(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
ベース基板と、赤外線を吸収するとともに該吸収による温度変化を検知する温度検知部と、温度検知部がベース基板の一表面から離間して配置されるように温度検知部を支持して温度検知部とベース基板とを熱絶縁する断熱部と、ベース基板の前記一表面上に設けられ温度検知部および断熱部を透過した赤外線を温度検知部側へ反射する赤外線反射膜とを備え、ベース基板は、シリコン基板と当該シリコン基板の一表面側に形成された絶縁膜とで構成され、断熱部は、ベース基板の前記一表面から離間して配置されベース基板側とは反対側に温度検知部が形成される支持部と、多孔質材料により形成されてなり支持部とベース基板とを連結した脚部とを有し、支持部に当該支持部の応力を緩和する少なくとも１層の応力緩和層が積層されてなり、温度検知部は、脚部に沿って延長された配線を介してベース基板の前記一表面上の導体パターンと電気的に接続されてなり、配線は、チタン膜と当該チタン膜上の窒化チタン膜との積層膜からなり、脚部は、前記多孔質材料であるポーラスシリカにより形成されベース基板の前記一表面側に立設された円筒状の支持ポスト部と、支持ポスト部の上端部と支持部とを連結した梁部とで構成され、配線のうち支持ポスト部に形成されている部位は、支持ポスト部の内周面の全体と導体パターンの表面とに跨って形成されてなり、支持ポスト部が配線により補強されていることを特徴とする赤外線センサ。
【請求項２】
前記支持部は、多孔質材料により形成されてなることを特徴とする請求項１記載の赤外線センサ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、赤外線センサに関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来から、熱型の赤外線センサとして、温度検知部がベース基板の一表面から離間して配置され、温度検知部が当該温度検知部とベース基板とを熱絶縁する断熱部を介してベース基板に支持された赤外線センサが提案されている（例えば、特許文献１参照）。
【０００３】
上記特許文献１に開示された赤外線センサでは、断熱部が、ベース基板の上記一表面から離間して配置されベース基板側とは反対側に温度検知部が積層される支持部と、支持部の側縁から延長された２つの脚部とで構成されており、支持部とベース基板の上記一表面との間に間隙が形成され、温度検知部に接続された金属配線が各脚部それぞれに沿って形成されている。ここにおいて、上記特許文献１に開示された赤外線センサでは、断熱部が、シリコン酸化膜とシリコン窒化膜との積層膜をパターニングすることにより形成されている。また、上記特許文献１に開示された赤外線センサでは、赤外線を吸収する赤外線吸収層が温度検知部に積層されている。
【０００４】
なお、上記特許文献１には、赤外線吸収層と温度検知部とを備えたセンサ部を２次元アレイ状（マトリクス状）に配列し各センサ部が画素を構成するようにした赤外線センサ（赤外線画像センサ）も開示されている。
【特許文献１】特開２０００−９７７６５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
ところで、上記特許文献１に開示された赤外線センサでは、赤外線吸収による温度検知部の温度変化を大きくすることで高感度化を図るために、断熱部における各脚部の全長を長くして各脚部の熱コンダクタンスを小さくする（熱抵抗を大きくする）ことや、赤外線吸収層の厚さ寸法を大きくすることで赤外線の吸収効率を高めることが考えられる。
【０００６】
しかしながら、上記特許文献１に開示された赤外線センサでは、温度検知部のサイズを変更することなしに各脚部の全長を長くするように設計すると、センサ全体のサイズが大きくなってしまうとともに、各脚部の熱容量が大きくなって応答速度が低下してしまい、一方、赤外線吸収層の厚さ寸法を大きくすると赤外線吸収層の熱容量が大きくなって応答速度が低下してしまう。また、上記特許文献１に開示された赤外線センサでは、支持部が単相膜により構成されているので、支持部の応力に起因して支持部が変形してしまうことがあった。
【０００７】
本発明は上記事由に鑑みて為されたものであり、その目的は、高感度化および応答速度の高速化を図れ、且つ、支持部の応力に起因した支持部の変形を防止できる赤外線センサを提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
請求項１の発明は、ベース基板と、赤外線を吸収するとともに該吸収による温度変化を検知する温度検知部と、温度検知部がベース基板の一表面から離間して配置されるように温度検知部を支持して温度検知部とベース基板とを熱絶縁する断熱部と、ベース基板の前記一表面上に設けられ温度検知部および断熱部を透過した赤外線を温度検知部側へ反射する赤外線反射膜とを備え、ベース基板は、シリコン基板と当該シリコン基板の一表面側に形成された絶縁膜とで構成され、断熱部は、ベース基板の前記一表面から離間して配置されベース基板側とは反対側に温度検知部が形成される支持部と、多孔質材料により形成されてなり支持部とベース基板とを連結した脚部とを有し、支持部に当該支持部の応力を緩和する少なくとも１層の応力緩和層が積層されてなり、温度検知部は、脚部に沿って延長された配線を介してベース基板の前記一表面上の導体パターンと電気的に接続されてなり、配線は、チタン膜と当該チタン膜上の窒化チタン膜との積層膜からなり、脚部は、前記多孔質材料であるポーラスシリカにより形成されベース基板の前記一表面側に立設された円筒状の支持ポスト部と、支持ポスト部の上端部と支持部とを連結した梁部とで構成され、配線のうち支持ポスト部に形成されている部位は、支持ポスト部の内周面の全体と導体パターンの表面とに跨って形成されてなり、支持ポスト部が配線により補強されていることを特徴とする。
【０００９】
この発明によれば、温度検知部とベース基板とを熱絶縁する断熱部における脚部が多孔質材料により形成されているので、脚部の熱コンダクタンスを小さくできて高感度化を図れるとともに脚部の熱容量を小さくできて応答速度の高速化を図れ、一方、断熱部における支持部に当該支持部の応力を緩和する少なくとも１層の応力緩和層が積層されているので、応力に起因した支持部の変形が起こるのを防止することができるとともに支持部の材料の選択肢が多くなる。また、この発明によれば、ベース基板の前記一表面上に設けられ温度検知部および断熱部を透過した赤外線を温度検知部側へ反射する赤外線反射膜を備えているので、温度検知部での赤外線の吸収効率を高めることができ、温度検知部の高感度化を図れる。
また、この発明によれば、温度検知部は、脚部に沿って延長された配線を介してベース基板の前記一表面上の導体パターンと電気的に接続されてなり、配線は、チタン膜と当該チタン膜上の窒化チタン膜との積層膜からなり、脚部は、前記多孔質材料であるポーラスシリカにより形成されベース基板の前記一表面側に立設された円筒状の支持ポスト部と、支持ポスト部の上端部と支持部とを連結した梁部とで構成され、配線のうち支持ポスト部に形成されている部位は、支持ポスト部の内周面の全体と導体パターンの表面とに跨って形成されてなり、支持ポスト部が配線により補強されているので、脚部がシリコン酸化膜により構成される場合に比べて脚部を通した熱伝達をより抑制することができて高感度化を図れ、また、前記多孔質材料であるポーラスシリカにより形成された支持ポスト部が配線により補強される。
【００１０】
請求項２の発明は、請求項１の発明において、前記支持部は、多孔質材料により形成されてなることを特徴とする。
【００１１】
この発明によれば、前記支持部が非多孔質材料により形成されている場合に比べて、前記支持部の低熱容量化を図れ、応答速度のより一層の高速化を図れる。
【発明の効果】
【００１６】
請求項１の発明は、高感度化および応答速度の高速化を図れ、且つ、支持部の応力に起因した支持部の変形を防止できるという効果がある。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１７】
以下、本実施形態の赤外線センサについて図１を参照しながら説明する。
【００１８】
本実施形態の赤外線センサは、シリコン基板１ａと当該シリコン基板１ａの一表面側に形成されたシリコン酸化膜からなる絶縁膜１ｂとで構成される矩形板状のベース基板１と、赤外線を吸収するとともに該吸収による温度変化を検知する温度検知部３と、温度検知部３がベース基板１の一表面（図１（ｂ）における上面）から離間して配置されるように温度検知部３を支持して温度検知部３とベース基板１とを熱絶縁する断熱部４とを備えている。
【００１９】
断熱部４は、ベース基板１の上記一表面から離間して配置されベース基板１側とは反対側に温度検知部３が形成される支持部４１と、支持部４１とベース基板１とを連結した２つの脚部４２，４２とを有している。なお、断熱部４については、後述する。
【００２０】
温度検知部３は、温度に応じて電気抵抗値が変化するボロメータ形のセンシングエレメントであり、支持部４１側のチタン膜と当該チタン膜上の窒化チタン膜とからなるセンサ層で構成されている。ここで、窒化チタン膜は、チタン膜の酸化防止膜として設けてある。なお、センサ層の材料としては、チタンに限らず、例えば、アモルファスシリコン、酸化バナジウムなどを採用してもよい。また、温度検知部３は、温度に応じて電気抵抗値が変化するセンシングエレメントに限らず、温度に応じて誘電率が変化するセンシングエレメント、サーモパイル型のセンシングエレメント、焦電型のセンシングエレメントなどを採用してもよく、いずれのセンシングエレメントを採用した場合でも、材料を適宜選択することで一般的な薄膜形成技術を利用して形成することができる。ここにおいて、温度に応じて誘電率の変化するセンシングエレメントの材料としては、例えば、ＰＺＴ、ＢＳＴなどを採用すればよい。
【００２１】
温度検知部３は、平面形状が蛇行した形状（ここでは、つづら折れ状の形状）に形成されており、両端部が断熱部４の脚部４２，４２に沿って延長された配線８，８を介してベース基板１の上記一表面上の金属膜（例えば、Ａｌ−Ｓｉ膜など）からなる導体パターン１０，１０と電気的に接続されている。ここにおいて、本実施形態では、配線８，８の材料として、温度検知部３を構成するセンサ層と同じ材料を採用しており（ここでは、チタン膜と窒化チタン膜との積層膜）、配線８，８と温度検知部３とを同時に形成している。また、本実施形態では、各導体パターン１０，１０の材料としてＡｌ−Ｓｉを採用しており、各導体パターン１０，１０それぞれの一部がパッドを構成しているので、一対のパッドを通して温度検知部３の出力を外部へ取り出すことができる。
【００２２】
また、本実施形態の赤外線センサでは、ベース基板１の上記一表面上に、温度検知部３および支持部４１を透過した赤外線を温度検知部３側へ反射する赤外線反射膜６が設けられている。ここにおいて、本実施形態の赤外線センサは、検出対象の赤外線として人体から放射される８μｍ〜１３μｍの波長帯の赤外線を想定しており、赤外線吸収層５の材料としてＳｉＯＮを採用しているが、赤外線吸収層５の材料はＳｉＯＮに限らず、例えばＳｉ３Ｎ４、ＳｉＯ２、金黒などを採用してもよい。一方、赤外線反射膜６の材料としては、Ａｌ−Ｓｉを採用している。
【００２３】
上述の断熱部４における脚部４２，４２は、ベース基板１の上記一表面側において導体パターン１０，１０上に立設された２つの円筒状の支持ポスト部４２ａ，４２ａと、各支持ポスト部４２ａ，４２ａそれぞれの上端部と支持部４１とを連結した梁部４２ｂ，４２ｂとで構成されており、支持部４１とベース基板１との間に間隙７が形成されている。ここで、支持部４１の外周形状が矩形状であって、各梁部４２ｂ，４２ｂは、支持部４１の一側縁の長手方向の一端部から当該一側縁に直交する方向に延長され更に当該一側縁の上記一端部から他端部に向う方向に沿って延長された平面形状に形成されており、支持部４１の厚み方向に沿った中心軸に対して回転対称性を有するように配置されている。なお、上述の配線８，８のうち脚部４２，４２の梁部４２ｂ，４２ｂ上に形成された部位の線幅は、当該配線８，８を通した熱伝達を抑制するために梁部４２ｂ，４２ｂの幅寸法よりも十分に小さく設定してある。また、配線８，８のうち支持ポスト部４２ａ，４２ａに形成されている部位は、支持ポスト部４２ａ，４２ａの内周面の全体と導体パターン１０，１０の表面とに跨って形成されており、支持ポスト部４２ａ，４２ａが配線８，８により補強されている。
【００２４】
また、本実施形態の赤外線センサでは、断熱部４における支持部４１に、当該支持部４１の応力を緩和する２層の応力緩和層４１ｂ，４１ｃが支持部４１を挟む形で積層されており、上述の温度検知部３は、支持部４１上の応力緩和層４１ｃ上に積層されている。
【００２５】
ところで、本実施形態の赤外線センサでは、断熱部４の脚部４２，４２および支持部４１が多孔質材料により形成されている。ここで、断熱部４の脚部４２，４２および支持部４１の多孔質材料として、多孔質の酸化シリコンの一種であるポーラスシリカを採用しているが、多孔質の酸化シリコン系有機ポリマーの一種であるメチル含有ポリシロキサン、多孔質の酸化シリコン系無機ポリマーの一種であるＳｉ−Ｈ含有ポリシロキサン、シリカエアロゲルなどを採用してもよく、多孔質材料として、多孔質の酸化シリコン、多孔質の酸化シリコン系有機ポリマー、多孔質の酸化シリコン系無機ポリマーの群から選択される材料を採用すれば、断熱部４の形成にあたっては、ゾルゲル溶液をベース基板１の上記一表面側に回転塗布してから、乾燥させるプロセスを採用することができ、断熱部４を容易に形成することが可能となる。
【００２６】
ここにおいて、本実施形態における脚部４２，４２は、多孔度が６０％のポーラスシリカ膜（多孔質シリコン酸化膜）により構成してあるが、多孔度が小さ過ぎると十分な断熱効果が得られず多孔度が大き過ぎると機械的強度が弱くなって構造形成が困難となるので、ポーラスシリカ膜の多孔度は例えば４０％〜８０％程度の範囲内で適宜設定すればよい。
【００２７】
ここで、２つの脚部４２，４２合計の熱コンダクタンスＧは、脚部４２の材料の熱伝導率をα〔Ｗ／（ｍ・Ｋ）〕、脚部４２の長さをＬ〔μｍ〕、脚部４２の断面積をＳとすれば、Ｇ＝２×α×（Ｓ／Ｌ）で求められるが、仮に、脚部４２の材料がＳｉＯ２の場合には、α＝１．４〔Ｗ／（ｍ・Ｋ）〕、Ｌ＝５０〔μｍ〕、Ｓ＝１０〔μｍ２〕とすれば、熱コンダクタンスＧは、
Ｇ＝２×α×（Ｓ／Ｌ）＝５６０×１０−９〔Ｗ／Ｋ〕となる。
【００２８】
これに対して、本実施形態のように、脚部４２を多孔度が６０％のポーラスシリカ膜により構成している場合には、α＝０．０５〔Ｗ／（ｍ・Ｋ）〕、Ｌ＝５０〔μｍ〕、Ｓ＝１０〔μｍ２〕とすれば、熱コンダクタンスＧは、
Ｇ＝２×α×（Ｓ／Ｌ）＝２．０×１０−8〔Ｗ／Ｋ〕
となり、熱コンダクタンスＧを脚部４２がシリコン酸化膜により構成される比較例の熱コンダクタンスＧの１０分の１よりも小さな値とすることができ、脚部４２，４２を通した熱伝達をより抑制することができ、高感度化を図れる。
【００２９】
また、支持部４１の熱容量Ｃ１は、支持部４１の体積比熱をｃv、支持部４１の面積（厚み方向に直交する断面の面積）をＡ〔μｍ２〕、支持部４１の厚さをｄ〔μｍ〕とすれば、Ｃ１＝ｃv×Ａ×ｄで求められる。ここで、仮に、支持部４１の材料がＳｉＯ２の場合には、ｃv＝１．８×１０６〔Ｊ／（ｍ３・Ｋ）〕、Ａ＝２５００〔μｍ２〕、ｄ＝０．５〔μｍ〕とすれば、支持部４１の熱容量Ｃ１は、
Ｃ１＝ｃv×Ａ×ｄ＝２２．６×１０−１０〔Ｊ／Ｋ〕となる。
【００３０】
これに対して、本実施形態のように、支持部４１を多孔度が６０％のポーラスシリカ膜により構成している場合には、ｃv＝０．８８×１０６〔Ｊ／（ｍ３・Ｋ）〕、Ａ＝２５００〔μｍ２〕、ｄ＝０．５〔μｍ〕とすれば、支持部４１の熱容量Ｃ１は、
Ｃ１＝ｃv×Ａ×ｄ＝１１．０×１０−１０〔Ｊ／Ｋ〕
となり、支持部４１の熱容量Ｃ１を支持部４１がシリコン酸化膜により構成される比較例の場合に比べて半分よりも小さな値とすることができ、時定数が小さくなって応答速度の高速化を図れる。
【００３１】
ところで、本実施形態では、支持部４１においてベース基板１側に積層された応力緩和層（以下、第１の応力緩和層と称す）４１ｂを支持部４１よりも膜厚の薄いシリコン酸化膜により構成し、支持部４１においてベース基板１側とは反対側に積層された応力緩和層（以下、第２の応力緩和層４１ｃと称す）を支持部４１よりも膜厚の薄いシリコン窒化膜により構成してある。
【００３２】
ここにおいて、シリコン酸化膜からなる第１の応力緩和層４１ｂの熱容量Ｃ２は、第１の応力緩和層４１ｂの体積比熱をｃv、第１の応力緩和層４１ｂの面積（厚み方向に直交する断面の面積）をＡ〔μｍ２〕、第１の応力緩和層４１ｂの厚さをｄ〔μｍ〕とすれば、Ｃ２＝ｃv×Ａ×ｄで求められ、ｃv＝２．１９×１０６〔Ｊ／（ｍ３・Ｋ）〕、Ａ＝２５００〔μｍ２〕、ｄ＝０．２〔μｍ〕とすれば、第１の応力緩和層４１ｂの熱容量Ｃ２は、
Ｃ２＝ｃv×Ａ×ｄ＝１１．０×１０−１０〔Ｊ／Ｋ〕となる。
【００３３】
また、シリコン窒化膜からなる第２の応力緩和層４１ｃの熱容量Ｃ３は、第２の応力緩和層４１ｃの体積比熱をｃv、第２の応力緩和層４１ｃの面積（厚み方向に直交する断面の面積）をＡ〔μｍ２〕、第２の応力緩和層４１ｃの厚さをｄ〔μｍ〕とすれば、Ｃ３＝ｃv×Ａ×ｄで求められ、ｃv＝２．４１×１０６〔Ｊ／（ｍ３・Ｋ）〕、Ａ＝２５００〔μｍ２〕、ｄ＝０．０５〔μｍ〕とすれば、第２の応力緩和層４１ｃの熱容量Ｃ３は、
Ｃ３＝ｃv×Ａ×ｄ＝３．０×１０−１０〔Ｊ／Ｋ〕となる。
【００３４】
したがって、支持部４１の熱容量Ｃ１と各応力緩和層４１ｂ，４１ｃの熱容量Ｃ２，Ｃ３とのトータルの熱容量Ｃは、Ｃ＝Ｃ１＋Ｃ２＋Ｃ３＝２５．０×１０−１０〔Ｊ／Ｋ〕となり、支持部４１がシリコン酸化膜の単相膜により構成されている場合に比べて熱容量の増加を抑えつつ、ポーラスシリカ膜からなる支持部４１の応力を緩和することができる。
【００３５】
以下、本実施形態の赤外線センサの製造方法について図２〜図４を参照しながら説明する。なお、図２〜図４では、図１（ｂ）と同様に、図１（ａ）のＡ−Ａ’断面に対応する部位の断面を示してある。
【００３６】
まず、ベース基板１の基礎となる単結晶のシリコン基板（後述のダイシングを行うまではウェハ）１ａの一表面側にシリコン酸化膜からなる絶縁膜１ｂを例えば熱酸化法により形成することによって、図２（ａ）に示す構造を得る。
【００３７】
その後、シリコン基板１ａと絶縁膜１ｂとからなるベース基板１の一表面側（図２（ａ）における上面側）の全面に導体パターン１０，１０および赤外線反射膜６の材料からなる金属膜（例えば、Ａｌ−Ｓｉ膜など）をスパッタ法などにより成膜した後、フォトリソグラフィ技術およびエッチング技術を利用して上記金属膜をパターニングすることでそれぞれ上記金属膜の一部からなる導体パターン１０，１０および赤外線反射膜６を形成することによって、図２（ｂ）に示す構造を得る。
【００３８】
次に、ベース基板１の上記一表面側の全面にレジストを回転塗布してレジスト層からなる犠牲層２１を成膜することによって、図２（ｃ）に示す構造を得る。
【００３９】
その後、犠牲層２１上に第１の応力緩和層４１ｂの基礎となるシリコン酸化膜を例えばプラズマＣＶＤ法などによって成膜してから、当該シリコン酸化膜をフォトリソグラフィ技術およびエッチング技術を利用してパターニングすることで上記シリコン酸化膜の一部からなる第１の応力緩和層４１ｂを形成することによって、図２（ｄ）に示す構造を得る。
【００４０】
その後、第２の犠牲層２１のうち各支持ポスト部４２ａ，４２ａそれぞれの形成予定領域に対応する部位をエッチングして導体パターン１０，１０の一部の表面を露出させる円形状の開孔部２３，２３を形成することによって、図３（ａ）に示す構造を得る。
【００４１】
続いて、ベース基板１の上記一表面側の全面に断熱部４の材料である多孔質材料（例えば、ポーラスシリカ、シリカエアロゲルなど）からなる多孔質膜４０を成膜することによって、図３（ｂ）に示す構造を得る。ここにおいて、多孔質膜４０の形成にあたっては、上記多孔質材料がポーラスシリカの場合には、ゾルゲル溶液をベース基板１の上記一表面側に回転塗布してから、熱処理で乾燥させるプロセスを採用することで容易に形成することができ、上記多孔質材料がシリカエアロゲルの場合には、ゾルゲル溶液をベース基板１の上記一表面側に回転塗布してから、超臨界乾燥処理で乾燥させるプロセスを採用することで容易に形成することができる。
【００４２】
上述の多孔質膜４０を成膜した後、多孔質膜４０上に第２の応力緩和層４１ｃの基礎となるシリコン窒化膜を例えばプラズマＣＶＤ法などによって成膜してから、当該シリコン窒化膜をフォトリソグラフィ技術およびエッチング技術を利用してパターニングすることで上記シリコン窒化膜の一部からなる第２の応力緩和層４１ｃを形成することによって、図３（ｃ）に示す構造を得る。
【００４３】
次に、フォトリソグラフィ技術およびエッチング技術を利用して多孔質膜４０をパターニングすることで断熱部４（支持部４１および脚部４２，４２）を形成することによって、図３（ｄ）に示す構造を得る。
【００４４】
その後、ベース基板１の上記一表面側の全面に温度検知部３であるセンサ層および配線８，８の基礎となるチタン膜と窒化チタン膜との積層膜からなるセンサ材料層３０をスパッタ法などにより成膜することによって、図４（ａ）に示す構造を得る。
【００４５】
次に、フォトリソグラフィ技術およびエッチング技術を利用してセンサ材料層３０をパターニングすることでそれぞれセンサ材料層３０の一部からなる温度検知部３および配線８，８を形成することによって、図４（ｂ）に示す構造を得る。
【００４６】
続いて、ベース基板１の上記一表面側の犠牲層２１を選択的にエッチング除去することによって、図４（ｃ）に示す構造の赤外線センサを得てから、ダイシングを行うことで個々の赤外線センサに分割すればよい。
【００４７】
以上説明した本実施形態の赤外線センサでは、温度検知部３とベース基板１とを熱絶縁する断熱部４における脚部４２，４２が多孔質材料により形成されているので、脚部４２，４２の熱コンダクタンスを小さくできて高感度化を図れるとともに脚部４２，４２の熱容量を小さくできて応答速度の高速化を図れ、一方、断熱部４における支持部４１に当該支持部４１の応力を緩和する２層の応力緩和層４１ｂ，４１ｃが積層されているので、応力に起因した支持部４１の変形が起こるのを防止することができるとともに支持部４１の材料の選択肢が多くなる。なお、本実施形態では、支持部４１に２層の応力緩和層４１ｂ，４１ｃが積層されているが、支持部４１に積層する応力緩和層の層数は特に限定するものではなく、少なくとも１層あればよく、応力緩和層の積層方向も特に限定するものではない。
【００４８】
また、本実施形態の赤外線センサでは、支持部４１も多孔質材料により形成されているので、支持部４１がＳｉＯ２やＳｉ３Ｎ４などの非多孔質材料により形成されている場合に比べて、支持部４１の低熱容量化を図れ、応答速度のより一層の高速化を図れる。
【００４９】
また、本実施形態では、支持部４１がポーラスシリカ膜により構成され、第１の応力緩和層４１ｂがシリコン酸化膜により構成され、第２の応力緩和層４１ｃがシリコン窒化膜により構成されているので、応力緩和層４１ｂ，４１ｃの低熱容量化を図れるとともに、応力緩和層４１ｂ，４１ｃをプラズマＣＶＤ法などによって容易に形成することが可能となる。なお、応力緩和層は、シリコン酸化膜やシリコン窒化膜に限らず、シリコン酸窒化膜でもよい。なお、シリコン酸化膜は残留応力が圧縮応力になるのに対し、シリコン窒化膜は残留応力が引っ張り応力になり、シリコン酸窒化膜は例えばプラズマＣＶＤ法により成膜する際の原料ガスであるＳｉＨ４ガスとＮ２ＯガスとＮ２ガス（あるいはＮＨ３ガス）とのガス流量比を適宜設定してＯとＮとの組成比を調整することで応力を調整することができる。なお、本実施形態では、断熱部４の支持部４１も多孔質材料により形成されているが、支持部４１の材料として多孔質材料を採用せずに、ＳｉＯ２やＳｉ３Ｎ４などの非多孔質材料を採用してもよい。
【００５０】
また、本実施形態の赤外線センサでは、ベース基板１の上記一表面側に、温度検知部３および支持部４１を透過した赤外線を温度検知部３側へ反射する赤外線反射膜６が設けられているので、温度検知部３での赤外線の吸収効率を高めることができ、温度検知部３の高感度化を図れる。
【００５１】
なお、上記実施形態にて説明した赤外線センサは、温度検知部３を１つだけ設けた赤外線検出素子であるが、温度検知部３を２次元アレイ状（マトリクス状）に配列し各温度検知部が画素を構成するようにした赤外線画像センサでもよい。
【図面の簡単な説明】
【００５２】
【図１】実施形態を示し、（ａ）は概略斜視図、（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ’概略断面図である。
【図２】同上の製造方法を説明するための主要工程断面図である。
【図３】同上の製造方法を説明するための主要工程断面図である。
【図４】同上の製造方法を説明するための主要工程断面図である。
【符号の説明】
【００５３】
１  ベース基板
１ａ  シリコン基板
１ｂ  絶縁膜
３  温度検知部
４  断熱部
６  赤外線反射膜
７  間隙
８  配線
１０  導体パターン
４１  支持部
４１ｂ  応力緩和層（第１の応力緩和層）
４１ｃ  応力緩和層（第２の応力緩和層）
４２  脚部
【図１】
0004770549.tif 000002
【図２】
0004770549.tif 000003
【図３】
0004770549.tif 000004
【図４】
0004770549.tif 000005