(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
支持基板の上に、接続端子部を形成するための孔を有する絶縁層を形成する工程、
前記絶縁層の孔と重なる位置に孔を有する導体層を、前記絶縁層の上に形成する工程、
前記支持基板における前記絶縁層の孔と重なる位置における、前記絶縁層の孔の周りに、前記支持基板とはんだとの短絡を防止するためのリング状の導通部が、前記導体層との間に前記絶縁層を介して残るように、開口部を形成する工程、
前記導体層の孔と前記絶縁層の孔とが連通する貫通孔に、はんだを充填する工程
を備えていることを特徴とする、回路付サスペンション基板の接続端子部の製造方法。
【請求項２】
前記はんだと前記支持基板とが電気的に遮断されるように、前記はんだを充填することを特徴とする、請求項１に記載の回路付サスペンション基板の接続端子部の製造方法。
【請求項３】
前記導体層の孔を前記絶縁層の孔よりも大きく形成することを特徴とする、請求項１または２に記載の回路付サスペンション基板の接続端子部の製造方法。
【請求項４】
支持基板の上に絶縁層が形成され、前記絶縁層の上に導体層が形成されており、外部端子と接続するための接続端子部を有する回路付サスペンション基板であって、
前記接続端子部が、前記導体層および前記絶縁層を貫通する貫通孔にはんだが充填されるとともに、前記はんだが前記支持基板に形成される開口部から露出し、
前記絶縁層の前記貫通孔の周りに、前記支持基板とはんだとの短絡を防止するためのリング状の導通部が前記導体層との間に前記絶縁層を介して形成される
ことにより形成されていることを特徴とする、回路付サスペンション基板。
【請求項５】
支持基板の上に絶縁層が形成され、前記絶縁層の上に導体層が形成されている回路付サスペンション基板の接続端子部と、外部端子とを接続するための接続方法であって、
前記回路付サスペンション基板の接続端子部が、前記導体層および前記絶縁層を貫通する貫通孔にはんだが充填されるとともに、前記はんだが前記支持基板に形成される開口部から露出することにより形成されており、
前記絶縁層の前記貫通孔の周りに、前記支持基板とはんだとの短絡を防止するためのリング状の導通部が前記導体層との間に前記絶縁層を介して形成されており、
前記接続端子部の前記支持基板側に外部端子を対向配置するとともに、前記接続端子部の前記導体層側から加熱手段を前記はんだに接触させて、前記はんだを溶融することにより、前記接続端子部と前記外部端子とを接続することを特徴とする、回路付サスペンション基板の接続端子部の接続方法。
【請求項６】
支持基板の上に絶縁層が形成され、前記絶縁層の上に導体層が形成されている回路付サスペンション基板の接続端子部と、外部端子との接続構造であって、
前記回路付サスペンション基板の接続端子部が、前記導体層および前記絶縁層を貫通する貫通孔にはんだが充填されるとともに、前記はんだが前記支持基板に形成される開口部から露出することにより形成されており、
前記絶縁層の前記貫通孔の周りに、前記支持基板とはんだとの短絡を防止するためのリング状の導通部が前記導体層との間に前記絶縁層を介して形成されており、
前記はんだが、前記接続端子部の前記支持基板側に対向配置されている外部端子に接合されることにより、前記接続端子部と前記外部端子とが接続されていることを特徴とする、回路付サスペンション基板の接続端子部の接続構造。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、ハードディスクドライブに用いられる回路付サスペンション基板、その接続端子部の製造方法およびその接続端子部の接続方法および接続構造に関する。
【０００２】
【従来の技術】
回路付サスペンション基板は、ハードディスクドライブの磁気ヘッドを実装して、その磁気ヘッドを、磁気ヘッドと磁気ディスクとが相対的に走行する時の空気流に抗して、磁気ディスクとの間に微小な間隔を保持しながら支持するものであり、通常、図９（ａ）に示すように、支持基板１の上にベース絶縁層２が形成され、そのベース絶縁層２の上に所定の配線回路パターンとして導体層３が形成され、さらに、この導体層３の上にカバー絶縁層４が形成されている。
【０００３】
また、このような回路付サスペンション基板には、図９（ｅ）に示すように、通常、リード・ライト基板の端子などの外部端子４１と接続するための接続端子部５が形成されている。
【０００４】
このような接続端子部５は、例えば、次のようにして形成される。すなわち、まず、図９（ｂ）に示すように、導体層３の上にカバー絶縁層４を形成する時に、カバー絶縁層４における接続端子部形成部分を公知のパターンニング法により開口形成しておき、次いで、図９（ｃ）に示すように、そのカバー絶縁層４の開口部６に対向する支持基板１の接続端子部形成部分をウエットエッチングにより開口形成し、その後、図９（ｄ）に示すように、その支持基板１の開口部７内に露出するベース絶縁層２の接続端子部形成部分をドライエッチングにより開口形成する。
【０００５】
次いで、図９（ｅ）に示すように、カバー絶縁層４の開口部６内に露出する導体層３の表面、および、支持基板１の開口部７内とベース絶縁層２の開口部８内とに露出する導体層３の裏面に、ニッケルめっき層９および金めっき層１０を順次形成することにより、接続端子部５を形成する。
【０００６】
そして、このようにして形成された接続端子部５は、例えば、その支持基板１側に外部端子４１を対向配置して、そのカバー絶縁層４側から超音波ツールあるいはヒートツール４２などの接続用ツールを押し当てることにより、外部端子４１と接続される。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】
しかし、このような回路付サスペンション基板の接続端子部５の形成では、支持基板１をウエットエッチングした後に、ベース絶縁層２をドライエッチングしなければならず、さらに、導体層３の両面にニッケルめっき層９および金めっき層１０を順次形成する必要もあるため、工数および手間がかかり、コストの低減化を図ることが困難である。
【０００８】
とりわけ、ベース絶縁層２をドライエッチングするには、レーザエッチングやプラズマエッチングなどを用いるため、高価な装置が必要になるとともに、そのような装置のメンテナンス費用などがさらに必要となるため、コストの上昇が不回避となる。
【０００９】
本発明は、このような事情に鑑みなされたものであって、その目的とするところは、簡易かつ確実な方法により、接続端子部を低コストで製造することのできる回路付サスペンション基板の接続端子部の製造方法、その方法により製造された接続端子部を備える回路付サスペンション基板、および、その接続端子部を外部端子と接続するための接続方法および接続構造を提供することにある。
【００１０】
【課題を解決するための手段】
上記の目的を達成するため、本発明は、回路付サスペンション基板の接続端子部の製造方法であって、支持基板の上に、接続端子部を形成するための孔を有する絶縁層を形成する工程、前記絶縁層の孔と重なる位置に孔を有する導体層を、前記絶縁層の上に形成する工程、前記支持基板における前記絶縁層の孔と重なる位置における、前記絶縁層の孔の周りに、前記支持基板とはんだとの短絡を防止するためのリング状の導通部が、前記導体層との間に前記絶縁層を介して残るように、開口部を形成する工程、前記導体層の孔と前記絶縁層の孔とが連通する貫通孔に、はんだを充填する工程を備えていることを特徴としている。
【００１１】
また、この方法では、前記はんだと前記支持基板とが電気的に遮断されるように、前記はんだを充填することが好ましく、また、前記導体層の孔を前記絶縁層の孔よりも大きく形成することが好ましい。
【００１２】
また、本発明は、支持基板の上に絶縁層が形成され、前記絶縁層の上に導体層が形成されており、外部端子と接続するための接続端子部を有する回路付サスペンション基板であって、前記接続端子部が、前記導体層および前記絶縁層を貫通する貫通孔にはんだが充填されるとともに、前記はんだが前記支持基板に形成される開口部から露出し、前記絶縁層の前記貫通孔の周りに、前記支持基板とはんだとの短絡を防止するためのリング状の導通部が前記導体層との間に前記絶縁層を介して形成されることにより形成されている、回路付サスペンション基板を含んでいる。
【００１３】
また、本発明は、支持基板の上に絶縁層が形成され、前記絶縁層の上に導体層が形成されている回路付サスペンション基板の接続端子部と、外部端子とを接続するための接続方法であって、前記回路付サスペンション基板の接続端子部が、前記導体層および前記絶縁層を貫通する貫通孔にはんだが充填されるとともに、前記はんだが前記支持基板に形成される開口部から露出することにより形成されており、前記絶縁層の前記貫通孔の周りに、前記支持基板とはんだとの短絡を防止するためのリング状の導通部が前記導体層との間に前記絶縁層を介して形成されており、前記接続端子部の前記支持基板側に外部端子を対向配置するとともに、前記接続端子部の前記導体層側から加熱手段を前記はんだに接触させて、前記はんだを溶融することにより、前記接続端子部と前記外部端子とを接続する、回路付サスペンション基板の接続端子部の接続方法を含んでいる。
【００１４】
さらに、本発明は、支持基板の上に絶縁層が形成され、前記絶縁層の上に導体層が形成されている回路付サスペンション基板の接続端子部と、外部端子との接続構造であって、
前記回路付サスペンション基板の接続端子部が、前記導体層および前記絶縁層を貫通する貫通孔にはんだが充填されるとともに、前記はんだが前記支持基板に形成される開口部から露出することにより形成されており、前記絶縁層の前記貫通孔の周りに、前記支持基板とはんだとの短絡を防止するためのリング状の導通部が前記導体層との間に前記絶縁層を介して形成されており、前記はんだが、前記接続端子部の前記支持基板側に対向配置されている外部端子に接合されることにより、前記接続端子部と前記外部端子とが接続されている、回路付サスペンション基板の接続端子部の接続構造をも含んでいる。
【００１５】
【発明の実施の形態】
図１は、本発明の回路付サスペンション基板の参考形態を示す平面図である。図１において、この回路付サスペンション基板１１は、ハードディスクドライブの磁気ヘッド（図示せず）を実装して、その磁気ヘッドを、磁気ヘッドと磁気ディスクとが相対的に走行する時の空気流に抗して、磁気ディスクとの間に微小な間隔を保持しながら支持するものであり、磁気ヘッドと、外部の回路としてのリード・ライト基板２９とを接続するための配線が、所定の配線回路パターンとして一体的に形成されている。
【００１６】
この回路付サスペンション基板１１は、長手方向に延びる支持基板１２の上に、絶縁体からなるベース絶縁層１３が形成されており、そのベース絶縁層１３の上に、所定の配線回路パターンとして形成される導体層１４が形成されている。なお、この配線回路パターンは、互いに所定の間隔を隔てて平行状に配置される複数の配線１４ａ、１４ｂ、１４ｃ、１４ｄとして形成されている。支持基板１２の先端部には、その支持基板１２を切り抜くことによって、磁気ヘッドを実装するためのジンバル１５が形成されている。また、その支持基板１２の先端部には、磁気ヘッドと各配線１４ａ、１４ｂ、１４ｃ、１４ｄとを接続するための磁気ヘッド側接続端子１６が形成されるとともに、支持基板１２の後端部には、リード・ライト基板２９のリード・ライト端子２８と各配線１４ａ、１４ｂ、１４ｃ、１４ｄとを接続するための接続端子部としての外部側接続端子１７が形成されている。この外部側接続端子１７は、各配線１４ａ、１４ｂ、１４ｃ、１４ｄの端部において、各リード・ライト端子２８に対応してそれぞれ形成されている。
【００１７】
なお、図１においては、図示されていないが、実際には、導体層１４の上には、絶縁体からなるカバー絶縁層１８が被覆されている。
【００１８】
次に、このような回路付サスペンション基板１１の外部側接続端子１７の製造方法を、回路付サスペンション基板１１の製造方法とともに、図２〜図５を参照して説明する。なお、図２〜図５においては、その右側に、回路付サスペンション基板１１における外部側接続端子１７が形成される部分を、各配線１４ａ、１４ｂ、１４ｃ、１４ｄの長手方向に沿う断面として示し、その左側に、回路付サスペンション基板１１の長手方向途中を、各配線１４ａ、１４ｂ、１４ｃ、１４ｄの長手方向に直交する方向に沿う断面の一部として示している。
【００１９】
この方法では、まず、図２に示すように、支持基板１２を用意して、その支持基板１２の上に、外部側接続端子１７を形成するための第１孔３０を有するベース絶縁層１３を、所定のパターンとして形成する。
【００２０】
支持基板１２としては、金属箔または金属薄板を用いることが好ましく、例えば、ステンレス、４２アロイなどが好ましく用いられる。また、その厚さが、１０〜６０μｍ、さらには、１５〜３０μｍ、その幅が、５０〜５００ｍｍ、さらには、１２５〜３００ｍｍのものが好ましく用いられる。
【００２１】
また、ベース絶縁層１３を形成するための絶縁体としては、例えば、ポリイミド樹脂、アクリル樹脂、ポリエーテルニトリル樹脂、ポリエーテルスルホン樹脂、ポリエチレンテレフタレート樹脂、ポリエチレンナフタレート樹脂、ポリ塩化ビニル樹脂などの合成樹脂が用いられ、好ましくは、感光性の合成樹脂、とりわけ、感光性のポリイミド樹脂が好ましく用いられる。
【００２２】
そして、例えば、感光性のポリイミド樹脂を用いて、支持基板１２の上に、第１孔３０が形成される所定のパターンとしてベース絶縁層１３を形成するには、まず、図２（ａ）に示すように、予め用意された支持基板１２の上に、図２（ｂ）に示すように、感光性ポリイミド樹脂前駆体（例えば、ポリアミック酸樹脂など）の溶液を、その支持基板１２の全面に塗工した後、例えば、６０〜１５０℃、好ましくは、８０〜１２０℃で加熱することにより、感光性ポリイミド樹脂前駆体の皮膜１３ａを形成する。
【００２３】
次に、図２（ｃ）に示すように、皮膜１３ａにおける第１孔３０を形成する部分、および、その他、所定のパターンに形成する部分（図２では端部）の上に、フォトマスク２４を対向配置して、そのフォトマスク２４を介して、皮膜１３ａを露光させ、必要により露光部分を所定の温度に加熱した後、現像することにより、皮膜１３ａを、第１孔３０が形成される所定のパターンとする。
【００２４】
なお、フォトマスク２４を介して照射する照射線は、その露光波長が、３００〜４５０ｎｍ、好ましくは、３５０〜４２０ｎｍであることが好ましく、その露光積算光量が、１００〜１０００ｍＪ／ｃｍ２、さらには、２００〜７００ｍＪ／ｃｍ２であることが好ましい。また、照射された皮膜１３ａの露光部分は、例えば、１３０℃以上１５０℃未満で加熱することにより、次の現像処理において可溶化（ポジ型）し、また、例えば、１５０℃以上１８０℃以下で加熱することにより、次の現像処理において不溶化（ネガ型）する。また、現像は、例えば、アルカリ現像液などの公知の現像液を用いて、浸漬法やスプレー法などの公知の方法により行なえばよい。なお、この方法においては、ネガ型でパターンを得ることが好ましく、図２においては、ネガ型でパターンニングする態様として示されている。
【００２５】
そして、図２（ｄ）に示すように、第１孔３０が形成される所定のパターンにパターン化されたポリイミド樹脂前駆体の皮膜１３ａを、例えば、最終的に２５０℃以上に加熱することによって、硬化（イミド化）させ、これによって、ポリイミド樹脂からなるベース絶縁層１３を、第１孔３０が形成される所定のパターンとして形成する。
【００２６】
第１孔３０は、ベース絶縁層１３の厚さ方向を貫通し、その底部において支持基板１２が露出するような状態で、各外部側接続端子１７に対応する位置に複数形成され、その形状は、矩形状、多角形状、円形状など特に制限されないが、通常は、外部側接続端子１７に対応する形状で形成される。また、その大きさは、例えば、孔の最大開口長さとして、５０〜４００μｍ、好ましくは、１００〜３００μｍである。
【００２７】
なお、感光性の合成樹脂を用いない場合には、例えば、支持基板１２の上に、合成樹脂を、第１孔３０が形成される所定のパターンとして、塗工またはドライフィルムとして積層すればよい。
【００２８】
また、このようにして形成されるベース絶縁層１３の厚さは、例えば、２〜３０μｍ、好ましくは、５〜２０μｍである。
【００２９】
次いで、この方法では、このベース絶縁層１３の上に、ベース絶縁層１３の第１孔３０と重なる位置に第２孔３１を有する導体層１４を、所定の配線回路パターンとして形成する。
【００３０】
導体層１４を形成するための導体としては、例えば、銅、ニッケル、金、はんだ、またはこれらの合金などが用いられ、好ましくは、銅が用いられる。
【００３１】
また、第２孔３１が形成される所定の配線回路パターンで導体層１４を形成するには、ベース絶縁層１３の表面に、導体層１４を、例えば、サブトラクティブ法、アディティブ法、セミアディティブ法などの公知のパターンニング法によって、所定の配線回路パターンとして形成すればよい。
【００３２】
サブトラクティブ法では、まず、ベース絶縁層１３の表面の全面に、必要により接着剤層を介して導体層１４を積層し、次いで、この導体層１４の上に、第２孔３１が形成される所定の配線回路パターンに対応させてエッチングレジストを形成し、このエッチングレジストをレジストとして、導体層１４をエッチングして、その後に、エッチングレジストを除去するようにする。
【００３３】
また、アディティブ法では、まず、ベース絶縁層１３の上に、第２孔３１が形成される所定の配線回路パターンと逆パターンでめっきレジストを形成して、次いで、ベース絶縁層１３におけるめっきレジストが形成されていない表面に、めっきにより、第２孔３１が形成される所定の配線回路パターンとして導体層１４を形成し、その後に、めっきレジストを除去するようにする。
【００３４】
また、セミアディティブ法では、まず、ベース絶縁層１３の上に下地となる導体の薄膜を形成して、次いで、この下地の上に、第２孔３１が形成される所定の配線回路パターンと逆パターンでめっきレジストを形成した後、下地におけるめっきレジストが形成されていない表面に、めっきにより、第２孔３１が形成される所定の配線回路パターンとして導体層１４を形成し、その後に、めっきレジストおよびそのめっきレジストが積層されていた下地を除去するようにする。
【００３５】
これらのパターンニング法のうちでは、図３に示すように、セミアディティブ法が好ましく用いられる。すなわち、まず、図３（ａ）に示すように、支持基板１２および第１孔３０を含むベース絶縁層１３の全面に、下地２０となる導体の薄膜を形成する。下地２０の形成は、真空蒸着法、とりわけ、スパッタ蒸着法が好ましく用いられる。また、下地２０となる導体は、クロムや銅などが好ましく用いられる。より具体的には、例えば、支持基板１２および第１孔３０を含むベース絶縁層１３の全面に、クロム薄膜と銅薄膜とをスパッタ蒸着法によって、順次に形成することが好ましい。なお、クロム薄膜の厚さが、１００〜６００Å、銅薄膜の厚さが、５００〜２０００Åであることが好ましい。
【００３６】
次いで、図３（ｂ）に示すように、その下地２０の上に、第２孔３１が形成される所定の配線回路パターンと逆パターンのめっきレジスト２１を形成する。めっきレジスト２１は、例えば、ドライフィルムレジストなどを用いて公知の方法により、所定のレジストパターンとして形成すればよい。なお、図３（ｂ）では、導体層１４の第２孔３１を形成するために、ベース絶縁層１３の第１孔３０内にめっきレジスト２１が充填されている。
【００３７】
次いで、図３（ｃ）に示すように、下地２０におけるめっきレジスト２１が形成されていない部分に、めっきにより、第２孔３１が形成される所定の配線回路パターンとして導体層１４を形成する。めっきは、電解めっき、無電解めっきのいずれでもよいが、電解めっきが好ましく用いられ、なかでも、電解銅めっきが好ましく用いられる。
【００３８】
そして、図３（ｄ）に示すように、めっきレジスト２１を、例えば、化学エッチング（ウェットエッチング）などの公知のエッチング法、または剥離によって除去した後、図３（ｅ）に示すように、めっきレジスト２１が形成されていた下地２０を、同じく、化学エッチング（ウェットエッチング）など公知のエッチング法により除去する。これによって、ベース絶縁層１３の上に、導体層１４が、第２孔３１を有する所定の配線回路パターンとして形成される。
【００３９】
このようにして形成される第２孔３１は、導体層１４の厚さ方向を貫通し、第１孔３０と連通して、その底部において支持基板１２が露出するような状態で、各第１孔３０に対応して各第１孔３０と重なる位置に複数形成される。また、その形状は、矩形状、多角形状、円形状など特に制限されないが、通常は、第１孔３０と同じ形状で形成される。また、その大きさは、後述するように、はんだペーストをカバー絶縁層１８側からスクリーン印刷した時に第１孔３０に向かって良好に流れるように、第１孔３０よりも大きく（広く）形成されていることが好ましく、例えば、孔の最大開口長さとして、１００〜４５０μｍ、さらには、１５０〜４００μｍとして形成されていることが好ましい。
【００４０】
また、配線回路パターンは、例えば、図１に示されるように、互いに所定の間隔を隔てて平行状に配置される、複数の配線１４ａ、１４ｂ、１４ｃ、１４ｄパターンとして形成される。導体層１４の厚さは、例えば、２〜１５μｍ、好ましくは、５〜１０μｍであり、各配線１４ａ、１４ｂ、１４ｃ、１４ｄの幅は、例えば、１０〜５００μｍ、好ましくは、３０〜２００μｍであり、各配線１４ａ、１４ｂ、１４ｃ、１４ｄ間の間隔は、例えば、１０〜２００μｍ、好ましくは、３０〜１００μｍである。
【００４１】
次いで、図４に示すように、導体層１４の表面を金属皮膜２２により保護した後、この導体層１４を、導体層１４の第２孔３１と重なる位置に第３孔３２を有するカバー絶縁層１８により被覆する。すなわち、まず、図４（ａ）に示すように、導体層１４の表面、および、第１孔３０内を含む支持基板１２の表面に、金属皮膜２２を形成する。この金属皮膜２２は、無電解ニッケルめっきによって、硬質のニッケル薄膜として形成することが好ましく、その厚さは、導体層１４の表面が露出しない程度であればよく、例えば、０．０５〜０．１μｍ程度であればよい。
【００４２】
次いで、導体層１４を被覆するためのカバー絶縁層１８を、第３孔３２が形成される所定のパターンとして形成する。カバー絶縁層１８を形成するための絶縁体としては、ベース絶縁層１３と同様の絶縁体が用いられ、感光性のポリイミド樹脂が好ましく用いられる。
【００４３】
そして、例えば、感光性のポリイミド樹脂を用いて、導体層１４の上に、第３孔３２が形成される所定のパターンとしてカバー絶縁層１８を形成するには、図４（ｂ）に示すように、第１孔３０を含むベース絶縁層１３および金属皮膜２２の上に、感光性ポリイミド樹脂前駆体の溶液を、全面に塗工した後、例えば、６０〜１５０℃、好ましくは、８０〜１２０℃で加熱することにより、感光性ポリイミド樹脂前駆体の皮膜１８ａを形成し、次に、図４（ｃ）に示すように、皮膜１８ａにおける第３孔３２を形成する部分、および、その他、所定のパターンに形成する部分（図４では端部）の上に、フォトマスク２５を対向配置して、そのフォトマスク２５を介して、皮膜１８ａを露光させ、必要により露光部分を所定の温度に加熱した後、現像することにより、皮膜１３ａを、第３孔３２が形成される所定のパターンとする。なお、この露光および現像の条件は、ベース絶縁層１３を露光および現像する条件と同様の条件でよい。また、ネガ型でパターンを得ることが好ましく、図４においては、ネガ型でパターンニングする態様として示されている。
【００４４】
そして、このようにしてパターン化されたポリイミド樹脂前駆体の皮膜１８ａを、図４（ｄ）に示すように、例えば、最終的に２５０℃以上に加熱することによって、硬化（イミド化）させ、これによって、ポリイミド樹脂からなるカバー絶縁層１８を、第３孔３２が形成される所定のパターンとして形成する。なお、カバー絶縁層１８の厚さは、例えば、１〜３０μｍ、好ましくは、２〜５μｍである。
【００４５】
第３孔３２は、カバー絶縁層１８の厚さ方向を貫通し、第２孔３１および第１孔３０と連通して、その底部において支持基板１２の上に形成される金属皮膜２２が露出するような状態で、各第２孔３１に対応して各第２孔３１と重なる位置に複数形成される。また、その形状は、矩形状、多角形状、円形状など特に制限されないが、通常は、第２孔３１と同じ形状で形成される。また、その大きさは、後述するように、はんだペーストをカバー絶縁層１８側からスクリーン印刷した時に第２孔３１に向かって良好に流れるように、第２孔３２よりも大きく（広く）形成されていることが好ましく、例えば、孔の最大開口長さとして、２００〜６００μｍ、さらには、２５０〜５００μｍとして形成されていることが好ましい。
【００４６】
これによって、第１孔３０と、その第１孔３０より大きい第２孔３１と、その第２孔３１より大きい第３孔３２とが連通され、貫通孔３４が形成される。
【００４７】
次いで、図５に示すように、支持基板１２におけるベース絶縁層１３の第１孔３０と重なる位置に、開口部３３を形成するとともに、貫通孔３４にはんだ３５を充填することにより、外部側接続端子部１７を形成し、これによって、回路付サスペンション基板１１を得る。
【００４８】
支持基板１２にベース絶縁層１３の第１孔３０と重なる位置に開口部３３を形成するには、図５（ａ）に示すように、支持基板１２における第１孔３０に対向する部分を、例えば、ドリル穿孔、パンチ加工、ウエットエッチング（化学エッチング）すればよい。なお、この開口部３３の形成とともに、支持基板１２の上に形成されている金属皮膜２２を除去し、支持基板１２を、ジンバル１５などの所定の形状に切り抜くことが好ましい。
【００４９】
開口部３３は、支持基板１２の厚さ方向を貫通し、第３孔３２、第２孔３１および第１孔３０からなる貫通孔３４と連通する状態で、各第１孔３０に対応して各第１孔３０と重なる位置に複数形成される。また、その形状は、矩形状、多角形状、円形状など特に制限されないが、通常は、第１孔３０と同じ形状で形成される。また、その大きさは、充填されるはんだ３５と開口部３３の周りの支持基板１２とが接触しないように（つまり、はんだ３５と支持基板１２とが電気的に遮断されるように）、第１孔３０よりも大きく（広く）形成されていることが好ましく、例えば、最大開口長さとして、１００〜８００μｍ、さらには、２００〜８００μｍとして形成されていることが好ましい。
【００５０】
次に、図５（ｂ）に示すように、貫通孔３４にはんだ３５を充填する。
【００５１】
はんだ３５は、特に制限されず、例えば、鉛、錫、銀、銅、またはこれらの合金などが用いられる。これらのうち、通常、鉛および錫からなるはんだが用いられる。また、はんだ３５を充填するには、例えば、はんだの粉末と有機バインダーとを混合してはんだぺーストを調製し、このはんだぺーストを、例えば、スクリーン印刷法などによって、貫通孔３４内における第１孔３０、第２孔３１および第３孔３２に充填した後、リフロー炉などで加熱して、有機バインダーを焼失除去すればよい。その後、必要により、水洗あるいは有機溶媒により洗浄する。
【００５２】
これによって、カバー絶縁層１８、導体層１４およびベース絶縁層１３を貫通する貫通孔３４にはんだ３５が充填されるとともに、その充填されたはんだ３５が支持基板１２の開口部３３から露出する外部側接続端子１７が形成される。
【００５３】
なお、はんだペーストは、通常、カバー絶縁層１８の第３孔３２側から充填することが好ましい。支持基板１２の開口部３３側から充填すると、充填するはんだペーストが、開口部３３の周りの支持基板１２に付着して、はんだ３５と支持基板１２とが短絡してしまう場合がある。
【００５４】
また、はんだ３５は、必ずしも、貫通孔３４内における第１孔３０、第２孔３１および第３孔３２のすべてに充填されずとも、後述するリード・ライト端子２８との接続時において、溶融して、導体層１４からリード・ライト端子２８に到達する量が充填されていればよいが、少なくとも、ベース絶縁層１３の第１孔３０および導体層１４の第２孔３１に充填されていることが好ましく、より好ましくは、接続時に後述するヒートツール３８が確実に接触して溶融することができるように、カバー絶縁層１８の表面よりも高く充填されていることが好ましい。
【００５５】
そして、本発明では、上記の開口部３３の形成およびはんだ３５の充填において、はんだ３５と支持基板１２とが短絡しないように、図６（ａ）に示すように、開口部３３の形成において、ベース絶縁層１３の第１孔３０の周りにリング状の導通部３６が残るようにして開口部３３を形成する。（なお、導通部３６と支持基板１２とは開口部３３を隔てているので短絡することはない。）このようにすれば、図６（ｂ）に示すように、後述するリード・ライト端子２８が形成されるリード・ライト基板２９の端子形成部分３７が、開口部３３よりも大きい（広い）場合でも、導通部分３６によってリード・ライト端子２８を支持することができるので、確実な接続を確保することができる。なお、図６においては、下地１９や金属皮膜２２は省略されている。
【００５６】
そして、この方法によって得られる回路付サスペンション基板１１では、カバー絶縁層１８、導体層１４およびベース絶縁層１３を貫通する貫通孔３４に、はんだ３５を充填することにより外部側接続端子１７が形成されているので、導体層１４の両面にニッケルめっき層や金めっき層を順次形成する必要がなく、工数および手間を低減して、コストの低減化を図ることができる。
【００５７】
しかも、この方法においては、ベース絶縁層１３に予め第１孔３０を形成するため、従来のように、支持基板１２をウエットエッチングした後に、ベース絶縁層１３をドライエッチングする必要がなく、レーザエッチングやプラズマエッチングするための高価な装置などが不要になるとともに、そのような装置のメンテナンス費用などもかからず、より一層、コストの低減化を図ることができる。そのため、この方法によれば、簡易かつ確実に、外部側接続端子１７を低コストで製造することができる。
【００５８】
次に、このようにして形成された回路付サスペンション基板１１の外部側接続端子１７を、例えば、リード・ライト基板２９のリード・ライト端子２８に接続する方法について、図７を参照して説明する。なお、図７においては、下地１９や金属皮膜２２は省略されている。
【００５９】
この接続方法では、図７（ａ）に示すように、まず、支持基板１２の開口部３３に、リード・ライト基板２９の端子形成部分３７を配置して、リード・ライト端子２８を、ベース絶縁層１３の第１孔３０側から露出するはんだ３５に対向配置する。そして、図７（ｂ）に示すように、カバー絶縁層１８側において、加熱手段としてのヒートツール３８を、そのカバー絶縁層１８の第３孔３２側から露出するはんだ３５に押し当てれば、はんだ３５が加熱溶融されて流動し、これによって、はんだ３５とリード・ライト端子２８とが接合されることにより、回路付サスペンション基板１１の外部側接続端子１７と、リード・ライト基板２９のリード・ライト端子２８とが接続される。なお、ヒートツール３８は、はんだ３５を溶融し得る温度に加熱可能なものであれば、特に限定されることはなく、公知のものが用いられる。また、このような接合は、例えば、２００〜４００℃、好ましくは、２５０〜３５０℃で、１．９〜７．８Ｎ、好ましくは、３．５〜７．０Ｎで加圧しながら、１〜１０秒、好ましくは、３〜８秒、熱圧着させることが好ましい。
【００６０】
このような接続方法によれば、はんだ３５にヒートツール３８を押し当てるのみの簡易な作業により、外部側接続端子１７とリード・ライト端子２８とを確実に接続することができ、作業効率および接続信頼性を向上させることができる。
【００６１】
なお、以上の説明においては、接続端子部を、外部側接続端子１７を例にとって説明したが、接続端子部は、外部端子と接続するためのものであれば、特に限定されることはなく、例えば、磁気ヘッド側接続端子１６であってもよい。また、以上の説明においては、外部端子を、リード・ライト端子２８を例にとって説明したが、外部端子は、接続端子部と接続されるのものであれば、特に限定されることはなく、例えば、ピエゾ素子や、回路付サスペンション基板がショートテールタイプのものであれば、中継用基板の中継端子などであってもよい。
【００６２】
すなわち、以上に説明した回路付サスペンション基板１１は、その外部側接続端子１７がリード・ライト基板２９のリード・ライト端子２８と接続するような、いわゆるロングテールタイプのものであるが、回路付サスペンション基板は、これに限定されることはなく、例えば、図８に示すように、いわゆるショートテールタイプの回路付サスペンション基板１１であってもよい。すなわち、ショートテールタイプの回路付サスペンション基板１１は、中継用基板３９を介してリード・ライト基板２９と接続されており、その回路付サスペンション基板１１の外部側接続端子１７が、中継用基板の中継端子４０と接続される。
【００６３】
また、以上の説明においては、加熱手段を、ヒートツール３８を例にとって説明したが、加熱手段は、はんだを溶融し得るものであれば、特に限定されることはなく、例えば、レーザ照射などであってもよい。
【００６４】
【実施例】
以下に参考例を示し、本発明をさらに具体的に説明するが、本発明は、何ら参考例に限定されることはない。
【００６５】
参考例１
厚さ２５μｍのステンレス箔の上に、感光性ポリアミック酸樹脂の溶液を塗工した後、１３０℃で加熱することにより、感光性ポリアミック酸樹脂の皮膜を形成した。次いで、皮膜をフォトマスクを介して露光（４０５ｎｍ、１５００ｍＪ／ｃｍ２）させ、露光部分を１８０℃に加熱した後、アルカリ現像液を用いて現像することにより、その皮膜をネガ型の画像でパターン化した。次いで、パターン化された感光性ポリアミック酸樹脂の皮膜を、３５０℃で加熱して、硬化（イミド化）させ、これによって、厚さ１５μｍのポリイミド樹脂からなるベース絶縁層を所定のパターンで形成した。なお、このベース絶縁層のパターン化においては、外部側接続端子を形成する部分に、孔径２００μｍの第１孔が形成されるようにした。
【００６６】
次いで、ステンレス箔およびベース絶縁層の全面に、厚さ３００Åのクロム薄膜と厚さ７００Åの銅薄膜とをスパッタ蒸着法によって順次形成した後、所定の配線回路パターンと逆パターンのめっきレジストを、ドライフィルムレジストを用いて形成し、そして、電解銅めっきにより、下地におけるめっきレジストが形成されていない部分に、所定の配線回路パターンの導体層を形成した。なお、この導体層のパターン化においては、外部側接続端子を形成する部分において、第１孔と重なる位置に孔径３００μｍの第２孔が形成されるようにした。
【００６７】
その後、めっきレジストを、化学エッチングによって除去した後、めっきレジストが形成されていたクロム薄膜および銅薄膜を、化学エッチングにより除去した。なお、この導体層は、厚さ２０μｍで、そのパターンを、各配線の幅２０μｍ、各配線間の間隔が３０μｍの、互いに所定の間隔を隔てて平行状に配置される、４本の配線パターンとした。
【００６８】
次いで、導体層の表面、および、ステンレス箔の表面に、無電解ニッケルめっきによって、厚さ０．１μｍの硬質のニッケル皮膜を形成した後、ニッケル皮膜およびベース絶縁層の上に、感光性ポリアミック酸樹脂の溶液を塗工した後、１３０℃で加熱することにより、感光性ポリアミック酸樹脂の皮膜を形成し、次いで、皮膜をフォトマスクを介して露光（４０５ｎｍ、１５００ｍＪ／ｃｍ２）させ、露光部分を１８０℃に加熱した後、アルカリ現像液を用いて現像することにより、この皮膜によって導体層が被覆されるようにパターン化した。次いで、パターン化された感光性ポリアミック酸樹脂の皮膜を、３５０℃で加熱して、硬化（イミド化）させ、これによって、厚さ３μｍのポリイミド樹脂からなるカバー絶縁層を、導体層の上に形成した。なお、このカバー絶縁層のパターン化においては、外部側接続端子を形成する部分において、第２孔と重なる位置に孔径４００μｍの第３孔が形成されるようにした。
【００６９】
その後、ステンレス箔の表面と導体層における外部側接続端子を形成する部分とに形成されているニッケル皮膜を剥離し、次いで、ステンレス箔を、化学エッチングによって、所定の形状に切り抜きくと同時に、ベース絶縁層の第１孔に対向する部分を、第１孔より大きく開口（開口径４００μｍ）し、その後、洗浄および乾燥した。
【００７０】
そして、第１孔、第２孔および第３孔によって連通形成されている貫通孔に、カバー絶縁層側から、はんだペーストをスクリーン印刷し、リフロー炉で加熱することにより、外部側接続端子を形成した。
【００７１】
次いで、リード・ライト基板のリード・ライト端子を、支持基板の開口部側から、ベース絶縁層の第１孔から露出するはんだと対向するように配置し、その後、カバー絶縁層側から、ヒートツールを、そのカバー絶縁層の第３孔から露出するはんだに押し当てることにより、回路付サスペンション基板の外部側接続端子と、リード・ライト基板のリード・ライト端子とを接続した。なお、この接続時の熱圧着条件は、３００℃、３．９Ｎ、７秒であった。
【００７２】
【発明の効果】
以上述べたように、本発明の回路付サスペンション基板では、絶縁層および導体層を貫通する貫通孔に、はんだを充填することにより接続端子部が形成されているので、その製造時において、従来のように、導体層の両面にニッケルめっき層や金めっき層を順次形成する必要がなく、工数および手間を低減して、コストの低減化を図ることができる。
【００７３】
しかも、本発明の接続端子部の製造方法によれば、絶縁層に予め孔を形成するため、従来のように、支持基板をウエットエッチングした後に、絶縁層をドライエッチングする必要がなく、レーザエッチングやプラズマエッチングするための高価な装置などが不要になるとともに、そのような装置のメンテナンス費用などもかからず、より一層、コストの低減化を図ることができる。そのため、本発明の接続端子部の製造方法によれば、簡易かつ確実に、接続端子部を低コストで製造することができる。
【００７４】
また、本発明の接続方法によれば、はんだに加熱手段を接触させるのみの簡易な作業により、接続端子部と前記外部端子とを確実に接続することができ、作業効率および接続信頼性を向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の回路付サスペンション基板の参考形態を示す平面図である。
【図２】支持基板を用意して、その支持基板の上に、第１孔が形成される所定のパターンでベース絶縁層を形成する工程を示す断面図であって、（ａ）は、支持基板を用意する工程、（ｂ）は、その支持基板の上に、感光性ポリイミド樹脂前駆体の皮膜を形成する工程、（ｃ）は、その皮膜を、フォトマスクを介して露光させて、現像することにより、第１孔が形成される所定のパターンとする工程、（ｄ）は、パターン化された皮膜を硬化させて、第１孔を有するベース絶縁層を形成する工程を示す。
【図３】ベース絶縁層の上に、第２孔が形成される所定の配線回路パターンで導体層を形成する工程を示す断面図であって、（ａ）は、支持基板およびベース絶縁層に、下地を形成する工程、（ｂ）は、下地の上に、第２孔が形成される所定の配線回路パターンと逆パターンのめっきレジストを形成する工程、（ｃ）は、ベース絶縁層におけるめっきレジストが形成されていない部分に、電解めっきにより、第２孔が形成される所定の配線回路パターンの導体層を形成する工程、（ｄ）は、めっきレジストを除去する工程、（ｅ）は、下地を除去する工程を示す。
【図４】第２孔が形成される配線回路パターンにおける導体層の表面を金属皮膜により保護した後、第３孔を有するカバー絶縁層により被覆する工程を示す断面図であって、（ａ）は、導体層の表面に、金属皮膜を形成する工程、（ｂ）は、ベース絶縁層および金属皮膜の上に、感光性ポリイミド樹脂前駆体の皮膜を形成する工程、（ｃ）は、その皮膜を、フォトマスクを介して露光させて、現像することにより、その皮膜を、第３孔が形成されるパターンにパターン化する工程、（ｄ）は、パターン化された皮膜を硬化させて、第３孔を有するカバー絶縁層を形成する工程を示す。
【図５】支持基板におけるベース絶縁層の第１孔と重なる位置に開口部を形成するとともに、第３孔、第２孔および第１孔が連通される貫通孔に、はんだを充填する工程を示す断面図であって、（ａ）は、支持基板における第１孔に対向する部分を開口する工程、（ｂ）は、貫通孔にはんだを充填する工程を示す。
【図６】本発明の回路付サスペンション基板の支持基板におけるベース絶縁層の第１孔と重なる位置に開口部を形成する工程の一実施形態を示す断面図であって、（ａ）は、開口部の形成において、ベース絶縁層の第１孔の周りにリング状の導通部が残るようにして開口部を形成する工程、（ｂ）は、導通部分によってリード・ライト端子を支持している状態を示す。
【図７】回路付サスペンション基板の外部側接続端子を、リード・ライト基板のリード・ライト端子と接続する工程を示す断面図であって、（ａ）は、リード・ライト端子をベース絶縁層の第１孔側から露出するはんだに対向配置する工程、（ｂ）は、ヒートツールをカバー絶縁層の第３孔側から露出するはんだに押し当てる工程を示す。
【図８】ショートテールタイプの回路付サスペンション基板を示す平面図である。
【図９】従来の回路付サスペンション基板の外部側接続端子部を形成する工程を示す断面図であって、（ａ）は、支持基板の上にベース絶縁層を形成し、ベース絶縁層の上に所定の配線回路パターンとして導体層を形成し、導体層の上にカバー絶縁層を形成する工程、（ｂ）は、導体層の上にカバー絶縁層を形成する時に、カバー絶縁層における接続端子部形成部分を開口形成する工程、（ｃ）は、カバー絶縁層の開口部に対向する支持基板の接続端子部形成部分を開口形成する工程、（ｄ）は、支持基板の開口部内に露出するベース絶縁層の接続端子部形成部分を開口形成する工程、（ｅ）は、導体層の両面に、ニッケルめっき層および金めっき層を順次形成する工程を示す。
【符号の説明】
１１  回路付サスペンション基板
１２  支持基板
１３  ベース絶縁層
１４  導体層
１７  外部側接続端子
２８  リード・ライト端子
３０  第１孔
３１  第２孔
３２  第３孔
３３  開口部
３４  貫通孔
３５  はんだ
３８  ヒートツール
【図１】
0004676631.tif 000002
【図２】
0004676631.tif 000003
【図３】
0004676631.tif 000004
【図４】
0004676631.tif 000005
【図５】
0004676631.tif 000006
【図６】
0004676631.tif 000007
【図７】
0004676631.tif 000008
【図８】
0004676631.tif 000009
【図９】
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