(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
ダイ（６４）の両表面のうち１つ以上の表面に電気接点を有するダイ用のフリップチップダイパッケージを形成する方法において、
ダイ（６４）の２倍の幅のフレキシブル基板（３０）を提供するステップと、
該基板（３０）に導電層（３２）を形成するステップと、
回路配線（３６、３８、４０）を導電層（３２）から電気的に別個に形成するステップであって、少なくとも１つの該回路配線（３６、３８）は破断可能なリード（５０、５２）を有する前記ステップと、
ダイ（６４）の第一の表面を第一の回路配線（３６、３８）に取り付けるステップと、
第二の回路配線（４０）がダイ（６４）の第二の表面の上方に位置するように基板（３０）を折り重ねるステップと、
ダイ（６４）の第一の表面を第一の回路配線（３６、３８）に電気的に接合するステップと、
ダイ（６４）の第二の表面を第二の回路配線（４０）に電気的に接合するステップとを備え、
接合部の１つは、破断可能なリード（５０、５２）を破断させ且つ、該リードの破断部分（５０、５２）をダイ（６４）に接触させることにより形成される、フリップチップダイパッケージを形成する方法。
【請求項２】
請求項１に記載の方法において、
第一の回路配線（３６、３８）及び第二の回路配線（４０）の双方は、基板（３０）が折り重ねられたとき、通路（６５）の全てがダイ（６４）の同一側にあるように配置された通路（６５）を有する、方法。
【請求項３】
請求項２に記載の方法において、
ダイ（６４）を回路板に実装することができるようはんだボール（４６，４８）を通路（６５）に施すステップを更に備える、方法。
【請求項４】
請求項１に記載のダイパッケージを形成する方法において、
前記ダイ（６４）は、電界効果トランジスタ（ＦＥＴ）、金属酸化物半導体（ＭＯＳ）ＦＥＴ（ＭＯＳＦＥＴ）、絶縁ゲートＦＥＴ（ＩＧＦＥＴ）、サイリスタ、双極トランジスタ、ダイオード、ＭＯＳ制御サイリスタ、及び抵抗器から成る群から選ばれたデバイスである、ダイパッケージを形成する方法。
【請求項５】
請求項１に記載の方法において、
フレキシブル基板（３０）は、ポリイミド、ポリエステル、フルオロポリマーエポキシ、ポリエチレン及びフルオロカーボンから成る群から選ばれた材料である、方法。
【請求項６】
請求項４に記載の方法において、
ダイ（６４）は５０ボルト以上の電位にて作動可能である、方法。
【請求項７】
請求項１に記載のダイパッケージを形成する方法において、
回路配線（３６、３８）は、回路配線のリードの破断部分（５０、５２）と接合することによりダイ（６４）の第一の表面に連結される、ダイパッケージを形成する方法。
【請求項８】
携帯型電子製品を形成する方法において、
請求項１乃至７の何れか記載の、フリップチップダイ（６４）パッケージを形成するステップを備える、携帯型電子製品を形成する方法。
【請求項９】
請求項８に記載の携帯型電子製品を形成する方法において、
前記ダイ（６４）のパッケージを携帯型電子製品に連結する前記ステップは、前記ダイパッケージを携帯型電子製品に実装するステップを備える、方法。
【請求項１０】
ダイ（６４）の両表面のうち１つ以上の表面に電気接点を有するダイ（６４）に対する表面実装ダイパッケージを形成する方法において、
導電層を有するフレキシブル基板（３０）を提供するステップと、
回路配線（３６、３８、４０）を導電層（３２）から電気的に別個に形成するステップであって、少なくとも１つの該回路配線は破断可能なリード（５０、５２）を有する前記ステップと、
回路配線がダイ（６４）の第一の表面における電気接点と電気的接触を為すようにダイ（６４）の第一の表面を第一の回路配線（３６、３８）に取り付けるステップと、
第二の回路配線（４０）がダイ（６４）の第二の表面の上方に位置し、第二の回路配線（４０）がダイ（６４）の第二の表面における電気接点と電気的接触を為すように基板（３０）を折り重ねるステップとを備え、
電気接点の１つは、破断可能なリード（５０、５２）を破断させ且つ、リードの破断部分（５０、５２）をダイ（６４）の電気接点に接触させることにより形成される、表面実装ダイパッケージを形成する方法。
【請求項１１】
請求項１０に記載の方法において、回路配線の各々には、基板（３０）の通路（６５）を通って伸びるはんだボール（４６，４８）が接触する、方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、全体として、ダイパッケージング、より具体的には、植込み型医療装置に対して有用なフリップチップダイパッケージを形成する方法、携帯型電子製品を形成する方法、及び表面実装ダイパッケージを形成する方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
ダイパッケージングは、電子製品の設計者及び製造メーカから顕著な程度の注目を集め続けている。この注目は、より優れた効率、高い性能、及び小さい寸法の製品に対するマーケットの需要に基づくものである。小さい寸法に対するマーケットの需要は、少なくともある程度、植込み型医療装置（ＩＭＤ）のような、携帯型電子製品の応用製品により推進される。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
ＩＭＤパッケージの寸法が益々、小型化し、また、益々より多くの構成要素がかかる装置に追加されるのに伴い、追加的な構成要素に対し利用可能なＩＭＤパッケージ内の面積は実質的に減少している。更に、構成要素の寸法も小型化するに伴い、ＩＭＤパッケージ内の全三次元の利用を改良することが望ましい。電子パッケージ内の全三次元の利用を改良するダイパッケージは、ＩＭＤパッケージのような携帯型パッケージを含むものが製造されているが、ダイパッケージ及びダイパッケージを形成する方法に対し更なる改良が求められている。例えば、設計者及び製造メーカは、フリップチップダイパッケージの効率及びコスト効果並びにこれらのフリップチップダイパッケージを製造する方法の改良を探求している。
【０００４】
高電圧及び高電力のダイは、かかるダイがそのダイの両面に電気接点を有することが多いため、パッケージにて追加的な技術的課題を呈している。高電力／電圧ダイとは、構成要素の任意の２つの電気端子又は接点を亙って約５０ボルト以上の電位にて作動可能な電子的構成要素又は装置を意味する。かかる高電力／電圧構成要素は、約１００ボルト以上の直流電圧にて更に作動可能であり、更に、約３００ボルト以上、５００ボルト以上、１，０００ボルト以上、更に１６００ボルト以上の直流電圧にてさえも作動可能である。
【０００５】
かかる高電力／電圧構成要素は、高電圧ダイ及び高電圧の表面実装構成要素を含むが、これらにのみ限定されるものではない。かかる構成要素は、該構成要素と関係した２つ又はより多数の電気接点領域を有している。かかる接点領域は、構成要素の任意の箇所（例えば、頂部、底部、端縁等）に配置することができる。高電力／電圧ダイとは、全体として、半導体加工技術を使用して形成された固体相スイッチングデバイス、コンデンサ、抵抗器、整流器、又は任意の他の固体相電子デバイスを意味する。例えば、高電力／電圧ダイは、電界効果トランジスタ（ＦＥＴ）、金属酸化物半導体ＦＥＴ（ＭＯＳＦＥＴ）、絶縁ゲートＦＥＴ（ＩＧＦＥＴ）、サイリスタ、双極トランジスタ、ダイオード、ＭＯＳ制御サイリスタ、抵抗器等のようなデバイスを含むことができる。高電力／電圧ダイの更なる特徴は、大電流、垂直な電流の流れをダイの底部又は裏側からダイの頂部又は正面側に、及び（又は）例えば、ダイの頂面及び底面の双方における作用可能なパッド又は接点まで切り換え又は伝導する能力を含むことができる。
【０００６】
このため、高電力／電圧ダイをチップ規模にてパッケージングする１つの好ましい解決策は、ダイを基板にワイヤボンディングし、また、ダイの周りにて及びダイの上方に施された誘電性絶縁体を有することである。本発明の譲受人に譲渡された米国特許明細書６，０５７，１７５号には、かかる配置が示されているが、このパッケージング技術は、基板におけるダイ面積の寸法及び全体的なパッケージの高さを増大させる。このため、高電力／電圧デバイスに対する誘電性被覆を含むフリップチップアプローチが必要とされている。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記に鑑みて、フリップチップパッケージを含む、ダイパッケージを形成する方法を提供することが望ましいことを理解すべきである。更に、ダイパッケージを形成する方法の効率及びコスト効果を改良するような、ダイパッケージを形成する方法を改良することが望まれるであろう。更に、当該技術分野の当業者には、本発明の上記の背景及び以下の概要、図面の簡単な説明、図面の詳細な説明及び特許請求の範囲から追加的な望ましい特徴が明らかになるであろう。
【０００８】
本発明の教示に従ってフリップチップダイパッケージを形成する方法が提供される。該方法は、回路配線を有するフレキシブル基板にダイの第一の側部（ダイの両表面のうち一方の表面をいうが、以下単に第一の側部という）を取り付けるステップと、ダイの第一の側部を基板に接合し且つダイの端子を回路配線に接合するステップと、フレキシブル基板を折り重ね、回路配線がダイの第二の側部（ダイの両表面のうち他方の表面をいうが、以下単に第二の側部という）の上方となるようにするステップと、回路配線をダイの第二の側部の端子に接合するステップとを備えている。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００９】
本発明は、同様の要素を同様の参照番号にて表示する、添付図面に関して以下に説明する。
本発明の以下の詳細な説明において、実施の形態の一部を形成し、また、本発明を本発明に従って実施することができる一例としての特定の実施の形態を介して示した添付図面について説明する。しかし、その他の実施の形態も利用可能で、本発明の範囲から逸脱せずに構造的及び論理的な変更を為すことも可能であることを理解すべきである。
【００１０】
本発明の一例としての実施の形態は、図１のフローチャートに記載されており、この実施の形態は、高電圧の個別のダイ及びその他の高電圧構成要素を少ないピン数にてチップ規模の表面実装可能なパッケージ内にパッケージングするのに特に有益であり、ここで、「高電圧構成要素」又は「高電圧の個別のダイ」は、本明細書にて、５０ボルト以上、好ましくは１００ボルト以上、より好ましくは５００ボルト以上、更により好ましくは１０００又は１６００ボルト以上の電位にて作動可能であるデバイスとして定義される。しかし、当該技術分野の当業者は、その他のダイ及び構成要素を同様の要領にてパッケージすることができ、図１の方法に従って製造されたダイパッケージは多岐に亙る用途にて使用することが可能であることが認識されよう。この方法に従って形成されたダイパッケージ又は高電圧ダイパッケージは、電界効果トランジスタ（ＦＥＴ）、金属酸化物半導体（ＭＯＳ）ＦＥＴ（ＭＯＳＦＥＴ）、絶縁ゲートＦＥＴ（ＩＧＦＥＴ）、サイリスタ、双極トランジスタ、ダイオード、ＭＯＳ制御サイリスタ、抵抗器又は同等のもの、特に、構成要素の両側部に電気接点を有するデバイスのような多数のデバイスを含むことができる。
【００１１】
図１を参照すると、基板が提供される（１２）。該基板は、ポリイミド、プラスチック、ポリエステル、フルオロポリマー、エポキシ膜、ポリエチレン膜又はフルオロポリマー膜又はこれらの材料の組み合わせのような可撓性の材料で形成されることが好ましい。導電層は基板の頂部に形成され、該導電層は導電経路又は回路配線を形成し得るようエッチングすることができる。
【００１２】
その両側部に電気接点又は接合パッドを有するダイ又は構成要素は、第一の側部が少なくとも部分的に導電性回路配線の一部分の上方にある状態にてフレキシブル基板に実装される（１４）。ダイの第一の側部は、幾つかの接合パッドを有することができる。ダイは、第一の側部における接点又はパッドの各々がその機能について以下に説明する１つ又はより多くの破断可能なリードの上方になるように実装される。ダイは非導電性接着剤にて実装し、ダイを更なる加工のため適所に配置することができる。接着剤は、ダイを一時的に仮止めし得るよう接着剤ドット又はポストの形態とすることができる。
【００１３】
ダイ又は構成要素の第一の側部における電気接点又は接合パッドは、電気接点の上方に位置する破断可能なリードを破断させ且つ、超音波熱圧着（ｔｈｅｒｍｏｓｏｎｉｃ）又は熱圧着（ｔｈｅｒｍｏｃｏｍｐｒｅｓｓｉｏｎ）接合法のような従来の接合技術を使用して第一の回路配線に接合される（１６）。
【００１４】
列状のはんだボールは基板の一側部、すなわち、基板を通じて提供され、はんだボールが回路配線と接触するのを許容する（１８）。はんだボールはパッケージした構成要素をフリップチップ実装するのを許容し得るようパッケージの一側部に形成されることが好ましい。以下に説明するように、図２及び図３の説明と共に、構成要素の第二の側部と接触する設計とされた回路配線は、エッチングされて、これら回路配線はパッケージの第二の側部から第一の側部まで伸びてフリップチップ実装を容易にする。
【００１５】
次に、フレキシブル基板を折り重ね、基板の一部における導電層回路配線はダイ又は構成要素の第二の側部の上方に位置するようにする（２０）。次に、導電性回路配線をダイの第二の側部の電気端子に接合する（２２）。該回路配線をダイ又は構成要素の第二の側部に接合することは、導電性接着剤により施すといった任意の数の技術により提供することができる。好ましくは、ダイの第二の側部における電気接点は単一の電気接点であるものとする。ダイの第二の側部が１つ以上の電気接点を有するならば、接合方法はこのことを考慮に入れる。
【００１６】
次に、例えば、植込み型医療装置にて使用される別の回路に実装する準備としてパッケージを完成させるため、パッケージ化した構成要素を（選択可能に）封入化することができ（２４）、また、過程が複数のダイにて行われるならば、この時点にて又は、個々のパッケージを形成するため封入を行う前に、単一化が行われる。
【００１７】
本発明のステップ又は二次的ステップは、図１のこの詳細な説明にて好ましい順序にて示されている。しかし、この過程のステップの幾つかは、本発明の範囲から逸脱せずに、異なる順序にて行うことができる、例えば、構成要素の一側部又は反対側部に接触するステップは、別の順序にて行い、異なる数の電気接点を有する構成要素を構成要素の一側部又は反対側部にて受け入れることができる。過程の工程におけるその他の変更例は、当該技術分野の当業者に明らかであろうし、過程のステップ順序は、何らの意味にても制限的なものとみなすべきではない。
【００１８】
図２及び図３には、パッケージ及び関係した構成要素のそれぞれ頂面図及び側面図であり、以下の説明は、図２及び図３の双方に関するものである。より具体的には、図２には、１つ以上の半導体ダイ又はその他の電子構成要素がその上に実装されるフレキシブル基板３０が示されている。該基板は、ポリイミド、プラスチック、ポリエステル、フルオロポリマー、エポキシ膜、ポリエチレン膜又はフルオロポリマー膜又はこれら材料の組み合わせのような、可撓性の材料にて形成されることが好ましい。導電層３２は、基板３０の頂部に形成され、該導電層は、導電性経路又は回路配線を形成し得るようエッチングすることができる。図３には、基板３０及び導電層３２の側面図が示されている。
【００１９】
図２を再度参照すると、ダイ実装領域は、全体として、参照番号３４の斜線で示されている。回路配線が望まれないこれらの領域内にて導電層３２をエッチングすることにより形成された回路配線３６、３８、４０が示されている。全体として、ダイにおける電気接点と等しい多数の回路配線があり、この場合、ダイの第一の側部における２つの電気接点に相応する２つの回路配線３６、３８があり、また、ダイの第二の側部と接触する１つの回路配線４０がある。以下により詳細に説明するように、基板３０の部分４２、４４を除去して、回路配線とダイとの間の接触を許容することができる。
【００２０】
上述したように、高電力／電圧ダイは、通常、少数の電気接点を有しており、また、典型的に、電界効果トランジスタダイは、ダイの一側部における１つと、図２に示すように反対側部における２つという、３つの接点のみを有する。ダイ（その下方の回路配線を明確に示すため図示せず）は、ダイ実装領域３４に実装することができ、ダイの第一の側部は２つの端子を有し、その１つの端子は回路配線３６、３８内でそれぞれ空隙４２、４４の各々の上方にある。その後に、第二の側部（図２の頂部）に折り重ねられるであろう回路配線４０は、基板に複数の通路６５を有しており、該複数の通路６５により基板を通じて回路配線４０に隣接する第二の側部にはんだボール接続を行い、その後に完成したパッケージ体を表面実装することを可能にする。回路配線３６、３８は、同様に基板に通路６５を有しており、はんだボールにより基板を通じて電気的接触を為すことを可能にする。
【００２１】
ダイ（図３に参照番号６４で示すが、図２に図示せず）をダイ実装領域３４に配置し且つ、該ダイを所要位置に仮止めし又は接着させた後、列状のはんだボール４６、６８を通路６５に施し、回路配線とダイの両側部との間にて電気的接点を提供する。ダイ６４は、非導電性接着剤ドット又はポストを使用することにより、更なる加工のため所要位置に仮止めし、図３により明確に見ることができるように、ダイ６４を回路配線よりも僅かに上方に持ち上げる。
【００２２】
その後、回路配線４０を保持する基板の部分をほぼ線５４に沿ってダイの上に折り重ねる。ダイの第二の側部すなわち、裏側部を導電性接着剤６２又は別の便宜な手段により物理的に且つ電気的に回路配線４０に連結する。
【００２３】
理解し得るよう、回路配線４０は、ダイ接点領域から折り重ね線５４を経て且つ、パッケージの側部の周りを伸びており、はんだボール通路６５は、はんだボール通路６５と同一の完成したパッケージ側にあり、パッケージしたダイを表面実装することを可能にする。
【００２４】
図２にて理解し得るように、回路配線３６、３８には、構成要素又はダイの第一の側部における２つの電気接点とそれぞれ接触する破断可能な接点要素５０、５２が関係している。これらの接点要素５０、５２の下方のフレキシブル基板３０は、上述したように、箇所４２、４４にて除去されている。図３に示すように、基板３０の開口部４２、４４は、ダイにおける電気接点に隣接して配置された破断可能なリード５０、５２にアクセスすることを可能にする。
【００２５】
破断可能な接点要素５０、５２は、ダイに向けて押され、これにより箇所５８、６０における接点要素を破断させ、このためダイの電気接点又は接合パッドに対し従来のワイヤボンディングに代えてリード接合として接点要素を使用することができる。接点要素５０、５２は、任意の従来の技術、好ましくは超音波熱圧着又は熱圧着リード接合法のような技術を使用してダイに接合される。ダイにおける電気接点の各々に対して提供された破断可能なリードの数は、その端子にて流れると予想される電流の量によって決まる。より高電流であれば、より多くのリードを破断させ且つダイに接合することが必要となる。
【００２６】
図３には、パッケージ体の側面図が示され、基板は参照番号３０で示され、導電回路配線層は参照番号３２で示されている。代表的な破断可能な設定要素５０、５２は、ダイ６４と接触するよう上方に曲げて示されており、接点要素５０は箇所６０にて回路配線３６又は３８から破断されている。ダイ６４は、導電性接着剤６２により回路配線３２に取り付けられる。
【００２７】
回路配線３６、３８は、ダイ又は構成要素の第一の側部の電気接点をパッケージの１つの面におけるはんだボール６８の列に対し保持している。次に、高電力／電圧構成要素又はダイを保持するパッケージは、パッケージの同一面に保持された構成要素又はダイの両側部から全ての電気接点を有し、これにより表面実装に適したパッケージにする。
【００２８】
最後に、適宜な非導電性ポッティングコンパウンド６６をダイ６４の周りに射出して、基板及びダイの電気的接合部を折り重ねる準備として最初にダイを所要位置に保持していた非導電性接着剤ポスト又はドットから残る全ての間隙を充填することにより、構成要素をパッケージ内で封入することができる。これと代替的に、パッケージの全体（勿論、はんだボール４６、６８は除く）を適宜なコンパンウンドにより封入してもよい。
【００２９】
図２及び図３の双方から理解し得るように、パッケージの全体は、構成要素又はダイよりも僅かだけ大きい底面積を有しており、これにより植込み型医療装置（ＩＭＤ）にて使用するのに適した小型のパッケージを提供する。
【００３０】
上記の説明から、本発明の背景、概要、図面の簡単な説明、図面の詳細な説明に記載された顕著な利点をもたらし、また、当該技術分野の当業者に明らかであろう顕著な利点をももたらすダイパッケージを形成する方法が提供されることが認識されよう。更に、実施の形態について本発明の上記の詳細な説明にて記載したが、この実施の形態にて極めて多数の変更例が存在することが理解されよう。また、図示した実施の形態は単に１つの一例としての好ましい実施の形態であり、本発明の範囲、適用可能性又は形態を何らかの意味にて制限することを意図するものではないことも理解されよう。上記の詳細な説明は、当該技術分野の当業者に対し、本発明の一例としての好ましい実施の形態を具体化する便宜な手引きを提供するものであり、特許請求の範囲に記載された本発明の精神及び範囲から逸脱せずに、この図面の詳細な説明に記載された要素の機能及び配置の点にて色々な変更を為すことが可能であることも理解すべきである。
【図面の簡単な説明】
【００３１】
【図１】本発明の一例としての実施の形態のフローチャートである。
【図２】ダイの第一の側部は基板に形成された導電性回路配線の上方に位置する、ダイを実装すべきフレキシブル基板の平面図である。
【図３】基板が折り重ねられて基板における導電性回路配線とダイの第二の側部との間の接触を許容する、フレキシブル基板に実装されたダイの側面図である。
【図１】
0004733025.tif 000002
【図２】
0004733025.tif 000003
【図３】
0004733025.tif 000004