(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に、光反射層、有機色素を含有する光記録層、中間層、及びカバー層をこの順に備えた光情報記録媒体において、  前記中間層は、スパッタリングにより形成されたＮｂ２Ｏ５−Ａｌ２Ｏ３系の複合酸化物からなり、該複合酸化物における前記Ｎｂ２Ｏ５の比率が５０ｍｏｌ％より多く、６０ｍｏｌ％未満であることを特徴とする光情報記録媒体。
【請求項２】
上記中間層は、バルクの抵抗値が１〜５Ω・ｃｍのターゲットを用いてＲＦスパッタ装置により成膜されたものであることを特徴とする請求項１記載の光情報記録媒体。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、光情報記録媒体に関するもので、特に光記録層に有機色素を用いた、ブルーレイディスク等のより高い記録密度を有する光情報記録媒体に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
情報記録媒体として、光ディスク等の光情報記録媒体が普及している。このような光情報記録媒体としては、例えばＣＤ−Ｒ等のような、厚さ１．２ｍｍ、直径１２０ｍｍまたは８０ｍｍの光透過性の樹脂基板上に記録層、反射層を順次形成したものがある。近年、さらに高い情報記録密度が要求されてきている。そこで、レーザ波長を短く且つ開口数（ＮＡ：ｎｕｍｅｒｉｃａｌ  ａｐｅｒｔｕｒｅ）の大きな対物レンズを使用する方式が考えられ、ＤＶＤ±Ｒ等のような光情報記録媒体が実現されている。このＤＶＤ±Ｒは、短波長化と高ＮＡ化によるディスクの傾き角度（チルト）の許容値を大きくするために、厚さ０．６ｍｍの光透過性の樹脂基板を２枚貼り合せ、この基板間に反射層及び記録層を挟んだ構造を有している。
【０００３】
さらに、近年では高精細な映像データを記録するために、より高い情報記録密度が要求されてきている。そこで、ブルーレイディスク（ＢＤ−Ｒ）のように、厚さ１．１ｍｍの樹脂基板上に反射層及び記録層が形成され、この反射層及び記録層が形成された面上に厚さ０．１ｍｍの光透過性のカバー層が設けられた構造の光情報記録媒体が提案されている。具体的には、外径１２０ｍｍ、内径１５ｍｍ、厚さ約１．１ｍｍのディスク状の基板上に光反射層と相変化記録層と厚さ約０．１ｍｍのカバー層を有し、開口数約０．８５の光ヘッドから波長約４０５ｎｍのレーザ光を前記カバー層側から照射して前記記録層にユーザー情報を記録可能なものである。
【０００４】
上記光情報記録媒体は、記録層として相変化記録層を用いるものであるが、色素を含有する記録層を用いることも検討されている。
ところが、色素を含有する記録層上に例えば透明樹脂材料を塗布して前記カバー層を形成しようとすると、色素を含有する記録層に塗液が浸透してしまうという課題があった。  
【０００５】
これに対し、図５に示すように、特許文献１には、基板１上に、反射層２、色素を含有する記録層３及びカバー層５を有し、該カバー層５を通して記録再生を行う光学記録媒体であって、該記録層３とカバー層５との間に、記録層３とカバー層５との混和を防止するための障壁層４を設けたものが提案されている。またその障壁層４として、酸化珪素、硫化亜鉛、酸化亜鉛、窒化珪素、炭化珪素、酸化セリウム、酸化イットリウム、硫化イットリウム、および酸化物と硫黄との混合物から選ばれた少なくとも１種よりなるものが提案されている。
ところが、上記特許文献１に記載されたように、障壁層４に硫黄を含有する材料を使用すると、当該硫黄と反射層２を構成する金属（例えば、Ａｇ等）とが反応し、硫化物を生成して保存性を低下させるという課題があった。
【０００６】
これに対し、特許文献２には、基板上に、少なくとも、有機色素を含有する記録層と、カバー層とを備えた光記録媒体であって、前記記録層と前記カバー層との間に、Ｔａを含む化合物又はＮｂを含む化合物からなる中間層、又はＴａ及び／又はＮｂを含む複合酸化物からなる中間層を有し、該中間層の層厚が１〜８０ｎｍであるものが提案されている。また、上記中間層の形成方法として、ＲＦスパッタ法やＤＣスパッタ法を用いることが提案されている。
【０００７】
【特許文献１】特開２００３−３６５６２号公報
【特許文献２】特開２００６−１４７１３５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
ところで、上記特許文献２に提案されているように、Ｔａを含む化合物又はＮｂを含む化合物からなる中間層、又はＴａ及び／又はＮｂを含む複合酸化物からなる中間層を有する光情報記録媒体、具体的には、例えばＮｂ２Ｏ５：７０ａｔｍ％，Ａｌ２Ｏ３：３０ａｔｍ％の複合酸化物からなる中間層を有する光情報記録媒体においては、以下のような課題があった。具体的には、例えばＮｂ２Ｏ５：７０ａｔｍ％，Ａｌ２Ｏ３：３０ａｔｍ％の複合酸化物からなるターゲットは、該ターゲットの酸素欠損の度合いに従って導電性に差が生じる。例えば酸素欠損の無い状態であれば完全絶縁体になり、該ターゲットを用いて、前記色素を含有する記録層上にＲＦスパッタ法により前記中間層を形成しようとすると、前記中間層の成膜速度が遅くなり、容易に生産することができず、生産する上で現実的ではない。また、ＲＦスパッタ装置においては、本来、真空チャンバーとターゲットとの間に高周波電圧を印加すべきところが、酸素欠損させて前記ターゲットに導電性を持たせた場合には、中間層のスパッタリング時に前記ターゲットと中間層との間に異常放電が生じやすかった。このように異常放電が生じると、前記複合酸化物の膜からなる中間層の表面に、異常放電に起因して所謂ひっかき傷のように溝状の傷つきが生じ、さらにカバー層が形成された後の光情報記録媒体において、前記溝状の痕跡が外観不良として認識されるという課題があった。また、上記のように異常放電が生じると、その前後でターゲットへの印加電圧が変動して前記保護層の成膜速度にばらつきを生じたり、成膜状態に偏在を生じたりして、安定生産が難しいという課題があった。
【０００９】
本発明者らが鋭意検討した結果、中間層の組成を所定の範囲に調整することで中間層形成時の異常放電の発生が減少して中間層表面への傷つきが低減することがわかった。また、ＲＦスパッタ法により中間層を形成する際、完全な絶縁体でなく、抵抗値を所定の範囲に調整したターゲットを用いることで、成膜速度を高められることがわかった。本発明は、中間層表面の傷つきによる外観不良が生じにくく安定生産が可能な光情報記録媒体を提供することを目的とする。また、本発明は、中間層の成膜速度が高く容易に生産することが可能な光情報記録媒体を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
前記目的を達成するため、本発明の光情報記録媒体は、（１）基板上に、光反射層、有機色素を含有する光記録層、中間層、及びカバー層をこの順に備えた光情報記録媒体であって、前記中間層は、スパッタリングにより形成されたＮｂ２Ｏ５−Ａｌ２Ｏ３系の複合酸化物からなり、該複合酸化物における前記Ｎｂ２Ｏ５の比率が５０ｍｏｌ％より多く、６０ｍｏｌ％未満である。（以下、第１の課題解決手段と称する。）
【００１１】
また、主要な実施形態の一つは、上記第１の課題解決手段に加えてさらに、（２）上記中間層が、バルクの抵抗値が１〜５Ω・ｃｍのターゲットを用いてＲＦスパッタ装置により成膜されたものである。（以下、第２の課題解決手段と称する。）
【００１２】
次に、上記第１の課題解決手段による作用は、以下の通りである。すなわち、本発明の光情報記録媒体は、前記中間層が、スパッタリングにより形成されたＮｂ２Ｏ５−Ａｌ２Ｏ３系の複合酸化物からなり、該複合酸化物における前記Ｎｂ２Ｏ５の比率が５０ｍｏｌ％より多く、６０ｍｏｌ％未満である。このため、中間層を形成する際に、中間層とスパッタリングターゲットとの間に異常放電による傷つきが生じにくい。また、上記複合酸化物におけるＮｂ２Ｏ５の比率が５０ｍｏｌ％より多く、６０ｍｏｌ％未満とすることにより、バルクの抵抗値が１〜５Ω・ｃｍで安定したターゲットを用いることができる。上記複合酸化物における前記Ｎｂ２Ｏ５の比率が５０ｍｏｌ％以下である場合、又は６０ｍｏｌ％以上である場合、バルクの抵抗値が１〜５Ω・ｃｍで安定したターゲットを得ることが困難である。
【００１３】
また、上記第２の課題解決手段による作用は以下の通りである。すなわち、上記第１の課題解決手段に加えて、さらに、上記中間層が、バルクの抵抗値が１〜５Ω・ｃｍのターゲットを用いてＲＦスパッタ装置により成膜されたものである。このため、中間層を形成する際に、高い成膜速度で成膜することができる。
【発明の効果】
【００１４】
本発明によれば、前記中間層の表面の傷付きによる外観不良が生じにくく安定生産が可能な光情報記録媒体を提供することができる。また、本発明によれば、高い成膜速度で中間層を形成でき、容易に生産することが可能な光情報記録媒体を提供することができる。本発明の前記目的とそれ以外の目的、構成特徴、作用効果は、以下の説明と添付図面によって明らかとなろう。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１５】
以下、本発明の光情報記録媒体の第１の実施形態について、図１及び図２を参照して説明する。図１は第１の実施形態の光情報記録媒体１０の全体構造を示す平面図である。図２は前記実施形態の内部構造の概要を説明するための上記図１における破線で囲まれたＢの領域内における部分拡大断面図である。  
【００１６】
図１に示すように、本実施形態の光情報記録媒体１０は、中心に孔を有し、外径約１２０ｍｍ、内径約１５ｍｍ、厚さ約１．２ｍｍのディスク状の外観を有するものである。そして、前記光情報記録媒体１０の図１において破線で囲まれたＢの領域の内部構造の概要を図２に示す。図より明らかなように、まず、基板１１は、一方の主面に螺旋状の溝１２が形成された円環状の外観を呈し、その厚さは約１．１ｍｍであり、材質は樹脂製である。該基板１１の前記一方の主面上には、後述するようにレーザ光を反射するＡｇ合金からなる光反射層１３が形成されている。前記光反射層１３の前記基板１１の溝１２が形成された主面と接する側とは反対側の表面には、前記基板１１の溝１２に対応するように前記基板１１の溝１２と等しいトラックピッチＴｒＢで螺旋状に形成されたグルーブ１３ｂと、該グルーブ１３ｂに隣接するランド１３ａとが形成されている。次に、前記光反射層１３の上には、波長４００〜４２０ｎｍ（例えば４０５ｎｍ）のレーザ光を吸収する例えば下記化学式１に示す有機色素等から構成された光吸収物質を含有する光記録層１４が形成されている。
【化１】
0004695632.tif 000002
（式中、環Ａはそれが結合している炭素原子及び窒素原子と一緒になって形成する複素環を表し、環Ｂは置換されてもよいベンゼン環を表し、環Ｃはそれが結合している窒素原子を含む複素環を表し、これが環Ｂと結合してもよく、Ｘ−は活性水素を有することができる基を表し、Ｍ２＋は２価の陽金属イオンを表し、陰イオン全体をアゾ色素分子としてその２分子に対してＭ２＋を１分子結合させた金属錯体を表す。）そして、前記光記録層１４の上には、例えばＮｂ２Ｏ５−Ａｌ２Ｏ３系複合酸化物からなり、該複合酸化物における前記Ｎｂ２Ｏ５／（Ｎｂ２Ｏ５＋Ａｌ２Ｏ３）の比率が５５ｍｏｌ％である光透過性の中間層１５が形成されている。該中間層１５は、Ｎｂ２Ｏ５−Ａｌ２Ｏ３系の複合酸化物からなり、該複合酸化物における前記Ｎｂ２Ｏ５の比率が５０ｍｏｌ％より多く、６０ｍｏｌ％未満である。該中間層１５の組成を上記のようにすることで、該中間層１５を形成する際の中間層１５とスパッタリングターゲットとの間の異常放電による前記中間層１５表面への傷つきが生じにくい。また、上記中間層１５が、バルクの抵抗値が１〜５Ω・ｃｍのターゲットを用いてＲＦスパッタ装置により成膜されたものである。該ターゲットのバルクの抵抗値を上記のようにすることで、高い成膜速度で成膜することができる。さらに前記中間層１５の上には、透明樹脂材料からなる光透過性のカバー層が形成されており、該カバー層１６の厚さは約０．１ｍｍである。
【００１７】
上記本実施形態の光情報記録媒体１０に前記光透過性のカバー層１６側から波長４００〜４２０ｎｍ（例えば４０５ｎｍ）のレーザ光を照射することにより、図３に示すように、前記光記録層１４中の有機色素が前記レーザ光を吸収して発熱し、光学的に読み取り可能なピット１７が形成される。このとき、前記中間層１５は、容易に変形を生じ、前記ピット１７の形成を助けるため、本実施形態の光情報記録媒体１０は、ユーザー情報を良好に記録することができる。  
【００１８】
次に、上記基板１１の好ましい実施形態は次の通りである。すなわち、上記基板１１としては、従来の光情報記録媒体の基板材料として用いられている各種の材料を任意に選択して使用することができる。具体的には、ポリカーボネート、ポリメチルメタクリレート等のアクリル樹脂、ポリ塩化ビニル、塩化ビニル共重合体等の塩化ビニル系樹脂、エポキシ樹脂、アモルファスポリオレフィン、ポリエステル樹脂、アルミニウム等の金属、ガラス等を挙げることができ、必要によりこれらを併用してもよい。上記材料の中では、成型性、耐湿性、寸法安定性及び低価格等の点から熱可塑性樹脂が好ましく、ポリカーボネートが特に好ましい。これらの樹脂を用いた場合には、射出成形等の方法で所定の形状（光ディスクなら円環状）に基板１１を作成することが好ましい。また、上記基板１１の厚さは０．９〜１．１ｍｍの範囲とすることが好ましい。このとき、基板１１の射出成型に用いられる金型内に、一方の主面に前記溝１２とは逆パターンの螺旋状の凸条の微細加工が施されたスタンパと呼ばれる型板を配置して前記基板１１の射出成型時に同時に螺旋状の溝１２が形成されることが好ましい。この溝１２は、一般的には、０．３５μｍあるいは０．３２μｍのピッチで形成されている。また、基板１１はこれに限るものではなく、例えば紫外線硬化性樹脂を基台上に塗布し、塗膜を硬化させ前記基台から分離して基板１１として用いることもできる。
【００１９】
次に、上記光反射層１３の好ましい実施形態は次のとおりである。上記光反射層１３はデータの記録および／または再生用のレーザ光を反射させるものであり、本発明においては、レーザ光に対する反射率を高めたり、記録再生特性を改良する機能を付与するために、基板１１と光記録層１４との間に設けられることが好ましい。上記光反射層１３としては、Ａｕ，Ａｌ，Ａｇ，ＣｕあるいはＰｄ等の金属膜、これらの金属の合金膜、例えばＡｇ合金やＡｌ合金、あるいはこれらの金属に微量成分が添加された合金膜等、反射率の高い金属薄膜が好ましく、例えば蒸着法、イオンプレーティング法、スパッタリング法、等により前記基板１１の溝１２が形成された面上に形成されることが好ましい。中でも、量産性、コストの面からスパッタリング法が特に好ましい。前記光反射層１３の前記基板の主面と接する側とは反対の表面には、前記基板１１の溝１２に対応するように前記基板１１の溝１２と等しいトラックピッチで螺旋状のグルーブ１３ｂが形成されることが好ましい。また、該グルーブ１３ｂは、前記基板１１の前記螺旋状の溝が形成された主面上に前記光反射層１３をスパッタリング法等により一様な厚みで形成することにより形成されることが好ましい。
【００２０】
次に、上記光記録層１４の好ましい実施形態は次の通りである。すなわち、上記光記録層１４としては、レーザ光を吸収する有機色素から構成された光吸収物質を含むことが好ましい。中でも、レーザ光照射によりピットが形成されデータが記録される色素型の光記録層であることが好ましい。上記有機色素としては、フタロシアニン色素、シアニン色素、アゾ系色素等が好ましい。例えば下記化学式１又は化学式２に示すアゾ系の色素もしくは化学式３に示すシアニン系色素を結合剤等と共に例えばＴＦＰ（テトラフルオロプロパノール）等の溶剤に溶解して塗布液を調整し、次いで、この塗布液を前記基板１１上に上記光反射層を介してスピンコート法やスクリーン印刷法等により塗布して塗膜を形成した後、例えば温度８０℃で３０分間程度乾燥することにより形成することが好ましい。
【００２１】
【化１】
0004695632.tif 000003
（式中、環Ａはそれが結合している炭素原子及び窒素原子と一緒になって形成する複素環を表し、環Ｂは置換されてもよいベンゼン環を表し、環Ｃはそれが結合している窒素原子を含む複素環を表し、これが環Ｂと結合してもよく、Ｘ−は活性水素を有することができる基を表し、Ｍ２＋は２価の陽金属イオンを表し、陰イオン全体をアゾ色素分子としてその２分子に対してＭ２＋を１分子結合させた金属錯体を表す。）
【００２２】
【化２】
0004695632.tif 000004
（式中、Ａ及びＡ’は、窒素原子、酸素原子、硫黄原子、セレン原子及びテルル原子から選ばれるヘテロ原子を１又は複数含んでなる、互いに同じか異なる複素環を表わし、Ｒ２１乃至Ｒ２４は、それぞれ独立に、水素原子又は置換基を表わし、Ｙ２１、Ｙ２２は周期律表における第１６族の元素から選ばれる互いに同じか異なるヘテロ原子を表わす。）
【００２３】
【化３】
0004695632.tif 000005
（式中、Φ+ 及びφは、それぞれイドレニン環残基、ベンゾインドレニン環残基又はジベンゾインドレニン環残基を表し、Ｌはモノ又はジカルボシアニン色素を形成するための連結基を表し、Ｘ- は陰イオンを表し、ｍは０又は１の整数である。）
【００２４】
次に、上記中間層１５の好ましい実施形態は次のとおりである。上記中間層１５は、上記光記録層１４と後述するカバー層１６との間に、光記録層１４とカバー層１６との混和を防止する等を目的として形成されることが好ましい。上記中間層１５としては、Ｎｂ２Ｏ５−Ａｌ２Ｏ３系の複合酸化物からなり、該複合酸化物における前記Ｎｂ２Ｏ５の比率が５０ｍｏｌ％より多く、６０ｍｏｌ％未満であることが好ましい。該中間層１５は、光透過性を有することが好ましく、例えば蒸着法、イオンプレーティング法、スパッタリング法、等により前記光記録層１４が形成された面上に形成されることが好ましい。中でも、量産性、コストの面からＲＦスパッタ装置を用いたスパッタリング法が特に好ましい。ＲＦスパッタ装置は、導電性の真空チャンバーとターゲットとの間に交流（高周波）電圧をかけるもので、ターゲット側の電子は逃げ場がなく密度が高まり、結果的にターゲット側がマイナスにバイアスされ、イオンがターゲットに引き寄せられ、ターゲットに衝突したイオンがターゲットの複合酸化物の粒子をはじき飛ばし、はじき飛ばされた複合酸化物の粒子が基板１１の前記光記録層１４上に衝突、付着し、中間層１５が形成される。このとき、抵抗が小さい前記複合酸化物におけるＮｂ２Ｏ５の比率が７０ｍｏｌ％の従来のターゲットを使用すると、すでに堆積された中間層とターゲットとの間に異常放電を生じやすいが、本発明においては、前記複合酸化物における前記Ｎｂ２Ｏ５の比率が５０ｍｏｌ％より多く、６０ｍｏｌ％未満であるため、前記従来の複合酸化物に比べて抵抗が大きく、すでに堆積された中間層１５とターゲットとの間に異常放電が生じるのを抑制することができる。ＲＦスパッタ装置を用いて前記中間層１５をスパッタリングにより形成する場合、真空チャンバー内の圧力は１×１０−２〜１×１０−５ｔｏｒｒとすることが好ましく、スパッタ速度は、０．１〜２０ｎｍ／ｓｅｃとすることが好ましい。スパッタ電力は、０．２〜５．０ｋＷが好ましい。また、上記中間層１５は、バルクの抵抗値が１〜５Ω・ｃｍのターゲットを用いてＲＦスパッタ装置により成膜されたものであることが好ましい。上記ターゲットのバルクの抵抗値は、例えば該ターゲットを構成する複合酸化物中に酸素欠損を生じさせる等により１〜５Ω・ｃｍに調整することが好ましい。また、上記複合酸化物中に酸素欠損を生じさせるためには、例えば焼成により前記複合酸化物を得る際の焼結過程を真空中、または還元雰囲気中で行うことにより酸素欠損を積極的に導入することができる。また、上記に限らず、例えば、前記複合酸化物を構成する原料の少なくとも一つの原料をその一部または全部を酸化物粉体もしくは炭酸塩粉体ではなく、金属粉体の形で混合し、かつ真空中または酸素を含まない雰囲気中で焼成することにより、酸素欠損を積極的に導入することができる。
【００２５】
次に、上記カバー層１６の好ましい実施形態は次の通りである。すなわち、上記カバー層１６としては、光透過性の樹脂からなるものが好ましく、紫外線硬化性樹脂をスピンコート法等によって塗布形成されることが好ましい。上記カバー層１６の厚さは、通常４００ｎｍ〜４２０ｎｍ付近（例えば４０５ｎｍ）の波長のレーザ光が照射されて前記光記録層１４にデータ記録及び／又は前記光記録層１４から読み出しされるように構成されるために、０．１ｍｍが好ましい。該カバー層１６の光透過率は、硬化後の厚さ０．１ｍｍで、波長４００ｎｍ〜４２０ｎｍ付近（例えば、４０５ｎｍ）の光にて分光光度計で測定したとき、７０％以上が好ましく、８０％以上がより好ましい。また、上記に限定するものではなく、例えばポリカーボネート樹脂、アクリル系樹脂、等の光透過性の良好な樹脂からなる厚さ約０．１ｍｍのシートを、エポキシ系その他の透明な反応性硬化樹脂、もしくは紫外線硬化性の透明な樹脂を主成分とする接着剤を用いて、前記中間層１５の上に接着してもよい。
【００２６】
次に、本発明の実施形態の光情報記録媒体１０の実施例について説明する。（実施例１）ガラス原盤上にスピンコート法によってフォトレジスト（感光剤）をそれぞれ所定の厚さで塗布してレジスト膜を形成し、カッティング装置のレーザ光により所定の露光幅寸法となるように露光した後、得られたガラス原盤上に現像液を滴下し、現像処理して、ディスク状の光情報記録媒体の基板の溝に対応した凹凸のレジストパターンを形成した。次に、このガラス原盤上にめっき処理によりニッケルを析出させ、これを剥離し、外形をディスク形状にトリミングしてスタンパを得た。次に、このスタンパを射出成型装置のキャビティ内にセットし、キャビティ内にポリカーボネート樹脂を注入して、一方の主面に螺旋状の溝を有する基板１１を得た。この基板１１の前記螺旋状の溝１２が形成された主面上にスパッタ装置を用いてＡｇ合金を一様な厚みでスパッタして、前記基板１１の溝１２が形成された主面と接する側とは反対側の表面に前記基板１１の溝１２に対応する螺旋状のグルーブ１３ｂを備えた厚さ１００ｎｍの光反射層１３を設けた。さらにこの基板上に厚さ６０ｎｍになるように、前記一般式１に示すアゾ系の有機色素を含有する色素溶液をスピンコート法により塗布し、乾燥して、光記録層１４を形成した。次に、この基板上に、Ｎｂ２Ｏ５−Ａｌ２Ｏ３系の複合酸化物からなり、該複合酸化物における前記Ｎｂ２Ｏ５の比率が５５ｍｏｌ％のターゲット（ターゲットのバルク抵抗値：１．４Ω・ｃｍ）を用い、ＲＦスパッタ装置のスパッタ電力を２．０ｋＷの条件でスパッタリングして、Ｎｂ２Ｏ５−Ａｌ２Ｏ３系の複合酸化物からなり、該複合酸化物における前記Ｎｂ２Ｏ５の比率が約５５ｍｏｌ％の厚さ２５ｎｍの中間層１５を形成した。次に、この基板上に紫外線硬化性樹脂をスピンコートし、ＵＶ照射により硬化させ、厚さ０．１ｍｍのカバー層１６を形成して光情報記録媒体１０を作成した。
【００２７】
作成した光情報記録媒体１０の外観を前記カバー層１６側から目視で観察した結果、異常放電に起因する傷跡等は見当たらなかった。また、前記光情報記録媒体１０を波長４０５ｎｍ，ＮＡ＝０．８５のレーザ光学系を搭載したパルステック工業株式会社製の光記録媒体評価装置「ＯＤＵ−１０００」にセットし、５．５ｍＷのパワーで１−７変調されたランダム信号（２Ｔ〜８Ｔ）を記録し、０．３５ｍＷのパワーで再生して電気特性のジッター特性を評価した。この時、線速は９．８４ｍ／ｓで、記録時のレーザの発光パターンを最適化して行った。尚、ジッター特性は、上記光記録媒体評価装置を使用して測定し、その結果は、６．５％であった。尚、このとき、成膜速度は３．４３ｎｍ／ｓｅｃであり、放電中も安定していた。
【００２８】
（実施例２）上記中間層の形成時、Ｎｂ２Ｏ５−Ａｌ２Ｏ３系の複合酸化物からなり、該複合酸化物における前記Ｎｂ２Ｏ５の比率が５８ｍｏｌ％であるターゲット（ターゲットのバルク抵抗値：１．２Ω・ｃｍ）を用いて、Ｎｂ２Ｏ５−Ａｌ２Ｏ３系の複合酸化物からなり、該複合酸化物における前記Ｎｂ２Ｏ５の比率が５８ｍｏｌ％である中間層を形成したこと以外は、実施例１と同様にして実施例２の光情報記録媒体を作成し、上記と同様に評価を行った。この結果、外観は上記実施例１と同様に、異常放電に起因する傷跡等は見当たらなかった。また、ジッター特性は、６．８％であった。尚、このとき、成膜速度は３．４０ｎｍ／ｓｅｃであり、放電中も安定していた。
【００２９】
（実施例３）上記中間層の形成時、Ｎｂ２Ｏ５−Ａｌ２Ｏ３系の複合酸化物からなり、該複合酸化物における前記Ｎｂ２Ｏ５の比率が５３ｍｏｌ％であるターゲット（ターゲットのバルク抵抗値：３．０Ω・ｃｍ）を用いて、Ｎｂ２Ｏ５−Ａｌ２Ｏ３系の複合酸化物からなり、該複合酸化物における前記Ｎｂ２Ｏ５の比率が５３ｍｏｌ％である中間層を形成したこと以外は、実施例１と同様にして実施例３の光情報記録媒体を作成し、上記と同様に評価を行った。この結果、外観は上記実施例と同様に、異常放電に起因する傷跡等は見当たらなかった。また、ジッター特性は、６．８％であった。尚このとき、成膜速度は３．５５ｎｍ／ｓｅｃであり、放電中も安定していた。
【００３０】
（比較例１）上記中間層の形成時、Ｎｂ２Ｏ５−Ａｌ２Ｏ３系の複合酸化物からなり、該複合酸化物における前記Ｎｂ２Ｏ５の比率が６５ｍｏｌ％であるターゲット（ターゲットのバルク抵抗値：０．４Ω・ｃｍ）を用いて、Ｎｂ２Ｏ５−Ａｌ２Ｏ３系の複合酸化物からなり、該複合酸化物における前記Ｎｂ２Ｏ５の比率が６５ｍｏｌ％である中間層を形成したこと以外は、実施例１と同様にして比較例１の光情報記録媒体を作成し、上記と同様に評価を行った。この結果、外観を観察したところ、光情報記録媒体試料１０枚中１０枚で異常放電に起因すると思われる傷跡（例えば、幅７ｍｍ、長さ５ｍｍ）が発見された。また、ジッター特性は７．５％であった。
【００３１】
（比較例２）上記中間層の形成時、Ｎｂ２Ｏ５−Ａｌ２Ｏ３系の複合酸化物からなり、該複合酸化物における前記Ｎｂ２Ｏ５の比率が７０ｍｏｌ％であるターゲット（ターゲットのバルク抵抗値：１．０Ｅ＋０８Ω・ｃｍ（絶縁体））を用いて、Ｎｂ２Ｏ５−Ａｌ２Ｏ３系の複合酸化物からなり、該複合酸化物における前記Ｎｂ２Ｏ５の比率が７０ｍｏｌ％である中間層を形成したこと以外は、実施例１と同様にして比較例２の光情報記録媒体を作成し、上記と同様に評価を行った。この結果、成膜速度は０．９０ｎｍ／ｓｅｃであり、前記実施例に比べて著しい低下が見られ、生産性を考慮すると現実的ではない。
【００３２】
（比較例３）上記中間層の形成時、Ｎｂ２Ｏ５−Ａｌ２Ｏ３系の複合酸化物からなり、該複合酸化物における前記Ｎｂ２Ｏ５の比率が５０ｍｏｌ％であるターゲット（ターゲットのバルク抵抗値：１．０Ｅ＋０８Ω・ｃｍ（絶縁体））を用いて、Ｎｂ２Ｏ５−Ａｌ２Ｏ３系の複合酸化物からなり、該複合酸化物における前記Ｎｂ２Ｏ５の比率が５０ｍｏｌ％である中間層を形成したこと以外は、実施例１と同様にして比較例３の光情報記録媒体を作成し、上記と同様に評価を行った。この結果、成膜速度は０．８０ｎｍ／ｓｅｃであり、前記実施例に比べて著しい低下が見られ、生産性を考慮すると現実的ではない。
【００３３】
次に、本発明の光情報記録媒体の第２の実施形態について図４を用いて説明する。図４は、第２の実施形態の光情報記録媒体２０の内部構造を示す部分拡大断面図である。
【００３４】
上記第１の実施形態の光情報記録媒体１０においては、前記カバー層１６が単層構造であったが、本発明はこれに限定するものではなく、例えば、図４に示すようにカバー層２６が、光透過性の第１の樹脂層２６ａと、同じ
く光透過性の第２の樹脂層２６ｂとの２層構造からなるものであってもよい。また、このとき、前記第１の樹脂層２６ａが紫外線硬化性の接着剤層であり、前記第２の樹脂層２６ｂがポリカーボネート製の厚さ０．１ｍｍ未満（例えば、０．０７５ｍｍ）のシートであってもよい。この場合、前記第１の樹脂層２６ａと前記第２の樹脂層２６ｂとを合計した厚さは、０．１ｍｍであることが好ましい。
【００３５】
本実施形態の光情報記録媒体２０が先の第１の実施形態の光情報記録媒体１０と異なる点は、前記カバー層２６が、光透過性の第１の樹脂層２６ａと、同じく光透過性の第２の樹脂層２６ｂとの２層構造からなることにあり、その他の点は先の第１の実施形態と同様であるため説明を省略する。
【図面の簡単な説明】
【００３６】
【図１】本発明の光情報記録媒体の第１の実施形態の全体構造を示す平面図である。
【図２】上記第１の実施形態の光情報記録媒体の上記図１において破線で囲まれるＢの領域の内部構造を示す部分拡大断面図である。
【図３】上記第１の実施形態の光情報記録媒体にレーザ光照射によりピットを形成した状態を示す部分拡大断面図である。
【図４】本発明の光情報記録媒体の第２の実施形態の内部構造を示す部分拡大断面図である。
【図５】背景技術の光情報記録媒体を示す部分拡大断面図である。
【符号の説明】
【００３７】
１０：光情報記録媒体１１：基板１２：溝１３：光反射層１３ａ：ランド１３ｂ：グルーブ１４：光記録層１５：中間層１６：カバー層１７：ピット２０：光情報記録媒体２１：基板２２：溝２３：光反射層２３ａ：ランド２３ｂ：グルーブ２４：光記録層２５：中間層２６：カバー層２６ａ：第１の樹脂層２６ｂ：第２の樹脂層
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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