(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体素子上に電極を形成し、
前記電極上に複数の導電性バンプを形成し、
リードフレームのダイパッド上に前記半導体素子を搭載し、
前記複数の導電性バンプ上に前記リードフレームとは独立した電気接続部材の一端を接触配置するとともに、前記電気接続部材の他端を外部リード上に接触配置し、
前記電気接続部材の一端と前記複数の導電性バンプとを電気的に接続するために、前記電気接続部材の一端において前記複数の導電性バンプに対応する位置にレーザービームを一括照射し、
前記電気接続部材の他端と外部リードとを電気的に接続するために、前記電気接続部材の他端において前記外部リードに対応する位置にレーザービームを照射する
半導体装置の製造方法。
【請求項２】
前記半導体装置は１〜２００Ａの電流に用いられることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項３】
前記電気接続部材の厚さが前記導電性バンプの高さの１〜３０倍であることを特徴とする請求項１又は２に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項４】
前記電気接続部材の厚さに基づき前記導電性バンプの高さを決定することを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項５】
前記半導体素子として第１の半導体素子と第２の半導体素子とがあり、
前記電気接続部材の一端を前記第１の半導体素子の前記複数の導電性バンプ上に接触配置するとともに、前記電気接続部材の他端を前記外部リードに代えて前記第２の半導体素子の前記複数の導電性バンプ上に接触配置し、
前記電気接続部材の一端と前記第１の半導体素子の前記複数の導電性バンプとを電気的に接続するために、前記電気接続部材の一端において前記複数の導電性バンプに対応する位置にレーザービームを一括照射し、
前記電気接続部材の他端と前記第２の半導体素子の前記複数の導電性バンプとを電気的に接続するために、前記電気接続部材の他端において前記複数の導電性バンプに対応する位置にレーザービームを一括照射することを特徴とする請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項６】
前記半導体素子は、ＭＯＳＦＥＴであることを特徴とする請求項１〜５のいずれか１項に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項７】
前記導電性バンプが、Ａｕ、Ｃｕ、Ｎｉ、Ａｇ、Ａｌ、Ｐｄ、Ｓｎ、Ｐｂの少なくとも１つを含む金属からなることを特徴とする請求項１〜６のいずれか１項に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項８】
前記電極が、Ａｕ、Ｃｕ、Ｎｉ、Ａｇ、Ａｌ、Ｐｄの少なくとも１つを含む金属からなることを特徴とする請求項１〜７のいずれか１項に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項９】
前記電気接続部材が、Ａｕ、Ｃｕ、Ｎｉ、Ａｇ、Ａｌ、Ｐｄの少なくとも１つを含む金属からなることを特徴とする請求項１〜８のいずれか１項に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１０】
前記電気接続部材が、ＣｕまたはＣｕ合金の表面にＮｉを被覆したものであることを特徴とする請求項９に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１１】
前記電極および前記電気接続部材のいずれもが、Ａｕ、Ｃｕ、Ｎｉ、Ａｇ、Ａｌ、Ｐｄの少なくとも１つを含む金属からなることを特徴とする請求項９に記載の半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置の製造方法に関し、特に、大電流用途または低抵抗用途の半導体装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
携帯機器、パソコン、デジタルＡＶ機器等の民生機器の電源や自動車のモータ駆動用に用いられるＭＯＳＦＥＴには、１〜２００Ａ程度の大電流を流すため、断面積の大きな外部配線が必要となる。従来は、大電流を取り出すため、ＭＯＳＦＥＴのソース電極に、外部配線として１００〜５００μｍ程度の太径のボンディングワイヤを複数本接続していた。
【０００３】
しかしながら、ボンディングワイヤは、一般的に、超音波接合または熱圧着によりソース電極に接続するため、接続にはワイヤ断面積の１．５〜３倍程度の接合面積を必要とする。ソース電極やゲート電極の面積は限られているため、ワイヤ断面積を大きくするには限界があった。また、ワイヤ断面積を大きくすると、接合強度を得るために加圧する力も大きくする必要があり、その機械的衝撃が半導体素子にダメージを与える問題があった。さらに、太径のボンディングワイヤをルーピングするため、生産性に劣るという問題もあった。
【０００４】
これに対し、特許文献１および特許文献２に記載の半導体装置およびその製造方法では、外部配線としてボンディングワイヤの代わりに平板状の電気経路部材を用いて、外部配線の断面積を大きくしている。図６は、特許文献１の図２に記載の半導体装置（ＳＯＰ（Small out-line package）−８パッケージ）の水平断面図および垂直断面図である。
【０００５】
図６（ａ）、（ｂ）に示すように、半導体装置１０１のモールド樹脂１０２内に、半導体素子１０５が収納されている。半導体素子１０５の上面側にソース電極１０４ｓおよびゲート電極１０４ｇが形成され、下面側にドレイン電極（不図示）が形成されている。
【０００６】
８本のリードのうちの４本のドレイン側端子１０３ｄは、モールド樹脂１０２の内側において１組に一体化され、ドレイン側ポスト部１０７ｄを形成している。このドレイン側ポスト部１０７ｄ上に半導体素子１０５が搭載されており、ドレイン側ポスト部１０７ｄは上記ドレイン電極（不図示）と電気的に接続されている。一方、リードの残り４本のうちの３本のソース側端子１０３ｓは、モールド樹脂１０２の内側において１組に一体化され、ソース側ポスト部１０７ｓを形成し、リードの残り１本のゲート側端子１０３ｇは、モールド樹脂１０２の内側においてゲート側ポスト部１０７ｇを形成している。
【０００７】
そして、電流経路部材１０６により、ソース側ポスト部１０７ｓとソース電極１０４ｓは電気的に接続されている。ここで、電流経路部材１０６の一端に形成された電極側接続部分１０６ａとソース電極１０４ｓが、他端に形成されたリード側接続部分１０６ｂとソース側ポスト部１０７ｓが、各々直接接触するように、超音波接合により接続される。平板状の電気経路部材１０６を用いることにより、ソース側ポスト部１０７ｓとソース電極１０４ｓの間を流れる電流の流路断面積を、複数本のボンディングワイヤを用いた場合に比べ、大幅に拡大できる。なお、１本のボンディングワイヤ１０８により、ゲート側ポスト部１０７ｇがゲート電極１０４ｇに電気的に接続されている。
【０００８】
一方、半導体素子に機械的ダメージを与えない接合方法として、レーザを用いたワイヤボンディング方法が知られている（例えば、特許文献３参照）。図７は、特許文献２の図２に記載の半導体装置の断面図である。リードフレームのダイパッド２０３上に半導体素子２０１が搭載されている。半導体素子２０１上に形成された電極パッド２０２とリードフレームのリード２０４は、ボンディングワイヤ２０５により、電気的に接続されている。ここで、ワイヤ２０５と電極パッド２０２がレーザ溶接により接続される。
【特許文献１】特開２００２−３１３８５１号公報
【特許文献２】特開２００２−３１４０１８号公報
【特許文献３】特開昭６１−５３７３７号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
しかしながら、特許文献１および特許文献２に記載の超音波接合方式では、超音波による振動が半導体素子に機械的ダメージを与える問題があった。また、機械的な接合方法であるため、接合が困難な金属もあった。
【００１０】
詳細には、以下の通りである。リードフレームのダイパッド（アイランド）に半導体素子を搭載する工程は、温度３００℃以上で実施されるため、半導体素子上の電極の表面に酸化膜が形成される。外部配線と電極とを低温で機械的に接合するためには、電極の表面酸化膜を破り、新生面を表出させる必要がある。このために、接触配置された外部配線および電極に、超音波による振動を与える。しかし、外部配線の断面積が大きくなると、外部配線が振動することにより電極へ与える機械的衝撃が大きくなるため、電極下の半導体素子にも機械的ダメージが及び得る。ＭＯＳＦＥＴの場合、電極の直下にアクティブセルがあるため、製品が破壊するおそれがある。また、表面酸化膜が厚いＣｕ等では、接合が困難であった。
【００１１】
一方、特許文献３に記載のレーザボンディング法では、電極下の半導体素子に熱的ダメージを与える問題があった。上述の通り、ＭＯＳＦＥＴに大電流を流すためには、抵抗を小さくするために１００〜５００μｍまたはそれ以上の大径のワイヤが用いられる。これは、厚さが１００〜５００μｍであることに相当する。一方、電極の厚さは、特許文献１に記載されているように、２〜６μｍ程度である。このように厚さが極端に異なる部材をレーザ溶接する場合、レーザ強度の調節が極めて困難である。なぜなら、レーザ強度を大きくすると、半導体素子にまでレーザが到達し、熱的ダメージを与えてしまい、レーザ強度を弱くすると、接続できないか、所望の接続強度が得ることができないからである。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
本発明にかかる半導体装置の製造方法は、半導体素子上に電極を形成し、前記電極上に導電性バンプを形成し、前記導電性バンプ上に外部配線を配置し、前記外部配線と導電性バンプとをレーザ溶接して電気的に接続するものである。
【発明の効果】
【００１３】
本発明により、半導体素子への機械的および熱的ダメージを防止し、信頼性および生産性に優れた半導体装置の製造方法を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１４】
実施の形態１
以下に、本発明の実施の形態について説明する。ただし、本発明が以下の実施の形態に限定される訳ではない。また、説明を明確にするため、以下の記載および図面は、適宜、簡略化されている。
【００１５】
以下、本発明を適用した実施の形態1について、図面を参照しながら詳細に説明する。本実施の形態１は、例えば、多数のＭＯＳＦＥＴが集合して１つのＭＯＳＦＥＴを構成する大電流または低抵抗用途の半導体装置に、本発明を適用したものである。トランジスタ１つであれば通常０．１Ａ程度の電流であるのに対し、このようなトランジスタは、１〜２００Ａの電流を流すことができ、各種民生機器の電源用、自動車のエンジンのモータ駆動用等に用いることができる。
【００１６】
図１（ａ）は、本実施の形態１にかかる半導体装置の斜視図、図１（ｂ）は、図１（ａ）に示すＸ−Ｘ断面図である。図１（ａ）、図１（ｂ）に示すように、半導体装置は、リードフレームのダイパッド（アイランド）１、半導体素子（ダイ）２、電極パッド３、導電性バンプ４およびリードフレームのリード５を備える。なお、通常、リード５の片端（外部リード）を除く上記構成要素全体が、例えば、エポキシ樹脂からなるモールド樹脂により覆われパッケージ化される。
【００１７】
ダイパッド１はリードフレームの一部である。リードフレームは、Ａｕ、Ｃｕ、Ｎｉ、Ａｇ、Ａｌ、Ｐｄを主成分とする金属からなる。また、ダイパッド１の表面に金属材料を形成してもよい。すなわち、必要に応じ、Ｎｉ、Ａｇ等によりめっきしてもよい。
【００１８】
半導体素子（ダイ）２は、ダイパッド１上に形成され、例えば、縦型のＭＯＳＦＥＴからなる。半導体素子２の下面側には、ドレイン電極（不図示）が形成されており、ダイパッド２に接続されている。
【００１９】
電極パッド３は、半導体素子３の上に形成され、図１に示すように、ソース電極３ａおよびゲート電極３ｂを有する。電極パッド３としては、厚さ５μｍ程度のＡｕ、Ｃｕ、Ｎｉ、Ａｇ、Ａｌ、Ｐｄを主成分とする金属膜を用いることができる。
【００２０】
導電性バンプ４は電極パッド３上に形成され、電気的に接続されている。導電性バンプ４は、Ａｕ、Ｃｕ、Ｎｉ、Ａｇ、Ａｌ、Ｐｄやそれらを主成分とする合金からなる。また、各種はんだを用いることもできる。導電性バンプ４の高さは接続部５ａの厚さに基づき、適宜設定すれば良い。
【００２１】
具体的には、接続部５ａの厚さを導電性バンプ４の高さの１〜３０倍とすることで、レーザ溶接により半導体素子２に熱的ダメージを与えることなく、かつ、良好な接続強度を得ることができる。３０倍を超えると、レーザ強度の調節が極めて困難となる。すなわち、レーザ強度を大きくすると、すぐに導電性バンプ４下の電極パッド３さらには半導体素子２にまでレーザが到達し、熱的ダメージを与えてしまい、レーザ強度を弱くすると、接続できないか、所望の接続強度が得ることができないからである。一方、１倍未満であってもレーザ溶接に支障はないが、接続部５ａの厚さが薄くなりすぎると抵抗が大きくなり、大電流または低抵抗用途としては、電気的特性が低下するおそれがある。導電性バンプ４の高さは、５μｍ程度以上として、レーザ溶接により半導体素子２に熱的ダメージを与えないようにする。接続部５ａの厚さは、その断面積と抵抗値に依存するが、５μｍ程度以上は確保したい。導電性バンプ４の高さがより高ければ、接続部５ａの厚さを１倍以下としても構わないが、１倍以上とした方が抵抗は小さい。さらに好ましくは１〜１０倍とする。
【００２２】
リード５は、ダイパッド１と同一または別のリードフレームの一部であり、本発明にかかる外部配線に該当する。リード５の一方の端部（内部リード）は、導電性バンプ４上に形成されている。図１に示すように、本実施の形態１にかかる内部リードは平板状の接続部５ａを有する。この接続部５ａと導電性バンプ４とがレーザ溶接され、電気的に接続されている。ここで、所望の電流値、抵抗値に合致するように、接続部５ａと導電性バンプ４の接触面積を設計すればよい。また、リード５と導電性バンプ４とは、別途異なるワイヤなどを介さず、直接接続されている。そのため、接続箇所が少なく、より信頼性が高い半導体装置が得られる。リード５の他方の端部（外部リード）は、最終的に、パッケージの外側に露出し、プリント基板にはんだ付けされるのが一般的である。ただし、このリード５の他方の端部を、異なる半導体素子の電極パッド上に形成された導電性バンプとレーザ溶接されてもよい。すなわち、２つの半導体素子がリード５を介して接続されてもよい。
【００２３】
また、接続部５ａの面積は、電極パッド３の面積より大きくてもよいが、半導体素子２よりは小さい必要がある。半導体素子２を認識することにより、レーザ溶接の位置決め行っているからである。これにより、位置決めを容易化できる。
【００２４】
なお、一般的に、ＭＯＳＦＥＴの場合、ソース電極下に、絶縁膜を介してゲート電極が形成されている。この絶縁膜としては、リンやホウ素を添加した酸化ケイ素ガラス（ＢＰＳＧ（ボロフォスフォシリケートガラス）、ＰＳＧ（フォスフォシリケートガラス））等が用いられる。レーザ溶接により、この絶縁膜がダメージを受けると、ＭＯＳＦＥＴが動作しなくなるため、絶縁膜に高耐熱材料を用いることも好ましい。
【００２５】
次に、本実施の形態１にかかる半導体装置の製造方法について説明する。まず、あらかじめリード５の先端に平板状の接続部５ａを有するリードフレームを用意する。リードフレームは、薄板金属条材をスタンピング、エッチング等によりパターニングして形成される。ここで、半導体素子２上のソース電極３ａおよびゲート電極３ｂの大きさ、形状に合わせ、所定の厚さとなるようリードフレームのリード５の端部に接続部５ａを形成する。
【００２６】
また、接続部５ａは、必要に応じ、Ｎｉ、Ａｇ等でめっきしてもよい。特に、ＣｕおよびＣｕ合金は、導電性がよくリードフレーム材として好適であるが、レーザの吸収が悪い。そのため、レーザ溶接の容易化のため、レーザ光の吸収性がよいＮｉを表面にめっきするか、Ｃｕ板上にＮｉ板を重ね、圧延することにより得られるＣｕ−Ｎｉクラッド材を用いてもよい。また、Ｃｕ−Ｎｉ合金としてもよい。
【００２７】
次に、半導体ウエハからダイシングされた個々の半導体素子２をダイパッド１上に搭載し、電極パッド３上に導電性バンプ４を超音波接合により形成する。具体的には、例えば、ワイヤ状の導電性バンプ４用材料の先端を加熱溶融してボールを形成し、超音波接合後、これを切断することにより導電性バンプ４が形成される。個々の導電性バンプ４の大きさは、例えば、直径３０〜２００μｍ、高さ２５〜９０μｍ程度であれば、接続部５ａや特許文献１および特許文献２に記載の平板状の電流経路部材に比べ、小さいため、ここでの超音波接合が半導体素子２に機械的ダメージを与えることはない。なお、ダイパッド１と半導体素子２とは、例えば、はんだ、銀ペースト等により電気的に接続する。
【００２８】
また、導電性バンプ４の形成方法は、上記超音波接合に限られない。例えば、半導体ウエハの段階で、電解めっきや無電解めっきにより形成してもよい。５〜２０μｍ程度の厚さの導電性バンプ４を形成することは容易である。形状もボールに限らず、柱状やプラグ状でも良い。この方法によれば、個々の半導体素子に一括して導電性バンプ４を形成でき、超音波接合による機械的ダメージを低減できる効果もある。また、導電性バンプ４の大きさを１００μｍ以上に広げることもでき、レーザ溶接の溶接面積を大きくできるため、さらに低抵抗化が実現できる。
【００２９】
続いて、ソース電極３ａおよびゲート電極３ｂ上に形成されている導電性バンプ４と、リード５の接続部５ａとを重ね合わせる。上述の通り、リード５はダイパッド１とは別のリードフレームのリードでもよい。レーザ溶接するための半導体素子２の位置決めは、±１００μｍ程度の精度でよく、容易である。一方、特許文献１のように、平板状の外部配線を超音波接合する場合、半導体素子の電極に平板状の外部配線の接合部を密着させた状態で接合部を揺動させる必要がある。そのため、平板状の外部配線の接合部を、半導体素子の電極を露出する保護膜の開口部からはみ出さないように位置決めしなければならない。通常、半導体素子は保護膜により覆われており、半導体素子の電極を開口する開口部が形成されている。外部配線は機械的ハンドリングにより位置決めされ、その位置決め精度は現状±２５μｍ程度である。位置決め精度を下げるためには、平板状の電気経路部材の接合部と半導体素子の電極を開口する開口部とのマージンを広げる必要がある。すなわち、半導体素子を大きくするか、接合部を小さくする（ゆえに高抵抗化する）ことになる。これに対し、本発明では、導電性バンプ４を介してリード５の接続部５ａを保護膜に接触しないように重ね合わせるため、半導体素子の電極を開口する開口部に対してずれていても良く、±１００μｍ程度の位置のずれは十分許容できる。
【００３０】
その後、図２に示すように、リード５の上方からレーザを照射して、リード５の接続部５ａと導電性バンプ４とを局部的に溶解し、金属同士を溶接する。レーザ溶接は、ガルバノメータを利用することで、一括接続することができ、生産性を高めることができる。なお、接続部５ａと導電性バンプ４との間には若干の間隙がある場合でも、レーザ溶接により接続部５ａおよび導電性バンプ４が溶融するため接合できる。また、図２では、すべての導電性バンプ４についてレーザ溶接しているが、必ずしも、すべての導電性バンプ４についてレーザ溶接する必要はない。
【００３１】
最後に、リード５の外部リード以外の部分がモールド樹脂により封入され、パッケージ化される。
【００３２】
以上説明した通り、本実施の形態１にかかる半導体装置の製造方法は、接続部５ａと導電性バンプ４とをレーザ溶接するため、半導体素子２への機械的ダメージを防止できる。また、導電性バンプ４が形成されているため、接続部５ａの厚さに基づき導電性バンプ４の高さを調節することにより、半導体素子２への熱的ダメージを防止できる。そのため、信頼性、生産性に優れた半導体装置を提供できる。
【００３３】
その他、以下の利点も有す。レーザ溶接によりリード５の接続部５ａおよび導電性バンプを溶解して接合するため、表面酸化膜が厚く超音波接合では接合が困難であった金属同士を接合できる。また、熱の発生が溶接部のみであり、常温プロセスのため、リードフレームや半導体素子２の酸化を防止できる。さらに、位置決めが容易、一括接続が可能、ワイヤルーピングが不要等により生産性に優れる。
実施の形態２
【００３４】
次に、本発明を適用した実施の形態２について説明する。上記実施の形態１では、リード５と電極パッド３上に形成された導電性バンプ４とを直接接続したが、リード５と導電性バンプ４とを別の接続部材を介して接続することもできる。本実施の形態２では、リードフレームのリード５と導電性バンプ４とを接続するためにリボン状接続材１７を用いた。すなわち、リボン状接続材１７が本発明にかかる外部配線に該当する。
【００３５】
図３（ａ）は、本実施の形態２にかかる半導体装置の斜視図、図３（ｂ）は、図３（ａ）に示すＸ−Ｘ断面図である。以下の説明において、上記実施の形態１と同一構成要素には同一の符号を付しその詳細な説明は省略する。
【００３６】
図３（ａ）、図３（ｂ）に示すように、リボン状接続材１７の一端とリード５とが電気的に接続されており、その他端と導電性バンプ４とが電気的に接続されている。リボン状接続材１７は、Ａｕ、Ｃｕ、Ｎｉ、Ａｇ、Ａｌ、Ｐｄやそれらを主成分とする合金からなる。リボン状接続材１７と導電性バンプ４およびリード５との接続にはレーザ溶接を用いる。なお、図４に示すように、リボン状接続材１７の一端が、リード５ではなく、半導体素子２と別の半導体素子１２の電極パッド１３上に形成された導電性バンプ１４とレーザ溶接されてもよい。すなわち、２つの半導体素子がリボン状接続材１７を介して接続されてもよい。また、図４中、半導体素子２および半導体素子１２は、各々ダイパッド１上およびダイパッド１１上に搭載されているが、同一のダイパッド上に搭載されていてもよい。
【００３７】
リボン状接続材１７の厚さは、実施の形態１と同様の理由から、導電性バンプ４の高さの１〜３０倍とするのが好ましい。リード５の厚さは、特に限定されないが、リボン状接続材１５の厚さの３０倍以下であれば、安定してレーザ溶接できるため、好ましい。
【００３８】
本実施の形態２にかかる半導体装置の製造方法も、リボン状接続材１７と導電性バンプ４とをレーザ溶接するため、半導体素子２への機械的ダメージを防止できる。また、導電性バンプ４が形成されているため、リボン状接続材１７の厚さに基づき導電性バンプ４の高さを調節することにより、半導体素子２への熱的ダメージを防止できる。そのため、信頼性、生産性に優れた半導体装置を提供できる。
【００３９】
実施の形態３
次に、本発明を適用した実施の形態３について説明する。本実施の形態３では、リードフレームのリード５と導電性バンプ４とを接続するためにワイヤ２７を用いた。すなわち、ワイヤ２７が本発明にかかる外部配線に該当する。図５（ａ）は、本実施の形態３にかかる半導体装置の平面図、図５（ｂ）は、図５（ａ）に示すＸ−Ｘ断面図である。以下の説明において、上記実施の形態１と同一構成要素には同一の符号を付しその詳細な説明は省略する。
【００４０】
図５（ａ）、図５（ｂ）に示すように、ワイヤ２７の一端側に形成された接続部２７ｂとリード５とが電気的に接続されており、その他端側に形成された接続部２７ａと導電性バンプ４とが電気的に接続されている。ワイヤ２７は、Ａｕ、Ｃｕ、Ｎｉ、Ａｇ、Ａｌ、Ｐｄやそれらを主成分とする合金からなる。ここで、ワイヤ２７は通常断面が円形であるが、図５の例では、リード５および導電性バンプ４とレーザ溶接しやすくするため、ワイヤ２７の両端（接続部２７ａ、２７ｂ）を平板状としている。なお、ワイヤ２７の接続部２７ｂが、リード５ではなく、異なる半導体素子の電極パッド上に形成された導電性バンプとレーザ溶接されてもよい。すなわち、２つの半導体素子がワイヤ２７を介して接続されてもよい。
【００４１】
この場合も、ワイヤ２７の平板状にした接続部２７ａの厚さは、実施の形態１と同様の理由から、導電性バンプ４の高さの１〜３０倍とするのが好ましい。なお、レーザ溶接を容易化するため、リードフレーム１４と溶接される接続部２７ｂも平板状に成形しておくことが好ましい。
【００４２】
本実施の形態３にかかる半導体装置の製造方法も、接続部２７ａと導電性バンプ４とをレーザ溶接するため、半導体素子２への機械的ダメージを防止できる。また、導電性バンプ４が形成されているため、接続部２７ａの厚さに基づき導電性バンプ４の高さを調節することにより、半導体素子２への熱的ダメージを防止できる。そのため、信頼性、生産性に優れた半導体装置を提供できる。
【図面の簡単な説明】
【００４３】
【図１】本発明の実施の形態１にかかる半導体装置を示す図であって、（ａ）は斜視図、（ｂ）は（ａ）のＸ−Ｘ線における断面図である。
【図２】本発明の実施の形態１にかかる半導体装置の製造方法を示す図である。
【図３】本発明の実施の形態２にかかる半導体装置を示す図であって、（ａ）は斜視図、（ｂ）は（ａ）のＸ−Ｘ線における断面図である。
【図４】本発明の実施の形態２にかかる２つの半導体素子からなる半導体装置を示す断面図である。
【図５】本発明の実施の形態３にかかる半導体装置を示す図であって、（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）のＸ−Ｘ線における断面図である。
【図６】特許文献１に記載の半導体装置を示す図であって、（ａ）は水平断面図、（ｂ）は（ａ）は垂直断面図である。
【図７】特許文献２に記載の半導体装置を示す断面図である。
【符号の説明】
【００４４】
１、１１  ダイパッド
２、１２  半導体素子
３、１３  電極パッド
３ａ、１３ａ  ソース電極
３ｂ  ゲート電極
４、１４  導電性バンプ
５  リード
５ａ  接続部
１０  レーザ
１７  リボン状接続材
２７  ワイヤ
２７ａ、２７ｂ  接続部
１０１  半導体装置
１０２  モールド樹脂
１０３ｄ  ドレイン側端子
１０３ｇ  ゲート側端子
１０３ｓ  ソース側端子
１０４ｇ  ゲート電極
１０４ｓ  ソース電極
１０５  半導体素子
１０６  電気経路部材
１０６ａ  電極側接続部分
１０６ｂ  リードフレーム側接続部分
１０７ｄ  ドレイン側ポスト部
１０７ｇ  ゲート側ポスト部
１０７ｓ  ソース側ポスト部
１０８  ボンディングワイヤ
２０１  半導体素子
２０２  電極パッド
２０３  ダイパッド
２０４  リード
２０５  ボンディングワイヤ
【図１】
0004722757.tif 000002
【図２】
0004722757.tif 000003
【図３】
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【図４】
0004722757.tif 000005
【図５】
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【図６】
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【図７】
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