(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも一方の面付近が主として無機材料で構成された基板と、
前記一方の面上に形成された発光領域と、
前記発光領域を囲む第１のバンクと、
前記第１のバンクを囲む非発光領域と、
前記非発光領域を囲む第２のバンクと、を有し、
前記発光領域が、前記基板上に形成された第１の電極と、前記第１の電極上に形成された有機発光層と、前記有機発光層上に形成された第２の電極と、前記第２の電極上に形成された、無機材料を含む封止層と、を含み、
前記封止層が前記第１のバンクの上に重なり、前記非発光領域の少なくとも一部に延在して形成されるとともに、当該非発光領域において、前記基板に直接、または主として無機材料で構成された無機物層を介して接合されていることを特徴とする有機発光装置。
【請求項２】
前記第１のバンクが、無機材料を含む第１層と有機材料を含む第２層とを含み、
前記第２のバンクが、無機材料を含む第１層と有機材料を含む第２層とを含み、
前記非発光領域が、無機材料を含む第１層を含み、
前記第１のバンクの第１層と前記第２のバンクの第１層と前記非発光領域の第１層とが同一の層であり、前記封止層が前記非発光領域の第１層に接する請求項１に記載の有機発光装置。
【請求項３】
前記基板と前記画素電極との間に無機材料を含む絶縁物層が形成され、前記封止層の一部が前記非発光領域の少なくとも一部において前記絶縁物層と接する請求項１に記載の有機発光装置。
【請求項４】
前記封止層の少なくとも一部が、前記第２のバンクの上に延在して形成される請求項１ないし３のいずれかに記載の有機発光装置。
【請求項５】
前記封止層は、絶縁材料を主材料として構成されている請求項１ないし４のいずれかに記載の有機発光装置。
【請求項６】
前記陰極は、前記陽極の前記基板と反対側に設けられており、
前記封止層は、主として前記陰極の構成材料より仕事関数が大きい導電材料で構成され、前記陰極と接触するように設けられ、これにより、前記陰極の導電性を向上させた請求項１ないし４のいずれかに記載の有機発光装置。
【請求項７】
各前記有機発光素子の前記陰極は、一体的に形成されている請求項６に記載の有機発光装置。
【請求項８】
前記封止層は、その平均厚さが５０〜３００ｎｍである請求項１ないし７のいずれかに記載の有機発光装置。
【請求項９】
前記封止層の前記基板と反対側に設けられ、前記封止層を保護する機能を有する保護層を有する請求項１ないし８のいずれかに記載の有機発光装置。
【請求項１０】
前記無機物層は、導電材料で構成され、
当該無機物層が前記有機発光装置から露出する外部接続部において端子部を構成するとともに、前記無機物層の少なくとも一部が、前記陰極と前記端子部とを電気的に接続する配線を構成する請求項１ないし９のいずれかに記載の有機発光装置。
【請求項１１】
各前記有機発光素子に対応して、個別のスイッチング素子を設けるアクティブマトリクス型発光装置である請求項１ないし１０のいずれかに記載の有機発光装置。
【請求項１２】
請求項１に記載の有機発光装置の製造方法であって、
少なくとも一方の面付近が主として無機材料で構成され、該一方の面側に主として無機材料で構成された無機物層を備える基板を用意する第１の工程と、
前記無機物層の前記基板と反対側に、前記第１の電極を形成した後、前記第１のバンクと前記第２のバンクとを形成することで、前記発光領域と、前記非発光領域とを設ける第２の工程と、
前記発光領域に位置する前記第１の電極上に、前記有機発光層と、前記第２の電極とを形成する第３の工程と、
前記封止層を、前記第２の電極および前記第１のバンクの上に重なり、前記非発光領域の少なくとも一部に延在して形成されるとともに、前記非発光領域において、前記基板に直接、または前記無機物層を介して接合されるように形成する第４の工程とを有することを特徴とする有機発光装置の製造方法。
【請求項１３】
請求項１ないし１１のいずれかに記載の有機発光装置を備えることを特徴とする電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、有機発光装置、有機発光装置の製造方法および電子機器に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
有機発光材料を使用したエレクトロルミネッセンス素子（有機ＥＬ素子）は、固体発光型の安価な大面積フルカラー表示装置（有機発光装置）が備える有機発光素子としての用途が有望視されるなど、多くの開発が行われている（例えば、特許文献１参照）。
一般に、有機ＥＬ素子は、陰極と陽極との間に有機発光材料で構成される有機発光層を有する構成であり、陰極と陽極との間に電界を印加すると、有機発光層に陰極側から電子が注入され、陽極側から正孔が注入される。
【０００３】
そして、注入された電子と正孔とが有機発光層において再結合し、エネルギー準位が伝導帯から価電子帯に戻る際の失活エネルギーの少なくとも一部を光エネルギーとして放出することにより、有機発光層が発光する。
このような有機ＥＬ素子において、陰極の構成材料としては、通常、陰極から有機発光層への電子（キャリア）の注入効率を向上させることを目的に、リチウムのようなアルカリ金属やカルシウムのようなアルカリ土類金属等の金属材料を主材料として用いることが多い。
【０００４】
ところが、このような金属材料は、極めて反応性が高いため、水分や酸素のような酸素含有物質と接触すると容易に変質・劣化する。そして、この金属材料に変質・劣化が生じると、すなわち陰極に変質・劣化が生じると、陰極から有機発光層への電子の注入が円滑に行われず、有機ＥＬ素子の発光効率等の特性が低下するという問題がある。
また、このような問題は、有機発光材料も前記酸素含有物質に対する反応性を有するため、有機発光材料が変質・劣化することによっても同様に生じている。
【０００５】
かかる問題を解決すること、すなわち、有機ＥＬ素子の各部の変質・劣化を防止することを目的に、酸素含有物質に対してガスバリア性を有する封止材を用いて有機ＥＬ素子を封止して、有機ＥＬ素子の外部から内部への酸素含有物質の移動（浸入）を抑制または防止する必要がある。
このような方法として、例えば、特許文献２には、２枚のガラス基板の間に有機ＥＬ素子を設けた後、これらのガラス基板の間で露出する有機ＥＬ素子の側面を含む各部を、エポキシ樹脂を用いて覆うことにより、有機ＥＬ素子を封止する方法が提案されている。
【０００６】
ところが、このような方法に用いられるガラス基板のような封止材は、優れたガスバリア性を発揮するものの、エポキシ樹脂等の光硬化性樹脂は、封止材と比較して酸素含有物質に対するガスバリア性に劣るため、この光硬化性樹脂を介して、酸素含有物質が有機ＥＬ素子中に入り込むという問題がある。そのため、上述したような方法では、有機ＥＬ素子の特性の低下を防止することができるのに十分な封止効果が得られていないのが実情である。
【０００７】
【特許文献１】特開平１０−１５３９６７号公報
【特許文献２】実開昭６４−１４９８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
本発明の目的は、発光効率等の特性の低下が好適に抑制または防止された有機発光素子を備える有機発光装置、かかる有機発光装置を製造することができる有機発光装置の製造方法、この有機発光装置を備えた信頼性の高い電子機器を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
このような目的は、下記の本発明により達成される。
【００１２】
本発明の有機発光装置は、少なくとも一方の面付近が主として無機材料で構成された基板と、
前記一方の面上に形成された発光領域と、
前記発光領域を囲む第１のバンクと、
前記第１のバンクを囲む非発光領域と、
前記非発光領域を囲む第２のバンクと、を有し、
前記発光領域が、前記基板上に形成された第１の電極と、前記第１の電極上に形成された有機発光層と、前記有機発光層上に形成された第２の電極と、前記第２の電極上に形成された、無機材料を含む封止層と、を含み、
前記封止層が前記第１のバンクの上に重なり、前記非発光領域の少なくとも一部に延在して形成されるとともに、当該非発光領域において、前記基板に直接、または主として無機材料で構成された無機物層を介して接合されていることを特徴とする。
これにより、封止層が発光領域の上側を覆うだけでなく、発光領域を取り囲むバンクを覆うことも可能となるため、発光領域の有機発光層の劣化を抑制することができる。
【００１３】
本発明の有機発光装置では、前記第１のバンクが、無機材料を含む第１層と有機材料を含む第２層とを含み、
前記第２のバンクが、無機材料を含む第１層と有機材料を含む第２層とを含み、
前記非発光領域が、無機材料を含む第１層を含み、
前記第１のバンクの第１層と前記第２のバンクの第１層と前記非発光領域の第１層とが同一の層であり、前記封止層が前記非発光領域の第１層に接することが好ましい。
これにより、封止層が発光領域を取り囲む第１のバンクの有機材料を含む部分を覆うことも可能となるため、有機材料を含む第１のバンクを有する有機発光装置における発光領域の有機発光層の劣化を抑制することができる。
【００１４】
本発明の有機発光装置では、前記基板と前記画素電極との間に無機材料を含む絶縁物層が形成され、前記封止層の一部が前記非発光領域の少なくとも一部において前記絶縁物層と接することが好ましい。
これにより、無機材料を含む封止層と無機材料を含む絶縁物層とで発光領域を囲むことができるため、発光領域の有機発光層の劣化をさらに抑制することができる。
【００１５】
本発明の有機発光装置では、前記封止層の少なくとも一部が、前記第２のバンクの上に延在して形成されることが好ましい。
これにより、非発光領域における封止層と基板または無機物層との界面の露出を防止することも可能であるので、界面からの水分の浸入を抑制する効果を高めることができる。
本発明の有機発光装置では、前記封止層は、絶縁材料を主材料として構成されていることが好ましい。
これにより、封止層は、より優れたガスバリア性を発揮するものとなる。
【００１６】
本発明の有機発光装置では、前記陰極は、前記陽極の前記基板と反対側に設けられており、
前記封止層は、主として前記陰極の構成材料より仕事関数が大きい導電材料で構成され、前記陰極と接触するように設けられ、これにより、前記陰極の導電性を向上させたことが好ましい。
これにより、封止層に、陰極の導電性を向上させる補助電極としての機能を発揮させることができる。
【００１７】
本発明の有機発光装置では、各前記有機発光素子の前記陰極は、一体的に形成されていることが好ましい。
かかる構成の陰極を備える有機発光装置に、本発明を適用することにより、封止層は、陰極の導電性を向上させる補助電極としての機能をより顕著に発揮することとなる。
本発明の有機発光装置では、前記封止層は、その平均厚さが５０〜３００ｎｍであることが好ましい。
これにより、封止層としての機能すなわちガスバリア層としての機能を確実に発揮させることができる。
【００１８】
本発明の有機発光装置では、前記封止層の前記基板と反対側に設けられ、前記封止層を保護する機能を有する保護層を有することが好ましい。
これにより、封止層を形成した後の工程において、封止層が傷ついてしまうのを確実に防止することができる。これにより、有機発光素子の外部から内部への酸素含有物質の移動（浸入）を防止または抑制する機能を封止層に確実に発揮させることができる。
【００１９】
本発明の有機発光装置では、前記無機物層は、導電材料で構成され、
当該無機物層が前記有機発光装置から露出する外部接続部において端子部を構成するとともに、前記無機物層の少なくとも一部が、前記陰極と前記端子部とを電気的に接続する配線を構成することが好ましい。
本発明の有機発光装置では、各前記有機発光素子に対応して、個別のスイッチング素子を設けるアクティブマトリクス型発光装置であることが好ましい。
かかる構成の有機発光装置に、本発明を適用することにより、有機発光素子の外部から内部への、水分や酸素のような酸素含有物質の移動をより好適に抑制または防止することができる。
【００２０】
本発明の有機発光装置の製造方法は、少なくとも一方の面付近が主として無機材料で構成され、該一方の面側に主として無機材料で構成された無機物層を備える基板を用意する第１の工程と、
前記無機物層の前記基板と反対側に、前記第１の電極を形成した後、前記第１のバンクと前記第２のバンクとを形成することで、前記発光領域と、前記非発光領域とを設ける第２の工程と、
前記発光領域に位置する前記第１の電極上に、前記有機発光層と、前記第２の電極とを形成する第３の工程と、
前記封止層を、前記第２の電極および前記第１のバンクの上に重なり、前記非発光領域の少なくとも一部に延在して形成されるとともに、前記非発光領域において、前記基板に直接、または前記無機物層を介して接合されるように形成する第４の工程とを有することを特徴とする。
これにより、有機発光素子の外部から内部への酸素含有物質の移動が好適に抑制または防止され、発光効率等の特性の低下が好適に抑制または防止された有機発光素子を備える有機発光装置を製造することができる。
【００２１】
本発明の電子機器は、本発明の有機発光装置を備えることを特徴とする。
これにより、信頼性の高い電子機器が得られる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２２】
以下、本発明の有機発光装置、有機発光装置の製造方法および電子機器を添付図面に示す好適な実施形態について説明する。
なお、以下では、本発明の発光装置を、アクティブマトリックス型発光装置に適用した場合を一例に説明する。
＜アクティブマトリックス型発光装置＞
まず、本発明の発光装置を、アクティブマトリクス型発光装置に適用した場合の第１実施形態について説明する。
【００２３】
＜＜第１実施形態＞＞
図１〜図４は、本発明の発光装置を適用したアクティブマトリックス型発光装置の第１実施形態を示す図であり、図１は平面図であり、図２〜図４は縦断面図である。なお、図２、図３および図４は、それぞれ、図１中のＡ−Ａ線断面、Ｂ−Ｂ線断面およびＣ−Ｃ線断面に対応する断面を示す縦断面図である。また、図５は、アクティブマトリックス型発光装置の第１実施形態における貫通部の他の構成を示す縦断面図である。なお、図２〜図５では、見易くするために、本実施形態で説明する主要な箇所以外は、断面であることを示すハッチングを付けて示すことを省略する。さらに、図１〜図５では、それぞれに示す各部は、その相対的な関係が若干異なっている。また、以下の説明では、図１の紙面手前側を「上」、奥側「下」、図２〜図５  中の上側を「上」、下側を「下」と言う。
【００２４】
図１〜図４に示すアクティブマトリックス型発光装置（以下、単に「発光装置」と言う。）１０は、ＴＦＴ回路基板（基板）２０と、ＴＦＴ回路基板２０上に設けられた配線層２９および層間絶縁層２６と、層間絶縁層２６上に設けられた複数の有機ＥＬ素子（有機発光素子）１と、各有機ＥＬ素子１を区画する隔壁部３５と、各有機ＥＬ素子１の上側に設けられた封止層９と、封止層９の上側に設けられた保護層９１とを有している。
【００２５】
ＴＦＴ回路基板２０は、支持基板２１と、この支持基板２１上に形成された回路部２２とを有している。
支持基板２１は、発光装置１０を構成する各部の支持体となるものである。
また、本実施形態の発光装置１０は、支持基板２１（後述する陽極３）側から光を取り出す構成（ボトムエミッション型）であるため、支持基板２１は、実質的に透明（無色透明、着色透明、半透明）とされる。
このような支持基板２１には、透光性を有する各種ガラス材料基板および各種樹脂基板のうち比較的硬度の高いものが好適に用いられる。
【００２６】
具体的には、例えば、石英ガラス、ソーダガラスのようなガラス材料や、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、ポリプロピレン、シクロオレフィンポリマー、ポリアミド、ポリエーテルサルフォン、ポリメチルメタクリレート、ポリカーボネート、ポリアリレートのような樹脂材料等を主材料として構成される基板を用いることができる。
【００２７】
支持基板２１の平均厚さは、特に限定されないが、１〜３０ｍｍ程度であるのが好ましく、５〜２０ｍｍ程度であるのがより好ましい。
回路部２２は、支持基板２１上に形成された複数の駆動用ＴＦＴ（スイッチング素子）２４と、ゲート絶縁層２３と、絶縁層２５とを有している。なお、図２および図４中では、説明の都合上、駆動用ＴＦＴ２４を１つだけ記載したが、実際には、図１に示した各有機ＥＬ素子１に対応するように、駆動用ＴＦＴ２４は支持基板２１上においてマトリクス状に形成されている。
【００２８】
ゲート絶縁層２３および絶縁層２５は、主として絶縁性を有する無機材料で構成されており、それぞれ、同一の無機材料で構成されていてもよいし、異なる無機材料で構成されていてもよい。
ゲート絶縁層２３および絶縁層２５の構成材料（絶縁性を有する無機材料）としては、特に限定されないが、例えば、ＳｉＯ２、ＳｉＯＮ、ＳｉＮ、ＴｉＮ、ＡｌＮおよびＡｌＯｘ(酸化アルミＡｌ２Ｏ３)等が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。
【００２９】
駆動用ＴＦＴ２４は、支持基板２１上に形成されたソース領域２４４およびドレイン領域２４５と、ソース領域２４４およびドレイン領域２４５との間に形成されたチャネル領域２４１と、チャネル領域２４１上に形成されたゲート絶縁層２３と、ゲート絶縁層２３上に形成されたゲート電極２４３とを有している。なお、ソース領域２４４およびドレイン領域２４５は、それぞれ、接続部２７および接続部２８に電気的に接続されている。
【００３０】
配線層２９は、絶縁層２５上に設けられている。
この配線層２９は、複数の配線を含んでおり、層間絶縁層２６が開口している電気接続部１２において、その一部が後述する陰極８と電気的に接続され、また、図示されないが、他の一部が接続部２７に接続され、これにより、ソース領域２４４と配線層２９とが電気的に接続されている。そして、配線層２９は、層間絶縁層２６が開口している外部接続部１４において、駆動用ＴＦＴ２４の作動を制御する集積回路と電気的に接続し得るように、この外部接続部１４から露出する端子部２９１を備え、この端子部２９１に全ての前記配線が電気的に接続されている。
【００３１】
配線層２９は、主として金属材料で構成される。
この金属材料としては、優れた導電性を有するものが好適に用いられ、例えば、アルミニウム、銅、タンタル、モリブデン、チタンおよびタングステン等が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。
層間絶縁層２６は、ＴＦＴ回路基板２０と有機ＥＬ素子１とを分離する機能を有するものであり、配線層２９を覆うように絶縁層２５上に設けられている。
層間絶縁層２６は、前述したゲート絶縁層２３および絶縁層２５と同様に、主として絶縁性を有する無機材料で構成されている。
【００３２】
層間絶縁層２６の構成材料としては、前述した絶縁性を有する無機材料と同様のものを用いることができる。
なお、本実施形態では、絶縁層２５がＴＦＴ回路基板（基板）２０の上側の面を構成し、この絶縁層２５上に形成された配線層２９と層間絶縁層２６とが、主として無機材料で構成された無機物層を構成する。
【００３３】
このような層間絶縁層２６を介在させた状態で、各駆動用ＴＦＴ２４に対応して、それぞれ、有機ＥＬ素子１が設けられている。
また、隣接する有機ＥＬ素子１（有機発光層５）同士を区画し、かつ、複数の有機ＥＬ素子１が設けられた発光領域１１を規定する、第１隔壁部（第１層）３１および第２隔壁部（第２層）３２により構成される隔壁部３５が層間絶縁層２６上に設けられている。  ここで、第１隔壁部３１および第２隔壁部３２の構成材料は、耐熱性、撥液性、インク溶剤耐性、下地層との密着性等を考慮して選択され、第１隔壁部３１および第２隔壁部３２の構成材料としては、それぞれ、無機材料および有機材料が選択される。
【００３４】
具体的には、第１隔壁部３１の構成材料としては、例えば、ＳｉＯ２、ＳｉＯＮ、ＳｉＮ、ＴｉＮ、ＡｌＮのような無機材料が挙げられる。
【００３５】
また、第２隔壁部３２の構成材料としては、例えば、アクリル系樹脂、ポリイミド系樹脂、フッ素系樹脂のような有機材料が挙げられ、中でも、フッ素系樹脂を用いることにより、第２隔壁部３２の耐吸湿性の向上を図ることができる。
なお、第１隔壁部３１は、有機半導体層７（正孔輸送層４、有機発光層５および電子輸送層６）の構成によっては、その形成を省略することもできる。
このような隔壁部３５の高さは、陽極３および有機半導体層７の合計の厚さに応じて適宜設定され、特に限定されないが、３０〜５００ｎｍ程度とするのが好ましい。かかる高さとすることにより、十分に隔壁部（バンク）としての機能が発揮される。
【００３６】
本実施形態では、図１中で示すほぼ太線で囲まれた領域またはその近傍を含む領域、すなわち、複数の有機ＥＬ素子１と隔壁部３５の一部とを含む領域により発光領域１１が構成される。そして、隔壁部３５すなわち発光領域１１の外周部を囲むように、非発光領域である貫通部１３が形成されており、この貫通部１３において、層間絶縁層２６と封止層９が接合されている。
【００３７】
ここで、隔壁部３５は、発光領域１１に位置し有機半導体層７同士を区画するとともに発光領域１１を囲む（規定する）第１の部分（第１のバンク）３５１と、発光領域１１の外側に位置し貫通部１３を囲む第２の部分（第２のバンク）３５２とに分かれて形成されている。言い換えれば、第１の部分３５１が発光領域１１を囲み、非発光領域が第１の部分３５１を囲み、第２の部分３５２が非発光領域を囲む構成になっている。
【００３８】
また、本実施形態では、各有機ＥＬ素子１の陽極３は、画素電極（第１の電極）を構成し、各駆動用ＴＦＴ２４のドレイン領域２４５に接続部２７を介して電気的に接続されている。また、正孔輸送層４と、有機発光層５と、電子輸送層６とを備える有機半導体層７は、各有機ＥＬ素子１に対して個別に形成されており、陰極８は、共通電極（第２の電極）とされる。
【００３９】
以下、有機ＥＬ素子１の構成について説明する。
図２および図４に示すように、有機ＥＬ素子１は、陽極３と、陰極８と、陽極３と陰極８との間に設けられた有機半導体層７とを有している。なお、本実施形態では、有機半導体層７は、陽極３側から正孔輸送層４と有機発光層５と電子輸送層６とがこの順で積層された積層体となっている。
【００４０】
陽極３は、有機半導体層７（本実施形態では、正孔輸送層４）に正孔を注入する電極である。
この陽極３の構成材料（陽極材料）としては、発光装置１０が陽極３側から光を取り出すボトムエミッション構造であるため透光性を有する導電材料が選択され、特に、仕事関数が大きく、優れた導電性を有するものが好適に用いられる。
【００４１】
このような陽極３の構成材料としては、インジウムティンオキサイド（ＩＴＯ）、フッ素含有インジウムティンオキサイド（ＦＩＴＯ）、アンチモンティンオキサイド（ＡＴＯ）、インジウムジンクオキサイド（ＩＺＯ）、アルミニウムジンクオキサイド（ＡＺＯ）、酸化スズ（ＳｎＯ２）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、フッ素含有酸化スズ（ＦＴＯ）、フッ素含有インジウムオキサイド（ＦＩＯ）、インジウムオキサイド（ＩＯ）、等の透明導電性材料が挙げられ、これらのうちの少なくとも１種を用いることができる。
【００４２】
陽極３の平均厚さは、特に限定されないが、１０〜５００ｎｍ程度であるのが好ましく、５０〜２００ｎｍ程度であるのがより好ましい。陽極３の厚さが薄すぎると、陽極３としての機能が充分に発揮されなくなるおそれがあり、一方、陽極３が厚過ぎると、陽極材料の種類等によっては、光の透過率が低下して、ボトムエミッション型の構造を有する有機ＥＬ素子１として、実用に適さなくなるおそれがある。
このような陽極３は、その光（可視光領域）の透過率が好ましくは６０％以上、より好ましくは８０％以上となっている。これにより、光を効率よく陽極３側から取り出すことができる。
【００４３】
一方、陰極８は、有機半導体層７（本実施形態では、電子輸送層６）に電子を注入する電極である。
この陰極８の構成材料（陽極材料）としては、電子輸送層６への電子の注入効率を向上させることを目的に、優れた導電性を発揮するもののうち、特に、仕事関数が小さいものが好適に用いられる。
【００４４】
このような陰極８の構成材料としては、例えば、Ｌｉ、Ｎａ、Ｋ、Ｒｂ、ＣｓおよびＦｒからなるアルカリ金属、および、Ｂｅ、Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｒ、ＢａおよびＲａからなるアルカリ土類金属等が挙げられ、これらのうち１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。
また、陰極８の構成材料として、上述したような金属を含む合金を用いる場合には、Ａｇ、Ａｌ、Ｃｕ等の安定な金属を含む合金、具体的には、ＭｇＡｇ、ＡｌＬｉ、ＣｕＬｉ等の合金を用いるようにすればよい。かかる合金を陰極８の構成材料として用いることにより、電子の電子輸送層６への注入効率および陰極８の安定性の向上を図ることができる。
このような陰極８は、その仕事関数が好ましくは４．０ｅＶ以下、より好ましくは１．８〜３．０ｅＶ程度となっている。これにより、陰極８から電子輸送層６への電子の注入効率をより向上させることができる。
【００４５】
陰極８の平均厚さは、特に限定されないが、１０〜５００ｎｍ程度であるのが好ましく、５０〜２００ｎｍ程度であるのがより好ましい。陰極８の厚さが薄すぎると、陰極８の機能が充分に発揮されなくなるおそれがあり、一方、陰極８が厚過ぎると、有機ＥＬ素子１の発光効率等の特性が低下するおそれがある。
このような陽極３と陰極８は、反対に形成されていてもよい。つまり、例えば画素電極である第１の電極が陰極であって、例えば共通電極である第２の電極が陽極であってもよい。
【００４６】
陽極３と陰極８との間には、前述したように、正孔輸送層４と有機発光層５と電子輸送層６とを備える有機半導体層７とが設けられている。
正孔輸送層４は、陽極３から注入された正孔を有機発光層５まで輸送する機能を有するものである。
この正孔輸送層４の構成材料（正孔輸送材料）としては、例えば、ポリアリールアミン、フルオレン−アリールアミン共重合体、フルオレン−ビチオフェン共重合体、ポリ（Ｎ−ビニルカルバゾール）、ポリビニルピレン、ポリビニルアントラセン、ポリチオフェン、ポリアルキルチオフェン、ポリヘキシルチオフェン、ポリ（ｐ−フェニレンビニレン）、ポリチニレンビニレン、ピレンホルムアルデヒド樹脂、エチルカルバゾールホルムアルデヒド樹脂またはその誘導体等が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。
【００４７】
また、前記化合物は、他の化合物との混合物として用いることもできる。一例として、ポリチオフェンを含有する混合物としては、ポリ（３，４−エチレンジオキシチオフェン／スチレンスルホン酸）（ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ）等が挙げられる。
なお、正孔輸送材料としては、上述したような高分子材料や低分子材料のような有機系材料の他、例えば、ＭｏＯ３、Ｖ２Ｏ５、ＴｉＯ２、Ｃｕ（II）Ｏ、Ｃｕ（Ｉ）２Ｏ、ＮｉＯ、ＣｏＯ、ＺｎＯのような金属酸化物を用いることもできる。
このような正孔輸送層４の平均厚さは、特に限定されないが、５〜１５０ｎｍ程度であるのが好ましく、２０〜１００ｎｍ程度であることがより好ましい。
【００４８】
なお、陽極３と正孔輸送層４との間には、例えば、陽極３からの正孔注入効率を向上させる正孔注入層を設けるようにしてもよい。
この正孔注入層の構成材料（正孔注入材料）としては、例えば、銅フタロシアニンや、４，４’，４’’−トリス（Ｎ，Ｎ−フェニル−３−メチルフェニルアミノ）トリフェニルアミン（ｍ−ＭＴＤＡＴＡ）等が挙げられる。
【００４９】
また、電子輸送層６は、陰極８から注入された電子を有機発光層５まで輸送する機能を有するものである。
電子輸送層６の構成材料（電子輸送材料）としては、例えば、１，３，５−トリス［（３−フェニル−６−トリ−フルオロメチル）キノキサリン−２−イル］ベンゼン（ＴＰＱ１）、１，３，５−トリス［｛３−（４−ｔ−ブチルフェニル）−６−トリスフルオロメチル｝キノキサリン−２−イル］ベンゼン（ＴＰＱ２）のようなベンゼン系化合物、ナフタレン系化合物、フェナントレン系化合物、クリセン系化合物、ペリレン系化合物、アントラセン系化合物、ピレン系化合物、アクリジン系化合物、スチルベン系化合物、ＢＢＯＴのようなチオフェン系化合物、ブタジエン系化合物、クマリン系化合物、キノリン系化合物、ビスチリル系化合物、ジスチリルピラジンのようなピラジン系化合物、キノキサリン系化合物、２，５−ジフェニル−パラ−ベンゾキノンのようなベンゾキノン系化合物、ナフトキノン系化合物、アントラキノン系化合物、２−（４−ビフェニリル）−５−（４−ｔ−ブチルフェニル）−１，３，４−オキサジアゾール（ＰＢＤ）のようなオキサジアゾール系化合物、３，４，５−トリフェニル−１，２，４−トリアゾールのようなトリアゾール系化合物、オキサゾール系化合物、アントロン系化合物、１，３，８−トリニトロ−フルオレノン（ＴＮＦ）のようなフルオレノン系化合物、ＭＢＤＱのようなジフェノキノン系化合物、ＭＢＳＱのようなスチルベンキノン系化合物、アントラキノジメタン系化合物、チオピランジオキシド系化合物、フルオレニリデンメタン系化合物、ジフェニルジシアノエチレン系化合物、フローレン系化合物、８−ヒドロキシキノリン  アルミニウム（Ａｌｑ３）、ベンゾオキサゾールやベンゾチアゾールを配位子とする錯体のような各種金属錯体等が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。
【００５０】
電子輸送層６の平均厚さは、特に限定されないが、１〜１００ｎｍ程度であるのが好ましく、２０〜５０ｎｍ程度であるのがより好ましい。
なお、陰極８と電子輸送層６との間には、例えば、陰極８から電子輸送層６への電子の注入効率を向上させる電子注入層を設けるようにしてもよい。
この電子注入層の構成材料（電子注入材料）としては、例えば、８−ヒドロキシキノリン、オキサジアゾール、または、これらの誘導体（例えば、８−ヒドロキシキノリンを含む金属キレートオキシノイド化合物）等が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上組み合わせて用いることができる。
【００５１】
ここで、陽極３と陰極８との間に通電（電圧を印加）すると、正孔輸送層４中を移動した正孔が有機発光層５に注入され、また、電子輸送層６中を移動した電子が有機発光層５に注入され、この有機発光層５において正孔と電子とが再結合する。そして、有機発光層５ではエキシトン（励起子）が生成し、このエキシトンが基底状態に戻る際にエネルギー（蛍光やりん光）を放出（発光）する。
【００５２】
有機発光層５の構成材料（発光材料）としては、例えば、１，３，５−トリス［（３−フェニル−６−トリ−フルオロメチル）キノキサリン−２−イル］ベンゼン（ＴＰＱ１）、１，３，５−トリス［｛３−（４−ｔ−ブチルフェニル）−６−トリスフルオロメチル｝キノキサリン−２−イル］ベンゼン（ＴＰＱ２）のようなベンゼン系化合物、フタロシアニン、銅フタロシアニン（ＣｕＰｃ）、鉄フタロシアニンのような金属または無金属のフタロシアニン系化合物、トリス（８−ヒドロキシキノリノレート）アルミニウム（Ａｌｑ３）、ファクトリス（２−フェニルピリジン）イリジウム（Ｉｒ（ｐｐｙ）３）のような低分子系のものや、オキサジアゾール系高分子、トリアゾール系高分子、カルバゾール系高分子、フルオレン系高分子のような高分子系のものが挙げられ、これらの１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。各種の高分子材料や、各種の低分子材料を単独または組み合わせて用いることができる。
【００５３】
有機発光層５の平均厚さは、特に限定されないが、１０〜１５０ｎｍ程度であるのが好ましく、５０〜１００ｎｍ程度であるのがより好ましい。
なお、有機半導体層７は、本実施形態のように、正孔輸送層４と有機発光層５と電子輸送層６とにより構成される積層体すなわち有機発光層５を含む複数層の積層体である場合の他、例えば、正孔輸送層４または電子輸送層６のいずれかの形成を省略した有機発光層５を含む複数層の積層体や、正孔輸送層４および電子輸送層６の形成を省略した有機発光層５で構成される単層体であってもよい。
【００５４】
さて、封止層９は、有機ＥＬ素子１の外部から内部への水分（水蒸気）や酸素のような酸素含有物質の移動（浸入）を防止または抑制する機能を有するものである。
本発明の有機発光装置では、この封止層９の構成に特徴を有しており、本実施形態では、封止層９は、無機材料で構成され、発光領域１１を包含するように設けられるとともに、発光領域１１の外周部すなわち貫通部１３において層間絶縁層２６（無機材料で構成された無機物層）を介してＴＦＴ回路基板（基板）２０に接合されている。
【００５５】
封止層９をかかる構成とすることにより、無機材料で構成される層（本実施形態では、封止層９および層間絶縁層２６）で、各有機ＥＬ素子１が取り囲まれることとなる。
すなわち、無機材料で構成される層で囲まれる空間（気密空間）が形成され、この空間内に各有機ＥＬ素子１が閉じ込められることとなる。
ここで、無機材料で構成される層は、一般的に、気密性が高く、優れたガスバリア性を発揮することから、各有機ＥＬ素子１を無機材料で構成される層で取り囲むことにより、有機ＥＬ素子１の外部から内部への酸素含有物質の移動（浸入）を好適に抑制または防止することができる。その結果、有機ＥＬ素子の各部、特に、陰極８が前述したようなアルカリ金属やアルカリ土類金属等の仕事関数の小さい材料で構成される場合、この陰極８が経時的に変質・劣化するのを好適に抑制または防止される。これにより、有機ＥＬ素子１の発光効率等の特性が低減するのを確実に防止することができる。
【００５６】
また、本発明の有機発光装置は、すなわち、封止層９を上述したような構成で設けることは、本実施形態のように、発光装置１０が有機材料で構成される第２隔壁部（バンク）３２を有するものに適用するのが好適である。かかる構成の発光装置１０に本発明の有機発光装置を適用することにより、有機材料で構成される層（第２隔壁部３２）が発光装置１０の外側に露出するようになるのを確実に防止することができる。すなわち、有機材料で構成される層（以下、このものを「有機物層」という。）を介在させることなく、無機材料で構成される層により各有機ＥＬ素子１を取り囲むことができる。
【００５７】
ここで、前述した従来の問題点で説明したように、発光装置を、エポキシ樹脂のような接着剤（有機材料）で構成される有機物層がその外側に露出するような構成とすると、有機物層のガスバリア性が無機物層と比較して低いために、この有機物層を介して、発光装置が備える有機ＥＬ素子の外部から内部に水分（水蒸気）や酸素のような酸素含有物質が移動してしまうことが判っている。それに対して、封止層９を上述したような構成で設けることにより、有機物層を介在させることなく、無機材料で構成される層により各有機ＥＬ素子１を取り囲むことができることから、第２隔壁部３２（有機物層）を介した発光装置１０（有機ＥＬ素子１）の外部から内部への酸素含有物質の移動を確実に防止することができる。
【００５８】
また、本実施形態のように、封止層９が第１の部分３５１の上に重なり、貫通部（非発光領域）１３の少なくとも一部に延在して形成される構成とすることにより、封止層９が発光領域１１の上側を覆うだけでなく、発光領域１１を取り囲む第１の部分３５１を覆うことも可能となるため、発光領域１１の有機半導体層７（特に、有機発光層５）の劣化を抑制することができる。
【００５９】
さらに、封止層９の少なくとも一部が、第２の部分３５２の上に延在して形成されている。かかる構成とすることにより、貫通部（非発光領域）１３における封止層９と層間絶縁層２６との界面の露出を防止することも可能であるので、界面からの水分の浸入を抑制する効果を高めることができる。
封止層９の構成材料（無機材料）としては、封止層９が前述したようなガスバリア性を発揮し得るものであればよく、特に限定されるものではないが、例えば、絶縁材料または陰極８の構成材料よりも導電性の高い導電材料が好適に用いられる。
【００６０】
無機材料を、絶縁材料を主材料として構成することにより、封止層９は、より優れたガスバリア性を発揮するものとなる。
このような絶縁材料としては、例えば、ＳｉＯ２、ＳｉＯＮ、ＳｉＮ、ＴｉＮおよびＡｌＮ等が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。これらの中でも、ＳｉＮを用いるのがより好ましい。ＳｉＮを主材料として構成される封止層９は、特に優れたガスバリア性を発揮するものとなる。
【００６１】
なお、本発明の有機発光装置をトップエミッション型の発光装置に適用する場合には、前記絶縁材料としては、透光性に優れたものが好適に選択され、例えば、ＳｉＯ２、ＳｉＯＮ等を用いることができる。
また、本実施形態のように、陰極８を、陽極３の上側で、かつ、封止層９と接触するように設けた場合には、封止層９を、主として陰極８の構成材料より仕事関数が大きい導電材料で構成することにより、陰極８の導電性を向上させることができる。すなわち、封止層９に、陰極８の導電性を向上させる補助電極としての機能を発揮させることができる。
【００６２】
そのため、陰極８と封止層（補助電極）９とで一つの陰極（積層構成の陰極）を構成しているとも言える。
陰極８の構成材料の仕事関数と封止層９の導電材料との仕事関数の大きさの関係は、具体的には、仕事関数が４．０ｅＶ以下の構成材料を主材料として陰極８を構成した場合、導電材料の仕事関数は、４．０ｅＶを超えるのが好ましく、４．５〜５．５ｅＶ程度であるのがより好ましい。かかる関係を満足させることにより、封止層９に、陰極８の導電性を向上させる補助電極としての機能をより顕著に発揮させることができる。
【００６３】
このような導電材料としては、例えば、Ａｕ、Ａｌ、Ｎｉ、Ｗ、Ｐｔ、Ａｇ、ＣｕおよびＭｏ等が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。
このような導電材料で封止層９を構成することにより、封止層９は優れた導電性を有するものとなる。そして、陰極８を前述したような仕事関数の小さい材料で構成することにより、陰極８は高い電子輸送層６への電子注入効率を有するものとなる。そのため、陰極８と封止層９を一つの陰極として見た場合、これら双方の機能を兼ね備えた陰極と言うことができる。さらに、積層構成の陰極として見た場合、封止層９が電極（陰極）を構成し、陰極８が電子注入層を構成しているとも言うことができる。
【００６４】
なお、本実施形態では、各有機ＥＬ素子１の陰極８は一体的に形成されている。かかる構成の発光装置１０において、封止層９を導電材料で構成することにより、封止層９の補助陰極としての機能をより顕著に発揮させることができる。その結果、陰極８の導電性がより向上することとなる。
封止層９の平均厚さは、特に限定されないが、５０〜３００ｎｍ程度であるのが好ましく、１００〜２００ｎｍ程度であるのがより好ましい。封止層９の厚さが薄すぎると、封止層９としての機能すなわちガスバリア層としての機能が充分に発揮されなくなるおそれがある。一方、封止層９を前記上限を超えて厚くしても、それ以上の効果が期待できない。
【００６５】
なお、本実施形態のように、ＴＦＴ回路基板（基板）２０と陽極（画素電極）３との間に無機材料を含む層間絶縁層（絶縁物層）２６が形成され、封止層９の一部が貫通部（非発光領域）１３の少なくとも一部において層間絶縁層２６と接する構成とすることにより、無機材料を含む封止層９と無機材料を含む層間絶縁層２６とで発光領域１１を囲むことができるため、発光領域１１の有機半導体層７（特に、有機発光層５）の劣化をさらに抑制することができる。
【００６６】
また、本実施形態では、封止層９上に保護層９１が形成されている。
この保護層９１は、封止層９を保護する機能を有するものである。かかる構成とすることにより、駆動用ＴＦＴ２４の作動を制御する集積回路と配線層２９とを外部接続部において接続する工程等において、封止層９が傷ついてしまうのを確実に防止することができる。これにより、有機ＥＬ素子１の外部から内部への酸素含有物質の移動（浸入）を防止または抑制する機能を封止層９に確実に発揮させることができる。
【００６７】
保護層９１の構成材料としては、絶縁性を有するものであればよく、特に限定されるものではないが、例えば、ポリパラキシリレン、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、ポリプロピレン、ポリアミド、ポリメチルメタクリレート、ポリカーボネート、ポリビニルフェノールのような有機系の絶縁材料や、ＳｉＯ２、ＳｉＯＮ、ＳｉＮ、ＴｉＮ、ＡｌＮのような無機系の絶縁材料等が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。
【００６８】
保護層９１の平均厚さは、特に限定されないが、５０〜３００ｎｍ程度であるのが好ましく、１００〜２００ｎｍ程度であるのがより好ましい。
なお、封止層９を覆うように保護カバーを設ける構成としてもよい。
この保護カバーは、封止層９を封止し、酸素含有物質を遮断する機能を有することから、封止層９に接触する酸素含有物質の絶対量を減少させることができる。その結果、封止層９による酸素含有物質の封止効果をより向上させることができる。
【００６９】
保護カバーの構成材料としては、特に限定されないが、例えば、各種樹脂材料、ガラス材料等を挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。
保護カバーの厚さ（平均）は、特に限定されないが、０．１〜３０ｍｍ程度であるのが好ましく、０．１〜１０ｍｍ程度であるのがより好ましい。
【００７０】
保護カバーの内部空間は、減圧状態とするか、または、窒素、アルゴン等の不活性ガスを充填するようにしてもよく、シリカゲル、モリクロナイトおよびモレキュラーシーブ等の乾燥剤を充填するようにしてもよい。
また、本実施形態では、貫通部１３において、封止層９が層間絶縁層２６と接合する場合、すなわち、封止層９が無機物層を介して基板に接合される場合について説明したが、このような構成のものに限定されず、例えば、封止層９が絶縁層２５またはゲート絶縁層２３と接合するもの（封止層９が直接基板に接合されるもの）であってもよいし、さらには、第１隔壁部３１と接合するもの（封止層９が無機物層を介して基板に接合されるもの）であってもよい。
【００７１】
例えば、図５において、隔壁部３５は、発光領域１１を囲む第１の部分３５１および非発光領域（貫通部１３）を囲む第２の部分３５２において、第１隔壁部（第１層）３１と第２隔壁部（第２層）３２とが積層して形成され、非発光領域において第１隔壁部３１のみ形成されている。ここでは、第１の部分３５１の第１隔壁部３１と、第２の部分３５２の第１隔壁部３１と、非発光領域の第１隔壁部３１とが同一層である。
【００７２】
この構成によれば、封止層９と配線層２９との間に膜厚の大きい隔壁部３１を形成することができるため、封止層９と配線層２９との間に寄生容量の発生する可能性を低減することができる。また、封止層９が発光領域１１を取り囲む第１の部分３５１の有機材料を含む部分（第２隔壁部３２）を覆うことも可能となるため、有機材料を含む第１の部分３５１を有する発光装置１０における発光領域１１の有機半導体層７（特に、有機発光層５）の劣化を抑制することができる。
【００７３】
さらに、本実施形態で示した発光装置１０の他、隔壁部３５および／または保護層９１の形成を省略した発光装置とすることもできる。
なお、上述したような発光装置１０は、単色表示であってもよく、各有機ＥＬ素子１に用いる発光材料を選択することにより、カラー表示も可能である。
このような発光装置１０は、本発明の有機発光装置の製造方法を用いて、例えば、次のようにして製造することができる。
【００７４】
以下に示す発光装置１０の製造方法は、配線層２９と層間絶縁層２６とを上側の面に備えるＴＦＴ回路基板２０を用意する基板形成工程［１］と、層間絶縁層２６上に隔壁部３５を形成する隔壁部形成工程［２］と、層間絶縁層２６上に有機ＥＬ素子１を形成する有機ＥＬ素子形成工程［３］と、有機ＥＬ素子１および隔壁部３５上に封止層９を形成する封止層形成工程［４］と、封止層９上に保護層９１を形成する保護層形成工程［５］とを有する。以下、各工程について順次説明する。
【００７５】
［１］ＴＦＴ回路基板形成工程（第１の工程）
まず、配線層２９と層間絶縁層２６とを上側の面に備えるＴＦＴ回路基板２０を用意する。
［１−Ａ］まず、支持基板２１を用意し、この支持基板２１上に駆動用ＴＦＴ２４を形成する。
【００７６】
［１−Ａａ］まず、支持基板２１を約３５０℃に加熱した状態で、支持基板２１上に、例えばプラズマＣＶＤ法等により、平均厚さが約３０〜７０ｎｍのアモルファスシリコンを主材料として構成される半導体膜を形成する。
［１−Ａｂ］次いで、半導体膜に対して、レーザアニールまたは固相成長法等により結晶化処理を行い、アモルファスシリコンをポリシリコンに変化させる。
ここで、レーザアニール法では、例えば、エキシマレーザでビームの長寸が４００ｍｍのラインビームを用い、その出力強度は、例えば２００ｍＪ／ｃｍ２程度に設定される。また、ラインビームについては、その短寸方向におけるレーザー強度のピーク値の９０％に相当する部分が各領域毎に重なるようにラインビームを走査する。
【００７７】
［１−Ａｃ］次いで、半導体膜をパターニングして島状とし、各島状の半導体膜を覆うように、例えば、ＴＥＯＳ（テトラエトキシシラン）や酸素ガスなどを原料ガスとして、プラズマＣＶＤ法等により、平均厚さが約６０〜１５０ｎｍの酸化シリコンまたは窒化シリコン等を主材料として構成されるゲート絶縁層２３を形成する。
この半導体膜のパターニングは、例えば、プラズマエッチング、リアクティブイオンエッチング、ビームエッチング、光アシストエッチング等の物理的エッチング法、ウェットエッチング等の化学的エッチング法等のうちの１種または２種以上を組み合わせて行うことができる。
【００７８】
［１−Ａｄ］次いで、ゲート絶縁層２３上に、例えば、スパッタ法等により、アルミニウム、タンタル、モリブデン、チタン、タングステンなどの金属を主材料として構成される導電膜を形成した後、パターニングし、ゲート電極２４３を形成する。
［１−Ａｅ］次いで、この状態で、各島状の半導体膜に高濃度のリンイオンを打ち込んで、ゲート電極２４３に対して自己整合的にソース領域２４４およびドレイン領域２４５を形成する。なお、不純物が導入されなかった部分がチャネル領域２４１となる。
【００７９】
［１−Ｂ］次に、ソース領域２４４およびドレイン領域２４５に、それぞれ、電気的に接続される接続部２７および接続部２８を形成するとともに、配線層２９を形成する。
［１−Ｂａ］まず、ゲート電極２４３およびゲート絶縁層２３を覆うように、絶縁層２５を形成した後、コンタクトホールを形成する。
［１−Ｂｂ］次いで、絶縁層２５を覆い、かつ、コンタクトホール内でソース領域２４４およびドレイン領域２４５とそれぞれ接触するように、前記工程［１−Ａｄ］と同様にして金属膜を形成する。
【００８０】
［１−Ｂｃ］次いで、金属膜をパターニングすることにより、コンタクトホール内でソース領域２４４およびドレイン領域２４５とそれぞれ接触する接続部２７および接続部２８を形成するとともに、絶縁膜２５上に配線層２９を形成する。
この金属膜のパターニングは、前記工程［１−Ａｃ］で説明したのと同様の方法を用いて行うことができる。
【００８１】
［１−Ｃ］次に、接続部２８と陽極３とを、配線層２９と陰極８とを、さらに端子部２９１（配線層２９）と集積回路とを、電気的に接続し得るように、それぞれに対応したコンタクトホールを備える層間絶縁層２６を絶縁層２５上に形成する。
［１−Ｃａ］まず、絶縁層２５上に、層間絶縁層２６を形成する。
［１−Ｃｂ］次いで、接続部２８と陽極３とを、配線層２９と陰極８とを、さらに端子部２９１と集積回路とを、それぞれ、接続する位置に対応するようにコンタクトホールを形成する。
以上のようにして、配線層２９と層間絶縁層２６とを上側の面に備えるＴＦＴ回路基板２０が得られる。
【００８２】
［２］隔壁部形成工程
次に、層間絶縁層（無機物層）２６上に隔壁部３５を形成する。
この隔壁部３５を形成する際に、形成する有機ＥＬ素子１の形状に対応するように複数の開口部を設けるとともに、この隔壁部３５の外周部において、ＴＦＴ回路基板２０の上側の面（本実施形態では層間絶縁層２６）が露出するように貫通部１３を形成する。
【００８３】
以下、この隔壁部３５の形成工程について詳述する。
なお、本実施形態では、隔壁部３５を形成するのに先立って、層間絶縁層２６上に、画素電極を構成する陽極３を隔壁部３５が備える開口部に対応するように陽極３を形成しておく。かかる構成とすることにより、図２に示すように、隔壁部３５の下側で陽極３とドレイン領域２４５とを接続部２８を介して接続させることができる。その結果、本実施形態のように発光装置１０がボトムエミッション型の発光装置である場合、有機発光層５が、その下側で接続部２８と重なるようになるのを確実に防止することができることから、ＴＦＴ回路基板２０側からの光の取り出し効率を向上させることができる。なお、発光装置１０をトップエミッション構造とする場合には、隔壁部３５を形成した後、陽極３を形成する構成とすることもできる。
【００８４】
［２−Ａ］まず、ＴＦＴ回路基板２０上に設けられた層間絶縁層２６上に、コンタクトホールを介して接続部２７に接触するように、陽極（画素電極）３を形成する。
この陽極３は、層間絶縁層２６上に、例えば、スパッタ法、真空蒸着法、ＣＶＤ法等を用いた気相プロセスや、スピンコート法（パイロゾル法）、キャスティング法、マイクログラビアコート法、グラビアコート法、バーコート法、ロールコート法、ワイヤーバーコート法、ディップコート法、スプレーコート法、スクリーン印刷法、フレキソ印刷法、オフセット印刷法、インクジェット印刷法等を用いた液相プロセス等により、前述した陽極３の構成材料を主材料として構成される導電膜を形成した後、パターニングすることにより形成することができる。
なお、これらの方法は、陽極３の構成材料の熱安定性や、溶媒への溶解性等の物理的特性および／または化学的特性を考慮して選択される。
【００８５】
［２−Ｂ］次に、層間絶縁層２６上に、各陽極３を区画するように、すなわち、形成する有機ＥＬ素子１の形状に対応するように開口部を備える隔壁部３５を形成する。この際、層間絶縁層２６が露出する貫通部１３と、配線層２９が露出する電極接続部１２と、端子部２９１（配線層２９）が露出する外部接続部１４とを形成する。
［２−Ｂａ］まず、陽極３および第２層間絶縁層２６を覆うように無機系の絶縁膜を形成した後、この絶縁膜をパターニングすること等により第１隔壁部３１を形成する。
この絶縁膜のパターニングは、前記工程［１−Ａｃ］で説明したのと同様の方法を用いて行うことができる。
【００８６】
［２−Ｂｂ］次いで、陽極３および第１隔壁部３２を覆うように有機系の絶縁膜を形成した後、この絶縁膜をパターニングすること等により第２隔壁部３２を形成することができる。
この絶縁膜のパターニングは、前記工程［１−Ａｃ］で説明したのと同様の方法を用いて行うことができる。
【００８７】
また、隔壁部３５の開口部の形状は、例えば、円形、楕円形、四角形、六角形等の多角形等、いかなるものであってもよい。
ところで、隔壁部３５の開口の形状を多角形とする場合には、角部は丸みを帯びているのが好ましい。これにより、正孔輸送層４、有機発光層５および電子輸送層６を、後述するような液状材料を用いて形成する際に、これらの液状材料を、隔壁部３５の内側の空間の隅々にまで確実に供給することができる。
以上のようにして、層間絶縁層２６上に隔壁部３５が形成される。
【００８８】
［３］有機ＥＬ素子形成工程（第２の工程）
次に、隔壁部３５が備える開口部に対応するように、層間絶縁層２６上に複数の有機ＥＬ素子１を形成する。
［３−Ａ］まず、隔壁部３５が備える各開口部内で露出する陽極３上に、それぞれ、正孔輸送層４、有機発光層５および電子輸送層６をこの順で積層して有機半導体層７を形成する。
以下、正孔輸送層４、有機発光層５および電子輸送層６の形成方法について説明する。
【００８９】
［３−Ａａ］まず、各陽極３上に、それぞれ、正孔輸送層４を形成する。
この正孔輸送層４は、前述したような気相プロセスや液相プロセスにより形成することができるが、中でも、インクジェット法（液滴吐出法）を用いた液相プロセスにより形成するのが好ましい。インクジェット法を用いることにより、正孔輸送層４の薄膜化、画素サイズの微小化を図ることができる。また、正孔輸送層形成用の液状材料を、隔壁部３５の内側に選択的に供給することができるため、液状材料のムダを省くことができる。
【００９０】
具体的には、正孔輸送層形成用の液状材料を、インクジェットプリント装置のヘッドから吐出し、各陽極３上に供給し、脱溶媒または脱分散媒した後、必要に応じて、１５０℃程度で短時間の加熱処理を施す。
この脱溶媒または脱分散媒は、減圧雰囲気に放置する方法、熱処理(例えば５０〜６０℃程度)による方法、窒素ガスのような不活性ガスのフローによる方法等が挙げられる。さらに、追加の熱処理（１５０℃程度で短時間）で行うことにより、残存溶媒を除去する。
【００９１】
用いる液状材料は、前述したような正孔輸送材料を溶媒または分散媒に溶解または分散することにより調製される。
また、液状材料の調製に用いる溶媒または分散媒としては、特に限定されず、例えば、水、四塩化炭素、エチレンカーボネイト等の各種無機溶媒や、メチルエチルケトン（ＭＥＫ）、アセトン、ジエチルケトン、メチルイソブチルケトン（ＭＩＢＫ）、シクロヘキサノン等のケトン系溶媒、メタノール、エタノール、グリセリン等のアルコール系溶媒、ジエチルエーテル、ジイソプロピルエーテル、１，４−ジオキサン、テトラヒドロフラン（ＴＨＦ）、テトラヒドロピラン（ＴＨＰ）等のエーテル系溶媒、メチルセロソルブ、エチルセロソルブ等のセロソルブ系溶媒、ヘキサン、ペンタン、シクロヘキサン等の脂肪族炭化水素系溶媒、トルエン、キシレン、ベンゼン等の芳香族炭化水素系溶媒、ピリジン、ピラジン等の芳香族複素環化合物系溶媒、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド（ＤＭＦ）、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド（ＤＭＡ）等のアミド系溶媒、ジクロロメタン、１，２−ジクロロエタン等のハロゲン化合物系溶媒、酢酸エチル、酢酸メチル、ギ酸エチル等のエステル系溶媒、ジメチルスルホキシド（ＤＭＳＯ）、スルホラン等の硫黄化合物系溶媒のような各種有機溶媒、または、これらを含む混合溶媒等が挙げられる。
なお、陽極３上に供給された液状材料は、流動性が高く（粘性が低く）、水平方向（面方向）に広がろうとするが、陽極３が隔壁部３５により囲まれているため、所定の領域以外に広がることが阻止され、正孔輸送層４（有機ＥＬ素子１）の輪郭形状が正確に規定される。
【００９２】
［３−Ａｂ］次いで、各正孔輸送層４上に、有機発光層５を形成する。
この有機発光層５も、気相プロセスや液相プロセスにより形成することができるが、前述したのと同様の理由から、インクジェット法（液滴吐出法）を用いた液相プロセスにより形成するのが好ましい。
また、インクジェット法を用いることにより、複数色の有機発光層５を設ける場合には、各色毎にパターンの塗り分けを容易に行うことができるという利点もある。
【００９３】
［３−Ａｃ］次いで、各有機発光層５上に、電子輸送層６を形成する。
この電子輸送層６も、気相プロセスや液相プロセスにより形成することができるが、前述したのと同様の理由から、インクジェット法（液滴吐出法）を用いた液相プロセスにより形成するのが好ましい。
［３−Ｂ］次に、各電子輸送層６（有機半導体層７）上および隔壁部３５上に、各有機ＥＬ素子１に共通の陰極８を形成する。
【００９４】
なお、この際、電極接続部１２において、配線層２９と接触し得るように、図２に示すように、貫通部１３の内側に存在する隔壁部３５の貫通部１３近傍にまで陰極８を一体的に形成する。
この陰極８は、例えば、前述した陰極８の構成材料を用いて、真空蒸着法やスパッタ法のような気相成膜法等により金属膜を形成した後、パターニングすることにより形成することができる。
【００９５】
この金属膜のパターニングは、前記工程［１−Ａｃ］で説明したのと同様の方法を用いて行うことができる。
また、陰極８の形成にスパッタ法等を用いる場合、陰極８の構成材料を有機発光層５の陽極３と反対側に供給する際に、本実施形態では、有機発光層５上に電子輸送層６が設けられていることから、前記構成材料が接触（衝突）することによる有機発光層５の変質・劣化を確実に防止することができる。
【００９６】
以上のような工程を経て、層間絶縁層２６上に有機ＥＬ素子１を製造することができる。
なお、本実施形態では、各有機ＥＬ素子１と隔壁部３５の一部とで構成される領域、すなわち、図１で示す貫通部１３の内側の太線で囲まれた領域またはその近傍を含む領域が発光領域１１を構成する。
【００９７】
［４］封止層形成工程（第３の工程）
次に、陰極８上側で陰極８を覆うように、すなわち、発光領域１１を包含するように封止層９を形成する。この際、発光領域１１の外周部の貫通部１３において、層間絶縁層（無機物層）２６と封止層９とが接合するように、すなわち、ＴＦＴ回路基板２０の上側の面と封止層９とが層間絶縁層２６を介して接合するように封止層９を形成する。
【００９８】
換言すれば、図２に示すように、貫通部１３の外側に存在する隔壁部３５の貫通部１３近傍からその内側全体を覆うように封止層９を一体的に形成する。
この陰極８は、例えば、前述した封止層９の構成材料（無機材料）を用いて、真空蒸着法やスパッタ法のような気相成膜法等により金属膜を形成した後、パターニングすることにより形成することができる。
【００９９】
この金属膜のパターニングは、前記工程［１−Ａｃ］で説明したのと同様の方法を用いて行うことができる。
なお、金属膜を形成する際に、形成する封止層９の形状に対応した開口部を備えるマスクを、陰極８と無機材料の供給源との間に介在させることにより、前記金属膜のパターニングを省略して封止層９を形成することもできる。
【０１００】
ところで、陰極８を形成する前記工程［３−Ｂ］から封止層９を形成する本工程までは、非酸化性雰囲気すなわち実質的に酸素含有物質が存在しない雰囲気中で行われる。これにより、陰極８に含まれる前記金属材料を変質・劣化させることなく、陰極８上に封止層９を形成することができる。
また、非酸化性雰囲気は、窒素、ヘリウムおよびアルゴン等の不活性ガスの雰囲気下であってもよく、減圧雰囲気下であってもよい。
【０１０１】
［５］保護層形成工程
次に、封止層９上に保護層９１を形成する。
この保護層９１は、例えば、前記工程［２−Ａ］で説明したような気相プロセスや液相プロセス等により絶縁膜を形成した後、パターニングすることにより形成することができる。
【０１０２】
この絶縁膜のパターニングは、前記工程［１−Ａｃ］で説明したのと同様の方法を用いて行うことができる。
以上のような工程を経て、発光装置１０を製造することができる。
以上のように、本発明の有機発光装置の製造方法によれば、比較的容易に、各有機ＥＬ素子１が無機材料で構成される層で取り囲まれた構成となっている発光装置１０を比較的容易な方法で形成することができる。
【０１０３】
＜＜第２実施形態＞＞
次に、本発明の発光装置を、アクティブマトリックス型発光装置に適用した場合の第２実施形態について説明する。
図６および図７は、本発明の発光装置を適用したアクティブマトリックス型発光装置の第２実施形態を示す図であり、図６は平面図であり、図７は縦断面図である。なお、図７は、図６中のＡ−Ａ線断面に対応する断面を示す縦断面図である。また、図７では、見易くするために、本実施形態で説明する主要な箇所以外は、断面であることを示すハッチングを付けて示すことを省略する。さらに、図６および図７では、それぞれに示す各部は、その相対的な関係が若干異なっている。また、以下の説明では、図６の紙面手前側を「上」、奥側「下」、図７中の上側を「上」、下側を「下」と言う。
【０１０４】
以下、第２実施形態について、前記第１実施形態との相違点を中心に説明し、同様の事項については、その説明を省略する。
図６および図７に示す発光装置１０’は、貫通部１３の一部が電極接続部１２の構成を併せ持つように形成され、貫通部１３において封止層９が絶縁層２５に接合されている以外は、前記第１実施形態の発光装置１０と同様である。
【０１０５】
換言すれば、本実施形態では、図６および図７に示すように、表示領域１１の外周部を取り囲むように設けられた四角形状の貫通部１３のうちの一辺に、電極接続部１２が連続的（一体的）に形成されている。また、貫通部１３において、封止層２５が基板に直接接合されている。
かかる構成の電極接続部１２では、前記第１の実施形態と同様に陰極８が配線層２９と電気的に接続されている他、図６に示すように、封止層９および配線層２９により陰極８を取り囲むように、陰極８の外周部において封止層９と配線層２９とが接合している。すなわち、本実施形態では、配線層２９が無機物材料で構成された無機物層を構成し、陰極８の外周部において、封止層９と基板とが無機物層を介して接合されている。
発光装置１０’をかかる構成とすることにより、発光装置１０’を製造する際の製造工程を削減することができるとともに、発光装置１０’の小型化を図ることができる。
【０１０６】
＜電子機器＞
このような発光装置（本発明の発光装置）１０、１０’は、各種の電子機器に組み込むことができる。
図８は、本発明の電子機器を適用したモバイル型（またはノート型）のパーソナルコンピュータの構成を示す斜視図である。
【０１０７】
この図において、パーソナルコンピュータ１１００は、キーボード１１０２を備えた本体部１１０４と、表示部を備える表示ユニット１１０６とにより構成され、表示ユニット１１０６は、本体部１１０４に対しヒンジ構造部を介して回動可能に支持されている。
このパーソナルコンピュータ１１００において、表示ユニット１１０６が備える表示部が前述の発光装置１０、１０’で構成されている。
【０１０８】
図９は、本発明の電子機器を適用した携帯電話機（ＰＨＳも含む）の構成を示す斜視図である。
この図において、携帯電話機１２００は、複数の操作ボタン１２０２、受話口１２０４および送話口１２０６とともに、表示部を備えている。
携帯電話機１２００において、この表示部が前述の発光装置１０、１０’で構成されている。
【０１０９】
図１０は、本発明の電子機器を適用したディジタルスチルカメラの構成を示す斜視図である。なお、この図には、外部機器との接続についても簡易的に示されている。
ここで、通常のカメラは、被写体の光像により銀塩写真フィルムを感光するのに対し、ディジタルスチルカメラ１３００は、被写体の光像をＣＣＤ（Charge Coupled Device）などの撮像素子により光電変換して撮像信号（画像信号）を生成する。
【０１１０】
ディジタルスチルカメラ１３００におけるケース（ボディー）１３０２の背面には、表示部が設けられ、ＣＣＤによる撮像信号に基づいて表示を行う構成になっており、被写体を電子画像として表示するファインダとして機能する。
ディジタルスチルカメラ１３００において、この表示部が前述の発光装置１０、１０’で構成されている。
【０１１１】
ケースの内部には、回路基板１３０８が設置されている。この回路基板１３０８は、撮像信号を格納（記憶）し得るメモリが設置されている。
また、ケース１３０２の正面側（図示の構成では裏面側）には、光学レンズ（撮像光学系）やＣＣＤなどを含む受光ユニット１３０４が設けられている。
撮影者が表示部に表示された被写体像を確認し、シャッタボタン１３０６を押下すると、その時点におけるＣＣＤの撮像信号が、回路基板１３０８のメモリに転送・格納される。
【０１１２】
また、このディジタルスチルカメラ１３００においては、ケース１３０２の側面に、ビデオ信号出力端子１３１２と、データ通信用の入出力端子１３１４とが設けられている。そして、図示のように、ビデオ信号出力端子１３１２にはテレビモニタ１４３０が、デ−タ通信用の入出力端子１３１４にはパーソナルコンピュータ１４４０が、それぞれ必要に応じて接続される。さらに、所定の操作により、回路基板１３０８のメモリに格納された撮像信号が、テレビモニタ１４３０や、パーソナルコンピュータ１４４０に出力される構成になっている。
【０１１３】
なお、本発明の電子機器は、図８のパーソナルコンピュータ（モバイル型パーソナルコンピュータ）、図９の携帯電話機、図１０のディジタルスチルカメラの他にも、例えば、テレビや、ビデオカメラ、ビューファインダ型、モニタ直視型のビデオテープレコーダ、ラップトップ型パーソナルコンピュータ、カーナビゲーション装置、ページャ、電子手帳（通信機能付も含む）、電子辞書、電卓、電子ゲーム機器、ワードプロセッサ、ワークステーション、テレビ電話、防犯用テレビモニタ、電子双眼鏡、ＰＯＳ端末、タッチパネルを備えた機器（例えば金融機関のキャッシュディスペンサー、自動券売機）、医療機器（例えば電子体温計、血圧計、血糖計、心電表示装置、超音波診断装置、内視鏡用表示装置）、魚群探知機、各種測定機器、計器類（例えば、車両、航空機、船舶の計器類）、フライトシュミレータ、その他各種モニタ類、プロジェクター等の投射型表示装置等に適用することができる。また、本発明の電子機器は、表示機能を有しない発光機能のみを有するものであってもよく、例えば、レーザープリンタの光源に用いることができる。
【０１１４】
以上、本発明の有機発光装置、有機発光装置の製造方法および電子機器を、図示の実施形態に基づいて説明したが、本発明はこれらに限定されるものでない。
なお、本発明の有機発光装置は、基板上に陰極、有機半導体層および陽極がこの順で積層された有機ＥＬ素子を備え、陽極側から有機半導体層の発光を取り出すトップエミッション構造を有する有機ＥＬ装置に適用するようにしてもよい。
【０１１５】
さらに、本発明の有機発光装置は、前記実施形態で説明したような、アクティブマトリクス型の発光装置に適用できる他、例えば、基板上にほぼ等間隔となるように設けられた複数の短冊状の陽極と、この陽極とほぼ同様の形状を有する陰極とが、これらの電極同士の間に有機半導体層を介在させた状態でほぼ直交する構成をなすパッシブマトリクス型の発光装置に適用することもできる。
また、本発明の有機発光装置の製造方法は、任意の目的の工程が１または２以上追加されていてもよい。
【図面の簡単な説明】
【０１１６】
【図１】本発明の発光装置を適用したアクティブマトリックス型発光装置の第１実施形態を示す平面図である。
【図２】本発明の発光装置を適用したアクティブマトリックス型発光装置の第１実施形態を示す縦断面図である。
【図３】本発明の発光装置を適用したアクティブマトリックス型発光装置の第１実施形態を示す縦断面図である。
【図４】本発明の発光装置を適用したアクティブマトリックス型発光装置の第１実施形態を示す縦断面図である。
【図５】アクティブマトリックス型発光装置の第１実施形態における貫通部の他の構成を示す縦断面図である。
【図６】本発明の発光装置を適用したアクティブマトリックス型発光装置の第２実施形態を示す平面図である。
【図７】本発明の発光装置を適用したアクティブマトリックス型発光装置の第２実施形態を示す縦断面図である。
【図８】本発明の電子機器を適用したモバイル型（またはノート型）のパーソナルコンピュータの構成を示す斜視図である。
【図９】本発明の電子機器を適用した携帯電話機（ＰＨＳも含む）の構成を示す斜視図である。
【図１０】本発明の電子機器を適用したディジタルスチルカメラの構成を示す斜視図である。
【符号の説明】
【０１１７】
１……有機ＥＬ素子  ３……陽極  ４……正孔輸送層  ５……有機発光層  ６……電子輸送層  ７……有機半導体層  ８……陰極  ９……封止層  １０、１０’…… 発光装置  １１……発光領域  １２……電極接続部  １３……貫通部  １４……外部接続部  ２０……ＴＦＴ回路基板  ２１……支持基板  ２２……回路部  ２３……ゲート絶縁層  ２４……駆動用ＴＦＴ  ２４１……チャネル領域  ２４３……ゲート電極  ２４４……ソース領域  ２４５……ドレイン領域  ２５……絶縁層  ２６……層間絶縁層  ２７、２８……接続部  ２９……配線層  ２９１……端子部  ３１……第１隔壁部  ３２……第２隔壁部  ３５……隔壁部  ３５１……第１の部分  ３５２……第２の部分  ９１……保護層  １１００……パーソナルコンピュータ  １１０２……キーボード  １１０４……本体部  １１０６……表示ユニット  １２００……携帯電話機  １２０２……操作ボタン  １２０４……受話口  １２０６……送話口  １３００……ディジタルスチルカメラ  １３０２……ケース（ボディー）  １３０４……受光ユニット  １３０６…………シャッタボタン  １３０８……回路基板  １３１２……ビデオ信号出力端子  １３１４……データ通信用の入出力端子  １４３０……テレビモニタ  １４４０……パーソナルコンピュータ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
0004770519.tif 000008
【図８】
0004770519.tif 000009
【図９】
0004770519.tif 000010
【図１０】
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