(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の走査線と、
ｍ（ｍは２以上の整数）毎にグループ化される複数のデータ線と、
前記複数の走査線を所定の順番で選択する走査線駆動回路と、
画素の階調に応じたデータ信号を、各グループに対応して出力するデータ信号供給回路と、
グループ化されたｍ本のデータ線を所定の順番で選択する動作を、各グループにわたって実行するとともに、各グループに対応して出力されたデータ信号を各グループで選択されたデータ線に供給するデマルチプレクサと、
前記複数の走査線と前記複数のデータ線との交差に対応して設けられ、各々は、前記走査線が選択されたときに前記データ線に供給されたデータ信号に応じた階調となる複数の画素と、
を備え、
前記デマルチプレクサは、
正論理の選択信号が供給されるｍ本の正論理選択信号線と、前記正論理の選択信号と対をなす負論理の選択信号が供給されるｍ本の負論理選択信号線との間に、前記複数のデータ線のそれぞれに対応して設けられるとともに、各々は、前記ｍ本の正論理選択信号線のうち、いずれかに供給される正論理信号と、これと対をなす負論理信号とによって入力端と出力端との間における導通状態が規定される複数のトランスミッションゲートと、
前記データ信号供給回路によって一のグループに対応して出力されたデータ信号を、前記ｍ本の正論理選択信号線または負論理選択信号線の一方と交差したのち、ｍ本に分岐して前記ｍ個のトランスミッションゲートの入力端に供給する第１配線と、
一端が前記複数のトランスミッションゲートの出力端に、他端が前記データ線の一端にそれぞれ接続されるとともに、前記ｍ本の正論理選択信号線または負論理選択信号線の他方とそれぞれ交差する第２配線と
を含むことを特徴とする電気光学装置。
【請求項２】
前記トランスミッションゲートの各々は、
前記正論理の選択信号がゲート電極に供給されるｎチャネル型トランジスタと、前記負論理の選択信号がゲート電極に供給されるｐチャネル型トランジスタとを互いに並列接続したものである
ことを特徴とする請求項１に記載の電気光学装置。
【請求項３】
前記ｎチャネル型トランジスタにおけるゲート電極の延在方向と、前記ｐチャネル型トランジスタにおけるゲート電極の延在方向とを揃え、かつ、前記正論理選択信号線および前記負論理選択信号線の延在方向と交差する方向とした
ことを特徴とする請求項２に記載の電気光学装置。
【請求項４】
一の入力信号を、ｍ（ｍは２以上の整数）個の出力端のいずれかを選択して出力するデマルチプレクサであって、
正論理の選択信号が供給されるｍ本の正論理選択信号線と、前記正論理の選択信号と対をなす負論理の選択信号が供給されるｍ本の負論理選択信号線との間に、前記ｍ個の出力端のそれぞれに対応して設けられるとともに、各々は、前記ｍ本の正論理選択信号線のうち、いずれかに供給される正論理信号とこれと対をなす負論理信号とによって入力端と出力端との間における導通状態が規定されるｍ個のトランスミッションゲートと、
前記入力信号を、前記ｍ本の正論理選択信号線または負論理選択信号線の一方と交差したのち、ｍ本に分岐して前記ｍ個のトランスミッションゲートの入力端に供給する第１配線と、
一端が前記ｍ個のトランスミッションゲートの出力端にそれぞれ接続されるとともに、前記ｍ本の正論理選択信号線または負論理選択信号線の他方とそれぞれ交差する第２配線と、
を含むことを特徴とするデマルチプレクサ。
【請求項５】
請求項１乃至３のいずれかに記載の電気光学装置を備える
ことを特徴とする電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、１つの入力端に供給された入力信号を、複数の出力端のいずれかを選択して出力する技術に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年では、例えば携帯電話やナビゲーションシステムなどの電子機器において、表示画像の高精細化が進行している。高精細化は、走査線の行数およびデータ線の列数を増加させることによって達成することができるが、その際、表示パネルとの接続が問題となる。例えば縦３２０×横２４０ドットのカラー表示を行う場合、横方向には、２４０×３色分の計７２０列のデータ線が必要となるが、表示画像サイズが小型であると、データ線のピッチはＣＯＧ（chip on glass）等の限界を下回ってしまい、各データ線にそれぞれデータ信号を供給するＸドライバを接続することができなくなってしまう。
そこで、上記の例でいえば７２０列のデータ線に供給すべきデータ信号をＸドライバが時分割で供給する一方、３列のデータ線を１列ずつ時分割で選択して供給するデマルチプレクサを、表示パネルにポリシリコンプロセス等によって形成した、いわゆるハイブリッド方式が提案されている（例えば特許文献１参照）。このハイブリッド方式では、デマルチプレクサの入力端子数は、データ線数の１／３となり、接続ピッチが緩和されるので、Ｘドライバを表示パネルに実装することが容易となる。
【特許文献１】特開２００３−３０８０５１号公報（例えば図４参照）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
しかしながら、ハイブリッド型の電気光学装置においては、デマルチプレクサの特性に起因して表示品位が低下する場合がある、といった問題が指摘されはじめた。
本発明は、上述した事情に鑑みてなされたもので、その目的とするところは、デマルチプレクサ方式を採用した電気光学装置において、表示品位の低下を防止することが可能な電気光学装置、デマルチプレクサおよび電子機器を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００４】
上記課題を解決するために本発明に係る電気光学装置は、複数の走査線と、ｍ（ｍは２以上の整数）毎にグループ化される複数のデータ線と、前記複数の走査線を所定の順番で選択する走査線駆動回路と、画素の階調に応じたデータ信号を、各グループに対応して出力するデータ信号供給回路と、グループ化されたｍ本のデータ線を所定の順番で選択する動作を、各グループにわたって実行するとともに、各グループに対応して出力されたデータ信号を各グループで選択されたデータ線に供給するデマルチプレクサと、前記複数の走査線と前記複数のデータ線との交差に対応して設けられ、各々は、前記走査線が選択されたときに前記データ線に供給されたデータ信号に応じた階調となる複数の画素と、を備え、前記デマルチプレクサは、正論理の選択信号が供給されるｍ本の正論理選択信号線と、前記正論理の選択信号と対をなす負論理の選択信号が供給されるｍ本の負論理選択信号線との間に、前記複数のデータ線のそれぞれに対応して設けられるとともに、各々は、前記ｍ本の正論理選択信号線のうち、いずれかに供給される正論理信号と、これと対をなす負論理信号とによって入力端と出力端との間における導通状態が規定される複数のトランスミッションゲートと、前記データ信号供給回路によって一のグループに対応して出力されたデータ信号を、前記ｍ本の正論理選択信号線または負論理選択信号線の一方と交差したのち、ｍ本に分岐して前記ｍ個のトランスミッションゲートの入力端に供給する第１配線と、一端が前記複数のトランスミッションゲートの出力端に、他端が前記データ線の一端にそれぞれ接続されるとともに、前記ｍ本の正論理選択信号線または負論理選択信号線の他方とそれぞれ交差する第２配線とを含むことを特徴とする。本発明によれば、前記ｍ本の正論理選択信号線または負論理選択信号線の一方が第１配線と交差する回数は、他方が第２配線と交差する回数よりも少ないので、交差により生じる容量が少なくなる結果、各トランスミッションゲートの導通／非導通状態を急峻に規定することできるとともに、ノイズを低減することが可能となる。
【０００５】
本発明において、前記トランスミッションゲートの各々は、前記正論理の選択信号がゲート電極に供給されるｎチャネル型トランジスタと、前記負論理の選択信号がゲート電極に供給されるｐチャネル型トランジスタとを互いに並列接続した構成であることが好ましい。さらに、この構成において、前記ｎチャネル型トランジスタにおけるゲート電極の延在方向と、前記ｐチャネル型トランジスタにおけるゲート電極の延在方向とを揃え、かつ、前記正論理選択信号線および前記負論理選択信号線の延在方向と交差する方向とすると、データ線の狭ピッチ化が容易となる。
なお、本発明は、電気光学装置のみならず、デマルチプレクサそれ自体としても、また当該電気光学装置を有する電子機器としても概念することが可能である。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００６】
以下、本発明の実施の形態について図面を参照して説明する。図１は、本発明の実施の形態に係る電気光学装置の電気的な構成を示す図である。
この図に示されるように、この電気光学装置１は、表示パネル１０とＸドライバ２０とに大別される。このうち、表示パネル１０では、特に図示しないが、素子基板と対向基板とが、互いに電極形成面が対向するように、一定の間隙を保って貼り合わせられるとともに、この間隙に例えばＴＮ（twisted nematic）型の液晶を封入した構成となっている。
表示パネル１０の素子基板には、半導体チップであるＸドライバ２０が、ＣＯＧ技術等により実装されているとともに、Ｙドライバ３０やデマルチプレクサ５０が例えばポリシリコンプロセスによって形成されている。
なお、Ｘドライバ２０、Ｙドライバ３０およびデマルチプレクサ５０には、図示しない上位制御回路から各種の制御信号がＦＰＣ（Flexible Printed Circuit）基板等を介して供給される。
また、Ｙドライバ３０については、素子基板に形成するのではなく、Ｘドライバ２０と同様に、半導体チップをＣＯＧ技術等により実装する構成としても良い。
【０００７】
表示パネル１０は表示領域１００を有する。この表示領域１００には、本実施形態では、３２０行の走査線１１２が行（Ｘ）方向に延在するように設けられ、また、３列毎にグループ化された７２０（＝２４０×３）列のデータ線１１４が列（Ｙ）方向に延在するように、かつ、各走査線１１２と互いに電気的な絶縁を保つように設けられている。
サブ画素（画素）１１０は、３２０行の走査線１１２と７２０列のデータ線１１４との交差部に対応して、それぞれ配列している。このうち、同一行の走査線１１２と同一のグループに属する３列のデータ線１１４との交差に対応した３つのサブ画素１１０は、それぞれＲ（赤）、Ｇ（緑）、Ｂ（青）に対応し、これら３つのサブ画素１１０によって１つのドットが構成されている。したがって、本実施形態においては、表示領域１００に、ドットでみれば縦３２０行×横２４０列で、サブ画素１１０でみれば縦３２０行×横７２０列で、それぞれマトリクス状に配列することになる。
ここで便宜的に、表示領域におけるドットの列（グループ）を一般化して説明するために、１以上２４０以下の整数ｊを用いると、図１において左から数えて（３ｊ−２）列目、（３ｊ−１）列目および（３ｊ）列目のデータ線１１４は、それぞれｊ番目のブロックに属し、かつ、Ｒ、Ｇ、Ｂの系列である、ということになる。
【０００８】
サブ画素１１０の構成について図２を参照して説明する。図２は、サブ画素１１０の電気的な構成を示す図であり、ｉ行目の走査線１１２と、ｊ番目のグループに属する３列のデータ線１１４との交差に対応する３つのサブ画素１１０の構成が示されている。なお、ｉは、サブ画素１１０が配列する行（走査線１１２の行）を一般的に示す場合の記号であって、１以上３２０以下の整数である。
【０００９】
さて、図２に示されるように、３つのサブ画素１１０は電気的には互いに同一構成であり、それぞれ、ｎチャネル型の薄膜トランジスタ（Thin Film Transistor：以下単に「ＴＦＴ」と略称する）１１６と、液晶容量１４０と、を有する。
このうち、ＴＦＴ１１６のゲートはｉ行目の走査線１１２に接続される一方、そのソースは、サブ画素に対応するデータ線１１４に接続され、そのドレインは、液晶容量１４０の一端であって素子基板に形成された画素電極１１８に接続されている。
また、液晶容量１４０の他端はコモン電極１０８である。このコモン電極１０８は、対向基板に形成されて画素電極１１８に対向するとともに、表示領域１００における全てのサブ画素１１０にわたって共通であって、時間的に一定の電圧Ｖcomが印加されている。したがって、液晶容量１４０は、画素電極１１８およびコモン電極１０８で液晶１０５を挟持した構成となる。
【００１０】
サブ画素１１０において、ｉ行目の走査線１１２をＨレベルとして（選択電圧を印加して）、ＴＦＴ１１６をオン（導通状態）にさせるとともに、画素電極１１８に対し、データ線１１４およびオン状態のＴＦＴ１１６を経由して、コモン電極１０８への印加電圧Ｖcomと比較して目標とする階調（明るさ）に応じた電圧だけ高位（正極性）または低位（負極性）の電圧を印加することにより、当該液晶容量１４０に、階調に応じた電圧が保持される。
各サブ画素１１０には、対応する色、すなわち、Ｒ、Ｇ、Ｂのいずれかのカラーフィルタが設けられ、液晶容量１４０は、保持した電圧実効値に応じて単位時間における平均的な透過光量が変化する。例えば、本実施形態において、液晶容量１４０は、保持された電圧が低くなるにつれて、透過光量が多くなるノーマリーホワイトモードとなるように設定される。
なお、サブ画素１１０の各々には、液晶容量１４０に対し電気的に並列となるように蓄積容量が設けられるが、本発明と直接関連しないので図示省略している。
【００１１】
説明を図１に戻すと、Ｙドライバ３０は、１、２、３、４、…、３２０行目の走査線１１２を、この順番で水平走査期間毎に順番に選択するとともに、選択した走査線１１２にＨレベルの論理信号を、それ以外の走査線１１２にＬレベルの論理信号を、それぞれ走査信号として供給する走査線駆動回路である。なお便宜上、１、２、３、４、…、３２０行目の走査線１１２に供給される走査信号を、それぞれＧ1、Ｇ2、Ｇ3、Ｇ4、…、Ｇ320と表記し、特に行番目を特定しないで一般的に説明する場合には、上述したｉを用いてＧiと表記する。
【００１２】
Ｘドライバ２０は、データ信号供給回路であり、Ｙドライバ３０によって選択された走査線１１２と、各ブロックにおける３列のデータ線１１４のうち、選択信号Ｓel-R、Ｓel-G、Ｓel-Bで指定されたデータ線との交差に対応するサブ画素１１０の階調に応じた電圧のデータ信号を出力するものである。ここで便宜的に、１〜２４０番目のブロックに対応して出力されるデータ信号を、ｄ1〜ｄ240と表記する。なお、各ブロックに対応して出力されるデータ信号について、ブロックの番目を特定しないで一般的に説明する場合には、上述したｊを用いてｄjと表記する。
【００１３】
続いて、デマルチプレクサ５０について説明する。
図１に示されるように、デマルチプレクサ５０は、データ線１１４毎に設けられたトランスミッションゲート５８の集合体であり、ブロックを構成する３列のデータ線１１４のいずれかを選択信号にしたがって選択するとともに、Ｘドライバ２０から各ブロックに対応して出力されたデータ信号を選択したデータ線に供給するものである。
詳細には、まず、正論理の選択信号Ｓel-R、Ｓel-G、Ｓel-Bをそれぞれ供給する３本の選択信号線５４がデータ線１１４の延在方向と直交するＸ方向に沿って設けられる一方、負論理の選択信号／Ｓel-R、／Ｓel-G、／Ｓel-Bをそれぞれ供給する３本の選択信号線５６が、Ｘドライバ２０の側であって同Ｘ方向に沿って、かつ、３本の選択信号線５４と離間して設けられており、これらの３本の選択信号線５４と、３本の選択信号線５６とは離間しており、これらの３本ずつの選択信号線で挟まれるように、トランスミッションゲート５８が配置している。
なお、正論理の選択信号Ｓel-R（Ｓel-G、Ｓel-B）と、負論理の選択信号／Ｓel-R（／Ｓel-G、／Ｓel-B）とは、互いに論理反転を保つように、いずれも上位制御回路から供給される。つまり、選択信号の符号の直前に付された「／」は、当該符号の反転を示している。
【００１４】
次に、Ｘドライバ２０から各ブロックに対応したデータ信号は、配線（第１配線）５２ａを介してデマルチプレクサ５０に供給される。詳細には、各ブロックに対応した配線５２ａは、３本の選択信号線５６と電気的な絶縁が確保された状態で交差した後に、３つの経路に分岐して、各ブロックに対応した３つのトランスミッションゲート５８の入力端にそれぞれ接続される。
一方、各列に対応するトランスミッションゲート５８の出力端には配線（第２配線）５２ｂの一端がそれぞれ接続されるとともに、当該配線５２ｂの他端は、データ線１１４の一端に接続されている。
ここで、Ｒ系列のデータ線１１４に対応するトランスミッションゲート５８の制御端子は、正論理の選択信号Ｓel-Rを供給する選択信号線５４に接続される一方、その反転制御端子は、負論理の選択信号／Ｓel-Rを供給する選択信号線５６に接続されている。同様に、Ｇ、Ｂ系列のデータ線１１４に対応するトランスミッションゲート５８の制御端子は、それぞれ正論理の選択信号Ｓel-G、Ｓel-Bを供給する選択信号線５４に接続される一方、その反転制御端子は、それぞれ負論理の選択信号／Ｓel-G、／Ｓel-Bを供給する選択信号線５６に接続されている。
【００１５】
デマルチプレクサ５０における詳細構成について図面を参照して説明すると、図３は、デマルチプレクサ５０のレイアウト構成を示す平面図であり、図４は、図３におけるレイアウト構成の等価回路を示す図である。
いずれも、ｊ番目及びこれに隣接する（ｊ＋１）番目のブロックに対応する部分の拡大図である。なお、ここでは、ｊのみならず、（ｊ＋１）も含めて１以上２４０以下の整数である。
【００１６】
図３では、素子基板に、ＴＦＴのポリシリコン層が島状に形成され、その上に、第１層間絶縁膜（図示せず）を介したゲート電極層のパターニングにより、ＴＦＴのゲート電極や、配線５２ａ、５２ｂ（図４において太線で示した部分）が形成され、さらに、第２層間絶縁膜（図示せず）を介して、アルミニウム層のパターニングによりＴＦＴのソース電極や、ドレイン電極、選択信号線５４、５６、データ線１１４等の配線層が形成された構成となっている。
なお、図３において「×」印で示した部分は、コンタクトホールであり、ポリシリコン層、ゲート電極層またはアルミニウム層において異種層同士の導通を図っている。
【００１７】
図３および図４に示されるように、ある１列のデータ線に対応するトランスミッションゲート５８は、ｐチャネル型のＴＦＴ５８ｐと、ｎチャネル型のＴＦＴ５８ｎとの相補的な並列接続であって、そのゲートに互いに相反する論理レベルの選択信号が供給される構成となっている。
詳細には、ある１列のデータ線に対応するトランスミッションゲート５８を構成するＴＦＴ５８ｐ、５８ｎのポリシリコン層は、いずれもＹ方向を長手とし、Ｘ方向を短手とする矩形形状であって、両者のゲート電極の延在方向（チャネル幅Ｗの方向）がいずれもＹ方向の同一直線上に揃うように形成されている。なお、ＴＦＴの向きは必ずしも同一直線上に揃えなくても良い。
ここで、Ｒ系列のデータ線に対応するＴＦＴ５８ｎには、正論理の選択信号Ｓel-Rが供給される選択信号線５４から図において上方向に分岐したゲート電極が配設され、同じくＲ系列のデータ線に対応するＴＦＴ５８ｐには、負論理の選択信号／Ｓel-Rが供給される選択信号線５６から図において下方向に分岐したゲート電極が配設され、同様にＧ、Ｂ系列のデータ線に対応するＴＦＴ５８ｎには、それぞれ正論理の選択信号Ｓel-G、Ｓel-Bが供給される選択信号線５４から上方向に分岐したゲート電極が配設され、同じＧ、Ｂ系列のデータ線に対応するＴＦＴ５８ｐには、それぞれ負論理の選択信号／Ｓel-G、／Ｓel-Bが供給される選択信号線５６から図において下方向に分岐したゲート電極が配設される。
【００１８】
また、Ｒ系列のＴＦＴ５８ｐ、５８ｎのソース電極は、分岐後の配線５２ａに接続される。
一方、Ｇ、Ｂ系列のトランスミッションゲート５８における２つのＴＦＴ５８ｐ同士では、ソース領域が共用化されるとともに、同じＧ、Ｂ系列のトランスミッションゲート５８における２つのＴＦＴ５８ｎ同士でも、ソース領域が共用化されて、当該共用化されたソース領域にソース電極が形成されるとともに分岐後の配線５２ａが接続されている。配線５２ａは図３において２分岐であるが、このうち、一方はＧ、Ｂ系列で共用されているので、電気的にみれば実質的に３分岐である。
さらに、Ｒ、Ｇ、Ｂの各系列のＴＦＴ５８ｐ、５８ｎにおけるドレイン電極は、それぞれ配線５２ｂの一端に接続される。さらに、配線５２ｂは、３本の選択信号線５４と交差した後、その他端がデータ線１１４の一端に接続される。
ここでは、ｊ番目および（ｊ＋１）番目のブロックに対応する部分を示しているが、これらの繰り返しパターンによって、デマルチプレクサ５０において１番目から２４０番目までの各ブロックに対応する部分が形成されている。
【００１９】
次に、電気光学装置１の動作について図５を参照して説明する。
まず、走査信号Ｇ1〜Ｇ320は、各フレームにおいて、水平走査期間Ｈ毎に順番に排他的にＨレベルとなる。ここで、１フレームは、約１６．７ミリ秒（６０Ｈｚの逆数）であって、すべてのサブ画素１１０に対して、階調に応じた電圧を書き込むのに要する期間である。
走査信号Ｇ1〜Ｇ320のうち、行を特定しないで一般化するために、ｉ行目の走査線に供給される走査信号ＧiがＨレベルとなる水平走査期間Ｈについて説明すると、図に示されるように、当該水平走査期間Ｈにわたって、正論理の選択信号Ｓel-R、Ｓel-G、Ｓel-Bが、この順番で期間Ｓ毎に排他的にＨレベルとなる。なお、ここでは図示しないが、負論理の選択信号／Ｓel-R、／Ｓel-G、／Ｓel-Bも、正論理の選択信号に同期して期間Ｓ毎に排他的にＬレベルとなる。
【００２０】
ｉ行目の走査線に供給される走査信号ＧiがＨレベルとなる期間において、正論理の選択信号Ｓel-RがＨレベルになったとき（負論理の選択信号／Ｓel-RがＬレベルになったとき）、Ｘドライバ２０は、例えばｊ番目のブロックに対応するデータ信号ｄjを、ｉ行目の走査線１１２と、ｊ番目のブロックにおけるＲ系列のデータ線１１４とに対応するサブ画素１１０の階調に応じた電圧であって、かつ、正極性または負極性の一方の電圧とするが、ここでは正極性の電圧とする。
また、正論理の選択信号Ｓel-RがＨレベルになると（負論理の選択信号／Ｓel-Rがレベルになると）、Ｒ系列のデータ線１１４に対応するトランスミッションゲート５８が導通状態になるので、当該データ信号ｄjは、ｊ番目のブロックにおけるＲ系列のデータ線１１４に供給される。
【００２１】
一方、走査信号ＧiがＨレベルになると、ｉ行目の走査線１１２に対応するサブ画素１１０のすべてのＴＦＴ１１６がオンするので、ｊ番目のブロックにおけるＲ系列のデータ線１１４に供給されたデータ信号ｄjは、オンしたＴＦＴ１１６を介して、ｉ行目の走査線１１２とｊ番目のブロックにおけるＲ系列のデータ線１１４との交差に対応するＲのサブ画素１１０の画素電極１１８に印加される。これにより、当該Ｒのサブ画素の液晶容量１４０には、コモン電極１０８の電圧Ｖcomとデータ信号ｄjの電圧との差、すなわち、当該Ｒのサブ画素の階調に応じた電圧が書き込まれる。
【００２２】
次に、選択信号Ｓel-G、Ｓel-Bの順にＨレベルになったとき、Ｘドライバ２０は、データ信号ｄjを、ｉ行目の走査線１１２とｊ番目のブロックのうちＧ、Ｂ系列のデータ線１１４との交差に対応するＧ、Ｂのサブ画素１１０の階調に応じた電圧であって、かつ、フレーム反転であれば正極性の電圧とする。これにより、データ信号ｄjは、ｊ番目のブロックにおけるＧ、Ｂ系列のデータ線１１４に順番に供給され、当該Ｇ、Ｂのサブ画素の液晶容量１４０には、それぞれ当該Ｇ、Ｂのサブ画素の階調に応じた電圧が書き込まれる。
これにより、ｉ行目の走査線１１２とｊ番目のブロックを構成するＲ、Ｇ、Ｂ系列のデータ線１１４との交差に対応する３つのサブ画素には、階調に応じた電圧が順番に書き込まれたことになる。
ここでは、ｊ番目のブロックに対応した３つのサブ画素について書込動作について説明したが、論理信号ＧiがＨレベルとなる期間においては、ｉ行目であって、１、２、３、…、２４０番目のブロックに対応するサブ画素１１０についても同様な書込動作が同時並行的に実行される。
【００２３】
図５では、論理信号ＧiがＨレベルとなる水平走査期間Ｈにおいて、ｊ番目のブロックに対応して出力されるデータ信号ｄjの電圧変化が示されている。
当該水平走査期間Ｈにおけるデータ信号ｄjの電圧は、正極性書込であれば、ノーマリーホワイトモードにおいて最も暗い状態に相当する電圧Ｖbpから最も明るい状態に相当する電圧Ｖwpまでの範囲で、一方、負極性書込であれば、最も暗い状態に相当する電圧Ｖbmから最も明るい状態に相当する電圧Ｖwmまでの範囲で、それぞれコモン電極１０８の電圧Ｖcomからサブ画素の階調に応じた差を有する電圧となる。
なお、階調の差に応じた電圧は、図５において正極性であれば↑で、負極性であれば↓で、それぞれ示されている。ここで、（ｉ、ｊ−Ｒ）は、ｉ行目の走査線とｊ番目のブロックにおけるＲ系列のデータ線との交差に対応するサブ画素という意味であり、同様に（ｉ、ｊ−Ｇ）、（ｉ、ｊ−Ｂ）は、ｉ行目の走査線とｊ番目のブロックにおけるＧ、Ｂ系列のデータ線との交差に対応するサブ画素という意味である。
また、正極性電圧Ｖwp（およびＶbp）と、負極性電圧Ｖwm（Ｖbm）とは、それぞれ電圧Ｖcomを中心にして、互いに対称の関係にある。
【００２４】
本実施形態における電圧の基準は接地電位Ｇndであるが、書込極性については、液晶容量１４０におけるコモン電極の電位に対して、画素電極１１８の電位が高位であるか低位であるかを問題とするので、その基準電位については、コモン電極１０８の印加電圧Ｖcomである。すなわち、電圧comよりも高位側を正極性とし、低位側を負極性としている。
なお、図５におけるデータ信号ｄjの電圧の縦スケールは、論理信号（Ｈレベルが電源電圧Ｖdd、Ｌレベルが電位Ｇnd）の電圧波形と比較して拡大してある。
【００２５】
さらに、ここではｉ行目の走査線１１２に位置する画素１行分についての書込動作について説明したが、実際には、１フレームにわたって走査信号Ｇ1〜Ｇ320が順番にＨレベルとなるから、画素１行分についての書込動作は、１、２、３、…、３２０行目の順番で実行されることになる。
加えて、次のフレームにおいても、同様な書き込み動作が、１、２、３、…、３２０行目の順番で実行されるが、このとき、液晶に対する書込極性は、正極性または負極性の他方に反転、すなわち、前フレームにおいて正極性であれば、次フレームでは負極性に反転される。これにより、液晶容量１４０に対する書込極性は、１フレーム毎に保持電圧が反転（交流駆動）されるので、直流成分の印加による液晶１０５の劣化が防止されることとなる。
【００２６】
本実施形態では、各ブロックを単位としてみたときに、図６に示されるように、負論理の選択信号が供給される３本の選択信号線５６は、それぞれ配線５２ａと１回交差するのに対し、正論理の選択信号が供給される３本の選択信号線５４は、それぞれ配線５２ｂと３回交差する。このため、１箇所の交差で生じる容量をＣとした場合、１本の選択信号線５６において１ブロック当たりの生じる容量はＣとなるが、１本の選択信号線５４において１ブロック当たりの生じる容量は３倍の３Ｃとなる。
上述したように、正論理の選択信号Ｓel-R（Ｓel-G、Ｓel-B）と、負論理の選択信号／Ｓel-R（／Ｓel-G、／Ｓel-B）とは、互いに同期して上位制御回路から供給されるが（図７における＜供給元＞を参照）、トランスミッションゲート５８には、＜Ｔゲート＞で示されるように到達する。すなわち、選択信号線５６において配線５２ａの交差により生じる容量は、選択信号線５４において配線５２ｂの交差により生じる容量の１／３であるので、トランスミッションゲート５８におけるｐチャネル型ＴＦＴ５８ｐのゲート電極に供給される負論理の選択信号／Ｓel-R（／Ｓel-G、／Ｓel-B）は、上位制御回路から比較的短い遅延時間ｄpをもって供給されるが、同じトランスミッションゲート５８におけるｎチャネル型ＴＦＴ５８ｎのゲート電極に供給される正論理の選択信号Ｓel-R（Ｓel-G、Ｓel-B）は、上位制御回路から比較的長い遅延時間ｄnをもって供給される。
【００２７】
このため、トランスミッションゲート５８においてオフ（off）状態からオン（on）状態への変化は、負論理の選択信号における立ち下がりで支配的に決定される一方、当該トランスミッションゲート５８においてオン状態からオフ状態への変化は、逆に正論理の選択信号における立ち下がりで支配的に決定される。したがって、本実施形態によれば、当該トランスミッションゲート５８がオフ状態からオン状態への変化と、オン状態からオフ状態への変化とは、いずれも急峻な特性となるので、データ信号を選択したデータ線に供給する期間を十分に確保することが可能となる。
【００２８】
また、本実施形態では、トランスミッションゲート５８を構成する２つのＴＦＴ５８ｐ、５８ｎを、データ線１１４の配列方向と直交する方向に設けられた選択信号線５４、５６の間において、その長手方向がデータ線１１４の配列方向に一直線上に揃うように、配設しているので、データ線１１４のピッチｐ（図３参照）を容易に短くすることが可能である。
すなわち、従来の例（比較例）では、図９に示されるように、トランスミッションゲート５８からみて、正論理および負論理の選択信号を同一方向から供給する構成であるので、これらの選択信号線からコンタクトホールを介してゲート電極に向かう配線数が、１ブロックあたり６個となってしまう。このため、比較例では、データ線１１４の狭ピッチ化が大きく阻害する。これに対して、本実施形態によれば、図３に示されるように、選択信号線５４、５６の間にトランスミッションゲート５８が位置するとともに、選択信号線からコンタクトホールを介してゲート電極に向かう配線がＴＦＴ５８ｐ、５８ｎの境界線Ａを中心とした対称形としているので、半分の３個で済む結果、データ線１１４の狭ピッチ化が容易となる。
【００２９】
さらに、本実施形態によれば、トランスミッションゲート５８における出力端に接続された配線５２ｂは、選択信号線５６との交差による容量成分を有するので、当該トランスミッションゲート５８をオンオフさせたときにデータ線１１４に供給されたデータ信号に加わるノイズ量を低減させることも可能となる。
【００３０】
なお、上述した実施形態において、正論理の選択信号を供給する３本の選択信号線５４と、負論理の選択信号を供給する３本の選択信号線５６とを入れ替えて、Ｘドライバ２０の側に、正論理の選択信号を供給しても良い。
また、上述した実施形態では、ブロックを構成するデータ線数ｍ、すなわち、１つのデータ信号の分配数ｍを「３」としたが、「２」以上であれば良い。また、Ｒ、Ｇ、Ｂの３つのサブ画素１１０によって１つのドットを構成したが、これに加えて例えばＣ（シアン）を加えた４色によって１つのドットを構成して、分配数を「４」または「４」の倍数としても良い。さらに、５色以上によって１つのドットを構成しても良い。
くわえて、上記デマルチプレクサ５０は、１から２４０番目までの各ブロックに対応させているが、１つのブロックに対応するものをデマルチプレクサ５０として概念することも可能である。このとき、デマルチプレクサは、１つの入力信号を、ｍ（ｍは２以上の整数であり、図１の例でいえば「３」）個の出力端のいずれかを選択して出力する構成となる。
【００３１】
さらに、実施形態では、サブ画素に対する極性の反転方式を面反転方式（フレーム反転方式）としたが、走査線毎に反転させる行反転や、データ毎に反転させる列反転、行方向および列方向に１サブ画素毎に反転させる方式としても良い。
上述した説明では、１フレーム毎に書込極性を反転したが、その理由は、液晶容量１４０を交流駆動するために過ぎないので、その反転周期は２フレーム以上の周期であっても良い。
さらに、液晶容量１４０はノーマリーホワイトモードとしたが、電圧無印加状態において暗い状態となるノーマリーブラックモードとしても良い。
【００３２】
また、上述した説明では、書込極性の基準をコモン電極１０８に印加される電圧Ｖcomとしているが、これは、サブ画素１１０におけるＴＦＴ１１６が理想的なスイッチとして機能する場合であり、実際には、ＴＦＴ１１６のゲート・ドレイン間の寄生容量に起因して、オンからオフに状態変化するときにドレイン（画素電極１１８）の電位が低下する現象（プッシュダウン、突き抜け、フィールドスルーなどと呼ばれる）が発生する。液晶の劣化を防止するため、液晶容量については交流駆動が原則であるが、コモン電極１０８への印加電圧Ｖcomを書込極性の基準として交流駆動すると、プッシュダウンのために、負極性書込による液晶容量１４０の電圧実効値が、正極性書込による実効値よりも若干大きくなってしまう（ＴＦＴ１１６がｎチャネルの場合）。このため、実際には、書込極性の基準電圧とコモン電極１０８の電圧comとを別々とし、詳細には、書込極性の基準電圧を、プッシュダウンの影響が相殺されるように、電圧Ｖcomよりも高位側にオフセットして設定される。
また、電気光学素子としては、液晶容量に限られず、例えばＥＬ（エレクトロルミネッセンス）素子にも適用可能である。すなわち、本発明は、データ信号をデマルチプレクサ５０によってデータ線１１４に分配する構成の電気光学装置のすべてに適用可能である。
【００３３】
次に、上述した実施形態に係る電気光学装置１を表示装置として有する電子機器について説明する。図８は、実施形態に係る電気光学装置１を用いた携帯電話１２００の構成を示す図である。
この図に示されるように、携帯電話１２００は、複数の操作ボタン１２０２のほか、受話口１２０４、送話口１２０６を備え、上述した表示領域１００が表示面として用いられるものである。なお、電気光学装置１のうち、表示領域１００以外の構成要素については外観としては現れない。
【００３４】
なお、電気光学装置１が適用される電子機器としては、図８に示される携帯電話の他にも、デジタルスチルカメラや、ノートパソコン、液晶テレビ、ビューファインダ型（またはモニタ直視型）のビデオレコーダ、カーナビゲーション装置、ページャ、電子手帳、電卓、ワードプロセッサ、ワークステーション、テレビ電話、ＰＯＳ端末、タッチパネルを備えた機器等などが挙げられる。そして、これらの各種電子機器の表示装置として、上述した電気光学装置１が適用可能であることは言うまでもない。
【図面の簡単な説明】
【００３５】
【図１】本発明の実施形態に係る電気光学装置の電気的な構成を示す図である。
【図２】同電気光学装置におけるサブ画素の構成を示す図である。
【図３】同電気光学装置におけるデマルチプレクサの構成を示す平面図である。
【図４】同デマルチプレクサの回路構成を示す図である。
【図５】同電気光学装置の動作を示す図である。
【図６】同デマルチプレクサにおける等価回路を示す図である。
【図７】同デマルチプレクサにおける動作を説明する回路を示す図である。
【図８】実施形態に係る電気光学装置を適用した携帯電話の構成を示す図である。
【図９】比較例に係るデマルチプレクサにおける等価回路を示す図である。
【符号の説明】
【００３６】
１…電気光学装置、１０…表示パネル、２０…Ｘドライバ、３０…Ｙドライバ、５０…デマルチプレクサ、５２ａ、５２ｂ…配線、５４、５６…選択信号線、５８…トランスミッションゲート、５８ｐ、５８ｎ…ＴＦＴ、１００…表示領域、１０５…液晶、１０８…コモン電極、１１０…サブ画素、１１２…走査線、１１４…データ線、１１６…ＴＦＴ、１１８…画素電極、１４０…液晶容量、１２００…携帯電話
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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