(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
下記式（１）で示されるインデン誘導体の製造方法であって、
【化１】
0004695843.tif 000013
［式中、Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3、Ｒ4、Ａ1及びＡ2は、それぞれ、互いに独立し、同一または異なって、水素原子又はＣ1〜Ｃ20炭化水素基である。］
下記式（２）で示される有機金属化合物に還元剤を反応させ、第１の反応混合物を得る工程と、
【化２】
0004695843.tif 000014
［式中、Ａ1及びＡ2は、上記と同義である。
Ｍは、チタンを示し、
Ｌは、シクロペンタジエニル基、メチルシクロペンタジエニル基、エチルシクロペンタジエニル基、イソプロピルシクロペンタジエニル基、ｎ−ブチルシクロペンタジエニル基、ｔ−ブチルシクロペンタジエニル基、ジメチルシクロペンタジエニル基、ジエチルシクロペンタジエニル基、ジイソプロピルシクロペンタジエニル基、ジ−ｔ−ブチルシクロペンタジエニル基、テトラメチルシクロペンタジエニル基、インデニル基、２−メチルインデニル基、２−メチル−４−フェニルインデニル基、テトラヒドロインデニル基、ベンゾインデニル基、フルオレニル基、ベンゾフルオレニル基、テトラヒドロフルオレニル基、オクタヒドロフルオレニル基及びアズレニル基からなる群から選ばれる非局在化環状η5−配位系配位子を示す。
Ｘ1及びＸ2は、ハロゲン原子である。］
得られた第１の反応混合物に、下記式（３ａ）で示されるアセチレン誘導体、及び
【化３】
0004695843.tif 000015
［式中、Ｒ1及びＲ2は、上記と同義である。］
下記式（３ｂ）で示されるアセチレン誘導体
【化４】
0004695843.tif 000016
［式中、Ｒ3及びＲ4は、上記と同義である。］
を反応させ、第２の反応混合物を得る工程と、
得られた第２の反応混合物に酸化剤を反応させる工程とを含むことを特徴とするインデン誘導体の製造方法。
【請求項２】
Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3及びＲ4が、Ｃ1〜Ｃ20炭化水素基である、請求項１に記載のインデン誘導体の製造方法。
【請求項３】
Ａ1及びＡ2が、水素原子である、請求項１又は２に記載のインデン誘導体の製造方法。
【請求項４】
前記酸化剤が空気である、請求項１〜３のいずれかに記載のインデン誘導体の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、インデン誘導体の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
インデン誘導体は、触媒の配位子の合成や医薬・農薬合成の中間体として有用であり、選択的に置換基を導入することにより、その機能、物性を制御することができる。このため、所望の置換基を導入したインデン誘導体の製造法が所望されていた。
【０００３】
従来、置換基を有するインデン誘導体の製造方法として、少なくともひとつの置換シクロペンタジエニル基を配位子として持つメタロセンとアセチレン誘導体を反応させて得られるメタラシクロペンタジエン誘導体に、金属化合物を反応させる手法が知られていた（特許文献１：特開２００１−２３３８０５号公報）。この方法によれば、アセチレン誘導体の有する置換基がインデン誘導体の６員環部分に導入され、配位子である置換シクロペンタジエニル基の有する置換基がインデン誘導体の５員環部分に導入されることになる。当該方法で、収率を上げるためには、両端に同一の置換基を有する対称なアセチレン誘導体と対称な置換シクロペンタジエニル配位子を用いる必要があり、この結果、得られるインデン誘導体は置換基を対称に有するものに限られてしまい、５員環部分と６員環部分にそれぞれ非対称に置換基を導入したインデン誘導体を選択的に得ることができなかった。
【特許文献１】特開２００１−２３３８０５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
従って、所望の非対称な置換基を選択的に導入できるインデン誘導体の製造方法が所望されていた。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
即ち、本発明では、下記式（１）で示されるインデン誘導体の製造方法であって、
【化５】
0004695843.tif 000002
［式中、Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3、Ｒ4、Ａ1及びＡ2は、それぞれ、互いに独立し、同一または異なって、水素原子；ハロゲン原子；置換基を有していてもよいＣ1〜Ｃ20炭化水素基；置換基を有していてもよいＣ1〜Ｃ20アルコキシ基；置換基を有していてもよいＣ6〜Ｃ20アリールオキシ基；置換基を有していてもよいアミノ基；置換基を有していてもよいシリル基；水酸基；置換基を有していてもよいＣ1〜Ｃ20アルコキシカルボニル基；又は置換基を有していてもよいＣ6〜Ｃ20アリールオキシカルボニル基であり、ただし、Ｒ1及びＲ2、Ｒ2及びＲ3、並びに、Ｒ3及びＲ4は、それぞれ、互いに架橋してＣ4〜Ｃ20飽和環又は不飽和環を形成してもよく、前記環は、酸素原子、硫黄原子、珪素原子、スズ原子、ゲルマニウム原子又は式−Ｎ（Ｂ）−で示される基（式中、Ｂは水素原子又はＣ1〜Ｃ20炭化水素基である。）で中断されていてもよく、かつ、置換基を有していてもよい。］
下記式（２）で示される有機金属化合物に還元剤を反応させ、第１の反応混合物を得る工程と、
【化６】
0004695843.tif 000003
［式中、Ａ1及びＡ2は、上記と同義である。Ｍは、遷移金属を示し、Ｌは、アニオン性配位子を示す。Ｘ1及びＸ2は、脱離基である。］
得られた第１の反応混合物に、下記式（３ａ）で示されるアセチレン誘導体、及び
【化７】
0004695843.tif 000004
［式中、Ｒ1及びＲ2は、上記と同義である。］
下記式（３ｂ）で示されるアセチレン誘導体
【化８】
0004695843.tif 000005
［式中、Ｒ3及びＲ4は、上記と同義である。］
を反応させ、第２の反応混合物を得る工程と、得られた第２の反応混合物に酸化剤を反応させる工程とを含むことを特徴とするインデン誘導体の製造方法が提供される。
【０００６】
本発明において、Ｍが、周期表第４族から第６族の遷移金属であることが好ましく、Ｍが、チタンであることがより好ましい。
【０００７】
本発明において、前記アニオン性配位子が、非局在化環状η5−配位系配位子であって、置換されていてもよいシクロペンタジエニル基、インデニル基、フルオレニル基又はアズレニル基であることが好ましい。
【０００８】
また、本発明において、Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3及びＲ4が、Ｃ1〜Ｃ20炭化水素基であることが好ましい。
【０００９】
また、本発明において、Ａ1及びＡ2が、水素原子であることが好ましい。
【００１０】
また、本発明において、前記酸化剤が空気であることが好ましい。
【発明の効果】
【００１１】
本発明の方法により、所望の非対称な置換基が導入されたインデン誘導体を選択的に得ることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１２】
本発明では、下記式（２）で示される有機金属化合物に還元剤を反応させ、第１の反応混合物を得る工程と、得られた第１の反応混合物に、下記式（３ａ）で示されるアセチレン誘導体、及び、下記式（３ｂ）で示されるアセチレン誘導体を反応させ、第２の反応混合物を得る工程と、得られた第２の反応混合物に酸化剤を反応させる工程とを含むことを特徴とする下記式（１）で示されるインデン誘導体の製造方法が提供される。
【００１３】
【化９】
0004695843.tif 000006
［式中、Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3、Ｒ4、Ａ1、Ａ2、Ｌ、Ｘ1、Ｘ2及びＭは、上記の意味を有する。］
【００１４】
上記式（１）中、Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3、Ｒ4、Ａ1及びＡ2は、それぞれ、互いに独立し、同一または異なって、それぞれ、互いに独立し、同一または異なって、水素原子；ハロゲン原子；置換基を有していてもよいＣ1〜Ｃ20炭化水素基；置換基を有していてもよいＣ1〜Ｃ20アルコキシ基；置換基を有していてもよいＣ6〜Ｃ20アリールオキシ基；置換基を有していてもよいアミノ基；置換基を有していてもよいシリル基；水酸基；置換基を有していてもよいＣ1〜Ｃ20アルコキシカルボニル基；又は置換基を有していてもよいＣ6〜Ｃ20アリールオキシカルボニル基である。
【００１５】
本明細書において、「Ｃ1〜Ｃ20炭化水素基」の炭化水素基は、飽和若しくは不飽和の非環式であってもよいし、飽和若しくは不飽和の環式であってもよい。Ｃ1〜Ｃ20炭化水素基が非環式の場合には、線状でもよいし、枝分かれでもよい。「Ｃ1〜Ｃ20炭化水素基」には、Ｃ1〜Ｃ20アルキル基、Ｃ2〜Ｃ20アルケニル基、Ｃ2〜Ｃ20アルキニル基、Ｃ4〜Ｃ20アルキルジエニル基、Ｃ6〜Ｃ18アリール基、Ｃ7〜Ｃ20アルキルアリール基、Ｃ7〜Ｃ20アリールアルキル基、Ｃ4〜Ｃ20シクロアルキル基、Ｃ4〜Ｃ20シクロアルケニル基、（Ｃ3〜Ｃ10シクロアルキル）Ｃ1〜Ｃ10アルキル基などが含まれる。
【００１６】
本明細書において、「Ｃ1〜Ｃ20アルキル基」は、Ｃ1〜Ｃ10アルキル基であることが好ましく、Ｃ1〜Ｃ6アルキル基であることが更に好ましい。アルキル基の例としては、制限するわけではないが、メチル、エチル、プロピル、イソプロピル、ｎ−ブチル、ｓｅｃ−ブチル、ｔｅｒｔ−ブチル、ペンチル、ヘキシル、ドデカニル等を挙げることができる。
【００１７】
本明細書において、「Ｃ2〜Ｃ20アルケニル基」は、Ｃ2〜Ｃ10アルケニル基であることが好ましく、Ｃ2〜Ｃ6アルケニル基であることが更に好ましい。アルケニル基の例としては、制限するわけではないが、ビニル、アリル、プロペニル、イソプロペニル、２−メチル−１−プロペニル、２−メチルアリル、２−ブテニル等を挙げることができる。
【００１８】
本明細書において、「Ｃ2〜Ｃ20アルキニル基」は、Ｃ2〜Ｃ10アルキニル基であることが好ましく、Ｃ2〜Ｃ6アルキニル基であることが更に好ましい。アルキニル基の例としては、制限するわけではないが、エチニル、プロピニル、ブチニル等を挙げることができる。
【００１９】
本明細書において、「Ｃ4〜Ｃ20アルキルジエニル基」は、Ｃ4〜Ｃ10アルキルジエニル基であることが好ましく、Ｃ4〜Ｃ6アルキルジエニル基であることが更に好ましい。アルキルジエニル基の例としては、制限するわけではないが、１，３−ブタジエニル等を挙げることができる。
【００２０】
本明細書において、「Ｃ6〜Ｃ18アリール基」は、Ｃ6〜Ｃ10アリール基であることが好ましい。アリール基の例としては、制限するわけではないが、フェニル、１−ナフチル、２−ナフチル、インデニル、ビフェニリル、アントリル、フェナントリル等を挙げることができる。
【００２１】
本明細書において、「Ｃ7〜Ｃ20アルキルアリール基」は、Ｃ7〜Ｃ12アルキルアリール基であることが好ましい。アルキルアリール基の例としては、制限するわけではないが、ｏ−トリル、ｍ−トリル、ｐ−トリル、２，３−キシリル、２，４−キシリル、２，５−キシリル、ｏ−クメニル、ｍ−クメニル、ｐ−クメニル、メシチル等を挙げることができる。
【００２２】
本明細書において、「Ｃ7〜Ｃ20アリールアルキル基」は、Ｃ7〜Ｃ12アリールアルキル基であることが好ましい。アリールアルキル基の例としては、制限するわけではないが、ベンジル、フェネチル、ジフェニルメチル、トリフェニルメチル、１−ナフチルメチル、２−ナフチルメチル、２，２−ジフェニルエチル、３−フェニルプロピル、４−フェニルブチル、５−フェニルペンチル等を挙げることができる。
【００２３】
本明細書において、「Ｃ4〜Ｃ20シクロアルキル基」は、Ｃ4〜Ｃ10シクロアルキル基であることが好ましい。シクロアルキル基の例としては、制限するわけではないが、シクロプロピル、シクロブチル、シクロペンチル、シクロヘキシル等を挙げることができる。
【００２４】
本明細書において、「Ｃ4〜Ｃ20シクロアルケニル基」は、Ｃ4〜Ｃ10シクロアルケニル基であることが好ましい。シクロアルケニル基の例としては、制限するわけではないが、シクロプロペニル、シクロブテニル、シクロペンテニル、シクロヘキセニル等を挙げることができる。
【００２５】
本明細書において、「Ｃ1〜Ｃ20アルコキシ基」は、Ｃ1〜Ｃ10アルコキシ基であることが好ましく、Ｃ1〜Ｃ6アルコキシ基であることが更に好ましい。アルコキシ基の例としては、制限するわけではないが、メトキシ、エトキシ、プロポキシ、ブトキシ、ペンチルオキシ等がある。
【００２６】
本明細書において、「Ｃ6〜Ｃ20アリールオキシ基」は、Ｃ6〜Ｃ10アリールオキシ基であることが好ましい。アリールオキシ基の例としては、制限するわけではないが、フェニルオキシ、ナフチルオキシ、ビフェニルオキシ等を挙げることができる。
【００２７】
本明細書において、「Ｃ1〜Ｃ20アルコキシカルボニル基」は、Ｃ1〜Ｃ10アルコキシカルボニル基であることが好ましい。アルコキシカルボニル基の例としては、制限するわけではないが、メトキシカルボニル、エトキシカルボニル、２−メトキシエトキシカルボニル、ｔ−ブトキシカルボニル等を挙げることができる。
【００２８】
本明細書において、「Ｃ6〜Ｃ20アリールオキシカルボニル基」は、Ｃ6〜Ｃ12アリールオキシカルボニル基であることが好ましい。アリールオキシカルボニル基の例としては、制限するわけではないが、フェノキシカルボニル、ナフトキシカルボニル、フェニルフェノキシカルボニル等を挙げることができる。
【００２９】
Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3、Ｒ4、Ａ1及びＡ2で示される「Ｃ1〜Ｃ20炭化水素基」、「Ｃ1〜Ｃ20アルコキシ基」、「Ｃ6〜Ｃ20アリールオキシ基」、「アミノ基」、「シリル基」、「Ｃ1〜Ｃ20アルコキシカルボニル基」、「Ｃ6〜Ｃ20アリールオキシカルボニル基」には、置換基が導入されていてもよい。この置換基としては、例えば、Ｃ1〜Ｃ10炭化水素基（例えば、メチル、エチル、プロピル、ブチル、フェニル、ナフチル、インデニル、トリル、キシリル、ベンジル等）、Ｃ1〜Ｃ10アルコキシ基（例えば、メトキシ、エトキシ、プロポキシ、ブトキシ等）、Ｃ6〜Ｃ10アリールオキシ基（例えば、フェニルオキシ、ナフチルオキシ、ビフェニルオキシ等）、アミノ基、水酸基、ハロゲン原子（例えば、フッ素、塩素、臭素、ヨウ素）又はシリル基などを挙げることができる。この場合、置換基は、置換可能な位置に１個以上導入されていてもよく、好ましくは１個〜４個導入されていてもよい。置換基数が２個以上である場合、各置換基は同一であっても異なっていてもよい。
【００３０】
本明細書において、「置換基を有していてもよいアミノ基」の例としては、制限するわけではないが、アミノ、ジメチルアミノ、メチルアミノ、メチルフェニルアミノ、フェニルアミノ等がある。
【００３１】
本明細書において、「置換基を有していてもよいシリル基」の例としては、制限するわけではないが、ジメチルシリル、ジエチルシリル、トリメチルシリル、トリエチルシリル、トリメトキシシリル、トリエトキシシリル、ジフェニルメチルシリル、トリフェニルシリル、トリフェノキシシリル、ジメチルメトキシシリル、ジメチルフェノキシシリル、メチルメトキシフェニル等がある。
【００３２】
本発明において、Ｒ1及びＲ2、Ｒ2及びＲ3、並びに、Ｒ3及びＲ4は、それぞれ、互いに架橋してＣ4〜Ｃ20飽和環又は不飽和環を形成してもよい。これらの置換基が形成する環は、４員環〜１６員環であることが好ましく、４員環〜１２員環であることが更に好ましい。この環は、ベンゼン環等の芳香族環あってもよいし、脂肪族環であってもよい。また、これらの置換基が形成する環に、更に単数又は複数の環が形成されていてもよい。
【００３３】
前記飽和環または不飽和環は、酸素原子、硫黄原子、珪素原子、スズ原子、ゲルマニウム原子または式―Ｎ（Ｂ）―で示される基（式中、Ｂは水素原子またはＣ1〜Ｃ20炭化水素基である。）で中断されていてもよい。即ち、前記飽和環または不飽和環はヘテロ環であってもよい。かつ、置換基を有していてもよい。不飽和環は、ベンゼン環等の芳香族環であってもよい。
【００３４】
Ｂは，水素原子またはＣ1〜Ｃ10炭化水素基であることが好ましく、水素原子またはＣ1〜Ｃ7炭化水素基であることが更に好ましく、Ｂは水素原子、Ｃ1〜Ｃ3アルキル基、フェニル基またはベンジル基であることが更になお好ましい。
【００３５】
この飽和環又は不飽和環は、置換基を有していてもよく、例えば、Ｃ1〜Ｃ10炭化水素基（例えば、メチル、エチル、プロピル、ブチル等）、Ｃ1〜Ｃ10アルコキシ基（例えば、メトキシ、エトキシ、プロポキシ、ブトキシ等）、Ｃ6〜Ｃ10アリールオキシ基（例えば、フェニルオキシ、ナフチルオキシ、ビフェニルオキシ等）、アミノ基、水酸基、ハロゲン原子（例えば、フッ素、塩素、臭素、ヨウ素）又はシリル基などの置換基が導入されていてもよい。
【００３６】
本発明において、Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3およびＲ4は、それぞれ互いに独立し、同一または異なって、Ｃ1〜Ｃ20炭化水素基であることが好ましく、Ｃ1〜Ｃ20アルキル基、又はＣ6〜Ｃ18アリール基であることがより好ましく、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、又はフェニル基であることが更に好ましい。
【００３７】
本発明において、Ａ1およびＡ2は、それぞれ互いに独立し、同一または異なって、水素原子、又はＣ1〜Ｃ20炭化水素基であることが好ましく、水素原子であることがより好ましい。
【００３８】
本発明にかかるインデン誘導体の製造方法では、下記式（２）で示されるメタラシクロペンタジエンが用いられる。
【００３９】
【化１０】
0004695843.tif 000007
［式中、Ａ1及びＡ2は、上記と同義である。］
【００４０】
上記式（２）中、Ｍは、遷移金属を示す。Ｍとしては、周期表第４族〜第６族の遷移金属であることが好ましく、周期表第４族の金属、即ち、チタン、ジルコニウム及びハフニウムであることがより好ましく、チタンであることが特に好ましい。
【００４１】
上記式（２）中、Ｌは、アニオン性配位子を示す。
前記アニオン性配位子は、非局在化環状η5−配位系配位子、Ｃ1〜Ｃ20アルコキシ基、Ｃ6〜Ｃ20アリールオキシ基又はジアルキルアミド基であることが好ましく、非局在化環状η5−配位系配位子であることが更に好ましい。非局在化環状η5−配位系配位子としては、置換されていてもよいシクロペンタジエニル基、インデニル基、フルオレニル基又はアズレニル基を挙げることができ、無置換のシクロペンタジエニル基、及び置換されたシクロペンタジエニル基であることが好ましい。
【００４２】
この置換シクロペンタジエニル基は、例えば、メチルシクロペンタジエニル、エチルシクロペンタジエニル、イソプロピルシクロペンタジエニル、ｎ−ブチルシクロペンタジエニル、ｔ−ブチルシクロペンタジエニル、ジメチルシクロペンタジエニル、ジエチルシクロペンタジエニル、ジイソプロピルシクロペンタジエニル、ジ−ｔ−ブチルシクロペンタジエニル、テトラメチルシクロペンタジエニル、インデニル基、２−メチルインデニル基、２−メチル−４−フェニルインデニル基、テトラヒドロインデニル基、ベンゾインデニル基、フルオレニル基、ベンゾフルオレニル基、テトラヒドロフルオレニル基、オクタヒドロフルオレニル基及びアズレニル基である。
【００４３】
非局在化環状η5−配位系配位子は、非局在化環状π系の１個以上の原子がヘテロ原子に置換されていてもよい。水素の他に、周期表第１４族の元素及び／又は周期表第１５、１６及び１７族の元素のような１個以上のヘテロ原子を含むことができる。
【００４４】
非局在化環状η5−配位系配位子、例えば、シクロペンタジエニル基は、中心金属と、環状であってもよい、一つの又は複数の架橋配位子により架橋されていてもよい。架橋配位子としては、例えば、ＣＨ2、ＣＨ2ＣＨ2、ＣＨ（ＣＨ3）ＣＨ2、ＣＨ（Ｃ4Ｈ9）Ｃ（ＣＨ3）2、Ｃ（ＣＨ3）2、（ＣＨ3）2Ｓｉ、（ＣＨ3）2Ｇｅ、（ＣＨ3）2Ｓｎ、（Ｃ6Ｈ5）2Ｓｉ、（Ｃ6Ｈ5）（ＣＨ3）Ｓｉ、（Ｃ6Ｈ5）2Ｇｅ、（Ｃ6Ｈ5）2Ｓｎ、（ＣＨ2）4Ｓｉ、ＣＨ2Ｓｉ（ＣＨ3）2、ｏ−Ｃ6Ｈ4又は２、２'−（Ｃ6Ｈ4）2が挙げられる。
【００４５】
上記式（２）中、Ｘ1及びＸ2は、脱離基である。
脱離基としては、ハロゲン原子、Ｃ1〜Ｃ20アルキル基、Ｃ1〜Ｃ20アルコキシ基、又はＣ6〜Ｃ20アリールオキシ基を挙げることができる。
本発明において、Ｘ1及びＸ2は、ハロゲン原子、又はＣ1〜Ｃ6アルキル基であることが好ましく、塩素原子であることがより好ましい。
【００４６】
上記式（２）としては、例えば、
ビス（シクロペンタジエニル）ジクロロチタン；
ビス（ジメチルシクロペンタジエニル）ジクロロチタン；
ビス（ジエチルシクロペンタジエニル）ジクロロチタン；
ビス（ジイソプロピルシクロペンタジエニル）ジクロロチタン；又は
ビス（ジ−ｔ−ブチルシクロペンタジエニル）ジクロロチタン
を挙げることができる。
【００４７】
本発明では、まず、上記式（２）で示される有機金属化合物に還元剤を反応させ、第１の反応混合物を得る（第１工程）。
還元剤としては、リチウム試薬；グリニャール試薬；アルカリ金属アルコキシド；リチウム、ナトリウム、カリウム等のアルカリ金属等が挙げられる。
リチウム試薬としては、ｎ−ＢｕＬｉ等のアルキルリチウム、フェニルリチウム等のアリールリチウムが用いられる。
【００４８】
本発明の第１工程において、還元剤の量は、上記式（２）で示される有機金属化合物１モルに対し、０．１モル〜１００モルであり、好ましくは１モル〜５モルであり、更に好ましくは２モル〜４モルであり、特に好ましくは２モル〜３モルである。
【００４９】
本発明の第１工程において、典型的には、上記式（２）で示される有機金属化合物の溶液に、還元剤を添加し、攪拌する。
【００５０】
本発明の第１工程において、反応は、好ましくは−１００℃〜１００℃の温度範囲で行われ、特に好ましくは−８０℃〜０℃の温度範囲、更に好ましくは−８０℃〜−７０℃の温度範囲で行われる。
本発明の第１工程において、圧力は、常圧であることが好ましい。
【００５１】
本発明の第１工程において、溶媒としては、上記式（２）で示される有機金属化合物を溶解することができる溶媒が好ましい。溶媒は、脂肪族又は芳香族の有機溶媒が用いられる。エーテル系溶媒、例えばテトラヒドロフラン又はジエチルエーテル；塩化メチレンのようなハロゲン化炭化水素；ｏ−ジクロロベンゼンのようなハロゲン化芳香族炭化水素;ベンゼン、トルエン等の芳香族炭化水素が用いられる。
【００５２】
本発明にかかるインデン誘導体の製造方法において、第１工程で得られた第１の反応混合物に、下記式（３ａ）及び下記式（３ｂ）で示されるアセチレン誘導体を反応させ、第２の反応混合物を得る（第２工程）。
【化１１】
0004695843.tif 000008
［式中、Ｒ1及びＲ2は、上記と同義である。］
【化１２】
0004695843.tif 000009
［式中、Ｒ3及びＲ4は、上記と同義である。］
【００５３】
本発明の第２工程において、上記式（３ａ）及び上記式（３ｂ）で示されるアセチレン誘導体の量は、それぞれ、上記式（２）で示される有機金属化合物１モルに対し、０．１モル〜１００モルであり、好ましくは０．５モル〜３モルであり、更に好ましくは０．８モル〜１．５モルであり、特に好ましくは約１モルである。
【００５４】
本発明の第２工程において、典型的には、第１の反応混合物の溶液に、上記式（３ａ）及び上記式（３ｂ）で示されるアセチレン誘導体を添加し、攪拌する。第１の反応混合物は単離されたものを用いる必要はなく、第１工程で調製されたものをそのまま用いても良い。
【００５５】
本発明の第２工程において、反応は、好ましくは−１００℃〜１００℃の温度範囲で行われ、特に好ましくは−５０℃〜１０℃の温度範囲、更に好ましくは−２０℃〜０℃の温度範囲で行われる。
本発明の第２工程において、圧力は、常圧であることが好ましい。
【００５６】
本発明の第２工程において、溶媒としては、上記式（２）で示される有機金属化合物及び第２の反応混合物を溶解することができる溶媒が好ましい。溶媒は、脂肪族又は芳香族の有機溶媒が用いられる。エーテル系溶媒、例えばテトラヒドロフラン又はジエチルエーテル；塩化メチレンのようなハロゲン化炭化水素；ｏ−ジクロロベンゼンのようなハロゲン化芳香族炭化水素；ベンゼン、トルエン等の芳香族炭化水素が用いられる。
【００５７】
本発明にかかるインデン誘導体の製造方法において、第２工程で得られた第２の反応混合物に酸化剤を反応させ、上記式（１）で示されるインデン誘導体を得る（第３工程）。酸化剤としては、一般的な酸化剤でよいが、好ましくは空気である。
本発明の第３工程において、典型的には、第２の反応混合物を分離することなく、そのまま空気と接触させる。たとえば、第２の反応混合物は典型的には溶液中に溶存しているが、この雰囲気中に空気を導入してもよい。あるいは、第２の反応混合物が溶存している溶液中に、空気を導入して、バブリングさせてもよい。
【００５８】
本発明の第３工程において、好ましくは３０℃〜１００℃の温度範囲、特に好ましくは約５０℃に昇温し、次いで、酸化剤との反応を、好ましくは０℃〜１００℃の温度範囲、特に好ましくは１０℃〜４０℃の温度範囲、更に好ましくは１５℃〜３５℃の温度範囲で行う。
本発明の第３工程において、圧力は、常圧であることが好ましい。
【００５９】
本発明の第３工程において、溶媒としては、上記式（２）で示される有機金属化合物及び第２の反応混合物を溶解することができる溶媒が好ましい。溶媒は、脂肪族又は芳香族の有機溶媒が用いられる。エーテル系溶媒、例えばテトラヒドロフラン又はジエチルエーテル；塩化メチレンのようなハロゲン化炭化水素；ｏ−ジクロロベンゼンのようなハロゲン化芳香族炭化水素；ベンゼン、トルエン等の芳香族炭化水素が用いられる。
【００６０】
本発明において、第１工程において、上記式（２）で示される有機金属化合物に還元剤を反応させ、得られた第１の反応混合物に、上記式（３ａ）及び上記式（３ｂ）で示されるアセチレン誘導体を反応させることにより、下記式で示されるメタラシクロペンタジエンが得られる。
【化１３】
0004695843.tif 000010
［式中、Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3、Ｒ4、Ａ1、Ａ2、Ｍ及びＬは、上記と同義である。］
このチタナシクロペンタジエンに酸化剤を反応させることで、シクロヘキサジエンがベンゼン環に芳香化され、それによって置換基Ｒ1が５員環に移動することにより、上記式（１）で示されるインデン誘導体が得られると考えられる。
もっとも、この反応機構は仮説に過ぎず、本発明はこの反応機構に限定されるものではない。
【実施例】
【００６１】
以下、本発明を実施例に基づいて説明する。ただし、本発明は、下記の実施例に制限されるものではない。
【００６２】
全ての反応は特に記載の無い限り、窒素雰囲気下、無水溶媒を用いて行った。
THF、エーテルはナトリウム/ベンゾフェノン系を用いて脱水したものを使用した。
試薬は特に記載のない限り、市販品を精製せずにそのまま用いた。
【００６３】
NMRは以下の機種を用いた。
NMR - JEOL JNM-AL300、Bruker ARX-400
NMRデータは、以下の表記方法に従い記載した。
1H NMR (400 MHz および 300MHz):
各試料の化学シフトはテトラメチルシランを内部標準としたときのδ値 (ppm) で示した。スピン結合定数はJ値 (Hz) で示した。カップリングパターンは singlet (s), doublet (d), triplet (t), quartet (q), multiplet (m), broad (br)と略した。また、NMR収率はメシチレンを内部標準として決定した。
13C NMR (100 MHzおよび 75 MHz):
各試料の化学シフト値は、クロロホルム(77.00 ppm)を内部標準とした時のδ値(ppm)で示した。
【００６４】
シリカゲルカラムクロマトグラフィーは、Merck silica gel 60 (230-400 mesh ASTM)、関東化学シリカゲル60 N(球状, 中性, 40-100 μm)もしくは関東化学シリカゲル60(40-63 μm)を充填剤として使用した。また、分析用薄層クロマトグラフィーにはKiesel gel 60 PF254 を使用した。
【００６５】
実施例１
1,5,6,7-テトラエチルインデンの調製
【化１４】
0004695843.tif 000011
【００６６】
チタノセンジクロリド(598.0 mg, 2.4 mmol)のTHF溶液(5 ml)にn-BuLi(3.1 ml, 1.59 Mヘキサン溶液, 4.8 mmol)を-78 ℃にて滴下して加え、1時間攪拌した。この後、3-ヘキシン (460 μl)を加え、-10 ℃にて3時間反応させ、チタナシクロペンタジエンを合成した。この反応溶液を50℃に昇温し12時間攪拌させ、さらに室温にて空気中で24時間攪拌した。3規定塩酸で反応を処理し有機層を飽和炭酸水素ナトリウム水溶液、飽和食塩水で洗い、Na2SO4で乾燥させた。綿栓ろ過、溶媒除去後、ヘキサンを展開溶媒としてシリカゲルカラムクロマトグラフィーを行ったところ、表題化合物 (126.9 mg, 28%)が得られた。無色液体。
【００６７】
1H NMR (CDCl3, Me4Si) δ 0.84 (ｔ, J = 7.5 Hz, 3 H), 1.14-1.29 (m, 9 H), 1.56 (m, 1 H), 2.18 (m, 1 H), 2.65-2.86 (m, 6 H), 3.53 (m, 1 H), 6.44 (d, J = 5.4 Hz, 1 H), 6.71 (d, J = 5.4 Hz, 1 H), 7.06 (s, 1 H); 13C NMR (CDCl3, CHCl3) δ 11.06, 15.47, 15.74, 15.97, 21.11, 22.87, 23.83, 25.85, 51.36, 119.14, 130.88, 136.61, 137.58, 138.47, 140.78, 142.69, 142.75. LRMS (EI) m/z 228 (M+), 213, 199, 171, 143. HRMS (EI) 計算値 C17H24 228.1878 実測値 228.1868.
【００６８】
参考例１
2-ブロモ-3,4,5,6-テトラエチル-インデン-1-オール
【化１５】
0004695843.tif 000012
実施例１で得られた1,5,6,7-テトラエチルインデン(0.23 mmol, 53.3 mg)のエーテル溶液(5 ml)にBr2 (0.31 mmol , 16 μl)を0 ℃にて滴下して加え、5時間攪拌した。反応溶液を3規定塩酸水溶液にて処理した後、ヘキサンにて抽出した。有機層を飽和炭酸水素ナトリウム水溶液、飽和食塩水で洗い、Na2SO4で乾燥させた。綿栓ろ過、溶媒除去後、シリカゲルカラムクロマトグラフィー(ヘキサン:酢酸エチル=4:1)を行い、さらにヘキサンで再結晶を行ったところ無色の結晶が得られた (52.3 mg, 単離収率68％）。このものについてＸ線結晶構造分析を行った。結果を図１に示す。
【００６９】
無色固体。1H NMR (CDCl3, Me4Si) δ 1.08-1.28 (m, 12 H), 1.64 (m, 1 H), 1.91 (m, 1 H), 2.11 (bs, 1 H), 2.60-2.74 (m, 6 H), 3.39 (m, 1 H), 4.32 (s, 1 H), 5.22 (s, 1 H), 7.15 (s, 1 H); 13C NMR (CDCl3, CHCl3) δ 12.55, 15.30, 15.48, 15.60, 21.42, 22.49, 25.78, 29.27, 56.36, 57.86, 83.59, 122.89, 138.13, 138.64, 141.01, 141.60, 142.31. LRMS (EI) m/z 324(M+), 295, 245, 215, 187. HRMS (EI) 計算値 C17H25BrO 324.1088 実測値 324.1079.
【図面の簡単な説明】
【００７０】
【図１】参考例１で得られた生成物のＸ線構造分析の結果を示す。
【図１】
0004695843.tif 000017