(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも１つのパターンを有するマスター基板を準備する段階と、
前記少なくとも１つのパターンを覆うように前記マスター基板上にレジン層を配置する段階と、
分離用基板がステージを覆うように配置された、チャンバ内の前記ステージ上部にレジン層を有する前記マスター基板を配置する段階と、
前記ステージを前後左右に動かして前記マスター基板を前記分離用基板と位置合わせするように位置調整する段階であって、前記ステージは、前記マスター基板を固定するための真空板を含み、前記マスター基板は、前記ステージの上部での位置の変化なしに移動可能であり、前記分離用基板は、上下に移動できるジグに置かれて当該ジグに固定された固定手段により動かない、段階と、
前記分離用基板に対して前記ステージを相対的に移動させることにより、前記分離用基板を真空環境下で前記レジン層に接触させる段階であって、当該段階で、前記分離用基板の表面に接着剤をコーティングする段階と、
前記分離用基板に接触する前記レジン層を硬化させる段階と、
前記分離用基板に対して前記ステージを相対的に移動させることにより、硬化された前記レジン層を前記マスター基板から分離する段階であって、前記分離用基板と前記レジン層が均一に接触するよう、前記ステージを移動させる段階
と、
を備え、
前記チャンバの上部面には光透過窓が形成され、前記光透過窓の上部にはビジョンカメラが設置され、前記チャンバ内の作業を監視する
ことを特徴とするソフトモールドの形成方法。
【請求項２】
前記少なくとも１つのパターンが陽刻パターン、陰刻パターンおよびこれらの組合せの少なくとも１つからなることを特徴とする請求項１に記載のソフトモールドの形成方法。
【請求項３】
前記分離用基板と前記レジン層を接着した後に、真空環境を解除するために不活性ガスをブローイングする段階をさらに含むことを特徴とする請求項１に記載のソフトモールドの形成方法。
【請求項４】
前記硬化する段階と分離する段階のために真空環境が維持されることを特徴とする請求項１に記載のソフトモールドの形成方法。
【請求項５】
前記マスター基板がシリコンで構成され、前記パターンが、シリコン、金属材料、フォトレジスト材料、ワックス、窒化ケイ素、シリカのうちのいずれか１つで構成されていることを特徴とする請求項１に記載のソフトモールドの形成方法。
【請求項６】
前記レジン層が硬化前に液状の高分子前駆体で構成されていることを特徴とする請求項１に記載のソフトモールドの形成方法。
【請求項７】
前記レジン層を配置する段階で、スピンコーティング方法またはスリットコーティング方法が利用されることを特徴とする請求項１に記載のソフトモールドの形成方法。
【請求項８】
前記硬化させる段階で、前記レジン層上に光を照射することを特徴とする請求項１に記載のソフトモールドの形成方法。
【請求項９】
前記レジン層を前記マスター基板から分離すると、少なくとも１つのパターンの少なくとも１つの逆パターンが残ることを特徴とする請求項１に記載のソフトモールドの形成方法。
【請求項１０】
前記レジン層が、ポリウレタンアクリレート、グリシジルアクリレート、ブチルメタクリレートの少なくとも１つを含むことを特徴とする請求項１に記載のソフトモールドの形成方法。
【請求項１１】
前記レジン層に、光開始剤が付加されていることを特徴とする請求項１に記載のソフトモールドの形成方法。
【請求項１２】
陽刻パターンを有するマスター基板を生成する段階と、
前記陽刻パターンを覆うように前記マスター基板上にレジン層を配置する段階と、
チャンバ内の可動ステージ上に前記レジン層を有する前記マスター基板を挿入する段階と、
分離用基板に接着剤を塗る段階と、
前記ステージを前後左右に動かして前記マスター基板を前記分離用基板と位置合わせするように位置調整する段階であって、前記ステージは、前記マスター基板を固定するための真空板を含み、前記マスター基板は、前記ステージの上部での位置の変化なしに移動可能であり、前記分離用基板は、上下に移動できるジグに置かれて当該ジグに固定された固定手段により動かない、段階と、
前記マスター基板を載せた前記可動ステージを前記分離用基板の方向に移動させ接着剤でレジン層と分離用基板を接着する段階であって、レジン層と分離用基板の接着がなされ、その時、前記チャンバ内が真空環境にあるものと、
前記分離用基板に接触する前記レジン層を硬化させる段階と、
前記ステージを前記マスター基板と共に下降させることにより、硬化した前記レジン層と分離用基板を前記マスター基板から分離する段階とを備え、
前記チャンバの上部面には光透過窓が形成され、前記光透過窓の上部にはビジョンカメラが設置され、前記チャンバ内の作業を監視する、
ソフトモールドが硬化されたレジン層からなることを特徴とするソフトモールドの形成方法。
【請求項１３】
前記硬化させる段階が、前記レジン層に紫外線光を照射することを含むことを特徴とする請求項１２に記載のソフトモールドの形成方法。
【請求項１４】
前記マスター基板の付いた前記可能ステージを前記分離用基板の方向に移動させてレジン層と分離用基板を接着した後に、真空環境を解除するために不活性ガスをブローイングする段階をさらに含むことを特徴とする請求項１２に記載のソフトモールドの形成方法。
【請求項１５】
前記レジン層を配置する段階で、スピンコーティング方法またはスリットコーティング方法が利用されることを特徴とする請求項１２に記載のソフトモールドの形成方法。
【請求項１６】
前記レジン層を前記マスター基板から分離すると、マスター基板の少なくとも１つのパターンの少なくとも１つの逆パターンが残ることを特徴とする請求項１２に記載のソフトモールドの形成方法。
【請求項１７】
チャンバと、
前記チャンバ内に配置された分離用基板であって、分離用基板を安着させるための、前記チャンバと結合している少なくとも１つのジグと、上記少なくとも１つのジグと結合している少なくとも１つの固定手段を有するチャンバ内に設けられた分離用基板と、
複数のパターンでソフトモールドを形成するためのマスター基板と、
前記チャンバ内に配置され前記マスター基板を受けるためのステージと、
前記マスター基板上に配置されたレジン層と、
を備え、
前記ステージは、前後左右に動くように構成され、前記マスター基板を固定するための真空板を含み、前記マスター基板は、前記ステージの上部での位置の変化なしに移動可能であり、ステージの動作で前記レジン層が分離用基板と接触するように、前記分離用基板の方向に移動するようにされていて、前記分離用基板を前記マスター基板上の前記レジン層に接着させるようにし、その時、チャンバ内が真空環境にあり、前記分離用基板に接触した前記レジン層を硬化させた後、前記マスター基板から前記レジン層を分離されるように構成され、
前記チャンバの上部面には光透過窓が形成され、前記光透過窓の上部にはビジョンカメラが設置され、前記チャンバ内の作業を監視する
ことを特徴とするソフトモールドの形成装置。
【請求項１８】
ランプをさらに備え、前記チャンバが前記ランプからの光を透過する透過窓を有することを特徴とする請求項１７に記載のソフトモールドの形成装置。
【請求項１９】
前記ランプからの光が前記レジン層を硬化させることを特徴とする請求項１８に記載のソフトモールドの形成装置。
【請求項２０】
前記複数のパターンが、前記マスター基板上に形成された複数の陽刻パターンからなることを特徴とする請求項１７に記載のソフトモールドの形成装置。
【請求項２１】
前記マスター基板上に形成された複数の陽刻パターンの複数の逆パターンが前記レジン層上に形成されることを特徴とする請求項２０に記載のソフトモールドの形成装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ソフトモールドの形成方法及びソフトモールドの形成装置に係り、特に、光硬化により軽くて経時変化のないソフトモールドを形成する方法と装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
一般的に、薄膜トランジスタは、液晶表示装置と有機電界発光素子のスイッチング及び駆動素子として使用される。このような薄膜トランジスタの製造工程を図１Ａないし図１Ｇの断面図を参照して説明する。(説明の便宜上、全ての構成は、フォトエッチング方法によって形成されて、このような方法は、各工程によって反復されるので、フォトエッチング方法は、第１マスク工程のみ説明する。)
【０００３】
以下、図１Ａないし図１Ｃは、第１マスク工程を説明した図である。図１Ａに示したように、絶縁基板１０上に、アルミニウムＡｌまたはアルミニウム合金ＡｌＮｄを含む導電性金属グループのうちから選択された一つまたはそれ以上の金属を蒸着して第１金属層１２を形成する。第１金属層１２の上部にフォトレジスト(以下、ＰＲとする)を塗布して第１ＰＲ層１４を形成する(この時、ＰＲは、光に露出された部分を現像した後、除去されるポジティブタイプと仮定する)。
【０００４】
第１ＰＲ層１４が形成された基板１０の上部に、透過部Ａと遮断部Ｂとで構成された第１マスクＭを位置させて、第１マスクＭの上部から光を照射する工程を行う。このようにして、透過部Ａを通過した光は、これに対応する第１ＰＲ層１４を露光して、露光された第１ＰＲ層１４は、化学的に変形される過程が行われる。従って、露光された部分をストリップ溶液を利用して除去すると、図１Ｂに示したように、第１金属層１２の上部に第１ＰＲ層１６が形成されて、第１金属層１２のうち、第１ＰＲ層１６の下部を除いた部分が露出される。
【０００５】
第１ＰＲ層１６下部以外の露出された第１金属層１２を除去した後、第１ＰＲ層１６を除去する工程を行うと、図１Ｃに示したように、所定の形状のゲート電極１８が形成される。引き続き、ゲート電極１８を絶縁するためのゲート絶縁膜２０を形成する。
【０００６】
図１Ｄは、第２マスク工程であるアクティブ層の形成工程を示した図である。図１Ｄに示したように、ゲート絶縁膜２０の上部に非晶質シリコン(ａ−Ｓｉ：Ｈ)と不純物を含む非晶質シリコン(ｎ＋ａ−Ｓｉ：Ｈ)を蒸着し、第２マスク(図示せず)を利用してパターニングすることによって、ゲート電極１８の上部のゲート絶縁膜２０上にアクティブ層２２とオーミックコンタクトパターン２４を形成する。
【０００７】
図１Ｅは、第３マスク工程であるソース電極及びドレイン電極の形成工程を示した断面図である。図１Ｅに示したように、アクティブ層２２とオーミックコンタクトパターン２４が形成された基板２０全面にアルミニウムＡｌ、アルミニウム合金ＡｌＮｄ、クロムＣｒ、モリブデンＭｏ、タングステンＷ、チタンＴｉ、銅Ｃｕなどを含む導電性金属グループのうちから選択された一つを蒸着し、第３マスク(図示せず)を利用してパターニングすることによって、オーミックコンタクトパターン(図１Ｄの２４)上に所定の間隔離隔されたソース電極２６とドレイン電極２８を形成する。
【０００８】
ソース電極２６及びドレイン電極２８間のオーミックコンタクトパターン(図１Ｄの２４)を除去して、オーミックコンタクト層２５を形成してアクティブ層２２を露出する。アクティブ層２２の露出された部分は、薄膜トランジスタのチャンネル領域で定義される。
【０００９】
図１Ｆは、第４マスク工程である保護膜のパターニング工程を示した図である。図１Ｆに示したように、ソース電極２６及びドレイン電極２８が形成された基板１０全面に、窒化シリコンＳｉＮＸと酸化シリコンＳｉＯ２を含む無機絶縁物質グループのうちから選択された一つを蒸着したり、場合によっては、ベンゾシクロブテンＢＣＢとアクリル系樹脂を含む有機絶縁物質グループのうちから選択された一つを塗布して保護膜３０を形成する。保護膜を第４マスク工程によってパターニングし、ドレイン電極２８の一部を露出するドレインコンタクトホール３２を形成する。
【００１０】
図１Ｇは、第５マスク工程である画素電極のパターニング工程を示した図である。図１Ｇに示したように、保護膜３０が形成された基板１０全面に、インジウム−スズ−オキサイドＩＴＯとインジウム−ジンク−オキサイドＩＺＯを含む透明な導電性金属グループのうちから選択された一つを蒸着し、第５マスク工程によってパターニングして、露出されたドレイン電極２８と接触する画素電極３４を形成する。
【００１１】
前述したような工程によって液晶表示装置に構成される薄膜トランジスタと、これに連結された画素電極を形成することができる。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１２】
ところが、前述したような従来の薄膜トランジスタ工程は各構成層を形成する工程ごとに別途のフォトエッチング工程を使用する。フォトエッチング工程は、ＰＲ層をコーティングして、これをマスクを通じて露光して現像する工程によって下部の構成層を露出して、露出された構成層をエッチングする工程によって望む形状の構成要素が形成される。
【００１３】
このような従来の露光方式を利用したパターニング工程は、別途の高価な露光装置が必要である、工程も非常に複雑であるので、製造効率を下げ製造コストを上昇させる原因となっている。
【００１４】
本発明は、前述したような問題を解決するためになされたもので、パターンを形成するためのソフトモールド形成の際、ソフトモールドの変形が発生せず、また、非常に薄い厚さでも形成できるソフトモールドの形成方法及びソフトモールドの形成装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１５】
この発明に係るソフトモールドの形成方法は、少なくとも１つのパターンを有するマスター基板を準備する段階と、前記少なくとも１つのパターンを覆うように前記マスター基板上にレジン層を配置する段階と、分離用基板がステージを覆うように配置された、チャンバ内の前記ステージ上部にレジン層を有する前記マスター基板を配置する段階と、前記ステージを前後左右に動かして前記マスター基板を前記分離用基板と位置合わせするように位置調整する段階であって、前記ステージは、前記マスター基板を固定するための真空板を含み、前記マスター基板は、前記ステージの上部での位置の変化なしに移動可能であり、前記分離用基板は、上下に移動できるジグに置かれて当該ジグに固定された固定手段により動かない、段階と、前記分離用基板に対して前記ステージを相対的に移動させることにより、前記分離用基板を真空環境下で前記レジン層に接触させる段階であって、当該段階で、前記分離用基板の表面に接着剤をコーティングする段階と、前記分離用基板に接触する前記レジン層を硬化させる段階と、前記分離用基板に対して前記ステージを相対的に移動させることにより、硬化された前記レジン層を前記マスター基板から分離する段階であって、前記分離用基板と前記レジン層が均一に接触するよう、前記ステージを移動させる段階とを備え、前記チャンバの上部面には光透過窓が形成され、前記光透過窓の上部にはビジョンカメラが設置され、前記チャンバ内の作業を監視することを特徴とする。
また、この発明に係るソフトモールドの形成方法は、陽刻パターンを有するマスター基板を生成する段階と、前記陽刻パターンを覆うように前記マスター基板上にレジン層を配置する段階と、チャンバ内の可動ステージ上に前記レジン層を有する前記マスター基板を挿入する段階と、分離用基板に接着剤を塗る段階と、前記ステージを前後左右に動かして前記マスター基板を前記分離用基板と位置合わせするように位置調整する段階であって、前記ステージは、前記マスター基板を固定するための真空板を含み、前記マスター基板は、前記ステージの上部での位置の変化なしに移動可能であり、前記分離用基板は、上下に移動できるジグに置かれて当該ジグに固定された固定手段により動かない、段階と、前記マスター基板を載せた前記可動ステージを前記分離用基板の方向に移動させ接着剤でレジン層と分離用基板を接着する段階であって、レジン層と分離用基板の接着がなされ、その時、前記チャンバ内が真空環境にあるものと、前記分離用基板に接触する前記レジン層を硬化させる段階と、前記ステージを前記マスター基板と共に下降させることにより、硬化した前記レジン層と分離用基板を前記マスター基板から分離する段階とを備え、前記チャンバの上部面には光透過窓が形成され、前記光透過窓の上部にはビジョンカメラが設置され、前記チャンバ内の作業を監視する、ソフトモールドが硬化されたレジン層からなることを特徴とする。
さらに、この発明に係るソフトモールドの形成装置は、チャンバと、前記チャンバ内に配置された分離用基板であって、分離用基板を安着させるための、前記チャンバと結合している少なくとも１つのジグと、上記少なくとも１つのジグと結合している少なくとも１つの固定手段を有するチャンバ内に設けられた分離用基板と、複数のパターンでソフトモールドを形成するためのマスター基板と、前記チャンバ内に配置され前記マスター基板を受けるためのステージと、前記マスター基板上に配置されたレジン層とを備え、前記ステージは、前後左右に動くように構成され、前記マスター基板を固定するための真空板を含み、前記マスター基板は、前記ステージの上部での位置の変化なしに移動可能であり、ステージの動作で前記レジン層が分離用基板と接触するように、前記分離用基板の方向に移動するようにされていて、前記分離用基板を前記マスター基板上の前記レジン層に接着させるようにし、その時、チャンバ内が真空環境にあり、前記分離用基板に接触した前記レジン層を硬化させた後、前記マスター基板から前記レジン層を分離されるように構成され、前記チャンバの上部面には光透過窓が形成され、前記光透過窓の上部にはビジョンカメラが設置され、前記チャンバ内の作業を監視することを特徴とする。
【発明の効果】
【００２１】
本発明のソフトモールドの形成方法及び形成装置は、従来の方法、例えば、熱硬化方法などによってモールドを形成する方法に比べて、モールドの変形または損傷の恐れがなく、これによって、非常に薄く形成して形成素子の信頼性を向上させ、さらに材料節減により生産性が向上する。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２２】
以下、添付した図面を参照して、本発明を説明する。図２Ａないし図２Ｄは、本発明の一実施の形態によるソフトモールドの形成方法を説明するための断面図であって、図３は、その形成方法手順を示した工程フローチャートである。本発明によるソフトモールドの形成方法は、陽刻(embossed pattern)、陰刻(depressed pattern)またはこれらの組合せでパターンが形成されたマスター基板にモールド用レジンを積層させてコーディングして、以後、モールド用レジンに紫外線ＵＶを照射して硬化させることを特徴とする。
【００２３】
より詳しく説明すると、第１段階は、図２Ａに示したように、上部に陽刻でパターン１０２が形成されたマスター基板１００を準備する(ＳＴ１)。この時、パターン１０２は、マスター基板１００に陰刻で形成されることもある。また、マスター基板１００とパターン１０２は、同一素材の一体型に形成されたり、相互に異なる素材で構成されたりする。さらに、マスター基板１００は、シリコンＳｉ素材からなり、パターン１０２の素材は、シリコンＳｉ、金属、フォトレジストＰＲ、ワックス(Wax)、窒化ケイ素Ｓｉ３Ｎ４、シリカＳｉＯ２のうちから選択された材料である。
【００２４】
第２段階は、前述したように準備したマスター基板１００上に、図２Ｂに示したように、レジン層１１０をコーティングする(ＳＴ２)。レジン層１１０としては、液状の高分子前駆体があって、光硬化特性の素材が使用されて、例えば、ポリウレタンアクリレート(polyurethane acrylate)またはグリシジルアクリレート(Glycidyl acrylate)またはブチルメタクリレート(butyl methacrylate)などに、イルガキュア(Irgacure)３６９またはイルガキュア(Irgacure)８１９などの光開始剤(photo-imitiator)が混合した素材なら適切である。マスター基板１００上にレジン層１１０をコーティングする方法には、スピンコーティング(spin coating)またはスリットコーティング(slit coating)方法などが利用できて、必要によって、コーティングの厚さを選択してコーティングする。
【００２５】
以後、第３段階は、図２Ｃに示したように、マスター基板１００にコーティングされたレジン層１１０に光を照射してレジン層１１０を硬化するが、この時、レジン層１１０に照射される光は、紫外線ＵＶである(ＳＴ３)。紫外線ＵＶによってレジン層１１０は硬化されるが、光を利用して硬化させるために、レジン層１１０は、何の変形または損傷が発生しないので、ソフトモールドが非常に薄い厚さでも形成できる長所を提供する。従ってレジン層１１０は、熱硬化処理の熱による変形がないので薄く形成できる。さらに、紫外線硬化レジンは比較的粘性が低いことから、レジン層１１０を薄くすることができる。さらに、熱硬化処理が約１時間かかるのに対し、紫外線硬化処理は１分未満しかかからない。一般に、紫外線硬化モールドの寿命は熱硬化モールドの寿命より長い。
【００２６】
第４段階は、紫外線ＵＶによって硬化されたレジン層１１０をマスター基板１００から分離させるが(ＳＴ４)、例えば、図２Ｄに示したように、分離用基板１２０を利用してマスター基板１００から分離させる方法を説明する。分離用基板１２０は、硬化されたレジン層１１０の背面に接着してマスター基板１００から分離させるためのもので、表面に接着剤を先ずコーティングさせた後、レジン層１１０に接触させる。以後、分離用基板１２０を後進移動させると、接着剤によって硬化されたレジン層１１０が分離用基板１２０に接着された状態でマスター基板１００から分離される。
【００２７】
この時、分離用基板１２０は、透明素材であるガラス、石英、ポリエチレンテレフタレートＰＥＴ(Poly ethylene terephthalate)、ポリメチルメタアクリレートＰＭＭＡ(Polymethyl methacrylate)、ポリカーボネートＰＣ(Polycarbonate)のいずれかであって、接着剤は、望ましくは、３Ｍ社のＥＣ-２３２０を使用する。さらに、接着剤は、分離用基板１２０にスプレーコーティング方式、スピンコーティング方式、スリットコーティング方式、バーコーティング(Bar coating)方式などによってコーディングされて、望ましくは、乾燥して粘着された状態である。
【００２８】
前述したような本発明のソフトモールドの形成方法は、不純物の汚染を防ぐために、真空(実質的な真空：適当な気圧の真空状態)の雰囲気で行うことが最も望ましい。
【００２９】
以下、本発明によるソフトモールドが形成できる装置を説明する。図４は、本発明によるソフトモールドの形成装置２００を簡単に示した断面構成図である。図４に示したように、真空(実質的な真空)の雰囲気を造成することができるチャンバ２１０内に、上下及び左右に移動できるステージ２２０を構成する。ステージ２２０の上部には、マスター基板１００が安着(安定した状態で固着)されて、ステージ２２０を動かすために、モーター(図示せず)のような手段がチャンバ２１０に隣接して設置される。ステージ２２０は、真空板(vacuum plate)を含み、マスター基板１００がステージ２２０の上部で位置の変化なしに移動できるようにする。
【００３０】
ステージ２２０の上部にレジン層１１０がコーティングされたマスター基板１００が安着されて、チャンバ２１０の天井部には、マスター基板１００からレジン層１１０を分離させるための機構が構成されるが、レジン層１１０と接触されられる接着剤がコーティングされた分離用基板１２０と、分離用基板１２０が安着されて上下に移動できるジグ２３０と、分離用基板１２０がジグ２３０に固定されて動かないようにする固定手段２４０を含む。ジグ２３０を動かすために、モーター(図示せず)をチャンバ２１０に隣接させて設置する。
【００３１】
また、チャンバ２１０の上部面は、光が透過されるように石英、ガラスなどの透明素材の光透過窓２５０が形成されて、チャンバの外部に構成されたＵＶランプ２６０から照射される紫外線ＵＶが光透過窓２５０を通してチャンバ２１０の内部に照射される。さらに、図面には示してないが、光透過窓２５０の上部には、ビジョンカメラ(Vision camera)を設けてチャンバ２１０内の作業を監視させることもできる。
【００３２】
前述したような構成のソフトモールドの形成装置の動作を簡単に説明する。レジン層１１０がコーティングされたマスター基板１００は、チャンバ２１０内へと移動してステージ２２０に安着される。ステージ２２０を前後左右に動かしてマスター基板１００を分離用基板１２０と位置合わせするように位置調整する。ステージ２２０は、マスター基板１００を固定するための真空板を含み、マスター基板１００は、ステージ２２０の上部での位置の変化なしに移動可能となる。この時、チャンバ２１０の内部は、真空状態(真空環境)である。
【００３３】
以後、レジン層１１０をマスター基板１００から分離させるためにステージ２２０を上昇させて、分離用基板１２０とレジン層１１０が接触される。
【００３４】
一例では、実質的な真空状態は、ソフトモールドすなわちレジン層１１０と分離用基板１２０がマスター基板１００から分離された後まで、保持され得る。別の例では、実質的な真空状態は、分離用基板１２０の表面がレジン層１１０に接触した後に解除され得る。
例えば、実質的な真空状態は、窒素又はアルゴンのような不活性ガスを使用したブローイング処理により解除され得る。レジン層１１０はその後、熱硬化処理又は紫外線光硬化処理等により硬化され得る。図２Ｃの例に示されるように、紫外線光硬化処理を使用する。紫外線光硬化処理では、ＵＶランプ２６０は、紫外線ＵＶを出射して、ＵＶランプ２６０から出射された紫外線ＵＶは、光透過窓２５０と分離用基板１２０を透過してレジン層１１０に照射される。従って、レジン層１１０は、硬化される。分離用基板１２０に接着されたレジン層１１０と共にステージ２２０を下降させる。この時、分離用基板１２０には、接着剤がコーティングされているために、レジン層１１０は、分離用基板１２０に接着されマスター基板１００から分離される。
【００３５】
紫外線ＵＶによって硬化されたレジン層１１０が接着された分離用基板１２０は、後続工程のため、チャンバ２１０から後続工程装置へと移送される。
上述の処理工程又は処理工程の部分部分はチャンバ内の真空又は真空と実質的に同様な環境下で実施され得る。
【００３６】
このようなソフトモールドを利用してパターンを形成する方法を、以下、図５Ａないし図５Ｆを参照して詳しく説明する。図５Ａないし図５Ｆは、本発明によるソフトモールドを利用したパターン形成方法を示した断面図である。図５Ａに示したように、基板３００上に薄膜３１０を形成して、薄膜３１０上にレジスト３２０を塗布する。ここで、薄膜３１０は、薄膜トランジスタの電極を形成するための金属物質であったり、アクティブ層またはオーミックコンタクト層を形成するための非晶質シリコン物質であったり、または窒化シリコンと酸化シリコンのような絶縁物質であったりする。
【００３７】
図５Ｂにおいて、陰刻パターン３３２を表面に有するソフトモールド３３０が生成される。一例においては、ソフトモールド３３０は図２〜図４に従って上述した方法で生成され得る。一方、ソフトモールド３３０は他の技術によっても生成され得る。図５Ｃに示したように、表面に陰刻パターン３３２を有するソフトモールド３３０を、陰刻パターン３３２がレジスト３２０と向かい合うようにレジスト３２０上に整列させる。この時、ソフトモールド３３０は、疎水性であって、レジスト３２０は、親水性である。従って、ソフトモールド３３０とレジスト３２０間の反発力によってレジスト３２０は、陰刻パターン３３２の内部へと吸い込まれて、ソフトモールド３３０の上部面(頂部面)は、薄膜３１０と接触する。
【００３８】
図５Ｄに示したように、陰刻パターン３３２の内部のレジスト３２０を硬化して、レジストパターン３２２を形成する。レジスト３２０は、紫外線を照射して硬化される。それから、ソフトモールド３３０を基板３００から分離すると、基板３００の上部には、レジストパターン３２２のみ残る。 
【００３９】
図５Ｅに示したように、レジストパターン３２２をエッチングマスクで図５Ｄの薄膜３１０を選択的にエッチングして、所望のパターン３１２を形成する。図５Ｆに示したように、ストリップ工程によりレジストパターン３２２を除去して、基板３００上に所望のパターン３１２のみ残る。薄膜トランジスタやこれを含むアレイ基板は、図５Ａないし図５Ｆの工程を繰り返して行うことによって形成される。
【図面の簡単な説明】
【００４０】
【図１Ａ】従来の薄膜トランジスタの形成工程を説明するための断面図である。
【図１Ｂ】図１Ａに続く形成工程を示す断面図である。
【図１Ｃ】図１Ｂに続く形成工程を示す断面図である。
【図１Ｄ】図１Ｃに続く形成工程を示す断面図である。
【図１Ｅ】図１Ｄに続く形成工程を示す断面図である。
【図１Ｆ】図１Ｅに続く形成工程を示す断面図である。
【図１Ｇ】図１Ｆに続く形成工程を示す断面図である。
【図２Ａ】本発明によるソフトモールドの形成工程を説明するための断面図である。
【図２Ｂ】図２Ａに続く形成工程を示す断面図である。
【図２Ｃ】図２Ｂに続く形成工程を示す断面図である。
【図２Ｄ】図２Ｃに続く形成工程を示す断面図である。
【図３】本発明によるソフトモールドの形成工程を説明するための工程フローチャートである。
【図４】本発明によるソフトモールドの形成装置を簡単に示した断面構成図である。
【図５Ａ】本発明によるソフトモールドを利用したパターン形成過程を示した断面図である。
【図５Ｂ】図５Ａに続く形成工程を示す断面図である。
【図５Ｃ】図５Ｂに続く形成工程を示す断面図である。
【図５Ｄ】図５Ｃに続く形成工程を示す断面図である。
【図５Ｅ】図５Ｄに続く形成工程を示す断面図である。
【図５Ｆ】図５Ｅに続く形成工程を示す断面図である。
【符号の説明】
【００４１】
１００  マスター基板、１１０  レジン層、１２０  分離用基板、２１０  チャンバ、２２０  ステージ、２３０  ジグ、２４０  固定手段、２５０  光透過窓、２６０  ＵＶランプ。
【図１Ａ】
0004695117.tif 000002
【図１Ｂ】
0004695117.tif 000003
【図１Ｃ】
0004695117.tif 000004
【図１Ｄ】
0004695117.tif 000005
【図１Ｅ】
0004695117.tif 000006
【図１Ｆ】
0004695117.tif 000007
【図１Ｇ】
0004695117.tif 000008
【図２Ａ】
0004695117.tif 000009
【図２Ｂ】
0004695117.tif 000010
【図２Ｃ】
0004695117.tif 000011
【図２Ｄ】
0004695117.tif 000012
【図３】
0004695117.tif 000013
【図４】
0004695117.tif 000014
【図５Ａ】
0004695117.tif 000015
【図５Ｂ】
0004695117.tif 000016
【図５Ｃ】
0004695117.tif 000017
【図５Ｄ】
0004695117.tif 000018
【図５Ｅ】
0004695117.tif 000019
【図５Ｆ】
0004695117.tif 000020