(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１電極と第２電極との間に発光層が介在する複数の発光素子が第１方向に配列された
素子群を複数備え、当該複数の素子群が前記第１方向と交差する第２方向に並列された素
子アレイ部と、
前記第２電極よりも低い抵抗率を有するとともに遮光性を有し、前記各発光素子の第２
電極に電気的に接続される補助配線と、
前記複数の発光素子に対応して設けられ、前記複数の発光素子に供給される電流を制御
する複数の駆動トランジスタと、
前記複数の駆動トランジスタを被覆する絶縁層と、を具備し、
前記補助配線は、前記複数の素子群のうち相互に隣接する第１の素子群と第２の素子群
との間隙にて前記第１の方向に延在し、前記第２の素子群に対して前記第１の素子群とは
反対側に隣接する第３の素子群と前記第２の素子群との間隙には形成されず、
前記発光素子の第１電極は、前記絶縁層に形成されたコンタクトホールを介して前記駆
動トランジスタに電気的に接続され、
前記第１の素子群に含まれる前記コンタクトホールと前記第２の素子群に含まれる前記コンタクトホールとは共に第１の素子群と第２の素子群との間隙に設けられ、
前記補助配線は前記第１の素子群に含まれる前記コンタクトホール及び前記第２の素子群に含まれる前記コンタクトホールの全体と重なる位置に設けられている
ことを特徴とする発光装置。
【請求項２】
前記第１の素子群の各発光素子と前記第２の素子群の各発光素子との間隔は、前記第２
の素子群の各発光素子と前記第３の素子群の各発光素子との間隔よりも広い
請求項１に記載の発光装置。
【請求項３】
前記第２電極は、複数の発光素子にわたって連続に形成され、
前記補助配線は、前記第２電極の直下または直上に形成されて当該第２電極に面接触す
る
請求項１または請求項２に記載の発光装置。
【請求項４】
前記各発光素子の第１電極が配置された基板の面上に形成されて前記第１電極に対応し
た開口部を有する隔壁層を具備し、
前記発光層は、前記開口部の内側に位置する部分を含み、
前記第２電極は、前記開口部の内側にて前記発光層を挟んで前記第１電極に対向する部
分と、前記隔壁層の表面を覆う部分とを含み、
前記補助配線は、前記隔壁層と前記第２電極との間に介在する
請求項３に記載の発光装置。
【請求項５】
前記各発光素子は、前記第１方向に沿って長尺状に形成される
請求項３または請求項４に記載の発光装置。
【請求項６】
前記コンタクトホールは、前記第１方向に沿って長尺状に形成される
請求項１から請求項５の何れかに記載の発光装置。
【請求項７】
請求項１から請求項６の何れかに記載の発光装置を具備する電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、有機発光ダイオード素子などの発光素子を利用した発光装置の構造に関する
。
【背景技術】
【０００２】
多数の発光素子をマトリクス状に配列した発光装置が従来から提案されている。各発光
素子は、第１電極および第２電極と両電極間に介在する発光層とを含む。特許文献１には
、複数の発光素子にわたって連続する光透過性の導電膜が第２電極とされたトップエミッ
ション型の発光装置において、各発光素子の間隙に補助配線を形成した構成が開示されて
いる。補助配線は、第２電極よりも抵抗率が低い導電材料によって形成される。この構成
によれば、第２電極が高抵抗な材料で形成された場合であっても第２電極における電圧降
下が低減されるから、各発光素子に印加される電圧が均一化されて各々の階調のムラが抑
制される。
【特許文献１】特開２００２−３５２９６３号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
補助配線の材料として採用される低抵抗な金属の殆どは遮光性を有する。したがって、
発光素子からみて光出射側（光取出側）に補助配線が配置された構成においては、複数の
発光素子が配列された領域のうち各発光素子による放射光が実際に出射する面積の割合（
以下「開口率」という）が補助配線によって制約されるという問題がある。補助配線の線
幅を削減すれば高い開口率を維持することも可能ではあるが、この場合には補助配線の抵
抗値の増加によって第２電極の電圧降下の抑制が不充分となる可能性がある。
【０００４】
また、補助配線の位置に誤差が発生した場合でも補助配線と発光素子とが重複しないよ
うに、補助配線が形成される設計上の領域と各発光素子との間隙にスペース（以下「マー
ジン領域」という）を確保する場合がある。マージン領域には補助配線も発光素子も形成
されないから、開口率の向上と電圧降下の充分な抑制との両立はいっそう困難となる。以
上の事情を考慮して、本発明は、開口率の向上と第２電極における電圧降下の抑制とを両
立させるという課題の解決を目的としている。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
以上の課題を解決するために、本発明に係る発光装置は、第１電極と第２電極との間に
発光層が介在する複数の発光素子を第１方向（例えば図２のＸ方向）に配列した複数の素
子群（例えば各行に属する発光素子の集合）が第１方向と交差する第２方向に並列された
素子アレイ部と、第２電極よりも抵抗率が低い材料によって形成されて各発光素子の第２
電極に電気的に接続される補助配線とを具備し、補助配線は、複数の素子群のうち相互に
隣接する第１の素子群（例えば図２の第ｉ行）と第２の素子群（例えば図２の第(i+1)行
）との間隙にて第１の方向に延在し、第２の素子群に対して第１の素子群とは反対側に隣
接する第３の素子群（例えば図２の第(i+2)行）と第２の素子群との間隙には形成されな
い。
【０００６】
本発明においては、第２の素子群と第３の素子群との間隙に補助配線が形成されないか
ら、素子アレイ部の総ての素子群の間隙に補助配線が形成された構成と比較して、素子ア
レイ部のうち補助配線が形成される領域やマージン領域の面積を低減することが可能であ
る。したがって、開口率の向上と補助配線の低抵抗化との両立が容易となる。例えば、補
助配線の線幅を維持しながら開口率を向上させ、あるいは開口率を維持しながら補助配線
の線幅を拡大（低抵抗化）することができる。
【０００７】
本発明の好適な態様において、第１の素子群の各発光素子と第２の素子群の各発光素子
との間隔（例えば図２における幅Ｂ1の間隙Ｓ1）は、第２の素子群の各発光素子と第３の
素子群の各発光素子との間隔（例えば図２における幅Ｂ2の間隙Ｓ2）よりも広い。この態
様によれば、各素子群が等間隔に配置された構成と比較して、補助配線の抵抗を低減しな
がら開口率を高い水準に維持することが可能となる。
【０００８】
他の態様において、第２電極は、複数の発光素子にわたって連続に形成され、補助配線
は、第２電極の直下または直上に（すなわち第２電極との間に絶縁層が介在することなく
）形成されて当該第２電極に面接触する。この構成によれば、第２電極と補助配線とが両
者間の絶縁層のコンタクトホールを介して導通する構成と比較して、第２電極と補助配線
とを確実に導通させることができる。また、第２電極と補助配線とを導通させるコンタク
トホールが不要となるから、発光装置の製造工程の簡素化や製造コストの低減が実現され
る。
例えば、各発光素子の第１電極が配置された基板の面上に形成されて第１電極に対応し
た開口部を有する隔壁層を具備し、発光層は、開口部の内側に位置する部分を含み、第２
電極は、開口部の内側にて発光層を挟んで第１電極に対向する部分と、隔壁層の表面を覆
う部分とを含み、補助配線は、隔壁層と第２電極との間に介在する。以上の構成によれば
、補助配線が第２電極に覆われるから、外気や水分の付着に起因した補助配線の腐食を防
止することが可能である。
【０００９】
本発明の好適な態様において、各発光素子は、第１方向に沿って長尺状に形成される。
換言すると、補助配線は、各発光素子の長手方向に沿って延在する。この態様によれば、
各発光素子の短手方向に沿って補助配線が延在する構成と比較して、各発光素子から補助
配線に至る電流の経路幅（例えば図５の幅Ｗ）が容易に確保されるから、発光素子から補
助配線までの区間における抵抗値を低減することができる。なお、この態様の具体例は第
２実施形態として後述される。
【００１０】
本発明の具体的な態様においては、各発光素子に供給される電流を制御する複数の駆動
トランジスタと、複数の駆動トランジスタを被覆する絶縁層（例えば図３の第２絶縁層Ｆ
2）とが設けられ、複数の発光素子は、絶縁層の面上に配置され、各発光素子の第１電極
は、絶縁層に形成されたコンタクトホールを介して駆動トランジスタに電気的に接続され
る。
この態様において、第１の素子群および第２の素子群の各々に属する各発光素子に対応
したコンタクトホールは、当該素子群の各発光素子からみて補助配線側、より具体的には
当該素子群に属する各発光素子の補助配線側の周縁と補助配線における当該発光素子側の
周縁との間隙（例えば図２におけるマージン領域Ｍ）に形成される。この態様においては
、発光素子が存在しない補助配線の側方の領域にコンタクトホールが形成されるから、開
口率を低下させることなく、コンタクトホールの拡大によって第１電極と駆動トランジス
タとを良好に接続することが可能である。
さらに好適な態様において、コンタクトホールは、第１方向に沿って長尺状に形成され
る。この態様によれば、コンタクトホールについて充分な面積が確保されるから、第１電
極と駆動トランジスタとの接続部の抵抗を低減するともに両者の導通の不良を抑制するこ
とができる。
【００１１】
別の観点からすると、本発明に係る発光装置の特徴は、第１電極と第２電極との間に発
光層が介在する複数の発光素子を第１方向に配列した複数の素子群が第１方向と交差する
第２方向に並列された素子アレイ部と、第２電極よりも抵抗率が低い材料によって形成さ
れて各発光素子の第２電極に電気的に接続される複数の補助配線とを具備し、補助配線は
、相互に隣接する２以上の素子群ごとに素子アレイ部を区分した各単位（例えば図２にお
ける偶数行とそのＹ方向の正側に隣接する奇数行との組）の間隙にて第１方向に延在し、
各単位に属する各素子群の間隙には形成されないという構成にある。すなわち、複数の素
子群を単位として１本の補助配線が形成されるから、開口率の向上と補助配線の低抵抗化
との両立が容易となる。
【００１２】
本発明に係る発光装置は各種の電子機器に利用される。この電子機器の典型例は、発光
装置を表示装置として利用した機器である。この種の電子機器としては、パーソナルコン
ピュータや携帯電話機などがある。もっとも、本発明に係る発光装置の用途は画像の表示
に限定されない。例えば、光線の照射によって感光体ドラムなどの像担持体に潜像を形成
するための露光装置（露光ヘッド）、液晶装置の背面側に配置されてこれを照明する装置
（バックライト）、あるいは、スキャナなどの画像読取装置に搭載されて原稿を照明する
装置など各種の照明装置など、様々な用途に本発明の発光装置を適用することができる。
【００１３】
本発明は、以上の各態様に係る発光装置を製造する方法としても特定される。この製造
方法は、第１電極と第２電極との間に発光層が介在する複数の発光素子を第１方向に配列
した複数の素子群が第１方向と交差する第２方向に並列された素子アレイ部と、各発光素
子の第２電極に電気的に接続される補助配線とを具備する発光装置を製造する方法であっ
て、複数の素子群のうち相互に隣接する第１の素子群と第２の素子群との間隙に対向する
領域（例えば図４の領域ＲＡ）が開口し、第２の素子群に対して第１の素子群とは反対側
に隣接する第３の素子群と第２の素子群との間隙に対向する領域（例えば図４の領域ＲＢ
3）を遮蔽するマスクを用意する過程と、第２電極よりも抵抗率が低い材料をマスクを介
して蒸着することで補助配線を形成する過程とを含む。
【００１４】
以上の方法に使用されるマスクは、第２の素子群と第３の素子群との間隙に対向する領
域が遮蔽されているから、総ての素子群の間隙に対向する領域が開口したマスクと比較し
て機械的な強度が高い。したがって、マスクの変形（撓み）に起因した補助配線の誤差や
マスクの破損を抑制することが可能である。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１５】
＜Ａ：第１実施形態＞
＜発光装置の構成＞
図１は、本発明に係る発光装置の電気的な構成を示す回路図である。発光装置は、複数
の単位回路（画素回路）Ｕが配列された素子アレイ部Ａを具備する。素子アレイ部Ａには
、Ｘ方向に延在する複数の走査線１２と、Ｘ方向と直交するＹ方向に延在する複数のデー
タ線１４とが形成される。各単位回路Ｕは、走査線１２とデータ線１４との各交差に対応
した位置に配置される。したがって、複数の単位回路Ｕは、Ｘ方向およびＹ方向にわたっ
てマトリクス状に配列する。
【００１６】
ひとつの単位回路Ｕは、電源線１６（電源電圧ＶEL）から接地線１８（接地電圧Ｇnd）
に至る経路上に配置された駆動トランジスタＴdrと発光素子Ｅとを含む。発光素子Ｅは、
相互に対向する第１電極２１と第２電極２２との間に有機ＥＬ（Electro Luminescence）
材料の発光層２３を介在させた有機発光ダイオード素子である。発光素子Ｅは、発光層２
３に流れる電流（以下「駆動電流」という）Ｉelに応じた輝度に発光する。第１電極（陽
極）２１は発光素子Ｅごとに相互に離間して形成される。第２電極（陰極）２２は、複数
の発光素子Ｅにわたって連続に形成されて接地線１８に導通する。ただし、接地電位Ｇnd
を基準として負極性の電圧が第２電極２２に供給される構成としてもよい。
【００１７】
駆動トランジスタＴdrは、駆動電流Ｉelの電流量をゲートの電圧に応じて制御するｐチ
ャネル型のトランジスタである。駆動トランジスタＴdrのドレインは発光素子Ｅの第１電
極２１に接続される。各単位回路Ｕにおける駆動トランジスタＴdrのソースは電源線１６
に対して共通に接続される。駆動トランジスタＴdrのゲートとソース（電源線１６）との
間には容量素子Ｃが介挿される。また、駆動トランジスタＴdrのゲートとデータ線１４と
の間には両者の電気的な接続を制御する選択トランジスタＴslが介在する。
【００１８】
以上の構成において、走査線１２に供給される走査信号Ｇに応じて選択トランジスタＴ
slがオン状態に変化すると、発光素子Ｅに指定された階調に応じたデータ電圧Ｓがデータ
線１４から選択トランジスタＴslを経由して駆動トランジスタＴdrのゲートに供給される
。このときにデータ電圧Ｓに応じた電荷が容量素子Ｃに蓄積されるから、選択トランジス
タＴslがオフ状態に変化しても、駆動トランジスタＴdrのゲートはデータ電圧Ｓに維持さ
れる。したがって、発光素子Ｅにはデータ電圧Ｓに応じた駆動電流Ｉelが継続的に供給さ
れる。
【００１９】
次に、図２および図３を参照して素子アレイ部Ａの具体的な構成を説明する。図２は、
素子アレイ部Ａの構成を示す平面図であり、図３は、図２におけるIII−III線からみた断
面図である。なお、図２や図３においては、走査線１２やデータ線１４や選択トランジス
タＴslといった各要素の図示が適宜に省略されている。また、以下で参照する各図におい
ては、説明の便宜のために、各要素の寸法の比率を実際の装置から適宜に異ならせてある
。
【００２０】
図３に示すように、駆動トランジスタＴdrや発光素子Ｅといった図１の各要素は基板１
０の面上に形成される。基板１０は、ガラスやプラスチックなど各種の絶縁材料からなる
板材である。なお、本実施形態の発光装置は発光素子Ｅからの放射光が基板１０とは反対
側に出射するトップエミッション型であるから、基板１０に光透過性は要求されない。
【００２１】
基板１０の面上には駆動トランジスタＴdrが配置される。駆動トランジスタＴdrは、基
板１０の表面に半導体材料によって形成された半導体層３１と、ゲート絶縁層Ｆ0を挟ん
で半導体層３１（チャネル領域）に対向するゲート電極３２とを含む。ゲート電極３２は
第１絶縁層Ｆ1に覆われる。駆動トランジスタＴdrのソース電極３３およびドレイン電極
３５は、第１絶縁層Ｆ1の面上に形成されるとともに第１絶縁層Ｆ1のコンタクトホールを
介して半導体層３１（ソース領域・ドレイン領域）に導通する。駆動トランジスタＴdrが
形成された基板１０の表面は第２絶縁層Ｆ2に覆われる。第１絶縁層Ｆ1や第２絶縁層Ｆ2
はＳｉＯ2などの絶縁材料で形成された膜体である。
【００２２】
図２および図３に示すように、第２絶縁層Ｆ2の面上には第１電極２１が発光素子Ｅご
とに相互に離間して形成される。第１電極２１は、Ｙ方向を長手とする長方形状の電極で
あり、第２電極２２よりも仕事関数が高い光反射性の導電材料によって形成される。図２
および図３に示すように、第１電極２１は、第２絶縁層Ｆ2を厚さ方向に貫通するコンタ
クトホールＣＨを介して駆動トランジスタＴdrのドレイン電極３５に電気的に接続される
。
【００２３】
第１電極２１が形成された第２絶縁層Ｆ2の表面には隔壁層２５が形成される。図２お
よび図３に示すように、隔壁層２５は、第１電極２１と重なり合う各領域に開口部２５１
（隔壁層２５を厚さ方向に貫通する孔）が形成された絶縁性の膜体である。図２に示すよ
うに、Ｚ方向からみると開口部２５１の内周縁はその全周にわたって第１電極２１の周縁
（輪郭線）よりも内側に位置する。すなわち、第１電極２１は開口部２５１を介して隔壁
層２５から露出する。なお、以上のように第１電極２１の周縁は実際には隔壁層２５に覆
われるが、図２においては第１電極２１の外形が便宜的に実線で図示されている。
【００２４】
発光層２３は、隔壁層２５が形成された第２絶縁層Ｆ2の全域を被覆するように複数の
発光素子Ｅにわたって連続に形成される。すなわち、発光層２３は、開口部２５１の内側
に入り込んで第１電極２１に接触する部分（すなわち実際に発光する部分）と隔壁層２５
の面上に位置する部分とを含む。第１電極２１は発光素子Ｅごとに相互に離間して形成さ
れるから、発光層２３が複数の発光素子Ｅにわたって連続するとは言っても、発光層２３
の輝度は各第１電極２１の電圧に応じて発光素子Ｅごとに個別に制御される。なお、発光
層２３による発光を促進または効率化するための各種の機能層（正孔注入層、正孔輸送層
、電子注入層、電子輸送層、正孔ブロック層、電子ブロック層）が発光層２３に積層され
た構成としてもよい。
【００２５】
図３に示すように、第２電極２２は、複数の発光素子Ｅにわたって連続に形成されて発
光層２３と隔壁層２５とを覆う電極である。すなわち、第２電極２２は、開口部２５１の
内側にて発光層２３を挟んで第１電極２１に対向する部分と隔壁層２５の面上に位置する
部分とを含む。図２および図３に示すように、第１電極２１と第２電極２２と発光層２３
との積層のうちＺ方向からみて開口部２５１の内周縁の内側に位置する部分（すなわち第
１電極２１から第２電極２２に駆動電流Ｉelが流れる領域）が発光素子Ｅである。発光層
２３のうち隔壁層２５と重なり合う領域は、第１電極２１と第２電極２２との間に介在す
る隔壁層２５によって電流が遮断されるから発光しない。すなわち、隔壁層２５は、各発
光素子Ｅの輪郭線を画定する手段として機能する。
【００２６】
第２電極２２は、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）やＩＺＯ（Indium Zinc Oxide）といっ
た光透過性の導電材料によって形成される。したがって、発光層２３から基板１０とは反
対側に出射した光と発光層２３から基板１０側に出射して第１電極２１の表面で反射した
光とは第２電極２２を透過して出射する。すなわち、本実施形態の発光装置はトップエミ
ッション型である。
【００２７】
ところで、光透過性の導電材料の多くは抵抗率が高いから、この種の材料によって形成
された第２電極２２は高抵抗となってその面内における電圧降下が顕著となる。したがっ
て、各発光素子Ｅに印加される電圧が第２電極２２の面内（Ｘ−Ｙ平面内）の位置に応じ
て相違し、この結果として各発光素子Ｅの輝度にムラが発生する場合がある。以上のよう
な光量のバラツキを抑制するために、本実施形態においては、第２電極２２の導電性を補
助するための補助配線２７が形成される。補助配線２７は、第２電極２２よりも抵抗率が
低い導電材料（例えばアルミニウム）によって形成されて第２電極２２に導通する。本実
施形態の補助配線２７は第２電極２２と隔壁層２５との間（第２電極２２の直下）に形成
される。
【００２８】
次に、図２および図３を参照しながら各要素の具体的なレイアウトについて詳述する。
図２には、第ｉ行から第(i+3)行までの各行に属する３列分の発光素子Ｅが図示されてい
る。第ｉ行および第(i+2)行は偶数行であり、第(i+1)行および第(i+3)行は奇数行である
。
【００２９】
図２に示すように、偶数行の各発光素子ＥとそのＹ方向の正側に隣接する奇数行の各発
光素子Ｅとの間隙Ｓ1（幅Ｂ1）は、奇数行の各発光素子ＥとそのＹ方向の正側に隣接する
偶数行の各発光素子Ｅの間隙Ｓ2（幅Ｂ2）よりも広い（Ｂ1＞Ｂ2）。補助配線２７は、間
隙Ｓ1内にてＸ方向に延在するように形成され、間隙Ｓ2には形成されない。例えば、第ｉ
行と第(i+1)行との間隙Ｓ1および第(i+2)行と第(i+3)行との間隙Ｓ1の各々には補助配線
２７が形成され、第(i+1)行と第(i+2)行との間隙Ｓ2には補助配線２７が存在しない。す
なわち、奇数行とそのＹ方向の正側に隣接する偶数行の２行を単位として素子アレイ部Ａ
を区分すると、Ｙ方向に隣接する各単位の間隙には補助配線２７が形成され、ひとつの単
位に属する各行の間隙には補助配線２７が存在しない。以上のように本実施形態において
は、複数行（２行）ごとに１本の割合で補助配線２７が形成される。
【００３０】
補助配線２７が形成される位置には製造技術上の理由から誤差が発生する場合がある。
例えば、マスクを介した蒸着（詳細は後述する）によって補助配線２７を形成する場合に
は、マスクの寸法の誤差や基板１０とマスクとの位置合わせの誤差に起因して補助配線２
７が所期の位置（設計上の位置）とは相違する位置に形成される場合がある。補助配線２
７の位置に誤差がある場合でも補助配線２７と発光素子ＥとがＺ方向からみて重複しない
ように、本実施形態においては、補助配線２７の設計上の位置とその幅方向（Ｙ方向）の
両側に隣接する発光素子Ｅとの各間隙にはマージン領域Ｍが確保される。図２および図３
に示すように、マージン領域Ｍは、補助配線２７のうち発光素子Ｅ側の周縁と当該発光素
子Ｅのうち補助配線２７側の周縁（開口部２５１の内周縁）とに挟まれた領域である。
【００３１】
補助配線２７は２行ごとに１本の割合で形成されるから、マージン領域Ｍは偶数行とそ
のＹ方向の正側の奇数行との間隙Ｓ1のみに確保され、奇数行とそのＹ方向の正側の偶数
行との間隙Ｓ2には存在しない。図２および図３に示すように、各発光素子Ｅの第１電極
２１と駆動トランジスタＴdrとを導通させるコンタクトホールＣＨは、当該発光素子Ｅと
これに隣接する補助配線２７との間のマージン領域Ｍ内に、補助配線２７が延在するＸ方
向に沿って長尺状に形成される。したがって、発光素子Ｅとこれに対応したコンタクトホ
ールＣＨとのＹ方向の配置は奇数行と偶数行とで反対となる。すなわち、偶数行において
は発光素子ＥからみてＹ方向の正側にコンタクトホールＣＨが位置するのに対し、奇数行
においては発光素子ＥからみてＹ方向の負側にコンタクトホールＣＨが位置する。換言す
ると、相互に隣接する奇数行と偶数行との各発光素子Ｅのレイアウトは、両行間にてＸ方
向に延在する軸線Ｔに関して線対称となる。
【００３２】
以上に説明したように、本実施形態においては２行ごとに１本の補助配線２７が形成さ
れるから、全行の間隙に補助配線２７が形成された構成（以下「従来構成」という）と比
較して、発光素子Ｅが分布する領域（素子アレイ部Ａ）のうち補助配線２７の形成やマー
ジン領域Ｍの確保に必要となる総面積が削減（単純には半分に削減）される。したがって
、開口率の維持と補助配線２７の低抵抗化との両立が容易であるという利点がある。例え
ば、素子アレイ部Ａの開口率を従来構成と同等に維持するとすれば、補助配線２７の本数
や各々に対応するマージン領域Ｍの面積が削減された分だけ、各補助配線２７の線幅を従
来構成よりも広く確保することができる。あるいは、各補助配線２７の線幅を従来構成と
同等に維持するとすれば、素子アレイ部Ａの全体に占める補助配線２７やマージン領域Ｍ
の面積が削減された分だけ、各発光素子Ｅの面積を広く確保して従来構成よりも開口率を
増加させることができる。そして、駆動電流Ｉelの電流量が従来構成と同等であるとすれ
ば、開口率の増加によって各発光素子Ｅの光量を増大させることが可能となる。また、発
光装置から所期の光量を出射させるために各発光素子Ｅに供給すべき電気エネルギ（駆動
電流Ｉel）が開口率の増加によって低減されるから、電気エネルギの供給に起因した劣化
を抑制して発光素子Ｅが長寿命化されるという利点もある。
【００３３】
奇数行とそのＹ方向の正側の偶数行との間隙Ｓ2（幅Ｂ2）は発光に寄与しない領域（い
わゆるデッドスペース）となる。したがって、全行の各発光素子ＥがＹ方向に沿って等し
い間隔Ｂ1で配列する構成とすれば、素子アレイ部Ａにおける開口率が制約されるという
問題がある。本実施形態においては間隙Ｓ2が間隙Ｓ1よりも狭い（Ｂ2＜Ｂ1）。したがっ
て、各発光素子ＥがＹ方向に沿って等しい間隔Ｂ1に配列された構成と比較して、開口率
の増加を容易に実現することができる。
【００３４】
ところで、第１電極２１の表面のうちコンタクトホールＣＨと重なり合う部位には、コ
ンタクトホールＣＨの形状を反映した窪みが現れる。したがって、コンタクトホールＣＨ
と重なり合うように発光素子Ｅが形成された構成（すなわち開口部２５１の内側にコンタ
クトホールＣＨが存在する構成）においては、コンタクトホールＣＨに対向する領域とそ
れ以外の領域とで発光層２３の膜厚が相違し、これによって各発光素子Ｅの輝度の均一性
が損なわれる場合がある。また、第１電極２１の表面の窪みにて発光素子Ｅからの出射光
が散乱することも輝度の不均一性の原因となる。これに対し、本実施形態においては、Ｚ
方向からみてコンタクトホールＣＨとは重なり合わないように発光素子Ｅが形成される。
すなわち、第１電極２１のうち窪みのない平坦面の表面のみに発光素子Ｅの発光層２３が
形成されるから、各発光素子Ｅの輝度を均一化することが可能である。
【００３５】
また、マージン領域Ｍの外側にコンタクトホールＣＨが形成された構成においては、コ
ンタクトホールＣＨの面積を増加させるほど発光素子Ｅの面積が縮小して開口率が低下す
るという問題がある。これに対し、本実施形態においては、本来的に発光に寄与しない（
すなわち発光素子Ｅが形成されない）マージン領域Ｍ内にコンタクトホールＣＨが形成さ
れるから、発光素子Ｅの面積を縮小することなくコンタクトホールＣＨの面積を充分に確
保することが可能である。例えば図２のようにコンタクトホールＣＨをＸ方向に長尺状に
形成することで、第１電極２１と駆動トランジスタＴdrとの接触抵抗を低下させるととも
に両者間の導通の不良を抑制できるという利点がある。
【００３６】
＜発光装置の製造方法＞
次に、本実施形態に係る発光装置を製造する方法のうち補助配線２７を形成する工程に
ついて説明する。本実施形態の補助配線２７は、マスクを利用した蒸着（真空蒸着）によ
って形成される。なお、補助配線２７以外の要素の形成には総ての公知な技術が採用され
る。
【００３７】
図４は、補助配線２７を形成する工程を説明するための断面図（図３に対応する断面）
である。図４に示すように、補助配線２７の形成に先立って蒸着用のマスク５０が用意さ
れる。マスク５０は、領域ＲＡが開口するとともにそれ以外の領域ＲＢを遮蔽する形状に
作成される。領域ＲＡは、補助配線２７が形成される領域と対向するようにＸ方向に沿っ
て延在するスリット状の領域である。すなわち、領域ＲＡは、偶数行（第ｉ行や第(i+2)
行）とそのＹ方向の正側に隣接する奇数行（第(i+1)行や第(i+3)行）との間隙Ｓ1（より
詳細には間隙Ｓ1からマージン領域Ｍを除外した領域）に対向する領域である。一方、領
域ＲＢは、領域ＲＢ1と領域ＲＢ2と領域ＲＢ3とを含む。領域ＲＢ1は、各発光素子Ｅに対
向する領域である。領域ＲＢ2は、マージン領域Ｍに対向する領域である。領域ＲＢ3は、
奇数行（第(i+1)行）とそのＹ方向の正側の偶数行（第(i+2)行）との間隙Ｓ2に対向する
幅Ｂ2の領域である。
【００３８】
以上のマスク５０を利用した蒸着によって補助配線２７が形成される。すなわち、発光
層２３が形成された段階（第２電極２２の形成前）にある発光装置が真空中に配置され、
発光層２３と対向するようにマスク５０が配置される。そして、第２電極２２よりも抵抗
率が低い導電材料の蒸気Ｖをマスク５０側から発光装置に吹き付ける。以上の工程におい
て、マスク５０の領域ＲＢによって遮断された蒸気Ｖは発光装置に到達せず、マスク５０
の領域ＲＡを通過した蒸気Ｖが選択的に発光層２３の表面に付着・堆積することで補助配
線２７が図２の形状に形成される。
【００３９】
本実施形態の発光装置においては発光素子Ｅの２行ごとに１本の補助配線２７が形成さ
れるから、図４に示すようにマスク５０の領域ＲＢ3を開口させる必要はない。すなわち
、従来構成のように全行の間隙に補助配線２７を形成する場合（マスク５０の領域ＲＡに
加えて領域ＲＢ3も開口する場合）と比較して、マスク５０の機械的な強度を充分に維持
することができる。したがって、マスク５０の変形（例えば自重による撓み）に起因した
補助配線２７の寸法や位置の誤差を抑制することが可能である。
【００４０】
＜Ｂ：第２実施形態＞
次に、本発明の第２実施形態について説明する。なお、本実施形態のうち第１実施形態
と共通する要素については以上と同じ符号を付してその詳細な説明を適宜に省略する。
【００４１】
図５は、本実施形態に係る素子アレイ部Ａの構成を示す平面図（図２に対応する平面図
）である。第１実施形態においては、補助配線２７が発光素子Ｅの短辺（Ｘ方向）に沿っ
て延在する構成を例示した。これに対し、本実施形態における補助配線２７は、図５に示
すように発光素子Ｅの長辺（Ｙ方向）に沿って延在する。なお、図５においては、第ｊ列
から第(j+3)列までの各列に属する３行分の発光素子Ｅが図示されている。第ｊ列および
第(j+2)列は偶数列であり、第(j+1)列および第（j+3）列は奇数列である。
【００４２】
図５に示すように、本実施形態においては複数列（２列）ごとに１本の補助配線２７が
形成される。すなわち、第ｊ列と第(j+1)列との間隙Ｓ1および第(j+2)列と第(j+3)列との
間隙Ｓ1（幅Ｂ1）にはＹ方向に延在する補助配線２７が形成される一方、第(j+1)列と第(
j+2)列との間隙Ｓ2（幅Ｂ2（＜Ｂ1））に補助配線２７は形成されない。したがって、第
１実施形態と同様の効果が奏される。
【００４３】
次に、各発光素子Ｅを通過した駆動電流Ｉelが補助配線２７に流れ込むまでの区間の抵
抗値（以下「陰極側抵抗」という）について検討する。陰極側抵抗Ｒは、発光素子Ｅの周
縁から補助配線２７までの距離Ｌに比例するとともに補助配線２７が延在する方向に沿っ
た発光素子Ｅの寸法Ｗに反比例する（図２および図５参照）。第２実施形態においては発
光素子Ｅの長辺に沿って補助配線２７が延在するから、発光素子Ｅの短辺に沿って補助配
線２７が延在する第１実施形態と比較して寸法Ｗを充分に確保することができる。したが
って、本実施形態によれば第１実施形態と比較して陰極側抵抗Ｒが低減される。これによ
って第２電極２２における電圧降下が抑制されるから、陰極側抵抗Ｒが高い場合と比較し
て、発光素子Ｅの駆動に必要な電源電圧ＶELを低下させることが可能となる。
【００４４】
また、本実施形態においては発光素子Ｅの長辺に沿って補助配線２７が延在するから、
ひとつの発光素子Ｅに対応したマージン領域Ｍが第１実施形態と比較して拡大され、これ
によってマージン領域Ｍ内のコンタクトホールＣＨの面積を増加させることが可能となる
。したがって、コンタクトホールＣＨの拡大に起因した開口率の低下を回避しながら、第
１電極２１と駆動トランジスタＴdrとを良好に導通させることができる。
【００４５】
＜Ｃ：第３実施形態＞
次に、本発明の第３実施形態について説明する。なお、本実施形態のうち第１実施形態
と共通する要素については以上と同じ符号を付してその詳細な説明を適宜に省略する。
【００４６】
図６は、本実施形態に係る素子アレイ部Ａの構成を示す平面図（図２に対応する平面図
）であり、図７は、図６におけるVII−VII線からみた断面図である。第１実施形態におい
ては補助配線２７とコンタクトホールＣＨとが重なり合わない構成を例示した。これに対
し、本実施形態においては図６や図７に示すように、Ｚ方向からみてコンタクトホールＣ
Ｈと重なり合うように補助配線２７が形成される。すなわち、補助配線２７は、隔壁層２
５の略全幅にわたって形成され、奇数行の各発光素子ＥのコンタクトホールＣＨとそのＹ
方向の正側に隣接する偶数行の各発光素子ＥのコンタクトホールＣＨとに重なり合う。な
お、奇数行とそのＹ方向の正側の偶数行との間隙に補助配線２７が形成されない構成は第
１実施形態と同様である。また、補助配線２７の周縁と発光素子Ｅの周縁との間隙（コン
タクトホールＣＨの周縁と発光素子Ｅとの間隙の一部）はマージン領域Ｍとなる。
【００４７】
以上の構成によれば、第１実施形態と比較して補助配線２７の抵抗値が低減されるから
、第２電極２２における電圧降下を抑制するという効果はいっそう顕著となる。なお、図
６や図７においては第１実施形態の発光装置を変形した態様を例示したが、補助配線２７
がコンタクトホールＣＨに重なり合うという構成は第２実施形態の発光装置にも同様に適
用される。
【００４８】
また、補助配線２７は遮光性を有するから、第１電極２１の表面のうちコンタクトホー
ルＣＨと重なり合う部分の窪みに発光素子Ｅからの出射光や外光が到達したとしても、こ
の窪みにおける散乱光は補助配線２７によって遮断されて外部には出射しない。したがっ
て、素子アレイ部Ａの全体にわたって輝度の均一性が実現されるという利点もある。
【００４９】
＜Ｄ：変形例＞
以上の各形態には様々な変形を加えることができる。具体的な変形の態様を例示すれば
以下の通りである。なお、以下の各態様を適宜に組み合わせてもよい。
【００５０】
（１）変形例１  
以上の各形態においては、２行（第２実施形態では２列）ごとに１本の割合で補助配線
２７が形成された構成を例示したが、行数または列数と補助配線２７との比率は適宜に変
更される。例えば、発光素子Ｅの３行（３列）以上を単位として１本の補助配線２７が形
成される構成としてもよい。また、補助配線２７が配置されるピッチ（相互に隣接する各
補助配線２７の間隙に位置する発光素子Ｅの行数や列数）が素子アレイ部Ａの全域にわた
って共通する必要は必ずしもなく、素子アレイ部Ａ内の位置に応じて補助配線２７の疎密
を相違させてもよい。
【００５１】
（２）変形例２  
以上の各形態においては、複数の発光素子Ｅにわたって連続するように発光層２３が形
成された構成を例示したが、発光層２３が発光素子Ｅごとに分離された構成（例えば発光
層２３が隔壁層２５の開口部の内側のみに形成された構成）も採用される。また、隔壁層
２５は適宜に省略される。
【００５２】
（３）変形例３  
以上の各形態における単位回路Ｕの具体的な構成は任意である。例えば、図１において
は発光素子Ｅの輝度がデータ線１４の電圧値に応じて決定される電圧プログラミング方式
の回路を例示したが、発光素子Ｅの輝度がデータ線１４の電流値に応じて決定される電流
プログラミング方式の回路としてもよい。また、以上の各形態においては駆動電流Ｉelが
駆動トランジスタＴdrによって制御されるアクティブマトリクス方式の発光装置を例示し
たが、単位回路Ｕが能動素子を含まないパッシブマトリクス方式の発光装置にも本発明は
適用される。
【００５３】
（４）変形例４  
以上の各形態においては、隔壁層２５と第２電極２２との間に補助配線２７が介在する
構成を例示したが、補助配線２７が配置される位置は適宜に変更される。例えば、第２電
極２２の上面（隔壁層２５とは反対側の表面）に補助配線２７が形成されてもよい。補助
配線２７と第２電極２２との間に絶縁層などの他層が介在しない構成（すなわち補助配線
２７が第２電極２２の直上または直下に形成された構成）によれば、補助配線２７および
第２電極２２の一方を他方に続いて形成することで双方が電気的に接続される。したがっ
て、例えば両者間に絶縁層が介在する構成（補助配線２７と第２電極２２とが絶縁層のコ
ンタクトホールを介して導通する構成）と比較して製造工程の簡素化や製造コストの低減
が実現される。
【００５４】
もっとも、発光層２３よりも基板１０側に補助配線２７が形成されてもよい。例えば、
駆動トランジスタＴdrのゲート電極３２と同じ導電膜のパターニングによって補助配線が
形成され、第１絶縁層Ｆ1や第２絶縁層Ｆ2を貫通するコンタクトホールを介して第２電極
２２に電気的に接続された構成も採用される。
【００５５】
（５）変形例５  
以上の各形態においては有機ＥＬ材料からなる発光層２３を含む発光素子Ｅを例示した
が、本発明における発光素子Ｅはこれに限定されない。例えば、無機ＥＬ材料からなる発
光層２３を含む発光素子ＥやＬＥＤ（Light Emitting Diode）素子など様々な発光素子Ｅ
を採用することができる。本発明における発光素子Ｅは、電気エネルギの供給（典型的に
は電流の供給）によって発光する素子であれば足り、その具体的な構造や材料の如何は不
問である。
【００５６】
＜Ｅ：応用例＞
次に、本発明に係る発光装置を利用した電子機器について説明する。図８ないし図１０
には、以上の何れかの形態に係る発光装置を表示装置として採用した電子機器の形態が図
示されている。
【００５７】
図８は、発光装置を採用したモバイル型のパーソナルコンピュータの構成を示す斜視図
である。パーソナルコンピュータ２０００は、各種の画像を表示する発光装置Ｄと、電源
スイッチ２００１やキーボード２００２が設置された本体部２０１０とを具備する。発光
装置Ｄは有機発光ダイオード素子を発光素子Ｅとして使用しているので、視野角が広く見
易い画面を表示できる。
【００５８】
図９は、発光装置を適用した携帯電話機の構成を示す斜視図である。携帯電話機３００
０は、複数の操作ボタン３００１およびスクロールボタン３００２と、各種の画像を表示
する発光装置Ｄとを備える。スクロールボタン３００２を操作することによって、発光装
置Ｄに表示される画面がスクロールされる。
【００５９】
図１０は、発光装置を適用した携帯情報端末（ＰＤＡ：Personal  Digital  Assistant
s）の構成を示す斜視図である。情報携帯端末４０００は、複数の操作ボタン４００１お
よび電源スイッチ４００２と、各種の画像を表示する発光装置Ｄとを備える。電源スイッ
チ４００２を操作すると、住所録やスケジュール帳といった様々な情報が発光装置Ｄに表
示される。
【００６０】
なお、本発明に係る発光装置が適用される電子機器としては、図８から図１０に示した
機器のほか、デジタルスチルカメラ、テレビ、ビデオカメラ、カーナビゲーション装置、
ページャ、電子手帳、電子ペーパー、電卓、ワードプロセッサ、ワークステーション、テ
レビ電話、ＰＯＳ端末、プリンタ、スキャナ、複写機、ビデオプレーヤ、タッチパネルを
備えた機器等などが挙げられる。また、本発明に係る発光装置の用途は画像の表示に限定
されない。例えば、光書込型のプリンタや電子複写機といった画像形成装置においては、
用紙に形成されるべき画像に応じて感光体を露光する光ヘッド（書込ヘッド）が使用され
るが、この種の光ヘッドとしても本発明の発光装置は利用される。
【図面の簡単な説明】
【００６１】
【図１】本発明の第１実施形態に係る発光装置の電気的な構成を示す回路図である。
【図２】素子アレイ部の構成を示す平面図である。
【図３】図２におけるIII−III線からみた断面図である。
【図４】補助配線を形成する工程について説明するための断面図である。
【図５】第２実施形態における素子アレイ部の構成を示す平面図である。
【図６】第３実施形態における素子アレイ部の構成を示す平面図である。
【図７】図６におけるVII−VII線からみた断面図である。
【図８】本発明に係る電子機器の形態（パーソナルコンピュータ）を示す斜視図である。
【図９】本発明に係る電子機器の形態（携帯電話機）を示す斜視図である。
【図１０】本発明に係る電子機器の形態（携帯情報端末）を示す斜視図である。
【符号の説明】
【００６２】
Ａ……素子アレイ部、１２……走査線、１４……データ線、１６……電源線、１８……接
地線、Ｕ……単位回路、Ｅ……発光素子、Ｔdr……駆動トランジスタ、１０……基板、Ｆ
0……ゲート絶縁層、Ｆ1……第１絶縁層、Ｆ2……第２絶縁層、２１……第１電極、２２
……第２電極、２３……発光層、２５……隔壁層、２７……補助配線、Ｍ……マージン領
域。
【図１】
0004702136.tif 000002
【図２】
0004702136.tif 000003
【図３】
0004702136.tif 000004
【図４】
0004702136.tif 000005
【図５】
0004702136.tif 000006
【図６】
0004702136.tif 000007
【図７】
0004702136.tif 000008
【図８】
0004702136.tif 000009
【図９】
0004702136.tif 000010
【図１０】
0004702136.tif 000011