(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数のポートを備えた高周波スイッチに接続される分波回路とフィルタ回路の少なくとも一部を構成する受動素子を内蔵した多層基板に、前記高周波スイッチとチップ部品を搭載して一体化してなるスイッチモジュールであって、
前記高周波スイッチは、アンテナと接続されるポートと、第１通信方式と第２の通信方式の送信信号が通過するフィルタ回路と接続されるポートと、第３通信方式と第４の通信方式の送信信号が通過するフィルタ回路と接続されるポートと、第１通信方式の受信信号が通過するローパスフィルタと第３通信方式の受信信号が通過するハイパスフィルタとを並列接続してなる分波回路と接続されるポートと、第２通信方式の受信信号が通過するローパスフィルタと第４通信方式の受信信号が通過するハイパスフィルタとを並列接続してなる分波回路と接続されるポートとを有し、
前記送信信号と前記受信信号は、第１〜第4通信方式の順で高周波数であり、
前記多層基板の平面方向の略中央位置に、第３通信方式の受信信号を通過させるハイパスフィルタと第４通信方式の受信信号を通過させるハイパスフィルタを構成する第１受動素子のパターンを配置し、該パターンの周囲に、第１通信方式の受信信号を通過させるローパスフィルタと、第２通信方式の受信信号を通過させるローパスフィルタと、第１通信方式と第２の通信方式の送信信号を通過させるフィルタ回路と、第３通信方式と第４の通信方式の送信信号を通過させるフィルタ回路を構成する第２受動素子のパターンを配置し、
前記第１受動素子のパターンと前記第２受動素子のパターンとの間に、積層方向に連なり複数のアース用パターンと接続するビアホールが形成されていることを特徴とするスイッチモジュール。
【請求項２】
前記多層基板は複数の誘電体層を積層して構成してなり、
前記第１受動素子のパターンと前記第２受動素子のパターンとはコイル用パターンとコンデンサ用パターンを有し、
コイル用パターンが主に形成された複数の第１誘電体層と、コンデンサ用パターンが主に形成された複数の第２誘電体層と、アース用パターンが主に形成された複数の第３誘電体層とを備え、
第３誘電体層により、隣接する第１誘電体層と第２誘電体層とを分離して構成したことを特徴とする請求項１に記載のスイッチモジュール。
【請求項３】
前記第３誘電体層には、第３通信方式の受信信号を通過させるハイパスフィルタと第４通信方式の受信信号を通過させるハイパスフィルタのコンデンサ用パターンが並んで形成されていることを特徴とする請求項２に記載のスイッチモジュール。
【請求項４】
前記コイル用導体パターンが主に形成された誘電体層は、前記コンデンサ用パターンが主に形成された誘電体層より比誘電率が低い誘電体材料で構成されることを特徴とする請求項２又は３に記載のスイッチモジュール。
【請求項５】
前記チップ部品がチップインダクタ、チップコンデンサ、チップ抵抗、ＳＡＷフィルタのうちの少なくとも一種であることを特徴とする請求項１乃至４のいずれかに記載のスイッチモジュール。
【請求項６】
前記チップ部品の少なくとも一つがＳＡＷフィルタであって、複数のＳＡＷフィルタの出力端を前記多層基板の一側面側に位置するようになし、多層基板の裏面に形成した端子電極と積層方向に連続するビアホールにより接続したことを特徴とする請求項１乃至５のいずれかに記載のスイッチモジュール。
【請求項７】
前記第１受動素子のパターンと前記第２受動素子のパターンとの間に、積層方向に連なり電源回路と接続するビアホールが形成されていることを特徴とする請求項１乃至６のいずれかに記載のスイッチモジュール。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ディジタル携帯電話などの高周波回路において用いられる、半導体スイッチとフィルタとを備えたスイッチモジュールに関する。
【背景技術】
【０００２】
世界の携帯電話には種々のアクセス方式があり、またそれぞれの地域において複数のアクセス方式が混在している。たとえば、現在主流となっているアクセス方式の一つとして、ＴＤＭＡ  （Ｔｉｍｅ  Ｄｉｖｉｓｉｏｎ  Ｍｕｌｔｉｐｌｅ  Ａｃｃｅｓｓ、時分割多元接続）方式がある。このＴＤＭＡ方式を採用している主な通信方式として、日本のＰＤＣ  （Ｐｅｒｓｏｎａｌ  Ｄｉｇｉｔａｌ  Ｃｅｌｌｕｌａｒ）、欧州を中心としたＧＳＭ９００  （Ｇｌｏｂａｌ  Ｓｙｓｔｅｍ  ｆｏｒ  Ｍｏｂｉｌｅ  Ｃｏｍｍｕｎｉｃａｔｉｏｎｓ）  やＤＣＳ１８００  （Ｄｉｇｉｔａｌ  Ｃｅｌｌｕｌａｒ  Ｓｙｓｔｅｍ  １８００）、米国を中心としたＧＳＭ８５０、ＤＣＳ１９００（ＰＣＳ  （Ｐｅｒｓｏｎａｌ  Ｃｏｍｍｕｎｉｃａｔｉｏｎｓ  Ｓｅｒｖｉｃｅ））等の方式（システム）がある。
その他に最近米国、韓国や日本で普及しつつあるアクセス方式にＣＤＭＡ  （Ｃｏｄｅ  Ｄｉｖｉｓｉｏｎ  Ｍｕｌｔｉｐｌｅ  Ａｃｃｅｓｓ、符号分割多元接続）方式がある。代表的な規格として米国を中心としたＩＳ−９５  （Ｉｎｔｅｒｉｍ  Ｓｔａｎｄａｒｄ−９５）  があり、高速データ伝送を実現し得る第三世代通信方式のＷ−ＣＤＭＡ  （Ｗｉｄｅｂａｎｄ  ＣＤＭＡ）  も実用化されている。また欧州ではＩＭＴ―２０００準拠の通信方式の欧州標準で、ＵＭＴＳ（Ｕｎｉｖｅｒｓａｌ  Ｍｏｂｉｌｅ  Ｔｅｌｅｃｏｍｍｕｎｉｃａｔｉｏｎｓ  Ｓｙｓｔｅｍ）と呼ばれる通信システムで、Ｗ―ＣＤＭＡとＴＤ−ＣＤＭＡの両方式から選択する方式もある。このように世界各国で様々な通信方式が利用されている。
【０００３】
従来の携帯電話は一つの通信方式、例えばＧＳＭ用に設計されていた。しかし、近年の利用者数の増大及び使用者の利便性から、複数の通信方式やアクセス方式が利用可能なマルチバンド携帯電話が実用に供され、さらにクアトロバンド以上の携帯電話の要求もある。このようなマルチバンド携帯電話の高周波回路においては、単純に通信方式毎に高周波部品を設けると高周波回路が大型化してしまうので、小型化のために異なる通信方式の高周波部品の共通化が進められている。
その一例として特許文献１には、複数の異なる通信方式の送信回路と受信回路を切り換える高周波スイッチモジュールが開示されている。この高周波スイッチモジュールは、互いに通過帯域（Ｐａｓｓｂａｎｄ）が異なる第一及び第二のフィルタ回路と、第一のフィルタ回路に接続されて通信方式Ａの送信回路と受信回路を切り換えるスイッチ回路と、第二のフィルタ回路に接続されて通信方式Ｂ及びＣの送信回路と通信方式Ｂの受信回路と通信方式Ｃの受信回路とを切り換えるスイッチ回路とを備えており、前記第一及び第二のフィルタ回路は分波回路として機能することで、複数の通信システムに対応している。
【０００４】
この高周波スイッチモジュールは、１台で複数の通信方式が利用可能な携帯電話（マルチバンド携帯電話）に用いられる。
前記スイッチ回路はダイオードと伝送線路を主要素子とするダイオードスイッチであり、ダイオードにコントロール回路から電圧を印加して、オン状態／オフ状態に制御することにより、複数の通信システムＡ，Ｂ，Ｃのいずれか一つを選択して、アンテナと通信システムＡ，Ｂ，Ｃの送信回路及び受信回路を切り換える。
【０００５】
このようなダイオードスイッチでは、専らＰＩＮダイオードが用いられる。低挿入損失とするために、ＰＩＮダイオードには十分な電流を流す必要があるが、その分消費電力は増加する。電池で駆動される携帯電話では、低消費電力であることが望まれることから、特許文献２では、ＰＩＮダイオードと比較して省電力の電界効果トランジスタ（ＦＥＴ；Ｆｉｅｌｄ  Ｅｆｆｅｃｔ  Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）を用いた高周波スイッチモジュールが提案されている。
【特許文献１】ＷＯ００／５５９８３（図２）
【特許文献２】特開２００２−１８５３５６（図１）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
このようなスイッチモジュールは、多くの回路素子を多層基板に構成する必要があり、多層基板内の配線は複雑になり、回路相互間の干渉が生じやすくなる。
そこで、本発明は、複数の送受信系を取り扱うスイッチモジュールにおいて、多層基板を小型化しても回路相互の干渉が生じ難いスイッチモジュールを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明は、複数のポートを備えた高周波スイッチに接続される分波回路とフィルタ回路の少なくとも一部を構成する受動素子を内蔵した多層基板に、前記高周波スイッチとチップ部品を搭載して一体化してなるスイッチモジュールであって、前記高周波スイッチは、アンテナと接続されるポートと、第１通信方式と第２の通信方式の送信信号が通過するフィルタ回路と接続されるポートと、第３通信方式と第４の通信方式の送信信号が通過するフィルタ回路と接続されるポートと、第１通信方式の受信信号が通過するローパスフィルタと第３通信方式の受信信号が通過するハイパスフィルタとを並列接続してなる分波回路と接続されるポートと、第２通信方式の受信信号が通過するローパスフィルタと第４通信方式の受信信号が通過するハイパスフィルタとを並列接続してなる分波回路と接続されるポートとを有し、前記送信信号と前記受信信号は、第１〜第4通信方式の順で高周波数であり、前記多層基板の平面方向の略中央位置に、第３通信方式の受信信号を通過させるハイパスフィルタと第４通信方式の受信信号を通過させるハイパスフィルタを構成する第１受動素子のパターンを配置し、該パターンの周囲に、第１通信方式の受信信号を通過させるローパスフィルタと、第２通信方式の受信信号を通過させるローパスフィルタと、第１通信方式と第２の通信方式の送信信号を通過させるフィルタ回路と、第３通信方式と第４の通信方式の送信信号を通過させるフィルタ回路を構成する第２受動素子のパターンを配置し、前記第１受動素子のパターンと前記第２受動素子のパターンとの間に、積層方向に連なり複数のアース用パターンと接続するビアホールが形成されていることを特徴とするスイッチモジュールである。
このビアホールによってパターン間を電磁気的に分離して干渉を防ぐことが出来る。
【０００８】
本発明においては、前記多層基板は複数の誘電体層を積層して構成してなり、前記第１受動素子のパターンと前記第２受動素子のパターンとはコイル用パターンとコンデンサ用パターンを有し、コイル用パターンが主に形成された複数の第１誘電体層と、コンデンサ用パターンが主に形成された複数の第２誘電体層と、アース用パターンが主に形成された複数の第３誘電体層とを備え、第３誘電体層により、隣接する第１誘電体層と第２誘電体層とを分離して構成するのが好ましい。アース用パターンによって、第１誘電体層のコイル用パターンと第２誘電体層のコンデンサ用パターンとを電磁気的に分離して干渉を防いでいる。
【０００９】
また前記第３誘電体層には、第３通信方式の受信信号を通過させるハイパスフィルタと第４通信方式の受信信号を通過させるハイパスフィルタのコンデンサ用パターンが並んで形成するのが好ましい。このコンデンサ用パターンは、ハイパスフィルタのコイル用パターンと積層方向に重なる位置に形成することで、前記コイル用パターンと第２誘電体層に形成された他のコンデンサ用パターンとの干渉を生じないようにしている。
【００１０】
また、前記コイル用パターンが主に形成された誘電体層は、前記コンデンサ用パターンが主に形成された誘電体層より比誘電率が低い誘電体材料で構成するのも好ましい。コイル用パターンを低い誘電体材料で構成すれば、高いＱ値を備えたインダクタを形成することが出来る。コンデンサ用パターンが主に形成された誘電体層を比誘電率が高い誘電体材料で形成することで、大きなキャパシタンスを得ることが出来るので、チップ部品をより内蔵可能となるので好ましい。また内部形成されるコンデンサ用パターンを小さくすることが可能であることから、多層基板の小型化においても好ましい。なお、低い誘電体材料とは、磁性体材料であってもよく、誘電体と磁性体を複合積層した多層基板とするのも好ましい。インダクタを小さく構成出来るので、この場合も多層基板を小型化することが出来る。
【００１１】
前記チップ部品はチップインダクタ、チップコンデンサ、チップ抵抗、ＳＡＷフィルタのうちの少なくとも一種である。前記チップ部品の少なくとも一つがＳＡＷフィルタである場合には、複数のＳＡＷフィルタの出力端を前記多層基板の一側面側に位置するようになし、多層基板の裏面に形成した端子電極と積層方向に連続するビアホールにより接続するのが好ましい。このような構成によって、ＳＡＷフィルタの出力端と端子電極との距離を短く、かつ一定とし、寄生インダクタンスや寄生キャパシタンスが生じないようにている。
前記ＳＡＷフィルタの出力端を平衡出力である場合には、ＳＡＷフィルタの各平衡出力端と端子電極との距離を揃えることで、所望の位相平衡度（フェイズバランス）、振幅平衡度（アンプリチュードバランス）を得ることがで出来る。
【００１２】
また、前記第１受動素子のパターンと前記第２受動素子のパターンとの間に、積層方向に連なり電源回路と接続するビアホールが形成するのも好ましい。
【発明の効果】
【００１３】
本発明によれば、複数の送受信系を取り扱うスイッチモジュールにおいて、多層基板を小型化しても回路相互の干渉が生じ難いスイッチモジュールを提供することが出来る。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１４】
図１は無線通信器の高周波回路のブロック図であって、本発明の一実施例に係る高周波スイッチモジュールを用いて構成されたものである。以下幾つかの通信方式を例示しながら説明するが、各通信方式の周波数帯域は表１に示す通りであって、送信・受信は無線通信器端末を基準にしている。なお、前記通信方式については周知であるので、その詳しい説明を省く。また、本発明が利用される通信方式は、例示した通信システムにのみに限定されるものではない。
【００１５】
【表１】
0004702622.tif 000002
【００１６】
この高周波スイッチモジュールは、５つの通信方式に用いられるものであって、周波数帯域ｆ１の第１通信方式（例えばＧＳＭ８５０）、周波数帯域ｆ２の第２通信方式（例えばＧＳＭ８５０）、周波数帯域ｆ３の第３通信方式（例えばＤＣＳ１８００）、周波数帯域ｆ４の第４通信方式（例えばＤＣＳ１９００）、周波数帯域ｆ５の第５通信方式（例えばＵＭＴＳ）とに対応した高周波回路に用いられ、前記通信方式の送受信信号の伝送経路を切り替える電界効果トランジスタを用いた高周波スイッチ回路と、前記高周波スイッチに接続される分波回路とローパスフィルタとを少なくとも有する。
【００１７】
前記高周波スイッチは、６つのポートを備えるＳＰ５Ｔの高周波スイッチＳＷであり、その第１のポート（共通ポート）ａに、ＥＳＤ（ｅｌｅｃｔｒｏ−Ｓｔａｔｉｃ  ｄｉｓｃｈａｒｇｅ；  静電気放電）対策回路２０を介して接続される第１のフィルタ回路１０と、第２のポートｂに接続される第２のフィルタ回路３０と、第３のポートｃに接続される第３のフィルタ回路３５と、第４のポートｄに接続される第１の分波回路４０と、その第１の分波回路４０を構成する第４のフィルタ回路４０ａと接続する第５のフィルタ回路５０と、第１の分波回路４０を構成する第６のフィルタ回路４０ｂと接続する第７のフィルタ回路５５と、第５のポートｅに接続される第２の分波回路４５と、その第２の分波回路４５を構成する第８のフィルタ回路４５ａと接続する第９のフィルタ回路６０と、第２の分波回路４５を構成する第１０のフィルタ回路４５ｂと接続する第１１のフィルタ回路６５と、第６のポートｆに接続される第１２のフィルタ回路８０とを有する。
【００１８】
前記第２のフィルタ回路３０は、前記第１通信方式及び前記第２通信方式の送信信号を通過させるローパスフィルタ又はバンドパスフィルタであり、前記第３のフィルタ回路３５が、前記第３通信方式及び前記第４通信方式の送信信号を通過させるローパスフィルタ又はバンドパスフィルタである。
前記第１の分波回路４０は、前記第１通信方式の受信信号を通過させるローパスフィルタ４０ａと、前記第３通信方式の受信信号を通過させるハイパスフィルタ４０ｂであり、前記第２の分波回路４５が、前記第２通信方式の受信信号を通過させるローパスフィルタ４５ａと、前記第４通信方式の受信信号を通過させるハイパスフィルタ４５ｂである。
前記第５のフィルタ回路５０が前記第１通信方式の受信信号を通過させるバンドパスフィルタであり、前記第７のフィルタ回路５５が前記第３通信方式の受信信号を通過させるバンドパスフィルタであり、前記第９のフィルタ回路６０が前記第１通信方式の受信信号を通過させるバンドパスフィルタであり、前記第７のフィルタ回路５５が前記第２通信方式の受信信号を通過させるバンドパスフィルタであり、前記第１１のフィルタ回路６０が前記第４通信方式の受信信号を通過させるバンドパスフィルタである。
第１２のフィルタ回路８０が整合回路として機能するローパスフィルタであり、前記第１のフィルタ回路１０が、前記第１通信システムの送信信号の第３次高調波成分を減衰させるローパスフィルタである。
本実施例においては、第５のフィルタ回路５０、第７のフィルタ回路５５、第９のフィルタ回路６、第１１のフィルタ回路６０として不平衡入力−平衡出力バンドパスフィルタを用いている。
【００１９】
図２は、高周波スイッチの一例を示す等価回路である。
このスイッチは、ＧａＡｓＭＥＳＦＥＴ（ＧａＡｓ  Ｍｅｔａｌ  Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ  Ｆｉｅｌｄ  Ｅｆｆｅｃｔ  Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）を用いたＧａＡｓスイッチであり、１端子対５端子の高周波スイッチである。このＧａＡｓスイッチは１０個の電界効果型トランジスタ１１１〜１２０と、これらのゲート電極にそれぞれ設けられた抵抗Ｒと、ソース電極に接続される接地コンデンサＣ及び信号の経路に配置された結合コンデンサＣを有して構成される。
各抵抗Ｒにおいて、電界効果型トランジスタ１１１〜１２０のゲート電極に接続された端と反対側の端は、それぞれコントロール端子ＣＮＴ１−１〜ＣＮＴ５−２に接続される。ＧａＡｓスイッチは、外部からの切替信号をデコードするデコーダ７０が組み込まれてり、そのデコーダ７０には４つの制御端子Ｖ１，Ｖ２，Ｖ３及びＶｄｄが設けられており、これら制御端子に切替信号が入力される。説明の簡略化のためデコーダ７０の構成を省略する。
【００２０】
送受信切替ロジックを表２に示す。例えば、送信回路からの送信信号をアンテナＡＮＴから放射する場合に、ポート１００ａとポート１００ｂを接続する場合には、外部から入力された切替信号に基づいて、ＧａＡｓスイッチＳＷのポートａとポートｂを接続する。他の場合も、前記送受信切替ロジックに従い各ポートが接続される、
【００２１】
【表２】
0004702622.tif 000003
【００２２】
本発明においては、ＧａＡｓスイッチＳＷの前後に第１、第２のフィルタ回路１０，３０，３５を配置する回路構成によって、アンテナＡＮＴから放射される２倍、３倍高調波発生量を抑制するようにしている。
即ちミキサーＭＩＸにより変調された送信信号が増幅器ＰＡを通って増幅され、ＧａＡｓスイッチモジュールのポート１００ｂに入力するが、この送信信号にはｍ次（ｍは２以上の自然数）の高調波成分を含んでいる。この送信信号を、まず第２のフィルタ回路（ローパスフィルタ）１０を通すことで周波数帯域外の信号を減衰させる。
第２のフィルタ回路１０を通過した送信信号は、ＧａＡｓスイッチＳＷのポートｂに入力する。ポートｂに大信号の高周波信号が入力されると、オフ状態にあったＦＥＴ１１２〜１１５などがＡＣ的にオンし、これにより信号の波形が歪み、基本波以外の第２、第３高調波が発生する場合があるが、ＧａＡｓスイッチＳＷのポートａに接続された第１のフィルタ回路（ローパスフィルタ若しくはノッチフィルタ）３０によって減衰させることが出来るので、アンテナから放射される２倍、３倍高調波の発生を抑制することが出来る。
【００２３】
図３は、本発明に係る高周波スイッチモジュールの一例を示す等価回路図である。また、図４は高周波スイッチモジュールの外観斜視図であり、図５は高周波スイッチモジュールに用いる多層基板２００の分解斜視図であって、各層の構成を示している。
前記第１〜第３のフィルタ回路１０，３０，３５と第１２のフィルタ回路８０及び第１、第２の分波回路４０，４５は、インダクタとコンデンサで構成されており、これらは誘電体層と、ＡｇやＣｕ等の金属や前記金属をベースとする合金を用いてなるペーストを所定の形状に形成した電極パターンとで形成される多層基板に、前記電極パターンやチップ部品として構成される。
【００２４】
以下多層基板の構成について説明する。多層基板は、複数の誘電体層を積層して構成してなり、分波回路及びローパスフィルタのコイル用パターンが主に形成された複数の第１誘電体層と、コンデンサ用パターンが主に形成された複数の第２誘電体層と、アース用パターンが主に形成された複数の第３誘電体層とを備えている。
【００２５】
第１〜第３誘電体層は、例えば誘電体セラミクスを、ドクターブレード法などの周知のシート化方法によってグリーンシート化し、焼結してなるものである。  最下層のグリーンシート１４の表面には、ほぼ全面を覆うアース用パターンＧＮＤが形成されており、裏面には回路基板に実装するための端子電極が形成されている。前記端子電極は、各通信システム共通のアンテナポートＡＮＴと、第１、第２の通信システムの送信信号が入力する第１送信ポートＴＸ１と、第３、第４の通信システムの送信信号が入力する第２送信ポートＴＸ２と、第１の通信システムが出力する受信ポートＲＸ１と，第３の通信システムが出力する受信ポートＲＸ２と，第２の通信システムが出力する受信ポートＲＸ３と，第４の通信システムが出力する受信ポートＲＸ４と、第５の通信システムの送受信信号が入出力する入出力ポートＴＲＸ、グランドポートＧＮＤと、スイッチ回路制御用のコントロールポート（制御端子）Ｖ１，Ｖ２，Ｖ３，Ｖｄｄを有し、それぞれがグリーンシートに形成されたビアホール（図中、黒丸、黒四角で表示）を介して上層のグリーンシート上の電極パターンと接続される。
前記スイッチ回路制御用のコントロールポートＶ１，Ｖ２，Ｖ３，Ｖｄｄは、多層基板の一側面に側に集められており、積層方向に連続するビアホールと、グリーンシート１４上に並行して走るラインパターンを介して前記第１の主面に連なって形成された複数のデコーダ用実装電極と接続される。このような構成によって、フィルタ回路、分波回路を構成する電極パターンとの干渉を防いでいる。
【００２６】
本実施例では端子電極をＬＧＡ（Ｌａｎｄ  Ｇｒｉｄ  Ａｒｒａｙ）としているが，ＢＧＡ（Ｂａｌｌ  Ｇｒｉｄ  Ａｒｒａｙ）なども採用することができる。  また本実施例では、制御端子Ｖ１，Ｖ２，Ｖ３，Ｖｄｄ、受信系端子ＲＸ１〜ＲＸ４、送信系端子ＴＸ１，ＴＸ２、アンテナ端子ＡＮＴ及び、送受信系端子ＴＲＸを、それぞれ異なると側面側に集めて配置している。このような配置によれば高周波スイッチモジュールが回路基板に実装されたときの他の高周波回路との接続を短く出来る。
【００２７】
グリーンシート１４の上にはグリーンシート１〜１３が順次積層される。これらのグリーンシート上に、第１のフィルタ回路１０、第２、第３のフィルタ回路３０，３５、第１及び第２の分波回路４０，４５を構成するインダクタは伝送線路（ライン電極）により、またコンデンサはコンデンサ電極により形成され、ビアホールを介して適宜接続されている。得られた積層体を８５０℃〜１０００℃程度（用いる導体や誘電体セラミクスによる）で焼結して、本発明に係る高周波スイッチモジュールとした。
【００２８】
図中、各電極パターンに付した記号は、図２に示した等価回路の回路素子に付した記号と対応し、適宜電極パターンを接続することで各回路素子を形成していることを示している。本実施例においては、ＤＣカットコンデンサＣ１〜Ｃ４、ＥＳＤ対策回路のインダクタＬ１、コンデンサＣ１（コンデンサＣ１はＤＣカットと共用）を積層基板上に実装している。なお、これらのインダクタやコンデンサを積層基板内に電極パターンで形成することも可能であるが、他の回路素子と比べて、比較的大きな容量値、インダクタンス値が必要となるので、専らチップ部品として積層基板上に実装する場合が多い。
【００２９】
各フィルタ回路、分波回路は、積層基板内において三次元的に構成される。図６は多層基板におけるビアホール接続構造を説明するための分解斜視図である。図中、四角形状に示したビアホールはアース用パターンと接続するものであり、三角形状に示したビアホールは電源回路と接続するビアホールである。
本発明に係る高周波スイッチモジュールでは、前記多層基板の平面方向の略中央位置に前記分波回路のハイパスフィルタ用パターンを配置し、ハイパスフィルタ用パターンの周囲に、複数のローパスフィルタ用パターンを配置する構成としている。そしてハイパスフィルタ用パターンとローパスフィルタ用パターンとの間には、アース用パターンと接続するビアホールや電源回路と接続するビアホールを形成している。この様に、各フィルタ回路、分波回路を構成する各電極パターンを、積層方向にはアース用パターンにより、面方向にはビアホールによって分離するとともに、異なる回路を構成するパターン同士が積層方向に重ならないように配置することで、相互に不要な電磁気的干渉を防ぎ、もって優れた電気的特性が発揮で出来るようにしている。
【００３０】
また本実施例では、平面方向の略中央に第４、第５通信方式のためのハイパスフィルタが隣り合って配置される。これらのハイパスフィルタは、それぞれ接地されるＬＣ直列共振回路を備えており、そのインダクタを構成するライン電極パターンが、互いに異なる巻回方向となるように形成している。また同一層上に形成されたハイパスフィルタやローパスフィルタのインダクタを構成するライン電極パターンは、少なくとも５０μｍ以上離間して配置するなどして、電磁気的な干渉を防いでいる。
【００３１】
積層基板を構成する誘電体セラミクスとしては、例えばＡｌ，Ｓｉ及びＳｒを主成分として、Ｔｉ，Ｂｉ，Ｃｕ，Ｍｎ，Ｎａ，Ｋなどを副成分とするセラミックス、Ａｌ，Ｓｉ及びＳｒを主成分として、Ｃａ，Ｐｂ，Ｎａ，Ｋなどを複成分とするセラミクス、Ａｌ，Ｍｇ，Ｓｉ及びＧｄを含むセラミクス、Ａｌ，Ｓｉ，Ｚｒ及びＭｇ含むセラミクスが挙げられる。誘電体の誘電率は５〜１５程度が好ましい。また誘電体セラミクスの他に、樹脂や、樹脂／セラミック複合材を用いて多層基板を構成することも可能である。さらにＨＴＣＣ（高温同時焼成セラミック）技術により、Ａｌ２Ｏ３を主体とする多層基板内に、タングステンやモリブデン等の高温焼結可能な金属導体により電極パターンを形成しても良い。
このような構成によって、本発明に係る高周波スイッチモジュールを得ることが出来る。
【産業上の利用可能性】
【００３２】
以上説明したように、本発明によれば、複数の送受信系を取り扱うスイッチモジュールにおいて、多層基板を小型化しても回路相互の干渉が生じ難いスイッチモジュールを提供することが出来る。
【図面の簡単な説明】
【００３３】
【図１】本発明の一実施例に係るスイッチモジュールの回路ブロック図である。
【図２】本発明の一実施例に係るスイッチモジュールに用いる高周波スイッチの等価回路図である。
【図３】本発明の一実施例に係るスイッチモジュールの等価回路図である。
【図４】本発明の一実施例に係るスイッチモジュールの外観斜視図である。
【図５】本発明の一実施例に係るスイッチモジュールに用いる多層基板の分解斜視図である。
【図６】本発明の一実施例に係るスイッチモジュールに用いる多層基板の分解斜視図である。
【符号の説明】
【００３４】
１０，３０，３５  ローパスフィルタ
２０  ＥＳＤ対策回路
４０，４５  分波回路
５０，５５，６０，６５  ＳＡＷフィルタ
８０  整合回路
２００  多層基板
ＳＷ  高周波スイッチ
【図１】
0004702622.tif 000004
【図２】
0004702622.tif 000005
【図３】
0004702622.tif 000006
【図４】
0004702622.tif 000007
【図５】
0004702622.tif 000008
【図６】
0004702622.tif 000009