(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
放射ビームを遮断するためのアセンブリであって、該アセンブリは、
前記放射ビームの少なくとも一部を透過させるパイプであって、該パイプは内面を含み、該内面はアブレーション材料、例えば固体アンモニア、キセノン、スズおよび亜鉛を含む群から選択されるアブレーション材料を含み、かつ体積を囲う、パイプと、
遮断信号の受信の際に前記アブレーション材料の少なくとも一部をアブレーションするアブレーション生成デバイスと、
前記アブレーション生成デバイスを制御する制御ユニットとを含む、アセンブリ。
【請求項２】
前記アセンブリは、前記パイプに対して所定の配置における前記放射ビームを検出するディテクタをさらに含み、該ディテクタは、前記放射ビームの検出の際、検出信号を生成して前記制御ユニットに向かって前記検出信号を送信し、前記制御ユニットは、前記検出信号を受信してから所定の期間内に前記遮断信号を送信する、請求項１に記載のアセンブリ。
【請求項３】
前記アブレーション生成デバイスは、前記パイプの前記内面の配置に向かってレーザビームを誘導するレーザを含む、請求項１に記載のアセンブリ。
【請求項４】
前記アブレーション生成デバイスは、前記パイプの前記内面に極めて接近した熱ジェネレータを含む、請求項１に記載のアセンブリ。
【請求項５】
前記体積は、ヘリウム、アルゴン、水素および窒素を含む群から選択されるガスのようなガスによって少なくとも部分的に満たされている、請求項１に記載のアセンブリ。
【請求項６】
請求項１に記載のアセンブリを複数含む構成であって、前記アセンブリはマトリックス形式で構成される、構成。
【請求項７】
前記複数のアセンブリ内の各アセンブリは、制御ユニットによって個別に制御される、請求項６に記載の構成。
【請求項８】
前記制御ユニットは単一の制御ユニットであり、該単一の制御ユニットは、デバイスレイアウトが格納されているメモリを含み、前記単一の制御ユニットは、前記デバイスレイアウトに基づいて前記複数のアセンブリを個別に制御する、請求項７に記載の構成。
【請求項９】
ＥＵＶ放射のような放射ビームを提供する照明システムと、
放射ビームの断面にパターンを付与するように働くパターニングデバイスを支持するサポート構造と、
基板を保持する基板ホルダと、
パターン付きビームを前記基板上に露光させる投影システムとを含み、
少なくとも１つの請求項１に記載のアセンブリをさらに含む、リソグラフィ装置。
【請求項１０】
放射ビームを提供する照明システムと、
請求項１に記載のアセンブリを複数含む構成であって、該アセンブリは放射ビームの断面にパターンを付与するように構成されたマトリックス形式で構成される、構成と、
基板を保持する基板ホルダと、
パターン付きビームを前記基板上に露光させる投影システムとを含む、リソグラフィ装置。
【請求項１１】
放射ビームを遮断する方法であって、
アブレーション材料を含みかつ体積を囲う内面を含むパイプと、アブレーション生成デバイスと、前記アブレーション生成デバイスと接続される制御ユニットとを含むアセンブリを提供することと、
放射ビームの少なくとも一部が前記パイプを通って透過されるように前記放射ビームを提供することと、
前記制御ユニットから前記アブレーション生成デバイスに向かって遮断信号を送信することと、
前記制御ユニットから受信した前記遮断信号に応答して前記アブレーション生成デバイスによって前記パイプ内の前記アブレーション材料のアブレーションを生成することと
を含む、方法。
【請求項１２】
前記アセンブリは、前記制御ユニットと接続されるディテクタをさらに含み、前記方法は、前記放射ビームを提供することの後に、
前記ディテクタによって前記放射ビームを検出することと、
検出の際、前記ディテクタから前記制御ユニットに向かって検出信号を送信することと、
前記検出信号の受信に応答して前記制御ユニットによって前記アブレーション生成デバイスに向かって前記遮断信号を送信することと
を含む、請求項１１に記載の方法。
【請求項１３】
前記アブレーション生成デバイスに向かって前記遮断信号を送信することは、所定の時間の後に行われ、前記方法は、パルス長およびパルス波形を例えば含む前記放射ビームのパラメータに基づいて前記所定の時間を計算することを含む、請求項１２に記載の方法。
【請求項１４】
プロセッサによって実行された場合、請求項１２に記載の方法を行うためのコンピュータプログラムで符号化されたコンピュータ読取可能媒体。
【請求項１５】
所定のパルス長およびパルス波形を有するＥＵＶ放射ビームを遮断するためのアセンブリであって、該アセンブリは、
前記放射ビームの少なくとも一部を収容するパイプであって、該パイプは内面を含み、該内面はアブレーション材料を含みかつ体積を囲う、パイプと、
前記パイプ内の所定の配置における前記放射ビームを検出するディテクタと、
前記アブレーション材料をアブレーションするカソード−アノード組み合わせと、
前記アブレーション生成デバイスを制御する制御ユニットであって、前記ディテクタによる前記ＥＵＶ放射ビームの検出の際、前記ディテクタは、前記制御ユニットに向かって送信される検出信号を生成し、前記制御ユニットは、特定の期間の後に前記アブレーション生成デバイスに向かって遮断信号を送信する、制御ユニットと
を含む、アセンブリ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
[0001]  本発明は、放射ビームを遮断するためのアセンブリおよびそのようなアセンブリを含むリソグラフィ装置に関する。本発明は、複数のそのようなアセンブリを含む構成にさらに関する。本発明は、放射ビームを遮断する方法にさらに関する。最後に、本発明は、プロセッサによって実行された場合にそのような方法を行うためのコンピュータプログラムに関する。
【背景技術】
【０００２】
[0002]  リソグラフィ装置は、所望のパターンを基板上、通常、基板のターゲット部分上に付与する機械である。リソグラフィ装置は、例えば、集積回路（ＩＣ）の製造に用いることができる。その場合、マスクまたはレチクルとも呼ばれるパターニングデバイスを用いてＩＣの個々の層上に形成される回路パターンを生成することができる。このパターンは、基板（例えば、シリコンウェーハ）上のターゲット部分（例えば、ダイの一部、または１つ以上のダイを含む）に転写することができる。通常、パターンの転写は、基板上に設けられた放射感応性材料（レジスト）層上への結像によって行われる。一般に、単一の基板に、連続的にパターンが付けられた隣接ターゲット部分のネットワークが含まれている。公知のリソグラフィ装置としては、ターゲット部分上にパターン全体を一度に露光することにより各ターゲット部分を照射するいわゆるステッパや、放射ビームによってある特定の方向（「スキャン」方向）にパターンをスキャンすると同時に、この方向に平行または逆平行に基板をスキャンすることにより各ターゲット部分を照射するいわゆるスキャナが挙げられる。パターンを基板上にインプリントすることにより、パターニングデバイスから基板にパターンを転写することも可能である。
【０００３】
[0003]  より一層小さい半導体デバイスへの要求は、リソグラフィ加工プロセスがより小さいクリティカルディメンジョンを有するパターンフィーチャおよびプロファイルを達成する必要を駆り立てる。現代のリソグラフィ装置の限定のうちの１つは、基板に制御可能に届く光子の数に関する。リソグラフィ装置内の放射源は、特定のパルス周波数およびパルス長を有する放射を生成するパルスレーザである。結果的に、基板上に入射する光子の最小数は、単一のパルス内の光子の数に相当する。
【発明の概要】
【０００４】
[0004]  基板上に入射する光子の数を制御可能な方法において単一の放射源パルス内の光子の数より低い数に制限するためのデバイスおよび方法を提供することが望ましい。
【０００５】
[0005]  したがって、本発明は、放射ビームを遮断するためのアセンブリであって、アセンブリは、
[0006] - 放射ビームの少なくとも一部を透過させるパイプであって、パイプは内面を含み、内面はアブレーション材料を含みかつ体積を囲う、パイプと、
[0007] - 遮断信号の受信の際にアブレーション材料の少なくとも一部をアブレーションするアブレーション生成デバイスと、
[0008] - アブレーション生成デバイスを制御する制御ユニットと
を含む、アセンブリを提供する。
【０００６】
[0009]  さらに、一実施形態では、本発明は、複数の前述のアセンブリを含む構成であって、アセンブリはマトリックス形式で構成される、構成を提供する。
【０００７】
[0010]  さらに、一実施形態では、本発明は、
[0011] - 放射ビームを提供する照明システムと、
[0012] -放射ビームの断面にパターンを付与するように働くパターニングデバイスを支持するサポート構造と、
[0013] - 基板を保持する基板ホルダと、
[0014] - パターン付きビームを基板上に露光させる投影システムとを含む、リソグラフィ装置であって、
[0015]  少なくとも１つのそのようなアセンブリをさらに含む、リソグラフィ装置を提供する。
【０００８】
[0016]  さらに、一実施形態では、本発明は、放射ビームを遮断する方法であって、
[0017] - アブレーション材料を含みかつ体積を囲う内面を含むパイプと、アブレーション生成デバイスと、アブレーション生成デバイスと接続される制御ユニットとを含むアセンブリを提供することと、
[0018] - 放射ビームの少なくとも一部がパイプを通って透過されるように放射ビームを提供することと、
[0019] - 制御ユニットからアブレーション生成デバイスに向かって遮断信号を送信することと、
[0020] - 制御ユニットから受信した遮断信号に応答してアブレーション生成デバイスによってパイプ内のアブレーション材料のアブレーションを生成することと
を含む、方法を提供する。
【０００９】
[0021]  最後に、一実施形態では、本発明は、プロセッサによって実行された場合、そのような方法を行うためのコンピュータプログラムを提供する。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
[0022]  本発明の実施形態を、単なる例として、添付の概略図面を参照して説明する。これらの図面において対応する参照符号は対応する部分を示す。
【図１】[0023]  図１は、本発明の一実施形態によるリソグラフィ装置を示す。
【図２ａ】[0024]  図２ａは、本発明の一実施形態を使用せずに時間の関数としてＥＵＶ放射パルスの強度プロファイルを示す。
【図２ｂ】[0025]  図２ｂは、本発明の一実施形態を使用して時間の関数としてＥＵＶ放射パルスの強度プロファイルを示す。
【図３】[0026]  図３は、本発明の第１の実施形態による放射ビームを遮断するためのアセンブリの断面図を示す。
【図４】[0027]  図４は、図３に示されるようなアセンブリを複数示す。
【図５】[0028]  図５は、本発明の第２の実施形態による放射ビームを遮断するためのアセンブリを示す。
【図６】[0029]  図６は、本発明の第３の実施形態による放射ビームを遮断するためのアセンブリを示す。
【図７】[0030]  図７は、本発明の第４の実施形態による放射ビームを遮断するためのアセンブリを示す。
【図８】[0031]  図８は、本発明の第１の実施形態による放射ビームを遮断するための方法を図示するフローチャートを示す。
【図９】[0032]  図９は、本発明の第２の実施形態による放射ビームを遮断するための方法を図示するフローチャートを示す。
【図１０】[0033]  図１０は、本発明の一実施形態によるアセンブリによって使用され得る制御ユニットの一実施形態を示す。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
[0034]  図１は、本発明の一実施形態によるリソグラフィ装置を概略的に示す。このリソグラフィ装置は、
[0035] - 放射ビームＢ（例えば、ＵＶ放射またはＥＵＶ放射）を調整するように構成された照明システム（イルミネータ）ＩＬと、
[0036] - パターニングデバイス（例えば、マスク）ＭＡを支持するように構成され、かつ特定のパラメータに従ってパターニングデバイスを正確に位置付けるように構成された第１ポジショナＰＭに連結されるサポート構造（例えば、マスクテーブル）ＭＴと、
[0037] - 基板（例えば、レジストコートウェーハ）Ｗを保持するように構成され、かつ特定のパラメータに従って基板を正確に位置付けるように構成された第２ポジショナＰＷに連結される基板テーブル（例えば、ウェーハテーブル）ＷＴと、
[0038] - パターニングデバイスＭＡによって放射ビームＢに付けられたパターンを基板Ｗのターゲット部分Ｃ（例えば、１つ以上のダイを含む）上に投影するように構成された投影システム（例えば、屈折投影レンズシステム）ＰＳとを含む。
【００１２】
[0039]  照明システムとしては、放射を誘導、整形、または制御するために、屈折型、反射型、磁気型、電磁型、静電型、またはその他のタイプの光コンポーネント、或いはそれらのあらゆる組合せ等の様々なタイプの光コンポーネントを含むことができる。
【００１３】
[0040]  サポート構造は、パターニングデバイスを支持、つまり、重さを支える。サポート構造は、パターニングデバイスの配向、リソグラフィ装置の設計、および、パターニングデバイスが真空環境内で保持されているか否か等の他の条件に応じた態様で、パターニングデバイスを保持する。サポート構造は、機械式、真空式、静電式またはその他のクランプ技術を使って、パターニングデバイスを保持することができる。サポート構造は、例えば、必要に応じて固定または可動式にすることができるフレームまたはテーブルであってもよい。サポート構造は、パターニングデバイスが、例えば、投影システムに対して所望の位置にあることを確実にしうる。ここで使用する「レチクル」または「マスク」という用語はすべて、より一般的な「パターニングデバイス」という用語と同義であると考えてよい。
【００１４】
[0041]  ここで使用する「パターニングデバイス」という用語は、基板のターゲット部分内にパターンを作り出すように、放射ビームの断面にパターンを与えるために使用できるあらゆるデバイスを指すと広く解釈すべきである。なお、放射ビームに付けられたパターンは、例えば、そのパターンが位相シフトフィーチャまたはいわゆるアシストフィーチャを含む場合、基板のターゲット部分内の所望のパターンに正確に一致しない場合もあることに留意されたい。通常、放射ビームに付けたパターンは、集積回路等のターゲット部分内に作り出されるデバイス内の特定機能層に対応することになる。
【００１５】
[0042]  パターニングデバイスは、透過型であっても、反射型であってもよい。パターニングデバイスの例としては、マスク、プログラマブルミラーアレイ、およびプログラマブルＬＣＤパネルが含まれる。マスクは、リソグラフィでは周知であり、バイナリ、レベンソン型(alternating)位相シフト、およびハーフトーン型(attenuated)位相シフト等のマスク型、ならびに種々のハイブリッドマスク型を含む。プログラマブルミラーアレイの一例では、小型ミラーのマトリクス配列が用いられ、小型ミラーはそれぞれ個別に傾斜されて、入射する放射ビームを様々な方向に反射させることができる。傾斜されたミラーは、ミラーマトリックスによって反射される放射ビームにパターンを付ける。
【００１６】
[0043]  ここで使用する「投影システム」という用語は、用いられる露光放射に、または液浸液の使用若しくは真空の使用といった他の要因に適切な屈折型、反射型、反射屈折型、磁気型、電磁型、および静電型光学系、またはそれらのあらゆる組合せを含むあらゆる型の投影システムを包含していると広く解釈すべきである。ここで使用する「投影レンズ」という用語はすべて、より一般的な「投影システム」という用語と同義であると考えてよい。
【００１７】
[0044]  ここで示されるとおり、装置は、透過型のもの（例えば、透過型マスクを採用しているもの）である。あるいは、装置は、反射型のもの（例えば、上述のプログラマブルミラーアレイを採用しているもの、または反射型マスクを採用しているもの）であってもよい。
【００１８】
[0045]  リソグラフィ装置は、２（デュアルステージ）以上の基板テーブル（および／または２つ以上のマスクテーブル）を有するタイプのものであってもよい。そのような「マルチステージ」機械では、追加のテーブルを並行して用いることができるか、または、予備工程を１つ以上のテーブル上で実行しつつ、別の１つ以上のテーブルを露光用に使うこともできる。
【００１９】
[0046]  リソグラフィ装置は、投影システムと基板との間の空間を満たすように、比較的高い屈折率を有する液体、例えば水によって基板の少なくとも一部を覆うことができるタイプのものであってもよい。液侵液は、例えば、マスクと投影システムとの間といったリソグラフィ装置内の別の空間に加えられてもよい。液浸技術は、当該技術において、投影システムの開口数を増加させることでよく知られている。ここで使用する「液浸」という用語は、基板といった構造物を液体内に沈めなければならないという意味ではなく、単に、露光中に投影システムと基板との間に液体があるということを意味するものである。
【００２０】
[0047]  図１を参照するに、イルミネータＩＬは、放射源ＳＯから放射ビームを受け取る。例えば、放射源がエキシマレーザである場合、放射源とリソグラフィ装置は、別個の構成要素であってもよい。そのような場合には、放射源は、リソグラフィ装置の一部を形成しているとはみなされず、また放射ビームは、放射源ＳＯからイルミネータＩＬへ、例えば、適切な誘導ミラーおよび／またはビームエキスパンダを含むビームデリバリシステムＢＤを使って送られる。その他の場合においては、例えば、放射源が水銀ランプである場合、放射源は、リソグラフィ装置の一体部分とすることもできる。放射源ＳＯおよびイルミネータＩＬは、必要ならばビームデリバリシステムＢＤとともに、放射システムと呼んでもよい。
【００２１】
[0048]  イルミネータＩＬは、放射ビームの角強度分布を調節するアジャスタＡＤを含むことができる。一般に、イルミネータの瞳面内の強度分布の少なくとも外側および／または内側半径範囲（一般にそれぞれσ-outerおよびσ-innerと呼ばれる）を調節することができる。さらに、イルミネータＩＬは、インテグレータＩＮおよびコンデンサＣＯといった様々な他のコンポーネントを含んでもよい。イルミネータを用いて放射ビームを調整することにより、放射ビームの断面に所望の均一性および強度分布をもたせることができる。
【００２２】
[0049]  放射ビームＢは、サポート構造（例えば、マスクテーブルＭＴ）上に保持されているパターニングデバイス（例えば、マスクＭＡ）上に入射し、パターニングデバイスによってパターンが付けられる。マスクＭＡを通り抜けた後、放射ビームＢは投影システムＰＳを通過し、投影システムＰＳは、基板Ｗのターゲット部分Ｃ上にビームの焦点を合わせる。基板テーブルＷＴは、第２のポジショナＰＷおよび位置センサＩＦ（例えば、干渉計デバイス、リニアエンコーダ、または静電容量センサ）に支援されて、例えば、様々なターゲット部分Ｃを放射ビームＢの経路内に位置付けるように、正確に動かすことができる。同様に、第１ポジショナＰＭおよび別の位置センサ（図１には明示的に示されていない）を用いて、マスクＭＡを、例えば、マスクライブラリからマスクを機械的に取り出した後またはスキャン中に、マスクＭＡを放射ビームＢの経路に対して正確に位置付けることもできる。一般に、マスクテーブルＭＴの動きは、第１ポジショナＰＭの一部を形成するロングストロークモジュール（粗動位置決め）およびショートストロークモジュール（微動位置決め）を用いて実現することができる。同様に、基板テーブルＷＴの動きも、第２ポジショナＰＷの一部を形成するロングストロークモジュールおよびショートストロークモジュールを用いて実現することができる。ステッパ（スキャナとは対照的に）の場合は、マスクテーブルＭＴは、ショートストロークアクチュエータのみに連結されるか、または固定されてもよい。マスクＭＡと基板Ｗは、マスクアライメントマークＭ１およびＭ２と、基板アライメントマークＰ１およびＰ２を用いて位置合わせされてもよい。図示する基板アライメントマークは専用ターゲット部分を占めているが、基板アライメントマークはターゲット部分間の空間内に置くこともできる（これらは、スクライブラインアライメントマークとして公知である）。同様に、複数のダイがマスクＭＡ上に設けられている場合、マスクアライメントマークは、ダイとダイの間に置かれてもよい。
【００２３】
[0050]  例示の装置は、以下に説明するモードのうち少なくとも１つのモードで使用することができる。
【００２４】
[0051]  １．ステップモードでは、マスクテーブルＭＴおよび基板テーブルＷＴを基本的に静止状態に保ちつつ、放射ビームに付けられたパターン全体を一度にターゲット部分Ｃ上に投影する（即ち、単一静的露光）。その後、基板テーブルＷＴは、Ｘおよび／またはＹ方向に移動され、それによって別のターゲット部分Ｃを露光することができる。ステップモードでは、露光フィールドの最大サイズによって、単一静的露光時に結像されるターゲット部分Ｃのサイズが限定される。
【００２５】
[0052]  ２．スキャンモードでは、マスクテーブルＭＴおよび基板テーブルＷＴを同期的にスキャンする一方で、放射ビームに付けられたパターンをターゲット部分Ｃ上に投影する（即ち、単一動的露光）。マスクテーブルＭＴに対する基板テーブルＷＴの速度および方向は、投影システムＰＳの（縮小）拡大率および像反転特性によって決めることができる。スキャンモードでは、露光フィールドの最大サイズよって、単一動的露光時のターゲット部分の幅（非スキャン方向）が限定される一方、スキャン動作の長さによって、ターゲット部分の高さ（スキャン方向）が決まる。
【００２６】
[0053]  ３．別のモードでは、プログラマブルパターニングデバイスを保持した状態で、マスクテーブルＭＴを基本的に静止状態に保ち、また基板テーブルＷＴを動かす、またはスキャンする一方で、放射ビームに付けられているパターンをターゲット部分Ｃ上に投影する。このモードでは、一般にパルス放射源が採用されており、さらにプログラマブルパターニングデバイスは、基板テーブルＷＴの移動後ごとに、またはスキャン中の連続する放射パルス間に必要に応じて更新される。この動作モードは、前述の型のプログラマブルミラーアレイといったプログラマブルパターニングデバイスを利用するマスクレスリソグラフィに容易に適用することができる。
【００２７】
[0054]  上述の使用モードの組合せおよび／または変形、或いは完全に異なる使用モードも採用してもよい。
【００２８】
[0055]  図２ａは、本発明の一実施形態を使用せずに時間の関数としてＥＵＶ放射パルスの強度プロファイルを示す。ＥＵＶ放射の一般的なパルス長は、３０〜１００ｎｓである。明らかであるように、放射パルスの強度プロファイルは、経時的に変化する。しかしながら、放射パルスのパルス長およびパルス波形は、実質的に経時的に一定であることが分かる。単一の放射パルスの積分は、１パルスごとの光子の数を与える。この情報は、本発明の実施形態で採用されている。図２ｂは、本発明の一実施形態を使用して時間の関数としてＥＵＶ放射パルスの強度（Ｉ）プロファイルを示す。図２ａで示される強度プロファイルと比較して、パルスは切断されている。本発明の実施形態では、切断ポイントｔｃｕｔ−ｏｆｆは、予め選択された数の光子を透過させるように選択されており、予め選択された数の光子は、図２ａで示される放射パルス全体に存在する光子の数より少ない。
【００２９】
[0056]  図３は、本発明の第１の実施形態による放射ビームを遮断するためのアセンブリの断面図を示す。アセンブリは、パイプ１、電力供給３および制御ユニット５を含む。ここで使用する「パイプ」という用語は、チューブのような、完全に閉じられた内面を有する構造に限定されず、体積が囲われるようにお互いに対して極めて接近する多数の側壁を有する構造として言及されてもよい。後者の場合、他の側壁に「面している」１つの側壁の表面を内面と呼ぶ。パイプは、実質的に円形の断面形状を有し得るが、別の多角形の断面形状、例えば、六角形のハニカム構造、を有してもよい。
【００３０】
[0057]  パイプ１は、例えば、層２の形を有するアブレーション材料を含む内面を含む。本発明の実施形態で使用されてもよい適したアブレーション材料としては、固体アンモニア（ＮＨ３）、キセノン（Ｘｅ）、スズ（Ｓｎ）および亜鉛（Ｚｎ）を含む。パイプ１の内面は、体積９を囲う。一実施形態では、パイプ１は、直径１０〜２００μｍおよび長さ０．０１〜１ｃｍを有する。パイプ１は、放射ビームの少なくとも一部を透過させるように構成されており、これは、図３において破線の矢印１１を用いて示されている。電力供給３は、アブレーション生成デバイスとして使用されており、即ち、パイプ１の内面に存在するアブレーション材料の少なくとも一部をアブレーションするように構成されている。電力供給３は、一箇所において、即ち、図３の左端のように一端において、パイプ１に接続されてもよく、電力供給３の一極として、即ち、この場合はカソードとして役立つ。電力供給３のもう一方の極、即ち、アノードは、極めて接近しているが、パイプ１に接続されていない別の位置に配置された電極１０と接続されている。電力供給３がある一定の閾値を超える電圧を提供した場合、放電が生成され、結果として、内面から体積９への材料のアブレーションを可能にするために十分に高いエネルギーバーストが生ずる。
【００３１】
[0058]  電力供給３は、制御ユニット５に接続され、かつ制御ユニット５によって制御されてもよい。
【００３２】
[0059]  制御ユニット５は、プロセッサ１３およびメモリ１５を含み、一実施形態では、これらは互いに接続されている。一実施形態では、プロセッサ１３およびメモリ１５は、互いに通信できるように構成されている。プロセッサ１３は、電力供給３が上記の閾値を超える上記の電圧を提供する瞬間および／または期間を計算するように構成されてもよい。そのような計算では、情報が、例えば、オペレータによって入力端子（図示せず）等を介して挿入され得るメモリ１５に格納されたデータが使用されてもよい。メモリ１５は、本出願に記載される実施形態のうちの少なくとも１つに従った機能性をプロセッサに提供するためにプロセッサ、例えば、プロセッサ１３、によって読取可能および実行可能であるプログラミングラインを含んでもよい。１つのプロセッサ１３および１つのメモリ１５のみを示しているが、本発明の実施形態は、単一のプロセッサ１３および／または単一のメモリ１５より多く含む制御ユニット５を含んでもよいことに留意されたい。
【００３３】
[0060]  動作中、アセンブリは以下のように作動する。パイプ１を通って誘導される放射ビームの少なくとも一部を遮断することが望ましい場合、制御ユニット５は、アブレーション生成デバイス、即ち、電力供給３へと向かう遮断信号を送信し得る。遮断信号に応答して、電力供給３は、上記の閾値を超える電圧を提供し、放電が生成される。放電は、アブレーション材料が体積９へとアブレーションすることを引き起こす。体積９内のガス状形態を有するアブレーション材料は、パイプ１を通って進む放射ビームに対するバリアを形成する。放射ビームがＥＵＶ放射等であった場合、そのようなバリアは、放射に対してほぼ直ちに不透明になる。結果的に、通常では放射がパイプ１を通って出るそのパイプ１の端における観察者に対しては、光は突然「スイッチオフされる」。したがって、パイプ１内のアブレーション材料ガスバリアは、光スイッチを形成する。パイプ１の体積９内のアブレーション材料のガスの放散は音波的(sonic)であり、したがって、１〜１０ｎｓしかかからない。ＥＵＶ放射を効果的に吸収するために数ｍｂａｒ＊ｃｍの材料が既に十分であるため、そのような固体状態の光スイッチは、パイプ断面寸法およびアブレーション材料の音速によって、３〜３０ｎｓ内において、放射ビーム、例えば、ＥＵＶ放射をスイッチできるという結果になる。ＥＵＶ放射の光パルスの一般的なパルス長が３０〜１００ｎｓであるため、長いＥＵＶパルスは切断され得る。パイプの長さがパイプ径よりかなり長い、例えば、１０００：１のアスペクト比、即ち、１０μｍのパイプ径および１０ｍｍのパイプの長さである実施形態においては、アブレーション材料のガスは、パイプ１の内面へと効果的に戻り、電力供給３がスイッチオフされた後にパイプ１から去らない。結果的に、パイプの内面のエッチングは、制限される。
【００３４】
[0061]  一実施形態では、アセンブリは、ディテクタ７をさらに含む。ディテクタ７は、放射ビームの少なくとも一部を検出するように構成され、制御ユニット５に接続されている。図２ｂに示されるように、放射パルス自体のパルス長を切断できるように、スイッチオフ動作はパルス放射と同期されてもよい。ディテクタ７は、パイプ１内またはパイプ１に対して特定の位置における放射パルスを検出するように構成され、検出の際に制御ユニット５に向かって検出信号を送信する。受信された検出信号に応答して、制御ユニット５は、アブレーション生成デバイス、即ち、カソードおよびアノードに接続された電力供給３に向かって遮断信号を送信してもよい。
【００３５】
[0062]  制御ユニット５は、遮断信号を送信する前に特定の時間Δｔ待ってもよく、Δｔは、パルス内の所望の切断ポイント、放射パルスを検出するためにかかる時間、ディテクタ７から制御ユニット５に向かって検出信号を送信するためにかかる時間、制御ユニット５からアブレーション生成デバイスに向かって遮断信号を送信するためにかかる時間による。この動作は、制御ユニット５内のメモリ１５とともにプロセッサ１３によって行われてもよい。その場合、放射パルス内の所望の切断ポイントに対する情報は、検出および検出信号を送信するためにかかる時間とともに遮断信号を送信するためにかかる時間に対する情報とともに、メモリ１５内に格納されてもよい。メモリ１５に格納されたこの情報に基づいて、プロセッサ１３は、時間Δｔを計算し得る。次いで、制御ユニット５は、検出信号の受信に応答して遮断信号が送信される前に期間Δｔ待つ。
【００３６】
[0063]  遮断信号に応答して、アブレーション生成デバイスは、スイッチをトリガし、即ち、電力供給３は速い放電、即ち、１〜２ｎｓの放電を引き起こし、それによって、材料はパイプ１内でアブレーションされ、これにより、アブレーション材料は、アブレーション材料ガスバリアを形成する。
【００３７】
[0064]  上述したように、パイプ１に対するディテクタ７の位置、ディテクタ７から制御ユニット５に向かって遮断信号を送信するための時間、遮断信号の受信の処理および電力供給３へと向かう遮断信号の対応する送信のための時間とともに、電力供給３がアブレーション材料ガスバリアを生成するためにかかる時間を事前に知っていた場合、非常に信頼性のある光スイッチが形成され得る。正確に寸法設定した場合、ＥＵＶ放射ビームをスイッチオンおよびスイッチオフするための３〜３０ｎｓ内の上述のスイッチング時間が達成され得る。そのような性能は、パイプ１を通って透過される放射ビーム内の光子の数の制御を可能にし得る。
【００３８】
[0065]  一実施形態では、体積９は、ガス供給１４によって提供されるガス、即ち、いわゆる開始ガスによって少なくとも部分的に満たされる。開始ガスは、パイプ１内のアブレーション材料のアブレーションを引き起こす放電を生成するための補助として役立ち得る。開始ガスとして適しているガスは、ヘリウム（Ｈｅ）、アルゴン（Ａｒ）、水素（Ｈ２）および窒素（Ｎ２）を含む。
【００３９】
[0066]  代替の実施形態では、体積９内の放射透明度を影響しないために十分に低い量のアブレーション材料をアブレーションするように追加の電力供給（図示せず）を有する小さいエネルギーを提供することによって、少量のアブレーション材料がアブレーションされる。遮断信号を受信した場合、電力供給３は、体積９の電流の急増をもたらし、結果として、上述したようにアブレーション材料ガスバリアの生成が生じる。本実施形態では、放電によって生じるジッタ(jitter)は、減少し得る。
【００４０】
[0067]  図４は、図３に示されるようなアセンブリを複数示す。各アセンブリは、パイプ１およびアブレーション生成デバイス、即ち、電力供給３を含む。一実施形態では、各パイプ１は、放射ビーム、即ち、サブビームの一部を透過させるように構成されており、このサブビームは、図４において破線の矢印１２によって示されている。代替の実施形態では、いくつかのアセンブリが、アブレーション生成デバイス、即ち、電力供給３を共有し得ることが理解されたい。その場合、アブレーション生成デバイスを共有するアセンブリ内に存在するパイプ１におけるアブレーションは、アブレーション生成デバイスによって制御ユニット５から遮断信号を受信すると同時に生成される。
【００４１】
[0068]  図４に示される複数のアセンブリの実施形態では、全てのアセンブリが制御ユニット５を共有する。さらに、制御ユニット５は、各アセンブリの動作を個別に制御する。しかしながら、代替の実施形態では、各アセンブリが別々の制御ユニット５によって個別に制御され、またはいくつかのアセンブリが単一の制御ユニット５によって一群として制御されることも可能であることが理解されたい。後者は、いくつかのアセンブリが、単一の制御ユニット５に接続されている単一のアブレーション生成デバイス３に接続された場合に生じ得る。
【００４２】
[0069]  図４に示される複数のアセンブリの実施形態では、全てのアセンブリにディテクタ７が設けられる。しかしながら、単なる放射ビームの遮断、即ち、放射パルス間の遮断のために構成された本発明の実施形態では、ディテクタ７は存在しない場合があることが理解されたい。
【００４３】
[0070]  アセンブリは、ある種のマトリックス形式、例えば、図４に示されるようにラインのような一次元マトリックス、または、例えば、マルチチャネルプレートに使用される二次元マトリックスで構成されてもよい。お互いに対するパイプ１の構成は、当面の特定の状況に適応されてもよく、例えば、パイプ１は、正方形（Ｘ−Ｙ）パターン、あるいは、六角形パターンで構成されてもよい。
【００４４】
[0071]  最適の結果を有するマトリックス形式は、パイプ１の断面形状によることがある。パイプの六角形断面の場合、マトリックス形式は、ハニカムのようなマトリックス構造の形式を有してもよい。
【００４５】
[0072]  パイプがマトリックス形式で構成された場合、放射ビームは、部分的にスイッチオフおよびスイッチオンされ得る。例えば、パイプが４つあり、各パイプが放射ビームの４分の１の透過を受け入れるように構成された場合、遮断信号をパイプのうちの１つに送信することは、放射ビームの４分の３の透過という結果になる。同様に、同時に４つの遮断信号を送信することは、放射ビーム全体の遮断という結果になる。このようにして、放射ビームの強度は、段階的な方法で制御可能であり得る。さらに、適した空間構成のパイプ１では、異なる照明モードが形成されてもよい。
【００４６】
[0073]  上述したように、全ての遮断信号が、単一の制御ユニット５によって送信されてもよい。しかしながら、他の実施形態では、各アセンブリは、そのものの制御ユニットを使用する。１つより多いパイプ１がアブレーション生成デバイス、即ち、電力供給３、に接続されている場合、これらのパイプ１は、お互いに対応してスイッチオンおよびスイッチオフされる。
【００４７】
[0074]  パイプのマトリックスで構成されたアセンブリの実施形態は、マスクレスリソグラフィシステムを提供するために使用されてもよい。マトリックスは、次いで、プログラマブルパターニングデバイス、例えば、空間光変調器（spatial light modulator ＳＬＭ）として役立ち得る。制御ユニット５は、露光される対象物の光パルス期間情報、物理的レイアウト情報および走査速度のうちの少なくとも１つに対応して遮断信号を生成する。このようにして、制御ユニット５は、露光される物理的レイアウトに対応する方法で個別のアセンブリに遮断信号を送信することができ、基板上での物理的レイアウトの露光を可能にする。同時に、または代替的に、放射ビームが多数のサブビームに分割され、各サブビームは、複数のアセンブリのアセンブリ部分を通って透過されるように構成された場合、ビーム内のドーズ量の変化を補償し、および／または放射ビームの照明モードを変更し、および／または当業者に公知である他の目的のために、制御ユニットは、サブビームのドーズ量を制御、即ち、透過される光子の数を制御し得る。
【００４８】
[0075]  単なる放射ビーム全体またはサブ放射ビームの遮断と比較して、照明モードまたは強度プロファイルは、さらに詳細な方法、即ち、さらに連続的な方法で制御することができる。
【００４９】
[0076]  一般に、複数のアセンブリの一部であるパイプ１は、そこを通って透過するように構成された放射ビーム、または代替的に、サブ放射ビームが制限された発散度、例えば、パイプ１のアスペクト比、即ち、直径：長さ、より小さいビーム発散角度を有する位置に位置付けされる。結果として、複数のアセンブリの物理構造による吸収または遮断による放射の損失は、最小限で保たれる。
【００５０】
[0077]  複数のアセンブリが、形状、照明モードおよび局所的ドーズ量変化を含む群のうちの１つに対して放射ビームの特徴を適合させるように使用された場合、複数のアセンブリは、露光される基板と放射源との間の光路において、パターニングデバイス、例えば、レチクルまたはマスクの前に位置付けされてもよい。結局のところ、イメージが形成される前に上述の特徴を適合させるほうが簡単であり得る。
【００５１】
[0078]  図５は、本発明の第２の実施形態による放射ビームを遮断するためのアセンブリを示す。アセンブリは、再度、パイプ１、制御ユニット５およびアブレーション生成デバイスを含む。パイプ１を通る放射ビームの方向は、再度、破線の矢印１１によって概略的に示される。
【００５２】
[0079]  本実施形態では、カソードとアノードとの間の速い放電を提供するために構成された電力供給３の使用の代わりに、アブレーション生成デバイスは、レーザ２０を含む。レーザ２０は、生成されるエネルギーが層２の形で存在し得るアブレーション材料のアブレーションを引き起こすように、パイプの内面に配置されたエリア２４に向かってレーザビーム２２を誘導するように構成される。図５では、レーザビーム２２は、一点鎖線の矢印によって概略的に示される一方、エリア２４は、点線の楕円形によって概略的に示されている。再度、アブレーション材料は、数ｎｓ、一般的には１〜１０ｎｓ内でパイプ１内の体積９を満たし、そこに特定の種類の放射、例えば、ＥＵＶ放射に対して不透明であるアブレーション材料ガスバリアを形成する。
【００５３】
[0080]  アブレーション生成デバイスの制御は、再度、図３を参照して既に説明した方法において制御ユニット５によって行われる。
【００５４】
[0081]  明確に示していないが、図５に示されるようなアセンブリの実施形態も、図３のアセンブリに対して図４に示されるような複数のアセンブリで使用されてもよいことが理解されたい。そのような複数のアセンブリでは、１つのアセンブリごとに１つのレーザ２０が使用されてもよい。しかしながら、当業者に公知である光コンポーネントを使用する光学技術によって、例えば、レーザビーム２２を多数のレーザサブビームに分割することによって、単一のレーザ２０がアブレーション生成デバイスとして１つより多いパイプ１に対して使用されることが可能であり得る。
【００５５】
[0082]  図５は、アセンブリがディテクタ７をさらに含む実施形態を示す。ディテクタ７の構造および動作は、図３を参照して既に説明した。
【００５６】
[0083]  図６は、本発明の第３の実施形態による放射ビームを遮断するためのアセンブリを示す。アセンブリは、再度、パイプ１、制御ユニット５およびアブレーション生成デバイスを含む。パイプ１を通る放射ビームの方向は、再度、破線の矢印１１によって概略的に示される。
【００５７】
[0084]  アセンブリの本実施形態では、アブレーション生成デバイスは、短い期間内にパイプ１の壁に極めて接近するかなりの量の熱３２を放散させるように構成された加熱デバイス３０である。本実施形態では、壁の厚さは、熱を十分に早く吸収するために制限される、即ちより少ない。早い加熱の結果として、例えば、層２の形を有するパイプ１の内面に存在するアブレーション材料のアブレーションが行われ、これは、再度、アブレーション材料ガスバリアの形成という結果になり得る。
【００５８】
[0085]  アブレーション生成デバイスの制御は、再度、図３を参照して既に説明した方法において制御ユニット５によって行われる。
【００５９】
[0086]  図６は、アセンブリがディテクタ７をさらに含む実施形態を示す。ディテクタ７の構造および動作は、図３を参照して既に説明した。
【００６０】
[0087]  再度、明確に示していないが、図６に示されるようなアセンブリの実施形態も、図３のアセンブリに対して図４に示されるような同様な方法で複数のアセンブリで使用されてもよいことを理解されたい。
【００６１】
[0088]  本発明の実施形態が、１つ以上のパイプ１内のアブレーションガスバリアによって放射ビームの遮断を終了させるように構成されていることも理解されたい。上述の遮断による終了は、アブレーション生成デバイスをスイッチオフすることによって達成され得る。この目的のため、制御ユニット５は、終了信号をアブレーション生成デバイスに向かって送信してもよい。終了信号の受信に応答して、アブレーション生成デバイスは、スイッチオフされる。電力供給３がアブレーション生成デバイスとして使用される場合、電力はスイッチオフされる。結果として、アブレーション材料のガスは、パイプ１の内面へと効果的に戻る。通常、終了信号は、パイプが後の放射パルスのために「開」くように放射のパルスの通過の後に送信される。ディテクタを含むアセンブリの実施形態では、終了信号は、放射パルスをもう検出しないということを、ディテクタからの信号の受信に応答して制御ユニットによって送信されてもよい。
【００６２】
[0089]  図７は、本発明の第４の実施形態による放射ビームを遮断するためのアセンブリを示す。本実施形態では、アブレーション材料は、再度、レーザ２０によってアブレーションされる。しかしながら、放射ビームは、１つ以上のパイプ１を通って導かれないが、２つのプレート４２の間を通って導かれる。複数の平行ワイヤ４０が、プレート４２の間に設けられる。少なくとも、複数の平行ワイヤ４０の表面層は、本出願中に前述した実施形態に対して説明されたようなアブレーション材料を含む。アブレーション材料は、ワイヤ４０を適した温度に冷却することにより複数のワイヤ４０上に設けられ、アブレーション材料を凝縮し、その表面上に蒸気源（図示せず）によって蒸気として提供される。複数のワイヤ４０付近の約１ｍｂａｒの一定のガス圧がアブレーション材料の明確な層を提供するために適していることが実験により分かった。そのような圧力は、放射ビーム１１の透過率をまだあまり影響しない。当然、当業者に公知である他の堆積技術が適用されてもよい。
【００６３】
[0090]  図７に示される実施形態では、放射の遮断の結果としてプレート４２間に放出されるエネルギーは、当業者に公知である方法でプレート４２を冷却することによって除去される。適したスイッチング時間を得るために、ワイヤ４０間の距離は、約０．０１〜０．１ｃｍである。ワイヤの厚さは、図７では矢印１１によって示される、複数の平行ワイヤ４０上に投影される放射の少なくとも８０％が透過されるような厚さである。レーザ２０が起動された場合、レーザビーム２２は、アブレーション材料を複数のワイヤからアブレーションする。適したアブレーション材料としては、アンモニア、キセノンおよびスズを含む。アブレーション材料のプラズマは、限定された期間内に膨張し、放射ビームは遮断される。放射ビーム１１を遮断するためにかかる時間は、ワイヤ４０の長さによる。
【００６４】
[0091]  一実施形態では、ワイヤ材料は、レーザアブレーションに耐えることが可能なだけではなく、短い期間内の実質的な温度の低下に耐えることも可能であろう。次いで、放射の遮断によって生成されたエネルギーを比較的に簡単に除去することができる。さらに、アブレーション材料は、ワイヤ４０上で凝縮し得る。適したワイヤ材料としては、ダイアモンド型ＩＩａ（８０Ｋにおいて１１７００Ｗ／（ｍ・Ｋ）の熱伝導率）および熱分解グラファイト(pyrolytic graphite)（８０Ｋにおいて４５００Ｗ／（ｍ・Ｋ）の熱伝導率）を含む。
【００６５】
[0092]  再度、明確に示していないが、図７に示されるようなアセンブリの実施形態も、図３のアセンブリに対して図４に示されるような同様な方法で複数のアセンブリで使用されてもよいことが理解されたい。
【００６６】
[0093]  図８は、本発明の第１の実施形態による放射ビームを遮断するための方法を図示するフローチャートを示す。この方法では、第一に、動作５１では、アセンブリが提供される。アセンブリは、パイプ、アブレーション生成デバイスおよび制御ユニットを含んでおり、例えば、アブレーション生成デバイスが電力供給３、レーザ２０および加熱デバイス３０のそれぞれの形態を有する、図３、図５および図６に示されるアセンブリのようなアセンブリである。パイプは、アブレーション材料を含み、かつ体積を囲う内面を含む。制御ユニットは、アブレーション生成デバイスに接続されている。制御ユニットは、プロセッサおよびメモリを含む。前述したように、単一のアセンブリの代わりに、複数のアセンブリが構成されてもよいことが理解されたい。あるいは、さらに多くのパイプが単一の制御ユニットおよび／または単一のアブレーション生成デバイスによって制御されてもよい。
【００６７】
[0094]  次に、動作５３では、放射ビームが提供される。アセンブリに対するビームの配向は、放射ビームの少なくとも一部がアセンブリ内のパイプを通って透過されるように構成されるような配向である。
【００６８】
[0095]  続いて、動作５５では、遮断信号が制御ユニットからアブレーション生成デバイスに向かって送信される。一実施形態では、制御ユニットは、所定の期間内、すわなち、上述したように、期間Δｔを待った後、遮断信号を送信する。そのような期間Δｔは、制御ユニット内のプロセッサを使用して計算することによって決定されてもよく、図３のプロセッサ１３およびメモリ１５を参照して前述したように、その計算は、メモリ内に格納された情報および／または外部入力を介して提供される情報に基づく。
【００６９】
[0096]  それに応じて、動作５７では、アブレーション生成デバイスは、制御ユニットから受信した遮断信号に応答してパイプ内にアブレーションを生成する。体積の中のガス状形態を有するアブレーション材料は、パイプを通って進もうとする放射ビームに対するバリアを形成する。放射ビームがＥＵＶ放射等であった場合、そのようなバリアは、放射に対してほぼ直ちに不透明になる。結果的に、通常では放射がパイプから出るそのパイプの端における観察者に対しては、光は突然「スイッチオフされる」。したがって、パイプ内のアブレーション材料ガスバリアは、光スイッチを形成する。
【００７０】
[0097]  図９は、本発明の第２の実施形態による放射ビームを遮断するための方法を図示するフローチャートを示す。第一に、再度、動作７１では、アセンブリが提供される。しかしながら、パイプ、アブレーション生成デバイスおよび制御ユニットのほかにも、アセンブリは、ディテクタ、例えば、図３、図５および図６のディテクタ７をさらに含む。アセンブリは、アブレーション生成デバイスが電力供給３、レーザ２０および加熱デバイス３０のそれぞれの形態を有する、図３、図５および図６に示されるアセンブリのうちの１つであってもよい。パイプは、アブレーション材料を含み、かつ体積を囲う内面を含む。制御ユニットは、アブレーション生成デバイスに接続されている。制御ユニットは、プロセッサおよびメモリを含む。最後に、ディテクタは、放射ビームの検出の際に制御ユニットに向かって検出信号を送信するように構成されている。前述したように、単一のアセンブリの代わりに、複数のアセンブリが構成されてもよいことが理解されたい。あるいは、さらに多くのパイプが単一の制御ユニットおよび／または単一のアブレーション生成デバイスによって制御されてもよい。
【００７１】
[0098]  次に、動作７３では、放射ビームが提供される。放射ビームは、所定のパルス長および所定のパルス波形を有する。
【００７２】
[0099]  続いて、動作７５では、ビームの配向は、放射ビームの少なくとも一部がアセンブリ内のパイプを通って透過されるように誘導される。複数のパイプを有する複数のアセンブリの場合、放射ビームは、多数の放射サブビームに分割されてもよく、各サブビームは、特定のアセンブリに対応する。この場合、動作７５では、各サブビームは、複数のパイプ内の対応するパイプによって透過されるように誘導される。
【００７３】
[00100]  動作７７では、放射ビームは、あるいは複数のパイプの場合、放射サブビームは、ディテクタによって検出される。
【００７４】
[00101]  検出の際、動作７９では、ディテクタは、制御ユニットに向かって検出信号を送信する。
【００７５】
[00102]  続いて、動作８１では、受信した検出信号に応答して、制御ユニットは、アブレーション生成デバイスに向かって遮断信号を送信してもよい。この動作は、メモリとともにプロセッサ、例えば、制御ユニット５内のメモリ１５およびプロセッサ１３、によって行われてもよい。
【００７６】
[00103]  応答して、動作８３では、アブレーション生成デバイスは、制御ユニットから受信した遮断信号に応答してパイプ内にアブレーションを生成する。体積の中のガス状形態を有するアブレーション材料は、パイプを通って進もうとする放射ビームに対するバリアを形成する。放射ビームがＥＵＶ放射等であった場合、そのようなバリアは、放射に対してほぼ直ちに不透明になる。結果的に、通常では放射がパイプから出るそのパイプの端における観察者に対しては、光は突然「スイッチオフされる」。したがって、パイプ内のアブレーション材料ガスバリアは、光スイッチを形成する。
【００７７】
[00104]  パイプに対するディテクタの位置、ディテクタから制御ユニットに向かって遮断信号を送信するための時間、遮断信号の受信の処理および電力供給へと向かう遮断信号の対応する送信のための時間とともに、電力供給がアブレーション材料ガスバリアを生成するためにかかる時間を事前に知っていた場合、非常に信頼性のある光スイッチが形成され得る。正確に寸法設定した場合、ＥＵＶ放射ビームをスイッチオンおよびスイッチオフするための３０〜４０ｎｓ内の上述のスイッチング時間が達成され得る。そのような性能は、パイプを通って透過される放射ビーム内の光子の数の制御を可能にし得る。
【００７８】
[00105]  本明細書中に使用されるような制御ユニット５のプロセッサ１３が図１０に示されるようなコンピュータアセンブリ１００にインプリメントされてもよいことが理解されたい。コンピュータアセンブリ１００は、本発明によるアセンブリの実施形態の制御ユニット５の形態を有する専用のコンピュータ、あるいは、リソグラフィ投影装置を制御する中央コンピュータであってもよい。プロセッサ１３に接続されているメモリ１５は、ハードディスク１１１、リードオンリーメモリ（Read Only Memory ＲＯＭ）１１２、電気的消去可能プログラマブルリードオンリーメモリ（Electrically Erasable Programmable Read Only Memory ＥＥＰＲＯＭ）１１３およびランダムアクセスメモリ（Random Access Memory ＲＡＭ）１１４のような多数のメモリコンポーネントを含んでもよい。全ての上述のメモリコンポーネントが存在する必要はない。さらに、上述のメモリコンポーネントがプロセッサ１３またはお互いに物理的に極めて接近する必要はない。それらは、離れた距離に配置されてもよい。
【００７９】
[00106]  プロセッサ１３は、ある種のユーザインターフェイス、例えば、キーボード１１５またはマウス１１６に接続されてもよい。当業者に公知であるタッチスクリーン、トラックボール、スピーチコンバータまたは他のインターフェイスが使用されてもよい。
【００８０】
[00107]  プロセッサ１３は、読取ユニット１１７に接続されてもよく、これは、フロッピーディスク１１８またはＣＤＲＯＭ１１９のようなデータキャリアからデータを読み取り、何らかの状況下でそれらにデータを格納するように構成されている。さらに、当業者に公知であるＤＶＤまたは他のデータキャリアが使用されてもよい。
【００８１】
[00108]  プロセッサ１３は、ディスプレイ１２１、例えば、モニタ、ＬＣＤ（液晶ディスプレイ）または当業者に公知である他の種類のディスプレイとともに、紙に出力データをプリントアウトするためにプリンタ１２０に接続されてもよい。
【００８２】
[00109]  プロセッサ１３は、入力／出力（Ｉ／Ｏ）の役割を果たす送信器／受信器１２３によって通信ネットワーク１２２、例えば、公衆交換電話網（public switched telephone network ＰＳＴＮ）、ローカルエリアネットワーク（local area network ＬＡＮ）、広域ネットワーク（wide area network ＷＡＮ）等に接続されてもよい。プロセッサ１３は、通信ネットワーク１２２を介して他の通信システムと通信するように構成されてもよい。本発明の一実施形態では、外部コンピュータ（図示せず）、例えば、オペレータのパーソナルコンピュータは、通信ネットワーク１２２を介してプロセッサ１３にログインできる。
【００８３】
[00110]  プロセッサ１３は、独立したシステムまたは平行に動作する多数のプロセシングユニットとしてインプリメントされてもよく、各プロセシングユニットは、より大きなプログラムのサブタスクを実行するように構成されている。プロセシングユニットは、いくつかのサブプロセシングユニットを有する１つ以上のメインプロセシングユニットに分けられてもよい。プロセッサ１３の一部のプロセシングユニットは、他のプロセシングユニットから離れた距離に配置され、通信ネットワーク１２２を介して通信してもよい。
【００８４】
[00111]  光リソグラフィの文脈において本発明の実施形態の使用について上述のとおり具体的な言及がなされたかもしれないが、当然のことながら、本発明は、他の用途、例えば、インプリントリソグラフィに使われてもよく、さらに状況が許すのであれば、光リソグラフィに限定されることはない。インプリントリソグラフィにおいては、パターニングデバイス内のトポグラフィによって、基板上に創出されるパターンが定義される。パターニングデバイスのトポグラフィは基板に供給されたレジスト層の中にプレス加工され、基板上では、電磁放射、熱、圧力、またはそれらの組合せが加えられることでレジストが硬化される。パターニングデバイスは、レジストが硬化した後、レジスト内にパターンを残してレジストの外へ移動される。
【００８５】
[00112]  遮断信号に応答してアブレーション材料のアブレーションの結果としてパイプ内の放射ビームの完全な遮断について上述のとおり具体的な言及がなされたが、放射ビームに対するパイプ内の体積の透過率を変更するために類似の供給がなされてもよいことが理解されたい。例えば、パイプの断面寸法は、アブレーション材料のアブレーションが放射強度の２０％減の結果をもたらすような断面寸法であってもよい。
【００８６】
[00113]  ここで使用される「放射」および「ビーム」という用語は、紫外線（ＵＶ）放射（例えば、３６５ｎｍ、３５５ｎｍ、２４８ｎｍ、１９３ｎｍ、１５７ｎｍ、または１２６ｎｍの波長、またはおよそこれらの値の波長を有する）、および極端紫外線（ＥＵＶ）放射（例えば、５〜２０ｎｍの範囲の波長を有する）、ならびにイオンビームや電子ビーム等の微粒子ビームを含むあらゆる種類の電磁放射を包含している。
【００８７】
[00114]  「レンズ」という用語は、文脈によっては、屈折、反射、磁気、電磁気、および静電型光コンポーネントを含む様々な種類の光コンポーネントのいずれか１つまたはこれらの組合せを指すことができる。
【００８８】
[00115]  以上、本発明の具体的な実施形態を説明してきたが、本発明は、上述以外の態様で実施できることが明らかである。例えば、本発明は、上記に開示した方法を表す１つ以上の機械読取可能命令のシーケンスを含むコンピュータプログラムの形態、またはこのようなコンピュータプログラムが記憶されたデータ記憶媒体（例えば、半導体メモリ、磁気ディスクまたは光ディスク）の形態であってもよい。
【００８９】
[00116]  上記の説明は、制限ではなく例示を意図したものである。したがって、当業者には明らかなように、添付の特許請求の範囲を逸脱することなく本記載の発明に変更を加えてもよい。
【図１】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図２ａ】
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【図２ｂ】
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