(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁表面に第１の非晶質シリコン膜を形成する工程と、
前記第１の非晶質シリコン膜にニッケルを添加して、６００〜８００℃に加熱された不活性気体を３０秒〜５分の間吹き付ける第１の加熱処理により結晶質シリコン膜を形成する工程と、
前記結晶質シリコン膜上にバリア層を形成する工程と、
前記バリア層上にアルゴンを１×１０１９／ｃｍ３〜２×１０２２／ｃｍ３の濃度で含んだ第２の非晶質シリコン膜を成膜する工程と、
５００〜７００℃に加熱された不活性気体を１〜１０分の間吹き付ける第２の加熱処理により前記結晶質シリコン膜中に残留する前記ニッケルを前記第２の非晶質シリコン膜に移動させる工程と、
前記第２の非晶質シリコン膜を除去する工程と、
を含むことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２】
絶縁表面に第１の非晶質シリコン膜を形成する工程と、
前記第１の非晶質シリコン膜にニッケルを添加して、６００〜８００℃に加熱された不活性気体を３０秒〜５分の間吹き付ける第１の加熱処理により結晶質シリコン膜を形成する工程と、
前記結晶質シリコン膜にレーザ光を照射する工程と、
前記結晶質シリコン膜上にバリア層を形成する工程と、
前記バリア層上にアルゴンを１×１０１９／ｃｍ３〜２×１０２２／ｃｍ３の濃度で含んだ第２の非晶質シリコン膜を成膜する工程と、
５００〜７００℃に加熱された不活性気体を１〜１０分の間吹き付ける第２の加熱処理により前記結晶質シリコン膜中に残留する前記ニッケルを前記第２の非晶質シリコン膜に移動させる工程と、
前記第２の非晶質シリコン膜を除去する工程と、
を含むことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項３】
絶縁表面に５×１０１８／ｃｍ３以下の濃度で酸素および炭素が含まれる第１の非晶質シリコン膜を形成する工程と、
前記第１の非晶質シリコン膜にニッケルを添加して、６００〜８００℃に加熱された不活性気体を３０秒〜５分の間吹き付ける第１の加熱処理により結晶質シリコン膜を形成する工程と、
前記結晶質シリコン膜上にバリア層を形成する工程と、
前記バリア層上にアルゴンを１×１０１９／ｃｍ３〜２×１０２２／ｃｍ３の濃度で含んだ第２の非晶質シリコン膜を成膜する工程と、
５００〜７００℃に加熱された不活性気体を１〜１０分の間吹き付ける第２の加熱処理により前記結晶質シリコン膜中に残留する前記ニッケルを前記第２の非晶質シリコン膜に移動させる工程と、
前記第２の非晶質シリコン膜を除去する工程と、
を含むことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項４】
絶縁表面に５×１０１８／ｃｍ３以下の濃度で酸素および炭素が含まれる第１の非晶質シリコン膜を形成する工程と、
前記第１の非晶質シリコン膜にニッケルを添加して、６００〜８００℃に加熱された不活性気体を３０秒〜５分の間吹き付ける第１の加熱処理により結晶質シリコン膜を形成する工程と、
前記結晶質シリコン膜にレーザ光を照射する工程と、
前記結晶質シリコン膜上にバリア層を形成する工程と、
前記バリア層上にアルゴンを１×１０１９／ｃｍ３〜２×１０２２／ｃｍ３の濃度で含んだ第２の非晶質シリコン膜を成膜する工程と、
５００〜７００℃に加熱された不活性気体を１〜１０分の間吹き付ける第２の加熱処理により前記結晶質シリコン膜中に残留する前記ニッケルを前記第２の非晶質シリコン膜に移動させる工程と、
前記第２の非晶質シリコン膜を除去する工程と、
を含むことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項５】
請求項１乃至請求項４のいずれか一において、前記第２の非晶質シリコン膜は、膜厚が２０ｎｍ以上であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項６】
請求項１乃至請求項５のいずれか一において、前記不活性気体は、窒素（Ｎ２）、アルゴン（Ａｒ）、ヘリウム（Ｈｅ）、ネオン（Ｎｅ）、クリプトン（Ｋｒ）、キセノン（Ｘｅ）から選ばれた一種または複数種の気体であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項７】
請求項１乃至請求項６のいずれか一において、前記バリア層はオゾン水により形成されたケミカルオキサイド膜であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項８】
請求項１乃至請求項６のいずれか一において、前記バリア層はプラズマ処理により前記結晶質シリコン膜の表面を酸化して形成されることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項９】
請求項１乃至請求項６のいずれか一において、前記バリア層は酸素を含む雰囲気中で紫外線を照射してオゾンを発生させ前記結晶質シリコン膜の表面を酸化して形成されることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１０】
請求項１乃至請求項６のいずれか一において、前記バリア層は膜厚１〜１０ｎｍで形成され、多孔質膜であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１１】
請求項１乃至請求項１０のいずれか一において、前記第２の非晶質シリコン膜は酸素を５×１０１８／ｃｍ３〜１×１０２１／ｃｍ３の濃度で含むことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１２】
請求項１乃至請求項１１のいずれか一において、前記第２の非晶質シリコン膜はスパッタ法により形成されることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は結晶構造を有する半導体膜を用いた半導体装置の作製方法に関し、より具体的には薄膜トランジスタ（以下、ＴＦＴと記す）で代表される半導体装置の作製方法に関する。なお、本明細書において半導体装置とは半導体特性を利用して機能する装置を指す。
【０００２】
【従来技術】
ＴＦＴの活性層として結晶質珪素膜を用いることで高い電界効果移動度を実現した、一枚のガラス基板上に画素部を形成する画素ＴＦＴと、画素部の周辺に設けられる駆動回路のＴＦＴを形成したモノシリック型の液晶表示装置が表示装置として一般的に用いられるようになってきた。
【０００３】
ＴＦＴの電気的特性を決める要素は、半導体膜の品質、特に電界効果移動度は半導体膜の結晶性に依存している。電界効果移動度はＴＦＴの応答特性や、ＴＦＴを回路に用いて作製された液晶表示装置の表示能に直接関わってくるため、結晶性のよい結晶質半導体膜を形成する方法の研究が続いている。例えば、一旦非晶質半導体膜を形成した後、レーザ光を照射して結晶化させる方法や、電熱炉を用いて加熱処理を行い結晶化させる方法が用いられている。
【０００４】
しかし、このような方法で作製される半導体膜は多数の結晶粒から成り、その結晶方位は任意な方向に配向して制御することができない。そのため、単結晶の半導体と比較するとキャリアの移動がスムーズに行われず、低い電界効果移動度しか得られないため、ＴＦＴの電気的特性を制限する要因となっている。
【０００５】
そこで本出願人は、特開平７−１８３５４０号公報で、ニッケルなどの金属元素を添加してシリコン半導体膜を結晶化させる技術、当該金属元素がいわば触媒となり結晶化を促進し、また、それに必要とする温度を低下させる効果があること、さらに、結晶方位の配向性を高めることができる技術を開示している。
【０００６】
しかし、触媒作用のある金属元素（ここでは全てを含めて触媒元素と呼ぶ）を用いた上記の結晶化方法では、半導体膜の膜中或いは膜表面に金属元素が残存し、ＴＦＴの電気的特性をばらつかせるなどの問題、例えば、ＴＦＴのオフ電流が増加し、個々の素子間でばらつくなどの問題が生じる。
【０００７】
そこで、本出願人は、リンを用いたゲッタリング技術を適応して、結晶化工程において非晶質シリコン膜に添加した金属元素を５００℃程度の加熱温度においても、半導体膜から（特にチャネル形成領域から）除去する方法を開示した。例えば、ＴＦＴのソース・ドレイン領域にリンを添加して４５０〜７００℃の熱処理を行うことで、素子形成領域から結晶化の為に添加した金属元素を容易に除去することが可能である。この触媒元素のゲッタリングに関する技術は、特許第３０３２８０１号に開示されている。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】
本出願人は、上記したように、触媒元素を用いた低温結晶化プロセスを用いた後、触媒元素を半導体膜からゲッタリングする方法を開示している。例えば、ゲッタリング作用を有する１５族元素（代表的にはリン）を高濃度にドーピングしたゲッタリングサイトを形成し、加熱処理を行って触媒元素をゲッタリング領域に移動させこの加熱処理工程後にゲッタリングサイトを除去する方法や、後にソース領域またはドレイン領域となる領域に添加されたリンの活性化と同一の加熱処理工程で、半導体層中の触媒元素をソース領域またはドレイン領域にゲッタリングする方法などが考えられている。これらのゲッタリングは、５５０℃にて４時間程度の加熱処理を行うことで、結晶化の為に半導体膜に導入した金属元素を除去することを可能としている。
【０００９】
しかし、ＴＦＴを回路に用いた表示装置に対する需要の高まりを満たすために生産性を向上できる製造方法や製造コストが低減できる製造方法を確立する必要がある。製造工程の効率を向上するために、図１６に示すように、１枚の大型ガラス基板から複数枚のＴＦＴ基板を製造する（例えば５５０mm×６５０mmの基板から、６枚の１２．１型のＴＦＴ基板を製造する）ことができるようになったが、さらに大型のガラス基板から多くのＴＦＴ基板を製造する技術、製造工程の効率を向上する（製造工程にかかる時間を短くする）ための技術が求められている。
【００１０】
また、ゲッタリング作用を得るために半導体膜に添加されるリンの濃度は１×１０20/cm3以上、好ましくは１×１０21/cm3であり、イオン注入法、或いはイオンドープ法（本明細書では注入するイオンの質量分離を行わない方法を指していう）による高濃度なリンの添加は、その後の半導体膜の再結晶化が困難になるという問題を有していた。さらに、ドーピングに要する処理時間も問題となっていた。
【００１１】
本発明はこのような問題を解決するための手段であり、触媒元素を用いて得られる結晶質半導体膜から触媒元素（金属元素）を工程数を増やさずに効果的に除去を行う技術を提供することを目的とする。
【００１２】
【課題を解決するための手段】
そこで、本発明は、質のよい結晶質半導体膜を生産性よく得る方法を提供するために、非晶質半導体膜に触媒元素を添加した後、不活性気体を加熱して所望の温度にし、この加熱された気体中で加熱処理を行って結晶質半導体膜を得る工程を含むことを特徴とする半導体装置の作製方法である。
【００１３】
また、結晶化に用いた触媒元素を結晶質半導体膜から、特に後のＴＦＴのチャネル形成領域となる領域から、取り除くもしくは触媒元素濃度を低減させるために、不活性気体を加熱して所望の温度にし、この加熱された気体中で加熱処理を行う工程を含むことを特徴とする半導体装置の作製方法である。
【００１４】
本発明は、絶縁表面に非晶質半導体膜を形成する工程と、前記非晶質半導体膜に結晶化を促進する触媒元素を添加して、加熱された不活性気体中における第１の加熱処理により結晶質半導体膜を形成する工程と、前記結晶質半導体膜上にバリア層を形成する工程と、前記バリア層上に希ガス元素を１×１０19/cm3〜２×１０22/cm3、好ましくは１×１０20/cm3〜１×１０21/cm3、酸素を５×１０18/cm3〜１×１０21/cm3の濃度で含んだ半導体膜を成膜する工程と、加熱された不活性気体中における第２の加熱処理により前記結晶質半導体膜中に残留する触媒元素を前記半導体膜に移動させる工程と、前記半導体膜を除去する工程と、を含むことを特徴としている。
【００１５】
また、本発明は、絶縁表面に非晶質半導体膜を形成する工程と、前記非晶質半導体膜に結晶化を促進する触媒元素を添加して、加熱された不活性気体中における第１の加熱処理により結晶質半導体膜を形成する工程と、前記結晶質半導体膜にレーザ光を照射する工程と、前記結晶質半導体膜上にバリア層を形成する工程と、前記バリア層上に希ガス元素を１×１０19/cm3〜２×１０22/cm3、好ましくは１×１０20/cm3〜１×１０21/cm3、酸素を５×１０18/cm3〜１×１０21/cm3の濃度で含んだ半導体膜を成膜する工程と、加熱された不活性気体中における第２の加熱処理により前記結晶質半導体膜中に残留する触媒元素を前記半導体膜に移動させる工程と、前記半導体膜を除去する工程と、を含むことを特徴としている。
【００１６】
また、本発明は、絶縁表面に５×１０18/cm3以下の濃度で酸素および炭素が含まれる非晶質半導体膜を形成する工程と、前記非晶質半導体膜に結晶化を促進する触媒元素を添加して、加熱された不活性気体中における第１の加熱処理により結晶質半導体膜を形成する工程と、前記結晶質半導体膜上にバリア層を形成する工程と、前記バリア層上に希ガス元素を１×１０19/cm3〜２×１０22/cm3、好ましくは１×１０20/cm3〜１×１０21/cm3、酸素を５×１０18/cm3〜１×１０21/cm3の濃度で含んだ半導体膜を成膜する工程と、加熱された不活性気体中における第２の加熱処理により前記結晶質半導体膜中に残留する触媒元素を前記半導体膜に移動させる工程と、前記半導体膜を除去する工程と、を含むことを特徴としている。
【００１７】
また、本発明は、絶縁表面に５×１０18/cm3以下の濃度で酸素および炭素が含まれる非晶質半導体膜を形成する工程と、前記非晶質半導体膜に結晶化を促進する触媒元素を添加して、加熱された不活性気体中における第１の加熱処理により結晶質半導体膜を形成する工程と、前記結晶質半導体膜にレーザ光を照射する工程と、前記結晶質半導体膜上にバリア層を形成する工程と、前記バリア層上に希ガス元素を１×１０19/cm3〜２×１０22/cm3、好ましくは１×１０20/cm3〜１×１０21/cm3、酸素を５×１０18/cm3〜１×１０21/cm3の濃度で含んだ半導体膜を成膜する工程と、加熱された不活性気体中における第２の加熱処理により前記結晶質半導体膜中に残留する触媒元素を前記半導体膜に移動させる工程と、前記半導体膜を除去する工程と、を含むことを特徴としている。
【００１８】
また、前記第１の加熱処理は、前記不活性気体を６００〜８００℃に加熱することを特徴としている。
【００１９】
また、前記第２の加熱処理は、前記不活性気体を５００〜７００℃に加熱することを特徴としている。
【００２０】
また、前記半導体膜は、膜厚が２０nm以上である。
【００２１】
また、前記バリア層はオゾン水により形成されたケミカルオキサイド膜であることを特徴としている。
【００２２】
また、前記バリア層はプラズマ処理により前記非晶質半導体膜の表面を酸化して形成することを特徴としている。
【００２３】
また、前記バリア層は酸素を含む雰囲気中で紫外線を照射してオゾンを発生させ前記非晶質半導体膜の表面を酸化して形成することを特徴としている。
【００２４】
また、前記バリア層は膜厚１〜１０nmで形成され、多孔質膜であることを特徴としている。
【００２５】
また、前記希ガス元素はヘリウム（Ｈｅ）、ネオン（Ｎｅ）、アルゴン（Ａｒ）、クリプトン（Ｋｒ）、キセノン（Ｘｅ）から選ばれた一種または複数種であることを特徴としている。
【００２６】
また、前記触媒元素は鉄（Ｆｅ）、ニッケル（Ｎｉ）、コバルト（Ｃｏ）、ルテニウム（Ｒｕ）、ロジウム（Ｒｈ）、パラジウム（Ｐｄ）、オスミウム（Ｏｓ）、イリジウム（Ｉｒ）、白金（Ｐｔ）、銅（Ｃｕ）、金（Ａｕ）から選ばれた一種または複数種であることを特徴としている。
【００２７】
【発明の実施の形態】
（実施形態１）
図１を用いて、非晶質半導体膜の全面に触媒作用のある金属元素を全面に添加して前記非晶質半導体膜を結晶化した後、希ガス元素（本実施例においては、Ａｒ）を含む半導体膜を成膜し、この膜をゲッタリングサイトとして用いる方法について説明する。
【００２８】
図１（Ａ）において、基板１０はその材質に特段の限定はないが、好ましくはバリウムホウケイ酸ガラスやアルミノホウケイ酸ガラス、あるいは石英などを用いることができる。基板１０の表面には下地絶縁膜として無機絶縁膜（本実施形態では、ＳｉＨ4、ＮＨ3、Ｎ2ＯからプラズマＣＶＤ法で作製された酸化窒化シリコン膜を用いる）を１０〜２００nmの膜厚で形成すればよい。ただし、下地絶縁膜１１は、ガラス基板に含まれるアルカリ金属がこの上層に形成される半導体膜中に拡散しないようにするための膜であるため、石英基板を用いる場合には、下地絶縁膜形成工程を省略することが可能である。
【００２９】
次いで、非晶質半導体膜１２を形成する。非晶質半導体膜としては、シリコンを主成分とする半導体材料、代表的には、非晶質シリコン膜または非晶質シリコンゲルマニウム膜（ＳｉxＧｅ1-x）を適用することができる。成膜方法は、プラズマＣＶＤ法、減圧ＣＶＤ法、あるいはスパッタ法などを用いればよく、１０〜１００nmの膜厚で形成する。また、良質な結晶質半導体膜を得るために、非晶質半導体膜１２中に含まれる酸素、窒素、炭素などの不純物元素濃度は５×１０18/cm3以下、好ましくは、１×１０18/cm3以下とすることが好ましい。さらに、非晶質半導体膜中の酸素濃度が高いと、結晶化工程で用いる触媒元素（特に、ニッケル）が放出されにくくなってしまうため、非晶質半導体膜１２中の酸素濃度は５×１０18/cm3以下、好ましくは、１×１０18/cm3以下であることは良質な結晶質半導体膜を得るために重要である。
【００３０】
その後、非晶質シリコン膜１２の表面に結晶化を促進する作用を有する触媒元素を添加する（図１（Ａ））。触媒元素としてはニッケル（Ｎｉ）、鉄（Ｆｅ）、コバルト（Ｃｏ）、ルテニウム（Ｒｕ）、ロジウム（Ｒｈ）、パラジウム（Ｐｄ）、オスミウム（Ｏｓ）、イリジウム（Ｉｒ）、白金（Ｐｔ）、銅（Ｃｕ）、金（Ａｕ）などであり、これらから選ばれた一種または複数種を用いることができる。代表的にはニッケルを用い、重量換算で１〜１００ppmのニッケルを含む酢酸ニッケル塩溶液をスピナーで塗布して触媒含有層１３を形成する。この場合、当該溶液の馴染みをよくするために非晶質シリコン膜１２の表面処理としてオゾン含有水溶液で極薄い酸化膜を形成し、その酸化膜をフッ酸と過酸化水素水の混合液でエッチングして清浄な表面を形成した後、再度オゾン含有水溶液で処理して極薄い酸化膜を形成しておく。シリコンなど半導体膜の表面は本来疎水性なので、このように酸化膜を形成しておくにより酢酸ニッケル塩溶液を均一に塗布することができる。もちろん、触媒含有層１３の形成方法はこのような方法に限定されず、スパッタ法、蒸着法、プラズマ処理などにより形成してもよい。また、非晶質シリコン膜１２を形成する前に、下地絶縁膜１１上に触媒元素含有層を形成してもよい。
【００３１】
次いで、非晶質シリコン膜１２および触媒元素含有層１３が接触した状態を保持したまま非晶質半導体膜を結晶化するための加熱処理を行う。
【００３２】
加熱処理の方法としては、図１４および図１５に示す装置を用いる加熱処理方法により、結晶質半導体膜（結晶質シリコン膜）１４を形成する。なお、本明細書中において以下では、ヒーターまたは光源等の加熱手段により不活性気体を加熱して所望の温度にし、この加熱された気体によって処理基板を加熱処理する方法をＧＲＴＡ（Gas-Rapid Thermal Annealing）法と称することとする。
【００３３】
ＧＲＴＡ法では、６００〜８００℃に加熱された不活性気体を３０秒間〜５分間、処理基板に吹き付けることで加熱処理を行って結晶化処理を行う。本実施形態では、６５０℃に加熱された不活性気体（窒素）で９０秒間の加熱処理を行い、半導体膜の結晶化処理を行って結晶質半導体膜１４を得た。
【００３４】
さらに、結晶質半導体膜の結晶性を高めるために、レーザ光を照射してもよい。レーザ光としては、波長４００nm以下のエキシマレーザを用いる。繰り返し周波数１０〜１０００Ｈｚ程度のパルスレーザ光を用い、当該レーザ光を光学系にて、１００〜４００mJ/cm2に集光し、９０〜９５％のオーバーラップ率をもって結晶質シリコン膜１４に対し、レーザ処理を行う。なお、エキシマレーザ以外にＹＡＧレーザの第２高調波、第３高調波を用いてもよい。
【００３５】
このようにして得られた結晶質シリコン膜１５には、結晶化工程において用いた触媒元素が平均濃度として１×１０19/cm3を超える濃度で残存している。このような状態でＴＦＴをはじめ各種半導体素子を形成することは、可能ではあるが、作製された半導体素子の特性があまりよくならない。そこで、触媒元素を結晶質シリコン膜からゲッタリングして除去するもしくは結晶質シリコン膜中の触媒元素濃度を低減する。
【００３６】
まず、図１（Ｄ）に示すように結晶質半導体膜１５の表面に薄い層１６を形成する。本明細書において、結晶質半導体膜１５上に設けた薄い層１６は、後にゲッタリングサイトを除去する際に、第１の半導体膜１５がエッチングされないように設けた層で、バリア層１６ということにする。
【００３７】
バリア層１６の厚さは１〜１０nm程度とし、簡便にはオゾン水で処理することにより形成されるケミカルオキサイドをバリア層としても良い。また、硫酸、塩酸、硝酸などと過酸化水素水を混合させた水溶液で処理しても同様にケミカルオキサイドを形成することができる。他の方法としては、酸化雰囲気中でのプラズマ処理や、酸素含有雰囲気中での紫外線照射によりオゾンを発生させて酸化処理を行っても良い。また、クリーンオーブンを用い、２００〜３５０℃程度に加熱して薄い酸化膜を形成しバリア層としても良い。或いは、プラズマＣＶＤ法やスパッタ法、蒸着法などで１〜５ｎｍ程度の酸化膜を堆積してバリア層としても良い。いずれにしても、ゲッタリング工程時に、触媒元素がゲッタリングサイト側に移動できて、ゲッタリングサイトの除去工程時には、エッチング液がしみこまない（結晶性半導体膜１５をエッチング液から保護する）膜、例えば、オゾン水で処理することにより形成されるケミカルオキサイド膜、酸化シリコン膜（ＳｉＯx）、または多孔質膜を用いればよい。
【００３８】
次いで、バリア層１６上にスパッタ法でゲッタリングサイト１７として、膜中に希ガス元素を１×１０20/cm3以上、好ましくは２×１０20/cm3以上の濃度で含む半導体膜（代表的には、非晶質シリコン膜）を２０〜２５０nmの厚さで形成する（図１（Ｄ））。なお、ニッケルは酸素濃度の高い領域に移動しやすい傾向があるため、半導体膜１７には、酸素（ＳＩＭＳ分析での濃度が５×１０18/cm3以上、好ましくは１×１０19/cm3以上）を含有させてゲッタリング効率を向上させることが望ましい。後にゲッタリングサイト１７は除去されるため、結晶質半導体膜１５とエッチングの選択比が大きい密度の低い膜であるとよい。本実施形態では、プラズマＣＶＤ法を用いて、成膜条件を材料ガスをＡｒ：ＳｉＨ4＝５００：１００（SCCM）、成膜圧力を３３．３Ｐａ、パワーを３５Ｗ、基板温度を３００℃として、希ガス元素を含む半導体膜１０７を形成した。
【００３９】
次いで、５００〜７００℃に加熱した不活性気体中で、加熱処理することによりゲッタリングを行う。本実施形態では６５０℃に加熱した不活性気体中で５分間の加熱処理を行い、結晶質半導体膜１０５中の触媒元素をゲッタリングサイト（希ガスを含む半導体膜）１０７に移動させることができる。以上のようにして、触媒元素の濃度が１×１０17/cm3以下にまで低減された結晶質半導体膜１０８を得ることができる。
【００４０】
なお、希ガスを含む半導体膜１０７を形成した後、さらにイオンドープ法で希ガスを含む半導体膜１０７に対して希ガス元素（ヘリウム（Ｈｅ）、ネオン（Ｎｅ）、アルゴン（Ａｒ）、クリプトン（Ｋｒ）、キセノン（Ｘｅ）から選ばれた元素一種または複数種）を添加して、希ガス元素を１×１０20/cm3以上、好ましくは２×１０20/cm3以上含むゲッタリングサイトを形成してもよい。このように、希ガスを含む半導体膜１０７を成膜した後、さらに原子サイズが異なる希ガスを添加する工程を行うことで、バリア層１０６を多孔質にすることもできる。さらに、半導体膜１０７により大きな歪みを生じさせ、結晶性半導体膜１０５とのエッチングの選択比を大きくすることができる。
【００４１】
（実施形態２）
図２は本発明の一実施形態を説明する図であり、加熱処理により結晶構造を有する半導体膜を形成し、さらに同一工程でゲッタリングを行う方法である。
【００４２】
まず、下地絶縁膜２０１上にプラズマＣＶＤ法や減圧ＣＶＤ法、或いはスパッタ法で１０〜１００nmの厚さの非晶質半導体膜２０３を形成する。次いで、触媒元素含有層を形成する。または、図２（Ａ）に示すように非晶質半導体膜を形成する前に、下地絶縁膜２０１上に触媒元素を含む水溶液またはアルコール液をスピナーで塗布して、または、スパッタ法、蒸着法、プラズマ処理などにより触媒元素含有層を形成しても良い。続いて、非晶質半導体膜２０３上にバリア層２０４を形成する。これらの形成方法は実施形態１と同様とした。
【００４３】
図２（Ｂ）で示すように、その上にプラズマＣＶＤ法またはスパッタ法で希ガス元素を１×１０20/cm3以上、好ましくは、２×１０20/cm3の濃度、酸素を１×１０19/cm3以上の濃度で含んだ半導体膜２０５を２５〜２５０nmの厚さで形成する。代表的には非晶質シリコン膜を選択する。この半導体膜２０５は、後に除去するので、密度の低い膜としておくことが望ましい。
【００４４】
そして、ＧＲＴＡ法により５００〜８００℃で３０秒〜１０分間の加熱処理を行う。非晶質シリコン膜２０２に添加する触媒元素の濃度も含めて、実施者が適宜決定すればよいが、本実施形態では、濃度が３０ppmのＮｉ水溶液を用いて触媒元素含有層を形成し、６１０℃に加熱した不活性気体（窒素）を５分間吹き付けることで加熱処理を行う。
【００４５】
この加熱処理により、触媒元素が非晶質構造を有する半導体膜２０３に染みだし、結晶化させながら半導体膜２０５に向かって（図２（Ｃ）の矢印の方向）拡散する。これにより１回の加熱処理で結晶化とゲッタリングが同時に行われる。
【００４６】
その後、半導体膜２０５を選択的にエッチングして除去する。エッチングの方法としては、ＣｌＦ3によるプラズマを用いないドライエッチング、或いはヒドラジンや、テトラエチルアンモニウムハイドロオキサイド（化学式 （ＣＨ3）4ＮＯＨ）を含む水溶液などアルカリ溶液によるウエットエッチングで行うことができる。この時バリア層２０４はエッチングストッパーとして機能する。また、バリア層２０４はその後フッ酸により除去すれば良い。
【００４７】
図２（Ｄ）に示すように触媒元素の濃度が１×１０17/cm3以下にまで減じられた結晶構造を有する半導体膜（第１の半導体膜）２０６を得ることができる。この結晶質半導体膜２０６の結晶性を高めるためには、実施形態１と同様にレーザ光を照射しても良い。
【００４８】
このようにして形成される結晶質半導体膜２０６は、触媒元素の作用により細い棒状又は細い扁平棒状結晶として形成され、その各々の結晶は巨視的に見ればある特定の方向性をもって成長している。
【００４９】
（実施形態３）
本実施形態では、図１４、１５を用いて加熱処理で用いるＧＲＴＡ装置について説明する。
【００５０】
図１４にＧＲＴＡ装置の断面概略図、図１５にはＧＲＴＡ装置の上面概略図を示している。１４０１はヒーター、１４０２は不活性気体供給源、１４０３は余分な熱を排気するための排気口、１４０４は不活性気体を熱するための光源を制御する制御電源、１４０５は光源、１４０６は吸熱体、１４０７は加熱処理終了後に基板を冷却するための気体供給源、１４０８は加熱処理室、１４０９は処理基板、１４１０はクリーンオーブン、１４１１はロボット、１４１２は基板カセット、１４１３は気体加熱部、１４１４は循環部、１４１５はである。
【００５１】
不活性気体供給源１４０２から供給された不活性気体（ここでは、窒素を用いる）は、複数の光源が設けられた気体加熱部１４１３を通って加熱され、処理室１４０８に置かれた処理基板１４０９に吹き付けられる。
【００５２】
気体加熱部１４１３で５００〜７００℃に加熱された不活性気体を１〜１０分処理基板１４０９に吹き付けることで、処理基板の結晶化処理およびゲッタリング（結晶質半導体膜から結晶化処理の際に用いた触媒元素を除去するまたは触媒元素の濃度を低減する）のための加熱処理を行うことができる。
【００５３】
その後、処理室１４０８から気体は循環部１４１４を通り、再び気体加熱部１４１３に到達する。なお、循環部１４１４にはヒーター１４０１が設けられており、循環部１４１４を通る気体が冷めきってしまわないようにしてある。
【００５４】
加熱処理が終了したら、冷却用の気体供給源１４０７から処理室１４０８に常温の不活性気体を流して、基板温度を２５０℃程度まで下げた後、ロボット１４１１により処理室１４０８から取り出し、さらにカセットに納めるのが可能な温度になるまで基板カセット１４１２において冷却する。
【００５５】
なお、不活性気体を加熱する光源１４０５は、金属発熱体、セラミック発熱体または白金発熱体を用いた光源であり、光源１４０５の周囲に設けられた吸熱体１４０６が光源１４０５からの熱を不活性気体に伝える構造になっている。そのため、吸熱対１４０６は、不活性気体に触れる面積が広くなるような構造をしている。
【００５６】
具体的な加熱処理の条件については、各実施例において説明するが、ＧＲＴＡ装置の概略は以上の通りである。
【００５７】
【実施例】
（実施例１）
図１、図３〜７を用いて、非晶質半導体膜の全面に触媒作用のある金属元素を全面に添加してＧＲＴＡ装置を用いて結晶化し（第１の加熱処理）、希ガス元素（本実施形態においては、Ａｒ）および酸素を含む半導体膜を成膜し、この膜をゲッタリングサイトとして用いてＧＲＴＡ装置を用いてゲッタリング（第２の加熱処理）を行う方法について説明する。
【００５８】
図３（Ａ）および図４（Ａ）において、基板１００はその材質に特段の限定はないが、好ましくはバリウムホウケイ酸ガラスやアルミノホウケイ酸ガラス、或いは石英などを用いることができる。基板１００の表面には、下地絶縁膜１０１として無機絶縁膜を１０〜２００nmの厚さで形成する。好適な下地絶縁膜の一例は、プラズマＣＶＤ法で作製される酸化窒化シリコン膜であり、ＳｉＨ4、ＮＨ3、Ｎ2Ｏから作製される第１酸化窒化シリコン膜を５０nmの厚さに形成し、ＳｉＨ4とＮ2Ｏから作製される第２酸化窒化シリコン膜を１００nmの厚さに形成したものを適用する。下地絶縁膜１０１はガラス基板に含まれるアルカリ金属がこの上層に形成する半導体膜中に拡散しないために設けるものであり、石英を基板とする場合には省略することも可能である。
【００５９】
下地絶縁膜１０１の上に形成する非晶質半導体膜１０２は、シリコンを主成分とする半導体材料を用いる。代表的には、非晶質シリコン膜又は非晶質シリコンゲルマニウム膜などが適用され、プラズマＣＶＤ法や減圧ＣＶＤ法、或いはスパッタ法で１０〜１００nmの厚さに形成する。良質な結晶を得るためには、非晶質半導体膜１０２に含まれる酸素、窒素などの不純物濃度を５×１０18/cm3以下、好ましくは、１×１０18/cm3以下に低減させておくと良い。さらに、非晶質半導体膜中の酸素濃度が高いと、結晶化工程で用いる触媒元素（特に、ニッケル）が放出されにくくなってしまうため、非晶質半導体膜１０２中の酸素濃度は５×１０18/cm3以下、好ましくは、１×１０18/cm3以下であることは良質な結晶質半導体膜を得るために重要である。これらの不純物は非晶質半導体の結晶化を妨害する要因となり、また結晶化後においても捕獲中心や再結合中心の密度を増加させる要因となる。そのために、高純度の材料ガスを用いることはもとより、反応室内の鏡面処理（電界研磨処理）やオイルフリーの真空排気系を備えた超高真空対応のＣＶＤ装置を用いることが望ましい。
【００６０】
ここからの触媒元素を用いた結晶化処理工程〜触媒元素のゲッタリング工程に関する説明は、図１を用いて説明する。非晶質半導体膜を形成した後、非晶質半導体膜１２（１０２）の表面に、結晶化を促進する触媒作用のある金属元素を添加する（図１（Ａ））。半導体膜の結晶化を促進する触媒作用のある金属元素として鉄（Ｆｅ）、ニッケル（Ｎｉ）、コバルト（Ｃｏ）、ルテニウム（Ｒｕ）、ロジウム（Ｒｈ）、パラジウム（Ｐｄ）、オスミウム（Ｏｓ）、イリジウム（Ｉｒ）、白金（Ｐｔ）、銅（Ｃｕ）、金（Ａｕ）から選ばれた一種または複数種を用いることができる。代表的にはニッケルを用い、重量換算で１〜１００ppmのニッケルを含む酢酸ニッケル塩溶液をスピナーで塗布して触媒含有層１３を形成する（図１（Ａ）。この場合、当該溶液の馴染みをよくするために、非晶質半導体膜１２の表面処理として、オゾン含有水溶液で極薄い酸化膜を形成し、その酸化膜をフッ酸と過酸化水素水の混合液でエッチングして清浄な表面を形成した後、再度オゾン含有水溶液で処理して極薄い酸化膜を形成しておく。シリコンなど半導体膜の表面は本来疎水性なので、このように酸化膜を形成しておくことにより酢酸ニッケル塩溶液を均一に塗布することができる。
【００６１】
勿論、触媒含有層１３はこのような方法に限定されず、スパッタ法、蒸着法、プラズマ処理などにより形成しても良い。また、触媒元素含有層１３は非晶質半導体膜１２を形成する前、即ち下地絶縁膜１１上に形成しておいても良い。
【００６２】
非晶質半導体膜１２と触媒元素含有層１３とを接触した状態を保持したまま結晶化のための加熱処理を行う。加熱処理の方法としては、所望の温度に加熱された不活性気体を用いて加熱処理する図１４、１５に示した装置を用いて行う。ただし、加熱処理装置は、図１４、１５に示した装置に限定されることはない。
【００６３】
ＧＲＴＡ法を用いて、６５０℃に加熱された窒素を３０〜９０秒間処理基板に吹き付けることにより加熱処理を行って結晶質半導体膜を得る。ＧＲＴＡによる加熱処理において、基板１００自身が歪んで変形することはない。こうして、非晶質半導体膜を結晶化させ、図１（Ｃ）に示す結晶質半導体膜１４を得ることができる。こうして、非晶質半導体膜を結晶化させ、図１（ｂ）に示す結晶質半導体膜１０４を得ることができるが、このような処理で結晶化できるのは触媒元素含有層を設けることによりはじめて達成できるものである。
【００６４】
さらに結晶化率（膜の全体積における結晶成分の割合）を高め、結晶粒内に残される欠陥を補修するためには、図１（ｃ）で示すように結晶質半導体膜１４に対してレーザ光を照射することも有効である。レーザには波長４００nm以下のエキシマレーザ光を用いる。いずれにしても、繰り返し周波数１０〜１０００Hz程度のパルスレーザ光を用い、当該レーザ光を光学系にて１００〜４００mJ/cm2に集光し、９０〜９５％のオーバーラップ率をもって結晶質半導体膜１０４に対するレーザ処理を行う。
【００６５】
このようにして得られる結晶質半導体膜１５には、触媒元素（ここではニッケル）が残存している。それは膜中において一様に分布していないにしろ、平均的な濃度とすれば、１×１０19/cm3を越える濃度で残存している。勿論、このような状態でもＴＦＴをはじめ各種半導体素子を形成することが可能であるが、以降に示す方法でゲッタリングにより当該元素を除去する。
【００６６】
まず、図１（Ｄ）に示すように結晶質半導体膜１５の表面に薄い層１６を形成する。本明細書において、結晶質半導体膜１５上に設けた薄い層１６は、後にゲッタリングサイトを除去する際に、第１の半導体膜１５がエッチングされないように設けた層で、バリア層１６ということにする。
【００６７】
バリア層１６の厚さは１〜１０nm程度とし、簡便にはオゾン水で処理することにより形成されるケミカルオキサイドをバリア層としても良い。また、硫酸、塩酸、硝酸などと過酸化水素水を混合させた水溶液で処理しても同様にケミカルオキサイドを形成することができる。他の方法としては、酸化雰囲気中でのプラズマ処理や、酸素含有雰囲気中での紫外線照射によりオゾンを発生させて酸化処理を行っても良い。また、クリーンオーブンを用い、２００〜３５０℃程度に加熱して薄い酸化膜を形成しバリア層としても良い。或いは、プラズマＣＶＤ法やスパッタ法、蒸着法などで１〜５ｎｍ程度の酸化膜を堆積してバリア層としても良い。いずれにしても、ゲッタリング工程時に、触媒元素がゲッタリングサイト側に移動できて、ゲッタリングサイトの除去工程時には、エッチング液がしみこまない（結晶性半導体膜１５をエッチング液から保護する）膜、例えば、オゾン水で処理することにより形成されるケミカルオキサイド膜、酸化シリコン膜（ＳｉＯx）、または多孔質膜を用いればよい。
【００６８】
次いで、バリア層１６上にゲッタリングサイトとして、半導体膜１７を形成する（図１（Ｄ））。プラズマＣＶＤ法以外にもスパッタ法でゲッタリングサイト１７として、膜中に希ガス元素を１×１０20/cm3以上、好ましくは２×１０20/cm3以上の濃度で含み、酸素を１×１０19/cm3以上の濃度で含む半導体膜（代表的には、非晶質シリコン膜）を２５〜２５０nmの厚さで形成することができる。また、その他、ゲッタリングサイト１７の形成方法として、シリコン膜を形成した後に希ガス元素を添加してゲッタリングサイトとしてもよい。後にゲッタリングサイト１７は除去されるため、結晶質半導体膜１５とエッチングの選択比が大きい密度の低い膜であることが好ましい。
【００６９】
ここで、スパッタ法を用いて形成された半導体膜（ゲッタリングサイト）１７について説明する。図９は、成膜圧力を０．２〜１．２Ｐａまで０．２Ｐａ間隔でふって順に成膜し、成膜された膜中のＡｒの濃度を測定した結果である。圧力以外の成膜条件は、ガス（Ａｒ）流量を５０（sccm）、成膜パワーを３ｋＷ、基板温度を１５０℃としている。
図９より、成膜圧力が低ければ低いほど、膜中のＡｒ濃度が高くなりゲッタリングサイトとして好適な膜が成膜できることがわかる。この理由として、スパッタの成膜圧力が低い方が反応室内のＡｒガスと反跳原子（ターゲット表面で反射されるＡｒ原子）との衝突確率が小さくなるため、反跳原子が基板に入射しやすくなることがあげられる。従って、以上の実験結果より本実施形態の装置を用いた場合、成膜の圧力を０．２〜１．０Ｐａとし他の条件を上記した条件を採用すれば、希ガス元素を１×１０19/cm3〜１×１０22/cm3、好ましくは、１×１０20/cm3〜１×１０21/cm3、より好ましくは５×１０20/cm3の濃度で含み、高いゲッタリング効果が得られる半導体膜をスパッタ法で成膜することができる。
【００７０】
なお、希ガス元素は半導体膜中でそれ自体は不活性であるため、結晶質半導体膜１５に悪影響を及ぼすことはない。また、希ガス元素としてはヘリウム（Ｈｅ）、ネオン（Ｎｅ）、アルゴン（Ａｒ）、クリプトン（Ｋｒ）、キセノン（Ｘｅ）から選ばれた一種または複数種を用いる。希ガス元素および酸素が含まれた半導体膜を形成し、この膜をゲッタリングサイトとすることに特徴を有する。
【００７１】
続いて、ゲッタリングを確実に行うためにＧＲＴＡ法を用いて、６１０℃に加熱した窒素を１〜１０分間処理基板に吹き付けることにより加熱処理を行って、結晶質シリコン膜中の触媒元素をゲッタリングサイトに移動させる（ゲッタリング）処理を行う。
【００７２】
ゲッタリングは、被ゲッタリング領域（捕獲サイト）にある触媒元素が熱エネルギーにより放出され、拡散によりゲッタリングサイトに移動する。従って、ゲッタリングは処理温度に依存し、より高温であるほど短時間でゲッタリングが進むことになる。本発明において、触媒元素がゲッタリングの際に移動する距離は図１（ｃ）において矢印で示すように、半導体膜の厚さ程度の距離であり、比較的短時間でゲッタリングを完遂することができる。このようなゲッタリング工程を行うことにより、チャネル形成領域に存在する触媒元素の濃度を低減することができ、ＴＦＴのオフ電流値が下がり、さらに結晶性が良いことから高い電界効果移動度が得られ、良好な特性を有する半導体装置を作製することができるようになる。
【００７３】
なお、この加熱処理によっても半導体膜（ゲッタリングサイト）１７は結晶化することはない。これは、希ガス元素が上記処理温度の範囲においても再放出されず膜中に残存して、半導体膜の結晶化を阻害するためであると考えられる。
【００７４】
ゲッタリング工程終了後、ゲッタリングサイト１７を選択的にエッチングして除去する。エッチングの方法としては、ＣｌＦ3によるプラズマを用いないドライエッチング、或いはヒドラジンや、テトラエチルアンモニウムハイドロオキサイド（化学式 （ＣＨ3）4ＮＯＨ）を含む水溶液などアルカリ溶液によるウエットエッチングで行うことができる。この時バリア層１６はエッチングストッパーとして機能する。また、バリア層１６はその後フッ酸により除去すれば良い。
【００７５】
こうして図１（Ｅ）に示すように触媒元素の濃度が１×１０17/cm3以下にまで低減された結晶質半導体膜１８を得ることができる。こうして形成された結晶質半導体膜１０８は、触媒元素の作用により細い棒状又は細い扁平棒状結晶として形成され、その各々の結晶は巨視的に見ればある特定の方向性をもって成長している。
【００７６】
続いてチャネル形成領域、ソース領域およびドレイン領域を含む半導体層を形成するために、結晶質シリコン膜１８をエッチングして半導体層１０３〜１０６を形成する。ｎチャネル型ＴＦＴのしきい値（Ｖｔｈ）を制御するためにｐ型を付与する不純物元素を添加してもよい。半導体に対してｐ型を付与する不純物元素には、ボロン（Ｂ）、アルミニウム（Ａｌ）、ガリウム（Ｇａ）など周期表の第１３族元素が知られている。
【００７７】
次いで、島状に分離された半導体層１０３〜１０６を覆うゲート絶縁膜１０７を形成する（図３（Ｂ）、図４（Ｂ）、図７（Ａ））。ゲート絶縁膜１０７は、プラズマＣＶＤ法やスパッタ法で形成し、その厚さを４０〜１５０ｎｍとしてシリコンを含む絶縁膜で形成する。勿論、このゲート絶縁膜は、シリコンを含む絶縁膜を単層或いは積層構造として用いることができる。
【００７８】
酸化シリコン膜を用いる場合には、プラズマＣＶＤ法でＴＥＯＳ（Tetraethyl Ortho Silicate）とＯ2を混合し、反応圧力４０Ｐａ、基板温度３００〜４００℃とし、高周波（１３．５６ＭＨｚ）電力密度０．５〜０．８Ｗ／ｃｍ2で放電させて形成することができる。このようにして作製される酸化シリコン膜は、形成後４００〜５００℃の熱アニールによりゲート絶縁膜として良好な特性を得ることができる。
【００７９】
ゲート絶縁膜１０７上には、膜厚２０〜１００ｎｍの第１の導電膜１０８と、膜厚１００〜４００ｎｍの第２の導電膜１０９と、膜厚２０〜１００ｎｍの第３の導電膜１１０とを積層形成する（図３（Ｃ）、図４（Ｃ））。本実施例では、ゲート絶縁膜１０７上に膜厚５０ｎｍのタングステン膜、膜厚５００ｎｍのアルミニウムとチタンの合金（Ａｌ−Ｔｉ）膜、膜厚３０ｎｍのチタン膜を順次積層したが、この材料に限定されることはなく、ゲート電極を形成するための導電性材料としてはＴａ、Ｗ、Ｔｉ、Ｍｏ、Ａｌ、Ｃｕから選ばれた元素、または前記元素を主成分とする合金材料もしくは化合物材料を用いればよい。例えば、絶縁膜と接する第１の導電層として、チャネル形成領域への不純物の拡散を防ぐためにＴａＮまたはＷを主成分とする材料膜を用いればよい。また、第２の導電層としては、ＡｌまたはＣｕを主成分とする低抵抗な材料膜を用いればよい。また、第３の導電層としては、コンタクト抵抗の低いＴｉを主成分とする材料膜を用いればよい。
さらに、他の例として、第１の導電膜としてリン等の不純物元素をドーピングした多結晶シリコン膜に代表される半導体膜を用いてもよい。また、第１の導電膜をタングステン（Ｗ）膜で形成し、第２の導電膜をＣｕ膜、第３の導電膜をチタン（Ｔｉ）膜とする組み合わせ、第１の導電膜をタンタル（ＴａＮ）膜で形成し、第２の導電膜をアルミニウム（Ａｌ）膜、第３の導電膜をチタン（Ｔｉ）膜とする組み合わせ、第１の導電膜を窒化タンタル（ＴａＮ）膜で形成し、第２の導電膜をＡｌ膜とする組み合わせ、第１の導電膜を窒化タンタル（ＴａＮ）膜で形成し、第２の導電膜をＣｕ膜、第３の導電膜をチタン（Ｔｉ）とする組み合わせとしてもよい。
【００８０】
次に、図３（Ｂ）および図４（Ｂ）に示すように光露光工程によりレジストからなるマスク１１０を形成し、ゲート電極及び配線を形成するための第１のエッチング処理を行う。エッチングにはＩＣＰ（Inductively Coupled Plasma：誘導結合型プラズマ）エッチング法を用いると良い。なお、エッチング用ガスとしては、Ｃｌ2、ＢＣｌ3、ＳｉＣｌ4、ＣＣｌ4などを代表とする塩素系ガスまたはＣＦ4、ＳＦ6、ＮＦ3などを代表とするフッ素系ガス、またはＯ2を適宜用いることができる。なお、用いるエッチング用ガスに限定はないが、ここではＢＣｌ3とＣｌ2とＯ2とを用いることが適している。それぞれのガス流量比を６５／１０／５（ｓｃｃｍ）とし、１．２Ｐａの圧力でコイル型の電極に４５０ＷのＲＦ（１３．５６ＭＨｚ）電力を投入してプラズマを生成して１１７秒のエッチングを行う。基板側（試料ステージ）にも３００ＷのＲＦ（１３．５６ＭＨｚ）電力を投入し、実質的に負の自己バイアス電圧を印加する。この第１のエッチング条件によりＷ膜をエッチングして第１の導電層の端部をテーパー形状とする。
【００８１】
この後、第２のエッチング条件に変え、エッチング用ガスにＣＦ4とＣｌ2とＯ2とを用い、それぞれのガス流量比を２５／２５／１０（ｓｃｃｍ）とし、１Ｐａの圧力でコイル型の電極に５００ＷのＲＦ（１３．５６ＭＨｚ）電力を投入してプラズマを生成して約３０秒程度のエッチングを行う。基板側（試料ステージ）にも２０ＷのＲＦ（１３．５６ＭＨｚ）電力を投入し、実質的に負の自己バイアス電圧を印加する。ＣＦ4とＣｌ2を混合した第２のエッチング条件ではＷ膜及びＴａＮ膜とも同程度にエッチングされる。なお、ゲート絶縁膜上に残渣を残すことなくエッチングするためには、１０〜２０％程度の割合でエッチング時間を増加させると良い。
【００８２】
この第１のエッチング処理では、レジストからなるマスクの形状を適したものとすることにより、基板側に印加するバイアス電圧の効果により第１の導電層及び第２の導電層の端部がテーパー形状となる。このテーパー部の角度は１５〜４５°となる。こうして、第１のエッチング処理により第１の導電層と第２の導電層から成る第１の形状の導電層１１２〜１１５（第１の導電層１１２ａ〜１１５２ａ、第２の導電層１１２ｂ〜１１５ｂおよび第３の導電層１１２ｃ〜１１５ｃ）を形成する（図３（Ｄ）、図４（Ｄ））。ゲート絶縁膜の第１の形状の導電層１１２〜１１５で覆われない領域は２０〜５０ｎｍ程度エッチングされ薄くなった領域が形成される。
【００８３】
次に、レジストからなるマスク１１１を除去せずに第２のエッチング処理を行う。エッチング用ガスにＢＣｌ3とＣｌ2を用い、それぞれのガス流量比を２０／６０（sccm）とし、１．２Ｐａの圧力でコイル型の電極に６００ＷのＲＦ（１３．５６ＭＨｚ）電力を投入してプラズマを生成してエッチングを行う。基板側（試料ステージ）には１００ＷのＲＦ（１３．５６ＭＨｚ）電力を投入する。この第３のエッチング条件により第２導電層をエッチングする。こうして、上記第３のエッチング条件によりチタンを微量に含むアルミニウム膜を異方性エッチングして第２の形状の導電層１１６〜１１９（第１の導電層１１６ａ〜１１９ａ、第２の導電層１１６ｂ〜１１９ｂおよび第３の導電層１１６ｃ〜１１９ｃ）を形成する（図７（Ｂ））。ゲート絶縁膜の第２の形状の導電層１１６〜１１９で覆われない領域は若干エッチングされ薄くなった領域が形成される。
【００８４】
そして、レジストからなるマスクを除去せずに第１のドーピング処理を行い、半導体層にｎ型を付与する不純物元素を添加する。ドーピング処理はイオンドープ法、もしくはイオン注入法で行えば良い。イオンドープ法の条件はドーズ量を１．５×１０14atoms/cm2とし、加速電圧を６０〜１００ｋｅＶとして行う。ｎ型を付与する不純物元素として１５族に属する元素、典型的にはリン（Ｐ）または砒素（Ａｓ）を用いる。この場合、第２の形状の導電層１１６〜１１９がｎ型を付与する不純物元素に対するマスクとなり、自己整合的に第１の不純物領域１２０〜１２３が形成される。第１の不純物領域１２０〜１２３には１×１０16〜１×１０17/cm3の濃度範囲でｎ型を付与する不純物元素を添加する（図３（Ｅ）、図４（Ｅ））。
【００８５】
次いで、図５（Ａ）および図６（Ａ）に示すようにレジストからなるマスク１２４を形成し第２のドーピング処理を行う。マスク１２４は駆動回路のｐチャネル型ＴＦＴを形成する半導体層のチャネル形成領域及びその周辺の領域を保護する（半導体層１０２の一部にはｎ型不純物元素が添加されるような）マスクである。
【００８６】
第２のドーピング処理におけるイオンドープ法の条件はドーズ量を１．５×１０15atoms/cm2とし、加速電圧を６０〜１００ｋｅＶとしてリン（Ｐ）をドーピングする。ここでは、第２の形状の導電層１１６〜１１９及びゲート絶縁膜膜厚の差を利用して各半導体層に不純物領域を行う。マスク１２４で覆われた領域にはリン（Ｐ）は添加されない。こうして、第２の不純物領域１２５、１２６ａ〜１２８ａおよび第３の不純物領域１２６ｂ〜１２８ｂが形成される。第２の不純物領域１２５〜１２８には１×１０20〜１×１０21/cm3の濃度範囲でｎ型を付与する不純物元素を添加されている。また、第３の不純物領域はゲート絶縁膜の膜厚差により第３の不純物領域よりも低濃度に形成され、１×１０18〜１×１０19/cm3の濃度範囲でｎ型を付与する不純物元素を添加されることになる。
【００８７】
次いで、新たにレジストからなるマスク１２９、１３０を形成して図５（Ｂ）および図６（Ｂ）に示すように第３のドーピング処理を行う。この第３のドーピング処理により、ｐチャネル型ＴＦＴを形成する半導体層にｐ型の導電型を付与する不純物元素が添加された第４の不純物領域１３１、１３２、１３４及び第５の不純物領域１３３、１３５を形成する。第４の不純物領域１１４５、１１４６には１×１０20〜１×１０21/cm3の濃度範囲でｐ型を付与する不純物元素が添加されるようにする。また、第４の不純物領域は第２形状の導電層と重なる領域に形成されるものであり、１×１０18〜１×１０20/cm3の濃度範囲でｐ型を付与する不純物元素が添加されるようにする。尚、第４の不純物領域１３１には先の工程でリン（Ｐ）が添加された領域である。
【００８８】
なお、不純物領域１３４、１３５は画素部において保持容量を形成する半導体層に形成されている。
【００８９】
以上までの工程でそれぞれの半導体層にｎ型またはｐ型の導電型を有する不純物領域が形成される。第２の形状の導電層１１６〜１１９はゲート電極となる。また、第２の形状の導電層１１９は画素部において保持容量を形成する一方の電極となる。
【００９０】
次いで、ほぼ全面を覆う第１の層間絶縁膜１３６を形成する（図５（Ｃ）、図６（Ｃ））。この第１の層間絶縁膜１３６は、プラズマＣＶＤ法またはスパッタ法を用い、厚さを１００〜２００ｎｍとしてシリコンと水素を含む絶縁膜で形成する。その好適な一例は、プラズマＣＶＤ法により形成される膜厚１５０ｎｍの酸化窒化シリコン膜である。勿論、第１の層間絶縁膜１３６ａは酸化窒化シリコン膜に限定されるものでなく、他のシリコンを含む絶縁膜を単層または積層構造として用いても良い。
【００９１】
その後、それぞれの半導体層に添加された不純物元素を活性化処理する工程を行う。この活性化はＹＡＧレーザの第２高調波（５３２nm）を用いこの光を半導体膜に照射する。レーザ光に限らずランプ光源を用いるＲＴＡ法でも同様であり、基板の両面又は基板側からランプ光源の輻射により半導体膜を加熱する。
【００９２】
その後、プラズマＣＶＤ法で窒化シリコンから成る絶縁膜１３６ｂを５０〜１００nmの厚さに形成し、クリーンオーブンを用いて４１０℃の熱処理を行い、窒化シリコン膜から放出される水素で半導体膜の水素化を行う。
【００９３】
次いで、第１の層間絶縁膜１３６上に有機絶縁物材料から成る第２の層間絶縁膜１３７を形成する。次いで、各不純物領域に達するコンタクトホールを形成する。その後、Ａｌ、Ｔｉ、Ｍｏ、Ｗなどを用いて配線及び画素電極を形成する。例えば、膜厚５０〜２５０ｎｍのＴｉ膜と、膜厚３００〜５００ｎｍの合金膜（ＡｌとＴｉとの合金膜）との積層膜を用いる。こうして、配線１３８〜１４４、画素電極１４５が形成される（図５（Ｄ）、図６（Ｄ）、図７（Ｃ））。
【００９４】
以上の様にして、ｐチャネル型ＴＦＴ３０１、ｎチャネル型ＴＦＴ３０２を有する駆動回路３０５と、ｎチャネル型ＴＦＴ３０３、保持容量３０４とを有する画素部３０６を同一基板上に形成することができる。本明細書中ではこのような基板を便宜上アクティブマトリクス基板と呼ぶ。尚、画素部３０６のＴＦＴはｐチャネル型ＴＦＴであっても良い。
【００９５】
駆動回路３０５のｐチャネル型ＴＦＴ３０１にはチャネル形成領域３１０、ゲート電極を形成する第２の形状の導電層１１６と一部が重なる不純物領域１３３とソース領域またはドレイン領域として機能する不純物領域１３２を有している。ｎチャネル型ＴＦＴ３０２にはチャネル形成領域３１１、ゲート電極を形成する第２の形状の導電層１１７と一部が重なる不純物領域１２６ｂとソース領域またはドレイン領域として機能する不純物領域１２６ａを有している。このようなｎチャネル型ＴＦＴ及びｐチャネル型ＴＦＴによりシフトレジスタ回路、バッファ回路、レベルシフタ回路、ラッチ回路などを形成することができる。特に、駆動電圧が高いバッファ回路には、ホットキャリア効果による劣化を防ぐ目的から、ｎチャネル型ＴＦＴ３０２の構造が適している。
【００９６】
画素部３０５の画素ＴＦＴ３０３にはチャネル形成領域３１２、ゲート電極を形成する第２の形状の導電層１１８と一部が重なる不純物領域１２７ｂとソース領域またはドレイン領域として機能する不純物領域１２７ａを有している。また、保持容量３０４の一方の電極として機能する半導体層にはｐ型の不純物元素が添加された不純物領域１３４、１３５が形成されている。保持容量３０４は、絶縁膜（ゲート絶縁膜と同一膜）を誘電体として、第２の形状の電極１１９と、半導体層１０６とで形成されている。
【００９７】
本発明は、画素部及び駆動回路が要求する回路仕様に応じて各回路を形成するＴＦＴの構造を最適化し、半導体装置の動作性能及び信頼性を向上させることができる。具体的には、ｎチャネル型ＴＦＴは回路仕様に応じてＬＤＤ構造に変化をもたせている。上述のように、駆動回路のｎチャネル型ＴＦＴはゲート電極と一部が重なるＬＤＤ構造として、主にホットキャリア効果によるＴＦＴの劣化を防ぐ構造としている。また、画素部のｎチャネル型ＴＦＴはゲート電極と重ならないＬＤＤ構造として、主にオフ電流を低減することを重視した構造としている。本発明はこのような構造の異なるｎチャネル型ＴＦＴに加え、ｐチャネル型ＴＦＴを同一基板上に形成する技術を提供し、それを６枚のフォトマスクで作製可能にしている。また、画素電極を透明導電膜で形成すると、フォトマスクは１枚増えるものの、透過型の表示装置を形成することができる。
【００９８】
（実施例２）
本実施例では、ボトムゲート型ＴＦＴの作製工程に本発明を適応することも可能である。図８、９を用いてボトムゲート型ＴＦＴの作製工程について簡単に説明する。
【００９９】
基板５０上に、酸化シリコン膜、窒化シリコン膜、酸化窒化シリコン膜等の絶縁膜を形成し（図示せず）、ゲート電極を形成するために導電膜を形成し、所望の形状にパターニングしてゲート電極５１を得る。導電膜には、Ｔａ、Ｔｉ、Ｗ、Ｍｏ、ＣｒまたはＡｌから選ばれた元素またはいずれかの元素を主成分とする導電膜を用いればよい（図８（Ａ））。
【０１００】
次いで、ゲート絶縁膜５２を形成する。ゲート絶縁膜は、酸化シリコン膜、窒化シリコン膜または酸化窒化シリコン膜の単層、もしくはいずれかの膜の積層構造にしてもよい（図８（Ｂ））。
【０１０１】
次いで、非晶質半導体膜としてアモルファスシリコン膜５３を熱ＣＶＤ法、プラズマＣＶＤ法、減圧ＣＶＤ法、蒸着法またはスパッタリング法により１０〜１１５０nm厚に形成する。なお、ゲート絶縁膜５２とアモルファスシリコン膜５３とは、同じ成膜法で形成することが可能であるため、両者を連続形成してもよい。連続形成することで、一旦大気に曝すことがなくなり、表面の汚染を防ぐことができ、作製するＴＦＴの特性バラツキやしきい値電圧の変動を低減することができる（図８（Ｃ））。
【０１０２】
次いで、アモルファスシリコン膜５３に結晶化を促進する触媒元素を塗布して、触媒元素含有層５４を形成する。続いて、ＧＲＴＡ法を用いて加熱処理を行い、結晶質シリコン膜５５を形成する。
【０１０３】
結晶化工程が終わったら、結晶質シリコン膜５５上にバリア層５６を形成する。バリア層５６としては、実施形態１で示したような膜を用いればよい。なお、本実施例では、触媒元素（ニッケル）をゲッタリングサイトに貫通させることができ、さらにゲッタリングサイトの除去工程において用いるエッチング液がしみこまない多孔質膜、または、オゾン水で処理することにより形成されるケミカルオキサイド膜を形成する（図８（Ｄ））。
【０１０４】
次いで、ゲッタリングサイトとして希ガス元素を含む半導体膜５７を形成する。本実施例では、Ａｒの流量を５０（sccm）、成膜圧力を０．２Ｐａ、パワー３ｋＷ、基板温度１５０℃として希ガス元素を１×１０19〜１×１０22/cm3、好ましくは１×１０20〜１×１０21/cm3、より好ましくは５×１０20/cm3の濃度で含み、酸素を５×１０18〜１×１０21/cm3の濃度で含む半導体膜５７を成膜する。
【０１０５】
次いで、結晶性半導体膜５５から触媒元素をゲッタリングサイト５７に移動させる（ゲッタリングする）ための加熱処理を行う。加熱処理は、結晶化の工程と同様のＧＲＴＡ法を用いる。この加熱処理により、結晶質半導体膜５５の触媒元素濃度を１×１０17/cm3以下にまで減少させることができる。
ゲッタリング工程終了後、ゲッタリングサイト５７およびバリア層５６を除去する。
【０１０６】
次いで、後の不純物添加工程において結晶質シリコン膜（チャネル形成領域）を保護する絶縁膜５８を１００〜４００nm厚で形成する。この絶縁膜は、不純物元素を添加する時に結晶質シリコン膜が直接プラズマに曝されないようにするためと、さらに、微妙な濃度制御を可能にするために形成される。
【０１０７】
次いで、レジストからなるマスクを用いて、後のｎチャネル型ＴＦＴの活性層となる結晶質シリコン膜にｎ型を付与する不純物元素、後のｐチャネル型ＴＦＴの活性層となる結晶質シリコン膜にｐ型不純物元素を添加して、ソース領域、ドレイン領域、ＬＤＤ領域を形成する。
【０１０８】
次いで、結晶質シリコン膜に添加された不純物元素を活性化する工程を行う。続いて、結晶質シリコン膜上の絶縁膜を除去し、結晶質シリコン膜を所望の形状にパターニングした後、層間絶縁膜５９を形成する。層間絶縁膜は、酸化シリコン膜、窒化シリコン膜、酸化窒化シリコン膜等の絶縁膜から５００〜１５００nm厚で形成する。  その後、それぞれのＴＦＴのソース領域またはドレイン領域に達するコンタクトホールを形成して、各ＴＦＴを電気的に接続するための配線６０を形成する。
【０１０９】
以上のように本発明は、ＴＦＴの形状に関わることなく適応することができる。
【０１１０】
（実施例３）
ＧＲＴＡ法を用いた結晶化〜ゲッタリング工程の他の実施例について、図１７、１８を用いて説明する。
【０１１１】
基板１７００はその材質に特段の限定はないが、好ましくはバリウムホウケイ酸ガラスやアルミノホウケイ酸ガラス、或いは石英などを用いることができる。基板１００の表面に、下地絶縁膜１７０１として無機絶縁膜を１０〜２００nmの厚さで形成する。好適な下地絶縁膜の一例は、プラズマＣＶＤ法で作製される酸化窒化シリコン膜であり、ＳｉＨ4、ＮＨ3、Ｎ2Ｏから作製される第１酸化窒化シリコン膜１７０１ａを５０nmの厚さに形成し、ＳｉＨ4とＮ2Ｏから作製される第２酸化窒化シリコン膜１７０１ｂを１００nmの厚さに形成したものを適用する。
【０１１２】
下地絶縁膜１７０１の上にシリコンを主成分とする非晶質半導体膜１７０２を形成する。代表的には、非晶質シリコン膜又は非晶質シリコンゲルマニウム膜などが適用され、プラズマＣＶＤ法や減圧ＣＶＤ法、或いはスパッタ法で１０〜１００nmの厚さに形成する（図１７（Ａ））。
【０１１３】
非晶質半導体膜１７０２を形成した後、非晶質半導体膜１７０２の表面に、結晶化を促進する触媒作用のある金属元素を添加する。半導体膜の結晶化を促進する触媒作用のある金属元素として鉄（Ｆｅ）、ニッケル（Ｎｉ）、コバルト（Ｃｏ）、ルテニウム（Ｒｕ）、ロジウム（Ｒｈ）、パラジウム（Ｐｄ）、オスミウム（Ｏｓ）、イリジウム（Ｉｒ）、白金（Ｐｔ）、銅（Ｃｕ）、金（Ａｕ）から選ばれた一種または複数種を用いることができる。代表的にはニッケルを用い、重量換算で１〜１００ppmのニッケルを含む酢酸ニッケル塩溶液をスピナーで塗布して触媒含有層１７０３を形成する（図１７（Ｂ）。なお、触媒含有層１７０３はこのような方法に限定されず、スパッタ法、蒸着法、プラズマ処理などにより形成しても良い。また、触媒元素含有層１７０３を非晶質半導体膜１７０２を形成する前、即ち下地絶縁膜１７０１上に形成しておいても良い。
【０１１４】
非晶質半導体膜１７０２と触媒元素含有層１７０３とを接触した状態を保持したまま結晶化のための加熱処理を行う。加熱処理の方法としては、所望の温度に加熱されたガスを用いて加熱をおこなうＧＲＴＡ装置を用いる。
【０１１５】
ＧＲＴＡ法を用いて、６５０℃に加熱した窒素を３０〜９０秒間処理基板に吹き付けることにより加熱処理を行って結晶質半導体膜を得る。ＧＲＴＡによる加熱処理において、基板１７００自身が歪んで変形することはない。こうして、非晶質半導体膜を結晶化させ、結晶質半導体膜１７０４を得ることができる。
【０１１６】
次いで、結晶質半導体膜１７０４の結晶性をあげるためにレーザ照射を行ってもよい（図１７（Ｃ））。
【０１１７】
続いて、結晶質半導体膜をエッチングして、後のＴＦＴの活性層（チャネル形成領域、ソース領域およびドレイン領域を含む半導体層）１７０５、１７０６を形成する。続いて、半導体層１７０５、１７０６を覆ってゲート絶縁膜１７０７を形成する（図１７（Ｄ））。なお、この時、ｎチャネル型ＴＦＴのしきい値（Ｖｔｈ）を制御するためにｐ型を付与する不純物元素を添加してもよい。半導体に対してｐ型を付与する不純物元素には、ボロン（Ｂ）、アルミニウム（Ａｌ）、ガリウム（Ｇａ）など周期表の第１３族元素が知られている。
【０１１８】
続いて、ゲート電極を形成するために、導電膜をゲート絶縁膜上に形成し、所定の形状にエッチングするためにレジストからなるマスク１７０８、１７０９を形成して第１の形状のゲート電極１７１０、１７１１を形成する（図１７（Ｅ））。図１７では、１層構造のゲート電極を図示しているが、実施者が適宜決定すればよく、実施例１で示したように、Ｔａ、Ｗ、Ｔｉ、Ｍｏ、Ａｌ、Ｃｕから選ばれた元素、または前記元素を主成分とする合金材料もしくは化合物材料を２層以上重ねた構造のゲート電極としてもよい。次いで、第１の形状のゲート電極１７１０、１７１１をマスクとしてｎ型不純物元素を添加してｎ型不純物領域１７１２、１７１３を形成する。
【０１１９】
次いで、第１の形状のゲート電極１７１０、１７１１をさらにエッチングして第２の形状のゲート電極１７１４、１７１５を形成する。
【０１２０】
続いて、後のｐチャネル型ＴＦＴの活性層となる半導体層の一部に不純物元素が添加できるようなマスク１７１６を形成して、ｎ型不純物元素を添加して、ｎ型不純物領域１７１７、１７１８、１７１９を形成する。ｎ型不純物領域１７１７、１７１８には、１×１０20〜１×１０21/cm3の濃度範囲でｎ型不純物元素が添加されている。また、ｎ型不純物領域１７１９には、ゲート電極を介して不純物元素が添加されているため、ｎ型不純物領域１７１７、１７１８より低濃度の１×１０18〜１×１０19/cm3の濃度範囲でｎ型不純物元素が添加される（図１８（Ａ））。
【０１２１】
次いで、後のｎチャネル型ＴＦＴの活性層となる半導体層を覆うマスク１７２０を形成し、ｐ型不純物元素を添加し、ｐ型不純物領域１７２１、１７２２、１７２３を形成する。ｐ型不純物領域１７２１は、ｎ型不純物元素が１×１０20〜１×１０21/cm3の濃度範囲で、ｐ型不純物元素が１×１０20〜１×１０21/cm3の濃度範囲で含まれている。また、ｐ型不純物領域１７２２は、ｐ型不純物元素が１×１０20〜１×１０21/cm3の濃度範囲で含まれている。また、ｐ型不純物領域１７２３は、ｐ型不純物元素が１×１０18〜１×１０20/cm3の濃度範囲で含まれている（図１８（Ｂ））。
【０１２２】
この後、第１層間絶縁膜１７２４を形成する。第１の層間絶縁膜１７２４は、プラズマＣＶＤ法またはスパッタ法を用い、厚さを１００〜２００ｎｍとしてシリコンと水素を含む絶縁膜で形成する。
【０１２３】
その後、それぞれの半導体層に添加された不純物元素を活性化処理する工程を行う。ＧＲＴＡ法による加熱処理もしくはＹＡＧレーザの第２高調波（５３２nm）を用いこの光を半導体膜に照射して活性化を行う。このとき、半導体層に残留している触媒元素が、ゲッタリング作用を有するｎ型不純物元素を高濃度に含む領域１７１８、１７２１に移動し、ゲッタリングを行うことができる。
【０１２４】
このように、非晶質半導体膜の結晶化工程の後、実施形態１〜２、実施例１のように希ガス元素を含むゲッタリングサイトを形成してＧＲＴＡ法によるゲッタリング工程を組み込んでもよいが、このゲッタリング工程以外に半導体層に添加された不純物元素を活性化するための加熱処理と同一の工程において、触媒元素のゲッタリングを行うことができる。さらに、ｎ型不純物元素を高濃度に含む領域１７１８、１７２１に希ガス元素（Ａｒ、Ｈｅ、Ｎｅ、Ｋｒ、Ｘｅから選ばれた一種または複数種の元素）を添加することでさらにゲッタリング効率を上げることができると考えられる。
【０１２５】
その後、プラズマＣＶＤ法で窒化シリコンから成る絶縁膜（図示せず）を５０〜１００nmの厚さに形成し、クリーンオーブンを用いて４１０℃の熱処理を行い、窒化シリコン膜から放出される水素で半導体膜の水素化を行う（図１８（Ｃ））。
【０１２６】
次いで、第１の層間絶縁膜１７２４上に有機絶縁物材料から成る第２の層間絶縁膜１７２５を形成する。次いで、各不純物領域に達するコンタクトホールを形成する。その後、Ａｌ、Ｔｉ、Ｍｏ、Ｗなどを用いて配線及び画素電極を形成する。例えば、膜厚５０〜２５０ｎｍのＴｉ膜と、膜厚３００〜５００ｎｍの合金膜（ＡｌとＴｉとの合金膜）との積層膜を用いる。こうして、配線１７２６〜１７２９を形成することにより、ｐチャネル型ＴＦＴ１７３０およびｎチャネル型ＴＦＴ１７３１を形成することができる（図１８（Ｄ））。
【０１２７】
ＧＲＴＡ法を用いて以上のような半導体装置の作製方法も実施することが可能である。なお、本実施例は、実施形態１〜３、実施例１、２と組み合わせて用いることが可能である。
【０１２８】
（実施例４）
図１０はアクティブマトリクス駆動方式の発光装置の構造を示す一例である。ここで示す駆動回路部６５０のｎチャネル型ＴＦＴ６５２、ｐチャネル型ＴＦＴ６５３、及び画素部６５１のスイッチング用ＴＦＴ６５４、電流制御用ＴＦＴ６５５は実施例１と同様にして作製されるものである。
【０１２９】
ゲート電極６０８〜６１１の上層には、窒化シリコン、酸化窒化シリコンからなる第１の層間絶縁膜６１８が形成され、保護膜として用いている。さらに平坦化膜として、ポリイミドまたはアクリルなど有機樹脂材料から成る第２の層間絶縁膜６１９を形成している。
【０１３０】
駆動回路部６５０の回路構成は、ゲート信号側駆動回路とデータ信号側駆動回路とで異なるがここでは省略する。ｎチャネル型ＴＦＴ６５２及びｐチャネル型ＴＦＴ６５３には配線６１２、６１３が接続し、これらのＴＦＴを用いてシフトレジスタやラッチ回路、バッファ回路などを形成している。
【０１３１】
画素部６５１では、データ配線６１４がスイッチング用ＴＦＴ６５４のソース側に接続し、ドレイン側の配線６１５は電流制御用ＴＦＴ６５５のゲート電極６１１と接続している。また、電流制御用ＴＦＴ６５５のソース側は電源供給配線６１７と接続し、ドレイン側の電極６１６が発光素子の陽極と接続している。
【０１３２】
これらの配線上には窒化シリコンなどの有機絶縁材料から成る第２の層間絶縁膜６２７を形成している。有機樹脂材料は吸湿性があり、Ｈ2Ｏを吸蔵する性質を持っている。そのＨ2Ｏが再放出されると有機化合物に酸素を供給し、有機発光素子を劣化させる原因となるので、Ｈ2Ｏの吸蔵及び再放出を防ぐために、第２の層間絶縁膜６２７の上に窒化シリコンまたは酸化窒化シリコンから成る第３絶縁膜６２０を形成する。或いは、第２の層間絶縁膜６２７を省略して、第３絶縁膜６２０の一層のみでこの層を形成することも可能である。
【０１３３】
有機発光素子６５６は第３絶縁膜６２０上に形成し、ＩＴＯ（酸化インジウム・スズ）などの透明導電性材料で形成する陽極６２１、正孔注入層、正孔輸送層、発光層などを有する有機化合物層６２３、ＭｇＡｇやＬｉＦなどのアルカリ金属またはアルカリ土類金属などの材料を用いて形成する陰極６２４とから成っている。有機化合物層６２３の詳細な構造は任意なものとする。
【０１３４】
第３絶縁膜６２０上に感光性樹脂材料で形成されるバンク６２２を設ける。バンク６２２は陽極６２２の端部を被覆するように形成する。具体的には、バンク６２２はネガ型のレジストを塗布し、ベーク後に１〜２μm程度の厚さとなるように形成する。その後、所定のパターンを設けたフォトマスクを用い紫外線を照射して露光する。
【０１３５】
陰極６２４は、仕事関数の小さいマグネシウム（Ｍｇ）、リチウム（Ｌｉ）若しくはカルシウム（Ｃａ）を含む材料を用いる。好ましくはＭｇＡｇ（ＭｇとＡｇをＭｇ：Ａｇ＝１０：１で混合した材料）でなる電極を用いれば良い。他にもＭｇＡｇＡｌ電極、ＬｉＡｌ電極、また、ＬｉＦＡｌ電極が挙げられる。さらにその上層には、窒化シリコンまたは、ＤＬＣ膜で第４絶縁膜６２５を２〜３０ｎｍ、好ましくは５〜１０ｎｍの厚さで形成する。ＤＬＣ膜はプラズマＣＶＤ法で形成可能であり、１００℃以下の温度で形成しても、被覆性良くバンク６２２の端部を覆って形成することができる。ＤＬＣ膜の内部応力は、酸素や窒素を微量に混入させることで緩和することが可能であり、保護膜として用いることが可能である。そして、ＤＬＣ膜は酸素をはじめ、ＣＯ、ＣＯ2、Ｈ2Ｏなどのガスバリア性が高いことが知られている。第４絶縁膜６２５は、陰極６２４を形成した後、大気解放しないで連続的に形成することが望ましい。陰極６２４と有機化合物層６２３との界面状態は有機発光素子の発光効率に大きく影響するからである。
【０１３６】
図１０ではスイッチング用ＴＦＴ６５４をマルチゲート構造とし、電流制御用ＴＦＴ６５５にはゲート電極とオーバーラップする低濃度ドレイン（ＬＤＤ）を設けている。多結晶シリコンを用いたＴＦＴは、高い動作速度を示すが故にホットキャリア注入などの劣化も起こりやすい。そのため、図６のように、画素内において機能に応じて構造の異なるＴＦＴ（オフ電流の十分に低いスイッチング用ＴＦＴと、ホットキャリア注入に強い電流制御用ＴＦＴ）を形成することは、高い信頼性を有し、且つ、良好な画像表示が可能な（動作性能の高い）表示装置を作製する上で非常に有効である。
【０１３７】
図１０で示すように、ＴＦＴ６５４、６５５を形成する半導体膜の下層側（基板６０１側）には、第１絶縁膜６０２が形成されている。その反対の上層側には第２絶縁膜６１８が形成されている。一方、有機発光素子６５６の下層側には第３絶縁膜６２０が形成されている。上層側には第４絶縁膜６２５が形成される。ＴＦＴ６５４、６５５が最も嫌うナトリウムなどのアルカリ金属は、汚染源として基板６０１や有機発光素子６５６が考えられるが、第１絶縁膜６０２と第２絶縁膜６１８で囲むことによりブロッキングしている。一方、有機発光素子６５６は酸素やＨ2Ｏを最も嫌うため、それをブロッキングするために第３絶縁膜６２０、第４絶縁膜６２５が形成されている。これらは有機発光素子６５６が有するアルカリ金属元素を外に出さないための機能も有している。
【０１３８】
図１０で示すような構造の有機発光装置において、効率的な作製方法の一例は、第３絶縁膜６２０、ＩＴＯに代表される透明導電膜で作製される陽極６２１をスパッタ法により連続成膜する工程を採用できる。有機絶縁膜６１９の表面に著しいダメージを与えることなく、緻密な窒化シリコン膜または酸化窒化シリコン膜を形成するにはスパッタ法は適している。
【０１３９】
以上のように、ＴＦＴと有機発光装置を組み合わせて画素部を形成し、発光装置を完成させることができる。このような発光装置はＴＦＴを用いて駆動回路を同一基板上に形成することもできる。ＴＦＴの主要構成要素である半導体膜、ゲート絶縁膜及びゲート電極は、その下層側及び上層側を窒化シリコンまたは酸化窒化シリコンから成るブロッキング層と保護膜により囲むことにより、アルカリ金属や有機物の汚染を防ぐ構造を有している。一方有機発光素子はアルカリ金属を一部に含み、窒化シリコンまたは酸化窒化シリコンから成る保護膜と、窒化シリコンまたは炭素を主成分とする絶縁膜から成るガスバリア層とで囲まれ、外部から酸素やＨ2Ｏが浸入することを防ぐ構造を有している。
【０１４０】
このように、本発明は不純物に対する特性の異なる素子を組合せ、お互いが干渉することなく発光装置を完成させることができる。さらに応力による影響を排除して信頼性を向上させることができる。
【０１４１】
（実施例５）
本発明を実施して形成されたＣＭＯＳ回路や画素部はアクティブマトリクス型液晶ディスプレイ（液晶表示装置）に用いることができる。即ち、それら液晶表示装置を表示部に組み込んだ電気器具全てに本発明を実施できる。
【０１４２】
その様な電気器具としては、ビデオカメラ、デジタルカメラ、プロジェクター（リア型またはフロント型）、ヘッドマウントディスプレイ（ゴーグル型ディスプレイ）、パーソナルコンピュータ、携帯情報端末（モバイルコンピュータ、携帯電話または電子書籍等）などが挙げられる。それらの一例を図１１、図１２及び図１３に示す。
【０１４３】
図１１（Ａ）はパーソナルコンピュータであり、本体２００１、画像入力部２００２、表示部２００３、キーボード２００４等を含む。
【０１４４】
図１１（Ｂ）はビデオカメラであり、本体２１０１、表示部２１０２、音声入力部２１０３、操作スイッチ２１０４、バッテリー２１０５、受像部２１０６等を含む。
【０１４５】
図１１（Ｃ）はモバイルコンピュータ（モービルコンピュータ）であり、本体２２０１、カメラ部２２０２、受像部２２０３、操作スイッチ２２０４、表示部２２０５等を含む。
【０１４６】
図１１（Ｄ）はゴーグル型ディスプレイであり、本体２３０１、表示部２３０２、アーム部２３０３等を含む。
【０１４７】
図１１（Ｅ）はプログラムを記録した記録媒体（以下、記録媒体と呼ぶ）を用いるプレーヤーであり、本体２４０１、表示部２４０２、スピーカ部２４０３、記録媒体２４０４、操作スイッチ２４０５等を含む。なお、このプレーヤーは記録媒体としてＤＶＤ（Ｄｉｇｔｉａｌ  Ｖｅｒｓａｔｉｌｅ  Ｄｉｓｃ）、ＣＤ等を用い、音楽鑑賞や映画鑑賞やゲームやインターネットを行うことができる。
【０１４８】
図１１（Ｆ）はデジタルカメラであり、本体２５０１、表示部２５０２、接眼部２５０３、操作スイッチ２５０４、受像部（図示しない）等を含む。
【０１４９】
図１２（Ａ）はフロント型プロジェクターであり、投射装置２６０１、スクリーン２６０２等を含む。
【０１５０】
図１２（Ｂ）はリア型プロジェクターであり、本体２７０１、投射装置２７０２、ミラー２７０３、スクリーン２７０４等を含む。
【０１５１】
なお、図１２（Ｃ）は、図１２（Ａ）及び図１２（Ｂ）中における投射装置２６０１、２７０２の構造の一例を示した図である。投射装置２６０１、２７０２は、光源光学系２８０１、ミラー２８０２、２８０４〜２８０６、ダイクロイックミラー２８０３、プリズム２８０７、液晶表示装置２８０８、位相差板２８０９、投射光学系２８１０で構成される。投射光学系２８１０は、投射レンズを含む光学系で構成される。本実施例は三板式の例を示したが、特に限定されず、例えば単板式であってもよい。また、図１２（Ｃ）中において矢印で示した光路に実施者が適宜、光学レンズや、偏光機能を有するフィルムや、位相差を調節するためのフィルム、ＩＲフィルム等の光学系を設けてもよい。
【０１５２】
また、図１２（Ｄ）は、図１２（Ｃ）中における光源光学系２８０１の構造の一例を示した図である。本実施例では、光源光学系２８０１は、リフレクター２８１１、光源２８１２、レンズアレイ２８１３、２８１４、偏光変換素子２８１５、集光レンズ２８１６で構成される。なお、図１２（Ｄ）に示した光源光学系は一例であって特に限定されない。例えば、光源光学系に実施者が適宜、光学レンズや、偏光機能を有するフィルムや、位相差を調節するフィルム、ＩＲフィルム等の光学系を設けてもよい。
【０１５３】
ただし、図１２に示したプロジェクターにおいては、透過型の電気光学装置を用いた場合を示しており、反射型の液晶表示装置の適用例は図示していない。
【０１５４】
図１３（Ａ）は携帯電話であり、３００１は表示用パネル、３００２は操作用パネルである。表示用パネル３００１と操作用パネル３００２とは接続部３００３において接続されている。接続部３００３における、表示用パネル３００１の表示部３００４が設けられている面と操作用パネル３００２の操作キー３００６が設けられている面との角度θは、任意に変えることができる。
さらに、音声出力部３００５、操作キー３００６、電源スイッチ３００７、音声入力部３００８を有している。
【０１５５】
図１３（Ｂ）は携帯書籍（電子書籍）であり、本体３００１、表示部３００２、３００３、記憶媒体３００４、操作スイッチ３００５、アンテナ３００６等を含む。
【０１５６】
図１３（Ｃ）はディスプレイであり、本体３１０１、支持台３１０２、表示部３１０３等を含む。
【０１５７】
以上の様に、本発明の適用範囲は極めて広く、あらゆる分野の電気器具に適用することが可能である。また、本実施例の電気器具は実施形態１〜４、実施例１、２を組み合わせても実現することができる。
【０１５８】
【発明の効果】
本発明を用いることにより、結晶化を促進する触媒元素を用いた低温での半導体膜の結晶化処理を行う場合に、効果的に触媒元素を半導体膜から除去または濃度の低減をすることができる。また、ゲッタリングに用いる希ガス元素は、半導体膜中において不活性であるため、ＴＦＴのしきい値電圧を変動させるなどの悪影響を及ぼすことがない。
【０１５９】
さらに、十分に触媒元素の濃度を低減した半導体膜を活性層に用いることでＴＦＴの特性が向上し、このＴＦＴを用いて作製された半導体装置、液晶表示装置の特性も向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】  本発明の実施の形態の一例を示す図。
【図２】  本発明の実施の形態の一例を示す図。
【図３】  本発明の実施例を示す図。
【図４】  本発明の実施例を示す図。
【図５】  本発明の実施例を示す図。
【図６】  本発明の実施例を示す図。
【図７】  本発明の実施の形態の一例を示す図。
【図８】  本発明の実施の形態の一例を示す図。
【図９】  半導体膜中に含まれるＡｒの濃度を測定した結果を示す図。
【図１０】  本発明を適応して作製した発光装置の一例を示す図。
【図１１】  本発明を用いて作製された液晶表示装置を表示部に用いた電気器具の一例を示す図。
【図１２】  本発明を用いて作製された液晶表示装置を表示部に用いた電気器具の一例を示す図。
【図１３】  本発明を用いて作製された液晶表示装置を表示部に用いた電気器具の一例を示す図。
【図１４】  本発明で用いる加熱処理装置の概要を示す図。
【図１５】  本発明で用いる加熱処理装置の概要を示す図。
【図１６】  ガラス基板に形成された複数のＴＦＴ基板を示す図。
【図１７】  本発明の実施の一例を示す図。
【図１８】  本発明の実施の一例を示す図。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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