(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
陰極と陽極との間に発光層を有した発光装置の製造方法であって、
基板上に所定パターンの陽極を形成する工程と、
前記陽極上に発光層を形成する工程と、
前記発光層上に、相対的に前記発光層との電子の注入障壁が小さい導電材料を、前記陽極のパターンに倣ったパターンで成膜して、第１陰極層を形成する工程と、
前記第１陰極層上に、相対的に前記発光層との電子の注入障壁が大きい導電材料を、前記パターン形成された第１陰極層全体を覆う形で成膜して、第２陰極層を形成する工程と、を含み、
前記第１陰極層の形成工程は、真空下において、マスクを介した蒸着により前記注入障壁が小さい導電材料をパターン成膜する工程を含み、
前記第２陰極層の形成工程は、前記第１陰極層の形成工程での真空を保ったまま、前記マスクを介した蒸着により、前記第１陰極層上に前記注入障壁が大きい導電材料を成膜する工程と、前記真空を開放した後、前記第１陰極層の形成領域の全面に前記注入障壁が大きい導電材料を成膜する工程とを含むことを特徴とする発光装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、発光装置、発光装置の製造方法、及び電子機器に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
ＥＬ装置に代表される自己発光型の発光装置は、視認性が高く、また完全固体のため耐衝撃性に優れるという特徴を有しており、また薄膜の面発光素子からなるため、薄軽量の発光装置として開発が進められている。ＥＬ装置は、無機や有機化合物を発光層として用いているが、特に有機化合物を２つの電極に挟んでなる有機ＥＬ装置は、有機化合物の種類が豊富で様々な色の光を高効率、高輝度で発光するので、次世代の発光装置としての期待は大きい。
【０００３】
有機ＥＬ装置の作製方法は、蒸着法やスピンコート法、インクジェット法等の薄膜作成法を採用することができるが、これらは直接的なパターニングの可否で大別できる。特にパターニングできない方法の代表例としてスピンコート法が挙げられるが、この場合、基板全面に薄膜を成膜することとなるため、抵抗の低い材料を用いると画素間でクロストークを生じてしまい、発光のにじみが発生して、コントラストの良い表示が得られず、視認性が低下する。そこで、クロストーク低減を目的とした研究がこれまでにも行われている（例えば特許文献１参照）。
【特許文献１】特表２００３−５３６２２７号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
上記特許文献１では、クロストークを低減するため抵抗の高い材料を使用して効率と寿命の向上を図っている。しかしながら、抵抗の高い材料を用いると、その分だけ発光効率が低減する問題がある。本発明は、発光部に抵抗の低い材料を用いてもクロストークが生じず、視認性の高い発光装置を提供することを目的としている。また、そのような発光装置の製造方法についても提供することを目的としており、さらに同発光装置を備えた電子機器を提供することを目的としている。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明の発光装置の製造方法は、陰極と陽極との間に発光層を有した発光装置の製造方法であって、基板上に所定パターンの陽極を形成する工程と、前記陽極上に発光層を形成する工程と、前記発光層上に、相対的に前記発光層との電子の注入障壁が小さい導電材料を、前記陽極のパターンに倣ったパターンで成膜して、第１陰極層を形成する工程と、前記第１陰極層上に、相対的に前記発光層との電子の注入障壁が大きい導電材料を、前記パターン形成された第１陰極層全体を覆う形で成膜して、第２陰極層を形成する工程と、を含み、前記第１陰極層の形成工程は、真空下において、マスクを介した蒸着により前記注入障壁が小さい導電材料をパターン成膜する工程を含み、前記第２陰極層の形成工程は、前記第１陰極層の形成工程での真空を保ったまま、前記マスクを介した蒸着により、前記第１陰極層上に前記注入障壁が大きい導電材料を成膜する工程と、前記真空を開放した後、前記第１陰極層の形成領域の全面に前記注入障壁が大きい導電材料を成膜する工程とを含むことを特徴とする。
【０００６】
このような発光装置によると、前記発光層との電子の注入障壁の小さい陰極層（以下、第１陰極層とも言う）が発光層への選択的な電子注入を担うため、当該第１陰極層が形成された領域において選択的に電子が発光層に注入されることとなる。したがって、第１陰極層が形成されていない領域では、発光層（発光層がパターニングされているか否かは問わない）側に電子が注入されないため発光が生じず、その結果、当該パターンに応じた選択発光がなされることとなり、ひいてはクロストークの発生を防止し、高コントラストの表示を提供することが可能となる。
【０００７】
前記パターニングされた陰極層は、前記発光層との電子の注入障壁が１ｅＶ以下の導電材料からなるものとすることができる。
このように発光層との電子の注入障壁が１ｅＶ以下の導電材料からなる陰極層を第１陰極層としてパターニングすれば、選択的な電子注入が一層効果的に行われることとなり、クロストークの発生を一層防止し、高コントラストの表示を提供することが可能となる。
【０００８】
前記陰極において、相対的に電子の注入障壁の大きい陰極層（以下、第２陰極層とも言う）が、前記パターニングされた陰極層（第１陰極層）を覆って形成されてなるものとすることができる。
電子の注入障壁の小さい第１陰極層は相対的に酸化され易いため、相対的に安定な第２陰極層により当該第１陰極層を覆うものとすれば、第１陰極層が酸化から保護されるため、電子注入特性が低下し難く、その結果、信頼性の高い発光装置を提供することが可能となる。
【０００９】
前記発光層が前記陰極層の形成領域の全面にベタ状に形成されてなるものとすることができる。このように発光層が全面ベタ状に配設される場合であっても、パターニングされた第１陰極層により、当該パターンに対応して電子を選択的に注入することが可能となり、その結果、クロストークの発生を一層防止し、高コントラストの表示を提供することが可能となる。
【００１０】
次に、上記課題を解決するために、本発明の発光装置の製造方法は、陰極と陽極との間に発光層を有した発光装置の製造方法であって、基板上に所定パターンの陽極を形成する工程と、前記陽極上に発光層を形成する工程と、前記発光層上に、相対的に電子の注入障壁が小さい導電材料を、前記陽極のパターンに倣ったパターンで成膜して、第１陰極層を形成する工程と、前記第１陰極層上に、相対的に電子の注入障壁が大きい導電材料を、前記パターン形成された第１陰極層全体を覆う形で成膜して、第２陰極層を形成する工程と、を含むことを特徴とする。
このような製造方法により上述した本発明に係る発光装置を好適に製造することが可能となる。
【００１１】
特に、前記第１陰極層の形成工程は、真空下において、マスクを介した蒸着により前記注入障壁が小さい導電材料をパターン成膜する工程を含み、前記第２陰極層の形成工程は、前記第１陰極層の形成工程での真空を保ったまま、前記マスクを介した蒸着により、前記第１陰極層上に前記注入障壁が大きい導電材料を成膜する工程と、前記真空を開放した後、前記第１陰極層の形成領域の全面に前記注入障壁が大きい導電材料を成膜する工程とを含むものとすることができる。このような方法によると、電子の注入障壁が小さい導電材料が製造工程中で酸化して、第１陰極層の電子注入機能が低下する等の不具合発生を防止することが可能となる。
【００１２】
次に、上記課題を解決するために、本発明の電子機器は、上記本発明に係る発光装置を含むことを特徴とする。
このような電子機器によれば、発光装置を例えば表示部として用いることにより高コントラストの表示が可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１３】
（発光装置）
以下、本発明に係る発光装置の一実施形態である有機ＥＬ装置について、図面を参照して説明する。図１は、本実施形態の有機ＥＬ装置の回路構成図、図２は、図１の有機ＥＬ装置の画素の平面構造を示す図であって陰極や有機ＥＬ層を取り除いた状態の拡大平面図、図３は、複数の画素を含む断面構造を示す図である。
【００１４】
図１に示すように、有機ＥＬ装置７０は、透明の基板上に、複数の走査線１３１と、これら走査線１３１に対して交差する方向に延びる複数の信号線１３２と、これら信号線１３２に並列に延びる複数の共通給電線１３３とがそれぞれ配線されたもので、走査線１３１及び信号線１３２の各交点毎に、画素７１が設けられて構成されたものである。
【００１５】
信号線１３２に対しては、シフトレジスタ、レベルシフタ、ビデオライン、アナログスイッチを備えるデータ側駆動回路７２が設けられている。
一方、走査線１３１に対しては、シフトレジスタ及びレベルシフタを備える走査側駆動回路７３が設けられている。また、画素７１の各々には、走査線１３１を介して走査信号がゲート電極に供給されるスイッチング薄膜トランジスタ１４２と、このスイッチング薄膜トランジスタ１４２を介して信号線１３２から供給される画像信号を保持する保持容量ｃａｐと、保持容量ｃａｐによって保持された画像信号がゲート電極に供給されるカレント薄膜トランジスタ１４３と、このカレント薄膜トランジスタ１４３を介して共通給電線１３３に電気的に接続したときに共通給電線１３３から駆動電流が流れ込む画素電極（陽極）１４１と、この画素電極１４１と陰極１５４との間に挟み込まれる発光部（有機ＥＬ層）１４０と、が設けられている。なお、画素電極１４１と陰極１５４にはそれぞれ素子制御部（図示略）が接続され、両電極に任意の電圧を印加可能になっている。
【００１６】
ここで、図２に示すように、各画素７１の平面構造は、平面形状が長方形の画素電極１４１の四辺が、信号線１３２、共通給電線１３３、走査線１３１及び図示しない他の画素電極用の走査線によって囲まれた配置となっている。
一方、図３に示すように、画素電極１４１は、概ね絶縁部１５０に囲まれた領域内に設けられており、この画素電極１４１上に、正孔注入／輸送層１４０Ａと発光層１４０Ｂとの積層膜からなる発光部１４０が設けられ、当該発光部１４０を覆って陰極１５４が設けられている。なお、絶縁部１５０は、画素電極１４１の外縁をその４辺に沿って覆うように配設されている。
【００１７】
有機ＥＬ装置７０は、発光層１４０Ｂからの出力光を、画素電極１４１が形成された基板Ｐ側から装置外部に取り出す形態であり、基板Ｐは、光を透過可能な透明あるいは半透明材料に少なくとも光を透過可能な透明あるいは半透明な画素電極１４１を形成したものである。光を透過可能な透明あるいは半透明材料としては、例えば、透明なガラス、石英、サファイア、あるいはポリエステル、ポリアクリレート、ポリカーボネート、ポリエーテルケトンなどの透明な合成樹脂などが挙げられる。特に、基板Ｐの形成材料としては、安価なソーダガラスが好適に用いられる。
【００１８】
陽極としての画素電極１４１は、インジウム錫酸化物（Indium Tin Oxide：ＩＴＯ）等からなる透明電極であって光を透過可能なものである。なお、基板Ｐと反対側から発光光を取り出す形態の場合には、基板Ｐを構成する材料は不透明であってもよく、その場合、アルミナ等のセラミック、ステンレス等の金属シートに表面酸化などの絶縁処理を施したもの、熱硬化性樹脂、熱可塑性樹脂などを用いることができ、さらにこの場合、画素電極１４１は遮光性や光反射性の材料で形成することができる。
【００１９】
正孔注入／輸送層１４０Ａは、発光層１４０Ｂの発光効率、寿命などの素子特性を向上させる機能を有する。つまり、正孔注入／輸送層１４０Ａを設けることで、発光層１４０Ｂ内を移動する電子が効率よくブロッキングされ、発光層１４０Ｂ内での正孔と電子との再結合確率を高める効果を得られる。正孔注入／輸送層１４０Ａを形成するための材料（形成材料）としては、例えばチオフェン系化合物（ポリチオフェン（ＰＥＤＯＴ）等）、ピロール系化合物（ポリピロール等）、アニリン系化合物（ポリアニリン等）、アセチレン系化合物（ポリアセチレン等）や、それらの誘導体などを用いることができる。
【００２０】
発光層１４０Ｂは本実施形態では基板Ｐの全面にベタ状に形成されており、つまり画素７１毎にパターニングされておらず、各画素７１に跨って形成されている。発光層１４０Ｂの形成材料としては、低分子の有機発光色素や高分子発光体、即ち、各種の蛍光物質や燐光物質などの発光物質、Ａｌｑ３（アルミキレート錯体）などの有機エレクトロルミネッセンス材料が使用可能である。発光物質となる共役系高分子の中ではアリーレンビニレン又はポリフルオレン構造を含むものなどが特に好ましい。低分子発光体では、例えばナフタレン誘導体、アントラセン誘導体、ペリレン誘導体、ポリメチン系、キサテン系、クマリン系、シアニン系などの色素類、８−ヒドロキノリンおよびその誘導体の金属錯体、芳香族アミン、テトラフェニルシクロペンタジエン誘導体等、又は特開昭５７−５１７８１、同５９−１９４３９３号公報等に記載されている公知のものが使用可能である。
【００２１】
陰極１５４は、材料の異なる２以上の積層構造を有して構成されている。ここでは、それぞれ発光層１４０Ｂとの電子の注入障壁が異なる第１陰極層１５４Ａと第２陰極層１５４Ｂとの積層体からなり、第１陰極層１５４Ａが、第２陰極層１５４Ｂに比して発光層１４０Ｂとの電子の注入障壁が小さいものとされている。
【００２２】
陰極１５４において、相対的に上記注入障壁の小さい第１陰極層１５４Ａが発光層１４０Ｂ側に配設され、第２陰極層１５４Ｂが発光層１４０Ｂとは反対側に配設されている。また、第１陰極層１５４Ａは画素７１に選択配置されるようにパターニングされており、当該パターニングされた第１陰極層１５４Ａを覆うように、第２陰極層１５４Ｂが基板Ｐの全面にベタ状に配設されている。
【００２３】
本実施形態では、第１陰極層１５４Ａは、発光層１４０Ｂとの電子の注入障壁が１ｅＶ以下の導電材料からなり、例えばLiやMgを採用しており、Li金属は仕事関数2.9eVを有しており、発光層との注入障壁は、0.2eVである。またMg金属は仕事関数3.66eVを有しており、発光層との注入障壁は、0.96eVである。その他Cs(仕事関数は2.14eV、その注入障壁-0.56eV)などのアルカリ金属、Ca(仕事関数は2.87eV、その注入障壁0.17eV)、Sr(仕事関数は2.59eV、その注入障壁-0.11eV)、Ba(仕事関数は2.7eV、その注入障壁0eV)などのアルカリ土類金属、LiFなどの化合物も適用できる。一方、第２陰極層１５４Ｂは、発光層１４０Ｂとの電子の注入障壁が１ｅＶ以上の導電材料からなり、例えばAgやAlを採用しており、Ag金属は仕事関数4.26eVを有しており、発光層との注入障壁は、1.56eVである。またAl金属は仕事関数4.28eVを有しており、発光層との注入障壁は、1.58eVである。特に、本実施例のMgとAgは、共蒸着を使用している。この場合注入性の良い金属と注入性の悪い金属との混合層となるため、注入性の良い金属に合わせてパターングが必要となる。
【００２４】
また、有機ＥＬ装置７０では、陰極１５４を覆う封止部材を設けることが好ましく、さらには、陽極１４１と基板Ｐとの間に、基板Ｐ側から陽極１４１、陰極１５４、発光部１４０に対して大気が侵入するのを遮断するための封止層を設けることもできる。光取り出し側に設ける封止層は、例えばセラミックや窒化珪素、酸化窒化珪素、酸化珪素などの透明な材料により形成し、この中でも酸化窒化珪素が透明性、ガスバリア性の観点から好ましい。
【００２５】
このような構成のもとに、走査線１３１が駆動されてスイッチング薄膜トランジスタ１４２がオンとなると、そのときの信号線１３２の電位が保持容量ｃａｐに保持され、該保持容量ｃａｐの状態に応じて、カレント薄膜トランジスタ１４３のオン・オフ状態が決まる。そして、カレント薄膜トランジスタ１４３のチャネルを介して共通給電線１３３から画素電極１４１に電流が流れ、さらに発光部１４０を通じて陰極１５４に電流が流れることにより、発光部１４０は、これを流れる電流量に応じて発光するようになる。
【００２６】
特に、本実施形態では、陰極１５４を２層構造とし、発光層１４０Ｂとの電子の注入障壁が相対的に小さい第１陰極層１５４Ａを画素７１に対応したパターンとしたため、発光層１４０Ｂに対する電子の注入が当該画素領域のみで行われるものとなる。その結果、画素７１における選択発光が確実になされることとなり、ひいてはクロストークの発生を防止し、高コントラストの表示を提供することが可能となる。
【００２７】
さらに、陰極１５４において、相対的に発光層１４０Ｂとの電子の注入障壁の大きい第２陰極層１５４Ｂが、パターニングされた第１陰極層１５４Ａを覆う形で形成されている。発光層１４０Ｂとの電子の注入障壁の小さい第１陰極層１５４Ａは相対的に酸化され易いため、相対的に安定な第２陰極層１５４Ｂにより当該第１陰極層１５４Ａを覆うものとすれば、第１陰極層１５４Ａが酸化から保護されるため、電子注入特性が低下し難く、その結果、当該有機ＥＬ装置７０の信頼性を高めることが可能となる。
【００２８】
なお、本実施形態では、図３に示すように画素７１間（非画素）には絶縁層１５０が形成されている。この絶縁層１５０は発光領域を区画するもので、当該絶縁層１５０により囲まれた領域が発光領域（画素表示領域）となるが、例えば図４に示すように、当該絶縁層１５０を省略することも可能である。つまり、第１陰極層１５４Ａがパターニングされているため、当該第１陰極層１５４Ａの形成領域で選択発光が可能とされており、隣接する画素電極１４１を区画する絶縁層を設けなくても、高コントラストの表示が可能となっている。
【００２９】
また、本実施形態では、上述の通り、第１陰極層１５４Ａがパターニングされているため、当該第１陰極層１５４Ａの形成領域で選択発光が可能とされている。したがって、例えば図５に示すように、絶縁層１５０を基板Ｐ上から正孔注入／輸送層１４０Ａ及び発光層１４０Ｂにまで至るバンク（隔壁部）とし、画素７１毎に異なる色（例えば赤、緑、青色）の発光が可能なように、発光層１４０Ｂの構成材料を画素７１毎に異ならせることで、フルカラーの表示を一層高コントラストで行うことができる。
【００３０】
（発光装置の製造方法）
次に、本発明に係る有機ＥＬ装置７０の製造方法について図６を参照しながら説明する。
まず、図６（ａ）に示すように、基板Ｐを用意する。ここで、本発明に係る有機ＥＬ装置では発光層による発光光を基板Ｐ側から取り出すことも可能であり、また基板Ｐと反対側から取り出す構成とすることも可能である。発光光を基板Ｐ側から取り出す構成とする場合、基板構成材料としてはガラスや石英、樹脂等の透明ないし半透明なものを用いる。なお、基板Ｐと反対側から発光光を取り出す構成の場合、基板Ｐは不透明であってもよく、その場合、アルミナ等のセラミックス、ステンレス等の金属シートに表面酸化などの絶縁処理を施したもの、熱硬化性樹脂、熱可塑性樹脂などを用いることができる。
【００３１】
本実施形態では、基板Ｐとしてガラス等からなる透明基板が用いられる。そして、これに対し、図１及び図２に示したような各種配線１３１〜１３３や薄膜トランジスタ１４２，１４３等を公知の方法により形成する。
【００３２】
次に、図６（ａ）に示すように、画素電極１４１を画素パターンに対応させて形成する。ここでは、インジウム錫酸化物（ＩＴＯ）をスパッタリング法により成膜した後、フォトリソグラフィ法を用いたマスクエッチングにより所望パターンの画素電極１４１を得るものとしている。
【００３３】
続いて、隣接する画素電極１４１の隙間部分（つまり非画素部）に対して、絶縁層１５０を形成する。この絶縁層１５０は仕切部材として機能するものであり、例えばポリイミド等の絶縁性有機材料で形成するのが好ましい。なお、絶縁層１５０は、矩形状の画素電極１４１の外縁を覆うように、当該画素電極１４１の４辺に沿って形成するものとしており、この場合のパターニングもマスクエッチングにより行うことができる。
【００３４】
次に、図６（ｂ）に示すように、発光部１４０を形成する。ここでは、正孔注入／輸送層形成用材料を含む液状体をスピンコート法により、基板Ｐの全面に正孔注入／輸送層１４０Ａを形成した後、同じく発光層形成用材料を含む液状体をスピンコート法により、基板Ｐの全面に発光層１４０Ｂをそれぞれベタ状に成膜するものとしている。
【００３５】
このような塗布法により発光部１４０を形成した後、図６（ｃ）に示すように第１陰極層１５４Ａを形成する。ここでは、所定の開口パターンを有したマスクを用い、該マスクを介したマグネシウムの真空蒸着により、当該マスクの開口部に対応したパターンの第１陰極層１５４Ａを形成するものとしている。
【００３６】
続いて、上記マグネシウムの真空蒸着で用いたチャンバー内で、当該真空を維持したまま上記マスクを介したアルミニウムの真空蒸着により、図６（ｄ）に示すように第２陰極層１５４Ｂの一部を形成する。ここでは、マスクを用いているため、第１陰極層１５４Ａ上のみに第２陰極層１５４Ｂが形成されることとなる。
【００３７】
上記第２陰極層１５４Ｂの一部を形成した後、大気開放してマスクを取り外し、図６（ｅ）に示すように基板Ｐの全面に対して第２陰極層１５４Ｂを形成して、第１陰極層１５４Ａ及び第２陰極層１５４Ｂの積層構造からなる陰極１５４を得る。以上の工程により、有機ＥＬ装置７０が製造される。
【００３８】
上記有機ＥＬ装置の製造方法において、第１陰極層１５４Ａは発光層１４０Ｂとの電子の注入障壁が相対的に低いマグネシウムからなるものであるため、酸化反応が生じ易い。そこで、当該第１陰極層１５４Ａを成膜した後、大気に開放することなく、同一チャンバー内で第２陰極層１５４Ｂを第１陰極層１５４Ａ上に形成して保護膜として機能させている。これにより、第１陰極層１５４Ａが酸化して電子注入機能が低下する等の不具合発生を防止ないし抑止している。
【００３９】
以下、実施例により本発明をさらに詳細に説明する。
まず、図３に示すような構成を具備した有機ＥＬ装置を上述した本実施形態の方法により製造し、実施例１とした。具体的には、ガラス基板Ｐ上にＩＴＯからなる画素電極１４１を画素毎にパターン形成し、正孔注入／輸送層１４０Ａとしてポリチオフェン（ＰＥＤＯＴ）、発光層１４０Ｂとしてポリフルオレンベンゾチアジアゾール（ＰＦＢＴ）を用いて発光部１４０を形成した。なお、正孔注入／輸送層１４０Ａは７５ｎｍの乾燥膜厚で２Ｓ／ｃｍ以上の導電率を有する。また、陰極１５４として、第１陰極層１５４Ａをマグネシウム（膜厚５ｎｍ）と銀（膜厚３００ｎｍ）により画素電極１４１と同一パターンで形成するとともに、第２陰極層１５４Ｂをアルミニウムにより全面ベタ状に形成し、封止を行って実施例１の有機ＥＬ装置を得た。
【００４０】
また、同じく図３に示すような構成を具備した有機ＥＬ装置を上述した本実施形態の方法により製造し、実施例２とした。具体的には、ガラス基板Ｐ上にＩＴＯからなる画素電極１４１を画素毎にパターン形成し、正孔注入／輸送層１４０Ａとしてポリチオフェン（ＰＥＤＯＴ）、発光層１４０Ｂとしてポリフルオレンベンゾチアジアゾール（ＰＦＢＴ）を用いて発光部１４０を形成した。なお、正孔注入／輸送層１４０Ａは７５ｎｍの乾燥膜厚で２Ｓ／ｃｍ以上の導電率を有する。また、陰極１５４として、第１陰極層１５４Ａをリチウム（膜厚５ｎｍ）とマグネシウム（膜厚５ｎｍ）と銀（膜厚３００ｎｍ）により画素電極１４１と同一パターンで形成するとともに、第２陰極層１５４Ｂをアルミニウムにより全面ベタ状に形成し、封止を行って実施例２の有機ＥＬ装置を得た。
【００４１】
一方、図３に示したようなパターニングした第１陰極層１５４Ａを具備しない有機ＥＬ装置を製造し、比較例とした。具体的には、ガラス基板Ｐ上にＩＴＯからなる画素電極１４１を画素毎にパターン形成し、正孔注入／輸送層１４０Ａとしてポリチオフェン（ＰＥＤＯＴ）、発光層１４０Ｂとしてポリフルオレンベンゾチアジアゾール（ＰＦＢＴ）を用いて発光部１４０を形成した。なお、正孔注入／輸送層１４０Ａは７５ｎｍの乾燥膜厚で２Ｓ／ｃｍ以上の導電率を有する。また、陰極としては、実施例１及び実施例２とは異なり、マグネシウム（膜厚５ｎｍ）と銀（膜厚３００ｎｍ）を全面ベタ状に形成するとともに、アルミニウムも全面ベタ状に形成し、封止を行って比較例１の有機ＥＬ装置を得た。
【００４２】
以上の実施例１、実施例２、及び比較例の陰極構造、発光エリアのサイズについて表１に示す。また、図７は、実施例１、実施例２、及び比較例の有機ＥＬ装置について、発光エリア（ｘ軸）に対する輝度（ｙ軸）の変化を示したグラフである。
【００４３】
【表１】
0004770523.tif 000002
【００４４】
表１及び図７に示したように、比較例の有機ＥＬ装置の発光エリアは２７５ｎｍであるのに対し、実施例１及び実施例２の有機ＥＬ装置の発光エリアは２２０ｎｍであった。つまり、比較例の有機ＥＬ装置に比べて、実施例１及び実施例２の有機ＥＬ装置は、画素電極１４１と同一パターンの第１陰極層１５４Ａを有するため、発光エリアの広がりがなく、高コントラストの表示が実現された。
【００４５】
（電子機器）
本発明の発光装置（有機ＥＬ装置）は、表示部を備えた様々な電子機器に適用される。以下、本発明の発光装置を備えた電子機器の適用例について説明する。
【００４６】
図８は、上記実施形態の有機ＥＬ装置を携帯電話に適用した例を示す斜視図であり、携帯電話１３００は、上記実施形態の有機ＥＬ装置を小サイズの表示部１３０１として備える。携帯電話１３００は、複数の操作ボタン１３０２、受話口１３０３、及び送話口１３０４を備えて構成されている。
なお、このような携帯電話の例に加えて、他の例として、腕時計、モバイル型コンピュータ、液晶テレビ、ビューファインダ型やモニタ直視型のビデオテープレコーダ、カーナビゲーション装置、ページャ、電子手帳、電卓、ワードプロセッサ、ワークステーション、テレビ電話、ＰＯＳ端末、タッチパネルを備えた機器等が挙げられる。本発明の発光装置は、こうした電子機器の表示部としても適用できる。
【図面の簡単な説明】
【００４７】
【図１】本実施形態の有機ＥＬ装置の回路構成図。
【図２】本実施形態の有機ＥＬ装置の画素構成を示す平面図。
【図３】本実施形態の有機ＥＬ装置の断面構成図。
【図４】有機ＥＬ装置の一変形例を示す断面構成図。
【図５】有機ＥＬ装置の一変形例を示す断面構成図。
【図６】本実施形態の有機ＥＬ装置の製造工程を示す断面図。
【図７】実施例及び比較例の有機ＥＬ装置について発光エリアの輝度を示すグラフ。
【図８】電子機器の一例を示す斜視構成図。
【符号の説明】
【００４８】
７０…有機ＥＬ装置（発光装置）、１４０Ｂ…発光層、１４１…画素電極（陽極）、１５４…陰極、１５４Ａ…第１陰極層、１５４Ｂ…第２陰極層
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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