(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
中心孔を有するロータと、該ロータの中心孔を貫通するシャフトと、該シャフトを保持するシャフトホルダと、該シャフトホルダが取り付けられたステータとをそれぞれ備える複数の超小型回転装置の製造方法において、
第１の基板から前記ロータを複数個形成する工程と、
第２の基板から前記シャフトを複数個形成する工程と、
第３の基板から前記シャフトホルダを複数個形成する工程と、
前記シャフトホルダを前記ステータに取り付ける工程とを有し、
前記シャフトホルダを形成する工程では、
前記第３の基板に前記シャフトをそれぞれ保持する複数の孔を形成し、該孔に、該シャフトを前記ロータの中心孔に貫通した後に挿入して、該シャフトの一端を該孔に保持し、該第３の基板を分離して、個別の前記シャフトホルダを形成し、
前記シャフトホルダは、前記ステータから前記ロータに向かって突出して設けられているとともに、前記ロータは、該シャフトホルダに対向する位置に該シャフトホルダに向かって突出する突起を有する複数の超小型回転装置の製造方法。
【請求項２】
前記シャフトは、ウェーハ接着プロセスにより、前記シャフトホルダの孔に接着される請求項１に記載の複数の超小型回転装置の製造方法。
【請求項３】
前記ウェーハ接着プロセスは、熱処理である請求項２に記載の複数の超小型回転装置の製造方法。
【請求項４】
前記ロータの中心孔は、各シャフトが前記シャフトホルダの孔に挿入されるときのガイドとして機能する請求項１に記載の複数の超小型回転装置の製造方法。
【請求項５】
前記シャフトホルダの孔は、エッチング処理により形成される請求項１乃至４のいずれか１項に記載の複数の超小型回転装置の製造方法。
【請求項６】
前記第１乃至第３の基板は、シリコンで形成されている請求項１乃至５のいずれか１項に記載の複数の超小型回転装置の製造方法。
【請求項７】
前記ロータは、エッチング処理により、前記第１の基板から形成される請求項１乃至６のいずれか１項に記載の複数の超小型回転装置の製造方法。
【請求項８】
前記シャフトは、エッチング処理により、前記第２の基板から形成される請求項１乃至７のいずれか１項に記載の複数の超小型回転装置の製造方法。
【請求項９】
更に、保護コーティング層を、前記ロータ、シャフト及びシャフトホルダのうちの１つ以上に塗布する工程を有する請求項１乃至８のいずれか１項に記載の複数の超小型回転装置の製造方法。
【請求項１０】
前記保護コーティング層は、ダイヤモンド状カーボンである請求項９に記載の複数の超小型回転装置の製造方法。
【請求項１１】
中心孔を有するロータと、
前記ロータの中心孔を貫通するシャフトと、
前記ロータの中心孔に貫通されたシャフトの一端がウェーハ接着プロセスにより接着され、該シャフトの一端を保持するシャフトホルダと、
前記シャフトホルダが取り付けられたステータとを備え、
前記シャフトホルダは、前記ステータから前記ロータに向かって突出して設けられているとともに、前記ロータは、該シャフトホルダに対向する位置に該シャフトホルダに向かって突出する突起を有する超小型回転装置。
【請求項１２】
中心孔を有するロータと、
前記ロータの中心孔を貫通するシャフトと、
前記ロータの中心孔に貫通された前記シャフトの一端を保持するシャフトホルダと、
前記シャフトホルダが取り付けられたステータとを備え、
前記シャフトホルダは、前記ステータから前記ロータに向かって突出して設けられているとともに、前記ロータは、該シャフトホルダに向かって突出する突起を有し、該突起は、前記ロータ表面とシャフトホルダの間に空隙を維持して該ロータとシャフトホルダの摩擦を軽減するように、該シャフトホルダに対向する面に設けられた超小型回転装置。
【請求項１３】
更に、前記ロータ、シャフト及びシャフトホルダのうちの１つ以上に塗布された保護コーティング層を備える請求項１１又は１２に記載の超小型回転装置。
【請求項１４】
前記保護コーティング層は、ダイヤモンド状カーボンである請求項１３に記載の超小型回転装置。
【請求項１５】
前記ロータは、１．５ｃｍ以下の径を有する請求項１１乃至１４のいずれか１項に記載の超小型回転装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ＭＥＭＳ（マイクロ・エレクトロメカニカル・システム）装置に関し、特にアキシャル型の電磁モータであるＭＥＭＳ装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
モータは、機構部品（メカニカル・コンポーネント）の駆動源として広く使用されている。しかし、殆どのモータは、従来の機械加工及び組立技術により製造される多くの部品を有するので、かなり大型である。そのために、最近では、ＭＥＭＳ超小型回転装置、すなわちサブミリメータの寸法を有する機械装置（例えば、モータの場合には最大直径が約１５ｍｍ未満である）を開発する多くの研究がなされている。斯かる超小型回転装置の例は、超小型ポンプ又はモータを含んでいる。しかし、構成部品の寸法を縮小してモータの寸法を縮小するには、それらの取り扱いの困難さが増加するとともに、製造コストが急激に増加することとなる。
【０００３】
既知の超小型回転装置は、スリーブを含み、このスリーブを貫通するスピンドルシャフトの周りで回転するロータ素子を有する。典型的な超小型回転装置を、図１に断面で示す。超小型回転装置は、ロータ（回転ディスク）１０１及びステータ１０５により構成される。ステータ１０５には、複数のコイル（図示せず）が設けられている。スピンドルシャフト１０２は、ステータ１０５から延び且つロータ１０１の中心孔１０６を貫通している。中心孔１０６の内面は、スピンドルシャフト１０２のスリーブを構成する。ロータ１０１は、ステータ１０５に対向する面に溝を有する。この溝は、中心孔１０６を囲み且つ永久磁石１０４及びヨーク１０３が挿入されている。ステータ１０５の巻回されたコイルに連続して電流を流すと、ロータ１０１は、スピンドルシャフト１０２の周りを回転する。図１に示す超小型回転装置は、ロータディスク１０１のスリーブをシャフト１０２に配置することにより構成される。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
従来のモータに対比して、この既知のＭＥＭＳ超小型回転装置は、シリコンやガラスの如き基板上に製造されるので、部品点数が少ない。しかし、それでもなお組立工程により組み立てる必要がある幾つかの部品がある。例えば、モータの組立時にシャフトをロータと組み合わせる必要がある。これらの各部品の寸法は極めて小さいので、斯かる組立のための信頼性の高いプロセスを確立するのは困難である。
【０００５】
本発明は、超小型回転装置の新規且つ有用な製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明に係る複数の超小型回転装置の製造方法は、上述の課題を解決するために、中心孔を有するロータと、該ロータの中心孔を貫通するシャフトと、該シャフトを保持するシャフトホルダと、該シャフトホルダが取り付けられたステータとをそれぞれ備える複数の超小型回転装置の製造方法において、第１の基板から前記ロータを複数個形成する工程と、第２の基板から前記シャフトを複数個形成する工程と、第３の基板から前記シャフトホルダを複数個形成する工程と、前記シャフトホルダを前記ステータに取り付ける工程とを有し、前記シャフトホルダを形成する工程では、前記第３の基板に前記シャフトをそれぞれ保持する複数の孔を形成し、該孔に、該シャフトを前記ロータの中心孔に貫通した後に挿入して、該シャフトの一端を該孔に保持し、該第３の基板を分離して、個別の前記シャフトホルダを形成し、前記シャフトホルダは、前記ステータから前記ロータに向かって突出して設けられているとともに、前記ロータは、該シャフトホルダに対向する位置に該シャフトホルダに向かって突出する突起を有する。
【００１０】
また、本発明に係る超小型回転装置は、中心孔を有するロータと、前記ロータの中心孔を貫通するシャフトと、前記ロータの中心孔に貫通されたシャフトの一端がウェーハ接着プロセスにより接着され、該シャフトの一端を保持するシャフトホルダと、前記シャフトホルダが取り付けられたステータとを備え、前記シャフトホルダは、前記ステータから前記ロータに向かって突出して設けられているとともに、前記ロータは、該シャフトホルダに対向する位置に該シャフトホルダに向かって突出する突起を有する。
更に、本発明に係る超小型回転装置は、中心孔を有するロータと、前記ロータの中心孔を貫通するシャフトと、前記ロータの中心孔に貫通された前記シャフトの一端を保持するシャフトホルダと、前記シャフトホルダが取り付けられたステータとを備え、前記シャフトホルダは、前記ステータから前記ロータに向かって突出して設けられているとともに、前記ロータは、該シャフトホルダに向かって突出する突起を有し、該突起は、前記ロータ表面とシャフトホルダの間に空隙を維持して該ロータとシャフトホルダの摩擦を軽減するように、該シャフトホルダに対向する面に設けられている。
【発明の効果】
【００１１】
本発明によれば、超小型回転装置の新規且つ有用な製造方法を提供でき、更に本発明によれば、基板に多数のシャフト受け開孔を形成し、シャフトをこれら開孔に挿入し、更にその後に基板を分離して個別のモータ素子を得ることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１２】
図２は、本発明の一実施例である超小型回転装置の断面を示す。この超小型回転装置は、ロータ２００と、ステータ２０８とを含んでいる。ロータ２００は、中心開孔２１４を有するシリコン体２０１を含んでいる。シャフト２０２は、このステータ２０８から突出し、且つこれら２つは、シャフトホルダ２０７により連結されている。
【００１３】
シャフト２０２は、軸２１１を中心に回転対称である。このシャフト２０２は、軸２１１の全ての部分において直径が一様である第１の部分２１０と、ステータ２０８から遠い位置にあり且つその軸２１１に沿い直径が一様であるヘッド部２０９とを含んでいる。ロータ２００の中心開孔２１４は、ステップ（段差）状の断面形状であり、したがって２つの筒状スリーブ面２１２、２１３を含んでいる。筒状スリーブ面２１２は、筒状スリーブ面２１３より小径である。
【００１４】
勿論、この図は、実寸法ではない。典型的には、ロータ２００（図２中の横方向）の最大直径は、せいぜい３ｃｍであり、且つ好ましくは２ｃｍ未満、又は１．５ｃｍ未満である。ロータ２００の厚さは、好ましくは６００μｍ又はそれ以下である。
【００１５】
このＴ字状のシャフト２０２は、ロータ２００の揺らぎを回避する手段を構成し、且つ回転を通じてロータ２００を一定位置に保持する。したがって、シャフト２０２は、図１の通常のピン型シャフトと比較して利点を有する。
【００１６】
図２に示す如く、シリコン体（以下、ロータディスクともいう）２０１は、ステータ２０８に対向する面に深い溝を有しており、そしてこの溝内には、磁性材料２０４（例えば、合金）及びヨーク層２０３にて実質的に満たされている。これらの材料は、ステータ２０８に固定されたコイル（図示せず）により適当な磁界が発生されると、回転運動を生じる。
【００１７】
駆動機構の補強手段として、微小突起２０６がロータディスク２０１のステータ対向面に形成される。これら突起の可能な形状構成は、図９（ａ）乃至図９（ｃ）に示している。これら突起２０６は、ロータ２００とステータ２０８間の分離を行い、回転動作時の接触抵抗を最小にすることを意図している。好ましくは、多数の丸味を帯びた突起２０６は、ロータディスク２０１の底面の開孔２１４の周りに対称的に離間して設けられ、接触面における回転動作の安定化を助ける。図９（ｃ）に示す如く、突起はグループ状でもよい。突起２０６の形成にはエッチングが好ましい。その理由は、シリコン材料は比較的硬質であるので、ロータディスク２０１に他の欠陥を生じさせることなく必要な仕様が実現可能であるからである。
【００１８】
モータアセンブリ全体の厚さを減少させるために、半導体プロセスを使用して薄い構成のロータ２００を製造し、必要とする断面形状を選択的に生成し、且つ意図するロータ２００の必要な形状を高精度に制御する。更に、このプロセスにより、単一の基板上に多数のロータディスク２０１のアレーを同時に製造し、これにより、製造コスト及び時間を低減可能である。この点において、プラズマエッチングの如き超小型製造技術が、従来の機械加工技術では達成不可能であったμｍオーダの高さのステップ状断面がロータディスク２０１上に形成される。
【００１９】
シリコン製のロータディスク２０１の製造におけるエッチング処理の詳細を、図３を参照して以下に説明する。
【００２０】
図３（ａ）に示す如く、両面研磨した薄いシリコン基板３０１を、先ず高温炉内に入れて、薄いシリコン酸化物（ＳｉＯ２）層３０２を両面に生じさせる。このシリコン酸化物層（以下、ＳｉＯ２層ともいう）３０２は、スピンコーティングされたフォトレジスト等の他の保護層でコーティングされていない場合に、本方法の後工程における保護マスクとして作用する。エッチングの深さ要求を考慮して、ＳｉＯ２層３０２の厚さは、低い深さ構成のエッチングをストップさせるのに十分である約２μｍとする。
【００２１】
次に、このシリコンウェーハであるシリコン基板３０１をスピンコーティングして、一面のＳｉＯ２層３０２上に約７μｍの厚さのフォトレジストマスキング層３０３を形成し、且つその後、このＳｉＯ２層３０２を従来のリソグラフィ手段により希望する断面形状にパターン化する。次に、図３（ｂ）に示す如く、ケミカルプラズマエッチング（ＣＦ４及び酸素プラズマを使用）を実行して、ＳｉＯ２層３０２のうちの希望しない部分を除去する。
【００２２】
更に、シリコンウェーハであるシリコン基板３０１の同じ面にフォトレジストマスキング層３０４を設け、２μｍの酸化物層の残りの部分を覆う。このフォトレジストマスキング層３０４をパターン化し、次に、図３（ｃ）に示す如く、ケミカルエッチングを再度実行し、後続するエッチング処理のための他の断面を得る。
【００２３】
プラズマエッチング処理中に、イオンは基板に向けて直進するので、イオンによる衝突から壁をシールドするボッシュ（Bosch）プロセスの場合のように、その後ポリマパッシベーションにより深い直角の壁が形成可能である。図３（ｃ）に示す如く、シリコン基板３０１の殆どのエッチングされた部分は、厚さの約３分の１が残る。
【００２４】
これに続き、残留するフォトレジストマスキング層は、アセトンへの浸漬等のケミカル溶剤を使用して除去される。更なるＤＲＩＥ（深い反応性イオンエッチング）プラズマエッチングを実行することにより、シリコン体であるシリコン基板３０１の残留ＳｉＯ２層３０２で覆われていない部分から約２０μｍを除去する。これにより、図３（ｄ）に示す如く、空気ベアリング機能を果たす一様に分布する突起２０６のセットを形成する。その後、残されたＳｉＯ２をフッ化水素酸（ＨＦ）に浸漬することにより除去する。
【００２５】
これに続いて、シリコン体であるシリコン基板３０１を反転する。別のパターン化されたマスク層３０５を使用して再度エッチングを行い、図３（ｅ）及び図３（ｆ）に示す如く、先に形成されたキャビティに合わせてシリコン基板３０１を貫通するスルーホール３０６を形成する。スルーホール３０６は、ロータディスク２０１の開孔となり、且つスルーホール３０７は、各ロータディスク２０１をシリコン基板３０１から分離する。スルーホール３０６、３０７がシリコン基板３０１の両側で正しく位置合わせ、すなわちアライメントするように、適切なマーキングと共に光学アライメントシステムが使用され、それがエッチングチャンバ内で反転されたときシリコン基板３０１を位置決めする。
【００２６】
また、フォトレジスト層３０５が使用され、ロータディスク２０１がウェーハであるシリコン基板３０１から取り外される前に、中心開孔３０６の周囲領域のシリコン基板３０１の厚さを減少させる。ロータディスク２０１上のスリーブの寸法は、上述したＴ字状シャフト２０２の異なる寸法を受け入れるようにステップ状の断面にされる。
【００２７】
この時点で、ロータディスク２０１の製造は完了する。それは、円形の平板状の形状であり、中心にスルーホール３０６を有する。このロータディスク２０１の一側には、大きい環状の溝が設けられており、後の組立工程で使用される。各ロータディスク２０１が基板から分離されると、エッチング中のボッシュポリマパッシベーションにより得られたポリマの残留層を有する。次に、ヒドロ亜硫酸（Ｈ２ＳＯ４）を含む超音波ミックスバスに浸漬することにより、この薄いコーティングを表面から完全に除去する。
【００２８】
摩擦を軽減する更なる改良のために、エッチングされたロータディスク２０１のスリーブとなるスルーホール３０６を含むロータディスク２０１の全表面に順応コーティング被膜３０９の付加薄層が形成される。好ましくはダイヤモンド状のカーボン（ＤＬＣ）被膜であるこの薄層３０９は、その硬い材料特性のために潤滑効果を与える。１つの可能な形成技術は、スパッタリング又は化学蒸着であり、更に本発明では、ＦＣＶＡ（フィルタードカソディックベーパアーク）法であり、この方法では、低温順応被膜が複雑な制御を行うことなく必要とする被膜厚が得られる。
【００２９】
図４は、単一の基板上に多数のシャフトを製造する工程を示している。シャフトに適した材料は、優れた剛性及び硬さ特性を有するシリコンである。図４（ａ）に示す如く、図３（ａ）のウェーハ３０１と同様であるウェーハ４０１には、先ず透明フッ素樹脂サイトップ（Ｃｙｔｏｐ、商標）ポリマ接着剤４０２が約２ｍｍの厚さにスピンコーティングされる。このポリマ接着剤４０２は、リソグラフィにより要求される形状にパターン化され、その後図４（ｂ）に示す如く、フォトレジストマスク４０３を使用してＲＩＥエッチングされる。このポリマ接着剤４０２は、低温接着性及び耐化学特性に優れているという利点を有する。
【００３０】
次に、図４（ｃ）に示す如く、パターン化されたフォトレジストマスク４０４を使用してＤＲＩＥプラズマエッチングを実行することにより、所望のシャフト部が形成される。エッチングにより残されたフォトレジスト層４０４を除去することなく、基板４０１に、図４（ｄ）に示す如く、デポジション技法を使用して全面にＤＬＣ被膜４０５をコーティングして、上述した摩擦抵抗の低減を図る。これに続いて、基板４０１は反転され、且つフォトレジスト層４０４により、新しいシリコン基板４０８上に固定される。フォトレジストマスク層４０６を配置して、図４（ｅ）に示す如く更にエッチングされる。次に、フォトレジスト４０６を除去し、且つ隣接するシャフト間のＤＬＣ被膜４０５の部分を除去することにより、シャフト２０２を分離する。その後、シャフト２０２の上面及びＤＬＣ被膜４０５で既に覆われていないシャフト２０２の側部にＤＬＣ被膜４０７を形成する。次に、この構成を支持基板４０８から取り除く。図４（ｆ）に示す如く、レジスト４０４を除去して（その上の層４０５の部分を除いて）シャフトの製造が完了する。
【００３１】
図５は、シャフトホルダ２０７の製造工程を示している。また、シャフトホルダ２０７は、シリコンウェーハより製造される。図５（ａ）に示す如く、酸化物（ＳｉＯ２）層５０２、５０３が熱酸化工程によりシリコンウェーハの基板５０１の各表面に形成される。リソグラフィパターニングにより薄いマスク５０４が形成され、且つ図５（ｂ）に示す如く、基板５０１の一面にＲＩＥエッチングが行われる。次に、ＳｉＯ２層５０３が除去され、基板５０１が反転され、反対面に約２μｍのサイトップ（Ｃｙｔｏｐ）ポリマ接着剤５１４がスピンコーティングされ、そして、サイトップポリマ接着剤５１４の不要部分がパターン化されたマスク層５０５を使ってエッチング除去される。図５（ｅ）に示す如く、フォトレジスト層５０６が、基板５０１の上面の選択された部分に形成され、またＤＬＣ被膜５０７が、ロータ接触領域となる面である基板５０１の上面に上述の如くＦＣＶＡを使用してコーティングされる。図５（ｆ）に示す如く、このフォトレジスト層５０６を除去して、その上のＤＬＣ被膜５０７を除去する。次に、別のパターン化されたフォトレジストマスク５０８が形成され、そして基板５０１のＲＩＥエッチングが行われ、図５（ｇ）に示すキャビティ５０９が形成される。次に、図５（ｈ）に示す如く、フォトレジスト５０８が除去される。このキャビティ５０９は、以下に説明するアライメント工程で有用である。
【００３２】
モータのボンディング工程が図６に示されている。この工程では、ロータとステータとの位置合わせ、すなわちアライメントが重要である。最初の工程で、図６（ａ）に示す如く、シャフトホルダを含む基板５０１がアライメントされ、そして図６（ｂ）に示す如く、ポリマ接着剤を使用して、既に製造されている専用のロータディスク２０１が接着される。この工程において、ガイド素子としてロータディスク２０１を取り外した後に残される基板３０１（図３に示す）の部分６０３を使用するのが有用である。図６（ｃ）に示す如く、各ロータディスク２０１の開孔２１４をガイドとして使用して、各シャフト２０２を、この時点では基板５０１の残りの部分からまだ取り外されていないシャフトホルダ２０７のキャビティ５０９内に下向きに挿入する。次に、アセンブリ６０１をチャンバ内で少なくとも約１６０℃で少なくとも３０分間加熱し、シャフト２０２をシャフトホルダ２０７に永久的に固着する。尚、基板５０１上の全てのアセンブリ６０１は、同じ構成であり、所定の寸法を有する。その後、基板セットアセンブリ６０１は反転され、且つ図６（ｄ）に示す如く、基板５０１は、前に形成されたＳｉＯ２マスク層５０２を使用してエッチングされ、各超小型モータアセンブリが基板５０１から分離される。このエッチングは、厚さ数１００μｍの筒状のベースを形成し、回転中にロータディスク２０１を保持するシャフト２０２を固定する支持ベース６０２として機能する。
【００３３】
図７に示す如く、高磁気飽和特性を有する、例えばニッケル−鉄（Ｎｉ−Ｆｅ）である約１００μｍの厚さを有するリング状のヨークプレート２０３が、ロータディスク２０１のエッチング溝３０８の内面に接着され、誘起される電磁力を強化する。数１００μｍの厚さを有し、且つサマリウム−コバルト（Ｓｍ−Ｃｏ）の如き磁性合金よりなるリング状のボンディングされた磁石２０４が、ヨーク２０３に重ねて挿入される。磁石２０４及びヨーク２０３の厚さは、それぞれ製造中に適切に制御され、それらがロータディスク２０１のエッチングされた凹状溝３０８内に完全に適合して底面が良好な平坦面となるようにされる。
【００３４】
図８に示す如く、この超小型モータアセンブリは、超小型モータアセンブリをステータ２０８に完全に挿入することにより完成される。これは、光学アライメント工具を使用することなく、手で行うことが可能である。ステータ２０８は、薄いプリント回路基板（ＰＣＢ）製であってもよい。それは、シャフトホルダ２０７の厚さより僅かに薄い厚さを有し、且つめっきされた銅のコイル巻線を有し、電界を発生して回転に必要な電磁トルクを誘起する。コイルの全面に渡り一様な厚さを維持し、回転中にロータ２００とステータ２０８間に一様なエアギャップ（空隙）を維持する。シャフト２０２のロータ２００及びステータ２０８に対する直交度をチェックし、そしてロータ２００のステータ２０８に対する平行度をチェックして、安定した回転動作を保証する。
【図面の簡単な説明】
【００３５】
以下、本発明の好適な特徴を、図示の目的のみで示す図面を参照して説明する。
【図１】従来の超小型モータの断面図である。
【図２】本発明の一実施例である超小型モータの断面図である。
【図３】図３（ａ）乃至（ｆ）により構成される、図２の超小型モータのロータディスクの製造工程の断面図である。
【図４】図４（ａ）乃至（ｆ）により構成される、図２の超小型モータのシャフトの製造工程の断面図である。
【図５】図５（ａ）乃至（ｈ）により構成される、図２の超小型モータのシャフトホルダの製造工程の断面図である。
【図６】図６（ａ）乃至（ｅ）により構成される、図２の超小型モータの組立工程の断面図である。
【図７】図２のロータのヨーク及び磁石を図３の工程で製造されたディスクへ組み立てる工程の断面図である。
【図８】図２の超小型モータのステータを組み立てる工程の断面図である。
【図９】図９（ａ）乃至（ｃ）により構成される、図２（ｃ）のロータディスクの下面を本発明の範囲内における複数の異なる変形で示す図である。
【符号の説明】
【００３６】
２００  ロータ、２０１  ロータディスク、２０２  シャフト、２０３  ヨーク、２０４  磁石、２０６  突起、２０７  シャフトホルダ、２０８  ステータ、２１２，２１３  筒状スリーブ面、２１４  中心孔
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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