(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
表面から窪む凹部を有する基板を縦横に多数連結し、個々の前記基板に区画する部分の一部に挿入穴を形成した基板用板材を用意する基板用板材準備工程と、
平面視略矩形状の天板部、及び、前記天板部から一体的に延出し前記天板部の厚さ方向に突出する側壁部を有する蓋体を多数形成する蓋体準備工程と、
前記天板部が前記凹部の開口を覆うように前記各蓋体の前記側壁部をそれぞれ前記挿入穴に挿入し、多数の前記蓋体を前記基板用板材の表面に重ねて、導電性ペーストにより前記多数の蓋体と前記基板用板材とを接着する重ね合わせ工程と、
前記蓋体を配した前記基板用板材の表面側に円柱状に形成されたローラの周面を押し付けると共に、前記ローラを前記基板用板材の表面に沿う方向に移動させることで、前記基板用板材が折り曲げられて個々の前記基板に分割される分割工程とを備え、
前記蓋体準備工程において、前記側壁部が、前記天板部を挟み込むように少なくとも一対形成されると共に、前記各側壁部の先端を、相対する前記側壁部から離間する方向に湾曲させていることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２】
前記基板用板材準備工程において、前記基板用板材には、これを個々の前記基板に区画する切り込みが形成され、
前記分割工程においては、前記切り込みの残部が同時に破断されることにより、前記基板用板材が個々の前記基板に分割されることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項３】
前記挿入穴は、前記基板用板材の厚さ方向に貫通していることを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項４】
前記分割工程において、前記ローラの周面と前記蓋体との間に、可撓性を有するシート状の保護部材を挟み込むことを特徴とする請求項１から請求項３のいずれか１項に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項５】
前記基板用板材が、セラミックグリーンシートによって形成されることを特徴とする請求項１から請求項４のいずれか１項に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項６】
前記基板用板材の前記各凹部には、それぞれ半導体チップが配置されていることを特徴とする請求項１から請求項５のいずれか１項に記載の半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、半導体装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来のシリコンマイクや圧力センサ等の半導体装置としては、音圧センサチップや圧力センサチップ等のように、可動部分を有する半導体チップを基板の表面に実装したものがある（例えば、特許文献１，２参照。）。この種の半導体装置では、半導体チップを搭載した回路基板の表面に金属製のカバー（蓋体）を被せて上記半導体チップを含んだ中空空間を形成している。このカバーには、上記中空空間と外部空間とを連通させるための開口部が形成されている。また、このカバーは、導電性を有する接着剤等を介して基板の表面にカバーの先端を接着させることで、回路基板に固定されている。
【特許文献１】特表２００４−５３７１８２号公報
【特許文献２】米国特許第６７８１２３１号明細書
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
しかしながら、上記従来の半導体装置では、これを製造する際に、カバーを回路基板の表面に接着固定する必要があるため、回路基板に対するカバーの位置決めが面倒となる問題がある。
この発明は、上述した事情に鑑みてなされたものであって、基板に対する蓋体の位置決めを容易に行うことができる半導体装置の製造方法を提供することを目的としている。
【課題を解決するための手段】
【０００４】
上記課題を解決するために、この発明は以下の手段を提案している。
本発明は、表面から窪む凹部を有する基板を縦横に多数連結し、個々の前記基板に区画する部分の一部に挿入穴を形成した基板用板材を用意する基板用板材準備工程と、平面視略矩形状の天板部、及び、前記天板部から一体的に延出し前記天板部の厚さ方向に突出する側壁部を有する蓋体を多数形成する蓋体準備工程と、前記天板部が前記凹部の開口を覆うように前記各蓋体の前記側壁部をそれぞれ前記挿入穴に挿入し、多数の前記蓋体を前記基板用板材の表面に重ねて、導電性ペーストにより前記多数の蓋体と前記基板用板材とを接着する重ね合わせ工程と、前記蓋体を配した前記基板用板材の表面側に円柱状に形成されたローラの周面を押し付けると共に、前記ローラを前記基板用板材の表面に沿う方向に移動させることで、前記基板用板材が折り曲げられて個々の前記基板に分割される分割工程とを備え、前記蓋体準備工程において、前記側壁部が、前記天板部を挟み込むように少なくとも一対形成されると共に、前記各側壁部の先端を、相対する前記側壁部から離間する方向に湾曲させていることを特徴とする半導体装置の製造方法を提案している。
【０００５】
そして、前記半導体装置の製造方法では、前記基板用板材準備工程において、前記基板用板材には、これを個々の前記基板に区画する切り込みが形成され、前記分割工程においては、前記切り込みの残部が同時に破断されることにより、前記基板用板材が個々の前記基板に分割されるとよい。
【０００７】
また、前記半導体装置の製造方法において、前記挿入穴は、前記基板用板材の厚さ方向に貫通していてもよい。
【００１０】
また、前記半導体装置の製造方法では、前記分割工程において、前記ローラの周面と前記蓋体との間に、可撓性を有するシート状の保護部材を挟み込むことが好ましい。
【００１１】
さらに、前記半導体装置の製造方法では、前記基板用板材が、セラミックグリーンシートによって形成されてもよい。
【００１３】
また、前記半導体装置の製造方法において、前記基板用板材の前記各凹部には、それぞれ半導体チップが配置されていてもよい。
【発明の効果】
【００１４】
本発明によれば、重ね合わせ工程において、各蓋体の側壁部を基板用板材に形成された挿入穴に挿入するだけで、各蓋体の位置決めを同時かつ容易に行うことができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１７】
図１から図１１は、本発明の一実施形態を示している。図１〜３に示すように、この実施形態に係る半導体装置１は、略板状に形成されたセラミック基板３と、セラミック基板３の表面３ａ側に重ねて配された半導体チップ５及び蓋体７とを備えている。
セラミック基板３は、平面視略矩形の板状に形成されており、その側面３ｂには、セラミック基板３の表面３ａ及び裏面３ｃに開口する複数の溝９が上記側面３ｂから窪んで形成されている。また、セラミック基板３には、その表面３ａから窪む凹部１１が形成されている。この凹部１１の底面（一端面）１１ａの略中央部には有底の穴１３が形成されている。また、底面１１ａの周縁には、底面１１ａから突出する段差部１５が形成されており、この段差部１５によりセラミック基板３の表面３ａと凹部１１の底面１１ａとの間が階段状に形成されている。
【００１８】
セラミック基板３の表面３ａと同方向を向く段差部１５の表面１５ａには、半導体チップ５と電気的に接続するためのパッド電極１７が複数形成されており、また、セラミック基板３の裏面３ｃには、外部接続端子１９が複数形成されている。これらパッド電極１７及び外部接続端子１９は、セラミック基板３の内部に形成された配線部２１によって電気的に接続されている。
また、このセラミック基板３には、導電性を有するシールド部材２３が設けられている。このシールド部材２３は、凹部１１の底面１１ａ全体とセラミック基板３の厚さ方向に重なるように配されており、凹部１１の開口部の周縁に位置するセラミック基板３の表面３ａに形成された略環状の接続パッド２５と電気的に接続されている。なお、このシールド部材２３の一部は、凹部１１の底面１１ａをなしている。
【００１９】
上述したパッド電極１７、外部接続端子１９、配線部２１、シールド部材２３及び接続パッド２５は、銀粉末あるいは銅粉末もしくはタングステン粉末を主成分とするペースト（銀粉末あるいは銅粉末もしくはタングステン粉末にバインダー（例えば、アクリル樹脂）を混合したもの）を用いて形成されている。さらに、パッド電極１７、外部接続端子１９及び接続パッド２５は、上記材料に、例えば、厚さ１μｍ以上のニッケル（Ｎｉ）及び厚さ０．３μｍの金（Ａｕ）のめっきを施して形成されている。なお、これらパッド電極１７、外部接続端子１９及び配線部２１と、シールド部材２３及び接続パッド２５とは、電気的に絶縁されている。
なお、このセラミック基板３は、セラミックグリーンシートを焼成してなる絶縁層２７，２８，２９，３０を複数積層すると共に、各絶縁層２７，２８，２９，３０に前述したパッド電極１７、外部接続端子１９、配線部２１、シールド部材２３及び接続パッド２５を適宜形成して構成されている。すなわち、セラミック基板３に形成された凹部１１や段差部１５、穴１３は、セラミックグリーンシートに打ち抜き加工を施して形成されるものである。
【００２０】
半導体チップ５は、音響を電気信号に変換する所謂音圧センサチップである。すなわち、この半導体チップ５は、半導体装置１の外側に位置する外方空間からの音響等の圧力変動に応じて振動するダイヤフラム５ａを備えている。ダイヤフラム５ａは、半導体チップ５の厚さ方向に振動するように構成されている。
この半導体チップ５は、絶縁材料からなる接着ペーストＢ１を介して穴１３を覆うように凹部１１の底面１１ａに接着固定されると共に、前述したパッド電極１７とワイヤー３１により電気的に接続されている。すなわち、セラミック基板３に形成された凹部１１によって、半導体チップ５のダイヤフラム５ａとセラミック基板３の穴１３との間に、ダイヤフラム５ａを十分に振動させる程度の大きさの空洞部Ｓ１が確保されることになる。
【００２１】
蓋体７は、導電性を有する材料から形成されており、セラミック基板３の表面３ａに配されると共に凹部１１の開口を覆って半導体チップ５を含む中空空間（中空の空洞部）Ｓ２を形成する略板状の天板部３５と、天板部３５の周縁から突出してセラミック基板３の側面３ｂ側に配される複数の側壁部３７とを備えている。
天板部３５は、平面視略矩形状に形成されており、このうちセラミック基板３の凹部１１の周縁に対向する位置には、略環状の突出部３９がセラミック基板３の表面３ａに向けて突出して形成されている。この突出部３９は、天板部３５を変形させて略環状に形成されているものであるため、蓋体７としての剛性を向上させて天板部３５の撓みを防止することができる。
【００２２】
また、この突出部３９は、天板部３５をセラミック基板３の表面３ａに配した状態において、前述の接続パッド２５と電気的に接続されるようになっている。具体的には、突出部３９と接続パッド２５とは導電性を有する導電性ペーストＢ２を介して相互に接着固定されている、すなわち、この導電性ペーストＢ２によって蓋体７がセラミック基板３に固定されている。また、この固定状態においては、蓋体７とシールド部材２３が半導体チップ５を取り囲むと共に、セラミック基板３のシールド部材２３と蓋体７とが電気的に接続されることになる。
【００２３】
また、この天板部３５には、その厚さ方向に貫通する開口部３５ａが形成されており、この開口部３５ａによって半導体チップ５を含む中空空間Ｓ２が半導体装置１の外側に位置する外方空間に連通することになる。
蓋体７の側壁部３７は天板部３５の四辺からそれぞれ突出しており、天板部３５を挟み込む一対の側壁部３７が相互に対向するようになっている。これら複数の側壁部３７は、セラミック基板３の側面３ｂに形成された複数の溝９にそれぞれ収容されている、すなわち、各溝９の底面（側面）９ａに隣接して配されている。
【００２４】
次に、以上のように構成された半導体装置１の製造方法について説明する。
この製造方法においては、はじめに、図４，５，７に示すように、多数の半導体チップ５を配置可能な基板用板材４１を用意する（基板用板材準備工程）。なお、この基板用板材４１は、半導体装置１を構成するセラミック基板３を縦横に多数連結したものである。
この基板用板材準備工程においては、はじめに、セラミック粉末を含有するペーストをシート状に形成してなるグリーンシートを用意する。このグリーンシートは、セラミック粉末を含有したセラミックペーストをシート状に形成したものであり、セラミック基板３の各絶縁層２７，２８，２９，３０を構成するものである。
【００２５】
次いで、各グリーンシートに打ち抜き加工を施してセラミック基板３の凹部１１、穴１３及び段差部１５、また、配線部２１やシールド部材２３の形成に使用するスルーホール４３，４５を形成する。その後、スクリーン印刷により、各グリーンシートの表面や裏面に、銀粉末あるいは銅粉末もしくはタングステン粉末を主成分とするペーストを適宜印刷すると共に、上記ペーストを各グリーンシートのスルーホール４３，４５に充填する等して、パッド電極１７、外部接続端子１９、配線部２１、シールド部材２３及び接続パッド２５を形成する。
【００２６】
そして、これら複数のグリーンシートを積層してグリーンシート積層体４７を構成し、このグリーンシート積層体４７の表面及び裏面に切り込み４９ａ，４９ｂを形成する。この切り込み４９ａ，４９ｂは、個々のセラミック基板３に区画するものであり、格子状に形成されている。さらに、相互に隣り合う各セラミック基板３の間に位置する切り込み４９ａ，４９ｂの一部に、グリーンシート積層体４７の厚さ方向に貫通する挿入穴５１を形成する。この挿入穴５１は、平面視で格子状に形成された切り込み４９ａ，４９ｂのうち、切り込み４９ａ，４９ｂが相互に交差する部分から外れた位置に形成されている。なお、これら切り込み４９ａ，４９ｂ及び挿入穴５１は、同時に形成されるとしてもよいし、それぞれ別個に形成されるとしても構わない。
最後に、このグリーンシート積層体４７を１０００℃以上で焼成し、パッド電極１７、外部接続端子１９及び接続パッド２５にニッケル及び金のめっきを施すことで、基板用板材４１の製造が完了する。
【００２７】
また、この製造方法においては、上記基板用板材工程の前後もしくは同時に、蓋体７を多数形成する（蓋体準備工程）。
この蓋体準備工程においては、図６，７に示すように、銅材等の導電性を有する板材にニッケルのめっきを施したものを用意すると共に、この板材に打ち抜き加工を施して、平面視略矩形状の天板部３５、及び、天板部３５の各辺から一体的に延出する略板状の延出部を形成する。
ここで、天板部３５と各延出部との境目には、切欠部５７が形成されており、天板部３５に対して容易に各延出部を折り曲げることができるようになっている。すなわち、この蓋体準備工程においては、天板部３５に対して各延出部を折り曲げる加工を施すことで、天板部３５の厚さ方向に突出する側壁部３７が形成されることになる。なお、この折り曲げ加工の際には、各側壁部３７の先端に、相対する側壁部３７から離間する方向に湾曲させる加工も施されている。
【００２８】
また、この蓋体準備工程においては、上記と同様の打ち抜き加工を施して、天板部３５に開口部３５ａを形成する。さらに、この蓋体準備工程においては、コイニング加工により天板部３５を変形させて、側壁部３７と同じ方向に突出する略環状の突出部３９を形成する。
なお、この蓋体準備工程においては、天板部３５や延出部、開口部３５ａを形成する打ち抜き加工や、側壁部３７を形成する折り曲げ加工及び突出部３９を形成するコイニング加工を、同時に行ってもよいし、個別に行うとしても構わない。
【００２９】
また、前述した基板用板材準備工程の終了後には、絶縁材料からなる接着ペーストＢ１を介して各凹部１１の底面１１ａに半導体チップ５を多数並べて配置するチップ配置工程を行う。このチップ配置工程においては、各半導体チップ５を配した後に接着ペーストＢ１を硬化させるペーストキュアを行う。このペーストキュアでは、１５０℃に加熱した状態をおおよそ１時間保持する。このチップ配置工程の終了後には、ワイヤーボンディングにより半導体チップ５とパッド電極１７とをワイヤー３１により電気接続する接続工程を行い、ワイヤー３１が正しく接続されているかどうかの目視検査を行う。
なお、これらチップ配置工程及び接続工程は、少なくとも後述する重ね合わせ工程の直前に行えばよく、蓋体準備工程の前後もしくは同時に行うとしてよい。
【００３０】
そして、上述した全ての工程が終了した後に、導電性ペーストＢ２を接続パッド２５上に印刷し、その後、図８に示すように、多数の蓋体７が多数の半導体チップ５を個々に覆うように、多数の蓋体７を基板用板材４１の表面３ａに重ねて固定する（重ね合わせ工程）。
この際には、各蓋体７の側壁部３７をそれぞれ基板用板材４１の挿入穴５１に挿入する。これにより、多数の半導体チップ５に対する各蓋体７の位置決めを容易に行うことができる。なお、側壁部３７の先端は相対する側壁部３７から離間するように湾曲しているため、この挿入の際には側壁部３７を挿入穴５１内に容易に導くことができる。また、この重ね合わせ工程においては、各天板部３５の突出部３９を上記導電性ペーストＢ２に接触させる。これにより、蓋体７とシールド部材２３とが電気的に接続されることになる。
【００３１】
なお、多数の蓋体７を基板用板材４１の表面３ａに重ねて、突出部３９を導電性ペーストＢ２に接触させた後には、図９に示すように、多数の蓋体７及び基板用板材４１を裏返すと共に基板用板材４１の裏面３ｃに金属製の重しＭを載せる。そして、この状態で、１５０℃に加熱した状態をおおよそ１時間保持する導電ペーストキュアを行い、導電性ペーストＢ２を硬化させる。これにより、多数の蓋体７が基板用板材４１に固定され、重ね合わせ工程が完了する。
この重ね合わせ工程が完了することによって、多数の半導体装置１を一体的に連結した半導体ユニット６５が構成されることになる。
【００３２】
その後、各蓋体７の表面に半導体装置１を識別する名称やシリアル番号等の識別記号Ｎ（図１参照）を捺印する。そして、切り込み４９ａ，４９ｂから基板用板材４１を破断して、個々の半導体装置１に分割する（分割工程）。
この分割工程においては、図１０に示すように、基板用板材４１の表面３ａ側に略円柱状に形成されたローラＬの周面Ｌ１を下側から押し付けると共に、ローラＬを基板用板材４１の表面３ａに沿う方向に移動させる。これにより、ローラＬの周面Ｌ１の形状に沿って基板用板材４１が折り曲げられるため、切り込み４９ａ，４９ｂの残部が同時に破断され、基板用板材４１が個々のセラミック基板３に分割されることになり、固片化された半導体装置１が得られる。
【００３３】
なお、この分割工程において、各蓋体７の保護を図るためには、ローラＬの周面Ｌ１と蓋体７との間に、可撓性を有するシート状の保護部材Ｐ１を挟み込むことが好ましい。また、この分割工程においては、分割された半導体装置１が飛び跳ねないように、基板用板材４１の裏面に可撓性を有するシート状の抑え部材Ｐ２を配することが好ましい。これら保護部材Ｐ１及び抑え部材Ｐ２は、基板用板材４１及び各蓋体７に対して移動しないようになっている。
さらに、この分割工程においては、切断部分を水で冷却するダイシングにより分割する必要がないため、各蓋体７から中空空間Ｓ２内に上記水が侵入する不具合が発生することはない。
【００３４】
以上の製造方法により製造された半導体装置１においては、図３に示すように、切り込み４９ａ，４９ｂの残部がセラミック基板３の側面３ｂの一部として構成されることになるため、セラミック基板３の側面３ｂの一部に破断面３ｄが形成されることになる。さらに、側壁部３７用の挿入穴５１は、切り込み４９ａ，４９ｂの残部の破断により半分に分割されるため、セラミック基板３の溝９として構成される、すなわち、挿入穴５１の側面が溝９の底面９ａとして構成されることになる。
【００３５】
上記のように、この半導体装置１、及び、これに備える蓋体７によれば、重ね合わせ工程において、各蓋体７の側壁部３７を基板用板材４１に形成された挿入穴５１に挿入するだけで、多数の半導体チップ５に対する各蓋体７の位置決めを同時かつ容易に行うことができる。すなわち、各蓋体７により各半導体チップ５を覆う際には、各セラミック基板３が蓋体７の側壁部３７に挟み込まれるため、各セラミック基板３に対する天板部３５の位置決めを容易に行うことができ、セラミック基板３に対する蓋体７の位置決めを容易に行うことが可能となる。
【００３６】
さらに、導電性を有する蓋体７とセラミック基板３のシールド部材２３が各半導体チップ５を取り囲んでいる、具体的には、蓋体７の天板部３５が半導体チップ５の上方を覆うと共に蓋体７の側壁部３７が半導体チップ５の側方の一部を覆っており、また、シールド部材２３が半導体チップ５の下方側を覆っている。さらに、これら蓋体７とシールド部材２３とは電気的に接続されており、蓋体７及びシールド部材２３の電位が同一となる。
以上のことから、これら導電性を有する蓋体７及びシールド部材２３により、半導体装置１の外方側に発生した電気的なノイズが中空空間Ｓ２に侵入することを防いで、半導体チップ５に到達することを防止できる、すなわち、ノイズに基づく半導体チップ５の誤作動を確実に防止することができる。
【００３７】
なお、上記の実施の形態では、分割工程において、ローラＬを半導体ユニット６５、保護部材Ｐ１及び抑え部材Ｐ２に対して移動させるとしたが、これに限ることはなく、例えば、ローラＬに対して半導体ユニット６５、保護部材Ｐ１及び抑え部材Ｐ２を移動させるとしても構わない。
また、基板用板材４１の表面３ａ側にローラＬの周面Ｌ１を下側から押し付けるとしたが、これに限ることはなく、例えば、図１１に示すように、基板用板材４１の表面３ａ側にローラＬの周面Ｌ１を上側から押し付けるとしても構わない。なお、上記のように、ローラＬを使用して分割工程を行う場合には、ローラＬを保護部材Ｐ１上で転がして移動させるとしてもよい。
【００３８】
さらに、分割工程における切り込み４９ａ，４９ｂの残部の破断方法は、ローラＬを用いて基板用板材４１を折り曲げることに限らない。すなわち、分割工程においては、例えば、基板用板材４１のうち、上記切り込み４９ａ，４９ｂの両側に位置する一対のセラミック基板３を、基板用板材４１の厚さ方向に関して相互に逆向きに移動させて切り込み４９ａ，４９ｂの残部にせん断応力を発生させることで、切り込み４９ａ，４９ｂの残部を破断する、としても構わない。
【００３９】
さらに、側壁部３７は、天板部３５の四辺からそれぞれ突出して設けられるとしたが、これに限ることはなく、少なくとも天板部３５を挟み込む位置に一対形成されていればよい。すなわち、側壁部３７は、例えば、天板部３５のうち対角に位置する一対の角部のみに形成されるとしても構わない。また、例えば、図１２，１３に示すように、天板部３５の全ての角部に側壁部７１を形成するとしてもよい。
なお、上記のように、天板部３５の四角に側壁部７１を形成する場合には、例えば、図１４，１５に示すように、蓋体準備工程において、各蓋体７の側壁部７１を天板部３５の各角部に形成すると共に、基板用板材準備工程において、各側壁部７１を挿入する各挿入穴７２を切り込み４９ａ，４９ｂの交差部分に形成すればよい。なお、挿入穴７２は、図１２，１３に示すように、セラミック基板３の各角部に形成される溝７４を構成するものである。
【００４０】
さらに、上述のように、各挿入穴７２を切り込み４９ａ，４９ｂの交差部分に形成する場合には、基板用板材準備工程において、図１２〜１４に示すように、切り込み４９ａ，４９ｂのうち上記交差部分から外れた位置に、外部接続端子１９と同数のスルーホール７３を形成すると共に、各外部接続端子１９が各スルーホール７３に接する位置に形成されるとしても構わない。
この構成の場合には、分割工程において切り込み４９ａ，４９ｂの残部を破断することでスルーホール７３が分断されて、セラミック基板３の側面３ｂに露出する凹状溝７５が形成されることになる。この凹状溝７５は、半導体装置１をはんだにより実装基板（図示せず）に実装する際に、各外部接続端子１９に対するはんだの濡れ性を向上させる効果を有する、すなわち、半導体装置１と実装基板との電気的な接続を確実に行うことが可能となる。
【００４１】
また、基板用板材４１の切り込み４９ａ，４９ｂは、基板用板材４１の表面３ａ及び裏面３ｃに形成されるとしたが、これに限ることはなく、例えば、基板用板材４１の表面３ａもしくは裏面３ｃの一方のみに形成されるとしても構わない。
さらに、半導体装置１や半導体ユニット６５を構成するセラミック基板３や基板用板材４１は、セラミック粉末を含有するペーストから形成されるとしたが、これに限ることはなく、少なくとも切り込み４９ａ，４９ｂの残部を容易に破断できる材料から形成されていればよい。すなわち、セラミック基板３や基板用板材４１は、例えば、ガラスクロス入りの有機基板から形成されるとしてもよい。
【００４２】
また、半導体装置１を製造する際には、基板用板材４１を用いるとしたが、これに限ることはなく、予め固片化された個々のセラミック基板３にそれぞれ蓋体７を重ね合わせるとしても構わない。
この構成の場合でも、セラミック基板３に蓋体７を重ね合わせる際に、相対する一対の側壁部３７，７１をそれぞれセラミック基板３の溝９，７４に収容することで、これら一対の側壁部３７，７１によりセラミック基板３を挟み込むことができる。したがって、セラミック基板３に対する天板部３５の位置決めを容易に行うことができる、すなわち、セラミック基板３に対する蓋体７の位置決めを容易に行うことができる。
さらに、個々のセラミック基板３に溝９，７４を形成しておくことにより、半導体装置１を製造する際に個々のセラミック基板３にそれぞれ蓋体７を重ね合わせる際に、溝９，７４によって各側壁部３７，７１がセラミック基板３の側面３ｂに沿って移動することを規制できるため、セラミック基板３に対する側壁部３７，７１の位置決めを容易に行うことができる。
【００４３】
また、蓋体７は、単純にセラミック基板３の溝９，７４内に配される側壁部３７，７１を備えるだけではなく、例えば、図１６に示すように、半導体チップ５の側方を囲繞可能な位置に複数の側壁部８１を形成して構成されていてもよい。さらに、蓋体７は、例えば、図１７に示すように、天板部３５の周縁全体にわたって側壁部８３を形成して構成されるとしても構わない。
これらの構成の場合には、半導体チップ５の側方が導電性を有する側壁部８１，８３によって覆われることになるため、半導体装置８２，８４の外方側において発生したノイズが半導体装置８２，８４の側方から侵入しようとしても、側壁部８１，８３においてノイズが中空空間Ｓ２に侵入することを防いで半導体チップ５に到達することを防止できる。したがって、ノイズに基づく半導体チップ５の誤作動を確実に防止することができる。
【００４４】
さらに、上記ノイズが半導体装置１の側方から中空空間Ｓ２に侵入することを防止する方法としては、上述したものの他、セラミック基板３の側面３ｂや溝９，７４に、銅や銀等の導電性を有する導電性ペーストを塗布若しくは吹付を行うことが挙げられる。なお、この導電性ペーストの塗布若しくは吹付は、少なくとも蓋体７の側壁部３７，７１，８１，８３によって覆われないセラミック基板３の側面３ｂや溝９，７４に行えばよい。
【００４５】
また、複数の側壁部３７，７１，８１をそれぞれ収容する溝９，７４は、セラミック基板３の表面３ａ及び裏面３ｃに開口するとしたが、これに限ることはなく、少なくともセラミック基板３の表面３ａに開口していればよい。すなわち、セラミック基板３の溝９，７４用に形成される基板用板材４１の挿入穴５１，７２は、例えば、基板用板材４１の表面３ａから窪んで形成される有底の凹部であっても構わない。
さらに、セラミック基板３の側面３ｂには、複数の側壁部３７，７１，８１をそれぞれ収容する溝９，７４が形成されるとしたが、少なくとも側壁部３７，７１，８１はセラミック基板３の側面３ｂに隣接して配されていればよく、上記溝９を形成しなくてもよい。
【００４６】
また、半導体チップ５として音圧センサチップを一例に挙げたが、これに限ることはなく、半導体チップ５は、例えば、半導体装置１の外部空間の圧力や圧力変化を計測する圧力センサチップであっても構わない。
以上、本発明の実施形態について図面を参照して詳述したが、具体的な構成はこの実施形態に限られるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲の設計変更等も含まれる。
【図面の簡単な説明】
【００４７】
【図１】この発明の一実施形態に係る半導体装置を蓋体側から見た状態を示す概略斜視図である。
【図２】図１の半導体装置をセラミック基板側から見た状態を示す概略斜視図である。
【図３】図１の半導体装置を示す概略側断面図である。
【図４】この発明の一実施形態に係る半導体装置の製造方法に使用する基板用板材を示す概略斜視図である。
【図５】図４に示す基板用板材の一部を示す拡大斜視図である。
【図６】この発明の一実施形態に係る半導体装置の製造方法に使用する蓋体を示す概略斜視図である。
【図７】図４の基板用板材の表面に図６の蓋体を配する前の状態を示す拡大側断面図である。
【図８】図４の基板用板材の表面に図６の蓋体を配した状態を示す拡大側断面図である。
【図９】半導体装置の製造方法を示す概略側断面図である。
【図１０】半導体装置の製造方法を示す概略側断面図である。
【図１１】他の発明の実施形態に係る半導体装置の製造方法を示す概略断面図である。
【図１２】他の発明の実施形態に係る半導体装置を蓋体側から見た状態を示す概略斜視図である。
【図１３】図１２の半導体装置をセラミック基板側から見た状態を示す概略斜視図である。
【図１４】図１２の半導体装置の製造に使用する基板用板材を拡大して示す概略斜視図である。
【図１５】図１４の基板用板材と共に、図１２の半導体装置の製造に使用する蓋体用板材を拡大して示す概略斜視図である。
【図１６】他の発明の実施形態に係る半導体装置を示す概略平断面図である。
【図１７】他の発明の実施形態に係る半導体装置を蓋体側から見た状態を示す概略斜視図である。
【符号の説明】
【００４８】
１，８２，８４・・・半導体装置、３・・・セラミック基板、３ｂ・・・側面、３ｄ・・・破断面、５・・・半導体チップ、７・・・蓋体、９，７４・・・溝、９ａ・・・底面（側面）、１１ａ・・・底面（一端面）、２３・・・シールド部材、３５ａ・・・開口部、３７，７１，８１，８３・・・側壁部、４１・・・基板用板材、４７・・・グリーンシート積層体、４９ａ，４９ｂ・・・切り込み、５１・・・挿入穴、５５・・・蓋体用板材、５９・・・屈曲部、６１・・・易破断部、６５・・・半導体ユニット、Ｌ・・・ローラ、Ｌ１・・・周面、Ｓ２・・・中空空間（中空の空洞部）
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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