(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
エッチングチャンバと、
前記エッチングチャンバ内部の上側に位置し、エッチング液を噴射する複数のノズルを有する配管部と、
前記配管部の下側に位置するマスク基板と、
前記マスク基板の下側に位置し、基板を移送する移送手段と、
を含み、
前記複数のノズルから噴射されたエッチング液が前記マスク基板上に広がり、該エッチング液が重力によって前記基板上に落下し、
前記マスク基板は、メッシュ状であるか、又は複数のホールまたはスリットを有する形態であることを特徴とするエッチング装置。
【請求項２】
前記マスク基板は、耐酸性材質で形成することを特徴とする請求項１に記載のエッチング装置。
【請求項３】
前記マスク基板は、ポリ塩化ビニル（ＰＶＣ）またはポリテトラフルオロエチレン(polytetrafluouroethylene：PTFE)で形成されていることを特徴とする請求項２に記載のエッチング装置。
【請求項４】
前記マスク基板は、互いに接触しない複数の積層構造であることを特徴とする請求項１に記載のエッチング装置。
【請求項５】
エッチングチャンバと、
前記エッチングチャンバ内部の上側に位置し、エッチング液を噴射する複数のノズルを有する配管部と、
前記配管部の下側に位置するマスク基板と、
前記マスク基板の側面に位置し、固定部により前記マスク基板を支持するリフト装置と、
前記マスク基板の下側に位置し、基板を移送する移送手段と、
を含み、
前記マスク基板は、メッシュ状であるか、又は複数のホールまたはスリットを有する形態であることを特徴とするエッチング装置。
【請求項６】
前記マスク基板は、耐酸性材質で形成することを特徴とする請求項５に記載のエッチング装置。
【請求項７】
前記マスク基板は、ポリ塩化ビニル（ＰＶＣ）またはポリテトラフルオロエチレン(polytetrafluouroethylene：PTFE)で形成されていることを特徴とする請求項６に記載のエッチング装置。
【請求項８】
前記マスク基板は、互いに接触しない複数の積層構造であることを特徴とする請求項５に記載のエッチング装置。
【請求項９】
前記リフト装置は、前記マスク基板を上下移動することを特徴とする請求項５に記載のエッチング装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明はエッチング装置（Ｅｔｃｈｉｎｇ  ａｐｐａｒａｔｕｓ）に関し、より詳しくは、マスク基板を有する湿式エッチング装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
一般的に、平板表示装置（Ｆｌａｔ  Ｐａｎｅｌ  Ｄｉｓｐｌａｙ：ＦＰＤ）は液晶表示装置（Ｌｉｑｕｉｄ  Ｃｒｙｓｔａｌ  Ｄｉｓｐｌａｙ：ＬＣＤ）、電界放出ディスプレイ装置（Ｆｉｅｌｄ  Ｅｍｉｓｓｉｏｎ  Ｄｉｓｐｌａｙ：ＦＥＤ）及び有機電界発光表示装置（Ｏｒｇａｎｉｃ  Ｌｉｇｈｔ  Ｅｍｉｔｔｉｎｇ  Ｄｉｏｄｅ  ｄｉｓｐｌａｙ：ＯＥＬＤ）などに分類される。
【０００３】
このように、平板表示装置は、通常的に洗浄工程、蒸着工程、フォト工程及びエッチング工程等の製造工程を介して具現することができるが、この中で、前記エッチング工程は設計により精密なパターンを形成する重要な工程であり、乾式エッチングと湿式エッチングとで大分類される。
【０００４】
まず、乾式エッチング方法は非等方性（Ａｎｉｓｏｔｒｏｐｉｃ）エッチングであり、プラズマを用いて基板上に形成された薄膜を選択的にエッチングする方法である。このように、乾式エッチングでは、所定の圧力下において反応ガスをプラズマ放電させて化学的な反応によりエッチングする反応乾式エッチング方法と、生成したイオンが衝突することによってエッチングされるイオン乾式エッチング方法などとがある。
【０００５】
次に、前記湿式エッチング方法は等方性（ｉｓｏｔｒｏｐｅ）エッチングであり、化学溶液を用いてエッチングする方法である。このような湿式エッチング方法は、乾式エッチング方法に比べて好適な選択度、エッチング均一度及びコスト節減の効果により大面積の量産に適している。
【０００６】
前記湿式エッチング方法は、一般的に薄膜が形成されている基板をエッチング液に完全につけるディップ（Ｄｉｐ）方式と、エッチング液を別の噴射装置を利用して前記基板上に形成された薄膜の表面に噴射してエッチングするスプレー（ｓｐｒａｙ）方式がある。
【０００７】
前記ディップ方式は均一なエッチング率を得ることができ、前記スプレー方式は好適なエッチングプロファイルが得られるという利点がある。
【０００８】
前記スプレー方式は、まず、移送ローラにより基板がエッチングチャンバ内部へ移送される。
【０００９】
続いて、前記エッチングチャンバ外部に位置しているエッチング液の保存容器である薬液槽からエッチング液がポンプにより配管部に供給される。
【００１０】
この場合、前記配管部は前記エッチング液を基板上に噴射するために複数のノズルと接続されている。よって、前記ノズルを介して基板上にエッチング液を噴射して湿式エッチング工程を行うことができる。
【００１１】
しかしながら、このようなエッチング液を噴射するスプレー式方式は、ノズルから所定圧力でエッチング液を噴射するため、下側に位置する基板と直接衝突して気泡状の微細泡（Ｍｉｃｒｏ  ｂｕｂｂｌｅ）が発生する。
【００１２】
これによって、基板上に形成した薄膜に均一なエッチングができず、不良パターンを形成させることになる。
【特許文献１】特開平１９９４−１７７０９３号公報
【特許文献２】特許第３５９５６０６号
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１３】
したがって、本発明の目的はこのような従来技術の問題点を解決しようとするためのもので、均一なエッチング率を有するエッチング装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１４】
本発明の前記目的は、エッチングチャンバと、前記エッチングチャンバ内部の上側に位置し、エッチング液を噴射する複数のノズルを有する配管部と、前記配管部の下側に位置するマスク基板と、前記マスク基板の下側に位置し、基板を移送する移送手段とを含むことを特徴とするエッチング装置によって達成することができる。
【００１５】
また、前記目的は、エッチングチャンバと、前記エッチングチャンバ内部の上側に位置し、エッチング液を噴射する複数のノズルを有する配管部と、前記配管部の下側に位置するマスク基板と、前記マスク基板の側面に位置し、固定部により前記マスク基板を支持するリフト装置と、前記マスク基板の下側に位置し、基板を移送する移送手段とを含むことを特徴とするエッチング装置によっても達成できる。
【発明の効果】
【００１６】
本発明のエッチング装置は、湿式エッチングの場合に生じうる微細泡を防止し、均一なエッチング率を得ることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１７】
本発明の前記目的、技術的構成及びその作用効果に関しては、本発明の好適な実施例を示す図面を参照して以下の詳細な説明により明確に理解することができる。
【００１８】
図面において、層及び領域の長さ、厚みなどは明確性をあたえるために誇張して図示されたものである。明細書全体にわたって同じ参照番号は、同様の構成要素を示す。
【実施例１】
【００１９】
図１は、本発明の実施例１によるエッチング装置を示す断面図である。
【００２０】
図２Ａないし図２Ｃは、本発明の実施例１によるエッチング装置の動作を示す模式図及び一部断面図である。
【００２１】
まず、図１を参照すると、本発明によるエッチング装置は、エッチングチャンバ１０と、前記エッチングチャンバ１０内部の上側に位置する配管部１４と、前記配管部１４の下側に所定間隔を置いて位置するマスク基板１３と、前記マスク基板１３の下側に所定間隔を置いて位置し、基板１２を移送する移送手段１１とで構成されている。
【００２２】
また、前記エッチングチャンバ１０外部には、エッチング液１６を保存する薬液槽２０と、前記薬液槽２０からエッチング液１６をエッチングチャンバ１０内部へ供給するためのポンプ２２とを含めて構成される。
【００２３】
さらに詳しくは、前記配管部１４はエッチングチャンバ１０内部の上側に位置し、メイン配管と複数のサブ配管で構成されている。このとき、前記複数のサブ配管の下部には複数のノズル１５が接続されていてエッチング液１６を噴射することができる。
【００２４】
次に、前記マスク基板１３は前記配管部１４の下側に所定間隔を置いて位置する。前記マスク基板１３はエッチング液１６に対して化学的に耐えられる耐酸性材質で形成されているが、より好ましくは、ポリ塩化ビニル（Ｐｏｌｙ  Ｖｉｎｙｌ  Ｃｈｌｏｒｉｄｅ：ＰＶＣ）またはテフロン（登録商標）材質とすることができる。
【００２５】
このように、マスク基板１３は、メッシュ状（ｍｅｓｈ  ｔｙｐｅ）と複数のホールまたはスリット状の開口部の構造とすることができる。よって、複数のノズル１５から、エッチング液１６が基板１２上に直接噴射された場合、衝突面から発生する微細泡現象を防止することができる。
【００２６】
次に、前記移送手段１１は前記マスク基板１３の下側に所定間隔を置いて位置し、ローラ状で回転する。よって、前記基板１２をエッチングチャンバ１０の内部に搬入することができ、エッチングチャンバ１０の外部に搬出することができる装置である。
【００２７】
次に、前記薬液槽２０は前記エッチングチャンバ１０の外部に位置し、エッチング液１６を保存する空間である。この場合、前記薬液槽２０には別のフィルタ（図示せず）が備えられてエッチング液１６の異物などを除去することができる。
【００２８】
次に、前記ポンプ２２は前記エッチングチャンバ１０の外部に位置し、圧力を用いて前記薬液槽２０に保存されたエッチング液１６を前記エッチングチャンバ１０内部に供給する。
【００２９】
上述のような本発明の実施例１によるエッチング装置の動作は、以下の図２Ａないし図２Ｃを参照して詳しく説明することによって明確に理解することができる。
【００３０】
図２Ａないし図２Ｃを参照すると、まず、エッチングすることになる薄膜（図示せず）が上部に形成された基板１２を、移送手段１１によってエッチングチャンバ１０内部へ搬入する。
【００３１】
続いて、エッチングチャンバ１０の外部に位置する薬液槽２０に保存されているエッチング液１６を、圧力作用をするポンプ２２によってエッチングチャンバ１０内部の配管部１４へ供給する。
【００３２】
続いて、前記エッチング液１６は、配管部１４のメイン配管を介して前記メイン配管から分岐した複数のサブ配管に均一に供給される。
【００３３】
続いて、前記サブ配管に供給されたエッチング液１６は前記サブ配管の下部に位置する複数のノズル１５の所定圧力によってマスク基板１３上に噴射される。
【００３４】
この場合、噴射された前記エッチング液１６は前記マスク基板１３の構造がメッシュ状となっているので均一に広がることができる。
【００３５】
また、前記マスク基板１３は、複数のホールまたはスリット状の開口部が形成された構造とすることができ、前記エッチング液１６を均一に広げることができる。
【００３６】
続いて、前記マスク基板１３上に所定量のエッチング液１６が広がると、重力により下側に位置する基板１２上に落下する。このとき、前記エッチング液１６は、前記マスク基板１３により均一性を有しながら垂直に落下して基板１２上に薄いエッチング液１６膜を形成する。
【００３７】
したがって、マスク基板１３のない従来のスプレー方式で発生する、噴射されたエッチング液と基板１２との直接衝突による微細泡現象を防止することができる。
【００３８】
また、従来のスプレー方式における、所定角度で噴射されたエッチング液１６により均一性のあるエッチングができない問題点も防止することができる。
【００３９】
続いて、前記基板１２上に形成されたエッチング液１６膜によりエッチング工程が実施された後、前記エッチング液１６はエッチングチャンバ１０の下部に接続されている移送管を介して前記エッチングチャンバ１０外部に位置する薬液槽２０へ移動する。
【００４０】
続いて、前記基板１２は移送手段１１によりエッチングチャンバ１０外部へ搬出される。
【００４１】
続いて、前記薬液槽２０に保存されたエッチング液１６は別のフィルタ（図示せず）により異物等を除去することができる。
【００４２】
続いて、前記エッチング液１６は、再びエッチングチャンバ１０外部に位置するポンプ２２の圧力作用により前記エッチングチャンバ１０内部に供給される過程を繰り返すことになる。
【実施例２】
【００４３】
図３は、本発明の実施例２によるエッチング装置を示す一部断面図である。
【００４４】
本発明の実施例２は、マスク基板以外の構成は実施例１と同一であるため、前記マスク基板以外の詳細な説明は省略する。
図３を参照すると、配管部１４の下部に接続された複数のノズル１５から噴射されたエッチング液１６が上部マスク基板１３ａと下部マスク基板１３ｂとで構成されたマスク基板１３に噴射される。
【００４５】
このように、前記マスク基板１３は、エッチング液１６に対して化学的に耐えられる耐酸性材質で形成されているが、より好ましくは、ポリ塩化ビニル（Ｐｏｌｙ  Ｖｉｎｙｌ  Ｃｈｌｏｒｉｄｅ：ＰＶＣ）またはテフロン（登録商標）材質とすることができる。
【００４６】
前記マスク基板１３は、メッシュ状の構造になっていて均一にエッチング液１６を広げることができる。また、前記マスク基板１３は、複数のホールまたはスリット状の開口部の構造で形成されているので、均一にエッチング液を広げることができる。
【００４７】
この場合、噴射された前記エッチング液１６は、前記マスク基板１３の中で、まず、上部に位置する上部マスク基板１３ａに均一に広がる。
【００４８】
続いて、前記上部マスク基板１３ａ上に所定量のエッチング液１６が広がると、重力により下部マスク基板１３ｂ上に落下する。
【００４９】
このとき、前記エッチング液１６は前記上部マスク基板１３ａにより均一で垂直に前記下部マスク基板１３ｂ上に落下し、微細泡の発生を防止する役割をする。
【００５０】
続いて、前記下部マスク基板１３ｂ上に所定量のエッチング液１６が広がると、重力により基板１２上に落下する。
【００５１】
このとき、前記エッチング液１６は、前記下部マスク基板１３ｂにより均一で垂直に前記基板１２上に落下し、微細泡の発生をさらに防止して薄いエッチング液１６膜を形成する。
【００５２】
このように、前記上部マスク基板１３ａと下部マスク基板１３ｂは、互いに接触しない複数の積層構造であって、交差する形態の積層構造とすることができる。すなわち、前記上部マスク基板１３ａと下部マスク基板１３ｂとはそれぞれのメッシュ間の空間及び複数のホールまたはスリット状の開口部が互いに交差する形態に対応しながら位置する。
【００５３】
これによって、エッチング液１６がマスク基板１３上に広げず、そのまま通過し基板１２と直接衝突する現象を防止することができる。
【００５４】
このように、複数の積層構造のマスク基板１３は、１つのマスク基板だけを有する場合よりも好適に微細泡を防止することができ、均一なエッチング率を得ることができる。
【実施例３】
【００５５】
図４は、本発明の実施例３によるエッチング装置を示す断面図である。
【００５６】
図５Ａ及び図５Ｂは、本発明の実施例３によるエッチング装置の動作を示す一部断面図である。
【００５７】
まず、図４を参照すると、本発明によるエッチング装置は、エッチングチャンバ１０と、前記エッチングチャンバ１０内部の上側に位置する配管部１４と、前記配管部１４の下側に位置するマスク基板１３と、前記マスク基板の側面に位置し、固定部３１により前記マスク基板１３を支持するリフト装置３０と、前記マスク基板１３の下側に位置し、基板１２を移送する移送手段１１とを有して構成される。
【００５８】
また、前記エッチングチャンバ１０外部には、エッチング液１６を保存する薬液槽２０と、前記薬液槽２０からエッチング液１６をエッチングチャンバ１０内部に供給するためのポンプ２２とを有して構成される。
【００５９】
さらに詳しくは、前記配管部１４は、エッチングチャンバ１０内部の上側に位置し、メイン配管と複数のサブ配管から構成されている。この場合、前記複数のサブ配管の下部には複数のノズル１５が接続されていてエッチング液１６を噴射することができる。
【００６０】
次に、前記マスク基板１３は前記配管部１４の下側に位置する。前記マスク基板１３はエッチング液１６に対して化学的に耐えられる耐酸性材質で形成することができるが、より好ましくは、ポリ塩化ビニル（Ｐｏｌｙ  Ｖｉｎｙｌ  Ｃｈｌｏｒｉｄｅ：ＰＶＣ）またはテフロン（登録商標）材質とすることができる。
【００６１】
このように、マスク基板１３はメッシュ状とすることができ、複数のホールまたはスリット状の開口部構造とすることができる。よって、複数のノズル１５からエッチング液１６が基板１２上に直接噴射された場合、基板１２の衝突面から生じうる微細泡現象を防止することができる。
【００６２】
次に、前記リフト装置３０は前記マスク基板１３の側面に位置し、固定部３１により前記マスク基板１３を支持する。このように、前記リフト装置３０は上下に移動することができるので、必要に応じて前記マスク基板１３を前記配管部１４と前記基板１２との間において上下制御することができる。
【００６３】
次に、前記移送手段１１は前記マスク基板１３の下側に位置し、ローラ状で回転する。よって、前記基板１２をエッチングチャンバ１０の内部に搬入することができ、また、エッチングチャンバ１０外部に搬出することもできる装置である。
【００６４】
次に、前記薬液槽２０は前記エッチングチャンバ１０の外部に位置し、エッチング液１６を保存する空間である。この場合、前記薬液槽２０には別のフィルタ（図示せず）が備えられていてエッチング液１６の異物などを除去することができる。
【００６５】
次に、前記ポンプ２２は前記エッチングチャンバ１０の外部に位置し、圧力を利用して前記薬液槽２０に保存されたエッチング液１６を前記エッチングチャンバ１０内部に供給する。
【００６６】
以上のように本発明の実施例３によるエッチング装置の動作は、以下の図５Ａ及び図５Ｂを参照して詳しく説明することによって明確に理解することができるものである。
【００６７】
図５Ａ及び図５Ｂを参照すると、まず、エッチングすることになる薄膜（図示せず）が上部に形成した基板１２が、移送手段１１によりエッチングチャンバ１０の内部に搬入される。
【００６８】
続いて、エッチングチャンバ１０の外部に位置する薬液槽２０に保存されたエッチング液１６を、圧力作用を利用するポンプ２２によってエッチングチャンバ１０の内部へ供給する。
【００６９】
続いて、前記エッチング液１６は、配管部１４のメイン配管を介して前記メイン配管から分岐した複数のサブ配管によって均一に供給される。
【００７０】
続いて、前記サブ配管へ供給されたエッチング液１６は、前記サブ配管の下部に位置する複数のノズル１５の所定圧力によってマスク基板１３上に噴射される。
【００７１】
このとき、噴射された前記エッチング液１６は前記マスク基板１３の構造がメッシュ状になっているので、均一に広がることができる。
【００７２】
また、前記マスク基板１３は、複数のホールまたはスリット状の開口部が形成された構造になっているので、前記エッチング液１６を均一に広がることができる。
【００７３】
続いて、前記マスク基板１３上に所定量のエッチング液１６が広がると、重力により基板１２上に落下される。
【００７４】
このとき、前記エッチング液１６は、前記マスク基板１３により均一性を有しながら垂直に落下されて微細泡が発生することを防止し、基板１２上に薄いエッチング液１６膜が形成される。
【００７５】
一方、前記マスク基板１３は側面に位置し、固定部３１を有するリフト装置３０により支持されている。
【００７６】
このように、前記リフト装置３０から固定部３１を下側に移動すると、前記マスク基板１３も下側に移動し、前記配管部１４とは遠くなり、前記基板１２に近接する。
【００７７】
したがって、複数のノズル１５から噴射したエッチング液１６は、噴射距離が遠くなったために前記マスク基板１３上に短い時間で均一に広がることができる。
【００７８】
一方、前記マスク基板１３と基板１２との間の距離は近くなる。そのために、前記基板１２移送時の震動により前記基板１２上のエッチング液１６膜とマスク基板１３との間では干渉による微細泡が発生しうる。
【００７９】
その反面、前記リフト装置３０から固定部３１を上側に移動すると、前記マスク基板１３も上側に移動し、前記配管部１４とは近くなり、前記基板１２からは遠くなる。
【００８０】
したがって、複数のノズル１５から噴射されたエッチング液１６は、噴射距離が短くなって前記マスク基板１３上の狭い面積に噴射されるので均等に広がるのに時間を必要とする。
【００８１】
一方、前記マスク基板１３と基板１２との間の距離は遠くなる。そのために、前記基板１２の移送時の震動により前記基板１２上のエッチング液１６膜とマスク基板１３との間に生じうる干渉を防止することができる。
【００８２】
このように、前記リフト装置３０を利用して前記マスク基板１３を上下に制御することによって均一なエッチング率を制御することができる。
【００８３】
続いて、前記基板１２上に形成されたエッチング液１６膜によってエッチング工程が実施された後、前記エッチング液１６はエッチングチャンバ１０の下部に集まり、移送管を介して前記エッチングチャンバ１０の外部に位置する薬液槽２０へ移動する。
【００８４】
続いて、前記基板１２は移送手段１１によりエッチングチャンバ１０の外部に搬出される。
【００８５】
続いて、前記薬液槽２０に保存されたエッチング液１６は別のフィルタ（図示せず）によって異物等が除去される。
【００８６】
続いて、前記エッチング液１６は、再びエッチングチャンバ１０の外部に位置するポンプ２２の圧力作用により前記エッチングチャンバ１０の内部に供給される過程を繰り返すことになる。
【実施例４】
【００８７】
図６は、本発明の実施例４によるエッチング装置を示す一部断面図である。
【００８８】
本発明の実施例４は、マスク基板以外の構成が実施例３と同一であるため、前記マスク基板以外の詳細な説明は省略する。
【００８９】
図６を参照すると、配管部１４の下部と接続されている複数のノズル１５から噴射されたエッチング液１６が上部マスク基板１３ａと下部マスク基板１３ｂとで構成されたマスク基板１３に噴射される。
【００９０】
このように、前記マスク基板１３は、エッチング液１６に対して化学的に耐えられる耐酸性材質で形成されているが、より好ましくは、ポリ塩化ビニル（Ｐｏｌｙ  Ｖｉｎｙｌ  Ｃｈｌｏｒｉｄｅ：ＰＶＣ）またはテフロン（登録商標）材質とすることができる。
【００９１】
前記マスク基板１３はメッシュ状に形成されていて均一にエッチング液を広げることができる。また、前記マスク基板１３は複数のホールまたはスリット状の開口部に形成されていて、均一にエッチング液を広げることができる。
【００９２】
この場合、噴射された前記エッチング液１６は前記マスク基板１３のうち、まずは上部に位置する上部マスク基板１３ａに均一に広げることになる。
【００９３】
続いて、前記上部マスク基板１３ａ上に所定量のエッチング液１６が広がると、重力により下部マスク基板１３ｂ上に落下される。このとき、前記エッチング液１６は前記上部マスク基板１３ａにより均一に垂直で下部マスク基板１３ｂ上に落下するので、微細泡の発生を防止する役割をする。
【００９４】
続いて、前記下部マスク基板１３ｂ上に所定量のエッチング液１６が広がると、重力により基板１２上に落下される。このとき、前記エッチング液１６は前記下部マスク基板１３ｂにより均一に垂直で基板１２上に落下することによって、微細泡の発生をさらに防止し、薄いエッチング液１６膜を形成することができる。
【００９５】
このように、前記上部マスク基板１３ａと下部マスク基板１３ｂは、互いに接触しない複数の積層構造であり、交差する形態の積層構造とすることができる。すなわち、前記上部マスク基板１３ａと下部マスク基板１３ｂとは、それぞれのメッシュ間の空間及び複数のホールまたはスリット状の開口部が互いに交差する形態に対応されて位置することができる。
【００９６】
これによって、エッチング液１６はマスク基板１３上に広がらず、直ちに通過して基板１２と直接衝突することを防止することができる。
【００９７】
このように、複数の積層構造のマスク基板１３は、１つのマスク基板だけを備える場合よりも好適に微細泡を防止することができ、均一なエッチング率が得られる。
【００９８】
一方、前記マスク基板１３は前記マスク基板１３の側面に位置し、固定部３１を有するリフト装置３０により支持されている。
【００９９】
このように、前記リフト装置３０から固定部３１を下側に移動すると、前記マスク基板１３も下側に移動し、前記配管部１４とは遠くなって前記基板１２からは近接する。
【０１００】
したがって、複数のノズル１５から噴射されたエッチング液１６は噴射距離が遠くなって前記マスク基板１３上に短い時間に均一に広がることができる。
【０１０１】
一方、前記マスク基板１３と基板１２との間の距離は近くなる。そのために、前記基板１２移送時の震動により前記基板１２上のエッチング液１６膜とマスク基板１３との間では干渉による微細泡が発生することもある。
【０１０２】
その反面、前記リフト装置３０から固定部３１を上側に移動すると、前記マスク基板１３も上側に移動し、前記配管部１４とは近くなって前記基板１２からは遠くなる。
【０１０３】
したがって、複数のノズル１５から噴射されたエッチング液１６は噴射距離が短くなって前記マスク基板１３上に狭い面積に噴射されて均等に広がるのに時間を必要とする。
【０１０４】
一方、前記マスク基板１３と基板１２との間の距離は遠くなる。そのために、前記基板１２移送時の震動により前記基板１２上のエッチング液１６膜とマスク基板１３との間で生じうる干渉を防止することができる。
【０１０５】
このように、前記リフト装置３０を利用して前記マスク基板１３を上下に制御することによって均一なエッチング率を制御することができる。
【０１０６】
以上の実施例を参照して本発明の詳細な説明によって開示されたエッチング装置はスプレー方式を中心として説明したが、これに限定されるものではなく、湿式エッチング方式の中のスプレー方式とディップ方式が混合された複合方式においても等しく適用される。
【０１０７】
また、前記エッチング装置は、平板表示装置を含む薄膜のエッチング工程の全般にかけて適用することができるが、以下ではその一例として薄膜トランジスタを含む有機電界発光表示装置を中心に説明した。
【０１０８】
図７は、有機電界発光表示装置を示す一部断面図である。
【０１０９】
図７を参照すると、基板１２が位置し、前記基板１２はガラスまたはプラスチックとすることができる。
【０１１０】
続いて、前記基板１２上にはバッファ層（図示せず）が位置してもよい。前記バッファ層は前記基板１２から生じる水分または不純物の拡散を防止したり、その後に形成する半導体層１１０結晶化時の熱の伝達速度を調節したりすることによって、非晶質シリコン層の結晶化がより好ましく形成させる役割をする。
【０１１１】
続いて、前記バッファ膜上に非晶質シリコン層を形成する。前記非晶質シリコン層はスパッタリング装置のような物理的気相蒸着法（Ｐｈｙｓｉｃａｌ  Ｖａｐｏｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）またはＰＥＣＶＤ（Ｐｌａｓｍａ  Ｅｎｈａｎｃｅｄ  Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｖａｐｏｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）またはＬＰＣＶＤ（Ｌｏｗ  Ｐｒｅｓｓｕｒｅ  Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｖａｐｏｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）装置のような化学的気相蒸着法（Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｖａｐｏｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）を用いて形成することができる。
【０１１２】
また、前記非晶質シリコン層を形成する際、または形成した後に脱水素処理して水素の濃度を低める工程を行うことができる。
【０１１３】
続いて、前記非晶質シリコン層は結晶化して多結晶シリコン層に形成される。前記非晶質シリコン層を結晶化する方法としては、ＥＬＡ（Ｅｘｃｉｍｅｒ  Ｌａｓｅｒ  Ａｎｎｅａｌｉｎｇ）、ＳＬＳ（Ｓｅｑｕｅｎｔｉａｌ  Ｌａｔｅｒａｌ  Ｓｏｌｉｄｉｆｉｃａｔｉｏｎ）、ＭＩＣ（Ｍｅｔａｌ  Ｉｎｄｕｃｅｄ  Ｃｒｙｓｔａｌｌｉｚａｔｉｏｎ）、ＭＩＬＣ（Ｍｅｔａｌ  Ｉｎｄｕｃｅｄ  Ｌａｔｅｒ  Ｃｒｙｓｔａｌｌｉｚａｔｉｏｎ）またはＳＧＳ（Ｓｕｐｅｒ  Ｇｒａｉｎｅｄ  Ｓｉｌｉｃｏｎ）などを用いることができる。
【０１１４】
続いて、前記多結晶シリコン層を、エッチング工程を含むパターニング工程を行って所定パターンの半導体層１１０に形成する。
【０１１５】
続いて、前記半導体層１１０が形成された基板全面にゲート絶縁膜１２０を形成して下部に形成された素子を保護し、前記ゲート絶縁膜１２０の上部に形成した素子と電気的に絶縁させる。
【０１１６】
続いて、前記ゲート絶縁膜１２０上には、アルミニウム（Ａｌ）、アルミニウム合金（Ａｌ  ａｌｌｏｙ）、モリブデン（Ｍｏ）、モリブデン合金（Ｍｏ  ａｌｌｏｙ）のいずれか１つによりゲートメタル層を蒸着する。
【０１１７】
続いて、前記ゲートメタル層を、エッチング工程を含むパターニング工程を行って半導体層１１０の所定領域に対応するゲート電極１３０に形成する。
【０１１８】
続いて、前記ゲート電極１３０をマスクとして用いて、Ｎ型またはＰ型不純物のいずれか１つを注入する工程を行って前記半導体層１１０にソース／ドレイン１１０ａ、１１０ｂ領域及びチャンネル領域１１０ｃを形成する。この場合、前記半導体層１１０がソース／ドレイン領域１１０ａ、１１０ｂとチャンネル領域１１０ｃに分けられるのは、前記不純物の注入工程により不純物が注入された領域はソース／ドレイン領域１１０ａ、１１０ｂに定義され、前記ゲート電極１３０により不純物が注入できない領域は薄膜トランジスタ駆動時にチャンネルが形成されるチャンネル領域１１０ｃに定義されるためである。
【０１１９】
続いて、前記基板全面には、層間絶縁膜１４０が形成されるが、前記層間絶縁膜１４０は下部に形成された素子を保護し、前記層間絶縁膜１４０上部に形成される素子とは電気的に絶縁させる。
【０１２０】
このとき、前記バッファ膜、前記ゲート絶縁膜１２０及び前記層間絶縁膜１４０はＳｉＯ２またはＳｉＮｘで形成することができ、これらで構成された複数の層から形成することもできる。
【０１２１】
続いて、前記層間絶縁膜１４０とゲート絶縁膜１２０を貫通して半導体層１１０のソース／ドレイン領域１１０ａ、１１０ｂの一部が露出できるようにコンタクトホールをそれぞれエッチングして形成する。
【０１２２】
続いて、前記層間絶縁膜１４０上に前記コンタクトホールを介して半導体層１１０のソース／ドレイン領域１１０ａ、１１０ｂと接続する所定パターンのソース／ドレイン電極１５０ａ、１５０ｂを、エッチング工程を含むパターニング工程を行って形成する。
【０１２３】
前記ソース／ドレイン電極１５０ａ、１５０ｂは、アルミニウム（Ａｌ）、アルミニウム合金（Ａｌ  ａｌｌｏｙ）、モリブデン（Ｍｏ）、モリブデン合金（Ｍｏ  ａｌｌｏｙ）のいずれか１つからなっている。
【０１２４】
続いて、前記基板全面に保護膜１６０が形成されるが、前記保護膜１６０はＳｉＯ２またはＳｉＮｘと、これらの複数層からなっている。
【０１２５】
続いて、前記保護膜１６０上には、平坦化膜１７０を形成することができるが、前記平坦化膜１７０は有機膜で形成することができ、前記基板上の段差を緩和するアクリル、ＢＣＢ（ｂｅｎｚｏｃｙｃｌｏｂｕｔｅｎｅ）及びポリイミドからなる群から選択されたいずれか１つを用いることができる。
【０１２６】
続いて、前記保護膜１６０及び平坦化膜１７０の所定領域をエッチングして前記ソース／ドレイン電極１５０ａ、１５０ｂのいずれか１つを露出するビアホールを形成する。
【０１２７】
続いて、前記平坦化膜１７０上に画素電極１８０を形成する。前記画素電極１８０は、前記ビアホールを介して露出したソース／ドレイン電極１５０ａ、１５０ｂのいずれか１つと接続される。
【０１２８】
前記画素電極１８０は、ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ  Ｔｉｎ  Ｏｘｉｄｅ）またはＩＺＯ（Ｉｎｄｉｕｍ  Ｚｉｎｃ  Ｏｘｉｄｅ）のような透明電極で形成されて背面方向に発光することができ、前記画素電極１８０の下部に光を反射させる反射膜（図示せず）を含んで全面方向に発光することもできる。
【０１２９】
前記反射膜は、Ｐｔ、Ａｕ、Ｉｒ、Ｃｒ、Ｍｇ、Ａｇ、Ａｌ及びこれらの合金からなる群のいずれか１つからなって、前記画素電極１８０に対しては下部に積層された構造である。
【０１３０】
続いて、前記基板全面に前記画素電極１８０の所定領域を露出する開口部を備える画素定義膜１９０を形成する。前記画素定義膜１９０はＢＣＢ（ｂｅｎｚｏｃｙｃｌｏｂｕｔｅｎｅ）、アクリル系高分子及びポリイミドからなる群から選択される１つの物質とすることができる。
【０１３１】
続いて、前記開口部に露出された画素電極１８０上には、有機発光層（図示せず）を含む有機膜層２００を形成し、前記基板上部全面に対向電極２１０を形成して有機電界発光表示装置を具現する。
【０１３２】
上述では、本発明の好ましい実施形態を参照しながら説明したが、当該技術分野の熟練した当業者は、添付の特許請求範囲に記載された本発明の思想及び領域から逸脱しない範囲で、本発明を多様に修正及び変更させることができる。
【図面の簡単な説明】
【０１３３】
【図１】本発明の実施例１によるエッチング装置を示す断面図である。
【図２Ａ】本発明の実施例１によるエッチング装置の動作を示す模式図である。
【図２Ｂ】本発明の実施例１によるエッチング装置の動作を示す模式図である。
【図２Ｃ】本発明の実施例１によるエッチング装置の動作を示す一部断面図である。
【図３】本発明の実施例２によるエッチング装置を示す一部断面図である。
【図４】本発明の実施例３によるエッチング装置を示す断面図である。
【図５Ａ】本発明の実施例３によるエッチング装置の動作を示す一部断面図である。
【図５Ｂ】本発明の実施例３によるエッチング装置の動作を示す一部断面図である。
【図６】本発明の実施例４によるエッチング装置を示す一部断面図である。
【図７】有機電界発光表示装置を示す一部断面図である。
【符号の説明】
【０１３４】
１０  エッチングチャンバ
１１  移送手段
１２  基板
１３  マスク基板
１４  配管部
１５  ノズル
１６  エッチング液
２０  薬液槽
２２  ポンプ
１１０  半導体層
１１０ａ、１１０ｂ  ソース／ドレイン領域
１１０ｃ  チャンネル領域
１２０  ゲート絶縁膜
１３０  ゲート電極
１４０  層間絶縁膜
１５０ａ、１５０ｂ  ソース／ドレイン電極
１６０  保護膜
１７０  平坦化膜
１８０  画素電極
１９０  画素定義膜
２００  有機膜層
２１０  対向電極
【図１】
0004846754.tif 000002
【図２Ａ】
0004846754.tif 000003
【図２Ｂ】
0004846754.tif 000004
【図２Ｃ】
0004846754.tif 000005
【図３】
0004846754.tif 000006
【図４】
0004846754.tif 000007
【図５Ａ】
0004846754.tif 000008
【図５Ｂ】
0004846754.tif 000009
【図６】
0004846754.tif 000010
【図７】
0004846754.tif 000011