(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁性基板上に、互いに交差したゲート信号線及びドレイン信号線に接続された第１半導体素子、及び該第１半導体素子を介して前記ドレイン信号線のドレイン信号に応じてエレクトロルミネッセンス素子に電流を供給する第２半導体素子を備えたエレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法において、
前記絶縁性基板の一主面上に、前記第１及び第２半導体素子の能動層である非晶質半導体膜を形成する工程と、該半導体膜のうち前記第２半導体素子の能動層を覆うように遮光膜を形成した後に、前記絶縁性基板の一主面側にレーザ光を照射して前記第１半導体素子の能動層の非晶質半導体膜を多結晶化する工程と、を備えたことを特徴とするエレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法。
【請求項２】
前記第１半導体素子の能動層の非晶質半導体膜を多結晶化する工程の後に、前記遮光膜を除去した後加熱処理を施して前記第２半導体素子の能動層の非晶質半導体膜を多結晶化することを特徴とする請求項１に記載のエレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法。
【請求項３】
前記第１及び第２の半導体素子は、薄膜トランジスタであることを特徴とする請求項１又は２に記載のエレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法。
【請求項４】
前記遮光膜は、金属膜であることを特徴とする請求項１〜３のうちいずれか１項に記載のエレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法。
【請求項５】
前記遮光膜と前記非晶質半導体膜との間に保護膜を形成することを特徴とする請求項１〜４のうちいずれか１項に記載のエレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法。
【請求項６】
絶縁性基板上に、互いに交差した複数のゲート信号線及び複数のドレイン信号線に接続された第１半導体素子、及び該第１半導体素子を介して前記ドレイン信号線のドレイン信号に応じてエレクトロルミネッセンス素子に電流を供給する第２半導体素子を備えたエレクトロルミネッセンス表示装置において、
前記第１半導体素子は、非晶質半導体膜にレーザ光を照射して多結晶化した第１の多結晶半導体膜を有し、
前記第２半導体素子は、非晶質半導体膜を加熱処理によって多結晶化した第２の多結晶半導体膜を有し、
前記第２の多結晶半導体膜は、前記第１の多結晶半導体膜より結晶状態が均一であることを特徴とするエレクトロルミネッセンス表示装置。
【請求項７】
前記第１及び第２の半導体素子は、薄膜トランジスタであることを特徴とする請求項６に記載のエレクトロルミネッセンス表示装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、薄膜トランジスタ（Thin Film Transistor：以下、「ＴＦＴ」と称する。）を備えたエレクトロルミネッセンス（Elecroluminescence、以下、「ＥＬ」と称する。）表示装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
近年、ＥＬ表示装置は携帯可能な表示装置、例えば携帯用テレビ、携帯電話等が市場ニーズとして要求されており、それに応じて小型化、軽量化、省消費電力化の要求に対応すべく研究開発も盛んである。
【０００３】
図２にＥＬ表示装置の表示画素近傍の平面図を示し、図３の左側半分には図２中のＡ−Ａ線に沿ったスイッチング用ＴＦＴの製造工程断面図を示し、図３の右側半分には図２中のＢ−Ｂ線に沿ったＥＬ素子駆動用ＴＦＴの製造工程断面図を示す。
【０００４】
図２に示すように、絶縁性基板１０上に、ゲート信号を供給する複数のゲート信号線５１と、ドレイン信号を供給する複数のドレイン信号線５２とが互いに交差して配置されている。
【０００５】
また、ドレイン信号線５２と並行に有機ＥＬ素子９０を駆動するための電流を供給する電源線が配置されており、またゲート信号線５１と並行にドレイン信号線５２から供給されたドレイン信号を１フィールド期間保持する保持容量ＳＣの一方の電極である保持容量電極線５４が配置されている。
【０００６】
また、それらの両信号線５１，５２の交差部近傍には、スイッチング用ＴＦＴ３０、素子駆動用ＴＦＴ４０及び有機ＥＬ素子９０が配置されている。
【０００７】
スイッチング用ＴＦＴ３０においては、ゲート３３はゲート信号線５１に、ドレイン３１ｄはドレイン信号線５２に、ソース３１ｓは保持容量ＳＣの一方の電極５５及び素子駆動用ＴＦＴ４０のゲート４３に接続されており、素子駆動用ＴＦＴ４０においては、ゲート４３はスイッチング用ＴＦＴ３０のソース３１ｓ及び保持容量ＳＣの一方の電極５５に、ドレイン４１ｄは有機ＥＬ素子９０を駆動するための電流を供給する電源線５３に、ソース４１ｓは有機ＥＬ素子９０の陽極２４に接続されている。
【０００８】
図３に基づいて、従来のＥＬ表示装置の製造方法について説明する。
【０００９】
工程１（図３（ａ））：無アルカリガラス、石英ガラス等からなる絶縁性基板１０上に、ＣＶＤ法を用いてＳｉＯ2膜１１及びＳｉＮ膜１２を順に形成する。そのＳｉＮ膜１２の上に、非晶質シリコン膜１３をＣＶＤ法を用いて形成する。
【００１０】
工程２（図３（ｂ））：ＸｅＣｌ（波長３０８ｎｍ）等の線状のエキシマレーザ光１５を約３０μｍピッチで、基板１０の一方の辺から他方の辺に向かって走査させて基板全面に照射する。そうして、非晶質シリコン膜１３を多結晶化する。
【００１１】
工程３（図１（ｃ））：多結晶シリコン膜５０を各ＴＦＴの能動層となるようにエッチングして島化する。なお、スイッチング用ＴＦＴ３０の多結晶シリコン膜５０は保持容量ＳＣを形成するための電極５５となるため、保持容量電極線５４と重畳する領域にまで延在させて残しておく。
【００１２】
島化した多結晶シリコン膜５０を覆うように、ＳｉＯ2膜をＣＶＤ法にて形成してゲート絶縁膜１８を形成する。その上に、Ｃｒ、Ｔｉ等の高融点金属からなりゲート信号線５１の一部を成すゲート電極３３，４３を形成する。
【００１３】
このゲート電極３３，４３をマスクとして、スイッチング用ＴＦＴ３０の能動層にはＰ（リン）等の不純物イオンを注入し、ＥＬ素子駆動用ＴＦＴ４０の能動層にはＢ（ボロン）等の不純物を注入して、スイッチング用ＴＦＴ３０をｎチャネル型ＴＦＴに、ＥＬ素子駆動用ＴＦＴ４０をｐチャネル型ＴＦＴにする。
【００１４】
イオン注入の後、ゲート電極３３，４３を覆うように、層間絶縁膜２０を形成する。この層間絶縁膜２０は、ＳｉＯ2膜、ＳｉＮ膜及びＳｉＯ2膜の３層からなっている。
【００１５】
工程４（図１（ｄ））：各ＴＦＴ３０，４０において、層間絶縁膜２０のドレイン３３ｄ，４３ｄに対応した位置、及びソース３３ｓ，４３ｓに対応した位置に設けたコンタクトホールを形成し、Ａｌ等の金属を充填したドレイン信号線５２を兼ねたドレイン電極２１及びソース電極２２が設けられる。更にソース電極２２、ドレイン電極２１、ドレイン信号線５２及び層間絶縁膜２０上の全面に有機樹脂から成り表面を平坦にする平坦化絶縁膜２３が形成されている。
【００１６】
そして、ＥＬ素子駆動用ＴＦＴ４０においては、平坦化絶縁膜２３のソース電極２２に対応した位置にコンタクトホールを形成し、このコンタクトホールを介してソース４３ｓとコンタクトしたＩＴＯ（Indium Tin Oxide）から成る透明電極、即ち有機ＥＬ素子の陽極２４を平坦化絶縁膜２３上に設けている。
【００１７】
工程５（図１（ｅ））：有機ＥＬ素子９０は、ＩＴＯ等の透明電極から成る陽極２４、ＭＴＤＡＴＡ（4,4’,4’’- tris(3-methylphenylphenylamino)triphenylamine）などから成る第１ホール輸送層２６、及びＴＰＤ（N,N’-diphenyl-N,N’-di(3-methylphenyl)-1,1’-biphenyl-4,4’-diamine）などからなる第２ホール輸送層２７、キナクリドン（Quinacridone）誘導体を含むＢｅｂｑ2（10-ベンゾ〔ｈ〕キノリノール−ベリリウム錯体）などから成る発光層２８、及びＢｅｂｑ2などから成る電子輸送層２９、マグネシウム・インジウム合金などから成る陰極３０がこの順番で積層形成された構造である。この有機ＥＬ素子９０によって表示画素を成している。なお、陽極２４の周辺には感光性樹脂、ＳｉＯ2膜等からなる絶縁膜２５を形成する。
【００１８】
有機ＥＬ素子９０は、陽極２４上方の層に設けた陰極３０との間に有機材料から発光層が形成されており、供給された電流に応じてその発光層が発光する。
【００１９】
スイッチング用ＴＦＴ３０を介して供給されたドレイン信号が素子駆動用ＴＦＴ４０のゲートに供給され、それに応じた電流が電源線５３から素子駆動用ＴＦＴ４０を介して有機ＥＬ素子９０に供給される。その供給された電流が陽極２４に供給され、その電流に応じて発光層の発光材料が発光して有機ＥＬ素子９０が発光して表示を得ることができる。
【００２０】
【発明が解決しようとする課題】
ところが、上述のように、スイッチング用ＴＦＴ３０とＥＬ素子駆動用ＴＦＴ４０の各能動層はいずれもＳｉＮ膜１２上に形成した非晶質シリコン膜１３にレーザ光を照射して多結晶化したものである。このときレーザ光は約３０μｍのピッチで走査させて基板全面に照射するため、このレーザ光の照射エネルギーがばらついていると、照射された非晶質シリコン膜の粒径、及びそれによる移動度のばらつきが生じ、特性の異なるＴＦＴが形成されることになる。そうすると、特にＥＬ素子駆動用ＴＦＴにおいては、スイッチング用ＴＦＴを介して供給されるドレイン信号に応じた電流をＥＬ素子に供給することから、閾値、電流特性がばらつくとドレイン信号に応じた電流をＥＬ素子に供給することができなくなり、良好な表示を得ることができるＥＬ表示装置を提供することができないという欠点があった。
【００２１】
そこで本発明は、上記の従来の欠点に鑑みて為されたものであり、高速スッチング性を有する半導体素子と、特性の均一な半導体素子とを備えたＥＬ表示装置を提供することを目的とする。
【００２２】
【課題を解決するための手段】
本発明のＥＬ表示装置の製造方法は、絶縁性基板上に、互いに交差したゲート信号線及びドレイン信号線に接続された第１半導体素子、及び該第１半導体素子を介して前記ドレイン信号線のドレイン信号に応じてＥＬ素子に電流を供給する第２半導体素子を備えたＥＬ表示装置の製造方法において、前記絶縁性基板の一主面上に、前記第１及び第２半導体素子の能動層である非晶質半導体膜を形成する工程と、該半導体膜のうち前記第２半導体素子の能動層を覆うように遮光膜を形成した後に、前記絶縁性基板の一主面側にレーザ光を照射して前記第１半導体素子の能動層の非晶質半導体膜を多結晶化する工程と、を備えたものである。
【００２３】
第１半導体素子であるスイッチング用ＴＦＴは、ゲート信号線のゲート信号に応じてオンしてドレイン信号線のドレイン信号を、第２半導体素子であるＥＬ素子駆動用ＴＦＴに供給するものであり、そのＥＬ素子駆動用ＴＦＴのゲートに印加された電圧に応じた電流が電源線からＥＬ素子駆動用ＴＦＴを介してＥＬ素子に供給されるが、このとき各ＥＬ素子に対応して設けられたＥＬ素子駆動用ＴＦＴの特性がばらついていると、供給された電圧に応じた電流をＥＬ素子に供給することができないことから良好な表示を得ることができなくなってしまうが、スイッチング用ＴＦＴの能動層をレーザ光を照射して多結晶化する際には、遮光膜をＥＬ素子駆動用ＴＦＴの能動層上に設けているため、レーザ光が反射されて非晶質半導体層に熱が到達しないことから、スイッチング用ＴＦＴの非晶質半導体膜は多結晶化されるがＥＬ素子駆動用ＴＦＴの非晶質半導体膜は多結晶化されない。そのため、レーザ光エネルギーのばらつきによる多結晶化の度合いがばらついてしまうことがＥＬ素子駆動用ＴＦＴにおいては発生しないことから、均一な特性のＴＦＴを得ることができ、良好な表示を提供することができる。
【００２４】
また、上述のＥＬ表示装置の製造方法は、前記第１半導体素子の能動層の非晶質半導体膜を多結晶化する工程の後に、前記遮光膜を除去した後加熱処理を施して前記第２半導体素子の能動層の非晶質半導体膜を多結晶化したものである。
【００２５】
それによって、更に第２半導体素子であるＥＬ素子駆動用ＴＦＴの能動層の非晶質半導体層をレーザ光を照射することなく加熱処理によって多結晶化するのでレーザ光エネルギーのばらつきによる多結晶化の度合いがばらつくことがなく、均一な結晶化が可能となり、それによってＥＬ素子に供給する電流も所定の電流値が供給できることになり、良好な表示を提供することができる。
【００２６】
また、上述のＥＬ表示装置の製造方法は、前記第１及び第２の半導体素子は、薄膜トランジスタであるＥＬ表示装置の製造方法である。
【００２７】
これによって、スイッチング用ＴＦＴにおいては高速のスイッチングが可能となり、また、ＥＬ素子駆動用ＴＦＴにおいてはスイッチング用ＴＦＴ及び表示画素周辺にありスイッチング用ＴＦＴに信号を供給する周辺駆動回路（周辺ドライバ）とともに同一基板上に一体的に形成することが可能である。
【００２８】
更にまた、上述のＥＬ表示装置の製造方法は、前記遮光膜は、金属膜、又は金属膜と保護膜との積層膜であるＥＬ表示装置の製造方法である。
【００２９】
これによって、特段困難な工程を用いることなく、スパッタ法、ＣＶＤ法等によって容易に形成でき、かつ容易に除去することができる。
【００３０】
なお、金属膜としては、アルミニウム（Ａｌ）、チタン（Ｔｉ）、クロム（Ｃｒ）等を用いることが可能であり、また保護膜としてはＳｉＯ2膜、ＳｉＮ膜を用いることができる。
【００３１】
更にまた、本発明のＥＬ表示装置は、絶縁性基板上に、互いに交差した複数のゲート信号線及び複数のドレイン信号線に接続された第１半導体素子、及び該第１半導体素子を介して前記ドレイン信号線のドレイン信号に応じてＥＬ素子に電流を供給する第２半導体素子を備えたＥＬ表示装置において、前記第１半導体素子は、非晶質半導体膜にレーザ光を照射して多結晶化した第１の多結晶半導体膜を有し、前記第２半導体素子は、非晶質半導体膜を加熱処理によって多結晶化した第２の多結晶半導体膜を有し、前記第２の多結晶半導体膜は、前記第１の多結晶半導体膜より結晶状態が均一なＥＬ表示装置である。
【００３２】
これによって、高速性を要求されるスイッチング用ＴＦＴの非晶質半導体膜はレーザ光を照射して多結晶化し、特性の均一性を要求されるＥＬ素子駆動用ＴＦＴの非晶質半導体膜はレーザ光を照射することなく加熱処理によって多結晶化することにより、知れらの各要求を満足させることが可能となる。
【００３３】
また、上述のＥＬ表示装置は、前記第１及び第２の半導体素子は、薄膜トランジスタである表示装置である。
【００３４】
それによって、表示画素中のスイッチング用ＴＦＴに各信号を供給する周辺駆動回路と一体的に同一の基板上にスイッチング用ＴＦＴ及びＥＬ素子駆動用ＴＦＴを備えたＥＬ表示装置を得ることができるとともに、高速スイッチングが可能なスイッチング用ＴＦＴを得ることができる。
【００３５】
【発明の実施の形態】
本発明のＥＬ表示装置について以下に説明する。
【００３６】
図１に本発明のＥＬ表示装置を有機ＥＬ表示装置に応用した場合の製造工程図を示し、図２に有機ＥＬ表示装置の表示画素近傍の平面図を示す。
【００３７】
図１に示すように、ゲート信号を供給する複数のゲート信号線５１が行方向（水平方向）に配置されており、ドレイン信号を供給する複数のドレイン信号線５２が列方向（垂直方向）に配置されている。また、ドレイン信号線５２と並行に、有機ＥＬ素子９０に電流を供給する駆動電源線５３が配置されている。
【００３８】
これらの各信号線に囲まれる表示画素領域に、スイッチング用ＴＦＴ３０、有機ＥＬ素子９０に電流を供給する素子駆動用ＴＦＴ４０及び有機ＥＬ素子９０が形成されている。即ち、スイッチング素子３０においては、ゲート３３がゲート信号線５１に、ドレイン３３ｄがドレイン信号線５２に、ソース３３ｓがＥＬ素子駆動用ＴＦＴ４０のゲート４３に接続されており、ＥＬ素子駆動用ＴＦＴ４０においては、ゲート４３がスイッチング用ＴＦＴ３０のソース３１ｓに、ドレイン４１ｄが駆動電源線５３に、ソース４１ｓが有機ＥＬ素子９０の陽極２４に接続されている。
【００３９】
また、各表示画素領域をゲート信号線５１と並行に保持容量信号線５４が配置されており、この信号線５４と、スイッチング用ＴＦＴ３０の能動層であるｐ−Ｓｉ膜を延在させてなる電極との間で保持容量を成し、各表示画素において形成されている。この保持容量は、スイッチング用ＴＦＴ３０がオンしたときに供給されるドレイン信号を１フィールド期間保持し、順次素子駆動用ＴＦＴ４０に供給するためのものである。
【００４０】
図１に基づいて、本発明のＥＬ表示装置の製造方法について説明する。
【００４１】
なお、図１において、左側は図２中のＡ−Ａ線に沿ったスイッチング用ＴＦＴの製造工程断面図を示し、右側は図２中のＢ−Ｂ線に沿ったＥＬ素子駆動用ＴＦＴの製造工程断面図を示す。
工程１（図１（ａ））：無アルカリガラス、石英ガラス等からなる絶縁性基板１０上に、ＣＶＤ法を用いてＳｉＯ2膜１１及びＳｉＮ膜１２を順に形成する。そのＳｉＮ膜１２の上に、非晶質シリコン膜１３をＣＶＤ法を用いて形成する。
その後、その非晶質シリコン膜１３の上に、ＣＶＤ法を用いて保護膜８０であるＳｉＯ2膜を１０００Å形成する。また遮光膜８１としてＡｌ、Ｔｉ、Ｃｒ等の金属膜をスパッタ法、ＣＶＤ法などを用いて１０００Å形成する
工程２（図１（ｂ））：非晶質シリコン膜１３上に形成した遮光膜８１と保護膜８０の積層膜８２のうち、素子駆動用ＴＦＴ４０の能動層４１となる領域上の積層膜８２を残して他の領域の積層膜８２を除去する。このとき、ＥＬ素子駆動用ＴＦＴ４０の能動層４１領域にレジスト膜を形成してマスクとしてエッチングし、その後レジスト膜を除去して、ＥＬ素子駆動用ＴＦＴ４０の能動層１７上に積層膜８２を残すようにする。
【００４２】
遮光膜８１の下層に保護膜８０を設けることにより、金属からなる遮光膜８１の成分が非晶質シリコン膜に侵入することを防止できるので、ＴＦＴの特性向上が図れることから、保護膜８０及び遮光膜８１の２層構造とすることが好ましい。
【００４３】
その後、ＸｅＣｌ（波長３０８ｎｍ）等の線状のエキシマレーザ１５を基板１０の一方の辺から他方の辺に向かって約３０μｍピッチで走査させて基板全面に照射する。そうして、スイッチング用ＴＦＴ３０の能動層である非晶質シリコン膜１３を多結晶化する。このとき、ＥＬ素子駆動用ＴＦＴ４０の能動層１３には、照射されるレーザ光が上層に設けた遮光膜８１によって反射されて届かないため多結晶化はされない。
【００４４】
工程３（図１（ｃ））：ＥＬ素子駆動用ＴＦＴ４０に残した遮光膜８１を除去して、スイッチング用ＴＦＴ３０の能動層の多結晶シリコン１６と、素子駆動用ＴＦＴ４０の能動層の非晶質シリコン膜１３とを各ＴＦＴの能動層３１，４１となるようにエッチングして島化する。なお、スイッチング用ＴＦＴ３０の多結晶シリコン膜３１は保持容量ＳＣを形成するための電極５５となるため、保持容量電極線５４と重畳する領域にまで延在させて残しておく。
【００４５】
島化した非晶質シリコン膜１３及び多結晶シリコン膜３１を覆うように、ＳｉＯ2膜をＣＶＤ法にて形成してゲート絶縁膜１８を形成する。その上に、Ｃｒ、Ｔｉ等の高融点金属からなりゲート信号線５１の一部を成すゲート電極３３，４３を形成する。
【００４６】
このゲート電極３３，４３をマスクとして、スイッチング用ＴＦＴ３０の能動層３１にはＰ（リン）等の不純物イオンを注入し、素子駆動用ＴＦＴ４０の能動層４１にはＢ（ボロン）等の不純物を注入して、スイッチング用ＴＦＴ３０をｎチャネル型ＴＦＴに、素子駆動用ＴＦＴ４０をｐチャネル型ＴＦＴにする。なお、スイッチング用ＴＦＴ３０はソース領域３１ｓとチャネル領域３１ｃ、及びドレイン領域３１ｄとチャネル領域３１ｃとの間に低濃度不純物領域を有するいわゆるＬＤＤ構造を有していても良い。
【００４７】
こうして、イオン注した後に、不純物の活性化のために加熱処理をする。この加熱処理は５５０℃で２時間施す。この加熱処理により、非晶質シリコン膜１３であるＥＬ素子駆動用ＴＦＴ４０の能動層が多結晶化されて多結晶シリコン膜４１になる。
【００４８】
このように、ＥＬ素子駆動用ＴＦＴ４０の能動層については、レーザ光照射による多結晶化を行うことなく、加熱処理によって多結晶化を行う。そうすることにより、レーザ光照射時に発生するレーザ光エネルギーのばらつきによる各ＴＦＴの特性の不均一が生じない。そのため、特に電子移動度が高いことによって高移動度を実現するよりも、特性の均一性を要求されるＥＬ素子駆動用ＴＦＴにおいては極めて効果的な多結晶化の方法である。
【００４９】
イオン注入の後、ゲート電極３３，４３を覆うように、層間絶縁膜２０を形成する。この層間絶縁膜２０は、ＳｉＯ2膜、ＳｉＮ膜及びＳｉＯ2膜の３層からなっている。
【００５０】
工程４（図１（ｄ））：各ＴＦＴ３０，４０において、層間絶縁膜２０のドレイン３１ｄ，４１ｄに対応した位置、及びソース３１ｓ，４１ｓに対応した位置に設けたコンタクトホールを形成し、Ａｌ等の金属を充填したドレイン信号線５２を兼ねたドレイン電極２１及びソース電極２２が設けられる。更にドレイン電極２１、ソース電極２２、ドレイン信号線５２及び層間絶縁膜２０上の全面に有機樹脂から成り表面を平坦にする平坦化絶縁膜２３が形成されている。
【００５１】
そして、ＥＬ素子駆動用ＴＦＴ４０においては、平坦化絶縁膜２３のソース電極２１に対応した位置にコンタクトホールを形成し、このコンタクトホールを介してソース４１ｓとコンタクトしたＩＴＯから成る透明電極、即ち有機ＥＬ素子の陽極２４を平坦化絶縁膜２３上に設けている。
【００５２】
工程５（図１（ｅ））：有機ＥＬ素子９０は、ＩＴＯ等の透明電極から成る陽極２４、ＭＴＤＡＴＡ（4,4’,4’’-tris(3-methylphenylphenylamino)triphenylamine）などから成る第１ホール輸送層２６、及びＴＰＤ（N,N’-diphenyl-N,N’-di(3-methylphenyl)-1,1’-biphenyl-4,4’-diamine）などからなる第２ホール輸送層２７、キナクリドン（Quinacridone）誘導体を含むＢｅｂｑ2（10-ベンゾ〔ｈ〕キノリノール−ベリリウム錯体）などから成る発光層２８、及びＢｅｂｑ2などから成る電子輸送層２９、マグネシウム・インジウム合金などから成る陰極３０がこの順番で積層形成された構造である。この有機ＥＬ素子９０によって表示画素を成している。なお、陽極２４の周辺には感光性樹脂、ＳｉＯ2膜等からなる絶縁膜２５を形成する。即ち、陽極２４の中央部に開口部を有するように絶縁膜２５を全面に形成する。この絶縁膜２５は、陽極２４の厚みによる段差部の角と陰極３０とが接触することによる短絡を防止するために設けている。
【００５３】
また有機ＥＬ素子は、陽極から注入されたホールと、陰極から注入された電子とが発光層の内部で再結合し、発光層を形成する有機分子を励起して励起子が生じる。この励起子が放射失活する過程で発光層から光が放たれ、この光が透明な陽極から透明絶縁基板を介して外部へ放出されて発光する。
【００５４】
なお、上述の実施の形態においては、加熱処理をイオン注入した後に施したが、本発明はそれに限定されるものではなく、層間絶縁膜を形成した後に、層間絶縁膜のうちＳｉＮ膜中の水素を加熱処理によって能動層中に導入する際に同時に行っても良い。
【００５５】
また、保護膜８０と遮光膜８１とを積層した積層膜８２をＥＬ素子駆動用ＴＦＴ４０の形成領域に残した場合を示したが、遮光膜８１のみを形成してもレーザ光を反射することができることから、遮光膜８１のみの形成でも良い。
【００５６】
【発明の効果】
本発明によれば、高速スッチング性を有する半導体素子と、特性の均一な半導体素子とを備えたＥＬ表示装置を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明のＥＬ表示装置の製造工程断面図である。
【図２】本発明のＥＬ表示装置の表示画素近傍の平面図である。
【図３】従来のＥＬ表示装置の製造工程断面図である。
【符号の説明】
１０                  絶縁性基板
１９                  ゲート
３１ｓ、４１ｓ        ソース
３１ｄ、４１ｄ        ドレイン
１４                  遮光膜
３１                  スイッチング用ＴＦＴの半導体膜
４１                  ＥＬ素子駆動用ＴＦＴの半導体膜
３０                  スイッチング用ＴＦＴ
４０                  ＥＬ素子駆動用ＴＦＴ
５１                  ゲート信号線
５２                  ドレイン信号線
２４                  陽極
６０                  陰極
【図１】
0004698010.tif 000002
【図２】
0004698010.tif 000003
【図３】
0004698010.tif 000004