(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の回路基板と第２の回路基板との間に介装される環状の中継基板本体と、前記中継基板本体の内面に沿って前記第１の回路基板の側の面から前記第２の回路基板の側の面にわたって電気接続個所に対応して形成された基板接続配線とを有する中継基板であって、
環状の前記中継基板本体は、
前記基板接続配線の端部付近で前記第１の回路基板の側の面から前記中継基板本体の外周面に連なる角部に形成された第１の凹部と、前記基板接続配線の端部付近で前記第２の回路基板の側の面から前記中継基板本体の外周面に連なる角部に形成された第２の凹部とを有し、
前記基板接続配線の端部を前記第１の凹部と前記第２の凹部に沿わせるとともに、前記第１の凹部と前記第２の凹部に処理材を充填し、前記基板接続配線の両端部を前記処理剤に埋設した
中継基板。
【請求項２】
前記第１の回路基板の側の面から前記中継基板本体の内周面に連なる角部に形成された第３の凹部と、前記基板接続配線の端部付近で前記第２の回路基板の側の面から前記中継基板本体の内周面に連なる角部に形成された第４の凹部とを有し、
前記第３の凹部と前記第４の凹部に前記基板接続配線の途中を沿わせるとともに、前記第３の凹部と前記第４の凹部に処理材を充填し、前記基板接続配線の途中を前記処理剤に埋設した
請求項１記載の中継基板。
【請求項３】
第１の回路基板と第２の回路基板との間に、請求項１または請求項２に記載の中継基板を介装して第１，第２の回路基板を３次元的に接続した立体配線構造体。
【請求項４】
請求項３に記載の立体配線構造体によって電気回路基板が実装された携帯端末装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電子部品を実装した回路モジュール等をベース回路基板上に中継する中継基板とこれを使用した立体配線構造体に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、絶縁回路基板上に抵抗、コンデンサや半導体素子等を実装する電子回路装置においては、機器の軽薄短小化に伴い、実装の高密度化が強く求められている。
従来、この種の電子回路装置において、部品実装の高密度化は配線ピッチの微細化や複数枚の電子回路基板を積み重ね構成により実現していた。
【０００３】
例えば、（特許文献１）の特開２００１−１７７２３５号公報に記載された電子回路装置は、図２５に示すように、ベースプリント回路基板３１０にモジュール回路基板３５０をスペーサー３６０を介して積層した構造である。
【０００４】
スペーサー３６０は、上下両面にビアホール３２０で導通する球状半田３８０，３９０で仮止めした構造である。このスペーサー３６０を、ベースプリント回路基板３１０およびモジュール回路基板３５０間に仮固定した状態で一括リフロー半田付けしている。３３０はモジュール回路基板３５０に実装された表面実装部品、３４０はモジュール回路基板３５０に実装された半導体ベアチップである。
【０００５】
また、（特許文献２）の特開２００１−２６７７１５号公報に記載の電子回路装置は、図２６に示すように、外周囲を導電性の物質でコーティングされた耐熱性弾性体４００を介して電子回路基板４１０，４３０を上下に積層した構造である。前記耐熱性弾性体４００を一方の電子回路基板４１０の接続用ランド４２０に半田付けし、他方の電子回路基板４３０の接続用ランド４４０にクリップやボルト４７０等で圧着するものである。４５０は表面実装部品、４６０は半導体ベアチップである。
【０００６】
また、（特許文献３）の特開平６−２６０７３６号公報に記載された電子回路装置は、図２７に示すように、接続用チップ５５０を介してマザーボード５４０にモジュール用回路基板５００を、機械的および電気的に接続した構造であり、５１０はＩＣパッケージ，５２０，５３０は受動部品である。
【０００７】
また、（特許文献４）の特開２００１−２４５１８６号公報に記載された電子回路装置は、図２８（ａ）（ｂ）に示すように、立体プリント基板６００に、レンズ６６０と光学フィルタ６７０と半導体撮像素子６１０とをレンズ６６０の光軸上に一体的に組み込んだ構成である。立体プリント基板６００は、半導体撮像素子６１０およびチップ部品６１５を接続するための配線パターン６５０を有している。６４０は立体プリント基板６００が半田付け実装されるプリント基板である。
【０００８】
さらに、（特許文献５）の特開２０００−３４１５６６号公報に記載された電子回路装置は、図２９（ａ）（ｂ）（ｃ）に示すように、半導体撮像素子６１０と赤外フィルタ６８０とを立体プリント基板６００に装着し、この立体プリント基板６００を回路集積プリント基板６４０に実装した構造である。
【０００９】
また、上記以外にも一般的な接続部品であるコネクタを用いて接合する方法等もある。
また、例えば、（特許文献６）の特開平６−６１４１５号公報に記載された電子回路装置は、図３０に示すように、回路モジュール７１０の側面から突出したコ字状端子７２０により半田等で複数積層した構造である。回路モジュール７１０は側面から下面に向かってコ字状に突出したコ字状端子７２０を持っている。下側の他の回路モジュール７３０は一般的な側面からＬ字状に突出した端子部７４０を持っている。
【００１０】
回路モジュール７１０と回路モジュール７３０とはコ字状端子部がＬ字状端子部上に半田等の接合材を介して接合された構造である。
また、（特許文献７）の実開平１−１３４３６７号公報に記載の電子回路装置は、図３１に示すように、回路基板８１０と他の回路基板８２０とを異方性導電ゴム８３０を介して積層し、留め金具８４０を用いて回路基板８１０と回路基板８２０とを接続した構造である。
【特許文献１】特開２００１−１７７２３５号公報
【特許文献２】特開２００１−２６７７１５号公報
【特許文献３】特開平６−２６０７３６号公報
【特許文献４】特開２００１−２４５１８６号公報
【特許文献５】特開２０００−３４１５６６号公報
【特許文献６】特開平６−６１４１５号公報
【特許文献７】実開平１−１３４３６７号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１１】
携帯端末装置の高機能化と軽薄短小化が進む中で、平面的な電子回路装置では、接続ピッチの微細化や隣接の部品間の間隔縮小などにより実装密度の向上をはかるには限界がある。そのために３次元的にモジュール回路基板を積層して高密度化がはかられている。
【００１２】
（特許文献１）のスペーサー３６０および（特許文献３）の接続用チップ５５０は、回路基板の上下面に形成されたランドと対応するランド間を接続する導電性ビアまたはビアホール３２０を介して３次元的に接続するものである。
【００１３】
また、（特許文献２）の積層されたモジュール回路基板間の固定にクリップ４７０やボルト等を用いた場合、固定や接続部材の占有する面積が増加するため実装面積が減少する。また、モジュール回路基板間の接続端子数の増加により、モジュール回路基板の接続に占める接続コネクタの面積が増大している。従って、モジュール回路基板間の接続面積の増大により実装密度を上げることができないという課題がある。
【００１４】
また、（特許文献４）および（特許文献５）の立体プリント基板６００は、撮像素子６１０の立体配線構造が開示されており、半田６２０を介して３次元的にプリント基板６４０に接続するものである。しかし、基板表面に形成された立体プリント基板６００のランド電極６３０の先端部とプリント基板６４０の配線パターン６５０とを単に半田接続するだけでは接続の信頼性を上げることができないという課題がある。
【００１５】
また、（特許文献６）のコ字状端子部７２０はＬ字状端子部７４０上に半田等の接合材を介して３次元的に接合されている。また、（特許文献７）の回路基板の積層固定に留め金具（クリップ）８４０等を用いた場合、固定や接続部材の占有する面積、高さが増加するため実装面積（体積）が減少する。また、モジュール回路基板間の接続端子数の増加により、モジュール回路基板の接続に占める接続コネクタの面積が増大している。従って、モジュール回路基板間の接続面積の増大により実装密度を上げることができないという課題がある。
【００１６】
また、昨今の携帯機器の落下等への耐久性、高信頼性が求められており、（特許文献６）のように半田のみで接続されている場合には、接続の信頼性を上げることができない。
本発明は、上記従来の課題を解決し、高密度実装かつ接続の高信頼性を実現できる中継基板を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１７】
本発明の請求項１記載の中継基板は、第１の回路基板と第２の回路基板との間に介装される環状の中継基板本体と、前記中継基板本体の内面に沿って前記第１の回路基板の側の面から前記第２の回路基板の側の面にわたって電気接続個所に対応して形成された基板接続配線とを有する中継基板であって、環状の前記中継基板本体は、前記基板接続配線の端部付近で前記第１の回路基板の側の面から前記中継基板本体の外周面に連なる角部に形成された第１の凹部と、前記基板接続配線の端部付近で前記第２の回路基板の側の面から前記中継基板本体の外周面に連なる角部に形成された第２の凹部とを有し、前記基板接続配線の端部を前記第１の凹部と前記第２の凹部に沿わせるとともに、前記第１の凹部と前記第２の凹部に処理材を充填し、前記基板接続配線の両端部を前記処理剤に埋設したことを特徴とする。
【００１８】
本発明の請求項２記載の中継基板は、請求項１において、前記第１の回路基板の側の面から前記中継基板本体の内周面に連なる角部に形成された第３の凹部と、前記基板接続配線の端部付近で前記第２の回路基板の側の面から前記中継基板本体の内周面に連なる角部に形成された第４の凹部とを有し、前記第３の凹部と前記第４の凹部に前記基板接続配線の途中を沿わせるとともに、前記第３の凹部と前記第４の凹部に処理材を充填し、前記基板接続配線の途中を前記処理剤に埋設したことを特徴とする。
【００２０】
本発明の請求項３記載の立体配線構造体は、第１の回路基板と第２の回路基板との間に、請求項１または請求項２に記載の中継基板を介装して第１，第２の回路基板を３次元的に接続したことを特徴とする。
【発明の効果】
【００３６】
本発明の中継基板は、中継基板本体に設けられた基板接続配線の末端部が末端処理材に埋設して設けられているので、冷熱衝撃や落下衝撃によっても剥がれにくく強いので、高信頼性を実現できる。
【００３７】
また、基板接続配線の末端部が、中継基板本体に設けられた波形曲面を備えた斜面に沿わせて貼り付けたので、冷熱衝撃や落下衝撃によっても剥がれにくく強いので、高信頼性を実現できる。
【００３８】
また、基板接続配線の末端部だけでなく、基板接続配線のコーナー部に対応して中継基板本体をコーナー部処理材に埋設したり、波形曲面を備えた斜面に貼り付けても、中継基板の樹脂とランド電極末端部とコーナー部の密着力が向上し、かつ、波形曲面によりせん断応力や剥離応力を抑制することにより、高信頼性を実現できる。
【００３９】
また、第１の回路基板または第２の回路基板に実装した各々の電子部品間を中継基板で上下に電気的に最短距離で接続することができ、立体配線構造体の周波数特性、信号の高速化が向上する。
【００４０】
本発明の中継基板は、中継基板本体に設けられた少なくとも一方の基板接続配線と中継基板本体との間に弾性体が設けられているので、冷熱衝撃や落下衝撃によっても衝撃応力を吸収し易いので、高信頼性を実現できる。
【００４１】
また、中継基板本体に設けられた少なくとも一方の基板接続配線と中継基板本体との間に弾性体とギャップが設けられているので、衝撃や熱衝撃でもバネ性による緩和機構が働き、冷熱衝撃や落下衝撃によっても衝撃応力を吸収し易いので、高信頼性を実現できる。
【００４２】
また、中継基板本体の面と回路基板の面とのギャップよりも薄い弾性体を中継基板本体上に設けられているので、冷熱衝撃や落下衝撃による衝撃応力や基板の変形力を吸収し易いので、高信頼性を実現できる。
【００４３】
また、第１の回路基板と第２の回路基板との間に基板間隙よりも薄い弾性体を設けたので、変形量の大きい中継基板中心部がたわんだ時の応力を弾性体で吸収できるため、冷熱衝撃や落下衝撃による衝撃応力や基板の変形力を吸収し易いので、高信頼性を実現できる。
【００４４】
また、第１の回路基板と第２の回路基板とに実装した各々の電子部品間を中継基板で上下に電気的に最短距離で接続することができ、立体配線構造体の周波数特性、信号の高速化が向上する。
【発明を実施するための最良の形態】
【００４５】
以下、本発明の各実施の形態を図１〜図１２，図１３〜図２４に基づいて説明する。
（実施の形態１）
図１と図２は、本発明の（実施の形態１）における中継基板を使用した立体配線構造体を示す。図１は図２のＡ−Ａ’からみた断面図である。
【００４６】
図１に示す立体配線構造体は、第１の回路基板１と第２の回路基板２が、中継基板３を介して接合層４により電気的、機械的に接続された３次元接続構造（３次元モジュール）である。
【００４７】
第１の回路基板１は、電子部品１６（半導体装置を含む）が両面実装されており、電子部品から外部への引き出し端子電極１１が設けられているが、第１の回路基板１は他の回路基板と接続される接続配線基板もしくは機能基板の一部であってもよい。
【００４８】
第２の回路基板２は、電子部品（半導体装置を含む）が両面実装されており、電子部品から外部への引き出し端子電極１２が設けられているが、このようなモジュール構造であってもよいし、いわゆるマザーボードの一部であってもよい。
【００４９】
前記第１，第２の回路基板１，２には、図中には示していないが導電性ビアと絶縁基材から構成される。また、各回路基板は、（半導体装置を含む）電子部品１６を実装して構成される両面基板または多層配線基板である。
【００５０】
各電子部品１６は、ＩＣ、ＬＳＩ等の半導体素子、半導体パッケージや抵抗、コンデンサ、インダクタ等の一般の受動部品である。ベアチップ形状の電子部品をフリップチップ実装またはワイヤボンディング接続で実装することも可能である。
【００５１】
また、第１の回路基板１と第２の回路基板２を接続するコネクタ機能を有する前記中継基板３は、その形状が図２に示したように中央に貫通孔３ｃが形成された環状の中継基板本体３ａの必要な個所に、前記第１の回路基板１の背面側になる上面１３から、前記第２の回路基板２の上面側になる下面１４にわたって基板接続配線１０が、所定間隔で必要数だけ形成されている。具体的には、環状の中継基板本体３ａは平面形状が２０ｍｍ〜３０ｍｍ、その厚み：ｈ１＝１．０ｍｍ〜２．０ｍｍ，幅：ｗ１＝０．５ｍｍ〜１．０ｍｍの大きさである。
【００５２】
なお、図２では、中継基板３の上下に位置する前記第１，第２の回路基板１，２を略して仮想線で示した。また、中継基板３において実際には図２では見えない個所に付いても理解しやすいように一部を実線で示している。具体的には、図２の手前側に並んだ基板接続配線１０における前記中継基板本体３ａの前記貫通孔３ｃの内壁面に沿った部分と下面１４に沿った部分となどがその一例である。図２の奥側に並んだ基板接続配線１０も手前側における基板接続配線１０と同様に構成されている。
【００５３】
このように構成したため、第１の回路基板１の引き出し端子電極１１は、中継基板本体３ａの前記上面１３に位置している基板接続配線１０のランド電極５ａに、接合層４を介して接合され、第２の回路基板２の引き出し端子電極１２は、中継基板本体３ａの前記下面１４に位置している基板接続配線１０のランド電極５ｂに、接合層４を介して接合されている。
【００５４】
ここで、接合層４は、半田、半田ボール、マイクロコネクタ、ヒートシールコネクタ、異方導電性フィルムや導電性接着剤等の各種接合部材の何れかを用いる。
このように、中継基板３を使用した立体配線構造体によると、第１，第２の回路基板１，２には、中継基板３の中央に形成された貫通孔３ｃの内側に対応するところにも電子部品１６を実装できるため、第１，第２の回路基板１，２の接続面積を確保しながら、より多くの回路部品を取り込むことができるため、高密度実装化を実現できる。
【００５５】
また、第１の回路基板１または第２の回路基板２に実装した電子部品１５とを中継基板３を介して最短距離で接続することにより、立体配線構造体の周波数特性が向上し、信号の高速化が可能となり、電子機器の高速動作が実現できる。
【００５６】
さらに、前記中継基板３の基板接続配線１０の端部に対応する位置には、中継基板本体３ａに凹部３ｂが形成されており、基板接続配線１０の端部はこの凹部３ｂの内側に沿って形成されており、各凹部３ｂには絶縁性の樹脂の末端処理材９が充填されている。
【００５７】
このように基板接続配線１０の端部を末端処理材９中に埋設したので、冷熱衝撃や落下衝撃によって上下基板とランド電極間に作用する剥離応力、せん断応力による剥離、クラックのきっかけを抑制または緩衝させることができ、高信頼性を実現できる。
【００５８】
なお、第１，第２の回路基板１，２には、一般の樹脂基板や無機基板、コンポジット基板を用いることができる。特に、ガラスエポキシ基板やアラミド基材を用いた基板やビルドアップ基板、ガラスセラミック基板、アルミナ基板等が好ましい。
【００５９】
中継基板３の中継基板本体３ａには一般の熱可塑性樹脂や熱硬化性樹脂等を用いる。熱可塑性樹脂の場合、射出成形や切削加工、レーザー加工、ケミカル加工によって所望の形状に成形することが可能である。また、熱硬化性樹脂の場合、硬化物を切削加工することで所望の形状にすることができる。熱可塑性樹脂としてはＰＰＡ（ポリフタルアミド）、ＬＣＰ（液晶ポリマー）、ＴＰＸ（ポリメチルベンテン）、ＰＥＩ（ポリアミドイミド）、ＰＰＳ（ポリフェニレンサルファイド）、ＰＥＳ（ポリエーテルサルフォン）、ＰＳＦ（ポリサルファオン）、ＰＢＴ（ポリブチレンテレフタレート）、ＰＡ（ポリアミド）系、エステル系樹脂、ＳＰＳ、ＰＰＯ、ＰＰＥ、熱硬化性樹脂としては通常のエポキシ樹脂等を用いることが好ましい。中継基板３にヤング率の小さい樹脂材料を用いることにより、第１，第２の回路基板１，２の間の熱膨張係数の差によって生じるせん断応力や剥離応力を緩和することができる。
【００６０】
また、中継基板３の基板接続配線１０は、導電性ペーストを用いた印刷法や基板面に貼り付けられた金属箔または基板面に析出させたメッキ層をレーザー加工する等の方法で作製される。立体配線材料としてはＡｇ、Ｓｎ、Ｚｎ、Ｐｄ、Ｂｉ、Ｎｉ、Ａｕ、Ｃｕ、Ｃ、Ｐｔ、Ｆｅ、Ｔｉ、Ｐｂの金属が用いられる。
【００６１】
末端処理材９は中継基板本体３ａと同じ材質または中継基板本体３ａとの接着性が良好な材質が選定されている。
なお、図１の中継基板３は、内部を詳細に示すために誇張して示しているが、基本的に図２の中継基板３と異なるものではない。また、以下の各実施の形態においても同様である。
【００６２】
なお、図１，図２では、基板接続配線１０の端部で中継基板本体３ａの上面１３に位置する端部と、中継基板本体３ａの下面１４に位置する端部とは、中継基板本体３ａに形成された別々の凹部３ｂに充填された末端処理材９に埋設したが、これは図３に示すように基板接続配線１０の端部で中継基板本体３ａの上面１３に位置する端部と、中継基板本体３ａの下面１４に位置する端部とを、中継基板本体３ａに形成された共通の凹部３ｄに充填された末端処理材９に埋設するように構成しても同様の効果を期待できる。特に、図３の場合には、図１，図２のように中継基板本体３ａの上面１３の側の凹部３ｂに充填した末端処理材９と中継基板本体３ａの下面１４の側の凹部３ｂに充填した末端処理材９とに分けるために必要となる樹脂成形精度を上げる必要もないので、低コスト化が実現できる。
【００６３】
なお、上記の各実施の形態において基板配線電極１０は中継基板３の内側でも外側であっても回路設計や電気特性が考慮されていればかまわない。
また、上記の各実施の形態において前記基板接続配線１０の前記第１の回路基板１の側の端部と前記第２の回路基板２の側の端部との両方を、末端処理材９に埋設したが、前記第１の回路基板１の側の端部と前記第２の回路基板２の側の端部との少なくとも一方を末端処理材９に埋設することによっても幾らかの効果を期待できる。
【００６４】
（実施の形態２）
図４と図５は、本発明の（実施の形態２）における中継基板を使用した立体配線構造体を示す。図４は図５のＡ−Ａ’からみた断面図である。
【００６５】
中継基板３の形状が（実施の形態１）とは異なっている。その他は同じである。具体的には、図１では各基板接続配線１０の端部だけが末端処理材９に埋設されていたが、この図４では、中継基板本体３ａの上面１３から貫通孔３ｃの側面部に連なる角部と、中継基板本体３ａの下面１４から貫通孔３ｃの側面部に連なる角部とに、それぞれ凹部３ｅを形成し、この凹部３ｅに沿って基板接続配線１０を形成し、凹部３ｅにコーナー部処理材８としての樹脂を充填し、基板接続配線１０のコーナー部７をコーナー部処理材８に埋設している。コーナー部処理材８と末端処理材９は同じものまたは部位に応じた異なる樹脂などを使用する。
【００６６】
この構成によると、さらに冷熱衝撃や落下衝撃に強い、高信頼性を実現できる。
なお、この実施の形態では中継基板３の前記第１の回路基板１の側のコーナー部７と中継基板３の前記第２の回路基板２の側のコーナー部７との両方に凹部３ｅを形成し、両方の凹部３ｅにコーナー部処理材８を充填したが、中継基板３の前記第１の回路基板１の側のコーナー部７と中継基板３の前記第２の回路基板２の側のコーナー部７との少なくとも一方に凹部３ｅを形成し、この凹部３ｅにコーナー部処理材８を充填して基板接続配線１０のコーナー部７をコーナー部処理材８に埋設することによっても幾らかの効果を期待できる。
【００６７】
なお、図４，図５では、基板接続配線１０の端部で中継基板本体３ａの上面１３に位置する端部と、中継基板本体３ａの下面１４に位置する端部とは、中継基板本体３ａに形成された別々の凹部３ｂに充填された末端処理材９に埋設したが、これは図６に示すように基板接続配線１０の端部で中継基板本体３ａの上面１３に位置する端部と、中継基板本体３ａの下面１４に位置する端部とを、中継基板本体３ａに形成された共通の凹部３ｄに充填された末端処理材９に埋設するように構成しても同様の効果を期待できる。特に、図６の場合には、図４，図５のように中継基板本体３ａの上面１３の側の凹部３ｂに充填した末端処理材９と中継基板本体３ａの下面１４の側の凹部３ｂに充填した末端処理材９とに分けるために必要となる樹脂成形精度を上げる必要もないので、低コスト化が実現できる。
【００６８】
（実施の形態３）
図７は本発明の（実施の形態３）における中継基板を使用した立体配線構造体の概略断面図である。図１と同じ構成要素については同一の符号をつけて、説明は省略する。
【００６９】
図１に示した（実施の形態１）では、基板接続配線１０の前記第１の回路基板１の側の端部と前記第２の回路基板２の側の端部を、末端処理材９に埋設するのに、中継基板本体３ａに成された凹部３ｂには末端処理材９を充填したが、図７では、中継基板本体３ａに凹部３ｂを形成せずに、弾性を有するボンディング材１７を中継基板本体３ａの表面にボンディングして、基板接続配線１０の前記第１，第２の回路基板１，２の側の端部を、末端処理材としてのボンディング材１７に埋設している。なお、図７ではボンディング材１７をボンディングし易いように、中継基板本体３ａの断面形状が八角形に形成されている。
【００７０】
なお、ボンディング材１７は、中継基板本体３ａや末端処理材９に比べて低ヤング率の樹脂であってもよい。たとえば、常温加硫（ＲＴＶ）等のシリコーン樹脂等を用いる。その他は（実施の形態１）と同じである。さらに詳しくは、中継基板本体３ａや末端処理材９としては（液晶ポリマーＬＣＰ、ＰＰＡ）：１３．８〜１７．０ＧＰａを使用し、ボンディング材１７としてＲＴＶシリコーン：０．５〜５Ｐａもしくは低弾性エポキシ：１０〜１００ＭＰａを使用する。
【００７１】
このように基板接続配線１０の端部がボンディング材１７で覆って埋設したため、冷熱衝撃や落下衝撃によって第１，第２の回路基板１，２と上下のランド電極５間に作用するせん断応力や剥離応力による剥離やクラックのきっかけを、抑制または緩衝させることができ、高信頼性を実現できる。
【００７２】
（実施の形態４）
図８は、本発明の（実施の形態４）における中継基板を使用した立体配線構造体の概略断面図である。図１，図４，図７と同じ構成要素については、同一の符号をつけて説明する。
【００７３】
（実施の形態２）における図４では、中継基板本体３ａに設けた凹部３ｂに末端処理材９を充填して埋設したが、この（実施の形態４）では、中継基板本体３ａの断面形状を、図８に示すように基板接続配線１０の端部に対応する位置では図７の場合と同じように傾斜辺３ｆに形成している。基板接続配線１０の端部は、この傾斜辺３ｆの上で樹脂１７をボンディングして埋設されている。さらに、中継基板本体３ａの上面１３から貫通孔３ｃの側面部に連なる角部と、中継基板本体３ａの下面１４から貫通孔３ｃの側面部に連なる角部とに、それぞれ凹部３ｅを形成し、この凹部３ｅに沿って基板接続配線１０を形成し、凹部３ｅにコーナー部処理材８を充填し、基板接続配線１０のコーナー部７をコーナー部処理材８に埋設している点については図４と同じである。
【００７４】
このように構成したため、（実施の形態２）で述べた高信頼性はもちろん、低コストでかつ納期の短縮も実現できる。具体的には、後述の図１２に示した第２の金型１９を作って、前記末端処理材９を形成する必要がなく、低コストでかつ納期の短縮も実現できる。
【００７５】
（実施の形態５）
図９は、本発明の（実施の形態５）における中継基板を使用した立体配線構造体の概略断面図である。図７と同じ構成要素については、同一の符号をつけて説明する。
【００７６】
図７に示した（実施の形態３）では、基板接続配線１０の端部が中継基板本体３ａの傾斜辺３ｆにボンディングされたボンディング材１７に埋設されていたが、この（実施の形態５）では図９に示すように前記傾斜辺３ｆが、波面状曲面２０に形成されている。また、中継基板本体３ａのコーナー部も波面状曲面２０に形成されており、基板接続配線１０の端部とコーナー部は、何れもこの波面状曲面２０に沿って貼り付けられている。
【００７７】
この構成によると、基板接続配線１０の端部とコーナー部７の密着力が向上し、かつ、波形曲面としたことにより冷熱衝撃や落下衝撃によって、ランド電極５近傍に発生するせん断応力や剥離応力を抑制することにより、高信頼性を実現できる。
【００７８】
なお、上記の各実施の形態において、中継基板本体３ａは、前記第１の回路基板１の側の面から側面部へ連なる角部と、前記第２の回路基板２の側の面から前記側面部へ連なる角部との両方を波形曲面を備えた斜面に形成し、ここに基板接続配線１０の端部を貼り付けたが、前記第１の回路基板１の側の面から側面部へ連なる角部と、前記第２の回路基板２の側の面から前記側面部へ連なる角部とのうちの少なくとも一方の角部を波形曲面を備えた斜面に形成し、基板接続配線１０の端部を前記波形曲面を備えた斜面に沿わせて貼り付けることによっても幾らかの効果を期待できる。
【００７９】
なお、本発明の各実施の形態では、形状が四角形の中継基板とその中継基板の上下面に第１の回路基板と第２の回路基板を配置する構成で述べたが、これに限らず、第１の回路基板と第２の回路基板が略Ｌ字形状、三角形状、円形状等の中継基板で中継する構成としてもよい。
【００８０】
また、本発明の各実施の形態の中継基板３は、中央に貫通孔３ｃを有する形状であったが、貫通孔３ｃを持たない中継基板であってもよい。具体的には、中継基板３の中央の途中まで凹部を形成して貫通孔３ｃを持たない中継基板でその凹部に電子部品が実装されてもよい。
【００８１】
また、本発明で述べた各実施の形態は、相互に適用できることはいうまでもなく、また、これらの実施の形態に限定されるものでもない。
（実施の形態６）
図１０（ａ）〜（ｆ）は本発明の立体配線構造体の製造方法を示している。
【００８２】
図６の立体配線構造体は次の工程で製造される。
初めに、第１の回路基板１の電子部品１６と中継基板３を実装する所望の端子電極１５上に、印刷等により接合層４を形成する（図１０（ａ））。また接合層４は、メッキ方法や印刷方法（メタル版２３またはスクリーンを用いてスキージ２４で印刷）やディスペンス方法等により形成してもよい。
【００８３】
次に、接合層４が形成された第１の回路基板１上に、電子部品１６と中継基板３を位置合わせした後に載置する。この時、第１の回路基板１の両面に電子部品１６が実装される場合は、第１の回路基板１の上（表）側への電子部品１６の載置が終了した後、反転させて、下（裏）側への電子部品１６と中継基板３の載置を行う（図１０（ｂ））。
【００８４】
次に、電子部品１６と環状の中継基板３が載置された第１の回路基板１を、リフローや硬化炉等の熱工程により前記接合層４を溶融もしくは硬化させて電子部品１６と中継基板３を電気的に接合させる（図１０（ｃ））。または、各表裏面に熱工程を行い結合させてもよい。
【００８５】
次に、第２の回路基板２の電子部品１６と中継基板３を実装する所望の端子電極１５上に、印刷等により接合層４を形成する（図１０（ｄ））。
次に、接合層４が形成された第２の回路基板２上に、電子部品１５と中継基板３付きの第１の回路基板１を位置合わせした後に載置する。この時、第２の回路基板２の両面に電子部品１６が実装される場合は、第２の回路基板２の上（表）側への電子部品１６の載置が終了した後、反転させて下（裏）側への電子部品１６と中継基板３付きの第１の回路基板１の載置を行う（図１０（ｅ））。ここでも裏側を先に熱工程に通してもよい。
【００８６】
最後に、電子部品１５と中継基板３付きの第１の回路基板１が載置された第２の回路基板２をリフローや硬化炉等の熱工程により接合層４を溶融もしくは硬化させて電子部品１６と中継基板３付き第１の回路基板１とを電気的に接合させる（図１０（ｆ））。
【００８７】
このような製造方法とすることにより、第１の回路基板１と第２の回路基板２とをあらかじめ別々にモジュール基板化してから接続するので、各モジュール基板の特性検査を容易に行える。
【００８８】
（実施の形態７）
図１１（ａ）〜（ｉ）は本発明の別の立体配線構造体の製造方法を示している。
図１１の立体配線構造体は次の工程で製造される。
【００８９】
初めに、第１の回路基板１の電子部品１６と中継基板３を実装する所望の端子電極１５上に、印刷等により接合層４を形成する（図１１（ａ））。
次に、接合層４が形成された第１の回路基板１上に、電子部品１６と中継基板３を位置合わせした後に載置する（図１１（ｂ））。
【００９０】
次に、電子部品１６と環状の中継基板３が載置された第１の回路基板１を、リフローや硬化炉等の熱工程により接合層４を溶融もしくは硬化させて電子部品１６と中継基板３を電気的に接合させる（図１１（ｃ））。
【００９１】
次に、第２の回路基板２の電子部品１６と中継基板３を実装する所望の端子電極１５上に、印刷等により接合層４を形成する（図１１（ｄ））。
次に、接合層４が形成された第２の回路基板２上に、電子部品１６を位置合わせした後に載置する（図１１（ｅ））。
【００９２】
次に、電子部品１６が載置された第２の回路基板２をリフローや硬化炉等の熱工程により接合層４を溶融もしくは硬化させて電子部品１６と中継基板３とを電気的に接合させる（図１１（ｆ））。
【００９３】
次に、電子部品１６付きの第２の回路基板２の端子電極１５上に、ＡＣＦ等の異方性導電フィルムシートや導電性接着剤等の導電材料２１を貼付けまたは塗布する（図１１（ｇ））。
【００９４】
次に、第１の回路基板１に接合された中継基板３を第２の回路基板２に位置合わせした後に載置する（図１１（ｈ））。
最後に、中継基板３付きの第１の回路基板１が載置された第２の回路基板２を加圧加熱状態で保持するか、少なくともソフトビームや硬化炉等の熱工程もしくは紫外線（ＵＶ線）による光照射工程により導電材料を硬化させて第１の回路基板１と第２の回路基板２とを中継基板３を介して電気的に接合させる（図１１（ｉ））。
【００９５】
このような製造方法とすることにより、第１の回路基板１と第２の回路基板２とをあらかじめ別々にモジュール基板化してから接続するので、各モジュール基板の特性検査を容易に行え、また、第１の回路基板１と第２の回路基板２との接続温度を低温化することができるので、実装される電子部品１６や中継基板３への温度負荷や回路基板や中継基板３の反り、うねりによる接続不安定性を抑制し、電気的、機械的な接続信頼性の高い接続構造が実現できる。
【００９６】
（実施の形態８）
図１２（ａ）〜（ｅ）は本発明の中継基板３の製造方法を示している。
図６の立体配線構造体に使用する中継基板３は次の工程で製造される。
【００９７】
図１２（ａ）〜（ｅ）において、第１の金型は１８、第２の金型は１９、第４の樹脂は２５、第３の金型は２６である。ここではそれぞれを仮想線で図示した。
初めに、上下垂直方向に第１，第２の回路基板１，２を接続、中継する基板形状に中継基板本体３ａを、第１の金型１８を用いて第１の絶縁性樹脂を射出成形する（図１２（ａ））。
【００９８】
次に、接続用ランド電極５と側面に接続用ランド電極５間を電気的に接続する基板接続配線１０の形成を行う部分以外を第２の金型１９を用いて第４の樹脂２５を射出成形する（図１２（ｂ））。
【００９９】
次に、中継基板本体３ａの上下面に接続用ランド電極５の部分と側面には接続用ランド電極５間を電気的に接続する基板接続配線１０の部分にメッキ触媒２７を形成する（図１２（ｃ））。
【０１００】
次に、第４の樹脂２５を除去し、メッキをする（図１２（ｄ））。第４の樹脂２５はレジストの役目をするものであり、弱アルカリや弱酸性や加熱により溶融させることができる。例えば、生分解性ポリ乳酸樹脂（ＰＬＬＡ）を用いると溶解は弱アルカリ温水で行うことができる。
【０１０１】
最後に、第３の金型２６を用いて、末端処理材９を射出成形して接続用ランド電極５の末端部６を埋設するように覆う（図１２（ｅ））。
このような製造方法とすることにより、ランド電極５の近傍の末端部６を冷熱衝撃や落下衝撃によるせん断応力や剥離応力から抑制、緩和することができるので、電気的、機械的に接続信頼性の高い接続用中継基板３が実現できる。
【０１０２】
また、中継基板３のランド電極５の末端部６がＳ字曲線状に成形されたコーナー部処理材８上に形成されたあと、末端処理材９で埋設されるように成形する製造方法とすることにより、より冷熱衝撃や落下衝撃によるせん断応力や剥離応力から抑制、緩和することができる。
【０１０３】
また、中継基板３の上下面のランド電極５から側面部に連なるコーナー部７の配線も末端処理材９で埋設されるように２次成形する製造方法とすることにより、より冷熱衝撃や落下衝撃によるせん断応力や剥離応力から抑制、緩和することができる。
【０１０４】
（実施の形態９）
図１３は、本発明の（実施の形態９）における中継基板を使用した立体配線構造体を示す。立体配線構造体概略は図１４を参照し、Ａ−Ａ’からみた断面図である。
【０１０５】
図１３に示す立体配線構造体は、第１の回路基板１と第２の回路基板２が、中継基板３を介して接合層４により電気的、機械的に接続された３次元接続構造（３次元モジュール）である。
【０１０６】
第１の回路基板１は、電子部品１６（半導体装置を含む）が両面実装されており、電子部品から外部への引き出し端子電極１１が設けられているが、第１の回路基板１は他の回路基板と接続される接続配線基板もしくは機能基板の一部であってもよい。
【０１０７】
第２の回路基板２は、電子部品（半導体装置を含む）が両面実装されており、電子部品から外部への引き出し端子電極１２が設けられているが、このようなモジュール構造であってもよいし、いわゆるマザーボードの一部であってもよい。
【０１０８】
第１，第２の回路基板１，２には、図中には示していないが導電性ビアと絶縁基材から構成される。さらには、基板に電子部品、半導体を内蔵していてもよい。また、各回路基板は電子部品１６を実装して構成される両面基板または多層配線基板である。各電子部品１６は、ＩＣ、ＬＳＩ等の半導体素子、半導体パッケージや抵抗、コンデンサ、インダクタ等の一般の受動部品である。ベアチップ形状の電子部品をフリップチップ実装またはワイヤボンディング接続で実装することも可能である。
【０１０９】
また、第１の回路基板１と第２の回路基板２を接続するコネクタ機能を有する前記中継基板３は、その形状が図１４に示したように中央に貫通孔３ｃが形成された環状の中継基板本体３ａの必要な個所に、前記第１の回路基板１の背面側になる上面１３から、前記第２の回路基板２の上面側になる下面１４にわたって基板接続配線１０が、所定間隔で必要数だけ形成されている。具体的には、環状の中継基板本体３ａは平面形状が２０ｍｍ〜３０ｍｍ、その厚み：ｈ１＝１．０ｍｍ〜２．０ｍｍ、幅：ｗ１＝０．５ｍｍ〜１．０ｍｍの大きさである。
【０１１０】
なお、図１４では、中継基板３の上下に位置する前記第１，第２の回路基板１，２を略して仮想線で示した。また、中継基板３において実際には図１４では見えない個所についても理解しやすいように、一部を実線で示している。具体的には、図１４の手前側に並んだ基板接続配線１０における前記中継基板本体３ａの前記貫通孔３ｃの内壁面に沿った部分と下面１４に沿った部分となどがその一例である。図１４の奥側に並んだ基板接続配線１０も手前側における基板接続配線１０と同様に構成されている。
【０１１１】
このように構成したため、第１の回路基板１の引き出し端子電極１１は、中継基板本体３ａの前記上面１３に位置している基板接続配線１０のランド電極５に接合層４を介して接合され、第２の回路基板２の引き出し端子電極１２は、中継基板本体３ａの前記下面１４に位置している基板接続配線１０のランド電極５に、接合層４を介して接合されている。
【０１１２】
ここで、接合層４は、半田、半田ボール、マイクロコネクタ、ヒートシールコネクタなどの溶融、もしくは異方導電性フィルムや導電性接着剤等の硬化などの各種接合部材の何れかを用いる。
【０１１３】
この中継基板３を使用した立体配線構造体によると、第１，第２の回路基板１，２には、中継基板３の中央に形成された貫通孔３ｃの内側に対応するところにも電子部品１６を実装できるため、第１，第２の回路基板１，２の接続面積を確保しながら、より多くの回路部品を取り込むことができるため、高密度実装化を実現できる。
【０１１４】
また、第１の回路基板１または第２の回路基板２に実装した電子部品１６とを中継基板３を介して最短距離で接続することにより、立体配線構造体の周波数特性が向上し、信号の高速化が可能となり、電子機器の高速動作が実現できる。
【０１１５】
さらに、中継基板３の各回路基板側の少なくとも一方の基板接続配線１０と中継基板本体３ａとの間には、中継基板本体３ａよりも弾性に優れた材質の弾性体３０が設けられている。図１３と図１４では第２の回路基板２の側の中継基板本体３ａと基板接続配線１０との間に弾性体３０が設けられている。さらに詳しくは、弾性体３０は中継基板本体３ａの下面の全面に形成されており、図１５（ａ）は中継基板本体３ａと基板接続配線１０の拡大した側面図を示している。第１の回路基板１の側の中継基板本体３ａと基板接続配線１０との間に弾性体３０を設ける場合も同様である。
【０１１６】
このように弾性に優れた弾性体３０が設けられているので、冷熱衝撃や落下衝撃によっても衝撃応力を吸収し易いので、高信頼性を実現できる。
なお、第１，第２の回路基板１，２には、一般の樹脂基板や無機基板、コンポジット基板を用いることができる。特に、ガラスエポキシ基板やアラミド基材を用いた基板やビルドアップ基板、ガラスセラミック基板、アルミナ基板等が好ましい。
【０１１７】
中継基板３の中継基板本体３ａには、一般の熱可塑性樹脂や熱硬化性樹脂等を用いる。
熱可塑性樹脂の場合、射出成形や切削加工、レーザー加工、ケミカル加工によって所望の形状に成形することが可能である。また、熱硬化性樹脂の場合、硬化物を切削加工することで所望の形状にすることができる。熱可塑性樹脂としてはＰＰＡ（ポリフタルアミド）、ＬＣＰ（液晶ポリマー）、ＴＰＸ（ポリメチルベンテン）、ＰＥＩ（ポリアミドイミド）、ＰＰＳ（ポリフェニレンサルファイド）、ＰＥＳ（ポリエーテルサルフォン）、ＰＳＦ（ポリサルファオン）、ＰＢＴ（ポリブチレンテレフタレート）、ＰＡ（ポリアミド）系、エステル系樹脂、ＳＰＳ、ＰＰＯ、ＰＰＥ、熱硬化性樹脂としては通常のエポキシ樹脂等を用いることが好ましい。中継基板３に弾性体３０として好ましくはシリコーン樹脂等のヤング率の小さい樹脂材料を用いることにより、第１，第２の回路基板１，２の間の熱膨張係数の差によって生じるせん断応力や剥離応力を緩和することができる。
【０１１８】
また、中継基板３の基板接続配線１０は、半導体のリードフレーム（Ｃｕ＋Ｎｉ）やＳＵＳ、燐青銅（９２Ｃｕ−８Ｓｎ）からなる金属リードが用いられる。立体配線材料としてはＡｇ、Ｓｎ、Ｚｎ、Ｐｄ、Ｂｉ、Ｎｉ、Ａｕ、Ｃｕ、Ｃ、Ｐｔ、Ｆｅ、Ｔｉ、Ｐｂ、Ａｕの金属が用いられる。衝撃信頼性、熱衝撃信頼性を考慮し、バネ性の高いもの、ＣＴＥ（熱膨張係数）が小さいものが好ましい。
【０１１９】
弾性体３０は中継基板本体３ａよりも弾性率（ヤング率）が低く、中継基板本体３ａまたは基板接続配線１０との接着性が良好な材質が選定されている。例えば、常温加硫（ＲＴＶ）等のように耐熱温度が中継基板本体３ａの材料よりも高いシリコーン樹脂等を用いる。ＲＴＶシリコーンは０．５〜５Ｐａのものを使用する。
【０１２０】
中継基板本体３ａとしては（液晶ポリマーＬＣＰ、ＰＰＡ）：１３．８〜１７．０ＧＰａを使用し、弾性体３０としてＲＴＶシリコーン：０．５〜５Ｐａもしくは低弾性エポキシ：１０〜１００ＭＰａを使用する。
【０１２１】
なお、図１３の中継基板３は、内部を詳細に示すために誇張して示しているが、基本的に図１４の中継基板３と異なるものではない。また、以下の各実施の形態においても同様である。
【０１２２】
なお、図１３，図１４では、基板接続配線１０が中継基板本体３ａの周囲に配置されているが、図１６に示すように、基板接続配線１０が中継基板本体３ａを貫いた構成としても同様の効果を期待できる。特に、図１６の場合には、図１３に比べて、基板接続配線１０の垂直部が中継基板本体３ａに埋まっているため、剥離しにくく高信頼性が実現でき、中継基板本体３ａの空いた側面は、シールドや他の部品実装等の機能や回路の高密度化に使用できる。
【０１２３】
なお、上記の各実施の形態において基板配線電極１０は中継基板３の内側でも外側であっても回路設計や電気特性が考慮されていればかまわない。
また、上記の各実施の形態において前記基板接続配線１０の前記第２の回路基板２の側と中継基板本体３ａとの間に弾性体を形成したが、第１の回路基板１の側と中継基板本体３ａとの間にも弾性体を形成すると、さらに冷熱衝撃や落下衝撃によっても衝撃応力を吸収し易いので、より高信頼性を実現できる。
【０１２４】
また、図１３〜図１６において弾性体３０を中継基板本体３ａの下面の全面に設けたが、弾性体３０を図１５（ｂ）に示すように基板配線電極１０の部分にだけ設けて構成することもできる。
【０１２５】
（実施の形態１０）
図１７は、本発明の（実施の形態１０）における中継基板を使用した立体配線構造体を示す。中継基板３の形状が図１３とは異なっている。その他は同じである。
【０１２６】
具体的には、図１３では基板接続配線１０と中継基板本体３ａとの間に弾性体３０が隙間無く形成されているが、この図１７では、基板接続配線１０上に形成された弾性体３０と中継基板本体３との間にギャップ３１が設けられている。
【０１２７】
この構成によると、さらに上記の（実施の形態９）の効果に加えて、衝撃や熱衝撃が発生しても、ギャップ３１を設けたことによる基板接続配線１０のバネ性による緩和機構が働き、冷熱衝撃や落下衝撃によっても衝撃応力を吸収し易いので、より高信頼性を実現できる。ギャップ３１は０〜０．５ｍｍ程度が加工的にも、衝撃吸収の点からも望ましい。
【０１２８】
また、図１８は別の例を示している。この図１８では中継基板本体３上に形成された弾性体３０と基板接続配線１０との間にギャップ３１が設けられている。この場合にも図１７の場合と同様の効果を期待できる。
【０１２９】
（実施の形態１１）
図１９は本発明の（実施の形態１１）を示す。
図１３，図１４と同じ構成要素については同一の符号をつけて説明する。
【０１３０】
図１３に示した（実施の形態９）の中継基板３では、中継基板本体３ａと第２の回路基板２の側の基板接続配線１０との間には弾性体３０が形成されていたが、この図１９の中継基板３では、弾性体３０と同じように弾性に優れた弾性体３０ａが、中継基板本体３ａと第１，第２の回路基板１，２との対向面で基板接続配線１０が形成されていないエリアにおいて、中継基板本体３ａの四隅に取り付けられている。弾性体３０ａの厚みｈ２は、中継基板本体３ａと第２の回路基板２との間隙ｈ３よりも薄く、ｈ２＜ｈ３が成り立つことが好ましい。
【０１３１】
図１９では弾性体３０ａを第２の回路基板２の側に設けた場合を図示しているが、中継基板本体３ａの第１の回路基板１の側に弾性体３０ａを設けても同様である。
このように、中継基板３に弾性体３０ａを設けたので、冷熱衝撃や落下衝撃による衝撃応力や基板の変形力を吸収し易く、高信頼性を実現できる。
【０１３２】
なお、中継基板３によって第１の回路基板１と第２の回路基板２とを接続して構成される立体配線構造体としては、弾性体３０ａを中継基板本体３ａと第１，第２の回路基板１，２との対向面で基板接続配線１０が形成されていないエリアにおいて、中継基板本体３ａの側ではなくて、第２の回路基板２の側に取り付けても同様の効果を期待できる。第１の回路基板１の側に取り付けても同様の効果を期待できる。
【０１３３】
（実施の形態１２）
図２０は本発明の（実施の形態１２）を示す。
図１３〜図１９と同じ構成要素については同一の符号を付けて説明する。
【０１３４】
上記の各実施の形態では、図１３，図１６のように中継基板本体３ａと基板接続配線１０との間に弾性体３０を設けたり、図１９のように中継基板３と第１，第２の回路基板１，２の間に弾性体３０ａを設けたが、この図２０では、中継基板３の貫通孔３ｃ内において、第１の回路基板１と第２の回路基板２との間隙部で、その基板間隙よりも薄い厚みｈ４の弾性体３０ｂを設けている。弾性体３０ｂは第１の回路基板１と第２の回路基板２の何れに設けても同じであり、図２０では第２の回路基板２に取り付けられている。
【０１３５】
この構成によると、第１，第２の回路基板１，２との間隙部でかつ中継基板３の接続部以外を基板間隙よりも薄く設けられているので、変形量の大きい中継基板中心部が撓んだ時の応力を弾性体で吸収できるため、冷熱衝撃や落下衝撃による衝撃応力や基板の変形に対して高信頼性を実現できる。
【０１３６】
なお、本発明の各実施の形態では、形状が四角形の中継基板とその中継基板の上下面に第１の回路基板と第２の回路基板を配置する構成で述べたが、これに限らず、第１の回路基板と第２の回路基板が略Ｌ字形状、三角形状、円形状等の中継基板で中継する構成としてもよい。
【０１３７】
（実施の形態１３）
図２１（ａ）〜（ｆ）は図１３に示した立体配線構造体の製造方法を示している。
初めに、第１の回路基板１の電子部品１６と中継基板３を実装する所望の端子電極１５上に、メタル版２３とスキージ２４を用いて印刷等により接合層４を形成する（図２１（ａ））。接合層４は、印刷方法（メタル版２３またはスクリーンを用いて印刷）の他に、メッキ方法やディスペンス方法等により形成してもよい。
【０１３８】
次に、接合層４が形成された第１の回路基板１上に、電子部品１６と中継基板３を位置合わせした後に載置する。この時、第１の回路基板１の両面に電子部品１６が実装される場合は、第１の回路基板１上（表）側への電子部品１６の載置が終了した後、反転させて、下（裏）側への電子部品１６と中継基板３の載置を行う（図２１（ｂ））。
【０１３９】
次に、電子部品１６と環状の中継基板３が載置された第１の回路基板１を、リフローや硬化炉等の熱工程により前記接合層４を溶融もしくは硬化させて電子部品１６と中継基板３を電気的に接合させる（図２１（ｃ））。または、各表裏面に熱工程を行い結合させてもよい。
【０１４０】
次に、第２の回路基板２の電子部品１６と中継基板３を実装する所望の端子電極１５上に、メタル版２３とスキージ２４を用いて印刷等により接合層４を形成する（図２１（ｄ））。
【０１４１】
次に、接合層４が形成された第２の回路基板２上に、電子部品１５と中継基板３付きの第１の回路基板１を位置合わせした後に載置する。この時、第２の回路基板２の両面に電子部品１６が実装される場合は、第２の回路基板２の上（表）側への電子部品１６の載置が終了した後、反転させて下（裏）側への電子部品１６と中継基板３付きの第１の回路基板１の載置を行う（図２１（ｅ））。ここでも裏側を先に熱工程に通してもよい。
【０１４２】
最後に、電子部品１５と中継基板３付きの第１の回路基板１が載置された第２の回路基板２を、リフローや硬化炉等の熱工程により接合層４を溶融もしくは硬化させて電子部品１６と中継基板３付き第１の回路基板１とを電気的に接合させる（図２１（ｆ））。
【０１４３】
このような製造方法とすることにより、第１の回路基板１と第２の回路基板２とをあらかじめ別々にモジュール基板化してから接続するので、各モジュール基板の特性検査を容易に行える。
【０１４４】
（実施の形態１４）
図２２（ａ）〜（ｄ）は図１６に示した中継基板３の製造方法を示している。
２７ａ，２７ｂは板金加工治具、１８は第１の金型で、ここでは仮想線で図示した。
【０１４５】
初めに、基板接続配線用基板１０ａの上に、メタル版２３をセットしスキージ２４等で液状の弾性体３０を印刷塗布形成する。また、弾性体３０の形成方法は、他にディスペンスや他の一括印刷方法でもよい。印刷された弾性体は熱硬化もしくは光硬化する（図２２（ａ））。
【０１４６】
次に、弾性体３０が形成された基板接続配線用基板１０ａを板金加工治具３２ａ，３２ｂによってプレス成形して所望の成形形状に板金加工する（図２２（ｂ））。
次に、所望の成形形状の基板接続配線用基板１０ａを、第１の金型１８を用いて中継基板本体３ａとなる第１の絶縁性樹脂を射出成形して立体成形体を成形する（図２２（ｃ））。
【０１４７】
次に、基板接続配線１０の先端部の折り曲げ部分を所望長さに切断し、成型加工または圧入成形加工し、さらに前記基板接続配線の不要部分を切断する（図２２（ｄ））。
このような製造方法とすることにより、中継基板本体３ａに設けられた少なくとも一方の基板接続配線と中継基板本体３ａとの間に、弾性体３０が設けられているので、冷熱衝撃や落下衝撃によっても衝撃応力を吸収し易いので、高信頼性を実現できる。
【０１４８】
また、中継基板成形温度と弾性体の耐熱性の関係は、弾性体の耐熱性が中継基板成形温度よりも高くすることで、弾性体の熱劣化や変形を抑えることができ、高信頼性を実現できる。
【０１４９】
（実施の形態１５）
図２３（ａ）〜（ｅ）は図１６に示した中継基板３の製造方法を示している。
２７ａ，２７ｂは板金加工治具、１９は第２の金型で、ここでは仮想線で図示した。
【０１５０】
初めに、基板接続配線用基板１０ａ上に、メタル版２３をセットしスキージ２４等で液状の弾性体３０を印刷塗布形成する。また、弾性体３０の形成方法は、他にディスペンスや他の一括印刷方法でもよい。印刷された弾性体は熱硬化もしくは光硬化する（図２３（ａ））。
【０１５１】
次に、弾性体３０が形成された基板接続配線用基板１０ａを板金加工治具３２ａ，３２ｂにセットし、所望の成形形状に板金加工する（図２３（ｂ））。
次に、所望の成形形状を型取った第２の金型１９に中継基板本体３ａとなる液状の第１の樹脂を流し込み、金型で蓋をする（図２３（ｃ））。なお、金型で蓋をする前に真空脱泡するとボイドの無い中継基板が製造できる。
【０１５２】
ここでの第１の樹脂は常温硬化型や１５０℃程度の低温硬化型としたが、ＵＶ硬化型であってもよく、この場合にはより短時間で形成が可能になる。金型材質は光硬化を併用する場合は、光透過率の高いガラスや樹脂が好ましい。
【０１５３】
次に、図２３（ｂ）で板金加工した基板接続配線用基板１０ａを図２３（ｃ）で作製した中継基板本体３ａにプレス機等により圧入成形する（図２３（ｄ））。
圧入された基板接続配線用基板１０ａの先端部を折り曲げ成型加工し、基板接続配線リードの不要部分を切断する（図２３（ｅ））。
【０１５４】
このような製造方法とすることにより、中継基板本体に設けられた少なくとも一方の基板接続配線と中継基板本体との間に弾性体が設けられているので、冷熱衝撃や落下衝撃によっても衝撃応力を吸収し易いので、高信頼性を実現できる。
【０１５５】
また、この製法では、高価な射出成型用の金型が必要ないために製造コストを安くすることができる。
（実施の形態１６）
図２４は図１７に示した中継基板３の製造方法の一工程を示している。
【０１５６】
図２４において、仮想線で図示した２８はスペーサー治具である。
図２４に示す工程は、図２２（ｃ）に示した工程時、もしくは図２３（ｃ）の工程時に、中継基板本体３ａと弾性体３０が形成された基板接続配線１０との間にスペーサー治具３３を挿入もしくは一時的に挿入して、スペーサー治具３３を取り去ることによってギャップ３１を形成する。
【０１５７】
このような製造方法を加えることにより、中継基板本体に設けられた少なくとも一方の基板接続配線と中継基板本体との間に弾性体３０とギャップ３１が設けられているので、衝撃や熱衝撃でもバネ性による緩和機構が働き、例熱衝撃や落下衝撃によっても衝撃応力を吸収し易いので、より高信頼性を実現できる。
【０１５８】
なお、図１７または図１８に示した中継基板３の場合も、スペーサー治具３３を使用することによって成形することができる。
なお、上記の各実施の形態では、中継基板３は、中央に貫通孔３ｃを有する形状であったが、（実施の形態１２）の他では、貫通孔３ｃを持たない中継基板であってもよい。具体的には、中継基板３の中央の途中まで凹部を形成して貫通孔３ｃを持たない中継基板でその凹部に電子部品が実装されてもよい。
【０１５９】
また、本発明で述べた各実施の形態は、相互に適用できることはいうまでもなく、また、これらの実施の形態に限定されるものでもない。
【産業上の利用可能性】
【０１６０】
本発明の立体配線構造体は、第１の回路基板と第２の回路基板を中継基板を介して接続する３次元接続構造であり、回路基板間を接合すると共に高密度実装を実現できる。そのため、高機能、多機能でコンパクト化が要望される携帯電話機等をはじめとする各種のモバイル機器、自動車などのドアリモコンの子器といった携帯端末装置に広く利用できる。
【図面の簡単な説明】
【０１６１】
【図１】本発明の（実施の形態１）における立体配線構造体の概略断面図
【図２】同立体配線構造体の中継基板の概略斜視図
【図３】本発明の（実施の形態１）の別の例における立体配線構造体の概略断面図
【図４】本発明の（実施の形態２）における立体配線構造体の概略断面図
【図５】同立体配線構造体の中継基板の概略斜視図
【図６】本発明の（実施の形態２）の別の例における立体配線構造体の概略断面図
【図７】本発明の（実施の形態３）における立体配線構造体の概略断面図
【図８】本発明の（実施の形態４）における立体配線構造体の概略断面図
【図９】本発明の（実施の形態５）における立体配線構造体の概略断面図
【図１０】本発明の（実施の形態６）における立体配線構造体の製造方法の工程図
【図１１】本発明の（実施の形態７）における立体配線構造体の製造方法の工程図
【図１２】本発明の（実施の形態８）における中継基板の製造方法の工程図
【図１３】本発明の（実施の形態９）における立体配線構造体の概略断面図
【図１４】同立体配線構造体の中継基板の概略斜視図
【図１５】同実施の形態の中継基板と基板接続配線の拡大側面図
【図１６】同実施の形態の別の例における立体配線構造体の概略断面図
【図１７】本発明の（実施の形態１０）における立体配線構造体の要部拡大断面図
【図１８】同実施の形態の別の例における立体配線構造体の要部の拡大断面図
【図１９】本発明の（実施の形態１１）における立体配線構造体の概略斜視図
【図２０】本発明の（実施の形態１２）における立体配線構造体の概略断面図
【図２１】本発明の（実施の形態１３）における立体配線構造体の製造工程図
【図２２】本発明の（実施の形態１４）における中継基板の製造工程図
【図２３】本発明の（実施の形態１５）における中継基板の製造工程図
【図２４】本発明の（実施の形態１６）における中継基板の製造工程図
【図２５】（特許文献１）の電子回路装置の断面図
【図２６】（特許文献２）の電子回路装置の断面図
【図２７】（特許文献３）の電子回路装置の断面図
【図２８】（特許文献４）の電子回路装置の断面図
【図２９】（特許文献５）の電子回路装置の断面図
【図３０】（特許文献６）の電子回路装置の断面図
【図３１】（特許文献７）の電子回路装置の断面図
【符号の説明】
【０１６２】
１    第１の回路基板
２    第２の回路基板
３    中継基板
３ａ  中継基板本体
３ｂ  凹部
３ｃ  貫通孔
３ｄ  凹部
３ｅ  凹部
３ｆ  傾斜辺
４    接合層
５    ランド電極
５ａ  ランド電極
５ｂ  ランド電極
７    コーナー部
８    コーナー部処理材
９    末端処理材
１０  基板接続配線
１０ａ  基板接続配線用基板
１１    引き出し端子電極
１２    引き出し端子電極
１３    上面
１４    下面
１５    電子部品
１６    電子部品
１７    ボンディング材
１８    第１の金型
１９    第２の金型
２０    波面状曲面
２３    メタル版
２４    スキージ
２５    第４の樹脂
２６    第３の金型
２７    メッキ触媒
２７ａ  板金加工治具
２７ｂ  板金加工治具
２８    スペーサー治具
３０    弾性体
３０ａ  弾性体
３１    ギャップ
３２ａ  板金加工治具
３２ｂ  板金加工治具
３３    スペーサー治具
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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【図２７】
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【図２８】
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【図２９】
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【図３０】
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【図３１】
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