(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
一対の基板に液晶駆動要素と該液晶駆動要素上に配向膜とを形成し、前記一対の基板間に封入する液晶層を前記液晶駆動要素にて制御することによって所定の情報を表示する液晶パネルの製造方法において、
少なくとも、
前記基板の前記液晶駆動要素上に前記配向膜として無機配向膜を形成する無機配向膜形成工程と、
常温にて液相であるアルコールを用いて前記無機配向膜を洗浄するアルコール洗浄工程と、
前記無機配向膜に吸湿した水分を常温にて液相であるアルコールに置換するアルコール置換工程と、
水分を置換した前記アルコールを乾燥除去するアルコール乾燥工程と、
前記無機配向膜表面にシリコンを含むとともに撥水性を有する撥水処理膜を形成する撥水処理膜形成工程とを有する
ことを特徴とする液晶パネルの製造方法。
【請求項２】
前記アルコール乾燥工程は、前記無機配向膜を加熱する加熱処理工程である
ことを特徴とする請求項１記載の液晶パネルの製造方法。
【請求項３】
前記アルコール乾燥工程は、真空中またはガス雰囲気中で前記無機配向膜を加熱する加熱処理工程である
ことを特徴とする請求項２記載の液晶パネルの製造方法。
【請求項４】
前記アルコール乾燥工程は、アルコール蒸気を用いて前記無機配向膜を洗浄する蒸気洗浄工程である
ことを特徴とする請求項１記載の液晶パネルの製造方法。
【請求項５】
前記アルコール乾燥工程は、前記無機配向膜に光照射を行う光照射処理工程である
ことを特徴とする請求項１記載の液晶パネルの製造方法。
【請求項６】
前記光照射処理工程は、前記無機配向膜に光照射を行い、水分を置換した前記アルコールを乾燥除去するとともに前記無機配向膜表面を活性化処理する工程である
ことを特徴とする請求項５記載の液晶パネルの製造方法。
【請求項７】
前記アルコール乾燥工程は、前記無機配向膜表面にプラズマ処理を行い、水分を置換した前記アルコールを乾燥除去するとともに前記無機配向膜表面を活性化処理するプラズマ処理工程である
ことを特徴とする請求項１に記載の液晶パネルの製造方法。
【請求項８】
前記プラズマ処理は、酸素、窒素、または希ガスから選択される少なくとも１種のプラズマを用いて行う
ことを特徴とする請求項７に記載の液晶パネルの製造方法。
【請求項９】
前記撥水処理膜形成工程後に、真空中またはガス雰囲気中にて前記無機配向膜を加熱する加熱処理工程を行う
ことを特徴とする請求項１乃至請求項８のいずれか１項に記載の液晶パネルの製造方法。
【請求項１０】
常温にて液相である前記アルコールは、メタノール、エタノール、イソプロピルアルコール、ブタノール、ヘキサノール、またはオクタノールから選択される１種である
ことを特徴とする請求項１乃至請求項９のいずれか１項に記載の液晶パネルの製造方法。
【請求項１１】
前記撥水処理膜形成工程は、シランカップリング剤を用いて形成する工程である
ことを特徴とする請求項１乃至請求項１０のいずれか１項に記載の液晶パネルの製造方法。
【請求項１２】
前記撥水処理膜形成工程は、化学気相成長法により前記撥水処理膜を前記無機配向膜表面に堆積する処理工程である
ことを特徴とする請求項１１に記載の液晶パネルの製造方法。
【請求項１３】
前記ガス雰囲気は、窒素ガス、酸素ガス、または希ガスから選択される少なくとも１種である
ことを特徴とする請求項３または請求項９に記載の液晶パネルの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は液晶パネルおよびその製造方法に関し、とくに一対の基板間に封入する液晶層を駆動制御する液晶駆動要素上に設ける無機配向膜を有する液晶パネルとこの液晶パネルを製造する方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
一対の基板間に封入する液晶層を駆動制御する液晶駆動要素を形成した基板の洗浄方法は、たとえば特許文献１に記載されている。この特許文献１に記載されている液晶パネルの基板の洗浄方法を以下に記す。
配向膜を形成した基板にシャワーノズルからイソプロピルアルコールを噴射する溶液洗浄工程と、エアナイフから加圧空気を吹き付け余剰なイソプロピルアルコールを除去する洗浄溶液除去工程と、純水を貯留した洗浄槽に基板を浸漬し超音波洗浄を行う純水洗浄工程と、シャワーノズルから純水を噴射して基板を洗浄する純水洗浄工程と、エアナイフから加圧空気を吹き付け純水を基板から除去する純水除去工程と、基板にシャワーノズルからイソプロピルアルコールを噴射し微細な水滴をイソプロピルアルコールにて置換する置換工程と、エアナイフからの加圧空気を基板に吹き付けイソプロピルアルコールを除去する溶液除去工程と、基板を１００℃に加熱してイソプロピルアルコールおよび純水を蒸発させる加熱工程と、基板を常温に冷却する冷却工程との各工程を、順次行って基板を洗浄している。これらの工程からなる洗浄方法により、液晶パネルは、残留イオンの発生を抑制するとともに、洗浄むらや純水の乾きむらの発生をなくしている。
【０００３】
また無機配向膜と液晶材料との適合性を高めるために、無機配向膜表面の改質を行い、液晶素子のしきい値を低減させることが、たとえば特許文献２に記載されている。特許文献２に記載されている無機配向膜の改質は、無機配向膜表面を高級アルコールで処理することによって達成している。
この高級アルコール処理としては、無機配向膜に高級アルコールを吸着させる方法や、無機配向膜を高級アルコールで化学的に変化させる方法や、無機配向膜を高級アルコールで湿潤させる方法が記載されている。これらの高級アルコール処理の具体的処理方法としては、無機配向膜に高級アルコールをスピンコート、浸漬、またはスプレーすることが記載されており、高級アルコール薄膜を無機配向膜の表面に形成することが特許文献２に記載されている。
【０００４】
【特許文献１】特開２００１−３１４８２７号公報（明細書段落００２６から００４３、および図１）
【特許文献２】特開２０００−４７２１１号公報（明細書段落００２１から００３９、および図１と図２）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
特許文献１における配向膜を形成した基板の洗浄方法は、ポリイミド膜などの高分子材料からなる有機配向膜を形成した基板においては、微細な水滴の残留をなくし、残留水滴を起因とする液晶パネルの表示品質の低下を引き起こす残留イオンの発生を抑制するとともに、洗浄むらや純水の乾燥むらが発生せず、コントラストむらが発生することがない優れた方法である。
【０００６】
しかしながら、酸化シリコンなどからなる無機配向膜の洗浄方法としては、不都合が発生する。
無機配向膜材料である酸化シリコンは吸湿性が激しい。このため基板の純水洗浄工程において、無機配向膜が水分を吸湿する現象が発生する。そして、純水洗浄工程後の純水除去工程、置換工程、溶液除去工程、および加熱工程においても、無機配向膜中に吸湿した水分は除去できず、無機配向膜中に水分が残留してしまう。
【０００７】
この無機配向膜中に残留した水分が、無機配向膜と液晶との界面や、無機配向膜表面に形成されることになる。
このように無機配向膜表面や液晶との界面に水分が存在すると、液晶分子のプレチルト角が水分のために変化する現象が発生する。この結果、黒表示が変化して、コントラスト比の低下や表示むらが発生し、液晶パネルの表示品質が低下する不都合が生じる。
【０００８】
垂直配向型ネマティック液晶（ＶＡＮ）型、とくにプロジェクター用の液晶パネルは、コントラスト比が大きく、プレチルト角の安定性が液晶パネルの表示品質の観点から重要な課題となっている。
このため無機配向膜は、表面に水分が残留せず、さらに無機配向膜中に水分を吸湿していないことが求められている。
【０００９】
特許文献２では、無機配向膜の表面に高級アルコール薄膜を形成している。この高級アルコール薄膜の形成方法としては、スピンナーを用いて無機配向膜表面に塗布する方法（回転塗布法）で行っている。
【００１０】
回転塗布法による塗布薄膜の形成では、この塗布薄膜の下地に凹凸面があると、凹凸面の影響を受け、均一な膜厚で塗布薄膜を形成することは難しい。
すなわち塗布薄膜の下地に凹凸面が存在すると、凸部では薄い膜厚で形成され、反対に凹部では厚い膜厚で塗布薄膜が形成される。この結果、無機配向膜の頭部（凸部）では高級アルコール薄膜は薄く形成され、柱状の無機配向膜間（凹部）では厚く高級アルコール薄膜が形成されることになる。
【００１１】
したがって、柱状の無機配向膜間の無機配向膜を形成していない領域に高級アルコール薄膜が厚く形成され、無機配向膜による凹凸形状が変化し、無機配向膜形成直後の形状を維持できない。
この結果、液晶分子のプレチルト角が安定せず、黒表示が変化して、コントラスト比の低下や表示むらが発生し、液晶パネルの表示品質が低下するという不都合が生じる。
【００１２】
さらに特許文献２の液晶パネルにおける高級アルコール薄膜は、親水性を有している。このため、一対の基板を貼り合わせ液晶を封入するシール剤を透過して浸入した水分は、高級アルコール薄膜と液晶層との間や無機配向膜表面に形成され、さらに無機配向膜に吸湿されることになる。
【００１３】
このように、基板を洗浄する純水に起因する残留水分および吸湿水分だけでなく、外部から浸入する水分によっても、液晶分子のプレチルト角が変化する。
このため、黒表示が変化して、コントラスト比の低下や表示むらが発生し、液晶パネルの表示品質が低下するという不都合が生じる。
【００１４】
この外部からシール剤を透過して浸入する水分による液晶パネルの表示品質の低下という不都合は、特許文献１の液晶パネルにおいても生じる。
【００１５】
本発明の目的は、上記の不都合を解決して、液晶分子のプレチルト角が変化しない無機配向膜を備える液晶パネルの構造と、この構造を得るための液晶パネルの製造方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１６】
上記目的を達成するために、本発明の液晶パネルの製造方法は下記記載の手段を採用する。
【００２２】
本発明の液晶パネルの製造方法は、一対の基板に液晶駆動要素とこの液晶駆動要素上に配向膜とを形成し、一対の基板間に封入する液晶層を液晶駆動要素にて制御することによって所定の情報を表示する液晶パネルの製造方法において、少なくとも、基板の液晶駆動要素上に配向膜として無機配向膜を形成する無機配向膜形成工程と、常温にて液相であるアルコールを用いて無機配向膜を洗浄するアルコール洗浄工程と、無機配向膜に吸湿した水分を常温にて液相であるアルコールに置換するアルコール置換工程と、水分を置換したアルコールを乾燥除去するアルコール乾燥工程と、無機配向膜表面にシリコンを含むとともに撥水性を有する撥水処理膜を形成する撥水処理膜形成工程とを有することを特徴とする。
【００２３】
本発明の液晶パネルの製造方法におけるアルコール乾燥工程は、無機配向膜を加熱する加熱処理工程、あるいは蒸気洗浄工程であることを特徴とする。
【００２４】
本発明の液晶パネルの製造方法におけるアルコール乾燥工程は、無機配向膜に光照射を行う光照射処理工程であることを特徴とする。
【００２５】
本発明の液晶パネルの製造方法におけるアルコール乾燥工程は、真空中またはガス雰囲気中で無機配向膜を加熱する加熱処理工程であることを特徴とする。
【００２６】
本発明の液晶パネルの製造方法は、一対の基板に液晶駆動要素とこの液晶駆動要素上に配向膜とを形成し、一対の基板間に封入する液晶層を液晶駆動要素を制御することによって所定の情報を表示する液晶パネルの製造方法において、少なくとも、基板の液晶駆動要素上に配向膜として無機配向膜を形成する無機配向膜形成工程と、常温にて液相であるアルコールを用いて無機配向膜を洗浄するアルコール洗浄工程と、無機配向膜に吸湿した水分を常温にて液相であるアルコールに置換するアルコール置換工程と、無機配向膜表面に光照射処理を行うことにより水分を置換したアルコールを乾燥除去するとともに無機配向膜表面を活性化処理する光照射処理工程と、無機配向膜表面にシリコンを含むとともに撥水性を有する撥水処理膜を形成する撥水処理膜形成工程とを有することを特徴とする。
【００２７】
本発明の液晶パネルの製造方法における光照射処理工程の代わりに、無機配向膜表面にプラズマ処理を行い水分を置換したアルコールを乾燥させるとともに無機配向膜表面を活性化処理するプラズマ処理工程を行うことを特徴とする。
【００２８】
本発明の液晶パネルの製造方法における撥水処理膜形成工程後に、真空中またはガス雰囲気中にて無機配向膜を加熱する加熱処理工程を行うことを特徴とする。
【００２９】
本発明の液晶パネルの製造方法における常温にて液相であるアルコールは、メタノール、エタノール、イソプロピルアルコール、ブタノール、ヘキサノール、またはオクタノールから選択される１種であることを特徴とする。
【００３０】
本発明の液晶パネルの製造方法における撥水処理膜形成工程は、シランカップリング剤を用いて形成する工程であることを特徴とする。
【００３１】
本発明の液晶パネルの製造方法におけるシランカップリング剤を用いて撥水処理膜を形成する撥水処理膜形成工程は、化学気相成長法により撥水処理膜を無機配向膜表面に堆積する処理工程であることを特徴とする。
【００３２】
本発明の液晶パネルの製造方法におけるガス雰囲気は、窒素ガス、酸素ガス、または希ガスから選択される少なくとも１種であることを特徴とする。
【００３３】
本発明の液晶パネルの製造方法におけるプラズマ処理は、酸素、窒素、または希ガスから選択される少なくとも１種のプラズマを用いて行うことを特徴とする。
【発明の効果】
【００３４】
本発明の液晶パネルにおいては、無機配向膜の表面にシリコンを含むとともに撥水性を有する撥水処理膜を備えることを特徴としている。
また、本発明の液晶パネルの製造方法においては、基板の液晶駆動要素上に配向膜として無機配向膜を形成する無機配向膜形成工程と、常温にて液相であるアルコールを用いて無機配向膜を洗浄するアルコール洗浄工程と、無機配向膜表面の水分および無機配向膜中に吸湿した水分を常温にて液相であるアルコールに置換するアルコール置換工程と、水分を置換したアルコールを乾燥させるアルコール乾燥工程と、無機配向膜表面にシリコンを含むとともに撥水性を有する撥水処理膜を形成する撥水処理膜形成工程とを有することを特徴としている。
さらにまた、本発明の液晶パネルの製造方法においては、基板の液晶駆動要素上に配向膜として無機配向膜を形成する無機配向膜形成工程と、常温にて液相であるアルコールを用いて無機配向膜を洗浄するアルコール洗浄工程と、無機配向膜表面の水分および無機配向膜中に吸湿した水分を常温にて液相であるアルコールに置換するアルコール置換工程と、無機配向膜表面にプラズマ処理を行うことにより水分を置換したアルコールを乾燥させるとともに無機配向膜表面を活性化処理するプラズマ処理工程と、無機配向膜表面にシリコンを含むとともに撥水性を有する撥水処理膜を形成する撥水処理膜形成工程とを有することを特徴としている。
【００３５】
このため本発明の液晶パネルでは、無機配向膜表面に設ける撥水処理膜によって、無機配向膜と液晶との界面や無機配向膜への水分の吸湿を防止することができる。
さらに撥水処理膜が撥水性を具備していることから、シール剤を透過して浸入した水分の無機配向膜表面への吸着も発生しない。
【００３６】
また本発明の液晶パネルの製造方法では、無機配向膜表面のよごれや付着したごみを除去するアルコール洗浄工程後、無機配向膜表面の水分および無機配向膜中に吸湿した水分をアルコールにて置換するアルコール置換工程と、水分を置換したアルコールを気化させて乾燥除去する処理工程を行っている。
【００３７】
したがって本発明では、液晶分子のプレチルト角が変化することはなく、黒表示は変化せず、コントラスト比の低下および表示むらは発生せず、表示品質が良好な液晶パネルを提供することができる。
このように本発明ではプレチルト角の安定性に優れた液晶パネルおよびその製造方法を提供することができ、とくに垂直配向型ネマティック液晶（ＶＡＮ）のうちプロジェクター用に最適な液晶パネルを提供できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３８】
以下、図面を使用して本発明の実施形態における液晶パネル構造と液晶パネルの製造方法を詳しく説明する。本発明では、液晶駆動要素であるスイッチング素子をもつアクティブ方式、およびスイッチング素子をもたないパッシブ方式の双方に適用可能であり、実施形態の説明では、はじめにシリコン基板にスイッチング素子を形成する反射型表示の液晶パネル（ＬＣＯＳ：Ｌｉｑｕｉｄ  Ｃｒｙｓｔａｌ  Ｏｎ  Ｓｉｌｉｃｏｎ）を例にして説明する。
【００３９】
〔液晶パネルの構造説明〕
はじめに液晶パネルの構造を、図１、図２、図３、および図４を用いて説明する。図１は本発明の実施形態における液晶パネルを示す断面図であり、図２は本発明の実施形態における液晶パネルの一部を拡大して示す断面図であり、図３は本発明の実施形態におけるシリコン基板に形成する液晶駆動要素を示す断面図であり、図４は本発明の実施形態における基板に形成する液晶駆動要素を示す等価回路図である。
以下、図１、図２、図３、および図４を交互に参照して、本発明の実施形態における液晶パネルの構造を説明する。
【００４０】
なお以下の実施形態の説明においては、液晶パネルを構成する一対の基板は、つぎに説明するような名称をつけるとともに、符号を付す。
一対の基板を総称して説明する場合は符号１２を付し、一対の基板を視認側と、この視認側と反対側とを区別して説明する場合は、視認側と反対側の基板は符号１２ａを付して第１の基板とし、視認側の基板は符号１２ｂを付して第２の基板として説明する。
【００４１】
はじめに本発明の実施形態における液晶パネルの全体構成を、図１の断面図を使用して説明する。
液晶パネル１０を構成する視認側の第２の基板１２ｂと、視認側と反対側の第１の基板１２ａには、あとで詳しく説明する液晶駆動要素を形成する。この図１においては、液晶駆動要素のうち、第２の基板１２ｂに設ける対向電極３０のみが図示されている。
第１の基板１２ａは半導体材料であるシリコン基板からなる。また、第２の基板１２ｂはホウケイ酸ガラス材料や、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）の樹脂材料などの透明絶縁性基板からなる。
【００４２】
第１の基板１２ａと第２の基板１２ｂの液晶駆動要素上に、それぞれ無機配向膜１４を設ける。無機配向膜１４は酸化シリコンからなる。拡大して示す図２のように、無機配向膜１４は柱状の形状を有するとともに、所定の角度傾けて形成されている。
無機配向膜１４と無機配向膜１４とのあいだの領域は溝となり、この溝部に液晶分子が所定のプレチルト角にて配向する。
【００４３】
無機配向膜１４の表面にシリコンを含有するとともに撥水性を備える撥水処理膜１６を設ける。撥水処理膜１６は有機ケイ素化合物であるシランカップリング剤から形成する。シランカップリング剤は、一般式（ＲＯ）３ＳｉＲで表され、ＲＯ基は加水分解してＯＨ基となる。またＲはアルキル基である。
シランカップリング剤に含まれるシリコンは、酸化シリコンからなる無機配向膜１４のシリコンと共有結合することから、無機配向膜１４に対して撥水処理膜１６を密着性良く被膜形成できる。
【００４４】
無機配向膜１４表面に設ける撥水処理膜１６は、単分子層または数分子層で設け、厚さは数ｎｍとする。この撥水処理膜１６は、単分子層とすることが好ましい。その理由をつぎに説明する。
単分子層にて撥水処理膜１６を無機配向膜１４表面に形成すると、柱状の無機配向膜１４形状、および無機配向膜１４間の溝形状が、無機配向膜１４形成時の形状をほとんどそのまま維持することができることから、とくに好ましい。
【００４５】
このように本発明の液晶パネルにおいては、撥水処理膜１６を、きわめて薄い膜厚の単分子層、または単分子層よりわずかに膜厚が厚い数分子層で無機配向膜１４表面に設けている。
このことから、図２に示すように、柱状の無機配向膜１４形状とその間の溝形状は、無機配向膜１４形成時のまま維持できる。したがって本発明では、液晶分子は所定のプレチルト角で安定して配向させることができる。
【００４６】
図１には図示していないが、基板１２の周辺部に液晶層１８を第１の基板１２ａと第２の基板１２ｂ間に封入するためのシール剤を設ける。そして、シール剤の内側領域で、かつ一対の基板１２間に液晶層１８を設ける。
このシール剤の内側領域の液晶層１８を封入した領域が、液晶パネルにおける表示領域となる。
【００４７】
本発明の液晶パネル１０の無機配向膜１４表面には、撥水処理膜１６を設けている。この撥水処理膜１６は撥水性を備えていることから、無機配向膜１４への水分の吸着を防止できる。したがって、シール剤を透過して浸入した水分は、無機配向膜１４に吸湿することや、無機配向膜１４と液晶層１８との界面に介在することは発生しない。
この結果、本発明では液晶分子のプレチルト角は所定の角度で安定し、黒表示が変化することはなく、コントラスト比の低下および表示むらの発生がなく、表示品質が良好な液晶パネル１０が得られる。
【００４８】
〔液晶駆動要素の説明〕
つぎに基板１２に形成する液晶駆動要素を、図４の等価回路図を用いて説明する。図４は１画素の液晶駆動要素を示す。
第１の基板１２ａに、いずれも導電材料からなる信号電極２４および走査電極２６を形成する。さらに、走査電極２６にゲート電極が接続し信号電極２４にドレイン電極が接続しソース電極が反射電極２８に接続するスイッチング素子２０であるＭＯＳ（Ｍｅｔａｌ
Ｏｘｉｄｅ  Ｓｉｌｉｃｏｎ）トランジスタと、このＭＯＳトランジスタのソース電極に接続する保持容量２２とを第１の基板１２ａに形成する。
第２の基板１２ｂには、液晶層１８を介して反射電極２８と対向する対向電極３０を形成する。
【００４９】
保持容量２２は、スイッチング素子２０である薄膜トランジスタのリーク電流に起因する液晶層１８への印加電圧の低下を防止する役割をもつ。液晶パネル１０は反射電極２８と対向電極３０間の液晶層１８を駆動制御して所定の表示を行う。
【００５０】
〔液晶駆動要素をシリコン基板に設けるＬＣＯＳ構造の説明〕
図４に示す液晶駆動要素のうちスイッチング素子２０と保持容量２２と信号電極２４と反射電極２８とを、シリコン基板からなる第１の基板１２ａに形成したＬＣＯＳにおける構造を、図３の断面図を用いて説明する。なお、図３は１画素の液晶駆動要素を図示している。
シリコン酸化膜からなる素子分離絶縁膜３４に分離された領域に、それぞれスイッチング素子２０と保持容量２２を設ける。
【００５１】
スイッチング素子２０はＭＯＳトランジスタからなる。ＭＯＳトランジスタは、シリコン基板とシリコン酸化膜からなるゲート絶縁膜と多結晶シリコンからなるゲート電極２０ａとのＭＯＳ構造を有する。さらにスイッチング素子２０は、ゲート電極２０ａに整合した領域のシリコン基板（第１の基板１２ａ）にソース電極２０ｂとドレイン電極２０ｃを設けている。
保持容量２２は上下の電極間に絶縁膜を有する構造からなり、下方の電極となるシリコン基板と、シリコン酸化膜と、上方の電極となる容量電極２２ａからなるＭＯＳ構造を有する。容量電極２２ａはゲート電極２０ａと同じ多結晶シリコンからなる。
【００５２】
スイッチング素子２０と保持容量２２上にシリコン酸化膜などの無機絶縁膜からなる第１の層間絶縁膜３２ａを設ける。そして第１の層間絶縁膜３２ａに、ソース電極２０ｂとドレイン電極２０ｃと容量電極２２ａの各領域にコンタクトホールを開口する。
第１の層間絶縁膜３２ａに形成したこれらのコンタクトホールを介して、ソース電極２０ｂとドレイン電極２０ｃと容量電極２２ａと接続するアルミニウムやアルミニウムとシリコンの合金からなる第１の導電膜を設ける。ドレイン電極２０ｃと接続する第１の導電膜が信号電極２４となる。さらにソース電極２０ｂと容量電極２２ａとを第１の導電膜にて接続する。
【００５３】
信号電極２４上にシリコン酸化膜などの無機絶縁膜からなる第２の層間絶縁膜３２ｂを設け、ソース電極２０ｂと容量電極２２ａを接続する第１の導電膜と接続する領域にコンタクトホールを開口する。
さらに、第２の層間絶縁膜３２ｂに形成したコンタクトホールを介して、ソース電極２０ｂと容量電極２２ａとを接続した第１の導電膜と接続する第２の導電膜を設ける。第２の層間絶縁膜３２ｂ上に設ける第２の導電膜が反射電極２８となる。
反射電極２８となる第２の導電膜は、表面における反射特性が良好なアルミニウムまたは銅（Ｃｕ）とアルミニウムとの合金で形成する。
【００５４】
図３には図示しないが、反射電極２８上の全面には、被膜の光透過率が良好なシリコン酸化膜（ＳｉＯ）や窒化シリコン膜（ＳｉＮ）や酸窒化シリコン膜（ＳｉＯＮ）からなる絶縁膜を設ける。
なお、図４に示す走査電極２６は、ゲート電極２０ａや容量電極２２ａと同じ多結晶シリコンで構成するが、異なる断面位置に形成されており、図３の断面図には表れていない。さらに、第２の基板１２ｂに設ける対向電極３０（図１参照）は、酸化インジウムスズ（Ｉｎｄｉｕｍ  Ｔｉｎ  Ｏｘｉｄｅ：ＩＴＯ）などの透明導電膜からなる。
【００５５】
〔液晶パネルの製造方法の説明〕
つぎに、図１と図２を用いて説明した液晶パネル１０構造を形成するための製造方法における実施形態を説明する。
【００５６】
〔第１の実施形態における製造方法の説明〕
本発明の液晶パネルの製造方法における第１の実施形態を、図６のフローチャートを用いて説明する。
液晶駆動要素を形成した第１の基板１２ａと第２の基板１２ｂとに、斜めに傾いた柱状の無機配向膜１４を形成する無機配向膜形成工程（Ｓ１０１）と、無機配向膜１４表面の汚れや無機配向膜１４に付着したごみやよごれなどを除去するために無機配向膜１４を常温状態で液相のアルコールにて洗浄するアルコール洗浄工程（Ｓ１０２）と、無機配向膜１４表面の水分および無機配向膜１４膜中に吸湿した水分を常温状態で液相のアルコールにて置換するアルコール置換工程（Ｓ１０３）と、水分を置換したアルコールを気化させて乾燥除去するアルコール乾燥工程（Ｓ１０４）と、無機配向膜１４の表面に単分子層または数分子層というきわめて薄い膜厚の撥水処理膜１６を形成する撥水処理膜形成工程（Ｓ１０５）との各工程を行うことによって液晶パネル１０を形成する。
【００５７】
〔第１の実施形態における無機配向膜形成工程の説明〕
つぎに図６に示す各工程を詳細に説明する。はじめに無機配向膜形成工程（Ｓ１０１）を説明する。はじめに無機配向膜形成工程（Ｓ１０１）にて使用する真空蒸着装置の構造を説明する。図１５は、無機配向膜１４を形成するための真空蒸着装置４６を示す断面図である。
【００５８】
真空蒸着装置４６の真空槽４６ａの内部に、無機配向膜１４を形成する基板１２を所定の角度に傾けて保持する基板保持手段（図示せず）を配置する。真空槽４６ａ内部を減圧雰囲気にするために、真空槽４６ａには排気口４６ｃを介して真空排気手段４６ｂを接続する。真空排気手段４６ｂは、真空ポンプから構成する。
また真空槽４６ａ内の基板１２と対向する位置に、酸化シリコンからなる無機配向膜材料４６ｄを収納する無機配向膜材料容器４６ｅを配置する。なお無機配向膜材料容器４６ｅは熱伝導性の良い銅（Ｃｕ）で形成する。無機配向膜材料容器４６ｅは冷却のために、無機配向膜材料容器冷却手段４６ｆに熱的に接続され過剰な温度上昇を防止している。さらに、無機配向膜材料容器４６ｅには、無機配向膜材料４６ｄを溶融させるために無機配向膜蒸着用電子ビーム発生手段４６ｇから発生される無機配向膜蒸着用電子ビーム４６ｊが照射され、電子ビームのエネルギーで無機配向膜材料４６ｄが溶融される。無機配向膜蒸着用電子ビーム発生手段４６ｇは、無機配向膜蒸着用電子ビーム電源手段４６ｈが電気的に接続され、無機配向膜材料容器４６ｅと電子ビーム発生用グランド４６ｉとに電気的に接続している。
【００５９】
つぎに、この真空蒸着装置４６を用いた無機配向膜形成工程（Ｓ１０１）を説明する。真空排気手段４６ｂにより、真空槽４６ａ内部を排気口４６ｃから真空排気して、真空槽４６ａ内部を所定の減圧雰囲気にする。
その後、無機配向膜蒸着用電子ビーム発生手段４６ｇによって無機配向膜材料４６ｄを加熱し、無機配向膜材料容器４６ｅ内の無機配向膜材料４６ｄを溶融させる。溶融した無機配向膜材料４６ｄである酸化シリコン分子は、真空槽４６ａ内部が減圧雰囲気であることから、無機配向膜材料容器４６ｅから飛び出して、基板１２に到達する。そして前述のように、基板１２を傾けて保持していることから、柱状でかつ基板１２面に対して所定角度傾いた無機配向膜１４を形成することができる。
無機配向膜１４は、１０ｎｍから５０ｎｍの膜厚で形成する。
【００６０】
〔第１の実施形態におけるアルコール洗浄工程の説明〕
つぎにアルコール洗浄工程（Ｓ１０２）を説明する。アルコール洗浄工程（Ｓ１０２）おいては、酸化シリコンからなる柱状の無機配向膜１４を形成した基板１２を、１５℃から２５℃の常温状態で液相のアルコールを用いて洗浄する。
このアルコール洗浄工程（Ｓ１０２）によって、無機配向膜１４表面のよごれ、および無機配向膜１４に付着したごみなどを除去する。
【００６１】
常温状態で液相のアルコールとしては、以下に記載するものがある。アルコールの一般式であるＣｎＨ２ｎ＋１ＯＨにおいてｎが１から１０のアルコールが、本発明のアルコール洗浄工程（Ｓ１０２）にて使用できる。
上記一般式のけるｎが１０以上のアルコールでは揮発性が悪く、気化しにくく、無機配向膜１４表面や基板１２にアルコールが残留することから、アルコール洗浄工程（Ｓ１０２）で使用するには不向きである。
【００６２】
具体的な常温状態にて液相のアルコールとしては、メタノール（ＣＨ３ＯＨ）、エタノール（Ｃ２Ｈ５ＯＨ）、イソプロピルアルコール（Ｃ３Ｈ７ＯＨ）、ブタノール（Ｃ４Ｈ９ＯＨ）、ヘキサノール（Ｃ６Ｈ１３ＯＨ）、オクタノール（Ｃ８Ｈ１７ＯＨ）がある。
これらアルコールのなかで、入手しやすく、さらに特性が安定している点から、本発明の実施形態におけるアルコール洗浄工程（Ｓ１０２）においては、イソプロピルアルコールを使用する。
【００６３】
なおこのアルコール洗浄工程（Ｓ１０２）では、複数枚の基板１２を洗浄治具であるウェーハカセットに収納する。
そしてウェーハカセットに収納した基板１２を、イソプロピルアルコールを貯留した洗浄容器に浸漬し、ウェーハカセットを揺動や回転させるか、あるいは洗浄容器に超音波振動を与え、無機配向膜１４表面の汚れや、無機配向膜１４表面に付着したごみなどを、イソプロピルアルコールがもつ洗浄力を利用して除去している。
【００６４】
本発明の液晶パネルの製造方法では、特許文献１のように、純水を使用して無機配向膜１４を洗浄していない。このため酸化シリコンからなる無機配向膜１４は、水分を吸湿することがない。
さらに常温状態にて液相のアルコールを用いて、無機配向膜１４表面を洗い流すことができるため、無機配向膜１４の表面に付着したごみや微細なちりなどを積極的に除去することができる。
【００６５】
さらに、無機配向膜１４のよごれも、本発明の液晶パネルの製造方法では、常温状態にて液相のアルコールを用いて洗浄することによって除去することができる。
またさらに、無機配向膜１４表面に付着した水分を、アルコールがもつ化学親和力を利用して、無機配向膜１４表面から除去することもできる。
【００６６】
〔第１の実施形態のアルコール置換工程の説明〕
つぎにアルコール置換工程（Ｓ１０３）を説明する。アルコール洗浄工程（Ｓ１０２）にて無機配向膜１４表面のよごれや付着したごみを除去したのち、常温状態で液相のアルコールを貯留した置換容器に基板１２を浸漬し、無機配向膜１４表面に残存する水分、および無機配向膜１４に吸湿した水分をアルコールで完全に置換する。
アルコールは水との化学親和力が強く、水分をアルコールに置換することができ、無機配向膜１４表面に付着した水分、および無機配向膜１４中に吸湿した水分をアルコールに置換することができる。
【００６７】
また、本発明の液晶パネルの製造方法においては、前述のように、純水を用いて無機配向膜１４を洗浄していない。
このため、無機配向膜１４が吸湿する水分は、真空蒸着装置４６にて無機配向膜１４を形成し、この真空蒸着装置４６から基板１２を大気中に取り出してからアルコール洗浄工程（Ｓ１０２）までの期間における大気中に含まれる水分だけとなる。
【００６８】
したがって、無機配向膜１４が吸湿する水分は少なくなり、アルコール置換工程（Ｓ１０３）にて、無機配向膜１４が吸湿した水分のすべてをアルコールにて置換することができる。
また、無機配向膜形成工程（Ｓ１０１）を終了した基板１２を、乾燥空気雰囲気中や乾燥窒素ガス雰囲気中で保管するようにすれば、無機配向膜１４が吸湿する水分をきわめて少なくすることが可能となる。
【００６９】
したがって、水分をアルコールにて置換することによって、無機配向膜１４表面および膜中に水分が残存することがない。
この結果、アルコール置換工程（Ｓ１０３）のつぎの工程であるアルコール乾燥工程（Ｓ１０４）にて、水分を置換したアルコールを気化させて乾燥除去することによって、無機配向膜１４から水分を完全に除去することができる。
【００７０】
アルコール洗浄工程（Ｓ１０２）に引き続いてアルコール置換工程（Ｓ１０３）を行うのは、つぎに記す理由による。
アルコール洗浄工程（Ｓ１０２）を行っただけでは、無機配向膜１４表面の水分および膜中に吸湿した水分を完全にアルコールにて置換することができず、アルコール置換工程（Ｓ１０３）を行うことによって、無機配向膜１４に吸湿した水分のほとんどすべてをアルコールにて置換させるためである。
このため本発明における無機配向膜１４は、表面に水分が残存せず、そのうえ膜中にも水分を吸湿していない。したがって、本発明においては、水分に起因する液晶分子のプレチルト角が変化することがなく、表示品質が良好な液晶パネルが得られる。
【００７１】
アルコール置換工程（Ｓ１０３）にて使用するアルコールは、先に説明したアルコール洗浄工程（Ｓ１０２）において使用したアルコールと同じアルコールを使用することができ、本発明の実施形態ではイソプロピルアルコールを使用した。このイソプロピルアルコールを使用するのは、前述の理由と同じ、特性が安定していることと、入手しやすいことによる。
ただし、アルコール洗浄工程（Ｓ１０２）のイソプロピルアルコールを貯留する洗浄容器と、アルコール置換工程（Ｓ１０３）のイソプロピルアルコールを貯留する置換容器とは、異なる容器を使用する。
【００７２】
〔第１の実施形態のアルコール乾燥工程の説明〕
つぎにアルコール乾燥工程（Ｓ１０４）を行い、アルコール置換工程（Ｓ１０３）にて無機配向膜１４の水分を置換したイソプロピルアルコールを気化させ、無機配向膜１４表面からアルコールを乾燥除去する。
無機配向膜１４表面から水分を置換したアルコールを乾燥除去することによって、無機配向膜１４の表面および膜中に水分が残存することがなく、またさらにアルコール乾燥工程（Ｓ１０４）のつぎの工程である撥水処理膜形成工程（Ｓ１０５）にて、水分吸湿のない無機配向膜１４に撥水処理膜１６を密着性よく形成することができる。
【００７３】
アルコール乾燥工程（Ｓ１０４）は、基板１２を収納したウェーハカセットを、温度が８０℃から１００℃に加熱した加熱オーブン内に配置する。イソプロピルアルコールを加熱することによって、無機配向膜１４表面から気化させて、イソプロピルアルコールを乾燥除去する。
また、アルコール乾燥工程（Ｓ１０４）は、加熱オーブンにて基板１２を加熱処理する代わりに、清浄な温風を基板１２に吹き付けることによって加熱し、アルコールを気化させて乾燥除去しても良い。
【００７４】
以上説明した加熱オーブンや温風によるアルコール乾燥工程（Ｓ１０４）のほかに、イソプロピルアルコールを使用する蒸気洗浄処理を行っても良い。
以下、イソプロピルアルコールを用いる蒸気洗浄処理について説明する。イソプロピルアルコールを貯留する蒸気洗浄槽の底面に、イソプロピルアルコールを加熱する蒸気加熱管を配置する。さらに蒸気洗浄槽の上部には冷却管を配置する。
【００７５】
蒸気洗浄槽の下部に貯留したイソプロピルアルコールは、蒸気加熱管にて温度８５℃程度に加熱され、イソプロピルアルコールは蒸気となって上昇している。このイソプロピルアルコール蒸気中に基板１２を位置させると、イソプロピルアルコールは基板１２に凝縮付着する。そして、基板１２を冷却管付近まで持ち上げると、凝縮付着したイソプロピルアルコールが基板１２から滴下して、イソプロピルアルコールを乾燥させて除去することができる。
この蒸気洗浄処理においては、基板１２表面や無機配向膜１４表面に、洗浄むらや水しみ（ウォータマーク）の発生がほとんど発生しない。このため無機配向膜１４に密着性よく撥水処理膜１６を形成できる。
【００７６】
アルコール乾燥工程（Ｓ１０４）として、基板１２を加熱処理する方法や、蒸気洗浄処理による方法のほかに、光照射処理装置を用いて光照射により加熱して、無機配向膜１４の水分を置換したアルコールを気化させ乾燥除去してもよい。
その光照射処理装置を使用するアルコール乾燥工程（Ｓ１０４）を、図１４を用いて説明する。図１４はアルコール乾燥工程（Ｓ１０４）にて使用する光照射処理装置を示す断面図である。
【００７７】
はじめに光照射処理装置の構造を説明する。図１４に示すように、光照射処理装置４４は、処理槽４４ａ内に無機配向膜１４の水分をアルコールにて置換した基板１２を載置する基板載置台４４ｃを配設する。
さらに基板載置台４４ｃに対向する処理槽４４ａの上方位置に照射光源４４ｂを配置する。この照射光源４４ｂとしては、ハロゲンランプと、このハロゲンランプ側に凹面の反射面を有する光反射部材とを備えている。
【００７８】
つぎに、光照射処理装置４４を使用するアルコール乾燥工程（Ｓ１０４）を説明する。斜めに傾いた柱状の無機配向膜１４を基板１２に形成する無機配向膜形成工程（Ｓ１０１）と、アルコールを用いて無機配向膜１４を洗浄して、よごれや付着したごみを除去するアルコール洗浄工程（Ｓ１０３）と、さらに無機配向膜１４表面に付着した水分および無機配向膜１４の膜中に吸湿した水分をアルコールにて置換するアルコール置換工程（Ｓ１０４）を順次行う。
その後、基板１２を光照射処理装置４４の基板載置台４４ｃに載置する。そして照射光源４４ｂのハロゲンランプを点灯して、基板１２に光照射を行う。すると、基板１２が照射光源４４ｂによって加熱され、無機配向膜１４の水分を置換したアルコールを気化させて乾燥除去することができる。なお、光照射処理装置４４における処理槽４４ａ内部の雰囲気は、常圧雰囲気、または減圧雰囲気、または窒素ガスなどの不活性ガス雰囲気のいずれかでよい。
【００７９】
〔第１の実施形態の撥水処理膜形成工程の説明〕
つぎに撥水性処理膜形成工程（Ｓ１０５）を行い無機配向膜１４表面に撥水処理膜１６を形成する。この撥水処理膜形成工程（Ｓ１０５）では、化学気相成長（ＣＶＤ：Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｖａｐｏｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法により被膜形成を行う。この化学気相成長法による撥水処理膜形成装置を、図５の断面図を使用して説明する。
【００８０】
はじめに撥水処理膜形成装置３６の構造を説明する。撥水処理膜形成装置３６は、真空槽３６ａ内部を減圧雰囲気にするための真空排気手段３６ｂを、排気口３６ｊを介して真空槽３６ａに接続する。撥水処理膜１６の原料である液体状のシランカップリング剤を貯留する原料貯留容器３６ｇは、バルブ３６ｆと流量計３６ｅとガス導入口３６ｉを介して真空槽３６ａに接続している。
また原料貯留容器３６ｇ内のシランカップリング剤を加熱するための容器加熱手段３６ｈを原料貯留容器３６ｇの下部に設ける。真空槽３６ａ内部には基板１２を載置する基板載置台３６ｃを設ける。また、基板載置台３６ｃを介して基板１２を加熱するための基板加熱手段３６ｄを基板載置台３６ｃの下部に設ける。
【００８１】
つぎに撥水処理膜形成装置３６を用いる撥水処理膜形成工程（Ｓ１０５）を説明する。撥水処理膜１６の原料である液体状のシランカップリング剤を原料貯留容器３６ｇ内に入れる。そして容器加熱手段３６ｈにて原料貯留容器３６を加熱して、シランカップリング剤を加熱し、液体状のシランカップリング剤を気化させる。
そして真空槽３６ａの内部を減圧雰囲気にするために、排気口３６ｊから真空排気手段３６ｂにて真空排気する。
【００８２】
真空槽３６ａ内部が所定の減圧圧力に到達した後、原料貯留容器３６ｇからシランカップリング剤を真空槽３６ａ内に導入する。バルブ３６ｆを開くと、加熱によって気化したガス状のシランカップリング剤は、流量計３６ｅで流量が制御されてガス導入口３６ｉから真空槽３６ａ内に導かれる。このとき真空槽３６ａ内部は、所定の圧力（減圧雰囲気）になるように、真空排気手段３６ｂによる真空排気と、流量計３６ｅによるシランカップリング剤の流量とを制御する。
基板載置台３６ｃ上の基板１２は、基板加熱手段３６ｄによって加熱され、ガス状のシランカップリング剤からなる撥水処理膜１６が、基板１２に形成されている無機配向膜１４表面に堆積する。
【００８３】
無機配向膜１４表面に形成する撥水処理膜１６は、前述のようにシランカップリング剤中にシリコンが含まれていることから、酸化シリコンからなる無機配向膜１４と共有結合して強固に密着する。
撥水処理膜１６は、単分子層または数分子層で形成し、その膜厚は数ｎｍとする。このように撥水処理膜１６を、単分子層または数分子層のきわめて薄い膜厚で形成していることから、柱状の無機配向膜１４形状と、無機配向膜１４と無機配向膜１４との間の溝形状とは、無機配向膜１４形成時そのままの形状を維持することができる。
【００８４】
無機配向膜１４表面に形成する撥水処理膜１６は、単分子層で形成することがとくに好ましい。
撥水処理膜１６を単分子層というきわめて薄い膜厚によって無機配向膜１４表面に形成すると、無機配向膜１４形成時の柱状の無機配向膜１４形状、および無機配向膜１４間の溝形状は、無機配向膜１４を形成した直後の形状を、ほとんどそのままの形状で維持できることから、とくに好ましい。
【００８５】
このように本発明の液晶パネルでは、単分子層または数分子層の撥水処理膜１６を無機配向膜１４の表面に形成していることから、特許文献２のように溝深さが塗布法による高級アルコール薄膜の形成工程にて、浅くなることは発生せず、液晶分子の配向性は良好となり、プレチルト角が変化することはない。
【００８６】
または本発明の撥水処理膜形成装置３６においては、気化したガス状のシランカップリング剤から撥水処理膜１６を減圧雰囲気中で形成している。
このため撥水処理膜１６は、段差被覆性良く形成することができ、図２に示すように、傾いた柱状の無機配向膜１４の表面にほぼ均一な膜厚で、しかも膜厚制御性良く形成することができる。
【００８７】
さらに撥水処理膜１６は、光励起化学気相成長装置を用いて形成することもできる。光励起化学気相成長装置は、真空槽内部に紫外線光光源を配置し、真空槽内部に気化したガス状のシランカップリング剤を導入し、減圧雰囲気中で光化学反応を利用して撥水処理膜１６を堆積する。
この光励起化学気相成長装置による撥水処理膜１６の形成も、段差被覆性および膜厚制御性良く形成できる。単分子層または数分子層というきわめて薄い膜厚の撥水処理膜１６の形成に、光励起化学気相成長装置は適している。
【００８８】
〔第２の実施形態における製造方法の説明〕
つぎに本発明の第２の実施形態における液晶パネルの製造方法を、図７のフローチャートを使用して説明する。
図７に示すように、第２の実施形態における液晶パネルの製造方法は、つぎに記す工程からなる。斜めに傾いた柱状の無機配向膜１４を基板１２に形成する無機配向膜形成工程（Ｓ２０１）と、無機配向膜１４表面のよごれや付着したごみなどを除去するために常温状態で液相のアルコールを用いて洗浄するアルコール洗浄工程（Ｓ２０２）と、無機配向膜１４に吸湿した水分、および無機配向膜１４表面に付着した水分を常温状態で液相のアルコールを用いて置換するアルコール置換工程（Ｓ２０３）と、（無機配向膜１４表面の水分および無機配向膜１４膜中に吸湿した水分を）置換したアルコールを気化させて乾燥除去するために真空中またはガス雰囲気中にて加熱する加熱処理工程（Ｓ２０４）と、無機配向膜１４表面に単分子層または数分子層の撥水処理膜１６を形成する撥水処理膜形成工程（Ｓ２０５）から液晶パネルを製造する。
【００８９】
この第２の実施形態において、無機配向膜形成工程（Ｓ２０１）と、アルコール洗浄工程（Ｓ２０２）と、アルコール置換工程（Ｓ２０３）と、撥水処理膜形成工程（Ｓ２０５）とは、第１の実施形態における無機配向膜形成工程（Ｓ１０１）と、アルコール洗浄工程（Ｓ１０２）と、アルコール置換工程（Ｓ１０３）と、撥水処理膜形成工程（Ｓ１０５）とそれぞれ同じ処理工程を行う。第２の実施形態において、第１の実施形態と相違する処理工程は、水分を置換したアルコールを気化させて乾燥除去する加熱処理工程（Ｓ２０４）である。
そのため第１の実施形態の処理工程と同じ第２の実施形態の処理工程の詳細な説明は省略し、第１の実施形態の製造方法と相違する処理工程である加熱処理工程（Ｓ２０４）を中心に、以下詳しく説明する。
【００９０】
〔真空加熱処理装置を用いた加熱処理工程（Ｓ２０４）の説明〕
加熱処理工程（Ｓ２０４）は、真空加熱処置装置を用いる処理方法とガス雰囲気中加熱処理装置を用いる処理方法との２つの製造方法がある。最初に、真空加熱処理装置を使用する製造方法を、図１１を使用して説明する。図１１は、第２の実施形態の加熱処理工程（Ｓ２０４）において用いる真空加熱処理装置を示す断面図である。
【００９１】
はじめに真空加熱処理装置の構造を説明する。真空加熱処理装置３８は、真空槽３８ａ内部に無機配向膜１４を形成した基板１２を載置する基板載置台３８ｃを配設する。この基板載置台３８ｃを介して基板１２を加熱するための基板加熱手段３８ｄを基板載置台３８ｃの下部に設置する。
さらに真空槽３８ａ内部を減圧雰囲気とするための真空排気手段３８ｂを、真空槽３８ａの壁面に形成した排気口３８ｅを介して設ける。
【００９２】
つぎに、この真空加熱処理装置３８を使用する加熱処理工程（Ｓ２０４）を説明する。基板１２に無機配向膜１４を形成する無機配向膜形成工程（Ｓ２０１）と、アルコールを用いて無機配向膜１４を洗浄するアルコール洗浄工程（Ｓ２０２）と、さらに無機配向膜１４表面に付着した水分および無機配向膜１４に吸湿した水分をアルコールにて置換するアルコール置換工程（Ｓ２０３）を順次行う。
その後、加熱処理工程（Ｓ２０４）を行う。加熱処理工程（Ｓ２０４）は、基板１２を真空加熱処理装置３８の基板載置台３８ｃ上に配置する。そして、真空排気手段３８ｂにて真空槽３８ａ内部を減圧状態にするとともに、基板加熱手段３８ｄにて基板１２を加熱して、無機配向膜１４表面に付着している（水分および無機配向膜１４に吸湿した水分を置換した）アルコールを気化させて乾燥除去する。
【００９３】
上記した第２の実施形態の図１１に示す真空加熱処理装置３８を用いた製造方法においては、加熱処理工程（Ｓ２０４）を、無機配向膜１４を形成した基板１２を減圧雰囲気中で加熱処理して、水分を置換したアルコールを気化させて乾燥除去している。このため無機配向膜１４の水分を置換したアルコールを気化させて乾燥除去することを、きわめて短時間で行うことができる。
このため無機配向膜１４表面の洗浄むらや水しみ（ウォータマーク）の発生を完全になくすことができる。したがって、加熱処理工程（Ｓ２０４）後に行う撥水処理膜形成工程（Ｓ２０５）において、撥水処理膜１６を無機配向膜１４に密着性よく被膜形成することができる。
【００９４】
〔撥水処理膜形成装置を用いる加熱処理工程（Ｓ２０４）の説明〕
本発明の第２の実施形態における加熱処理工程（Ｓ２０４）を、図１１に示す真空加熱処理装置３８を使用して行う実施形態で説明した。しかし、図５を用いて説明した撥水処理膜形成装置３６を用いて、撥水処理膜１６形成の前工程で無機配向膜１４表面の水分を置換したアルコールを、真空中で加熱処理して気化させて乾燥除去しても良い。
【００９５】
すなわち、無機配向膜形成工程（Ｓ２０１）と、アルコール洗浄工程（Ｓ２０２）と、アルコール置換工程（Ｓ２０３）を行った基板１２を撥水処理膜形成装置３６の基板載置台３６ｃ上に載置する。
その後、真空排気手段３６ｂにて真空槽３６ａ内部を減圧状態にするとともに、基板１２を基板加熱手段３６ｄにより加熱して、無機配向膜１４表面の水分を置換したアルコールを、真空中で加熱することによって、気化させ乾燥除去する。その後、基板１２を撥水処理膜形成装置３６から取り出すことなく、撥水処理膜形成工程（Ｓ２０５）を行うことによって、無機配向膜１４表面に撥水処理膜１６を形成する。
【００９６】
以上説明した撥水処理膜形成装置３６を使用する加熱処理工程（Ｓ２０４）においても、無機配向膜１４の水分を置換したアルコールを気化させて、きわめて短時間で乾燥除去することができる。
したがって、撥水処理膜形成装置３６を用いた加熱処理工程（Ｓ２０４）においても、基板１２の表面や無機配向膜１４表面に、洗浄むらや水しみの発生を抑制できる。
【００９７】
このように図５に示す撥水処理膜形成装置３６を用いて、加熱処理工程（Ｓ２０４）と撥水処理膜形成工程（Ｓ２０５）とを、撥水処理膜形成装置３６から基板１２を取り出すことなく連続して行うと、つぎに記す効果を奏する。
すなわち、基板１２を大気中に取り出すことがないことから、無機配向膜１４のよごれやごみの付着がなく、無機配向膜１４と撥水処理膜１６との間に密着性を阻害するものが存在せず、両者を密着性よく形成することができる。
【００９８】
〔ガス雰囲気中加熱処理装置を用いる加熱処理工程（Ｓ２０４）の説明〕
つぎに本発明の第２の実施形態における製造方法における加熱処理工程（Ｓ２０４）におけるガス雰囲気中加熱処理を、図１２を用いて説明する。図１２は、第２の実施形態において使用するガス雰囲気中加熱処理装置を示す断面図である。
【００９９】
はじめに、ガス雰囲気中加熱処理装置の構造を説明する。ガス雰囲気中加熱処理装置４０は、真空槽４０ａの壁面にガス導入口４０ｅと排気口４０ｇを設ける。ガス導入口４０ｅは、バルブ４０ｆを介して窒素ガスや酸素ガスやアルゴンガスなどの希ガスを貯留したガスボンベ（図示せず）に接続している。
また真空槽４０ａ内部には、無機配向膜１４を形成し、水分をアルコールにて置換した基板１２を載置する基板載置台４０ｃを配設する。また基板１２を加熱するために、基板載置台４０ｃの下部に基板加熱手段４０ｄを配設する。
【０１００】
つぎに、ガス雰囲気中加熱処理装置４０を使用する加熱処理工程（Ｓ２０４）を説明する。基板１２に斜めに傾いた柱状の無機配向膜１４を形成する無機配向膜形成工程（Ｓ２０１）と、アルコールを用いて無機配向膜１４を洗浄しよごれやごみなどを除去するアルコール洗浄工程（Ｓ２０２）と、さらに無機配向膜１４表面に付着した水分および無機配向膜１４に吸湿した水分をアルコールにて置換するアルコール置換工程（Ｓ２０３）を順次行う。
【０１０１】
その後、加熱処理工程（Ｓ２０４）を行う。加熱処理工程（Ｓ２０４）は、ガス雰囲気中加熱処理装置４０の基板載置台４０ｃ上に基板１２を載置する。そして、真空排気手段４０ｂにて真空槽４０ａ内部を、排気口４０ｇを介して真空排気を行い減圧状態にする。その後、ガス導入口４０ｅから図示しないガスボンベから酸素ガス、窒素ガス、またはアルゴンなどの希ガスを真空槽４０ａ内部に導入するとともに、基板加熱手段４０ｄにて基板１２を加熱する。
すると、ガス雰囲気中で加熱されることから、アルコール置換工程（Ｓ２０３）にて無機配向膜１４表面に付着した水分および無機配向膜１４に吸湿した水分を置換したイソプロピルアルコールは、気化して乾燥除去することができる。
【０１０２】
この第２の実施形態の図１２に示すガス雰囲気中加熱処理装置４０を用いた製造方法においては、無機配向膜１４を形成した基板１２をガス雰囲気中で加熱処理して、水分を置換したアルコールを乾燥除去している。このため、無機配向膜１４の水分を置換したアルコールを気化させて乾燥除去する加熱処理工程（Ｓ２０４）を、きわめて短時間にて行うことが可能となる。
このため無機配向膜１４表面の洗浄むらや水しみ（ウォータマーク）の発生がなく、加熱処理工程（Ｓ２０４）後に行う撥水処理膜形成工程（Ｓ２０５）にて、撥水処理膜１６を密着性よく形成することができる。さらに酸素ガスや窒素ガスやアルゴンガス雰囲気中で加熱していることから、無機配向膜１４表面から水分を置換したアルコールを気化させて完全に乾燥除去できる。
【０１０３】
〔撥水処理膜形成装置を使用する加熱処理工程（Ｓ２０４）の説明〕
以上、本発明の第２の実施形態における加熱処理工程（Ｓ２０４）を、図１２に示すガス雰囲気中加熱処理装置４０を使用して行う実施形態で説明した。しかし、図５を用いて説明した撥水処理膜形成装置３６を用いて、撥水処理膜１６を形成する前の処理工程で無機配向膜１４表面の水分を置換したアルコールを、ガス雰囲気中にて加熱処理して気化させ除去しても良い。
すなわち、図５には図示していないが、撥水処理膜形成装置３６のガス導入口３６ｉに切換バルブを設ける。そして、この切換バルブを介して窒素ガスや酸素ガスやアルゴンなどの希ガスを貯留するガスボンベに接続する配管を設ける。
【０１０４】
そして、無機配向膜１４を形成し、アルコール洗浄処理と、アルコール置換処理した基板１２を撥水処理膜形成装置３６の基板載置台３６ｃ上に載置する。その後、真空排気手段３６ｂにて真空槽３６ａ内部を真空排気して減圧状態にする。
そののち、ガスボンベから酸素ガスや窒素ガスやアルゴンガスを導入するとともに、基板１２を加熱して、無機配向膜１４表面の水分を置換したアルコールを気化させて乾燥除去する。
【０１０５】
この撥水処理膜形成装置３６を使用する加熱処理工程（Ｓ２０４）においても、無機配向膜１４の水分を置換したアルコールをきわめて短時間にて気化させて乾燥除去することができる。
その後、基板１２を撥水処理膜形成装置３６から取り出すことなく、撥水処理膜形成装置３６によって、前述のように、無機配向膜１４表面に撥水処理膜１６を形成する撥水処理膜形成工程（Ｓ２０５）を行う。
【０１０６】
このように図５に示す撥水処理膜形成装置３６を用いて、加熱処理工程（Ｓ２０４）と撥水処理膜形成工程（Ｓ２０５）とを、撥水処理膜形成装置３６から基板１２を取り出すことなく連続して行うと、つぎに記すような効果を奏する。
すなわち、無機配向膜１４表面によごれやごみが付着することはなく、無機配向膜１４と撥水処理膜１６との間に密着性を阻害するものが介在せず、両者を密着性良く形成することができる。
【０１０７】
〔第３の実施形態における製造方法の説明〕
つぎに本発明の第３の実施形態における液晶パネルの製造方法を、図８のフローチャートを使用して説明する。
図８に示すように、本発明の第３の実施形態の製造方法は、斜めに傾いた柱状を有する無機配向膜１４を基板１２上に形成する無機配向膜形成工程（Ｓ３０１）と、無機配向膜１４を常温状態で液相のアルコールを用いて洗浄して無機配向膜１４表面のよごれや付着したごみを除去するアルコール洗浄工程（Ｓ３０２）と、常温状態で液相のアルコールを用いて無機配向膜１４表面に付着した水分および無機配向膜１４に吸湿した水分を置換するアルコール置換工程（Ｓ３０３）と、無機配向膜１４表面の水分を置換したアルコールを気化させて乾燥除去するために真空中またはガス雰囲気中にて加熱処理する加熱処理工程（Ｓ３０４）と、無機配向膜１４表面に単分子層または数分子層の撥水処理膜１６を形成する撥水処理膜形成工程（Ｓ３０５）と、さらに再度真空中またはガス雰囲気中で加熱する加熱処理工程（Ｓ３０６）から液晶パネルを製造する。
【０１０８】
この第３の実施形態の製造方法においては、無機配向膜形成工程（Ｓ３０１）と、アルコール洗浄工程（Ｓ３０２）と、アルコール置換工程（Ｓ３０３）と、加熱処理工程（Ｓ３０４）と、撥水処理膜形成工程（Ｓ３０５）とは、それぞれ第２の実施形態の無機配向膜形成工程（Ｓ２０１）と、アルコール洗浄工程（Ｓ２０２）と、アルコール置換工程（Ｓ２０３）と、加熱処理工程（Ｓ２０４）と、撥水処理膜形成工程（Ｓ２０５）と同じ処理工程を行う。
第３の実施形態の製造方法において、第２の実施形態と相違する点は、撥水処理膜形成工程（Ｓ３０５）を行ったのちに、撥水処理膜１６を形成した基板１２を、再度、真空中またはガス雰囲気中にて加熱処理工程（Ｓ３０６）を行う点である。
【０１０９】
そのため第２の実施形態の処理工程と同じ第３の実施形態の製造方法における処理工程の詳細な説明は省略し、第２の実施形態の製造方法と相違する処理工程である加熱処理工程（Ｓ３０６）を中心に、以下詳しく説明する。
第３の実施形態における加熱処理工程（Ｓ３０６）は、第２の実施形態における加熱処理工程（Ｓ２０４）とほぼ同じ処理工程である。このため、第３の実施形態における加熱処理工程（Ｓ３０６）は簡単に説明する。
第３の実施形態の製造方法における加熱処理工程（Ｓ３０６）も、第２の実施形態における加熱処理工程（Ｓ２０４）と同じように、図１１に示す加熱処理装置３８と、図１２に示すガス雰囲気中加熱処理装置４０を用いる２つの製造方法がある。
【０１１０】
〔真空加熱処理装置を用いた第３の実施形態の説明〕
はじめに図１１に示す真空加熱処理装置３８を用いた製造方法を説明する。基板１２に無機配向膜１４を形成する無機配向膜形成工程（Ｓ３０１）と、アルコールを用いて無機配向膜１４を洗浄するアルコール洗浄工程（Ｓ３０２）と、さらに無機配向膜１４表面の水分および無機配向膜１４に吸湿した水分をアルコールにて置換するアルコール置換工程（Ｓ３０３）を順次行う。
その後、無機配向膜１４表面の水分を置換したアルコールを真空中またはガス雰囲気中で加熱して気化させ乾燥除去する加熱処理工程（Ｓ３０４）を行う。さらにその後、無機配向膜１４表面に単分子層または数分子層で撥水処理膜１６を形成する撥水処理膜形成工程（Ｓ３０５）を行う。
【０１１１】
そののち、加熱処理工程（Ｓ３０６）を行う。基板１２を、図１１に示す真空加熱処理装置３８の基板載置台３８ｃ上に配置する。そして、真空排気手段３８ｂにて真空槽３８ａ内部を減圧状態にするとともに、基板加熱手段３８ｄにて基板１２を加熱して、加熱処理工程（Ｓ３０６）を行う。
すると、撥水処理膜１６表面に付着している未反応のシランカップリング剤や、密着性が悪い撥水処理膜１６を除去することができる。これはシランカップリング剤分子どうしの結合エネルギーより、無機配向膜１４とシランカップリング剤の結合が強いために、未反応のシランカップリング剤や密着性が悪い余分な撥水処理膜１６を気化させて除去することができる。
【０１１２】
第３の実施形態においては、撥水処理膜１６を形成した後、加熱処理工程（Ｓ３０６）を行っている。このため単分子層または数分子層というきわめて薄い膜厚の撥水処理膜１６を制御性よく、しかも密着性よく無機配向膜１４表面に形成することができる。この加熱処理工程（Ｓ３０６）は、単分子層からなる撥水処理膜１６を制御性良く形成するときとくに有効である。
さらに第３の実施形態における製造方法においても、無機配向膜１４を形成した基板１２を真空中で加熱処理して、水分を置換したアルコールを乾燥除去している。このため無機配向膜１４表面の洗浄むらや水しみ（ウォータマーク）の発生がなく、加熱処理工程（Ｓ３０４）後の撥水処理膜形成工程（Ｓ３０５）にて、撥水処理膜１６を密着性よく形成することができる。
【０１１３】
〔撥水処理膜形成装置を用いた第３の実施形態の説明〕
以上、本発明の第３の実施形態における加熱処理工程（Ｓ３０６）を、図１１に示す真空加熱処理装置３８を使用して行う実施形態で説明した。しかしながら、図５を用いて説明した撥水処理膜１６を形成する撥水処理膜形成装置３６を用いて、撥水処理膜１６を形成する撥水処理膜形成工程（Ｓ３０５）に引き続いて加熱処理工程（Ｓ３０６）を行っても良い。
【０１１４】
すなわち、撥水処理膜形成装置３６のバルブ３６ｆを閉じて原料貯留容器３６ｇ内のシランカップリング剤の真空槽３６ａ内部への導入を遮断する。
その後、真空排気手段３６ｂによって真空槽３６ａ内を真空排気して所定の圧力にするとともに、基板加熱手段３６ｄにて基板１２を加熱処理する。その結果、撥水処理膜１６表面に付着している未反応のシランカップリング剤や、密着性が悪い撥水処理膜１６を気化させて除去する。
【０１１５】
このように撥水処理膜１６形成後に、真空中にて加熱処理を行う加熱処理工程（Ｓ３０６）を行うことによって、単分子層または数分子層というきわめて薄い膜厚の撥水処理膜１６を制御性よく、しかも密着性よく無機配向膜１４表面に形成することができる。
撥水処理膜形成装置３６を用いて、撥水処理膜形成工程（Ｓ３０５）と加熱処理工程（Ｓ３０６）とを連続して行うと、処理装置が１台で両工程を行うことができる。さらに、基板１２を撥水処理膜形成装置３６から取り出す必要がなく、処理時間も短縮できるという効果を有する。
【０１１６】
〔ガス雰囲気中加熱装置を用いた第３の実施形態の説明〕
つぎに図１２に示すガス雰囲気中加熱処理装置４０を用いた第３の実施形態におけるほかの例を説明する。
基板１２に斜めに傾いた柱状の無機配向膜１４を形成する無機配向膜形成工程（Ｓ３０１）と、アルコールを用いて無機配向膜１４を洗浄しよごれや付着したごみを除去するアルコール洗浄工程（Ｓ３０２）と、さらに無機配向膜１４表面に付着した水分および無機配向膜１４に吸湿した水分をアルコールにて置換するアルコール置換工程（Ｓ３０３）を順次行う。その後、真空中またはガス雰囲気中にて加熱処理して、無機配向膜１４表面の水分を置換したアルコールを気化させて乾燥除去する。さらにその後、無機配向膜１４表面に単分子層または数分子層で撥水処理膜１６を形成する撥水処理膜形成工程（Ｓ３０５）を行う。
【０１１７】
その後、撥水処理膜１６を形成した基板１２を、図１２に示すガス雰囲気中加熱処理装置４０の基板載置台４０ｃ上に載置する。そして、真空排気手段４０ｂにて排気口４０ｇを介して真空排気を行い真空槽４０ａ内部を減圧状態にする。
その後、図示しないガスボンベからガス導入口４０ｅを介して酸素ガス、窒素ガス、またはアルゴンなどの希ガスを真空槽４０ａ内部に導入するとともに、基板加熱手段４０ｄにて基板１２を加熱する。
【０１１８】
その結果、撥水処理膜１６表面に付着している未反応のシランカップリング剤や、密着性が悪い撥水処理膜１６を気化させて除去することができる。
このため単分子層または数分子層というきわめて薄い膜厚の撥水処理膜１６を制御性よく、しかも密着性よく無機配向膜１４表面に形成することができる。
【０１１９】
撥水処理膜１６は、前述のように、単分子層で無機配向膜１４表面に形成することが望ましい。このガス雰囲気中で加熱処理する加熱処理工程（Ｓ３０６）は、単分子層の撥水処理膜１６を膜厚制御性よく形成するとき、とくに有効な処理工程である。
【０１２０】
またさらに、図１２を用いる第３の実施形態における製造方法においても、無機配向膜１４を形成した基板１２を真空中またはガス雰囲気中で加熱処理して、水分を置換したアルコールを乾燥除去している。
このため無機配向膜１４表面の洗浄むらや水しみ（ウォータマーク）の発生がなく、加熱処理工程（Ｓ３０４）後の撥水処理膜形成工程（Ｓ３０５）にて、撥水処理膜１６を密着性よく形成することができるという効果ももつ。
【０１２１】
〔撥水処理膜形成装置を用いた第３の実施形態の説明〕
本発明の第３の実施形態における加熱処理工程（Ｓ３０６）を、図１２に示すガス雰囲気中加熱処理装置４０を使用して行う実施形態で説明した。しかし、図５を用いて説明した撥水処理膜１６を形成する撥水処理膜形成装置３６を用いて、撥水処理膜１６を形成する撥水処理膜形成工程（Ｓ３０５）に引き続いて、ガス雰囲気中にて加熱処理工程（Ｓ３０６）を行ってもよい。
【０１２２】
すなわち、撥水処理膜形成装置３６のバルブ３６ｆを閉じて原料貯留容器３６ｇ内のシランカップリング剤の真空槽３６ａ内部への導入を遮断する。その後、真空排気手段３６ｂにて真空槽３６ａ内を真空排気して所定の圧力にする。
そののち、ガスボンベから酸素ガスや窒素ガスやアルゴンガスを導入するとともに基板１２を基板加熱手段３６ｄにて加熱する。
【０１２３】
その結果、撥水処理膜１６表面に付着している未反応のシランカップリング剤や、密着性が悪い撥水処理膜１６を気化させて除去することができる。
このため単分子層または数分子層というきわめて薄い膜厚の撥水処理膜１６を制御性よく、しかも密着性よく無機配向膜１４表面に形成することができる。
【０１２４】
以上の説明のように、撥水処理膜１６形成後に、ガス雰囲気中で加熱処理を行う加熱処理工程（Ｓ３０６）を行うことにより、単分子層または数分子層というきわめて薄い膜厚の撥水処理膜１６を制御性よく、しかも密着性よく無機配向膜１４表面に形成することができる。
また、撥水処理膜形成装置３６を用いて、撥水処理膜形成工程（Ｓ３０５）と加熱処理工程（Ｓ３０６）とを連続して行うと、処理装置が１台で両工程を行うことができる。さらに、基板１２を撥水処理膜形成装置３６から取り出す必要がなく処理時間も短縮できるという効果を有する。
【０１２５】
さらに第１の実施形態において、無機配向膜形成工程（Ｓ１０１）と、アルコール洗浄工程（Ｓ１０２）と、アルコール置換工程（Ｓ１０３）と、加熱オーブンを用いる加熱処理、または温風を吹き付ける加熱処理、または蒸気洗浄処理によって水分を置換したアルコールを気化させて乾燥除去するアルコール乾燥工程（Ｓ１０４）と、撥水処理膜形成工程（Ｓ１０５）を行った後、第３の実施形態にて説明した加熱処理工程（Ｓ３０６）を行ってもよい。
【０１２６】
第１の実施形態の撥水処理膜形成工程（Ｓ１０５）後に行う加熱処理工程は、図１１に示す真空加熱処理装置３８を用いて真空中で加熱処理を行う方法、あるいは図１２に示すガス雰囲気中加熱処理装置４０を用いてガス雰囲気中で加熱処理を行う方法、あるいは図５に示す撥水処理膜形成装置３６を用いて真空中またはガス雰囲気中で加熱処理する方法のいずれかの方法を行えばよい。
【０１２７】
第１の実施形態においても、撥水処理膜形成工程（Ｓ１０５）を行った後、真空中またはガス雰囲気中にて加熱処理を行うことにより、つぎに記載する効果を奏する。
すなわち、撥水処理膜１６の表面に付着している未反応のシランカップリング剤、および無機配向膜１４に対して密着性が悪い撥水処理膜１６を気化させて除去することができる。このため、撥水処理膜１６を単分子層または数分子層をいうきわめて薄い膜厚で制御性よく、しかも密着性よく無機配向膜１４の表面に被膜形成することができる。
【０１２８】
〔第４の実施形態における製造方法の説明〕
つぎに本発明の第４の実施形態における液晶パネルの製造方法を、図９のフローチャートを使用して説明する。
図９に示すように、本発明の第４の実施形態の製造方法は、斜めに傾いた柱状を有する無機配向膜１４を基板１２上に形成する無機配向膜形成工程（Ｓ４０１）と、無機配向膜１４を常温状態で液相のアルコールを用いて洗浄して無機配向膜１４表面のよごれや付着したごみを除去するアルコール洗浄工程（Ｓ４０２）と、常温状態で液相のアルコールを用いて無機配向膜１４表面に付着した水分および無機配向膜１４に吸湿した水分を置換するアルコール置換工程（Ｓ４０３）と、光照射処理装置を用いて無機配向膜１４に光照射して水分を置換したアルコールを気化させて乾燥除去するとともに無機配向膜１４表面を活性化処理する光照射処理工程（Ｓ４０４）と、無機配向膜１４表面に単分子層または数分子層の撥水処理膜１６を形成する撥水処理膜形成工程（Ｓ４０５）とから液晶パネルを製造する。
【０１２９】
この第４の実施形態の製造方法においては、無機配向膜形成工程（Ｓ４０１）と、アルコール洗浄工程（Ｓ４０２）と、アルコール置換工程（Ｓ４０３）と、撥水処理膜形成工程（Ｓ４０５）とは、それぞれ第１の実施形態の無機配向膜形成工程（Ｓ１０１）と、アルコール洗浄工程（Ｓ１０２）と、アルコール置換工程（Ｓ１０３）と、撥水処理膜形成工程（Ｓ１０５）と同じ処理工程を行う。
【０１３０】
第４の実施形態の製造方法において、第１の実施形態と相違する点は、アルコール置換工程（Ｓ４０３）を行ったのちに、光照射処理工程（Ｓ４０４）を行う点である。この相違点を中心に本発明の第４の実施形態における製造方法を説明する。
【０１３１】
はじめに、第４の実施形態にて使用する光照射処理装置の構造を、図１４を用いて説明する。図１４は、光照射処理工程（Ｓ４０４）にて使用する光照射処理装置を示す断面図である。
図１４に示すように、光照射処理装置４４は、処理槽４４ａの内部に無機配向膜１４を形成した基板１２を載置する基板載置台４４ｃを配設する。さらに基板載置台４４ｃに対向する位置に照射光源４４ｂを配置する。照射光源４４ｂとしては、紫外線光または可視光の波長の光を使用する。具体的には水銀ランプやメタルハライドランプやキセノンランプやエキシマランプを照射光源４４ｂとして使用し、これらのランプと、ランプ側が凹面の反射面を有する反射部材を、照射光源４４ｂを備えている。
【０１３２】
つぎに、この光照射処理装置４４を使用する光照射処理工程（Ｓ４０４）を説明する。斜めに傾いた柱状の無機配向膜１４を基板１２に形成する無機配向膜形成工程（Ｓ４０１）と、アルコールを用いて無機配向膜１４を洗浄して、よごれやごみなどを除去するアルコール洗浄工程（Ｓ４０２）と、さらに無機配向膜１４表面に付着した水分および無機配向膜１４に吸湿した水分をアルコールにて置換するアルコール置換工程（Ｓ４０１）とを順次行う。
【０１３３】
その後、光照射処理工程（Ｓ４０４）を行う。光照射処理工程（Ｓ４０４）は、基板１２を光照射処理装置４４の基板載置台４４ｃに載置する。そして照射光源４４ｂから、紫外線光または可視光の波長の光を無機配向膜１４に照射する。
すると、アルコール置換工程（Ｓ４０３）にて、水分を置換したアルコールが気化して乾燥除去されるとともに、無機配向膜１４表面が活性化される。
【０１３４】
光照射処理工程（Ｓ４０４）によって無機配向膜１４表面が活性化されると、この光照射処理工程（Ｓ４０４）後に行う処理工程である撥水処理膜形成工程（Ｓ４０５）において、被膜形成する撥水処理膜１６が無機配向膜１４に密着性よく形成することができるという効果を奏する。
【０１３５】
また、図１４に示す光照射処理装置４４を用いる第４の実施形態における製造方法においては、無機配向膜１４を形成した基板１２に光照射を行い、水分を置換したアルコールを気化させて乾燥除去している。
この紫外線光や可視光の波長の光照射によっても、無機配向膜１４表面の洗浄むらや水しみ（ウォータマーク）の発生がなく、光照射処理工程（Ｓ４０４）後の撥水処理膜形成工程（Ｓ４０５）にて、撥水処理膜１６を密着性よく形成することができるという効果を具備する。
【０１３６】
なお以上説明した本発明の第４の実施形態における液晶パネルの製造方法において、撥水処理膜形成工程（Ｓ４０５）を行ったのち、第３の実施形態にて説明した真空中やガス雰囲気中にて加熱処理工程（Ｓ３０６）を行い、撥水処理膜１６表面に付着している未反応のシランカップリング剤や、密着性が悪い撥水処理膜１６を気化させて除去する処理工程を行ってもよい。
【０１３７】
この未反応のシランカップリング剤や、密着性の悪い撥水処理膜１６を気化させて除去するための装置としては、図１１に示す真空加熱処理装置３８、あるいは図１２に示すガス雰囲気中加熱処理装置４０、あるいは図５に示す撥水処理膜形成装置３６を使用して、真空中またはガス雰囲気中にて加熱処理を行えばよい。
撥水処理膜１６を形成した後に、真空中やガス雰囲気中で加熱処理工程を行うと、単分子層または数分子層というきわめて薄い膜厚の撥水処理膜１６を制御性よく、しかも密着性よく無機配向膜１４表面に形成することができる。
【０１３８】
〔第５の実施形態における製造方法の説明〕
つぎに本発明の第５の実施形態における液晶パネルの製造方法を、図１０のフローチャートを使用して説明する。
図１０に示すように、本発明の第５の実施形態における製造方法は、斜めに傾いた柱状を有する無機配向膜１４を基板１２上に形成する無機配向膜形成工程（Ｓ５０１）と、無機配向膜１４を常温状態で液相のアルコールを用いて洗浄して無機配向膜１４表面のよごれや付着したごみを除去するアルコール洗浄工程（Ｓ５０２）と、常温状態で液相のアルコールを用いて無機配向膜１４表面に付着した水分および無機配向膜１４に吸湿した水分を置換するアルコール置換工程（Ｓ５０３）と、プラズマ処理装置を用いて無機配向膜１４をプラズマ処理して水分を置換したアルコールを気化させて乾燥除去するとともに無機配向膜１４表面を活性化処理するプラズマ処理工程（Ｓ５０４）と、無機配向膜１４表面に単分子層または数分子層の撥水処理膜１６を形成する撥水処理膜形成工程（Ｓ５０５）とから液晶パネルを製造する。
【０１３９】
この第５の実施形態の製造方法においては、無機配向膜形成工程（Ｓ５０１）と、アルコール洗浄工程（Ｓ５０２）と、アルコール置換工程（Ｓ５０３）と、撥水処理膜形成工程（Ｓ４０５）とは、それぞれ第４の実施形態の無機配向膜形成工程（Ｓ４０１）と、アルコール洗浄工程（Ｓ４０２）と、アルコール置換工程（Ｓ４０３）と、撥水処理膜形成工程（Ｓ４０５）と同じ処理工程を行う。
第５の実施形態の製造方法において、第４の実施形態と相違する点は、光照射処理工程（Ｓ４０４）の代わりに、プラズマ処理工程（Ｓ５０４）を行う点である。この相違点を中心に本発明の第５の実施形態における製造方法を詳しく説明する。
【０１４０】
はじめに、第５の実施形態にて使用するプラズマ処理装置の構造を、図１３を用いて説明する。図１３はプラズマ処理工程（Ｓ５０４）にて使用する平行平板型のプラズマ処理装置を示す断面図である。
図１３に示すように、プラズマ処理装置４２は、真空槽４２ａの内部に無機配向膜１４を形成した基板１２を載置する下部電極４２ｄを配設する。さらに下部電極４２ｄに対向する位置に上部電極４２ｃを配置する。ここで上部電極４２ｃは図示しない高周波電源に接続し、下部電極４２ｄは接地電位に接続する。
【０１４１】
さらに真空槽４２ａの壁面にガス導入口４２ｅと排気口４２ｇとを設ける。ガス導入口４２ｅは、バルブ４２ｆを介して、図示しない流量計を介して酸素ガスや窒素ガスやアルゴンガスなどの希ガスを貯留するガスボンベに接続している。
排気口４２ｇは、真空槽４２ａ内部を真空排気して所定圧力の減圧雰囲気にするための真空排気手段４２ｂに接続している。
【０１４２】
つぎに、このプラズマ処理装置４２を用いるプラズマ処理工程（Ｓ５０４）を説明する。斜めに傾いた柱状の無機配向膜１４を基板１２に形成する無機配向膜形成工程（Ｓ５０１）と、アルコールを用いて無機配向膜１４を洗浄し付着したごみやよごれを除去するアルコール洗浄工程（Ｓ５０２）と、さらに無機配向膜１４表面に付着した水分および無機配向膜１４に吸湿した水分をアルコールにて置換するアルコール置換工程（Ｓ５０３）を順次行う。
【０１４３】
その後、プラズマ処理工程（Ｓ５０４）を行う。プラズマ処理工程（Ｓ５０４）は、基板１２をプラズマ処理装置４２の下部電極４２ｄ上に載置する。
そして真空排気手段４２ｂによって、真空槽４２ａ内部を真空排気して所定の減圧雰囲気にする。
【０１４４】
その後、バルブ４２ｆを開き、ガス導入口４２ｅからアルゴンガスを、所定の減圧雰囲気を維持するように、所定の流量で真空槽４２ａ内部に導入するとともに、上部電極４２ｃに周波数が１３．５６ＭＨｚの高周波電力を印加する。すると、上部電極４２ｃと下部電極４２ｄとの間に、真空槽４２ａ内に導入したアルゴンガスによって、アルゴンプラズマが生じる。
このときアルゴンプラズマのプラズマ状態は弱くして、エッチング現象が優勢とならないように高周波電源の高周波電力出力を制御する。
【０１４５】
エッチング現象が顕著になってしまうと、無機配向膜１４がエッチングされて、無機配向膜１４形状が変化してしまう。このためアルゴンプラズマは、エッチング現象を抑制するように、高周波電力や真空槽４２ａ内圧力を制御する。
このプラズマ処理装置４２を使用するプラズマ処理工程（Ｓ５０４）を行うことによって、無機配向膜１４表面の水分および被膜中に吸湿した水分を置換したアルコールを除去できるとともに、無機配向膜１４表面を活性化できる。
【０１４６】
無機配向膜１４表面が活性化されると、プラズマ処理工程（Ｓ５０４）後に行う処理工程である撥水処理膜形成工程（Ｓ５０５）において、被膜形成する撥水処理膜１６が無機配向膜１４に密着性よく形成することができる。
【０１４７】
またさらに、図１３に示すプラズマ処理装置４２を用いる第５の実施形態における製造方法においては、無機配向膜１４を形成した基板１２にプラズマ処理を行い、水分を置換したアルコールを気化させて乾燥除去している。
この酸素プラズマや窒素プラズマやアルゴンプラズマによるプラズマ処理によるプラズマ処理工程（Ｓ５０４）を行うことによっても、無機配向膜１４表面の洗浄むらや水しみ（ウォータマーク）の発生がなく、プラズマ処理工程（Ｓ５０４）後に行う撥水処理膜形成工程（Ｓ５０５）にて、撥水処理膜１６を密着性よく形成することができるという効果を具備する。
【０１４８】
なお以上説明した本発明の第５の実施形態における液晶パネルの製造方法において、撥水処理膜形成工程（Ｓ５０５）を行ったのち、第３の実施形態にて説明した真空中やガス雰囲気中にて加熱処理工程（Ｓ３０６）を行い、撥水処理膜１６表面に付着している未反応のシランカップリング剤や、密着性が悪い撥水処理膜１６を除去する処理工程を行っても良い。
【０１４９】
密着性が悪い撥水処理膜１６や、未反応のシランカップリング剤を気化させて除去するための装置としては、図５に示す撥水処理膜形成装置３６、あるいは図１１に示す真空加熱処理装置３８、あるいは図１２に示すガス雰囲気中加熱処理装置４０のいずれかの装置を使用して、真空中またはガス雰囲気中にて加熱処理を行えばよい。
撥水処理膜１６を形成した後に、真空中やガス雰囲気中で加熱処理工程を行うと、単分子層または数分子層というきわめて薄い膜厚の撥水処理膜１６を制御性よく、しかも密着性よく無機配向膜１４表面に形成することができる。
【０１５０】
〔撥水処理膜形成後の液晶パネルの製造方法〕
以上説明した第１から第５の実施形態にて液晶駆動要素を形成した第１の基板１２ａと第２の基板１２ｂに、無機配向膜１４と撥水処理膜１６を形成した後の液晶パネルの製造方法を簡単に説明する。
第１の基板１２ａと第２の基板１２ｂのいずれか一方の基板に、一対の基板間に液晶層１８を封入するためのシール剤を基板１２の外周部に形成する。このシール剤には液晶材料を基板間に注入するための開口である液晶注入口を形成しておく。そして液晶注入口から基板間に液晶を注入し、さらに液晶注入口を塞ぐ封口工程を行う。その後、液晶パネル１０の外側にそれぞれ偏光フィルムを貼り付けて液晶表示装置を得る。
【０１５１】
〔その他の液晶駆動要素の説明〕
以上説明した第１から第５の実施形態においては、液晶駆動要素としてアクティブ方式のうちシリコン基板に液晶駆動要素を形成する実施形態で説明した。しかしながら、本発明はシリコン基板に液晶駆動要素を形成するアクティブ方式だけでなく、絶縁性基板に形成するほかのアクティブ方式、およびスイッチング素子を持たないパッシブ方式にも適用することができる。
以下、その他の液晶駆動要素について説明する。
【０１５２】
そのほかの液晶駆動要素の第１は、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ：Ｔｈｉｎ  Ｆｉｌｍ  Ｔｏｒａｎｉｓｔｏｒ）をスイッチング素子として使用するアクティブ方式である。
薄膜トランジスタの場合も、液晶駆動要素としては図４の等価回路図に示す各素子を形成すればよい。
第１の基板１２ａには、スイッチング素子２０と保持容量２２と反射電極２８と信号電極２４と走査電極２６を形成する。
【０１５３】
スイッチング素子２０である薄膜トランジスタと保持容量２２はアモルファスシリコンまたは多結晶シリコンから形成する。そして、反射型の液晶パネルであればアルミニウムなどの表面反射率が高い材料で反射電極２８を形成し、透過型の液晶パネルであれば反射電極２８の代わりに、酸化インジウムスズ膜などの透明導電膜にて画素電極を形成する。
信号電極２４と走査電極２６は、アルミニウムなどの導電材料にて形成する。第２の基板１２ｂには、対向電極３０を形成する。
【０１５４】
なお、反射型の液晶パネルの場合、第１の基板１２ａは透明絶縁性基板または透明でない絶縁性基板を使用する。
透過型の液晶パネルの場合は第１の基板１２ａと第２の基板１２ｂはともに透明絶縁性基板を使用する。透明絶縁性基板としては、ホウケイ酸ガラスなどのガラス、あるいはポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）などの樹脂材料を使用する。
【０１５５】
その他の液晶駆動要素の第２は、薄膜トランジスタの代わりに、スイッチング素子として薄膜ダイオードを使用してもよい。
薄膜ダイオードはＭＩＭ（Ｍｅｔａｌ  Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ  Ｍｅｔａｌ）構造を有する。ＭＩＭ素子は下層と上層の金属をタンタルで形成し、下層金属と上層金属との間の中層の絶縁層としてタンタルを陽極酸化した酸化タンタルで形成する。
そして、第１の基板１２ａには、タンタル被膜からなる配線と、ＭＩＭ素子と、透明導電膜である酸化インジウムスズ膜からなる画素電極を形成する。第２の基板１２ｂには酸化インジウムスズからなる対向電極３０を形成する。
【０１５６】
その他の液晶駆動要素の第３は、たとえば数字を表示するセグメント電極を形成したパッシブ方式である。第１の基板１２ａに７つのセグメントを数字の「８」の字状に配置したセグメント電極と、各セグメントに接続する配線とを形成する。第２の基板１２ｂには７つのセグメント電極と対向する位置に形成する共通電極パターンと、この共通電極パターンに接続する配線とを形成する。液晶パネルではこの数字の「８」の字状の７つのセグメント電極をディジットと呼び、一般的にはこのディジットを複数配置して所定の情報を表示している。
セグメント電極と共通電極パターンと各配線は、いずれも透明導電膜である酸化インジウムスズ膜で形成する。
【０１５７】
その他の液晶駆動要素の第４は、ドットマトリクスによるパッシブ方式である。このドットマトリクスは、第１の基板１２ａと第２の基板１２ｂとに、それぞれ細長い帯状の複数のストライプ電極とストライプ電極と接続する配線を形成し、第１の基板１２ａと第２の基板１２ｂに形成したストライプ電極が直交するように配置したものである。
ストライプ電極と配線はいずれも酸化インジウムスズ膜で形成する。
【図面の簡単な説明】
【０１５８】
【図１】本発明の実施形態における液晶パネルを示す断面図である。
【図２】本発明の実施形態における液晶パネルの一部を拡大して示す断面図である。
【図３】本発明の実施形態におけるシリコン基板に形成した液晶パネルの液晶駆動要素を示す断面図である。
【図４】本発明の実施形態における液晶パネルに形成する液晶駆動要素を示す等価回路図である。
【図５】本発明の実施形態の液晶パネルの製造方法における撥水処理膜を形成するための撥水処理膜形成装置を示す断面図である。
【図６】本発明の実施形態における液晶パネルの製造方法を示すフローチャートである。
【図７】本発明の実施形態における液晶パネルの製造方法を示すフローチャートである。
【図８】本発明の実施形態における液晶パネルの製造方法を示すフローチャートである。
【図９】本発明の実施形態における液晶パネルの製造方法を示すフローチャートである。
【図１０】本発明の実施形態における液晶パネルの製造方法を示すフローチャートである。
【図１１】本発明の実施形態の液晶パネルの製造方法において使用する真空加熱処理装置を示す断面図である。
【図１２】本発明の実施形態の液晶パネルの製造方法において使用するガス雰囲気中加熱処理装置を示す断面図である。
【図１３】本発明の実施形態の液晶パネルの製造方法において使用するプラズマ処理装置を示す断面図である。
【図１４】本発明の実施形態の液晶パネルの製造方法において使用する光照射処理装置を示す断面図である。
【図１５】本発明の実施形態の液晶パネルの製造方法における無機配向膜を形成するための真空蒸着装置を示す断面図である。
【符号の説明】
【０１５９】
１０  液晶パネル
１２  基板
１４  無機配向膜
１６  撥水処理膜
１８  液晶層
２０  スイッチング素子
２２  保持容量
３６  撥水処理膜形成装置
３８  真空加熱処理装置
４０  ガス雰囲気中加熱処理装置
４２  プラズマ処理装置
４４  光照射処理装置
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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