(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
画素ごとに設けられる表示用電極と、
前記表示用電極の周辺を覆い、前記画素の開口を規定する開口絶縁膜と、
前記開口から露出する前記表示用電極の表面に設けられた表示層と、
前記表示用電極の下方において、平面視で前記表示層に重なる位置に平坦化絶縁膜を介して配置され、前記画素を駆動するための電荷を蓄積する機能を有し、前記画素の開口より幅広の容量用電極を備える蓄積容量
とを有し、
前記蓄積容量の前記容量用電極は、前記表示用電極に近い側の第１の容量用電極と前記表示用電極から遠い側の第２の容量用電極から成り、
前記第１の容量用電極と前記第２の容量用電極のいずれについても前記画素の開口より幅広の部分を有し、
前記第１の容量用電極と前記第２の容量用電極は、形状が同一であり、
前記第１の容量用電極より前記第２の容量用電極の方が大きくなっており、
前記第１の容量用電極と前記第２の容量用電極の大きさの差は、前記第１の容量用電極と前記第２の容量用電極を形成する際のリソグラフィマージンを含む大きさに設定されている表示装置。
【請求項２】
前記表示層は、有機エレクトロルミネッセンス発光層である請求項１に記載の表示装置。
【請求項３】
少なくとも前記第１の容量用電極の幅が前記表示用電極の幅とほぼ等しくなっている請求項１又は請求項２に記載の表示装置。
【請求項４】
前記第１の容量用電極と前記第２の容量用電極のそれぞれの形状が前記画素の開口の形状と対応している請求項１乃至請求項３の何れか１項に記載の表示装置。
【請求項５】
前記第１の容量用電極と前記第２の容量用電極のそれぞれの形状が円形又は正多角形である請求項１乃至請求項４の何れか１項に記載の表示装置。
【請求項６】
本体筐体に取り付けられる表示装置を有し、
前記表示装置が、
画素ごとに設けられる表示用電極と、
前記表示用電極の周辺を覆い、前記画素の開口を規定する開口絶縁膜と、
前記開口から露出する前記表示用電極の表面に設けられた表示層と、
前記表示用電極の下方において、平面視で前記表示層に重なる位置に平坦化絶縁膜を介して配置され、前記画素を駆動するための電荷を蓄積する機能を有し、前記画素の開口より幅広の容量用電極を備える蓄積容量
とを有し、
前記蓄積容量の前記容量用電極は、前記表示用電極に近い側の第１の容量用電極と前記表示用電極から遠い側の第２の容量用電極から成り、
前記第１の容量用電極と前記第２の容量用電極のいずれについても前記画素の開口より幅広の部分を有し、
前記第１の容量用電極と前記第２の容量用電極は、形状が同一であり、
前記第１の容量用電極よりも前記第２の容量用電極の方が大きくなっており、
前記第１の容量用電極と前記第２の容量用電極の大きさの差は、前記第１の容量用電極と前記第２の容量用電極を形成する際のリソグラフィマージンを含む大きさに設定されている
電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、画素を駆動するための電荷を蓄積する蓄積容量を備える表示装置および電子機器に関する。
【背景技術】
【０００２】
液晶表示装置や有機ＥＬ（Electro-Luminescence）表示装置といった表示装置には各画素を駆動するための駆動基板が用いられている。駆動基板は、画像の表示領域にマトリクス状に配置された各画素を駆動するためのＴＦＴ（Thin Film Transistor）等の駆動トランジスタが形成されたものである。
【０００３】
特に、有機ＥＬ表示装置では、アノード電極とカソード電極との間に薄い有機膜を積層する構造であるため、有機ＥＬ発光層の下側には平坦化のための絶縁膜が設けられている。また、各画素には、有機ＥＬ発光層を駆動するための駆動トランジスタ（ＴＦＴ）や、有機ＥＬ発光層の発光状態を保持するための電荷を蓄積する蓄積容量が設けられている（例えば、特許文献１参照。）。
【０００４】
【特許文献１】特開２００７−０３５９６４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
このような表示装置においては、画素の表示用電極が蓄積容量の電極（容量用電極）の上方に設けられており、容量用電極の上に設けた平坦化絶縁膜を介して表示用電極が形成されているものの、この平坦化絶縁膜による平坦化が十分達成されていない。
【０００６】
つまり、容量用電極の凹凸が平坦化絶縁膜の凹凸に影響し、その上に形成する表示用電極にも影響を及ぼしている。このような凹凸があることで、表示用電極の不良やその上に形成する発光層の不良の原因となるとともに、外光等が開口部に入射した際に内部の凹凸によって回折を起こし表示品質を低下させるという問題が生じている。
【０００７】
本発明は、平坦化絶縁膜による平坦性を十分に確保して表示品質を向上できるようにすることを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明は、画素ごとに設けられる表示用電極と、表示用電極の周辺を覆い、画素の開口を規定する開口絶縁膜と、表示用電極の下方に平坦化絶縁膜を介して配置され、画素を駆動するための電荷を蓄積する機能を有し、画素の開口より幅広の容量用電極を備える蓄積容量とを有する表示装置である。
【０００９】
このような本発明では、表示用電極の下方に平坦化絶縁膜を介して配置される蓄積容量の容量用電極が、画素の開口より幅広の部分を有していることから、容量用電極の端部で発生する平坦化絶縁膜の凹凸の影響が開口の内側領域に発生しなくなる。
【００１０】
本発明では、蓄積容量を構成する一対の容量用電極のいずれについても画素の開口より幅広の部分を有している。これにより、一対の容量用電極の端部で発生する平坦化絶縁膜の凹凸の影響が開口の内側領域に発生しなくなる。
【００１１】
また、本発明は、蓄積容量を構成する一対の容量用電極のうち少なくとも表示用電極に近い側の容量用電極が画素の開口の形状と対応している。これにより、容量用電極の端部で発生する平坦化絶縁膜の凹凸の影響が開口の内側領域に発生しなくなる。
【００１２】
また、本発明は、蓄積容量を構成する一対の容量用電極のうち少なくとも表示用電極に近い側の容量用電極の幅が表示用電極の幅とほぼ等しくなっている。これにより、容量用電極の端部での凹凸の影響を表示用電極に与えることがなくなり、表示用電極の平坦性を向上できるようになる。
【００１３】
また、本発明は、本体筐体に取り付けられる表示装置を有し、表示装置が、画素ごとに設けられる表示用電極と、表示用電極の周辺を覆い、前記画素の開口を規定する開口絶縁膜と、表示用電極の下方に平坦化絶縁膜を介して配置され、画素を駆動するための電荷を蓄積する機能を有し、画素の開口より幅広の容量用電極を備える蓄積容量とを有する電子機器である。
【００１４】
このような本発明では、本体筐体に取り付けられる表示装置として、表示用電極の下方に平坦化絶縁膜を介して配置される蓄積容量の容量用電極が、画素の開口より幅広の部分を有していることから、容量用電極の端部で発生する平坦化絶縁膜の凹凸の影響が開口の内側領域に発生しなくなる。
【発明の効果】
【００１５】
本発明によれば、容量用電極の端部で発生する平坦化絶縁膜の凹凸の影響が開口の内側領域に発生しなくなるため、平坦化絶縁膜による平坦性を十分に確保して表示品質を向上させることが可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１６】
以下、本発明の実施の形態を図に基づき説明する。
【００１７】
＜表示装置の概要＞
図１は、本実施形態に係る表示装置の概要を説明する模式平面図である。すなわち、表示装置１は、例えばガラス基板等の支持基板の略中央に設けられる駆動素子形成領域１０、駆動素子形成領域１０の周辺に配置される電源供給部２０、信号線入力部２１、走査信号入力部２４、電源制御信号入力部２５を備えている。駆動素子形成領域１０は、複数の画素部３０が縦横マトリクス状に配置されており、カラー画像を表示する表示装置では、例えばＲ（赤）、Ｇ（緑）、Ｂ（青）に対応した画素部３０の組みによって表示画素が構成されている。
【００１８】
各画素部３０には、駆動トランジスタを備える駆動部３１ａが設けられている。駆動部３１ａの駆動トランジスタは基板上に形成された薄膜トランジスタ（ＴＦＴ：Thin Film Transistor）から成り、画素部３０に設けられる駆動対象を電圧印加によって駆動する。画素部３０の駆動対象が有機ＥＬ（Electro Luminescence）発光層の場合には、各色に対応した有機ＥＬ発光層に与える電界を駆動トランジスタによって制御し、画素部３０の駆動対象が液晶層の場合には、液晶に与える電界を駆動トランジスタによって制御する。
【００１９】
駆動トランジスタには電源制御線２２や走査線２３が接続されており、走査信号入力部２４によって駆動素子形成領域１０の駆動トランジスタを順次駆動することによって画像表示を行うことになる。すなわち、走査線２３によって選択された水平画素列に電源制御線２２から電源電圧が供給され、信号線入力部２１から信号線２６を介して垂直画素列方向に入力された画素信号に応じて該当画素の表示が行われる。そして、走査線２３による水平画素列の選択および信号線２６からの画素信号の入力を同期させることで、駆動素子形成領域１０を駆動し、画像の表示を行うことになる。
【００２０】
駆動基板１を製造するには、支持基板上に半導体層、絶縁膜層等の各層をＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）等の成膜工程によって形成し、不純物注入工程、フォトリソグラフィ工程等によって駆動素子の形成、配線パターニングを行う。
【００２１】
本実施形態では、駆動基板１における駆動素子形成領域１０の回路形成において、駆動素子形成領域１０を複数の露光領域に分割して露光を行う分割露光によって形成している。ここで、分割露光における１回の露光をショットという。本実施形態では、同じ露光パターンについて複数のショットでつなぎ合わせを行い、一つの駆動素子形成領域１０の露光を構成することになる。例えば、有機ＥＬ（Electro Luminescence）を用いた表示装置を製造する際のパターニング工程では、複数層での合わせ精度を向上するために、各層のマスクにおいて分割露光を行っている。
【００２２】
＜画素部の構成＞
図２は、画素部の構成例を説明する模式平面図である。画素部３０は、表示領域に複数配置されており、走査線２３、電源制御線２２および信号線２１によって仕切られた領域となっている。画素部３０の上には有機ＥＬ発光層や液晶等の駆動対象が配置されるが、ここでは図示を省略している。
【００２３】
画素部３０は、書き込みトランジスタ３２と、蓄積容量３３と、駆動トランジスタ３１とを備えている。書き込みトランジスタ３２は、走査線２３がゲート電極に接続され、ドレイン電極が信号線２１に接続され、ソース電極が駆動トランジスタ３１のゲート電極および蓄積容量３３の一方側の電極に接続されている。
【００２４】
書き込みトランジスタ３２は、走査線２３のＯＮ信号によってＯＮ状態となり、信号線２１から送られる画素信号を蓄積容量３３に蓄積する。これにより、駆動トランジスタ３１がＯＮ状態となり、電源電圧が駆動対象に与えられることになる。
【００２５】
蓄積容量３３は、一方側の電極（容量用電極３３ａ）が書き込みトランジスタ３２のソースに接続され、他方側の電極（容量用電極３３ｂ）が駆動トランジスタ３１のソース電極に接続されている。蓄積容量３３は、一定期間画素信号を蓄積し、画素の状態を保持する役目を果たす。
【００２６】
本実施形態に係る表示装置では、蓄積容量３３を構成する一対の容量用電極３３ａ、３３ｂのうち少なくとも一方が、画素の開口すなわち各画素部３３に設けられる開口絶縁膜５５（図中ハッチング部分参照）によって構成される開口より幅広の部分を備えている。図２に示す例では、Ａ−Ａ’線で示す部分において、蓄積容量３３の一対の容量用電極３３ａ、３３ｂの幅が、開口絶縁膜５５によって構成される開口の幅より広く設けられている。
【００２７】
ここでは一対の容量用電極３３ａ、３３ｂの両方について開口の幅より広く設けられている部分を備えているが、少なくとも一方の容量用電極３３ａ、３３ｂの幅について開口の幅より広く設けられている部分があればよい。
【００２８】
なお、一対の容量用電極３３ａ、３３ｂの両方について開口の幅より広く設けられている部分を備えるのが最良であり、次に好ましいのは一対の容量用電極のうちアノード電極５１側について開口の幅より広く設けられている部分を備えるものである。このように、容量用電極３３ａ、３３ｂが開口の幅より広く設けられる部分を備えることで、容量用電極３３ａ、３３ｂの端部で発生する平坦化絶縁膜の凹凸の影響が開口の内側領域に発生しなくなる。
【００２９】
＜断面構造＞
図３は、画素部の構成例を説明する模式断面図であり、図２におけるＡ−Ａ’線断面図となっている。この図では、主として蓄積容量３３の部分の断面が示されている。すなわち、ガラス基板４０の内に第１金属層６１が形成され、その上にゲート絶縁膜４１を介して第２金属層６２が形成される。蓄積容量３３は、第１金属層６１が一方の容量用電極３３ａ、第２金属層６２が他方の容量用電極３３ｂとして両者で挟まれるゲート絶縁膜４１によって構成される。
【００３０】
また、第２金属層６２と同一層として、ゲート絶縁膜４１の上に信号線６２Ｂと電源制御線６２Ｃとが形成される。第２金属層６２の上にはパッシベーション膜６４が形成され、その上に平坦化絶縁膜６５が形成される。平坦化絶縁膜６５の上には、アノード電極５１が形成され、アノード電極５１の周辺を囲むように開口絶縁膜５５が形成される。この開口絶縁膜５５のない部分が開口となり、そこから露出するアノード電極５１の表面にＥＬ層５０が積層され、その上にカソード電極５２が全面に形成される。
【００３１】
このような断面構造において、蓄積容量３３の一方の容量用電極３３ａとなる第１金属層６１および他方の容量用電極３３ｂとなる第２金属６２の幅が、開口絶縁膜５５によって構成される開口の幅よりも広く形成されている。したがって、容量用電極３３となる第１金属層６１および第２金属層６２の端部が開口絶縁膜５５によって隠される状態となり、開口部分ではパッシベーション膜６４および平坦化絶縁膜６５によって良好な平坦面が構成されることになる。
【００３２】
特に、アノード電極５１側の容量用電極３３ｂをアノード電極５１の幅とほぼ等しい幅にすると、容量用電極３３ｂの端部での凹凸の影響をアノード電極５１に与えることがなくなる。このため、平坦化絶縁膜６５の上に形成されるアノード電極５１も開口部分では良好な平坦性を確保でき、さらにその上に形成されるＥＬ層５０についても非常に良好な平坦面に積層されることになる。
【００３３】
＜表示装置の製造方法＞
図４〜図５は、本実施形態に係る表示装置の製造方法の一例を順に説明する模式断面図である。これらの図では、駆動部の駆動トランジスタ部分を中心として示している。先ず、図４（ａ）に示すように、絶縁性基板（例えば、ガラス基板４０）上にスパッタ法等によりモリブデン等の金属を成膜し、所定のパターニングを行ってゲート電極Ｔｒｇを形成する。ゲート電極Ｔｒｇは、画素部について複数の駆動トランジスタが並列に配置されるよう各駆動トランジスタに対応した位置に形成される。
【００３４】
次に、図４（ｂ）に示すように、ゲート電極Ｔｒｇ上にゲート絶縁膜４１、半導体層（非結晶シリコン）４２、バッファ酸化膜４３を例えばプラズマＣＶＤ法によって形成する。ゲート絶縁膜４１は例えば窒化シリコンと酸化シリコンの積層構造となっている。また、バッファ酸化膜４３は例えばシリコン酸化膜を用いる。これらの膜は連続成膜してもよい。
【００３５】
続いて、図４（ｃ）に示すように、バッファ酸化膜４３上に熱変換層４４を形成する。熱変換層４４は例えばモリブデンから成り、スパッタ法等により成膜する。
【００３６】
その後、この熱変換層４４の上から固体レーザ光を走査して照射する。固体レーザ光の走査は、画素部の駆動トランジスタが並ぶ方向に沿って行う。固体レーザ光の照射幅は、駆動トランジスタのチャネル長と同等か、あるいはチャネル長に照射位置ずれの余裕度を加味した幅とする。また、固体レーザ光の照射は、必要に応じて往復走査で行ってもよい。これにより、半導体層（非結晶シリコン）４２が結晶化され、駆動トランジスタのチャネル領域４２’となる。
【００３７】
次に、熱変換層４４およびバッファ酸化膜４３を除去した後、図５（ａ）に示すように、チャネル保護膜（エッチングストッパ）４５をチャネル領域４２’上に形成し、図５（ｂ）〜（ｃ）に示すようにｎ＋層４６を成膜後、ｎ＋層４６とチャネル領域４２’とを同時に島状にパターニングする。ここで、チャネル保護膜４５は例えばシリコン窒化膜を用い、プラズマＣＶＤ法等により形成する。
【００３８】
次いで、図５（ｄ）に示すように、ソース電極Ｔｒｓおよびドレイン電極Ｔｒｄとなる第２の金属層を形成する。そして、所定のパターニングを行った後、図５（ｅ）に示すように絶縁保護膜（パッシベーション）４７を形成する。
【００３９】
このような工程により、画素部に対応した駆動トランジスタ３１が形成されるが、蓄積容量についても同じ工程で形成される。すなわち、蓄積容量の一方の容量用電極３３ａは駆動トランジスタ３１におけるゲート電極Ｔｒｇと同一金属層（第１金属層）で形成され、蓄積容量の他方の容量用電極３３ｂは駆動トランジスタ３１におけるソース電極Ｔｒｓおよびドレイン電極Ｔｒｄと同一金属層（第２金属層）で形成される。
【００４０】
この際、駆動トランジスタ３１のゲート電極Ｔｒｇに蓄積容量の一方の容量用電極３３ａを接続し、駆動トランジスタ３１のソース電極Ｔｒｓに蓄積容量の他方の容量用電極３３ｂを接続するようにする。
【００４１】
＜容量用電極の他の形態＞
（その１）
図６は、容量用電極の他の形態（その１）を説明する模式平面図である。この図に示す容量用電極３３ａ、３３ｂは、両方とも円形となっている例である。蓄積容量３３の一方の容量用電極３３ａは駆動トランジスタ３１のゲート電極Ｔｒｇと導通し、他方の容量用電極３３ｂは駆動トランジスタ３１のソース電極Ｔｒｓと導通している。
【００４２】
このような形状の容量用電極３３ａ、３３ｂでも、少なくとも一方の幅が開口絶縁膜５５（図中ハッチング部分参照）によって構成される開口の幅より広い部分を備えている。また、一方の容量用電極３３ａが他方の容量用電極３３ｂよりわずかに大きくなっている。この大きさの差として、容量用電極３３ａ、３３ｂを形成する際のリソグラフィマージンを含む大きさにすることで、リソグラフィの際のずれが生じても容量用電極３３ａ、３３ｂを確実に重ね合わせることができるようになる。
【００４３】
また、この容量用電極３３ａ、３３ｂの形状として、開口絶縁膜５５によって構成される開口の形状と対応させてもよい。すなわち、図６に示す例では開口が円形となっており、この開口の円形形状に合わせて容量用電極３３ａ、３３ｂも円形にしている。これにより、容量用電極３３ａ、３３ｂの端部が全て開口絶縁膜５５によって隠され、この端部によって発生するパッシベーション膜や平坦化絶縁膜、アノード電極の段差を開口内に発生させずに済むようになる。
【００４４】
（その２）
図７は、容量用電極の他の形態（その２）を説明する模式平面図である。この図に示す容量用電極３３ａ、３３ｂは、他方の容量用電極３３ｂが複数の円形電極３３ｂ’を配置したものとなっている例である。蓄積容量３３の一方の容量用電極３３ａは駆動トランジスタ３１のゲート電極Ｔｒｇと導通し、略長方形に設けられている。また他方の容量用電極３３ｂを構成する複数の円形電極３３ｂ’は互いに導通した状態で駆動トランジスタ３１のソース電極Ｔｒｓと導通している。
【００４５】
このような形状の容量用電極３３ａ、３３ｂでは、一方の容量用電極３３ａが開口絶縁膜５５（図中ハッチング部分参照）によって構成される開口の幅より広い部分を備えている。また、一方の容量用電極３３ａの領域内に他方の容量用電極３３ｂを構成する複数の円形電極３３ｂ’の全てが配置されている。これにより、容量用電極３３ａ、３３ｂを形成する際のリソグラフィのずれが生じても容量用電極３３ａ、３３ｂを確実に重ね合わせることができるようになる。
【００４６】
この容量用電極３３ａ、３３ｂでは、一方の容量用電極３３ａが開口絶縁膜５５によって構成される開口の幅より広い部分を備えているため、容量用電極３３ａの端部が開口絶縁膜５５によって隠され、この端部によって発生するパッシベーション膜や平坦化絶縁膜、アノード電極の段差を開口内に発生させずに済むようになる。
【００４７】
（その３）
図８は、容量用電極の他の形態（その３）を説明する模式平面図である。この図に示す容量用電極３３ａ、３３ｂは、両方とも正六角形となっている例である。蓄積容量３３の一方の容量用電極３３ａは駆動トランジスタ３１のゲート電極Ｔｒｇと導通し、他方の容量用電極３３ｂは駆動トランジスタ３１のソース電極Ｔｒｓと導通している。
【００４８】
このような形状の容量用電極３３ａ、３３ｂでも、少なくとも一方の幅が開口絶縁膜５５（図中ハッチング部分参照）によって構成される開口の幅より広い部分を備えている。また、一方の容量用電極３３ａが他方の容量用電極３３ｂよりわずかに大きくなっている。この大きさの差として、容量用電極３３ａ、３３ｂを形成する際のリソグラフィマージンを含む大きさにすることで、リソグラフィの際のずれが生じても容量用電極３３ａ、３３ｂを確実に重ね合わせることができるようになる。
【００４９】
この容量用電極３３ａ、３３ｂでは、容量用電極３３ａ、３３ｂが開口絶縁膜５５によって構成される開口の幅より広い部分を備えているため、容量用電極３３ａ、３３ｂの端部が開口絶縁膜５５によって隠され、この端部によって発生するパッシベーション膜や平坦化絶縁膜、アノード電極の段差を開口内に発生させずに済むようになる。なお、図８に示す容量用電極３３ａ、３３ｂでは正六角形の例を示したが、正多角形であればどのようなものであってもよい。
【００５０】
（その４）
図９は、容量用電極の他の形態（その４）を説明する模式平面図である。この図に示す容量用電極３３ａ、３３ｂは、他方の容量用電極３３ｂが複数の正方形電極３３ｂ’’を配置したものとなっている例である。蓄積容量３３の一方の容量用電極３３ａは駆動トランジスタ３１のゲート電極Ｔｒｇと導通し、略長方形に設けられている。また他方の容量用電極３３ｂを構成する複数の正方形電極３３ｂ’’は互いに導通した状態で駆動トランジスタ３１のソース電極Ｔｒｓと導通している。
【００５１】
このような形状の容量用電極３３ａ、３３ｂでは、一方の容量用電極３３ａが開口絶縁膜５５（図中ハッチング部分参照）によって構成される開口の幅より広い部分を備えている。また、一方の容量用電極３３ａの領域内に他方の容量用電極３３ｂを構成する複数の正方形電極３３ｂ’’の全てが配置されている。これにより、容量用電極３３ａ、３３ｂを形成する際のリソグラフィのずれが生じても容量用電極３３ａ、３３ｂを確実に重ね合わせることができるようになる。
【００５２】
この容量用電極３３ａ、３３ｂでは、一方の容量用電極３３ａが開口絶縁膜５５によって構成される開口の幅より広い部分を備えているため、容量用電極３３ａの端部が開口絶縁膜５５によって隠され、この端部によって発生するパッシベーション膜や平坦化絶縁膜、アノード電極の段差を開口内に発生させずに済むようになる。
【００５３】
＜実施形態の効果＞
本実施形態の表示装置によれば、容量用電極３３ａ、３３ｂの端部の画素の開口より外側、すなわち開口絶縁膜５５に隠れることから、この凹凸による平坦化絶縁膜等の凹凸の影響が開口内に表れないことになる。特に、アノード電極５１側の容量用電極３３ｂがアノード電極５１とほぼ同じ幅となっていることで、容量用電極３３ｂの端部での凹凸の影響をアノード電極５１に与えることなく、アノード電極５１の平坦性を高めることが可能となる。また、開口内の領域に凹凸がないことから、外光等が開口部に入射した際に凹凸によって回折を起こし表示品質を低下させることがなくなる。
【００５４】
次に、本実施形態に係る表示装置の適用例について説明する。
【００５５】
＜電子機器＞
本実施形態に係る表示装置は、図１０に示すようにフラット型のモジュール形状のものを含む。例えば絶縁性の基板上２００２に、発光領域、薄膜トランジスタ、受光素子等からなる画素をマトリックス状に集積形成した画素アレイ部２００２ａを設ける、この画素アレイ部（画素マトリックス部）２００２ａを囲むように接着剤２０２１を配し、ガラス等の対向基板２００６を貼り付けて表示モジュールとする。この透明な対向基板２００６には必要に応じて、カラーフィルタ、保護膜、遮光膜等を設けてもよい。表示モジュールには、外部から画素アレイ部２００２ａへの信号等を入出力するためのコネクタとして例えばＦＰＣ（フレキシブルプリントサーキット）２０２３を設けてもよい。
【００５６】
以上説明した本実施形態に係る表示装置は、図１１〜図１５に示す様々な電子機器、例えば、デジタルカメラ、ノート型パーソナルコンピュータ、携帯電話等の携帯端末装置、ビデオカメラなど、電子機器に入力された映像信号、若しくは、電子機器内で生成した映像信号を、画像若しくは映像として表示するあらゆる分野の電子機器の表示装置に適用することが可能である。以下に、本実施形態が適用される電子機器の一例について説明する。
【００５７】
図１１は、本実施形態が適用されるテレビを示す斜視図である。本適用例に係るテレビは、フロントパネル１０２やフィルターガラス１０３等から構成される映像表示画面部１０１を含み、その映像表示画面部１０１として本実施形態に係る表示装置を用いることにより作成される。
【００５８】
図１２は、本実施形態が適用されるデジタルカメラを示す斜視図であり、（Ａ）は表側から見た斜視図、（Ｂ）は裏側から見た斜視図である。本適用例に係るデジタルカメラは、フラッシュ用の発光部１１１、表示部１１２、メニュースイッチ１１３、シャッターボタン１１４等を含み、その表示部１１２として本実施形態に係る表示装置を用いることにより作製される。
【００５９】
図１３は、本実施形態が適用されるノート型パーソナルコンピュータを示す斜視図である。本適用例に係るノート型パーソナルコンピュータは、本体１２１に、文字等を入力するとき操作されるキーボード１２２、画像を表示する表示部１２３等を含み、その表示部１２３として本実施形態に係る表示装置を用いることにより作製される。
【００６０】
図１４は、本実施形態が適用されるビデオカメラを示す斜視図である。本適用例に係るビデオカメラは、本体部１３１、前方を向いた側面に被写体撮影用のレンズ１３２、撮影時のスタート／ストップスイッチ１３３、表示部１３４等を含み、その表示部１３４として本実施形態に係る表示装置を用いることにより作製される。
【００６１】
図１５は、本実施形態が適用される携帯端末装置、例えば携帯電話機を示す図であり、（Ａ）は開いた状態での正面図、（Ｂ）はその側面図、（Ｃ）は閉じた状態での正面図、（Ｄ）は左側面図、（Ｅ）は右側面図、（Ｆ）は上面図、（Ｇ）は下面図である。本適用例に係る携帯電話機は、上側筐体１４１、下側筐体１４２、連結部（ここではヒンジ部）１４３、ディスプレイ１４４、サブディスプレイ１４５、ピクチャーライト１４６、カメラ１４７等を含み、そのディスプレイ１４４やサブディスプレイ１４５として本実施形態に係る表示装置を用いることにより作製される。
【００６２】
＜表示撮像装置＞
本実施形態に係る表示装置は、以下のような表示撮像装置に適用可能である。また、この表示撮像装置は、先に説明した各種電子機器に適用可能である。図１６には、表示撮像装置の全体構成を表すものである。この表示撮像装置は、Ｉ／Ｏディスプレイパネル２０００と、バックライト１５００と、表示ドライブ回路１２００と、受光ドライブ回路１３００と、画像処理部１４００と、アプリケーションプログラム実行部１１００とを備えている。
【００６３】
Ｉ／Ｏディスプレイパネル２０００は、複数の画素が全面に渡ってマトリクス状に配置された有機電界発光素子からなり、線順次動作をしながら表示データに基づく所定の図形や文字などの画像を表示する機能（表示機能）を有すると共に、後述するようにこのＩ／Ｏディスプレイ２０００に接触または近接する物体を撮像する機能（撮像機能）を有するものである。また、バックライト１５００は、例えば複数の発光ダイオードが配置されてなるＩ／Ｏディスプレイパネル２０００の光源であり、後述するようにＩ／Ｏディスプレイ２０００の動作タイミングに同期した所定のタイミングで、高速にオン・オフ動作を行うようになっている。
【００６４】
表示ドライブ回路１２００は、Ｉ／Ｏディスプレイパネル２０００において表示データに基づく画像が表示されるように（表示動作を行うように）、このＩ／Ｏディスプレイパネル２０００の駆動を行う（線順次動作の駆動を行う）回路である。
【００６５】
受光ドライブ回路１３００は、Ｉ／Ｏディスプレイパネル２０００において受光データが得られるように（物体を撮像するように）、このＩ／Ｏディスプレイパネル２０００の駆動を行う（線順次動作の駆動を行う）回路である。なお、各画素での受光データは、例えばフレーム単位でフレームメモリ１３００Ａに蓄積され、撮像画像として画像処理部１４へ出力されるようになっている。
【００６６】
画像処理部１４００は、受光ドライブ回路１３００から出力される撮像画像に基づいて所定の画像処理（演算処理）を行い、Ｉ／Ｏディスプレイ２０００に接触または近接する物体に関する情報（位置座標データ、物体の形状や大きさに関するデータなど）を検出し、取得するものである。なお、この検知する処理の詳細については後述する。
【００６７】
アプリケーションプログラム実行部１１００は、画像処理部１４００による検知結果に基づいて所定のアプリケーションソフトに応じた処理を実行するものであり、例えば検知した物体の位置座標を表示データに含むようにし、Ｉ／Ｏディスプレイパネル２０００上に表示させるものなどが挙げられる。なお、このアプリケーションプログラム実行部１１００で生成される表示データは表示ドライブ回路１２００へ供給されるようになっている。
【００６８】
次に、図１７を参照してＩ／Ｏディスプレイパネル２０００の詳細構成例について説明する。このＩ／Ｏディスプレイパネル２０００は、表示エリア（センサエリア）２１００と、表示用Ｈドライバ２２００と、表示用Ｖドライバ２３００と、センサ読み出し用Ｈドライバ２５００と、センサ用Ｖドライバ２４００とを有している。
【００６９】
表示エリア（センサエリア）２１００は、有機電界発光素子からの光を変調して表示光を出射すると共にこのエリアに接触または近接する物体を撮像する領域であり、発光素子（表示素子）である有機電界発光素子と後述する受光素子（撮像素子）とがそれぞれマトリクス状に配置されている。
【００７０】
表示用Ｈドライバ２２００は、表示ドライブ回路１２００から供給される表示駆動用の表示信号および制御クロックに基づいて、表示用Ｖドライバ２３００と共に表示エリア２１００内の各画素の有機電界発光素子を駆動するものである。
【００７１】
センサ読み出し用Ｈドライバ２５００は、センサ用Ｖドライバ２４００と共にセンサエリア２１００内の各画素の受光素子を線順次駆動し、受光信号を取得するものである。
【００７２】
次に、図１８を参照して、表示エリア２１００内の各画素とセンサ読み出し用Ｈドライバ２５００との接続関係について説明する。この表示エリア２１００では、赤（Ｒ）用の画素３１００と、緑（Ｇ）用の画素３２００と、青（Ｂ）用の画素３３００とが並んで配置されている。
【００７３】
各画素の受光センサ３１００ｃ，３２００ｃ，３３００ｃに接続されたコンデンサに蓄積された電荷は、それぞれのバッファアンプ３１００ｆ，３２００ｆ，３３００ｆで増幅され、読み出しスイッチ３１００ｇ，３２００ｇ，３３００ｇがオンになるタイミングで、信号出力用電極を介してセンサ読み出し用Ｈドライバ２５００へ供給される。なお、各信号出力用電極には定電流源４１００ａ，４１００ｂ，４１００ｃがそれぞれ接続され、センサ読み出し用Ｈドライバ２５００で感度良く受光量に対応した信号が検出されるようになっている。
【図面の簡単な説明】
【００７４】
【図１】本実施形態に係る表示装置の全体構成の一例を説明する模式図である。
【図２】画素部の構成例を説明する模式平面図である。
【図３】画素部の構成例を説明する模式断面図である。
【図４】本実施形態に係る表示装置の製造方法の一例を順に説明する模式断面図（その１）である。
【図５】本実施形態に係る表示装置の製造方法の一例を順に説明する模式断面図（その２）である。
【図６】容量用電極の他の形態（その１）を説明する模式平面図である。
【図７】容量用電極の他の形態（その２）を説明する模式平面図である。
【図８】容量用電極の他の形態（その３）を説明する模式平面図である。
【図９】容量用電極の他の形態（その４）を説明する模式平面図である。
【図１０】フラット型のモジュール形状の例を示す模式図である。
【図１１】本実施形態が適用されるテレビを示す斜視図である。
【図１２】本実施形態が適用されるデジタルカメラを示す斜視図である。
【図１３】本実施形態が適用されるノート型パーソナルコンピュータを示す斜視図である。
【図１４】本実施形態が適用されるビデオカメラを示す斜視図である。
【図１５】本実施形態が適用される携帯端末装置、例えば携帯電話機を示す図である。
【図１６】表示撮像装置の構成を表すブロック図である。
【図１７】Ｉ／Ｏディスプレイパネルの構成例を表すブロック図である。
【図１８】各画素とセンサ読み出し用Ｈドライバとの接続関係を説明するための回路図である。
【符号の説明】
【００７５】
１…表示装置、１０…表示領域、２１…信号線入力部、２２…電源制御線、２３…走査線、２４…素胡散信号入力部、２５…電源制御信号入力部、３０…画素部、３１…駆動トランジスタ、３３…蓄積容量、３３ａ…容量用電極、３３ｂ…容量用電極、５５…開口絶縁膜
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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