(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
クリ−ンル−ム内に設けられた半導体製造装置本体と、
この半導体製造装置本体内に供給される温調水を循環するための循環水路と、
この循環水路内の温調水とクリ−ンル−ムの雰囲気との間で熱交換して温調水をクリ−ンル−ム雰囲気と同じ温度にするために、クリ−ンル−ムの雰囲気内に設けられた熱交換部と、を備えたことを特徴とする半導体製造装置。
【請求項２】
クリ−ンル−ムとこのクリ−ンル−ムの床部から排気した空気をクリ−ンル−ム内に天井部から戻すための空気循環路とこの空気循環路に設けられた空気冷却設備とを備えた半導体製造工場内に設けられた半導体製造装置において、
前記クリ−ンル−ム内に設けられた半導体製造装置本体と、
この半導体製造装置本体内に供給される温調水を循環するための循環水路と、
この循環水路内の温調水とクリ−ンル−ムの雰囲気との間で熱交換して温調水をクリ−ンル−ム雰囲気と同じ温度にするために、前記天井部よりも上側における空気循環路からの循環空気が通る領域または前記空気循環路における空気冷却設備の下流側あるいは前記天井部の下方側における他の発熱源の影響のない位置のいずれかに設けられた熱交換部と、を備えたことを特徴とする半導体製造装置。
【請求項３】
循環水路の途中には温調水タンク及び送水手段が設けられていることを特徴とする請求項１または２記載の半導体製造装置。
【請求項４】
半導体製造装置本体は、薬液により半導体製造用の基板を処理する液処理ユニットを備え、温調水は薬液の温調を行うためのものであることを特徴とする請求項１、２または３記載の半導体製造装置。
【請求項５】
半導体製造装置本体は、半導体製造用の基板を温調するための温調ユニットを備え、温調水はこの温調ユニット内を通流するものであることを特徴とする請求項１、２または３記載の半導体製造装置。
【請求項６】
クリ−ンル−ム内に設けられ、薬液により半導体製造用の基板を処理する液処理ユニットを備えた半導体製造装置本体と、
薬液供給源と、
この薬液供給源の薬液を前記液処理ユニットに供給するための薬液供給路と、
この薬液供給路内の薬液とクリ−ンル−ムの雰囲気との間で熱交換して薬液をクリ−ンル−ム雰囲気と同じ温度にするために、クリ−ンル−ムの雰囲気内に設けられた熱交換部と、を備えたことを特徴とする半導体製造装置。
【請求項７】
クリ−ンル−ムとこのクリ−ンル−ムの床部から排気した空気をクリ−ンル−ム内に天井部から戻すための空気循環路とこの空気循環路に設けられた空気冷却設備とを備えた半導体製造工場内に設けられた半導体製造装置において、
クリ−ンル−ム内に設けられ、薬液により半導体製造用の基板を処理する液処理ユニットを備えた半導体製造装置本体と、
薬液供給源と、
この薬液供給源の薬液を前記液処理ユニットに供給するための薬液供給路と、
この薬液供給路内の薬液とクリ−ンル−ムの雰囲気との間で熱交換して薬液をクリ−ンル−ム雰囲気と同じ温度にするために、前記天井部よりも上側における空気循環路からの循環空気が通る領域または前記空気循環路における空気冷却設備の下流側あるいは前記天井部の下方側における他の発熱源の影響のない位置のいずれかに設けられた熱交換部と、を備えたことを特徴とする半導体製造装置。
【請求項８】
前記薬液供給源と熱交換部との間で薬液を循環するための循環水路が設けられ、薬液供給路はこの循環水路から分岐されていることを特徴とする請求項６または７記載の半導体製造装置。
【請求項９】
薬液は温調水により温調されていないことを特徴とする請求項６、７または８記載の半導体製造装置。
【請求項１０】
クリ−ンル−ム内に設けられた半導体製造装置に温調水を供給しながら半導体製造用の基板に対して処理を行う工程と、
前記温調水を半導体製造装置に供給される前にクリ−ンル−ムの雰囲気を用いてクリ−ンル−ムの雰囲気と同じ温度に調整する工程と、を含むことを特徴とする半導体製造方法。
【請求項１１】
クリ−ンル−ム内に設けられた液処理ユニット内に半導体製造用の基板を搬入する工程と、
次いで前記液処理ユニットに薬液を供給して当該基板に対して液処理を行う工程と、
前記薬液を液処理ユニットに供給する前にクリ−ンル−ムの雰囲気を用いてクリ−ンル−ムの雰囲気と同じ温度に調整する工程と、を含むことを特徴とする半導体製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、クリ−ンル−ム内に設けられた半導体製造装置本体に温調水や薬液を供給しながら半導体製造用の基板に対して処理を行う装置及び方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
一般に半導体製造（詳しくは半導体回路製造）におけるリソグラフィ−関連工程は、その製造環境であるクリ−ンル−ムの条件、例えば温度、湿度の変動によって、製品の歩留まりに対して著しい影響を及ぼすことが知られている。それと同時にレジスト塗布及び現像処理における薬液の温度管理、半導体ウエハ（以下ウエハという）の温度管理が重要とされている。こうしたことから生産冷却水などと呼ばれている温調水を用いるリソグラフイ−工程における温調においては、薬液やウエハの温度を一定に例えば２３±０．１℃以内に制御することが要求されている。
【０００３】
図９は半導体製造装置である塗布、現像装置の温調水の供給系の従来例を示したものである。塗布、現像装置１はクリ−ンル−ムＣＲ内に設置され、例えばレジスト塗布ユニットや現像ユニットなどの液処理ユニット１０には薬液タンク１１から薬液１２が供給されると共にこの薬液１２の温度をクリ−ンル−ムＣＲの雰囲気温度に調整するために温調水である冷却水１３が供給されている。液処理ユニット１０から流出した冷却水１３は、温調設備１４に戻って温調され、ポンプＰにより前記液処理ユニット１０に戻される。前記温調設備１４は、クリ−ンル−ムＣＲとは別のフロア例えば地下室内に設けられ（図では作図の制限上クリ−ンル−ムＣＲの横に記載してある）、１次冷却水との間で前記温調水が熱交換されるための熱交換器などを含むチラ−ユニットを備えている。またこの温調設備１４は図１０に示すようにクリ−ンル−ムＣＲ内に設置される場合もある。
【０００４】
なお１５はクリ−ンル−ムＣＲの天井部に設けられたファンフィルタユニット、１６はクリ−ンル−ムＣＲの床部から天井部の上に空気を戻す空気循環路、１７はこの空気循環路に設けられた空気冷却設備、１８は外気を導入する外調機である。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
ところでリソグラフィ−工程における薬液やウエハの温度制御範囲は例えば２３±０．１℃以内であるから、冷却水にて処理される単位時間あたりの熱量は非常に小さいが、その割りには冷却水の温度調整を行うために大掛かりな温調設備が用いられており、半導体製造装置を運転するにあたってのエネルギ−及びコストの削減を阻む一因となっていた。
【０００６】
またクリ−ンル−ムＣＲ内に温調設備１４が設置される場合には、１次冷却水のポンプなどが発熱源となるため、ここからの発熱分がクリ−ンル−ムの冷却負荷（空気冷却設備１７により空気から取り除く熱量）に加わり、冷却コストの高騰の一因になっていた。
【０００７】
本発明はこのような事情に基づいてなされたものであり、その目的は、半導体製造装置に供給される温調水を温調するための設備の規模を縮小することにある。本発明の他の目的は、薬液により半導体製造用の基板を処理するにあたり、薬液を温調するための温調水にかかる設備を削減することにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
本発明にかかる半導体製造装置は、クリ−ンル−ム内に設けられた半導体製造装置本体と、
この半導体製造装置本体内に供給される温調水を循環するための循環水路と、
この循環水路内の温調水とクリ−ンル−ムの雰囲気との間で熱交換して温調水をクリ−ンル−ム雰囲気と同じ温度にするために、クリ−ンル−ムの雰囲気内に設けられた熱交換部と、を備えたことを特徴とする。
【０００９】
一般に半導体製造工場は、クリ−ンル−ムとこのクリ−ンル−ムの床部から排気した空気をクリ−ンル−ム内に天井部から戻すための空気循環路とこの空気循環路に設けられた空気冷却設備とを備えており、前記熱交換部は、例えば前記天井部よりも上側における空気循環路からの循環空気が通る領域または前記空気循環路における空気冷却設備の下流側あるいは前記天井部の下方側における他の発熱源の影響のない位置のいずれかに設けられる。また循環水路の途中には例えば温調水タンク及び送水手段が設けられる。温調水は、例えば薬液により半導体製造用の基板を処理する液処理ユニットにおいて薬液の温調を行うために用いられる。あるいは温調水は、半導体製造用の基板を温調するための温調ユニットにおいてこの温調ユニット内を通流するものである。
【００１０】
このような発明によれば、従来用いられていた付帯設備機器である温調水の温調用のチラ−ユニットといった大掛かりな装置が不要となるので、設備規模の縮小が図れ、また設備を運転するときの消費エネルギ−を節約できると共に運転コストも削減できる。
【００１１】
他の発明は、クリ−ンル−ム内に設けられ、薬液により半導体製造用の基板を処理する液処理ユニットを備えた半導体製造装置本体と、
薬液供給源と、
この薬液供給源の薬液を前記液処理ユニットに供給するための薬液供給路と、
この薬液供給路内の薬液とクリ−ンル−ムの雰囲気との間で熱交換して薬液をクリ−ンル−ム雰囲気と同じ温度にするために、クリ−ンル−ムの雰囲気内に設けられた熱交換部と、を備えたことを特徴とする。この場合も熱交換部は、例えば前記発明で記載した場所に設けることができる。この発明においては、例えば前記薬液供給源と熱交換部との間で薬液を循環するための循環水路が設けられ、薬液供給路はこの循環水路から分岐されている。この発明によれば、温調水の供給設備が不要になり、また薬液の温調のための大掛かりな装置が不要なので、より一層設備規模の縮小、消費エネルギ−の節約、コスト削減が図れる。
ここで「温調水をクリーンルーム雰囲気と同じ温度にする」、「薬液をクリーンルーム雰囲気と同じ温度にする」ことの同じ温度とは、プロセスに影響のない実質同じ温度という意味である。
【００１２】
本発明は半導体製造方法についても成立するものであり、その方法は、クリ−ンル−ム内に設けられた半導体製造装置に温調水を供給しながら半導体製造用の基板に対して処理を行う工程と、
前記温調水を半導体製造装置に供給される前にクリ−ンル−ムの雰囲気を用いてクリ−ンル−ムの雰囲気と同じ温度に調整する工程と、を含むことを特徴とする。
【００１３】
また本発明の他の方法は、クリ−ンル−ム内に設けられた液処理ユニット内に半導体製造用の基板を搬入する工程と、
次いで前記液処理ユニットに薬液を供給して当該基板に対して液処理を行う工程と、
前記薬液を液処理ユニットに供給する前にクリ−ンル−ムの雰囲気を用いてクリ−ンル−ムの雰囲気と同じ温度に調整する工程と、を含むことを特徴とする。
【００１４】
【発明の実施の形態】
図１は本発明の実施の形態にかかる半導体製造装置を含む半導体製造工場を示す概略縦断側面図である。先ず工場の全体構成について簡単に述べておくと、図中２は、外調機であり、図示している吸い込みファン２１の他に、加熱部、湿度調整部、冷却部などを備え、外気を取り込み、所定の温度、湿度に調整して工場２０内に供給している。工場２０内にはクリーンルーム３が設けられ、クリーンルーム３の天井側、床下３１側及び側壁の外部は空気循環路３２を形成している。この空気循環路３２には、空気冷却設備である、冷媒例えば冷却水が流れている冷却コイル（循環コイル）３３が設けられている。クリーンルーム３の天井部には、パーティクルを除去するための通気抵抗体であるフィルタ部とこのフィルタ部の中を空気を通過させるためのファンとを備えたファンフィルタユニット（以下ＦＦＵと呼ぶ）３４が複数配置されており、空気はこのＦＦＵ３４を通ってクリーンルーム３内に入り、ダウンフローが形成される。
【００１５】
クリーンルーム３内の空気の一部は塗布、現像装置４内を介して図示しない排気路から外部に排気されるが、他の空気は床面の例えばパンチングメタルやメッシュ体からなる通気部を介して床下３１に流れ込む。床下３１の空気は、冷却コイル３３を通ってここで所定の温度に冷却されて天井側に戻り、こうして工場２０内を空気が循環する。
【００１６】
前記クリ−ンル−ム３内には半導体製造装置である塗布、現像装置４が設けられている。塗布、現像装置４は、半導体製造用基板例えばウエハや液晶ディスプレイ用ガラス基板にレジストを塗布し、露光後のウエハに対して現像処理するものであり、実際には複数台設置されるが、図では１台のみ記載してある。
【００１７】
図２は、塗布、現像装置４を示す概観図であり、例えば２５枚の半導体製造用の基板であるウエハＷが棚状に保持されたキャリアＣが搬入出されるキャリアステージＣＳと、ウエハＷに対して塗布、現像処理を行うための処理部ＰＳと、この処理部ＰＳと前記キャリアステージＣＳとの間でウエハＷの受け渡しを行う受け渡しアーム４１と、を備えている。
【００１８】
処理部ＰＳは、中央に昇降、回転、進退自在なメイン搬送アーム（略解的に円柱で描いてある）４２が設けられており、このメイン搬送アーム４２の前後（キャリアステージＣＳから奥を見たときの方向で表わしている。）には、夫々棚４３、４４が設けられている。これら棚４３、４４は、複数のユニットが積み上げられて構成されており、具体的には、ウエハを加熱する加熱ユニット、冷却ユニットなどが割り当てられている。
【００１９】
前記メイン搬送アーム４２の右側には、上段側に２個の液処理ユニットである現像ユニット４５が設けられ、下段側に２個の液処理ユニットである塗布ユニット５が設けられている。前記メイン搬送アーム４２はウエハを棚４３、４４の各ユニット、塗布ユニット５及び現像ユニット４５の間で受け渡す役割をもっている。また塗布、現像装置４はインターフェイス部４６を備えており、処理部ＰＳはこのインターフェイス部４６を介して露光装置４０（図１では記載していない）に接続されている。更に塗布、現像装置４の天井部４７は、ファンフィルタユニットを備えており、このユニットのファンにより装置外部の空気（クリーンルーム内の空気）を取り込んでフィルタを通じて装置内に流すように構成されている。
【００２０】
キャリアステージＣＳ上のキャリアＣ内のウエハは、棚４２内の受け渡しユニットを介してメイン搬送アーム４２に受け渡され、塗布ユニット５におけるレジスト塗布の前後に棚４２（４３）の加熱ユニットで夫々加熱される。前処理としての加熱処理は疎水化ガス雰囲気の中で行われるが、レジストの種類によってはこの前処理は行われない。また露光処理を終えたウエハは現像ユニット４の前後に棚４２（４３）の加熱ユニットで夫々加熱される。
【００２１】
塗布ユニット５は、図３に示すように容器本体５１、内カップ５２、外カップ５３及びスピンチャック５４、ノズル５５を備えている。前記ノズル５５は給液管５６の先端部に接続され、ノズル５５及び給液管５６は、図４に示すように薬液であるレジストを供給する薬液供給管５７の外側に、装置内に導入された例えば純水からなる温調水の流入側流路５８が配置されると共にその外側に装置の外に向かう温調水の流出側流路５９が配置されたいわば三重構造管として構成されている。流入側流路５８を流れてきた温調水はノズル５５内で折り返され流出側流路５９を通って装置の外へ流出する。給液管５６の途中からはレジスト供給管５７と前記温調水の流路５８、５９に分離され、薬液供給管５７はポンプ５７ａを介して薬液タンク６に接続されている。
【００２２】
一方温調水の流入側流路５８及び流出側流路５９は図１及び図２に示すように塗布、現像装置４の外側に配管され、流出側流路５９は例えばクリ−ンル−ム３内に設けられた温調水タンク７１及び送水手段であるポンプＰを介してクリ−ンル−ム３の天井部の上方空間まで配管されている。前記ＦＦＵ３４の上方側におけるクリ−ンル−ム３の雰囲気温度として安定している領域例えば空気循環路３２の出口側の近傍には、前記流出側流路５９に一端側が接続された熱交換部７２が設けられている。
【００２３】
この熱交換部７２は温調水とクリ−ンル−ム３の雰囲気との間で熱交換して当該温調水を当該雰囲気と同じ温度にするためのものであり、温調水がこの雰囲気内に滞留する時間を長くするために例えば樹脂製や金属製のチュ−ブからなる例えばコイル状の流路や屈曲した流路として構成される。また熱交換部７２の下方側には、万一の漏水に備えて液溜め部を構成するドライパン７３が設けられている。
【００２４】
前記熱交換部７２の他端側には前記流入側流路５８が接続されており、この流入側流路５８は天井部からクリ−ンル−ム３内に立ち下がって前記塗布、現像装置４内に配管されている。流入側流路５８及び流出側流路５９は温調水を循環させるための循環水路をなすものであり、例えば樹脂製のチュ−ブにより構成される。なおこの例では塗布ユニット５における薬液の温調について述べているが、現像ユニット４５もほぼ同様の構成であって薬液である現像液の供給管の周囲にも温調水の流路が形成されており、例えば塗布ユニット４や現像ユニット４５からの温調水の流出側流路５９は途中で１本化されて温調水タンク７１に配管される。実際には塗布、現像装置４は複数台設置されるが、その場合例えば所定台数の装置４に対して、温調水タンク７１及び熱交換部７２を含む１つの温調システムが割り当てられる。
【００２５】
次に上述実施の形態について説明する。塗布、現像装置４では、加熱ユニット内の熱を排気する熱排気が行われると共に塗布ユニット５や現像ユニット４５にて雰囲気の排気が行われており、その排気分に応じて外調機２にて外気が吸い込まれ、ここで所定の温度、湿度に調整された後、クリ−ンル−ム３の上方空間に導入され、ＦＦＵ３４を通ってクリ−ンル−ム３内にダウンフロ−を形成する。クリ−ンル−ム３内の空気は床下を通った後、冷却コイル３３を通過し、クリ−ンル−ム３の発熱源などから発熱した熱量がここで除去され、所定のクリ−ンル−ム３の雰囲気温度例えば２３℃に調整されて天井部側に流れ、こうして工場２０内を循環している。
【００２６】
一方塗布、現像装置４内において、既述のようにウエハＷに対して処理が行われ、塗布ユニット５や現像ユニット４５ではウエハＷ上に塗布される薬液の温度が温調水により温調されている。薬液タンク６は例えば塗布、現像装置４の電装ユニットなどと一緒に配置されており、クリ−ンル−ム３内に配置されているといっても多少発熱源などの影響を受けてクリ−ンル−ム３の所定の雰囲気温度よりも高い温度になっている。この薬液が図３に示すように薬液供給管５７を通ってノズル５５から吐出される間に温調水により温調され、このため温調水は例えば薬液から熱を奪って多少温度が上昇する。そしてこの温調水は流出側流路５９を介して温調水タンク７１に入り、ここからポンプＰにより天井部の上方の熱交換部７２に送られる。温調水は、熱交換部７２を流れる間に熱交換部７２が置かれている雰囲気と熱交換を行って当該雰囲気温度と同じ温度になるが、この雰囲気は空気循環路３２の出口に近く、正確にクリ−ンル−ム３の所定の雰囲気温度になっており、この結果熱交換部７２からは正確にクリ−ンル−ム３の所定の雰囲気温度に調整された温調水が塗布、現像装置４に送られる。なお本発明は、温調水をクリーンルーム雰囲気と同じ温度にすることを目的としているが、ここでいう「同じ温度」とは、プロセス例えばレジストの塗布処理に影響のない実質同じ温度という意味である。
【００２７】
上述実施の形態によれば、クリ−ンル−ム３の雰囲気温度として安定している領域に温調水の熱交換部７２を設けて温調水の温調を行っているため、従来用いられていた付帯設備機器であるチラ−ユニットといった大掛かりな装置が不要となるので、設備規模の縮小が図れ、また設備を運転するときの消費エネルギ−例えば１次冷却水のポンプのエネルギー分を節約できると共に運転コストも削減できる。更に１次冷却水のポンプが不要なのでその分の発熱がなくなり、クリ−ンル−ム３の冷却負荷の低減を図れる。
【００２８】
本発明において、前記熱交換部７２の設置場所としてはクリ−ンル−ム３の雰囲気温度として安定していれば上述の場所に限られるものではなく、図５に示すように空気循環路３２における空気冷却設備３３の下流側や、図６に示すように前記ＦＦＵ３４の下方側における他の発熱源の影響のない位置であってもよい。この場合も熱交換部７２の下方側にドライパン７３を設けることが好ましい。なお温調水タンク７１の設置場所は特に限定されないが、熱交換部７２での熱交換量ができるだけ小さくて済むようにクリ−ンル−ム３の所定の雰囲気温度からあまり外れた温度雰囲気は避けることが好ましい。
【００２９】
また本発明では、薬液供給路５７の途中に熱交換部を設けて、薬液の温調を行うようにしてもよい。図７はこのような構成の一例を示す図であり、薬液供給源である薬液タンク６に配管されている薬液供給路５７を送水手段であるポンプＰを介してＦＦＵ３４の上側まで立ち上げ、この薬液供給路５７に、先の実施の形態で熱交換部７２を配置した位置と同様の位置にて熱交換部６１を介設し、当該熱交換部６１の出口側から薬液供給路５７をＦＦＵ３４の下方側に立ち下げて塗布、現像装置４内に配管している。
更に熱交換部６１と塗布、現像装置４との間において薬液供給路５７から分岐して薬液タンク６まで分岐管６２を配管し、この分岐点に流路切り替え手段である３方弁６３を設け、薬液を使用しないときには薬液タンク６から熱交換部６１及び分岐管６２を介して薬液タンク６に戻るように薬液を循環させ、薬液を使用するときには熱交換部６１を通った薬液を塗布、現像装置４に供給するようにしてもよい。前記熱交換部６１は、例えば温調水における熱交換部７２と同様に構成され、その下側にドライパン６４が設けられる。
【００３０】
この実施の形態によれば温調水の供給設備が不要となり、また薬液の温調のための大掛かりな装置が不要なので、より一層設備規模の縮小、消費エネルギ−の節約、コスト削減が図れる。
ここで図１及び図７に示す本発明の実施の形態と図９及び図１０に示す従来例とについて、温調水の冷却設備(温調設備)にかかるコスト及び消費電力などについて比較した計算結果を図８に示しておく。この結果において消費エネルギーとランニングコストは１０台の温調機を１年間稼動し続けた場合の値である。具体的には、従来の温調水の冷却設備を設置、稼動させるにあたり、左欄から初期コスト、稼動時の消費電力（ｋＷｈ／年）およびその電力コスト（円／年）、稼動に伴う発熱量（ｋＷｈ／年）およびその冷却コスト（円／年）、稼動時に使用される冷却水への熱負荷量（ｋＷｈ／年）およびその冷却コスト（円／年）である。この結果からも分かるように本発明は、従来例に比べて設備コスト、ランニングコスト及び消費エネルギーの点で有利である。
以上において、本発明における温調水の用途としては薬液の温調に限られるものではなく、基板に対して温調を行う温調ユニット例えば既述のように棚４３，４４の冷却ユニットなどに温調水を供給する場合であってもよい。冷却ユニットの例でいえば、基板は冷却プレートに載置されて冷却され、温調水である冷却水はこの冷却プレート内を通流する。
【００３１】
【発明の効果】
以上のように本発明によれば、半導体製造装置に供給される温調水を温調するための設備の規模を縮小することができる。また他の発明によれば、薬液により半導体製造用の基板を処理するにあたり、薬液を温調するための温調水にかかる設備を削減できる。
【００３２】
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施の形態に係る半導体製造装置を示す概略縦断側面図である。
【図２】前記半導体製造装置である塗布、現像装置を示す概観図である。
【図３】塗布、現像装置内に設けられる塗布ユニットを示す縦断側面図である。
【図４】塗布ユニットのノズルを示す断面図である。
【図５】本発明の他の実施の形態に係る半導体製造装置を示す概略縦断側面図である。
【図６】本発明の更に他の実施の形態に係る半導体製造装置を示す概略縦断側面図である。
【図７】本発明の更にまた他の実施の形態に係る半導体製造装置を示す概略縦断側面図である。
【図８】本発明の装置と従来装置とについて、消費エネルギー等を比較して示す説明図である。
【図９】従来の半導体製造装置の一例を示す概略縦断側面図である。
【図１０】従来の半導体製造装置の他の例を示す概略縦断側面図である。
【符号の説明】
２      外調機
２０    半導体製造工場
３      クリーンルーム
３２    空気循環路
３３    冷却コイル
３４    ファンフィルタユニット
４      塗布、現像装置
５      塗布ユニット
５５    ノズル
５７    薬液供給路
５８    温調水の流入側流路
５９    温調水の流出側流路
６    薬液タンク
６１    熱交換部
６２    分岐管
６４    ドライパン
７１    温調水タンク
７２    熱交換部
７３    ドライパン
【図１】
0004737809.tif 000002
【図２】
0004737809.tif 000003
【図３】
0004737809.tif 000004
【図４】
0004737809.tif 000005
【図５】
0004737809.tif 000006
【図６】
0004737809.tif 000007
【図７】
0004737809.tif 000008
【図８】
0004737809.tif 000009
【図９】
0004737809.tif 000010
【図１０】
0004737809.tif 000011