(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
マイクロエレクトロメカニカルシステム（ＭＥＭＳ）装置に用いられる多層材料であって、前記多層材料は、コバルト、ニッケル、レニウム、タングステン、およびリン（Ｃｏ−Ｎｉ−Ｒｅ−Ｗ−Ｐ）を有する磁化可能な材料の複数の層を含み、隣接する前記または各Ｃｏ−Ｎｉ−Ｒｅ−Ｗ−Ｐ層の組は、その間に磁化不可能な電気伝導性材料の各層を有する
多層材料。
【請求項２】
前記隣接するＣｏ−Ｎｉ−Ｒｅ−Ｗ−Ｐ層の組の間の前記磁化不可能な電気伝導性材料は、銅（Ｃｕ）である
請求項１に記載の多層材料。
【請求項３】
前記多層材料は少なくとも５層の磁化可能な材料の層を有し、その各層は、その間の磁化不可能な電気伝導性材料の各層により、隣接する前記または各磁化可能な材料の層から離間している
請求項１または２に記載の多層材料。
【請求項４】
前記多層材料は、前記またはもう一つの磁化不可能な電気伝導性材料のベース層を含み、前記ベース層は、前記多層材料の残りの部分を基板に結合させるシード層として作用する
請求項１〜３のいずれかに記載の多層材料。
【請求項５】
前記磁化可能な材料の層は、それぞれ０．１μｍ〜２μｍの範囲の厚さを有する
請求項１〜４のいずれかに記載の多層材料。
【請求項６】
前記磁化可能な材料の隣接する一組の層の間に配置された前記磁化不可能な電気伝導性材料の層は、それぞれ０．１μｍ〜０．５μｍの範囲の厚さを有する
請求項１〜５のいずれかに記載の多層材料。
【請求項７】
請求項１〜６のいずれかにかかる多層材料を含むマイクロエレクトロメカニカルシステム（ＭＥＭＳ）装置。
【請求項８】
マイクロエレクトロメカニカルシステム（ＭＥＭＳ）装置に用いられる多層材料であって、前記多層材料は、磁化可能な材料からなる複数の層を含み、隣接する前記または各磁化可能な材料の層の組は、その間に磁化不可能な電気伝導性材料の各層を有し、少なくとも、前記磁化可能な材料の層は、０．１μｍ〜２μｍの範囲の厚さであり、
前記磁化可能な材料は、コバルト、ニッケル、レニウム、タングステン、およびリン（Ｃｏ−Ｎｉ−Ｒｅ−Ｗ−Ｐ）を有する
多層材料。
【請求項９】
前記磁化可能な材料の層は、０．５μｍ〜１．５μｍの範囲の厚さである
請求項８に記載の多層材料。
【請求項１０】
マイクロエレクトロメカニカルシステム（ＭＥＭＳ）装置に用いられる多層材料の製造方法であって、前記多層材料の製造方法は、磁化可能な材料の複数の層と、磁化不可能な電気伝導性材料の複数の層とを、互いに異なる層が互いの上層に交互に、隣接する前記または各磁化可能な材料の層の組がその間に磁化不可能な電気伝導性材料の各層を有するように、形成する工程を含み、
前記磁化可能な材料の層は、コバルト、ニッケル、レニウム、タングステン、およびリン（Ｃｏ−Ｎｉ−Ｒｅ−Ｗ−Ｐ）を有する
多層材料の製造方法。
【請求項１１】
前記磁化可能な材料の層を電解めっきで形成する工程を含む
請求項１０に記載の多層材料の製造方法。
【請求項１２】
前記磁化不可能な電気伝導性材料の層を無電解めっきで形成する工程を含む
請求項１０または１１に記載の多層材料の製造方法。
【請求項１３】
前記磁化可能な材料の層および前記磁化不可能な電気伝導性材料の層が形成される基板を電気化学浴内に配置し、それによって前記基板上にそれらの層を形成する工程を含む
請求項１０〜１２のいずれかに記載の多層材料の製造方法。
【請求項１４】
前記磁化可能な材料の層を、それぞれ０．１から２μｍの範囲の厚さまで形成する
請求項１０〜１３のいずれかに記載の多層材料の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、マイクロエレクトロメカニカルシステム（ＭＥＭＳ）装置用材料、およびその材料を含むＭＥＭＳ装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
電磁微細アクチュエータを含むＭＥＭＳ装置は、一般的に、厚い磁化可能な膜を有する微細構造が要求されている。厚い膜は、微細アクチュエータの操作の間その周りに形成され、その操作に充分な強さの結合磁界（ｔｈｅ  ａｓｓｏｃｉａｔｅｄ  ｍａｇｎｅｔｉｃ  ｆｉｅｌｄｓ）のために必要である。
【０００３】
このような膜の利点は、フィルムを形成する材料を電解によって速やかに析出できることにある。しかしながら、このような厚いフィルムの不利益は、平面内の膜応力（ｉｎ−ｐｌａｎｅ  ｆｉｌｍ  ｓｔｒｅｓｓｅｓ）が本質的に高いことにある。これにより、熱処理の間に層間剥離が生じ、膜が破損する。
【０００４】
この種の膜の一例として、シンガポール国特許出願２００４３７１８−８号が挙げられる。この出願は、本願明細書の出願より前に出願されたが、本願明細書の出願時点でまだ公開されていない。この先の出願は、ＭＥＭＳ装置に用いるのに適した高い垂直磁気異方性の硬質磁気フィルムとして、電着で形成されたコバルト−ニッケル−レニウム−タングステン−リン（Ｃｏ−Ｎｉ−Ｒｅ−Ｗ−Ｐ）の構成物を開示している。しかしながら、そのような構成物の不利益は、その磁気特性が高温に曝されると劣化することにある。例えば、Ｃｏ−Ｎｉ−Ｒｅ−Ｗ−Ｐ構成物の垂直残留磁化Ｍｒおよび垂直保持力Ｈｃは、周辺雰囲気内で２００℃の温度にて２時間アニールすると、顕著に劣化することが観察された。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
本発明の少なくともある実施形態の目的は、このような層間剥離と磁気特性の劣化に取り組むことにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の第１の観点によれば、マイクロエレクトロメカニカルシステム（ＭＥＭＳ）装置に用いられる多層材料であって、前記材料は、コバルト、ニッケル、レニウム、タングステン、およびリン（Ｃｏ−Ｎｉ−Ｒｅ−Ｗ−Ｐ）を有する磁化可能な材料の複数の層を含み、隣接する前記または各Ｃｏ−Ｎｉ−Ｒｅ−Ｗ−Ｐ層の組は、その間に磁化不可能な電気伝導性材料の各層を有する多層材料が提供される。
【０００７】
単一の厚い層よりも複数のＣｏ−Ｎｉ−Ｒｅ−Ｗ−Ｐの層を設けることにより、その材料の層は、単一の厚い層よりも薄くできる。その結果、多層材料は、単一層に現れる弱い力学特性と熱不安定性の欠点を持たない傾向にある。その代わりに、結果として得られる材料は、高く安定な面外磁気特性をもたらす向上された材料である。このように、この多層材料は、特に、ＭＥＭＳ装置の製造及び多くの場合その工程に含まれる低温のアニーリングに適している。
【０００８】
本発明の第２の観点によれば、マイクロエレクトロメカニカルシステム（ＭＥＭＳ）装置に用いられる多層材料であって、前記材料は、コバルト、白金、およびリン（Ｃｏ−Ｐｔ−Ｐ）を有する磁化可能な材料の複数の層を含み、隣接する前記または各Ｃｏ−Ｐｔ−Ｐ層の組は、その間に磁化不可能な電気伝導性材料の各層を有する多層材料が提供される。
【０００９】
本発明の第１の観点に由来する利点は、第２の観点の利点と同様である。
【００１０】
好ましくは、前記多層材料は少なくとも５層の磁化可能な材料の層を有し、その各層は、その間の磁化不可能な電気伝導性材料の各層により、隣接する前記または各磁化可能な材料の層から離間している。さらに好ましくは、５層から１０層の前記磁化可能な材料の層が形成されている。例えば、５層、６層、７層、８層、９層、あるいは１０層形成されている。
【００１１】
ある実施形態において、前記多層材料は、前記またはもう一つの磁化不可能な電気伝導性材料のベース層を含む。前記ベース層は、前記多層材料の残りの部分を基板に結合させるシード層になりうる。前記ベース層と前記基板の間に、クロム（Ｃｒ）の層が設けられうる。このように、これらの実施形態において、磁化可能な材料の層は、それぞれ磁化不可能な電気伝導性材料の各層上の層である。
【００１２】
好ましくは、前記磁化可能な材料の層は、それぞれ少なくとも０．１μｍであり、好ましくは２μｍより小さい厚さを有する。好ましくは、前記磁化可能な材料の層は、それぞれ０．５μｍから１．５μｍの範囲の厚さを有する。好ましくは、磁化可能な材料の層は、それぞれおよそ１μｍの厚さを有する。
【００１３】
好ましくは、前記磁化可能な材料の隣接する一組の層の間に配置された前記磁気不可能な電気伝導性材料の層は、それぞれ少なくとも０．１μｍであり、好ましくは０．５μｍより小さい厚さを有する。磁化不可能な電気伝導性材料の層は、それぞれおよそ１μｍの厚さを有しうる。
【００１４】
好ましくは、ベース層は、より薄い層であって、およそ２００ｎｍの厚さでありうる。クロム（Ｃｒ）層は、およそ２０ｎｍの厚さを有しうる。
【００１５】
磁化不可能な電気伝導性材料は、例えば、金（Ａｕ）あるいは銅（Ｃｕ）でありうる。好ましくは、磁化可能な材料の層がＣｏ−Ｎｉ−Ｒｅ−Ｗ−Ｐである場合、隣接するＣｏ−Ｎｉ−Ｒｅ−Ｗ−Ｐ層の組の間の磁化不可能な電気伝導性材料はＣｕである。好ましくは、磁化可能な材料の層がＣｏ−Ｐｔ−Ｐである場合、隣接するＣｏ−Ｐｔ−Ｐ層の組の間の磁化不可能な電気伝導性材料はＡｕである。好ましくは、シード層はＡｕである。
【００１６】
本発明の第３の観点によれば、上記に規定された多層材料を含む構造、さらには基板を含む構造が提供される。
【００１７】
好ましくは、基板は、ガラス基板である。
【００１８】
本発明の第４の観点によれば、上記に規定された構造および／あるいは上記に規定された多層材料を含むマイクロエレクトロメカニカルシステム（ＭＥＭＳ）装置が提供される。
【００１９】
本発明の第５の観点によれば、マイクロエレクトロメカニカルシステム（ＭＥＭＳ）装置に用いられる多層材料であって、前記材料は、磁化可能な材料からなる複数の層を含み、隣接する前記または各磁化可能な材料の層の組は、その間に磁化不可能な電気伝導性材料の各層を有し、少なくとも、前記磁化可能な材料の層は、０．１μｍ〜２μｍの範囲の厚さである多層材料が提供される。
【００２０】
前記磁化可能な材料は、Ｃｏ−Ｎｉ−Ｒｅ−Ｗ−Ｐを有しうる。前記磁化可能な材料は、Ｃｏ−Ｐｔ−Ｐを有しうる。
【００２１】
上記に規定された発明の第１から第４の観点における選択できる特徴は、第５の観点の選択できる特徴と同様である。
【００２２】
本発明の第６の観点によれば、マイクロエレクトロメカニカルシステム（ＭＥＭＳ）装置に用いられる多層材料の製造方法であって、前記方法は、磁化可能な材料の複数の層と、磁化不可能な電気伝導性材料の複数の層とを、互いに異なる層が互いの上層に交互に、隣接する前記または各磁化可能な材料の層の組がその間に磁化不可能な電気伝導性材料の各層を有するように、形成する工程を含む多層材料の製造方法が提供される。
【００２３】
磁化可能な材料の層は、例えば、Ｃｏ−Ｎｉ−Ｒｅ−Ｗ−ＰあるいはＣｏ−Ｐｔ−Ｐでありうる。好ましくは、磁化可能な材料の層は、すべて同じ材料からなる。
【００２４】
その方法は、多層材料の１層目を基板に形成する工程を含みうる。１層目は、好ましくはシード層である。
【００２５】
その方法は、前記磁化可能な材料の層及び／または磁化不可能な電気伝導性材料の層を電解めっきで形成する工程を含みうる。好ましくは、その方法は、前記磁化不可能な電気伝導性材料の層を無電解めっきで形成する工程を含む。好ましくは、めっきは、電気化学浴の中に基板を配置することにより行われ、また好ましくは、製造方法は、基板をそのような浴の中に配置する工程を含む。好ましくは、浴は、３０℃より低い温度に設定されているが、室温から１００℃の間の温度であればよい。好ましくは、浴は、５．０以下のｐＨを有する。
【００２６】
本発明の第１から第５の観点の特徴は、この第６の観点の特徴でもありうる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２７】
本発明の具体的な実施形態を添付の図面を参照して記述する。
【００２８】
この具体的な記述は、本発明を具体的に表現する構造の記述から始め、そして、同じく本発明を具体的に表現する、その構造を形成する方法を記述する。
【００２９】
図１は、多層材料２０を含む構造１０の概略図である。構造１０は、ＭＥＭＳ装置（図示なし）に用いられる。構造１０は、表面に薄いクロム（Ｃｒ）の層４０が形成されたガラス基板３０を含む。本実施形態において、Ｃｒ層４０は、およそ２０ｎｍの厚さである。金（Ａｕ）の厚い層５０が、Ｃｒ層４０の上に形成され、多層材料の残りの部分のシード層として働く。本実施形態において、Ａｕシード層５０は、およそ２００ｎｍの厚さである。多層材料２０の残りの部分は、磁化可能なＣｏ−Ｎｉ−Ｒｅ−Ｗ−Ｐ層６０と磁化不可能であるが電気伝導性のＣｕ層７０を交互に含む。Ａｕシード層５０上の最初の層は、第１のＣｏ−Ｎｉ−Ｒｅ−Ｗ−Ｐ層である。本実施形態において、多層材料は、６層のＣｏ−Ｎｉ−Ｒｅ−Ｗ−Ｐ層６０と５層のＣｕ層７０を含む。したがって、ガラス基板３０から最も遠い多層材料の層は、Ｃｏ−Ｎｉ−Ｒｅ−Ｗ−Ｐ層６０である。
【００３０】
図１に示す構造例を製造するために、以下の方法が行われた。
【００３１】
めっき浴水溶液が、Ｃｏ−Ｎｉ−Ｒｅ−Ｗ−Ｐ層６０およびＣｕ層７０を電解めっきするために調製された。Ｃｏ−Ｎｉ−Ｒｅ−Ｗ−Ｐ層６０用の浴は、０．４Ｍの水酸化ホウ素（Ｂ（ＯＨ）３）、０．４Ｍの塩化ナトリウム（ＮａＣｌ）、０．０５Ｍの塩化コバルト６水和物（ＣｏＣｌ２・６Ｈ２Ｏ）、０．０５Ｍの塩化ニッケル６水和物（ＮｉＣｌ２・６Ｈ２Ｏ）、０．００７Ｍの過レニウム酸アンモニウム（ＮＨ４ＲｅＯ４）、０．００１Ｍのタングステン酸ナトリウム２水和物（Ｎａ２ＷＯ４・２Ｈ２Ｏ）、および０．０１７Ｍの亜リン酸ナトリウム２．５水和物（ＮａＨ２ＰＯ３・２．５Ｈ２Ｏ）から構成された。Ｃｕ層７０用の浴は、０．３１５Ｍの硫化水素５水和物（ＣｕＳＯ４・５Ｈ２Ｏ）、０．２Ｍのピロリン酸ナトリウム１０水和物（Ｎａ４Ｐ２Ｏ４・１０Ｈ２Ｏ）、および１．６Ｍの硫酸（Ｈ２ＳＯ４）から構成された。すべての溶液は、脱塩純水で調整された。Ｃｏ−Ｎｉ−Ｒｅ−Ｗ−Ｐ層６０用の浴溶液のｐＨは、水酸化ナトリウム（ＮａＯＨ）および硫酸（Ｈ２ＳＯ４）を用いて、およそ４．５に調整された。磁化不可能なＣｕ層用のＣｕ浴溶液は、およそ０．１のｐＨで酸性である。
【００３２】
清潔なガラス基板、実質的にガラス基板３０と同じであるが、は、最初にクロム（Ｃｒ）をおよそ２０ｎｍの厚さまでスパッタし、基板上にＣｒ層４０を形成した。続いて、金（Ａｕ）をおよそ２００ｎｍの厚さまでスパッタし、Ｃｒ層４０の上にシード層５０を形成した。それぞれの基板３０上のシード層５０の表面は、硫酸を用いて洗浄され、活性化された。
【００３３】
シード層の洗浄および活性化に続いて、Ｃｏ−Ｎｉ−Ｒｅ−Ｗ−Ｐ層６０とＣｕ層７０が、交互にシード層５０上に電気化学析出法によって順々に形成された。用いられた方法は、電解めっきあるいは無電解めっき（化学めっき）であった。このようにして、積層材料２０が形成された。
【００３４】
Ｃｏ−Ｎｉ−Ｒｅ−Ｗ−Ｐ層６０は、それぞれ、回転円板電極（ＲＤＥ）機構を用いた電解めっきにより、直流電流密度２５ｍＡ／ｃｍ２、室温にて析出された。白金線材が、各層のめっきのアノードとして用いられた。銀／塩化銀（Ａｇ／ＡｇＣｌ）参照電極が、参照電極として用いられ、塩橋を介してめっき溶液に接続された。析出される層の良好な均一性を得るために基板３０の回転速度を５００ｒｐｍとして、電解めっきが実施された。
【００３５】
Ｃｕ層７０は、Ｃｕ電解溶液から電解めっきあるいは無電解めっきのどちらを用いても、磁化可能なＣｏ−Ｎｉ−Ｒｅ−Ｗ−Ｐ層６０上に析出しうることが予想されている。電解でめっきをしたときは、上記のＣｏ−Ｎｉ−Ｒｅ−Ｗ−Ｐのめっきと条件を一致させるために、２５ｍＡ／ｃｍ２の直流電流密度および５００ｒｐｍの回転速度が用いられた。したがって、電解めっきは、ＲＤＥを用いて、室温下において白金をアノードとして用いて行われた。銀／塩化銀（Ａｇ／ＡｇＣｌ）参照電極が再び参照電極として用いられ、塩橋を介してＣｕめっき浴に接続された。
【００３６】
本願の多層めっきの手順の簡略化を研究するために、比較研究として、Ｃｏ−Ｎｉ−Ｒｅ−Ｗ−Ｐ上にＣｕの無電解めっき（化学めっき）を行った。無電解めっきの工程手順は、電流源が不要なので、Ｃｕの電解めっきと比べて実に単純であった。各Ｃｏ−Ｎｉ−Ｒｅ−Ｗ−Ｐ層６０のめっきの後に、制御された期間、適切な（relevant）基板３０をＣｕ電解液に単に浸漬して、Ｃｏ−Ｎｉ−Ｒｅ−Ｗ−Ｐ層上に無電解めっきされたＣｕを形成した。
【００３７】
電解めっきされたＣｕ層７０に由来する多層膜材料は、以降、多層１、あるいはＭＬ１と称する。また、Ｃｕ層７０の無電解めっき（化学めっき）の結果生じる多層膜材料は、多層２あるいはＭＬ２と称する。
【００３８】
磁化可能なＣｏ−Ｎｉ−Ｒｅ−Ｗ−Ｐ層６０の膜厚は、めっき時間を制御することによって調整された。図２は、上記の電解めっき法により析出されたＣｏ−Ｎｉ−Ｒｅ−Ｗ−Ｐ層の膜厚とその層を形成するための電解めっきの時間との関係を示すグラフである。図２からわかるように、Ｃｏ−Ｎｉ−Ｒｅ−Ｗ−Ｐの膜厚は、同じめっき条件の場合、めっき時間とともにほぼ直線に変化している。２５ｍＡ／ｃｍ２の電流密度および５００ｒｐｍの攪拌速度で、Ｃｏ−Ｎｉ−Ｒｅ−Ｗ−Ｐは、およそ０．４５μｍ／ｍｉｎの速度で析出した。したがって、電解めっき操作の時間を制御することにより、層厚は、容易に制御できた。表１に示すように、Ｃｏ−Ｎｉ−Ｒｅ−Ｗ−Ｐ層６０は、これがＭＬ１材料またはＭＬ２材料中の層であるかどうかにかかわらず、言い換えれば、付随するＣｕ膜（ｔｈｅ  ａｓｓｏｃｉａｔｅｄ  Ｃｕ  ｌａｙｅｒｓ）７０が電解めっきまたは無電解めっき（化学めっき）をされたかどうかにかかわらず、同じ１２０秒間、めっきされた。その結果、磁化可能な層６０の膜厚は、それぞれ実質的に同じになった。各Ｃｕの中間層７０は、ＭＬ１の電解めっきされた膜７０またはＭＬ２の無電解めっき（化学めっき）された膜であるかどうかにかかわらず、６０秒間めっきされた。比較のため、Ｃｏ−Ｎｉ−Ｒｅ−Ｗ−Ｐの薄い単一層と、それとは別個のＣｏ−Ｎｉ−Ｒｅ−Ｗ−Ｐの厚い単一層が、２５ｍＡ／ｃｍ２および５００ｒｐｍで、それぞれ１２０秒および７２０（１２０×６）秒間、めっき浴溶液で電解めっきされた。これらの単一層の比較材料は、表１には記載されていない。
【００３９】
【表１】
0004715641.tif 000002
【００４０】
各サンプルの磁気特性を、試料振動型磁力計（ＶＳＭ）を用いて測定した。表２は、面外（垂直）方向における絶対飽和磁化Ｍｓ、絶対残留磁化Ｍｒ、保持力Ｈｃ、および矩形比Ｓ（Ｍｓ／Ｍｒ）を、周辺雰囲気において２００℃２時間のアニールを行う前および行った後について、まとめたものである。薄いＣｏ−Ｎｉ−Ｒｅ−Ｗ−Ｐの単一層の比較材料は、Ｍｓ、Ｍｒ、Ｈｃ、およびＳがアニール後わずかに向上しているのに対し、厚い単一層の比較材料は、同じ温度のアニール後Ｍｒ、Ｈｃ、およびＳが顕著に低下することが観察された。これは、図３のＭ−Ｈプロットとして示される面外ヒステリシスカーブが狭くなることに付随する。ここで、Ｍは、材料の面外絶対磁化であり、Ｈは、外部源から与えられた磁界の強度である。対照的に、このようなアニール後のヒステリシスカーブの急激な狭まりは、薄い単一層の比較材料においては観察されなかった。これは、図４に示すＭ−Ｈカーブから明らかである。図５のＭ−Ｈカーブに示されるように、同じことが多層材料２０にも言える。言い換えれば、多層材料は、アニール後に、厚い単一層の比較材料が維持するのよりも非常に高いＭｒ、Ｈｃ、およびＳを維持していた。この異なる熱挙動は、Ｃｏ−Ｎｉ−Ｒｅ−Ｗ−Ｐ膜の厚さに関係すると考えられている。磁気特性は、図７に示すように膜厚がおよそ５．１μｍのときに、アニールによって劣化した。一方、図６に示すように膜厚がおよそ１．４μｍのとき、磁気特性は劣化せず、わずかに向上した。したがって、多層材料の各Ｃｏ−Ｎｉ−Ｒｅ−Ｗ−Ｐ層を図８および図９に示すようにおよそ１μｍに薄く保つことにより、磁気特性の熱劣化を避けることができる。
【００４１】
【表２】
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【００４２】
電解めっきされたＣｕ層を含むＭＬ１材料のアニール後の磁気特性と、無電解めっき（化学めっき）されたＣｕ層を含むＭＬ２材料のアニール後の磁気特性とを比較すると、ＭＬ２材料のほうがより熱的な安定を示す。電解めっきされたＣｕ層を有するＭＬ１材料のＭｒおよびＨｃはわずかに低下するが、無電解めっき（化学めっき）されたＣｕ層を有するＭＬ２材料のそれらの特性は、わずかに向上している。これらの違いは、電解めっきにより形成されたＭＬ材料のＣｕ層の厚さと、無電解めっき（化学めっき）により形成されたＭＬ２材料のＣｕ層の厚さの違いに起因する。この層厚の違いは、図８および図９に示されるＳＥＭ画像から明らかである。ＭＬ１材料のＣｕ膜を形成するために用いる電解めっきの継続時間は、ＭＬ２材料のＣｕ膜の無電解めっきの継続時間と同じ（６０秒）であるが、Ｃｕの無電解析出はとても遅いので、とても薄いＣｕ膜をもたらす。よって、電解析出をするよりもよい熱安定性が得られる。
【００４３】
本発明の他の実施形態において、Ａｕの磁化不可能な電気伝導性の層は、上記の第１の実施形態のＣｕ膜の代用となりうることが予想される。
【００４４】
本発明のさらなる実施形態において、交互の多層材料（図示せず）が設けられている。交互の多層材料は、実質的に図１を参照した上記記載のものと同じであるが、磁化可能なＣｏ−Ｎｉ−Ｒｅ−Ｗ−Ｐ膜の代わりに磁化可能なＣｏ−Ｐｔ−Ｐ膜を用いる点と、磁化不可能なＣｕの膜の代わりに磁化不可能なＡｕの膜を用いる点が異なる。Ａｕを、磁化可能なＣｏ−Ｐｔ−Ｐ膜の間の磁化不可能な膜として、この交互材料に用いているが、磁性不可能な膜の電解めっきあるいは無電解めっき（化学めっき）に関する上記の観察は、この他の実施形態の交互材料に関しても等しく当てはまる。Ｃｏ−Ｐｔ−Ｐ材料は、シンガポール国特許出願２００５００４４５−２号に記載された構成および製造の材料でもよいと考えられる。
【図面の簡単な説明】
【００４５】
【図１】図１は、本発明を具体的に表現する多層材料の概略断面図である。
【図２】図２は、Ｃｏ−Ｎｉ−Ｒｅ−Ｗ−Ｐ層を形成するための電解めっき操作の時間に対して、析出されたＣｏ−Ｎｉ−Ｒｅ−Ｗ−Ｐ層の材料の膜厚を示すグラフである。
【図３】図３は、厚い単一層の比較材料のヒステリシスカーブを示し、そのカーブは、外部源から与えられた磁界の強さの変位に対する材料の絶対磁化の面外の変位をプロットしたものである。
【図４】図４は、薄い単一層の比較材料のヒステリシスカーブを示し、そのカーブは、図３に示す変数と同じ変数をプロットしたものである。
【図５】図５は、本発明を具体的に表現する２つの多層材料のヒステリシスカーブを示し、そのカーブは、図３および４の変数と同じ変数をプロットしたものである。
【図６】図６は、薄い単一層の比較材料の断面を示す走査型電子顕微鏡の画像の複写である。
【図７】図７は、厚い単一層の比較材料の断面を示す走査型電子顕微鏡の画像の複写である。
【図８】図８は、磁化不可能な層が電解めっきによって析出された多層材料の断面を示す走査型電子顕微鏡の画像の複写である。
【図９】図９は、磁化不可能な層が無電解めっき（化学めっき）によって析出された多層材料の断面を示す走査型電子顕微鏡の画像の複写である。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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