(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
ガラス基板上に走査線と共通配線が同層でかつ交互に平行して配置されたＴＦＴ基板を有する液晶表示装置において、
前記各共通配線が前記基板の両側周辺部で、導電性テープからなる結束線に、それぞれ圧接して接続され、前記結束線を介して相互に結束されていることを特徴とする液晶表示装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、基板上に走査線と交互に平行して配置された共通配線を有する液晶表示装置に関し、各共通配線に共通の電位を与えるため、各共通配線を相互に結束した構成の液晶表示装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
ＴＦＴによるアクティブマトリックス駆動方式の液晶表示装置は、直交する複数の走査線と信号線の交差部に設けられたＴＦＴからなるスイッチング素子と、このスイッチング素子に接続する画素電極とがマトリックス状に配列され、必要に応じて各画素毎に容量素子を付加することにより、コントラストやレスポンスなどの表示性能の向上を図った液晶表示装置である。
アクティブマトリックス駆動方式では、各画素ごとにスイッチング素子が独立に制御され、各画素電極に信号電荷を書き込むことによりクロストークを防ぎ、容量素子が、書き込まれた信号電荷を１フレーム時間の間蓄積する役割を担っている。これによって、実質的にデューティ比１００％のスタティク駆動に近い液晶表示を実現している。
【０００３】
次に、特開平７−３６０６１号公報記載の図２３を参照して、従来のアクティブマトリックス駆動方式の液晶表示装置（以下、液晶表示装置と言う）の回路構成を説明する。図２３は従来の液晶表示装置の回路図である。
従来の液晶表示装置７０は、ガラス基板上にマトリックス状に配置された、直交する走査線７２及び信号線７４を有する。
走査線７２と信号線７４との間には、両者の間に窒化シリコン膜等の絶縁膜が介在し、各交差位置近傍にはＴＦＴ７６がそれぞれ配置されている。また、各走査線７２に平行に、共通配線７８が延在している。走査線７２及び各信号線７４が囲む領域にはＴＦＴ７６に接続されて画素電極８０が配置されている。共通配線７８と画素電極８０の間で各画素毎に付加容量８２が形成される。
【０００４】
ここで、ＴＦＴ７６の各ゲート電極はそれぞれ走査線７２に接続され、各ドレイン電極はそれぞれ信号線７４に接続され、各ソース電極は画素電極８０に接続されている。
各走査線７２の信号入力側端部は、走査線駆動ＩＣとの接続電極として設けられた接続端子８４に接続し、共通配線７８の両端部は、一定の電位（対向電極の電位）を供給するために共通配線７８上の絶縁膜を貫通するコンタクトホール８６を介して上層の共通線８８Ａ、Ｂに接続している。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
ところで、上述の液晶表示装置では、走査線７２は、平面的には共通線（ここでは８８Ａ）を絶縁膜の下で横切っている。そのために、走査線７２と共通配線７８とを同一工程で形成し、信号線７４、ＴＦＴ７６、画素電極８０等を形成した後、共通配線７８上の絶縁膜にコンタクトホール８６を開口し、共通線８８Ａ、Ｂを形成することによって共通配線７８を共通線８８Ａ、Ｂに接続し相互に結束している。
つまり、共通線８８Ａ、Ｂを形成して共通配線７８を相互に結束するために、共通配線７８上の絶縁膜にコンタクトホール８６を形成する工程を必要としている。このような液晶表示装置が、例えば特開平７−３６０６１号公報で開示されている。
【０００６】
しかしながら、上述の従来の液晶表示装置では、共通配線を結束するために、コンタクトホール形成工程と共通線形成工程とが必要となり、製造工程が増え、生産効率が低下するという問題がある。
【０００７】
そこで、本発明の目的はプロセス数を増やすことなく、共通配線を結束できる構造を備えた液晶表示装置を提供することである。
【００１０】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するために、本発明に係る液晶表示装置は、ガラス基板上に走査線と共通配線が同層でかつ交互に平行して配置されたＴＦＴ基板を有する液晶表示装置において、
前記各共通配線が前記基板の両側周辺部で、導電性テープからなる結束線に、それぞれ圧接して接続され、前記結束線を介して相互に結束されていることを特徴としている。
【００１１】
導電性テープとは、テープ上に導電層を成膜してなる接続用テープである。
本発明では、各共通配線が導電性テープまたは導電性ペーストにより相互に結束されているので、従来のように結束線を形成するための工程が一工程追加されるだけで、フォトリソグラフィ工程及びパターニング工程が別途必要になるようなことはない。従って、プロセス数を削減することができる。
【００１７】
【発明の実施の形態】
以下に、添付図面を参照し、実施形態例を挙げて本発明の実施の形態を具体的かつ詳細に説明する。
実施形態例１
本実施形態例は、第１の発明に係る液晶表示装置の実施形態の一例であって、図１は本実施形態例の液晶表示装置の要部である電極配線の平面図、図２（ａ）及び図２（ｂ）は、それぞれ、図１の線Ａ−Ａ′及び線Ｂ−Ｂ′での断面図である。
本実施形態例の液晶表示装置１０は、図１に示すように、ガラス基板１２上に、走査線１４と、走査線１４と交互に平行して形成される共通配線１６と、この共通配線１６とほぼ直交して各共通配線１６の両端部で共通配線１６をそれぞれ相互に結束する２本の結束線１８Ａ、Ｂとを備えている。
各走査線１４は、独立に形成され、それぞれ走査線端子２０を介して走査線駆動ＩＣと接続され、走査信号をＴＦＴ（図示せず）のゲート電極に出力している。共通配線１６は、画素電極との間でそれぞれ付加容量（図示せず）を形成している。
【００１８】
２本の結束線１８Ａ、Ｂは、各共通配線１６を時間遅れなく同じ電位にするために、共通配線１６と接続するループ状の回路を構成し、走査線１４の外側、つまり液晶表示装置１０の画素領域外に延在している。結束線１８Ａ、Ｂは、それぞれ共通電極（対向電極）の電位が供給される２個の第１共通配線端子２４Ａ、第２共通配線端子２４Ｂに端部で接続し、外側の２本の共通配線１６と接続している。
【００１９】
走査線１４、共通配線１６、及び結束線１８Ａ、Ｂは、同時に例えば下層のＡｌ膜と上層のＴｉＮ膜との積層膜としてガラス基板１２上に形成されている。
走査線１４及び共通配線１６は、走査線端子２０、第１共通配線端子２２及び第２共通配線端子２４Ｂは、走査線１４及び共通配線１６上にゲート絶縁膜２５として成膜された窒化シリコン膜及びパッシベーション膜２６として成膜された窒化シリコン膜をそれぞれ貫通するコンタクトホール２８によって露出された走査線１４及び共通配線１６の広幅領域として構成さている（図２（ａ））。
一方、画素領域外の接続端子部以外の領域では、走査線１４及び共通配線１６は、図２（ｂ）に示すように、ゲート絶縁膜２５及びパッシベーション膜２６によって被覆されている。
【００２０】
本実施形態例では、結束線１８Ａ、Ｂは、走査線１４の外側にあるので、本実施形態例の液晶表示装置１０を製品として切断、分離する際には、図１に示すように、結束線１８Ａ、１８Ｂの外側の切断線（図示せず）に沿って切断され、切断線の内側のパネル面本体１０ａが、液晶表示装置として組み込まれ、切断線の外側のパネル面余剰部１０ｂは、切り屑として分離される。
尚、ここでは結束線をガラス基板の両側に配設する例を示したが、片側だけでもよい。この場合は各走査線は結束線のある側とは反対側でシャントバス線に接続されることもあり、上記切断時にシャントバス線は切り離される。また、共通配線端子は４個配設する例を示したが、２個または３個でもよい。
また、ここではＩＰＳ型の液晶表示装置のＴＦＴ基板について説明したが、コモンストレージ構造のＴＮ型の液晶表示装置であっても全く同様である。
【００２１】
本実施形態例では、後述するように、結束線１８Ａ、Ｂを共通配線１６と同時に形成するので、従来のように結束線１８Ａ、Ｂを形成するための工程が別途必要になるようなことはなく、プロセス数を削減することができる。
【００２２】
実施形態例２
本実施形態例は、第２の発明に係る液晶表示装置の実施形態の一例であって、図３は本実施形態例の液晶表示装置の要部である電極配線の平面図、図４（ａ）及び（ｂ）は、それぞれ、図３の線Ａ−Ａ′及びＢ−Ｂ′での断面図である。
本実施形態例の液晶表示装置３０は、図３に示すように、結束線及び結束線と共通配線１６の結束手段が異なることを除いて、実施形態例１の液晶表示装置１０と同じ構成を備えている。
本実施形態例では、結束線３２Ａは実施形態例１の結束線１８Ａと同じ構成である。一方、結束線３２Ｂは走査線１４及び共通配線１６上にほぼ直交して走査線端子２０の内側に配設されている。
【００２３】
結束線３２Ｂは、導電性テープで形成され、図４（ｂ）に示すように、走査線１４及び共通配線１６上に成膜された窒化シリコン膜からなるゲート絶縁膜２５及びパッシベーション膜２６を貫通するコンタクトホール３４を介して共通配線１６と電気的に接続するように圧接されている。導電性テープとして、例えば神東塗料製の商品名シントロンを使用できる。
また、結束線３２Ｂはコンタクトホール３４を介して外側の共通配線１６に接続し、端部に形成された第２共通配線端子２４Ｂに接続している。
走査線端子２０、第１共通配線端子２４Ａ及び第２共通配線端子２４Ｂは、実施形態例１と同様の構成であって、窒化シリコン膜からなるゲート絶縁膜２５及びパッシベーション膜２６を貫通するコンタクトホール２８によって露出された走査線１４及び共通配線１６の広幅領域として構成されている。
【００２４】
本実施形態例では、結束線３２Ｂは走査線端子２０の内側にあるので、本実施形態例の液晶表示装置３０を製品として切断、分離する際には、走査線端子２０の外側の切断線（図示せず）に沿って切断される。図３では図示していないが、各走査線は走査線端子の外側でシャントバス線に接続されることもあり、この場合は上記切断時にシャントバス線は切り離される。
本実施形態例では、結束線３２Ａは共通配線１６と同時に形成され、また、結束線３２Ｂは導電性テープの圧接によって形成されるので、従来のように、結束線を形成するための工程が一工程追加されるだけで、フォトリソグラフィ工程及びパターニング工程が別途必要になるようなことはなく、プロセス数を削減することができる。
【００２５】
実施形態例３
本実施形態例は、第２の発明に係る液晶表示装置の実施形態の一例であって、図５は本実施形態例の液晶表示装置の要部である電極配線の平面図、図６は図５の線Ａ−Ａ′での断面図である。
本実施形態例の液晶表示装置４０は、結束線４２Ｂの構成が異なることを除いて、実施形態例２の液晶表示装置３０と同じ構成を備えている。
本実施形態例では、結束線４２Ｂは銀（Ａｇ）ペーストで形成され、図６に示すように、窒化シリコン膜からなるゲート絶縁膜２５及びパッシベーション膜２６を貫通するコンタクトホール３４を介して共通配線１６と電気的に接続している。
銀（Ａｇ）ペーストは、蒸発性ペーストに銀（Ａｇ）粒子を混ぜた導電性ペーストであって、塗布した後加熱することにより固化して導電体となる。導電性ペーストとして例えばエポテック製の商品名Ｈ２０Ｅを使用できる。
【００２６】
以上の構成によって、本実施形態例は、実施形態例２と同様の効果を奏することができる。
【００２７】
実施形態例４
本実施形態例は、第３の発明に係る液晶表示装置の実施形態の一例であって、図７は本実施形態例の液晶表示装置の要部である共通電極線の結束部の平面図、図８はＣＯＦの構成を示す断面図、図９（ａ）は図７の線Ａ−Ａ′での断面図、図９（ｂ）は線Ｂ−Ｂ′での断面図、図９（ｃ）はＣＯＦ周りの電極配線図である。
本実施形態例の液晶表示装置では、電極接続部５２において各走査線１４は、ＣＯＦ５４上に形成された走査電極線１４Ａにそれぞれ接続され、走査線駆動ＩＣ５４と接続されている。
また、各共通配線１６は、図７に示すように、ＣＯＦ５４上に形成された共通電極線１６Ａにそれぞれ接続され、走査線駆動ＩＣ５４ｂ上のベースフィルム上に形成された結束線５８を介して相互に結束されている。
本実施形態例では、共通配線１６を結束するために、結束線３２Ｂに代えて、ＣＯＦ上に形成された結束線５８を備えていることを除いて、実施形態例２の液晶表示装置３０と同じ構成を備えている。
【００２８】
ＣＯＦ５４は、図８に示すように、ベースフィルム５４ａと、ベースフィルム５４ａ上に設けられた走査線駆動用ＩＣ５４ｂと、べースフィルム５４ａ上に設けられ、走査線駆動ＩＣ５４ｂの電極にそれぞれ接続された入力配線５４ｃ（図７の５６に相当する）及び出力配線５４ｄ（図７の１４Ａに相当する）とから構成された、既知のものである。
図８中、５４ｅはソルダーレジスト層、５４ｆは走査線駆動ＩＣ５４ｂを入力配線５４ｃ及び出力配線５４ｄに接続するためのバンプである。
ＣＯＦ５４として、例えばソニーケミカル製のものを使用できる。
【００２９】
電極接続部５２では、各走査線１４は、図７及び図９（ａ）に示すように、ＣＯＦ５４上の走査電極線１４Ａ（出力配線５４ｄ）を介して走査線駆動ＩＣ５４ｂに接続される。
また、各共通配線１６は、図７及び図９（ｂ）に示すように、ＣＯＦ上の共通電極線１６Ａを介して、結束線５８によって相互に結束されている。結束線５８は、図９（ａ）に示すように、ＣＯＦ５４の走査線駆動ＩＣ５４ｂ上のベースフィルム５４ａ上に設けられている。これはＣＯＦ５４に後述するＴＣＰ６４のような開口部６４ｂが存在せず、走査線駆動ＩＣ５４ｂ上のベースフィルム５４ａ上の空間を利用することにより結束線５８の形成が可能になっている。
【００３０】
本実施形態例では、走査線駆動ＩＣ５４ｂと走査電極線１４Ａと共通電極線１６Ａと走査線駆動ＩＣ５４ｂ上のベースフィルム５４ａ上に各共通電極線１６Ａを結束する結束線５８とを設けたＣＯＦ５４を走査線１４及び共通配線１６の端子部分に圧接することにより、図９（ａ）及び（ｂ）に示すように接続し、全体的には走査線１４と共通配線１６とを図９（ｃ）に示すように結線する。
【００３１】
以上の構成によって、本実施形態例では、液晶表示セルを形成後ＣＯＦ５４の圧接時に、結束線５８によって共通配線１６を結束するので、従来のように結束線を形成するための工程が別途必要になるようなことはなく、プロセス数を削減することができる。
【００３２】
実施形態例４の改変例
本改変例は、実施形態例４の改変例であって、図１０は本改変例の液晶表示装置の要部である電極接続部５２の走査電極線１４Ａと走査線駆動ＩＣ５４ｂの接続部近傍の平面図である。
配置面積の問題から、走査電極線１４Ａのゲート端子５９及び共通電極線１６Ａを図７に示すように配置することが難しいことが多い。その場合には、本改変例を適用することが好ましい。
本改変例では、走査電極線１４Ａのゲート端子５９は、図１０に示すように千鳥状に配置されているので、各走査電極線１４Ａのゲート端子５９の間を共通電極線１６Ａを通過させることができる。
尚、本改変例では図１０の配置に合わせたバンプ５４ｆの構成を持つ走査線駆動ＩＣ５４ｂを用いる。
【００３３】
実施形態例５
本実施形態例は、第４の発明に係る液晶表示装置の実施形態の一例であって、図１１は本実施形態例の液晶表示装置の要部である共通電極線の結束部の平面図、図１２はＴＣＰの構成を示す断面図、図１３（ａ）は図１１の線Ａ−Ａ′での断面図、図１３（ｂ）は線Ｂ−Ｂ′での断面図、図１３（ｃ）はＴＣＰ周りの電極配線図である。
本実施形態例の液晶表示装置は、電極接続部５２において各走査線１４は、ＴＣＰ６４上に形成された走査電極線１４Ａにそれぞれ接続され、走査線駆動ＩＣ６４ｃと接続されている。
また、各共通配線１６は、図１１に示すように、ＴＣＰ６４内上に形成された共通電極線１６Ａに接続され、さらに、走査線駆動ＩＣ６４ｃ内で共通電極線１６Ａに接続する別の共通電極線を結束する結束線を介して相互に結束されている。
本実施形態例では共通配線１６を結束するために、結束線３２Ｂに代えて、ＴＣＰ上に配設された走査線駆動ＩＣ内の結束線を介して結束することを除いて、実施形態例２の液晶表示装置３０と同じ構成を備えている。
【００３４】
ＴＣＰ６４は、図１２に示すように、ベースフィルム６４ａと、ベースフィルム６４ａの開口部６４ｂに設けられた走査線駆動ＩＣ６４ｃと、ベースフィルム６４ａ上に設けられ、走査線駆動ＩＣ６４ｃの電極にそれぞれ接続された入力配線６４ｄ（図１１の６６に相当する）及び出力配線６４ｅ（図１１の１４Ａに相当する）とから構成された、既知のものである。
図１２中、６４ｆは入力配線６４ｄ及び出力配線６４ｅをベースフィルム６４ａに接着した接着剤層、６４ｇはソルダーレジスト層、６４ｈは走査線駆動ＩＣ６４ｃを入力配線６４ｄ及び出力配線６４ｅに接続するためのバンプ、６４ｉは走査線駆動ＩＣ６４ｃを封止した樹脂である。
ＴＣＰ６４として、例えばＮＥＣ製のものを使用できる。
【００３５】
電極接続部６２では、各走査線１４は、図１１及び図１３（ａ）に示すように、ＴＣＰ６４上の走査電極線１４Ａ（出力配線６４ｅ）を介して走査線駆動ＩＣ６４ｃに接続される。
また、各共通配線１６は、図１１及び図１３（ｂ）に示すように、ＴＣＰ上の共通電極線１６Ａとさらにこの共通電極線１６Ａに接続する走査線駆動ＩＣ６４ｃ内の共通電極線（図示せず）とを介して結束線（図示せず）によって相互に結束されている。尚、図１３（ｂ）では、共通電極線１６Ａが入力配線６４ｄ（６６）と接続されているように見えるが、走査線駆動ＩＣ６４ｃ内では、共通電極線１６Ａに接続する共通電極線と入力配線６４ｄ（６６）や走査電極線１４Ａに接続する出力配線（図示せず）とが導通しないように回路が構成されている。
【００３６】
本実施形態では、走査線駆動ＩＣ６４ｃ内でＴＣＰ６４上の各共通電極線１６Ａに接続する共通電極線を結束する結束線を設けた走査線駆動ＩＣ６４ｃと走査電極線１４Ａと共通電極線１６Ａとを設けたＴＣＰ６４を走査線１４及び共通配線１６の端子部分に圧接することにより、図１３（ａ）及び（ｂ）に示すように接続し、全体的には走査線１４と共通配線１６とを図１３（ｃ）に示すように結線する。尚、ここではＴＣＰを用いた場合を説明したが、実施形態４で説明したＣＯＦを用いてもよい。
【００３７】
以上の構成によって、本実施形態例では、液晶表示セルを形成後ＴＣＰ６４の圧接時に走査線駆動ＩＣ６４ｃ内に形成された共通電極線及びそれと結束する結束線によって共通配線１６を結束するので、走査線駆動ＩＣ製造時のフォトマスクを一部変更するだけでよく、従来のように結束線を形成するための工程が別途必要になるようなことはなく、プロセス数を削減することができる。
【００３８】
以下に、図１４を参照して、実施形態例１の液晶表示装置１０のＴＦＴ基板の構成を説明する。図１４は実施形態例１の液晶表示装置を構成するＴＦＴ基板の１画素領域を示す平面図であり、図１５（ａ）は図１４の線Ａ−Ａ’での断面図、及び図１５（ｂ）は図１４の線Ｂ−Ｂ’での断面図である。
この実施形態例１の液晶表示装置１０を構成するＴＦＴ基板は、図１４に示すように、ガラス基板１２上に第１の導体層からなる複数の走査線１４と複数の共通配線１６とが交互に平行に配列され、複数の信号線１７がゲート絶縁膜２５を介して前記走査線１４に直交して配列され、この走査線１４と信号線１７との交点付近に、走査線１４の一部をゲート電極１９とするＴＦＴ部を有する。
【００３９】
ＴＦＴ部は、図１５（ａ）に示すように、ゲート電極１９にゲート絶縁膜２５を介して対向する島状のアモルファスシリコン膜２７Ａおよびｎアモルファスシリコン膜２７Ｂからなる半導体層２７と、この半導体層２７上に第２の導体層からなりチャネルギャップを隔てて形成された一対のドレイン電極２１Ａおよびソース電極２１Ｂとからなる逆スタガ型ＴＦＴとして形成されている。
図１５（ａ）及び（ｂ）で、２６はパッシベーション膜である。
【００４０】
走査線１４と信号線１７とに囲まれた窓部には、櫛歯状の画素電極２２と、画素電極２２に対向して共通配線１６に接続された櫛歯状の共通電極２３とが形成され、ドレイン電極２１Ａは信号線１７に、ソース電極２１Ｂは画素電極２２にそれぞれ接続され、画素電極２２と共通電極２３との間にガラス基板１２に対して横方向の電界を形成するＩＰＳ型のＴＦＴ基板を構成している。
【００４１】
走査線１４、共通配線１６、及びゲート電極１９を構成する第１の導体層は、例えばＡｌ上にＴｉＮを積層して形成されている。
また、信号線１７、ドレイン電極２１Ａ、ソース電極２１Ｂを構成する第２の導体層は、例えばＣｒからなる金属層上にＩＴＯからなる透明導電層を積層して形成されている。信号線１７の下層には、信号線１７と同一形状の半導体層２７が形成されている。
画素電極２２は、ＩＴＯからなる透明導電層から形成され、その一部がゲート絶縁膜２５を介して共通配線１６上に重畳するように延びて形成され、共通配線１６との間でこの画素領域における付加容量を構成している。
【００４２】
次いで、図１６から図２２を参照して、実施形態例１の液晶表示装置１０の作製方法を説明する。図１６と、図１７（ａ）及び（ｂ）とは、第１工程終了時のＴＦＴ基板の構成を示す。図１８と、図１９（ａ）及び（ｂ）とは、第２工程終了時のＴＦＴ基板の構成を示す。図２０と、図２１（ａ）及び（ｂ）とは、第３工程終了時のＴＦＴ基板の構成を示す。図１７（ａ）及び（ｂ）は、図１６の線Ａ−Ａ’での断面図、及び線Ｂ−Ｂ’での断面図である。以下も同様である。また、図２２（ａ）及び（ｂ）は、第３工程を終了し、第４工程に移る途中の段階の図２０のＡ−Ａ’での断面図、及び線Ｂ−Ｂ’での断面図である。
【００４３】
（第１工程）
まず、図１６と図１７（ａ）及び（ｂ）に示すように、ガラス基板１２上にスパッタリングにより連続して約２００ｎｍのＡｌと５００ｎｍのＴｉＮを成膜して第１の導体層を形成する。
次いで、フォトリソグラフィ工程を通して、走査線１４と、走査線端子２０と、共通配線１６と、外周部には共通配線１６を互いに結束する連結線１８と、この結束線に接続される第１共通配線端子２４Ａ及び第２共通配線端子２４Ｂと、それぞれの画素領域において走査線の一部を共有するゲート電極１９と、共通配線１６から延びる複数の共通電極２３とを残して、第１の導体層をエッチング除去する。
【００４４】
（第２工程）
図１８と図１９（ａ）及び（ｂ）に示すように、ＴＦＴ基板上にプラズマＣＶＤ法により連続して約４００ｎｍのシリコン窒化膜からなるゲート絶縁膜２５と、約２５０ｎｍのアモルファスシリコン膜２７Ａ及び約５０ｎｍのｎアモルファスシリコン層２７Ｂからなる半導体層２７と、引き続きスパッタリングによりＣｒからなる約２５０ｎｍの金属層とを成膜する。
次いで、フォトリソグラフィ工程を通して、信号線１７と、信号線端子（図示せず）と、それぞれの画素領域において信号線１７からＴＦＴ部を通って窓部に延びる突出部分とを残して金属層及び半導体層を順次エッチング除去する。
【００４５】
（第３工程）
図２０と図２１（ａ）及び（ｂ）に示すように、ＴＦＴ基板上にスパッタリングにより約５０ｎｍのＩＴＯを成膜して透明導電層を形成する。
次いで、フォトリソグラフィ工程を通して、信号線１７及びその側面を覆う部分と、信号線端子（図示せず）を覆う部分と、それぞれの画素領域において信号線１７からゲート電極１９上に形成されるＴＦＴ部に延びるドレイン電極２１Ａと、ゲート絶縁膜２５を介して共通電極２３に対向して窓部に延びる画素電極２２と、画素電極２２からＴＦＴに延びてドレイン電極２１Ａとチャネルギャップを隔てて配置されるソース電極２１Ｂとを残して、透明導電層をエッチング除去し、次いで露出した金属層をエッチング除去する。
【００４６】
次に、図２２（ａ）及び（ｂ）に示すように、前記エッチングに用いたマスクパターンまたはマスクを除去した後の透明導電層をマスクとして、露出したｎアモルファスシリコン層２７Ｂをエッチング除去して、チャネルギャップを形成する。
【００４７】
（第４工程）
図１４と図１５（ａ）及び（ｂ）に示すように、上記基板上にプラズマＣＶＤにより約３００ｎｍのシリコン窒化膜からなるパッシベーション膜２６を形成する。
次いで、フォトリソグラフィ工程を通して、信号線端子（図示せず）上のパッシベーション膜２６、走査線端子２０、及び第１、第２共通配線端子２４Ａ、２４Ｂ上のパッシベーション膜２６及びゲート絶縁膜２５をエッチング除去して、透明導電層からなる信号線端子（図示せず）と、第１の導体層からなる走査線端子２０及び第１、第２共通配線端子２４Ａ、２４Ｂとを露出させる。最後に約２８０℃のアニール工程を経てＴＦＴ基板を完成させる。
【００４８】
なお、ここでは、第１の導体層にＡｌとＴｉＮなどの高融点金属の窒化膜の積層膜を用いた場合を示したが、Ａｌの下にさらにＴｉなどの高融点金属の下敷膜を形成してＴｉとＡｌとＴｉの窒化膜の３層の積層膜にしてもよい。また、Ｃｒの上にＩＴＯを積層した膜であってもよい。
ここで、ＴｉＮなどの高融点金属の窒化膜は、窒素濃度を２５原子％以上にすることが望ましい。さらに第３工程において透明導電層の代わりにＴｉＮなどの高融点金属の窒化膜を用いてもよい。
【００４９】
上述のＴＦＴ基板の作製方法では、走査線１４と共通配線１６、２３が同一層に形成され、かつ、この層と、信号線１７の層とを電気的に接続する機会がないので、共通配線同士を異層で接続することができない。しようとすると、本作製方法よりコンタクトを形成する工程が増える。
しかし、本発明では、工程数を増やすことなく、共通配線間を結束することができる。
【００５０】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明によればＩＰＳ型液晶表示装置またはコモンストレージ構造のＴＮ型液晶表示装置において、プロセス数を増やすことなく、あるいは簡単な工程を追加することで共通配線を結束して液晶表示装置を低コストで製造することができる。
本発明はゲート金属層とドレイン金属層との電気的接続ができない液晶表示装置において特に有効である。
【図面の簡単な説明】
【図１】実施形態例１の液晶表示装置の要部である電極配線の平面図である。
【図２】図２（ａ）及び図２（ｂ）は、それぞれ、図１の線Ａ−Ａ′及び線Ｂ−Ｂ′での断面図である。
【図３】実施形態例２の液晶表示装置の要部である電極配線の平面図である。
【図４】図４（ａ）及び（ｂ）は、それぞれ、図３の線Ａ−Ａ′及びＢ−Ｂ′での断面図である。
【図５】実施形態例３の液晶表示装置の要部である電極配線の平面図である。
【図６】図５の線Ａ−Ａ′での断面図である。
【図７】実施形態例４の液晶表示装置の要部である共通配線の結束部の平面図である。
【図８】ＣＯＦの構成を示す断面図である。
【図９】図９（ａ）は図７の線Ａ−Ａ′での断面図、図９（ｂ）は線Ｂ−Ｂ′での断面図、及び図９（ｃ）はＣＯＦ周りの電極配線図である。
【図１０】実施形態例４の改変例の液晶表示装置の要部である電極配線の平面図である。
【図１１】実施形態例５の液晶表示装置の要部である共通配線の結束部の平面図である。
【図１２】ＴＣＰの構成を示す断面図である。
【図１３】図１３（ａ）は図１１の線Ａ−Ａ′での断面図、図１３（ｂ）は線Ｂ−Ｂ′での断面図、及び図１３（ｃ）はＴＣＰ周りの電極配線図である。
【図１４】実施形態例１の液晶表示装置を構成するＴＦＴ基板の１画素領域を示す平面図である。
【図１５】図１５（ａ）は図１４の線Ａ−Ａ’での断面図、及び図１５（ｂ）は図１４の線Ｂ−Ｂ’での断面図である。
【図１６】第１工程終了時のＴＦＴ基板の構成を示す平面図である。
【図１７】図１７（ａ）及び（ｂ）は、図１６の線Ａ−Ａ’での断面図、及び線Ｂ−Ｂ’での断面図である。
【図１８】第２工程終了時のＴＦＴ基板の構成を示す平面図である。
【図１９】図１９（ａ）及び（ｂ）は、図１８の線Ａ−Ａ’での断面図、及び線Ｂ−Ｂ’での断面図である。
【図２０】第３工程終了時のＴＦＴ基板の構成を示す平面図である。
【図２１】図２１（ａ）及び（ｂ）は、図２０の線Ａ−Ａ’での断面図、及び線Ｂ−Ｂ’での断面図である。
【図２２】図２２（ａ）及び（ｂ）は、第３工程を終了し、第４工程に移る途中の段階の図２０のＡ−Ａ’での断面図、及び線Ｂ−Ｂ’での断面図である。
【図２３】従来の液晶表示装置の回路図である。
【符号の説明】
１０  実施形態例１の液晶表示装置
１２  ガラス基板
１４  走査線
１４Ａ  走査電極線
１６  共通配線
１６Ａ  共通電極線
１７  信号線
１８  結束線
１９  ゲート電極
２０  走査線端子
２１Ａ  ドレイン電極
２１Ｂ  ソース電極
２２  画素電極
２３  共通電極
２４Ａ  第１共通配線端子
２４Ｂ  第２共通配線端子
２５  ゲート絶縁膜
２６  バッシベーション膜
２７  半導体層
２７Ａ  アモルファスシリコン膜
２７Ｂ  ｎ+ アモルファスシリコン膜
２８  コンタクトホール
３０  実施形態例２の液晶表示装置
３２  結束線
３４  コンタクトホール
４０  実施形態例３の液晶表示装置
４２Ｂ  結束線
５２  実施形態例４の液晶表示装置の電極接続部
５４  ＣＯＦ
５６  入力配線
５８  結束線
５９  ゲート端子
６２  実施形態例５の液晶表示装置の電極接続部
６４  ＴＣＰ
６６  入力配線
７０  従来の液晶表示装置
７２  走査線
７４  信号電極線
７６  ＴＦＴ
７８  共通配線
８０  画素電極
８２  付加容量
８４  接続端子
８６  コンタクトホール
８８  結束線
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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