(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
ガス導入装置（１５）を経て、第１の初期物質と第２の初期物質とを含む反応ガスを反応室（１１）に供給し、当該反応室（１１）で凝縮法によって少なくとも１つの支持体（１３）に置かれた基板（１２）に皮膜を生成する基板の皮膜生成方法において、
固体および／または液体の前記第１の初期物質が入れられた少なくとも１つの第１のタンク（１）によって形成される第１の材料源と、固体および／または液体の前記第２の初期物質が入れられた少なくとも１つの第２のタンク（３）によって形成される第２の材料源とを異なった温度に保持するステップと、
前記第１の材料源から前記第１の初期物質を含む反応ガスが送られる前記ガス導入装置（１５）の中の第１の空間（２３）と、前記第２の材料源から前記第２の初期物質を含む反応ガスが送られる前記ガス導入装置（１５）の中の第２の空間（２２）とを互いに無関係に温度調整し、それぞれ前記第１の初期物質が凝縮する温度より高い温度と前記第２の初期物質が凝縮する温度より高い温度に保持するステップと、
前記反応室（１１）の壁（３７）を、前記第１の初期物質と前記第２の初期物質が凝縮する温度より高い温度に保持するステップと、
前記支持体（１３）に置かれた基板（１２）を、前記第１の初期物質と前記第２の初期物質が凝縮して皮膜が生成される温度に保持するステップと、
を備えることを特徴とする基板の皮膜生成方法。
【請求項２】
付随する余分なガス相の反応を抑制するため、前記ガス導入装置（１５）がガスの分離を考慮した入口の形態を使用することを特徴とする請求項１に記載の基板の皮膜生成方法。
【請求項３】
前記ガス導入装置（１５）が、多数のノズル（２５、２６）を備えることを特徴とする請求項１または２に記載の基板の皮膜生成方法。
【請求項４】
前記ガス導入装置（１５）が、付随する余分な沈積およびそれに伴うガス相からの損失を低減するため、個々の反応ガスを重複のない流れで噴射することを特徴とする請求項１ないし３の何れか１項に記載の基板の皮膜生成方法。
【請求項５】
前記第１のタンク（１）と前記第２のタンク（３）内の圧力を、前記第１のタンク（１）と前記第２のタンク（３）の出口側の制御バルブ（３４）によって個別に反応室（１１）の圧力と無関係に制御することを特徴とする請求項１ないし４の何れか１項に記載の基板の皮膜生成方法。
【請求項６】
第１の初期物質と第２の初期物質とを含む反応ガスを反応室（１１）に供給し、当該反応室（１１）で凝縮法によって少なくとも１つの支持体（１３）に置かれた基板（１２）に皮膜を生成する基板の皮膜生成装置において、
別々に温度調整される、固体および／または液体の前記第１の初期物質が入れられて第１の材料源を形成する少なくとも１つの第１のタンク（１）、および固体および／または液体の前記第２の初期物質が入れられて第２の材料源を形成する少なくとも１つの第２のタンク（３）と、
前記第１の材料源から前記第１の初期物質を含む反応ガスが送られ、前記第１の初期物質が凝縮する温度より高い温度に保持される第１の空間（２３）と、前記第２の材料源から前記第２の初期物質を含む反応ガスが送られ、前記第２の初期物質が凝縮する温度より高い温度に保持される第２の空間（２２）とを有し、当該第１の空間（２３）と当該第２の空間（２２）とが互いに無関係に温度調整され、前記第１の初期物質を含む反応ガスと前記第２の初期物質を含む反応ガスとを前記反応室（１１）に供給するガス導入装置（１５）と、
を備え、
基板（１２）に皮膜を生成するとき、前記反応室（１１）の壁（３７）が前記第１の初期物質と前記第２の初期物質の凝縮する温度より高い温度に保持され、かつ、前記支持体（１３）が前記第１の初期物質と前記第２の初期物質が凝縮して基板（１２）に皮膜が生成される温度に保持される、
ことを特徴とする基板の皮膜生成装置。
【請求項７】
前記第１のタンク（１）と前記第２のタンク（３）が、抵抗により加熱され、または温度調整された液体によって加熱されることを特徴とする請求項６に記載の基板の皮膜生成装置。
【請求項８】
前記ガス導入装置（１５）が、シャワーヘッドとして構成されていることを特徴とする請求項６または７に記載の基板の皮膜生成装置。
【請求項９】
搬送ガスとしてＡｒ、Ｈ２、Ｎ２、Ｈｅが個別にまたは混合して使用されることを特徴とする請求項６ないし８の何れか１項に記載の基板の皮膜生成装置。
【請求項１０】
ガス状の前記第１の初期物質と前記第２の初期物質が前記ガス導入装置（１５）の中の前記第１の空間（２３）と前記第２の空間（２２）にそれぞれ分離されてノズル（２５、２６）を経て反応室（１１）に供給されるので、前記第１の初期物質と前記第２の初期物質は、前記ノズル（２５、２６）から流出した後、基盤（１２）の直前で初めて混合することができることを特徴とする請求項６ないし９の何れか１項に記載の基板の皮膜生成装置。
【請求項１１】
前記第１の空間（２３）と前記第２の空間（２２）のノズル（２５、２６）が基板（１２）に対して任意の角度で配置されることを特徴とする請求項６ないし１０の何れか１項に記載の基板の皮膜生成装置。
【請求項１２】
前記第１の空間（２３）と前記第２の空間（２２）のノズル（２５、２６）が同一または異なる直径によって構成されるので、同一または異なる粘度の初期物質の質量流が均等に分布して噴射されることが保証されることを特徴とする請求項６ないし１１の何れか１項に記載の基板の皮膜生成装置。
【請求項１３】
前記第１の空間（２３）と前記第２の空間（２２）のノズル（２５、２６）が同一または異なる間隔を持ち、均等で密集した噴射の配分が行なわれるよう構成されることを特徴とする請求項６ないし１２の何れか１項に記載の基板の皮膜生成装置。
【請求項１４】
前記第１の空間（２３）と前記第２の空間（２２）が液体または電気的部品（３０、３２）によって加熱され、前記第１の空間（２３）内の前記第１の初期物質と前記第２の空間（２２）内の前記第２の初期物質の凝縮がそれぞれ防止されることを特徴とする請求項６ないし１３の何れか１項に記載の基板の皮膜生成装置。
【請求項１５】
前記反応室（１１）の壁（３７）にセンサ（３８）および付随するダクト（３９）が設けられ、皮膜の特性および／または基板（１２）の表面の測定が可能であることを特徴とする請求項６ないし１４の何れか１項に記載の基板の皮膜生成装置。
【請求項１６】
前記支持体（１３）が円形、角形、平面、湾曲形またはシート状の基板（１２）を収納するように構成されていることを特徴とする請求項６ないし１５の何れか１項に記載の基板の皮膜生成装置。
【請求項１７】
前記支持体（１３）に設けられたペルチェ素子または前記支持体（１３）内部に設けられた空間室（４１）内に注入される冷却流体によって、前記支持体（１３）を前記反応炉壁（３７）および前記ガス導入装置（１５）より低い温度に保持し、凝縮による基板（１２）の皮膜生成を制御することができることを特徴とする請求項６ないし１６の何れか１項に記載の基板の皮膜生成装置。
【請求項１８】
前記支持体（１３）および前記反応室（１１）の清掃をプロセス温度より高くした温度で実施できるように、前記支持体（１３）に加熱装置が設けられることを特徴とする請求項６ないし１７の何れか１項に記載の基板の皮膜生成装置。
【請求項１９】
前記第１のタンク（１）と前記第２のタンク（３）から反応ガスが流れる配管（６、７）または前記ガス導入装置（１５）において前記第１の初期物質と前記第２の初期物質が凝縮する温度がそれぞれ前記第１の材料源と前記第２の材料源の温度より低くなるようにするため、前記第１のタンク（１）と前記第２のタンク（３）から流れ出す反応ガスを搬送ガス（３５）により希釈することを特徴とする請求項６ないし１８の何れか１項に記載の基板の皮膜生成装置。
【請求項２０】
基板（１２）は皮膜生成の過程で、シャドウマスクによりマスクされることを特徴とする請求項６ないし１９の何れか１項に記載の基板の皮膜生成装置。
【請求項２１】
突然の質量流の変化を防止するため、前記第１のタンク（１）と前記第２のタンク（３）に対する制御された質量流をバイパス配管（４４）に迂回させることができることを特徴とする請求項６ないし２０の何れか１項に記載の基板の皮膜生成装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、例えばＯＬＥＤまたは類似の被膜組織の皮膜システムを凝縮被膜生成法によって作製する方法および装置に関するものである。この被膜システムは、たとえば「小さな分子」（例えばＡｌｇ３）または重合体（例えばＰＰＶ）のような特に有機材料で構成される。
【０００２】
【従来の技術】
特に有機材料の部品の製作における凝縮被膜生成法は既知である。この方法において生成すべき被膜の成分はガス状および／または有機的結合（塩）によって被膜室（以下反応室と呼ぶ）に供給される。
【０００３】
基板（多くはガラス、箔または樹脂）の被膜生成は凝縮過程に基いて行なわれ、このとき基板はガス相の分子温度よりも低い温度に保持される。
【０００４】
ＶＰＤ法（蒸気相沈積）は異なった材料をガス相から分離するために使用される。有機被膜の分離の分野にもこの方法が実施される。ＶＰＤ法は異なった反応構想で管理される。例えば、ガスの流れが水平で被膜表面と並行に流れる水平管式反応炉（旧式のＶＰＥ反応炉を応用したもの）である。効率を低下させる壁の凝縮を回避するため反応炉は高温壁システムとして構成される。
【０００５】
この方法またはこの既知の装置は殆どが平面の被膜生成用で、変化する基板形状には使用できない。
【０００６】
欠点は下記の通りである。
ａ）前駆体の昇華および導入に対するプロセス技術および形状との結合
ｂ）被膜表面と比較して大きなシステム表面に対する反応炉形状の使用法、
すなわち流体力学的に基板の被膜の生成のため多量の前駆体が失われる
ｃ）ｂ）に起因する高価な高温壁技術
【０００７】
凝縮のプロセス原理に対応する蒸着設備では、材料源の材料はシステムと一体化されているため材料源の流れは時間的に制御できない。これは急に投入することも遮断することもできない。時間的な制御は蒸発エネルギーを調整することによって行なわれる（Ｅビームまたは抵抗加熱）。さらにシステムは高温壁システムとして構成されていないので、材料の相当の部分がシステムの壁および部品に凝着して効率を低下させる。
【０００８】
この技術の欠点は化学量の制御性の悪いことまたは多層被膜の要求に対して過渡部が敏感なことである。
【０００９】
ＣＶＤシステムでは材料源は個別に時間的および量的に正確に制御できるが、材料源からの移動は昇華の原理ではなく蒸発である。このＣＶＤシステムでは被膜生成方法は凝縮ではなく分子運動または拡散が制約された成長（化学的反応）である。この方法および装置は殆どが平面用で変化する基板の形状には使用されない。
【００１０】
代替の方法はスピンオンまたはＯＭＢＤである。
【００１１】
上述の方法および装置は、例として述べた被膜システムの製作に対する要求を、化学子量の正確な制御、多層皮膜の要求および経済性などの多くの特性について満足していない。
【００１２】
【本発明が解決しようとする課題】
本発明は一般的な方法を改善し、パラメータを個別に規定できるようにし、効率を高め、基板に凝縮する被膜の品質を高めるという課題に基づくものである。
【００１３】
【課題を解決するための手段】
この課題は請求項に示す本発明により解決される。付属請求項は本発明の有利な展開を示すものである。
【００１４】
皮膜形成法において特殊な前駆体の昇華、蒸発、ガス導入の形態および反応炉の形態の組合せを使用することによって、固体前駆体から始まる凝縮皮膜形成に対する制御性および経済性が改善される。この場合前駆体は個別に反応室の外側で昇華されるか蒸発される。これらの初期物質は基板に選択的に凝縮することができる。基板に割り当てられたマスクによって構造化が行なわれる。マスクは基板上に固定される。
【００１５】
すべての反応炉の構想は、反応容器へガスを供給した後における前駆体の昇華の種類は主要物質のガス相の化学作用およびその輸送の方法により左右され、沈積される皮膜の性質も左右される、すなわちガス供給の方法がプロセス制御を支配すると考えられている。
【００１６】
この特性は、例えば（すなわち異分子／物質なしで）粒子および／または欠陥密度、多物質システムの構成、皮膜の光学的および電気的特性ならびに沈積効率である。従来技術で使用されるガス導入装置は流体力学的かまたは熱力学的な課題の何れかだけを満足している。
【００１７】
望ましくない沈積が供給部の領域で行なわれることが多い。これは入口領域が高過ぎるか（すなわち動的に制約される沈積）または低過ぎる表面温度（すなわち凝縮または低熱体）に調整されているか、または供給区間または室の内部で流れおよび／または拡散によってガスの混合（核生成＝均一なガス相での反応）が生ずる場合である。付随する余分な蓄積によってガス供給の特性（熱的および／または化学的）はプロセスの進行とともに変化し、連続的で均等な沈積について制御することは保証されない。付随する余分な蓄積は後に続く皮膜に個別の成分を流出吸収させる。さらにこれらの蓄積は特に供給部の形態が利用面積に比べて広い面積を有する場合に成分の効率を低下させる。
【００１８】
さらにガス導入装置は、一般に前駆体の熱的に異なる特性のたる必要なガスの効果的な分離が確実に行なわれるように構成されていない。このため、例えば粒子または汚染のように沈積される皮膜の特性にマイナスの影響を与える、ガス相における幾つかのガスの望ましくない反応（すなわち核生成）が発生する。核生成は材料の効率を低下させ、核生成物との結合による皮膜の汚染を生ずる。
【００１９】
上述の欠点を低減するため、現在のガス入口は一般にプロセス技術的に皮膜形成する表面から空間的に、またはプロセスパラメータ（例えば非常に低い圧力または大きなレイノズル数）の選択によって離れて配置させる。現在既知の反応炉は効率が低い（２５％より相当に低い）特徴があり、供給された成分の僅かな割合だけが使用可能な機能的皮膜に沈積される。
【００２０】
したがって、このようなシステムで製作された皮膜の特性は最適ではなく、またこのようなシステムの経済性も低い。
【００２１】
固体前駆体の昇華のため、普通は容器圧力および材料源の材料の温度の選定によって、固体相から直接ガス状となる、すなわち昇華する材料が使用される。材料源の材料の蒸気圧力が非常に低いと高い温度が必要となる。したがって従来の技術では幾つかの前駆体が反応炉の胴体に導入される。使用される高温壁システムでは反応炉の温度は、それぞれの区間毎にそれぞれの前駆体に必要な昇華温度に調整するよう構造体全長にわたって設定される。この構成の欠点は、最適昇華温度の不正確な調整、蒸発装置の大きな空間、反応炉のプロセス圧力と無関係にそれぞれの前駆体に対し分離できない圧力の調整、駆動体毎の柔軟性がなく分離できない温度調整である。しかし重大な欠点は、蒸発材料源が皮膜領域に直接的に影響するので、時間的に制御できない材料源の流れである。
【００２２】
ここで紹介する技術的な示唆は、すべての上記の欠点を除去し、使用要求条件に応じて適合する方法および装置を使用することができる。
【００２３】
初期物質（前駆体）の昇華装置は、構成的に反応炉から分離し前駆体毎に個別に構成する。これによってそれぞれの前駆体の移動量は柔軟性を持って最適に制御し、調整することができる。それぞれの前駆体は反応炉のパラメータと無関係に個別に時間的に正確に制御することができる。
【００２４】
入口の形状は皮膜生成表面のための最小室表面を確保し（ほぼ１：１）、プロセスの効率を最大とする。入口の形状の構成は、基本的に前駆体同士の反応および入口自身の表面に対する付随する余分な蓄積を防止する。
【００２５】
前駆体の入口の形状の構成は、反応炉の形状と関連してすべての材料を時間的に正確な制御によって確実に均等に配分する。
【００２６】
目標とする皮膜は、成分、皮膜厚さの均一性、および１％の範囲内での成分構成を特徴とする。さらにこの装置および方法によって、過渡部における材料および成分構成を正確に再現可能に調整できる。本発明によって粒子の生成は防止することができる。
【００２７】
初期物質（前駆体）の昇華場所は反応室から分離されて構成される。このとき初期物質が最小時間でガス入口に供給されるような配置が選定される。このため皮膜生成システムは初期物質容器を直ぐ近くに、例えば反応炉カバーに配置する。短い配管路が材料を直接ガス導入装置に供給する。
【００２８】
初期物質のタンクは、個別に反応炉の温度と関係なく加熱される。このためタンクの周囲の抵抗加熱が使用されるか、タンク周囲の周板空洞にサーモスタットにより温度調整された液体をポンプ供給する。
【００２９】
タンクの圧力はタンク出口側の制御バルブで個別に反応炉と関係なく制御される。制御バルブは加熱され、材料通路の過程で局部的な凝縮を確実に防止するため高温側の温度勾配に調整される。
【００３０】
昇華した初期物質の反応炉への輸送はガス流によって支援される。これらのガスは供給配管における前駆体濃度の調整にも使用される。
【００３１】
時間的制御のため反応炉への初期物質の配管は圧力バルブおよび質量流調節器によって制御され、絞りバルブを完全に閉じると質量流はゼロに設定される。
【００３２】
この配置は反応炉に多くの方法で繰返すことができるので、それぞれの材料は互いに無関係に制御される。
【００３３】
ガス入口は反応炉の基板に対して、多くのノズルを持った一つの平面（以下シャワーヘッドと呼ぶ）として構成され、以下プレナムと呼ぶ。ノズルは前駆体の特性、例えば粘度、質量および濃度に応じて室内に乱流のない噴射を確実に行なうように設計される。
【００３４】
ノズルとノズルの間隔はガス入口との距離との関係で最適化され、すなわちノズルから噴出する「ジェット」は基板表面の前で衰え全体として均等な流れの面を形成する。
【００３５】
ノズルは初期物質の噴射の分布が基板の形状に対して均等となるよう管理するため、個別にまたは全体としてガス入口表面に対し任意の角度で形成される。
【００３６】
ノズルが初期物質の噴射のため設けられる面は、平らな基板の皮膜生成に対しては平面でよく、平面ではなく変形した基板に対してはシートでも湾曲したものでもよい。
【００３７】
プレナム全体は空洞壁構造の冷却材、または電気的加熱器（抵抗加熱、ペルチェ）によって熱的に積極的に制御され、昇華温度に対して高温側の温度勾配に調整される。
【００３８】
プレナムの内部空間には昇華した初期物質が非常に短い温度調整された配管によって注入される。
【００３９】
ノズルを最適な流体力学的な条件に調整するため、初期物質に加えて搬送ガスを供給して調整する。
【００４０】
これらのガスはさらに、室内への前駆体の供給および遮断を時間的に制御するため、プレナムを確実に迅速に掃気する。
【００４１】
上記の形態はそれぞれの前駆体で構成される多種物質に一般的に使用される。この場合は「近接して結合されたシャワーヘッド」技術を利用して、前駆体毎の分離噴射が確実に行なわれる。それぞれのプレナムの個別の加熱は、それぞれの初期物質が余分な凝縮をすることを防止するため、高温側の温度勾配と比較して行なわれる。ノズルは前駆体の局部的な混合がノズルで発生しないよう寸法決定され相互に配置される。平面状でのプレナムの配置は、長い方のノズルに含まれる前駆体の凝縮を防止するため、次の高温側の温度勾配のプレナムと熱的に接触するよう選定される。
【００４２】
初期物質として、特にアメリカ特許５５５４２２０に説明される塩が考えられる。この塩は蒸発器で昇華される。蒸発器は特にドイツ特許申請ＤＥ１００４８７５９に説明されるような形態とすることができる。ここでガスは蒸発器の塩が山積みにされたフリットの下側に供給される。フリットまたは山積みの上側からガス状の初期物質で飽和されたガスが排出される。下流側の配管の適切な高温、または初期物質の分圧を飽和分圧より下側に希釈することによって凝縮は回避される。
【００４３】
以下本発明の実施例を添付した図面によって説明する。
【００４４】
【発明の実施の形態】
図１および５に図示した装置はそれぞれ２つの温度調整される容器５、５'を備えている。図１に図示した装置においてはこの容器は直接反応炉１０のカバー１４に配置される。図５に図示した実施例では両方の容器５、５'は反応炉１０から幾分離れて配置される。容器５、５'にはタンク１、３が設けられる。このタンクは初期物質の材料源の作用をする。タンク１、３には液体の初期物質２、４が入れられる。初期物質は固体であってもよい。温度調整される容器５、５'の内部はタンク１、３に入っている初期物質２、４が蒸発する温度になっている。蒸発率は温度によって支配される。実施例では容器５に３つの材料源、容器５'に同様に３つの材料源が配置される。両方の容器５、５'は異なった温度に保持される。
【００４５】
両方の容器５、５'のそれぞれは搬送ガス３５を供給するため搬送ガス配管が設けられる。搬送ガス配管はタンク１、３から流出するガス状の初期物質用の排出管が各材料源に開口している。タンク１、３は耐熱バルブ特に制御バルブ３４によって、自分自身も加熱することができるよう閉じたり開いたりすることができる。搬送ガスおよび搬送ガスによって輸送されるプロセスガスが流れる配管６、７が、図１による実施例では直接反応炉に開口する。図５による実施例では、両方の配管６、７は温度調整被覆８、９によって容器５、５'の温度に等しいか高い温度に保持される自由区間を経て延びる。配管６、７は反応炉に開口する。反応ガスの配分は容器５、５'の温度または制御バルブ３４によって行われる。
【００４６】
配管６、７が開口する範囲の反応炉カバー１４は、温度調整される容器５、５'より高い温度に保持される。配管６、７は直接反応室１１に開口せず最初は間隔２９だけ反応炉カバーから離れたガス導入装置１５に開口する。典型的に構成されたガス導入装置を図２および６２示す。
【００４７】
ガス導入装置１５は基板１２の直ぐ上にある。基板１２とガス導入装置１５の底板１７の間に反応室がある。基板１２は冷却される支持体１３上に置かれる。支持体の温度は調整される。このため支持体にペルチェ素子を設けることができる。しかし図１に示したように支持体１３の内部に空間室４１を設け、掃気配管４０によって冷却流体を注入し、支持体１３の温度をガス導入装置１５の温度より低い温度に保持することもできる。
【００４８】
この温度は反応炉の壁３７の温度よりも低い。ガス導入装置１５の温度はガス状でガス導入装置１５に供給される初期物質２、４の凝縮温度より高い。反応炉の壁３７の温度も凝縮温度より高いので、ガス導入装置１５から流出した分子は専ら支持体１３の上に置かれた基板１２に凝縮する。
【００４９】
図２または６に示したガス導入装置１５は、いわゆる既知の「シャワーヘッド」である。図２の実施例は全部で２つの互いに分離した空間２２、２３を示す。空間は中間板１８によって互いに、およびカバー板１６または底板１７によって反応室１１に対して仕切られる。図６による「シャワーヘッド」はただ一つの室を持っている。この空間２２は底１７、リング３３およびカバー板１６によって仕切られる。カバー板１６に両方の初期物質用の既述した配管６、７が開口する。図６による実施例では一つの配管６だけが必要である。配管６または７は、カバー板１６に設けられる星形に半径方向に延びるダクト２１または２０に開口する。ほぼ円筒形の物体であるガス導入装置１５の縁の範囲で方向を変えた後、ダクト２０または２１は円筒形の空間２２、２３の外周にある半径方向外側の開口漏斗２７または２８に開口する。開口漏斗２７、２８から流出したガスは空間２２、２３に均等に配分される。
【００５０】
複数室のシャワーヘッドに設けられる中間板１８は、短管２４が突き出す開口を有し空間２３を貫通して、空間２２に存在するガスが空間２３に存在するガスと接触しないように底板１７に結合される。底板１７は短管２４の開口２６とずらして開口２５が設けられ、ここから空間２３にあったガスが流出することができる。
【００５１】
空間２２、２３にあったガスはノズル上に形成された開口２５、２６を通って均等な流れの場に流出する。
【００５２】
開口２５、２６から流出するガスは乱流である。これらはそれぞれ噴射を形成するので隣接して並んだ開口２５、２６から流出したガス流は基板１２の真上はじめて、図６でｄの記号を付した限界層で混合する。限界層ｄより上では噴射３６は互いにほぼ平行に、相互間の混合は殆ど生ずることなく延びる。距離ｄにおいてほぼ均等なガス前面が形成される。
【００５３】
図２に示した実施例では、両側の空間２２、２３は互いに無関係にサーモスタットにより温度調整される。図６に示した実施例では、唯一の空間２２がサーモスタットにより温度調整される。空間２２、２３を容器５、５'の温度より高く、支持体１３の温度より相当高い事前に設定した温度に制御するため、加熱コイル３０、３２が設けられる。加熱コイル３０、３２の代わりにダクトを板１７、１８、１６に設け、温度調整した流体を貫流させることも考えられる。
【００５４】
リング３３は同様な方法で加熱される。リングには適切な方法で加熱コイルを配置することができる。しかし適切な温度調整された液体で温度を保持することもできる。
【００５５】
実施例ではカバー板１６の下側に加熱板３１が設けられる。図３により加熱板３１に波形模様の加熱コイルが取り付けられていることが分る。図６のガス導入装置１５のカバー板も加熱することができる。
【００５６】
底板１７にも加熱コイルが波形模様に取り付けられる（図４参照）。
【００５７】
被膜用の初期物質としてＵＳ特許５５５４２２０に説明されるような塩が使用される。塩の層の上を流れる搬送ガスをタンクに供給しながら、この塩をタンクで昇華させる。このような蒸発器はＤＥ１００４８７５９．９に説明されている。
【００５８】
図８に液体用の蒸発器の別の例を示す。搬送ガス４２は三方バルブを経て配管によって液体または固体の初期物質２に供給される。初期物質２は排出配管および加熱されたバルブ３４を通ってタンク１から排出される。配管６を経て初期物質は搬送ガス３５によってガス導入装置１５に導入される。搬送ガス４２によるタンクの掃気は三方バルブの開閉によって行なわれる。閉じられた状態で搬送ガス４２はバイパス配管４４を通って直接排出管または配管6に流れる。ガス流４２およびガス流３５は質量流を制御される。三方バルブ３４の切り替え時に質量流４２に影響を与えないため、バイパス配管４４にタンク全体と同じ流れの抵抗を持たせる。
【００５９】
図１または５のそれぞれに示したタンク１、３は、図８に示したものか、またはＤＥ１００４８７５９．９に説明されるものと同じ形態および接続を備える。
【００６０】
搬送ガス３５による希釈によって、タンク１３に続く配管システムまたはガス導入装置１５の内部における初期物質２または初期物質３の分圧の低下が達成される。この希釈によって、個々の初期物質の分圧は飽和蒸気圧力よりも低いので、下流側に続く配管６、７またはガス導入装置１５の温度を、凝縮を起こすことなく容器５、５'の温度より低くすることができる。
【００６１】
特に反応炉壁の外部に配置され、ダクト３９によって反応室１１に接続される１つまたは多数のセンサ３８によって、基板の温度を測定することができる。
【００６２】
隙間２９に供給されたガスは、適切な成分の選定によってその熱伝導率を変化させることができる。ガス成分の選定によりガス導入装置１５に出入りする熱の移動を調整することができる。この方法によって温度も影響を受ける。
【００６３】
開示されたすべての特徴は本発明に対し基本的なものである。従って、対応する／添付の優先書類（事前出願のコピー）の開示もまたすべて本出願の開示内に含まれるものであり、その目的のためこれらの書類の特徴もこの出願の請求事項に含まれるものである。
【発明の効果】
装置の効率を高め、基板に凝縮する皮膜の品質を向上させる方法を提供する。
［図面の簡単な説明］
【図１】  本発明による装置の図式的概略図である。
【図２】  図１による装置に使用されるガス導入装置の図式的概略図である。
【図３】  ガス導入装置の線III−IIIによる断面である。
【図４】  ガス導入装置の線IV−IVによる断面である。
【図５】  装置の第２の実施例に対する図式的概略図である。
【図６】  ガス導入装置の第２の実施例である。
【図７】  プロセスバラメータに対する説明である。
【図８】  初期物質の材料源の図式的な図である。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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