(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
電極間に導線を介して抵抗を接続した状態の太陽電池セルの表面を走査しながら光を照射する光照射手段と、
前記光照射手段による光の照射によって前記太陽電池セルに電流が流れることにより発生する磁界を検出する磁界検出手段と
を備えたことを特徴とする太陽電池セル検査装置。
【請求項２】
請求項１に記載した太陽電池セル検査装置において、
前記光照射手段は、所定の周期で強度が変化する光を前記太陽電池セルに照射し、
前記磁界検出手段は、前記所定の周期と等しい周期で強度が変化する磁界を検出することを特徴とする太陽電池セル検査装置。
【請求項３】
請求項１又は２に記載した太陽電池セル検査装置において、さらに、
前記磁界検出手段によって検出された磁界に関する情報を、前記光照射手段による光の照射位置に対応させて表示する表示手段を設けたことを特徴とする太陽電池セル検査装置。
【請求項４】
請求項１乃至３のうちのいずれか一つに記載した太陽電池セル検査装置において、さらに、
前記磁界検出手段によって検出された磁界に関する情報と、予め用意した基準情報とを比較して、前記太陽電池セルの欠陥を判定する判定手段を設けたことを特徴とする太陽電池セル検査装置。
【請求項５】
請求項１乃至４のうちのいずれか一つに記載した太陽電池セル検査装置において、
前記磁界検出手段は、前記太陽電池セルを挟んで前記光照射手段によって光が照射される位置の反対側に対向して配置されて、前記光の走査位置と連動して前記太陽電池セルに対して相対的に移動することを特徴とする太陽電池セル検査装置。
【請求項６】
請求項１乃至４のうちのいずれか一つに記載した太陽電池セル検査装置において、
前記磁界検出手段は、前記太陽電池セルを挟んで前記光照射手段によって光が照射される面と反対側の面に対向して、前記太陽電池セルに対して固定した位置に配置されていることを特徴とする太陽電池セル検査装置。
【請求項７】
請求項１乃至４のうちのいずれか一つに記載した太陽電池セル検査装置において、
前記磁界検出手段は、前記導線に対向して配置されていることを特徴とする太陽電池セル検査装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、太陽電池セルを検査するための太陽電池セル検査装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
太陽電池セルにクラック等の欠陥が存在すると、発電電力が低下するために、製造された太陽電池セルを太陽電池パネルの製造前に検査する必要がある。簡易の検査方法としては、作業者の目視によって欠陥の有無を検査する方法がある。しかし、この方法では、個々の作業者の検査能力に差があって検査ミスが生じる可能性があるとともに、検査に時間がかかるという問題もある。
【０００３】
そのため、従来から、例えば下記特許文献１〜３に示されているように、目視以外の方法で太陽電池セルの検査を精度よく短時間で行う方法が提案されている。下記特許文献１には、太陽電池セルに正方向に電流を流すと太陽電池セルが発光するとういう性質を利用して、太陽電池セルに正方向に電流を流すとともに太陽電池セルを撮像し、発光強度の異なる箇所を検出することで太陽電池セルの欠陥を検出する方法が示されている。また、下記特許文献２には、太陽電池セルのフォトルミネセンス効果を利用して、太陽電池セルに発光ダイオード（ＬＥＤ）の光を照射するとともに太陽電池セルを撮像し、発光強度の異なる箇所を検出することで太陽電池セルの欠陥を検出する方法が示されている。また、下記特許文献３には、太陽電池セルに振動を与えることによって音を発生させ、発生した音を捉えて音響解析を行うことによりパワースペクトルを求め、所定の周波数領域のスペクトル強度に基づいて太陽電池セルの欠陥を検出する方法が示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００８−２６１１３号公報
【特許文献２】特開２００８−２２４４３２号公報
【特許文献３】特開２００５−１４２４９５号公報
【発明の概要】
【０００５】
前記のように、太陽電池セルから発生する光や音により太陽電池セルの欠陥を検出する方法は提案されているが、前記方法では撮像装置、音響解析装置等が必要となり、さらに外乱である光や音を除外するための設備も必要となるため、太陽電池セル検査装置が高額になるという問題がある。
【０００６】
本発明は、この問題を解決するためになされたもので、その目的は、製造コストを抑えた太陽電池セル検査装置を提供することにある。
【０００７】
上記目的を達成するために、本発明の特徴は、電極間に導線を介して抵抗を接続した状態の太陽電池セルの表面を走査しながら光を照射する光照射手段と、光照射手段による光の照射によって太陽電池セルに電流が流れることにより発生する磁界を検出する磁界検出手段とを備えたことにある。
【０００８】
この場合、磁界検出手段は、例えば、太陽電池セルを挟んで光照射手段によって光が照射される位置の反対側に対向して配置されて、光の走査位置と連動して太陽電池セルに対して相対的に移動するとよい。また、磁界検出手段は、太陽電池セルを挟んで光照射手段によって光が照射される面と反対側の面に対向して、太陽電池セルに対して固定した位置に配置されていてもよい。また、磁界検出手段は、導線に対向して配置されていてもよい。
【０００９】
上記のように構成した本発明においては、光照射手段によって太陽電池セルに光が照射されると、太陽電池セルには発電により電流が流れる。そして、この太陽電池セルを流れる電流によって発生される磁界が、磁界検出手段によって検出される。この場合、光照射手段は、太陽電池セルの表面を走査しながら光を照射するので、前記検出される磁界の変化により、太陽電池セルの表面におけるクラック等の欠陥を検出できる。したがって、光照射手段及び磁界検出手段を備えれば、太陽電池セルの検査が可能になるので、検査装置の製造コストを低額に抑えることができる。
【００１０】
また、本発明の他の特徴は、光照射手段は、所定の周期で強度が変化する光を太陽電池セルに照射し、磁界検出手段は、所定の周期と等しい周期で強度が変化する磁界を検出することにある。これによれば、所定の周期で強度が変化する光を用いることにより、太陽電池セル検査装置が置かれた場所に外乱光を除外する設備を設けなくても、外乱光の影響を除外することができる。
【００１１】
また、本発明の他の特徴は、さらに、磁界検出手段によって検出された磁界に関する情報を、前記光照射手段による光の照射位置に対応させて表示する表示手段を設けたことにある。これによれば、作業者は、表示手段による表示を見ることにより、太陽電池セルの欠陥を簡単かつ正確に見つけることができる。
【００１２】
また、本発明の他の特徴は、さらに、磁界検出手段によって検出された磁界に関する情報と、予め用意した基準情報とを比較して、太陽電池セルの欠陥を判定する判定手段を設けたことにある。これによれば、作業者の判断によることなく、太陽電池セルの欠陥が自動的に検出される。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
【図１】本発明の一実施形態に係る太陽電池セル検査装置の全体構成図である。
【図２】図１のステージ、Ｘ方向スライド機構及びＹ方向スライド機構の具体例を説明する概略斜視図である。
【図３】図１の磁気センサ及びセンサ信号取出回路の詳細回路ブロック図である。
【図４】図１のロックインアンプの詳細回路ブロック図である。
【図５Ａ】図1のコントローラによって実行されるデータ取得プログラムの前半部分を示すフローチャートである。
【図５Ｂ】前記データ取得プログラムの後半部分を示すフローチャートである。
【図６】図1のコントローラによって実行される評価プログラムを示すフローチャートである。
【図７】太陽電池セルへの発光素子による照射状態を説明するための図である。
【図８】図１の表示装置における面電流の大きさ及び方向の表示例を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１４】
以下、本発明の一実施形態に係る太陽電池セル検査装置について図面を用いて説明する。図1は、この太陽電池セル検査装置の全体概略図である。太陽電池セル検査装置は、太陽電池セルＳＣを載置固定するステージ１０を有し、ステージ１０は、Ｘ方向スライド機構２０によってＸ方向（紙面左右方向）に移動するとともに、Ｙ方向スライド機構３０によってＹ方向（紙面垂直方向）に移動する。
【００１５】
ステージ１０は、図２に詳細に示すように、方形状の枠体で一体的に形成され、上面にて太陽電池セルＳＣが載置されるようになっている。Ｘ方向スライド機構２０は、Ｘ方向に平行に延設された溝を有する１対の支持部材２１，２２を備え、ステージ１０のＹ方向端部にてＸ方向に延設された一対の脚部１０ａ，１０ｂをＸ方向に摺動可能に収容している。支持部材２２内には、Ｘ方向に延設された雄ねじ２３が支持部材２２のＸ方向両端部にて回転可能に支持されて収容されている。この雄ねじ２３には、ステージ１０の脚部１０ｂに設けた雌ねじが螺合して、この雌ねじは雄ねじ２３と共にボールねじ機構を構成している。支持部材２２のＸ方向の一端には、雄ねじ２３を軸線周りに回転させるＸ方向モータ２４が組み付けられており、Ｘ方向モータ２４の回転によりステージ１０がＸ方向に移動する。
【００１６】
Ｙ方向スライド機構３０は、Ｙ方向に平行に延設された溝を有する１対の支持部材３１，３２を備えている。支持部材３１は、支持部材２１，２２の下面に設けられた一対の脚部２１ａ，２２ａをＹ方向に摺動可能に収容している。支持部材３２は、支持部材２１，２２の下面に設けられた一対の脚部２１ｂ，２２ｂをＹ方向に摺動可能に収容している。支持部材３２内には、Ｙ方向に延設された雄ねじ３３が支持部材３２のＹ方向両端部にて回転可能に支持されて収容されている。この雄ねじ３３には、支持部材２１，２２の脚部２１ｂ，２２ｂに設けた雌ねじがそれぞれ螺合して、これらの雌ねじは雄ねじ３３と共にボールねじ機構を構成している。支持部材３２のＹ方向の一端には、雄ねじ３３を軸線周りに回転させるＹ方向モータ３４が組み付けられており、Ｙ方向モータ３４の回転によりステージ１０がＸ方向スライド機構２０と共にＹ方向に移動する。
【００１７】
ふたたび図１の説明に戻ると、ステージ１０上に載置された太陽電池セルＳＣの上方には発光素子（ＬＥＤ）４１が配置され、太陽電池セルＳＣの下方には磁気抵抗センサ（ＭＲセンサ）からなる磁気センサ４２が配置される。図２に示すように、発光素子４１は支持機構４３に固定支持されるようになっており、支持機構４３によって発光素子４１の上下位置が調整されるようになっている。磁気センサ４２は支持台４４上に載置され、支持台４４の高さ調整によって太陽電池セルＳＣに対する上下位置が調整されるようになっている。そして、本実施形態では、発光素子４１と磁気センサ４２のＸＹ方向位置は同じである。なお、磁気センサ４２に関しては、詳しく後述する。
【００１８】
ふたたび図１の説明に戻ると、Ｘ方向モータ２４内には、Ｘ方向モータ２４の回転を検出して、その回転を表す回転信号を出力するエンコーダ２４ａが組み込まれている。この回転信号は、Ｘ方向モータ２４が所定の微少角度だけ回転するたびにハイレベルとローレベルとを交互に切替えるパルス列信号であって、回転方向を識別するために互いにπ／２だけ位相のずれたＡ相信号とＢ相信号とで構成される。回転信号は、Ｘ方向位置検出回路５１に出力される。Ｘ方向位置検出回路５１は、前記回転信号のパルス数をＸ方向モータ２４の回転方向に応じてカウントアップ又はカウントダウンし、そのカウント値からＸ方向モータ２４によるステージ１０（太陽電池セルＳＣ）に対する発光素子４１のＸ方向位置（すなわち発光素子４１による光のＸ方向の照射中心位置）を検出し、検出したＸ方向位置をＸ方向フィードモータ制御回路５２及び後述するコントローラ６０に出力する。Ｘ方向フィードモータ制御回路５２は、コントローラ６０の指示により、Ｘ方向モータ２４の駆動及び停止を制御する。
【００１９】
Ｘ方向位置検出回路５１におけるカウント値の初期設定は、電源投入時にコントローラ６０の指示によって行われる。すなわち、コントローラ６０は、電源投入時に、Ｘ方向フィードモータ制御回路５２にステージ１０の初期位置に対応したＸ方向限界位置への移動、及びＸ方向位置検出回路５１に初期設定を指示する。この指示により、Ｘ方向フィードモータ制御回路５２は、Ｘ方向モータ２４を駆動してステージ１０を初期位置に対応したＸ方向限界位置まで移動させる。Ｘ方向位置検出回路５１は、ステージ１０のＸ方向への移動中、Ｘ方向モータ２４内のエンコーダ２４ａからの回転信号を入力し続けている。そして、ステージ１０が初期位置に対応したＸ方向限界位置まで達してＸ方向モータ２４の回転が停止すると、Ｘ方向位置検出回路５１はエンコーダ２４ａからの回転信号の入力停止を検出して、カウント値を「０」にリセットする。このとき、Ｘ方向位置検出回路５１は、Ｘ方向フィードモータ制御回路５２に出力停止のための信号を出力し、これにより、Ｘ方向フィードモータ制御回路５２はＸ方向モータ２４への駆動信号の出力を停止する。その後に、Ｘ方向モータ２４が駆動された際には、Ｘ方向位置検出回路５１は、回転信号のパルス数をＸ方向モータ２４の回転方向に応じてカウントアップ又はカウントダウンし、そのカウント値に基づいてステージ１０に対する発光素子４１のＸ方向位置を計算し、計算したＸ方向位置をＸ方向フィードモータ制御回路５２及びコントローラ６０に出力し続ける。
【００２０】
Ｙ方向モータ３４内には、Ｙ方向モータ３４の回転を検出して、前記Ｘ方向モータ２４と同様に、その回転を表す回転信号を出力するエンコーダ３４ａが組み込まれている。この回転信号は、Ｙ方向位置検出回路５３に出力される。Ｙ方向位置検出回路５３は、前記回転信号のパルス数をＹ方向モータ３４の回転方向に応じてカウントアップ又はカウントダウンし、そのカウント値からＹ方向モータ３４によるステージ１０（太陽電池セルＳＣ）に対する発光素子４１のＹ方向位置（すなわち発光素子４１による光のＹ方向の照射中心位置）を検出し、検出したＹ方向位置をＹ方向フィードモータ制御回路５４及びコントローラ６０に出力する。Ｙ方向フィードモータ制御回路５４は、コントローラ６０の指示により、Ｙ方向モータ３４の駆動及び停止を制御する。
【００２１】
Ｙ方向位置検出回路５３におけるカウント値の初期設定は、電源投入時にコントローラ６０の指示によって行われる。すなわち、コントローラ６０は、電源投入時に、Ｙ方向フィードモータ制御回路５４にステージ１０の初期位置に対応したＹ方向限界位置への移動、及びＹ方向位置検出回路５３に初期設定を指示する。この指示により、Ｙ方向フィードモータ制御回路５４は、Ｙ方向モータ３４を駆動してステージ１０を初期位置に対応したＹ方向限界位置まで移動させる。Ｙ方向位置検出回路５３は、ステージ１０のＹ方向への移動中、Ｙ方向モータ３４内のエンコーダ３４ａからの回転信号を入力し続けている。そして、ステージ１０が初期位置に対応したＹ方向限界位置まで達してＹ方向モータ３４の回転が停止すると、Ｙ方向位置検出回路５３はエンコーダ３４ａからの回転信号の入力停止を検出して、カウント値を「０」にリセットする。このとき、Ｙ方向位置検出回路５３は、Ｙ方向フィードモータ制御回路５４に出力停止のための信号を出力し、これにより、Ｙ方向フィードモータ制御回路５４はＹ方向モータ３４への駆動信号の出力を停止する。その後に、Ｙ方向モータ３４が駆動された際には、Ｙ方向位置検出回路５３は、回転信号のパルス数をＹ方向モータ３４の回転方向に応じてカウントアップ又はカウントダウンし、そのカウント値に基づいてステージ１０に対する発光素子４１のＹ方向位置を計算し、計算したＹ方向位置をＹ方向フィードモータ制御回路５４及びコントローラ６０に出力し続ける。
【００２２】
この太陽電池セル検査装置は、さらに、発光信号供給回路５５、発光素子駆動回路５６、センサ信号取出回路５７、ロックインアンプ５８及びコントローラ６０を備えている。発光信号供給回路５５は、正弦波発振器及び矩形波変換回路を含み、コントローラ６０によって作動制御されて、正弦波発振器によって発振される正弦波信号を発光制御信号として発光素子駆動回路５６に供給する。なお、発光制御信号は、「０」を基準に正負に変化する信号であり、その周波数は、例えば数１０ヘルツから数１００ヘルツ程度である。また、発光信号供給回路５５は、前記正弦波信号からなる発光制御信号を矩形波変換回路による変換により、前記発光制御信号と同期して「０」を中心として正負に変化する矩形波信号を生成して、参照信号としてロックインアンプ５８に出力する。発光素子駆動回路５６も、コントローラ６０によって作動制御されて、前記供給された発光制御信号によって発光素子４１を発光制御する。発光素子４１は、前記発光制御信号に同期して正弦波状に変化する発光強度で太陽電池セルＳＣの表面を照射する。
【００２３】
次に、磁気センサ４２について説明しておく。磁気センサ４２は、図３に示すように、Ｘ方向の磁界を検出するＸ方向磁気センサ４２Ａと、Ｙ方向の磁界の変化を検出するＹ方向磁気センサ４２Ｂとを備えている。Ｘ方向磁気センサ４２Ａは、抵抗ｒ11，ｒ12，ｒ13及び磁気抵抗素子ＭＲ１からなるブリッジ回路で構成されており、抵抗ｒ11，ｒ13の接続点と、抵抗ｒ12及び磁気抵抗素子ＭＲ１の接続点との間に、センサ信号取出回路５７の後述する定電圧供給回路５７ａから電圧＋Ｖ，−Ｖが印加されるようになっている。また、Ｘ方向磁気センサ４２Ａにおいては、抵抗ｒ13及び磁気抵抗素子ＭＲ１の接続点と、抵抗ｒ11，ｒ12間の接続点との間の電圧をＸ方向磁気検出信号として出力する。抵抗ｒ11，ｒ12，ｒ13の値は同じであり、磁界の強さが「０」であるときの磁気抵抗素子ＭＲ１の抵抗値に等しい。これにより、ほぼ「０」を基準としたＸ方向の磁界の正負の変化により、Ｘ方向磁気検出信号はほぼ「０」を基準にＸ方向の磁界の大きさに比例して正負に変化する電圧信号となる。
【００２４】
Ｙ方向磁気センサ４２Ｂは、抵抗ｒ21，ｒ22，ｒ23及び磁気抵抗素子ＭＲ２からなるブリッジ回路で構成されており、抵抗ｒ21，ｒ22の接続点と、抵抗ｒ23及び磁気抵抗素子ＭＲ２の接続点との間に、センサ信号取出回路５７の後述する定電圧供給回路５７ｂから電圧＋Ｖ，−Ｖが印加されるようになっている。また、Ｙ方向磁気センサ４２Ｂにおいては、抵抗ｒ23及び磁気抵抗素子ＭＲ２の接続点と、抵抗ｒ21，ｒ22間の接続点との間の電圧をＹ方向磁気検出信号として出力する。抵抗ｒ21，ｒ22，ｒ23の値は同じであり、磁界の強さが「０」であるときの磁気抵抗素子ＭＲ２の抵抗値に等しい。これにより、ほぼ「０」を基準としたＹ方向の磁界の正負の変化により、Ｙ方向磁気検出信号はほぼ「０」を基準にＹ方向の磁界の大きさに比例して正負に変化する電圧信号となる。
【００２５】
センサ信号取出回路５７は、定電圧供給回路５７ａ，５７ｂ及び増幅器５７ｃ，５７ｄを備えている。定電圧供給回路５７ａ，５７ｂは、コントローラ６０からの指示により、Ｘ方向磁気センサ４２Ａ及びＹ方向磁気センサ４２Ｂに対して、定電圧＋Ｖ，−Ｖを供給する。増幅器５７ｃ、５７ｄは、Ｘ方向磁気検出信号及びＹ方向磁気検出信号をそれぞれ増幅してロックインアンプ５８に出力する。
【００２６】
ロックインアンプ５８は、図４に詳細に示すように、Ｘ方向磁気センサ４２Ａから増幅器５７ｃを介して供給されるＸ方向磁気検出信号を入力するハイパスフィルタ５８ａと、Ｙ方向磁気センサ４２Ｂから増幅器５７ｄを介して供給されるＹ方向磁気検出信号を入力するハイパスフィルタ５８ｂとを備えている。ハイパスフィルタ５８ａ，５８ｂは、Ｘ方向磁気検出信号及びＹ方向磁気検出信号に含まれる、磁界の強さに比例した信号成分以外の不要な成分を取り除くとともに、信号をグランドレベルを中心に変化するようにする。
【００２７】
ハイパスフィルタ５８ａの出力は、増幅器５８ｃを介して位相検波回路５８ｄ，５８ｅに供給される。位相検波回路５８ｄ，５８ｅは、それぞれ乗算器によって構成されている。位相検波回路５８ｄは、ハイパスフィルタ５８ａ及び増幅器５８ｃを介して供給されるＸ方向磁気検出信号に、発光信号供給回路５５からの参照信号を乗算してローパスフィルタ５８ｆに出力する。位相検波回路５８ｅは、ハイパスフィルタ５８ａ及び増幅器５８ｃを介して供給されるＸ方向磁気検出信号に、発光信号供給回路５５からの参照信号を位相シフト回路５８ｇで９０度位相を遅らせた遅延参照信号を乗算してローパスフィルタ５８ｈに出力する。これにより、ローパスフィルタ５８ｆにはＸ方向磁気検出信号の発光制御信号（参照信号）と同期した成分が供給され、ローパスフィルタ５８ｆは供給された成分信号をローパスフィルタ処理してＸ方向磁気検出信号の発光制御信号と同期した成分の大きさを表す信号を出力する。ローパスフィルタ５８ｈにはＸ方向磁気検出信号の発光制御信号よりも９０度位相を遅らせた信号（遅延参照信号）と同期した成分が供給され、ローパスフィルタ５８ｈは供給された成分信号をローパスフィルタ処理してＸ方向磁気検出信号の発光制御信号よりも９０度位相を遅らせた信号と同期した成分の大きさを表す信号を出力する。
【００２８】
ハイパスフィルタ５８ｂの出力は、増幅器５８ｉを介して位相検波回路５８ｊ，５８ｋに供給される。位相検波回路５８ｊ，５８ｋには、ローパスフィルタ５８ｍ，５８ｎが接続されている。位相検波回路５８ｊ，５８ｋ及びローパスフィルタ５８ｍ，５８ｎは、前述した位相検波回路５８ｄ，５８ｅ及びローパスフィルタ５８ｆ，５８ｈと同様に構成されている。これにより、ローパスフィルタ５８ｍにはＹ方向磁気検出信号の発光制御信号（参照信号）と同期した成分が供給され、ローパスフィルタ５８ｍは供給された成分信号をローパスフィルタ処理してＹ方向磁気検出信号の発光制御信号と同期した成分の大きさを表す信号を出力する。ローパスフィルタ５８ｎにはＹ方向磁気検出信号の発光制御信号よりも９０度位相を遅らせた信号（遅延参照信号）と同期した成分が供給され、ローパスフィルタ５８ｎは供給された成分信号をローパス処理してＹ方向磁気検出信号の発光制御信号よりも９０度位相を遅らせた信号と同期した成分の大きさを表す信号を出力する。ローパスフィルタ５８ｆ，５８ｈ，５８ｍ，５８ｎは、Ａ／Ｄ変換器５８ｏ，５８ｐ，５８ｑ，５８ｒにそれぞれ接続されている。Ａ／Ｄ変換器５８ｏ，５８ｐ，５８ｑ，５８ｒは、所定の時間間隔ごとに、ローパスフィルタ５８ｆ，５８ｈ，５８ｍ，５８ｎからの信号をそれぞれＡ／Ｄ変換してコントローラ６０に供給する。
【００２９】
ふたたび図１の説明に戻り、コントローラ６０は、ＣＰＵ、ＲＯＭ、ＲＡＭを備えたマイクロコンピュータと、ハードディスクや不揮発性メモリなどの記憶装置と、入出力インタフェース等から構成される電子制御装置である。コントローラ６０は、記憶装置に記憶された図５Ａ及び図５Ｂのデータ取得プログラム及び図６の評価プログラムを実行してこの太陽電池セル検査装置の動作を制御する。コントローラ６０には、作業者が各種パラメータや処理等を指示するための入力装置６１と、作業者に対して作動状況等を視覚的に知らせるための表示装置６２とが接続されている。
【００３０】
次に、上記のように構成した実施形態の動作について説明する。作業者は、図７に示すように、検査対象となる太陽電池セルＳＣの正負電極間に導線Ｌ１，Ｌ２を介して小さな抵抗Ｒcs（例えば、５オーム程度の抵抗）を接続して、ステージ１０上に載置固定する。抵抗Ｒcsを接続する理由は、発光素子４１を用いた光の照射により、太陽電池セルＳＣの発電による電流が太陽電池セルＳＣを流れるようにするためである。ステージ１０の上方には支持機構４３に固定支持された発光素子４１が配置され、ステージ１０の下方には支持台４４に載置された磁気センサ４２が配置されていて、発光素子４１及び磁気センサ４２の高さは既に調整されている。この状態で、太陽電池セル検査装置の電源が投入されると、上述したように、コントローラ６０の指示により、Ｘ方向フィードモータ制御回路５２及びＹ方向フィードモータ制御回路５４はステージ１０をＸ方向及びＹ方向の限界位置に移動させるとともに、Ｘ方向位置検出回路５１及びＹ方向位置検出回路５３は検出されるＸ方向位置及びＹ方向位置を初期値に設定する。
【００３１】
その後、作業者は、入力装置６１を操作することにより、太陽電池セルＳＣの計測の開始をコントローラ６０に指示する。この指示に応答して、コントローラ６０は、図５ＡのステップＳ１０にてデータ取得プログラムの実行を開始し、ステップＳ１１にて変数ｎを「０」に初期設定するとともに、変数ｍ，ａをそれぞれ「１」に初期設定する。変数ｎ，ｍは、太陽電池セルＳＣに対する発光素子４１及び磁気センサ４２の走査位置を示す変数である。なお、発光素子４１及び磁気センサ４２は、Ｘ方向に初期値Ｘｓによって表される開始位置から終了値Ｘmaxによって表される終了位置を越えるまで所定の微小値ΔＸずつ移動制御され、Ｙ方向に初期値Ｙｓによって表される開始位置から終了値Ｙmaxによって表される終了位置を越えるまで所定の微小値ΔＹずつ移動制御される（図７参照）。変数ａは、「１」により発光素子４１による光照射の中心位置及び磁気センサ４２の中心位置がＸ軸方向正側に移動している状態を表し、「−１」により発光素子４１による光照射の中心位置及び磁気センサ４２の中心位置がＸ軸方向負側に移動している状態を表している。以降、この発光素子４１による光照射の中心位置及び磁気センサ４２の中心位置を検査位置という。
【００３２】
前記ステップＳ１１の処理後、コントローラ６０は、ステップＳ１２にて、Ｘ方向フィードモータ制御回路５２に対してステージ１０をＸ軸方向に移動して検査位置がＸ軸方向の初期値Ｘｓによって表される初期位置なるように指示するとともに、Ｙ方向フィードモータ制御回路５４に対してステージ１０をＹ軸方向に移動して検査位置がＹ軸方向の初期値Ｙｓによって表される初期位置になるように指示する。この指示に応答して、Ｘ方向フィードモータ制御回路５２は、Ｘ方向位置検出回路５１からＸ方向検出位置（Ｘ軸方向の検査位置）を入力しながら、Ｘ方向検出位置が初期値Ｘｓに一致するまでＸ方向モータ２４を駆動制御する。Ｙ方向フィードモータ制御回路５４は、Ｙ方向位置検出回路５３からＹ方向検出位置（Ｙ軸方向の検査位置）を入力しながら、Ｙ方向検出位置が初期値Ｙｓに一致するまでＹ方向モータ３４を駆動制御する。
【００３３】
ステップＳ１２の処理後、コントローラ６０は、ステップＳ１３にて発光信号供給回路５５の作動開始を指示する。この指示に応答して、発光信号供給回路５５は、正弦波状の発光制御信号を発光素子駆動回路５６に供給するとともに、前記発光制御信号と同期した矩形波状の参照信号をロックインアンプ５８に供給し始める。次に、コントローラ６０は、ステップＳ１４にて発光素子駆動回路５６の作動開始を指示する。この指示に応答して、発光素子駆動回路５６は、前記供給された発光制御信号に応じて正弦波状に変化する駆動制御信号を発光素子４１に供給して、発光素子４１を発光制御し始める。次に、コントローラ６０は、ステップＳ１５にてセンサ信号取出回路５７の作動開始を指示する。この指示に応答して、センサ信号取出回路５７内の定電圧供給回路５７ａ，５７ｂは、Ｘ方向磁気センサ４２Ａ及びＹ方向磁気センサ４２Ｂに定電圧信号＋Ｖ，−Ｖを供給し始める。これにより、Ｘ方向磁気センサ４２Ａ及びＹ方向磁気センサ４２ＢによるＸ方向磁気検出信号及びＹ方向磁気検出信号が、増幅器５７ｃ，５７ｄを介してロックインアンプ５８にそれぞれ供給され始める。
【００３４】
このＸ方向磁気検出信号及びＹ方向磁気検出信号について説明する。前記発光素子４１の発光制御により、発光素子４１は、その発光強度を前記発光制御信号に同期して正弦波状に変化させながら、太陽電池セルＳＣの表面に光を照射する。この光の照射により、太陽電池セルＳＣは前記発光強度に応じて電力を発電し始める。この電力の発電により、太陽電池セルＳＣの表面には面電流が流れるとともに、電極を介して導線Ｌ１，Ｌ２及び抵抗Ｒcsに電流が流れ、太陽電池セルＳＣの表裏面近傍には、前記面電流による磁界が発生する。そして、Ｘ方向磁気センサ４２Ａは、Ｘ方向の磁界Ｈの大きさに比例した電圧をＸ方向磁気検出信号として出力し始める。また、Ｙ方向磁気センサ４２Ｂは、Ｙ方向の磁界Ｈの大きさに比例した電圧をＹ方向磁気検出信号として出力し始める。これらのＸ方向磁気検出信号及びＹ方向磁気検出信号は、前記発光素子４１の発光強度が正弦波状に変化するので、正弦波状に変化する信号である。ただし、Ｘ方向磁気検出信号及びＹ方向磁気検出信号の位相は、発光素子４１を駆動制御するための正弦波状の発光制御信号とは若干異なる。
【００３５】
ロックインアンプ５８においては、入力されたＸ方向磁気検出信号がハイパスフィルタ５８ａ及び増幅器５８ｃを介して位相検波回路（乗算器）５８ｄ，５８ｅにそれぞれ供給されるとともに、入力されたＹ方向磁気検出信号がハイパスフィルタ５８ｂ及び増幅器５８ｉを介して位相検波回路（乗算器）５８ｊ，５８ｋにそれぞれ供給される。位相検波回路５８ｄ，５８ｊには、発光信号供給回路５５からの矩形波状の参照信号が供給されている。また、位相検波回路５８ｅ，５８ｋには、前記参照信号の位相を位相シフト回路５８ｇで９０度遅らせた遅延参照信号が供給されている。そして、位相検波回路５８ｄ，５８ｅは、増幅器５８ｃを介して供給されたＸ方向磁気検出信号に参照信号及び遅延参照信号をそれぞれ乗算して、乗算した信号をローパスフィルタ５８ｆ，５８ｈを介してＡ／Ｄ変換器５８ｏ，５８ｐにそれぞれ供給する。位相検波回路５８ｊ，５８ｋは、増幅器５８ｃを介して供給されたＹ方向磁気検出信号に参照信号及び遅延参照信号をそれぞれ乗算して、乗算した信号をローパスフィルタ５８ｍ，５８ｎを介してＡ／Ｄ変換器５８ｑ，５８ｒにそれぞれ供給する。
【００３６】
ここで、ローパスフィルタ５８ｆ，５８ｈ，５８ｊ，５８ｋは供給された信号の成分の大きさを表す信号すなわち正弦波状の信号の振幅に比例した大きさを表す信号を出力するように機能する。したがって、Ａ／Ｄ変換器５８ｏには、Ｘ方向磁気検出信号の参照信号（すなわち発光制御信号）に同期した信号成分の大きさを表す信号が供給される。Ａ／Ｄ変換器５８ｐには、Ｘ方向磁気検出信号の参照信号から９０度だけ位相の遅れた信号成分の大きさを表す信号が供給される。Ａ／Ｄ変換器５８ｑには、Ｙ方向磁気検出信号の参照信号に同期した信号成分の大きさを表す信号が供給される。Ａ／Ｄ変換器５８ｒには、Ｙ方向磁気検出信号の参照信号から９０度だけ位相の遅れた信号成分の大きさを表す信号が供給される。そして、Ａ／Ｄ変換器５８ｏ，５８ｐ，５８ｑ，５８ｒは、それぞれ供給された信号を所定時間ごとにサンプリングしてＡ／Ｄ変換し、Ａ／Ｄ変換したサンプリングデータをコントローラ６０に供給する。したがって、コントローラ６０には前記各信号成分の所定時間ごとの大きさを表すサンプリングデータが所定時間ごとに供給されるようになる。
【００３７】
前記ステップＳ１５の処理後、コントローラ６０は、ステップＳ１６にて変数ｎに変数ａを加算する。この場合、ステップＳ１６の処理前の変数ｎは「０」であり、変数ａは「１」であるので、変数ｎは「１」に変更される。前記ステップＳ１６の処理後、コントローラ６０は、ステップＳ１７にて、ロックインアンプ５８のＡ／Ｄ変換器５８ｏ，５８ｐ，５８ｑ，５８ｒから供給されるサンプリングデータを取込み、ステップＳ１８にて取込んだ各サンプリングデータの数が所定数Ｋに達したか否かを判定する。この所定数Ｋは、例えば数個から数十個の各サンプリングデータの数を表す値に設定されている。各サンプリングデータの数が所定数Ｋに達していなければ、コントローラ６０は、ステップＳ１８にて「Ｎｏ」と判定して、ステップＳ１７にてＡ／Ｄ変換器５８ｏ，５８ｐ，５８ｑ，５８ｒから次に出力されるサンプリングデータを取込む。そして、Ａ／Ｄ変換器５８ｏ，５８ｐ，５８ｑ，５８ｒから取込んだ各サンプリングデータの数が所定数Ｋに達すると、コントローラ６０は、ステップＳ１８にて「Ｙｅｓ」と判定して、ステップＳ１９以降の処理を実行する。ステップＳ１７にて取込まれたサンプリングデータは、変数ｎ，ｍによって指定されるサンプリングデータ群として、ＲＡＭに記憶される。
【００３８】
具体的には、Ａ／Ｄ変換器５８ｏから取込んだ所定数Ｋのサンプリングデータ、すなわちＸ方向磁気検出信号の参照信号と同期した信号成分の大きさを表す所定数Ｋのデータは、サンプリングデータ群Ｓx1(ｎ,ｍ)としてＲＡＭに記憶される。Ａ／Ｄ変換器５８ｐから取込んだ所定数Ｋのサンプリングデータ、すなわちＸ方向磁気検出信号の遅延参照信号と同期した信号成分の大きさを表す所定数Ｋのデータは、サンプリングデータ群Ｓx2(ｎ,ｍ)としてＲＡＭに記憶される。Ａ／Ｄ変換器５８ｐから取込んだ所定数Ｋのサンプリングデータ、すなわちＹ方向磁気検出信号の参照信号と同期した信号成分の大きさを表す所定数Ｋのデータは、サンプリングデータ群Ｓy1(ｎ,ｍ)としてＲＡＭに記憶される。Ａ／Ｄ変換器５８ｒから取込んだ所定数Ｋのサンプリングデータ、すなわちＹ方向磁気検出信号の遅延参照信号と同期した信号成分の大きさを表す所定数Ｋのデータは、サンプリングデータ群Ｓy2(ｎ,ｍ)としてＲＡＭに記憶される。なお、この場合の変数ｎ，ｍは、共に「１」である。
【００３９】
前記ステップＳ１７，Ｓ１８の処理後、コントローラ６０は、ステップＳ１９にて変数ａが「１」であるか否かを判定する。変数ａは「１」に初期設定されているので、この場合、コントローラ６０は、ステップＳ１９にて「Ｙｅｓ」と判定して、ステップＳ２０にて、値Ｘｓ＋ｎ・ΔＸがＸ軸方向の終了値Ｘmaxよりも大ききか否かを判定する。値Ｘｓ＋ｎ・ΔＸは、Ｘ軸方向の走査間隔を表す所定値ΔＸに変数ｎを乗算して初期値Ｘｓを加算した値であり、次のＸ軸方向の光照射位置（Ｘ軸方向の走査位置）を表す値である（図７参照）。値Ｘｓ＋ｎ・ΔＸが終了値Ｘmax以下であれば、コントローラ６０は、ステップＳ２０にて「Ｎｏ」と判定して、ステップＳ２１にて、Ｘ方向フィードモータ制御回路５２に、発光素子４１による光照射位置をＸ軸方向正側に移動させるように指示する。これにより、Ｘ方向フィードモータ制御回路５２は、Ｘ方向モータ２４を作動させて発光素子４１による光照射位置をＸ軸方向正側に移動させ始める。
【００４０】
次に、コントローラ６０は、ステップＳ２２にてＸ方向位置検出回路５１からＸ方向位置を入力し、ステップＳ２３にて入力したＸ方向位置が次のＸ軸方向の光照射位置に達したか否か、すなわちＸ方向位置を示す値が値Ｘｓ＋ｎ・ΔＸ以上になったか否かを判定する。そして、Ｘ方向位置検出回路５１から入力したＸ方向位置が次のＸ軸方向の光照射位置に達するまで、コントローラ６０は、ステップＳ２３にて「Ｎｏ」と判定し続けて、ステップＳ２２，Ｓ２３の処理を繰り返し実行する。Ｘ方向位置検出回路５１から入力したＸ方向位置が次のＸ軸方向の光照射位置に達すると、コントローラ６０は、ステップＳ２３にて「Ｙｅｓ」と判定し、ステップＳ２４にてＸ方向フィードモータ制御回路５２に、光照射位置のＸ軸方向正側への移動を停止させることを指示する。これにより、Ｘ方向フィードモータ制御回路５２は、Ｘ方向モータ２４の作動を停止させて、発光素子４１による光照射位置のＸ軸方向正側への移動を停止させる。その結果、発光素子４１は、値Ｘｓ＋ｎ・ΔＸで表されたＸ軸方向位置、かつＹ軸方向初期値Ｙｓを光照射の中心位置として、太陽電池セルＳＣの表面を照射し始める。
【００４１】
前記ステップＳ２４の処理後、コントローラ６０は、ステップＳ１６に戻って、ステップＳ１６の処理によって変数ｎに変数ａ（この場合、ａ＝１）を加算して、前述のステップＳ１７，Ｓ１８のサンプリングデータの取込み処理を実行する。これらのステップＳ１７，Ｓ１８の処理により、値Ｘｓ＋(ｎ−１)・ΔＸで表されたＸ軸方向位置（前記次の照射位置）、かつＹ軸方向初期値Ｙｓを光照射の中心位置とする光照射によるサンプリングデータがＲＡＭに新たに記憶される。具体的には、Ｘ方向磁気検出信号の参照信号及び遅延参照とそれぞれ同期した信号成分の大きさを表す所定数Ｋのサンプリングデータが、サンプリングデータ群Ｓx1(ｎ,ｍ)，Ｓx2(ｎ,ｍ)としてＲＡＭに記憶される。また、Ｙ方向磁気検出信号の参照信号及び遅延参照信号とそれぞれ同期した信号成分の大きさを表す所定数Ｋのサンプリングデータが、サンプリングデータ群Ｓy1(ｎ,ｍ)，Ｓy2(ｎ,ｍ)としてＲＡＭに記憶される。なお、この場合の変数ｎは「２」であり、変数ｍは「１」である。
【００４２】
そして、コントローラ６０は、次のＸ軸方向の光照射位置（Ｘ軸方向の走査位置）を表す値Ｘｓ＋ｎ・ΔＸが終了値Ｘmaxよりも大きくなるまで、ステップＳ１６〜Ｓ２４の処理により、光照射位置をＸ軸方向正側に所定値ΔＸずつ移動させるとともに、変数ｎを「１」ずつ増加させながら、サンプリングデータを取込む。そして、次のＸ軸方向の光照射位置を表す値Ｘｓ＋ｎ・ΔＸが終了値Ｘmaxよりも大きくなると、コントローラ６０は、ステップＳ２０にて「Ｙｅｓ」と判定して、プログラムを図５ＢのステップＳ３０に進める。この状態では、サンプリングデータ群Ｓx1(ｎ,ｍ)，Ｓx2(ｎ,ｍ)，Ｓy1(ｎ,ｍ)，Ｓy2(ｎ,ｍ)（ｎ＝１，２，３・・・Ｎ，ｍ＝１）がＲＡＭに記憶される。なお、値Ｎは、終了値Ｘmax直前の光照射位置によるサンプリングデータ群に関する変数ｎの値であって、Ｘ軸方向における光照射位置の数を表している。
【００４３】
コントローラ６０は、ステップＳ３０において、Ｙ方向フィードモータ制御回路５４に、発光素子４１による光照射位置をＹ軸方向正側に移動させるように指示する。これにより、Ｙ方向フィードモータ制御回路５４は、Ｙ方向モータ３４を作動させて発光素子４１による光照射位置をＹ軸方向正側に移動させ始める。次に、コントローラ６０は、ステップＳ３１にてＹ方向位置検出回路５３からＹ方向位置を入力し、ステップＳ３２にて入力したＹ方向位置が次のＹ軸方向の光照射位置Ｙｓ＋ｍ・ΔＹに達したか否かを判定する。この次のＹ軸方向の光照射位置Ｙｓ＋ｍ・ΔＹは、Ｘ軸方向の次の光照射位置Ｘｓ＋ｎ・ΔＸと同様に、Ｙ軸方向の走査間隔を表す所定値ΔＹに変数ｍを乗算して初期値Ｙｓを加算した値である（図７参照）。そして、Ｙ方向位置検出回路５３から入力したＹ方向位置が次のＹ軸方向の光照射位置に達するまで、コントローラ６０は、ステップＳ３２にて「Ｎｏ」と判定し続けて、ステップＳ３１，Ｓ３２の処理を繰り返し実行する。Ｙ方向位置検出回路５３から入力したＹ方向位置が次のＹ軸方向の光照射位置に達すると、コントローラ６０は、ステップＳ３２にて「Ｙｅｓ」と判定し、ステップＳ３３にてＹ方向フィードモータ制御回路５４に、光照射位置のＹ軸方向正側への移動を停止させることを指示する。これにより、Ｙ方向フィードモータ制御回路５２は、Ｙ方向モータ３４の作動を停止させて、発光素子４１による光照射位置のＹ軸方向正側への移動を停止させる。その結果、発光素子４１は、値Ｘｓ＋(ｎ-１)・ΔＸ（＝Ｘｓ＋(Ｎ-１)・ΔＸ）で表されたＸ軸方向位置、かつ値Ｙｓ＋ｍ・ΔＹ（＝Ｙｓ＋ΔＹ）で表されたＹ軸方向位置を光照射の中心位置として、太陽電池セルＳＣの表面を照射し始める。
【００４４】
前記ステップＳ３３の処理後、コントローラ６０は、ステップＳ３４にて、Ｙ方向位置検出回路５３からＹ方向位置を入力して、入力したＹ方向位置が終了値Ｙmaxによって表されたＹ軸方向の走査終了位置を越えたか否かを判定する。Ｙ方向位置が走査終了位置を越えていなければ、コントローラ６０は、ステップＳ３４にて「Ｎｏ」と判定して、ステップＳ３５にて変数ｍに「１」を加算し、ステップＳ３６にて変数ａに「−１」を乗算する。この場合、ステップＳ３５の処理によって変数ｍは「２」になり、ステップＳ３６の処理によって変数ａは「−１」になる。また、変数ｎは値Ｎに保たれている。前記ステップＳ３６の処理後、コントローラ６０は、ステップＳ１７に戻って、ステップＳ１７，Ｓ１８の処理より、Ｋ個ずつの各サンプリングデータ群Ｓx1(Ｎ,２)，Ｓx2(Ｎ,２)，Ｓy1(Ｎ,２)，Ｓy2(Ｎ,２)をロックインアンプ５８からそれぞれ取込み記憶する。
【００４５】
前記ステップＳ１７，Ｓ１８の処理後、コントローラ６０は、ステップＳ１９にて変数ａは「１」であるか否かを判定する。この場合、前記ステップＳ３６の処理によって変数ａは「−１」に設定されているので、コントローラ６０は、ステップＳ１９にて「Ｎｏ」と判定して、ステップＳ２５にて、値Ｘｓ＋(ｎ−２)・ΔＸがＸ軸方向の初期値Ｘｓよりも小さいか否かを判定する。この場合、変数ｎはＮであり、値Ｘｓ＋(ｎ−２)・ΔＸは、図７において右端から２番目の検出位置すなわち光照射位置を左側へ移動させた際における次のＸ軸方向の光照射位置（Ｘ軸方向の走査位置）を表す値である。値Ｘｓ＋(ｎ−２)・ΔＸが初期値Ｘｓよりも小さくなければ、コントローラ６０は、ステップＳ２５にて「Ｎｏ」と判定して、ステップＳ２６にて、Ｘ方向フィードモータ制御回路５２に、発光素子４１による光照射位置をＸ軸方向負側に移動させるように指示する。これにより、Ｘ方向フィードモータ制御回路５２は、Ｘ方向モータ２４を作動させて発光素子４１による光照射位置をＸ軸方向負側に移動させ始める。
【００４６】
次に、コントローラ６０は、ステップＳ２７にてＸ方向位置検出回路５１からＸ方向位置を入力し、ステップＳ２８にて入力したＸ方向位置が次のＸ軸方向の光照射位置に達したか否か、すなわちＸ方向位置を示す値が値Ｘｓ＋(ｎ−２)・ΔＸ以下になったか否かを判定する。そして、Ｘ方向位置検出回路５１から入力したＸ方向位置が次のＸ軸方向の光照射位置に達するまで、コントローラ６０は、ステップＳ２８にて「Ｎｏ」と判定し続けて、ステップＳ２７，Ｓ２８の処理を繰り返し実行する。Ｘ方向位置検出回路５１から入力したＸ方向位置が次のＸ軸方向の光照射位置に達すると、コントローラ６０は、ステップＳ２８にて「Ｙｅｓ」と判定し、ステップＳ２９にてＸ方向フィードモータ制御回路５２に、光照射位置のＸ軸方向負側への移動を停止させることを指示する。これにより、Ｘ方向フィードモータ制御回路５２は、Ｘ方向モータ２４の作動を停止させて、発光素子４１による光照射位置のＸ軸方向負側への移動を停止させる。その結果、発光素子４１は、値Ｘｓ＋(ｎ−２)・ΔＸ（＝Ｘｓ＋(Ｎ−２)・ΔＸ）で表されたＸ軸方向位置、かつ値Ｙｓ＋(ｍ−１)・ΔＹｓ（＝Ｙｓ＋ΔＹｓ）で表されたＹ軸方向位置を光照射の中心位置として、太陽電池セルＳＣの表面を照射し始める。
【００４７】
前記ステップＳ２９の処理後、コントローラ６０は、ステップＳ１６に戻って、ステップＳ１６の処理によって変数ｎに変数ａ（この場合、ａ＝−１）を加算して、前述のステップＳ１７，Ｓ１８のサンプリングデータの取込み処理を実行する。これらのステップＳ１７，Ｓ１８の処理により、前記ステップＳ１６の処理前の値Ｘｓ＋(ｎ−２)・ΔＸ（＝Ｘｓ＋(Ｎ−２)・ΔＸ）で表されたＸ軸方向位置、かつ値Ｙｓ＋(ｍ−１)・ΔＹｓ（＝Ｙｓ＋ΔＹｓ）で表されたＹ軸方向位置を光照射の中心位置とする光照射によるＫ個ずつの各サンプリングデータ群Ｓx1(ｎ,ｍ)，Ｓx2(ｎ,ｍ)，Ｓy1(ｎ,ｍ)，Ｓy2(ｎ,ｍ)が取込み記憶される。なお、この取込み記憶されるサンプリングデータ群に関する変数ｎは値Ｎ−１であり、変数ｍは「２」である。
【００４８】
そして、コントローラ６０は、次のＸ軸方向の光照射位置（Ｘ軸方向の走査位置）を表す値Ｘｓ＋(ｎ−２)・ΔＸが初期値Ｘｓよりも小さくなるまで、ステップＳ１６〜Ｓ１９，Ｓ２５〜Ｓ２９の処理により、光照射位置をＸ軸方向負側に所定値ΔＸずつ移動させるとともに、変数ｎを「１」ずつ減少させながら、サンプリングデータを取込む。そして、次のＸ軸方向の光照射位置を表す値Ｘｓ＋(ｎ−２)・ΔＸが初期値Ｘｓよりも小さくなると、コントローラ６０は、ステップＳ２５にて「Ｙｅｓ」と判定して、図５ＢのステップＳ３０に進む。なお、このときの変数ｎは「１」である。この状態では、前述したサンプリングデータ群Ｓx1(ｎ,ｍ)，Ｓx2(ｎ,ｍ)，Ｓy1(ｎ,ｍ)，Ｓy2(ｎ,ｍ)（ｎ＝１，２，３・・・Ｎ，ｍ＝１）に加えて、サンプリングデータ群Ｓx1(ｎ,ｍ)，Ｓx2(ｎ,ｍ)，Ｓy1(ｎ,ｍ)，Ｓy2(ｎ,ｍ)（ｎ＝１，２，３・・・Ｎ，ｍ＝２）がＲＡＭに記憶される。
【００４９】
コントローラ６０は、前述したステップＳ３０〜Ｓ３３の処理により、Ｙ方向モータ３４を作動させて発光素子４１による光照射位置を次のＹ軸方向照射位置Ｙｓ＋ｍ・ΔＹに移動させる。その結果、発光素子４１は、初期値Ｘｓで表されたＸ軸方向の初期位置、かつ値Ｙｓ＋ｍ・ΔＹ（＝Ｙｓ＋２・ΔＹ）で表されたＹ軸方向位置を光照射の中心位置として、太陽電池セルＳＣの表面を照射し始める。次に、コントローラ６０は、Ｙ方向位置検出回路５３によって検出されたＹ方向位置が終了位置を越えていないことを条件に、コントローラ６０は、ステップＳ３４にて「Ｎｏ」と判定して、ステップＳ３５にて変数ｍに「１」を加算し、ステップＳ３６にて変数ａに「−１」を乗算する。この場合、ステップＳ３５の処理によって変数ｍは「３」になり、ステップＳ３６の処理によって変数ａは「１」になる。また、変数ｎは「１」に保たれている。前記ステップＳ３６の処理後、コントローラ６０は、ステップＳ１７に戻って、ステップＳ１７，Ｓ１８の処理より、Ｋ個ずつの各サンプリングデータ群Ｓx1(１,３)，Ｓx2(１,３)，Ｓy1(１,３)，Ｓy2(１,３)をロックインアンプ５８からそれぞれ取込み記憶する。
【００５０】
前記ステップＳ１７，Ｓ１８の処理後、コントローラ６０は、ステップＳ１９にて変数ａは「１」であるか否かを判定する。この場合、前記ステップＳ３６の処理によって変数ａは「１」に設定されているので、コントローラ６０は、ステップＳ１９にて「Ｙｅｓ」と判定して、前述したステップＳ２０〜Ｓ２４，Ｓ１６〜Ｓ１９の処理を、値Ｘｓ＋ｎ・ΔＸが終了値Ｘmaxよりも大きくなるまで繰り返し実行する。これにより、発光素子４１の照射位置がＸ軸方向正側に走査されて、サンプリングデータ群Ｓx1(ｎ,ｍ)，Ｓx2(ｎ,ｍ)，Ｓy1(ｎ,ｍ)，Ｓy2(ｎ,ｍ)（ｎ＝１，２，３・・・Ｎ，ｍ＝３）がＲＡＭに新たに記憶される。
【００５１】
そして、変数ｍを「３」に設定した状態で、発光素子４１の照射位置のＸ軸方向正側への走査が終了すると、ステップＳ２０の判定処理により、ステップＳ３０〜Ｓ３６の処理が実行されて、発光素子４１の照射位置が次のＹ軸方向位置に変更されるとともに、変数ｍ，ａが変更される。そして、前述したステップＳ１６〜Ｓ１９，Ｓ２５〜Ｓ２９の処理により、発光素子４１の照射位置がＸ軸方向負側へ走査され、サンプリングデータ群Ｓx1(ｎ,ｍ)，Ｓx2(ｎ,ｍ)，Ｓy1(ｎ,ｍ)，Ｓy2(ｎ,ｍ)（ｎ＝１，２，３・・・Ｎ，ｍ＝４）がＲＡＭに新たに記憶される。
【００５２】
このようなステップＳ１６〜Ｓ３６の処理により、発光素子４１の照射位置がＸ軸方向を往復するように走査されるとともにＹ軸方向正側に走査されて、Ｙ方向位置検出回路５３によって検出されるＹ方向位置が終了値Ｙmaxよりも大きくなると、コントローラ６０は、ステップＳ３４にて「Ｙｅｓ」と判定して、ステップＳ３７以降の処理を実行する。この状態では、ＲＡＭ内に、Ｋ個ずつの各サンプリングデータ群Ｓx1(ｎ,ｍ)，Ｓx2(ｎ,ｍ)，Ｓy1(ｎ,ｍ)，Ｓy2(ｎ,ｍ)（ｎ＝１〜Ｎ，ｍ＝１〜Ｍ）が記憶されている。なお、値Ｍは、終了値Ｙmax直前の光照射位置によるサンプリングデータ群に関する変数ｍの値であって、Ｙ軸方向における光照射位置の数を表している。
【００５３】
コントローラ６０は、ステップＳ３７にてセンサ信号取出回路５７の作動停止を指示し、ステップＳ３８にて発光素子駆動回路５６の作動停止を指示し、ステップＳ３９にて発光信号供給回路５５の作動停止を指示する。これらの作動停止の指示により、発光素子４１、磁気センサ４２、発光信号供給回路５５、発光素子駆動回路５６、センサ信号取出回路５７及びロックインアンプ５８の作動が停止する。前記ステップＳ３９の処理後、コントローラ６０は、ステップＳ４０にて、ステージ１０をＸ方向駆動限界位置まで移動させることをＸ方向位置検出回路５１及びＸ方向フィードモータ制御回路５２に指示するとともに、ステージ１０をＹ方向駆動限界位置まで移動させることをＹ方向位置検出回路５３及びＸ方向フィードモータ制御回路５４に指示して、ステップＳ４１にてデータ取得プログラムの実行を終了する。Ｘ方向フィードモータ制御回路５２は、前述の初期設定のように、Ｘ方向位置検出回路５１と協働して、ステージ１０をＸ方向駆動限界位置まで移動させる。Ｙ方向フィードモータ制御回路５４は、前述のように、Ｙ方向位置検出回路５３と協働して、ステージ１０をＹ方向駆動限界位置まで移動させる。
【００５４】
次に、前記データ取得プログラムで取得した所定数Ｋずつのサンプリングデータ群Ｓx1(ｎ,ｍ)，Ｓx2(ｎ,ｍ)，Ｓy1(ｎ,ｍ)，Ｓy2(ｎ,ｍ)（ｎ＝１〜Ｎ，ｍ＝１〜Ｍ）を用いて、太陽電池セルＳＣを評価する方法について説明する。この場合、作業者は、入力装置６１を操作して、コントローラ６０に図６の評価プログラムを実行させる。この評価プログラムの実行はステップＳ５０にて開始され、コントローラ６０は、ステップＳ５１にて変数ｎ，ｍをそれぞれ「１」に初期設定した後、ステップＳ５２にて、変数ｎ，ｍによって指定される所定数Ｋずつのサンプリングデータ群Ｓx1(ｎ,ｍ)，Ｓx2(ｎ,ｍ)，Ｓy1(ｎ,ｍ)，Ｓy2(ｎ,ｍ)の磁界の大きさの各平均値Ｓx1，Ｓx2，Ｓy1，Ｓy2を計算する。具体的には、各サンプリングデータ群Ｓx1(ｎ,ｍ)，Ｓx2(ｎ,ｍ)，Ｓy1(ｎ,ｍ)，Ｓy2(ｎ,ｍ)ごとに、Ｋ個のサンプリングデータを加算して値Ｋで除算する。
【００５５】
次に、コントローラ６０は、ステップＳ５３にて、前記計算した平均値Ｓx1，Ｓx2を用いた下記数１，２の演算の実行により、Ｘ方向磁気検出信号の極大値Ｈｘと、Ｘ方向磁気検出信号の参照信号に対する位相シフト量θｘとを計算する。
【００５６】
（数１）
Ｈｘ＝(Ｓx12＋Ｓx22)1/2
【００５７】
（数２）
θｘ＝tan-1(Ｓx2/Ｓx1)
これにより、Ｘ方向磁気検出信号としてＨｘ・sin(２πｆｔ＋θｘ)が検出されたことになる。なお、ｆは、発光信号供給回路５５から出力される発光制御信号及び参照信号の周波数に等しい。
【００５８】
次に、コントローラ６０は、ステップＳ５４にて、前記計算した平均値Ｓy1，Ｓy2を用いた下記数３，４の演算の実行により、Ｙ方向磁気検出信号の極大値Ｈｙと、Ｙ方向磁気検出信号の参照信号に対する位相シフト量θｙとを計算する。
【００５９】
（数３）
Ｈｙ＝(Ｓy12＋Ｓy22)1/2
【００６０】
（数４）
θｙ＝tan-1(Ｓy2/Ｓy1)
これにより、Ｙ方向磁気検出信号としてＨｙ・sin(２πｆｔ＋θｙ)が検出されたことになる。
【００６１】
次に、コントローラ６０は、ステップＳ５５にて、前記計算したＨｘ，θｘ，Ｈｙ，θｙを用いた下記数５，６の演算の実行により、発光素子４１の発光量が最大となるタイミング（前記Ｘ方向磁気検出信号Ｈｘ・sin(２πｆｔ＋θｘ)及び前記Ｙ方向磁気検出信号Ｈｙ・sin(２πｆｔ＋θｙ)における２πｆｔがπ／２のタイミング）における、検査位置の磁界の強さＨxy及び磁界の向きθxyを計算する。この場合、発光素子４１の発光量が最大となるタイミングを採用した理由は、位相シフト量θｘ，θｙは小さく、発光素子４１の発光量が最大となるタイミング近傍で検査位置の磁界の強さＨxyが最大値近傍の値になるためである。なお、位相シフト量θｘ，θｙが小さくなく、発光素子４１の発光量が最大となるタイミング近傍で検査位置の磁界の強さＨxyが最大値近傍にならない場合には、磁界の強さＨxyが最大値近傍になるようなタイミングの角度をπ／２に代えて用いればよい。
【００６２】
（数５）
Ｈxy＝[{Ｈｘ・sin(π/２+θx)}2＋{Ｈｙ・sin(π/２+θｙ)}2]1/2
【００６３】
（数６）
θxy＝tan-1{Ｈｙ・sin(π/２+θｙ)}/{Ｈｘ・sin(π/２+θx)}
【００６４】
次に、コントローラ６０は、ステップＳ５６にて、太陽電池セルＳＣに流れる面電流は前記磁界の強さＨxyに比例し、かつ方向が磁界の方向θxyと−π／２異なることから、前記計算したＨxy，θxyを用いた下記数７，８の演算の実行により、発光素子４１の発光量が最大となるタイミングにおける、太陽電池セルＳＣの検査位置に流れる面電流の大きさＩxy及び方向θixyを計算する。ただし、値Ｋは、比例定数である。
【００６５】
（数７）
Ｉxy＝Ｋ・Ｈxy
【００６６】
（数８）
θixy＝θixy−π／２
そして、このステップＳ５６にて、前記計算された面電流の大きさＩxy及び方向θixyは、太陽電池セルＳＣの検査位置を表す変数ｍ，ｎを用いて面電流の大きさデータＩxy(ｎ，ｍ)及び方向データθixy(ｎ，ｍ)としてＲＡＭ又は記憶装置に記憶される。
【００６７】
前記ステップＳ５６の処理後、コントローラ６０は、ステップＳ５７，Ｓ５８の判定処理を実行する。ステップＳ５７においては、前記計算した面電流の大きさＩxyと面電流の大きさの基準値Ｉref(ｎ，ｍ)との差の絶対値｜Ｉxy−Ｉref(ｎ，ｍ)｜が、比較値３・DEVi(ｎ，ｍ)以上であるか否かを判定する。ステップＳ５８においては、前記計算した面電流の向きθixyと面電流の向きの基準値θref(ｎ，ｍ)との差の絶対値｜θixy−θref(ｎ，ｍ)｜が、比較値３・DEVθ(ｎ，ｍ)以上であるか否かを判定する。
【００６８】
この場合、基準値Ｉref(ｎ，ｍ)，θref(ｎ，ｍ)及び比較値３・DEVi(ｎ，ｍ)，３・DEVθ(ｎ，ｍ)は、次のような方法で事前に用意されて記憶装置に予め記憶されているデータである。まず、良品である複数の太陽電池セルＳＣに係るサンプリングデータ群Ｓx1(ｎ,ｍ)，Ｓx2(ｎ,ｍ)，Ｓy1(ｎ,ｍ)，Ｓy2(ｎ,ｍ)（ｎ＝１〜Ｎ，ｍ＝１〜Ｍ）を図５Ａ及び図５Ｂに示すようなデータ取得プログラムで取得する。そして、上述した図６の評価プログラムのステップＳ５２〜Ｓ５６と同様な処理により、検査位置ごとの面電流の大きさＩxy(ｎ，ｍ)（ｎ＝１〜Ｎ，ｍ＝１〜Ｍ）及び方向θixy(ｎ，ｍ)（ｎ＝１〜Ｎ，ｍ＝１〜Ｍ）を計算して記憶装置に記憶しておく。さらに、検査位置ごとに、前記複数の太陽電池セルＳＣの電流の大きさＩxy(ｎ，ｍ)及び方向θixy(ｎ，ｍ)の平均値を計算して、これらの計算した平均値を基準値Ｉref(ｎ，ｍ)，θref(ｎ，ｍ)（ｎ＝１〜Ｎ，ｍ＝１〜Ｍ）として記憶装置に記憶しておく。また、検査位置ごとに、前記複数の太陽電池セルＳＣの電流の大きさＩxy(ｎ，ｍ)及び方向θixy(ｎ，ｍ)の標準偏差DEVi(ｎ，ｍ)，DEVθ(ｎ，ｍ)を計算して、計算した標準偏差DEVi(ｎ，ｍ)，DEVθ(ｎ，ｍ)を３倍した値を比較値３・DEVi(ｎ，ｍ)，３・DEVθ(ｎ，ｍ)（ｎ＝１〜Ｎ，ｍ＝１〜Ｍ）として記憶装置に記憶しておく。したがって、前記ステップＳ５７，Ｓ５８の判定は、検査対象の太陽電池セルＳＣの検査位置の面電流の大きさＩxy及び方向θxyが、良品である太陽電池セルＳＣの前記検査位置と同一位置の面電流の大きさ及び方向よりも許容値以上に大きく異なっているか否かを判定するものである。
【００６９】
ふたたびステップＳ５７，Ｓ５８の処理の説明に戻ると、前記絶対値｜Ｉxy−Ｉref(ｎ，ｍ)｜が比較値３・DEVi(ｎ，ｍ)未満であり、かつ前記絶対値｜θixy−θref(ｎ，ｍ)｜が比較値３・DEVθ(ｎ，ｍ)未満であれば、コントローラ６０は、ステップＳ５７，Ｓ５８にて共に「Ｎｏ」と判定し、ステップＳ６０に進む。一方、前記絶対値｜Ｉxy−Ｉref(ｎ，ｍ)｜が比較値３・DEVi(ｎ，ｍ)以上であれば、コントローラ６０は、ステップＳ５７にて「Ｙｅｓ」と判定して、ステップＳ５９に進む。また、前記絶対値｜θixy−θref(ｎ，ｍ)｜が比較値３・DEVθ(ｎ，ｍ)以上であれば、コントローラ６０は、ステップＳ５８にて「Ｙｅｓ」と判定して、ステップＳ５９に進む。ステップＳ５９においては、コントローラ６０は、検査位置を特定する変数ｎ，ｍにより指定されるエラーデータＥ(ｎ，ｍ)を異常を表す“１”に設定する。なお、エラーデータＥ(ｎ，ｍ)（ｎ＝１〜Ｎ，ｍ＝１〜Ｍ）は、初期の状態では全て“０”に設定されている。このステップＳ５９の処理後、ステップＳ６０に進む。
【００７０】
コントローラ６０は、ステップＳ６０にて変数ｎに「１」を加算し、ステップＳ６１にて変数ｎがＸ軸方向の検出位置数を表す値Ｎよりも大きい否かを判定する。変数ｎが値Ｎ以下であれば、コントローラ６０は、ステップＳ６１にて「Ｎｏ」と判定して、ステップＳ５２に戻って前述したステップＳ５２〜Ｓ６０の処理を繰り返し実行する。このようなステップＳ５２〜Ｓ６１の繰り返し処理中、変数ｎが値Ｎよりも大きくなると、コントローラ６０は、ステップＳ６１にて「Ｙｅｓ」と判定して、ステップＳ６２にてＹ軸方向の検査位置を規定する変数ｍに「１」を加算して、ステップＳ６３にて変数ｍがＹ軸方向の検出位置数を表す値Ｍよりも大きい否かを判定する。変数ｍが値Ｍ以下であれば、コントローラ６０は、ステップＳ６３にて「Ｎｏ」と判定して、ステップＳ６４にて変数ｎを初期値「１」に戻した後、前述したステップＳ５２〜Ｓ６４の処理を繰り返し実行する。このようなステップＳ５２〜Ｓ６４の繰り返し処理中、変数ｍが値Ｍよりも大きくなると、コントローラ６０は、ステップＳ６３にて「Ｙｅｓ」と判定して、ステップＳ６５に進む。
【００７１】
この時点では、太陽電池セルＳＣの検査位置ごとに、面電流の大きさデータＩxy(ｎ，ｍ)及び方向データθixy(ｎ，ｍ)（ｎ＝１〜Ｎ，ｍ＝１〜Ｍ）が、ＲＡＭ又は記憶装置に記憶されている。また、前記検査位置の異常の有無を表すエラーデータＥ(ｎ，ｍ)（ｎ＝１〜Ｎ，ｍ＝１〜Ｍ）も、ＲＡＭ又は記憶装置に記憶されている。
【００７２】
ステップＳ６５においては、コントローラ６０は、前記面電流の大きさデータＩxy(ｎ，ｍ)及び方向データθixy(ｎ，ｍ)（ｎ＝１〜Ｎ，ｍ＝１〜Ｍ）から表示用画像データを生成して、表示装置６２に画像データによって表された画像を表示する。この画像は、図８に示すように、太陽電池セルＳＣの検査位置ごとに、面電流の大きさデータＩxy(ｎ，ｍ)に応じて明度、色彩などを異ならせて表示するとともに、面電流の方向データθixy(ｎ，ｍ)によって示された方向を示す矢印を表示するものである。
【００７３】
前記ステップＳ６５の処理後、コントローラ６０は、ステップＳ６６にて、エラーデータ(ｎ，ｍ)（ｎ＝１〜Ｎ，ｍ＝１〜Ｍ）の中に“１”を示すエラーデータが存在するかを調べる。“１”を示すエラーデータが存在しなければ、コントローラ６０は、ステップＳ６６にて「Ｎｏ」と判定して、ステップＳ６７にて表示装置６２に「合格」を表示し、ステップＳ７０にてこの評価プログラムの実行を終了する。一方、“１”を示すエラーデータが存在すると、コントローラ６０は、ステップＳ６６にて「Ｙｅｓ」と判定して、ステップＳ６８にて表示装置６２に「不合格」を表示し、ステップＳ６９にてエラーデータＥ（ｎ，ｍ）が“１”である変数ｎ，ｍを取り出し、前記ステップＳ６５の処理によって表示した画像中の変数ｎ，ｍによって指定される位置に欠陥を表すマーク、色彩などを表示する。
【００７４】
上記のように動作する実施形態においては、ステージ１０をＸ軸方向及びＹ軸方向に移動させることにより、発光素子４１による太陽電池セルＳＣに対する光照射位置をＸ軸方向及びＹ軸方向に走査した。そして、発光素子４１による光照射によって発電された電力に起因して太陽電池セルＳＣに流れる面電流によって発生される磁界の強さＨxy及び方向θxyを、磁気センサ４２、センサ信号取出回路５７、ロックインアンプ５８、コントローラ６０のステップＳ１０〜Ｓ４１，Ｓ５０〜Ｓ５５，Ｓ６０〜Ｓ６３の処理などにより検出した。そして、コントローラ６０のステップＳ５６の処理によって前記磁界の強さＨxy及び方向θxyを用いて太陽電池セルＳＣに流れる面電流の大きさＩxy及び方向θixyを検出し、コントローラ６０のステップＳ５７〜Ｓ５９，Ｓ６６〜Ｓ６９の処理により、太陽電池セルＳＣの欠陥を検出するとともに、欠陥位置を表示するようにした。このような太陽電池セルＳＣの検査装置においては、発光素子４１と磁気センサ４２という簡単な装置を用いて太陽電池セルＳＣの欠陥を検出できるので、太陽電池セル検査装置の製造コストを低額に抑えることができる。
【００７５】
また、上記のように動作する実施形態によれば、発光素子４１は発光信号供給回路５５から出力される正弦波状の発光制御信号に応じて駆動制御されて太陽電池セルＳＣの表面に光を照射する。そして、ロックインアンプ５８は、発光信号供給回路５５から出力される前記発光制御信号に同期した参照信号を用いて、前記発光制御信号に応じて強度が変化する磁界を検出する。したがって、このような所定周期で強度が変化する光を用いることにより、太陽電池セル検査装置が置かれた場所に外乱光を除外する設備を設けなくても、外乱光の影響を除外することができる。
【００７６】
以上、本発明の実施形態について説明したが、本発明の実施にあたっては、上記実施形態に限定されるものではなく、本発明の目的を逸脱しない限りにおいて種々の変形も可能である。
【００７７】
上記実施形態では、図６のステップＳ５７，Ｓ５８の両判定処理により、面電流の大きさＩxy及び方向θixyの異常を判定することにより、太陽電池セルＳＣの欠陥を見つけるようにした。しかし、前記ステップＳ５７，Ｓ５８の一方の処理を省略して、面電流の大きさＩxy又は面電流の方向θixyの異常を判定することにより、太陽電池セルＳＣの欠陥を見つけるようにしてもよい。
【００７８】
また、上記実施形態では、図６のステップＳ５６の処理によって面電流の大きさＩxy及び方向θixyを計算し、ステップＳ５７，Ｓ５８の判定処理によって面電流の大きさＩxy及び方向θixyを用いて太陽電池セルＳＣの欠陥を見つけるようにした。しかし、面電流の大きさＩxyはステップＳ５５の処理によって計算される磁界の大きさＨxyに比例しており、面電流の方向θixyはステップＳ５５の処理によって計算される磁界の方向θxyとπ／２異なるだけである。したがって、ステップＳ５６の処理を省略して、ステップＳ５７，Ｓ５８にてステップＳ５５で検出した磁界の大きさＨxy及び方向θxyを用いて太陽電池セルＳＣの欠陥を見つけるようにしてもよい。
【００７９】
この場合には、面電流に関する基準値Ｉref(ｎ，ｍ)，θref(ｎ，ｍ)及び比較値３・DEVi(ｎ，ｍ)，３・DEVθ(ｎ，ｍ)に代えて、磁界に関する基準値Ｈref(ｎ，ｍ)，θref(ｎ，ｍ)及び比較値３・DEVh(ｎ，ｍ)，３・DEVθ(ｎ，ｍ)を用いればよい。そして、この場合にも、良品である複数の太陽電池セルＳＣに係るサンプリングデータ群Ｓx1(ｎ,ｍ)，Ｓx2(ｎ,ｍ)，Ｓy1(ｎ,ｍ)，Ｓy2(ｎ,ｍ)（ｎ＝１〜Ｎ，ｍ＝１〜Ｍ）を図５Ａ及び図５Ｂに示すようなデータ取得プログラムで取得して、図６の評価プログラムのステップＳ５２〜Ｓ５５と同様な処理により、検査位置ごとの磁界の大きさＨxy(ｎ，ｍ)（ｎ＝１〜Ｎ，ｍ＝１〜Ｍ）及び方向θxy(ｎ，ｍ)（ｎ＝１〜Ｎ，ｍ＝１〜Ｍ）を計算して記憶装置に記憶しておく。そして、上記実施形態の場合と同様にして、平均値及び標準偏差の計算により基準値Ｈref(ｎ，ｍ)，θref(ｎ，ｍ)（ｎ＝１〜Ｎ，ｍ＝１〜Ｍ）及び比較値３・DEVh(ｎ，ｍ)，３・DEVθ(ｎ，ｍ)（ｎ＝１〜Ｎ，ｍ＝１〜Ｍ）を用意すればよい。また、この場合にも、面電流の場合と同様に、磁界の大きさＨxy及び磁界の方向θxyの一方のみの異常を判定することにより、太陽電池セルＳＣの欠陥を見つけるようにしてもよい。
【００８０】
また、上記実施形態においては、図６のステップＳ５７，Ｓ５８の処理によって太陽電池セルＳＣの欠陥を判定するとともに、ステップＳ６６〜Ｓ６９の処理によって前記判定結果を表示するようにした。しかし、これらの処理を省略して、ステップＳ６５の処理によって表示装置６２に表示された面電流の大きさＩxy(ｎ，ｍ)（ｎ＝１〜Ｎ，ｍ＝１〜Ｍ）及び方向θixy(ｎ，ｍ)（ｎ＝１〜Ｎ，ｍ＝１〜Ｍ）に従って、作業者の判断により太陽電池セルＳＣの欠陥を判定させるようにしてもよい。すなわち、作業者は、面電流の大きさＩxy(ｎ，ｍ)（ｎ＝１〜Ｎ，ｍ＝１〜Ｍ）に応じた明度、色彩の異常等、さらには面電流の方向θixy(ｎ，ｍ)（ｎ＝１〜Ｎ，ｍ＝１〜Ｍ）に応じた矢印の向きの異常により、太陽電池セルＳＣの欠陥を判定するようにしてもよい。
【００８１】
また、この場合、上記実施形態の図６のステップＳ５７，Ｓ５８で用いた面電流の大きさの基準値Ｉref(ｎ，ｍ)（ｎ＝１〜Ｎ，ｍ＝１〜Ｍ）及び面電流の向きの基準値θref(ｎ，ｍ)（ｎ＝１〜Ｎ，ｍ＝１〜Ｍ）を用いて、良品の太陽電池セルＳＣの面電流の大きさ及び向きを、ステップＳ６５による検査対象である太陽電池セルＳＣの面電流の大きさ及び向きの表示と共に表示装置６２に表示して、作業者に両者の比較により検査対象である太陽電池セルＳＣの欠陥を判断させるようにするとよい。
【００８２】
また、この場合も、太陽電池セルＳＣの面電流の大きさ及び向きのうちの一方、すなわち面電流の大きさ又は面電流の向きの表示のみにより、作業者に太陽電池セルＳＣの異常の判断をさせるようにしてもよい。さらに、この場合も、前述のように、面電流に代えて、磁界の大きさ及び／又は向きを表示装置６２に表示させて、作業者に磁界に基づいて太陽電池セルＳＣの欠陥を判断させるようにしてもよい。
【００８３】
また、上記実施形態においては、太陽電池セルＳＣを載置したステージ１０をＸ軸方向及びＹ軸方向に移動することにより、発光素子４１及び磁気センサ４２を太陽電池セルＳＣに対して相対的にＸ軸方向及びＹ軸方向に移動させて、太陽電池セルＳＣの表面をＸ軸方向及びＹ軸方向に走査しながら、発光素子４１の光照射によって発生される磁界を検出するようにした。しかし、ステージ１０をＸ軸方向及びＹ軸方向に移動することに代えて、ステージ１０すなわち太陽電池セルＳＣを固定して、発光素子４１及び磁気センサ４２をＸ軸方向及びＹ軸方向に移動させて、太陽電池セルＳＣの表面をＸ軸方向及びＹ軸方向に走査しながら、発光素子４１の光照射によって発生される磁界を検出するようにしてもよい。
【００８４】
また、磁気センサ４２の太陽電池セルＳＣに対する相対位置を固定したまま、発光素子４１による光照射位置のみを太陽電池セルＳＣに対してＸ軸方向及びＹ軸方向に相対的に移動させて、発光素子４１の光照射によって発生される磁界を検出するようにしてもよい。この場合、太陽電池セルＳＣを載置したステージ１０及び磁気センサ４２を固定して、発光素子４１をＸ軸方向及びＹ軸方向に移動させればよい。また、逆に、発光素子４１を固定して、太陽電池セルＳＣを載置したステージ１０及び磁気センサ４２をＸ軸方向及びＹ軸方向に移動させてもよい。なお、この場合も、磁気センサ４２は、太陽電池セルＳＣの表面位置に対向している。これによれば、発光素子４１による光照射位置と、前記光照射による太陽電池セルＳＣの発電に伴って太陽電池セルＳＣを流れる電流によって発生される磁界の位置との相対的位置が、光照射位置ごとに異なるので、検出される磁界の大きさと向きは上記実施形態とは異なるものとなる。しかし、図６のステップＳ５７〜Ｓ５９の評価処理に利用される基準値及び標準偏差を、この変形例による発光素子４１の光照射及び磁気センサ４２による磁界の検出の場合と同じ方法で取得すれば、この変形例による場合も、良品である太陽電池セルＳＣとの比較になるので、太陽電池セルＳＣの欠陥の検出は可能である。
【００８５】
また、表示装置６２に電流（又は磁界）の大きさ及び／又は向きを表示して、作業者が太陽電池セルＳＣの欠陥を判断する場合にも、前記変形例による方法を適用できる。特に、作業者が表示装置６２の表示に、上述のように、検査対象となる太陽電池セルＳＣの電流（又は磁界）の大きさ及び／又は向きと、良品である電流（又は磁界）の大きさ及び／又は向き（すなわち基準値）とを並行して表示するようにすれば、作業者は太陽電池セルＳＣの異常を簡単かつ確実に判断できる。
【００８６】
さらに、図７に示すように、磁気センサ４２を太陽電池セルＳＣと抵抗Ｒcsとを接続する導線Ｌ１（又は導線Ｌ２）に対向させて固定配置し、発光素子４１による光照射位置のみを太陽電池セルＳＣに対してＸ軸方向及びＹ軸方向に相対的に移動させて、発光素子４１の光照射によって発生される磁界を検出するようにしてもよい。この場合も、太陽電池セルＳＣを載置したステージ１０を固定して、発光素子４１をＸ軸方向及びＹ軸方向に移動させてもよいし、発光素子４１を固定して、太陽電池セルＳＣを載置したステージ１０をＸ軸方向及びＹ軸方向に移動させてもよい。この場合、太陽電池セルＳＣの発電による電流の向きはＹ軸方向のみであり、磁界はＸ軸方向のみに発生することになる。したがって、この変形例では、図６のステップＳ５４の処理を省略し、ステップＳ５３で上記数１，２の演算に基づくＸ方向磁気検出信号の極大値Ｈｘと、Ｘ方向磁気検出信号の参照信号に対する位相シフト量θｘとによって定義されるＸ方向磁気検出信号Ｈｘ・sin(２πｆｔ＋θｘ)を用いて最終的な磁気の強さＨxyをステップＳ５５で計算することになる。この場合も、上記実施形態と同様に、値２πｆｔにπ／２を代入して磁界の強さＨxyを計算する。なお、磁界の向きは常に一定であるので、計算する必要はない。したがって、この場合は、太陽電池セルＳＣの欠陥が、磁界の強さＨxy又はステップＳ５６で計算される電流の大きさＩxyのみを用いて、ステップＳ５７〜Ｓ５９，Ｓ６６〜Ｓ６９からなる評価処理、又はステップＳ６５の画像表示（又は基準値に関する画像表示も含めて）を用いた作業者の判断によって検査されることになる。
【００８７】
また、上記実施形態では、磁気センサとして磁気抵抗素子（ＭＲ素子）を利用したが、これに代えて、ホール素子、磁気インピーダンス素子効果センサ、フラックスゲート、超伝導量子干渉素子などを利用するようにしてもよい。
【００８８】
さらに、上記実施形態においては、太陽電池セルＳＣの欠陥を検出するようにした。しかし、本発明は、複数の太陽電池セルを１セットとして有する太陽電池パネルに適用して、太陽電池パネル内の太陽電池セルの欠陥を検出できるものでもある。
【符号の説明】
【００８９】
ＳＣ…太陽電池セル、１０…ステージ、２０…Ｘ方向スライド機構、２４…Ｘ方向モータ、３０…Ｙ方向スライド機構、３４…Ｙ方向モータ、４１…発光素子、４２…磁気センサ、５１…Ｘ方向位置検出回路、５２…Ｘ方向フィードモータ制御回路、５３…Ｙ方向位置検出回路、５４…Ｙ方向フィードモータ制御回路、５５…発光信号供給回路、５６…発光素子駆動回路、５７…センサ信号取出回路、５８…ロックインアンプ、６０…コントローラ、６１…入力装置、６２…表示装置
【要約】
【課題】  太陽電池セル検査装置の製造コストを低額に抑える。
【解決手段】  ステージ１０上に、電極間に導線を介して抵抗を接続した太陽電池セルＳＣを載置固定する。発光素子４１から出射される光で太陽電池セルＳＣの表面を走査しながら、磁気センサ４１が光の照射によって太陽電池セルＳＣに電流が流れることにより発生する磁界を検出する。
【選択図】  図１【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５Ａ】
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【図５Ｂ】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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