(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
ダイシングすべき複数のストリートによって区画された複数の半導体チップを備えた半導体ウェーハであって、
この半導体ウェーハには半導体チップが形成されていない外周の所要位置に半導体ウェーハの結晶方位を示すマークが形成されており、
このマークとは別に該マークとの相関関係を持たせた結晶方位ライン溝が、半導体ウェーハの該ストリートをダイシングブレードによってハーフカットする際に該ストリートのピッチ間隔とは異なる間隔で最外側のストリートに平行に形成され、
該結晶方位ライン溝は該半導体ウェーハの裏面を研削した時に裏面側に表出する事を特徴とする半導体ウェーハ。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、裏面研削の後工程において結晶方位を確実に認識できるようにした半導体ウェーハに関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来、半導体ウェーハには図４（Ａ）のように半導体ウェーハＷの結晶方位を示すノッチの様なマークＭが形成され、又は図４（Ｂ）のようにオリフラＮ（オリエンテーションフラット）が形成されていて、各加工工程において半導体ウェーハＷの結晶方位を常に認識しながら加工を施すことができるようになっている。
しかし、例えば半導体ウェーハＷのストリートをハーフカットして切削溝Ｓを形成した後に、裏面を研削して切削溝Ｓを表出させ個々の半導体ペレットＰに分割する工程においては結晶方位がわからなくなる場合がある。即ち、ハーフカットした半導体ウェーハＷの裏面を研削装置によって研削すると、半導体ウェーハＷの外周には細かな欠けＲが複数生じて結晶方位を示すノッチマークＭとの区別がつかなくなり、図４（Ｂ）の場合には連続部分Ｑが欠落すると直線状となってオリフラＮとの区別がつかなくなる。裏面研削後に、半導体ウェーハＷの結晶方位が判別できないと、半導体ペレットＰのピックアップ工程等の後工程において不都合が生じる場合がある。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】
このため、研削装置を構成するチャックテーブルへの半導体ウェーハの供給及びチャックテーブルからの半導体ウェーハの搬出においては、結晶方位を常に管理できるように構成した特殊な研削装置が不可欠となり、設備投資が増大して不経済であるという問題が生じる。
又、半導体ウェーハの結晶方位を認識しなければならない他の加工工程においても結晶方位の誤認識が生じる場合があり、結晶方位を確実に認識できる半導体ウェーハを提供することに解決すべき課題がある。
【０００４】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するための具体的手段として、本発明は、ダイシングすべき複数のストリートによって区画された複数の半導体チップを備えた半導体ウェーハであって、
この半導体ウェーハには半導体チップが形成されていない外周の所要位置に半導体ウェーハの結晶方位を示すマークが形成されており、
このマークとは別に該マークとの相関関係を持たせた結晶方位ライン溝が、半導体ウェーハの該ストリートをダイシングブレードによってハーフカットする際に該ストリートのピッチ間隔とは異なる間隔で最外側のストリートに平行に形成され、
該結晶方位ライン溝は該半導体ウェーハの裏面を研削した時に裏面側に表出する事を特徴とする、を特徴とするものである。
【０００５】
【発明の実施の形態】
次に、本発明に係る半導体ウェーハの実施形態を添付図面に基づいて説明する。
図１は、本発明に係る半導体ウェーハ１であり、表面には多数の半導体チップ２が縦横に形成され、外周の所要位置には半導体ウェーハ１の結晶方位を示すノッチ３が形成されている。
【０００６】
４は結晶方位ライン溝であり、半導体ウェーハ１の表面の半導体チップ２が形成されていない外周の所要位置に形成されている。この場合、結晶方位ライン溝４は、前記ノッチ３の対向位置即ち１８０度反対位置に最外側のストリートに対し平行に形成されているが、これに限定されずノッチ３との相関関係が得られる位置に形成すれば良い。結晶方位ライン溝４と最外側のストリートとの間隔ｂは、ストリート間隔ａとは異なる間隔に、例えばストリート間隔ａが５ｍｍである場合には間隔ｂを１ｍｍに設定する。
【０００７】
半導体ウェーハ１は、表面を上にしてフレーム６に支持された粘着テープ７上に貼着され、例えば図２に示す切削装置８によりダイシングされる。この切削装置８においては、上下動するカセット載置領域Ａ上にカセット９が載置され、そのカセット９内には前記フレーム６に配設された半導体ウェーハ１が複数枚収容されており、Ｙ軸方向に移動する搬出入手段８ａによりカセット９内の半導体ウェーハ１が待機領域Ｂに順次搬出される。
【０００８】
待機領域Ｂに搬出された半導体ウェーハ１は、旋回アームを有する搬送手段８ｂにより吸着されてチャックテーブル１０上に搬送されて吸引保持される。この際、前記フレーム６はチャックテーブル１０の側部に対設された保持手段１０ａにより着脱自在に保持される。
【０００９】
チャックテーブル１０は、軸回転可能に支持されると共にＸ軸方向に移動可能に形成され、半導体ウェーハ１を吸引保持した後にＸ軸方向に移動してアライメント手段８ｃの下に位置付ける。アライメント手段８ｃは、顕微鏡及びＣＣＤカメラを備えており、半導体ウェーハ１のＸ軸方向のストリート５を撮像してその撮像信号をＣＰＵに入力する。ＣＰＵで画像処理されたストリート５はモニタ１１に映し出され、このストリート５とモニタ１１上に設けられた基準線とを合致させるアライメント工程が遂行される。
【００１０】
アライメント工程の終了後、チャックテーブル１０をＸ軸方向に一定のストロークで往復動させながら切削領域Ｃに配設された切削手段８ｄにて半導体ウェーハ１をダイシングするが、その時に前記結晶方位ライン溝４を切削して形成する。切削手段８ｄは、高速回転するダイシングブレード１２がスピンドルユニットの先端部に配設され、そのスピンドルユニットを介してＹ軸方向及びＺ軸方向に移動可能となっており、又ダイシングブレード１２の両側には切削液供給ノズル１３が配設されている。
【００１１】
ダイシングブレード１２による半導体ウェーハ１のダイシングは、前記ストリート間隔ａ毎にダイシングブレード１３をＹ軸方向にピッチ移動（割り出し移動）することでＸ軸方向と平行なストリート５を順次切削する。ストリート５の切削深さは、半導体ウェーハ１の厚さの約１／２〜２／３つまりハーフカットとし、これはダイシングブレード１２のＺ軸方向の移動により設定することができる。
【００１２】
Ｘ軸方向と平行なストリート５を全て切削した後、チャックテーブル１０を９０度軸回転させて未切削のストリートをＸ軸方向に向け、ダイシングブレード１２によって順次切削する。このようにしてダイシングされた半導体ウェーハ１を図３に示す。
尚、図２において１４は防水カバー、１５は防水カバー１４の両側部に取り付けられた防水蛇腹カバーであり、切削時に前記切削液供給ノズル１３から供給される切削液が装置内部に浸入するのを防いでいる。
【００１３】
ダイシング終了後に、チャックテーブル１０は元の位置に戻され、保持手段１０ａが解除されると共に吸引保持が解除され、半導体ウェーハ１は移動手段８ｅにより吸着されて洗浄・乾燥手段８ｆに搬入される。ここで、スピン洗浄及びスピン乾燥された半導体ウェーハ１は、前記搬送手段８ｂにより吸着されて待機領域Ｂ上に搬送され、更に前記搬出入手段８ａによりカセット９内に収容される。
【００１４】
かくして、半導体ウェーハ１のダイシング工程が終了した後、回転砥石を備えた研削装置により半導体ウェーハ１の裏面を研削してダイシング時に切削した切削溝Ｓを表出させ、個々の半導体ペレットＰに分割する工程がなされる。
【００１５】
この半導体ウェーハの裏面研削の前段階として、フレーム６の粘着テープ７から半導体ウェーハ１を剥がし、別の粘着テープに半導体ウェーハ１の表面側即ち半導体チップ２及び切削溝Ｓが形成されている面を貼着する。
【００１６】
表面に露出した半導体ウェーハ１の裏面は、公知の研削装置（図略）の回転砥石により研削され、ハーフカットの切削溝Ｓを表出させることで個々の半導体ペレットＰに分割する。この裏面研削工程において、半導体ウェーハ１の外周には細かな欠けが複数生じる場合があり、前記ノッチ３との区別がつかなくて研削終了後に半導体ウェーハ１の結晶方位が分からなくなることがある。このような事態に陥ると、半導体ペレットＰのピックアップ工程等の後工程において不都合が生じる場合がある。
【００１７】
本発明においては、前記のようにノッチ３と相関関係を有する結晶方位ライン溝４が所定位置に形成されているので、裏面研削によって表出したこの結晶方位ライン溝４の検出によって半導体ウェーハ１の結晶方位を直ちに認識できる。従って、研削装置を構成するチャックテーブルへの半導体ウェーハ１の供給及びこのチャックテーブルからの半導体ウェーハ１の搬出において、結晶方位を常に管理できるように構成した特殊な研削装置は不要となる。
【００１８】
又、ストリート間隔ａとは異なる間隔ｂで結晶方位ライン溝４が形成されているため、半導体ウェーハ１の裏面を研削した後にストリート間隔とは異なる間隔のラインが表出することによって裏面からも結晶方位を容易に認識することができる。更に、ＣＣＤカメラ等によって構成された認識手段と、画像処理手段とによって自動的に結晶方位を認識することもできる。
【００１９】
結晶方位を示すマークが従来のオリフラＮである場合においても、ストリート間隔とは異なる間隔の精度の高い結晶方位ラインを検出することで、半導体ウェーハの結晶方位を確実に認識することができる。
【００２０】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明は、半導体ウェーハの表面における半導体チップが設けられていない外周部に、結晶方位を示すノッチ等のマークに関連させて結晶方位ライン溝を設けたので、半導体ウェーハのストリートをハーフカットして切削溝を形成した後に、裏面を研削して切削溝を表出させ個々の半導体ペレットに分割する工程で、半導体ウェーハの外周に細かい欠けが生じてノッチ等のマークの位置が不明確になったとしても、結晶方位ライン溝を見出すことで結晶方位を確実に且つ容易に認識できる効果を奏する。これにより、結晶方位を常に管理できるように構成した特殊な研削装置が不要となり、設備投資が減少して経済的であるという効果も奏する。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明に係る半導体ウェーハの実施形態を示す平面図
【図２】半導体ウェーハをハーフカットした状態を示す平面図
【図３】半導体ウェーハをダイシングする切削装置の一例を示す斜視図
【図４】従来の半導体ウェーハを示すもので、（Ａ）はノッチを形成した場合の平面図、（Ｂ）はオリフラを形成した場合の平面図
【符号の説明】
１…半導体ウェーハ
２…半導体チップ
３…ノッチ
４…結晶方位ライン溝
５…ストリート
６…フレーム
７…粘着テープ
８…切削装置
【図１】
0004615664.tif 000002
【図２】
0004615664.tif 000003
【図３】
0004615664.tif 000004
【図４】
0004615664.tif 000005