(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
光源からの露光光により照明光学系を介して原版を照明し、前記原版に形成されたパターンを投影光学系を介して基板上に投影露光する露光装置であって、前記光源から前記投影光学系に至る露光光の光路上に配置される光学素子を内部に配置した複数の筐体を有し、前記複数の筐体間を連結し密閉する弾性体と、該弾性体に露光光が照射されるのを防止する遮光手段とを設けたことを特徴とする露光装置。
【請求項２】
前記弾性体として、フッ素樹脂を用いることを特徴とする請求項１に記載の露光装置。
【請求項３】
前記遮光手段として、隣り合う筐体の一方に一端が固定され他方の筐体に対し振動的に絶縁した遮光部材を有することを特徴とする請求項１または２に記載の露光装置。
【請求項４】
前記遮光部材として二重の鞘管を用いることを特徴とする請求項３に記載の露光装置。
【請求項５】
請求項１乃至３の何れか１項に記載の露光装置を用いて基板を露光するステップと、
該露光された基板を現像するステップと、
該現像された基板からデバイスを形成するステップとを有することを特徴とするデバイス製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、露光装置に関し、特に半導体素子（ＩＣ・ＣＣＤ等）、液晶表示素子、薄膜磁気ヘッド等をリソグラフィ工程で使用される露光装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
従来、ＬＳＩあるいは超ＬＳＩなどの極微細パターンから形成される半導体素子の製造工程において、縮小型投影露光装置が使用されている。半導体素子の実装密度の向上に伴い、パターンのより一層の微細化が要求され、レジストプロセスの発展と同時に露光装置の微細化への対応がなされてきた。
【０００３】
露光装置の解像力を向上させる手段としては、露光波長をより短波長に変更していく方法と、投影光学系の開口数（ＮＡ）を大きくしていく方法とがある。一般に解像力は露光波長に比例し、ＮＡに反比例することが知られている。また、解像力を向上させる一方で、投影光学系の焦点深度を確保するための努力もなされている。一般に焦点深度は露光波長に比例し、ＮＡの２乗に反比例するため、解像力向上と焦点深度確保とは相反する課題である。こうした問題を解決する方法として、位相シフトレチクル法やＦＬＥＸ(Focus Latitude enhancement Exposure) 法などが提案されている。
【０００４】
露光波長については、３６５ｎｍのｉ線から最近では２４８ｎｍ付近の発振波長を有するＫｒＦエキシマレーザが主流になっており、さらには次世代露光光源として１９３ｎｍ付近の発振波長を有するＡｒＦエキシマレーザやＦ2 レーザ（発振波長１５７ｎｍ）の開発が行われている。
【０００５】
また、半導体素子の製造コストの観点から、露光装置におけるより一層のスループット向上が図られてきている。例えば、露光光源の大出力化により、１ショット当たりの露光時間を短縮する方法、あるいは露光面積の拡大により、１ショット当たりの素子数を増やす方法などが挙げられる。
【０００６】
さらに、近年においては半導体素子のチップサイズ拡大に対応するため、マスクパターンを順次焼き付け及びステップ移動させるステップ・アンド・リピート方式のいわゆるステッパから、マスクとウエハを同期させながら走査露光し、次のショットに順次移動させるステップ・アンド・スキャン方式の露光装置へと移行しつつある。このステップ・アンド・スキャン方式の露光装置は、露光フィールドがスリット状であるため、投影光学系を大型化することなく露光面積を拡大できる特徴を持っている。
【０００７】
前述のごとく、紫外線を露光光源として用いた場合、長期にわたる装置使用の結果、光路中に配置された光学素子の表面に硫酸アンモニウム（ＮＨ４)２ＳＯ４や二酸化ケイ素ＳｉＯ２ などが付着し、光学特性が著しく低下する現象が発生する。これは、周囲の環境に含まれるアンモニアＮＨ３、亜硫酸ＳＯ２ 、及びＳｉ化合物などが紫外線を照射することで化学反応を起こし生成されるものである。従来より、こうした光学素子の劣化を防止するために、クリーンドライエアや窒素等の不活性ガスで光路全体をパージすることが行われている。
【０００８】
さらに、遠紫外線とりわけ１９３ｎｍ付近の波長を有するＡｒＦエキシマレーザにおいては、上記波長付近の帯域には酸素（Ｏ２)の吸収帯が複数存在することが知られている。また、酸素が上記光を吸収することによりオゾン（Ｏ３)が生成され、このオゾンが光の吸収をより増加させ、透過率を著しく低下させることに加え、前述のようにオゾンに起因する各種生成物が光学素子表面に付着し、光学系の効率を低下させる。
【０００９】
従って、ＡｒＦエキシマレーザ等の遠紫外線を光源とする投影露光装置の露光光学系の光路においては、窒素等の不活性ガスによるパージ手段によって、光路中に存在する酸素濃度を低レベルに抑える方法がとられている。さらに、ＡｒＦよりも波長の短いＦ2 レーザを用いる場合は、酸素の吸収係数が非常に大きいため、空気中はもとより、酸素が含まれていると露光光は吸収されてしまい、露光光源として使用することが出来ない。そのため、露光装置内の空気を排除し、ヘリウムや窒素など雰囲気ガスで充満し、酸素濃度を低く保つことで露光光の吸収を防ぐ手法が用いられる。
【００１０】
しかし、上述のような露光装置内の雰囲気ガスをヘリウムや窒素ガスに置換することは、雰囲気ガスの置換に要する時間のためにスループット低下の原因となる。また、大量の置換ガスを必要とすることや、露光装置チャンバの構造が複雑化することからコスト的にも大きな問題点となっている。そのため、レーザ光の光路上最小限の範囲をこれらの窒素ガスやヘリウムガス等の不活性ガスに置換するのが好ましい。
【００１１】
ガス置換する領域を最小限にするためには、光路上の照明光学系や投影光学系を複数の筐体内に収納し、その内部をガス置換する方法が、特開平６−２１６００号公報にて提案されている。筐体間においても連結するための筐体を設け内部に置換ガスを供給するため経路を設けることで光源からウエハまで全ての光路をガス置換することは可能となる。
【００１２】
【発明が解決しようとする課題】
ところで、照明光学系の光路上には、２次光源上の照明領域や形状を操作するための照明開口絞り切り替え部や、レチクル上の照明領域の形状を規定するための駆動可能なブラインド部が配置されている。これらのユニットを駆動する際に発生する振動は、照明光学系を構成する光学素子に伝わると、照明光の像性能が著しく劣化する危険がある。特にスキャナに用いられるブラインド部は、レチクル上の照射領域を一定に保つため、走査露光中は常に駆動する必要がある。そのため、これら照明光学系内部の駆動ユニットは、光学素子が内部に収納される筐体に振動を伝えない構造とすることが好ましい。
【００１３】
また、照明光学系と投影光学系の間には、レチクルとウエハの相対位置を検出し、位置合わせ（アライメント）をするレチクルステージが配置されている。近年の露光装置ではレチクルステージにナノオーダの位置合わせ精度が求められるため、微小な振動であっても無視できないレベルとなっている。特にスキャナに用いられるレチクルステージの場合、振動は走査露光系に対しては外乱として働き、走査露光時にマスクステージとウエハステージとの同期走査を行う際に、安定な露光精度を確保する露光制御系に対して制御を不安定にする要因になっていた。このため、レチクルステージは、他のユニットとの連結をせず独立して支持されることが好ましい。
【００１４】
これら照明光学系から投影光学系の光路上に位置する駆動ユニットは、光学素子が収納される筐体とは振動を伝えることなく連結される必要がある。そのため、光路上の必要最低限の領域だけを密閉空間にすることは非常に困難な問題となっていた。
【００１５】
本発明は、光学素子を内部に収納する筐体と駆動ユニットを内部に収納する筐体とを振動を伝えることなく連結し、密閉構造とすることができる露光装置を提供することを目的とする。
【００１６】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するために、本発明は、光源からの露光光により照明光学系を介して原版を照明し、前記原版に形成されたパターンを投影光学系を介して基板上に投影露光する露光装置であって、前記光源から前記投影光学系に至る露光光の光路上に配置される光学素子を内部に配置した複数の筐体を有し、前記複数の筐体間を連結し密閉する弾性体と、該弾性体に露光光が照射されるのを防止する遮光手段とを設けたことを特徴とする。
【００１７】
また、本発明では、前記弾性体として、フッ素樹脂を用いることが望ましく、前記遮光手段として、隣り合う筐体の一方に一端が固定され他方の筐体に対し振動的に絶縁した遮光部材を有することが好ましく、前記遮光部材として二重の鞘管を用いてもよい。
【００１８】
本発明に係る具体的な露光装置では、I 線やＫｒＦエキシマレーザ、さらには、酸素に対して吸収特性を有する波長域を含む照明光（ＡｒＦエキシマレーザやＦ2 レーザ）を光源とし、パターンが形成されたマスク（以後レチクルともいう）に光源からの光を照射するための照明光学系と、照明されたパターンの像をウエハ上に形成するための投影光学系とを有する投影露光装置において、照明光学系及び投影光学系を、密閉構造をした筐体内に配置し、筐体内にクリーンドライエア、または照明光の波長域に対して酸素より吸収特性の小さな不活性ガスを供給するガス供給系を設け、筐体内の照明光の光路中に存在する大気のほぼ全体をクリーンドライエア、または酸素以外の物質（窒素等の不活性ガス）で置換するようにする。
【００１９】
そして、本発明に係る露光装置は、駆動ユニットと内部に光学素子が配置される筐体とを連結する密閉部材としてゴムや樹脂等の弾性体を用い、密閉部材として用いる弾性体に、直接的にレーザ光が照射されるのを防止するために遮光部材を設けることが好ましい。
【００２０】
本発明に係る露光装置によれば、密閉部材として弾性体を用いることで、駆動ユニットから光学素子を収納する筐体への振動や、照明光学系や投影光学系からレチクルステージのような位置検出装置へ微小な振動が伝わることなく、筐体間の連結を密閉構造にすることができる。さらに、本発明は、密閉部材として用いられる弾性体に直接的に露光光が照射されないことから、弾性体の劣化防止をも可能としている。
【００２５】
【発明の実施の形態】
＜第１の実施形態＞
図１は本発明の第１の実施形態に係るステップ・アンド・スキャン型露光装置を側面から見た様子を模式的に示す図である。
【００２６】
同図において、１は光源であり、２４８ｎｍ付近の発振波長を有するＫｒＦエキシマレーザまたは１９３ｎｍ付近の発振波長を有するＡｒＦエキシマレーザもしくは１５７ｎｍ付近の発振波長を有するＦ2 レーザで、パルス発光を行うものである。光源から投影光学系に至る露光光の光路上にはミラー、オプティカルインテグレータ、レンズなどの光学素子が配置されている。光源１からのレーザビームは、架台２に載置された筐体３に収納された第一照明光学系に導かれ、内部のミラー３ａで反射され、所定のビーム形状に成形するための成形光学系３ｂ、ミラー３ｃを介してオプティカルインテグレータ３ｄに入射する。オプティカルインテグレータ３ｄの射出面近傍には、筐体４に収納された、二次光源切り替え部４ａが配置される。
【００２７】
二次光源からの光は、筐体５に収納された集光レンズ５ａで集光され、筐体６に収納される可変ブラインド６ａに入射する。可変ブラインド６ａは、前記集光レンズ５ａで形成される集光点を含む光軸に対し直交方向の面の近傍に遮光板を配置し、原版としてのマスク８のパターン面の照明領域を任意に設定可能にしている。図２にマスク８を照明している状態を示す。可変ブラインド６ａからの光は筐体７に収納された第２照明光学系に入射する。第２照明光学系は、筐体７内の集光レンズ７ａ及び７ｃと、ミラー７ｂとから構成される。
【００２８】
第２照明光学系からの光は、マスク８に形成されたパターン８ａの一部をスリット状光束８ｂによってスリット照明し、図１に示される投影光学系１１によって基板としてのウエハ１２上に上記パターン８ａの一部を縮小投影する。この時、図１に示されている矢印のように、マスク８及びウエハ１２を投影光学系１１とスリット状光束８ｂに対し、投影光学系１１の縮小比率と同じ速度比率で互いに逆方向にスキャン（ＳＣＡＮ）させながら、光源１からのパルス発光による多パルス露光を繰り返すことにより、マスク８全面のパターン８ａをウエハ１２上の１チップ領域または複数チップ領域に転写する。
【００２９】
１０は、マスクステージであり、マスク８及びこれを保持するマスクチャック９を保持しながら、不図示の駆動系によって矢印方向にスキャン駆動する。１５はマスクステージ１０に固定されたバーミラー、１６はマスクステージ１０の速度を検出するレーザ干渉計である。マスクステージ１０及びレーザ干渉計１６は、いずれも支持定盤１７に載置されている。尚、支持定盤１７は、床から支柱１８、及びダンパ１９を介して投影光学系１１を保持する鏡筒定盤２０上に固定されている。
【００３０】
１４は、ウエハステージであり、ウエハ１２及びこれを保持するウエハチャック１３を保持しながら、不図示の駆動系によって矢印方向にスキャン駆動する。２１は、ウエハステージ１４に固定されたバーミラー、２２はウエハステージ１４の速度を検出するレーザ干渉計であり、鏡筒定盤２０に固定されている。また、ウエハステージ１４は、床からダンパ２３を介してステージ定盤２４上に載置されている。さらに、鏡筒定盤２０に固定されたレーザ干渉計２５により、鏡筒定盤２０とステージ定盤２４の図中上下方向の相対距離を測定している。このように、レーザ干渉計２２及び２５により、鏡筒定盤２０とウエハステージ１４との位置関係、しいてはマスク８とウエハ１２の所定の相対位置関係が保証されている。
【００３１】
照明系の各ブロックである筐体３，４，５，６，７は密閉構造をしており、それぞれ図示されない架台に支持されている。これらの各筐体３〜７間、及びマスクステージカバー部３１はフッ素ゴムよりなる密閉部材２６，２７，２８，２９，３０で連結されている。各筐体３〜７の内部にはガスが通るための経路が設けられており、所謂直列パージ構造となっている。そして、各密閉部材２６〜３０に露光光が直接に照射されるのを防止するために、遮光手段として遮光部材４１，４２，４３，４４，４５が設けられている。
【００３２】
＜第２の実施形態＞
図３は本発明の第２の実施形態に係る遮光部材の取り付け構造の一例を示す断面図である。この取り付け構造は、ほぼ同形の二つの隣り合う筐体３２，３３の端部間に、密閉部材３４及び遮光部材３５を配置して構成されている。密閉部材３４は、ほぼ一定厚さで中間に外形を大きくした膨出部を有する管状の弾性体からなっており、一端が筐体３２の外周に、他端が筐体３３の外周にそれぞれ気密に嵌着され、軸線方向に伸縮自在である。密閉部材３４は、フッ素樹脂材料の弾性ゴムからなることが好ましい。
【００３３】
遮光部材３５は、内径が筐体３２の光通過穴Ｈo1より大きく内部を露光光が通る管状体と、外フランジとを一体に有し、遮光手段として、光通過穴Ｈo1，Ｈo2を通る露光光に対し密閉部材３４の内面を覆って該密閉部材３４に露光光が照射されるのを防止する。遮光部材３５の外フランジは、一方の筐体３２の端板部の外面に当接させ同心配置して固定されている。そして遮光部材３５は、その先端が、他方の筐体３３の端板部に開けられた穴Ｈo2に遊嵌挿入されており、筐体３３に対し振動的に絶縁されて軸線方向に変位自在である。
【００３４】
＜第３の実施形態＞
図４は本発明の第３の実施形態に係る遮光部材の取り付け構造の例を示す断面図である。この取り付け構造は、大きさが異なる二つの隣り合う筐体３６，３７の端部間に、密閉部材３８と遮光部材３９以外に、この遮光部材３９の外周に遊嵌合する管状の遮光部材４０を配置して構成されている。密閉部材３８は、外フランジを一体に有し、その外フランジが大きい方の筐体３６の端板部に気密に固定され、他端が筐体３７の外周に気密に嵌着されている。また、密閉部材３８は、軸線方向に伸縮自在であり、両筐体３６，３７間を連結し密閉する。密閉部材３８は、フッ素樹脂材料の弾性ゴムからなることが好ましい。
【００３５】
遮光部材３９は、内径が光通過穴Ｈo1の直径よりも若干大きく、外径が遮光部材４０の内径よりも小さい管状をなしている。また、遮光部材３９は、密閉部材３８の内側に同心配置して外フランジが筐体３６の端板部に固定され、先端がフリーである。遮光部材４０は、内径が遮光部材３９の外径及び光通過穴Ｈo2の直径よりも大きく、外径が密閉部材３８の内径よりも小さい管状体である。また、遮光部材４０は、基端が小さい方の筐体３７の端板面に固定されていて、先端がフリーである。遮光手段を構成する二つの遮光部材３９，４０は、常時重なり合う部分を有するように長さが寸法設定され、二重の鞘管状に先端同士が遊嵌合して互いに振動的に絶縁され、相互に軸線方向に変位自在であり、光通過穴Ｈo1，Ｈo2を通る露光光に対し密閉部材３８の内面を覆っていて、該密閉部材３８を露光光が照射するのを防止する。
【００３６】
第１照明光学系を内部に収納する筐体３には置換ガス供給部が設けられ、マスクステージカバー部３１には置換ガス排気系が設けられており、予め設定されたプログラムに従い内部のガスがヘリウム置換される。置換ガスは、窒素やネオン等の他の不活性ガスでもよい。
【００３７】
また、ガス置換手段は、それぞれの隣り合う二つの筐体間と密閉部材とで構成される各空間に置換ガス供給部と置換ガス排気部を設ける、所謂並列パージ構造にしてもよい。
【００３８】
＜半導体生産システムの実施形態＞
次に、本発明に係る装置を用いた半導体デバイス（ＩＣやＬＳＩ等の半導体チップ、液晶パネル、ＣＣＤ、薄膜磁気ヘッド、マイクロマシン等）の生産システムの例を説明する。これは半導体製造工場に設置された製造装置のトラブル対応や定期メンテナンス、あるいはソフトウェア提供などの保守サービスを、製造工場外のコンピュータネットワークを利用して行うものである。
【００３９】
図５は全体システムをある角度から切り出して表現したものである。図中、１０１は半導体デバイスの製造装置を提供するベンダ（装置供給メーカ）の事業所である。製造装置の実例としては、半導体製造工場で使用する各種プロセス用の半導体製造装置、例えば、前工程用機器（露光装置、レジスト処理装置、エッチング装置等のリソグラフィ装置、熱処理装置、成膜装置、平坦化装置等）や後工程用機器（組立て装置、検査装置等）を想定している。事業所１０１内には、製造装置の保守データベースを提供するホスト管理システム１０８、複数の操作端末コンピュータ１１０、これらを結んでイントラネット等を構築するローカルエリアネットワーク（ＬＡＮ）１０９を備える。ホスト管理システム１０８は、ＬＡＮ１０９を事業所の外部ネットワークであるインターネット１０５に接続するためのゲートウェイと、外部からのアクセスを制限するセキュリティ機能を備える。
【００４０】
一方、１０２〜１０４は、製造装置のユーザとしての半導体製造メーカの製造工場である。製造工場１０２〜１０４は、互いに異なるメーカに属する工場であっても良いし、同一のメーカに属する工場（例えば、前工程用の工場、後工程用の工場等）であっても良い。各工場１０２〜１０４内には、夫々、複数の製造装置１０６と、それらを結んでイントラネット等を構築するローカルエリアネットワーク（ＬＡＮ）１１１と、各製造装置１０６の稼動状況を監視する監視装置としてホスト管理システム１０７とが設けられている。各工場１０２〜１０４に設けられたホスト管理システム１０７は、各工場内のＬＡＮ１１１を工場の外部ネットワークであるインターネット１０５に接続するためのゲートウェイを備える。これにより各工場のＬＡＮ１１１からインターネット１０５を介してベンダの事業所１０１側のホスト管理システム１０８にアクセスが可能となり、ホスト管理システム１０８のセキュリティ機能によって限られたユーザだけにアクセスが許可となっている。具体的には、インターネット１０５を介して、各製造装置１０６の稼動状況を示すステータス情報（例えば、トラブルが発生した製造装置の症状）を工場側からベンダ側に通知する他、その通知に対応する応答情報（例えば、トラブルに対する対処方法を指示する情報、対処用のソフトウェアやデータ）や、最新のソフトウェア、ヘルプ情報などの保守情報をベンダ側から受け取ることができる。各工場１０２〜１０４とベンダの事業所１０１との間のデータ通信および各工場内のＬＡＮ１１１でのデータ通信には、インターネットで一般的に使用されている通信プロトコル（ＴＣＰ／ＩＰ）が使用される。なお、工場外の外部ネットワークとしてインターネットを利用する代わりに、第三者からのアクセスができずにセキュリティの高い専用線ネットワーク（ＩＳＤＮなど）を利用することもできる。また、ホスト管理システムはベンダが提供するものに限らずユーザがデータベースを構築して外部ネットワーク上に置き、ユーザの複数の工場から該データベースへのアクセスを許可するようにしてもよい。
【００４１】
さて、図６は本実施形態の全体システムを図５とは別の角度から切り出して表現した概念図である。先の例ではそれぞれが製造装置を備えた複数のユーザ工場と、該製造装置のベンダの管理システムとを外部ネットワークで接続して、該外部ネットワークを介して各工場の生産管理や少なくとも１台の製造装置の情報をデータ通信するものであった。これに対し本例は、複数のベンダの製造装置を備えた工場と、該複数の製造装置のそれぞれのベンダの管理システムとを工場外の外部ネットワークで接続して、各製造装置の保守情報をデータ通信するものである。図中、２０１は製造装置ユーザ（半導体デバイス製造メーカ）の製造工場であり、工場の製造ラインには各種プロセスを行う製造装置、ここでは例として露光装置２０２、レジスト処理装置２０３、成膜処理装置２０４が導入されている。なお図６では製造工場２０１は１つだけ描いているが、実際は複数の工場が同様にネットワーク化されている。工場内の各装置はＬＡＮ２０６で接続されてイントラネットを構成し、ホスト管理システム２０５で製造ラインの稼動管理がされている。
【００４２】
一方、露光装置メーカ２１０、レジスト処理装置メーカ２２０、成膜装置メーカ２３０などベンダ（装置供給メーカ）の各事業所には、それぞれ供給した機器の遠隔保守を行うためのホスト管理システム２１１，２２１，２３１を備え、これらは上述したように保守データベースと外部ネットワークのゲートウェイを備える。ユーザの製造工場内の各装置を管理するホスト管理システム２０５と、各装置のベンダの管理システム２１１，２２１，２３１とは、外部ネットワーク２００であるインターネットもしくは専用線ネットワークによって接続されている。このシステムにおいて、製造ラインの一連の製造機器の中のどれかにトラブルが起きると、製造ラインの稼動が休止してしまうが、トラブルが起きた機器のベンダからインターネット２００を介した遠隔保守を受けることで迅速な対応が可能であり、製造ラインの休止を最小限に抑えることができる。
【００４３】
半導体製造工場に設置された各製造装置はそれぞれ、ディスプレイと、ネットワークインタフェースと、記憶装置にストアされたネットワークアクセス用ソフトウェアならびに装置動作用のソフトウェアを実行するコンピュータを備える。記憶装置としては内蔵メモリやハードディスク、あるいはネットワークファイルサーバーなどである。上記ネットワークアクセス用ソフトウェアは、専用又は汎用のウェブブラウザを含み、例えば図７に一例を示す様な画面のユーザインタフェースをディスプレイ上に提供する。各工場で製造装置を管理するオペレータは、画面を参照しながら、製造装置の機種４０１、シリアルナンバー４０２、トラブルの件名４０３、発生日４０４、緊急度４０５、症状４０６、対処法４０７、経過４０８等の情報を画面上の入力項目に入力する。入力された情報はインターネットを介して保守データベースに送信され、その結果の適切な保守情報が保守データベースから返信されディスプレイ上に提示される。またウェブブラウザが提供するユーザインタフェースはさらに図示のごとくハイパーリンク機能４１０〜４１２を実現し、オペレータは各項目の更に詳細な情報にアクセスしたり、ベンダが提供するソフトウェアライブラリから製造装置に使用する最新バージョンのソフトウェアを引出したり、工場のオペレータの参考に供する操作ガイド（ヘルプ情報）を引出したりすることができる。ここで、保守データベースが提供する保守情報には、上記説明した本発明に関する情報も含まれ、また前記ソフトウェアライブラリは本発明を実現するための最新のソフトウェアも提供する。
【００４４】
次に上記説明した生産システムを利用した半導体デバイスの製造プロセスを説明する。図８は半導体デバイスの全体的な製造プロセスのフローを示す。ステップ１（回路設計）では半導体デバイスの回路設計を行う。ステップ２（マスク製作）では設計した回路パターンを形成したマスクを製作する。一方、ステップ３（ウエハ製造）ではシリコン等の材料を用いてウエハを製造する。ステップ４（ウエハプロセス）は前工程と呼ばれ、上記用意したマスクとウエハを用いて、リソグラフィ技術によってウエハ上に実際の回路を形成する。次のステップ５（組み立て）は後工程と呼ばれ、ステップ４によって作製されたウエハを用いて半導体チップ化する工程であり、アッセンブリ工程（ダイシング、ボンディング）、パッケージング工程（チップ封入）等の組立て工程を含む。ステップ６（検査）ではステップ５で作製された半導体デバイスの動作確認テスト、耐久性テスト等の検査を行う。こうした工程を経て半導体デバイスが完成し、これを出荷（ステップ７）する。前工程と後工程はそれぞれ専用の別の工場で行い、これらの工場毎に上記説明した遠隔保守システムによって保守がなされる。また前工程工場と後工程工場との間でも、インターネットまたは専用線ネットワークを介して生産管理や装置保守のための情報がデータ通信される。
【００４５】
図９は上記ウエハプロセスの詳細なフローを示す。ステップ１１（酸化）ではウエハの表面を酸化させる。ステップ１２（ＣＶＤ）ではウエハ表面に絶縁膜を成膜する。ステップ１３（電極形成）ではウエハ上に電極を蒸着によって形成する。ステップ１４（イオン打込み）ではウエハにイオンを打ち込む。ステップ１５（レジスト処理）ではウエハに感光剤を塗布する。ステップ１６（露光）では上記説明した露光装置によってマスクの回路パターンをウエハに焼付露光する。ステップ１７（現像）では露光したウエハを現像する。ステップ１８（エッチング）では現像したレジスト像以外の部分を削り取る。ステップ１９（レジスト剥離）ではエッチングが済んで不要となったレジストを取り除く。これらのステップを繰り返し行うことによって、ウエハ上に多重に回路パターンを形成する。各工程で使用する製造機器は上記説明した遠隔保守システムによって保守がなされているので、トラブルを未然に防ぐと共に、もしトラブルが発生しても迅速な復旧が可能であり、従来に比べて半導体デバイスの生産性を向上させることができる。
【００４６】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明によれば、密閉部材に弾性体を用いることで、照明光学系上、及び投影光学系上に配置される駆動ユニットが存在しても振動を伝えることなく、密閉された領域を確保することが可能となる。
【００４７】
また、本発明では、隣り合う筐体間の連結部に使用した密閉部材に遮光手段として管状の遮光部材を設けることにより、密閉部材に直接レーザ光が照射されることが防止できるため、密閉部材の劣化防止となり、安定したパージ性能を得ることが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図１】  本発明の第１の実施形態に係る投影露光装置の構成を説明するための図である。
【図２】  本発明の露光装置のマスク上の照明領域が可変ブラインドにより設定されるのを説明するための図である。
【図３】  本発明の第２の実施形態に係る弾性体を用いた密閉構造とその弾性体に露光光が直接照射されないための遮光部材を設けた一例を説明するための断面図である。
【図４】  本発明の第３の実施形態に係る弾性体を用いた密閉構造とその弾性体に露光光が直接照射されないための遮光部材を設けた例を説明するための断面図である。
【図５】  本発明に係る装置を用いた半導体デバイスの生産システムをある角度から見た概念図である。
【図６】  本発明に係る装置を用いた半導体デバイスの生産システムを別の角度から見た概念図である。
【図７】  ユーザインタフェースの具体例である。
【図８】  デバイスの製造プロセスのフローを説明する図である。
【図９】  ウエハプロセスを説明する図である。
【符号の説明】
１：光源、２：架台、３：筐体、３ａ：ミラー、３ｂ：成形光学系、３ｃ：ミラー、３ｄ：オプティカルインテグレータ、４：筐体、４ａ：二次光源切り替え部、５：筐体、５ａ：集光レンズ、６：筐体、６ａ：可変ブラインド、７：筐体、７ａ：集光レンズ、７ｂ：ミラー、７ｃ：集光レンズ、８：マスク、８ａ：マスクパターン、８ｂ：スリット状光束、９：マスクチャック、１０：マスクステージ、１１：投影光学系、１２：ウエハ、１３：ウエハチャック、１４：ウエハステージ、１５：バーミラー、１６：レーザ干渉計、１７：支持定盤、１８：支柱、１９：ダンパ、２０：鏡筒定盤、２１：バーミラー、２２：レーザ干渉計、２３：ダンパ、２４：ステージ定盤、２５：レーザ干渉計、２６〜３０：密閉部材（弾性体）、３１：マスクステージカバー部、３２，３３：筐体、３４：密閉部材（弾性体）、３５：遮光部材、３６，３７：筐体、３８：密閉部材（弾性体）、３９，４０：遮光部材、４１〜４５：遮光部材、
１０１：ベンダの事業所、１０２，１０３，１０４：製造工場、１０５：インターネット、１０６：製造装置、１０７：工場のホスト管理システム、１０８：ベンダ側のホスト管理システム、１０９：ベンダ側のローカルエリアネットワーク（ＬＡＮ）、１１０：操作端末コンピュータ、１１１：工場のローカルエリアネットワーク（ＬＡＮ）、２００：外部ネットワーク、２０１：製造装置ユーザの製造工場、２０２：露光装置、２０３：レジスト処理装置、２０４：成膜処理装置、２０５：工場のホスト管理システム、２０６：工場のローカルエリアネットワーク（ＬＡＮ）、２１０：露光装置メーカ、２１１：露光装置メーカの事業所のホスト管理システム、２２０：レジスト処理装置メーカ、２２１：レジスト処理装置メーカの事業所のホスト管理システム、２３０：成膜装置メーカ、２３１：成膜装置メーカの事業所のホスト管理システム、４０１：製造装置の機種、４０２：シリアルナンバー、４０３：トラブルの件名、４０４：発生日、４０５：緊急度、４０６：症状、４０７：対処法、４０８：経過、４１０，４１１，４１２：ハイパーリンク機能。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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