(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
音波によって振動するダイヤフラムと、
前記ダイヤフラムに向かい合う面が前記ダイヤフラムの中央部に向かい合う部分に向かって凹んでいるバックプレートと、
前記バックプレートから離間させた状態で前記ダイヤフラムを保持している保持部と、
を備え、
前記バックプレートは、外周が前記保持部に結合している絶縁膜と、前記絶縁膜より表面積が小さく前記ダイヤフラムの外周より内側の部分に向かい合っている導電膜とを有する、
ことを特徴とするコンデンサマイクロホン。
【請求項２】
前記保持部は、前記ダイヤフラムの振幅が前記中央部に対応する点に向かって増大するように前記ダイヤフラムを保持し、
前記バックプレートは、前記ダイヤフラムに向かい合う面が前記ダイヤフラムの前記中央部に向かい合う部分に向かって球面状に凹んでいる、
請求項１に記載のコンデンサマイクロホン。
【請求項３】
前記保持部は、前記ダイヤフラムの振幅が前記中央部に対応する線に向かって増大するように前記ダイヤフラムを保持し、
前記バックプレートは、前記ダイヤフラムに向かい合う面が前記ダイヤフラムの中央部に向かい合う部分に向かって円筒面状に凹んでいる、
請求項１に記載のコンデンサマイクロホン。
【請求項４】
前記バックプレートは、前記ダイヤフラムに向かい合う面が前記ダイヤフラムの中央部に向かい合う部分に向かって階段状に凹んでいる、
請求項１に記載のコンデンサマイクロホン。
【請求項５】
前記バックプレートは、前記ダイヤフラムに向かい合う面の近端部が平坦である、
請求項１〜４のいずれか一項に記載のコンデンサマイクロホン。
【請求項６】
前記ダイヤフラム、前記バックプレート及び前記保持部は堆積膜からなる、
請求項１〜５のいずれか一項に記載のコンデンサマイクロホン。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明はコンデンサマイクロホン及びその製造方法に関し、特に半導体デバイスの製造プロセスを応用して製造されるコンデンサマイクロホンに関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、半導体デバイスの製造プロセスを応用して製造されるコンデンサマイクロホンが知られている。非特許文献１には、ダイヤフラムとそれに向かい合うバックプレートのそれぞれを導電性の薄膜で構成したその種のコンデンサマイクロホンが開示されている。しかし、ダイヤフラムの振幅は中央部から端部に向かって小さくなるため、導電性の薄膜で構成されたダイヤフラムの端部近傍は、実質的には寄生容量を形成している。この寄生容量はコンデンサマイクロホンの感度を低下させる。
【０００３】
【非特許文献１】電気学会Ｍ２２−０１−３４（ＮＨＫ）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
本発明は感度の高いコンデンサマイクロホン及びその製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
（１）上記目的を達成するためのコンデンサマイクロホンは、音波によって振動するダイヤフラムと、前記ダイヤフラムに向かい合う面が前記ダイヤフラムの中央部に向かい合う部分に向かって凹んでいるバックプレートと、前記バックプレートから離間させた状態で前記ダイヤフラムを保持している保持部と、を備える。
このコンデンサマイクロホンによると、バックプレートのダイヤフラムに向かう合う面がダイヤフラムの中央部に向かい合う部分に向かって凹んでいるため、ダイヤフラムとバックプレートの間の空間は中央部が広く端部近傍が狭くなっている。したがってこのコンデンサマイクロホンによると、ダイヤフラムの端部近傍においてダイヤフラムとバックプレートの距離が短くなっている。バックプレートとダイヤフラムによって構成されるコンデンサの容量はバックプレートとダイヤフラムの距離の二乗に反比例する。このため、ダイヤフラムがバックプレートに近いほどコンデンサの容量変化が増大する。したがって、このコンデンサマイクロホンによると、ダイヤフラムの端部近傍の変位がコンデンサの容量変化に与える影響が大きい。すなわち、このコンデンサマイクロホンは従来に比べて感度が高い。
また、上記目的を達成するためのコンデンサマイクロホンにおいて、前記バックプレートは、外周が前記保持部に結合している絶縁膜と、前記絶縁膜より表面積が小さくダイヤフラムの外周より内側の部分に向かい合っている導電膜とを有している。
このコンデンサマイクロホンによると、バックプレートの導電膜は絶縁膜より表面積が小さくダイヤフラムの外周より内側の部分と向かい合っている。すなわち、このコンデンサマイクロホンによると、バックプレートの導電膜がダイヤフラムの音波によって振動しない部分と向かい合っていないため、バックプレートとダイヤフラムによって構成されるコンデンサの寄生容量は低い。したがって、このコンデンサマイクロホンは従来に比べてさらに感度を高くすることができる。
【０００６】
（２）上記目的を達成するためのコンデンサマイクロホンにおいて、前記保持部は、前記ダイヤフラムの振幅が前記中央部に対応する点に向かって増大するように前記ダイヤフラムを保持し、前記バックプレートは、前記ダイヤフラムに向かい合う面が前記ダイヤフラムの中央部に向かい合う部分に向かって球面状に凹んでいてもよい。
【０００７】
（３）上記目的を達成するためのコンデンサマイクロホンにおいて、前記保持部は、前記ダイヤフラムの振幅が前記中央部に対応する線に向かって増大するように前記ダイヤフラムを保持し、前記バックプレートは、前記ダイヤフラムに向かい合う面が前記ダイヤフラムの中央部に向かい合う部分に向かって円筒面状に凹んでいてもよい。
【０００８】
（４）上記目的を達成するためのコンデンサマイクロホンにおいて、前記バックプレートは、前記ダイヤフラムに向かい合う面が前記ダイヤフラムの中央部に向かい合う部分に向かって階段状に凹んでいてもよい。
【０００９】
（５）上記目的を達成するためのコンデンサマイクロホンにおいて、前記バックプレートは、前記ダイヤフラムに向かい合う面の近端部が平坦であってもよい。
【００１０】
（６）上記目的を達成するためのコンデンサマイクロホンにおいて、前記ダイヤフラム、前記バックプレート及び前記保持部は堆積膜からなってもよい。
このコンデンサマイクロホンは、半導体製造プロセスによって製造できるため小型化することができる。
【００１２】
上記目的を達成するためのコンデンサマイクロホンの製造方法は、音波によって振動するダイヤフラムと前記ダイヤフラムに向かい合うバックプレートとを備えるコンデンサマイクロホンの製造方法であって、前記ダイヤフラムを構成する膜を堆積し、前記ダイヤフラムを構成する膜の上に犠牲膜を堆積し、前記犠牲膜の部分領域上にマスクを形成し、前記犠牲膜の表層を前記マスクが無くなるまで異方性エッチングにより除去することによって前記犠牲膜に凸面を形成し、前記凸面の上に前記バックプレートを構成する膜を堆積させ、前記犠牲膜の前記凸面を含む一部を除去することにより前記ダイヤフラムと前記バックプレートとの間に空間を形成する、ことを含む。
この製造方法によると、ダイヤフラムの中央部において広くダイヤフラムの端部近傍において狭い空間をダイヤフラムとバックプレートの間に形成することができる。したがってこの製造方法によると感度の高いコンデンサマイクロホンを製造することができる。
【００１３】
上記目的を達成するためのコンデンサマイクロホンの製造方法において、前記犠牲膜の上でレジストを所定形状にパターニングした後に、前記レジストを再溶融し、再溶融した前記レジストを再硬化させることにより前記マスクを形成してもよい。
この製造方法によると、湾曲した凹面をバックプレートに形成することができる。
【００１４】
上記目的を達成するためのコンデンサマイクロホンの製造方法において、前記犠牲膜は前記ダイヤフラムから離間させた状態で前記バックプレートを保持する保持部を構成するための絶縁材料からなり、前記バックプレートを構成する膜を堆積させるとき、前記凸面の上に前記バックプレートを構成する導電膜を堆積させ、前記犠牲膜の前記凸面よりも外側の部分に堆積している前記導電膜を除去し、前記導電膜の上に絶縁膜を堆積させ、前記ダイヤフラムと前記バックプレートとの間に空間を形成するとき、前記犠牲膜の前記導電膜が堆積している部分よりも外側の部分を残存させることにより前記保持部を形成してもよい。
この製造方法によると、犠牲膜の一部を残存させて保持部を形成するため、犠牲膜とは別の工程で保持部を構成する膜を形成する必要がない。したがって、この製造法によるとコンデンサマイクロホンの製造工程が簡素化される。
【００１５】
尚、本明細書において、「・・・上に形成する」とは、技術上の阻害要因がない限りにおいて、「・・・上に直に形成する」と、「・・・上に中間物を介して形成する」の両方を含む意味とする。また、請求項に記載された方法の各動作の順序は、技術上の阻害要因がない限り、記載順に限定されるものではなく、どのような順番で実行されてもよく、また同時に実行されてもよい。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１６】
以下、実施例と参考例に基づいて本発明の実施の形態を説明する。各実施例および参考例において同一の符号が付された構成要素は、その符号が付された他の実施例あるいは参考例の構成要素と対応する。
（参考例）
［構成］
図１（Ａ）は、本発明の参考例としてのコンデンサマイクロホン１の構成を示す模式図である。コンデンサマイクロホン１は、図１（Ａ）に破線で囲った本体と本体から音響信号を取り出すための検出回路とを備えている。
【００１７】
・本体
ダイヤフラム２４は不純物がドープされた多結晶シリコン、チタンなどの導体の薄膜で構成され、コンデンサの電極を構成している。ダイヤフラム２４は、単層の導体薄膜で構成されていてもよいし、少なくとも一層の導体の薄膜を含む複層で構成されていてもよい。ダイヤフラム２４の外周は円形であり、保持部２８に固定されている。このため、ダイヤフラム２４はその中央部１８の１点において振幅が最大になる。
【００１８】
バックプレート１６は不純物がドープされた多結晶シリコン、チタンなどの導体の薄膜で構成され、コンデンサの電極を構成している。バックプレート１６は、単層の導体薄膜で構成されていてもよいし、少なくとも一層の導体の薄膜を含む複層で構成されていてもよい。バックプレート１６の外周は円形であり、保持部２８に固定されている。バックプレート１６の中央部１８は、最大振幅で振動するダイヤフラム２４の中央部と向かい合っている。バックプレート１６は、ダイヤフラム２４に向かい合う面２２が中央部１８に向かって球面状に凹んでいる。バックプレート１６のダイヤフラム２４に向かい合う面２２の端部に近い円環状の近端部２０は平坦である。バックプレート１６には複数の貫通孔１４が形成されている。貫通孔１４はバックプレート１６とダイヤフラム２４の間の空間２６と外部空間との間で空気を流通させることによってダイヤフラム２４が振動しやすくしている。
【００１９】
バックプレート１６とダイヤフラム２４とは互いに離間した状態で保持部２８によって保持されている。バックプレート１６、ダイヤフラム２４の何れを音源側に設けてもよい。ダイヤフラム２４のバックプレート１６と反対側には保持部２８の内壁２７に囲まれたバックキャビティ２５が形成されている。
【００２０】
コンデンサマイクロホン１の本体は図１（Ｂ）に示すように堆積された薄膜の積層構造を有している。多結晶シリコン、チタンなどからなる導電膜３０はバックプレート１６とパッド部１２と保持部２８とを構成している。二酸化シリコンなどからなる絶縁膜３２は保持部２８を構成し、導電膜３０と導電膜３４とを絶縁し、バックプレート１６とダイヤフラム２４との間に空間を形成するスペーサを構成している。多結晶シリコン、チタンなどからなる導電膜３４はダイヤフラム２４及び保持部２８を構成している。エッチストッパ膜３６は二酸化シリコンなどで構成されている。基板３８は単結晶シリコンなどで構成されている。
【００２１】
・検出部
バックプレート１６と同じ導電膜３０で構成されているパッド部１２は、コンデンサマイクロホンが実装されている基板のグランドにリード線１０６を介して接続されている。ダイヤフラム２４と同じ導電膜３４で構成されているパッド部１０は、リード線１０４を介して抵抗器１００とコンデンサ１１２とに接続されている。コンデンサ１１２はリード線１１４を介してプリアンプ１１０の入力端に接続されている。抵抗器１００は、リード線１０８を介してバイアス電源回路１０２の出力端に接続されている。抵抗器１００としては抵抗値が大きなものを使用する。具体的には、抵抗器１００はＧΩオーダーの電気抵抗を有するものが望ましい。
【００２２】
［作動］
音波がバックプレート１６の貫通孔１４を通過してダイヤフラム２４に伝搬すると、ダイヤフラム２４は音波によって振動する。ダイヤフラム２４が振動すると、バックプレート１６からダイヤフラム２４までの距離が変化するため、ダイヤフラム２４とバックプレート１６とにより構成されているコンデンサの静電容量が変化する。
【００２３】
ダイヤフラム２４は抵抗値が大きい抵抗器１００とコンデンサ１１２とに接続されているため、ダイヤフラム２４とバックプレート１６とで構成されているコンデンサの静電容量が変化したとしても、ダイヤフラム２４とバックプレート１６とで構成されているコンデンサに蓄積されている電荷が抵抗器１００を流れることはほとんどない。したがって、ダイヤフラム２４とバックプレート１６とにより構成されているコンデンサに蓄積されている電荷は、ダイヤフラム２４が振動しても変化しないものとみなせる。このため、ダイヤフラム２４とバックプレート１６とで構成されているコンデンサの静電容量の変化は、ダイヤフラム２４とバックプレート１６との間の電圧の変化として検出される。
【００２４】
コンデンサマイクロホン１は、ダイヤフラム２４のグランドに対する電圧の変化をプリアンプ１１０で増幅することにより、ダイヤフラム２４とバックプレート１６とで構成されているコンデンサの静電容量の極めてわずかな変化を電気信号として出力する。すなわち、コンデンサマイクロホン１は、ダイヤフラム２４に加わる音圧の変化をコンデンサの静電容量の変化に変換し、コンデンサの静電容量の変化を電圧の変化に変換することにより、音圧の変化に相関する電気信号を出力する。
【００２５】
［効果］
コンデンサマイクロホン１は、バックプレート１６が中央部に向かって凹んでいるため、平坦なバックプレートを備える従来のコンデンサマイクロホンと比べて感度が向上している。以下、図２及び図３に基づいて詳細に説明する。
【００２６】
図２（Ａ）は、バックプレート４０の形状のみが本実施形態と異なる第一の比較例としてのコンデンサマイクロホンを示す模式図である。バックプレート４０のダイヤフラム２４に向かい合う面が平坦であるため、ダイヤフラム２４が振動していないとき、ダイヤフラム２４からバックプレート４０までの距離ｄは一定である。ダイヤフラム２４は、破線で示すように、中央部Ｐにおいて最大の振幅で振動し、中央部Ｐから離れるほど振幅が小さくなる。したがって、ダイヤフラム２４の端部に近い近端部は、ダイヤフラム２４とバックプレート４０とで構成されるコンデンサの容量変化にほとんど寄与せず、実質的に寄生容量を生み出している。ダイヤフラム２４の端部に近い近端部が生み出すこのような寄生容量を低減することによってコンデンサマイクロホンの感度が向上する。
【００２７】
図２（Ｂ）は、バックプレート４２の形状のみが本実施形態と異なる第二の比較例としてのコンデンサマイクロホンを示す模式図である。図２（Ｂ）に示すコンデンサマイクロホンでは、バックプレート４２のダイヤフラム２４に向かい合う面がダイヤフラム２４の中央部Ｐに向かい合う部分に向かって凹んでいるため、ダイヤフラム２４からバックプレート４２までの距離ｄは、中央部Ｐにおいて最長となり、中央部Ｐから離れるほど短くなる。ダイヤフラム２４とバックプレート４２との電位差は、ダイヤフラム２４とバックプレート４２との間に働く静電引力に相関する。ダイヤフラム２４の端部に近い近端部が小さな振幅で振動することによって生ずるその静電引力の変化幅が大きくなるほど、コンデンサマイクロホンの感度は向上する。図３に示すように、ダイヤフラムとバックプレートとの間に働く静電引力の変化幅Δｆは、ダイヤフラムからバックプレートまでの距離ｄが短くなるなるほど大きくなる。図２（Ｂ）に示す第二の比較例では、ダイヤフラム２４の端部に近い近端部は、図２（Ａ）に示す第一の比較例に比べてバックプレート４２に近くなっている。このため、図２（Ｂ）に示す第二の比較例では、ダイヤフラム２４の端部に近い近端部によって生み出される寄生容量が図２（Ａ）に示す第一の比較例に比べて小さくなる。したがって、図２（Ｂ）に示すコンデンサマイクロホンの感度は、図２（Ａ）に示すコンデンサマイクロホンよりも感度が高くなる。
【００２８】
本実施形態では、図２（Ｃ）に示すように、バックプレート１６のダイヤフラム２４に向かい合っている面２２の内側がダイヤフラム２４の中央部Ｐに向かい合う部分に向かって凹んでいるため、ダイヤフラム２４からバックプレート１６までの距離は、ダイヤフラム２４の中央部Ｐにおいて長く、ダイヤフラム２４の端部に近い近端部において短くなっている。したがって、本実施形態によるコンデンサマイクロホン１は、第二の比較例と同様に、図２（Ａ）に示す第一の比較例に比べて感度が高くなる。
【００２９】
さらに本実施形態では、バックプレート１６のダイヤフラム２４に向かい合っている面２２の内側がダイヤフラム２４の中央部Ｐに向かい合う部分に向かって球面状に凹んでいるため、ダイヤフラム２４の中央部Ｐから所定の距離内にある範囲において、ダイヤフラム２４の振幅２ｙと、ダイヤフラム２４からバックプレート１６までの距離ｄとの比を、ダイヤフラム２４の中央部Ｐにおけるその比にほぼ揃えることができる。
【００３０】
ダイヤフラム２４の振幅２ｙと、ダイヤフラム２４からバックプレート１６までの距離ｄとの比を、ダイヤフラム２４の端部に近い範囲においてもダイヤフラム２４の中央部Ｐにおけるその比に揃えようとすると、ダイヤフラム２４の端部に近い近端部がバックプレート４２に近くなり過ぎる。ダイヤフラム２４の端部に近い近端部がバックプレート４２に近くなり過ぎると、バックプレート４２とダイヤフラム２４とを絶縁している保持部２８の表面抵抗が下がってリーク電流が増大し、コンデンサマイクロホンの感度が低下する。本実施形態では、バックプレート１６のダイヤフラム２４に向かい合う面２２の端部に近い近端部２０を平坦にすることにより、リーク電流によるコンデンサマイクロホンの感度低下を防止している。
【００３１】
［製造方法］
図４及び図５はコンデンサマイクロホン１の製造方法を示す断面図である。
はじめに図４（Ａ）に示すように、基板３８の上にエッチストッパ膜３６、導電膜３４及び絶縁膜３２を順に堆積させる。具体的には例えば単結晶シリコンからなる基板３８の上に、ＣＶＤ法により二酸化シリコンを堆積させてエッチストッパ膜３６を形成する。さらに、ＬＰＣＶＤ法によってシリコンを堆積させ、不純物を高濃度のイオン注入によりシリコンにドープし、シリコンを活性化させることにより、多結晶シリコンからなる導電膜３４を形成する。さらにＣＶＤ法により二酸化シリコンを堆積させて絶縁膜３２を形成する。
【００３２】
次に図４（Ｂ）に示すように、絶縁膜３２の上でレジスト５６を円柱形にパターニングする。
次に図４（Ｃ）に示すように、レジストを再融解した後に再硬化させることによって絶縁膜３２の部分領域上にマスク５７を形成する。再融解前の円柱形のレジスト５６の底面の半径は、レジスト５６を再溶融し再硬化させた後に形成されるマスク５７の底面の半径とほぼ一致する。マスク５７の表面の曲率半径は、レジスト５６の高さ（厚さ）でほぼ決まる。したがって、バックプレート１６のダイヤフラム２４に向かい合う面の球面状の凹部の形状は、再融解前のレジスト５６の底面の半径及び高さによって制御できる。
【００３３】
次に、異方性エッチングであるドライエッチングによりマスク５７が無くなるまで絶縁膜３２の表層を除去する。すると、図４（Ｄ）に示すように絶縁膜３２の表面に球面状の凸面５８が形成される。
【００３４】
次に図４（Ｅ）に示すように、絶縁膜３２の上に導電膜３０を堆積させる。具体的には例えばＬＰＣＶＤ法によってシリコンを堆積させ、不純物を高濃度のイオン注入によりシリコンにドープし、シリコンを活性化させることにより、多結晶シリコンからなる導電膜３０を形成する。
【００３５】
次に図５（Ａ）に示すように、導電膜３０をエッチングして貫通孔１４を形成する。
次に図５（Ｂ）に示すように、導電膜３０及び絶縁膜３２をエッチングして導電膜３０及び絶縁膜３２の外形を完成させる。
次に図５（Ｃ）に示すように、基板３８の一部をＤｅｅｐＲＩＥ法によって除去し、バックキャビティ２５の一部を形成する。
【００３６】
次に図５（Ｄ）に示すように、エッチストッパ膜３６及び絶縁膜３２の一部をＢＨＦ等を用いたエッチングにより除去し、バックプレート１６とダイヤフラム２４の間の空間２６とバックキャビティ２５の残部とを形成する。このとき除去される絶縁膜３２の一部は、凸面５８を含み、犠牲膜に相当する。
【００３７】
（実施例）
［構成］
図６（Ａ）は、本発明の実施例としてのコンデンサマイクロホン２の構成を示す模式図である。コンデンサマイクロホン２は、図１（Ａ）に示す本体と、参考例としてのコンデンサマイクロホン１と実質的に同一の検出回路とを備えている。
コンデンサマイクロホン２の本体は、バックプレートがコンデンサマイクロホン１と異なる。コンデンサマイクロホン２の本体の各構成要素は、バックプレート２１６を除きコンデンサマイクロホン１の対応する構成要素と実質的に同一である。
【００３８】
バックプレート２１６の外形は、参考例に係るバックプレート１６と実質的に同一である。すなわち、バックプレート２１６のダイヤフラム２４に向かい合う面２２２が中央部２１８に向かって球面状に凹んでいる。そしてバックプレート２１６のダイヤフラム２４に向かい合う面２２２の端部に近い円環状の近端部２２０は平坦である。
【００３９】
バックプレート２１６は、Ｓｉ3Ｎ4などの絶縁材料からなる絶縁膜２１６ａと、不純物がドープされた多結晶シリコン、チタンなどの導電材料からなる導電膜２１６ｂとで構成されている。絶縁膜２１６ａの外周は円形であり、保持部２８に固定されている。導電膜２１６ｂは、絶縁膜２１６ａより表面積が小さくダイヤフラム２４の外周より内側の部分と向かい合って、コンデンサの電極を構成している。尚、絶縁膜２１６ａと導電膜２１６ｂはそれぞれ単層膜でもよいし複層膜でもよい。
【００４０】
図６（Ｂ）に示すように、コンデンサマイクロホン２の本体は、参考例としてのコンデンサマイクロホン１と同様に、堆積された薄膜の積層構造を有している。多結晶シリコン、チタンなどからなる導電膜２３０は、バックプレート２１６と、バックプレート２１６に接続されている図示しないパッド部とを構成している。Ｓｉ3Ｎ4などからなる絶縁膜２３１は、バックプレート２１６と保持部２８とを構成している。
【００４１】
［効果］
コンデンサマイクロホン２では、バックプレート２１６の導電膜２１６ｂがダイヤフラム２４の保持部２８に保持されている外周と向かい合っていないため、ダイヤフラム２４とバックプレート２１６とによって構成されるコンデンサの音波によって変化しない実質的な寄生容量は小さい。またコンデンサマイクロホン２では、導電膜２３０及び導電膜３４の保持部２８を構成している部分が絶縁膜３２を介して向かい合っていないため、保持部２８における寄生容量は小さい。このようにコンデンサマイクロホン２の寄生容量を低減することにより、コンデンサマイクロホン２の感度を高めることができる。
【００４２】
［製造方法］
図７はコンデンサマイクロホン２の製造方法を示す断面図である。
はじめに図７（Ａ）に示すように、参考例としてのコンデンサマイクロホン１の製造方法と同様にして、基板３８上にエッチストッパ膜３６、導電膜３４、絶縁膜３２及び導電膜２３０を順に形成する。
【００４３】
次に図７（Ｂ）に示すように、絶縁膜３２の凸面５８よりも外側の部分に堆積している
導電膜２３０の一部を除去する。具体的には例えば、上述のように導電膜２３０をパターニングする。
次に図７（Ｃ）に示すように、絶縁膜３２及び導電膜２３０の表面上に絶縁膜２３１を堆積させる。
【００４４】
次に図７（Ｄ）に示すように、導電膜２３０及び絶縁膜２３１をエッチングして貫通孔１４を形成する。
次に図７（Ｅ）に示すように、参考例としてのコンデンサマイクロホン１の製造方法と同様にして、基板３８の一部を除去することによりバックキャビティ２５の一部を形成する。そして、絶縁膜３２の導電膜２３０が堆積している部分よりも外側の部分が残存するように、エッチストッパ膜３６及び絶縁膜３２の一部を除去することにより、保持部２８とバックプレート２１６とダイヤフラム２４との間の空間２６とバックキャビティ２５の残部とを形成する。
【００４５】
［他の実施形態］
本発明は、上記実施形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々の形態で実施可能である。例えば、バックプレート１６は、ダイヤフラム２４に向かい合う面２２が、図８（Ａ）に示すように全体として球面状に凹んでいてもよい。
【００４６】
また、図８（Ｂ）に示すようにダイヤフラム２４が保持部２８によって向かい合う２辺を保持される場合、バックプレート１６は、ダイヤフラム２４に向かい合う面２２が全体として円筒面状に凹んでいてもよい。この場合、ダイヤフラム２４の振幅は線状の中央部に向かって増大する。
【００４７】
円筒面状に凹んだバックプレート１６の面２２を形成する方法は、次のとおりである。まず、図９（Ａ）に示すように絶縁膜３２の上でレジスト５６を直方体にパターニングした後に再溶融し再硬化させ、図９（Ｂ）に示すように端部を除いて表面が円筒形であるマスク５７を形成する。次に図９（Ｃ）に示すようにマスク５７が無くなるまで絶縁膜３２の表層を異方性エッチングにより除去する。その結果、端部を除いてほぼ円筒形である突面５８が絶縁膜３２の表面に形成される。次に図９（Ｄ）に示すように凸面５８のほぼ円筒面である部分の上にバックプレート１６を構成する導電膜３０を堆積させる。これにより、バックプレート１６を構成する導電膜３０の一部を円筒面状に湾曲させることができる。
【００４８】
またバックプレート１６のダイヤフラム２４に向かい合う面の凹部は、なだらかな湾曲面でなくとも、図１０に示すように階段状であってもよい。階段状に凹んだバックプレート１６の面２２を形成するには、形状の異なる複数の導電膜５４、５２、５０、４８を積層してもよいし、階段状の犠牲膜の上に導電膜を堆積させてもよい。
【図面の簡単な説明】
【００４９】
【図１】（Ａ）は本発明の参考例に係る模式図、（Ｂ）は本発明の参考例に係る断面図である。
【図２】本発明の参考例に係る模式図である。
【図３】本発明の参考例に係るグラフである。
【図４】本発明の参考例に係る断面図である。
【図５】本発明の参考例に係る断面図である。
【図６】（Ａ）は本発明の実施例に係る模式図、（Ｂ）は本発明の実施例に係る断面図である。
【図７】本発明の実施例に係る断面図である。
【図８】本発明の他の実施例に係る模式図である。
【図９】本発明の他の実施例に係る斜視図である。
【図１０】本発明の他の実施例に係る断面図である。
【符号の説明】
【００５０】
１、２：コンデンサマイクロホン、１４：貫通孔、１６、２１６：バックプレート、１８：中央部、２０、２２０：近端部、２４：ダイヤフラム、２８：保持部
【図１】
0004737535.tif 000002
【図２】
0004737535.tif 000003
【図３】
0004737535.tif 000004
【図４】
0004737535.tif 000005
【図５】
0004737535.tif 000006
【図６】
0004737535.tif 000007
【図７】
0004737535.tif 000008
【図８】
0004737535.tif 000009
【図９】
0004737535.tif 000010
【図１０】
0004737535.tif 000011