(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
ＩＣ部品を基板に搭載して接着した後、ＩＣ部品の電極と基板の電極をワイヤで接続するＩＣ部品実装方法において、前記ワイヤで接続する前に、基板のＩＣ部品搭載領域と電極との間の領域のみをプラズマ処理し、ＩＣ部品を接着する接着剤の組成液に対する撥液性又は親液性を持たせるものであって、
前記プラズマ処理は、プラズマを発生する不活性ガスと、少なくともフッ素系ガス、Ｃ及びＦを含むガス、Ｃ及びＨを含むガス、酸素ガスの内の少なくとも１つを含む反応性ガスを用いて基板のＩＣ部品搭載領域と電極との間の領域の表面改質を行い、
プラズマ発生部に前記不活性ガスを供給し、発生したプラズマに前記反応性ガスを混合することを特徴とするＩＣ部品実装方法。
【請求項２】
ＩＣ部品を基板に搭載して接着した後、ＩＣ部品の電極と基板の電極をワイヤで接続するＩＣ部品実装方法において、前記ワイヤで接続する前に、基板のＩＣ部品搭載領域と電極との間の領域のみをプラズマ処理し、ＩＣ部品を接着する接着剤の組成液に対する撥液性又は親液性を持たせるものであって、
前記プラズマ処理は、プラズマを発生する不活性ガスと、少なくともフッ素系ガス、Ｃ及びＦを含むガス、Ｃ及びＨを含むガス、酸素ガスの内の少なくとも１つを含むガスを用いて基板のＩＣ部品搭載領域と電極との間の領域上に撥液性又は親液性の膜を成膜し、
プラズマ発生部に前記不活性ガスを供給し、発生したプラズマに前記反応性ガスを混合することを特徴とするＩＣ部品実装方法。
【請求項３】
前記プラズマ処理は、前記ＩＣ部品搭載領域に前記接着剤を塗布する前又は塗布後に、前記ＩＣ部品搭載領域と前記電極との間の領域のみに大気圧プラズマを吹き付けて行うことを特徴とする請求項１又は２に記載のＩＣ部品実装方法。
【請求項４】
基板を搬送して位置決めする搬送手段と、基板のＩＣ部品搭載領域内に接着剤を塗布する塗布手段と、基板上にＩＣ部品を搭載する部品搭載手段と、大気圧プラズマ発生手段と、前記大気圧プラズマ発生手段を基板のＩＣ部品搭載領域と電極との間の領域のみに沿って移動させるプラズマ移動手段とを備え、
前記大気圧プラズマ発生手段は、プラズマ発生部にプラズマを発生する不活性ガスを供給し、発生したプラズマに反応性ガスを混合するように構成されていることを特徴とするダイボンディング装置。
【請求項５】
前記不活性ガスは、アルゴン、ネオン、キセノン、ヘリウム、窒素ガスから選択された単独ガス又は複数の混合ガスからなることを特徴とする請求項４記載のダイボンディング装置。
【請求項６】
前記反応性ガスは、フッ素系ガス、Ｃ及びＦを含むガス、Ｃ及びＨを含むガス、酸素ガスの内の少なくとも１つを含むことを特徴とする請求項４記載のダイボンディング装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ＩＣ部品を基板に搭載して接着した後、ＩＣ部品の電極と基板の電極をワイヤで接続するＩＣ部品実装方法と、それに用いるダイボンディング装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来、基板にベアＩＣチップなどのＩＣ部品を実装してなる電子部品として、基板のＩＣ部品搭載領域に接着剤を塗布し、ＩＣ部品を搭載して接着した後、ＩＣ部品の電極と基板の電極をワイヤボンディング法で接続し、その後封止樹脂を塗布し、封止樹脂を硬化させるという工程にて製造したものが知られている。
【０００３】
この種の電子部品においては、基板に接着剤を塗布した後に、接着剤の組成液の一部がＩＣ部品搭載領域から周囲にじわじわと滲み出し（一般に、ブリードアウトと称されている）、ＩＣ部品搭載領域と基板の電極との間に設けられている絶縁スペースを通り越して電極上に付着することで、後続工程のワイヤボンディングに支障を来すという問題があった。特に、接着剤が銀の微粉末とエポキシ系樹脂などから成る導電性接着剤の場合には、樹脂と一緒に滲み出した銀によって短絡不良を生じる恐れがあるという問題があり、アルミナとエポキシ系樹脂などから成る絶縁性接着剤の場合も、樹脂やアルミナによってワイヤ接続部の接続不良を生じる恐れがあるという問題があった。特に、基板がガラスエポキシ樹脂基板で、接着剤がエポキシ樹脂を主剤としている場合、エポキシ樹脂は油性で、ガラスエポキシ樹脂基板表面は親油性を呈するため、エポキシ樹脂の拡散・滲み出しが顕著に現れて上記弊害を生じ易いという問題があった。また、基板がセラミック基板の場合にも、組成液が毛管力によって電極に達することがあり、同様の問題があった。
【０００４】
この問題を解消するため、ＩＣ部品が接着剤で接着されるランドの周囲に電極を設けない絶縁スペースを設けてなる基板において、図１５に示すように、基板８０における接着剤を塗布してＩＣ部品を搭載するランド８１と、その周囲の電極８２の間の絶縁スペース８３上に、接着剤８４を取り囲む絶縁性の仕切壁８５を突設したものが知られている（例えば、特許文献１参照）。
【０００５】
また、プリント基板９０上の接着剤９２にてＩＣ部品９１を接着する領域と、その周囲に配設された電極９３との間に溝９４を設け、溝９４によって接着剤９２が電極９３側にブリードアウトするのを防止したものも知られている（例えば、特許文献２参照）。
【０００６】
また、基板にチップ部品を搭載・接着した後、ワイヤボンディングを行うのに先立って基板表面をクリーニングするプラズマクリーニング装置として、基板を収容する真空処理空間を開閉可能なケースにて構成し、かつチップ部品をカバー体で覆って保護した状態で、真空処理空間を閉じてプラズマを発生させ、基板表面の回路パターンをエッチングしてクリーニングするようにしたものが知られている（例えば、特許文献３参照）。
【０００７】
また、ワイヤボンディングの接合を妨げる化合物層を除去する基板のクリーニングにおいて、絶縁物マスク又は放電発生限界距離以下に近接させて配置した導電体マスクにて基板上に搭載されたチップのダメージを回避した状態で、基板の表面をプラズマクリーニングすることが知られている（例えば、特許文献４参照）。
【特許文献１】特開平５−２１６３８号公報
【特許文献２】特開昭６３−１８１４３７号公報
【特許文献３】特開平８−１１５９３６号公報
【特許文献４】特開平８−１６２４３８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
ところが、特許文献１及び特許文献２に開示された構成では、仕切壁や溝によって接着剤のブリードアウトを防止して接合不良の発生を防止することはできるが、基板表面に凹凸部を設けているので、その凹凸部を形成する作業工程が必要となり、作業工程や装置が複雑になるという問題がある。また、凹凸部を設けた領域は有効利用することができずかつ凹凸部が小さすぎるとその効果を確実に得ることができず、また特許文献１では仕切壁を樹脂を塗布して形成することも記載されているが、樹脂の塗布による滲みを考慮して塗布領域を広くする必要がある。そのため、有効利用できない大きな領域が生じ、近年の実装密度の高密度化に対して重大な阻害要因になるという問題がある。
【０００９】
また、特許文献３に記載されているように、基板上に搭載・接着されたチップ部品をカバー体で覆って保護した状態で、基板の表面をプラズマクリーニングする方法においても、実装密度の高密度化によりチップ部品と電極間のスペースが狭い場合、接着剤の樹脂成分の滲み出しはそのチップ部品と電極間の狭いスペースに発生し、その一方で荷電粒子からチップ部品を保護するには、カバー体はチップ部品に接触することなく大きく覆う必要があるため、チップ部品と電極間の狭いスペースもカバー体にて覆われてしまって滲み出した樹脂をクリーニングするのが困難であるという問題がある。
【００１０】
また、特許文献４に記載されているように、マスクにてチップ部品を保護した状態で基板の表面をプラズマクリーニングする方法でも、チップ部品にダメージを与えずにチップ部品と電極間の狭いスペースに滲み出した接着剤の樹脂成分を除去できるようなマスクを製作するのは困難であるという問題を有している。
【００１１】
本発明は、上記従来の問題に鑑み、ＩＣ部品を接着する接着剤の組成液の滲み出しを、ＩＣ部品搭載領域とその周囲の電極との間の所定のスペース内に制限して電極上への組成液の滲み出しを確実に防止でき、ＩＣ部品と基板の電極間のワイヤ接続不良の発生を防止できるＩＣ部品実装方法とそれに用いるダイボンディング装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
本発明のＩＣ部品実装方法は、ＩＣ部品を基板に搭載して接着した後、ＩＣ部品の電極と基板の電極をワイヤで接続するＩＣ部品実装方法において、前記ワイヤで接続する前に、基板のＩＣ部品搭載領域と電極との間の領域のみをプラズマ処理し、ＩＣ部品を接着する接着剤の組成液に対する撥液性又は親液性を持たせるものであって、前記プラズマ処理は、プラズマを発生する不活性ガスと、少なくともフッ素系ガス、Ｃ及びＦを含むガス、Ｃ及びＨを含むガス、酸素ガスの内の少なくとも１つを含む反応性ガスを用いて基板のＩＣ部品搭載領域と電極との間の領域の表面改質を行い、プラズマ発生部に前記不活性ガスを供給し、発生したプラズマに前記反応性ガスを混合するものである。本発明は、ＩＣ部品搭載領域と電極との間の領域以外の領域に対して、同様のプラズマ処理を行うことを排除するものではない。
【００１３】
この構成によれば、ＩＣ部品搭載領域と電極との間の領域のみをプラズマ処理し、接着剤の組成液に対する撥液性を持たせることにより、接着剤の組成液の滲み出しをこの領域より内側に閉じ込めて電極側への滲み出しを阻止することができ、又は接着剤の組成液に対する親液性を持たせることにより、接着剤の組成液をこの領域内に閉じ込め、さらに外側に滲み染み出すのを阻止することができ、これによってワイヤ接続時の電極との接合不良の発生を確実に防止することができる。また、プラズマ処理によって撥液性又は親液性を持たせるものであるため、その後の各種作業の影響によって効果が損なわれる恐れが少なく、そのため接着剤の塗布やＩＣ部品の搭載前に処理を行うことで、プラズマ処理時に複雑な保護手段を用いることなく、基板上のＩＣ部品など配置物がダメージを受ける恐れの無い状態で処理することができ、簡単な装置にて効率的にプラズマ処理を行ってワイヤの接合不良の発生を防止することができる。なお、ＩＣ部品にダメージを与える恐れなくプラズマ処理できる場合はＩＣ部品搭載後に処理を行っても良い。
【００１４】
また、プラズマ処理を、ＩＣ部品搭載領域に接着剤を塗布する前又は塗布後に、ＩＣ部品搭載領域と電極との間の領域のみに大気圧プラズマを吹き付けて行うと、簡単な装置構成の大気圧プラズマ発生装置にて効率的に処理することができ、かつ前記領域にのみプラズマを照射して処理するので、ＩＣ部品搭載後であっても簡単に処理することができる。
【００１６】
また、上記プラズマ処理は、プラズマを発生する不活性ガスと、少なくともフッ素系ガス、Ｃ及びＦを含むガス、Ｃ及びＨを含むガス、酸素ガスの内の少なくとも１つを含む反応性ガスを用いて少なくとも基板のＩＣ部品搭載領域と電極との間の領域を撥液性又は親液性を持つように表面改質を行い、若しくはプラズマを発生する不活性ガスと、少なくともフッ素系ガス、Ｃ及びＦを含むガス、Ｃ及びＨを含むガス、酸素ガスの内の少なくとも１つを含むガスを用いて少なくとも基板のＩＣ部品搭載領域と電極との間の領域上に撥液性又は親液性の膜を成膜するのが好適である。なお、本明細書において、不活性ガスとはプラズマを発生するためのガスで、不活性ガスに窒素ガスを含むものとしている。また、上記フッ素系ガス、Ｃ及びＦを含むガス、Ｃ及びＨを含むガスは撥液性を持たす処理に用いられ、酸素ガスは親液性を持たす処理に用いられる。
【００１７】
また、本発明のダイボンディング装置は、基板を搬送して位置決めする搬送手段と、基板のＩＣ部品搭載領域内に接着剤を塗布する塗布手段と、基板上にＩＣ部品を搭載する部品搭載手段と、大気圧プラズマ発生手段と、大気圧プラズマ発生手段を基板のＩＣ部品搭載領域と電極との間の領域のみに沿って移動させるプラズマ移動手段とを備え、前記大気圧プラズマ発生手段は、プラズマ発生部にプラズマを発生する不活性ガスを供給し、発生したプラズマに反応性ガスを混合するように構成されているものである。
【００１８】
この構成によると、基板を搬送して、接着剤を塗布する工程とＩＣ部品を搭載する工程と大気圧プラズマ発生手段によるプラズマ処理にてＩＣ部品搭載領域と電極との間の領域に撥液性又は親液性を持たせる工程を経るようにしているので、ＩＣ部品が搭載されかつそのＩＣ部品の周囲の電極との間の領域が撥液性又は親液性を有している基板を生産性良く製造することができる。
【００１９】
また、大気圧プラズマ発生手段は、プラズマ発生部にプラズマを発生する不活性ガスを供給し、発生したプラズマに反応性ガスを混合するように構成することにより、プラズマ中の反応性ガスの濃度を高くできて処理を効率的に行うことができて好適である。混合ガス中の反応性ガスの比率は、数％から数倍まで可能で特に限定されない。
【００２３】
また、上記不活性ガスとしては、アルゴン、ネオン、キセノン、ヘリウム、窒素ガスから選択された単独ガス又は複数の混合ガスからなるのが好適であり、反応性ガスとしては、フッ素系ガス、Ｃ及びＦを含むガス、Ｃ及びＨを含むガス、酸素ガスの内の少なくとも１つを含むのが好適である。フッ素系ガス、Ｃ及びＦを含むガス、Ｃ及びＨを含むガスを用いると、接着剤の組成液に対する撥液性を呈する、−ＣＨ3 、−ＣＦ3 、−（ＣＨ2 ）−、−（ＣＦ2 ）−などの官能基を有するようにプラズマ照射面を表面改質し、又は成膜することができる。また、酸素ガスを用いることで、親液性を持つように表面改質し、又は成膜することができる。
【発明の効果】
【００２７】
本発明のＩＣ部品実装方法によれば、少なくともＩＣ部品搭載領域と電極との間の領域をプラズマ処理し、接着剤の組成液に対する撥液性又は親液性を持たせることにより、ＩＣ部品を接着する接着剤の組成液の滲み出しを、ＩＣ部品搭載領域とその周囲の電極との間の所定のスペース内に制限して電極上への組成液の滲み出しを確実に防止でき、ＩＣ部品と基板の電極間のワイヤ接続不良の発生を防止することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２８】
以下、本発明のＩＣ部品実装方法とそれに用いるダイボンディング装置の各実施形態について、図１〜図１４を参照しながら説明する。
【００２９】
（第１の実施形態）
まず、本発明のＩＣ部品実装方法に係る第１の実施形態について、図１〜図７を参照して説明する。
【００３０】
まず、本実施形態の電子部品の構成を図１を参照して説明する。図１において、１は電子部品で、基板２上にＩＣ部品３を実装して構成されている。基板２には、ＩＣ部品３の搭載領域であるランド４が形成されるとともに、その周囲に絶縁スペースとなる領域４ａをあけて多数の電極５が形成されている。ＩＣ部品３はランド４上に塗布した接着剤６にて接着固定され、ＩＣ部品３に設けられた電極（図示せず）と基板２の電極５とがワイヤ７にて接続されている。基板２のランド４と電極５の間の領域４ａには、接着剤６の組成液８に対する撥液性を呈する撥液面９が設けられ、ランド４上の接着剤６から滲み出した組成液８が撥液面９にて堰き止められ、電極５に向けての滲み出しが防止されている。なお、撥液面９を形成する領域は、上記領域４ａに限定されるものではなく、その他の必要な領域にも設けることができることは言うまでもない。
【００３１】
本実施形態における撥液面９は、図２（ａ）、（ｂ）に示すように、ランド４上に接着剤６を塗布してＩＣ部品３を搭載した状態で、大気圧プラズマ発生装置１０からプラズマ１１を照射しつつ、ランド４と電極５の間の領域４ａの全周に沿って大気圧プラズマ発生装置１０を移動させることによって形成されている。
【００３２】
次に、以上の構成の電子部品１の製造工程の全体を図３を参照して説明する。最初の工程（ａ）で、基板２のランド４上に接着剤６を塗布し、次の工程（ｂ）で、ランド４上にＩＣ部品３を搭載して接着固定し、引き続いて工程（ｃ）で、図２に示したように、大気圧プラズマ発生装置１０からプラズマ１１を照射しつつ、ランド４と電極５との間の領域４ａの全周を移動させて撥液面９を形成し、次の工程で基板を加熱して接着剤を硬化させ（図示せず）、次に工程（ｄ）で、ＩＣ部品３を搭載した基板２をワイヤボンディング装置（図示せず）に搬入して、ＩＣ部品３の電極と基板２の電極５をワイヤ７にて接続し、次に工程（ｅ）で、基板２上のＩＣ部品３の全体をワイヤ７を含めて封止樹脂１２に覆い、最後に工程（ｆ）で、封止樹脂１２を硬化させることで、電子部品１が完成する。
【００３３】
次に、大気圧プラズマ発生装置１０の構成例について、図４〜図７を参照して説明する。図４に示した大気圧プラズマ発生装置１０は、誘電体から成る反応管１３の外周にコイル１４を巻回して配設し、コイル１４に高周波電源１５から高周波電圧を印加し、反応管１３にガス１６を供給することで反応管１３内でプラズマ１１を発生させるとともに、そのプラズマ１１を反応管１３の先端のノズル１３ａから吹き出すように構成されている。この大気圧プラズマ発生装置１０を移動手段１７にて移動させて、図２（ｂ）に示したように、ランド４の周囲の領域４ａに撥液面９を形成するように構成されている。１８は、予め設定された移動経路に沿って移動手段１７を移動させるように制御する制御部である。
【００３４】
高周波電源１５の周波数帯としては、１３．５６ＭＨｚに代表されるＲＦ周波数帯や、１００ＭＨｚに代表されるＶＨＦ周波数帯が好適である。また、コイル１４と高周波電源１５の間には反射波を抑制する整合回路（図示せず）が介装される。供給するガス１６は、プラズマを発生するための不活性ガスと撥液面９を形成するための反応性ガスの混合ガスが好適に用いられる。不活性ガスとしては、アルゴン、ネオン、キセノン、ヘリウム、窒素ガスから選択された単独ガス又は複数の混合ガスからなるのが好適である。反応性ガスとしては、接着剤６の組成液に対する撥液性を呈する、−ＣＨ3 、−ＣＦ3 、−（ＣＨ2 ）−、−（ＣＦ2 ）−などの官能基を有するようにプラズマ照射面を表面改質し、又は成膜することができるガスであれば良く、具体的にはフッ素系ガス、Ｃ及びＦを含むガス、Ｃ及びＨを含むガス、酸素ガスの内の少なくとも１つを含むのが好適である。
【００３５】
大気圧プラズマ発生装置１０の他の構成例として、図５に示すように、誘電体から成る反応管１３の外周に間隔をあけて一対の電極１９ａ、１９ｂを配設し、電極１９ａ、１９ｂ間に高周波電源１５から高周波電圧を印加し、反応管１３にガス１６を供給するように構成することで反応管１３の先端のノズル１３ａからプラズマ１１を吹き出すように構成したものでも良い。
【００３６】
また、図６に示すように、誘電体から成る反応管２０の内側に内側電極２１を、外周に外側電極２２を配設し、電極２１、２２間に高周波電源１５から高周波電圧を印加し、反応管２０内にガス１６を供給することで反応管２０内で発生したプラズマ１１を先端のノズル２０ａから吹き出すように構成したものでも良い。
【００３７】
また、以上の構成例では、反応管１３、２０に不活性ガスと反応性ガスの混合ガス１６を供給するようにした例を示したが、図７に示すように、反応管１３のノズル１３ａの近傍に向けてガスを供給できるようにガス供給管２３を配設し、反応管１３には不活性ガス２４のみを供給してノズル１３ａからプラズマ１１を吹き出すとともに、このプラズマ１１に向けてガス供給管２３から反応性ガス２５を供給することで、撥液面９を形成するように構成したものでも良い。このように、プラズマ１１に向けて反応性ガス２５を供給するように構成すると、プラズマ１１近傍の反応性ガスの活性種密度を高くできて処理を効率的に行うことができて好適である。
【００３８】
なお、図４〜図７に大気圧プラズマ発生装置の構成例を示したが、大気圧プラズマ発生装置はこれらに限定されるものではなく、例えば２つの電極の少なくとも１つに誘電体を配設し、誘電体と２つの電極間にできる反応管にガスを供給し、電極間に高周波電圧を印加する構成としても良い。また、印加する高周波電圧の周波数帯としては、１３．５６ＭＨｚに代表されるＶＨＦ周波数帯や、１００ＭＨｚに代表されるＶＨＦ周波数帯が挙げられるが、これに限定されるものではなく、数十ＫＨｚ〜数百ＭＨｚの間の正弦波や矩形波やパルス波を使用することができる。
【００３９】
（第２の実施形態）
次に、本発明のＩＣ部品実装方法に係る第２の実施形態について、図８、図９を参照して説明する。
【００４０】
上記第１の実施形態では、基板２のランド４上に接着剤６を塗布し、ＩＣ部品３を搭載した後、大気圧プラズマ発生装置１０にて撥液面９を形成するプラズマ処理を行う例を示したが、本実施形態では、図８（ａ）、（ｂ）に示すように、基板２のランド４上への接着剤６の塗布及びＩＣ部品３の搭載の前に、大気圧プラズマ発生装置１０からプラズマ１１を吹き出しつつ、基板２のランド４と電極５の間の領域４ａの全周に沿って大気圧プラズマ発生装置１０を移動させることによって撥液面９を形成している。
【００４１】
電子部品１の製造工程の全体を図９を参照して説明する。最初の工程（ａ）で、図８に示したように、大気圧プラズマ発生装置１０からプラズマ１１を照射しつつ、ランド４と電極５との間の領域４ａの全周を移動させて撥液面９を形成し、次に工程（ｂ）で、基板２のランド４上に接着剤６を塗布し、次の工程（ｃ）で、ランド４上にＩＣ部品３を搭載して接着固定し、次の工程で基板を加熱して接着剤を硬化させ（図示せず）、引き続いて工程（ｄ）で、ＩＣ部品３を搭載した基板２をワイヤボンディング装置（図示せず）に搬入して、ＩＣ部品３の電極と基板２の電極５をワイヤ７にて接続し、次に工程（ｅ）で、基板２上のＩＣ部品３の全体をワイヤ７を含めて封止樹脂１２に覆い、最後に工程（ｆ）で、封止樹脂１２を硬化させることで、電子部品１が完成する。
【００４２】
（第３の実施形態）
次に、本発明のダイボンディング装置に係る第３の実施形態について、図１０、図１１を参照して説明する。
【００４３】
本実施形態のダイボンディング装置３０は、図１０に示すように、複数のランド４が設けられた基板２を、ほぼランド４の配置間隔で間欠的に搬送する搬送手段３１を備え、この搬送手段３１の搬送方向に沿って、接着剤６の塗布部３２と、ＩＣ部品３を搭載する部品搭載部３３と、プラズマ処理による撥液面形成部３４が配設されている。塗布部３２には塗布手段３５が配設されている。塗布手段３５は、塗布ノズル３５ａがＸ軸テーブル３５ｂとＹ軸テーブル３５ｃとＺ軸テーブル３５ｄにて三次元的に移動及び位置決め可能に支持されている。この塗布ノズル３５ａに向けて接着剤６を供給するディスペンサ３５ｅが設けられるとともに、所要量の接着剤６を精度良く吐出させるため、吐出量を制御する吐出制御バルブ３５ｇを設けたエアチューブ３５ｆが塗布ノズル３５ａに接続されている。
【００４４】
部品搭載部３３には、部品搭載手段３６とＩＣ部品供給部３７が配設され、ＩＣ部品供給部３７の任意のＩＣ部品３を部品搭載手段３６にて取り出して基板２のランド４上に搭載するように構成されている。ＩＣ部品供給部３７は、多数のＩＣ部品３が作成されたウェハを各ＩＣ部品３毎に裁断して分離させた状態のものが供給されるように構成されている。部品搭載手段３６は、ＩＣ部品３を吸着して保持するノズル３６ａがＸ軸テーブル３６ｂとＹ軸テーブル３６ｃとＺ軸移動機構を内蔵した搭載ヘッド３６ｄにて三次元的に移動及び位置決め可能に支持されている。
【００４５】
撥液面形成部３４には、大気圧プラズマ発生手段３８とそのプラズマノズル３８ａを移動させるプラズマ移動手段３９が配設されている。プラズマノズル３８ａは、上記実施形態の反応管１３や２０に対応するもので、ガス供給手段と高周波電源を内蔵したプラズマ発生手段本体部３８ｄからガス供給チューブ３８ｂを通してガスが、ケーブル３８ｃを通して高周波電圧が供給されている。プラズマ移動手段３９は、プラズマノズル３８ａを、Ｙ軸テーブル３９ａとＸ軸テーブル３９ｂとＺ軸テーブル３９ｃにて三次元的に移動及び位置決めするように構成されている。これによって、プラズマノズル３８ａは、プラズマ１１を吹き出しつつ、基板２のランド４と電極５との間の領域４ａに沿って移動し、撥液面９を形成する。
【００４６】
このダイボンディング装置３０は、図１１に示すように、上記搬送手段３１、部品搭載手段３６、ＩＣ部品供給部３７、大気圧プラズマ発生手段３８、プラズマ移動手段３９を制御部４０にて制御するように構成されている。また、制御部４０には所定の動作プログラムや各種データを記憶させた記憶部４１と、動作指令やデータ入力を行う操作部４２と、所要のデータを作業者に表示する表示部４３が接続されている。
【００４７】
本実施形態のダイボンディング装置３０によれば、基板２が搬送される間に、接着剤６を塗布する工程と、ＩＣ部品３を搭載する工程と、大気圧プラズマ発生手段３８によるプラズマ処理にてランド４と電極５との間の領域４ａに撥液性を持たせる工程を順次経るので、ＩＣ部品３が搭載されかつそのＩＣ部品３の周囲の電極５との間の領域４ａが撥液性を有している基板２を生産性良く製造することができる。
【００４８】
（第４の実施形態）
次に、本発明の第４の実施形態について、図１２〜図１４を参照して説明する。なお、本実施形態は上記第２の実施形態のＩＣ部品実装方法に係るもので、ＩＣ部品３を搭載するランド４に接着剤６を塗布する前にその周囲の電極５との間の領域４ａを撥液面９に処理する工程の他の構成例を示すものである。
【００４９】
上記第３の実施形態では、大気圧プラズマ発生手段３８を使用したが、本実施形態では、図１２（ａ）に示すように、真空処理室５１内で基板２上をマスク５２で覆って基板２のランド４と電極５との間の領域４ａにのみプラズマを照射し、前記領域４ａが接着剤６の組成液に対する撥液面９となるように処理するプラズマ処理手段５０を用いている。図１２（ａ）において、５３は基板２を設置する基板電極で、高周波電源５４が接続されている。５５は基板電極に対向して配設された対向電極で、接地されている。そして、真空処理室５１を真空排気して所定の真空圧に保持しつつ、ガス導入手段（図示せず）にて不活性ガスと反応性ガスの混合ガスを導入し、基板電極５３に高周波電圧を印加することによって、基板電極５３と対向電極５５の間にプラズマ５６が発生し、そのプラズマ５６が図１２（ｃ）に示すようにマスク５２に形成された露出開口５２ａから基板２の領域４ａに照射され、図１２（ｂ）に示すように、撥液面９が形成される。なお、基板２に複数のランド４が配設されている場合には、例えば図１２（ｄ）に示すように、各ランド４に対応してその周囲の領域に露出開口５２ａが形成されたマスク５２が用いられる。
【００５０】
図１２では本実施形態の原理的な構成を示したが、次に図１３、図１４を参照して、より具体的な構成例を説明する。図１３は、本実施形態におけるダイボンディング装置６０の要部を示し、基板２を搬送して位置決めする搬送手段６１の搬送方向に、真空処理室５１を用いたプラズマ処理手段５０と、基板２のランド４に接着剤６を塗布する塗布手段（図示せず）と、ランド４上にＩＣ部品３を搭載する部品搭載手段（図示せず）とが配設されている。これら塗布手段と部品搭載手段は、図１０を参照して説明した第３の実施形態と共通するものであり、説明を省略する。
【００５１】
本実施形態では、搬送手段６１の始端に、基板２を順次搬送手段６１に供給する基板供給手段６２が配設され、この搬送手段６１の始端近傍にプラズマ処理手段５０が配設されている。プラズマ処理手段５０の真空処理室５１は、シリンダ６４にて昇降される本体ケース６３にて搬送手段６１上で開閉可能に構成され、本体ケース６３を上方に開放動作した状態で基板２の搬入搬出を行うように構成されている。６３ａは本体ケース６３の下端に設けられたシール部材であり、搬送手段６１の上面に圧接して真空処理室５１を密閉形成する。本体ケース６３には排気口６５とガス導入口６６が設けられ、それぞれ真空ポンプ６７とガス供給手段６８に接続され、上記のように真空排気して所定の真空圧に保持しつつ不活性ガスと反応性ガスの混合ガスを導入するように構成されている。６９はガイドロッドを持った基板２の搬送手段で、６９ａはその搬送爪である。
【００５２】
マスク５２は、図１４に示すように、連結部材７０にて本体ケース６３及び対向電極５５にて支持されており、シリンダ６４にて本体ケース６３を下降させて真空処理室５１を密閉形成した状態で、基板２上に当接又は近接して配置されるように構成されている。マスク５２は絶縁体マスクでも、導電体マスクでもよいが、導電体マスクの場合は基板電極５３及び対向電極５５から電気的に浮かした状態にすれば良い。
【００５３】
本実施形態のダイボンディング装置６０によれば、搬送手段６１にて基板２が搬送される間に、プラズマ処理手段５０によるプラズマ処理にてランド４と電極５との間の領域４ａに撥液性を持たせる工程と、接着剤６を塗布する工程と、ＩＣ部品３を搭載する工程を順次経るので、ＩＣ部品３が搭載されかつそのＩＣ部品３の周囲の電極５との間の領域４ａが撥液性を有している基板２を生産性良く製造することができる。
【００５４】
以上の各実施形態の説明では、プラズマ処理によって、接着剤６の組成液８に対する撥液面９を形成するように基板２を表面改質する例について、主として説明してきたが、プラズマ処理は表面改質に限らず、使用する反応性ガスを変更する等、プラズマ処理条件を調整設定して成膜するようにしても良い。撥液（油）性を有する膜としては、その性質を示す膜であれば、特に限定されないが、中でもフルオロカーボンポリマー膜（特開２００２−２２０６６８号公報等参照）が最も好適であり、反応性ガスとしてこの膜を成膜するガス、例えばＰＦＣガス（パーフルオロカーボンガス）などを好適に用いることができる。
【００５５】
さらに、以上の実施形態の説明では、接着剤６の組成液８に対する撥液性を持たせる例について説明したが、親液性を持つように、表面改質し若しくは成膜しても、組成液８の滲み出しがその親液面内に強く限定され、それより外側が相対的に撥液性を呈するような状態になるので、同様の作用効果を奏することができる。この親液性を持たせるプラズマ処理は、例えば反応性ガスとして酸素ガスを用いることによって実現できる。なお、反応性ガスは、酸素ガス限定にされるものではなく、各種接着剤６において滲み出す恐れのある組成液８に対して親液性を持たせることができるものであれば、任意のガスを使用することができる。
【産業上の利用可能性】
【００５６】
本発明によれば、ＩＣ部品搭載領域と電極との間の領域のみをプラズマ処理し、接着剤の組成液に対する撥液性又は親液性を持たせることにより、ＩＣ部品を接着する接着剤の組成液の滲み出しを、ＩＣ部品搭載領域とその周囲の電極との間の所定のスペース内に制限して電極上への組成液の滲み出しを確実に防止でき、ＩＣ部品と基板の電極間のワイヤ接続不良の発生を防止することができるので、基板にＩＣ部品を搭載してワイヤ接続する電子部品に好適に利用することができる。
【図面の簡単な説明】
【００５７】
【図１】本発明のＩＣ部品実装方法の第１の実施形態を適用した電子部品の封止樹脂を除いた状態の断面図。
【図２】同実施形態におけるプラズマ処理を示し、（ａ）は処理した状態の平面図、（ｂ）はプラズマ処理工程の正面図。
【図３】同実施形態の電子部品の製造工程図。
【図４】同実施形態で用いる大気圧プラズマ発生装置の第１の構成例の概略構成を示す正面図。
【図５】同実施形態で用いる大気圧プラズマ発生装置の第２の構成例の概略構成を示す斜視図。
【図６】同実施形態で用いる大気圧プラズマ発生装置の第３の構成例の概略構成を示す部分断面正面図。
【図７】同実施形態で用いる大気圧プラズマ発生装置の第４の構成例の概略構成を示す斜視図。
【図８】本発明のＩＣ部品実装方法の第２の実施形態におけるプラズマ処理を示し、（ａ）は処理した状態の平面図、（ｂ）はプラズマ処理工程の正面図。
【図９】同実施形態の電子部品の製造工程図。
【図１０】本発明の第３の実施形態のダイボンディング装置を示す斜視図。
【図１１】同ダイボンディング装置の制御部構成を示すブロック図。
【図１２】本発明の第４の実施形態のダイボンディング装置におけるプラズマ処理手段の原理構成を示し、（ａ）は縦断正面図、（ｂ）はプラズマ処理状態の平面図、（ｃ）はマスクの平面図、（ｄ）はマスクの他の構成例の平面図。
【図１３】同実施形態の要部の斜視図。
【図１４】同実施形態におけるプラズマ処理手段の縦断正面図。
【図１５】従来例のＩＣ部品実装方法の接着剤塗布工程の斜視図。
【図１６】他の従来例のＩＣ部品実装方法におけるワイヤ接続状態の断面図。
【符号の説明】
【００５８】
１  電子部品
２  基板
３  ＩＣ部品
４  ランド（搭載領域）
４ａ  ランド４と電極５の間の領域
５  電極
６  接着剤
７  ワイヤ
８  組成液
９  撥液面
１０  大気圧プラズマ発生装置
１１  プラズマ
２３  ガス供給管
２４  不活性ガス
２５  反応性ガス
３０  ダイボンディング装置
３１  搬送手段
３５  塗布手段
３６  部品搭載手段
３８  大気圧プラズマ発生手段
３９  プラズマ移動手段
５０  プラズマ処理手段
５１  真空処理室
５２  マスク
６０  ダイボンディング装置
６１  搬送手段
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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