(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
（ａ）水溶性有機アミン化合物１０〜４０重量％、（ｂ）ジメチルスルホキシド（ＤＭＳＯ）、Ｎ−メチルピロリドン（ＮＭＰ）、ジメチルアセトアミド（ＤＭＡｃ）及びジメチルホルムアミド（ＤＭＦ）からなる群より選択された一つ以上の水溶性有機溶剤４０〜７０重量％、（ｃ）水１０〜３０重量％、（ｄ）水酸基を２または３個含有する有機フェノール系化合物５〜１５重量％、（ｅ）ペルフルオロアルキル基が含まれているアニオン系化合物０．５〜５重量％、及び（ｆ）ポリオキシエチレンアルキルアミンエーテル系界面活性剤０．０１〜１重量％を含有することを特徴とするレジスト除去剤組成物。
【請求項２】
前記水溶性有機アミン化合物はアミノアルコール化合物であることを特徴とする、請求項１に記載のレジスト除去剤組成物。
【請求項３】
前記アミノアルコール化合物は２−アミノ−１−エタノール、１−アミノ−２−プロパノール、２−アミノ−１−プロパノール、３−アミノ−１−プロパノールからなる群から選択された一つ以上の化合物であることを特徴とする、請求項２に記載のレジスト除去剤組成物。
【請求項４】
前記水酸基を２または３個含有する有機フェノール系化合物は下記の化学式１によって示されるフェノール系化合物であることを特徴とする、請求項１に記載のレジスト除去剤組成物。
＜化学式１＞：
【化１】
0004698123.tif 000008
ここで、ｍは２または３の整数を示す。
【請求項５】
前記ペルフルオロアルキル基が含まれているアニオン系化合物は下記の化学式２で示される化合物からなる群から選択される化合物であることを特徴とする、請求項１に記載のレジスト除去剤組成物。
＜化学式２＞：ＲｆＣＯＯ−Ｍ＋、ＲｆＳＯ３−Ｍ＋、ＲｆＳＯ４−Ｍ＋、ＲｆＯＰ（Ｏ）Ｏ２２−Ｍ２＋
ここで、Ｒｆはフッ素化あるいは部分フッ素化された疎水性基であり、Ｍ＋は無機あるいは有機カウンターイオンであり、Ｒｆは次の化学式で示される群から選択される一つの基であり、
ＣｎＦ（２ｎ＋１）−、ＣｎＦ（２ｎ＋１）ＣｍＨ（２ｍ＋１）−、ＣｎＦ（２ｎ＋１）ＯＣＦ２ＣＦ２−、ＣｎＦ（２ｎ＋１）ＯＣ６Ｈ４−、ＣｎＦ（２ｎ＋１）ＣＨ２ＣＨ２Ｓｉ（ＣＨ３）２−
および次の化学式４で示される基
【化４】
0004698123.tif 000009
ここで、ｍは１〜３０の整数、ｎは１〜３０の整数を各々示す。
【請求項６】
前記ポリオキシエチレンアルキルアミンエーテル系界面活性剤は下記の化学式３によって示される化合物であることを特徴とする、請求項１に記載のレジスト除去剤組成物。
＜化学式３＞：
【化２】
0004698123.tif 000010
ここで、Ｒは炭素数１〜２０のアルキル基、ｍは０〜３０の整数、ｎは０〜３０の整数を各々示す。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は集積回路（IC）、高集積回路（LSI）、超高集積回路（VLSI）などの半導体素子類を製造する工程中、レジストを除去するためのレジスト除去剤組成物に関する。
【背景技術】
【０００２】
一般に半導体素子の製造工程は半導体基板上に形成された導電層上にレジストパターンを形成した後、前記パターンをマスクとして利用して前記パターンによって覆われない部位の導電層をエッチングして除去することによって導電層パターンを形成するリソグラフィー工程を数十回実施する。前記マスクとして利用されたレジストパターンは前記導電層パターン形成工程後の洗浄工程でレジスト除去剤によって導電層から除去されなければならない。しかし、最近、超高集積回路半導体製造工程においては導電層パターンを形成するためのエッチング工程が主に乾式エッチング工程で行われるためにその後の洗浄工程でレジストを除去することが難しくなった。
【０００３】
乾式エッチング工程は液状の酸を利用した湿式エッチング工程を代替するものであって、プラズマエッチングガスと導電層のような物質膜間の気相-固相反応を利用してエッチング工程を行なう。乾式エッチング工程は制御が容易で鋭いパターンを得ることができるので、最近はエッチング工程の主流をなしている。しかし、乾式エッチング法は導電層をエッチングする工程中にレジスト膜表面でプラズマエッチングガスのうちのイオン及びラジカルが前記レジスト膜と複雑な化学反応を起こしてレジスト膜を急速に硬化させるためレジストの除去が困難となる。特に、タングステン及び窒化チタンのような導電層を乾式エッチングする場合に発生する側壁部の変質硬化レジストは洗浄工程において各種化学薬品を使用しても除去し難い。
【０００４】
最近に提案されたヒドロキシルアミンとアミノエトキシエタノールからなるレジスト除去剤組成物は相対的に大部分の硬化レジスト膜に対し有効な除去性能を発揮する特性のために広く用いられた。しかし、前記除去剤組成物は１ギガDRAM級以上の半導体量産ラインで新しくアルミニウム配線の代わりに適用される銅配線金属層に対する腐蝕が激しくて、これを克服できる新たなレジスト除去剤に対する開発が要望されている。
【０００５】
一方、最近提案されたアルカノールアミンとジエチレングリコールモノアルキルエーテルからなるレジスト除去剤組成物も臭気と毒性が少なくて大部分のレジスト膜に対して有効な除去性能を発揮する特性のために広く用いられた。しかし、前記除去剤組成物も乾式エッチング工程またはイオン注入工程でプラズマエッチングガスまたはイオンビームに露出されたレジスト膜を満足する程度に除去することができないという事実が明らかになって乾式エッチングとイオン注入工程によって変性されたレジスト膜を除去できる新たなレジスト除去剤に対する開発が要望されている。
【０００６】
上述のように、イオン注入工程を経たレジスト膜をレジスト除去剤で除去することが困難である。特に超高集積回路の製造においてソース/ドレーン領域を形成するために高照射線量のイオン注入工程を経たレジスト膜を除去することはさらに難しくなる。イオン注入工程においてレジスト膜は高照射線量、高エネルギーのイオンビームによる反応熱が主原因となってレジストの表面が硬化する。また、同時にレジストのポッピング（popping）現象が発生してレジスト残渣が生じることもある。通常灰化処理をする半導体ウエハーは２００℃以上の高温で加熱処理される。この時、レジスト内部に残存する溶剤が気化して排出されなければならないが、高照射線量のイオン注入工程後のレジスト表面には硬化層が存在するのでこれが不能になる。
【０００７】
したがって、灰化が進められることによってレジスト膜内部の内圧が上昇しながら内部に残存する溶剤によってレジスト膜の表面が破裂する現象が生じるが、これをポッピング現象と言う。このようなポッピング現象によって飛散した表面硬化層は残渣になって除去することが難しい。また、前記レジスト表面の硬化層は熱により形成されるので不純物イオンであるドーパント（dopoant）がレジスト分子構造中に置換されて架橋反応を起こし、この部位がO２プラズマによって酸化する。このように酸化されたレジストは残渣と小片に変わってやはり汚染源になり、超高集積回路の製造時生産収率を低下させる原因になる。
【０００８】
上述したレジスト硬化層を効果的に除去するための多様な乾式及び湿式工程が提案されており、その中の一つとして通常の灰化を行って２次灰化を再び実施する２段階灰化法が文献[藤村、日本春季応用物理学会予告集１P-１３、p５７４、１９８９]に記載されている。しかし、このような乾式エッチング工程は工程が複雑になって装備が大規模化して生産収率が落ちる短所をもっている。
【０００９】
一方、従来の湿式洗浄工程に用いられるレジスト除去剤として有機アミン化合物と各種有機溶剤を混合して行われるレジスト除去剤組成物が提案された。特に、有機アミン化合物としてモノエタノールアミン（MEA）を含むレジスト除去剤組成物が広く用いられている。
【００１０】
例えば、a）モノエタノールアミン（MEA）、２-（２-アミノエトキシ）エタノール（AEE）などの有機アミン化合物、b）Ｎ，Ｎ-ジメチルアセトアミド（DMAc）、Ｎ，Ｎ-ジメチルホルムアミド（DMF）、N-メチルピロリドン（NMP）、ジメチルスルホキシド（DMSO）、酢酸カルビトール、メトキシアセトキシプロパンなどの極性溶剤からなる２成分系レジスト除去剤組成物（米国特許４，６１７，２５１号）;a）モノエタノールアミン（MEA）、モノプロパノールアミン、メチルアミルエタノールなどの有機アミン化合物、b）N-メチルアセトアミド（MAc）、Ｎ，Ｎ-ジメチルアセトアミド（DMAc）、Ｎ，Ｎ-ジメチルホルムアミド（DMF）、Ｎ，Ｎ-ジメチルプロピオンアミド、Ｎ，Ｎ-ジエチルブチルアミド、N-メチル-N-エチルプロピオンアミドなどのアミド溶剤からなる２成分系レジスト除去剤組成物（米国特許４，７７０，７１３号）;a）モノエタノールアミン（MEA）などの有機アミン化合物、b）１，３-ジメチル-２-イミダゾリジノン（DMI）、１，３-ジメチル-テトラヒドロピリミジノンなどの非プロトン性極性溶剤類からなる２成分系レジスト除去剤組成物（ドイツ公開特許出願３，８２８，５１３号）;a）モノエタノールアミン（MEA）、ジエタノールアミン（DEA）、トリエタノールアミン（TEA）などのアルカノールアミン及びエチレンジアミンのエチレンオキシドを導入したアルキレンポリアミン、b）スルホランなどのスルホン化合物、c）ジエチレングリコールモノエチルエーテル、ジエチレングリコールモノブチルエーテルなどのグリコールモノアルキルエーテルを特定比率で混合したレジスト除去剤組成物（日本特開昭６２-４９３５５号）;a）モノエタノールアミン（MEA）、ジエタノールアミン（DEA）などの水溶性アミン、b）１，３-ジメチル-２-イミダゾリジノンを含有したレジスト除去剤組成物（日本特開昭６３-２０８０４３号）;a）モノエタノールアミン（MEA）、エチレンジアミン、ピペリジン、ベンジルアミンなどのアミン類、b）DMAc、NMP、DMSOなどの極性溶剤、c）界面活性剤からなるポジ型レジスト除去剤組成物（日本特開昭６３-２３１３４３号）;a）モノエタノールアミン（MEA）などの含窒素有機ヒドロキシ化合物、b）ジエチレングリコールモノエチルエーテル、ジエチレングリコールジアルキルエーテル、γ-ブチロラクトン及び１，３-ジメチル-２-イミダゾリノンの中で選択された一つ以上の溶剤、及びc）DMSOを特定比率で混合したポジ型レジスト除去剤組成物（日本特開昭６４-４２６５３号）;a）モノエタノールアミン（MEA）などの有機アミン化合物、b）ジエチレングリコールモノアルキルエーテル、DMAc、NMP、DMSOなどの非プロトン性極性溶剤類、c）リン酸エステル系界面活性剤からなるポジ型レジスト除去剤組成物（日本特開平４-１２４６６８号）;a）１，３-ジメチル-２-イミダゾリノン（DMI）、b）ジメチルスルホキシド（DMSO）、c）モノエタノールアミン（MEA）などの有機アミン類化合物を含有したレジスト除去剤組成物（日本特開平４-３５０６６０号）;a）モノエタノールアミン（MEA）、b）DMSO、c）カテコールを含有したレジスト除去剤組成物（日本特開平５-２８１７５３号）などが提案されており、このようなレジスト除去剤組成物は安全性、作業性、レジスト除去性能で比較的に優れた特性を示している。
【００１１】
しかし、最近の半導体素子製造工程ではシリコンウエハーをはじめとした各種基板を１１０乃至１４０℃の高温で処理することによってレジストが高温で焼ける場合が多くなった。しかし、前記例のレジスト除去剤は高温で焼けたレジストに対しては除去能力が十分でない。前記高温で焼けたレジストを除去するための組成物として水及び/またはヒドロキシルアミン化合物を含有するレジスト除去剤組成物が提案された。例えば、a）ヒドロキシルアミン類、b）アルカノールアミン類、c）水からなるレジスト除去剤組成物（日本特開平４-２８９８６６号）;a）ヒドロキシルアミン類、b）アルカノールアミン類、c）水、d）防食剤からなるレジスト除去剤組成物（日本特開平６-２６６１１９号）;a）GBL、DMF、DMAc、NMPなどの極性溶剤類、b）２-メチルアミノエタノールなどのアミノアルコール類、c）水を含有したレジスト除去剤組成物（日本特開平７-６９６１８号）;a）モノエタノールアミン（MEA）などのアミノアルコール類、b）水、c）ブチルジグリコールを含有した除去剤組成物（日本特開平８-１２３０４３号）;a）アルカノールアミン類、アルコキシアミン類、b）グリコールモノアルキルエーテル、c）糖アルコール類、d）第４級アンモニウム水酸化物、e）水を含有したレジスト除去剤組成物（日本特開平８-２６２７４６号）;a）モノエタノールアミン（MEA）またはAEEのうちの一つ以上のアルカノールアミン、b）ヒドロキシルアミン、c）ジエチレングリコールモノアルキルエーテル、d）糖類（ソルビトール）、e）水を含有した除去剤組成物（日本特開平９-１５２７２１号）;a）ヒドロキシルアミン類、b）水、c）酸解離定数（pKa）が７．５乃至１３であるアミン類、d）水溶性有機溶媒、e）防食剤からなるレジスト除去剤組成物（日本特開平９-９６９１１号）などが提案された。
【００１２】
しかし、このようなレジスト除去剤組成物もやはり乾式エッチング、灰化及びイオン注入工程によって硬化されたレジスト膜及び前記工程中下部の金属膜質からエッチングされて出た金属性副産物によって変質したレジスト膜の除去性能及びレジスト除去工程中の下部金属配線の腐蝕防止性能などの面で十分でない問題点がある。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１３】
したがって、本発明の目的は、乾式エッチング、灰化及びイオン注入工程によって変質硬化されたレジスト膜及び前記工程中下部の金属膜質からエッチングされて出た金属性副産物によって変質したレジスト膜を短時間内に容易に除去することができ、下部の金属配線、特に銅配線の腐蝕を最少化することができるレジスト除去剤組成物を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１４】
前記技術的課題を達成するために本発明は、（a）水溶性有機アミン化合物１０〜４０重量％、（b）ジメチルスルホキシド（DMSO）、N-メチルピロリドン（NMP）、ジメチルアセトアミド（DMAc）及びジメチルホルムアミド（DMF）からなる群より選択された一つ以上の水溶性有機溶剤４０〜７０重量％、（c）水１０〜３０重量％、（d）水酸基を２または３個含有する有機フェノール系化合物０．１〜１５重量％、（e）ペルフルオロアルキル基が含まれているアニオン系化合物０．０１〜１０重量％、及び（f）ポリオキシエチレンアルキルアミンエーテル系界面活性剤０．０１〜１重量％を含有することを特徴とするレジスト除去剤組成物を提供する。
【００１５】
本発明によるレジスト除去剤組成物において、前記（a）水溶性有機アミン化合物としては、好ましくはアミノアルコール化合物を使用し、前記アミノアルコール化合物は２-アミノ-１-エタノール、１-アミノ-２-プロパノール、２-アミノ-１-プロパノール、３-アミノ-１-プロパノールからなる群から選択された一つ以上のものであり、このうち２-アミノ-１-エタノールがレジスト浸透及び膨潤（Swelling）特性、粘度、コストの側面でさらに好ましい。
【００１６】
前記水溶性有機アミン化合物の含量は１０〜４０重量％が好ましい。つまり、前記水溶性有機アミン化合物の含量が１０重量％未満であれば乾式エッチング工程などにより変質したレジスト膜を完全に除去することが難しく、４０重量％を超えればシリコン酸化膜及び銅などのような下部金属配線膜質に対する腐食性が過度になる問題点がある。
【００１７】
前記（b）水溶性有機溶剤はジメチルスルホキシド（DMSO）、N-メチルピロリドン（NMP）、ジメチルアセトアミド（DMAc）及びジメチルホルムアミド（DMF）からなる群から選択された一つ以上の有機溶剤であるのが好ましく、このうちN-メチルピロリドン（NMP）はレジストに対する優れた溶解特性、レジストの再付着（Redeposition）防止、及び生分解速度が速いため廃液処理が容易であるという側面でさらに好ましい。
【００１８】
本発明によるレジスト除去剤組成物において、前記(c)水はイオン交換樹脂を通じてろ過した純水が好ましいが、比抵抗が１８メガオーム以上である脱イオン水を用いるのがさらに好ましい。
【００１９】
前記水の含量は１０〜３０重量％が好ましい。水の含量が１０重量％未満であれば乾式エッチングと灰化工程後に発生する金属性副産物によって激しく変質したレジストを除去する能力が低下する問題点がある。しかし、水の含量が３０重量％を超えれば除去工程中下部の金属配線を腐食させる心配があり、相対的に成分（ａ）の水溶性有機アミン化合物と成分（ｂ）の水溶性有機溶剤の含量が減って、変成されなかったレジストを除去する能力が低下する。研究結果、水の含量は１０〜３０重量％範囲が最も好ましいことを確認した。
前記（d）水酸基を２または３個含有する有機フェノール系化合物は下記の化学式１によって示される化合物である: <化学式１>：
【００２０】
【化１】
0004698123.tif 000002
【００２１】
ここで、mは２または３の整数を示す。
【００２２】
前記水酸基を２または３個含有する有機フェノール化合物は乾式エッチング、灰化及びイオン注入工程によって硬化されたレジスト膜及び下部の金属膜質からエッチングされて出た金属性副産物によって変性されたレジスト膜を除去するための構成成分であって、水溶性有機アミン化合物と水の水素イオンが反応して発生する水酸化イオンがレジスト膜と半導体基板間の接触面に効果的に浸透させる機能を発揮する。また、前記水酸基を２または３個含有する有機フェノール化合物はレジスト除去剤組成物から生成された水酸基が導電層である下部金属膜質を腐蝕することを防止する腐蝕防止効果を発揮する。
【００２３】
前記水酸基を２または３個含有する有機フェノール化合物の含量は０．１〜１０重量％が好ましい。前記有機フェノール化合物の含量が０．１重量％未満であれば乾式エッチングとイオン注入工程後に発生する金属性副産物によって激しく変性したレジスト膜を除去する能力が低下し、下部金属膜質の腐蝕が深刻化する問題点がある。１０重量％を超えればレジスト膜除去性能に比べて組成物製造コストなどを考慮した工業的面で不経済的である。
【００２４】
前記（ｅ）ペルフルオロアルキル基が含まれているアニオン系化合物は下記の化学式２によって示される化合物の中で選択される。
＜化学式２＞：ＲｆＣＯＯ−Ｍ＋、ＲｆＳＯ３−Ｍ＋、ＲｆＳＯ４−Ｍ＋、ＲｆＯＰ（Ｏ）Ｏ２２−Ｍ２＋
ここで、Ｒｆはフッ素化あるいは部分フッ素化された疎水性基であり、例えば、次の通りである。
【００２５】
ＣｎＦ（２ｎ＋１）−、ＣｎＦ（２ｎ＋１）ＣｍＨ（２ｍ＋１）−、ＣｎＦ（２ｎ＋１）ＯＣＦ２ＣＦ２−、ＣｎＦ（２ｎ＋１）ＯＣ６Ｈ４−、ＣｎＦ（２ｎ＋１）ＣＨ２ＣＨ２Ｓｉ（ＣＨ３）２−
および次の化学式４で示される基
【化４】
0004698123.tif 000003
ここで、ｍは１〜３０の整数、ｎは１〜３０の整数を各々示す。
【００２６】
前記水酸基を２または３個含有する有機フェノール化合物のみでも本発明のレジスト除去剤組成物に明確な腐蝕防止効果を付与することができるが、下部金属配線膜質の側面や上部表面で発生する部分的侵食現象、つまり、点食（pitting）現象を完全に解決することができない。研究結果、水酸基を２または３個含有する有機フェノール化合物にペルフルオロアルキル基が含まれているアニオン系化合物を混合して用いると点食現象までも防止することができることを発見した。特に、レジスト膜の側壁から発生するサイド点食の防止に芳香族フェノール化合物とペルフルオロアルキル基が含まれているアニオン系化合物を適正な割合で混合して添加する場合、相乗効果を起こすという事実を発見した。
【００２７】
前記ペルフルオロアルキル基が含まれているアニオン系化合物の含量は０．１〜１０重量％が好ましい。ペルフルオロアルキル基が含まれているアニオン系化合物の含量が０．１重量％未満であれば点食現象を防止する性能が微々であり、１０重量％を超えればレジスト除去剤組成物の粘度を上昇させて使用時便利性を低下させる問題点がある
前記（f）ポリオキシエチレンアルキルアミンエーテル系界面活性剤は下記の化学式３によって示される化合物より選択される。<化学式３>：
【００２８】
【化２】
0004698123.tif 000004
【００２９】
ここで、Rは炭素数１〜２０のアルキル基、mは０〜３０の整数、nは０〜３０の整数を各々示す。
【００３０】
前記ポリオキシエチレンアルキルアミンエーテル系界面活性剤は酸化エチレン付加モル数によって水溶液で弱い陽イオン界面活性剤の性質を示すのでレジスト除去剤が溶解されているレジストを分散する役割を果たして、金属膜質上に再付着の可能性を減らすことができる。
【００３１】
前記ポリオキシエチレンアルキルアミンエーテル系界面活性剤の含量は０．０１〜１重量％であるのが好ましい。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３２】
以下、本発明を実施例を通じてさらに詳細に説明するが、本発明の範囲が下記の実施例に限定されるわけではない。一方、下記の実施例において別途の言及がなければ百分率及び混合比は重量を基準にしたものである。本発明の実施例及び比較例において、レジスト除去剤組成物に対する性能評価は次の方法によって実施した。
【００３３】
（１）レジスト除去性能
サンプルAの製造
下部にタングステン膜及び窒化チタン膜が下から各々順次に１０００Å及び７００Å蒸着されている８インチシリコンウエハーの表面に汎用的に用いられるポジ型レジスト組成物（三菱社製品、商品名:IS４０１）をスピンコーティングして最終膜の厚さが１．０１μｍになるように塗布した。次に、ホットプレートで前記シリコンウエハーを１００℃で９０秒間プレベーク（pre-bake）した。引続き、前記レジスト膜上に所定パターンのマスクを位置させた後、紫外線を照射してテトラメチルアンモニウムヒドロキシド（TMAH）現像液（ドウジンケミカル工業社、商品名ＤＰＤ−１００Ｓ）で２１℃で６０秒間現像した後、ホットプレートで前記レジストパターンが形成されたサンプルを１２０℃で１００秒間ハードベークした。前記サンプルＡに形成されたレジストパターンをマスクとして利用して乾式エッチング装置（日立社、モデル名:M３１８）でSF６/Cl２混合ガスをエッチングガスとして使用して３５秒間レジストパターンによって覆われていない下部のタングステン及び窒化チタン膜をエッチングして金属配線パターンを形成した。
【００３４】
レジスト除去試験
前記サンプルAを温度６５℃レジスト除去剤組成物に浸漬した。引き続き、前記サンプルをレジスト除去剤組成物から取り出した後、純水で水洗して窒素ガスで乾燥した後、パターンの側壁周囲とラインパターン表面にレジスト残留物が付着有無を走査電子顕微鏡（SEM）で検査してレジスト除去性能を次のような基準に基づいて評価し、その結果を下記表２に示した。
【００３５】
○:ラインパターン側壁と表面からレジスト残留物が完全に除去された場合。
【００３６】
△:ラインパターン側壁と表面からレジスト残留物が８０％以上除去されたが、微量残っている場合。
【００３７】
×:ラインパターン側壁と表面からレジスト残留物がほとんど除去されていない場合。
【００３８】
（２）銅腐食性試験
サンプルBの用意
半導体パッケージ工程中に使用する銅材質のリードフレームを用意した。
【００３９】
銅腐食性試験
前記サンプルBを温度６５℃レジスト除去剤組成物に浸漬した。引き続き、前記サンプルをレジスト除去剤組成物から取り出した後、純水で水洗して窒素ガスで乾燥した後、前記銅サンプルの表面を走査型電子顕微鏡で検査して腐蝕程度を次のような基準に基づいて評価し、その結果を下記表３に示した。
【００４０】
○:銅表面に腐蝕がない場合
△:銅表面に腐蝕が一部ある場合
×:銅表面に腐蝕が全体的に激しく示された場合
実施例１〜５及び比較例１〜３
本発明の成分（ａ）〜（ｆ）を各々下記表１に示した比率で混合して各々実施例１〜５及び比較例１〜３のレジスト除去剤組成物を調製した。このようにして得たレジスト除去剤組成物に対して前述した（１）レジスト除去性能、（２）銅腐食性試験を実施してその結果を下記の表２〜３に示した。
【００４１】
【表１】
0004698123.tif 000005
【００４２】
MIPA:モノイソプロパノールアミン
MEA:モノエタノールアミン
DMSO:ジメチルスルホキシド
DMF:ジメチルホルムアミド
NMP:N-メチルピロリドン
DMAc:ジメチルアセトアミド
FPA-９１:フルオロアルキル基が含まれているアニオン系化合物（DIC社商品）
FPA-９１P:フルオロアルキル基が含まれているアニオン系化合物（DIC社商品）
KONION LM-１０:ポリオキシエチレンアルキルアミンエーテル（韓国ポリオル社商品）
KONION SM-１５:ポリオキシエチレンアルキルアミンエーテル（韓国ポリオル社商品）
KONIOM SM-１０:ポリオキシエチレンアルキルアミンエーテル（韓国ポリオル社商品）
SA:サリチリックアルデヒド（Salycylic aldehyde）
【００４３】
【表２】
0004698123.tif 000006
【００４４】
図１〜図３は実施例４のレジスト除去剤組成物のレジスト除去性能と比較例１のレジスト除去剤組成物のそれを比較した走査型電子顕微鏡（日立社、モデル名;S-４１００）写真を示す。図１〜図３はサンプルAに対してレジスト除去剤組成物の温度を６５℃にして試験した結果を示す。
【００４５】
図１では金属配線を覆っているレジストパターンとその下にタングステン及び窒化チタン膜が下から各々順次に１０００Å及び７００Å蒸着されている本来の状態を確認することができる。
【００４６】
図２は実施例４のレジスト除去剤組成物を使用して６５℃でレジスト除去性能試験をした結果を示す走査型電子顕微鏡写真である。
【００４７】
図３は比較例１のレジスト除去剤組成物を使用して６５℃でレジスト除去性能試験をした結果を示す走査型電子顕微鏡写真である。
【００４８】
【表３】
0004698123.tif 000007
【００４９】
前記のように、本発明によるレジスト除去剤組成物は乾式エッチング、灰化及びイオン注入工程によって硬化されたレジスト膜及び前記工程中、下部の金属膜質からエッチングされて出た金属性副産物によって変性したレジスト膜も短時間内に容易に除去することができる。また、レジスト除去工程中の下部の金属配線、特に銅配線の腐蝕を最少化することができ、後続のリンス工程でイソプロピルアルコール、ジメチルスルホキシドのような有機溶剤を使用することなく、水のみでリンスすることができる長所がある。
【図面の簡単な説明】
【００５０】
【図１】レジストパターンとその下にタングステン及び窒化チタン膜が順次に１０００Å及び７００Å蒸着されている本来の状態を示す写真である。
【図２】実施例４のレジスト除去剤組成物を使用して６５℃でレジスト除去性能試験をした結果を示す走査型電子顕微鏡写真である。
【図３】比較例１のレジスト除去剤組成物を使用して６５℃でレジスト除去性能試験をした結果を示す走査型電子顕微鏡写真である。
【図１】
0004698123.tif 000011
【図２】
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【図３】
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