(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に、導体回路と層間樹脂絶縁層とが順次積層され、前記層間樹脂絶縁層を挟んだ導体回路間がバイアホールを介して接続されるとともに、少なくとも前記基板を挟んだ導体回路間がスルーホールを介して接続された多層プリント配線板であって、
前記スルーホールは、前記基板の貫通孔壁面に形成された外層スルーホールと、前記外層スルーホールの内部に外層樹脂充填材層を介して形成された内層スルーホールとからなる同軸スルーホールであり、
前記バイアホールのうち、階層の異なるバイアホール同士は、スタックビア構造となるように形成されるとともに、前記階層の異なるバイアホールのうちの少なくとも１つは、そのランドが、前記スタックビア構造のバイアホールの周囲に形成された導体回路非形成領域に拡大して形成されており、
前記スタックビア構造を有するバイアホールは、前記内層スルーホールのランド上に積層されており、
前記バイアホールは、電解めっきにより層間樹脂絶縁層内に形成されたフィールドビアであることを特徴とする多層プリント配線板。
【請求項２】
基板上に、導体回路と層間樹脂絶縁層とが順次積層され、前記層間樹脂絶縁層を挟んだ導体回路間がバイアホールを介して接続されるとともに、少なくとも前記基板を挟んだ導体回路間がスルーホールを介して接続された多層プリント配線板であって、
前記スルーホールは、前記基板の貫通孔壁面に形成された外層スルーホールと、前記外層スルーホールの内部に外層樹脂充填材層を介して形成された内層スルーホールとからなる同軸スルーホールであるとともに、その内層スルーホール上には蓋めっき層が形成されており、
前記バイアホールのうち、階層の異なるバイアホール同士は、スタックビア構造となるように形成されるとともに、前記階層の異なるバイアホールのうちの少なくとも１つは、そのランドが、前記スタックビア構造のバイアホールの周囲に形成された導体回路非形成領域に拡大して形成されており、
前記スタックビア構造を有するバイアホールは、前記蓋めっき層上に積層されており、
前記バイアホールは、電解めっきにより層間樹脂絶縁層内に形成されたフィールドビアであることを特徴とする多層プリント配線板。
【請求項３】
前記外層スルーホールは、前記基板のみを挟んだ導体回路間を接続し、前記内層スルーホールは、前記基板と前記層間樹脂絶縁層とを挟んだ導体回路間を接続する請求項１または２に記載の多層プリント配線板。
【請求項４】
拡大して形成されたバイアホールのランドの一部は、スタックビア構造のバイアホールの周囲に形成された導体回路非形成領域を平面視した際に、前記導体回路非形成領域の幅の１／２以上の領域に存在している請求項１〜３のいずれか１に記載の多層プリント配線板。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、多層プリント配線板に関する。
【０００２】
【従来の技術】
いわゆる多層ビルドアップ配線基板と呼ばれる多層プリント配線板は、セミアディティブ法等により製造されており、コアと呼ばれる０．５〜１．５ｍｍ程度のガラスクロス等で補強された樹脂基板の上に、銅等による導体回路と層間樹脂絶縁層とを交互に積層することにより作製される。この多層プリント配線板の層間樹脂絶縁層を介した導体回路間の接続は、バイアホールにより行われている。
【０００３】
従来、ビルドアップ多層プリント配線板は、例えば、特開平９−１３００５０号公報等に開示された方法により製造されている。
すなわち、まず、銅箔が貼り付けられた銅張積層板に貫通孔を形成し、続いて無電解銅めっき処理を施すことによりスルーホールを形成する。続いて、基板の表面をフォトリソグラフィーの手法を用いて導体パターン状にエッチング処理して導体回路を形成する。次に、形成された導体回路の表面に、無電解めっきやエッチング等により粗化面を形成し、その粗化面を有する導体回路上に絶縁樹脂層を形成した後、露光、現像処理を行ってバイアホール用開口を形成し、その後、ＵＶ硬化、本硬化を経て層間樹脂絶縁層を形成する。
【０００４】
さらに、層間樹脂絶縁層に酸や酸化剤などにより粗化形成処理を施した後、薄い無電解めっき膜を形成し、この無電解めっき膜上にめっきレジストを形成した後、電解めっきにより厚付けを行い、めっきレジスト剥離後にエッチングを行って、下層の導体回路とバイアホールにより接続された導体回路を形成する。
これを繰り返した後、最後に導体回路を保護するためのソルダーレジスト層を形成し、ＩＣチップ等の電子部品やマザーボード等との接続のために開口を露出させた部分にめっき等を施して半田バンプ形成用パッドとした後、ＩＣチップ等の電子部品側に半田ペーストを印刷して半田バンプを形成することにより、ビルドアップ多層プリント配線板を製造する。また、必要に応じて、マザーボード側にも半田バンプを形成する。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
また、近年、ＩＣチップの高周波数化に伴い、多層プリント配線板の高速化、高密度化が要求されており、これに対応する手段として、基板の貫通孔壁面に外層スルーホールを設け、さらに、該外層スルーホールの内部に外層樹脂充填材層を介して内層スルーホールを設け同軸スルーホールなるものを形成する方法が、先に、本出願人により提案されている。
この同軸スルーホールを形成した場合には、単位面積あたりの配線数を増加させることができるとともに、スルーホール内において、マイクロストリップ構造をとることにより、スルーホール内での定在波や反射の発生を低減することができるため、多層プリント配線板の高速化、高密度化に対応する手段として有用である。
【０００６】
また、多層プリント配線板の高速化、高密度化に対応する別の手段として、スタックビア構造（バイアホールの直上にバイアホールが形成された構造）のバイアホールを形成する方法が提案されている。
このようなスタックビア構造のバイアホールが形成された多層プリント配線板では、配線距離が短くなるため、信号電送時間を短縮することができるともに、導体回路の設計の自由度が向上するため、高密度配線により対応し易くなる。
【０００７】
しかしながら、このようなスタックビア構造のバイアホールを有する多層プリント配線板では、バイアホールの近傍の層間樹脂絶縁層にクラックが発生することがあった。特に、多層プリント配線板をヒートサイクル条件下で一定時間放置した際に、クラックが発生することが多く、さらには、このクラックに起因して、バイアホール周辺の導体回路に剥離や断線が発生することがあった。
【０００８】
これは、スタックビア構造のバイアホールを有する従来の多層プリント配線板６００（図２１（ａ）および（ｂ）参照）では、通常、バイアホール１０７１〜１０７３のランド径が略同一であり、スタックビア構造のバイアホールの近傍、即ち、最外層のバイアホール１０７１とこれに隣接する導体回路１０５ａとの間の導体回路非形成部の下方領域（図２１中、Ａ領域）には、導体回路やバイアホールのランド部分は存在せず、層間樹脂絶縁層１０２のみで形成されており、加えて、層間樹脂絶縁層には、ガラス繊維等の補強材も配合されていないため、このＡ領域の機械的強度が充分でなく、そのため、クラック等が発生しやすいものと考えられる。
【０００９】
【課題を解決するための手段】
そこで、本発明者らは鋭意検討し、スタックビア構造を有するバイアホールのうちの少なくとも１つのバイアホールのランドが、上述したバイアホール近傍の層間樹脂絶縁層に拡大して形成されていれば、即ち、バイアホール近傍の層間樹脂絶縁層が拡大して形成された金属材料からなるバイアホールのランドにより補強されているか、または、上記層間樹脂絶縁層がバイアホールおよびバイアホールのランドで埋められていれば、層間樹脂絶縁層にクラック等が発生する問題を解消することができ、さらに、同軸スルーホールを形成し、該同軸スルーホールのランド上、または、同軸スルーホールの直上にスタックビア構造のバイアホールを形成することにより、より高速化、高密度化に適した多層プリント配線板とすることができることを見い出し、以下に示す内容を要旨構成とする本発明に到達した。
【００１０】
即ち、第一の本発明のプリント配線板は、基板上に、導体回路と層間樹脂絶縁層とが順次積層され、上記層間樹脂絶縁層を挟んだ導体回路間がバイアホールを介して接続されるとともに、少なくとも上記基板を挟んだ導体回路間がスルーホールを介して接続された多層プリント配線板であって、
上記スルーホールは、上記基板の貫通孔壁面に形成された外層スルーホールと、上記外層スルーホールの内部に外層樹脂充填材層を介して形成された内層スルーホールとからなる同軸スルーホールであり、
上記バイアホールのうち、階層の異なるバイアホール同士は、スタックビア構造となるように形成されるとともに、上記階層の異なるバイアホールのうちの少なくとも１つは、そのランドが、上記スタックビア構造のバイアホールの周囲に形成された導体回路非形成領域に拡大して形成されており、
上記スタックビア構造を有するバイアホールは、上記内層スルーホールのランド上に積層されていること特徴とする。
【００１１】
また、第二の本発明の多層プリント配線板は、基板上に、導体回路と層間樹脂絶縁層とが順次積層され、上記層間樹脂絶縁層を挟んだ導体回路間がバイアホールを介して接続されるとともに、少なくとも上記基板を挟んだ導体回路間がスルーホールを介して接続された多層プリント配線板であって、
上記スルーホールは、上記基板の貫通孔壁面に形成された外層スルーホールと、上記外層スルーホールの内部に外層樹脂充填材層を介して形成された内層スルーホールとからなる同軸スルーホールであるとともに、その内層スルーホール上には蓋めっき層が形成されており、
上記バイアホールのうち、階層の異なるバイアホール同士は、スタックビア構造となるように形成されるとともに、上記階層の異なるバイアホールのうちの少なくとも１つは、そのランドが、上記スタックビア構造のバイアホールの周囲に形成された導体回路非形成領域に拡大して形成されており、
上記スタックビア構造を有するバイアホールは、上記蓋めっき層上に積層されていることを特徴とする。
【００１２】
また、第一または第二の本発明の多層プリント配線板において、上記外層スルーホールは、上記基板のみを挟んだ導体回路間を接続し、上記内層スルーホールは、上記基板と上記層間樹脂絶縁層とを挟んだ導体回路間を接続することが望ましい。
【００１３】
また、第一または第二の本発明の多層プリント配線板において、拡大して形成されたバイアホールのランドの一部は、スタックビア構造のバイアホールの周囲に形成された導体回路非形成領域を平面視した際に、上記導体回路非形成領域の幅の１／２以上の領域に存在していることが望ましく、上記バイアホールのうちの少なくとも１つは、その形状がフィールドビア形状であることが望ましい。また、上記フィールドビアの上面の凹凸は、５μｍ以下であることが望ましい。
【００１４】
【発明の実施の形態】
第一の本発明のプリント配線板は、基板上に、導体回路と層間樹脂絶縁層とが順次積層され、上記層間樹脂絶縁層を挟んだ導体回路間がバイアホールを介して接続されるとともに、少なくとも上記基板を挟んだ導体回路間がスルーホールを介して接続された多層プリント配線板であって、
上記スルーホールは、上記基板の貫通孔壁面に形成された外層スルーホールと、上記外層スルーホールの内部に外層樹脂充填材層を介して形成された内層スルーホールとからなる同軸スルーホールであり、
上記バイアホールのうち、階層の異なるバイアホール同士は、スタックビア構造となるように形成されるとともに、上記階層の異なるバイアホールのうちの少なくとも１つは、そのランドが、上記スタックビア構造のバイアホールの周囲に形成された導体回路非形成領域に拡大して形成されており、
上記スタックビア構造を有するバイアホールは、上記内層スルーホールのランド上に積層されていること特徴とする。即ち、本発明の多層プリント配線板においては、拡大形成されたバイアホールのランドにより導体回路非形成領域が補強されるように、または、導体回路非形成領域がバイアホールおよびバイアホールのランドで埋められるようにバイアホールが形成されている。
【００１５】
第一の本発明の多層プリント配線板では、階層の異なるバイアホール同士がスタックビア構造となるように形成されており、加えて、スタックビア構造のバイアホールが内層スルーホールのランド上に積層されているため、導体回路の配線距離が短く、信号電送時間を短縮することができるともに、導体回路の設計の自由度が向上するため、高密度配線により対応し易くなる。
【００１６】
また、上記多層プリント配線板において、階層の異なるバイアホールのうちの少なくとも一つは、そのランドが、スタックビア構造のバイアホールの周囲に形成された導体回路非形成領域を補強するように、または、導体回路非形成領域を埋めるように拡大して形成されている。
従って、拡大形成されたランドを有するバイアホールが層間樹脂絶縁層の補強材としての役割を果たすことにより、層間樹脂絶縁層の機械的強度が向上し、特に、バイアホール近傍の層間樹脂絶縁層でクラックが発生しにくい。
これについて、以下に図面を参照しながら説明する。
図１〜図３は、それぞれ、（ａ）が、第一の本発明の多層プリント配線板の一実施形態の一部を模式的に示す部分断面図であり、（ｂ）が（ａ）に示した多層プリント配線板のバイアホールのみを模式的に示した斜視図である。
【００１７】
第一の本発明の多層プリント配線板では、階層の異なるバイアホールのうちの少なくとも１つは、そのランドが、スタックビア構造のバイアホールの周囲に形成された導体回路非形成領域に拡大して形成されている。
具体的には、例えば、図１（ａ）および（ｂ）に示すように、内層のバイアホール１０７２のランドが最外層のバイアホール１０７１のランドよりも大きくなるように拡大形成されている。この場合、各階層のそれぞれのバイアホールは、平面視した際の形状が円形状であり、かつ、同心円状となるように形成されている。
また、例えば、図２（ａ）および（ｂ）に示すように、最下層のバイアホール１０７３のランドが最外層のバイアホール１０７１のランドよりも大きくなるように拡大形成されていてもよい。この場合も、各階層のそれぞれのバイアホールは、平面視した際の形状が円形状であり、かつ、同心円状となるように形成されている。
【００１８】
さらには、図３（ａ）および（ｂ）に示すように、内層のバイアホール１０７２のランドおよび最下層のバイアホール１０７３のランドの一部が、スタックビア構造のバイアホールの周囲に形成された導体回路非形成領域（図中、Ａ1 およびＡ2 領域）の異なる部分で最外層のバイアホール１０７１のランドよりも大きくなるように拡大形成されていてもよい。
なお、本明細書において、スタックビア構造のバイアホールの周囲に形成された導体回路非形成領域とは、1)最外層のバイアホールとこれに隣接する導体回路との間の導体回路非形成部の下方領域（図中、Ａ1 領域）、および、2)最外層のバイアホールに隣接する導体回路を外層または内層スルーホールのランド部分と同一階層まで平行移動したと仮定した場合の、該導体回路と内層または外層スルーホールの外縁（ランドの端部）との間の上方領域（図中、Ａ2 領域）のうち、それぞれの部分におけるいずれか狭い領域をいう。なお、以下、上記導体回路非形成領域を単にＡ領域ともいう。
【００１９】
図３に示すバイアホールの場合、各階層のそれぞれのバイアホールは、平面視した際の形状が円形状であるが、その中心は異なる位置、即ち、内層のバイアホールの中心と最下層のバイアホールの中心とが、最外層のバイアホールの中心を挟んだ反対側の位置に形成されている。なお、バイアホールを平面視した際の内層のバイアホールの中心および最下層のバイアホールの中心は、最外層のバイアホールの中心を挟んだ反対側の位置以外の位置にあってもよい。
【００２０】
このように、スタックビア構造を有するバイアホールのうちの少なくなくとも１つのランドが拡大形成されている場合、上記導体回路非形成領域（Ａ領域）の一部に、層間樹脂絶縁層１０２だけでなく、バイアホールのランド部分１０７２ａ、１０７３ａが存在することとなる。この場合、スタックビア構造のバイアホール全体で上述した役割および効果を得ることができる。即ち、バイアホールおよびそのランド部分が層間樹脂絶縁層の補強材としての役割を果たすため、Ａ領域の機械的強度が向上し、クラックの発生や、導体回路やバイアホールと層間樹脂絶縁層との間での剥離の発生を防止することができる。
【００２１】
また、内層スルーホールのランド部分にスタックビア構造のバイアホールを形成した場合、バイアホール近傍の片側（図中、Ａ2 領域側）は、その下方に同軸スルーホールが存在することとなるため、導体回路非形成領域はそれほど広くないが、これとは反対側の領域（図中、Ａ1 領域側）は、その下方にスルーホールが存在せず、導体回路非形成領域が広い、従って、本発明の多層プリント配線板においては、このＡ1 領域にバイアホールのランド部分を存在させるように、ランドを拡大形成することが、バイアホール近傍の層間樹脂絶縁層でのクラックの発生を低減させる効果に優れる。
、なお、図１〜３において、１０１は基板、１１４はソルダーレジスト層、１１７は半田バンプである。
【００２２】
また、バイアホールの形状は、図１〜３に示した形状に限定されるわけではなく、図示していないが、例えば、内層のバイアホール１０７２のランドと最下層のバイアホール１０７３のランドとが、ともに最外層のバイアホールのランドよりも大きくなるように拡大形成されていてもよい。
また、各階層のバイアホールのランド径はそれぞれが互いに異なっていてもよい。
また、上述した例では、各階層のバイアホールを平面視した際の形状は、円形状であったが、バイアホールを平面視した際の形状は、これに限定されず、例えば、楕円形状や矩形状等であってもよい。
なお、バイアホールのランドを拡大形成する具体的な方法については、本発明の多層プリント配線板の製造方法を説明する際に詳述する。
【００２３】
また、第一の本発明の多層プリント配線板において、スタックビア構造を有するバイアホールの層数は、２層以上であれば特に限定されず、図示した多層プリント配線板のように３層であってもよいし、２層や４層以上であってもよい。
なお、本明細書において、バイアホールのランド径とは、バイアホール用開口の外縁からバイアホールの外縁までの距離をいい、例えば、図中に示す距離Ｌをいう（図１〜３参照）。
【００２４】
また、拡大して形成されたバイアホールのランドの一部は、スタックビア構造のバイアホールの周囲に形成された導体回路非形成領域を平面視した際に、上記導体回路非形成領域の幅の１／２以上の領域に存在していることが望ましく、上記導体回路非形成領域の全部に存在していることがより望ましい。
このような領域に、そのランドの一部が存在するようにバイアホールを拡大形成することにより、上記導体回路非形成領域をより確実に補強すること、または、上記導体回路非形成領域をバイアホールおよびそのランドで確実に埋めることができるからである。
【００２５】
また、上述したように、第一の本発明の多層プリント配線板では、バイアホールのうち、階層の異なるバイアホール同士がスタックビア構造を有するように形成されている。
従って、より信頼性に優れるバイアホールとするために、下層バイアホール（その直上に別のバイアホールが形成されているバイアホール）の形状は、フィールドビア形状であることが望ましい。フィールドビア形状である場合、バイアホールの上面が略平坦であるため、直上にバイアホールを積層形成するのに適しているからである。
【００２６】
また、バイアホールは、通常、後述するようにめっき処理を用いて形成するが、このバイアホールをフィールドビア形状とする場合、めっき処理によりフィールドビア形状に形成してもよいし、一旦、上面に窪みを有する形状のバイアホールを形成した後、その窪みを導電性ペースト等で充填してフィールドビア形状としてもよい。なお、上記フィールドビアの上面の凹凸は、５μｍ以下であることが望ましい。
なお、めっき処理によりフィールドビア形状のバイアホールを形成する場合に用いるめっき液については後に詳述する。
また、バイアホールをフィールドビアビア形状とせず、上面に窪みを有するバイアホールを形成した後、この窪みに樹脂充填材等を充填し、その後、樹脂充填材を覆う蓋めっき層を形成することにより、バイアホールの上面を平坦にしてもよい。
上記バイアホールにおいて、その形状をフィールドビア形状としたり、バイアホール上に蓋めっき層を形成した場合、その上面の平均粗度Ｒａは、５μｍ以下であることが望ましい。
スタックビア構造のバイアホールを形成するのに適しており、また、形成したスタックビア構造のバイアホールの接続信頼性に優れるからである。
【００２７】
また、第一の本発明の多層プリント配線板において、スルーホールは、基板１０１の貫通孔壁面に形成された外層スルーホール１０９ａと、外層スルーホール１０９ａの内部に外層樹脂充填材層１１０ａを介して形成された内層スルーホール１０９ｂとからなる同軸スルーホールである（図１〜図３参照）。なお、多層プリント配線板１００において、内層スルーホール１０９ｂの内部には内層樹脂充填材層１１０ｂが形成されている。
【００２８】
このような同軸スルーホールでは、スルーホール内でマイクロストリップ構造をとることにより、即ち、外層スルーホールおよび内層スルーホールのうちの一方のスルーホールを信号線とし、他方のスルーホールを接地線とすることにより、スルーホール内での定在波や反射の発生を低減し、電気特性の向上を図ることができる。
【００２９】
また、上記同軸スルーホールにおいて、内層スルーホールと外層スルーホールとのランド部分は、ともに同一階層に存在してもよいが、図１に示すように、それぞれ異なる階層に存在し、外層スルーホールが基板のみを挟んだ導体回路間を接続し、内層スルーホールが基板と層間樹脂絶縁層とを挟んだ導体回路間を接続するように構成されていることが望ましい。同一階層にランド部分が存在しないため、より高密度配線に対応することができ、また、内層スルーホールと外層スルーホールとの間の絶縁性を確保し易いからである。
【００３０】
次に、第一の本発明の多層プリント配線板を製造する方法について工程順に説明する。
（１）まず、ガラスエポキシ基板、ポリイミド基板、ビスマレイミド−トリアジン樹脂（ＢＴ樹脂）基板、フッ素樹脂基板等の樹脂基板、銅張積層板等を出発材料とし、基板上に導体回路を形成する。
具体的には、例えば、基板の両面に無電解めっき処理等を施すことによりベタの導体層を形成した後、該導体層上に導体回路パターンに対応したエッチングレジストを形成し、その後、エッチングを行うことにより形成すればよい。
また、銅張積層板をベタの導体層が形成された基板として用いてもよい。
【００３１】
また、上記無電解めっき処理を施す際には、予め、この絶縁性基板に外層スルーホール用貫通孔を形成しておき、該貫通孔の壁面にも無電解めっき処理を施すことにより、基板を挟んだ導体回路間を接続する外層スルーホールとする。
また、上記外層スルーホール用貫通孔とは、別に、貫通孔を形成しておき、この貫通孔壁面にも無電解めっきを施すことにより、導通用スルーホールとしてもよい。
なお、本明細書において、導通用スルーホールとは、基板、または、基板と層間樹脂絶縁層とを挟んだ導体回路を接続するスルーホールであって、１層からなる同軸構造を有さないスルーホールをいう。
また、上記外層スルーホール用貫通孔の開口径は、２００〜４００μｍが望ましく、２５０〜３５０μｍがより望ましい。
また、導通用スルーホール用貫通孔の開口径は、５０〜４００μｍであることが望ましい。
【００３２】
（２）次に、上記外層スルーホール内に樹脂充填材を充填し、外層樹脂充填材層を形成する。このとき、導体回路非形成部や導通用スルーホール内にも樹脂充填材を充填することが望ましい。
上記樹脂充填材としては、少なくとも熱硬化性樹脂と硬化剤と１０〜８０体積％の無機粒子とを含む樹脂充填材が望ましい。
このような樹脂充填材では、１０体積％以上無機粒子を含んでいるため、外層樹脂充填材層と基板や層間樹脂絶縁層との熱膨張係数が整合され、熱収縮差に起因した応力が発生しにくく、この応力に起因したクラック等が発生しにくい。また、上記樹脂充填材は、無機粒子の含有量が８０体積％以下であるため、後工程の研磨処理において、バフ等の研磨入りの不織布で樹脂充填材の表層部をなぞるだけの容易な研磨により、樹脂充填材の表層部を平坦化することができる。
【００３３】
また、上記熱硬化性樹脂としては、例えば、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂、フェノール樹脂等が挙げられる。これらのなかでは、エポキシ樹脂が望ましく、特に、ビスフェノール型エポキシ樹脂およびノボラック型エポキシ樹脂のうちの少なくとも一種が望ましい。ビスフェノール型エポキシ樹脂は、Ａ型、Ｆ型等の樹脂を選択することにより、希釈溶媒を使用することなく、その粘度を調整することができ、ノボラック型エポキシ樹脂は、高強度で耐熱性や対薬品性に優れ、無電解めっき液等の強塩基性溶液中でも分解せず、また熱分解しないからである。
【００３４】
（３）次に、必要に応じて、導体回路の表面の粗化処理を行う。粗化処理方法としては、例えば、黒化（酸化）−還元処理、有機酸と第二銅錯体とを含む混合溶液等を用いたエッチング処理、Ｃｕ−Ｎｉ−Ｐ針状合金めっきによる処理等を用いることができる。また、上記粗化処理により形成された粗化面または粗化層の凹凸は、０．１〜５μｍであることが望ましい。
【００３５】
（４）次に、導体回路上に熱硬化性樹脂や樹脂複合体からなる未硬化の樹脂層を形成するか、または、熱可塑性樹脂からなる樹脂層を形成する。
上記未硬化の樹脂層は、未硬化の樹脂をロールコーター、カーテンコーター等により塗布して成形してもよく、また、未硬化（半硬化）の樹脂フィルムを熱圧着して形成してもよい。さらに、未硬化の樹脂フィルムの片面に銅箔等の金属層が形成された樹脂フィルムを貼付してもよい。
また、熱可塑性樹脂からなる樹脂層は、フィルム状に成形した樹脂成形体を熱圧着することにより形成することが望ましい。
【００３６】
上記未硬化の樹脂を塗布する場合には、樹脂を塗布した後、加熱処理を施す。
上記加熱処理を施すことにより、未硬化の樹脂を熱硬化させることができる。
なお、上記熱硬化は、後述するバイアホール用開口を形成した後に行ってもよい。
【００３７】
このような樹脂層の形成において使用する熱硬化性樹脂の具体例としては、例えば、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、ポリイミド樹脂、ポリエステル樹脂、ビスマレイミド樹脂、ポリオレフィン系樹脂、ポリフェニレンエーテル樹脂等が挙げられる。
【００３８】
上記エポキシ樹脂としては、例えば、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、アルキルフェノールノボラック型エポキシ樹脂、ビフェノールＦ型エポキシ樹脂、ナフタレン型エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂、フェノール類とフェノール性水酸基を有する芳香族アルデヒドとの縮合物のエポキシ化物、トリグリシジルイソシアヌレート、脂環式エポキシ樹脂等が挙げられる。これらは、単独で用いてもよく、２種以上併用してもよい。それにより、耐熱性等に優れるものとなる。
【００３９】
上記ポリオレフィン系樹脂としては、例えば、ポリエチレン、ポリスチレン、ポリプロピレン、ポリイソブチレン、ポリブタジエン、ポリイソプレン、シクロオレフィン系樹脂、これらの樹脂の共重合体等が挙げられる。
【００４０】
また、上記熱可塑性樹脂としては、例えば、フェノキシ樹脂、ポリエーテルスルフォン、ポリスルフォン等が挙げられる。
また、熱硬化性樹脂と熱可塑性樹脂との複合体（樹脂複合体）としては、熱硬化性樹脂と熱可塑性樹脂とを含むものであれば特に限定されず、その具体例としては、例えば、粗化面形成用樹脂組成物等が挙げられる。
【００４１】
上記粗化面形成用樹脂組成物としては、例えば、酸、アルカリおよび酸化剤から選ばれる少なくとも１種からなる粗化液に対して難溶性の未硬化の耐熱性樹脂マトリックス中に、酸、アルカリおよび酸化剤から選ばれる少なくとも１種からなる粗化液に対して可溶性の物質が分散されたもの等が挙げられる。
なお、上記「難溶性」および「可溶性」という語は、同一の粗化液に同一時間浸漬した場合に、相対的に溶解速度の早いものを便宜上「可溶性」といい、相対的に溶解速度の遅いものを便宜上「難溶性」と呼ぶ。
【００４２】
上記耐熱性樹脂マトリックスとしては、層間樹脂絶縁層に上記粗化液を用いて粗化面を形成する際に、粗化面の形状を保持できるものが好ましく、例えば、熱硬化性樹脂、熱可塑性樹脂、これらの複合体等が挙げられる。また、感光性樹脂であってもよい。後述するバイアホール用開口を形成する工程において、露光現像処理により開口を形成することができるからである。
【００４３】
上記熱硬化性樹脂としては、例えば、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、ポリイミド樹脂、ポリオレフィン樹脂、フッ素樹脂等が挙げられる。また、これらの熱硬化性樹脂に感光性を付与した樹脂、即ち、メタクリル酸やアクリル酸等を用い、熱硬化基を（メタ）アクリル化反応させた樹脂を用いてもよい。具体的には、エポキシ樹脂の（メタ）アクリレートが望ましく、さらに、１分子中に、２個以上のエポキシ基を有するエポキシ樹脂がより望ましい。
【００４４】
上記熱可塑性樹脂としては、例えば、フェノキシ樹脂、ポリエーテルスルフォン、ポリスルフォン、ポリフェニレンスルフォン、ポリフェニレンサルファイド、ポリフェニルエーテル、ポリエーテルイミド等が挙げられる。これらは単独で用いてもよいし、２種以上併用してもよい。
【００４５】
上記可溶性の物質としては、例えば、無機粒子、樹脂粒子、金属粒子、ゴム粒子、液相樹脂および液相ゴム等が挙げられる。これらは、単独で用いてもよいし、２種以上併用してもよい。
【００４６】
上記無機粒子としては、例えば、アルミナ、水酸化アルミニウム等のアルミニウム化合物；炭酸カルシウム、水酸化カルシウム等のカルシウム化合物；炭酸カリウム等のカリウム化合物；マグネシア、ドロマイト、塩基性炭酸マグネシウム、タルク等のマグネシウム化合物；シリカ、ゼオライト等のケイ素化合物等が挙げられる。これらは単独で用いてもよいし、２種以上併用してもよい。
上記アルミナ粒子は、ふっ酸で溶解除去することができ、炭酸カルシウムは塩酸で溶解除去することができる。また、ナトリウム含有シリカやドロマイトはアルカリ水溶液で溶解除去することができる。
【００４７】
上記樹脂粒子としては、例えば、熱硬化性樹脂、熱可塑性樹脂等からなるものが挙げられ、酸、アルカリおよび酸化剤から選ばれる少なくとも１種からなる粗化液に浸漬した場合に、上記耐熱性樹脂マトリックスよりも溶解速度の早いものであれば特に限定されず、具体的には、例えば、アミノ樹脂（メラミン樹脂、尿素樹脂、グアナミン樹脂等）、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、フェノキシ樹脂、ポリイミド樹脂、ポリフェニレン樹脂、ポリオレフィン樹脂、フッ素樹脂、ビスマレイミド−トリアジン樹脂等が挙げられる。これらは、単独で用いてもよく、２種以上併用してもよい。
なお、上記樹脂粒子は予め硬化処理されていることが必要である。硬化させておかないと上記樹脂粒子が樹脂マトリックスを溶解させる溶剤に溶解してしまうため、均一に混合されてしまい、酸や酸化剤で樹脂粒子のみを選択的に溶解除去することができないからである。
【００４８】
上記金属粒子としては、例えば、金、銀、銅、スズ、亜鉛、ステンレス、アルミニウム、ニッケル、鉄、鉛等が挙げられる。これらは、単独で用いてもよく、２種以上併用してもよい。
また、上記金属粒子は、絶縁性を確保するために、表層が樹脂等により被覆されていてもよい。
【００４９】
（５）次に、その材料として熱硬化性樹脂や樹脂複合体を用いた層間樹脂絶縁層を形成する場合には、未硬化の樹脂層に硬化処理を施すとともに、バイアホール用開口を形成し、層間樹脂絶縁層とする。
上記バイアホール用開口は、レーザ処理により形成することが望ましい。上記レーザ処理は、上記硬化処理前に行ってもよいし、硬化処理後に行ってもよい。
また、感光性樹脂からなる層間樹脂絶縁層を形成した場合には、露光、現像処理を行うことにより、バイアホール用開口を設けてもよい。なお、この場合、露光、現像処理は、上記硬化処理前に行う。
【００５０】
また、その材料として熱可塑性樹脂を用いた層間樹脂絶縁層を形成する場合には、熱可塑性樹脂からなる樹脂層にレーザ処理によりバイアホール用開口を形成し、層間樹脂絶縁層とすることができる。
【００５１】
このとき、使用するレーザとしては、例えば、炭酸ガスレーザ、エキシマレーザ、ＵＶレーザ、ＹＡＧレーザ等が挙げられる。これらは、形成するバイアホール用開口の形状等を考慮して使い分けてもよい。
【００５２】
上記バイアホール用開口を形成する場合、マスクを介して、ホログラム方式のエキシマレーザによるレーザ光照射することにより、一度に多数のバイアホール用開口を形成することができる。
また、短パルスの炭酸ガスレーザを用いて、バイアホール用開口を形成すると、開口内の樹脂残りが少なく、開口周縁の樹脂に対するダメージが小さい。
【００５３】
また、光学系レンズとマスクとを介してレーザ光を照射する場合には、一度に多数のバイアホール用開口を形成することができる。
光学系レンズとマスクとを介することにより、同一強度で、かつ、照射角度が同一のレーザ光を複数の部分に同時に照射することができるからである。
【００５４】
また、上記層間樹脂絶縁層の厚さは特に限定されないが、通常、５〜５０μｍが望ましい。また、バイアホール用開口の開口径は特に限定されないが、通常、４０〜２００μｍが望ましい。
【００５５】
（６）次に、上記（２）の工程で形成した外層スルーホール内の外層樹脂充填材層と層間樹脂絶縁層とを貫通する内層スルーホール用貫通孔を形成する。上記内層スルーホール用貫通孔は、ドリル加工や、レーザ処理等により形成することができる。ここで、レーザ処理を行う際に用いるレーザとしては、上述したバイアホール用開口を形成する際に用いるレーザと同様のもの等が挙げられる。
上記内層スルーホール用貫通孔の開口径は、７５〜２００μｍが望ましく、１００〜１５０μｍがより望ましい。
また、上記内層スルーホール用貫通孔とは、別に、貫通孔を形成しておき、この貫通孔壁面にも無電解めっきを施すことにより、導通用スルーホールとしてもよい。
上記内層スルーホール用貫通孔を形成した後、必要に応じて、該内層スルーホール用貫通孔にデスミア処理を施してもよい。
【００５６】
（７）次に、バイアホール用開口の内壁を含む層間樹脂絶縁層の表面に、必要に応じて、酸または酸化剤を用いて粗化面を形成する。
なお、この粗化面は、層間樹脂絶縁層とその上に形成する薄膜導体層との密着性を高めるために形成するものであり、層間樹脂絶縁層と薄膜導体層との間に充分な密着性がある場合には形成しなくてもよい。
【００５７】
上記酸としては、硫酸、硝酸、塩酸、リン酸、蟻酸等が挙げられ、上記酸化剤としては、クロム酸、クロム硫酸、過マンガン酸ナトリウム等の過マンガン酸塩等が挙げられる。
また、粗化面を形成した後には、アルカリ等の水溶液や中和液等を用いて、層間樹脂絶縁層の表面を中和することが望ましい。
次工程に、酸や酸化剤の影響を与えないようにすることができるからである。
また、上記粗化面の形成は、プラズマ処理等を用いて行ってもよい。
【００５８】
（８）次に、バイアホール用開口を設けた層間樹脂絶縁層の表面に薄膜導体層を形成するとともに、内層スルーホール用貫通孔の壁面にも薄膜導体層を形成し、内層スルーホールとする。
上記薄膜導体層は、無電解めっき、スパッタリング、蒸着等の方法を用いて形成することができる。なお、層間樹脂絶縁層の表面に粗化面を形成しなかった場合には、上記薄膜導体層は、スパッタリングにより形成することが望ましい。
なお、無電解めっきにより薄膜導体層を形成する場合には、被めっき表面に、予め、触媒を付与しておく。上記触媒としては、例えば、塩化パラジウム等が挙げられる。
【００５９】
上記薄膜導体層の厚さは特に限定されないが、該薄膜導体層を無電解めっきにより形成した場合には、０．６〜１．２μｍが望ましく、スパッタリングにより形成した場合には、０．１〜１．０μｍが望ましい。
また、上記薄膜導体層の材質としては、例えば、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｐ、Ｐｄ、Ｃｏ、Ｗ等が挙げられる。これらのなかでは、ＣｕやＮｉが望ましい。
【００６０】
（９）次に、上記薄膜導体層上の一部にドライフィルムを用いてめっきレジストを形成し、その後、上記薄膜導体層をめっきリードとして電解めっきを行い、上記めっきレジスト非形成部に電解めっき層を形成する。
また、この工程では、内層スルーホール用貫通孔壁面に形成した薄膜導体層上にも電解めっき層を形成し、内層スルーホールの厚さを厚くしてもよい。
【００６１】
（１０）次に、めっきレジストを剥離し、めっきレジストの下に存在していた薄膜導体層をエッチングにより除去し、独立した導体回路（バイアホールを含む）とする。エッチング液としては、例えば、硫酸−過酸化水素水溶液、過硫酸アンモニウム等の過硫酸塩水溶液、塩化第二鉄、塩化第二銅、塩酸等が挙げられる。また、エッチング液として上述した第二銅錯体と有機酸とを含む混合溶液を用いてもよい。
【００６２】
また、上記（９）および（１０）に記載した方法に代えて、以下の方法を用いることにより導体回路を形成してもよい。
即ち、上記薄膜導体層上の全面に電解めっき層を形成した後、該電解めっき層上の一部にドライフィルムを用いてエッチングレジストを形成し、その後、エッチングレジスト非形成部下の電解めっき層および薄膜導体層をエッチングにより除去し、さらに、エッチングレジストを剥離することにより独立した導体回路を形成してもよい。
【００６３】
（１１）次に、必要に応じて、上記内層スルーホール用貫通孔内に樹脂充填材を充填し、内層樹脂充填材層を形成する。
ここで用いる樹脂充填材としては、外層樹脂充填材層を形成する際に用いる樹脂充填材と同様のもの等が挙げられる。
また、この工程では、必要に応じて、上記（８）の工程で形成した導体回路同士の間、即ち、導体回路非形成部にも、樹脂充填材を充填してもよい。
【００６４】
（１２）この後、上記（３）〜（１０）の工程を２回以上繰り返すことにより、層間樹脂絶縁層上に最上層の導体回路が形成された基板を作製する。なお、上記（３）〜（１０）の工程を何回繰り返すかは、多層プリント配線板の設計に応じて適宜選択すればよい。なお、この繰り返し工程では、スルーホールを形成しなくてよい。
また、この工程では、内層スルーホールのランド上にバイアホールを形成し、該バイアホールがスタックビア構造となるように、バイアホールの直上にバイアホールを形成する。
また、バイアホールのランドを拡大形成する場合には、めっきレジストを形成する際にめっきレジスト非形成部の大きさを大きくしておけばよい。
【００６５】
また、この工程で形成するバイアホールは、その形状がフィールドビア構造であることが望ましく、フィールドビア構造のバイアホールの形成は、バイアホール用開口を電解めっきで充填してフィールドビア構造としてもよく、一旦、その上面に窪みを有するバイアホールを形成し、その後、この窪みに導電性ペーストを充填してフィールドビア構造としてもよい。
また、上面に窪みを有するバイアホールを形成した後、その窪みに樹脂充填材等を充填し、さらに、その上に蓋めっき層を形成して上面が平坦なバイアホールとしてもよい。
【００６６】
フィルードビア構造のバイアホールを電解めっき時に形成する場合は、例えば、下記の組成からなる電解めっき液を用いて、電解めっき処理を行えばよい。
即ち、５０〜３００ｇ／ｌの硫酸銅、３０〜２００ｇ／ｌの硫酸、２５〜９０ｍｇ／ｌの塩素イオン、および、少なくともレベリング剤と光沢剤とからなる１〜１０００ｍｇ／ｌの添加剤を含有する電解めっき液を用いて、電解めっき処理を行えばよい。
【００６７】
このような組成の電解めっき液では、バイアホールの開口径、樹脂絶縁層の材質や厚さ、層間樹脂絶縁層の粗化面の有無等に関係なく、フィールドビア構造のバイアホールを形成することができる。
加えて、この電解めっき液は、銅イオンを高濃度で含有しているため、バイアホール用開口部に銅イオンを充分に供給し、バイアホール用開口部をめっき速度４０〜１００μｍ／時間でめっきすることができ、電解めっき工程の高速化につながる。
【００６８】
また、上記電解めっき液は、１００〜２５０ｇ／ｌの硫酸銅、５０〜１５０ｇ／ｌの硫酸、３０〜７０ｍｇ／ｌの塩素イオン、および、少なくともレベリング剤と光沢剤とからなる１〜６００ｍｇ／ｌの添加剤を含有する組成であることが望ましい。
【００６９】
また、上記電解めっき液において、上記添加剤は、少なくともレベリング剤と光沢剤とからなるものであればよく、その他の成分を含有していてもよい。
ここで、上記レベリング剤としては、例えば、ポリエチレン、ゼラチン、これらの誘導体等が挙げられる。
また、上記光沢剤としては、例えば、酸化物硫黄やその関連化合物、硫化水素やその関連化合物、その他の硫黄化合物等が挙げられる。
【００７０】
また、上記レベリング剤の配合量は、１〜１０００ｍｇ／ｌが望ましく、上記光沢剤の配合量は、０．１〜１００ｍｇ／ｌが望ましい。また、両者の配合比率は、２：１〜１０：１が望ましい。
【００７１】
（１３）次に、最上層の導体回路を含む基板上に、複数の半田バンプ形成用開口を有するソルダーレジスト層を形成する。
具体的には、未硬化のソルダーレジスト組成物をロールコータやカーテンコータ等により塗布したり、フィルム状に成形したソルダーレジスト組成物を圧着したりした後、レーザ処理や露光現像処理により半田バンプ形成用開口を形成し、さらに、必要に応じて、硬化処理を施すことによりソルダーレジスト層を形成する。
【００７２】
上記ソルダーレジスト層は、例えば、ポリフェニレンエーテル樹脂、ポリオレフィン樹脂、フッ素樹脂、熱可塑性エラストマー、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂等を含むソルダーレジスト組成物を用いて形成することができる
【００７３】
また、上記以外のソルダーレジスト組成物としては、例えば、ノボラック型エポキシ樹脂の（メタ）アクリレート、イミダゾール硬化剤、２官能性（メタ）アクリル酸エステルモノマー、分子量５００〜５０００程度の（メタ）アクリル酸エステルの重合体、ビスフェノール型エポキシ樹脂等からなる熱硬化性樹脂、多価アクリル系モノマー等の感光性モノマー、グリコールエーテル系溶剤などを含むペースト状の流動体が挙げられ、その粘度は２５℃で１〜１０Ｐａ・ｓに調整されていることが望ましい。
また、上記ソルダーレジスト組成物は、エラストマーや無機フィラーが配合されていてもよい。
また、ソルダーレジスト組成物として、市販のソルダーレジスト組成物を使用してもよい。
【００７４】
また、上記半田バンプ形成用開口を形成する際に用いるレーザとしては、上述したバイアホール用開口を形成する際に用いるレーザと同様のもの等が挙げられる。
【００７５】
次に、上記半田バンプ形成用開口の底面に露出した導体回路の表面に、必要に応じて、半田パッドを形成する。
上記半田パッドは、ニッケル、パラジウム、金、銀、白金等の耐食性金属により上記導体回路表面を被覆することにより形成することができる。
具体的には、ニッケル−金、ニッケル−銀、ニッケル−パラジウム、ニッケル−パラジウム−金等の金属により形成することが望ましい。
また、上記半田パッドは、例えば、めっき、蒸着、電着等の方法を用いて形成することができるが、これらのなかでは、被覆層の均一性に優れるという点からめっきが望ましい。
【００７６】
（１４）次に、上記半田バンプ形成用開口に半田ペーストを充填し、リフロー処理を施したり、半田ペースト充填した後、導電性ピンを取り付け、さらにリフロー処理を施したりすることにより半田バンプやＢＧＡ(Ball Grid Array) 、ＰＧＡ（Pin Grid Array) を形成する。
なお、製品認識文字などを形成するための文字印刷工程やソルダーレジスト層の改質のために、酸素や四塩化炭素などのプラズマ処理を適時行ってもよい。
このような工程を経ることにより第一の本発明の多層プリント配線板を製造することができる。
【００７７】
次に、第二の本発明の多層プリント配線板について説明する。
第二の本発明の多層プリント配線板は、基板上に、導体回路と層間樹脂絶縁層とが順次積層され、上記層間樹脂絶縁層を挟んだ導体回路間がバイアホールを介して接続されるとともに、少なくとも上記基板を挟んだ導体回路間がスルーホールを介して接続された多層プリント配線板であって、
上記スルーホールは、上記基板の貫通孔壁面に形成された外層スルーホールと、上記外層スルーホールの内部に外層樹脂充填材層を介して形成された内層スルーホールとからなる同軸スルーホールであるとともに、その内層スルーホール上には蓋めっき層が形成されており、
上記バイアホールのうち、階層の異なるバイアホール同士は、スタックビア構造となるように形成されるとともに、上記階層の異なるバイアホールのうちの少なくとも１つは、そのランドが、上記スタックビア構造のバイアホールの周囲に形成された導体回路非形成領域に拡大して形成されており、
上記スタックビア構造を有するバイアホールは、上記蓋めっき層上に積層されていることを特徴とする。
従って、第二の本発明の多層プリント配線板は、同軸スルーホールの内層スルーホール上に蓋めっき層が形成されており、該蓋めっき層の直上にスタックビア構造を有するバイアホールが形成されている点で、第一の本発明の多層プリント配線板とは、その構成を異にする。
【００７８】
図４は、第二の本発明の多層プリント配線板の一実施形態の一部を模式的に示す部分断面図である。
多層プリント配線板４００では、基板１０１を挟んだ導体回路間を接続する外層スルーホール１０９ａと、基板１０１と層間樹脂絶縁層１０２とを挟んだ導体回路間を接続する内層スルーホール１０９ｂとからなる同軸スルーホール１０９が形成されており、内層スルーホール１０９ｂ上には蓋めっき層１１１が形成されている。
また、蓋めっき層１１１の直上には、スタックビア構造を有するバイアホール１０７１〜１０７３が形成されている。
【００７９】
このような構成の多層プリント配線板では、内層スルーホールの直上に、蓋めっき層を介して、スタックビア構造を有するバイアホールが形成されているため、基板等を挟んだ導体回路の配線距離が短くなり、信号電送時間を短縮することができるともに、導体回路の設計の自由度が向上するため、高密度配線により対応し易くなる。
なお、上記同軸スルーホールの構成は、上述したように、内層スルーホール上に蓋めっき層が形成されている以外は、第一の本発明の多層プリント配線板の同軸スルーホールの構成と同様である。
【００８０】
また、第二の本発明の多層プリント配線板において、階層の異なるバイアホールのうちの少なくとも一つは、そのランドが、スタックビア構造のバイアホールの周囲に形成された導体回路非形成領域に拡大して形成されている。即ち、拡大形成されたバイアホールのランドにより導体回路非形成領域が補強されるように、または、導体回路非形成領域がバイアホールおよびバイアホールのランドで埋められるようにバイアホールが形成されている。
具体的には、例えば、第一の本発明の多層プリント配線板と同様の構成等であればよい。即ち、図４に示す多層プリント配線板４００のように、内層のバイアホール１０７２のランドが最外層のバイアホール１０７１のランドよりも大きくなるように拡大形成され、スタックビア構造のバイアホールの周囲に形成された導体回路非形成領域（Ａ1 領域）にバイアホール１０７２のランド部分１０７２ａが存在する構成や、最下層のバイアホールのランドが最外層のバイアホールのランドよりも大きくなるように拡大形成され、上記導体回路非形成領域（Ａ1 領域）にバイアホールのランド部分が存在する構成、内層のバイアホールのランドおよび最外層のバイアホールのランドの一部が、上記導体回路非形成領域の異なる部分で最外層のバイアホールのランドよりも大きくなるように拡大形成された構成等であればよい。
また、内層のバイアホールのランドと最下層のバイアホールのランドとがともに、最外層のバイアホールのランドより大きくなるように拡大形成された構成であってもよい。
【００８１】
バイアホールのランドが拡大形成されている場合には、第一の本発明の多層プリント配線板と同様、バイアホールおよびそのランド部分が、層間樹脂絶縁層の補強材としての役割を果たすこととなり、層間樹脂絶縁層の機械的強度が向上し、特に、バイアホール近傍の層間樹脂絶縁層でクラックが発生しにくくなる。これは、スタックビア構造のバイアホールの周囲に形成された導体回路非形成領域の一部にバイアホールのランド部分が存在することとなり、この部分が特に層間樹脂絶縁層の補強材として役割を果たすこととなるからである。
また、第二の本発明の多層プリント配線板においても、スタックビア構造を有するバイアホールの層数は、２層以上であれば特に限定されず、図示した多層プリント配線板のように３層であってもよいし、２層や４層以上であってもよい。
また、拡大して形成されたバイアホールのランドの一部は、第一の本発明の多層プリント配線板と同様、スタックビア構造のバイアホールの周囲に形成された導体回路非形成領域を平面視した際に、上記導体回路非形成領域の幅の１／２以上の領域に存在していることが望ましく、上記導体回路非形成領域の全部に存在していることがより望ましい。
【００８２】
また、第二の本発明の多層プリント配線板においても、バイアホールはスタックビア構造を有するように形成されているため、下層バイアホールの形状は、フィールドビア形状であることが望ましい。
【００８３】
また、第二の本発明の多層プリント配線板では、内層スルーホールの直上にスタックビア構造のバイアホールが形成されており、より接続信頼性に優れる多層プリント配線板とするために、内層スルーホール上には蓋めっき層が形成されている。蓋めっき層は、その表面が平坦であるため、バイアホールを形成するのに適しているからである。また、上記蓋めっき層は、１層からなるものであってもよいし、２層以上からなるものであってもよい。
また、内層スルーホール内には、樹脂充填材層が形成されていることが望ましい。樹脂充填材で内層スルーホール内を充填することが上記蓋めっき層を形成するのに適しているからである。
【００８４】
次に、第二の本発明の多層プリント配線板を製造する方法について説明する。
第二の本発明の多層プリント配線板は、上述したように、同軸スルーホールの内層スルーホール上に蓋めっき層が形成されており、該蓋めっき層の直上にスタックビア構造を有するバイアホールが形成されている点で第一の本発明の多層プリント配線板とは、その構成を異にする。
従って、第二の本発明の多層プリント配線板は、内層スルーホール上に蓋めっき層を形成し、該蓋めっき層の直上にバイアホールを形成する以外は、第一の本発明の多層プリント配線板を製造する方法と同様の方法で製造することができる。
【００８５】
具体的には、例えば、第一の本発明の多層プリント配線板を製造方法の（１）〜（１０）の工程を経て、基板や層間樹脂絶縁層を挟んだ導体回路間を接続する同軸スルーホールを形成し、さらに、必要に応じて、内層樹脂充填材層の形成と、導体回路表面の粗化処理とを行った後、内層スルーホール上に蓋めっき層を形成し、第一の本発明の多層プリント配線板を製造方法の（１２）の工程において、バイアホールを上記蓋めっき層上に形成する以外は、第一の本発明の多層プリント配線板を製造する方法と同様の方法で製造することができる。
【００８６】
なお、上記蓋めっき層は、例えば、下記（ａ）〜（ｃ）の工程を経ることにより形成することができる。
即ち、（ａ）外層スルーホールと内層スルーホールとからなる同軸スルーホールを形成し、内層スルーホール内に樹脂充填材層を形成した後、樹脂充填材層の露出面を含む基板の表面に、無電解めっき処理やスパッタリング等を用いて薄膜導体層を形成する。なお、無電解めっき処理を用いる場合には、被めっき表面に予め触媒を付与しておく。
（ｂ）次に、内層スルーホール（樹脂充填材層を含む）上以外の部分に、めっきレジストを形成し、さらに、上記薄膜導体層をめっきリードとして電解めっきを行う。
（ｃ）ついで、電解めっき終了後、めっきレジストの剥離と該めっきレジスト下の薄膜導体層の除去とを行うことにより薄膜導体層と電解めっき層との２層からなる蓋めっき層を形成することができる。
なお、触媒の付与から薄膜導体層の除去に至る、この（ａ）〜（ｃ）の工程は、第一の本発明の多層プリント配線板の（８）〜（１０）と同様の方法等を用いて行うことができる。
【００８７】
また、１層からなる蓋めっき層を形成する場合には、例えば、樹脂充填材層の露出面を含む基板の表面に触媒を付与した後、スルーホール上以外の部分にめっきレジストを形成し、その後、無電解めっき処理と、めっきレジストの除去を行えばよい。
【００８８】
【実施例】
以下、本発明をさらに詳細に説明する。
（実施例１）
Ａ．層間樹脂絶縁層用樹脂フィルムの作製
ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂（エポキシ当量４６９、油化シェルエポキシ社製エピコート１００１）３０重量部、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂（エポキシ当量２１５、大日本インキ化学工業社製  エピクロンＮ−６７３）４０重量部、トリアジン構造含有フェノールノボラック樹脂（フェノール性水酸基当量１２０、大日本インキ化学工業社製  フェノライトＫＡ−７０５２）３０重量部をエチルジグリコールアセテート２０重量部、ソルベントナフサ２０重量部に攪拌しながら加熱溶解させ、そこへ末端エポキシ化ポリブタジエンゴム（ナガセ化成工業社製  デナレックスＲ−４５ＥＰＴ）１５重量部と２−フェニル−４、５−ビス（ヒドロキシメチル）イミダゾール粉砕品１．５重量部、微粉砕シリカ２重量部、シリコン系消泡剤０．５重量部を添加しエポキシ樹脂組成物を調製した。
得られたエポキシ樹脂組成物を厚さ３８μｍのＰＥＴフィルム上に乾燥後の厚さが５０μｍとなるようにロールコーターを用いて塗布した後、８０〜１２０℃で１０分間乾燥させることにより、層間樹脂絶縁層用樹脂フィルムを作製した。
【００８９】
Ｂ．樹脂充填材の調製
ビスフェノールＦ型エポキシモノマー（油化シェル社製、分子量：３１０、ＹＬ９８３Ｕ）１００重量部、表面にシランカップリング剤がコーティングされた平均粒径が１．６μｍで、最大粒子の直径が１５μｍ以下のＳｉＯ2 球状粒子（アドテック社製、ＣＲＳ  １１０１−ＣＥ）１７０重量部およびレベリング剤（サンノプコ社製  ペレノールＳ４）１．５重量部を容器にとり、攪拌混合することにより、その粘度が２５±１℃で３０〜８０Ｐａ・ｓの樹脂充填材を調製した。なお、硬化剤としては、イミダゾール硬化剤（四国化成社製、２Ｅ４ＭＺ−ＣＮ）６．５重量部を用いた。
なお、この樹脂充填材における無機粒子（ＳｉＯ2 球状粒子）の配合量は、５０体積％である。
【００９０】
Ｃ．プリント配線板の製造方法
（１）厚さ０．８ｍｍのガラスエポキシ樹脂またはＢＴ（ビスマレイミドトリアジン）樹脂からなる基板１の両面に１８μｍの銅箔８がラミネートされている銅張積層板を出発材料とした（図５（ａ）参照）。まず、この銅張積層板をドリル削孔して、開口径３５０μｍの外層スルーホール用貫通孔および開口径２５０μｍの導通用スルーホール用貫通孔を形成し、さらに、無電解めっき処理を施し、パターン状にエッチングすることにより、基板１の両面に下層導体回路４と外層スルーホール９ａおよび導通用スルーホール９ｃとを形成した（図５（ｂ）参照）。
【００９１】
（２）次に、外層スルーホール９ａおよび導通用スルーホール９ｃと下層導体回路４とを形成した基板を水洗いし、乾燥した後、ＮａＯＨ（１０ｇ／ｌ）、ＮａＣｌＯ2 （４０ｇ／ｌ）、Ｎａ3 ＰＯ4 （６ｇ／ｌ）を含む水溶液を黒化浴（酸化浴）とする黒化処理、および、ＮａＯＨ（１０ｇ／ｌ）、ＮａＢＨ4 （６ｇ／ｌ）を含む水溶液を還元浴とする還元処理を行い、スルーホール９ａ、９ｃを含む下層導体回路４の全表面に粗化面（図示せず）を形成した。
【００９２】
（３）次に、上記Ｂに記載した樹脂充填材を調製した後、下記の方法により調整後２４時間以内に、外層スルーホール９ａおよび導通用スルーホール９ｃ内、ならびに、基板１の導体回路非形成部と下層導体回路４の外縁部とに樹脂充填材の層１０′を形成した。
即ち、まず、スキージを用いて外層スルーホール９ａおよび導通用スルーホール９ｃ内に樹脂充填材を押し込んだ後、１００℃、２０分の条件で乾燥させた。次に、導体回路非形成部に相当する部分が開口したマスクを基板上に載置し、スキージを用いて凹部となっている導体回路非形成部に樹脂充填材の層１０′形成し、１００℃、２０分の条件で乾燥させた（図５（ｃ）参照）。
【００９３】
（４）上記（３）の処理を終えた基板の片面を、＃６００のベルト研磨紙（三共理化学製）を用いたベルトサンダー研磨により、下層導体回路４の表面やスルーホール９ａ、９ｃのランド表面に樹脂充填材が残らないように研磨し、次いで、上記ベルトサンダー研磨による傷を取り除くためのバフ研磨を行った。このような一連の研磨を基板の他方の面についても同様に行った。
次いで、１００℃で１時間、１５０℃で１時間の加熱処理を行って樹脂充填材層１０を形成した。
【００９４】
このようにして、スルーホール９ａ、９ｃや導体回路非形成部に形成された樹脂充填材層１０の表層部および下層導体回路４の表面を平坦化し、樹脂充填材層１０と下層導体回路４の側面とが粗化面を介して強固に密着し、またスルーホール９ａ、９ｃの内壁面と樹脂充填材層１０とが粗化面を介して強固に密着した絶縁性基板を得た（図５（ｄ）参照）。即ち、この工程により、樹脂充填材層１０の表面と下層導体回路４の表面が同一平面となる。
【００９５】
（５）上記基板を水洗、酸性脱脂した後、ソフトエッチングし、次いで、エッチング液を基板の両面にスプレイで吹きつけて、下層導体回路４の表面と外層スルーホール９ａおよび導通用スルーホール９ｃのランド表面とをエッチングすることにより、下層導体回路４の全表面に粗化面（図示せず）を形成した。なお、エッチング液としては、イミダゾール銅（ＩＩ）錯体１０重量部、グリコール酸７重量部、塩化カリウム５重量部からなるエッチング液（メック社製、メックエッチボンド）を使用した。
【００９６】
（６）次に、基板の両面に、上記Ａで作製した基板より少し大きめの層間樹脂絶縁層用樹脂フィルムを基板上に載置し、圧力０．４ＭＰａ、温度８０℃、圧着時間１０秒の条件で仮圧着して裁断した後、さらに、以下の方法により真空ラミネーター装置を用いて張り付け、その後、熱硬化させることにより層間樹脂絶縁層２を形成した（図５（ｅ）参照）。すなわち、層間樹脂絶縁層用樹脂フィルムを基板上に、真空度６７Ｐａ、圧力０．４ＭＰａ、温度８０℃、圧着時間６０秒の条件で本圧着して張り付け、その後、１７０℃で３０分間熱硬化させた。
【００９７】
（７）次に、層間樹脂絶縁層２上に、厚さ１．２ｍｍの貫通孔が形成されたマスクを介して、波長１０．４μｍのＣＯ2 ガスレーザにて、ビーム径４．０ｍｍ、トップハットモード、パルス幅８．０μ秒、マスクの貫通孔の径１．０ｍｍ、１ショットの条件で層間樹脂絶縁層２に、直径８０μｍのバイアホール用開口６を形成した。
【００９８】
（８）次に、ドリルを用いて、外層スルーホール９ａ内の樹脂充填材層１０と基板の両面に形成した層間樹脂絶縁層２とを貫通する内層スルーホール用貫通孔９ｂ′を形成した（図６（ａ）参照）。なお、内層スルーホール用貫通孔９ｂ′の開口径は、１５０μｍである。
なお、この後、外層スルーホール内に充填されていた樹脂充填材層は、外層樹脂充填材層１０ａということとする。
【００９９】
（９）さらに、バイアホール用開口６および内層スルーホール用貫通孔を形成した基板を、６０ｇ／ｌの過マンガン酸を含む８０℃の溶液に１０分間浸漬し、層間樹脂絶縁層２の表面に存在するエポキシ樹脂粒子を溶解除去することにより、バイアホール用開口６の内壁を含む層間樹脂絶縁層２の表面を粗化面（図示せず）とした。
【０１００】
（１０）次に、上記処理を終えた基板を、中和溶液（シプレイ社製）に浸漬してから水洗いした。
さらに、粗面化処理（粗化深さ３μｍ）した層間樹脂絶縁層２の表面（バイアホール用開口６の内壁面を含む）および内層スルーホール用貫通孔９ｂ′の壁面に、パラジウム触媒（アトテック社製）を付与することにより、層間樹脂絶縁層２の表面および内層スルーホール用貫通孔９ｂ′の壁面に触媒核を付着させた。
【０１０１】
（１１）次に、以下の組成の無電解銅めっき水溶液中に基板を浸漬して、層間樹脂絶縁層２の表面および内層スルーホール用貫通孔９ｂ′の壁面全体に厚さ０．６〜３．０μｍの薄膜導体層１２を形成した（図６（ｂ）参照）。
〔無電解めっき水溶液〕
ＮｉＳＯ4                  ０．００３  ｍｏｌ／ｌ
酒石酸                    ０．２００  ｍｏｌ／ｌ
硫酸銅                    ０．０３０  ｍｏｌ／ｌ
ＨＣＨＯ                  ０．０５０  ｍｏｌ／ｌ
ＮａＯＨ                  ０．１００  ｍｏｌ／ｌ
α、α′−ビピリジル            ４０  ｍｇ／ｌ
ポリエチレングリコール（ＰＥＧ）  ０．１０  ｇ／ｌ
〔無電解めっき条件〕
３５℃の液温度で４０分
【０１０２】
（１２）次に、市販の感光性ドライフィルムを薄膜導体層１２に貼り付け、マスクを載置して、１００ｍＪ／ｃｍ2 で露光し、０．８％炭酸ナトリウム水溶液で現像処理することにより、めっきレジスト３を設けた（図６（ｃ）参照）。
【０１０３】
（１３）次に、基板を５０℃の水で洗浄して脱脂し、２５℃の水で水洗後、さらに硫酸で洗浄してから、以下の条件で電解銅めっきを施し、電解銅めっき層１３を形成した（図６（ｄ）参照）。なお、この工程では、内層スルーホール用貫通孔の壁面に形成した薄膜導体層１２上にも電解銅めっき層１３を形成した。
〔電解めっき液〕
硫酸                      ２．２４  ｍｏｌ／ｌ
硫酸銅                    ０．２６  ｍｏｌ／ｌ
添加剤                    １９．５    ｍｌ／ｌ
（アトテックジャパン社製、カパラシドＧＬ）
〔電解めっき条件〕
電流密度                    １  Ａ／ｄｍ2
時間                        ６５  分
温度                        ２２±２  ℃
【０１０４】
（１４）続いて、５０℃の４０ｇ／ｌＮａＯＨ水溶液中でめっきレジスト３を剥離除去した。その後、基板に１５０℃で１時間の加熱処理を施し、硫酸−過酸化水素水溶液を含むエッチング液を用いて、めっきレジスト３下に存在した薄膜導体層を除去し、独立した導体回路５（バイアホール７を含む）と内層スルーホール９ｂとを形成した（図７（ａ）参照）。
【０１０５】
（１５）次に、内層スルーホール９ｂ内に樹脂充填材を充填し、乾燥、硬化処理および研磨処理を施すことにより、内層樹脂充填材層１０ｂを形成した（図７（ｂ）参照）。
具体的には、上記Ｂで調製した樹脂充填材を用い、上記（３）および（４）の工程と同様の方法を用いて内層樹脂充填材層を形成した。また、この工程では、導体回路５（バイアホール７を含む）非形成部にも樹脂充填材層１０を形成した。
【０１０６】
（１６）次に、上記（５）の工程で用いた方法と同様の方法により、導体回路表面と、内層スルーホール９ｂのランド表面とに粗化面（図示せず）を形成した。さらに、上記（６）の工程と同様にして、層間樹脂絶縁層用樹脂フィルムを張り付け、その後、１７０℃で３０分間熱硬化させることにより層間樹脂絶縁層２を形成した。
【０１０７】
（１７）次に、上記（７）の工程と同様にして、直径８０μｍのバイアホール用開口を形成した。なお、バイアホール用開口は、内層スルーホール９ｂのランド上に形成した。
【０１０８】
（１８）次に、上記（９）の工程と同様にして、バイアホール用開口６の壁面を含む層間樹脂絶縁層２の表面に粗化面（図示せず）を形成し、さらに、上記（１０）〜（１１）の工程と同様にして、層間樹脂絶縁層２の表面（バイアホール用開口の内壁面を含む）に触媒核を付着させた後、無電解めっき処理により、薄膜導体層１２を形成した。
【０１０９】
（１９）次に、市販の感光性ドライフィルムを薄膜導体層１２に貼り付け、マスクを載置して、１００ｍＪ／ｃｍ2 で露光し、０．８％炭酸ナトリウム水溶液で現像処理することにより、めっきレジスト３を設けた。
なお、バイアホールを形成するためのめっきレジスト非形成部分の形状は、平面視形状が円形で、その直径Ｌ1 が１５０μｍである（図７（ｃ）参照）。
【０１１０】
（２０）ついで、基板を５０℃の水で洗浄して脱脂し、２５℃の水で水洗後、さらに硫酸で洗浄してから、以下の条件で電解銅めっきを施し、電解銅めっき層１３を形成した（図８（ａ）参照）。なお、下記の組成からなる電解めっき液を用いることにより、バイアホール用開口内は電解銅めっき層で完全に充填されることとなる。従って、後工程を経て形成されるバイアホールはその形状がフィールドビア形状となる。
〔電解めっき水溶液〕
ＣｕＳＯ4 ・５Ｈ2 Ｏ            ２１０ｇ／ｌ
硫酸                            １５０ｇ／ｌ
Ｃｌ-                            ４０ｍｇ／ｌ
ポリエチレングリコール        ３００ｍｇ／ｌ
ビスジスルフィド              １００ｍｇ／ｌ
〔電解めっき条件〕
電流密度                      １．０Ａ／ｄｍ2
時間                          ６０  分
温度                          ２５  ℃
【０１１１】
（２１）続いて、５０℃の４０ｇ／ｌＮａＯＨ水溶液中でめっきレジスト３を剥離除去した。その後、基板に１５０℃で１時間の加熱処理を施し、硫酸−過酸化水素水溶液を含むエッチング液を用いて、めっきレジスト下に存在した薄膜導体層を除去し、独立した導体回路５とフィールドビア形状のバイアホール７とを形成した（図８（ｂ）参照）。
【０１１２】
（２２）上記（１６）〜（２１）の工程を繰り返すことにより、さらに上層の層間樹脂絶縁層２と導体回路５（バイアホール７を含む）とを形成した（図８（ｃ）〜図９（ｂ）参照）。
なお、バイアホールを形成するためのめっきレジスト非形成部分の形状は、平面視形状が円形で、その直径が２５０μｍであり、形成したバイアホール７は、その形状がフィールドビア形状で、そのランド径が８５μｍである。従って、この工程で形成したバイアホールは、そのランドが拡大形成されている。
【０１１３】
（２３）さらに、上記（１６）〜（２１）の工程を繰り返すことにより、さらに上層の層間樹脂絶縁層２と導体回路５（バイアホール７を含む）とを形成し、多層配線板を得た（図９（ｃ）〜図１１（ａ）参照）。なお、バイアホールを形成するためのめっきレジスト非形成部分の形状は、平面視形状が円形で、その直径が１５０μｍであり、形成したバイアホールは、その形状が上面が窪んだ形状であり、そのランド径が３５μｍである。
また、この繰り返し工程において、電解めっき液としては、上記（２０）の工程で用いた電解めっき液に代えて、上記（１３）の工程で用いた電解めっき液を使用した。
また、この工程で形成したバイアホールと隣接する導体回路との距離は５０μｍである。
【０１１４】
（２４）次に、ジエチレングリコールジメチルエーテル（ＤＭＤＧ）に６０重量％の濃度になるように溶解させた、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂（日本化薬社製）のエポキシ基５０％をアクリル化した感光性付与のオリゴマー（分子量：４０００）４６．６７重量部、メチルエチルケトンに溶解させた８０重量％のビスフェノールＡ型エポキシ樹脂（油化シェル社製、商品名：エピコート１００１）１５．０重量部、イミダゾール硬化剤（四国化成社製、商品名：２Ｅ４ＭＺ−ＣＮ）１．６重量部、感光性モノマーである多価アクリルモノマー（日本化薬社製、商品名：Ｒ６０４）３．０重量部、同じく多価アクリルモノマー（共栄化学社製、商品名：ＤＰＥ６Ａ）１．５重量部、分散系消泡剤（サンノプコ社製、Ｓ−６５）０．７１重量部を容器にとり、攪拌、混合して混合組成物を調製し、この混合組成物に対して光重合開始剤としてベンゾフェノン（関東化学社製）２．０重量部、光増感剤としてのミヒラーケトン（関東化学社製）０．２重量部を加え、粘度を２５℃で２．０Ｐａ・ｓに調整したソルダーレジスト組成物を得た。
なお、粘度測定は、Ｂ型粘度計（東京計器社製、ＤＶＬ−Ｂ型）で６０ｍｉｎ-1（ｒｐｍ）の場合はローターＮｏ．４、６ｍｉｎ-1（ｒｐｍ）の場合はローターＮｏ．３によった。
【０１１５】
（２５）次に、多層配線基板の両面に、上記ソルダーレジスト組成物を２０μｍの厚さで塗布し、７０℃で２０分間、７０℃で３０分間の条件で乾燥処理を行った後、半田パッドのパターンが描画された厚さ５ｍｍのフォトマスクをソルダーレジスト層に密着させて１０００ｍＪ／ｃｍ2 の紫外線で露光し、ＤＭＴＧ溶液で現像処理し、直径８０μｍの開口を形成した。
そして、さらに、８０℃で１時間、１００℃で１時間、１２０℃で１時間、１５０℃で３時間の条件でそれぞれ加熱処理を行ってソルダーレジスト層を硬化させ、半田バンプ形成用開口を有し、その厚さが２０μｍのソルダーレジスト層１４を形成した。
【０１１６】
（２６）次に、過硫酸ナトリウムを主成分とするエッチング液中にソルダーレジスト層１４が形成された基板を１分間浸漬し、導体回路表面に平均粗度（Ｒａ）が１μｍ以下の粗化面（図示せず）を形成した。
さらに、この基板を、塩化ニッケル（２．３×１０-1ｍｏｌ／ｌ）、次亜リン酸ナトリウム（２．８×１０-1ｍｏｌ／ｌ）、クエン酸ナトリウム（１．６×１０-1ｍｏｌ／ｌ）を含むｐＨ＝４．５の無電解ニッケルめっき液に２０分間浸漬して、開口部に厚さ５μｍのニッケルめっき層１５を形成した。さらに、その基板をシアン化金カリウム（７．６×１０-3ｍｏｌ／ｌ）、塩化アンモニウム（１．９×１０-1ｍｏｌ／ｌ）、クエン酸ナトリウム（１．２×１０-1ｍｏｌ／ｌ）、次亜リン酸ナトリウム（１．７×１０-1ｍｏｌ／ｌ）を含む無電解金めっき液に８０℃の条件で７．５分間浸漬して、ニッケルめっき層１５上に、厚さ０．０３μｍの金めっき層１６を形成し、半田パッドとした。
【０１１７】
（２７）この後、ソルダーレジスト層１４上に、マスクを載置し、ピストン式圧入型印刷機を用いて、半田バンプ形成用開口に半田ペーストを印刷した。その後、半田ペーストを２５０℃でリフローし、さらに、フラックス洗浄を行うことにより、半田バンプを備えた多層プリント配線板を得た（図１１（ｂ）参照）。
【０１１８】
（実施例２）
実施例１の（２７）の工程において、ソルダーレジスト層の片面に、下記の方法を用いてＰＧＡを形成した以外は、実施例１と同様にして多層プリント配線板を製造した。
（ＰＧＡの形成）
実施例１の（１）〜（２６）の工程を経て、半田パッドを有する半田バンプ形成用開口を形成した後、該半田バンプ形成用開口内に半田ペーストを印刷する。次に、導電性接ピンををピン保持装置に取り付けて支持し、導電性接続ピンの固定部を半田バンプ形成用開口内の半田ペーストに当接させる。その後、リフロー処理を施すことによりＰＧＡを形成した。
なお、ＰＧＡを形成した側と反対側のソルダーレジスト層には、実施例１の（２６）の工程と同様の方法を用いて半田バンプを形成した。
【０１１９】
（実施例３）
実施例１の（６）および（７）の工程において、以下の方法を用いて、バイアホール用開口を有する層間樹脂絶縁層を形成した以外は、実施例１と同様にして多層プリント配線板を製造した。
即ち、実施例１の（１）〜（５）の工程を経た後、感光性樹脂組成物Ｂ（粘度：１．５Ｐａ・ｓ）を調製後２４時間以内にロールコータを用いて塗布し、水平状態で２０分間放置してから、６０℃で３０分間の乾燥（プリベーク）を行った。次いで、感光性樹脂組成物Ａ（粘度：７Ｐａ・ｓ）を調製後２４時間以内にロールコータを用いて塗布し、同様に水平状態で２０分間放置してから、６０℃で３０分間の乾燥（プリベーク）を行い、２層からなる半硬化状態の樹脂層を形成した。
【０１２０】
次に、半硬化状態の樹脂層を形成した基板の両面に、直径８０μｍの黒円が印刷されたフォトマスクフィルムを密着させ、超高圧水銀灯により５００ｍＪ／ｃｍ2 の強度で露光した後、ＤＭＤＧ溶液でスプレー現像した。この後、さらに、この基板を超高圧水銀灯により３０００ｍＪ／ｃｍ2 の強度で露光し、１００℃で１時間、１２０℃で１時間、１５０で３時間の加熱処理を施し、フォトマスクフィルムに相当する寸法精度に優れた直径８０μｍのバイアホール用開口を有する層間樹脂絶縁層を形成した。
【０１２１】
なお、感光性樹脂組成物ＡおよびＢは下記の方法により調製した。
〔感光性樹脂組成物Ａの調製〕
(i) クレゾールノボラック型エポキシ樹脂（日本化薬社製、分子量：２５００）の２５％アクリル化物を８０重量％の濃度でジエチレングリコールジメチルエーテル（ＤＭＤＧ）に溶解させた樹脂液３５重量部、感光性モノマー（東亜合成社製、アロニックスＭ３１５）３．１５重量部、消泡剤（サンノプコ社製  Ｓ−６５）０．５重量部およびＮ−メチルピロリドン（ＮＭＰ）３．６重量部を容器にとり、攪拌混合することにより混合組成物を調製した。
【０１２２】
(ii)ポリエーテルスルフォン（ＰＥＳ）１２重量部、エポキシ樹脂粒子（三洋化成社製、ポリマーポール）の平均粒径１．０μｍのもの７．２重量部および平均粒径０．５μｍのもの３．０９重量部を別の容器にとり、攪拌混合した後、さらにＮＭＰ３０重量部を添加し、ビーズミルで攪拌混合し、別の混合組成物を調製した。
【０１２３】
(iii) イミダゾール硬化剤（四国化成社製、２Ｅ４ＭＺ−ＣＮ）２重量部、光重合開始剤（チバ・スペシャリティ・ケミカルズ社製、イルガキュアー  Ｉ−９０７）２重量部、光増感剤（日本化薬社製、ＤＥＴＸ−Ｓ）０．２重量部およびＮＭＰ１．５重量部をさらに別の容器にとり、攪拌混合することにより混合組成物を調製した。
そして、(i) 、(ii)および(iii) で調製した混合組成物を混合することにより感光性樹脂組成物を得た。
【０１２４】
〔感光性樹脂組成物Ｂの調製〕
(i) クレゾールノボラック型エポキシ樹脂（日本化薬社製、分子量：２５００）の２５％アクリル化物を８０重量％の濃度でジエチレングリコールジメチルエーテル（ＤＭＤＧ）に溶解させた樹脂液３５重量部、感光性モノマー（東亜合成社製、アロニックスＭ３１５）４重量部、消泡剤（サンノプコ社製  Ｓ−６５）０．５重量部およびＮ−メチルピロリドン（ＮＭＰ）３．６重量部を容器にとり、攪拌混合することにより混合組成物を調製した。
【０１２５】
(ii)ポリエーテルスルフォン（ＰＥＳ）１２重量部、および、エポキシ樹脂粒子（三洋化成社製、ポリマーポール）の平均粒径０．５μｍのもの１４．４９重量部を別の容器にとり、攪拌混合した後、さらにＮＭＰ３０重量部を添加し、ビーズミルで攪拌混合し、別の混合組成物を調製した。
【０１２６】
(iii) イミダゾール硬化剤（四国化成社製、２Ｅ４ＭＺ−ＣＮ）２重量部、光重合開始剤（チバ・スペシャリティ・ケミカルズ社製、イルガキュアー  Ｉ−９０７）２重量部、光増感剤（日本化薬社製、ＤＥＴＸ−Ｓ）０．２重量部およびＮＭＰ１．５重量部をさらに別の容器にとり、攪拌混合することにより混合組成物を調製した。
そして、(i) 、(ii)および(iii) で調製した混合組成物を混合することにより感光性樹脂組成物を得た。
【０１２７】
（実施例４）
Ａ．層間樹脂絶縁層用樹脂フィルムの作製および樹脂充填材の調製
実施例１と同様にして、層間樹脂絶縁層用樹脂フィルムの作製、および、樹脂充填材の調製を行った。
【０１２８】
Ｃ．プリント配線板の製造方法
（１）実施例１の（１）〜（１４）の工程と同様の工程を経て、その両面に導体回路と層間樹脂絶縁層とが形成されるとともに、外層スルーホールと内層スルーホールとからなる同軸スルーホールが形成された基板を作製した（図１２（ａ）〜図１４（ａ）参照）
【０１２９】
（２）次に、内層スルーホール９ｂ内に樹脂充填材を充填し、乾燥、硬化処理および研磨処理を施すことにより、内層樹脂充填材層１０ｂを形成した（図１４（ｂ）参照）。
具体的には、上記Ａで調製した樹脂充填材を用い、実施例１の（３）および（４）の工程と同様の方法を用いて内層樹脂充填材層を形成した。また、この工程では、導体回路５（バイアホール７を含む）非形成部にも樹脂充填材層１０を形成し、導体回路（内層スルーホール９ｂのランド部分を含む）表面と樹脂充填材層の表面とを同一平面とした。
【０１３０】
（３）次に、基板の表面にパラジウム触媒（アトテック社製）を付与することにより、導体回路５（内層スルーホール９ｂのランド部分およびバイアホール７を含む）表面および樹脂充填材層１０ｂの表面に触媒核を付着させた。
さらに、実施例１の（１１）の工程で用いた無電解めっき液と同様の組成の無電解銅めっき水溶液中に基板を浸漬して、表面全体に厚さ０．６〜３．０μｍの薄膜導体層を形成した。
【０１３１】
（４）次に、市販の感光性ドライフィルムを用いて、内層スルーホール９ｂ（内層樹脂充填材層１０ｂを含む）上以外の部分にめっきレジスト３を形成した（図１４（ｃ）参照）。
さらに，基板を５０℃の水で洗浄して脱脂し、２５℃の水で水洗後、さらに硫酸で洗浄してから、以下の条件で電解銅めっきを施し、スルーホール上に電解銅めっき層１３を形成した（図１５（ａ）参照）。
〔電解めっき液〕
硫酸          ２．２４  ｍｏｌ／ｌ
硫酸銅        ０．２６  ｍｏｌ／ｌ
添加剤        １９．５    ｍｌ／ｌ
（アトテックジャパン社製、カパラシドＧＬ）
〔電解めっき条件〕
電流密度            １  Ａ／ｄｍ2
時間              ６５  分
温度            ２２＋２  ℃
【０１３２】
（５）さらに、５０℃の４０ｇ／ｌＮａＯＨ水溶液中でめっきレジストを剥離除去し、その後、硫酸−過酸化水素水溶液を含むエッチング液を用いて、めっきレジスト下に存在した薄膜導体層１２を除去し、蓋めっき層１１とした（図１５（ｂ）参照）。
【０１３３】
（６）次に、実施例１の（５）の工程で用いた方法と同様の方法により、導体回路５表面と、蓋めっき層１１表面とに粗化面（図示せず）を形成した。さらに、実施例１の（６）の工程と同様にして、層間樹脂絶縁層用樹脂フィルムを張りつけ、その後、１７０℃で３０分間熱硬化させることにより層間樹脂絶縁層２を形成した。
【０１３４】
（７）次に、層間樹脂絶縁層２上に、厚さ１．２ｍｍの貫通孔が形成されたマスクを介して、波長１０．４μｍのＣＯ2 ガスレーザにて、ビーム径４．０ｍｍ、トップハットモード、パルス幅８．０μ秒、マスクの貫通孔の径１．０ｍｍ、１ショットの条件で層間樹脂絶縁層２に、直径８０μｍのバイアホール用開口６を形成した（図１５（ｃ）参照）。なお、バイアホール用開口６は、蓋めっき層１１上に形成した。
【０１３５】
（８）次に、実施例１の（９）の工程と同様にして、バイアホール用開口６の壁面を含む層間樹脂絶縁層２の表面に粗化面（図示せず）を形成し、さらに、実施例１の（１０）〜（１１）の工程と同様にして、層間樹脂絶縁層２の表面（バイアホール用開口６の内壁面を含む）に触媒核を付着させた後、無電解めっき処理により、薄膜導体層１２を形成した（図１６（ａ）参照）。
【０１３６】
（９）次に、市販の感光性ドライフィルムを薄膜導体層１２に貼り付け、マスクを載置して、１００ｍＪ／ｃｍ2 で露光し、０．８％炭酸ナトリウム水溶液で現像処理することにより、めっきレジスト３を設けた。
なお、バイアホールを形成するためのめっきレジスト非形成部分の形状は、平面視形状が円形で、その直径が１５０μｍである。
【０１３７】
（１０）ついで、基板を５０℃の水で洗浄して脱脂し、２５℃の水で水洗後、さらに硫酸で洗浄してから、実施例１の（２０）の工程と同様の条件で電解銅めっきを施し、電解銅めっき層１３を形成した（図１６（ｂ）参照）。なお、この工程を経ることにより、バイアホール用開口６内は電解銅めっき層で完全に充填されることとなる。従って、後工程を経て形成されるバイアホールはその形状がフィールドビア形状となる。
【０１３８】
（１１）続いて、５０℃の４０ｇ／ｌＮａＯＨ水溶液中でめっきレジスト３を剥離除去した。その後、基板に１５０℃で１時間の加熱処理を施し、硫酸−過酸化水素水溶液を含むエッチング液を用いて、めっきレジスト下に存在した薄膜導体層を除去し、独立した導体回路５とフィールドビア形状のバイアホール７とを形成した（図１６（ｃ）参照）。なお、この工程で形成したバイアホールは、そのランド径が３５μｍである。
【０１３９】
（１２）上記（６）〜（１１）の工程を繰り返すことにより、さらに上層の層間樹脂絶縁層２と導体回路５（バイアホール７を含む）とを形成した（図１７（ａ）〜（ｃ）参照）。
なお、バイアホールを形成するためのめっきレジスト非形成部分の形状は、平面視形状が円形で、その直径が２５０μｍであり、形成したバイアホール７は、その形状がフィールドビア形状で、そのランド径が８５μｍである。従って、この工程で形成したバイアホールは、そのランドが拡大形成されている。
【０１４０】
（１３）さらに、上記（６）〜（１１）の工程を再度、繰り返すことにより、さらに上層の層間樹脂絶縁層２と導体回路５（バイアホール７を含む）とを形成し、多層配線板を得た（図１８（ａ）〜図１９（ａ）参照）。なお、バイアホールを形成するためのめっきレジスト非形成部分の形状は、平面視形状が円形で、その直径が１５０μｍであり、形成したバイアホールは、その形状が上面が窪んだ形状であり、そのランド径が３５μｍである。
また、この繰り返し工程において、電解めっき液としては、上記（１０）の工程で用いた電解めっき液に代えて、実施例１の（１３）の工程で用いた電解めっきを使用した。
また、この工程で形成したバイアホールと隣接する導体回路との距離は５０μｍである。
【０１４１】
（１４）次に、実施例１の（２４）〜（２７）の工程と同様にして半田バンプを備えた多層プリント配線板を得た（図１９（ｂ）参照）。
【０１４２】
（実施例５）
実施例４の（９）の工程において、バイアホールを形成するためのめっきレジスト非形成部分の形状を、平面視形状が円形で、その直径が２５０μｍである形状とした以外は、実施例４と同様にして多層プリント配線板を製造した。その結果、スタックビア構造に形成されたバイアホールのうちの最下層および内層のバイアホールのランド径が８５μｍで、最外層のバイアホールのランド径が３５μｍの多層プリント配線板を得た（図２０（ａ）参照）。従って、本実施例で製造した多層プリント配線板では、最下層および内層のバイアホールのランドが拡大形成されている。
【０１４３】
（実施例６）
実施例４の（９）の工程において、バイアホールを形成するためのめっきレジスト非形成部分を、平面視形状が直径２００μｍの円形で、バイアホールの最大ランド径が８５μｍとなるような形状に形成し、実施例の（１２）の工程において、バイアホールを形成するためのめっきレジスト非形成部分を、平面視形状が直径２００μｍの円形で、バイアホールの最大ランド径が８５μｍで、かつ、最大ランド径を有する方向が、上記（９）の工程で形成した最大ランド径を有する方向と反対方向となるような形状に形成した以外は、実施例４と同様にして多層プリント配線板を製造した。
【０１４４】
その結果、スタックビア構造に形成されたバイアホールのうちの最下層と内層とのバイアホールランド径が、最大ランド径８５μｍで、最小ランド径３５μｍで、かつ、最大ランド径を有する方向が、最下層のバイアホールと内層のバイアホールとで互いに反対方向である多層プリント配線板を得た（図２０（ｂ）参照）。従って、本実施例で製造した多層プリント配線板では、最下層および内層のバイアホールのランドが拡大形成されている。
【０１４５】
（比較例１）
スタックビア構造を有するバイアホールにおいて、そのランド径が全て３５μｍとなるようにした以外は、実施例２と同様にして多層プリント配線板を製造した。
【０１４６】
（比較例２）
スタックビア構造を有するバイアホールにおいて、そのランド径が全て３５μｍとなるようにした以外は、実施例４と同様にして多層プリント配線板を製造した。
【０１４７】
実施例１〜６および比較例１、２で得られた多層プリント配線板について、ヒートサイクル試験前後のスタックビア構造を有するバイアホールの断面の形状観察、および、導通試験を行った。
【０１４８】
評価方法
（１）ヒートサイクル試験
−６５℃で３分間および１３０℃で３分間放置するサイクルを１０００サイクル繰り返した。
（２）導通試験
多層プリント配線板を製造した後、上記ヒートサイクル試験前後にチェッカを用いて導通試験を行い、モニターに表示された結果から導通状態を評価した。
【０１４９】
（３）形状観察
多層プリント配線板を製造した後、上記ヒートサイクル試験前後に、スタックビア構造を有するバイアホールを通るように多層プリント配線板を切断し、その断面を倍率１００〜４００倍の光学顕微鏡を用いて観察した。
【０１５０】
その結果、実施例１〜６の多層プリント配線板では、ヒートサイクル試験前後で、短絡や断線は発生しておらず、導通状態は良好であった。また、断面の形状観察においては、層間樹脂絶縁層でのクラックの発生や、層間樹脂絶縁層とバイアホールとの間での剥離の発生は観察されなかった。
【０１５１】
一方、比較例１および２の多層プリント配線板では、ヒートサイクル試験後に、短絡や断線に起因する導通不良が発生していた。
断面の形状観察においては、ヒートサイクル試験後に、最外層のバイアホールとこれに隣接する導体回路との間の導体回路非形成領域の下方領域にクラックが発生しており、また、層間樹脂絶縁層とバイアホールとの間で剥離が発生していた。
【０１５２】
【発明の効果】
以上説明したように、第一の本発明の多層プリント配線板では、階層の異なるバイアホール同士がスタックビア構造となるように形成されており、加えて、スタックビア構造のバイアホールが内層スルーホールのランド上に積層されているため、導体回路の配線距離が短く、信号電送時間を短縮することができるともに、導体回路の設計の自由度が向上するため、高密度配線により対応し易くなる。
また、上記多層プリント配線板において、階層の異なるバイアホールのうちの少なくとも一つは、そのランドが、スタックビア構造のバイアホールの周囲に形成された導体回路非形成領域を補強するように拡大して形成されている。そのため、拡大形成されたランドを有するバイアホールが、層間樹脂絶縁層の補強材として役割を果たすこととなり、層間樹脂絶縁層の機械的強度が向上し、特に、バイアホール近傍の層間樹脂絶縁層でクラックが発生しにくい。
【０１５３】
また、第二の本発明の多層プリント配線板では、階層の異なるバイアホール同士がスタックビア構造となるように形成されており、加えて、スタックビア構造のバイアホールが内層スルーホール上に蓋めっき層を解して積層されているため、導体回路の配線距離が短く、信号電送時間を短縮することができるともに、導体回路の設計の自由度が向上するため、高密度配線により対応し易くなる。
また、上記多層プリント配線板において、階層の異なるバイアホールのうちの少なくとも一つは、そのランドが、スタックビア構造のバイアホールの周囲に形成された導体回路非形成領域を補強するように拡大して形成されている。そのため、拡大形成されたランドを有するバイアホールが、層間樹脂絶縁層の補強材として役割を果たすこととなり、層間樹脂絶縁層の機械的強度が向上し、特に、バイアホール近傍の層間樹脂絶縁層でクラックが発生しにくい。
【図面の簡単な説明】
【図１】（ａ）は、第一の本発明の多層プリント配線板の一実施形態の一部を模式的に示す部分断面図であり、（ｂ）は、（ａ）に示した多層プリント配線板のバイアホールを模式的に示す斜視図である。
【図２】（ａ）は、第一の本発明の多層プリント配線板の一実施形態の一部を模式的に示す部分断面図であり、（ｂ）は、（ａ）に示した多層プリント配線板のバイアホールを模式的に示す斜視図である。
【図３】（ａ）は、第一の本発明の多層プリント配線板の一実施形態の一部を模式的に示す部分断面図であり、（ｂ）は、（ａ）に示した多層プリント配線板のバイアホールを模式的に示す斜視図である。
【図４】第二の本発明の多層プリント配線板の一実施形態の一部を模式的に示す部分断面図である。
【図５】（ａ）〜（ｅ）は、本発明の多層プリント配線板を製造する工程の一部を模式的に示す断面図である。
【図６】（ａ）〜（ｄ）は、本発明の多層プリント配線板を製造する工程の一部を模式的に示す断面図である。
【図７】（ａ）〜（ｃ）は、本発明の多層プリント配線板を製造する工程の一部を模式的に示す断面図である。
【図８】（ａ）〜（ｃ）は、本発明の多層プリント配線板を製造する工程の一部を模式的に示す断面図である。
【図９】（ａ）〜（ｃ）は、本発明の多層プリント配線板を製造する工程の一部を模式的に示す断面図である。
【図１０】（ａ）、（ｂ）は、本発明の多層プリント配線板を製造する工程の一部を模式的に示す断面図である。
【図１１】（ａ）、（ｂ）は、本発明の多層プリント配線板を製造する工程の一部を模式的に示す断面図である。
【図１２】（ａ）〜（ｅ）は、本発明の多層プリント配線板を製造する工程の一部を模式的に示す断面図である。
【図１３】（ａ）〜（ｄ）は、本発明の多層プリント配線板を製造する工程の一部を模式的に示す断面図である。
【図１４】（ａ）〜（ｃ）は、本発明の多層プリント配線板を製造する工程の一部を模式的に示す断面図である。
【図１５】（ａ）〜（ｃ）は、本発明の多層プリント配線板を製造する工程の一部を模式的に示す断面図である。
【図１６】（ａ）〜（ｃ）は、本発明の多層プリント配線板を製造する工程の一部を模式的に示す断面図である。
【図１７】（ａ）〜（ｃ）は、本発明の多層プリント配線板を製造する工程の一部を模式的に示す断面図である。
【図１８】（ａ）、（ｂ）は、本発明の多層プリント配線板を製造する工程の一部を模式的に示す断面図である。
【図１９】（ａ）、（ｂ）は、本発明の多層プリント配線板を製造する工程の一部を模式的に示す断面図である。
【図２０】（ａ）、（ｂ）は、それぞれ本発明の多層プリント配線板の一例を模式的に示す断面図である。
【図２１】（ａ）は、従来の多層プリント配線板の一例を模式的に示す断面図であり、（ｂ）は、（ａ）に示した多層プリント配線板のバイアホールを模式的に示す斜視図である。
【符号の説明】
１  基板
２  層間樹脂絶縁層
３  めっきレジスト
４  下層導体回路
５  導体回路
６  バイアホール用開口
７  バイアホール
９ａ  外層スルーホール
９ｂ  内層スルーホール
１２  薄膜導体層
１３  電解めっき膜
１０ａ  外層樹脂充填材
１０ｂ  外層樹脂充填材
１１  蓋めっき層
１４  ソルダーレジスト層
１７  半田バンプ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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