(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
固定剤を支持ウエハの表面に塗布して固定剤付きウエハを製造する固定剤付きウエハの製造方法であって、
前記固定剤を、液体の状態で、前記支持ウエハの表面に塗布する工程と、
前記固定剤を溶解することができる溶剤で前記支持ウエハのエッジ部である支持ウエハエッジ部上の前記固定剤を溶解除去する工程と、
前記支持ウエハエッジ部に、染み込み防止構造を配設する工程とを有する固定剤付きウエハの製造方法。
【請求項２】
前記支持ウエハエッジ部に、染み込み防止構造を配設した後に、更に、カバーフィルムを前記固定剤の表面に貼り付ける工程を有する請求項１に記載の固定剤付きウエハの製造方法。
【請求項３】
固定剤を支持ウエハの表面に塗布して固定剤付きウエハを製造する固定剤付きウエハの製造方法であって、
前記支持ウエハのエッジ部である支持ウエハエッジ部に、染み込み防止構造を配設する工程と、
前記固定剤を、前記支持ウエハと前記染み込み防止構造とにより形成される窪みに配置し、その後、カバーフィルムを前記固定剤の表面に配置し、前記カバーフィルムの上から押圧しながら前記固定剤を液体状態とし、前記固定剤を前記支持ウエハの表面に塗布する工程とを有する固定剤付きウエハの製造方法。
【請求項４】
前記固定剤を、前記支持ウエハの表面に塗布する工程が、
前記固定剤を前記支持ウエハの表面に乗せ、前記固定剤を、加熱溶融した状態で、前記支持ウエハの表面に塗布する工程である請求項１〜３のいずれかに記載の固定剤付きウエハの製造方法。
【請求項５】
前記支持ウエハエッジ部に染み込み防止構造を配設する工程が、前記支持ウエハエッジ部に、リング状の染み込み防止部材を配設する工程である請求項１〜４のいずれかに記載の固定剤付きウエハの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、固定剤付きウエハの製造方法に関し、更に詳しくは、支持ウエハと被加工ウエハ（ウエハ）とを固定剤により接着固定するときに、固定剤が支持ウエハとウエハとの間からはみ出してくることを防止し、作業環境の汚染を防止することが可能であり、更に、支持ウエハとウエハとの間に液状物質が染み込むことを防止することが可能な固定剤付きウエハを効率的に製造する固定剤付きウエハの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体デバイスの製造工程において、略円板形状である半導体ウエハの表面にＩＣ、ＬＳＩなどの回路を格子状に多数形成し、該回路が形成された各領域を所定の切断ラインに沿ってダイシングすることにより、個々の半導体素子が製造されている。このようにして半導体素子を製造するに際し、半導体素子の放熱性を良好にするとともに、携帯電話などのモバイル機器の小型化および低コスト化を実現するために、半導体素子の厚さをできるだけ薄く形成することが望まれている。そのため、半導体ウエハを個々の素子に分割する前に、その裏面を研削して所定の厚さに加工する研削工程が行われている。この研削工程においては、半導体素子は研削機の定盤などの支持体に、仮止め接着剤にて堅固に固定されている必要があるが、研削終了後は支持体から剥離する必要がある。【０００３】
従来、このような半導体ウエハの仮止め接着剤としてワックスが広く用いられており、種々のワックスが提案されている。たとえば、ＨＬＢ値が７〜１３のポリグリセリン類を有効成分とするワックス（例えば、特許文献１参照。）や、酸価が１００以上のロジン樹脂、ロジン樹脂の誘導体、ロジン樹脂の変成物、スチレン・アクリル共重合体の１種または２種以上を含むワックス（例えば、特許文献２参照。）が開示されている。【０００４】
上記従来のワックスは、ウエハの研削処理におけるプロセス温度では接着強度が保てないこと、薄く研削された半導体ウエハ等の剥離性が悪いこと、更に加工処理後の洗浄が難しいこと等の問題があった。【０００５】
これに対し、液晶化合物やそれを含有する組成物を接着剤として使用して半導体ウエハを固定することにより、上記問題を解決する方法が開示されている（例えば、特許文献３参照。）。【０００６】
しかし、上記ワックスや液晶化合物を使用して半導体ウエハ（被加工ウエハ）を支持体（支持ウエハ等）に固定する場合には、半導体ウエハとその支持体との間に挟まれたワックス又は液晶化合物がはみ出して外部に漏れ出し、半導体ウエハや作業環境を汚染するという問題があった。また、支持ウエハに被加工ウエハを固定し、化学エッチング方式等により被加工ウエハを加工するときに、エッチング液等の液状物質が支持ウエハと被加工ウエハとの間に染み込み、回路等が形成された被加工ウエハの表面が腐食するという問題があった。
【特許文献１】特開平７−２２４２７０号公報
【特許文献２】特開平９−１５７６２８号公報
【特許文献３】国際公開第０３／０９５５７９号パンフレット
【発明の開示】
【０００７】
本発明は、このような従来技術の有する問題点に鑑みてなされたものであり、支持ウエハと被加工ウエハ（ウエハ）とを固定剤により接着固定するときに、固定剤が支持ウエハとウエハとの間からはみ出してくることを防止し、ウエハや作業環境の汚染を防止することが可能であり、更に、支持ウエハとウエハとの間に液状物質が染み込むことを防止することが可能な固定剤付きウエハを効率的に製造することが可能な固定剤付きウエハの製造方法を提供することを目的とする。
【０００８】
上記課題を解決する本発明の固定剤付きウエハの製造方法は、以下に示す通りである。
【００１３】
［１］  固定剤を支持ウエハの表面に塗布して固定剤付きウエハを製造する固定剤付きウエハの製造方法であって、前記固定剤を、液体の状態で、前記支持ウエハの表面に塗布する工程と、前記固定剤を溶解することができる溶剤で前記支持ウエハのエッジ部である支持ウエハエッジ部上の前記固定剤を溶解除去する工程と、前記支持ウエハエッジ部に、染み込み防止構造を配設する工程とを有する固定剤付きウエハの製造方法。
【００１４】
［２］  前記支持ウエハエッジ部に、染み込み防止構造を配設した後に、更に、カバーフィルムを前記固定剤の表面に貼り付ける工程を有する［１］に記載の固定剤付きウエハの製造方法。
【００１６】
［３］  固定剤を支持ウエハの表面に塗布して固定剤付きウエハを製造する固定剤付きウエハの製造方法であって、前記支持ウエハのエッジ部である支持ウエハエッジ部に、染み込み防止構造を配設する工程と、前記固定剤を、前記支持ウエハと前記染み込み防止構造とにより形成される窪みに配置し、その後、カバーフィルムを前記固定剤の表面に配置し、前記カバーフィルムの上から押圧しながら前記固定剤を液体状態とし、前記固定剤を前記支持ウエハの表面に塗布する工程とを有する固定剤付きウエハの製造方法。
【００１７】
［４］  前記固定剤を、前記支持ウエハの表面に塗布する工程が、前記固定剤を前記支持ウエハの表面に乗せ、前記固定剤を、加熱溶融した状態で、前記支持ウエハの表面に塗布する工程である［１］〜［３］のいずれかに記載の固定剤付きウエハの製造方法。
【００１８】
［５］  前記支持ウエハエッジ部に染み込み防止構造を配設する工程が、前記支持ウエハエッジ部に、リング状の染み込み防止部材を配設する工程である［１］〜［４］のいずれかに記載の固定剤付きウエハの製造方法。
【００２０】
本発明の固定剤付きウエハの製造方法によれば、支持ウエハエッジ部に染み込み防止構造を配設するとともに、固定剤を支持ウエハの表面に薄く均一に塗布することができる。それにより、支持ウエハと被加工ウエハとの間から固定剤がはみ出すことを防止し、ウエハや作業環境の汚染を防止することができ、更に、支持ウエハと被加工ウエハとの間に液状物質が染み込むことを防止することが可能な固定剤付きウエハが得られる。
【図面の簡単な説明】
【００２１】
【図１】図１（ａ）は、固定剤付きウエハの一実施形態を模式的に示す斜視図であり、図１（ｂ）は、図１（ａ）のＡ−Ａ’断面図である。
【図２】図２（ａ）は、固定剤付きウエハの他の実施形態を模式的に示す斜視図であり、図２（ｂ）は、図２（ａ）のＢ−Ｂ’断面図である。
【図３】図３（ａ）は、固定剤付きウエハの他の実施形態を模式的に示す平面図であり、図３（ｂ）は図３（ａ）のＣ−Ｃ’断面図である。
【図４Ａ】本発明の固定剤付きウエハの製造方法の一実施形態の一工程を模式的に示す斜視図である。
【図４Ｂ】図４ＡにおけるＤ−Ｄ’断面図である。
【図５Ａ】本発明の固定剤付きウエハの製造方法の一実施形態の一工程を模式的に示す斜視図である。
【図５Ｂ】図５ＡにおけるＥ−Ｅ’断面図である。
【図６Ａ】本発明の固定剤付きウエハの製造方法の一実施形態の一工程を模式的に示す斜視図である。
【図６Ｂ】図６ＡにおけるＦ−Ｆ’断面図である。
【図７Ａ】本発明の固定剤付きウエハの製造方法の一実施形態の一工程を模式的に示す斜視図である。
【図７Ｂ】図７ＡにおけるＧ−Ｇ’断面図である。
【図８Ａ】本発明の固定剤付きウエハの製造方法の一実施形態の一工程を模式的に示す斜視図である。
【図８Ｂ】図８ＡにおけるＨ−Ｈ’断面図である。
【図９Ａ】本発明の固定剤付きウエハの製造方法の他の実施形態の一工程を模式的に示す平面図である。
【図９Ｂ】図９ＡにおけるＩ−Ｉ’断面図である。
【図１０Ａ】本発明の固定剤付きウエハの製造方法の他の実施形態の一工程を模式的に示す平面図である。
【図１０Ｂ】図１０ＡにおけるＪ−Ｊ’断面図である。
【図１１Ａ】本発明の固定剤付きウエハの製造方法の他の実施形態の一工程を模式的に示す平面図である。
【図１１Ｂ】図１１ＡにおけるＫ−Ｋ’断面図である。
【図１２Ａ】本発明の固定剤付きウエハの製造方法の他の実施形態の一工程を模式的に示す平面図である。
【図１２Ｂ】図１２ＡにおけるＬ−Ｌ’断面図である。
【符号の説明】
【００２２】
１，１１：支持ウエハ、２，１２：固定剤、３，１３：染み込み防止部（染み込み防止構造）、４，１４：支持ウエハエッジ部、５，１５：カバーフィルム、２１：溶剤ノズル、２２：溶剤、３１：窪み、ｆ：力、Ｗ：染み込み防止剤の幅、Ｒ：回転方向、１００，１０１，１０２，１０３，１０４：固定剤付きウエハ。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２３】
次に、本発明を実施するための最良の形態（以下、「実施形態」という。）を図面を参照しながら詳細に説明するが、本発明は以下の実施形態に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲で、当業者の通常の知識に基づいて、適宜設計の変更、改良等が加えられることが理解されるべきである。【００２４】
（１）固定剤付きウエハ：
図１（ａ）、図１（ｂ）に示すように、固定剤付きウエハの一の実施形態は、支持ウエハ１と、支持ウエハ１の表面に配設される固定剤２と、支持ウエハ１のエッジ部分（支持ウエハエッジ部）４に配設される染み込み防止構造（染み込み防止部）３とを備える固定剤付きウエハ１００である。そして、固定剤２は、支持ウエハエッジ部４を除いた部分に配設されており、これにより固定剤２が、支持ウエハ１と染み込み防止部３とにより形成される窪みに配設される構造となっている。ここで、図１（ａ）は、固定剤付きウエハの一の実施形態を模式的に示す斜視図であり、図１（ｂ）は、図１（ａ）のＡ−Ａ’断面図、すなわちＡ−Ａ’を通り支持体１に垂直な平面で固定剤付きウエハ１００を切断した断面図である。
【００２５】
（１−１）支持ウエハ；
本実施形態において使用される支持ウエハの形状については、特に限定されるものではなく、図１（ａ）、図１（ｂ）に示すように、円板状であることが好ましい。これは、通常被加工ウエハが円形（円板状）に形成されることが多く、それに合わせて支持ウエハをほぼ同じ大きさの円形に形成することが好ましいためである。従って、被加工ウエハが他の形状である場合には、それと同じ形状とすることが好ましい。【００２６】
支持ウエハの厚さは、特に限定されるものではないが、直径２００ｍｍのいわゆる２００ｍｍウエハの場合は３００μｍ〜７２５μｍであることが好ましい。支持ウエハの裏面（固定剤等が配設されない側の面）を基準面とすれば、その裏面と表面との距離（厚み）は、被加工ウエハとの貼り合わせ精度および貼り合わせ後のプロセスでの取り扱い精度に影響するため、この厚み精度が面内で±５μｍ以下、好ましくは±１μｍ以下、さらに好ましくは±０．３μｍ以下の平坦性を有することが好ましい。【００２７】
支持ウエハの材質は特に限定されるものではないが、セラミックス、金属化合物、ガラス素材等が好ましい。セラミックスとしては、例えば、炭化珪素、炭化窒素、アルミナ、窒化アルミニウム、ジルコニア、チタニア等が挙げられる。金属化合物としては、例えば、ＳＵＳ３０２Ｂ、ＳＵＳ３０４、ＳＵＳ３０９Ｓ、ＳＵＳ３１０Ｓ、ＳＵＳ３１６、ＳＵＳ３１６Ｔｉ、ＳＵＳ３１７、ＳＵＳ３２１、ＳＵＳ３４７、ＳＵＳＸＭ１５Ｊ１等のオーステナイト系ステンレス素材が挙げられる。ガラス素材としては、無アルカリガラス、石英等が挙げられる。また、シリコン、ＧａＡｓ、ＧａＮなどの半導体ウエハも支持ウエハとして用いることができる。【００２８】
（１−２）固定剤；
本実施形態において、図１（ａ）、図１（ｂ）に示す支持ウエハ１の表面に配設された固定剤２の厚さは１μｍ〜１ｍｍであることが好ましく、５μｍ〜１００μｍであることが更に好ましい。１μｍより薄いと、被加工ウエハを固定したときに、接着力が十分でないことがある。１ｍｍより厚いと、固定剤２を無駄に多く使用しコストアップになることがある。【００２９】
本実施形態において使用する固定剤は、ホットメルト型接着剤であることが好ましい。本実施形態において、ホットメルト型接着剤とは、常温では固体であるが、加熱溶融して被着物を付着させ冷却することにより、被着物を接着することができ、再度加熱溶融することで被着物を剥離することができる接着剤をいう。なお、接着面に楔のようなものを挟み込んで剥離してもよい。上記ホットメルト型接着剤組成物としては、組成物に凝集力を付与するために結晶性化合物を主成分として含有することが好ましい。ここで、「主成分」とは７０質量％以上含有される成分をいう。そして、その結晶性化合物の溶融温度は５０〜３００℃であることが好ましく、５５〜２５０℃であることが更に好ましい。ここで、溶融温度とは、示差走査熱量分析装置（ＤＳＣ）で測定したメインの溶融ピーク曲線におけるピーク温度をいう。結晶性化合物の溶融温度が上記範囲にあることにより、接着時の耐熱温度を向上させることができる。【００３０】
上記結晶性化合物は、分子量が１０００以下、好ましくは１５０〜８００、より好ましくは２００〜６００である。結晶性化合物の分子量が上記範囲を超えると、結晶性化合物の溶剤への溶解性が低くなるため、被加工ウエハと固定剤付きウエハとを溶剤を使用して剥離し、その後溶剤で洗浄する場合に、その溶剤による剥離・洗浄が不十分となることがある。【００３１】
また、上記結晶性化合物は、半導体ウエハ上に形成される配線および絶縁膜に対してダメージを与えず、汚染源ともならず、溶融時に固定剤が変性しないなどの観点から、カルボン酸基やアミノ基などの活性な官能基を有しない中性化合物であることが好ましい。また、媒質中に拡散して絶縁性に悪影響を及ぼすアルカリ金属等（例えば、Ｎａ、Ｋ、Ｃａ、Ｆｅ、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｃｒ、Ａｌ等）の金属含有量の合計が１００ｐｐｍ以下であることが好ましく、１０ｐｐｍ以下となるまでメタルフリー化処理したものであることが更に好ましい。なお、金属酸化物など安定な形態で含有するものはこの限りではない。【００３２】
このような結晶性化合物としては、１，３，５−トリニトロベンゼン、２，３，６−トリニトロフェノール、２，４，５−トリニトロトルエン等のニトロ化合物なども挙げることができるが、取扱上の安全性が高く、溶融時の耐熱性に優れ、着色が少ないなどの観点から、Ｎ元素を含まないＣ、Ｈ、Ｏの元素のみからなる有機化合物が好ましい。具体的には、以下に例示するような芳香族化合物、脂肪族化合物および脂環式化合物などが挙げられる。【００３３】
芳香族化合物としては、例えば、９Ｈ−キサンテン、ベンゾフラン−３（２Ｈ）−オン、１，５−ジフェニル−２，４−ペンタジエン−１−オン、ジ−２−ナフチルエーテル、ｃｉｓ−１，８−テルピン、２，３−ジメチルナフタレン、１，２−ナフタレンジオール、ジ−１−ナフチルメタン、ビフェニル−２，２’−ジオール、ジ−１−ナフチルエーテル、ビス（ジフェニルメチル）エーテル、９，１０−ジヒドロアントラセン、２，３，５，６−テトラメチル−ｐ−ベンゾキノン、２，６−ジメチルナフタレン、シリンガアルデヒド、バニリルアルコール、１，３−ジフェニルイソベンゾフラン、２，３’−ジヒドロキシベンゾフェノン、イソヒドロベンゾイン、４，４’−ジメチルビフェニル、１，３−ナフタレンジオール、４−フェナントロール、３，３−ジフェニルフタリド、ペンタメチルフェノール、ヘキサエチルベンゼン、３，４−ジヒドロキシベンゾフェノン、２，４−ジヒドロキシベンズアルデヒド、ｐ−ヒドロキシベンゾフェノン、４，５，９，１０−テトラヒドロピレン、２，３，４−トリヒドロキシベンゾフェノン、ヘマトキシリン、２−イソプロピル−５−メチルヒドロキノン、１，９−ジフェニル−１，３，６，８−ノナテトラエン−５−オン、９−フェニルフルオレン、１，４，５−ナフタレントリオール、１−アントロール、１，４−ジフェニル−１，３−ブタジエン、ガルビノキシル、ピレン、９−フェニルアントラセン、トリフェニルメタノール、１，１’−ビナフチル、ｍ−キシレン−２，４，６−トリオール、４，４’−メチレンジフェノール、ヘキサメチルベンゼン、ジベンゾ−１８−クラウン−６、ジフェノキノン、ビフェニル−４−オール、１Ｈ−フェナレン、１０−ヒドロキシアントロン、フラボノール、ベンゾアントロン、９Ｈ−キサンテン−９−オン、テトラフェニルフラン、２−メチルアントラキノン、４−ヒドロキシ−１−ナフトアルデヒド、１，７−ナフタレンジオール、２，５−ジエトキシ−ｐ−ベンゾキノン、クルクミン、２，２’−ビナフチル、１，８−ジヒドロキシアントラキノン、１，４−ナフタレンジオール、１−ヒドロキシアントラキノン、３，４−ジヒドロキシアントロン、ｐ−テルフェニル、４，４’−ジヒドロキシベンゾフェノン、アントラセン、２，４，６−トリヒドロキシアセトフェノン、【００３４】
１，８−アントラセンジオール、テトラフェニルエチレン、１，７−ジヒドロキシ−９−キサンテノン、２，７−ジメチルアントラセン、エピカテキン、ナリンゲニン、２−アントロール、１，５−ナフタレンジオール、ベンジリデンフタリド、２−フェニルナフタレン、ｃｉｓ−デカヒドロ−２−ナフトール（ｃｉｓｏｉｄ）、（２Ｒ，３Ｒ）−２，３−ビス（ジフェニルホスフィノ）ブタン、ｔｒａｎｓ−１，２−ジベンゾイルエチレン、ｔｒａｎｓ−１，４−ジフェニル−２−ブテン−１，４−ジオン、ビス（２−ヒドロキシエチル）テレフタラート、フルオランテン、ビフェニレン、イソバニリン、フルオレン、９−アントロール、ｐ−フェニレンジアセタート、ｔｒａｎｓ−スチルベン、ビフェニル−３，３’−ジオール、２，５−ジヒドロキシベンゾフェノン、ピノールヒドラート、ベンゾイン、ヒドロベンゾイン、１，２−ビス（ジフェニルホスフィノ）エタン、２，４−ジヒドロキシベンゾフェノン、１，８−ナフタレンジオール、１，２−ナフトキノン、２，４’−ジヒドロキシベンゾフェノン、５−ヒドロキシ−１，４−ナフトキノン、１−フェナントロール、アントロン、９−フルオレノール、トリフェニルホスフィンオキシド、ベンゾ［ａ］アントラセン、１，２−アントラセンジオール、２，３−ナフタレンジオール、２，４，６−トリヒドロキシベンゾフェノン、ジ−２−ナフチルケトン、３，３’−ジヒドロキシベンゾフェノン、アルブチン、１，２，３，５−ベンゼンテトラオール、ジフェニルキノメタン、２−フェナントロール、２，３，４−トリヒドロキシアセトフェノン、カプサンチン、１，３，５−トリフェニルベンゼン、３，４，５−トリヒドロキシベンゾフェノン、ベンゾ［ａ］ピレン、トリフェニルメチルペルオキシド、ヘキセストロール、１，１，２，２−テトラフェニル−１，２−エタンジオール、１，８−ジヒドロキシ−３−メチルアントラキノン、ショウノウキノン、２，２’，５，６’−テトラヒドロキシベンゾフェノン、エスクリン、３，４’−ジヒドロキシベンゾフェノン、２，４，５−トリヒドロキシアセトフェノン、９，１０−フェナントレンキノン、１，１，２，２−テトラフェニルエタン、ルチン、（−）−ヘスペレチン、２，３’，４，４’，６−ペンタヒドロキシベンゾフェノン、７−ヒドロキシクマリン、ｄｌ−ヘスペレチン、ニンヒドリン、トリプチセン、フルオレシン、クリセン、ジエチルスチルベストロール、ジベンゾ［ａ，ｈ］アントラセン、ペンタセン、１，６−ジヒドロキシアントラキノン、３，４’，５，７−テトラヒドロキシフラボン、２，６−アントラセンジオール、ゲニステイン等が挙げられる。【００３５】
脂肪族化合物としては、例えば、リビトール、Ｄ−アラビトール、フリル、γ−カロテン、β−カロテン、カンタリジン、ペンタエリトリトール、ｔｒａｎｓ，ｔｒａｎｓ−１，４−ジアセトキシブタジエン、Ｄ−グルシトール、Ｄ−マンニトール、イドース、デカナール、α−カロテン、２，４，６−トリメチルフロログルシノール、ガラクチトール、エキリン、エキレニン、ｔｒａｎｓ−１，２−シクロベンタンジオール、マノオール、１−ヘプタデカノール、１−オクタデカノール、１−イコサノール、ジヒドロキシアセトン、γ−テルピネオール、１−ヘキサコサノール、１−ヘントリアコンタノール、ステアロン等が挙げられる。【００３６】
脂環式化合物としては、例えば、コプロスタノール、チモステロール、エルゴカルシフェロール、β−シトステロール、ラノステロール、１１−デオキシコルチコステロン、コレスタノール、コレステロール、テストステロン、エルゴステロール、スチグマステロール、エストラジオール、コルチコステロン、エピコレスタノール、アンドロステロン、１７α−ヒドロキシ−１１−デオキシコルチコステロン、ギトキシゲニン、エピコプロスタノール、カルシフェロール、プロゲステロン、デヒドロエピアンドロステロン、７−デヒドロコレステロール、アグノステロール、１１−デヒドロコルチコステロン、プレドニソロン、ジギトキシゲニン、エストロン、β−エストラジオール、コルチソン、Ｄ−フルクトース（α形）、Ｄ−リキソース（α形）、Ｄ−リキソース（β形）、イソマルトース、Ｄ−タロース（β形）、Ｄ−タロース（α形）、Ｄ−アロース（β形）、Ｄ−マンノース（β形）、Ｄ−マンノース（α形）、Ｄ−キシロース（α形）、Ｄ−ガラクトース（β形）、Ｌ−フコース（α形）、Ｄ−グルコース（α形）、２−デオキシ−Ｄ−グルコース、マルトトリオース、Ｄ−ａｌｔｒｏ−ヘプツロース、Ｌ−アラビノース（ピラノースα形）、Ｄ−アラビノース、カフェストール、Ｌ−アラビノース（ピラノースβ形）、Ｄ−ガラクトース（α形）、リコペン、アウクビン、スクロース、フリーデリン、ｃｉｓ−１，３，５−シクロヘキサントリオール、Ｄ−イノシトール、ルテイン、ジオスゲニン、チゴゲニン、ゼアキサンチン、ｍｙｏ−イノシトール、セロビオース、ジベレリンＡ３、ヘマテイン、ベツリン、Ｄ−フルクトース（β形）、Ｄ−アルトロース（β形）、ジベンゾ−２４−クラウン−８、メチル−Ｄ−グルコピラノシド（β形）、Ｄ−ジギタロース、サリノマイシン、メチル−Ｄ−ガラクトピラノシド（α形）、α，α−トレハロース、ビキシン（全ｔｒａｎｓ形）、パラチノース、ｔｒａｎｓ−１，４−テルピン、Ｄ−キノボース（α形）、Ｄ−ｇｌｙｃｅｒｏ−Ｄ−ｇａｌａｃｔｏ−ヘプトース、Ｄ−フコース（α形）、Ｄ−グルコース（β形）、Ｄ−ｍａｎｎｏ−ヘプツロース、Ｄ−ｇｌｙｃｅｒｏ−Ｄ−ｇｌｕｃｏ−ヘプトース、ソホロース、サルササポゲニン、Ｌ−ソルボース、Ｄ−ａｌｔｒｏ−３−ヘプツロース、ツイスタン、（＋）−ボルネオール、イノシトール、（−）−イソボルネオール、Ｌ−アラビノース（フラノース形）、Ｌ−ガラクトース（α形）、α−サントニン、メチル−Ｄ−ガラクトピラノシド（β形）、シクロペンタデカノン、δ−バレロラクトン、ｃｉｓ−２−メチルシクロヘキサノール、下記化学式（１）〜（８）で表される化合物等が挙げられる。【００３７】
【化１】
0004784604.tif 000002
【００３８】
上記化合物の中では、加工性の観点から、コレステロール、コプロスタノール、チモステロール、エルゴカルシフェロール、β−シトステロール、ラノステロール、１１−デオキシコルチコステロン、コレスタノール、テストステロン、エルゴステロール、スチグマステロール、エストラジオール、コルチコステロン、エピコレスタノール、アンドロステロン、１７α−ヒドロキシ−１１−デオキシコルチコステロン、ギトキシゲニン、エピコプロスタノール、カルシフェロール、プロゲステロン、デヒドロエピアンドロステロン、７−デヒドロコレステロール、アグノステロール、１１−デヒドロコルチコステロン、プレドニソロン、ジギトキシゲニン、エストロン、β−エストラジオール、コルチソンおよび上記化学式（１）〜（８）で表される化合物などのステロイド骨格を有する化合物、ｔｒａｎｓ−１，２−シクロペンタンジオール、マノオール、１−ヘプタデカノール、１−オクタデカノール、１−イコサノール、γ−テルピネオール、１−ヘキサコサノール、１−ヘントリアコンタノールなどの水酸基含有化合物およびこれらの誘導体が特に好ましい。ただし、エステル誘導体は、融点が低く、熱分解したときに酸性となって接着面を浸食する可能性があるなどの理由から好ましくない。【００３９】
上記結晶性化合物は、単独で用いてもよく、２種類以上を混合して用いてもよい。上記結晶性化合物は、固定剤中における含有量が７０質量％以上、好ましくは８０質量％以上、特に好ましくは９０質量％以上となるように用いられる。含有量が上記範囲よりも低いと、溶融温度がシャープにならず、また溶融粘度も高くなることがある。【００４０】
上記のような結晶性化合物を主成分として含む固定剤は、溶融温度幅が１〜３０℃であることが好ましく、１〜２０℃であることが更に好ましく、１〜１０℃であることが特に好ましい。固定剤の溶融温度における溶融粘度が０．０００１〜０．１Ｐａ・ｓであることが好ましく、０．００１〜０．０５Ｐａ・ｓであることが更に好ましく、０．００１〜０．０１Ｐａ・ｓであることが特に好ましい。ここで、溶融温度幅とは、示差走査熱量分析装置（ＤＳＣ）で測定したメインの溶融ピーク曲線における始点の温度と終点の温度との差をいう。溶融温度幅および溶融粘度が上記範囲にあることにより、剥離容易性が向上するため、被加工ウエハを支持ウエハから剥離する際に加える外力を小さくすることができる。【００４１】
固定剤の溶融温度幅および溶融粘度は、上記結晶性化合物の溶融温度幅および溶融粘度に強く依存することから、溶融温度幅が狭く、溶融粘度が低い結晶性化合物を用いることが望ましい。すなわち、主成分である結晶性化合物としては、溶融温度が５０〜３００℃、溶融温度幅が１〜３０℃、溶融温度における溶融粘度が０．０００１〜０．１Ｐａ・ｓのものが好ましい。【００４２】
結晶性化合物の溶融温度幅を狭くし、溶融粘度を低減し、さらに遊離金属イオン量を低減するために、結晶性化合物の精製を行うことが好ましい。結晶性化合物の精製方法としては、たとえば、（ａ）結晶性化合物を溶剤に溶解し、溶剤を徐々に留去して再結晶化させることで純度を高める方法、および（ｂ）結晶性化合物を溶剤に溶解し、その溶液をイオン交換樹脂に接触させて遊離金属を除去することで金属含有量を減らす方法などが挙げられる。【００４３】
固定剤には、支持ウエハ及び被加工ウエハへの濡れ性及び／又は接着性を調整するために、あるいは固定剤の溶融粘度を調整するために、必要に応じて非イオン系界面活性剤などの表面張力調節剤を、目的とする機能を損なわない範囲で添加することができる。【００４４】
添加することのできる非イオン系界面活性剤としては、パーフルオロアルキル基などのフッ化アルキル基を有するフッ素系界面活性剤や、オキシアルキル基を有するポリエーテルアルキル系界面活性剤などを挙げることができる。【００４５】
上記フッ素系界面活性剤としては、たとえば、Ｃ９Ｆ１９ＣＯＮＨＣ１２Ｈ２５、Ｃ８Ｆ１７ＳＯ２ＮＨ−（Ｃ２Ｈ４Ｏ）６Ｈ、「エフトップＥＦ３０１」、「同ＥＦ３０３」、「同ＥＦ３５２」（新秋田化成（株）製）、「メガファックＦ１７１」、「同Ｆ１７３」（大日本インキ（株）製）、「アサヒガードＡＧ７１０」（旭硝子（株）製）、「フロラードＦＣ−１７０Ｃ」、「同ＦＣ４３０」、「同ＦＣ４３１」（住友スリーエム（株）製）、「サーフロンＳ−３８２」、「同ＳＣ１０１」、「同ＳＣ１０２」、「同ＳＣ１０３」、「同ＳＣ１０４」、「同ＳＣ１０５」、「同ＳＣ１０６」（旭硝子（株）製）、「ＢＭ−１０００」、「同１１００」（Ｂ．Ｍ−Ｃｈｅｍｉｅ社製）、「Ｓｃｈｓｅｇｏ−Ｆｌｕｏｒ」（Ｓｃｈｗｅｇｍａｎｎ社製）、「ＦＳ１２６５」（東レダウコーニングシリコーン（株）製）などを挙げることができる。【００４６】
上記ポリエーテルアルキル系界面活性剤としては、たとえば、ポリオキシエチレンアルキルエーテル、ポリオキシエチレンアリルエーテル、ポリオキシエチレンアルキルフェニルエーテル、ポリオキシエチレン脂肪酸エステル、ソルビタン脂肪酸エステル、ポリオキシエチレンソルビタン脂肪酸エステル、オキシエチレンオキシプロピレンブロックポリマーなどを挙げることができ、具体的には「エマルゲン１０５」、「同４３０」、「同８１０」、「同９２０」、「レオドールＳＰ−４０Ｓ」、「同ＴＷ−Ｌ１２０」、「エマノール３１９９」、「同４１１０」、「エキセルＰ−４０Ｓ」、「ブリッジ３０」、「同５２」、「同７２」、「同９２」、「アラッセル２０」、「エマゾール３２０」、「ツィーン２０」、「同６０」、「マージ４５」（以上、（株）花王製）、「ノニボール５５」（三洋化成（株）製）、「ＳＨ−２８ＰＡ」、「同−１９０」、「同−１９３」、「ＳＺ−６０３２」、「ＳＦ−８４２８」（以上、東レダウコーニングシリコーン（株）製）等を挙げることができる。【００４７】
上記以外の非イオン系界面活性剤としては、たとえば、ポリオキシエチレン脂肪酸エステル、ポリオキシエチレンソルビタン脂肪酸エステル、ポリアルキレンオキサイドブロック共重合体などが挙げられ、具体的には「ケミスタット２５００」（三洋化成工業（株）製）、「ＳＮ−ＥＸ９２２８」（サンノプコ（株）製）、「ノナール５３０」（東邦化学工業（株）製）等を挙げることができる。【００４８】
上記表面張力調整剤は、上記結晶性化合物１００質量部に対して０．１〜５０質量部、好ましくは１〜３０質量部の量で用いることができる。使用量が上記範囲を超えると、常温における固定剤の硬度が低くなったり、粘着性が高すぎて所定形状への加工が困難となることがある。一方、使用量が上記範囲よりも低いと濡れ性及び／又は接着性の改善効果が表れないことがある。【００４９】
固定剤による接着強度は、２５±２℃において０．５ＭＰａ以上であることが好ましく、１ＭＰａ以上であることが更に好ましく、５ＭＰａ以上であることが特に好ましい。接着強度が上記範囲よりも低いと接着後の加工条件によっては接着面が部分的に剥がれ加工の面内均一性が損なわれる場合がある。【００５０】
また、固定剤を用いて、被加工ウエハと支持ウエハとを接着したときの、２５±２℃における接着強度をＡ（ＭＰａ）とし、固定剤の溶融温度（示差走査熱量分析装置（ＤＳＣ）で測定したメインの溶融ピーク曲線におけるピーク温度をいう。）より２０℃低い温度における接着強度をＢ（ＭＰａ）とした場合、該接着強度ＡおよびＢが下記関係式（１）を満たすことにより、接着強度の温度依存性が小さく、溶融温度以下の広い範囲で良好な接着状態を保持できる。【００５１】
０＜Ａ−Ｂ＜０．５    ・・・（１）【００５２】
また、固定剤としては、上記特許文献３に記載の液晶化合物を使用することもできる。すなわち、具体的には、ｉｓｏ−酪酸ナトリウム、オレイン酸ナトリウム、ヘキサヒドロ安息香酸カリウム、ステアリン酸ナトリウム、ミリスチン酸ナトリウム、パルミチン酸ナトリウム、安息香酸ナトリウム、エチル−ｐ−アゾキシベンゾエート、１−ｎ−ドデシルピリジニウムクロライド、１−ｎ−ドデシルピリジニウムブロマイド、１−ｎ−ドデシルピリジニウムヨードダイド、２−ｎ−トリデシルピリジニウムクロライド、３−ｎ−ドデシルオキシメチルピリジニウムメチルスルホネート、３−ｎ−ドデシルオキシメチルピリジニウム−ｐ−メチルフェニルスルホネート、４−シアノ−４’−オクチルオキシビフェニル、４−シアノ−４’−ドデシルオキシビフェニル、４−シアノ−４’−オクタノイルオキシビフェニル、ｐ−オクチルオキシ安息香酸−４−シアノフェニルエステル、ヘプタ−２，４−ジエン酸、オクタ−２，４−ジエン酸、ノナ−２，４−ジエン酸、デカ−２，４−ジエン酸、ウンデカ−２，４−ジエン酸、ノナ−２−エン−４−イン酸、パルミチック酸、ドコサン（ベヘン）酸、１，１０−デカンジカルボン酸（ドデカン二酸）、１，１２−ドデカンジカルボン酸、１，１０−デカンジカルボン酸ジヒドラジド、ｐ−ｎ−ブチル安息香酸、ｐ−ｎ−アミル安息香酸、ｐ−ｎ−ヘキシルオキシ安息香酸、ｐ−ｎ−オクチルオキシ−ｍ−フルオロ安息香酸、ω−ｎ−ブチルソルビン酸、ｐ’−メトキシ−ｐ−ビフェニルカルボン酸、ｐ−アゾキシアニソール、ｐ−アゾキシフェネトール、アニシリデン−ｐ−アミノフェニルアセテート、ｐ−メトキシベンジリデン−ｐ−ブチルアニリン、ｐ−エトキシベンジリデン−ｐ−ブチルアニリン、５−クロロ−６−ｎ−プロピルオキシ−２−ナフトエ酸、１−ベンゼンアゾ−アニサル−４−ナフチルアミン、ｐ−メトキシ−ｐ’−ブチルアゾキシベンゼン、ジヘキシルオキシアゾベンゼン、ｐ−ヘキシルカルボネート−ｐ’−ヘプチルオキシフェニル安息香酸、ｐ−アセトキシケイヒ酸、ｐ−メトキシ−α−ケイヒ酸、フェニルペンタジエン酸、ｐ−ｎ−ヘキシルオキシ−ｍ−ブロモケイヒ酸、ｐ−メトキシ−ｐ−ビフェニルカルボン酸、ｐ’−エトキシ−ｍ’−クロロ−ｐ−ビフェニルカルボン酸、ｐ’−ブチルオキシ−ｍ−ブロモ−ｐ−ビフェニルカルボン酸、ｐ’−ｎ−プロピルオキシ−ｍ’−ニトロ−ｐ−ビフェニルカルボン酸、【００５３】
７−メトキシ−２−フルオレン酸、６−メトキシ−２−ナフチル酸、６−エトキシ−２−ナフチル酸、６−ｎ−プロピルオキシ−５−クロロ−２’−ナフチル酸、６−ｎ−プロピルオキシ−５−ブロモ−２’−ナフチル酸、６−ｎ−ブチルオキシ−５−クロロ−２−ナフチル酸、６−ｎ−ブチルオキシ−５−ブロモ−２−ナフチル酸、６−ｎ−ブチルオキシ−５−ヨード−２−ナフチル酸、ｐ’−ｎ−ヘキシルオキシ−ｐ−ビフェニルカルボン酸メチルエステル、ｐ’−ｎ−ヘキシルオキシ−ｐ−ビフェニルカルボン酸エチルエステル、ｐ’−ｎ−ヘキシルオキシ−ｐ−ビフェニルカルボン酸プロピルエステル、ｐ’−ｎ−ドデシルオキシ−ｍ’−クロロビフェニルカルボン酸プロピルエステル、ｐ’−ｎ−ドデシルオキシ−ｍ’−ニトロビフェニルカルボン酸プロピルエステル、ｐ，ｐ’−ビフェニルジカルボン酸ビフェニルエステル、ｐ，ｐ’−テルフェニルジカルボン酸ジメチルエステル、エチレングリコールビス（ｏ−カルボエトキシ−ｐ−オキシフェニルエステル）、ビス（ｐ−メトキシシンナミル）アセトン、ジアリリデンシクロペンタノン−ビス（ｐ−メトキシベンザル）シクロペンタノン、ジアリリデンシクロヘキサノン−ビス（ｐ−メトキシベンザル）シクロヘキサノン、ビス〔ｐ−（ベンゾイルオキシ）ベンザル〕−β−メチルシクロヘキサノン、ｐ，ｐ’−ビス（ビフェニルカルビノール）ビフェニル、１−クロロ−１，２−ビス（ｐ−アセトキシフェニル）エチレン、ｐ−アセトキシベンザル−ｐ’−メトキシアニリン、ｐ−メトキシベンザル−ｐ’−シアノアニリン、ｐ−メトキシベンザル−ｐ’−メトキシアニリン、ｐ−メトキシシンナミル−ｐ’−メチルアニリン、ｐ−ニトロシンナミル−ｐ’−メチルアニリン、ｐ−メトキシフェニルペンタジエナルアニリン、ベンザル−ｐ−アミノ安息香酸ｐ−シアノベンザル−ｐ−アミノ安息香酸、ベンザル−ｐ−アミノ（β−メチル）ケイヒ酸、ｐ−メトキシベンザル−ｐ−アミノ−ｏ−メチルケイヒ酸、ｐ−メトキシベンザル−ｐ−アミノ−ｏ−メチルヒドロケイヒ酸、【００５４】
ｐ−エトキシベンザル−ｐ−アミノ安息香酸エチルエステル、ｐ−エトキシベンザル−ｐ−アミノケイヒ酸ブチルエステル、ｐ−シアノベンザル−ｐ−アミノケイヒ酸エチルエステル、ｐ−メチルベンザル−ｐ−アミノケイヒ酸アミルエステル、ｐ−メトキシベンザル−ｐ−アミノメチルケイヒ酸メチルエステル、ｐ−メトキシベンザル−ｐ−α−メチルケイヒ酸プロピルエステル、ｐ−エトキシベンザル−ｐ−アミノ−α−エチルケイヒ酸エチルエステル、ｐ−メトキシシンナミル−ｐ−アミノ安息香酸エチルエステル、ｐ−メトキシベンザル−ｐ−アミノビフェニル、ベンザル−ｐ−アミノ−ｐ’−アセチルビフェニル、ベンザル−ｐ−アミノ−ｐ’−ジメチルアミノビフェニル、ベンザル−ｐ−アミノ−ｐ’−ホルミルアミノビフェニル、ｐ−メチルベンザル−ｐ−アミノ−ｐ’−アセチルアミノビフェニル、ｐ−メチルベンザル−ｐ−アミノ−ｐ’−ベンゾイルアミノビフェニル、シンナミル−ｐ−アミノ−ｐ’−アセチルビフェニル、２−ｐ−メトキシベンザルアミノフルオレン、２−ｐ−メトキシベンザルアミノフェナンスレン、２−ｐ−メトキシベンザルアミノフルオレン、２−ｐ−ｎ−ブチルオキシベンザルアミノフルオレン、ｐ−ノニルオキシベンザルフェニルヒドラジン、ビス（ｐ−メトキシベンザル）−（ジメチル）アジン、ビス（ｐ−フェニルベンザル）アジン、ｐ−メトキシフェニルペンタジエナルフェニルヒドラジン、テレフタル−ビス−（ｐ−クロロアニリン）、テレフタル−ビス（ｐ−アミノ安息香酸エチルエステル）、ビス（ｐ−クロロベンザル）−ｐ−フェニレンジアミン、ビス（ｐ−メチルベンザル）−ｐ−トルイレンジアミン、ジベンザル−ｐ，ｐ’−ジアミノビフェニル、ビス（ｏ−オキシベンザル）−ｐ，ｐ’−ジアミノビフェニル、ジシンナミル−ｐ，ｐ’−ジアミノビフェニル、ビス（ｐ−メトキシベンザル）−ｐ，ｐ’−ジアミノジメチルビフェニル、ビス（ｐ−メトキシベンザル）−２，７−ジアミノフルオレン、ビス（ｐ−メトキシベンザル）−２，７−ジアミノフルオレン、ビス（ｐ−メトキシベンザル）−１，４−ジアミノナフタレン、ビス（ｐ−メトキシ−ｍ−メチルベンザル）−ｐ，ｐ’−ジアミノテルフェニル、ジシンナミル−ｐ，ｐ’−ジアミノテルフェニル、ジベンザル−ｐ，ｐ’−ジアミノクオーターフェニル、ｐ−メトキシ−ｐ’−オキシアゾベンゼン、ｐ，ｐ’−ジメトキシアゾベンゼン、ｐ，ｐ’−ジ−ｎ−ヘキシルオキシアゾベンゼン、【００５５】
ｐ−アセトキシベンゼン−ｐ−アゾ安息香酸エチルエステル、ベンゾイル−ｐ−オキシベンゼン−ｐ−アゾ−α−メチルケイヒ酸アミルエステル、ｐ，ｐ’−アゾ安息香酸モノエチルエステル、１−アセトキシナフタリン−４−ｐ−アセチルアゾベンゼン、ベンザル−ｐ−アミノアゾベンゼン、ｐ−メトキシベンザル−ｐ−アミノ−ｐ’−メチルアゾベンゼン、ｐ−メトキシベンザル−ｐ−アミノ−ｐ’−エトキシアゾベンゼン、シンナミル−ｐ−アミノアゾベンゼン、ｐ−メトキシベンザル−１−アミノナフタリン−４−アゾベンゼン、ｐ−メトキシベンザル−１−アミノナフタリン−４−（ｐ’−アセチルアゾベンゼン）、ｐ−メチルベンザル−１−アミノナフタリン−４−（ｐ’−メトキシアゾベンゼン）、ｐ−メチルベンザル−１−アミノナフタリン−４−（ｐ’−エトキシアゾベンゼン）、ｐ−メチルベンザル−１−アミノナフタリン−４−（ｐ’−アゾ安息香酸エチルエステル）、ｐ−シンナミル−１−アミノナフタリン−４−（ｐ’−アゾ安息香酸エチルエステル）、ビス（ｐ−イソプロピルベンザル）−ｐ，ｐ’−ジアミノアゾベンンゼン、（ｐ−エトキシベンゼン）−ｐ−アゾ（ｐ−メトキシベンゾイル）−ｏ−オキシベンザル−（ｐ’−エトキシ）アニリン、ｐ，ｐ’−アゾベンザル−ビス−アニリン、ベンザル−ｐ−アミノビフェニルアゾベンゼン、テレフタル−ビス（ｐ−アミノアゾベンゼン）、ｐ，ｐ’−ジアセトキシアゾキシベンゼン、ｐ，ｐ’−ジメトキシアゾキシベンゼン（アゾキシアニソール）、ｐ−メトキシベンゼン−ｐ−アゾキシ安息香酸メチルエステル、ｐ−メトキシベンゼン−ｐ−アゾキシ安息香酸フェニルエステル、ｐ，ｐ’−アゾキシ安息香酸ジメチルエステル、ｐ，ｐ’−アゾキシチオ安息香酸ジエチルエステル、ｐ，ｐ’−アゾキシケイヒ酸ジヘプチルエステル、ｐ，ｐ’−アゾキシ−ｏ−メチルケイヒ酸ジオクチルエステル、ｐ，ｐ’−アゾキシ−ｏ−メチル−β−ブロムケイヒ酸ジエチルエステル、ｐ，ｐ’−アゾキシ−β−メチルケイヒ酸ジメチルエステル、ジ−ｐ−メトキシベンゾイルジスルフイド、【００５６】
炭酸メチルコレステリルエステル、炭酸エチルコレステリルエステル、安息香酸−Δ５，６−コレステン−３β−０１−エステル、ｐ−メトキシ安息香酸コレステリルエステル、ｐ−アミノ安息香酸コレステリルエステル、ｐ−ｎ−ヘプチル安息香酸ｐ’−シアノフェニルエステル、４−シアノ−４’−ペンチルジシクロヘキシル、４−ペンチルシクロヘキシル−１−カルボン酸−ｐ−シアノフェニルエステル、１−（ｐ−シアノフェニル）−２−（４−ペンチルシクロヘキシル）エタン、ｐ−シアノ−（４−ヘプチル−２，６−ジオキサシクロヘキシル）ベンゼン、ｐ−シアノ−（５−ペンチル−２−ピリミジル）ベンゼン、ｐ−シアノ−〔４−（３−ペンテニル）シクロヘキシル〕ベンゼン、４−（ｐ−シアノフェニル）−４’−ヘプチルビシクロヘキシル、ｐ−シアノ−（４−ペンチルシクロヘキシル）ベンゼン、１−（ｐ−シアノフェニル）−２−（４’−プロピル−４−ビシクロヘキシル）エタン、ｐ−（４−プロピルシクロヘキシル）安息香酸−２−シアノ−４−ペンチルフェニルエステル、ｐ−（４−プロピルシクロヘキシル）安息香酸−２，３−ジシアノ−４−ペンチルオキシフェニルエステル、ｐ−（３−ペンチル−６−ピリダジニル）ペンチルオキシベンゼン、ｐ−（１−シアノ−４−プロピルシクロヘキシル）−ｐ’−ペンチルビフェニル、２，３−ジフルオロ−４−エトキシ−４’−（４−ペンチルシクロヘキシル）ビフェニル、４−（３，４−ジフルオロフェニル）−４’−ペンチルビシクロヘキシル、１−〔４−（３，４−ジフルオロフェニル）シクロヘキシル〕−２−（４−ペンチルシクロヘキシル）エタン、３，４−ジフルオロ−４’−（４−ペンチルシクロヘキシル）ビフェニル、【００５７】
プロピオン酸コレステロール、安息香酸コレステロール、パルミチン酸コレステロール、塩化コレステロール、ギ酸コレステロール、酢酸コレステロール、ペラルゴン酸コレステロール、ｐ−アミノケイヒ酸コレステリルエステル、安息香酸−Δ５，６；７，８−コレスタジエン−３β−０１−エステル、ｐ−ｎ−オクチルオキシ安息香酸、ｐ−ｎ−オクチルオキシ−ｍ−クロル安息香酸、ｐ−ｎ−ドデシルオキシ安息香酸、５−クロロ−６−ｎ−ヘプチルオキシ−２−ナフトエ酸、ｐ−ｎ−ノニルオキシベンザル−ｐ’−トルイジン、ミリスチン酸コレステロール、オクタン酸コレステロール、ｐ−ｎ−ノニルオキシ−ｍ−フルオロ安息香酸、５−ヨード−６−ｎ−ノニル−２−ナフトエ酸、ｎ−ノナン酸コレステロール、ｐ’−ｎ−ヘキシルオキシ−ｍ’−ニトロ−ｐ−ビフェニルカルボン酸、ｐ−ｎ−ヘキシルオキシ−ｍ−クロロケイヒ酸、ｐ−アミロキシ−ｐ−ビフェニルカルボン酸、ｐ’−ブチルオキシ−ｍ’−クロロ−ｐ−ビフェニルカルボン酸、ｐ’−ｎ−ヘキシルオキシ−ｍ’−ニトロ−ｐ−ビフェニルカルボン酸、７−ｎ−ヘプチルオキシ−２−フルオレン酸、６−ｎ−ノニルオキシ−５−ヨード−２−ナフチル酸、６−ｎ−ノニルオキシ−５−ニトロ−２−ナフチル酸、７−ｎ−ヘプチルオキシ−２−フルオレン酸プロピルエステル、２−アセチル−７−ｎ−ヘプチルオキシフルオレン、ジ−ｐ，ｐ’−エチル−３，６−ビフェニルピリダジン、ジメチル−ｐ，ｐ’−ジオキシテルフェニル、ｐ，ｐ’−ジアミノクオータフェニルキンキフェニル、ｐ−ｎ−ノニルオキシベンザル−ｐ’−エチルアニリン、【００５８】
ｐ−ｎ−ノニルオキシベンザル−ｐ’−プロピルアニリン、ｐ−ヘキシルオキシベンザル−ｐ−アミノケイヒ酸エチルエステル、ｐ−メトキシベンザル−ｐ−アミノケイヒ酸アミルエステル、２−ｐ−ｎ−ヘキシルオキシベンザルアミノフェナンスレン、ｐ−エトキシベンザル−ｐ−アミノテルフェニル、ビス（ｐ−アミノオキシベンザル）−ｐ’−フェニレンジアミン、ビス（ｐ−ｎ−ブチルオキシベンザル）−ｐ，ｐ’−ジアミノビフェニル、ビス（ｐ−プロポキシベンザル）−２，７−ジアミノフルオレン、ビス（ｐ−ペンチルオキシベンザル）−２，７−ジアミノフルオレン、ジベンザル−ｐ，ｐ’−ジアミノテルフェニル、ｐ−メトキシベンゼン−ｐ−アゾケイヒ酸エチルエステル、ｐ，ｐ’−アゾケイヒ酸ジメチルエステル、（ベンゾイル）−ｐ−オキシ−ｍ−メトキシベンゼン−ｐ’−アセチルアゾベンゼン、（ベンゾイル）−ｐ−オキシ−ｏ−メトキシベンゼン−ｐ’−アセチルアゾベンゼン、（ベンゾイル）−ｐ−オキシ−ｏ−エトキシベンゼン−ｐ’−アセチルアゾベンゼン、ｐ，ｐ’−ジヘキシルオキシアゾキシベンゼン、ｐ−エトキシベンゼン−ｐ−アゾキシチオ安息香酸エチルエステル、ｐ−エトキシベンゼン−ｐ−アゾキシ安息香酸（ｐ−エチル）フェニルエステル、ビス（ｐ−エトキシベンゼン−ｐ−アゾキシ安息香酸）−ｍ−ジオキシベンゼンエステル、４−（ｐ−フルオロフェニル）−４’−ペンチルビシクロヘキシル、１−（３，４−ジフルオロフェニル）−２−〔４−（４’−ペンチルビシクロヘキシル）〕エタン、４−（ｐ−トリフルオロメトキシフェニル）−４’−ペンチルビシクロヘキシル、４−（ｐ−ジフルオロメトキシフェニル）−４’−ペンチルビシクロヘキシル、４−トリフルオロメトキシ−４’−（４−ペンチルシクロヘキシル）ビフェニル、ｐ−トリフルオロメトキシフェニル−ｐ−（４−ペンチルシクロヘキシル）フェニルアセチレン、１つのべンゼン環の１，３，５位にステロイドエステル基を有する化合物などのデイスコチック液晶、芳香族ポリエステル、ポリアミド、ポリイミドなどの液晶性を有する高分子液晶化合物等を用いることができる。【００５９】
これら液晶性を有する化合物は、単独で用いてもよく、２種類以上の液晶性を有する化合物を混合して用いてもよい。これら液晶性を有する化合物のうち、単独及び／又は２種類以上の混合物の融点が３５℃以上のものが好ましく、３５℃以上２００℃以下のものが更に好ましく、融点が４０℃以上１５０℃以下のものが特に好ましい。【００６０】
上記液晶化合物を固定剤として使用するときは、粘度を調整するために必要に応じて酸化アルミニウム、酸化ジルコニウム、酸化チタン、酸化ケイ素などの金属酸化物の微粒子などと適宜混合して使用することができる。【００６１】
また、液晶化合物は、粘度を調整するために、必要に応じて有機ポリマー、例えばポリ（無水アゼライン酸）、ポリ〔２，６−ビス（ヒドロキシメチル）−４−メチルフェノール−ｃｏ−４−ヒドロキシ安息香酸〕、ポリ（１，４−ブタンジオール）ビス（４−アミノベンゾエート）、ポリ（１−ブテン）、ポリ（１，４−ブテンアジペート−ｃｏ−１，４−ブチレンスクシネート）の１，６−ジイソシアネートヘキサン反応物、ポリ（１，４−ブチレンアジペート）ジオール、ポリ（１，４−ブチレンアジペート−ｃｏ−ポリカプロラクタム）、ポリ（１，４−ブチレンスクシネート）の１，６−ジイソシアネートヘキサン反応物、ポリ〔ブチレンテレフタレート−ｃｏ−ポリ（アルキレングリコール）テレフタレート〕、ポリカプロラクトンジオール、ポリカルボメチルシラン、ポリクロロプレン、ポリ（クロロトリフルオロエチレン−ｃｏ−ビニリデンフルオライド）、ポリ〔（ｏ−クレシルグリシジルエーテル）−ｃｏ−ホルムアルデヒド〕、ポリ〔ジメチルシロキサン−ｃｏ−メチル（ステアロイルオキシアルキル）シロキサン〕、ポリエチレン、ポリ（エチレン−ｃｏ−アクリル酸）、ポリ（エチレン−ｃｏ−アクリル酸）のナトリウムまたは亜鉛塩、ポリ（エチレンアジペート）のトリレン−２，４−ジイソシアネート反応物、ポリ（エチレンアゼレート）、ポリ（エチレン−ｃｏ−１−ブテン）、ポリ（エチレン−ｃｏ−１−ブテン−ｃｏ−１−ヘキセン）、ポリ（エチレン−ｃｏ−ブチルアクリレート−ｃｏ−カーボンモノオキシド）、ポリ（エチレン−ｃｏ−ブチルアクリレート−ｃｏ−無水マレイン酸）、ポリ（エチレン−ｃｏ−ブチレン）ジオール、ポリ（エチレン−ｃｏ−エチルアクリレート）、ポリ（エチレン−ｃｏ−エチルアクリレート−ｃｏ−無水マレイン酸）、ポリ（エチレン−ｃｏ−グリシジルメタクリレート）、ポリ（エチレングリコール）、ポリエチレン−ｇｒａｆｔ−無水マレイン酸、ポリ（エチレン−ｃｏ−メタクリル酸）、ポリ（エチレン−ｃｏ−メタクリル酸）のナトリウムまたはリチウムまたは亜鉛塩、ポリ（エチレン−ｃｏ−メチルアクリレート）、ポリ（エチレン−ｃｏ−メチルアクリレート−ｃｏ−アクリル酸）、ポリエチレンモノアルコール、ポリ（エチレン−ｃｏ−１−オクテン）、ポリエチレンオキシド、ポリエチレン−ｂｌｏｃｋ−ポリ（エチレングリコール）、ポリ（エチレンスクシネート）、ポリ（エチレン−ｃｏ−トリアルコキシビニルシラン）、ポリ（エチレン−ｃｏ−酢酸ビニル）、ポリ（ヘキサフルオロプロピレンオキシド−ｃｏ−ジフルオロメチレンオキシド）モノアルキルアミド、ポリ（１，６−ヘキサメチレンアジペート）、ポリ（ヘキサメチレンカーボネート）、ポリ（３−ヒドロキシブタン酸）、ポリイソプレン、ポリラウリルラクタム−ｂｌｏｃｋ−ポリテトラヒドロフラン、ポリ（オキシメチレン）アセテート、ポリプロピレン、ポリ（１，３−プロピレンアジペート）、ポリ（プロピレン−ｃｏ−１−ブテン）、ポリ（プロピレン−ｃｏ−エチレン）、ポリ（１，３−プロピレングルタレート）、ポリ（１，３−プロピレンスクシネート）、ポリ（無水セバシン酸）、ポリスチレン、ポリ（ビニルアルコール−ｃｏ−エチレン）、ポリ（ビニリデンクロライド−ｃｏ−メチルアクリレート）、ポリ（ビニリデンクロライド−ｃｏ−ビニルクロライド）、ポリ（ビニリデンフルオライド）、ポリ（ビニリデンフルオライド−ｃｏ−ヘキサフルオロプロピレン）、ポリ（ビニル−Ｎ−オクタデシルカルバメート）、ポリ（ビニルトルエン−ｃｏ−α−メチルスチレン）などを添加して用いてもよい。これら有機ポリマーの添加量は、本発明に用いる液晶性を有する化合物の融点に依存するが、液晶性を有する化合物に対して２００質量％以下、好ましくは１５０質量％以下で用いることができる。【００６２】
（１−３）染み込み防止構造；
図１（ａ）、図１（ｂ）に示すように、本実施の形態の固定剤付きウエハ１００において、染み込み防止構造（染み込み防止部）３は、支持ウエハエッジ部４上に、支持ウエハエッジ部４を除く部分に配設されている固定剤２の外周を囲むようにリング状に形成されている。このように染み込み防止構造が固定剤の外周を囲むようにリング状に形成されることにより、固定剤が、支持ウエハと染み込み防止構造とにより形成される窪みに配設された状態になり、固定剤が支持ウエハと被加工ウエハとの間からはみ出すことを防止することが可能となる。また、支持ウエハと被加工ウエハとの間に液状物質が染み込むことを防止することが可能となる。【００６３】
染み込み防止部３は、リング状の染み込み防止部材により構成されていることが好ましい。染み込み防止部３の厚さは、固定剤２の厚さの８０％〜２００％であることが好ましく、９５％〜１５０％であることが更に好ましく、９５〜１０５％であることが特に好ましい。８０％より薄いと、固定剤２がはみ出したり、液状物質が染み込んできやすくなることがある。２００％より厚いと、被加工ウエハを固定し難くなることがある。【００６４】
染み込み防止部３は被加工ウエハを貼り合わせた際に被加工ウエハ表面と密着して固定剤が漏れ出さない機能をさらに高めるため、染み込み防止部３の上面が被加工ウエハと同程度の平坦度を有して変形しないか、もしくは、染み込み防止部３の上面および／または材質が弾性を有する部材からなり、貼り合わせの際に被加工ウエハに沿って変形することが好ましい。【００６５】
染み込み防止部３の外周形状は円形であることが好ましい。これは、通常被加工ウエハが円形（円板状）に形成されることが多く、それに合わせて支持ウエハ１をほぼ同じ大きさの円形に形成することが好ましいため、染み込み防止部３も、その大きさ、形状に合わせたものである。また、染み込み防止部３の外周半径は、支持ウエハ１の外周半径の８０〜１２０％であることが好ましく、９０〜１００％であることが更に好ましい。また、染み込み防止部３の幅（リング形状の外周の半径と内周の半径との差）が、染み込み防止部３の外周の半径の１〜２０％であることが好ましく、２〜１０％であることが更に好ましい。１％より短いと、固定剤２の漏洩を防止する能力が低下することがあり、２０％より長いと、配設できる固定剤２の量が少なくなり、接着固定効果が低減することがある。【００６６】
染み込み防止部材（染み込み防止部）の材質としては、耐薬品性、耐熱性の観点から、フッ化物を含有する樹脂材料、表面をフッ素系材料などで表面撥水加工した金属および／または金属酸化物材料等が好ましい。【００６７】
染み込み防止部材（染み込み防止部）は、固定剤２により支持ウエハ１に貼り付けられているか、もしくは支持体ウエハ１に直接接着されていることが好ましい。【００６８】
また、図３（ａ）、図３（ｂ）に示すように、染み込み防止部３と固定剤２との間に隙間が開いていてもよい。隙間が開いているときは、その隙間が支持ウエハエッジ部の幅Ｗに対して、２０％以下であることが好ましい。ここで、図３（ａ）は、本発明の固定剤付きウエハの製造方法により得られた、染み込み防止部３と固定剤２との間に隙間が形成された固定剤付きウエハ１０２の平面図、図３（ｂ）はそのＣ−Ｃ’断面図である。【００６９】
（１−４）カバーフィルム；
固定剤付きウエハの他の実施形態は、上述した固定剤付きウエハの一の実施形態に、更に、カバーフィルムを備えたものである。図２（ａ）、図２（ｂ）に示すように、本実施形態の固定剤付きウエハ１０１は、支持ウエハ１の表面に配設された固定剤２及び染み込み防止部３の表面に、更にカバーフィルム５が配設されている。カバーフィルム５を固定剤２及び染み込み防止部３の表面に配設することにより、金属、埃等による固定剤２及び染み込み防止部３の表面の汚染を防止することができる。また、固定剤２が支持ウエハから剥がれ、欠落することを防止することができ、ハンドリング性を向上させることが可能となる。本実施形態の、カバーフィルムを備えた固定剤付きウエハを使用するときは、カバーフィルムを剥がしてから使用する。ここで、図２（ａ）は、固定剤付きウエハの他の実施形態を模式的に示す斜視図であり、図２（ｂ）は、図２（ａ）のＢ−Ｂ’断面図である。
【００７０】
カバーフィルムの大きさは、固定剤の表面全体を覆える大きさであることが好ましく、固定剤の表面全体と染み込み防止部上面の全体とを覆える大きさであることが更に好ましい。また、カバーフィルムは、支持ウエハの外周半径の１２０％（最大半径）を超えない半径の円形、又は、一辺の長さがその最大半径の２倍の長さの正方形であることが好ましい。【００７１】
カバーフィルムの厚さは、５〜１００μｍであることが好ましく、１０〜５０μｍであることが更に好ましい。５μｍより薄いと、カバーフィルムとしての強度が不足し、外力でカバーフィルムが損傷しやすく固定剤表面を保護できないことがあり、１００μｍより厚いと、カバーフィルムの屈曲性が不足して使用する際にはがしにくいことがある。【００７２】
カバーフィルムとしては、耐熱性があり、離形性のフィルムであることが好ましい。例えば、ポリイミドフィルム、ＰＴＦＥ（ポリテトラフルオロエチレン）フィルム、ＰＦＡ（テトラフルオロエチレン・パーフルオロアルキルビニルエーテル共重合体）フィルム等を挙げることができる。また、固定剤の溶融温度が低い場合は、離形処理を施したＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレート）フィルム等も使用可能である。カバーフィルムとしては、いずれも、被加工ウエハを汚染しないため、メタルフリー化処理等を施してあることが好ましい。【００７３】
（２）固定剤付きウエハの製造方法：
本発明の固定剤付きウエハの製造方法は、固定剤を支持ウエハの表面に塗布して固定剤付きウエハを製造する固定剤付きウエハの製造方法であって、支持ウエハのエッジ部（支持ウエハエッジ部）に、染み込み防止構造を配設する工程を有する固定剤付きウエハの製造方法である。これにより支持ウエハエッジ部に染み込み防止構造を配設するとともに、固定剤を支持ウエハの表面に薄く均一に塗布することができる。【００７４】
（２−１）固定剤付きウエハの製造方法の一の実施形態；
本発明の固定剤付きウエハの製造方法の一の実施形態は、固定剤を、液体の状態で、支持ウエハの表面に塗布する工程と、固定剤を溶解することができる溶剤で支持ウエハエッジ部上の固定剤を溶解除去する工程と、支持ウエハエッジ部に、染み込み防止構造を配設する工程とを有する固定剤付きウエハの製造方法である。【００７５】
（２−１−１）固定剤を支持ウエハに塗布する工程；
図４Ａ、図４Ｂ及び図５Ａ、図５Ｂは、本発明の固定剤付きウエハの製造方法の一実施形態の一工程を模式的に示し、図４Ａ及び図５Ａは斜視図、図４Ｂ及び図５Ｂはそれぞれ図４ＡのＤ−Ｄ’断面図及び図５ＡのＥ−Ｅ’断面図である。本実施形態の製造方法は、まず、図４Ａ、図４Ｂに示すように、室温で固体の固定剤１２を支持ウエハ１１の表面に乗せ、固定剤１２を加熱溶融した後、図５Ａ、図５Ｂに示すように支持ウエハ１１の表面に溶融状態の固定剤１２を塗布する工程を有する。または、液体の固定剤を支持ウエハに直接回転塗布しても良い。本実施形態では、固定剤１２を加熱溶融した後に支持ウエハ１１を回転させて固定剤１２を塗布しているが、固定剤１２を加熱溶融しながら支持ウエハ１１を回転させて固定剤１２を塗布するようにしてもよい。ここで、「室温で固体」とは、２５℃以下の温度で固体状態であることをいう。【００７６】
本実施形態においては、室温で固体の固定剤１２を支持ウエハ１１の表面の中心（回転中心）部分に置き、固定剤１２を加熱溶融し、支持ウエハ１１をその表面に垂直な中心軸を中心に回転方向Ｒで示される方向に回転させながら、支持ウエハ１１の回転による遠心力により溶融状態の固定剤１２を中心から外周に広げるスピンコートにより固定剤１２を支持ウエハ１１に塗布することが好ましい。【００７７】
支持ウエハ１１の回転速度は、５０ｒｐｍ〜１，０００ｒｐｍであることが好ましく、１００ｒｐｍ〜３００ｒｐｍであることが更に好ましい。５０ｒｐｍより遅いと固定剤２が支持ウエハ１１の表面全体に均一に塗布され難いことがあり、１，０００ｒｐｍより早いと、支持ウエハ１１上から排除される固定剤１２が多くなり過ぎることがある。【００７８】
支持ウエハ１１の回転速度は、固定剤１２の溶融粘度等に合わせて更に最適化することが好ましい。また、支持ウエハ１１の回転速度は、時間により変化させてもよい。例えば、固定剤１２が支持ウエハ１１の表面全体に広がるまでは低速で回転させ、その後高速で回転させ、それぞれの時間を最適化することにより、固定剤１２を所望の厚さにすることができる。例えば最初は低速（１００ｒｐｍ程度）で回転させ、次に７００ｒｐｍ程度で所望の膜厚にすることが出来る。また、例えば、支持ウエハを回転させながら固定剤を支持ウエハの表面に塗布するときには、固定剤を支持ウエハ表面の中心部分に置き、加熱溶融して支持ウエハを例えば１００ｒｐｍ〜２００ｒｐｍで回転させて、固定剤を支持ウエハ表面全体に厚めに広げ、その後、昇温し、その状態で支持ウエハ回転数を例えば５００ｒｐｍ〜７００ｒｐｍとして、固定剤を薄く、均一な膜厚で塗布することが好ましい。【００７９】
本実施形態において、図４Ａ、図４Ｂに示す支持ウエハ１の中心部に置く溶融前の固定剤１２の形状は特に限定されるものではない。例えば、図４Ａに示すように、厚めの円板状であってもよいし、円板ではなく多角形板、楕円板、その他不定形状の板や塊であってもよい。【００８０】
支持ウエハ１１に置く固定剤１２の大きさは、例えば、支持ウエハ１１の直径が６〜８インチの場合には、５００ｍｍ３程度から１，０００ｍｍ３程度であることが好ましい。支持ウエハ１１の直径が８〜１２インチ（８インチを除く）又はそれ以上の場合には、その支持ウエハ１１の大きさに合わせて固定剤１２の大きさを決定することが好ましい。また、複数の固定剤を分散して配置しても良く、更には、ウエハ全面に均一に分布するように固定剤の量を調整することが好ましい。【００８１】
本実施形態において、図５Ａ、図５Ｂに示す支持ウエハ１１の表面に塗布された固定剤１２の厚さは、上記固定剤付きウエハにおける、固定剤の厚さと同様であることが好ましい。また、固定剤の材質、溶融温度、接着強度等の物性、添加剤等についても、上記固定剤付きウエハにおける固定剤の場合と同様であることが好ましい。
【００８２】
本実施形態において使用される支持ウエハの形状、厚さ、材質等については、上記固定剤付きウエハにおける、支持ウエハの場合と同様であることが好ましい。
【００８３】
（２−１−２）支持ウエハエッジ部上の固定剤を溶解除去する工程；
本実施形態の固定剤付きウエハの製造方法は、更に、図６Ａ、図６Ｂに示すように、固定剤１２を溶解することができる溶剤２２で、支持ウエハ１１のエッジ部分（支持ウエハエッジ部）１４に塗布された固定剤１２を溶解除去する工程を有する。このように、支持ウエハエッジ部１４上の固定剤１２を溶解除去することにより、染み込み防止部を、固定剤１２の外周を囲むようにして、容易に形成することができるようになる。支持ウエハ１１の表面全体にまず固定剤を塗布し、その後、支持ウエハエッジ部１４上の固定剤１２を溶解除去するという方法により、固定剤のはみ出し及び液状物質の染み込みを防止できる固定剤付き支持ウエハを効率的に製造することができる。ここで、図６Ａは、本発明の固定剤付きウエハの製造方法の一実施形態の一工程を模式的に示す斜視図、図６Ｂは、そのＦ−Ｆ’断面図であり、溶剤２２により支持ウエハエッジ部１４に塗布された固定剤１２を溶解除去した後の状態を示している。【００８４】
溶剤２２は溶剤ノズル２１の先端より吐出され、固定剤１２が表面全体に塗布された支持ウエハの裏面部よりエッジ部分に供給される。溶剤２２の供給速度、溶剤ノズル２１の先端の開口径、支持ウエハの裏面に当てる角度、支持ウエハの回転数は固定剤を除去する領域によって最適化する必要がある。【００８５】
本実施形態において使用する溶剤２２は、固定剤１２を溶解できるものであれば特に限定されるものではなく、固定剤１２の種類によって適宜決定することができる。例えば、固定剤１２が上記結晶性化合物である場合には、イソプロパノール、ブタノール、ヘキサノール、エタノール、メタノール、エチレングリコール、ジエチレングリコール、プロピレングリコール、ジプロピレングリコール、フェノール、ｔ−アミルアルコール、シクロヘキサノール等のアルコール類；ｎ−ペンタン、シクロペンタン、ｎ−ヘキサン、シクロヘキサン、ｎ−ヘプタン、シクロヘプタン、ｎ−オクタン、シクロオクタン、ｎ−デカン、シクロデカン、ジシクロペンタジエン水素化物、ベンゼン、トルエン、キシレン、デュレン、インデン、デカリン、テトラリン、テトラヒドロナフタレン、デカヒドロナフタレン、スクワラン、エチルベンゼン、ｔ−ブチルベンゼン、トリメチルベンゼン等の炭化水素系溶媒；アセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、シクロペンタノン、シクロヘキサノン等のケトン類；エチルエーテル、エチレングリコールジメチルエーテル、エチレングリコールジエチルエーテル、ジエチレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールジエチルエーテル、テトラヒドロフラン、ジオキサン等のエーテル類；酢酸エチル、酢酸ブチル、酪酸エチル、エチレングリコールモノメチルエーテルアセテート、エチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、エチレングリコールモノアセテート、ジエチレングリコールモノメチルエーテルアセテート、ジエチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノエチルエーテルアセテート、ジプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、ジプロピレングリコールモノエチルエーテルアセテート等のエステル類；およびジメチルホルムアミド、ジメチルアセトアミド、Ｎ−メチルピロリドン、ヘキサメチルホスホミド、ジメチルスルホキシド、γ−ブチロラクトン、クロロホルム、塩化メチレン等の極性溶媒、フォトレジスト剥離液などを用いることができる。【００８６】
これらの中では、イソプロパノール、エタノール、メタノール、アセトン、メチルエチルケトン、テトラヒドロフランが好ましい。また、上記溶剤２２は、単独で用いても、２種以上を混合して用いてもよい。【００８７】
（２−１−３）染み込み防止構造を配設する工程；
本実施形態の固定剤付きウエハの製造方法は、更に、図７Ａ、図７Ｂに示すように、固定剤１２を洗浄除去した支持ウエハエッジ部１４に、染み込み防止部材を配置して、染み込み防止構造（染み込み防止部１３）を配設し、固定剤付きウエハとすることが好ましい。染み込み防止部１３は固定剤を除去した支持体ウエハエッジ部にフッ化物含有樹脂など染み込み防止部材（染み込み防止剤）を塗布することで支持体ウエハに直接接着した防止部を形成する方法により形成される。染み込み防止剤を、染み込み防止剤塗布用のノズル（図示せず）の先端より吐出し、支持ウエハエッジ部１４にスピンコートすることにより染み込み防止構造（染み込み防止部）１３を形成してもよい。染み込み防止部１３を配設することにより、固定剤１２のはみ出しを防止することができ、さらに、被加工ウエハをエッチングする時等においてエッチング液が染み込むことを防止することが可能となる。ここで、図７Ａは、本発明の固定剤付きウエハの製造方法の一実施形態の一工程を模式的に示す斜視図であり、図７Ｂは、そのＧ−Ｇ’断面図であり、染み込み防止部材を支持ウエハエッジ部１４に配設して染み込み防止構造を配設した後の状態を示している。【００８８】
染み込み防止部の、形状、材質等は、上記固定剤付きウエハにおける、染み込み防止部の場合と同様であることが好ましい。
【００８９】
（２−１−４）カバーフィルムを貼り付ける工程；
本実施形態の固定剤付きウエハの製造方法は、更に、図８Ａ、図８Ｂに示すように、固定剤１２の表面にカバーフィルム１５を貼り付ける工程を有することが好ましい。これにより、金属、埃等による固定剤及び染み込み防止部の表面の汚染を防止することができる。また、固定剤が支持ウエハから剥がれ、欠落することを防止することができ、ハンドリング性を向上させることが可能となる。ここで、図８Ａは、本発明の固定剤付きウエハの製造方法の一実施形態の一工程を模式的に示す斜視図であり、図８Ｂは、そのＨ−Ｈ’断面図であり、固定剤１２の表面にカバーフィルム１５を貼り付けた後の状態を示している。【００９０】
カバーフィルム１５は、大きめのフィルム材料を固定剤１２の表面に貼り付けた後に、所定の大きさに切断してもよいし、あらかじめ所定の大きさに形成したものを固定剤１２の表面に貼り付けてもよい。カバーフィルム１５は、少なくとも固定剤１２の全面を覆うことが好ましく、染み込み防止部１３の全面をも覆うことが更に好ましい。カバーフィルム１５の、形状、材質等は、上記固定剤付きウエハにおける、カバーフィルムの場合と同様であることが好ましい。
【００９１】
（２−２）固定剤付きウエハの製造方法の他の実施形態；
本発明の固定剤付きウエハの製造方法の他の実施形態は、固定剤を支持ウエハの表面に塗布して固定剤付きウエハを製造する固定剤付きウエハの製造方法であって、支持ウエハエッジ部に、染み込み防止構造を配設する工程と、固定剤を、支持ウエハと染み込み防止構造とにより形成される窪みに配置し、固定剤を液体状態として、支持ウエハの表面に塗布する工程とを有する固定剤付きウエハの製造方法である。【００９２】
（２−２−１）支持ウエハエッジ部に染み込み防止構造を配設する工程；
本実施形態の製造方法は、まず、図９Ａ、図９Ｂに示すように、支持ウエハ１１の支持ウエハエッジ部１４に、染み込み防止構造（染み込み防止部１３）を配設する工程を有する。図９Ａ、図９Ｂは、本発明の固定剤付きウエハの製造方法の他の実施形態の一工程を模式的に示し、図９Ａは平面図、図９Ｂは図９ＡのＩ−Ｉ’断面図である。また、本実施形態を説明する図面において、上記本発明の固定剤付きウエハの製造方法の一の実施形態を説明する図面における各構成要素と同一の構成要素については、同一の符号を付している。【００９３】
染み込み防止部１３は、リング状の染み込み防止部材を支持ウエハエッジ部１４に配置することにより配設することが好ましい。支持ウエハエッジ部１４に、染み込み防止部１３を配設することにより、支持ウエハ１１と染み込み防止部１３とにより窪み３１が形成される。【００９４】
本実施の形態における、支持ウエハ及び染み込み防止部の各条件は、上記固定剤付きウエハにおける、支持ウエハ及び染み込み防止部の各条件と同様であることが好ましい。
【００９５】
（２−２−２）固定剤を支持ウエハの所定の位置に配置する工程；
本実施形態の固定剤付きウエハの製造方法は、次に、図１０Ａ、図１０Ｂに示すように、固定剤１２を、支持ウエハ１１と染み込み防止構造１３とにより形成される窪み３１に配置する工程を有する。固定剤の、支持ウエハ１１上の位置は特に限定されないが、支持ウエハ１１の中央部に配置することが好ましい。支持ウエハに塗布する前の固定剤１２の材質、大きさ、溶融温度・接着強度等の物性、添加剤等については、上記本発明の固定剤付きウエハの製造方法の一の実施形態の場合の場合と同様であることが好ましい。図１０Ａは、本発明の固定剤付きウエハの製造方法の他の実施形態の一工程を模式的に示す平面図であり、図１０Ｂは、そのＪ−Ｊ’断面図である。【００９６】
（２−２−３）カバーフィルムを固定剤の表面に配置する工程；
本実施形態の固定剤付きウエハの製造方法は、次に、図１１Ａ、図１１Ｂに示すように、カバーフィルム１５を固定剤１２の表面に配置する工程を有する。本実施形態においては、図１１Ａ、図１１Ｂに示すように、支持ウエハ１１より大きい四角形のカバーフィルム１５を固定剤１２の表面に配設している。カバーフィルム１５の大きさは、このように大き目とし、後で所定の大きさに切断してもよいし、所定の大きさに切断したものを固定剤１２に貼り付けてもよい。カバーフィルム１５の厚さ、材質等は、上記固定剤付きウエハにおける、カバーフィルムの場合と同様であることが好ましい。図１１Ａは、本発明の固定剤付きウエハの製造方法の他の実施形態の一工程を模式的に示す平面図であり、図１１Ｂは、そのＫ−Ｋ’断面図である。
【００９７】
（２−２−４）固定剤を支持ウエハに塗布する工程；
本実施形態の固定剤付きウエハの製造方法は、次に、図１２Ａ、図１２Ｂに示すように、カバーフィルム１５の上から力ｆを加えて、カバーフィルム１５及び固定剤１２を押圧しながら固定剤１２を加熱して液体状態とし、固定剤１２を支持ウエハ１１の表面に塗布する工程を有することが好ましい。これにより固定剤１２を窪み３１（図１１Ａ，Ｂ参照）内に均一に広げることができる。カバーフィルム１５の上から力ｆを加えて、カバーフィルム１５及び固定剤１２を押圧するときは、固定剤１２全体に均一に力ｆが加わることが好ましい。これにより、固定剤１２を均一な厚さで広げることができる。また、力ｆとしては、特に限定されないが、１〜１０００ｇ／ｃｍ２であることが好ましい。また、固定剤１２を窪み３１（図１１Ａ，Ｂ参照）内全体に広げることで、染み込み防止部１３を、固定剤１２により支持ウエハエッジ部１４に固定することができる。図１２Ａは、本発明の固定剤付きウエハの製造方法の他の実施形態の一工程を模式的に示す平面図であり、図１２Ｂは、そのＬ−Ｌ’断面図である。【００９８】
図１２Ａ、図１２Ｂに示す、カバーフィルム１５の染み込み防止部１３からはみ出た部分を切断して、図８Ａ、図８Ｂに示す本発明の固定剤付きウエハの製造方法の一の実施形態で得られた固定剤付きウエハ１０４と同様の固定剤付きウエハが得られる。【００９９】
（３）ウエハの加工：
次に、固定剤付きウエハを使用した被加工ウエハの加工方法について説明する。尚、固定剤付きウエハは、カバーフィルムを備えるものとする。
【０１００】
ウエハの加工方法は、まず、上述した固定剤付きウエハのカバーフィルムを剥がし、固定剤が配設されている側の面に、被加工ウエハ（ウエハ）を、その裏面が外側を向くように（裏面側が外側に露出するように）配置し、固定剤を加熱溶融させた後、冷却して、ウエハと固定剤付きウエハとを接着固定する。
【０１０１】
具体的には、固定剤付きウエハからカバーフィルムを剥がした後、固定剤付きウエハにウエハを配置し、これらをヒートプレスの間に挟んで全体を減圧にし、ヒーターを固定剤の融点＋２０℃まで昇温して加圧プレスし、次に、プレスした状態で常圧に戻し、ヒーターを徐冷し、固定剤を再度固化して接着を完了させることが好ましい。【０１０２】
減圧は支持ウエハとウエハとの間の気泡除去のために行うものであり、１００〜１Ｔｏｒｒ程度でよく、真空度を高くし過ぎると固定剤が揮発することがある。また、徐冷は固定剤の固化温度±１０℃程度の範囲内であってもよく、５℃／ｍｉｎ以下、好ましくは２℃／ｍｉｎ以下の速度で徐冷することが望ましい。冷却が早いと固定剤の熱収縮や結晶化の影響で内部に気泡を取り込みやすくなるため、接着強度が悪化することがある。【０１０３】
次に、ウエハと固定剤付きウエハとを接着固定した後に、ウエハ裏面を研磨又はエッチングして、ウエハを１００μｍ〜３００μｍに薄肉化する。【０１０４】
具体的には、まず、固定剤付きウエハに貼り合わされたウエハを固定剤付きウエハごと、例えばバックグラインド装置にセットし、ウエハの厚みが約１００μｍに達する程度まで荒研削することが好ましい。その後、研削で生じた研削歪み層の除去を行い、所望の１０μｍ〜１００μｍ厚にまで加工する。この時の荒研削方法については特に制限はなく、公知の方法を用いることができる。研削歪みの除去方法については、フェルト砥石方式、プラズマエッチング方式、ＣＭＰ方式および化学エッチング方式などから選択して行うことができる。特に化学エッチング方式を用いた場合、固定剤付きウエハが染み込み防止部を有するため、エッチング液が染み込むことを効果的に防止することができる。【０１０５】
上記フェルト砥石方式で用いられるフェルト砥石としては、たとえば、特開２００２−２８３２１１号公報、特開２００２−２８３２１２号公報などに記載されているフェルト素材に砥粒を含浸させて作製した砥石を好適に用いることができる。【０１０６】
上記プラズマエッチング方式では、特開平６−３３８４７９号公報、再表９８／０１６９５０号公報、特開２００３−１００７１８号公報、特開２００３−２２９４１８号公報などに示されている装置を用い、ＣＦ４、Ｃ４Ｆ８、Ｃ５Ｆ８（オクタフルオロシクロペンテン）などのエッチングガスを用いて行うことができる。プラズマエッチング方法としては、ウエハの温度制御および異方エッチングが可能なリアクティブイオンエッチング（ＲＩＥ）法が、加工速度およびウエハへの温度付加が少ない点で好ましい。【０１０７】
ＣＭＰ方式は、素子形成時にも平坦化のために用いられる方式で、裏面研磨の際は、汚染イオンを極力排除するためシリコン微粒子を水分散させた単純なスラリーに切り替えることで、研磨を行うことができる。【０１０８】
化学エッチング方式は、約４０〜５０％のＫＯＨ溶液、ＨＦ／硝酸混合溶液などをエッチング液として行われ、ＳＥＺ社製「ＧＬ−２１０Ｓ」の様に装置化されており、これを用いることができる。【０１０９】
所望の厚みに研磨を終えたウエハを半導体チップにして実装するまでの加工処理は、半導体チップの用途に応じて異なるが、上記固定剤付きウエハを使用すると、ウエハを支持ウエハに貼り合わせた状態で加工処理できるため、これまで成し得なかったプロセスが可能となる。そのようなプロセスの一例を以下に示す。
【０１１０】
（ｉ）研磨面（裏面）にレジストパターンを形成し、これをマスクとしてウエハをエッチングすることにより、所望の構造体、たとえば、空洞、穴（貫通孔含む）、突起、溝などをウエハ裏面に形成する。【０１１１】
（ｉｉ）研磨面に有機膜層を塗布し、焼成して成膜することにより、研磨面のイオン汚染防止膜とする。【０１１２】
（ｉｉｉ）所望の硬度および接着力を有する固定剤を選択することにより、ダイシングテープに貼り替えることなくウエハをダイシングする。【０１１３】
（ｉｖ）貫通ビアを検査電極に用い、薄肉化後にウエハレベルバーンインテストを行う。【０１１４】
（ｖ）先ダイシングによりダイシングストリートに切削溝を形成したウエハを、上記加工方法に従って切削溝が露出するまで薄肉化し、小片化された半導体チップを、固定剤を溶融させると同時にピックアップし、該チップに付着残留した固定剤をアンダーフィル剤またはチップボンディング剤として活用してパッケージ基板に実装する。【０１１５】
上記固定剤付きウエハで加工することが可能なウエハは特に制限されないが、半導体ウエハであることが好ましい。半導体ウエハとしては、用途や加工方法に応じた半導体ウエハを用いることができ、大面積のものや、多様で複雑な構造を表面に有するものでもよい。
【０１１６】
たとえば、上記（ｖ）のプロセスには、複数のダイシングストリートによって区画された領域内に形成された半導体素子を有し、該ダイシングストリートに、半導体チップの厚さに相当する切削溝を先ダイシングにより形成した半導体ウエハを用いることができる。【０１１７】
また、上記プロセス（ｉｖ）には、表面に所定の深さの孔が形成され、該孔の内壁が絶縁膜で被覆され、該絶縁膜で被覆された孔に導電性電極材料が埋め込まれた半導体ウエハを用いることができる。さらに、上記半導体ウエハは、導通用の突起電極、たとえばハンダバンプなどが表面に形成されていてもよい。【０１１８】
次に、加工したウエハと固定剤付きウエハとを剥離させる。この剥離工程に際しては、ウエハおよび支持ウエハの少なくとも一方を、使用した固定剤の溶融温度以上に加熱することにより、該固定剤が溶融され、ウエハを支持ウエハから剥離することができる。このとき、固定剤で支持ウエハに固定されていた染み込み防止部も取り外すことができる。【０１１９】
剥離後のウエハの表面（固定剤で固定されていた側の面）に固定剤が残存している場合は、固定剤を溶解することができる溶剤で洗浄して除去することができる。このような溶剤としては、上記本発明の固定剤付きウエハの製造方法において、支持ウエハエッジ部上の固定剤を溶解するために使用した溶剤を使用することが好ましい。【０１２０】
洗浄方法としては、ウエハを溶剤に浸漬する方法、ウエハに洗浄液をスプレーする方法などが挙げられる。溶剤の温度は特に限定されないが、好ましくは２０〜８０℃、より好ましくは３０〜５０℃である。【０１２１】
剥離後の支持ウエハは上記溶剤等により洗浄し、再利用することが好ましい。再利用をするに際しては、上記剥離後のウエハ表面に残存する固定剤の洗浄に使用した溶剤を使用して、上記方法により付着している固定剤を洗浄することが好ましい。そして、洗浄、乾燥の後、再度、固定剤及び染み込み防止部を配設して、固定剤付きウエハとして使用することが好ましい。
【産業上の利用可能性】
【０１２２】
上記固定剤付きウエハは、半導体ウエハ等の被加工ウエハの研削・研磨加工に利用することができ、支持ウエハと被加工ウエハとの接着固定に使用する固定剤による、被加工ウエハや作業環境の汚染を防止することが可能となり、更に、支持ウエハと被加工ウエハとの間に液状物質が染み込むことを防止することが可能となる。また、本発明の固定剤付きウエハの製造方法は、半導体ウエハ等の被加工ウエハの研削・研磨加工に使用できる固定剤付きウエハを効率的に製造するために利用することができる。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４Ａ】
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【図４Ｂ】
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【図５Ａ】
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【図５Ｂ】
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【図６Ａ】
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【図６Ｂ】
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【図７Ａ】
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【図７Ｂ】
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【図８Ａ】
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【図８Ｂ】
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【図９Ａ】
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【図９Ｂ】
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【図１０Ａ】
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【図１０Ｂ】
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【図１１Ａ】
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【図１１Ｂ】
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【図１２Ａ】
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【図１２Ｂ】
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