(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
高周波電源と、気密状態に密閉可能なチャンバと、このチャンバ内に配された下部電極と、前記チャンバ内において前記下部電極の上方に配された上部電極と、一枚の基板または水平方向に並べた複数枚の基板を前記下部電極と前記上部電極の間に位置させるように形成された基板載置部と、この基板載置部の上方に配され、基板の表面に向けてプラズマ反応ガスを噴出させるためのガス噴出孔と、前記基板載置部上の基板の下方に位置するように配されたガス排出孔と、前記下部電極を前記高周波電源またはグランド電位のいずれかに選択的に接続するための第１の接続手段と、前記上部電極を前記高周波電源またはグランド電位のいずれかに選択的に接続するための第２の接続手段と、を備え、前記ガス排出孔を前記チャンバの底壁に設けるとともに、前記下部電極と前記チャンバの底壁の間に前記ガス排出孔に連通したガス通路を有する整流部材を設け、前記ガス通路が、前記ガス噴出孔から噴出したプラズマ反応ガスを、基板の表面に当たった後に基板の全周方向に拡散させるように形成されていることを特徴とするプラズマ洗浄装置。
【請求項２】
前記下部電極が前記基板載置部を兼ねていることを特徴とする請求項１に記載のプラズマ洗浄装置。
【請求項３】
前記基板載置部が前記チャンバに出入り可能であるとともに移動方向に直交する方向の幅が前記下部電極の同方向の幅とほぼ等しいことを特徴とする請求項１または２に記載のプラズマ洗浄装置。
【請求項４】
前記整流部材が前記下部電極の真下に位置するとともに前記下部電極とほぼ整合するように形成されたことを特徴とする請求項１〜３のいずれか一項に記載のプラズマ洗浄装置。
【請求項５】
前記第１及び第２の接続手段が制御装置からの指令により自動的に高周波電源とグランド電位を切り替えるように形成されたことを特徴とする請求項１〜４のいずれか一項に記載のプラズマ洗浄装置。
【請求項６】
前記第１及び第２の接続手段が手動により高周波電源とグランド電位を切り替えるように形成されたことを特徴とする請求項１〜４のいずれか一項に記載のプラズマ洗浄装置。
【請求項７】
前記第１及び第２の接続手段がコネクタであることを特徴とする請求項６に記載のプラズマ洗浄装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、基板の表面を発生させたプラズマにより洗浄するプラズマ洗浄装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
従来、基板の表面の洗浄は、フロンや有機溶剤等を用いたウエットクリーニング処理で行われてきたが、環境や毒性の点で問題があるため、近年、プラズマにより基板の表面を洗浄するドライクリーニング処理が広く行われるようになってきている。プラズマ処理の方法の代表的なものとしては、リアクティブイオンエッチング（ＲＩＥ）方式とプラズマエッチング（ＰＥ）方式とを挙げることができる。
【０００３】
ＲＩＥ方式は、例えば図８に示すように、気密状態に密閉可能なチャンバ内に配された下部電極２０１を高周波電源２０３に接続し、チャンバ内において下部電極２０１の上方に配された上部電極２０２をグランド電位に接続し、下部電極２０１上に基板Ａが載置された状態でチャンバを密閉して真空状態にし、チャンバ内にプラズマ反応ガス（Ａｒ、Ｏ2等）を供給して下部電極２０１に高周波電力を供給する。
【０００４】
すると、チャンバ内にプラズマが発生し、プラズマ中のプラスイオンが負に帯電した下部電極２０１に引き寄せられるため、プラスイオンが基板Ａの表面に衝突して基板Ａの表面の不純物を削り取る。このような処理は、例えば、基板にワイヤボンディングを行う際の前処理等に適している。
【０００５】
一方、ＰＥ方式は、例えば図９に示すように、下部電極２０１をグランド電位に接続し、上部電極２０２を高周波電源２０３に接続し、下部電極２０１上に基板Ａが載置された状態でチャンバを密閉して真空状態にし、チャンバ内にプラズマ反応ガス（Ａｒ、Ｏ2等）を供給して上部電極２０２に高周波電力を供給する。
【０００６】
すると、チャンバ内にプラズマが発生し、プラズマ中のプラスイオンが負に帯電した上部電極２０２に引き寄せられるため、基板Ａの表面にはプラスイオンはあまり衝突せず、主としてプラズマ中のラジカルが衝突し、基板Ａの表面が化学的に改質される。このような処理は、例えば、基板の表面に実装された部品を樹脂で封止する際の前処理等に適している。
【０００７】
ところで、一台でＲＩＥ処理とＰＥ処理を選択的に切り換えて行うことができるようにしたプラズマ洗浄装置は既に存在しており、従来のこの種のプラズマ洗浄装置は、図１０に示すように、気密状態に密閉可能なチャンバ３０１と、チャンバ３０１の側壁内面に設けられ、複数のトレイを挿入するためのスライドレール３０２と、チャンバ３０１内に前面側から出し入れ自在に挿入され、後辺に所定間隔Ｂをおいて設けられた一対の接続端子３０３ａを有する高周波側トレイ３０３と、チャンバ３０１内に前面側から出し入れ自在に挿入され、後辺に所定間隔Ｃ（Ｂ≠Ｃ）をおいて設けられた一対の接続端子３０４ａを有する接地側トレイ３０４と、チャンバ３０１の背壁内面に横方向に所定間隔Ｂをおいて平行に設けられた一対の高周波側ブスバー３０５と、チャンバ３０１の背壁内面に横方向に所定間隔Ｃをおいて平行に設けられた一対の接地側ブスバー３０６とを備えており、高周波側トレイ３０３をチャンバ３０１内に挿入すると、高周波側トレイ３０３の各接続端子３０３ａがそれぞれ高周波側ブスバー３０５に接触し、接地側トレイ３０４をチャンバ３０１内に挿入すると、接地側トレイ３０４の各接続端子３０４ａがそれぞれ接地側ブスバー３０５に接触するようになっている。
【０００８】
基板をＲＩＥ方式で処理する場合には、高周波側トレイ３０３と接地側トレイ３０４を、高周波側トレイ３０３が下、接地側トレイ３０４が上となるように挿入し、高周波側トレイ３０３上に基板Ａを載置する。そして、チャンバ３０１を密閉し、チャンバ３０１内を真空にしてプラズマ反応ガスを注入し、高周波側ブスバー３０５に高周波電力を与えると、高周波側トレイ３０３と接地側トレイ３０４の間に形成された基板処理空間に放電が生じ、プラズマが生成される。高周波側トレイ３０３は負に帯電するため、プラズマ中のプラスイオンは主に高周波側トレイ３０３に引き寄せられ、高周波側トレイ３０３上に載置された基板Ａの表面に衝突し、基板Ａの表面の不純物を削り取る。
【０００９】
一方、基板をＰＥ方式で処理する場合には、高周波側トレイ３０３と接地側トレイ３０４を、高周波側トレイ３０３が上、接地側トレイ３０４が下となるように挿入し、接地側トレイ３０４上に基板Ａを載置する。そして、チャンバ３０１を密閉し、チャンバ３０１内を真空にしてプラズマ反応ガスを注入し、高周波側ブスバー３０５に高周波電力を与えると、高周波側トレイ３０３と接地側トレイ３０４の間に形成された基板処理空間に放電が生じ、プラズマが生成される。高周波側トレイ３０３は負に帯電するため、プラズマ中のプラスイオンは主に高周波側トレイ３０３に引き寄せられ、接地側トレイ３０４上に載置された基板Ａの表面にはプラスイオンはあまり衝突せず、主としてラジカルが衝突し、基板Ａの表面が改質される。
【００１０】
このプラズマ洗浄装置では、通常、チャンバ３０１内にトレイ３０３、３０４をそれぞれ複数枚ずつ挿入して基板処理空間を複数段形成しておき、各基板処理空間にそれぞれ基板Ａを収納して複数枚の基板Ａを同時に洗浄処理する。なお、各基板処理空間にそれぞれプラズマ反応ガスを供給できるように、プラズマ反応ガスは、チャンバ２０２の側壁に設けられたガス噴出孔（不図示）から供給され、このガス噴出孔に対向するように設けられたガス排出孔（不図示）から排出されるようになっている。
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】
上述した従来のプラズマ洗浄装置の場合、基板を効率良く処理するために、チャンバ３０１内に複数枚のトレイ３０３、３０４を段状に収納するようにしているが、中間の段においてはプラズマ反応ガスが流通し難いため、全ての段に対してガス噴出孔から噴出されるガスのシャワー効果及びガス排出孔のガス吸引効果を均等に及ぼすことができない。また、各トレイ３０３、３０４の接続端子３０３ａ、３０４ａと、これらを高周波電源と連結する自動整合器との距離に差が有るため、各段の高周波電力の減衰を均一にすることができない。したがって、中間の段に収納された基板が処理不良になったり、基板間にプラズマ処理の程度の差が生じたりするという問題点が有った。
【００１２】
また、一つの段の内部においても、ガス噴出孔に近い基板とガス噴出孔から遠い基板との間で仕上がり程度の差が生じ、さらに、一つの基板内においても、ガス噴出孔に近い部位とガス噴出孔から遠い部位との間で仕上がり程度の差が生じるという問題点が有った。
【００１３】
本発明は上述した問題点に鑑みてなされたものであって、その目的は、一台でＲＩＥ処理とＰＥ処理とを選択的に切り換えて行うことができるようにしたプラズマ洗浄装置であって、全ての基板載置部上の基板に対してガス噴出孔のシャワー効果及びガス排出孔の吸引効果を全面に亘ってほぼ均一に与えられるようにするとともに基板間の高周波電力の減衰の差を小さくすることにより、基板間のプラズマ処理の程度の差を小さくすることができるとともに、一つの基板内においてもプラズマ処理の程度の差を小さくすることができるようにしたものを提供することにある。
【００１４】
【課題を解決するための手段】
上述した目的を達成するために、請求項１のプラズマ洗浄装置は、高周波電源と、気密状態に密閉可能なチャンバと、このチャンバ内に配された下部電極と、前記チャンバ内において前記下部電極の上方に配された上部電極と、一枚の基板または水平方向に並べた複数枚の基板を前記下部電極と前記上部電極の間に位置させるように形成された基板載置部と、この基板載置部の上方に配され、基板の表面に向けてプラズマ反応ガスを噴出させるためのガス噴出孔と、前記基板載置部上の基板の下方に位置するように配されたガス排出孔と、前記下部電極を前記高周波電源またはグランド電位のいずれかに選択的に接続するための第１の接続手段と、前記上部電極を前記高周波電源またはグランド電位のいずれかに選択的に接続するための第２の接続手段と、を備え、前記ガス排出孔を前記チャンバの底壁に設けるとともに、前記下部電極と前記チャンバの底壁の間に前記ガス排出孔に連通したガス通路を有する整流部材を設け、前記ガス通路が、前記ガス噴出孔から噴出したプラズマ反応ガスを、基板の表面に当たった後に基板の全周方向に拡散させるように形成されていることを特徴とする。
【００１５】
また、請求項２のプラズマ洗浄装置は、請求項１のプラズマ洗浄装置において、前記下部電極が前記基板載置部を兼ねていることを特徴とするものである。
【００１７】
また、請求項３のプラズマ洗浄装置は、請求項１または２のプラズマ洗浄装置において、前記基板載置部が前記チャンバに出入り可能であるとともに移動方向に直交する方向の幅が前記下部電極の同方向の幅とほぼ等しいことを特徴とする。
【００１８】
また、請求項４のプラズマ洗浄装置は、請求項１〜３のプラズマ洗浄装置において、前記整流部材が前記下部電極の真下に位置するとともに前記下部電極とほぼ整合するように形成されたことを特徴とする。
【００１９】
また、請求項５のプラズマ洗浄装置は、請求項１〜４のプラズマ洗浄装置において、前記第１及び第２の接続手段が制御装置からの指令により自動的に高周波電源とグランド電位を切り替えるように形成されたことを特徴とする。
【００２０】
また、請求項６のプラズマ洗浄装置は、請求項１〜４のプラズマ洗浄装置において、前記第１及び第２の接続手段が手動により高周波電源とグランド電位を切り替えるように形成されたことを特徴とする
【００２１】
また、請求項７のプラズマ洗浄装置は、請求項６のプラズマ洗浄装置において、前記第１及び第２の接続手段がコネクタであることを特徴とする。
【００２２】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の具体的な実施形態を図面を参照しながら説明する。図１及び図２は本実施形態のプラズマ洗浄装置の全体構造を示した斜視図、図３は本実施形態のプラズマ洗浄装置のチャンバの断面図、図４は図３の要部拡大図、図５は整流部材の底面図、図６は本実施形態のプラズマ洗浄装置の動作説明図、図７は本実施形態のプラズマ洗浄装置の効果を示すデータである。
【００２３】
このプラズマ洗浄装置は、例えばベアチップを直接ワイヤボンディングする際に、ボンディングにおけるボンディングパッドとボンディングワイヤとの接合強度を向上させるため、基板のボンディングパッドを乾式で洗浄するものである。すなわち、真空容器であるチャンバにアルゴン等のプラズマ反応ガスを充填し、これに高周波電圧を印加することでプラズマを発生させ、そのプラズマに帯電したイオンがマイナスに帯電したボンディングパッドに向かって加速され、ボンディングパッド表面の粒子（実施形態の場合には有機物、酸化物等）を叩き出すことにより、これを洗浄する。
【００２４】
図１及び図２に示すように、このプラズマ洗浄装置１は、内部にプラズマが発生し、導入した基板Ａを洗浄する一対のチャンバ２と、一対のチャンバ２に交互に高周波電圧を印加する電源部３と、一対のチャンバ２にプラズマ反応ガスであるアルゴンガス及びリークのための窒素ガスを交互に供給するガス供給装置４と、各チャンバ２内を真空状態にする一対の真空吸引装置５と、一対のチャンバ２に対し基板Ａを交互に搬入・搬出する搬入・搬出機構６と、搬入・搬出機構６に供給側マガジン７ａを介して未処理基板Ａａを供給するマガジン供給部８と、搬入・搬出機構６から受け取った処理基板Ａｂを排出側マガジン７ｂを介して装置外に排出するマガジン排出部９とを備えている。
【００２５】
各チャンバ２は、真空容器である箱状のチャンバ本体２１と、チャンバ本体２１の前面に設けられたフランジ状の蓋体２２とを有している。蓋体２２は、両側に設けた蓋ガイド２３によりチャンバ本体２１に対して進退自在に構成され、且つチャンバ本体２１の側面に設けたチャンバ開閉シリンダ（エアシリンダ）２４のピストンロッド２５と連結板２６で連結されている。
【００２６】
また、蓋体２２の内側には、２枚の基板Ａを載置するトレイ２７が取り付けられている。トレイ２７は導電性材料から成り、蓋体２２とともに進退する。チャンバ開閉シリンダ２４が駆動されて蓋体２２が前進すると、チャンバ本体２１が開放されるとともに、基板Ａを載置したトレイ２７が引き出され、蓋体２２が後退すると、トレイ２７が押し込まれるとともにチャンバ本体２１が閉塞される。
【００２７】
なお、チャンバ開閉シリンダ２４は、図示左側のチャンバ２では、その左側面に取り付けられ、右側のチャンバ２では、その右側面に取り付けられている。また、図示しないが、チャンバ本体２１と蓋２２の間には、チャンバ２の気密性を保持すべく、Ｏリング等のシール部材が介在している。
【００２８】
また、図３に示すように、各チャンバ２内には、下方に配された矩形板状の下部電極２８と、その上方に配された矩形板状の上部電極２９とが設けられている。下部電極２８は、上記のトレイ２７の下方に位置するように配され、矩形板状の整流部材１５８を介してチャンバ本体２１の下部内面に取り付けられるとともに、チャンバ本体２１の下面に固着された接続端子１５０と導通している。なお、整流部材１５８は、絶縁性の材料から成り、下部電極２８の真下に位置するとともに下部電極２８とほぼ整合するように形成されている。一方、上部電極２９は、チャンバ本体２１の上部内面に、矩形板状のホルダー１５１を介して取り付けられるとともに、チャンバ本体２１の上面に固着された接続端子１５２と導通している。
【００２９】
トレイ２７は、チャンバ本体２１に出入りする際には下部電極２８との間に空隙を存した状態で水平方向に移動し、チャンバ本体２７内に完全に収納される直前に水平方向に移動しつつ下降して下部電極２８と接するようになっている。なお、トレイ２７における移動方向に直交する方向の幅は、下部電極２８の同方向の幅とほぼ等しくなっている。
【００３０】
図４に示すように、各チャンバ本体２１の頂壁にはガス導入孔１５３が形成されており、このガス導入孔１５３は、ホルダー１５１を貫通して上部電極２９に達し、上部電極２９の下部で径が拡大して上部電極１９の下面に開口している。ガス導入孔１５３の下端部にはプレート１５４が嵌め込まれており、このプレート１５４には厚さ方向に貫通するガス噴出孔１５５が複数個形成されている。また、ガス導入孔１５３の上端には、後述するガス導入管４３が連通接続されている。
【００３１】
また、各チャンバ本体２１の底壁には下部電極２８の中央部に対向するようにガス排出孔１５９が形成されており、整流部材１５８の底面には、ガス排出孔１５９に連通した溝状のガス通路１６０が形成されている。このガス通路１６０は、図５に示すように、格子状に形成されていて、整流部材１５８の四側面に開口している。整流部材１５８の中央部にはガス通路１６０に連通した凹部１６１が形成されていて、この凹部１６１はガス排出孔１５９と整合している。
【００３２】
上述したように、整流部材１５８は下部電極２８とほぼ整合するように形成されており、トレイ２７における移動方向に直交する方向の幅は下部電極２８の同方向の幅とほぼ等しくなっているため、ガス通路１６０による吸引効果が下部電極２８やトレイ２７によって妨げられにくい。したがって、ガス排出孔１５９の吸引効果をトレイ２７上の各基板Ａの全面に亘ってほぼ均一に及ぼすことができるものである。
【００３３】
電源部３は、高周波電源３１と、自動整合器３２と、真空リレー３３とを有している。真空リレー３３は、図示しない制御装置（パソコン）に接続され、制御装置の切替指令により、一対のチャンバ２に対し高周波電源３１を交互に切り替える。また、真空リレー３３は、真空リレー１５６を介してチャンバ２の下面の接続端子１５０に接続され、真空リレー１５７を介してチャンバ２の上面の接続端子１５２に接続されている。
【００３４】
真空リレー１５６、１５７は上記制御装置に接続されており、制御装置の切替指令により、上部電極２９または下部電極２８のいずれか一方を高周波電源３１に接続し、下部電極２８または上部電極２９のいずれか他方をグランド電位に接続する。
【００３５】
自動整合器３２は、チャンバ２に印加した高周波の反射波による干渉を防止するものであり、この場合には、一対のチャンバ２に対し１台の自動整合器３２を対応させているが、各チャンバ２に対しそれぞれ１台の自動整合器３２を対応させるようにしてもよい。かかる場合には、高周波電源３１、真空リレー３３、自動整合器３２の順で結線される。
【００３６】
ガス供給装置４は、図外のアルゴンガスボンベに連なるアルゴンガス供給管４１と、図外の窒素ガスボンベに連なる窒素ガス供給管４２と、各チャンバ２に連なる一対のガス導入管４３と、アルゴンガス供給管４１及び窒素ガス供給管４２と一対のガス導入管４３とを接続するガス切替管４４とを有している。アルゴンガス供給管４１及び窒素ガス供給管４２には、それぞれマニュアルで操作されるアルゴンガス供給バルブ４５及び窒素ガス供給バルブ４６が設けられている。また、アルゴンガス供給管４１にはマスフローコントローラ４７が介設され、また窒素ガス供給管４２にはパージ流量計４８が介設され、それぞれガス流量を制御できるようになっている。
【００３７】
ガス切替管４４は、アルゴンガス供給管４１に連なる２本のアルゴン側分岐管４４ａと、窒素ガス供給管４２に連なる２本の窒素側分岐管４４ｂとを有し、各アルゴン側分岐管４４ａと各窒素側分岐管４４ｂの合流部分に上記の各ガス導入管４３が接続されている。両アルゴン側分岐管４４ａには、それぞれ電磁弁で構成されたアルゴン側切替バルブ４９が介設され、また、両窒素側分岐管４４ｂには、それぞれ電磁弁で構成された窒素側切替バルブ５０が介設されている。一対のアルゴン側切替バルブ４９及び一対の窒素側切替バルブ５０は制御装置に接続され、制御装置の切替指令により、開閉する。この場合、アルゴンガスのガス量を精度良く制御するため、上記のマスフローコントローラ４７は、制御信号に基づいて、フィードバック制御される。
【００３８】
アルゴンガス供給バルブ４５及び窒素ガス供給バルブ４６は、それぞれ常時「開」となっており、一対のチャンバ２に交互にアルゴンガスを導入する場合には、両窒素側切替バルブ５０が「閉」となり、両アルゴン側切替バルブ４９の一方が「開」、他方が「閉」となる。また、後述するリークの為に窒素ガスを導入する場合には、両アルゴン側切替バルブ４９が「閉」となり、両窒素側切替バルブ５０の一方が「開」、他方が「閉」となる。なお、図中の符号５１は、プラズマ反応ガスとして、アルゴンガスの他、酸素ガスを導入可能とする場合（仮想線にて図示）に、開閉される開閉電磁弁である。
【００３９】
各真空吸引装置５は、真空ポンプ６１と、真空ポンプ６１と各チャンバ２を接続する真空配管６２とを有している。真空配管６２には、チャンバ２側から真空計６３、圧力調整バルブ６４及びメインバルブ６５が介設されている。メインバルブ６５は電磁弁で構成されており、メインバルブ６５が「開」状態で、フレキシブル管６７を介して真空配管６２と真空ポンプ６１とが連通し、チャンバ２内の真空引きが行われる。
【００４０】
搬入・搬出機構６は、両チャンバ２と、マガジン供給部８及びマガジン排出部９との間で、基板Ａを搬送する基板搬送機構１２を有するとともに、基板搬送機構１２と両チャンバ２との間で基板Ａを移載するチャンバ側移載機構１３と、基板搬送機構１２と供給側・排出側両マガジン７ａ、７ｂとの間で基板Ａを移載するマガジン側移載機構１４とを有している。
【００４１】
供給側マガジン７ａに収容されている未処理基板Ａａは、マガジン側移載機構１４により基板搬送機構１２に移載され、基板搬送機構１２により下動位置からチャンバ２近傍の上動位置まで搬入される。ここで、チャンバ側移載機構１３が駆動され、未処理基板Ａａを基板搬送機構１２からチャンバ２のトレイ２７に移載する。一方、処理基板Ａｂは、チャンバ側移載機構１３によりトレイ２７から基板搬送機構１２に移載され、基板搬送機構１２により上動位置から供給・排出側両マガジン７ａ、７ｂ近傍の下動位置まで搬出される。ここで、マガジン側移載機構１４が駆動され、処理基板Ａｂを基板搬送機構１２から排出側マガジン７ｂに移載する。
【００４２】
基板搬送機構１２は、図外の機台に取り付けられた基板昇降装置７１と、基板昇降装置７１に取り付けられた基板Ｙ動装置７２と、基板Ｙ動装置７２により図示の前後方向に移動する基板載置ステージ７３とを有している。
【００４３】
基板載置ステージ７３は、ベースプレート７５上に、相互に平行に配設した３条の突条７６により、上段及び下段にそれぞれ２枚の基板Ａを棚板状に載置できるようになっている。すなわち、３条の突条７６には、それぞれ上下に内向きの受け部（図示省略）が突出形成されており、この受け部により上段に２枚の未処理基板Ａａを載置する前後一対の第１載置部７７が、下段に２枚の処理基板Ａｂを載置する前後一対の第２載置部７８が構成されている。すなわち、供給側マガジン７ａから移載される未処理基板Ａａは第１載置部７７に載置され、各チャンバ２のトレイ２７から移載される処理基板Ａｂは第２載置部７８に載置される。
【００４４】
基板Ｙ動装置７２は、後述する基板昇降装置７１の昇降ブロック８５に取り付けられており、減速機付きの基板Ｙ動モータ８０と、基板Ｙ動モータ８０により回転するボールネジ８１を有している。図示では省略されているが、基板載置ステージ７３は、基板昇降装置７１の昇降ブロック８５との間で前後方向に進退自在に構成（案内）されており、基板載置ステージ７３の一部に螺合するボールネジ８１が、基板Ｙ動モータ８０により正逆回転することにより、基板載置ステージ７３が昇降ブロック８５に対し、前後方向に進退する。
【００４５】
基板昇降装置７１は、減速機付きの基板昇降モータ８３と、基板昇降モータ８３により回転するボールネジ８４と、ボールネジ８４に螺合する雌ネジ部（図示省略）が形成された昇降ブロック８５とを有している。上述のように、基板載置ステージ７３及び基板Ｙ動装置７２は昇降ブロック８５に支持されており、昇降ブロック８５は、基板昇降モータ８３を介して正逆回転するボールネジ８４により、昇降する。なお、基板昇降装置７１を基板Ｙ動装置７２に取り付け、基板昇降装置７１で基板載置ステージ７３を昇降させ、基板Ｙ動装置７２で基板昇降装置７１及び基板載置ステージ７３を前後動させるようにしてもよい。
【００４６】
供給側マガジン７ａから未処理基板Ａａを受け取る場合には、供給側マガジン７ａの該当する未処理基板Ａａの位置に、基板載置ステージ７３の第１載置部７７が合致するように、基板昇降装置７１及び基板Ｙ動装置７２を駆動する。具体的には、基板載置ステージ７３をホーム位置から後退及び上昇させ、先ず一方の第１載置部７７を該当する未処理基板Ａａに位置合わせし、さらに基板載置ステージ７３の後退（前進）により、他方の第１載置部７７を該当する次の未処理基板Ａａに位置合わせする。なお、詳細は後述するが、供給側マガジン７ａは昇降するようになっており、未処理基板Ａａの移載高さ位置（レベル）は、特定の位置に設定されている。
【００４７】
また、処理基板Ａｂを排出側マガジン７ｂに受け渡す場合には、同様に第２載置部７８の２枚の処理基板Ａｂを、それぞれ排出側マガジン７ｂの該当する収容位置に位置合わせする。この場合も、排出側マガジン７ｂは昇降するようになっており、処理基板Ａｂの移載高さ位置（上記の移載高さ位置とは異なるが）は、特定の位置に設定されている。なお、基板載置ステージ７３に対し供給側マガジン７ａ及び排出側マガジン７ｂは、その左右両側に近接して配置されているため（図示では離れているが）、基板Ａの移載に際し基板載置ステージ７３を左右方向に移動させる必要はない。
【００４８】
一方、未処理基板Ａａ及び処理基板Ａｂをチャンバ２との間でやりとりする場合には、先ず基板昇降装置７１及び基板Ｙ動装置７２を駆動して、トレイ２７上の処理基板Ａｂと第２載置部７８を位置合わせし、２枚の処理基板Ａｂを第２載置部７８に同時に受け取る（詳細は後述する）。次に、基板載置ステージ７３をわずかに下降させ、第１載置部７７の未処理基板Ａａとトレイ２７（の上面）とを位置合わせし、２枚の未処理基板Ａａをトレイ２７上に受け渡す。なお、この場合も、基板載置ステージ７３に対し、両チャンバ２は、その左右両側に近接して配置されているため（図示では離れているが）、基板Ａの移載に際し基板載置ステージ７３を左右方向に移動させる必要はない。
【００４９】
マガジン側移載機構１４は、未処理基板Ａａを供給側マガジン７ａから基板搬送機構１２に送り出す供給側シリンダ９１と、処理基板Ａｂを基板搬送機構１２から排出側マガジン７ｂに送り込む排出側シリンダ９２とを有している。供給側シリンダ９１は図外の機台に取り付けられており、そのピストンロッド９４により、該当する未処理基板Ａａの端を押して、これを供給側マガジン７ａから基板搬送機構１２に送り出す。
【００５０】
排出側シリンダ９２は、図外の機台に取り付けられ、マガジン供給部８及びマガジン排出部９間に亘って延在するシリンダ本体９５と、シリンダ本体９５により左右方向に移動する送り爪装置９６とを有している。送り爪装置９６は、ハウジング内にモータ等のアクチュエータを収容するとともに、アクチュエータにより上下動する送り爪９７を有している。アクチュエータにより送り爪９７を所定の下動位置に移動させ、シリンダ本体９５により送り爪装置９６を図示左方に移動させることにより、送り爪９７が処理基板Ａｂの端を押して、これを基板搬送機構１２から排出側マガジン７ｂに送り込む。
【００５１】
供給側シリンダ９１のピストンロッド９４の高さ位置及び排出側シリンダ９２の送り爪９７の高さ位置は、上記の移載高さ位置に設定され、且つ、ピストンロッド９４側の移載高さ位置と送り爪９７の移載高さ位置とは、基板載置ステージ７３の第１載置部７７と第２載置部７８との間の段差分の差を有している。このため、基板載置ステージ７３の第１載置部７７と第２載置部７８を、それぞれ両移載高さ位置に位置合わせしておいて、先ず排出側シリンダ９２を駆動することで、処理基板Ａｂが第２載置部７８から排出側マガジン７ｂに送り込まれ、次に供給側シリンダ９１を駆動すれば、未処理基板Ａａが供給側マガジン７ａから第１載置部７７に送り出される。もっとも、基板載置ステージ７３、供給側マガジン７ａ及び排出側マガジン７ｂは昇降可能であり、かつ送り爪９７も上下動可能に構成されているため、必ずしも上記のように移載高さ位置を設定する必要はない。
【００５２】
なお、詳細は後述するが、供給側マガジン７ａから送り出されるべき任意の１枚の未処理基板Ａａの選択、及び処理基板Ａｂが送り込まれるべき排出側マガジン７ｂの任意の１つの収容位置（何段目か）の選択は、マガジン供給部８において供給側マガジン７ａを昇降させること、及びマガジン排出部９において排出側マガジン７ｂを昇降することで行われる。
【００５３】
チャンバ側移載機構１３は、一対のチャンバ２、２間に亘って左右方向に延在するガイドケース１０１と、ガイドケース１０１の一方の端に取り付けられた減速機付きのＸ動モータ１０２と、Ｘ動モータ１０２により回転するボールネジ１０３と、ボールネジ１０３により左右方向に移動する移載爪装置１０４とを有している。移載爪装置１０４は、ハウジング内にモータ等のアクチュエータを収容するとともに、アクチュエータにより上下動する移載爪１０５を有している。
【００５４】
移載爪１０５の先端は二股に形成されており、トレイ２７と基板搬送機構１２との間で、２枚の基板Ａを同時に移載可能に構成されている。移載爪装置１０４は、ハウジングの部分でガイドケース１０１により左右方向の移動をガイドされており、Ｘ動モータ１０２を介してボールネジ１０３が正逆回転することにより、移載爪装置１０４はガイドケース１０１に沿って左右方向に移動する。また、アクチュエータの正逆駆動により、移載爪１０５が上下動する。
【００５５】
基板搬送機構１２が第１載置部７７に未処理基板Ａａを載置してチャンバ２に臨むと、Ｘ動モータ１０２が駆動されて移載爪装置１０４をトレイ２７の端位置に移動させ、続いて移載爪装置１０４が駆動されて移載爪１０５をトレイ２７の上面位置まで下動させる。次に、Ｘ動モータ１０２が駆動されて移載爪装置１０４を基板搬送機構１２側に移動させる。これにより、移載爪１０５がトレイ２７上の２枚の処理基板Ａｂを押すようにして移動させ、処理基板Ａｂを基板搬送機構１２の第２載置部７８に受け渡す。次に、移載爪１０５を未処理基板Ａａに合わせてわずかに上動させた後、移載爪装置１０４をトレイ２７側に移動させることにより、移載爪１０５が２枚の未処理基板Ａａを第１載置部７７からトレイ２７上に受け渡す。なお、移載爪１０５を二股とせず、基板Ａを１枚ずつ移載させる構造であってもよい。
【００５６】
マガジン供給部８は、複数個の供給側マガジン７ａを載置可能な供給側マガジン載置台１１１と、供給側マガジン載置台１１１から供給された供給側マガジン７ａを昇降させる供給側昇降装置１１２と、供給側マガジン７ａを供給側マガジン載置台１１１から供給側昇降装置１１２に送り込む供給側マガジンシリンダ１１３とを有している。一方、供給側マガジン７ａは、複数段に亘って基板Ａを棚板状に収容できるように、両側壁にそれぞれ複数の受け部が形成されている。そして、このように構成された供給側マガジン７ａは、未処理基板Ａａを収容した状態で、前面を基板搬送機構１２側に向けて配設されている。なお、排出側マガジン７ｂは、この供給側マガジン７ａと全く同一のものである。
【００５７】
供給側マガジンシリンダ１１３は、供給側昇降装置１１２の供給側マガジン７ａが空になったときに、そのピストンロッド１１５により、供給側マガジン載置台１１１に載置されている複数個の供給側マガジン７ａを順に送り込んで、新たに供給側マガジン７ａを供給側昇降装置１１２に供給する。なお、供給側マガジン載置台１１１に新たに投入される供給側マガジン７ａは、ピストンロッド１１５が後退した状態で、供給側マガジン載置台１１１のピストンロッド１１５側に投入される。
【００５８】
供給側昇降装置１１２は、減速機付きのマガジン昇降モータ１１６と、マガジン昇降モータ１１６により回転するボールネジ１１７と、ボールネジ１１７に螺合する雌ネジ部（図示省略）が形成された昇降ブロック１１８とを有している。未処理基板Ａａを送り出す供給側マガジン７ａは、昇降ブロック１１８に支持されており、昇降ブロック１１８は、マガジン昇降モータ１１６を介して正逆回転するボールネジ１１７により、昇降する。
【００５９】
供給側昇降装置１１２に送り込まれた供給側マガジン７ａは適宜昇降し、その際上記の供給側シリンダ９１が、供給側マガジン７ａに収容した未処理基板Ａａを１枚ずつ送り出してゆく。この場合、未処理基板Ａａを、供給側マガジン７ａの最下段のものから順に送り出してゆくことが、好ましい。すなわち、最初に最下段の未処理基板Ａａを移載高さ位置に位置合わせしてこれを送り出し、次に下から２段目の未処理基板Ａａを移載高さ位置に位置合わせ（下降）してこれを送り出す。このようにして、最上段の未処理基板Ａａを送り出したところで、供給側マガジン７ａが空になるため、これをさらに下降させてマガジン移送部１０に受け渡すようにしている。
【００６０】
マガジン排出部９は、マガジン供給部８と同様に、複数個の排出側マガジン７ｂを載置可能な排出側マガジン載置台１２１と、排出側マガジン７ｂを昇降させる排出側昇降装置１２２と、処理基板Ａｂで満杯になった排出側マガジン７ｂを排出側昇降装置１２２から排出側マガジン載置台１２１に送り込む排出側マガジンシリンダ１２３とを有している。排出側マガジンシリンダ１２３は、そのピストンロッド１２５により、満杯になった排出側マガジン７ｂを順次排出側マガジン載置台１２１に送り込んでゆく。
【００６１】
排出側昇降装置１２２は、供給側昇降装置１１２と同様に、マガジン昇降モータ１２６と、ボールネジ１２７と、昇降ブロック１２８とを有している。処理基板Ａｂが送り込まれる排出側マガジン７ｂは、昇降ブロック１２８に支持されており、昇降ブロック１２８は、マガジン昇降モータ１２６を介して正逆回転するボールネジ１２７により、昇降する。この場合、空の排出側マガジン７ｂは、マガジン移送部１０を介して供給側昇降装置１１２から供給される。
【００６２】
そして、この場合も、排出側昇降装置１２２の排出側マガジン７ｂは適宜昇降し、その際上記の排出側シリンダ９２が、排出側マガジン７ｂに処理基板Ａｂを１枚ずつ送り込んでゆく。この場合には、排出側マガジン７ｂを間欠上昇させながら、処理基板Ａｂを最上段から順に収容してゆくことが好ましい。なお、供給側昇降装置１１２及び排出側昇降装置１２２の各昇降ブロック１１８、１２８は、各マガジン７ａ、７ｂを載置するプレート部位１１８ａ、１２８ａの中央が、広く「コ」字状に切り欠かれており、後述するチャック装置１３１が上下方向にすり抜け得るようになっている。
【００６３】
マガジン移送部１０は、空マガジン（空になった供給側マガジン７ａ）７ｃを受け取って把持するチャック装置１３１と、先端部でチャック装置１３１を支持する回転アーム１３２と、回転アーム１３２を基端部を中心に回転させる減速機付きの回転モータ１３３とを有している。回転モータ１３３は、図外の機台に固定されており、回転アーム１３２を水平面内において角度１８０度、往復回転（回動）させ、チャック装置１３１に把持した空マガジン７ｃをマガジン供給部８からマガジン排出部９に移送する。チャック装置１３１は、上面に空マガジン７ｃが載置されるハウジング１３５と、ハウジング１３５内に収容したシリンダ（図示省略）と、ハウジング１３５の上面から突出しシリンダにより離接方向に相互に移動する一対のチャック１３６とを有している。
【００６４】
一対のチャック１３６を離間する方向に開いておいて、供給側昇降装置１１２に臨ませ、この状態で、供給側昇降装置１１２に載置されている空マガジン７ｃを下降させると、昇降ブロック１１８のプレート部位１１８ａがチャック１３６を上側から下側にすり抜けたところで、空マガジン７ｃがハウジング１３５の上面に載る。これにより、空マガジン７ｃが供給側昇降装置１１２からマガジン移送部１０に受け渡される。ここで、一対のチャック１３６を閉じるようにして、空マガジン７ｃを把持する。空マガジン７ｃがチャック装置１３１に不動に把持されたら、回転アーム１３２を回動させて空マガジン７ｃを排出側昇降装置１２２に臨ませる。
【００６５】
このとき、排出側昇降装置１２２の昇降ブロック１２８には排出側マガジン７ｂは無く、また、昇降ブロック１２８は下降位置にある。空マガジン７ｃが排出側昇降装置１２２に臨んだら、チャック装置１３１による把持状態を解除し、昇降ブロック１２８を上昇させる。昇降ブロック１２８が上昇し、そのプレート部位１２８ａがチャック１３６を下側から上側にすり抜けると、昇降ブロック１２８が空マガジン７ｃを自動的に受け取ってそのまま上昇する。なお、マガジン移送部１０により、マガジン供給部８からマガジン排出部９に移送された空マガジン７ｃは、マガジン排出部９で排出側マガジン７ｂとして利用されるが、空マガジン７ｃは回転して移送されるため、その前部が搬入・搬出機構６側に向いた姿勢で、マガジン排出部９に受け渡される。このため、移送の前後で別の装置により空マガジン７ｃの姿勢を変える必要がない。
【００６６】
なお、搬入・搬出機構６、マガジン供給部８、マガジン排出部９及びマガジン移送部１０におけるモータやシリンダ等のアクチュエータは制御装置に接続され、制御装置により総括的に制御される。ここで、図６を参照して、各部の動作を順を追って説明する。
【００６７】
同図において、左側のチャンバ２ａは基板Ａの洗浄工程にあり、右側のチャンバ２ｂは基板Ａの搬入・搬出工程にあるものとする。右側のチャンバ２ｂで洗浄済みの基板（処理基板Ａｂ）Ａが外部に引き出される動きに合わせて、搬入・搬出機構６は、マガジン供給部８から未処理基板Ａａを受け取って、右側のチャンバ２ｂの近傍まで搬送する。ここで、搬入・搬出機構６は、右側のチャンバ２ｂから処理基板Ａｂを受け取り、続いて未処理基板Ａａを右側のチャンバ２ｂに受け渡す。
【００６８】
右側のチャンバ２ｂは、未処理基板Ａａを受け取ると、これを内部に持ち込む。同時に、搬入・搬出機構６は、処理基板Ａｂを搬送してマガジン排出部９に受け渡す。右側のチャンバ２ｂが未処理基板Ａａを内部に持ち込むと、真空リレー３３が右側のチャンバ２ｂに切り替えられて右側のチャンバ２ｂが洗浄工程に移行する。これと同時に、左側のチャンバ２ａは、窒素ガスによるリークを経て搬入・搬出工程に移行する。
【００６９】
そして今度は、左側のチャンバ２ａで処理基板Ａｂが引き出される動きに合わせて、搬入・搬出機構６は、マガジン供給部８から未処理基板Ａａを受け取って、左側のチャンバ２ａに搬入する。そして、真空リレー３３が左側のチャンバ２ａに切り替えられて左側のチャンバ２ａが洗浄工程に移行する。一方、右側のチャンバ２ｂは、窒素ガスによるリークを経て搬入・搬出工程に移行する。
【００７０】
すなわち、左右のチャンバ２ａ、２ｂは交互に搬入・搬出工程と洗浄工程とを繰り返し、これに合わせて搬入・搬出機構６は左右のチャンバ２ａ、２ｂに対し、未処理基板Ａａ及び処理基板Ａｂを交互に搬入・搬出する。
【００７１】
洗浄工程について詳細に説明すると、基板ＡにＲＩＥ方式の処理を行う場合には、制御装置の操作入力部でＲＩＥ方式を指定する。すると、真空リレー１５６が高周波電源３１側に切り替えられ、真空リレー１５７がグランド電位側に切り替えられる。チャンバ２内に基板Ａが搬入されると、真空吸引装置５が駆動されてチャンバ２内が真空状態にされ、ガス導入管４３を介してガス導入孔１５３内にプラズマ反応ガスが供給される。
【００７２】
ガス導入孔１５３に供給されたプラズマ反応ガスは、プレート１５４のガス噴出孔１５５を介してチャンバ２内に噴出する。そして、高周波電源３１が駆動され、下部電極２８に高周波電力が供給される。これによってチャンバ２内にプラズマが発生し、プラズマ中のプラスイオンが主として負に帯電した下部電極２８に引き寄せられるため、プラスイオンが基板Ａの表面に衝突して基板Ａの表面の不純物を削り取る。
【００７３】
一方、基板ＡにＰＥ方式の処理を行う場合には、制御装置の操作入力部でＰＥ方式を指定する。すると、真空リレー１５６がグランド電位側に切り替えられ、真空リレー１５７が高周波電源３１側に切り替えられる。チャンバ２内に基板Ａが搬入されると、真空吸引装置５が駆動されてチャンバ２内が真空状態にされ、ガス導入管４３を介してガス導入孔１５３内にプラズマ反応ガスが供給される。
【００７４】
ガス導入孔１５３に供給されたプラズマ反応ガスは、プレート１５４のガス噴出孔１５５を介してチャンバ２内に噴出する。そして、高周波電源３１が駆動され、上部電極２９に高周波電力が供給される。これによってチャンバ２内にプラズマが発生し、プラズマ中のプラスイオンは主として負に帯電した上部電極２９に引き寄せられ、トレイ２７上の基板Ａの表面にはプラスイオンはあまり衝突せず、主としてラジカルが衝突し、基板Ａの表面が改質される。
【００７５】
なお、チャンバ２内に噴出したプラズマ反応ガスは、各基板Ａの表面に当たった後に各基板Ａの全周方向に拡散し、トレイ２７、下部電極２８の各側面に沿って下方へ流れ、図４に矢印で示す如く、整流部材１５８の各側面に開口した通路１６０に流入し、凹部１６１、ガス排出孔１５９を介して真空配管６２に流入する。
【００７６】
本実施形態では、トレイ２７の上方に配されたガス噴出孔１５５から各基板Ａの表面に向けてプラズマ反応ガスを噴出させるとともに、チャンバ本体２１の底壁に設けられたガス排出孔１５９を介してプラズマ反応ガスを吸引するようにしたことにより、各基板Ａとガス噴出孔１５５及びガス排出孔１５９との距離をほぼ等しくすることができ、全ての基板Ａに対してガス噴出孔１５５によるシャワー効果及びガス排出孔１５９による吸引効果を全面に亘ってほぼ均一に与えることができる。また、一対の下部電極２８及び上部電極２９のみで基板Ａに高周波電圧を印加し、かつこれらの間に各基板Ａが水平に配置されるため、各基板Ａと下部電極２８及び上部電極２９との距離をほぼ等しくすることができ、基板間の高周波電力の減衰の差が小さくすることができる。したがって、基板間のプラズマ処理の程度の差を小さくすることができるとともに、一つの基板内におけるプラズマ処理の程度の差を小さくすることができる。
【００７７】
図７は、本実施形態のプラズマ洗浄装置で処理された基板の表面のエッチング量のばらつきを示すデータである。すなわち、表面に金メッキが施された２５０ｍｍ×２５０ｍｍの基板をＲＩＥ処理し、基板の表面に、一つの対角線の方向に一定の間隔をおいて１０個の測定点を設定し、各測定点における金メッキの削られ量を測定したものである。このデータの最大値と最小値の差を最大値と最小値の和で割ってばらつき量を算出したところ、約１１．２％であった。ちなみに、従来の装置では、ばらつき量は４０％程度であった。
【００７８】
なお、上述した実施形態では、各チャンバ２で同じ処理を行うようにしているが、一方のチャンバ２でＲＩＥ処理を行い、他方のチャンバ２でＰＥ処理を行うようにしてもよい。また、一方のチャンバ２でＲＩＥ処理を行った後、ＲＩＥ処理済の基板に他方のチャンバ２でＰＥ処理を行うようにしてもよく、これとは逆に、一方のチャンバ２でＰＥ処理を行った後、ＰＥ処理済の基板に他方のチャンバ２でＲＩＥ処理を行うようにしてもよい。
【００７９】
また、その他にも、上述した実施形態に種々の変形を施すことができる。
例えば、上述した実施形態では、一回の洗浄工程で二枚の基板を同時処理するようにしているが、一枚の基板を処理するようにしてもよく、三枚以上の基板を同時処理するようにしてもよい。
【００８０】
また、上述した実施形態では、基板をトレイ上に載置して下部電極と上部電極の間に位置させるようにしているが、基板を下部電極上に載置するようにしてもよい。
【００８１】
また、上述した実施形態では、上部電極と下部電極をそれぞれ真空リレーを用いて高周波電源またはグランド電位に選択的に接続できるようにすることにより、自動的にＲＩＥ処理とＰＥ処理を切り替えるようにしているが、これに代えて、上部電極と下部電極をそれぞれコネクタを用いて高周波電源またはグランド電位に選択的に接続できるようにすることにより、マニュアルでＲＩＥ処理とＰＥ処理を切り替えるようにしてもよい。この場合、装置構成が簡素化するため、製造コストが安価になる。
【００８２】
その他にも、本発明の要旨を逸脱しない範囲で上述した実施形態に種々の変形を施すことができる。
【００８３】
【発明の効果】
本発明のプラズマ洗浄装置によれば、一枚の基板または水平方向に並べた複数枚の基板の上方に配されたガス噴出孔から基板の表面に向けてプラズマ反応ガスを噴出させるとともに、基板載置部上の基板の下方に位置するように配されたガス排出孔からプラズマ反応ガスを吸引するようにしたことにより、各基板とガス噴出孔及びガス排出孔との距離をほぼ等しくすることができ、全ての基板に対してガス噴出孔によるシャワー効果及びガス排出孔による吸引効果を全面に亘ってほぼ均一に与えることができる。また、各基板と下部電極及び上部電極との距離もほぼ等しくすることができるので、基板間の高周波電力の減衰の差も小さくすることができる。したがって、基板間のプラズマ処理の程度の差を小さくすることができるとともに、一つの基板内においてもプラズマ処理の程度の差を小さくすることができる。
【００８４】
更に、ガス噴出孔から噴出したプラズマ反応ガスを、基板の表面に当たった後に基板の全周方向に拡散させるように形成された整流部材を設けたことにより、一つの基板内のプラズマ処理の程度の差をより小さくすることができるとともに、基板間のプラズマ処理の程度の差もより小さくすることができる。
【００８５】
請求項３のプラズマ洗浄装置によれば、基板載置部がチャンバに出入り可能であるとともに移動方向に直交する方向の幅が下部電極の同方向の幅とほぼ等しくなるように形成されたことにより、ガス吸引効果が下部電極によって妨げられにくくなり、ガス吸引効果を各基板により均一に与えることができるようになるので、一つの基板内のプラズマ処理の程度の差をより小さくすることができるとともに、基板間のプラズマ処理の程度の差をより小さくすることができる。
【００８６】
請求項４のプラズマ洗浄装置は、整流部材が下部電極の真下に位置するとともに下部電極とほぼ整合するように形成されたことにより、ガス吸引効果が整流部材によって妨げられにくくなり、ガス吸引効果を各基板により均一に与えることができるようになるので、一つの基板内のプラズマ処理の程度の差をより小さくすることができるとともに、基板間のプラズマ処理の程度の差をより小さくすることができる。
【００８７】
請求項５のプラズマ洗浄装置は、第１及び第２の接続手段が制御装置からの指令により自動的に切り替わるように形成されたことにより、手間が低減し、生産性の向上を図ることができる。
【００８８】
請求項７のプラズマ洗浄装置は、第１及び第２の接続手段がコネクタであることにより、装置構成が簡素化するとともに製造コストが低減する。
【図面の簡単な説明】
【図１】  実施形態のプラズマ洗浄装置の全体構造（上半部）を示した斜視図。
【図２】  実施形態のプラズマ洗浄装置の全体構造（下半部）を示した斜視図。
【図３】  実施形態のプラズマ洗浄装置のチャンバの断面図。
【図４】  図３の要部拡大図。
【図５】  整流部材の底面図
【図６】  実施形態のプラズマ洗浄装置の動作説明図。
【図７】  実施形態のプラズマ洗浄装置の効果を示すデータ。
【図８】  ＲＩＥ方式のプラズマ処理の原理説明図。
【図９】  ＰＥ方式のプラズマ処理の原理説明図。
【図１０】  従来のプラズマ処理装置の一部破断斜視図。
【符号の説明】
２  チャンバ
２７  トレイ（基板載置部）
２８  下部電極
２９  上部電極
３１  高周波電源
１５５  ガス噴出孔
１５６  真空リレー（第１の接続手段）
１５７  真空リレー（第２の接続手段）
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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