(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に磁性層、保護層および潤滑層を順次積層した磁気記録媒体の製造方法において、
当該保護層を磁性層に接する下層とその上にある上層との二層で構成し、
当該上層をフィルタードカソーディックアーク法によって成膜し、
当該下層を、イオンアシストによるドーピングを伴うフィルタードカソーディックアーク法によって成膜し、
当該上層がアモルファスカーボンを主成分として含有し、
当該下層が、アモルファスカーボンおよび、水素とフッ素の少なくともいずれか一方を主成分として含有し、
当該下層の内部応力が当該上層よりも小さく、
当該下層の表面自由エネルギーが当該上層よりも小さく、
当該下層が５ＧＰａ以下の内部応力を有し、
当該下層が４０ｍＮ／ｍ以下の表面自由エネルギーを有する
ようになす、磁気記録媒体の製造方法。
【請求項２】
前記下層の５０〜８０原子％が炭素よりなる、請求項１に記載の磁気記録媒体の製造方法。
【請求項３】
前記下層の組成が、上層と同一の組成に対し、水素またはフッ素または水素とフッ素とを共存させたものである、請求項１または２に記載の磁気記録媒体の製造方法。
【請求項４】
前記上層が２０ＧＰａ以上の硬度を有する、請求項１〜３のいずれかに記載の磁気記録媒体の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は磁気記録媒体に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
情報記録装置である記録変換素子（ヘッド）の浮上を伴う磁気記録装置の一つであるハードディスクドライブは、コンピュータや各種情報端末などの外部記憶装置として一般に広く使用されている。
【０００３】
現在の磁気ディスクは、硬質非磁性基板上に良好な磁気特性を示すコバルト系の合金を薄膜磁性合金層として設けたものを磁性層として使用しているが、磁性合金層は耐久性、耐蝕性に著しく劣るため、ヘッドとの接触、摺動による摩擦、摩耗や湿気吸着による腐食発生により、磁気特性の劣化や機械的または化学的損傷が生じ易い。そこで現状では、磁性合金層表面に、保護層を設け、さらにその直上を潤滑剤よりなる潤滑層で被覆することで、耐久性、耐蝕性の向上を図っている。
【０００４】
上記保護層には、ＳｉＯ2やＡｌ2Ｏ3など様々な材質が用いられるが、現状はアモルファスカーボン等の炭素系保護層が、耐熱性、耐蝕性および耐摩耗性の点で磁気記録媒体およびヘッドの保護層として好適であるとされ、一般的に、スパッタリング法やＣＶＤ法（化学気相成長法）で堆積された炭素系保護層が使用されている。
【０００５】
ところで、近年の情報化社会ではあらゆる用途において取り扱う情報量が増大傾向にあり、これに伴って磁気ディスクについては、一層の高記録密度、大容量化が切望されている。高記録密度化への要求に応えるためには、磁性層とヘッドの記録／読みとり部間の間隔、いわゆるマグネティックスペーシングを短縮することが不可欠であり、保護層自身の薄層化が必要とされてきている。
【０００６】
従って、５ｎｍ以下の極薄膜においても十分な耐久性を確保できる保護層のニーズが高まっており、近年では従来以上に良好な耐久性が得られる保護層の形成が可能なフィルタードカソーディックアーク（Ｆｉｌｔｅｒｅｄ  Ｃａｔｈｏｄｉｃ  Ａｒｃ）法（ＦＣＡ法）に注目が集まっている（たとえば非特許文献１参照。）。
【０００７】
アモルファスカーボンは、ＦＣＡ法により、次のようにして作製することができる。図３は、ＦＣＡ法を行うためのＦＣＡ成膜システムの略図である。図３を参照して、グラファイト等の炭素源をカソード３１として、アノード３２との間にアーク放電を起こし、生じたカーボンイオン、電子、カーボンの中性原子、マクロ粒子の内、カーボンの中性原子やマクロ粒子をマグネチックフィルタ（フィルタコイル３３，ラスタコイル３４）で除去し、カーボンイオンと電子のみを基板３５上に導き、基板上にＤＬＣ（ダイアモンドライクカーボン）の層３６を形成させるものである。イオンガン３７は、他の元素によるドーピングを行うときに使用できる。
【０００８】
ＦＣＡ法はその成膜原理から、一般にダイヤモンド結合と呼ばれるｓｐ3結合量を５０％以上に増加させることが容易であり、それ故ダイヤモンドに近い硬度・密度をアモルファス状で実現することができる。しかしながら、ＦＣＡ法で形成された保護層は大きな内部応力を持つため、保護すべき磁性層から剥離し易いという欠点を有している。
【０００９】
さらに、ＦＣＡ法で形成した保護層は膜自身の被覆性は高いものの、従来方式で形成した保護層より腐食耐性に劣り、その傾向は薄膜時に顕著であることがわかった。この理由についてもＦＣＡ膜が有する高内部応力に遠因があると考えられる。すなわち、腐食が進行した保護層と磁性層の界面で応力解放による保護層の破壊が生じ、結果として保護層の剥離面での腐食が促進されるためであると推定される。
【００１０】
また、ＦＣＡ法で形成した保護層は膜自身の被覆性は高いものの、たとえば５ｎｍ以下というごく薄い層の場合には、ピンホール等の僅かな欠陥から、湿気が磁性層まで進入し、磁性層が腐食されるという問題を無視するわけにはいかない。
【００１１】
以上のような現状から、ＦＣＡ法で形成したアモルファスカーボンの保護層は、確かに機械的強度に優れるものの、磁気記録媒体の保護層という観点からはただちに適用することが困難である。
【非特許文献１】Ｈ．ヒョウドウ（Ｈｙｏｄｏ）等、「アイ・トリプルイー  トランザクションズ  オン  マグネチックス（ＩＥＥＥ  ＴＲＡＮＳＡＣＴＩＯＮＳ  ＯＮ  ＭＡＧＮＥＴＩＣＳ）」，２００１年７月，第３７巻，ｐ．１７８９〜１７９１
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１２】
本発明はこのような問題を解決し、耐久性、耐蝕性に優れた磁気記録媒体やこの磁気記録媒体を備えた磁気記録装置を提供することを目的としている。本発明のさらに他の目的および利点は、以下の説明から明らかになるであろう。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
本発明の一態様によれば、基板上に磁性層、保護層および潤滑層を順次積層した磁気記録媒体において、保護層が磁性層に接する下層とその上にある上層との二層で構成されており、下層の内部応力が上層よりも小さく、下層の表面自由エネルギーが上層よりも小さい磁気記録媒体が提供される。
【００１４】
下層と上層の少なくともいずれか一方がフィルタードカソーディックアーク法によって成膜されたものであること、上層がアモルファスカーボンを主成分として含有すること、より具体的には、上層の９０原子％以上が炭素よりなること、下層がアモルファスカーボンおよび、水素とフッ素の少なくともいずれか一方を主成分として含有すること、下層の５０〜８０原子％が炭素よりなること、下層の水素とフッ素の合計濃度が上層の水素とフッ素の合計濃度より大きいこと、下層の組成が、上層と同一の組成に対し、水素またはフッ素または水素とフッ素とを共存させたものであること、下層が５ＧＰａ以下の内部応力を有すること、下層が４０ｍＮ／ｍ以下の表面自由エネルギーを有すること、上層が２０ＧＰａ以上の硬度を有すること、上層が２．５ｇ／ｃｍ3以上の密度を有すること、下層と上層の膜厚比が３：７〜７：３の範囲にあること、保護層の膜厚が５ｎｍ以下であることが好ましい態様である。本発明により、内部応力の緩和を図ることで、高耐久性かつ高耐蝕性の磁気記録媒体を提供できる。
【００１５】
本発明の他の一態様によれば、上記の磁気記録媒体を備えた磁気記録装置も提供される。
【発明の効果】
【００１６】
本発明により、内部応力の緩和を図ることで、高耐久性かつ高耐蝕性の磁気記録媒体およびこの磁気記録媒体を備えた磁気記録装置を提供できる。このため、たとえば、ヘッドクラッシュや磁性層腐食を防止することができ、記録密度と信頼性を著しく向上できる。また、マグネットスペーシングをより小さくすることに寄与し得る。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１７】
以下に、本発明の実施の形態を図、表、実施例等を使用して説明する。なお、これらの図、表、実施例等および説明は本発明を例示するものであり、本発明の範囲を制限するものではない。本発明の趣旨に合致する限り他の実施の形態も本発明の範疇に属し得ることは言うまでもない。なお、図中、同一の番号は同一の要素を指す。また、本発明に係る、「記録媒体」および「磁気記録装置」は、磁気情報の記録（書き込み）のみ、磁気情報の再生（読み取り）のみおよび磁気情報の記録と再生の両方のいずれにも使用可能である。
【００１８】
以下、本発明を主としてハードディスク装置について説明するが、本発明に係る「磁気記録媒体」は、ハードディスク装置に使用される、面内媒体、ＳＦＭ（Ｓｙｎｔｈｅｔｉｃ  Ｆｅｒｒｉ  Ｃｏｕｐｌｅｄ  Ｍｅｄｉａ）、垂直記録媒体、パターンド媒体など、どのような記録媒体であってもよい。また、本発明に係る「磁気記録装置」には、このような磁気記録媒体を使用するすべての磁気記録装置が含まれる。
【００１９】
図１はハードディスク装置の内部構造を示す模式的平面図であり、図２は、ヘッドと、磁気記録媒体との関係を示す模式的横断面図（磁気記録媒体磁性層に垂直な方向で切断した図）である。
【００２０】
このハードディスク装置は、図１に示すように磁気記録媒体１とヘッドを備えたヘッドスライダ２、磁気記録媒体１の回転制御機構（たとえばスピンドルモータ）３、ヘッドの位置決め機構４および記録再生信号の処理回路（リードライトアンプ等）５を主要構成要素としている。
【００２１】
ヘッドスライダ２は、図２に示すように、サスペンジョン６およびヘッドスライダ２を柔軟に支持するためのジンバル７により、ヘッドの位置決め機構４と連結されており、その先端にヘッド８が設けられている。ヘッドスライダ面にはヘッド保護層９とヘッド潤滑層１０が設けられている。
【００２２】
磁気記録媒体１１は、図２の下方から基板１２、Ｃｒ下地層１３，磁性層１４，磁気記録媒体保護層（本発明では、単に保護層とも呼称する）１５，磁気記録媒体潤滑層（本発明では、単に潤滑層とも呼称する）１６等がある。シード層等のその他の層が設けられる場合もあるが本図では省略してある。各層の厚さは、ハードディスクの場合、潤滑層で１ｎｍ程度、保護層で５ｎｍ程度、磁性層で５０ｎｍ程度、Ｃｒ下地層で１０ｎｍ程度が一般的である。
【００２３】
本発明は、上記に例示されるように、基板上に磁性層、保護層および潤滑層を順次積層した磁気記録媒体において、保護層が磁性層に接する下層とその上にある上層との二層で構成されており、下層の内部応力を上層よりも小さく、下層の表面自由エネルギーを上層よりも小さくすることにより、上記課題を解決するものである。
【００２４】
下層の内部応力を上層よりも小さくすることで、磁性層との剥離を防止することができる。内部応力の具体的な数値としては下層の内部応力が５ＧＰａ以下であることが好ましい。この場合の上層の内部応力としては特に制限はない。上層の特性としては表面硬度が重要である。具体的には２０ＧＰａ以上の表面硬度が好ましい。
【００２５】
また、下層の表面自由エネルギーを上層よりも小さくすることで、湿気等に由来して保護層表面に付着した水分の進入を防止することが容易になる。たとえば、保護層を薄くすることにより、保護層にピンホールが生じ、保護層上層表面から磁性層に至るまで水分が移動できるパスが生じたとしても、下層の小さい表面自由エネルギーにより水分の進入を阻止できるようになるのである。下層の表面自由エネルギーの具体的な数値としては４０ｍＮ／ｍ以下が好ましい。
【００２６】
上層と下層とは、物理的、組成的に、必ずしも明確に区別できなくてもよい。要するに、保護層の上の方の層部分と下の方の層部分とを比較したとき、上記の関係が成立すれば充分である。
【００２７】
このような上層と下層の組み合わせは、実際にそれぞれの単独層を形成し、内部応力と表面自由エネルギーを測定し、そのデータを比較することにより、容易に選択することができるが、たとえば、下層を形成する際に、上層を形成するための第一の材料に加えて一以上の第二の材料も使用し、かつ、表面自由エネルギーを低下できるように第二の材料を選択することで、適切な組み合わせとすることができることが多いと考えられる。第二の材料の共存による結合歪みの緩和により、内部応力の低下を実現でき、第二の材料として表面自由エネルギーを低下できるものを選択することで、膜としての表面自由エネルギーの低下を実現できる。
【００２８】
具体的には、ＦＣＡ法を採用し、下層を形成する場合には、炭素以外の元素を下層に共存させるように、イオンガン等を使用してイオンアシストによりドーピングを行う方法がある。このほかには、スパッタリング、ＣＶＤ法を挙げることができる。共存させる元素としては、水素やフッ素など、炭素と結合状態にあるとき撥水性が向上する元素であることが好ましい。内部応力と表面自由エネルギーを同時に低下させることができるからである。水素とフッ素とを両方共存させてもよい。図４は、ＦＣＡ法により作製したＤＬＣ中のフッ素濃度と表面自由エネルギーの関係を示したグラフである。水素添加を行う原料としては水素ガスを、フッ素添加を行う原料としてはテトラフルオロメタンを使用することができる。
【００２９】
上層の組成としては、どのようなものでもよいいが、アモルファスカーボンを主成分とすることが好ましい。他の組成としてはＳｉやＳｉＣも考えられる。
【００３０】
アモルファスカーボンを得る手段としては、上記ＦＣＡの他、どのような方法を採用してもよい。なお、本発明において「主成分とする」とは５０原子％を超えることを意味する。上層の組成としては、９０原子％以上が炭素であることがより好ましい。
【００３１】
なお、膜硬度は炭素のｓｐ3構造が多い等、組成を密にすることにより高くすることができる。この観点から、上層が２．５ｇ／ｃｍ3以上の密度を有することが好ましい。特に、アモルファスカーボンの場合に好ましい。
【００３２】
下層の組成としては、アモルファスカーボンおよび、水素とフッ素との少なくともいずれか一方を主成分として含有することが好ましい。この場合の「主成分とする」とは、アモルファスカーボンと水素とフッ素との合計が５０原子％を超えることを意味する。アモルファスカーボンと水素とフッ素との合計量が９９原子％以上であることがより好ましい。また、下層の組成中のアモルファスカーボンとしては、内部応力と表面自由エネルギーを適切な値とする観点から、５０〜８０原子％が好ましい。
【００３３】
本発明の趣旨に反しない限り、上層にも、水素やフッ素等他の原子が入っていてもよいが、膜硬度が低下するので好ましくない場合が多い。水素やフッ素が入っている場合は、内部応力と表面自由エネルギーを適切な値とする観点から、下層の水素とフッ素の合計濃度が上層の水素とフッ素の合計濃度より大きいことが重要である。
【００３４】
このような上層と下層との組み合わせを実現するには、下層の組成が、上層と同一の組成に対し、水素またはフッ素または水素とフッ素とを共存させたものであるようにすることが好ましい。同一の設備を使用し、ほぼ同一のステップで、容易に上層と下層とを作製できるからである。
【００３５】
この場合、たとえば、下層にある元素をドーピングし、上層にはドーピングしないようにするとき、上層を形成する前に一旦系内のドーピング用元素を完全に除去する等のステップを加えてもよいが、加えなくてもよく、単にドーピング用元素の供給を停止するだけで充分な場合もあり得る。さらには、ドーピング用元素の供給量を次第に減少させることにより、ドーピング用元素濃度勾配が生じるような方法を採用してもよい。先述したごとく、本発明における上層と下層は、この例の場合のようにその境界が不明確であってもよい。
【００３６】
なお、水分の進入を防止する観点からは、上層、下層とも金属、窒素、酸素でのドーピングは避けるべきである。これらの元素の共存で内部応力の低減は可能であるが、これらの元素の添加は炭素膜を親水化し、結果として腐食耐性を減少させてしまうからである。なお、潤滑剤の親和性を向上させる目的においては、上層のごく表層にこれらの元素を存在させてもよい。
【００３７】
上記のような上層と下層との組み合わせにより、保護層の厚さを５ｎｍ以下にすることができ、磁気スペーシングの狭隘化に対応しやすくなり、好ましい。また、上層と下層との組み合わせにおいて、何らかの手段や方法でそれぞれの厚さが判断できる場合には、下層と上層の膜厚比が３：７〜７：３の範囲にあることが好ましい。この範囲より下層の厚さが小さいと、剥離や腐食の問題が大きくなる。この範囲より下層の厚さが大きいと、保護層として充分な機械的強度や表面硬度を保つことができにくくなる。なお、上層の上表面には潤滑剤との親和性を向上させるためにＯＨ、ＣＯＯＨ等の各種官能基を付与しても良い。
【００３８】
上記のようにして、本発明に係る保護層を持つ磁気記録媒体は、記録密度と信頼性を著しく向上できる。従って、高記録密度と高信頼性を有する磁気記録装置を得ることができる。
【実施例】
【００３９】
次に本発明の実施例および比較例を詳述する。なお、各物性値は次のようにして測定した。
【００４０】
（水素密度、フッ素密度、膜密度）
膜密度およびフッ素濃度の定量はラザフォード後方散乱分光法（RBS）で、また水素濃度の定量は弾性反跳粒子検出法（ERDA）で行った。
【００４１】
（膜硬度）
膜硬度の測定はナノインデンテーション法を用いた。ナノインデンテーション法は、μN程度の微小荷重を用いてダイヤモンド圧子を材料に押し込み、除荷する際の微小変形を測定することで力学特性を評価する方法である。押し込み量を数nm程度に制御できるため薄膜試料の特性評価に適している。
【００４２】
（内部応力）
内部応力は薄膜ストレス測定器を用いて測定した。原理としては、成膜前後における基板の曲率半径変化を求め、（１）式に各値を代入することで応力を決定する。
【００４３】
【数１】
0004718797.tif 000002
ここで、E/(1-ν)は基板の弾性係数、hは基板の厚さ（m）、tは膜厚（m）、Rは基板の曲率半径（m）、σは薄膜の平均ストレス（Pa）である。
【００４４】
（膜の表面自由エネルギー）
表面自由エネルギーは対象膜に対する純水およびジヨードメタンの接触角を測定し、以下の導出式から算出した。
【００４５】
固体試料の表面自由エネルギーをγS、液体試料の表面自由エネルギーをγL、固体試料／液体試料の接触角をθSL、固体試料／液体試料の界面自由エネルギーをγSLとすれば（２）式に示すYoungの式が成立する。
【００４６】
γS =γL・cosθSL+γSL・・・（２）
液体が固体表面に付着することにより安定化するエネルギーである接着仕事WSLはDupreの式（３）に従う。
【００４７】
γS +γL = WSL+γSL・・・（３）
以上の２式からYoung- Dupreの式（４）が導出され、接着仕事は液体の表面自由エネルギーと接触角から求められることになる。
【００４８】
WSL=γL（1+cosθSL）・・・（４）
この接着仕事に対して表面自由エネルギーの各成分の幾何平均則を適用すると、（５）式が成り立つ。
【００４９】
WSL=２√（γSd・γLd）＋２√（γSh・γLh）・・・（５）
ここでｄ、ｈは分散成分、水素結合成分を意味する。
【００５０】
２種類の液体（i, j）を用いれば接着仕事について次の関係が成り立つ。
【００５１】
【数２】
0004718797.tif 000003
従って、２種類の液体の接触角を実測し接着仕事求めれば次の関係から固体の表面自由エネルギーを各成分毎に求めることができる。この関係式をFowkes式と呼ぶ。またこの関係式より、表面自由エネルギーγ=γd＋γhが求められる。
【００５２】
【数３】
0004718797.tif 000004
（耐久性試験）
実施例および比較例の磁気記録媒体完成品に、先端が直径２ｍｍのアルミナピンを回転数８０回転／分（ｒｐｍ）で接触させ炭素系保護層が破断するまで摺動させて評価した。破断は、摩擦力が変化すること、磁気記録媒体表面に摺動痕が生じること、電子顕微鏡観察で保護層が消失している部分が見られること等によって検出した。
【００５３】
（腐食試験）
磁気記録媒体完成品を室温下２４時間放置した後、希硝酸を表面へ１ｍＬ滴下し、１時間後に滴下した希硝酸を吸い出して回収し、誘導結合プラズマ質量分析装置（ＩＣＰ−ＭＳ）による元素分析を行って求めた。
【００５４】
［実施例１］
図５は本実施例で作製した磁気記録媒体の模式的断面図である。アルミ合金基板１２上にＮｉ−Ｐめっき１７を施し、その上にＣｒ系下地層１３および磁性層１４をスパッタリング法により順次積層形成した。
【００５５】
続いてＦＣＡ装置を用いグラファイトターゲットを原料として、アーク電流６０Ａ、アーク電圧３０Ｖ、カソードコイル電流１０Ａの条件下、０．１ｎｍ／秒の成膜速度で下層となる２ｎｍの炭素系保護層を成膜した。その際、水素ガスを供給し、成膜室内に取り付けたイオン源を用いてビーム電圧５００Ｖ、ビーム電流５００Ａの条件で水素プラズマによるイオンアシストを行い、アモルファスカーボンと水素とからなる炭素系保護層を形成した。この条件における単独膜（上層がない状態）の膜特性を表１に示す。
【００５６】
その後、水素を十分に排気し、上層として、アモルファスカーボンからなる炭素系保護層１５を３ｎｍ成膜した。この成膜条件の単独膜（下層がない状態）の膜特性を表２に示す。
【００５７】
上下層の合計で５ｎｍの膜厚の本保護層上に、イタリア・アウジモンド社のＦｏｍｂｌｉｎ  ＴＥＴＲＡＯＬをハイドロデカフルオロペンタンで約０．２体積％に希釈した潤滑剤溶液を用い、浸漬時間３０秒の条件で引き上げ法により、各試料へ１ｎｍ厚で塗布することで潤滑層１６を設け、磁気記録媒体を完成した。
【００５８】
耐久性試験の結果、１００００周回を超えても保護層は破壊しなかった。さらに耐久性試験に供しなかった完成品について腐食試験を行った結果、磁性層の主元素であるコバルト溶出量が１．２μｇ／ｍ2であった。
【００５９】
［比較例１］
実施例１と同様の手法で磁性層までを積層した後、ＦＣＡ装置を用いグラファイトターゲットを原料として、アーク電流６０Ａ、アーク電圧３０Ｖ、カソードコイル電流１０Ａの条件下、０．１ｎｍ／秒の成膜速度で５ｎｍ厚の炭素系保護層を成膜した。この条件下における膜特性は表２の通りであった。
【００６０】
続いて実施例１と同様にしてイタリア・アウジモンド社のＦｏｍｂｌｉｎ  ＴＥＴＲＡＯＬを使用して磁気記録媒体を完成した。
【００６１】
耐久性試験の結果、１００００周回を越えても保護層は破壊しなかった。ただし、耐久性試験に供しなかった完成品について腐食試験を行った結果、磁性層の主元素であるコバルト溶出量が３．８μｇ／ｍ2となり、実施例１に比べ増大した。
【００６２】
［比較例２］
実施例１と同様の手法で磁性層までを積層した後、ＦＣＡ装置を用いグラファイトターゲットを原料として、アーク電流６０Ａ、アーク電圧３０Ｖ、カソードコイル電流１０Ａの条件下、０．１ｎｍ／秒の成膜速度で５ｎｍの炭素系保護層を成膜した。その際、水素ガスを供給し、成膜室内に取り付けたイオン源を用いて、ビーム電圧５００Ｖ、ビーム電流５００Ａの条件で水素プラズマによるイオンアシストを行った。この条件における膜特性は表１の通りであった。
【００６３】
続いて実施例１と同様にしてイタリア・アウジモンド社のＦｏｍｂｌｉｎ  ＴＥＴＲＡＯＬを使用して磁気記録媒体を完成した。
【００６４】
実施例１と同様の耐久性試験の結果、１００００周回前に保護層が破壊された。ただし、耐久性試験に供しなかった完成品について腐食試験を行った結果、磁性層の主元素であるコバルト溶出量は１．３μｇ／ｍ2となり、実施例１と同等であった。
【００６５】
［実施例２］
水素ガスを供給する代わりにテトラフルオロメタンを供給した以外は実施例１と同様にして保護層を作製し、実施例１と同様に評価した。この条件における単独膜（上層がない状態）の膜特性を表３に示す。
【００６６】
耐久性試験の結果、１００００周回を超えても保護層は破壊しなかった。耐久性試験に供しなかった完成品について腐食試験を行った結果、磁性層の主元素であるコバルト溶出量が１．１μｇ／ｍ2であった。
【００６７】
［比較例３］
水素ガスを供給する代わりにテトラフルオロメタンを供給した以外は比較例２と同様にして保護層を作製し、比較例２と同様に評価した。この条件における膜特性は表３の通りであった。
【００６８】
耐久性試験の結果、１００００周回前に保護層が破壊された。ただし、耐久性試験に供しなかった完成品について腐食試験を行った結果、磁性層の主元素であるコバルト溶出量は１．２μｇ／ｍ2となり、実施例１と同等であった。
【００６９】
【表１】
0004718797.tif 000005
【００７０】
【表２】
0004718797.tif 000006
【００７１】
【表３】
0004718797.tif 000007
なお、上記に開示した内容から、下記の付記に示した発明が導き出せる。
【００７２】
（付記１）
基板上に磁性層、保護層および潤滑層を順次積層した磁気記録媒体において、
当該保護層が磁性層に接する下層とその上にある上層との二層で構成されており、
当該下層の内部応力が当該上層よりも小さく、
当該下層の表面自由エネルギーが当該上層よりも小さい
磁気記録媒体。
【００７３】
（付記２）
前記下層と上層の少なくともいずれか一方がフィルタードカソーディックアーク法によって成膜されたものである、付記１に記載の磁気記録媒体。
【００７４】
（付記３）
前記上層がアモルファスカーボンを主成分として含有する、付記１または２に記載の磁気記録媒体。
【００７５】
（付記４）
前記上層の９０原子％以上が炭素よりなる、付記１〜３のいずれかに記載の磁気記録媒体。
【００７６】
（付記５）
前記下層がアモルファスカーボンおよび、水素とフッ素の少なくともいずれか一方を主成分として含有する、付記１〜４のいずれかに記載の磁気記録媒体。
【００７７】
（付記６）
前記下層の５０〜８０原子％が炭素よりなる、付記１〜５のいずれかに記載の磁気記録媒体。
【００７８】
（付記７）
前記下層の水素とフッ素の合計濃度が前記上層の水素とフッ素の合計濃度より大きい、付記１〜６のいずれかに記載の磁気記録媒体。
【００７９】
（付記８）
前記下層の組成が、上層と同一の組成に対し、水素またはフッ素または水素とフッ素とを共存させたものである、付記１〜７のいずれかに記載の磁気記録媒体。
【００８０】
（付記９）
前記下層が５ＧＰａ以下の内部応力を有する、付記１〜８のいずれかに記載の磁気記録媒体。
【００８１】
（付記１０）
前記下層が４０ｍＮ／ｍ以下の表面自由エネルギーを有する、付記１〜９のいずれかに記載の磁気記録媒体。
【００８２】
（付記１１）
前記上層が２０ＧＰａ以上の硬度を有する、付記１〜１０のいずれかに記載の磁気記録媒体。
【００８３】
（付記１２）
前記上層が２．５ｇ／ｃｍ3以上の密度を有する、付記１〜１１のいずれかに記載の磁気記録媒体。
【００８４】
（付記１３）
前記下層と上層の膜厚比が３：７〜７：３の範囲にある、付記１〜１２のいずれかに記載の磁気記録媒体。
【００８５】
（付記１４）
前記保護層の膜厚が５ｎｍ以下である、付記１〜１３のいずれかに記載の磁気記録媒体。
【００８６】
（付記１５）
付記１〜１４のいずれかに記載の磁気記録媒体を備えた磁気記録装置。
【図面の簡単な説明】
【００８７】
【図１】ハードディスク装置の内部構造を示す模式的平面図である。
【図２】ハードディスク装置のヘッドと磁気記録媒体との関係を示す模式的横断面図である。
【図３】ＦＣＡ法を行うためのＦＣＡ成膜システムの略図である。
【図４】ＦＣＡ法により作製したＤＬＣ中のフッ素濃度と表面自由エネルギーの関係を示したグラフである。
【図５】実施例および比較例に係る磁気記録媒体を示す模式的横断面図である。
【符号の説明】
【００８８】
１    磁気記録媒体
２    ヘッドスライダ
３    回転制御機構
４    ヘッドの位置決め機構
５    記録再生信号の処理回路
６    サスペンジョン
７    ジンバル
８    ヘッド
９    ヘッド保護層
１０  ヘッド潤滑層
１１  磁気記録媒体
１２  基板
１３  Ｃｒ下地層
１４  磁性層
１５  保護層
１６  潤滑層
１７  Ｎｉ−Ｐめっき層
３１  カソード
３２  アノード
３３  フィルタコイル
３４  ラスタコイル
３５  基板
３６  ＤＬＣの層
３７  イオンガン
【図１】
0004718797.tif 000008
【図２】
0004718797.tif 000009
【図３】
0004718797.tif 000010
【図４】
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【図５】
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