(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
組織片等の試料を、所定の融点を有するパラフィン等の包埋材中に埋め込む包埋装置において、
該包埋材が溶融されて貯留されている貯留槽と、前記貯留槽に貯留されている溶融包埋材の液面よりも下方に設けられ、前記試料を埋め込むに必要な所定量の溶融包埋材を吐出する流量調整弁とが、下方に突出するＵ字状の配管によって連結され、
前記Ｕ字状の配管のうち、前記流量調整弁側の立ち上がり配管部に制御弁が設けられ、
前記Ｕ字状の配管に充填されて凝固された包埋材を溶融する際に、制御弁内に凝固された包埋材が、貯留槽から制御弁に至る配管部内の包埋材よりも先に溶融されるように、前記制御弁及び配管に配設された加熱ヒータを制御する制御部が設けられ、
前記Ｕ字状の配管には、貯留槽から制御弁に至る第１配管部を加熱する第１加熱ヒータと、前記制御弁を加熱する制御弁加熱ヒータと、前記制御弁から流量調整弁に至る第２配管部を加熱する第２加熱ヒータとが設けられ、
前記制御部は、前記Ｕ字状の配管に充填されて凝固された包埋材を溶融する際に、前記制御弁及び第２配管部の包埋材が溶融されるまでは、前記第１配管部の包埋材が凝固状態を維持し得る凝固点近傍の温度で保持されるように、前記第１加熱ヒータ、制御弁加熱ヒータ及び第２加熱ヒータを制御することを特徴とする包埋装置。
【請求項２】
流量調整弁の近傍に、溶融包埋材が充填される容器等が載置されて保温されるホットプレートが一面側に形成されるように他面側に第１ヒータが設けられた第１金属板と、ピンセット等の器具が挿入されて保温される器具ホルダが一面側に形成されるように他面側に第２ヒータが設けられた第２金属板とが、所定の接合面積で接合され、
前記器具ホルダが形成される第２金属板の部分が、前記ホットプレートが形成される第１金属板の部分よりも高温となるように、前記第１ヒータと第２ヒータとを制御する温度制御手段が設けられている請求項１記載の包埋装置。
【請求項３】
二箇所にホットプレートが一面側に形成されるように他面側に第１ヒータが設けられた第１金属板と、器具ホルダが一面側に形成されるように他面側に第２ヒータが設けられた第２金属板とが、所定の接合面積で接合され、
前記第１金属板のホットプレート間の所定個所に設けられた温度センサによって検出された温度に基づいて、前記器具ホルダがホットプレートよりも所定温度高温となるように、前記第１ヒータと第２ヒータとを制御する温度制御手段が設けられている請求項２記載の包埋装置。
【請求項４】
所定の融点を有するパラフィン等の包埋材が溶融されて貯留されている貯留槽と、前記貯留槽に貯留されている溶融包埋材の液面よりも下方に設けられ、組織片等の試料を埋め込むに必要な所定量の溶融包埋材を吐出する流量調整弁とが、下方に突出するＵ字状の配管によって連結され、
且つ前記Ｕ字状の配管のうち、前記流量調整弁側の立ち上がり配管部に制御弁が設けられ、前記Ｕ字状の配管には、貯留槽から制御弁に至る第１配管部を加熱する第１加熱ヒータと、前記制御弁を加熱する制御弁加熱ヒータと、前記制御弁から流量調整弁に至る第２配管部を加熱する第２加熱ヒータとが設けられている包埋装置を用い、
前記Ｕ字状の配管に充填されて凝固された包埋材を溶融する際に、前記制御弁内に凝固された包埋材が、前記貯留槽から制御弁に至る配管部内の包埋材よりも先に溶融されるように、
前記Ｕ字状の配管に充填されて凝固された包埋材を溶融する際に、前記制御弁及び第２配管部を包埋材の溶融温度以上に昇温するまでは、前記第１配管部を前記包埋材が凝固状態を維持し得る凝固点近傍の温度に保持するように、前記第１加熱ヒータ、制御弁加熱ヒータ及び第２加熱ヒータを制御し、
前記制御弁及び第２配管部を包埋材の溶融温度以上に昇温した後、前記第１配管部を包埋材の溶融温度以上に昇温するように、前記第１加熱ヒータ、制御弁加熱ヒータ及び第２加熱ヒータを制御する包埋装置の温度制御方法。
【請求項５】
外乱等によって第２配管部及び／又は制御弁の温度が設定温度よりも低下した際に、第１配管部の現在温度が包埋材の凝固温度以上であれば、前記第１配管部を現在温度に保持し、前記制御弁及び第２配管部を設定温度に昇温した後、前記第１配管部を包埋材の溶融温度以上に昇温するように、第１加熱ヒータ、制御弁加熱ヒータ及び第２加熱ヒータを制御する請求項４記載の包埋装置の温度制御方法。
【請求項６】
外乱等によって第２配管部及び／又は制御弁の温度が設定温度よりも低下した際に、第１配管部の現在温度が包埋材の凝固温度よりも低温であれば、前記第１配管部を前記包埋材が凝固状態を維持し得る凝固点近傍の温度に保持し、前記制御弁及び第２配管部を包埋材の溶融温度以上に昇温した後、前記第１配管部を包埋材の溶融温度以上に昇温するように、第１加熱ヒータ、制御弁加熱ヒータ及び第２加熱ヒータを制御する請求項５記載の包埋装置の温度制御方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は包埋装置及びその温度制御方法に関し、更に詳細には組織片等の試料を、所定の融点を有するパラフィン等の包埋材中に埋め込む包埋装置及びその温度制御方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
人体等から採取した組織片を顕微鏡標本とするには、採取した組織片を、所定の融点を有するパラフィン等の包埋材中に埋め込んだ後、包埋材と共に組織片を薄片に切断する。
かかる組織片をパラフィン等の包埋材中に埋め込む包埋作業を、図９に示す包埋装置１００を用いて行われる。
図９に示す包埋装置１００には、包埋材としてのパラフィンが溶融されて貯留された貯留槽１０２と、貯留槽１０２に貯留されている溶融パラフィンの液面よりも下方に位置する、流量調整弁としてのニードル弁１０４と、貯留槽１０２とニードル弁１０４とを連結する配管の途中に設けられた制御弁の開閉スイッチ１０６とが設けられている。
この貯留槽１０２とニードル弁１０４とを連結する配管は、図１０に示す様に、下方に突出するＵ字状の配管１０８である。かかるＵ字状の配管１０８のうち、貯留槽１０２側の立ち上がり配管部に、開閉スイッチ１０６によって開閉される制御弁１１０が設けられている。
この様な包埋装置１００に用いるパラフィンは、通常、融点（凝固点）が５５〜６０℃であるため、パラフィンを溶融状態に保持すべく、貯留槽１０２を加熱する貯留槽加熱ヒータ１１２、制御弁１１０及びその近傍の配管部を加熱する制御弁加熱ヒータ１１４、及び制御弁１１０からニードル弁１０４までの配管部を加熱する配管加熱ヒータ１１６が設けられている。かかる貯留槽加熱ヒータ１１２、制御弁加熱ヒータ１１４及び配管加熱ヒータ１１６は、包埋装置１００の運転の開始時又は停止時に、同時にＯＮ−ＯＦＦされる。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】
図９及び図１０に示す包埋装置１００を用い、組織片をパラフィン中に埋め込む包埋作業を行う際には、組織片を挿入した容器をニードル弁１０４の出口下方に載置し、開閉スイッチ１０６を押して制御弁１１０を開とした後、ニードル弁１０４の開度を調整し、所定量の溶融パラフィンを容器に充填する。
図９及び図１０に示す包埋装置１００では、夜間等の包埋作業を長時間行わない場合には、省エネルギー等の観点から包埋装置１００のメイン電源をＯＦＦとすることが多い。
この様に、包埋装置１００のメイン電源をＯＦＦにすると、制御弁加熱ヒータ１１４及び配管加熱ヒータ１１６もＯＦＦとなるため、制御弁１１０及び配管１０８に充填されているパラフィンは凝固する。
ところで、制御弁１１０は、配管１０８に比較して熱容量が大であり、加熱され難く冷却され難いため、制御弁１１０内のパラフィンは配管１０８内のパラフィンよりも後に凝固する。
更に、制御弁１１０内のパラフィンが凝固すると、パラフィンの凝固に因る収縮に伴なって制御弁１１０の弁体が移動して弁座との間に隙間が形成され、制御弁１１０が開放状態となり易い。
【０００４】
また、包埋装置１００の運転開始時に、制御弁加熱ヒータ１１４及び配管加熱ヒータ１１６に同時に通電されて、配管１０８と制御弁１１０が同時に加熱されると、配管１０８内のパラフィンが溶融状態となっても、制御弁１１０内のパラフィンは依然として凝固状態にある場合がある。
この場合、制御弁１１０が開放状態となっていると、貯留槽１０２の溶融パラフィンが漏れ出したり、ニードル弁１０４から空気が配管内に入り込み、制御弁１１０の直下に空気溜りが形成されるおそれがある。制御弁１１０の直下の空気溜りは、溶融パラフィンの流動方向と逆方向に貯留槽１０２方向に移動せんとするため、溶融パラフィンの流動に伴なってニードル弁１０４から排出され難く次第に成長する。
この様に、制御弁１１０の直下に空気溜りが形成されると、貯留槽１０２の溶融パラフィンの液面とニードル弁１０４との高さ差を利用して溶融パラフィンをニードル弁１０４から吐出する包埋装置１００では、ニードル弁１０４から溶融パラフィンを安定して吐出し難くなる。
一方、制御弁１１０の直下の空気溜りは、送りポンプを設けて溶融パラフィンを強制的に送り出すことによって容易に排出できる。
しかしながら、送りポンプを装着するには、送りポンプを装着するスペースを確保することを要するため、包埋装置１００が大型化する。しかも、送りポンプには脈動が発生し易く、ニードル弁１０４から吐出される溶融パラフィンの吐出量も脈動する。
そこで、本発明の課題は、所定の融点を有するパラフィン等の包埋材が溶融されて貯留されている貯留槽の溶融包埋材の液面と流量調節弁との高低差を利用して溶融包埋材を流量調節弁から吐出する包埋装置であって、流量調整弁から溶融包埋材を安定して吐出し得る包埋装置及びその温度制御方法を提供することにある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】
本発明者等は、前記課題を解決すべく検討を重ねた結果、Ｕ字状の配管１０８のうち、流量調整弁であるニードル弁１０４側の立ち上がり配管部に、開閉スイッチ１０６によって開閉される制御弁１１０を設けることによって、制御弁１１０の直下に空気溜りが形成されても、容易にニードル弁１０４から溶融包埋材を吐出できることを知り、本発明に到達した。
すなわち、本発明は、組織片等の試料を、所定の融点を有するパラフィン等の包埋材中に埋め込む包埋装置において、該包埋材が溶融されて貯留されている貯留槽と、前記貯留槽に貯留されている溶融包埋材の液面よりも下方に設けられ、前記試料を埋め込むに必要な所定量の溶融包埋材を吐出する流量調整弁とが、下方に突出するＵ字状の配管によって連結され、前記Ｕ字状の配管のうち、前記流量調整弁側の立ち上がり配管部に制御弁が設けられ、前記Ｕ字状の配管に充填されて凝固された包埋材を溶融する際に、制御弁内に凝固された包埋材が、貯留槽から制御弁に至る配管部内の包埋材よりも先に溶融されるように、前記制御弁及び配管に配設された加熱ヒータを制御する制御部が設けられ、前記Ｕ字状の配管には、貯留槽から制御弁に至る第１配管部を加熱する第１加熱ヒータと、前記制御弁を加熱する制御弁加熱ヒータと、前記制御弁から流量調整弁に至る第２配管部を加熱する第２加熱ヒータとが設けられ、前記制御部は、前記Ｕ字状の配管に充填されて凝固された包埋材を溶融する際に、前記制御弁及び第２配管部の包埋材が溶融されるまでは、前記第１配管部の包埋材が凝固状態を維持し得る凝固点近傍の温度で保持されるように、前記第１加熱ヒータ、制御弁加熱ヒータ及び第２加熱ヒータを制御することを特徴とする包埋装置にある。
【０００６】
また、本発明は、所定の融点を有するパラフィン等の包埋材が溶融されて貯留されている貯留槽と、前記貯留槽に貯留されている溶融包埋材の液面よりも下方に設けられ、組織片等の試料を埋め込むに必要な所定量の溶融包埋材を吐出する流量調整弁とが、下方に突出するＵ字状の配管によって連結され、且つ前記Ｕ字状の配管のうち、前記流量調整弁側の立ち上がり配管部に制御弁が設けられ、前記Ｕ字状の配管には、貯留槽から制御弁に至る第１配管部を加熱する第１加熱ヒータと、前記制御弁を加熱する制御弁加熱ヒータと、前記制御弁から流量調整弁に至る第２配管部を加熱する第２加熱ヒータとが設けられている包埋装置を用い、前記Ｕ字状の配管に充填されて凝固された包埋材を溶融する際に、前記制御弁内に凝固された包埋材が、前記貯留槽から制御弁に至る配管部内の包埋材よりも先に溶融されるように、前記Ｕ字状の配管に充填されて凝固された包埋材を溶融する際に、前記制御弁及び第２配管部を包埋材の溶融温度以上に昇温するまでは、前記第１配管部を前記包埋材が凝固状態を維持し得る凝固点近傍の温度に保持するように、前記第１加熱ヒータ、制御弁加熱ヒータ及び第２加熱ヒータを制御し、前記制御弁及び第２配管部を包埋材の溶融温度以上に昇温した後、前記第１配管部を包埋材の溶融温度以上に昇温するように、前記第１加熱ヒータ、制御弁加熱ヒータ及び第２加熱ヒータを制御することを特徴とする包埋装置の温度制御方法にある。
【０００７】
本発明の包埋装置では、包埋材が溶融されて貯留されている貯留槽と、貯留槽に貯留されている溶融包埋材の液面よりも下方に設けられた流量調整弁とが、下方に突出するＵ字状の配管によって連結され、このＵ字状の配管のうち、流量調整弁側の立ち上がり配管部に制御弁が設けられている。このため、制御弁の直下に空気溜りが形成されても、空気溜りの移動方向は、溶融包埋材の流動方向と同様に、流量調整弁の方向であるため、流量調整弁から空気溜りを容易に抜き出すことができる。その結果、貯留槽の溶融包埋材の液面と流量調節弁との高低差を利用して溶融包埋材を流量調節弁から吐出する包埋装置でも、流量調整弁から溶融包埋材を安定して吐出できる。
更に、かかる包埋装置に、Ｕ字状の配管に充填されて凝固された包埋材を溶融する際に、制御弁内に凝固された包埋材が、貯留槽から制御弁に至る配管部に充填された包埋材の溶融よりも先に溶融されるように、制御弁及び配管に配設された加熱ヒータを制御する制御部を設けた場合、制御弁内の包埋材の凝固に伴なう収縮によって弁座から引離された弁体を、弁座に密着させて制御弁を閉状態とした後、貯留槽から制御弁に至る配管部内に充填されて凝固された包埋材を溶融するため、溶融された包埋材の漏出も防止でき、更に安定して溶融包埋材を流量調整弁から吐出できる。
【０００８】
【発明の実施の形態】
本発明に係る包埋装置の一例を図１に示す。図１（ａ）は包埋装置１０の平面図であり、図１（ｂ）は包埋装置１０の側面図である。
図１に示す包埋装置１０には、包埋材としてのパラフィンが溶融されて貯留された貯留槽１２と、貯留槽１２に貯留されている溶融パラフィンの液面よりも下方に位置する、流量調整弁としてのニードル弁１４と、貯留槽１２とニードル弁１４とを連結する配管の途中に設けられた制御弁の開閉スイッチ１６とが設けられている。
この包埋装置１０のニードル弁１４の左右前方には、組織片が挿入される容器等を温めるホットプレート１８，１８が設けられ、ニードル弁１４の左右後方には、容器等に挿入された組織片等を扱うピンセット等の器具を温める器具ホルダ２２，２２が設けられている。
更に、ニードル弁１４の前方には、ペルチェ素子によって冷却されているコールドスポット２０が形成されている。このコールドスポット２０は、組織片が挿入された容器に充填された溶融パラフィンを凝固させる際に使用される。
尚、包埋装置１０に装着された貯留槽１２の上方の蓋２４は、開閉自在に装着されており、貯留槽１２にパラフィンの補給等を自在に行うことができる。
【０００９】
図１に示す包埋装置１０では、貯留槽１２とニードル弁１４とを連結する配管は、図２に示す様に、下方に突出するＵ字状の配管３０である。かかる配管３０のうち、ニードル弁１４側の立ち上がり配管部に、開閉スイッチ１６によって開閉される制御弁Ｖが設けられている。
この様な包埋装置１０に用いるパラフィンは、通常、融点（凝固点）が５５〜６０℃であるため、パラフィンを溶融状態に保持すべく、貯留槽１２を加熱する貯留槽加熱ヒータ４０、貯留槽１２から制御弁Ｖに至る第１配管部３２を加熱する第１加熱ヒータ４２、制御弁Ｖ及びその近傍の配管部を加熱する制御弁加熱ヒータ４４、及び制御弁Ｖからニードル弁１０４までの第２配管部３６を加熱する第２加熱ヒータ４６が設けられている。かかる貯留槽加熱ヒータ４０、第１加熱ヒータ４２、制御弁加熱ヒータ４４及び第２加熱ヒータ４６は、包埋装置１０の運転の開始時又は停止時に、同時にＯＮ−ＯＦＦされる。
かかる加熱ヒータのうち、第１加熱ヒータ４２、制御弁加熱ヒータ４４及び第２加熱ヒータ４６の各加熱程度は、第１配管部３２、制御弁Ｖ及び第２配管部３６の各々に設けられた温度センサから送信される温度信号に基づいて制御部４８によって制御される。
【００１０】
この制御部４８には、マイクロコンピュータが設けられており、図３に示す様に、ＣＰＵ５０、メモリ５２、液晶等の表示部５４及びテンキー等の入力部５６から成り、配管部３２，３６及び制御弁Ｖに設けられた各温度センサからの現在温度の信号に基づいて加熱ヒータ４２、制御弁加熱ヒータ４４及び加熱ヒータ４６の各々を制御する。
ここで、メモリ５２には、予め第１配管部３２，第２配管部３６及び制御弁Ｖの設定温度Ｔ1、第２配管部３６の下限設定温度Ｔ2、制御弁Ｖの下限設定温度ＴV、及び使用パラフィンの凝固状態を維持し得る凝固点近傍温度（ＴF）の各々を入力部５６から入力して記憶させておく。
かかる制御部４８による各加熱ヒータの制御手順は、図４に示す手順に従ってなされる。
先ず、図１に示す包埋装置１０のメインスッチがＯＮされたとき、貯留槽加熱ヒータ４０、第１加熱ヒータ４２、制御弁加熱ヒータ４４及び第２加熱ヒータ４６がＯＮ状態となる（ステップＳ１）。
【００１１】
更に、制御弁Ｖの現在温度がメモリ５２に記憶されている下限設定温度（ＴV）よりも低温で且つ第１配管部３２の現在温度がメモリ５２に記憶されている凝固点近傍温度（ＴF）以上である場合（ステップＳ２，Ｓ３）、第１配管部３２の温度を現在温度に維持するように、第１加熱ヒータ４２を制御し（ステップＳ４）、制御弁Ｖ及び第２配管部３６を昇温するように第２加熱ヒータ４６及び制御弁加熱ヒータ４４を制御する。
この際に、第２配管部３６の現在温度がメモリ５２に記憶されている下限設定温度（Ｔ2）よりも低温である場合（ステップＳ５）又は制御弁Ｖの現在温度が下限設定温度（ＴV）よりも低温である場合（ステップＳ６）は、ステップＳ４に戻り、制御弁Ｖ及び第２配管部３６の昇温を続行するように第２加熱ヒータ４６及び制御弁加熱ヒータ４４を制御する。
一方、第２配管部３６の現在温度が下限設定温度（Ｔ2）以上で且つ制御弁Ｖの現在温度が下限設定温度（ＴV）以上となったとき（ステップＳ５，Ｓ６）、第１配管部３２、制御弁Ｖ及び第２配管部３６の温度をメモリ５２に記憶されている設定温度（Ｔ1）に昇温するように第２加熱ヒータ４６及び制御弁加熱ヒータ４４を制御する（ステップＳ７）。
次いで、第１配管部３２、制御弁Ｖ及び第２配管部３６の温度が設定温度（Ｔ1）に昇温されたとき（ステップＳ８）、分注可能ランプを点灯する（ステップＳ９）。
【００１２】
かかる図４のステップＳ３において、第１配管部３２の現在温度が凝固点近傍温度（ＴF）よりも低温の場合は、第1配管部３２内のパラフィンは凝固状態にある。このため、第１配管部３２の温度を、パラフィンの凝固状態を維持し得る凝固点近傍温度（ＴF）まで昇温して維持するように第１加熱ヒータ４２を制御する（ステップＳ１０）。
ここで、第１配管部３２の温度を、パラフィンの融点以上に昇温すると、制御弁Ｖ及び第２配管部３６内のパラフィンが凝固状態である場合、制御弁Ｖ内のパラフィンの凝固に伴なう収縮に因る弁体の移動によって形成された、弁体と弁座との間の隙間から貯留槽１２の溶融パラフィンが漏れ易くなる。
このため、第２配管部３６の温度が下限設定温度（Ｔ2）以上で且つ制御弁Ｖの温度が下限設定温度（ＴV）以上に加熱され、第２配管部３６及び制御弁Ｖ内のパラフィンが完全に溶融されるまで、第１配管部３２の温度を凝固点近傍温度（ＴF）に維持するように第１加熱ヒータ４２を制御する（ステップＳ１０，Ｓ１１，Ｓ１２）。
一方、ステップＳ１０，Ｓ１１において、第２配管部３６の温度が下限設定温度（Ｔ2）以上で且つ制御弁Ｖの温度が下限設定温度（ＴV）以上に加熱されときには、ステップ７に移行し、第１配管部３２、制御弁Ｖ及び第２配管部３６の温度を設定温度（Ｔ1）に昇温するように第１加熱ヒータ４２、制御弁加熱ヒータ４４及び第２加熱ヒータ４６を制御する。
尚、ステップ２において、最も熱容量が大きい制御弁Ｖの現在温度が下限設定温度（ＴV）よりも高温である場合は、制御弁Ｖよりも熱容量の小さい第１配管部３２及び第２配管部３６の温度は、いずれもパラフィンの融点以上であるため、直ちにステップ７に移行する。
【００１３】
図１に示す包埋装置１０を長時間運転停止した後、運転再会する場合の様に、Ｕ字状の配管３０及び制御弁Ｖ内のパラフィンが凝固状態であるとき、図４に示す手順に従って各加熱ヒータを制御しつつ、凝固状態のパラフィンを溶融した。この場合の第１配管部３２、制御弁Ｖ及び第２配管部の温度パターンを図５に示す。
ここで、メモリ５２の設定温度（Ｔ1）を６２℃とし、第２配管部３６の下限設定温度（Ｔ2）及び制御弁Ｖの下限設定温度（ＴV）を各々６１℃とした。更に、第１配管部３２内のパラフィンの凝固状態を維持し得る凝固点近傍温度（ＴF）を４０℃とした。
この場合、図４に示す手順のステップ３において、第１配管部３２の現在温度が４０℃よりも低温であるため、ステップＳ１０に移行し、第１配管部３２を４０℃に昇温して維持するように第１加熱ヒータ４２を制御する。
この様に、第１配管部３２を４０℃に維持している間に、第２配管部３６及び制御弁Ｖを昇温するように第２加熱ヒータ４６及び制御弁加熱ヒータ４４を制御する。第２配管部３６及び制御弁Ｖの温度が共に６１℃以上となったとき（ステップＳ１１，Ｓ１２）、ステップＳ７に移行し、第１配管部３２、制御弁Ｖ及び第２配管部３６を６２℃に昇温するように第１加熱ヒータ４２、制御弁加熱ヒータ４４及び第２加熱ヒータ４６を制御する。
【００１４】
次に、短時間の停電等の影響によって、例えば図６に示す様に、制御弁Ｖの温度が６１℃よりも低温となったものの、第１配管部３２は４０℃以上であり且つ第２配管部３６の温度も６１℃以上の場合は、図４に示すステップＳ４に移行し、第１配管部３２の温度を現在温度に維持するように、第１加熱ヒータ４２を制御する。
この様に、第１配管部３２の温度を現在温度に維持している間に、制御弁Ｖを昇温するように制御弁加熱ヒータ４４を制御する。第２配管部３６及び制御弁Ｖの温度が共に６１℃以上となったとき（ステップＳ５，Ｓ６）、ステップＳ７に移行し、第１配管部３２、制御弁Ｖ及び第２配管部３６を６２℃に昇温するように第１加熱ヒータ４２、制御弁加熱ヒータ４４及び第２加熱ヒータ４６を制御する。
また、比較的長い停電等の影響によって、例えば図７に示す様に、第１配管部３２の温度が４０℃よりも低温となって、第１配管部３２内のパラフィンが凝固し、制御弁Ｖの温度も６１℃よりも低温となったものの、第２配管部３６の温度は６１℃以上の場合は、図４に示すステップＳ１０に移行し、第１配管部３６の温度を４０℃に昇温して維持するように、第１加熱ヒータ４２を制御する。
この様に、第１配管部３２を４０℃に維持している間に、制御弁Ｖを昇温するように制御弁加熱ヒータ４４を制御する。第２配管部３６及び制御弁Ｖの温度が共に６１℃以上となったとき（ステップＳ１１，Ｓ１２）、ステップＳ７に移行し、第１配管部３２、制御弁Ｖ及び第２配管部３６を６２℃に昇温するように第１加熱ヒータ４２、制御弁加熱ヒータ４４及び第２加熱ヒータ４６を制御する。
【００１５】
図５〜図７に示す様に、第１配管部３２の６２℃の昇温を、制御弁Ｖ及び第２配管部３６の温度が６１℃に到達した後とすることは、制御弁Ｖ及び第２配管部３６内のパラフィンが完全に溶解されたことを確認してから所定温度に昇温することを意味している。このため、制御弁Ｖ及び第２配管部３６内のパラフィンの溶解が不完全な状態で第１配管部３２を昇温することを確実に防止できる。
【００１６】
ところで、図１に示す包埋装置１０には、前述した様に、ニードル弁１４の左右前方に、組織片が挿入される容器等を温めるホットプレート１８，１８が設けられ、ニードル弁１４の左右後方には、容器等に挿入された組織片等を扱うピンセット等の器具を温める器具ホルダ２２，２２が設けられている。
かかるホットプレート１８，１８及び器具ホルダ２２，２２は、図８に示す金属板６０上に設けられている。この金属板６０は、器具ホルダ２２，２２が設けられるアルミブロックから成る第２金属板としての器具ホルダ部６２と、ホットプレート１８，１８が設けられるアルミ板から成る第１金属板としてのホットプレート部６４とから構成される。ホットプレート部６４は、その略中央部がペルチェ素子によって冷却されるコールドスポット２０が設けられる切欠部６６によって幅狭部６８に形成されている。このため、ホットプレート部６４の幅狭部６８を挟む両端部６４ａ，６４ａに、第１ヒータとしてのラバーヒータ７０，７０が装着されている。
【００１７】
かかるホットプレート部６４と所定の接合面積で接合されている器具ホルダ部６２には、第２ヒータとしてのカートリッジヒータ７２が装着されており、ラバーヒータ７０，７０及びカートリッジヒータ７２は、制御部７４によって制御されている。この制御部７４には、ホットプレート部６４の１箇所に設けられた温度センサ７６からの温度信号が送信されている。
かかる制御部７４では、ホットプレート１８，１８の設定温度に対して器具ホルダ２２，２２の温度が５℃程高温となるように、ホットプレート部６４のラバーヒータ７０，７０の通電率よりも器具ホルダ部６２のカートリッジヒータ７２の通電率を高くし、温度センサ７６の温度信号に対しては主としてラバーヒータ７０，７０を制御する。
尚、制御部７４は、ホットプレート部６４の１箇所に設けられた温度センサ７６からの温度信号に基づいてラバーヒータ７０，７０を制御するため、温度センサ７６を設ける位置については、予め所望の温度制御が可能であることを確認しておくことが必要である。
【００１８】
以上、述べてきた図１〜図８に示す包埋装置１０によれば、例え制御弁Ｖの直下に空気溜りが形成されても成長し難く、ニードル弁１４から安定して溶融パラフィンを吐出することができるため、組織片等の包埋処理を容易に行うことができる。
また、長期間の運転停止した包埋装置１０の運転を再開等する際に、制御弁から溶融パラフィンが漏出する事態や空気の漏れ込みを防止でき、安全に且つ確実に包埋処理を施すことができる。
【００１９】
【発明の効果】
本発明の包埋装置では、貯留槽に貯留されている溶融包埋材の液面と流量調節弁との高低差を利用し、貯留槽に貯留されている溶融包埋材を流量調節弁から安定して吐出できるため、組織片等の包埋処理を安全に且つ確実に行うことができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明に係る包埋装置の一例を説明するための平面図及び側面図である。
【図２】図１に示す包埋装置の配管等の概略を説明するための概略図である。
【図３】図２に示す包埋装置を制御する制御部の概略を説明するための概略図である。
【図４】図３に示す制御部の制御の手順を説明するフローチャートである。
【図５】図４に示す制御手順によって図２に示す配管等の温度を制御した一例を示す温度グラフである。
【図６】図４に示す制御手順によって図２に示す配管等の温度を制御した他の例を示す温度グラフである。
【図７】図４に示す制御手順によって図２に示す配管等の温度を制御した他の例を示す温度グラフである。
【図８】図１に示す包埋装置のホットプレート１８，１８及び器具ホルダ２２，２２が設けられる金属板の概略を説明するための概略図である。
【図９】従来の包埋装置を説明するための側面図である。
【図１０】図９に示す包埋装置の配管等の概略を説明するための概略図である。
【符号の説明】
１０  包埋装置
１２  貯留槽
１４  ニードル弁（流量調整弁）
１８  ホットプレート
２０  器具ホルダ
３０  Ｕ字状の配管
３２  第１配管部
３６  第２配管部
４２  第１加熱ヒータ
４４  制御弁加熱ヒータ
４６  第２加熱ヒータ
４８，７４  制御部
６０  金属板
６２  器具ホルダ部（第２金属板）
６４  ホットプレート部（第１金属板）
７０  ラバーヒータ（第１ヒータ）
７２  カートリッジヒータ（第２ヒータ）
７６  温度センサ
Ｖ  制御弁
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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