(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
導電性支持体上に感光層が形成されており、正負両極性の光感度を有する電子写真感光体において、
該感光層は、電荷発生材料及び一般式
【化２】
0004836690.tif 000041
（式中、Ｒ１及びＲ２は、それぞれ独立に、水素原子、置換又は無置換のアルキル基、置換又は無置換のシクロアルキル基及び置換又は無置換のアラルキル基からなる群より選択される基であり、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５、Ｒ６、Ｒ７、Ｒ８、Ｒ９及びＲ１０は、それぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、アミノ基、水酸基、置換又は無置換のアルキル基、置換又は無置換のシクロアルキル基及び置換又は無置換のアラルキル基からなる群より選択される基である。）
で表される電子輸送材料を含有し、
２３℃、５５％ＲＨの環境において、当該電子写真感光体を表面電位が８００Ｖ及び−８００Ｖになるように帯電させた後、波長が７８０ｎｍの単色光で露光して表面電位が１／２になるのに要する単位表面積当たりの露光エネルギーを、それぞれＥ１／２（正）［μＪ／ｃｍ２］及びＥ１／２（負）［μＪ／ｃｍ２］とすると、式
０．５≦Ｅ１／２（負）／Ｅ１／２（正）≦３
を満たすことを特徴とする電子写真感光体。
【請求項２】
前記電荷発生材料は、フタロシアニンであることを特徴とする請求項１に記載の電子写真感光体。
【請求項３】
前記フタロシアニンは、チタニルフタロシアニンであることを特徴とする請求項２に記載の電子写真感光体。
【請求項４】
前記チタニルフタロシアニンは、Ｃｕ−Ｋα線（波長１．５４２Å）に対するブラッグ角２θの回折ピーク（±０．２゜）として、２７．２°に最大のピークを有し、９．４゜、９．６゜及び２４．０゜にピークを有し、７．３゜に最も低角側のピークを有し、該７．３゜のピークと該９．４゜のピークの間にピークを有さないことを特徴とする請求項３に記載の電子写真感光体。
【請求項５】
前記感光層は、一般式
【化４】
0004836690.tif 000042
（式中、Ｒ１５及びＲ１６は、それぞれ独立に、水素原子、置換又は無置換のアルキル基、置換又は無置換のシクロアルキル基及び置換又は無置換のアラルキル基からなる群より選択される基であり、Ｒ１７、Ｒ１８、Ｒ１９及びＲ２０は、それぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、アミノ基、水酸基、置換又は無置換のアルキル基、置換又は無置換のシクロアルキル基及び置換又は無置換のアラルキル基からなる群より選択される基である。）
で表される電子輸送材料をさらに含有することを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載の電子写真感光体。
【請求項６】
請求項１乃至５のいずれか１項に記載の電子写真感光体と、
該電子写真感光体を帯電させる帯電手段と、
該帯電した電子写真感光体に像露光して、静電潜像を形成する像露光手段と、
該電子写真感光体に形成された静電潜像をトナーで現像してトナー画像を形成する現像手段と、
該電子写真感光体上に形成されたトナー画像を記録材上に転写する転写手段を有することを特徴とする画像形成装置。
【請求項７】
前記帯電手段は、前記電子写真感光体を正に帯電させることを特徴とする請求項６に記載の画像形成装置。
【請求項８】
前記帯電手段は、前記電子写真感光体を負に帯電させることを特徴とする請求項６に記載の画像形成装置。
【請求項９】
前記転写手段は、形状がローラー状又はベルト状であることを特徴とする請求項６乃至８のいずれか１項に記載の画像形成装置。
【請求項１０】
複数の前記電子写真感光体を有し、
それぞれの前記電子写真感光体上に形成された単色のトナー画像を順次重ね合わせてカラー画像を形成することを特徴とする請求項６乃至９のいずれか１項に記載の画像形成装置。
【請求項１１】
前記転写手段は、前記電子写真感光体上に形成されたトナー画像を中間転写体上に一次転写した後、該中間転写体上に一次転写されたトナー画像を前記記録材上に二次転写し、
それぞれの前記電子写真感光体上に形成された単色のトナー画像を前記中間転写体上に順次重ね合わせてカラー画像を形成することを特徴とする請求項１０に記載の画像形成装置。
【請求項１２】
請求項１乃至５のいずれか１項に記載の電子写真感光体を有することを特徴とするプロセスカートリッジ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、コピー、プリンター、ファクシミリなどに用いられる電子写真感光体、画像形成装置及びプロセスカートリッジに関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、電子写真方式を用いた情報処理システム機の発展は目覚ましいものがある。特に情報をデジタル信号に変換して、光によって情報記録を行なう光プリンターは、そのプリント品質、信頼性において向上が著しい。このデジタル記録技術は、プリンターのみならず通常の複写機にも応用され、いわゆるデジタル複写機が開発されている。また、従来からあるアナログ複写にこのデジタル記録技術を搭載した複写機は、種々様々な情報処理機能が付加されるため、今後その需要性が益々高まっていくと予想される。さらに、パーソナルコンピュータの普及、及び性能の向上にともない、画像及びドキュメントのカラー出力を行うためのデジタルカラープリンタの進歩も急激に進んでいる。
【０００３】
画像形成装置に用いられる電子写真感光体は有機感光体と無機感光体に大別されるが、有機感光体は、従来の無機感光体に比べて製造が容易であり、コストが安く、電荷輸送材料、電荷発生材料、結着樹脂等の感光体材料の選択肢が多様で、機能設計の自由度が高いという利点を有することから、近年、広く用いられている。
【０００４】
有機感光体には、電荷輸送材料（ホール輸送剤、電子輸送材料）を電荷発生材料とともに同一の感光層中に分散させた単層型感光体と、電荷発生材料を含有する電荷発生層と電荷輸送材料を含有する電荷輸送層とを積層した積層型感光体とがある。
【０００５】
積層感光体では、負帯電型のものがほとんどであり、正帯電の積層型感光体は実用化には至っていない。その理由は、電子輸送能に優れ、毒性が少なく、バインダー樹脂との相溶性の高い電子輸送材料が実用化されていないためである。一方、一般に単層型感光体は正負両極性の感度を有するが、電子輸送材料の電子輸送能が低いため、ほとんどが正帯電で使用されている。
【０００６】
一般に、電子写真方式を利用した画像形成装置は、感光体を帯電し（主帯電工程）、画像露光して静電潜像を形成し（露光工程）、この静電潜像をトナー現像し（現像工程）、形成されるトナー像を転写媒体に転写し（転写工程）、定着して画像形成を行う。また、感光体上の残留トナーはクリーニングブレード等によりクリーニングされ（クリーニング工程）、感光体上の残留電荷は除電ランプ等により消去される（除電工程）。帯電工程で感光体に印加される帯電極性と同極性のトナーを使用して現像する反転現像方式は、デジタル画像形成装置に広く使用されている。
【０００７】
電子写真感光体を反転現像式デジタル画像形成装置に使用した場合、転写工程で感光体に印加される転写電圧の極性は感光体の帯電極性と逆極性となる。通常、転写工程では感光体に直接印加せず転写媒体（紙）を介して印加され、転写媒体が転写工程を通過しないときは印加されないが、転写電圧のＯＮ／ＯＦＦタイミングの制御が難しく、転写媒体の先後端部については感光体に直接印加される部分が発生してしまうことが多い。すなわち、転写媒体の先端が転写手段の位置に来る前に、転写電圧が印加され始め、また、転写媒体の後端の通過により転写手段の一部が露出されてもなお、転写電圧が印加され続けるため、当該部分は前記感光体に転写電圧が直接印加されることになる。
【０００８】
このため、例えば正帯電単層型感光体の場合、転写装置で印加される電圧の極性は負であるため、負電圧が印加された感光体部分には負の空間電荷が残存してしまう。先述したように、単層型感光体は両極性に感度を有するため、次の除電工程において負の空間電荷が消去される。
【０００９】
ところが、前記正帯電単層型感光体の負極性に対する感度が悪い（電子輸送材料の電子輸送能が悪い）場合、負の空間電荷が十分に消去されず、次の帯電工程で正帯電されても空間電荷の影響で電位低下が引き起こされることになる。
【００１０】
帯電電位低下の結果、露光工程において露光後電位の電位低下が発生し、トナー現像後、当該部分の画像濃度が濃くなってしまうという画像不具合（転写メモリー画像）が発生する。
【００１１】
単層型感光体は、露光工程、現像工程を経て、通常は、除電工程で一様に感光体表面の電荷が消去された後、次帯電工程において均一に正帯電される。
しかし、正帯電単層型感光体の帯電と逆極性の感度が悪い場合、像露光部分の方が非露光部分に比較して、帯電極性と逆の空間電荷密度が大きくなり、次帯電工程で帯電電位低下が生じ、像露光メモリー画像が発生し易くなる。除電工程を有さない画像形成装置において使用する場合には、感光体表面が一様に露光されないため、像露光メモリー画像における露光部と非露光部との濃度差は更に顕著になりやすい。
【００１２】
このような課題に対し、特許文献１、特許文献２、特許文献３、特許文献４では、単層型感光体の構成材料種、正負光感度の差の範囲を特定のものとする技術の開示例が認められるが、何れも電子輸送材料の電子輸送能が十分ではなく、それに起因する転写及び像露光による画像不具合を防止するには不十分である。
【００１３】
また、転写メモリー画像に対して、転写手段を特定の構成、条件にして画像不具合を防止、低減する例（特許文献５、特許文献６、特許文献７、特許文献８、特許文献９）も開示されているが、複雑な機構の転写手段を必要としコンパクト化、低コスト化が困難なものであったり、トナーの転写効率を犠牲にするものであったり、また、トナー転写チリが発生しやすいものであったりして、根本的な転写メモリー防止技術として不十分である。
【００１４】
以上のように、正負両極性の光感度を有する電子写真感光体の転写、露光による画像不具合を防止、低減する技術に関しては満足な結果が得られていないのが現状である。
【特許文献１】特許第３５３２８０８号公報
【特許文献２】特開２００１―２５５６７８号公報
【特許文献３】特許第３６３８５００号公報
【特許文献４】特開２００１―３１２０７５号公報
【特許文献５】特開平１１―２４４４６号公報
【特許文献６】特開２０００―２４２０８９号公報
【特許文献７】特開２００１―２１５８１８号公報
【特許文献８】特開２００２―４９１９４号公報
【特許文献９】特許第３５３８３８９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１５】
本発明は、かかる現状に鑑みてなされたものであり、従来における正負両極性の光感度を有する電子写真感光体の転写、露光による画像不具合を解決し、以下の目的を達成することを課題とする。本発明は、正負両極性の光感度を有する電子写真感光体を用いた画像形成装置において、転写及び露光によるメモリー画像の発生を防止し、長期にわたる画像形成の繰返しにおいても、高品位な画像を出力できる電子写真感光体、画像形成装置及びプロセスカートリッジを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１６】
発明者らは上記課題を解決するために鋭意検討した結果、正負両極性の光感度を有する電子写真感光体を用いた画像形成装置において、感光層に電子輸送能に優れた従来にない新規な電子輸送材料を含み、該感光体の正負各極性における光感度の比をある範囲にした感光体を用いることにより、転写、像露光メモリーを発生することなく、長期にわたり高品位な画像を出力できる画像形成装置を提供できることを見いだした。
【００１７】
具体的には、電子写真感光体が下記一般式１又は一般式１―Ａの電子輸送材料を含有し、前記電子写真感光体が正負両極性の光感度を有し、それぞれの極性での光感度Ｅ１／２（正）、Ｅ１／２（負）の比Ｅ１／２（負）／Ｅ１／２（正）が０．５〜３である感光体を用いることにより、転写及び像露光メモリー画像の発生を防止できる。
（ここで、Ｅ１／２は、室温（２３℃、５５％ＲＨ）において、電子写真感光体を±８００Ｖ帯電後、波長７８０ｎｍの単色光で露光して表面電位が１／２になるのに要する感光層表面１ｃｍ２あたりの露光エネルギー（μＪ／ｃｍ２））
〈一般式１〉
【００１８】
【化５】
0004836690.tif 000002
｛但し、上記一般式中、Ｒ１、Ｒ２は、それぞれ独立に水素原子、置換又は無置換のアルキル基、置換又は無置換のシクロアルキル基、置換又は無置換のアラルキル基からなる群より選ばれる基を表し、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５、Ｒ６、Ｒ７、Ｒ８、Ｒ９、Ｒ１０はそれぞれ独立に水素原子、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、アミノ基、水酸基、置換又は無置換のアルキル基、置換又は無置換のシクロアルキル基、置換又は無置換のアラルキル基からなる群より選ばれる基を表す。｝
〈一般式１―Ａ〉
【００１９】
【化６】
0004836690.tif 000003
｛ただし、式中、Ｒ１、Ｒ２は、それぞれ独立に水素原子、置換又は無置換のアルキル基、置換又は無置換のシクロアルキル基、置換又は無置換のアラルキル基からなる群より選ばれる基を表し、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５、Ｒ６、Ｒ７、Ｒ８、Ｒ９、Ｒ１０、Ｒ１１、Ｒ１２、Ｒ１３、Ｒ１４はそれぞれ独立に水素原子、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、アミノ基、水酸基、置換又は無置換のアルキル基、置換又は無置換のシクロアルキル基、置換又は無置換のアラルキル基からなる群より選ばれる基を表し、ｎは繰り返し単位であり、１から１００までの整数を表す。｝
本発明に用いられる一般式１又は一般式１―Ａで表される化合物は非常に優れた電子輸送性を示すため、感光層に電子輸送材料として含有させることで、従来の単層型感光体の欠点であった負帯電感度を飛躍的に向上させることが可能となる。従って、先述したように、転写及び像露光時に生じる逆極性の空間電荷を著しく低減することが可能となり、メモリー画像が防止できることになる。
【００２０】
一方、一般式１又は一般式１―Ａで表される電子輸送能に優れた電子輸送材料を用いても、正帯電、負帯電感度は感光層の材料構成比によりそれぞれ変化するため、正負の光感度（Ｅ１／２）の比が０．５〜３（０．５以上３以下）の範囲になるように材料構成比を選択することが必要である。このようにすることで、転写及び像露光によって生じた負の空間電荷による帯電低下量を非常に小さくでき、結果、メモリー画像の発生なく長期にわたり高品位な画像を得ることできる画像形成装置が提供可能となる。
【００２１】
また、本発明の感光体は、電子輸送能が大きく向上している電子輸送材料を含有させているため、転写後の除電工程があってもなくても良好な結果が得られる。
【００２２】
さらに電荷発生材料においても特定の材料を用いることにより感度が向上する。本発明においては電荷発生材料として公知の材料を用いることが可能であるが、中でもフタロシアン構造のものが本発明で用いられる電荷輸送材料との組合せ上好ましい。
【００２３】
その中でも特に中心金属としてチタンを有する下記構造式（１）に示すようなチタニルフタロシアニンとすることによって、特に感度が高い感光体とすることが出来、画像形成装置としての高速化をよりいっそうはかることが可能となる。
【００２４】
構造式（１）
【００２５】
【化７】
0004836690.tif 000004
チタニルフタロシアニンの合成法や電子写真特性に関する文献としては、例えば特開昭５７―１４８７４５号公報、特開昭５９―３６２５４号公報、特開昭５９―４４０５４号公報、特開昭５９―３１９６５号公報、特開昭６１―２３９２４８号公報、特開昭６２―６７０９４号公報などが挙げられる。また、チタニルフタロシアニンには種々の結晶系が知られており、特開昭５９―４９５４４号公報、特開昭５９―１６６９５９号公報、特開昭６１―２３９２４８号公報、特開昭６２―６７０９４号公報、特開昭６３―３６６号公報、特開昭６３−１１６１５８号公報、特開昭６３―１９６０６７号公報、特開昭６４―１７０６６号公報、特開２００１―１９８７１号公報等に各々結晶形の異なるチタニルフタロシアニンが記載されている。
【００２６】
これらの結晶形のうち、ブラッグ角２θの２７．２°に最大回折ピークを有するチタニルフタロシアニンが特に優れた感度特性を示し、良好に使用される。特に、特開２００１―１９８７１号公報に記載されている２７．２°に最大回析ピークを有し、更に９．４゜、９．６゜、２４．０゜に主要なピークを有し、かつ最も低角側の回析ピークとして７．３°にピークを有し、該７．４゜のピークと９．４゜のピークの間にピークを有さないチタニルフタロシアニンを用いることで、高感度を失うことなく、繰り返し使用しても帯電性の低下を生じない安定した電子写真感光体を得ることができる。
【００２７】
更に、本発明の感光体は、従来の正帯電型感光体に比べ、負極性での感度特性が向上しているため、負帯電プロセスでも使用可能である。単層型感光体はその層構成や製造のしやすさから、積層型感光体と比べ低コストであるため、従来から広く普及している負帯電プロセスで積層型感光体を用いた反転現像システムと本発明の単層型感光体を組み合わせることにより、画像形成装置の低コスト化が可能となる。
【００２８】
即ち本発明は以下の態様からなる。
【００２９】
（１）少なくとも導電性支持体上に感光層を有する電子写真感光体において、該感光層中に電荷発生材料と下記一般式１―Ｚで表される電子輸送材料を含み、該電子写真感光体が正負両極性の光感度を有し、それぞれの極性での光感度Ｅ１／２（正）、Ｅ１／２（負）の比Ｅ１／２（負）／Ｅ１／２（正）が０．５〜３であることを特徴とする電子写真感光体。
【００３０】
〈一般式１―Ｚ〉
【００３１】
【化８】
0004836690.tif 000005
｛ただし、上記一般式中、Ｒ１、Ｒ２は、それぞれ独立に水素原子、置換又は無置換のアルキル基、置換又は無置換のシクロアルキル基、置換又は無置換のアラルキル基からなる群より選ばれる基を表し、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５、Ｒ６はそれぞれ独立に水素原子、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、アミノ基、水酸基、置換又は無置換のアルキル基、置換又は無置換のシクロアルキル基、置換又は無置換のアラルキル基からなる群より選ばれる基を表し、ｎは繰り返し単位であり、２から１０２までの整数を表す。｝
（２）少なくとも導電性支持体上に感光層を有する電子写真感光体において、該感光層中に電荷発生材料と下記一般式１で表される電子輸送材料を含み、該電子写真感光体が正負両極性の光感度を有し、それぞれの極性での光感度Ｅ１／２（正）、Ｅ１／２（負）の比Ｅ１／２（負）／Ｅ１／２（正）が０．５〜３であることを特徴とする電子写真感光体。
【００３２】
（ここで、Ｅ１／２は電子写真感光体を±８００Ｖ帯電後、波長７８０ｎｍの単色光で露光して表面電位が１／２になるのに要する感光体表面１ｃｍ２あたりの露光エネルギー（μＪ／ｃｍ２））
〈一般式１〉
【００３３】
【化９】
0004836690.tif 000006
｛但し、上記一般式中、Ｒ１、Ｒ２は、それぞれ独立に水素原子、置換又は無置換のアルキル基、置換又は無置換のシクロアルキル基、置換又は無置換のアラルキル基からなる群より選ばれる基を表し、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５、Ｒ６、Ｒ７、Ｒ８、Ｒ９、Ｒ１０はそれぞれ独立に水素原子、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、アミノ基、水酸基、置換又は無置換のアルキル基、置換又は無置換のシクロアルキル基、置換又は無置換のアラルキル基からなる群より選ばれる基を表す。｝
（３）少なくとも導電性支持体上に感光層を有する電子写真感光体において、該感光層中に電荷発生材料と下記一般式１―Ａで表される電子輸送材料を含み、該電子写真感光体が正負両極性の光感度を有し、それぞれの極性での光感度Ｅ１／２（正）、Ｅ１／２（負）の比Ｅ１／２（負）／Ｅ１／２（正）が０．５〜３であることを特徴とする電子写真感光体。
【００３４】
〈一般式１―Ａ〉
【００３５】
【化１０】
0004836690.tif 000007
｛ただし、式中、Ｒ１、Ｒ２は、それぞれ独立に水素原子、置換又は無置換のアルキル基、置換又は無置換のシクロアルキル基、置換又は無置換のアラルキル基からなる群より選ばれる基を表し、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５、Ｒ６、Ｒ７、Ｒ８、Ｒ９、Ｒ１０、Ｒ１１、Ｒ１２、Ｒ１３、Ｒ１４はそれぞれ独立に水素原子、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、アミノ基、水酸基、置換又は無置換のアルキル基、置換又は無置換のシクロアルキル基、置換又は無置換のアラルキル基からなる群より選ばれる基を表し、ｎは繰り返し単位であり、１から１００までの整数を表す。｝
（４）前記電荷発生材料がフタロシアニンであることを特徴とする前記第（１）項乃至第（３）項のいずれか１項に記載の電子写真感光体。
【００３６】
（５）前記フタロシアニンがチタニルフタロシアニンであることを特徴とする前記第（４）項記載の電子写真感光体。
【００３７】
（６）前記チタニルフタロシアニンがＣｕ―Ｋα線（波長１．５４２Å）に対するブラッグ角２θの回折ピーク（±０．２゜）として、少なくとも２７．２°に最大回折ピークを有し、更に９．４゜、９．６゜、２４．０゜に主要なピークを有し、かつ最も低角側の回折ピークとして７．３゜にピークを有し、７．３゜のピークと９．４゜のピークの間にピークを有さないことを特徴とする前記第（５）項に記載の電子写真感光体。
【００３８】
（７）前記電子輸送材料に加えて、さらに下記一般式１―Ｂで表される電子輸送材料を含有することを特徴とする前記第（１）項乃至第（６）項のいずれか１項に記載の電子写真感光体。
【００３９】
〈一般式１―Ｂ〉
【００４０】
【化１１】
0004836690.tif 000008
｛式中、Ｒ１５、Ｒ１６は、それぞれ独立に水素原子、置換又は無置換のアルキル基、置換又は無置換のシクロアルキル基、置換又は無置換のアラルキル基からなる群より選ばれる基を表し、Ｒ１７、Ｒ１８、Ｒ１９、Ｒ２０はそれぞれ独立に水素原子、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、アミノ基、水酸基、置換又は無置換のアルキル基、置換又は無置換のシクロアルキル基、置換又は無置換のアラルキル基からなる群より選ばれる基を表す。｝
（８）少なくとも電子写真感光体と、該電子写真感光体を帯電する帯電手段と、帯電後に像露光を行って静電潜像を形成する像露光手段と、該静電潜像を現像する現像手段と、現像像を転写する手段とを有する画像形成装置において、該電子写真感光体が前記第（１）乃至（７）のいずれか１項に記載の電子写真感光体であることを特徴とする画像形成装置。
【００４１】
（９）正帯電で帯電プロセスを行うことを特徴とする前記第（８）項に記載の画像形成装置。
【００４２】
（１０）正帯電で帯電プロセスを行うことを特徴とする前記第（８）項に記載の画像形成装置。
【００４３】
（１１）転写手段の形状が、ローラー又はベルト状であることを特徴とする前記第（８）項乃至第（１０）項のいずれか１項に記載の画像形成装置。
【００４４】
（１２）前記画像形成装置が複数の電子写真感光体を具備してなり、それぞれの電子写真感光体上に現像された単色のトナー画像を順次重ね合わせてカラー画像を形成することを特徴とする前記第（８）項乃至第（１１）項のいずれか１項に記載の画像形成装置。
【００４５】
（１３）前記画像形成装置が電子写真感光体上に現像されたトナー画像を中間転写体上に一次転写したのち、該中間転写体上のトナー画像を記録材上に二次転写する中間転写手段を有する画像形成装置であって、複数色のトナー画像を中間転写体上に順次重ね合わせてカラー画像を形成し、該カラー画像を記録材上に一括で二次転写することを特徴とする前記第（８）項乃至第（１２）項のいずれか１項に記載の画像形成装置。
【００４６】
（１４）少なくとも電子写真感光体を具備してなる画像形成装置用プロセスカートリッジであって、前記第（８）項乃至第（１３）項のいずれか１項に記載の画像形成装置に用いられる画像形成装置用プロセスカートリッジ。
【発明の効果】
【００４７】
本発明によれば、正負両極性の光感度を有する電子写真感光体を用いた画像形成装置において、転写、露光による画像不具合（メモリー画像）の発生がなく、長期にわたり高品位な画像を出力することができる画像形成装置を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００４８】
以下図面に沿って本発明で用いられる電子写真装置を説明する。なおいずれの図面においても感光体は本発明の要件を満たす電子写真感光体である。
【００４９】
図１は、本発明における電子写真装置の画像形成要素の一例を説明するための概略図であり、後述するような変形例も本発明の範疇に属するものである。
【００５０】
図１において、感光体１１は、本発明の要件を満たす電子写真感光体である。
【００５１】
感光体１１はドラム状の形状を示しているが、シート状、エンドレスベルト状のものであっても良い。
【００５２】
帯電手段１２は、コロトロン、スコロトロン、固体帯電器（ソリッド・ステート・チャージャー）、帯電ローラーを始めとする公知の手段が用いられる。
【００５３】
転写手段１６には、一般に上記の帯電器を使用できるが、ローラー又はシート状の転写手段が効果的である。
【００５４】
また、１３は露光手段を表し、半導体レーザー（ＬＤ）、発光ダイオード（ＬＥＤ）などを用いることが出来る。また場合によっては所望の波長域の光のみを照射するために、シャープカットフィルター、バンドパスフィルター、近赤外カットフィルター、ダイクロイックフィルター、干渉フィルター、色温度変換フィルターなどの各種フィルターを用いることもできる。
【００５５】
１Ａは除電手段であり必要性に応じて用いられる。光源としては蛍光灯、タングステンランプ、ハロゲンランプ、水銀灯、ナトリウム灯、発光ダイオード（ＬＥＤ）、半導体レーザー（ＬＤ）、エレクトロルミネッセンス（ＥＬ）などの発光物全般を挙げることができる。
【００５６】
現像手段１４により感光体上に現像されたトナー１５は、受像媒体１８に転写されるが、全部が転写されるわけではなく、感光体上に残存するトナーも生ずる。このようなトナーは、クリーニング手段１７により、感光体より除去される。クリーニング手段は、ゴム製のクリーニングブレードやファーブラシ、マグファーブラシ等のブラシ等を用いることができる。
【００５７】
電子写真感光体に正（負）帯電を施し、画像露光を行なうと、感光体表面上には正（負）の静電潜像が形成される。これを正（負）極性のトナーで現像すれば、ネガ画像が得られる。かかる現像手段には、公知の方法が適用され、また、除電手段にも公知の方法が用いられる。
【００５８】
本発明では図１に示すような画像形成要素を複数具備してなることを特徴とするので、これらの画像形成要素を水平、もしくは斜めに複数並べ装置化して用いる。
【００５９】
図２には、本発明における電子写真装置の画像形成要素の別の一例を説明するための例を示す。図２において、感光体１１は、本発明の要件を満たす電子写真感光体であり、エンドレスベルト状のものである。
【００６０】
駆動手段１Ｃにより駆動され、帯電手段１２による帯電、露光手段１３による像露光、現像（図示せず）、転写手段１６による転写、クリーニング前露光手段１Ｂによるクリーニング前露光、クリーニング手段１７によるクリーニング、除電手段１Ａによる除電が繰返し行なわれる。図２においては、感光体（この場合は支持体が透光性である）の支持体側よりクリーニング前露光の光照射が行なわれる。
【００６１】
図２の露光手段１３においても、光源として半導体レーザー（ＬＤ）、発光ダイオード（ＬＥＤ）などを用いることが出来る。また場合によっては所望の波長域の光のみを照射するために、シャープカットフィルター、バンドパスフィルター、近赤外カットフィルター、ダイクロイックフィルター、干渉フィルター、色温度変換フィルターなどの各種フィルターを用いることもできる。
【００６２】
本発明では図２に示すような画像形成要素を複数具備してなることを特徴とするので、これらの画像形成要素を水平、もしくは斜めに複数並べて用いても良い。
【００６３】
以上の画像形成要素は、本発明における実施形態を例示するものであって、もちろん他の実施形態も可能である。例えば、図２において支持体側よりクリーニング前露光を行っているが、これは感光層側から行ってもよいし、また、像露光、除電光の照射を支持体側から行ってもよい。一方、光照射工程は、像露光、クリーニング前露光、除電露光が図示されているが、他に転写前露光、像露光のプレ露光、およびその他公知の光照射工程を設けて、感光体に光照射を行なうこともできる。
【００６４】
また、以上に示すような画像形成手段は、複写機、ファクシミリ、プリンター内に固定して組み込まれていてもよいが、プロセスカートリッジの形でそれら装置内に組み込まれてもよい。プロセスカートリッジとは、感光体を内蔵し、他に帯電手段、露光手段、現像手段、転写手段、クリーニング手段、除電手段を含んだ１つの装置（部品）である。プロセスカートリッジの形状等は多く挙げられるが、一般的な例として、図３に示すものが挙げられる。
【００６５】
これらのプロセスカートリッジは着脱自在でありメンテナンスが容易となる特徴がある。
【００６６】
本発明では図３に示すようなプロセスカートリッジ形態の画像形成要素を複数具備してなることを特徴とするので、これらの画像形成要素を水平、もしくは斜めに複数並べて用いる。
【００６７】
図４、図５には本発明によるフルカラー電子写真装置の全体の例を示す。この電子写真装置は、トナーとしてイエロー（Ｙ）、マゼンタ（Ｍ）、シアン（Ｃ）、ブラック（Ｂｋ）の４色を用いるタイプとされ、各色毎に画像形成部が配設されている。また、各色毎の感光体（１１Ｙ，１１Ｍ，１１Ｃ，１１Ｂｋ）が設けられている。この電子写真装置に用いられる感光体１１は、本発明の要件を満たす電子写真感光体である。各感光体１１Ｙ，１１Ｍ，１１Ｃ，１１Ｂｋの周りには、同様に帯電手段１２、露光手段１３、現像手段１４、クリーニング手段１７等が配設されている。
【００６８】
なお露光手段１３（１３Ｙ，１３Ｍ，１３Ｃ，１３Ｂｋ、図５における１３Ｙ，１３Ｍ，１３Ｃ，１３Ｂｋも同様）は前述のように光源としては前述同様に本発明においては光源として半導体レーザー（ＬＤ）、発光ダイオード（ＬＥＤ）などを用いることができる。また場合によっては所望の波長域の光のみを照射するために、シャープカットフィルター、バンドパスフィルター、近赤外カットフィルター、ダイクロイックフィルター、干渉フィルター、色温度変換フィルターなどの各種フィルターを用いることもできる。
【００６９】
また、直線上に配設された各感光体１１Ｙ，１１Ｍ，１１Ｃ，１１Ｂｋの各転写位置に接離する転写材担持体としての搬送転写ベルト１Ｇが駆動手段１Ｃにて掛け渡されている。この搬送転写ベルト１Ｇを挟んで各感光体１Ｙ，１Ｍ，１Ｃ，１Ｂｋに対向する転写位置には転写手段１６が配設されている。
【００７０】
図４、図５の形態のような電子写真装置においても、各色毎の画像形成要素に前述のような着脱自在なプロセスカートリッジを用いることが可能である。
【００７１】
次に本発明に用いられる電子写真感光体について詳細に説明する。
【００７２】
本発明における電子写真感光体の感光層は、単一の層中に電荷発生物質と電荷輸送物質を含有する単層型感光層である。
【００７３】
図６は本発明の電子写真装置で用いられる電子写真感光体の一例を模式的に示す断面図であり、導電性支持体２１の上に少なくとも電荷発生材料と、前記一般式１又は一般式１―Ａで表される電子輸送材料を含む感光層２２が設けられている。
【００７４】
また図示していないが導電性支持体２１と感光層２２の間に下引き層を設けることや、感光層２２の上に表面保護層を設けることも可能である。
【００７５】
（導電性支持体）
導電性支持体２１としては、体積抵抗１０１０Ω・ｃｍ以下の導電性を示すもの、例えばアルミニウム、ニッケル、クロム、ニクロム、銅、銀、金、白金、鉄などの金属、酸化スズ、酸化インジウムなどの酸化物を、蒸着又はスパッタリングによりフィルム状又は円筒状のプラスチック、紙などに被覆したもの、或いはアルミニウム、アルミニウム合金、ニッケル、ステンレスなどの板、及び、それらを、Ｄｒａｗｉｎｇ  Ｉｒｏｎｉｎｇ法、Ｉｍｐａｃｔ  Ｉｒｏｎｉｎｇ法、Ｅｘｔｒｕｄｅｄ  Ｉｒｏｎｉｎｇ法、Ｅｘｔｒｕｄｅｄ  Ｄｒａｗｉｎｇ法、切削法等の工法により素管化後、切削、超仕上げ、研磨などにより表面処理した管などを使用することが出来る。
【００７６】
（下引き層）
本発明に用いられる電子写真感光体には、感光層と導電性支持体との間に下引き層を設けることもできる。下引き層は、接着性の向上、モワレの防止、上層の塗工性の改良、残留電位の低減、導電性支持体からの電荷注入の防止などの目的で設けられる。下引き層は一般に樹脂を主成分とするが、これらの樹脂はその上に溶剤を用いて感光層を塗布することを考慮すると、一般の有機溶剤に対して耐溶解性の高い樹脂であることが望ましく、このような樹脂としては、ポリビニルアルコール、カゼイン、ポリアクリル酸ナトリウムなどの水溶性樹脂、共重合ナイロン、メトキシメチル化ナイロンなどのアルコール可溶性樹脂、ポリウレタン、メラミン樹脂、アルキッド−メラミン樹脂、エポキシ樹脂など三次元網目構造を形成する硬化型樹脂などが挙げられる。また、下引き層には、酸化チタン、シリカ、アルミナ、酸化ジルコニウム、酸化スズ、酸化インジウムなどの金属酸化物、或いは金属硫化物、金属窒化物などの微粉末を加えてもよい。これらの下引き層は、前述の感光層と同様、適当な溶媒及び塗工法を用いて形成することが出来る。
【００７７】
更に下引き層としては、シランカップリング剤、チタンカップリング剤、クロムカップリング剤などを使用して、例えばゾル−ゲル法などにより形成した金属酸化物層も有用である。この他に、アルミナを陽極酸化により設けたもの、ポリパラキシリレン（パリレン）などの有機物、酸化ケイ素、酸化スズ、酸化チタン、ＩＴＯ、セリアなどの無機物を真空薄膜作製法にて設けたものも下引き層として良好に使用できる。下引き層の膜厚は０．１〜１０μｍが適当であり、さらに好ましくは１〜５μｍである。
【００７８】
（単層型感光層）
単層構成時においても電荷輸送材料に用いることのできる材料としては、前述の一般式１又は一般式１―Ａであらわされる電子輸送材料を用いることが必須であるが、これに加えて公知の電子輸送材料（アクセプター）、正孔輸送材料（ドナー）を併用することも出来る。
【００７９】
各構成材料の配合比は、請求項１に示すように光感度の比Ｅ１／２（負）／Ｅ１／２（正）が０．５〜３となるようにすれば良く、より好適な各材料の配合比は以下のようになる。
【００８０】
電荷発生材料はバインダー樹脂１００重量部に対して、０．０１〜５０重量部、好ましくは０．１〜３０重量部が適当である。
【００８１】
電子輸送材料はバインダー樹脂１００重量部に対して、１〜１００重量部、好ましくは５〜８０重量部が適当である。
【００８２】
正孔輸送材料はバインダー樹脂１００重量部に対して、５〜２００重量部、好ましくは２０〜１５０重量部が適当である。
【００８３】
電子輸送材料と正孔輸送材料の比率は１：９〜９：１、好ましくは２：８〜８：２が適当である。
【００８４】
また、感光体の高感度化を満足させるには、電荷輸送材料の配合量（電子輸送材料＋正孔輸送材料）を、バインダー樹脂成分１００重量部に対して７０重量部以上とすることが好ましい。
【００８５】
感光層塗工液を調製する際に使用できる溶媒としては、例えば、メチルエチルケトン、アセトン、メチルイソブチルケトン、シクロヘキサノン等のケトン類、ジオキサン、テトラヒドロフラン、エチルセロソルブなどのエーテル類、トルエン、キシレンなどの芳香族類、クロロベンゼン、ジクロロメタンなどのハロゲン類、酢酸エチル、酢酸ブチルなどのエステル類等を挙げることができる。これらの溶媒は単独としてまたは混合して用いることができる。
【００８６】
また、必要により、感光層中に酸化防止剤、可塑剤、滑剤、紫外線吸収剤などの低分子化合物およびレベリング剤を添加することもできる。これらの化合物は単独または２種以上の混合物として用いることができる。低分子化合物の使用量は、バインダー樹脂などの高分子化合物１００重量部に対して０．１〜５０重量部、好ましくは、０．１〜２０重量部、レベリング剤の使用量は、高分子化合物１００重量部に対して０．００１〜５重量部程度が適当である。かかるレベリング剤としては、ジメチルシリコーンオイル、メチルフェニルシリコーンオイル等のシリコーンオイル類や、側鎖にパーフルオロアルキル基を有するポリマーあるいはオリゴマーなどが使用できる。
【００８７】
塗工方法としては浸漬法、スプレー塗工法、リングコート法、ロールコータ法、グラビア塗工法、ノズルコート法、スクリーン印刷法等が採用される。
【００８８】
感光層の膜厚は、１０〜４５μｍ程度が適当であり、好ましくは１５〜３６μｍ程度、解像力が要求される場合、２５μｍ以下が適当である。
【００８９】
（単層型感光層の電荷発生材料）
単層構成の感光層に用いることが出来る電荷発生材料は公知の材料を使用することができる。例えば、金属フタロシアニン、無金属フタロシアニンなどのフタロシアニン系顔料、アズレニウム塩顔料、スクエアリック酸メチン顔料、カルバゾ−ル骨格を有するアゾ顔料、トリフェニルアミン骨格を有するアゾ顔料、ジフェニルアミン骨格を有するアゾ顔料、ジベンゾチオフェン骨格を有するアゾ顔料、フルオレノン骨格を有するアゾ顔料、オキサジアゾ−ル骨格を有するアゾ顔料、ビススチルベン骨格を有するアゾ顔料、ジスチリルオキサジアゾ−ル骨格を有するアゾ顔料、ジスチリルカルバゾ−ル骨格を有するアゾ顔料、ペリレン系顔料、アントラキノン系または多環キノン系顔料、キノンイミン系顔料、ジフェニルメタン及びトリフェニルメタン系顔料、ベンゾキノン及びナフトキノン系顔料、シアニン及びアゾメチン系顔料、インジゴイド系顔料、ビスベンズイミダゾ−ル系顔料などが挙げられる。これらの電荷発生物質は、単独または２種以上の混合物として用いることができるが前述のようにフタロシアニン系の顔料が本件発明に必要な諸特性の面から特に好ましい。
【００９０】
フタロシアニン系の顔料の中でも中心金属としてチタンを有するチタニルフタロシアニンであることによって、特に感度が高い感光層とすることが出来、電子写真装置として高速化をよりいっそうはかることが可能となる。さらに各種の結晶形のうち、ブラッグ角２θの２７．２°に最大回折ピークを有するチタニルフタロシアニンが特に優れた感度特性を示し、良好に使用される。特に、特開２００１―１９８７１号公報に記載されている２７．２°に最大回析ピークを有し、更に９．４゜、９．６゜、２４．０゜に主要なピークを有し、かつ最も低角側の回析ピークとして７．３°にピークを有し、該７．４゜のピークと９．４゜のピークの間にピークを有さないチタニルフタロシアニンを用いることで、高感度を失うことなく、繰り返し使用しても帯電性の低下を生じない安定した電子写真感光体を得ることができる。
【００９１】
これらの顔料は予めテトラヒドロフラン、シクロヘキサノン、ジオキサン、ジクロロエタン、ブタノンなどの溶媒を用いてボールミル、アトライター、サンドミルなどにより分散しておくことが好ましい。また分散時には必要に応じてバインダー樹脂と共に分散しても良い。
【００９２】
（単層型感光層の電子輸送材料）
本発明に用いる一般式１、一般式１―Ａ又は一般式１―Ｂで表される電子輸送材料は、下記に示す構造骨格を有する。
【００９３】
〈一般式１〉
【００９４】
【化１２】
0004836690.tif 000009
｛但し、上記一般式中、Ｒ１、Ｒ２は、それぞれ独立に水素原子、置換又は無置換のアルキル基、置換又は無置換のシクロアルキル基、置換又は無置換のアラルキル基からなる群より選ばれる基を表し、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５、Ｒ６、Ｒ７、Ｒ８、Ｒ９、Ｒ１０はそれぞれ独立に水素原子、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、アミノ基、水酸基、置換又は無置換のアルキル基、置換又は無置換のシクロアルキル基、置換又は無置換のアラルキル基からなる群より選ばれる基を表す。｝
〈一般式１―Ａ〉
【００９５】
【化１３】
0004836690.tif 000010
｛ただし、式中、Ｒ１、Ｒ２は、それぞれ独立に水素原子、置換又は無置換のアルキル基、置換又は無置換のシクロアルキル基、置換又は無置換のアラルキル基からなる群より選ばれる基を表し、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５、Ｒ６、Ｒ７、Ｒ８、Ｒ９、Ｒ１０、Ｒ１１、Ｒ１２、Ｒ１３、Ｒ１４はそれぞれ独立に水素原子、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、アミノ基、水酸基、置換又は無置換のアルキル基、置換又は無置換のシクロアルキル基、置換又は無置換のアラルキル基からなる群より選ばれる基を表し、ｎは繰り返し単位であり、１から１００までの整数を表す。｝
〈一般式１―Ｂ〉
【００９６】
【化１４】
0004836690.tif 000011
｛式中、Ｒ１５、Ｒ１６は、それぞれ独立に水素原子、置換又は無置換のアルキル基、置換又は無置換のシクロアルキル基、置換又は無置換のアラルキル基からなる群より選ばれる基を表し、Ｒ１７、Ｒ１８、Ｒ１９、Ｒ２０はそれぞれ独立に水素原子、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、アミノ基、水酸基、置換又は無置換のアルキル基、置換又は無置換のシクロアルキル基、置換又は無置換のアラルキル基からなる群より選ばれる基を表す。｝
該置換又は無置換のアルキル基としては、炭素数１〜２５、好ましくは炭素数１〜１０の炭素原子を有するアルキル基、具体的には、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、ｎ―ブチル基、ｎ―ペンチル基、ｎ―ヘキシル基、ｎ―ペプチル基、ｎ−オクチル基、ｎ−ノニル基、ｎ―デシル基といった直鎖状のもの、ｉ―プロピル基、ｓ―ブチル基、ｔ―ブチル基、メチルプロピル基、ジメチルプロピル基、エチルプロピル基、ジエチルプロピル基、メチルブチル基、ジメチルブチル基、メチルペンチル基、ジメチルペンチル基、メチルヘキシル基、ジメチルヘキシル基等の分岐状のもの、アルコキシアルキル基、モノアルキルアミノアルキル基、ジアルキルアミノアルキル基、ハロゲン置換アルキル基、アルキルカルボニルアルキル基、カルボキシアルキル基、アルカノイルオキシアルキル基、アミノアルキル基、エステル化されていてもよいカルボキシル基で置換されたアルキル基、シアノ基で置換されたアルキル基等が例示できる。なお、これらの置換基の置換位置については特に限定されず、上記置換又は無置換のアルキル基の炭素原子の一部がヘテロ原子（Ｎ、Ｏ、Ｓ等）に置換された基も置換されたアルキル基に含まれる。
【００９７】
該置換又は無置換のシクロアルキル基としては、炭素数３〜２５、好ましくは炭素数３〜１０の炭素原子を有するシクロアルキル環、具体的には、シクロプロパンからシクロデカンまでの同属環、メチルシクロペンタン、ジメチルシクロペンタン、メチルシクロヘキサン、ジメチルシクロヘキサン、トリメチルシクロヘキサン、テトラメチルシクロヘキサン、エチルシクロヘキサン、ジエチルシクロヘキサン、ｔ―ブチルシクロヘキサン等のアルキル置換基を有するもの、アルコキシアルキル基、モノアルキルアミノアルキル基、ジアルキルアミノアルキル基、ハロゲン置換アルキル基、アルコキシカルボニルアルキル基、カルボキシアルキル基、アルカノイルオキシアルキル基、アミノアルキル基、ハロゲン原子、アミノ基、エステル化されていてもよいカルボキシル基、シアノ基等で置換されたシクロアルキル基等が例示できる。なお、これらの置換基の置換位置については特に限定されず、上記置換又は無置換のシクロアルキル基の炭素原子の一部がヘテロ原子（Ｎ、Ｏ、Ｓ等）に置換された基も置換されたアルキル基に含まれる。
【００９８】
置換または無置換のアラルキル基としては、上述の置換または無置換のアルキル基に芳香族環が置換した基が挙げられ、炭素数６〜１４のアラルキル基が好ましい。より具体的には、ベンジル基、ペルフルオロフェニルエチル基、１―フェニルエチル基、２―フェニルエチル基、ターフェニルエチル基、ジメチルフェニルエチル基、ジエチルフェニルエチル基、ｔ―ブチルフェニルエチル基、３―フェニルプロピル基、４―フェニルブチル基、５―フェニルペンチル基、６―フェニルヘキシル基、ベンズヒドリル基、トリチル基などが例示できる。
【００９９】
該ハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子が挙げられる。
【０１００】
一般式１で表される電子輸送材料としては具体的に、下記構造式２乃至構造式８で表される電子輸送材料が、得られる画像が高品質である点で好ましい。尚、式中Ｍｅはメチル基を示す。
【０１０１】
（構造式２）
【０１０２】
【化１５】
0004836690.tif 000012
（構造式３）
【０１０３】
【化１６】
0004836690.tif 000013
（構造式４）
【０１０４】
【化１７】
0004836690.tif 000014
（構造式５）
【０１０５】
【化１８】
0004836690.tif 000015
（構造式６）
【０１０６】
【化１９】
0004836690.tif 000016
（構造式７）
【０１０７】
【化２０】
0004836690.tif 000017
（構造式８）
【０１０８】
【化２１】
0004836690.tif 000018
一般式１で表される電子輸送材料の製造方法としては、下記の方法が例示できる。
【０１０９】
ナフタレンカルボン酸は公知の合成方法（例えば、米国特許６７９４１０２号公報、Ｉｎｄｕｓｔｒｉａｌ  Ｏｒｇａｎｉｃ  Ｐｉｇｍｅｎｔｓ  ２ｎｄ  ｅｄｉｔｉｏｎ，ＶＣＨ，４８５（１９９７）など）に従い、下記反応式より合成される。
【０１１０】
【化２２】
0004836690.tif 000019
「式中、ＲｎはＲ３、Ｒ４、Ｒ７、Ｒ８を表し、ＲｍはＲ５、Ｒ６、Ｒ９、Ｒ１０を表す。」
本発明に用いる一般式１で表される電子輸送材料は、上記のナフタレンカルボン酸若しくはその無水物をアミン類と反応させ、モノイミド化する方法、ナフタレンカルボン酸若しくはその無水物を緩衝液によりｐＨ調整してジアミン類と反応させる方法等により得られる。モノイミド化は無溶媒、若しくは溶媒存在下でおこなう。溶媒としては特に制限はないが、ベンゼン、トルエン、キシレン、クロロナフタレン、酢酸、ピリジン、メチルピリジン、ジメチルホルムアミド、ジメチルアセトアミド、ジメチルエチレンウレア、ジメチルスルホキサイド等原料や生成物と反応せず５０℃〜２５０℃の温度で反応させられるものを用いるとよい。ｐＨ調整には水酸化リチウム、水酸化カリウム等の塩基性水溶液をリン酸等の酸との混合により作製した緩衝液を用いる。カルボン酸とアミン類やジアミン類とを反応させて得られたカルボン酸誘導体脱水反応は無溶媒、若しくは溶媒存在下でおこなう。溶媒としては特に制限は無いがベンゼン、トルエン、クロロナフタレン、ブロモナフタレン、無水酢酸等原料や生成物と反応せず５０℃〜２５０℃の温度で反応させられるものを用いるとよい。いずれの反応も、無触媒若しくは触媒存在下でおこなってよく、特に限定されないが例えばモレキュラーシーブスやベンゼンスルホン酸やｐ−トルエンスルホン酸等を脱水剤として用いることが例示できる。
【０１１１】
構造式４で表される電子輸送材料は、下記の方法により製造することができる。
【０１１２】
（第一工程）
２００ｍｌ４つ口フラスコに、１，４，５，８―ナフタレンテトラカルボン酸二無水物５．０ｇ（１８．６ｍｍｏｌ）、ＤＭＦ５０ｍｌを入れ、加熱還流させた。これに、２−アミノプロパン１．１０ｇ（１８．６ｍｍｏｌ）とＤＭＦ２５ｍｌの混合物を攪拌しながら滴下した。滴下終了後、６時間加熱還流させた。反応終了後、反応容器を冷却し、減圧濃縮した。残渣にトルエンを加え、シリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製した。さらに、回収品をトルエン／ヘキサン混合溶媒により再結晶し、モノイミド体Ｂを２．０８ｇ（収率３６．１％）得た。
【０１１３】
（第二工程）
１００ｍｌ４つ口フラスコに、２．０ｇ（６．４７ｍｍｏｌ）のモノイミド体Ｂ、ヒドラジン一水和物０．１６２ｇ（３．２３ｍｍｏｌ）、ｐ−トルエンスルホン酸１０ｍｇ、トルエン５０ｍｌを入れ、５時間加熱還流させた。反応終了後、容器を冷却し、減圧濃縮した。残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製した。さらに、回収品をトルエン／酢酸エチル混合溶媒により再結晶し、構造式（４）で表される電子輸送材料０．８１０ｇ（収率３７．４％）を得た。質量分析（ＦＤ―ＭＳ）において、Ｍ／ｚ＝６１４のピークが観測されたことにより、目的物であると同定した。元素分析は、計算値が炭素６６．４５％、水素３．６１％、窒素９．１２％であるのに対し、実測値は、炭素６６．２８％、水素３．４５％、窒素９．３３％あった。
【０１１４】
構造式６で表される電子輸送材料は、下記の方法により製造することができる。
【０１１５】
（第一工程）
２００ｍｌ４つ口フラスコに、１，４，５，８―ナフタレンテトラカルボン酸二無水物１０ｇ（３７．３ｍｍｏｌ）、ヒドラジン一水和物０．９３１ｇ（１８．６ｍｍｏｌ）、ｐ―トルエンスルホン酸２０ｍｇ、トルエン１００ｍｌを入れ、５時間加熱還流させた。反応終了後、容器を冷却し、減圧濃縮した。残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製した。さらに、回収品をトルエン／酢酸エチル混合溶媒により再結晶し、二量体Ｃを２．８４ｇ（収率２８．７％）得た。
【０１１６】
（第二工程）
２００ｍｌ４つ口フラスコに、５．０ｇ（９．３９ｍｍｏｌ）の二量体Ｃ、ＤＭＦ５０ｍｌを入れ、加熱還流させた。これに、２―アミノヘプタン１．０８ｇ（９．３９ｍｍｏｌ）とＤＭＦ２５ｍｌの混合物を攪拌しながら滴下した。滴下終了後、６時間加熱還流させた。反応終了後、反応容器を冷却し、減圧濃縮した。残渣にトルエンを加え、シリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製し、モノイミド体Ｄを１．６６ｇ（収率２８．１％）得た。
【０１１７】
（第三工程）
１００ｍｌ４つ口フラスコに、１．５ｇ（２．３８ｍｍｏｌ）のモノイミド体Ｄ、ＤＭＦ５０ｍｌを入れ、加熱還流させた。これに、６―アミノウンデカン０．４０８ｇ（２．３８ｍｍｏｌ）とＤＭＦ１０ｍｌの混合物を攪拌しながら滴下した。滴下終了後、６時間加熱還流させた。反応終了後、反応容器を冷却し、減圧濃縮した。残渣にトルエンを加え、シリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製した。さらに、回収品をトルエン／ヘキサン混合溶媒により再結晶し、構造式（６）で表される電子輸送材料０．２７６ｇ（収率１４．８％）を得た。質量分析（ＦＤ―ＭＳ）において、Ｍ／ｚ＝７８２のピークが観測されたことにより目的物であると同定した。元素分析は、計算値が炭素７０．５７％、水素５．９２％、窒素７．１６％であるのに対し、実測値は、炭素７０．７７％、水素６．１１％、窒素７．０２％あった。
【０１１８】
またこれらの電子輸送材料に加えて、上記一般式１―Ｂで表される電子輸送材料をさらに加えることにより、電荷輸送能を低下させることなく成膜時における収縮を緩和し、アルミ蒸着したＰＥＴシートやニッケルベルト等のフレキシブルなシートを支持体とした場合、一般にカールと称される反りが減少させることが可能となる。また添加により膜が緻密となるため酸性ガスによる影響をさらに受けにくくなるという利点、即ち耐ガス性が向上するという効果がある。
【０１１９】
加えて膜が緻密になることにより耐摩耗性も向上する。
【０１２０】
一般式１―Ｂで表される電子輸送材料としては具体的に以下の化合物が例示できる。
【０１２１】
（構造式９）
【０１２２】
【化２３】
0004836690.tif 000020
（ただし、式中、両端の末端基はＭｅ（メチル基）を表す。
【０１２３】
（構造式１０）
【０１２４】
【化２４】
0004836690.tif 000021
（ただし、式中、両端の末端基はＭｅ（メチル基）を表す。）
これらの電子輸送材料の添加量としては特に限定されるものではないが、好ましくは電子輸送材料全体量に対して１％から５０％程度であり、より好ましくは５％〜３０％である。添加量が１％未満であると膜質改善が軽微で明確な効果が見られず、５０％以上となると電荷輸送能がやや低下する傾向がみられる場合があるからである。
【０１２５】
一般式１―Ａで表される電子輸送材料は主に以下の２通りの合成方法によって合成される。
【０１２６】
【化２５】
0004836690.tif 000022
一般式１―Ａで表される電荷輸送材料の繰り返し単位ｎは１から１００の整数である。
【０１２７】
繰り返し単位ｎは、ＧＰＣ（ゲルパーミエーションクロマトグラフィー）により測定した標準ポリスチレン換算の重量平均分子量（Ｍｗ）を、繰り返し単位の分子量で割ることで、求めることができる。すなわち化合物は分子量に分布をもった状態で存在する。ｎが１００をこえると化合物の分子量が大きくなり、各種溶媒に対する溶解性が落ちるため、１００以下が好ましい。
【０１２８】
一方例えばｎが１の場合はナフタレンカルボン酸の三量体であるが、Ｒ１、Ｒ２の置換基を適切に選択することにより、オリゴマーでも優れた電子移動特性が得られる。このように繰り返し単位ｎの数により、オリゴマーからポリマーまで幅広い範囲のナフタレンカルボン酸誘導体が合成される。
【０１２９】
オリゴマー領域の分子量が小さい範囲では、段階的に合成することで、単分散の化合物を得ることができる。分子量が大きい化合物の場合は、分子量に分布をもった化合物が得られる。
【０１３０】
一般式（１―Ａ）で表される電荷輸送材料としては具体的に以下の化合物が例示できる
（ただし、いずれも式中、両端の末端基はＭｅ（メチル基）を表す。）
一般式１―Ａで表される電子輸送材料としては具体的に以下のものが例示できる
（構造式１１）
【０１３１】
【化２６】
0004836690.tif 000023
（構造式１２）
【０１３２】
【化２７】
0004836690.tif 000024
（構造式１３）
【０１３３】
【化２８】
0004836690.tif 000025
前述の一般式１又は一般式１―Ｂであらわされる電子輸送材料を用いることが必須であるが、更にその他の電子輸送材料として、例えばクロルアニル、ブロムアニル、テトラシアノエチレン、テトラシアノキノジメタン、２，４，７―トリニトロ―９―フルオレノン、２，４，５，７―テトラニトロ―９―フルオレノン、２，４，５，７―テトラニトロキサントン、２，４，８―トリニトロチオキサントン、２，６，８―トリニトロ―４Ｈ―インデノ〔１，２―ｂ〕チオフェン―４―オン、１，３，７―トリニトロジベンゾチオフェン―５，５―ジオキサイド、下記構造式９、１０の化合物及びその誘導体などの電子受容性物質を１種以上組み合わせて用いても良い。
【０１３４】
（構造式１４）
【０１３５】
【化２９】
0004836690.tif 000026
（構造式１５）
【０１３６】
【化３０】
0004836690.tif 000027
（単層型感光層の正孔輸送材料）
正孔輸送物質としては、電子供与性物質が好ましく用いられる。
【０１３７】
その例としては、オキサゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、イミダゾール誘導体、トリフェニルアミン誘導体、９―（ｐ―ジエチルアミノスチリルアントラセン）、１，１―ビス―（４―ジベンジルアミノフェニル）プロパン、スチリルアントラセン、スチリルピラゾリン、フェニルヒドラゾン類、α―フェニルスチルベン誘導体、チアゾール誘導体、トリアゾール誘導体、フェナジン誘導体、アクリジン誘導体、ベンゾフラン誘導体、ベンズイミダゾール誘導体、チオフェン誘導体、エナミン誘導体などが挙げられる。
【０１３８】
これらの正孔輸送物質は、単独でも２種以上の混合物として用いてもよい。
【０１３９】
（単層型感光層のバインダー樹脂）
バインダー成分として用いることのできる高分子化合物としては、例えば、ポリスチレン、スチレン／アクリロニトリル共重合体、スチレン／ブタジエン共重合体、スチレン／無水マレイン酸共重合体、ポリエステル、ポリ塩化ビニル、塩化ビニル／酢酸ビニル共重合体、ポリ酢酸ビニル、ポリ塩化ビニリデン、ポリアリレート樹脂、ポリカーボネート、酢酸セルロース樹脂、エチルセルロース樹脂、ポリビニルブチラール、ポリビニルホルマール、ポリビニルトルエン、アクリル樹脂、シリコーン樹脂、フッ素樹脂、エポキシ樹脂、メラミン樹脂、ウレタン樹脂、フェノール樹脂、アルキド樹脂などの熱可塑性又は熱硬化性樹脂が挙げられ、特にポリカーボネイト系の樹脂が好ましいが、これらに限定されるものではない。
【０１４０】
これらの高分子化合物は、単独又は２種以上の混合物として、或いはそれらの原料モノマー２種以上からなる共重合体として、更には、電荷輸送物質と共重合化して用いることができる。
【０１４１】
単層型感光層の環境変動に対する安定性確保させる目的として、電気的に不活性な高分子化合物を用いる場合には、例えばポリエステル、ポリカーボネート、アクリル樹脂、ポリスチレン、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデン、ポリエチレン、ポリプロピレン、フッ素樹脂、ポリアクリロニトリル、アクリロニトリル／スチレン／ブタジエン共重合体、スチレン／アクリロニトリル共重合体、エチレン／酢酸ビニル共重合体等が有効である。
【０１４２】
ここで、電気的に不活性な高分子化合物とは、トリアリールアミン構造のような光導電性を示す化学構造を含まない高分子化合物を指す。
【０１４３】
これらの樹脂を添加剤としてバインダー樹脂と併用する場合、光減衰感度の制約から、その添加量は５０ｗｔ％以下とすることが好ましい。
【０１４４】
（添加剤）
本発明の目的を損なわない範囲で、耐環境性の改善、感度低下、残留電位の上昇を防止する目的で、単層型感光層、下引き層、保護層等の各層に酸化防止剤、可塑剤、滑剤、紫外線吸収剤を添加することが例示できる。
【０１４５】
該各層に添加できる酸化防止剤としては、上記目的より下記のものが好ましい。
【０１４６】
（ａ）フェノ−ル系化合物
２，６―ジ―ｔ―ブチル―ｐ―クレゾール、ブチル化ヒドロキシアニソール、２，６―ジ―ｔ―ブチル―４―エチルフェノール、ｎ―オクタデシル―３―（４’―ヒドロキシ―３’，５’―ジ―ｔ―ブチルフェノール）、２，２’―メチレン―ビス―（４―メチル―６―ｔ―ブチルフェノール）、２，２’―メチレン―ビス―（４―エチル―６―ｔ―ブチルフェノール）、４，４’―チオビス―（３―メチル―６―ｔ―ブチルフェノール）、４，４’―ブチリデンビス―（３―メチル―６―ｔ―ブチルフェノール）、１，１，３―ト
リス―（２―メチル―４―ヒドロキシ―５―ｔ―ブチルフェニル）ブタン、１，３，５―トリメチル―２，４，６―トリス（３，５―ジ―ｔ―ブチル―４―ヒドロキシベンジル）ベンゼン、テトラキス―［メチレン―３―（３’，５’―ジ―ｔ―ブチル―４’―ヒドロキシフェニル）プロピオネート］メタン、ビス［３，３’―ビス（４’―ヒドロキシ―３’―ｔ―ブチルフェニル）ブチリックアッシド］グリコールエステル、トコフェロール類。
【０１４７】
（ｂ）パラフェニレンジアミン類
Ｎ−フェニル―Ｎ’―イソプロピル―ｐ―フェニレンジアミン、Ｎ，Ｎ’―ジ―ｓｅｃ―ブチル―ｐ―フェニレンジアミン、Ｎ―フェニル―Ｎ―ｓｅｃ―ブチル―ｐ―フェニレンジアミン、Ｎ，Ｎ’―ジ―イソプロピル―ｐ―フェニレンジアミン、Ｎ，Ｎ’―ジメチル―Ｎ，Ｎ’―ジ―ｔ―ブチル―ｐ―フェニレンジアミン。
【０１４８】
（ｃ）ハイドロキノン類
２，５―ジ―ｔ―オクチルハイドロキノン、２，６―ジドデシルハイドロキノン、２―ドデシルハイドロキノン、２―ドデシル―５―クロロハイドロキノン、２―ｔ―オクチル―５―メチルハイドロキノン、２―（２―オクタデセニル）―５―メチルハイドロキノン。
【０１４９】
（ｄ）有機硫黄化合物類
ジラウリル―３，３’―チオジプロピオネート、ジステアリル―３，３’―チオジプロピオネート、ジテトラデシル―３，３’―チオジプロピオネート。
【０１５０】
（ｅ）有機燐化合物類
トリフェニルホスフィン、トリ（ノニルフェニル）ホスフィン、トリ（ジノニルフェニル）ホスフィン、トリクレジルホスフィン、トリ（２，４―ジブチルフェノキシ）ホスフィン。
【０１５１】
該各層に添加できる可塑剤として、上記目的より下記のものが好ましい。
【０１５２】
（ａ）リン酸エステル系可塑剤
リン酸トリフェニル、リン酸トリクレジル、リン酸トリオクチル、リン酸オクチルジフェニル、リン酸トリクロルエチル、リン酸クレジルジフェニル、リン酸トリブチル、リン酸トリ−２−エチルヘキシル、リン酸トリフェニル。
【０１５３】
（ｂ）フタル酸エステル系可塑剤
フタル酸ジメチル、フタル酸ジエチル、フタル酸ジイソブチル、フタル酸ジブチル、フタル酸ジヘプチル、フタル酸ジ―２―エチルヘキシル、フタル酸ジイソオクチル、フタル酸ジ−ｎ−オクチル、フタル酸ジノニル、フタル酸ジイソノニル、フタル酸ジイソデシルフタル酸ジウンデシル、フタル酸ジトリデシル、フタル酸ジシクロヘキシル、フタル酸ブチルベンジル、フタル酸ブチルラウリル、フタル酸メチルオレイル、フタル酸オクチルデシル、フマル酸ジブチル、フマル酸ジオクチル。
【０１５４】
（ｃ）芳香族カルボン酸エステル系可塑剤
トリメリット酸トリオクチル、トリメリット酸トリ―ｎ―オクチル、オキシ安息香酸オクチル。
【０１５５】
（ｄ）脂肪族二塩基酸エステル系可塑剤
アジピン酸ジブチル、アジピン酸ジ―ｎ―ヘキシル、アジピン酸ジ―２―エチルヘキシル、アジピン酸ジ―ｎ―オクチル、アジピン酸―ｎ―オクチル―ｎ―デシル、アジピン酸ジイソデシル、アジピン酸ジカプリル、アゼライン酸ジ―２―エチルヘキシル、セバシン酸ジメチル、セバシン酸ジエチル、セバシン酸ジブチル、セバシン酸ジ―ｎ―オクチル、セバシン酸ジ―２―エチルヘキシル、セバシン酸ジ―２―エトキシエチル、コハク酸ジオクチル、コハク酸ジイソデシル、テトラヒドロフタル酸ジオクチル、テトラヒドロフタル酸ジ―ｎ―オクチル。
【０１５６】
（ｅ）脂肪酸エステル誘導体
オレイン酸ブチル、グリセリンモノオレイン酸エステル、アセチルリシノール酸メチル、ペンタエリスリトールエステル、ジペンタエリスリトールヘキサエステル、トリアセチン、トリブチリン。
【０１５７】
（ｆ）オキシ酸エステル系可塑剤
アセチルリシノール酸メチル、アセチルリシノール酸ブチル、ブチルフタリルブチルグリコレート、アセチルクエン酸トリブチル。
【０１５８】
（ｇ）エポキシ可塑剤
エポキシ化大豆油、エポキシ化アマニ油、エポキシステアリン酸ブチル、エポキシステアリン酸デシル、エポキシステアリン酸オクチル、エポキシステアリン酸ベンジル、エポキシヘキサヒドロフタル酸ジオクチル、エポキシヘキサヒドロフタル酸ジデシル。
【０１５９】
（ｈ）二価アルコールエステル系可塑剤
ジエチレングリコールジベンゾエート、トリエチレングリコールジ―２―エチルブチラート。
【０１６０】
（ｉ）含塩素可塑剤
塩素化パラフィン、塩素化ジフェニル、塩素化脂肪酸メチル、メトキシ塩素化脂肪酸メチル。
【０１６１】
（ｊ）ポリエステル系可塑剤
ポリプロピレンアジペート、ポリプロピレンセバケート、ポリエステル、アセチル化ポリエステル。
【０１６２】
（ｋ）スルホン酸誘導体
ｐ―トルエンスルホンアミド、ｏ―トルエンスルホンアミド、ｐ―トルエンスルホンエチルアミド、ｏ―トルエンスルホンエチルアミド、トルエンスルホン―Ｎ―エチルアミド、ｐ―トルエンスルホン―Ｎ―シクロヘキシルアミド。
【０１６３】
（ｌ）クエン酸誘導体
クエン酸トリエチル、アセチルクエン酸トリエチル、クエン酸トリブチル、アセチルクエン酸トリブチル、アセチルクエン酸トリ―２―エチルヘキシル、アセチルクエン酸―ｎ―オクチルデシル。
【０１６４】
（ｍ）その他
ターフェニル、部分水添ターフェニル、ショウノウ、２―ニトロジフェニル、ジノニルナフタリン、アビエチン酸メチル。
【０１６５】
該各層に添加できる滑剤としては、上記目的より下記のものが好ましい。
【０１６６】
（ａ）炭化水素系化合物
流動パラフィン、パラフィンワックス、マイクロワックス、低重合ポリエチレン。
【０１６７】
（ｂ）脂肪酸系化合物
ラウリン酸、ミリスチン酸、パルチミン酸、ステアリン酸、アラキジン酸、ベヘン酸。
【０１６８】
（ｃ）脂肪酸アミド系化合物
ステアリルアミド、パルミチルアミド、オレインアミド、メチレンビスステアロアミド、エチレンビスステアロアミド。
【０１６９】
（ｄ）エステル系化合物
脂肪酸の低級アルコールエステル、脂肪酸の多価アルコールエステル、脂肪酸ポリグリコールエステル。
【０１７０】
（ｅ）アルコール系化合物
セチルアルコール、ステアリルアルコール、エチレングリコール、ポリエチレングリコール、ポリグリセロール。
【０１７１】
（ｆ）金属石けん
ステアリン酸鉛、ステアリン酸カドミウム、ステアリン酸バリウム、ステアリン酸カルシウム、ステアリン酸亜鉛、ステアリン酸マグネシウム。
【０１７２】
（ｇ）天然ワックス
カルナバロウ、カンデリラロウ、蜜ロウ、鯨ロウ、イボタロウ、モンタンロウ。
【０１７３】
（ｈ）その他
シリコーン化合物、フッ素化合物。
【０１７４】
該各層に添加できる紫外線吸収剤として、上記目的より下記のものが好ましい。
【０１７５】
（ａ）ベンゾフェノン系
２―ヒドロキシベンゾフェノン、２，４―ジヒドロキシベンゾフェノン、２，２’，４―トリヒドロキシベンゾフェノン、２，２’，４，４’―テトラヒドロキシベンゾフェノン、２，２’―ジヒドロキシ４―メトキシベンゾフェノン。
【０１７６】
（ｂ）サルシレート系
フェニルサルシレート、２，４―ジ―ｔ―ブチルフェニル―３，５―ジ―ｔ―ブチル―４―ヒドロキシベンゾエート。
【０１７７】
（ｃ）ベンゾトリアゾール系
（２’―ヒドロキシフェニル）ベンゾトリアゾール、（２’―ヒドロキシ５’―メチルフェニル）ベンゾトリアゾール、（２’―ヒドロキシ３’―ターシャリブチル５’―メチルフェニル）５―クロロベンゾトリアゾール。
【０１７８】
（ｄ）シアノアクリレート系
エチル―２―シアノ―３，３―ジフェニルアクリレート、メチル２―カルボメトキシ３（パラメトキシ）アクリレート。
【０１７９】
（ｅ）クエンチャー（金属錯塩系）
ニッケル（２，２’チオビス（４―ｔ―オクチル）フェノレート）ノルマルブチルアミン、ニッケルジブチルジチオカルバメート、コバルトジシクロヘキシルジチオホスフェート。
【０１８０】
（ｆ）ＨＡＬＳ（ヒンダードアミン）
ビス（２，２，６，６―テトラメチル―４―ピペリジル）セバケート、ビス（１，２，２，６，６―ペンタメチル―４―ピペリジル）セバケート、１―［２―〔３―（３，５―ジ―ｔ―ブチル―４―ヒドロキシフェニル）プロピオニルオキシ〕エチル］―４―〔３―（３，５―ジ―ｔ―ブチル―４―ヒドロキシフェニル）プロピオニルオキシ〕―２，２，６，６―テトラメチルピリジン、８―ベンジル−７，７，９，９―テトラメチル―３―オクチル―１，３，８―トリアザスピロ〔４，５〕ウンデカン―２，４―ジオン、４―ベンゾイルオキシ―２，２，６，６―テトラメチルピペリジン。
【実施例１】
【０１８１】
以下本発明を実施例によって説明する。尚、これによって本発明の範囲は限定されるわけではない。部は全て重量部である。
【０１８２】
電子輸送材料合成例１
第一工程
２００ｍｌ４つ口フラスコに、１，４，５，８―ナフタレンテトラカルボン酸二無水物５．０ｇ（１８．６ｍｍｏｌ）、ＤＭＦ５０ｍｌを入れ、加熱還流させた。これに、２―アミノヘプタン２．１４ｇ（１８．６ｍｍｏｌ）とＤＭＦ２５ｍｌの混合物を攪拌しながら滴下した。滴下終了後、６時間加熱還流させた。反応終了後、容器を冷却し、減圧濃縮した。残渣にトルエンを加え、シリカゲルカラムクロマトグラフィーにて精製した。更に回収品をトルエン／ヘキサンにより再結晶し、モノイミド体Ａ  ２．１４ｇ（収率３１．５％）を得た。
【０１８３】
第二工程
１００ｍｌ４つ口フラスコに、モノイミド体Ａ  ２．０ｇ（５．４７ｍｍｏｌ）と、ヒドラジン一水和物０．１３７ｇ（２．７３ｍｍｏｌ）、ｐ―トルエンスルホン酸１０ｍｇ、トルエン５０ｍｌを入れ、５時間加熱還流させた。反応終了後、容器を冷却し、減圧濃縮した。残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィーにて精製した。更に回収品をトルエン／酢酸エチルにより再結晶し、構造式（２）で表される電子輸送物質０．６６８ｇ（収率３３．７％）を得た。（電子輸送材料１とする）
構造式２
【０１８４】
【化３１】
0004836690.tif 000028
質量分析（ＦＤ−ＭＳ）において、Ｍ／ｚ＝７２６のピークが観測されたことにより目的物であると同定した。元素分析は計算値、炭素６９．４１％、水素５．２７％、窒素７．７１％に対し、実測値で炭素６９．５２％、水素５．０９％、窒素７．９３％あった。
【０１８５】
電子輸送材料合成例２
第一工程
２００ｍｌ４つ口フラスコに、１，４，５，８―ナフタレンテトラカルボン酸二無水物１０ｇ（３７．３ｍｍｏｌ）とヒドラジン一水和物０．９３１ｇ（１８．６ｍｍｏｌ）、ｐ―トルエンスルホン酸２０ｍｇ、トルエン１００ｍｌを入れ、５時間加熱還流させた。反応終了後、容器を冷却し、減圧濃縮した。残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィーにて精製した。更に回収品をトルエン／酢酸エチルにより再結晶し、二量体Ｃ  ２．８４ｇ（収率２８．７％）を得た。
【０１８６】
第二工程
１００ｍｌ４つ口フラスコに、二両体Ｃ  ２．５ｇ（４．６７ｍｍｏｌ）、ＤＭＦ３０ｍｌを入れ、加熱還流させた。これに、２―アミノプロパン０．２７８ｇ（４．６７ｍｍｏｌ）とＤＭＦ１０ｍｌの混合物を攪拌しながら滴下した。滴下終了後、６時間加熱還流させた。反応終了後、反応容器を冷却し、減圧濃縮した。残渣にトルエンを加え、シリカゲルカラムクロマトグラフィーにて精製し、モノイミド体Ｃ  ０．５５６ｇ（収率３８．５％）を得た。
【０１８７】
第三工程
５０ｍｌ４つ口フラスコに、モノイミド体Ｃ  ０．５０ｇ（１．６２ｍｍｏｌ）、ＤＭＦ１０ｍｌを入れ、加熱還流させた。これに、２―アミノヘプタン０．１８６ｇ（１．６２ｍｍｏｌ）とＤＭＦ５ｍｌの混合物を攪拌しながら滴下した。滴下終了後、６時間加熱還流させた。反応終了後、反応容器を冷却し、減圧濃縮した。残渣にトルエンを加え、シリカゲルカラムクロマトグラフィーにて精製した。更に回収品をトルエン／ヘキサンにより再結晶し、構造式（３）で表される電子輸送物質０．２４３ｇ（収率２２．４％）を得た。（電子輸送材料２とする）
構造式３
【０１８８】
【化３２】
0004836690.tif 000029
質量分析（ＦＤ―ＭＳ）において、Ｍ／ｚ＝６７０のピークが観測されたことにより目的物であると同定した。元素分析は計算値、炭素６８．０５％、水素４．５１％、窒素８．３５％に対し、実測値で炭素６８．２９％、水素４．７２％、窒素８．３３％あった。
【０１８９】
電子輸送材料合成例３
第一工程
２００ｍｌ４つ口フラスコに、上述した二量体Ｃ  ５．０ｇ（９．３９ｍｍｏｌ）、ＤＭＦ５０ｍｌを入れ、加熱還流させた。これに、２―アミノヘプタン１．０８ｇ（９．３９ｍｍｏｌ）ＤＭＦ２５ｍｌの混合物を攪拌しながら滴下した。滴下終了後、６時間加熱還流させた。反応終了後、反応容器を冷却し、減圧濃縮した。残渣にトルエンを加え、シリカゲルカラムクロマトグラフィーにて精製し、モノイミド体Ｄ  １．６６ｇ（収率２８．１％）を得た。
【０１９０】
第二工程
１００ｍｌ４つ口フラスコに、モノイミド体Ｄ  １．５ｇ（２．３８ｍｍｏｌ）、ＤＭＦ５０ｍｌを入れ、加熱還流させた。これに、２―アミノオクタン０．３０８ｇ（２．３８ｍｍｏｌ）とＤＭＦ１０ｍｌの混合物を攪拌しながら滴下した。滴下終了後、６時間加熱還流させた。反応終了後、反応容器を冷却し、減圧濃縮した。残渣にトルエンを加え、シリカゲルカラムクロマトグラフィーにて精製した。更に回収品をトルエン／ヘキサンにより再結晶し、構造式（５）で表される電子輸送物質０．３２８ｇ（収率１８．６％）を得た。（電子輸送材料３とする）
構造式５
【０１９１】
【化３３】
0004836690.tif 000030
質量分析（ＦＤ―ＭＳ）において、Ｍ／ｚ＝７４０のピークが観測されたことにより目的物であると同定した。元素分析は計算値、炭素６９．７２％、水素５．４４％、窒素７．５６％に対し、実測値で炭素６９．５５％、水素５．２６％、窒素７．３３％あった。
【０１９２】
（電子輸送材料合成例４）
（構造式１１）
【０１９３】
【化３４】
0004836690.tif 000031
第一工程
２００ｍｌ４つ口フラスコに、１，４，５，８―ナフタレンテトラカルボン酸二無水物５．０ｇ（１８．６ｍｍｏｌ）、ＤＭＦ５０ｍｌを入れ、加熱還流させた。これに、２―アミノペンタン１．６２ｇ（１８．６ｍｍｏｌ）とＤＭＦ２５ｍｌの混合物を攪拌しながら滴下した。滴下終了後、６時間加熱還流させた。反応終了後、容器を冷却し、減圧濃縮した。残渣にトルエンを加え、シリカゲルカラムクロマトグラフィーにて精製した。更に回収品をトルエン／ヘキサンにより再結晶し、モノイミド体Ｅ  ３．４９ｇ（収率４５．８％）を得た。
【０１９４】
第二工程
１００ｍｌ４つ口フラスコに、モノイミド体Ｅ  ３．０ｇ（７．３３ｍｍｏｌ）と、１，４，５，８―ナフタレンテトラカルボン酸二無水物０．９８３ｇ（３．６６ｍｍｏｌ）、ヒドラジン一水和物０．３６８（７．３３ｍｍｏｌ）、ｐ―トルエンスルホン酸１０ｍｇ、トルエン５０ｍｌを入れ、５時間加熱還流させた。反応終了後、容器を冷却し、減圧濃縮した。残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィーにて２回精製した。更に回収品をトルエン／酢酸エチルにより再結晶し、構造式（Ａ―１）で表される電子輸送材料４を  ０．９３９ｇ（収率１３．７％）得た。質量分析（ＦＤ−ＭＳ）において、Ｍ／ｚ＝９３４のピークが観測されたことにより目的物であると同定した。元素分析は計算値、炭素６６．８１％、水素３．６７％、窒素８．９９％に対し、実測値で炭素６６．９２％、水素３．７４％、窒素９．０５％であった。（電子輸送剤材料４とする。）
（顔料合成例１）
特開平２―８２５６号（特公平７―９１４８６号）公報の製造例に記載の方法に準じて、顔料を作製した。すなわち、フタロジニトリル９．８ｇと１―クロロナフタレン７５ｍｌを撹拌混合し、窒素気流下で四塩化チタン２．２ｍｌを滴下する。滴下終了後、徐々に２００℃まで昇温し、反応温度を２００℃〜２２０℃の間に保ちながら３時間撹拌して反応を行なった。反応終了後、放冷し１３０℃になったところ熱時ろ過し、次いで１―クロロナフタレンで粉体が青色になるまで洗浄、次にメタノールで数回洗浄し、さらに８０℃の熱水で数回洗浄した後、乾燥し顔料を得た。（顔料１とする）
得られたチタニルフタロシアニン粉末を、下記の条件によりＸ線回折スペクトル測定し、公報に記載のスペクトルと同様であることを確認した。
【０１９５】
（Ｘ線回折スペクトル測定条件）
Ｘ線管球：Ｃｕ
電圧：５０ｋＶ
電流：３０ｍＡ
走査速度：２°／分
走査範囲：３°〜４０°
時定数：２秒
（顔料合成例２）
特開２００１―１９８７１号公報に準じて、顔料を作製した。即ち、１，３―ジイミノイソインドリン２９．２ｇとスルホラン２００ｍｌを混合し、窒素気流下でチタニウムテトラブトキシド２０．４ｇを滴下する。滴下終了後、徐々に１８０℃まで昇温し、反応温度を１７０℃〜１８０℃の間に保ちながら５時間撹拌して反応を行なった。反応終了後、放冷した後析出物を濾過し、クロロホルムで粉体が青色になるまで洗浄し、つぎにメタノールで数回洗浄し、さらに８０℃の熱水で数回洗浄した後乾燥し、粗チタニルフタロシアニンを得た。粗チタニルフタロシアニンを２０倍量の濃硫酸に溶解し、１００倍量の氷水に撹拌しながら滴下し、析出した結晶をろ過、ついで洗浄液が中性になるまで水洗いを繰り返し、チタニルフタロシアニン顔料のウェットケーキ（水ペースト）を得た。得られたこのウェットケーキ（水ペースト）２ｇをテトラヒドロフラン２０ｇに投入し、４時間攪拌を行なった後、濾過を行ない、乾燥して、チタニルフタロシアニン粉末を得た（顔料２とする）。
【０１９６】
得られたチタニルフタロシアニン粉末を、顔料合成例１の条件によりＸ線回折スペクトル測定し、公報に記載の、Ｃｕ―Ｋα線（波長１．５４２Å）に対するブラッグ角２θの回折ピーク（±０．２゜）として、少なくとも２７．２°に最大回折ピークを有し、更に９．４゜、９．６゜、２４．０゜に主要なピークを有し、かつ最も低角側の回折ピークとして７．３゜にピークを有し、７．３゜のピークと９．４゜のピークの間にピークを有さないチタニルフタロシアニンであることを確認した。
【０１９７】
感光体作製例１
無金属フタロシアニンを下記組成の処方、条件にて分散を行い顔料分散液を作製した。
【０１９８】
無金属フタロシアニン顔料（大日本インキ工業株式会社：Ｆａｓｔｏｇｅｎ  Ｂｌｕｅ８１２０Ｂ）：３部
シクロヘキサノン：９７部
φ９ｃｍのガラスポットにφ０．５ｍｍのＰＳＺボールを用い、回転数１００ｒｐｍで５時間分散を行った。
【０１９９】
上記分散液を用いて下記組成の感光体用塗工液を作製した。
【０２００】
上記分散液：８０部
下記構造式１６の正孔輸送材料：６０部
【０２０１】
【化３５】
0004836690.tif 000032
電子輸送材料１：４０部
Ｚ型ポリカーボネート樹脂（帝人化成製：パンライトＴＳ―２０５０）：１００部
シリコーンオイル（信越化学工業社製：ＫＦ５０）：０．０２部
テトラヒドロフラン：７００部
こうして得られた感光層用塗工液をφ３０ｍｍ、長さ３４０ｍｍアルミニウムドラム上に、浸漬塗工法にて塗布、１２０℃で２０分間乾燥し、２５μｍの感光層を形成し、感光体ドラムを作製した。また同時に、この感光層用塗工液をアルミ板上にブレードコーターにて塗布、１２０℃で２０分間乾燥し、２５μｍの感光層を形成し、シート感光体を作製した（両感光体を感光体１とする）。
感光体作製例２〜１６
表１に示すように、電荷発生材料種、正孔輸送剤添加量（樹脂１００重量部に対する添加重量部）、電子輸送材料種及びその添加量（樹脂１００重量部に対する添加重量部）を変更したこと以外は感光体作製例１と同様にして感光体ドラム、シート感光体を作製し、感光体２〜１６を得た。
【０２０２】
感光体作製１７
感光体作製例４において、電子輸送材料１を電子輸送材料４に変更したこと以外は、全て感光体作製例４と同様にして感光体ドラム、シート感光体を作製し、感光体１７を得た。
【０２０３】
感光体作製１８
感光体作製例７において、電子輸送材料１を下記構造式で表される電子輸送材料５に変更したこと以外は、全て感光体作製例７と同様にして感光体ドラム、シート感光体を作製し、感光体１８を得た。
【０２０４】
（電子輸送材料５）
【０２０５】
【化３６】
0004836690.tif 000033
感光体作製１９
感光体作製例４において、電子輸送材料１を下記構造式で表される電子輸送材料６に変更したこと以外は、全て感光体作製例４と同様にして感光体ドラム、シート感光体を作製し、感光体１９を得た。
（電子輸送材料６）
【０２０６】
【化３７】
0004836690.tif 000034
（式中ｎは１〜１００まで数値を表し、これらのものの混合体である。式中、両端の末端基はＭｅ（メチル基）を表す。）
感光体作製２０
感光体作製例７において、電子輸送材料１を５０重量部とし、下記構造式で表される電子輸送材料７を１０重量部加えたこと以外は、全て感光体作製例７と同様にして感光体ドラム、シート感光体を作製し、感光体２０を得た。
【０２０７】
（電子輸送材料７）
【０２０８】
【化３８】
0004836690.tif 000035
（式中、両端の末端基はＭｅ（メチル基）を表す。）
【０２０９】
【表１】
0004836690.tif 000036
（感光体の光感度Ｅ１／２の評価）
得られたシート感光体を川口電気（株）製モデルＥＰＡ８１００に装着して、±８００Ｖ帯電させた後、７８０ｎｍの単色光による露光、除電を行い、それぞれの帯電極性における半減露光量（Ｅ１／２）を測定し、その比を求めた。その結果を表２及び３に示す。
【０２１０】
（転写メモリー画像の評価）
画像形成装置に感光体を搭載し、図７に示す転写メモリー評価用原稿を出力し、転写メモリーによる濃度変化を目視にて評価した。転写の影響受けた部分の濃度は中間調画像濃度域で画像濃度が濃くなる。耐刷試験の前後で転写メモリー画像評価を行い、評価ランクは次のとおりである。
◎：非常に良好、○：良好、△：やや劣る、×：非常に悪い
（像露光メモリー画像の評価）
画像形成装置に感光体を搭載し、図８に示す像露光メモリー評価用原稿を出力し、像露光メモリーによる濃度変化を目視にて評価した。強い像露光の影響受けた部分の濃度は中間調画像濃度域で画像濃度が濃くなる。耐刷試験の前後で像露光メモリー画像評価を行い、評価ランクは次のとおりである。
◎：非常に良好、○：良好、△：やや劣る、×：非常に悪い
実施例１〜１２、参考例１３〜１５、実施例１６、比較例１〜４
リコー製ｉｍｇｉｏ  Ｎｅｏ  ２７０（書き込みレーザー波長は７８０ｎｍ、除電ＬＥＤ有り）のパワーパックを交換して、ローラー帯電（正極性）、ローラー転写（負極性）に改造し、正帯電用トナー及び現像剤に変更した画像形成装置１に感光体１〜１６を搭載し、書き込み率５％チャートを用いＡ４横で通算１万枚印刷する耐刷試験を行った。試験開始時の感光体の帯電電位が＋６００Ｖとなるように設定し、試験終了に至るまでこの帯電条件で試験を行った。また現像バイアスは＋４５０Ｖとした。試験環境は２３℃、５５％ＲＨである。耐刷試験前後で転写及び像露光メモリー画像の評価を行った。その結果を表２に示す。
【０２１２】
【表２】
0004836690.tif 000037
実施例１７〜２４、参考例２５〜２７、実施例２８、比較例５〜８
リコー製ｉｍｇｉｏ  Ｎｅｏ  ２７０（書き込みレーザー波長は７８０ｎｍ、除電ＬＥＤ有り）のパワーパックを交換して、ローラー帯電（正極性）、ローラー転写（負極性）に改造し、除電ＬＥＤを外し、正帯電用トナー及び現像剤に変更した画像形成装置２に感光体１〜１６を搭載し、書き込み率５％チャートを用いＡ４横で通算１万枚印刷する耐刷試験を行った。試験開始時の感光体の帯電電位が＋６００Ｖとなるように設定し、試験終了に至るまでこの帯電条件で試験を行った。また現像バイアスは＋４５０Ｖとした。試験環境は２３℃、５５％ＲＨである。耐刷試験前後で転写及び像露光メモリー画像の評価を行った。その結果を表３に示す。
【０２１４】
【表３】
0004836690.tif 000038
実施例に示すように本発明の要件を満たす実施例では繰り返し使用によっても転写及び像露光による画像不具合が発生しておらず、良好な画像が出力できることが判明した。
【０２１５】
実施例２９〜３３、参考例３４〜３６、実施例３７、比較例９〜１０
リコー製ｉｍｇｉｏ  Ｎｅｏ  ２７０（書き込みレーザー波長は７８０ｎｍ、除電ＬＥＤ有り）で、ローラー帯電（負極性）、ローラー転写（負正極性）とし、負帯電用トナー及び現像剤に変更した画像形成装置３に感光体２，４，７，１０，１２，１４，１６を搭載し、書き込み率５％チャートを用いＡ４横で通算１万枚印刷する耐刷試験を行った。試験開始時の感光体の帯電電位が−６００Ｖとなるように設定し、試験終了に至るまでこの帯電条件で試験を行った。また現像バイアスは−４５０Ｖとした。試験環境は２３℃、５５％ＲＨである。耐刷試験前後で転写及び像露光メモリー画像の評価を行った。その結果を表４に示す。
【０２１７】
【表４】
0004836690.tif 000039
尚、この時発生した像露光メモリー画像は、図９に示すようなネガ残像となった。比較例のように負の光感度が悪い場合、像露光により負の空間電荷が蓄積し、像露光部の中間調電位が上昇し、濃度低下が起こったものと考えられる。
【０２１８】
実施例３８〜４２、参考例４３〜４５、実施例４６、比較例１１〜１２
リコー製ｉｍｇｉｏ  Ｎｅｏ  ２７０（書き込みレーザー波長は７８０ｎｍ、除電ＬＥＤ有り）で、ローラー帯電（負極性）、ローラー転写（負正極性）とし、除電ＬＥＤを取り外し、負帯電用トナー及び現像剤に変更した画像形成装置３に感光体２，４，７，１０，１２，１４，１６を搭載し、書き込み率５％チャートを用いＡ４横で通算１万枚印刷する耐刷試験を行った。試験開始時の感光体の帯電電位が６００Ｖとなるように設定し、試験終了に至るまでこの帯電条件で試験を行った。また現像バイアスは−４５０Ｖとした。試験環境は２３℃、５５％ＲＨである。耐刷試験前後で転写及び像露光メモリー画像の評価を行った。その結果を表５に示す。
【０２２０】
【表５】
0004836690.tif 000040
尚、この時発生した像露光メモリー画像は、図９に示すようなネガ残像となった。この理由は先述した通りと考えられる。
【０２２１】
以上、本発明の実施の形態及び実施例を具体的に説明してきたが、本発明は、これらの実施の形態及び実施例に限定されるものではなく、これら本発明の実施の形態及び実施例を、本発明の主旨及び範囲を逸脱することなく、変更又は変形することができる。
【図面の簡単な説明】
【０２２２】
【図１】本発明に係る電子写真装置の例を示す模式断面図である。
【図２】本発明に係る電子写真装置の別の例を示す模式断面図である。
【図３】本発明に係る電子写真装置の更に別の例を示す模式断面図である。
【図４】本発明に係る電子写真装置の更に別の例を示す模式断面図である。
【図５】本発明に係る電子写真装置の更に別の例を示す模式断面図である。
【図６】本発明に係る電子写真感光体の層構成を示す断面図である。
【図７】転写メモリー用評価原稿と転写メモリー画像を示す図である。
【図８】像露光メモリー用評価原稿と像露光メモリー画像を示す図である。
【図９】発生した像露光メモリー画像を示す図である。
【符号の説明】
【０２２３】
１１  電子写真感光体
１２  帯電手段
１３  露光手段
１４  現像手段
１５  トナー
１６  転写手段
１７  クリーニング手段
１８  受像媒体
１９  定着手段
１Ａ  除電手段
１Ｂ  クリーニング前露光手段
１Ｃ  駆動手段
１Ｄ  第１の転写手段
１Ｅ  第２の転写手段
１Ｆ  中間転写体
１Ｇ  受像媒体担持体
２１  導電性支持体
２２  感光層
【図１】
0004836690.tif 000043
【図２】
0004836690.tif 000044
【図３】
0004836690.tif 000045
【図４】
0004836690.tif 000046
【図５】
0004836690.tif 000047
【図６】
0004836690.tif 000048
【図７】
0004836690.tif 000049
【図８】
0004836690.tif 000050
【図９】
0004836690.tif 000051