(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
シリコンウエーハの表層に存在するボイド欠陥を光散乱トモグラフ法により評価する方法であって、被評価シリコンウエーハの主表面に所定の厚さのエピタキシャル層を形成してから、前記シリコンウエーハの主表面から内部にレーザー光を照射し、ボイド欠陥で散乱させ、該散乱光を検出することにより、前記シリコンウエーハの表層に存在するボイド欠陥を評価することを特徴とするシリコンウエーハの評価方法。
【請求項２】
前記形成するエピタキシャル層の所定の厚さを、ボイド欠陥を測定する装置の深さ方向の測定範囲から、ボイド欠陥を評価する前記シリコンウエーハの主表面からの深さを差し引いた厚さとすることを特徴とする請求項１に記載のシリコンウエーハの評価方法。
【請求項３】
前記エピタキシャル層の所定の厚さを、５μｍ以下とすることを特徴とする請求項１または請求項２に記載のシリコンウエーハの評価方法。
【請求項４】
前記シリコンウエーハに熱処理を行った後に、主表面に前記エピタキシャル層を形成することを特徴とする請求項１ないし請求項３のいずれか一項に記載のシリコンウエーハの評価方法。
【請求項５】
前記エピタキシャル層の形成を、前記熱処理の温度より低い温度で行うことを特徴とする請求項４に記載のシリコンウエーハの評価方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、シリコンウエーハの評価方法に関し、特に、アニールウエーハの表層に存在するボイド欠陥を光散乱トモグラフ法により評価する方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、半導体回路の高集積化に伴う回路素子の微細化に伴い、その基板となるチョクラルスキー法で作製されたシリコン単結晶に対する品質要求が高まってきている。特に、ＦＰＤ（Ｆｌｏｗ  Ｐａｔｔｅｒｎ  Ｄｅｆｅｃｔ）、ＬＳＴＤ（Ｌａｓｅｒ  Ｓｃａｔｔｅｒｉｎｇ  Ｔｏｍｏｇｒａｐｈｙ  Ｄｅｆｅｃｔ）、ＣＯＰ（Ｃｒｙｓｔａｌ  Ｏｒｉｇｉｎａｔｅｄ  Ｐａｒｔｉｃｌｅ）等のＧｒｏｗｎ−ｉｎ欠陥と呼ばれ、酸化膜耐圧特性やデバイスの特性を悪化させる単結晶成長起因の欠陥が存在し、その低減が重要視されている。
【０００３】
そこで、通常のシリコン基板上に新たにシリコン単結晶層をエピタキシャル成長させたエピタキシャルウエーハや、水素及び／又はアルゴン雰囲気中で高温にて熱処理を施したアニールウエーハ、そして、チョクラルスキー法によるシリコン単結晶の成長条件を改良して製造された全面Ｎ領域（ＯＳＦリングの外側で、転位クラスターの無い領域）の基板など、Ｇｒｏｗｎ−ｉｎ欠陥の少ない結晶がいくつか開発されている。
【０００４】
これらの中で、窒素ドープウエーハにアニールを加えたウエーハ（以下、窒素ドープアニールウエーハと呼ぶことがある。）は、ウエーハ表層部のＧｒｏｗｎ−ｉｎ欠陥が低減され、かつ、バルク中のＢＭＤ（Ｂｕｌｋ  Ｍｉｃｒｏ  Ｄｅｆｅｃｔ）密度が高いウエーハであり、非常に有益である。これは、窒素をドープすることによるＧｒｏｗｎ−ｉｎ欠陥凝集抑制効果と酸素析出促進効果を利用して開発されたウエーハで、通常の結晶よりも欠陥のサイズが小さくなるため、アニールによる表層の欠陥の消滅効率に優れ、バルク中の酸素析出は促進されてＢＭＤ密度が高い有効なゲッタリング能力を持つウエーハである。
【０００５】
また、例えば１０００℃以上の高温領域における熱処理の際に、シリコン単結晶ウエーハに発生する熱応力による転位発生の抑制、あるいは、単結晶育成時における結晶欠陥の発生を防止する目的で、シリコン単結晶育成時に窒素を添加することも知られている。
【０００６】
特に、アニールウエーハに関しては、エピタキシャルウエーハよりも低コストで製造できるので需要が増えつつある。そこで、益々アニールウエーハの表層における無欠陥性の向上が求められている。これを評価するのに、これまでは光散乱トモグラフ法（ＬＳＴ：Ｌａｓｅｒ  Ｓｃａｔｔｅｒｉｎｇ  Ｔｏｍｏｇｒａｐｈ）によって、ウエーハのバルク中の結晶欠陥を測定することが多かった（非特許文献１）。
【０００７】
この光散乱トモグラフ法は、例えば波長６８０ｎｍ及び／又は波長５３２ｎｍのレーザー光で基板面内を走査し、基板の表層に存在する欠陥から発生する散乱光を検出することによって、半導体基板内部の結晶欠陥（主にボイド欠陥）を検出するものである。
【０００８】
また、入射光の強度が１／ｅになるのが、波長６８０ｎｍの場合は表層から５μｍ、波長５３２ｎｍの場合は１μｍであり、これらの領域内に存在する欠陥を検出している。特に、波長６８０ｎｍの場合は、表層５μｍと基板内部に存在する欠陥を非破壊かつ高感度で検出できる評価方法であるため、この評価方法を採用するのが一般的となっている。
【０００９】
しかし、近年はデバイスの集積度向上に伴い、デバイス活性層が薄くなってきており、より表層における無欠陥性の評価を行うことが必要となってきているが、ＭＯ−６０１（三井金属鉱業社製）のような市販の測定装置では、例えばウエーハの表面から３μｍの深さまでの領域を評価するのに適した波長が存在しないため、これらの領域に存在するボイド欠陥のような結晶欠陥を評価することができなかった。
【００１０】
そのため、ウエーハ表面から５μｍより浅く、１μｍより深い領域に存在する結晶欠陥の評価は、ウエーハにステップポリッシュを行い、パーティクルカウンター（例えば、ＫＬＡ  Ｔｅｎｃｏｒ社製、ＳＰ１）でウエーハ表面のパーティクル数を測定して行っていた。したがって、特にウエーハの表面から５μｍより浅い極表層の任意の深さに存在する欠陥の測定を簡単かつ精度よく行うことができる評価方法が求められていた。
【００１１】
これに対して、特許文献１には、ウエーハにエピタキシャル成長をさせた後に、９０°光散乱トモグラフ法により、特に酸素析出物の評価を行う方法が開示されている。しかしながら、この方法は上記したように、主な評価対象を、ウエーハ表層に存在するボイド欠陥ではなく、酸素析出物としている。また、この９０°光散乱トモグラフ法は、ウエーハを劈開し、この劈開面にレーザー光を入射する、いわゆる破壊検査である。
【００１２】
また、特許文献２には、光散乱トポグラフ法を用い、基板全面にわたって基板に存在する欠陥を検出し、基板面内位置の座標を得て、光散乱強度を測定後、厚さ１μｍ、３μｍ、５μｍのエピタキシャル成長を行って、再び光散乱トポグラフ法を用い、基板全面にわたって基板に存在する欠陥を検出し、基板面内位置の座標を得て、光散乱強度を測定する方法が開示されている。しかし、これは、エピタキシャル成長前後の欠陥測定で検出された欠陥の対応付けを行うことにより、薄膜成長時の膜厚を求める方法であって、エピタキシャル成長前のウエーハの表層の任意の深さ領域に存在するボイド欠陥を評価する方法とは異なる。
【００１３】
【非特許文献１】Ｊ．Ｃｒｙｓｔａｌ  Ｇｒｏｗｔｈ、１２８（１９９３）３０４．、Ｍｏｒｉｙａ  ｅｔ  ａｌ．
【特許文献１】特開２００４−２５９７７９
【特許文献２】特開２００１−８５４８６
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１４】
本発明はこのような問題点に鑑みてなされたもので、シリコンウエーハ、特にアニールを施したウエーハの表層の任意の深さに残留するボイド欠陥の評価を、ステップポリッシュを行うことなく、簡便かつ高精度に行うことができるシリコンウエーハの評価方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１５】
上記目的を達成するため、本発明は、シリコンウエーハの表層に存在するボイド欠陥を光散乱トモグラフ法により評価する方法であって、被評価シリコンウエーハの主表面に所定の厚さのエピタキシャル層を形成してから、前記シリコンウエーハの主表面から内部にレーザー光を照射し、ボイド欠陥で散乱させ、該散乱光を検出することにより、前記シリコンウエーハの表層に存在するボイド欠陥を評価することを特徴とするシリコンウエーハの評価方法を提供する（請求項１）。
【００１６】
このように、被評価シリコンウエーハの主表面に所定の厚さのエピタキシャル層を形成してから、前記シリコンウエーハにレーザー光を照射し、シリコンウエーハの内部に侵入した光をボイド欠陥で散乱させ、該散乱光を検出し、前記エピタキシャル層および前記表層に存在するボイド欠陥を測定すれば、エピタキシャル層においてはボイド欠陥はほぼ無欠陥であるので、検出されるボイド欠陥はほとんどがシリコンウエーハの表層に存在するものであるとみなすことができ、エピタキシャル層の厚さを所定のものとすることによって、シリコンウエーハの表層の任意の深さ領域のボイド欠陥を簡便かつ高精度で評価することが可能である。また、被評価ウエーハを破壊せずに評価することができるため、ボイド欠陥以外の別の検査にも回すことができ、評価ウエーハの削減につながる。
【００１７】
このとき、前記形成するエピタキシャル層の所定の厚さを、ボイド欠陥を測定する装置の深さ方向の測定範囲から、ボイド欠陥を評価する前記シリコンウエーハの主表面からの深さを差し引いた厚さとすることが好ましい（請求項２）。
【００１８】
このように、前記形成するエピタキシャル層の所定の厚さを、ボイド欠陥を測定する装置の深さ方向の測定範囲から、ボイド欠陥を評価する前記シリコンウエーハの主表面からの深さを差し引いた厚さとすることにより、正確にシリコンウエーハの主表面から目的の深さ領域におけるボイド欠陥を評価することができる。
【００１９】
さらに、前記エピタキシャル層の所定の厚さを、５μｍ以下とすることが望ましい（請求項３）。
このように、前記エピタキシャル層の所定の厚さを、５μｍ以下とすることにより、近年要求されているシリコンウエーハの主表面の極表層部（表面から５μｍ以下の所定の深さ）に存在するボイド欠陥を簡便かつ高精度で評価することが可能である。
【００２０】
また、前記シリコンウエーハに熱処理を行った後に、主表面に前記エピタキシャル層を形成するのが好ましい（請求項４）。
このように、被評価シリコンウエーハに熱処理を行った後に、主表面に前記エピタキシャル層を形成すれば、熱処理を施して作製したアニールウエーハの表層の所望の深さ領域におけるボイド欠陥の評価を行うことができ、前記領域で目的とする無欠陥性が達成されているかどうかを容易に確認することができる。
【００２１】
このとき、前記エピタキシャル層の形成を、前記熱処理の温度より低い温度で行うことが好ましい（請求項５）。
このように、前記エピタキシャル層の形成を、前記熱処理の温度より低い温度で行えば、前記熱処理によって消滅せずに残留したボイド欠陥をエピタキシャル層の形成工程で消滅させることがなく、かつエピタキシャル層においてはボイド欠陥がほとんど存在しないので、測定したボイド欠陥は、エピタキシャル層の形成前のアニールウエーハの表層に存在していた残留ボイド欠陥とみなすことができ、正確にアニールウエーハの表層のボイド欠陥を評価することが可能である。
【発明の効果】
【００２２】
本発明のシリコンウエーハの評価方法であれば、シリコンウエーハの表層、特に、ウエーハの主表面から５μｍよりも浅い領域におけるボイド欠陥の評価を、ステップポリッシュを実施することなく、被評価ウエーハを破壊せずに簡便かつ高精度で行うことができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２３】
以下、本発明について実施の形態を説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。
近年、半導体回路の高集積化に伴い、その基板となるチョクラルスキー法により作製されたシリコンウエーハに対する品質要求が高まってきている。酸化膜耐圧特性やデバイスの特性を悪化させるウエーハ表層に存在するボイド欠陥等の低減が重要視されており、上述したように、エピタキシャルウエーハやアニールウエーハ等の、表層の結晶欠陥が少ないウエーハが開発されている。
【００２４】
特に、アニールウエーハはエピタキシャルウエーハよりも低コストで製造できることから需要が増しており、このアニールウエーハの表層の無欠陥性の向上が求められている。そして、デバイスの集積度向上に伴って、デバイス活性層が薄くなってきているが、従来の市販されている光散乱トモグラフ法を用いた測定装置で測定が可能な表面から５μｍにおける領域よりも、さらに浅い領域に存在するボイド欠陥を測定することができる簡便で有効な方法はなかった。
【００２５】
本発明者は、鋭意研究を重ねた結果、エピタキシャル層中にはボイド欠陥等の結晶欠陥がほとんど発生しないことに着目し、シリコンウエーハ表面に所定厚さの薄膜のエピタキシャル層を形成後、光散乱トモグラフ法でエピタキシャル層およびシリコンウエーハ表層の領域のボイド欠陥を測定すれば、その測定結果はシリコンウエーハの表層に存在するボイド欠陥とみなすことができることを見出し、本発明を完成させた。
【００２６】
特に、アニールウエーハにおいてはデバイスが形成されるウエーハ表面から例えば５μｍ以内、特には３μｍ以内の極表層を無欠陥にする必要があり、この領域の無欠陥性の評価を簡便かつ高精度に行う評価方法として、本発明は極めて有効である。
【００２７】
以下では、本発明の実施の形態について図を参照して具体的に説明をする。
図１は、本発明のシリコンウエーハの評価方法で使用することのできる光散乱トモグラフ法を用いた測定装置の概念図、及びレーザー光がボイド欠陥により散乱する様子を示す説明図である。
光散乱トモグラフ測定装置１は、少なくとも、被評価シリコンウエーハＷを載置するためのステージ２と、被評価ウエーハに向けてレーザー光４を照射するレーザー光源８、及び被評価ウエーハＷ内部（表層９およびエピタキシャル層１０）のボイド欠陥５により散乱した散乱光６を検出するためのディテクター７で構成されている。用いられる装置は光散乱トモグラフ法を実施できる装置であればよく、各部は特に限定されないが、例えばディテクター７にＣＣＤを用いれば高感度で散乱光６を検出することができる。
【００２８】
このような光散乱トモグラフ測定装置を用いた本発明のシリコンウエーハの欠陥の評価方法について以下に述べる。
まず、チョクラルスキー法により製造されたシリコン単結晶からスライスし、研磨を施したウエーハに対し、表層の欠陥を消滅させるためのアルゴンまたは水素、あるいはこれらの混合ガス雰囲気中で、例えば１１５０〜１３５０℃の高温熱処理を施したアニールウエーハを用意し、被評価ウエーハとする。
【００２９】
次に、このウエーハの表面にエピタキシャル層を形成する。
ここで、例えばアニールウエーハの極表層のボイド欠陥を評価したい領域、すなわち、主表面からの深さがＤ（例えば２μｍ）であり、光散乱トモグラフ測定装置の欠陥測定範囲がＤ’（例えば５μｍ）の場合、Ｄ’−Ｄμｍ（この場合、５−２＝３μｍ）の厚さになるようにエピタキシャル層を形成する。この形成するエピタキシャル層の厚さは、ボイド欠陥を評価したい領域に合わせて所定の厚さを適宜設定すれば良い。
【００３０】
被評価シリコンウエーハの表面にエピタキシャル層を形成するには、キャリアーガスとともに反応炉内にウエーハを導入し、炉内温度を高温（例えば１１００〜１２５０℃程度）にしてＣＶＤ法により行うことが可能である。キャリアーガスとしては、例えばＳｉＨ４、ＳｉＣｌ４、Ｈ２などを用いることができる。このエピタキシャル層の形成方法は特に限定されず、所望の厚さのエピタキシャル層を形成できれば構わない。
ただし、上記のように被評価ウエーハが熱処理を施したものである場合は、該熱処理の時の温度よりも低い温度でエピタキシャル成長を行うのが好ましい。このように、前記熱処理の温度より低い温度で行えば、被評価ウエーハのアニールウエーハにおいて、熱処理で消滅しなかった残留ボイド欠陥をエピタキシャル層の形成過程で消滅することなく、被評価ウエーハの表面に存在していたボイド欠陥を正確に評価することが可能である。
【００３１】
なお、上記熱処理およびエピタキシャル層形成の際に使用する装置は特別なものでなく、従来より使用されているものを用いることができる。それぞれ所定熱処理および所望の厚さのエピタキシャル層を形成することができるものであれば特に限定されない。
【００３２】
このように、ウエーハの主表面に評価したいシリコンウエーハの深さに応じて設定された所定の厚さを有するエピタキシャル層を形成した後に、ウエーハの表面側からレーザー光を照射して、散乱光を検出し、エピタキシャル層およびシリコンウエーハの表層に存在するボイド欠陥を測定する。
より具体的には、図１に示すように、シリコンウエーハＷを光散乱トモグラフ装置１のステージ２に載置し、ウエーハＷの主表面３にレーザー光４を斜めから照射する。ここで、ウエーハＷの表層９やエピタキシャル層１０にボイド欠陥５が存在すると、光の散乱が生じる。この散乱光６をディテクター７で検出することで、ボイド欠陥５の数、大きさ等を非破壊で測定し、評価することができる。
【００３３】
以上のように、被評価ウエーハの主表面に所定厚さのエピタキシャル層を形成した後に、図１に示すような測定装置を用いてエピタキシャル層およびシリコンウエーハの表層に存在するボイド欠陥を測定すれば、エピタキシャル層はほぼ無欠陥であるため、測定されるボイド欠陥をほとんどシリコンウエーハの表層に存在するものとみなすことができ、簡便に、かつ高精度に表層の所望の深さ領域に存在している欠陥を評価することが可能である。さらに、非破壊の方法であるため、本発明による評価後に、当該ウエーハを他の検査等に回すことができ、コストの低減につなげることができる。
【００３４】
そして、形成するエピタキシャル層の所定の厚さを、ボイド欠陥を測定する装置の深さ方向の測定範囲から、ボイド欠陥を評価する前記シリコンウエーハの主表面からの深さを差し引いた厚さとすれば、上記表層の測定する領域を正確に設定し、表層の評価したい領域に存在するボイド欠陥を確実に評価することができる。
【００３５】
また、このとき、上記形成するエピタキシャル層の厚さを５μｍ以下、例えば５μｍ未満とすれば、測定装置の深さ方向の測定範囲が５μｍの場合、主表面から５μｍより浅い領域の極表層に存在するボイド欠陥を評価することが可能である。
なお、当然、使用する測定装置の深さ方向の測定範囲等に合わせて、形成するエピタキシャル層の厚さをその都度設定すればよい。
【００３６】
そして、シリコンウエーハに熱処理を行った後に、主表面に前記エピタキシャル層を形成すれば、需要が高まっているアニールウエーハの表層に存在するボイド欠陥の評価を容易に行うことができる。
ただし、上記ではアニールウエーハを用いた場合について説明したが、被評価ウエーハの種類は特に限定されない。熱処理を施していないもの、また、全面Ｎ領域のものであっても良いし、例えば単結晶引上げの際に窒素をドープしたものであっても良く、いずれも本発明の評価方法を適用することが可能である。
【実施例】
【００３７】
以下、本発明を実施例及び比較例によりさらに詳細に説明するが、本発明はこれに限定されない。
（実施例１）
チョクラルスキー法により得られた直径２００ｍｍの結晶インゴットから切り出した隣接する５枚の窒素ドープウエーハを、アルゴン雰囲気下１２００℃／１ｈの熱処理を施して窒素ドープアニールウエーハを製造し、サンプルウエーハとした。
【００３８】
このうちの１枚のサンプルウエーハの表面から２μｍの領域における残留ボイド欠陥を評価するため、この主表面に１１３０℃の温度条件で３μｍのエピタキシャル層を成長させた。
このウエーハを、測定範囲が５μｍである光散乱トモグラフ測定装置ＭＯ−６０１を使用し、波長６８０ｎｍのレーザー光を用いて表層５μｍに存在する直径１００ｎｍ以上のボイド欠陥を、サンプルウエーハの外周部１０ｍｍを除外して測定した。
【００３９】
なお、測定により得られたボイド欠陥を面積密度に換算する場合には、得られたボイド欠陥数を測定面積で除し、体積密度に換算する場合は、得られたボイド欠陥数を測定面積及び前記Ｄμｍの深さで除すことにより、エピタキシャル層形成前のウエーハの極表層に存在していた残留ボイド欠陥密度を求めることができる。
【００４０】
実施例１で検出された欠陥数は２７個であった。したがって、面積密度は２７／（９×９×３．１４）＝０．１１個／ｃｍ２、またアニールウエーハとして評価した厚さは２μｍであるので、体積密度は２７／（９×９×３．１４×０．０００２）＝５３０．８個／ｃｍ３と求められる。
【００４１】
（実施例２）
実施例１で用意したサンプルウエーハの別の１枚の表面から３μｍの領域における残留ボイド欠陥を評価するため、この主表面に１１３０℃の温度条件で２μｍのエピタキシャル層を成長させた。
このウエーハを、実施例１と同様の方法で表層５μｍに存在する直径１００ｎｍ以上のボイド欠陥を測定した。
【００４２】
実施例２で検出された欠陥数は３０個であった。したがって、面積密度は３０／（９×９×３．１４）＝０．１２個／ｃｍ２、またアニールウエーハとして評価した厚さは３μｍであるので、体積密度は３０／（９×９×３．１４×０．０００３）＝３９３．２個／ｃｍ３と求められる。
【００４３】
（ブランク）
実施例１で用意したサンプルウエーハの別の１枚の主表面に１１３０℃の温度条件で６μｍのエピタキシャル層を成長させた。
このウエーハを、実施例１と同様の方法で表層５μｍ、すなわちエピタキシャル層５μｍに存在する直径１００ｎｍ以上のボイド欠陥を測定した。
【００４４】
ブランク（エピタキシャル層のみ）で検出された欠陥数は１個であった。したがって、面積密度は１／（９×９×３．１４）＝０．００３９個／ｃｍ２、また体積密度は１／（９×９×３．１４×０．０００５）＝７．８６個／ｃｍ３と求められ、エピタキシャル層中にはほとんどボイド欠陥が存在していないことを確認することができた。従って、前記実施例１、２の結果をそのまま、シリコンウエーハ表層の欠陥密度とおおよそ考えてもよいことが判るし、より正確な値を出したければ、ブランクの結果を実施例１、２のデータから差し引けば良い。
【００４５】
（比較例１）
実施例１で用意したサンプルウエーハの別の１枚の表面から２μｍの深さにおける残留ボイド欠陥を評価するため、サンプルウエーハの主表面を２μｍのポリッシュを行い、パーティクルカウンター（ＫＬＡ  Ｔｅｎｃｏｒ社製、ＳＰ１）で主表面に存在する粒径６５ｎｍ以上のパーティクル数を外周部３ｍｍを除外して測定した。
【００４６】
比較例１で検出された欠陥数は５個であった。したがって、この深さにおける面積密度は５／（９．７×９．７×３．１４）＝０．０１７個／ｃｍ２と求められる。
【００４７】
（比較例２）
表面から３μｍの深さにおける残留ボイド欠陥を評価するため、比較例１のサンプルウエーハの主表面をさらに１μｍのポリッシュを行うことにより、合計３μｍのステップポリッシュを行い、比較例１と同様の方法で主表面に存在する粒径６５ｎｍ以上のパーティクル数を測定した。
【００４８】
比較例２で検出された欠陥数は６個であった。したがって、この深さにおける面積密度は６／（９．７×９．７×３．１４）＝０．０２０個／ｃｍ２と求められる。
【００４９】
（比較例３）
実施例１で用意したサンプルウエーハの別の１枚の主表面に１１３０℃の温度条件で６μｍのエピタキシャル層を成長させた。
このウエーハを、比較例１と同様の方法でエピタキシャル層５μｍに存在するボイド欠陥を測定した。
【００５０】
比較例３で検出された欠陥数は２個であった。したがって、この深さにおける面積密度は２／（９．７×９．７×３．１４）＝０．００６８個／ｃｍ２と求められる。
【００５１】
実施例および比較例から、本発明によるシリコンウエーハの評価方法が、従来の測定方法に対して、その厚さに含まれる全ての欠陥を評価でき、より実体に近い評価をすることができることが判る。すなわち、ステップポリッシュでは、あくまで研磨した表面に露出した欠陥のみを評価できるにとどまり、削り落とした部分の評価はできないからである。加えて本発明は上述したように、エピタキシャル層中ではほぼ無欠陥であるとみなすことができるため、被評価ウエーハに所定のエピタキシャル層を形成し、光散乱トモグラフ法による測定装置にかければ良いだけであるので、従来法のステップポリッシュを用いた方法に比べて簡便に行うことができ、そして高精度に表層に存在するボイド欠陥を評価することが可能である。しかも、非破壊で評価することができるので、当該ウエーハを別評価に回すことができ、評価ウエーハの削減につなげることができる。
【図面の簡単な説明】
【００５２】
【図１】（ａ）本発明のシリコンウエーハの評価方法に使用することのできる光散乱トモグラフ測定装置の一例を示す概念図である。（ｂ）レーザー光がボイド欠陥により散乱する様子を示す説明図である。
【符号の説明】
【００５３】
１…光散乱トモグラフ測定装置、  ２…ステージ、  ３…主表面、
４…レーザー光、  ５…ボイド欠陥、  ６…散乱光、
７…ディテクター、  ８…レーザー光源、  ９…表層、
１０…エピタキシャル層、  Ｗ…被評価シリコンウエーハ、
Ｄ…評価する領域、  Ｄ’…測定装置の測定範囲。
【図１】
0004784192.tif 000002