(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の領域に第１のグルーブが形成され、第２の領域に第２のグルーブが形成された基板と、
上記基板上に形成された少なくとも２層以上の情報層と、
上記情報層上に形成された透明保護層と
を備え、
上記第１の領域は、媒体に固有の情報が記録される固有情報記録領域であり、
上記第２の領域は、データ記録領域であり、
上記第１の領域には、上記固有の情報が予め所定の２値情報として記録されており、
上記２値情報は、複数の上記第１のグルーブを横断して半径方向に延びるマークにより記録されており、
上記第１のグルーブの深さが上記第２のグルーブの深さに比して浅く、または上記第１のグルーブの幅が上記第２のグルーブの幅に比して狭くされた記録媒体。
【請求項２】
請求項１に記載の記録媒体において、
上記情報層が相変化型記録層であり、上記所定の２値情報が上記情報層の初期化時に記録された記録媒体。
【請求項３】
請求項１に記載の記録媒体において、
上記情報層が、ＳｂＴｅ系共晶系材料からなる相変化型記録層である記録媒体。
【請求項４】
請求項１に記載の記録媒体において、
上記基板を成形するためのスタンパを作製するためのカッティッグ工程において、上記第１のグルーブに対応する露光用レーザのパワーを上記第２のグルーブに対応する露光用レーザのパワーに比してより小として製造された記録媒体。
【請求項５】
請求項１に記載の記録媒体において、
上記第１のグルーブの深さが０．９〜１６．７ｎｍである記録媒体。
【請求項６】
請求項１に記載の記録媒体において、
上記基板上に形成された第１の情報層と、
上記第１の情報層上に形成された透明中間層と、
上記透明中間層上に形成された第２の情報層と、
上記第２の情報層上に形成された上記透明保護層と
を備える記録媒体。
【請求項７】
請求項６に記載の記録媒体において、
上記第１のグルーブの位相深さがλ／３０４．８ｎ〜λ／１６．４ｎ（但し、λ：記録または再生のレーザ光の波長、ｎ：記録または再生のレーザ光に対する透明中間層の屈折率）である記録媒体。
【請求項８】
請求項１に記載の記録媒体において、
上記第１のグルーブの幅が５５〜１２６ｎｍである記録媒体。
【請求項９】
請求項１に記載の記録媒体において、
上記第１のグルーブのグルーブ幅／トラックピッチが０．０２７５〜０．０６３である記録媒体。
【請求項１０】
請求項１に記載の記録媒体において、
上記２値情報は、バーコード状マークとして記録されている記録媒体。
【請求項１１】
請求項１に記載の記録媒体において、
上記第１の領域が最内周領域であり、上記第２の領域がデータ記録領域である記録媒体。
【請求項１２】
樹脂材料に対してスタンパの転写面の形状を転写して基板を成形する工程と、
上記基板上に少なくとも２層以上の情報層を形成する工程と、
上記情報層上に透明保護層を形成する工程と
を備え、
上記スタンパは、
上記基板の第１の領域に対して第１のグルーブを形成する第１のスタンパグルーブと、
上記基板の第２の領域に対して第２のグルーブを形成する第２のスタンパグルーブと
を備え、
上記第１の領域は、媒体に固有の情報が記録される固有情報記録領域であり、
上記第２の領域は、データ記録領域であり、
上記第１の領域には、上記固有の情報が予め所定の２値情報として記録されており、
上記２値情報は、複数の上記第１のグルーブを横断して半径方向に延びるマークにより記録されており、
上記第１のスタンパグルーブの深さが、上記第２のスタンパグルーブの深さに比して浅く、または上記第１のスタンパグルーブの幅が、上記第２のスタンパグルーブの幅に比して狭くされた記録媒体の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、記録媒体およびその製造方法、並びに記録媒体用原盤およびその製造方法に関する。詳しくは、少なくとも第１の情報層および第２の情報層を有する記録媒体に関する。
【背景技術】
【０００２】
ＤＶＤ（Digital Versatile Disc）−ＲＯＭ（Read Only Memory）、記録型ＤＶＤなどにおける著作権保護技術の一つとして、未記録ディスクの状態において、最内周側領域（ＢＣＡ(Burst Cutting Area)と称される）には、メディアＩＤと称される媒体に固有の２進情報を記録しておき、メディアＩＤを使用して記録されるコンテンツデータを暗号化することが行われている。
【０００３】
また、ブルーレイディスク（Blu-ray Disc（登録商標）、以下ＢＤ）などの高密度光ディスクにおいても、特許文献１に記載されているように、２進情報であるバーコード状のマーク（以下、ＢＣＡマークと称する）を最内周側エリア（以下、ＢＣＡと称する）に記録することが提案されている。
【０００４】
特許文献１では、ＢＣＡマークが相変化記録膜の結晶状態およびアモルファス状態を利用して記録されること、ＢＣＡでは、隣接するエリアのトラックピッチの５倍以上のトラックピッチでもってグルーブまたはピットが形成されること、ＢＣＡマークが複数のトラックを横断して半径方向に形成されること、などが記載されている。さらに、特開２００５−５１８０５５号公報には、ＢＣＡマークを再生する場合に、グルーブを利用してトラッキングサーボ制御によってＢＣＡマークを再生した時の再生波形と、トラッキングサーボ制御を行わないで、ＢＣＡマークを再生した時の再生波形とを比較することで、ＢＣＡマークの改ざんを検出することが記載されている。
【０００５】
通常のトラックに対して信号が記録される記録領域では、フォーカスサーボ制御によって信号面に対してレーザ光のスポットが合焦しており、且つ、トラッキングサーボ制御によって適正にトラックをトレースしている状態の下で、信号の記録又は再生を行うようにされている。これに対して、ＢＣＡは、トラッキングサーボ制御をかけずに、単にフォーカスサーボ制御による合焦状態が得られている状態で、より簡易に情報を読み出すことを可能とすることを考慮した領域である。
【０００６】
ＢＣＡについても、グルーブ（即ちトラック）が形成されており、相変化方式に対応した信号記録層も、例えばリードインエリアから連続して形成されているものとされる。このようにして、相変化方式に対応した信号記録層を有して形成されるＢＣＡにおいては、ＢＣＡマークを次のようにして形成することができる。
【０００７】
例えば製造段階において、初期化前の状態では、信号記録層はアモルファスの状態にある。例えばデータエリアについては、領域全体に対して、例えば赤色ハイパワーレーザによるレーザ光を照射して初期化を行うことで、アモルファスから結晶の状態に変化させるようにしている。ＢＣＡの信号記録層も、初期化前においてはアモルファスの状態にある。そして、初期化に伴っては、このＢＣＡ全体を初期化して結晶の状態にするのではなく、ＢＣＡマーク例えばディスクＩＤの内容に対応したバーコードのパターンに対応させて、円周方向における所要の部分についてのみレーザ光の照射を行って結晶状態とする。この工程の結果、ＢＣＡにおいては、円周方向に沿った所要幅のアモルファス状態のバー部分と、結晶状態のバー部分とのパターンによる、バーコード態様の情報記録が行われたことになる。
【０００８】
近年、記録可能なＤＶＤや高密度光ディスクにおいて、記憶容量を増大させるために、多層ディスクの記録再生フォーマットが提案されている。２層の高密度光ディスク例えば２層のＢＤでは、情報読み取り側から奥に位置する情報層（Ｌ０層と称する。手前側に位置する情報層をＬ１層と称する。）に対してＢＣＡマークが記録される。
【０００９】
図１４は、かかる２層ＢＤのＢＣＡマークの再生信号の波形（トラッキングサーボ制御を行っていない場合）の一例を示す。結晶状態では、反射率が高いので、高レベルＩＨの再生信号が得られ、アモルファス状態では、反射率が低いので、低レベルＩＬの再生信号が得られる。
【００１０】
【特許文献１】特開２００５−５１８０５５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１１】
しかしながら、従来の高密度光ディスク例えばＢＤにおいては、トラッキングサーボ制御がなされない場合には、再生レーザビームが複数のグルーブを跨がってＢＣＡマークを読み取り、グルーブによる回折で信号が変調されることにより、グルーブ信号のクロストークより、図１４に示すように、ＢＣＡマークの再生信号にレベルの変動が生じ、ＢＣＡマークの信号再生が不安定になる欠点があった。
【００１２】
ＢＤの規格では、ＢＣＡマークを安定に再生するための基準として、ＢＣＡマークの再生信号の高レベルＩＨと低レベルＩＬの比ＩＨ／ＩＬ（コントラストと称される）が４倍以上であることが規定されている。図１４に示すように、レベル変動が大きな場合には、高レベルの最小値ＩＨminと低レベルの最大値ＩＬmaxとの比が上述した規格の値を満たすことが困難となる。
【００１３】
したがって、この発明の目的は、最内周側エリアに予め記録されている２進情報を安定に再生することを可能とする記録媒体およびその製造方法、並びに記録媒体用原盤およびその製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１４】
上述の課題を解決するために、この発明の第１の発明は、
第１の領域に第１のグルーブが形成され、第２の領域に第２のグルーブが形成された基板と、
基板上に形成された少なくとも２層以上の情報層と、
情報層上に形成された透明保護層と
を備え、
第１の領域は、媒体に固有の情報が記録される固有情報記録領域であり、
第２の領域は、データ記録領域であり、
第１の領域には、固有の情報が予め所定の２値情報として記録されており、
２値情報は、複数の第１のグルーブを横断して半径方向に延びるマークにより記録されており、
第１のグルーブの深さが第２のグルーブの深さに比して浅く、または第１のグルーブの幅が第２のグルーブの幅に比して狭くされた記録媒体である。
【００１６】
この発明の第２の発明は、
樹脂材料に対してスタンパの転写面の形状を転写して基板を成形する工程と、
基板上に少なくとも２層以上の情報層を形成する工程と、
情報層上に透明保護層を形成する工程と
を備え、
スタンパは、
基板の第１の領域に対して第１のグルーブを形成する第１のスタンパグルーブと、
基板の第２の領域に対して第２のグルーブを形成する第２のスタンパグルーブと
を備え、
第１の領域は、媒体に固有の情報が記録される固有情報記録領域であり、
第２の領域は、データ記録領域であり、
第１の領域には、固有の情報が予め所定の２値情報として記録されており、
２値情報は、複数の第１のグルーブを横断して半径方向に延びるマークにより記録されており、
第１のスタンパグルーブの深さが、第２のスタンパグルーブの深さに比して浅く、または第１のスタンパグルーブの幅が、第２のスタンパグルーブの幅に比して狭くされた記録媒体の製造方法である。
【００１８】
この発明では、第１の領域のグルーブの深さおよび幅を第２の領域のグルーブに比してより浅くまたはより狭く形成しているので、第１の領域のグルーブによる回折で信号が変調されることを低減できる。すなわち、第１の領域の２値情報の再生信号に発生するレベルの変動を低減できる。
【発明の効果】
【００１９】
以上説明したように、この発明によれば、第１の領域のグルーブの深さおよび幅を第２の領域のグルーブに比してより浅くまたはより狭く形成することによって、第１の領域のグルーブによる回折を小さくし、２進情報の再生を良好に行うことができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２０】
（１）発明の概要
以下、この発明の理解を容易とするために、この発明の概要について２層のＢＤを例として説明する。
まず、図１を参照して、Ｌ０層２およびＬ１層４の反射率の関係について説明する。
Ｌ０層２およびＬ１層４からの反射光量が等しいと仮定すると、以下の関係式が成立する。
Ｒ1＝Ｔ1・Ｒ0・Ｔ1    ・・・（１）
但し、Ｒ0：Ｌ０層２の反射率、Ｒ1：Ｌ１層４の反射率、Ｔ1：Ｌ１層４の透過率
【００２１】
そして、Ｌ０層２およびＬ１層４の熱吸収量が等しい、すなわち感度が等しいと仮定すると、以下の関係式が成立する。
１−Ｒ1−Ｔ1＝Ｔ1−Ｔ1・Ｒ0    ・・・（２）
【００２２】
（１）および（２）の式からＴ1を消去すると、
Ｒ0＝（（Ｒ1＋１）2±√（（Ｒ1＋１）4−１６Ｒ12））／２Ｒ1    ・・・（３）
となる。
ここで、０≦Ｒ0≦１であることより複合の「−」のみが解となる。そこで、式（３）の反射率Ｒ1と反射率Ｒ0の関係をグラフで表すと、図２のようになる。
反射率とコントラストは多重干渉の計算により図３のような関係になる。これは、反射率を上げようとするとコントラストが減少するということを表している。
【００２３】
一方、規格によれば、反射率Ｒ1は４％〜８％の範囲内であることが要求されるため、反射率Ｒ0の範囲は１５％〜２８％となる。したがって、設計では、その中心付近である２０％近辺を用いることになる。
【００２４】
次に、表１および図４を参照して、コントラストＲｃ／Ｒａ（Ｒｃ：結晶状態の反射率、Ｒａ：アモルファス状態の反射率）および反射率Ｒｃの関係について説明する。
【００２５】
ここで、これらの関係を求めるため用いたサンプルの構成について説明する。
サンプルは、基板上に、Ａｇ合金層（反射層）、ＳｉＮ層（第２の誘電体層）、ＺｎＳ−ＳｉＯ2層（第１の誘電体層）、ＳｂＴｅ系相変化記録層（相変化記録層）、ＳｉＮ層（第１の誘電体層）、ＺｎＳ−ＳｉＯ2層（第２の誘電体層）、ＳｉＮ層（第３の誘電体層）を順次積層した構成を有する。各サンプルの膜厚およびＳｂ／Ｔｅ比は、表１に示すように変化させた。
【００２６】
表１は、各層の膜厚、Ｌ０層２のＳｂ／Ｔｅ比、反射率およびコントラストＲｃ／Ｒａなどを示す。図４は、表１に基づいて作成されたコントラストＲｃ／Ｒａおよび反射率Ｒｃの関係を示すグラフである。
【００２７】
表１の反射率・コントラストの評価欄において、「○」は、反射率Ｒｃが２０％以上であり、且つコントラストＲｃ／Ｒａが４．４以上である場合を示し、「△」は、Ｒｃ＞２０％、４＜Ｒｃ／Ｒａ＜４．４を示し、「×」は、これらの数値範囲を満たさない場合を示している。なお、表１では、製造マージンなどを考慮して、コントラストＲｃ／Ｒａが４．４以上である場合を良好と判断して「○」としているが、コントラストＲｃ／Ｒａが４以上でも規格を満足することは可能である。
【００２８】
【表１】
0004770710.tif 000002
【００２９】
上述のように、規格値である反射率Ｒ1＝４％〜８％の範囲を満たすためには、Ｌ０層２の反射率Ｒ0としては２０％程度の反射率が要求される。一方、規格によれば、コントラストＩＨ／ＩＬ、すなわちコントラストＲｃ／Ｒａを４以上とすることが要求される。
【００３０】
しかしながら、図４に示すように、各層の膜厚および組成を調整しても、規格上求められる反射率（Ｒ０）２０％、およびコントラスト（Ｒｃ／Ｒａ）４を同時に大幅に上回ることはできず、反射率（Ｒ0）２０％程度、コントラスト（Ｒｃ／Ｒａ）４程度しか得られない。その理由は、コントラストと反射率は多重干渉の計算が示すごとく、相反する性質を持つからである。そのため、図３に示すグルーブによる回折の影響を抑え、変調度を最大化することが本発明の趣旨である。
【００３１】
したがって、上述のように、グルーブ信号の回折によりＢＣＡ再生信号が不安定である場合には（図１４）、コントラストＩＨ／ＩＬが４以上という規格を満足できなくなる。そこで、本発明では、ＢＣＡにおけるグルーブの深さをデータ記録領域に比して浅くすることで、ＢＣＡ再生信号を安定して再生できるようにする。
【００３２】
（２）光ディスクの構成
以下、この発明の一実施形態について図面を参照しながら説明する。図５は、この発明の一実施形態による光ディスクの構成の一例を示す。図６は、この発明の一実施形態による光ディスクのより具体的な構成の一例を示す。図７は、この発明の一実施形態による光ディスクの具体的な膜構成の一例を示す。
【００３３】
この光ディスクは、基板１上に、Ｌ０層２、中間層３、Ｌ１層４、カバー層５が順次に積層された構成を有する２層の高密度光ディスクである。Ｌ０層２は、基板１上に、反射層６ａ、下層誘電体層７ａ、相変化記録層８ａ、上層誘電体層９ａを順次積層してなる。Ｌ１層４は、中間層３上に、反射層６ｂ、下層誘電体層７ｂ、相変化記録層８ｂ、上層誘電体層９ｂを順次積層してなる。
【００３４】
この光ディスクは、中央に開口が設けられた円板状の形状を有し、Ｌ０層２には、その内周側から外周側に向かってＢＣＡ１１、ＰＩＣ（ディスクの制御データ）領域、データ記録領域が設定され、Ｌ１層２には、その内周側から外周側に向かって内周領域、ＰＩＣ領域、データ記録領域が設定されている。
【００３５】
この光ディスクでは、カバー層５側から情報記録層であるＬ０層２およびＬ１層４にレーザ光を照射することによって、情報信号の記録および再生が行われる。例えば、４００ｎｍ〜４１０ｎｍの波長を有するレーザ光が０．８４〜０．８６の開口数を有する対物レンズ１０により集光され、カバー層５側から、情報記録層であるＬ０層２およびＬ１層４の一方に照射されることで、情報信号の記録または再生が行われる。このような光ディスクとしては、例えば２層ＢＤが挙げられる。
以下、光ディスクを構成する基板１、Ｌ０層２、Ｌ１層４、中間層３、カバー層５について順次説明する。
【００３６】
（基板）
基板１は、中央に開口（以下、センターホールと称する）が形成された円環形状を有する。この基板１の一主面は、凹凸面となっており、この凹凸面上にＬ０層２が成膜される。以下では、凹凸面のうちレーザ光入射面Ｓから遠い凹部をイングルーブＧin、凹凸面のうちレーザ光入射面Ｓから近い凸部をオングルーブＧonと称する。なお、基板１のＢＣＡ１１に設けられた凸状のオングルーブＧonが、第１のグルーブの一例であり、基板１のデータ記録領域１３に設けられた凸状のオングルーブＧonが、第２のグルーブの一例である。
【００３７】
この凹状のイングルーブＧinおよび凸状のオングルーブＧonの形状としては、例えば、スパイラル状、同心円状などの各種形状が挙げられる。また、イングルーブＧinおよび／またはオングルーブＧonが、アドレス情報を付加するためにウォブル（蛇行）されている。
【００３８】
ＢＣＡ１１のオングルーブＧonの幅ｄは、データ記録領域１３のオングルーブＧonの幅ｄに比べて狭く、および／または、ＢＣＡ１１のオングルーブＧonの深さ（高さ）ｈは、データ記録領域１３のオングルーブＧonの深さ（高さ）ｈに比べて浅く（低く）なっている。また、ＢＣＡ１１とデータ記録領域１３とでは隣り合うオングルーブＧon間の距離、すなわちトラックピッチＴｐが異なっており、ＢＣＡ１１のトラックピッチＴｐはデータ記録領域１３のトラックピッチＴｐに比べて広くなっている。このようにすることで、オングルーブＧonによる回折でＢＣＡ信号が変調されることを低減できる。すなわち、ＢＣＡマークの再生信号におけるレベルの変動を低減できる。すなわち、コントラストＩＨ／ＩＬを向上させることができる。
【００３９】
オングルーブＧonの位相深さλ／αｎ（但し、λ：記録または再生のレーザ光の波長、α：グルーブ深さの係数、ｎ：記録または再生のレーザ光に対する中間層の屈折率）がλ／３０４．８ｎ〜λ／１６．４ｎの範囲内であることが好まく、より好ましくはλ／３０４．８ｎ〜λ／６５．３ｎの範囲内である。このような範囲内にすることで、コントラストＩＨ／ＩＬを向上させることができるからである。
【００４０】
オングルーブＧonの深さｈは、０．９ｎｍ〜１６．７ｎｍの範囲内であることが好ましく、より好ましくは０．９ｎｍ〜４．２ｎｍの範囲内である。このような範囲内にすることで、コントラストＩＨ／ＩＬを向上することができるからである。
【００４１】
オングルーブＧonの幅ｄは、５５ｎｍ〜１２６ｎｍの範囲内であることが好ましく、より好ましくは５５ｎｍ〜９５ｎｍの範囲内である。このような範囲内にすることで、コントラストＩＨ／ＩＬを向上することができるからである。
【００４２】
オングルーブＧonの幅ｄとトラックピッチＴｐとの比（ｄ／Ｔｐ）は、０．０２７５〜０．０６３の範囲内であることが好ましく、より好ましくは０．０２７５〜０．０４７５の範囲内である。このような範囲内にすることで、コントラストＩＨ／ＩＬを向上することができるからである。ここで、オングルーブＧonの幅ｄは、レーザ光入射面Ｓの側におけるオングルーブＧonの幅ｄ１のうちの最大幅ｄ１maxと、それとは反対の底部側におけるオングルーブＧonの幅ｄ２のうちの最小幅ｄ２minとの平均値（ｄ１max＋ｄ２min）／２である。
【００４３】
基板１の直径は、例えば１２０ｍｍに選ばれる。基板１の厚さは、剛性を考慮して選ばれ、好ましくは０．３ｍｍ以上１．３ｍｍ以下から選ばれ、より好ましくは０．６ｍｍ以上１．３ｍｍ以下から選ばれ、例えば１．１ｍｍに選ばれる。また、センタホールの径（直径）は、例えば１５ｍｍに選ばれる。
【００４４】
基板１の材料としては、ポリカーボネート系樹脂、ポリオレフィン系樹脂もしくはアクリル系樹脂などの樹脂材料またはガラスを使用できるが、コストなどの点を考慮すると、樹脂材料を使用することが好ましい。樹脂材料としては、例えばゼオネックス、ポリカーボネート（以下、ＰＣと適宜略す）（屈折率１．５９）を用いることができる。
【００４５】
基板１の成形方法は、所望の形状と光学的に十分な基板表面の平滑性が得られる方法であればよく、特に限定されるものではない。例えば、射出成形法（インジェクション法）、紫外線硬化樹脂を使うフォトポリマー（２Ｐ法）法を用いることができる。射出成形法では、作製したマザースタンパを、ディスク基板作製用の金型キャビティ内に配設し、ポリカーボネートの透明樹脂を注入することにより、信号形成面に形成されたＬ０層２のグルーブパターンに対応する微小な凹凸が転写された基板１が作製される。
【００４６】
（Ｌ０層、Ｌ１層）
情報記録層であるＬ０層２およびＬ１層４は、基板１の凹凸上に成膜された記録膜などから構成される層をいう。Ｌ０層２は、反射層６ａ、第２の誘電体層５２ａ、第１の誘電体層５１ａ、相変化記録層８ａ、第１の誘電体層５３ａ、第２の誘電体層５４ａ、第３の誘電体層５５ａを基板１上に順次積層してなる積層膜である。
第２の誘電体層５２ａ、第１の誘電体層５３ａ、第３の誘電体層５５ａを構成する材料としては、例えばＳｉＮを用いることができる。第１の誘電体層５１ａおよび第２の誘電体層５４ａを構成する材料としては、例えばＺｎＳ−ＳｉＯ2を用いることができる。
【００４７】
相変化記録層８ａを構成する材料としては、レーザ光の照射を受けて可逆的な状態変化を生じる相変化材料を用いることができる。かかる相変化材料としては、例えば、アモルファス状態と結晶状態との可逆的相変化を生じる共晶系相変化材料または化合物系相変化材料を用いることができ、反射率および結晶化速度の観点からすると、共晶系相変化材料を用いることが好ましい。
【００４８】
共晶系相変化材料としては、ＳｂＴｅ系の共晶系材料を用いることができる。また、この共晶系材料に、保存耐久性の向上、結晶化速度の調整、変調度の向上などを目的として、Ａｇ，Ｉｎ，Ｇｅなどの添加元素を加えることが好ましい。例示するならば、Ｓｂ−Ｔｅ、Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅ、Ｉｎ−Ｓｂ−Ｔｅ、Ａｇ−Ｉｎ−Ｓｂ−Ｔｅ、Ａｕ−Ｉｎ−Ｓｂ−Ｔｅ、Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅ−Ｐｄ、Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅ−Ｓｅ、Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅ−Ｂｉ、Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅ−Ｃｏ、Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅ−Ａｕを含む系、またはこれらの系に窒素、酸素などのガス添加物を導入した系などを挙げることができる。
【００４９】
反射層６ａを構成する材料としては、例えば、Ａｌ、Ａｇ、Ａｕ、Ｎｉ、Ｃｒ、Ｔｉ、Ｐｄ、Ｃｏ、Ｓｉ、Ｔａ、Ｗ、Ｍｏ、Ｇｅなどの単体、またはこれらを主成分とする合金を挙げることができる。これらのうち、特にＡｌ系、Ａｇ系、Ａｕ系、Ｓｉ系、Ｇｅ系の材料が実用性の面から好ましい。合金としては、例えばＡｌ−Ｔｉ、Ａｌ−Ｃｒ、Ａｌ−Ｃｕ、Ａｌ−Ｍｇ−Ｓｉ、Ａｇ−Ｐｄ−Ｃｕ、Ａｇ−Ｐｄ−Ｔｉ、Ｓｉ−Ｂ等が好適に用いられる。これらの材料のうちから、光学特性および熱特性を考慮して設定することが好ましい。例えば、単波長領域においても高反射率を有する点を考慮すると、Ａｌ系またはＡｇ系材料を用いることが好ましい。
【００５０】
Ｌ１層４は、第２の誘電体層５２ｂ、第１の誘電体層５１ｂ、相変化記録層８ｂ、第１の誘電体層５３ｂ、第２の誘電体層５４ｂを中間層３上に順次積層してなる。
【００５１】
第１の誘電体層５１ｂ，５３ｂを構成する材料としては、例えばＺｎＳ−ＳｉＯ2を用いることができる。第２の誘電体層５２ｂ，５４ｂを構成する材料としては、例えばＳｉＮを用いることができる。
【００５２】
相変化記録層８ｂを構成する材料としては、レーザ光の照射を受けて可逆的な状態変化を生じる相変化材料を用いることができる。かかる相変化材料としては、例えば、アモルファス状態と結晶状態との可逆的相変化を生じる共晶系相変化材料または化合物系相変化材料を用いることができる。
【００５３】
反射層６ｂを構成する材料としては、例えば、Ａｌ、Ａｇ、Ａｕ、Ｎｉ、Ｃｒ、Ｔｉ、Ｐｄ、Ｃｏ、Ｓｉ、Ｔａ、Ｗ、Ｍｏ、Ｇｅ等の単体、またはこれらを主成分とする合金を挙げることができる。これらのうち、特にＡｌ系、Ａｇ系、Ａｕ系、Ｓｉ系、Ｇｅ系の材料が実用性の面から好ましい。合金としては、例えばＡｌ−Ｔｉ、Ａｌ−Ｃｒ、Ａｌ−Ｃｕ、Ａｌ−Ｍｇ−Ｓｉ、Ａｇ−Ｐｄ−Ｃｕ、Ａｇ−Ｐｄ−Ｔｉ、Ｓｉ−Ｂ等が好適に用いられる。これらの材料のうちから、光学特性および熱特性を考慮して設定することが好ましい。例えば、単波長領域においても高反射率を有する点を考慮すると、Ａｌ系またはＡｇ系材料を用いることが好ましい。
【００５４】
（中間層）
基板１に形成されたＬ０層２上には、例えば、厚さ２５μｍを有する樹脂層としての中間層３が形成される。この中間層３は、透明性を有する樹脂材料からなり、このような材料としては、例えばポリカーボネート系樹脂、ポリオレフィン系樹脂若しくはアクリル系樹脂などのプラスチック材料を用いることができる。中間層３のカバー層５側となる面は、基板１と同様に、イングルーブＧinおよびオングルーブＧonからなる凹凸面となっている。この凹凸面上にＬ１層４が成膜される。
【００５５】
中間層３は、例えば、Ｌ０層２上に平坦塗布した紫外線硬化樹脂に対して真空環境下で透明樹脂スタンパを押し当て、このスタンパの凹凸を紫外線硬化樹脂に対して転写し、紫外線を紫外線硬化樹脂に対して照射して硬化させる。
この中間層３においても、上述の基板１と同様に、凹凸面のうちレーザ光入射面Ｓから遠い凹部をイングルーブＧin、凹凸面のうちレーザ光入射面Ｓから近い凸部をオングルーブＧonと称する。なお、中間層に設けられた凸状のオングルーブＧonが、第３のグルーブの一例である。
【００５６】
この凹状のイングルーブＧinおよび凸状のオングルーブＧonの形状としては、例えば、スパイラル状、同心円状などの各種形状が挙げられる。また、イングルーブＧinおよび／またはオングルーブＧonが、アドレス情報を付加するためにウォブル（蛇行）されている。
内周領域１１’のオングルーブＧonは、例えばデータ記録領域１３のオングルーブＧonと同一の形状を有している。すなわち、内周領域１１’のオングルーブＧonの幅ｄ、深さ（高さ）ｈはそれぞれ、例えばデータ記録領域１３のオングルーブＧonの幅ｄ、深さ（高さ）ｈと等しくなっている。また、中間層３の内周領域１１’およびデータ記録領域１３に設けられたイングルーブＧin、オングルーブＧonは、例えば、基板１のデータ記録領域１３に設けられたもの同様の形状となっている。
【００５７】
また、内周領域１１’とデータ記録領域１３とでは、隣り合うオングルーブＧon間の距離、すなわちトラックピッチＴｐが異なっており、ＢＣＡ１１のトラックピッチＴｐはデータ記録領域１３のトラックピッチＴｐに比べて広くなっている。
【００５８】
（カバー層）
中間層３上に形成されたＬ１層４上には、カバー層５が形成される。カバー層５は、光ディスクの保護を目的として、形成される。情報信号の記録再生は、例えば、レーザ光がカバー層５を通じて情報記録層に集光されることによって行われる。
【００５９】
カバー層５としては、例えば、接着層とＰＣシート、またはＵＶレジン、ＵＶレジンとＰＣシートからなるものを用いることができる。カバー層５は、例えば、７５μｍ程度の厚さを有し、例えば、厚さ２０μｍを有する接着層と、厚さ５５μｍを有するＰＣシートとからなる。
【００６０】
（光ディスクの各領域）
次に、この発明の一実施形態による光ディスクに設けられたＢＣＡ、ＰＩＣ領域、データ記録領域について説明する。
【００６１】
図８は、この発明の一実施形態による光ディスクのＬ０層のグルーブ配置の一例を概念的に示すものである。ここでは、オングルーブＧonがデータを記録するためのトラックとなる場合を例として説明する。また、図８では、図示を容易にするために、ＢＣＡ１１およびＰＩＣ領域１２に設けられたオングルーブＧonの幅と、データ記録領域１３に設けられたオングルーブＧonの幅とをほぼ同一にしているが、上述したように、ＢＣＡ１１に設けられたオングルーブＧonの幅ｄは、ＰＩＣ領域１２およびデータ記録領域１３に設けられたオングルーブＧonの幅ｄに比して狭くなっている。
【００６２】
最内周側のＢＣＡ１１には、２０００ｎｍトラックピッチのグルーブの配列が形成され、その外側のＰＩＣ領域１２には、３５０ｎｍトラックピッチのウォブルグルーブの配列が形成され、さらに外側のデータ記録領域１３には、３２０ｎｍトラックピッチのウォブリンググルーブが形成される。これらの各領域に形成されているグルーブは、基板表面に１つの螺旋状に連なるように形成され、トラックピッチが変化する領域間にトラックピッチ切り換えのためのトラックピッチ遷移領域（図示を省略）が配されている。
【００６３】
ＢＣＡ１１は、半径ｒ＝２１．３ｍｍ〜２２．０ｍｍの間に設けられ、ＢＣＡ１１にグルーブ状トラックが形成されている。トラックピッチは２０００ｎｍであり、十分に広い間隔となっている。ＢＣＡ１１には、ＢＣＡマーク１４が記録されている。ＢＣＡマーク１４は、シリアル番号、ロット番号などの２進情報をバーコード化したデータであり、光ディスクに固有の情報として著作権保護のために利用される。ＢＣＡマーク１４は、ＢＣＡ１１の複数のグルーブを横断して半径方向に延びる帯状のマークが例えば１周にわたって形成されたものである。
【００６４】
ＢＣＡマーク１４は、光ディスクの初期化時に記録される。光ディスクの初期化前の状態では、情報記録層であるＬ０層２およびＬ１層４はアモルファスの状態にあり、データ記録領域１３については、領域全体に対してレーザ光を照射して初期化を行うことで、アモルファスから結晶の状態に変化させる初期化がなされる。初期化に際して、Ｌ０層２のＢＣＡ１１の全体を初期化して結晶の状態にするのではなく、ＢＣＡマーク１４に対応させて、所要の部分（図８における斜線を付した領域）についてのみレーザ光の照射を行って結晶状態とする。この工程の結果、Ｌ０層２のＢＣＡ１１においては、円周方向に沿った所要幅のアモルファス状態のバー部分と、結晶状態のバー部分とのパターンによる、バーコード態様の情報記録が行われる。なお、Ｌ１層４のＢＣＡ１１では、Ｌ０層２のようにバーコード態様の情報記録は行われず、例えば、領域全体に対してレーザ光を照射して初期化を行うことで、アモルファスから結晶の状態に変化させる初期化がなされる。
ＰＩＣ領域１２は、再生専用領域であり、半径ｒ＝２２．４ｍｍ〜２３．１９７ｍｍの間に設けられ、ＰＩＣ領域１２には、矩形ウォブルグルーブの配列からなるグルーブトラックがトラックピッチ３５０ｎｍで形成されている。矩形ウォブルグルーブの配列から情報が再生される。
【００６５】
データ記録領域１３は、半径ｒ＝２３．２ｍｍ〜５８．５ｍｍの間に設けられ、データ記録領域１３に正弦波ウォブルグルーブが形成されている。トラックピッチは３２０ｎｍであり、これはピッチを詰めることによりさらに長時間記録・再生が可能な大容量を得ることができるようにするためである。なお、実際にデータが記録されるのは半径ｒ＝２４．０ｍｍより外周側となる。
【００６６】
それぞれに適したグルーブを形成するために、各領域では制御信号が用いられる。制御信号は、ＢＣＡ１１のＤＣグルーブを形成する場合は、直流（ＤＣ）信号であり、ＰＩＣ領域１２の矩形ウォブルグルーブを形成する場合はバイフェーズ変調の矩形信号である。また、データ記録領域１３のウォブルグルーブを形成する場合は９５６［ｋＨｚ］のＭＳＫ（Minimum Shift Keying）と２倍波のＳＴＷ（Saw Tooth Wobble）の重畳信号を用いる。ＭＳＫとＳＴＷの重畳信号はアドレスのウォブル情報を記録するものである。
【００６７】
ＭＳＫとＳＴＷの重畳ウォブルを用いるのは、ＭＳＫ方式はＳ／Ｎ（Signal To Noise Ratio：信号対雑音比）に優れている反面、ウォブルシフトがある場合には検出が難しくなるという問題があるが、ＳＴＷはウォブルシフトに強く、ほとんど劣化なく検出できることから、これらを組み合わせることで、確実なアドレス検出を検出できるようにしたためである。
【００６８】
書き換え型のＢＤ−ＲＥ（Blu-ray Disk ReWritable）ディスクでは、合計５６個のウォブルで「０」または「１」の１ビットを表現する。この５６個を単位とし、ＡＤＩＰ（Address in pregroove）ユニットと呼ぶ。このＡＤＩＰユニットを８３個連続して読み出すと、１つのアドレスを示すＡＤＩＰワードとなる。ＡＤＩＰワードは、２４ビット長のアドレス情報と１２ビット長の補助データ、リファレンス（校正）領域、誤り訂正用データなどからなる。ＢＤ−ＲＥでは、メインデータを記録するＲＵＢ（Recording unit block，６４Ｋバイト単位）１つあたりに３個のＡＤＩＰワードが割り当てられる。
【００６９】
（３）光ディスクの製造方法
次に、図９〜図１１を参照しながら、上述のような構成を有する光ディスクの製造方法の一例について説明する。
【００７０】
まず、例えばレーザ露光などによってＬ０マスタースタンパ６１を作製する（図９Ａ）。このＬ０マスタースタンパ６１は、中央部に開口が形成された円環形状を有し、その一主面には溝が形成されている。以下では、Ｌ０マスタースタンパ６１に設けられた溝、すなわち凹部をイングルーブＧinと称し、イングルーブＧinの間に設けられた凸部をオングルーブＧonと称する。このイングルーブＧinおよびオングルーブＧonは、基板１のイングルーブＧinおよびオングルーブＧonと同一の形状を有する。
【００７１】
また、Ｌ０マスタースタンパ６１の一主面には、上述した基板１と同様に、中央部から外周側に向かってＢＣＡ１１、ＰＩＣ領域（図示省略）、データ記録領域１３が順次設けられている。ＢＣＡ１１のオングルーブＧonの幅ｄは、データ記録領域１３のオングルーブＧonの幅ｄに比べて狭く、および／または、ＢＣＡ１１のオングルーブＧonの深さｈは、データ記録領域１３のオングルーブＧonの深さｈに比べて浅くなっている。また、ＢＣＡ１１とデータ記録領域１３とでは隣り合うオングルーブＧon間の距離、すなわちトラックピッチＴｐが異なっており、ＢＣＡ１１におけるトラックピッチＴｐはデータ記録領域１３におけるものに比べて広くなっている。
【００７２】
次に、例えばＭＭＳ（master mother stamper）転写技術により、Ｌ０マスタースタンパ６１から、その反転スタンパであるＬ０マザースタンパ６２を作製する（図９Ｂ）。このＬ０マザースタンパ６２の一主面には、Ｌ０マスタースタンパ６１のオングルーブＧon、イングルーブＧinをそれぞれ反転させた形状であるオングルーブＧon、イングルーブＧinが設けられる。
【００７３】
次に、Ｌ０マザースタンパ６２を、例えば射出成形装置の金型に取り付け、射出成形により基板１を成形する（図９Ｃ）。
【００７４】
次に、例えばスパッタリング法により、反射層６ａ、下層誘電体層７ａ、相変化記録層８ａ、上層誘電体層９ａを基板１上に順次積層する。これにより、基板１上にＬ０層２が形成される（図９Ｄ）。
【００７５】
次に、例えばレーザ露光などによって、Ｌ１マスタースタンパ６３を作製する（図１０Ａ）。このＬ０マスタースタンパ６３は、中央部に開口が形成された円環形状を有し、その一主面には溝が形成されている。以下では、Ｌ１マスタースタンパ６３に設けられた溝、すなわち凹部をイングルーブＧinと称し、イングルーブＧinの間に設けられた凸部をオングルーブＧonと称する。このイングルーブＧinおよびオングルーブＧonは、中間層３のイングルーブＧinおよびオングルーブＧonと同一の形状を有する。
【００７６】
また、Ｌ１マスタースタンパ６３の一主面には、上述したＬ０マスタースタンパ６１と同様に、中央部から外周側に向かって内周領域１１’、ＰＩＣ領域（図示省略）、データ記録領域１３が順次設けられている。Ｌ１マスタースタンパ６３の内周領域１１’、データ記録領域１３はそれぞれ、Ｌ０マスタースタンパ６１のＢＣＡ１１、データ記録領域１３とほぼ同一半径領域にある。Ｌ１マスタースタンパ６３の内周領域１１’にあるイングルーブＧin、オングルーブＧonはそれぞれ、Ｌ１マスタースタンパ６３のデータ記録領域にあるイングルーブＧin、オングルーブＧonとほぼ同一形状を有している。また、Ｌ１マスタースタンパ６３の内周領域１１’およびデータ記録領域１３に設けられたイングルーブＧin、オングルーブＧonは、例えば、Ｌ０マスタースタンパ６１のデータ記録領域１３に設けられたものと同様の形状となっている。
【００７７】
内周領域１１’とデータ記録領域１３とでは隣り合うオングルーブＧon間の距離、すなわちトラックピッチＴｐが異なっており、内周領域１１’のトラックピッチＴｐはデータ記録領域１３のトラックピッチＴｐに比べて広くなっている。
【００７８】
次に、Ｌ１マスタースタンパ６３を、例えば射出成形装置の金型に取り付け、射出成形によりＬ１樹脂スタンパ６４を成形する（図１０Ｂ）。
【００７９】
次に、例えばスピンコート法により紫外線硬化樹脂を基板１上に均一に塗布する。その後、基板１上に均一に塗布された紫外線硬化樹脂に対して、Ｌ１樹脂スタンパ６４のイングルーブＧinおよびオングルーブＧonを転写する。これにより、イングルーブＧinおよびオングルーブＧonが設けられた中間層３が形成される（図１１Ａ）。
【００８０】
次に、例えばスパッタリング法により、反射層６ｂ、下層誘電体層７ｂ、相変化記録層８ｂ、上層誘電体層９ｂを基板１上に順次積層する。これにより、基板１上にＬ１層４が形成される（図１１Ｂ）。
【００８１】
次に、円環形状の光透過性シートを、例えばこのシートの一主面に予め均一に塗布された感圧性粘着剤（ＰＳＡ：Pressure Sensitive Adhesive）を用いて、基板１の凹凸面側に貼り合わせる。これにより、Ｌ１層４上にカバー層５が形成される（図１１Ｃ）。
以上により、目的とする光ディスクが得られる。
【実施例】
【００８２】
以下、実施例によりこの発明を具体的に説明するが、この発明はこれらの実施例のみに限定されるものではない。なお、以下の実施例においては、上述の一実施形態と対応する部分には同一の符号を付す。
【００８３】
図１２は、ガラス原盤を作製するために用いた光学的記録装置の構成を示す略線図である。図１３は、実施例の光ディスクの製造方法を説明するための断面図である。
【００８４】
（光学的記録装置）
まず、図１２を参照して、ガラス原盤を作製するために用いた光学的記録装置（カッティッグ装置とも称される）について説明する。
【００８５】
この光学的記録装置は、レーザ光源２１、移動光学テーブル２５、ターンテーブル３２、スピンドルサーボ３３をその主要部として備えている。
【００８６】
レーザ光源２１は、記録媒体としてのガラス原盤４１の表面に着膜されたレジスト層４２を露光するための光源であり、例えば波長λ＝２６６ｎｍの記録用のレーザ光を発振するものである。ただし、露光用の光源としては、特にこのようなレーザ光源のみに限定されるものではない。このレーザ光源２１より出射されたレーザ光は、平行ビームのまま直進し、ミラーＭ１およびミラーＭ２で反射されて向きを変えて、移動光学テーブル２５へと導かれる。
【００８７】
移動光学テーブル２５には、音響光学変調偏向器（ＡＯＭ／ＡＯＤ：Acoustic Optical Modulator／Acoustic Optical Deflector）２３と２つのウェッジプリズム２２とが配置されている。音響光学変調偏向器２３およびウェッジプリズム２２は、平行ビームのまま入射して来たレーザ光と音響光学変調偏向器２３が作り出す格子面とがブラッグの条件を満たすと共に、ビーム水平高さが変わらないように配置されている。音響光学変調偏向器２３に用いられる音響光学素子としては酸化テルル（ＴｅＯ2）が好適である。
【００８８】
音響光学変調偏向器２３には、所定の信号が駆動用ドライバ２４から供給される。この信号は、ＢＣＡ１１において直線状のオングルーブＧonを形成する場合には一定レベルのＤＣ信号である。駆動用ドライバ２４には、電圧周波数制御器（ＶＣＯ：Voltage Controlled Oscillator）２６から高周波信号が供給される。フォーマッタ２７から電圧周波数制御器２６には制御信号が供給される。
【００８９】
音響光学変調偏向器２３は、ブラッグ回折における一次回折光強度が超音波パワーにほぼ比例することを利用したものであり、記録信号に基づいて超音波パワーを変調してレーザ光２１の光変調を行う。ブラッグ回折を実現するために、ブラッグ条件；２ｄｓｉｎθ＝ｎλ（ｄ：格子間隔、λ：レーザ光波長、θ：レーザ光と格子面のなす角、ｎ：整数）を満たすように、レーザ光の光軸に対する音響光学変調偏向器２３の位置関係および姿勢を設定する。
【００９０】
また、電圧周波数制御器２６からの制御信号は、ＢＣＡ１１では、直流（ＤＣ）信号が使用され、ＰＩＣ領域１２では、バイフェーズ変調の矩形信号が使用され、データ記録領域では、９５６［ｋＨｚ］のＭＳＫ（Minimum Shift Keying）と２倍波のＳＴＷ（Saw Tooth Wobble）の重畳信号が使用される。
【００９１】
上述のようにして変調および偏向されたレーザ光は、ミラーＭ３および対物レンズＬ２によりガラス原盤４１のレジスト層４２に照射され、所望のＢＣＡ１１およびＰＩＣ領域１２およびデータ記録領域１３のそれぞれのオングルーブＧonの潜像を形成する。
上述のような構成を有する光学的記録装置を用いて以下のような条件でカッティングを行った。
【００９２】
この光学的記録装置では、ＢＣＡ１１における２０００ｎｍトラックピッチのオングルーブＧonの配列からなるグルーブトラックと、ＰＩＣ領域１２における３５０ｎｍトラックピッチの矩形ウォブルグルーブ（オングルーブＧon）の配列からなるグルーブトラックと、データ記録領域１３における正弦波ウォブルしたウォブリンググルーブ（オングルーブＧon）であるグルーブトラックとが、１つの螺旋状に連なるパターンをガラス原盤４１上のレジスト層４２に形成した。
【００９３】
カッティング時には、トラックの長手方向の線速度が５．２８［ｍ／ｓ］になるようにターンテーブル３２の回転数を制御し、移動光学テーブル２５の送りピッチを領域毎に変えて露光した。送りピッチはＢＣＡ１１では、２．０００μｍ（２０００ｎｍ）とし、ＰＩＣ領域１２では０．３５０μｍ（３５０ｎｍ）とし、データ記録領域１３では０．３２０μｍ（３２０ｎｍ）とした。
【００９４】
なお、上述の光学的記録装置では、移動光学テーブル２５の位置をポジションセンサ３１によって検出し、それぞれの領域に対応したタイミングおよびピッチで露光を行って、上記のようなＢＣＡ１１、ＰＩＣ領域１２およびデータ記録領域１３のグルーブパターンの潜像をガラス原盤４１上のレジストに露光することが可能である。
【００９５】
また、レーザスケール３０により検知される波長（例えば０．７８μｍ）を基準として、送りサーボ２９およびエアスライダ２８の動作を制御し、移動光学テーブル２５の送りピッチを徐々に変化させた。
【００９６】
ＢＣＡ１１（半径ｒ＝２１．０ｍｍ〜２２．０ｍｍ）の間は送りピッチ２０００ｎｍであり、ＢＣＡ１１およびＰＩＣ領域１２間のトラックピッチ遷移領域（半径ｒ＝２２．０ｍｍ〜２２．４ｍｍ）で、送りピッチを２０００ｎｍから３５０ｎｍに徐々に変化させた。ＰＩＣ領域１２（半径ｒ＝２２．４ｍｍ〜２３．１９７ｍｍ）の間は送りピッチ３５０ｎｍであり、ＰＩＣ領域１２およびデータ記録領域１３間のトラックピッチ遷移領域（半径ｒ＝２３．１９７ｍｍ〜２３．２ｍｍ）に送りピッチを３５０ｎｍから３２０ｎｍに徐々に変化させた。データ記録領域１３（半径ｒ＝２３．２ｍｍ〜５８．５ｍｍ）では送りピッチ３２０ｎｍでオングルーブＧonを形成した。
【００９７】
次に、図示しない現像機を用いてレジスト基板の現像を行った。まず上述のようにしてオングルーブＧonの潜像が形成されたレジスト基板４０をレジスト層４２が上部になるように現像機のターンテーブル３２に載置して、水平面に対して回転させた。この後、レジスト層４２上に現像液を滴下して、当該レジストを現像処理した。これにより、レジスト基板４０が得られた。
【００９８】
すなわち、上述の工程により、レジスト基板４０が現像され、ＢＣＡ１１（２０００ｎｍトラックピッチ）のオングルーブＧonと、ＰＩＣ領域１２（３５０ｎｍトラックピッチ）の矩形ウォブルグルーブ（オングルーブＧon）と、データ記録領域１３（３２０ｎｍトラックピッチ）におけるＭＳＫとＳＴＷの重畳したウォブリンググルーブ（オングルーブＧon）とである各グルーブトラックが１つの螺旋状に連なった状態で、表面にパターニングされたレジスト基板４０が得られた。
【００９９】
次に、レジスト基板４０の凹凸パターン上に、無電界メッキ法などによりニッケル皮膜でなる導電化膜層を形成した。次に、導電化膜層が形成されたレジスト基板を電鋳装置に取り付け、電気メッキ法により導電化膜層上に３００μｍ程度の厚さになるようにニッケルメッキ層を形成した。
【０１００】
続いて、ニッケルメッキ層が形成されたガラス原盤４１からニッケルメッキ層をカッターなどで剥離した。次に、剥離したニッケルメッキ層の信号形成面のレジストをアセトンなどを用いて洗浄し、スタンパ６１を作製した後、凹凸が反転するマザースタンパ６２を作製した。さらに、マザースタンパ６２とポリカーボネート（屈折率１．５９）の透明樹脂を用いて射出成形することにより、基板１を作製した。中間層３に対してＬ１層の凹凸パターンを転写するための樹脂スタンパ６４も基板１と同様に作製した。
【０１０１】
上述した基板１および樹脂スタンパ６４を使用して図５に示すような２層ＢＤを作製した。なお、この実施例においては、評価用ディスクである２層ＢＤとして、表２に示すように、Ｌ０層のＢＣＡ１１におけるオングルーブＧonの深さおよび幅を変化させたものを作製した。
【０１０２】
また、２層ＢＤの膜構成は以下のようにした。
Ｌ０層２
反射層６ａ：Ａｇ、１４０ｎｍ
第２の誘電体層５２ａ：ＳｉＮ、１０ｎｍ
第１の誘電体層５１ａ：ＺｎＳ−ＳｉＯ2、１０ｎｍ
相変化記録層８ａ：ＧｅＳｂＴｅ、１０ｎｍ
第１の誘電体層５３ａ：ＳｉＮ、１０ｎｍ
第２の誘電体層５４ａ：ＺｎＳ−ＳｉＯ2、３０ｎｍ
第３の誘電体層５５ａ：ＳｉＮ、１０ｎｍ
【０１０３】
Ｌ１層４
反射層６ｂ：Ａｇ、１０ｎｍ
第２の誘電体層５２ｂ：ＳｉＮ、１０ｎｍ
第１の誘電体層５１ｂ：ＺｎＳ−ＳｉＯ2、１０ｎｍ
相変化記録層８ｂ：ＧｅＳｂＴｅ、６ｎｍ
第１の誘電体層５３ｂ：ＺｎＳ−ＳｉＯ2、１０ｎｍ
第２の誘電体層５５ｂ：ＳｉＮ、１０ｎｍ
【０１０４】
中間層３は、紫外線硬化樹脂に対して樹脂スタンパ６４を押し当て、紫外線硬化樹脂を硬化させることにより形成した。なお、中間層３の厚さは２５μｍとした。
【０１０５】
カバー層５は、光透過性シートをＰＳＡにより貼り合わせすることにより作製した。なお、カバー層５の厚さが７５μｍとなるように光透過シートおよびＰＳＡの厚さを設定した。
【０１０６】
次に、上述のようにして作製された２層ＢＤについて、ＢＣＡマークの再生信号のＩＨ／ＩＬの特性を測定した。その測定結果を下記の表２に示す。ＢＣＡマークの再生は、波長４０６ｎｍ、ＮＡ＝０．８５である光ピックアップを備えた光ディスク評価機を用いて評価した。この評価機は５μｍ分解能のマグネスケールを備えており、アドレスの半径位置を正確に測定できる。なお、オングルーブＧonの深さｈおよび幅ｄは、情報記録層であるＬ０層２を被覆する前の基板１の段階のものであり、オングルーブＧonの深さｈは、基板１の表面からオングルーブＧonの底部までの距離であり、オングルーブＧonの幅ｄは、表面側の最大幅ｄ１maxと底部側の最小幅ｄ２minとの平均値（ｄ１max＋ｄ２min）／２である。オングルーブＧonの形状は、ＡＦＭ（Atomic Force Microscope；原子間力顕微鏡）で測定した。
【０１０７】
【表２】
0004770710.tif 000003
【０１０８】
表２に示す測定結果には、ＢＣＡ１１がバンド１〜バンド７までに分割され、バンド１からバンド７に向かってカッティッグパワーを１０％ずつ低下させた場合のオングルーブＧonの深さと幅、並びにコントラスト（ＩＨ／ＩＬ）が示されている。また、表２におけるカッティングパワーは、グルーブを形成できる限界のレーザパワー（バンド７のレーザパワー）を基準にして百分率により表したものである。
【０１０９】
表２から分かるように、バンド１のカッティッグパワーが１６０％では、レジスト層４２がガラス原盤４１上まで除去され、オングルーブＧonの断面形状がＵ字状となる。このグルーブの形状は、データ記録領域１３におけるオングルーブＧonと同様の形状である。バンド２（カッティッグパワー＝１５０％）からバンド７（カッティッグパワー＝１００％）までの範囲では、ＩＨ／ＩＬ＞４．０の規格が満たされている。すなわち、ＢＣＡ１１におけるＢＣＡマークの再生を良好に行うことができる。
【０１１０】
バンド２からバンド７までのカッティッグパワーでは、レジスト層４２がガラス原盤４１の表面が現れるまでは除去されず、オングルーブＧonの断面形状がＶ字状となる。バンド５（カッティングパワー＝１２０％）からバンド７（カッティッグパワー＝１００％）までの範囲では、ＩＨ／ＩＬ≧４．０９となっている。すなわち、ＢＣＡ１１におけるＢＣＡマークの再生をより良好に行うことができる。すなわち、より好ましくは、バンド５（カッティッグパワー＝１２０％、ＩＨ／ＩＬ＝４．０９）、バンド６（カッティッグパワー＝１１０％、ＩＨ／ＩＬ＝４．１０）、バンド７（カッティッグパワー＝１００％、ＩＨ／ＩＬ＝４．１２）である。
【０１１１】
したがって、ＢＣＡ１１におけるカッティングパワーをデータ記録領域１３に比して小さくすることが好ましい。具体的には、ＢＣＡ１１におけるカッティングパワーは１５０％〜１００％の範囲内であることが好ましく、より好ましくは１００％〜１２０％の範囲内である。
【０１１２】
また、表２から分かるように、バンド２〜バンド７のオングルーブＧonの深さｈにすると、ＩＨ／ＩＬ＞４．０の規格が満たされている。さらに、バンド２〜バンド７のオングルーブＧonの深さｈにすると、ＩＨ／ＩＬ≧４．０９となる。
【０１１３】
したがって、オングルーブＧonの深さｈは、０．９ｎｍ〜１６．７ｎｍであることが好ましく、より好ましくは０．９ｎｍ〜４．２ｎｍの範囲内である。この場合のバンド２〜バンド７のグルーブの位相深さλ／αｎは、下記のものとなる。
【０１１４】
λ／３０４．８ｎ〜λ／１６．４ｎ  （ｎは中間層の屈折率；１．４８）
λ／３０４．８ｎ（但し、α＝４０６ｎｍ／（１．４８×０．９［ｎｍ］）＝３０４．８）
λ／１６．４ｎ  （但し、α＝４０６ｎｍ／（１．４８×１６．７［ｎｍ］）＝１６．４）
また、バンド５〜バンド７のオングルーブＧonの位相深さλ／αｎは、下記のものとなる。
【０１１５】
λ／３０４．８ｎ〜λ／６５．３ｎ  （ｎは中間層の屈折率；１．４８）
λ／３０４．８ｎ（但し、α＝４０６ｎｍ／（１．４８×０．９［ｎｍ］）＝３０４．８）
λ／６５．３ｎ  （但し、α＝４０６ｎｍ／（１．４８×４．２［ｎｍ］）＝１６．４）
【０１１６】
また、表２から分かるように、バンド２〜バンド７のオングルーブＧonの幅にすると、ＩＨ／ＩＬ＞４．０の規格が満たされている。さらに、バンド５〜バンド７のオングルーブＧonの幅にすると、ＩＨ／ＩＬ≧４．０９となる。
【０１１７】
したがって、ＢＣＡ１１におけるオングルーブＧonの幅は、５５ｎｍ〜１２６ｎｍであることが好ましく、より好ましくは５５ｎｍ〜９５ｎｍの範囲内である。
【０１１８】
オングルーブＧonの幅をトラックピッチで正規化すると、バンド２〜バンド７のオングルーブＧonの幅ｄ／トラックピッチＴｐは、下記の通りである。
０．０２７５〜０．０６３
０．０２７５（但し、５５［ｎｍ］／２０００［ｎｍ］＝０．０２７５）
０．０６３  （但し、１２６［ｎｍ］／２０００［ｎｍ］＝０．０６３）
【０１１９】
また、バンド５〜バンド７のオングルーブＧonの幅ｄ／トラックピッチＴｐは、下記の通りである。
０．０２７５〜０．０４７５
０．０２７５（但し、５５［ｎｍ］／２０００［ｎｍ］＝０．０２７５）
０．０４７５（但し、９５［ｎｍ］／２０００［ｎｍ］＝０．０４７５）
【０１２０】
上述したＢＣＡ１１のオングルーブＧonの形状のとき、ＩＨ／ＩＬ＞４．０の規格を満たし、ＢＣＡ１１に記録されているバーコード信号を良好に再生することができる。
【０１２１】
また、表２から分かるように、ＢＣＡ１１のオングルーブＧonの深さｈ、幅ｄをデータ記録領域１３のオングルーブＧonに比して、より浅く且つより狭くすることにより、ＢＣＡ１１に記録されているバーコード信号を良好に再生することができる。
【０１２２】
また、ＢＣＡ１１のオングルーブＧonの深さｈをデータ記録領域１３のオングルーブＧonの深さｈに比してより浅くし、ＢＣＡ１１のオングルーブＧonの幅ｄをデータ記録領域１３のオングルーブＧonの幅ｄとほぼ等しくした場合にも、ＢＣＡ１１に記録されているバーコード信号を良好に再生することができる、という効果を得ることができる。
【０１２３】
また、ＢＣＡ１１のオングルーブＧonの幅ｄをデータ記録領域１３のオングルーブＧonの幅ｄに比してより狭くし、ＢＣＡ１１のオングルーブＧonの深さｈをデータ記録領域１３のオングルーブＧonの深さｈとほぼ等しくした場合にも、上述の効果を同様に得ることができる。
【０１２４】
また、上述の結果から、２層ＢＤより高密度または低密度の光ディスクであっても、位相深さλ／αｎ、オングルーブＧonの幅ｄとトラックピッチＴｐとの比率（ｄ／Ｔｐ）を上述の数値範囲にすることで、ＢＣＡ１１に記録されているバーコード信号を良好に再生することができることが分かる。
【０１２５】
以上、この発明の一実施形態について具体的に説明したが、この発明は、上述の一実施形態に限定されるものではなく、この発明の技術的思想に基づく各種の変形が可能である。
【０１２６】
例えば、上述の一実施形態においては、内周から外周に螺旋状にフォーマットを記録形成する例について説明したが、逆に外周から内周にフォーマットを記録形成した時の送り精度が良好な場合は、２つの異なる情報層を外周から内周にフォーマットを記録形成しても良い。また、この発明は、２層に限らず、３層、４層などの多層フォーマットにも適用可能である。
【０１２７】
また、上述の一実施形態においては、書換可能型の光ディスクに対してこの発明を適用する場合を例として説明したが、この発明はこの例に限定されるものではなく、再生専用型および追記型の光ディスクに対しても適用可能である。
【０１２８】
また、この発明はＢＤ以外の種々の光ディスクに対しても適用可能であり、従来の光ディスクのみならず、ＢＤなどの光ディスクよりも更に高密度の次世代の光ディスクに対しても適用可能である。
【０１２９】
また、上述の一実施形態においては、有機レジストを用いて記録媒体用原盤を作製する場合を例として説明したが、無機レジストを用いて記録媒体用原盤を作製するようにしてもよい。
【０１３０】
また、上述の一実施形態では、第１の領域（ＢＣＡ）が最内周側に設けられている場合について説明したが、第１の領域を設ける位置は最内周側に限定されるものではなく、最外周側、最内周および最外周の間の領域など光ディスクの任意の領域に設けることができる。
【図面の簡単な説明】
【０１３１】
【図１】Ｌ０層およびＬ１層の反射率の関係を説明するための略線図である。
【図２】反射率Ｒ1と反射率Ｒ0の関係をグラフである。
【図３】反射率と変調度の関係を示すグラフである。
【図４】コントラストＲｃ／Ｒａおよび反射率Ｒｃの関係を示すグラフである。
【図５】この発明の一実施形態による光ディスクの構成の一例を示す断面図である。
【図６】この発明の一実施形態による光ディスクのより具体的な構成の一例を示す断面図である。
【図７】この発明の一実施形態による光ディスクの具体的な膜構成の一例を示す断面図である。
【図８】この発明の一実施形態による光ディスクのＬ０層のグルーブ配置の一例を概念的に示す略線図である。
【図９】この発明の一実施形態による光ディスクの製造方法の一例を説明するための断面図である。
【図１０】この発明の一実施形態による光ディスクの製造方法の一例を説明するための断面図である。
【図１１】この発明の一実施形態による光ディスクの製造方法の一例を説明するための断面図である。
【図１２】ガラス原盤を作製するために用いた光学的記録装置の構成を示す略線図である。
【図１３】実施例の光ディスクの製造方法を説明するための断面図である。
【図１４】２層ＢＤのＢＣＡマークの再生信号の波形の一例を示す略線図である。
【符号の説明】
【０１３２】
１・・・基板
２・・・Ｌ０層
３・・・中間層
４・・・Ｌ１層
５・・・カバー層
１１・・・ＢＣＡ
１２・・・ＰＩＣ領域
１３・・・データ記録領域
２１・・・光源
２２・・・ウェッジプリズム
２３・・・音響光学偏向器（ＡＯＤ）
２５・・・移動光学テーブル
２６・・・電圧周波数制御器（ＶＣＯ）
３２・・・ガラス原盤
３３・・・レジスト層
３４・・・ターンテーブル
Ｌ２・・・対物レンズ
Ｍ１，Ｍ２，Ｍ３・・・ミラー
４１・・・ガラス原盤
４２・・・レジスト層
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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