(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
ブースと、前記ブースの内部に配置されて温度調整対象を含む露光装置本体と、前記ブース内の空調を行う空調機室を備える温度調整エア供給装置と、を有する露光装置において、
前記露光装置本体は、前記温度調整対象として、ウエハステージを含む第１空間およびレチクルステージを含む第２空間を含み、
前記温度調整エア供給装置は、供給するエアを温度調整するための冷却器及びヒータと、供給するエアを清浄にする除塵フィルタとを前記空調機室内に有し、清浄にした温度調整エアを前記第１および第２空間にそれぞれ供給する第１および第２温度調整エア供給部を前記ブース内に有し、風速分布を均一にするための整流部材を前記第１および第２温度調整エア供給部それぞれのエア吹き出し面に有し、前記供給するエアの経路は、前記冷却器・前記除塵フィルタを順次通って前記第１および第２温度調整エア供給部にそれぞれエアを送る第１および第２経路に分岐し、前記ヒータは、前記第１および第２経路それぞれに配置されている、
ことを特徴とする露光装置。
【請求項２】
請求項１に記載の露光装置を用いて基板を露光する工程と、
前記工程で露光された基板を現像する工程と、を含むことを特徴とするデバイス製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体デバイスの製造に好適に用いられる露光装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
ＩＣ、ＬＳＩ、液晶パネル等の半導体デバイスの製造工程においては、基板（半導体ウエハ基板やガラス基板）に対して多くの処理を施すが、中でもパターン焼き付けのための露光プロセスは半導体製造の要となる重要なプロセスである。このプロセスを行う装置として、露光装置（ステッパや、スキャナ）が知られている。
【０００３】
ウエハに塗布されるレジストには電離放射線（紫外線、Ｘ線、電子線等）を当てると効率良く化学反応を起こす高分子膜と、露光により触媒（酸）が発生しベーク処理（ＰＥＢ）されることで、触媒により像形成が行われる化学増幅レジストに大別できる。化学増幅レジストは触媒を用いた像形成のため高感度化が容易であり、照度を得にくいエキシマレーザ光用のレジストとして近年一般的に用いられている。一方、露光により発生した触媒がエア中やウエハ表面に拡散し、更にベーク処理（ＰＥＢ）することで触媒作業が促進し、像プロファイルが劣化するため、化学増幅レジストを用いるにはレジスト塗布から露光を経てベーク処理（ＰＥＢ）に至る環境雰囲気中のアミン・アミドなどの塩基性ガスに対する化学汚染の制御が必要とされる。
【０００４】
一方、露光装置には光源から出射した光をレチクル面に照射する照明光学系を初めとして、レンズやミラー等種々の光学部材が使用されている。露光波長の短波長化に伴い、この露光光が透過・照射する光学部材に曇りが発生しウエハ面に到達する露光量が減少するという問題があった。この曇りの成分は有機化合物や、硫酸アンモニウム（ＮＨ4)2ＳＯ4 などの無機化合物であり、その原因はエア中に存在するアンモニウムイオン（ＮＨ4+）や硫酸イオン（ＳＯ42-）またはそれらの化合物、あるいは有機ガスが露光光の照射により光化学反応的に光学部材に付着することにあると考えられる。
【０００５】
これら化学増幅レジストの表面難溶化現象や光学部材の曇りという問題に対して、露光装置本体を取り巻く周囲環境の温度や湿度あるいは塵埃を制御する環境チャンバに不純物ガス除去フィルタを搭載し、この雰囲気中に存在する塩基性ガス、硫酸ガス、及び有機ガス等の物質を除去することが従来から行われてきた。
【０００６】
不純物ガス除去フィルタには、例えば、イオン交換繊維を使用したケミカルフィルタ、活性炭粒子や活性炭繊維を使用した活性炭フィルタ、更には、これら活性炭に酸性物質やアルカリ物質を添着したケミカルフィルタなどが用いられるが、除去するガスの種類やフィルタの特性を考慮して、最適なフィルタを選択することが望ましい。また複数種のガスを除去する場合には、各々のガスに最適なフィルタを重ね合わせて使用する場合もある。
【０００７】
図３は従来例に係わる露光装置の構成図である。この露光装置はチャンバ１内に配置されている。このチャンバ１は、主にエアの温度調整を行う空調機室１０及び微小異物を濾過し清浄エアの均一な流れを形成するフィルタボックス２０と、装置環境を外部と遮断するブース３０とを備えている。空調機室１０内には、温度コントローラ８、冷却器１１、ベースヒータ１２、再熱ヒータ１２Ｂ，１２Ｗ，１２Ｒ、送風機１３、及び循環用のケミカルフィルタ１４Ａと外気導入口１８用のケミカルフィルタ１４Ｂなどが配置されている。
【０００８】
また、フィルタボックス２０内には除塵フィルタ１５が配置されている。ブース３０内には、露光装置本体２のウエハステージ空間４及びレチクルステージ空間５、これらに温調（温度調整）エアを供給するための温調エア供給部１６Ｗ，１６Ｒ、除塵フィルタ１５Ｗ，１５Ｒ、並びに供給エアダクト７などが配置され、温度センサ９，９Ｗ，９Ｒも配置されている。図中、１７はチャンバ１内のエアを循環させるためのリターン口である。
【０００９】
一般的な環境チャンバは天井に除塵フィルタ（ＵＬＰＡ等）を設け、チャンバ１内をダウンフローしている。また、感光基板であるウエハやレチクルが載るステージの正確な位置決め及び駆動制御のために干渉計が使用される。この干渉計は該干渉計用に搭載されたレーザ光源から発せられるレーザ光の干渉現象を利用し、位置情報を検知するものである。しかし、温度変化によりレーザ光の波長は変化するため、正確なステージ位置制御を行うためには干渉計レーザ光路及びステージ空間４，５を均一な温度に保たなければならない。そのために、ステージ空間４，５に温度制御されたエアを供給する温調エア供給部１６Ｗ，１６Ｒがステージ空間４，５の近傍に配置されている。また、温調エア供給部１６Ｗ，１６Ｒには除塵フィルタ１５Ｗ，１５Ｒが搭載されている。一般的に高精度な温度制御を必要とする場所には除塵フィルタ１５Ｗ，１５Ｒをエア供給経路の最下流である吹き出し部に配置している。その理由はエア供給経路中より侵入する塵挨を除去することができることと、フィルタメディアの層流効果により吹き出し面の風速分布を均一にすることができるからである。
【００１０】
【発明が解決しようとしている課題】
近年のウエハサイズの大型化と露光パターンの微細化に伴い、ステージ空間４，５を従来以上に均一かつ安定した状態で温度制御することが要求されている。しかしながら、ウエハサイズの大型化によりステージ空間４，５が拡大し、ステージ空間全体を従来以上の精度で温度制御することが困難になってきた。これを解決するためには温調エアの供給量を増加し、吹き出し面積を拡大する必要がある。ここで問題となるのは温調エア供給部１６Ｗ，１６Ｒが大型化してしまうことである。大型化により、温調エア供給部１６Ｗ，１６Ｒ内での温度分布が大きくなるため、ステージ空間４，５の温度安定性を悪化させてしまう。また、露光装置本体２に大型化した温調エア供給部をいくつも配置することで露光装置サイズが大型化してしまう。この状態で無理に露光装置サイズを小型化すると、設計の自由度がなくなり各ユニットの最適配置が出来なくなる。その結果、配管チューブや通信ケーブルの長さが延び、流体の圧力損失や電気ノイズの影響が増加して装置性能に影響を及ぼす恐れがある。また、露光装置本体２に寿命部品であるフィルタをいくつも配置することで、ランニングコストの増加やメンテナンス時の作業性が悪くなるという問題がある。
【００１１】
本発明は、上記従来技術が有する課題を解決すべくなされたものであり、ウエハステージを含む第１空間およびレチクルステージを含む第２空間を内部に含むブースの小型化と、該第１および第２空間の個別の温度制御とに有利な露光装置を提供することを目的とする。
【００１２】
【課題を解決するための手段】
本発明は、ブースと、前記ブースの内部に配置されて温度調整対象を含む露光装置本体と、前記ブース内の空調を行う空調機室を備える温度調整エア供給装置と、を有する露光装置において、
前記露光装置本体は、前記温度調整対象として、ウエハステージを含む第１空間およびレチクルステージを含む第２空間を含み、
前記温度調整エア供給装置は、供給するエアを温度調整するための冷却器及びヒータと、供給するエアを清浄にする除塵フィルタとを前記空調機室内に有し、清浄にした温度調整エアを前記第１および第２空間にそれぞれ供給する第１および第２温度調整エア供給部を前記ブース内に有し、風速分布を均一にするための整流部材を前記第１および第２温度調整エア供給部それぞれのエア吹き出し面に有し、前記供給するエアの経路は、前記冷却器・前記除塵フィルタを順次通って前記第１および第２温度調整エア供給部にそれぞれエアを送る第１および第２経路に分岐し、前記ヒータは、前記第１および第２経路それぞれに配置されている、
ことを特徴とする露光装置である。
【００２０】
【発明の実施の形態】
（温調エア供給装置を備える露光装置の実施形態）
図１は本発明の実施形態に係わる温調エア供給装置及び露光装置（スキャナ）の構成図である。
この露光装置本体２の空調にはチャンバ１が使用されている。このチャンバ１は、主にエアの温度調整を行う空調機室１０及び微小異物を濾過し清浄エアの均一な流れを形成するフィルタボックス２０、また装置環境を外部と遮断するブース３０を備えて構成されている。
【００２１】
空調機室１０内には、温度コントローラ８、冷却器１１、ベースヒータ１２、ブース用の再熱ヒータ１２Ｂ、ウエハステージ用の再熱ヒータ１２Ｗ、レチクルステージ用の再熱ヒータ１２Ｒ、送風機１３、ケミカルフィルタ１４Ａ，１４Ｂ、ウエハステージ用の除塵フィルタ１５Ｗ、及びレチクルステージ用の除塵フィルタ１５Ｒなどが配置されている。
【００２２】
フィルタボックス２０内には、除塵フィルタ１５が配置されている。ブース３０内には、露光装置本体２のウエハステージ空間４及びレチクルステージ空間５、これらに温調エアを供給するための温調エア供給部１６Ｗ，１６Ｒ、整流装置１９Ｗ，１９Ｒ、並びに高気密性供給エアダクト７Ｗ，７Ｒなどが配置され、温度センサ９，９Ｗ，９Ｒが配置されている。
【００２３】
チャンバ１内では、リターン口１７から流入するエア２５Ａが空調機室１０内にある冷却器１１及びベースヒータ１２により温度調整され、温度調整されたエア２５Ｂが、送風機１３によりケミカルフィルタ１４Ａを通って清浄なエア２５Ｃとなり、再熱ヒータ１２Ｂで厳密に温度調整されたエア２５Ｄが、除塵フィルタ１５を介してブース３０に除塵エア２５Ｅとして供給される。ブース３０に供給されたエアはリターン口１７よりエア２５Ａとして再度空調機室１０に取り込まれチャンバ１内を循環する。通常、このチャンバ１は厳密には完全な循環系ではなく、ブース３０内を常時陽圧に保つため循環エア量の約１割のブース内のエアに相当する量の外気２５を空調機室１０に設けられた外気導入口１８により外気導入口用ケミカルフィルタ１４Ｂと送風機１３を介して導入している。
【００２４】
ブース３０を陽圧に保つ理由は、ブース３０にある微小な隙間を通してブース３０外より微小異物がブース３０内に侵入するのを防止するためである。
【００２５】
ウエハステージ空間４には専用の再熱ヒータ１２Ｗにより厳密に温度制御され除塵フィルタ１５Ｗで除塵されたエア２５Ｗを供給する温調エア供給部１６Ｗがステージ空間近傍に配置されている。露光装置本体２内のこの温調エア供給部１６Ｗには除塵フィルタ１５Ｗが存在せず、吹き出し面の風速分布を均一にするための整流装置１９Ｗだけをエア吹き出し面に搭載している。
【００２６】
同様に、レチクルステージ空間５にも専用の除塵フィルタ１５Ｒにより除塵され再熱ヒータ１２Ｒにより厳密に温度制御されたエア２５Ｒを供給する温調エア供給部１６Ｒがステージ空間近傍に配置されており、露光装置本体２内のこの温調エア供給部１６Ｒには除塵フィルタ１５Ｒが存在せず、吹き出し面の風速分布を均一にするための整流装置１９Ｒだけをエア吹き出し面に搭載している。
【００２７】
上記温調エア供給部１６Ｗ，１６Ｒから分離された除塵フィルタ１５Ｗ，１５Ｒはエア供給経路中の、空調機室１０内に配置されており、エア供給経路中より塵埃が侵入することがない高気密性供給エアダクト７Ｗ，７Ｒを介し温調された清浄エアが温調エア供給部１６Ｗ，１６Ｒに送られる。
【００２８】
エアの温調は、空調機室１０内にある温度コントローラ８によって行われる。温度コントローラ８は、整流装置１９Ｗ，１９Ｒの近傍にそれぞれ配置した温度センサ９Ｗ，９Ｒによって検知したウエハステージ空間４用のエア２５Ｗの温度情報、及びレチクルステージ空間５用のエア２５Ｒの温度情報と、除塵フィルタ１５の近傍に配置した温度センサ９によって検知したブース３０用のエア２５Ｅの温度情報とを受けて、ウエハステージ用再熱ヒータ１２Ｗ、及びレチクルステージ用再熱ヒータ１２Ｒを制御し、温調を行う。
【００２９】
一方、図２は上記除塵フィルタ１５Ｗ，１５Ｒを１つにまとめて配置した場合の温調エア供給装置及び露光装置（スキャナ）の構成図である。図２において、図１と同一の要素には同一の符号を付けてある。この場合、ウエハステージ空間４とレチクルステージ空間５とが個別に温度制御されるため、除塵フィルタ１５Ｗ，１５Ｒを再熱ヒータ１２Ｗ，１２Ｒの上流側に配置してあり、再熱ヒータ１２Ｗ，１２Ｒ以降の経路を分岐して断熱処理を施す必要がある。
【００３０】
ここで、整流装置１９Ｗ，１９Ｒには、例えばハニカム形状をした整流板などが考えられる。
【００３１】
また、高気密性供給エアダクト７Ｗ，７Ｒには、例えば接続部にテフロンなどのフッ素製ガスケットを備えた高気密性ダクトなどが考えられる。
【００３２】
（半導体生産システムの実施形態）
次に、本発明に係る装置を用いた半導体デバイス（ＩＣやＬＳＩ等の半導体チップ、液晶パネル、ＣＣＤ、薄膜磁気ヘッド、マイクロマシン等）の生産システムの例を説明する。これは半導体製造工場に設置された製造装置のトラブル対応や定期メンテナンス、あるいはソフトウェア提供などの保守サービスを、製造工場外のコンピュータネットワークを利用して行うものである。
【００３３】
図４は全体システムをある角度から切り出して表現したものである。図中、１０１は半導体デバイスの製造装置を提供するベンダ（装置供給メーカ）の事業所である。製造装置の実例としては、半導体製造工場で使用する各種プロセス用の半導体製造装置、例えば、前工程用機器（露光装置、レジスト処理装置、エッチング装置等のリソグラフィ装置、熱処理装置、成膜装置、平坦化装置等）や後工程用機器（組立て装置、検査装置等）を想定している。事業所１０１内には、製造装置の保守データベースを提供するホスト管理システム１０８、複数の操作端末コンピュータ１１０、これらを結んでイントラネット等を構築するローカルエリアネットワーク（ＬＡＮ）１０９を備える。ホスト管理システム１０８は、ＬＡＮ１０９を事業所の外部ネットワークであるインターネット１０５に接続するためのゲートウェイと、外部からのアクセスを制限するセキュリティ機能を備える。
【００３４】
一方、１０２〜１０４は、製造装置のユーザとしての半導体製造メーカの製造工場である。製造工場１０２〜１０４は、互いに異なるメーカに属する工場であっても良いし、同一のメーカに属する工場（例えば、前工程用の工場、後工程用の工場等）であっても良い。各工場１０２〜１０４内には、夫々、複数の製造装置１０６と、それらを結んでイントラネット等を構築するローカルエリアネットワーク（ＬＡＮ）１１１と、各製造装置１０６の稼動状況を監視する監視装置としてホスト管理システム１０７とが設けられている。各工場１０２〜１０４に設けられたホスト管理システム１０７は、各工場内のＬＡＮ１１１を工場の外部ネットワークであるインターネット１０５に接続するためのゲートウェイを備える０これにより各工場のＬＡＮ１１１からインターネット１０５を介してベンダの事業所１０１側のホスト管理システム１０８にアクセスが可能となり、ホスト管理システム１０８のセキュリティ機能によって限られたユーザだけにアクセスが許可となっている。具体的には、インターネット１０５を介して、各製造装置１０６の稼動状況を示すステータス情報（例えば、トラブルが発生した製造装置の症状）を工場側からベンダ側に通知する他、その通知に対応する応答情報（例えば、トラブルに対する対処方法を指示する情報、対処用のソフトウェアやデータ）や、最新のソフトウェア、ヘルプ情報などの保守情報をベンダ側から受け取ることができる。各工場１０２〜１０４とベンダの事業所１０１との間のデータ通信および各工場内のＬＡＮ１１１でのデータ通信には、インターネットで一般的に使用されている通信プロトコル（ＴＣＰ／ＩＰ）が使用される。なお、工場外の外部ネットワークとしてインターネットを利用する代わりに、第三者からのアクセスができずにセキュリティの高い専用線ネットワーク（ＩＳＤＮなど）を利用することもできる。また、ホスト管理システムはベンダが提供するものに限らずユーザがデータベースを構築して外部ネットワーク上に置き、ユーザの複数の工場から該データベースへのアクセスを許可するようにしてもよい。
【００３５】
さて、図５は本実施形態の全体システムを図４とは別の角度から切り出して表現した概念図である。先の例ではそれぞれが製造装置を備えた複数のユーザ工場と、該製造装置のベンダの管理システムとを外部ネットワークで接続して、該外部ネットワークを介して各工場の生産管理や少なくとも１台の製造装置の情報をデータ通信するものであった。これに対し本例は、複数のベンダの製造装置を備えた工場と、該複数の製造装置のそれぞれのベンダの管理システムとを工場外の外部ネットワークで接続して、各製造装置の保守情報をデータ通信するものである。図中、２０１は製造装置ユーザ（半導体デバイス製造メーカ）の製造工場であり、工場の製造ラインには各種プロセスを行う製造装置、ここでは例として露光装置２０２、レジスト処理装置２０３、成膜処理装置２０４が導入されている。なお図５では製造工場２０１は１つだけ描いているが、実際は複数の工場が同様にネットワーク化されている。工場内の各装置はＬＡＮ２０６で接続されてイントラネットを構成し、ホスト管理システム２０５で製造ラインの稼動管理がされている。
【００３６】
一方、露光装置メーカ２１０、レジスト処理装置メーカ２２０、成膜装置メーカ２３０などベンダ（装置供給メーカ）の各事業所には、それぞれ供給した機器の遠隔保守を行うためのホスト管理システム２１１，２２１，２３１を備え、これらは上述したように保守データベースと外部ネットワークのゲートウェイを備える。ユーザの製造工場内の各装置を管理するホスト管理システム２０５と、各装置のベンダの管理システム２１１，２２１，２３１とは、外部ネットワーク２００であるインターネットもしくは専用線ネットワークによって接続されている。このシステムにおいて、製造ラインの一連の製造機器の中のどれかにトラブルが起きると、製造ラインの稼動が休止してしまうが、トラブルが起きた機器のベンダからインターネット２００を介した遠隔保守を受けることで迅速な対応が可能であり、製造ラインの休止を最小限に抑えることができる。
【００３７】
半導体製造工場に設置された各製造装置はそれぞれ、ディスプレイと、ネットワークインタフェースと、記憶装置にストアされたネットワークアクセス用ソフトウェアならびに装置動作用のソフトウェアを実行するコンピュータを備える。記憶装置としては内蔵メモリやハードディスク、あるいはネットワークファイルサーバーなどである。上記ネットワークアクセス用ソフトウェアは、専用又は汎用のウェブブラウザを含み、例えば図６に一例を示す様な画面のユーザインタフェースをディスプレイ上に提供する。各工場で製造装置を管理するオペレータは、画面を参照しながら、製造装置の機種４０１、シリアルナンバー４０２、トラブルの件名４０３、発生日４０４、緊急度４０５、症状４０６、対処法４０７、経過４０８等の情報を画面上の入力項目に入力する。入力された情報はインターネットを介して保守データベースに送信され、その結果の適切な保守情報が保守データベースから返信されディスプレイ上に提示される。またウェブブラウザが提供するユーザインタフェースはさらに図示のごとくハイパーリンク機能４１０〜４１２を実現し、オペレータは各項目の更に詳細な情報にアクセスしたり、ベンダが提供するソフトウェアライブラリから製造装置に使用する最新バージョンのソフトウェアを引出したり、工場のオペレータの参考に供する操作ガイド（ヘルプ情報）を引出したりすることができる。ここで、保守データベースが提供する保守情報には、上記説明した本発明に関する情報も含まれ、また前記ソフトウェアライブラリは本発明を実現するための最新のソフトウェアも提供する。
【００３８】
次に上記説明した生産システムを利用した半導体デバイスの製造プロセスを説明する。図７は半導体デバイスの全体的な製造プロセスのフローを示す。ステップ１（回路設計）では半導体デバイスの回路設計を行う。ステップ２（マスク製作）では設計した回路パターンを形成したマスクを製作する。一方、ステップ３（ウエハ製造）ではシリコン等の材料を用いてウエハを製造する。ステップ４（ウエハプロセス）は前工程と呼ばれ、上記用意したマスクとウエハを用いて、リソグラフィ技術によってウエハ上に実際の回路を形成する。次のステップ５（組み立て）は後工程と呼ばれ、ステップ４によって作製されたウエハを用いて半導体チップ化する工程であり、アッセンブリ工程（ダイシング、ボンディング）、パッケージング工程（チップ封入）等の組立て工程を含む。ステップ６（検査）ではステップ５で作製された半導体デバイスの動作確認テスト、耐久性テスト等の検査を行う。こうした工程を経て半導体デバイスが完成し、これを出荷（ステップ７）する。前工程と後工程はそれぞれ専用の別の工場で行い、これらの工場毎に上記説明した遠隔保守システムによって保守がなされる。また前工程工場と後工程工場との間でも、インターネットまたは専用線ネットワークを介して生産管理や装置保守のための情報がデータ通信される。
【００３９】
図８は上記ウエハプロセスの詳細なフローを示す。ステップ１１（酸化）ではウエハの表面を酸化させる。ステップ１２（ＣＶＤ）ではウエハ表面に絶縁膜を成膜する。ステップ１３（電極形成）ではウエハ上に電極を蒸着によって形成する。ステップ１４（イオン打込み）ではウエハにイオンを打ち込む。ステップ１５（レジスト処理）ではウエハに感光剤を塗布する。ステップ１６（露光）では上記説明した露光装置によってマスクの回路パターンをウエハに焼付露光する。ステップ１７（現像）では露光したウエハを現像する。ステップ１８（エッチング）では現像したレジスト像以外の部分を削り取る。ステップ１９（レジスト剥離）ではエッチングが済んで不要となったレジストを取り除く。これらのステップを繰り返し行うことによって、ウエハ上に多重に回路パターンを形成する。各工程で使用する製造機器は上記説明した遠隔保守システムによって保守がなされているので、トラブルを未然に防ぐと共に、もしトラブルが発生しても迅速な復旧が可能であり、従来に比べて半導体デバイスの生産性を向上させることができる。
【００４０】
【発明の効果】
本発明によれば、ウエハステージを含む第１空間およびレチクルステージを含む第２空間を内部に含むブースの小型化と、該第１および第２空間の個別の温度制御とに有利な露光装置を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】 本発明の実施形態に係わる温調エア供給装置を備える露光装置の構成図である。
【図２】 本発明の他の実施形態に係わる温調エア供給装置を備える露光装置の構成図である。
【図３】 従来例に係わる温調エア供給装置を備える露光装置の構成図である。
【図４】  本発明に係る装置を用いた半導体デバイスの生産システムをある角度から見た概念図である。
【図５】  本発明に係る装置を用いた半導体デバイスの生産システムを別の角度から見た概念図である。
【図６】  ユーザインタフェースの具体例である。
【図７】  デバイスの製造プロセスのフローを説明する図である。
【図８】  ウエハプロセスを説明する図である。
【符号の説明】
１：チャンバ、２：露光装置本体、４：ウエハステージ空間、５：レチクルステージ空間、７Ｗ，７Ｒ：高気密性供給エアダクト、８：温度コントローラ、９，９Ｗ，９Ｒ：温度センサ、１０：空調機室、１１：冷却器、１２：ベースヒータ、１２Ｂ：再熱ヒータ（ブース用）、１２Ｗ：再熱ヒータ（ウエハステージ用）、１２Ｒ：再熱ヒータ（レチクルステージ用）、１３：送風機、１４Ａ：ケミカルフィルタ（循環用）、１４Ｂ：ケミカルフィルタ（外気導入口用）、１５：除塵フィルタ、１５Ｗ：除塵フィルタ（ウエハステージ用）、１５Ｒ：除塵フィルタ（レチクルステージ用）、１６Ｗ：温調（温度調整）エア供給部（ウエハステージ用）、１６Ｒ：温調（温度調整）エア供給部（レチクルステージ用）、１７：リターン口、１８：外気導入口、１９Ｗ：整流装置（ウエハステージ用）、１９Ｒ：整流装置（レチクルステージ用）、２０：フィルタボックス、２５（２５Ａ〜２５Ｅ）：エア、３０：ブース、１０１：ベンダの事業所、１０２，１０３，１０４：製造工場、１０５：インターネット、１０６：製造装置、１０７：工場のホスト管理システム、１０８：ベンダ側のホスト管理システム、１０９：ベンダ側のローカルエリアネットワーク（ＬＡＮ）、１１０：操作端末コンピュータ、１１１：工場のローカルエリアネットワーク（ＬＡＮ）、２００：外部ネットワーク、２０１：製造装置ユーザの製造工場、２０２：露光装置、２０３：レジスト処理装置、２０４：成膜処理装置、２０５：工場のホスト管理システム、２０６：工場のローカルエリアネットワーク（ＬＡＮ）、２１０：露光装置メーカ、２１１：露光装置メーカの事業所のホスト管理システム、２２０：レジスト処理装置メーカ、２２１：レジスト処理装置メーカの事業所のホスト管理システム、２３０：成膜装置メーカ、２３１：成膜装置メーカの事業所のホスト管理システム、４０１：製造装置の機種、４０２：シリアルナンバー、４０３：トラブルの件名、４０４：発生日、４０５：緊急度、４０６：症状、４０７：対処法、４０８：経過、４１０，４１１，４１２：ハイパーリンク機能。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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