(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
表面に絶縁膜を形成した検査対象のウェーハを、前記表面側に銅イオンを含む電解質溶液を介在させて２つの電極間に配置し、前記電極間に電圧を印加することにより前記ウェーハの前記表面の欠陥部位に銅を析出させるウェーハ検査方法であって、
前記電極間に、前記ウェーハの前記表面側に配置された前記電極が前記ウェーハの裏面側に配置された前記電極に対して負電位となる第１の電圧を印加する負電圧印加工程と、
前記第１の電圧の印加後に、前記電極間に、前記ウェーハの前記表面側に配置された前記電極が前記ウェーハの裏面側に配置された前記電極に対して正電位となる第２の電圧を印加し、前記ウェーハの前記表面の欠陥部位に銅を析出させる正電圧印加工程と
を有することを特徴とするウェーハ検査方法。
【請求項２】
前記第１の電圧は、前記ウェーハの前記表面の欠陥部位の前記絶縁膜に絶縁破壊が生じる大きさの電圧であることを特徴とする請求項１に記載のウェーハ検査方法。
【請求項３】
前記第２の電圧は、前記ウェーハの前記表面の前記絶縁膜に欠陥性以外の絶縁破壊が生じない大きさの電圧であることを特徴とする請求項１又は２に記載のウェーハ検査方法。
【請求項４】
表面に絶縁膜を形成した検査対象のウェーハを、前記表面側に銅イオンを含む電解質溶液を介在させて２つの電極間に配置し、前記電極間に電圧を印加することにより前記ウェーハの前記表面の欠陥部位に銅を析出させるウェーハ検査装置であって、
前記電極間に、前記ウェーハの前記表面側に配置された前記電極が前記ウェーハの裏面側に配置された前記電極に対して負電位となる第１の電圧を印加し、前記第１の電圧の印加後に、前記電極間に、前記ウェーハの前記表面側に配置された前記電極が前記ウェーハの裏面側に配置された前記電極に対して正電位となる第２の電圧を印加し、前記ウェーハの前記表面の欠陥部位に銅を析出させる印加電圧制御手段
を有することを特徴とするウェーハ検査装置。
【請求項５】
前記第１の電圧は、前記ウェーハの前記表面の欠陥部位の前記絶縁膜に絶縁破壊が生じる大きさの電圧であることを特徴とする請求項４に記載のウェーハ検査方法。
【請求項６】
前記第２の電圧は、前記ウェーハの前記表面の前記絶縁膜に欠陥性以外の絶縁破壊が生じない大きさの電圧であることを特徴とする請求項４又は５に記載のウェーハ検査方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、銅析出法（Ｃｕデコレーション法）によって、チョクラルスキー法（ＣＺ法）等により製造されるシリコン等の半導体ウェーハの欠陥を検査するウェーハ検査方法及びウェーハ検査装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
シリコン等の単結晶ウェーハにおいて結晶欠陥を検出してその品質を検査する方法として、銅析出法（Ｃｕデコレーション法）がある（例えば、特許文献１参照）。銅析出法は、ウェーハの表面に酸化膜（絶縁膜）を形成すると欠陥部位で酸化膜が不均一になることを利用し、ウェーハに電界を印加することによりその不均一な部分で酸化膜に絶縁破壊を生じさせ、そこに電解質溶液中の銅を析出させる方法である。析出した銅を観察することにより、欠陥部位を容易に検出することができる。
【０００３】
しかし銅検出法においては、酸化膜に印加される電界（実効電界（酸化膜に印加される電圧／酸化膜厚））が大きくなると、欠陥が無い部分でも酸化膜に絶縁破壊（異常絶縁破壊）が生じ、その部分に銅が析出する場合がある。ウェーハの表面に析出した銅は、その銅析出が欠陥性のものなのか異常絶縁破壊によるものなのか、破壊痕の観察から区別することは困難であり、そのような状態ではウェーハの検査が適正に行えない。
【０００４】
そこで、酸化膜に異常な実効電界がかからないように、酸化膜に印加される電界を所望の範囲に制御する方法が提案されている（例えば、特許文献２参照）。酸化膜に印加される電圧は、上下電極間に印加する電圧から、電解質溶液（例えばメタノール溶液）の抵抗分とウェーハ内に形成される空乏層（ｐ型）の抵抗分とによる電圧降下分を差し引いた電圧と考えることができる。そこで、特許文献２においては、これら電解質溶液（メタノール溶液）の抵抗値とウェーハ内に形成される空乏層の抵抗値とを考慮して電極間に電圧を印加することにより、ウェーハの結晶欠陥の存在する箇所にのみ絶縁破壊が生じるような所望の強さの電圧、すなわち所望の強さの実効電界が、酸化膜に印加されるようにしている。またその際、ウェーハに照射される光の照度（光量）を制御することにより、ウェーハに形成される空乏層の抵抗値を制御するようにしている。
【特許文献１】特許３２４１２９６号公報
【特許文献２】特開２００３−０４４４９６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
ところで、銅析出法において、ＣＯＰ(Crystal Originated Particle) のような表面欠陥が無い完全結晶ウェーハや、表層に完全な領域を持つ水素アニール、アルゴンアニールあるいはエピタキシャル等のウェーハを検査対象とする場合には、前述したようなメタノール溶液の抵抗値や空乏層の抵抗値等の検査条件をより高精度に管理し制御する必要がある。例えば空孔型点欠陥の凝集体の存在しない完全結晶育成条件で育成された結晶から作成されたウェーハは、空孔型点欠陥の凝集体の密度が低く凝集体の存在しない完全結晶領域との境界が従来結晶より不明瞭である。そのため、そのようなウェーハの検査、すなわちＬＳＰＣにより検出されない微小な空孔型欠陥の凝集体の存在の有無の検査に銅検出法を用いると、結晶欠陥に依存しない絶縁破壊（異常絶縁破壊）が生じる可能性が極端に高くなるからである。
【０００６】
しかしながら、従来の銅検出法では酸化膜に印加される実効電界を高精度に制御することは難しい。特に、ウェーハに形成される空乏層の特性はウェーハに照射される光の照度によって敏感に変化するものであり、この特性、すなわち抵抗値を厳密に制御することは容易ではない。そのため、前述した完全結晶ウェーハのような高品質なウェーハの検査においては、銅検出法によりこれを高い信頼性で検査することが難しいという問題があった。
【０００７】
本発明はこのような課題に鑑みて成されたものであって、その目的は、完全結晶ウェーハのような高品質なウェーハについても銅検出法によりこれを高い信頼性で検査することができるウェーハ検査方法及びウェーハ検査装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
前記課題を解決するために、本願発明者は、酸化膜の絶縁破壊を生じさせる工程と、銅イオンを還元してウェーハ表面に析出をさせる工程とを分離することが有効であることを見出した。すなわち、従来は、銅析出を起こさせるため酸化膜側に正電圧を印加し、その電圧で絶縁破壊した部位に銅を析出させていた。本発明では、第１段階として、酸化膜側に負電圧を印加して欠陥位置に絶縁破壊を生じさせ、第２段階として、酸化膜側に正の低電圧を印加し、第１段階で絶縁破壊を起こし低抵抗化した欠陥位置に銅析出をさせるようにした。
【０００９】
従って、本発明に係るシリコンウェーハ検査方法は、表面に絶縁膜を形成した検査対象のウェーハを、前記表面側に銅イオンを含む電解質溶液を介在させて２つの電極間に配置し、前記２つの電極間に電圧を印加することにより前記ウェーハの前記表面の欠陥部位に銅を析出させるウェーハ検査方法であって、前記２つの電極間に、前記ウェーハの前記表面側に配置された電極が前記ウェーハの裏面側に配置された電極に対して負電位となる第１の電圧を印加する負電圧印加工程と、前記第１の電圧の印加後に、前記２つの電極間に、前記ウェーハの前記表面側に配置された電極が前記ウェーハの裏面側に配置された電極に対して正電位となる第２の電圧を印加し、前記ウェーハの前記表面の欠陥部位に銅を析出させる正電圧印加工程とを有する。
【００１０】
好適には、前記第１の電圧は、前記ウェーハの前記表面の欠陥部位の前記絶縁膜に絶縁破壊が生じる大きさの電圧である。
また好適には、前記第２の電圧は、前記ウェーハの前記表面の前記絶縁膜に欠陥性以外の絶縁破壊が生じない大きさの電圧である。
【００１１】
また、本発明に係るシリコンウェーハ検査装置は、表面に絶縁膜を形成した検査対象のウェーハを、前記表面側に銅イオンを含む電解質溶液を介在させて２つの電極間に配置し、前記２つの電極間に電圧を印加することにより前記ウェーハの前記表面の欠陥部位に銅を析出させるウェーハ検査装置であって、前記２つの電極間に、前記ウェーハの前記表面側に配置された電極が前記ウェーハの裏面側に配置された電極に対して負電位となる第１の電圧を印加し、前記第１の電圧の印加後に、前記２つの電極間に、前記ウェーハの前記表面側に配置された電極が前記ウェーハの裏面側に配置された電極に対して正電位となる第２の電圧を印加し、前記ウェーハの前記表面の欠陥部位に銅を析出させる印加電圧制御手段を有する。
【発明の効果】
【００１２】
本発明によれば、完全結晶ウェーハのような高品質なウェーハについても銅検出法によりこれを高い信頼性で検査することができるウェーハ検査方法及びウェーハ検査装置を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１３】
本発明に係るウェーハの検査方法及びウェーハ検査装置の一実施形態について、図１〜図４を参照して説明する。
本実施形態においては、チョクラルスキー法（ＣＺ法）によって結晶成長され製造されたシリコンベアウェーハを検査対象のウェーハとして、その欠陥の検査を行う方法及び装置について説明する。
図１は、そのシリコンウェーハの欠陥検査方法の処理の流れを示す図であり、図２は、図１に示す検査方法の銅（Ｃｕ）析出処理（工程Ｓ１６）の際に使用するＣｕ析出装置の構成を示す図であり、図３は、そのＣｕ析出処理の流れを示す図である。また、図４は、本実施形態のシリコンウェーハの欠陥検査方法を説明するためのウェーハの断面図である。
【００１４】
本実施形態のウェーハの検査方法においては、図１に示すように、まず、検査対象のベアウェーハに対して、ウェーハ上に付着したパーティクル等の外部汚染源を除去するためのウェーハ洗浄を前処理として施す（工程Ｓ１２）。
【００１５】
次に、ウェーハを電気炉等の拡散装置に投入し、熱酸化を行い、ウェーハ上に酸化膜（絶縁膜）を形成する(工程Ｓ１３）。この熱酸化の際に、ウェーハの表面にピットのような結晶欠陥があると、その周囲に沿って、後に銅が析出する原因となる局部的な酸化膜のシーニング現象が生じる。なお、熱酸化膜は例えば２５〜１５０ｎｍの厚さに形成する。この程度の厚さの酸化膜を形成することにより、ウェーハの来歴に関わらず、後段の銅の析出を良好に行うことができる。
【００１６】
次に、後のＣｕ析出処理時にウェーハ下部とＣｕ析出装置の下部電極板との間の電気的な導通路を確保するために、絶縁膜（熱酸化膜）が形成されたウェーハの裏面の絶縁膜の一部をエッチングにより剥離する(工程Ｓ１４）。エッチングは、フッ化水素（ＨＦ）の蒸気を用いて実施する。なお、ウェーハの裏面全体の絶縁膜を剥離してもよいが、最小限の電気的な通路を確保できれば十分である。
【００１７】
エッチングが終了したら、ウェーハを純水で洗浄してエッチングガス等の残留物を除去する（工程Ｓ１５）。
【００１８】
そして、Ｃｕ析出処理を行う（工程Ｓ１６）。
【００１９】
ここで、Ｃｕ析出処理に用いるＣｕ析出装置について図２を参照して説明する。
図２に示すＣｕ析出装置１は、金メッキを施した銅でできた下部電極（下部プレート）１０、光をウェーハ面上に照射できるように等間隔に小さい穴を多数あけた純銅製の上部電極板（上部プレート）１２、側壁部１４、スペーサ１６及び電源１８を有する。
下部プレート１０及び上部プレート１２は、スペーサ１６によって所定の間隔で配置され、その周囲を側壁部１４により囲まれている。これら下部プレート１０、スペーサ１６及び側壁部１４により囲まれた空間が、ウェーハ安着部２０となる。なお、側壁部１４及びスペーサ１６は、テフロン（「テフロン」は、米国デュポン社の登録商標）等の絶縁性材料により形成される。
【００２０】
下部プレート１０及び上部プレート１２には各々接続端子が接続され、電源１８に接続されている。
電源１８は、下部プレート１０及び上部プレート１２に対して任意の電圧を印加する電圧源である。本実施形態のＣｕ析出方法においては、この電源１８が制御されて、まず最初に下部プレート１０が正、上部プレート１２が負となるように電圧が印加され、その後に下部プレート１０が負、上部プレート１２が正となるように電圧が印加される。
【００２１】
以下、Ｃｕ析出装置１を用いたＣｕ析出処理の流れについて、さらに図３のフローチャート及び図４のウェーハ断面図を参照して説明する。
Ｃｕ析出処理においては、まず、ダミーウェーハを用いた電解質溶液の抵抗値の調整を行う(工程Ｓ２０）。
まず、Ｃｕ析出装置１の上部プレート１２を持ち上げて、下部プレート１０の上にダミーウェーハを装着する（工程Ｓ２１）。ダミーウェーハは、５０ｎｍの厚さの酸化膜が形成されたウェーハを使用する。
次に、上部プレート１０を設置し、Ｃｕ析出装置１内のウェーハ安着部２０に、電解質溶液の溶媒としてのメタノールを上部プレート１０が没する程度まで注入する（工程Ｓ２２）。
【００２２】
次に、電源１８により、メタノールに浸されている純銅製の上部プレート１０に、下部プレート１２に対して正の電圧を加え、銅イオン（Ｃｕ２＋）をメタノール中に溶出させ、銅（Ｃｕ）を酸化する（工程Ｓ２３）。本実施形態においては、下部プレート１０及び上部プレート１２の間に５０Ｖの電圧を３０分間印加し、銅の酸化を行う。
【００２３】
次に、ダミーウェーハをＣｕ析出装置１から取り出し（工程Ｓ２４）、ウェーハ安着部２０に収容されているメタノールの抵抗値が所望の値となっているか否かの検査、及び、所望の値になっていない場合にはその調整を行う（工程２５）。メタノール抵抗値の調整は、例えば、メタノール抵抗値が低すぎる場合は新しいメタノールを追加することにより、メタノール抵抗値が高すぎる場合は工程Ｓ２１〜Ｓ２４の銅イオン溶出処理を追加することにより行う。
【００２４】
Ｃｕ析出装置１に収容される電解質溶液（メタノール液）の抵抗値の調整が終了したら、次に、検査対象のウェーハへの銅の析出処理を行う（工程Ｓ２６）。
まず、検査対象のウェーハをＣｕ析出装置１のウェーハ安着部２０内に装着する（工程Ｓ２７）。図４に示すように、この検査対象のウェーハは、基材３１上に絶縁膜である熱酸化層３４を有するウェーハ３０であり、この時点でウェーハ３０は、Ｃｕ析出装置１のウェーハ安着部２０内のメタノールに浸された状態となる。
【００２５】
次に、電源１８により、上部プレート１２が下部プレート１０に対して負電圧となるように、下部プレート１０と上部プレート１２との間に電圧を印加する（工程Ｓ２８）。これにより、ウェーハ３０の熱酸化工程においてシーニング現象が生じた部位で、酸化膜の絶縁破壊が発生する。なお、絶縁破壊が生じることによりその位置にリーク電流が流れるが、この工程においては下部プレート１０側から上部プレート１２に対して正電圧が作用しているので、絶縁膜３４の表面において銅イオンＣｕ２＋が還元されることにはならず、絶縁膜３４の表面への銅の析出は起こらない。
【００２６】
所定の時間、所定の電圧で、上部プレート１２に負電圧を印加したら、次に、同じく電源１８により、上部プレート１２が下部プレート１０に対して正電圧となるように、下部プレート１０と上部プレート１２との間に電圧を印加する（工程Ｓ２９）。これにより、先に絶縁破壊が生じている箇所に、工程Ｓ２８の状態とは反対方向のリーク電流が流れる。すなわち、上部プレート１２側から下部プレート１０に対して正電圧が作用し、下部プレート１０側からウェーハ３０の絶縁膜３４方向に電子電流が流れる。その結果、絶縁膜３４の表面のリーク電流が流れる箇所において電解質溶液仲の銅イオンＣｕ２＋が還元され、その箇所に銅が析出する（工程Ｓ３０）。
なお、工程Ｓ２９において下部プレート１０と上部プレート１２との間に印加する電圧は、絶縁膜に印加する実効電界が６ＭＶ／ｃｍ以下、より好ましくは３〜６ＭＶ／ｃｍの範囲内になるように設定する。
【００２７】
そして、このように検査対象のシリコンウェーハに対して銅析出処理を行ったら、ウェーハをＣｕ析出装置１から取り出し、ウェーハ表面の銅の析出状態を分析する（工程Ｓ１７（図１））。これにより、ウェーハの結晶欠陥の有無、状態等を検査することができる。なお、この分析は、例えばウェーハを肉眼、あるいは走査電子顕微鏡（ＳＥＭ）等で観察することにより行う。
【００２８】
このような本実施形態のシリコンウェーハの検査方法を実際のウェーハに適用した場合の検査結果を、実施例として例示する。なお、ここでは、比較のために、従来の方法により検査を行った場合の検査結果についても比較例として示す。
【００２９】
実施例１及び比較例１
まず最初に、水素アニールウェーハ、すなわちシリコンウェーハを高温で水素ガス雰囲気下で数時間保持する熱処理を施して製造したウェーハであって、ポリシリコン電極を用いたＧＯＩ評価で不良（結晶欠陥）が検知できない程度に高品質に製造されたウェーハを検査対象として、高電界条件で、本実施形態の方法及び従来の方法により検査を行った。
熱酸化工程においては、ドライ０２、９５０℃で膜厚５０ｎｍの酸化膜を形成した。
絶縁破壊工程においては、従来方法で異常銅析出の生じる１０ＭＶ／ｃｍ（５０ｎｍの絶縁膜に対して５０Ｖの電圧）の電界を印加した。また、銅析出工程は、異常銅析出の生じない５ＭＶ／ｃｍ（５０ｎｍの絶縁膜に対して２５Ｖの電圧差）の電界を印加して行った。
すなわち、本発明に係る方法（実施例１としての方法）としては、酸化膜側の電極に負電圧５０Ｖ（１０ＭＶ／ｃｍ）を印加し２分間保持した後、正電圧２５Ｖで１０分間銅析出を実施した。また、従来方法（比較例１としての方法）では、酸化膜側の電極に正電圧５０Ｖ（１０ＭＶ／ｃｍ）を印加し２分間保持した後、正電圧２５Ｖで１０分間の銅析出を実施した。
【００３０】
銅析出を行ったウェーハの表面観察結果を図５に示す。
図５において、図５（Ａ）は本実施形態に係るウェーハ検査方法により処理したウェーハの表面を示す図であり、図５（Ｂ）は従来の検査方法により処理したウェーハの表面を示す図である。
図５（Ａ）に示すように、本実施形態に係るウェーハ検査方法による検査結果においては、ウェーハ表面に銅はほとんど析出していない。これに対して、従来の検査方法による検査結果では、図５（Ｂ）に示すように、ウェーハのほぼ全面に銅が析出している。
検査対象のウェーハは、前述したように結晶欠陥がほとんど存在しない旨のＧＯＩ評価を得ているウェーハであり、このことから、本実施形態のウェーハ検査方法においては、ウェーハの適正な評価が行えていることがわかる。一方、従来のウェーハ検査方法においては、結晶欠陥以外の要因に起因する絶縁破壊及びこれに伴う銅の析出がウェーハの全面に生じているとみなすことができ、ウェーハの結晶欠陥の適正な検査ができていないことがわかる。
【００３１】
実施例２及び比較例２
次に、中心部に結晶欠陥のあるポリッシュサンプルウェーハを検査対象として、通常電界条件で、本実施形態の方法及び従来の方法により検査を行った。
熱酸化工程においては、実施例１及び比較例１と同様に、ドライ０２、９５０℃で膜厚５０ｎｍの酸化膜を形成した。
絶縁破壊工程においては、７ＭＶ／ｃｍ（５０ｎｍの絶縁膜に対して３５Ｖの電圧差）の電界を印加した。また、銅析出工程は、異常銅析出の生じない５ＭＶ／ｃｍ（５０ｎｍの絶縁膜に対して２５Ｖの電圧差）の電界を印加して行った。
すなわち、本発明に係る方法（実施例２としての方法）では、酸化膜側の電極に負電圧３５Ｖ（７ＭＶ／ｃｍ）を印加し、２分間保持の後、正電圧２５Ｖで１０分間銅析出を実施した。また、従来の検査方法（比較例２としての方法）では、酸化膜側の電極に正電圧３５Ｖ（７ＭＶ／ｃｍ）を印加し、２分間保持した後、正電圧２５Ｖで１０分間の銅析出を実施した。
【００３２】
銅析出を行ったウェーハの表面観察結果を図６に示す。
図６において、図６（Ａ）は本実施形態に係るウェーハ検査方法により処理したウェーハの表面を示す図であり、図６（Ｂ）は従来の検査方法により処理したウェーハの表面を示す図である。
図６（Ａ）、図６（Ｂ）ともに、結晶欠陥が存在すると見られるウェーハの中心部に同様に銅が析出しており、いずれの方法も適切に結晶欠陥を検出していると考えられる。すなわち、通常電界条件においては従来の方法においても適切に欠陥が検出できており、本実施形態に係る方法においても、同様に適切に欠陥が検出できている。
【００３３】
このように、本実施形態のシリコンウェーハの検査方法によれば、従来においても適切に検査ができる条件（通常電界条件）においては、従来と同様に適切に検査が行えており、さらに、従来は異常絶縁破壊が生じるために適切に検査ができなかった条件、すなわち完全結晶ウェーハに対して高電界を印加したような場合においても、適切に欠陥の検査が行えている。すなわち、完全結晶ウェーハのような高品質なウェーハについても銅検出法によりこれを高い信頼性で検査することができる。
【００３４】
以上説明したように、本実施形態の銅析出法においては、工程Ｓ２８（図３）において下部プレート１０から上部プレート１２方向に正電圧を印加して絶縁破壊を生じさせた後に、電圧の方向を反転して上部プレート１２から下部プレート１０方向に正電圧を印加し、絶縁層３４の表面に銅を析出させるための電子（リーク電流）を供給している。
従って、絶縁破壊段階の電圧を空乏層を生じない方向に印加しているため、電圧の制限が緩和され、従来方法より照度管理幅を広く設定することができる。
【００３５】
酸化膜３４に作用する実効電界を制御するためには、前述したように、上部プレート１２と下部プレート１０との間に印加する電圧と、電解質溶液（銅イオンＣｕ２＋を含むメタノール溶液）の上部プレート１２と下部プレート１０との間における抵抗値と、ウェーハ３０に高抵抗の空乏層が形成される場合にはこの空乏層の抵抗値とを考慮しなければならない。しかしながら、本実施形態の検査方法においては、空乏層が形成されないので、これを考慮する必要は無く、実質的に電解質溶液の抵抗値のみを制御すればよい。従って、酸化膜３４に印加する実効電界の制御が容易かつ高精度に行えることになり、完全結晶ウェーハのような高品質なウェーハの検査を高い信頼性で行うことが可能になる。
【００３６】
なお、本実施形態は、本発明の理解を容易にするために記載されたものであって本発明を何ら限定するものではない。本実施形態に開示された各要素は、本発明の技術的範囲に属する全ての設計変更や均等物をも含み、また任意好適な種々の改変が可能である。
【図面の簡単な説明】
【００３７】
【図１】図１は、本発明の一実施形態のシリコンウェーハの検査方法の処理の流れを示す図である。
【図２】図２は、図１に示す検査方法の銅析出処理の際に使用する銅析出装置の構成を示す図である。
【図３】図３は、図１に示す検査方法の銅析出処理の流れを示す図である。
【図４】図４は、図１に示す検査方法を説明するためのウェーハの断面図である。
【図５】図５は、本実施形態の検査方法によるウェーハ検査結果を説明するための第１の図であり、図５（Ａ）は本実施形態に係るウェーハ検査方法により処理したウェーハの表面を示す図であり、図５（Ｂ）は従来の検査方法により処理したウェーハの表面を示す図である。
【図６】図６は、本実施形態の検査方法によるウェーハ検査結果を説明するための第２の図であり、図６（Ａ）は本実施形態に係るウェーハ検査方法により処理したウェーハの表面を示す図であり、図６（Ｂ）は従来の検査方法により処理したウェーハの表面を示す図である。
【符号の説明】
【００３８】
１…銅（Ｃｕ）析出装置
１０…下部プレート
１２…上部プレート
１４…側壁部
１６…スペーサ
１８…電源
２０…ウェーハ安着部
３０…ウェーハ
３１…基材
３３…反転層
３４…酸化膜（絶縁膜）
【図１】
0004784253.tif 000002
【図２】
0004784253.tif 000003
【図３】
0004784253.tif 000004
【図４】
0004784253.tif 000005
【図５】
0004784253.tif 000006
【図６】
0004784253.tif 000007