(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
上面に光半導体素子が搭載される搭載部を有する底板と、
前記光半導体素子搭載部を囲むように前記底板表面に取着される枠体と、
該枠体の側壁を貫通して形成されるか、または該枠体の側壁に配設された貫通孔に取着され、かつ内部に光信号の伝送線路を挿入するための貫通孔を有する筒状の固定部材と、
前記枠体を貫通して形成され、かつ表面に前記光半導体素子と電気的に接続される信号配線層を形成した第１の誘電体と、該第１の誘電体の信号配線層の両端が露出するように前記信号配線層を挟んで前記第１の誘電体と接合され、該第１の誘電体と前記枠体との間に配設される第２の誘電体と、前記第１の誘電体の前記信号配線層を形成した面と反対側の面に形成されたグランド層と、を備えた入出力端子と、
前記枠体の上面に取着され、前記光半導体素子を気密に封止する蓋体と、を具備する光半導体素子収納用パッケージであって、
前記第１の誘電体の前記信号配線層の露出部の直下に空隙部を形成したことを特徴とする光半導体素子収納用パッケージ。
【請求項２】
前記空隙部を加味した前記第1の誘電体の実効誘電率が８以下であることを特徴とする
請求項１記載の光半導体素子収納用パッケージ。
【請求項３】
前記第１の誘電体全体の厚み（ｔ１）に対する前記空隙部の厚み（ｔ２）の比（ｔ２／ｔ１）が０．１以上であることを特徴とする請求項１または２記載の光半導体素子収納用パッケージ。
【請求項４】
前記第１の誘電体全体の厚み（ｔ１）が０．２５〜１ｍｍであることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか記載の光半導体素子収納用パッケージ。
【請求項５】
前記信号配線層の幅（ｗ２）に対する前記空隙部の幅（ｗ１）の比（ｗ１／ｗ２）が２．５以上であることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか記載の光半導体素子収納用パッケージ。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明が属する技術分野】
本発明は、光半導体素子を収納する光半導体素子収納用パッケージに関し、特に、パッケージ内から信号を入出力するための入出力端子の改良に関する。
【０００２】
【従来技術】
近年、光通信分野等で用いられる各種光半導体素子を収納した光半導体収納用パッケージ（以下、光パッケージという）が注目されている。
かかる光パッケージの一般的な構造は、図３の概略断面図に示すように、金属製の基板３０の上面に絶縁基体３１の表面に光半導体素子（以下、光素子と略す。）３２が搭載される実装基板３３を載置する載置部３０ａを囲繞するように金属製の枠体３５が基板３０の表面に接合、固定されている。また、枠体３５の上面には光素子３２を気密に封止するための蓋体３６が配設され、基板３０、枠体３５および蓋体３６によって光素子３２が気密に封止されている。
【０００３】
また、枠体３５の側壁には貫通孔３５ａが設けられ、枠体３５の該貫通孔３５ａを囲む外壁面には、内部に光ファイバ等の光信号の伝送線路（以下、光線路と略す。）３７を挿入するための貫通孔３８ａを有する固定部材３８が接着、固定されており、固定部材３８の貫通孔３８ａ内に挿入された光線路３７の先端から出力された光信号を光素子３２にて受光するように配置されている。なお、光線路３７は固定部材３８の貫通孔３８ａ内に充填される半田等の接着剤３９によって固定部材３８と接着される。
【０００４】
一方、光素子３２にて受光した信号は、実装基板３３に形成された配線回路（図示せず）やワイヤボンディング４０を介して、枠体３５の側壁を貫通するように形成された２つの誘電体４１、４２間に信号配線層４３を形成した入出力端子４４の該信号配線層４３の露出部と接続され、さらに、信号配線層４３の他端の露出部は、枠体３５の外に形成されたリード端子４５と接続されて、リード端子４５によって外部回路（図示せず）とパッケージとを接続する構成からなる。
【０００５】
また、入出力端子４４の構造は、誘電体４１の上面の中央部に信号配線層４３を形成し、かつ誘電体４１の下面にグランド層（接地導体層）４７を形成して、信号配線層４３とグランド層４７とによってマイクロストリップ線路が形成されており、また、誘電体４２は信号配線層４３を挟んで誘電体４１と接合されるとともに、信号配線層４３の両端が露出するように誘電体４２が誘電体４１よりも短く形成された、いわゆるフィードスル構造からなる。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
上記光半導体素子収納用パッケージにおいては、光半導体素子およびそれに接続される接続回路にて処理される光−電気の変換効率を高めるために、パッケージ内で発生する容量（Ｃ）成分を低減する必要があるが、上述した従来の光半導体素子収納用パッケージでは、パッケージで発生する容量成分が大きく、特に、上述した枠体の側壁を貫通するように形成され、ライン長の長いフィードスルー部の信号配線層の部分にて大きな容量が発生することから、光−電気の変換速度が遅くなるために信号の処理能力が低下するという問題があった。
【０００７】
本発明は、上記課題を解決するためになされたものであり、その目的は、光−電気信号の変換速度を向上でき、光−電気信号を高速に、かつ円滑に授受することが可能な光半導体素子収納用パッケージを提供することにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
本発明者等は、上記課題に対し、上記入出力端子の構造について検討した結果、該入出力端子の信号配線層が露出した部分の直下に位置する誘電体に空隙部を形成することによって、信号配線層にて発生する容量成分を低減でき、パッケージ全体としての容量成分を低減する結果、光−電気信号の変換速度を向上して、光−電気信号を高速に、かつ円滑に授受することができることを知見した。
【０００９】
すなわち、本発明の光半導体素子収納用パッケージは、上面に光半導体素子が搭載される搭載部を有する底板と、前記光半導体素子搭載部を囲むように前記底板表面に取着される枠体と、該枠体の側壁を貫通して形成されるか、または該枠体の側壁に配設された貫通孔に取着され、かつ内部に光信号の伝送線路を挿入するための貫通孔を有する筒状の固定部材と、前記枠体を貫通して形成され、かつ表面に前記光半導体素子と電気的に接続される信号配線層を形成した第１の誘電体と、該第１の誘電体の信号配線層の両端が露出するように前記信号配線層を挟んで前記第１の誘電体と接合され、該第１の誘電体と前記枠体との間に配設される第２の誘電体と、前記第１の誘電体の前記信号配線層を形成した面と反対側の面に形成されたグランド層と、を備えた入出力端子と、前記枠体の上面に取着され、前記光半導体素子を気密に封止する蓋体と、を具備する光半導体素子収納用パッケージであって、前記第１の誘電体の前記信号配線層の露出部の直下に空隙部を形成したことを特徴とするものである。
【００１０】
ここで、前記空隙部を形成した直上の前記信号配線層の実効誘電率が８以下であること、前記第１の誘電体全体の厚み（ｔ1）に対する前記空隙部の厚み（ｔ2）の比（ｔ2／ｔ1）が０．１以上であること、前記第１の誘電体全体の厚み（ｔ1）が０．２５〜１ｍｍであること、前記信号配線層の幅（ｗ2）に対する前記空隙部の幅（ｗ1）の比（ｗ1／ｗ2）が２．５以上であることが望ましい。
【００１１】
【発明の実施の形態】
本発明の光半導体素子収納用パッケージ（以下、光パッケージと略す。）の一例について、その概略断面図である図１および入出力端子の概略斜視図である図２を基に説明する。
【００１２】
図１の光パッケージ１によれば、底板２の上面に、表面に光半導体素子３が搭載された絶縁基体４からなる実装基板５を載置するための載置部２ａを囲繞するように金属製の枠体７が、溶接または半田等の接続部材を介して底板２の表面に取着、固定されている。また、枠体７の上面には光半導体素子（以下、光素子と略す。）３を気密に封止するための蓋体９が配設され、底板２、枠体７および蓋体９によって光素子３が気密に封止されている。
【００１３】
さらに、枠体７の側壁には貫通孔７ａが設けられ、該貫通孔７ａを囲む枠体７の外壁面には、内部に光ファイバ等の光信号の伝送線路（以下、光線路と略す。）１０を挿入するための貫通孔１１ａを有する固定部材１１が接着、固定されて、枠体７の貫通孔７ａと固定部材１１の貫通孔１１ａが連結して配設されている。
【００１４】
そして、固定部材１１の貫通孔１１ａ内に挿入された光線路１０の先端から出力された光信号を光素子３にて受光するように配置されている。なお、光線路１０は固定部材１１の貫通孔１１ａ内に充填される半田等の接着剤１３によって固定部材１１と接着される。
【００１５】
一方、光素子３は、実装基板５に形成された配線回路（図示せず）やワイヤボンディング１５を介して、枠体７の側壁を貫通して形成され、両端が第１の誘電体１６上面から露出するとともに、枠体７の側壁部において第１の誘電体１６と第２の誘電体１７との２つの誘電体１６、１７間に挟持された信号配線層１８の露出部１８ａと接続されている。
【００１６】
また、信号配線層１８は、第１の誘電体１６上にて枠体７の外に形成されたリード端子２０と銀ロウ等のロウ材による接合によって接続されており、リード端子２０によって外部回路（図示せず）と光パッケージ１とが接続されている。
【００１７】
さらに、第１の誘電体１６上面に形成される信号配線層１８は、特に、インダクタンスを小さくする等の理由から光線路１０と同一線上に配置され、かつ誘電体１６、１７との熱膨張差に起因する信号配線層１８への応力の発生を抑制して信号配線層１８を伝送する信号の伝送特性が劣化することを防止するために、第１の誘電体１６上面の中央部に形成され、また、第１の誘電体１６の下面（信号配線層１８を形成する面と反対の底面）には、接地導体層（グランド層）２２が形成されて、信号配線層１８とグランド層２２とによってマイクロストリップ線路が形成されており、また、第１の誘電体１６、第２の誘電体１７、信号配線層１８およびグランド層２２とによって、光パッケージ１の内部と外部を接続する入出力端子２４を形成している。
【００１８】
（空隙部）本発明によれば、上記入出力端子２４において、第１の誘電体１６の信号配線層１８形成部のうち、露出部１８ａの直下に位置する第１の誘電体１６に空隙部２６を形成したことが大きな特徴であり、これによって、信号の伝送特性に関わる空隙部２６を加味した第１の誘電体１６の実効誘電率を小さくでき、信号配線層１８にて発生する容量成分を低減できることから、パッケージ全体１としての容量成分を低減できる。その結果、
Ｔ＝２．１９ＣＲ
（ただし、Ｔ：受光感度を示す立ち上がり値（光信号を電気信号に変換する効率値）、Ｃ：パッケージ（配線全体＋光素子）の容量、Ｒ：（配線全体＋光素子）の抵抗値）で示される光−電気信号の変換速度を向上して、光−電気信号を高速に、かつ円滑に授受することができる。
【００１９】
ここで、空隙部２６の形状は、矩形状、碗状等いずれの形状でもよいが、製造の容易性の点および空隙部の容積を増す上では矩形形状であることが望ましい。また、その角部にはＲ部やテーパーが設けられていてもよい。なお、空隙部２６は第１の誘電体１６の内部に設けられていてもよいが、製造の容易性の点で第１の誘電体１６の底面に切り欠きとして形成されることが望ましい。
【００２０】
また、空隙部２６の厚さ（高さ）は、容量成分の低減の点および第１の誘電体１６の機械的強度を維持する点で、第１の誘電体１６全体の厚み（ｔ1）に対する空隙部２６の厚み（ｔ2）の比（ｔ2／ｔ1）が０．１以上、特に０．３以上、さらに０．５以上であることが望ましい。なお、第１の誘電体１６の厚み（ｔ1）は、容量成分の低減の点および機械的強度を維持する点で、０．２５〜２ｍｍ、特に０．３６〜１ｍｍであることが望ましい。
【００２１】
一方、空隙部２６の幅（ｗ1）は、特に、容量成分の低減の点で信号配線層１８の幅（ｗ2）に対する比（ｗ1／ｗ2）が２．５以上、特に第１の誘電体１６の強度を維持するためには２．５〜３であることが望ましい。
【００２２】
さらには空隙部２６の幅（ｗ1）を第１の誘電体１６の幅（ｗ3）と同じとする、すなわち、空隙部２６の両側端が開放されたものであってもよいが、強度の観点および信号配線層１８を伝送する信号の伝送特性を向上させるためには、第１の誘電体１６の幅方向の断面が凹部をなし、該凹部内が空隙部１８となるように形成される、すなわち、空隙部２６の幅（ｗ1）が第１の誘電体１６の幅（ｗ3）よりも小さく形成されていることが望ましい。
【００２３】
さらに、空隙部２６の長さ（ｄ）は第１の誘電体１６の信号配線層１８形成面の露出部１８ａの長さに依存し、特に、容量の低減、強度の点で空隙部２６の長さ（ｄ）と第１の誘電体１６の信号配線層１８形成面の露出部１８ａの長さと同じであることが望ましい。なお、該露出部１８ａは信号配線層１８と接続されるリード端子２０やワイヤボンディング１５との接続信頼性の点で、例えば、片方の長さが０．５〜２ｍｍ、特に０．８〜１．５ｍｍにて形成されるが、空隙部２６の長さ（ｄ）は０．２〜２ｍｍ、特に０．５〜１．５ｍｍであることが望ましい。なお、２つの露出部１８ａの長さは必ずしも同じである必要はなく、信号配線層１８に接続されるリード端子２０やワイヤボンディング１５との接続状態によって変わりうる。
【００２４】
また、上記空隙部２６を形成することによって、この空隙部２６を加味した第１の誘電体１６の実効誘電率は８以下、特に６以下となり、立ち上がり時間（Ｔ）は空隙部２６を形成しない場合の時間を１００とした時の比率（Ｔｒ比）が５０以下、特に３０以下となる。
【００２５】
一方、底板２は、光素子３を搭載する実装基板４を支持する支持部材として機能し、その材質は、鉄（Ｆｅ）−ニッケル（Ｎｉ）−コバルト（Ｃｏ）合金、銅（Ｃｕ）−タングステン（Ｗ）合金、アルミニウム、Ｃｕ−Ｍｏ、Ｃｕ等の金属材料、またはセラミックスからなる。また、枠体７および蓋体９は、底板２の熱膨張係数に近似する金属、例えば、鉄（Ｆｅ）−ニッケル（Ｎｉ）−コバルト（Ｃｏ）合金等の金属材料またはセラミックスからなり、光素子３を気密に封止するとともに、光素子３等にて発生した熱を外部へ放熱する。
【００２６】
なお、底板２、枠体７、蓋体９およびリード端子２０は、例えば、金属のインゴット（塊）に圧延加工法や打ち抜き加工法等、従来周知の金属加工法を施して形成できる。なお、これらの外表面には耐食性を高め、かつロウ材に対する濡れ性を改善するために、金属メッキ膜、特に厚さ２〜６μｍのニッケルメッキ膜と厚さ０．５〜５μｍの金メッキ膜を順次形成することが望ましい。
【００２７】
そして、底板２と枠体７との間、および枠体７と蓋体９との間は、Ｐｂ系、Ｐｂ−Ｓｎ系、金（Ａｕ）―錫（Ｓｎ）合金、Ａｇ−Ｃｕ系、Ａｕ−Ｇｅ系の半田等の低融点ロウ材にて接合されるか、またはシーム溶接法等の溶接により接合される。なお、底板２、枠体７および蓋体９がセラミックスからなる場合には該セラミックスの表面にメタライズを形成して接合される。
【００２８】
また、固定部材１１は、枠体７に熱膨張係数が近似する、例えば鉄（Ｆｅ）−ニッケル（Ｎｉ）−コバルト（Ｃｏ）合金等の金属材料からなり、その内部の貫通孔１１ａには光ファイバ等の光線路１０が挿入されて、樹脂や半田材等の接着剤により固定部材１１と光線路１０とが固定される。なお、固定部材１１と光線路１０とを半田により接続する場合には、光線路１０の半田濡れ性を高めるために、予め光線路１０の先端部付近の外周面に蒸着法等の薄膜形成法によってＴａ、Ｔｉ、Ｗ、Ｍｏ、Ｃｒ、Ｎｉ、Ｐｂ、Ｓｎ、Ａｕ、Ｐｄの群から選ばれる少なくとも１種のメタライズを施してから光線路１０を固定部材１１内に挿入することが望ましい。
【００２９】
さらに、入出力端子２４を構成する第１の誘電体１６および第２の誘電体１７は、アルミナ（Ａｌ2Ｏ3）、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）、コージェライト、ムライト、石英、ガラスセラミックス等のセラミックスやテフロン等の樹脂が適応可能であるが、中でも、金属製の枠体７との接合性、強度の点で、セラミックスからなることが望ましく、また、熱膨張特性の観点で枠体７との４０〜４００℃における熱膨張係数の差が１０×１０-6／℃以下、特に５×１０-6／℃以下のセラミックスからなることが望ましい。
【００３０】
また、第１の誘電体１６と第２の誘電体１７とは焼成したセラミックス同士を接合してもよいが、寸法精度の向上および製造の容易性の点で焼成によって同時に形成されたものであることが望ましい。
【００３１】
さらに、第１の誘電体１６の表面に形成される信号配線層１８およびグランド層２２は、モリブデン（Ｍｏ）―マンガン（Ｍｎ）、タングステン（Ｗ）、銅（Ｃｕ）、銀（Ａｇ）、パラジウム（Ｐｄ）、白金（Ｐｔ）および金（Ａｕ）の群から選ばれる少なくとも１種の金属を含有する導体層にて形成され、ペーストを塗布して焼成するか、または金属箔等の高純度金属にて形成される。
【００３２】
また、信号配線層１８およびグランド層２２の表面には、耐湿性向上、耐酸化性向上およびリード端子２０、ワイヤボンディング１５または枠体７と電気的な接続を行うために、Ｎｉ、Ｃｕ、Ａｕ等のメッキ膜（図示せず）が形成されることが望ましい。さらに、信号配線層１８は銀ロウ、半田等のロウ材を介してリード端子２０およびワイヤボンディング１５と接続され、また、グランド層２２は枠体７とロウ材等によって接合される。
【００３３】
さらに、絶縁基体４は、アルミナ（Ａｌ2Ｏ3）、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）、コージェライト、ムライト、石英、ガラスセラミックス等のセラミックスやテフロン等の樹脂が適応可能であるが、中でも、金属製の底板２や枠体７との接合性、強度の点で、セラミックスからなることが望ましく、また、熱膨張特性の観点で枠体７との４０〜４００℃における熱膨張係数の差が１０×１０-6／℃以下のセラミックスからなることが望ましい。
【００３４】
また、絶縁基体４の表面（図１によれば側面）に搭載される光素子３は、光線路１０から出射される光信号を効率よく受信する位置に配置される。また、実装基板５はその下面に形成したメタライズ金属層等を介して半田および／または有機樹脂により底板２の載置部２ａに接合される。
【００３５】
（他の形態）
なお、図１によれば、底板２、枠体７および蓋体９は別体として形成したが、本発明はこれに限定されるものではなく、底板と枠体、また枠体と蓋体が一体物として形成されていてもよい。
【００３６】
また、図１によれば、光線路１０を固定する固定部材１１が枠体７の側面に接着された構造であるが、固定部材自体が枠体７の側壁に貫通して形成されていてもよい。
【００３７】
さらに、図１では、光線路１０から出射された光信号を受光する受光素子である光素子３のみが搭載されているが、光素子が複数個搭載されていてもよく、また、逆に光線路に信号を発する発光素子が搭載されていてもよい。なお、本発明によれば、光信号を電気信号に変換する場合に特に有効であるために、光素子として、光線路から出射される信号を受光する受光素子を具備することが望ましい。
【００３８】
【実施例】
まず、鉄−ニッケル−コバルト合金からなり、外表面にニッケルメッキ膜および金メッキ膜を形成した底板、枠体、蓋体、固定部材を準備した。
【００３９】
一方、アルミナ原料粉末に焼結助剤を添加し、かつ適当な有機バインダや溶剤等を添加混合してスラリーを作製し、このスラリーを用いてドクターブレード法によってグリーンシートを形成し、該グリーンシートの所定位置にスクリーン印刷法によって、モリブデン（Ｍｏ）−マンガン（Ｍｎ）およびタングステン（Ｗ）を主成分とするメタライズペーストを用いて所定の配線層を塗布し、これを複数枚積層した後、１６００℃で焼成して光素子を実装する絶縁基板を作製した。
【００４０】
他方、上記グリーンシートにスクリーン印刷法により焼成後の幅が０．５ｍｍとなる信号配線層をなす導体層を形成して第１のグリーンシートを作製し、また、他のグリーンシートの表面にグランド層をなす導体層を形成した後、このグリーンシートに切り欠きを形成してコの字状とした第２のグリーンシートを作製した。さらに、上記グリーンシートを所定形状にカットして第２の誘電体をなす第３のグリーンシートを作製した。そして、第２のグリーンシート−第１のグリーンシート−第３のグリーンシートの順に積層して１６００℃で焼成することにより、図２の入出力端子を作製した。
【００４１】
なお、上記切り欠き（空洞部）の焼成後の形状は、図２に示す形状とし、その具体的な寸法は、第１の誘電体の幅（ｗ3）３ｍｍ、長さ３．５ｍｍ、第２の誘電体の長さ１．５ｍｍ、第２の誘電体の幅については第１の誘電体の幅（ｗ3）と同じとして、第１の誘電体の信号配線層の両端部の露出長さをそれぞれ１．０ｍｍとした。また、空隙部の形状は、幅（ｗ1）１．５ｍｍ、長さ１．０ｍｍを一定として、第１の誘電体全体の厚み（ｔ1）および空隙部の厚み（ｔ2）を表１に示すように変えた入出力端子を作製した。また、焼成後のアルミナセラミックスの誘電率は１０であった。
【００４２】
次に、上記底板の表面に銀ロウによって枠体を接合し、該枠体の側壁の所定位置にドリルまたはパンチングメタルによって２ｍｍφの貫通孔を形成した。そして、該貫通孔形成部の側面に固定部材を銀ロウによって接合するとともに、前記入出力端子を枠体の他の側壁に形成した貫通孔内に配設して銀ロウにより接合した。また、前記底板の所定位置に上記絶縁基体を半田によって接合した。
【００４３】
そして、前記絶縁基体と前記入出力端子の信号配線層とを金からなるワイヤボンディングにて接続するとともに、該信号配線層にＡｇ−Ｃｕ半田を介して鉄−ニッケル−コバルト合金からなり、外表面にニッケルメッキ膜および金メッキ膜を形成したリード端子を接合した。
【００４４】
さらに、前記絶縁基体側面の所定位置に受光用の光半導体素子を実装した後、枠体の上面にシーム接合により蓋体を接合した。また、前記固定部材の貫通孔内に蒸着法によって先端付近の外周面にＴａＮ膜−Ｎｉメッキ膜−Ａｕメッキ膜を順次被着形成した光ファイバを挿入し、半田によって光ファイバと固定部材とを接合、固定することにより、光半導体素子収納用パッケージを作製した。
【００４５】
得られた光パッケージについて、光ファイバから信号を入力し、光電変換パルスパターン測定機によって立ち上がり時間を測定し、空隙を形成しない試料Ｎｏ．１の立ち上がり値を１００として、各形状における立ち上がり値（Ｔｒ値）の比（Ｔｒ比）を算出した。また、誘電体の誘電率（ε＝１０）、第１の誘電体の厚み（ｔ１）、空隙部の厚み（ｔ２）、信号配線層の幅（０．５ｍｍ）、空隙部の幅（ｗ１＝１．５ｍｍ）の形状からシュミレーションによって空隙部を加味した第１の誘電体の実効誘電率を算出した。結果は表１に示した。
【００４６】
【表１】
0004771588.tif 000002
【００４７】
表１の結果から明らかなように、空隙部を形成しない試料Ｎｏ．１、７に比較して空隙部を形成した試料Ｎｏ．２〜６ではいずれも実効誘電率が低下し、Ｔｒ比が１００よりも小さくなる、すなわち立ち上がり時間が短縮できることを確認した。
【００４８】
【発明の効果】
本発明の光半導体収納用パッケージによれば、該入出力端子の信号配線層が露出した部分の直下に位置する誘電体に空隙部を形成することによって、信号配線層にて発生する容量成分を低減でき、パッケージ全体としての容量成分を低減する結果、光−電気信号の変換速度を向上して、光−電気信号を高速に、かつ円滑に授受することができる。
【００４９】
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の光半導体素子収納用パッケージの一例を示す概略断面図である。
【図２】図１の光半導体素子収納用パッケージの入出力端子の構造を説明するための斜視図である。
【図３】従来の光半導体素子収納用パッケージの概略断面図である。
【符号の説明】
１・・・光半導体素子収納用パッケージ（光パッケージ）
２・・・底板
２ａ・・実装基板搭載部
３・・・光半導体素子（光素子）
４・・・絶縁基体
５・・・実装基板
７・・・枠体
７ａ、７ｂ・・貫通孔
９・・・蓋体
１０・・光信号の伝送線路（光線路）
１１・・固定部材
１１ａ・・貫通孔
１３・・接合部材
１５・・ワイヤボンディング
１６・・第１の誘電体
１７・・第２の誘電体
１８・・信号配線層
１８ａ・・露出部
２０・・リード端子
２２・・グランド層
２４・・入出力端子
２６・・空隙部
【図１】
0004771588.tif 000003
【図２】
0004771588.tif 000004
【図３】
0004771588.tif 000005