(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１基板と第２基板とが対向配置されると共に、前記第１基板と前記第２基板との間に放電ガスが封入されるように貼り合わされてなるプラズマディスプレイパネルであって、
前記第１基板のうち前記第２基板との対向面上に設けられた第１電極と、
前記第２基板のうち前記第１基板との対向面上に設けられた第２電極と、
前記第１電極上及び前記第２電極上にそれぞれ設けられた絶縁膜と、
前記第１電極側の絶縁膜上及び前記第２電極側の絶縁膜上のうち少なくとも一方に設けられた保護膜と
を具備し、
前記保護膜が設けられた側の前記絶縁膜がセラミック材料を含む微粒子を含有し、前記微粒子の少なくとも一部が前記絶縁膜の表面から前記保護膜側に突出しており、
前記保護膜のうち前記微粒子に重なる部分が凸状であり、
前記保護膜の前記凸状の部分は、前記保護膜の他の部分に比べて結晶性が高い
ことを特徴とするプラズマディスプレイパネル。
【請求項２】
前記微粒子の粒子径が、前記絶縁膜の膜厚よりも大きい
ことを特徴とする請求項１に記載のプラズマディスプレイパネル。
【請求項３】
前記微粒子の熱伝導率が前記絶縁膜の熱伝導率よりも小さい
ことを特徴とする請求項１又は請求項２に記載のプラズマディスプレイパネル。
【請求項４】
前記微粒子の導電率が前記絶縁膜の導電率よりも小さい
ことを特徴とする請求項１乃至請求項３のうちいずれか一項に記載のプラズマディスプレイパネル。
【請求項５】
前記微粒子には、Ｓｉ及びＳｉＣのうち少なくとも一方が含まれている
ことを特徴とする請求項１乃至請求項４のうちいずれか一項に記載のプラズマディスプレイパネル。
【請求項６】
前記保護膜が、主成分にＭｇＯを含有する
ことを特徴とする請求項１乃至請求項５のうちいずれか一項に記載のプラズマディスプレイパネル。
【請求項７】
前記保護膜が、主成分にＳｒＯ及びＣａＯのうち少なくとも一方を含有する
ことを特徴とする請求項１乃至請求項５のうちいずれか一項に記載のプラズマディスプレイパネル。
【請求項８】
第１電極が設けられた第１基板と第２電極が設けられた第２基板とを有するプラズマディスプレイパネルの製造方法であって、
前記第１電極上及び前記第２電極上のうち少なくとも一方に、セラミック材料を含む微粒子を含有する絶縁膜を、当該微粒子が前記絶縁膜の表面から突出するように形成する絶縁膜形成工程と、
前記微粒子を含んだ絶縁膜上に、前記微粒子に重なる部分が凸状になるように保護膜を形成する保護膜形成工程と、
前記保護膜のうち凸状の部分を加熱して再結晶させ、前記保護膜の前記凸状の部分を、前記保護膜の他の部分に比べて結晶性を高くする再結晶工程と、
前記再結晶工程の後、前記第１基板と前記第２基板との間に放電ガスが封入されるように当該第１基板と当該第２基板とを貼り合せる封着工程と
を具備することを特徴とするプラズマディスプレイパネルの製造方法。
【請求項９】
前記再結晶工程が、前記保護膜の凸状の部分にレーザ光を照射する工程を含む
ことを特徴とする請求項８に記載のプラズマディスプレイパネルの製造方法。
【請求項１０】
前記保護膜形成工程から前記封着工程までを、真空雰囲気中又は露点−６０℃以下の雰囲気中で行う
ことを特徴とする請求項８又は請求項９に記載のプラズマディスプレイパネルの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、プラズマディスプレイパネル及びプラズマディスプレイパネルの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
プラズマディスプレイパネル（ＰＤＰ）は、維持電極および走査電極が形成された前面基板と、アドレス電極および蛍光体が形成された背面基板とを備えている。両基板は周縁部に配置された封着材によって貼り合わされており、両基板の間には放電ガスが封入されている。各電極の間に電圧を印加すると、放電ガスがプラズマ化して紫外線が放射される。この紫外線が蛍光体に入射して蛍光体が励起され、可視光が放出されるようになっている。
【０００３】
維持電極及び走査電極は誘電体層によって覆われており、誘電体層を覆うように保護膜が形成されている。この保護膜は、表面が平坦に形成されており、放電ガスのプラズマ化によって発生した陽イオンから誘電体層を保護するものであり、一般的にはＭｇＯによって形成された保護膜が知られている。
【０００４】
ＰＤＰの放電時の電圧（放電電圧）は、保護膜の２次電子放出係数に依存することが知られている。すなわち、保護膜の２次電子放出係数が大きいほど（仕事関数が小さく電子を放出しやすいほど）、放電電圧を低電圧化することが知られている。放電電圧が高くなると、ＰＤＰを駆動する際に放電遅れが生じる虞がある。
【０００５】
保護膜の２次電子放出性能を高めるには、保護膜の結晶性を向上させるのが有効であることが知られている。保護膜の結晶性を向上させる手法として、例えば、保護膜にレーザ光や電子ビームを照射してアニールする方法（例えば、特許文献１参照）や、保護膜形成時の雰囲気に水蒸気を導入する手法などが知られている。  
【特許文献１】特開２００２−５６７７３号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、これまでのＰＤＰは、保護膜の表面が平坦に形成されているため、上記の手法を行う際には保護膜の表面全体をアニール処理、水蒸気処理する必要がある。このため、保護膜の結晶性を向上させるのに多くのエネルギーを消費することになってしまい、非常に効率が悪い。
【０００７】
以上のような事情に鑑み、本発明の目的は、効率よく保護膜の結晶性を向上させることができ、放電遅れが生じにくいプラズマディスプレイパネル、プラズマディスプレイパネル、プラズマディスプレイパネルの製造方法及びプラズマディスプレイパネルの製造装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記課題を解決するため、本発明に係るプラズマディスプレイパネルは、第１基板と第２基板とが対向配置されると共に、前記第１基板と前記第２基板との間に放電ガスが封入されるように貼り合わされてなるプラズマディスプレイパネルであって、前記第１基板のうち前記第２基板との対向面上に設けられた第１電極と、前記第２基板のうち前記第１基板との対向面上に設けられた第２電極と、前記第１電極上及び前記第２電極上にそれぞれ設けられた絶縁膜と、前記第１電極側の絶縁膜上及び前記第２電極側の絶縁膜上のうち少なくとも一方に設けられた保護膜とを具備し、前記保護膜が設けられた側の前記絶縁膜がセラミック材料を含む微粒子を含有し、前記微粒子の少なくとも一部が前記絶縁膜の表面から前記保護膜側に突出しており、前記保護膜のうち前記微粒子に重なる部分が凸状であり、前記保護膜の前記凸状の部分は、前記保護膜の他の部分に比べて結晶性が高いことを特徴とする。
【０００９】
具体的には、前記微粒子の粒子径が、前記絶縁膜の膜厚よりも大きいことが好ましい。  
本発明によれば、微粒子の粒子径が、絶縁膜の膜厚よりも大きいので、絶縁膜から微粒子を突出させやすくすることができる。これにより、保護膜を確実に凸状にすることができる。
【００１０】
また、前記微粒子の熱伝導率が前記絶縁膜の熱伝導率よりも小さいことが好ましい。  
本発明によれば、微粒子の熱伝導率が前記絶縁膜の熱伝導率よりも小さいので、例えば保護膜の凸状部分を局所的に加熱する場合に、熱が微粒子を介して保護膜の他の部分に伝導するのを抑えることができる。これにより、加熱のエネルギーを保護膜の凸状部分に集中させることができるので、プラズマディスプレイパネルを効率よく製造することができる。
【００１１】
また、前記微粒子の導電率が前記絶縁膜の導電率よりも小さいことが好ましい。  
本発明によれば、微粒子の導電率が絶縁膜の導電率よりも小さいので、放電時に微粒子内の電荷が放電電圧に悪影響を与えるのを防ぐことができる。これにより、放電遅れの一層の改善を図ることができる。
【００１２】
また、前記微粒子には、Ｓｉ及びＳｉＣのうち少なくとも一方が含まれていることが好ましい。  
Ｓｉ、ＳｉＣは、光を吸収して発熱する物質である。本発明では、このＳｉ、ＳｉＣが微粒子に含まれているので、例えば微粒子にレーザ光などの光を照射することでＳｉ、ＳｉＣから熱を発生させ、当該熱によって保護膜を加熱処理することが可能となる。これにより、保護膜の処理方法の選択の幅が広がることになる。
【００１３】
また、前記保護膜が、主成分にＭｇＯを含有することが好ましい。  
ＭｇＯは、耐スパッタ性の高い物質であることが知られている。本発明によれば、保護膜が主成分にＭｇＯを含有するので、耐スパッタ性の高い保護膜を得ることができ、長寿命のプラズマディスプレイパネルを得ることができる。
【００１４】
また、前記保護膜が、主成分にＳｒＯ及びＣａＯのうち少なくとも一方を含有することが好ましい。  
ＳｒＯは、保護膜として用いた場合、放電電圧を低下させることが知られている。ＣａＯは、ＭｇＯよりも放電電圧が低く、ＳｒＯよりも耐スパッタ性が高いことが知られている。本発明によれば、保護膜が主成分にＳｒＯ及びＣａＯのうち少なくとも一方を含有するので、放電電圧を低下させ、その上耐スパッタ性の高い保護膜を有するプラズマディスプレイパネルを得ることができる。
【００１５】
本発明に係るプラズマディスプレイパネルの製造方法は、第１電極が設けられた第１基板と第２電極が設けられた第２基板とを有するプラズマディスプレイパネルの製造方法であって、前記第１電極上及び前記第２電極上のうち少なくとも一方に、セラミック材料を含む微粒子を含有する絶縁膜を、当該微粒子が前記絶縁膜の表面から突出するように形成する絶縁膜形成工程と、前記微粒子を含んだ絶縁膜上に、前記微粒子に重なる部分が凸状になるように保護膜を形成する保護膜形成工程と、前記保護膜のうち凸状の部分を加熱して再結晶させ、前記保護膜の前記凸状の部分を、前記保護膜の他の部分に比べて結晶性を高くする再結晶工程と、前記再結晶工程の後、前記第１基板と前記第２基板との間に放電ガスが封入されるように当該第１基板と当該第２基板とを貼り合せる封着工程とを具備することを特徴とする。
【００１６】
本発明によれば、第１電極上及び第２電極上のうち少なくとも一方に、微粒子を含んだ絶縁膜を、当該微粒子が絶縁膜の表面から突出するように形成し、この微粒子を含んだ絶縁膜上に、微粒子に重なる部分が凸状になるように保護膜を形成し、保護膜のうち凸状の部分を加熱して再結晶させるので、加熱のエネルギーを保護膜の凸状の部分に集中させることができる。これにより、効率よくプラズマディスプレイパネルを製造することができる。
【００１７】
また、前記再結晶工程が、前記保護膜の凸状の部分にレーザ光を照射する工程を含むことが好ましい。  
本発明によれば、保護膜の凸状の部分にレーザ光を照射することによって、当該保護膜の凸状の部分にエネルギーが集中するので、効率よくプラズマディスプレイパネルを製造することができる。
【００１８】
また、前記保護膜形成工程から前記封着工程までを、真空雰囲気中又は露点−６０℃以下の雰囲気中で行うことが好ましい。  
本発明によれば、保護膜の形成から封着までを、真空雰囲気中又は露点−６０℃以下の雰囲気中で行うので、プラズマディスプレイパネルの内部を低湿度状態に維持することができる。これにより、長寿命のプラズマディスプレイパネルを一層確実に製造することができる。
【００１９】
本発明に係るプラズマディスプレイパネルの製造装置は、第１基板に設けられた第１電極上及び第２基板に設けられた第２電極上のうち少なくとも一方に設けられ膜表面から突出する微粒子を含んだ絶縁膜上に保護膜を形成する保護膜形成部と、前記保護膜のうち前記微粒子に重なる部分を加熱して再結晶させる再結晶部と、前記第１基板と前記第２基板との間に放電ガスが封入されるように当該第１基板と当該第２基板とを貼り合せる封着部とを具備することを特徴とする。  
本発明によれば、再結晶部における加熱のエネルギーを、保護膜のうち微粒子に重なる部分に集中させることができる。これにより、効率よくプラズマディスプレイパネルを製造することができる。
【００２０】
また、前記保護膜形成部、前記再結晶部及び前記封着部が真空雰囲気又は露点−６０℃以下の乾燥雰囲気になるように、前記保護膜形成部及び前記封着部の雰囲気を調節する調節手段を更に具備することが好ましい。  
本発明によれば、保護膜の形成から封着までを、真空雰囲気中又は露点−６０℃以下の雰囲気中で行うことができるので、プラズマディスプレイパネルの内部を低湿度状態に維持することができる。これにより、長寿命のプラズマディスプレイパネルを製造することができる。
【発明の効果】
【００２１】
本発明によれば、第１電極上及び第２電極上のうち少なくとも一方に、微粒子を含んだ絶縁膜を、当該微粒子が絶縁膜の表面から突出するように形成し、この微粒子を含んだ絶縁膜上に、微粒子に重なる部分が凸状になるように保護膜を形成し、保護膜のうち凸状の部分を加熱して再結晶させるので、加熱のエネルギーを保護膜の凸状の部分に集中させることができる。これにより、効率よくプラズマディスプレイパネルを製造することができ、凸状の部分において局所的に結晶性の高い保護膜を有する放電遅れの生じにくいプラズマディスプレイパネルを得ることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２２】
以下、本発明の実施の形態を図面に基づき説明する。以下の説明に用いる各図面では、各部材を認識可能な大きさとするため、各部材の縮尺を適宜変更している。  
（プラズマディスプレイパネル）  
図１は、３電極ＡＣ型プラズマディスプレイパネル（ＰＤＰ）の分解斜視図である。図２は、図１におけるＰＤＰの前面基板の断面図である。  
図１に示すように、ＰＤＰ１００は、背面基板（第１基板）１と前面基板（第２基板）２とが対向配置され、図示しない封着材によって封着された構成になっている。背面基板１と前面基板２との間には、複数の放電室１６が設けられている。放電室１６の内部には、ＮｅおよびＸｅの混合ガス等の放電ガスが４００Ｔｏｒｒ程度の圧力で封入されている。放電ガス中には、Ｘｅガスが例えば４体積％程度含まれている。
【００２３】
背面基板１の内面（前面基板２との対向面）には、複数のアドレス電極（第１電極）１１が所定の間隔でストライプ状に配置されている。この複数のアドレス電極１１の表面上には、誘電体層１９が設けられている。誘電体層１９は、アドレス電極１１上を含めた背面基板１の全面に設けられており、誘電体層１９の表面は平坦になっている。
【００２４】
誘電体層１９の表面上のうち隣接するアドレス電極１１の間の領域には、当該アドレス電極１１の延在方向に沿って隔壁（リブ）１５がそれぞれ設けられている。隣接する隔壁１５間には、それぞれ誘電体層１９の上面および隔壁１５の側面を覆うように、赤色、緑色又は青色の蛍光を発光する蛍光体１７が配置されている。
【００２５】
一方、前面基板２の内面（背面基板１との対向面）には、表示電極（第２電極）１２を構成する走査電極１２ａと維持電極１２ｂとが交互に所定の間隔でストライプ状に配置されている。表示電極１２は、ＩＴＯ等の透明導電性材料によって構成され、アドレス電極１１と直交する方向に延在している。このアドレス電極１１と表示電極１２との交点が、ＰＤＰ１００の画素になっている。交点において、アドレス電極１１と表示電極１２との間の距離（放電ギャップ）は、８０μｍ程度になっている。
【００２６】
表示電極１２上には、当該表示電極１２及び前面基板２の内面を覆うように誘電体層１３が形成されている。誘電体層１３上には、当該誘電体層１３を覆うように保護膜１４が形成されている。
【００２７】
図２に示すように、誘電体層１３は、下層側（ただし、図２では上側）の第１絶縁膜１３ａと上層側（ただし、図２では下側）の第２絶縁膜１３ｂとから構成されている。第１絶縁膜１３ａ及び第２絶縁膜１３ｂは、例えばＰｂＯ、Ｂ２Ｏ３、ＳｉＯ２の混合材料からなる。第１絶縁膜１３ａは膜厚が２５μｍ程度になっており、第２絶縁膜１３ｂは膜厚が０．５μｍ程度になっている。
【００２８】
第２絶縁膜１３ｂには、例えば熱伝導率の小さいＳｉＯ２、ＴｉＯ２、ＺｎＯ２や、レーザ光を吸収して発熱するＳｉ、ＳｉＣなどのセラミックス材料からなる微粒子８が混入されている。この微粒子８は、単一のセラミック材料によって形成されていても良いし、複数のセラミック材料を組み合わせた混合材料によって形成されていても良い。本実施形態では、上記のセラミック材料を混合し、熱伝導率を小さく、しかもレーザ光を吸収するようにした微粒子８を例に挙げて説明する。微粒子８の表面は熱酸化膜で覆われており、微粒子８の導電率は第２絶縁層１３ｂの導電率よりも低くなっている。
【００２９】
微粒子８の粒子径は０．５μｍ〜２．０μｍ程度になっており、第２絶縁膜１３ｂの膜厚よりも大きくなっている。微粒子９の粒子密度は、５００〜５０００個／ｍｍ２程度になっている。微粒子８の相対密度（粒子のポーラス度を示す数値であり、相対密度が１の場合はバルクである）は、０．３〜１．０程度になっている。
【００３０】
微粒子８は、一部が第２絶縁膜１３ｂ内に埋められていると共に、第２絶縁膜１３ｂから保護膜１４側に突出した部分を有しており、この突出部分が保護膜１４に食い込むように設けられている。図２中では、微粒子８の形状を断面五角形で表したが、五角形に限らず、断面が円形や矩形、三角形であっても構わない。また、例えば背面基板１のアドレス電極１１に平面的に重なる領域に微粒子８が多く配置され、アドレス電極１１の間の隔壁１５が形成される領域には微粒子８があまり配置されない等、ＰＤＰ１００の構成に応じて適宜分布が形成されていても勿論構わない。
【００３１】
保護膜１４は、図１及び図２に示すように、放電ガスのプラズマ化によって発生した陽イオンから誘電体層１３を保護するものであり、ＳｒＯとＣａＯとの混合物を主成分として含んでいる。保護膜１４にＳｒＯを含有させることで、ＭｇＯを用いた場合に比べて放電電圧が低下するという利点がある。一方、ＳｒＯのみでは耐スパッタ性が低いため、保護膜１４にＣａＯを含有させることで耐スパッタ性を向上させることも可能である。保護膜１４中のＣａＯの濃度はほぼ５０ｍｏｌ％になっており、保護膜１４の膜厚は８０００Å程度になっている。
【００３２】
図２に示すように、保護膜１４の表面には、凸状部分１８が形成されている。凸状部分１８は、第２絶縁層１３ｂに混入された微粒子８上、すなわち、微粒子８に重なる部分に形成されている。凸状部分１８は、保護膜１４の他の部分に比べて結晶性が高くなっている。
【００３３】
このように構成されたＰＤＰ１００の画素を点灯する場合には、アドレス電極１１と走査電極１２ａとの間に直流電圧を印加して対向放電を発生させ、さらに走査電極１２ａと維持電極１２ｂとの間に交流電圧を印加して面放電を発生させる。放電により放電室１６内に封入された放電ガスがプラズマ化して、真空紫外線が放射される。この紫外線によって蛍光体１７が励起され、可視光が前面基板２から放出されるようになっている。
【００３４】
（プラズマディスプレイパネルの製造装置）  
次に、図３に基づいて、本実施形態に係るＰＤＰ製造装置を説明する。  
同図に示すように、ＰＤＰ製造装置３０は、前面基板２と背面基板１とを導入し、真空処理によってＰＤＰ１００を製造するものであり、前面基板ロード室３１、蒸着室（保護膜形成部）３２、レーザアニール室（再結晶部）３３、背面基板ロード室３４、背面基板脱ガス室３５、搬送室３６、アライメント・封着室（封着部）３７、アンロード室３８を有している。これら各室は、例えばロータリーポンプやターボ分子ポンプなどの真空排気機構（調節手段）４８に接続されている。
【００３５】
前面基板ロード室３１は、前面基板２を搬入するスペースであり、蒸着室３２に接続されている。前面基板ロード室３１に搬入された前面基板２を蒸着室３２に搬送する搬送機構（図示しない）が設けられている。  
蒸着室３２は、前面基板２に保護膜１４を蒸着させるスペースであり、上述の前面基板ロード室３１及びレーザアニール室３３に接続されている。蒸着室３２には、前面基板２を加熱する加熱機構と、ＳｒＯ及びＣａＯを主成分とする蒸発材料と、当該蒸発材料に対して電子ビームを照射する電子ビーム銃とが配置されている。蒸発材料に電子ビームを照射することで、当該蒸発材料を蒸発させることができるようになっている。また、蒸着室３２には、蒸着時に当該蒸着室３２内に酸素ガスを導入する酸素ガス導入機構が設けられている。
【００３６】
レーザアニール室３３は、上述の蒸着室３２及び搬送室３６に接続されており、蒸着室３２で形成された保護膜１４にレーザ光を照射してアニール処理をするスペースである。レーザアニール室３３には、前面基板２を支持する支持台と、保護膜１４にレーザ光を照射するレーザ光照射機構とが設けられている。レーザ光照射機構は、波長が３０８ｎｍ、ビーム形状が１００ｍｍ×４０μｍのレーザ光（Ｘｅ−Ｃｌレーザ）を照射する構成になっており、加熱のエネルギーは４００ｍＪ／ｃｍ２程度、送り速度が５ｍｍ／ｓになっている。
【００３７】
背面基板ロード室３４は、背面基板１を搬入するスペースであり、背面基板脱ガス室３５に接続されている。背面基板ロード室３４に搬入された背面基板１を背面基板脱ガス室３５に搬送する搬送機構（図示しない）が設けられている。  
背面基板脱ガス室３５は、背面基板１を加熱して当該背面基板１に吸着したガス（水蒸気など）を除去するスペースであり、上述した背面基板ロード室３４及び搬送室３６に接続されている。背面基板脱ガス室３５内には、背面基板１を加熱及び冷却する加熱冷却機構が設けられている。
【００３８】
搬送室３６は、上述のレーザアニール室３３及び背面基板脱ガス室３５に接続されており、レーザアニール室３３からの前面基板２と背面基板脱ガス室３５からの背面基板１とが合流するスペースである。この搬送室３６は、アライメント・封着室３７にも接続されており、合流した前面基板２及び背面基板１をアライメント・封着室３７に搬送するスペースでもある。また、搬送室３６は、アンロード室３８にも接続されており、アライメント・封着室３７からのＰＤＰ１００をアンロード室３８に搬送するスペースでもある。このため、搬送室３６には、前面基板２、背面基板１及びＰＤＰを搬送する搬送ロボット（図示しない）が設けられている。
【００３９】
アライメント・封着室３７は、前面基板２及び背面基板１の位置決めをし、両基板を封着材（図示しない）を用いて封着すると共に、前面基板２と背面基板１との間に放電ガスを封入して、ＰＤＰ１００を完成させるスペースである。アライメント・封着室３７は、上述の搬送室３６に接続されている。
【００４０】
アライメント・封着室３７には、前面基板２と背面基板１の位置決めをする位置決め機構（図示しない）と、放電ガスを供給する放電ガス供給部（図示しない）が設けられている。また、アライメント・封着室３７には、室内に拡散した放電ガスを純化する放電ガス純化器４７が取り付けられており、放電ガス純化器４７によって純化された放電ガスを再利用することができるようになっている。  
アンロード室３８は、アライメント・封着室３７において完成されたＰＤＰ１００を外部に取り出すスペースであり、上述した搬送室３６に接続されている。
【００４１】
（プラズマディスプレイパネルの製造方法）  
次に、本実施形態に係るＰＤＰ１００の製造方法を説明する。図４は、本実施形態に係るＰＤＰ１００の製造の流れを示すフローチャートである。図５〜図７は、本実施形態に係るＰＤＰ１００の製造の様子を示す工程図である。本実施形態では、前面基板２と背面基板１とを別個に形成し、両基板を貼り合せるという手順でＰＤＰ１００を製造する。
【００４２】
前面基板２を形成する手順を説明する。  
前面基板２に表示電極１２を形成し、誘電体層１３を形成する（ＳＴ１１：絶縁層形成工程）。誘電体層１３については、まず、Ｐｂ、Ｂ２Ｏ３、ＳｉＯ２の混合材料を印刷法によって前面基板２及び表示電極１２上に２５μｍ程度の厚さに塗布し、５５０℃程度の温度で焼成して第１絶縁層１３ａを形成する。次に、Ｐｂ、Ｂ２Ｏ３、ＳｉＯ２の混合材料に微粒子８を混合した材料を印刷法によって第１絶縁層１３ａ上に０．５μｍ程度の厚さに塗布し、５５０℃程度の温度で焼成して、図５に示すように、微粒子８が含まれた第２絶縁層１３ｂを形成する。
【００４３】
この状態で、前面基板２をＰＤＰ製造装置３０の前面基板ロード室３１に搬入する。前面基板２が搬入されたら、前面基板ロード室３１内の搬送機構が前面基板２を蒸着室３２に搬送する。
【００４４】
蒸着室３２では、前面基板２に保護膜１４を形成する（ＳＴ１２：保護膜形成工程）。  
まず、前面基板２の基板温度が２５０℃程度になるように加熱し、真空排気機構によって蒸着室３２内を真空排気する。蒸着室３２内を真空排気したら、酸素ガス供給機構によって蒸着室３２内に酸素ガスを供給し、当該酸素ガスの分圧が３．０×１０−２Ｐａ程度になるように制御する。
【００４５】
酸素ガスの分圧及び前面基板２の基板温度を調節しながら、電子ビーム銃から蒸発材料に向けて電子ビームを照射して蒸発材料を蒸発させると、蒸発した蒸発材料は、蒸着室３２内を蒸気流となって循環し、４０Å／ｓ程度の成膜レートで第２絶縁膜１３ｂ上及び微粒子８上に堆積する。蒸発材料の堆積物が保護膜１４となる。保護膜１４は、光透過可能な状態に形成される。
【００４６】
微粒子８が第２絶縁膜１３ｂの表面に突出しているため、図６に示すように、保護膜１４のうち微粒子８上に堆積した部分がこの微粒子８の突出部分に合わせて凸状に形成される（凸状部分１８）。なお、蒸発材料中のＣａＯの濃度はほぼ５０ｍｏｌ％になっている。
【００４７】
保護膜１４を形成したら、前面基板２をレーザアニール室３３の支持台上に搬送する。レーザアニール室３３では、レーザ光照射機構によってレーザ光を発生させ、当該レーザ光を保護膜１４の凸状部分１８に照射する（ＳＴ１３：再結晶工程）。保護膜１４を光透過可能な状態に形成しておくことで、レーザ光が保護膜１４を透過し、微粒子８に照射されることになる。本実施形態のようにＳｉ、ＳｉＣを含む微粒子８はレーザ光を受けると発熱するため、凸状部分１８は外側のレーザ光及び内側の熱の両側から加熱されることになる。この加熱によって、図７に示すように凸状部分１８が再結晶化され、保護膜１４の他の部分よりも結晶性が高くなる。  
このようにして、前面基板２を形成する。
【００４８】
次に、背面基板１を形成する手順を説明する。  
まず、背面基板１の内面にアドレス電極１１、誘電体層１９、隔壁１５、蛍光体１７を形成し（ＳＴ２１）、さらに図示しない封着材を形成する（ＳＴ２２）。この状態で、ＰＤＰ製造装置３０の背面基板ロード室３４に搬入する。背面基板１が搬入されたら、背面基板ロード室３４内の搬送機構が背面基板を脱ガス室３５に搬送する。脱ガス室３５では、真空中で背面基板１を加熱することによって、当該背面基板１の内面に形成された封着材に対して脱ガス処理を行う（ＳＴ２３）。
【００４９】
脱ガス処理が終了した背面基板１は、搬送室３６へ搬送され、搬送室３６からアライメント・封着室３７へと搬送される。  
アライメント・封着室３７では、真空雰囲気下において、前面基板２と背面基板１とを貼り合わせるための位置決めをする（ＳＴ３１）。位置決めが完了したら、アライメント・封着室３７内に放電ガスを導入する（ＳＴ３２）。放電ガスを導入したら、封着材を加熱して前面基板２と背面基板１とを貼り合わせる（ＳＴ３３）。貼り合わせが完了したら、封着材を硬化させ、前面基板２と背面基板１との間に放電ガスが封入された状態で前面基板２と背面基板１との間を封着する（ＳＴ３４）。このように、アライメント・封着室３７では封着工程を行い、ＰＤＰ１００を得る。封着工程後、放電ガスは放電ガス純化器４７によって取り込まれ、再利用可能な状態にされる。  
その後、ＰＤＰ１００は、搬送室３６を経由してアンロード室３８に搬送され、アンロード室３８から取り出される。
【００５０】
本実施形態によれば、表示電極１２上に、微粒子８を含んだ第２絶縁膜１３ｂを、当該微粒子８が第２絶縁膜１３ｂの表面から突出するように形成し、この第２絶縁膜１３ｂ上には、微粒子８に重なる部分が凸状になるように保護膜１４を形成し、保護膜１４のうち凸状部分１８を加熱して再結晶させるので、加熱のエネルギーを保護膜１４の凸状部分１８に集中させることができる。これにより、効率よくＰＤＰ１００を製造することができる。また、このようにＰＤＰ１００を製造することにより、保護膜１４の凸状部分１８において結晶性が高くなるため、放電遅れの生じにくいＰＤＰ１００を得ることができる。
【００５１】
本発明の技術範囲は上記実施形態に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲で適宜変更を加えることができる。  
上記実施形態では、保護膜形成工程から封着工程までを、真空雰囲気中で行うこととして説明したが、これに限られることは無い。例えば、保護膜形成工程から封着工程までを露点−６０℃以下の乾燥雰囲気中で行っても構わない。この場合、ＰＤＰ製造装置３０内（特に、蒸着室３２内、レーザアニール室３３内、背面基板脱ガス室３５内、搬送室３６内、アライメント・封着室３７内）にＣＤＡ（Clean Dry Air）を供給するＣＤＡ供給機構と、ＰＤＰ製造装置３０内からＣＤＡを排出するＣＤＡ排出機構とを有していることが好ましい。ＰＤＰ製造装置３０内にＣＤＡを供給することによって、当該ＰＤＰ製造装置３０内を容易に露点−６０℃以下の乾燥雰囲気にすることができる。このように、露点−６０℃以下の乾燥雰囲気であっても、保護膜１４の吸湿を十分に防ぐことが可能である。  
また、上記実施形態では、保護膜１４を背面基板１にのみ形成する構成であったが、これに限られることは無い。例えば、背面基板１と前面基板２との両方に保護膜１４を形成する構成であっても、勿論構わない。
【００５２】
また、上記実施形態では、保護膜１４の材料としてＳｒＯとＣａＯとの混合物を用いていたが、これに限られることは無い。例えば、保護膜１４をＳｒＯ又はＣａＯの単一材料で形成しても良いし、これとは別にＭｇＯであっても構わない。保護膜１４にＭｇＯを主成分として含ませることで、耐スパッタ性を高めることができる。
【００５３】
また、上記実施形態では、微粒子８の材料としてＳｉＯ２、ＴｉＯ２、ＺｎＯ２及びＳｉ、ＳｉＣの混合物を用いていたが、これに限られることは無い。例えば、保護膜１４の構成材料と同様のＭｇＯ、ＳｒＯ、ＣａＯ若しくはＳｒＯとＣａＯとの混合物であっても良いし、他のセラミックス材料、例えばＡｌ２Ｏ３やＳｉ３Ｎ４などであっても良い。
【図面の簡単な説明】
【００５４】
【図１】本発明の実施形態に係るＰＤＰの構成を示す斜視図。
【図２】本発明の実施形態に係るＰＤＰの構成を示す断面図。
【図３】本実施形態に係るＰＤＰ製造装置の構成を示す平面図。
【図４】本実施形態に係るＰＤＰの製造過程を示すフローチャート。
【図５】本実施形態に係るＰＤＰの製造工程を示す工程図。
【図６】同、工程図。
【図７】同、工程図。
【符号の説明】
【００５５】
１…背面基板  ２…前面基板  ８…微粒子  １１…アドレス電極  １２…表示電極  １３…誘電体層  １３ｂ…第２絶縁膜  １４…保護膜  １８…凸状部分  ３０…ＰＤＰ製造装置  ３２…蒸着室  ３７…アライメント・封着室  １００…ＰＤＰ  
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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