(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
遊技者が操作する発射ハンドルの回転体と、回転体に歯合して互いに位相がずれた二相のパルス信号を出力するエンコーダと、エンコーダが出力する二相のパルス信号に基づいて把握される回転体の回転量に対応するレベルの発射強度信号を出力する信号出力部と、遊技者の操作に応じた強度で遊技球を打撃する打撃部と、装置各部の動作を制御する制御部と、を有して構成される弾球遊技機であって、
制御部は、ＣＰＵによるコンピュータ制御を含んで信号出力部を構成する第一制御部と、信号出力部から出力される発射強度信号に基づいて、打撃部をアナログ制御する第二制御部と、を有して構成され、
第二制御部は、信号出力部が出力する発射強度信号を増幅する第一増幅回路と、第一増幅回路の出力電圧を電流増幅する第二増幅回路と、第二増幅回路の出力電流で駆動されて打撃部を構成するロータリーソレノイドと、ロータリーソレノイドの駆動電流に比例した検出電圧を出力する検出抵抗と、第一増幅回路の出力電圧の伝送を遮断するスイッチ回路と、を有して構成され、
第一増幅回路は、ＯＰアンプと、ＯＰアンプの非反転入力端子に接続される入力抵抗と、ＯＰアンプの非反転入力端子と出力端子の間に接続される帰還抵抗と、を有し、非反転入力端子に発射強度信号が供給され、反転入力端子に検出電圧を供給されるよう構成され、
スイッチ回路は、打撃部に遊技球を供給する球送り部に、クロックパルスを分周した駆動パルスを出力して、球送り部を間欠的に動作させているカウンタ回路から制御パルスを受けるよう構成され、
遊技球の打撃周期に達すると、駆動パルスに遅れて制御パルスを受けて、スイッチ回路がＯＮ状態からＯＦＦ状態に遷移することで、ロータリーソレノイドが発射強度信号に対応した電流で駆動されるよう構成されている弾球遊技機。
【請求項２】
カウンタ回路には、クロックパルスの計数動作を停止する停止端子が設けられ、
遊技者が発射ハンドルから手を離したことを示すセンサ信号、遊技者が遊技球の発射停止を指示する指示信号、及び、第一制御部が出力する禁止信号の論理ＯＲ信号が、停止端子に供給されるよう構成されている請求項１に記載の弾球遊技機。
【請求項３】
スイッチ回路を制御する制御パルスが、駆動パルスとクロックパルスとの論理積によって生成されて、駆動パルスに遅れてＯＮレベルとなり、ＯＮレベルに変化したパルス信号によってスイッチ回路をＯＦＦ状態に遷移させるよう構成された請求項１又は２に記載の弾球遊技機。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、パチンコ機、アレンジボール機、雀球遊技機などの弾球遊技機に関する。
【背景技術】
【０００２】
パチンコ機などの弾球遊技機は、遊技盤に設けた図柄始動口と、複数の表示図柄による一連の図柄変動態様を表示する図柄表示部と、開閉板が開閉される大入賞口などを備えて構成されている。そして、図柄始動口に設けられた検出スイッチが遊技球の通過を検出すると入賞状態となり、遊技球が賞球として払出された後、図柄表示部では表示図柄が所定時間変動される。その後、７−７−７などの所定の態様で図柄が停止すると大当り状態となり、大入賞口が繰返し開放されて、遊技者に有利な遊技状態を発生させている。
【０００３】
遊技球の発射強度は、発射ハンドルの回転操作角度に対応して変化するようになっており、図柄始動口に遊技球を入賞させたい場合や、大入賞口に素早く多量の遊技球を流し込みたい場合など、遊技者の目的に応じた最適な回転角度に回転操作される。なお、通常の場合、発射ハンドルは、反時計方向に付勢されているので、その付勢力に抗しつつ発射ハンドルを時計方向に回転させて目的の位置を狙って遊技球を発射させることになる。
【０００４】
しかし、付勢力に抗しつつ発射ハンドルを長時間にわたって同一位置に維持するのは疲れるので、反時計方向に付勢されず、且つ、回動操作角度に制限のない発射ハンドルも提案されている（例えば、特許文献１、特許文献２）。
【特許文献１】特許３４２４９２１号
【特許文献２】特開２００４−０７３２３８号公報
【０００５】
特許文献１に記載の発明では、回動操作角度に制限のない発射ハンドルに、位置検出センサを２つ設け、その何れが先にオン状態になるかによって発射ハンドルの回動方向を特定している。また、発射ハンドルの回動位置が１つ変化する毎に、スリットを１つ検出して、その検出回数によって、発射ハンドルの操作回転量を把握している。また、特許文献２には、パチンコ球の発射が停止された後、発射停止時間が基準時間を超えると、発射ハンドルの発射速度を初期化する発明が記載されている。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかし、各特許文献には、上記した以外には特段の技術開示がなく、必要最小限の回路構成によって、簡易に回転方向や回転操作量が検出できるハードウェア構成が望まれるところである。また、回転操作量に対応して、遊技球の発射強度を正確に設定できる回路構成も、従来、全く知られていない。
【０００７】
本発明は、上記の着想に鑑みてなされたものであって、ハードウェア的に簡易な構成でありながら、発射球の発射強度を正確に設定可能な弾球遊技機を提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記課題を解決するために、本発明は、遊技者が操作する発射ハンドルの回転体と、回転体に歯合して互いに位相がずれた二相のパルス信号を出力するエンコーダと、エンコーダが出力する二相のパルス信号に基づいて把握される回転体の回転量に対応するレベルの発射強度信号を出力する信号出力部と、遊技者の操作に応じた強度で遊技球を打撃する打撃部と、装置各部の動作を制御する制御部と、を有して構成される弾球遊技機であって、制御部は、ＣＰＵによるコンピュータ制御を含んで信号出力部を構成する第一制御部と、信号出力部から出力される発射強度信号に基づいて、打撃部をアナログ制御する第二制御部と、を有して構成され、第二制御部は、信号出力部が出力する発射強度信号を増幅する第一増幅回路と、第一増幅回路の出力電圧を電流増幅する第二増幅回路と、第二増幅回路の出力電流で駆動されて打撃部を構成するロータリーソレノイドと、ロータリーソレノイドの駆動電流に比例した検出電圧を出力する検出抵抗と、第一増幅回路の出力電圧の伝送を遮断するスイッチ回路と、を有して構成され、第一増幅回路は、ＯＰアンプと、ＯＰアンプの非反転入力端子に接続される入力抵抗と、ＯＰアンプの非反転入力端子と出力端子の間に接続される帰還抵抗と、を有し、非反転入力端子に発射強度信号が供給され、反転入力端子に検出電圧を供給されるよう構成され、スイッチ回路は、打撃部に遊技球を供給する球送り部に、クロックパルスを分周した駆動パルスを出力して、球送り部を間欠的に動作させているカウンタ回路から制御パルスを受けるよう構成され、遊技球の打撃周期に達すると、駆動パルスに遅れて制御パルスを受けて、スイッチ回路がＯＮ状態からＯＦＦ状態に遷移することで、ロータリーソレノイドが発射強度信号に対応した電流で駆動されるよう構成されている。
【発明の効果】
【００１４】
上記した本発明によれば、ハードウェア的に簡易な構成でありながら、発射球の発射強度を正確に設定することが可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１５】
以下、本発明の実施形態について詳細に説明する。図１は、実施形態に係るパチンコ機の全体回路構成を示すブロック図である。図中の破線は、主に、直流電圧ラインを示している。
【００１６】
図示の通り、このパチンコ機は、ＡＣ２４Ｖを受けて各種の直流電圧やシステムリセット信号ＳＹＳやＲＡＭクリア信号ＣＬＲなどを出力する電源基板７と、遊技制御動作を中心統括的に担う主制御基板１と、主制御基板１から受けた制御コマンドＣＭＤ’に基づいてランプ演出及び音声演出を実行する演出制御基板２と、演出制御基板２から受けた信号を各部に伝送する演出インタフェイス基板３と、演出インタフェイス基板３から受けた制御コマンドＣＭＤ”に基づいて液晶ディスプレイＤＩＳＰを駆動する液晶制御基板４と、主制御基板１から受けた制御コマンドＣＭＤに基づいて払出モータＭを制御して遊技球を払い出す払出制御基板５と、遊技者による発射ハンドルＨＤの操作に応答して遊技球を発射させる発射制御基板６とを中心に構成されている。
【００１７】
ここで、主制御基板１、演出制御基板２、液晶制御基板４、及び払出制御基板５には、ワンチップマイコンを備えるコンピュータ回路がそれぞれ搭載されている。そこで、主制御基板１、演出制御基板２、液晶制御基板４、及び払出制御基板５に搭載された回路、及びその回路によって実現される動作を機能的に総称して、本明細書では、主制御部１、演出制御部２、液晶制御部４、及び払出制御部５と言うことがある。
【００１８】
主制御部１は、払出制御部５に対して制御コマンドＣＭＤを一方向に送信する一方、払出制御部５からは、遊技球の払出動作を示す賞球計数信号や、払出動作の異常に係わるステイタス信号ＣＯＮを受信している。ステイタス信号ＣＯＮには、例えば、補給切れ信号、払出不足エラー信号、下皿満杯信号が含まれる。
【００１９】
図示の通り、主制御部１と払出制御部５には、電源基板７から、直流５Ｖのバックアップ電源ＢＵが供給されている。したがって、営業終了や停電により交流電源２４Ｖが遮断された後も、ワンチップマイコン内部のＲＡＭのデータは保持される。
【００２０】
また、電源基板７は、交流電源２４Ｖの遮断時に、主制御部１及び払出制御部５に、電圧降下信号ＡＢＮを出力するよう構成されている。そして、主制御部１及び払出制御部５では、フラグセンス方式によって、電圧降下信号ＡＢＮのレベル降下を把握した後、必要なデータをＲＡＭに退避している。そのため、上記したバックアップ電源ＢＵの作用とあいまって、主制御部１と払出制御部５では、営業開始時や停電からの復旧時に、電源遮断前の動作を再開できることになる。
【００２１】
更にまた、電源基板７は、主制御部１と払出制御部５に対して、係員のスイッチ操作を示すＲＡＭクリア信号ＣＬＲを出力している。このスイッチ操作は、主に電源投入時に実行されるが、バックアップ電源ＢＵによって保持されているＲＡＭの記憶内容を消去させるための操作である。したがって、各制御基板１，５では、ＲＡＭクリア信号ＣＬＲのレベルを判定することによって、係員によるスイッチ操作の有無を把握できることになる。
【００２２】
図２（ａ）は、払出制御基板５と発射制御基板６との接続関係を、概略的に図示したものである。図示の通り、発射制御基板６は、払出制御部５を経由して電源基板７からＡＣ２４Ｖを受け、これを全波整流することでＤＣ３２Ｖを生成している。生成されたＤＣ３２Ｖは、発射ハンドルＨＤの回転操作位置に対応する発射強度で遊技球を発射させるロータリーソレノイドＬ１と、遊技球の発射速度に対応して遊技球を補給する球送りソレノイドＬ２とに供給される。
【００２３】
ロータリーソレノイドＬ１は、ここに通電される電流値に対応するトルクで遊技球を発射させる部材である。そして、ロータリーソレノイドＬ１の回動軸には、球送りソレノイドＬ２で球送りされた遊技球を打撃する打撃ハンマー（不図示）が固着されている。この打撃ハンマーは、ロータリーソレノイドＬ１に供給される駆動電流に対応するトルクで遊技球を打撃する。なお、打撃ハンマーの回転範囲は、回転方向二箇所（初期位置と停止位置）に設けられた緩衝ゴム材によって規制され、駆動電流Ｉが途絶えると打撃ハンマーの自重によって初期位置に戻るようになっている。
【００２４】
ＤＣ３２Ｖは、安定化電源回路ＲＧに供給されて、制御回路ＤＩＧの電源電圧ＤＣ５Ｖを生成している。制御回路ＤＩＧは、球送りソレノイドＬ２やロータリーソレノイドＬ１を制御して、発射ハンドルＨＤの回転操作位置で規定される発射強度によって、法定の発射速度（≒１００個／分）で、遊技球を発射させる回路である。
【００２５】
発射制御基板６は、発射ハンドルＨＤによる発射動作の許否を規定する許可信号ＣＴＬを払出制御基板５から受けている。発射動作が許可される場合には、Ｈレベルの許可信号ＣＴＬがフォトカプラＰＨに供給され、その結果、フォトトランジスタがＯＮ状態となることで、フォトカプラＰＨの出力がＬレベルとなる。
【００２６】
また、発射制御基板６は、発射ハンドルＨＤに内蔵された発射停止スイッチＳＴＰと、タッチセンサＴＣＨからの信号を受けている。タッチセンサＴＣＨは、遊技者が発射ハンドルＨＤに触れている限り、Ｈレベルの検出信号を出力するが、発射ハンドルＨＤから手を離すとＬレベルの検出信号を出力する。一方、発射停止スイッチＳＴＰは、通常は、ＯＦＦ状態であるが、遊技者が押圧操作した場合に限り、ＯＮ状態となってＬレベルの検出信号を出力する。
【００２７】
発射停止スイッチＳＴＰとタッチセンサＴＣＨからの各信号は、払出制御基板５から受ける許可信号ＣＴＬと共に、発射制御基板６のデジタル制御回路ＤＩＧに供給され、ロータリーソレノイドＬ１や球送りソレノイドＬ２を通電制御する用途で使用される。また、タッチセンサＴＣＨからの信号は、払出制御部５にも伝送されるので、遊技者が発射ハンドルＨＤに触れているか否かは、払出制御部５でも把握されるようになっている。
【００２８】
発射ハンドルＨＤは、光電式エンコーダ１５に機械的に連結されており、光電式エンコーダ１５からは、位相が９０°ずれたＡ相信号とＢ信号とが出力される（図２（ｂ）参照）。図２及び図３に示す通り、この２相信号は、発射制御基板６を経由して払出制御部５の入力ポート１２に供給される。Ａ相信号は、入力ポート１２の最下位ビット（ｂｉｔ０）に供給され、Ｂ相信号は、入力ポート１２のｂｉｔ１に供給される。
【００２９】
払出制御部５は、Ａ相信号とＢ相信号とを解析して、発射ハンドルＨＤの回転操作量を把握し、これに対応する発射強度信号ＶＬＭを発射制御基板６の制御回路ＤＩＧに供給している。そして、制御回路ＤＩＧでは、発射強度信号ＶＬＭに対応するレベルで、ロータリーソレノイドＬ１を通電して、遊技球の発射強度を制御する。
【００３０】
図３は、発射ハンドルＨＤの内部構成を示す分解斜視図である。発射ハンドルＨＤの本体部ＢＤＹには、光学式のエンコーダ１５と、エンコーダ１５の回転軸の先端部に嵌合される回転ギアＧＲと、押圧操作に応じてリミットスイッチをＯＮ動作させる発射停止スイッチＳＴＰと、本体部ＢＤＹに螺合される円環リングＲＧと、円環リングＲＧの外周に回転自在に保持される回転体ＲＯと、回転ギアＧＲや発射停止スイッチＳＴＰを保持する押え板ＰＴと、化粧キャップＣＡＰと、本体部ＢＤＹに螺合されるタッチセンサ部ＴＣＨとで構成されている。
【００３１】
回転体ＲＯには、その回転量を制限するストッパが設けられておらず、時計方向にも反時計方向にも限界なく回転可能に構成されている。但し、回転体ＲＯの内周には、ギアＧＲと歯合する歯列ＴＨが形成されており、回転体ＲＯ（つまり発射ハンドルＨＤ）の回転に対応して、エンコーダ１５の回転軸が回転するようになっている。
【００３２】
発射ハンドルＨＤが回転されると、エンコーダ１５からは、Ａ相信号とＢ信号とがパルス状に出力される。発射ハンドルＨＤが時計方向に回転されると、図２（ｂ）に示す通り、Ｂ相信号がＡ相信号より９０°位相が遅れるが、一方、発射ハンドルＨＤが反時計方向に回転されると、Ｂ相信号は、Ａ相信号より９０°位相が進む（図８（ｄ）参照）。
【００３３】
図４は、払出制御基板５と発射制御基板６の回路構成を更に詳細に図示したものである。払出制御部５には、ＣＰＵ（不図示）に接続された出力ポート１０及び入力ポート１２と、出力ポート１０から変更パルスＩＮＣと方向信号ＵＤを受けるデジタルポテンショメータ１１とが設けられている。
【００３４】
図５（ａ）は、ポテンショメータ１１の内部構成を図示したものであり、ここでは、ＤＰ７１１３（日本電産コパル電子（株））を使用している。図示のポテンショメータ１１は、７ビット長のアップダウンカウンタ１１ａと、７ビット長の不揮発性メモリ１１ｂと、制御回路１１ｃと、アップダウンカウンタ１１ａの出力値に対応する一の端子からＯＮ信号を出力するデコータ１１ｄと、デコーダ１１ｄの１００個の出力端子にゲート端子が接続される１００個のＣＭＯＳトランジスタで構成されるトランジスタゲート列１１ｅと、９９個の抵抗が直列接続されて構成される抵抗アレイ群１１ｆとで構成されている。
【００３５】
直列接続された９９個の抵抗のうち、最上部の抵抗は、ＲＨ端子に接続され、最下部の抵抗は、ＲＬ端子に接続されている。そして、この回路例では、ＲＨ端子にＤＣ５Ｖが供給され、ＲＬ端子はグランドに接続されている。トランジスタゲート列１１ｅを構成する９９個のトランジスタのドレイン端子は、抵抗アレイ群１１ｆを構成する９９個の抵抗の高電圧側に接続されている。一方、トランジスタゲート列１１ｅを構成する最終１個のトランジスタのドレイン端子は、グランドに接続されている。また、１００個のトランジスタのソース端子は、全て直結されてＲＷ端子に接続されている。この回路例では、ＲＷ端子は、発射強度信号ＶＬＭを出力する端子であり、抵抗Ｒ１とＲ２の直列回路を通してグランドに接続されている。
【００３６】
アップダウンカウンタ１１ａは、Ｌレベルのチップセレクト信号ＣＳを受けるとアクティブ状態となる。そして、外部から方向信号ＵＤと変更パルスＩＮＣとを受け、方向信号ＵＤのレベルに応じて、変更パルスＩＮＣの個数をアップカウント、又はダウンカウントしてデコーダ１１ｄを制御する。例えば、方向信号ＵＤがＨレベル（アップカウント状態）の場合には、変更パルスＩＮＣの立下りエッジで、ＯＮ状態のトランジスタが１個ずつ上方に移動する。したがって、ＲＷ端子の発射強度信号ＶＬＭは、一段階ずつレベルが上昇し、最終的に５Ｖで飽和する（図５（ｂ）参照）。
【００３７】
一方、方向信号ＵＤがＬレベル（ダウンカウント状態）の場合には、変更パルスＩＮＣの立下りエッジで、ＯＮ状態のトランジスタが１個ずつ下方に移動するので、ＲＷ端子の発射強度信号ＶＬＭは、一段階ずつレベルが降下し、最終的には、５×（Ｒ１＋Ｒ２）／（９９×Ｒ＋Ｒ１＋Ｒ２）となって、ほぼ０Ｖとなる。なお、前式において、抵抗アレイ群１１ｆを構成する各抵抗の抵抗値をＲとした。
【００３８】
以上のように、このデジタルポテンショメータ１１では、変更パルスＩＮＣを繰り返し供給することで、その個数に応じて、発射強度信号ＶＬＭを一段階ずつ増減させることができる。なお、アップダウンカウンタの値は、不揮発性メモリ１１ｂに記憶されるので、電源遮断後も、それ以前の発射強度信号ＶＬＭのレベルが維持される。
【００３９】
図４に戻って説明を続けると、図４には、発射制御基板６における制御回路ＤＩＧ（図２参照）が示されている。この制御回路ＤＩＧは、クロックパルスΦを発振する発振器１３と、発振器１３が出力するクロックパルスΦを分周する分周カウンタ１４と、発射強度信号ＶＬＭを増幅して駆動信号ＳＧを生成する増幅部１５と、駆動信号ＳＧを受けてロータリーソレノイドＬ１に通電電流を供給する第一駆動回路１６と、分周カウンタ１４の出力に基づいてＯＮ動作して駆動信号ＳＧを短絡させるスイッチ回路１７と、分周カウンタ１４の出力を受けて球送りソレノイドＬ２に通電電流を供給する第二駆動回路１８とを中心に構成されている。
【００４０】
分周カウンタ１４は、この実施例では、Ｑ０〜Ｑ９の出力端子を有する１０進カウンタＨＣＦ４０１７(DECADE COUNTER WITH 10 DECODED OUTPUTS)で構成されている（図６（ａ）参照）。図６（ｂ）のタイムチャートに示す通り、この分周カウンタは、クリア端子ＣＬＲにＨレベルの信号を受けると、Ｑ０出力端子だけがＨレベルとなり、その他の出力端子Ｑ１〜Ｑ９はＬレベルとなる。
【００４１】
一方、クリア端子ＣＬＲにＬレベルの信号を受けると、クロック端子ＣＫに受けるクロックパルスΦの個数に応じて、Ｑ０端子〜Ｑ９端子の何れか一つからパルス信号を出力する。このパルス信号は、クロックパルスΦの立上りエッジに同期して立上る。逆に、クロック端子ＣＫをＨレベルに固定してイネーブル端子ＣＥにクロックパルスΦを供給すると、クロックパルスΦの個数に応じて、Ｑ０端子〜Ｑ９端子の何れか一つから、パルス信号を出力する。このパルス信号は、クロックパルスΦの立下りエッジに同期して立上る。
【００４２】
図４に示す通り、この回路例では、クロック端子ＣＫをＨレベルに固定した状態で、イネーブル端子ＣＥにクロックパルスΦを供給している。また、Ｑ８端子の出力を、２つのゲートＧ０，Ｇ２を介して、クリア端子ＣＬＲに帰還させている。したがって、この１０進カウンタ１４は、８進カウンタとして機能することになり、Ｑ１端子からは、クロックパルスΦを８分周したパルス信号が出力される（図６（ｃ）参照）。
【００４３】
クロックパルスΦを８分周したパルス信号は、遊技球の法定発射速度（≒１００個／分）に対応して、そのパルス周期を６００ｍＳ程度に設定する必要がある。そのため、クロックパルスΦのパルス周期が７５ｍＳ程度、パルス周波数が１３．３Ｈｚ程度に設定されている。
【００４４】
ところで、ＮＡＮＤゲートＧ２には、Ｑ８端子の反転出力とは別に、フォトカプラＰＨの反転出力、発射停止スイッチＳＴＰの出力、タッチセンサＴＣＨの出力が供給されている。先に説明した通り、発射許可信号ＣＴＬが不許可状態では、フォトカプラＰＨの反転出力がＬレベルとなり、発射ハンドルＨＤから手を離すとタッチセンサＴＣＨの出力がＬレベルとなる。また、発射停止スイッチＳＴＰをＯＮ操作するとスイッチ出力がＬレベルとなる。
【００４５】
そのため、(a)発射許可信号ＣＴＬが不許可状態か、(b)発射ハンドルＨＤから手を離すか、(c)発射停止スイッチＳＴＰをＯＮ操作するか、の何れかの事態では、ＮＡＮＤゲートＧ２の出力がＨレベルとなり、Ｑ１端子からパルス信号が出力されない。したがって、遊技球の発射動作は、上記した(a)〜(c)の条件が解消されるまで停止状態を維持することになる。
【００４６】
図４に関して説明を続けると、スイッチ回路１７は、ＮＡＮＤゲートＧ３と、分圧抵抗Ｒ１０，Ｒ１１と、スイッチングトランジスタＴＲ３とで構成されている。ＮＡＮＤゲートＧ３の入力端子には、クロックパルスΦと、それを８分周したパルス信号（Ｑ１パルス）とが供給されている。そのため、図６（ｃ）のゲートＧ３の出力に示す通り、２つのパルスΦ，Ｑ１の位相が一致する（パルス周期７５ｍＳの半分の）時間だけ、スイッチングトランジスタＴＲ３がＯＦＦ動作することになる。
【００４７】
先に説明した通り、分周カウンタ１４のＱ１端子からは、クロックパルスΦを８分周したパルスが出力されるので、結局、スイッチングトランジスタＴＲ３は、クロックパルスΦの１／８倍の周波数、つまり６００ｍＳ程度の時間周期でＯＦＦ動作することになる。なお、ゲートＧ３の出力パルスのデューティ比は１５／１６であり、１５／１６の時間帯は、スイッチングトランジスタＴＲ３がＯＮ状態となって、駆動信号ＳＧがゼロレベルとなる。
【００４８】
第二駆動回路１８は、ダーリントン接続された一対のトランジスタＴＲ４，ＴＲ５と、バイアス抵抗Ｒ１２〜Ｒ１４と、球送りソレノイドＬ２とで構成されている。トランジスタＴＲ４，ＴＲ５は、分周カウンタ１４のＱ１出力に基づいてＯＮ／ＯＦＦ動作して、球送りソレノイドＬ２を通電させている。図６（ｃ）のタイムチャートに示す通り、分周カウンタ１４のＱ１出力は、パルス幅７５ｍＳ程度、パルス周期６００ｍＳ程度であるので、一分間に１００回程度（＝６０／６００ｍＳ）の時間間隔で遊技球を球送りすることになる。
【００４９】
球送りソレノイドＬ２を通電させるパルスは、ロータリーソレノイドＬ１を通電させるパルスに先行してＯＮ状態となるので（図６（ｃ））、遊技球が所定位置に確実にセットされた状態で、打撃ハンマーが遊技球を所定トルクで打撃することになる。
【００５０】
増幅部１５は、ＯＰアンプと分圧抵抗Ｒ１，Ｒ２とで構成されたバッファ回路と、ＯＰアンプＡ２と抵抗Ｒ３，Ｒ４，Ｒ９とで構成された負帰還増幅回路とで構成されている。バッファ回路には、発射強度信号ＶＬＭの分圧値Ｅｉ＝ＶＬＭ×Ｒ２／（Ｒ１＋Ｒ２）が供給され、その信号Ｅｉが、そのままＯＰアンプＡ２の非反転入力端子（＋）に供給される。一方、ＯＰアンプＡ２の反転入力端子（−）には、ロータリーソレノイドＬ１の通電電流Ｉに比例した電圧Ｅｏ＝Ｉ×Ｒ９が供給される。
【００５１】
ここで、電圧Ｅｏ＝Ｉ×Ｒ９は、ＯＰアンプＡ２の出力電圧Ｅのα倍（Ｅｏ＝α×Ｅ）であるとすると、−（Ｅｉ−α×Ｅ）×Ｒ４／Ｒ３＋α×Ｅ＝Ｅとなり、これを整理すると、Ｅ＝β×Ｅｉ／｛α×（１＋β）−１｝となる。なお、β＝Ｒ４／Ｒ３であり、ここでは、β≫１、α×β≫１となるよう設定されている。
【００５２】
そのため、Ｅ≒Ｅｉ／αとなり、ロータリーソレノイドＬ１の駆動電流Ｉ（＝Ｅｏ／Ｒ９）は、Ｉ＝Ｅｉ／Ｒ９となって、ＯＰアンプＡ１の出力電圧Ｅｉに比例することになる。先に説明した通り、Ｅｉ＝ＶＬＭ×Ｒ２／（Ｒ１＋Ｒ２）であるから、ロータリーソレノイドＬ１の駆動電流Ｉは、結局、発射強度信号ＶＬＭに比例して変化する。
【００５３】
第一駆動回路１６は、分圧抵抗Ｒ５，Ｒ６と、トランジスタＴＲ１と、負荷抵抗Ｒ７と、バイアス抵抗Ｒ８と、電流駆動用のトランジスタＴＲ２と、ロータリーソレノイドＬ１と、電流検出抵抗Ｒ９と、振動電流吸収用のダイオードＤとで構成されている。図示の通り、トランジスタＴＲ２と、ロータリーソレノイドＬ１と、電流検出抵抗Ｒ９とが直列接続されている。トランジスタＴＲ２は、大電流用のＭＯＳ型トランジスタであり、ソース端子ＳにＤＣ３２Ｖが供給され、ドレイン端子Ｄが、ロータリーソレノイドＬ１とダイオードＤに接続されている。
【００５４】
このトランジスタＴＲ２は、ゲート端子Ｇとソース端子Ｓ間の電圧変化に比例して、負方向のドレイン電流が変化するリニア動作をする。このドレイン電流は、ロータリーソレノイドＬ１の駆動電流Ｉに他ならず、発射強度信号ＶＬＭに比例した電流値となる。
【００５５】
以上を踏まえて、遊技球の発射動作を説明する。図４に示す通り、駆動信号ＳＧは、ＯＰアンプＡ２の出力電圧Ｅを分圧して得られる。そして、スイッチングトランジスタＴＲ３がＯＦＦ状態であれば、分圧比は、ほぼＲ６／（Ｒ５＋Ｒ６）であるが、スイッチングトランジスタＴＲ３がＯＮ状態であれば、分圧比がゼロとなる。
【００５６】
先に説明した通り、ゲートＧ３の出力は、Ｌレベルのパルス幅が約７５ｍＳ／２であって、そのデューティ比が１５／１６であるので、スイッチングトランジスタＴＲ３がＯＮ動作する１５／１６の時間帯は、駆動信号ＳＧがゼロレベルとなる。一方、スイッチングトランジスタＴＲ３がＯＦＦ動作する１／１６の時間帯は、駆動信号ＳＧが、ほぼＥ×Ｒ６／（Ｒ５＋Ｒ６）となり、ロータリーソレノイドＬ１には、発射強度信号ＶＬＭに比例したレベルの駆動電流Ｉが流れる（Ｉ＝Ｅｉ／Ｒ９）。
【００５７】
ここで、ロータリーソレノイドＬ１は、駆動電流Ｉに比例したトルクで遊技球を発射するよう構成されているので、ロータリーソレノイドＬ１には、1秒間に１００回程度、駆動電流Ｉが間欠的に流れ、発射強度信号ＶＬＭに比例した初速度の遊技球が発射されることになる。なお、駆動パルスＳＧのデューティ比を１／１６にするのは、使用するロータリーソレノイドＬ１を最適に動作させるためである。
【００５８】
以上の通り、図１に示すパチンコ機では、払出制御基板５から供給される発射強度信号ＶＬＭで規定される初速度で、遊技球が、間欠的且つ連続的に発射される。図７は、この払出制御部５で実行されるプログラムを説明するフローチャートである。
【００５９】
払出制御部５の動作は、概説すると、電源投入後に開始されて無限ループ処理で終わるメインルーチン（図７（ａ））と、主制御部１からのストローブ信号ＳＴＢによって起動される受信割込み処理ルーチン（不図示）と、一定時間（４ｍＳ）毎に開始されるタイマ割込みルーチン（図７（ｂ））とで構成されている。
【００６０】
先ず、メインルーチン（図７（ａ））の動作内容から説明する。電源基板７から電源電圧が供給されると共に、システムリセット信号ＳＹＳが供給されると、ＣＰＵは、自らを割込み禁止状態（ＤＩ）に設定した後（ＳＴ１）、ワンチップマイコン各部の初期設定を行う（ＳＴ２）。
【００６１】
次に、電源基板７からＲＡＭクリア信号ＣＬＲが供給されているか否かをチェックする（ＳＴ３）。この実施例では、遊技ホールの営業開始時であって、特に係員が電源基板７のＲＡＭクリアスイッチをＯＮ操作した場合にはＲＡＭクリア信号ＣＬＲが供給されるが、停電からの復旧時を含め、通常はＲＡＭクリア信号ＣＬＲが供給されない。
【００６２】
そして、ＲＡＭクリア信号ＣＬＲが供給されない場合には、電源監視処理（図７（ｂ））のステップＳＴ１２の処理で記憶されるバックアップフラグＢＡＫＦＬＧの値をチェックする（ＳＴ４）。そして、ＢＡＫＦＬＧ＝５ＡＨであれば、次に、チェックサム演算を実行してサム値を算出し（ＳＴ５）、これが、ＲＡＭ領域に記憶されているサム値と一致するか否かを確認する（ＳＴ６）。そして、メインルーチンで算出したサム値と、電源監視処理（ＳＴ１２）で記憶されたサム値とが一致する場合には、電源遮断前の処理を再開できると思われるので、バックアップフラグＢＡＫＦＬＧをクリアした後（ＳＴ７）、ＣＰＵを割込み許可状態に設定して（ＳＴ９）、無限ループ処理を繰り返す。
【００６３】
一方、(1)ステップＳＴ３の判定の結果、ＲＡＭクリア信号ＣＬＲがＯＮ状態であるか、(2)ステップＳＴ４の判定の結果、バックアップフラグが５ＡＨ以外の値であるか、或いは、(3)ステップＳＴ６のサムチェックで異常が認められた場合には、ＲＡＭ領域が全てクリアされる（ＳＴ８）。そして、ＣＰＵを割込み許可状態に設定して（ＳＴ９）、無限ループ処理を繰り返す。
【００６４】
続いて、図７（ｂ）に示すタイマ割込みルーチンについて説明する。このタイマ割込みルーチンは、メインルーチンの無限ループ処理を中断させて、一定時間毎（４ｍＳ）に実行される。
【００６５】
タイマ割込みルーチンでは、最初に、割込み禁止状態（ＤＩ）になっているＣＰＵを、割込み許可状態（ＥＩ）に戻す（ＳＴ１１）。この処理の結果、タイマ割込み処理の間にも、受信割込みがかかり、主制御部１からの制御コマンドＣＭＤは、読み落しなく取得されることになる。
【００６６】
ステップＳＴ１１の処理が終われば、次に、電源監視処理が実行される（ＳＴ１２）。ここでは、電源基板７が出力する電圧降下信号ＡＢＮのレベルが判定され、もし電源電圧が降下しつつある場合には、バックアップフラグＢＡＫＦＬＧを５ＡＨに設定すると共に、ステップＳＴ５と同じチェックサム演算を実行して、その演算結果であるサム値を所定のＲＡＭ領域に記憶する。
【００６７】
続いて、データ入力処理ＳＴ１３を実行する。このデータ入力処理（ＳＴ１３）には、払出モータＭの回転によって、遊技球が実際に払出されたか否かを確認する処理の他に、エンコーダ１５の信号変化を検出するエッジ検出処理が含まれる。また、このエッジ検出処理に付随して、発射ハンドルＨＤの回転操作速度の検出処理が含まれる場合もある。
【００６８】
図８（ａ）は、エッジ検出処理を示すフローチャートである。先ず、入力ポート１２（図４）のデータをＣＰＵのアキュムレータＡｃｃに取得して、ＬＶＬ番地に格納する（ＳＴ３０）。次に、ＯＬＤ番地に保存されている旧データをＡｃｃに取得して、Ａｃｃの全ビットをビット反転させる（ＳＴ３１）。次に、ビット反転させたデータと、ステップＳＴ３０の処理でＬＶＬ番地に格納したデータとをＡＮＤ演算し、その演算結果を更に０１ＨとＡＮＤ演算する。この処理によってＢｉｔ０のみが残るが、このデータはＥＤＧ番地に格納される（ＳＴ３２）。
【００６９】
以上の処理の結果、一割込み前（４ｍＳ前）に取得した旧データのｂｉｔ０はＬレベルであるが、今回の取得データのｂｉｔ０がＨレベルの場合に限り、ＥＤＧ番地に１＝０００００００１Ｂが記憶されることになる。先に説明した通り、入力ポート１２の最下位ビット（ｂｉｔ０）には、エンコーダ１５のＡ相信号が供給されているので、結局、ステップＳＴ３０〜ＳＴ３２の処理によって、Ａ相信号の立上りエッジを検出していることになり、立上りエッジを検出された場合だけ、ＥＤＧ番地に１が記憶される。
【００７０】
以上の処理が終われば、ステップＳＴ３０の処理で記憶されているＬＶＬ番地のデータをＯＬＤ番地に転送してエッジ検出処理を終える（ＳＴ３３）。なお、ＯＬＤ番地には、Ａ相信号とＢ相信号のレベルデータが格納されたことになり、これらのデータは、次回のタイマ割込み時に、ステップＳＴ３１の処理で使用される。
【００７１】
続いて、エッジ検出処理に続いて実行される速度検出処理（図８（ｂ））について説明する。ここでは、Ａ相信号の立上りエッジから、次の立上りエッジまでの間に、カウンタ変数ＣＮＴがどれだけ増加したかによって、発射ハンドルＨＤの回転操作速度が二段階で検出される。
【００７２】
図８（ｂ）の処理では、Ａ相信号の立上りエッジが検出されたタイマ割込み時にＥＤＧ番地が「１」とされ、直後のタイマ割込みにおいて「０」とされた後は、次回の立上りエッジの検出まで、その「０」状態が維持される性質を利用している。具体的には、先ず、ＥＤＧ番地のデータが１か否かが判定され（ＳＴ３４）、ＥＤＧ番地に０が記憶されている場合には、カウンタ変数ＣＮＴをインクリメントして処理を終える（ＳＴ３５）。
【００７３】
一方、ＥＤＧ番地のデータが１である場合は、今回のタイマ割込み処理のエッジ検出処理で、Ａ相信号の立上りエッジを検出したことを意味するので、カウンタ変数ＣＮＴの値をチェックする（ＳＴ３６）。そして、ＣＮＴの値が基準値より大きいか否かに応じて、ＳＰＥＥＤ番地に低速を意味する「０」か、高速を意味する「１」かを記憶する（ＳＴ３７，ＳＴ３８）。また、カウンタ変数ＣＮＴをゼロリセットする（ＳＴ３９）。
【００７４】
以上、タイマ割込みルーチンのデータ入力処理（ＳＴ１３）の一部について説明した。そして、データ入力処理（ＳＴ１３）が終われば、次に、８ｂｉｔ長又は１６ｂｉｔ長のタイマの減算処理（−１）が行われる（図７のＳＴ１４）。この減算処理では、遊技者が発射ハンドルＨＤから手を離した継続時間を計測するタイマ変数ＴＩＭＥの減算も含まれている。なお、無限ループ処理４が４ｍＳ毎に実行されることにより、減算タイマの１単位時間は４ｍＳを意味する。
【００７５】
タイマ減算処理（ＳＴ１４）が終われば、次に、発射強度設定処理（ＳＴ１５）が実行される。この処理は、発射ハンドルＨＤの回転操作位置に対応した強度で遊技球を発射させるための処理であり、図９〜図１１に、第一実施例〜第四実施例の動作内容をフローチャートで示している。
【００７６】
第一実施例の発射強度設定処理（ＳＴ１５）を示す図９（ａ）から説明すると、先ず、タッチセンサＴＣＨからの検出信号が判定される（ＳＴ４０）。図４に関して説明した通り、タッチセンサＴＣＨからの検出信号は、入力ポート１２に取得されているので、そのレベルがＨレベルであって遊技者が発射ハンドルＨＤに触れている場合には、タイマ変数ＴＩＭＥを２５０に初期設定する（ＳＴ４１）。
【００７７】
タイマ変数ＴＩＭＥは、遊技者が発射ハンドルＨＤから手を離したら継続時間を計時するための変数であり、タイマ減算処理（ＳＴ１４）において４ｍＳ毎に減算される。したがって、初期設定値２５０は、これを時間換算すると１秒間を意味する。
【００７８】
次に、光電式エンコーダ１５からの二相信号のうち、Ａ相信号が立上ったか否かが判定される（ＳＴ４２）。具体的には、ＥＤＧ番地に１が格納されているか否かが判定される。そして、ＥＤＧ番地に１が格納されていない場合には、そのまま処理を終え、１が格納されている場合には、ＬＶＬ番地（図８）の内容に基づいて、Ｂ相信号のレベルが判定される（ＳＴ４３）。
【００７９】
図８（ｄ）に示す通り、発射ハンドルＨＤが時計方向に回転されている場合には、Ａ相信号の立上りエッジで、Ｂ相信号がＬレベルとなる。逆に、発射ハンドルＨＤが反時計方向に回転されている場合には、Ａ相信号の立上りエッジで、Ｂ相信号がＨレベルとなる。
【００８０】
そこで、ステップＳＴ４３の判定において、ＬレベルのＢ相信号が検出される場合には、発射強度を示す強度カウンタ変数ＶＬＭ（便宜上、発射強度信号と同一記号を使用する）の値を判定する（ＳＴ４４）。電源投入後の初期状態では、強度カウンタ変数ＶＬＭは０であるが、強度カウンタ変数ＶＬＭが上限値ＭＡＸより低い場合には、強度カウンタ変数ＶＬＭの値をインクリメントし（ＳＴ４５）、増減ステップ回数を示す変数ＮＵＭを１に設定する（ＳＴ４６）。また、増減方向を示す変数ＤＲを増加方向に設定する（ＳＴ４７）。なお、上限値ＭＡＸは適宜に設定されるが、ここでは、デジタルポテンショメータ１１の増減範囲に対応してＭＡＸ＝９９としている。
【００８１】
変数ＮＵＭや変数ＤＲへの設定値は、ポテンショメータ設定処理（ＳＴ４８）で使用される引数値である。そして、ポテンショメータ設定処理（ＳＴ４８）では、出力ポート１０（図４）から、デジタルポテンショメータ１１に対して、変更パルスＩＮＣと方向信号ＵＤとが出力される。そして、変更パルスＩＮＣの出力回数は、変数ＮＵＭの設定値で規定され、方向信号ＵＤのレベルは、変数ＤＲの設定値で規定される。
【００８２】
ステップＳＴ４６〜ＳＴ４７では、変数ＤＲが増加方向に設定され、変数ＮＵＭが１に設定されているので、その後のポテンショメータ設定処理（ＳＴ４８）では、増加方向の方向信号ＵＤと共に、変更パルスＩＮＣが一回だけ出力されることなる。したがって、これらの信号を受けたデジタルポテンショメータ１１は、ＲＷ端子から、それまでより一段階だけ高レベルの電圧を出力することになる。ＲＷ端子の出力値は、発射強度信号ＶＬＭに他ならないので、それ以降は、ロータリーソレノイドＬ１の駆動電流値が一段階だけ増加し、一段階だけ増加した初速度で遊技球が発射される。
【００８３】
一方、ステップＳＴ４３の判定処理において、Ｂ相信号がＨレベルであり、発射ハンドルＨＤが反時計方向に回転されていると判定された場合には、次に、強度カウンタ変数ＶＬＭの値が判定される（ＳＴ４９）。そして、強度カウンタ変数ＶＬＭが下限値ＭＩＮに一致する場合には、そのまま処理を終えるが、そうでない場合には、強度カウンタ変数ＶＬＭをデクリメントする（ＳＴ５０）。下限値ＭＩＮは適宜に設定されるが、ここではＭＩＮ＝０としている。
【００８４】
次に、増減ステップ回数を示す変数ＮＵＭを１に設定し（ＳＴ５１）、増減方向を示す変数ＤＲを減少方向に設定して（ＳＴ５２）、ポテンショメータ設定処理（ＳＴ４８）を実行する。この場合のポテンショメータ設定処理（ＳＴ４８）では、減少方向の方向信号ＵＤと共に、変更パルスＩＮＣが一回だけ出力される。
【００８５】
したがって、これらの信号を受けたデジタルポテンショメータ１１は、ＲＷ端子から、それまでより一段階だけ低レベルの発射強度信号ＶＬＭを出力する。そのため、それ以降は、ロータリーソレノイドＬ１の駆動電流値が一段階だけ減少し、一段階だけ低下した初速度で遊技球が発射される。
【００８６】
ところで、発射ハンドルＨＤ（タッチセンサＴＣＨ）から遊技者が手を離した場合には、ステップＳＴ４０の判定の後、タイマ変数ＴＩＭＥの値が０か否かが判定される（ＳＴ５３）。タイマ変数ＴＩＭＥは、定常的に２５０に初期設定されるので（ＳＴ４１）、発射ハンドルＨＤから継続的に手を離さない限り、タイマ変数ＴＩＭＥは０にはならない。
【００８７】
したがって、ＴＩＭＥ≠０であれば、そのまま処理を終える。但し、一秒間継続して発射ハンドルＨＤから手を離すと、ＴＩＭＥ＝０となるので、その場合には次に、発射強度信号ＶＬＭを初期設定値０に戻す（ＳＴ５５）。また、変数ＮＵＭを１００に設定すると共に、増減方向を示す変数ＤＲを減少方向に設定して（ＳＴ５７）、ポテンショメータ設定処理（ＳＴ４８）を実行する。この場合のポテンショメータ設定処理（ＳＴ４８）では、減少方向の方向信号ＵＤと共に、変更パルスＩＮＣが１００回出力されるので、それ以降、デジタルポテンショメータ１１から出力される発射強度信号ＶＬＭは最低レベルとなり、遊技球の発射強度も最低値に初期設定される。
【００８８】
以上説明した図９（ａ）に示す第一実施例の処理プログラムによれば、遊技者が発射ハンドルＨＤを時計方向に回転させれば、操作角度に対応して発射強度が増加し、逆に、反時計方向に逆回転させれば、操作角度に対応して発射強度が減少する。なお、発射強度信号ＶＬＭや、その変数ＶＬＭは最大値で飽和するので、飽和レベルを越えて回転操作をした場合には、その後の逆回転ではヒステリシス特性を示すことになる。例えば、回転操作の途中で飽和レベルを超えて、０°からθ°まで時計回転させた場合に、これを初期状態の発射強度に戻すには、−θ°未満の反時計回転で足りるので操作が容易である（図９（ｂ）参照）。
【００８９】
続いて、図１０に示す第二実施例のフローチャートを説明する。ステップＳＴ４０〜４４，ＳＴ４９，ＳＴ５３〜５７，ＳＴ４８の処理は第一実施例と同じであるが、ここでは、発射ハンドルの操作速度に対応して、デジタルポテンショメータ１１の反応速度を相違させている。
【００９０】
すなわち、発射ハンドルＨＤが時計方向に回転されている場合には、強度カウンタ変数ＶＬＭの判定（ＳＴ４４）の後、発射ハンドルＨＤの回転速度を判定する（ＳＴ６０）。発射ハンドルＨＤの回転速度は、図８（ｂ）の速度検出処理によって判定され、判定結果はＳＰＥＥＤ番地に格納されている。
【００９１】
したがって、発射ハンドルＨＤの回転速度が普通レベルであると判定される場合には、強度カウンタ変数ＶＬＭを＋１すると共に（ＳＴ６１）、変数ＮＵＭに１を設定するが（ＳＴ６２）、回転速度が速い場合には、強度カウンタ変数ＶＬＭを＋２すると共に（ＳＴ６３）、変数ＮＵＭに２を設定する（ＳＴ６４）。そして、その後、方向変数ＤＲを増加方向に設定して、ポテンショメータ設定処理を実行する（ＳＴ４８）。
【００９２】
発射ハンドルＨＤが反時計方向に回転されている場合も同様である。すなわち、発射ハンドルＨＤの回転速度が普通レベルである場合には、強度カウンタ変数ＶＬＭを−１すると共に（ＳＴ６７）、変数ＮＵＭに１を設定するが（ＳＴ６８）、回転速度が速い場合には、強度カウンタ変数ＶＬＭを−２すると共に（ＳＴ６９）、変数ＮＵＭに２を設定する（ＳＴ７０）。そして、その後、方向変数ＤＲを減少方向に設定して、ポテンショメータ設定処理を実行する（ＳＴ４８）。
【００９３】
したがって、この第二実施例によれば、発射ハンドルの回転操作速度が速いと、デジタルポテンショメータ１１の反応速度も速くなり、素早く発射強度が変更されることになる。なお、ここでは、発射ハンドルの回転速度を二段階で判定したが、多段階で判定して、回転速度に比例して、デジタルポテンショメータ１１の反応速度を変化させるのも好適である。
【００９４】
図１１は、第三実施例の処理プログラムを説明するフローチャートである。この第三実施例では、強度カウンタ変数ＶＬＭが５０以上か否かに応じて、デジタルポテンショメータ１１の反応速度を相違させている。すなわち、発射ハンドルＨＤの時計回転時、強度カウンタ変数ＶＬＭが上限値ＭＡＸに達するまでは（ＳＴ４４）、強度カウンタ変数ＶＬＭが５０以上であれば、強度カウンタ変数ＶＬＭを＋２すると共に変数ＮＵＭに２を設定する（ＳＴ６３，ＳＴ６４）。逆に、強度カウンタ変数ＶＬＭが５０未満であれば、強度カウンタ変数ＶＬＭを＋１すると共に変数ＮＵＭに１を設定している（ＳＴ６１，ＳＴ６２）。
【００９５】
発射ハンドルＨＤの反時計回転時も同様であり、強度カウンタ変数ＶＬＭが下限値ＭＩＮに達するまでは（ＳＴ４９）、強度カウンタ変数ＶＬＭが５０以上であれば強度カウンタ変数を−２すると共に変数ＮＵＭに２を設定し（ＳＴ６９，ＳＴ７０）、強度カウンタ変数ＶＬＭが５０未満であれば強度カウンタ変数を−１すると共に変数ＮＵＭに１を設定している（ＳＴ６７，ＳＴ６８）。
【００９６】
なお、以上の説明では、強度カウンタ変数ＶＬＭの増加に対して、遊技球の発射強度が非直線的に変化する一例を説明したものである。したがって、図１１の下部中央に示すように、強度カウンタ変数ＶＬＭの増加に対して、曲線的に発射強度を増加させても良い。この場合、強度カウンタ変数ＶＬＭが増加するほど、発射強度を急激に増加させても良いし、図１１の下部右側に示すように、強度カウンタ変数ＶＬＭが増加するほど、発射強度を滑らかに増加させても良い。前者の場合には、素早く発射強度を強くすることができ、例えば、大入賞口が解放した時、遊技盤の右側に遊技球を打ち込む動作に素早く移行できる。一方、後者の場合には、発射強度を強めた状態で、発射強度の微調整が容易となる。
【００９７】
図１２は、第四実施例の処理プログラムを説明するフローチャートである。この第四実施例では、回転操作角度に対するヒステリシス特性を解消した点に特徴がある。
【００９８】
例えば、回転操作の途中で飽和レベルを超えて、０°からθ°まで時計回転させた場合に、これを初期状態の発射強度に戻すには、同じ−θ°の反時計回転が必要となる（図１２（ｂ）参照）。そして、この動作を実現するため、上限値ＭＡＸを、デジタルポテンショメータ１１の操作上限値９９を超える十分大きな値として、例えば２００に設定している。
【００９９】
具体的な処理内容を説明すると、発射ハンドルＨＤが時計方向に回転された時、強度カウンタ変数ＶＬＭが上限値ＭＡＸに達しない場合には、操作範囲を超えているか否かに拘わらず、強度カウンタ変数ＶＬＭをインクリメントする（ＳＴ８０）。次に、インクリメント処理後の強度カウンタ変数ＶＬＭが、デジタルポテンショメータ１１の操作上限値９９を超えていない場合だけ、変数ＮＵＭを１に設定し、方向変数ＤＲを増加方向に設定する（ＳＴ８２，ＳＴ８３）。
【０１００】
発射ハンドルＨＤの反時計方向の回転時も同様であり、強度カウンタ変数ＶＬＭが上限値ＭＩＮ＝０に達しない場合には、強度カウンタ変数ＶＬＭをデクリメントし（ＳＴ８４）、デクリメント処理後の強度カウンタ変数ＶＬＭが、デジタルポテンショメータ１１の操作上限値９９を超えていない場合だけ、変数ＮＵＭを１に設定し、方向変数ＤＲを減少方向に設定する（ＳＴ８６，ＳＴ８７）。
【０１０１】
第四実施例では、以上の処理内容を採るので、例えば、飽和レベルを超えて４５°時計方向に回転させた場合には、反時計方向の回転角度が４５°を超えるまでは、発射強度が弱くならない。しかし、遊技者の感覚としては、時計方向＋θ°の回転で得た発射強度が、−θ°の反時計の回転で最初の発射強度に戻るので、むしろ違和感が無いとも思われる。
【０１０２】
以上、図６の発射強度設定処理（ＳＴ１５）について四つの実施例について説明した。このような発射強度設定処理（ＳＴ１５）を終えれば、次に、受信割込み処理によって取得される制御コマンドの解析処理が行われる（図７のＳＴ１６）。コマンド解析処理では、受信した制御コマンドＣＭＤが賞球数指定コマンドであるか否かが判定される。そして、賞球数指定コマンドを受信した場合には、そのコマンドによって特定される賞球数を、ＲＡＭのワークエリアに設けられた全賞球数カウンタに加算する。
【０１０３】
次に、プリペイドカードユニット２２との通信処理（ＳＴ１７）と、プリペイドカードで清算される球貸し処理（ＳＴ１８）とが実行される。そして、その後、賞球処理（ＳＴ１９）と払出エラー処理（ＳＴ２０）とモータ処理（ＳＴ２１）とデータ出力処理（ＳＴ２２）とが実行され、タイマ割込み処理が終わる。
【０１０４】
モータ処理（ＳＴ２１）は、払出モータＭを回転させるための準備処理であり、具体的には、払出モータＭ用の駆動データを生成してワークエリアに格納している。一方、データ出力処理（ＳＴ２２）は、前記した駆動データを含む各種のデータを、出力ポート（図４には図示せず）から出力する処理である。
【０１０５】
また、賞球処理（ＳＴ１９）は、賞球の払出数を管理する処理であり、コマンド解析処理（ＳＴ１６）によって更新された全賞球数カウンタの値に基づいて払出数を決定し、払出モータＭを回転や終了タイミングなどを決定している。
【０１０６】
以上、図６（ｂ）に示すタイマ割込みルーチンについて詳細に説明したので、最後に、本発明が好適に適用される弾球遊技機について確認的に説明する。
【０１０７】
図１３は、本実施例のパチンコ機２１を示す斜視図であり、図１４は、同パチンコ機２１の側面図である。なお、パチンコ機２１は、カード式球貸し機２２に電気的に接続された状態で、パチンコホールの島構造体の長さ方向に複数個が配設されている。
【０１０８】
図示のパチンコ機２１は、島構造体に着脱可能に装着される矩形枠状の木製外枠２３と、外枠２３に固着されたヒンジＨを介して開閉可能に枢着される前枠２４とで構成されている。この前枠２４には、遊技盤２５が裏側から着脱自在に装着され、その前側には、ガラス扉２６と前面板２７とが夫々開閉自在に枢着されている。
【０１０９】
前面板２７には発射用の遊技球を貯留する上皿２８が装着され、前枠２４の下部には、上皿２８から溢れ出し又は抜き取った遊技球を貯留する下皿２９と、発射ハンドル３０（ＨＤ）とが設けられている。発射ハンドル３０は、ロータリーソレノイドＬ１の通電に対応して遊技球を発射しており、遊技球の発射初速度は、発射ハンドル３０の回動角度に応じて決定される。
【０１１０】
上皿２８の右部には、カード式球貸し機２２に対する球貸し操作用の操作パネル３２が設けられ、この操作パネル３２には、カード残額を３桁の数字で表示するカード残額表示部３２ａと、所定金額分の遊技球の球貸しを指示する球貸しスイッチ３２ｂと、ゲーム終了時にカードの返却を指令する返却スイッチ３２ｃとが設けられている。ガラス扉２６の上部には、大当り状態を示す大当りＬＥＤランプＰ１が配置されている。また、この大当りＬＥＤランプＰ１に近接して、補給切れ状態や下皿の満杯状態を示す異常報知ＬＥＤランプＰ２，Ｐ３が設けられている。
【０１１１】
図１５に示すように、遊技盤２５には、金属製の外レールと内レールとからなるガイドレール３３が環状に設けられ、その内側の遊技領域２５ａの略中央には、表示装置８（具体的には液晶カラーディスプレイ）が配置されている。また、遊技領域２５ａの適所には、図柄始動口３５、大入賞口３６、複数個の普通入賞口３７（大入賞口３６の左右に４つ）、２つの通過口であるゲート部３８が配設されている。これらの入賞口３５〜３８は、それぞれ内部に検出スイッチを有しており、遊技球の通過を検出できるようになっている。
【０１１２】
表示装置８は、大当り状態に係わる特定図柄を変動表示すると共に背景画像や各種のキャラクタなどをアニメーション的に表示する装置である。この表示装置８は、中央部に特別図柄表示部Ｄａ〜Ｄｃと右上部に普通図柄表示部３９を有している。普通図柄表示部３９は普通図柄を表示するものであり、ゲート部３８を通過した遊技球が検出されると、表示される普通図柄が所定時間だけ変動し、遊技球のゲート部３８の通過時点において抽出された抽選用乱数値により決定される停止図柄を表示して停止するようになっている。
【０１１３】
図柄始動口３５は、左右１対の開閉爪３５ａを備えた電動式チューリップで開閉されるよう例えば構成され、普通図柄表示部３９の変動後の停止図柄が当り図柄を表示した場合には、開閉爪３５ａが所定時間だけ開放されるようになっている。そして、図柄始動口３５に遊技球が入賞すると、特別図柄表示部Ｄａ〜Ｄｃの表示図柄が所定時間だけ変動し、図柄始動口３５への遊技球の入賞タイミングに応じた抽選結果に基づいて決定される停止図柄で停止する。
【０１１４】
大入賞口３６は、例えば前方に開放可能な開閉板３６ａで開閉制御されるが、特別図柄表示部Ｄａ〜Ｄｃの図柄変動後の停止図柄が「７７７」などの大当り図柄のとき、「大当り」と称する特別遊技が開始され、開閉板３６ａが開放されるようになっている。大入賞口３６の内部には入賞球を検出する入賞領域３６ｂが存在する。
【０１１５】
大入賞口３６の開閉板３６ａが開放された後、所定時間が経過し、又は所定数（例えば１０個）の遊技球が入賞すると開閉板３６ａが閉じる。このとき、最大で例えば１５回まで特別遊技が継続され、遊技者に有利な状態に制御される。さらに、変動後の停止図柄が特別図柄のうちの特別状態発生図柄であった場合には、特別状態を発生させる。
【０１１６】
図１６に示すように、前枠２４の裏側には、遊技盤２５を裏側から押さえる裏機構板４０が着脱自在に装着されている。この裏機構板４０には開口部４０ａが形成され、その上側に賞球タンク４１と、これから延びるタンクレール４２とが設けられている。裏機構板４０の側部には、タンクレール４２に接続された払出装置４３が設けられ、裏機構板４０の下側には払出装置４３に接続された通路ユニット４４が設けられている。払出装置４３から払出された遊技球は、通路ユニット４４を経由して上皿排出口２８ａ（図１３）から上皿２８に払出されることになる。
【０１１７】
裏機構板４０の開口部４０ａには、遊技盤２５の裏側に装着された裏カバー４５と、入賞口３５〜３７に入賞した遊技球を排出する入賞球排出樋（不図示）とが嵌合されている。この裏カバー４５に装着されたケースＣＡ１の内部に主制御基板１が配設される（図１６参照）。
【０１１８】
これらケースＣＡ２，ＣＡ３の下側で、裏機構板４０に装着されたケースＣＡ４の内部には、電源基板７と払出制御基板５が設けられている。この電源基板７には、電源スイッチ５３とＲＡＭクリアスイッチ５４とが配置されている。これら両スイッチ５３，５４に対応する部位は切欠かれ、両スイッチを指で同時に操作可能になっている。発射ハンドル３０の後側に装着されたケースＣＡ５の内部には、発射制御基板６が設けられている。
【０１１９】
以上、本発明の実施例について具体的に説明したが、記載内容は特に本発明を限定するものではない。特に、図４の回路構成や、図７〜図１２のフローチャートは適宜に変更される。
【０１２０】
例えば、上記の説明では、遊技者が発射ハンドルＨＤから所定の継続時間（１秒）を超えて手を離すと、発射強度ＶＬＭを初期状態に戻していたが、遊技状態に対応して、前記の継続時間を変更するのが好ましい。
【０１２１】
例えば、図柄始動口３５に遊技球が連続して入賞した場合には、後の図柄変動動作が待機状態（変動保留状態）となり、変動保留状態の入賞個数が上限値（４個）に達すると、それ以降の入賞は図柄変動に寄与しない。そこで、このような変動保留状態において、遊技者が発射ハンドルＨＤから手を離した場合には、タイマ変数ＴＩＭＥの初期設定値（ＳＴ４１）を大幅に増加させるか、或いは、タイマ変数ＴＩＭＥのデクリメント処理（ＳＴ１４）をスキップするなどによって、発射強度を初期状態に戻さない制御を採るのが好適である。このような制御は、上記した変動保留状態の場合に限らず、例えば、リーチ演出などの特定の演出状態や、大当り状態などの特定の遊技状態でも採用するのが好ましい。
【０１２２】
このような制御動作を採用する場合には、変動保留状態や、特定の演出状態及び遊技状態を把握している主制御部１から、払出制御部５に対して、適宜な「状態コマンド」を送信して、変動保留状態などの発生を通知するのが効果的である。
【０１２３】
また、前記の説明では、デジタルポテンショメータ１１を払出制御基板５に設け、その図７に示す制御動作を払出制御部５において実行したが、この構成に代えて、主制御部１など他の制御部で実行しても良い。主制御部１で実行する場合には、前記した「状態コマンド」の送信が不要となる。なお、実施例の場合には、発射制御基板６にはＣＰＵが搭載されていないが、払出制御部５にコンピュータ制御機能を持たせれば、デジタルポテンショメータ１１の制御動作（図７）を発射制御基板６で実行することができる。
【０１２４】
また、遊技動作中の発射ハンドルＨＤの回転位置が、どの程度の発射強度に対応するかを目視確認できるよう構成するのが好適である。例えば、発射ハンドルＨＤの円周上に多数のＬＥＤを配置し、その点灯個数によって発射強度を報知する構成を例示することができる。なお、その他のランプの点灯個数や液晶ディスプレイでの表示動作であっても良いのは勿論である。
【０１２５】
その他、回転操作角度に対する発射強度としては、先に例示したものに加えて、図１７（ａ）〜（ｃ）の構成を採っても良い。
【０１２６】
図１７（ａ）の構成は、初期状態のデジタルポテンショメータ１１の設定値Ｘ（＞０）が、ゼロではない最低レベルの場合である。このような構成を採れば、遊技開始時に発射強度が弱すぎて、発射球が遊技盤に到達しない弊害が未然に防止される。このような制御は、例えば、発射強度変数ＶＬＭの初期値をＸに設定すると共に、デジタルポテンショメータ１１の発射強度をこれに対応する値Ｘに設定する初期処理を設ければ良い。
【０１２７】
また、図１７（ｂ）の構成では、普通レベルの発射強度Ｘに初期設定されており、この状態から発射ハンドルＨＤを多少回転させた程度では、初期状態のデジタルポテンショメータ１１の設定値Ｘが変化しない。但し、一旦増加させた発射強度を低下させる場合には、反時計方向の回転に応じてゼロにまで低下させることができる。
【０１２８】
このような制御は、図１８の構成で実現され、ここでは、回転操作に応答して増減する角度変数ＡＮＧを設けている（ＳＴ４４１，ＳＴ５００）。そして、角度変数ＡＮＧが所定値θを超えるまでは、発射強度変数ＶＬＭを増加させない（ＳＴ４４２）。
【０１２９】
一方、図１７（ｃ）の構成は、初期状態のデジタルポテンショメータ１１の設定値がゼロである代わりに、操作角度が所定値θを超えると一気に普通レベルの発射強度Ｘに増加する。この場合にも、一旦増加させた発射強度を低下させる場合には、反時計方向の回転に応じてゼロにまで低下させることができる。
【０１３０】
このような制御を実現するには、発射強度変数ＶＬＭの初期値をゼロに設定すると共に、回転操作に応答して増減する角度変数ＡＮＧを設ける。そして、角度変数ＡＮＧが所定値θに一致すると、発射強度変数ＶＬＭをＸに設定する（ＳＴ４５０）。
【図面の簡単な説明】
【０１３１】
【図１】実施例に係るパチンコ機の全体構成を示すブロック図である。
【図２】払出制御基板と発射制御基板の要部を図示したものである。
【図３】発射ハンドルの構成を示す分解斜視図である。
【図４】発射制御基板の回路構成を示す回路図である。
【図５】ポテンショメータの内部構成と回路動作を示す図面である。
【図６】分周カウンタの内部構成と回路動作を示す図面である。
【図７】払出制御基板のメインルーチン（ａ）と、タイマ割込みルーチン（ｂ）を示すフローチャートである。
【図８】エッジ検出処理と速度検出処理を説明するフローチャートである。
【図９】発射強度設定処理の第一実施例を説明するフローチャートである。
【図１０】発射強度設定処理の第二実施例を説明するフローチャートである。
【図１１】発射強度設定処理の第三実施例を説明するフローチャートである。
【図１２】発射強度設定処理の第四実施例を説明するフローチャートである。
【図１３】実施例に係るパチンコ機の斜視図である。
【図１４】図１３のパチンコ機の側面図である。
【図１５】図１３のパチンコ機の遊技盤の正面図である。
【図１６】図１３のパチンコ機の背面図である。
【図１７】発射強度の制御方法について別の実施例を図示したものである。
【図１８】図１７の動作を実現する制御方法を示すフローチャートである。
【符号の説明】
【０１３２】
ＨＤ    発射ハンドル
ＶＬＭ    発射強度信号
１５    エンコーダ
１１    強度設定部
５      制御部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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