(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体チップと、この半導体チップに接続された少なくとも１つの電極と、前記半導体チップを封止するモールド外被とを備え、前記モールド外被が、相対向する上面と下面、相対向する第１、第２側面、および相対向する第３、第４側面を有する半導体デバイスであって、
前記第１、第２、第３、第４側面は、樹脂モールド材料をダイシングして形成されており、また、前記第１、第２側面の少なくとも一方から、それと交差する方向に、前記電極の突出部が突出し、
前記第１、第２側面の前記上面側の主要部分は、樹脂モールド材料を切断して形成され、また前記第１、第２側面の前記下面側の残余部分は樹脂モールド材料を分割して形成され、前記電極の突出部は、前記残余部分から突出し、
前記電極は、前記第１側面と前記第２側面の少なくとも一方の前記主要部分に、前記突出部から離れて露出する側露出面を有し、
前記電極の側露出面は、前記突出部よりも前記下面から遠い位置に配置されたことを特徴とする半導体デバイス。
【請求項２】
請求項１記載の半導体デバイスであって、前記電極は、前記下面から露出する下露出面を有することを特徴とする半導体デバイス。
【請求項３】
請求項１記載の半導体デバイスであって、前記電極の側露出面は、前記第１側面と前記第２側面の少なくとも一方の前記主要部分と同じ面上の切断面とされたことを特徴とする半導体デバイス。
【請求項４】
請求項１記載の半導体デバイスであって、前記半導体チップに接続された第１、第２、第３電極を備え、前記第１、第２側面の前記上面側の主要部分は、樹脂モールド材料を切断して形成され、前記第１、第２側面の前記下面側の残余部分は、樹脂モールド材料を分割して形成され、また、前記第１電極は、前記第１側面からそれと交差する方向に突出する突出部を有し、前記第２、第３電極は、それぞれ前記第２側面からそれと交差する方向に突出する突出部を有することを特徴とする半導体デバイス。
【請求項５】
請求項１記載の半導体デバイスであって、前記モールド外被の第１、第２側面は、その全面が、樹脂モールド材料をレーザによって切断して形成された切断面とされ、この切断面から、前記電極の突出部が突出していることを特徴とする半導体デバイス。
【請求項６】
半導体チップと、この半導体チップに接続された少なくとも１つの電極と、前記半導体チップを封止するモールド外被とを備え、前記モールド外被が、相対向する上面と下面、相対向する第１、第２側面、および相対向する第３、第４側面を有し、また前記電極が、前記第１、第２側面の少なくとも一方からそれと交差する方向に突出する突出部とを有する半導体デバイスを製造する半導体デバイスの製造方法であって、
樹脂モールド材料を第１方向にダイシングして前記第３、第４側面を形成する第１方向のダイシング工程と、樹脂モールド材料を前記第１方向に直交する第２方向にダイシングして前記第１、第２側面を形成する第２方向のダイシング工程を含み、
前記第２方向のダイシング工程では、前記電極の突出部が切り落とされずに、残されることを特徴とする半導体デバイスの製造方法。
【請求項７】
請求項６記載の半導体デバイスの製造方法であって、前記第２方向のダイシング工程は、前記樹脂モールド材料を切断することにより、前記第１、第２側面の前記上面側の主要部分を形成する主要部分形成工程と、前記樹脂モールド材料を分割することにより、前記第１、第２側面の前記下面側の残余部分を形成する残余部分形成工程を含み、前記主要部分形成工程および前記残余部分形成工程では、前記電極の突出部が切り落とされずに、残されることを特徴とする半導体デバイスの製造方法。
【請求項８】
請求項６記載の半導体デバイスの製造方法であって、前記半導体デバイスが、前記半導体チップに接続された第１、第２、第３電極を有し、前記第１電極が、前記第１側面からそれと交差する方向に突出する突出部を有し、また前記第２、第３電極が、それぞれ前記第２側面からそれと交差する方向に突出する突出部を有し、前記第２方向のダイシング工程は、前記樹脂モールド材料を切断することにより、前記第１、第２側面の前記上面側の主要部分を形成する主要部分形成工程と、前記樹脂モールド材料を分割することにより、前記第１、第２側面の前記下面側の残余部分を形成する残余部分形成工程を含み、前記主要部分形成工程および前記残余部分形成工程では、前記第１、第２、第３電極の各突出部が切り落とされずに、残されることを特徴とする半導体デバイスの製造方法。
【請求項９】
請求項７または８記載の半導体デバイスの製造方法であって、前記第１方向のダイシング工程および前記第２方向のダイシング工程における主要部分形成工程では、ダイシングブレードにより切断を行なうことを特徴とする半導体デバイスの製造方法。
【請求項１０】
請求項６記載の半導体デバイスの製造方法であって、前記第１方向のダイシング工程および第２方向のダイシング工程における主要部分形成工程では、レーザ光により切断を行なうことを特徴とする半導体デバイスの製造方法。
【請求項１１】
請求項７記載の半導体デバイスの製造方法であって、前記電極が、前記第３、第４側面の少なくとも一方に露出する側露出面を有し、前記第１方向のダイシング工程では、この側露出面も切断により形成されることを特徴とする半導体デバイスの製造方法。
【請求項１２】
請求項７記載の半導体デバイスの製造方法であって、前記電極が、前記第１側面と前記第２側面の少なくとも一方に露出する側露出面を有し、前記第２方向のダイシング工程における主要部分形成工程では、この側露出面も切断により形成されることを特徴とする半導体デバイスの製造方法。
【請求項１３】
請求項８記載の半導体デバイスの製造方法であって、前記第１電極が、前記第３、第４側面に露出する側露出面を有し、前記第２電極が、前記第３側面に露出する側露出面を有し、また前記第３電極が、前記第４側面に露出する側露出面を有し、前記第１方向のダイシング工程では、これらの第１、第２、第３電極の各側露出面も切断により形成されることを特徴とする半導体デバイスの製造方法。
【請求項１４】
請求項８記載の半導体デバイスの製造方法であって、前記第１電極が、前記第１側面に露出する側露出面を有し、前記第２、第３電極が、それぞれ前記第２側面に露出する側露出面を有し、前記第２方向のダイシング工程における主要部分形成工程では、これらの第１、第２、第３電極の各側露出面も切断により形成されることを特徴とする半導体デバイスの製造方法。
【請求項１５】
請求項６記載の半導体デバイスの製造方法であって、前記第２方向のダイシング工程では、前記第１、第２側面の全面がレーザにより切断され、前記電極の突出部が切り落とされずに、残されることを特徴とする半導体デバイスの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、半導体デバイス、とくに半導体チップと、この半導体チップに接続された電極と、半導体チップを封止するモールド外被とを有し、モールド外被の相対向する第１、第２側面と、モールド外被の相対向する第３、第４側面とが、ダイシングされる形式の半導体デバイスおよびその製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
複数のデバイス区域を有するリードフレームを使用し、各デバイス区域のそれぞれに半導体チップを配置し、この半導体チップを各デバイス区域の電極に接続し、各デバイス区域に亘り樹脂モールドを連続して一括被覆し、各半導体チップを封止した後、樹脂モールドとリードフレームを各デバイス区域に対応してダイシングし、半導体デバイスを製造する製造方法が知られている。この製造方法は、一括樹脂モールド方法と呼ばれる。
【０００３】
この一括樹脂モールド方法では、完成した半導体デバイスは、半導体チップと、この半導体チップに接続された少なくとも１つの電極と、半導体チップを封止するモールド外被を有する。モールド外被は、上面と下面、相対向する第１、第２側面、および相対向する第３、第４側面を有する。従来のこの種の半導体デバイスでは、モールド外被の第１〜第４側面の全面が、ダイシングブレードまたはレーザ光により、樹脂モールド材料を切断することにより、形成される。
【０００４】
特開２００３−２４９６１６号公報では、この一括モールド方法において、樹脂モールドのダイシングを、ダイシングブレードにより行なう方法、レーザ光により行なう方法、およびダイシングブレードとレーザ光を組み合わせて行なう方法が開示されている。また、特開２００５−３３０４３号公報には、一括樹脂モールド方法において、モールド外被の下面の電極露出面をモールド外被の下面よりも突出させて、はんだの表面張力により、半導体デバイスが実装基板から浮き上がるのを防止するものが開示される。また、特開２００５−３３０４３号公報には、樹脂モールドの下面側のリードフレームだけを先に切断した後、メッキを行ない、モールド外被の側面における電極露出面の腐食を防止することも開示されている。
【０００５】
【特許文献１】特開２００３−２４９６１６号公報
【特許文献２】特開２００５−３３０４３号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
従来のこの種の半導体デバイスでは、モールド外被の１つ以上の側面に露出する電極の露出面は、その側面が切断により形成されるときに、同時に切断により形成されるので、この電極の露出面は、それが露出するモールド外被の側面と同じ面上に存在する。このため、この種の半導体デバイスを実装基板に例えば、はんだ付した場合、そのはんだ接合部を半導体デバイスの上面側から、検査することが難しい。
【０００７】
この発明は、このような不都合を改善し、例えば実装基板にはんだ付した場合に、その上面側から容易に検査することができる改良された半導体デバイスと、その製造方法を提案するものである。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
この発明による半導体デバイスは、半導体チップと、この半導体チップに接続された少なくとも１つの電極と、前記半導体チップを封止するモールド外被とを備え、前記モールド外被が、相対向する上面と下面、相対向する第１、第２側面、および相対向する第３、第４側面を有する半導体デバイスであって、前記第１、第２、第３、第４側面は、樹脂モールド材料をダイシングして形成されており、また、前記第１、第２側面の少なくとも一方から、それと交差する方向に、前記電極の突出部が突出し、第１、第２側面の上面側の主要部分は、樹脂モールド材料を切断して形成され、また第１、第２側面の下面側の残余部分は樹脂モールド材料を分割して形成され、電極の突出部は、残余部分から突出し、電極は、第１側面と第２側面の少なくとも一方の主要部分に、突出部から離れて露出する側露出面を有し、電極の側露出面は、突出部よりも下面から遠い位置に配置されたことを特徴とする。
【０００９】
また、この発明による半導体デバイスの製造方法は、半導体チップと、この半導体チップに接続された少なくとも１つの電極と、前記半導体チップを封止するモールド外被とを備え、前記モールド外被が、相対向する上面と下面、相対向する第１、第２側面、および相対向する第３、第４側面を有し、また前記電極が、前記第１、第２側面の少なくとも一方からそれと交差する方向に突出する突出部とを有する半導体デバイスを製造する半導体デバイスの製造方法であって、樹脂モールド材料を第１方向にダイシングして前記第３、第４側面を形成する第１方向のダイシング工程と、樹脂モールド材料を前記第１方向と直交する第２方向にダイシングして前記第１、第２側面を形成する第２方向のダイシング工程を含み、前記第２方向のダイシング工程では、前記電極の突出部が切り落とされずに、残されることを特徴とする。
【発明の効果】
【００１０】
この発明による半導体デバイスでは、モールド外被の第１、第２、第３、第４側面は、樹脂モールド材料をダイシングして形成されており、また、前記第１、第２側面の少なくとも一方から、それと交差する方向に、前記電極の突出部が突出しているので、この半導体デバイスを実装基板上にはんだ付した場合、そのはんだ接合部を、半導体デバイスの上面から容易に検査することができる。
【００１１】
また、この発明による半導体デバイスの製造方法では、樹脂モールド材料を第１方向にダイシングしてモールド外被の第３、第４側壁を形成する第１方向のダイシング工程と、樹脂モールド材料を前記第１方向と直交する第２方向にダイシングしてモールド外被の第１、第２側壁を形成する第２方向のダイシング工程を含み、前記第２方向のダイシング工程では、電極の突出部が切り落とされずに、残されるので、第１、第２側面の少なくとも一方から、それと交差する方向に電極の突出部が突出する半導体デバイスを容易に製造することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１２】
以下この発明のいくつかの実施の形態について、図面を参照して説明する。
【００１３】
実施の形態１．
図１は、この発明による半導体デバイスの実施の形態１を示す斜視図である。図１（ａ）は、半導体デバイスのモールド外被の上面を上にした状態における実施の形態１の斜視図、図１（ｂ）は、半導体デバイスのモールド外被の下面を上にした状態における実施の形態１の斜視図である。
【００１４】
この実施の形態１における半導体デバイスのモールド外被１０は、例えばシリカフィラー入りのエポキシ樹脂で構成される。このモールド外被１０は、図１（ａ）（ｂ）に示すように、ほぼ直方体の形状をしており、相対向する上面１１と下面１２、相対向する第１側面１３と第２側面１４、および相対向する第３側面１５と第４側面１６を有する。上面１１と下面１２は実質的に互いに平行である。第１、第２側面１３、１４は、実質的に互いに平行であり、上面１１と下面１２に対して実質的に直交している。第３、第４側面１５、１６は、実質的に互いに平行であり、これらの第３、第４側面１５、１６は、上面１１、下面１２、第１側面１３、および第２側面１４に対して実質的に直交している。
【００１５】
図２は、実施の形態１の６面図である。図２（ａ）は、モールド外被１０の第３側面１５を正面とした正面図、図２（ｂ）はその平面図、図２（ｃ）はその底面図、図２（ｄ）はその第１側面１３側の左側面図、図２（ｅ）はその第２側面１４側の右側面図、図２（ｆ）は第４側面１６側の背面図である。
【００１６】
実施の形態１の半導体デバイスは、モールド外被１０とともに、半導体チップ２０、および第１電極３０、第２電極４０、第４電極５０を有する。モールド外被１０は、半導体チップ２０を覆い、半導体チップ２０封止する。第１電極３０、第２電極４０、第３電極５０は、例えば、純Ｃｕ製であり、モールド外被１０の下部に配置され、それらの露出面を除き、モールド外被１０で覆われる。モールド外被１０は、第１、第２、第３電極３０、４０、５０の上に、それらの露出面を残して形成される。
【００１７】
半導体チップ２０は、例えばトランジスタであり、その外形寸法は例えば、０．３ｍｍ×０．４ｍｍ×０．２ｍｍである。この半導体チップ２０は、その下面にコレクタ、その上面にエミッタとベースを有する。この半導体チップ２０は、その下面が第１電極３０の上面にダイボンドされ、そのコレクタが第１電極３０と電気的に接続される。
【００１８】
第１電極３０は、例えばコレクタ電極である。この第１電極３０は、とくに図２（ｂ）に示すように、十字形状の平面パターンを有し、この第１電極３０は、第１〜第４部分３１、３２、３３、３４を有する。第１、第２部分３１、３２は、モールド外被１０の第３、第４側面１５、１６と実質的に平行に延びる。第３、第４部分３３、３４は、モールド外被１０の第１、第２側面１３、１４と実質的に平行に延び、第１、第２部分３１、３２と実質的に直交している。第１、第２部分３１、３２の厚さは、例えば０．２ｍｍであり、第３、第４部分３３、３４は、それぞれの下面側がハーフエッチングされ、その厚さは０．１ｍｍである。
【００１９】
第１電極３０の第１部分３１はダイパッドであり、半導体チップ２０はその下面のコレクタが、この第１部分３１の上面に、例えばＡｕＳｎはんだ（融点２８０℃）を用いてダイボンドされる。
【００２０】
第１電極３０の第２部分３２は、第１電極３０の接続リードを構成する。第１部分３１と第２部分３２は、モールド外被１０の下面１２に露出する下露出面３０ａ（図１（ｂ）、図２（ｃ）参照）を有する。第２部分３２は、またモールド外被１０の第１側面１３から、それと直交する方向に突出する突出部３０ｂ（図１（ａ）（ｂ）、図２（ａ）（ｂ）（ｃ）（ｄ）（ｆ）参照）を有する。下露出面３０ａは平面であり、この下露出面３０ａは、モールド外被１０の下面１２と同じ面上に位置する。
【００２１】
第１電極３０の第３、第４部分３３、３４は、第１電極３０の連結リードである。この連結リードは、半導体デバイスがダイシングされる前の状態において、第１電極３０をリードフレームに連結する。第１電極３０の第３部分３３は、第２部分３２から、モールド外被１０の第４側面１６へ延びており、この第４側面１６に露出する側露出面３３ａ（図２（ｂ）（ｆ）参照）を有する。この側露出面３３ａは、モールド外被１０の第４側面１６と同じ面上に位置する。第１電極３０の第４部分３４は、第２部分３２から、モールド外被１０の第３側面１５へ延びており、この第３側面１５に露出する側露出面３４ａ（図１（ａ）（ｂ）、図２（ａ）（ｂ））を有する。この側露出面３４ａは、モールド外被１０の第３側面１５と同じ面上に位置する。
【００２２】
第２電極４０は、例えばエミッタ電極である。この第２電極４０は、とくに図２（ｂ）に示すように、ほぼＴ字形状の平面パターンを有し、この第２電極４０は、第１〜第３部分４１、４２、４３を有する。第１部分４１および第２部分４２は、モールド外被１０の第３、第４側面１５、１６と実質的に平行に延びる。第３部分４３は、モールド外被１０の第１、第２側面１３、１４と実質的に平行に延び、第１、第２部分４１、４２と実質的に直交している。第１、第２部分４１、４２の厚さは例えば０．２ｍｍであり、第３部分４３は、下面側がハーフエッチングされ、その厚さは０．１ｍｍである。
【００２３】
第２電極４０の第１部分４１はボンディング部分であり、半導体チップ２０の上面のエミッタにボンディングされた、例えばＡｕ線（直径３０μｍ）とされる接続ワイヤ２１が、この第１部分４１の上面にボンディングされる。
【００２４】
第２電極４０の第２部分４２は、第２電極４０の接続リードを構成する。第１部分４１と第２部分４２は、モールド外被１０の下面１２に露出する下露出面４０ａ（図１（ｂ）、図２（ｃ）参照）を有する。第２部分４２は、またモールド外被１０の第２側面１４から、それと直交する方向に突出する突出部４２ｂ（図１（ａ）（ｂ）、図２（ｂ）（ｃ）（ｅ）（ｆ）参照）を有する。下露出面４０ａは平面であり、この下露出面４０ａは、モールド外被１０の下面１２と同じ面上に位置する。
【００２５】
第２電極４０の第３部分４３は、連結リードである。この連結リードは、半導体デバイスがダイシングされる前の状態において、第２電極４０をリードフレームに連結する。この第３部分４３は、その第２部分４２の内端から、モールド外被１０の第４側面１６へ延びており、この第４側面１６に露出する側露出面４３ａ（図２（ｂ）（ｆ）参照）を有する。この側露出面４３ａは、モールド外被１０の第４側面１６と同じ面上に位置する。
【００２６】
第３電極５０は、例えばベース電極である。この第３電極５０は、とくに図２（ｂ）に示すように、ほぼＴ字形状の平面パターンを有し、この第３電極５０は、第１〜第３部分５１、５２、５３を有する。第１、第２部分５１、５２は、モールド外被１０の第３、第４側面１５、１６と実質的に平行に延びる。第３部分５３は、モールド外被１０の第１、第２側面１３、１４と実質的に平行に延び、第１、第２部分５１、５２と実質的に直交している。第１、第２部分５１、５２の厚さは例えば０．２ｍｍであり、第３部分５３は、下面側がハーフエッチングされ、その厚さは０．１ｍｍである。
【００２７】
第３電極５０の第１部分５１はボンディング部分であり、半導体チップ２０の上面のベースにボンディングされた、例えばＡｕ線（直径３０μｍ）とされる接続ワイヤ２２が、この第１部分５１の上面にボンディングされる。
【００２８】
第３電極５０の第２部分５２は、第３電極５０の接続リードを構成する。第１部分５１と第２部分５２は、モールド外被１０の下面１２に露出する下露出面５０ａ（図１（ｂ）、図２（ｃ）参照）を有する。第２部分５２は、またモールド外被１０の第２側面１４からそれと直交する方向に突出する突出部５２ｂ（図１（ａ）（ｂ）、図２（ａ）（ｂ）（ｃ）（ｅ）参照）を有する。下露出面５０ａは平面であり、この下露出面５０ａは、モールド外被１０の下面１２と同じ面上に位置する。
【００２９】
第３電極５０の第３部分５３は、連結リードである。この連結リードは、半導体デバイスがダイシングされる前の状態において、第３電極５０をリードフレームに連結する。この第３部分は、その第２部分５２の内端から、モールド外被１０の第３側面１５へ延びており、この第３側面１５に露出する側露出面５３ａ（図１（ａ）（ｂ）、図２（ａ）（ｂ）参照）を有する。この側露出面５３ａは、モールド外被１０の第３側面１５と同じ面上に位置する。
【００３０】
第１、第２、第３電極３０、４０、５０の各下露出面３０ａ、４０ａ、５０ａは、互いに共通の基準面ＳＳ上に位置する。モールド外被１０の下面１２は、この基準面ＳＳ上の存在し、その第１〜第４側面１３〜１６は、ダイシングにより、この基準面ＳＳと実質的に垂直に形成される。
【００３１】
モールド外被１０の第１側面１３は、とくに図２（ｄ）に示すように、上面１１側の主要部分１３ａと、下面１２側の残余部分１３ｂを有する。この主要部分１３ａと残余部分１３ｂとの境界線Ｌ１は、第１電極３０の突出部３２ｂの上面を通る。
【００３２】
モールド外被１０の第２側面１４は、とくに図２（ｅ）に示すように、上面１１側の主要部分１４ａと、下面１２側の残余部分１４ｂを有する。この主要部分１４ａと残余部分１４ｂとの境界線Ｌ２は、第２、第３電極４０、５０の各突出部４２ｂ、５２ｂの上面を通る。
【００３３】
第１、第２側面１３、１４の各主要部分１３ａ、１４ａは、樹脂モールド材料をダイシングブレードまたはレーザ光によって切断することによって形成された切断面である。これに対し、第１、第２側面１３、１４の各残余部分１３ｂ、１４ｂは、樹脂モールド材料を分割することによって形成された分割面であり、各残余部分１３ｂ、１４ｂにつながった樹脂モールド材料を分割することにより形成される。
【００３４】
モールド外被１０の第３、第４側面は、それぞれその全面が、樹脂モールド材料をダイシングブレードまたはレーザ光によって切断した切断面とされる。第３側面１５に露出する第１、第３電極３０、５０の各側露出面３４ａ、５３ａもダイシングブレードまたはレーザ光による切断面であり、これらの側露出面３４ａ、５３ａは、樹脂モールド材料をダイシングブレードまたはレーザ光により切断して第３側面１５を形成するときに、同じダイシングブレードまたはレーザ光により、リードフレームを同時に切断して形成される。結果として、各側露出面３４ａ、５３ａは、第３側面１５と同じ面上に位置する。第４側面１６に露出する第１、第２電極３０、４０の各側露出面３３ａ、４３ａもダイシングブレードまたはレーザ光による切断面であり、これらの側露出面３３ａ、４３ａは、樹脂モールド材料をダイシングブレードまたはレーザ光により切断して第４側面１６を形成するときに、同じダイシングブレードまたはレーザ光により、リードフレームを同時に切断して形成される。
【００３５】
次に、実施の形態１の半導体デバイスの製造方法について、図３〜図５を参照して説明する。図３は、半導体チップの接続工程の終了状態を示す平面図、図４は、一括樹脂モールド工程の終了状態を示す断面図であり、図３のＡ−Ａ線による断面図である。図５は、ダイシング工程を示す断面図であり、図４に対応した断面図である。
【００３６】
先ず、図３の半導体チップの接続工程では、複数のデバイス区域６０が連続して形成されたリードフレーム７０に対し、各デバイス区域６０に半導体チップ２０が接続される。リードフレーム７０は、例えば純Ｃｕ製で、厚さ０．２ｍｍでる。このリードフレーム７０は、互いに平行な一対のメインフレーム７１、７２と、これらのメインフレーム７１、７２の間を連結するサブフレーム７３、７４を有する。サブフレーム７３、７４は、メインフレーム７１、７２に直交し、互いに平行である。これらのメインフレーム７１、７２およびサブフレーム７３、７４により囲まれた区域が、デバイス区域６０である。
【００３７】
デバイス区域６０には、第１、第２、第３電極３０、４０、５０が含まれており、第１電極３０は、その第３、第４部分３３、３４が、それぞれ連結リード７５、７６により、サブフレーム７３、７４に機械的に連結されている。第２電極４０は、その第３部分４３が連結リード７７により、サブフレーム７３に連結されている、また、第３電極５０は、その第３部分５３が連結リード７８により、サブフレーム７４に連結されている。連結リード７５〜７８は、それぞれの下面側がハーフエッチングされて、その厚さは、例えば０．１ｍｍとされる。この厚さは、第１電極３０の第３、第４部分３３、３４、および第２、第３電極４０、５０の各第３部分４３、５３と同じであり、これらの切断を容易にする。
【００３８】
半導体チップ２０は、その下面のコレクタが、第１電極３０の第１部分３１の上面にダイボンドされた後、その上面のエミッタ、ベースが、接続ワイヤ２１、２２により、それぞれ第２、第３電極４０、５０の各第１部分４１、５１の上面にボンディングされる。
【００３９】
図３に示す半導体チップの接続工程では、まだ一括樹脂モールドは被着されないが、図３には、便宜上４つのダイシングライン８１、８２、８３、８４が示される。これらのダイシングライン８１〜８４は、基準面ＳＳに垂直である。ダイシングライン８１、８２は互いに平行に、しかもサブフレーム７３、７４と平行に設定される。ダイシングライン８１は、モールド外被１０の第３側面１５をダイシングするラインであり、ダイシングライン８２は、モールド外被１０の第４側面１６をダイシングするラインである。
【００４０】
ダイシングライン８３、８４は互いに平行に、しかもメインフレーム７１、７２と平行に設定される。ダイシングライン８３は、モールド外被１０の第１側面１３をダイシングするラインであり、ダイシングライン８４は、モールド外被１０の第２側面１４をダイシングするラインである。
【００４１】
半導体チップの接続工程が終了した後、リードフレーム７０の上に、図４に示す一括樹脂モールド材料９０が形成される。この樹脂モールド材料９０は、例えばシリカフィラー入りエポキシ樹脂であり、リードフレーム７０のすべてのデバイス区域６０に対して、連続するように一括して形成される。
【００４２】
この一括樹脂モールド工程では、各デバイス区域６０の第１、第２、第３電極３０、４０、５０の下露出面３０ａ、４０ａ、５０ａが、樹脂モールド９０の下面から露出するようにして、樹脂モールド材料９０が形成される。各下露出面３０ａ、４０ａ、５０ａは共通の基準面ＳＳを構成しており、樹脂モールド９０は、この基準面ＳＳの上部に形成される。
【００４３】
続いて、図５に示す半導体デバイスのダイシング工程が実行される。このダイシング工程は、第１方向のダイシング工程と、第２方向のダイシング工程を含む。第１方向のダイシング工程では、ダイシングライン８１、８２に沿って樹脂モールド材料９０とリードフレーム７０のダイシングが行なわれる。この第１方向のダイシング工程は、フルカットの切断工程であり、切断機のダイシングブレードまたはレーザ加工機のレーザ光を用い、樹脂モールド材料９０とリードフレーム７０をフルカットすることにより、モールド外被１０の第３、第４側面１５、１６の全面をダイシングする。この第３、第４側面１５、１６は、その全面が、ダイシングブレードまたはレーザ光により切断された切断面として形成される。同時に第１電極３０の第３、第４部分３３、３４が、側露出面３３ａ、３４ａにおいて切断され、連結リード７５、７６と切り離される。また、第２、第３電極４０、５０の各第３部分４３、５３も、側露出面４３ａ、５３ａにおいて切断され、連結リード７７、７８から切り離される。
【００４４】
第２方向のダイシング工程は、第１方向のダイシング工程の後または前のどちらかで行なわれる。この第２方向のダイシング工程では、ダイシングライン８３、８４に沿って樹脂モールド材料９０のダイシングが行なわれる。この第２方向のダイシング工程では、モールド外被１０の第１、第２側面１３、１４がダイシングされる。
【００４５】
この第２方向のダイシング工程は、ハーフカットのダイシング工程であり、モールド外被１０の第１、第２側面１３、１４の主要部分１３ａ、１４ａを形成する主要部分形成工程と、第１、第２側面１３、１４の残余部分１３ｂ、１４ｂを形成する残余部分形成工程を含む。前記主要部分形成工程がハーフカットの切断工程である。この主要部分形成工程では、樹脂モールド材料９０が、ダイシングライン８３、８４に沿って、ダイシングブレードまたはレーザ光により切断され、第１、第２側面１３、１４の主要部分１３ａ、１４ａが形成される。この主要部分１３ａ、１４ａは、その全面が、ダイシングブレードまたはレーザ光によって切断された切断面となる。この主要部分形成工程では、ダイシングブレードまたはレーザ光による切断が、境界線Ｌ１、Ｌ２の上部に限定されるので、残余部分１３ｂ、１４ｂは切断されない。また第１、第２、第３電極３０、４０、５０の各突出部３２ｂ、４２ｂ、５２ｂも切断されず、これらの突出部３２ｂ、４２ｂ、５２ｂは切り落とされずに、残される。
【００４６】
前記残余部分形成工程は、前記主要部分形成工程の後に行なわれる。この残余部分形成工程では、ダイシングライン８３、８４に沿って、樹脂モールド材料９０が、機械または人力で分割され、その分割面として、残余部分１３ｂ、１４ｂが形成される。この残余部分形成工程では、残余部分１３ｂ、１４ｂにつながった樹脂モールド材料９０が、ダイシングライン８３、８４に沿って割断または破断され、残余部分１３ｂ、１４ｂが形成される。この残余部分１３ｂ、１４ｂは、樹脂モールド材料９０を分割することによって形成された分割面となる。この残余部分形成工程でも、第１、第２、第３電極３０、４０、５０の各突出部３２ｂ、４２ｂ、５２ｂは、それらの第２部分３２、４２、５２に連結されて保持されるので、切り落とされずに残される。
【００４７】
以上のように、実施の形態１による半導体デバイスでは、モールド外被１０の第１、第２、第３、第４側面１３〜１６が、ダイシングにより形成され、また、第１、第２側面の少なくとも一方から、少なくとも１つの電極３０、４０、または５０の突出部３２ｂ、４２ｂ、または５２ｂが、それと交差する方向に突出するので、実装基板にはんだ付した場合に、そのはんだ接合部を上面から容易に検査できる。
【００４８】
また、実施の形態１による半導体デバイスでは、モールド外被１０の第１、第２側面１３、１４の上面１１側の主要部分１３ａ、１４ａは、樹脂モールド材料９０を切断して形成され、またその下面１２側の残余部分１３ｂ、１４ｂは、樹脂モールド材料９０を分割して形成され、電極の突出部がこの残余部分１３ｂ、または１４ｂから突出するので、主要部分１３ａ、１４ａを形成する切断において、電極の突出部が切り落とされるのを確実に防止できる。
【００４９】
また、実施の形態１の半導体デバイスの製造方法は、樹脂モールド材料９０を第１方向にダイシングして、モールド外被１０の第３、第４側面１５、１６を形成する第１方向のダイシング工程と、樹脂モールド材料９０を第１方向と直交する第２方向にダイシングして、モールド外被１０の第１、第２側面１３、１４を形成する第２方向のダイシング工程を含み、この第２方向のダイシング工程では、少なくとも１つの電極３０、４０、または５０の突出部３２ｂ、４２ｂ、または５２ｂが切り落とされずに残されるので、突出部を有する電極を備えた半導体デバイスを容易に製造できる。
【００５０】
また実施の形態１の半導体デバイスの製造方法では、第２方向のダイシング工程は、樹脂モールド材料９０を切断することにより、第１、第２側面１３、１４の上面側の主要部分１３ａ、１４ａを形成する主要部分形成工程と、樹脂モールド材料９０を分割することにより、その下面側の残余部分１３ｂ、１４ｂを形成する残余部分形成工程を含み、これらの主要部分形成工程と残余部分形成工程では、少なくとも１つの電極３０、４０、または５０の突出部３２ｂ、４２ｂ、または５２ｂが切り落とされずに残されるので、電極の突出部が切り落とされるのを確実に防止し、突出部を有する電極を備えた半導体デバイスを容易に製造できる。
【００５１】
なお、実施の形態１において、モールド外被１０の第１、第２側面１３、１４の主要部分１３ａ、１４ａと、残余部分１３ｂ、１４ｂとの境界線Ｌ１、Ｌ２が、第１、第２、第３電極３０、４０、５０の各突出部３２ｂ、４２ｂ、５２ｂの上面を通るようにし、主要部分１３ａ、１４ａの切断時に、各突出部３２ｂ、４２ｂ、５２ｂが全く切断されないようにしているが、これの境界線Ｌ１、ｌ２が突出部３２ｂ、４２ｂ、５２ｂを横切るように設定し、主要部分１３ａ、１４ａの切断時に、突出部３２ｂ、４２ｂ、５２ｂの上部が僅かに切断されるようにしても、同様の効果を得ることができる。
【００５２】
また実施の形態１において、第１、第２、第３電極３０、４０、５０の各下露出面３２ａ、４２ａ、５２ａを、モールド外被１０の下面１２から所定量だけ突出させることもできる。この場合、各下露出面３０ａ、４０ａ、５０ａが共通に位置する基準面ＳＳと、モールド外被１０の下面１２との間に、所定の間隔を設けられるので、実装基板とのはんだ付を確実に行なうことができる。また、実施の形態１において、第１、第２、第３電極３０、４０、５０の各下露出面３０ａ、４０ａ、５０ａがモールド外被１０で覆われるようにすることもできる。この場合、下露出面３０ａ、４０ａ、５０ａはモールド外被１０内に存在する電極下面３０ａ、４０ａ、５０ａとなるが、この場合には、モールド外被１０の下面１２が基準面ＳＳを形成する。
【００５３】
実施の形態２．
図６は、この発明による半導体デバイスの実施の形態２を示す６面図である。図６（ａ）は、モールド外被１０の第３側面１５を正面とした正面図、図６（ｂ）はその平面図、図６（ｃ）はその底面図、図６（ｄ）はその第１側面１３側の左側面図、図６（ｅ）はその第２側面１４側の右側面図、図６（ｆ）は第４側面１６側の背面図である。
【００５４】
この実施の形態２は、実施の形態１における第１、第２、第３電極３０、４０、５０を変形した第１、第２、第３電極３０Ａ、４０Ａ、５０Ａを使用し、第１電極３０Ａの側露出面３３ａ、３４ａを第１側面１３に、また、第２、第３電極４０Ａ、５０Ａの各側露出面４３ａ、５３ａを第２側面１４にそれぞれ露出したものである。その他は実施の形態１と同じに構成される。
【００５５】
この実施の形態２の第１電極３０Ａは、実施の形態１における第１電極３０の第１、第２部分３１、３２と同じに構成された第１、第２部分３１、３２を有する。これらの第１、第２部分３１、３２の厚さは、実施の形態１と同じ０．２ｍｍである。第１、第２部分３１、３２は、実施の形態１と同様に、モールド外被１０の下面１２に露出する下露出面３０ａを有し、第２部分３２は第１側面１３から突出する突出部３２ｂを有する。この第２部分３３に、変形された第３部分３３Ａ、第４部分３４Ａが結合される。
【００５６】
第３部分３３Ａは、第２部分３２の内端に、持上げ連結部３３ｂにより結合され、モールド外被１０の第１側面１３の主要部分１３ａへ延びている。この第３部分３３Ａはその下面がハーフエッチングされ、その厚さは、０．１ｍｍである。この第３部分３３Ａは、第１側面１３の主要部分１３ａに露出する側露出面３３ａを有する。第４部分３４Ａも、第２部分３２の内端に、持上げ連結部３４ｂにより結合され、モールド外被１０の第１側面１３の主要部分１３ａへ延びている。この第４部分３４Ａはその下面がハーフエッチングされ、その厚さは、０．１ｍｍである。この第４部分３４Ａは、第１側面１３の主要部分１３ａに露出する側露出面３４ａを有する。これらの側露出面３３ａ、４３ａは、図６（ｄ）に示すように、境界線Ｌ１のちょうど上の位置で、主要部分１３ａに露出している。この側露出面３３ａ、４３ａは、突出部３２ｂよりも、モールド外被１０の下面１２が形成する基準面ＳＳから遠い位置に配置される。
【００５７】
実施の形態２の第２電極４０Ａは、実施の形態１における第２電極４０の第１、第２部分４１、４２と同じに構成された第１、第２部分４１、４２を有する。これらの第１、第２部分４１、４２の厚さは、実施の形態１と同じ０．２ｍｍである。第１、第２部分４１、４２は、実施の形態１と同様に、モールド外被１０の下面１２に露出する下露出面４０ａを有し、第２部分４２は第２側面１４から突出する突出部４２ｂを有する。この第２部分４２に、変形された第３部分４３Ａが結合される。
【００５８】
この第３部分４３Ａは、第２部分４２の内端に、持上げ連結部４３ｂにより結合され、モールド外被１０の第２側面１４の主要部分１４ａへ延びている。この第３部分４３Ａはその下面がハーフエッチングされ、その厚さは、０．１ｍｍである。この第３部分４３Ａは、第２側面１４の主要部分１４ａに露出する側露出面４３ａを有する。この側露出面４３ａは、図６（ｅ）に示すように、境界線Ｌ２のちょうど上の位置で、主要部分１４ａに露出している。この側露出面４３ａは、突出部４２ｂよりも、基準面ＳＳから遠い位置に配置される。
【００５９】
実施の形態２の第３電極５０Ａは、実施の形態１における第３電極５０の第１、第２部分５１、５２と同じに構成された第１、第２部分５１、５２を有する。これらの第１、第２部分５１、５２の厚さは、実施の形態１と同じ０．２ｍｍである。第１、第２部分５１、５２は、実施の形態１と同様に、モールド外被１０の下面１２に露出する下露出面５０ａを有し、第２部分５２は第２側面１４から突出する突出部５２ｂを有する。この第２部分５２に、変形された第３部分５３Ａが結合される。
【００６０】
この第３部分５３Ａは、第２部分５２の内端に、持上げ連結部５３ｂにより連結され、モールド外被１０の第２側面１４の主要部分１４ａへ延びている。この第３部分５３Ａはその下面がハーフエッチングされ、その厚さは、０．１ｍｍである。この第３部分５３Ａは、第２側面１４の主要部分１４ａに露出する側露出面５３ａを有する。この側露出面５３ａも、図６（ｅ）に示すように、境界線Ｌ２のちょうど上の位置で、主要部分１４ａに露出している。この側露出面５３ａは、突出部５２ｂよりも、基準面ＳＳから遠い位置に配置される。
【００６１】
図７は、この実施の形態２の半導体チップの接続工程の終了状態を示す平面図である。半導体チップの接続工程では、図７から明らかなように、第１電極３０Ａの第３、第４部分３３Ａ、３４Ａは、連結リード７５Ａ、７６Ａにより、メインフレーム７１に連結される。同様に第２、第３電極４０Ａ、５０Ａの各第３部分４３Ａ、５３Ａは、連結リード７７Ａ、７８Ａによりメインフレーム７２に連結される。連結リード７５Ａ、７６Ａ、７７Ａ、７８Ａも、下面がハーフエッチングされ、第１電極３０Ａの第３、第４部分３３Ａ、３４Ａ、第２、第３電極４０Ａ、５０Ａの各第３部分４３Ａ、５３Ａと同じ、０．１ｍｍの厚さであり、切断が容易とされる。
【００６２】
図８は、この半導体チップの接続工程における第３電極５０Ａを示す斜視図である。この第３電極５０Ａの第３部分５３Ａが、持上げ連結部５３ｂにより、第１、第２部分５１、５２よりも持上げられ、連結リード７８Ａに連続している。なお、第１電極３０Ａの第３、第４部分３３Ａ、３４Ａ、および第２電極４０Ａの第３部分４３Ａも、図８と同様な構成である。
【００６３】
第１方向のダイシング工程では、実施の形態１と同様に、図７に示すダイシングライン８１、８２に沿って、樹脂モールド材料９０とリードフレーム７０のフルカットが行なわれ、モールド外被１０の第３、第４側面１５、１６は、その全面が、その切断面として形成される。
【００６４】
第２方向のダイシング工程における主要部分形成工程では、実施の形態１と同様に、樹脂モールド材料９０のハーフカットが行なわれ、モールド外被１０の第１、第２側面１３、１４の主要部分１３ａ、１４ａが、切断面として形成される。このときに、同時に、第１電極３０Ａの第３部分３３Ａ、第４部分３４Ａが、側露出面３３ａ、３４ａにおいて切断され、連結リード７５Ａ、７６Ａから切り離される。また同時に、第２、第３電極４０Ａ、５０Ａの各第３部分４３Ａ、５３Ａが、側露出面４３ａ、５３ａにおいて切断され、連結リード７７Ａ、７８Ａから切り離される。
【００６５】
この第２方向のダイシング工程における主要部分形成工程では、切断が境界線Ｌ１、ｌ２の上部に限定されるので、電極３０Ａ、４０Ａ、５０Ａの各突出部３２ｂ、４２ｂ、５２ｂは切断されず、切り落とされることはない。この切断工程に続く残余部分形成工程でも、突出部３２ｂ、４２ｂ、５２ｂはそのまま残されるので、実施の形態１と同じ効果が得られる。なお、この実施の形態２でも、前記主要部分切断工程で、突出部３２ｂ、４２ｂ、５２ｂの上部分が僅かに切断されても、それが切り落とされなければ、同じ効果が得られる。
【００６６】
実施の形態３．
図９は、この発明による半導体デバイスの実施の形態３を示す６面図である。図９（ａ）は、モールド外被１０の第３側面１５を正面とした正面図、図９（ｂ）はその平面図、図９（ｃ）はその底面図、図９（ｄ）はその第１側面１３側の左側面図、図９（ｅ）はその第２側面１４側の側面図、図９（ｆ）は第４側面１６側の背面図である。
【００６７】
この実施の形態３は、実施の形態１における第１、第２、第３電極３０、４０、５０を変形した第１、第２、第３電極３０Ｂ、４０Ｂ、５０Ｂを使用する。これらの第１、第２、第３電極３０Ｂ、４０Ｂ、５０Ｂは、いずれも実施の形態１と同様の下露出面３０ａ、４０ａ、５０ａと、突出部３２ｂ、４２ｂ、５２ｂを有するが、側露出面３３ａ、３４ａ、４３ａ、５３ａを持たない。
【００６８】
この実施の形態３の第１電極３０Ｂは、実施の形態１における第１電極３０の第１、第２部分３１、３２と同じに構成された第１、第２部分３１、３２を有する。この第１、第２部分３１、３２は、実施の形態１と同様に、モールド外被１０の下面１２に露出する下露出面３０ａを有し、また第２部分３２は、第１側面１３から突出する突出部３２ｂを有する。しかし、実施の形態１、２のような第３、第４部分３３、３３Ａ、３４、３４Ａを持たず、側露出面３３ａ、３４ａを持たない。
【００６９】
実施の形態３の第２電極４０Ｂは、実施の形態１における第２電極４０の第１、第２部分４１、４２と同じに構成された第１、第２部分４１、４２を有する。この第１、第２部分４１、４２は、実施の形態１と同様に、モールド外被１０の下面１２に露出する下露出面４０ａを有し、また第２部分４２は、第２側面１４から突出する突出部４２ｂを有する。しかし、実施の形態１、２のような第３部分４３、４３Ａを持たず、側露出面４３ａを持たない。
【００７０】
実施の形態３の第３電極５０Ｂは、実施の形態１における第３電極５０の第１、第２部分５１、５２と同じに構成された第１、第２部分５１、５２を有する。この第１、第２部分５１、５２は、実施の形態１と同様に、モールド外被１０の下面１２に露出する下露出面５０ａを有し、また第２部分５２は、第２側面１４から突出する突出部５２ｂを有する。しかし、実施の形態１、２のような第３部分５３、５３Ａを持たず、側露出面５３ａを持たない。
【００７１】
図１０は、この実施の形態３の半導体チップの接続工程の終了状態を示す平面図である。半導体チップの接続工程では、図１０から明らかなように、第１電極３０Ｂの第２部分３２は、連結リード７５Ｂにより、メインフレーム７１に連結される。同様に第２、第３電極４０Ｂ、５０Ｂの各第２部分４２、５２は、連結リード７７Ｂ、７８Ｂによりメインフレーム７２に連結される。
【００７２】
第１方向のダイシング工程では、実施の形態１と同様に、図１０に示すダイシングライン８１、８２に沿って、樹脂モールド９０とリードフレーム７０のフルカットが行なわれ、モールド外被１０の第３、第４側面１５、１６の全面が、切断面として形成される。
【００７３】
第２方向のダイシング工程では、前記主要部分形成工程および残余部分形成工程に加え、新たにダイシングライン８５、８６によるフルカットの連結リード切断工程が追加される。この連結リード切断工程に続いて、実施の形態１と同様に、ダイシングライン８３、８４によるハーフカットの主要部分形成工程と、さらにそれに続く残余部分形成工程が実施される。
【００７４】
ダイシングライン８５、８６は、ダイシングライン８３、８４と実質的に平行に、このダイシングライン８３、８４のさらに外側に基準面ＳＳと垂直に設定される。この新たなダイシングライン８５、８６によるフルカットの連結リード切断工程は、ダイシングライン８５、８６における樹脂モールド９０とリードフレーム７０をフルカットで切断し、各電極３０Ｂ、４０Ｂ、５０Ｂの各第２部分３２、４２、５２を、連結リード７４Ｂ、７６Ｂ、７７Ｂから切断する。ダイシングライン８３、８５の間の間隔、およびダイシングライン８４、８６の間の間隔が、突出部３２ｂ、４２ｂ、５２ｂの突出長さを決定する。
【００７５】
次のダイシングライン８３、８４によるハーフカットの主要部分形成工程では、実施の形態１と同様に、樹脂モールド９０のハーフカットが行なわれ、モールド外被１０の第１、第２側面１３、１４の主要部分１３ａ、１４ａが、切断面として形成される。しかし、この第２方向のダイシング工程におけるハーフカットの主要部分形成工程では、電極３０Ｂ、４０Ｂ、５０Ｂの各突出部３２ｂ、４２ｂ、５２ｂは実施の形態１と同様に切断されず、切り落とされることはない。この切断工程に続く残余部分形成工程でも、突出部３２ｂ、４２ｂ、５２ｂはそのまま残されるので、実施の形態１と同じ効果が得られる。なお、この実施の形態２でも、前記切断工程で、突出部３２ｂ、４２ｂ、５２ｂの上部分が僅かに切断されても、それが切り落とされなければ、同じ効果が得られる。
【００７６】
実施の形態４．
実施の形態１〜３は、モールド外被１０の第１、第２側面１３、１４を、上面１１側の主要部分１３ａ、１４ａと残余部分１３ｂ、１４ｂとに分け、主要部分１３ａ、１４ａは切断面とし、残余部分１３ｂ、１４ｂは分割面としたが、この実施の形態４は、第１、第２側面１３、１４の全面をＹＡＧレーザからのレーザ光による切断面とする。この実施の形態４は、実施の形態１〜３の何れにも適用できる。第１、第２側面１３、１４の全面を切断面とする以外は、実施の形態１〜３と同じに構成される。
【００７７】
この実施の形態４では、第１、第２側面１３、１４をダイシングする第２方向のダイシング工程において、ＹＡＧレーザを使用し、このＹＡＧレーザにより、第１、第２側面１３、１４の全面を一度に切断する。ＹＡＧレーザは、樹脂モールド材料９０には吸収されやすく、金属、例えば純Ｃｕで構成されたリードフレーム７０に対して高い反射率を持つので、第１、第２側面１３、１４の全面を切断するときに、各電極３０、３０Ａ、３０Ｂ、４０、４０Ａ、４０Ｂ、５０、５０Ａ、５０Ｂの突出部３２ｂ、４２ｂ、５２ｂは切断されずに、残される。
【００７８】
この実施の形態４によれば、実施の形態１〜３と同じ効果が得られるほか、第１、第２側面１３、１４に対する第２方向のダイシング工程を簡単化することができる。
【００７９】
なお、実施の形態２、３、４においても、第１、第２、第３電極３０、４０、５０の各下露出面３２ａ、４２ａ、５２ａを、モールド外被１０の下面１２から所定量だけ突出させることもできる。この場合、各下露出面３０ａ、４０ａ、５０ａが共通に位置する基準面ＳＳと、モールド外被１０の下面１２との間に、所定の間隔を設けられるので、実装基板とのはんだ付を確実に行なうことができる。また、実施の形態２、３、４においても、第１、第２、第３電極３０、４０、５０の各下露出面３０ａ、４０ａ、５０ａがモールド外被１０で覆われるようにすることもできる。この場合、下露出面３０ａ、４０ａ、５０ａはモールド外被１０内に存在する電極下面３０ａ、４０ａ、５０ａとなるが、この場合には、モールド外被１０の下面１２が基準面ＳＳを形成する。
【産業上の利用可能性】
【００８０】
この発明による半導体デバイスおよびその製造方法は、４つのすべての側面がダイシングされる形式の半導体デバイスとその製造方法に利用される。
【図面の簡単な説明】
【００８１】
【図１】図１は、この発明による半導体デバイスの実施の形態１を示す斜視図であり、図１（ａ）はモールド外被の上面を上にした状態の斜視図、図１（ｂ）はモールド外被の下面を上にした状態の斜視図である。
【図２】図２は、実施の形態１の６面図であり、図２（ａ）は正面図、図２（ｂ）は平面図、図２（ｃ）は底面図、図２（ｄ）（ｅ）は側面図、図２（ｆ）は背面図である。
【図３】図３は、実施の形態１の製造工程における半導体チップの接続工程の終了状態を示す平面図である。
【図４】図４は、実施の形態１の製造工程における一括モールド工程の終了状態を示す断面図である。
【図５】図５は、実施の形態１の製造工程における半導体デバイスのダイシング工程を示す断面図である。
【図６】図６は、この発明による半導体デバイスの実施の形態２の６面図であり、図６（ａ）は正面図、図６（ｂ）は平面図、図６（ｃ）は底面図、図６（ｄ）（ｅ）は側面図、図６（ｆ）は背面図である。
【図７】図７は、実施の形態２の製造工程における半導体チップの接続工程の終了状態を示す平面図である。
【図８】図８は、実施の形態２の１つの電極を示す斜視図である。
【図９】図９は、この発明による半導体デバイスの実施の形態３の６面図であり、図９（ａ）は正面図、図９（ｂ）は平面図、図９（ｃ）は底面図、図９（ｄ）（ｅ）は側面図、図９（ｆ）は背面図である。
【図１０】図１０は、実施の形態３の製造工程における半導体チップの接続工程の終了状態を示す平面図である。
【符号の説明】
【００８２】
１０：モールド外被、１１：上面、１２：下面、１３：第１側面、１４：第２側面、
１３ａ、１４ａ：主要部分、１３ｂ、１４ｂ：残余部分、１５：第３側面、
１６：第４側面、２０：半導体チップ、３０、３０Ａ、３０Ｂ：第１電極、
４０、４０Ａ、４０Ｂ：第２電極、５０、５０Ａ、５０Ｂ：第３電極、
３０ａ、４０ａ、５０ａ：下露出面、３２ｂ、４２ｂ、５２ｂ：突出部、
３３ａ、３４ａ、４３ａ、５３ａ：側露出面。
【図１】
0004810923.tif 000002
【図２】
0004810923.tif 000003
【図３】
0004810923.tif 000004
【図４】
0004810923.tif 000005
【図５】
0004810923.tif 000006
【図６】
0004810923.tif 000007
【図７】
0004810923.tif 000008
【図８】
0004810923.tif 000009
【図９】
0004810923.tif 000010
【図１０】
0004810923.tif 000011