(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
ガラス基板と、
前記ガラス基板の全面に形成されている抵抗膜と、
該抵抗膜に電圧を印加する共通電極と、
該共通電極に電圧を印加する電圧供給部とを有し、該電圧供給部から該共通電極に電圧を印加し、該共通電極から該抵抗膜に電位を供給することにより、該抵抗膜に電位分布を発生させ、前記抵抗膜の接触位置の電位を検出することにより、前記抵抗膜の接触位置座標を検出する座標検出装置であって、
前記共通電極と前記抵抗膜との間に配置され、前記ガラス基板の周縁部の全周にわたって長方形状に形成され、前記共通電極から前記抵抗膜に電位を供給する電位供給部が形成された共通電極−抵抗膜間絶縁膜を有し、
前記電位供給部は、前記共通電極−抵抗膜間絶縁膜の全周に断続的に形成された開口から構成されており、
前記共通電極は、前記抵抗膜上に、前記開口を埋めるように形成されており、
前記開口は、前記共通電極−抵抗膜間絶縁膜の各辺の中央部では直線形状であり、前記共通電極−抵抗膜間絶縁膜の各辺の両端部では内周方向に湾曲した形状であることを特徴とする座標検出装置。
【請求項２】
ガラス基板と、
前記ガラス基板の全面に形成されている抵抗膜と、
該抵抗膜に電圧を印加する共通電極と、
該共通電極に電圧を印加する電圧供給部と、
該電圧供給部に電圧を供給する配線とを有し、該配線により該電圧供給部に電圧を供給し、該電圧供給部から該共通電極に電圧を印加し、該共通電極から該抵抗膜に電位を供給することにより、該抵抗膜に電位分布を発生させ、前記抵抗膜の接触位置の電位を検出することにより、前記抵抗膜の接触位置座標を検出する座標検出装置であって、
前記配線は、配線−共通電極間絶縁膜を介して前記共通電極上に積層して配置された構成とされており、
前記共通電極と前記抵抗膜との間に配置され、前記ガラス基板の周縁部の全周にわたって長方形状に形成され、前記共通電極から前記抵抗膜に電位を供給する電位供給部が形成された共通電極−抵抗膜間絶縁膜を有し、
前記配線−共通電極間絶縁膜は、前記共通電極−抵抗膜間絶縁膜上に前記共通電極を覆うように形成され、
前記電位供給部は、前記共通電極−抵抗膜間絶縁膜の全周に断続的に形成された開口から構成されており、
前記共通電極は、前記抵抗膜上に、前記開口を埋めるように形成されており、
前記開口は、前記共通電極−抵抗膜間絶縁膜の各辺の中央部では直線形状であり、前記共通電極−抵抗膜間絶縁膜の各辺の両端部では内周方向に湾曲した形状であることを特徴とする座標検出装置。
【請求項３】
前記電位供給部は、前記抵抗膜の電位分布が所定の電位分布となるように、数、及び／又は、大きさが設定されていることを特徴とする請求項１または２記載の座標検出装置。
【請求項４】
前記開口は、端部で前記共通電極と前記抵抗膜との接触面積が多く、中央部で前記共通電極と前記抵抗膜との接触面積が少なくなるように、その数、及び／又は、大きさが設定されていることを特徴とする請求項１または２記載の座標検出装置。
【請求項５】
前記開口は、同一ピッチであり、その長さが前記抵抗膜の電位分布が所定の電位分布となるように、設定されていることを特徴とする請求項１〜４何れかに記載の座標検出装置。
【請求項６】
前記開口は、ピッチが前記抵抗膜の電位分布が所定の電位分布となるように、設定されていることを特徴とする請求項１〜４何れかに記載の座標検出装置。
【請求項７】
前記開口は、配置個数が前記抵抗膜の電位分布が所定の電位分布となるように、設定されていることを特徴とする請求項１〜６何れかに記載の座標検出装置。
【請求項８】
前記開口は、前記共通電極の延在方向に直交する方向に重ねて設けられていることを特徴とする請求項１〜７何れかに記載の座標検出装置。
【請求項９】
前記電位供給部は、低抵抗の導電材を介して前記共通電極と前記抵抗膜とが接続される構成とされていることを特徴とする請求項１〜８何れかに記載の座標検出装置。
【請求項１０】
前記共通電極は、非直線状に配線されていることを特徴とする請求項１〜９何れかに記載の座標検出装置。
【請求項１１】
前記配線は、配線−共通電極間絶縁膜を介して前記共通電極に積層された構造とされていることを特徴とする請求項１０記載の座標検出装置。
【請求項１２】
駆動電極と前記抵抗膜との間に設けられ、前記駆動電極と前記抵抗膜とを絶縁する駆動電極−抵抗膜絶縁膜を有し、
前記駆動電極−抵抗膜絶縁膜は、前記駆動電極から前記抵抗膜に駆動電圧を印加する駆動電圧印加部を有することを特徴とする請求項１〜１１何れかに記載の座標検出装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は座標検出装置に係り、特に、入力位置の座標を検出し、入力位置座標に応じた出力を行なう座標検出装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
例えば、コンピュータシステムの入力デバイスとして、タッチパネルがある。タッチパネルは、ディスプレイ上に搭載されて、ディスプレイ上の座標位置を検出し、ディスプレイ上の座標位置に応じた検出信号を取得できる。
【０００３】
直接入力を可能として、簡単に、かつ、直感的な入力が可能となるタッチパネルがある。
【０００４】
タッチパネルには、抵抗膜方式、光学方式、容量結合方式など種々の方式が提案されている。タッチパネルとしては、構造がシンプルで、制御系も簡単な抵抗膜方式のものが一般的である。抵抗膜方式のタッチパネルには、抵抗膜上への電極の配置の仕方により４線式、５線式、８線式などがある。
【０００５】
このうち、５線式のタッチパネルは、４線式や８線式の抵抗膜方式のタッチパネルと比較して、操作面側に配置される上部基板の導電膜は単に電位読取専用となっているため、４線式や８線式の決定であるエッジ摺動の課題がない。このため、厳しい使用環境や耐久年数を多く望まれる市場で使用されている。
【０００６】
図１２は５線式抵抗膜方式タッチパネルの構成図を示す。
【０００７】
５線式抵抗膜方式タッチパネル１は、上部基板１１と下部基板１２とから構成されている。下部基板１２は、ガラス基板２１上に透明抵抗膜２２が一面に形成し、透明抵抗膜２２上にＸ軸座標検出用電極２３、２４及びＹ軸座標検出用電極２５、２６を形成した構成とされている。上部基板１１は、フィルム基板３１上に透明抵抗膜３２を形成し、透明抵抗膜３２上に座標検出用電極３３を形成した構成されている。
【０００８】
まず、Ｘ軸座標検出用電極２３、２４に電圧を印加することにより、下部基板１２の透明抵抗膜２２にＸ軸方向に電位分布が発生する。このとき、上部基板１１の透明抵抗膜３２の電位を検出することにより、上部基板１１の下部基板１２への接触位置のＸ座標を検出できる。次にＹ軸座標検出用電極２５、２６に電圧を印加することにより、下部基板１２の透明抵抗膜２２にＹ軸方向に電位分布が発生する。このとき、上部基板１１の透明抵抗膜３２の電位を検出することにより、上部基板１１の下部基板１２への接触位置のＹ座標を検出できる。
【０００９】
このとき、この種のタッチパネルでは、下部基板１２の透明抵抗膜２２にいかに均一な電位分布を発生させるかが課題となっている。下部基板１２の透明抵抗膜２２への電位分布を均一にするために電位分布補正パターンを周辺に複数段にわたって設ける方法が提案されている（例えば、特許文献１参照）。
【００１０】
また、入力面の周囲を囲むように共通電極を設ける方法が提案されている（例えば、特許文献２参照）。
【特許文献１】特開平１０−８３２５１号公報
【特許文献２】特開２００１−１２５７２４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１１】
座標入力装置には、搭載装置などの小型化などから狭額化が求められている。しかるに、従来の座標入力装置は、電位分布パターンを周辺に複数段にわたって設ける必要があるため、狭額化が困難であった。
【００１２】
また、入力面の周囲を囲むように共通電極を設ける方法では、透明抵抗膜とパターン抵抗との抵抗比を大きく取らないと透明抵抗膜の電位分布が乱れるなどの問題点があった。
【００１３】
本発明は上記の点に鑑みてなされたもので、狭額化が可能で、座標検出位置の検出精度を向上させることができる座標入力装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１４】
本発明は、ガラス基板と、前記ガラス基板の全面に形成されている抵抗膜と、該抵抗膜に電圧を印加する共通電極と、該共通電極に電圧を印加する電圧供給部とを有し、該電圧供給部から該共通電極に電圧を印加し、該共通電極から該抵抗膜に電位を供給することにより、該抵抗膜に電位分布を発生させ、前記抵抗膜の接触位置の電位を検出することにより、前記抵抗膜の接触位置座標を検出する座標検出装置であって、前記共通電極と前記抵抗膜との間に配置され、前記ガラス基板の周縁部の全周にわたって長方形状に形成され、前記共通電極から前記抵抗膜に電位を供給する電位供給部が形成された共通電極−抵抗膜間絶縁膜を有し、前記電位供給部は、前記共通電極−抵抗膜間絶縁膜の全周に断続的に形成された開口から構成されており、前記共通電極は、前記抵抗膜上に、前記開口を埋めるように形成されており、前記開口は、前記共通電極−抵抗膜間絶縁膜の各辺の中央部では直線形状であり、前記共通電極−抵抗膜間絶縁膜の各辺の両端部では内周方向に湾曲した形状であることを特徴とする。
【発明の効果】
【００１５】
本発明によれば、共通電極と抵抗膜との間に共通電極から抵抗膜に電位を供給する電位供給部が形成された共通電極−抵抗膜間絶縁膜を設けることにより、電位供給部の形状を変えることによって、抵抗膜上での電位分布を所望の分布に設定できる。例えば、抵抗膜上での電位分布が均一となるように電位供給部の形状を設定することによって、座標検出精度を向上させることが可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１６】
〔第１実施例〕
〔システム構成〕
図１は本発明の第１実施例のシステム構成図を示す。
【００１７】
本実施例では、座標入力システム１００として、いわゆる、５線式アナログ抵抗膜方式のタッチパネルについて説明する。本実施例の座標入力システム１００は、パネル部１１１とインタフェースボード１１２から構成されている。
【００１８】
パネル部１１１は、下部基板１２１、上部基板１２２、スペーサ１２３、ＦＰＣケーブル１２４から構成されている。下部基板１２１と上部基板１２２とは、スペーサ１２３を介して接着されている。スペーサ１２３は、絶縁性の両面テープなどから構成され、下部基板１２１と上部基板１２２との間に所定の間隙を持たせつつ、下部基板１２１と上部基板１２２とを接着する。また、ＦＰＣケーブル１２４は、フレキシブルプリント配線板１２４ａ上に第１〜第５の配線１２４ｂ−１〜１２４ｂ−５を形成した構成とされており、下部基板１２１に例えば、異方性導電膜などによって熱圧着され、接続されている。
【００１９】
〔下部基板１２１〕
図２は下部基板１２１の構成図を示す。図２（Ａ）は平面図、図２（Ｂ）はＡ−Ａ断面図、図２（Ｃ）はＢ−Ｂ断面図、図２（Ｄ）はＣ−Ｃ断面図、図２（Ｅ）はＤ−Ｄ断面図を示す。
【００２０】
下部基板１２１は、ガラス基板１３１、透明抵抗膜１３２、第１絶縁膜１３３、共通電極１３４、第２絶縁膜１３５、配線１３６、第３絶縁膜１３７から構成されている。
【００２１】
ガラス基板１３１には、透明抵抗膜１３２が略全面にわたって形成されている。透明抵抗膜１３２は、例えば、ＩＴＯ（indium-tin-oxide）などを蒸着したものであり、光を透過し、かつ、所定の抵抗を持っている。
【００２２】
〔第１の絶縁膜１３３〕
第１絶縁膜１３３は、ガラス基板１３１の周縁部、全周にわたって形成されている。第１の絶縁膜１３３には、開口部１４１が形成されている。開口部１４１は、電位供給部を構成しており、下部基板１２１の全周にわたって形成されている。
【００２３】
〔開口部１４１〕
開口部１４１は、透明抵抗膜１３２と共通電極１３４との接触する面積がパネル部１２１の第１の辺１７１−１、第２の辺１７１−２、第３の辺１７１−３、第４の辺１７１−４の両端部で大きくなり、中央部で小さくなるように形成されている。
【００２４】
図３は開口部１４１の要部の平面図を示す。
【００２５】
開口部１４１は、例えば、図３に示すように、ピッチｐは同一であり、第１の辺１７１−１、第２の辺１７１−２、第３の辺１７１−３、第４の辺１７１−４の両端部で辺方向の長さを長くした構成とされている。
【００２６】
これによって、電位分布が歪みやすい部位である第１の辺１７１−１、第２の辺１７１−２、第３の辺１７１−３、第４の辺１７１−４の両端部で、共通電極１３４の電位の変化を透明抵抗膜１３２に大きく反映できるため、これによって、第１の辺１７１−１、第２の辺１７１−２、第３の辺１７１−３、第４の辺１７１−４の両端部での電位分布の歪を低減して、透明抵抗膜１３２の電位分布を均一にすることができる。これによって、正確な座標検出が可能となる。
【００２７】
なお、開口部１４１の形状は、図３に示すような形状に限定されるものではなく、要は、透明抵抗膜１３２と共通電極１３４との接触する面積がパネル部１２１の第１の辺１７１−１、第２の辺１７１−２、第３の辺１７１−３、第４の辺１７１−４の両端部で大きくなり、中央部で小さくなるように形成されていればよい。
【００２８】
図４は開口部１４１の変形例の要部の平面図を示す。
【００２９】
〔開口部１４１の第１変形例〕
開口部１４１は、図４（Ａ）に示すように、すべて同一の形状のであり、第１の辺１７１−１、第２の辺１７１−２、第３の辺１７１−３、第４の辺１７１−４の両端部でピッチが短く、中央部でピッチが長くなる構成とされている。これによって、第１の辺１７１−１、第２の辺１７１−２、第３の辺１７１−３、第４の辺１７１−４の両端部での電位分布の歪を低減して、透明抵抗膜１３２の電位分布を均一にすることができる。これによって、正確な座標検出が可能となる。
【００３０】
〔開口部１４１の第２変形例〕
また、開口部１４１は、図４（Ｂ）に示すように第１の辺１７１−１、第２の辺１７１−２、第３の辺１７１−３、第４の辺１７１−４の両端部でその形状及び位置が内周方向に湾曲した形状とされている。開口部１４１の形状を第１の辺１７１−１、第２の辺１７１−２、第３の辺１７１−３、第４の辺１７１−４の両端部でその形状が外周方向に湾曲した形状とすることにより、第１の辺１７１−１、第２の辺１７１−２、第３の辺１７１−３、第４の辺１７１−４の両端部での電位分布の歪を低減して、透明抵抗膜１３２の電位分布を均一にすることができる。これによって、正確な座標検出が可能となる。
【００３１】
なお、図４（Ｂ）に破線で示すように開口部１４１を１辺で一つとして、全体の形状を両端部で内周側に湾曲させるようにしてもよい。
【００３２】
さらに、開口部１４１の内周側の辺のみを湾曲させるようにしてもよい。
【００３３】
〔開口部１４１の第３変形例〕
なお、開口部１４１は、図４（Ｃ）に示すように、すべて同一ピッチｐ、同一長さＬであり、第１の辺１７１−１、第２の辺１７１−２、第３の辺１７１−３、第４の辺１７１−４の両端部で幅Ｗが大きく、中央部で幅Ｗが小さくなるように構成とされている。これによって、第１の辺１７１−１、第２の辺１７１−２、第３の辺１７１−３、第４の辺１７１−４の両端部での電位分布の歪を低減して、透明抵抗膜１３２の電位分布を均一にすることができる。これによって、正確な座標検出が可能となる。
【００３４】
〔開口部１４１の第４変形例〕
なお、開口部１４１は、図４（Ｄ）に示すように、すべて同一長さＬ、同一幅Ｗであり、第１の辺１７１−１、第２の辺１７１−２、第３の辺１７１−３、第４の辺１７１−４の両端部で個数が多く、中央部で個数が少なくなるように構成とされている。これによって、第１の辺１７１−１、第２の辺１７１−２、第３の辺１７１−３、第４の辺１７１−４の両端部での電位分布の歪を低減して、透明抵抗膜１３２の電位分布を均一にすることができる。これによって、正確な座標検出が可能となる。
【００３５】
なお、本変形例では、開口部１４１を２重に配置して、個数の調整をしているが、これに限定されるものではなく、３重以上に配置するようにしてもよい。
【００３６】
〔共通電極１３４〕
共通電極１３４は、例えば、Ａｇ−Ｃから構成されており、第１の抵抗膜１３３上に形成されている。このとき、共通電極１３４は、開口部１４１を埋めるように積層し、形成される。
【００３７】
〔第２の絶縁膜１３５〕
第２の絶縁膜１３５は、第１の絶縁膜１３３の上部に共通電極１３４を覆うように積層し、形成されている。第２の絶縁膜１３５には、下部基板１２１の４つの角部に第１〜第４の貫通孔１５１−１〜１５１−４が形成されている。第１〜第４の貫通孔１５１−１〜１５１−４は、電圧供給部を構成している。
【００３８】
〔第１〜第４配線１３６−１〜１３６−４〕
第１の配線１３６−１は、例えば、Ａｇなどの低抵抗材料から構成されており、第２の絶縁膜１３５の上部に、下部基板１２１の第１辺１７１−１に沿って形成されている。このとき、第１の配線１３６−１の一端は、第２の絶縁膜１３５に形成された第１の貫通孔１５１−１を埋めるように形成されている。第１の配線１３６−１の他端は、ＦＰＣケーブル１２４の第１の配線１２４ｂ−１に接続されている。
【００３９】
第２の配線１３６−２は、例えば、Ａｇなどの低抵抗材料から構成されており、第２の絶縁膜１３５の上部に、下部基板１２１の第１辺１７１−１に対向する第２辺１７１−２に沿って形成されている。このとき、第２の配線１３６−２は、第２の絶縁膜１３５に形成された第２の貫通孔１５１−２を埋めるように形成されている。第２の配線１３６−２の他端は、ＦＰＣケーブル１２４の第２の配線１２４ｂ−２に接続されている。
【００４０】
第３の配線１３６−３は、例えば、Ａｇなどの低抵抗材料から構成されており、第２の絶縁膜１３５の上部に、下部基板１２１の第１の辺１７１−１、第２の辺１７１−２に直交する第３の辺１７１−３の第２の辺１７１−２側半分に沿って形成されている。第３の配線１３６−３は、第２の絶縁膜１３５に形成された第３の貫通孔１５１−３を埋めるように形成されている。第３の配線１３６−３の他端は、ＦＰＣケーブル１２４の第３の配線１２４ｂ−３に接続されている。
【００４１】
第４の配線１３６−４は、例えば、Ａｇなどの低抵抗材料から構成されており、第２の絶縁膜１３５の上部に、下部基板１２１の第１の辺１７１−１、第２の辺１７１−２に直交する第３の辺１７１−３の第１の辺１７１−１側半分に沿って形成されている。第４の配線１３６−４は、第２の絶縁膜１３５に形成された第４の貫通孔１５１−３を埋めるように形成されている。第４の配線１３６−４の他端は、ＦＰＣケーブル１２４の第４の配線１２４ｂ−４に接続されている。
【００４２】
第３の絶縁膜１３５は、第２の絶縁膜１３５の上部に第１の配線１３６−１、第２の配線１３６−２、第３の配線１３６−３、第４の配線１３６−４を覆うように形成されている。第３の絶縁膜１３５の上部にスペーサ１２３を介して上部基板１２２が接着される。
【００４３】
〔上部基板１２２〕
図５は上部基板１２２の構成図を示す。
【００４４】
上部基板１２２は、フィルム基板１８１、透明抵抗膜１８２、電極１８３から構成されている。
【００４５】
フィルム基板１８１は、例えば、ＰＥＴなどの可撓性を有する樹脂フィルムから構成されている。フィルム基板１８１の下部基板１２１に対向する側の面には、その全面にわたって透明抵抗膜１８２が形成されている。透明抵抗膜１８２は、ＩＴＯなどの透明導電材から構成されている。電極１８３は、上部基板１２２の透明抵抗膜１８２上、矢印Ｘ１方向の端部に配置されており、コンタクト１８４を介して下部基板１２１に接続されたＦＰＣケーブル１２４の第５の配線１２４ｂ−５に接続されている。この上部基板１２２の電位をインタフェースボード１１２により検出することにより座標位置が検出される。
【００４６】
〔動作〕
図６はインタフェースボード１１２の処理フローチャート、図７は下部基板１２１の電位分布を示す図を示す。図７（Ａ）はＸ座標検出時、図７（Ｂ）はＹ座標検出時の電位分布を示す。
【００４７】
インタフェースボード１１２は、ステップＳ１−１で第１の配線１３６−１及び第２の配線１３６−２に電圧Ｖｘを印加し、第３の配線１３６−３、第４の配線１３６−４を接地する。これによって、透明抵抗膜１３２に、図７（Ａ）に破線で示すような均等な電界分布を発生させることができる。なお、従来の電位分布は、図５（Ａ）に一点鎖線で示すように歪んでいた。よって、本実施例によれば、正確なＸ座標検出が可能となる。
【００４８】
インタフェースボード１１２は、ステップＳ１−２で上部基板１２２の電位を検出し、ステップＳ１−３で上部基板１２２の電位に応じてＸ座標を検出する。
【００４９】
次に、インタフェースボード１１２は、ステップＳ１−４で第１の配線１３６−１及び第４の配線１３６−４に電圧Ｖｙを印加し、第２の配線１３６−２、第３の配線１３６−３を接地する。これによって、透明抵抗膜１３２に、図７（Ｂ）に破線で示すような均等な電界分布を発生させることができる。なお、従来の電位分布は、図７（Ｂ）に一点鎖線で示すように歪んでいた。よって、本実施例によれば、正確なＹ座標検出が可能となる。
【００５０】
インタフェースボード１１２はステップＳ１−５で上部基板１２２の電位を検出し、ステップＳ１−６で上部基板１２２の電位に応じてＹ座標を検出する。
【００５１】
〔効果〕
本実施例によれば、共通電極１３４上に配線１３６−１〜１３６−４を積層した構成とされているため、パネル部１２１を狭額化することができる。
【００５２】
また、開口部１４１により下部基板１２１の透明抵抗膜１３２に、Ｘ軸座標検出時又はＹ座標検出時に印加される電位分布を検出領域で均等にできるため、正確な座標検出可能となる。
【００５３】
〔第１変形例〕
本変形例は下部基板１２１の構成が第１実施例とは相違している。
【００５４】
図８は下部基板１２１の第１変形例の構成図を示す。
【００５５】
本変形例の下部基板３１１は、開口部１４１に、Ａｇなどの低抵抗材料からなる低抵抗層３２１を形成した構成とされている。これによって、透明抵抗膜１３２と共通電極１３５とが低抵抗層３２１を介して接続される。よって、透明抵抗膜１３２との接触を安定化することができる。
【００５６】
また、透明抵抗膜１３２との接触を安定化することにより、共通電極１３５の抵抗値を高めることができる。よって、消費電流を低減できるため、消費電力を低減できるようになる。
【００５７】
〔第２変形例〕
本変形例は下部基板１２１の構成が第１変形例とは相違している。
【００５８】
図９は下部基板１２１の第１変形例の構成図を示す。
【００５９】
本変形例の下部基板４１１は、共通電極４２１の形状が第１実施例とは相違している。本変形例の共通電極４２１は、開口部１４１の間で外周側に折曲された構成とされている。共通電極４２１を折曲することにより共通電極４２１の距離が稼げるため、共通電極４２１の抵抗を大きくできる。これによって、よって、消費電流を低減できるため、消費電力を低減できるようになる。
【００６０】
〔第３変形例〕
本変形例は下部基板４１１の構成が第２変形例とは相違している。
【００６１】
図１０は下部基板１２１の第３変形例の構成図を示す。
【００６２】
本変形例の下部基板５１１は、第２の変形例において、開口部１４１に、Ａｇなどの低抵抗材料からなる低抵抗層５２１を形成した構成とされている。これによって、透明抵抗膜１３２と共通電極１３５とが低抵抗層３２１を介して接続される。よって、透明抵抗膜１３２との接触を安定化することができる。
【００６３】
また、透明抵抗膜１３２との接触を安定化することにより、共通電極４２１の抵抗値を高めることができる。よって、消費電流を低減できるため、消費電力を低減できるようになる。
【００６４】
〔その他〕
なお、上記実施例では、５線式抵抗膜方式アナログタッチパネルについて説明したが、これに限定されるものではなく、４線式抵抗膜方式、７線式抵抗膜方式などの他のタッチパネルにも適用可能である。
【００６５】
〔製造工程〕
次に下部基板１２１の製造プロセスについて説明する。
【００６６】
図１１は下部基板１２１の製造プロセスを説明するための図を示す。
【００６７】
まず、図１１（Ａ）に示すようにガラス基板１３１上にＩＴＯなどの透明抵抗膜１３２をスパッタリング、真空蒸着によって形成する。
【００６８】
次に、図１１（Ｂ）に示すように開口部１４１を有する第１の絶縁膜１３３をパターン印刷し、ベークする。
【００６９】
次に、図１１（Ｃ）に示すように第１の絶縁膜１３３上にＡｇＣからなる共通電極１３４を印刷し、ベークする。このとき、開口部１４１も共通電極１３４が形成され、共通電極１３４が開口部１４１を介して透明抵抗膜１３２に接続される。
【００７０】
次に、図１１（Ｄ）に示すように第１〜第４の貫通孔１５１−１〜１５１−４を有する第２の絶縁膜１３５をパターン印刷し、ベークする。
【００７１】
次に、図１１（Ｅ）に示すように第２の絶縁膜１３５上にＡｇからなる第１乃至第４の配線１３６−１〜１３６−４をパターン印刷し、ベークする。次に、図１１（Ｆ）に示すように第３の絶縁膜１３７をパターン印刷し、ベークする。
【００７２】
以上により下部基板１２１が完成する。
【００７３】
なお、開口部１４１に銀などの低抵抗材料からなる低抵抗層３２１を形成する場合には、図１１（Ｂ）に示す工程の後に、銀などの低抵抗材料を開口部１４１に対応する部分に印刷し、ベークする。
【図面の簡単な説明】
【００７４】
【図１】本発明の一実施例のシステム構成図である。
【図２】パネル部１１１の構成図である。
【図３】開口部１４１の要部の平面図である。
【図４】開口部１４１の変形例の要部の平面図である。
【図５】上部基板１２２の構成図である。
【図６】インタフェースボード１１２の処理フローチャートである。
【図７】下部基板１２１の電位分布を示す図である。
【図８】下部基板１２１の第１変形例の構成図である。
【図９】下部基板１２１の第１変形例の構成図である。
【図１０】下部基板１２１の第３変形例の構成図である。
【図１１】下部基板１２１の製造プロセスを説明するための図である。
【図１２】５線式抵抗膜方式タッチパネルの構成図である。
【符号の説明】
【００７５】
１００  座標入力システム
１１１  パネル部、１１２  インタフェースボード
１２１  下部基板、１２２  上部基板、１２３  スペーサ、１２４  ＦＰＣケーブル
１３１  ガラス基板、１３２  透明抵抗膜、１３３  第１の絶縁膜、１３４  共通電極
１３５  第２の絶縁膜、１３６−１〜１３６−４  配線、１３７  第３の絶縁膜
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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