(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁性基板と、
上記絶縁性基板に設けられた透明なタッチ電極と、
上記タッチ電極の周縁に接続された導電部とを備え、
上記導電部を介する電気信号により上記タッチ電極におけるタッチ位置を検出するタッチパネルであって、
上記導電部は、上記絶縁性基板及びタッチ電極の間に設けられ、
上記導電部は、上記タッチ電極の周縁に沿って設けられた額縁部であり、
上記額縁部には、該額縁部を介して上記タッチ電極に接続する配線部が接続され、
上記額縁部及び配線部は、銀及びパラジウムを含む合金膜、又は銀、パラジウム及び銅を含む合金膜により形成され、
上記絶縁性基板は、ガラス基板であり、
上記絶縁性基板と上記額縁部及び配線部との間には、両者間の密着性を向上させるための層間膜が設けられ、
上記層間膜は、上記額縁部及び配線部と重なる部分のみに設けられ、
上記タッチ電極は、上記額縁部及び配線部を覆うように延設されていることを特徴とするタッチパネル。
【請求項２】
請求項１に記載されたタッチパネルにおいて、
上記額縁部及び配線部は、同一材料により形成されていることを特徴とするタッチパネル。
【請求項３】
請求項１に記載されたタッチパネルにおいて、
上記額縁部は、矩形枠状であり、
上記配線部は、上記額縁部の４隅にそれぞれ接続されるように４本設けられていることを特徴とするタッチパネル。
【請求項４】
請求項１に記載されたタッチパネルにおいて、
上記配線部の末端では、上記タッチ電極が延設され、
上記配線部の末端におけるタッチ電極の延設部分により該配線部の端子部が構成されていることを特徴とするタッチパネル。
【請求項５】
請求項１に記載されたタッチパネルにおいて、
上記タッチ電極は、酸化インジウムと酸化スズとの化合物により形成されていることを特徴とするタッチパネル。
【請求項６】
請求項１に記載されたタッチパネルと、
上記タッチパネル装置に対向して配置された表示パネルとを備えていることを特徴とする表示装置。
【請求項７】
絶縁性基板と、
上記絶縁性基板に設けられた透明なタッチ電極と、
上記タッチ電極の周縁に接続された導電部とを備え、
上記導電部を介する電気信号により上記タッチ電極におけるタッチ位置を検出するタッチパネルを製造する方法であって、
上記絶縁性基板に金属導電膜を成膜した後に、該金属導電膜をパターニングして、上記導電部を形成する導電部形成工程と、
上記形成された導電部を覆うように透明導電膜を成膜した後に、該透明導電膜をパターニングして上記タッチ電極を形成するタッチ電極形成工程とを備え、
上記導電部は、上記タッチ電極の周縁に沿って設けられた額縁部であり、
上記額縁部には、該額縁部を介して上記タッチ電極に接続する配線部が接続され、
上記導電部形成工程では、上記額縁部及び配線部を形成し、
上記絶縁性基板は、ガラス基板であり、
上記導電部は、銀及びパラジウムを含む合金膜、又は銀、パラジウム及び銅を含む合金膜により形成され、
上記導電部形成工程の前に、上記絶縁性基板に上記導電部に対する密着性を向上させるための層間膜を成膜する層間膜成膜工程を備え、
上記層間膜成膜工程では、上記層間膜をメタルマスクにより上記導電部と重なる部分のみに成膜し、
上記タッチ電極形成工程では、上記額縁部及び配線部を覆うように、上記タッチ電極を形成することを特徴とするタッチパネルの製造方法。
【請求項８】
請求項７に記載されたタッチパネルの製造方法において、
上記導電部形成工程では、上記金属導電膜をドライエッチングによりパターニングすることを特徴とするタッチパネルの製造方法。
【請求項９】
請求項７に記載されたタッチパネルの製造方法において、
上記導電部は、上記タッチ電極の周縁に沿って設けられた額縁部であり、
上記額縁部には、該額縁部を介して上記タッチ電極に接続する配線部が接続され、
上記タッチ電極形成工程では、上記透明導電膜を上記配線部の末端に延設するようにパターニングして、該配線部の端子部を形成することを特徴とするタッチパネルの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、タッチパネル、表示装置及びタッチパネルの製造方法に関し、特に、フォトリソグラフィにより製造されるタッチパネルに関するものである。
【背景技術】
【０００２】
タッチパネルは、指やペンなどでタッチ（押圧）することによって、コンピュータなどの情報処理装置に対話形式で情報を入力する装置である。
【０００３】
また、タッチパネルは、その動作原理によって、抵抗膜方式、静電容量結合方式、赤外線方式、超音波方式及び電磁誘導結合方式などに分類される。上記抵抗膜方式及び静電容量結合方式のタッチパネルは、低コストで表示装置などに搭載可能であるので、近年よく用いられている。
【０００４】
上記静電容量結合方式のタッチパネルは、基板全面に設けられた透明なタッチ電極と、タッチ電極の周縁に設けられた導電性の額縁部と、額縁部に各々接続された複数の位置検出用電極と、各位置検出用電極及びタッチ位置を検出するための位置検出回路の間を接続する配線部とを備え、例えば、液晶表示パネルのディスプレイ画面の前面に装着して使用される。
【０００５】
上記静電容量結合方式のタッチパネルは、ディスプレイ画面の前面、すなわち、タッチパネルを構成する基板の表面がタッチされることにより、タッチ電極がタッチされた点で人体の静電容量を介して接地されて、各位置検出用電極と接地点との間の抵抗値に変化が生じ、位置検出回路が各位置検出用電極と接地点との間の抵抗値の変化に基づいてタッチされた位置を検出するようになっている。
【０００６】
例えば、特許文献１には、パネル端部の色むらが解消される静電容量結合方式のタッチスクリーンパネル（タッチパネル）の製造方法が記載されている。
【特許文献１】特表２００４−５３７１０７号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
ところで、静電容量結合方式のタッチパネルでは、位置認識精度を高めるために、上記タッチ電極が高抵抗であると共に、上記額縁部、各位置検出用電極及び各配線部が低抵抗であることが好ましいので、上記タッチ電極がＩＺＯ（Indium Zinc Oxide）膜などの透明導電膜により、上記額縁部、各位置検出用電極及び各配線部がアルミニウムなどの低抵抗な金属導電膜によりそれぞれ別工程で形成されることが多い。
【０００８】
そのため、フォトリソグラフィを用いたタッチパネルの製造方法としては、特許文献１に開示されたタッチパネルの構成のように、ガラス基板などの絶縁性基板に上記タッチ電極を形成した後に、上記額縁部、各位置検出用電極及び各配線部を形成することが考えられるが、上記額縁部、各位置検出用電極及び各配線部を構成する導電膜を成膜した後に、その導電膜をパターニングする際のドライエッチングによって、既に形成されたタッチ電極の表面が部分的にエッチングされることにより、基板面内においてタッチ電極の膜厚がばらつくおそれがある。そうなると、タッチ電極の抵抗値が基板面内でばらついて、タッチパネルの位置認識精度が低下してしまう。
【０００９】
また、近年の液晶表示パネルの大型化により、液晶表示パネルを構成するガラス基板も益々大型化し、基板面内におけるタッチ電極の膜厚がばらつく傾向にあるので、この点においても、タッチパネルの位置認識精度の低下が懸念される。
【００１０】
本発明は、かかる点に鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、位置認識精度の高いタッチパネルを提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
上記目的を達成するために、本発明は、絶縁性基板及び透明電極の間に導電部が設けられるようにしたものである。
【００１２】
具体的に本発明に係るタッチパネルは、絶縁性基板と、上記絶縁性基板に設けられた透明なタッチ電極と、上記タッチ電極の周縁に接続された導電部とを備え、上記導電部を介する電気信号により上記タッチ電極におけるタッチ位置を検出するタッチパネルであって、上記導電部は、上記絶縁性基板及びタッチ電極の間に設けられ、上記導電部は、上記タッチ電極の周縁に沿って設けられた額縁部であり、上記額縁部には、該額縁部を介して上記タッチ電極に接続する配線部が接続され、上記額縁部及び配線部は、銀及びパラジウムを含む合金膜、又は銀、パラジウム及び銅を含む合金膜により形成され、上記絶縁性基板は、ガラス基板であり、上記絶縁性基板と上記額縁部及び配線部との間には、両者間の密着性を向上させるための層間膜が設けられ、上記層間膜は、上記額縁部及び配線部と重なる部分のみに設けられ、上記タッチ電極は、上記額縁部及び配線部を覆うように延設されていることを特徴とする。
【００１３】
上記の構成によれば、絶縁性基板及びタッチ電極の間に導電部が設けられているので、絶縁性基板上に導電部を形成した後に、タッチ電極が形成されることになる。そのため、導電部を形成する際には、タッチ電極がまだ形成されていないので、導電部を形成する際にタッチ電極がエッチングされることがない。これにより、基板面内におけるタッチ電極の膜厚のばらつきが小さくなり、基板面内におけるタッチ電極の抵抗値のばらつきも小さくなるので、タッチパネルの位置認識精度の低下が抑制される。したがって、位置認識精度の高いタッチパネルを提供することが可能になる。
【００１４】
また、タッチ電極におけるタッチ位置に基づいた電気信号がタッチ電極の周縁に接続された額縁部、及びその額縁部に接続された配線部に入力されることにより、タッチ電極におけるタッチ位置が検出されることになる。
【００１５】
また、額縁部及び配線部が銀及びパラジウムを含む合金膜により形成されている場合には、その合金膜が高導電性材料であるので、額縁部及び配線部を薄く形成することが可能になり、タッチ電極が額縁部を容易に覆うことが可能になる。また、額縁部及び配線部が銀、パラジウム及び銅を含む合金膜により形成されている場合には、その合金膜により、耐マイグレーション及び耐食性などの信頼性を向上させることが可能になる。
【００１６】
また、一般的にガラス基板と銀及びパラジウムを含む合金膜との間の密着性が悪いので、ガラス基板と銀及びパラジウムを含む合金膜との間に層間膜を挟み込むことによって、絶縁性基板と額縁部及び配線部との間の密着性が向上する。
【００１７】
また、層間膜が額縁部及び配線部に重なる部分以外、すなわち、パネル面内（表示装置における表示領域）に設けられていないので、タッチパネルの透過率が向上する。
【００１８】
また、銀及びパラジウムを含む合金膜は電気抵抗が経時変化しやすい材料であるので、額縁部及び配線部をタッチ電極で覆うことにより、額縁部及び配線部の電気抵抗の経時変化が抑制される。また、額縁部及び配線部をタッチ電極で覆うことにより、例えば、タッチ電極を形成するために透明導電膜をパターニングする際のエッチング液中の塩酸から額縁部及び配線部を保護することが可能になる。
【００１９】
上記額縁部及び配線部は、同一材料により形成されていてもよい。
【００２０】
上記の構成によれば、額縁部及び配線部が同一材料により形成されているので、製造工程を増やすことなく、額縁部及び配線部が形成される。
【００２１】
上記額縁部は、矩形枠状であり、上記配線部は、上記額縁部の４隅にそれぞれ接続されるように４本設けられていてもよい。
【００２２】
上記の構成によれば、静電容量結合方式のタッチパネルが具体的に構成される。
【００２３】
上記配線部の末端では、上記タッチ電極が延設され、上記配線部の末端におけるタッチ電極の延設部分により該配線部の端子部が構成されていてもよい。
【００２４】
上記の構成によれば、配線部を構成する銀及びパラジウムを含む合金膜が端子部に形成されていないので、配線部における電気抵抗の経時変化が抑制される。
【００２５】
上記タッチ電極は、酸化インジウムと酸化スズとの化合物により形成されていてもよい。
【００２６】
上記の構成によれば、額縁部及び配線部が銀及びパラジウムを含む合金膜により形成されているので、額縁部及び配線部がアルミニウム膜により形成された場合に発生する酸化インジウムと酸化スズとの化合物、すなわち、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）膜とアルミニウム膜との電蝕反応が抑制される。
【００２７】
また、本発明のタッチパネルは、表示パネルが対向して配置された表示装置において特に有効である。
【００２８】
また、本発明に係るタッチパネルの製造方法は、絶縁性基板と、上記絶縁性基板に設けられた透明なタッチ電極と、上記タッチ電極の周縁に接続された導電部とを備え、上記導電部を介する電気信号により上記タッチ電極におけるタッチ位置を検出するタッチパネルを製造する方法であって、上記絶縁性基板に金属導電膜を成膜した後に、該金属導電膜をパターニングして、上記導電部を形成する導電部形成工程と、上記形成された導電部を覆うように透明導電膜を成膜した後に、該透明導電膜をパターニングして上記タッチ電極を形成するタッチ電極形成工程とを備え、上記導電部は、上記タッチ電極の周縁に沿って設けられた額縁部であり、上記額縁部には、該額縁部を介して上記タッチ電極に接続する配線部が接続され、上記導電部形成工程では、上記額縁部及び配線部を形成し、上記絶縁性基板は、ガラス基板であり、上記導電部は、銀及びパラジウムを含む合金膜、又は銀、パラジウム及び銅を含む合金膜により形成され、上記導電部形成工程の前に、上記絶縁性基板に上記導電部に対する密着性を向上させるための層間膜を成膜する層間膜成膜工程を備え、上記層間膜成膜工程では、上記層間膜をメタルマスクにより上記導電部と重なる部分のみに成膜し、上記タッチ電極形成工程では、上記額縁部及び配線部を覆うように、上記タッチ電極を形成することを特徴とする。
【００２９】
上記の方法によれば、導電部形成工程において、絶縁性基板上に導電部を形成した後に、タッチ電極形成工程においてタッチ電極が形成されることになる。そのため、導電部形成工程では、タッチ電極がまだ形成されていないので、導電部形成工程において、タッチ電極がエッチングされることがない。これにより、基板面内におけるタッチ電極の膜厚のばらつきが小さくなり、基板面内におけるタッチ電極の抵抗値のばらつきも小さくなるので、タッチパネルの位置認識精度の低下が抑制される。したがって、位置認識精度の高いタッチパネルを提供することが可能になる。
【００３０】
また、導電部形成工程において、額縁部及び配線部が同時に形成されるので、製造工程を増やすことなく、額縁部及び配線部が形成される。
【００３１】
また、一般的にガラス基板と銀及びパラジウムを含む合金膜、又は銀、パラジウム及び銅を含む合金膜との間の密着性が悪いので、層間膜成膜工程でガラス基板と銀及びパラジウムを含む合金膜、又は銀、パラジウム及び銅を含む合金膜との間に層間膜を成膜することによって、絶縁性基板と導電部との間の密着性が向上する。
【００３２】
また、層間膜が導電部（例えば、額縁部及び配線部）に重なる部分以外、すなわち、パネル面内（表示装置における表示領域）に成膜されないので、タッチパネルの透過率が向上する。
【００３３】
また、銀及びパラジウムを含む合金膜は電気抵抗が経時変化しやすい材料であるので、額縁部及び配線部をタッチ電極で覆うことにより、額縁部及び配線部の電気抵抗の経時変化が抑制される。また、額縁部及び配線部をタッチ電極で覆うことにより、例えば、タッチ電極を形成するために透明導電膜をパターニングする際のエッチング液中の塩酸から額縁部及び配線部を保護することが可能になる。
【００３４】
上記導電部形成工程では、上記金属導電膜をドライエッチングによりパターニングしてもよい。
【００３５】
上記の方法によれば、ドライエッチングによってタッチ電極の表面が部分的にエッチングされるおそれがないので、本発明の作用効果が有効に奏される。
【００３６】
上記導電部は、上記タッチ電極の周縁に沿って設けられた額縁部であり、上記額縁部には、該額縁部を介して上記タッチ電極に接続する配線部が接続され、上記タッチ電極形成工程では、上記透明導電膜を上記配線部の末端に延設するようにパターニングして、該配線部の端子部を形成してもよい。
【００３７】
上記の方法によれば、配線部を構成する銀及びパラジウムを含む合金膜が端子部に形成されなくなるので、配線部における電気抵抗の経時変化が抑制される。
【発明の効果】
【００３８】
本発明によれば、絶縁性基板及び透明電極の間に導電部が設けられているため、位置認識精度の高いタッチパネルを提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００３９】
【図１】図１は、実施形態１に係る液晶表示装置５０ａの構成図である。
【図２】図２は、液晶表示装置５０ａを構成するタッチパネル２０ａの平面図である。
【図３】図３は、図２中のIII−III線に沿ったタッチパネル２０ａのパネル面内の断面図である。
【図４】図４は、図２中のIV−IV線に沿ったタッチパネル２０ａの端子部の断面図である。
【図５】図５は、１次元抵抗体を用いた静電容量結合方式のタッチセンサの動作原理を説明するための模式図である。
【図６】図６は、タッチパネル２０ａの動作原理を説明するための模式図である。
【図７】図７は、タッチパネル２０ａの製造工程を示すフローチャートである。
【図８】図８は、アルミニウム膜１１を成膜した後の図３に対応する基板の断面図である。
【図９】図９は、アルミニウム膜１１をパターニングした後の図３に対応する基板の断面図である。
【図１０】図１０は、窒化チタン膜１２を成膜した後の図３に対応する基板の断面図である。
【図１１】図１１は、窒化チタン膜１２をパターニングした後の図３に対応する基板の断面図である。
【図１２】図１２は、ＩＺＯ膜１３を成膜した後の図３に対応する基板の断面図である。
【図１３】図１３は、ＩＺＯ膜１３をパターニングした後の図３に対応する基板の断面図である。
【図１４】図１４は、窒化シリコン膜１４を成膜した後の図３に対応する基板の断面図である。
【図１５】図１５は、窒化チタン膜１２を成膜した後の図４に対応する基板の断面図である。
【図１６】図１６は、窒化チタン膜１２をパターニングした後の図４に対応する基板の断面図である。
【図１７】図１７は、ＩＺＯ膜１３を成膜した後の図４に対応する基板の断面図である。
【図１８】図１８は、ＩＺＯ膜１３をパターニングした後の図４に対応する基板の断面図である。
【図１９】図１９は、窒化シリコン膜１４を成膜した後の図４に対応する基板の断面図である。
【図２０】図２０は、実施例の基板Ｓ１におけるＩＺＯ層の表面抵抗を示す平面模式図である。
【図２１】図２１は、実施形態２に係る液晶表示装置５０ｂの構成図である。
【図２２】図２２は、実施形態３に係る液晶表示装置５０ｃの構成図である。
【図２３】図２３は、実施形態４に係るタッチパネル２０ｂの斜視図である。
【図２４】図２４は、図２３中のXXIV−XXIV線に沿ったタッチパネル２０ｂを構成する第２基板１０ａｂの断面図である。
【図２５】図２５は、図２３中のXXV−XXV線に沿ったタッチパネル２０ｂを構成する第１基板１０ａａの断面図である。
【図２６】図２６は、実施形態５に係るタッチパネル２０ｃの平面図である。
【図２７】図２７は、図２６中のXXVII−XXVII線に沿ったタッチパネル２０ｃのパネル面内の断面図である。
【図２８】図２８は、図２６中のXXVIII−XXVIII線に沿ったタッチパネル２０ｃの端子部の断面図である。
【図２９】図２９は、酸化チタン膜１８を成膜した後の図２７に対応する基板の断面図である。
【図３０】図３０は、ＡＰ膜１９を成膜した後の図２７に対応する基板の断面図である。
【図３１】図３１は、ＡＰ膜１９をパターニングした後の図２７に対応する基板の断面図である。
【図３２】図３２は、ＩＴＯ膜１３を成膜した後の図２７に対応する基板の断面図である。
【図３３】図３３は、ＩＴＯ膜１３をパターニングした後の図２７に対応する基板の断面図である。
【図３４】図３４は、窒化シリコン膜１４を成膜した後の図２７に対応する基板の断面図である。
【図３５】図３５は、酸化チタン膜１８を成膜した後の図２８に対応する基板の断面図である。
【図３６】図３６は、ＡＰ膜１９を成膜した後の図２８に対応する基板の断面図である。
【図３７】図３７は、ＡＰ膜１９をパターニングした後の図２８に対応する基板の断面図である。
【図３８】図３８は、ＩＴＯ膜１３を成膜した後の図２８に対応する基板の断面図である。
【図３９】図３９は、ＩＴＯ膜１３をパターニングした後の図２８に対応する基板の断面図である。
【図４０】図４０は、窒化シリコン膜１４を成膜した後の図２８に対応する基板の断面図である。
【図４１】図４１は、実施形態６に係るタッチパネル２０ｄのパネル面内の断面図である。
【図４２】図４２は、実施形態７に係るタッチパネル２０ｅの端子部の断面図である。
【図４３】図４３は、比較例のタッチパネル１２０ａのパネル面内の断面図である。
【図４４】図４４は、タッチパネル１２０ａの製造工程を示すフローチャートである。
【図４５】図４５は、比較例の基板Ｓ２におけるＩＺＯ層の表面抵抗を示す平面模式図である。
【符号の説明】
【００４０】
Ｆ        額縁部（導電部）
Ｗ        配線部
１０ａ    絶縁性基板
１１      アルミニウム膜（金属導電膜）
１１ａａ，１１ａｂ    導電部
１２      窒化チタン膜（金属導電膜）
１３      ＩＺＯ膜、ＩＴＯ膜（透明導電膜）
１３ａ    タッチ電極
１８      酸化チタン膜（層間膜）
１９      ＡＰ膜（合金膜）
２０ａ，２０ｂ    タッチパネル
２５ａ，２５ｂ，２５ｃ    液晶表示パネル
５０ａ，５０ｂ，５０ｃ    液晶表示装置
【発明を実施するための最良の形態】
【００４１】
以下、本発明の実施形態を図面に基づいて詳細に説明する。なお、以下の各実施形態では、表示装置として液晶表示装置を例示するが、本発明は、以下の各実施形態に限定されるものではない。
【００４２】
《発明の実施形態１》
図１〜図２０は、本発明に係るタッチパネル、液晶表示装置及びタッチパネルの製造方法の実施形態１を示している。
【００４３】
図１は、液晶表示装置５０ａの概略構成図である。
【００４４】
液晶表示装置５０ａは、図１に示すように、上面及び下面にそれぞれ偏光板１及び２が貼り付けられた液晶表示パネル２５ａと、液晶表示パネル２５ａの上方に設けられたタッチパネル２０ａと、液晶表示パネル２５ａの下方に設けられ、液晶表示パネル２５ａの表示領域に光を供給するためのバックライト３０とを備えている。
【００４５】
液晶表示パネル２５ａは、図１に示すように、互いに対向して配置されたアクティブマトリクス基板２１及びカラーフィルター基板２２ａと、それら両基板２１及び２２ａの間に設けられた液晶層２３とを備えている。
【００４６】
アクティブマトリクス基板２１は、ガラス基板などの絶縁性基板１０ｂと、絶縁性基板１０ｂ上に設けられた薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）アレイ層１６と、ＴＦＴアレイ層１６上に設けられた配向膜（不図示）とを備えている。ここで、ＴＦＴアレイ層１６は、絶縁性基板１０ｂ上に互いに平行に延びるように設けられた複数のゲート線（不図示）と、各ゲート線に直交するように互いに平行に延びるように設けられた複数のソース線（不図示）と、ゲート線及びソース線の各交差部分に設けられたＴＦＴ（不図示）と、各ＴＦＴに接続された画素電極（不図示）とを備えている。
【００４７】
カラーフィルター基板２２ａは、ガラス基板などの絶縁性基板１０ｃと、絶縁性基板１０ｃ上に設けられたカラーフィルター層１７と、カラーフィルター層１７上に設けられたオーバーコート層（不図示）と、オーバーコート層上に設けられた共通電極（不図示）と、共通電極上に設けられた配向膜（不図示）とを備えている。ここで、カラーフィルター層１７は、アクティブマトリクス基板２１上の各画素電極に対応して、各々、赤色、緑色又は青色に着色された複数の着色層（不図示）と、各着色層の間に設けられたブラックマトリクス（不図示）とを備えている。
【００４８】
液晶層２３は、電気光学特性を有するネマチック液晶を含んでいる。
【００４９】
偏光板１及び２は、入射光に対して、特定方向の偏光成分のみを透過させる機能を有している。
【００５０】
タッチパネル２０ａは、図１及び図２に示すように、絶縁性基板１０ａと、絶縁性基板１０ａ上に設けられたタッチパネル層１５とを備えている。ここで、図２は、タッチパネル２０ａの平面図である。そして、図３は、図２中のIII−III線に沿ったタッチパネル２０ａのパネル面内の断面図であり、図４は、図２中のIV−IV線に沿ったタッチパネル２０ａの端子部の断面図である。
【００５１】
タッチパネル層１５は、図２及び図３に示すように、矩形状に設けられたタッチ電極１３ａと、タッチ電極１３ａの周縁に沿って矩形枠状に設けられた導電部である額縁部Ｆと、額縁部Ｆの４隅にそれぞれ接続された４本の配線部Ｗと、タッチ電極１３ａ、額縁部Ｆ及び各配線部Ｗを覆うように設けられた保護層１４ａとを備えている。ここで、額縁部Ｆは、絶縁性基板１０ａとタッチ電極１３ａの周縁部との間に配置されることにより、タッチ電極１３ａの周縁に接続されている。
【００５２】
タッチパネル２０ａは、図２及び図４に示すように、端子部において、各配線部Ｗが保護層１４ａから露出している。そして、端子部における各配線部Ｗには、タッチ電極１３ａに対して位置検出用電気信号を入出力する位置検出回路（不図示）が接続されている。そして、タッチパネル２０ａは、保護層１４ａを介してタッチ電極１３ａの表面がタッチされることにより、タッチ電極１３ａがタッチされた点で人体の静電容量を介して接地されて、額縁部Ｆの４隅と接地点との間の抵抗値において変化が生じ、位置検出回路が額縁部Ｆの４隅と接地点との間の抵抗値の変化に基づいてタッチされた位置を検出するようになっている。
【００５３】
ここで、図５を参照しながら、本実施形態で採用する静電容量結合方式による位置検出方法の基本原理を説明する。
【００５４】
図５では、説明を簡単にするため、タッチ電極として、電極Ａ及びＢに挟まれた１次元抵抗体が示されている。実際の表示装置では、２次元的な広がりを持つタッチ電極１３ａがこの１次元抵抗体と同様の機能を発揮することになる。
【００５５】
電極Ａ及びＢのそれぞれには、電流−電圧変換用の抵抗ｒが接続されている。電極Ａ及びＢは、位置検出回路に接続されている。
【００５６】
電極Ａとグランドとの間、及び電極Ｂとグランドとの間には、同相同電位の電圧（交流ｅ）が印加されている。このとき、電極Ａ及びＢは常に同電位にあるため、電極Ａと電極Ｂとの間を電流は流れない。
【００５７】
そして、仮に、指で位置Ｘをタッチしたとすると、指によってタッチされた位置Ｘから電極Ａまでの抵抗をＲ1、位置Ｘから電極Ｂまでの抵抗をＲ2、Ｒ＝Ｒ1＋Ｒ2とする。このとき、人のインピーダンスをＺとし、電極Ａを流れる電流をｉ1、電極Ｂを流れる電流をｉ2とした場合、以下の式が成立する。
【００５８】
ｅ＝ｒｉ1＋Ｒ1ｉ1＋（ｉ1＋ｉ2）Ｚ  （式１）
ｅ＝ｒｉ2＋Ｒ2ｉ2＋（ｉ1＋ｉ2）Ｚ  （式２）
上記の（式１）及び（式２）から、以下の（式３）及び（式４）が得られる。
【００５９】
ｉ1（ｒ＋Ｒ1）＝ｉ2（ｒ＋Ｒ2）    （式３）
ｉ2＝ｉ1（ｒ＋Ｒ1）／（ｒ＋Ｒ2）  （式４）
（式４）を（式１）に代入すると、以下の（式５）が得られる。
【００６０】
ｅ＝ｒｉ1＋Ｒ1ｉ1＋（ｉ1＋ｉ1（ｒ＋Ｒ1）／（ｒ＋Ｒ2））Ｚ
＝ｉ1（Ｒ（Ｚ＋ｒ）＋Ｒ1Ｒ2＋２Ｚｒ＋ｒ2）／（ｒ＋Ｒ2）  （式５）
上記（式５）から、以下の（式６）が得られる。
【００６１】
ｉ1＝ｅ（ｒ＋Ｒ2）／（Ｒ（Ｚ＋ｒ）＋Ｒ1Ｒ2＋２Ｚｒ＋ｒ2）  （式６）
同様にして、以下の（式７）が得られる。
【００６２】
ｉ2＝ｅ（ｒ＋Ｒ1）／（Ｒ（Ｚ＋ｒ）＋Ｒ1Ｒ2＋２Ｚｒ＋ｒ2）  （式７）
ここで、Ｒ1、Ｒ2の比を全体の抵抗Ｒを用いて表すと、以下の（式８）が得られる。
【００６３】
Ｒ1／Ｒ＝（２ｒ／Ｒ＋１）ｉ2／（ｉ1＋ｉ2）−ｒ／Ｒ  （式８）
ここで、ｒとＲは既知であるので、電極Ａを流れる電流ｉ1と電極Ｂを流れる電流ｉ2とを測定によって求めれば、（式８）からＲ1／Ｒを決定することができる。なお、Ｒ1／Ｒは、指で接触した人間を含むインピーダンスＺに依存しない。したがって、インピーダンスＺがゼロ、無限大でない限り、（式８）が成立し、人、材料による変化、状態を無視できる。
【００６４】
次に、図６を参照しながら、上記１次元の場合における関係式を２次元の場合に適用した場合を説明する。ここで、タッチ電極１３ａの額縁部Ｆ（不図示）の４隅には、図６に示すように、位置検出用電極Ａ、Ｂ、Ｃ及びＤが形成されている。これらの位置検出用電極Ａ、Ｂ、Ｃ及びＤは、各配線部Ｗを介して位置検出回路に接続されている。
【００６５】
これらの位置検出用電極Ａ、Ｂ、Ｃ及びＤには、同相同電位の交流電圧が印加され、指などの接触によって各配線部Ｗ（位置検出用電極Ａ、Ｂ、Ｃ及びＤ）に流れる電流をそれぞれｉ1、ｉ2、ｉ3及びｉ4とする。この場合、上記の計算と同様な計算により、以下の式が得られる。
【００６６】
Ｘ＝ｋ1＋ｋ2・（ｉ2＋ｉ3）／（ｉ1＋ｉ2＋ｉ3＋ｉ4）  （式９）
Ｙ＝ｋ1＋ｋ2・（ｉ2＋ｉ3）／（ｉ1＋ｉ2＋ｉ3＋ｉ4）  （式１０）
ここで、Ｘは、タッチ電極１３ａ上におけるタッチされた位置のＸ座標、Ｙは、タッチ電極１３ａ上におけるタッチされた位置のＹ座標である。また、ｋ1は、オフセット、ｋ2は、倍率である。さらに、ｋ1及びｋ2は、人のインピーダンスに依存しない定数である。
【００６７】
そして、上記（式９）及び（式１０）に基づけば各位置検出用電極Ａ、Ｂ、Ｃ及びＤを流れるｉ1、ｉ2、ｉ3及びｉ4の測定値から接触位置を決定することができる。
【００６８】
上記の例では、タッチ電極１３ａの４隅に電極を配置し、各電極を流れる電流を測定することにより、２次元的な広がりを持つ面上における接触位置を検出しているが、タッチ電極１３ａの電極数は４つに限られるものではない。２次元的な位置検出に必要な電極の最低数は３であるが、電極の数を５以上に増加させることにより、位置検出の精度を向上させることができる。
【００６９】
次に、上記構成のタッチパネル２０ａの製造方法について、図７のフローチャート、及び図８〜図１９の断面図を用いて説明する。ここで、図８〜図１４は、製造工程中の図３に対応する基板の断面図であり、図１５〜図１９は、製造工程中の図４に対応する基板の断面図である。また、本実施形態の製造方法は、導電部形成工程、タッチ電極形成工程及び保護層形成工程を備えている。
【００７０】
＜導電部形成工程＞
まず、図７のＳｔ１のＡｌデポとして、図８に示すように、ガラス基板などの絶縁性基板１０ａ上に、スパッタリング法により、金属導電膜として、例えば、アルミニウム膜１１（厚さ２０００Å程度）を成膜する。
【００７１】
続いて、図７のＳｔ２のＡｌフォトとして、アルミニウム膜１１上に感光性樹脂からなるレジストを塗布してレジスト膜を成膜した後に、そのレジスト膜に対して、露光及び現像を行い、第１のレジストパターン（不図示）を形成する。
【００７２】
そして、図７のＳｔ３のＡｌエッチングとして、上記第１のレジストパターンをマスクとして、アルミニウム膜をウエットエッチングすることにより、図９に示すように、アルミニウム層１１ａを形成する。
【００７３】
さらに、図７のＳｔ４のＴｉＮデポとして、図１０及び図１５に示すように、アルミニウム層１１ａを覆うように、スパッタリング法により、金属導電膜として、例えば、窒化チタン膜１２（厚さ２０００Å程度）を成膜する。
【００７４】
続いて、図７のＳｔ５のＴｉＮフォトとして、窒化チタン膜１２上に感光性樹脂からなるレジストを塗布してレジスト膜を成膜した後に、そのレジスト膜に対して、露光及び現像を行い、第２のレジストパターン（不図示）を形成する。
【００７５】
そして、図７のＳｔ６のＴｉＮエッチングとして、上記第２のレジストパターンをマスクとして、窒化チタン膜１２をドライエッチングすることにより、図１１及び図１６に示すように、窒化チタン層１２ａを形成して、配線部Ｗ及び額縁部Ｆを形成する。その後、さらに望ましくは、窒化チタン膜のエッチング残渣を取り除くために、ウエット洗浄処理を行う場合もある。
【００７６】
＜タッチ電極形成工程＞
まず、図７のＳｔ７のＩＺＯデポとして、図１２及び図１７に示すように、配線部Ｗ及び額縁部Ｆを覆うように、スパッタリング法により、透明導電膜として、例えば、ＩＺＯ（Indium Zinc Oxide）膜１３（厚さ１００Å程度）を成膜する。
【００７７】
続いて、図７のＳｔ８のＩＺＯフォトとして、ＩＺＯ膜１３上に感光性樹脂からなるレジストを塗布してレジスト膜を成膜した後に、そのレジスト膜に対して、露光及び現像を行い、第３のレジストパターン（不図示）を形成する。
【００７８】
そして、図７のＳｔ９のＩＺＯエッチングとして、上記第３のレジストパターンをマスクとして、ＩＺＯ膜１３をウエットエッチングすることにより、図１３及び図１８に示すように、タッチ電極１３ａ及びＩＺＯ層１３ｂを形成する。
【００７９】
＜保護層形成工程＞
まず、図７のＳｔ１０のＰＡＳデポとして、図１４及び図１９に示すように、タッチ電極１３ａ及び配線部Ｗを覆うように、保護膜（Passivation Film）として、例えば、ＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）法により、窒化シリコン膜１４（厚さ１５００Å程度）を成膜する。
【００８０】
続いて、図７のＳｔ１１のＰＡＳフォトとして、窒化シリコン膜１４上に感光性樹脂からなるレジストを塗布してレジスト膜を成膜した後に、そのレジスト膜に対して、露光及び現像を行い、第４のレジストパターン（不図示）を形成する。
【００８１】
そして、図７のＳｔ１２のＰＡＳエッチングとして、上記第４のレジストパターンをマスクとして、窒化シリコン膜１４をドライエッチング又はウエットエッチングすることにより、図３及び図４に示すように、保護層１４ａを形成する。
【００８２】
なお、上記のように形成されたアルミニウム層１１ａ、窒化チタン層１２ａ及びタッチ電極１３ａの表面抵抗は、例えば、それぞれ、０．２Ω、７Ω〜４０Ω及び１ｋΩである。ここで、表面抵抗（Ω）とは、単位面積当たりの電気抵抗であり、シート抵抗とも呼ばれ、Ω／□、Ω／ｓｑ．（オームパースクエア）という単位でも表現される。
【００８３】
以上のようにして、タッチパネル２０ａを製造することができる。
【００８４】
次に、具体的に行った実験について説明する。
【００８５】
詳細には、本発明の実施例として、上記実施形態と同様な構成のタッチパネル２０ａを製造し、その際のタッチ電極１３ａの表面抵抗を測定した。
【００８６】
また、本発明の比較例として、図４４のフローチャートに示す方法で、図４３に示すようなタッチパネル１２０ａを製造し、その際のタッチ電極１１３ａの表面抵抗を測定した。ここで、図４４のフローチャートにおけるＳｔ１０１〜Ｓｔ１０３、Ｓｔ１０４〜Ｓｔ１０６、Ｓｔ１０７〜Ｓｔ１０９及びＳｔ１１０〜Ｓｔ１１２の各工程では、上記実施形態で説明した図７のフローチャートにおけるＳｔ７〜Ｓｔ９、Ｓｔ１〜Ｓｔ３、Ｓｔ４〜Ｓｔ６及びＳｔ１０〜Ｓｔ１２の各工程をそれぞれ行った。また、図４３に示すタッチパネル１２０ａでは、各構成部材（１１０ａ〜１１５）が上記実施形態のタッチパネル２０ａにおいて対応する各構成部材（１０ａ〜１５）の符号を百番台にして示されている。例えば、図４３に示すタッチパネル１２０ａにおけるタッチ電極１１３ａは、図３に示すタッチパネル２０ａにおけるタッチ電極１３ａに対応し、タッチ電極１３ａと同じ材料により構成され、タッチ電極１３ａと同じ機能を有することになる。
【００８７】
以下に、実施例及び比較例における測定結果を示す。
【００８８】
図２０は、実施例の基板Ｓ１におけるＩＺＯ層（タッチ電極１３ａ）の表面抵抗を示す平面模式図であり、図４５は、比較例の基板Ｓ２におけるＩＺＯ層（タッチ電極１１３ａ）の表面抵抗を示す平面模式図である。ここで、図２０及び図４５において、Ｃ１〜Ｃ８は、各セルが形成される領域を示し、左側の縦軸、及び上側の横軸における数値は、基板の１つの隅（図中の左上隅）からのそれぞれの位置を示す。そして、Ｃ１〜Ｃ８の中の各数値は、基板内の各測定点におけるＩＺＯ層の表面抵抗の値である。例えば、実施例の基板Ｓ１において、縦１６５ｍｍ／横４５ｍｍの測定点（Ｃ３内の左上部）での表面抵抗は、９．８×１０２Ωである。なお、図２０及び図４５では、８つのセル（Ｃ１〜Ｃ８）が形成され、同時に８つの表示装置が製造されることになる。
【００８９】
実施例の基板Ｓ１では、図２０に示すように、ＩＺＯ層の表面抵抗が８．３×１０２Ω〜１．１×１０３Ωとなり、基板面内における表面抵抗の値のばらつきが小さかった。
【００９０】
一方、比較例の基板Ｓ２では、図４５に示すように、ＩＺＯ層の表面抵抗が２．８×１０３Ω以上になり、基板面内における表面抵抗の値のばらつきが大きかった。ここで、図４５における「−」印は、使用した測定装置（ナプソン社製ＨＡ６１００／ＲＧ−１２００Ｅ）で測定不能な測定点を示し、その測定点では、表面抵抗が１Ｇ（ギガ）Ω以上だったと推測される。なお、比較例では、タッチ電極１１３ａを形成した後に額縁部Ｆ及び配線部Ｗをドライエッチングによって形成したので、そのドライエッチングによってタッチ電極１１３の表面が部分的にエッチングされ、上記のように、ＩＺＯ層の表面抵抗の値のばらつきが大きくなったと考えられる。
【００９１】
これらの結果により、本発明によって、基板面内におけるＩＺＯ層の抵抗値のばらつきを抑制できることが確認された。
【００９２】
以上説明したように、本実施形態のタッチパネル２０ａ及びその製造方法によれば、導電部形成工程において、絶縁性基板１０ａ上に額縁部Ｆ及び配線部Ｗを形成した後に、タッチ電極形成工程においてタッチ電極１３ａが形成されることになる。そのため、導電部形成工程では、タッチ電極１３ａがまだ形成されていないので、導電部形成工程において、タッチ電極１３ａがエッチングされることがない。これにより、基板面内におけるタッチ電極１３ａの膜厚のばらつきが小さくなり、基板面内におけるタッチ電極１３ａの抵抗値のばらつきも小さくなるので、タッチパネル２０ａの位置認識精度の低下を抑制することができる。したがって、位置認識精度の高い静電容量結合方式のタッチパネルを提供することができる。
【００９３】
また、本実施形態では、導電部形成工程において、額縁部Ｆ及び配線部Ｗが同時に形成されるので、製造工程を増やすことなく、額縁部Ｆ及び配線部Ｗを形成することができる。
【００９４】
さらに、本実施形態では、タッチ電極１３ａをＩＺＯ膜により形成させたが、スパッタリング法を用いて高抵抗のＩＴＯ（Indium Tin Oxide）膜やＡＴＯ(アンチモン・スズ酸化物)膜などにより形成させたり、フレキソ印刷やインクジェット印刷などの印刷法を用いてＩＴＯナノインクや高分子導電膜などにより形成させてもよい。ここで、ナノインクとは、直径数ｎｍの微粒子を溶媒に分散させたインクである。
【００９５】
また、本実施形態では、額縁部Ｆ及び配線部Ｗをアルミニウム膜などにより形成させたが、フレキソ印刷やインクジェット印刷などの印刷法を用いてＡｕやＡｇを分散させたナノインクなどにより形成させてもよい。
【００９６】
さらに、本実施形態では、保護層１４ａを窒化チタン膜などの無機絶縁膜により形成させたが、スピンコート法を用いて有機ＳＯＧ（Spin on Glass）膜や感光性有機樹脂膜などにより形成させたり、ドライフィルムラミネートを用いて有機絶縁膜などにより形成させてもよい。また、上記有機ＳＯＧ（Spin on Glass）膜や感光性有機樹脂膜をフレキソ印刷やインクジェット印刷などで成膜（パターニング）して、保護層１４ａを直接形成させてもよい。
【００９７】
《発明の実施形態２》
図２１は、実施形態２に係る液晶表示装置５０ｂの構成図である。なお、以下の各実施形態において、図１〜図２０と同じ部分については、同じ符号を付して、その詳細な説明を省略する。
【００９８】
液晶表示装置５０ｂでは、図２１に示すように、タッチパネル２０ａが液晶表示パネル２５ｂに組み込まれている。具体的に液晶表示装置５０ｂでは、カラーフィルター基板２２ｂにおいて、カラーフィルター層１７と反対側の基板表面にタッチパネル層１５を形成することにより、タッチパネル２０ａを構成する絶縁性基板１０ａがカラーフィルター基板２０ｂを構成する絶縁性基板１０ｃを兼ね、上記実施形態１の液晶表示装置５０ａよりも絶縁性基板が１枚少なくなっている。これによれば、ガラス基板などの絶縁性基板が少なく済むので、液晶表示装置の軽量化などを図ることができる。また、偏光板１が液晶表示装置５０ｂの最外表面となってタッチパネル２０ａを構造的に保護するので、損傷などによるタッチパネル２０ａの位置認識精度の低下を抑制することができる。
【００９９】
《発明の実施形態３》
図２２は、実施形態３に係る液晶表示装置５０ｃの構成図である。
【０１００】
液晶表示装置５０ｃでは、図２２に示すように、タッチパネル２０ａが液晶表示パネル２５ｃに組み込まれている。具体的に液晶表示装置５０ｃでは、カラーフィルター基板２２ｃにおいて、絶縁性基板１０ａ（１０ｃ）とカラーフィルター層１７との間にタッチパネル層１５が形成されている。これによれば、ガラス基板などの絶縁性基板が少なく済むので、液晶表示装置の軽量化などを図ることができる。また、偏光板１が液晶表示装置５０ｂの最外表面となってタッチパネル２０ａを構造的に保護するので、損傷などによるタッチパネル２０ａの位置認識精度の低下を抑制することができる。
【０１０１】
《発明の実施形態４》
上記各実施形態では、静電容量結合方式のタッチパネル２０ａを例示したが、本発明は、以下に示すように、抵抗膜方式のタッチパネルにも適用することができる。
【０１０２】
図２３は、実施形態４に係るタッチパネル２０ｂの斜視図である。
【０１０３】
タッチパネル２０ｂは、図２３に示すように、互いに対向して配置された絶縁性基板である第１基板１０ａａ及び第２基板１０ａｂと、両基板の間に設けられた絶縁性のドットスペーサ（不図示）とを備えている。
【０１０４】
第１基板１０ａａは、その上面（第２基板１０ａｂ側）に、図２３及び図２５に示すように、矩形状に設けられたタッチ電極１３ａａと、タッチ電極１３ａａの対向する対辺にそれぞれ設けられた一対の導電部１１ａａとを備えている。
【０１０５】
第２基板１０ａｂは、その下面（第１基板１０ａａ側）に、図２３及び図２４に示すように、矩形状に設けられたタッチ電極１３ａｂと、タッチ電極１３ａｂの対向する対辺にそれぞれ設けられた一対の導電部１１ａｂとを備えている。
【０１０６】
そして、タッチパネル２０ｂでは、図２３に示すように、Ｘ座標回路を構成する一対の導電部１１ａａと、Ｙ座標回路を構成する一対の導電部１１ａｂとが直交するように配置されており、各導電部１１ａａ及び１１ａｂが、それぞれタッチ電極１３ａａ及び１３ａｂの基板側に設けられている。
【０１０７】
また、各導電部１１ａａ及び１１ａｂには、配線部（不図示）を介して、タッチ電極１３ａａ及び１３ａｂに対して位置検出用信号を入出力する位置検出回路（不図示）が接続されている。そして、タッチパネル２０ｂは、第２基板１０ａｂの上面がタッチされることにより、第１基板１０ａａ上のタッチ電極１３ａａと第２基板１０ａｂ上のタッチ電極１ａｂとが接触して、各導電部１１ａａ及び１１ａｂとタッチされた点との間の抵抗値において変化が生じ、位置検出回路がその抵抗値の変化に基づいてタッチされた位置を検出するようになっている。
【０１０８】
本実施形態のタッチパネル２０ｂによれば、第１基板１０ａａ及びタッチ電極１３ａａの間、並びに第２基板１０ａｂ及びタッチ電極１３ａｂの間に導電部１１ａａ及び１１ａｂがそれぞれ設けられているので、第１基板１０ａａ上に導電部１１ａａを形成した後に、タッチ電極１３ａａが形成されると共に、第２基板１０ａｂ上に導電部１１ａｂを形成した後に、タッチ電極１３ａｂが形成されることになる。そのため、導電部１１ａａを形成する際には、タッチ電極１３ａａがまだ形成されていないので、導電部１１ａａを形成する際にタッチ電極１３ａａがエッチングされることがないと共に、導電部１１ａｂを形成する際には、タッチ電極１３ａｂがまだ形成されていないので、導電部１１ａｂを形成する際にタッチ電極１３ａｂがエッチングされることがない。これにより、基板面内におけるタッチ電極１３ａａ及び１３ａｂの膜厚のばらつきが小さくなり、基板面内におけるタッチ電極１３ａａ及び１３ａｂの抵抗値のばらつきも小さくなるので、タッチパネルの位置認識精度の低下を抑制することができる。したがって、位置認識精度の高い抵抗膜方式のタッチパネルを提供することができる。
【０１０９】
《発明の実施形態５》
図２６は、実施形態５に係るタッチパネル２０ｃの平面図である。そして、図２７は、図２６中のXXVII−XXVII線に沿ったタッチパネル２０ｃのパネル面内の断面図であり、図２８は、図２６中のXXVIII−XXVIII線に沿ったタッチパネル２０ｃの端子部の断面図である。
【０１１０】
タッチパネル２０ｃは、図２６〜図２８に示すように、絶縁性基板１０ａと、絶縁性基板１０ａ上に設けられたタッチパネル層１５とを備えている。
【０１１１】
タッチパネル層１５は、図２６及び図２７に示すように、絶縁性基板１０ａ並びに後述する額縁部Ｆ（１９ａ）及び配線部Ｗ（１９ａ）の間の密着性を向上させるための層間膜として絶縁性基板１０ａ上に設けられた酸化チタン膜１８と、酸化チタン膜１８上に矩形状に設けられたタッチ電極１３ａと、酸化チタン膜１８及びタッチ電極１３ａの層間でタッチ電極１３ａの周縁に沿って矩形枠状に設けられた導電部である額縁部Ｆ（１９ａ）と、酸化チタン膜１８及びタッチ電極１３ａの層間で額縁部Ｆの４隅にそれぞれ接続された４本の配線部Ｗ（１９ａ）と、タッチ電極１３ａ、額縁部Ｆ（１９ａ）及び各配線部Ｗ（１９ａ）を覆うように設けられた保護層１４ａとを備えている。
【０１１２】
タッチパネル２０ｃは、図２６及び図２８に示すように、端子部において、各配線部Ｗ（１９ａ）が保護層１４ａから露出している。そして、各配線部Ｗ（１９ａ）は、タッチ電極１３ａの延設部に覆われている。
【０１１３】
次に、上記構成のタッチパネル２０ｃの製造方法について、図２９〜図４０の断面図を用いて説明する。ここで、図２９〜図３４は、製造工程中の図２７に対応する基板の断面図であり、図３５〜図４０は、製造工程中の図２８に対応する基板の断面図である。また、本実施形態の製造方法は、層間膜成膜工程、導電部形成工程、タッチ電極形成工程及び保護層形成工程を備えている。
【０１１４】
＜層間膜成膜工程＞
図２９及び図３５に示すように、ガラス基板などの絶縁性基板１０ａ上に、スパッタリング法により、層間膜として、例えば、酸化チタン膜１８（厚さ１００Å程度）を成膜する。
【０１１５】
＜導電部形成工程＞
まず、図３０及び図３６に示すように、酸化チタン膜１８上に、スパッタリング法により、金属導電膜として、例えば、銀及びパラジウムの合金膜であるＡＰ膜１９（厚さ１２５０Å〜２０００Å程度）を成膜する。なお、ＡＰ膜１９は、上記のような銀及びパラジウムの合金膜の他に、銀、パラジウム及び銅を含む合金膜などであってもよい。
【０１１６】
続いて、ＡＰ膜１９上に感光性樹脂からなるレジストを塗布してレジスト膜を成膜した後に、そのレジスト膜に対して、露光及び現像を行い、第１のレジストパターン（不図示）を形成する。
【０１１７】
そして、上記第１のレジストパターンをマスクとして、例えば、硝酸、酢酸及びリン酸を含む弱酸性のエッチング液によりＡＰ膜１９をウエットエッチングすることにより、図３１及び図３７に示すように、額縁部Ｆ（１９ａ）及び配線部Ｗ（１９ａ）を形成する。
【０１１８】
＜タッチ電極形成工程＞
まず、図３２及び図３８に示すように、額縁部Ｆ（１９ａ）及び配線部Ｗ（１９ａ）を覆うように、スパッタリング法により、透明導電膜として、例えば、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）膜１３（厚さ１００Å〜１５０Å程度）を成膜する。ここで、透明導電膜は、上記各実施形態のように、ＩＺＯ膜などであってもよい。
【０１１９】
続いて、ＩＴＯ膜１３上に感光性樹脂からなるレジストを塗布してレジスト膜を成膜した後に、そのレジスト膜に対して、露光及び現像を行い、第２のレジストパターン（不図示）を形成する。
【０１２０】
そして、上記第２のレジストパターンをマスクとして、例えば、塩酸を含む弱酸性のエッチング液により、ＩＴＯ膜１３をウエットエッチングすることにより、図３３及び図３９に示すように、タッチ電極１３ａ及びその延設部を形成する。
【０１２１】
＜保護層形成工程＞
まず、図３４及び図４０に示すように、タッチ電極１３ａを覆うように、保護膜として、例えば、感光性の樹脂フィルム１４（厚さ２００００Å程度）を貼り合わせる。
【０１２２】
さらに、樹脂フィルム１４に対して、露光及び現像を行い、保護層１４ａを形成する。
【０１２３】
なお、上記のように形成されたＡＰ膜１９及びＩＴＯ膜１３の表面抵抗は、例えば、それぞれ、０．２５Ω及び１５０Ω〜１０００Ωである。
【０１２４】
以上のようにして、タッチパネル２０ｃを製造することができる。
【０１２５】
本実施形態のタッチパネル２０ｃによれば、額縁部Ｆ（１９ａ）及び配線部Ｗ（１９ａ）が銀及びパラジウムを含む高導電性の合金膜により形成されているので、額縁部Ｆ（１９ａ）及び配線部Ｗ（１９ａ）を薄く形成することができ、タッチ電極１３ａが額縁部Ｆ（１９ａ）及び配線部Ｗ（１９ａ）を容易に覆うことができる。また、額縁部Ｆ（１９ａ）及び配線部Ｗ（１９ａ）が銀、パラジウム及び銅を含む合金膜により形成されている場合には、その合金膜により、耐マイグレーション及び耐食性などの信頼性を向上させることができる。
【０１２６】
また、タッチパネル２０ｃでは、電気抵抗が経時変化しやすい銀及びパラジウムを含む合金膜により形成された額縁部Ｆ（１９ａ）及び配線部Ｗ（１９ａ）を覆うようにタッチ電極１３ａが延設されているので、額縁部Ｆ（１９ａ）及び配線部Ｗ（１９ａ）の電気抵抗の経時変化を抑制することができる。さらに、タッチ電極形成工程において、額縁部Ｆ（１９ａ）及び配線部Ｗ（１９ａ）を覆うようにタッチ電極１３ａを形成することにより、ＩＴＯ膜１３をパターニングする際のエッチング液中の塩酸から額縁部Ｆ（１９ａ）及び配線部Ｗ（１９ａ）を保護することができる。
【０１２７】
また、タッチパネル２０ｃでは、額縁部Ｆ（１９ａ）及び配線部Ｗ（１９ａ）が銀及びパラジウムを含む合金膜により形成されているので、額縁部Ｆ及び配線部Ｗがアルミニウム膜により形成された場合に発生する酸化インジウムと酸化スズとの化合物、すなわち、ＩＴＯ膜とアルミニウム膜との電蝕反応を抑制することができる。
【０１２８】
《発明の実施形態６》
図４１は、実施形態６に係るタッチパネル２０ｄのパネル面内の断面図である。
【０１２９】
タッチパネル２０ｄでは、図４１に示すように、酸化チタン膜１８ａが額縁部Ｆ（１９ａ）及び配線部Ｗ（１９ａ）と重なる部分のみに設けられている。これによれば、酸化チタン膜１８ａが額縁部Ｆ（１９ａ）及び配線部Ｗ（１９ａ）に重なる部分以外、すなわち、パネル面内（液晶表示装置における表示領域）に設けられていないので、タッチパネル２０ｄ及びそのタッチパネル２０ｄを備えた液晶表示装置の透過率を向上させることができる。なお、酸化チタン膜１８ａは、スパッタリング法により成膜する際にメタルマスクなどを用いることによって形成することができる。
【０１３０】
《発明の実施形態７》
図４２は、実施形態７に係るタッチパネル２０ｅの端子部の断面図である。
【０１３１】
タッチパネル２０ｅでは、パネル面内の構成が上記実施形態５のタッチパネル２０ｃと実質的に同じであるが、図４２に示すように、端子部において、上記実施形態５（図２８参照）で存在した配線部Ｗ（１９ａ）が省略され、パネル面内において配線部Ｗ（１９ａ）に積層されたタッチ電極１３ａの延設部だけになっている。これによれば、配線部Ｗ（１９ａ）を構成する銀及びパラジウムを含む合金膜が端子部で露出することがなくなり、配線部Ｗ（１９ａ）の電気抵抗の経時変化を抑制することができる。
【産業上の利用可能性】
【０１３２】
以上説明したように、本発明は、位置認識精度の高いタッチパネルを提供することができるので、タッチパネルを備えた液晶表示装置などの表示装置について有用である。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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【図２７】
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【図２８】
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【図２９】
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【図３０】
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【図３１】
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【図３２】
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【図３３】
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【図３４】
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【図３５】
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【図３６】
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【図３７】
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【図３８】
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【図３９】
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【図４０】
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【図４１】
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【図４２】
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【図４３】
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【図４４】
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【図４５】
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