(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板に環状の突条を設けることによってキャビティが形成されているとともに、前記キャビティ内の底面にメタライズ層が形成されているパッケージと、前記キャビティ内の前記底面に前記メタライズ層を介して配設されて前記キャビティに収容される弾性表面波素子とを備え、
前記メタライズ層には、前記弾性表面波素子を前記弾性表面波素子の伝播方向に挟んで対峙するそれぞれの位置に窓部が、平面視で前記突条に接して形成されており、
前記窓部内には、前記メタライズ層とは異なる金属層が形成されていることを特徴とする電子部品。
【請求項２】
前記窓部内には、前記メタライズ層とは異なる金属層が前記メタライズ層から孤立し、島状に形成されていることを特徴とする請求項１に記載の電子部品。
【請求項３】
前記窓部が前記金属層によって覆われていることを特徴とする請求項１または請求項２に記載の電子部品。
【請求項４】
前記メタライズ層は、当該メタライズ層の下地となる下地金属層にメッキを施すことによって形成されるメッキ層で構成されており、
前記窓部は、前記下地金属層が露呈するように前記メタライズ層に形成されており、
前記金属層は、前記窓部から露呈する前記下地金属層で構成されていることを特徴とする請求項３に記載の電子部品。
【請求項５】
基板に環状基板を積層することによってキャビティが形成されているとともに、前記キャビティ内の底面にメタライズ層が形成されているパッケージと、前記キャビティ内の前記底面に前記メタライズ層を介して配設されて前記キャビティに収容される弾性表面波素子とを備えた電子部品の製造方法であって、
前記基板に、メッキの下地となる下地金属層を形成する工程と、
前記下地金属層に、光透過性及び電気絶縁性を有する絶縁層を、前記基板に前記弾性表面波素子を載置したときに当該弾性表面波素子を当該弾性表面波素子の伝播方向に挟んで対峙するそれぞれの位置に形成する工程と、
前記基板に前記環状基板を、当該環状基板が各前記絶縁層の一部を覆うように積層する工程と、
前記絶縁層が形成された前記下地金属層に、電気メッキにより前記メタライズ層を形成する工程と、を含むことを特徴とする電子部品の製造方法。
【請求項６】
基板に環状基板を積層することによってキャビティが形成されているとともに、前記キャビティ内の底面にメタライズ層が形成されているパッケージと、前記キャビティ内の前記底面に前記メタライズ層を介して配設されて前記キャビティに収容される弾性表面波素子とを備えた電子部品の製造方法であって、
前記基板に、メッキの下地となる下地金属層を形成する工程と、
前記基板に前記弾性表面波素子を載置したときに当該弾性表面波素子を当該弾性表面波素子の伝播方向に挟んで対峙するそれぞれの位置に窓部を形成し、当該窓部内に前記下地金属層から孤立した島状の金属層を形成する工程と、
前記基板に前記環状基板を、当該環状基板が各前記窓部の一部を覆うように積層する工程と、
前記窓部が形成された前記下地金属層に、電気メッキにより前記メタライズ層を形成する工程と、を含むことを特徴とする電子部品の製造方法。
【請求項７】
前記金属層は、前記下地金属層で構成されていることを特徴とする請求項６に記載の電子部品の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電子部品及び電子部品の製造方法に関し、特に、パッケージ内に素子が収容された電子部品及びこの電子部品の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
電子部品の一つとして、弾性表面波素子がメタライズ層を介してパッケージ内の底面に配設され、弾性表面波素子の電極とパッケージ内の電極とがワイヤボンディングで接続された弾性表面波装置がある。
このような弾性表面波装置では、従来、弾性表面波素子とパッケージ内の電極との間におけるパッケージ内の底面に非メタライズ部を形成し、ワイヤボンディングの際の接続位置の精度を向上することができる構成が知られている（例えば、特許文献１〜４参照）。
【０００３】
【特許文献１】特許第３３７２０６５号公報（図１）
【特許文献２】特許第３１５４６４０号公報（図１〜図８）
【特許文献３】特許第３２１６６３８号公報（図１）
【特許文献４】特許第３３０１４１９号公報（図１）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
上記特許文献１〜４に記載された従来例では、パッケージ内の底面に形成されているメタライズ層に非メタライズ部が形成されている。このため、非メタライズ部から電磁波などがパッケージ内に進入しやすくなり、この電磁波によって弾性表面波素子の安定動作が阻害されてしまうことがある。つまり、上記特許文献１〜４に記載された従来例では、外部から受ける電磁波等のノイズに対する耐性所謂耐ノイズ性を向上させることが困難であるという未解決の課題がある。
【０００５】
本発明は、この未解決の課題に着目してなされたものであり、耐ノイズ性を向上することができる電子部品及び電子部品の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
第１の発明における電子部品は、基板に環状の突条を設けることによってキャビティが形成されているとともに、前記キャビティ内の底面にメタライズ層が形成されているパッケージと、前記キャビティ内の前記底面に前記メタライズ層を介して配設されて前記キャビティに収容される素子とを備え、前記メタライズ層には、前記素子を挟んで対峙するそれぞれの位置に窓部が、平面視で前記突条に接して形成されており、前記窓部内には、前記メタライズ層とは異なる金属層が形成されていることを特徴とする。
【０００７】
この第１の発明では、キャビティ内の底面に、メタライズ層が形成されているとともに、このメタライズ層には、素子を挟んで対峙するそれぞれの位置に、平面視で突条に接する窓部が形成されている。さらに、窓部内には、メタライズ層とは異なる金属層が形成されている。
【０００８】
これにより、金属層と突条との境界部を把握しやすくすることができるとともに、窓部内に形成された金属層によって、窓部からパッケージ内に進入する電磁波を低減することができる。従って、電子部品における耐ノイズ性を向上することが可能となる。
【０００９】
第２の発明は、第１の発明において、前記窓部が前記金属層によって覆われていることを特徴とする。
【００１０】
この第２の発明では、窓部が金属層で覆われているので、窓部からパッケージ内に進入する電磁波を一層低減することができ、電子部品における耐ノイズ性の一層の向上が図られる。
【００１１】
第３の発明は、第２の発明において、前記メタライズ層は、当該メタライズ層の下地となる下地金属層にメッキを施すことによって形成されるメッキ層で構成されており、前記窓部は、前記下地金属層が露呈するように前記メタライズ層に形成されており、前記金属層は、前記窓部から露呈する前記下地金属層で構成されていることを特徴とする。
【００１２】
この第３の発明では、メタライズ層に形成される窓部が、このメタライズ層の下地となる下地金属層によって覆われている。つまり、窓部を覆う金属層を、メッキ層で構成されるメタライズ層の下地金属層で構成することが可能となる。
【００１３】
第４の発明における電子部品の製造方法は、基板に環状基板を積層することによってキャビティが形成されているとともに、前記キャビティ内の底面にメタライズ層が形成されているパッケージと、前記キャビティ内の前記底面に前記メタライズ層を介して配設されて前記キャビティに収容される素子とを備えた電子部品の製造方法であって、前記基板に、メッキの下地となる下地金属層を形成する工程と、前記下地金属層に、光透過性及び電気絶縁性を有する絶縁層を、前記基板に前記素子を載置したときに当該素子を挟んで対峙するそれぞれの位置に形成する工程と、前記基板に前記環状基板を、当該環状基板が各前記絶縁層の一部を覆うように積層する工程と、前記絶縁層が形成された前記下地金属層に、電気メッキにより前記メタライズ層を形成する工程と、を含むことを特徴とする。
【００１４】
この第４の発明では、基板に形成された下地金属層に絶縁層を形成してから、この下地金属層に電気メッキでメタライズ層を形成するようになっている。
【００１５】
これにより、メタライズ層に絶縁層を介して下地金属層が露呈する窓部を形成することができ、且つこの窓部内が下地金属層で覆われた構成を有する電子部品を製造することが可能となる。従って、耐ノイズ性の向上が図られる電子部品を製造することが可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１６】
本発明の実施形態を、電子部品の１つである弾性表面波装置を例に、図面に基づいて説明する。
本実施形態における弾性表面波装置１は、正面図である図１（ａ）及び図１（ａ）中のＡ−Ａ断面図である図１（ｂ）に示すように、パッケージ３と、シールリング５と、リッド７と、パッケージ３に収容されている弾性表面波素子９とを備えている。
【００１７】
パッケージ３は、図１（ｂ）に示すように、基板１１と、基板１１に積層される第１枠基板１３と、第１枠基板１３に積層される第２枠基板１５とを備えている。これらの基板１１、第１枠基板１３及び第２枠基板１５は、それぞれ、酸化アルミや酸化ケイ素などを主成分とするセラミック基板で構成されている。
【００１８】
上記の構成を有するパッケージ３は、基板１１に第１枠基板１３及び第２枠基板１５を積層することによって、キャビティ１７が形成されている。そして、弾性表面波素子９は、図１（ｂ）で見て、キャビティ１７内の底面１９上に配設されてパッケージ３に収容されている。
【００１９】
第１枠基板１３は、図１（ｂ）に示すように、この図で見たときの内側の側面が第２枠基板１５の内側の側面よりもさらに内側に位置している。これにより、基板１１と第２枠基板１５との間のキャビティ１７内に、弾性表面波素子９に向かって広がる面を有する中段部２１が形成されている。
【００２０】
中段部２１は、弾性表面波装置１におけるリッド７を省略した状態を示す平面図である図１（ｃ）に示すように、弾性表面波素子９をこの図で見て上下方向に挟んで対峙するそれぞれの位置に形成されている。そして、この中段部２１に、弾性表面波素子９の後述する種々の電極の接続先となる内部電極２３が形成されている。
【００２１】
また、キャビティ１７内の底面１９には、図１（ｃ）に示すように、電気メッキによってメタライズ層２５が形成されている。そして、弾性表面波素子９は、このメタライズ層２５を介してキャビティ１７内の底面１９に配設されている。
【００２２】
また、メタライズ層２５には、２つの中段部２１が弾性表面波素子９を挟んで対峙する方向とは交差する方向すなわち、図１（ｃ）で見て左右方向において、キャビティ１７の内側面と弾性表面波素子９との間に窓部２７が設けられている。この窓部２７からは、電気メッキによるメタライズ層２５の下地となる、例えば、タングステンなどの高融点金属を主成分とする下地金属層２６が露呈している。つまり、メタライズ層２５と窓部２７内とは、メタライズ層２５が有する金色や銀色などの金属色とは異なる色を有する下地金属層２６によって、区別されている。
【００２３】
窓部２７は、弾性表面波素子９を挟んで対峙するそれぞれの位置に形成されているとともに、キャビティ１７の内側面に接するように形成されている。なお、この図１（ｃ）において、構成をわかりやすく示すため、内部電極２３、メタライズ層２５及び下地金属層２６にハッチングを施して図示した。
【００２４】
ここで、上記の各構成の詳細を説明する。
弾性表面波素子９は、平面図である図２に示すように、水晶などの圧電体から形成される素子基板２８に、ＩＤＴ電極２９と２つの反射器電極３１とが形成された構成を有している。なお、この図２において、構成をわかりやすく示すため、ＩＤＴ電極２９及び反射器電極３１にハッチングを施して図示した。
【００２５】
ＩＤＴ電極２９は、電気信号が入力されると、弾性表面波素子９に弾性表面波を励振する。また、２つの反射器電極３１は、ＩＤＴ電極２９を外側から挟むように形成され、ＩＤＴ電極２９によって励振された弾性表面波を反射する。なお、この弾性表面波素子９において、２つの反射器電極３１がＩＤＴ電極２９を挟んでいる方向が、弾性表面波の伝播方向となる。
【００２６】
つまり、弾性表面波素子９は、キャビティ１７内の底面１９に形成されている２つの窓部２７が弾性表面波素子９を弾性表面波の伝播方向に挟むように、底面１９に配設されている。そして、弾性表面波素子９のＩＤＴ電極２９のそれぞれが、ワイヤボンディング技術などにより、図示しないワイヤでキャビティ１７内の内部電極２３に接続されている。
【００２７】
基板１１は、平面図である図３（ａ）に示すように、キャビティ１７の底面１９側となる第１面３３に、金などを主成分とする前述したメタライズ層２５が形成されている。このメタライズ層２５には、下地金属層２６を露呈する２つの窓部２７が設けられている。基板１１の第１面３３とは反対側の第２面３５には、底面図である図３（ｂ）に示すように、図示しない回路基板等の配線パターンに接続される外部電極３７が形成されている。なお、この図３において、構成をわかりやすく示すため、メタライズ層２５、下地金属層２６及び外部電極３７にハッチングを施して図示した。
【００２８】
外部電極３７は、回路基板等におけるグランドに接続されるグランド電極３７ａ、３７ｂ、３７ｅ及び３７ｆと、回路基板等の配線パターンを介して電気信号が入力されたり、入力された電気信号に基づいて生成された弾性表面波信号を出力したりする入出力電極３７ｃ及び３７ｄとで構成されている。なお、メタライズ層２５は、図示しないビアホールやキャスタレーションなどを介して、グランド電極３７ａ、３７ｂ、３７ｅ及び３７ｆに電気的に接続されている。
【００２９】
第１枠基板１３は、平面図である図４（ａ）に示すように、厚み方向に貫通する開口部３９が形成された環状の基板で構成されている。また、第１枠基板１３に形成されている内部電極２３は、金などを主成分とするものであり、前述した弾性表面波素子９のＩＤＴ電極２９のそれぞれが接続されるＩＤＴ用内部電極２３ｃ及び２３ｄと、図示しないビアホールやキャスタレーションなどを介して、基板１１のグランド電極３７ａ、３７ｂ、３７ｅ及び３７ｆに電気的に接続されるグランド内部電極２３ａ及び２３ｂとで構成されている。ＩＤＴ用内部電極２３ｃ及び２３ｄは、図４（ａ）で見て開口部３９を挟んで上下方向に対峙する位置に設けられ、それぞれ、グランド内部電極２３ａ及び２３ｂに電極間部４０を介して左右方向に挟まれている。
【００３０】
なお、ＩＤＴ用内部電極２３ｃ及び２３ｄのそれぞれは、図示しないビアホールやキャスタレーションなどを介して、基板１１の入出力電極３７ｃ及び３７ｄのそれぞれに、電気的に接続される。この図４において、構成をわかりやすく示すため、グランド内部電極２３ａ及び２３ｂ並びにＩＤＴ用内部電極２３ｃ及び２３ｄにハッチングを施して図示した。また、本実施形態では、弾性表面波素子９の各反射器電極３１を、内部電極２３に接続しない構成としたが、各反射器電極３１を、各ＩＤＴ用内部電極２３ｃ及び２３ｄや各グランド内部電極２３ａ及び２３ｂに接続するようにしてもよい。
【００３１】
第１枠基板１３の開口部３９は、基板１１に第１枠基板１３を積層した状態での平面図である図４（ｂ）に示すように、基板１１の窓部２７の一部が開口部３９の内側から露出する大きさに設定されている。
【００３２】
第２枠基板１５は、平面図である図５（ａ）に示すように、厚み方向に貫通する開口部４１が形成された環状の基板で構成されている。この第２枠基板１５の開口部４１は、第１枠基板１３に第２枠基板１５を積層した状態での平面図である図５（ｂ）に示すように、第１枠基板に形成されているグランド内部電極２３ａ及び２３ｂ並びにＩＤＴ用内部電極２３ｃ及び２３ｄのそれぞれの一部が、開口部４１の内側から露出する大きさに設定されている。
【００３３】
また、第２枠基板１５には、図５（ａ）及び図５（ｂ）にハッチングを施して示すメタライズ層４３が形成されている。このメタライズ層４３は、金などを主成分とするものである。
【００３４】
シールリング５は、鉄及びニッケルを主成分とする合金から形成され、平面図である図６に示すように、厚み方向に貫通する開口部４５を設けて環状に形成されている。
リッド７は、金属から形成され、平面図である図７に示すように、シールリング５に積層された状態で、シールリング５の開口部４５の内周を覆うことができ、且つリッド７の輪郭がシールリング５の外周よりも内側に収まる大きさを有している。
【００３５】
ここで、上記の構成を有する弾性表面波装置１の製造の流れを説明する。
弾性表面波装置１の製造では、まず、基板１１、第１枠基板１３及び第２枠基板１５のそれぞれに、電気メッキの下地となる金属層を形成する。
【００３６】
基板１１では、第１面３３に、図８（ａ）に示すように、タングステンを主成分とする下地金属層２６を形成する。このとき、第１面３３への下地金属層２６の形成とともに、第２面３５における各外部電極３７を形成する部位にもタングステンを主成分とする金属層を形成する。なお、この図８において、下地金属層２６にハッチングを施して図示した。
【００３７】
そして、第１面３３の下地金属層２６に、図８（ｂ）に示すように、窓部２７を形成する部位に、例えば、ＳｉＯ2などの光透過性及び電気絶縁性を有する材料でスパッタリング技術などを活用して、絶縁層を形成することにより窓部２７を形成する。
【００３８】
また、第１枠基板１３では、グランド内部電極２３ａ及び２３ｂ並びにＩＤＴ用内部電極２３ｃ及び２３ｄを形成するそれぞれの部位に、図９にハッチングを施して示すように、下地金属層２３１を形成する。これらの下地金属層２３１は、タングステンを主成分とする。
また、第２枠基板１５では、メタライズ層４３を形成する部位に、図１０にハッチングを施して示すように、タングステンを主成分とする下地金属層４３１を形成する。
【００３９】
次いで、各下地金属層２６、２３１及び４３１を形成した基板１１、第１枠基板１３及び第２枠基板１５を、図１１（ａ）に示すように、積層した状態で焼成を行う。
次いで、焼成された基板１１、第１枠基板１３及び第２枠基板１５に電気メッキを施し、図１１（ｂ）に示すように、メタライズ層２５、メタライズ層４３、グランド内部電極２３ａ及び２３ｂ並びにＩＤＴ用内部電極２３ｃ及び２３ｄを形成して、パッケージ３が完成する。なお、この図１１（ｂ）において、メタライズ層２５、メタライズ層４３、グランド内部電極２３ａ及び２３ｂ並びにＩＤＴ用内部電極２３ｃ及び２３ｄのそれぞれを、図１１（ａ）に示す各下地金属層２６、２３１及び４３１とはハッチングの方向を変えて図示した。
【００４０】
ここで、上述したように、各窓部２７がＳｉＯ2から形成される絶縁層で構成されているため、電気メッキを施しても、窓部２７には、メタライズ層２５が形成されない。つまり、窓部２７からは、図１１（ｂ）で窓部２７内にハッチングを施して示す下地金属層２６が露呈している。
【００４１】
次いで、完成したパッケージ３に、図１２に示すように、シールリング５を配設する。このとき、リールリング５は、パッケージ３の第２枠基板１５に、銀ろうなどによってろう付けされる。なお、この図１２では、金色や銀色などの金属色を呈する部分及び下地金属層２６が露呈している部分にハッチングを施して図示した。
【００４２】
次いで、シールリング５がろう付けされたパッケージ３のキャビティ１７内に、弾性表面波素子９を載置する。このとき、ＣＣＤ（Charge Coupled Device）などの撮像素子を備えた画像認識装置を活用してキャビティ１７内の底面１９の中心位置を把握し、この底面１９の中心位置に基づいて弾性表面波素子９が適切な位置に載置される。
【００４３】
ここで、画像認識装置を活用した底面１９の中心位置の把握について説明する。
本実施形態で用いられる画像認識装置は、撮像素子を介してとらえられた画像を示す図である図１３（ａ）に示すように、画像入力領域４７内で、この図で見て左右方向に横切る２つの照準線Ｘ１及びＸ２と、上下方向に縦断する２つの照準線Ｙ１及びＹ２とが設けられている。この図１３（ａ）では、金色や銀色などの金属色を呈する部分及び下地金属層２６が露呈している部分にハッチングを施して図示した。
【００４４】
照準線Ｘ１及びＸ２は、互いに間隔をあけて平行であり、各窓部２７を図１３（ａ）で見て左右方向に横切るように設けられている。また、照準線Ｙ１及びＹ２は、互いに間隔をあけて平行であり、各電極間部４０を図１３（ａ）で見て上下方向に縦断するように設けられている。この画像認識装置では、各照準線Ｘ１及びＸ２並びにＹ１及びＹ２上で、金色や銀色などの金属色と下地金属層２６やセラミック基板等の色との境界が認識ポイントとして認識されるように構成されている。
【００４５】
つまり、照準線Ｘ１及びＸ２上では、シールリング５と窓部２７から露呈している下地金属層２６との境界が認識ポイントＸ１1及びＸ１2並びにＸ２1及びＸ２2として認識される。また、照準線Ｙ１及びＹ２上では、電極間部４０とメタライズ層２５との境界が認識ポイントＹ１1及びＹ１2並びにＹ２1及びＹ２2として認識される。
【００４６】
そして、これらの認識ポイントＸ１1、Ｘ１2、Ｘ２1、Ｘ２2、Ｙ１1、Ｙ１2、Ｙ２1及びＹ２2が認識されると、図示しない演算処理装置での演算処理によって、図１３（ａ）に示すシールリング５の開口部４５内の拡大図である図１３（ｂ）に示すように、底面１９の中心位置Ｄｐが算出される。具体的には、まず、認識ポイントＸ１1及びＸ１2間の中点Ｘ１ｃと、認識ポイントＸ２1及びＸ２2間の中点Ｘ２ｃと、認識ポイントＹ１1及びＹ１2間の中点Ｙ１ｃと、認識ポイントＹ２1及びＹ２2間の中点Ｙ２ｃとを算出する。そして、中点Ｘ１ｃ及びＸ２ｃを結ぶ線分と、中点Ｙ１ｃ及びＹ２ｃを結ぶ線分との交点を中心位置Ｄｐとして算出する。
【００４７】
このようにして把握された底面１９の中心位置Ｄｐに基づいて、弾性表面波素子９の載置位置が決められる。弾性表面波素子９をキャビティ１７内の底面１９に載置して配設した後に、この弾性表面波素子９のＩＤＴ電極２９のそれぞれを、内部電極２３に電気的に接続する。
【００４８】
次いで、リッド７をシールリング５に載置し、これらリッド７及びシールリング５をシーム溶接で溶接すると、図１（ａ）に示す弾性表面波装置１の製造が終了する。なお、リッド７は、図示しないビアホールやキャスタレーションなどを介して、基板１１のグランド電極３７ａ、３７ｂ、３７ｅ及び３７ｆに電気的に接続される。つまり、弾性表面波素子９は、それぞれ接地されるリッド７及びメタライズ層２５によって、外部からの電磁波等のノイズから遮断された状態となり、動作の安定化が図られる。
【００４９】
本実施形態において、第１枠基板１３及び第２枠基板１５のそれぞれが環状の突条としての環状基板に対応している。
【００５０】
本実施形態の弾性表面波装置１では、キャビティ１７内の底面１９に、メタライズ層２５が形成されているとともに、メタライズ層２５に、このメタライズ層２５とは異なる色を有する下地金属層２６が露呈する窓部２７が形成されている。窓部２７は、内部電極２３が弾性表面波素子９を挟む方向とは交差する方向に弾性表面波素子９を挟んで対峙するそれぞれの位置に、且つ窓部２７の一部が平面視で第１枠基板１３に重なるように形成されている。これにより、窓部２７から露呈する下地金属層２６が、第１枠基板１３、第２枠基板１５及びシールリング５とは明確に識別される。そして、第１枠基板１３、第２枠基板１５又はシールリング５と窓部２７から露呈する下地金属層２６との境界部を画像認識装置で容易に認識することができ、平面視での底面１９の中心位置を容易に把握することが可能となる。
【００５１】
ここで、パッケージ３に対するシールリング５の配設位置が、図１４（ａ）に示すように、この図で見て左方向にずれた場合を考える。この図１４（ａ）で見たキャビティ１７の底面１９は、シールリング５と第１枠基板１３と第２枠基板１５とに囲まれた大きさとなり、図１３（ａ）に示す場合よりも小さくなる。
【００５２】
このような場合でも、本実施形態の弾性表面波装置１であれば、図１４（ｂ）に示すように、底面１９の中心位置Ｄｐを容易に把握することができる。つまり、平面視での底面１９の大きさがばらついても、その底面１９の大きさに応じた中心位置Ｄｐを算出することが可能となる。
【００５３】
しかしながら、パッケージ３に対するシールリング５の配設位置は、図１４（ａ）に示す左方向のみならず、右方向にずれる場合もある。つまり、パッケージ３に対するシールリング５の配設位置は、図１４（ａ）中のＢ−Ｂ断面図である図１５に示すように、左方向にσのばらつきがあり、右方向にもσのばらつきが存在することになる。
【００５４】
このとき、弾性表面波装置１において窓部２７が形成されていない場合、すなわち本実施形態で用いた画像認識装置において、照準線Ｙ１及びＹ２のみを用いて底面１９の中心位置を把握する場合には、上述した左右方向にそれぞれσのばらつきを有するシールリング５の配設位置が把握されなくなる。従って、この場合には、パッケージ３内に収容する弾性表面波素子９の寸法を、少なくともばらつきσの２倍だけ小さくする必要がある。
【００５５】
これに対し、本実施形態の弾性表面波装置１では、平面視での底面１９の大きさに応じた中心位置Ｄｐを把握することができるため、弾性表面波素子９の寸法をばらつきσだけ小さくすればよい。従って、弾性表面波素子９の大きさに対するパッケージ３の大きさを小さくすることが可能となる。換言すれば、パッケージ３に対する弾性表面波素子９の大きさを大きくすることが可能となる。このことは、弾性表面波装置１にとって極めて好ましいことである。つまり、弾性表面波素子９は、弾性表面波が伝播する方向の寸法が大きくなるほど、良好な特性を発揮するからである。
【００５６】
また、本実施形態の弾性表面波装置１では、窓部２７内が下地金属層２６で覆われているため、窓部２７から進入する電磁波が極めて低く抑えられ、耐ノイズ性の向上を図ることが可能となる。
【００５７】
なお、本実施形態では、窓部２７を、下地金属層２６に絶縁層を設けることによって形成するようにしたが、これに限定されない。すなわち、本実施形態の他の例を示す図である図１６（ａ）に示すように、基板１１に形成した下地金属層２６に窓部２７を、この窓部２７から基板１１の第１面３３が露出するように形成し、窓部２７内に下地金属層２６から孤立した金属層２６１を島状に形成する。この金属層２６１は、任意の金属材料を採用することができるが、下地金属層２６と同様な材料を採用することが、下地金属層２６の形成とともに金属層２６１の形成も同一工程で可能であることから、好ましい。
【００５８】
そして、下地金属層２６及び金属層２６１が形成された基板１１に第１枠基板１３及び第２枠基板１５を積層してから焼成し、電気メッキを施すと、図１６（ｂ）に示すパッケージ３を製造することができる。すなわち、金属層２６１は、下地金属層２６から孤立しているため、メッキ層が形成されない。従って、窓部２７から金属層２６１が露呈しているパッケージ３を得ることが可能となる。これにより、下地金属層２６にＳｉＯ2などの絶縁層を形成する工程を省略することができ、製造方法の簡略化やコストの低減が図られる。
【図面の簡単な説明】
【００５９】
【図１】本発明の実施形態における弾性表面波装置の構成を説明する図。
【図２】本発明の実施形態における弾性表面波装置の弾性表面波素子の平面図。
【図３】本発明の実施形態における弾性表面波装置の基板の構成を説明する図。
【図４】本発明の実施形態における弾性表面波装置の第１枠基板の構成を説明する図。
【図５】本発明の実施形態における弾性表面波装置の第２枠基板の構成を説明する図。
【図６】本発明の実施形態における弾性表面波装置のシールリングの平面図。
【図７】本発明の実施形態における弾性表面波装置のリッドを説明する図。
【図８】本発明の実施形態における弾性表面波装置の基板の製造の流れを説明する図。
【図９】本発明の実施形態における弾性表面波装置の第１枠基板の下地金属層を説明する図。
【図１０】本発明の実施形態における弾性表面波装置の第２枠基板の下地金属層を説明する図。
【図１１】本発明の実施形態における弾性表面波装置のパッケージの製造の流れを説明する図。
【図１２】本発明の実施形態における弾性表面波装置のパッケージにシールリングを配設した状態での平面図。
【図１３】本発明の実施形態における弾性表面波装置の底面の中心位置を説明する図。
【図１４】本発明の実施形態における弾性表面波装置のシールリングがずれた場合の底面の中心位置を説明する図。
【図１５】本発明の実施形態における弾性表面波装置の効果を説明する図。
【図１６】本発明の実施形態における弾性表面波装置の他の例を説明する図。
【符号の説明】
【００６０】
１…弾性表面波装置、３…パッケージ、９…弾性表面波素子、１１…基板、１３…第１枠基板、１５…第２枠基板、１７…キャビティ、１９…底面、２３…内部電極、２５…メタライズ層、２６…下地金属層、２７…窓部、２６１…金属層。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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