(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
電子部品が内蔵または収納されている基板上に、層間樹脂絶縁層と導体回路とが順次形成され、前記電子部品のパッドと導体回路、および、上下の導体回路がバイアホールを介して接続されてなる多層プリント配線板であって、
前記電子部品のパッドと導体回路とを接続するバイアホールが、感光性カルド型ポリマーからなる層間樹脂絶縁層に形成され、
前記電子部品及び前記パッドを覆うように該パッド上に開口を有するパッシベーション膜が形成され、
前記パッド上には、該パッドと前記開口を介して接続され、その直径が６０〜８０μｍと前記パッドの直径に比べて大きく、金属膜とめっき層とからなるトランジション層が形成され、
該トランジション層上に該トランジション層と接続されたバイアホールが形成されており、
前記トランジション層の表面には、粗化面が形成されていることを特徴とする多層プリント配線板。
【請求項２】
前記感光性カルド型ポリマーは、感光性カルド型ポリイミド樹脂である請求項１に記載の多層プリント配線板。
【請求項３】
前記感光性カルド型ポリマーは、ガラス転移温度が２５０〜３００℃である請求項１または２に記載の多層プリント配線板。
【請求項４】
前記バイアホールは、フィールドビア構造を有することを特徴とする請求項１〜３のいずれか１に記載の多層プリント配線板。
【請求項５】
前記層間樹脂絶縁層の表面に粗化面が形成されており、前記粗化面を有する層間樹脂絶縁層に導体回路およびフィールドビア構造を有するバイアホールが形成されている請求項１〜４のいずれか１に記載の多層プリント配線板。
【請求項６】
請求項１に記載の多層プリント配線板の製造方法であって、
少なくとも下記（ａ）〜（ｆ）及び（１）〜（４）の工程を含むことを特徴とする多層プリント配線板の製造方法。
（ａ）パッドを覆うように該パッド上に開口が形成されたパッシベーション膜を有する電子部品が内蔵または収納された基板上に、金属膜を形成する工程と、
（ｂ）前記金属膜上に、感光性ドライフィルムを貼り付ける工程と、
（ｃ）前記感光性ドライフィルムに、露光・現像処理を施すことによりめっきレジストを形成する工程と、
（ｄ）前記めっきレジスト非形成部にめっき層を形成する工程と、
（ｅ）前記めっきレジスト、および、前記めっきレジスト下に存在する金属膜を除去することによりその直径が６０〜８０μｍのトランジション層を形成する工程と、
（ｆ）前記トランジション層の表面を粗化する工程と、
（１）前記電子部品が内蔵または収納されている基板上に、感光性カルド型ポリマーの溶液を塗布する工程と、
（２）前記感光性カルド型ポリマーの半硬化層を形成する工程と、
（３）前記感光性カルド型ポリマーの半硬化層上に、フォトエッチング用マスクを載置した後、前記感光性カルド型ポリマーの半硬化層に露光・現像処理を施すことによりバイアホール用開口を形成する工程と、
（４）前記バイアホール用開口が形成された感光性カルド型ポリマーの半硬化層を本硬化することにより層間樹脂絶縁層を形成する工程。
【請求項７】
請求項１に記載の多層プリント配線板の製造方法であって、
少なくとも下記（ａ）〜（ｆ）及び（１）〜（４）の工程を含むことを特徴とする多層プリント配線板の製造方法。
（ａ）パッドを覆うように該パッド上に開口が形成されたパッシベーション膜を有する電子部品が内蔵または収納されている基板上に、金属膜を形成する工程と、
（ｂ）前記金属膜上に、めっき層を形成する工程と、
（ｃ）前記めっき層上に、感光性ドライフィルムを貼り付ける工程と、
（ｄ）前記感光性ドライフィルムに、露光・現像処理を施すことによりエッチングレジストを形成する工程と、
（ｅ）エッチングレジスト非形成部下の金属膜およびめっき層をエッチング処理にて除去することによりその直径が６０〜８０μｍのトランジション層を形成する工程と、
（ｆ）前記トランジション層の表面を粗化する工程と、
（１）前記電子部品が内蔵または収納されている基板上に、感光性カルド型ポリマーの溶液を塗布する工程と、
（２）前記感光性カルド型ポリマーの半硬化層を形成する工程と、
（３）前記感光性カルド型ポリマーの半硬化層上に、フォトエッチング用マスクを載置した後、前記感光性カルド型ポリマーの半硬化層に露光・現像処理を施すことによりバイアホール用開口を形成する工程と、
（４）前記バイアホール用開口が形成された感光性カルド型ポリマーの半硬化層を本硬化することにより層間樹脂絶縁層を形成する工程。
【請求項８】
前記感光性カルド型ポリマーは、感光性カルド型ポリイミド樹脂である請求項７に記載の多層プリント配線板の製造方法。
【請求項９】
本硬化した感光性カルド型ポリマーの層は、そのガラス転移温度が２５０〜３００℃である請求項７または８に記載の多層プリント配線板の製造方法。
【請求項１０】
さらに、形成した層間樹脂絶縁層上に、スパッタリングによりバイアホールおよび導体回路用の金属膜を形成する工程を含む請求項７〜９のいずれか１に記載の多層プリント配線板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ビルドアップ多層プリント配線板に関し、特にＩＣチップ等の電子部品を内蔵する多層プリント配線板及び該多層プリント配線板の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、ＩＣチップとプリント配線板とは、ワイヤーボンディング、ＴＡＢ(Tape Automated Bonding)、フリップチップボンディング等の実装方法を用いて、電気的に接続されていた。
ワイヤーボンディングでは、プリント配線板にＩＣチップを接着剤によりダイボンディングさせ、該プリント配線板のパッドとＩＣチップのパッドとを金線などのワイヤーで接続させた後、ＩＣチップ並びにワイヤーを保護するために熱硬化性樹脂や熱可塑性樹脂などの樹脂による封止を行っていた。
【０００３】
また、ＴＡＢでは、リードと呼ばれる導線が多数形成されたテープを用い、ＩＣチップのバンプとプリント配線板のパッドとを半田などによって一括して接続させた後、樹脂による封止を行っていた。
フリップチップボンディングでは、ＩＣチップとプリント配線板のパッド部とをバンプを介して接続させて、バンプとの隙間に樹脂を充填させることによって行っていた。また、これらの方法で実装された電子部品は、プリント配線板を介して駆動させていた。
【０００４】
このように、これらの実装方法では、ＩＣチップとプリント配線板との間を接続用のリード部品（ワイヤー、リード、バンプ）を介して電気的に接続していた。そのため、これらの各リード部品が、切断されたり、腐食されたりしてしまうとＩＣチップとプリント配線板との間の接続が遮断されたり、ＩＣチップの誤作動の原因となってしまうことがあった。
【０００５】
また、それぞれの実装方式では、ＩＣチップおよびリード部品を保護するためにエポキシ樹脂樹脂等の樹脂によって、封止を行っており、その樹脂を充填する際に、気泡を含有したりすると、その気泡が起点となって、リード部品の破壊やＩＣパッドの腐食、信頼性の低下を招いてしまうことがあった。また、熱可塑性樹脂等による封止では、それぞれの部品に合わせて樹脂充填用プランジャー、金型等を作成する必要があり、熱硬化性樹脂による封止ではリード部品、ソルダーレジストなどの材質などを考慮して樹脂を選定しなくてはならないために、コストが高くなる原因になっていた。
【０００６】
近年、このような問題点を解決するために、ＩＣチップ等の半導体素子を基板に内蔵または収納した多層プリント配線板が開示されている。
特許文献１では、ダイパッド上にスタッドバンプを形成した半導体素子を基板に埋め込み、バイアホールを介して、該スタッドバンプと上層の導体回路とを電気的に接続した多層プリント配線板が開示されている。
【０００７】
しかしながら、この多層プリント配線板では、スタッドバンプの形状がタマネギ状であり、その高さにバラツキがあることに起因して、基板上に形成された層間絶縁層は厚さが均一でなく、その表面が平坦にならないことがあり、この場合には、バイアホールを介した電気的接続に接続不良が発生することがあった。
また、この多層プリント配線板は、その構造上、バイアホール用開口を一括形成することができず、生産性の劣るものであった。
【０００８】
また、特許文献２では、セラミック基板に半導体素子が収納され、該半導体素子がフリップチップにより導体回路と電気的に接続されている多層配線板が開示されている。
この多層配線板で用いられているアルミナや窒化アルミニウム等を材料とするセラミック基板は、外形加工性に劣るため半導体素子の納まりが良くない。そのため、半導体素子のパッドの高さが不均一になり、その結果、該パットと導体回路との間で接続不良が発生することがあった。
【０００９】
また、特許文献３では、基板に空隙部を形成し、この空隙部に半導体素子を収納した多層プリント配線板が開示されている。
しかしながら、このように半導体素子を内蔵した多層プリント配線板であっても、該半導体素子と導体回路とを半田、ＴＡＢ、ワイヤーボンディング等のリード部品を介して接続した場合には、上述の問題点を解決することが出来なかった。
また、基板の空隙部に半導体素子を収納した際に、該半導体素子と基板との間に空隙が存在する場合には、半導体素子の位置ずれが発生しやすく、接続信頼性の低下につながることがあった。
【００１０】
また、本発明者らは、先に、リード部品を介さずに、ＩＣチップ等の電子部品と直接電気的接続を行うことができる多層プリント配線板として、基板に設けられた開口部、貫通孔またはザグリ部にＩＣチップ等が内蔵または収容（以下、両者を併せて単に内蔵という）され、さらに、該基板上に層間樹脂絶縁層と導体回路とが積層され、該ＩＣチップと導体回路の間や、層間樹脂絶縁層を介した上下の導体回路間がバイアホールを介して電気的に接続された多層プリント配線板を提案した。
【００１１】
このようにＩＣチップ等を内蔵した多層プリント配線板では、ＩＣチップ等と多層プリント配線板との接続に、リード部品や封止樹脂が用いられていないため、その接続信頼性は優れたものとなり、多層プリント配線板製造の際にＩＣチップを実装することができるためコストも安くなる。
このような多層プリント配線板では、基板にＩＣチップ等を内蔵する必要があるため、基板の材料として、外形加工性に優れる樹脂基板を用いている。
従って、基板上に層間樹脂絶縁層を形成する際には、その形成温度を樹脂基板を軟化させる温度以上にすることができず、該層間樹脂絶縁層の材料としては、これ以下の温度において、形成性、加工性に優れ、形成された層間樹脂絶縁層が形状保持性や絶縁性に優れたものとなることが要求される。
【００１２】
従来のプリント配線板においては、耐熱性や絶縁性に優れ、バイアホール用開口形成時の開口性に優れる層間樹脂絶縁層材料として、感光性ポリイミド樹脂が開示されており、具体的には、特許文献４、特許文献５、特許文献６、特許文献７、特許文献８等に開示されている。
【００１３】
【特許文献１】特開平９−３２１４０８号公報
【特許文献２】特開平１０−２５６４２９号公報
【特許文献３】特開平１１−１２６９７８号公報公報
【特許文献４】特開昭５９−１５１４９８号公報
【特許文献５】特開平５−３０４３６２号公報
【特許文献６】特開平５−３０４３６７号公報
【特許文献７】特開平６−１３２４０９号公報
【特許文献８】特開平８−２３１６６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１４】
しかしながら、これらの多層プリント配線板では、基板の材質が、セラミック、アルミナまたはガラス基板であるため、層間樹脂絶縁層を３５０℃以上の高いキュア温度で硬化させて形成しても、基板が軟化したりするという問題は発生しなかったのに対し、樹脂基板を用いた多層プリント配線板では、層間樹脂絶縁層材料として、従来公知の感光性ポリイミド樹脂を用いた場合、硬化温度が高すぎると、樹脂基板が軟化したり、溶解したりひどい場合には炭化したりしてしまうことがあり、一方、硬化温度を低くすると、感光性ポリイミド樹脂が充分に硬化せず、形成される層間樹脂絶縁層が形状保持性等に劣るものとなり、充分な接続信頼性を有するものではなかった。
【課題を解決するための手段】
【００１５】
そこで、本発明者らは、これらの問題点を解決するためにさらに研究を重ねた結果、感光性カルド型ポリマーが層間樹脂絶縁層の材料として適していることを見出し、本発明を完成した。感光性カルド型ポリマーの硬化物は、化学的な構造が剛直であり、架橋密度が高いため形状保持性に優れ、２００℃前後の硬化温度で硬化を行なっても、ガラス転移点が、２５０〜３５０℃の間に保たれるので、耐熱性に優れるとともに、硬化温度も３５０℃以上とならないので、樹脂基板に悪影響を与えない。また、（メタ）アクリレート化等により感光性が付与されたカルド型ポリイミド樹脂は解像度が良好であり、バイアホール用開口形成時の形状保持性や膜厚保持性に優れ、露光・現像処理後にバイアホール用開口底部にも樹脂残りが発生しないため、バイアホールを介した電気接続性や信頼性に優れる。
【００１６】
本発明は、電子部品が内蔵または収納されている基板上に、層間樹脂絶縁層と導体回路とが順次形成され、上記電子部品のパッドと導体回路、および、上下の導体回路がバイアホールを介して接続されてなる多層プリント配線板であって、
上記電子部品のパッドと導体回路とを接続するバイアホールが、感光性カルド型ポリマーからなる層間樹脂絶縁層に形成されていることを特徴とする多層プリント配線板である。
【００１７】
また、本発明の多層プリント配線板において、上記感光性カルド型ポリマーは、感光性カルド型ポリイミド樹脂であることが望ましい。
また、上記感光性カルド型ポリマーは、ガラス転移温度が２５０〜３００℃であることが望ましい。
【００１８】
また、上記電子部品のパッド部分には金属膜とめっき層とからなるトランジション層が形成され、上記電子部品と導体回路とは、上記トランジション層およびバイアホールを介して接続されていることが望ましい。
また、上記バイアホールは、フィールドビア構造を有することが望ましく、上記層間樹脂絶縁層の表面に粗化面が形成されており、上記粗化面を有する層間樹脂絶縁層に導体回路およびフィールドビア構造を有するバイアホールが形成されていることが望ましい。
【００１９】
また、本発明の多層プリント配線板の製造方法は、電子部品が内蔵または収納されている基板上に、層間樹脂絶縁層と導体回路とが順次形成され、上記電子部品のパッドと導体回路、および、上下の導体回路がバイアホールを介して接続されてなる多層プリント配線板の製造方法であって、
少なくとも下記（１）〜（４）の工程を含むことを特徴とする。
（１）上記電子部品が内蔵または収納されている基板上に、感光性カルド型ポリマーの溶液を塗布する工程と、
（２）上記感光性カルド型ポリマーの半硬化層を形成する工程と、
（３）上記感光性カルド型ポリマーの半硬化層上に、フォトエッチング用マスクを載置した後、上記感光性カルド型ポリマーの半硬化層に露光・現像処理を施すことによりバイアホール用開口を形成する工程と、
（４）上記バイアホール用開口が形成された感光性カルド型ポリマーの半硬化層を本硬化することにより層間樹脂絶縁層を形成する工程。
【００２０】
また、本発明の製造方法において、上記感光性カルド型ポリマーは、感光性カルド型ポリイミド樹脂であることが望ましい。
また、本硬化した感光性カルド型ポリマーの層は、そのガラス転移温度が２５０〜３００℃であることが望ましい。
また、本発明の製造方法において、さらに、形成した層間樹脂絶縁層上に、スパッタリングによりバイアホールおよび導体回路用の金属膜を形成する工程を含むことが望ましい。
【００２１】
また、本発明の製造方法において、感光性カルド型ポリマーの溶液を塗布する前に、下記（ａ）〜（ｅ）の工程を行うことにより、電子部品のパッド部分にトランジション層を形成することが望ましい。
（ａ）電子部品が内蔵または収納されている基板上に、金属膜を形成する工程と、
（ｂ）上記金属膜上に、感光性ドライフィルムを貼り付ける工程と、
（ｃ）上記感光性ドライフィルムに、露光・現像処理を施すことによりめっきレジストを形成する工程と、
（ｄ）上記めっきレジスト非形成部にめっき層を形成する工程と、
（ｅ）上記めっきレジスト、および、上記めっきレジスト下に存在する金属膜を除去することにより上記トランジション層を形成する工程。
【００２２】
また、本発明の製造方法において、感光性カルド型ポリマーの溶液を塗布する前に、下記（ａ）〜（ｅ）の工程を行うことにより、電子部品のパッド部分にトランジション層を形成することも望ましい。
（ａ）電子部品が内蔵または収納されている基板上に、金属膜を形成する工程と、
（ｂ）上記金属膜上に、めっき層を形成する工程と、
（ｃ）上記めっき層上に、感光性ドライフィルムを貼り付ける工程と、
（ｄ）上記感光性ドライフィルムに、露光・現像処理を施すことによりエッチングレジストを形成する工程と、
（ｅ）エッチングレジスト非形成部下の金属膜およびめっき層をエッチング処理にて除去することにより上記トランジション層を形成する工程。
【発明の効果】
【００２３】
本発明の多層プリント配線板は、上述の構成からなるため、電子部品とプリント配線板との接続の際に、リード部品や封止樹脂を用いる必要がなく、また、層間樹脂絶縁層が感光性カルド型ポリマーからなるため、形状保持性に優れるとともに、所望の形状のバイアホール用開口を有しており、電気接続性および信頼性に優れている。
【００２４】
また、本発明の多層プリント配線板の製造方法は、感光性カルド型ポリマーを用いて層間樹脂絶縁層を形成するため、比較的低い硬化温度で、架橋密度が高く、形状保持性や耐熱性に優れる層間樹脂絶縁層を形成することができるとともに、層間樹脂絶縁層形成時に基板が軟化したり、溶解したりすることがない。
また、本発明の製造方法で用いる感光性カルド型ポリマーは、露光・現像処理による開口性に優れるため、バイアホール用開口内に樹脂残りがなく、所望の形状のバイアーホールを形成することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２５】
本発明の多層プリント配線板は、電子部品が内蔵または収納されている基板上に、層間樹脂絶縁層と導体回路とが順次形成され、上記電子部品のパッドと導体回路、および、上下の導体回路がバイアホールを介して接続されてなる多層プリント配線板であって、
上記電子部品のパッドと導体回路とを接続するバイアホールが、感光性カルド型ポリマーからなる層間樹脂絶縁層に形成されていることを特徴とする。
【００２６】
本発明の多層プリント配線板によれば、ＩＣチップ等の電子部品が基板に内蔵されているため、電子部品と多層プリント配線板との接続において、リード部品や封止樹脂が用いられていない。従って、上記多層プリント配線板は、リード部品を介してＩＣチップが実装された場合に発生していた種々の不具合が解消され、電気的接続性や信頼性に優れるものである。
【００２７】
また、本発明の多層プリント配線板において、層間樹脂絶縁層は、感光性カルド型ポリマーからなるため、１５０〜２５０℃の比較的低い硬化温度で層間樹脂絶縁層を形成することができ、形成された層間樹脂絶縁層は、形状保持性や膜厚保持性に優れ、また、該層間樹脂絶縁層に設けられたバイアホール用開口も所望の形状を有しており、上記多層プリント配線板は、電気接続性や信頼性に優れたものである。
【００２８】
なお、上記カルド型ポリマーとは、環状の基が高分子主鎖に直接結合した構造をもつポリマーの総称であり、上記カルド型ポリマーは、その構造、即ち、主鎖に直角にかさ高い置換基が存在することに起因して、ポリマー主鎖の回転束縛、主鎖および側鎖のコンフォメーション規制、分子間パッキングの阻害、側鎖の芳香族置換基導入による芳香族性の増加等の現象が生じ、そのため、硬化後のガラス転移温度が高いものとなる。
また、このような構造をもつカルド型ポリマーは、そのかさ高い置換基のために主鎖の運動性が抑制され、３００℃未満で硬化されたものであっても架橋密度が高く、優れた耐熱性を有する。さらに、かさ高い置換基は、分子鎖の近接を阻害するため、優れた溶剤溶解性を有する。
【００２９】
上記カルド型ポリマーは、カルボニル基（ケトン、エステル、酸無水物、イミド等）をもつ環状化合物とフェノール、アニリン等の芳香族化合物やその誘導体とを縮合反応により共重合させることにより得ることができる。
【００３０】
上記感光性カルド型ポリマーは、上記のような構造を有するカルド型ポリマーのなかで感光性を有するものであり、具体例としては、例えば、下記化学式（１）で表される化合物と、
【００３１】
【化１】
0004772089.tif 000002
【００３２】
下記一般式（２）で表される化合物、
【００３３】
【化２】
0004772089.tif 000003
（式中、Ｒ1 は、酸素、カルボニル基、テトラフルオロエチレン基、または、単結合を表す。）
【００３４】
ピロメリト酸無水物、および、テレフタル酸やその酸塩化物から選択される少なくとも１種とを共重合させることにより得られる感光性カルド型ポリエステルが挙げられる。
【００３５】
また、上記一般式（１）で表される化合物と、
下記一般式（３）で表される化合物と、
【００３６】
【化３】
0004772089.tif 000004
（式中、Ｒ2 、Ｒ3 、Ｒ4 、Ｒ5 は、それぞれ同一または異なって、水素または炭素数１〜５の炭化水素基を表し、Ｒ6 は、水素、カルボキシル基または炭素数２〜８のアルコキシカルボニル基を表す。）
【００３７】
上記一般式（２）で表される化合物、ピロメリト酸無水物、および、テレフタル酸やその酸塩化物から選択される少なくとも１種とを共重合させることにより得られる感光性カルド型ポリイミド等も挙げられる。
これらのなかでは、感光性カルド型ポリイミド樹脂が望ましい。比較的低温で硬化せることにより得られる硬化体であっても、そのガラス転移温度が高いからである。
【００３８】
また、上記感光性カルド型ポリマーの硬化後のガラス転移温度は、２５０〜３００℃が望ましい。上記範囲程度のガラス転移温度は、感光性カルド型ポリマーを２００℃前後の硬化温度で硬化させることにより達成することができるため、層間樹脂絶縁層形成時に樹脂基板に悪影響（樹脂基板の軟化、溶解等）を引き起こすことがなく、形成された層間樹脂絶縁層が、形状保持性、耐熱性に優れるからである。
【００３９】
また、上記多層プリント配線板において、上記電子部品のパッド部分には、トランジション層が形成されていることが望ましい。
上記トランジション層とは、ＩＣチップに配設されたパッドを拡径するために設けられた導体層であり、その形成目的は、以下に述べるＩＣチップのパッドに発生する種々の不具合を解消することにある。
【００４０】
即ち、通常、バイアホール用開口の開口径が６０〜８０μｍであるのに対し、電子部品のパッド部分は、その径が４０μｍ程度であり、そのため、上記パッドとバイアホールとを直接接続した場合には、パッド径が小さいことに起因して、バイアホールの位置ずれが発生し、これが導通不良や断線の原因となることがあるが、トランジション層を形成することにより、該トランジション層の水平方向の径（以下、単に直径という）がパッドの径に比べて大きく、バイアホールとの接続を確実に行うことができる。
また、上記多層プリント配線板を製造する際には、酸や酸化剤、エッチング液等を使用することがあるため、これら酸等と電子部品のパッドとが接触した際に、パッドの変色や溶解が発生することがあるが、トランジション層を形成することにより、上記パッド層と上記酸等とが直接接触することを防止することができる。
【００４１】
上記トランジション層の直径は特に限定されず、バイアホール用開口の開口径等を考慮して適宜選択すればよく、バイアホール用開口の開口径と同程度の６０〜８０μｍが望ましい。
【００４２】
上記トランジション層の材質としては、銅、クロム、ニッケル、亜鉛、金、銀、スズ、鉄等が挙げられる。
これらのなかでは、その上層に形成される導体回路（バイアホール）の材質と同様のものが望ましく、通常、導体回路の材質は銅であるため銅が望ましい。
また、上記トランジション層は、一層からなるものであっても良いし、二層以上の複数層からなるものであってもよいが、二層以上の複数層からなるものが望ましい。
特に、ＩＣチップのパッドの材質がアルミニウムである場合、亜鉛、クロムまたはニッケルからなる下層と銅からなる上層との二層からなるものが望ましい。
【００４３】
上記トランジション層の厚さは、１〜３５μｍが望ましい。上記トランジション層の厚さが３５μｍを超えると、その形状がアンダーカット形状になることがあり、ＩＣチップとバイアホールの接続信頼性の低下に繋がる原因となることがある。
上記トランジション層が二層以上の複数層からなる場合、その下層の厚さは、０．０１〜０．５μｍが望ましい。
なお、上記トランジション層を形成する方法については、後に本発明の製造方法を説明する際に詳述する。
【００４４】
以下、本発明の多層プリント配線板について図を参照して説明する。
図１は、本発明の多層プリント配線板の一例を模式的に示す断面図である。
図１に示すように多層プリント配線板１０は、ＩＣチップ２０が内蔵された樹脂基板３０と層間樹脂絶縁層５０と層間樹脂絶縁層１５０とからなる。層間樹脂絶縁層５０には、バイアホール６０および導体回路５８が形成され、層間樹脂絶縁層１５０には、バイアホール１６０および導体回路１５８が形成されている。
【００４５】
また、ＩＣチップ２０は、パッシベーション膜２２により被覆され、パッシベーション膜２２の開口内に入出力端子を構成するアルミパッド２４、及び、位置決めマーク（図示せず）が配設されている。パッド２４の上には、金属膜３６およびめっき層３７からなるトランジション層３８が形成されている。
【００４６】
層間樹脂絶縁層１５０の上には、ソルダーレジスト層７０が配設されている。ソルダーレジスト層７０の開口部７１下の導体回路１５８には、図示しないドータボード、マザーボード等の外部基板と接続するための半田バンプ７６がニッケルめっき層７２および金めっき層７４を介して設けられている。
【００４７】
多層プリント配線板１０では、樹脂基板にＩＣチップ２０が予め内蔵され、ＩＣチップ２０のパッド２４上にはトランジション層３８を配設されている。このため、リード部品や封止樹脂を用いることなく、ＩＣチップと多層プリント配線板とを電気的に接続することができる。
【００４８】
上記樹脂基板としては、一般的にプリント配線板で使用されるものであれば特に限定されず、例えば、エポキシ樹脂、ＢＴ樹脂、フェノール樹脂等にガラスエポキシ樹脂等の補強材や心材を含浸させた樹脂からなる基板や、エポキシ樹脂を含浸させたプリプレグを積層した基板等が挙げられる。また、両面銅張積層板、片面板、金属膜を有さない樹脂板、樹脂フィルム等を用いてもよい。
なお、上記樹脂基板とＩＣチップ等の電子部品とは、接着剤等により接合されている。
【００４９】
また、層間樹脂絶縁５０、１５０は、上記した感光性カルド型ポリマーからなる。
上記層間樹脂絶縁層は、その膜厚が５〜５０μｍであることが望ましく、１５〜３５μｍであることがより望ましい。導体回路間の絶縁性を充分に確保することができるとともに、所望の形状のバイアホール用開口を形成することができるため、バイアホールを介した接続信頼性が優れたものとなるからである。
【００５０】
なお、本発明の多層プリント配線板は、例えば、後述する本発明の多層プリント配線板の製造方法を用いて製造することができる。
【００５１】
次に、本発明の多層プリント配線板の製造方法について説明する。
本発明の多層プリント配線板の製造方法は、電子部品が内蔵または収納されている基板上に、層間樹脂絶縁層と導体回路とが順次形成され、上記電子部品のパッドと導体回路、および、上下の導体回路がバイアホールを介して接続されてなる多層プリント配線板の製造方法であって、
少なくとも下記（１）〜（４）の工程を含むことを特徴とする。
（１）上記電子部品が内蔵または収納されている基板上に、感光性カルド型ポリマーの溶液を塗布する工程と、
（２）上記感光性カルド型ポリマーの半硬化層を形成する工程と、
（３）上記感光性カルド型ポリマーの半硬化層上に、フォトエッチング用マスクを載置した後、上記感光性カルド型ポリマーの半硬化層に露光・現像処理を施すことによりバイアホール用開口を形成する工程と、
（４）上記バイアホール用開口が形成された感光性カルド型ポリマーの半硬化層を本硬化することにより層間樹脂絶縁層を形成する工程。
【００５２】
本発明の多層プリント配線板の製造方法によれば、感光性カルド型ポリマーを用いて層間樹脂絶縁層を形成するため、比較的低い硬化温度（１５０〜２５０℃）で、架橋密度が高く、形状保持性や耐熱性に優れる層間樹脂絶縁層を形成することができ、層間樹脂絶縁層形成時に、基板が軟化したり、溶解したりすることがない。
また、本発明の製造方法で用いる感光性カルド型ポリマーは、露光・現像処理による開口性に優れるため、バイアホール用開口内に樹脂残りがなく、所望の形状のバイアホールを形成することができる。
【００５３】
さらに、本発明の多層プリント配線板の製造方法においては、基板に内蔵されたＩＣチップのパッド上にトランジション層を形成することにより、パッドと導体回路との接続信頼性に優れた多層プリント配線板を製造することができる。
【００５４】
ここでは、まず、上記（１）〜（４）の工程、すなわち、層間樹脂絶縁層を形成する工程について説明し、多層プリント配線板の全製造工程については、後に詳述する。
【００５５】
本発明の製造方法において、層間樹脂絶縁層を形成する際には、まず、ＩＣチップ等の電子部品が内蔵されている基板や、既に下層の層間樹脂絶縁層と導体回路とが少なくとも一層づつ形成された基板に、感光性カルド型ポリマーの溶液を塗布する。
上記感光性カルド型ポリマーの溶液は、その粘度を５〜４９Ｐａ・ｓに調整しておくことが望ましい。基板上に塗布し易く、かつ、均一に成形しやすいからである。また、その粘度調整は、キシレン等の溶剤で希釈することにより行うことができる。
【００５６】
上記感光性カルド型ポリマーの溶液を塗布する方法としては、該溶液を基板上に均一に塗布することができる方法であれば特に限定されず、例えば、カーテンコータ法、ロールコータ法、通常の印刷機等を用いて塗布する方法が挙げられる。
【００５７】
次に、感光性カルド型ポリマーの半硬化層を形成する。
上記半硬化層は、塗布した感光性カルド型ポリマーを、８０〜２００℃の温度で１０〜６０分間乾燥させることにより形成する。ここで、上記感光性カルド型ポリマーの半硬化層とは、ある程度固くなっているが、溶剤等により溶解させることが可能な半硬化状態またはＢステージ状態の感光性カルド型ポリマーの層をいう。
【００５８】
次に、上記感光性カルド型ポリマーの半硬化層上に、フォトエッチング用マスクを載置した後、上記感光性カルド型ポリマーの半硬化層に露光・現像処理を施すことによりバイアホール用開口を形成する。
上記露光・現像処理は、例えば、１００〜８００ｍｊ／ｃｍ2 の条件で紫外線を照射した後、有機タイプまたは無機タイプの現像液を用いて現像することにより行うことができる。
【００５９】
続いて、バイアホール用開口の形成された感光性カルド型ポリマー半硬化層を本硬化し、層間樹脂絶縁層とする。
上記本硬化を行う温度としては、１５０〜３００℃が望ましい。上記温度が１５０℃未満では、感光性カルド型ポリマーの半硬化層を充分に硬化させることができず、一方、３００℃を超えると、ＩＣ内蔵基板の材料樹脂が軟化したり、溶解したりしてしまうことがある。
また、本発明の製造方法において形成される層間樹脂絶縁層（本硬化したカルド型ポリマーの層）の望ましいガラス転移温度は２５０〜３００℃であり、上記範囲の温度で本硬化を行うことにより、ポリマー同士の架橋が進行し、上記のようなガラス転移温度を有する層間樹脂絶縁層を形成することができるからである。
【００６０】
また、上記本硬化は、各温度区間で一定時間保った後、温度を上昇させるステップキュアにより行ってもよい。これにより、感光性カルド型ポリマー半硬化層内に残留する溶剤分や水分を完全に除去することができるからである。このような工程を経ることにより、形状保持性、耐熱性に優れるカルド型ポリマーからなる層間樹脂絶縁層を形成することができる。
【００６１】
次に、本発明の多層プリント配線板の全製造工程を、図５〜９を参照しながら工程順に説明する。
（１）先ず、ＩＣチップ等の電子部品が内蔵された、ガラスエポキシ樹脂やＢＴ（ビスマレイミドトリアジン）樹脂等からなる基板（以下、ＩＣ内蔵基板ともいう）３０を出発材料とする（図５（Ａ）参照）。なお、ＩＣチップ２０の上部は、パッシベーション膜２２により被覆されており、パッシベーション膜２２の開口内には、入出力端子を構成するアルミニウム等からなるパッド２４が形成されている。
【００６２】
基板にＩＣチップ等を内蔵する方法としては特に限定されず、例えば、基板の片面に、ザグリ加工でＩＣチップ内蔵用の凹部を形成し、その後、該凹部に接着材料を介してＩＣチップを固定する方法や、基板にＩＣチップを収納するための貫通孔を形成し、該貫通孔内にＩＣチップを収納した後、この基板と貫通孔を有さない基板とを積層する方法等が挙げられる。
【００６３】
（２）次に、以下の方法により、基板に対するＩＣチップの位置決めを行う。即ち、ＩＣチップの四隅に配設された位置決めマークをカメラで撮影し、上記位置決めマークを基準として、ＩＣ内蔵基板の四隅にレーザで位置決めマークを形成することによりＩＣチップの位置決めを行う。
【００６４】
（３）次に、必要に応じて、ＩＣチップに形成されているパッド上にトランジション層を形成する。上記トランジション層は、必要に応じて形成すればよいが、トランジション層を形成した場合、トランジション層の直径がパッドの直径に比べて大きいため、トランジション層とバイアホールとの間では位置ずれが発生しにくく、上記パッドとバイアホールとをより確実に接続することができる。
【００６５】
上記トランジション層を形成する具体的な方法としては、下記（ａ）〜（ｅ）の工程を含む方法（以下、第一のトランジション層形成方法という）を用いることができる。即ち、（ａ）まず、ＩＣ内蔵基板３０の全面に金属膜３６を形成する（図５（Ｂ）参照）。
金属膜３６は、スパッタリング等の物理的な蒸着を行うことにより形成することが望ましい。金属膜３６は、例えば、クロム、銅、ニッケル、亜鉛、金、スズ、鉄などの金属を１種類以上用いて形成する。また、場合によっては、異なる金属を用いて２層以上の金属膜３６を形成してもよい。
【００６６】
また、スパッタリング等を行った後、無電解めっきを行うことにより２層以上からなる金属膜３６としてもよい。この場合、スパッタリング等によりクロム、ニッケルまたは亜鉛からなる層を成形し、その後、無電解めっきにより銅からなる層を形成することが望ましい。
金属膜３６の上に形成する導体回路の材質が、通常、銅であることを考慮すると、金属膜３６の材質も銅であることが望ましいが、ＩＣチップ２０のパッド２４がアルミニウムからなる場合、上記したように、パッド上に直接銅からなる金属膜３６を形成することは、パッド２４の変色等の引き起こすことがあるため、あまり好ましくない。これに対し、パッド２４直上にクロム、ニッケルまたは亜鉛からなる層を成形し、その上層に銅からなる層を形成することにより、パッド２４の変色等を防止するとともに、バイアホールとの接続信頼性に優れる金属膜３６とすることができる。
【００６７】
スパッタリング等と無電解めっきとにより、金属膜３６を形成する場合、スパッタリング等により形成される層の厚さは、０．０１〜０．５μｍが望ましい。スパッタリング等の物理的な蒸着により、０．５μｍを超える厚さの層を均一に形成することは難しいからである。また、無電解めっきにより形成される層の厚さは、０．０１〜５．０μｍが望ましい。０．０１μｍ未満では、全面にめっき膜を形成できず、５．０μｍを超えるとエッチングで除去し難くなったり、位置決めマークが埋まってしまい、該位置決めマークを認識することができないことがあるからである。より望ましい範囲は、０．１〜１．０μｍである。
【００６８】
（ｂ）次に、上記金属膜上に感光性ドライフィルムを貼り付ける。
上記感光性ドライフィルムとしては特に限定されず、従来、めっきレジストを形成するために使用されている市販品を用いることができる。
（ｃ）次に、上記感光性ドライフィルム上に、ＩＣチップ２０のパッド２４に対応するパターンが形成されたマスクを載置し、露光・現像処理を施すことにより、パッド２４上部が開口しためっきレジスト３５を形成する。
【００６９】
（ｄ）その後、めっきレジスト非形成部に、めっき処理によりめっき層３７を形成する（図６（Ａ）参照）。
上記めっき処理は、無電解めっきであってもよいし、電解めっきであってもよく、両者を併用してもよい。めっき層３７の材質としては、例えば、銅、ニッケル、金、銀、亜鉛、鉄等からなるものが挙げられる。
これらのなかでは、電気特性、経済性に優れるとともに、後工程で形成される多層プリント配線板の導体回路の材質も、銅が望ましいことから、銅を用いることが望ましい。また、めっき層３７の厚さは、１〜１５μｍが望ましい。
【００７０】
（ｅ）次に、上記めっきレジスト３５を除去した後、めっきレジスト３５下に存在する金属膜３６を除去することによりトランジッション層３８を形成する（図６（Ｂ）参照）。
金属膜３６の除去は、硫酸と過酸化水素との混合液、過硫酸ナトリウム、過硫酸アンモニウム、塩化第二鉄、塩化第二銅等のエッチング液を用いて行う。
【００７１】
このように、第一のトランジション層形成方法によりトランジション層を形成した場合、後工程で層間樹脂絶縁層を形成する際に、パッド上に樹脂残りが発生することを防ぐことができ、また、酸、酸化剤またはエッチング液に浸漬させたり、種々のアニール工程を経る際に、パッドの変色、溶解が発生することを防ぐことができるため、パッドとバイアホールとの接続をより確実なものとすることができる。
【００７２】
（４）次に、必要に応じて、上記トランジション層３８の表面に粗化面や粗化層（以下、両者を合わせて単に粗化面という）３８αを形成する（図６（Ｃ）参照）。粗化面を形成することにより、トランジション層３８と層間樹脂絶縁層やバイアホールとの接続がより確実なものとなるからである。なお、粗化面３８αは、エッチング処理、黒化還元処理、めっき処理等により形成することができる。
【００７３】
上記エッチング処理は、例えば、有機酸と第二銅錯体とを含むエッチング液を用いて行うことができる。
上記有機酸としては、例えば、蟻酸、酢酸、プロピオン酸、酪酸、吉草酸、カプロン酸、アクリル酸、クロトン酸、シュウ酸、マロン酸、コハク酸、グルタル酸、マレイン酸、安息香酸、グリコール酸、乳酸、リンゴ酸、スルファミン酸等が挙げられる。これらは、単独で用いてもよく、２種以上併用してもよい。上記混合溶液におい
て、上記有機酸の含有量は、０．１〜３０重量％が望ましい。酸化された銅の溶解性を維持し、かつ、触媒安定性を確保することができるからである。
【００７４】
上記第二銅錯体としては、アゾール類の第二銅錯体が望ましい。このアゾール類の第二銅錯体は、金属銅等を酸化する酸化剤として作用する。アゾール類としては、例えば、ジアゾール、トリアゾール、テトラゾール等が挙げられる。これらのなかでは、イミダゾール、２−メチルイミダゾール、２−エチルイミダゾール、２−エチル−４−メチルイミダゾール、２−フェニルイミダゾール、２−ウンデシルイミダゾールが望ましい。上記エッチング液において、上記第二銅錯体の含有量は、１〜１５重量％が望ましい。溶解性および安定性に優れ、また、触媒核を構成するＰｄ等の貴金属をも溶解させることができるからである。
【００７５】
上記黒化還元処理の具体的な方法としては、ＮａＯＨ（１０ｇ／ｌ）、ＮａＣｌＯ2 （４０ｇ／ｌ）、Ｎａ3 ＰＯ4 （６ｇ／ｌ）、を含む水溶液を黒化浴とする黒化処理、および、ＮａＯＨ（１０ｇ／ｌ）、ＮａＢＨ4 （６ｇ／ｌ）を含む水溶液を還元浴とする還元処理を行う方法等が挙げられる。
【００７６】
上記めっき処理の具体的な方法としては、硫酸銅（１〜４０ｇ／ｌ）、硫酸ニッケル（０．１〜６．０ｇ／ｌ）、クエン酸（１０〜２０ｇ／ｌ）、次亜リン酸ナトリウム（１０〜１００ｇ／ｌ）、ホウ酸（１０〜４０ｇ／ｌ）および界面活性剤（日信化学工業社製、サーフィノール４６５）（０．０１〜１０ｇ／ｌ）を含むｐＨ＝９の無電解めっき浴にて無電解めっきを施す方法等が挙げられる。
【００７７】
（５）次に、ＩＣ内蔵基板３０上に、上記したように、感光性カルド型ポリマーの溶液を塗布した後、加熱下で乾燥することより、感光性カルド型ポリマーの半硬化層５０′を形成し（図７（Ａ）参照）、さらに、感光性カルド型ポリマーの半硬化層５０′にバイアホール用開口４８を形成した後、本硬化することにより層間樹脂絶縁層５０を形成する（図７（Ｂ）参照）。
【００７８】
（６）次に、必要に応じて、層間樹脂絶縁層５０の表面に粗化面５０αを形成する（図７（Ｃ）参照）。粗化面５０αは、例えば、プラズマ処理を行うことにより形成する。また、粗化面５０αを形成することなしに、後述するスパッタリングを直接行ってもよい。
【００７９】
（７）次に、層間樹脂絶縁層５０表面に、必要により、銅、ニッケル、スズ、亜鉛、コバルト、タリウム、鉛、これらの合金等からなる薄膜導体層５２を形成する（図８（Ａ）参照）。
薄膜導体層５２は、単層であってもよいし、２層以上からなるものであってもよい。薄膜導体層５２の厚さは、０．１〜１．０μｍが望ましい。
【００８０】
薄膜導体層５２を形成する方法としては、例えば、スパッタリング、無電解めっき等の方法が挙げられる。
上記スパッタリングは、例えば、Ｎｉ−Ｃｕ合金をターゲットにした場合、上記ＳＶ―４５４０を用い、不活性ガスとしてアルゴンガスを使用し、気圧０．６Ｐａ、温度８０℃、電力２００Ｗ、時間５分間の条件で行うことができる。また、無電解めっきにより薄膜導体層５２を形成する場合は、例えば、層間樹脂絶縁層５０の表面に、予め、パラジウム触媒（アトテック社製）等を付与することにより、層間樹脂絶縁層の表面およびバイアホール用開口の内壁面に触媒核を付着させておき、次いで、無電解めっき水溶液中に基板を浸漬することにより、無電解めっき層（薄膜導体層）５２を形成することができる。
【００８１】
（８）次に、薄膜導体層５２を形成した層間樹脂絶縁層５０上の一部にドライフィルムを用いてめっきレジスト５４を形成し、その後、薄膜導体層５２をめっきリードとして電解めっきを行い、上記めっきレジスト非形成部に電解めっき層５６を形成する（図８（Ｂ）参照）。上記電解めっきとしては、銅めっきを用いることが望ましい。
このとき、バイアホール用開口を電解めっきで充填してフィールドビア構造としてもよく、バイアホール用開口に導電性ペースト等を充填した後、その上に蓋めっき層を形成してフィールドビア構造としてもよい。フィールドビア構造を形成することにより、バイアホールの直上にバイアホールを設けることができる。
【００８２】
（９）次に、めっきレジスト５４を除去した後、そのめっきレジスト５４下に存在する薄膜導体層５２をエッチングにて溶解除去し、薄膜導体層５２と電解めっき層５６とからなる導体回路５８およびバイアホール６０を形成する。なお、触媒を付着させた後、無電解めっきにより薄膜導体層５４を形成した場合は、酸、または、酸化剤を用いて層間樹脂絶縁層５０上の触媒を除去してもよい。触媒として用いたパラジウムを除去することにより、電気特性の低減を防止することができる。
【００８３】
さらに、必要に応じて、導体回路５８およびバイアホール６０の表面に粗化面５８α、６０αを形成する（図８（Ｃ）参照）。粗化面５８α、６０αは、トランジション層３８表面に粗化面を形成する際に用いる方法と同様の方法により形成することができる。
【００８４】
（１０）次に、必要に応じて、（６）〜（９）の工程を繰り返すことにより、さらに層間樹脂絶縁層１５０および導体回路１５８（バイアホール１６０を含む）を形成する（図９（Ａ）参照）。
【００８５】
（１１）次に、最外層の導体回路１５８を含む基板面にソルダーレジスト層７０を形成する。上記ソルダーレジスト層としては、例えば、ポリフェニレンエーテル樹脂、ポリオレフィン樹脂、フッ素樹脂、熱可塑性エラストマー、ソルダーレジスト樹脂組成物等からなるものが挙げられる。
上記ソルダーレジスト層は、未硬化の樹脂（樹脂組成物）をロールコータ法等により塗布したり、未硬化の樹脂フィルムを熱圧着したりした後、レーザ処理、露光・現像処理等による開口処理を行い、さらに、硬化処理等を行うことにより形成する（図９（Ｂ）参照）。
【００８６】
上記ソルダーレジスト樹脂組成物としては、例えば、ノボラック型エポキシ樹脂の（メタ）アクリレート、イミダゾール硬化剤、２官能性（メタ）アクリル酸エステルモノマー、分子量５００〜５０００程度の（メタ）アクリル酸エステルの重合体、ビスフェノール型エポキシ樹脂等からなる熱硬化性樹脂、多価アクリル系モノマー等の感光性モノマー、グリコールエーテル系溶剤などを含むペースト状の流動体等が挙げられ、その粘度は２５℃で１〜１０Ｐａ・ｓに調製されていることが望ましい。
【００８７】
上記ノボラック型エポキシ樹脂の（メタ）アクリレートとしては、例えば、フェノールノボラックやクレゾールノボラックのグリシジルエーテルをアクリル酸やメタクリル酸等と反応させたエポキシ樹脂等が挙げられる。
また、上記２官能性（メタ）アクリル酸エステルモノマーとしては特に限定されず、例えば、各種ジオール類やアクリル酸やメタクリル酸のエステル等が挙げられる。
【００８８】
（１２）この後、ソルダーレジスト層７０の開口部７１内の導体回路１５８上にニッケルめっき層７２、金めっき層７４等を形成することにより、半田パッドを設け、該半田パッド上に、はんだペーストを印刷して、２００℃でリフローすることにより、半田バンプ７６を形成する。これにより、ＩＣチップ２０が基板に内蔵され、半田バンプを有する多層プリント配線板を得ることができる（図１参照）。
また、上記ソルダーレジスト層の開口部に、はんだペーストを印刷した後、開口部に導電性ピンを載置し、２００℃でリフローすることにより、外部端子と接続するためのＰＧＡ(Pin Grid Array)が配設された多層プリント配線板としてもよい。
【００８９】
また、本発明の製造方法では、第一のトランジション層形成方法（上記（３）の工程）に代えて、下記（ａ）〜（ｅ）の工程を含む方法（以下、第二のトランジション層形成方法という）を用いてトランジション層３８を形成してもよい。なお、上記第二のトランジション層形成方法を用いる場合も、トランジション層３８を形成する工程以外は、上記の製造方法を用いればよい。
上記第二のトランジション層形成方法については、図１２を参照しながら説明する。
【００９０】
（ａ）まず、ＩＣ内蔵基板の全面に上記した第一のトランジション層形成方法の工程（ａ）と同様にして、金属膜３６′を形成する（図１２（Ａ）参照）。
（ｂ）次に、上記金属膜上の全面に無電解めっきおよび／または電解めっきによりめっき層３７′を形成する。めっき層３７′としては、電解銅めっき層が望ましい（図１２（Ｂ）参照）。
めっき層３７′の厚さは、１〜１５μｍが望ましい。上記厚さが１５μｍを超えると、後述するエッチングの際にアンダーカットが発生し、形成されるトラジシッン層とパッド２４との界面に隙間が発生し、両者の間で剥離が発生する原因となることがあるからである。
【００９１】
（ｃ）次に、上記めっき層上に、感光性ドライフィルムを貼り付ける。上記感光性ドライフィルムとしては特に限定されず、従来、エッチングレジストを形成するために使用されている市販品を用いればよい。
（ｄ）次に、上記感光性ドライフィルム上に、形成するトランジション層に対応するパターンが形成されたマスクを載置し、露光・現像処理を施すことにより、トランジション層非形成部に相当する部分が開口したエッチングレジスト３９を形成する（図１２（Ｃ）参照）。
【００９２】
（ｅ）さらに、エッチングレジスト３９非形成部下の金属膜３６′およびめっき層３７′をエッチング処理により除去することにより、トランジション層３８を形成する（図１２（Ｄ）参照）。
上記エッチング処理は、例えば、硫酸／過酸化水素水溶液、塩化第二鉄、塩化第二銅、過硫酸アンモニウム等の過硫酸塩の水溶液等のエッチング液を用いて行えばよい。
【００９３】
このように、第二のトランジション層形成方法によりトランジション層を形成した場合も、後工程で層間樹脂絶縁層を形成する際に、パッド上に樹脂残りが発生することを防ぐことができ、また、酸、酸化剤またはエッチング液に浸漬させたり、種々のアニール工程を経る際に、パッドの変色、溶解が発生することを防ぐことができるため、パッドとバイアホールとの接続をより確実なものとすることができる。
【００９４】
なお、製品認識文字などを形成するための文字印刷工程やソルダーレジスト層改質のために、酸素や四塩化炭素などのプラズマ処理を適時行ってもよい。以上の方法は、セミアディティブ法によるものであるが、フルアディティブ法を採用してもよい。
【００９５】
このように、本発明の製造方法を用いることにより、ＩＣチップ等の電子部品が基板内に内蔵され、該ＩＣチップと多層プリント配線板とが、リード部品を介さず、直接電気的に接続された多層プリント配線板を製造することができる。
また、本発明の製造方法では、層間樹脂絶縁層の形成に感光性カルド型ポリマーを用いているため、比較的低い硬化温度（１５０〜２５０℃）で、架橋密度が高く、形状保持性や耐熱性に優れる層間樹脂絶縁層を形成することができ、層間樹脂絶縁層形成時に、基板が軟化したり、溶解したりすることがない。
また、上記感光性カルド型ポリマーは、露光・現像処理による開口性に優れるため、本発明の製造方法では、バイアホール用開口内に樹脂残りがなく、所望の形状のバイアホールを形成することができる。
【実施例】
【００９６】
以下、本発明をさらに詳細に説明する。
【００９７】
（実施例１）
（１）その上部がパッシベーション膜２２により被覆され、パッシベーション膜２２の開口内に入出力端子としてアルミニウムパッド２４が形成されているＩＣチップ２０が内蔵された厚さ０．８μｍのＢＴ（ビスマレイミドトリアジン）樹脂基板（以下、ＩＣ内蔵ＢＴ基板ともいう）３０を出発材料とした。（図２（Ａ）参照）。
まず、ＩＣチップ２０の四隅に配設された位置決めマーク（図示せず）をカメラで撮影し、上記位置決めマークを基準として、ＩＣ内蔵基板３０の四隅にレーザで位置決めマークを形成することによりＩＣチップの位置決めを行った。
【００９８】
（２）次に、ＩＣチップを含む基板表面に、予めその粘度を３０Ｐａ・ｓに調整しておいた感光性カルド型ポリマーの溶液をカーテンコータで塗布した後、温度１５０℃で２０分間乾燥させることにより感光性カルド型ポリマーの半硬化層５０′を形成した（図２（Ｂ）参照）。
【００９９】
なお、ここで用いた感光性カルド型ポリマーは、上記化学式（１）で表されるビス−フェノールフルオレン−ヒドロキシアクリレートと上記一般式（３）おいて、Ｒ2 、Ｒ3 、Ｒ4 、Ｒ5 およびＲ6 が水素であるビス−アニリン−フルオレンとピロメリト酸無水物とを、モル比＝１：４：５で反応させて得られるランダム共重合体である。
【０１００】
次いで、バイアホール用開口形成部分に相当する部分に黒円が描画されたフォトエッチング用マスクを、上記感光性カルド型ポリマーの半硬化層５０′上に載置した後、紫外線を４００ｍｊ／ｃｍ2 の条件で照射することにより、露光・現像処理を施し、バイアホール用開口４８を形成した。その後、２５０℃、１２０分間の条件で本硬化を行い、層間樹脂絶縁層５０を形成した（図２（Ｃ）参照）。なお、ここで形成した層間樹脂絶縁層のガラス転移温度は、２６０℃であった。
【０１０１】
（３）次に、日本真空技術株式会社製のＳＶ―４５４０を用い、不活性ガスとしてはアルゴンガスを使用し、電力２００Ｗ、ガス圧０．６Ｐａ、温度７０℃の条件で、２分間プラズマ処理を行い、層間樹脂絶縁層５０の表面に粗化面５０αを形成した（図２（Ｄ）参照）。
【０１０２】
（４）さらに、同じ装置を用い、内部のアルゴンガスを交換した後、Ｚｎをターゲットにしたスパッタリングを、気圧０．６Ｐａ、温度８０℃、電力２００Ｗ、時間５分間の条件で行い、Ｚｎからなる厚さ０．１μｍの薄膜導体層５２を層間樹脂絶縁層５０の表面に形成した（図３（Ａ）参照）。
【０１０３】
（５）次に、薄膜導体層５２を形成した層間樹脂絶縁層５０上の一部にドライフィルムを用いてめっきレジスト５４を形成し、その後、薄膜導体層５２をめっきリードとして下記の条件で電解銅めっきを行い、上記めっきレジスト非形成部に電解銅めっき層５６を形成した（図３（Ｂ）参照）。
【０１０４】
〔電解銅めっき水溶液〕
硫酸        ２．２４  ｍｏｌ／ｌ
硫酸銅      ０．２６  ｍｏｌ／ｌ
添加剤（アトテックジャパン社製、カパラシドＨＬ）    １９．５  ｍｌ／ｌ
〔電解めっき条件〕
電流密度    １Ａ／ｄｍ2 
時間        ６５分
温度        ２２℃±２℃
【０１０５】
（６）次に、めっきレジストを除去した後、そのめっきレジスト下に存在していた薄膜導体層５２をエッチングにて溶解除去し、薄膜導体層５２と電解めっき層５６からなる厚さ１６μｍの導体回路５８およびバイアホール６０を形成した。
その後、導体回路５８（バイアホール６０を含む）を形成した基板にエッチング液をスプレイで吹きつけ、導体回路５８の表面に粗化面５８αを形成した（図３（Ｃ）参照）。ここで、エッチング液としては、イミダゾール銅（ＩＩ）錯体１０重量部、グリコール酸７重量部、塩化カリウム５重量部およびイオン交換水７８重量部を混合したものを使用した。
【０１０６】
（７）次に、（２）〜（６）の工程を繰り返すことにより、さらに上層の層間樹脂絶縁層１５０および導体回路１５８（バイアホール１６０を含む）を形成した（図４（Ａ）参照）。
【０１０７】
（８）次に、ジエチレングリコールジメチルエーテル（ＤＭＤＧ）に６０重量％の濃度になるように溶解させた、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂（日本化薬社製）のエポキシ基５０％をアクリル化した感光性付与のオリゴマー（分子量４０００）４６．６７重量部、メチルエチルケトンに溶解させた８０重量％のビスフェノールＡ型エポキシ樹脂（油化シェル社製、商品名：エピコート１００１）１５重量部、イミダゾール硬化剤（四国化成社製、商品名：２Ｅ４ＭＺ−ＣＮ）１．６重量部、感光性モノマーである多官能アクリルモノマー（共栄化学社製、商品名：Ｒ６０４）３重量部、同じく多価アクリルモノマー（共栄化学社製、商品名：ＤＰＥ６Ａ）１．５重量部、分散系消泡剤（サンノプコ社製、商品名：Ｓ−６５）０．７１重量部を容器にとり、攪拌、混合して混合組成物を調整し、この混合組成物に対して光重量開始剤としてベンゾフェノン（関東化学社製）２．０重量部、光増感剤としてのミヒラーケトン（関東化学社製）０．２重量部を加えて、粘度を２５℃で２．０Ｐａ・ｓに調整したソルダーレジスト組成物を得た。なお、粘度測定は、Ｂ型粘度計（東京計器社製、ＤＶＬ−Ｂ型）で６０ｒｐｍの場合はローターＮｏ．４、６ｒｐｍの場合はローターＮｏ．３によった。
【０１０８】
（９）次に、基板３０に、上記ソルダーレジスト組成物を２０μｍの厚さで塗布し、７０℃で２０分間、７０℃で３０分間の条件で乾燥処理を行った後、ソルダーレジストレジスト開口部のパターンが描画された厚さ５ｍｍのフォトマスクをソルダーレジスト層７０に密着させて１０００ｍＪ／ｃｍ2 の紫外線で露光し、ＤＭＴＧ溶液で現像処理し、２００μｍの直径の開口７１を形成した（図４（Ｂ）参照）。
【０１０９】
（１０）次に、ソルダーレジスト層７０を形成した基板を、塩化ニッケル（２．３×１０-1ｍｏｌ／ｌ）、次亜リン酸ナトリウム（２．８×１０-1ｍｏｌ／ｌ）、クエン酸ナトリウム（１．６×１０-1ｍｏｌ／ｌ）を含むｐＨ＝４．５の無電解ニッケルめっき液に２０分間浸漬して、開口部７１に厚さ５μｍのニッケルめっき層７２を形成した。さらに、その基板を、シアン化金カリウム（７．６×１０-3ｍｏｌ／ｌ）、塩化アンモニウム（１．９×１０-1ｍｏｌ／ｌ）、クエン酸ナトリウム（１．２×１０-1ｍｏｌ／ｌ）、次亜リン酸ナトリウム（１．７×１０-1ｍｏｌ／ｌ）を含む無電解めっき液に８０℃の条件で７．５分間浸漬して、ニッケルめっき層７２上に厚さ０．０３μｍの金めっき層７４を形成することで、導体回路１５８に半田パッド７５を形成した（図４（Ｃ）参照）。
【０１１０】
（１１）この後、ソルダーレジスト層７０の開口部７１に、はんだペーストを印刷して、２００℃でリフローすることにより、半田バンプ７６を形成した。これにより、ＩＣチップ２０を内蔵し、半田バンプ７６を有する多層プリント配線板１００を得た（図１０参照）。
【０１１１】
（実施例２）
実施例１の工程（４）において、Ｚｎをターゲットにしたスパッタリングに代えて、Ｃｒをターゲットにしたスパッタリングを、気圧０．６Ｐａ、温度８０℃、電力２００Ｗ、時間５分間の条件で行い、Ｃｒからなる厚さ０．１μｍの薄膜導体層５２を層間樹脂絶縁層５０の表面に形成した以外は実施例１と同様にして多層プリント配線板を得た。
【０１１２】
（実施例３）
実施例１の工程（２）において、感光性カルド型ポリマーとして、ビス−フェノールフルオレン−ヒドロキシアクリレートと、ビス−アニリン−フルオレンと、ピロメリト酸無水物と、上記一般式（２）においてＲ1 がカルボニル基であるベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物とを、モル比＝１：４：３：２で反応させて得られるランダム共重合体を用い、さらに、工程（４）において、Ｚｎをターゲットにしたスパッタリングに代えて、Ｎｉをターゲットにしたスパッタリングを、気圧０．６Ｐａ、温度８０℃、電力２００Ｗ、時間５分間の条件で行い、Ｎｉからなる厚さ０．１μｍの薄膜導体層５２を層間樹脂絶縁層５０の表面に形成した以外は実施例１と同様にして多層プリント配線板を得た。なお、層間樹脂絶縁層のガラス転移温度は、２６０℃であった。
【０１１３】
（実施例４）
（１）実施例１と同様の厚さ０．８μｍのＩＣ内蔵ＢＴ基板３０を出発材料とした（図５（Ａ）参照）。まず、ＩＣチップ２０の四隅に配設された位置決めマークをカメラで撮影し、上記位置決めマークを基準として、ＩＣ内蔵基板３０の四隅にレーザで位置決めマークを形成することによりＩＣチップの位置決めを行った。
【０１１４】
（２）次に、Ｚｎをターゲットにしたスパッタリングを、日本真空技術株式会社製のＳＶ−４５４０を用い、ガス圧０．６Ｐａ、温度８０℃、電力２００Ｗ、時間５分間の条件で行い、ＩＣ内蔵ＢＴ基板３０の全面に厚さ０．１μｍのＺｎ膜を形成し、さらに、Ｚｎ膜上に無電解銅めっきにより厚さ０．７μｍの無電解銅めっき膜を形成することにより、亜鉛と銅とからなる金属膜３６を形成した（図５（Ｂ）参照）。
【０１１５】
（３）次に、金属膜３６上に、感光性ドライフィルムを張りつけた後、該感光性ドライフィルム上に、パッド２４に対応するパターンが形成されたマスクを載置し、露光・現像処理を施すことにより、パッド２４の上部に開口を有するめっきレジスト３５を形成した。さらに、めっきレジスト３５非形成部に、以下の条件で電解銅めっきを施して電解銅めっき層３７を設けた（図６（Ａ）参照）。
【０１１６】
〔電解銅めっき水溶液〕
硫酸        ２．２４  ｍｏｌ／ｌ
硫酸銅      ０．２６  ｍｏｌ／ｌ
添加剤（アトテックジャパン社製、カパラシドＨＬ）    １９．５  ｍｌ／ｌ
〔電解めっき条件〕
電流密度    １Ａ／ｄｍ2 
時間        ６５分
温度        ２２℃±２℃
【０１１７】
（４）さらに、めっきレジスト３５を除去した後、めっきレジスト３５下の金属膜３６をエッチングにより除去することにより、ＩＣチップのパッド２４上に直径６０μｍのトランジション層３８を形成した（図６（Ｂ）参照）。なお、エッチング液としては、硫酸と過酸化水素との混合液を用いた。
【０１１８】
（５）次に、トランジション層３８を形成したＩＣ内蔵ＢＴ基板３０にエッチング液をスプレイで吹きつけ、トランジション層３８の表面に粗化面３８αを形成した（図６（Ｃ）参照）。ここで、エッチング液としては、イミダゾール銅（ＩＩ）錯体１０重量部、グリコール酸７重量部、塩化カリウム５重量部およびイオン交換水７８重量部を混合したものを使用した。
【０１１９】
（６）次に、トランジション層３８が形成されたＩＣ内蔵ＢＴ基板３０上に、予めその粘度を３０Ｐａ・ｓに調整しておいた感光性カルド型ポリマーの溶液をカーテンコータで塗布した後、温度１８０℃で２０分間乾燥させることにより感光性カルド型ポリマーの半硬化層５０′を形成した（図７（Ａ）参照）。なお、感光性カルド型ポリマーとしては、実施例１と同様の感光性カルド型ポリマーを用いた。
【０１２０】
次いで、バイアホール用開口形成部分に相当する部分に黒円が描画されたフォトエッチング用マスクを、上記感光性カルド型ポリマーの半硬化層上５０′に載置した後、紫外線を４００ｍｊ／ｃｍ2 の条件で照射した後、現像することにより、露光・現像処理を施し、バイアホール用開口４８を形成した後、２７０℃、１２０分間の条件で乾燥させることにより本硬化を行い、層間樹脂絶縁層５０を形成した（図７（Ｂ）参照）。
【０１２１】
（７）次に、日本真空技術株式会社製のＳＶ―４５４０を用い、不活性ガスとしてはアルゴンガスを使用し、電力２００Ｗ、ガス圧０．６Ｐａ、温度７０℃の条件で、２分間プラズマ処理を行い、層間樹脂絶縁層５０の表面に粗化面５０αを形成した（図７（Ｃ）参照）。
【０１２２】
（８）さらに、粗化面を形成した該基板の表面に、パラジウム触媒（アトテック社製）を付与することにより、層間樹脂絶縁層５０の表面およびバイアホール用開口４８の内壁面に触媒核を付着させた。
【０１２３】
（９）次に、以下の組成の無電解銅めっき水溶液中に基板を浸漬して、粗化面５０αの表面全体に厚さ０．６〜０．９μｍの薄膜導体層５２を形成した（図８（Ａ）参照）。
【０１２４】
〔無電解めっき水溶液〕
ＮｉＳＯ4                         ０．００３  ｍｏｌ／ｌ
酒石酸                            ０．２００  ｍｏｌ／ｌ
硫酸銅                            ０．０３０  ｍｏｌ／ｌ
ＨＣＨＯ                          ０．０５０  ｍｏｌ／ｌ
ＮａＯＨ                          ０．１００  ｍｏｌ／ｌ
α、α′−ビピリジル              ４０  ｍｇ／ｌ
ポリエチレングリコール（ＰＥＧ）  ０．１０  ｇ／ｌ
〔無電解めっき条件〕
３５℃の液温度で４０分
【０１２５】
（１０）次に、薄膜導体層５２を形成した層間樹脂絶縁層５０上の一部にドライフィルムを用いてめっきレジストを形成し、その後、薄膜導体層５２をめっきリードとして上記（３）と同様の条件で電解銅めっきを行い、上記めっきレジスト非形成部に電解銅めっき層５６を形成した（図８（Ｂ）参照）。
【０１２６】
（１１）次に、めっきレジストを除去した後、そのめっきレジスト下に存在していた薄膜導体層５２をエッチングにて溶解除去し、薄膜導体層５２と電解めっき膜５６からなる厚さ１６μｍの導体回路５８およびバイアホール６０を形成した。その後、導体回路５８（バイアホール６０を含む）が形成された基板にエッチング液をスプレイで吹きつけ、導体回路５８およびバイアホール６０の表面に粗化面５８α、６０αを形成した（図８（Ｃ）参照）。エッチング液としては、上記（５）の工程で、トランジション層の表面に粗化面を形成する際に使用したエッチング液と同様のものを用いた。
【０１２７】
（１２）次に、（６）〜（１１）の工程を繰り返すことにより、さらに上層の層間樹脂絶縁層１５０および導体回路１５８（バイアホール１６０を含む）を形成した（図９（Ａ）参照）。
【０１２８】
（１３）次に、実施例１と同様にしてソルダーレジスト組成物を得た。
さらに、最外層に導体回路１５８の形成されたＩＣ内蔵基板３０に、上記ソルダーレジスト組成物を２０μｍの厚さで塗布し、７０℃で２０分間、７０℃で３０分間の条件で乾燥処理を行った後、ソルダーレジストレジスト開口部のパターンが描画された厚さ５ｍｍのフォトマスクをソルダーレジスト層７０に密着させて１０００ｍＪ／ｃｍ2 の紫外線で露光し、ＤＭＴＧ溶液で現像処理し、２００μｍの直径の開口７１を形成した（図９（Ｂ）参照）。
【０１２９】
（１４）次に、ソルダーレジスト層７０を形成した基板を、塩化ニッケル（２．３×１０-1ｍｏｌ／ｌ）、次亜リン酸ナトリウム（２．８×１０-1ｍｏｌ／ｌ）、クエン酸ナトリウム（１．６×１０-1ｍｏｌ／ｌ）を含むｐＨ＝４．５の無電解ニッケルめっき液に２０分間浸漬して、開口部７１に厚さ５μｍのニッケルめっき層７２を形成した。さらに、その基板を、シアン化金カリウム（７．６×１０-3ｍｏｌ／ｌ）、塩化アンモニウム（１．９×１０-1ｍｏｌ／ｌ）、クエン酸ナトリウム（１．２×１０-1ｍｏｌ／ｌ）、次亜リン酸ナトリウム（１．７×１０-1ｍｏｌ／ｌ）を含む無電解めっき液に８０℃の条件で７．５分間浸漬して、ニッケルめっき層７２上に厚さ０．０３μｍの金めっき層７４を形成することで、導体回路１５８に半田パッド７５を形成した（図９（Ｃ）参照）。
【０１３０】
（１５）この後、ソルダーレジスト層７０の開口部７１に、はんだペーストを印刷して、２００℃でリフローすることにより、半田バンプ７６を形成する。これにより、ＩＣチップ２０を内蔵し、半田バンプ７６を有する多層プリント配線板１０を得た（図１参照）。
【０１３１】
（実施例５）
実施例４の工程（２）において、感光性カルド型ポリマーとして、実施例３と同様のランダム共重合を使用し、さらに、工程（２）において、Ｚｎをターゲットにしたスパッタリングに代えて、Ｃｒをターゲットにしたスパッタリングを、気圧０．６Ｐａ、温度８０℃、電力２００Ｗ、時間５分間の条件で行い、Ｃｒからなる厚さ０．１μｍの金属膜３６をＩＣ内蔵ＢＴ基板３０の全面に形成した以外は実施例４と同様にして多層プリント配線板を得た。
【０１３２】
（実施例６）
（１）実施例１と同様の厚さ０．８μｍのＩＣ内蔵ＢＴ基板３０を出発材料とした（図５（Ａ）参照）。まず、ＩＣチップ２０の四隅に配設された位置決めマークをカメラで撮影し、上記位置決めマークを基準として、ＩＣ内蔵基板３０の四隅にレーザで位置決めマークを形成することによりＩＣチップの位置決めを行った。
【０１３３】
（２）次に、Ｎｉをターゲットにしたスパッタリングを、日本真空技術株式会社製のＳＶ−４５４０を用い、ガス圧０．６Ｐａ、温度８０℃、電力２００Ｗ、時間５分間の条件で行い、ＩＣ内蔵ＢＴ基板３０の全面に厚さ０．１μｍのＮｉ膜を形成し、さらに、Ｎｉ膜上に、さらに無電解銅めっきにより厚さ０．７μｍの無電解銅めっき膜を形成することにより、ニッケルと銅とからなる金属膜３６′を形成した（図１２（Ａ）参照）。
【０１３４】
（３）次に、金属膜３６′上に、実施例４の工程（３）と同様の条件で、電解銅をめっきを施し、金属膜３６′上の全面に電解銅めっき層３７′を設けた（図１２（Ｂ）参照）。
【０１３５】
（４）さらに、上記電解銅めっき層３７′上に、感光性ドライフィルムを張りつけ、該感光性ドライフィルム上に、トランジション層に対応するパターンが形成されたマスクを載置し、露光・現像処理を施すことにより、トランジション層非形成部に相当する部分が開口したエッチングレジスト３９を形成した（図１２（Ｃ）参照）。
【０１３６】
（５）さらに、エッチングレジスト３９非形成部下の金属膜３６′および電解銅めっき層３７′をエッチング処理により除去することにより、ＩＣチップ上に直径６０μｍのトランジション層３８を形成した（図１２（Ｄ）参照）。なお、このエッチング処理では、硫酸と過酸化水素水溶液とからなるエッチング液を使用した。
【０１３７】
（６）実施例４の（５）〜（１２）の工程と同様にして、最外層に導体回路１５８が形成された基板を作製した（図９（Ａ）参照）。
【０１３８】
（７）次に、実施例１と同様にしてソルダーレジスト組成物を得た。
さらに、最外層に導体回路１５８の形成されたＩＣ内蔵基板３０に、上記ソルダーレジスト組成物を２０μｍの厚さで塗布し、７０℃で２０分間、７０℃で３０分間の条件で乾燥処理を行った後、ソルダーレジストレジスト開口部のパターンが描画された厚さ５ｍｍのフォトマスクをソルダーレジスト層７０に密着させて１０００ｍＪ／ｃｍ2 の紫外線で露光し、ＤＭＴＧ溶液で現像処理し、２００μｍの直径の開口７１を形成した（図９（Ｂ）参照）。
【０１３９】
（８）次に、ソルダーレジスト層７０を形成した基板を、塩化ニッケル（２．３×１０-1ｍｏｌ／ｌ）、次亜リン酸ナトリウム（２．８×１０-1ｍｏｌ／ｌ）、クエン酸ナトリウム（１．６×１０-1ｍｏｌ／ｌ）を含むｐＨ＝４．５の無電解ニッケルめっき液に２０分間浸漬して、開口部７１に厚さ５μｍのニッケルめっき層７２を形成した。さらに、その基板を、シアン化金カリウム（７．６×１０-3ｍｏｌ／ｌ）、塩化アンモニウム（１．９×１０-1ｍｏｌ／ｌ）、クエン酸ナトリウム（１．２×１０-1ｍｏｌ／ｌ）、次亜リン酸ナトリウム（１．７×１０-1ｍｏｌ／ｌ）を含む無電解めっき液に８０℃の条件で７．５分間浸漬して、ニッケルめっき層７２上に厚さ０．０３μｍの金めっき層７４を形成することで、導体回路１５８に半田パッド７５を形成した（図９（Ｃ）参照）。
【０１４０】
（９）この後、ソルダーレジスト層７０の開口部７１に、はんだペーストを印刷した後、該はんだペーストを介して半田パッド上に導電性ピン１７６を載置し、２００℃でリフローすることにより、ＩＣチップ２０を内蔵し、ＰＧＡ（Pin Grid Array）が配設された多層プリント配線板１１０を得た（図１１参照）。
【０１４１】
このようにして製造した多層プリント配線板について、ＩＣチップのパッド表面の観察、並びに、信頼性試験前後における導体回路と層間樹脂絶縁層との間での剥離の発生の有無、ＩＣチップのパッドとバイアホールとの間での剥離の発生の有無、および、導通試験時の短絡、断線の発生の有無を以下の評価方法を用いて評価した。
【０１４２】
（１）パッド表面の観察
多層プリント配線板を刃物で切断し、切断した断面を顕微鏡で観察した。なお、ここでは、ＩＣチップのパッド部分を通るように多層プリント配線板を切断した。
【０１４３】
（２）信頼性試験
得られた多層プリント配線板を、−６５℃の雰囲気下に３分間維持した後、１３０℃の雰囲気下に３分間維持するサイクルを１０００回繰り返した。
【０１４４】
（３）導体回路と層間樹脂絶縁層との間での剥離の発生の有無上記（１）と同様にして多層プリント配線板をカッターで切断し、切断した断面を顕微鏡で観察した。
（４）ＩＣチップのパッドとバイアホールとの間での剥離の発生の有無上記（１）と同様にして多層プリント配線板をカッターで切断し、切断した断面を顕微鏡で観察した。
【０１４５】
（５）短絡または断線の発生の有無
得られたＩＣチップ内蔵多層プリント配線板の導通試験を行い、モニターに表示された結果から導通状態を評価した。
【０１４６】
上記評価の結果、実施例１〜３の多層プリント配線板は、トランジション層が形成されていないため、バイアホールとＩＣチップのパッドとの間で位置ずれを生じでいる部分や、パッド表面に樹脂残りが発生しているが一部に見られたものの、バイアホールとパッドとは接続されており、製品の性能に影響を及ぼす程のものではなかった。
また、導体回路と層間樹脂絶縁層との間や、パッドとバイアホールとの間では、剥離が発生しておらず、また、導通試験において、短絡や断線は発生していなかった。
【０１４７】
また、実施例４〜６の多層プリント配線板では、パッド上にトランジション層を形成したため、バイアホールとＩＣチップのパッドとの間での位置ずれや、パッド表面での樹脂残りは発生していなかった。
また、導体回路と層間樹脂絶縁層との間や、パッドとバイアホールとの間での剥離は発生しておらず、また、導通試験において、短絡や断線は発生していなかった。
【図面の簡単な説明】
【０１４８】
【図１】図１は、本発明の多層プリント配線板の一例を模式的に示す断面図である。
【図２】（Ａ）〜（Ｄ）は、本発明の多層プリント配線板の製造工程を模式的に示す断面である。
【図３】（Ａ）〜（Ｃ）は、本発明の多層プリント配線板の製造工程を模式的に示す断面である。
【図４】（Ａ）〜（Ｃ）は、本発明の多層プリント配線板の製造工程を模式的に示す断面である。
【図５】（Ａ）、（Ｂ）は、本発明の多層プリント配線板の製造工程を模式的に示す断面である。
【図６】（Ａ）〜（Ｃ）は、本発明の多層プリント配線板の製造工程を模式的に示す断面である。
【図７】（Ａ）〜（Ｃ）は、本発明の多層プリント配線板の製造工程を模式的に示す断面である。
【図８】（Ａ）〜（Ｃ）は、本発明の多層プリント配線板の製造工程を模式的に示す断面である。
【図９】（Ａ）〜（Ｃ）は、本発明の多層プリント配線板の製造工程を模式的に示す断面である。
【図１０】図１０は、本発明の多層プリント配線板の別の一例を模式的に示す断面である。
【図１１】図１１は、本発明の多層プリント配線板のさらに別の一例を模式的に示す断面である。
【図１２】（Ａ）〜（Ｄ）は、本発明の多層プリント配線板の製造工程を模式的に示す断面である。
【符号の説明】
【０１４９】
２０  ＩＣチップ
２４  パッド
３０  ＩＣ内蔵基板
３８  トランジション層
５０、１５０  層間樹脂絶縁層
５８、１５８  導体回路
６０、１６０  バイアホール
７０  ソルダーレジスト層
７６  半田バンプ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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