(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
前回データと現在データとの間のトランジション数を比較し、さらに前記現在データと次回データとの間のトランジション数を比較して、その比較結果によって前記現在データの反転の可否を決定すると共に、前記前回データと前記次回データのハイレベル数の差と、前記現在データと前記前回データのハイレベル数の差によって前記現在データの反転の可否を決定し、前記現在データの反転時に反転信号を発生するデータトランジション変換部と、
前記データトランジション変換部からのデータを格納するメモリと、
前記反転信号を用いて前記メモリからのデータを逆変換するデータトランジション逆変換部と、
変調データを予め貯蔵し前記現在データと前記データトランジション逆変換部により逆変換された前回フレームデータの入力を受けて前記変調データ中いずれか１つを出力するルックアップテーブルと、
前記ルックアップテーブルからのデータを液晶表示パネルに表示するための表示駆動回路と
を備えることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項２】
前記データを圧縮して前記データトランジション変換部に供給するデータ圧縮部と、
前記データ圧縮部の圧縮アルゴリズムに対応する復元アルゴリズムを用いて前記データトランジション逆変換部からのデータを復元して前記ルックアップテーブルに供給するデータ復元部と
をさらに備えることを特徴とする請求項１記載の液晶表示装置。
【請求項３】
前記データトランジション変換部、前記データトランジション逆変換部、前記ルックアップテーブル、前記データ圧縮部、及び前記データ復元部を内蔵し、前記表示駆動回路の動作タイミングを制御するタイミングコントローラをさらに備えることを特徴とする請求項２記載の液晶表示装置。
【請求項４】
前記データトランジション変換部は、
前記前回データでハイレベルをカウントする第１ハイレベルカウンタと、
前記現在データでハイレベルをカウントする第２ハイレベルカウンタと、
前記次回データでハイレベルをカウントする第３ハイレベルカウンタと、
前記前回データと前記現在データとの間の前記トランジション数をカウントして、そのトランジションカウント値が第１基準値より大きいとき、ハイレベルの出力を発生する第１トランジションカウンタと、
前記現在データと前記次回データとの間の前記トランジション数をカウントして、そのトランジションカウント値が第２基準値より大きいとき、ハイレベルの出力を発生する第２トランジションカウンタと、
前記前回データと前記次回データとのハイレベルの差が第３基準値以下であり、前記現在データと前記前回データとの間のハイレベルの差が第４基準値より大きい場合には、ハイレベルの出力を発生するハイカウント比較部と、
前記第１トランジションカウンタの出力がハイレベルである場合と、前記ハイカウント比較部の出力と前記第２トランジションカウンタの出力の両方ともがハイレベルである場合に、前記反転信号を発生する反転信号出力部と、
前記反転信号に従い前記現在データを反転させるデータ変換部と
を備えることを特徴とする請求項１記載の液晶表示装置。
【請求項５】
前回データと現在データとの間のトランジション数を比較し、さらに前記現在データと次回データとの間のトランジション数を比較して、その比較結果によって、前記現在データの反転の可否を決定すると共に、前記前回データと前記次回データのハイレベル数の差と、前記現在データと前記前回データのハイレベル数の差によって前記現在データの反転の可否を決定し、前記現在データの反転時に、反転されたデータをメモリに供給し、反転信号を発生するステップと、
前記反転信号を用いて前記メモリからのデータを逆変換するステップと、
液晶の応答特性を向上させるための変調データを予め貯蔵したルックアップテーブルに前記現在データと前記逆変換されたデータを入力し前記変調データ中いずれか１つが前記ルックアップテーブルから出力されるステップと、
前記ルックアップテーブルから出力された変調データを液晶表示パネルに表示するステップと
を含むことを特徴とする液晶表示装置の駆動方法。
【請求項６】
前記データの反転の前に前記データを圧縮するステップと、
前記データの圧縮アルゴリズムに対応する復元アルゴリズムを用いて、前記逆変換されたデータを復元するステップと
をさらに含むことを特徴とする請求項５記載の液晶表示装置の駆動方法。
【請求項７】
前記反転されたデータをメモリに供給し、反転信号を発生するステップは、
前記前回データでハイレベルをカウントするステップと、
前記現在データでハイレベルをカウントするステップと、
前記次回データでハイレベルをカウントするステップと、
前記前回データと前記現在データとの間の前記トランジション数をカウントして、そのトランジションカウント値が第１基準値より大きい時、ハイレベルの出力を発生するステップと、
前記現在データと前記次回データとの間の前記トランジション数をカウントして、そのトランジションカウント値が第２基準値より大きいとき、ハイレベルの出力を発生するステップと、
前記前回データと前記次回データとのハイレベルの差が第３基準値以下であり、前記現在データと前記前回データとの間のハイレベルの差が第４基準値より大きい場合には、ハイレベルの出力を発生するステップと、
前記前回データと前記現在データとの間の前記トランジション数をカウントして、そのトランジションカウント値が第１基準値より大きい場合に、前記反転信号を発生すると共に、前記前回データと前記次回データとのハイレベルの差が第３基準値以下であり、前記現在データと前記前回データとの間のハイレベル個数の差が第４基準値より大きく、前記現在データと前記次回データとの間の前記トランジション数をカウントして、そのトランジションカウント値が第２基準値より大きいとき、前記反転信号を発生するステップと、
前記反転信号に従って前記現在データを反転させるステップと
を含むことを特徴とする請求項５記載の液晶表示装置の駆動方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、液晶表示素子に関し、特に液晶の応答特性を向上させるために、ディジタルビデオデータを変調するための回路において、メモリとルックアップテーブルとの間のデータトランジションを減らして、ＥＭＩ（Electro Magnetic Interference：電磁妨害）と回路の発熱を最小化するようにした液晶表示装置及びその駆動方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
液晶表示素子（Liquid Crystal Display）は、ビデオ信号に従って液晶セルの光透過率を調節して画像を表示することになる。
【０００３】
このような液晶表示素子の中で、液晶セル毎にスイッチング素子が形成されたアクティブマトリックスタイプの液晶表示素子は、スイッチング素子の能動的な制御が可能であるので、動画表示に有利である。アクティブマトリックスタイプの液晶表示素子に使われるスイッチング素子としては、主に薄膜トランジスタ（Thin Film Transistor；以下、“ＴＦＴ”という）が用いられている。
【０００４】
液晶表示素子は、下式（１）及び（２）から分かるように、液晶の固有な粘性と弾性などの特性により応答速度が遅いという短所がある。
【０００５】
【数１】
0004810526.tif 000002
【０００６】
上式（１）において、τｒは液晶に電圧が印加される時のライジングタイムを、Ｖａは印加電圧を、ＶＦは液晶分子が傾斜運動を始めるフリードリック遷移電圧（Freederick Transition Voltage）を、ｄは液晶セルのセルギャップを、γは液晶分子の回転粘度を各々意味する。
【０００７】
【数２】
0004810526.tif 000003
【０００８】
上式（２）において、τｆは液晶に印加された電圧がオフされた後、液晶が弾性復原力により原位置に復元されるフォーリングタイムを、Ｋは液晶固有の弾性係数を各々意味する。
【０００９】
現在まで液晶表示素子で最も一般的に使われてきた液晶モードであるＴＮモード（Twisted Nematic mode）の液晶応答速度は、液晶材料の物性とセルギャップなどにより変えることができるが、通常、ライジングタイムが２０〜８０ｍｓであり、フォーリングタイムが２０〜３０ｍｓである。このような液晶の応答速度は、１フレーム期間（ＮＴＳＣ：１６．６７ｍｓ）より長い。このため、図１のように、液晶セルに充電される電圧が希望する電圧に到達する前に、次のフレームに進行してしまうため、動画で画面が薄暗くなるモーションバーリング（Motion Burring）現象が表れることになる。
【００１０】
図１を参照すると、従来の液晶表示素子は、遅い応答速度により、１レベルから他のレベルにデータ（ＶＤ）が変わる時、それに対応する表示輝度（ＢＬ）が希望する輝度に到達することができず、希望する色と輝度を表現できなくなる。その結果、液晶表示素子は、動画でモーションバーリング現象が表れることになり、コントラスト比の低下により画質が落ちることになる。
【００１１】
このような液晶表示素子の遅い応答速度を解決するために、図２のようなオーバードライビング方式があり、この方式では、入力データ（ＶＤ）を予め設定された変調データ（ＭＶＤ）に変調し、その変調データ（ＭＶＤ）を液晶セルに印加して希望する輝度（ＭＢＬ）を得ることになる。このオーバードライビング方式は、１フレーム期間内に入力データの輝度値に対応して希望する輝度を得ることができるように、データの変化の可否に基づいて、上式（１）で｜Ｖａ２−ＶＦ２｜を高くすることになる。したがって、オーバードライビング方式は、液晶の遅い応答速度をデータ値の変調により補償して、動画でモーションバーリング現象を緩和させる。
【００１２】
オーバードライビング回路は、図３の通りである。
【００１３】
図３を参照すると、オーバードライビング回路は、データバス３２からのデータを格納するフレームメモリ３３と、データを変調するためのルックアップテーブル３４とを備える。
【００１４】
フレームメモリ３３は、データを格納し、格納されたデータを前回フレームデータ（Ｆｎ−１）としてルックアップテーブル３４に供給する。
【００１５】
ルックアップテーブル３４は、下記の表１のように、現在番目のフレームデータ（Ｆｎ）とフレームメモリ３３からの前回フレームデータ（Ｆｎ−１）をアドレスとして、予め設定された変調データ（ＭＲＧＢ）を選択することにより、データを変調する。このルックアップテーブル３４は、読取り専用メモリ（Read Only Memory：ＲＯＭ）とメモリアドレス制御回路とを含む。
【００１６】
【表１】
0004810526.tif 000004
【００１７】
表１において、最も左側の列は、前回フレーム（Ｆｎ−１）のデータであり、最も上側の行は、現在フレーム（Ｆｎ）のデータである。
【００１８】
図３のようなオーバードライビング回路は、前回フレームデータを格納するためにフレームメモリ３３が必要である。このようなフレームメモリ３３は、回路コストを増加させる主原因となる。
【００１９】
また、ルックアップテーブル３４は、液晶表示パネルの駆動回路を制御するためのタイミングコントローラに内蔵できるが、この場合、タイミングコントローラのチップサイズが大きくなるだけでなく、タイミングコントローラとフレームメモリ３３との間のデータ転送路でＥＭＩが高まり、タイミングコントローラの発熱量が高まる問題点がある。これは、タイミングコントローラ内にロードされたルックアップテーブル３４とフレームメモリ３３との間で転送されるデータのトランジション量が多いためである。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００２０】
本発明の目的は、液晶の応答特性を向上させるためにディジタルビデオデータを変調するための回路において、メモリとルックアップテーブルとの間のデータトランジションを減らしてＥＭＩと回路の発熱を最小化するようにした液晶表示装置及びその駆動方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００２１】
上記の目的を達成するために、本発明の液晶表示装置は、前回データと現在データとの間のトランジション数を比較し、さらに前記現在データと次回データとの間のトランジション数を比較して、その比較結果によって前記現在データの反転の可否を決定すると共に、前記前回データと前記次回データのハイレベル数の差と、前記現在データと前記前回データのハイレベル数の差によって前記現在データの反転の可否を決定し、前記現在データの反転時に反転信号を発生するデータトランジション変換部と、前記データトランジション変換部からのデータを格納するメモリと、前記反転信号を用いて前記メモリからのデータを逆変換するデータトランジション逆変換部と、変調データを予め貯蔵し前記現在データと前記データトランジション逆変換部により逆変換された前回フレームデータの入力を受けて前記変調データ中いずれか１つを出力するルックアップテーブルと、前記ルックアップテーブルからのデータを液晶表示パネルに表示するための表示駆動回路とを備えることを特徴とする。
また、本発明の液晶表示装置の駆動方法は、前回データと現在データとの間のトランジション数を比較し、さらに前記現在データと次回データとの間のトランジション数を比較して、その比較結果によって、前記現在データの反転の可否を決定すると共に、前記前回データと前記次回データのハイレベル数の差と、前記現在データと前記前回データのハイレベル数の差によって前記現在データの反転の可否を決定し、前記現在データの反転時に、反転されたデータをメモリに供給し、反転信号を発生するステップと、前記反転信号を用いて前記メモリからのデータを逆変換するステップと、液晶の応答特性を向上させるための変調データを予め貯蔵したルックアップテーブルに前記現在データと前記逆変換されたデータを入力し前記変調データ中いずれか１つが前記ルックアップテーブルから出力されるステップと、前記ルックアップテーブルから出力された変調データを液晶表示パネルに表示するステップとを含むことを特徴とする。
【発明の効果】
【００２８】
本発明の液晶表示装置及びその駆動方法は、前回データと現在データとを比較して、それらの間にトランジション数が多いとき、または、前回データと次回データを現在データと比較して、これらの間にハイレベル数とトランジション数を基準値と比較して、その比較結果に従ってデータを選択的に反転する。その結果、本発明の液晶表示装置及びその駆動方法は、液晶の応答特性を向上させるためにディジタルビデオデータを変調するための回路において、メモリとタイミングコントローラとの間のデータトランジションを減らし、ＥＭＩと回路の発熱を最小化することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２９】
以下、図４乃至図１１を参照して本発明の好ましい実施の形態について説明する。
【００３０】
図４を参照すると、本発明の実施の形態に係る液晶表示装置は、データライン４５とゲートライン４６とが交差し、その交差部に液晶セル（ＣＬｃ）を駆動するためのＴＦＴが形成された液晶表示パネル４７、液晶表示パネル４７のデータライン４５にデータを供給するためのデータ駆動部４３、液晶表示パネル４７のゲートライン４６にスキャンパルスを供給するためのゲート駆動部４４、データ駆動部４３とゲート駆動部４４を制御すると共に、メモリ４２にソースデータ（ＳＲＧＢ）を供給するタイミングコントローラ４１、及びタイミングコントローラ４１に接続されたメモリ４２を備える。
【００３１】
液晶表示パネル４７は、２枚のガラス基板の間に液晶が注入され、その下部ガラス基板上にデータライン４５とゲートライン４６が相互に直交するように形成される。データライン４５とゲートライン４６との交差部に形成されたＴＦＴは、ゲートライン４６からのスキャンパルスに応答してデータライン４５からのデータを液晶セル（ＣＬｃ）に供給する。このため、ＴＦＴのゲート電極は、ゲートライン４６に接続され、ソース電極は、データライン４５に接続される。そして、ＴＦＴのドレイン電極は、液晶セル（ＣＬｃ）の画素電極に接続される。液晶表示パネル４７の下部ガラス基板上には、液晶セル（ＣＬｃ）の電圧を維持させるためのストレージキャパシタ（Storage Capacitor：Ｃｓｔ）が形成される。このストレージキャパシタ（Ｃｓｔ）は、液晶セル（ＣＬｃ）と前段のゲートライン４６との間に形成することができ、液晶セル（ＣＬｃ）と別途の共通ラインとの間に形成することができる。
【００３２】
タイミングコントローラ４１は、垂直／水平同期信号（Ｖ，Ｈ）とクロック（ＣＬＫ）を用いて、ゲート駆動部４４の動作タイミングを制御するためのゲート制御信号（ＧＤＣ）、データ駆動部４３の動作タイミングを制御するためのデータ制御信号（ＤＤＣ）、及びメモリ４２を制御するための制御信号を発生する。このタイミングコントローラ４１は、クロック（ＣＬＫ）に合せてディジタルビデオデータ（ＲＧＢ）をサンプリングし、そのデータ（ＲＧＢ）を圧縮した後、データトランジション数を減らすためのデータ変換を経てメモリ４２に格納すると共に、メモリ４２からの前回フレームデータを読み込む。また、タイミングコントローラ４１は、液晶の応答速度を変調するための変調データが格納されたルックアップテーブルを内蔵する。タイミングコントローラ４１は、メモリ４２から読み込んだ前回フレームデータに対し、データトランジション逆変換と圧縮の復元を経てルックアップテーブルに供給する。ルックアップテーブルは、現在フレームデータと前回フレームデータとを比較して、下記のような条件を満たす変調データを選択する。そして、タイミングコントローラ４１は、ルックアップテーブルにより選択された変調データ（ＭＲＧＢ）をデータ駆動部４３に供給する。
【００３３】
ルックアップテーブルに格納された変調データは、下式（３）〜（５）の条件を満たす。
【００３４】
【数３】
0004810526.tif 000005
【００３５】
上式（３）〜（５）から分かるように、変調データ（ＭＲＧＢ）は、同一なピクセルにおいて、そのピクセルデータ値が前回フレーム（Ｆｎ−１）が現在フレーム（Ｆｎ）より大きい場合には、現在フレーム（Ｆｎ）より小さい値に設定される。一方、前回フレーム（Ｆｎ−１）が現在フレーム（Ｆｎ）より小さい場合には、現在フレーム（Ｆｎ）より大きい値に設定される。また、変調データ（ＭＲＧＢ）は、同一なピクセルにおいて、そのピクセルデータ値が前回フレーム（Ｆｎ−１）と現在フレーム（Ｆｎ）で同一であれば、現在フレーム（Ｆｎ）と同一な値に設定される。ここで、前回フレーム（Ｆｎ−１）のデータは、後述するように、前回フレームの平均値に置換される。
【００３６】
メモリ４２は、タイミングコントローラ４１からのデータを１フレーム期間の間、格納した後に出力することによって、ルックアップテーブルに供給される前回フレームデータをタイミングコントローラ４１に供給する。タイミングコントローラ４１とメモリ４２は、液晶表示パネル４７の解像度が１３６６×７６８であるとき、１５ｂｉｔｓのデータが転送され、１ｂｉｔの反転信号（ＲＥＶ）が転送される。このメモリ４２は、如何なるメモリでも可能であるが、費用や性能面でＳＤＲＡＭ（Synchronous Dynamic Random Access Memory）が好ましい。
【００３７】
データ駆動部４３は、シフトレジスタと、タイミングコントローラ４１からの変調データ（ＭＲＧＢ）を一時格納するためのレジストと、シフトレジスタからのクロック信号に応答して変調データ（ＭＲＧＢ）を格納した後、１ライン分のデータを同時に出力するためのラッチ、ラッチからの変調データ（ＭＲＧＢ）をアナログ正極性／負極性のガンマ補償電圧に変換するディジタル／アナログ変換器、正極性／負極性ガンマ補償電圧を選択するマルチプレクサ、及びマルチプレクサとデータラインとの間に接続された出力バッファーなどで構成される。このデータ駆動部４３は、変調データ（ＭＲＧＢ）の入力を受けて、その変調データ（ＭＲＧＢ）をタイミングコントローラ４１の制御下で液晶表示パネル４７のデータライン４５に供給する。
【００３８】
ゲート駆動部４４は、タイミングコントローラ４１からのゲート制御信号（ＧＤＣ）に応答してスキャンパルスを順次発生するシフトレジスト、スキャンパルスのスイング幅を液晶セル（ＣＬｃ）の駆動に適合したレベルにシフトさせるためのレベルシフター、出力バッファーなどで構成される。このゲート駆動部４４は、スキャンパルスをゲートライン４６に供給することで、そのゲートライン４６に接続されたＴＦＴをターン−オンさせて、データの画素電圧、即ち、アナログガンマ補償電圧が供給される１水平ラインの液晶セル（ＣＬｃ）を選択する。データ駆動部４３から発生されるデータは、スキャンパルスに同期することで、選択された１水平ラインの液晶セル（ＣＬｃ）に供給される。
【００３９】
図５は、タイミングコントローラ４１のデータ変調部を詳細に示す回路図である。
【００４０】
図５を参照すると、本発明におけるタイミングコントローラ４１のデータ変調部は、データ圧縮部５２、データトランジション変換部５３、データトランジション逆変換部５４、データ復元部５５、及びルックアップテーブル５１を備える。
【００４１】
データ圧縮部５２は、予め決まった圧縮アルゴリズムを用いてソースデータ（ＳＲＧＢ）を圧縮する。圧縮アルゴリズムは、公知の如何なる圧縮アルゴリズムも可能であり、本願出願人により既出願された大韓民国特許出願第２００３−９８１００号、第２００４−４９５４１号、第２００４−１１５７３０号、第２００４−１１６３４２号、第２００４−１１６３４７号、第２００６−１１６９７４号で提案された圧縮方法及び装置を選択することができる。このデータ圧縮部５２は、前述したように、タイミングコントローラ４１とメモリ４２との間に１５ｂｉｔｓのデータが転送されると、３．２：１の圧縮率でデータを圧縮し、圧縮されたデータをメモリ４２に供給する。
【００４２】
データトランジション変換部５３は、後述する２つの方式によりデータを変換し、反転信号（ＲＥＶ）を生成して、タイミングコントローラ４１とメモリとの間で転送されるデータのトランジション数を減らす。このようなデータ変換は、タイミングコントローラ４１とメモリ４２との間でＥＭＩを減らし、タイミングコントローラ４１とメモリ４２の発熱量を減らす。
【００４３】
データトランジション逆変換部５４は、反転信号（ＲＥＶ）を用いてデータトランジション逆変換を実行する。
【００４４】
データ復元部５５は、データ圧縮部５２の圧縮アルゴリズムに対応する復元アルゴリズムに従ってデータの圧縮を復元して、ルックアップテーブル５１に供給する。ルックアップテーブル５１には前述した変調データが格納される。
【００４５】
図６は、データトランジション変換部５３の第１の実施の形態を詳細に示す回路図である。
【００４６】
図６を参照すると、データトランジション変換部５３は、データの前回ビットと現在ビットをＸＯＲゲート６３にて比較する。ＸＯＲゲート６３は、前回ビットと現在ビットとが異なる際、ハイレベル“１”を出力し、それ以外の場合にローレベル“０”を出力することによって、前回ビットと現在ビットの変化を検出する。データの１５ｂｉｔｓの各々を比較するＸＯＲゲート６３の出力は、加算器６４により加算され、反転信号出力部６５は、加算器６４の出力を分析して、ハイレベルが８以上であれば、即ち、１５ｂｉｔｓの入力データの中で、前回データと比較して８ｂｉｔｓ以上でトランジションが発生している場合には、反転信号（ＲＥＶ）をハイレベル“１”に出力する。反転信号出力部６５から出力された反転信号（ＲＥＶ）は、出力側ＸＯＲゲート６６に入力される。出力側ＸＯＲゲート６６は、反転信号（ＲＥＶ）と入力データの各ビットを排他的論理和演算して、反転信号（ＲＥＶ）がハイレベルであるとき、入力データの各ビットを反転させる。図７は、トランジション変換過程無しでメモリ４２にデータを直接入力する例であり、図８は、トランジション変換過程を経たデータと反転信号（ＲＥＶ）をメモリ４２に入力した例である。図７及び図８の比較から分かるように、データトランジション変換により入力データのトランジションが多ければ、データの反転によりデータのトランジションが殆どなくなり、反転信号（ＲＥＶ）はデータの反転時点を示す。
【００４７】
図９は、タイミングコントローラ４１とメモリ４２との間に１６ｂｉｔｓのデータ転送を仮定してデータトランジション変換前／後のトランジション数の変化を例示したものである。図９の左側の表のようなデータトランジション変換前の１６ｂｉｔｓデータが“００００００００００００００００”−＞“００００００００００００１１１１（４）”−＞“０１１００１１１１１１０１１１１（８）”−＞“０１１１００００００００００００（１１）”−＞“００００００００００００００００（３）”−＞“００００００００００００１１１１（４）”−＞“０１１００１１１１１１０１１１１（８）”−＞“０１１１００００００００００００（１１）”と入力されると、データトランジション数は“（）”内の数字の通りである。これに比べて、前回データと現在データとの間にトランジション数が８を超過するとき、データを反転させれば、図９の右側の表のように、“００００００００００００００００”−＞“００００００００００００１１１１（４）”−＞“０１１００１１１１１１０１１１１（８）”−＞“１０００１１１１１１１１１１１１（６）”−＞“１１１１１１１１１１１１１１１１（３）”−＞“１１１１１１１１１１１１００００（４）”−＞“０１１００１１１１１１０１１１１（８）”−＞“１０００１１１１１１１１１１１１（６）”に変換されて、“（）”内の数のようにトランジション数が低くなる。
【００４８】
上記のような第１の実施の形態は、現在データを前回データと比較して、その結果、トランジション数が予め設定された基準値を超過するとき、データを反転させてトランジション数を減らす。これに比べて、後述する本発明の第２の実施の形態は、現在データを前回データと比較すると共に、次回データと比較してデータ変換の可否を決定することで、トランジション数をさらに減らすことができる。
【００４９】
図１０は、データトランジション変換部５３の第２の実施の形態を詳細に示す回路図である。
【００５０】
図１０を参照すると、データトランジション変換部５３は、第１ハイレベルカウンタ１０１Ａ、第２ハイレベルカウンタ１０１Ｂ、第３ハイレベルカウンタ１０１Ｃ、第１トランジションカウンタ１０２Ａ、第２トランジションカウンタ１０２Ｂ、ハイカウント比較部１０３、反転信号出力部１０４、及びデータ変換部１０５を備える。
【００５１】
第１ハイレベルカウンタ１０１Ａは、１６ｂｉｔｓの前回データでハイレベルをカウントして、そのカウント値をハイカウント比較部１０３に供給する。
【００５２】
第２ハイレベルカウンタ１０１Ｂは、１６ｂｉｔｓの現在データでハイレベルをカウントして、そのカウント値をハイカウント比較部１０３に供給する。
【００５３】
第３ハイレベルカウンタ１０１Ｃは、１６ｂｉｔｓの次回データでハイレベルをカウントして、そのカウント値をハイカウント比較部１０３に供給する。
【００５４】
第１トランジションカウンタ１０２Ａは、１６ｂｉｔｓの前回データと１６ｂｉｔｓの現在データとの間のトランジション数をカウントして、そのトランジションカウント値が指定された第１基準値、例えば、‘８’を超過するとき、ハイレベルの出力を反転信号出力部１０４に供給する。一方、第１トランジションカウンタ１０２Ａは、トランジションカウント値が第１基準以下であるとき、ローレベルの出力を反転信号出力部１０４に供給する。
【００５５】
第２トランジションカウンタ１０２Ｂは、１６ｂｉｔｓの現在データと１６ｂｉｔｓの次回データとの間でトランジション数をカウントして、そのトランジションカウント値が指定された第２基準値、例えば、‘８’を超過するとき、ハイレベルの出力を反転信号出力部１０４に供給する。一方、第２トランジションカウンタ１０２ｂは、トランジションカウント値が第２基準値以下であるとき、ローレベルの出力を反転信号出力部１０４に供給する。
【００５６】
ハイカウント比較部１０３は、前回データと次回データとの間に、そして、現在データと前回データとの間のハイレベル個数を分析する。このハイカウント比較部１０３は、前回データと次回データのハイレベルの差が第３基準値、例えば、‘２’以下であって、同一または類似しており、現在データと前回データとの間のハイレベル個数の差が第４基準値、例えば、‘７’より大きい場合には、ハイレベルの出力を反転信号出力部１０４に供給する。これに反して、ハイカウント比較部１０３は、前回データと次回データのハイレベルの差が第３基準値より大きいか、現在データと前回データとの間のハイレベル個数の差が第４基準値以下の場合には、ローレベルの出力を反転信号出力部１０４に供給する。
【００５７】
反転信号出力部１０４は、第１トランジションカウンタ１０２Ａの出力がハイレベルであるとき、即ち、前回データと現在データとの間のトランジション数が第１基準値より大きいとき、反転信号（ＲＥＶ）をハイレベルで出力する。
【００５８】
また、反転信号出力部１０４は、第１トランジションカウンタ１０２Ａの出力がローレベルであるとき、即ち、前回データと現在データとの間のトランジション数が第１基準値以下のとき、次のような条件で反転信号（ＲＥＶ）をハイレベルで出力する。第１トランジションカウンタ１０２Ａの出力がローレベルであるとき、反転信号出力部１０４は、ハイカウント比較部１０３の出力がハイレベルであり、第２トランジションカウンタ１０２Ｂの出力がハイレベルであるとき、反転信号（ＲＥＶ）をハイレベルで出力する。言い換えると、反転信号出力部１０４は、前回データと現在データとの間のトランジション数が第１基準値以下であっても、“前回データと次回データのハイレベルの差が第３基準値以下であって類似しており、現在データと前回データとの間にハイレベル個数の差が第４基準値より大きい場合には、”反転信号（ＲＥＶ）をハイレベルで出力する。その以外の場合に、反転信号出力部１０４は、ローレベルの出力を発生する。
【００５９】
上記の基準値は、液晶表示パネルの動作モードや駆動特性に従って変わることができる。
【００６０】
データ変換部１０５は、図６のようなＸＯＲゲート６６を用いて反転信号（ＲＥＶ）と入力データの各々のビットを排他的論理和演算することで、反転信号（ＲＥＶ）の出力がハイレベルであるとき、入力データの各々のビットを反転させる。
【００６１】
データトランジション逆変換部５４は、反転信号（ＲＥＶ）を用いた排他的論理和演算により逆変換する。
【００６２】
図１１は、図９のような１６ｂｉｔｓのデータの例を仮定して、図１０のようなデータトランジション変換部５３によりトランジション変換された例を示す。
【００６３】
図１１を参照すると、本発明の第２の実施の形態におけるデータトランジション変換部５３は、前回データと次回データ全てを考慮して、現在データの反転条件を最適化することで、タイミングコントローラ４１とメモリ４２との間に転送されるデータのトランジション数をさらに減らすことができる。図９及び図１１において、ハッチング部分でデータが反転される。図１１を参照すると、第１乃至第８データの中で、第３データと第７データは、上記の反転条件の中で、“前回データと次回データのハイレベルの差が第３基準値以下で類似し、現在データと前回データとの間のハイレベル個数の差が第４基準値より大きい条件”を満たしており、反転される。
【図面の簡単な説明】
【００６４】
【図１】通常の液晶表示装置において、データに従う輝度変化を示す波形図である。
【図２】オーバードライビングによる液晶応答特性の改善効果を示す波形図である。
【図３】オーバードライビング回路の一例を示す回路図である。
【図４】本発明の実施形態に係る液晶表示装置を示すブロック図である。
【図５】図４に図示されたタイミングコントローラのデータ変調部を詳細に示す回路図である。
【図６】本発明の第１の実施の形態に係るデータトランジション変換部を詳細に示す回路図である。
【図７】トランジション変換過程無しでメモリに直接入力されるデータの一例を示す波形図である。
【図８】トランジション変換過程を経たデータと反転信号の一例を示す波形図である。
【図９】タイミングコントローラとメモリとの間にデータトランジション変換前／後のトランジション数の変化を例示した図である。
【図１０】本発明の第２の実施の形態に係るデータトランジション変換部を詳細に示す回路図である。
【図１１】図９のようなデータを図１０のようなデータトランジション変換部に変換した例を示す図である。
【符号の説明】
【００６５】
３３  フレームメモリ、３４  ルックアップテーブル、４１  タイミングコントローラ、４２  メモリ、４３  データ駆動部、４４  ゲート駆動部、５１  ルックアップテーブル、５２  データ圧縮部、５３  データトランジション変換部、５４  データトランジション逆変換部、５５  データ復元部、１０１  ハイレベルカウンタ、１０２  トランジションカウンタ、１０３  ハイカウント比較部、１０４  反転信号出力部、１０５  データ変換部。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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