(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
押圧手段を利用してベースプレート上に配置された整列手段に向かって固定プレートの一角部を押圧することにより該固定プレートを前記ベースプレート上のジグに固定する段階と、
犠牲基板上にプローブの形成された複数のプローブモジュールを前記固定プレート上に載置する段階と、
前記固定プレートに対向するように前記ベースプレート上に配置された整列手段を利用して前記複数のプローブモジュールの位置を整列する段階と、
前記プローブモジュールを前記固定プレートの上面に固定してプローブアセンブリを形成する段階と、
前記プローブアセンブリをボンディング装置にローディングする段階と、
前記各プローブモジュールに配置されたプローブとプローブ基板上のバンプをボンディングする段階と、を含むことを特徴とするプローブカードの製造方法。
【請求項２】
前記プローブモジュールを前記固定プレートの上面に固定する段階は、真空吸着によって行われることを特徴とする請求項１に記載のプローブカードの製造方法。
【請求項３】
前記複数のプローブモジュールの位置を整列する段階は、前記複数のプローブモジュールのうちのいずれか一つのプローブモジュールを基準位置に固定して基準モジュールを決定する段階と、
前記整列手段を利用して前記基準モジュールが固定された位置を基準位置にして、残りのプローブモジュールを移動する段階と、を含むことを特徴とする請求項１に記載のプローブカードの製造方法。
【請求項４】
前記プローブモジュールを前記ボンディング装置にローディングする段階は前記複数のプローブモジュールが固定された前記固定プレートを前記ジグから分離する段階を含むことを特徴とする請求項１に記載のプローブカードの製造方法。
【請求項５】
前記プローブとバンプのボンディング工程が完了した後、前記プローブモジュールから前記犠牲基板を除去する段階を更に含むことを特徴とする請求項１に記載のプローブカードの製造方法。
【請求項６】
ベースプレートと、
前記ベースプレートの上面に設置されるジグと、
前記ジグに着脱可能に設置される固定プレートと、
前記固定プレートに対向するように前記ベースプレート上に配置されてプローブモジュールを相互整列する整列手段と、
前記プローブモジュールを前記固定プレート上に固定する固定手段と、
前記ベースプレートの上面に配置されて前記固定プレートの一角部を前記整列手段に向かって押圧することにより前記固定プレートを前記ジグに固定する押圧手段とを含むことを特徴とするプローブカードの製造装置。
【請求項７】
前記ジグは、
前記固定プレートを設置可能な段差を有することを特徴とする請求項６に記載のプローブカードの製造装置。
【請求項８】
前記固定プレートは、前記プローブモジュールを真空吸着によって固定するための真空ホールを有することを特徴とする請求項６に記載のプローブカードの製造装置。
【請求項９】
前記真空ホールの周辺には真空面の拡大のための真空溝を更に形成することを特徴とする請求項８に記載のプローブカードの製造装置。
【請求項１０】
前記固定プレートは多角形状を有し、前記整列手段は、
前記固定プレートの角部に対向して配置されることを特徴とする請求項６に記載のプローブカードの製造装置。
【請求項１１】
前記整列手段は、
本体部と、
前記本体部の上端に設置される前進、後進移動及び水平回動の可能な固定棒と、
前記本体部の内部と連結され、前記固定棒をＸ軸に沿って移動させるＸ軸棒、Ｙ軸に沿って移動させるＹ軸棒、及びθ軸を中心に水平回動させるθ軸棒と、を含むことを特徴とする請求項６に記載のプローブカードの製造装置。
【請求項１２】
前記固定棒は、Ｌ字形状であって該固定棒の一側面には複数の真空ホールが形成され、前記プローブモジュールを密着させることを特徴とする請求項１１に記載のプローブカードの製造装置。
【請求項１３】
前記固定手段は、
前記固定プレートの下面に設置され、前記プローブモジュールを真空吸着するための真空ラインを有することを特徴とする請求項６に記載のプローブカードの製造装置。
【請求項１４】
前記押圧手段が、前記固定プレートをベースプレートの中央に向って押圧することを特徴とする請求項６に記載のプローブカードの製造装置。
【請求項１５】
前記押圧手段は、
長孔を有する本体と、
前記長孔に沿って前進または後進して前記固定プレートを押圧するロッドと、
前記ロッドの位置を固定するスクリューと、を含むことを特徴とする請求項１４に記載のプローブカードの製造装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明はプローブカードの製造方法及びこれを行うための装置に係り、より詳細には大型化するプローブ基板に対応するよう既存の大きさのプローブモジュールを目標する大きさのプローブモジュールアセンブリに製造しうるプローブカードの製造方法及びこの方法を行うのに適する装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
一般的に、半導体素子を製造するために露光工程、イオン注入工程、化学気相蒸着工程、エッチング工程、洗浄工程などを多様な単位工程を反復して実施することによって半導体ウエハなどのような基板上にそれぞれの領域に分けられる複数のチップを形成するようになる。このとき、半導体素子の製造工程時に発生する欠陥によってチップの不良を招くようになり、このようなチップの不良はパッケージング工程のための基板のソーイング（ｓａｗｉｎｇ）工程の実施前に判別することが半導体素子の収率向上及びコスト節減の側面から有利である。
【０００３】
そのため、基板を構成するそれぞれのチップに対する不良可否を判別するためにプロービングシステム（ｐｒｏｂｉｎｇ  ｓｙｓｔｅｍ）を用いてチップの電気的特性検査であるＥＤＳ（Ｅｌｅｃｔｒｉｃａｌ  Ｄｉｅ  Ｓｏｒｔｉｎｇ）工程を実施し、このようなＥＤＳ工程は基板上のチップに準備された接触パッドに電気的に接続して電流を印加することによって出力される電気的特性をシステム内に保存されたデータと比較してチップの不良可否を判別する。
【０００４】
従来の通常的なカンチレバー型プローブカードは、検査対象である電子部品のチップ配列に合わせて横４つ、縦８つの配列構造（即ち、４×８＝３２ＤＵＴ（Ｄｅｖｉｃｅ  Ｕｎｄｅｒ  Ｔｅｓｔ）を有していた。
【０００５】
このようなプローブカードの従来の製造方法を図１ないし図５を参照して説明する。
図１及び図２に示したように、まず、プローブ基板１０の表面には検査対象である電子部品、チップなどの表面に配列されたパッドに対応するようにバンプ（ｂｕｍｐ）１１を形成する。
【０００６】
そして、図３及び図４では、プローブティップ２１、及び支持ビーム２２の形成された６インチ（１５．２ｃｍ）のプローブモジュールアセンブリ２０を準備する。ここで、バンプ１１、プローブディップ２１、及び支持ビーム２２は、フォトリソグラフィ工程及びめっき工程などによって形成される。
【０００７】
その後、図５に示したように、バンプ１１の上端部にソルダーペースト（ｓｏｌｄｅｒ  ｐａｓｔｅ、Ｐ）を塗布する。そして、バンプ１１に支持ビーム２２の一端部を接触させた状態で、バンプ１１と支持ビーム２２を約２００〜３５０℃の温度で加熱する。この過程にてソルダーペーストが溶き、バンプ１１と支持ビーム２２を付着させる。その後、プローブモジュールアセンブリ２０をエッチングして除去することでプローブカードの核心製作過程であるボンディング工程を完成する。
【０００８】
一方、半導体技術が発展することによってコスト節減及び生産性の向上のためにより多い数のチップが単一基板に形成され、これの検査のためにプローブカードもまた大型化した。即ち、図６及び図７に示したように、横８個、縦１６個のチップ配列の構造を有する１２８ＤＵＴ（Ｄｅｖｉｃｅ  Ｕｎｄｅｒ  Ｔｅｓｔ）の大型プローブ基板３０とこれに対応するように１２インチ（３０．５ｃｍ）のプローブモジュールアセンブリ４０を用いてプローブカードを製作した。
【０００９】
しかし、プローブ基板が３２ＤＵＴにて１２８ＤＵＴまたはその以上に増加する場合、６インチ（１５．２ｃｍ）のプローブモジュールアセンブリを全部１２インチ（３０．５ｃｍ）のプローブモジュールに交替しなければならないので、変化したプローブ基板のサイズによるプローブモジュールアセンブリの互換性が低下するという問題点があった。
【００１０】
即ち、大型化したプローブ基板に対応する大口径化したプローブモジュールアセンブリを用いなければならないという問題点があった。更に、既存の生産装備を大口径化したプローブモジュールアセンブリに適合した高価の新規装備への交替が行わなければならないので、装備交替の時間とコストが相当所要される。
【００１１】
また、ウエハの面積が広いほど前記ウエハの面積に対応して大面積ウエハを準備しなければならないものの、前記大面積ウエハは、既存の小面積ウエハに比べて平坦度が顕著に低下するため、最終製作の収率が低下するという問題を誘発する。
【００１２】
そして、一般ウエハ上に具現されるプローブの不良は、少なくとも一つの以上のプローブ不良が発生するようになると、全体プローブの製造工程の不良に認識されるので、小面積ウエハに比べて相対的に広い大面積ウエハ上により多いプローブを形成するようになると、プローブの不良発生確率が高くなるという問題点があった。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１３】
本発明は、前述した従来の問題点を解決するためのものであって、本発明の目的は、プローブ基板の大きさに対応する大きさに容易に製造することができ、互換性を有し、優れる平坦度を有するプローブカードの製造方法を提供することにある。
【００１４】
本発明の他の目的は、前記のような方法を行うのに適合した装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１６】
本発明は、押圧手段を利用してベースプレート上に配置された整列手段に向かって固定プレートの一角部を押圧することにより該固定プレートを前記ベースプレート上のジグに固定する段階と、犠牲基板上にプローブの形成された複数のプローブモジュールを前記固定プレート上に載置する段階と、前記固定プレートに対向するように前記ベースプレート上に配置された整列手段を利用して前記複数のプローブモジュールの位置を整列する段階と、前記プローブモジュールを前記固定プレートの上面に固定してプローブアセンブリを形成する段階と、前記プローブアセンブリをボンディング装置にローディングする段階と、前記各プローブモジュールに配置されたプローブとプローブ基板上のバンプをボンディングする段階と、を含むプローブカードの製造方法を提供する。
【００１７】
また、本発明は、プローブカードの製造装置において、ベースプレートと、ベースプレートの上面に設置されるジグと、ジグに着脱可能に設置される固定プレートと、固定プレートに対向するように前記ベースプレート上に配置されてプローブモジュールを相互整列する整列手段と、前記プローブモジュールを前記固定プレート上に固定する固定手段と、前記ベースプレートの上面に配置されて前記固定プレートの一角部を前記整列手段に向かって押圧することにより前記固定プレートを前記ジグに固定する押圧手段とを含むプローブカードの製造装置を提供する。
【発明の効果】
【００１８】
前述したように、本発明によるプローブカードの製造方法及び装置は、複数のプローブモジュールに分割製造した後、これらの複数のプローブモジュールを相互整列し、固定された一体のプローブモジュールアセンブリにしてプローブ基板のバンプにボンディングが同時に行われるように製造することによって、大面積のプローブカードの製造が可能な効果を有する。
【００１９】
また、プローブ基板の大きさが大型化しても別途の装備投資なしに既存の大きさのプローブモジュールアセンブリを用いてプローブボンディングが行われるので、プローブモジュールアセンブリの互換性が向上するという効果を有する。
【００２０】
また、平坦度の高い、小さい大きさを有する複数のプローブモジュールを用いることによって、広い面積であっても優れる平坦度を有し、プローブとテストの対象であるチップ間の電気的接続に対する信頼性が高くなる収率向上の効果を有する。
【００２１】
また、大面積を有するプローブカードの製造装置の変形とウエハの個数増加のみで１２インチ（３０．５ｃｍ）またはそれ以上のプローブカードの製造が可能な効果を有する。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２２】
以下、本発明の最も望ましい実施例を添付した図面を参照して本発明の技術分野において通常の知識を有する者が容易に実施しうるように更に詳細に説明する。
図８は、本発明によるプローブカードの製造装置を示した分解斜視図であり、図９は、図８の固定プレートの斜視図であり、図１０は、図８の装置を示した平面図であり、図１１は、図８の装置を示した側面図であり、図１２は、本発明によるプローブカードの製造方法を示した順序図であり、図１３は、本発明によって犠牲基板上に形成されたプローブモジュールを示した平面図であり、図１４、図１３の犠牲基板の除去されたプローブモジュールを示した平面図であり、図１５及び図１６は、プローブモジュールの整列段階を説明するための平面図であり、図１７ないし図１９は、プローブ基板上にプローブモジュールアセンブリを接合する段階を順次に示した断面図である。
【００２３】
まず、本発明のプローブカードの製造方法の主要特徴について説明する。
本発明は、半導体基板（図示せず）上に形成されたチップ（図示せず）の電気的特性を通じてチップに対する不良可否をテストするプロービングシステム（ｐｒｏｂｉｎｇ  ｓｙｓｔｅｍ）のテスタ機（図示せず）に装着されるものであって、テストしたい半導体基板に形成されたチップの接触パッド（図示せず）とそれぞれ接触する複数のプローブ１１４を有するプローブカード１００を製造しようとすることである。
【００２４】
特に、本発明では、各分割製造されたプローブモジュール１１０ａを整列し固定して大面積化するプローブ基板１０２に対応する大きさへのプローブモジュールアセンブリ１１０に製造した後、プローブモジュールアセンブリ１１０をプローブ基板１０２に付着してプローブカード１００を製造するためのことである。
【００２５】
より詳細に説明すると、プローブカード１００を製造するために、まず、ＭＥＭＳ（Ｍｉｃｒｏ  Ｅｌｃｔｒｏ  Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ  Ｓｙｓｔｅｍ）技術を用いて６インチ（１５．２ｃｍ）のなどの小面積のシリコンウエハなどの犠牲基板１１２上にプローブ１１４を製造する。
【００２６】
その後、前記犠牲基板１１２を四角形などの多角形の形状または円弧形状などのように多様な大きさ及び形状にダイシングソー（ｄｉｃｉｎｇ  ｓａｗ）などの方法によって切断して少なくとも二つ以上のプローブモジュール１１０ａを形成する。
【００２７】
続いて、プローブモジュール１１０ａを相互整列し固定して目的する一体大きさのプローブモジュールアセンブリ１１０に製造する。
最後に、プローブモジュールアセンブリ１１０のプローブ１１４をプローブ基板１０２に形成されたバンプ１０４に同時にボンディングすることによってプローブカード１００の製造が可能になる。
【００２８】
まず、一体の大面積の大きさにプローブモジュールアセンブリ１１０を製造するための装置を図８ないし図１１を参照して説明する。
図８ないし図１１に示したように、装置は所定の形状に形成されたベースプレート２００と、ベースプレート２００の上部に具備されたジグ２１０と、ジグ２１０に着脱される固定プレート２２０と、固定プレート２２０に装着されるプローブモジュール１１０ａを相互整列させる整列手段２３０と、プローブモジュール１１０ａを前記固定プレート２２０上面に固定させるための固定手段２４０に大きく構成される。
【００２９】
ここで、ベースプレート２２０は四角形状のプレートに金属材で製作されることが望ましく、このベースプレート２００の上面にジグ２１０が設置される。
前記ジグ２１０は通常４方向に設置され、「Ｌ」字形状に段差された装着部２１２が形成され、固定プレート２２０が着脱可能に設置される。
【００３０】
そして、固定プレート２２０は、一体の単板であって多角形状を有し、設置される各プローブモジュール１１０ａの数と同一の数にして対応する位置に真空ホール２２２が貫通し形成される。
【００３１】
ここで、真空ホール２２２では、下記で説明する固定手段２４０の真空吸入力によってプローブモジュール１１０ａを固定するようになり、この固定されるプローブモジュール１１０ａの真空面の拡大のために真空ホール２２２を中心にして真空溝２２４が所定の深さに形成される。
【００３２】
そして、このような固定プレート２２０は、熱膨張率の少ない材質であるセラミック材質で形成することが望ましい。
また、固定プレート２２０上に設置されるプローブモジュール１１０ａを相互整列させる整列手段２３０は、設置される固定プレート２２０の三つの角部に向ってそれぞれベースプレート２００に配置されて具備される。
【００３３】
ここで、前記整列手段２３０は柱形状であって、前記ベースプレート２００の上側面に柱形状の本体部２３１が形成され、前記本体部２３１にＸ軸、Ｙ軸、θ軸棒（２３２、２３３、２３４）が具備され、前記Ｘ軸、Ｙ軸、θ軸棒（２３２、２３３、２３４）によってＸ軸とＹ軸への移動及びθ軸を中心に水平回動する固定棒２３５が本体部２３１の上部に設置され形成される。
【００３４】
より詳細に説明すると、本体部２３１の内部には通常の機械的な結合によってＸ軸棒２３２とＹ軸棒２３３、そしてθ軸棒２３４と固定棒２３５が連動するように設置され、固定棒２３５は長さが同一の「Ｌ」字形状にそれの一側面、即ち、プローブモジュール１１０ａ側に向う一側面に真空ホール２３５ａが長手方向に沿って複数形成されプローブモジュール１１０ａを真空密着することができるようになる。
【００３５】
また、整列手段２３０によって整列されたプローブモジュール１１０ａを固定プレート２２０に密着固定させる固定手段２４０は、図９ないし図１１に示したように固定プレート２２０の下面に真空ライン２４２が設置され、この真空ライン２４２は固定プレート２２０の真空ホール２２２と固定棒２３５の真空ホール２３５ａと連通されプローブモジュール１１０ａを真空吸着する構成を有する。
【００３６】
一方、ベースプレート２００上には、固定プレート２２０の一端角側に向って押圧手段２５０が更に設置される。
より詳細に説明すると、押圧手段２５０は、長孔２５１の形成された本体２５４、及び長孔２５１に沿って前進または後進して整列手段２３０側に押してジグ２１０の装着部２１２に固定プレート２２０を密着させるロッド２５３を含む。前進または後進された押圧手段２５０の位置をスクリュー２４２によって固定させてジグ２１０の装着部２１２上に固定プレート２２０を固定するように構成される。
【００３７】
前述したような構造で構成された本発明の実施例によるプローブカード製造用ジグを用いたプローブカードの製造方法をより具体的に説明する。
図１２を参照すると、犠牲基板を含み、所定の大きさを有する複数のプローブモジュール１１０ａがジグ上に設置される段階（Ｓ３００）を行う。
【００３８】
ここで、前記プローブモジュール１１０ａは、図１３に示したように６インチ（１５．２ｃｍ）のなどの小面積の複数のシリコンウエハ、即ち、犠牲基板上にフォトリソグラフィ、エッチング、及びめっきなどのＭＥＭＳ工程を用いてプローブをそれぞれ製作した後、図１４に示したようにプローブの形成されたシリコンウエハを切断して形成したものである。そして、プローブモジュール１１０ａは、四角形などの多角形の形状または円弧形状などのような多様な大きさ及び形状に製作することができ、シリコンウエハの切断はダイシングソーなどの方法によって行うことができる。
【００３９】
したがって、これらそれぞれのプローブモジュール１１０ａは小さい大きさにしたので、平坦度が非常に優秀であり、このようなプローブモジュール１１０ａを一体に固定したときにもまた広い面積であるものの優れる平坦度を有し、プローブとテストの対象であるチップ間の電気的接続に対する信頼性が高くなる収率向上の効果を有する。
【００４０】
また、前記シリコンウエハの切断工程と前記シリコンウエハ上にプローブを形成する工程は、当業者によって順序を変えて行うことができることは当然である。
また、複数のプローブモジュール１１０ａのジグ上の設置段階は、まず、図１５に示したように、固定プレート２２０をベースプレート２００の上部の４方向に設置された各ジグ２１０の装着部２１２に設置させた後、固定プレート２２０を一側角の押圧手段２５０を用いて整列手段２３０側に押して固定プレート２２０を装着部２１２に固定させる。そして、複数の各プローブモジュール１１０ａをジグ２１０に設置された固定プレート２２０上に順次に装着するようになる。
【００４１】
その後、整列された複数のプローブモジュール１１０ａを一つのプローブモジュール１１０ａを基準に固定させる段階（Ｓ３１０）と、プローブモジュール（１１０ａ）を相互希望する位置に整列してプローブモジュールアセンブリ１１０を製造する段階（Ｓ３２０）と、整列された複数のプローブモジュールアセンブリ１１０を固定する段階（Ｓ３３０）を順次に行う。
【００４２】
前記段階（Ｓ３１０、Ｓ３２０、Ｓ３３０）は、図１６に示したように装着されたプローブモジュール１１０ａのいずれ、即ち、望ましくは押圧手段２５０側に位置するプローブモジュール１１０ａを真空ホール２２２を通じてまず真空吸着するようになる（Ｓ３１０）。
【００４３】
その後、座標測定のために通常的に用いられるマイクロスコープ（図示せず）を通じて配置された各プローブモジュール１１０ａが相互整列されかつ正確な座標値への移動が行われる。このとき、整列手段２３０が用いられ、固定された基準用プローブモジュール１１０ａを中心にして相互接する座標値によってＸ軸棒２３２、Ｙ軸棒２３３、及びθ軸棒２３４の微細調整によって複数のプローブモジュール１１０ａが基準用プローブモジュール１１０ａを基準に整列手段２３０を通じて固定プレート２２０上で整列されることによってプローブモジュールアセンブリ１１０が形成される。ここで、整列手段２３０によるプローブモジュール１１０ａの移動は固定棒２３５の真空ホール２３５ａによって各プローブモジュール１１０ａの固定された状態で移動が行われる。そして、固定プレート２２０上で整列が完了した残りのプローブモジュール１１０ａは、真空ライン２４２と連通した真空ホール２２２を通じて真空吸着が行われる。
【００４４】
ここで、真空ホール２２２を中心にして形成される真空溝２２４では、プローブモジュール１１０ａと直接接触される真空面積の拡大が行われ、真空吸着力が高くなる（Ｓ３２０及びＳ３３０）。
【００４５】
その後、図１７に示したように整列が維持され固定されたプローブモジュールアセンブリ１１０をボンディング工程設備にローディングする段階（Ｓ３４０）を行う。ここで、固定手段２４０にして固定プレート２２０上に複数のプローブモジュール１１０ａが一体に固定された状態で固定プレート２２０と、プローブモジュール１１０がジグ２１０からともに分離してボンディング工程設備にローディングされる。ここで、固定プレート２２０に真空吸着された一体のプローブモジュールアセンブリ１１０の位置に固定された状態で移送が可能であるように固定手段２４０の真空ライン２４２もともに移送される。したがって、真空ライン２４２の作用によって真空吸着が連続に行われる状態である。
【００４６】
その後、図１８に示したように、ボンディング工程によってウエハモジュールアセンブリ１１０をプローブ基板１０２上にボンディングする段階（Ｓ３５０）を行う。ここで、ボンディング段階は、プローブ基板１０２上に形成された所定大きさのバンプ１０４とウエハモジュールアセンブリ１１０に形成されたプローブ１１４を付着する工程であって、プローブモジュール１１０ａの犠牲基板１１２が予め準備されたチャック１０６に接触されチャッキングされ、犠牲基板に形成されたプローブ１１４とプローブ基板１０２上のバンプ１０４が整列され、一体に固定されたプローブモジュール１１０ａここでは一体のプローブモジュールアセンブリ１１０によって同時にボンディング作業を行うことができる。
【００４７】
ここで、望ましくはウエハボンディング段階（Ｓ３５０）で複数のプローブモジュール１１０ａ、即ち、プローブモジュールアセンブリ１１０のプローブ１１４がプローブ基板１０２上の全てのバンプ１０４に同時にボンディングされる段階で行われる。
【００４８】
最後に、図１９に示したように、プローブの形成されたシリコンウエハ、即ち、犠牲基板を除去するウエハエッチング段階（Ｓ３６０）を行うことによって最終的にプローブカード１００を完成するになる。
【００４９】
よって、本発明によると、別途の装備の投資なしに既存の工程を用いて大面積のプローブカードを製造することができるようになることによって、電池素子との正確な検出が一度に行われることは勿論、高い平坦度によって検査の収率が向上する。
【００５０】
更に、大面積のプローブカードの製造装置の変形とウエハの個数の増加のみで１２インチ（３０．５ｃｍ）またはそれ以上のプローブカードの製造が可能になる。
以上、本発明の実施例によって詳細に説明したが、本発明はこれに限定されず、本発明が属する技術分野において通常の知識を有するものであれば本発明の思想と精神を離脱することなく、本発明を修正または変更できる。
【図面の簡単な説明】
【００５１】
【図１】従来の６インチ（１５．２ｃｍ）のプローブ基板を示す平面図である。
【図２】図１のＡ部位を拡大して示した平面図である。
【図３】従来の６インチ（１５．２ｃｍ）のプローブモジュールアセンブリを示す平面図である。
【図４】図３のＢ部位を拡大して示した平面図である。
【図５】図１のプローブ基板のバンプと図４のプローブモジュールアセンブリの支持ビーム間の連結構造を示す断面図である。
【図６】従来の１２インチ（３０．５ｃｍ）のプローブ基板を示す平面図である。
【図７】従来の１２インチ（３０．５ｃｍ）のプローブモジュールアセンブリを示す平面図である。
【図８】本発明によるプローブカードの製造装置を示した分解斜視図である。
【図９】図８の固定プレートの斜視図である。
【図１０】図８の装置を示す平面図である。
【図１１】図８の装置を示す側面図である。
【図１２】本発明によるプローブカードの製造方法を示す順序図である。
【図１３】本発明によって犠牲基板上に形成されたプローブモジュールを示す平面図である。
【図１４】図１３の犠牲基板の除去されたプローブモジュールを示す平面図である。
【図１５】プローブモジュールの整列段階を説明するための平面図である。
【図１６】プローブモジュールの整列段階を説明するための平面図である。
【図１７】プローブ基板上にプローブモジュールアセンブリを接合する段階を順次に示す断面図である。
【図１８】プローブ基板上にプローブモジュールアセンブリを接合する段階を順次に示す断面図である。
【図１９】プローブ基板上にプローブモジュールアセンブリを接合する段階を順次に示す断面図である。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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