(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
マトリクス状に配置された信号線及び走査線により区画されるそれぞれの位置に設けられた透過部又は透過部と反射部に位置する画素電極と、反射部に位置する反射板とを備えた第１基板と、
表面に共通電極が形成された第２基板と、
前記第１基板及び第２基板上に積層された垂直配向膜と、
前記両基板間に配置された誘電異方性が負の液晶層と、
を有する半透過型液晶表示パネルにおいて、
前記反射部には前記反射板の下側に補助容量部が形成され、前記補助容量部は補助容量線を含み、該補助容量線は前記反射板の下部から前記画素電極における前記反射部と前記透過部との間に設けられたスリットまで延びており、
前記画素電極は、平面視した状態で、前記透過部において前記走査線に沿う外縁が前記走査線に重複するとともに、前記外縁の両端が前記信号線と重複する位置まで突き出しており、かつ突き出し部を除く部分が前記信号線と重複しないことを特徴とする半透過型液晶表示パネル。
【請求項２】
前記画素電極と前記走査線との重複部分は、少なくとも１．５μｍの巾を有することを特徴とする請求項１に記載の半透過型液晶表示パネル。
【請求項３】
前記画素電極と前記信号線との重複部分は、少なくとも１．５μｍの巾を有することを特徴とする請求項２に記載の半透過型液晶表示パネル。
【請求項４】
前記画素電極及び反射板は前記第１基板の表示領域全体にわたって設けられた層間絶縁膜上に設けられているとともに、前記第２基板の反射部に対応する位置にはトップコート層が設けられていることを特徴とする請求項１〜３に記載の半透過型液晶表示パネル。
【請求項５】
前記透過部の画素電極はスリットにより複数の領域に区画されていることを特徴とする請求項１〜４に記載の半透過型液晶表示パネル。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半透過型液晶表示パネル関し、特に開口率が大きくて明るく、しかもコントラストが良好でありながらクロストーク等の表示品位を損なうことがないＶＡ方式（Vertically Aligned）ないしはＭＶＡ(Multi-domain Vertically Aligned)方式の半透過型液晶表示パネルに関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、情報通信機器のみならず一般の電気機器においても液晶表示装置の適用が急速に普及している。液晶表示装置は、自ら発光しないために、バックライトを備えた透過型の液晶表示装置が多く使用されている。しかしながら、バックライトの消費電力が大きいために、特に携帯型のものについては消費電力を減少させるためにバックライトを必要としない反射型の液晶表示装置が用いられているが、この反射型液晶表示装置は、外光を光源として用いるために、暗い室内などでは見え難くなってしまう。そこで、近年に至り特に透過型と反射型の性質を併せ持つ半透過型の液晶表示装置の開発が進められてきている。
【０００３】
この半透過型の液晶表示装置に使用される液晶表示パネルは、一つの画素領域内に画素電極を備えた透過部と画素電極及び反射板の両方を備えた反射部を有しており、暗い場所においてはバックライトを点灯して画素領域の透過部を利用して画像を表示し、明るい場所においてはバックライトを点灯することなく反射部において外光を利用して画像を表示しているため、常時バックライトを点灯する必要がなくなるので、消費電力を大幅に低減させることができるという利点を有している。
【０００４】
ところで、携帯電話等に代表されるモバイル機器における小型の表示部には、その使用者が限定されていること等から、液晶表示パネルに対する広視野角の要求は従来はさほど高くはなかったが、最近ますます高機能化するモバイル機器において、表示部における液晶表示パネルの広視野角の要求が急激に高まってきている。このようなモバイル機器に対する広視野角化の要求に基づき、従来モバイル機器に多用されていたＴＮ方式の液晶表示パネルに換えて、ＶＡ方式ないしはＭＶＡ方式の半透過型液晶表示パネルの開発も最近では進められてきている（下記特許文献１、２参照）。
【０００５】
ここで、下記特許文献２に開示されているＭＶＡ方式の半透過型液晶表示パネルについて図４及び図５を用いて説明する。なお、図４（ａ）はＭＶＡ方式の半透過型液晶表示パネル５０の概略的な構造を示す斜視図であり、図４（ｂ）は液晶層の液晶に電界を印加したときの液晶の傾斜状体を示す概略図であり、図５は図４（ａ）のＤ−Ｄ断面図である。
【０００６】
この半透過型液晶表示パネル５０においては、反射部５１と透過部５２との間には傾斜面又は段差５３が設けられており、反射部５１と透過部５２とは段差５３を介して連続している。半透過型液晶表示パネル５０における第１基板５４の画素電極５５には、画素電極５５が形成されていない領域としての第１開口領域５６が形成されている。この第１開口領域５６が第１の配向規制手段を構成し、段差５３を挟んで反射部５１及び透過部５２にまたがって形成されている。
【０００７】
この結果、反射部５１における画素電極５５ａと透過部５２における画素電極５５ｂとは半透過型液晶表示パネル５０の長さ方向に延びる一個のライン５７を介して相互に接続されている。
【０００８】
第２基板５８の共通電極５９には、反射部５１における画素電極５５ａ及び透過部５２における画素電極５５ｂに対向して、それぞれ第２開口領域６０ａ、６０ｂが形成されている。この第２開口領域６０ａ、６０ｂが第２の配向規制手段を構成する。第２開口領域６０ａ、６０ｂは十字型のスリットとして構成されており、鉛直方向において、第２開口領域６０ａの中心が画素電極５５ａの中心と一致するように、更に、第２開口領域６０ｂの中心が画素電極５５ｂの中心と一致するように配置されている。
【０００９】
この半透過型液晶表示パネル５０は、画素電極５５と共通電極５９間に電界が印加されない状態においては、液晶層の液晶分子は長軸が画素電極５５及び共通電極５９の表面に対して垂直をなすように配向されているため、光が透過しない状態となるが、液晶層の液晶分子６１に電界を印加した場合は、図４（ｂ）及び図５に示すように、段差５３における第１開口領域５６上においては液晶分子６１は共通電極５９側におけるライン５７の方向に傾斜し、反射部５１及び透過部５２上においては共通電極５９における反射部５１に対応する領域の中心又は透過部５２に対応する領域の中心に傾斜するため、光が透過するようになる。このように、半透過型液晶表示パネル５０によれば、液晶分子の配向方向が定まっているために、視覚特性の悪化や応答速度の劣化を低減することができるというものである。
【００１０】
上述のＭＶＡ方式の半透過型液晶表示パネル５０は、第１基板５４側の反射部５１と透過部５２との間に段差５３を設けて、周知のように反射部５１におけるセルギャップｄ１と透過部におけるセルギャップｄ２との関係がｄ１＝（ｄ２）／２となるようにして、反射部５１における表示画質と透過部における表示画質が同じになるように調整されているが、このようなセルギャップ調整のための構成を第２基板側に設けたＭＶＡ方式の半透過型液晶表示パネルも知られている。
【００１１】
このセルギャップ調整のための構成であるトップコート層を第２基板側に設けた従来例に係るＭＶＡ方式の半透過型液晶表示パネルの一例を図６〜図８を用いて説明する。なお、図６はセルギャップ調整のためのトップコート層を第２基板側に設けた従来の半透過型液晶表示パネルの第２基板を透視して表した１画素分の平面図であり、また、図７は図６のＥ−Ｅ断面図であり、図８（ａ）は第２基板側を省略して表した図６のＦ−Ｆ断面図であり、図８（ｂ）は同じく図６のＧ−Ｇ断面図である。
【００１２】
この半透過型液晶表示パネル７０においては、第１基板の透明な絶縁性を有するガラス基板１１上には複数の走査線１２及び信号線１３がそれぞれ直接ないし無機絶縁膜１４を介してマトリクス状に形成されている。ここで、走査線１２と信号線１３とで囲まれた領域が１画素に相当し、スイッチング素子となる薄膜トランジスタＴＦＴがそれぞれの画素毎に形成されており、各画素のＴＦＴ等の表面は保護絶縁膜２３で被覆されている。
【００１３】
そして、走査線１２、信号線１３、無機絶縁膜１４、保護絶縁膜２３等を覆うようにして、反射部１５においては表面に微細な凹凸部が形成され、透過部１６においては表面が平坦に形成された有機絶縁膜からなる層間膜１７が積層されている。なお、図６及び図７においては反射部１５の凹凸部は省略してある。そして層間膜１７にはＴＦＴのドレイン電極Ｄに対応する位置にコンタクトホール２０が設けられ、それぞれの画素において、層間膜１７の表面には反射部１５に例えばアルミニウム金属からなる反射板１８が設けられ、この反射板１８の表面及び透過部１６の層間膜１７の表面には例えばＩＴＯないしＩＺＯからなる透明な画素電極１９が形成されている。
【００１４】
そして、反射部１５側においては、層間膜１７の反射板１８が存在する位置の下側に補助容量線２１が配置され、また、平面視で、反射板１８及び画素電極１９は隣接する画素の反射板及び画素電極とは接しないで、かつ走査線１２及び信号線１３とは光漏れを防止するために若干重なるようにして形成されており、同じく透過部１６側における画素電極１９は隣接する画素の画素電極及び反射板とは接しないでかつ走査線１２及び信号線１３と若干重なるように形成されている。
【００１５】
また、この半透過型液晶表示パネル７０においては、画素電極１９の反射部１５と透過部１６の境界領域で液晶分子の配向を規制するためにスリット３３が設けられて、画素電極１９は実質的に反射部１５の画素電極１９ａと透過部１６の画素電極１９ｂに区画されており、反射部１５の画素電極１９ａと透過部１６の画素電極１９ｂとは幅の狭い部分３４を介して電気的に接続されている。そして、画素電極１９の表面には全ての画素を覆うように垂直配向膜（図示せず）が積層されている。
【００１６】
また、第２基板の透明な絶縁性を有するガラス基板２５の表示領域上に、それぞれの画素に対応して形成される赤色（Ｒ）、緑色（Ｇ）、青色（Ｂ）のうち何れか一色からなるストライプ状のカラーフィルタ層２６が設けられている。また、反射部１５と透過部１６とで同じ厚さのカラーフィルタ層２６を使用するため、反射部１５のカラーフィルタ層２６の一部分に所定の厚さのトップコート層２７が設けられている。このトップコート層２７は、反射部１５全体にわたって設けられており、その厚さは反射部１５における液晶２９の層の厚さ、いわゆるセルギャップｄ１が透過部１６のセルギャップｄ２の半分となるように、すなわちｄ１＝（ｄ２）／２となるようにされている。
【００１７】
加えて、透過部１６に位置するカラーフィルタ層２６の表面の一部及び反射部１５に位置するトップコート層２７の表面の一部にそれぞれ液晶の配向を規制するための突起３１及び３２がそれぞれ設けられており、カラーフィルタ層２６、トップコート層２７及び突起３１、３２の表面には共通電極及び垂直配向膜（いずれも図示せず）が順次積層されている。
【００１８】
そして、前記第１基板及び第２基板を互いに対向させ、両基板の周囲にシール材を設けることにより両基板を貼り合せ、両基板間に負の誘電異方性を有する液晶２９を充填することによりＭＶＡ方式の半透過型液晶表示パネル７０となる。なお、第１基板の下方には、図示しない周知の光源、導光板、拡散シート等を有するバックライト装置が配置されている。
【００１９】
このＭＶＡ方式の半透過型液晶表示パネル７０においては、画素電極１９と共通電極間に電界が印加されない状態においては、液晶層の液晶分子は長軸が画素電極及び共通電極の表面に対して垂直をなすように配向されているため、光が透過しない状態となり、しかも、画素電極と共通電極間に電界が印加されたときには光が透過するため、透過部における光漏れはあまり表示画質に影響しなくなり、更には画素電極１９のスリット３３及び突起３１，３２の存在により、液晶分子は突起３１ないし３２に向かうように傾斜するため、視野角が非常に広くなるという特性を備えている。
【特許文献１】特開２００３−１６７２５３号公報（特許請求の範囲、段落［００５０］〜［００５７］、図１）
【特許文献２】特開２００４−０６９７６７号公報（特許請求の範囲、段落［００４４］〜［００５３］、図１）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００２０】
上記のＭＶＡ方式の半透過型液晶表示パネル７０は、透過部１６においては、光漏れを防止するために画素電極１９ｂは隣接する画素の画素電極及び反射板とは接しないでかつ走査線１２及び信号線１３と若干重なるように形成されており、また、反射部１５においては、反射板１８及び画素電極１９は隣接する画素の反射板及び画素電極とは接しないで、かつ走査線１２及び信号線１３とは同じく光漏れを防止するために若干重なるようにして形成されている。
【００２１】
このように画素電極１９を信号線１３に沿って平面視において重複するようにすると、例えば図６のＦ−Ｆ断面図である図８（ａ）及び図６のＧ−Ｇ断面図である図８（ｂ）に示すように、信号線１３と画素電極１９との間に静電容量Ｃsdが生じる。静電容量Ｃsdは、図９に示した１画素分の等価回路から明らかなように、ＴＦＴのドレイン電極とソース電極との間に並列に生じる寄生容量であり、静電容量Ｃsdが所定値以上になると、液晶表示装置の駆動時に表示画面にクロストークが発生する。従って、静電容量Ｃsdを小さくすること、すなわち、信号線と画素電極との間の重なりを小さくすれば、クロストークを低減することができる。
【００２２】
ところで、上記のＭＶＡ方式の半透過型液晶表示パネル７０においては、画素電極１９と共通電極との間に電界が印加されない状態では、液晶層の液晶分子は長軸が画素電極及び共通電極の表面に対して垂直をなすように配向するので光が透過しない状態となるため、本来、光漏れは生じないはずである。従って、信号線１３と画素電極１９との間に生じる静電容量Ｃsdを小さくするため、更には開口率を大きくした半透過型液晶表示パネルを得るために、画素電極１９が走査線１２及び信号線１３に沿って平面視において重複しないようにすることが考えられる。
【００２３】
しかしながら、本願の発明者らの実験によると、画素電極１９が走査線１２及び信号線１３に沿って平面視において重複しないようにすると、透過部１６における画素電極１９ｂと走査線１２との間から光漏れが発生し、表示画像のコントラストが低下することが見出された。
【００２４】
この原因は、次のような理由によるものと考えられる。すなわち、走査線１２には１フレームごとに順次走査信号が入力されていくが、通常、走査信号が入力されていないときでも走査線１２には一定の電圧が加わっている。このとき、走査線１２は平面視において剥き出し状態となるから、走査線１２と共通電極との間に電位差が生じ、そのため走査線１２の近傍に存在する液晶分子が常に傾斜する状態となるために光漏れが発生することとなるわけである。係る点は、画素電極にスリットを備えず、また、第２基板に液晶の配向を規制するための配向規制手段を備えていないＶＡ方式の半透過型液晶表示パネルにおいても同様である。
【００２５】
本発明は、このような従来のＶＡ方式ないしはＭＶＡ方式の半透過型液晶表示パネルの問題点を解決すべくなされたものであり、その目的は、フリッカ及びクロストークが少なく、しかもコントラストが良好で明るい表示が得られるＶＡ方式ないしはＭＶＡ方式の半透過型液晶表示パネルを提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００２６】
本発明の上記目的は以下の構成により達成し得る。すなわち、半透過型液晶表示パネルの発明は、マトリクス状に配置された信号線及び走査線により区画されるそれぞれの位置に設けられた透過部又は透過部と反射部に位置する画素電極と、反射部に位置する反射板とを備えた第１基板と、表面に共通電極が形成された第２基板と、前記第１基板及び第２基板上に積層された垂直配向膜と、前記両基板間に配置された誘電異方性が負の液晶層と、を有する半透過型液晶表示パネルにおいて、前記反射部には前記反射板の下側に補助容量部が形成され、前記補助容量部は補助容量線を含み、該補助容量線は前記反射板の下部から前記画素電極における前記反射部と前記透過部との間に設けられたスリットまで延びており、前記画素電極は、平面視した状態で、前記透過部において前記走査線に沿う外縁が前記走査線に重複するとともに、前記外縁の両端が前記信号線と重複する位置まで突き出しており、かつ突き出し部を除く部分が前記信号線と重複しないことを特徴とする。
【発明の効果】
【００２７】
本発明は以下に述べるような優れた効果を奏する。すなわち、本発明によれば、画素電極は平面視で透過部側で前記走査線に沿って部分的に重複しているため、走査線と共通電極との間に生じた電位差によって走査線の近傍に存在する液晶分子が常に傾斜する状態となっても、その影響を画素電極により効果的に抑えることができるため、クロストークが少なく、しかも広視野角かつ高コントラストで明るい表示のＶＡ方式ないしはＭＶＡ方式の半透過型液晶表示パネルが得られる。
【００２８】
なお、本発明においては、画素電極と信号線との間に平面視で隙間があってもなくても、実質的に同様の効果を奏する。
また、本発明によれば、画素電極の形成時にマスクずれ等あっても、走査線が剥き出しになって液晶分子の配向に影響を与えることを防止できる。なお、本願発明によれば、突き出し部においてのみ走査線及び信号線と重複するため、画素電極は信号線側においては重複せず、クロストークを低減することができる。
【００２９】
また、本発明によれば、突き出しは、信号線又は走査線と少なくとも１．５μｍの巾で重複部を有するため、画素電極形成時に、走査線方向、信号線方向いずれの方向のマスクずれ等があっても、走査線が剥き出しになることを防止できる。
【００３０】
また、本発明によれば、第１基板に設けられた層間膜の表面は平坦化されているので、その表面に設けられた画素電極及び反射板の表面も平坦化できるため、液晶分子の配向の乱れが少なくなり、しかも、トップコート層により容易に反射部でのセルギャップを所定の値に設定できるため、高コントラストで表示画質の良好なＶＡ方式ないしはＭＶＡ方式の半透過型液晶表示パネルが得られる。
【００３１】
また、本発明によれば、透過部の画素電極の面積が大きくても、所望の面積となるように複数に区画してそれぞれの区画された画素電極毎に配向規制手段を設けたため、透過部全体にわたり液晶分子の配向の乱れを少なくすることができるので、広視野角かつ高コントラストで表示画質の優れたＭＶＡ方式の半透過型液晶表示パネルが得られる。
【００３２】
また、本発明によれば、簡単な構成の配向規制手段により視野角が広く、応答速度が速いＭＶＡ方式の半透過型液晶表示パネルが得られる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３３】
以下、実施例及び図面を参照して本発明を実施するための最良の形態を説明するが、以下に示す実施例は、本発明をここに記載したものに限定することを意図するものではなく、本発明は特許請求の範囲に示した技術思想を逸脱することなく種々の変更を行ったものにも均しく適用し得るものである。
【実施例】
【００３４】
実施例の半透過型液晶表示パネル１０を図１及び図２を用いて説明する。なお、図１は実施例のＭＶＡ方式の半透過型液晶表示パネルの第２基板を透視して表した１画素分の平面図であり、また、図２（ａ）は図１のＡ−Ａ断面図であり、図２（ｂ）は第２基板側を省略して表した図１のＢ−Ｂ断面図である。ただし、図６及び図７に記載された従来例のＭＶＡ方式の半透過型液晶表示パネル７０と同一の構成部分には同一の参照符号を付与して説明することとする。
【００３５】
このＭＶＡ方式の半透過型液晶表示パネル１０は、第１基板の透明な絶縁性を有するガラス基板１１上に複数の走査線１２及び信号線１３がそれぞれ直接ないし無機絶縁膜１４を介してマトリクス状に形成されている。ここで、走査線１２と信号線１３とで囲まれた領域が１画素に相当し、スイッチング素子となるＴＦＴ（Thin Film Transistor）がそれぞれの画素毎に形成されており、各画素のＴＦＴ等の表面は保護絶縁膜２３で被覆されている。
【００３６】
そして、走査線１２、信号線１３、無機絶縁膜１４、保護絶縁膜２３等を覆うようにして、反射部１５においては表面に微細な凹凸部が形成され、透過部１６においては表面が平坦に形成されたフォトレジスト等の有機絶縁膜からなる層間膜１７が積層されている。なお、図１及び図２においては反射部１５の凹凸部は省略してある。そして層間膜１７にはＴＦＴのドレイン電極Ｄに対応する位置にコンタクトホール２０が設けられ、それぞれの画素において、コンタクトホール２０上及び層間膜１７の表面には、反射部１５に例えばアルミニウム金属からなる反射板１８が設けられ、この反射板１８の表面及び透過部１６の層間膜１７の表面には例えばＩＴＯ(Indium Tin Oxide)ないしＩＺＯ（Indium Zinc Oxide)からなる透明な画素電極１９が形成されている。
【００３７】
また、この半透過型液晶表示パネル１０においては、画素電極１９の反射部１５と透過部１６の境界領域で液晶分子の配向を規制するためにスリット３３1が設けられ、画素電極１９は実質的に反射部１５の画素電極１９ａと透過部１６の画素電極１９ｂに区画されており、反射部１５の画素電極１９ａと透過部１６の画素電極１９ｂとは幅の狭い部分３４1を介して電気的に接続されている。
【００３８】
そして、反射部１５側においては、層間膜１７の反射板１８が存在する位置の下側に補助容量線２１が配置され、また、平面視で、反射板１８及び反射部の画素電極１９ｂは隣接する画素の反射板及び画素電極とは接しないで、走査線１２及び信号線１３とは重複するように、かつ、反射板１８と反射部１５の画素電極１９ａとは重なるように実質的に同じ形状に設けられている。更に、透過部１６側における画素電極１９ｂは、隣接する画素の画素電極及び反射板とは接しないで、信号線とは実質的に重複しないように信号線１３に沿うように設けられ、かつ、走査線１２とは若干重なるように形成されている。走査線１２との重なり巾は、少なくとも１．５μｍあれば、本発明の効果を奏することができる。なお、この実施例では、透過部１６の画素電極１９ｂのうち、走査線１２に沿って重複している部分の両方の端部４０は信号線１３と重複するように突き出し部が形成されている。このようにした理由は画素電極１９の形成時にマスクずれ等があっても走査線１２が剥き出しになって液晶分子の配向に影響を与えることを防止するためである。なお、端部４０の突き出し部は、少なくとも１．５μｍの巾で信号線１３と重複すれば、上述のようなマスクずれ等があっても走査線１２が剥き出しになるおそれがない。
【００３９】
更に、この実施例１の半透過型液晶表示パネル１０においては、透過部１６の画素電極１９ｂは、反射部１５の画素電極１９ａよりも面積が大きくされているとともに、中間部に設けられた別のスリット３３2によって２つの領域１９ｂ1及び１９ｂ2に区画されており、この２つの領域１９ｂ1及び１９ｂ2部分は幅の狭い部分３４2を介して電気的に接続されている。そして、画素電極１９の表面をも含む第１基板の表面には全ての表示領域を覆うようにして垂直配向膜（図示せず）が積層されている。
【００４０】
このように、透過部１６の画素電極１９ｂの面積を大きくするとともに、２つの領域１９ｂ1及び１９ｂ2に区画した理由は、近年の携帯電話機等に使用されている半透過型液晶表示パネルは、高精細であってしかも画像表示用として使用され、バックライトを常時点灯して実質的に透過型液晶表示パネルとして使用される機会が多くなっていること、及び、面積が大きい透過部の画素電極１９ｂの全体にわたって液晶分子の配向規制を行うことができるようにするためである。
【００４１】
また、第２基板の透明な絶縁性を有するガラス基板２５の表示領域上には、それぞれの画素に対応して形成される赤色（Ｒ）、緑色（Ｇ）、青色（Ｂ）のうち何れか一色からなるストライプ状のカラーフィルタ層２６が設けられている。更に、反射部１５と透過部１６とで同じ厚さのカラーフィルタ層２６を使用するため、反射部１５のカラーフィルタ層２６の一部分に所定の厚さのトップコート層２７が設けられている。このトップコート層２７は、反射部１５全体にわたって設けられており、その厚さは反射部１５における液晶２９の層の厚さ、いわゆるセルギャップｄ１が透過部１６のセルギャップｄ２の半分となるように、すなわちｄ１＝（ｄ２）／２となるようにされている。
【００４２】
加えて、透過部１６に位置するカラーフィルタ層２６の表面の一部には、それぞれ透過部１６の画素電極１９ｂの２つの領域１９ｂ1及び１９ｂ2部の中央部に位置するように、液晶分子の配向を規制するための砲弾状の突起３１1及び３１2がそれぞれ設けられており、カラーフィルタ層２６、トップコート層２７及び突起３１1及び３１2の表面には共通電極及び垂直配向膜（いずれも図示せず）が順次積層されている。
【００４３】
そして、前記第１基板及び第２基板を互いに対向させ、両基板の周囲にシール材を設けることにより両基板を貼り合せ、両基板間に負の誘電異方性を有する液晶２９を充填することによりＭＶＡ方式の半透過型液晶表示パネル１０となる。なお、第１基板の下方には、図示しない周知の光源、導光板、拡散シート等を有するバックライト装置が配置されている。
【００４４】
このような構成のＭＶＡ方式の半透過型液晶表示パネル１０によれば、画素電極１９は、平面視において、透過部では信号線１３に沿っては重複していないので、信号線１３と画素電極１９との間に生じる静電容量Ｃsdを小さくすることができるため、静電容量Ｃsdに起因するクロストークを低減することができるようになる。しかも、透過部１６の画素電極１９ｂは、平面視において走査線１２に沿って重複し、両方の端部４０は信号線１３と重複するように突き出し部が形成されているので、走査線１２に印加される電圧に基づく液晶分子の配向の乱れによる光漏れは生じないようになるため、コントラストが良好なＭＶＡ方式の半透過型液晶表示パネルが得られる。加えて、特に従来例のように信号線と画素電極を平面視において重複させる必要がないため信号線を従来例のものよりも細くすることができ、その分だけ開口率を大きくすることができるようになるので、明るいＭＶＡ方式の半透過型液晶表示パネルが得られる。
【００４５】
なお、この実施例の半透過型液晶表示パネル１０では、第２基板に設ける配向規制手段として突起３１1及び３２2を設けた例を示したが、これに限らず共通電極に設けたスリットを配向規制手段としても良い。更に、この実施例の半透過型液晶表示パネル１０では、配向規制手段を透過部１６にのみ設けた例を示したが、反射部１５にも設けても良い。この場合も配向規制手段としては突起ないしは共通電極に設けたスリットを使用することができる。
【００４６】
なお、ＭＶＡ方式の半透過型液晶表示パネルにおいては、本来液晶分子に電界が印加されていない状態で垂直に配向されている限りは液晶層を光が透過することはない。従って、画素電極１９に設けられたスリット３３1及び３３2の部分にも垂直配向膜が設けられているので、このスリットの部分は光が透過することがないため、この実施例のＭＶＡ方式の半透過型液晶表示パネル１０としては、補助容量が大きくなるようにするために、補助容量線２１を反射板１８の下部から更に透過部１６側のスリット３３1側にまで延長してある。
【００４７】
また、この実施例のＭＶＡ方式の半透過型液晶表示パネル１０においては、透過部１６側における画素電極１９ｂを信号線１３とは実質的に重複しないように信号線１３に沿うように設けた例を示したが、透過部１６側における画素電極１９ｂを正確に信号線１３に沿って設けることは技術的に困難であるため、図３に示した変形例の半透過型液晶表示パネル１０Ａのように、透過部側の画素電極１９ｂと信号線１３との間に僅かな隙間４１が生じるようにしてもよい。なお、図３（ａ）は変形例の半透過型液晶表示パネル１０Ａの第２基板を透視して表した１画素分の平面図であり、また、図３（ｂ）は図３（ａ）のＣ−Ｃ断面図である。この場合も、この隙間４１の部分には垂直配向膜が設けられているため、この隙間４１の部分から光漏れすることはない。
【００４８】
更に、上記の実施例では画素電極にスリットを備え、かつ第２基板の透過部に対応する位置に配向規制手段である突起を設けたＭＶＡ方式の半透過型液晶表示パネルの例を示したが、画素電極にスリットを設けず、しかも、第２基板に液晶分子の配向を規制するための配向規制手段を備えていないＶＡ方式の半透過型液晶表示パネルにおいても同様に適用可能である。
【図面の簡単な説明】
【００４９】
【図１】実施例のＭＶＡ方式の半透過型液晶表示パネルの第２基板を透視して表した１画素分の平面図である。
【図２】図２（ａ）は図１のＡ−Ａ断面図であり、図２（ｂ）は第２基板を省略した図１のＢ−Ｂ断面図である。
【図３】図３（ａ）は図１に対応するＭＶＡ方式の半透過型液晶表示パネルの変形例を示す図であり、図３（ｂ）は図３（ａ）のＣ−Ｃ断面図である。
【図４】図４（ａ）は従来のＭＶＡ方式の半透過型液晶表示パネルの概略的な構造を示す斜視図であり、図４（ｂ）は液晶層の液晶に電界を印加したときの液晶の傾斜状態を示す概略図である。
【図５】図４（ａ）のＤ−Ｄ断面図である。
【図６】セルギャップ調整のためのトップコート層を第２基板側に設けた従来の半透過型液晶表示パネルの第２基板を透視して表した１画素分の平面図である。
【図７】図６のＥ−Ｅ断面図である。
【図８】図８（ａ）は図６のＦ−Ｆ断面図であり、図８（ｂ）は図６のＧ−Ｇ断面図である。
【図９】液晶表示パネルの１画素分の等価回路図である。
【符号の説明】
【００５０】
１０、５０、７０    ＭＶＡ方式の半透過型液晶表示パネル
１１、２５    ガラス基板
１２    走査線
１３    信号線
１４    無機絶縁膜
１５    反射部
１６    透過部
１７    層間膜
１８    反射板
１９、１９ａ、１９ｂ、１９ｂ1、１９ｂ2    画素電極
２０    コンタクトホール
２１    補助容量線
２６    カラーフィルタ層
２７    トップコート層
２９    液晶
３１、３１1、３１2、３２    突起
３３、３３1、３３2    スリット
３４、３４1、３４2    画素電極の幅の狭い部分
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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