(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
レチクルを保持する保持機構と投影光学系とを備え、前記レチクルと前記投影光学系とを介してウエハを露光する露光装置において、
前記レチクル上に描写されたマークの位置を計測する計測手段と、
前記レチクルを前記保持機構にて保持する前に前記計測手段によって計測された前記マークの位置および前記レチクルを前記保持機構にて保持した後に前記計測手段によって計測された前記マークの位置に基づき、前記投影光学系による投影像のディストーションを予想する手段とを備えたことを特徴とする露光装置。
【請求項２】
前記予想する手段は、前記レチクルを前記保持機構にて保持する前の前記マークの位置と前記レチクルを前記保持機構にて保持した後の前記マークの位置との差分を求め、前記差分から前記ディストーションを予想することを特徴とする請求項１記載の露光装置。
【請求項３】
前記投影光学系は、前記ディストーションを補正する手段を有することを特徴とする請求項１または２に記載の露光装置。
【請求項４】
請求項１乃至３のいずれか１項に記載の露光装置を用いてウエハを露光するステップを有することを特徴とするデバイス製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は 半導体を製造するための半導体製造装置およびその装置を用いてデバイスを製造するデバイス製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
近年、半導体集積回路のパターンが微細化するのに伴い、半導体製造装置に対する解像度、重ね合わせ精度への更なる向上が求められている。こうした要求に答えるため、半導体露光技術について多方面から様々な技術提案がなされてきた。これらの技術進歩により、多様化する回路パターン形状を高解像で形成することが可能となった。
【０００３】
回路パターンの微細化および解像性能の向上は、一方で、投影光学系による投影像の結像変動量の許容範囲を狭め、また、レチクルを含めた投影光学系の高精度の製造技術と高安定性を求めることとなった。このため、レチクルを含めた投影光学系の製造精度の向上は勿論のこと、製造公差によって生じた投影像の誤差をいかに計測し、補正するかといった問題や、露光環境の変化による影響をいかに計測し、補正するかに多大な努力がなされている。
【０００４】
なお、感光基板に転写されたパターンの歪みを小さくするための先行技術として、特許文献１に記載されたものがある。これはレチクルホルダのレチクル吸着面の面形状を面形状変形手段（フランジおよびピエゾ素子）によって変化させ、転写されるパターンの歪みを制御し、歪みを最小にするものである。
【特許文献１】特開平９−８２６０６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
従来例で述べたように、結像変動量の許容範囲の狭さや、製造公差によって生じる投影像の誤差を考慮せざるを得ない状況では、レチクルをレチクルホルダに保持する際に生じる変形量も無視できない誤差要因となりつつある。
【０００６】
レチクルの変形に関して、レチクルやレチクルホルダの面精度、およびレチクルホルダでレチクルを吸着する際の吸着圧力やその接触状態が各吸着箇所、または各装置ごとで異なっている。例えば、図６（ａ）で示すように、レチクルホルダ２１が完全な水平であったとし、レチクル２２が曲がっていたとする。この場合、レチクル２２とレチクルホルダ２１との間には隙間ｓが発生する。レチクルホルダ２１でレチクル２２を真空吸着保持すると、レチクル２２は吸着圧力に引かれ、図６（ｂ）に示すように、レチクルホルダ２１に吸着される。これによって、レチクル２２に吸着変形が発生する。
【０００７】
逆に、レチクル２２が完全な水平であったとし、レチクルホルダ２１の平面度が完全な水平でなかったとする場合も、レチクル２２とレチクルホルダ２１との間に隙間が発生し、レチクル２２を真空吸着保持すると、レチクル２２に吸着変形が発生する。レチクル２２及びレチクルホルダ２１には、製造公差などの問題、あるいは経時、経年変形、あるいはレチクル２２を取り巻く環境温度などの変化などにより、その変形量は様々に異なり、すべてのレチクル２２すべての装置で同一とはならない。ましてや、レチクル２２とレチクルホルダ２１の相対関係は様々に異なる。
【０００８】
このため、使用している個々のレチクルごとの変形量、ひいては結像性能の変化量が異なり、すべてのレチクルまたは、すべての装置に対して一律の補正値を使用することは（一律に補正することは）困難である。例えば、半導体製造装置の出荷時の結像変動量は、その半導体製造装置の結像性能の変動特性として認識する事ができ、前記変動に対して補正量を求めることができ、結像性能を追い込むことができるが、他のレチクルを使用すると、レチクルの面形状や、またレチクルの面形状とレチクルホルダの面形状の相対関係により、レチクルの変形量が異なるために正確な補正量を求める事ができなくなる。特に１枚のウエハ上にレチクルを次々に交換して露光を行う場合、それぞれのレチクルにそれぞれのレチクルの変形量を個々に考慮しないと、結像性能の変動量が累積して大きな誤差となり得る。
【０００９】
本発明の目的は、露光装置において、レチクルがレチクルホルダ（保持機構）に保持されることに起因した投影光学系による投影像のディストーションを精度良く予想することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
上記問題を解決するためには、レチクルを保持機構で保持する前および後のレチクルの変形量が問題となる。また、基準となるレチクルを用いて露光および計測を行い、投影レンズあるいは露光装置固有のディストーションを抑えるために、あらかじめ調整してあることが望ましい。
【００１１】
本発明に係る第１の露光装置は、レチクルを保持する保持機構と投影光学系とを備え、前記レチクルと前記投影光学系とを介してウエハを露光する露光装置において、前記レチクル上に描写されたマークの位置を計測する計測手段と、前記レチクルを前記保持機構にて保持する前に前記計測手段によって計測された前記マークの位置および前記レチクルを前記保持機構にて保持した後に前記計測手段によって計測された前記マークの位置に基づき、前記投影光学系による投影像のディストーションを予想する手段とを備えたことを特徴とする。
【００１３】
本発明では、露光装置のレチクルステージ上でレチクルホルダによるレチクル保持前およびレチクル保持後の、レチクルにパターニングされたマークの位置ズレを計測する。そして、その計測結果に基づいてレチクルが保持機構に保持されることに起因した投影光学系による投影像のディストーションを予想する。
【発明の効果】
【００１４】
本発明によれば、レチクルが保持機構に保持されることに起因した投影光学系による投影像のディストーションを精度良く予想することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１５】
以下、本発明の実施態様を列挙する。
［実施態様１］
レチクルを保持する保持機構を備えた半導体製造装置を用いて半導体を製造する半導体製造方法において、前記レチクルにパターニングされたマークの位置を測定する手段を用いて、前記レチクルを前記保持機構で保持する前の前記レチクルにパターニングされたマークの位置を測定し、しかる後、前記レチクルを前記保持機構で保持した後の前記レチクルにパターニングされたマークの位置を測定するようにしたことを特徴とする半導体製造方法。
［実施態様２］
レチクルを保持する保持機構を備えた半導体製造装置を用いて半導体を製造する半導体製造方法において、前記レチクルにパターニングされたマークの位置を測定する手段を用いて、前記レチクルを前記保持機構で保持する前の前記レチクルにパターニングされたマークの位置を測定し、しかる後、前記レチクルを前記保持機構で保持した後の前記レチクルにパターニングされたマークの位置を測定し、その後、前記保持前後のマーク位置の差分値を計算するようにしたことを特徴とする半導体製造方法。
［実施態様３］
レチクルを保持する保持機構を備えた半導体製造装置を用いて半導体を製造する半導体製造方法において、前記レチクルにパターニングされたマークの位置を測定する手段を用いて、前記レチクルを前記保持機構で保持する前の前記レチクルにパターニングされたマークの位置を測定し、しかる後、前記レチクルを前記保持機構で保持した後の前記レチクルにパターニングされたマークの位置を測定し、その後、前記保持前後のマーク位置の差分値を計算するようにし、さらにその後、前記計算値からレチクル変形によるレチクル上にパターニングされたマークの位置ズレを計算するようにしたことを特徴とする半導体製造方法。
[実施態様４]
レチクルを保持する保持機構を備えた半導体製造装置を用いて半導体を製造する半導体製造方法において、前記レチクルにパターニングされたマークの位置を測定する手段を用いて、前記レチクルを前記保持機構で保持する前の前記レチクルにパターニングされたマークの位置を測定し、しかる後、前記レチクルを前記保持機構で保持した後の前記レチクルにパターニングされたマークの位置を測定し、その後、前記保持前後のマーク位置の差分値を計算するようにし、さらにその後、前記計算値からレチクル変形によるレチクル上にパターニングされたマークの位置ズレを計算し、その後、前記位置ズレ量が最小となるように投影光学系のディストーションを補正するようにしたことを特徴とする半導体製造方法。
[実施態様５]
レチクルを保持する保持機構を備えた半導体製造装置を用いて半導体を製造する半導体製造方法において、前記レチクルの平面度を測定する手段を用いて、前記レチクルを前記保持機構で保持する前の前記レチクルの平面度を測定し、しかる後、前記レチクルを前記保持機構で保持した後の前記レチクルの平面度を測定するようにしたことを特徴とする半導体製造方法。
[実施態様６]
レチクルを保持する保持機構を備えた半導体製造装置を用いて半導体を製造する半導体製造方法において、前記レチクルの平面度を測定する手段を用いて、前記レチクルを前記保持機構で保持する前の前記レチクルの平面度を測定し、しかる後、前記レチクルを前記保持機構で保持した後の前記レチクルの平面度を測定し、その後、前記保持前後の平面度の差分値を計算し、さらにその後、前記計算値からレチクルの変形量を求めるようにしたことを特徴とする半導体製造方法。
[実施態様７]
レチクルを保持する保持機構を備えた半導体製造装置を用いて半導体を製造する半導体製造方法において、前記レチクルの平面度を測定する手段を用いて、前記レチクルを前記保持機構で保持する前の前記レチクルの平面度を測定し、しかる後、前記レチクルを前記保持機構で保持した後の前記レチクルの平面度を測定し、その後、前記保持前後の平面度の差分値を計算し、さらにその後、該計算値からレチクルの変形量を求め、その後、該変形量からレチクルの変形によるレチクル上にパターニングされたマークの位置ズレを計算するようにしたことを特徴とする半導体製造方法。
[実施態様８]
レチクルを保持する保持機構を備えた半導体製造装置を用いて半導体を製造する半導体製造方法において、前記レチクルの平面度を測定する手段を用いて、前記レチクルを前記保持機構で保持する前の前記レチクルの平面度を測定し、しかる後、前記レチクルを前記保持機構で保持した後の前記レチクルの平面度を測定し、その後、前記保持前後の平面度の差分値を計算し、さらにその後、該計算値からレチクルの変形量を求め、その後、該変形量からレチクルの変形によるレチクル上にパターニングされたマークの位置ズレを計算し、しかる後、該位置ズレ量が最小となるように投影光学系のディストーションを補正するようにしたことを特徴とする半導体製造方法。
【実施例１】
【００１６】
以下、本発明の実施例１を図１に基づいて説明する。図１は半導体製造装置のレチクルステージ２の回りを示した概略図である。図１に示すように、半導体製造装置には、半導体パターンの焼き付けを行うためのレチクル１と、レチクル１を吸着保持する、保持機構であるレチクルホルダを備えたレチクルステージ２とが設けられている。レチクルステージ２は、レチクル搬送部（不図示）から送られたレチクル１をレチクルホルダの上部で吸着保持して固定する。このレチクルステージ２には駆動機構が装着されており、これによって前後方向に移動スキャンを行い、レチクル１上の描写パターンを後述のウエハ３上に露光する。本実施例１のスキャナーは、レチクルステージ２の移動に同期して、ウエハーステージ１０を移動させ、ある一定スリットを通して露光を行うものである。
【００１７】
また、レチクルステージ２の上方部にはレチクル１の上に描写された計測マーク（不図示）の位置測定を行い、かつレチクル１の平面度の計測を行う、計測手段である計測センサー４ａ，４ｂが検知部をレチクル１に向けて二個設置されている。計測センサー４ａ，４ｂには駆動機構が設けられ移動できるようになっている。この二個の計測センサー４ａ，４ｂの中間位置の上方には、エキシマレーザー（不図示）の露光光を均一にするための照明系レンズ６が設けられている。これによりエキシマレーザーにて発射されたエキシマレーザー光は照明系レンズ６に導かれる。
【００１８】
また、レチクルステージ２の下方部には、露光を行うための投影光学系である投影レンズ５が設置されている。この投影レンズ５は、ディストーション補正時に駆動する駆動レンズを備えている。投影レンズ５の下方部には搬入するウエハ３を載置固定するウエハステージ１０が配置されている。
【００１９】
上記二個の計測センサー４ａ，４ｂは信号線を介して計測部７に繋がっており、計測部７と演算処理部８とは電線によって接続されている。また、演算処理部８も、補償部９および制御部１１に電線によって接続されている。さらに、制御部１１は二個の計測センサー４ａ，４ｂおよびレチクルステージ２、ウエハステージ１０に電線によって接続され、補償部９は投影レンズ５に電線によって接続されている。
【００２０】
以上の構成において、本実施例１の半導体製造装置の具体的動作を図２に基づいて説明する。この半導体製造装置で実素子を作成する場合、最初に操作者は半導体製造装置にレチクル１を搬入する（ステップ１）。搬入されたレチクル１はレチクルステージ２上に送られ、露光の前準備としてそのマーク位置を測定する。測定時には、レチクルステージ２および計測センサー４ａ、４ｂを各々に設けた駆動機構で駆動して、レチクル１上の各計測マークを測定する。
【００２１】
詳述すると、レチクルステージ２上にレチクル１が送り込まれると、最初にレチクル１を基準の位置に合わせるための位置決め動作が行われる。この位置決め動作によって、レチクル１とレチクルステージ２の相対的位置合わせが行われる。その後、レチクルホルダがレチクル１を吸着した状態で、レチクル１上の計測マークが計測センサー４ａ、４ｂの計測エリアに入るようにレチクルステージ２が移動する。移動が終了すると、レチクルホルダはレチクル１の吸着を解除し、レチクル吸着保持前の計測マーク位置の計測を計測センサー４ａ、４ｂによって行う（ステップ２）。
【００２２】
レチクル吸着保持前の計測マーク位置の計測が終了すると、レチクルホルダはレチクル１を吸着保持し、吸着保持した後の計測マーク位置の計測を計測センサー４ａ、４ｂによって行う（ステップ３）。この計測センサー４ａ、４ｂを通して送られてきた画像信号を元に計測部７ではレチクル１上に描写された計測マークの位置ズレ量を測定する。
【００２３】
計測部７は現在のレチクルステージ２及び計測センサー４ａ、４ｂの位置を位置データとして、また吸着保持前および後で計測したレチクル１の計測マーク位置をデータとして、これら３つのデータを同期して出力する。この同期して出力された位置データと、レチクル１上の計測マーク位置データは、演算処理部８に送られ、第１の計測マークデータであるレチクル吸着保持前後のデータとして随時蓄えられる。このようにして、各計測マーク位置において、吸着保持前および後の計測マーク位置を計測し終わると、演算処理部８は吸着保持前および後のレチクル全面データとしてこのデータを記憶する。
【００２４】
この計測により、演算処理部８には吸着保持前のデータ、吸着保持後のデータの２つのデータが蓄えられたことになり、演算処理部８において、前記2つのデータに演算処理を加えてデータ処理を行う。実施例１の場合、レチクル吸着保持前のデータと、レチクル吸着保持後のデータの差分を求め、本差分をレチクル上の各点での位置ズレとして使用する（ステップ４）。前記ステップ２乃至４は各像高において繰り返し行われる。
【００２５】
このデータ処理された結果と、半導体製造装置の投影レンズ５を通した投影像のディストーション変化とは密接な関係があり、前述の演算処理結果より投影像のディストーション変化が予想できる。これらのデータ処理結果より、実素子の露光に際してディストーションが発生し、ディストーションにより重ね合わせ精度が劣化すると予想される場合、半導体製造装置は、発生するディストーションを逆補正することを目的とし、半導体製造装置内の投影光学系の一部のレンズを駆動、あるいは、レチクルステージ２、ウエハステージ１０を駆動し、ディストーション補正を行う。実施例１の半導体製造装置においては、投影レンズ５の一部の光学素子を移動させ、本補正を行う（ステップ５）。
【００２６】
前述の演算結果によるディストーション補正を投影レンズ５で行った後、本半導体製造装置は、露光動作を行うために半導体製造装置内のウエハステージ１０上にウエハ３を搬入し、露光動作を開始する（ステップ６）。なお、レチクル１の平面度については吸着保持のときにその変形が発生する。つまり、計測マーク位置の計測は、レチクル１を交換するタイミングで行うのみでよく、その後の露光動作中に行う必要はない。
【実施例２】
【００２７】
次に、実施例２における半導体製造装置の具体的動作を図３に基づいて説明する。この半導体製造装置で実素子を作成する場合、最初に操作者は半導体製造装置にレチクル１を搬入する（ステップ１）。搬入されたレチクル１はレチクルステージ２上に送られ、露光の前準備としてその平面度（高さ方向位置）を計測する。計測は、レチクル１にパターニングされた計測マークのコントラスト計測によって得られる高さ方向の位置データとして得る。測定時には、レチクルステージ２および計測センサー４ａ、４ｂを各々に設けた駆動機構を使用して駆動し、レチクル１の平面度を測定する。
【００２８】
詳述すると、レチクルステージ２上にレチクル１が送り込まれると、最初にレチクル１を、基準の位置に合わせるための位置決め動作が行なわれる。この位置決め動作によって、レチクル１とレチクルステージ２の相対位置の合わせが行なわれる。その後、レチクルホルダがレチクル１を吸着した状態で、レチクル１上の計測マークが計測センサー４ａ、４ｂの計測エリアに入るようにレチクルステージ２が移動する。移動が終了すると、レチクルホルダは吸着を解除し、レチクル吸着保持前の平面度（高さ方向位置）計測を計測センサー４ａ、４ｂで行う（ステップ２）。
【００２９】
レチクル吸着保持前の平面度（高さ方向位置）計測が終了すると、レチクルホルダはレチクル１を吸着保持し、レチクル吸着保持後の平面度（高さ方向位置）計測を計測センサー４ａ、４ｂで行う（ステップ３）。この計測センサー４ａ、４ｂを通して送られてきた信号を元に計測部７ではレチクル１上に描写された計測マークの高さ方向の位置ズレ量を測定する。
【００３０】
計測部７は現在のレチクルステージ２の位置及び計測センサー４ａ、４ｂの位置を位置データとして、また吸着保持前および後で計測したレチクル１の高さ方向の位置ズレを平面度データとして、これら３つのデータを同期して出力する。この同期して出力された位置データと、レチクル平面度データは、演算処理部８に送られ、第１の計測マークデータであるレチクル保持前後の平面度データとして随時蓄えられる。このようにして、各計測マーク位置において、吸着保持前後の平面度計測を計測し終わると、演算処理部８は吸着保持前および後のレチクル全面データとして平面度データを記憶する。
【００３１】
上記の計測により、演算処理部８には吸着保持前のデータ、吸着保持後のデータの２つのデータが蓄えられたことになり、演算処理部８において、前記２つのデータに演算処理を加えデータ処理を行う。実施例１の場合、吸着保持前のデータと、吸着保持後のデータの差分を求め、本差分をレチクル平面度差として使用する（ステップ４および５）。前記ステップ２乃至４は各像高において繰り返し行われる。
【００３２】
データ処理された結果と、半導体製造装置の投影レンズ５を通した投影像のディストーション変化とは密接な関係があり、前述の演算処理結果より投影像のディストーション変化が予想できる。これらのデータ処理結果より、実素子の露光に際してディストーションが発生し、ディストーションにより重ね合わせ精度が劣化すると予想される場合、本半導体製造装置は、発生するディストーションを逆補正することを目的とし、半導体製造装置内の投影光学系の一部のレンズを駆動、あるいは、レチクルステージ２、ウエハステージ１０を駆動し、ディストーション補正を行う。実施例２の半導体製造装置においては、投影レンズ５の一部の光学素子を移動させ、本補正を行う（ステップ６）。
【００３３】
前述の演算結果によるディストーション補正を投影レンズ５で行った後、半導体製造装置は、露光動作を行うために半導体製造装置内のウエハステージ１０上にウエハ３を搬入し、露光動作を開始する（ステップ７）。なお、レチクル１の平面度については吸着保持のときにその変形が発生する。つまり、平面度（高さ方向位置）計測は、レチクル１を交換するタイミングで行うのみでよく、その後の露光動作中に行う必要はない。
【実施例３】
【００３４】
次に、実施例３を図７に基づいて説明する。図７は半導体製造装置のレチクルステージ２の回りを示した概略図である。図７に示すように、半導体製造装置には、半導体パターンの焼き付けを行うためのレチクル１と、レチクル１を吸着保持する、保持機構であるレチクルホルダを備えたレチクルステージ２とが設けられている。レチクルステージ２は、レチクル搬送部（不図示）から送られたレチクル１をレチクルホルダの上部で吸着保持して固定する。このレチクルステージ２には駆動機構が装着されており、これによって前後方向に移動スキャンを行い、レチクル１上の描写パターンを後述のウエハ３上に露光する。本実施例３のスキャナーは、レチクルステージ２の移動に同期して、ウエハステージ１０を移動させ、ある一定スリットを通して露光を行うものである。
【００３５】
実施例３の具体的動作を図３に基づいて詳述する。レチクルステージ２上にレチクル１が送り込まれると（ステップ１）、最初にレチクル１を、基準の位置に合わせるための位置決め動作が行なわれる。この位置決め動作によって、レチクル１とレチクルステージ２の相対位置の合わせが行なわれる。その後、レチクルホルダがレチクル１を吸着した状態で、計測センサー１２ａ、１２ｂの計測エリアに、レチクル１の平坦度計測を行う位置が入るようにレチクルステージ２が移動する。移動が終了すると、レチクルホルダは吸着を解除し、レチクル吸着保持前の平面度（高さ方向位置）計測を計測センサー１２ａ、１２ｂで行う（ステップ２）。計測は、１２ａよりレチクル１の面に対して斜入射光を当て、その反射光を１２ｂで受光する際の受光高さによって、レチクル平面度（高さ方向位置）を測定する。
【００３６】
レチクル吸着保持前の平面度（高さ方向位置）計測が終了すると、レチクルホルダはレチクル１を吸着保持し、レチクル吸着保持後の平面度（高さ方向位置）計測を計測センサー１２ａ、１２ｂで行う（ステップ３）。この計測センサー１２ａ、１２ｂを通して送られてきた信号を元に計測部７ではレチクル１上に描写された計測マークの高さ方向の位置ズレ量を測定する。
【００３７】
計測部７は現在のレチクルステージ２の位置及び計測センサー１２ａ、１２ｂの位置を位置データとして、また吸着保持前および後で計測したレチクル１の高さ方向の位置ズレを平面度データとして、これら３つのデータを同期して出力する。この同期して出力された位置データと、レチクル平面度データは、演算処理部８に送られ、第１の計測マークデータであるレチクル保持前後の平面度データとして随時蓄えられる。このようにして、各計測マーク位置において、吸着保持前後の平面度計測を計測し終わると、演算処理部８は吸着保持前および後のレチクル全面データとして平面度データを記憶する。
【００３８】
上記の計測により、演算処理部８には吸着保持前のデータ、吸着保持後のデータの２つのデータが蓄えられたことになり、演算処理部８において、前記２つのデータに演算処理を加えデータ処理を行う。実施例１の場合、吸着保持前のデータと、吸着保持後のデータの差分を求め、本差分をレチクル平面度差として使用する（ステップ４および５）。前記ステップ２乃至４は各像高において繰り返し行われる。
【００３９】
データ処理された結果と、半導体製造装置の投影レンズ５を通した投影像のディストーション変化とは密接な関係があり、前述の演算処理結果より投影像のディストーション変化が予想できる。これらのデータ処理結果より、実素子の露光に際してディストーションが発生し、ディストーションにより重ね合わせ精度が劣化すると予想される場合、本半導体製造装置は、発生するディストーションを逆補正することを目的とし、半導体製造装置内の投影光学系の一部のレンズを駆動、あるいは、レチクルステージ２、ウエハステージ１０を駆動し、ディストーション補正を行う。実施例２の半導体製造装置においては、投影レンズ５の一部の光学素子を移動させ、本補正を行う（ステップ６）。
【００４０】
前述の演算結果によるディストーション補正を投影レンズ５で行った後、半導体製造装置は、露光動作を行うために半導体製造装置内のウエハステージ１０上にウエハ３を搬入し、露光動作を開始する（ステップ７）。なお、レチクル１の平面度については吸着保持のときにその変形が発生する。つまり、平面度（高さ方向位置）計測は、レチクル１を交換するタイミングで行うのみでよく、その後の露光動作中に行う必要はない。
【００４１】
次に上記説明した半導体製造装置を利用したデバイスの生産方法の実施例を説明する。
図４は微小デバイス（ＩＣやＬＳＩ等の半導体チップ、液晶パネル、ＣＣＤ、薄膜磁気ヘッド、マイクロマシン等）の製造のフローを示す。ステップ１（回路設計）ではデバイスのパターン設計を行なう。ステップ２（マスク製作）では設計したパターンを形成したマスクを製作する。一方、ステップ３（ウエハ製造）ではシリコンやガラス等の材料を用いてウエハを製造する。ステップ４（ウエハプロセス）は前工程と呼ばれ、上記用意したマスクとウエハを用いて、リソグラフィ技術によってウエハ上に実際の回路を形成する。次のステップ５（組み立て）は後工程と呼ばれ、ステップ４によって作製されたウエハを用いて半導体チップ化する工程であり、アッセンブリ工程（ダイシング、ボンディング）、パッケージング工程（チップ封入）等の工程を含む。ステップ６（検査）ではステップ５で作製された半導体デバイスの動作確認テスト、耐久性テスト等の検査を行なう。こうした工程を経て半導体デバイスが完成し、これが出荷（ステップ７）される。
図５は上記ウエハプロセスの詳細なフローを示す。ステップ１１（酸化）ではウエハの表面を酸化させる。ステップ１２（ＣＶＤ）ではウエハ表面に絶縁膜を形成する。ステップ１３（電極形成）ではウエハ上に電極を蒸着によって形成する。ステップ１４（イオン打込み）ではウエハにイオンを打ち込む。ステップ１５（レジスト処理）ではウエハに感光剤を塗布する。ステップ１６（露光）では上記説明したデバイス製造装置の１つである半導体製造装置によってマスクの回路パターンをウエハに焼付露光する。ステップ１７（現像）では露光したウエハを現像する。ステップ１８（エッチング）では現像したレジスト像以外の部分を削り取る。ステップ１９（レジスト剥離）ではエッチングが済んで不要となったレジストを取り除く。これらのステップを繰り返し行なうことによって、ウエハ上に多重に回路パターンが形成される。
本実施例の生産方法を用いれば、従来は製造が難しかった高集積度のデバイスを低コストに製造することができる。
【図面の簡単な説明】
【００４２】
【図１】本発明の実施例１，実施例２を示す半導体製造装置のレチクルステージ回りの図である。
【図２】本発明の実施例１の流れを示す図である。
【図３】本発明の実施例２の流れを示す図である。
【図４】微小デバイスの製造の流れを示す図である。
【図５】図４におけるウエハプロセスの詳細な流れを示す図である。
【図６】吸着によるレチクルの変形状態を示す図である。
【図７】本発明の実施例３を示す半導体製造装置のレチクルステージ回りの図である。
【符号の説明】
【００４３】
１  レチクル
２  レチクルステージ
４ａ，４ｂ  計測センサー
５  投影レンズ
６  照明系レンズ
７  計測部
８  演算処理部
９  補償部
１０  ウエハステージ
１１  制御部
１２ａ，１２ｂ  計測センサー
【図１】
0004677180.tif 000002
【図２】
0004677180.tif 000003
【図３】
0004677180.tif 000004
【図４】
0004677180.tif 000005
【図５】
0004677180.tif 000006
【図６】
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【図７】
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