(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
成膜用の基板上の成膜予定位置に対向して成膜用原料よりなると共に空孔を有するターゲットを配置し、前記基板上の成膜予定位置を特定または観察するため前記空孔内に前記基板に対向した窓を有する観察光学系を設け、前記観察光学系を用いて前記基板上の成膜予定位置を観察しながら、前記ターゲットと前記基板上の成膜予定位置との間に外気から遮断された成膜空間を形成し、前記成膜空間にスパッタガスを導入し、かつ前記ターゲットに電圧を印加することにより、前記ターゲットを構成する成膜用原料の原子を前記基板上に堆積させて局所的に成膜を行う
成膜方法。
【請求項２】
前記窓を交換可能とする
請求項１記載の成膜方法。
【請求項３】
前記ターゲットと前記基板との間の距離を１ｍｍ以上とし、前記成膜空間を１００Ｐａ以下の圧力に排気する
請求項１記載の成膜方法。
【請求項４】
前記ターゲットと前記基板との間の距離を０．１ｍｍ以上４０ｍｍ以下とする
請求項１記載の成膜方法。
【請求項５】
前記ターゲットと前記基板との間に、開口を有するスリットを配設し、前記ターゲットを構成する成膜用原料の原子を前記スリットの開口を通して前記基板上の成膜予定位置近傍に堆積させる
請求項１記載の成膜方法。
【請求項６】
前記スリットの開口の大きさを可変にする
請求項５記載の成膜方法。
【請求項７】
成膜用の基板を支持する載置台と、
前記基板上の成膜予定位置近傍を覆う成膜室を有し、前記載置台上の基板の表面に対して相対的に変位可能な局所成膜部と、
前記成膜室内に設けられ、前記載置台上の基板に対向する面に成膜用原料よりなると共に空孔を有するターゲットが取り付けられ、前記ターゲットと互いに連通した空孔を有するカソードと、
前記カソードに取り付けられたターゲットに電圧を印加するスパッタ電源と、
前記成膜室内にスパッタガスを導入するスパッタガス供給部と、
前記成膜室内を排気するスパッタガス排気部と、
前記基板上の成膜予定位置を特定または観察するため前記空孔内に前記基板に対向した窓を有する観察光学系と
を備えた成膜装置。
【請求項８】
前記基板上の成膜予定位置近傍を外気から遮断するガスカーテン機構を備えた
請求項７記載の成膜装置。
【請求項９】
前記窓は交換可能である
請求項７記載の成膜装置。
【請求項１０】
前記ターゲットと前記載置台上の基板との間の距離は０．１ｍｍ以上４０ｍｍ以下である
請求項７記載の成膜装置。
【請求項１１】
前記ターゲットと前記載置台上の基板との間に、開口を有するスリットが配設された
請求項７記載の成膜装置。
【請求項１２】
前記スリットの開口の大きさは可変である
請求項１１記載の成膜装置。
【請求項１３】
浮上用ガスにより前記局所成膜部を前記載置台上の基板に対して浮上させる浮上機構を備えた
請求項７記載の成膜装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、欠陥修正等のため、基板上に局所的に成膜を行う成膜方法および成膜装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来より、半導体製造において、または液晶あるいは有機エレクトロルミネッセンスディスプレイの製造において、フォトマスクの欠陥修正、ＴＦＴ（Thin Film Transistor；薄膜トランジスタ）基板の配線修正などに、レーザＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition ；化学的気相成長）法が採用されている（例えば、特許文献１参照。）。このレーザＣＶＤ法は、レーザ光が照射されたところのみ薄膜を形成することができるので、有限の幅または長さ、および厚みを有する薄膜を所望の位置に形成するのに適している。
【０００３】
この方法を用いたレーザＣＶＤ装置では、真空室内に基板などを収容して成膜を行っているが、近年では、真空室を不要として装置を小型化するため、ガスカーテン方式によりレーザ光照射位置付近を外気から遮断するようにした局所成膜ヘッドが用いられるようになっている。更に、大型基板に対応した欠陥修復装置では、装置設置面積の縮小のため、基板を固定して局所成膜ヘッドを移動させる方式を採用することが多くなってきている。
【特許文献１】特開２００１−２０７２６７号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、レーザＣＶＤ法では、成膜用原料の安全性という点から、局所成膜ヘッドに適用可能な成膜用原料は限られてしまっている。例えば、液晶ディスプレイ用のＴＦＴアレイ基板の配線膜を修復する装置では、成膜用原料としてヘキサカルボニルタングステン（０）（Ｗ（ＣＯ）6 ），モリブデンカルボニル（Ｍｏ（ＣＯ）6 ）またはヘキサカルボニルクロム（０）（Ｃｒ（ＣＯ）6 ）を用いて、タングステン（Ｗ），モリブデン（Ｍｏ）またはクロム（Ｃｒ）よりなる膜を形成するようにしている。しかし、このようにして形成された膜の抵抗値は、スパッタ法で形成された配線膜と比較して一桁以上高いという問題があった。
【０００５】
液晶ディスプレイは電圧駆動方式であるので、結線部の抵抗が多少高くても大きな問題にはならないが、電流駆動方式の有機ＥＬ（エレクトロルミネッセンス）ディスプレイでは、高い抵抗による電圧降下がパネルの輝度特性に大きく影響を及ぼしてしまうおそれがある。したがって、結線による修復を行う場合、低抵抗金属であるアルミニウム（Ａｌ）または銅（Ｃｕ）よりなる膜を形成するほうが望ましい。しかし、これらの金属をレーザＣＶＤ法で成膜する場合、成膜用原料としてトリメチルアルミニウム（Ａｌ（ＣＨ3 ）3 ），ジメチルアルミナムハイドライド（Ａｌ（ＣＨ3 ）2 Ｈ）等の発火性のある危険なガスを用いる必要がある。これらのガスは局所成膜ヘッドでは使用できず、安全性を考慮して基板全体を覆う真空装置が必要となっていた。更に、レーザＣＶＤ法で形成されたアルミニウム膜または銅膜は、膜の密着性が低いという問題もあった。
【０００６】
本発明はかかる問題点に鑑みてなされたもので、その目的は、広範囲の成膜用原料を用いて、抵抗値や密着性など目的に応じた良好な特性を有する膜を、安全に形成することができる成膜方法および成膜装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明による成膜方法は、成膜用の基板上の成膜予定位置に対向して成膜用原料よりなると共に空孔を有するターゲットを配置し、基板上の成膜予定位置を特定または観察するため空孔内に基板に対向した窓を有する観察光学系を設け、観察光学系を用いて基板上の成膜予定位置を観察しながら、ターゲットと基板上の成膜予定位置との間に外気から遮断された成膜空間を形成し、成膜空間にスパッタガスを導入し、かつターゲットに電圧を印加することにより、ターゲットを構成する成膜用原料の原子を基板上に堆積させて局所的に成膜を行うようにしたものである。ここで、ターゲットと基板との間の距離は０．１ｍｍ以上４０ｍｍ以下とすることが好ましい。
【０００８】
本発明による成膜装置は、成膜用の基板を支持する載置台と、基板上の成膜予定位置近傍を覆う成膜室を有し、載置台上の基板の表面に対して相対的に変位可能な局所成膜部と、成膜室内に設けられ、載置台上の基板に対向する面に成膜用原料よりなると共に空孔を有するターゲットが取り付けられ、ターゲットと互いに連通した空孔を有するカソードと、カソードに取り付けられたターゲットに電圧を印加するスパッタ電源と、成膜室内にスパッタガスを導入するスパッタガス供給部と、成膜室内を排気するスパッタガス排気部と、基板上の成膜予定位置を特定または観察するため空孔内に基板に対向した窓を有する観察光学系とを備えたものである。また、基板上の成膜予定位置を特定または観察するための観察光学系を備えることが好ましい。更に、ターゲットと載置台上の基板との間の距離は０．１ｍｍ以上４０ｍｍ以下であることが好ましい。
【０００９】
本発明の成膜装置では、局所成膜部が載置台上の基板の表面に対して相対的に変位し、局所成膜部の成膜室が基板上の成膜予定位置近傍を覆う。次いで、スパッタガス供給部により成膜室内にスパッタガスが導入されたのち、スパッタガス排気部により成膜室内が排気されて成膜室内の圧力が低下する。スパッタ電源によりターゲットに電圧が印加されることにより、成膜室内に存在するスパッタガスがイオン化し、このイオンがターゲットに衝突してターゲットから成膜用原料の原子が飛び出し、基板上に堆積して局所的に膜が形成される。
また、ターゲットおよびカソードは互いに連通した空孔を有しており、この空孔内に観察光学系の窓が設けられているので、基板上に散在する欠陥部分の位置を特定したり、発見した欠陥部分を観察しながら修正することが容易に行える。
【発明の効果】
【００１０】
本発明の成膜方法によれば、基板上の成膜予定位置に対向してターゲットを配置し、このターゲットに電圧を印加して成膜を行うようにしたので、従来のレーザＣＶＤ法では原料ガスの安全性という観点から真空室内で成膜していたアルミニウムや銅などの成膜用原料であっても、真空室なしで安全に成膜することができ、成膜用原料として種々の金属の単体あるいは合金、酸化物あるいは窒化物、または金属酸化物あるいは金属窒化物など広範囲に選択可能となる。よって、例えばＴＦＴアレイ基板の配線の欠陥部分を、配線と同一の材料であるアルミニウムまたは銅などの低抵抗金属を用いて修正することが可能となり、配線と修復された膜との間で異種金属の接触抵抗を無視することができる。あるいは、レーザＣＶＤ法では成膜できないＩＴＯ（Indium Tin Oxide；スズを添加した酸化インジウム）等の透明導電膜なども容易に形成することができる。
また、ターゲットに空孔を設け、この空孔内に観察光学系の窓を設けるようにしたので、基板上に散在する欠陥部分の位置を特定したり、発見した欠陥部分を観察しながら修正することが容易に行える。
【００１１】
また、ターゲットと基板上の成膜予定位置との間に形成されている成膜空間を局所的に排気し、真空に近い低圧で成膜を行うので、高圧下で成膜を行うレーザＣＶＤ法のように酸素（Ｏ）または炭素（Ｃ）が不純物として膜に混入してしまうことがなく、不純物の少ない膜を形成することができる。よって、配線修正などの場合には、膜の抵抗値を更に低減することができる。特に、電流駆動方式の有機ＥＬディスプレイ用ＴＦＴアレイ基板の製造に極めて好適である。
【００１２】
更に、ターゲットから飛び出した原子が基板に到達する際のエネルギーは、レーザＣＶＤ法や蒸着法などの場合に比べて一桁ないし二桁程度高くなるので、原子が基板の表面において十分に拡散し、安定な結晶サイトにおさまる。よって、密着性の高い膜を形成することができる。
【００１３】
本発明の成膜装置によれば、局所成膜部の成膜室内に設けたカソードに成膜用原料よりなるターゲットを取り付け、本発明の成膜方法により成膜を行うようにしたので、広範囲の成膜用原料を用いて、抵抗値や密着性などの必要な特性を備えた膜を、真空室なしで安全に成膜することができる。特に、電流駆動方式の有機ＥＬディスプレイ用ＴＦＴアレイ基板の製造に極めて好適である。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１４】
以下、本発明の実施の形態について、図面を参照して詳細に説明する。
【００１５】
図１は本発明の一実施の形態に係る成膜装置の断面構成を表すものであり、図２はこの成膜装置の全体構成を表すブロック図である。この成膜装置は、例えば、液晶あるいは有機ＥＬディスプレイの製造において、ＴＦＴアレイ基板１０の配線パターン１１の欠陥部分１１Ａにスパッタ法により修復膜１２を形成して修正するのに用いられるものであり、成膜用のＴＦＴアレイ基板１０を支持する載置台２０と、載置台２０上のＴＦＴアレイ基板１０の表面に対して相対的に変位可能な局所成膜部３０とを備えている。局所成膜部３０は、ＴＦＴアレイ基板１０上の成膜予定位置すなわち欠陥部分１１Ａを覆う成膜室３１を有しており、この成膜室３１内には、成膜用原料よりなるターゲット４０が取り付けられたカソード５０と、スリット６０とが設けられている。カソード５０にはスパッタ電源７０の負極側が接続されている。カソード５０の上方には、ＴＦＴアレイ基板１０上の欠陥部分１１Ａを特定および観察するための観察光学系８０が設けられている。更に、この成膜装置は、成膜室３１内にスパッタガスＧ１を導入するスパッタガス供給部９０と、成膜室３１内を排気するスパッタガス排気部１００と、浮上用ガスＧ２により局所成膜部３０をＴＦＴアレイ基板１０に対して浮上させる浮上機構１１０とを備えている。
【００１６】
ＴＦＴアレイ基板１０は、例えばガラスにより構成され、表面にアルミニウムまたは銅よりなる配線パターン１１が形成されている。配線パターン１１にはところどころに欠陥部分１１Ａが発生しているものとする。
【００１７】
載置台２０は、例えばＸ−Ｙステージにより構成され、ＴＦＴアレイ基板１０を局所成膜部３０の下部位置に移動させ、ＴＦＴアレイ基板１０上に点在する欠陥部分１１Ａに局所成膜部３０を対向させることができるようになっている。また、載置台２０には、ＴＦＴアレイ基板１０の載置、交換などの際に局所成膜部３０を待避させるための待避部（図示せず）が設けられている。
【００１８】
局所成膜部３０は、例えばアルミニウム（Ａｌ）により構成され、略円板状の形状を有し、中央に成膜室３１を有している。成膜室３１は、ＴＦＴアレイ基板１０上の成膜予定位置すなわち欠陥部分１１Ａを覆うことにより、ターゲット４０とＴＦＴアレイ基板１０上の欠陥部分１１Ａとの間に外部から区別された成膜空間を形成するものである。
【００１９】
ターゲット４０は、カソード５０のＴＦＴアレイ基板１０に対向する面に取り付けられており、ＴＦＴアレイ基板１０上の成膜予定位置すなわち欠陥部分１１Ａに対向して配置されている。ターゲット４０を構成する成膜用原料としては、例えば、金属単体および合金，金属酸化物並びに金属窒化物のうちの少なくとも１種が挙げられ、用途に応じて選択することが望ましい。特に、アルミニウム（Ａｌ），銅（Ｃｕ）または金（Ａｕ）などの低比抵抗金属を含むターゲット４０を用いれば、ＴＦＴアレイ基板１０の配線パターン１１の欠陥部分１１Ａを、配線パターン１１と同一の材料を用いて修正することが可能となる。したがって、配線パターン１１と修復膜１２との間で異種金属の接触抵抗を無視することができる。特に、電流駆動方式の有機ＥＬディスプレイ用ＴＦＴアレイ基板１０の製造に極めて好適である。あるいは、ＩＴＯ等の透明導電材料よりなるターゲット４０を用いることにより、レーザＣＶＤ法では成膜できない透明導電膜なども容易に形成することができる。また、特に、金属合金よりなるターゲット４０を用いれば、耐食性の高い修復膜１２を容易に形成することができる。更に、酸化ケイ素などの酸化物や窒化ケイ素等の窒化物よりなるターゲット４０を用いれば絶縁膜の修復なども可能となる。あるいは、金属酸化物や金属窒化物よりなるターゲット４０を用いれば、半導体膜の修復なども可能となる。
【００２０】
ターゲット４０とＴＦＴアレイ基板１０との距離ｄは、例えば０．１ｍｍ以上４０ｍｍ以下であることが好ましい。この距離ｄを０．１ｍｍ未満にすることは構成上限界があり、また、４０ｍｍより大きいと、後述する観察光学系８０の対物レンズ８２の作動距離よりも距離ｄのほうが大きくなり、対物レンズ８２の焦点を合わせることが難しくなってしまうからである。更に、距離ｄは例えば１ｍｍ以上２０ｍｍ以下であればより好ましい。
【００２１】
カソード５０は、例えば銅（Ｃｕ）により構成されている。なお、マグネトロンスパッタ法を採用する場合、カソード５０にスパッタ効率を高めるための磁石（図示せず）が設けられていてもよい。
【００２２】
スリット６０は、ターゲット４０とＴＦＴアレイ基板１０との間に設けられ、修復膜１２の形状および寸法を規定する開口６１を有している。スリット６０は、例えば、ＳＵＳ（ステンレス鋼）などの金属により構成されている。スリット６０とＴＦＴアレイ基板１０との距離は、小さいほど好ましい。修復膜１２の形状精度を高くすることができるからである。また、スリット６０は、開口６１の大きさが可変であることが好ましい。修復膜１２の幅を制御することができるので、欠陥修復に対する応用性を高くすることができるからである。その場合、局所成膜部３０には、スリット６０の開閉に伴ってスリット６０の一部を収納するための凹部（図示せず）を設けておくことが望ましい。
【００２３】
観察光学系８０は、例えば、ＴＦＴアレイ基板１０に対向した窓８１と、この窓８１の上方に設けられた対物レンズ８２および観察用カメラ８３を有している。窓８１は、例えばガラスにより構成され、局所成膜部３０の成膜室３１に取り付けられている。これに対して、対物レンズ８２および観察用カメラ８３は、局所成膜部３０の振動などによる影響を防ぐため、局所成膜部３０から分離して設置されていることが好ましい。対物レンズ８２の倍率は例えば５０倍、作動距離は例えば１５ｍｍである。
【００２４】
図３は、ターゲット４０，カソード５０および窓８１の構造を表すものである。ターゲット４０は、例えば、局所成膜部３０の成膜室３１と同径の環状、カソード５０はターゲット４０よりも少し大きめの環状に形成されている。ターゲット４０は、縁に設けられたネジ孔でカソード５０にネジ固定され、着脱や交換が可能となっている。カソード５０は、図１に示したように局所成膜部３０の成膜室３１の上側開口端にネジ等により固定されている。
【００２５】
ターゲット４０およびカソード５０は互いに連通した空孔８１Ａを有しており、窓８１は、この空孔８１Ａ内に嵌め込まれている。このようにターゲット４０およびカソード５０の空孔８１Ａ内に窓８１を形成することにより、ＴＦＴアレイ基板１０上に散在する欠陥部分１１Ａの位置を特定したり、発見した欠陥部分１１Ａを観察しながら修正することが容易に行えるようになっている。
【００２６】
窓８１は、表面に意図しないスパッタ膜が形成されてしまった場合に備えて、交換可能であることが好ましい。
【００２７】
図１に示したスパッタガス供給部９０は、成膜室３１内にスパッタガスＧ１を導入する導入路９１を備えている。スパッタガスＧ１としては、例えば、アルゴン（Ａｒ），ヘリウム（Ｈｅ），ネオン（Ｎｅ），クリプトン（Ｋｒ）またはキセノン（Ｘｅ）などの不活性ガスが好ましい。化学反応性が低い不活性ガスをスパッタガスＧ１として用いることにより、スパッタ率を高くすることができ、成膜速度を向上させることができるからである。
【００２８】
図１に示したスパッタガス排気部１００は、成膜室３１内を排気する排気路１０１を備えている。排気路１０１は、導入路９１よりも太くなっているが好ましい。スパッタガスＧ１の供給量に対して排気量の方が大きいからである。
【００２９】
図１に示した浮上機構１１０は、浮上用ガスＧ２により局所成膜部３０をＴＦＴアレイ基板１０に対して浮上させるものである。浮上用ガスＧ２としては、反応性の低いもの、例えばアルゴン（Ａｒ）などの不活性ガスまたは窒素（Ｎ2 ）ガスが好ましい。これらのガスは、成膜室３１内に漏れたとしても修復膜１２の膜質に悪影響を与えにくいからである。また、浮上機構１１０は、浮上用ガスＧ２により成膜室３１への外気の侵入を遮断するガスカーテンとしての機能も有しており、カソード５０および窓８１と共に成膜室３１を外気から遮断し、不純物の混入を防止して純度の高い修復膜１２を形成することができるようになっている。
【００３０】
浮上機構１１０には、局所成膜部３０の載置台２０側の面に、浮上用ガスＧ２を載置台２０上のＴＦＴアレイ基板１０に向けて吹き出す通気部１１１と、成膜室３１方向へ向かって流れてくる浮上用ガスＧ２を吸引する吸引口１１２とが設けられている。通気部１１１は、浮上用ガスＧ２を吹き出すため、多数の空孔により構成されている。通気部１１１は、浮上用ガスＧ２を均一に放出するため例えば多孔質材料により構成されていることが好ましい。多孔質材料としては、例えば多孔質金属、多孔質セラミックスあるいは多孔質合成樹脂が好ましく、中でも多孔質アルミニウム（Ａｌ）がより好ましい。アルミニウムは精度を伴う加工が容易であり、また局所成膜部３０の本体に、ロウ付けもしくは拡散接合などの方法により強固に固定することができるからである。また、通気部１１１を構成する多孔質材料の空孔率は、例えば１５％ないし５０％、具体的には例えば１５％である。浮上機構１１０は、更に、浮上用ガスＧ２の圧力または流量を制御する弁（図示せず）を備えており、浮上用ガスＧ２の圧力または流量を制御して、局所成膜部３０とＴＦＴアレイ基板１０との間隔、すなわち局所成膜部３０の浮上量を制御することができるようになっている。
【００３１】
図４は、局所成膜部３０を載置台２０側から見た底面図である。なお、図４では、局所加工部３０および通気部１１１の識別を容易とするために、それらに図１と同一の斜線をそれぞれ付している。吸引口１１２および通気部１１１は、成膜室３１に近い方からこの順に、成膜室３１を中心とした同心環状に配置されている。
【００３２】
スリット６０は、例えば、四枚のスライド板６２Ａ，６２Ｂ，６２Ｃ，６２Ｄを有しており、向かい合う二枚、すなわちスライド板６２Ａ，６２Ｃ、またはスライド板６２Ｂ，６２Ｄをペアで動かすことにより開口６１の大きさを変化させることができるようになっている。
【００３３】
図５は、この成膜装置によりＴＦＴアレイ基板１０の配線パターン１１の欠陥部分１１Ａに修復膜１２を形成して修正する工程を順に表すものである。まず、例えば成膜用原料としてアルミニウムまたは銅よりなるターゲット４０を取り付けたカソード５０を、局所成膜部３０の成膜室３１の上方開口端に固定する。次いで、局所成膜部３０を載置台２０の待避部（図示せず）に待避させておいて載置台２０にＴＦＴアレイ基板１０を載置する。
【００３４】
ターゲット４０およびカソード５０の取り付けおよびＴＦＴアレイ基板１０の載置作業が完了したのち、通気部１１１から浮上用ガスＧ２が例えば０．１ＭＰａの流量で吹き出して局所成膜部３０が浮上し、載置台２０によりＴＦＴアレイ基板１０が局所成膜部３０の下部位置に移動する。
【００３５】
続いて、観察光学系８０の窓８１からＴＦＴアレイ基板１０を観察しながら載置台２０によりＴＦＴアレイ基板１０を移動させ、例えば図５（Ａ）に示したような配線パターン１１の断線状の欠陥部分１１Ａを特定する。これにより、局所成膜部３０の成膜室３１が、ＴＦＴアレイ基板１０上の欠陥部分１１Ａを覆い、ターゲット４０とＴＦＴアレイ基板１０の欠陥部分１１Ａとの間に外部から区別された成膜空間が形成される。このとき、局所成膜部３０を浮上させてからＴＦＴアレイ基板１０を移動させるようにすることにより、局所成膜部３０とＴＦＴアレイ基板１０とが接触することを防ぐことができる。
【００３６】
そののち、浮上機構１１０の吸引口１１２により浮上用ガスＧ２を吸引する。これにより、局所成膜部３０の浮上の剛性を高めると共に、局所成膜部３０の成膜室３１を外気から確実に遮断することができる。
【００３７】
続いて、スパッタガス供給部９０により、成膜室３１内にスパッタガスＧ１として例えばアルゴン（Ａｒ）などの不活性ガスを例えば１０ｃｃｍ導入する。そののち、スパッタガス排気部１００により、成膜室３１内を真空排気する。真空排気後の成膜室３１内の圧力は、低ければ低いほど好ましい。圧力を低くすることににより、ターゲット４０から飛び出した原子がスパッタガスＧ１と衝突しにくくなり、高エネルギーを保持したままＴＦＴアレイ基板１０に到達するので、低比抵抗な修復膜１２を形成することができるからである。
【００３８】
具体的な成膜室内３１の圧力は、ターゲット４０とＴＦＴアレイ基板１０との間の距離Ｄやスパッタガス排気部１００の排気能力なども関係するが、ターゲット４０とＴＦＴアレイ基板１０との距離ｄを例えば１ｍｍ以上とする場合には、成膜室３１内の圧力を１００Ｐａ以下とすることが好ましい。あまり圧力が高すぎるとターゲット４０からの原子がスパッタガスＧ１と衝突してエネルギーを失い、ＴＦＴアレイ基板１０にたどり着くことが難しくなってしまうからである。更に、１０Ｐａ以下とすればより好ましい。低比抵抗な修復膜１２を形成しやすいからである。
【００３９】
そののち、欠陥部分１１Ａの形状および寸法に合わせてスリット６０の開口６１を所望の大きさに調整し、スパッタ電源７０によりターゲット４０に例えば２００Ｖの電圧を印加する。これにより、スパッタガスＧ１がイオン化し、このイオンがターゲット４０に衝突してターゲット４０から成膜用原料の原子が飛び出し、スリット６０の開口６１を通過してＴＦＴアレイ基板１０上の欠陥部分１１Ａに堆積し、図５（Ｂ）に示したように、欠陥部分１１Ａが、アルミニウムまたは銅よりなる修復膜１２で結線される。
【００４０】
以上の工程を繰り返すことにより、ＴＦＴアレイ基板１０の配線パターン１１の欠陥部分１１Ａが順次修正される。ここでは、ＴＦＴアレイ基板１０上の成膜予定位置すなわち欠陥部分１１Ａに対向してターゲット４０が配置されており、このターゲット４０に電圧が印加されることにより成膜が行われるので、アルミニウムまたは銅よりなる修復膜１２が真空室なしで安全に成膜される。よって、欠陥部分１１Ａが、配線パターン１１と同一の材料であるアルミニウムまたは銅などの低抵抗金属よりなる修復膜１２により結線され、配線パターン１１と修復膜１２との間で異種金属の接触抵抗が無視できる程度に小さくなり、修復膜１２における配線抵抗の上昇が抑制される。
【００４１】
また、成膜室３１内、すなわちターゲット４０とＴＦＴアレイ基板１０上の成膜予定位置との間に形成されている成膜空間が局所的に排気され、真空に近い低圧で成膜が行われるので、高圧下で成膜が行われるレーザＣＶＤ法と比較して、酸素（Ｏ）または炭素（Ｃ）が不純物として膜に混入してしまうことがなく、不純物の少ない修復膜１２が形成され、配線パターン１１の欠陥部分１１Ａをつなぐ修復膜１２の抵抗値が更に低減される。
【００４２】
更に、ターゲット４０から飛び出した原子がＴＦＴアレイ基板１０に到達する際のエネルギーは、レーザＣＶＤ法や蒸着法などの場合に比べて一桁ないし二桁程度高くなるので、原子がＴＦＴアレイ基板１０の表面において十分に拡散して、安定な結晶サイトにおさまる。よって、密着性の高い修復膜１２が形成される。
【００４３】
このように本実施の形態では、ＴＦＴアレイ基板１０上の成膜予定位置すなわち欠陥部分１１Ａに対向してターゲット４０を配置し、このターゲット４０に電圧を印加して成膜を行うようにしたので、従来のレーザＣＶＤ法では原料ガスの安全性という観点から真空室内で成膜していたアルミニウムや銅などの成膜用原料であっても、真空室なしで安全に成膜することができ、成膜用原料として種々の金属の単体あるいは合金、酸化物あるいは窒化物、または金属酸化物あるいは金属窒化物など広範囲に選択可能となる。よって、例えばＴＦＴアレイ基板１０の配線パターン１１の欠陥部分１１Ａを、配線パターン１１と同一の材料であるアルミニウムまたは銅などの低抵抗金属よりなる修復膜１２により修正することが可能となり、配線パターン１１と修復膜１２との間で異種金属の接触抵抗を無視することができる。あるいは、レーザＣＶＤ法では成膜できないＩＴＯ等の透明導電膜なども容易に形成することができる。
【００４４】
また、成膜室３１内を局所的に排気し、真空に近い低圧で成膜を行うので、高圧下で成膜を行うレーザＣＶＤ法のように酸素（Ｏ）または炭素（Ｃ）が不純物として膜に混入してしまうことがなく、不純物の少ない修復膜１２を形成することができる。よって、配線パターン１１の欠陥部分１１Ａを修正する場合には、修復膜１２の抵抗値を更に低減することができる。特に、電流駆動方式の有機ＥＬディスプレイ用ＴＦＴアレイ基板の製造に極めて好適である。
【００４５】
更に、ターゲット４０から飛び出した原子がＴＦＴアレイ基板１０に到達する際のエネルギーは、レーザＣＶＤ法や蒸着法などの場合に比べて一桁ないし二桁程度高くなるので、原子がＴＦＴアレイ基板１０の表面において十分に拡散して安定な結晶サイトにおさまる。よって、密着性の高い修復膜１２を形成することができる。
【００４６】
以上、実施の形態を挙げて本発明を説明したが、本発明は上記実施の形態に限定されるものではなく、種々変形可能である。例えば、上記実施の形態においては、成膜装置の構成を具体的に挙げて説明したが、成膜装置の構成は上記実施の形態に限られない。例えば、上記実施の形態では、載置台２０により、ＴＦＴアレイ基板１０を局所成膜部３０に対して移動させる場合について説明したが、局所成膜部３０および観察光学系８０をＴＦＴアレイ基板１０に対して移動させるようにしてもよく、あるいは両方を移動させるようにしてもよい。
【００４７】
また、例えば、上記実施の形態では、ＴＦＴアレイ基板１０の配線パターン１１の欠陥部分１１Ａにアルミニウムまたは銅よりなる修復膜１２を形成する場合について説明したが、他の材料よりなる膜を形成してもよい。加えて、浮上用ガスＧ１またはパージガスＧ２は、上記実施の形態で説明したガス種に限られず、他のガスでもよい。
【００４８】
更に、例えば、上記実施の形態では、断線欠陥の修正の場合について説明したが、対物レンズ８２および窓８１を介して成膜室３１内にレーザ光を導入可能とすれば、短絡欠陥の修正も同一装置で行うようにすることも可能である。
【産業上の利用可能性】
【００４９】
本発明の成膜方法および成膜装置は、上述したＴＦＴアレイ基板の欠陥部分の修正またはフォトマスクの欠陥修正などの用途のほか、回路基板の作製や、またはデバイス製造における微小領域への局所成膜などにも適用することができる。
【図面の簡単な説明】
【００５０】
【図１】本発明の一実施の形態に係る成膜装置の構成を表す断面図である。
【図２】図１に示した成膜装置の全体構成を表すブロック図である。
【図３】図１に示したターゲット、カソードおよび窓を載置台側から見た構成を表す平面図である。
【図４】図１に示した局所成膜部を載置台側から見た構成を表す平面図である。
【図５】図１に示した成膜装置によりＴＦＴアレイ基板の配線パターンの欠陥部分に修復膜を形成して修正する工程を順に表す断面図である。
【符号の説明】
【００５１】
１０…ＴＦＴアレイ基板、１１…配線パターン、１１Ａ…欠陥部分、１２…修復膜、２０…載置台、３０…局所成膜部、３１…成膜室、４０…ターゲット、５０…カソード、６０…スリット、６１…開口、７０…スパッタ電源、８０…観察光学系、８１…窓、９０…スパッタガス供給部、１００…スパッタガス排気部、１１０…浮上機構、１１１…通気部、１１２…吸引口、Ｇ１…スパッタガス、Ｇ２…浮上用ガス
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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