(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
排気機構により内部が減圧された容器を有し、この容器に、裏面側に磁石が配置されたターゲットと、前記ターゲットに対向する位置に設けられた基板ホルダと、前記容器の内部にガスを供給するガス供給機構と、前記ターゲットに高周波を与える高周波供給機構と、前記基板ホルダに内蔵される静電吸着機構とを備える高周波マグネトロンスパッタリング装置において、
前記基板ホルダは、拡散接合により結合された２枚のプレートから成る上部部材と、この上部部材に機械的に結合された下部部材と、前記上部部材の上に配置された静電吸着板を備え、さらに冷却装置を内蔵して構成されることを特徴とする高周波マグネトロンスパッタリング装置。
【請求項２】
前記冷却装置は、前記上部部材と前記下部部材からなる構造部の内部に温度制御用液体を流すための流路を形成して成ることを特徴とする請求項１記載の高周波マグネトロンスパッタリング装置。
【請求項３】
前記上部部材は２枚のプレート部材から成り、一方の前記プレート部材に前記液体を流す溝を形成し、他方の前記プレート部材を前記一方のプレート部材に拡散接合で結合することにより、前記流路を前記上部部材の内部に形成したことを特徴とする請求項２記載の高周波マグネトロンスパッタリング装置。
【請求項４】
前記容器の外部に設けられた液体温度制御装置により前記液体の温度を−５０℃から１５０℃の範囲に含まれる一定温度に制御することを特徴とする請求項２または３記載の高周波マグネトロンスパッタリング装置。
【請求項５】
前記基板ホルダの前記上部部材と前記静電吸着板は低融点金属材料によるロー材により接合されることを特徴とする請求項１記載の高周波マグネトロンスパッタリング装置。
【請求項６】
前記静電吸着板の上に基板が搭載され、かつこの基板と前記静電吸着板の間に不活性ガスを導入する構造を設けたことを特徴とする請求項１記載の高周波マグネトロンスパッタリング装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は高周波マグネトロンスパッタリング装置に関し、特に、半導体製造工程において基板上に薄膜形成を行う高周波マグネトロンスパッタリング装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
近年、半導体デバイスの高集積化に伴って集積回路を形成する金属配線の配線幅は配線間隔等の寸法が縮小化されつつある。この配線寸法の縮小は、三次元的な配線の結線を行う接続孔の微細化が伴う。微細な接続孔の内部への金属材料の埋め込み方法としては、高周波マグネトロンスパッタリング装置によるバリア膜や電解メッキによるＣｕ埋め込み用のシード層が行われている。バリア膜として金属チタン、窒化チタン、金属タンタル、窒化タンタル等が用いられる。
【０００３】
図４を参照して従来の高周波マグネトロンスパッタリング装置の一例を説明する。この従来装置では、外部に設けた排気機構１０１によって内部が所要レベルまで減圧された容器１０２が設けられる。この容器１０２は処理チャンバを構成する。容器１０２の上壁１０２ａには開口部１０３が形成され、当該開口部１０３を塞ぐごとく円板状の上部電極１０４が気密性を保持して取り付けられている。上部電極１０４と上壁１０２ａとの間にはシール性を有したリング状絶縁体１０５が取り付けられる。接地されゼロ電位に保持された容器１０２と、上部電極１０４との間は、絶縁体１０５によって電気的に隔離されている。上部電極１０４には高周波電力供給機構１０６から高周波電力が供給される。上部電極１０４の下面には円板状のターゲット１０７が固定されている。ターゲット１０７は比較的に広い面積を有し、かつ実質的に図中水平状態にて配置されている。ターゲット１０７の裏面側、さらには上部電極１０４の裏面側には、ヨーク板１０８に固定され所望の配列にて配置された複数の磁石１０９が設置されている。磁石１０９やヨーク板１０８を固定するための構造の図示は省略されている。
【０００４】
容器１０２には円筒形の側壁部１０２ｂと底部１０２ｃが備えられている。容器１０２の内部には基板ホルダ１１２が配置されている。基板ホルダ１１２は、その支柱部１１２ａが底部１０２ｃに固定され、上部に基板を載置するための絶縁体板１１３を有している。絶縁体板１１３は上記ターゲット１０７に対向するように配置されている。絶縁体板１１３の上に基板１１４が載置されている。基板ホルダ１１２は接地されている。基板ホルダ１１２の上部の外周部には段差部が形成されている。基板ホルダ１１２の上部の周囲には基板ホルダへの膜付着を防止する基板ホルダシールド１１５が取り付けられている。容器１０２の側壁部１０２ａ、上側縁部、下側縁部の内周面を覆うごとく略円筒形のチャンバシールド１１６が配置されている。チャンバシールド１１６には上縁と下縁に内方に延びる鍔が形成されている。チャンバシールド１１６は、図示しない支持構造によって固定されている。チャンバシールド１１６は容器１０２の側壁部１０２ａ等の内面の膜付着を防止する。
【０００５】
上記において、容器１０２、基板ホルダ１１２、チャンバシールド１１６は接地電位に保持されている。また容器１０２の側壁部１０２ｂの下部には、ガス導入ポートが形成され、このガス導入ポートは配管１１８とバルブ１１９を介してガス供給機構１２０に接続されている。ガス供給機構１２０からはＡｒやＮ2の不活性ガスが容器１０２内に導入される。ターゲット１０７には、高周波電力供給機構１０６から上部電極１０７を経由して１３．５６ＭＨｚから３００ＭＨｚの高周波が印加される。
【０００６】
上記の高周波マグネトロンスパッタリング装置において、成膜時には、図示しない基板搬送機構によって、基板１１４が基板ホルダ１１２の上に載置され、容器１０２が密閉された状態でガス供給機構１２０によってバルブ１１９、配管１１８を通して容器１０２の内部に一定流量のＡｒ（アルゴン）ガスまたはＡｒガスと窒素ガスの混合ガスが導入され、容器１０２の内部は一定の圧力に保持される。次にターゲット１０７を固定する上部電極１０４に一定電力の高周波電力が与えられ、容器１０２内にはプラズマが生成され、ターゲット１０７がスパッタリングされ、基板ホルダ１１２上に固定された基板１１４上に所望の膜が形成される。特に成膜圧力は数１０ｍＴｏｒｒから３００ｍＴｏｒｒの間に設定されるが、この圧力ではターゲットからスパッタされた金属原子が電子との衝突により金属イオンとなる。印加される高周波電力の周波数が高い場合には、電子密度が高くなり、金属スパッタ原子のイオン化率も高くなる。圧力が高いほど、衝突頻度が高くなるので、イオン化率は高くなる。基板１１４が絶縁体板１１３上に置かれているため、基板１１４には自己バイアス電圧が加わる。スパッタ金属イオンは、基板１１４とプラズマの間に形成されたシースに発生する自己バイアス電圧によって基板表面に垂直に加速される。その結果、金属イオンの基板への入射角度が垂直となり、微細孔の内部においても段差被覆性のよい成膜を行うことができる。
【０００７】
また関連する先行技術文献として特開平１１−８７２４５号公報を挙げることができる。この公開公報に開示される発明は、品質の良いスパッタリングを行うことのできるスパッタリング装置に関する。そのため、このスパッタリング装置では、成膜中の基板の温度管理を精度良く行えるように、基板ホルダを、ヒータを含む複数の金属ブロックを有するように構成し、これらの金属ブロックを拡散接合して結合し、その熱伝導性および気密性を良好なものにしている。ターゲットの裏面側には磁石が配備され、マグネトロンスパッタリング装置として構成されており、当該ターゲットには直流のカソード電源が接続され、直流電力が供給されるようになっている。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】
前述した従来の高周波マグネトロンスパッタリング装置は、次のような問題を有する。プラズマ中で生成されるＡｒイオンや窒素イオンまたは金属イオンは、シース電圧によって加速され、大きなエネルギで基板１１４に入射するため、基板が加熱され、基板温度が上昇する。高周波マグネトロンスパッタリングにおいては、絶縁された状態にある基板１１４にセルフバイアス電圧が生じるため、通常の直流スパッタリングよりもシースに掛かる電圧が高くなり、入射イオンのエネルギは高くなる。さらに高周波によってプラズマ密度が高くなると、入射イオン量が増大し、基板温度はよりいっそう高くなる。このように基板１１４の温度が上昇すると、基板上に形成される膜の質に大きな影響が与えられる。すなわち、温度に依存して結晶配向や膜組織が変化し、あるいはＣｕ膜のように温度が上昇すると、凝集が起きるなど膜の形成が不安定になるという問題が起きる。
【０００９】
上記の特許公開公報に開示される発明による構造が適用されるスパッタリング装置は、特に高周波マグネトロンスパッタリング装置であることを想定していない。従って上記した高周波マグネトロンスパッタリング装置での問題を解決するための策を提案しているものではない。
【００１０】
本発明の目的は、上記問題を解決し、基板上での膜形成において高い生産性を有し、かつ安定した膜形成を行うことができ、歩留まりが高い高周波マグネトロンスパッタリング装置を提供することにある。
【００１１】
【課題を解決するための手段および作用】
本発明に係る高周波マグネトロンスパッタリング装置は、上記の目的を達成するために、次のように構成される。
【００１２】
本発明に係る高周波マグネトロンスパッタリング装置（請求項１に対応）は次の構成を有する。前提構成として、排気機構により内部が減圧された容器を有する。さらにこの容器において、裏面側に磁石が配置されたターゲットと、ターゲットに対向する位置に設けられた基板ホルダと、容器の内部にガスを供給するガス供給機構と、ターゲットに高周波を与える高周波供給機構と、基板ホルダに内蔵される静電吸着機構とを備えている。上記の高周波マグネトロンスパッタリング装置において、さらに、基板ホルダは、拡散接合により結合された２枚のプレートから成る上部部材と、この上部部材に機械的に結合された下部部材と、上部部材の上に配置された静電吸着板を備え、さらには冷却装置を内蔵して構成されることで特徴づけられる。
【００１３】
上記の構成によれば、基板ホルダの上部部材を形成する上プレートと下プレートとが拡散接合に強固に結合され、かつこの結合構造および静電吸着による構造によって熱伝導が良好な状態に維持され、さらに基板ホルダ内に冷却機構を内蔵するようにしたので、基板ホルダを適切な冷却された温度に保ち、さらには基板に発生した熱を効率良く基板ホルダに逃がすようにしたため、基板の温度上昇を抑制し、基板温度を適切な温度に維持することができる。
【００１４】
上記の構成において、好ましくは、上記冷却装置は、上部部材と下部部材からなる構造部の内部に温度制御用液体（冷却溶媒）を流すための流路を形成して構成されることを特徴とする（請求項２に対応）。この構成によって、基板ホルダに内蔵される冷却装置は、冷却溶媒を流すための流路を設けるだけで実現することができる。さらに上部部材は２枚のプレート部材から構成し、一方のプレート部材に上記液体を流す溝を形成し、他方のプレート部材を一方のプレート部材に拡散接合で結合することにより、上記の流路を上部部材の内部に形成することが好ましい（請求項３に対応）。この場合において、上記の流路で短絡部が生じないように溝以外の部分で２枚のプレート部材は接合される。
【００１５】
上記の構成において、好ましくは、容器の外部に設けられた液体温度制御装置により液体の温度を−５０℃から１５０℃の範囲に含まれる一定温度に制御することを特徴とする（請求項４に対応）。基板ホルダの温度を適切な温度状態（相対的に冷却状態）に保持するために、冷却用液体の温度は所望の温度範囲に含まれる温度に設定される。
【００１６】
上記の構成において、好ましくは、基板ホルダの上部部材と静電吸着板は低融点金属材料によるロー材により接合されることを特徴とする（請求項５に対応）。この構成によって、上部部材と静電吸着板との間の結合を確実にすると共に、熱伝導性も良好なものに保持する。
【００１７】
上記の構成において、好ましくは、静電吸着板の上に基板が搭載され、かつこの基板と静電吸着板の間に不活性ガスを導入する構造を設けたことを特徴とする（請求項６に対応）。この構成によって、基板と静電吸着板の間の隙間に伝熱ガスとして作用する不活性ガスを導入して、基板で発生する熱を基板ホルダ側に効率良く逃がすことが可能となる。
【００１８】
【発明の実施の形態】
以下に、本発明の好適な実施形態を添付図面に基づいて説明する。なお図面で示された内容は、当業者であれば、本発明を理解できかつ実施できる程度に概念的に示すものである。従って図示された装置の各部のサイズ、壁部の厚み等は厳密には正確なものでない。
【００１９】
図１に従って本発明に係る高周波マグネトロンスパッタリング装置の実施形態を説明する。処理チャンバを構成する容器１１は、上壁としてのリング状天井部１１ａと、円筒形の側壁部１１ｂと、底部１１ｃとから成る。容器１１は、導電性部材で作られており、通常、接地されて接地電位に保持されている。天井部１１ａの開口部１２には円板状上部電極１４が、当該開口部を塞ぐごとくリング状絶縁体１５を介して電気的絶縁状態で取り付けられている。上部電極１４の下面（内側面）には板状ターゲット１６が固定されている。ターゲット１６は、スパッタリングされて基板の上に堆積される物質で作られている。
【００２０】
上部電極１４には高周波電力供給機構１８から高周波電力が供給される。高周波電力の周波数は例えば１３．５６〜３００ＭＨｚである。この高周波の電力はターゲット１６に供給される。上部電極１４の裏面側、すなわちターゲット１６の裏面側には、望ましい配列にある複数の磁石（マグネット）１９と、これらを固定し支持するヨーク板２０が配置される。ヨーク板２０を支持する構造の図示は省略されている。磁石１９とヨーク板２０は、容器１１の内部であってターゲット１６の前面空間に望ましい磁束分布を作るための磁気回路部を形成する。
【００２１】
容器１１の側壁部１１ｂには排気ポート２１が形成される。この排気ポート２１を介して外部の排気機構２２が接続されている。容器１１の内部は、排気機構２２による排気作用で、所要の減圧レベルに保持される。また側壁部１１ｂには、ガス導入ポートが形成され、これには配管２３とバルブ２４を介してガス供給機構２５が接続されている。ガス供給機構２５によればＡｒ（アルゴン）やＮ2（窒素）のガスが供給される。
【００２２】
容器１１の内部には略円筒形をしたチャンバシールド２６が設けられる。チャンバンシールド２６は、容器１１の側壁部１１ｂの内周面に沿う部分と、上端と下端の全周に沿う鍔部とから形成されている。チャンバシールド２６の上端鍔部はターゲット１６の外周囲に位置し、下端鍔部は後述する基板ホルダ４１の外周囲に位置している。なおチャンバシールド２６は、通常、接地されて接地電位に保持されている。
【００２３】
容器１１の内部の下側には基板ホルダ４１が設けられている。基板ホルダ４１の上面に基板４２が搭載される。基板ホルダ４１は、熱伝導度の高いＡｌ（アルミニウム）系材料で作られている。基板ホルダ４１は、拡散溶接によって接合された上プレート４３ａと下プレート４３ｂから成る円板状の上部部材４３と、円板状の下部部材４４を備える。上プレート４３ａと下プレート４３ｂは拡散接合により良好な熱伝導状態に保持されている。重ね合せて配置された上部部材４３と下部部材４４は例えばネジ４５のごとき機械的構造で結合されている。下部部材４４の支柱部４４ａが、容器１１の底部１１ｃに取り付けられることにより、基板ホルダ４１は容器１１の内部に固定される。基板ホルダ４１の上面は、前述のターゲット１６に対して略平行な状態で対向している。
【００２４】
次に基板ホルダ４１に設けられた冷却装置を説明する。この冷却装置は、プラズマからのイオン入射によって基板４２が加熱され、その温度が上昇するのを防止する装置である。
【００２５】
上部部材４３の内部には一本状につながった状態の流路４６が形成されている。この流路４６の両端部は、それぞれ、下部部材４４の支柱部４４ａを通って垂直な方向に設けられた溶媒配管４７，４８に接続されている。溶媒配管４７，４８の外端部分はさらに外部に延設され、溶媒供給機構４９に接続されている。溶媒供給機構４９は、上記流路４６に対して溶媒を供給すると共に当該溶媒（液体）の温度制御を行う機能を有する。溶媒供給機構４９から供給される溶媒の温度は−５０℃から１５０℃の範囲に含まれる一定温度に制御されている。どの温度に制御するかは、目的に応じて決められる。溶媒供給機構４９から基板ホルダ４１に供給される溶媒は、溶媒配管４７，４８、流路４６を循環して流れる。これによって基板ホルダ４１の温度を所望の温度に保持する。
【００２６】
上記流路４６は、溶媒の流れについて淀みが生じないように作られていることが望ましい。流路４６の平面形状を図３に示す。図３に示すごとく、通常、流路４６は渦巻き状の形状を有している。基板ホルダ４１内の流路４６を形成する溝は、溶媒と基板ホルダ４１の接触面積が最大限とることができるように形成される。特に、この実施形態では、基板ホルダ４１における強度的に可能な範囲で、基板ホルダ４１の厚さ方向に最大限とれる高さと、溶媒の流量から計算される溝を流れる溶媒の流速、すなわち、単位時間あたりの流量を溝断面積で割った値と、溶媒の動粘性係数との比であるレイノルズ数が約２０００以下であり、乱流にならない程度の溝断面積になるような幅になっている。また溝断面積は、一方で、内部に供給される溶媒の流量が十分多量に流れるような広さを持つことが望ましい。本実施形態では、溶媒が水（粘性係数：１Ｅ−６ｍ2／sec）の場合、流量が２〜４ｌ／minであり、溝の高さが１０ｍｍ、幅が４ｍｍである。この場合、レイノルズ数は１０００〜１５００となる。
【００２７】
基板ホルダ４１の内部には熱電対５０が設けられ、熱電対５０によって基板ホルダ４１の温度が検出される。上記のごとく溶媒の温度は溶媒供給機構４９によって制御されるが、より正確に制御するために、熱電対５０で基板ホルダ４１の温度をモニタし、温度制御部５１と帰還回路５２を通して、溶媒供給機構機構４９に基づく温度制御にフィードバックさせる。
【００２８】
基板ホルダ４１の上部部材４３の上には基板４２を固定するための静電吸着機構が設けられる。この静電吸着機構は、図１、および部分的に拡大して示された図２に示すごとく、上部部材４３の上に固定される一定の厚みを有する静電吸着板６１と、その内部に埋設された静電吸着電極６２とから構成されている。静電吸着板６１は、例えば窒化アルミニウムや酸化アルミニウム等の誘電体で作られている。静電吸着電極６２には、絶縁管６３により保護された電極棒６４が電気的に接続されている。絶縁管６３は、電極棒６４を、周囲の部分と電気的に絶縁させる。電極棒６４の外側端部は静電チャック電圧制御機構６５に接続されている。かかる電極棒６４によって、静電吸着電極６２に静電吸着（静電チャック）のための電圧が印加される。
【００２９】
静電吸着板６１は、基板ホルダ４１の上部部材４３の上面に、低融点の金属、例えばインジウム系の合金材料を用いて溶着にて接合されている。この接合によって基板ホルダ４１と静電吸着板６１との間の熱伝導は極めて良好になり、容器１１の内部の減圧雰囲気においても基板ホルダ４１と静電吸着板６１の温度は同一となる。静電吸着板６１によって固定される基板４２も同様に基板ホルダ４１と同様な温度となる。特に静電吸着板６１との間に形成される基板４２の裏面空間にＡｒ（またはＨｅ等）の不活性ガスを流すことにより熱伝導性を高めることが望ましい。図示例では、静電吸着板６１の表面に溝６６やエンボス加工が施され、基板４１と静電吸着板６１の間に上記裏面空間が形成される。溝６６にはバルブ６７を備えたガス供給配管６８が接続されている。このガス供給配管６８を通してガス供給機構６９から溝６６に上記のＡｒガスが導入される。
【００３０】
上記の構成に基づけば、成膜中に基板４２がイオン衝撃を受けて加熱されたとしても、基板４２から静電吸着板６１や基板ホルダ４１に熱が良好に伝導し、基板４２に与えられる熱が速やかに基板ホルダ４１に逃げるので、基板の温度は上昇しないか、または或る一定以上の温度上昇が生じない。さらに基板ホルダ４１における上記冷却装置の構造に基づいて冷却効率が良好であるので、基板ホルダ４１と電着吸着板６１の温度が成膜後非常に急速に溶媒による設定温度に回復する。また基板ホルダ４１の下部部材４４は接地されているので、下部部材４４と上部部材４３は接地電位に保持されており、基板ホルダ４１は電気的に安定な状態に保持されている。
【００３１】
基板ホルダ４１において、基板４２および静電吸着板６１の周囲に配置されるリング形状の外周シールド７１と、この外周シールド７１の下側に位置し径方向の外方に延びる鍔７２ａを有する下部シールド７２とが設けられる。外周シールド７１と下部シールド７２は、段付きリング形状を有し、基板ホルダ４１への膜の付着を防止している。外周シールド７１と下部シールド７２との間にはシールド絶縁体７３が設けられており、外周シールド７１は電気的にフローティング（浮遊）状態に維持されている。外周シールド７１をフローティング状態に維持することにより、基板４２の端部で膜剥がれが生じたとしても、異常放電が起こるのを防止することができる。
【００３２】
なお容器１１の天井部、側壁部、底部等の外面には容器１１を冷却するための冷却ジャケットを付設することもできる。
【００３３】
基板ホルダ４１の下部部材４４の支柱部４４ａの下端にはボックス７５が取り付けられている。ボックス７５の内部には、下部部材４４の支柱部４４Ａの下端から引き出される前述の溶媒配管４７，４８、熱電対５０に接続される電気配線、電極棒６４に接続される配線、ガス供給配管６８等が収容されている。ボックス７５には、溶媒配管４７，４８を取り付けるための接続管７６が取り付けられる。接続管７６には結露防止材７７が付設されている。なおボックス７５には乾燥窒素（Ｎ2）供給機構７８が付設され、これによりボックス７５の内部には乾燥窒素が充填された状態に保持されている。
【００３４】
上記の構成において、基板成膜前に、図示されない基板搬送機構によって基板４２が容器１１内に搬入され、基板ホルダ４１の静電吸着板６１の上に搭載される。静電吸着電極６２に所要の電圧が印加されると、静電吸着力が作用し、基板４２は基板ホルダ４１の上に固定される。次にガス供給機構２５によって、配管２３とバルブ２４を通して一定流量のＡｒガス、またはＡｒガスと窒素ガスの混合ガスが導入され、容器１１内は一定の圧力に保持される。次にターゲット１６に結合された上部電極１４に一定電力の高周波電力が印加され、高周波マグネトロンの作用に基づき容器１１内のターゲット１６と基板ホルダ４１の間にプラズマが生成され、プラズマによってターゲット１６がスパッタリングされ、基板４２の上に所望の薄膜が形成される。特に成膜圧力は数１０ｍＴｏｒｒから３００ｍＴｏｒｒの間に設定されるが、この圧力ではターゲット１６からスパッタされた金属原子が電子や励起されたＡｒ原子との衝突により、金属イオンとなる。印加される高周波電力の周波数が高い場合には、電子密度が高くなり、金属スパッタ原子のイオン化率は高くなる。成膜圧力が高いほど衝突頻度が高くなるので、イオン化率も高くなる。スパッタ金属イオンは、基板４２とプラズマの間に形成されるシースにおいて、シースに掛かる電圧によって基板４２の表面に垂直になるように加速される。その結果、金属イオンの基板４２への入射角度が垂直になり、基板表面上の微細孔の内部にも段差被覆性が良好な状態で成膜を行うことが可能となる。
【００３５】
プラズマによるターゲット１６のスパッタリングに基づく基板４２への成膜において、上記のごとく金属イオンは、基板４２の近傍に生じるシース電圧によって加速され、基板４２に対して垂直に入射する。しかし、高周波スパッタリングの場合には、特に、基板４２が絶縁性の静電吸着板６１上にあるため、基板表面のシースにはセルフバイアス電圧が生じ、通常の直流スパッタリングよりも高い電圧のシースが掛かり、イオンの入射エネルギが高くなる。その結果、高周波マグネトロンスパッタリングの場合には、直流スパッタリングよりもイオン入射による基板４２の加熱が激しく、基板４２上の膜形成により大きな影響を与える。そこで、基板４２の温度を一定以下の温度に保持するため、基板ホルダ４１の内部に上記のごとく冷却装置が設けられる。
【００３６】
以上のごとく本実施形態による高周波マグネトロンスパッタリング装置では、前述の構成に基づきプラズマからのイオン入射による基板４２の温度上昇を防止するようにしている。すなわち、成膜中にイオン衝撃による加熱があったとしても、基板４２から静電吸着板６１、静電吸着板６１から基板ホルダ４１への熱伝導が良好であるため、基板４２に入射する熱が速やかに基板ホルダ４１に逃げ、基板温度の上昇を防止し、或る一定以上の温度上昇を生じさせない。また冷却の効率が良好なため、基板ホルダ４１および静電吸着板６１の温度が成膜後に非常に急速に溶媒の設定温度に回復する。基板ホルダ４１の下部部材４４は接地されているので、下部部材４４および上部部材４３は接地電位に保持され、容器１１やシールド部材と同様に電気的に安定な状態にある。
【００３７】
また本実施形態では、溶媒供給機構４９から流路４６に供給される溶媒が露点以下の温度で供給される場合にはその近傍に配置される電気配線等が露結するおそれがあるので、前述のごとく乾燥窒素が充満されたボックス７５を取り付けている。これにより、例えば−５０℃まで安定した装置の稼動を補償することができる。
【００３８】
本実施形態で説明された上記の高周波マグネトロンスパッタリング装置において典型的な成膜条件は、次の通りである。
【００３９】
ターゲット１６は銅（Ｃｕ）であり、基板４２の上にＣｕ膜を形成する場合において、基板ホルダ４１の温度は−５０℃、Ａｒガスを導入し、成膜圧力が１０〜３００ｍＴｏｏｒ、６０ＭＨｚの高周波電力は２〜１０ｋＷ、基板４２とターゲット１６の間の距離は５０〜１５０ｍｍである。なお高周波電力の周波数は、１３．５６〜３００ＭＨｚの範囲に含まれる周波数に変更することができる。
【００４０】
上記の成膜条件の下で高周波マグネトロンスパッタリングによる成膜を行ったところ、基板は成膜中においても５０℃以下に保たれ、基板上に形成されたＣｕ膜は凝集もなく、微細孔の内部に良好な被覆段差性（ステップカバレッジ）で成膜が行われ、底部の被覆段差性は４０％で微細孔側壁の極薄い薄膜においても凝集は見られなかった。さらに複数枚連続に成膜をおこなっても、同様な結果が、基板枚数に関係なく、得ることができた。
【００４１】
前述の実施形態の説明は本発明の好ましい具体例を明らかにしたものであり、本発明は前述の実施形態に限定されず、本発明の技術的思想の範囲から逸脱しない限りにおいて任意に変更することができるものである。
【００４２】
【発明の効果】
以上の説明で明らかなように本発明によれば、ターゲットをスパッタリングして基板上に膜を堆積させる高周波マグネトロンスパッタリング装置において、静電吸着機構で基板を固定する基板ホルダ内であって、基板ホルダに含まれる上部電極を拡散接合で結合された２枚のプレートで結合し、かつ基板ホルダ内に冷却装置を設けるようにしたため、基板で生じた熱が効率良く基板ホルダへ伝達され、基板温度の上昇を防止し、一定温度以下に保持し、安定した膜質の薄膜が形成することができ、生産性と歩留まりを向上することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明に係る高周波マグネトロンスパッタリング装置の代表的な実施形態を示す縦断面図である。
【図２】図１中の要部拡大縦断面図である。
【図３】流路の平面形状の一例を示す平面図である。
【図４】従来の高周波マグネトロンスパッタリング装置の一例を示す縦断面図である。
【符号の説明】
１１              容器
１４              上部電極
１６              ターゲット
１７              ターゲットシールド
２６              チャンバシールド
４１              基板ホルダ
４２              基板
６１              静電吸着板
６２              静電吸着電極
６６              溝
７１              外周シールド
７２              下部シールド
【図１】
0004698055.tif 000002
【図２】
0004698055.tif 000003
【図３】
0004698055.tif 000004
【図４】
0004698055.tif 000005