つが用いられる。
【００３５】
このように、本発明の実施の形態に係るＴＦＴ基板は、ナノワイヤ１３９を用いたＴＦＴの活性層１３８の形成の際、ＴＦＴの活性層１３８が形成される領域と対応する領域に溝１０７が形成されたゲート絶縁膜１０６上にインクジェットを用いて、ゲート絶縁膜１０６の溝１０７にナノワイヤ１３８を塗布することにより、従来のナノワイヤ１３８を用いてＴＦＴの活性層１３８を形成する場合に発生していたパターニング不良を減らすことができ、液晶表示パネルの収率を向上することができる。
【００３６】
また、本発明の実施の形態に係るＴＦＴ基板は、従来の活性層を含む半導体層をフォトリソグラフィー工程ではないナノワイヤを用いて形成することにより、液晶表示パネルの製造費用を節減することができる。
【００３７】
以下、図８Ａ〜図８Ｄを用いて、本発明の実施の形態に係るナノワイヤを用いたＴＦＴの活性層１３８の形成を段階的に説明する。
図８Ａを参照すると、ゲートライン（図示せず）及びゲート電極１３２が形成された下部基板１０１上に無機または有機ハイブリッド絶縁物質１０６ａが全面塗布される。
【００３８】
次いで、図８Ｂに示すように、無機又は有機ハイブリッド絶縁物質１０６ａが全面塗布された下部基板１０１上にＴＦＴの活性層１３８が形成される領域と対応する領域に突出部１７０ｂ及びその他の領域に溝１７０ａを有するソフトモールド１７０を整列させ、ソフトモールド１７０を下部基板１０１上に塗布された無機又は有機ハイブリッド絶縁物質１０６ａに接触させ、ＴＦＴの活性層１３８が形成される領域と対応する領域に溝１７０を有するゲート絶縁膜１０６を形成する。
【００３９】
ここで、ソフトモールド１７０は、本発明の出願人により先出願された韓国特許出願第２００３−００９８１２２号にて提案されたソフトモールドである。ソフトモールド１７０は、弾性が大きいゴム材料、例えば、ポリジメチルシロキサン（Ｐｏｌｙｄｉｍｅｔｈｙｌｓｉｌｏｘａｎｅ：ＰＤＭＳ）、ポリウレタン（Ｐｏｌｙｕｒｅｔｈａｎｅ）、クロスリンクドノボラック樹脂（Ｃｒｏｓｓ−ｌｉｎｋｅｄ  Ｎｏｖｏｌａｃ  ｒｅｓｉｎ）などで製作される。
【００４０】
ソフトモールド１７０は、自身の自重程度の重さでソフトモールド１７０の突出部１７０ｂの表面を無機又は有機ハイブリッド絶縁物質１０６ａに接触させ、ＴＦＴの活性層１３８が形成されるゲート絶縁膜１０６の溝１０７が形成されるように所定の時間の間、例えば、約３０秒〜１０分間加圧する。また、これと同時に下部基板１０１は、紫外線等によりゲート絶縁膜１０６がソフト硬化されるように約１３０℃以下の温度でベーキングされる。そして、ソフトモールド１７０と下部基板１０１との間の圧力で発生する毛細管力（Ｃａｐｉｌｌａｒｙ  ｆｏｒｃｅ）とソフトモールド１７０と無機又は有機ハイブリッド絶縁物質１０６ａとの間に、反発力により無機又は有機ハイブリッド絶縁物質１０６ａがソフトモールド１７０の溝１７０ａ内に移動する。これにより、図８ｂのようにソフトモールド１７０の突出部１７０ｂと対応する領域に溝１０７が形成されたゲート絶縁膜１０６が形成される。
【００４１】
この後、ゲート絶縁膜１０６の溝１０７には、図８Ｃに示すように、インクジェット等を用いて、エタノル及びメタノルなどのアルコール系溶媒１３７に溶解されたナノワイヤ１３９が塗布され、この後、エタノル及びメタノルなどのアルコール系溶媒１３７を気化させることにより、図８Ｄに示すようなナノワイヤ１３９を用いたＴＦＴの活性層１３８がゲート絶縁膜１０６の溝１０７に形成される。この際、形成されたＴＦＴの活性層１３８の両先端、即ち、ナノワイヤ１３９とソース電極１３４及びドレイン電極１３６が接触される領域は熱処理され、これを通じてＴＦＴの活性層１３８の酸化を防止する。
【００４２】
このように、本発明の実施の形態に係るＴＦＴ基板は、ナノワイヤ１３９を用いたＴＦＴの活性層１３８の形成の際、ＴＦＴの活性層１３８が形成される領域と対応する領域のゲート絶縁膜１０６に溝１０７を形成し、形成されたゲート絶縁膜１０６の溝１０７にインクジェットを用いて、ナノワイヤ１３９を塗布することにより、従来ランダムにナノワイヤ１３９を散布することにより生じていたＴＦＴ活性層１３９のパターニング不良を防止することができる。
【００４３】
また、インクジェットを用いたナノワイヤ１３９の塗布の際、ナノワイヤ１３９がエタノル及びメタノル等のアルコール系溶媒に溶解されることにより発生していた、溶媒の特性によるナノワイヤ１３９の広がりをゲート絶縁膜１０６の溝１０７の形成を通じて防止することにより、ＴＦＴ基板の収率を向上することができる。
【００４４】
図９は、本発明の他の実施の形態に係る液晶表示装置のＴＦＴ基板を示す断面図である。
本発明の、本実施の形態に係るＴＦＴ基板は、図６の薄膜トランジスタ基板と比べ、ナノワイヤ１３９（活性層１３８を形成する）をゲート絶縁膜１０６の溝１０７に固定させるための高分子絶縁膜１１０をさらに含むのを除いては、前述の実施の形態と同一であるため、他の構成要素に対する説明は省略する。
【００４５】
図９を参照すると、高分子絶縁膜１１０は、ナノワイヤ１３９がゲート絶縁膜１０６の溝１０７から離脱しないようにナノワイヤ１３９上に形成される。この結果、ナノワイヤ１３９が工程上の誤差などで、ゲート絶縁膜１０６上から離脱する問題を防止でき、これにより、ＴＦＴ基板の収率はさらに向上する。また、高分子絶縁膜１１０は、ＴＦＴのチャネル形成のため、ソース電極１３４及びドレイン電極１３６がナノワイヤ１３９と接触される領域には形成されない。
【００４６】
ここで、ゲート絶縁膜の溝の形成に関連する説明において、ソフトモールドを用いた場合のみを説明したが、ゲート絶縁膜の溝はハードモールドを用いて形成することもできる。  る。
【００４７】
ハードモールドは、例えば、シリコン又は石英等で製作され、ソフトモールドとは違って、パターニングのため基板上に塗布される無機または有機ハイブリッド絶縁物質のソルベント（Ｓｏｌｖａｎｔ）成分を揮発させた状態、即ち、無機または有機ハイブリッド絶縁物質をインプリント（Ｉｍｐｒｉｎｔ）させた状態で、ゲート絶縁膜の溝をパターニングする。  
【００４８】
そして、ソフトモールドが、自身の自重程度の重さでソフトモールドの突出部の表面を無機または有機ハイブリッド絶縁物質に接触させ、ゲート絶縁膜の溝が形成されるように加圧して、ゲート絶縁膜の溝をパターニングするのとは違って、ハードモールドは、外部から加えられる圧力と高温の熱により、無機または有機ハイブリッド絶縁物質をパターニングする。
【００４９】
薄膜トランジスタ活性層３８を形成するナノワイヤ１３９は、図１０に示すような構造を有することができる。この例から、ナノワイヤ１３９は、Ｓｉ、ＺｎＯ、ＣＮＴ（ｃａｒｂｏｎ  ｎａｎｏｔｕｂｅ）などの半導体物質１３９ａを覆う無機及び／または有機絶縁体１３９ｂを含む。ここで、絶縁体１３９ｂは、互いに接続された複数の６角形のチューブ（ｈｅｘａｇｏｎａｌ  ｔｕｂｅ）で形成され、それぞれのチューブは半導体材料１３９ａをその内部に有する。
【００５０】
以上説明したように、当業者であれば、本発明の技術思想を脱しない範囲内で、多様な変更及び修正が可能であることがわかる。従って、本発明の技術的範囲は、明細書の詳細な説明に記載された内容に限られるのではなく、特許請求の範囲により定められるべきである。
【図面の簡単な説明】
【００５１】
【図１】従来の液晶表示パネルを示す斜視図である。
【図２】従来の液晶表示パネルを示す断面図である。
【図３】従来の液晶表示パネルの薄膜トランジスタ基板の他の例を示す断面図である。
【図４】図３に示した活性層を形成するナノワイヤを示す斜視図である。
【図５Ａ】従来のナノワイヤを用いた薄膜トランジスタ基板の活性層の形成を説明するための平面図である。
【図５Ｂ】図５Ａに示すＩ−Ｉ’線に沿って切り取った断面図である。
【図６】本発明の実施の形態に係る液晶表示装置の薄膜トランジスタ基板を示す断面図である。
【図７Ａ】本発明の実施の形態に係る図６の薄膜トランジスタ基板の製造方法を段階的に示す断面図である。
【図７Ｂ】本発明の実施の形態に係る図６の薄膜トランジスタ基板の製造方法を段階的に示す断面図である。
【図７Ｃ】本発明の実施の形態に係る図６の薄膜トランジスタ基板の製造方法を段階的に示す断面図である。
【図７Ｄ】本発明の実施の形態に係る図６の薄膜トランジスタ基板の製造方法を段階的に示す断面図である。
【図７Ｅ】本発明の実施の形態に係る図６の薄膜トランジスタ基板の製造方法を段階的に示す断面図である。
【図８Ａ】本発明の実施の形態に係るナノワイヤを用いた図６の薄膜トランジスタの活性層の形成を段階的に示す断面図である。
【図８Ｂ】本発明の実施の形態に係るナノワイヤを用いた図６の薄膜トランジスタの活性層の形成を段階的に示す断面図である。
【図８Ｃ】本発明の実施の形態に係るナノワイヤを用いた図６の薄膜トランジスタの活性層の形成を段階的に示す断面図である。
【図８Ｄ】本発明の実施の形態に係るナノワイヤを用いた図６の薄膜トランジスタの活性層の形成を段階的に示す断面図である。
【図９】本発明の他の実施の形態に係る液晶表示装置の薄膜トランジスタ基板を示す断面図である。
【図１０】本発明の実施の形態に係る図６及び図９における活性層を形成するため用いられるナノワイヤの一例を示す斜視図である。
【符号の説明】
【００５２】
１，１０１  下部基板、２  ゲートライン、４  データライン、６，１０６  ゲート絶縁膜、１１  上部基板、１２  カラーフィルタ、１４  共通電極、１６  液晶、１８  ブラックマトリクス、２２，１２２  画素電極、３０，１３０  薄膜トランジスタ、３２，１３２  ゲート電極、３４，１３４  ソース電極、３６，１３６  ドレイン電極、３８，１３８  活性層、３９，１３９  ナノワイヤ、４０  オーミック接触層、４８，１４８  コンタクトホール、７０  カラーフィルタ基板、８０  薄膜トランジスタ基板、１０７  溝、１１０  高分子絶縁膜、１３７  溶媒、１７０  ソフトモールド。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５Ａ】
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【図５Ｂ】
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【図６】
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【図７Ａ】
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【図７Ｂ】
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【図７Ｃ】
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【図７Ｄ】
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【図７Ｅ】
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【図８Ａ】
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【図８Ｂ】
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【図８Ｃ】
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【図８Ｄ】
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【図９】
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【図１０】
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