(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
互いに同一構造を備えた複数の磁束量子ビットと、隣接する磁束量子ビット間に配置され、それぞれ超伝導ループを形成する複数のトランスフォーマーと、各々の磁束量子ビットにバイアス磁束を印加するためのバイアス電流線と、各々のトランスフォーマーに付随した直流磁場相殺用の直流磁束調整用電流線とを有することを特徴とする超伝導量子演算回路。
【請求項２】
請求項１において、隣接する前記磁束量子ビット間に配置された複数のトランスフォーマーは、シャントＳＱＵＩＤでシャントされた超伝導ループからなる第１のトランスフォーマーと、シャントＳＱＵＩＤ及びひねり部分を有する第２のトランスフォーマーとを含み、前記第１及び第２のトランスフォーマーのＳＱＵＩＤに対応して、ＳＱＵＩＤ制御用電流線が設けられていることを特徴とする超伝導量子演算回路。
【請求項３】
請求項２において、更に、量子ビットを読み出すための読み出し用ＳＱＵＩＤが、前記磁束量子ビットに隣接して設けられていることを特徴とする超伝導量子演算回路。
【請求項４】
請求項３において、前記複数のトランスフォーマー及び前記シャントＳＱＵＩＤが形成された第１層と、前記磁束量子ビット及び前記読み出し用ＳＱＵＩＤが形成された第２層と、前記バイアス電流線、ＳＱＵＩＤ制御用電流線、及び直流磁束調整用電流線が設けられた第３層とを有し、前記第１層〜前記第３層との間には、層間絶縁膜が設けられていることを特徴とする超伝導量子演算回路。
【請求項５】
請求項１〜４のいずれかに記載された超伝導量子演算回路を含むことを特徴とする量子コンピュータ。
【請求項６】
請求項１〜４のいずれかに記載された超伝導量子演算回路を含むことを特徴とする半導体装置。
【請求項７】
２つの端部を備え、２つの端部間に長さ方向に延びる超伝導ループをそれぞれ構成する２つの超伝導トランスフォーマーを互いに隣接して形成するトランスフォーマー形成工程と、前記２つの超伝導トランスフォーマーの２つの端部に隣接して磁束量子ビットを形成する工程と、前記超伝導トランスフォーマー及び前記磁束量子ビットに必要な超伝導配線を施す工程とを有することを特徴とする超伝導量子演算回路の製造方法。
【請求項８】
請求項７において、前記トランスフォーマー形成工程は、前記２つの超伝導トランスフォーマーの長さ方向中間部に、それぞれシャントＳＱＵＩＤを形成する工程と、前記２つの超伝導トランスフォーマーのうちの一方にひねり部分を形成し、当該ひねり部分を介して、前記シャントＳＱＵＩＤの一方と接続する前記超伝導ループを形成する工程を有していることを特徴とする超伝導量子演算回路の製造方法。
【請求項９】
所定方向に間隔を置いて配置され、互いに同一構造の２つの磁束量子ビットの状態を制御する制御方法において、前記２つの磁束量子ビットの間に、前記所定方向を長さ方向とする超伝導ループを形成する２つの超伝導トランスフォーマーを配置しておき、
前記２つの磁束量子ビットを最適なバイアスにバイアスすると共に、前記２つの超伝導トランスフォーマーの相殺作用により、前記２つの磁束量子ビット間の相互作用をオフにしておき、
前記２つの超伝導トランスフォーマー間の相殺作用を解除して、前記２つの磁束量子ビット間を一時的に磁気的に結合させ、これによって、量子演算を行うことを特徴とする制御方法。
【請求項１０】
請求項９において、前記２つの磁束量子ビットの一方に付随して読み出しＳＱＵＩＤを設けておき、前記一時的な結合によって得られた状態を読み出すことを特徴とする制御方法。
【請求項１１】
複数の磁束量子ビット間に配置して使用されるトランスフォーマー素子において、シャントＳＱＵＩＤを含む長さ方向に延びる超伝導ループを形成する第１のトランスフォーマーと、前記第１のトランスフォーマーに隣接して配置されると共に、シャントＳＱＵＩＤとひねり部分とを備え、前記第１のトラスフォーマーと同様に長さ方向に延びる超伝導ループを形成する第２のトランスフォーマーとを有することを特徴とするトランスフォーマー素子。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、超伝導量子演算回路に関し、特に、量子ビット間の相互作用を完全にオフすることのできる超伝導量子演算回路に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年の技術の発展に伴い、量子計算の実現に向けた超伝導量子ビット素子が実現されている。例えば、非特許文献１にあるような磁束量子ビット素子では，図２に示すようなジョセフソン接合202を3つ有する超伝導ループ201の中に量子化磁束の1/2に相当する外部磁束を印加した際に，ループを周回する永久電流が時計回りの状態と反時計回りの状態の2つの状態の重ね合わせ状態が最もエネルギーの低い２つの固有状態となり，有効量子2準位系すなわち量子ビットとして動作する。
【０００３】
更に、量子ビット素子を集積化して量子ビット演算回路を構成するには，量子ビット間の相互作用を導入することにより，２量子ビット間の条件付演算ゲートが必要となる。例えば、非特許文献２に記載されている従来の量子ビット演算回路では、図３のように２つの磁束量子ビット301，302のループの一部を共有させることにより，量子ビット間の磁気的結合を実現している。
【０００４】
また、非特許文献３では図４のように２つの磁束量子ビット401，402のループ共有部分に大きなジョセフソン接合403を設けてインダクタンスを増大することにより，相互作用を強めている。一方、非特許文献１では、図５のように磁束量子ビット間に，超伝導磁束量子干渉素子（SQUID）504を含む超伝導ループをトランスフォーマー503として設けることにより、量子ビット501，502間の磁気的結合を実現している。
【０００５】
非特許文献４では、図６のようにSQUID604を含む超伝導ループを２つ対称に結合したトランスフォーマー603を用いて、互いに異なる構成を有する２つの磁束量子ビット601，602間の磁気的結合を実現している。
【０００６】
非特許文献５では、図７のようにSQUID704を超伝導ループ703に対して直列でなく並列に配置している。更に、非特許文献６では図８のように磁束量子ビット間に電流バイアスされたSQUID803を設け，SQUIDを介した量子ビット801，802間の磁気的結合を実現している。
【０００７】
一方，量子演算回路において各々の量子ビットは長時間コヒーレンスを保つ必要がある。非特許文献７に示されているように，量子ビットのコヒーレンスはバイアス条件に大きく依存することが知られており，最適な動作点では長いコヒーレンス時間が得られる。
【０００８】
【非特許文献１】J.E. Mooij, T.P. Orlando, L.S. Levitov, L. Tian, C.H. van der Wal, and S. Lloyd, Science 285, 1036 (1999).
【非特許文献２】J.B. Majer, F.G. Paauw, A.C.J. ter Haar, C.J.P.M. Harmans, and J.E. Mooij, Physical Review Letters 94, 090501 (2005).
【非特許文献３】M. Grajcar, A. Izmalkov, S.H.W. van der Ploeg, S. Linzen, E. Il’ichev, Th. Wagner, U. Hubner, H.-G. Meyer, A. Maassen van den Brink, S. Uchaikin, and A.M. Zagoskin, PHYSICAL REVIEW B 72, 020503(R) 2005.
【非特許文献４】T.V. Filippov, S.K. Tolpygo, J. Mannik, and J.E. Lukens, IEEE TRANSACTIONS ON APPLIED SUPERCONDUCTIVITY 13, 1005 (2003).
【非特許文献５】C. Cosmelli, M. G. Castellano, F. Chiarello, R. Leoni, D. Simeone, G. Torrioli, P. Carelli, arXiv:cond-mat/0403690.
【非特許文献６】B.L.T. Plourde, J. Zhang, K.B. Whaley, F.K. Wilhelm, T.L. Robertson, T. Hime, S. Linzen, P.A. Reichardt, C.-E. Wu, and J. Clarke, PHYSICAL REVIEW B 70, 140501(R) (2004).
【非特許文献７】P. Bertet, I. Chiorescu, G. Burkard, K. Semba, C.J.P.M. Harmans,D.P. DiVincenzo, J.E. Mooij, arXiv:cond-mat/0412485.
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
しかしながら、これらの従来技術にはいくつかの問題点がある。
【００１０】
第１の問題点は、量子ビット間の相互作用が固定されていて可変でないということである。この問題点は図３および図４の例に該当する。この原因は、量子ビット間の結合インダクタンスが可変でないことに起因する。その理由は、結合インダクタンスとして超伝導ループの一部やジョセフソン接合403を用いているためである。
【００１１】
第２の問題点は、量子ビット間の相互作用を完全にオフすることができないということである。この問題点は図５および図７の例に該当する。図５の例においては，この原因は、SQUID504の臨界電流が小さくなりすぎることに起因する。その理由は、量子ビット501，502間の相互作用をオフにするためにSQUID504に量子化磁束の半分の磁束を印加するとSQUID504の臨界電流が０になり，ジョセフソン接合が有限電圧状態にスイッチしてしまい，散逸が生じ，コヒーレントな磁気的結合ができなくなるからである。また、図７の例においては，この原因は、SQUID704がトランスフォーマーループ703に対して並列に配置されていることに起因する。即ち、SQUID704の内部の磁束を変化させてSQUID704のインダクタンスを変化させても，量子ビット701，702間の結合インダクタンスを完全に０にすることはできないからである。
【００１２】
第３の問題点は、図６に示された例のように、特定のタイプの磁束量子ビットに対してしか応用することができないということである。この原因は、結合用のトランスフォーマー604の幾何学的形状に起因する。その理由は、図６の例では相互作用をオフするために、量子ビット601，602は互いに直交位置にジョセフソン素子を配置した特別な構造を持ち、且つ、各量子ビット601、602自身、対称性を持つ構造を有しているためである。
【００１３】
第４の問題点は、個々の量子ビットの状態を制御する際や，量子ビット間の相互作用を制御する際に流す制御用電流が，他の量子ビットやSQUIDにクロスカップリングすることを防ぐことができないということである。この問題点は図８の例に該当する。この原因は、図８の例が量子ビット801，802間の相互作用を完全にオフにするために隣り合う量子ビット間の直接的な磁気的結合とあいだに挟まれたSQUID803を介した磁気的結合の相殺現象を利用していることに起因する。その理由は、隣り合う量子ビット801，802間の直接的な磁気的結合を利用するためには量子ビット間の距離を小さくしなくてはならず，そうすると制御信号間のクロストークを抑制することができないからである。
【００１４】
第５の問題点は、量子ビット間の相互作用を制御する際に量子ビットのバイアス点が変化してしまい，量子ビットの動作点が最適条件からずれることにより，量子ビットのコヒーレンス時間が短くなってしまうということである。この問題点は図８の例に該当する。この原因は、相互作用を制御するためにSQUID803に流す電流に起因する。その理由は、SQUID803に流れる電流の変化が両側の量子ビット801，802に加わる磁束を変化させるからである。
【００１５】
本発明の目的は、各々の量子ビットの長いコヒーレンス時間を維持したまま，量子ビット間の相互作用をオンオフ制御することのできる超伝導量子演算回路を提供することにある。
【００１６】
本発明の他の目的は、量子ビット間の相互作用を一時的にオンオフできるトランスフォーマー素子を提供することである。
【００１７】
本発明の更に他の目的は、上記超伝導量子演算回路、又は、トランスフォーマー素子を含む半導体装置を提供することである。
【００１８】
本発明の他の目的は、上記超伝導量子演算回路、又は、トランスフォーマー素子を含む量子コンピュータを提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１９】
本発明の超伝導量子演算回路は、集積化された磁束量子ビットと，各々の磁束量子ビットにバイアス磁束を印加するためのバイアス電流線と、隣接する量子ビット間に配置された２つのトランスフォーマー，すなわちSQUIDでシャントされた超伝導ループからなるトランスフォーマーと，それと同様だがループにひねりを持つトランスフォーマーと，各々のトランスフォーマーに付随したSQUID制御用電流線と，各々のトランスフォーマーに付随した直流磁場相殺用の直流磁束調整用電流線と，量子ビットの状態を読み出すためのSQUIDを有する。
【発明の効果】
【００２０】
第１の効果は，隣接する磁束量子ビット間の相互作用を、SQUIDを含む超伝導トランスフォーマーを介して行なうことで，量子ビット間の相互作用が可変な超伝導量子演算回路を提供することができる。
【００２１】
第２の効果は，２つの互いに効果を相殺する超伝導トランスフォーマーをペアで用いることで，オフ状態では量子ビット間の相互作用を完全にオフすることができる超伝導量子演算回路を提供することができる。
【００２２】
第３の効果は，超伝導トランスフォーマー内のSQUIDの対称性により，量子ビット間の相互作用を制御する際に量子ビットのバイアス点が変化せず，量子ビットの動作点が最適条件からずれないことにより，各々の量子ビットのコヒーレンス時間を長く保つことのできる超伝導量子演算回路を提供することができる。
【００２３】
第４の効果は，量子ビット間の結合のために隣り合う量子ビット間の直接的な磁気的結合を利用せず，長い超伝導トランスフォーマー（例えば、２００μｍ）を利用することで，量子ビット間の距離を十分大きく取れるため，量子ビット制御のための信号間のクロストークを抑制することができる超伝導量子演算回路を提供することができる。
【００２４】
第５の効果は，量子ビット間の相互作用をオフするために量子ビット自身の対称性を利用していないため，用いる量子ビットのタイプや配置に制約が少ない超伝導量子演算回路を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２５】
次に、本発明の実施の形態について図面を参照して詳細に説明する。
【００２６】
図１(a)を参照すると、本発明の実施の形態として超伝導量子演算回路が、上層から下層に対して透視した透視図として示されている。他の図１（ｂ）〜（ｄ）はわかりやすいように多層構造を分解して示した図であり、各図における層間は、絶縁膜で分離されている。図1（ｂ）の一部で線が交差しているところはさらに多層配線になっていて，層間絶縁膜で分離されている。
【００２７】
図１（ｂ）を参照すると、図１（ｃ）に示された磁束量子ビット１０１及び１０２の下層に配置されたトランスフォーマー素子が示されており、ここでは、２つの超伝導トランスフォーマー１０５、１０６によって構成されている。図示された超伝導トランスフォーマー１０５、１０６は、図１（ａ）からも明らかな通り、磁束量子ビット１０１、１０２間に配置され、左端及び右端において互いに隣接すると共に、磁束量子ビット１０１及び１０２に、その下層領域上で隣接するように設けられ、それぞれ、長さ方向に延びる超伝導ループを形成している。また、両超伝導トランスフォーマー１０５、１０６は、両端部以外の部分では、それぞれ互いに近接した配線によって形成されている。
【００２８】
更に、超伝導トランスフォーマー１０５の超伝導ループには、シャントＳＱＵＩＤ１０７が接続されている。当該シャントＳＱＵＩＤ１０７は×印で示された２つのジョセフソン素子を含むループを備えている。図示された例では、シャントＳＱＵＩＤ１０７のジョセフソン素子の両端と、超伝導トランスフォーマー１０５の２つの配線とは、２つの引出し配線によって接続されている。この場合、図１（ｂ）に示すように、一方の引出し配線は超伝導トランスフォーマー１０５の一方の配線を跨いて、超伝導トランスフォーマー１０５の他方の配線に接続されている。
【００２９】
他方、超伝導トランスフォーマー１０６の超伝導ループには、シャントＳＱＵＩＤ１０８が接続されている。当該シャントＳＱＵＩＤ１０８も×印で示された２つのジョセフソン素子を含むループを備えており、シャントＳＱＵＩＤ１０８  のジョセフソン素子の両端と、超伝導トランスフォーマー１０６の２つの配線とは、２つの引出し配線によって接続されている。図からも明らかな通り、２つの引出し配線の一方は、超伝導トランスフォーマー１０６の超伝導ループ中の上側の配線に接続され、他方は、超伝導トランスフォーマー１０６の超伝導ループ中の下側の配線に接続されている。この結果、シャントＳＱＵＩＤ１０８の引出し配線と超伝導ループとの間には、ひねり部分１０９が形成される。尚、図1（ｂ）では、超伝導トランスフォーマー１０５、１０６の左右にも互いに所定の間隔を置いて、他の超伝導トランスフォーマー対が配置されている。
【００３０】
次に、図１（ｃ）を参照すると、超伝導トランスフォーマー１０５、１０６の上層に配置され、２つの磁束量子ビット１０１及び１０２が示されている。この例では、読み出し用ＳＱＵＩＤ１０３が磁束量子ビット１０１に付随して設けられている。図示された例では、読み出し用ＳＱＵＩＤ１０３は、２つのジョセフソン素子を備え、磁束量子ビット１０１、１０２を囲むように形成されている。ここで、磁束量子ビット１０１、１０２は、それぞれ３つのジョセフソン接合を持つ、互いに同一構造の超伝導ループである。各磁束量子ビット１０１、１０２における３つのジョセフソン接合のうちの１つは他の２つよりも若干小さく，量子ビットの基底状態と励起状態の間のエネルギー差が１０ＧＨｚ程度になるように設計されている。
【００３１】
磁束量子ビット１０１、１０２の上層には、図１（ｄ）に示すような超伝導配線が施されている。即ち、磁束量子ビット１０１を覆うように、量子ビットバイアス電流線１０４が配線されており、且つ、超伝導トランスフォーマー１０５及び１０６の左端領域を覆うように、直流磁束調整用電流線１１１が配線されている。同様に、他方の磁束量子ビット１０２に対応して、量子ビットバイアス電流線１０４が設けられると共に、超伝導トランスフォーマー１０５及び１０６の右端領域を覆うように、直流磁束調整用電流線１１１が設けられている。尚、図１（ｃ）では、隣接した超伝導トランスフォーマー対に対応して設けられた直流磁束調整用電流線１１１も示されている。
【００３２】
更に、図１（ｂ）に示されたシャントＳＱＵＩＤ１０７及び１０８に対応した位置には、それぞれ、ＳＱＵＩＤ制御用電流線１１０が設けられている。
【００３３】
図１（ａ）及び（ｃ）には、２つの磁束量子ビット101，102のみが示されているが，ｎ個の量子ビットに容易に拡張可能である。図示された回路は高周波ロスの少ない絶縁体基板上に形成される。この場合、基板材料の例としては，サファイア，酸化マグネシウム，熱酸化膜のついたシリコンなどが挙げられる。
【００３４】
前述したように、量子ビットバイアス電流線１０４、ＳＱＵＩＤ制御用電流線１１０、及び直流磁束調整用電流線１１１等の配線はすべて超伝導配線であり，電流を流すことによる発熱は０である。ここで、超伝導材料としてはアルミニウム，ニオブ，窒化ニオブなどが挙げられる。
【００３５】
図示された超伝導量子演算回路において、図１（ｄ）に示された量子ビットバイアス電流線１０４は、各々の磁束量子ビット101，102のバイアス磁束を制御して，コヒーレンスを保つための最適バイアス点にバイアスすると共に、１ビット制御用のマイクロ波電流パルスを加えるための配線であり、各量子ビット101、１０２に付随して設けられている。
【００３６】
また、隣接する量子ビット１０１、１０２間に設けられた２つのトランスフォーマー105、106（即ち、SQUID107でシャントされた超伝導ループからなるトランスフォーマー105と，それと同様だがループにひねり部分109を持つトランスフォーマー106）は、SQUID制御用電流線110に流れる電流が０のときには，互いの効果を打ち消しあうため，量子ビット１０１、１０２間の磁気的結合が０になる。したがって、量子ビット１０１、１０２間の相互作用を完全にオフすることができる。
【００３７】
超伝導トランスフォーマー１０５、１０６の左右両端部上に設けられた直流磁束調整用電流線１１１には、各超伝導トランスフォーマー１０５、１０６のループ内の直流磁束が０になるように、調整された電流が流される。換言すれば、直流磁束調整用電流線111に電流を流すことによって、各超伝導ループ内の直流磁束が０になるように調整される。即ち、直流磁束調整用電流線１１１は、量子ビット１０１、１０２のバイアス電流による磁界の漏れを補償するためのものである。
【００３８】
更に、シャントＳＱＵＩＤ107，108の上層に設けられたSQUID制御用電流線１１０に、SQUID制御用電流を流すことにより，２つの超伝導トランスフォーマー105，106の間の相殺が損なわれる。この結果、量子ビット101，102間に磁気的結合が生じ，相互作用を必要な時間だけ一時的にオンすることができる。このことは、量子ビット101，102間の相互作用を可変できることを意味している。換言すれば、図示された超伝導量子演算回路は、量子ビット１０１、１０２を必要に応じて磁気的に結合させることができるため、条件付演算を行うことができる。
【００３９】
図示されたシャントSQUID107，108はそれぞれ対称性を有しているから、SQUID制御電流を流しても、超伝導トランスフォーマーループ105，106に電流は誘起されず，量子ビット101，102のバイアス点が最適点からずれることはない。また、超伝導トランスフォーマーループ105，106を細長くして，大部分で対向する配線が近接するようにしているため，ループの自己インダクタンスを小さくし，オン時の量子ビット間の相互作用が十分大きくできる一方，量子ビット101，102間の距離を確保することで，制御や読み出しにおける信号のクロスカップリングを防ぐことができる。
【００４０】
次に、図１に示された超伝導量子演算回路の動作を説明する。
【００４１】
集積化された各々の磁束量子ビット101、１０２は，付随した量子ビットバイアス電流線１０４に流す電流によりコヒーレンスを保つための最適バイアス点にバイアスされている。
【００４２】
また、１ビットの状態の制御は、量子ビットバイアス電流線104に磁束量子ビット101、102に共鳴するマイクロ波電流パルスを流すことで実行される。２つの磁束量子ビット１０１、１０２の間に配置された前述した２つの超伝導トランスフォーマー１０５、１０６が，SQUID制御用電流線１１０に流れる電流が０のときには，互いの効果を打ち消しあうため，量子ビット間の磁気的結合が０になる。そのため、量子ビット間の相互作用は完全にオフ状態にある。超伝導トランスフォーマーループ１０５、１０６内の直流磁束は０になるように直流磁束調整用電流線１１０に電流を流すことで調整される。SQUID制御用電流を流すことにより，２つの超伝導トランスフォーマー１０５、１０６の間の相殺が損なわれ，量子ビット１０１、１０２間の磁気的結合が生じ，相互作用を必要な時間だけ一時的にオンすることができる。
【００４３】
このように、本発明では、隣接する量子ビット１０１、１０２間に、可変トランスフォーマーを設け、当該可変トランスフォーマーを介して磁束量子ビット間の相互作用を制御することができる量子演算回路を実現する。量子演算終了後の状態の読み出しは各量子ビットに付随した読み出し用SQUIDを用いて行なうことができる。
【産業上の利用可能性】
【００４４】
本発明の活用例として、量子コンピュータや量子中継器に使用される量子演算回路が挙げられる。
【図面の簡単な説明】
【００４５】
【図１】（ａ）は、  本発明の一実施形態に係る超伝導量子演算回路を説明の便宜上透視した状態で示す図であり、（ｂ）、（ｃ）、及び、（ｄ）は図１（ａ）を分解して示す図である。
【図２】図１において使用される磁束量子ビッを概念的に説明する図である。
【図３】非特許文献２に見られる磁束量子ビットの結合方法を説明する図である。
【図４】非特許文献３に見られる磁束量子ビットの結合方法を説明する図である。
【図５】非特許文献１に見られる磁束量子ビットの結合方法を説明する図である。
【図６】非特許文献４に見られる磁束量子ビットの結合方法を説明する図である。
【図７】非特許文献５に見られる磁束量子ビットの結合方法を説明する図である。
【図８】非特許文献６に見られる磁束量子ビットの結合方法を説明する図である。
【符号の説明】
【００４６】
101：磁束量子ビット１
102：磁束量子ビット２
103：読み出し用SQUID
104：量子ビットバイアス電流線
105：超伝導トランスフォーマー
106：超伝導トランスフォーマー
107：シャントSQUID
108：シャントSQUID
109：超伝導ループのひねり
110：SQUID制御用電流線
111：直流磁束調整用電流線
201：超伝導ループ
202：ジョセフソン接合
301：量子ビット１
302：量子ビット２
401：量子ビット１
402：量子ビット２
403：結合用ジョセフソン接合
501：量子ビット１
502：量子ビット２
503：超伝導トランスフォーマー
504：SQUID
601：量子ビット１
602：量子ビット２
603：超伝導トランスフォーマー
604：SQUID
701：量子ビット１
702：量子ビット２
703：超伝導トランスフォーマー
704：SQUID
801：量子ビット１
802：量子ビット２
803：結合用SQUID
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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