(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
試料に集束イオンビームを照射する照射系と、上記集束イオンビームを偏向する偏向制御系と、上記試料からの二次粒子信号を検出する検出器と、該検出器からの信号より上記試料の走査イオン顕微鏡像を生成する画像生成部と、該生成された走査イオン顕微鏡像の全部もしくは一部を表示する表示装置と、ユーザからの指示を入力する入力装置とを有し、
上記表示装置の初期画面にズーム率が１の走査イオン顕微鏡像を表示し、上記入力装置を介してユーザが入力したズーム率が一定倍以下の場合には上記ズーム率が１の走査イオン顕微鏡像に対して画素補間を行うことによってユーザが指定したズーム率の走査イオン顕微鏡像を生成して上記表示装置に表示し、上記入力装置を介してユーザが入力したズーム率が一定倍以下でない場合には上記一定倍の走査イオン顕微鏡像を再取得し、該再取得した走査イオン顕微鏡像に対して画素補間を行うことによってユーザが指定したズーム率の走査イオン顕微鏡像を生成して上記表示装置に表示することを特徴とする集束イオンビーム装置。
【請求項２】
請求項１記載の集束イオンビーム装置において、上記偏向制御系は上記表示装置による表示分解能より大きいビーム偏向点分解能と該ビーム偏向点を間引いて偏向する機能とを有し、上記ズーム率が１の走査イオン顕微鏡像は、ビーム偏向点を間引いて生成されることを特徴とする集束イオンビーム装置。
【請求項３】
請求項１記載の集束イオンビーム装置において、上記表示装置による表示分解能がｘ×ｙ画素とした時、上記偏向制御系のビーム偏向点分解能は（４×ｘ）×（４×ｙ）点もしくは（８×ｘ）×（８×ｙ）点であることを特徴とする集束イオンビーム装置。
【請求項４】
請求項１記載の集束イオンビーム装置において、上記表示装置は、上記走査イオン顕微鏡像を表示する画像表示領域と設定されたズーム率を表示する領域を含む画面を表示し、上記画像表示領域に表示された走査イオン顕微鏡像が画素補間を行わず生成された場合のズーム率と画素補間を行って生成された場合のズーム率の表示を異なる色で行うことを特徴とする集束イオンビーム装置。
【請求項５】
請求項４記載の集束イオンビーム装置において、上記表示装置によって表示される画面は、上記画像表示領域に表示された像を縦方向に移動させるための縦スライドバーと横方向に移動させるための横スライドバーを有し、スライドバーの長さにはズーム率が反映され、スライドバーの位置は上記画像表示領域に表示されている領域が全体の画像のどの位置にあるかを示すことを特徴とする集束イオンビーム装置。
【請求項６】
請求項１記載の集束イオンビーム装置において、上記画像生成部は、上記試料の走査イオン顕微鏡像を格納する画像メモリーを有し、該画像メモリーは上記偏向制御系からの走査信号と同期的に上記試料の走査イオン顕微鏡像の書き込みを行うことを特徴とする集束イオンビーム装置。
【請求項７】
請求項１記載の集束イオンビーム装置において、上記偏向制御系は、Ｘ方向及びＹ方向の走査信号を出力するスキャナと、該スキャナからの走査信号を入力しデフレクタを駆動する信号を生成する偏向アンプと、を有することを特徴とする集束イオンビーム装置。
【請求項８】
請求項１記載の集束イオンビーム装置において、上記表示装置に表示された顕微鏡像をもとに集束イオンビームを局所照射する領域を設定する加工位置設定部と、デポジション用ガス源と、マニピュレータが設けられ、マイクロサンプリング法によって試料の局所領域から微細試料片を摘出することができるように構成されていることを特徴とする集束イオンビーム装置。
【請求項９】
試料に集束イオンビームを照射する照射系と、上記集束イオンビームを偏向する偏向制御系と、上記試料からの二次粒子信号を検出する検出器と、該検出器からの信号より上記試料の走査イオン顕微鏡像を生成する画像生成部と、該生成された走査イオン顕微鏡像の全部もしくは一部を表示する表示装置と、ユーザからの指示を入力する入力装置とを有する集束イオンビーム装置を用いた加工位置設定方法において、
上記表示装置の画面にズーム率が１の走査イオン顕微鏡像を表示することと、上記入力装置を介してユーザが入力したズーム率が一定倍以下であるか否かを判定することと、上記ユーザが入力したズーム率が一定倍以下の場合には上記ズーム率が１の走査イオン顕微鏡像に対して画素補間を行うことによってユーザが指定したズーム率の走査イオン顕微鏡像を生成して上記表示装置に表示し、上記ユーザが入力したズーム率が一定倍以下でない場合には上記一定倍の走査イオン顕微鏡像を再取得し、該再取得した走査イオン顕微鏡像に対して画素補間を行うことによってユーザが指定したズーム率の走査イオン顕微鏡像を生成して上記表示装置に表示することと、上記表示装置に表示された画像をもとに加工領域を設定することと、を含む集束イオンビーム装置を用いた加工位置設定方法。
【請求項１０】
請求項９記載の集束イオンビーム装置の加工位置設定方法において、上記表示装置による表示分解能をｘ×ｙ画素とした時、上記偏向制御系のビーム偏向点分解能を（４×ｘ）×（４×ｙ）点もしくは（８×ｘ）×（８×ｙ）点とすることを特徴とする集束イオンビーム装置の加工位置設定方法。
【請求項１１】
請求項９記載の集束イオンビーム装置の加工位置設定方法において、上記表示装置は、上記走査イオン顕微鏡像を表示する画像表示領域と設定されたズーム率を表示する領域を含む画面を表示し、上記画像表示領域に表示された走査イオン顕微鏡像が画素補間を行わず生成された場合のズーム率と画素補間を行って生成された場合のズーム率の表示を異なる色で行うことを特徴とする集束イオンビーム装置の加工位置設定方法。
【請求項１２】
請求項１１記載の集束イオンビーム装置の加工位置設定方法において、上記表示装置によって表示される画面は、上記画像表示領域に表示された像を縦方向に移動させるための縦スライドバーと横方向に移動させるための横スライドバーを有し、スライドバーの長さにはズーム率が反映され、スライドバーの位置は上記画像表示領域に表示されている領域が全体の画像のどの位置にあるかを示すことを特徴とする集束イオンビーム装置の加工位置設定方法。
【請求項１３】
請求項９〜１２のいずれか１項記載の集束イオンビーム装置の加工位置設定方法をコンピュータに実行させるためのプログラム。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は試料の走査イオン顕微鏡（Scanning Ion Microscope:ＳＩＭ）像を得、それをもとに集束イオンビームで加工する領域を設定する機能を有する集束イオンビーム装置及び集束イオンビーム装置の加工位置設定方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体素子の欠陥又は不良の分析に走査型電子顕微鏡（Scanning Electron Microscope:ＳＥＭ）や透過型電子顕微鏡（Transmission Electron Microscope:ＴＥＭ）が用いられる。これらの観察装置に導入する試料断片は、集束イオンビーム（Focused Ion Beam：ＦＩＢ）装置によって作製される。集束イオンビーム装置は、高いビーム集束性能を有し、スパッタリング現象を利用して微細加工を行う。
【０００３】
集束イオンビーム装置における微細加工では、試料上の加工位置決めが必要である。加工位置決めは、集束イオンビームによる走査画像を用いて行う。この加工位置決めでは、制御コンピュータ上の試料像の表示分解能（例えば５１２×５１２画素）に合致したビーム偏向と画素情報取得処理を行い、走査イオン顕微鏡（Scanning Ion Microscope:ＳＩＭ）像を表示して、それをもとに加工位置を設定する。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
近年、半導体素子等の微細化により、加工対象となる試料の特徴部位の寸法は非常に小さい。従って、加工位置を見つけ出し、それを視野中心に配置するために、高い倍率、もしくは高鮮明な走査イオン顕微鏡像を取得しなければならない。しかしながら、それによって試料に照射されるイオンビーム量が増加し、試料がダメージを受ける。
【０００５】
本発明の目的は、試料へのダメージを最小化し高精度の位置決めを行うことができる集束イオンビーム装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明によると、集束イオンビーム装置は、検出器からの二次粒子信号によって生成された原画像を所定のズーム率に拡大すると同時に画素補間を行うことによってズーム画像を生成する。
【発明の効果】
【０００７】
本発明によると、試料へのダメージを最小化し高精度の位置決めを行うことができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００８】
図１は本発明の集束イオンビーム装置の構成の概略を示す図である。集束イオンビーム装置は、集束イオンビーム１２０を生成しそれを試料１１１に照射するＦＩＢカラム１０と、試料１１１からの二次電子１２１を検出する検出器１１２と、制御装置２０と、画像生成部３０と、入力装置３５及び表示装置３６を有する。画像生成部３０は、検出器１１２からの二次電子線信号を入力して走査イオン顕微鏡（Scanning Ion Microscope：SIM）像を生成する。画像生成部３０は、ズーム部３１、シフト部３２及びズーム画像の画素補間を行う画素補間部３３を有する。
【０００９】
ズーム及びシフトを実現するためには、少なくともビーム偏向点分解能は画像表示分解能より大きい必要がある。本例では、ビーム偏向点分解能は４０９６×４０９６点であり表示分解能は５１２×５１２画素である。従って、最大８倍のズームが可能である。
【００１０】
画像生成部３０はコンピュータ２０１又はコンピュータによって実行されるプログラムであってよい。
【００１１】
図２は本発明の集束イオンビーム装置のＦＩＢカラム１０の詳細図である。ＦＩＢカラム１０は、液体金属イオン源エミッタ１００、引出し電極１０１、コンデンサーレンズ１０２、可変アパーチャ１０３、アライナ・スティグマ１０４、ブランカ１０５、ブランキングアパーチャ１０６、ファラデーカップ１０７、デフレクタ１０８及び対物レンズ１０９を有する。集束イオンビーム装置は、更に、試料１１１から放出される二次電子を検出する検出器１１２、試料表面近傍にガスを供給するガス源１１３、微細試料をピックアップするマニピュレータ１１５を有する。
【００１２】
液体金属イオン源エミッタ１００からのイオンは引出し電極１０１によって引き出され、コンデンサーレンズ１０２と対物レンズ１０９により試料１１１上に集束される。ブランカ１０５によるブランキング動作では、イオンビームはファラデーカップ１０７に入射する。
【００１３】
本例の集束イオンビーム装置にはデポジション用ガス源１１３とマニピュレータ１１５が装着されており、マイクロサンプリング法によって試料の局所領域から微細試料片を摘出することができる。
【００１４】
図３を参照して本発明の集束イオンビーム装置の制御装置２０の例を説明する。制御装置２０は、高圧電源２０３、絞り制御電源２０４、アライナ・スティグマ制御電源２０５、ビーム電流計測アンプ２０６、ブランキング制御電源２０７、偏向アンプ２０８、プリアンプ２０９、ステージ制御電源２１０、スキャナ２１１、画像メモリー２１２、排気制御電源２１３、ガス制御電源２１４、及び、マニピュレータ制御電源２１５を有する。各制御電源は制御バス２０２を介してコンピュータ２０１によって統括的に制御される。
【００１５】
高圧電源２０３はイオン源エミッタ１００、引出し電極１０１、コンデンサーレンズ１０２、及び、対物レンズ１０９に高電圧を印加する。絞り制御電源２０４は可変アパーチャ１０３を制御し、所望のアパーチャ径を選択する。像観察時には小径アパーチャを選択し、大面積加工を行う場合は大口径アパーチャを選択する。アライナ・スティグマ制御電源２０５はアライナ・スティグマ１０４の８極の電極電圧を制御し、電気的な軸合わせと非点補正を行う。ビーム電流計測アンプ２０６はブランキング時にファラデーカップ１０７に流入するビーム電流を計測する。ブランキング制御電源２０７はブランカ１０５のブランキング電極を駆動し、ビームブランキングを行う。
【００１６】
偏向アンプ２０８は、スキャナ２１１から走査信号を入力し、８極２段の静電偏向器であるデフレクタ１０８を駆動する。プリアンプ２０９は検出器１１２からの信号を輝度電圧信号に変換し、それをディジタル値に変換し、画像メモリー２１２に書き込む。画像メモリー２１２に格納された像は表示装置３６に表示される。
【００１７】
ガス制御電源２１４はガス源１１３の温度制御とバルブ開閉制御を行う。マニピュレータ制御電源はマニピュレータ１１５の微動制御及び試料との接触検出を行う。
【００１８】
図４は本発明の集束イオンビーム装置の第１の例における制御装置２０の偏向制御系及び画像生成系の一部を説明する図である。スキャナ２１１は、Ｘ方向及びＹ方向の９ビットのビーム走査用のカウンタ４１、４２とＤＡ変換器４３、４４を有する。カウンタ４１、４２からのディジタル走査信号ｘｄ、ｙｄは、ＤＡ変換器４３、４４によってアナログ走査信号ｘａ、ｙａに変換され、偏向アンプ２０８に出力される。
【００１９】
プリアンプ２０９は検出器１１２からのアナログ二次電子信号をＡＤ変換するＡＤ変換器４５を有する。ＡＤ変換器４５からのディジタル二次電子信号は、カウンタ４１、４２からのディジタル走査信号ｘｄ、ｙｄと共に、画像メモリー２１２に格納される。画像の書き込みとスキャンの同期をとることにより、試料の顕微鏡像が画像メモリー２１２に形成される。こうして、５１２×５１２画素の像が画像メモリー２１２に格納される。
【００２０】
図５を参照して本発明の集束イオンビーム装置の第１の例について説明する。図５は表示装置３６の画面の例を示す。この画面５００は、画像表示領域５１１、縦スライドバー５１２、横スライドバー５１３を有する。画像表示領域５１１は試料の像を５１２×５１２画素の画像として表示する。縦スライドバー５１２、及び、横スライドバー５１３は、画像表示領域５１１に表示された像を移動させるために用いる。縦スライドバー５１２と横スライドバー５１３に含まれる黒色のインジケータの長さは、ズーム率を表わす。また、インジケータの位置は、画像表示領域５１１に表示されている領域が全体の画像のどの位置にあるかを示す。ズーム率が１のとき、黒色のインジケータは、各スライドバーの全領域に延びている。従って、ズーム率が１のとき、画像表示領域５１１には、試料の像の全体が表示され、この像を縦スライドバー５１２と横スライドバー５１３によって移動させることはできない。
【００２１】
この画面５００は、更に、画像取得ボタン５１４、及び、ズーム率設定ボタン５１５を有する。画像取得ボタン５１４は、現在のズーム率とシフト位置でビームをスキャンして、新たに試料画像を取得するために設けられている。画像取得ボタン５１４については、後に、本発明の第２の例にて説明する。ズーム率設定ボタン５１５は、ズーム率を設定するために用いる。ズーム率は本例では、１倍〜８倍を用いる。
【００２２】
本例によると、ズーム率変更と同時に画素補間を行う。初期画面では、画像表示領域５１１にズーム率が１の画像が表示される。図示のように、ユーザが、ズーム率を１から４に変更すると、画像表示領域５１１には、４倍に拡大された像の一部が表示される。ズーム率が４の画像では、粗い画像となるが、本例では、画素間の領域に補間画素を埋め込むため鮮明な画像が得られる。画像表示領域５１１の一部５１６を拡大して描くと、実データ画素の間に補間データ画素が配置されているのがわかる。補間する画素のピッチはズーム率に対応する。例えば、ズーム率が４のとき、４画素ピッチで補間画素を挿入する。それにより、画素補間しない場合に比べ滑らかな画像を得ることができる。本例における画素補間の方法として、例えば、二次元的な平均値を補間情報とする処理（バイリニア法）が用いられてよい。
【００２３】
画像表示領域５１１には、ソフトウエア的に４倍に拡大され且つ画素補間された試料の像が表示されている。試料の加工対象物５２０が鮮明に表示されており、ユーザは、加工枠５２１を正確に設定することができる。もし、画像表示領域５１１内に加工対象物５２０が表示されていない場合には、縦スライドバー５１２と横スライドバー５１３によって視野を移動させることにより、加工対象物５２０を画像表示領域５１１内に表示させることができる。本例によると、加工対象物５２０を鮮明に表示するために、通常のビームの照射量の１／１６の照射量で正確な加工位置決めが可能となった。このように、試料に対するダメージを軽減することができる。
【００２４】
図６を参照して本発明の集束イオンビーム装置の第２の例について説明する。図６は表示装置３６の画面の例を示す。この画面５００は、画像表示領域５１１、縦スライドバー５１２、横スライドバー５１３、画像取得ボタン５１４、及び、ズーム率設定ボタン５１５を有する。本例では、ズーム率は、１倍、２倍、４倍、８倍、１６倍、３２倍が可能である。
【００２５】
図５を参照して説明した本発明の第１の例では、ズームを行い、画素補間により画像の鮮明度を確保した。しかしながら、画素補間によって画像の鮮明度を確保することができるのは、ズーム率が８倍程度（４〜８倍）までである。ズーム率が８倍を超えると画素補間を行っても、鮮明な且つ正確な画像を得ることはできない。そこで本例では、ズーム後に画像を再取得する手法を組み合わせて使用し、広いズーム率設定範囲を確保し、加工位置決めの精度向上を図った。これを実現するためには、ビーム偏向点分解能が少なくとも表示分解能より大きくなければならない。本例では、表示分解能は５１２×５１２画素であるが、ズーム偏向点分解能は４０９６×４０９６点である。
【００２６】
ここでは、ズーム率が３２倍の画像を得る場合を例に説明する。先ずズーム率８倍状態で画像取得する。次に、この画像を画素補間して４倍に拡大する。こうして、８倍と４倍のズームにより３２倍のズーム画像を得ることができる。
【００２７】
初期画面では、画像表示領域５１１にズーム率が１の画像が表示される。ズーム率が１の場合、４０９６×４０９６個のビーム偏向点をビーム偏向機能によって１／８に間引いて５１２×５１２個の画素の画像を得る。次に、ズーム率を１から８に変更すると、画像表示領域５１１には、画素補間して８倍に拡大された画像が表示される。
【００２８】
次に、画像取得ボタン５１４を押す。それによって、現在のズーム率とシフト位置にて、新たな画像が得られる。現在のズーム率８倍の状態で、５１２×５１２点の新たな原画像が取得される。
【００２９】
図６（ａ）は、ズーム率が８倍の状態で画像取得ボタンを押した後の画像を示す。画像表示領域５１１の一部６１１を拡大して描くと、実データ画素のみからなるのがわかる。但し、画像表示領域５１１には、４０９６×４０９６個のビーム偏向点による走査イオン顕微鏡像の一部のみが表示される。走査イオン顕微鏡像の他の部分を表示させるには、縦スライドバー５１２及び横スライドバー５１３を用いて、画像をシフトさせればよい。
【００３０】
図６（ｂ）は、ズーム率設定ボタン５１５によってズーム率を３２倍に設定したときの画像を示す。画像表示領域５１１に表示された画像は、ズーム率８倍の状態で画像取得した原画像を画素補間により４倍に拡大したものである。画像表示領域５１１の一部６１２を拡大して描くと、実データ画素の間に補間データ画素が配置されているのがわかる。この状態では、ビーム偏向点と画像像表示領域５１１の画像の画素の間に一対一の関係は成立しない。画像表示領域５１１には、３２倍に拡大された走査イオン顕微鏡像の一部のみが表示される。走査イオン顕微鏡像の他の部分を表示させるには、縦スライドバー５１２及び横スライドバー５１３を用いて、画像をシフトさせればよい。この機能により、試料ステージを動かすことなく、試料の広い領域を高い分解能で観察することが可能である。
【００３１】
こうして本例では、ズーム率が３２倍の状態で、高精度の加工位置決めを行うことができる。
【００３２】
ビーム偏向点と画像表示領域５１１の画像の画素の間に一対一の関係があるかないかを区別することができると便利である。そこで本例では、ズーム率が１倍、２倍、４倍、８倍の場合はズーム率の表示色を青色に、ズーム率が１６倍、３２倍の場合、表示色を赤色にして、オペレータにズーム機能の状態が分かるようにした。
【００３３】
図７を参照して本発明の集束イオンビーム装置の第２の例における処理を説明する。ステップＳ１０１にて、集束イオンビーム装置の画像生成部３０は初期画面を生成し、それを表示装置３６の画面に表示する。初期画面ではズーム率が１の画像が表示される。ステップＳ１０２にて、画像生成部３０はユーザが入力したズーム率が８倍以下であるか否かを判定する。
【００３４】
ステップＳ１０２にて、ズーム率が８倍以下の場合にはステップＳ１０３に進み画素補間が実施される。ステップＳ１０２にて、ズーム率が８倍以下でないの場合には、ステップＳ１０４に進み、ズーム率が８倍の状態で一度画像の再取得を行い、その後、ステップＳ１０３に進み画素補間が実施される。画素補間後にステップＳ１０５で画像表示される。
【００３５】
図８は本発明の集束イオンビーム装置の第２の例における制御装置２０の偏向制御系及び画像生成系の例を示す図である。スキャナ２１１は、Ｘ方向及びＹ方向の１２ビットのビーム走査用のカウンタ６１、６２とバレルシフタ６３、６４とシフトレジスタ６５、６６と、加算器６７、６８とＤＡ変換器６９、７０を有する。
【００３６】
カウンタ６１、６２は、高精細の画像を取得し、又は、試料を加工する場合には１２ビットモードで動作し、画像取得ボタン５１４を押して画像を取得する場合は、９ビットモードで動作する。図８は、９ビットモード時のビット数を表記した。バレルシフタ６３、６４のシフトビットはズーム率に対応している。レジスタ６５、６６の値は縦スライドバー５１２と横スライドバー５１３による移動量に対応している。レジスタ６５、６６によって試料ステージを移動させることなく画像シフトが実現される。
【００３７】
カウンタ６１、６２からのデジタル走査信号ｘｄ、ｙｄは、バレルシフタ６３、６４によってシフトされ、加算器６７に送出される。加算器６７は、バレルシフタ６３、６４からの信号とシフトレジスタ６５、６６からの信号を加算し、ＤＡ変換器６９、７０に送出する。ＤＡ変換器６９、７０は、加算した信号をアナログ走査信号ｘａ、ｙａに変換し、偏向アンプ２０８に出力する。
【００３８】
プリアンプ２０９は検出器１１２からのアナログ二次電子信号をＡＤ変換するＡＤ変換器７１を有する。ＡＤ変換器７１からのディジタル二次電子信号は、カウンタ６１、６２からのディジタル走査信号ｘｄ、ｙｄと共に、画像メモリー２１２に格納される。画像の書き込みとスキャンの同期をとることにより、試料の顕微鏡像が画像メモリー２１２に形成される。こうして、５１２×５１２画素の像が画像メモリー２１２に格納される。
【００３９】
本発明によると、加工位置決めを行うために試料の像を得るとき、試料ダメージが極小となり、更に、加工位置決め精度が高くなる。従って、マイクロサンプリングによって微小な試料断片を得る場合でも、試料の表面のダメージが少なく、目的部位をより正確に摘出することができる。
【００４０】
特に半導体メモリーの繰り返しパターン（セル）を計数する場合（セルカウント）、画素補間をすることでセルの境界が判別しやすくなり、一度に多数のセルが数えられる。また、ＣＡＤナビゲーションシステムと併用する場合も、アライメント作業や場所探し中の試料ダメージを軽減する効果が期待できる。
【００４１】
本発明によれば、試料ダメージが少ない状態で、正確な加工位置決めができる。また、粗い画像を取得しても正確な加工位置合わせが可能となるため、画像取得時間の節約が可能である。
【００４２】
以上、本発明の例を説明したが、本発明は上述の例に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載された発明の範囲にて様々な変更が可能であることは当業者に理解されよう。
【図面の簡単な説明】
【００４３】
【図１】本発明の集束イオンビーム装置の構成の概略を示す図である。
【図２】本発明の集束イオンビーム装置のＦＩＢカラムの詳細図である。
【図３】本発明の集束イオンビーム装置の制御装置の構成図である。
【図４】本発明の集束イオンビーム装置の第１の例における制御装置の偏向制御系及び画像生成系の一部を説明する図である。
【図５】本発明の集束イオンビーム装置の第１の例における表示装置の画面の例を示す図である。
【図６】本発明の集束イオンビーム装置の第２の例における表示装置の画面の例を示す図である。
【図７】本発明の集束イオンビーム装置の第２の例における処理の流れを示す図である。
【図８】本発明の集束イオンビーム装置の第２の例における制御装置の偏向制御系及び画像生成系の例を示す図である。
【符号の説明】
【００４４】
１０…ＦＩＢカラム、２０…制御装置、３０…画像生成部、３５…入力装置、３６…表示装置、１００…エミッタ、１０１…引出し電極、１０２…コンデンサーレンズ、１０３…可変アパーチャ、１０４…アライナ・スティグマ、１０５…ブランカ、１０６…ブランキングアパーチャ、１０７…ファラデーカップ、１０８…デフレクタ、１０９…対物レンズ、１１１…試料、１１２…検出器、１１３…ガス源、１１５…マニピュレータ、１２０…イオンビーム、１２１…二次電子、２０１…コンピュータ、２０２…制御バス、２０３…高圧電源、２０４…絞り制御電源、２０５…アライナ・スティグマ制御電源、２０６…ビーム電流計測アンプ、２０７…ブランキング制御電源、２０８…偏向アンプ、２０９…プリアンプ、２１０…ステージ制御電源、２１１…スキャナ、２１２…画像メモリー、２１３…排気制御電源、２１４…ガス制御電源、２１５…マニピュレータ制御電源
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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