(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板処理装置の基板載置台に備えられ、基板を昇降させる基板昇降装置であって、
前記基板載置台の基板載置面に対して突没可能に設けられ、基板に当接してこれを昇降させるリフターピンと、
前記リフターピンを支持する支持部と、
前記リフターピンを昇降変位させる駆動部と、
を有しており、
前記リフターピンは、その基端部において、複数の球体を介して前記支持部に支持され、前記基端部は、前記リフターピンの昇降方向に対して直交する方向に拡大したフランジ部を備えるとともに、付勢手段を介して前記フランジ部と平行に連結された付勢板を有しており、前記フランジ部および前記付勢板は、前記支持部に形成された互いに対向する壁面の間に介在する前記球体を介し、前記付勢手段の付勢力により該球体を押圧した状態で、前記球体に挟持されていることを特徴とする、基板昇降装置。
【請求項２】
前記駆動部と連結され、球体を介して前記基端部に前記駆動部からの駆動力を伝達する伝達部材をさらに備えたことを特徴とする、請求項１に記載の基板昇降装置。
【請求項３】
前記リフターピンは、基板処理装置からの基板の搬入時および搬出時に減圧環境下で昇降変位することを特徴とする、請求項１または請求項２に記載の基板昇降装置。
【請求項４】
処理室内において基板を処理する基板処理装置であって、
基板を載置する載置台と、
請求項１から請求項３のいずれか１項に記載の基板昇降装置を備えたことを特徴とする、基板処理装置。
【請求項５】
前記処理室は、真空状態で基板を処理する真空処理室であることを特徴とする、請求項４に記載の基板処理装置。
【請求項６】
フラットパネルディスプレイの製造に用いられるものである、請求項５に記載の基板処理装置。
【請求項７】
基板に対し、プラズマエッチング処理を行なうプラズマエッチング装置であることを特徴とする、請求項６に記載の基板処理装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、処理室内でフラットパネルディスプレイ（ＦＰＤ）製造用のガラス基板などの被処理基板を昇降するための基板昇降装置、および、この基板昇降装置を備え、被処理基板に対してドライエッチング等の処理を施す基板処理装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
例えば、ＦＰＤ製造プロセスにおいては、被処理基板であるガラス基板に対して、ドライエッチングやスパッタリング、ＣＶＤ（化学気相成長）等のプラズマ処理が多用されている。このようなプラズマ処理は、例えば、チャンバー内に一対の平行平板電極（上部および下部電極）を配置した基板処理装置において行うことができる。このような基板処理装置では、下部電極として機能する載置台に被処理基板を載置し、処理ガスをチャンバー内に導入するとともに、電極の少なくとも一方に高周波電力を印加して電極間に高周波電界を形成し、この高周波電界により処理ガスのプラズマを形成して被処理基板に対してプラズマ処理が施される。
【０００３】
ところで、基板処理装置の載置台には、基板載置面に対し突没可能な複数のリフターピンが設けられており、被処理基板を基板処理装置に搬入出する際には、これらのリフターピンが上昇することにより、被処理基板を載置台の載置面から離間させ、搬送機構との受渡しが行われる。また、基板処理装置でプラズマ処理を行う場合には、リフターピンが下降して被処理基板を載置台の載置面に載置する。
【０００４】
上記のようなリフターピンは、載置台に形成された穴に挿入された状態で配備される。この穴の径が大きいと、被処理基板へエッチング等の処理を行う際にエッチングむらなどの処理の不均一を生じさせる可能性があるため、通常はリフターピンとの隙間があまり大きくならないような穴径が選択される。しかし、プラズマ処理に際しては、載置台の温度変化を伴うことから、熱膨張により載置台に穿設された穴の位置がずれることがある。載置台の穴の位置がずれると、穴の壁（あるいは穴内に配備されたブッシュなどの位置決め部材）と、そこに挿入されたリフターピンとが接触し、片当りを起こしてリフターピンが昇降不能なロック状態になったり、昇降時に摩耗が生じてパーティクルの原因になったりするという問題があった。
【０００５】
このため、常圧で加熱処理等を行う装置において、リフターピンの下端に当接してこれを押し上げる押し上げ部材にピローボールを配備し、バネの付勢力によりリフターピンの下端をピローボールに当接させることによって、熱膨張による載置台の穴の位置ずれに対してリフターピンを追随させることが提案されている（例えば、特許文献１）。
【特許文献１】特開平１０−３０８３４８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
上記特許文献１では、ピローボールを使用して横方向の遊びを持たせることにより、載置台の熱膨張に基づく穴の位置ずれにリフターピンを追随させている点で優れたものである。しかし、真空装置の場合には、処理室内が真空状態になると、その吸引力によりリフターピンが上方向へ吸引されてしまうため、リフターピンの下端をピローボールに当接させる特許文献１の方法では、リフターピンの下端とピローボールとが非接触の状態となり、ピローボールの機能が奏されなくなる。このため、真空状態での昇降時に片当りが生じてロック状態になったり、摩耗によるパーティクルが発生したりするおそれがある。
【０００７】
また、ＦＰＤ用のガラス基板の処理に用いる載置台は、半導体ウエハの処理に用いる載置台に比べて大型であり、しかも、近年ではガラス基板の大型化に伴い載置台が益々大型化する傾向にあるので、熱膨張に伴う穴の位置のずれも必然的に大きくなっており、片当りを起こす頻度が増加している。従って、ＦＰＤ用のガラス基板を真空処理するような場合でも、安定したリフターピンの駆動を確保する観点において、従来技術にはさらなる改良の余地が残されていた。
【０００８】
本発明は、上記実情に鑑みてなされたものであり、真空処理装置においても、リフターピンの片当りを生じさせず、安定して基板を昇降させることが可能な基板昇降装置および基板処理装置を提供することを課題としている。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本発明の第１の観点は、基板処理装置の基板載置台に備えられ、基板を昇降させる基板昇降装置であって、
前記基板載置台の基板載置面に対して突没可能に設けられ、基板に当接してこれを昇降させるリフターピンと、
前記リフターピンを支持する支持部と、
前記リフターピンを昇降変位させる駆動部と、
を有しており、
前記リフターピンは、その基端部において、複数の球体を介して前記支持部に支持され、前記基端部は、前記リフターピンの昇降方向に対して直交する方向に拡大したフランジ部を備えるとともに、付勢手段を介して前記フランジ部と平行に連結された付勢板を有しており、前記フランジ部および前記付勢板は、前記支持部に形成された互いに対向する壁面の間に介在する前記球体を介し、前記付勢手段の付勢力により該球体を押圧した状態で、前記球体に挟持されていることを特徴とする、基板昇降装置を提供する。
【００１５】
このように、基端部にフランジ部を設けるとともに付勢板を備える構成とし、これらと支持部の壁面との間に介在する球体を付勢力により押圧した状態で前記フランジ部および付勢板を支持するようにしたので、球体とフランジ部および付勢板との接触が弾力的かつ確実になされ、球体の回転を利用した微調整が可能になる。
【００１６】
また、上記場合において、前記駆動部と連結され、球体を介して前記基端部に前記駆動部からの駆動力を伝達する伝達部材をさらに備えていることが好ましい。
【００１７】
また、上記第１の観点において、前記リフターピンは、基板処理装置からの基板の搬入時および搬出時に減圧環境下で昇降変位することが好ましい。
【００１８】
本発明の第２の観点は、処理室内において基板を処理する基板処理装置であって、
基板を載置する載置台と、
上記第１の観点の基板昇降装置を備えたことを特徴とする、基板処理装置を提供する。
【００１９】
上記第２の観点の基板処理装置において、前記処理室は、真空状態で基板を処理する真空処理室であることが好ましい。
また、前記基板処理装置は、フラットパネルディスプレイの製造に用いられるものであることが好ましい。この場合、基板に対し、プラズマエッチング処理を行なうプラズマエッチング装置であることが好ましい。
【発明の効果】
【００２０】
本発明の基板昇降装置によれば、真空処理装置においても、リフターピンの昇降時に載置台に形成された穴内での片当りを確実に防止できる。従って、片当りによってリフターピンがロック状態となったり、摩耗によってパーティクルが発生したりすることを確実に防止することが可能となる。また、片当りを防止できることによって、リフターピンの寿命を長期化することが可能になる。
よって、本発明の基板昇降装置を採用することにより、信頼性の高い基板処理装置を提供できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２１】
以下、図面を参照しながら、本発明の好ましい実施形態について説明する。図１は、本発明の一実施形態に係る基板処理装置の一例であるプラズマエッチング装置を示す断面図である。このプラズマエッチング装置１は、ＦＰＤ用ガラス基板（以下、単に「基板」と記す）Ｇに対し、エッチングを行う容量結合型平行平板プラズマエッチング装置として構成されている。ここで、ＦＰＤとしては、液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）、発光ダイオード（ＬＥＤ）ディスプレイ、エレクトロルミネセンス（Electro Luminescence；ＥＬ）ディスプレイ、蛍光表示管（Vacuum Fluorescent Display；ＶＦＤ）、プラズマディスプレイパネル（ＰＤＰ）等が例示される。なお、本発明の処理装置は、プラズマエッチング装置にのみ限定されるものではない。
【００２２】
このプラズマエッチング装置１は、例えば表面がアルマイト処理（陽極酸化処理）されたアルミニウムからなる角筒形状に成形されたチャンバー２を有している。このチャンバー２内の底部には絶縁材からなる角柱状の絶縁板３が設けられており、さらにこの絶縁板３の上には、被処理基板であるＦＰＤ用のガラス基板Ｇを載置するためのサセプタ４が設けられている。このサセプタ４は、例えば１８００ｍｍ×１５００ｍｍサイズまたはそれ以上のサイズの基板Ｇを載置できるように構成されている。サセプタ４は導電性材料からなる基材４ａを備え、その上面には誘電性材料膜５が設けられるとともに、基材４ａの周縁には絶縁膜６が設けられており、周囲が絶縁被覆されている。
【００２３】
サセプタ４の基材４ａには、高周波電力を供給するための給電線２３が接続されており、この給電線２３には整合器２４および高周波電源２５が接続されている。高周波電源２５からは例えば１３．５６ＭＨｚの高周波電力がサセプタ４に供給される。
【００２４】
チャンバー２の底壁２ａ、絶縁板３およびサセプタ４には、これらを貫通する挿通孔７が複数箇所（例えば１６箇所）に設けられている。各挿通孔７には、基板Ｇを昇降させるためのリフターピン８がサセプタ４の基板載置面に対して突没可能に挿入されている。なお、図１では２本のリフターピン８のみを図示している。リフターピン８は、その下端において昇降装置３０と連結されることにより、上下に変位して基板Ｇを昇降させる。つまり、リフターピン８と昇降装置３０は協働して基板昇降装置として機能する。リフターピン８および昇降装置３０の詳細については後述する。
【００２５】
前記サセプタ４の上方には、このサセプタ４と平行に対向して上部電極として機能するシャワーヘッド１１が設けられている。シャワーヘッド１１はチャンバー２の上部に支持されており、内部に内部空間１２を有するとともに、サセプタ４との対向面に処理ガスを吐出する複数の吐出孔１３が形成されている。このシャワーヘッド１１は接地されており、サセプタ４とともに一対の平行平板電極を構成している。
【００２６】
シャワーヘッド１１の上面にはガス導入口１４が設けられ、このガス導入口１４には、処理ガス供給管１５が接続されており、この処理ガス供給管１５には、バルブ１６およびマスフローコントローラ１７を介して、処理ガス供給源１８が接続されている。処理ガス供給源１８からは、エッチングのための処理ガスが供給される。処理ガスとしては、ハロゲン系のガス、Ｏ２ガス、Ａｒガス等、通常この分野で用いられるガスを用いることができる。
【００２７】
前記チャンバー２の側壁底部には排気管１９が接続されており、この排気管１９には排気装置２０が接続されている。排気装置２０はターボ分子ポンプなどの真空ポンプを備えており、これによりチャンバー２内を所定の減圧雰囲気まで真空引き可能なように構成されている。また、チャンバー２の側壁には基板搬入出口２１と、この基板搬入出口２１を開閉するゲートバルブ２２とが設けられており、このゲートバルブ２２を開にした状態で基板Ｇが隣接するロードロック室（図示せず）との間で搬送されるようになっている。
【００２８】
前記したように、チャンバー２の底壁２ａ、絶縁板３およびサセプタ４を貫通して設けられた各挿通孔７には、リフターピン８が挿入されており、このリフターピン８が昇降装置３０によって鉛直方向に変位することにより、基板Ｇがサセプタ４に載置された載置状態と、サセプタ４の上方においてリフターピン８により支持された離間状態と、の切替えが行われる。昇降装置３０は、主要な構成として、ステッピングモータ等を内蔵した駆動部３１と、該駆動部３１に連結され、各リフターピン８と連結して各リフターピン８を同期して昇降変位させる押上げプレート３２と、押上げプレート３２を案内するガイド軸３３を備えている。
【００２９】
ここで、リフターピン８と昇降装置３０を含む本実施形態の基板昇降装置の詳細を図２および図３を参照しながら説明する。図２は、リフターピン８がサセプタ４の挿通孔７内に退避した非作動状態を示し、図３は、リフターピン８がサセプタ４の基板載置面から突出した作動状態を示している。
【００３０】
リフターピン８の先端とは反対側、すなわちリフターピン基端部９は、円柱ブロック状に形成されており、その縁端には、その昇降方向に対して直交する方向（つまり、円柱ブロックの周方向）に拡大したフランジ９ａを有している。このリフターピン８の上部は、挿通孔７内に、図示しない位置決め用ブッシュにより位置決めされて挿入されている。
【００３１】
また、リフターピン８の下部は、チャンバー２の底壁２ａから大気側に突出しており、リフターピン基端部９のフランジ９ａは、リフターピン８を支持する支持部である押上げプレート３２の上面に立設された囲繞筒体３４内に収容されている。なお、チャンバー２の底壁２ａとリフターピン基端部９までの間は、上下に伸縮自在なベローズ１０によって覆われているので、挿通孔７内は真空状態に保たれる。
【００３２】
押上げプレート３２の囲繞筒体３４は、中空状で天井部３４ａに開口を有しており、その開口にリフターピン基端部９の下部が挿入されている。そして、押上げプレート３２の上面３２ａにはボールベア３５が配備され、押上げプレート３２に平行にかつ対向して設けられた囲繞筒体３４の天井部内面３４ｂにはボールベア３６が配備されている。このように、フランジ９ａの下面にはボールベア３５が当接し、フランジ９ａの上面には、ボールベア３６が当接することにより、リフターピン基端部９のフランジ９ａが挟み込まれるようにしてリフターピン８が支持されている。なお、ボールベア３５およびボールベア３６は、フランジ９ａの周方向にそれぞれ複数個配備されている（図２および図３では各２つのみ図示）。
【００３３】
前記したように、昇降装置３０は駆動部３１を備えており、押上げプレート３２は、この駆動部３１とシャフト３１ａによって連結されている（図１参照）。例えばシャフト３１ａには、押上げプレート３２と係合する螺旋溝が刻設されており、駆動部３１を作動させてこのシャフト３１ａに所定の回転が与えられると、押上げプレート３２が上下に昇降するようになっている。また、押上げプレート３２の貫通孔（不図示）には、ガイド軸３３，３３が貫装されており、複数のリフターピン８が精度良く同期して昇降変位することを可能にしている。
【００３４】
以上のような構成の昇降装置３０において、図２に示す状態から、駆動部３１を作動させ、押上げプレート３２を上昇させることにより、ボールベア３５を介して駆動力が伝達され、リフターピン８が挿通孔７内を上昇していく。そして、図３に示すように、リフターピン８を所定の高さでサセプタ４の基板載置面から突出させることができる。
また、図３に示す状態から、駆動部３１を作動させ、押上げプレート３２を下降させることにより、ボールベア３６を介して駆動力が伝達され、リフターピン８が挿通孔７内を下降していく。そして、図２に示すように、リフターピン８の先端が、サセプタ４の基板載置面と略面一になるまで退避させることができる。
【００３５】
本実施形態の基板昇降装置は、基端部９に対してリフターピン８の変位方向に（すなわち、フランジ９ａの上下両側に）、ボールベア３５およびボールベア３６を配備したので、リフターピン８の作動時および非作動時において、サセプタ４の熱膨張・収縮に伴う挿通孔７の横方向の位置ずれに対し、ボールベア３５およびボールベア３６の回転を利用し、リフターピン基端部９側が容易に追随することにより、横方向の微調整が可能であるという特長を備えている。特に、チャンバー２内が真空状態となり、リフターピン８にその変位方向、つまり鉛直方向の吸引力が加わった場合でも、上側のボールベア３６により横方向の動き（遊び）が維持されるので、リフターピン８のセンタリングが容易に行われ、挿通孔７の横方向の位置ずれに対する追随性が損なわれることがない。従って、リフターピン８が挿通孔７内で片当りを生じてロック状態になったり、摩耗によってパーティクルが発生したりする事態を回避でき、高い信頼性をもって基板Ｇを昇降させることができる。
【００３６】
次に、再び図１を参照して、プラズマエッチング装置１における処理動作について説明する。
まず、被処理基板である基板Ｇは、ゲートバルブ２２が開放された後、図示しないロードロック室から基板搬入出口２１を介してチャンバー２内へと搬入される。この際、昇降装置３０の駆動部３１を作動させ、押上げプレート３２を上昇させることにより、リフターピン８を所定の高さでサセプタ４の基板載置面から突出させ、図示しない搬送手段から、基板Ｇを受取る。その後、再び駆動部３１を作動させ、押上げプレート３２を下降させることにより、リフターピン８を下降させて基板Ｇをサセプタ４上に載置する。その後、ゲートバルブ２２が閉じられ、排気装置２０によって、チャンバー２内が所定の真空度まで真空引きされる。
【００３７】
その後、バルブ１６が開放されて、処理ガス供給源１８から処理ガスがマスフローコントローラ１７によってその流量が調整されつつ、処理ガス供給管１５、ガス導入口１４を通ってシャワーヘッド１１の内部空間１２へ導入され、さらに吐出孔１３を通って基板Ｇに対して均一に吐出され、チャンバー２内の圧力が所定の値に維持される。
【００３８】
この状態で高周波電源２５から整合器２４を介して高周波電力がサセプタ４に印加されると、下部電極としてのサセプタ４と上部電極としてのシャワーヘッド１１との間に高周波電界が生じ、処理ガスが解離してプラズマ化し、これにより基板Ｇにエッチング処理が施される。
【００３９】
このようにしてエッチング処理を施した後、高周波電源２５からの高周波電力の印加を停止し、ガス導入を停止した後、チャンバー２内を所定の圧力まで減圧する。そして、ゲートバルブ２２を開放し、前記と同様に昇降装置３０の駆動部３１を作動させてリフターピン８を上昇させ、図示しない搬送手段に基板Ｇを受け渡す。基板Ｇは、基板搬入出口２１を介してチャンバー２内から図示しないロードロック室へ搬出され、一つの基板Ｇに対するエッチング処理が終了する。
【００４０】
次に、図４〜図６を参照しながら、本発明の第２の実施形態に係る基板処理装置について説明を行う。図４は、基板処理装置の一例であるプラズマエッチング装置１００の要部構成を示す断面図である。プラズマエッチング装置１００は、基板昇降装置を除き、図１のプラズマエッチング装置１と同様の構成であるため、ここでは相違点のみを説明し、同一の構成については説明および図示を省略する。
【００４１】
プラズマエッチング装置１００のチャンバー２の底壁２ａ、絶縁板（図示省略）およびサセプタ４には、これらを貫通する挿通孔７が複数箇所に設けられている。各挿通孔７には、基板Ｇを昇降させるため、複数のリフターピン８０がサセプタ４の基板載置面に対して突没可能に挿入されている。なお、図４では２本のリフターピンのみを図示している。
リフターピン８０は、その下端において、駆動部５１を備えた昇降装置５０と連結されることにより、上下に変位して、基板Ｇを昇降させる。つまり、リフターピン８０と昇降装置５０は協働して基板昇降装置として機能する。
【００４２】
昇降装置５０は、主要な構成として、駆動部５１と、この駆動部５１に連結された駆動力伝達部（主として伝達ロッド５２、ワイヤ５４および押上げロッド５７を含む）と、一対のガイド軸６４の端部に形成されたストッパー５８と、リフターピン８０に連結してこれを支持する支持部としての昇降ブロック５９とを備えている。
【００４３】
駆動部５１は、図示しないエアシリンダなどの駆動機構を備え、この駆動機構はリフターピン８０の数に対応する本数の伝達ロッド５２に連結されている。つまり、各伝達ロッド５２の一端側が、それぞれ駆動部５１に連結されることにより、各伝達ロッド５２は、図４中矢印で示す方向に同期して進退する。なお、図４では、伝達ロッド５２を２本のみ図示している。
【００４４】
伝達ロッド５２の他端側は、連結具５３を介して可撓性のワイヤ５４に連結され、このワイヤ５４を介して、リフターピン基端部８１に駆動部５１からの駆動力を伝達する伝達部材としての押上げロッド５７に連結されている。ワイヤ５４は、合成樹脂等からなる可撓性のチューブ５５により非固着状態で被覆されており、伝達ロッド５２の動きに追従してチューブ５５内を往復動する。ワイヤ５４の他端側には、連結具５６を介して押上げロッド５７が連結され、この押上げロッド５７は、ワイヤ５４の動きに応じて上下に変位可能になっている。
【００４５】
図５は、リフターピン８０がサセプタ４の挿通孔７内に退避した非作動状態を拡大して示し、図６は、リフターピン８０がサセプタ４の基板載置面から突出した作動状態を拡大して示すものである。
リフターピン８０の上部は、挿通孔７内の図示しない位置決め用ブッシュに挿入されている。リフターピン８０の下部は、チャンバー２の底壁２ａから大気側に突出しており、リフターピン基端部８１を有している。なお、チャンバー２の底壁２ａとリフターピン基端部８１までの間は、上下に伸縮自在なベローズ８４によって覆われているので、挿通孔７内は真空状態に保たれる。
【００４６】
リフターピン基端部８１は、上部が閉塞した円筒状に形成され、その下端には、昇降方向に対して直交する方向（つまり、リフターピン基端部８１の周方向）に拡大したフランジ８１ａを有している。また、このリフターピン基端部８１の内部は中空になって凹部８１ｂが形成されており、この凹部８１ｂ内には、後述するボールベア６３との当接面８１ｃが形成されている。また、リフターピン基端部８１には、付勢手段としての複数のバネ８２（２つのみ図示）が設けられ、このバネ８２を介して付勢板８３がフランジ８１ａに対して平行に配設されている。
【００４７】
昇降ブロック５９は、その貫通孔（不図示）にガイド軸６４，６４が貫装されることにより、ガイド軸６４，６４に案内されて上下に昇降自在に支持されている。これらガイド軸６４，６４により、昇降ブロック５９に連結されたリフターピン８０が精度良く昇降変位できるようになっている。ガイド軸６４，６４の端部には、ストッパー５８が設けられており、昇降ブロック５９の最下降位置を規制している。また、昇降ブロック５９の中央部には開口５９ｂが形成され、ストッパー５８の中央部には開口５８ａが形成されており、これらの開口５９ｂおよび開口５８ａ内には、押上げロッド５７が挿入されている。
【００４８】
昇降ブロック５９には、囲繞筒体６０が立設されている。この囲繞筒体６０は、中空状で天井部６０ａに開口を有しており、その開口にリフターピン基端部８１の下部が挿入されている。そして、昇降ブロック５９の上面５９ａにはボールベア６１が配備され、昇降ブロック５９の上面５９ａに平行かつ対向して設けられた囲繞筒体６０の天井部内面６０ｂにはボールベア６２が配備されている。つまり、フランジ８１ａと平行に設けられた付勢板８３の下面にはボールベア６１が当接し、フランジ８１ａの上面には、ボールベア６２が当接することにより、リフターピン基端部８１のフランジ８１ａと付勢板８３が弾力を持って上下からボールベア６１とボールベア６２に挟み込まれるようにしてリフターピン８０が支持されている。なお、ボールベア６１およびボールベア６２は、フランジ８１ａの周方向にそれぞれ複数個配備されている（図５および図６では各２つのみ図示）。
【００４９】
押上げロッド５７は、その一端側で連結具５６によってワイヤ５４に連結されており（図４参照）、ストッパー５８の開口５８ａおよび昇降ブロック５９の開口５９ｂ内に挿入されている。押上げロッド５７の他端側には、先端ブロック５７ａが形成されており、さらにその先端には複数のボールベア６３が配設されている。
【００５０】
以上のような構成の昇降装置５０において、図５に示す状態から、駆動部５１を作動させ、伝達ロッド５２を進出させることにより、ワイヤ５４がチューブ５５内を全体的にスライドし、押上げロッド５７を上昇させる。そして、図６に示すように、押上げロッド５７の先端ブロック５７ａが、リフターピン基端部８１に形成された凹部８１ｂ内に嵌め込まれるような状態になり、先端ブロック５７ａに配備されたボールベア６３が凹部８１ｂ内の当接面８１ｃに当接する。このようにして、伝達ロッド５２の動きがリフターピン８０に伝達され、リフターピン８０が挿通孔７内を上昇していく。これにより、リフターピン８０を所定の高さでサセプタ４の基板載置面から突出させることができる。
【００５１】
また、図６に示す状態から、駆動部５１を作動させ、伝達ロッド５２を引き込むことにより、その動きがワイヤ５４を介して押上げロッド５７に伝達され、押上げロッド５７が下降する。これにより、押上げロッド５７の先端ブロック５７ａに配備されたボールベア６３とリフターピン基端部８１の凹部８１ｂ内の当接面８１ｃとの当接が解除され、リフターピン８０と昇降ブロック５９は、その自重によって昇降ブロック５９の下端がストッパー５８に当接する位置まで下降し、図５に示すように、リフターピン８０の先端が、サセプタ４の基板載置面と略面一になるまで退避させることができる。
【００５２】
本実施形態の基板昇降装置では、リフターピン基端部８１に対してその変位方向にボールベア６１および６２を配備した。すなわち、フランジ８１ａの上側にボールベア６２を、付勢板８３の下側にボールベア６１を配備したので、リフターピン８０の作動時および非作動時において、サセプタ４の熱膨張・収縮に伴う挿通孔７の横方向の位置ずれに対してボールベア６１および６２の回転を利用し、リフターピン基端部８１側が容易に追随することにより、横方向の微調整が可能であるという特長を備えている。特に、チャンバー２内が真空状態となり、リフターピン８０にその変位方向、つまり鉛直方向の吸引力が加わった場合でも、上側のボールベア６２により横方向の動き（遊び）が維持されるので、リフターピン８０のセンタリングが容易に行われ、挿通孔７の横方向の位置ずれに対する追随性が損なわれることがない。
【００５３】
また、リフターピン８０の作動時においても、リフターピン基端部８１の凹部８１ｂ内に挿入される押上げロッド５７の先端ブロック５７ａは、ボールベア６３を介して当接面８１ｃを押し上げるので、リフターピン基端部８１の横方向の動き（遊び）が確保され、挿通孔７の横方向の位置ずれに対する追随性が保たれる。
【００５４】
さらに、リフターピン基端部８１のフランジ８１ａと、付勢板８３とは、これらの間に介在するバネ８２により、リフターピン８０の変位方向に常時付勢され押し広げられているので、ボールベア６１および６２との接触が常に図られ、リフターピン基端部８１が囲繞筒体６０内で上下方向にガタつくことがなく、安定して横方向に微調整される。
従って、リフターピン８０が挿通孔７内で片当りを生じてロック状態になったり、摩耗によってパーティクルが発生したりする事態を回避でき、高い信頼性をもって基板Ｇを昇降させることができる。
【００５５】
以上、代表的な実施形態を挙げて本発明を説明したが、本発明は上記実施形態に制約されることはなく、種々の変形が可能である。
例えば、図１では、下部電極に高周波電力を印加するＲＩＥタイプの容量結合型平行平板プラズマエッチング装置を例示して説明したが、これに限らず、上部電極に高周波電力を供給するタイプであってもよく、また容量結合型に限らず誘導結合型であってもよい。さらに、エッチング装置に限らず、アッシング、ＣＶＤ成膜等の他のプラズマ処理装置に適用することができる。
【００５６】
また、被処理基板はＦＰＤ用ガラス基板Ｇに限られず半導体ウエハであってもよい。
【００５７】
また、第１実施形態に係る図１のプラズマエッチング装置１の昇降装置３０では、押上げプレート３２の上面３２ａのボールベア３５と、押上げプレート３２に対向する囲繞筒体３４の天井部内面３４ｂのボールベア３６との間にリフターピン基端部９のフランジ９ａを挟持してリフターピン８を支持する構造としたが、第２実施形態のプラズマエッチング装置１００の昇降装置５０におけるリフターピン基端部８１と同様に、付勢板を配備してリフターピン８の変位方向にボールベア３５およびボールベア３６を押圧するようにしてもよい。
【００５８】
また、第１実施形態および第２実施形態では、リフターピン基端部のフランジと平行に対向する壁面の側にボールベアを配備したが、これに限るものではない。例えば、図１の昇降装置３０において、押上げプレート３２の上面３２ａと囲繞筒体３４の天井部内面３４ｂにボールベア３５および３６を配設する替りに、ボールベアをリフターピン基端部９側（つまり、フランジ９ａの上下両面）に配備してもよい。あるいは、上側のボールベアをフランジ９ａに配備し、下側のボールベアを押上げプレート３２に配備してもよく、これとは逆に、上側のボールベアを囲繞筒体３４に配備し、下側のボールベアをフランジ９ａに配備してもよい。さらにボールベアは、フランジ９ａと囲繞筒体３４との間および押上げプレート３２とフランジ９ａとの間に介在配備してもよい。
【００５９】
また、上記実施形態では、リフターピン基端部にフランジや付勢板を設けてボールベアと係合させるようにしたが、フランジや付勢板に限らず、ボールベアと係合して横方向の位置調整が可能な構造であれば制限なく採用することができる。
【図面の簡単な説明】
【００６０】
【図１】本発明の第１実施形態に係る基板昇降装置を備えたプラズマエッチング装置を示す概略断面図。
【図２】第１実施形態の基板昇降装置におけるリフターピンの下降状態の説明に供するプラズマエッチング装置の要部断面図。
【図３】第１実施形態の基板昇降装置におけるリフターピンの上昇状態の説明に供するプラズマエッチング装置の要部断面図。
【図４】本発明の第２実施形態に係る基板昇降装置を備えたプラズマエッチング装置を示す要部断面図。
【図５】第２実施形態の基板昇降装置におけるリフターピンの下降状態の説明に供するプラズマエッチング装置の要部断面図。
【図６】第２実施形態の基板昇降装置におけるリフターピンの上昇状態の説明に供するプラズマエッチング装置の要部断面図。
【符号の説明】
【００６１】
１  プラズマエッチング装置
２  チャンバー
３  絶縁板
４  サセプタ
５  誘電性材料膜
６  絶縁膜
７  挿通孔
８  リフターピン
９  リフターピン基端部
９ａ  フランジ
１０  ベローズ
１１  シャワーヘッド
２０  排気装置
２５  高周波電源
３０  昇降装置
３１  駆動部
３２  押上げプレート
３３  ガイド軸
３４  囲繞筒体
３５  ボールベア
３６  ボールベア
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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