(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
Ｂｉ、ＬａおよびＴｉを含有してなるＬａ置換チタン酸ビスマス系強誘電体薄膜を形成するための塗布液の製造方法であって、
有機溶媒中にＢｉ、ＬａおよびＴｉの各金属アルコキシドを溶質として含む溶液を加熱しながら減圧蒸留し、これら金属元素の合計濃度を０．１〜１．０ｍｏｌ／Ｌまで濃縮することを特徴とする塗布液の製造方法。
【請求項２】
前記有機溶媒は沸点が５０℃以上のものの中から選択されており、
前記減圧蒸留は、４０℃以上の温度であって前記選択された有機溶媒の沸点より少なくとも１０℃低い温度条件で行われることを特徴とする請求項１の塗布液の製造方法。
【請求項３】
Ｂｉ、ＬａおよびＴｉの金属イオン濃度比が（４−ｘ）ｙ：ｘｙ：３であり、０．２≦ｘ≦１．０であり、かつ、０．９≦ｙ≦１．１であることを特徴とする請求項１または２の塗布液の製造方法。
【請求項４】
請求項１〜３のいずれかの製造方法によって製造された塗布液を基板に塗布して仮焼成するサイクルを複数回繰り返し、所定膜厚にまで積層された後に本焼成してＢＬＴ系強誘電体薄膜を作製する方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、Ｂｉ、ＬａおよびＴｉを含有してなるＬａ置換チタン酸ビスマス系、即ちＢＬＴ系の強誘電体（Ｂｉ（４−ｘ）ｙＬａｘｙＴｉ３Ｏ１２）の薄膜作成技術に関する。
【０００２】
【従来の技術】
ＢＬＴ系強誘電体は、Ｐ（蓄積電荷）−Ｅ（電界）ヒステリシスの抗電界が小さくて低電界で記憶させられること、昇温しても蓄積電荷が放電されにくいこと、記憶と消去の繰り返しに対して疲労しづらいこと等の多くの利点を持ち、さまざまが応用が期待されている材料である。
【０００３】
そこで、ＢＬＴ系強誘電体薄膜のさまざまな製造方法が研究されており、中でも、基板に塗布液を塗布して焼成することによって基板上にＢＬＴ系強誘電体薄膜を成膜する方法が有力視されている。
この場合、Ｂｉ、ＬａおよびＴｉの各金属を含むアルコキシドを有機溶媒に溶解させた溶液を塗布液とする。
具体的には、スピンコート等の方法で基板上に塗布液を塗布し、乾燥し、仮焼成するサイクルを、所望厚のＢＬＴ系強誘電体薄膜が得られるまで繰り返す。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
この場合、特に、ＢｉやＬａのアルコキシドの溶解度が低く、塗布液中の金属イオン濃度を上げることが難しい。このために所望厚のＢＬＴ系強誘電体薄膜が得られるまでに必要とされるサイクル数（塗布回数）が非常に大きく、成膜効率が低い。
【０００５】
塗布液中の金属イオン濃度を上げるために、減圧蒸留して塗布液を濃縮する方法が提案されているが（特開平１０−２５８２５２号公報参照）、全金属イオン濃度が０．１ｍｏｌ／Ｌ以上となるまで濃縮した塗布液を用いると、成膜されたＢＬＴ系強誘電体薄膜のリーク電流特性が不良となる現象が頻繁に発生する。これは、濃縮の際に、微量かつ微小ながらも溶質成分が析出し、その析出成分が塗布された薄膜中に含まれ、後の乾燥および仮焼成段階で析出成分を核として異常粒成長を起こし、このような部分での表面凹凸が激しくなることが原因と推測される。このような微少かつ微量の析出成分は、フィルター処理しても除去しきれない。
【０００６】
従って、塗布液を濃縮する場合にも、全金属イオン濃度が０．１ｍｏｌ／Ｌとなるまで濃縮してしまうと、異常粒成長して結晶性が低下し、電気的特性、中でもリーク電流特性の劣化を引き起こしてしまう。
現在時点で利用可能な塗布液は、全金属イオン濃度が０．１ｍｏｌ／Ｌよりも低い濃縮液であり、所望厚のＢＬＴ系強誘電体薄膜が得られるまでに必要とされるサイクル数（塗布回数）が依然として大きく、成膜効率が低い。
【０００７】
そこで、本発明は、かかる塗布液の金属イオン濃度をさらに上げることができる技術を実現すべく開発されたものであり、この技術によると、得られるＢＬＴ系強誘電体薄膜の電気的特性を劣化させることのない高濃度の濃縮塗布液が得られ、塗布回数を少なくすることができる。
【０００８】
【課題を解決するための手段及び発明の実施の形態】
本発明で実現された濃縮液は、Ｂｉ、ＬａおよびＴｉを含有してなるＬａ置換チタン酸ビスマス系強誘電体薄膜を形成するための塗布液であり、有機溶媒中にＢｉ、ＬａおよびＴｉの各金属アルコキシドを溶質として含む溶液を加熱しながら減圧蒸留して濃縮したものであり、これら金属元素の合計濃度を０．１〜１．０ｍｏｌ／Ｌまで濃縮したものである。
ここで、好ましい有機溶媒としては、アルコール系有機溶媒、エーテル系有機溶媒、ケトン系有機溶媒等が挙げられる。例えば、アルコール系有機溶媒として、メタノール、エトキシメタノール、エタノール、プロパノール、ブタノール、アミルアルコール、シクロヘキサノール、メチルシクロヘキサノール、エチレングリコールモノメチルエーテル（2-メトキシエタノール）、エチレングリコールモノアセトエステル、ジエチレングリコールモノメチルエーテル、ジエチレングリコールモノアセテート、プロピレングリコールモノエチルエーテル、プロピレングリコールモノアセテート、ジプロピレングリコールモノエチルエーテル、メトキシブタノール等が挙げられる。
また、エーテル系有機溶媒として、メチラール、ジエチルエーテル、ジプロピルエーテル、ジブチルエーテル、ジアミルエーテル、ジエチルアセタール、ジヘキシルエーテル、トリオキサン、ジオキサン等が挙げられる。
また、ケトン系有機溶媒として、アセトン、メチルエチルケトン、メチルプロピルケトン、メチルイソブチルケトン、メチルアミルケトン、メチルシクロヘキシルケトン、ジエチルケトン、エチルブチルケトン、トリメチルノナノン、アセトニトリルアセトン、ジメチルオキシド、ホロン、シクロヘキサノン、ダイアセトンアルコール等が挙げられる。これら有機溶媒の中でアルコール系有機溶媒が特に好ましい。
【０００９】
塗布液はスピンコート法等で塗布されるが、多くは常温で実施される。このために、塗布液は常温で析出せず、常温で使用できることが求められる。
このために減圧蒸留して塗布液を濃縮する工程も常温で実行されている（特開平１０−２５８２５２号公報参照）。塗布液を加熱して析出しづらい状態で濃縮しても、その後に常温で使用させるときに析出していては無意味であるために、使用温度で析出しない範囲内で濃縮するために使用温度で濃縮している。
【００１０】
本発明者らは鋭意研究した結果、塗布液を加熱して析出しづらい状態で濃縮しても、その後に常温で使用されるときに析出してしまえば無意味であるために、使用温度で濃縮するという従来の認識が事実に反しており、実際には、塗布液を加熱して析出しづらい状態で濃縮すると、その後に常温に冷却されても析出せず、この濃縮液を塗布して焼成すると、強誘電体薄膜の電気特性を劣化させないことを見出した。この知見に基づいて、濃縮度を高めることに成功した。即ち、所定の有機溶媒及び金属アルコキシドを使用するとともに加熱して析出しづらい状態で、塗布液に含まれるＢｉ、ＬａおよびＴｉ金属元素の合計濃度が０．１〜１．０ｍｏｌ／Ｌとなるまで濃縮すると、その後に冷却されても析出せず、その塗布液を用いて焼成した強誘電体薄膜の電気特性は良好に維持されることを確認した。
【００１１】
特に、有機溶媒（好ましくはアルコール系有機溶媒）を沸点が５０℃以上のものの中から選択し、かつ、４０℃以上の温度であって当該選択した有機溶媒の沸点（標準沸点）より少なくとも１０℃低い温度条件で減圧蒸留して濃縮された塗布液を調製することが好ましい。特に、１００℃以上の沸点の有機溶媒（2-メトキシエタノール、2-エトキシエタノール等）が好ましく、減圧蒸留の温度条件が５０℃以上（特に好ましくは８０℃以上）とするのが好ましい。
【００１２】
また、本発明によって高濃度に濃縮し得る好ましい塗布液は、Ｂｉ、ＬａおよびＴｉの金属イオン濃度比（Ｂｉ：Ｌａ：Ｔｉ）が（４−ｘ）ｙ：ｘｙ：３であり、ここでｘは０．２≦ｘ≦１．０の範囲となり、かつ、ｙは０．９≦ｙ≦１．１の範囲となる塗布液である。従って、上記減圧蒸留に供する溶液の調製に際しては、Ｂｉ、ＬａおよびＴｉの各金属アルコキシドを上記金属イオン濃度比となるような適切な配合比で、所定の有機溶媒（好ましくはアルコール系有機溶媒）に添加することが好ましい。
ここで使用される金属アルコキシドとしては、典型的には一般式「Ｍ（ＯＲ）x：式中のＭはＢｉ、Ｌａ又はＴｉ、ｘはＭの原子価、Ｒはアルキル基」で表されるものであるが、Ｒ部分が低級アルキル（例えばＣ2Ｈ5、Ｃ3Ｈ7、Ｃ4Ｈ9、Ｃ5Ｈ11）であるものが好ましい。また、使用する金属アルコキシドとしては、Ｂｉ、ＬａおよびＴｉをそれぞれ単独の構成金属元素とする各種のアルコキシドが挙げられるが、そのような金属アルコキシドが２種以上複合して成る複合金属アルコキシドを使用してもよい。
【００１３】
また、これら金属アルコキシドを有機溶媒に添加する方法は特に限定されない。使用する各金属アルコキシドを各々別個に或いは同時に所定の有機溶媒中に滴下するとよい。滴下・混合後は、使用した有機溶媒の沸点に近い高温条件下で還流させ、溶質を完全に溶解させるとよい。なお、かかる還流処理は、窒素ガス等の不活性ガス流中で行うことが好ましい。
また、金属アルコキシドを溶質として含む溶液には上記有機溶媒の他に、金属アルコキシドの加水分解を促進するために若干量の水や触媒を含有させることができる。
【００１４】
また、減圧蒸留前の溶液（濃縮前液）の濃度であるが、本発明の実施にあたって最終的に得られる濃縮液（本発明の塗布液）のＢｉ、ＬａおよびＴｉの合計濃度を０．１〜１．０ｍｏｌ／Ｌとする場合には、濃縮前液においてＢｉ、ＬａおよびＴｉの合計濃度を濃縮液における濃度の５分の１〜１０分の１、典型的には０．０１〜０．１ｍｏｌ／Ｌとしておくのが好ましい。この濃度を０．０５〜０．０８ｍｏｌ／Ｌとしておくのが特に好ましい。
【００１５】
以上に本発明の塗布液の好適な実施形態を説明したが、この説明から把握されるように、本発明は、他の一側面として、本発明の塗布液を製造する方法を提供する。
すなわち、本発明のＬａ置換チタン酸ビスマス系強誘電体薄膜形成用塗布液の製造方法は、有機溶媒（好ましくはアルコール系有機溶媒）中にＢｉ、ＬａおよびＴｉの各金属アルコキシドを溶質として含む溶液を加熱しながら減圧蒸留して、これら金属元素の合計濃度を０．１〜１．０ｍｏｌ／Ｌまで濃縮することを特徴とする方法である。
また、本発明の塗布液製造方法として好ましいものは、前記有機溶媒（好ましくはアルコール系有機溶媒）は沸点が５０℃以上のものの中から選択されており、前記減圧蒸留は、４０℃以上の温度であって前記選択された有機溶媒の沸点より少なくとも１０℃低い温度条件で行われることを特徴とする方法である。その方法として特に好ましいものは、１００℃以上の沸点の有機溶媒を使用し、及び／又は、減圧蒸留の温度条件を５０℃以上（特に好ましくは８０℃以上）とする方法である。
また、本発明の塗布液製造方法として好ましい他の方法は、濃縮前の溶液におけるＢｉ、ＬａおよびＴｉの合計濃度を０．０１〜０．１ｍｏｌ／Ｌ（特に好ましくは０．０５〜０．０８ｍｏｌ／Ｌ）としておく方法である。その他の好ましい製造方法は、上述した好適な原料や条件を適宜採用した方法である。
【００１６】
次に、本発明の塗布液を使用して得られるＢＬＴ系強誘電体薄膜及びその作製方法について説明する。
本発明によって提供されるＢＬＴ系強誘電体薄膜は、上述した本発明の塗布膜から形成されていることで特徴付けられる膜である。従って、本発明に係るＢＬＴ系強誘電体薄膜は、上記本発明の塗布液を基板に塗布して焼成することによって得られる。
好ましいＢＬＴ系強誘電体薄膜は、上記した何れかの構成の本発明の塗布液を基板に塗布して焼成したＢＬＴ系強誘電体薄膜であり、Ｂｉ、ＬａおよびＴｉの金属イオン濃度比が（４−ｘ）ｙ：ｘｙ：３であり、０．２≦x≦１．０であり、かつ、０．９≦ｙ≦１．１であることを特徴とする。
なお、本発明の塗布液を種々の一般的な基板素材に塗布する方法ならびに焼成する方法は特に限定されるものではなく従来公知の種々の方法が採用される。
従って、ＢＬＴ系強誘電体薄膜の作製方法は特に限定されないが、Ｂｉ、ＬａおよびＴｉの金属イオン濃度が従来よりも高濃度であるという本発明の塗布液の特徴を鑑みると、上記した何れかの構成の本発明の塗布液を基板に塗布して仮焼成するサイクルを複数回繰り返して所定膜厚にまで積層し、所定膜厚にまで積層された後に本焼成してＢＬＴ系強誘電体薄膜を作製する方法が好ましい。この場合、塗布液の金属イオン濃度が高く、サイクル数がすなくてすむ。
【００１７】
【実施例】
本発明を以下の実施例によりさらに詳細に説明する。本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。
【００１８】
（実施例1）  チタンイソプロポキシド(Ｔｉ（ＯＣ３Ｈ７）４)をメトキシエタノールに滴下・攪拌することにより溶解して溶液を作製した。この溶液に、ビスマスエトキシド(Ｂｉ（ＯＣ２Ｈ５）３)をメトキシエタノールに入れて攪拌した溶液を混合し、窒素気流中にて１２４℃で１時間の還流を行なった。この後、室温まで放置徐冷した。また、ランタンイソプロポキシド(Ｌａ（ＯＣ３Ｈ７）３)をメトキシエタノールに滴下・撹拌した溶液を、窒素気流中にて１２４℃で１時間の還流を行ない、この後室温まで放置徐冷した。このようにして作製したビスマスエトキシド−チタンプロポキシド溶液とランタンプロポキシド溶液とを混合し、窒素気流中にて室温で１時間撹拌し、さらに８０℃に加熱しながら１時間加熱処理を行った。この溶液を室温まで放置徐冷して、Ｂｉ：Ｌａ:Ｔｉ＝３．２５：０．７５：３の組成比で、溶液中の全金属イオンの濃度が０．０７ｍｏｌ／Ｌのゾルゲル原溶液1を作製した。このゾルゲル原溶液１をさらに減圧下において８０℃に加熱して溶媒を適当量除去することにより、溶液中の全金属イオンの濃度が０．５６ｍｏｌ／Ｌのゾルゲル溶液２を作製した。
このゾルゲル溶液２を用いて、スピンコート・乾燥・仮焼・本焼のプロセスによりＬａ置換チタン酸ビスマス薄膜を作製した。基板にはシリコンウエハを用い、表面に熱酸化膜を０．８μｍ形成し、その上にＴｉ薄膜を５ｎｍスパッタ法で積層し、さらにその上にＰｔ薄膜を２００ｎｍスパッタ法により積層して形成したものを用いた。この基板上にゾルゲル溶液２を適量滴下した後、１０００ｒｐｍで３秒間、ついで３０００ｒｐｍで３０秒間の回転でコーティングし、次いで２００℃で１０秒の乾燥、さらに３５０℃で１０分間の仮焼を行なった。この操作を２回繰り返した後、酸素気流中にて７５０℃で１０分間の本焼による結晶化を行なった。ここまでの工程を２回繰り返して約０．２μｍの膜厚のＬａ置換チタン酸ビスマス薄膜を形成した。
【００１９】
（比較例１）  実施例1に示した方法によりゾルゲル原溶液1を作製後、このゾルゲル原溶液1を室温で減圧して溶媒を適当量除去することにより、溶液中の全金属イオンの濃度が０．５６ｍｏｌ／Ｌのゾルゲル比較液３を作製した。
このようにして作製したゾルゲル比較液３を用いてスピンコート・乾燥・仮焼・本焼のプロセスによりＬａ置換チタン酸ビスマス薄膜を作製した。Ｌａ置換チタン酸ビスマス薄膜の形成方法は実施例１の場合と同様である。
【００２０】
(実鹿例1と比較例1との比較)  実施例1と比較例1とで各々作製されたＬａ置換チタン酸ビスマス薄膜のＸ線回折チャートを図1に示した。比較例1に対して実施例1では強い回折強度が得られている。
実施例1と比較例１とで各々作製されたＬａ置換チタン酸ビスマス薄膜のリーク電流特性を図２に示した。各々のＬａ置換チタン酸ビスマス薄膜に対して直径２００μｍの孔が形成されたメタルマスクを密着させてＰｔ薄膜を０．１μｍの厚さとなるように電子線蒸着法により堆積し、これにより形成されたＰｔ薄膜のドットを上部電極とし、また各々のＬａ置換チタン酸ビスマス薄膜の基板側に予め形成されていたＰｔ薄膜を下部電極として、この両電極間に電圧を印加して測定を行なった。比較例1に対して実施例1ではリーク電流特性が改善され、電流量が数桁に及んで減少していることが示されている。
【００２１】
（実施例２）  チタンイソプロポキシド(Ｔｉ（ＯＣ３Ｈ７）４)をメトキシエタノールに滴下・攪拌することにより溶解して溶液を作製した。この溶液に、ビスマスエトキシド(Ｂｉ（ＯＣ２Ｈ５）３)をメトキシエタノールに入れて攪拌した溶液を混合し、窒素気流中にて１２４℃で１時間の還流を行なった。この後、室温まで放置徐冷した。また、ランタンイソプロポキシド(Ｌａ（ＯＣ３Ｈ７）３)をメトキシエタノールに滴下・撹拌した溶液を、窒素気流中にて１２４℃で１時間の還流を行ない、この後室温まで放置徐冷した。このようにして作製したビスマスエトキシド−チタンプロポキシド溶液とランタンプロポキシド溶液とを混合し、窒素気流中にて室温で１時間撹拌し、さらに８０℃に加熱しながら１時間加熱処理を行った。この溶液を室温まで放置徐冷して、Ｂｉ：Ｌａ:Ｔｉ＝３．３：１．１：３の組成比で、溶液中の全金属イオンの濃度が０．０７ｍｏｌ／Ｌのゾルゲル原溶液４を作製した。ここで、加水分解を促進するためにメトキシエタノール２０ｍｌに純水０．０２ｍｌを加えた溶液をこのゾルゲル溶液に滴下した後、このゾルゲル原溶液４をさらに減圧下において６０℃に加熱して溶媒を適当量除去することにより、溶液中の全金属イオンの濃度が０．４２ｍｏｌ／Ｌのゾルゲル溶液５を作製した。
このゾルゲル溶液５を用いて、スピンコート・乾燥・仮焼・本焼のプロセスによってＬａ置換チタン酸ビスマス薄膜を作製した。基板には実施例1において作製したものと同じ方法で作成したものを用いた。この基板上にゾルゲル溶液５を適量滴下の後、１０００ｒｐｍで３秒間、ついで３０００ｒｐｍで３０秒間の回転でコーティングし、次いで２００℃で１０秒の乾燥、さらに３５０℃で１０分間の仮焼を行なった。この操作を２回繰り返した後、酸素気流中にて７５０℃で１０分間の本焼による結晶化を行なった。ここまでの工程を３回繰り返して約０．２μｍの膜厚のＬａ置換チタン酸ビスマス薄膜を形成した。
【００２２】
（比較例２）  実施例２に示した方法によりゾルゲル原溶液４を作製後、このゾルゲル原溶液４を室温で減圧して溶媒を適当量除去することにより、溶液中の全金属イオンの濃度が０．４２ｍｏｌ／Ｌのゾルゲル比較液６を作製した。
このようにして作製したゾルゲル比較液６を用いてスピンコート・乾燥・仮焼・本焼のプロセスによりＬａ置換チタン酸ビスマス薄膜を作製した。Ｌａ置換チタン酸ビスマス薄膜の形成方法は実施例２の場合と同様である。
【００２３】
(実施例２と比較例２との比較)  実施例２と比較例２とで各々作製されたＬａ置換チタン酸ビスマス薄膜のＸ線回折チャートを図３に示した。比較例２に対して実施例２では強い回折強度が得られている。
実施例２と比較例２とで各々作製されたＬａ置換チタン酸ビスマス薄膜のリーク電流特性を図４に示した。測定方法は、実施例１と比較例１の場合と同じである。比較例２に対して実施例２ではリーク電流特性が改善され、電流量が数桁に及んで減少していることが示されている。
【００２４】
（実施例３）  チタンイソプロポキシド(Ｔｉ（ＯＣ３Ｈ７）４)をメトキシエタノールに滴下・攪拌することにより溶解して溶液を作製した。この溶液に、ビスマスエトキシド(Ｂｉ（ＯＣ２Ｈ５）３)をメトキシエタノールに入れて攪拌した溶液を混合し、窒素気流中にて１２４℃で１時間の還流を行なった。この後、室温まで放置徐冷した。また、ランタンイソプロポキシド(Ｌａ（ＯＣ３Ｈ７）３)をメトキシエタノールに滴下・撹拌した溶液を、窒素気流中にて１２４℃で１時間の還流を行ない、この後室温まで放置徐冷した。このようにして作製したビスマスエトキシド−チタンプロポキシド溶液とランタンプロポキシド溶液とを混合し、窒素気流中にて室温で１時間撹拌し、さらに８０℃に加熱しながら１時間加熱した。この溶液を室温まで放置徐冷して、Ｂｉ：Ｌａ:Ｔｉ＝３．４２：１．８：３の組成比で、溶液中の全金属イオンの濃度が０．０７ｍｏｌ／Ｌのゾルゲル原溶液７を作製した。ここで、加水分解を促進するためにメトキシエタノール２０ｍｌに純水０．０２ｍｌを加えた溶液をこのゾルゲル溶液に滴下した後、このゾルゲル原溶液７をさらに減圧下において６０℃に加熱して溶媒を適当量除去することにより、溶液中の全金属イオンの濃度が０．４２ｍｏｌ／Ｌのゾルゲル溶液８を作製した。
このゾルゲル溶液８を用いて、スピンコート・乾燥・仮焼・本焼のプロセスによってＬａ置換チタン酸ビスマス薄膜を作製した。基板には実施例1において作製したものと同じ方法で作製したものを用いた。この基板上にゾルゲル溶液８を適量滴下の後、１０００ｒｐｍで３秒間、ついで３０００ｒｐｍで３０秒間の回転でコーティングし、次いで２００℃で１０秒の乾燥、さらに３５０℃で１０分間の仮焼を行なった。この操作を２回繰り返した後、酸素気流中にて７５０℃で１０分間の本焼による結晶化を行なった。ここまでの工程を３回繰り返して約０．２μｍの膜厚のＬａ置換チタン酸ビスマス薄膜を形成した。
【００２５】
（比較例３）  実施例３に示した方法によりゾルゲル原溶液７を作製後、このゾルゲル原溶液７を室温で減圧して溶媒を適当量除去することにより、溶液中の全金属イオンの濃度が０．４２ｍｏｌ／Ｌのゾルゲル比較液９を作製した。
このようにして作製したゾルゲル比較液９を用いてスピンコート・乾燥・仮焼・本焼のプロセスによりＬａ置換チタン酸ビスマス薄膜を作製した。Ｌａ置換チタン酸ビスマス薄膜の形成方法は実施例３の場合と同様である。
【００２６】
(実施例３と比較例３との比較)  実施例３と比較例３とで各々作製されたＬａ置換チタン酸ビスマス薄膜のＸ線回折チャートを図５に示した。比較例３に対して実施例３では強い回折強度が得られている。
実施例３と比較例３とで各々作製されたＬａ置換チタン酸ビスマス薄膜のリーク電流特性を図６に示した。測定方法は、実施例１と比較例１の場合と同じである。比較例３に対して実施例３ではリーク電流特性が改善され、電流量が数桁に及んで減少していることが示されている。
【００２７】
【発明の効果】
以上の実施例からも明らかなように、本発明の塗布液（濃縮液）により形成したＬａ置換チタン酸ビスマス強誘電薄膜は、結晶性が改善され、またリーク電流特性も大きく改善される。このように本発明によると、Ｌａ置換チタン酸ビスマス強誘電体薄膜の微細構造、ひいてはその電気的特性を大幅に改善できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】実施例１と比較例１とで各々作製されたＬａ置換チタン酸ビスマス薄膜のＸ線回折チャートを示す。
【図２】実施例1と比較例1とで各々作製されたＬａ置換チタン酸ビスマス薄膜のリーク電流特性を示す。
【図３】実施例２と比較例２とで各々作製されたＬａ置換チタン酸ビスマス薄膜のＸ線回折チャートを示す。
【図４】実施例２と比較例２とで各々作製されたＬａ置換チタン酸ビスマス薄膜のリーク電流特性を示す。
【図５】実施例３と比較例３とで各々作製されたＬａ置換チタン酸ビスマス薄膜のＸ線回折チャートを示す。
【図６】実施例３と比較例３とで各々作製されたＬａ置換チタン酸ビスマス薄膜のリーク電流特性を示す。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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