(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
基体上に感光性樹脂層が形成され、該感光性樹脂の少なくとも一部を感光および現像して該基体が露出した領域Ｇ１と感光性樹脂が残された領域Ｒ１とを有する該基体に対して行う、無電解メッキによる配線形成方法であって、該方法は、
（ＩＡ）カチオン系界面活性剤を用いて、該感光性樹脂領域Ｒ１における表面電位を該基体露出領域Ｇ１におけるそれよりも正にするための電位差形成過程と、
（ＩＢ）該電位差形成過程の後において、
（ＩＢ−１）該基体露出領域Ｇ１の表面電位よりも正側でかつ該感光性樹脂領域Ｒ１の表面電位よりも負側の酸化還元電位を有する触媒核付与液、ならびに、
（ＩＢ−２）該基体露出領域Ｇ１の表面電位よりも正側でかつ該感光性樹脂領域Ｒ１の表面電位よりも負側の酸化還元電位を有する無電解メッキ液を用いて処理する触媒核付与およびメッキ過程と、
を備えてなることにより、配線の形成された基体が得られることを特徴とする、配線形成方法。
【請求項２】
基体上に感光性樹脂層が形成され、該感光性樹脂の少なくとも一部を感光および現像して該基体が露出した領域Ｇ１と感光性樹脂が残された領域Ｒ１を有する該基体に対して行う無電解メッキによる配線形成方法であって、該感光性樹脂領域Ｒ１はカチオン系界面活性剤処理により該基体露出領域Ｇ１よりも表面電位が正にされ、該基体露出領域Ｇ１の表面電位よりも正側で、かつ、該感光性樹脂領域Ｒ１の表面電位よりも負側の酸化還元電位を有する触媒核付与液および無電解メッキ液を用いることを特徴とする配線形成方法。
【請求項３】
前記電位差形成過程における処理または前記カチオン系界面活性剤処理は、前記感光性樹脂領域Ｒ１と基体露出領域Ｇ１との間の電位差が０．０５Ｖ以上、好ましくは０．１Ｖ以上となるように行うことを特徴とする、請求項１または２に記載の配線形成方法。
【請求項４】
該基体は、ガラス基板、ガラス基板上に絶縁膜が形成された基板、樹脂性基板のいずれかであることを特徴とする、請求項１ないし３のいずれかに記載の配線形成方法。
【請求項５】
触媒核付与液は、ｐＨと酸化還元電位を制御したオゾン添加水に触媒核となる化合物を溶解して得られるものであることを特徴とする、請求項1ないし４のいずれかに記載の配線形成方法。
【請求項６】
無電解メッキ液は、ｐＨと酸化還元電位を制御したオゾン添加水または水素添加水に、析出させる金属イオンを溶解して得られるものであることを特徴とする、請求項１ないし５のいずれかに記載の配線形成方法。
【請求項７】
該基体は、あらかじめフッ酸またはフッ酸をその溶質に含む溶液に浸漬処理され、これに感光性樹脂で基体露出領域Ｇ１と感光性樹脂領域Ｒ１を形成することを特徴とする、請求項１ないし５のいずれかに記載の配線形成方法。
【請求項８】
該基体は、あらかじめ０．０５％から０．１％の範囲で調整されたフッ酸またはフッ酸をその溶質に含む溶液に３秒間から１０秒間の範囲で浸漬処理され、これに感光性樹脂で基体露出領域Ｇ１と感光性樹脂領域Ｒ１を形成することを特徴とする、請求項１ないし５のいずれかに記載の配線形成方法。
【請求項９】
該基体は、あらかじめアルカリ溶液に浸漬処理され、これに感光性樹脂でＧ１とＲ１を形成することを特徴とする、請求項１ないし５のいずれかに記載の配線形成方法。
【請求項１０】
該基体は、あらかじめ１０％から２０％の範囲で調整されたアルカリ溶液に３分間から１０分間の範囲で浸漬処理され、これに感光性樹脂でＧ１とＲ１を形成することを特徴とする、請求項１ないし５のいずれかに記載の配線形成方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ガラス基板、ガラス基板上に絶縁膜が形成された基板、樹脂性基板などの所望の表面領域にメッキ法で金属配線を形成する方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
ガラス基板やプラスチック基板の表面に配線を形成する方法としては、一般的には、配線金属を基板上にメッキ法やスパッタリング法で形成した後に、感光性樹脂を塗布し露光・現像を経て、エッチングなどの方法により所望の形状にパターニングする方法が行なわれている。
【０００３】
また、基板上に感光性樹脂を塗布し感光性樹脂をエッチングなどの方法により所望の形状にパターニングして形成された溝に無電解メッキ法などにより配線金属を埋め込む方法が行なわれている。
【０００４】
図５はガラス基板やプラスチック基板上への従来の一般的な無電解メッキの手法の流れを示す図である。図５においては、ガラス基板やプラスチックを洗浄し、後、アルカリ溶液で脱脂し、酸系の溶液により表面のエッチング処理を施し、ついで、感光性樹脂塗布とパターニングを経た後、触媒付与のための感応化処理液浸漬および触媒付与液浸漬を行い、さらに無電解メッキ液へ浸漬するという工程となっている。
【０００５】
図６は無電解メッキの代表的な金属であるニッケルを含む溶液のpHと酸化還元電位による状態模式図である。pHが大きいアルカリ性溶液では酸化還元電位の絶対値が比較的大きい領域でニッケルの析出が見られ、ｐＨが小さい酸性溶液では酸化還元電位の絶対値が比較的小さい領域でニッケルの析出が見られることが知られている。なお従来技術記載文献例としては、下記の各文献等がある。
【特許文献１】特開２００１−２０３４４８「多層プリント配線板およびその製造方法」
【特許文献２】特開２０００−２９４９２６「多層プリント配線板の製造方法」
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
さて、上述したかかる従来の方法には幾多の問題点がある。すなわち、ガラス基板やプラスチック基板の表面において、配線金属を該基板上にメッキ法やスパッタリング法によって形成した後に、感光性樹脂を塗布し露光・現像を経て、エッチングなどの方法により所望の形状にパターニングする方法においては、スパッタリングで成膜したメタルをエッチングし、感光性樹脂を剥離して配線を形成するため、配線形成がなされない大部分の領域の感光性樹脂材料は廃棄されることとなり、プロセス効率の低下を招いている。
【０００７】
また、このように形成される配線では、抵抗と寄生容量の低減を図る目的で配線厚さを増加させると、金属配線と基板との間の段差が大きくなり、液晶の配向不良、ＴＦＴのリーク電流の増加などの問題を引き起こしてしまうことになる。
【０００８】
また、配線金属のスパッタリング工程には減圧工程が含まれるため、ガラス基板の大型化とともにプロセスコスト・プロセス時間の増大が不可避であるという問題もある。
【０００９】
一方、減圧工程を用いずに、基板上の感光性樹脂の溝に無電解メッキ法などにより配線金属を埋め込む方法（前掲図５）においては、溶液からみたガラス基板やプラスチック基板の表面電位が、溶液からみた感光性樹脂の表面電位よりも十分に低くなっていれば、金属イオンを含んだ溶液の電位状態をそれらの電位の中間に設定しておくことによって、ガラス表面やプラスチック基板表面にのみ金属が析出し、感光性樹脂表面には析出を起こさない、選択的なメッキが行なえることになる。
【００１０】
しかしながら、両者の表面の電位に十分な差がなければ、金属イオンを含んだ溶液をその間の電位に制御することは困難であり、ガラス面と感光性樹脂面の両方に析出させてしまうことになる。
【００１１】
また、両表面の電位に十分な差がある場合であっても、金属イオンを含んだ溶液の酸化還元電位をほぼ一定に制御しなければ、プロセス時間の経過とともに酸化還元電位が変化し、該酸化還元電位がいずれの表面よりも低い電位状態になれば両方の表面に析出し、いずれの表面よりも高い電位状態になればいずれの表面にも析出が得られないことになる。
【００１２】
また、半導体集積回路の配線形成においては、やはりスパッタリング法によりシード層を形成し、これを電極として電解メッキ法により配線の膜厚を増大させるという手法が採られている。
【００１３】
本来、無電解メッキ法を用いてシード層を形成した方が、プロセス的に有利であるにもかかわらず、これを用いずスパッタリング法を用いている理由は、基板との密着性が十分にとれないこと、および無電解メッキ法には還元剤、安定剤等としてトランジスタなどの素子特性に悪影響を与える物質を使用する必要があるためである。
本発明はかかる課題を解決することを目的としてなされたものである。
【課題を解決するための手段】
【００１４】
上記課題を解決するために、本願において特許請求される発明は以下のとおりである。
（１）  基体上に感光性樹脂層が形成され、該感光性樹脂の少なくとも一部を感光および現像して該基体が露出した領域Ｇ１と感光性樹脂が残された領域Ｒ１とを有する該基体に対して行う無電解メッキによる配線形成方法であって、該方法は、
（ＩＡ）カチオン系界面活性剤を用いて、該感光性樹脂領域Ｒ１における表面電位を該基体露出領域Ｇ１におけるそれよりも正にするための電位差形成過程と、
（ＩＢ）該電位差形成過程の後において、
（ＩＢ−１）該基体露出領域Ｇ１の表面電位よりも正側でかつ該感光性樹脂領域Ｒ１の表面電位よりも負側の酸化還元電位を有する触媒核付与液、ならびに、
（ＩＢ−２）該基体露出領域Ｇ１の表面電位よりも正側でかつ該感光性樹脂領域Ｒ１の表面電位よりも負側の酸化還元電位を有する無電解メッキ液を用いて処理する触媒核付与およびメッキ過程と、
を備えてなることにより、配線の形成された基体が得られることを特徴とする、配線形成方法。
（２）  基体上に感光性樹脂層が形成され、該感光性樹脂の少なくとも一部を感光および現像して該基体が露出した領域Ｇ１と感光性樹脂が残された領域Ｒ１を有する該基体に対して行う無電解メッキによる配線形成方法であって、該感光性樹脂領域Ｒ１はカチオン系界面活性剤処理により該基体露出領域Ｇ１よりも表面電位が正にされ、該基体露出領域Ｇ１の表面電位よりも正側で、かつ、該感光性樹脂領域Ｒ１の表面電位よりも負側の酸化還元電位を有する触媒核付与液および無電解メッキ液を用いることを特徴とする配線形成方法。
（３）  前記電位差形成過程における処理または前記カチオン系界面活性剤処理は、前記感光性樹脂領域Ｒ１と基体露出領域Ｇ１との間の電位差が０．０５Ｖ以上、好ましくは０．１Ｖ以上となるように行うことを特徴とする、（１）または（２）に記載の配線形成方法。
（４）  該基体は、ガラス基板、ガラス基板上に絶縁膜が形成された基板、樹脂性基板のいずれかであることを特徴とする、（１）ないし（３）のいずれかに記載の配線形成方法。
（５）  触媒核付与液は、ｐＨと酸化還元電位を制御したオゾン添加水に触媒核となる化合物を溶解して得られるものであることを特徴とする、（１）ないし（４）のいずれかに記載の配線形成方法。
（６）  無電解メッキ液は、ｐＨと酸化還元電位を制御したオゾン添加水または水素添加水に、析出させる金属イオンを溶解して得られるものであることを特徴とする、（１）ないし（５）のいずれかに記載の配線形成方法。
（７）  該基体は、あらかじめフッ酸またはフッ酸をその溶質に含む溶液に浸漬処理され、これに感光性樹脂で基体露出領域Ｇ１と感光性樹脂領域Ｒ１を形成することを特徴とする、（１）ないし（５）のいずれかに記載の配線形成方法。
（８）  該基体は、あらかじめ０．０５％から０．１％の範囲で調整されたフッ酸またはフッ酸をその溶質に含む溶液に３秒間から１０秒間の範囲で浸漬処理され、これに感光性樹脂で基体露出領域Ｇ１と感光性樹脂領域Ｒ１を形成することを特徴とする、（１）ないし（５）のいずれかに記載の配線形成方法。
（９）  該基体は、あらかじめアルカリ溶液に浸漬処理され、これに感光性樹脂でＧ１とＲ１を形成することを特徴とする、（１）ないし（５）のいずれかに記載の配線形成方法。
（１０）  該基体は、あらかじめ１０％から２０％の範囲で調整されたアルカリ溶液に３分間から１０分間の範囲で浸漬処理され、これに感光性樹脂でＧ１とＲ１を形成することを特徴とする、（１）ないし（５）のいずれかに記載の配線形成方法。
これら（１）〜（１０）の発明について、％は重量％である（以下も同様である。）。
【００１５】
上記各発明に加え、以下もまた本発明に含まれる。
（５’）  該基体は、カチオン系界面活性剤処理の前にあらかじめアルカリ溶液に浸漬処理されることを特徴とする、（１）ないし（４）のいずれかに記載の配線形成方法。
（６’）  該基体は、カチオン系界面活性剤処理の前にあらかじめ１０％から２０％の範囲で調整されたアルカリ溶液に３分間から１０分間の範囲で浸漬処理されることを特徴とする、（１）ないし（５）のいずれかに記載の配線形成方法。
（９’）  該基体は、カチオン系界面活性剤処理の後に、フッ酸またはフッ酸をその溶質に含む溶液に浸漬処理されることを特徴とする、（１）、（２）、（３）、（４）、（７）または（８）のいずれかに記載の配線形成方法。
（１０’）  該基体は、カチオン系界面活性剤処理の後に、０．０５％から０．１％の範囲で調整されたフッ酸またはフッ酸をその溶質に含む溶液に３秒間から１０秒間の範囲で浸漬処理されることを特徴とする、（１）、（２）、（３）、（４）、（７）、（８）または（９）のいずれかに記載の配線形成方法。
【００１６】
さらに、本発明には次の各発明も含まれる。
（１１）基体上に感光性樹脂層が形成され、該感光性樹脂の少なくとも一部が感光および現像処理されて該基体が露出した領域Ｇ１と感光性樹脂が残された領域Ｒ１を有する、無電解メッキ処理に供することのできる基体であって、該基体は、感光性樹脂塗布後にカチオン系界面活性剤に浸漬処理されることによって、該基体露出領域Ｇ１と感光性樹脂領域Ｒ１との間に電位差が設けられていることを特徴とする、無電解メッキ処理用基体。
（１２）基体上に感光性樹脂層が形成され、該感光性樹脂の少なくとも一部が感光および現像処理されて該基体が露出した領域Ｇ１と感光性樹脂が残された領域Ｒ１を有する、無電解メッキ処理に供することのできる基体の形成方法であって、該方法は、感光性樹脂塗布後にカチオン系界面活性剤に浸漬処理されることによって、該基体露出領域Ｇ１と感光性樹脂領域Ｒ１との間に電位差を設けることを特徴とする、無電解メッキ処理用基体の形成方法。
【００１７】
すなわち本発明は、基体上に感光性樹脂が形成され、該感光性樹脂の少なくとも一部を感光および現像して該基体が露出した領域Ｇ１と感光性樹脂が残された領域Ｒ１を有する該基体において、該感光性樹脂領域Ｒ１はカチオン系界面活性剤処理により該基体露出領域Ｇ１よりも表面電位が正にされ、該Ｇ１の表面電位よりも正側で、かつ、該Ｒ１の表面電位よりも負側の酸化還元電位を有する触媒核付与液および無電解メッキ液を用いる、配線形成方法であることを特徴とする。
【００１８】
また、該基体としては、ガラス基板、ガラス基板上に絶縁膜が形成された基板、樹脂性基板を用いることができる。
また、触媒核付与液としては、ｐＨを制御したオゾン添加水に触媒核となる化合物を溶解して得られるものを用いることができる。
また、無電解メッキ液は、ｐＨを制御したオゾン添加水またはｐＨを制御した水素添加水に、析出させる金属イオンを溶解して得られるものを用いることができる。
また、該基体は、あらかじめ１０％から２０％の範囲で調整されたアルカリ溶液に３分から１０分の範囲で浸漬されて得られ、これに感光性樹脂でＧ１とＲ１を形成することができる。
また、該基体は、あらかじめ０．０５％から０．１％の範囲で調整されたフッ酸またはフッ酸をその溶質に含む溶液に３秒から１０秒の範囲で浸漬されて得られ、これに感光性樹脂でＧ１とＲ１を形成することができる。
【発明の効果】
【００１９】
本発明の方法によれば、配線の作成に感光性樹脂を用いるため感光性樹脂を現像するだけで配線の作成領域を決定できる。現像により剥離あるいは溶解された感光性樹脂は、面積比率が比較的少ない配線領域のみが廃棄されるにとどまる上、メタル等の不純物を含まないため、容易に再生が可能となる。
【００２０】
また、感光性樹脂に埋め込まれた配線金属表面と感光性樹脂表面との間の段差が小さくなり、配線の厚さは感光性樹脂の膜厚で決定できるので、任意の膜厚の配線を液晶の配向特性やトランジスタの電気的特性に悪影響がないように配線を作成、形成することが可能となる。
【００２１】
また、本発明は減圧工程を含まないため、基板が大きくなったとしても、従来のスパッタリング法を使用する配線形成に比べ、プロセスコストの増大を抑制することができる。
【００２２】
さらに本発明では、無電解メッキに不可欠である触媒核付与溶液を作製するに当って、オゾン添加水を用いることとし、無電解メッキ液はオゾン添加水もしくは水素添加水に所望の金属を含有する化合物を溶解して作製することにより、従来の無電解メッキにおいてなされていたような、酸・アルカリ溶剤の大量使用を不要とすることができる。
【００２３】
同時に、上記のオゾン添加水に溶かす二酸化炭素ガス等の量を制御することにより、酸性側にｐＨを制御することが可能であり、また水素添加水に溶かすアンモニアガス等の量を制御することにより、酸性側にｐＨを制御することが可能であるので、廃液の処理は極めて容易となる。ここで、上記各ガスは例示であり、本発明におけるｐＨ制御に使用できるガスであれば、適宜のものを用いることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２４】
図１は、本発明の配線形成方法の基本構成を示すフロー図である。図において本方法は、基体上に感光性樹脂層が形成され、該感光性樹脂の少なくとも一部を感光および現像して該基体が露出した領域と感光性樹脂が残された領域とを有する該基体Ｕに対して行う無電解メッキによる配線形成方法であって、該方法は、
（ＩＡ）カチオン系界面活性剤を用いて、該感光性樹脂領域における表面電位を該基体露出領域におけるそれよりも正にするための電位差形成過程ＳＩＡと、
（ＩＢ）該電位差形成過程ＳＩＡの後において、
（ＩＢ−１）該基体露出領域の表面電位よりも正側でかつ該感光性樹脂領域の表面電位よりも負側の酸化還元電位を有する触媒核付与液、ならびに、
（ＩＢ−２）該基体露出領域の表面電位よりも正側でかつ該感光性樹脂領域の表面電位よりも負側の酸化還元電位を有する無電解メッキ液を用いて処理する触媒核付与およびメッキ過程ＳＩＢと、
を備えて、基本的に構成される。
【００２５】
かかる構成により、該電位差形成過程ＳＩＡによって該感光性樹脂領域における表面電位が該基体露出領域におけるそれよりも正になされ、ついで該触媒核付与およびメッキ過程ＳＩＢによって、電位差形成された基体に対して触媒核付与とメッキ処理がなされ、配線の形成された基体Ｐが得られる。なお、該触媒核付与およびメッキ過程ＳＩＢは、触媒核付与過程ＳＩＢ−１とメッキ過程ＳＩＢ−２から構成される。
【００２６】
本発明において用いるカチオン系界面活性剤としては、アミン塩型、第四アンモニウム塩型、ピリジニウム塩型等があるが、特に限定されずに適宜のものを用いることができる。
【実施例１】
【００２７】
以下、実施例により本発明を説明するが、これら実施例、実施例に示された具体的条件により本発明が限定されるものではない。
【００２８】
本発明の実施例１における配線製造法を図２を用いて説明する。
図３は本実施例１の配線製造法の工程図であり、ガラス基板には無アルカリガラスを用いた。ここで、熱収縮率が比較的少ないシリカ系ガラスを使用してもよい。
【００２９】
無アルカリガラスの表面に感光性樹脂を塗布し、露光後現像することにより所望の配線形成領域Ｇ１を得た。ここで使用する感光性樹脂は、所望の光波長領域で十分に光透過率が高いものを選択する。ここではシクロオレフィンを主体とする樹脂を使用した。
【００３０】
この領域G1と現像後残存した感光性樹脂領域Ｒ１を有するガラス基板を１５％の水酸化カリウム溶液に５分間浸漬した後、純水で洗浄した。ここで使用する溶液は、あらかじめ１０％から２０％の範囲で調整されたアルカリ性溶液で、また浸漬する時間も３分間から１０分間の範囲であれば同様の効果が得られる。なお、温度条件としては、室温下にて行なった（以下も同様。）。
【００３１】
さらに、この基板を０．０５％カチオン系界面活性剤に１分間浸漬した後０．１％フッ酸溶液に５秒浸漬して、感光性樹脂領域Ｒ１の表面電位を基体露出領域Ｇ１のそれよりも正になるようにした。このとき、ガラス面に付着したカチオン系界面活性剤はフッ酸によるガラスのエッチングにより除去され、ガラス面と感光性樹脂面での表面電位差を増大させた基板を得た。ここで使用する酸性溶液は、０．０５％から０．１％の範囲で調整されたフッ酸またはフッ酸をその溶質に含む溶液で、浸漬時間は３秒間から１０秒間の範囲であれば同様の効果が得られる。
【００３２】
次に、基板を塩化スズと塩酸で調整した溶液と、洗浄後、塩化パラジウムと塩酸で調整した溶液にそれぞれ１分間ずつ浸漬し、触媒核をガラス露出面のみに付着させた基板を得た。ここで使用している触媒核付与液は、Ｇ１の表面電位よりも正側で、かつ、Ｒ１の表面電位よりも負側の酸化還元電位を有している。
【００３３】
これを、ニッケルイオンが溶解している無電解メッキ溶液に浸漬することにより、所望のガラス露出面のみにニッケルを析出させた。ここで使用している無電解メッキ溶液は、Ｇ１の表面電位よりも正側で、かつ、Ｒ１の表面電位よりも負側の酸化還元電位を有している。ニッケルは感光性樹脂の溝を埋め感光性樹脂の表面とほぼ同一の高さのところで析出を終えるように制御し、金属配線表面と感光性樹脂表面がほぼ平坦になるようにした。
【実施例２】
【００３４】
本発明の実施例２における配線製造法を図３を用いて説明する。
図３は実施例２における触媒核付与溶液の調製法および無電解メッキ液の調製法を示したものである。
【００３５】
製造工程は、実施例１に示したアルカリ性溶液、酸性溶液処理工程を経た後、調製したオゾン添加水に塩化スズを溶解してなる塩化スズ溶液、および該オゾン添加水に塩化パラジウムを溶解してなる触媒核付与溶液に、ガラス基板をそれぞれ１分間浸漬し、触媒核をガラス露出面のみに付着させた基板を得た。ここで使用している溶液は、Ｇ１の表面電位よりも正側で、かつ、Ｒ１の表面電位よりも負側の酸化還元電位を有している。
【００３６】
調製したアンモニアガスを溶かしたアルカリ性水素水添加水に硫酸ニッケルを溶解してメッキ溶液とし、これに、先に得られた基板を１分間浸漬し、ガラス面のみにニッケルを析出させた。ここで使用している溶液は、Ｇ１の表面電位よりも正側で、かつ、Ｒ１の表面電位よりも負側の酸化還元電位を有している。ニッケルは感光性樹脂の溝を埋め感光性樹脂の表面とほぼ同一の高さのところで析出を終えるように制御し、金属配線表面と感光性樹脂表面がほぼ平坦になるようにした。
【実施例３】
【００３７】
本発明の実施例３における配線製造法を図４を用いて説明する。
図４は実施例３における基体表面に感光性樹脂領域を作製する工程を示したものである。
【００３８】
基板表面における感光性樹脂領域の作製は、感光性樹脂塗布後仮乾燥を行ない、ついで、０．０５％カチオン系界面活性剤に１分間浸漬し、その後露光、現像という工程を経て行った。
【００３９】
得られた基板は、ガラス露出面には界面活性剤が付与されておらず、感光性樹脂領域表面のみに付与されており、この領域はガラス露出領域Ｇ１よりも表面電位が正側になっている。
【００４０】
上記基板は、これを実施例１および実施例２にある触媒化付与工程、および無電解メッキ工程に供することにより、基板のガラス露出領域のみにニッケルを析出させることができる。
【００４１】
上記第一、第二および第三の実施例において、感光性樹脂領域Ｒ１はカチオン系界面活性剤処理により基体露出領域Ｇ１よりも表面電位が正にされるが、この際の電位差は０．０５Ｖ以上、好ましくは０．１Ｖ以上あれば十分な効果が得られる。さらにＧ１の表面電位よりも正側で、かつ、Ｒ１の表面電位よりも負側の酸化還元電位を有する触媒核付与液および無電解メッキ液の電位は、Ｒ１とＧ１の表面電位のほぼ中間の電位に制御されることが、配線形成の選択性を最大化する上で、より好ましい。
上記各実施例はガラス基板を用いたものであるが、絶縁膜がその表面に形成されたガラス基板、プラスチックなどの樹脂性基板、あるいはその他の基板に対しても同様の方法で配線形成を行なうことができる。
【００４２】
また、上記実施例においてはニッケルを配線金属として使用しているが、銅、クロム、その他の金属を、特に限定されることなく使用することができる。たとえば、配線抵抗を下げる必要がある場合には抵抗率の低い金属として銅を用いるなど、金属の選択は適宜行うことができる。
また、上記実施例では配線金属形成を無電解メッキ法で行なっているが、配線形成速度を向上させたいときには、無電解メッキ法と電界メッキ法を組み合わせて行なってもよい。
【産業上の利用可能性】
【００４３】
本発明によれば、ガラス基板への配線形成が従来の減圧工程を用いずに可能となり、液晶のＴＦＴ基板、有機ELディスプレイの配線、プラズマディスプレイの配線、半導体基板、セラミック基板や回路基板等に応用が可能である。
【図面の簡単な説明】
【００４４】
【図１】本発明の配線形成方法の構成を示すフロー図
【図２】本発明の実施例１の工程図
【図３】本発明の実施例２の工程図
【図４】本発明の実施例３の感光性樹脂領域作製工程図
【図５】一般的なガラス基板やプラスチック基板への無電解メッキによる配線形成の工程図
【図６】ニッケルのｐＨと酸化還元電位による状態模式図
【符号の説明】
【００４５】
１  基板露出面
２  感光性樹脂表面
３  析出金属
Ｕ  処理前基体
ＳＩＡ  電位差形成過程
ＳＩＢ  触媒核付与およびメッキ過程
ＳＩＢ−１  触媒核付与過程
ＳＩＢ−２  メッキ過程
Ｐ  配線形成された基体
【図１】
0004649557.tif 000002
【図２】
0004649557.tif 000003
【図３】
0004649557.tif 000004
【図４】
0004649557.tif 000005
【図５】
0004649557.tif 000006
【図６】
0004649557.tif 000007