(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
ホログラフィを利用して情報を記録する記録層を少なくとも有する光記録媒体の情報を記録した該記録層に対し、曇価が７０〜１００％である光拡散部材を通した処理光を照射することを特徴とする光記録媒体の処理方法。
【請求項２】
処理光のエネルギー強度に対する波長の半値幅が５〜７００ｎｍである請求項１に記載の光記録媒体の処理方法。
【請求項３】
光記録媒体が、ライトワンス（ＷＯＲＭ）型である請求項１から２のいずれかに記載の光記録媒体の処理方法。
【請求項４】
ホログラフィを利用して情報を記録する記録層を少なくとも有する光記録媒体と、処理光光源と、該処理光光源と前記光記録媒体との間に、曇価が７０〜１００％である光拡散部材とを有する光記録媒体の処理装置であって、
前記光拡散部材を通過させた前記処理光光源からの処理光を、情報を記録した前記記録層に照射することを特徴とする光記録媒体の処理装置。
【請求項５】
処理光のエネルギー強度に対する波長の半値幅が５〜７００ｎｍである請求項４に記載の光記録媒体の処理装置。
【請求項６】
光記録媒体が、ライトワンス（ＷＯＲＭ）型である請求項４から５のいずれかに記載の光記録媒体の処理装置。
【請求項７】
請求項４から６のいずれかに記載の光記録媒体の処理手段を備えたことを特徴とする光記録再生装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ホログラフィを記録した厚膜の記録層を有する光記録媒体の処理方法及び光記録媒体の処理装置、並びに該光記録媒体の処理手段を備えた光記録再生装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
高密度画像データ等の大容量の情報を書き込み可能な記録媒体の一つとして光記録媒体が挙げられる。この光記録媒体としては、例えば光磁気ディスク、相変化型光ディスク等の書換型光記録媒体やＣＤ−Ｒ等の追記型光記録媒体については既に実用化されているが、光記録媒体の更なる大容量化に対する要求は高まる一方である。しかし、従来より提案されている光記録媒体は全て二次元記録であり、記録容量の増大化には限界があった。そこで、近時、三次元的に情報を記録可能なホログラム型の光記録媒体が注目されている。
【０００３】
前記ホログラム型光記録方法は、一般に、二次元的な強度分布が与えられた情報光と、該情報光と強度がほぼ一定な参照光とを感光性の記録層内部で重ね合わせ、それらが形成する干渉縞を利用して記録層内部に光学特性の分布を生じさせることにより、情報を記録する。一方、書き込んだ情報の読み出し（再生）は、記録時と同様の配置で参照光のみを記録層に照射し、記録層内部に形成された光学特性分布に対応した強度分布を有する再生光を前記記録層から出射させることにより行われる。
このホログラム型光記録方法では、記録層内に光学特性分布が三次元的に形成されるので、一の情報光により情報が書き込まれた領域と、他の情報光により情報が書き込まれた領域とを部分的に重ね合わせること、即ち、多重記録が可能である。デジタルボリュームホログラフィを利用した場合には、１スポットの信号対雑音比（Ｓ／Ｎ比）は極めて高くなるので、重ね書きによりＳ／Ｎ比が多少低くなっても元の情報を忠実に再現できる。その結果、多重記録回数が数百回までに及び、光記録媒体の記録容量を著しく増大させることができる（特許文献１参照）。
【０００４】
前記光記録媒体としては、例えば、図１に示すように、情報光の光軸と参照光の光軸とが、同軸となるようにして、該情報光及び参照光を照射して記録する方式に用いられ、第一の基板１、第一ギャップ層８、フィルタ層６、第二ギャップ層７、記録層４、第二の基板５がこの順に積層された光記録媒体２１などが挙げられる。
このような現在提案されているホログラフィック光記録媒体のうち、追記又は書き換え可能な光記録媒体（ライトワンス型、リライタブル型）は、長期保存性及び繰り返し再生を行うため、記録を行った後、記録層を不感化する処理を行うことが好ましい。特に記録層にフォトポリマーを用いたライトワンス型の光記録媒体では、この不感化処理を適正に行うことにより記録像が良好に保持され、その長期保存性及び繰り返し再生耐久性を不感化処理前に比べて劇的に増大させることが可能である。
しかし、ホログラフィを利用して情報を記録する厚膜の記録層を有する光記録媒体については、情報が記録された記録層が厚膜であるがゆえに、上記不感化処理に際して不可測の物性変化が生じて、記録像が正しく再生できなくなるという問題がある。
【０００５】
【特許文献１】特開２００２−１２３９４９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本発明は、従来における前記問題を解決し、以下の目的を達成することを課題とする。即ち、本発明は、ホログラフィを利用して情報を記録する厚膜の記録層を有する光記録媒体に対し、該記録層の不感化処理時に情報の劣化を伴うことなく、記録像の長期保存性及び繰り返し再生耐久性を増大させることが可能な光記録媒体の処理方法及び光記録媒体の処理装置、並びに該光記録媒体の処理装置を備えた光記録再生装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
前記課題を解決するための手段としては、以下の通りである。即ち、
＜１＞  ホログラフィを利用して情報を記録する記録層を少なくとも有する光記録媒体の情報を記録した該記録層に対し、曇価が７０〜１００％である光拡散部材を通した処理光を照射することを特徴とする光記録媒体の処理方法である。
＜２＞  処理光のエネルギー強度に対する波長の半値幅が５〜７００ｎｍである前記＜１＞に記載の光記録媒体の処理方法である。
＜３＞  光記録媒体が、ライトワンス（ＷＯＲＭ）型である前記＜１＞から＜２＞のいずれかに記載の光記録媒体の処理方法である。
＜４＞  ホログラフィを利用して情報を記録する記録層を少なくとも有する光記録媒体と、処理光光源と、該処理光光源と前記光記録媒体との間に、曇価が７０〜１００％である光拡散部材とを有する光記録媒体の処理装置であって、
前記光拡散部材を通過させた前記処理光光源からの処理光を、情報を記録した前記記録層に照射することを特徴とする光記録媒体の処理装置である。
＜５＞  処理光のエネルギー強度に対する波長の半値幅が５〜７００ｎｍである前記＜４＞に記載の光記録媒体の処理装置である。
＜６＞  光記録媒体が、ライトワンス（ＷＯＲＭ）型である前記＜４＞から＜５＞のいずれかに記載の光記録媒体の処理装置である。
＜７＞  前記＜４＞から＜６＞のいずれかに記載の光記録媒体の処理手段を備えたことを特徴とする光記録再生装置である。
【０００８】
本発明の光記録媒体の処理方法は、ホログラフィを利用して情報を記録する記録層を少なくとも有する光記録媒体の情報を記録した該記録層に対し、曇価が７０〜１００％である光拡散部材を通した処理光を照射することにより、体積ホログラフィを利用して情報を記録する厚膜の記録層の不感化処理時に情報の劣化を伴うことなく、記録像の長期保存性及び繰り返し再生耐久性を増大させることができる。
【０００９】
本発明の光記録媒体の処理装置は、ホログラフィを利用して情報を記録する記録層を少なくとも有する光記録媒体と、処理光光源と、該処理光光源と前記光記録媒体との間に、曇価が７０〜１００％である光拡散部材とを有してなり、前記光拡散部材を通過させた前記処理光光源からの処理光を、情報を記録した前記記録層に照射する。その結果、情報を記録した記録層の不感化処理時に情報の劣化を伴うことなく、記録像の長期保存性及び繰り返し再生耐久性を増大させることができる。
【発明の効果】
【００１０】
本発明によると、従来における諸問題を解決でき、ホログラフィを利用して情報を記録する厚膜の記録層を有する光記録媒体に対し、該情報を記録した記録層の不感化処理時に情報の劣化を伴うことなく、記録像の長期保存性及び繰り返し再生耐久性を増大させることが可能な光記録媒体の処理方法及び光記録媒体の処理装置、並びに該光記録媒体の処理装置を備えた光記録再生装置を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１１】
（光記録媒体の処理方法及び光記録媒体の処理装置）
本発明の光記録媒体の処理方法は、ホログラフィを利用して情報を記録する記録層を少なくとも有する光記録媒体の情報を記録した該記録層に対し、曇価が７０〜１００％である光拡散部材を通した処理光を照射する。
本発明の光記録媒体の処理装置は、ホログラフィを利用して情報を記録する記録層を少なくとも有する光記録媒体と、処理光光源と、該処理光光源と前記光記録媒体との間に、曇価が７０〜１００％である光拡散部材とを有してなり、前記光拡散部材を通過させた前記処理光光源からの処理光を、情報を記録した前記記録層に照射する。
以下、本発明の光記録媒体の処理方法及び本発明の光記録媒体の処理装置について詳細に説明する。
【００１２】
−処理光光源−
前記処理光光源としては、特に制限はなく、目的に応じて任意の光源が利用可能であり、例えば蛍光灯、水銀ランプ、キセノンランプ、ハロゲンランプ、発光ダイオード、レーザー、フラッシュランプなどが挙げられる。また、これらの光源からの光を光ファイバー、レンズ光学系、光導波路等を用いて導光し光を出射することも可能である。また、複数の光源を併用してもよい。この場合、上記光源の複数種を任意に組み合わせてもよいし、同一種の光源を複数併用してもよく、その光源の波長域が異なる光源同士を組み合わせてもよいし、同一の波長域を有する光源同士を組み合わせてもよい。これらの中でも、光源からの発熱、及び設備の簡便さから、発光ダイオードを用いることが好ましく、異なる波長域を有する複数種の発光ダイオードを併用することがより好ましい。
【００１３】
前記光源の波長としては、特に制限はなく、用いる光記録媒体の記録層の感光波長に応じて適宜選択されるが、３００〜１，０００ｎｍが好ましく、３５０〜７００ｎｍがより好ましく、４００〜６００ｎｍが更に好ましい。この波長範囲において、不感化処理は困難を伴うことなく円滑に行われる。前記波長が１，０００ｎｍを超えると、一光子あたりのエネルギーが少なくなることによって長時間の処理が必要となり処理を煩雑化する原因となることがあり、３００ｎｍ未満であると、一光子あたりのエネルギーが大きすぎることにより記録層及びその他の光記録媒体中の部材に対して不可測の物性変化を引き起こす要因となるおそれがある。
【００１４】
−光拡散部材−
前記光拡散部材は、その曇価が７０〜１００％であり、７２〜９５％が好ましく、７５〜９０％がより好ましい。この範囲の光拡散部材を用いることによって、情報を記録した記録層の不感化処理時に情報の劣化を伴うことなく、記録像の長期保存性及び繰り返し再生耐久性を増大させることができる。
なお、後述するように、複数の光拡散部材を重層して用いる場合は、重層した光拡散部材が上記曇価の範囲を満たせば個々の光拡散部材の曇価については特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、１５〜１００％が好ましく、３０〜９０％がより好ましく、４０〜９０％が更に好ましい。
ここで、前記曇価はヘイズとも呼ばれ、光拡散部材を通過する透過光のうち、前方散乱によって入射光から２．５°以上それた透過光の百分率であり、「全光線透過率（平行透過率＋拡散透過率）に対する拡散透過率の比」として定義される。前記曇価は、例えばＪＩＳ  Ｋ７１３６、ＪＩＳ  Ｋ７１０５などに記載の手法に準拠して測定することができる。
【００１５】
前記光拡散部材としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、例えば曇りガラス、曇りのある樹脂シート、曇りのある樹脂片、光拡散性のある液体を封入したセル、液晶パネル等が挙げられる。これらの中でも、曇りガラス、曇りのある樹脂シート、曇りのある樹脂片が特に好ましい。
【００１６】
前記曇りガラスとしては、フッ化水素で処理したものでもよいし、ブラッシュグレイン、サンドブラストなどにより表面に細かい凹凸をつけたものでもよい。これらの中でも、曇価の高さから、フッ化水素処理を行ったものが特に好ましい。
【００１７】
前記曇りのある樹脂シート又は曇りのある樹脂片としては、例えば、トリアセチルセルロース等のアセテート系樹脂；ポリエステル系樹脂、ポリエーテルスルホン系樹脂、ポリスルホン系樹脂、ポリカーボネート系樹脂、ポリアミド系樹脂、ポリイミド系樹脂、ポリオレフィン系樹脂、アクリル系樹脂、ポリノルボルネン系樹脂、セルロース系樹脂、ポリアリレート系樹脂、ポリスチレン系樹脂、ポリビニルアルコール系樹脂、ポリ塩化ビニル系樹脂、ポリ塩化ビニリデン系樹脂、ポリアクリル系樹脂、ポリ乳酸系樹脂などの樹脂を延伸又はキャスティングしたもの、又は成形したものに対し、例えば、化学的な処理を施したり、延伸の際に生じる相分離を利用したり、ブラッシュグレインやサンドブラストにより表面に細かい傷をつけたり、表面に粒子を塗布又は付着させて、光拡散性を付与したものが好適に用いられる。前記樹脂の素材としては、光学的な透明性から、トリアセチルセルロースのキャスティングフィルム又はポリエチレンテレフタラート（ＰＥＴ）の延伸フィルム、ポリエチレン又はポリプロピレン、ポリシクロオレフィンの延伸フィルムなどが好適に用いられる。
【００１８】
前記光拡散部材の設置方法としては、光源を直接覆ってもよいし、光記録媒体に近接して設置してもよいし、光源と光記録媒体との光路上にある間隔をもって配置してもよい。ただし、本発明においては、光源から発生し、光記録媒体に照射される光は全て前記光拡散部材を少なくとも１度は通過するよう該光拡散部材は設置される。前記光拡散部材は、上記で述べた具体例のうち、複数種のものを併用してもよいし、単一種のもののみを使用してもよい。また、前記光拡散部材を複数設けてもよいが、この場合は、用いる全ての光拡散部材を重層した状態において、上述した方法に準じて曇価を測ることが好ましい。
前記光源及び光拡散部材は、後述する光記録再生装置に搭載されていてもよいし、別個の装置であってもよい。中でも、情報を記録直後に速やかに処理を行える点において、光記録再生装置に搭載されていることが好ましい。
【００１９】
前記光源から出射され、上記光拡散部材を通過した光は、任意の経路で光記録媒体へと照射されることが可能である。この任意の経路とは、例えば、レンズやミラーなどを用いた光学系であってもよいし、光ファイバーや光導波路を用いた光導波手段などであってもよい。なお、このような経路を設置せず、光拡散部材から直接光記録媒体へ光を照射してもよい。
【００２０】
前記光源から光拡散部材、光拡散部材から光記録媒体までの光路上に設けることが可能な光学要素としては、例えば、位相変調素子、空間変調素子、ビームスプリッター、波長可変装置、透過光波長を制限する光学フィルタ、ミラー、ポリゴンミラー、ピンホール、スリット、１／Ｘ波長板、光導波路、光ファイバー、レンズ、干渉レンズなどが挙げられる。
【００２１】
前記光記録媒体の記録層に照射される処理光の、エネルギー強度に対する波長の半値幅は、５〜７００ｎｍが好ましく、３０〜３００ｎｍがより好ましく、５０〜１００ｎｍが更に好ましい。ここで、前記エネルギー強度に対する波長の半値幅とは、波長を横軸、エネルギー強度を縦軸にとった際、エネルギー強度のピーク値に対し、エネルギー強度がそのピーク値の１／２となる波長の最大値と最小値との差である。このときのエネルギー強度の単位は、Ｗ（ワット）又はｅＶ（エレクトロンボルト）が用いられる。この値は、任意の光量計を用いて測定することが可能である。上記半値幅範囲において、情報の劣化を最小限に抑えつつ、情報の長期保存性及び繰り返し再生耐久性を増すことが可能となる。前記半値幅が７００ｎｍを超えると、上限の波長又は下限の波長が光記録媒体の部材あるいは記録層成分に過剰に吸収され、不測の物性変化を起こした結果情報の劣化を誘起する、あるいは、吸収により記録層の処理に十分なエネルギーを与えられず処理効率を低下させるおそれがある。一方、前記半値幅が５ｎｍ未満であると、記録層に反射、回折、屈折、厚みムラ等による光干渉縞が描かれた結果、情報の劣化を促進するおそれがある。
【００２２】
＜光記録媒体＞
前記光記録媒体としては、ホログラフィを利用して情報を記録する記録層を少なくとも有してなり、更に必要に応じてその他の層を有してなる。前記光記録媒体としては、ライトワンス（ＷＯＲＭ）型が好適である。
【００２３】
前記光記録媒体は、ホログラムの原理を利用して記録再生可能なものであれば特に制限はなく、２次元などの情報を記録する比較的薄型の平面ホログラムや立体像など多量の情報を記録する体積ホログラムであってもよく、透過型及び反射型のいずれであってもよい。また、ホログラムの記録方式もいずれであってもよく、例えば、振幅ホログラム、位相ホログラム、ブレーズドホログラム、複素振幅ホログラムなどでもよい。
【００２４】
前記光記録媒体は、ホログラフィを利用して情報を記録する記録層を有していれば特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、少なくとも第一の基板と、選択反射層と、記録層と、第二の基板とをこの順に有するものが好ましく、更に必要に応じてその他の層を有してなる。
【００２５】
−記録層−
前記記録層は、少なくともバインダー、重合性モノマー、及び重合開始剤を含み、更に必要に応じてその他の成分を含有してなる。
【００２６】
前記バインダーとしては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、例えば、アクリル系樹脂、ウレタン系樹脂、ポリエステル系樹脂、ポリカーボネート系樹脂、ノルボルネン系樹脂、スチレン系樹脂、ポリエーテルスルホン系樹脂、シリコーン樹脂、ポリアミド樹脂、ポリイミド樹脂、ポリシロキサン系樹脂、フッ素系樹脂、ポリブタジエン系樹脂、ビニルエーテル系樹脂、ビニルエステル系樹脂などが挙げられる。これらは、１種単独で使用してもよいし、２種以上を併用してもよい。
【００２７】
前記バインダーの添加量としては、前記ホログラム記録層の全質量に対し、５０〜９９質量％の範囲が好ましく、６０〜９８質量％の範囲が更に好ましく、７０〜９５％の範囲が特に好ましい。この範囲において感度、多重度、保存性に優れた記録層を得ることができる。前記バインダーの添加量が５０質量％未満であると、長期間保存する際に情報が失われるおそれがあり、９９質量％を超えると、モノマーを十分に含むことができないために感度、多重度において満足しうる記録層を得ることができないことがある。
【００２８】
前記重合性モノマーは、カチオン重合性モノマー、ラジカル重合性モノマーが利用可能であり、いずれか一種のみを使用してもよいし、併用してもよい。
【００２９】
前記カチオン重合性モノマーとしては、多価アルコール又はそのアルキレンオキサイド付加体のジ又はポリグリシジルエーテル等が挙げられ、具体的には、ジグリセロールポリグリシジルエーテル、ペンタエリスリトールポリグリシジルエーテル、１，４−ビス（２，３−エポキシプロポキシパーフルオロイソプロピル）シクロヘキサン、ソルビトールポリグリシジルエーテル、トリメチロールプロパンポリグリシジルエーテル、レゾルシンジグリシジルエーテル、１，６−ヘキサンジオールジグリシジルエーテル、ポリエチレングリコールジグリシジルエーテル、フェニルグリシジルエーテル、ｐ−ｔｅｒｔ−ブチルフェニルグリシジルエーテル、アジピン酸ジグリシジルエステル、オルソフタル酸ジグリシジルエステル、ジブロモフェニルグリシジルエーテル、ジブロモネオペンチルグリコールジグリシジルエーテル、１，２，７，８−ジエポキシオクタン、１，６−ジメチロールパーフルオロヘキサンジグリシジルエーテルなどが挙げられる。
【００３０】
芳香族エポキシドとしては、少なくとも１個の芳香族核を有する多価フェノール又はそのアルキレンオキサイド付加体とエピクロルヒドリンとの反応によって製造されるジ又はポリグリシジルエーテル、例えば、ビスフェノールＡ又はそのアルキレンオキサイド付加体のジ又はポリグリシジルエーテル、水素添加ビスフェノールＡ又はそのアルキレンオキサイド付加体のジ又はポリグリシジルエーテル、ノボラック型エポキシ樹脂などが挙げられる。なお、前記アルキレンオキサイドとしては、エチレンオキサイド、プロピレンオキサイドなどが挙げられる。
【００３１】
グリシジルエーテル化合物のグリシジルエーテル基を、２−オキセタニル−ｎ−プロピルエーテル、２−オキセタニル−ｎ−ブチルエーテル、２−オキセタニル−ｎ−ペンチルエーテル、２−オキセタニル−ｎ−ヘキシルエーテル、２−オキセタニル−３−フェニルエチルエーテル、２−オキセタニル−２−ベンジル−エチルエーテル、３−オキセタニル−ｎ−ブチルエーテル、３−オキセタニル−ｎ−ペンチルエーテル、３−オキセタニル−ｎ−ヘキシルエーテル、３−オキセタニル−３−フェニル−ｎ−プロピルエーテル、４−オキセタニル−ｎ−ペンチルエーテル、４−オキセタニル−ｎ−ヘキシルエーテル、４−オキセタニル−ｎ−ヘプチルエーテル、４−オキセタニル−４−フェニル−ｎ−ブチルエーテル、５−オキセタニル−ｎ−ヘキシルエーテルで置換したものが、オキセタン化合物として使用可能である。これらの化合物のうち、入手の容易性などの点から、２−オキセタニル−ｎ−プロピルエーテル、２−オキセタニル−ｎ−ブチルエーテルを用いた化合物が特に好ましい。
【００３２】
更に、脂環式エポキシドとしては、少なくとも１個のシクロへキセン又はシクロペンテン環等のシクロアルカン環を有する化合物を、過酸化水素、過酸等の適当な酸化剤でエポキシ化することによって得られる、シクロヘキセンオキサイド又はシクロペンテンオキサイド含有化合物が好ましく、具体例としては、４，４’−ビス（２，３−エポキシプロポキシパーフルオロイソプロピル）ジフェニルエーテル、３，４−エポキシシクロヘキシルメチル−３’，４’−エポキシシクロヘキサンカルボキシレート、３，４−エポキシシクロヘキシルオキシラン、１，２，５，６−ジエポキシ−４，７−メタノペルヒドロインデン、２−（３，４−エポキシシクロヘキシル）−３’，４’−エポキシ−１，３−ジオキサン−５−スピロシクロヘキサン、１，２−エチレンジオキシ−ビス（３，４−エポキシシクロヘキシルメタン）、４’，５’−エポキシ−２’−メチルシクロヘキシルメチル−４，５−エポキシ−２−メチルシクロヘキサンカルボキシレート、エチレングリコール−ビス（３，４−エポキシシクロヘキサンカルボキシレート）、ビス−（３，４−エポキシシクロヘキシルメチル）アジペート、ジ−２，３−エポキシシクロペンチルエーテルや、下記式で示す化合物、などが挙げられる。
【００３３】
【化１】
0004698470.tif 000002
【００３４】
ビニルエーテル化合物としては、例えば、エチレングリコールジビニルエーテル、ジエチレングリコールジビニルエーテル、トリエチレングリコールジビニルエーテル、プロピレングリコールジビニルエーテル、ジプロピレングリコールジビニルエーテル、ブタンジオールジビニルエーテル、ヘキサンジオールジビニルエーテル、シクロヘキサンジメタノールジビニルエーテル、１，４−シクロヘキサンジメタノールジビニルエーテル、トリメチロールプロパントリビニルエーテル等のジ又はトリビニルエーテル化合物；エチルビニルエーテル、ｎ−ブチルビニルエーテル、イソブチルビニルエーテル、オクタデシルビニルエーテル、シクロヘキシルビニルエーテル、ヒドロキシブチルビニルエーテル、２−エチルヘキシルビニルエーテル、シクロヘキサンジメタノールモノビニルエーテル、ｎ−プロピルビニルエーテル、イソプロピルビニルエーテル、イソプロペニルエーテル−Ｏ−プロピレンカーボネート、ドデシルビニルエーテル、ジエチレングリコールモノビニルエーテル、オクタデシルビニルエーテルビニル−２−クロロエチルエーテル等のモノビニルエーテル化合物；ビニルグリシジルエーテルなどが挙げられる。これらは、１種単独で使用してもよいし、２種以上を併用してもよい。
【００３５】
前記ラジカル重合性モノマーとして、例えば、不飽和カルボン酸（例えば、アクリル酸、メタクリル酸、イタコン酸、クロトン酸、イソクロトン酸、マレイン酸など）や、そのエステル類、アミド類が挙げられ、好ましくは、不飽和カルボン酸と多価アルコール化合物とのエステル、不飽和カルボン酸と多価アミン化合物とのアミド類が用いられる。また、ヒドロキシル基やアミカルボンカプト基等の求核性置換基を有する不飽和カルボン酸エステル或いはアミド類と単官能若しくは多官能イソシアネート類或いはエポキシ類との付加反応物、及び単官能若しくは、多官能のカルボン酸との脱水縮合反応物等も好適に使用される。また、イソシアネート基や、エポキシ基等の親電子性置換基を有する不飽和カルボン酸エステル或いはアミド類と単官能若しくは多官能のアルコール類、アミン類、チオール類との付加反応物、更にハロゲン基等の置換基を有する不飽和カルボン酸エステル或いはアミド類と単官能若しくは多官能のアルコール類、アミン類、チオール類との置換反応物も好適である。また、別の例として、前記の不飽和カルボン酸の代わりに、不飽和ホスホン酸、スチレン等に置き換えた化合物群を使用することも可能である。
【００３６】
多価アルコール化合物と不飽和カルボン酸とのエステルのモノマーとしては、アクリル酸エステルとして、例えばエチレングリコールジアクリレート、トリエチレングリコールジアクリレート、１，３−ブタンジオールジアクリレート、テトラメチレングリコールジアクリレート、プロピレングリコールジアクリレート、ネオペンチルグリコールジアクリレート、トリメチロールプロパントリアクリレート、トリメチロールプロパントリ（アクリロイルオキシプロピル）エーテル、トリメチロールエタントリアクリレート、ヘキサンジオールジアクリレート、１，４−シクロヘキサンジオールジアクリレート、テトラエチレングリコールジアクリレート、ペンタエリスリトールジアクリレート、ペンタエリスリトールトリアクリレート、ペンタエリスリトールテトラアクリレート、ジペンタエリスリトールジアクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサアクリレート、ソルビトールトリアクリレート、ソルビトールテトラアクリレート、ソルビトールペンタアクリレート、ソルビトールヘキサアクリレート、トリ（アクリロイルオキシエチル）イソシアヌレート、ポリエステルアクリレートオリゴマー、イソシアヌール酸ＥＯ変性トリアクリレート、ベンジルアクリレート、２−フェノキシエチルアクリレート、ナフチルアクリレート、イソボルニルアクリレート、トリブロモフェニルアクリレート、などが挙げられる。
【００３７】
メタクリル酸エステルとしては、例えば、テトラメチレングリコールジメタクリレート、トリエチレングリコールジメタクリレート、ネオペンチルグリコールジメタクリレート、トリメチロールプロパントリメタクリレート、トリメチロールエタントリメタクリレート、エチレングリコールジメタクリレート、１，３−ブタンジオールジメタクリレート、ヘキサンジオールジメタクリレート、ペンタエリスリトールジメタクリレート、ペンタエリスリトールトリメタクリレート、ペンタエリスリトールテトラメタクリレート、ジペンタエリスリトールジメタクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサメタクリレート、ソルビトールトリメタクリレート、ソルビトールテトラメタクリレート、ビス〔ｐ−（３−メタクリルオキシ−２−ヒドロキシプロポキシ）フェニル〕ジメチルメタン、ビス−〔ｐ−（メタクリルオキシエトキシ）フェニル〕ジメチルメタン、などが挙げられる。
【００３８】
イタコン酸エステルとしては、例えば、エチレングリコールジイタコネート、プロピレングリコールジイタコネート、１，３−ブタンジオールジイタコネート、１，４−ブタンジオールジイタコネート、テトラメチレングリコールジイタコネート、ペンタエリスリトールジイタコネート、ソルビトールテトライタコネート、などが挙げられる。
クロトン酸エステルとしては、例えば、エチレングリコールジクロトネート、テトラメチレングリコールジクロトネート、ペンタエリスリトールジクロトネート、ソルビトールテトラジクロトネート、などが挙げられる。
イソクロトン酸エステルとしては、例えば、エチレングリコールジイソクロトネート、ペンタエリスリトールジイソクロトネート、ソルビトールテトライソクロトネート、などが挙げられる。
マレイン酸エステルとしては、例えば、エチレングリコールジマレート、トリエチレングリコールジマレート、ペンタエリスリトールジマレート、ソルビトールテトラマレート、などが挙げられる。
【００３９】
その他のエステルとしては、特許第２８４９０２１号公報に記載の９，９−ジアリールフルオレン骨格を有するエステル類；特開平８−１０１４９９号公報、特許３５３２６７９号公報に記載のシロキサン結合含有（メタ）アクリレート類；特開２００１−１２５４７４号公報に記載のビフェニルを含んだ（メタ）アクリレート類；特開平７−１９９７７７号公報、特開平７−１９９７７９号公報、特開平７−１０４６４３号公報に記載のオリゴマー構造の（メタ）アクリレートなどが挙げられる。これらは、１種単独で使用してもよいし、２種以上を併用してもよい。
【００４０】
前記重合性モノマーとしては、前記モノマー供給層の全固形分中における前記重合性モノマーの含有量が、０．５〜５０質量％が好ましく、１〜４０質量％がより好ましく、２〜３０質量％が特に好ましい。前記モノマー供給層に含まれる重合性モノマーの含有量は、前記記録層の全固形分中における前記重合性モノマーの含有量よりも上回っていることが好ましい。
【００４１】
前記重合開始剤としては、特に制限はなく、公知の各種の系が利用可能ある。開始剤系は、単一の化合物でなる系でもよいし、複数の化合物からなる系であってもよい。開始剤系は、ラジカル重合を活性化する系と、カチオン重合又は開環重合を活性化する系とを、単一の開始剤系で行ってもよいし、異なる２つの開始剤系で各々行ってもよい。
【００４２】
前記光カチオン重合又は開環重合開始剤としては、光酸発生剤が好ましく、該光酸発生剤としては、例えばトリクロロメチル−ｓ−トリアジン類、ジアリールヨードニウム塩類、トリアリールスルホニウム塩類、第四アンモニウム塩類、スルホン酸エステル類、などが挙げられる。
【００４３】
前記トリクロロメチル−ｓ−トリアジン類としては、例えば２，４，６−トリス（トリクロロメチル）−ｓ−トリアジン、２−フェニル−４，６−ビス（トリクロロメチル）−ｓ−トリアジン、２−（４−クロロフェニル）−４，６−ビス（トリクロロメチル）−ｓ−トリアジン、２−（３−クロロフェニル）−４，６−ビス（トリクロロメチル）−ｓ−トリアジン、２−（２−クロロフェニル）−４，６−ビス（トリクロロメチル）−ｓ−トリアジン、２−（４−メトキシフェニル）−４，６−ビス（トリクロロメチル）−ｓ−トリアジン、２−（３−メトキシフェニル）−４，６−ビス（トリクロロメチル）−ｓ−トリアジン、２−（２−メトキシフェニル）−４，６−ビス（トリクロロメチル）−ｓ−トリアジン、２−（４−メチルチオフェニル）−４，６−ビス（トリクロロメチル）−ｓ−トリアジン、２−（３−メチルチオフェニル）−４，６−ビス（トリクロロメチル）−ｓ−トリアジン、２−（２−メチルチオフェニル）−４，６−ビス（トリクロロメチル）−ｓ−トリアジン、２−（４−メトキシナフチル）−４，６−ビス（トリクロロメチル）−ｓ−トリアジン、２−（３−メトキシナフチル）−４，６−ビス（トリクロロメチル）−ｓ−トリアジン、２−（２−メトキシナフチル）−４，６−ビス（トリクロロメチル）−ｓ−トリアジン、２−（４−メトキシ−β−スチリル）−４，６−ビス（トリクロロメチル）−ｓ−トリアジン、２−（３−メトキシ−β−スチリル）−４，６−ビス（トリクロロメチル）−ｓ−トリアジン、２−（２−メトキシ−β−スチリル）−４，６−ビス（トリクロロメチル）−ｓ−トリアジン、２−（３，４，５−トリメトキシ−β−スチリル）−４，６−ビス（トリクロロメチル）−ｓ−トリアジン、２−（４−メチルチオ−β−スチリル）−４，６−ビス（トリクロロメチル）−ｓ−トリアジン、２−（３−メチルチオ−β−スチリル）−４，６−ビス（トリクロロメチル）−ｓ−トリアジン、２−（３−メチルチオ−β−スチリル）−４，６−ビス（トリクロロメチル）−ｓ−トリアジン、２−ピペロニル−４，６−ビス（トリクロロメチル）−ｓ−トリアジン、２−［２−（フラン−２−イル）エテニル］−４，６−ビス（トリクロロメチル）−ｓ−トリアジン、２−［２−（５−メチルフラン−２−イル）エテニル］−４，６−ビス（トリクロロメチル）−ｓ−トリアジン、２−［２−（４−ジエチルアミノ−２−メチルフェニル）エテニル］−４，６−ビス（トリクロロメチル）−ｓ−トリアジン、などが挙げられる。
【００４４】
前記ジアリールヨードニウム塩類としては、例えばジフェニルヨードニウムテトラフルオロボレート、ジフェニルヨードニウムヘキサフルオロホスホネート、ジフェニルヨードニウムヘキサフルオロアルセネート、ジフェニルヨードニウムトリフルオロメタンスルホナート、ジフェニルヨードニウムトリフルオロアセテート、ジフェニルヨードニウム−ｐ−トルエンスルホナート、ジフェニルヨードニウムブチルトリス（２，６−ジフルオロフェニル）ボレート、ジフェニルヨードニウムヘキシルトリス（ｐ−クロロフェニル）ボレート、ジフェニルヨードニウムヘキシルトリス（３−トリフルオロメチルフェニル）ボレート、４−メトキシフェニルフェニルヨードニウムテトラフルオロボレート、４−メトキシフェニルフェニルヨードニウムヘキサフルオロホスホネート、４−メトキシフェニルフェニルヨードニウムヘキサフルオロアルセネート、４−メトキシフェニルフェニルヨードニウムトリフルオロメタンスルホナート、４−メトキシフェニルフェニルヨードニウムトリフルオロアセテート、４−メトキシフェニルフェニルヨードニウム−ｐ−トルエンスルホナート、４−メトキシフェニルフェニルヨードニウムブチルトリス（２，６−ジフルオロフェニル）ボレート、４−メトキシフェニルフェニルヨードニウムヘキシルトリス（ｐ−クロロフェニル）ボレート、４−メトキシフェニルフェニルヨードニウムヘキシルトリス（３−トリフルオロメチルフェニル）ボレート、ビス（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）ヨードニウムテトラフルオロボレート、ビス（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）ヨードニウムヘキサフルオロアルセネート、ビス（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）ヨードニウムトリフルオロメタンスルホナート、ビス（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）ヨードニウムトリフルオロアセテート、ビス（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）ヨードニウム−ｐ−トルエンスルホナート、ビス（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）ヨードニウムブチルトリス（２，６−ジフルオロフェニル）ボレート、ビス（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）ヨードニウムヘキシルトリス（ｐ−クロロフェニル）ボレート、ビス（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）ヨードニウムヘキシルトリス（３−トリフルオロメチルフェニル）ボレートなどが挙げられる。
【００４５】
前記トリアリールスルホニウム塩類としては、例えばトリフェニルスルホニウムテトラフルオロボレート、トリフェニルスルホニウムヘキサフルオロホスホネート、トリフェニルスルホニウムヘキサフルオロアルセネート、トリフェニルスルホニウムトリフルオロメタンスルホナート、トリフェニルスルホニウムトリフルオロアセテート、トリフェニルスルホニウム−ｐ−トルエンスルホナート、トリフェニルスルホニウムブチルトリス（２，６−ジフルオロフェニル）ボレート、トリフェニルスルホニウムヘキシルトリス（ｐ−クロロフェニル）ボレート、トリフェニルスルホニウムヘキシルトリス（３−トリフルオロメチルフェニル）ボレート、４−メトキシフェニルジフェニルスルホニウムテトラフルオロボレート、４−メトキシフェニルジフェニルスルホニウムヘキサフルオロホスホネート、４−メトキシフェニルジフェニルスルホニウムヘキサフルオロアルセネート、４−メトキシフェニルジフェニルスルホニウムトリフルオロメタンスルホナート、４−メトキシフェニルジフェニルスルホニウムトリフルオロアセテート、４−メトキシフェニルジフェニルスルホニウム−ｐ−トルエンスルホナート、４−メトキシフェニルジフェニルスルホニウムブチルトリス（２，６−ジフルオロフェニル）ボレート、４−メトキシフェニルジフェニルスルホニウムヘキシルトリス（ｐ−クロロフェニル）ボレート、４−メトキシフェニルジフェニルスルホニウムヘキシルトリス（３−トリフルオロメチルフェニル）ボレート、４−フェニルチオフェニルジフェニルスルホニウムテトラフルオロボレート、４−フェニルチオフェニルジフェニルスルホニウムヘキサフルオロホスホネート、４−フェニルチオフェニルジフェニルスルホニウムヘキサフルオロアルセネート、４−フェニルチオフェニルジフェニルスルホニウムトリフルオロメタンスルホナート、４−フェニルチオフェニルジフェニルスルホニウムトリフルオロアセテート、４−フェニルチオフェニルジフェニルスルホニウム−ｐ−トルエンスルホナート、４−フェニルチオフェニルジフェニルスルホニウムブチルトリス（２，６−ジフルオロフェニル）ボレート、４−フェニルチオフェニルジフェニルスルホニウムヘキシルトリス（ｐ−クロロフェニル）ボレート、４−フェニルチオフェニルジフェニルスルホニウムヘキシルトリス（３−トリフルオロメチルフェニル）ボレート、４−ヒドロキシ−１−ナフタレニル）ジメチルスルホニウムテトラフルオロボレート、４−ヒドロキシ−１−ナフタレニル）ジメチルスルホニウムヘキサフルオロホスホネート、４−ヒドロキシ−１−ナフタレニル）ジメチルスルホニウムヘキサフルオロアルセネート、４−ヒドロキシ−１−ナフタレニル）ジメチルスルホニウムトリフルオロメタンスルホナート、４−ヒドロキシ−１−ナフタレニル）ジメチルスルホニウムトリフルオロアセテート、４−ヒドロキシ−１−ナフタレニル）ジメチルスルホニウム−ｐ−トルエンスルホナート、４−ヒドロキシ−１−ナフタレニル）ジメチルスルホニウムブチルトリス（２，６−ジフルオロフェニル）ボレート、４−ヒドロキシ−１−ナフタレニル）ジメチルスルホニウムヘキシルトリス（ｐ−クロロフェニル）ボレート、４−ヒドロキシ−１−ナフタレニル）ジメチルスルホニウムヘキシルトリス（３−トリフルオロメチルフェニル）ボレート、などが挙げられる。
【００４６】
前記第四アンモニウム塩類としては、例えばテトラメチルアンモニウムテトラフルオロボレート、テトラメチルアンモニウムヘキサフルオロホスホネート、テトラメチルアンモニウムヘキサフルオロアルセネート、テトラメチルアンモニウムトリフルオロメタンスルホナート、テトラメチルアンモニウムトリフルオロアセテート、テトラメチルアンモニウム−ｐ−トルエンスルホナート、テトラメチルアンモニウムブチルトリス（２，６−ジフルオロフェニル）ボレート、テトラメチルアンモニウムヘキシルトリス（ｐ−クロロフェニル）ボレート、テトラメチルアンモニウムヘキシルトリス（３−トリフルオロメチルフェニル）ボレート、テトラブチルアンモニウムテトラフルオロボレート、テトラブチルアンモニウムヘキサフルオロホスホネート、テトラブチルアンモニウムヘキサフルオロアルセネート、テトラブチルアンモニウムトリフルオロメタンスルホナート、テトラブチルアンモニウムトリフルオロアセテート、テトラブチルアンモニウム−ｐ−トルエンスルホナート、テトラブチルアンモニウムブチルトリス（２，６−ジフルオロフェニル）ボレート、テトラブチルアンモニウムヘキシルトリス（ｐ−クロロフェニル）ボレート、テトラブチルアンモニウムヘキシルトリス（３−トリフルオロメチルフェニル）ボレート、ベンジルトリメチルアンモニウムテトラフルオロボレート、ベンジルトリメチルアンモニウムヘキサフルオロホスホネート、ベンジルトリメチルアンモニウムヘキサフルオロアルセネート、ベンジルトリメチルアンモニウムトリフルオロメタンスルホナート、ベンジルトリメチルアンモニウムトリフルオロアセテート、ベンジルトリメチルアンモニウム−ｐ−トルエンスルホナート、ベンジルトリメチルアンモニウムブチルトリス（２，６−ジフルオロフェニル）ボレート、ベンジルトリメチルアンモニウムヘキシルトリス（ｐ−クロロフェニル）ボレート、ベンジルトリメチルアンモニウムヘキシルトリス（３−トリフルオロメチルフェニル）ボレート、ベンジルジメチルフェニルアンモニウムテトラフルオロボレート、ベンジルジメチルフェニルアンモニウムヘキサフルオロホスホネート、ベンジルジメチルフェニルアンモニウムヘキサフルオロアルセネート、ベンジルジメチルフェニルアンモニウムトリフルオロメタンスルホナート、ベンジルジメチルフェニルアンモニウムトリフルオロアセテート、ベンジルジメチルフェニルアンモニウム−ｐ−トルエンスルホナート、ベンジルジメチルフェニルアンモニウムブチルトリス（２，６−ジフルオロフェニル）ボレート、ベンジルジメチルフェニルアンモニウムヘキシルトリス（ｐ−クロロフェニル）ボレート、ベンジルジメチルフェニルアンモニウムヘキシルトリス（３−トリフルオロメチルフェニル）ボレート、Ｎ−シンナミリデンエチルフェニルアンモニウムテトラフルオロボレート、Ｎ−シンナミリデンエチルフェニルアンモニウムヘキサフルオロホスホネート、Ｎ−シンナミリデンエチルフェニルアンモニウムヘキサフルオロアルセネート、Ｎ−シンナミリデンエチルフェニルアンモニウムトリフルオロメタンスルホナート、Ｎ−シンナミリデンエチルフェニルアンモニウムトリフルオロアセテート、Ｎ−シンナミリデンエチルフェニルアンモニウム−ｐ−トルエンスルホナート、Ｎ−シンナミリデンエチルフェニルアンモニウムブチルトリス（２，６−ジフルオロフェニル）ボレート、Ｎ−シンナミリデンエチルフェニルアンモニウムヘキシルトリス（ｐ−クロロフェニル）ボレート、Ｎーシンナミリデンエチルフェニルアンモニウムヘキシルトリス（３−トリフルオロメチルフェニル）ボレート、などが挙げられる。
【００４７】
前記スルホン酸エステル類としては、例えば、α−ヒドロキシメチルベンゾイン−ｐ−トルエンスルホン酸エステル、α−ヒドロキシメチルベンゾイン−トリフルオロメタンスルホン酸エステル、α−ヒドロキシメチルベンゾイン−メタンスルホン酸エステル、ピロガロール−トリ（ｐ−トルエンスルホン酸）エステル、ピロガロール−トリ（トリフルオロメタンスルホン酸）エステル、ピロガロール−トリメタンスルホン酸エステル、２，４−ジニトロベンジル−ｐ−トルエンスルホン酸エステル、２，４−ジニトロベンジル−トリフルオロメタンスルホン酸エステル、２，４−ジニトロベンジル−メタンスルホン酸エステル、２，４−ジニトロベンジル−１，２−ナフトキノンジアジド−５−スルホン酸エステル、２，６−ジニトロベンジル−ｐ−トルエンスルホン酸エステル、２，６−ジニトロベンジル−トリフルオロメタンスルホン酸エステル、２，６−ジニトロベンジル−メタンスルホン酸エステル、２，６−ジニトロベンジル−１，２−ナフトキノンジアジド−５−スルホン酸エステル、２−ニトロベンジル−ｐ−トルエンスルホン酸エステル、２−ニトロベンジル−トリフルオロメタンスルホン酸エステル、２−ニトロベンジル−メタンスルホン酸エステル、２−ニトロベンジル−１，２−ナフトキノンジアジド−５−スルホン酸エステル、４−ニトロベンジル−ｐ−トルエンスルホン酸エステル、４−ニトロベンジル−トリフルオロメタンスルホン酸エステル、４−ニトロベンジル−メタンスルホン酸エステル、４−ニトロベンジル−１，２−ナフトキノンジアジド−５−スルホン酸エステル、Ｎ−ヒドロキシナフタルイミド−ｐ−トルエンスルホン酸エステル、Ｎ−ヒドロキシナフタルイミド−トリフルオロメタンスルホン酸エステル、Ｎ−ヒドロキシナフタルイミド−メタンスルホン酸エステル、Ｎ−ヒドロキシ−５−ノルボルネン−２，３−ジカルボキシイミド−ｐ−トルエンスルホン酸エステル、Ｎ−ヒドロキシ−５−ノルボルネン−２，３−ジカルボキシイミド−トリフルオロメタンスルホン酸エステル、Ｎ−ヒドロキシ−５−ノルボルネン−２，３−ジカルボキシイミド−メタンスルホン酸エステル、２，４，６，３’，４’，５’−ヘキサヒドロキシベンゾフェノン−１，２−ナフトキノンジアジド−４−スルホン酸エステル、１，１，１−トリ（ｐ−ヒドロキシフェニル）エタン−１，２−ナフトキノンジアジド−４−スルホン酸エステル、などが挙げられる。
【００４８】
これらの化合物のうち、トリクロロメチル−ｓ−トリアジン類としては、２−（３−クロロフェニル）−４，６−ビス（トリクロロメチル）−ｓ−トリアジン、２−（４−メトキシフェニル）−４，６−ビス（トリクロロメチル）−ｓ−トリアジン、２−（４−メチルチオフェニル）−４，６−ビス（トリクロロメチル）−ｓ−トリアジン、２−（４−メトキシ−β−スチリル）−４，６−ビス（トリクロロメチル）−ｓ−トリアジン、２−ピペロニル−４，６−ビス（トリクロロメチル）−ｓ−トリアジン、２−［２−（フラン−２−イル）エテニル］−４，６−ビス（トリクロロメチル）−ｓ−トリアジン、２−［２−（５−メチルフラン−２−イル）エテニル］−４，６−ビス（トリクロロメチル）−ｓ−トリアジン、２−［２−（４−ジエチルアミノ−２−メチルフェニル）エテニル］−４，６−ビス（トリクロロメチル）−ｓ−トリアジン又は２−（４−メトキシナフチル）−４，６−ビス（トリクロロメチル）−ｓ−トリアジン；ジアリールヨードニウム塩類としては、ジフェニルヨードニウムトリフルオロアセテート、ジフェニルヨードニウムトリフルオロメタンスルホナート、４−メトキシフェニルフェニルヨードニウムトリフルオロメタンスルホナート又は４−メトキシフェニルフェニルヨードニウムトリフルオロアセテート；トリアリールスルホニウム塩類としては、トリフェニルスルホニウムトリフルオロメタンスルホナート、トリフェニルスルホニウムトリフルオロアセテート、４−メトキシフェニルジフェニルスルホニウムトリフルオロメタンスルホナート、４−メトキシフェニルジフェニルスルホニウムトリフルオロアセテート、４−フェニルチオフェニルジフェニルスルホニウムトリフルオロメタンスルホナート又は４−フェニルチオフェニルジフェニルスルホニウムトリフルオロアセテート；第四アンモニウム塩類としては、テトラメチルアンモニウムブチルトリス（２，６−ジフルオロフェニル）ボレート、テトラメチルアンモニウムヘキシルトリス（ｐ−クロロフェニル）ボレート、テトラメチルアンモニウムヘキシルトリス（３−トリフルオロメチルフェニル）ボレート、ベンジルジメチルフェニルアンモニウムブチルトリス（２，６−ジフルオロフェニル）ボレート、ベンジルジメチルフェニルアンモニウムヘキシルトリス（ｐ−クロロフェニル）ボレート、ベンジルジメチルフェニルアンモニウムヘキシルトリス（３−トリフルオロメチルフェニル）ボレート；スルホン酸エステル類としては、２，６−ジニトロベンジル−ｐ−トルエンスルホン酸エステル、２，６−ジニトロベンジル−トリフルオロメタンスルホン酸エステル、Ｎ−ヒドロキシナフタルイミド−ｐ−トルエンスルホン酸エステル、Ｎ−ヒドロキシナフタルイミド−トリフルオロメタンスルホン酸エステル、などが挙げられる。
【００４９】
前記光ラジカル重合開始系としては、例えば、有機ハロゲン化化合物、カルボニル化合物、有機過酸化化合物、アゾ系重合開始剤、アジド化合物、メタロセン化合物、ヘキサアリールビイミダゾール化合物、有機ホウ酸化合物、ジスルホン酸化合物、オキシムエステル化合物、オニウム塩化合物、などが好適に挙げられる。
【００５０】
前記有機ハロゲン化化合物としては、具体的には、若林等、「Ｂｕｌｌ  Ｃｈｅｍ．Ｓｏｃ  Ｊａｐａｎ」４２、２９２４（１９６９）、米国特許第３，９０５，８１５号明細書、特公昭４６−４６０５号公報、特開昭４８−３６２８１号公報、特開昭５５−３２０７０号公報、特開昭６０−２３９７３６号公報、特開昭６１−１６９８３５号公報、特開昭６１−１６９８３７号公報、特開昭６２−５８２４１号公報、特開昭６２−２１２４０１号公報、特開昭６３−７０２４３号公報、特開昭６３−２９８３３９号公報、Ｍ．Ｐ．Ｈｕｔｔ“Ｊｕｒｎａｌ  ｏｆ  Ｈｅｔｅｒｏｃｙｃｌｉｃ  Ｃｈｅｍｉｓｔｒｙ”１（Ｎｏ３），（１９７０）」などに記載の化合物が挙げられる。これらの中でも、トリハロメチル基が置換したオキサゾール化合物、Ｓ−トリアジン化合物が特に好ましい。
【００５１】
より好適には、少なくとも一つのモノ、ジ、又はトリハロゲン置換メチル基がｓ−トリアジン環に結合したｓ−トリアジン誘導体、具体的には、例えば、２，４，６−トリス（モノクロロメチル）−ｓ−トリアジン、２，４，６−トリス（ジクロロメチル）−ｓ−トリアジン、２，４，６−トリス（トリクロロメチル）−ｓ−トリアジン、２−メチル−４，６−ビス（トリクロロメチル）−ｓ−トリアジン、２―ｎ−プロピル−４，６−ビス（トリクロロメチル）−ｓ−トリアジン、２−（α，α，β−トリクロロエチル）−４，６−ビス（トリクロロメチル）−ｓ−トリアジン、２−フェニル−４，６−ビス（トリクロロメチル）−ｓ−トリアジン、２−（ｐ−メトキシフェニル）−４，６−ビス（トリクロロメチル）−ｓ−トリアジン、２−（３，４−エポキシフェニル）−４、６−ビス（トリクロロメチル）−ｓ−トリアジン、２−（ｐ−クロロフェニル）−４，６−ビス（トリクロロメチル）−ｓ−トリアジン、２−〔１−（ｐ−メトキシフェニル）−２，４−ブタジエニル〕−４，６−ビス（トリクロロメチル）−ｓ−トリアジン、２−スチリル−４，６−ビス（トリクロロメチル）−ｓ−トリアジン、２−（ｐ−メトキシスチリル）−４，６−ビス（トリクロロメチル）−ｓ−トリアジン、２−（ｐ−ｉ−プロピルオキシスチリル）−４、６−ビス（トリクロロメチル）−ｓ−トリアジン、２−（ｐ−トリル）−４，６−ビス（トリクロロメチル）−ｓ−トリアジン、２−（４−ナトキシナフチル）−４，６−ビス（トリクロロメチル）−ｓ−トリアジン、２−フェニルチオ−４，６−ビス（トリクロロメチル）−ｓ−トリアジン、２−ベンジルチオ−４，６−ビス（トリクロロメチル）−ｓ−トリアジン、２，４，６−トリス（ジブロモメチル）−ｓ−トリアジン、２，４，６−トリス（トリブロモメチル）−ｓ−トリアジン、２−メチル−４，６−ビス（トリブロモメチル）−ｓ−トリアジン、２−メトキシ−４，６−ビス（トリブロモメチル）−ｓ−トリアジン、などが挙げられる。
【００５２】
前記カルボニル化合物としては、例えば、ベンゾフェノン、ミヒラーケトン、２−メチルベンゾフェノン、３−メチルベンゾフェノン、４−メチルベンゾフェノン、２−クロロベンゾフェノン、４−ブロモベンゾフェノン、２−カルボキシベンゾフェノン等のベンゾフェノン誘導体；２，２−ジメトキシ−２−フェニルアセトフェノン、２，２−ジエトキシアセトフェノン、１−ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトン、α−ヒドトキシ−２−メチルフェニルプロパノン、１−ヒドロキシ−１−メチルエチル−（ｐ−イソプロピルフェニル）ケトン、１−ヒドロキシ−１−（ｐ−ドデシルフェニル）ケトン、２−メチルー（４’−（メチルチオ）フェニル）−２−モルホリノ−１−プロパノン、１，１，１−トリクロロメチル−（ｐ−ブチルフェニル）ケトン等のアセトフェノン誘導体；チオキサントン、２−エチルチオキサントン、２−イソプロピルチオキサントン、２−クロロチオキサントン、２，４−ジメチルチオキサントン、２，４−ジエチルチオキサントン、２，４−ジイソプロピルチオキサントン等のチオキサントン誘導体；ｐ−ジメチルアミノ安息香酸エチル、ｐ−ジエチルアミノ安息香酸エチル等の安息香酸エステル誘導体、などが挙げられる。
【００５３】
前記アゾ化合物としては、例えば、特開平８−１０８６２１号公報に記載のアゾ化合物等を使用することができる。
【００５４】
前記有機過酸化化合物としては、例えば、トリメチルシクロヘキサノンパーオキサイド、アセチルアセトンパーオキサイド、１，１−ビス（ｔｅｒｔ−ブチルパーオキシ）−３，３，５−トリメチルシクロヘキサン、１，１−ビス（ｔｅｒｔ−ブチルパーオキシ）シクロヘキサン、２，２−ビス（ｔｅｒｔ−ブチルパーオキシ）ブタン、ｔｅｒｔ−ブチルハイドロパーオキサイド、クメンハイドロパーオキサイド、ジイソプロピルベンゼンハイドロパーオキサイド、２，５−ジメチルヘキサン−２，５−ジハイドロパーオキサイド、１，１，３，３−テトラメチルブチルハイドロパーオキサイド、ｔｅｒｔ−ブチルクミルパーオキサイド、ジクミルパーオキサイド、２，５−ジメチル−２，５−ジ（ｔｅｒｔ−ブチルパーオキシ）ヘキサン、２，５−オキサノイルパーオキサイド、過酸化こはく酸、過酸化ベンゾイル、２，４−ジクロロベンゾイルパーオキサイド、ジイソプロピルパーオキシジカーボネート、ジ−２−エチルヘキシルパーオキシジカーボネート、ジ−２−エトキシエチルパーオキシジカーボネート、ジメトキシイソプロピルパーオキシカーボネート、ジ（３−メチル−３−メトキシブチル）パーオキシジカーボネート、ｔｅｒｔ−ブチルパーオキシアセテート、ｔｅｒｔ−ブチルパーオキシピバレート、ｔｅｒｔ−ブチルパーオキシネオデカノエート、ｔｅｒｔ−ブチルパーオキシオクタノエート、ｔｅｒｔ−ブチルパーオキシラウレート、ターシルカーボネート、３，３’，４，４’−テトラ−（ｔ−ブチルパーオキシカルボニル）ベンゾフェノン、３，３’，４，４’−テトラ−（ｔ−ヘキシルパーオキシカルボニル）ベンゾフェノン、３，３’，４，４’−テトラ−（ｐ−イソプロピルクミルパーオキシカルボニル）ベンゾフェノン、カルボニルジ（ｔ−ブチルパーオキシ二水素二フタレート）、カルボニルジ（ｔ−ヘキシルパーオキシ二水素二フタレート）などが挙げられる。
【００５５】
前記メタロセン化合物としては、特開昭５９−１５２３９６号公報、特開昭６１−１５１１９７号公報、特開昭６３−４１４８４号公報、特開平２−２４９号公報、特開平２−４７０５号公報、特開平５−８３５８８号公報に記載の種々のチタノセン化合物、例えば、ジ−シクロペンタジエニル−Ｔｉ−ビス−フェニル、ジ−シクロペンタジエニル−Ｔｉ−ビス−２，６−ジフルオロフェニ−１−イル、ジ−シクロペンタジエニル−Ｔｉ−ビス−２，４−ジ−フルオロフェニ−１−イル、ジ−シクロペンタジエニル−Ｔｉ−ビス−２，４，６−トリフルオロフェニ−１−イル、ジ−シクロペンタジエニル−Ｔｉ−ビス−２，３，５，６−テトラフルオロフェニ−１−イル、ジ−シクロペンタジエニル−Ｔｉ−ビス−２，３，４，５，６−ペンタフルオロフェニ−１−イル、ジ−メチルシクロペンタジエニル−Ｔｉ−ビス−２，６−ジフルオロフェニ−１−イル、ジ−メチルシクロペンタジエニル−Ｔｉ−ビス−２，４，６−トリフルオロフェニ−１−イル、ジ−メチルシクロペンタジエニル−Ｔｉ−ビス−２，３，５，６−テトラフルオロフェニ−１−イル、ジ−メチルシクロペンタジエニル−Ｔｉ−ビス−２，３，４，５，６−ペンタフルオロフェニ−１−イル、特開平１−３０４４５３号公報、特開平１−１５２１０９号公報記載の鉄−アレーン錯体などが挙げられる。
【００５６】
前記ヘキサアリールビイミダゾール化合物としては、例えば、特公平６−２９２８５号公報、米国特許第３，４７９，１８５号明細書、米国特許第４，３１１，７８３号明細書、米国特許第４，６２２，２８６号明細書等に記載の種々の化合物、具体的には、２，２’−ビス（ｏ−クロロフェニル）−４，４’，５，５’−テトラフェニルビイミダゾール、２，２’−ビス（ｏ−ブロモフェニル））４，４’，５，５’−テトラフェニルビイミダゾール、２，２’−ビス（ｏ，ｐ−ジクロロフェニル）−４，４’，５，５’−テトラフェニルビイミダゾール、２，２’−ビス（ｏ−クロロフェニル）−４，４’，５，５’−テトラ（ｍ−メトキシフェニル）ビイジダゾール、２，２’−ビス（ｏ，ｏ’−ジクロロフェニル）−４，４’，５，５’−テトラフェニルビイミダゾール、２，２’−ビス（ｏ−ニトロフェニル）−４，４’，５，５’−テトラフェニルビイミダゾール、２，２’−ビス（ｏ−メチルフェニル）−４，４’，５，５’−テトラフェニルビイミダゾール、２，２’−ビス（ｏ−トリフルオロフェニル）−４，４’，５，５’−テトラフェニルビイミダゾールなどが挙げられる。
【００５７】
前記有機ホウ酸塩化合物としては、例えば、特開昭６２−１４３０４４号公報、特開昭６２−１５０２４２号公報、特開平９−１８８６８５号公報、特開平９−１８８６８６号公報、特開平９−１８８７１０号公報、特開２０００−１３１８３７号公報、特開２００２−１０７９１６号公報、特許第二７６４７６９号公報、及び、Ｋｕｎｚ，Ｍａｒｔｉｎ“Ｒａｄ  Ｔｅｃｈ  ’９８．Ｐｒｏｃｅｅｄｉｎｇ  Ａｐｒｉｌ  １９−２２，１９９８，Ｃｈｉｃａｇｏ”等に記載される有機ホウ酸塩、特開平６−１５７６２３号公報、特開平６−１７５５６４号公報、特開平６−１７５５６１号公報に記載の有機ホウ素スルホニウム錯体或いは有機ホウ素オキソスルホニウム錯体、特開平６−１７５５５４号公報、特開平６−１７５５５３号公報に記載の有機ホウ素ヨードニウム錯体、特開平９−１８８７１０号公報に記載の有機ホウ素ホスホニウム錯体、特開平６−３４８０１１号公報、特開平７−１２８７８５号公報、特開平７−１４０５８９号公報、特開平７−３０６５２７号公報、特開平７−２９２０１４号公報等の有機ホウ素遷移金属配位錯体などが具体例として挙げられる。
【００５８】
前記ジスルホン化合物としては、特開昭６１−１６６５４４号公報、特開２００２−３２８４６５号公報等に記載される化合物が挙げられる。
【００５９】
前記オキシムエステル化合物としては、Ｊ．Ｃ．Ｓ．  Ｐｅｒｋｉｎ  ＩＩ  （１９７９）１６５３〜１６６０頁、Ｊ．Ｃ．Ｓ．  Ｐｅｒｋｉｎ  ＩＩ  （１９７９）１５６〜１６２頁、Ｊｏｕｒｎａｌ  ｏｆ  Ｐｈｏｔｏｐｏｌｙｍｅｒ  Ｓｃｉｅｎｃｅ  ａｎｄ  Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ（１９９５）２０２〜２３２頁、特開２０００−６６３８５号公報に記載の化合物、特開２０００−８００６８号公報に記載の化合物、具体的には以下に示す化合物が挙げられる。
【００６０】
【化２】
0004698470.tif 000003
【００６１】
前記オニウム塩化合物としては、カチオン重合開始剤として上述した化合物、更には、Ｓ．Ｉ．Ｓｃｈｌｅｓｉｎｇｅｒ，Ｐｈｏｔｏｇｒ．Ｓｃｉ．Ｅｎｇ．，１８，３８７（１９７４）、Ｔ．Ｓ．Ｂａｌ  ｅｔ  ａｌ，Ｐｏｌｙｍｅｒ，２１，４２３（１９８０）に記載のジアゾニウム塩、米国特許第４，０６９，０５５号明細書、特開平４−３６５０４９号公報に記載のアンモニウム塩、米国特許第４，０６９，０５５号明細書、米国特許第４，０６９，０５６号明細書に記載のホスホニウム塩、欧州特許第１０４，１４３号明細書、米国特許第３３９，０４９号明細書、米国特許第４１０，２０１号明細書、特開平２−１５０８４８号公報、特開平２−２９６５１４号公報に記載のヨードニウム塩、欧州特許第３７０，６９３号明細書、欧州特許第３９０，２１４号明細書、欧州特許第２３３，５６７号明細書、欧州特許第２９７，４４３号明細書、欧州特許第２９７，４４２号明細書、米国特許第４，９３３，３７７号明細書、米国特許第１６１，８１１号明細書、米国特許第４１０，２０１号明細書、米国特許第３３９，０４９号明細書、米国特許第４，７６０，０１３号明細書、米国特許第４，７３４，４４４号明細書、米国特許第２，８３３，８２７号明細書、独国特許第２，９０４，６２６号明細書、独国特許第３，６０４，５８０号明細書、独国特許第３，６０４，５８１号明細書に記載のスルホニウム塩、Ｊ．Ｖ．Ｃｒｉｖｅｌｌｏ  ｅｔ  ａｌ，Ｍａｃｒｏｍｏｌｅｃｕｌｅｓ，１０（６），１３０７（１９７７）、Ｊ．Ｖ．Ｃｒｉｖｅｌｌｏ  ｅｔ  ａｌ，Ｊ．Ｐｏｌｙｍｅｒ  Ｓｃｉ．，Ｐｏｌｙｍｅｒ  Ｃｈｅｍ．Ｅｄ．，１７，１０４７（１９７９）に記載のセレノニウム塩、Ｃ．Ｓ．Ｗｅｎ  ｅｔ  ａｌ，Ｔｅｈ，Ｐｒｏｃ．Ｃｏｎｆ．Ｒａｄ．Ｃｕｒｉｎｇ  ＡＳＩＡ，ｐ４７８  Ｔｏｋｙｏ，Ｏｃｔ（１９８８）に記載のアルソニウム塩等のオニウム塩、などが挙げられる。
【００６２】
特に反応性、安定性の面から前記オキシムエステル化合物、ジアゾニウム塩、ヨードニウム塩、スルホニウム塩などが挙げられる。本発明において、これらのオニウム塩はカチオン重合開始剤としての機能も有するが、同時にイオン性のラジカル重合開始剤としても機能する。この性質を利用して、単一の化合物でカチオン重合及びラジカル重合の両方を活性化することも可能である。
【００６３】
前記重合開始剤を更に増感するために、更に増感助剤を加えることが可能である。かかる増感助剤としては、例えば３−位及び／又は７−位に置換基を有するクマリン類、フラボン類、ジベンザルアセトン類、ジベンザルシクロヘキサン類、カルコン類、キサンテン類、チオキサンテン類、ポルフィリン類、フタロシアニン類、アクリジン類、アントラセン類等を用いることができる。
【００６４】
前記光重合開始剤の添加量としては、前記記録層の全質量に対し、０．１〜１０質量％の範囲が好ましく、１〜７質量％の範囲がより好ましく、１．５〜５質量％の範囲が特に好ましい。この範囲において、感度、多重度ともに優れた記録層を得ることができる。下限を下回ると十分な感度を得ることができず、上限を上回ると、参照光、信号光を不必要に吸収してしまい、特に、信号の読み出しの際に十分な信号強度を得ることができないおそれがある。
【００６５】
前記その他の成分としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、赤外線熱変換剤、膨潤剤等の各種添加剤、などが挙げられる。
【００６６】
前記記録層の厚みとしては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、１〜１，０００μｍが好ましく、１００〜７００μｍがより好ましい。前記記録層の厚みが、前記好ましい数値範囲であると、１０〜３００多重のシフト多重記録、角度多重記録などの高多重記録を行っても十分なＳ／Ｎ比を得ることができ、前記より好ましい数値範囲であるとそれが顕著である点で有利である。
【００６７】
−基板−
前記基板としては、その形状、構造、大きさ等については、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、前記形状としては、例えば、ディスク形状、カード形状平板状、シート状などが挙げられ、前記構造としては、単層構造であってもよいし、積層構造であってもよく、前記大きさとしては、前記光記録媒体の大きさ等に応じて適宜選択することができる。
【００６８】
前記基板の材料としては、特に制限はなく、無機材料及び有機材料のいずれをも好適に用いることができるが、光記録媒体の機械的強度を確保できるものであり、記録及び再生に用いる光が基板を通して入射する透過型の場合は、用いる光の波長領域で十分に透明であることが必要である。
前記無機材料としては、例えば、ガラス、石英、シリコン、などが挙げられる。
前記有機材料としては、例えば、トリアセチルセルロース等のアセテート系樹脂、ポリエステル系樹脂、ポリエーテルスルホン系樹脂、ポリスルホン系樹脂、ポリカーボネート系樹脂、ポリアミド系樹脂、ポリイミド系樹脂、ポリオレフィン系樹脂、アクリル系樹脂、ポリノルボルネン系樹脂、セルロース系樹脂、ポリアリレート系樹脂、ポリスチレン系樹脂、ポリビニルアルコール系樹脂、ポリ塩化ビニル系樹脂、ポリ塩化ビニリデン系樹脂、ポリアクリル系樹脂、ポリ乳酸系樹脂、プラスチックフィルムラミネート紙、合成紙などが挙げられる。これらは、１種単独で使用してもよいし、２種以上を併用してもよい。これらの中でも、成形性、光学特性、コストの点から、ポリカーボネート系樹脂、アクリル系樹脂が好ましい。
【００６９】
前記基板としては、適宜作製したものであってもよいし、市販品を使用してもよい。
前記基板の厚みとしては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、０．１〜５ｍｍが好ましく、０．３〜２ｍｍがより好ましい。前記基板の厚みが、０．１ｍｍ未満であると、ディスク保存時の形状の歪みを抑えられなくなることがあり、５ｍｍを超えると、ディスク全体の質量が大きくなってドライブモーターなどにより回転して用いる場合には、過剰な負荷をかけることがある。
【００７０】
前記基板には、半径方向に線状に延びる複数の位置決め領域としてのアドレス−サーボエリアが所定の角度間隔で設けられ、隣り合うアドレス−サーボエリア間の扇形の区間がデータエリアになっている。アドレス−サーボエリアには、サンプルドサーボ方式によってフォーカスサーボ及びトラッキングサーボを行うための情報とアドレス情報とが、予めエンボスピット（サーボピット）等によって記録されている（プリフォーマット）。なお、フォーカスサーボは、反射膜の反射面を用いて行うことができる。トラッキングサーボを行うための情報としては、例えば、ウォブルピットを用いることができる。
【００７１】
−反射膜−
前記反射膜は、前記基板のサーボピットパターン表面に形成される。
前記反射膜の材料としては、記録光や参照光に対して高い反射率を有する材料を用いることが好ましい。使用する光の波長が４００〜７８０ｎｍである場合には、例えば、Ａｌ、Ａｌ合金、Ａｇ、Ａｇ合金、などを使用することが好ましい。使用する光の波長が６５０ｎｍ以上である場合には、Ａｌ、Ａｌ合金、Ａｇ、Ａｇ合金、Ａｕ、Ｃｕ合金、ＴｉＮ、などを使用することが好ましい。
なお、前記反射膜として、光を反射すると共に、追記及び消去のいずれかが可能な光記録媒体、例えば、ＤＶＤ（ディジタル  ビデオ  ディスク）などを用い、ホログラムをどのエリアまで記録したかとか、いつ書き換えたかとか、どの部分にエラーが存在し交替処理をどのように行ったかなどのディレクトリ情報などをホログラムに影響を与えずに追記及び書き換えすることも可能となる。
【００７２】
前記反射膜の形成は、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、各種気相成長法、例えば、真空蒸着法、スパッタリング法、プラズマＣＶＤ法、光ＣＶＤ法、イオンプレーティング法、電子ビーム蒸着法などが用いられる。これらの中でも、スパッタリング法が、量産性、膜質等の点で優れている。
前記反射膜の厚みは、十分な反射率を実現し得るように、５０ｎｍ以上が好ましく、１００ｎｍ以上がより好ましい。
【００７３】
−選択反射層−
前記選択反射層は、前記基板のサーボピット上又は前記反射層上に設けられる。
前記選択反射層は、複数種の光線の中から特定の波長の光のみを反射する、波長選択反射機能を有する。特に、入射角が変化しても選択反射波長にずれが生じることなく、情報光及び参照光による光記録媒体の反射膜からの乱反射を防止し、ノイズの発生を防止する機能もあり、前記光記録媒体に前記選択反射層を積層することにより、高解像度、回折効率の優れた光記録が得られる。
前記選択反射層としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、ダイクロイックミラー層、色材含有層、誘電体蒸着層、単層又は２層以上のコレステリック層及び必要に応じて適宜選択したその他の層の少なくともいずれかを積層した積層体により形成される。
前記選択反射層は、直接記録層など共に、前記基板上に塗布などにより積層してもよく、フィルム等の基材上に積層して選択反射層を作製し、これを基板上に積層してもよい。
【００７４】
＜その他の層＞
前記その他の層としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、第一ギャップ層、第二ギャップ層などが挙げられる。
【００７５】
−第一ギャップ層−
前記第一ギャップ層は、必要に応じて前記選択反射層と前記反射膜との間に設けられ、第二の基板表面を平滑化する目的で形成される。また、記録層内に生成されるホログラムの大きさを調整するのにも有効である。即ち、前記記録層は、参照光及び情報光の干渉領域をある程度の大きさに形成する必要があるので、前記記録層とサーボピットパターンとの間にギャップを設けることが有効となる。
前記第一ギャップ層は、例えば、サーボピットパターンの上から紫外線硬化樹脂等の材料をスピンコート等で塗布し、硬化させることにより形成することができる。また、フィルタ層として透明基材の上に塗布形成したものを使用する場合には、該透明基材が第一ギャップ層としても働くことになる。
前記第一ギャップ層の厚みとしては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、１〜１００μｍが好ましい。
【００７６】
−第二ギャップ層−
前記第二ギャップ層は、必要に応じて記録層と選択反射層との間に設けられる。該第二ギャップ層は、情報光及び参照光がフォーカシングするポイントの部分をフォトポリマーで埋めていると、過剰露光がされた場合に、モノマーの過剰消費が起こり、多重記録能力が低下することがあり、この弊害を防止する機能がある。
前記第二ギャップ層の材料としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、トリアセチルセルロース（ＴＡＣ）、ポリカーボネート（ＰＣ）、ポリエチレンテレフタラート（ＰＥＴ）、ポリスチレン（ＰＳ）、ポリスルホン（ＰＳＦ）、ポリビニルアルコール（ＰＶＡ）、ポリメタクリル酸メチル＝ポリメチルメタクリレート（ＰＭＭＡ）等のような透明樹脂フィルム、又は、ＪＳＲ社製商品名ＡＲＴＯＮフィルムや日本ゼオン社製商品名ゼオノアのような、ノルボルネン系樹脂フィルム、などが挙げられる。これらの中でも、等方性の高いものが好ましく、ＴＡＣ、ＰＣ、商品名ＡＲＴＯＮ、商品名ゼオノアが特に好ましい。
前記第二ギャップ層の厚みとしては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、１〜２００μｍが好ましい。
【００７７】
ここで、前記光記録媒体について、図面を参照して更に詳しく説明する。
図２は、本発明の実施形態における光記録媒体の構成を示す概略断面図である。この実施形態に係る光記録媒体２１では、ポリカーボネート樹脂からなる第一の基板１にサーボピットパターン３が形成され、該サーボピットパターン３上にアルミニウム、金、白金等でコーティングして反射膜２が設けられている。なお、図２では第一の基板１全面にサーボピットパターン３が形成されているが、周期的に形成されていてもよい。また、このサーボピットの高さは最大１７５０Å（１７５ｎｍ）であり、第一の基板を始め他の層の厚みに比べて充分に小さいものである。
第一の基板のサーボピットを設けていない側には選択反射層６としてのＡｇを多層蒸着したダイクロイックミラー層が設けられている。
反射膜２上に記録層４が設けられている。第一の基板１及び第二の基板５（ポリカーボネート樹脂の基板）によって、選択反射膜６、記録層４を挟むことによって光記録媒体２１が構成される。
【００７８】
次に、図３を参照して、光記録媒体２１周辺での光学的動作を説明する。まず、サーボ用レーザーから出射した光（赤色光）は、ダイクロイックミラー１３でほぼ１００％反射して、対物レンズ１２を通過する。対物レンズ１２によってサーボ用光は反射膜２上で焦点を結ぶように光記録媒体２１に対して照射される。つまり、ダイクロイックミラー１３は緑色や青色の波長の光を透過し、赤色の波長の光をほぼ１００％反射させるようになっている。光記録媒体２１の光の入出射面Ａから入射したサーボ用光は、第二の基板５、記録層４、及び選択反射層６を通過し、反射膜２で反射され、再度、選択反射層６、記録層４、及び第二の基板５を透過して入出射面Ａから出射する。出射した戻り光は、対物レンズ１２を通過し、ダイクロイックミラー１３でほぼ１００％反射して、サーボ情報検出器（不図示）でサーボ情報が検出される。検出されたサーボ情報は、フォーカスサーボ、トラッキングサーボ、スライドサーボ等に用いられる。記録層４を構成するホログラム材料は、赤色の光では感光しないようになっているので、サーボ用光が記録層４を通過したり、サーボ用光が反射膜２で乱反射したとしても、記録層４には影響を与えない。また、サーボ用光の反射膜２による戻り光は、ダイクロイックミラー１３によってほぼ１００％反射するようになっているので、サーボ用光が再生像検出のためのＣＭＯＳセンサ又はＣＣＤ１４で検出されることはなく、再生光に対してノイズとなることもない。
【００７９】
また、記録用／再生用レーザーから生成された情報光及び記録用参照光は、偏光板１６を通過して線偏光となりハーフミラー１７を通過して１／４波長板１５を通った時点で円偏光になる。ダイクロイックミラー１３を透過し、対物レンズ１１によって情報光と記録用参照光が記録層４内で干渉パターンを生成するように光記録媒体２１に照射される。情報光及び記録用参照光は入出射面Ａから入射し、記録層４で干渉し合って干渉パターンをそこに生成する。その後、情報光及び記録用参照光は記録層４、選択反射層６に入射するが、該選択反射層６の底面までの間に反射されて戻り光となる。つまり、情報光と記録用参照光は反射膜２までは到達しない。選択反射層６は、赤色光のみを透過する性質を有するからである。
【００８０】
（光記録再生装置）
本発明の光記録再生装置は、少なくとも本発明の前記光記録媒体の処理手段を備え、更に必要に応じてその他の手段を有してなる。
【００８１】
ここで、本発明の光記録再生装置について図４を参照して説明する。図４の光記録再生装置は、情報光と参照光とが異なる方向から照射される一般的なホログラムの記録再生装置である。
図４に示すように、光源６１から出射した光が、ハーフミラー６４を透過した情報光５１と、該ハーフミラー６４に反射した参照光５２に分割され、情報光５１はミラー６６及びビームエキスパンダ６８を経由して拡大され、光記録媒体５０の記録層面に照射される。他方、参照光５２は、ミラー６５及びビームエキスパンダ６７を経由して拡大され、情報光５１が照射される前記記録層面と反対側の記録層面に照射され、情報光５１と参照光５２とにより干渉縞が生成され、この干渉縞が光情報として前記記録層に記録される。
この記録方法により光記録媒体５０への多重記録は、図４に示すように、光記録媒体５０を少しずつ移動させて記録を繰り返すことにより可能である。
また、図示を省略しているが、光源６１，６２の少なくともいずれかの近傍に光拡散部材を有する本発明の処理手段を設けている。
【００８２】
次に、図５は、本発明の一実施形態に係る光記録再生装置の全体構成図である。
この光記録再生装置１００は、光記録媒体２０が取り付けられるスピンドル８１と、このスピンドル８１を回転させるスピンドルモータ８２と、光記録媒体２０の回転数を所定の値に保つようにスピンドルモータ８２を制御するスピンドルサーボ回路８３とを備えている。
また、光記録再生装置１００は、光記録媒体２０に対して情報光と参照光とを照射して情報を記録すると共に、光記録媒体２０に対して再生用参照光を照射し、再生光を検出して、光記録媒体２０に記録されている情報を再生するためのピックアップ３１と、このピックアップ３１を光記録媒体２０の半径方向に移動可能とする駆動装置８４とを備えている。
この場合、図示を省略しているが、ピックアップ３１の近傍に光拡散部材を有する本発明の処理手段を設けている。
【００８３】
光記録再生装置１００は、ピックアップ３１の出力信号よりフォーカスエラー信号ＦＥ、トラッキングエラー信号ＴＥ、及び再生信号ＲＦを検出するための検出回路８５と、この検出回路８５によって検出されるフォーカスエラー信号ＦＥに基づいて、ピックアップ３１内のアクチュエータを駆動して対物レンズ（不図示）を光記録媒体２０の厚み方向に移動させてフォーカスサーボを行うフォーカスサーボ回路８６と、検出回路８５によって検出されるトラッキングエラー信号ＴＥに基づいてピックアップ３１内のアクチュエータを駆動して対物レンズを光記録媒体２０の半径方向に移動させてトラッキングサーボを行うトラッキングサーボ回路８７と、トラッキングエラー信号ＴＥ及び後述するコントローラからの指令に基づいて駆動装置８４を制御してピックアップ３１を光記録媒体２０の半径方向に移動させるスライドサーボを行うスライドサーボ回路８８とを備えている。
【００８４】
光記録再生装置１００は、更に、ピックアップ３１内の後述するＣＭＯＳ又はＣＣＤアレイの出力データをデコードして、光記録媒体２０のデータエリアに記録されたデータを再生したり、検出回路８５からの再生信号ＲＦより基本クロックを再生したりアドレスを判別したりする信号処理回路８９と、光記録再生装置１００の全体を制御するコントローラ９０と、このコントローラ９０に対して種々の指示を与える操作部９１とを備えている。コントローラ９０は、信号処理回路８９より出力される基本クロックやアドレス情報を入力すると共に、ピックアップ３１、スピンドルサーボ回路８３、及びスライドサーボ回路８８等を制御するようになっている。スピンドルサーボ回路８３は、信号処理回路８９より出力される基本クロックを入力するようになっている。コントローラ９０は、ＣＰＵ（中央処理装置）、ＲＯＭ（リード  オンリ  メモリ）、及びＲＡＭ（ランダム  アクセス  メモリ）を有し、ＣＰＵが、ＲＡＭを作業領域として、ＲＯＭに格納されたプログラムを実行することによって、コントローラ９０の機能を実現するようになっている。
【００８５】
本発明の光記録再生装置は、本発明の光記録媒体の処理装置を備えているので、体積ホログラフィを利用して情報を記録した厚膜の記録層の不感化処理時に情報の劣化を伴うことなく、記録像の長期保存性及び繰り返し再生耐久性を増大させることができる。
【実施例】
【００８６】
以下、本発明の実施例について説明するが、本発明はこれらの実施例に何ら限定されるものではない。
【００８７】
（製造例１）
−光記録媒体の作製−
前記光記録媒体として、第二の基板、反射層、接着層、選択反射層、保護層（第二ギャップ層）及び第一の基板の順に積層された光記録媒体を作製した。
【００８８】
−−第二の基板の作製−−
直径１２０ｍｍ、内径１５ｍｍ、厚み０．６ｍｍのポリカーボネート樹脂製の第二の基板を作製した。
【００８９】
−−第一の基板の作製−−
前記第一の基板としては、直径１２０ｍｍ、内径１５ｍｍ、厚み０．６ｍｍのＤＶＤ＋ＲＷ用に用いられている一般的なポリカーボネート樹脂製基板を使用した。この基板表面には、サーボピットパターンが形成されており、そのトラックピッチは０．７４μｍであり、溝深さは１４０ｎｍ、溝幅は３００ｎｍである。
【００９０】
まず、第一の基板のサーボピットパターン表面に反射層を形成した。反射層の材料には銀（Ａｇ）を用いた。ＤＣマグネトロンスパッタリング法により厚み１５０ｎｍのＡｇ反射層を形成した。
次に、該反射層の上に、接着剤（ＳＤ６４０、大日本インキ化学工業株式会社製）をスピンコートにより厚み２０μｍとなるように塗工した後、下記の選択反射層を接着層（第一ギャップ層）上に形成した。
【００９１】
−−選択反射層の作製−−
ポリカーボネートフィルム（三菱瓦斯化学株式会社製、商品名ユーピロン）厚み１００μｍ上に、ＤＣマグネトロンスパッタリング法により、層数が３０、厚み３μｍのＡｇ膜からなるダイクロイックミラー層を蒸着により形成し、前記第一の基板に積層するため、該第一の基板と同形状のディスクに打ち抜き加工した。
【００９２】
＜記録層塗布液の調製＞
下記組成からなるホログラフィック記録層塗布液を、下記のタンクＡとタンクＢに分けて窒素雰囲気下で調製した。調製後のタンクは乾燥窒素を充填した。
＜タンクＡ＞
・ヘキサメチレンジイソシアネートのビウレットトリマー・・・２９２．０ｇ
・ヘキサメチレンジイソシアネート・・・９７．４ｇ
・トリブロモフェニルアクリレート・・・６４．２２ｇ
・イルガキュア７８４（チバスペシャリティケミカルズ（株）製）・・・１４ｇ
・３，５−ジターシャリーブチル−４−ヒドロキシトルエン・・・２１０ｍｇ
＜タンクＢ＞
・Ｐｏｌｙ  ＦｏｘＴＭＴ（オムノバ・ソリューションズ社製）・・・８１７．９ｇ
・ポリプロピレンオキサイドトリオール（平均分子量１，０００）・・・５１７．９ｇ
・ターシャリーブチルペルオキサイド・・・５８０μｌ
・ジブチルラウレートスズ・・・１０．２ｇ
【００９３】
−−光記録媒体の積層−−
まず、反射層及び接着層（第一ギャップ層）が形成された前記第一の基板に、上記ディスク形状の選択反射層を、該選択反射層のベースフィルム面をサーボピットパターン側にして貼り付けた。貼り合わせには間隙に気泡が入らないようにして行った。以上により前記第一の基板上に選択反射層を形成した。
次に、保護層（第二ギャップ層）として、接着剤（ＳＤ６４０、大日本インキ化学工業株式会社製）を含む保護層組成物をスピンコートにより、厚み２０μｍになるように選択反射層上に形成した。
次に、上記で調製したタンクＡの組成物と、タンクＢの組成物をポシラティオ（リキッドコントロール社より入手可能な液混合注入装置）を用いてタンクＡ組成物を１０質量部、タンクＢ組成物を１８質量部の割合で混合しながら、５００μｍに保った上記第二の基板と各層が設けられた第一の基板との隙間に注入したところ、組成物は速やかに自発的に硬化し、厚みが５００μｍの記録層が形成された。以上により、製造例１の光記録媒体を作製した。
【００９４】
（実施例１）
製造例１で作製した光記録媒体を、コリニア方式光記録再生評価装置（パルステック工業株式会社製、ＳＨＯＴ−２０００）を用い、情報を記録再生しＳ／比を求め、再生像の画質を目視により下記基準で評価した。
その後、一旦光記録媒体を装置から取り外し、光記録媒体を、記録面を上にして黒のつや消しゴム板上に置き、更に光拡散部材としての光拡散フィルタ（恵和株式会社製、オパルスＺＤ−０９７、曇価＝８１．９％）、及び透明ガラス板を載せ、その上からキセノンランプ（ウシオ電機株式会社製、ＵＸＬ-２５００−Ｏ、出力２．５ｋＷ）から光学フィルタ（日本真空光学社製、Δλ／２＝１５５ｎｍ、Ｔ％＝９５％、λ０＝５４５ｎｍ）を通した処理光を８，０００秒間照射して不感化処理を行った。照射した総露光量は、３０，０００ｍＪ／ｃｍ２であった。処理光のエネルギー強度に対する波長の半値幅は１５５ｎｍであった。
次に、不感化処理後の光記録媒体を再度上記コリニア方式光記録再生評価装置に装着し、上記で記録した情報の再生を行い、Ｓ／Ｎ比を求め、再生像の画質を目視により下記基準で評価した。
更に、再生された信号位置にて、再生光（波長５３２ｎｍ）を照射総量１００Ｊ／ｃｍ２となるように連続照射し、その後、再度再生を行って、Ｓ／Ｎ比を求め、再生像の画質を目視により下記基準で評価した。それぞれの結果を表１に示す。
【００９５】
＜再生像の評価基準＞
○  ・・・  良好な再生像が得られた
△  ・・・  不良であるが再生像の存在を知ることができた
×  ・・・  全く再生することができなかった
【００９６】
（実施例２）
実施例１において、照射した総露光量を１０，０００ｍＪ／ｃｍ２に変えた以外は、実施例１と同様にして、不感化処理前後、再生光照射後の光記録媒体の再生評価を行った。結果を表１に示す。なお、処理光のエネルギー強度に対する波長の半値幅は１５５ｎｍであった。
【００９７】
（実施例３）
実施例１において、光源をキセノンランプからＬＥＤアレイ（波長５３２ｎｍ）に変えた以外は、実施例１と同様にして、不感化処理前後、再生光照射後の光記録媒体の再生評価を行った。結果を表１に示す。なお、処理光のエネルギー強度に対する波長の半値幅は１５５ｎｍであった。
【００９８】
（実施例４）
実施例３において、照射した総露光量を１０，０００ｍＪ／ｃｍ２に変えた以外は、実施例３と同様にして、不感化処理前後、再生光照射後の光記録媒体の再生評価を行った。結果を表１に示す。なお、処理光のエネルギー強度に対する波長の半値幅は１５５ｎｍであった。
【００９９】
（実施例５）
実施例１において、透明ガラス板の代わりに、光学フィルタ（日本真空光学株式会社製、中心波長５４２ｎｍ、半値幅３５ｎｍ、Ｔ％＝８５％）を用いた以外は、実施例１と同様にして、不感化処理前後、再生光照射後の光記録媒体の再生評価を行った。結果を表１に示す。
【０１００】
（実施例６）
実施例５において、照射した総露光量を１０，０００ｍＪ／ｃｍ２に変えた以外は、実施例５と同様にして、不感化処理前後、再生光照射後の光記録媒体の再生評価を行った。結果を表１に示す。
【０１０１】
（実施例７）
実施例１において、光拡散部材としての光拡散フィルタ（恵和株式会社製、オパルスＰＢＳ−０５０、曇価＝７２．９％）を用いた以外は、実施例１と同様にして、不感化処理前後、再生光照射後の光記録媒体の再生評価を行った。結果を表１に示す。
【０１０２】
（比較例１）
実施例１において、光拡散フィルタを除いた以外は、実施例１と同様にして、不感化処理前後、再生光照射後の光記録媒体の再生評価を行った。結果を表１に示す。
【０１０３】
（比較例２）
実施例２において、光拡散フィルタを除いた以外は、実施例２と同様にして、不感化処理前後、再生光照射後の光記録媒体の再生評価を行った。結果を表１に示す。
【０１０４】
（比較例３）
実施例３において、光拡散フィルタを除いた以外は、実施例３と同様にして、不感化処理前後、再生光照射後の光記録媒体の再生評価を行った。結果を表１に示す。
【０１０５】
（比較例４）
実施例４において、光拡散フィルタを除いた以外は、実施例４と同様にして、不感化処理前後、再生光照射後の光記録媒体の再生評価を行った。結果を表１に示す。
【０１０６】
（比較例５）
実施例５において、光拡散フィルタを除いた以外は、実施例５と同様にして、不感化処理前後、再生光照射後の光記録媒体の再生評価を行った。結果を表１に示す。
【０１０７】
（比較例６）
実施例６において、光拡散フィルタを除いた以外は、実施例６と同様にして、不感化処理前後、再生光照射後の光記録媒体の再生評価を行った。結果を表１に示す。
【０１０８】
（比較例７）
実施例１において、不感化処理を行わず、照射総量１００Ｊ／ｃｍ２の再生光の連続照射を行い、再生光照射前後の光記録媒体の再生評価を行った。結果を表１に示す。
【０１０９】
（比較例８）
実施例１において、光拡散部材としての光拡散フィルタ（恵和株式会社製、オパルス＃１００−ＢＭＵ３Ｓ、曇価＝５１％）を用いた以外は、実施例１と同様にして、不感化処理前後、再生光照射後の光記録媒体の再生評価を行った。結果を表１に示す。
【０１１０】
【表１】
0004698470.tif 000004
＊表１中、比較例１〜８における「−」は、信号劣化が著しいため、測定不能であったことを示す。
表１の結果から、実施例１〜７と、比較例７との比較から、不感化処理操作を行うことにより、再生耐久性が向上することが推測できる。
また、実施例１〜７と、比較例１〜６との比較からは、光拡散フィルタを用いることにより、光源からの光を拡散することが信号の劣化を抑制する上で極めて有用であることが推測できる。
また、実施例１、３、及び５の比較から、照射波長の幅が狭いほうがより信号の劣化を抑制可能であることが推測される。更に、不感化処理時のエネルギーを多く与えておくことにより、不感化処理後の曝光（再生光、及び、周囲の光）に対して、その耐久性が格段に向上することが推測でき、繰り返し再生及び長期保存に適した状態が得られていることが推測される。
実施例１と比較例８との対比から、光拡散フィルタの曇価が７０〜１００％であることが有効であることが認められる。
【産業上の利用可能性】
【０１１１】
本発明光記録媒体の処理方法及び処理装置は、情報を記録した記録層の不感化処理時に情報の劣化を伴うことなく、記録像の長期保存性及び繰り返し再生耐久性を増大させることができるので、高密度画像記録が可能なボリュームホログラム型の各種光記録媒体に用いられる。
【図面の簡単な説明】
【０１１２】
【図１】図１は、従来の光記録媒体の一例を示す概略断面図である。
【図２】図２は、本発明に用いる光記録媒体の一例を示す概略断面図である。
【図３】図３は、本発明による光記録媒体周辺の光学系の一例を示す説明図である。
【図４】図４は、本発明の光記録再生装置の一例を示す概略図である。
【図５】図５は、本発明の光記録再生装置の一例を表すブロック図である。
【符号の説明】
【０１１３】
１      第一の基板
２      反射膜
３      サーボピットパターン
４      記録層
５      第二の基板
６      選択反射層
７      第二ギャップ層
８      第一ギャップ層
１２      対物レンズ
１３      ダイクロイックミラー
１４      検出器
１５      １／４波長板
１６      偏光板
１７      ハーフミラー
２０〜２２      光記録媒体
３１      ピックアップ
３３      サーボ光
３５      情報光及び参照光
３５ａ    情報光及び参照光
８１      スピンドル
８２      スピンドルモータ
８３      スピンドルサーボ回路
８４      駆動装置
８５      検出回路
８６      フォーカスサーボ回路
８７      トラッキングサーボ回路
８８      スライドサーボ回路
８９      信号処理回路
９０      コントローラ
９１      走査部
１００      光記録再生装置
Ａ      入出射面
ＦＥ      フォーカスエラー信号
ＴＥ      トラッキングエラー信号
ＲＦ      再生信号
【図４】
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【図１】
0004698470.tif 000006
【図２】
0004698470.tif 000007
【図３】
0004698470.tif 000008
【図５】
0004698470.tif 000009