(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に陽極と、
有機材料からなる発光層と、
仕事関数３．０ｅＶ以下の材料からなる第一陰極及び仕事関数が該第一陰極より大きい材料からなる第二陰極が発光層側から順次積層された陰極と、
前記陰極側を封止する光透過性材料からなる封止層とを備え、
前記陰極及び前記封止層を介して光を出射する有機エレクトロルミネッセンス素子において、
前記封止層は、第一及び第二封止層を有し、前記第一封止層は、ＬｉＦからなり、前記第一封止層の厚さは、３００オングストローム以上、５００オングストローム以下であり、
前記第一陰極と前記第二陰極との合計厚さが１００オングストローム以下であることを特徴とする請求項１記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
【請求項２】
前記第一陰極がＣａからなることを特徴とする請求項１記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
【請求項３】
前記第一陰極の膜厚ｙ（オングストローム）を５０≦ｙ≦８０とすることを特徴とする請求項１記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
【請求項４】
前記第一陰極の膜厚ｙ（オングストローム）を５５≦ｙ≦６５とすることを特徴とする請求項１記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
【請求項５】
前記第二陰極がＡｌからなることを特徴とする請求項１記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
【請求項６】
前記第二陰極の膜厚ｚ（オングストローム）を１０≦ｚ≦２０とすることを特徴とする請求項１記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
【請求項７】
前記発光層を構成する有機材料が、高分子材料からなる請求項１乃至７のいずれかに記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
【請求項８】
基板上に陽極を形成する工程と、
前記陽極上方に有機材料からなる発光層を形成する工程と、
前記発光層上方に、発光層側より、仕事関数が３．０ｅＶ以下の材料からなる第一陰極及び仕事関数が該第一陰極より大きい材料からなる第二陰極を積層して陰極を形成する工程と、
前記陰極側を封止する光透過性材料からなる封止層を形成する工程とを備え、
前記封止層を形成する工程は、前記封止層として、第一及び第二封止層を形成し、前記第一封止層をＬｉＦで形成するとともに、前記第一封止層の厚さを３００オングストローム以上、５００オングストローム以下に形成し、
前記陰極を形成する工程において、前記第一陰極と前記第二陰極との合計厚さを１００オングストローム以下に形成することを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。
【請求項９】
前記陽極を形成する工程において、電極膜の製膜後、酸素または大気プラズマ処理を行い、該処理における電流ｘ、時間ｔを１０（ｍＡ）≦ｘ≦１５（ｍＡ）、５（分）≦ｔ≦７（分）とすることを特徴とする請求項８記載の有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。
【請求項１０】
前記陽極を形成する工程において、電極膜の製膜後、酸素または大気プラズマ処理を行い、該処理における電流ｘ、時間ｔを、１０（ｍＡ）≦ｘ≦１２（ｍＡ）、ｔ＝５（分）とすることを特徴とする請求項８記載の有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、ディスプレイ、表示光源などに用いられる電気的発光素子である有機エレクトロルミネッセンス素子及びその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
近年、液晶ディスプレイに替わる自発光型ディスプレイとして、陽極及び陰極間に有機物からなる発光層を設けた構造の発光素子（有機エレクトロルミネッセンス素子、以下有機ＥＬ素子と記す）の開発が加速している。その中でも、両電極側より光が取り出せるような、可視光領域での高透過性ＥＬ素子いわゆる透明ＥＬ素子（ＴＯＬＥＤ）が、その素子の下部に別の表示素子を配置できるなど重複した表示が可能なことから要望されており、例えば Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．６８（１９）、６  Ｍａｙ  １９９６の２６０６ページに具体的な構造が提案されている。当該文献には、発光層として低分子材料であるアルミ錯体Ａｌｑ３を用い、陰極としてＭｇおよびＡｇの共蒸着により成膜し、その上層に封止もしくは陰極の補佐としてスパッタにより成膜したＩＴＯを用いて素子を形成し、しきい値電圧は８Ｖ程度を実現したことが開示されている。この構造では、寿命及び発光層に用いる材料のしきい値特性の観点から、陰極としてＭｇ及びＡｌを用い、更にその上層にＩＴＯを用いている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】
有機ＥＬ素子では、しきい値の小さい発光材料を発光層に用い、仕事関数の小さい金属材料を陰極として用い、低しきい値電圧による駆動を実現することが提案されている。しかしながら、上記文献で提案された透明ＥＬ素子の構造では、Ｍｇ及びＡｌは仕事関数の点で充分ではなく、またその劣化を防止するためＩＴＯをスパッタにより更に上記金属材料上に積層させるため、Ｍｇが酸化されてしまい、最終的に素子のしきい値電圧上昇が避けられないといった問題がある。
【０００４】
本発明は、上記問題点に鑑みてなされたもので、その課題とするところは、低電圧駆動で高効率、高透過性、長寿命を実現した有機ＥＬ素子及びその製造方法を提供することである。
【０００５】
【課題を解決するための手段】
本発明によれば、基板上に陽極と、有機材料からなる発光層と、仕事関数が３．０ｅＶ以下の材料からなる第一陰極及び仕事関数が該第一陰極より大きい材料からなる第二陰極が発光層側から順次積層された構造であり、該第一及び第二陰極の合計厚みが１００オングストローム以下である陰極と、が積層されてなり、少なくとも陰極を経て外部へ光が出射することを特徴とする有機ＥＬ素子、が提供される。
【０００６】
更に本発明によれば、基板上に陽極を形成する工程と、前記陽極上方に有機材料からなる発光層を形成する工程と、前記発光層上方に、発光層側より、仕事関数が３．０ｅＶ以下の材料からなる第一陰極及び仕事関数が該第一陰極より大きい材料からなる第二陰極を、該第一及び第二陰極の合計厚みが１００オングストローム以下となるように積層し陰極を形成する工程とを有する有機ＥＬ素子の製造方法、が提供される。
【０００７】
【発明の実施の形態】
本発明の有機ＥＬ素子は、基板上に設けられた陽極及び有機材料からなる発光層上に、仕事関数が３．０ｅＶ以下の材料からなる第一陰極及び仕事関数が該第一陰極より大きい材料からなる第二陰極が発光層側から順次積層された構造であって、該第一及び第二陰極の合計厚みが１００オングストローム以下である陰極が設けられており、陰極を経て外部へ光が出射する点で特徴的である。
【０００８】
当該有機ＥＬ素子の好ましい態様として、以下のものが挙げられる。
（１）前記陰極側が、透過性材料からなる封止層により封止されてなる上記有機ＥＬ素子。
（２）前記第一陰極がＣａからなることを特徴とする上記有機ＥＬ素子。
（３）前記第一陰極の膜厚ｙ（オングストローム）が５０≦ｙ≦８０である上記有機ＥＬ素子。
（４）前記第一陰極の膜厚ｙ（オングストローム）を５５≦ｙ≦６５である上記有機ＥＬ素子。
（５）前記第二陰極がＡｌからなることを特徴とする上記有機ＥＬ素子。
（６）前記第二陰極の膜厚ｚ（オングストローム）を１０≦ｚ≦２０である上記有機ＥＬ素子。
（７）前記発光層を構成する有機材料が、高分子材料からなる上記有機ＥＬ素子。
【０００９】
また、本発明の有機ＥＬ素子の製造方法は、基板上に陽極を形成する工程と、前記陽極上方に有機材料からなる発光層を形成する工程と、前記発光層上方に、発光層側より、仕事関数が３．０ｅＶ以下の材料からなる第一陰極及び仕事関数が該第一陰極より大きい材料からなる第二陰極を、該第一及び第二陰極の合計厚みが１００オングストローム以下となるように積層し陰極を形成する工程とを有するものである。
【００１０】
上記有機ＥＬ素子の製造方法の好ましい態様として以下のものが挙げられる。
（８）前記陽極の形成において、電極膜の製膜後、酸素または大気プラズマ処理を行い、該処理における電流ｘ、時間ｔを１０（ｍＡ）≦ｘ≦１５（ｍＡ）、５（分）≦ｔ≦７（分）とする上記有機ＥＬ素子の製造方法。
（９）前記陽極の形成において、電極膜の製膜後、酸素または大気プラズマ処理を行い、該処理における電流ｘ、時間ｔを、１０（ｍＡ）≦ｘ≦１２（ｍＡ）、ｔ＝５（分）とすることを特徴とする上記有機ＥＬ素子の製造方法。
【００１１】
以下、本発明の実施形態を図面を参照して具体的に説明する。
【００１２】
図１C:\WINDOWS\Program FilesParus AterAtertempA0056072wIMG_1.htmは、本発明の有機ＥＬ素子の構造を示す断面図である。
【００１３】
同図に示す構造では、基板１上に、陽極２、正孔注入／輸送層３、有機材料からなる発光層４、仕事関数が３．０ｅＶ以下の材料からなる第一陰極５及び仕事関数が該第一陰極より大きい材料からなる第二陰極６（これら第一及び第二陰極の積層構造で、陰極が構成される）が積層されている。そして、上記の積層構造が、第一封止層７及び第二封止層８、更には封止基板９により封止されている。
【００１４】
基板１としては、ガラス等の透明材料、又は反射材料を用いることができる。透明材料を用いた場合、当該基板１を経て外部へ光を出射させることができる。
【００１５】
陽極として用いられる材料としては、例えばＩＴＯもしくはＩＤＩＸＯ（出光興産株式会社製）が透明電極材料が挙げられる。基板上にこれらの材料をスパッタ法等により堆積し電極を形成する。かかる透明電極は、その材料の堆積後酸素プラズマ処理又は大気プラズマ処理がなされることが好ましい。
【００１６】
このプラズマ処理は、好ましくは、電流を１０ｍＡから１５ｍＡ、処理時間を５分から７分とし、より好ましくは電流を１０ｍＡから１２ｍＡとし、５分とする。処理時間が５分未満であるとき、特に４００から５５０ｎｍまでの波長に関する透過率が、処理時間が５分を超えるときに比べて、最大値で３から５％低下し得る。一方、５分から１０分の処理の間では、この波長領域において、透過率の上昇は観測されない。例えば、酸素プラズマ処理の場合サンユー電子製ＶＰＳ０２０を用い、２〜３回酸素にてパージした後処理を行うことが好ましい。
【００１７】
また、電流が１０ｍＡ未満であると、表面処理の均一性が損なわれる恐れがあり、電流が１５ｍＡを超えると、アッシングにより膜厚の低下が起こり得る。
【００１８】
また、６００から８００ｎｍまでの波長に関する透過率は、上記処理において、処理時間に依存して、透過率の低下が見られる。未処理の場合に比べて、１０分の処理を行った場合は、最大２％程度の透過率の低下が見られる。これらの原因は、上記処理による透明電極表面の酸化および欠陥の生成によるバンド構造の変化であると考えられる。そのため、好ましくは、１０ｍＡ、５分程度の酸素プラズマ処理もしくは大気プラズマ処理を行えばよく、それにより５００ｎｍ近傍のより人の感度が強いところの透過率の上昇と全可視領域での平均的な透過率の上昇が実現できる。
【００１９】
尚、陽極２として上記のような透明電極材料を用いた場合、基板１を経て外部へ光を出射させることができる。
【００２０】
また、陽極２として、例えばＰｔ、Ｉｒ，Ｎｉ，Ｐｄ、Ａｕ等の金属からなる層、ＩＴＯ等の透明材料層とＡｌ等の反射層の積層構造を用いることもできる。
【００２１】
更に、当該陽極２が形成された基板は、陽極が複数配置され、各陽極に薄膜トランジスタ等のスイッチング素子が備えられたアクティブマトリクス基板であることが好ましい。
【００２２】
本実施形態では、電極２及び発光層４間に、正孔注入／輸送層３を設ける。ここで、正孔注入／輸送層とは、陽極から正孔を発光層側に注入及び／又は輸送する機能を奏する層である。かかる正孔注入／輸送層３には、好ましくは、ポリエチレンジオキシチオフェン
【００２３】
【化１】
0004810739.tif 000002
とポリスチレンスルフォン酸
【００２４】
【化２】
0004810739.tif 000003
の混合物、銅フタロシアニンなどが用いられる。
【００２５】
発光層４には、低分子系有機発光材料、高分子系有機発光材料のいずれかを用いられるが、好ましくはフルオレン系高分子、特に好ましくは
【００２６】
【化３】
0004810739.tif 000004
またＰＰＶ（ポリｐ−フェニレンビニレン）などの高分子有機材料が用いられる。
【００２７】
陰極のうち、第一陰極５には、上述したように仕事関数が３．０ｅＶ以下の材料が用いられる。かかる陰極材料としては、特に好ましくは、Ｃａが用いられる。特に、Ｃａが、小さな仕事関数により低しきい値電圧を、可視光に対する低反射率から高透過率を実現できる点で好ましい。かかる第一陰極の厚みは、好まくは、５０から８０オングストローム、より好ましくは５５から６５オングストロームとする。膜厚５０オングストローム未満では、上層である第二陰極６の仕事関数に影響を受け、素子のしきい値電圧の上昇が生じる恐れがある。また、８０オングストローム以上では、透過率の減少が顕著になる恐れがある。特に、Ｃａを用いる場合、Ｃａは可視の波長領域のほとんどに吸収を持っているため、過度に厚くなると陰極側において全体的に黒さが目立ってくる。特に、Ｃａ膜が８０オングストローム近傍を境に、電気的に導通が得られる程度の厚さを持った連続膜になるためと考えられる。この観点からも、第二陰極の厚みを８０オングストローム以下とすることが好ましい。また、第二陰極６として、Ａｕを用いることもできる。
【００２８】
かかる第一陰極は、例えば１×１０-6torr以上の真空度で真空蒸着形成することができる。
【００２９】
一方、陰極のうち、第二陰極６には、上述した第一陰極５より仕事関数が大きい材料が用いられる。材料としては、仕事関数の大きさが第一陰極の材料と大きく異なるものではなく、酸素にある程度安定で且つ連続膜を形成し易い材料を用いることが好ましい。具体的には、Ａｌ、Ａｇが挙げられる。
【００３０】
特に、第一陰極として、Ｃａを用いる場合には、第二陰極の材料としてＡｌ等を用いることが好ましい。かかる第二陰極の厚みは、好ましくは、１０から２０オングストローム、より好ましくは１０オングストロームとする。１０オングストローム未満では、電気的導通が取れず、また、２０オングストロームを超えると、第二陰極の材料（特に金属材料）自身の金属反射により透過率の減少が顕著になる恐れがある。
【００３１】
本発明では、上述したように、第一陰極に仕事関数の低い（３．０ｅＶ以下）材料の層を設け、当該第一陰極上にこれより仕事関数が大きく連続層となる層を第二陰極として設けて、第一陰極の劣化を防止し、更にこれら第一陰極及び第二陰極の積層構造の合計厚みを１００オングストローム以下とすることで、陰極側での光透過性を確保する。
【００３２】
これら、陰極の積層構造の形成方法としては、好ましくは、第一陰極を蒸着により製膜後、真空度が第一陰極蒸着時と同程度になったことを確認した後、第二陰極を第一陰極と同様の条件により製膜する。
【００３３】
第一封止層７としては、例えば、ＬｉＦ、ＳｉＯ、ＳｉＯ2を用いる。特に、ＬｉＦは真空蒸着法により容易に製膜ができることから、陰極製膜から不活性雰囲気下での一連の作業として、一度も大気にさらすことなく素子化でき、材料自身にも酸素原子がないことから限りなくゼロに近い無酸素下を維持できる特徴を持つ。また、可視光領域での透過率も高く、透過性を損なうこともない。膜厚および蒸着速度は、３００から５００オングストローム、８オングストローム／ｓｅｃ以上とする。膜厚３００オングストローム未満では、外気からの水および酸素、また上層となる第二封止層８からの侵入する水および酸素から下層となる陰極を封止することは難しい。また、５００オングストロームを超えた膜では、蒸着時の熱輻射により素子（多くは発光層）がダメージを受け、本来のＥＬ発光特性を損なう恐れがある。また、蒸着速度においても８オングストローム／ｓｅｃでは蒸着時間が長時間にわたるため、同様に熱輻射による素子劣化が起こる。このことから、蒸着速度も制限を受け、８オングストローム／ｓｅｃ以上を必要とする。
【００３４】
第二封止層８としては、例えば、透明な熱硬化型エポキシ樹脂もしくは光硬化型エポキシ樹脂を用いる。特に、熱硬化型エポキシ樹脂が好ましく、具体的には、ディッピングにより塗布し封止基板９であるガラス基板をのせ、不活性雰囲気下にて硬化することによって、封止層を得る。また、当該エポキシ樹脂としては、防湿性樹脂として、ＤＰｐｕｒｅ６０（３Ｍ社製）、ＳＴＹＣＡＳＴ１２６９Ａ（Ｅｍｅｒｏｎ）等が挙げられる。
【００３５】
以下、本発明を実施例に沿ってより具体的に説明する。
【００３６】
（実施例１）
図1に示す構造の有機ＥＬ素子を作製した。
【００３７】
以下の操作はすべてクリーンルームにて行った。
【００３８】
洗浄された１５０ｍｍ角ガラス基板１上に（透明）電極（陽極）２（ＩＤＩＸＯ）を１０００オングストロームの厚みでスパッタにより成膜した。条件は真空度１×１０-4Ｐａ以下で、ＡｒおよびＯ２を１０：１の流量比、３２０Ｖ、０．１５ｍＡ、１４分とした。次に、そのガラス基板上に形成された陽極の膜について酸素プラズマ処理を、電流１０ｍＡ、５分の条件で行った。具体的には、サンユー電子製ＶＰＳ０２０を用い、２〜３回酸素にてパージした後処理を行った。
【００３９】
これより以下の処理はグローブボックス内で進めた。グローブボックスの条件は、酸素濃度０．０１ｐｐｍ以下、水の露点−７０℃以下とした。
【００４０】
まず、上記プラズマ処理された電極２上に正孔注入／輸送材料として、ポリチオフェン誘導体であるＰＥＤＯＴ（ポリエチレンジオキシチオフェン）とＰＳＳ（ポリスチレンスルフォン酸）の混合物を塗布した。これら混合物はバイトロンＰとしてバイエル社から購入することができる。ここでは、バイトロンＰとＰＳＳを５：１で混合し、水で１．５倍に希釈したものを用い、スピンコートにより成膜を行った。条件はスロープ１秒３０００回転４５秒で膜厚６００オングストロームを得た。これを、２００℃、１０分間の焼成により、膜化を行い正孔注入／輸送層３を形成した。
【００４１】
次に、正孔注入／輸送層３上に、下記構造のフルオレン系高分子をキシレン溶媒に溶解した溶液をスピンコートにより膜厚８００オングストロームに塗布し、発光層４を得た。
【００４２】
【化４】
0004810739.tif 000005
続いて、発光層４上に、まず、第一陰極５としてＣａを真空蒸着装置により成膜（堆積）した。真空蒸着装置は、グローブボックス内に配置したものを用いた。真空度は、１×１０-6torr程度より始める。蒸着速度は、３オングストローム／ｓｅｃとし、膜厚を７０オングストロームとした。次に、再度、真空度が１×１０-6torr程度になるのを待ち、第二陰極６として、Ａｌを３オングストローム／ｓｅｃ の蒸着速度で膜厚１０オングストロームに成膜した。
【００４３】
続いて、第二陰極６上に、第一封止層７として、ＬｉＦを８オングストローム／ｓｅｃの蒸着速度で膜厚５００オングストロームに成膜した。
【００４４】
冷却後、第一封止層７上に防湿性のエポキシ樹脂であるＤＰｐｕｒｅ６０（３Ｍ社製）を塗布して（膜厚２００μｍ）第二封止層８とした後、封止基板９としての封止ガラス（厚み０．３ｍｍ）を張り合わせ、ホットプレートにより５０℃１２時間の条件でプレスし硬化を行った。この際、エポキシ樹脂内の泡を脱泡するために、０．１Ｔｏｒｒ程度の真空下で上記加熱を行った。こうして有機ＥＬ素子を得た。
【００４５】
得られた有機ＥＬ素子について、透過率及びしきい値電圧の測定を行った。透過率の測定は、分光器（日立製作所社製）を用いて、ベースラインを空気とし、集光部に３ｍｍ径のピンホールを置き、測定を行った。またしきい値電圧は、ＢＭ−７（トプコン社製）を用いて行い、５Ｃｄ／ｍ2の輝度が出力された電圧をしきい値電圧と定義する。
【００４６】
結果を図２に示す。
【００４７】
同図に示す結果によれば、可視光領域のほぼ全体にわたって、５０％以上の透過率をもっていることが分かる。ガラス基板１の厚みが１．１ｍｍであり、その透過率が７５％程度であることを考えると。ガラスに対しては、７０％以上の透過率を達成していることとなる。この時の、しきい値電圧は３Ｖであった。
【００４８】
（実施例２）
実施例１に示す方法おいて陽極である透明電極膜の酸素プラズマ処理時間を０から１分毎１０分まで変化させた陽極が積層されたガラス基板を得た。処理時間０、５（実施例）、１０分の陽極が積層されたガラス基板の透過スペクトル（波長ごとの透過率）を測定した。結果を図３示す。また、処理時間０から１分毎１０分までの陽極が積層されたガラス基板について、４５０ｎｍ、５５０ｎｍ、７００ｎｍにおける透過率を測定した。結果を表１に示す。
【００４９】
【表１】
0004810739.tif 000006
青色領域（４５０ｎｍ）では、処理時間５分まで透過率の上昇が見られた。緑色領域（５５０ｎｍ）では、大きな変化は見られないものの、５分程度の処理時間で透過率最大を示した。赤色領域（７００ｎｍ）では、程度は少ないものの処理時間が増すにつれて、透過率は低下する。これらの現象は、表面層が処理により酸化され、物質が一部変わることによる、バンド構造の変化と考えられる。このことから、５分程度の処理時間が最適であると考えられる。
【００５０】
（実施例３）
実施例１において第一陰極の膜厚を４０、５０、６０、８０、９０、１００オングストロームとした他は、実施例１と同様にして有機ＥＬ素子を得た。各有機ＥＬ素子のしきい値電圧及波長５００ｎｍにおける透過率を測定した。表２に、実施例１（第一陰極の膜厚７０オングストローム）の結果とともに、しきい値電圧およ透過率（波長領域５５０ｎｍ）の結果を示す。
【００５１】
【表２】
0004810739.tif 000007
しきい値電圧については、第一陰極の膜厚が７０オングストローム近傍で漸近した。これ以下の膜厚ではしきい値電圧の上昇が観測されている。第二陰極の仕事関数の影響もしくは第二陰極の膜厚の不十分さから来る抵抗値の上昇が原因していると考えられる。
【００５２】
透過率については、第一陰極の膜厚とともに低下し、９０オングストローム（第一、第二陰極の合計厚みで１００オングストローム）くらいまでが許容範囲であり、当該第一陰極の膜厚がこれを超えるレベルでは（第一、第二陰極の合計厚みで１００オングストロームを超えるレベル）で透過率が過度に小さくなった。これら結果から特に好ましくは第一陰極の厚みが７０オングストローム程度が最適であると考えられる。
【００５３】
（実施例４）
実施例１において第二陰極の膜厚を５、１５、２０、２５、４０オングストロームとした他は、実施例１と同様にして有機ＥＬ素子を得た。各有機ＥＬ素子のしきい値電圧及５００ｎｍにおける透過率を測定した。表３に、実施例１（第二陰極の膜厚１０オングストローム）の結果とともに、しきい値電圧および透過率の結果を示す。
【００５４】
【表３】
0004810739.tif 000008
しきい値電圧については、１０オングストローム以上であれば変化は見られない。１０オングストローム以下では、導通が得られないことから発光しないと考えられる。一定値であることから、第二陰極の仕事関数の影響はないと考えられる。透過率の減少は、Ｃａよりも顕著である。これは、導通性の高いかつ反射率の高いＡｌのためだと考えられる。
【００５５】
【発明の効果】
以上詳述したように、本発明によれば、可視領域の透過率が改善され、かつ封止不良が改善されて、外気の酸素や水分等の影響を極力排除でき、長寿命でかつ低電圧駆動の可視光領域における透過率の高い有機ＥＬ素子が提供できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施形態に係る有機ＥＬ素子の素子構造を示す断面図である。
【図２】本発明の実施例１により作成された有機ＥＬ素子の可視光領域の透過スペクトルを示す図である。
【図３】本発明の実施例における酸素プラズマ処理による素子の透過率の変化を、その時間依存性として示した透過スペクトルを示す図である。
【符号の説明】
１ ガラス基板
２ 陽極
３ 正孔注入／輸送層
４ 発光層
５ 第一陰極
６ 第二陰極
７ 第一封止層
８ 第二封止層
９ 封止基板
【図１】
0004810739.tif 000009
【図２】
0004810739.tif 000010
【図３】
0004810739.tif 000011