(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
多結晶シリコンＴＦＴからなる集積回路が内蔵された液晶表示パネルを備え、前記集積回路内で、同電位の電源配線が、異なる電位の電源配線と内蔵回路を間に挟んで複数本並列に配され、これら複数の同電位の電源線間を架け渡す網状接続配線が、前記集積回路内で、前記異なる電位の電源配線と前記内蔵回路を跨いで前記同電位の電源配線の長手方向と垂直な方向に設けられており、前記網状接続配線が導電性膜で形成されているとともに、前記網状接続配線と、前記異なる電位の電源配線並びに前記内蔵回路と、の間には絶縁膜が形成されていることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項２】
多結晶シリコンＴＦＴからなる集積回路が内蔵され、さらに、単結晶シリコンからなるＩＣがＣＯＧ実装された構成のＴＦＴを用いた液晶表示パネルを備え、前記集積回路内で、同電位の電源配線が、異なる電位の電源配線と内蔵回路を間に挟んで複数本並列に配され、これら複数の同電位の電源線間を架け渡す網状接続配線が、前記集積回路内で、前記異なる電位の電源配線と前記内蔵回路を跨いで前記同電位の電源配線の長手方向と垂直な方向に設けられており、前記網状接続配線が導電性膜で形成されているとともに、前記網状接続配線と、前記異なる電位の電源配線並びに前記内蔵回路と、の間には絶縁膜が形成されていることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項３】
前記網状接続配線が、前記集積回路内で、前記同電位の電源配線と異なる層に形成されていることを特徴とする請求項１又は２記載の液晶表示装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、多結晶シリコンＴＦＴからなる集積回路を内蔵する構成を用いた液晶表示装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
現在の液晶表示装置は、携帯電話やポケットＰＣ（Personal Computer）などに代表されるように高精細・小型化が進んでおり、特に非表示領域のサイズの縮小化が進んでいる。図３に従来の多結晶シリコンＴＦＴ（Thin Film Transistor）からなる集積回路を内蔵した液晶表示装置の回路構成図を示す。１は電源配線Ａ、２は電源配線Ｂ、３は電源配線Ｃ、４はシフトレジスタ回路、５はレベルシフタ回路、６はバッファー回路、７は表示領域である。電源配線Ａ・Ｂ・Ｃは異なる電位である。低温多結晶シリコンＴＦＴからなる集積回路を内蔵する液晶表示パネルでは、画素ＴＦＴ駆動に低温多結晶シリコンＴＦＴからなるシフトレジスタ回路及びレベルシフタ回路及びバッファー回路と駆動回路を動作させる電源配線を有している。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】
低温多結晶シリコンＴＦＴからなる集積回路を内蔵する液晶表示パネルでは、内蔵回路を駆動するための外部入力電源が必要であり、内蔵回路の間に内蔵回路の駆動用の電源配線が必要である。液晶表示パネルの非表示領域は内蔵駆動回路の領域によって決まる。内蔵駆動回路はパネルサイズ及び回路構成が大きくなると電源配線の抵抗を増加さないために電源配線の幅を太くすることになる。図２に多結晶シリコンＴＦＴからなる集積回路を内蔵した液晶表示装置の回路構成図を示す。内蔵回路内の電源配線を太くすることで、内蔵回路に必要な領域が左右方向に多く必要になり、非表示領域が広くなる問題がある。
【０００４】
そこで本発明の目的は、前記の問題点を解決するものであり、液晶表示装置の表示領域を確保し非表示領域の狭くすることにある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するため、本発明は多結晶シリコンＴＦＴからなる集積回路を内蔵する液晶表示装置で、多結晶シリコンＴＦＴからなる内蔵集積回路の電源配線が同電位で複数本並列に有る場合、同電位の電源線を網状に接続する配線を配置し、電源配線の抵抗を減らすことで、電源配線の太さを細くすることを可能にする構造にしたものであり、液晶表示装置の表示領域を確保し非表示領域の狭くすることが得られる。
【０００６】
すなわち、本発明の請求項１に記載の発明は、多結晶シリコンＴＦＴからなる駆動回路を内蔵した液晶表示パネルを備え、前記多結晶シリコンＴＦＴからなる内蔵集積回路内の電源配線が同電位で複数本並列に有する液晶表示装置において、これら複数の同電位の電源線間を架け渡す網状接続配線が設けられていることにより、電源配線の抵抗を減らすことで、電源配線の太さを細くすることを可能にする構造にしたものであり、液晶表示装置の表示領域を確保し非表示領域の狭くすることができるという作用を有するものである。
【０００７】
また、請求項２に記載の発明は、多結晶シリコンＴＦＴからなる集積回路を内蔵させ、なおかつ単結晶シリコンからなるＩＣをＣＯＧ実装する構成のＴＦＴを用いた液晶表示装置で、多結晶シリコンＴＦＴからなる内蔵集積回路の電源配線が同電位で複数本並列に有る場合、同電位の電源線を網状に接続する配線を配置し、電源配線の抵抗を減らすことで、電源配線の太さを細くすることを可能にする構造にしたものであり、液晶表示装置の表示領域を確保し非表示領域の狭くすることができるという作用を有するものである。
【０００８】
また、請求項３に記載の発明は、請求項1又は請求項２の多結晶シリコンＴＦＴからなる内蔵集積回路の電源配線を電源配線と異なる層（レイヤー）の導電性膜で構成することを特徴とするもので、同電位の電源線を網状に接続する配線を配置し、電源配線の抵抗を減らすことで、電源配線の太さを細くすることを可能にする構造にしたものであり、液晶表示装置の表示領域を確保し非表示領域の狭くすることができるという作用を有するものである。
【０００９】
【発明の実施の形態】
【００１０】
以下、本発明の実施の形態について図面を参照にしながら説明する。
【００１１】
（第１の実施の形態）
図１は本発明の実施の形態１における多結晶シリコンＴＦＴからなる内蔵回路の構成図を示す。１は電源配線Ａ、２は電源配線Ｂ、３は電源配線Ｃ、４ａ，４ｂはシフトレジスタ回路、５はレベルシフタ回路、６はバッファー回路、７は表示領域、８ａ，８ｂは電源配線A用の網状接続配線、９ａ，９ｂは電源配線B用の網状接続配線、１０ａ，１０ｂは電源配線C用の網状接続配線である。電源配線Ａ・Ｂ・Ｃは異なる電位である。内蔵回路間に配線された同電位の電源配線を、電源配線と垂直に網状に接続する配線することで電源配線の抵抗を下げ、電源配線を細くする構造にしている。つまり、複数の同電位の電源線Ａ・Ｂ・Ｃ間を架け渡す網状接続配線８ａ，８ｂ，９ａ，９ｂ，１０ａ，１０を設け、電源配線の抵抗を下げ、電源配線を細くする構造にし、内蔵回路に必要な非表示領域を横方向と縦方向に狭くすることを可能にする。
【００１２】
（第２の実施の形態）
図２は本発明の第２の実施の形態における、前記液晶表示装置にて、電源配線と垂直に網状に接続する配線を電源配線と異なる層（レイヤー）の導電性膜で形成する構成図を示す。１は電源配線Ａ、２は電源配線Ｂ、４ａ，４ｂはシフトレジスタ回路、８は電源配線Ａ用の網状接続配線、１１は絶縁膜である。内蔵駆動回路領域で電源配線と異なるレイヤー（層）の導電性膜にて同電位の電源配線を網上に接続する配線を形成させることで、異なる電位の電源配線および駆動回路をバイパスさせる。これによって電源配線の抵抗を下げ、電源配線を細くする構造にして、内蔵回路に必要な非表示領域を横方向縦方向に狭くすることを可能にする。
【００１３】
【発明の効果】
以上説明したように本発明は、多結晶シリコンＴＦＴからなる集積回路を内蔵した液晶表示パネルもしくは多結晶シリコンＴＦＴからなる集積回路を内蔵させ、なおかつ単結晶シリコンからなるＩＣをＣＯＧ（chip on glass）実装する構成のＴＦＴを用いた液晶表示パネルで、前記多結晶シリコンＴＦＴからなる内蔵集積回路内の電源配線が同電位で複数本並列に有る場合、同電位の電源線を網状に接続する配線を配置し、電源配線の抵抗を減らすことで、電源配線の太さを細くする構造にしたものであり、液晶表示装置の表示領域を確保し非表示領域の狭くすることを可能にする。非表示領域を狭くすることで、携帯電話やポケットＰＣでパネルサイズに制約が有る場合、表示領域を大きくとれ、また表示領域が同サイズである場合、非表示領域が狭くなることでパネルサイズが小さくなり、商品価値を高めることが可能である。また、表示領域が同サイズの場合非表示領域が狭くなることで、低温多結晶シリコンＴＦＴ基板での取れ数が多くなり、コストダウンをすることが可能である。
【００１４】
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１の実施の形態における液晶表示装置の構成図
【図２】本発明の第２の実施の形態における液晶表示装置の構成図
【図３】従来の液晶表示装置の構成図
【符号の説明】
１  電源配線Ａ
２  電源配線Ｂ
３  電源配線Ｃ
４ａ，４ｂ  シフトレジスタ回路
５  レベルシフタ回路
６  バッファー回路
７  表示領域
８，８ａ，８ｂ  電源配線A用の網状接続配線
９ａ，９ｂ      電源配線B用の網状接続配線
１０ａ，１０ｂ  電源配線C用の網状接続配線
１１  絶縁膜
【図１】
0004737870.tif 000002
【図２】
0004737870.tif 000003
【図３】
0004737870.tif 000004