(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
熱可塑性樹脂よりなる柱状部（１３）の先端面（１３ａ）からチップ保持部（１４）が突出するように形成されているベース部材（１１）と、
前記ベース部材（１１）のチップ保持部（１４）に搭載されたセンサチップ（４０）と、
プラスチック磁石よりなり、柱状をなし、かつ、軸方向において貫通するように延びる中空部（２１）を有し、一側面（２０ａ）が前記ベース部材（１１）の柱状部（１３）の先端面（１３ａ）と当接し、前記中空部（２１）にベース部材（１１）のチップ保持部（１４）が位置し、チップ保持部（１４）に搭載した前記センサチップ（４０）にバイアス磁界（Ｂ）を付与するバイアス磁石（２０）と、
熱可塑性樹脂よりなり、有蓋筒状をなし、前記バイアス磁石（２０）および前記ベース部材（１１）の柱状部（１３）の外周側を覆い、かつ、内周面が前記ベース部材（１１）の柱状部（１３）の外周面およびバイアス磁石（２０）の外周面と当接するケース（３０）と、
を備え、
前記ケース（３０）の内周面と前記ベース部材（１１）の柱状部（１３）の外周面、および、ケース（３０）の内周面とバイアス磁石（２０）の外周面がレーザ溶着されてなることを特徴とする回転センサ装置。
【請求項２】
前記ケース（３０）の全周にわたりレーザ溶着されてなることを特徴とする請求項１に記載の回転センサ装置。
【請求項３】
前記柱状部（１３）および前記ケース（３０）の少なくとも一方における樹脂材料としてポリフェニレンスルフィド樹脂を用いたことを特徴とする請求項１または２に記載の回転センサ装置。
【請求項４】
熱可塑性樹脂よりなる柱状部（１３）の先端面（１３ａ）からチップ保持部（１４）が突出するように形成されているベース部材（１１）と、
前記ベース部材（１１）のチップ保持部（１４）に搭載されたセンサチップ（４０）と、
プラスチック磁石よりなり、柱状をなし、かつ、軸方向において貫通するように延びる中空部（２１）を有し、一側面（２０ａ）が前記ベース部材（１１）の柱状部（１３）の先端面（１３ａ）と当接し、前記中空部（２１）にベース部材（１１）のチップ保持部（１４）が位置し、チップ保持部（１４）に搭載した前記センサチップ（４０）にバイアス磁界（Ｂ）を付与するバイアス磁石（２０）と、
熱可塑性樹脂よりなり、有蓋筒状をなし、前記バイアス磁石（２０）および前記ベース部材（１１）の柱状部（１３）の外周側を覆い、かつ、内周面が前記ベース部材（１１）の柱状部（１３）の外周面およびバイアス磁石（２０）の外周面と当接するケース（３０）と、
を備えた回転センサ装置の製造方法であって、
前記ベース部材（１１）の柱状部（１３）の先端面（１３ａ）とバイアス磁石（２０）の一側面（２０ａ）が当接し、かつ、この当接部において前記ケース（３０）の内周面と前記ベース部材（１１）の柱状部（１３）の外周面、および、ケース（３０）の内周面とバイアス磁石（２０）の外周面が当接した状態で、前記ケース（３０）の外方からレーザビーム（Ｌｂ）を、ベース部材（１１）の柱状部（１３）とバイアス磁石（２０）を跨ぐようにジグザグに走査して前記ケース（３０）の内周面と前記ベース部材（１１）の柱状部（１３）の外周面、および、ケース（３０）の内周面とバイアス磁石（２０）の外周面を、レーザ溶着したことを特徴とする回転センサ装置の製造方法。
【請求項５】
熱可塑性樹脂よりなる柱状部（１３）の先端面（１３ａ）からチップ保持部（１４）が突出するように形成されているベース部材（１１）と、
前記ベース部材（１１）のチップ保持部（１４）に搭載されたセンサチップ（４０）と、
プラスチック磁石よりなり、柱状をなし、かつ、軸方向において貫通するように延びる中空部（２１）を有し、一側面（２０ａ）が前記ベース部材（１１）の柱状部（１３）の先端面（１３ａ）と当接し、前記中空部（２１）にベース部材（１１）のチップ保持部（１４）が位置し、チップ保持部（１４）に搭載した前記センサチップ（４０）にバイアス磁界（Ｂ）を付与するバイアス磁石（２０）と、
熱可塑性樹脂よりなり、有蓋筒状をなし、前記バイアス磁石（２０）および前記ベース部材（１１）の柱状部（１３）の外周側を覆い、かつ、内周面が前記ベース部材（１１）の柱状部（１３）の外周面およびバイアス磁石（２０）の外周面と当接するケース（３０）と、
を備えた回転センサ装置の製造方法であって、
前記ベース部材（１１）の柱状部（１３）の先端面（１３ａ）とバイアス磁石（２０）の一側面（２０ａ）が当接し、かつ、前記ケース（３０）の内周面と前記ベース部材（１１）の柱状部（１３）の外周面、および、ケース（３０）の内周面とバイアス磁石（２０）の外周面が当接した状態で、前記ケース（３０）の外方から第１のレーザビーム（Ｌｂ）をベース部材（１１）の柱状部（１３）に、第２のレーザビーム（Ｌｂ）をバイアス磁石（２０）に同時に照射して前記ケース（３０）の内周面と前記ベース部材（１１）の柱状部（１３）の外周面、および、ケース（３０）の内周面とバイアス磁石（２０）の外周面を、レーザ溶着したことを特徴とする回転センサ装置の製造方法。
【請求項６】
前記ケース（３０）の全周にわたりレーザ溶着したことを特徴とする請求項４または５に記載の回転センサ装置の製造方法。
【請求項７】
前記柱状部（１３）および前記ケース（３０）の少なくとも一方における樹脂材料としてポリフェニレンスルフィド樹脂を用いたことを特徴とする請求項４〜６のいずれか１項に記載の回転センサ装置の製造方法。
【請求項８】
熱可塑性樹脂よりなる柱状部（１３）の先端面（１３ａ）からチップ保持部（１４）が突出するように形成されているベース部材（１１）と、
前記ベース部材（１１）のチップ保持部（１４）に搭載されたセンサチップ（４０）と、
プラスチック磁石よりなり、柱状をなし、かつ、軸方向に延び一端が開口し他端が塞がれた中空部（７１）を有し、中空部（７１）の開口側の側面（７０ａ）が前記ベース部材（１１）の柱状部（１３）の先端面（１３ａ）と当接し、前記中空部（７１）にベース部材（１１）のチップ保持部（１４）が位置し、チップ保持部（１４）に搭載した前記センサチップ（４０）にバイアス磁界（Ｂ）を付与するバイアス磁石（７０）と、
を備え、
前記バイアス磁石（７０）における中空部（７１）の開口側の側面（７０ａ）と前記ベース部材（１１）の柱状部（１３）の先端面（１３ａ）とをレーザ溶着してなることを特徴とする回転センサ装置。
【請求項９】
前記バイアス磁石（７０）および柱状部（１３）の全周にわたりレーザ溶着されてなることを特徴とする請求項８に記載の回転センサ装置。
【請求項１０】
前記柱状部（１３）の樹脂材料としてポリフェニレンスルフィド樹脂を用いたことを特徴とする請求項８または９に記載の回転センサ装置。
【請求項１１】
熱可塑性樹脂よりなる柱状部（１３）の先端面（１３ａ）からチップ保持部（１４）が突出するように形成されているベース部材（１１）と、
前記ベース部材（１１）のチップ保持部（１４）に搭載されたセンサチップ（４０）と、
プラスチック磁石よりなり、柱状をなし、かつ、軸方向に延び一端が開口し他端が塞がれた中空部（７１）を有し、中空部（７１）の開口側の側面（７０ａ）が前記ベース部材（１１）の柱状部（１３）の先端面（１３ａ）と当接し、前記中空部（７１）にベース部材（１１）のチップ保持部（１４）が位置し、チップ保持部（１４）に搭載した前記センサチップ（４０）にバイアス磁界（Ｂ）を付与するバイアス磁石（７０）と、
を備えた回転センサ装置の製造方法であって、
前記バイアス磁石（７０）における中空部（７１）の開口側の側面（７０ａ）と前記ベース部材（１１）の柱状部（１３）の先端面（１３ａ）とが当接した状態で、レーザビーム（Ｌｂ）を、ベース部材（１１）の柱状部（１３）とバイアス磁石（２０）を跨ぐようにジグザグに走査してバイアス磁石（７０）における中空部（７１）の開口側の側面（７０ａ）とベース部材（１１）の柱状部（１３）の先端面（１３ａ）とをレーザ溶着したことを特徴とする回転センサ装置の製造方法。
【請求項１２】
熱可塑性樹脂よりなる柱状部（１３）の先端面（１３ａ）からチップ保持部（１４）が突出するように形成されているベース部材（１１）と、
前記ベース部材（１１）のチップ保持部（１４）に搭載されたセンサチップ（４０）と、
プラスチック磁石よりなり、柱状をなし、かつ、軸方向に延び一端が開口し他端が塞がれた中空部（７１）を有し、中空部（７１）の開口側の側面（７０ａ）が前記ベース部材（１１）の柱状部（１３）の先端面（１３ａ）と当接し、前記中空部（７１）にベース部材（１１）のチップ保持部（１４）が位置し、チップ保持部（１４）に搭載した前記センサチップ（４０）にバイアス磁界（Ｂ）を付与するバイアス磁石（７０）と、
を備えた回転センサ装置の製造方法であって、
前記バイアス磁石（７０）における中空部（７１）の開口側の側面（７０ａ）と前記ベース部材（１１）の柱状部（１３）の先端面（１３ａ）とが当接した状態で、１本のレーザビーム（Ｌｂ）を柱状部（１３）とバイアス磁石（７０）に同時に照射してバイアス磁石（７０）における中空部（７１）の開口側の側面（７０ａ）とベース部材（１１）の柱状部（１３）の先端面（１３ａ）とをレーザ溶着したことを特徴とする回転センサ装置の製造方法。
【請求項１３】
前記バイアス磁石（７０）および柱状部（１３）の全周にわたりレーザ溶着したことを特徴とする請求項１１または１２に記載の回転センサ装置の製造方法。
【請求項１４】
前記柱状部（１３）の樹脂材料としてポリフェニレンスルフィド樹脂を用いたことを特徴とする請求項１１〜１３のいずれか１項に記載の回転センサ装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、回転センサ装置および回転センサ装置の製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
ギヤ等の被検出体の回転を検出するセンサ装置として、特許文献１においてバイアス磁石を備えた回転センサ装置が開示されており、同センサ装置は、バイアス磁石としてフェライト系プラスチックマグネット等のように樹脂を用いて中空円筒状に型成形したものを用い、また、磁気抵抗素子と処理回路を有した集積回路を樹脂によりモールドしたモールド材を用い、そして、前記バイアス磁石の中空部に前記モールド材を貫通させ、両者を一体保持するようにしている。
【０００３】
このようなバイアス磁石を備えた回転センサ装置において、バイアス磁石の固定には、以下の第１の手法と第２の手法がある。
第１の手法について図９，１０を用いて説明する。図１０に示すように、センサ本体１１０においてベース部材１１１のチップ保持部１１２にはセンサチップ１４０が搭載されている。中空形状のバイアス磁石１２０の内部にセンサ本体１１０のチップ保持部１１２を挿入するとともにバイアス磁石１２０の外周面に有蓋筒状のケース１３０を被せて接着剤１５０，１５１（図９参照）により固定する。
【０００４】
第２の方法について図１１，１２を用いて説明する。図１２に示すように、モールドＩＣ２１０はリードフレーム２１１およびセンサチップ２１２が樹脂２１３にて封止されている。中空形状のバイアス磁石２２０の内部にモールドＩＣ２１０を挿入するとともにバイアス磁石２２０の外周面に有蓋筒状のケース２３０を被せ、さらに、これらを覆うように２次成形樹脂２４０（図１１参照）により保持する。
【特許文献１】特開平６−１７４４９０号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
ところが、図９，１０に示した接着による方法では、接着剤の塗布及び硬化の工程が必要となる。また、図１１，１２に示した２次成形樹脂で保持する方法では、成形の主目的である形作る機能に加えてインサート部品（モールドＩＣ２１０）の位置保持機能を求めることになり作り難い構造となっている。また、いずれの方法でもケースが必要となる。
【０００６】
本発明は、上記問題点に着目してなされたものであり、その目的は、バイアス磁石の固定を容易に行うことができる回転センサ装置および回転センサ装置の製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記の課題を解決するために、請求項１に記載の発明では、ケースの内周面とベース部材の柱状部の外周面、および、ケースの内周面とバイアス磁石の外周面がレーザ溶着されてなる回転センサ装置を要旨とする。よって、バイアス磁石の固定を容易に行うことができる回転センサ装置を提供することができる。
【０００８】
請求項２に記載のように、請求項１に記載の回転センサ装置においてケースの全周にわたりレーザ溶着されていると、密閉性に優れたものとなる。
請求項３に記載のように、請求項１または２に記載の回転センサ装置において柱状部およびケースの少なくとも一方における樹脂材料としてポリフェニレンスルフィド樹脂を用いるとよい。
【０００９】
回転センサ装置の製造方法として、請求項４に記載の発明では、ベース部材の柱状部の先端面とバイアス磁石の一側面が当接し、かつ、この当接部においてケースの内周面とベース部材の柱状部の外周面、および、ケースの内周面とバイアス磁石の外周面が当接した状態で、ケースの外方からレーザビームを、ベース部材の柱状部とバイアス磁石を跨ぐようにジグザグに走査してケースの内周面とベース部材の柱状部の外周面、および、ケースの内周面とバイアス磁石の外周面を、レーザ溶着したことを要旨とする。
【００１０】
よって、接着による方法のような接着剤の塗布及び硬化の工程を不要にでき、また、２次成形樹脂で保持する方法のような成形の主目的である形作る機能に加えてインサート部品の位置保持機能を求めることなく作り易くなる。その結果、バイアス磁石の固定を容易に行うことができる製造容易な回転センサ装置の製造方法を提供することができる。
【００１１】
回転センサ装置の製造方法として、請求項５に記載の発明では、ベース部材の柱状部の先端面とバイアス磁石の一側面が当接し、かつ、ケースの内周面とベース部材の柱状部の外周面、および、ケースの内周面とバイアス磁石の外周面が当接した状態で、ケースの外方から第１のレーザビームをベース部材の柱状部に、第２のレーザビームをバイアス磁石に同時に照射してケースの内周面とベース部材の柱状部の外周面、および、ケースの内周面とバイアス磁石の外周面を、レーザ溶着したことを要旨とする。
【００１２】
よって、接着による方法のような接着剤の塗布及び硬化の工程を不要にでき、また、２次成形樹脂で保持する方法のような成形の主目的である形作る機能に加えてインサート部品の位置保持機能を求めることなく作り易くなる。その結果、バイアス磁石の固定を容易に行うことができる製造容易な回転センサ装置の製造方法を提供することができる。
【００１３】
請求項６に記載のように、請求項４または５に記載の回転センサ装置の製造方法においてケースの全周にわたりレーザ溶着すると、密閉性に優れたものとなる。
請求項７に記載のように、請求項４〜６のいずれか１項に記載の回転センサ装置の製造方法において、柱状部およびケースの少なくとも一方における樹脂材料としてポリフェニレンスルフィド樹脂を用いるとよい。
【００１４】
請求項８に記載の発明では、バイアス磁石における中空部の開口側の側面とベース部材の柱状部の先端面とをレーザ溶着してなる回転センサ装置を要旨とする。よって、バイアス磁石の固定を容易に行うことができる回転センサ装置を提供することができる。また、ケースを不要にできる。
【００１５】
請求項９に記載のように、請求項８に記載の回転センサ装置においてバイアス磁石および柱状部の全周にわたりレーザ溶着されていると、密閉性に優れたものとなる。
請求項１０に記載のように、請求項８または９に記載の回転センサ装置において柱状部の樹脂材料としてポリフェニレンスルフィド樹脂を用いるとよい。
【００１６】
回転センサ装置の製造方法として、請求項１１に記載の発明では、バイアス磁石における中空部の開口側の側面とベース部材の柱状部の先端面とが当接した状態で、レーザビームを、ベース部材の柱状部とバイアス磁石を跨ぐようにジグザグに走査してバイアス磁石における中空部の開口側の側面とベース部材の柱状部の先端面とをレーザ溶着したことを要旨とする。
【００１７】
よって、接着による方法のような接着剤の塗布及び硬化の工程を不要にでき、また、２次成形樹脂で保持する方法のような成形の主目的である形作る機能に加えてインサート部品の位置保持機能を求めることなく作り易くなる。また、ケースを不要にできる。その結果、バイアス磁石の固定を容易に行うことができる製造容易な回転センサ装置の製造方法を提供することができる。
【００１８】
回転センサ装置の製造方法として、請求項１２に記載の発明では、バイアス磁石における中空部の開口側の側面とベース部材の柱状部の先端面とが当接した状態で、１本のレーザビームを柱状部とバイアス磁石に同時に照射してバイアス磁石における中空部の開口側の側面とベース部材の柱状部の先端面とをレーザ溶着したことを要旨とする。
【００１９】
よって、接着による方法のような接着剤の塗布及び硬化の工程を不要にでき、また、２次成形樹脂で保持する方法のような成形の主目的である形作る機能に加えてインサート部品の位置保持機能を求めることなく作り易くなる。また、ケースを不要にできる。その結果、バイアス磁石の固定を容易に行うことができる製造容易な回転センサ装置の製造方法を提供することができる。
【００２０】
請求項１３に記載のように、請求項１１または１２に記載の回転センサ装置の製造方法においてバイアス磁石および柱状部の全周にわたりレーザ溶着すると、密閉性に優れたものとなる。
【００２１】
請求項１４に記載のように、請求項１１〜１３のいずれか１項に記載の回転センサ装置の製造方法において、柱状部の樹脂材料としてポリフェニレンスルフィド樹脂を用いとよい。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２２】
（第１の実施の形態）
以下、本発明を具体化した第１の実施形態を図面に従って説明する。
図１は、本実施形態における回転センサ装置１である。図２には回転センサ装置１の分解図を示す。
【００２３】
回転センサ装置１は、図２に示すように、センサ本体１０とバイアス磁石２０とケース３０を具備している。
図２においてセンサ本体１０はベース部材１１を有しており、ベース部材１１は取付部１２と柱状部１３とチップ保持部１４からなる。ベース部材１１（取付部１２、柱状部１３、チップ保持部１４）は熱可塑性樹脂よりなる。円柱状の取付部１２の外周面にはｏ−リング５０が装着されている。取付部１２の右側面には同取付部１２よりも縮径なる柱状部１３が突設している。柱状部１３の先端面１３ａ（図２の右側面）からチップ保持部１４が突出するように形成（一体成形）されている。チップ保持部１４は平板状をなし、その一方の面にセンサチップ４０とＩＣチップ４１とが搭載されている。センサチップ４０は先端側に設置されている。センサチップ４０には磁気抵抗素子４０ａ，４０ｂが形成されている。センサチップ４０とＩＣチップ４１とがボンディングワイヤ４２にて電気的に接続されている。チップ保持部１４の一方の面にリードフレーム１５が設けられ、ＩＣチップ４１とリードフレーム１５とがボンディングワイヤ４３にて電気的に接続されている。また、ベース部材１１に埋設したリードフレーム１５を通してＩＣチップ４１（センサチップ４０）と外部機器とを電気的に接続することができるようになっている。
【００２４】
バイアス磁石２０はプラスチック磁石よりなり、柱状をなし、かつ、軸方向（長手方向）において貫通するように延びる中空部２１を有する。つまり、中空部２１はバイアス磁石２０の両側面２０ａ，２０ｂで開口している。そして、図１に示すように、バイアス磁石２０は一側面２０ａがベース部材１１の柱状部１３の先端面１３ａと当接し、中空部２１にベース部材１１のチップ保持部１４が位置している。バイアス磁石２０は、チップ保持部１４に搭載したセンサチップ４０にバイアス磁界（Ｂ）を付与する。
【００２５】
図２において、ケース３０は熱可塑性樹脂よりなり、有蓋筒状をなしている。つまり、ケース３０には空洞３１が形成され、図２の左端は開口し、右端は塞がれている（一方の面３０ｂが塞がれるとともに他方の面３０ａが開口している）。そして、図１に示すように、ケース３０はバイアス磁石２０およびベース部材１１の柱状部１３の外周側を覆い、かつ、内周面がベース部材１１の柱状部１３の外周面およびバイアス磁石２０の外周面と当接している。
【００２６】
ケース３０の内周面とベース部材１１の柱状部１３の外周面、および、ケース３０の内周面とバイアス磁石２０の外周面がレーザ溶着されている。詳しくは、ケース３０の全周にわたりレーザ溶着されている。ベース部材１１（柱状部１３）およびケース３０の少なくとも一方における樹脂材料としてポリフェニレンスルフィド樹脂（ＰＰＳ樹脂）を用いている。
【００２７】
図１において、歯６０ａを有するロータ６０に対し回転センサ装置１が接近する位置に配置される。そして、ロータ６０の回転に伴いベクトル（磁界Ｂ）の向きが変わるがそのベクトルの向きの変化を磁気抵抗素子４０ａ，４０ｂにおいて抵抗値変化として検出する。この抵抗値変化はＩＣチップ４１において増幅やノイズ除去等の処理を行った後に外部に送られる。このようにして、センサチップ４０の近傍にて検出対象とするロータ（磁性体）６０が回転するときにバイアス磁石２０から付与されるバイアス磁界と協働して生じる磁気ベクトルの変化を磁気抵抗素子４０ａ，４０ｂの抵抗値変化として感知してロータ６０の回転を検出する。
【００２８】
次に、回転センサ装置１の製造方法（組み立て順序）について説明する。
図２においてセンサ本体１０に対しバイアス磁石２０を、チップ保持部１４をバイアス磁石２０で覆うように挿入し、さらに、ケース３０を、チップ保持部１４およびバイアス磁石２０をケース３０で覆うように挿入する。これにより、図３に示すように、ベース部材１１の柱状部１３の先端面１３ａとバイアス磁石２０の一側面２０ａを当接させ、かつ、この当接部においてケース３０の内周面とベース部材１１の柱状部１３の外周面、および、ケース３０の内周面とバイアス磁石２０の外周面を当接させる。
【００２９】
この状態で、ケース３０の外方からレーザビームＬｂを、ケース３０を通してベース部材１１の柱状部１３およびバイアス磁石２０に達するように照射する。これによりケース３０の内周面とベース部材１１の柱状部１３の外周面、および、ケース３０の内周面とバイアス磁石２０の外周面を、レーザ溶着する。その結果、ベース部材１１とバイアス磁石２０とケース３０とが固定される。
【００３０】
レーザ照射による溶着工程について詳しく説明する。
図４（ａ）に示すように、ケース３０の外方からレーザビームＬｂを、ベース部材１１の柱状部１３とバイアス磁石２０を跨ぐようにジグザグに走査してケース３０の内周面とベース部材１１の柱状部１３の外周面、および、ケース３０の内周面とバイアス磁石２０の外周面を、レーザ溶着する。
【００３１】
レーザ溶着はケース３０の全周にわたり行う（レーザビームをジグザクに１回転走査して３部品を照射１回転のうちに溶着する）。ただし、レーザ溶着は必ずしもケース３０の全周にわたり行う必要はなく、所定箇所のみ行なってもよい。つまり、高い密閉性を必要とするときはケース３０の全周にわたりレーザ溶着するが、それほど高い密閉性を必要としないときにはケース３０の所定箇所のみレーザ溶着すればよい。
【００３２】
このように、バイアス磁石２０の固定を、レーザ溶着化することで、接着剤の硬化のためのバッチ処理を廃止できる。また、インサート成形の成形条件にインサート部品の位置精度だしを求める必要が無くなる。これにより安価で作り易く、省スペース化が可能となる。よって、バイアス磁石２０を備える回転センサ装置１において、バイアス磁石２０の固定をレーザ溶着化することで製造工程の短縮、及び部品点数の削減を可能とし、作り易さを向上させることができる。
【００３３】
上記実施形態によれば、以下のような効果を得ることができる。
（１）回転センサ装置の構造として、熱可塑性樹脂よりなる柱状部１３を有するベース部材１１と、プラスチック磁石よりなるバイアス磁石２０と、熱可塑性樹脂よりなるケース３０とを用いて、ケース３０の内周面とベース部材１１の柱状部１３の外周面、および、ケース３０の内周面とバイアス磁石２０の外周面がレーザ溶着された構成としたので、バイアス磁石２０の固定を容易に行うことができる回転センサ装置を提供することができる。
【００３４】
（２）ケース３０の全周にわたりレーザ溶着されていると、密閉性に優れたものとなる。
（３）回転センサ装置の製造方法として、ベース部材１１の柱状部１３の先端面１３ａとバイアス磁石２０の一側面２０ａが当接し、かつ、この当接部においてケース３０の内周面とベース部材１１の柱状部１３の外周面、および、ケース３０の内周面とバイアス磁石２０の外周面が当接した状態で、ケース３０の外方からレーザビームＬｂを、ベース部材１１の柱状部１３とバイアス磁石２０を跨ぐようにジグザグに走査してケース３０の内周面とベース部材１１の柱状部１３の外周面、および、ケース３０の内周面とバイアス磁石２０の外周面を、レーザ溶着した。よって、接着による方法のような接着剤の塗布及び硬化の工程を不要にでき、また、２次成形樹脂で保持する方法のような成形の主目的である形作る機能に加えてインサート部品の位置保持機能を求めることなく作り易くなる。その結果、バイアス磁石の固定を容易に行うことができる製造容易な回転センサ装置の製造方法を提供することができる。
【００３５】
図４（ａ）に示したレーザ照射による溶着に代わり、図４（ｂ）に示すように２本のビームを用いてレーザ照射による溶着を行なってもよい。
詳しくは次のように行う。
【００３６】
図２においてセンサ本体１０に対しバイアス磁石２０を、チップ保持部１４をバイアス磁石２０で覆うように挿入し、さらに、ケース３０を、チップ保持部１４およびバイアス磁石２０をケース３０で覆うように挿入する。これにより、図３に示すように、ベース部材１１の柱状部１３の先端面１３ａとバイアス磁石２０の一側面２０ａを当接させ、かつ、ケース３０の内周面とベース部材１１の柱状部１３の外周面、および、ケース３０の内周面とバイアス磁石２０の外周面を当接させる。
【００３７】
この状態で、図４（ｂ）に示すように、ケース３０の外方から第１のレーザビームＬｂをベース部材１１の柱状部１３に、第２のレーザビームＬｂをバイアス磁石２０に同時に照射してケース３０の内周面とベース部材１１の柱状部１３の外周面、および、ケース３０の内周面とバイアス磁石２０の外周面を、レーザ溶着する。
【００３８】
レーザ溶着はケース３０の全周にわたり行う（同時に２つのレーザビームを１回転走査して３部品を照射１回転のうちに溶着する）。ただし、レーザ溶着は必ずしもケース３０の全周にわたり行う必要はなく、所定箇所のみ行なってもよい。つまり、高い密閉性を必要とするときはケース３０の全周にわたりレーザ溶着するが、それほど高い密閉性を必要としないときにはケース３０の所定箇所のみレーザ溶着すればよい。
【００３９】
このようにしてもケース３０の内周面とベース部材１１の柱状部１３の外周面、および、ケース３０の内周面とバイアス磁石２０の外周面をレーザ溶着でき、接着による方法のような接着剤の塗布及び硬化の工程を不要にでき、また、２次成形樹脂で保持する方法のような成形の主目的である形作る機能に加えてインサート部品の位置保持機能を求めることなく作り易くなる。その結果、バイアス磁石の固定を容易に行うことができる製造容易な回転センサ装置の製造方法を提供することができる。
【００４０】
特に、ケース３０の全周にわたりレーザ溶着すると、密閉性に優れたものとなる。
（第２の実施の形態）
次に、第２の実施の形態を、第１の実施の形態との相違点を中心に説明する。
【００４１】
図５は、本実施形態における回転センサ装置１である。図６には回転センサ装置１の分解図を示す。
図６に示すように、回転センサ装置１はセンサ本体１０とバイアス磁石７０とにより構成されており、本実施形態ではケースは無い。
【００４２】
図６に示すように、第１の実施形態と同様に、熱可塑性樹脂よりなる柱状部１３の先端面１３ａからチップ保持部１４が突出するように形成（一体成形）されている。ベース部材１１のチップ保持部１４にセンサチップ４０が搭載されている。バイアス磁石７０は、プラスチック磁石よりなり、柱状をなし、かつ、軸方向（長手方向）に延び一端が開口し他端が塞がれた中空部７１を有している。つまり、中空部７１はバイアス磁石７０の一方の側面７０ａで開口し、他方の側面７０ｂでは塞がれている。そして、図５に示すように、バイアス磁石７０は中空部７１の開口側の側面７０ａがベース部材１１の柱状部１３の先端面１３ａと当接し、中空部７１にベース部材１１のチップ保持部１４が位置し、チップ保持部１４に搭載したセンサチップ４０にバイアス磁界（Ｂ）を付与する。即ち、バイアス磁石７０を袋構造とし、密閉構造を確保し、ケースを必要としない。
【００４３】
バイアス磁石７０における中空部７１の開口側の側面７０ａとベース部材１１の柱状部１３の先端面１３ａとがレーザ溶着されている。バイアス磁石７０および柱状部１３の全周にわたりレーザ溶着されている。ベース部材１１（柱状部１３）の樹脂材料としてポリフェニレンスルフィド樹脂（ＰＰＳ樹脂）を用いている。
【００４４】
その他の構成については第１の実施形態と同じであり、図中において同一の符号を付すことによりその説明は省略する。
次に、回転センサ装置の製造方法について説明する。
【００４５】
図７に示すように、バイアス磁石７０における中空部７１の開口側の側面７０ａとベース部材１１の柱状部１３の先端面１３ａとが当接した状態で、レーザビームＬｂを、図８（ａ）に示すように、ベース部材１１の柱状部１３とバイアス磁石７０を跨ぐようにジグザグに走査してバイアス磁石７０における中空部７１の開口側の側面７０ａとベース部材１１の柱状部１３の先端面１３ａとをレーザ溶着する。
【００４６】
あるいは、バイアス磁石７０における中空部７１の開口側の側面７０ａとベース部材１１の柱状部１３の先端面１３ａとが当接した状態で、ベース部材１１の柱状部１３とバイアス磁石７０の当接部に沿って図８（ｂ）に示すように、太いビーム径の１本のレーザビームＬｂを柱状部１３とバイアス磁石７０に同時に照射してバイアス磁石７０における中空部７１の開口側の側面７０ａとベース部材１１の柱状部１３の先端面１３ａとをレーザ溶着する。
【００４７】
レーザ溶着はバイアス磁石７０および柱状部１３の全周にわたり行う。ただし、レーザ溶着は必ずしもバイアス磁石７０および柱状部１３の全周にわたり行う必要はなく、所定箇所のみ行なってもよい。つまり、高い密閉性を必要とするときはバイアス磁石７０および柱状部１３の全周にわたりレーザ溶着するが、それほど高い密閉性を必要としないときにはバイアス磁石７０および柱状部１３の所定箇所のみレーザ溶着すればよい。
【００４８】
このように、バイアス磁石７０の固定を、レーザ溶着化することで、接着剤の硬化のためのバッチ処理を廃止できる他、プラスチック磁石を用い、この磁石を直接、センサ本体１０（ベース部材１１）にレーザ溶着することによりケースを廃止することができる。また、インサート成形の成形条件にインサート部品の位置精度だしを求める必要が無くなる。
【００４９】
これにより安価で作り易く、省スペース化が可能で、更にケースによるデッドスペースが無くなる（検出可能ギャップの拡大が可能となる）。
上記実施形態によれば、以下のような効果を得ることができる。
【００５０】
（１）回転センサ装置の構造として、バイアス磁石７０における中空部７１の開口側の側面７０ａとベース部材１１の柱状部１３の先端面１３ａとをレーザ溶着したので、バイアス磁石の固定を容易に行うことができる回転センサ装置を提供することができる。また、ケースを不要にできる。
【００５１】
（２）バイアス磁石７０および柱状部１３の全周にわたりレーザ溶着することにより、密閉性に優れたものとなる。
（３）回転センサ装置の製造方法として、バイアス磁石７０における中空部７１の開口側の側面７０ａとベース部材１１の柱状部１３の先端面１３ａとが当接した状態で、レーザビームＬｂを、ベース部材１１の柱状部１３とバイアス磁石２０を跨ぐようにジグザグに走査してバイアス磁石７０における中空部７１の開口側の側面７０ａとベース部材１１の柱状部１３の先端面１３ａとをレーザ溶着する、あるいは、１本のレーザビームＬｂを柱状部１３とバイアス磁石７０に同時に照射してバイアス磁石７０における中空部７１の開口側の側面７０ａとベース部材１１の柱状部１３の先端面１３ａとをレーザ溶着した。よって、接着による方法のような接着剤の塗布及び硬化の工程を不要にでき、また、２次成形樹脂で保持する方法のような成形の主目的である形作る機能に加えてインサート部品の位置保持機能を求めることなく作り易くなる。また、ケースを不要にできる。その結果、バイアス磁石の固定を容易に行うことができる製造容易な回転センサ装置の製造方法を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００５２】
【図１】第１の実施形態における回転センサ装置の側面図。
【図２】回転センサ装置の分解図。
【図３】回転センサ装置の側面図。
【図４】（ａ）レーザビーム走査軌跡を示す平面図、（ｂ）レーザビーム走査軌跡を示す平面図。
【図５】第２の実施形態における回転センサ装置の側面図。
【図６】回転センサ装置の分解図。
【図７】回転センサ装置の側面図。
【図８】（ａ）レーザビーム走査軌跡を示す平面図、（ｂ）レーザビームを示す平面図。
【図９】回転センサ装置の側面図。
【図１０】回転センサ装置の分解図。
【図１１】回転センサ装置の断面図。
【図１２】回転センサ装置の分解図。
【符号の説明】
【００５３】
１０…センサ本体、１１…ベース部材、１３…柱状部、１３ａ…先端面、１４…チップ保持部、２０…バイアス磁石、２０ａ…側面、２１…中空部、３０…ケース、４０…センサチップ、７０…バイアス磁石、７０ａ…側面、７１…中空部。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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