(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
（１）基板に、接着剤層と支持基材層とを備える接着フィルムを貼り付ける工程、
（２）マスクを介して前記接着フィルムを露光する工程、
（３）露光後の接着剤層を現像する工程、及び、
（４）チップを基板上の接着剤層にマウントする工程、
をこの順に含むことを特徴とする半導体装置の製造方法であって、
前記接着剤層が、
（Ａ）ラジカル重合性二重結合を有する樹脂、
（Ｂ）熱硬化性樹脂、及び、
（Ｃ）アルカリ可溶性基および二重結合を有する樹脂、
を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２】
前記（Ａ）ラジカル重合性二重結合を有する樹脂は、アクリル系樹脂を含むものである請求項１記載の半導体装置の製造方法。
【請求項３】
前記（Ｂ）熱硬化性樹脂は、エポキシ樹脂を含むものである請求項１または２に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項４】
前記（Ｂ）熱硬化性樹脂は、シリコーン変性エポキシ樹脂を含むものである請求項１乃至３のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。
【請求項５】
前記（Ｃ）アルカリ可溶性基および二重結合を有する樹脂が、水酸基、カルボキシル基およびアクリロイル基、メタクリロイル基、またはビニル基の中から選ばれる官能基を有するものである請求項１乃至４記載の半導体装置の製造方法。
【請求項６】
前記接着剤層が、さらに（Ｄ）無機充填材を含むものである請求項１乃至５のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は半導体装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体チップを基板に接続する方法として、従来は、半導体チップにダイボンディングフィルムを貼り付けた後に基板に熱圧着する方法、または接着剤ペーストを基板に塗布してその上に半導体チップを載せて加熱接着する方法が採られていた。
【０００３】
一方で、感光樹脂組成物は露光、現像によりパターン形成可能な材料であり、従来より半導体素子の表面コート膜の保護膜や多層配線基板の層間絶縁膜等に使用されている。耐熱性、低温再接着性に優れた接着剤を基板上に選択的に微細パターニングすることができる感光性材料の開発が望まれている。
【特許文献１】特開２００２−２９４１７７号公報
【特許文献２】特開２００４−４３８０６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、上記文献記載の従来技術は、以下の点で改善の余地を有していた。
【０００５】
第一に、従来の感光性樹脂組成物は、低温での再接着性が無いため基板上に半導体チップが搭載された半導体装置の接着剤としては不適切であるという課題があった。
【０００６】
第二に、従来のダイボンディングフィルム自体が感光材料ではないために、露光により微細なパターニングを施すということができないという課題があった。
【０００７】
第三に、従来の手法では、ダイボンディングフィルムを半導体チップに先に貼り付けていたので、貼り付けに失敗すると比較的高価な半導体チップを廃棄しなければならないという課題があった。
【０００８】
本発明は上記事情に鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、半導体チップと基板を接続する接着剤層を微細にパターニング加工することのできる半導体装置の製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上記課題は、以下のような手段により解決される。
（１）基板に、接着剤層と支持基材層とを備える接着フィルムを貼り付ける工程、
（２）マスクを介して前記接着フィルムを露光する工程、
（３）露光後の接着剤層を現像する工程、及び、
（４）チップを基板上の接着剤層にマウントする工程、
をこの順に含むことを特徴とする半導体装置の製造方法であって、
前記接着剤層が、
（Ａ）ラジカル重合性二重結合を有する樹脂、
（Ｂ）熱硬化性樹脂、及び、
（Ｃ）アルカリ可溶性基および二重結合を有する樹脂、
を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【００１０】
本発明は、接着性と感光性を有する接着剤層を用いているために、半導体チップと基板を接続する接着剤層を微細にパターニング加工することのできる半導体装置の製造方法を提供することができる。
【発明の効果】
【００１１】
本発明によれば、半導体チップと基板を接続する接着剤層を微細にパターニング加工することのできる半導体装置の製造方法を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１２】
本発明は、
（１）基板に、接着剤層と支持基材層とを備える接着フィルムを貼り付ける工程、
（２）マスクを介して前記接着フィルムを露光する工程、
（３）露光後の接着剤層を現像する工程、及び、
（４）チップを基板上の接着剤層にマウントする工程、
をこの順に含むことを特徴とする半導体装置の製造方法であって、
前記接着剤層が、
（Ａ）ラジカル重合性二重結合を有する樹脂、
（Ｂ）熱硬化性樹脂、及び、
（Ｃ）アルカリ可溶性基および二重結合を有する樹脂、
を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法に関するものである。
【００１３】
なお下記は例示であり、本発明は何ら下記に限定されるものではない。以下に本発明の半導体の製造方法について詳細に説明する。
【００１４】
本発明で用いる（Ａ）ラジカル重合性二重結合を有する樹脂としては、例えば不飽和ポリエステル、アクリロイル基またはメタクリロイル基を、一分子中に少なくとも1個以上有するアクリル系モノマーやオリゴマーなどが挙げられ、これらは単独で用いることも可能であり、また、２種類以上を混合して用いることもできる。
【００１５】
これらの中でもアクリル系化合物を主成分とする紫外線硬化性樹脂が好ましい。アクリル系化合物は光を照射した際の硬化速度が速く、これにより、比較的少量の露光量で樹脂をパターニングすることができる。前記アクリル系化合物としては、アクリル酸エステルもしくはメタクリル酸エステルのモノマー等が挙げられ、具体的にはジアクリル酸エチレングリコール、ジメタクリル酸エチレングリコール、ジアクリル酸１，６-ヘキサンジオール、ジメタクリル酸１，６-ヘキサンジオール、ジアクリル酸グリセリン、ジメタクリル酸グリセリン、ジアクリル酸１，１０-デカンジオール、ジメタクリル酸１，１０-デカンジオール等の２官能アクリレート、トリアクリル酸トリメチロールプロパン、トリメタクリル酸トリメチロールプロパン、トリアクリル酸ペンタエリスリトール、トリメタクリル酸ペンタエリスリトール、ヘキサアクリル酸ジペンタエリスリトール、ヘキサメタクリル酸ジペンタエリスリトール等の多官能アクリレートなどが挙げられる。これらの中でもアクリル酸エステルが好ましく、特に好ましくはエステル部位の炭素数が１〜１５のアクリル酸エステルまたはメタクリル酸アルキルエステルが好ましい。
【００１６】
本発明で用いる（Ａ）ラジカル重合性二重結合を有する樹脂の含有量は、特に限定されないが、前記樹脂組成物全体の５〜６０重量％が好ましく、特に８〜３０重量％が好ましい。含有量が前記下限値以上であると紫外線照射による樹脂のパターニングが良好になり、前記上限値未満であると樹脂が適度に硬くなり、紫外線照射前のフィルム特性が向上する。
【００１７】
また、本発明で用いる（Ａ）ラジカル重合性二重結合を有する樹脂は、特に限定されないが、常温で液状であることが好ましい。これにより、紫外線による硬化反応性を向上することができる。さらに、（Ｂ）熱硬化性樹脂との混合作業を容易にすることができる。常温で液状の光硬化性樹脂の具体例としては、アクリル化合物を主成分とする光硬化性樹脂等が挙げられる。
【００１８】
また、前記樹脂組成物には、さらに、光重合開始剤を併用することが好ましい。これにより、光重合により樹脂を効率良くパターニングすることができる。
【００１９】
前記光重合開始剤としては、例えばベンゾフェノン、アセトフェノン、ベンゾイン、ベンゾインイソブチルエーテル、ベンゾイン安息香酸メチル、ベンゾイン安息香酸、ベンゾインメチルエーテル、ベンジルフィニルサルファイド、ベンジル、ジベンジル、ジアセチルなどが挙げられる。
【００２０】
前記光重合開始剤の含有量は、特に限定されないが、前記樹脂組成物全体の０．５〜５重量％が好ましく、特に０．８〜２．５重量％が好ましい。含有量が前記下限値未満であると光重合開始する効果が低下する場合があり、前記上限値を超えると反応性が高くなりすぎ保存性や解像性が低下する場合がある。
【００２１】
本発明で用いる（Ｂ）熱硬化性樹脂としては、例えばフェノールノボラック樹脂、クレゾールノボラック樹脂、ビスフェノールＡノボラック樹脂等のノボラック型フェノール樹脂、レゾールフェノール樹脂等のフェノール樹脂、ビスフェノールＡエポキシ樹脂、ビスフェノールＦエポキシ樹脂等のビスフェノール型エポキシ樹脂、ノボラックエポキシ樹脂、クレゾールノボラックエポキシ樹脂等のノボラック型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂、スチルベン型エポキシ樹脂、トリフェノールメタン型エポキシ樹脂、アルキル変性トリフェノールメタン型エポキシ樹脂、トリアジン核含有エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエン変性フェノール型エポキシ樹脂等のエポキシ樹脂、ユリア（尿素）樹脂、メラミン樹脂等のトリアジン環を有する樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、ビスマレイミド樹脂、ポリウレタン樹脂、ジアリルフタレート樹脂、シリコーン樹脂、ベンゾオキサジン環を有する樹脂、シアネートエステル樹脂等が挙げられ、これらは単独でも混合して用いても良い。これらの中でもエポキシ樹脂が特に好ましい。これにより、耐熱性および密着性をより向上することができる。
【００２２】
また、さらに前記エポキシ樹脂として室温で固形のエポキシ樹脂（特にビスフェノール型エポキシ樹脂）と、室温で液状のエポキシ樹脂（特に室温で液状のシリコーン変性エポキシ樹脂）とを併用することが好ましい。これにより、耐熱性を維持しつつ、可とう性と解像性との両方に優れる。
【００２３】
本発明で用いる（Ｂ）熱硬化性樹脂の含有量は、特に限定されないが、前記樹脂組成物全体の１０〜４０重量％が好ましく、特に１５〜３５重量％が好ましい。含有量が前記下限値以上であると耐熱性を向上する効果が向上し、前記上限値未満であると接着フィルムの靭性を向上する効果を奏する。
【００２４】
また、室温で液状の前記熱硬化性樹脂を併用する場合、前記の液状光硬化性樹脂と液状熱硬化性樹脂との合計量が、前記樹脂組成物全体の６０重量％以下であることが好ましく、特に３〜５０重量％以下であることが好ましい。前記範囲内であると、特に耐熱性と、可とう性と、解像性とのバランスに優れる。
【００２５】
本発明で用いる（Ｃ）アルカリ可溶性基および二重結合を有する樹脂としては、具体的には、アクリル変性フェノール樹脂、アクリロイル基含有アクリル酸重合体等が挙げられる。これらの中でもアクリル変性フェノール樹脂が好ましい。アルカリ可溶性基を含む樹脂を用いることにより、現像処理時に二重結合部分が未反応の樹脂を除去する際に、現像液として通常用いられる有機溶剤の代わりに、で環境に対する負荷のより少ないアルカリ水溶液を適用することができると共に、二重結合部分が硬化反応に寄与することから樹脂組成物の耐熱性を維持することができる。
【００２６】
ここで、光反応基を有する熱硬化性樹脂を用いる場合、前記光反応基の変性率（置換率）は、特に限定されないが、前記アルカリ可溶性基および二重結合を有する樹脂の反応基全体の２０〜８０％が好ましく、特に３０〜７０％が好ましい。光反応基の変性量を上記の範囲とすることで、特に解像性に優れる接着剤層を提供することができる。
【００２７】
一方、熱反応基を有する光硬化性樹脂を用いる場合、前記熱反応基の変性率（置換率）は、特に限定されないが、前記アルカリ可溶性基および二重結合を有する樹脂の反応基全体の２０〜８０％が好ましく、特に３０〜７０％が好ましい。熱反応基の変性量を上記の範囲とすることで、特に解像性に優れる樹脂組成物を提供することができる。
【００２８】
ここで、アルカリ可溶性基および二重結合を有する樹脂の含有量は、特に限定されないが、前記樹脂組成物全体の１５〜５０重量％が好ましく、特に２０〜４０重量％が好ましい。特に、樹脂組成物の樹脂成分（無機充填剤を除く全部の成分）のうち、１０〜８０重量％、好ましくは１５〜７０重量％であってもよい。アルカリ可溶性基および二重結合を有する樹脂の含有量が小さくなり過ぎると光硬化性樹脂および熱硬化性樹脂との相溶性を向上させる効果が低下する場合があり、一方で大きくなり過ぎると現像性またはフォトリソグラフィ技術による接着層のパターニングの解像性が低下する場合がある。
【００２９】
また、前記接着フィルムに耐熱性や、寸法安定性、耐湿性等の特性が特に要求される場合には、前記樹脂組成物は、さらに（Ｄ）無機充填材を含有することが好ましい。前記無機充填材としては、例えばタルク、焼成クレー、未焼成クレー、マイカ、ガラス等のケイ酸塩、酸化チタン、アルミナ、溶融シリカ（溶融球状シリカ、溶融破砕シリカ）、結晶シリカ等のシリカ粉末等の酸化物、炭酸カルシウム、炭酸マグネシウム、ハイドロタルサイト等の炭酸塩、水酸化アルミニウム、水酸化マグネシウム、水酸化カルシウム等の水酸化物、硫酸バリウム、硫酸カルシウム、亜硫酸カルシウム等の硫酸塩または亜硫酸塩、ホウ酸亜鉛、メタホウ酸バリウム、ホウ酸アルミニウム、ホウ酸カルシウム、ホウ酸ナトリウム等のホウ酸塩、窒化アルミニウム、窒化ホウ素、窒化ケイ素等の窒化物等を挙げることができる。前述の無機充填材は、単独でも混合して使用しても良い。これらの中でも溶融シリカ、結晶シリカ等のシリカ粉末が好ましく、特に球状溶融シリカが好ましい。これにより、耐熱性、耐湿性、強度等を向上させることができる。前記無機充填材の形状は、特に限定されないが、真球状であることが好ましい。これにより、特性に異方性の無い接着フィルムにすることができる。
【００３０】
前記無機充填材の平均粒子径は、特に限定されないが、０．１〜３０μｍが好ましく、特に０．３〜１０μｍが好ましい。平均粒子径が前記下限値未満であると無機充填材が凝集しやすくなり、強度が低下する場合があり、前記上限値を超えると露光・現像による接着フィルムの解像性が低下する場合がある。
【００３１】
前記無機充填材の含有量は、特に限定されないが、前記樹脂組成物全体の１０〜６０重量％が好ましく、特に２０〜５０重量％が好ましい。含有量が前記下限値未満であると耐熱性、寸法安定性、吸湿性を向上する効果が低下する場合があり、前記上限値を超えると露光・現像による解像性が低下する場合がある。
【００３２】
本発明における接着剤層には、本発明の目的を損なわない範囲で紫外線吸収剤、レベリング剤等の添加剤を添加することができる。
【００３３】
本発明の接着フィルムは、例えば、次のようにして作成することができる。すなわち、前記各成分を配合した接着剤組成物を、従来公知の有機溶剤に溶解させ、溶解装置を用いて均一に混合、分散して、接着剤組成物溶液を作製する。一方、支持基材を予め準備し、この支持基材上に従来公知の塗工機等を用いて上記接着剤組成物溶液を塗工した後、これを５０〜１２０℃で乾燥する。そして、カバーフィルムを合わせてラミネートする。上記生成したものからカバーフィルムを剥離することにより、目的とする接着フィルムを作製することができる。
【００３４】
上記溶解装置としては、例えば、フラスコ装置、ホモミキサ−装置等があげられる。また上記において、支持基材に塗布される樹脂組成物の塗工方法には、特に制限はないが、例えば、グラビアコーター方式、ロールコーター方式、エアプレートコーター方式、スプレーコーター方式、カーテンコーター方式、ディップ方式による塗工方法等を用いることができる。塗布後、５０℃以上、好ましくは６０℃以上で３分以上乾燥させるのが好ましい。乾燥温度の上限は、支持基材、樹脂組成物の熱分解温度より低い温度であれば特に制限はなく、例えば５０℃〜１２０が好ましく、６０℃〜９０℃がより好ましい。乾燥時間の上限は、特に制限はないが、生産性の観点から１０分以内が好ましく、５分以内がより好ましい。
【００３５】
上記塗工機としては、熱風循環式乾燥装置を有するものが好ましい。上記溶解装置および塗工機には、安全上、環境保全上の点で、排気装置．溶剤回収装置等を取り付けて作業することが好ましい。
【００３６】
上記支持基材としては、特に限定されるものではなく、例えば、ポリイミド基材、ポリエステル基材、ポリエチレンテレフタレート基材、フッ素樹脂製フィルム基材から選ばれる、接着剤の塗工、乾燥、半導体装置組立工程中の熱に耐えられる樹脂からなるフィルムが好ましい。また、上記フィルム基材は、表面をシリコーン処理したフィルム基材および表面をシリコーン処理していないフィルム基材のいずれも使用することができる。なお、上記絶縁性フィルム基材としては、ポリエチレンテレフタレート基材が好ましい。
【００３７】
上記の支持基材の厚さは特に制限はないが、露光・現像後の樹脂の解像性を維持するために１００μｍ以下であることが好ましく、７０μｍ以下がさらに好ましい。なお支持フィルムの厚さは、接着剤層を自己支持することから１０μｍ以上であることが好ましく、２０μｍ以上であることがより好ましい。
【００３８】
上記有機溶剤としては、接着剤組成物の形成材料である各成分を溶解できるものであれば特に限定はないが、低沸点溶剤を用いることが好ましい。上記有機溶剤としては、ケトン系溶剤、グリコ−ルジエーテル系溶剤、含窒素系溶剤等があげられる。これらは１種を単独で、または２種以上を併用して用いられる。また、有機溶剤の一部は、接着剤組成物の各成分の溶解性を損なわない範囲で炭化水素系溶剤、エステル系溶剤、多価アルコール誘導体を使用してもよい。
【００３９】
本発明における、（１）基板に、接着剤層と支持基材層とを備える接着フィルムを貼り付ける工程は一般的に下記の方法で行うことができる。
【００４０】
基板表面に接着フィルムを加熱加圧ラミネート法などで貼り付ける。基板の反りを防ぐため、圧着圧力は０．２〜０．４ｋｇ／ｃｍ2以下の必要である。ラミネート温度と速度は、接着界面に空隙や過剰なはみ出しがなく接着できれば、特に限定されないが、ラミネート温度は５０℃〜８０℃、ラミネート速度は生産性を考慮すると０．２〜０．７ｍ／ｍｉｎが好ましい。
【００４１】
本発明における、（２）マスクを介して前記接着フィルムを露光する工程は一般的に下記の方法で行うことができる。
【００４２】
上記接着フィルムがラミネートされた基板上に所望のパターンを有するマスクを通して化学線を照射し、露光を行う。露光に用いられる化学線としては、Ｘ線、電子線、紫外線、可視光線等が使用できるが、本発明では３６５ｎｍの波長領域が好ましい。露光エネルギ-は、例えば、１５０〜１０００ｍＪ／ｃｍ2 、好ましくは２５０〜７５０ｍＪ／ｃｍ2程度の範囲から選択できる。露光後、オーブンやホットプレートを用い、５０〜８０℃で熱処理を行う。この露光後加熱によって接着フィルムの表面平滑性が向上する。
【００４３】
本発明における、（３）露光後の接着剤層を現像する工程は一般的に下記の方法で行うことができる。
【００４４】
上記接着フィルムの支持基材を剥離し、次に未露光部を現像液で溶解除去することによりパターンを得る。現像液としては、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、炭酸ナトリウム、ケイ酸ナトリウム、メタケイ酸ナトリウム、アンモニア水等の無機アルカリ類、エチルアミン、ｎ−プロピルアミン等の第１アミン類、ジエチルアミン、ジ−ｎ−プロピルアミン等の第２アミン類、トリエチルアミン、メチルジエチルアミン等の第３アミン類、ジメチルエタノールアミン、トリエタノールアミン等のアルコールアミン類、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド、テトラエチルアンモニウムヒドロキシド等の第４級アンモニウム塩等のアルカリ類の水溶液、及びこれにメタノール、エタノールのごときアルコール類等の水溶性有機溶媒や界面活性剤を適当量添加した水溶液を好適に使用することができる。現像液および補充液には現像性の促進や抑制、現像カスの分散性を高める目的で必要に応じて種々の界面活性剤や有機溶剤を添加できる。好ましい界面活性剤としては、アニオン系、カチオン系、ノニオン系および両性界面活性剤があげられる。更に現像液および補充液には必要に応じて、ハイドロキノン、レゾルシン、亜硫酸、亜硫酸水素酸などの無機酸のナトリウム塩、カリウム塩等の還元剤、更に有機カルボン酸、消泡剤、硬水軟化剤を加えることもできる。現像は、上記現像液を用いて、２０℃から３０℃の範囲で２０秒分から数分間行うのが好ましい。現像方法としては、スプレー、パドル、浸漬、超音波等の方式が可能である。
【００４５】
本発明における、（４）チップを基板上の接着剤層にマウントする工程は一般的に下記の方法で行うことができる。
【００４６】
上記接着剤層がパターニングされた基板に、半導体チップを、接着剤層を介して、加熱・圧着することで、ダイボンディングする。加熱・圧着の条件として、通常は、８０〜２００℃の加熱温度、１〜１０秒の圧着時間、０．０５〜２ＭＰａの圧力であり、好ましくは１００〜１５０℃の加熱、１〜１０秒の圧着時間、０．１〜１．５ＭＰａである。つづいて、加熱にすることにより、接着剤層中のエポキシ樹脂を硬化させ、半導体チップと基板とを、強固に接着させた半導体装置を得ることができる。この場合の加熱温度は、通常は１００〜３００℃程度、好ましくは１５０〜２５０℃程度であり、加熱時間は通常は１〜２４０分間、好ましくは６０〜１２０分間である。
【実施例】
【００４７】
（実施例１）
以下、実施例を図面に基づいてより具体的に説明する。図１〜４は、本発明の半導体製造方法を示すものである。
【００４８】
１．アルカリ可溶性基および二重結合を有する樹脂（光および熱の両方で硬化可能な硬化性樹脂：メタクリル変性フェノールノボラック樹脂）の合成
フェノールノボラック（大日本インキ化学工業（株）製、フェノライトＴＤ-２０９０−６０Ｍ）の不揮発分７０％ＭＥＫ溶液６００ｇ（ＯＨ約４当量）を、２Ｌのフラスコ中に投入し、これにトリブチルアミン１ｇ、およびハイドロキノン０．２ｇを添加し、１１０℃に加温した。その中へ、グリシジルメタクリレート２８４ｇ（２モル）を３０分間で滴下した後、１１０℃で５時間攪拌反応させることにより、不揮発分８０％メタクリロイル基含有フェノールノボラック（メタクリロイル基変性率５０％）を得た。
【００４９】
２．樹脂ワニスの調製
ランダム重合性二重結合を有する樹脂（光硬化性樹脂）として室温で液状のアクリル樹脂モノマー（三洋化成（株）製、ネオマーＰＭ２０１）１４．１重量％、熱硬化性樹脂としてビスＡノボラック型エポキシ樹脂（大日本インキ化学工業（株）製、エピクロンＮ-８６５）１５．４重量％、シリコーンエポキシ樹脂（東レ・ダウコーニング・シリコーン（株）製、ＢＹ１６-１１５）４．４重量％、アルカリ可溶性基および二重結合を有する樹脂（光および熱の両方で硬化可能な硬化性樹脂）として上記の合成したメタクリル変性フェノールノボラック樹脂２５．８重量％、光重合開始剤（チバ・スペシャリティ・ケミカルズ（株）製、イルガキュア６５１）２．３重量％、無機充填剤としてのシリカフィラー（（株）アドマテックス、ＳＥ２０５０）２７．３重量％、溶剤としてメチルエチルケトン１０．７重量％を秤量し、ディスパーザーを用い、回転数５，０００ｒｐｍで１時間攪拌し、樹脂ワニスを調製した。
【００５０】
３．接着フィルムの製造
上述の樹脂ワニスをコンマコーターで支持基材ポリエステルフィルム（三菱ポリエステルフィルム（株）製、Ｔ１００Ｇ、厚さ２５μｍ）に塗布し、８０℃で、１０分乾燥して膜厚５０μｍの接着フィルムを得た。
【００５１】
図1に示すように、半導体基板１表面に接着フィルム２を、常圧ロールラミネーターを用い、ラミネートし、厚み５０μｍの接着剤層を形成した。
【００５２】
図２に示すように、この支持基材層３上に、１００〜５００μｍの微細なパターンを有するフォトマスク４を用い、光５を照射し、露光した。この時の光波長は３６５ｎｍ、露光エネルギー７５０ｍＪ／ｃｍ2である。光照射後、現像液（３．０％テトラメチルアンモニウムヒドロキサイド溶液）を用い、シャワー法にて現像を行い、光未照射部分の接着剤層のみを除去した。これにより、接着する部分のみが残された基板（図３）を作製した。
【００５３】
次に、半導体チップ６を、接着剤層２を介して基板に加熱圧着した。このときの加熱圧着条件は１２０℃、０．８Ｍｐａ、５．０秒である。半導体チップを加熱圧着後、１５０℃で９０分間加熱して接着剤層２を硬化させ、微細なパターンを保持した半導体装置を得ることができた。
（実施例２）
（Ａ）光硬化性樹脂として、室温で液状のアクリル樹脂化合物（共栄社化学(株)製、ライトエステルＴＭＰ）を用い１４．１重量％、（Ｂ）熱硬化性樹脂として、エポキシ樹脂（日本化薬(株)製、ＮＣ３０００）１５．４重量％を用いた以外は、実施例１と同様に実験を行った。この場合も、微細なパターンを保持した半導体装置を得ることができた。
（実施例３）
（Ｂ）熱硬化性樹脂として、シリコーンエポキシ樹脂（信越化学(株)製、ＫＦ-１０５）４．４重量％を用い、（Ｃ）光及び熱の両方で硬化可能な樹脂として、カルボキシル基含有アクリル共重合樹脂（ダイセルユーシービー(株)製、サイクロマーＡＣＡ-２００Ｍ）２５．８重量％を用いた以外は、実施例１と同様にして実験を行った。この場合も、微細なパターンを保持した半導体装置を得ることができた。
（比較例１）
金型でダイボンディング用フィルム（住友ベークライト(株)製、ＩＢＦ-３０２１）を打ち抜き、圧着温度１６０℃、圧力２ＭＰａ、加圧時間０．３秒で半導体チップに仮圧着し、次いで、圧着温度１６０℃、圧力１ＭＰａ、圧時間１．０秒でフィルムを基板に貼り付けた。次いで、シリコンチップを、フィルムに、圧着温度１８０℃、圧力１ＭＰａ、圧着時間１．０秒でチップマウントし、１８０℃で１時間硬化させたところ、半導体装置は得られるものの、微細なパターンを有する半導体装置は得られなかった。
（比較例２）
ディスペンス方式を用いて、シリンジから基板へダイボンディング用ペースト（住友ベークライト(株)製、ＣＲＭ-１５２５）を１００〜５００μｍの微細なパターンに吐出し、吐出したダイボンディング用ペーストの上にチップを乗せて圧力をかけて仮接着し、次いで、加熱によりペーストを熱硬化させてチップを基板に接着させた。しかしながら、ダイボンディング用ペーストが濡れ拡がってしまい、微細なパターンを保持した半導体装置を得ることができなかった。
（比較例３）
（Ａ）光硬化性樹脂を含まないフィルムを用いた以外は、実施例１と同様に実験を行った。この場合は解像性が悪く、微細なパターンを有する半導体装置は得られなかった。
（比較例４）
（Ｂ）熱硬化性樹脂を含まないフィルムを用いた以外は、実施例１と同様に実験を行った。この場合は微細なパターンは描けるものの、貼り付け性が悪く、接着することができなかったため、半導体装置を得ることはできなかった。
【００５４】
比較例１は、従来のダイボンディングフィルムを用いて従来の手法によりチップを基板に接着したものである。従来のダイボンディングフィルムは感光性を有していないために微細なパターンを設計することができない。従って比較例１では、露光工程を介していない。
【００５５】
比較例２は、従来のペースト状ダイボンディング材を用いて従来の手法によりチップを基板に接着したものである。しかしながら、ディスペンス方式では微細構造のパターン設計に限界があり、またペーストが広がることによってパターンを崩してしまうという問題点もある。
【産業上の利用可能性】
【００５６】
本発明によれば、半導体チップと基板を接続する接着剤層を微細にパターニング加工することのできる半導体装置の製造方法を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００５７】
【図１】図１は半導体基板に接着フィルムを貼り付けた状態を表す模式図である。
【図２】図２は更にフォトマスクを介して接着フィルムを露光し、パターニングする様子を表す模式図である。
【図３】図３は露光後の接着剤層を現像した状態を表す模式図である。
【図４】図４はチップを基板上の現像後の接着剤層にマウントした状態を表す模式図である。
【符号の説明】
【００５８】
１  半導体基板
２  接着剤層
３  支持基材層
４  フォトマスク
５  光
６  半導体チップ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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