(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
軟Ｘ線を用いてイオンを生成する軟Ｘ線式イオナイザにおいて、
外界から仕切られた直方体状の遮蔽カバーと、
遮蔽カバー内に軟Ｘ線を横方向に照射する軟Ｘ線照射装置と、
送風手段からの送風を遮蔽カバー内へ導く送風導入部と、
送風導入部の直下であって軟Ｘ線装置から遠ざかるに連れて開口径が大きくなるように複数配置され、送風導入部から遮蔽カバー内へ流入した気体を外界へ流出させる複数の噴射口と、
軟Ｘ線照射装置が照射する軟Ｘ線照射領域内にあり、軟Ｘ線照射装置と噴射口との間であって噴射口の近傍で軟Ｘ線照射装置に近い側にそれぞれ配置されて複数の噴射口からの軟Ｘ線の漏洩を防止する複数の軟Ｘ線遮蔽体と、
を備え、
噴射口の開口部に近い位置でイオンを生成させ、軟Ｘ線装置から遠ざかるに連れて径が大きくなる開口部により噴射する気体流量を増大させて全ての噴射口で等量のイオンを含む気体を噴射口から外部へ噴射することを特徴とする軟Ｘ線式イオナイザ。
【請求項２】
請求項１に記載の軟Ｘ線式イオナイザにおいて、
軟Ｘ線遮蔽体は金属製であってバイアス印加電極を兼ねるようにし、イオンバランスを制御することを特徴とする軟Ｘ線式イオナイザ。
【請求項３】
請求項１に記載の軟Ｘ線式イオナイザにおいて、
噴射口を覆うような天板と周壁とを有する円筒状のバイアス印加電極を備え、イオンバランスを制御することを特徴とする軟Ｘ線式イオナイザ。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、軟Ｘ線を照射してイオン化生成したプラスイオンおよびマイナスイオンを出力する軟Ｘ線式イオナイザに関する。
【０００２】
【従来の技術】
ＬＳＩ等の半導体集積回路（以下、単に電子デバイスという）の製造プロセスにおいて、リソグラフィという工程が存在する。リソグラフィは、シリコンウェハ上に半導体の回路パターンを転写するというものである。
【０００３】
このリソグラフィについて概略説明する。
まず、コンピュータ装置・ＣＡＤなどエンジニアリングシステムを用いて、半導体回路図を設計し、この半導体回路図に基づいて実際の配線である回路パターン図を作成する。さらに、この回路パターン図を用いてシリコンウェハ上に転写するためのデータであるマスク描画データを作成する。このマスク描画データをマスク描画装置に入力すると、転写用の原板が生成される。
【０００４】
そして、この原板を用いてシリコンウェハ上に露光することとなるが、シリコンウェハ上に露光するにはシリコンウェハにフォトレジストを塗布する必要がある。シリコンウェハ上にフォトレジストを塗布する場合にはスピンコートを行う。スピンコートとは、回転可能に取り付けられたシリコンウェハ上の回転中心付近に適量のフォトレジストを滴下した後にシリコンウェハを高速に回転させ、遠心力によりフォトレジストを外側へ流しつつ均一に塗布するというものである。
【０００５】
そして露光装置を用いて、原板を透過した光をシリコンウェハ上に露光して、ウェハ上にＬＳＩパターンを転写する。
このシリコンウェハを現像・洗浄すると、半導体の回路パターンが転写されている。
さらに、必要ならば、このシリコンウェハにさらにフォトレジストを塗布し、先に説明した同様の操作を複数回繰り返し、多段に積層された回路を形成したりするなど所望の回路を形成することとなる。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
このようなスピンコート時において、シリコンウェハを高速回転させると、シリコンウェハ上のフォトレジストと空気とが摩擦して静電気が発生し、表面電圧が高くなる。このため、空中に浮遊する塵埃等を吸引して液状で硬化前のフォトレジストに付着させるという問題があった。
【０００７】
そこで、従来からあるイオナイザを用いることで解決が図れると予想された。たとえば、エミッタに高電圧を印加してコロナ放電を起こし、プラスイオンとマイナスイオンとを生成するコロナ放電方式のイオナイザを用いることが検討された。
【０００８】
しかしながら、コロナ放電方式のイオナイザは以下の点でスピンコートされたフォトレジストの除電には適していないものであった。
（１）スピンコート時の遠心力によりフォトレジストは液滴となって飛散し、スピンコートカバー等にこの液滴が打ち当てられて更に微細化して飛散するが、これら液滴がエミッタに到達することがあった。このような場合、エミッタの放電特性が変化し、所定の性能を発揮できなくなるという問題点があった。
【０００９】
（２）また、コロナ放電のため発生するイオンが高電圧のエミッタに吸引されて衝突し、衝突のエネルギーにより微粒子を発したり（スパッタリング現象）、エミッタに付着した塵埃等がクラスタ状に成長したのち飛散する現象（再飛散）を引き起こす。これら微粒子やクラスタ状の塵埃がフォトレジストに混入すると露光後に現像・洗浄しても異物が付着したままとなって、シリコンウェハが不良になってしまうおそれがあった。
このため、スピンコート作業では微粒子・塵埃等が飛散しない軟X線を用いるイオナイザの採用が好ましい。
【００１０】
軟Ｘ線式イオナイザの原理は、波長が長いため透過力の弱いＸ線（軟Ｘ線）を空気又は非反応性ガスに照射し、これらの気体分子から電子を放出させてイオン化し、プラスイオンとマイナスイオンとを均等量発生させるというものである。コンタミネーションフリーであることに加えて、一つの気体分子からプラスイオンとマイナスイオンが生成されるため、プラスイオンおよびマイナスイオンは等しい数で生成され、正負のイオン濃度が常に等しくイオンバランスが良いという利点がある。
【００１１】
しかしながら、従来の軟Ｘ線式イオナイザではシリコンウェハに適用できない問題点があった。
従来の軟Ｘ線式イオナイザでは、被除電物に軟Ｘ線が照射されるような事態があっても特に問題が生じることがなかったため軟Ｘ線が被除電物に到達する構造であった。軟Ｘ線式イオナイザを用いてシリコンウェハを除電する場合も、軟Ｘ線が漏洩してフォトレジストへ到達する場合があるが、フォトレジストは軟Ｘ線でも露光されてしまう。そこで軟Ｘ線が漏洩しないように配慮する必要がある。しかしながら、従来このような措置がなされた軟Ｘ線式イオナイザは存在せず、現状では軟Ｘ線式イオナイザをシリコンウェハの除電に適用できない。
【００１２】
本発明は、上記問題点を解決するためになされたものであり、その目的は、軟Ｘ線を外界に漏洩させることなくプラスイオンとマイナスイオンを取り出すことができる軟Ｘ線式イオナイザを提供することにある。
【００１３】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するため、請求項１に係る発明の軟Ｘ線式イオナイザは、
軟Ｘ線を用いてイオンを生成する軟Ｘ線式イオナイザにおいて、
外界から仕切られた直方体状の遮蔽カバーと、
遮蔽カバー内に軟Ｘ線を横方向に照射する軟Ｘ線照射装置と、
送風手段からの送風を遮蔽カバー内へ導く送風導入部と、
送風導入部の直下であって軟Ｘ線装置から遠ざかるに連れて開口径が大きくなるように複数配置され、送風導入部から遮蔽カバー内へ流入した気体を外界へ流出させる複数の噴射口と、
軟Ｘ線照射装置が照射する軟Ｘ線照射領域内にあり、軟Ｘ線照射装置と噴射口との間であって噴射口の近傍で軟Ｘ線照射装置に近い側にそれぞれ配置されて複数の噴射口からの軟Ｘ線の漏洩を防止する複数の軟Ｘ線遮蔽体と、
を備え、
噴射口の開口部に近い位置でイオンを生成させ、軟Ｘ線装置から遠ざかるに連れて径が大きくなる開口部により噴射する気体流量を増大させて全ての噴射口で等量のイオンを含む気体を噴射口から外部へ噴射することを特徴とする。
【００１４】
また、請求項２に係る発明の軟Ｘ線式イオナイザは、
請求項１に記載の軟Ｘ線式イオナイザにおいて、
軟Ｘ線遮蔽体は金属製であってバイアス印加電極を兼ねるようにし、イオンバランスを制御することを特徴とする。
【００１５】
また、請求項３に係る発明の軟Ｘ線式イオナイザは、
請求項１に記載の軟Ｘ線式イオナイザにおいて、
噴射口を覆うような天板と周壁とを有する円筒状のバイアス印加電極を備え、イオンバランスを制御することを特徴とする。
【００１８】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の第１実施形態である軟Ｘ線式イオナイザについて図面を参照しつつ説明する。
図１は第１実施形態の概略構成図、図２は第１実施形態の内観斜視図である。図１，図２で示すように、本実施形態の軟Ｘ線式イオナイザは、遮蔽カバー１、軟Ｘ線照射装置２、送風管３、噴射口４、軟Ｘ線遮蔽体５を備え、被除電物１０を除電する装置である。
【００１９】
遮蔽カバー１は、軟Ｘ線を透過しないようになされた円筒形状の筐体であり、送風管３および噴射口４による孔以外には外界から隔離されるような構成となっている。
軟Ｘ線照射装置２は、軟Ｘ線を照射する機能を有している。軟Ｘ線照射装置２による軟Ｘ線照射領域は、図１の点線で示すような範囲である。
【００２０】
送風管３は、本発明の送風導入部の一具体例であり、図示しない送風手段に配管接続されて、遮蔽カバー１の内部へ気体が流入するようになされている。この遮蔽カバー１の中に流入される気体とは、塵埃等が予め除去された清浄な空気または非反応性ガス（例えば、アルゴンガス等）であるものとする。
なお、送風導入部としては管でなく、単なるスリット状のものなど各種形態とすることができる。
【００２１】
噴射口４は、送風管３から流入した気体を外部へ噴射する。
軟Ｘ線遮蔽体５は、軟Ｘ線が通過しないような遮蔽機能を有しており、軟Ｘ線照射領域内に配置されて、軟Ｘ線が到達しない領域を確保する。これは、噴射口４から軟Ｘ線が漏洩する事態を防止するためであり、図１，図２で示すように噴射口４の直上を覆うように配置される。なお、図１、図２では軟Ｘ線遮蔽体５は円板状に形成されているが、特に円板状に限定するものではなく、軟Ｘ線が到達しない領域を確保できるならば特に形状は問わない。
【００２２】
続いて動作原理について説明する。
軟Ｘ線照射装置２は空気または非反応性ガスへ軟Ｘ線を照射する。そして、空気または非反応性ガスの気体分子はイオン化され、プラスイオンとマイナスイオン（以下、これらを総称して単にイオンという。）とが生成される。
これらイオンは、送風管３から流入する気体流にのって噴射口４の入口開口へ到達し、噴射口４を通じて外界へ噴出される。
【００２３】
このようなイオンは、直ちに再結合されるというものではなく、イオン生成から所定期間の間はイオンとして単体で存在する。これは以下の理由による。生成されたイオンの濃度は空気の分子に比べても１ｐｐｍしかない。これは、１００万個の空気分子があってイオンが１個あるという程度の量であり、大変低濃度である。したがって、異極同士のイオンが結合する可能性は低く、再結合により減少するイオンは少ない。
【００２４】
さて、生成したイオンの再結合は、先の説明のように直ちには起こるというものではないが、プラスイオンとマイナスイオンが少しずつ再結合しており、時間が経過するにつれイオン量は少なくなる。このため、再結合を回避するためには、可能な限り速く被除電物１０へ到達させる必要がある。以下、再結合の回避策について考察する。
【００２５】
イオン化してから被除電物への到達時間をｔとするとｔはｔ＝ｌ／ｖ（ｌは、イオンがイオン化した位置から被除電物へ向かうまで移動距離、また、ｖはイオンの移動速度）として表すことができる。
つまり、ｔを減少させるには、ｌを短くするか、または、ｖを大きくすればよい。
【００２６】
そこで、図２で示す間隔Ｌを短くしたり、または、直径Ｄを小さくすると軟Ｘ線が到達しない領域が小さくなる、つまり、イオンが生成される軟Ｘ線領域から噴射口４の開口部までの距離ｌを短くすることができ、再結合に至るイオンを少なくすることができる。
【００２７】
また、間隔Ｌを短くすると、噴射口４の開口部までの気体流路が狭くなって気体の流入速度は逆に大きくなる、つまりイオンの移動速度ｖを増大させることができる。したがって、噴射口４から高速で気体が噴出されるので、イオンが再結合する前にイオンが被除電物１０へ到達する。
このように、間隔Ｌ・半径Ｄを小さくすることで、被除電物に至るまでに再結合するイオンを低減させることができる。
【００２８】
以上説明したように、本実施形態では軟Ｘ線を照射してイオン化する場合、コロナ放電方式のイオナイザのようにエミッタが発塵するおそれがなく、塵埃がないイオンのみを含む気体を噴出することができる。
また、軟Ｘ線遮蔽体５により軟Ｘ線が遮られて、噴射口４から軟Ｘ線が漏洩するという事態が回避されるため、フォトレジストなど露光される感光体が塗布されたシリコンウェハに用いることも可能となる。
【００２９】
続いて、本発明の第２実施形態である軟Ｘ線式イオナイザについて図面を参照しつつ説明する。
図３は第２実施形態の概略構成図、図４は本発明の第２実施形態の内観斜視図である。図３，図４で示すように、本実施形態の軟Ｘ線式イオナイザは、遮蔽カバー１、軟Ｘ線照射装置２、送風管３、噴射口４、軟Ｘ線遮蔽体５を備え、被除電物１０を除電する装置である点は第１実施形態と同様であるが、特に軟Ｘ線遮蔽体５にイオンバランス調節機能を兼用させる点が特徴となる。
なお、遮蔽カバー１、軟Ｘ線照射装置２、送風管３、噴射口４の機能については第１実施形態の説明と同様であり、その説明を省略し、軟Ｘ線遮蔽体５についてのみ説明する。
【００３０】
本実施形態の軟Ｘ線遮蔽体５は導電性の金属で形成されており、図３，図４で示すように電圧を可変に調整できる電源装置が接続されている。電源装置の電圧を調節すると軟Ｘ線遮蔽体５のバイアス電圧をプラス、マイナスまたはゼロ電位に設定ができる。なお、軟Ｘ線遮蔽体５をゼロ電位に設定するならば電源電圧の代わりに直接接地するようにしてもよく、実状に応じて適宜選択される。
【００３１】
続いて動作原理について説明する。
たとえば、噴射口４からはプラスイオンを多く噴出させたいような場合、軟Ｘ線遮蔽体５にプラスの電圧を印加すると、吸引力により軟Ｘ線遮蔽体５にマイナスイオンが吸引されるため、噴射口４から噴出される気体に含まれるイオンはプラスイオンの濃度が高くなり、噴射口４からはプラスイオンが多く噴出されることとなる。なお、当然ながら軟Ｘ線遮蔽体５にマイナスの電圧を印加するときは、プラスイオンが吸引され、マイナスイオンの濃度が高くなる。このように、印加電圧を制御することで所望のイオンバランスとなるように制御できる。
【００３２】
以上説明したように、本実施形態では、第１実施形態の効果に加え、イオンバランスを調節できるようになる。たとえば、搬送ラインを流れる複数の被除電物１０に帯電する電荷がプラス又はマイナスの一方に偏る傾向が見て取れる場合に、イオンバランスを調節した上で噴出すれば、プラスまたはマイナスに偏ることなく除電されるというものであり、軟Ｘ線式イオナイザの除電能力を更に高めることができる。
【００３３】
続いて、本発明の第３実施形態である軟Ｘ線式イオナイザについて図面を参照しつつ説明する。
図５は第３実施形態の概略構成図、図６は本発明の第３実施形態の内観斜視図である。図５，図６で示すように、本実施形態の軟Ｘ線式イオナイザは、遮蔽カバー１、軟Ｘ線照射装置２、送風管３、噴射口４、軟Ｘ線遮蔽体５を備え、被除電物１０を除電する装置である点は第１実施形態と同様であるが、特に遮蔽カバー１の底面と軟Ｘ線遮蔽体５とで形成される噴射口４への流路の途中にバイアス印加電極６を追加配置し、イオンバランス調節機能を持たせる点が特徴となる。
【００３４】
このバイアス印加電極６は、打ち抜き金網を円筒状に屈曲形成した（図５，図６では一部破断して図示してある。）ものであり、軟Ｘ線到達不可領域内である軟Ｘ線遮蔽体５の下方に配置される  。
バイアス印加電極６を円筒状にして軟Ｘ線遮蔽体５に配置する理由について説明する。
【００３５】
遮蔽カバー１と軟Ｘ線遮蔽体５とにより噴射口４に至るまでの流路が形成されるが、この流路途中にバイアス印加電極６を配置することとなる。このため、噴射口４へ行くまでに気体は必ずバイアス印加電極６を通過することとなり、第２実施形態で説明したごとくイオンを吸収することができ、イオンバランスの制御機能を高めることができる。
【００３６】
続いて、本発明の第４実施形態である軟Ｘ線式イオナイザについて図面を参照しつつ説明する。
図７は第４実施形態の概略構成図である。本実施形態の軟Ｘ線式イオナイザは、遮蔽カバー１，軟Ｘ線照射装置２、送風管３、噴射口４、軟Ｘ線遮蔽体５を備え、被除電物１０を除電する装置である点は第１実施形態と同様であるが、特に噴射口４および軟Ｘ線遮蔽体５を複数個設けた点を特徴としている。
なお、遮蔽カバー１，軟Ｘ線照射装置２、送風管３、噴射口４および軟Ｘ線遮蔽体５の機能および動作原理については第１実施形態の説明と同様であり、その説明を省略する。
【００３７】
本実施形態では、噴射口４および軟Ｘ線遮蔽体５を複数個設けたため、生成されたイオンが最寄りにある噴射口４から直ちに噴出されることとなり、マイナスイオンとプラスイオンとが再結合等が発生するおそれを低減し、除電能力をより高めることができる。
【００３８】
続いて、本発明の第５実施形態である軟Ｘ線式イオナイザについて図面を参照しつつ説明する。図８は第５実施形態の概略構成図である。
図８で示すように、本実施形態の軟Ｘ線式イオナイザは、遮蔽カバー１，軟Ｘ線照射装置２、送風管３、噴射口４、軟Ｘ線遮蔽体５、バイアス印加電極６を備え、被除電物１０を除電する装置である点は第３実施形態と同様であるが、特に噴射口４、軟Ｘ線遮蔽体５およびバイアス印加電極６を複数個設けた点を特徴としている。
なお、遮蔽カバー１，軟Ｘ線照射装置２、送風管３、噴射口４、軟Ｘ線遮蔽体５およびバイアス印加電極６の機能および動作原理については第１，第３実施形態の説明と同様であり、その説明を省略する。
【００３９】
本実施形態では、噴射口４、軟Ｘ線遮蔽体５およびバイアス印加電極６を複数個設けたため、生成されたイオンが最寄りにある噴射口４から直ちに噴出されることとなり、マイナスイオンとプラスイオンとが再結合等が発生するおそれを低減し、除電能力をより高めることができる。
なお、図示しないが、第２実施形態として説明したバイアス印加電極を兼ねる軟Ｘ線遮蔽体５を複数個配置する形態としても、第４，第５実施形態と同等の効果を奏しうることができる。
【００４０】
続いて、本発明の請求項１〜請求項３に係る第６実施形態である軟Ｘ線式イオナイザについて図面を参照しつつ説明する。
図９は第６実施形態の概略構成図、図１０は第６実施形態の動作原理を説明する説明図である。
図９で示すように、本実施形態の軟Ｘ線式イオナイザは、遮蔽カバー１、軟Ｘ線照射装置２、送風管３、噴射口４、軟Ｘ線遮蔽体５を備え、被除電物を除電する装置である点は第１実施形態と同様であるが、特に遮蔽カバー１の形状を円筒状から直方体状に変化させている事を特徴としている。
【００４１】
遮蔽カバー１は、軟Ｘ線を透過しないようになされた直方体形状の筐体であり、送風管３および噴射口４による孔以外には外部から隔離されるような構成となっている。
軟Ｘ線照射装置２は、軟Ｘ線を照射する機能を有している。軟Ｘ線照射装置２による軟Ｘ線照射領域は、図１０の点線で示すような範囲である。
【００４２】
送風管３は、図示しない送風手段に接続され、遮蔽カバー内部へ気体が流入するようになされている。この遮蔽カバー１内に流入される気体とは、塵埃等が予め除去された清浄な空気または非反応性ガス（例えば、アルゴンガス等）であるものとする。
この送風管３は、図９，図１０で示すように３個並べられ、それぞれの送風管３から清浄な空気または非反応性ガスが流入する。
【００４３】
噴射口４は、送風管３から流入された気体を外部へ噴射する機能を有しており、送風管３の直下に配置されている。噴射口４は複数個配置されており、軟Ｘ線照射装置２から遠ざかるにつれて噴射口４の径が大きくなるよう設けられている。なお、この理由については後述する。
【００４４】
軟Ｘ線遮蔽体５は、軟Ｘ線が通過しないような遮蔽機能を有しており、噴射口４の近傍であって軟Ｘ線照射装置２に近い側に配置され、噴射口４に軟Ｘ線が到達しないようにする。これは、噴射口４から軟Ｘ線が漏洩する事態を防止するためである。なお、図９、図１０では方形の板状に形成された軟Ｘ線遮蔽体５が図示されているが、特に方形に限定するものではなく、軟Ｘ線が到達しない領域を確保できればよい。
【００４５】
続いて動作原理について説明する。
軟Ｘ線照射装置２は空気または非反応性ガスへ軟Ｘ線を照射する。そして、空気または非反応性ガスの気体分子はイオン化され、プラスイオンおよびマイナスイオンであるイオンが生成される。
送風管３から直下にある噴射口４まで気体流が流れており、これらイオンは送風管３から流入する気体流にのって噴射口４へ到達し、噴射口４を通じて外界へ噴出される。
【００４６】
さて、本実施形態の噴射口４は、軟Ｘ線照射装置２から遠ざかるにつれて噴射口４の径が大きくなるよう設けられている理由について説明する。
軟Ｘ線照射装置２の近く（図１０の左側）では照射される軟Ｘ線の強度が大きく、生成されるイオン数が多いが、軟Ｘ線が軟Ｘ線照射装置２から離れて行く（図１０で右側に行く）につれ、軟Ｘ線の強度が小さくなって、生成するイオン数が少なくなる。したがって、何らかの対策を施さないと噴射口４の位置によって、噴出されるイオン数が異なることとなる。
【００４７】
そこで、生成するイオン数が少ない噴射口４の開口径を大きくし、噴射する気体流量を増大させて、イオン数が多くなるように調節する。これにより、噴射口４の位置によらず、噴出するイオン数を略等しくするように調節でき、たとえば、長尺の被除電物１０や、製造ライン上を搬送される被除電物１０に除電を施すような場合の使用に好適である。
【００４８】
また、図示しないが、軟Ｘ線遮蔽体５にバイアス電圧を印加して、イオンバランスを制御するようにしてもよい。
また、図示しないが、噴射口４を覆うように、例えば、天板と周壁とを備える円筒状のバイアス印加電極６を設けて、イオンバランスを制御するようにしてもよい。
【００４９】
続いて、本発明の第７実施形態である軟Ｘ線式イオナイザについて図面を参照しつつ説明する。
図１１は第７実施形態の概略構成図である。
図１１で示すように、本実施形態の軟Ｘ線式イオナイザは、遮蔽カバー１、軟Ｘ線照射装置２、送風管３、噴射口４、軟Ｘ線遮蔽体５を備え、被除電物を除電する装置である点は第１実施形態と同様であるが、特に遮蔽カバー１、噴射口４、軟Ｘ線遮蔽体５の形状を長尺状にしている事を特徴としている。
【００５０】
本実施形態のように噴射口４およびこの噴射口４を覆う軟Ｘ線遮蔽体５の長方形状に形成した場合、長い距離にわたり、均一にイオンを照射することができるようになり、特に製造ラインを搬送される被除電物に対し均等にイオンを照射する場合に好適である。本実施形態によれば、製造ラインなど実状に即した軟Ｘ線式イオナイザとすることができる。
【００５１】
また、図示しないが、軟Ｘ線遮蔽体５にバイアス電圧を印加して、イオンバランスを制御するようにしてもよい。
また、図示しないが、噴射口４を覆うように、例えば、天板と周壁とを備える直方体状のバイアス印加電極を設けて、イオンバランスを制御するようにしてもよい。
【００５２】
【発明の効果】
以上、本発明によれば、軟Ｘ線を外界に漏洩させることなくプラスイオンとマイナスイオンを取り出せる軟Ｘ線式イオナイザを提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１実施形態の概略構成図である。
【図２】本発明の第１実施形態の内観斜視図である。
【図３】本発明の第２実施形態の概略構成図である。
【図４】本発明の第２実施形態の内観斜視図である。
【図５】本発明の第３実施形態の概略構成図である。
【図６】本発明の第３実施形態の内観斜視図である。
【図７】本発明の第４実施形態の概略構成図である。
【図８】本発明の第５実施形態の概略構成図である。
【図９】本発明の第６実施形態の概略構成図である。
【図１０】本発明の第６実施形態の動作原理を説明する説明図である。
【図１１】本発明の第７実施形態の概略構成図である。
【符号の説明】
１                        遮蔽カバー
２                        軟Ｘ線照射装置
３                        送風管
４                        噴射口
５                        軟Ｘ線遮蔽体
６                        バイアス印加電極
１０                      被除電物
【図１】
0004698871.tif 000002
【図２】
0004698871.tif 000003
【図３】
0004698871.tif 000004
【図４】
0004698871.tif 000005
【図５】
0004698871.tif 000006
【図６】
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【図７】
0004698871.tif 000008
【図８】
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【図９】
0004698871.tif 000010
【図１０】
0004698871.tif 000011
【図１１】
0004698871.tif 000012