(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板を収納する複数のチャンバと，該複数のチャンバに基板を搬入出させる搬送装置とを備えたマルチチャンバ型の基板処理システムであって，
前記複数のチャンバは，
ゲートバルブを介して前記搬送装置に接続され，２枚の基板を固定式に支持可能な第１のチャンバと，
ゲートバルブを介して前記搬送装置に接続され，１枚の基板を支持可能な第２のチャンバと，
ゲートバルブを介して前記搬送装置に接続され，２枚の基板を上下可動式に支持可能な第３のチャンバと，を備え，
前記搬送装置は，基板を保持する２つのアームを備え，
前記第３のチャンバに対しては，前記２つのアームを同時に進入させて，一方のアームで基板を搬出し，他方のアームで基板を搬入する状態と，
前記第１，２のチャンバに対しては，前記２つのアームを互いに異なるタイミングで進入させて，一方のアームで基板を搬出し，他方のアームで基板を搬入する状態とに切り替え可能に構成されていることを特徴とする基板処理システム。
【請求項２】
前記第１のチャンバはロードロックチャンバであり，前記第２のチャンバはＣＶＤ処理チャンバであり，前記第３のチャンバはアニールチャンバであることを特徴とする請求項１に記載の基板処理システム。
【請求項３】
前記搬送装置は，ロードロックチャンバ，ＣＶＤ処理チャンバ，アニールチャンバ，ロードロックチャンバの順に，前記２つのアームを同時に進入させて，一方のアームで基板を搬出し，他方のアームで基板を搬入する状態と，前記２つのアームを互いに異なるタイミングで進入させて，一方のアームで基板を搬出し，他方のアームで基板を搬入する状態とに切り替えながら，基板を搬送することを特徴とする請求項２に記載の基板処理システム。
【請求項４】
前記第１のチャンバに対しては，前記２つのアームの一方の退出と他方の進入を同時に行うことを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載の基板処理システム。
【請求項５】
前記第２のチャンバに対しては，前記２つのアームの一方の退出と他方の進入を異なるタイミングで行うことを特徴とする請求項１〜４のいずれかに記載の基板処理システム。
【請求項６】
基板を収納する複数のチャンバと，該複数のチャンバに基板を搬入出させる搬送装置とを備えたマルチチャンバ型の基板処理システムであって，前記複数のチャンバは，ゲートバルブを介して前記搬送装置に接続され，２枚の基板を固定式に支持可能な第１のチャンバと，ゲートバルブを介して前記搬送装置に接続され，１枚の基板を支持可能な第２のチャンバと，ゲートバルブを介して前記搬送装置に接続され，２枚の基板を上下可動式に支持可能な第３のチャンバと，を備え，前記搬送装置は，基板を保持する２つのアームを備えた基板処理システムを用いた基板処理方法において，
前記第３のチャンバに対しては，前記２つのアームを同時に進入させて，一方のアームで基板を搬出し，他方のアームで基板を搬入し，
前記第１，２のチャンバに対しては，前記２つのアームを互いに異なるタイミングで進入させて，一方のアームで基板を搬出し，他方のアームで基板を搬入するように切り替えることを特徴とする基板処理方法。
【請求項７】
前記第１のチャンバはロードロックチャンバであり，前記第２のチャンバはＣＶＤ処理チャンバであり，前記第３のチャンバはアニールチャンバであることを特徴とする請求項６に記載の基板処理方法。
【請求項８】
前記搬送装置は，ロードロックチャンバ，ＣＶＤ処理チャンバ，アニールチャンバ，ロードロックチャンバの順に，前記２つのアームを同時に進入させて，一方のアームで基板を搬出し，他方のアームで基板を搬入する状態と，前記２つのアームを互いに異なるタイミングで進入させて，一方のアームで基板を搬出し，他方のアームで基板を搬入する状態とに切り替えながら，基板を搬送することを特徴とする請求項７に記載の基板処理方法。
【請求項９】
前記第１のチャンバに対しては，前記２つのアームの一方の退出と他方の進入を同時に行うことを特徴とする請求項６〜８のいずれかに記載の基板処理方法。
【請求項１０】
前記第２のチャンバに対しては，前記２つのアームの一方の退出と他方の進入を異なるタイミングで行うことを特徴とする請求項６〜９のいずれかに記載の基板処理方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は，ロードロック・チャンバ及び基板処理チャンバ等の複数のチャンバと，これら複数のチャンバ間で基板を搬送するための搬送チャンバとを用いた基板処理システム及び方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来より，ＬＣＤ（液晶ディスプレイ）や半導体ウェハ等の基板に基板処理を行うための種々の基板処理方法及び装置が開示されている。例えば，特許文献１には，基板を搬送する搬送チャンバの周囲に，基板を搬入出するためのロードロック・チャンバと搬入された基板に対して減圧雰囲気下でエッチング等の基板処理を行う種々の基板処理チャンバ等とが設けられたマルチチャンバ型の基板処理システムが開示されている。
【０００３】
このようなマルチチャンバ型の基板処理システムでは，装置のスループットを向上させるように種々の技術が用いられている。例えば，上記特許文献１に記載された基板処理システムでは，基板処理チャンバ内に２つの基板を同時に支持可能な２段式の支持部材が設けられており，それにより，基板搬送用アームの基板処理チャンバ内への１度の進出動作によって処理済み基板と未処理基板との交換が可能にされている。
【特許文献１】特開２００１−１６０５８４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら，上記特許文献１に記載されている２段式の支持部材を用いた基板処理チャンバは，基板の搬入出を２段同時に行うことが可能であるが，例えば，チャンバ内部を複雑にすることが望ましくないＣＶＤ処理等のように，基板処理の種類によっては２段同時に処理することが好ましくない場合がある。このような基板処理に対しては，通常，１段式の支持部材を用いた基板処理チャンバが用いられる。
【０００５】
このように，１段式の支持部材を用いた基板処理チャンバに対しては，基板の搬入出は１段ずつ別々に行われる。従って，１段式の基板処理チャンバと２段式の基板処理チャンバが混在する場合，一律的な方法で基板の搬入出を行う従来的な基板処理システム及び基板処理方法では，２段式の基板処理チャンバに対しても１段式と同様に基板の搬入出を１段ずつ別々に行うことになり，スループットが低下してしまう。
【０００６】
本発明は上記課題に鑑みてなされたものであり，１段式又は２段式の１以上の基板処理チャンバが混在し得るマルチチャンバ型の基板処理システムにおいて，チャンバの種類に応じて最適な基板の搬入出の方法が用いられるようにして，スループットを向上させる基板処理システム及び方法を提供することをその目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記課題を解決するために，本発明によれば，基板を収納する複数のチャンバと，該複数のチャンバに基板を搬入出させる搬送装置とを備えたマルチチャンバ型の基板処理システムであって，前記複数のチャンバは，ゲートバルブを介して前記搬送装置に接続され，２枚の基板を固定式に支持可能な第１のチャンバと，ゲートバルブを介して前記搬送装置に接続され，１枚の基板を支持可能な第２のチャンバと，ゲートバルブを介して前記搬送装置に接続され，２枚の基板を上下可動式に支持可能な第３のチャンバと，を備え，前記搬送装置は，基板を保持する２つのアームを備え，前記第３のチャンバに対しては，前記２つのアームを同時に進入させて，一方のアームで基板を搬出し，他方のアームで基板を搬入する状態と，前記第１，２のチャンバに対しては，前記２つのアームを互いに異なるタイミングで進入させて，一方のアームで基板を搬出し，他方のアームで基板を搬入する状態とに切り替え可能に構成されていることを特徴とする基板処理システムが提供される。
【０００８】
また，上記基板処理システムにおいて，前記第１のチャンバはロードロックチャンバであり，前記第２のチャンバはＣＶＤ処理チャンバであり，前記第３のチャンバはアニールチャンバであっても良い。この場合，前記搬送装置は，ロードロックチャンバ，ＣＶＤ処理チャンバ，アニールチャンバ，ロードロックチャンバの順に，前記２つのアームを同時に進入させて，一方のアームで基板を搬出し，他方のアームで基板を搬入する状態と，前記２つのアームを互いに異なるタイミングで進入させて，一方のアームで基板を搬出し，他方のアームで基板を搬入する状態とに切り替えながら，基板を搬送しても良い。また，前記第１のチャンバに対しては，前記２つのアームの一方の退出と他方の進入を同時に行っても良い。また，前記第２のチャンバに対しては，前記２つのアームの一方の退出と他方の進入を異なるタイミングで行っても良い。
【０００９】
また，上記課題を解決するために，本発明によれば，基板を収納する複数のチャンバと，該複数のチャンバに基板を搬入出させる搬送装置とを備えたマルチチャンバ型の基板処理システムであって，前記複数のチャンバは，ゲートバルブを介して前記搬送装置に接続され，２枚の基板を固定式に支持可能な第１のチャンバと，ゲートバルブを介して前記搬送装置に接続され，１枚の基板を支持可能な第２のチャンバと，ゲートバルブを介して前記搬送装置に接続され，２枚の基板を上下可動式に支持可能な第３のチャンバと，を備え，前記搬送装置は，基板を保持する２つのアームを備えた基板処理システムを用いた基板処理方法において，前記第３のチャンバに対しては，前記２つのアームを同時に進入させて，一方のアームで基板を搬出し，他方のアームで基板を搬入し，前記第１，２のチャンバに対しては，前記２つのアームを互いに異なるタイミングで進入させて，一方のアームで基板を搬出し，他方のアームで基板を搬入するように切り替えることを特徴とする基板処理方法が提供される。
【００１０】
上記基板処理方法において，前記第１のチャンバはロードロックチャンバであり，前記第２のチャンバはＣＶＤ処理チャンバであり，前記第３のチャンバはアニールチャンバであっても良い。また，前記搬送装置は，ロードロックチャンバ，ＣＶＤ処理チャンバ，アニールチャンバ，ロードロックチャンバの順に，前記２つのアームを同時に進入させて，一方のアームで基板を搬出し，他方のアームで基板を搬入する状態と，前記２つのアームを互いに異なるタイミングで進入させて，一方のアームで基板を搬出し，他方のアームで基板を搬入する状態とに切り替えながら，基板を搬送しても良い。また，前記第１のチャンバに対しては，前記２つのアームの一方の退出と他方の進入を同時に行っても良い。また，前記第２のチャンバに対しては，前記２つのアームの一方の退出と他方の進入を異なるタイミングで行っても良い。
【発明の効果】
【００１１】
本発明によれば，１段式又は２段式の１以上の基板処理チャンバが混在し得るマルチチャンバ型の基板処理システムにおいて，チャンバの種類に応じて最適な基板の搬入出の方法が用いられるようにして，スループットを向上させることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１２】
以下，本発明の実施の形態を，基板の一例としてのＬＣＤ（Ｌｉｑｕｉｄ  Ｃｒｙｓｔａｌ  Ｄｉｓｐｌａｙ；液晶表示装置）用のガラス基板Ｇ上に対して，ＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｖａｐｏｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）処理により薄膜を成膜する工程と，その後のアニール工程とを実施する基板処理システムに基づいて説明する。図１は，本発明の実施の形態にかかる基板処理システム１の概略的な構成を示した平面図である。図２は，基板処理システム１の概略的な構成を示した側面図である。図１，２に示す処理システム１は，いわゆるマルチチャンバ型の基板処理システムであり，基板処理システム１の外部に対して基板Ｇを搬入出させ，また，処理部３に対して基板Ｇを搬入出させるための搬入出部２と，ＣＶＤ処理等を行う処理部３とを備えている。搬入出部２と処理部３との間には，ロードロック装置５が設置されている。
【００１３】
搬入出部２には，複数枚の基板Ｇを収納したカセットＣを載置する載置台１１と，基板Ｇを搬送する第１の搬送装置１２とが設けられている。載置台１１上には，図１において略水平方向のＸ軸方向に沿って，複数のカセットＣが並べられる。図２に示すように，載置台１１上のカセットＣ内には，略長方形の薄板状の基板Ｇが，略水平な姿勢で複数枚上下に並べて収納されている。
【００１４】
搬送装置１２は，水平方向のＹ軸方向において載置台１１の後方（図１，２においては右方）に備えられている。また，搬送装置１２は，Ｘ軸方向に沿って延設されたレール１３と，レール１３に沿って水平方向に移動可能な搬送機構１４とを備えている。搬送機構１４は，１枚の基板Ｇを略水平に保持する進退自在な搬送アーム１５を備えており，搬送機構１４は，搬送アーム１５を，Ｚ軸方向（鉛直方向）に昇降させるとともに略水平面内で旋回可能に支持している。即ち，搬送機構１４の稼動によって載置台１１上の各カセットＣの正面に設けられた開口１６に搬送アーム１５をアクセスさせて，各高さの基板Ｇを１枚ずつ取り出したり収納したりすることができる構成になっている。また，搬送装置１２を挟んで載置台１１と対向する側（Ｙ軸方向において搬送装置１２の後方）に設けられたロードロック装置５に対して，搬送アーム１５をアクセスさせ，基板Ｇを１枚ずつ搬入及び搬出させることができる。
【００１５】
図２に示すように，ロードロック装置５は，一対のロードロック・チャンバ，即ち，第１のロードロック・チャンバ２１及び第２のロードロック・チャンバ２２によって構成されている。第１のロードロック・チャンバ２１と第２のロードロック・チャンバ２２は，上下に積み重ねた多層式の構成にされており，図示の例では，第１のロードロック・チャンバ２１の上に第２のロードロック・チャンバ２２が設けられた２層式に構成されている。また，Ｙ軸方向においてロードロック・チャンバ２１の前側（図２においては左側）には，後述するロードロック・チャンバ２１の搬入口６８を開閉するゲートバルブ２５が設けられており，Ｙ軸方向においてロードロック・チャンバ２１の後側には，後述するロードロック・チャンバ２１の搬出口６９を開閉するゲートバルブ２６が設けられている。Ｙ軸方向においてロードロック・チャンバ２２の後側には，後述するロードロック・チャンバ２２の搬入口８２を開閉するゲートバルブ２７が設けられており，Ｙ軸方向においてロードロック・チャンバ２２の前側には，後述するロードロック・チャンバ２２の搬出口８１を開閉するゲートバルブ２８が設けられている。かかる構成において，各ゲートバルブ２５，２８を閉じることにより，搬入出部２の雰囲気とロードロック・チャンバ２１，２２内の雰囲気とをそれぞれ遮断できるようになっている。また，各ゲートバルブ２６，２７を閉じることにより，処理部３の雰囲気とロードロック・チャンバ２１，２２内の雰囲気とをそれぞれ遮断できるようになっている。なお，基板Ｇは，搬入出部２から上段及び下段のロードロック・チャンバ２１及び２２を介して処理部３に搬入され，処理部３で処理された後，ロードロック・チャンバ２１及び２２を介して搬入出部２に搬出される。各ロードロック・チャンバ２１，２２の構造については，後に詳細に説明する。
【００１６】
図１に示すように，処理部３には，基板Ｇを収納してＣＶＤ処理等の処理を施す複数，例えば５つの基板処理チャンバ３０Ａ〜３０Ｅ，及び，ロードロック装置５と各基板処理チャンバ３０Ａ〜３０Ｅとの間で基板Ｇを搬送する第２の搬送装置３１が備えられている。第２の搬送装置３１は，密閉構造の搬送チャンバ３２内に設けられた搬送室３３に格納されている。搬送チャンバ３２は，Ｙ軸方向においてロードロック装置５の後方に設けられている。また，ロードロック装置５，及び基板処理チャンバ３０Ａ〜３０Ｅは，搬送チャンバ３２の周囲を囲むように配置されている。
【００１７】
搬送室３３とロードロック・チャンバ２１，２２の間には，前述したゲートバルブ２６，２７がそれぞれ設けられており，各ゲートバルブ２６，２７によって搬送室３３内の雰囲気とロードロック・チャンバ２１，２２内の雰囲気とをそれぞれ遮断できるようになっている。搬送室３３と各基板処理チャンバ３０Ａ〜３０Ｅとの間には，それぞれゲートバルブ３５A〜３５Ｅが設けられており，各ゲートバルブ３５A〜３５Ｅによって基板処理チャンバ３０Ａ〜３０Ｅの開口を気密に閉塞し，搬送室３３内の雰囲気と各基板処理チャンバ３０Ａ〜３０Ｅ内の雰囲気とをそれぞれ遮断できるようになっている。また，図２に示すように，搬送室３３内を強制排気して減圧させるための排気路３６が設けられている。基板処理システム１における処理時，処理部３の搬送室３３，基板処理チャンバ３０Ａ〜３０Ｅ内は，搬入出部２よりも減圧雰囲気にされ，例えば真空状態にされる。
【００１８】
第２の搬送装置３１は，例えば，互いに独立して伸縮可能な２本の多関節リンクの搬送アーム５１及び５２を備えている。図３に示すように，搬送アーム５１は，プレート状のピン用基部５３をその先端に備えている。このピン用基部５３には，１枚の基板Ｇを略水平面内に保持可能なように平行に突出する一対のピン５５，５６が設けられている。搬送アーム５２も搬送アーム５１と同様に，ピン用基部５４をその先端に備えている。このピン用基部５４は，ピン用基部５３と概ね同一形状のプレート部分５７及びこのプレート部分５７をピン用基部５３と平行にその上方に支持する支持部５８を有する。ピン用基部５４のプレート部分５７には，ピン用基部５３の上方の略水平面内で，１枚の基板Ｇを保持可能なように，平行に突出する一対のピン５９，６０が設けられている。即ち，搬送アーム５１及び搬送アーム５２は，高さの異なる略水平面内で基板Ｇを１枚ずつ同時に保持することが可能である。なお，ピン用基部５３及び５４は，搬送アーム５１及び５２が基板Ｇを保持した状態又は保持しない状態で伸縮する際に，互いの運動を妨げないように摺動可能にすれ違うことが可能なように構成されている。搬送アーム５１及び５２が設けられている支持体６１は，Ｚ軸方向に屈伸及び略水平面内で旋回可能に別の支持体６２に支持されている。従って，搬送アーム５１及び５２は，各ロードロック・チャンバ２１，２２又は基板処理チャンバ３０Ａ〜３０Ｅに，各ゲートバルブ２６，２７，３５Ａ〜３５Ｅを介して搬送アーム５１又は５２をアクセスさせて，基板Ｇを１枚ずつ搬入及び搬出させることができるように構成されている。
【００１９】
次に，前述した同一構成のロードロック・チャンバ２１及び２２について，ロードロック・チャンバ２１を用いて詳細に説明する。図４に示すように，密閉構造のロードロック・チャンバ２１は，略水平な２段の基板支持レベルを有し，一度に２枚の基板Ｇをその内部に保持可能な構成にされている。上段支持レベルは，対向する一対のハンド６３ａ及び６３ｂで規定され，下段支持レベルは，対向する一対のハンド６４ａ及び６４ｂで規定される。
【００２０】
各ハンド６３ａ，６３ｂ，６４ａ及び６４ｂは，いずれも固定された基部６６に基板Ｇを支持するための固定式のフィンガ６５を取付けた構成を有する。
【００２１】
ロードロック・チャンバ２１の搬入出部２側，即ち，Ｙ軸方向において手前側には，ロードロック・チャンバ２１に基板Ｇを搬入するための搬入口６８が設けられている。搬入口６８には，前述したゲートバルブ２５が設けられており，ゲートバルブ２５によって気密に閉塞可能になっている。ロードロック・チャンバ２１の処理部３側，即ち，Ｙ軸方向において後側には，ロードロック・チャンバ２１から基板Ｇを搬出するための搬出口６９が設けられている。搬出口６９には，前述したゲートバルブ２６が設けられており，ゲートバルブ２６によって気密に閉塞可能になっている。なお，基板Ｇの搬入出口としての搬出口６９及びゲートバルブ２６は，第２の搬送装置３１が基板交換の際に搬送アーム５１及び５２を同時にロードロック・チャンバ２１に対して進入又は退出させることができる大きさに設定されている。
【００２２】
基板処理チャンバ３０Ａ〜３０Ｅは，各々，所定の基板処理が行われるように適切に構成されている。基板処理チャンバには，各々の処理に応じて所定の処理ガスを供給するための供給路（図示せず）及びチャンバ内を排気するための排気路（図示せず）とが接続されている。この実施の形態では，例えば，基板処理チャンバ３０Ａ，３０Ｃ及び３０Ｅでポリシリコンの表層酸化及びＣＶＤによる酸化膜生成が行われ，その後に，基板処理チャンバ３０Ｂ又は３０Ｄでアニール処理が行われるように構成されている。基板処理チャンバで行われる処理の組合わせは，これに限らず，シリアル処理，パラレル処理等，任意の処理を複数の基板処理チャンバを用いて実施することができる。
【００２３】
ＣＶＤ処理等を行う基板処理チャンバ３０Ａ，３０Ｃ及び３０Ｅは，処理の性質上，内部容積が大きくできず，基板Ｇの搬入出口としてのゲートバルブ３５Ａ，３５Ｃ及び３５Ｅ等は小さく設定されている。従って，第２の搬送装置３１は，搬送アーム５１及５２のいずれか一方を基板処理チャンバ３０Ａ，３０Ｃ及び３０Ｅに対して進入又は退出させることはできるが，搬送アーム５１及び５２を同時に基板処理チャンバ３０Ａ，３０Ｃ及び３０Ｅに対して進入又は退出させることはできない。また，これら３０Ａ，３０Ｃ，３０Ｅの内部では，１段式ピンで１枚の基板Ｇを支持する構成にされている。即ち，基板処理チャンバ３０Ａ，３０Ｃ及び３０Ｅ内には，図５に示すように，載置台７０が配設される。載置台７０の隅角部には，基板Ｇを支持するための４本の支持ピン７１が配設される。支持ピン７１は，上下運動して進出及び退避することが可能である。この実施の形態では，支持ピン７１が鉛直方向に上下に可動な構成にされているが，固定式であってもよい。
【００２４】
一方，アニール処理等を行う基板処理チャンバ３０Ｂ，３０Ｄは，処理の性質上，内部容積を大きくできるので，基板Ｇの搬入出口としてのゲートバルブ３５Ｂ，３５Ｄ等は大きく設定されている。従って，基板交換の際に第２の搬送装置３１は，搬送アーム５１及び５２を同時に基板処理チャンバ３０Ｂ，３０Ｄに対して進入又は退出させることができる。また，これら３０Ｂ，３０Ｄの内部では２段式ピンで２枚の基板Ｇを同時に支持する構成にされている。即ち，基板処理チャンバ３０Ｂ及び３０Ｄ内には，図６に示す載置台７０’が配設される。載置台７０’の隅角部には，基板Ｇを支持するための４本の支持ピン７２が配設される。支持ピン７２は，上下運動して進出及び退避することが可能である。また，載置台７０’の周囲にも，基板Ｇを支持するための４本の支持部材７３が配設される。支持部材７３は，上下運動して進出及び退避可能な支持棒７４及びその先端に配設された張出し部材７５を有する。支持棒７４は鉛直方向を軸にして張出し部材７５と共に回転可能である。支持棒７４が上方に進出しているときに，張出し部材７５を図１０（ａ）に示す退避位置から図１０（ｂ）に示す載置台７０側に突出する位置に回転させることで，支持部材７３は基板Ｇを張出し部材７５上に載せて支持することが可能になり，基板Ｇの受取りの際に第１の位置で未処理基板Ｇを支持する。また，支持ピン７２は，上方に進出することにより，基板Ｇを支持することが可能となり，基板受渡しの際に，第１の位置よりも下方の第２の位置で処理済み基板Ｇを支持する。
【００２５】
次に，以上のように構成された基板処理システム１における基板Ｇの処理工程について説明する。先ず，複数の基板Ｇが収納されたカセットＣが，開口１６を搬送装置１２側に向けた状態で載置台１１上に載置される。そして，搬送装置１２の搬送アーム１５が開口１６に進入され，１枚の基板Ｇが取り出される。基板Ｇを保持した搬送アーム１５は，下段に配置されたロードロック装置２１又は上段に配置されたロードロック装置２２のゲートバルブ２５の前方に対向する位置に移動される。
【００２６】
例えば，ロードロック・チャンバ２１（２２）について説明すると，先ず，内部を所定の圧力，即ち搬入出部２と略同一の略大気圧にした状態で，搬出口６９（８２）をゲートバルブ２６（２７）によって閉じたまま，ゲートバルブ２５（２８）を開放状態にして，搬入口６８（８１）を開口させる。これにより，ロードロック・チャンバ２１（２２）は搬入口６８（８１）を介して搬入出部２の雰囲気と連通した状態になる。搬入口６８（８１）を開口させている間も，搬出口６９（８２）をゲートバルブ２６（２７）によって閉塞することにより，搬送室３３内の真空状態を維持することができる。こうして，搬入口６８（８１）を開口させた状態で，基板Ｇを保持した搬送アーム１５をＹ軸方向に移動させ，ゲートバルブ２５（２８），搬入口６８（８１）を介して，ロードロック・チャンバ２１（２２）内に進入させ，搬送アーム１５から対向する一対の上側のハンド６３ａ（７６ａ），６３ｂ（７６ｂ）又は下側のハンド６４ａ（７７ａ），６４ｂ（７７ｂ）上に未処理基板Ｇを受け渡す。受け渡すハンドは，空いているハンドであれば上側又は下側のいずれであってもよい。なお，空いてない方のハンドには，処理済み基板Ｇが載置されている。未処理基板Ｇは，ハンド６３ａ（７６ａ），６３ｂ（７６ｂ）又はハンド６４ａ（７７ａ），６４ｂ（７７ｂ）上に一時的に載置される。搬送アーム１５は，ロードロック・チャンバ２１（２２）から退出され，ロードロック・チャンバ２１（２２）内の上側のハンド６３ａ（７６ａ），６３ｂ（７６ｂ）又は下側のハンド６４ａ（７７ａ），６４ｂ（７７ｂ）上に載置された処理済み基板Ｇを回収するために高さが調整される。調整後に，搬送アーム１５は再びロードロック・チャンバ内に進出されて，ロードロック・チャンバ２１（２２）内の一対の上側のハンド６３ａ（７６ａ），６３ｂ（７６ｂ）又は下側ハンド６４ａ（７７ａ），６４ｂ（７７ｂ）上の処理済み基板Ｇを受取る。処理済み基板Ｇを保持する搬送アーム１５は，所定のカセットＣの開口１６に進入されて，処理済み基板Ｇが収納される。
【００２７】
このようにして基板Ｇがゲートバルブ２５（２８），搬入口６８（８１）を通じて搬入され，搬送アーム１５がロードロック・チャンバ２１（２２）から退出したら，ゲートバルブ２５（２８）を閉じ，ロードロック・チャンバ２１（２２）を密閉状態にして，ロードロック・チャンバ２１（２２）内を排気路（図示せず）によって強制排気することにより，ロードロック・チャンバ内を所定の圧力，即ち，搬送室３３内と略同圧の真空状態に減圧する。
【００２８】
ロードロック・チャンバが略真空状態になったら，搬入口６８（８１）をゲートバルブ２５（２８）によって閉じたまま，ゲートバルブ２６（２７）を開放状態にして，搬出口６９（８２）を開口させる。これにより，ロードロック・チャンバ２１（２２）は搬出口６９（８２）を介して搬送室３３の雰囲気と連通した状態になる。搬出口６９（８２）を開口させている間も，搬入口６８（８１）をゲートバルブ２５（２８）によって閉塞することにより，ロードロック・チャンバ２１（２２）及び搬送室３３内の真空状態を維持することができる。
【００２９】
その後，第２の搬送装置３１の搬送アーム５１又は５２によって，未処理基板Ｇがロードロック・チャンバ２１（２２）から搬送室３３に搬出される。搬送アーム５１又は５２によって保持された未処理基板Ｇは，例えばＣＶＤ処理等を行う基板処理チャンバ３０Ａ，３０Ｃ又は３０Ｅ内に搬入され，ＣＶＤ処理が行われる。ＣＶＤ処理後の基板Ｇは，搬送機構５４の搬送アーム５１又は５２によって，基板処理チャンバ３０Ａ，３０Ｃ又は３０Ｅから搬送室３３に搬出される。次いで，搬送アーム５１又は５２によって，例えばアニール処理等を行う基板処理チャンバ３０Ｂ又は３０Ｄ内に搬入され，アニール処理が行われる。アニール処理後の基板Ｇは，搬送機構５４の搬送アーム５１又は５２によって，基板処理チャンバ３０Ｂ又は３０Ｄから搬送室３３に搬出される。なお，最初に搬送する以外は，基板処理チャンバ３０Ａ〜３０Ｅ内には処理済み基板Ｇが存在しており，この処理済み基板Ｇと未処理基板Ｇとの交換を行うこととなる。
【００３０】
基板処理の終了後，ゲートバルブ２５（２８）が閉じられて，排気路（図示せず）によって強制排気され，ロードロック・チャンバ２１（２２）内は，搬送室３３内と略同圧の真空状態に減圧される。この略真空状態で，搬出口６８（８１）をゲートバルブ２５（２８）によって閉じたまま，ゲートバルブ２６（２７）を開放状態にして，搬入口６９（８２）を開口させる。これにより，ロードロック・チャンバ２１（２２）は，搬入口６９（８２）を介して搬送室３３の雰囲気と連通した状態になる。搬入口６９（８２）を開口させている間も，搬出口６８（８１）をゲートバルブ２５（２８）によって閉塞することにより，ロードロック・チャンバ２１（２２）及び搬送室３３内の真空状態が維持されている。
【００３１】
こうして，搬入口６９（８２）を開口状態にしたら，処理済み基板Ｇを回収して保持する第２の搬送装置３１が回転されて，ロードロック・チャンバ２２に対向される。回転させる際に，必要に応じて，搬送アーム５１，５２を昇降させ，搬入口８２の高さに適応させる。この際に，第２の搬送装置３１は，搬送アーム５１のピン５５，５６及び搬送アーム５２のピン５９，６０の一方に処理済みの基板Ｇを保持し，他方に基板Ｇを保持していない状態である。処理済み基板Ｇは，処理部３の搬送室３３から搬入口６９（８２），ゲートバルブ２６（２７）を通じてロードロック・チャンバ２１（２２）内に搬入される。
【００３２】
ロードロック・チャンバ２１（２２）内が略大気圧状態になったら，搬入口６９（８２）をゲートバルブ２６（２７）によって閉じたまま，ゲートバルブ２５（２８）を開放状態にして，搬出口６８（８１）を開口させる。これにより，ロードロック・チャンバ２１（２２）は搬出口６８（８１）を介して搬入出部２の雰囲気と連通した状態になる。搬出口６８（８１）を開口させている間も，搬入口６９（８２）をゲートバルブ２６（２７）によって閉塞することにより，搬送室３３内の真空状態を維持することができる。
【００３３】
搬送装置１２の搬送アーム１５がカセットＣの開口１６に進入され，１枚の未処理基板Ｇが取り出される。搬出口６８（８１）が開口状態にされた後，この未処理基板Ｇを保持した搬送装置１２の搬送アーム１５がＹ軸方向に移動され，ゲートバルブ２５（２８），搬出口６８（８１）を介して，ロードロック・チャンバ２１（２２）内に進入される。そして，搬送アーム１５から対向する一対の上側のハンド６３ａ（７６ａ），６３ｂ（７６ｂ）又は下側のハンド６４ａ（７７ａ），６４ｂ（７７ｂ）上に一時的に載置される。搬送アーム１５は，ロードロック・チャンバ２１（２２）から退出され，ロードロック・チャンバ２１（２２）内の上側のハンド６３ａ（７６ａ），６３ｂ（７６ｂ）又は下側のハンド６４ａ（７７ａ），６４ｂ（７７ｂ）上に載置された処理済み基板Ｇを回収するために高さが調整される。調整後に，搬送アーム１５は再びロードロック・チャンバ２１（２２）内に進出されて，ロードロック・チャンバ２１（２２）内の一対の上側のハンド６３ａ（７６ａ），６３ｂ（７６ｂ）又は下側のハンド６４ａ（７７ａ），６４ｂ（７７ｂ）上の処理済み基板Ｇを受取る。処理済み基板Ｇを保持する搬送アーム１５は，所定のカセットＣの開口１６に進入されて，処理済み基板Ｇが収納される。以上のようにして，処理システム１における一連の処理工程が終了する。なお，ロードロック・チャンバ２１について説明したが，ロードロック・チャンバ２２についても一連の処理工程が行われる。
【００３４】
ここで，第２の搬送装置３１による基板処理チャンバ３０Ｂ，３０Ｄに対する基板Ｇの搬入出について説明する。本実施の形態では，基板処理チャンバ３０Ｂ，３０Ｄは，２段式のピンで同時に２枚の基板Ｇを内部に支持する構成を有し，第２の搬送装置３１の搬送アーム５１及び５２を同時に進入及び退出させる第１の手順で基板Ｇを交換することが可能である。この第１の手順は，図１４に示される手順で行われる。なお，図１４（ａ）〜図１４（ｄ）では見易さを考慮して，搬送アームによって保持される基板Ｇを左右に配置して図示しているが，搬送アームによって保持される基板Ｇは上下に重ねて保持されてよい。
【００３５】
基板処理チャンバ３０Ｂについて，第１の手順で行われる基板交換を説明する。第２の搬送装置３１は，搬送アーム５２のピン５９，６０上に処理済みの基板Ｇを保持し，搬送アーム５１のピン５５，５６上に基板Ｇを保持していない状態であると仮定する。処理済み基板Ｇを回収して保持する第２の搬送装置３１は所定の対象チャンバとしての基板処理チャンバ３０Ｂでアニール処理を行うように，回転されて基板処理チャンバ３０Ｂに対向する（図１４の（ａ））。回転させる際に，必要に応じて，搬送アーム５１，５２を昇降させ，基板処理チャンバ３０Ｂに接続されたゲートバルブ３５Ｂの高さに適応させる。
【００３６】
基板処理チャンバの載置台７０’の上に処理済み基板Ｇを載置した状態で，支持部材７３を図１０（ａ）の状態から進出させる。さらに，図１０（ｂ）のように，支持棒７４を回転させて，張出し部材７５が載置台７０側に突出する位置になるようにする。この状態で，この支持部材７３は，第１の位置で未処理基板Ｇを張出し部材７５上に載せて受取ることが可能な状態になる。
【００３７】
次に，支持ピン７２を上方に進出させ，処理済み基板Ｇを上昇させて，第２の位置で支持するようにする。以上のような動作により，図１１の状態が形成される。この場合に，第２の搬送装置３１では，搬送アーム５１のピン５５，５６が前記第２の位置に対応し，搬送アーム５２のピン５９，６０が前記第１の位置に対応する位置になるように高さが設定されている。また搬送アーム５２のピン５９，６０上に，未処理基板Ｇが支持されて保持されている。
【００３８】
次に，図１２に図示されているように，搬送アーム５１及び５２を同時に伸長して，載置台７０’の上方に進出させ，未処理基板Ｇを載置台７０’の上方の第１の位置まで搬送する（図１４の（ｂ））。この場合に，搬送アーム５１のピン５５，５６は，第２の位置にある処理済み基板Ｇの直下に位置する。この状態で，支持部材７３の支持棒７４を僅かに上昇させ，同時に支持ピン７２を下降させる。これにより，未処理基板Ｇは，支持部材７３上に載置された状態になると共に，処理済み基板は，搬送アーム５１のピン５５，５６上に支持されて保持された状態になる（図１４の（ｃ））。
【００３９】
その後，図１３に図示されるように，処理済み基板Ｇがピン５５，５６上に載置された状態の搬送アーム５１を収縮して退出させる（図１４の（ｄ））。そして図６に図示されるように，再び支持ピン７２を上方に進出させて，未処理基板Ｇを支持し，支持部材７３を退避させて図１０（ａ）の状態に戻す。この図６の動作と並行して，基板処理チャンバ３０Ｃと搬送室３３との間のゲートバルブ３５Ｃを閉じる動作に入り，基板処理チャンバ３０Ｃが密閉された後に，供給路（図示せず）よりＯ２等が供給され，基板Ｇがアニール処理される。なお，基板処理チャンバ３０Ｂについて説明したが，基板処理チャンバ３０Ｄについても同様にして第１の手順で基板交換が行われる。
【００４０】
次に，第２の搬送装置３１によるロードロック・チャンバ２１，２２に対する基板Ｇの搬入出について説明する。本実施の形態では，ロードロック・チャンバ２１，２２は，２段式のハンドで同時に２枚の基板Ｇを内部に支持可能な構成を有するが，この2段式のハンドは固定式であり，２枚の基板Ｇを同時に交換することはできない。従って，ロードロック・チャンバ２１，２２は，搬送装置３１の搬送アーム５１及び５２を異なるタイミングで進入及び退出させる第２の手順で基板Ｇを交換することが可能である。この第２の手順は，図１５に示される手順で行われる。なお，図１５（ａ）〜図１５（ｆ）では見易さを考慮して，搬送アームによって保持される基板Ｇを左右に配置して図示しているが，搬送アームによって保持される基板Ｇは上下に重ねて保持されてよい。
【００４１】
ロードロック・チャンバ２１について，第２の手順で行われる基板交換を説明する。第２の搬送装置３１は，搬送アーム５１のピン５５，５６上に処理済みの基板Ｇを保持し，搬送アーム５２のピン５９，６０上に基板Ｇを保持していない状態であると仮定する。第２の搬送装置３１を回転させて対象チャンバとしてのロードロック・チャンバ２１に対向させる（図１５の（ａ））。回転させる際に，必要に応じて，搬送アーム５１，５２を昇降させ，ゲートバルブ２６及び搬出口６９の高さに適応させる。搬送アーム５１を，Ｙ軸方向に伸長し，ゲートバルブ２６，搬出口６９を介して，一対のハンド６３ａ及び６３ｂ上に未処理基板Ｇを保持するロードロック・チャンバ２１内に進入させる（図１５の（ｂ））。この時，搬送アーム５１のピン５５，５６がロードロック・チャンバ２１のハンド６３ａ，６３ｂと６４ａ，６４ｂとの間に位置するようにする。
【００４２】
次に，搬送アーム５１を下降させ，搬送アーム５１のピン５５，５６が保持する処理済み基板Ｇをハンド６４ａ及び６４ｂ（下段支持レベル）上に載置する（図１５の（ｃ））。基板Ｇを保持しない状態の搬送アーム５１を，収縮して退出させる。搬送アーム５１の収縮と同時に，基板Ｇを保持しない搬送アーム５２を伸長し，ロードロック・チャンバ２１内に進入させる（図１５の（ｄ））。この時，搬送アーム５２のピン５９，６０がロードロック・チャンバ２１のハンド６３ａ，６３ｂと６４ａ，６４ｂとの間に位置するようにする。搬送アーム５２を上昇させ，ハンド６３ａ，６３ｂの保持する未処理基板Ｇが搬送アーム５２のピン５９，６０上に支持されて保持される状態にする（図１５の（ｅ））。未処理基板Ｇを保持する状態の搬送アーム５２を，収縮して退出させる。こうして，基板Ｇが，ロードロック・チャンバ２１から搬出口６９，ゲートバルブ２６を通じて搬出され，処理部３の搬送室３３に搬入される。なお，ロードロック・チャンバ２１について説明したが，ロードロック・チャンバ２２についても同様にして第１の手順で基板交換が行われる。
【００４３】
一方，第２の搬送装置３１による基板処理チャンバ３０Ａ，３０Ｃ，３０Ｅに対する基板Ｇの搬入出について説明する。本実施の形態では，基板処理チャンバ３０Ａ，３０Ｃ，３０Ｅは，１段式のピンで１枚の基板Ｇを内部に支持する構成を有し，第２の搬送装置３１の搬送アーム５１又は５２を異なるタイミングで進入及び退出させる第３の手順で基板Ｇを交換することが可能である。この第３の手順は，図１６に示される手順で行われる。なお，図１６（ａ）〜図１６（ｇ）では見易さを考慮して，搬送アームによって保持される基板Ｇを左右に配置して図示しているが，搬送アームによって保持される基板Ｇは上下に重ねて保持されてよい。
【００４４】
基板処理チャンバ３０Ａについて，第３の手順で行われる基板交換を説明する。
第３の手順は，第２の手順と類似するが，第２の手順では搬送アーム５２の退出と搬送アーム５１の進入を同時に行っている（図１５の（ｃ），（ｄ））のに対して，第３の手順では異なるタイミングで行っている（図１６の（ｃ），（ｄ），（ｅ））という点で異なる。第２の搬送装置３１は，搬送アーム５１のピン５５，５６上に処理済みの基板Ｇを保持し，搬送アーム５２のピン５９，６０上に基板Ｇを保持していない状態であると仮定する。第２の搬送装置３１が回転されて，この基板処理チャンバ３０Ａに対向される（図１６の（ａ））。回転させる際に，必要に応じて，搬送アーム５１，５２を昇降させ，搬送アーム５２を基板処理チャンバ３０Ａと接続されているゲートバルブ３５Ａの高さに適応させる。
【００４５】
まず，基板処理チャンバ３０Ａの載置台７０の上に処理済み基板Ｇを載置した状態で，支持ピン７１を上方に進出させ，図５に図示されるように，処理済み基板Ｇが支持された状態にする。この状態で，まず，基板Ｇを保持しない搬送アーム５２を伸長して，図７に示すように，先端に設けられたピン５９，６０を基板処理チャンバ３０Ａ内の処理済み基板Ｇの下方の位置に進入させる（図１６の（ｂ））。
【００４６】
続いて，支持ピン７１を下降させ，処理済み基板Gは，図８に示すように，搬送アーム５２のピン５９，６０上に支持されて保持された状態になる（（図１６の（ｃ）））。処理済み基板Gがピン５９，６０上に載置された状態の搬送アーム５２を，図９に示すように，収縮して退出させる（図１６の（ｄ））。次に，搬送アーム５１，５２を上昇させ，搬送アーム５１をゲートバルブ３５Ａの高さに適応させる。ピン５５，５６上に未処理基板Ｇを保持する搬送アーム５１が伸長されて，図８に示すように，未処理基板Ｇが，支持ピン７１の上方の位置に搬送される（図１６の（ｅ））。支持ピン７１を上方に進出させ，図７に示すように，未処理基板Ｇが搬送アーム５１のピン５５，５６からピン７１上に支持された状態になる（図１６の（ｆ））。
【００４７】
次に，搬送アーム５１が収縮して退出されると共に，未処理基板Ｇを支持するピン７１が下降し，載置台７０上に未処理基板Ｇが載置される（図１６の（ｇ））。基板処理チャンバ３０Ａと搬送室３３との間のゲートバルブ３５Ａを閉じる動作に入り，基板処理チャンバ３０Ａが密閉された後に，まず，供給路（図示せず）よりＯ２が供給され，基板Ｇの表面が表層酸化される。続いて，供給路（図示せず）よりシラン，Ｏ２，Ａｒ等のガスが供給され，ＣＶＤ処理により，基板Ｇ上にＳｉＯ２の酸化膜が生成される。なお，基板処理チャンバ３０Ａについて説明したが，基板処理チャンバ３０Ｃ，３０Ｅについても同様にして第３の手順で基板交換が行われる。
【００４８】
以上の実施の形態では，基板を保持する第１及び第２のアームを備え，複数のチャンバに基板を搬入出させる搬送装置を有するマルチチャンバ型の基板処理システムにおいて，基板を交換するチャンバの種類に応じて，第１及び第２のアームを処理チャンバ内に同時に進入させる状態と，互いに異なるタイミングで進入させる状態とに切り替え可能に構成されるようにしたので，１段式及び２段式のチャンバが混在し得る基板処理システムのスループットが向上される。
【００４９】
また，以上の実施の形態では，基板を保持する第１及び第２のアームを備え，複数のチャンバに基板を搬入出させる搬送装置を有するマルチチャンバ型の基板処理システムにおいて，基板の搬入出口が大きく設定されたアニール処理等を行う基板処理チャンバに対しては，第１及び第２のアームを同時に進入させ，第１のアームでチャンバ内から基板を搬出する工程と，第２のアームでチャンバ内に基板を搬入する工程を同時に行うようにしたので，基板の搬送時間が短縮される。同様に，基板の搬入出口が大きく設定されたロードロック・チャンバに対しては，第１のアームがチャンバから退出する動作と，第２のアームがチャンバ内に進入する動作とを同時に行うようにしたので，基板の搬送時間が短縮される。このようにして，基板の搬送時間が短縮されたことにより，１段式及び２段式のチャンバが混在し得る基板処理システムのスループットが向上される。さらに，基板処理システムは，第１のアームがチャンバから退出する動作が完了してから，第２のアームがチャンバ内に進入する動作を行うようにすることも可能なので，ＣＶＤ処理等を行う基板処理チャンバに対しては，基板の搬入出口を小さく設定することができる。
【００５０】
以上，添付図面を参照しながら本発明の好適な実施形態について説明したが，本発明は係る例に限定されない。当業者であれば，特許請求の範囲に記載された技術的思想の範疇内において，各種の変更例又は修正例に想到し得ることは明らかであり，それらについても当然に本発明の技術的範囲に属するものと了解される。
【００５１】
上述した実施形態においては，ロードロック・チャンバ又は基板処理チャンバが１段式チャンバである際の基板交換が上記第３の手順で実施されたが，上記第２の手順で実施されてもよい。
【００５２】
また，上述した実施形態においては，ロードロック・チャンバとして２段式のロードロック・チャンバがあげられているが，ロードロック・チャンバは，１段式のロードロック・チャンバであってもよい。
【００５３】
また，上述した実施形態においては，ロードロック・チャンバを２層重ねた２層式のロードロック・チャンバを用いて説明されているが，ロードロック・チャンバは，１層式又は多層式のロードロック・チャンバであってもよい。
【００５４】
また，上述した実施形態においては，１段式の基板処理チャンバとして，例えばＣＶＤ処理等を行う基板処理チャンバがあげられているが，１段式の基板処理チャンバは，例えばプラズマＣＶＤ処理やスパッタリング処理等を行う基板処理チャンバであってもよい。
【００５５】
また，上述した実施形態においては，２段式の基板処理チャンバとして，アニール処理等を行う基板処理チャンバがあげられているが，２段式の基板処理チャンバは，例えばエッチング処理やアッシング処理等を行う基板処理チャンバであってもよい。
【００５６】
また，上述した実施形態においては，１段式チャンバとして，ピンを用いて基板を支持する１段式チャンバがあげられているが，その他の機構によって基板が１段に支持される１段式チャンバが用いられてもよい。
【００５７】
また，上述した実施形態においては，２段式チャンバとして，ハンドを用いて基板を２段に支持する２段式チャンバ及びピンを用いて基板を２段に支持する２段式チャンバがあげられているが，その他の機構によって基板が２段に支持される２段式チャンバが用いられてもよい。
【産業上の利用可能性】
【００５８】
本発明によれば，１段式又は２段式の１以上の基板処理チャンバが混在し得るマルチチャンバ型の基板処理システムにおいて，スループットを向上させることが可能になる。
【図面の簡単な説明】
【００５９】
【図１】本発明の構成を説明する概略平面図である。
【図２】本発明の構成を説明する概略側面図である。
【図３】本発明の搬送装置を説明する概略斜視図である。
【図４】本発明の２段式ロードロック・チャンバを説明する概略斜視図である。
【図５】１段式載置台を説明する概略斜視図である。
【図６】２段式載置台を説明する概略斜視図である。
【図７】１段式載置台での基板交換を説明する図である。
【図８】１段式載置台での基板交換を説明する図である。
【図９】１段式載置台での基板交換を説明する図である。
【図１０】２段式載置台の２段ピンを説明する図である。
【図１１】２段式載置台での基板交換を説明する図である。
【図１２】２段式載置台での基板交換を説明する図である。
【図１３】２段式載置台での基板交換を説明する図である。
【図１４】２段式チャンバでの基板交換の本発明の第１の手順を説明する図である。
【図１５】２段式チャンバでの基板交換の本発明の第２の手順を説明する図である。
【図１６】１段式チャンバでの基板交換の本発明の第３の手順を説明する図である。
【符号の説明】
【００６０】
１    処理システム
２    搬入出部
３    処理部
５    ロードロック装置
１１    載置台
１２    搬送装置
１３    レール
１４    搬送機構
１５    搬送アーム
１６    開口
２１，２２    ロードロック・チャンバ
２５，２６，２７，２８，３５Ａ〜３５Ｅ    ゲートバルブ
３０Ａ，３０Ｂ，３０Ｃ，３０Ｄ，３０Ｅ    基板処理チャンバ
３１    搬送装置
３２    搬送チャンバ
３３    搬送室
５１，５２    搬送アーム
５３，５４    ピン用基部
５５，５６，５９，６０    搬送アーム先端のピン
６１，６２    支持体
６３ａ，６３ｂ，６４ａ，６４ｂ    ハンド
７１，７２，７３    ピン
【図１】
0004642619.tif 000002
【図２】
0004642619.tif 000003
【図３】
0004642619.tif 000004
【図４】
0004642619.tif 000005
【図５】
0004642619.tif 000006
【図６】
0004642619.tif 000007
【図７】
0004642619.tif 000008
【図８】
0004642619.tif 000009
【図９】
0004642619.tif 000010
【図１０】
0004642619.tif 000011
【図１１】
0004642619.tif 000012
【図１２】
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【図１３】
0004642619.tif 000014
【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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