(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
同じ基板（１０６）上に製作された少なくとも２つの光電子コンポーネント（１０２、１０４）からなる集積光電子装置（１０１）であって、前記光電子コンポーネントの２つ（１０２、１０４）が、電気的分離領域（１１８）によって分離され、導波路（１１４）によって前記分離領域を横切って光学的に結合され、かつ、前記コンポーネント（１０２、１０４）を動作させるために、オーム接点（１２４、１２８；１２６、１３０）が形成される接触層（１１６）によって被われていることからなり、前記２つの光電子コンポーネント（１０２、１０４）を電気的に互いに分離するために、前記接触層（１１６）が前記分離領域（１１８）を通って延在し、前記分離領域（１１８）から延びる接地接触部（１４０、１４２、１４６）を介して前記分離領域（１１８）内の前記接触層（１１６）が接地されることからなる、集積光電子装置。
【請求項２】
前記２つの光電子コンポーネントの一方（１０２）がレーザーダイオードであり、前記２つの光電子コンポーネントのもう一方（１０４）が前記レーザーダイオード（１０２）の出力を変調する変調器であることからなる、請求項１の集積光電子装置（１０１）。
【請求項３】
前記接触層（１１６）が、パッシベーション層（１２２）によって被覆されており、このパッシベーション層が、接触が行なわれる接触ウィンドウ（１２４、１２６、１４０）を備えることからなる、請求項１または２の集積光電子装置（１０１）。
【請求項４】
集積光電子装置（１０１）であって、該装置が接地面（１０６）を備えており、前記接触層（１１６）からの接地接触（１４０、１４２、１４６）が前記接地面に対してなされることからなる、請求項１〜３のいずれかの集積光電子装置（１０１）。
【請求項５】
集積光電子装置（１０１）であって、前記接地面（１０６）への前記接地接触のために、該装置に接触ウィンドウ（１４２）が設けられていることからなる、請求項４の集積光電子装置（１０１）。
【請求項６】
集積光電子装置（１０１）であって、パッシベーション層（１２２）が、該装置上を延び、前記ウィンドウ（１４２）が、前記パッシベーション層（１２２）を貫いて該装置内へ延びることからなる、請求項５の集積光電子装置（１０１）。
【請求項７】
前記光電子コンポーネント（１０２、１０４）の少なくとも一方が、前記接地面（１０６）によって接地されることからなる、請求項４〜６のいずれかの集積光電子装置（１０１）。
【請求項８】
前記接触（１２４、１２８；１２６、１３０；１４０、１４６）が、それぞれ、被着された導電層（１２８、１３０、１４６）によってなされることからなる、請求項１〜７のいずれかの集積光電子装置（１０１）。
【請求項９】
前記被着された導電層（１２８、１３０、１４６）が、１つ以上のウィンドウ（１２４、１２６、１４０）を覆うことからなる、請求項５または６を引用する場合の請求項８の集積光電子装置（１０１）。
【請求項１０】
前記接触層（１１６）によって、光電子コンポーネント（１０２、１０４）と前記接地接触部（１４０、１４２、１４６）との間に少なくとも１ｋΩの抵抗が生じることからなる、請求項１〜９のいずれかの集積光電子装置（１０１）。
【請求項１１】
前記接触層（１１６）が三元キャップ層であることからなる、請求項１〜１０のいずれかの集積光電子装置（１０１）。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、一般に、２つ以上の活性領域が、例えば、導波路によって光学的に結合されている、集積光電子装置内におけるコンポーネントの電気的分離に関するものである。本発明は、とりわけ、光ファイバ遠隔通信リンクのためのモノリシック集積光電子送信装置における分布帰還形（ＤＦＢ）レーザーダイオードと電子吸収（electro-absorption（ＥＡ））変調器の分離に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
光電子集積化によって、低コストで、信頼できる、コンパクトなコンポーネント、温度及び機械的安定性の改善、及び、コンポーネント間の確実なアライメントが可能になる。光ファイバ通信用の送信装置の分野において、例えば、埋め込みヘテロ構造またはリッジストライプ（ridge stripe）をなす、変調器を備えたレーザーダイオードの集積化は、何年も前に実現された。例えば、ＧａＡｓから製作された装置に関連した、Appl. Phys. Lett., vol. 22, pp242-243, 1986におけるS.Tarucha及びH.Okamotoによる論文を参照されたい。今日では、１．５５μｍにおける動作を実現するため、こうした集積光電子送信装置は、通常、ｐ++のＧａＩｎＡｓ三元層（ternary layer）すなわちキャップ層がかぶせられたｐ+のＩｎＰ活性層を含むいくつかの層が成長させられる、ｎ++のＩｎＰ基板から成長したウェーハ上に製作される。キャップ層は、比較的抵抗が小さく、従って、電気接触を行うことが可能な接触層の働きをする。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】
理想的には、レーザーダイオードから出力される光は、安定した波長及び強度を備えているべきである。しかし、こうした構造の集積化された性質及びコンポーネントの物理的近接性のため、レーザーダイオードと変調器間における電気抵抗（本明細書では、分離抵抗と呼ぶ）は、ｐ接触材料の導電率及び接触部の分離距離に応じて、約１〜１０ｋΩになる。従って、変調器の変調に用いられる電気信号がレーザーダイオードに悪影響を及ぼして、波長及び／または強度のシフトを生じさせる可能性がある。従って、分離抵抗は、少なくとも数１００ｋΩ、できれば、数ＭΩまで増大させる必要がある。
【０００４】
この電気的分離の問題を取り扱うため、いくつかのアプローチが提案されている。アプローチの１つは、三元キャップ層にエッチングを施すことである。これによって、分離抵抗だけが約１０〜２０ｋΩに増大する。こうしたエッチングは、レーザーダイオードと変調器間の光導波路の妨げにはならないが、これは、不十分な分離である。
【０００５】
十分な分離を実現する方法の１つが、Journal of Lightwave Technology,vol.6,pp.779-785におけるM.Suzukiらによる論文に開示されている。エッチングによってキャップ層と活性層の両方を除去することにより、分離領域が、ＤＦＢレーザーダイオードとＥＡ変調器の間にストライプ状に形成される。次に、活性層のギャップに、ＳｉＮパッシベーション薄膜（passivating SiN film）及びポリイミドが充填される。２．５ＭΩの比較的大きい分離抵抗が得られるが、このアプローチは、レーザーダイオードと変調器の間の光導波路に食い込んで、装置の光学効率に悪影響を及ぼしたり、あるいは、望ましくない内部反射により、コンポーネント間の結合を弱めたりする可能性が生じるという欠点がある。
【０００６】
キャップ層及び活性層をエッチングで除去することなく、また、装置の光学性能に悪影響を及ぼすことなく、高度の電気的分離を実現するもう１つの方法は、レーザーダイオードと変調器の間の領域への深いプロトン注入を利用することである。M.Aoki及びH.Sanoが、「OFC' 95 Optical Fiber Communication, Summaries of Papers Presented at the Conference on Optical Fiber Communication,vol. 8,pp25-26, pub. Optical Society of America 1995」において、この技法によって、１ＭΩを超える電気的分離を実現することが可能であると報告している。このアプローチは、１０ＭΩまでの分離抵抗を実現することが可能であると信じられている。しかし、こうした集積光電子装置の製作に関連した他のプロセスステップには、こうしたプロトンまたはイオンの注入を必要とするものがなく、従って、このアプローチでは、追加品目となる極めて高価な生産装置に投資する必要が生じる。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
本発明によれば、同じ基板に製作された少なくとも２つの光電子コンポーネントからなる集積光電子装置が得られる。コンポーネントの２つは、電気的分離（絶縁）領域によって分離され、導波路によって分離領域を横切って光学的に結合され、これらのコンポーネントを動作させるためにオーム接点（ohmic contact）が形成される接触層によって被われているが、この接触層が、分離領域の接触層を接地（アース）させ、これによって、２つのコンポーネントを電気的に互いに分離するための、接地接触（grounding cntact）がなされる分離領域まで延びていることが特徴である。
【０００８】
こうして、接地接触によって、前記２つのコンポーネントの一方から、前記コンポーネントのもう一方の性能に悪影響を及ぼす可能性のある漂遊電流を排出することが可能になる。コンポーネントの一方がレーザーダイオードであり、もう一方のコンポーネントが、例えば、ＥＡ変調器のような、レーザーダイオードの出力を変調するための変調器である場合、別の方法で絶えずバイアスをかけられているレーザーダイオードの波長または強度のチャーピング（chirping）を阻止するため、変調周波数における漂遊変調電流を接地接触部に排出することが可能である。
【０００９】
一方のコンポーネントからもう一方のコンポーネントに電流が流れないようするのを容易にするため、接触層を少なくとも部分的に破壊または切断することが可能である。しかし、接触層は、前記２つのコンポーネント間の分離領域において連続して延びていることが望ましい。
【００１０】
本発明の望ましい実施態様の場合、装置の環境保護を施すため、パッシベーション層によって、キャップ層が被覆される。パッシベーション層には、それを介して接触を行う接触ウィンドウを設けることが可能である。
【００１１】
一般に、集積装置は、例えば、基板、または、基板上に成長させられた層といった、接地面を備えている。多くの場合、装置は、基板が接地面になるように製作される。これにより、キャップ層からの接地接触を接地面に対して行うことが可能になる。基板に対して接触ウィンドウが設けられる場合、好都合なことに、このウィンドウを介して、接地面への接地接触を行うことが可能になる。しかし、例えば、ワイヤまたは、他の適合する何らかの接地点（grounding point）によって、接地接触を行うことも可能である。接地面は、必ずしも、大地に対してゼロボルトである必要はなく、１つ以上のコンポーネントから漂遊電流を排出するのに適した、コンポーネントに対する電位になる。しかし、少なくとも１つのコンポーネントが、接地面によって接地される場合もあり得る。
【００１２】
パッシベーション層が装置をおおって延びる場合も多く、本発明の望ましい実施態様の場合、この装置のパッシベーション層は、キャップパッシベーション層と連続している。さらに、基板に対するウィンドウは、接地面への便利な経路を設けるため、装置のパッシベーション層を貫いて延びることも可能である。
【００１３】
ワイヤを利用せずに、導電層を被着させることによって、１つ以上の接触部を製作するのが好都合な場合もあり得る。さらに、この被着された導電層は、１つ以上のウィンドウをおおうことが可能である。接触部が接触ウィンドウの全てを完全におおうように、接触部を被着させるのが望ましい。従って、被着された導電層は、そうでなければ前述のパッシベーション層によっては保護されないウィンドウ領域において、ある種のパッシベーション層の働きをすることが可能である。
【００１４】
例えば、抵抗損による過熱を防止するため、あるいは、コンポーネントの電圧降下を回避するため、接地接触によって排出される漂遊電流を制限するのが望ましい場合もある。従って、接地への電流経路に沿って抵抗を設けることが可能である。この抵抗の少なくとも一部は、キャップ層によってうまい具合に得られるようにすることができ、このキャップ層は、コンポーネントと接地接触部の間に少なくとも１ｋΩを生じさせる、キャップ層の材料によって決まる寸法を備えるように製作することが可能である。
【００１５】
次に、１例をあげて、添付の図面を参照しつつ本発明について説明する。
【００１６】
【発明の実施の形態】
図１には、２つのコンポーネント、すなわち、１．５５μｍで動作する高速光ファイバリンクにおける送信器として用いるのに適した、ＤＦＢレーザーダイオード２及びＥＡ変調器４からなる従来技術による集積光電子装置１が、一律の縮尺に従わずに示されている。現在では、高速リンクは、２．５〜１０ギガビット／秒で動作し、実験室では、４０ギガビット／秒までのビット転送速度が実証されている。
【００１７】
装置１は、約１０18／ｃｃまでドーピングされた、厚さ２μｍのｎ+のＩｎＰバッファ層８がその上に成長させられた、約１０19／ｃｃまでドーピングされたｎ++のＩｎＰ基板６から、ウェーハの形をなすように成長させられる。レーザーダイオードは、厚さが約１００ｎｍ〜３００ｎｍのＩｎxＧａ1-xＡｓ1-yＰy活性層１０を備えており、これに、ｐ+のＩｎＰから形成される、本明細書で「クラッディング」層と呼ぶ、もう１つのバッファ層１２がかぶせられる。ｎ+のＩｎＰバッファ層またはｐ+のＩｎＰキャップ層に、レーザーダイオード用のＤＦＢグレーティングを含めることも可能である。ＤＦＢレーザー及びＥＡ変調器の活性領域は、通常、多重量子井戸（ＭＱＷ）構造から構成される。ＭＱＷ構造は、電界の印加によって、変調器の吸収端をより長い波長に向かってシフトさせることが可能な（量子閉じ込めによるシュタルク効果）、変調器セクションにおいてとりわけ有利である。
【００１８】
変調器の出力ファセット９は、ファセットの良好な透過のため、反射防止コーティングを施されており、レーザーダイオードの背面側ファセット１１は、反射コーティングを施すか、または、コーティングを施さないままとすることが可能である。
【００１９】
クラッディング層すなわち上方バッファ層１２が、約２μｍの厚さまで成長させられ、その上に、１００ｎｍ〜２００ｎｍの厚さのキャップ層が被着させられる。キャップ層は、レーザーダイオード２に対する電気接続に関して良好な低抵抗のオーム接点を形成するために、約１０19／ｃｃまで多量にドーピングしたｐ++のＧａＩｎＡｓから形成される。次に、ウェーハには、周知の製作技法を利用して、酸化層のコーティング、この場合、プラズマ促進化学蒸着（ＰＥＣＶＤ）プロセスによって被着させられるＳｉＯ2のコーティング（不図示）が施される。この酸化層には、フォトリソグラフィ（写真平版）によるパターン形成、及び、ドライエッチングが施されて、キャップ層１６、及び、３μｍ幅のリッジストライプ１４に沿った部分を除く、２００ｎｍのバッファ層以外の全てが除去される。従って、リッジストライプ１４は、まわりの表面から約２μｍほど上に隆起する。最後に、ＰＥＣＶＤ酸化層が、リッジストライプから除去され、再び、キャップ層１６が露出する。
【００２０】
リッジストライプ１４には、リッジストライプ（以下では、ストライプとも記載）１４の下の活性領域１７に沿って光学モード１５をガイドする効果がある。
【００２１】
リッジストライプ１４は、レーザーダイオード２から、分離領域１８を通り、ＥＡ変調器４に向かって延びる。ＥＡ変調器は、バイアスのかけられていない変調器の吸収端が、レーザーダイオードの利得極大及び発光波長よりも短い波長（一般に、３０ｎｍ〜１００ｎｍ短い）にあるということを除けば、レーザーダイオードについて説明した構造と同様の構造を備えている。
【００２２】
分離領域１８には、キャップ層１６、及び、必要があれば、上方ｐ+のＩｎＰバッファ層１２の上部を完全に除去するため、上述のプロセスと同様のプロセスでエッチングを施されたギャップ２０が設けられている。このギャップ２０のエッチングは、ストライプ１４の下を延びる活性領域１７によってガイドされる光を反射して妨害する深さには至らない。リッジ導波路の光学特性に悪影響を及ぼすことなく、分離抵抗を最大にする必要があるため、また、コンポーネント２、４間においてフォトリソグラフィックパターンとリッジ１４のアライメントをとる必要もあるため、ギャップの位置決め及びエッチングは、極めてクリティカルなプロセスである。生産環境において、このアライメントを実現するのは非常に困難である。こうして形成される分離領域１８によって、レーザーダイオード２及び変調器４の間の分離抵抗はほぼ２倍になる。プロトン注入を利用して、この分離抵抗をさらに１〜１０ＭΩまで増大させることも可能である。
【００２３】
次に、キャップ層１６、リッジストライプ１４の側部、及び、周囲の上方バッファ層１０には、ＰＥＣＶＤ酸化層２２、この場合、ＳｉＯ2層のコーティングが施される。これに上述のプロセスと同様のプロセスでパターン形成及びエッチングを施すことによって、リッジストライプ１４に２つの接触ウィンドウ、すなわち、レーザーダイオードの上方のウィンドウ２４、及び、変調器の上方のウィンドウ２６が開けられる。
【００２４】
２段階式の周知の技法を用いて、装置１に金属が真空蒸着される。まず、リフトオフプロセス（lift-off process）を用いてＴｉＰｔ層にパターン形成をし、次に、ＴｉＡｕ層に最終被着を施し、その後に、フォトリソグラフィによって形成された領域に金属ウェットエッチング（metal wet etch）を施す。残ったＴｉＡｕ層によって、接触ウィンドウ２４、２６を被覆する２つの接触部２８、３０を形成して、キャップ層を介してレーザーダイオード２及び変調器４とに良好にオーム接点が形成される。電気的には接続しないが、リッジストライプ１４を物理的に保護するために、パッド（不図示）にメッキを施すことが可能な他の６つの金属被覆領域３１〜３６も形成される。
【００２５】
例示されていないが、基板６は、従来のやり方でヒートシンクにハンダ付けされる。
【００２６】
従来技術による装置１は、長さが（すなわち、リッジ１４の方向において）約７００μｍであり、幅が約３００μｍである。レーザーダイオード２、ギャップ分離領域１８、及び変調器の長さは、それぞれ、約４５０μｍ、５０μｍ、及び、２００μｍである。
【００２７】
図２及び３には、本発明による集積光電子装置１０１が一律の縮尺に従わずにに示されている。この装置１０１は、上述の従来技術による装置１と類似しており、従って、同様な機能部には１００を加えた参照番号をつけて示している。
【００２８】
装置１０１は、長さが約７０μｍの分離領域１１８を備えており、従って、従来技術による分離領域１８よりもわずかに長い。これによって、２つのコンポーネント（ここでは、レーザーダイオード１０２と変調器１０４）の間に延びる連続した接触層（ここでは、キャップ層）１１６に対して分離接触ウィンドウ１４０を形成するのに十分なスペースが得られる。分離接触ウィンドウ１４０は、コンポーネント１０２、１０４のための接触ウィンドウ１２４、１２６と同じやり方で、同時に形成される。これは、上述の分離ギャップの形成よりもはるかに便利であり、接触ウィンドウのアライメントとは別個のプロセスステップで、分離領域のアライメントをとる必要がなくなる。
【００２９】
接触ウィンドウ及び分離ウィンドウのエッチングに先行する、独立したプロセスステップにおいて、基板に対する接地接触ウィンドウ１４２が装置に形成され、バッファ層１０８、１１２、活性層１１０を貫いて、厚さ１００μｍの基板１０６に約２μｍだけ食い込む。この段階で、基板は、コンポーネント１０２、１０４にとって有効な接地平面になる。さらに、キャップ層及びリッジの両側表面に対するＰＥＶＣＤ酸化層１２２の被着中に、接地接触ウィンドウ１４２の側部１４４及びベース（不図示）も、この酸化層によって被覆される。次に、接地接触ウィンドウ１４２のベースを被覆する酸化物が、接触ウィンドウ１２４、１２６、及び、分離接触ウィンドウ１４０を開けるのと同じプロセスステップによって除去される。
【００３０】
製作のある段階において、ＴｉＰｔ／ＴｉＡｕ導体１４６は、コンポーネント導体１２８、１３０の被着と同時に、分離接触ウィンドウ１４０と接地接触ウィンドウ１４２の間に被着させられる。１０μｍのギャップによって、導体１２８、１３０が接地導体１４６から分離される。この方法は、追加プロセスステップを必要としないので、極めて好都合である。しかし、特定の処理条件下でつくられた装置の場合、ＴｉＰｔとｎ++の基板の間の接合は、ショットキーダイオードのように作用するということが観測されている。従って、リッジストライプから離れた導体１４６の一部を、ＡｕＧｅＮｉまたはＡｕＳｎ合金の単一層とは別個のプロセスステップで形成すれば、それが望ましい。
【００３１】
分離接触ウィンドウ１４０から接地接触ウィンドウ１４２まで、導体１４６を被着させる以外に、例えば、分離接触ウィンドウに結合された自立型接地ワイヤを用いて、接地経路を設けることが可能であるが、上述の集積構造は、変調によって誘発される極めて周波数の高い（１〜１０ＧＨｚのオーダの、あるいは、それを超える場合さえある）漂遊電流の伝導を容易にするので、とりわけ有利であると考えられる。
【００３２】
上述の装置は、比較的集積密度が低い。リッジの左側の領域によって与えられる十分なスペース（図示のように）のため、接地接触ウィンドウ１４２は、接触ウィンドウ１２４、１２６、及び、分離接触ウィンドウ１４０に比べて比較的大きくすることが可能である。この例の場合、接地接触ウィンドウは、（リッジ１４の方向において）幅が５０μｍで、長さが１００μｍである。従って、他の機能部に対する接地接触ウィンドウのアライメントは、従来技術による装置のキャップ層のギャップ２０のアライメントほどクリティカルではない。さらに、接地接触ウィンドウの深さは、基板（以下では、接地面となる基板の意味で基板アースとも記載）１０６における良好な接地経路を得るためには、クリティカルではない。この実施態様の装置は、従って、生産環境に極めてうまく適合する。
【００３３】
次に図３を参照すると、Ａｕ接触パッド１５８が、金属被覆領域１２８にメッキされ、金属保護パッド１６２、１６３、１６５、１６６が、金属被覆領域１３２、１３３、１３５、１３６にメッキされる。接触パッド１５８は、レーザーダイオードの初期テストを容易にするためだけに設けられている。テスト後、装置は、単一モード光ファイバを球面レンズと共に変調器１０４の出力ファセットに結合し、金の結合ワイヤを金属被覆領域１２８及び１３０にハンダ付けして、工業規格パッケージ（不図示）に実装することが可能である。
【００３４】
便宜上、図４では、同等の回路構成要素を一般的に表すため、上記で用いられているのと同じ参照番号を使用している。図４には、分離領域１１８が、変調器１０４による電気的妨害から安定したレーザーダイオード１０２を分離するのにどのように役立っているかが電気的に示されている。
【００３５】
レーザーダイオードには、約１．６ＶのＶLDによる順バイアスがかけられ、変調器には、１０ギガビット／秒まで、または、それ以上で、−０．５Ｖ（透過性）と−２．０Ｖ（吸収性）の間で変調される、変調ＶMによる逆バイアスがかけられる。分離機能がなければ、約０．５ｍＡ〜０．９ｍＡの間で変動する、レーザーダイオード１０２から変調器１０４への漂遊電流によって、レーザーの波長または強度のチャーピングが生じるだろう。
【００３６】
レーザーダイオード１０２と変調器１０４の間の連続したキャップ層１１６によって、分離ウィンドウへ、さらに、導体１４６を介して基板アース１０６に至る比較的抵抗の小さい経路Ｒiが形成される。抵抗率が５×１０-4（キャップ層よりも約１０倍高い）のクラッディング層すなわち上方バッファ層１１２における漂遊電流が、やはり、コンポーネント１０２、１０４間のキャップ層１１６に向かって引き出され、そこから基板アース１０６に排出される。本例の場合、Ｒi値は約２〜３ｋΩが望ましい。約１ｋΩ未満のＲi値は、レーザーダイオードの過度の加熱を起こし、レーザーダイオードの波長シフトにつながる可能性がある。
【００３７】
本発明の説明は、特に、ＥＡ変調器と直線的に配列したＤＦＢレーザーダイオードの例に関して行ってきたが、本発明は、１つのコンポーネントからの漂遊電流をもう１つのコンポーネントから分離する必要のある、基板にモノリシックに集積された、任意の対をなす、または、任意の数の光電子コンポーネントに適用可能である。例えば、光増幅器または光変調器の場合、例えば、Ｙ字形接合部において２つの導波路に分割される光導波路が、「Ｙ」字形をなす２つまたは３つのアーム部において電気的に駆動または変調される光学的活性領域を備えている可能性がある。従って、３つのアームの接合部に、２つまたは３つの光学的活性領域を電気的に分離する分離領域を設けることが望ましい場合があり得る。
【００３８】
光学的に結合されたコンポーネント間を電気的に分離する必要のある光電子装置のもう１つの例が、同調可能なＤＦＢレーザーダイオードである。これらは、同調可能ブラッグ回折格子セクション（Bragg grating section）が定常状態増幅セクションに隣接している、２つまたは３つのインラインセクションから形成することが可能である。
【００３９】
以下においては、本発明の種々の構成要件の組み合わせからなる例示的な実施態様を示す。
【００４０】
１．同じ基板（１０６）上に製作された少なくとも２つの光電子コンポーネント（１０２、１０４）からなる集積光電子装置（１０１）であって、前記コンポーネントの２つ（１０２、１０４）が、電気的分離領域（１１８）によって分離され、導波路（１１４）によって前記分離領域を横切って光学的に結合され、前記コンポーネント（１０２、１０４）を動作させるために、オーム接点（１２４、１２８；１２６、１３０）が形成される接触層（１１６）によって被われていることからなり、前記分離領域（１１８）の該接触層（１１６）を接地させて、これによって、前記２つのコンポーネント（１０２、１０４）を電気的に互いに分離するために、前記接触層（１１６）が、接地接触（１４０、１４２、１４６）がなされる前記分離領域（１１８）まで延びていることを特徴とする集積光電子装置。
【００４１】
２．前記接触層（１１６）が、前記２つのコンポーネント（１０２、１０４）の間を連続して延びていることからなる上項１の集積光電子装置（１０１）。
【００４２】
３．前記２つのコンポーネントの一方（１０２）がレーザーダイオードであり、前記２つのコンポーネントのもう一方（１０４）が前記レーザーダイオード（１０２）の出力を変調する変調器であることからなる上項１または２の集積光電子装置（１０１）。
【００４３】
４．前記接触層（１１６）が、パッシベーション層（１２２）によって被覆されており、このパッシベーション層が、接触が行なわれる接触ウィンドウ（１２４、１２６、１４０）を備えることからなる上項１〜３のいずれかの集積光電子装置（１０１）。
【００４４】
５．集積光電子装置（１０１）であって、該装置が接地面（１０６）を備えており、前記接触層（１１６）からの接地接触（１４０、１４２、１４６）が前記接地面に対してなされることからなる上項１〜４のいずれかの集積光電子装置（１０１）。
【００４５】
６．集積光電子装置（１０１）であって、前記接地面（１０６）への前記接地接触のため、該装置に接触ウィンドウ（１４２）が設けられていることからなる上項５の集積光電子装置（１０１）。
【００４６】
７．集積光電子装置（１０１）であって、パッシベーション層（１２２）が、該装置上を延び、前記ウィンドウが、前記パッシベーション層（１２２）を貫いて該装置内へ延びることからなる上項６の集積光電子装置（１０１）。
【００４７】
８．前記コンポーネント（１０２、１０４）の少なくとも一方が、前記接地面（１０６）によって接地されることからなる上項５〜７のいずれか１つの集積光電子装置（１０１）。
【００４８】
９．前記接触（１２４、１２８；１２６、１３０；１４０、１４６）が、それぞれ、被着された導電層（１２８、１３０、１４６）によってなされることからなる上項１〜８のいずれかの集積光電子装置（１０１）。
【００４９】
１０．前記被着された導電層（１２８、１３０、１４６）が、１つ以上のウィンドウ（１２４、１２６、１４０）を被覆していることからなる上項６または７に従属する場合の、上項９の集積光電子装置（１０１）。
【００５０】
１１．前記接触層（１１６）によって、コンポーネント（１０２、１０４）と前記接地接触部（１４０、１４２、１４６）との間に少なくとも１ｋΩの抵抗が生じることからなる上項１〜１０のいずれかの集積光電子装置（１０１）。
【００５１】
１２．前記接触層（１１６）が三元キャップ層であることからなる上項１〜１１のいずれかの集積光電子装置（１０１）。
【００５２】
【発明の効果】
本発明による光電子装置によれば、集積光電子コンポーネントを電気的に分離する便利で経済的な手段が得られる。必要なプロセスステップは、こうした装置の製作に利用される他の標準的なステップと同様なものとすることが可能である。イオンビーム注入装置のような、他のステップで用いられない高価な処理装置を追加する必要がない。分離領域と接地接触部またはウィンドウのアライメント許容差は、従来技術による分離領域の場合に比べて緩和することが可能である。
【図面の簡単な説明】
【図１】ＥＡ変調器と直線的な配列をなすＤＦＢレーザーダイオードから構成される従来技術による集積光電子装置の斜視図である。
【図２】接地面に対する接地接触が行われる分離領域によって隔てられた、ＥＡ変調器と直線的配列をなすＤＦＢレーザーダイオードから構成される本発明による集積光電子装置の斜視図である。
【図３】装置に取り付けられたメッキパッドを示した、図２の装置の斜視図である。
【図４】接地接触が２つのコンポーネントをいかに分離するかを示す、図２及び３の装置の回路図である。
【符号の説明】
１０１  集積光電子装置
１０２  レーザーダイオード
１０４  変調器
１０６  基板
１１０  活性層
１１２  バッファ層
１１６  接触層
１１８  分離領域
１２４  接触ウィンドウ
１２６  接触ウィンドウ
１２８  コンポーネント導体
１３０  コンポーネント導体
１４０  分離接触ウィンドウ
１４２  接地接触ウィンドウ
１４６  接地導体
【図１】
0004763867.tif 000002
【図２】
0004763867.tif 000003
【図３】
0004763867.tif 000004
【図４】
0004763867.tif 000005