(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
互いに向かい合う第１と第２透明基板、液晶層、共用電極、第１金属層、第１誘電層、第２金属層、第２誘電層、第３金属層及び複数の画像電極を含み、
該液晶層は誘電異方性が負の、負型液晶部材を利用し、該第１と第２透明基板の間に設け、
該共用電極は第１透明基板に設け、
該第１金属層は該第２透明基板に設け、該共用電極に電気接続する複数の共通線と複数の走査線を定義し、
該第１誘電層は該第２透明基板に設け、該第１金属層を覆い、
該第２金属層は該第１誘電層に設け、複数のデータ線を定義し、
該第２誘電層は該第１誘電層に設け、該第２金属層を覆い、
該第３金属層は該第２誘電層に設け、該第３金属層により複数の金属反射電極及び複数の補助電極を定義し、前記複数の金属反射電極及び前記複数の補助電極は反射区域を構成し、
該複数の画像電極は光透過区域を構成し、該第２誘電層に設け、各該画像電極は各該補助電極に囲まれ、
そのうち、電圧を該共用電極と該画像電極の間に掛けた後、該画像電極を囲む該補助電極と、該補助電極に囲まれた該画像電極とは、反対極性を有することを特徴とするマルチドメイン液晶表示装置。
【請求項２】
該共通線は該金属反射電極の該第２透明基板の投影区域に設け、該共通線と該第２金属層により、蓄積キャパシタを構成することを特徴とする請求項１記載のマルチドメイン液晶表示装置。
【請求項３】
互いに向かい合う第１と第２透明基板、液晶層、共用電極、第１金属層、第１誘電層、第２金属層、第２誘電層、第３金属層、複数の画像電極及び複数の補助電極を含み、
該液晶層は誘電異方性が負の、負型液晶部材を利用し、該第１と第２透明基板の間に設け、
該共用電極は第１透明基板に設け、
該第１金属層は該第２透明基板に設け、複数の走査線を定義し、
該第１誘電層は該第２透明基板に設け、該第１金属層を覆い、
該第２金属層は該第１誘電層に設け、複数のデータ線を定義し、
該第２誘電層は該第１誘電層に設け、該第２金属層を覆い、
該第３金属層は該第２誘電層に設け、該第３金属層により複数の金属反射電極及び該共用電極に電気接続する複数の共通線を定義し、
第３誘電層は該第２誘電層に設け、該第３金属層を覆い、
該複数の画像電極及び複数の補助電極は該第３誘電層に設け、各該画像電極は各該補助電極に囲まれ、
そのうち、前記複数の金属反射電極は反射区域を構成し、前記複数の画像電極は光透過区域を構成し、電圧を該共用電極と該画像電極の間に掛けた後、該画像電極を囲む該補助電極と、該補助電極に囲まれた該画像電極とは、反対極性を有することを特徴とするマルチドメイン液晶表示装置。
【請求項４】
該共通線と該補助電極により蓄積キャパシタを構成し、該第２金属層により複数のデータ線を設け、該蓄積キャパシタの設置位置は該データ線と重なることを特徴とする請求項３記載のマルチドメイン液晶表示装置。
【請求項５】
互いに向かい合う第１と第２透明基板、液晶層、共用電極、第１金属層、第１誘電層、第２金属層、第２誘電層、複数の画像電極及び該共用電極に電気接続する複数の共通線、第３誘電層、第３金属層を含み、
該液晶層は誘電異方性が負の、負型液晶部材を利用し、該第１と第２透明基板の間に設け、
該共用電極は該第１透明基板に設け、
該第１金属層は該第２透明基板に設け、複数の走査線を定義し、
該第１誘電層は該第２透明基板に設け、該第１金属層を覆い、
該第２金属層は該第１誘電層に設け、複数のデータ線を定義し、
該第２誘電層は該第１誘電層に設け、該第２金属層を覆い、
該複数の画像電極及び複数の共通線は該第２誘電層に設け、光透過区域を構成し、
該第３誘電層は該第２誘電層に設け、該画像電極及び共通線を覆い、
該第３金属層は該第３誘電層に設け、該第３金属層により複数の金属反射電極及び複数の補助電極を定義し、前記複数の金属反射電極及び前記複数の補助電極は反射区域を構成し、
各該画像電極は各該補助電極に囲まれて、電圧を該共用電極と該画像電極の間に掛けた後、該画像電極を囲む該補助電極と、該補助電極に囲まれた該画像電極とは、反対の極性を有することを特徴とするマルチドメイン液晶表示装置。
【請求項６】
該共通線と該補助電極により蓄積キャパシタを構成し、該第２金属層により複数のデータ線を設け、該蓄積キャパシタの設置位置は該データ線と重なることを特徴とする請求項５記載のマルチドメイン液晶表示装置。
【請求項７】
互いに向かい合う第１と第２透明基板、液晶層、共用電極、第１金属層、ゲート電極絶縁層、第２金属層、パシベーション絶縁層、複数の画像電極、積み上げ層、複数の金属反射電極及び複数の補助電極を含み、
該液晶層は誘電異方性が負の、負型液晶部材を利用し、該第１と第２透明基板の間に設け、
該共用電極は該第１透明基板に設け、
該第１金属層は該第２透明基板に設け、複数の走査線を定義し、
該ゲート電極絶縁層は該第２透明基板に設け、該第１金属層を覆い、
該第２金属層は該ゲート電極絶縁層に設け、複数のデータ線を定義し、
該パシベーション絶縁層は該ゲート電極絶縁層に設け、該第２金属層を覆い、
該複数の画像電極は該パシベーション絶縁層に設け、光透過区域を構成し、
該積み上げ層は該画像電極の部分的な配置区域に設け、
該複数の金属反射電極は該積み上げ層に設け、
該複数の補助電極は該積み上げ層に設け、各該画像電極は各該補助電極に囲まれ、前記複数の金属反射電極及び前記複数の補助電極は反射区域を構成し、
そのうち、前記光透過区域と前記反射区域はそれぞれに異なる厚さを持ち、電圧を該共用電極と該画像電極の間に掛けた後、該画像電極を囲む該補助電極と、該補助電極に囲まれた該画像電極とは、反対極性を有することを特徴とする液晶表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明はマルチドメイン液晶表示装置、特に一種の極性反転タイミング制御と組み合わせて、フリンジ領域効果（ｆｒｉｎｇｅ  ｆｉｅｌｄ  ｅｆｆｅｃｔ）を生成するマルチドメイン液晶表示装置に関わるものである。
【背景技術】
【０００２】
従来の誘電異方性（ｄｉｅｌｅｃｔｒｉｃ  ａｎｉｓｏｔｒｏｐｙ）が負の負型液晶部材を利用した垂直配向（ｖｅｒｔｉｃａｌ  ａｌｉｇｈｍｅｎｔ，  ＶＡ）方式の液晶配向方式は、電圧がかかっていないとき、液晶分子はパネル面に対して垂直方向を配列するため、ねじれマチック（ｔｗｉｓｔｅｄ−ｎｅｍａｔｉｃ，  ＴＮ）液晶表示装置より良い対比度（ｃｏｎｔｒａｓｔ）と反応速度が得られる。しかしながら、通常の垂直配向式液晶表示装置（ｖｅｒｔｉｃａｌ  ａｌｉｅｎｅｄ  ＬＣＤ）マルチドメインの分割効果を得るため、それと組み合わせた構造に光源の漏れ又はドメイン分割配置の能力不足（液晶分子を倒す力量の不足）現象がある。
【０００３】
図１は公知技術の垂直配向式マルチドメイン液晶表示装置（ｍｕｌｔｉ−ｄｏｍａｉｎ  ｖｅｒｔｉｃａｌｌｙ  ａｌｉｇｎｅｄ  ＬＣＤ，  ＭＶＡ  ＬＣＤ）の断面概略図である。図１に示す通り、上部、下部基板１０２、１０４上にバンプ（ｂｕｍｐ）１０６を形成してから、その上にバンプ（ｂｕｍｐ）１０６の垂直する配向フィルム１０８を覆うことにより、垂直配向された液晶分子１１２は電圧が掛からないときに、異なる方向に傾斜するプレチルド角（ｐｒｅ−ｔｉｌｔ  ａｎｇｌｅ）を持たせて、制御により電圧を印加した後、液晶分子１１２の傾斜方向を制御する。電圧を掛けた後、液晶層は異なる傾斜方向の液晶ドメインに分割して、様々な観察角度のグレースケール表示の視野特性を有効に改善されている。さらに、プレチルド角の配向構造（ｄｏｍａｉｎ−ｆｏｒｍｉｎｇ  ｓｔｒｕｃｔｕｒｅ）はバンプ１０６に限定されない、図２に示す通り、基板１１４上に凹み構造１１４を形成しても良い。
【０００４】
図１と図２に示す通り、バンプ１０６又は凹み構造１１６の形成方式は、マルチドメイン液晶領域の効果を有するが、電圧を掛けない（Ｖｏｆｆ）状態における、透過光Ｉ１、及びＩ２の光路を比較すると、該ドメイン境界の制限構造により、液晶配向は完全に垂直でないため、傾斜した液晶分子の透過光Ｉ２の光路に余分な光路差（ ｎｄ ０）による光漏れを発生する。よって、外部に補償フィルムを貼り付けて、光漏れをなくし対比度を向上の必要がある。
【０００５】
図３は、もう一つのマルチドメイン垂直配向式液晶表示装置の断面視概略図である。図３に示す通り、基板２０２の透明する電極２０４で形成されたスリット（ｓｌｉｔ）２０６は、液晶分子２０８が電圧を掛けた後の傾斜方向を制御できる。しかしながら、電極２０４にスリット２０６を形成する方式は、スリット２０６の幅とスリット２０６同士の距離などを十分に配慮しないと、スリット２０６から発生する液晶分子２０８の傾斜力量が不足になりかねない。さらに、該スリット２０６の構造は、液晶分子２０８が左右いずれの方向にねじれる力量等がしいため、液晶分子２０８は空間における配向配置は、不連続な回位（ｄｉｓｃｌｉｎａｔｉｏｎ）欠陥を発生する。この回位欠陥区域２１０はスリット２０６の上部とスリット２０６同士の間に形成し、全体の透光率を低下させる。
【０００６】
また、画素ユニットに前記のバンプ１０６、凹み構造１１６又は電極部にスリット２０６を形成することは、該画素ユニットのアクティブ表示領域（ａｃｔｉｖｅ  ｄｉｓｐｌａｙ  ａｒｅａ）を低下させ、開口率（ａｐｅｒｔｕｒｅ  ｒａｔｉｏ）を降下する。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
本発明一実施の目的は、液晶ユニットの光透過区域と反射区域の間にフリンジ電場を発生し、液晶ユニットにおいて複数の異なる液晶分子の傾斜方向の液晶ドメインを形成する液晶表示装置を提供することである。本発明一実施の目的は、液晶ユニットの光透過区域と反射区域がそれぞれに異なる隙間を得る液晶表示装置を提供することである。
【０００８】
本発明のマルチドメイン液晶表示装置の一実施例において、主に複数の第１、第２画像素子、及び複数の第１、第２補助電極を有する。複数の第１と第２画像素子は反転タイミング制御（ｉｎｖｅｒｓｉｏｎ ｄｒｉｖｅ  ｓｃｈｅｍｅ）の同一フレーム（ｆｒａｍｅ）において、反対の極性を有する。複数の第１補助電極は複数の第１画像素子に連結し、複数の第２補助電極は複数の第２画像素子に連結する。第１画像素子は一つ以上の第２補助電極の一部に囲まれるほか、第２画像素子は一つ以上の第１補助電極の一部に囲まれて、フリンジ領域を形成する。該反転タイミング制御は、点反転（ｄｏｔ ｉｎｖｅｒｓｉｏｎ）、列反転（ｒｏｗ ｉｎｖｅｒｓｉｏｎ）、又は行反転（ｃｏｌｕｍｎ ｉｎｖｅｒｓｉｏｎ）タイミング制御のいずれとする。
【０００９】
本発明のマルチドメイン液晶表示装置もう一つの実施例において、複数の第１と第２画像素子を有し、該第１と第２画像素子は、反転タイミング制御モードの同一フレームは、互いに反対の極性を有する。第１と第２画像素子はそれぞれ第１と第２延伸部を有し、第１延伸部は第２画像素子一つ以上の側面に隣接し、第２延伸部は第１画像素子一つ以上の側面に隣接して、フリンジ領域を形成する。このほか、一つの画像素子の画像電極延伸部は他の画像素子の共通線と重なり、画素に必要な蓄積キャパシタを形成し、画像電極延伸部と共通線は走査線又はデータ線との位置を重なる。
【００１０】
さらに、本発明は反射区域と光透過区域を備えた液晶表示装置に応用できる。反射区域に設ける反射電極は第１金属層（ｍｅｔａｌ １ ｌａｙｅｒ）、第２金属層（ｍｅｔａｌ ２ ｌａｙｅｒ）、又は第３金属層（ｍｅｔａｌ ３ ｌａｙｅｒ）のいずれより構成し、補助電極は第１金属層、第２金属層、第３金属層又は透明導電フィルムより構成する。
【００１１】
フレーム本発明の反転タイミング制御モードによる補助電極は、通常の薄膜トランジスタ製造工程において、あらかじめに設計された補助電極を形成することにより、補助電極と少なくとも部分的に囲まれた画像電極同士との反対極性を利用し、マルチドメイン配向効果が得られる。公知技術のバンプ（ｂｕｍｐ）又は凹み構造のドメイン境界の制限構造に比べて、本発明は電圧を掛けない（Ｖｏｆｆ）状態における液晶分子はすべて垂直配向となり、余分な光路差（(ｎｄ＝０）を引き起こさないため、光漏れは発生しない。さらに、公知技術の電極部にスリットを設ける方式と比べて、本発明は補助電極と画像電極との反対極性によるフリンジ領域効果は、より強い液晶分子の傾け力量を提供することにより、表示領域のアクティブ面積を増やして、全体の透光率を向上できる。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
請求項１の発明は、複数の第１と第２画像素子、複数の第１補助電極及び複数の第２補助電極を含み、該第１と第２画像素子は、反転駆動タイミング制御の同一フレームにおいて、反対の極性を有し、
該複数の第１補助電極は該第１画像素子に連結し、
該複数の第２補助電極は該第２画像素子に連結し、
各該第１画像素子は一つ以上の第２補助電極の局部に囲まれて、各該第２画像素子は一つ以上の第１補助電極の局部に囲まれて、フリンジ電場を発生することを特徴とするマルチドメイン液晶表示装置としている。
請求項２の発明は、該第１と第２画像素子は、交互に配列して、画像素子マトリックスを形成し、該第１と第２補助電極はそれぞれ該画像素子マトリックスの行方向、列方向又は対角方向に沿って、該第１と第２画像素子に連結することを特徴とする請求項１記載のマルチドメイン液晶表示装置としている。
請求項３の発明は、該反転駆動タイミング制御は点反転、列反転、又は行反転タイミング制御であり、該補助電極は透明の導電部材又は金属導電部材より構成し、画像素子に囲むすべての補助電極は、隣接した同一の画像素子に連結するか、又は隣接した異なる画像素子に連結することを特徴とする請求項１記載のマルチドメイン液晶表示装置としている。
請求項４の発明は、各該画像素子は該補助電極により、複数のサブ画素素子に仕切られて、各該サブ画素素子は一つ以上の補助電極の一つ以上の局部に囲まれることを特徴とする請求項１記載のマルチドメイン液晶表示装置としている。
請求項５の発明は、複数の第１画像素子、複数の第２画像素子を含み、
各該第１画像素子に第１延伸部を有し、
各該第２画像素子は第２延伸部を有し、該第１と第２画像素子は、反転駆動タイミング制御の同一フレームにおいて、互いに反対する極性を有し、
各該第１延伸部は各該第２画像素子の一つ以上の側面に隣接し、該第２延伸部は各該第１画像素子の一つ以上の側面に隣接することを特徴とするマルチドメイン液晶表示装置としている。
請求項６の発明は、各該第１画像素子は二つの異なる第２画像素子に備える二つの第２延伸部により、部分的に囲まれ、各該第２画像素子は二つの異なる第１画像素子に備える二つの第１延伸部によって、部分的に囲まれることを特徴とする請求項５記載のマルチドメイン液晶表示装置としている。
請求項７の発明は、各該画像素子は、複数のサブ画素素子を有し、各該サブ画素素子は一つ以上の延伸部により、一つ以上の部分的に囲まれることを特徴とする請求項５記載のマルチドメイン液晶表示装置としている。
請求項８の発明は、互いに向かい合う第１と第２透明基板、液晶層、共用電極、複数の第１信号線、第１誘電層、複数の第２信号線、第２誘電層、複数の画像電極及び複数の補助電極を含み、
該液晶層は該第１と第２透明基板の間に設け、該液晶層は負誘電異方性の液晶分子より構成し、
該共用電極は第１透明基板に設け、
該複数の第１信号線は該第２透明基板に設け、
該第１誘電層は該第２透明基板に設け、該第１信号線を覆い、
該複数の第２信号線は該第１誘電層に設け、
該第２誘電層は該第１誘電層に設け、該第２信号線を覆い、
該複数の画像電極は該第２誘電層に設け、
該複数の補助電極は該第２透明基板に設け、各該画像電極は一つ以上の補助電極の部分的に囲まれ、
そのうち、電圧を該共用電極と該画像電極の間に掛けた後、一つ以上の一部の該画像電極を囲む補助電極と、該補助電極の一つ以上の部分的に囲まれた該画像電極とは、反対極性を有することを特徴とするマルチドメイン液晶表示装置としている。
請求項９の発明は、さらに第１偏光板、第２偏光板、第１１／４波長板及び第２１／４波長板を含み、
該第１偏光板は該第１透明基板が向かう該液晶層の外側に設け、
該第２偏光板は該第２透明基板が向かう該液晶層の外側に設け、
該第１１／４波長板は該第１偏光板と該第１透明基板との間に設け、
該第２１／４波長板は該第２偏光板と該第２透明基板との間に設け、該液晶層にはキラルドープ剤材料が含まれることを特徴とする請求項８記載のマルチドメイン液晶表示装置としている。
請求項１０の発明は、互いに向かい合う第１と第２透明基板、液晶層、共用電極、第１金属層、第１誘電層、第２金属層、第２誘電層、複数の共通線、第３誘電層、複数の第１と第２画像電極、
該液晶層は該第１と第２透明基板の間に設け、
該共用電極は第１透明基板に設け、
該第１金属層は該第２透明基板に設け、
該第１誘電層は該第２透明基板に設け、該第１金属層を覆い、
該第２金属層は該第１誘電層に設け、
該第２誘電層は該第１誘電層に設け、該第２金属層を覆い、
該複数の共通線は該第２誘電層に設け、該共用電極に連結し、
該第３誘電層は該第２誘電層に設け、該共用電極を覆い、
該複数の第１と第２画像素子は交互に該第３誘電層に配置し、該第１と第２画像電極は、反転駆動タイミング制御の同一フレームにおいて、反対の極性を有し、
該第１と第２画像電極は、それぞれ第１と第２延伸部を有し、各該第１延伸部は各該第２画像素子の一つ以上の側面に隣接し、各該第２延伸部は各該第１画像電極の一つ以上の側面に隣接し、該共通線と該画像電極延伸部により、蓄積キャパシタを構成することを特徴とするマルチドメイン液晶表示装置としている。
請求項１１の発明は、該第１金属層と該第２金属層により、複数の信号線を定義し、該蓄積キャパシタの設置位置は該信号線と重なることを特徴とする請求項１０記載のマルチドメイン液晶表示装置としている。
請求項１２の発明は、複数の第１と第２画像素子、複数の第１補助電極及び複数の第２補助電極を含み、
該複数の第１と第２画像素子は、該第１と第２画像素子は反転駆動タイミング制御の同一フレームにおいて反対の極性を有し、各該第１画像素子及び該第２画像素子とも反射区域と光透過区域をそれぞれ設け、
該複数の第１補助電極は該第１画像素子に連結し、
該複数の第２補助電極は該第２画像素子に連結し、
各該第１補助電極は各該第２画像素子の一つ以上の側面に隣接し、各該第２補助電極は各該第１画像素子の一つ以上の側面に隣接し、フリンジ電場を発生し、複数の異なる液晶分子の傾斜方向の液晶ドメインを形成することを特徴とするマルチドメイン液晶表示装置としている。
請求項１３の発明は、各該画像素子は、複数のサブ画素素子を有し、各該光透過区域は一つ以上の補助電極によって、一つ以上の部分的に囲まれることを特徴とする請求項１２記載のマルチドメイン液晶表示装置としている。
請求項１４の発明は、互いに向かい合う第１と第２透明基板、液晶層、共用電極、第１金属層、第１誘電層、第２金属層、第２誘電層、第３金属層及び複数の画像電極を含み、  該液晶層は該第１と第２透明基板の間に設け、
該共用電極は第１透明基板に設け、
該第１金属層は該第２透明基板に設け、複数の共通線を定義し、
該第１誘電層は該第２透明基板に設け、該第１金属層を覆い、
該第２金属層は該第１誘電層に設け、
該第２誘電層は該第１誘電層に設け、該第２金属層を覆い、
該第３金属層は該第２誘電層に設け、該第３金属層により複数の金属反射電極及び複数の補助電極を定義し、
該複数の画像電極は該第２誘電層に設け、各該画像電極は一つ以上の補助電極の一つ以上の部分的に囲まれ、
そのうち、電圧を該共用電極と該画像電極の間に掛けた後、一つ以上の一部の該画像電極を囲む補助電極と、該補助電極の一つ以上の部分的に囲まれた該画像電極とは、反対極性を有することを特徴とするマルチドメイン液晶表示装置としている。
請求項１５の発明は、該共通線は該金属反射電極の該第２透明基板の投影区域に設け、該共通線と該第２金属層により、蓄積キャパシタを構成することを特徴とする請求項１４記載のマルチドメイン液晶表示装置としている。
請求項１６の発明は、互いに向かい合う第１と第２透明基板、液晶層、共用電極、第１金属層、第１誘電層、第２金属層、第２誘電層、第３金属層、複数の画像電極及び複数の補助電極を含み、
該液晶層は該第１と第２透明基板の間に設け、
該共用電極は第１透明基板に設け、
該第１金属層は該第２透明基板に設け、
該第１誘電層は該第２透明基板に設け、該第１金属層を覆い、
該第２金属層は該第１誘電層に設け、
該第２誘電層は該第１誘電層に設け、該第２金属層を覆い、
該第３金属層は該第２誘電層に設け、該第３金属層により複数の金属反射電極及び複数の共通線を定義し、
該第３誘電層は該第２誘電層に設け、該第３金属層を覆い、
該複数の画像電極及び複数の補助電極は該第３誘電層に設け、各該画像電極は一つ以上の補助電極の一つ以上の部分的に囲まれ、
そのうち、電圧を該共用電極と該画像電極の間に掛けた後、一つ以上の一部の該画像電極を囲む補助電極と、該補助電極の一つ以上の部分的に囲まれた該画像電極とは、反対極性を有することを特徴とするマルチドメイン液晶表示装置としている。
請求項１７の発明は、該共通線と該補助電極により蓄積キャパシタを構成し、該第２金属層により複数のデータ線を設け、該蓄積キャパシタの設置位置は該データ線と重なることを特徴とする請求項１６記載のマルチドメイン液晶表示装置としている。
請求項１８の発明は、互いに向かい合う第１と第２透明基板、液晶層、共用電極、第１金属層、第１誘電層、第２金属層、第２誘電層、複数の画像電極及び複数の共通線、第３誘電層、第３金属層を含み、
該液晶層は該第１と第２透明基板の間に設け、
該共用電極は該第１透明基板に設け、
該第１金属層は該第２透明基板に設け、
該第１誘電層は該第２透明基板に設け、該第１金属層を覆い、
該第２金属層は該第１誘電層に設け、
該第２誘電層は該第１誘電層に設け、該第２金属層を覆い、
該複数の画像電極及び複数の共通線、該第２誘電層に設け、
該第３誘電層は該第２誘電層に設け、該画像電極及び共通線を覆い、
該第３金属層は該第３誘電層に設け、該第３金属層により複数の金属反射電極及び複数の補助電極を定義し、
各該画像電極は一つ以上の補助電極の一つ以上の部分的に囲まれて、電圧を該共用電極と該画像電極の間に掛けた後、一つ以上の部分的に該画像電極を囲む該補助電極と、該補助電極の一つ以上の部分に囲まれた該画像電極とは、反対の極性を有することを特徴とするマルチドメイン液晶表示装置としている。
請求項１９の発明は、該共通線と該補助電極により蓄積キャパシタを構成し、該第２金属層により複数のデータ線を設け、該蓄積キャパシタの設置位置は該データ線と重なることを特徴とする請求項１８記載のマルチドメイン液晶表示装置としている。
請求項２０の発明は、互いに向かい合う第１と第２透明基板、液晶層、共用電極、第１金属層、ゲート電極絶縁層、第２金属層、パシベーション絶縁層、複数の画像電極、積み上げ層、複数の金属反射電極及び複数の補助電極を含み、
該液晶層は該第１と第２透明基板の間に設け、
該共用電極は該第１透明基板に設け、
該第１金属層は該第２透明基板に設け、
該ゲート電極絶縁層は該第２透明基板に設け、該第１金属層を覆い、
該第２金属層は該ゲート電極絶縁層に設け、
該パシベーション絶縁層は該ゲート電極絶縁層に設け、該第２金属層を覆い、
該複数の画像電極は該パシベーション絶縁層に設け、
該積み上げ層は該画像電極の部分的な配置区域に設け、
該複数の金属反射電極は該積み上げ層に設け、
該複数の補助電極は該積み上げ層に設け、各該画像電極は一つ以上の補助電極の一つ以上の部分的に囲まれ、
そのうち、電圧を該共用電極と該画像電極の間に掛けた後、一つ以上の一部の該画像電極を囲む補助電極と、該補助電極の一つ以上の部分的に囲まれた該画像電極とは、反対極性を有することを特徴とする液晶表示装置としている。
【発明の効果】
【００１３】
前記した公知技術の課題の克服を図る、一種のマルチドメイン液晶表示装置を提供する。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１４】
図４は、本発明のマルチドメイン液晶表示装置（ｍｕｌｔｉ−ｄｏｍａｉｎ  ＬＣＤ）１０の局所断面概略図である。図４に示す通り、マルチドメイン液晶表示装置１０は向かい合うフィルタ基板１２と配列基板１４を有し、２枚の基板の間に液晶層１６を挟んで設ける。液晶層１６は負の誘電異方性（ｎｅｇａｔｉｖｅ  ｄｉｅｌｅｃｔｒｉｃ  ａｎｉｓｏｔｒｏｐｙ）液晶部材を使用し、電圧を掛からないときの液晶分子は垂直配向（ｖｅｒｔｉｃａｌ  ａｌｉｇｎｍｅｎｔ）態様を示す。さらに、液晶層１６はキラルドープ剤（ｃｈｉｒａｌ  ｄｏｐａｎｔ）を添加し、液晶のねじれを加速し、回位（ｄｉｓｃｌｉｎａｔｉｏｎ）欠陥区域を縮小する。配列基板１４の透明する基板１８に薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）などの切換え素子２０、画像電極２２、及び配向層２４を設ける。フィルタ基板１２の透明する基板２６にカラーフィルタ２８、遮光ブラックマトリックス層３０、共用電極３２及び配向層３４を設ける。
【００１５】
本発明の極性反転タイミング制御を備えたマルチドメイン液晶表示装置の構造を以下の通り説明する。図５は一液晶表示装置の駆動モジュール４０の概略図である。図５に示す通り、表示制御回路４２より画像と制御資料を受信し、表示するためのクロック信号ＣＫ、水平同期信号ＨＳＹ、垂直同期信号ＶＳＹ及びデジタル画像信号Ｄａなどを受信し、データ線駆動回路４４及びゲート電極線駆動回路４６に導入する。表示制御回路４２の極性切換え回路４２ａは、水平同期信号ＨＳＹ及び垂直同期信号ＶＳＹに合わせて交流電気を形成液晶パネル５０の極性切換え信号を駆動する。該極性切換え回路 により、液晶パネル５０の極性反転タイミングを決める。共用電極駆動回路４８より、液晶パネル５０共用電極に供給する共通電圧Ｖｃｏｍを発生する。
【００１６】
図６〜図８は一液晶表示装置に点反転、列反転、又は行反転信号源に接続したとき、同一フレーム（ｆｒａｍｅ）の画素表示信号の書込み極性の概略図である。図６は、点反転（ｄｏｔ ｉｎｖｅｒｓｉｏｎ）タイミング制御、図７は行反転（ｃｏｌｕｍｎ ｉｎｖｅｒｓｉｏｎ）タイミング制御、図８は列反転（ｒｏｗ ｉｎｖｅｒｓｉｏｎ）タイミング制御をそれぞれ示す。図６〜図８に示す通り、この３種類の反転タイミング制御モードにおける、共通の特性は同一フレームにおいて、正と負２種類の異なる極性を交互に表示できる。これにより、本発明はこの反転タイミング制御特性を利用し、マルチドメイン配向構造を設計できる。
【００１７】
図９と図１０は本発明のマルチドメイン液晶表示装置６０実施例の概略図である。そのうち、図９は基板の法線方向から見た平面概略図、図１０は図９之ＡーＡ'線を横切った断面視図である。図９は該マルチドメイン液晶表示装置６０を構成する複数の画像素子６２（ｐｉｃｔｕｒｅ  ｅｌｅｍｅｎｔｓ）を示す平面概略図である。本明細書における「画像素子」は、表示装置の表示領域の最小のアドレス可能な表示ユニット（ｓｍａｌｌｅｓｔ  ａｄｄｒｅｓｓａｂｌｅ  ｄｉｓｐｌａｙ  ｕｎｉｔ）をいう。一例として、カラー液晶表示装置それぞれの赤色（Ｒ）、緑色（Ｇ）又はブルー（Ｂ）サブ画素（ｓｕｂ−ｐｉｘｅｌ）に対応するものは画像素子をいう。図４に示す通り、配列基板１４上において、互いに平行した複数の走査線（ｓｃａｎ  ｌｉｎｅ）６６、及び互いに平行したデータ線（ｄａｔａ  ｌｉｎｅ）６８を形成し、かつ、２本の隣り合う走査線６６を２本の隣り合うデータ線６８と直交し、画像素子の配置領域を定義する。図９は、複数の画像素子６２は同時に横方向（列方向）と縦方向（行方向）に配列することにより、画像素子配列の構成を示す。図９はさらに、（+）、（-）符号により、同一フレーム（ｆｒａｍｅ）の画像素子６２の極性をマークしている。本実施例は点反転（ｄｏｔ ｉｎｖｅｒｓｉｏｎ）タイミング制御モードを使用するため、同一フレームにおける正極（+）の画像素子と負極（ー）の画像素子は、行方向の上向き及び列方向の上向きとも順番に交代して表示する。
【００１８】
本実施例において、２本の隣り合う走査線６６及び２本の隣り合うデータ線６８より定義された画像素子６２の配置領域に画像素子６２と、画像素子６２の外側に囲む補助電極６４を設ける。該補助電極６４は隣接の画像素子６２に連結するため、囲まれた画像素子６２と反対の極性を有する。詳細的には、図９に示す通り、補助電極６４は囲み部と接続部より構成する。囲み部は実質の平行走査線６６（列方向沿いに延ばす）を含む。かつ、画像素子６２両側の細長い片状区間６４ａ、６４ｂ及び実質の平行データ線６８（行方向沿いに延ばす）に隣接するほか、画像素子６２両側の細長い片状区間６４ｃ及び６４ｄにも隣接する。なお、該囲み部は連結部６４ｅにより、隣接の画像素子６２に連結する。本実施例において、連結部６４ｅは縦方向の細長い片状区間は、上部の画像素子６２及び下部の囲み部６４ａー６４ｄをブリッジ接続する。よって、本発明は画像素子６２を囲んだ補助電極６４は、それぞれに囲んだ画像素子隣接のもう一つの画像素子６２に接続する。点反転タイミング制御における、二つの隣接画像素子は反対極性のため、各補助電極６４とそれぞれに囲んだ画像素子６２の極性と反対の結果が得られる。
【００１９】
図１０は、画像素子６２のフィルム層の堆積構造及び補助電極６４との相対的な配置の断面概略図である。図１０に示す通り、誘電効果を有するゲート電極絶縁層（ｇａｔｅ  ｉｎｓｕｌａｔｏｒ）５２を透明する基板１８に設け、データ線６８を構成する第２金属層（ｍｅｔａｌ ２ ｌａｙｅｒ）Ｍ２はゲート電極絶縁層５２に設ける。誘電効果を有するパシベーション絶縁体（ｐａｓｓｉｖａｔｉｏｎ ｉｎｓｕｌａｔｏｒ）５４をゲート電極絶縁層５２に設け、データ線６８を覆い、透明導電フィルムより構成する画像電極５６をパシベーション絶縁体５４に設ける。画像素子６２の配置領域において、補助電極６４は画像電極５６を囲い、画像電極５６と同じ層に設け、かつ、両者は反対極性を有する。補助電極６４の部材は、透明導電フィルム又は金属導電部材のいずれかを使用する。補助電極６４と画像電極５６とも透明導電フィルムより構成されるとき、該補助電極６４は、画像電極５６と同じ機能を提供し、アクティブ表示領域となる。つまり、該補助電極６４はそれに囲まれた画像素子６２に隣接したもう一つの画像素子６２の延伸部を見なすことができる。
【００２０】
図１１と図１２は、本発明の補助電極６４によるフリンジ領域の形成、及び液晶分子５８配列の改変原理を説明する。
【００２１】
図１１に示す通り、電圧を掛けない（Ｖｏｆｆ）とき、負誘電異方性の液晶分子５８は垂直配向を示す。つまり、すべての液晶分子５８は配列基板１４と垂直に近い方式で配列する。引き続き、図１２は印加電圧（Ｖｏｎ）を共用電極３２及び画像電極５６にある期間経過後、画像電極５６と囲んでいた補助電極６４と反対極性のため、両者の間に発生したフリンジ領域効果（ｆｒｉｎｇｅ  ｆｉｅｌｄ  ｅｆｆｅｃｔ）は、傾斜の電場力量を形成し、負誘電異方性の液晶分子５８の向き方向は、傾斜電場方向に垂直する方向を向かう。引き続き図９は、本発明の補助電極６４のレイアウト設計について、画像電極５６の四つの辺とも実質の平行走査線６６の細長い片状区間６４ａ、６４ｂ、と実質の平行するデータ線６８の細長い片状区間６４ｃ、６４ｄとそれぞれに囲まれているため、フリンジ電場を触発した後は、四つの異なる傾斜方向の電場方向を発生し、周りの液晶分子５８を一斉に中央部に傾けて、四つの異なる液晶分子傾斜方向となり、四つの異なる傾斜方向の液晶ドメイン効果が得られる。
【００２２】
本発明の反転タイミング制御モードによる補助電極６４は、通常の薄膜トランジスタ製造工程により、あらかじめに設計された補助電極６４を形成することにより、補助電極６４と一つ以上の部分的に囲まれた画像電極５６同士との反対極性を利用し、マルチドメイン配向効果が得られる。公知技術のバンプ（ｂｕｍｐ）又は凹み構造に比べて、本発明は電圧を掛けない（Ｖｏｆｆ）状態における液晶分子はすべて垂直配向となり、余分な光路差（△ｎｄ＝０）を引き起こさないため、光漏れは発生しない。さらに、公知技術の電極部にスリットを設ける方式と比べて、本発明は補助電極６４と画像電極５６との反対極性によるフリンジ領域効果は、より強い液晶分子の傾け力量を提供することにより、表示領域のアクティブ面積を増やして、全体の透光率を向上できる。
【００２３】
図１３は本発明の積み上げ層のもう一つの実施例の断面概略図である。図１３に示す通り、パシベーション絶縁体５４を形成した後、平坦化層５５を蒸着してから、画像電極５６と補助電極６４を平坦化層５５に設けることにより、画像電極５６の形成位置を積み上げて、開口率を向上する。また、パシベーション絶縁体５４を省略して、ゲート電極絶縁層５２に平坦化層５５を形成しても良い。
【００２４】
図１４は、本発明もう一つの実施例の概略図である。点反転タイミング制御モードにおいて、同一フレームにおける正極と負極を帯びた画像素子６２は行方向と、列方向とも順番に交代して表示するする。よって、図１４に示す通り、補助電極６４の連結部６４ｅも横方向の細長い片状区間を設けて、左側の画像電極５６と右側の片状区間６４ａ〜６４ｄをブリッジ接続することにより、すべての画像素子６２と該画像素子６２を囲んだ補助電極６４とも反対の極性を有する。
【００２５】
図１５は、本発明の列反転タイミング制御モードもう一つ実施例の概略図である。図１５に示す通り、列反転タイミング制御モードにおいて、同一フレームにおける正極と負極を帯びた画像素子６２は行方向（縦方向）沿いで、順番に交代して表示するため、補助電極６４の連結部６４ｅは縦方向にて、上部の画像電極５６及び下部の片状区間６４ａ〜６４ｄとブリッジ接続することにより、すべての画像素子６２と該画像素子６２を囲んだ補助電極６４に反対の極性を持たせる。
【００２６】
図１６は、本発明の行反転タイミング制御モードもう一つ実施例の概略図である。図１６に示す通り、行反転タイミング制御モードにおいて、同一フレームにおける正極と負極を帯びた画像素子６２は列方向（横方向）沿いで、順番に交代して表示するため、補助電極６４の連結部６４ｅは横方向にて、左側の画像電極５６及び右側の囲み部６４ａ〜６４ｄとブリッジ接続することにより、すべての画像素子６２と該画像素子６２を囲んだ補助電極６４に反対の極性を持たせる。
【００２７】
前記した実施例のうち、補助電極６４の連結部６４ｅは細長い片状区間を例示しているが、該連結部６４ｅの外部、設置方向、及び連結場所とも限定されない。二つの隣接画像素子の配置領域の片状区間６４ａ〜６４ｄと画像電極５６両者の連結効果を達成することでよい。さらに、片状区間６４ａ〜６４ｄは複数の細長い片状区間を例示しているが、その外観並びに設置方向とも限定されない。画像電極５６の外部をその側面に配置させ、反対極性により、フリンジ電場効果を発生できれば良い。
【００２８】
図１７と１８は、本発明の列反転タイミング制御モードもう一つ実施例の概略図である。そのうち、図１８は図１７のＢーＢ'線を横切った断面視図である。図１７に示す通り、列反転タイミング制御モードにおいて、同列の画像電極５６Ａ、５６Ｂは正極を有し、他列の画像電極５６Ｃは負極を帯びる。画像電極５６Ａに延伸部５６１Ａを設け、画像電極５６Ｃの右側に延ばし、画像電極５６Ｂに延伸部５６１Ｂを設けて、画像電極５６Ｃの左側に延ばす。よって、負極の画像電極５６Ｃとその周りに正極を帯びた配向補助電極区間（画像電極延伸部５６１Ａー５６１Ｂ）は、反対極性により、フリンジ電場を発生する。さらに、画像電極５６Ｃ（負極）とその上部の画像電極５６Ｄ（正極）と、下部の画像電極５６Ｄ（正極）は、反対極性によりフリンジ電場を発生するため、本実施例により、様々な傾斜方向を有する四つの液晶ドメインに分けることができる。
【００２９】
前記した実施例から、本発明の考案により、画像素子６２を囲む各補助電極区間（画像電極の延伸部５６１Ａ、５６１Ｂ）は同一画像素子６２に接続することを限定しない。補助電極６４は反対極性を帯びた画像素子６２の一端に設けることで、フリンジ電場効果を発生できる。また、補助電極６４は画像素子６２の配列方向、列方向、又は対角方向に沿って、もっとも隣接したもう一つの画像電極５６に連結し、反対極性を獲得する。あるいは、補助電極６４の連結部６４ｅを延長し、もしくは該連結部６４ｅを複数の細長い片状区間より形成することにより、該連結部６４ｅを該補助電極６４に囲まれた画像電極５６周り遠い方もう一つの画像電極５６にジャンプ接続することにより、該補助電極６４をそれに囲まれた画像電極５６と反対極性を持たせることができる。
【００３０】
さらに、図１８に示す通り、フィルタ基板１２において、カラーフィルタ２８と共用電極３２を透明する基板２６に設ける。配列基板１４において、第１金属層（ｍｅｔａｌ １ ｌａｙｅｒ）Ｍ１（図示しない）を透明する基板１８に設け、図１７に示す走査線６６を定義する。誘電効果を有するゲート電極絶縁層５２を透明する基板１８と該第１金属層Ｍ１、第２金属層（ｍｅｔａｌ ２ ｌａｙｅｒ）Ｍ２を覆って、ゲート電極絶縁層５２に設ける。かつ、該第２金属層Ｍ２によりデータ線６８を定義する。パシベーション絶縁体５４及び平坦化層５５を順番にゲート電極絶縁層５２に設け、第２金属層Ｍ２を覆う。第３金属層（ｍｅｔａｌ ３ ｌａｙｅｒ）Ｍ３を平坦化層５５に設け、共通線（ｃｏｍｍｏｎ  ｌｉｎｅｓ）６７を定義し、かつ、該共通線６７を共用電極３２に電気接続する。誘電層６９、共通線６７を覆い、透明する画像電極５６Ｃ及び隣接した画像電極の延伸部５６１Ａ、５６１Ｂ間隔に誘電層６９に設ける。本実施例において、共通線６７と各各の画像電極の延伸部（例えは、図に示す５６１Ａ、５６１Ｂ）は誘電層６９を仕切って、蓄積キャパシタを構成するほか、共通線６７の設置位置とデータ線６８を重なることにより、開口率を向上できる。
【００３１】
図１９は、本発明の行反転タイミング制御モードもう一つ実施例の概略図である。行反転タイミング制御モードにおいて、同一フレームにおける画像電極５６Ａと画像電極５６Ｂは正極を有し、隣接したもう一つ行の画像電極５６Ｃは負極を帯びる。図１９に示す通り、画像電極５６Ａに延伸部５６１Ａを設け、画像電極５６Ｃの上部に延ばし、画像電極５６Ｂに延伸部５６１Ｂを設けて、画像電極５６Ｃの下部に延ばす。よって、負極の画像電極５６Ｃとその周りに正極を帯びた配向する補助電極６４区間（画像電極の延伸部５６１Ａ、５６１Ｂ）は、反対極性によりフリンジ電場を発生する。このほか、共通線６７も同じく各画像電極の延伸部（例えは、図に示す５６１Ａ、５６１Ｂ）と合わせて、蓄積キャパシタを構成し、かつ、共通線６７の設置位置と走査線６６を重なることにより、開口率を向上する。
【００３２】
図２０と図２１は、本発明もう一つの実施例の概略図である。そのうち、図２１は図２０のＣーＣ'線を横切った断面視図である。本発明は極性反転タイミング制御モードによるフリンジ電場の発生方式は限定しない。図２０に示す通り、各画像電極５６を囲む補助電極６４は第１金属層（ｍｅｔａｌ １ ｌａｙｅｒ）Ｍ１より構成しても良い。画像素子６２配置区域の画像電極５６と、第１金属層Ｍ１より構成する補助電極６４は反対極性により、フリンジ電場効果を発生する。図２１は、第１金属層Ｍ１による補助電極６４内部の結線配置の断面概略図である。図２１に示す通り、画像素子６２配置区域の画像電極５６”（正極）は接触孔７２ａを介して、薄膜トランジスタのソース／ドレイン電極区域７４に連結し、隣接した画像素子６２は配置区域の第１金属層Ｍ１より構成する。なお、走査線６６を同一層の補助電極６４（正極）に設け、接触孔７２ｂを介して、同一のソース／ドレイン電極区域７４に接続する。これにより、同一画像素子の配置区域の画像電極５６’（負極）と補助電極６４（正極）は反対極性により、フリンジ電場効果を発生する。
【００３３】
図２２と図２３は、本発明もう一つの実施例の概略図である。そのうち、図２３は図２２のＤーＤ'線を横切った断面視図である。図２２に示す通り、各画像電極５６を囲む補助電極６４は第２金属層（ｍｅｔａｌ ２ ｌａｙｅｒ）Ｍ２より構成しても良い。画像素子６２分布区域の画像電極５６と、第２金属層Ｍ２より構成する補助電極６４は反対極性により、フリンジ電場効果を発生する。図２３は、第２金属層Ｍ２による補助電極６４内部の結線配置の断面概略図である。図２３に示す通り、画像素子６２配置区域の画像電極５６”（負極）は接触孔７２ａを介して、薄膜トランジスタのソース／ドレイン電極区域７４に連結し、隣接した画像素子６２は配置区域の第２金属層Ｍ２より構成する。なお、データ線６８（図示しない）を同一層の補助電極６４（負極）は同一のソース／ドレイン電極区域７４に接続する。これにより、同一画像素子の配置区域の画像電極５６’（正極）と補助電極６４（負極）は反対極性により、フリンジ電場効果を発生する。
【００３４】
前記した実施例から、本発明の補助電極６４は、わずかな部分を画像電極５６に囲んでおき、反対極性によりフリンジ電場効果を発生する。その発生方式は限定しない。透明導電部材を画像電極５６と同じ層に設けるか、又は第１金属層Ｍ１、第２金属層Ｍ２より構成し、必要な内部結線配置と組み合わせる方式を取れば良い。前記した実施例において、走査線６６は第１金属層Ｍ１より構成し、データ線６８は第２金属層Ｍ２より構成することを例示したが、走査線６６は第２金属層Ｍ２より構成し、データ線６８は第１金属層Ｍ１より構成しても良い。また、補助電極６４はいずれの構造であっても、前記した点反転、行反転、又は列反転タイミング制御モードと組み合わせて、フリンジ電場効果を発生できる。
【００３５】
図２４は、本発明もう一つの実施例の概略図である。図２４に示す通り、画像電極５６を囲んだ補助電極６４は画像素子６２の配置区域において、目の字型配置を形成し、一つの画像素子６２を三つのサブ画素素子６２ａ、６２ｂ、６２ｃに分ける。つまり、一つの画像素子６２の画像電極５６は補助電極６４によって、三つの矩形区域は５６ａ、５６ｂ、５６ｃに分ける。各区が他区域に囲む四辺の細長い片状区間は四つの液晶分子の傾斜方向を誘発できるため、それぞれの矩形区域は単独にフリンジ電場の誘起ブロックとなる。図２５に示す通り、補助電極６４は日の字型配置することにより、一つの画像素子６２を二つのサブ画素素子６２ｄ、６２ｅに分割しても良い。ただし、当該分割方式はいずれであっても、本発明の効果が得られる。分割された区域の数が多いほど、液晶反応も速くなる。よって、必要に応じて補助電極６４の配置方式を調節しても良い。前記した一つの画像素子６２をさらに複数のサブ画素素子６２ａー６２ｅに分割する方式も、同じく図２４に示す点反転モード、轉模式、図２５に示す列転モード、又は行反転モード、様々な反転タイミング制御モードと組み合わせるときは、補助電極６４の配置及び接続方式を調節し、すべての分割されたサブ画素素子６２ａー６２ｅと囲まれた補助電極６４と反対極性を持たせる。
【００３６】
図２６は本発明の画像素子６２分割のもう一つの実施例の概略図である。本実施例において、各分割されたサブ画素素子６２ａ、６２ｂ又は６２ｃは補助電極６４によって完全に囲まれるとは限らない。電極スリット７１を開けることも同じくフリンジ電場が得られる。さらに、同じ画像素子６２を分割する補助電極区間は図２５に示す通り、隣接した同一画像素子６２、又は図２７に示す通り、異なる画像素子６２にそれぞれ連結してもよい。このほか、この分割した画像素子６２において、補助電極６４の構成方式は限定しない。補助電極６４は画像電極５６ｄ、５６ｅと合わせて同一層、又は第１金属層Ｍ１もしくは第２金属層Ｍ２より構成し、一つの画像素子６２を複数のサブ画素素子に分割しても良い。
【００３７】
本発明において、補助電極６４とそれを囲む画像電極５６は反対極性を持たせて、フリンジ電場効果を発生すればよい。その外観は限定しない、必要に応じて変化してもよい。一例として、図２８に示す通り、画像電極５６及び補助電極６４は設計に合わせて、円弧状進み角の外形を設けキラルドープ剤を添加することにより、画像素子６２各領域の透光均一性を向上できる。
【００３８】
さらに、本発明において、液晶ユニットの外部に円偏光系統を取り付けて、透光率を向上させる。図２９に示す通り、上部の基板２６と偏光板７６ａとの間と、下部の基板１８と偏光板７６ｂとの間に１／４波長板（ｑｕａｒｔｅｒ  ｗａｖｅ  ｌｅｎｇｔｈ  ｐｌａｔｅ）７８ａ、７８ｂをそれぞれ設け、かつ、２枚の１／４波長板とも偏光板の偏光軸４５挟み角により、線の偏光系統を円偏光系統に変換することができる。
【００３９】
図３０と図３１は本発明のマルチドメイン液晶表示装置もう一つの実施例の概略図である。そのうち、図３０は基板の法線方向から見た平面概略図、図３１は図３０のＥ−Ｅ’線を横切った断面視図である。
【００４０】
図３０に示す通り、各各画像素子６２はそれぞれ光透過区域６２１と反射区域６２２（断面図の影線に示す部分）を有し、かつ、光透過区域６２１の周りに補助電極６４と電極スリット７１を設けて、マルチドメイン配向の効果を発生する。本発明において、画像素子６２Ｃの光透過区域６２１の右側に備える補助電極区間６４Ａと左側の補助電極区間６４Ｂをそれぞれ画像素子６２Ａと画像素子６２Ｂに連結したとき、負極を帯びる画像素子６２Ｃ及びその周りに正極を帯びた補助電極区間６４Ａ、６４Ｂは反対極性により、フリンジ電場（ｆｒｉｎｇｅ  ｆｉｅｌｄ）を発生する。一方、画像素子６２Ｃの光透過区域６２１底面の電極スリット７１自体もフリンジ電場を発生する。さらに、画像素子６２Ｃ（負極）とその天面の画像素子６２Ａ（正極）との間は、反対極性により、フリンジ電場を発生する。よって、本実施例において、四つの異なる傾斜方向のマルチドメイン液晶効果が得られる。
【００４１】
さらに、図３１に示す通り、配列基板１４において、第１金属層（ｍｅｔａｌ １ ｌａｙｅｒ）Ｍ１を透明する基板１８に設け、該第１金属層Ｍ１により共通線（ｃｏｍｍｏｎ  ｌｉｎｅｓ）６７を定義する。誘電効果を有するゲート電極絶縁層（ｇａｔｅ  ｉｎｓｕｌａｔｏｒ）５２を透明する基板１８に設けた上、第１金属層Ｍ１を覆い、第２金属層（ｍｅｔａｌ ２ ｌａｙｅｒ）Ｍ２をゲート電極絶縁層５２に設け、該第２金属層Ｍ２により、データ線６８とコンデンサー電極７３を定義する。パシベーション絶縁体５４及び平坦化層５５を順番にゲート電極絶縁層５２に設け、第２金属層Ｍ２を覆う。透明する画像電極５６及び第３金属層（ｍｅｔａｌ ３ ｌａｙｅｒ）Ｍ３は平坦化層５５に設け、該第３金属層Ｍ３により、画像電極５６を囲む補助電極６４と、金属の反射電極７５を定義する。金属の反射電極７５を一部の画像素子６２の配向区域に設け、液晶表示装置の反射区域を構成する。該反射区域を除いた透明する画像電極５６の配向区域により、液晶表示装置の光透過区域を構成する。本実施例において、第１金属層Ｍ１より構成する共通線６７と、第２金属層Ｍ２より構成するコンデンサー電極７３とも金属の反射電極７５の下部に設けて、開口率を向上する。さらに、両者はゲート電極絶縁層５２を仕切って、蓄積キャパシタを（ｓｔｏｒａｇｅ  ｃａｐａｃｉｔｏｒ）を構成する。なお、透明する画像電極５６を平坦化層５５に設け、形成位置を積み上げることにより、開口率を向上する。
【００４２】
図３２は本発明もう一つの実施例の平面概略図である。図３２に示す通り、補助電極６４は新たに補助電極区間６４Ｃを光透過区域と反射区域との境界に備える電極スリット７１に設け、液晶分子の傾斜力量をさらに向上し、光透過区域６２１の配向性を強化する。
【００４３】
図３３は本発明もう一つの実施例の断面概略図である。図３３に示す通り、パシベーション絶縁体５４をゲート電極絶縁層５２に設け、第２金属層Ｍ２を覆い、透明する画像電極５６を該パシベーション絶縁体５４に設けた後、積み上げ層７７を一部の透明画像電極配置区域に設けた上、金属の反射電極７５を該積み上げ層７７に設けることにより、液晶ユニットの光透過区域と反射区域それぞれに異なる隙間を得ることができる。
【００４４】
図３４は本発明もう一つの実施例の断面概略図である。図３４に示す通り、パシベーション絶縁体５４及び平坦化層５５を順番にゲート電極絶縁層５２に設け、第２金属層Ｍ２を覆う。第３金属層Ｍ３を平坦化層５５に設け、共通線６７と金属の反射電極７５を定義する。共通線６７と補助電極６４と蓄積キャパシタを構成する。共通線６７の設置位置はデータ線６８と重なり、開口率を向上する。誘電層７９を共通線６７と金属の反射電極７５を覆い、透明する画像電極５６及び透明導電部材より構成する補助電極６４は該誘電層７９に設ける。
【００４５】
図３５は本発明もう一つの実施例の断面概略図である。図３５に示す通り、共通線６７は透明電極より構成し、該補助電極６４と合わせて、蓄積キャパシタを構成する。共通線６７の設置位置とデータ線６８と重なり、開口率を向上する。誘電層７９は共通線６７と透明する画像電極５６を覆い、第３金属層Ｍ３により定義する金属の反射電極７５と補助電極６４は該誘電層７９に設ける。
【００４６】
本実施例において、液晶表示装置の反射区域の大きさと配置とも限定しない、必要に応じて調節できる。補助電極６４は透明電極又は反射電極より構成しても良い。なお、反射電極は第１金属層Ｍ１、第２金属層Ｍ２又は第３金属層Ｍ３より構成しても良い。
【００４７】
図３６は、本発明の反射区域と光透過区域の画像素子を複数のサブ画素素子に分割したもう一つの実施図である。図３６に示す通り、光透過区域６２１及び反射区域６２２は選択により、該サブ画素素子に配置し、補助電極６４及び電極スリット７１の配置方式と位置は任意に変更できる。画像素子を囲んで、反対極性により、フリンジ電場効果を発生すれば良い。さらに、サブ画素素子の分割数は三つを例示したが、必要に応じて調節できるものとし、これに限定されない。
【００４８】
図３７は、本発明の反射区域と光透過区域の画像素子を複数のサブ画素素子に分割したもう一つの実施図である。図３７に示す通り、補助電極６４は金属層又はその上に金属層を覆うことにより、該補助電極区間に反射板機能を持たせて、微反射式液晶表示装置（ｍｉｃｒｏ−ｒｅｆｌｅｃｔｉｖｅ  ｌｉｑｕｉｄ  ｃｒｙｓｔａｌ ｄｉｓｐｌａｙ）を構成する。
【図面の簡単な説明】
【００４９】
【図１】公知技術のマルチドメイン垂直配向式液晶表示装置の断面視概略図である。
【図２】公知技術もう一つのマルチドメイン垂直配向式液晶表示装置の断面視概略図である。
【図３】もう一つのマルチドメイン垂直配向式液晶表示装置の断面視概略図である。
【図４】本発明のマルチドメイン垂直配向式液晶表示装置の局所断面視概略図である。
【図５】一液晶表示装置の駆動モジュールの概略図である。
【図６】異なる反転タイミング制御モードにおける、同一フレーム（ｆｒａｍｅ）画素の表示信号の書込み極性の概略図である。
【図７】異なる反転タイミング制御モードにおける、同一フレーム（ｆｒａｍｅ）画素の表示信号の書込み極性の概略図である。
【図８】異なる反転タイミング制御モードにおける、同一フレーム（ｆｒａｍｅ）画素の表示信号の書込み極性の概略図である。
【図９】本発明の一実施例におけるマルチドメイン液晶表示装置の概略図である。
【図１０】本発明の一実施例におけるマルチドメイン液晶表示装置の断面概略図である。
【図１１】本発明の補助電極の設計原理を示す概略図である。
【図１２】本発明の補助電極の設計原理を示す概略図である。
【図１３】本発明のもう一つの実施例の断面概略図である。
【図１４】本発明のもう一つの実施例の概略図である。
【図１５】本発明のもう一つの実施例の概略図である。
【図１６】本発明のもう一つの実施例の概略図である。
【図１７】本発明の列反転タイミング制御モードもう一つ実施例の概略図である。
【図１８】本発明の列反転タイミング制御モードもう一つ実施例の概略図である。
【図１９】本発明の行反転タイミング制御モードもう一つ実施例の概略図である。
【図２０】本発明のもう一つの実施例の概略図である。
【図２１】本発明のもう一つの実施例の概略図である。
【図２２】本発明のもう一つの実施例の概略図である。
【図２３】本発明のもう一つの実施例の概略図である。
【図２４】本発明のもう一つの実施例の概略図である。
【図２５】本発明のもう一つの実施例の概略図である。
【図２６】本発明のもう一つの実施例の概略図である。
【図２７】本発明のもう一つの実施例の概略図である。
【図２８】本発明のもう一つの実施例の概略図である。
【図２９】本発明の円偏光系統を応用した一実施例の概略図である。
【図３０】本発明のもう一つの実施例における反射構造を備えた液晶表示装置の概略図である。
【図３１】本発明のもう一つの実施例における反射構造を備えた液晶表示装置の概略図である。
【図３２】本発明のもう一つの実施例の平面概略図である。
【図３３】本発明のもう一つの実施例の断面概略図である。
【図３４】本発明のもう一つの実施例の断面概略図である。
【図３５】本発明のもう一つの実施例の断面概略図である。
【図３６】本発明の反射区域と光透過区域の画像素子を複数のサブ画素素子に分割したもう一つの実施図である。
【図３７】本発明の反射区域と光透過区域の画像素子を複数のサブ画素素子に分割したもう一つの実施図である。
【符号の説明】
【００５０】
１０、６０  マルチドメイン液晶表示装置
１２  フィルタ基板
１４  配列基板
１６  液晶層
１８  基板
２０  切換え素子
２２、５６  画像電極
２４  配向層
２６  基板
２８  カラーフィルタ
３０  遮光ブラックマトリックス層
３２  共用電極
３４  配向層
４０  駆動モジュール
４２  表示制御回路
４２ａ  極性切換え回路
４４  データ線駆動回路
４６  ゲート電極線駆動回路
４８  共用電極駆動回路
５０  液晶パネル
５２  ゲート電極絶縁層
５４  パシベーション絶縁体
５５  平坦化層
５６ｄ、５６ｅ  画像電極
５６１Ａ、５６１Ｂ  延伸部
５８  液晶分子
６２  画像素子
６２ａ、６２ｂ、６２ｃ、６２ｄ、６２ｅ  サブ画素素子
６２１  光透過区域
６２２  反射区域
６４  補助電極
６４ａ、６４ｂ、６４ｃ、６４ｄ  片状区間
６４ｅ  連結部
６６  走査線
６７  共通線
６８  データ線
６９、７９  誘電層
７１  電極スリット
７２ａ、７２ｂ、７２ｃ  接触孔
７３  コンデンサー電極
７５  反射電極
７４  ソース／ドレイン電極区域
７６ａ、７６ｂ  偏光板
７７  積み上げ層
７８ａ、７８ｂ  １／４波長板
１０２、１０４  基板
１０６  バンプ
１０８  配向フィルム
１１２  液晶分子
１１４  凹み構造
２０２  基板
２０４  電極
２０６  スリット
２０８  液晶分子
２１０  回位欠陥区域
Ｉ１、Ｉ２  透過光
Ｍ１  第１金属層
Ｍ２  第２金属層
Ｍ３  第３金属層
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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【図２７】
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【図２８】
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【図２９】
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【図３０】
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【図３１】
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【図３２】
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【図３３】
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【図３４】
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【図３５】
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【図３６】
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【図３７】
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