(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
受動性部分と能動性部分とを有する集積化された偏光スプリッタであって、
前記受動性部分にアレー導波路グレーティング（ＡＷＧ）を含み、前記ＡＷＧが、
入力カプラと、
出力カプラと、
前記入力カプラと出力カプラを接続する互いに等しくない長さの複数の導波路を含み、
前記ＡＷＧの少なくとも２つの出力ポートが、前記ＡＷＧの出力側の自由空間領域の異なった位相面に到達する単一チャネル入力信号の第１の偏光成分と第２の偏光成分が前記出力ポートの別々のポートによってそれぞれ受信されるように入力ポートに対して配置され、それにより、前記第１の偏光成分と前記第２の偏光成分が前記ＡＷＧによって分けられ、
前記能動性部分及び前記受動性部分が能動性／受動性モノリシック集積化技術により集積化され、前記能動性部分は、前記ＡＷＧにより分けられた前記第１の偏光成分及び前記第２の偏光成分のうち少なくとも一方を個別に修正する少なくとも１つの能動性デバイスを含む偏光スプリッタ。
【請求項２】
前記第１の偏光成分が前記単一チャネル入力信号のＴＥモードを含み、前記第２の偏光成分が前記単一チャネル入力信号のＴＭモードを含む、請求項１に記載の偏光スプリッタ。
【請求項３】
波長で前記単一チャネル入力信号から前記ＡＷＧの自由スペクトル領域の整数倍隔てられた入力信号の偏光が前記ＡＷＧによってもやはり分けられる、請求項１に記載の偏光スプリッタ。
【請求項４】
前記出力カプラと前記入力カプラのうちの少なくとも一方がスター・カプラを含む、請求項１に記載の偏光スプリッタ。
【請求項５】
前記出力カプラと前記入力カプラのうちの少なくとも一方がスラブ導波路レンズを含む、請求項１に記載の偏光スプリッタ。
【請求項６】
複数のチャネルを有する入力信号について波長の多重化および逆多重化のうちの少なくとも一方を実行する、請求項１に記載の偏光スプリッタ。
【請求項７】
光導波路から作製され、前記光導波路の各々が
シャロー・エッチングで埋め込まれたリブ構造の受動性層と、
前記埋め込まれたリブ構造の最上部の上で能動性層として機能する多重量子井戸（ＭＱＷ）の薄層を含む、請求項１に記載の偏光スプリッタ。
【請求項８】
さらに、同調可能な偏光制御器として機能する、請求項１に記載の偏光スプリッタ。
【請求項９】
受動性部分と能動性部分とを有する集積化された偏光スプリッタであって、
前記受動性部分にアレー導波路グレーティング（ＡＷＧ）を含み、前記ＡＷＧが、
入力信号を受信するための少なくとも１つの入力手段と、
前記入力信号を前記ＡＷＧに結合させるための入力結合手段と、
前記ＡＷＧから出力信号を結合させるための出力結合手段と、
前記入力結合手段と前記出力結合手段を接続するための互いに等しくない長さの複数の導波路と、
少なくとも２つの出力手段を含み、
前記ＡＷＧの前記少なくとも２つの出力手段が、前記ＡＷＧの前記出力結合手段の自由空間領域の異なった位相面に到達する前記入力信号の第１の偏光成分と第２の偏光成分が前記出力手段の別々の出力手段によってそれぞれ受信されるように前記少なくとも１つの入力手段に対して配置され、それにより、前記第１の偏光成分と前記第２の偏光成分が前記ＡＷＧによって分けられ、
前記能動性部分及び前記受動性部分が能動性／受動性モノリシック集積化技術により集積化され、前記能動性部分は、前記ＡＷＧにより分けられた前記第１の偏光成分及び前記第２の偏光成分のうち少なくとも一方を個別に修正する少なくとも１つの能動性デバイスを含む偏光スプリッタ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は偏光スプリッタの分野に関し、さらに特定すると能動性／受動性の集積型偏光スプリッタに関する。
【背景技術】
【０００２】
オンチップの偏光スプリッタ（ＰＳ）は進歩した光学集積回路（ＰＩＣ）のような光学回路に必須である。そのような偏光スプリッタは偏波ダイバーシティあるいはその他の光学的操作を必要とする多くの用途にとって不可欠である。材料系の観点では、オンチップのＰＳはＬｉＮｂＯ３、ポリマー、ガラス、ＩＩＩ−Ｖ族半導体およびその他の受動的材料で実証されてきた。これらの材料系の中でも、唯一ＩＩＩ−Ｖ族半導体だけは能動性／受動性のモノリシック構造（ＡＰＭＩ）の用途に元来適している。オンチップＰＳを作製するための様々な方法は、交差ベース、非対称Ｙ分岐ベース、マッハツェンダー干渉計ベース、共鳴トンネル・ベース、多モード干渉（ＭＭＩ）ベース、およびグレーティング・ベースの方向性カプラまたは導波路で特徴付けられる。
【０００３】
交差ベースの方向性カプラまたは導波路では、一方の偏光に関してバー状態、他方に関してクロス状態で横断する方向性カプラまたは導波路を作製するために比較的大きな複屈折が使用される。非対称Ｙ分岐ベースのＰＳは２つの異なる導波路内で非対称の複屈折を必要とし、異なる偏光を異なる導波路内に「仕分ける」ためにモード進化（ｍｏｄｅ  ｅｖｏｌｕｔｉｏｎ）を使用する。マッハツェンダー干渉計ベースのＰＳは干渉計の中で異なる光路長の差に直面する異なる偏光の入力を作り出し、それにより、それらは異なる出力導波路へと進む。共鳴トンネル・ベースのＰＳは、１つの偏光だけが中央のトンネルを通って２つの導波路の間に結合することが可能となるように方向性カプラの中央に第３の導波路を導入する。ＭＭＩベースのＰＳは異なる偏光が異なる出力導波路に結合することが可能となるように不完全な画像化平面でＭＭＩカプラを終端処理する。グレーティング・ベースのＰＳは異なる偏光の入力はそれらが分離されるように異なった空間位置へと回折させられるという事実を利用する。
【非特許文献１】Ａｒｊｅｎ  Ｒ．Ｖｅｌｌｅｋｏｏｐの「Ａ  Ｓｍａｌｌ−Ｓｉｚｅ  Ｐｏｌａｒｉｚａｔｉｏｎ  Ｓｐｌｉｔｔｅｒ  Ｂａｓｅｄ  Ｏｎ  Ａ  Ｐｌａｎａｒ  Ｏｐｔｉｃａｌ  Ｐｈａｓｅｄ  Ａｒｒａｙ」，Ｊｏｕｒｎａｌ  ｏｆ  Ｌｉｇｈｔｗａｖｅ  Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ，Ｖｏｌ．８．，Ｎｏ．１．，Ｊａｎｕａｒｙ  １９９０
【特許文献１】米国特許第５，９５３，４７９号
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、そのような偏光スプリッタは能動性／受動性のモノリシック構造の集積化に適していない。そのような偏光スプリッタはＩｎＧａＡｓＰ／ＩｎＰ材料系（すなわち能動機能用）が有していない大きな材料内在性の複屈折に依存するか、あるいは、複屈折をより大きくするための空気もしくは金属のクラッド層を有する導波路に依存し、能動性の構造と集積化される可能性のある低損失の埋め込み型受動導波路とは両立しない。最終的に、単一のチップ上で波長多重化／逆多重化、偏光制御、および信号のフィルタ処理といった受動性の機能とモノリシック構造で集積化されたレーザ、増幅器、変調器、検波器などといった能動性機能を得ることが好ましい。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明は、ＡＷＧおよび導波路の複屈折をベースとし、多チャネル動作を有するオンチップの能動性／受動性のモノリシック構造に集積化されたＩｎＰの偏光スプリッタを提供することによって先行技術の欠陥を解決する。
【０００６】
本発明の一実施形態では、集積型偏光スプリッタは少なくとも１つの入力カプラ、出力カプラ、および入力カプラと出力カプラを接続する複数の様々な長さの導波路を有するアレー導波路グレーティング（ＡＷＧ）を含む。本発明の集積型偏光スプリッタでは、ＡＷＧの出力側の自由空間領域の多様な位相面に到達する単一チャネル入力信号の第１の偏光成分と第２の偏光成分が出力ポートのうちの別々の１つによってそれぞれ受信されるように、ＡＷＧの少なくとも２つの出力ポートが入力ポートに相対して配置され、それにより、第１の偏光成分と第２の偏光成分がＡＷＧによって分離される。さらに、この偏光スプリッタは能動性／受動性モノリシック集積化技術を使用して集積化され、それにより、この偏光スプリッタは受動性デバイスと同様に能動性デバイスと集積化されることが可能である。
【０００７】
本発明の教示は添付の図面と関連付けて為される以下の詳細な説明を考慮することによって容易に理解されることが可能である。
【０００８】
理解を容易にするため、可能な場合は図面に共通する同一の要素を示すために同じ参照番号が使用された。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００９】
入力チャネルをＴＥモードとＴＭモードに分ける単一入力偏光スプリッタに関して本発明の様々な実施形態が本明細書で記載されるが、本発明の特定の実施形態は本発明の範囲の限定として扱われるべきではない。入力チャネルを様々な偏光モードへと分けるための実質的にどのような数の入力部と出力部を有する偏光スプリッタにも本発明の概念が適用され得ることは、本発明の教示によって情報を得る当業者に理解されるであろう。
【００１０】
ＴＥモード波およびＴＭモード波がアレー導波路グレーティング（ＡＷＧ）内で導波路に沿って伝搬するとき、波動はＡＷＧの出力側の自由空間（ＦＳ）領域に入る前に様々な位相面に到達する。１つの波長チャネルのみの入力に関すると、その後ＦＳ領域がＴＥモード波およびＴＭモード波をＡＷＧの出力側の出力焦点面上で様々な画像スポット上に焦点集束させ、波長の複屈折シフトによってシフトさせられる。したがって、これらの画像位置に出力導波路を配置することによって、ＡＷＧは単一チャネル入力についてＴＥモード波とＴＭモード波を分ける。単一チャネル入力信号のＴＥモード波とＴＭモード波の分離を達成するための入力および出力導波路の位置決めは概して、その全文を本明細書に参照で組み入れるＡｒｊｅｎ  Ｒ．Ｖｅｌｌｅｋｏｏｐの「Ａ  Ｓｍａｌｌ−Ｓｉｚｅ  Ｐｏｌａｒｉｚａｔｉｏｎ  Ｓｐｌｉｔｔｅｒ  Ｂａｓｅｄ  Ｏｎ  Ａ  Ｐｌａｎａｒ  Ｏｐｔｉｃａｌ  Ｐｈａｓｅｄ  Ａｒｒａｙ」Ｊｏｕｒｎａｌ  ｏｆ  Ｌｉｇｈｔｗａｖｅ  Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ、Ｖｏｌ．８．、Ｎｏ．１．、１９９０年１月で検討されている。簡単に述べると、ＡＷＧの位相移動は伝搬定数と各チャネルの合計長さの積によって決定され、かつ導波路内の伝搬定数がチャネルの波長ならびに偏光に応じて決まるので、フェーズドアレー（ｐｈａｓｅｄ  ａｒｒａｙ）は波長マルチプレクサ／デマルチプレクサならびに偏光スプリッタとして動作することが可能である。付け加えると、本発明の偏光スプリッタは出力ポートの位置決めに応じて入力チャネルの偏光をＴＥモード及びＴＭモード以外のモードへと分けるために使用することが可能である。
【００１１】
さらに、グレーティングの自由スペクトル領域（ＦＳＲ）の効力によって、ＡＷＧはＦＳＲの整数倍で隔てられている波長を偏光分離することが可能である。伝搬する光信号に及ぼすＡＷＧの影響に起因して、入力信号もまたフィルタ処理される。このようにＡＷＧの波長依存性に基づいてスプリッタを構成するが、例えばそのようなスプリッタは増幅された自然放出光（ＡＳＥ）ノイズの影響を制限するので、そのようなスプリッタは特定の用途に望ましい可能性がある。
【００１２】
図１は本発明による集積型のチャネル・フィルタ処理用偏光スプリッタの実施形態のハイレベル・ブロック図を示している。図１の偏光スプリッタ１００は、入力導波路１１０、入力カプラ（具体例を挙げるとスター・カプラ）１２０、出力カプラ（具体例を挙げるとスター・カプラ）１３０、入力カプラ１２０と出力カプラ１３０を接続する複数の多様な長さの導波路（導波路アレー）１４０、および複数の出力導波路１５０を含むＡＷＧを有する。図１の偏光スプリッタ１００のＡＷＧの設計は、７００ＧＨｚのＦＳＲ、および１つのチャネル間隔によって分けられた７つの出力部を有する波長ラッピング（ｗａｖｅｌｅｎｇｔｈ  ｗｒａｐｐｉｎｇ）型のＡＷＧ設計である。チャネルの間隔は１００ＧＨｚであり、通過帯域は３０ＧＨｚの半値全幅（ＦＷＨＭ）を備えたガウス型となるように設計される。図１の偏光スプリッタ１００においては、カプラは例えばスター・カプラであるが、実質的にスター・カプラと同様の機能を有するスラブ導波路レンズのような他のカプラが本発明のスター・カプラの代用となることが可能である。
【００１３】
図１の偏光スプリッタ１００は約５ｍｍ×６ｍｍのサイズである。通常、偏光スプリッタ１００のような本発明の偏光スプリッタのＴＥとＴＭの実効屈折率の間の差は約０．１５４％である。１５５０ｎｍの中心波長付近では、この実効屈折率は実質的に２．４ｎｍの複屈折シフトを引き起こし、それは図１の偏光スプリッタ１００では約３チャネルの間隔に等しい。
【００１４】
図１の偏光スプリッタ１００のような本発明の偏光スプリッタは能動性／受動性モノリシック集積化（ＡＰＭＩ）技術を使用して集積化される。例えば、或る製造技術によると、本発明の偏光スプリッタの受動性導波路を形成するためにシャロー・エッチングで埋め込まれたリブ構造が使用される。そのような技術は記録的に低い伝搬損失をＩｎＰ材料系に与える。その後、能動性の部分が多重量子井戸（ＭＱＷ）の別の薄層によってリブの最上部の上に直接形成され、それは受動性導波路を形成するそれと同じ再成長によって埋め込まれる。したがって、本発明の偏光スプリッタは能動デバイスおよび受動デバイスとして使用されることが可能である。例えば、ＴＥモードおよびＴＭモードの振幅は能動性部分の中で例えば増幅を介して別々に制御されることが可能であり、したがって、オンチップの調節可能な偏光制御器が得られることが可能である。ＩｎＰ／ＩｎＧａＡｓＰが本発明による偏光スプリッタのための選択の材料であることが好ましいが、なぜならばこの材料は送信器、受信器、光増幅器、スイッチなどといった能動性光学部品とのモノリシック集積化を可能にするからである。この形式で、各々の導波路が特定の光学的機能について最適化される（例えば利得について最適化された能動性導波路、結合の容易さについて最適化された受動性導波路、分離処理のために最適化された受動性導波路、方向性結合または他の受動性デバイス）ように多数の導波路が互いに接近して配置されることが可能である。
【００１５】
なおもさらに、本発明による偏光スプリッタは当該技術で知られている他の技術を使用して能動性／受動性モノリシック集積化（ＡＰＭＩ）を行なうことが可能である。例えば、本発明の偏光スプリッタは同じ導波路材料の１つの成長層との傾斜荷電子帯量子井戸二重ヘテロ構造を利用する光電子集積導波路デバイスを含むことが可能である。したがって、本発明の偏光スプリッタは通常の受動的動作についてはバイアスを伴わず、能動デバイスとしての動作については逆バイアスを伴って動作させられることが可能である。そのような技術は概して、ここにその全文を参照で組み入れる１９９９年９月１４日にＺｈｏｕらに発行された米国特許第５，９５３，４７９号で検討されている。
【００１６】
図１に戻ると、偏光スプリッタ１００では出力導波路Ｎｏ．１およびＮｏ．５は１５５０ｎｍ付近に中心を有する波長チャネルに関するＴＭ出力およびＴＥ出力としてそれぞれ例示的に描かれている。通常のＡＷＧ構造では偏光フィルタ１００の出力導波路の番号割り当ては曲げられた導波路アレーの内側（短い導波路側）から外側（長い導波路側）へと始まる。ＴＥモードの実効屈折率をわずかに高くすることはＴＥモードをＴＭ出力の内側に対して約３チャネルに見せるであろう。出力導波路Ｎｏ．１が出力導波路Ｎｏ．５によって整合をとられること、および複屈折シフトが３つのチャネルの間隔に近いことを前提とすると、１５５０ｎｍチャネルおよび１５５０ｎｍからＦＳＲの整数倍離れている複数のチャネルについて導波路Ｎｏ．１がＴＭ出力であり、導波路Ｎｏ．５がＴＥ出力であることにつながる。
【００１７】
図１の偏光スプリッタ１００のような本発明の偏光スプリッタでは、単一チャネル信号が入力導波路１１０に入り、ＡＷＧへと結合させられる。単一チャネル入力信号のＴＥモード波およびＴＭモード波は導波路アレー１４０に沿って伝搬するので、それらはＡＷＧの出力カプラ１３０の自由空間領域に入る前に異なる位相面に到達する。その後自由空間領域がＴＥモード波およびＴＭモード波を様々な画像スポット上に焦点集束させ、出力焦点面上で波長の複屈折シフトによってシフトさせられる。したがって、これらの画像位置に出力導波路１５０を配置することによって、偏光スプリッタ１００は単一チャネル入力についてＴＥモード波とＴＭモード波を分ける。ＦＳＲの効力によって、このデバイスはＡＷＧのＦＳＲの整数倍で分けられる波長に関してもやはり動作するであろう。
【００１８】
図２は図１の偏光スプリッタ１００用の実験設備のハイレベル・ブロック図を描いている。図２の実験設備２００は非偏光広帯域ＡＳＥ源（具体例を挙げるとエルビウム・ドープされたファイバ増幅器（ＥＤＦＡ））２１０、プログラム可能な偏光制御器（ＰＰＣ）２２０、本発明の偏光スプリッタの実施形態（具体例を挙げると図１の偏光スプリッタ１００）、および光検波器（具体例を挙げると光学スペクトルアナライザ（ＯＳＡ））２３０を含む。ＥＤＦＡ２１０の後にプログラム可能な偏光制御器（ＰＰＣ）２２０が続く。ＰＰＣ２２０は直線偏光器である。ＰＰＣ２２０の出力部はコネクタ（図示せず）を通じてレンズ・ファイバ２４０へと接続される。レンズ・ファイバ２４０の公称焦点距離は８μｍである。レンズ・ファイバ２４０は３軸の平行移動ステージ（図示せず）上にファイバ・ホルダを通じて装着される。したがって、ＰＰＣ２２０の出力部は光学的に偏光スプリッタ１００へと接続される。偏光スプリッタ１００の出力部は、ファイバ・ホルダ（図示せず）を通じてやはり３軸の平行移動ステージ（図示せず）上に装着される切断ファイバ２５０へと連結される。ＰＰＣ２２０が入力の偏光の状態（ＳＯＰ）をＴＭ支持偏光からＴＥ支持偏光へと変える間に、通過帯域が偏光スプリッタ１００のＴＭ（Ｎｏ．１）出力部およびＴＥ（Ｎｏ．５）出力部でＯＳＡ２３０を使用して測定される。実験では、ＥＤＦＡ２１０と偏光スプリッタの入力ファセットの間の相互接続ファイバによって引き起こされるどのような偏光の変化も補償するようにＰＰＣ２２０を調節することによってＴＥ支持偏光の伝送がＴＥ出力部（Ｎｏ．５）で最初に最大にされる。
【００１９】
その後、ＰＰＣ２２０（例えば直線偏光器）の第１のステージが６度の歩進で９０度回転させられる。相互接続ファイバによるＳＯＰの変化は一元的であるはずであるから、入力ＳＯＰの回転は相互接続ファイバの出力部で同じＳＯＰの回転を生じさせ、したがって偏光スプリッタ１００への入力をＴＭ支持偏光からＴＥ支持偏光へと変えることになる。
【００２０】
図３は、ＰＰＣ２２０の入力直線偏光器を回転させることによって入力ＳＯＰを変化させる間の、１５５０ｎｍの入力波長を有する偏光スプリッタ１００のＴＭ（Ｎｏ．１）出力部とＴＥ（Ｎｏ．５）出力部の出力パワーをグラフで描いている。図３では、ＴＭ（Ｎｏ．１）出力部とＴＥ（Ｎｏ．５）出力部の出力パワーはＰＰＣ２２０の相対的位置に対する度合いでプロットされている。入力をＴＭ支持偏光からＴＥ支持偏光へと変化させると伝送される光パワーが偏光スプリッタ１００のＴＭ（Ｎｏ．１）出力部からＴＥ（Ｎｏ．５）出力部へと振れることが図３から理解できる。ＴＭとＴＥの両方のモードで１５ｄＢの減衰率が得られる。同様の偏光ビーム分割は、１５５０ｎｍのチャネルからＦＳＲの整数で隔てられたチャネルについてもやはり同時に得られる。例えば、図３はさらに偏光スプリッタ１００のＴＭ（Ｎｏ．１）出力部とＴＥ（Ｎｏ．７）出力部の出力パワーを実質的に１５５５ｎｍ（破線）および１５４４ｎｍ（一点鎖線）の入力波長についてグラフで描いている。減衰率の点から見ると類似した性能がこれらのチャネルについても同様に得られる。減衰率の制限は主に、偏光スプリッタ１００のグレーティング・アーム内の不完全な画像化および位相誤差に起因する散乱の生じたバックグラウンドから由来する。これらはＡＷＧのチャネルのクロストークについても同じ制限因子である。
【００２１】
図３に描かれたように、図２の偏光スプリッタ１００のＴＥ（Ｎｏ．５）出力部での最大のファイバ間伝送パワーは約２５ｄＢであり、その一方でＴＭ（Ｎｏ．１）出力部での最大のファイバ間伝送パワーは約−２８ｄＢである。切断ファイバ２５０とレンズ・ファイバ２４０に関する結合損失はそれぞれ約１０．５ｄＢと５ｄＢであると見積もられる。ファイバのファセットはコーティングされず、２つのファセットから由来する反射損失が約３ｄＢの損失を追加する。コネクタ損失および未コーティングのファイバ先端から由来する反射が別に最大で１ｄＢの損失を追加する。これは、ＴＭモードとＴＥモードが同様の結合損失を有すると仮定すると合計のオンチップ損失がＴＥモードで約５．５ｄＢ、ＴＭモードで８．５ｄＢであることを示している。この損失の違いは主にＴＥモードとＴＭモードの異なる伝搬損失のせいである。ＴＭ出力部がブリュアン領域のエッジに配置され、その一方でＴＥ出力部がブリュアン領域の中心付近に配置されているという事実もやはりわずかにＴＥ出力部とＴＭ出力部の間の損失の差異に寄与する可能性がある。
【００２２】
本発明の偏光スプリッタは波長依存性である。付け加えると、ＡＷＧの特性のせいでこの偏光スプリッタはまた、ＡＷＧフィルタ帯域幅で与えられるチャネルのフィルタ処理を伴って波長の多重化／逆多重化を実行する。チャネルのフィルタ処理は伝送リンクに沿って生じるＡＳＥといった広帯域のノイズの影響を減少させることが可能であり、したがって検出される信号対ノイズ比（ＳＮＲ）を向上させる。さらに、ＦＳＲ離れているチャネルがこの観点で同等であるので多チャネルの動作が達成される。
【００２３】
本発明の偏光スプリッタの出力導波路の位置合わせは偏光スプリッタの機能に極めて重要である。さらに、上記で判定されるシミュレートされた実効屈折率の差異は実際のそれとは異なる可能性があり、ＴＥモードとＴＭモードの間のオフセットを生じさせる。例えば、偏光スプリッタ１００では、１５５０ｎｍの入力チャネルに関して０．２７ｎｍの波長のわずかなシフトが測定されるＴＥとＴＭの出力の間に観察される。この波長シフトは本発明の偏光スプリッタを通過するデータ信号に劣化を引き起こす可能性があり、最小限にされねばならない。しかしながら、所定の導波路設計および層構造については、ＴＥモードとＴＭモードの間の実効屈折率の差異は実験的に判定され、かつ本発明の偏光スプリッタの設計の中で補償されることが可能である。ＡＷＧを通るＴＥモードとＴＭモードの間のシフトは実質的に実効屈折率の差と中心波長のみに関連するので、この誤差は偏光スプリッタ構造の良好な再現性を保つことによって最小限にされることが可能である。
【００２４】
本発明の別の選択肢の実施形態では、本発明による偏光スプリッタはＡＷＧの出力ポートの適切な配置を介して入力チャネルをＴＥモード成分とＴＭモード成分以外の偏光成分へと分けることが可能である。
【００２５】
前記の説明は本発明の様々な実施形態を指向しているが、本発明のその他およびさらなる実施形態が本発明の基本的範囲から逸脱することなく考案されることが可能である。したがって、本発明の適切な範囲は添付の特許請求項に従って決定されるべきである。
【図面の簡単な説明】
【００２６】
【図１】本発明による集積型のチャネル・フィルタ処理用偏光スプリッタの実施形態を描くハイレベル・ブロック図である。
【図２】図１の偏光スプリッタ用の実験設備を描くハイレベル・ブロック図である。
【図３】図１の偏光スプリッタのＴＭ（Ｎｏ．１）出力部とＴＥ（Ｎｏ．５）出力部の出力パワーを描くグラフの図である。
【図１】
0004832766.tif 000002
【図２】
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【図３】
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