(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
発光体チップにより構成される発光装置であって、
前記発光体チップは、
予め定める部位にトリガ信号を与えることによって発光信号の電圧または電流よりもしきい電圧またはしきい電流が低下した状態で、かつ前記発光信号が与えられたとき発光する発光素子を複数有し、この複数の発光素子が相互に間隔をあけて配列される発光素子アレイと、
各発光素子の予め定める部位に接続され、トリガ信号を伝送するトリガ信号伝送路と、
相互に隣接する２つ以上の発光素子に接続されて、前記発光信号を伝送する発光信号伝送路と、
それぞれが異なる発光信号伝送路に接続される２つ以上の発光素子の予め定める部位に、前記トリガ信号伝送路を介してそれぞれ接続され、走査信号に応答して、接続された各発光素子の予め定める部位に前記トリガ信号伝送路を介してトリガ信号を与えるスイッチ素子を複数有し、この複数のスイッチ素子が、前記配列方向において前記発光素子アレイに隣接した領域に、前記配列方向に沿って配列されるスイッチ素子アレイと、
前記スイッチ素子アレイの各スイッチ素子に接続され、配列方向に隣接するスイッチ素子毎に、異なるタイミングで与えられる前記走査信号を伝送する複数の走査信号伝送路とを含むことを特徴とする発光装置。
【請求項２】
前記発光体チップは、前記発光信号伝送路と外部からの信号伝送路とを接続する発光信号伝送路接続部と、前記走査信号伝送路と外部からの信号伝送路とを接続する走査信号伝送路接続部とを含み、
前記発光素子アレイおよび前記スイッチ素子アレイは、前記発光素子の光の出射方向および前記配列方向に垂直な方向において、前記発光体チップの一方寄りの領域に設けられ、
前記発光信号伝送路接続部および前記走査信号伝送路接続部が、ノイズの重畳が抑制されるように、前記発光素子アレイおよび前記スイッチ素子アレイに対して前記発光素子の光の出射方向および前記配列方向に垂直な方向に近接し、かつ前記発光素子の光の出射方向および前記配列方向に垂直な方向において、前記発光体チップの他方寄りの領域に、前記配列方向に沿って配列されることを特徴とする請求項１記載の発光装置。
【請求項３】
発光信号伝送路接続部および走査信号伝送路接続部は、ボンディングパッドによって形成されることを特徴とする請求項２記載の発光装置。
【請求項４】
前記発光体チップは、前記トリガ信号伝送路に接続される信号検出用端子を含むことを特徴とする請求項１〜３のいずれか１つに記載の発光装置。
【請求項５】
前記発光体チップは、Ｎ＋１本の前記トリガ信号伝送路を含み、前記発光素子アレイは、共通の発光信号伝送路に接続されるＮ（Ｎは、２以上の整数）個の前記発光素子の群から成る発光素子ブロック部分が複数形成され、相互に隣接する２つの前記発光素子ブロック部分によって発光素子ブロックが形成されて成り、
前記発光素子ブロックにおける発光素子の配列方向に沿う一方から他方に向かって第ｎ（１≦ｎ≦２×Ｎ）番目の発光素子の予め定める部位と、Ｎ＋１本のトリガ信号伝送路のうちの、第ｍ（１≦ｍ≦Ｎ＋１）番目のトリガ信号伝送路とが、
ｎが、１≦ｎ≦Ｎのとき、ｍが、ｍ＝ｎを満たし、
ｎが、Ｎ＋１≦ｎ≦２×Ｎのとき、ｍが、ｍ＝２×Ｎ＋２−ｎを満たすように接続されることを特徴とする請求項１〜４のいずれか１つに記載の発光装置。
【請求項６】
請求項１〜５のいずれか１つに記載の発光装置を複数有し、各発光装置の各発光素子を直線状に配列して構成されることを特徴とする発光装置。
【請求項７】
請求項１〜６のいずれか１つに記載の発光装置と、
画像情報に基づいて前記発光装置を駆動する駆動手段と、
帯電した感光体ドラムに前記発光装置の発光素子からの光を集光する集光手段と、
前記発光装置からの光が前記集光手段によって前記感光体ドラムに集光されて露光された感光体ドラムに現像剤を供給する現像剤供給手段と、
感光体ドラムに現像剤によって形成された画像を記録シートに転写する転写手段と、
記録シートに転写された現像剤を定着させる定着手段とを含むことを特徴とする画像形成装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、配列される発光素子を選択的に発光させる発光装置およびこの発光装置を備える画像形成装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
電子写真プリンタなどの光プリンタヘッドとして用いられている発光装置として、発光ダイオード（Light Emitting Diode：略称ＬＥＤ）を多数配列して形成されるＬＥＤアレイがある。このＬＥＤアレイは、発光ダイオードと駆動回路とを個別に接続するために、多数のボンディングパッドを有する。例えば電子写真プリンタを、Ａ３サイズ、６００ｄｐｉの仕様にて構成した場合、ボンディングパッドと回路配線との接続箇所は、ＬＥＤのアノードまたはカソードを導通基板で共通端子とした場合でも発光素子の数が必要となり、約７３００箇所にも及ぶ。このため両者を従来周知のワイヤボンディング法によって接続する作業に極めて長時間を要し、生産性を向上させることが困難である。また、前記ボンディングパッドを形成するためには、発光素子を形成するよりも大きな面積が必要となる上、電子写真プリンタによって形成すべき画像が高精細になるほど、走査方向における単位長あたりの発光素子の数が増加するため、ボンディングパッドの数も増加する。
【０００３】
このような問題に鑑み、発光素子としてＰＮＰＮ構造を有する発光サイリスタを使用し、この発光サイリスタによって発光の自己走査を実現することによって、ボンディングパッドの数を低減して、光プリンタヘッドに供するときに、基板への実装が簡便となり、小型に作製することができる発光装置がある（例えば特許文献１参照）。
【０００４】
図２５は、第１の従来の技術の発光装置１の基本構造の概略的な回路構成を示す回路図である。発光装置１では、配列された複数の発光素子を複数のブロックに分け、１ブロック内の全発光素子に同一の転送クロックを印加することができるように構成されている。具体的には、配列されている発光素子Ｌ１（−１），Ｌ２（−１），Ｌ３（−１），Ｌ１（０），Ｌ２（０），Ｌ３（０），Ｌ１（１），Ｌ２（１），Ｌ３（１）が、３つの発光素子を１つのブロックとしてそれぞれブロック化されている。発光素子Ｌ１（−１），Ｌ２（−１），Ｌ３（−１）からブロック（−１）が成り、発光素子Ｌ１（０），Ｌ２（０），Ｌ３（０）からブロック（０）が成り、発光素子Ｌ１（１），Ｌ２（１），Ｌ３（１）からブロック（１）が成る。発光素子Ｌ１（−１），Ｌ２（−１），Ｌ３（−１），Ｌ１（０），Ｌ２（０），Ｌ３（０），Ｌ１（１），Ｌ２（１），Ｌ３（１）を、単に発光素子Ｌと記載する場合がある。隣接するブロックは、結合用ダイオードＤ−２，Ｄ−１，Ｄ０（単にダイオードＤという場合がある）によって電気的に接続され、すなわち隣接するブロックのうち一方のブロックに含まれる発光素子Ｌと、他方の発光素子Ｌとが結合用ダイオードによって電気的に接続される。各発光素子Ｌのゲートは、各ブロックごとに負荷抵抗ＲＬを介して電源ＶＧＫに接続されている。
【０００５】
ブロック（−１），（１）の発光素子Ｌのアノードには転送クロックφ２が印加され、ブロック（０）の発光素子Ｌのアノードには転送クロックφ１が印加される。転送クロックφ１が印加される転送クロックラインφ１１，φ１２，φ１３、および転送クロックφ２が印加される転送クロックラインφ２１，φ２２，φ２３には、お互いのＯＮ状態が影響しあわないように、それぞれバッファを設けている。発光素子Ｌ１（−１），Ｌ１（１）のアノードは転送クロックラインφ２３に接続され、発光素子Ｌ２（−１），Ｌ２（１）のアノードは転送クロックラインφ２２に接続され、発光素子Ｌ３（−１），Ｌ３（１）のアノードは転送クロックラインφ２１に接続される。発光素子Ｌ１（０）のアノードは転送クロックラインφ１３に接続され、発光素子Ｌ２（０）のアノードは転送クロックラインφ１２に接続され、発光素子Ｌ３（０）のアノードは転送クロックラインφ１１に接続される。
【０００６】
各転送クロックラインφ１１，φ１２，φ１３，φ２１，φ２２，φ２３には、電流源Ｉ１１，Ｉ１２，Ｉ１３，Ｉ２１，Ｉ２２，Ｉ２３がそれぞれ接続され、電流源Ｉ１１は転送クロックラインφ１１に、電流源Ｉ１２は転送クロックラインφ１２に、電流源Ｉ１３は転送クロックラインφ１３に、電流源Ｉ２１は転送クロックラインφ２１に、電流源Ｉ２２は転送クロックラインφ２２に、電流源Ｉ２３は転送クロックラインφ２３に同期して変化する。例えば発光素子Ｌ２（０）の発光を強くして画像を書き込む場合は転送クロックラインφ１に同期して転送クロックラインφ１２をハイにして電流源Ｉ１２をＯＮさせる。
【０００７】
発光装置１では、ボンディングパッドの数を低減して、小型に作製することができるが、書き込みを行う発光素子Ｌ以外の発光素子Ｌもある程度のバイアス光を生じる。これはオン状態を維持するための電流によって発光が生じるためである。したがって、発光装置１を光プリンタヘッドに適用する場合、画像品質を劣化させる原因となる。
【０００８】
このような問題に鑑み、書き込み用の発光素子と、発光素子を選択するためにオン状態が転送されるスイッチ素子とを別々に設け、スイッチ素子を電気的に制御する第２の従来の技術の発光装置がある（例えば特許文献２参照）。
【０００９】
図２６は、第２の従来の技術の発光装置２の基本構造の概略的な回路構成を示す回路図である。発光装置２は、スイッチ素子Ｔ（−１），Ｔ（０），Ｔ（１）が配列されて構成されるスイッチ素子アレイと、発光素子Ｌ１（−１），Ｌ２（−１），Ｌ３（−１），Ｌ１（０），Ｌ２（０），Ｌ３（０），Ｌ１（１），Ｌ２（１），Ｌ３（１）がスイッチ素子Ｔ（−１），Ｔ（０），Ｔ（１）に沿って配列された発光素子アレイとを有する。スイッチ素子Ｔ（−１），Ｔ（０），Ｔ（１）を総称する場合は、単にスイッチ素子Ｔと記載し、発光素子Ｌ１（−１），Ｌ２（−１），Ｌ３（−１），Ｌ１（０），Ｌ２（０），Ｌ３（０），Ｌ１（１），Ｌ２（１），Ｌ３（１）を総称する場合は、単に発光素子Ｌと記載する場合がある。
【００１０】
発光装置２では、スイッチ素子Ｔおよび発光素子Ｌのうち、それぞれの対応したスイッチ素子Ｔのゲートと、発光素子Ｌのゲートとが接続される。具体的には、スイッチ素子Ｔ（−１）と発光素子Ｌ１（−１），Ｌ２（−１），Ｌ３（−１）とのゲートが接続され、スイッチ素子Ｔ（０）と発光素子Ｌ１（０），Ｌ２（０），Ｌ３（０）とのゲートが接続され、スイッチ素子Ｔ（１）と発光素子Ｌ１（１），Ｌ２（１），Ｌ３（１）とのゲートが接続される。
【００１１】
スイッチ素子Ｔのアノード電極には、２本の転送クロックφ１，φ２ラインがそれぞれ２つのスイッチ素子Ｔごとに繰り返し接続される。スイッチ素子Ｔ（０）のアノード電極は、転送クロックφ１ラインに接続され、スイッチ素子Ｔ（−１），Ｔ（１）のアノード電極は、転送クロックφ２ラインに接続される。また、各々のスイッチ素子Ｔのゲートは、負荷抵抗ＲＬを介して制御用電源ＶＧＫに接続される。
【００１２】
またスイッチ素子Ｔ（−１）のゲートと、スイッチ素子Ｔ（０）のゲートとは、転送方向指定ダイオードＤ−１を介して接続され、同様にスイッチ素子Ｔ（０）のゲートと、スイッチ素子Ｔ（１）のゲートとは、転送方向指定ダイオードＤ０を介して接続される。各発光素子Ｌのアノードは、それぞれ別々の書き込み信号ラインＳｉｎ１，Ｓｉｎ２，Ｓｉｎ３に接続され、カソードは、接地される。発光装置２では、３つの素子素子Ｌを１ブロックとし、１ブロック内の発光素子Ｌは１つのスイッチ素子Ｔによって、その発光が制御される。
【００１３】
【特許文献１】特開平２−２１２１７０号公報
【特許文献２】特開平９−９７９２６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１４】
図２７は、発光装置２の平面図である。各ブロックにおいて３つの発光素子Ｌが、スイッチ素子Ｔに沿う方向および半導体基板の厚み方向に垂直な方向に配列されており、各ブロックはスイッチ素子Ｔに沿って配列される。スイッチ素子Ｔのアノード電極２ａは、接続されるべき転送クロックφ１，φ２ラインに接続され、発光素子Ｌのアノード電極２ｂは、接続されるべき信号ラインＳｉｎ１，Ｓｉｎ２，Ｓｉｎ３に接続される。各スイッチ素子Ｔは２つのゲート電極４ａ１，４ａ２を有し、ゲート電極４ａ１は負荷ＲＬを介して電源ＶＧＫに接続され、ゲート電極４ａ２は、配線６を介して各ブロックの発光素子Ｌに共通に設けられているゲート電極４ｂに接続される。
【００１５】
発光装置２では、１つのスイッチ素子Ｔに複数の発光素子Ｌが接続されているが、１つのスイッチ素子Ｔに対応する発光素子Ｌは、スイッチ素子Ｔの配列方向および半導体基板の厚み方向に垂直な方向に配列されている。したがって発光装置２では、走査方向の一端から他端まで、すなわち各ブロックが配列される方向に沿って一端から他端まで、各ブロックにそれぞれ対応してスイッチ素子が配列されている。このため発光装置２において、走査方向の一端から他端までの発光素子Ｌを走査するためには、スイッチ素子Ｔを配列方向に沿って順番にターンオンさせる必要があるので、走査時間を短くすることができないという問題がある。
【００１６】
また発光装置２では、発光素子Ｌとスイッチ素子Ｔとが走査方向の一端から他端にわたって並列して設けられているので、装置が大型化してしまうという問題がある。
【００１７】
したがって本発明の目的は、走査時間を短くすることができるとともに、小型化することができる発光装置およびそれを備える画像形成装置を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１８】
本発明の発光装置は、発光体チップにより構成される発光装置であって、
前記発光体チップは、
予め定める部位にトリガ信号を与えることによって発光信号の電圧または電流よりもしきい電圧またはしきい電流が低下した状態で、かつ前記発光信号が与えられたとき発光する発光素子を複数有し、この複数の発光素子が相互に間隔をあけて配列される発光素子アレイと、
各発光素子の予め定める部位に接続され、トリガ信号を伝送するトリガ信号伝送路と、
相互に隣接する２つ以上の発光素子に接続されて、前記発光信号を伝送する発光信号伝送路と、
それぞれが異なる発光信号伝送路に接続される２つ以上の発光素子の予め定める部位に、前記トリガ信号伝送路を介してそれぞれ接続され、走査信号に応答して、接続された各発光素子の予め定める部位に前記トリガ信号伝送路を介してトリガ信号を与えるスイッチ素子を複数有し、この複数のスイッチ素子が、前記配列方向において前記発光素子アレイに隣接した領域に、前記配列方向に沿って配列されるスイッチ素子アレイと、
前記スイッチ素子アレイの各スイッチ素子に接続され、配列方向に隣接するスイッチ素子毎に、異なるタイミングで与えられる前記走査信号を伝送する複数の走査信号伝送路とを含むことを特徴とする。
【００１９】
また本発明の発光装置は、前記発光体チップが、前記発光信号伝送路と外部からの信号伝送路とを接続する発光信号伝送路接続部と、前記走査信号伝送路と外部からの信号伝送路とを接続する走査信号伝送路接続部とを含み、
前記発光素子アレイおよび前記スイッチ素子アレイは、前記発光素子の光の出射方向および前記配列方向に垂直な方向において、前記発光体チップの一方寄りの領域に設けられ、
前記発光信号伝送路接続部および前記走査信号伝送路接続部が、ノイズの重畳が抑制されるように、前記発光素子アレイおよび前記スイッチ素子アレイに対して前記発光素子の光の出射方向および前記配列方向に垂直な方向に近接し、かつ前記発光素子の光の出射方向および前記配列方向に垂直な方向において、前記発光体チップの他方寄りの領域に、前記配列方向に沿って配列されることを特徴とする。
【００２０】
また本発明の発光装置は、発光信号伝送路接続部および走査信号伝送路接続部は、ボンディングパッドによって形成されることを特徴とする。
【００２１】
また本発明の発光装置は、前記発光体チップが、前記トリガ信号伝送路に接続される信号検出用端子を含むことを特徴とする。
【００２２】
また本発明の発光装置は、前記発光体チップが、Ｎ＋１本の前記トリガ信号伝送路を含み、前記発光素子アレイは、共通の発光信号伝送路に接続されるＮ（Ｎは、２以上の整数）個の前記発光素子の群から成る発光素子ブロック部分が複数形成され、相互に隣接する２つの前記発光素子ブロック部分によって発光素子ブロックが形成されて成り、
前記発光素子ブロックにおける発光素子の配列方向に沿う一方から他方に向かって第ｎ（１≦ｎ≦２×Ｎ）番目の発光素子の予め定める部位と、Ｎ＋１本のトリガ信号伝送路のうちの、第ｍ（１≦ｍ≦Ｎ＋１）番目のトリガ信号伝送路とが、
ｎが、１≦ｎ≦Ｎのとき、ｍが、ｍ＝ｎを満たし、
ｎが、Ｎ＋１≦ｎ≦２×Ｎのとき、ｍが、ｍ＝２×Ｎ＋２−ｎを満たすように接続されることを特徴とする。
【００２３】
また本発明の発光装置は、前記発光装置を複数有し、各発光装置の各発光素子を直線状に配列して構成されることを特徴とする。
【００２４】
また本発明の画像形成装置は、前記発光装置と、
画像情報に基づいて前記発光装置を駆動する駆動手段と、
帯電した感光体ドラムに前記発光装置の発光素子からの光を集光する集光手段と、
前記発光装置からの光が前記集光手段によって前記感光体ドラムに集光されて露光された感光体ドラムに現像剤を供給する現像剤供給手段と、
感光体ドラムに現像剤によって形成された画像を記録シートに転写する転写手段と、
記録シートに転写された現像剤を定着させる定着手段とを含むことを特徴とする。
【発明の効果】
【００２５】
本発明によれば、スイッチ素子アレイの各スイッチ素子は、接続された走査信号伝送路によって伝送される走査信号に応答してトリガ信号を、このスイッチ素子に接続されている２つ以上の発光素子の予め定める部位に与える。複数の走査信号伝送路によって伝送される走査信号は、配列方向に隣接するスイッチ素子毎に、異なるタイミングで与えられるので、各スイッチ素子が順番にトリガ信号を、このスイッチ素子にトリガ信号伝送路を介して接続される各発光素子に与えることができる。発光素子は、予め定める部位にトリガ信号が与えられることによって、発光信号の電圧または電流よりもしきい電圧またはしきい電流が低下した状態で、発光信号伝送路によって伝送される発光信号が与えられると発光する。したがって、トリガ信号および発光信号によって各発光素子を選択的に発光させることができる。
【００２６】
スイッチ素子は、それぞれが異なる発光信号伝送路に接続される２つ以上の発光素子の予め定める部位にそれぞれに接続されるので、発光素子の数と比較してスイッチ素子の数を低減することができる。またスイッチ素子は、配列方向に沿って並ぶ２つ以上の発光素子にトリガ信号を与えるので、例えば配列方向に沿って並ぶ２つ以上の発光素子を同時に発光させることができるようになり、各発光素子を配列方向の一方から他方まで走査する走査時間を短くすることができる。
【００２７】
スイッチ素子が接続される２つ以上の発光素子は、これらの発光素子のそれぞれが異なる発光信号伝送路に接続されるので、１個の発光素子のみを選択的に発光させることができる。
【００２８】
さらにスイッチ素子アレイの複数のスイッチ素子は、発光素子アレイの発光素子の数よりも少なく、かつ前記配列方向において発光素子アレイに隣接した領域に、前記配列方向に沿って配列されるので、発光素子とスイッチ素子とが配列方向に沿って直列に並べられるので、第２の従来の技術において問題となる発光素子の配列方向の一端から他端にわたってスイッチ素子が配列されることによる装置の大型化を抑制して、装置を小型に形成することができる。
【００２９】
また本発明によれば、発光素子アレイおよびスイッチ素子アレイは、発光素子の光の出射方向および前記配列方向に垂直な方向において、発光体チップの一方寄りの領域に設けられる。そして、発光信号伝送路接続部および走査信号伝送路接続部が、ノイズの重畳が抑制されるように、発光素子の光の出射方向および前記配列方向に垂直な方向で、発光素子アレイおよびスイッチ素子アレイに近接して配置され、発光素子の光の出射方向および前記配列方向に垂直な方向において発光体チップの他方寄りの領域に、配列方向に沿って配列されるので、発光信号伝送路および走査信号伝送路を短く形成してノイズの重畳を抑制することができとともに、装置が大型化することを抑制することができ、さらに外部からの信号伝送路を同じ向きから接続することができるので、外部からの信号伝送路との接続の作業性が向上する。
【００３０】
また本発明によれば、発光信号伝送路接続部および走査信号伝送路接続部は、ボンディングパッドによって形成される。ボンディングパッドには、例えばワイヤボンディングによって外部の信号伝送路を接続することができる。
【００３１】
また本発明によれば、トリガ信号検出用端子にはトリガ信号伝送路が接続されているので、トリガ信号検出用端子にトリガ信号を測定する測定機器を接続することによって、トリガ信号伝送路を伝送されるトリガ信号の信号レベルを測定することができる。トリガ信号の信号レベルを測定することによって、スイッチ素子の不良を検出することができ、また所定の信号レベルが測定され、発光信号が与えられても発光素子が発光しない場合には、発光素子の不良を検出することができる。さらにトリガ信号検出用端子に所定の信号を与えることによって、スイッチ素子の動作と切り離して各発光素子の発光強度、および各発光素子の電圧電流（Ｖ−Ｉ）特性を個別に検査することができるようになる。
【００３２】
また本発明によれば、共通の発光信号伝送路に接続されるＮ（記号Ｎは、２以上の整数）個の発光素子の群によって発光素子ブロック部分が形成され、相互に隣接する２つの発光素子ブロック部分によって発光素子ブロックが形成される。したがって発光素子ブロックには、２×Ｎ個の発光素子が含まれる。
【００３３】
各発光素子の予め定める部位は、トリガ信号を伝送するＮ＋１本のトリガ信号伝送路のうちのいずれかに接続され、前記発光素子ブロックにおける発光素子の配列方向に沿う一方から他方に向かって第ｎ（１≦ｎ≦２×Ｎ）番目の発光素子の予め定める部位と、Ｎ＋１本のトリガ信号伝送路のうちの、第ｍ（１≦ｍ≦Ｎ＋１）番目のトリガ信号伝送路とが、ｎが、１≦ｎ≦Ｎのとき、ｍが、ｍ＝ｎを満たし、ｎが、Ｎ＋１≦ｎ≦２×Ｎのとき、ｍが、ｍ＝２×Ｎ＋２−ｎを満たすように接続される。このように各発光素子の予め定める部位と、トリガ信号伝送路とを接続すると、Ｎ＋１本のトリガ信号伝送路のうち、第１番目のトリガ信号伝送路には、発光素子ブロックに含まれる発光素子のうち第１番目の発光素子のみが接続され、第Ｎ＋１番目のトリガ信号伝送路には、発光素子ブロックに含まれる発光素子のうち、第Ｎ＋１番目の発光素子のみが接続されることとなる。また発光素子ブロックに含まれる発光素子のうち、第Ｎ＋１番目の発光素子の配列方向の一方、つまり発光素子ブロックのうち、発光素子の配列方向の一方側の発光素子ブロック部分では、ｎが、ｎ＝ｍとなるように各発光素子がトリガ信号伝送路に接続されるので、発光素子の順番が大きくなるほど、トリガ信号伝送路の順番が大きくなるように、発光素子の予め定める部位とトリガ信号伝送路とが接続される。発光素子ブロックに含まれる発光素子のうち、第Ｎ＋１番目の発光素子の配列方向の他方、つまり隣接する発光素子ブロック部分のうち、発光素子の配列方向の他方側の発光素子ブロック部分では、ｍが、ｍ＝２×Ｎ＋２−ｎとなるように発光素子がトリガ信号伝送路に接続されるので、発光素子の順番が大きくなるほど、トリガ信号伝送路の順番が小さくなるように発光素子の予め定める部位とトリガ信号伝送路とが接続される。
【００３４】
したがって、発光素子ブロックに含まれ、相互に隣接する発光素子では、それぞれの予め定める部位が第ｋ番目および第ｋ＋１番目（記号ｋは、１以上Ｎ以下の整数）のトリガ信号信号伝送路に個別に接続されることになるので、第１番目〜第Ｎ＋１番目のトリガ信号伝送路に時分割で順番にトリガ信号を伝送させ、発光素子ブロック部分に含まれる各発光素子に同じタイミングで発光信号を与えても、相互に隣接する発光素子の発光するタイミングの時間的なずれが大きくなってしまうことを抑制することができ、さらに隣接する発光素子が同じトリガ信号伝送路に接続されないので、相互に隣接する発光素子が同時に発光してしまうことを抑制することができる。また相互に隣接する発光素子ブロックで、相互に隣接する発光素子についても、同様にそれぞれの予め定める部位が第ｋ番目および第ｋ＋１番目（記号ｋは、１以上Ｎ以下の整数）のトリガ信号伝送路に個別に接続されることになるので、発光素子アレイの全域にわたって、相互に隣接する発光素子間における発光するタイミングが大きくずれてしまうことを抑制するとともに、同じタイミングでの発光が抑制される。これによって本発明の発光装置を、感光体ドラムを露光する露光装置として用いると、相互に隣接する発光素子間における発光するタイミングが大きくずれてしまうことが抑制されることによって、感光体ドラムに露光される露光位置に不連続点が発生せず、かつ相互に隣接する発光素子が同時に発光することが抑制されることによって、各発光素子の発光した時の発熱のムラを抑制して、各発光素子の温度変化による発光特性を揃えることができ、さらに相互に隣接する発光素子から発生する光が干渉することが防止することができるので、感光体ドラムを精度よく露光することができ、これによって画像形成装置において、優れた画像品質の記録画像を得ることができる。
【００３５】
また本発明によれば、複数の前記発光装置を、各発光装置の各発光素子を直線状に配列して発光装置が形成されてもよい。例えば前記発光装置を感光体ドラムへの露光装置として用いるときには、配列される複数の発光装置の数は、感光体ドラムの露光すべき領域の幅に等しく選ばれる。複数の前記発光装置によって発光装置が形成されることによって、前記発光装置の数によって、配列される発光素子アレイの長さを容易に変更することができる。
【００３６】
また本発明によれば、画像情報に基づいて前記発光装置を駆動手段によって駆動して、発光装置からの光を集光手段によって、帯電した感光体ドラムに集光することによって、感光体ドラムは露光され、その表面に静電潜像が形成される。静電潜像が形成された感光体ドラムに、現像剤供給手段によって現像剤を供給すると、感光体ドラムに現像剤が付着して画像が形成される。転写手段によって、感光体ドラムに現像剤によって形成された画像を記録シートに転写して、定着手段によって記録シートに転写された現像剤を定着させることによって、記録シートに画像が形成される。前記発光装置では、露光を行うための発光素子と、信号転送のためのスイッチ素子とが分離しているので、発光スイッチ素子の発光によって感光体ドラムが露光させることがないので、優れた品質の記録画像を得ることができる。また前記発光装置を用いて露光することによって、発光装置を実装するための回路基板を小型化することができ、露光装置の小型化および画像形成装置の小型化を図ることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３７】
図１は、本発明の実施の一形態の発光装置１０の基本的構成を示す一部の平面図である。なお同図は、各発光素子Ｌの光の出射方向を紙面に垂直手前側として配置された発光装置１０の平面を示す。
【００３８】
発光装置１０は、発光素子アレイ１１と、発光信号伝送路Ｅと、スイッチ素子アレイ１２と、走査信号伝送路Ｓと、走査スタート用スイッチ素子Ｔ０と、スタート信号伝送路ＳＴと、絶縁層１５と、遮光層１６と、トリガ信号伝送路Ｇと、発光信号伝送路接続部Ｆと、走査信号伝送路接続部Ｈと、スタート信号伝送路接続部１９と、トリガ信号検出用端子Ｋとを含んで構成される。これらは、基板２１に集積されて形成され、発光体チップ２０を構成する。
【００３９】
発光素子アレイ１１は、複数の発光素子Ｌを含んで構成される。複数の発光素子Ｌは、相互に間隔をあけて配列され、本実施の形態では一列に配列される。本実施の形態における発光素子アレイ１１は、複数の発光素子ブロックＡ１，Ａ２，…，Ａｉ−１，Ａｉ（記号ｉは、２以上の整数）を有する。以後、発光素子ブロックＡ１，Ａ２，…，Ａｉ−１，Ａｉを総称する場合、および発光素子ブロックＡ１，Ａ２，…，Ａｉ−１，Ａｉのうち不特定のものを示す場合、単に発光素子ブロックＡと記載する場合がある。配列方向Ｘの一方Ｘ１に発光素子ブロックＡ１が設けられ、配列方向Ｘの他方Ｘ２に発光素子ブロックＡｉが設けられる。
【００４０】
各発光素子ブロックＡは、共通の発光信号伝送路Ｅに接続されるｐ（記号ｐは、２以上の整数）個の発光素子Ｌの群から成る。本実施の形態では、ｐが、ｐ＝２の場合、すなわち各発光素子ブロックＡが、それぞれ２つの発光素子Ｌの群から成る場合について示す。発光素子アレイ１１に含まれる発光素子Ｌの数は、後述する発光装置１０を駆動する駆動回路における処理のｂｉｔ数によって決定され、１２８個および２５６個などに選ばれる。
【００４１】
各発光素子Ｌは、配列方向Ｘにおいて相互に予め定める間隔Ｗ１をあけて配列される。発光装置１０は、後述する画像形成装置８７において感光体ドラム９０を露光する露光装置として用いられる。発光素子Ｌは、露光用の発光素子である。本実施の形態では、各発光素子Ｌは、等間隔に配列され、かつ直線状に配列される。各発光素子Ｌの配列方向Ｘは、図１において左右方向である。以後、各発光素子Ｌの配列方向Ｘを、単に配列方向Ｘと記載する場合がある。各発光素子Ｌの光の出射方向に沿う方向を厚み方向Ｚとし、前記配列方向Ｘおよび厚み方向Ｚに垂直な方向を幅方向Ｙとする。発光素子Ｌは、６００ｎｍ〜８００ｎｍの波長の光を発光可能に形成される。
【００４２】
発光素子Ｌは、Ｐ型半導体層とＮ型半導体層とが交互に積層されて構成されるＰＮＰＮ構造を有する発光サイリスタによって実現される。発光素子Ｌは、逆阻止３端子サイリスタと同様な負性抵抗特性を有する。発光素子Ｌは、予め定める部位であるゲート１７に、トリガ信号を与えることによって発光信号伝送路Ｅを介して与えられる発光信号φＥの電圧よりもしきい電圧が低下し、かつ前記発光信号φＥが与えられたとき、または発光信号φＥの電流よりもしきい電流が低下し、かつ前記発光信号φＥが与えられたとき発光する。発光信号φＥの電圧とは、発光信号φＥが与えられることによって、発光素子Ｌのアノードおよびカソード間に印加される電圧であり、発光信号φＥの電流とは、発光信号φＥが与えられることによって発光素子Ｌに与えられる電流である。発光素子Ｌのゲート１７は、幅方向Ｙの他方Ｙ２の端部に設けられる。
【００４３】
発光体チップ２０は、厚み方向Ｚから見て矩形状に形成され、その長手方向は配列方向Ｘに沿う。発光素子Ｌは、発光体チップ２０の幅方向Ｙの一方Ｙ１の端部に形成される。発光素子Ｌの幅方向Ｙの一方Ｙ１の端から、発光体チップ２０の幅方向Ｙの一方Ｙ１の端までの予め定める距離Ｗ３は、絶縁層１５を設けるために必要な大きさに選ばれる。発光素子アレイ１１は、幅方向Ｙにおいて発光体チップ２０の一方Ｙ１寄りの領域に設けられる。
【００４４】
発光信号伝送路Ｅは、各発光素子ブロックＡ毎に個別に接続される複数本の発光信号伝送路Ｅ１，Ｅ２，…，Ｅｉ−１，Ｅｉを含んで構成され、相互に隣接する２つ以上の発光素子Ｌにそれぞれ接続されて、各発光素子Ｌに発光信号φＥを伝送する。発光信号伝送路Ｅ１，Ｅ２，…，Ｅｉ−１，Ｅｉを総称する場合、および発光信号伝送路Ｅ１，Ｅ２，…，Ｅｉ−１，Ｅｉのうち不特定のものを示す場合、単に発光信号伝送路Ｅと記載する場合がある。発光信号伝送路Ｅｉは、発光素子ブロックＡｉに含まれる各発光素子Ｌに接続される。発光信号伝送路Ｅｉは、発光素子ブロックＡｉの各発光素子Ｌのアノードおよびカソードのいずれか一方に接続され、本実施の形態ではアノードに接続される。各発光信号伝送路Ｅは、各発光素子Ｌから幅方向Ｙの他方Ｙ２に向かって延びる。
【００４５】
配列方向Ｘにおける各発光素子Ｌの間隔Ｗ１と、発光素子Ｌの配列方向Ｘの寸法Ｗ２とは、発光装置１０が搭載される画像形成装置８７において形成すべき画像の解像度によって決定され、例えば画像の解像度が６００ドットパーインチ（ｄｐｉ）の場合、前記間隔Ｗ１は、約２４μｍ（マイクロメートル）に選ばれ、前記寸法Ｗ２は、約１８μｍに選ばれる。
【００４６】
発光信号伝送路Ｅは、金属材料および合金材料などの導電性を有する材料によって形成される。具体的には発光信号伝送路Ｅは、金（Ａｕ）、金とゲルマニウムとの合金（ＡｕＧｅ）、金と亜鉛との合金（ＡｕＺｎ）、ニッケル（Ｎｉ）およびアルミニウム（Ａｌ）などによって形成される。
【００４７】
各発光信号伝送路Ｅの幅方向Ｙの他方Ｙ２の端部は、発光信号伝送路Ｅと外部からの信号伝送路とを接続するための発光信号伝送路接続部Ｆに接続される。発光信号伝送路接続部Ｆは、発光素子アレイ１１に対して幅方向Ｙの他方Ｙ２に近接して設けられ、発光素子Ｌから予め定める距離Ｗ４離間して設けられる。予め定める距離Ｗ４は、例えば、１０μｍに選ばれる。発光信号伝送路Ｅは、幅方向Ｙにおいて発光体チップ２０の他方寄りの領域に設けられる。
【００４８】
発光信号伝送路接続部Ｆは、各発光信号伝送路Ｅと、外部からの信号伝送路を個別に接続するためのものであり、ボンディングパッドによって形成される。発光信号伝送路接続部Ｆは、各発光信号伝送路Ｅに個別に接続される発光信号伝送路接続部Ｆ１，Ｆ２，…，Ｆｉ−１，Ｆｉを含んで構成される。発光信号伝送路接続部Ｆ１，Ｆ２，…，Ｆｉ−１，Ｆｉを総称する場合、および発光信号伝送路接続部Ｆ１，Ｆ２，…，Ｆｉ−１，Ｆｉのうち不特定のものを示す場合、単に発光信号伝送路接続部Ｆと記載する場合がある。発光信号伝送路接続部Ｆｉは、発光信号伝送路Ｅｉに接続される。各発光信号伝送路接続部Ｆは、厚み方向Ｚの一方Ｚ１側から見た形状が、配列方向Ｘおよび幅方向Ｙに平行な辺を有する矩形状に形成される。各発光信号伝送路接続部Ｆは、配列方向Ｘに離間して形成される。発光信号伝送路接続部Ｆは、配列方向Ｘにおいて発光素子アレイ１１の一方Ｘ１の端部よりも他方Ｘ２寄りで、かつ配列方向Ｘにおいて発光素子アレイ１１の他方Ｘ２の端部よりも一方Ｘ１寄りに配置される。
【００４９】
発光信号伝送路接続部Ｆは、配列方向Ｘの寸法が、発光素子ブロックＡの配列方向Ｘの寸法よりも小さく選ばれ、発光信号伝送路接続部Ｆの配列方向Ｘの寸法は、例えば１００μｍに選ばれ、幅方向Ｙの寸法は、例えば１００μｍに選ばれる。
【００５０】
発光信号伝送路接続部Ｆの幅方向Ｙの他方Ｙ２の端と、発光体チップ２０の幅方向Ｙの他方Ｙ２の端とは、幅方向Ｙにおいて予め定める距離Ｗ５離間して設けられる。予め定める距離Ｗ５は、例えば、１０μｍに選ばれる。
【００５１】
スイッチ素子アレイ１２は、複数のスイッチ素子Ｔ１，Ｔ２，…，Ｔｊ−１，Ｔｊ（記号ｊは、２以上の正の整数）を含んで構成される。以後、各スイッチ素子Ｔ１，Ｔ２，…，Ｔｊ−１，Ｔｊを総称する場合、およびスイッチ素子Ｔ１，Ｔ２，…，Ｔｊ−１，Ｔｊのうち不特定のものを示す場合、単にスイッチ素子Ｔと記載する場合がある。各スイッチ素子Ｔは、配列方向Ｘに沿って、隣接するスイッチ素子Ｔからの光を受光するように相互に予め定める間隔Ｗ６をあけて等間隔に配列される。スイッチ素子Ｔは、言い換えればスイッチ用の発光素子である。本実施の形態では、ｊが、ｊ＝４の場合について説明する。また、本実施の形態では、配列方向Ｘの他方Ｘ２の側にスイッチ素子Ｔ１が設けられている例によって説明する。
【００５２】
スイッチ素子アレイ１２は、配列方向Ｘにおいて発光素子アレイ１１に隣接した領域９０に、各スイッチ素子Ｔが配列方向Ｘに沿って配列されて設けられる。スイッチ素子アレイ１２は、発光素子アレイ１１の配列方向Ｘの一方Ｘ１および他方Ｘ２の少なくともいずれか一方に設けられ、本実施の形態では、発光素子アレイ１１の前記配列方向Ｘの一方Ｘ１にのみ設けられる。各スイッチ素子Ｔの配列方向は、各発光素子Ｌの配列方向Ｘと同じである。スイッチ素子アレイ１２は、発光体チップ２０の幅方向Ｙの一方Ｙ１寄りの領域に設けられる。
【００５３】
発光素子アレイ１１と、スイッチ素子アレイ１２とは、配列方向Ｘに予め定める距離Ｗ７離間して設けられる。予め定める距離Ｗ７は、例えば、５０μｍ〜５００μｍに選ばれる。
【００５４】
走査スタート用スイッチ素子Ｔ０は、スイッチ素子アレイ１２の配列方向Ｘの一方Ｘ１または他方Ｘ２に設けられ、隣接するスイッチ素子Ｔに光を照射するように設けられる。本実施の形態では、スイッチ素子アレイ１２の配列方向Ｘの他方Ｙ２の端部にスイッチ素子Ｔ１が設けられるので、走査スタート用スイッチ素子Ｔ０は、スイッチ素子アレイ１２の配列方向Ｘの他方Ｙ２に設けられる。走査スタート用スイッチ素子Ｔ０は、配列方向Ｘにおいてスイッチ素子Ｔ１から予め定める間隔Ｗ６をあけて設けられ、発光素子アレイ１１に離間して設けられる。走査スタート用スイッチ素子Ｔ０は、スイッチ素子Ｔと同様な構成を有する。
【００５５】
スイッチ素子Ｔおよび走査スタート用スイッチ素子Ｔ０は、Ｐ型半導体層とＮ型半導体層とが交互に積層されて構成されるＰＮＰＮ構造を有する発光サイリスタによって実現される。スイッチ素子Ｔおよび走査スタート用スイッチ素子Ｔ０は、逆阻止３端子サイリスタと同様な負性抵抗特性を有する。スイッチ素子Ｔは、隣接するスイッチ素子Ｔまたは走査スタート用スイッチ素子Ｔ０からの光を受光することによって予め定める部位であるゲート１８にトリガ信号を発生して、走査信号伝送路Ｓを介して与えられる走査信号φの電圧よりもしきい電圧が低下した状態で、かつ前記走査信号φが与えられたとき、または走査信号φの電流よりもしきい電流が低下した状態で、かつ前記走査信号φが与えられたとき発光する。走査信号φの電圧とは、走査信号φが与えられることによって、スイッチ素子Ｔのアノードおよびカソード間に印加される電圧であり、走査信号φの電流とは、走査信号φが与えられることによってスイッチ素子Ｔに与えられる電流である。
【００５６】
発光素子アレイ１１の各発光素子Ｌと、スイッチ素子アレイ１２の各スイッチ素子Ｔと、走査スタート用スイッチ素子Ｔ０とは、各発光素子Ｌの少なくとも一部分と、各スイッチ素子Ｔの少なくとも一部分と、走査スタート用スイッチ素子Ｔ０の少なくとも一部分とが、配列方向Ｘに沿って直線状に並ぶように設けられる。本実施の形態では、各スイッチ素子Ｔおよび走査スタート用スイッチ素子Ｔ０の幅方向Ｙの一方Ｙ１側の端部は、発光素子Ｌの幅方向Ｙの他方Ｙ２側の端部よりも幅方向Ｙの一方Ｙ１の側となり、スイッチ素子Ｔおよび走査スタート用スイッチ素子Ｔ０の幅方向Ｙの他方Ｙ２側の端部は、発光素子Ｌの幅方向Ｙの他方Ｙ２側の端部よりも幅方向Ｙの他方Ｙ２の側となるように、各発光素子Ｌと各スイッチ素子Ｔおよび走査スタート用スイッチ素子Ｔ０とが設けられる。
【００５７】
スイッチ素子アレイ１２の配列方向Ｘの一方Ｘ１側の端、すなわちスイッチ素子Ｔ４の配列方向Ｘの一方Ｘ１側の端と、発光体チップ２０の配列方向Ｘの一方Ｘ１側の端との距離Ｗ８は、絶縁層１５および遮光層１６を設けるために必要な大きさに選ばれる。
【００５８】
走査信号伝送路Ｓは、各スイッチ素子Ｔにそれぞれ接続され、配列方向Ｘに隣接するスイッチ素子Ｔ毎に、異なるタイミングで与えられる走査信号φを伝送する。本実施の形態において、走査信号伝送路Ｓは、第１走査信号伝送路Ｓ１、第２走査信号伝送路Ｓ２および第３走査信号伝送路Ｓ３を含んで構成される。第１走査信号伝送路Ｓ１は、走査信号φ１を伝送し、第２走査信号伝送路Ｓ２は、走査信号φ２を伝送し、第３走査信号伝送路Ｓ３は、走査信号φ３を伝送する。第１、第２および第３走査信号伝送路Ｓ１，Ｓ２，Ｓ３を総称する場合、および第１、第２および第３走査信号伝送路Ｓ１，Ｓ２，Ｓ３のうち不特定のものを示す場合、単に走査信号伝送路Ｓと記載し、走査信号φ１，φ２，φ３を総称する場合、および走査信号φ１，φ２，φ３のうち不特定のものを示す場合、単に走査信号φと記載する場合がある。走査信号伝送路Ｓは、金（Ａｕ）、金とゲルマニウムとの合金（ＡｕＧｅ）、金と亜鉛との合金（ＡｕＺｎ）、ニッケル（Ｎｉ）およびアルミニウム（Ａｌ）などによって形成される。
【００５９】
各スイッチ素子Ｔは、厚み方向Ｚの一方Ｚ１側の端部、すなわち図１の紙面に垂直な方向手前側に、表面電極５０を有する。第１、第２および第３走査信号伝送路Ｓ１，Ｓ２，Ｓ３は、各スイッチ素子Ｔ１〜Ｔ４の表面電極５０に順次１つずつ接続され、配列されるスイッチ素子Ｔに沿って、それぞれが３つおきにスイッチ素子Ｔに接続される。すなわち、第１走査信号伝送路Ｓ１は、スイッチ素子Ｔ１，Ｔ４に接続され、第２走査信号伝送路Ｓ２は、スイッチ素子Ｔ２に接続され、第３走査信号伝送路Ｓ３は、スイッチ素子Ｔ３に接続される。スイッチ素子Ｔのうち、所定のスイッチ素子Ｔと、前記所定のスイッチ素子Ｔの配列方向Ｘの一方Ｘ１側に隣接するスイッチ素子Ｔと、前記所定のスイッチ素子Ｔの配列方向Ｘの他方Ｘ２側に隣接するスイッチ素子Ｔとは、それぞれ異なる走査信号伝送路Ｓに接続される。
【００６０】
各走査信号伝送路Ｓは、走査信号伝送路接続部Ｈに接続される。走査信号伝送路接続部Ｈは、スイッチ素子アレイ１２の幅方向Ｙの他方Ｙ２側に、各スイッチ素子Ｔに近接して設けられる。走査信号伝送路接続部Ｈは、走査信号伝送路Ｓと、外部からの信号伝送路を個別に接続するためのものであり、ボンディングパッドによって形成される。走査信号伝送路接続部Ｈは、第１〜第３走査信号伝送路Ｓ１，Ｓ２，Ｓ３に個別に接続される第１〜第３走査信号伝送路接続部Ｈ１，Ｈ２，Ｈ３を含んで構成される。第１〜第３走査信号伝送路接続部Ｈ１，Ｈ２，Ｈ３を総称する場合、および第１〜第３走査信号伝送路接続部Ｈ１，Ｈ２，Ｈ３のうち不特定のものを示す場合、単に走査信号伝送路接続部Ｈと記載する場合がある。各走査信号伝送路接続部Ｈは、発光信号伝送路接続部Ｆと同様な大きさおよび形状を有する。配列方向Ｘの他方Ｘ２から一方Ｘ１に向かって第１走査信号伝送路接続部Ｈ１、第２走査信号伝送路接続部Ｈ２および第３走査信号伝送路接続部Ｈ３は、この順番に並ぶ。走査信号伝送路接続部Ｈは、発光体チップ２０の幅方向Ｙの他方Ｙ２寄りの領域に設けられる。
【００６１】
走査信号伝送路接続部Ｈと、発光信号伝送路接続部Ｆとは配列方向Ｘに配列される。各走査信号伝送路接続部Ｈの幅方向Ｙの一方Ｙ１の端部と、発光信号伝送路接続部Ｆの幅方向Ｙの一方Ｙ１の端部とは、配列方向Ｘに揃えて設けられる。第１〜第３走査信号伝送路接続部Ｈ１，Ｈ２，Ｈ３は、配列方向Ｘに相互に予め定める間隔Ｗ９をあけて形成される。予め定める間隔Ｗ９は、走査信号伝送路接続部Ｈがショートせず、かつ走査信号伝送路接続部Ｈの形成領域が大きくなり過ぎないように選ばれ、例えば１０μｍ以上２０μｍ未満に選ばれる。走査信号伝送路接続部Ｈは、スイッチ素子アレイ１２の配列方向Ｘの一方Ｘ１の端部よりも、発光体チップ２０において配列方向Ｘの他方Ｘ２寄りに設けられる。
【００６２】
発光信号伝送路接続部Ｆおよび走査信号伝送路接続部Ｈが、発光素子アレイ１１およびスイッチ素子アレイ１２の幅方向Ｙの他方Ｙ２で、発光素子アレイ１１およびスイッチ素子アレイ１２に前述したように近接し、発光体チップ２０の幅方向Ｙの他方Ｙ２寄りの領域に、配列方向Ｘに沿って配列されるので、発光信号伝送路Ｅおよび走査信号伝送路Ｓを短く形成して、装置の複雑化および装置の大型化を抑制し、かつ伝送路におけるノイズの重畳を抑制することができるとともに、さらに外部からの信号伝送路を同じ向きから接続することができるので、外部からの信号伝送路との接続の作業性が向上する。
【００６３】
前記走査スタート用スイッチ素子Ｔ０は、厚み方向Ｚの一方Ｚ１の端部、すなわち図１の紙面に垂直な方向手前側に、表面電極５１を有する。走査スタート用スイッチ素子Ｔ０の表面電極５１には、スタート信号伝送路ＳＴの一端部が接続される。スタート信号伝送路ＳＴの他端部は、スタート信号伝送路接続部１９に接続される。スタート信号伝送路接続部１９は、配列方向Ｘにおいて、走査信号伝送路接続部Ｈと発光信号伝送路接続部Ｆとの間に、これら走査信号伝送路接続部Ｈと発光信号伝送路接続部Ｆとに離間して設けられ、走査信号伝送路接続部Ｈおよび発光信号伝送路接続部とともに配列方向Ｘに配列される。スタート信号伝送路接続部１９は、スタート信号伝送路ＳＴと、外部からの信号伝送路を接続するためのものであり、ボンディングパッドによって形成される。スタート信号伝送路接続部１９は、各発光信号伝送路接続部Ｆおよび各走査信号伝送路接続部Ｈと、同様な大きさおよび形状を有する。スタート信号伝送路接続部１９は、各発光信号伝送路接続部Ｆおよび各走査信号伝送路接続部Ｈと、幅方向Ｙの一方Ｙ１側の端部を、配列方向Ｘに揃えて設けられる。スタート信号伝送路接続部１９と、第１走査信号伝送路接続部Ｈ１とは、前述した予め定める間隔Ｗ９離間する。
【００６４】
発光信号伝送路Ｓおよびスタート信号伝送路ＳＴは、抵抗成分Ｒφをそれぞれ含んで形成される。抵抗成分Ｒφは、発光信号伝送路Ｓおよびスタート信号伝送路ＳＴにおいて、例えば、その伝送路の一部における電流の流路の断面積を小さくすることによって形成される。
【００６５】
トリガ信号伝送路Ｇは、各発光素子Ｌの予め定める部位であるゲート１７と、各スイッチ素子Ｔの予め定める部位であるゲート１８とを接続し、スイッチ素子Ｔから発光素子Ｌにトリガ信号を伝送する。スイッチ素子Ｔｊには、トリガ信号伝送路Ｇｊが接続される。すなわちスイッチ素子Ｔ１には、トリガ信号伝送路Ｇ１が接続され、スイッチ素子Ｔ２には、トリガ信号伝送路Ｇ２が接続され、スイッチ素子Ｔ３にはトリガ信号伝送路Ｇ３が接続され、スイッチ素子Ｔ４にはトリガ信号伝送路Ｇ４が接続される。スイッチ素子Ｔでは、幅方向Ｙの一方Ｙ１の端部でトリガ信号伝送路Ｇがスイッチ素子Ｔのゲート１８に接続され、トリガ信号伝送路Ｇは、スイッチ素子Ｔのゲート１８から幅方向Ｙの一方Ｙ１に延び、屈曲して配列方向Ｘの他方Ｘ２に、配列方向Ｘに沿って延びる。スイッチ素子Ｔの幅方向Ｙの一方Ｙ１の端から、発光体チップ２０の幅方向Ｙの一方Ｙ１の端までの予め定める距離Ｗ１０は、複数本のトリガ信号伝送路Ｇを設けることができる大きさに選ばれる。トリガ信号伝送路Ｇは、走査スタート用スイッチ素子Ｔ０と発光素子アレイ１１との間で幅方向Ｙの他方Ｙ２に屈曲し、さらに発光素子Ｌのゲート１７に積層されるように配列方向Ｘに屈曲して配列方向Ｘに沿って、発光素子アレイ１１の配列方向Ｘの他方Ｘ２まで延びる。各トリガ信号伝送路Ｇは、相互に重ならないように、かつショートしないように相互に離間して形成される。隣接するトリガ信号伝送路Ｇ間の距離は、例えば５μｍに選ばれる。
【００６６】
トリガ信号伝送路Ｇ１は、発光素子ブロックＡｉのうち、ｉが奇数となるブロック（発光素子ブロックＡ１，Ａ３，…）の配列方向Ｘの一方Ｘ１の発光素子Ｌのゲート１７に接続される。トリガ信号伝送路Ｇ２は、発光素子ブロックＡｉのうち、ｉが偶数となるブロック（発光素子ブロックＡ２，Ａ４，…）の配列方向Ｘの一方Ｘ１の発光素子Ｌのゲート１７に接続される。トリガ信号伝送路Ｇ３は、発光素子ブロックＡｉのうち、ｉが奇数となるブロック（発光素子ブロックＡ１，Ａ３，…）の配列方向Ｘの他方Ｘ２の発光素子Ｌのゲート１７に接続される。トリガ信号伝送路Ｇ４は、発光素子ブロックＡｉのうち、ｉが偶数となるブロック（発光素子ブロックＡ２，Ａ４，…）の配列方向Ｘの他方Ｘ２の発光素子Ｌのゲート１７に接続される。このようにトリガ信号伝送路Ｇを発光素子Ｌのゲート１７に接続することによって、発光状態にあるスイッチ素子Ｔの両側に隣接するスイッチ素子Ｔが受光によってトリガ信号を発生したとしても、これらトリガ信号を発生したスイッチ素子Ｔにトリガ信号伝送路Ｇを介して接続される発光素子Ｌは、異なる発光信号伝送路Ｅにそれぞれ接続されることになるので、発光すべき発光素子のみを発光させ、誤発光を抑制することができる。
【００６７】
前述した発光素子Ｌおよびスイッチ素子Ｔならびに基板２１の厚み方向Ｚの一方Ｚ１側の表面は、透光性を有し、かつ電気絶縁性を有する絶縁層１５によって覆われる。
【００６８】
発光素子Ｌのゲート１７は、発光素子Ｌにおいて幅方向Ｙの他方Ｙ２の側の端部に設けられる。トリガ信号伝送路Ｇは、発光素子アレイ１１が形成される部分において、各発光素子Ｌのゲート１７に絶縁層１５の一部を介して積層されて、配列方向Ｘに直線状に延びる。発光信号伝送路接続部Ｆ、走査信号伝送路接続部Ｈおよびスタート信号伝送路接続部１９は、絶縁層１５に積層して形成され、基板２１と電気的に絶縁される。
【００６９】
トリガ信号伝送路Ｇは、発光素子アレイ１１の配列方向Ｘの他方Ｘ２側まで延び、発光体チップ２０の配列方向Ｘの他方Ｘ２側の端部で、幅方向Ｙの他方Ｙ２側に屈曲して、信号検出用端子Ｋに接続される。信号検出用端子Ｋは、トリガ信号伝送路Ｇ１，Ｇ２，Ｇ３，Ｇ４に個別に接続される信号検出用端子Ｋ１，Ｋ２，Ｋ３，Ｋ４を含んで構成される。信号検出用端子Ｋ１，Ｋ２，Ｋ３，Ｋ４は、配列方向Ｘに沿って配列される。信号検出用端子Ｋ１，Ｋ２，Ｋ３，Ｋ４を総称する場合、および信号検出用端子Ｋ１，Ｋ２，Ｋ３，Ｋ４のうち不特定のものを示す場合、単に信号検出用端子Ｋと記載する場合がある。信号検出用端子Ｋは、厚み方向Ｚの一方Ｚ１側から見て矩形状に形成され、配列方向Ｘに沿って相互に予め定める間隔Ｗ１１をあけて配列される。予め定める間隔Ｗ１１は、信号検出用端子Ｋ１，Ｋ２，Ｋ３，Ｋ４が相互に電気的に絶縁状態を保持することができる距離に選ばれ、例えば１０μｍ以上２０μｍ未満に選ばれる。信号検出用端子Ｋは、発光信号伝送路接続部Ｆ、走査信号伝送路接続部Ｈおよびスタート信号伝送路接続部１９よりも小さく形成され、配列方向Ｘの寸法は、例えば５０μｍに選ばれ、幅方向Ｙの寸法は、例えば５０μｍに選ばれる。信号検出用端子Ｋの幅方向Ｙの他方Ｙ２の端部と、発光信号伝送路接続部Ｆ、走査信号伝送路接続部Ｈおよびスタート信号伝送路接続部１９の幅方向Ｙの他方Ｙ２の端部と、配列方向Ｘに揃えて設けられる。信号検出用端子Ｋは、絶縁層１５に積層して設けられる。
【００７０】
信号検出用端子Ｋ１，Ｋ２，Ｋ３，Ｋ４は、配列方向Ｘの一方Ｘ１から他方Ｘ２に向かって、この順番で配列される。信号検出用端子Ｋ１にはトリガ信号伝送路Ｇ１が接続され、信号検出用端子Ｋ２にはトリガ信号伝送路Ｇ２が接続され、信号検出用端子Ｋ３にはトリガ信号伝送路Ｇ３が接続され、信号検出用端子Ｋ４にはトリガ信号伝送路Ｇ４が接続されることによって、各トリガ信号伝送路Ｇが相互に重なってしまうことがない。信号検出用端子Ｋ１は、配列方向Ｘにおいて発光信号伝送路接続部Ｆｉに予め定める距離Ｗ１２離間して形成される。予め定める距離Ｗ１２は、信号検出用端子Ｋ１と発光信号伝送路接続部Ｆｉとがショートしないように選ばれ、例えば１０μｍ以上２０μｍ未満に選ばれる。また信号検出用端子Ｋ４の配列方向Ｘの他方Ｘ２の端から、発光体チップ２０の配列方向Ｘの他方Ｘ２の端までの距離Ｗ１３は、前記予め定める距離Ｗ８と等しく選ばれる。
【００７１】
遮光層１６は、各スイッチ素子Ｔの厚み方向Ｚの一方側、すなわち各スイッチ素子Ｔの図１の紙面に垂直手前側から、各スイッチ素子Ｔを覆い、発光素子Ｌが発する光に、スイッチ素子Ｔが発する光が干渉しないように、スイッチ素子Ｔが発する光を遮光する。
【００７２】
図２は、図１のａ１，ａ２，ａ３およびａ４によって外囲される部分を拡大して示す平面図である。なお、同図において、トリガ信号伝送路Ｇおよび発光素子Ｌのゲート１７は図解を容易にするため、斜線を付して示されている。発光素子Ｌは、発光信号φＥが与えられることによって発光可能な発光部分６０と、トリガ信号伝送路Ｇが接続される伝送路接続部分６１とを有する。発光素子Ｌのうち、幅方向Ｙの一方Ｙ１側の端部に発光部分６０が形成され、発光部分６０の幅方向Ｙの他方Ｙ２側に伝送路接続部分６１が連なる。
【００７３】
発光信号伝送路Ｅは、発光素子ブロックＡの各発光素子Ｌに個別に連なる個別接続部６３と、同じ発光素子ブロックＡに含まれる発光素子Ｌに接続される個別接続部６３に共通に接続される共通接続部６４とを有する。
【００７４】
個別接続部６３は、厚み方向Ｚの一方Ｚ１側から見て、発光部分６０の中央部から伝送路接続部分６１の発光部分６０寄りの領域まで延びる。素子接続部６３の幅方向Ｙの他方Ｙ２側の端部は、共通接続部６４に接続される。共通接続部６４は、発光部分６０から幅方向Ｙの他方Ｙ２に離間するように設けられている。共通接続部分６４は、厚み方向Ｚの一方Ｚ１側から見て矩形状に形成される。共通接続部６４の幅方向Ｙの寸法は、隣接する発光素子Ｌ間の距離Ｗ１よりも大きく選ばれ、また隣接する共通接続部６４と離間するように選ばれる。
【００７５】
図３は、図２の切断面線Ｉ−Ｉから見た発光装置１０の基本的構成を示す一部の断面図である。発光素子Ｌは、基板２１の厚み方向Ｚの一表面２１ａ上に形成される第１の一方導電型半導体層２２、第１の他方導電型半導体層２３、第２の一方導電型半導体層２４および第２の他方導電型半導体層２５を含んで構成される。発光素子Ｌの幅方向Ｙに垂直な断面は、略矩形状に形成される。
【００７６】
基板２１は、本実施の形態では、一方導電型の半導体基板である。基板２１の厚み方向Ｚの他表面２１ｂ上には、裏面電極２６が形成される。裏面電極２６は、基板２１の厚み方向Ｚの他表面２１ｂの全面にわたって形成される。裏面電極２６は、金属材料および合金材料などの導電性を有する材料によって形成される。具体的には裏面電極２６は、金（Ａｕ）、金とゲルマニウムとの合金（ＡｕＧｅ）および金と亜鉛との合金（ＡｕＺｎ）などによって形成される。裏面電極２６は、各発光素子Ｌにおいて共通の電極として用いられる。
【００７７】
発光素子Ｌは、基板２１の厚み方向Ｚの一表面２１ａ上に、第１の一方導電型半導体層２２が積層され、第１の一方導電型半導体層２２の厚み方向Ｚの一表面２２ａ上に第１の他方導電型半導体層２３が積層され、第１の他方導電型半導体層２３の厚み方向Ｚの一表面２３ａ上に第２の一方導電型半導体層２４が積層され、第２の一方導電型半導体層２４の厚み方向Ｚの一表面２４ａ上に第２の他方導電型半導体層２５が積層され、第２の他方導電型半導体層２５の厚み方向Ｚの一表面２５ａ上にオーミックコンタクト層２７が積層されて構成される。
【００７８】
さらに具体的には、基板２１は、ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体およびＩＩ−ＶＩ族化合物半導体などの結晶成長が可能な半導体基板であり、例えば、ガリウム砒素（ＧａＡｓ）、インジウムリン（ＩｎＰ）、ガリウムリン（ＧａＰ）、シリコン（Ｓｉ）およびゲルマニウム（Ｇｅ）などの半導体材料によって形成される。
【００７９】
第１の一方導電型半導体層２２は、ガリウム砒素（ＧａＡｓ）、アルミニウムガリウム砒素（ＡｌＧａＡｓ）およびインジウムガリウムリン（ＩｎＧａＰ）などの半導体材料によって形成される。第１の一方導電型半導体層２２のキャリア密度は、１×１０１８ｃｍ−３程度のものが望ましい。
【００８０】
第１の他方導電型半導体層２３は、アルミニウムガリウム砒素（ＡｌＧａＡｓ）およびガリウム砒素（ＧａＡｓ）などの半導体材料によって形成される。第１の他方導電型半導体層２３を形成する半導体材料には、第１の一方導電型半導体層２２を形成する半導体材料のエネルギーギャップと同じ、もしくは第１の一方導電型半導体層２２を形成する半導体材料のエネルギーギャップよりもエネルギーギャップが小さいものが選ばれる。第１の他方導電型半導体層２３のキャリア密度は１×１０１７ｃｍ−３程度のものが望ましい。
【００８１】
第２の一方導電型半導体層２４は、アルミニウムガリウム砒素（ＡｌＧａＡｓ）およびガリウム砒素（ＧａＡｓ）などの半導体材料によって形成される。第２の一方導電型半導体層２４を形成する半導体材料には、第１の他方導電型半導体層２３を形成する半導体材料のエネルギーギャップと同じ、もしくは第１の他方導電型半導体層２３を形成する半導体材料のエネルギーギャップよりもエネルギーギャップが小さいものが選ばれる。第２の一方導電型半導体層２４のキャリア密度は、１×１０１８ｃｍ−３程度のものであることが望ましい。第２の一方導電型半導体層２４は、アルミニウムガリウム砒素（ＡｌＧａＡｓ）およびガリウム砒素（ＧａＡｓ）などの半導体材料によって形成することによって、高い内部量子効率を得ることができる。
【００８２】
第２の他方導電型半導体層２５は、アルミニウムガリウム砒素（ＡｌＧａＡｓ）およびガリウム砒素（ＧａＡｓ）などの半導体材料によって形成される。第２の他方導電型半導体層２５を形成する半導体材料には、第１の他方導電型半導体層２３および第２の一方導電型半導体層２４を形成する半導体材料のエネルギーギャップと同じ、もしくは第１の他方導電型半導体層２３および第２の一方導電型半導体層２４を形成する半導体材料のエネルギーギャップよりもエネルギーギャップが大きいものが選ばれる。第２の他方導電型半導体層２５のキャリア密度は、１×１０１８ｃｍ−３程度のものであることが望ましい。
【００８３】
オーミックコンタクト層２７は、ガリウム砒素（ＧａＡｓ）およびインジウムガリウムリン（ＩｎＧａＰ）などの半導体材料によって形成される他方導電型の半導体層であり、発光信号伝送路Ｇとのオーミック接合を行うためのものである。オーミックコンタクト層２７のキャリア密度は１×１０１９ｃｍ−３以上のものが望ましい。
【００８４】
第１の一方導電型半導体層２２、第１の他方導電型半導体層２３、第２の一方導電型半導体層２４、第２の他方導電型半導体層２５およびオーミックコンタクト層２７が積層された積層体は、絶縁層１５によって覆われる。絶縁層１５は、第１絶縁層１５ａおよび第２絶縁層１５ｂを含んで構成される。第１絶縁層１５ａは前記積層体を覆い、第２絶縁層１５ｂは第１絶縁層１５ａを覆って設けられる。絶縁層１５は、電気絶縁性および透光性ならびに平坦性を有する樹脂材料によって形成される。絶縁層１５は、ポリイミドおよびベンゾシクロブテン（ＢＣＢ）などによって形成される。各発光素子Ｌの間には、第１絶縁層１５ａが設けられ、発光素子Ｌ同士が絶縁される。
【００８５】
オーミックコンタクト層２７の厚み方向Ｚの一表面２７ａには、発光信号伝送路Ｅの個別接続部６３が接続される。第１絶縁層１５ａのうち、オーミックコンタクト層２７の厚み方向Ｚの一表面２７ａ上に形成される部分には、貫通孔２９が形成され、この貫通孔２９を介して、個別接続部６３がオーミックコンタクト層２７に接触している。前記貫通孔２９は、発光素子Ｌの配列方向Ｘの中央で、かつ発光素子Ｌの発光部分６０の幅方向Ｙの中央が第１絶縁層１５ａから露出するように形成されており、発光信号伝送路Ｅからの電流を、発光素子Ｌの発光部分６０の中央部に効率的に供給して、発光させることができる。発光素子Ｌでは、主に第２の一方導電型半導体層２４と、第２の他方導電型半導体層２５との界面付近で、第２の一方導電型半導体層２４寄りの領域において光が発生する。
【００８６】
発光信号伝送路Ｅの個別接続部６３の配列方向Ｘの寸法Ｗ１４は、発光素子Ｌの配列方向Ｘの寸法Ｗ２の１／３以下に形成される。個別接続部６３は、発光素子Ｌの光の出射方向の一部を覆うが、寸法Ｗ１４を前述したように選ぶことによって、発光素子Ｌから発せられ、厚み方向一方Ｚ１に向かう光を、遮ってしまうことを抑制する。個別接続部６３は、第２絶縁層１５ｂによって覆われる。これによって個別接続部６３の露出を防止し、また剥離および腐食を抑制することができる。
【００８７】
図４は、図２の切断面線ＩＩ−ＩＩから見た発光装置１０の基本的構成を示す一部の断面図である。図５は、図２の切断面線ＩＩＩ−ＩＩＩから見た発光装置１０の基本的構成を示す一部の断面図である。発光素子Ｌの第１の一方導電型半導体層２２と、第１の他方導電型半導体層２３と、第２の一方導電型半導体層２４との幅方向Ｙの他方Ｙ２の端部は、第２の他方導電型半導体層２５と、オーミックコンタクト層２７との幅方向Ｙの他方Ｙ２の端部よりも、幅方向Ｙの他方Ｙ２に突出し、伝送路接続部分６１を構成する。発光部分６０および伝送路接続部分６１は、ともに略直方体形状を有する。
【００８８】
発光信号伝送路Ｅの個別接続部６３は、第１絶縁層１５ａ上に積層され、発光部分６０から伝送路接続部分６１の発光部分６０寄りの領域まで延びて、伝送路接続部分６１に第１絶縁層１５ａを介して積層される。
【００８９】
各発光素子Ｌの伝送路接続部分６１は、発光部分６０から幅方向Ｙの他方Ｙ２側に、少なくともそれぞれが接続されるべきトリガ信号伝送路Ｇが形成される位置まで延びる。各発光素子Ｌの伝送路接続部分６１を覆って形成される第１絶縁層１５ａの厚み方向Ｚの一表面上には、トリガ信号伝送路Ｇが積層される。個別接続部分６３の幅方向Ｙの他方Ｙ２側の端部と、トリガ信号伝送路Ｇとは、幅方向Ｙに離間して形成される。第２の一方導電型半導体層２４の伝送路接続部分６１を構成する部分２４Ｂの厚み方向Ｚの一表面２４Ｂａには、ゲート信号伝送路Ｇが接続される。第１絶縁層１５ａのうち、第２の一方導電型半導体層２４の伝送路接続部分６１を構成する部分２４Ｂの厚み方向Ｚの一表面２４Ｂａには、貫通孔３２が形成される。この貫通孔３２を介してゲート信号伝送路Ｇ１〜Ｇ４のうちのいずれか１つが第２の一方導電型半導体層２４に接触する。ここでは発光素子Ｌ１について示しているので、ゲート信号伝送路Ｇ１が接続される。本実施の形態では、幅方向Ｙの他方Ｙ２側から一方Ｙ１側に向かって、トリガ信号伝送路Ｇ１、トリガ信号伝送路Ｇ２、トリガ信号伝送路Ｇ３およびトリガ信号伝送路Ｇ４がこの順番で配置される。
【００９０】
トリガ信号伝送路Ｇは、第２絶縁層１５ｂによって覆われる。これによってトリガ信号伝送路Ｇの露出を防止して、剥離および腐食が抑制される。第２絶縁層１５ｂのうち、伝送路接続部分６１上の個別接続部６３に積層される部分には、貫通孔３３が形成される。貫通孔３３を介して共通接続部６４と個別接続部６３とが接触する。共通接続部６４は、第２絶縁層１５ｂに積層して形成される。第２絶縁層１５ｂによって発光信号伝送路Ｅとトリガ信号伝送路Ｇと絶縁して設けることができる。
【００９１】
図６は、図１の切断面線ＩＶ−ＩＶから見た発光装置１０の基本的構成を示す一部の断面図である。配列方向Ｘにおける各スイッチ素子Ｔの予め定める間隔Ｗ６は、製造工程における制限を受けるので、スイッチ素子Ｔの厚み方向Ｚの高さの２倍以上に形成されるが、２０μｍ未満に選ばれ、好ましくは１０μｍ以下に選ばれる。例えばスイッチ素子Ｔの高さを約４μｍとすると、前記間隔Ｗ６は８μｍ程度に選ばれる。前記予め定める間隔Ｗ６が２０μｍ以上になると、隣接するスイッチ素子Ｔからの光の伝送効率が大きく低下してしまう。スイッチ素子Ｔの配列方向Ｘの寸法Ｗ１５は、前記配列方向Ｘの各発光素子Ｌの寸法Ｗ２と等しく選ばれる。
【００９２】
スイッチ素子Ｔおよび走査スタート用スイッチ素子Ｔ０は、基板２１の厚み方向Ｚの一表面２１ａ上に、第１の一方導電型半導体層４２が積層され、第１の一方導電型半導体層４２の厚み方向Ｚの一表面４２ａ上に第１の他方導電型半導体層４３が積層され、第１の他方導電型半導体層４３の厚み方向Ｚの一表面４３ａ上に第２の一方導電型半導体層４４が積層され、第２の一方導電型半導体層４４の厚み方向Ｚの一表面４４ａ上に第２の他方導電型半導体層４５が積層されて構成される。そして、第２の他方導電型半導体層４５の厚み方向Ｚの一表面４５ａ上にはオーミックコンタクト層４７が積層され、オーミックコンタクト層４７の厚み方向Ｚの一表面４７ａ上に、スイッチ素子Ｔの場合は表面電極５０が形成され、走査スタート用スイッチ素子Ｔ０の場合は表面電極５１が積層されて構成される。第１の一方導電型半導体層４２、第１の他方導電型半導体層４３、第２の一方導電型半導体層４４、第２の他方導電型半導体層４５、オーミックコンタクト層４７の積層体は、略直方体形状を有する。
【００９３】
特にスイッチ素子Ｔの第１の一方導電型半導体層４２、第１の他方導電型半導体層４３、第２の一方導電型半導体層４４、第２の他方導電型半導体層４５およびオーミックコンタクト層４７の各半導体層を構成する半導体材料のエネルギーギャップおよびキャリア密度は、スイッチ素子Ｔの受光感度、および外部への光の取り出し効率、ならびに発光効率を高めるように設計することが好ましい。
【００９４】
第１の一方導電型半導体層４２は、ガリウム砒素（ＧａＡｓ）、アルミニウムガリウム砒素（ＡｌＧａＡｓ）およびインジウムガリウムリン（ＩｎＧａＰ）などの半導体材料によって形成される。第１の一方導電型半導体層４２のキャリア密度は、１×１０１８ｃｍ−３程度のものが望ましい。
【００９５】
第１の他方導電型半導体層４３は、アルミニウムガリウム砒素（ＡｌＧａＡｓ）およびガリウム砒素（ＧａＡｓ）などの半導体材料によって形成される。第１の他方導電型半導体層４３を形成する半導体材料には、第１の一方導電型半導体層４２を形成する半導体材料のエネルギーギャップと同じ、もしくは第１の一方導電型半導体層４２を形成する半導体材料のエネルギーギャップよりもエネルギーギャップが小さいものが選ばれる。第１の他方導電型半導体層４３のキャリア密度は１×１０１７ｃｍ−３程度のものが望ましい。
【００９６】
第２の一方導電型半導体層４４は、アルミニウムガリウム砒素（ＡｌＧａＡｓ）およびガリウム砒素（ＧａＡｓ）などの半導体材料によって形成される。第２の一方導電型半導体層４４を形成する半導体材料には、第１の他方導電型半導体層４３を形成する半導体材料のエネルギーギャップと同じ、もしくは第１の他方導電型半導体層４３を形成する半導体材料のエネルギーギャップよりもエネルギーギャップが小さいものが選ばれる。第２の一方導電型半導体層４４のキャリア密度は、第１の一方導電型半導体層４２、第１の他方導電型半導体層４３、第２の一方導電型半導体層４４および第２の他方導電型半導体層４５の全層の中で最も小さく１×１０１６ｃｍ−３〜１×１０１７ｃｍ−３程度のものであることが望ましい。第２の一方導電型半導体層４４は、アルミニウムガリウム砒素（ＡｌＧａＡｓ）およびガリウム砒素（ＧａＡｓ）などの半導体材料によって形成することによって、高い内部量子効率を得ることができる。
【００９７】
第２の他方導電型半導体層４５は、アルミニウムガリウム砒素（ＡｌＧａＡｓ）およびガリウム砒素（ＧａＡｓ）などの半導体材料によって形成される。第２の他方導電型半導体層４５を形成する半導体材料には、第１の他方導電型半導体層４３および第２の一方導電型半導体層４４を形成する半導体材料のエネルギーギャップと同じ、もしくは第１の他方導電型半導体層４３および第２の一方導電型半導体層４４を形成する半導体材料のエネルギーギャップよりもエネルギーギャップが大きいものが選ばれる。第２の他方導電型半導体層４５のキャリア密度は、１×１０１８ｃｍ−３程度のものであることが望ましい。
【００９８】
オーミックコンタクト層４７は、ガリウム砒素（ＧａＡｓ）およびインジウムガリウムリン（ＩｎＧａＰ）などの半導体材料によって形成される他方導電型の半導体層であり、表面電極５０とのオーミック接合を行うためのものである。オーミックコンタクト層４７のキャリア密度は１×１０１９ｃｍ−３以上のものが望ましい。
【００９９】
スイッチ素子Ｔおよび走査スタート用スイッチ素子Ｔ０の第１の一方導電型半導体層４２と、発光素子Ｌの第１の一方導電型半導体層２２とは、同じ半導体材料によって形成され、厚みが等しく形成される。またスイッチ素子Ｔおよび走査スタート用スイッチ素子Ｔ０の第１の他方導電型半導体層４３と、発光素子Ｌの第１の他方導電型半導体層２３とは、同じ半導体材料によって形成され、厚みが等しく形成される。またスイッチ素子Ｔおよび走査スタート用スイッチ素子Ｔ０の第２の一方導電型半導体層４４と、発光素子Ｌの第２の一方導電型半導体層２４とは、同じ半導体材料によって形成され、厚みが等しく形成される。またスイッチ素子Ｔおよび走査スタート用スイッチ素子Ｔ０の第２の他方導電型半導体層４５と、発光素子Ｌの第２の他方導電型半導体層２５とは、同じ半導体材料によって形成され、厚みが等しく形成される。またスイッチ素子Ｔおよび走査スタート用スイッチ素子Ｔ０のオーミックコンタクト層４７と、発光素子Ｌのオーミックコンタクト層２７とは、同じ半導体材料によって形成され、厚みが等しく形成される。
【０１００】
スイッチ素子Ｔでは、第２の一方導電型半導体層４４および第２の他方導電型半導体層４５によって主として光を発生する発光部が形成され、第１の一方導電型半導体層４２と第１の他方導電型半導体層４３と第２の一方導電型半導体層４４とによって主として受光する受光部、言い換えればフォトトランジスタ部が形成される。図６の矢符で示すように、スイッチ素子Ｔは、第２の一方導電型半導体層４４および第２の他方導電型半導体層４５の界面付近で、第２の一方導電型半導体層４４寄りの領域から主に発光する。また第１の一方導電型半導体層４２および第１の他方導電型半導体層４３の界面付近でもわずかに発光する。スイッチ素子Ｔは、光を全方向に放射する。
【０１０１】
スイッチ素子Ｔの第１の他方導電型半導体層４３の厚みは、５０Å〜１０００Åに選ばれる。このように第１の他方導電型半導体層４３の厚みを選ぶことによって、第１の一方導電型半導体層４２と第１の他方導電型半導体層４３と第２の一方導電型半導体層４４とによって形成されるフォトトランジスタ部の電流増幅率が大きくなり、効率よく外部からの光を受光することができる。
【０１０２】
スイッチ素子Ｔのオーミックコンタクト層４７の厚み方向Ｚの一表面４７ａ上には、表面電極５０がオーミック接合されて設けられ、走査スタート用スイッチ素子Ｔ０のオーミックコンタクト層４７の厚み方向Ｚの一表面４７ａ上には、表面電極５１がオーミック接合されて設けられる。スイッチ素子Ｔの表面電極５０は、オーミックコンタクト層４７の厚み方向Ｚの一表面４７ａの周縁部を除き、走査方向の下流側寄り、言い換えれば配列方向Ｘの一方Ｘ１寄りに、一表面４７ａの面積の約半分の領域に形成される。このように表面電極５０を形成することによってスイッチ素子Ｔの各半導体層への電界を均一化して、スイッチ素子Ｔから放射される光の発光強度を増加させることができるとともに、配列方向Ｘの他方Ｘ２に隣接する走査スタート用スイッチ素子Ｔ０またはスイッチ素子Ｔ１〜Ｔ３から出射され、遮光層１６によって反射されて厚み方向一方Ｚ１から到来する光を、各半導体層により多く入射させることができる。したがって、スイッチ素子Ｔの走査方向の下流側である配列方向Ｘの一方Ｘ１では、表面電極５０によって光を反射することによって、配列方向Ｘの一方Ｘ１のスイッチ素子Ｔ２〜Ｔ４により強い光を与えることができ、スイッチ素子Ｔの走査方向の上流側である配列方向Ｘの他方Ｘ２では、表面電極５０が形成されていないので、遮光層１６によって反射して、厚み方向Ｚの一方Ｚ１から到来する光を効率よく受光することができる。走査スタート用スイッチ素子Ｔ０の表面電極５１は、オーミックコンタクト層４７の厚み方向Ｚの一表面４７ａの周縁部を除く、一表面４７ａの全面にわたって形成される。表面電極５０，５１は、金属材料および合金材料などの導電性を有する材料によって形成される。具体的には表面電極５０，５１は、金（Ａｕ）、金とゲルマニウムとの合金（ＡｕＧｅ）および金と亜鉛との合金（ＡｕＺｎ）などによって形成される。
【０１０３】
第１の一方導電型半導体層４２、第１の他方導電型半導体層４３、第２の一方導電型半導体層４４、第２の他方導電型半導体層４５、オーミックコンタクト層４７および表面電極５０，５１は、絶縁層１５によって覆われ、隣接するスイッチ素子Ｔおよび走査スタート用スイッチ素子Ｔ０と電気的に絶縁される。前述したように絶縁層１５は、透光性を有するので、スイッチ素子Ｔおよび走査スタート用スイッチ素子Ｔ０が発光すると、この光は絶縁層１５を透過して、配列方向Ｘに隣接するスイッチ素子Ｔに入射する。絶縁層１５は、スイッチ素子Ｔおよび発光素子Ｌが発する波長の光の９５％以上を透過する樹脂材料によって形成される。
【０１０４】
絶縁層１５を平坦性を有する樹脂材料によって形成することによって、絶縁層１５を形成するときに、各スイッチ素子Ｔの間、およびスイッチ素子Ｔと走査スタート用スイッチ素子Ｔ０の間にも樹脂材料を充填して、絶縁層１５を各スイッチ素子Ｔの間およびスイッチ素子Ｔと走査スタート用スイッチ素子Ｔ０の間に確実に形成することができる。絶縁層１５は、樹脂材料をスピンコート法などによって塗付し、この樹脂材料を硬化させて形成される。
【０１０５】
絶縁層１５を、ポリイミドおよびベンゾシクロブテン（ＢＣＢ）などによって形成することによって、前記予め定める間隔Ｗ６を前述のように選んでも、この空隙に絶縁層１５を確実に形成することができ、また第１の一方導電型半導体層４２、第１の他方導電型半導体層４３、第２の一方導電型半導体層４４、第２の他方導電型半導体層４５、オーミックコンタクト層４７、表面電極５０，５１および基板２１に絶縁層１５を密着して形成することができる。絶縁層１５が、スイッチ素子Ｔおよび走査スタート用スイッチ素子Ｔ０の表面から剥離してしまうと、この剥離した部分の界面によって、光が反射されてしまい、隣接するスイッチ素子Ｔおよび走査スタート用スイッチ素子Ｔ０からの光の受光量が低下してしまうおそれがあるが、このような問題が発生しない。
【０１０６】
スイッチ素子Ｔ１〜Ｔ４の表面電極５０の厚み方向Ｚの一表面５０ａには、第１〜第３走査信号伝送路Ｓ１，Ｓ２，Ｓ３のうちのいずれか１つが前述したように接続され、走査スタート用スイッチ素子Ｔ０の表面電極５１の厚み方向Ｚの一表面５１ａには、スタート信号伝送路ＳＴが接続される。絶縁層１５の第１絶縁層１５ａのうち、表面電極５０の厚み方向Ｚの一表面５０ａ上に形成される部分には、貫通孔５２が形成され、この貫通孔５２を介して、表面電極５０と第１〜第３走査信号伝送路Ｓ１，Ｓ２，Ｓ３のうちのいずれか１つとが接続される。絶縁層１５の第１絶縁層１５ａのうち、表面電極５１の厚み方向Ｚの一表面５１ａ上に形成される部分には、貫通孔５３が形成され、この貫通孔５３を介して、表面電極５１とスタート信号伝送路ＳＴとが接続される。走査信号伝送路Ｓは、スイッチ素子Ｔの厚み方向Ｚの一方Ｚ１側では、幅方向Ｙに沿って延びる。またスタート信号伝送路ＳＴは、スイッチ素子Ｔ０の厚み方向Ｚの一方Ｚ１側では、配列方向Ｘに沿って延びる。
【０１０７】
スタート信号伝送路ＳＴ、および第１〜第３走査信号伝送路Ｓ１，Ｓ２，Ｓ３の大部分は、第２絶縁層１５ｂによって覆われ、これによってスタート信号伝送路ＳＴおよび第１〜第３走査信号伝送路Ｓ１，Ｓ２，Ｓ３の剥離および腐食が抑制される。第１走査信号伝送路Ｓ１は、スイッチ素子アレイ１２の幅方向Ｙの他方Ｙ２側で、スイッチ素子Ｔ１からスイッチ素子Ｔ４にわたって配列方向Ｘに延びる。この第１走査信号伝送路Ｓ１のうち、スイッチ素子Ｔ１からスイッチ素子Ｔ４にわたって配列方向Ｘに延びる部分のうち、第２および第３走査信号伝送路Ｓ２，Ｓ３のうちスイッチ素子Ｔ２，Ｔ３から幅方向Ｙに延びる部分に厚み方向Ｚから見て交差する部分では、第１走査信号伝送路Ｓ１の一部が第２および第３走査信号伝送路Ｓ２，Ｓ３に積層して形成される第２絶縁層１５ｂに積層して形成されることによって、第２および第３走査信号伝送路Ｓ２，Ｓ３との接触が回避される。
【０１０８】
第２絶縁層１５ｂのうちスイッチ素子アレイ１２の部分を覆って遮光層１６が形成される。遮光層１６は、スイッチ素子Ｔを外囲するように形成される。遮光層１６の材料としては、電気絶縁性を有し、スイッチ素子Ｔから発せられる波長の光を、２μｍ〜３μｍ程度の厚みでほぼ完全に吸収するようなものであれば種々のものが使用可能である。本実施の形態では遮光層１６は、緑色のポリイミドによって形成される。遮光層１６の厚みは、５μｍ〜１０μｍ程度に選ばれる。スイッチ素子Ｔから発せられ、厚み方向一方Ｚ１側へ向かう光は、絶縁層１５と遮光層１６との界面などによって反射されるか、遮光層１６によって吸収される。これによって、スイッチ素子Ｔからの光が、発光素子Ｌから厚み方向一方Ｚ１側に出射される光に干渉してしまうことが防止される。したがって発光装置１０を、後述する画像形成装置８７の露光装置として用いた場合に、スイッチ素子Ｔからの漏れ光によって、画像の劣化が発生せず、優れた品質の画像を形成することができる。
【０１０９】
本実施の形態では、一方導電型はＮ型であり、他方導電型はＰ型である。発光素子Ｌおよびスイッチ素子Ｔにおいて、一方導電型をＮ型とし、他方導電型をＰ型とすると、発光信号伝送路Ｅおよび走査信号伝送路Ｓが、各素子のアノードに接続される構成となり、カソード電位を０ボルト（Ｖ）にすると、発光素子Ｌおよびスイッチ素子Ｔに電圧または電流を印加する電源に、正電源を用いることができるので好ましい。本実施の形態では、発光素子Ｌにおいては発光信号伝送路Ｅがアノード端子として機能し、裏面電極２６がカソード端子として機能する。またスイッチ素子Ｔにおいては、表面電極５０が走査信号伝送路１２とともにアノード端子として機能し、裏面電極２６がカソード端子として機能する。
【０１１０】
図７は、図１の切断面線Ｖ−Ｖから見た発光装置１０の基本的構成を示す一部の断面図である。スイッチ素子Ｔの、第１の一方導電型半導体層４２と、第１の他方導電型半導体層４３と、第２の一方導電型半導体層４４との幅方向Ｙの一方Ｙ１側の端部は、第２の他方導電型半導体層４５と、オーミックコンタクト層４７との幅方向Ｙの一方Ｙ１側の端部よりも、幅方向Ｙの一方Ｙ１側に向かって突出し、スイッチ素子接続部５４を構成する。また発光素子スイッチＴの第２の一方導電型半導体層４４のうち、スイッチ素子接続部５４を構成する部分４４Ａは、第２の他方導電型半導体層４５が積層される部分４４Ｂよりも厚みが小さく形成される。
【０１１１】
第１絶縁層１５ａのうち、スイッチ素子接続部５４の第２の一方導電型半導体層４４の厚み方向Ｚの一表面４４ａに積層される部分には貫通孔５５が形成される。スイッチ素子Ｔの第２の一方導電型半導体層４４は、スイッチ素子Ｔのゲート１８である。スイッチ素子Ｔでは、前記貫通孔５５を介して、トリガ信号伝送路Ｇがスイッチ素子Ｔのゲート１８に接触する。走査スタート用スイッチ素子Ｔ０は、スイッチ素子Ｔと同様な形状を有し、前記貫通孔５５を介して、短絡路５６が走査スタート用スイッチ素子Ｔ０のゲート１８に接触する。短絡路５６は、基板２１に接続される。短絡路５６が基板２１に接続されることによって、走査スタート用スイッチ素子Ｔ０の初期のしきい電圧またはしきい電流は低く保持され、スタート信号φＳを与えるだけで走査スタート用スイッチ素子Ｔ０を発光させることができる。トリガ信号伝送路Ｇは、第２絶縁層１５ｂに覆われる。
【０１１２】
以上説明を行った各発光素子Ｌ、各スイッチ素子Ｔおよび走査スタート用スイッチ素子Ｔ０は、基板２１の一表面２１ａに、第１の一方導電型半導体層２２，４２と、第１の他方導電型半導体層２３，４３と、第２の一方導電型半導体層２４，４４と、第２の他方導電型半導体層２５，４５と、オーミックコンタクト層２７，４７とを、それぞれ形成するための半導体材料を、エピタキシャル成長および化学気相成長（ＣＶＤ）法などによって順次積層した後、フォトリソグラフィによってパターニングおよびエッチングして形成される。したがって、一連の製造プロセスにおいて、発光素子Ｌ、スイッチ素子Ｔおよび走査スタート用スイッチ素子Ｔ０を同時に形成することができるので、作製時間および製造コストを低減することができる。各半導体層を形成した後、導電体層を蒸着法などによって形成し、フォトリソグラフィによってパターニングおよびエッチングして、表面電極５０，５１を形成する。
【０１１３】
表面電極５０，５１を形成した後、前述したポリイミドなどの樹脂材料をスピンコーティングした後、塗付した樹脂材料を硬化させ、発光信号伝送路Ｅと、走査信号伝送路Ｓと、トリガ信号伝送路Ｇと、スタート信号伝送路ＳＴと、発光素子Ｌ、スイッチ素子Ｔまたは走査スタート用スイッチ素子Ｔ０との接続に必要な各貫通孔２９，３２，５２，５３，５５をフォトリソグラフィによってパターニングおよびエッチングして、第１絶縁層１５ａが形成される。
【０１１４】
発光信号伝送路Ｅの個別接続部６３と、走査信号伝送路Ｓのうち第１絶縁層１５ａに積層されるべき部分と、トリガ信号伝送路Ｇと、スタート信号伝送路ＳＴとは、第１絶縁層１５を形成した後、蒸着法などによって導電性材料を第１絶縁層１５ａの表面に積層した後、フォトリソグラフィによってパターニングおよびエッチングして、同時に形成される。この後、前述したポリイミドなどの樹脂材料をスピンコーティングした後、塗付した樹脂材料を硬化させ、貫通孔３３と、走査信号伝送路Ｓのうち交差させるための貫通孔と、走査信号伝送路Ｓと走査信号伝送路接続部Ｈとを接続するための貫通孔と、走査スタート信号伝送路ＳＴと走査スタート信号伝送路接続部１９とを接続するための貫通孔と、トリガ信号伝送路Ｇとトリガ信号検出用端子Ｋとを接続するための貫通孔とをフォトリソグラフィによってパターニングおよびエッチングして、第２絶縁層１５ｂが形成される。この後、導電体層を蒸着法などによって形成し、フォトリソグラフィによってパターニングおよびエッチングして、走査信号伝送路Ｓのうちの残余の部分と、共通接続部６４と、発光信号伝送路接続部Ｆ、走査信号伝送路接続部Ｈ、走査スタート信号伝送路接続部１９およびトリガ信号検出用端子Ｋとを形成する。
【０１１５】
図８は、発光素子Ｌおよびスイッチ素子Ｔ、アノード電圧とアノード電流との関係である順方向電圧−電流特性を示すグラフである。なお、図８では、横軸をアノード電圧とし、縦軸をアノード電流として示されている。また図８には、負荷線７２も示されている。発光素子Ｌおよびスイッチ素子Ｔ１〜Ｔ４は、電圧−電流特性を表す特性曲線と、負荷線７２とが交わるオフ状態のｂ点と、特性曲線と負荷線７２とが交わるオン状態のａ点とを遷移する。アノード電圧は、カソードの電位を０（零）ボルト（Ｖ）としたときのアノードの電位を表し、アノード電流は、アノードに流れる電流を表す。
【０１１６】
発光素子Ｌ、スイッチ素子Ｔ１〜Ｔ４の初期のしきい電圧（ブレークオーバ電圧）をＶＢＯとする。初期のしきい電圧とは、発光素子Ｌでは、ゲート１７にトリガ信号が与えられていない状態のしきい電圧であり、スイッチ素子Ｔ１〜Ｔ４では受光していない状態のしきい電圧である。
【０１１７】
発光素子Ｌでは、ゲート１７にトリガ信号を与えることによって、しきい電圧がＶＢＯから、図８の矢符Ｐ１で示すように、このＶＢＯよりも小さな電圧であるＶＴＨへと低下し、スイッチ素子Ｔでは、受光することによって、しきい電圧が、図８の矢符Ｐ１で示すように、ＶＢＯからこのＶＢＯよりも小さな電圧であるＶＴＨへと低下する。
【０１１８】
図９は、図１に示される発光装置１０の基本的構成を示す一部の等価回路を示す回路図である。発光装置１０は、駆動手段５７をさらに含む。駆動手段５７は、走査信号伝送路接続部Ｈと、スタート信号伝送路接続部１９と、発光信号伝送路接続部Ｆとにそれぞれ接続されて、第１〜第３走査信号伝送路Ｓ１，Ｓ２，Ｓ３と、スタート信号伝送路ＳＴと、発光信号伝送路Ｅとにそれぞれ接続される。駆動手段５７は、走査信号伝送路Ｓに走査信号φをそれぞれ与え、スタート信号伝送路ＳＴにスタート信号φＳを与え、発光信号伝送路Ｅに発光信号φＥをそれぞれ与える。駆動手段５７は、駆動用ドライバーＩＣ（
Integrated Circuit）によって実現される。
【０１１９】
駆動手段５７は、外部から基準となるクロックパルス信号を入力して、このクロックパルス信号に基づいて、走査信号φ１〜φ３およびスタート信号φＳを同期して出力し、走査信号伝送路Ｓおよびスタート信号伝送路ＳＴにそれぞれ与える。前記クロックパルス信号は、後述する画像形成装置８７の制御手段９６から与えられる。クロックパルス信号のクロック周期は、後述する画像形成装置８７の制御手段９６における制御周期よりも長く選ばれる。また駆動手段５７は、クロックパルス信号とともに与えられる画像情報に基づいて、発光信号φＥを出力して、発光信号伝送路Ｅに与える。
【０１２０】
第１〜第３走査信号伝送路Ｓ１，Ｓ２，Ｓ３は、前述したように各スイッチ素子Ｔと直列に接続される抵抗成分Ｒφを含んで形成される。抵抗成分Ｒφは、駆動手段５７からスイッチ素子Ｔに過電流が流れてしまうことを防止するとともに、スイッチ素子Ｔに印加される電圧を分圧する分圧抵抗としての機能を有する。またスタート信号伝送路ＳＴも、スイッチ素子Ｔ０と直列に接続される抵抗成分Ｒφを含んで形成され、この抵抗成分Ｒφは、駆動手段５７からスタート信号伝送路ＳＴに過電流が流れてしまうことを防止するとともに、スイッチ素子Ｔ０に印加される電圧を分圧する分圧抵抗としての機能を有する。
【０１２１】
図１０は、駆動手段５７が、スタート信号伝送路ＳＴに与えるスタート信号φＳと、第１走査信号伝送路Ｓ１に与える走査信号φ１と、第２走査信号伝送路Ｓ２に与える走査信号φ２と、第３走査信号伝送路Ｓ３に与える走査信号φ３と、および発光信号伝送路Ｅ１に与える発光信号φＥ１と、発光素子ブロックＡ１，Ａ２の発光素子Ｌの発光強度と、走査スタート用スイッチ素子Ｔ０およびスイッチ素子Ｔの発光強度とを示す波形図である。発光素子ブロックＡ１の発光素子Ｌのうち、スイッチ素子Ｔ１に接続されるものを発光素子Ｌ１とし、スイッチ素子Ｔ３に接続されるものを発光素子Ｌ２とする。また発光素子ブロックＡ２の発光素子のうち、スイッチ素子Ｔ２に接続されるものを発光素子Ｌ３とし、スイッチ素子Ｔ４に接続されるものを発光素子Ｌ４とする。走査スタート用スイッチ素子Ｔ０、スイッチ素子Ｔ１〜Ｔ４および発光素子Ｌ１〜Ｌ４の発光強度は、ハイ（Ｈ）レベルのとき発光していることを表し、ロー（Ｌ）レベルのとき発光していないことを表す。図１０において、横軸は時間であって、基準時刻からの経過時間を表す。ここでは、発光素子ブロックＡ１，Ａ２に含まれる各発光素子Ｌ１〜Ｌ４を発光させる場合について説明する。
【０１２２】
また同図においてスタート信号φＳ、走査信号φ１〜φ３および発光信号φＥ１，φＥ２について、縦軸は、信号レベルを表す。信号レベルは、電圧または電流の大きさを表し、スタート信号φＳ、走査信号φ１〜φ３および発光信号φＥ１，φＥ２は、ハイ（Ｈ）レベルのとき、高電圧または高電流が信号伝送路に供給され、スタート信号φＳ、走査信号φ１〜φ３および発光信号φＥ１，φＥ２は、ロー（Ｌ）レベルのとき、低電圧または低電流が信号伝送路に供給される。スタート信号φＳ、走査信号φ１〜φ３および発光信号φＥ１，φＥ２がＬレベルのとき、信号伝送路に供給される電圧または電流は、各素子のしきい電圧またはしきい電流よりも小さい。電圧の場合では、Ｈレベルは、例えば３ボルト（Ｖ）〜１０ボルト（Ｖ）である。電圧の場合では、Ｌレベルは、例えば０（零）ボルト（Ｖ）である。本実施の形態では、Ｈレベルのときのスタート信号φＳ、走査信号φ１〜φ３および発光信号φＥ１，φＥ２の電圧を例えば５ボルト（Ｖ）とし、Ｌレベルのスタート信号φＳ、走査信号φ１〜φ３および発光信号φＥ１，φＥ２の電圧を例えば０ボルト（Ｖ）とする。走査信号φ１〜φ３の波形は同じであり、それぞれ位相が異なる。
【０１２３】
発光装置１０では、発光させるべき発光素子Ｌのしきい電圧またはしきい電流を低下させるために、スイッチ素子Ｔの発光状態を、配列方向Ｘに沿って転送する。
【０１２４】
以後、駆動手段５７の動作について説明する。まず時刻ｔ０で、駆動手段５７は、スタート信号φＳ、走査信号φ１〜φ３および発光信号φＥ１，φＥ２をローレベルとする。駆動手段５７は、スタート信号φＳ、走査信号φ１〜φ３および発光信号φＥ１，φＥ２について、信号レベルをローレベルからハイレベルにすると、次に信号レベルをハイレベルからローレベルにするまで、信号レベルをハイレベルとなるように維持する。また駆動手段５７は、スタート信号φＳ、走査信号φ１〜φ３および発光信号φＥについて、信号レベルをハイレベルからローレベルにすると、次に信号レベルをローレベルからハイレベルにするまで、信号レベルをローレベルとなるように維持する。
【０１２５】
時刻ｔ１で、駆動手段５７は、スタート信号φＳのみをローレベルからハイレベルに変化させる。時刻ｔ１において、走査信号φ１〜φ３および発光信号φＥ１，φＥ２は、ローレベルである。走査スタート用スイッチ素子Ｔ０では、ゲートが接地しているため、初期のしきい電圧またはしきい電流は低く保持されている。したがって、スタート信号φＳをローレベルからハイレベルに変化させることによって、走査スタート用スイッチ素子Ｔ０がオン状態になり、すなわちターンオンして発光する。
【０１２６】
走査スタート用スイッチ素子Ｔ０の光は、隣接するスイッチ素子Ｔ１に最も強く入射する。スイッチ素子アレイ１２の他のスイッチ素子Ｔ２〜Ｔ４では、配列方向Ｘに走査スタート用スイッチ素子Ｔ０から離間した位置に配置されるスイッチ素子Ｔほど、走査スタート用スイッチ素子Ｔ０から照射される光の強度が小さくなる。スイッチ素子Ｔでは、受光すると光励起によって各半導体層に、受光強度に応じたキャリアが生成される。キャリアの生成によって、第２の一方導電型半導体層４４に蓄積される電子が、第２の一方導電型半導体層４４のフェルミ準位を下げ、これによって第１の他方導電型半導体層４３と第２の一方導電型半導体層４４との接合部分において、なだれ現象が発生しやすくなる。このため、スイッチ素子Ｔは、光を受光することによってしきい電圧またはしきい電流が低下し、また受光する光強度が大きくなるほど、しきい電圧またはしきい電流の降下が大きくなるという特性を有する。
【０１２７】
次に走査スタート用スイッチ素子Ｔ０からスイッチ素子Ｔ１への発光状態の転送について説明する。走査スタート用スイッチ素子Ｔ０が発光すると、この光をスイッチ素子Ｔ１が受光し、スイッチ素子Ｔ１のしきい電圧が低下する。
【０１２８】
時刻ｔ２において、スイッチ素子Ｔ１のしきい電圧はＶＴＨとなっている。第１走査信号伝送路Ｓ１には、スイッチ素子Ｔ１，Ｔ４がそれぞれ接続されているが、スイッチ素子Ｔ４は、走査スタート用スイッチ素子Ｔ０から十分に離れているので、走査スタート用スイッチ素子Ｔ０からの光を受光しても、その光は微弱であるので、しきい電圧はほとんど変化しない。
【０１２９】
時刻ｔ２で、駆動手段５７は、走査信号φ１をローレベルからハイレベルにする。時刻ｔ２において、スタート信号φＳは、ハイレベルであり、走査信号φ２，φ３、ならびに発光信号φＥ１，φＥ２はローレベルである。走査信号φ１のハイレベルは、スイッチ素子Ｔ１と同じ第１走査信号伝送路Ｓ１に接続されるスイッチ素子Ｔ４のしきい電圧またはしきい電流よりも低く選ばれる。これによって、しきい電圧またはしきい電流が、走査信号φ１のハイレベルよりも低いスイッチ素子Ｔ１のみが発光し、スイッチ素子Ｔ４は、発光しない。これによって時刻ｔ２で、スイッチ素子Ｔ１がオン状態となり、すなわちターンオンして発光する。
【０１３０】
スイッチ素子Ｔ１がオン状態となった後、時刻ｔ３で、駆動手段５７は、スタート信号φＳをローレベルにする。これによって走査スタート用スイッチ素子Ｔ０はオフ状態となり、すなわちターンオフして消灯する。
【０１３１】
このようにして走査スタート用スイッチ素子Ｔ０から、スイッチ素子Ｔ１へと発光状態が遷移する。時刻ｔ２と時刻ｔ３との間の時間は、走査信号φがハイレベルとなる時間の１／１０程度に選ばれる。このように、隣接するスイッチ素子Ｔにおいて与えられる走査信号φがハイレベルとなる時間が重なるように駆動手段５７が走査信号φを与えることによって、隣接するスイッチ素子Ｔのしきい電圧またはしきい電流が確実に低下している間に、走査信号φをハイレベルとすることができ、光走査を確実に行うことができる。本実施の形態では、走査信号φ１〜φ３がハイレベルとなる時間は、１μ秒程度に選ばれる。したがって、時刻ｔ２と時刻ｔ３との間の時間は、０．１μ秒程度に選ばれる。
【０１３２】
スイッチ素子Ｔ１は、受光によってゲート１８にトリガ信号を発生し、時刻ｔ２においてオン状態となると、ハイレベルとされた走査信号φ１がローレベルになるまでは、オン状態を維持する。オン状態となると、スイッチ素子Ｔ１のゲート１８の電圧は、ほぼ０（零）ボルト（Ｖ）になる。ここで前記スイッチ素子Ｔ１のゲート１８の電圧とは、このゲート１８と接地される裏面電極２６との電位差である。スイッチ素子Ｔ１のゲート１８は、発光素子Ｌ１のゲート１７に接続されているので、スイッチ素子Ｔ１のゲート１８の電圧は、発光素子Ｌ１のゲート１７の電圧と等しくなる。このようにスイッチ素子Ｔ１は、発光素子Ｌ１のゲート１７と裏面電極２６とに印加される電圧を変化させることができる。
【０１３３】
発光素子Ｌ１を発光させる場合、駆動手段５７は、時刻ｔ３が経過した後、時刻ｔ４で、発光信号φＥ１をローレベルからハイレベルにする。発光素子Ｌ１は、スイッチ素子Ｔ１がオン状態であるので、前述したように発光素子Ｌ１のゲート１７は、ほぼ０（零）ボルト（Ｖ）となる。このときスイッチ素子Ｔ２〜Ｔ４は、オフ状態であり、スイッチ素子Ｔ１に接続される発光素子Ｌのうち、発光素子Ｌ１に与えられる発光信号φＥ１をハイレベルにすることによって、発光素子Ｌ１のみを選択的にオン状態として、発光させることができる。
【０１３４】
時刻ｔ５において、駆動手段５７が発光信号φＥ１をローレベルにすると、発光素子Ｌ１は、オフ状態となって消灯する。後述する感光体ドラム９０への露光量は、発光素子Ｌの発光強度は一定として、発光素子Ｌの発光する時間によって調整される。すなわち、発光信号φＥ１がハイレベルとなる時刻ｔ４から時刻ｔ５までの間の時間を決定することによって、露光量が決定される。発光素子Ｌの発光強度によって露光量を変更する場合、発光素子Ｌに与える電圧または電流を細かく制御する必要があるので困難であるが、発光時間によって露光量を変更することによって、発光信号φＥ１がハイレベルとなる時間を調整するだけでよいので、露光量の制御がしやすく、また定電圧または定電流が発光素子Ｌに与えられるので、発光素子Ｌを安定して発光させることができる。発光素子Ｌが発光する時間、言い換えれば発光信号φＥがハイレベルとなる時間は、走査信号φがハイレベルとなる時間の８０％以下に選ばれる。
【０１３５】
時刻ｔ５が経過した後、駆動手段５７は、時刻ｔ６で走査信号φ２をハイレベルにすると、スイッチ素子Ｔ２が発光し、時刻ｔ６が経過した後、時刻ｔ７で、走査信号φ１をローレベルにすると、スイッチ素子Ｔ１が消灯する。これによって、スイッチ素子Ｔ１からスイッチ素子Ｔ２へと発光状態が移る。
【０１３６】
時刻ｔ７が経過した後、駆動手段５７は、時刻ｔ８で発光信号φＥ２をハイレベルにすると、発光素子Ｌ３が点灯し、時刻ｔ９で発光信号φＥ２をローレベルにすると、発光素子Ｌ３が消灯する。
【０１３７】
時刻ｔ９が経過した後、駆動手段５７は、時刻ｔ１０で走査信号φ３をハイレベルにすると、スイッチ素子Ｔ３が発光し、時刻ｔ１０が経過した後、時刻ｔ１１で、走査信号φ２をローレベルにすると、スイッチ素子Ｔ２が消灯する。これによって、スイッチ素子Ｔ２からスイッチ素子Ｔ３へと発光状態が移る。
【０１３８】
時刻ｔ１１が経過した後、駆動手段５７は、時刻ｔ１２で発光信号φＥ１をハイレベルにすると、発光素子Ｌ２が点灯し、時刻ｔ１３で発光信号φＥ１をローレベルにすると、発光素子Ｌ２が消灯する。
【０１３９】
時刻ｔ１３が経過した後、駆動手段５７は、時刻ｔ１４で再び走査信号φ１をハイレベルにすると、スイッチ素子Ｔ４が発光し、時刻ｔ１４が経過した後、駆動手段５７は、時刻ｔ１５で走査信号φ３をローレベルにすると、スイッチＴ３が消灯する。
【０１４０】
時刻ｔ１５が経過した後、駆動手段５７は、時刻ｔ１６で発光信号φＥ１をハイレベルにすると、発光素子Ｌ２が点灯し、時刻ｔ１７で発光信号φＥ１をローレベルにすると、発光素子Ｌ２が消灯する。
【０１４１】
時刻ｔ１７が経過した後、駆動手段５７は、時刻ｔ１８でスタート信号φＳをハイレベルにすると、走査スタート用スイッチ素子Ｔ０が発光し、時刻ｔ１８が経過した後、時刻ｔ１９で走査信号φ１をローレベルにすると、スイッチ素子Ｔ４が消灯する。
【０１４２】
各走査信号φ１〜φ３がローレベルからハイレベルとなり、再びローレベルとなるまでの時間は、それぞれが等しく選ばれ、各走査信号φ１〜φ３のハイレベルが重なる時間もそれぞれが等しく選ばれる。
【０１４３】
時刻ｔ１９以降は、時刻ｔ２〜時刻ｔ１９までの動作と同様に、スイッチ素子Ｔ１〜Ｔ４を順番に点灯させることによって、各スイッチ素子Ｔ１〜Ｔ４に接続される発光素子Ｌを順番に点灯可能な状態とすることができる。このように駆動手段５７が、スタート信号φＳおよび走査信号φ１〜φ３を繰り返して走査スタート用スイッチ素子Ｔ０およびスイッチ素子Ｔに与えることによって、スイッチ素子Ｔのオン状態が配列方向Ｘに沿って順次転送される。ここでは発光素子ブロックＡ１，Ａ２に含まれる発光素子Ｌを点灯させる場合についてのみ説明しているが、所定のスイッチ素子Ｔが発光しているとき、この所定のスイッチ素子Ｔにトリガ信号伝送路Ｇを介して接続されている発光素子Ｌに接続される発光信号伝送路Ｅに与える発光信号φＥをローレベルからハイレベルにすることによって、この発光しているスイッチ素子Ｔに対応する、すなわち発光しているスイッチ素子Ｔにトリガ信号伝送路Ｇを介して接続されている発光素子Ｌを選択的に発光させることができる。本実施の形態では、１つのトリガ信号伝送路Ｇに、それぞれが異なる発光信号伝送路Ｅに接続されるｉ／２（個）の発光素子Ｌが接続されており、最大でｉ／２（個）の発光素子Ｌを同時に点灯させることができる。したがってスイッチ素子Ｔ１〜Ｔ４を光走査する時間、すなわち時刻ｔ２〜時刻ｔ１９までの間に、発光素子アレイ１１に含まれるｉ×２（個）の発光素子Ｌの全てについて発光させるか否かを選択して発光させることができ、発光素子Ｌによる光走査の時間が短くて済む。
【０１４４】
スイッチ素子アレイ１２に含まれるスイッチ素子Ｔのうち、発光しているスイッチ素子Ｔの配列方向Ｘの両側に隣接する各スイッチ素子Ｔは、いずれも励起状態となってしまうが、第１〜第３走査信号伝送路Ｓ１，Ｓ２，Ｓ３によって、前述したように走査信号φ１〜φ３を伝送させて、各スイッチ素子Ｔに走査信号φ１〜φ３を与えることによって、配列方向Ｘの他方から一方へと、スイッチ素子Ｔの発光状態の転送を行うことができ、言い換えれば光走査することができる。
【０１４５】
図１１は、複数の発光体チップ２０によって形成される発光体チップ組立体８０の基本的構成を示す一部の平面図である。なお、同図は、各発光素子Ｌの光の出射方向を紙面に垂直手前側として配置された発光体チップ組立体８０の平面を示す。発光体チップ組立体８０は、前記図１に示される発光体チップ２０を複数有し、各発光体チップ２０の各発光素子Ｌを直線状に配列して構成される。発光体チップ組立体８０は、プリント配線基板などの回路基板に、発光装置１０の裏面電極２６を臨ませて実装し、各発光体チップ２０の各発光素子Ｌを略直線状に並べることによって形成される。複数の発光体チップ２０は、前記発光素子Ｌの配列方向Ｘを揃えて２列に配列され、一方の列の発光体チップ２０の発光素子Ｌと、他方の列の発光体チップ２０の発光素子Ｌが、配列方向Ｘに連続するように千鳥状に配置される。各発光体チップ２０は、幅方向Ｙで隣接する発光体チップ２０に発光素子アレイ１１を臨ませて配置される。発光体チップ２０では、発光素子アレイ１１の幅方向Ｙの他方Ｙ２のみに、発光信号伝送路接続部Ｆ、走査信号伝送路接続部Ｈおよびスタート信号伝送路接続部１９が設けられるので、一方の列の発光体チップ２０の発光素子アレイ１１と、他方の列の発光体チップ２０の発光素子アレイ１１とを近接させて、各発光素子Ｌを略直線状に配置することができる。幅方向Ｙに相互に隣接する一方の列の発光体チップ２０の発光素子アレイ１１に含まれる発光素子Ｌと、他方の発光体チップ２０の発光素子アレイ１１に含まれる発光素子Ｌとの幅方向Ｙにおける光軸間の間隔は、発光素子アレイ１１における発光素子Ｌの配列方向Ｘの長さＷ１の１倍〜２倍程度に選ばれ、例えば６００ｄｐｉのとき４２．３μｍに選ばれる。また一方の列の発光体チップ２０の発光素子アレイ１１の配列方向Ｘの一方Ｘ１の端部の発光素子Ｌと、他方の列の発光体チップ２０の発光素子アレイ１１の配列方向Ｘの他方Ｘ２の端部の発光素子Ｌとは、配列方向Ｘにおいて予め定める距離Ｗ１離間して設けられる。また一方の列の発光体チップ２０の発光素子アレイ１１の配列方向Ｘの他方Ｘ２の端部の発光素子Ｌと、他方の列の発光体チップ２０の発光素子アレイ１１の配列方向Ｘの一方Ｘ１の端部の発光素子Ｌとは、配列方向Ｘにおいて予め定める距離Ｗ１離間して設けられる。
【０１４６】
発光体チップ組立体８０は、プリント配線基板などの回路基板に、発光体チップ２０を前述のように並べて形成される。発光体チップ組立体８０は、電子写真方式の画像形成装置用の光プリンタヘッドなどのラインヘッドとしての露光装置に用いられる。発光体チップ組立体８０が含む発光体チップ２０の数は、画像形成装置８７において形成する画像の幅によって決定される。
【０１４７】
各発光体チップ２０の発光信号伝送路接続部Ｆ、走査信号伝送路接続部Ｈおよびスタート信号伝送路接続部１９は、外部の信号伝送路であるボンディングワイヤによって、回路基板の接続すべき部分に電気的に接続される。回路基板には、前述した駆動手段５７が実装される。駆動手段５７は、ボンディングワイヤを介して、発光信号伝送路接続部Ｆ、走査信号伝送路接続部Ｈおよびスタート信号伝送路接続部１９に信号を与える。駆動手段５７を、発光体チップ２０が実装される回路基板に設けることによって、駆動手段５７から各発光素子Ｌおよび各スイッチ素子Ｔまでの信号伝送路の距離を短くして、駆動手段５７から発光信号伝送路接続部Ｆ、走査信号伝送路接続部Ｈおよびスタート信号伝送路接続部１９までの信号伝送路によって伝送される信号にノイズが重畳されてしまうことを抑制することができる。
【０１４８】
図１２は、発光装置１０を有する画像形成装置８７の基本的構成を示す側面図である。画像形成装置８７は、電子写真方式の画像形成装置であり、発光装置１０を、感光体ドラム９０への露光装置として用いている。発光装置１０は、駆動手段５７が設けられる回路基板に、前述した発光体チップ組立体８０が実装されて形成される。
【０１４９】
画像形成装置８７は、Ｙ（イエロ）、Ｍ（マゼンタ）、Ｃ（シアン）、Ｋ（ブラック）の４色のカラー画像を形成するタンデム方式を採用した装置であり、大略的に、４つの発光装置１０Ｙ，１０Ｍ，１０Ｃ，１０Ｋ、集光手段であるレンズアレイ８８Ｙ，８８Ｍ，８８Ｃ，８８Ｋ、前記発光装置１０および駆動手段５７が実装された回路基板およびレンズアレイ８８を保持する第１ホルダ８９Ｙ，８９Ｍ，８９Ｃ，８９Ｋ、４つの感光体ドラム９０Ｙ，９０Ｍ，９０Ｃ，９０Ｋ、４つの現像剤供給手段９１Ｙ，９１Ｍ，９１Ｃ，９１Ｋ、転写手段である転写ベルト９２、４つのクリーナ９３Ｙ，９３Ｍ，９３Ｃ，９３Ｋ、４つの帯電手段９４Ｙ，９４Ｍ，９４Ｃ，９４Ｋ、定着手段９５および制御手段９６を含んで構成される。
【０１５０】
各発光装置１０は、駆動手段５７によって各色のカラー画像情報に基づいて駆動される。例えば、４つ発光装置１０の配列方向Ｘの長さは、感光体ドラム９０に形成する画像の幅に合わせて決定され、例えば２００ｍｍ〜４００ｍｍに選ばれる。
【０１５１】
各発光装置１０の発光素子Ｌからの光は、レンズアレイ８８を介して各感光体ドラム９０Ｙ，９０Ｍ，９０Ｃ，９０Ｋに集光して照射される。レンズアレイ８８は、例えば各発光素子Ｌの光軸上にそれぞれ配置される複数のレンズを含み、これらのレンズを一体的に形成して構成される。
【０１５２】
発光装置１０が実装される回路基板およびレンズアレイ８８は、第１ホルダ８９によって保持される。第１ホルダ８９によって、発光素子Ｌの光照射方向と、レンズアレイ８８のレンズの光軸方向とがほぼ一致するようにして位置合わせされる。
【０１５３】
各感光体ドラム９０Ｙ，９０Ｍ，９０Ｃ，９０Ｋは、例えば円筒状の基体の外周面上に感光体層を被着して成り、その外周面には各発光装置１０Ｙ，１０Ｍ，１０Ｃ，１０Ｋからの光を受けて静電潜像が形成される静電潜像形成位置が設定される。
【０１５４】
各感光体ドラム９０Ｙ，９０Ｍ，９０Ｃ，９０Ｋの周辺部には、各感光体ドラム９０Ｙ，９０Ｍ，９０Ｃ，９０Ｋにおける静電潜像形成位置を基準として回転方向下流側に向かって順番に、露光された感光体ドラム９０Ｙ，９０Ｍ，９０Ｃ，９０Ｋに現像剤を供給する現像剤供給手段９１Ｙ，９１Ｍ，９１Ｃ，９１Ｋ、転写ベルト９２、感光体ドラム９０Ｙ，９０Ｍ，９０Ｃ，９０Ｋの表面に付着した現像剤を除去するクリーナ９３Ｙ，９３Ｍ，９３Ｃ，９３Ｋ、および感光体ドラム９０Ｙ，９０Ｍ，９０Ｃ，９０Ｋの表面を帯電させる帯電手段９４Ｙ，９４Ｍ，９４Ｃ，９４Ｋがそれぞれ配置される。感光体ドラム９０に現像剤によって形成された画像を記録シートに転写する転写ベルト９２は、４つの感光体ドラム９０Ｙ，９０Ｍ，９０Ｃ，９０Ｋに対して共通に設けられる。
【０１５５】
前記感光体ドラム９０Ｙ，９０Ｍ，９０Ｃ，９０Ｋは、第２ホルダによって保持され、この第２ホルダと第１ホルダ８９とは、相対的に固定される。各感光体ドラム９０Ｙ，９０Ｍ，９０Ｃ，９０Ｋの回転軸方向と、各発光装置１０の前記配列方向Ｘとがほぼ一致するようにして位置合わせされる。発光装置１０は、帯電手段９４によって帯電した感光体ドラム９０の表面に発光素子Ｌからの光を照射して、感光体ドラム９０に静電潜像を形成する。感光体ドラム９０の静電潜像が形成された部分に現像剤供給手段９１から現像剤が供給されて、感光体ドラム９０の外周面に現像剤によって画像が形成される。
【０１５６】
転写ベルト９２によって、記録シートを搬送し、感光体ドラム９０の外周面に付着している現像剤が、記録シートに転写される。現像剤によって画像が形成された記録シートは、定着手段９５に搬送される。定着手段９５は、記録シートに転写された現像剤を定着させる。感光体ドラム９０Ｙ，９０Ｍ，９０Ｃ，９０Ｋは、回転駆動手段によって回転される。
【０１５７】
制御手段９６は、前述した駆動手段５７にクロック信号および画像情報を与えるとともに、感光体ドラム９０Ｙ，９０Ｍ，９０Ｃ，９０Ｋを回転駆動する回転駆動手段、現像剤供給手段９１Ｙ，９１Ｍ，９１Ｃ，９１Ｋ、転写手段９２、帯電手段９４Ｙ，９４Ｍ，９４Ｃ，９４Ｋおよび定着手段９５の各部を制御する。
【０１５８】
このような構成の画像形成装置８７では、発光サイリスタによるスイッチ素子Ｔおよび発光素子Ｌを集積化して形成される前述した発光装置１０を露光装置に用いており、露光装置を小型化することができるので、画像形成装置８７を小型化することができ、さらにこのような露光装置は、安価に製造することができるので、これによって画像形成装置８７の製造コストを低減することができる。
【０１５９】
以上のように発光装置１０では、スイッチ素子Ｔが発光すると、このスイッチ素子Ｔの光は、発光したスイッチ素子Ｔの配列方向Ｘの一方Ｘ１に隣接するスイッチ素子Ｔに照射される。発光したスイッチ素子Ｔの配列方向Ｘの一方Ｘ１に隣接するスイッチ素子Ｔでは、受光によってゲート１８にトリガ信号を発生し、このトリガ信号がトリガ信号伝送路Ｇを介して、複数の発光素子Ｌのゲート１７に与えられる。走査信号φの電圧または電流よりも、しきい電圧またはしきい電流が低下したスイッチ素子Ｔに、このスイッチ素子Ｔが接続された走査信号伝送路Ｓによって伝送される走査信号φが与えられることによって、スイッチ素子Ｔは発光する。複数の走査信号伝送路Ｓによって伝送される走査信号φは、配列方向Ｘに隣接するスイッチ素子Ｔ毎に、異なるタイミングで与えられるので、隣接するスイッチ素子Ｔが受光することによってしきい電圧またはしきい電流が低下したスイッチ素子Ｔに、走査信号φを選択的に与えることができ、これによってスイッチ素子Ｔを配列方向Ｘの他方Ｘ２から一方Ｘ１に順番に発光させて、トリガ信号を各発光素子Ｌに与えることができる。
【０１６０】
各スイッチ素子Ｔは、隣接するスイッチ素子Ｔから発する光を受光することによって、そのしきい電圧またはしきい電流が低下するので、各スイッチ素子Ｔの間に転送方向指定のためのダイオードおよび電源との間に接続される負荷抵抗などを接続する必要がない。したがって装置の構造を複雑にすることなく、少ない信号伝送路によって、発光装置１０を構成することができる。
【０１６１】
また各スイッチ素子Ｔは、それぞれが異なる発光信号伝送路Ｅに接続される２つ以上の発光素子Ｌのゲート１７にそれぞれに接続されるので、発光素子Ｌの数と比較してスイッチ素子Ｔの数を低減することができる。またスイッチ素子Ｔは、２つ以上の発光素子Ｌにトリガ信号を与えるので、２つ以上の発光素子Ｌを同時に発光させることができるようになり、各発光素子Ｌを配列方向Ｘの一方Ｘ１から他方Ｘ２まで走査する走査時間を短くすることができる。またスイッチ素子Ｔが接続される２つ以上の発光素子Ｌは、これらの発光素子Ｌのそれぞれが異なる発光信号伝送路Ｅに接続されるので、１個の発光素子Ｌのみを選択的に発光させることができる。
【０１６２】
さらにスイッチ素子アレイ１２の複数のスイッチ素子Ｔの数は、発光素子Ｌの数よりも少なく、かつスイッチ素子アレイ１２が、発光素子アレイ１１の前記配列方向Ｘに近接した領域に、前記配列方向Ｘに沿って配列され、発光素子Ｌとスイッチ素子Ｔとが配列方向Ｘに沿って直列に並べられるので、図２７に示される第２の従来の技術の、発光素子Ｌの配列方向Ｘの一端から他端にわたってスイッチ素子Ｔが配列されて形成される装置と比較して、装置を小型に形成することができる。
【０１６３】
また発光素子Ｌとスイッチ素子Ｔとが配列方向Ｘに沿って直列に並べられるので、発光素子Ｌに発光信号伝送路Ｅを介して接続される発光信号伝送路接続部Ｆ、およびスイッチ素子Ｔに走査信号伝送路Ｓを介して接続される走査信号伝送路接続部Ｈを、発光素子Ｌおよびスイッチ素子Ｔの幅方向Ｙの一方Ｙ１および他方Ｙ２のどちらにでも配置することができる。これによって設計の自由度を向上させることができ、さらに発光信号伝送路接続部Ｆを発光素子Ｌに近接して配置し、走査信号伝送路接続部Ｈをスイッチ素子Ｔに近接して配置することができるので、発光信号伝送路Ｅおよび走査信号伝送路Ｓの線路長を短くして、発光装置１０を小型化することができ、さらに発光信号伝送路Ｅおよび走査信号伝送路Ｓを伝送される各信号へのノイズの重畳を低減することができる。
【０１６４】
また発光装置１０では、トリガ信号伝送路Ｇはトリガ信号検出用端子Ｋに接続されているので、トリガ信号検出用端子Ｋにトリガ信号を測定する測定機器を接続することによって、トリガ信号伝送路Ｇを伝送されるトリガ信号の信号レベルを測定することができる。トリガ信号の信号レベルを測定することによって、スイッチ素子Ｔの不良を検出することができ、また所定の信号レベルが測定され、発光信号φＥが与えられても発光素子Ｌが発光しない場合には、発光素子Ｌの不良を検出することができる。さらにトリガ信号検出用端子Ｋに所定の信号、すなわちトリガ信号を外部から与えることによって、スイッチ素子Ｔの動作と切り離して各発光素子Ｌの発光強度、および各発光素子Ｌの電流電圧（Ｉ−Ｖ）特性を個別に検査することができるようになる。
【０１６５】
また発光装置１０では、スイッチ素子アレイ１２を、発光素子アレイ１１の前記配列方向Ｘの一方Ｘ１および他方Ｘ２のいずれか一方にのみに設けており、走査スタート用スイッチ素子Ｔ０は１つだけ備えればよいので、装置の構成が複雑化することがない。また前記配列方向Ｘの一方Ｘ１および他方Ｘ２のうち他方にトリガ信号検出用端子Ｋを形成することができるので、トリガ信号伝送路Ｇをトリガ信号検出用端子Ｋに接続するためにはトリガ信号伝送路Ｇを、発光素子アレイ１１の前記配列方向Ｘの一方Ｘ１および他方Ｘ２のうち他方に延長するだけでよいので、トリガ信号検出用端子Ｋを設けるために特別な構成とする必要がない。
【０１６６】
本実施の形態の発光装置１０では、各発光素子ブロックＡに含まれる発光素子Ｌを２個としているが、本発明の他の実施の形態において各発光素子ブロックＡに含まれる発光素子Ｌは３個以上であってもよい。発光素子ブロックＡに含まれる発光素子Ｌは、それぞれ異なる発光信号伝送路Ｇに接続され、発光素子ブロックＡに含まれる発光素子Ｌのうち相互に隣接する発光素子Ｌは、トリガ信号伝送路Ｇを介して、相互に隣接しないスイッチ素子Ｔにそれぞれ接続すれば、発光素子ブロックＡの各発光素子Ｌに共通に与えられる発光信号φＥによって、発光素子ブロックＡに含まれる発光素子Ｌを個別に発光させることができる。各発光素子ブロックＡに含まれる発光素子Ｌの数を増加すると、これに伴ってスイッチ素子Ｔの数が増加するが、発光信号伝送路接続部Ｆの数を低減することができる。スイッチ素子Ｔの数が増加しても走査信号伝送路接続部Ｈの数は３つだけでよいので、発光信号伝送路接続部Ｆの数を低減することによって発光装置１０と外部の信号伝送路との接続本数を少なくすることができ、発光装置１０を基板に実装して、外部の信号伝送路と接続する作業が容易となる。
【０１６７】
図１３は、本発明の他の実施の形態の発光装置１００を概略的に示す平面図である。なお同図は、各発光素子Ｌの光の出射方向を紙面に垂直手前側として配置された発光装置１００の平面を示す。発光装置１００は、図１に示される前述の実施の形態の発光装置１０と同様な構成を有する。したがって以下の説明では、発光装置１００において、前記発光装置１０と同様の構成には同様の参照符号を付してその説明を省略する場合がある。
【０１６８】
発光装置１００は、発光素子アレイ１１と、発光信号伝送路Ｅと、スイッチ素子アレイ１１２と、走査信号伝送路Ｓと、走査スタート用スイッチ素子Ｔ０と、スタート信号伝送路ＳＴと、絶縁層１５と、遮光層１６と、トリガ信号伝送路Ｇと、発光信号伝送路接続部Ｆと、走査信号伝送路接続部Ｈと、スタート信号伝送路接続部１９と、トリガ信号検出用端子Ｋとを含んで構成される。これらは、基板２１に集積されて形成され、発光体チップ１２０を構成する。
【０１６９】
発光素子アレイ１１は、複数の発光素子Ｌを含んで構成される。複数の発光素子Ｌは、相互に間隔をあけて配列され、本実施の形態では一列に配列される。本実施の形態における発光素子アレイ１１は、複数の発光素子ブロック部分Ｂ１，Ｂ２，…，Ｂｋ−１，Ｂｋ（記号ｋは、２以上の整数）を有する。発光素子ブロック部分Ｂ１，Ｂ２，…，Ｂｋ−１，Ｂｋを総称する場合、および発光素子ブロック部分Ｂ１，Ｂ２，…，Ｂｋ−１，Ｂｋのうち不特定のものを示す場合、単に発光素子ブロック部分Ｂと記載する場合がある。
【０１７０】
相互に隣接する発光素子ブロック部分Ｂによって、発光素子ブロックＣ１，Ｃ２，…，Ｃｒ−１，Ｃｒ（記号ｒは、正の整数であって、かつｒ＝ｋ／２）が形成される。発光素子ブロックＣ１，Ｃ２，…，Ｃｒ−１，Ｃｒを総称する場合、および発光素子ブロックＣ１，Ｃ２，…，Ｃｒ−１，Ｃｒのうち不特定のものを示す場合、単に発光素子ブロックＣと記載する場合がある。本実施の形態では、発光素子ブロックＣｒは、発光素子ブロック部分Ｂｋ−１，Ｂｋによって形成される。
【０１７１】
各発光素子ブロック部分Ｂは、共通の発光信号伝送路Ｅに接続され、相互に隣接するＮ（記号Ｎは、２以上の整数）個の発光素子Ｌの群から成る。発光素子ブロックＣは、２つの発光素子ブロック部分Ｂによって形成されるので、２×Ｎ（個）の発光素子Ｌを含んで形成される。本実施の形態では、Ｎが、Ｎ＝４の場合、すなわち各発光素子ブロック部分Ｂが、それぞれ４つの発光素子Ｌの群から成る場合について示す。
【０１７２】
発光体チップ１２０は、厚み方向Ｚから見て矩形状に形成され、その長手方向は配列方向Ｘに沿う。発光素子Ｌは、発光体チップ１２０の幅方向Ｙの一方Ｙ１の端部に形成される。発光素子Ｌの幅方向Ｙの一方Ｙ１の端と、発光体チップ１２０の幅方向Ｙの一方Ｙ１の端とは、前記予め定める距離Ｗ３離間する。発光素子アレイ１１は、発光体チップ１２０の幅方向Ｙの一方寄りの領域に設けられる。
【０１７３】
発光信号伝送路Ｅは、各発光素子ブロック部分Ｂ毎に個別に接続される複数本の発光信号伝送路Ｅ１，Ｅ２，…，Ｅｋ−１，Ｅｋを含んで構成され、相互に隣接する２つ以上の発光素子Ｌにそれぞれ接続されて、各発光素子Ｌに発光信号φＥを伝送する。発光信号伝送路Ｅ１，Ｅ２，…，Ｅｋ−１，Ｅｋを総称する場合、および発光信号伝送路Ｅ１，Ｅ２，…，Ｅｋ−１，Ｅｋのうち不特定のものを示す場合、単に発光信号伝送路Ｅと記載する場合がある。発光信号伝送路Ｅｉは、発光素子ブロックＢｋに含まれる各発光素子Ｌに接続される。発光信号伝送路Ｅｋは、発光素子ブロック部分Ｂｋに含まれる各発光素子Ｌのアノードおよびカソードのいずれか一方に接続され、本実施の形態ではアノードに接続される。各発光信号伝送路Ｅは、各発光素子ブロック部分Ｂから幅方向Ｙの他方Ｙ２に向かって延びる。各発光信号伝送路Ｅの幅方向Ｙの他方Ｙ２の端部は、発光信号伝送路接続部Ｆに接続される。
【０１７４】
発光信号伝送路接続部Ｆは、各発光信号伝送路Ｅに個別に接続される発光信号伝送路接続部Ｆ１，Ｆ２，…，Ｆｋ−１，Ｆｋを含んで構成される。発光信号伝送路接続部Ｆ１，Ｆ２，…，Ｆｋ−１，Ｆｋを総称する場合、および発光信号伝送路接続部Ｆ１，Ｆ２，…，Ｆｋ−１，Ｆｋのうち不特定のものを示す場合、単に発光信号伝送路接続部Ｆと記載する場合がある。発光信号伝送路接続部Ｆｋは、発光信号伝送路Ｅｋに接続される。
【０１７５】
発光信号伝送路接続部Ｆは、配列方向Ｘの寸法が、発光素子ブロック部分Ｂの配列方向Ｘの寸法よりも小さく選ばれ、前述した実施の形態と同様に形成される。発光信号伝送路接続部Ｆの幅方向Ｙの他方Ｙ２の端と、発光体チップ１２０の幅方向Ｙの他方Ｙ２の端とは、予め定める距離Ｗ５離間して設けられる。発光信号伝送路接続部Ｆは、発光体チップ１２０の幅方向Ｙの他方Ｙ２寄りの領域に設けられる。
【０１７６】
スイッチ素子アレイ１１２は、複数のスイッチ素子Ｔ１，Ｔ２，…，Ｔｊ−１，Ｔｊ（記号ｊは、２以上の正の整数）を含んで構成される。各スイッチ素子Ｔ１，Ｔ２，…，Ｔｊ−１，Ｔｊは、配列方向Ｘに沿って、相互に予め定める間隔Ｗ６をあけて等間隔に配列される。本実施の形態において、ｊは、ｊ＝Ｎ＋１に選ばれる。ここではＮが、Ｎ＝４に選ばれるので、ｊは、ｊ＝５に選ばれる。スイッチ素子アレイ１１２では、配列方向Ｘの他方Ｘ２の端部にスイッチ素子Ｔ１が設けられる。
【０１７７】
スイッチ素子アレイ１１２は、配列方向Ｘにおいて発光素子アレイ１１に隣接した領域９０に、各スイッチ素子Ｔが配列方向Ｘに沿って配列されて設けられる。スイッチ素子アレイ１１２は、発光素子アレイ１１の前記配列方向Ｘの一方Ｘ１および他方Ｘ２の少なくともいずれか一方に設けられ、本実施の形態では、発光素子アレイ１１の前記配列方向Ｘの一方Ｘ１にのみ設けられる。各スイッチ素子Ｔの配列方向は、前記各発光素子Ｌの配列方向Ｘと同じである。発光素子アレイ１１と、スイッチ素子アレイ１１２とは、配列方向Ｘに予め定める距離Ｗ７離間して設けられる。スイッチ素子アレイ１１２は、発光体チップ１２０の幅方向Ｙの一方Ｙ１寄りの領域に設けられる。
【０１７８】
走査スタート用スイッチ素子Ｔ０は、スイッチ素子アレイ１１２の配列方向Ｘの一方Ｘ１または他方Ｘ２に設けられ、スイッチ素子Ｔ１に光を照射するように設けられる。本実施の形態では、スイッチ素子アレイ１１２の配列方向Ｘの他方Ｙ２の端部にスイッチ素子Ｔ１が設けられるので、走査スタート用スイッチ素子Ｔ０は、スイッチ素子アレイ１１２の配列方向Ｘの他方Ｙ２に設けられる。走査スタート用スイッチ素子Ｔ０は、配列方向Ｘにおいてスイッチ素子Ｔ１から予め定める間隔Ｗ６をあけて設けられ、発光素子アレイ１１に離間して設けられる。本実施の形態における走査スタート用スイッチ素子Ｔ０は、前述した実施の形態の走査スタート用スイッチ素子Ｔ０と同様な構成を有する。
【０１７９】
本実施の形態におけるスイッチ素子Ｔは、発光部Ｔｓと受光部Ｔｒと接続部Ｔｃとを有する。発光部Ｔｓおよび受光部Ｔｒは、Ｐ型半導体層とＮ型半導体層とが交互に積層されて構成されるＰＮＰＮ構造を有する発光サイリスタによって実現される。発光部Ｔｓのゲート１１８ａと、受光部Ｔｒのゲート１１８ｂとがダイオードを構成する接続部Ｔｃによって接続される。スイッチ素子Ｔは、隣接するスイッチ素子Ｔの発光部Ｔｓからの光、または走査スタート用スイッチ素子Ｔ０からの光を受光部Ｔｒで受光することによって、予め定める部位であるゲート１８にトリガ信号を発生して、発光部Ｔｓに走査信号伝送路Ｓを介して与えられる走査信号φの電圧よりも発光部Ｔｓのしきい電圧が低下した状態で、かつ前記走査信号φが与えられたとき、または走査信号φの電流よりも発光部Ｔｓのしきい電流が低下した状態で、かつ前記走査信号φが与えられたとき発光する。スイッチ素子Ｔの予め定める部位であるゲート１８は、本実施の形態では発光部Ｔｓのゲート１１８ｓである。走査信号φの電圧とは、走査信号φが与えられることによって、スイッチ素子Ｔの発光部Ｔｓのアノードおよびカソード間に印加される電圧であり、走査信号φの電流とは、走査信号φが与えられることによってスイッチ素子Ｔの発光部Ｔｓに与えられる電流である。
【０１８０】
発光素子アレイ１１の各発光素子Ｌと、スイッチ素子アレイ１１２の各スイッチ素子Ｔと、走査スタート用スイッチ素子Ｔ０とは、各発光素子Ｌの少なくとも一部分と、各スイッチ素子Ｔの少なくとも一部分と、走査スタート用スイッチ素子Ｔ０の少なくとも一部分とが、配列方向Ｘに沿って直線状に並ぶように設けられる。本実施の形態では、各スイッチ素子Ｔおよび走査スタート用スイッチ素子Ｔ０の幅方向Ｙの一方Ｙ１側の端部は、発光素子Ｌの幅方向Ｙの他方Ｙ２の端部よりも幅方向Ｙの一方Ｙ１側となり、スイッチ素子Ｔおよび走査スタート用スイッチ素子Ｔ０の幅方向Ｙの他方Ｙ２側の端部は、発光素子Ｌの幅方向Ｙの他方Ｙ２の端部よりも幅方向Ｙの他方Ｙ２の側となるように、各発光素子Ｌと各スイッチ素子Ｔおよび走査スタート用スイッチ素子Ｔ０とが設けられる。スイッチ素子アレイ１１２の配列方向Ｘの一方Ｘ１側の端、すなわちスイッチ素子Ｔ５の配列方向Ｘの一方Ｘ１側の端と、発光体チップ２０の配列方向Ｘの一方Ｘ１側の端とは、予め定める距離Ｗ８離間する。
【０１８１】
走査信号伝送路Ｓは、各スイッチ素子Ｔの発光部Ｔｓにそれぞれ接続され、配列方向Ｘに隣接するスイッチ素子Ｔ毎に、異なるタイミングで与えられる走査信号φを伝送する。本実施の形態において、走査信号伝送路Ｓは、第１走査信号伝送路Ｓ１および第２走査信号伝送路Ｓ２を含んで構成される。第１走査信号伝送路Ｓ１は、走査信号φ１を伝送し、第２走査信号伝送路Ｓ２は、走査信号φ２を伝送する。第１および第２走査信号伝送路Ｓ１，Ｓ２を総称する場合、および第１および第２走査信号伝送路Ｓ１，Ｓ２のうち不特定のものを示す場合、単に走査信号伝送路Ｓと記載し、走査信号φ１，φ２を総称する場合、および走査信号φ１，φ２のうち不特定のものを示す場合、単に走査信号φと記載する場合がある。
【０１８２】
前記各スイッチ素子Ｔの発光部Ｔｓは、厚み方向Ｚの一方Ｚ１側の端部、すなわち図１の紙面に垂直な方向手前側に、表面電極５０を有する。第１および第２走査信号伝送路Ｓ１，Ｓ２は、各スイッチ素子Ｔ１〜Ｔ５の前記表面電極５０に交互に接続される。すなわち、第１走査信号伝送路Ｓ１は、スイッチ素子Ｔ１，Ｔ３，Ｔ５に接続され、第２走査信号伝送路Ｓ２は、スイッチ素子Ｔ２，Ｔ４に接続される。
【０１８３】
各走査信号伝送路Ｓは、走査信号伝送路接続部Ｈに接続される。走査信号伝送路接続部Ｈは、スイッチ素子アレイ１１２の幅方向Ｙの他方Ｙ２側に、各スイッチ素子Ｔに近接して設けられる。走査信号伝送路接続部Ｈは、第１および第２走査信号伝送路Ｓ１，Ｓ２に個別に接続される第１および第２走査信号伝送路接続部Ｈ１，Ｈ２を含んで構成される。第１および第２走査信号伝送路接続部Ｈ１，Ｈ２を総称する場合、および第１および第２走査信号伝送路接続部Ｈ１，Ｈ２のうち不特定のものを示す場合、単に走査信号伝送路接続部Ｈと記載する場合がある。各走査信号伝送路接続部Ｈは、発光信号伝送路接続部Ｆと同様な大きさおよび形状を有する。各走査信号伝送路接続部Ｈの幅方向Ｙの一方Ｙ１側の端部と、発光信号伝送路接続部Ｆの幅方向Ｙの一方Ｙ１側の端部とは、配列方向Ｘに揃えて設けられる。第１および第２走査信号伝送路接続部Ｈ１，Ｈ２は、配列方向Ｘの他方Ｘ２側から一方Ｘ１側に向かってこの順番で配列され、配列方向Ｘに相互に予め定める間隔Ｗ９をあけて形成される。走査信号伝送路接続部Ｈは、発光体チップ１２０の幅方向Ｙの他方Ｙ２寄りの領域に設けられる。
【０１８４】
前記走査スタート用スイッチ素子Ｔ０は、厚み方向Ｚの一方Ｚ１側の端部、すなわち図１の紙面に垂直な方向手前側に、表面電極５１を有する。走査スタート用スイッチ素子Ｔ０の表面電極５１には、スタート信号伝送路ＳＴの一端部が接続される。スタート信号伝送路ＳＴの他端部は、スタート信号伝送路接続部１９に接続される。スタート信号伝送路接続部１９は、配列方向Ｘにおいて、走査信号伝送路接続部Ｈと発光信号伝送路接続部Ｆとの間に、これら走査信号伝送路接続部Ｈと発光信号伝送路接続部Ｆとに離間して設けられる。スタート信号伝送路接続部１９は、各発光信号伝送路接続部Ｆおよび各走査信号伝送路接続部Ｈと、同様な大きさおよび形状を有する。スタート信号伝送路接続部１９は、各発光信号伝送路接続部Ｆおよび各走査信号伝送路接続部Ｈと、幅方向Ｙの一方Ｙ１の端部を、配列方向Ｘに揃えて設けられる。
【０１８５】
トリガ信号伝送路Ｇは、各発光素子Ｌの予め定める部位であるゲート１７と、各スイッチ素子Ｔの予め定める部位であるゲート１８とを接続し、スイッチ素子Ｔから発光素子Ｌにトリガ信号を伝送する。スイッチ素子Ｔの数とトリガ信号伝送路Ｇの数とは等しく、トリガ信号伝送路Ｇは、Ｎ＋１本のトリガ信号伝送路Ｇ１，Ｇ２，…，ＧＮ，ＧＮ＋１を含んで構成される。トリガ信号伝送路Ｇ１，Ｇ２，…，ＧＮ，ＧＮ＋１を総称する場合、およびトリガ信号伝送路Ｇ１，Ｇ２，…，ＧＮ，ＧＮ＋１のうち不特定のものを示す場合、単にトリガ信号伝送路Ｇと記載する場合がある。本実施の形態では前記Ｎが、Ｎ＝４に選ばれるので、トリガ信号伝送部Ｇは、５本のトリガ信号伝送路Ｇ１，Ｇ２，Ｇ３，Ｇ４，Ｇ５を含んで構成される。
【０１８６】
スイッチ素子Ｔｂは、トリガ信号伝送路Ｇｄと接続される。記号「ｂ」，「ｄ」は正の整数であり、ｄ＝（Ｎ＋１）＋１−ｂの関係を有する。すなわちスイッチ素子Ｔ１には、トリガ信号伝送路Ｇ５が接続され、スイッチ素子Ｔ２には、トリガ信号伝送路Ｇ４が接続され、スイッチ素子Ｔ３にはトリガ信号伝送路Ｇ３が接続され、スイッチ素子Ｔ４にはトリガ信号伝送路Ｇ２が接続され、スイッチ素子Ｔ５にはトリガ信号伝送路Ｇ１が接続される。スイッチ素子Ｔでは、発光部Ｔｓの幅方向Ｙの一方Ｙ１の端部でトリガ信号伝送路Ｇがスイッチ素子Ｔのゲート１８に接続され、トリガ信号伝送路Ｇは、スイッチ素子Ｔから幅方向Ｙの一方Ｙ１側に延び、屈曲して配列方向Ｘの他方Ｘ２側に延びる。スイッチ素子Ｔの幅方向Ｙの一方Ｙ１側の端から、発光体チップ１２０の幅方向Ｙの一方Ｙ１側の端までの予め定める距離Ｗ１０は、複数本のトリガ信号伝送路Ｇを設けることができる大きさに選ばれる。トリガ信号伝送路Ｇは、発光素子アレイ１１と走査スタート用スイッチ素子Ｔ０との間で幅方向Ｙの他方Ｙ２側に屈曲し、さらに発光素子Ｌのゲート１７に積層されるように配列方向Ｘに屈曲して配列方向Ｘに沿って、発光素子アレイ１１の配列方向Ｘの他方Ｘ２側まで延びる。各トリガ信号伝送路Ｇは、相互に重ならないように、かつショートしないように相互に離間して形成される。隣接するトリガ信号伝送路Ｇ間の距離は、例えば５μｍに選ばれる。
【０１８７】
発光素子ブロックＣにおける発光素子Ｌの配列方向Ｘに沿う一方Ｘ１側から他方Ｘ２側に向かって第ｎ（１≦ｎ≦２×Ｎ）番目の発光素子Ｌｎのゲート１７と、Ｎ＋１本の制御信号伝送路Ｇのうちの、第ｍ（１≦ｍ≦Ｎ＋１）番目のトリガ信号伝送路Ｇｍとが、以下の条件（１）および（２）を満たすように接続される。
条件（１）  ｎが、１≦ｎ≦Ｎのとき、ｍが、ｍ＝ｎ
条件（２）  ｎが、Ｎ＋１≦ｎ≦２×Ｎのとき、ｍが、ｍ＝２×Ｎ＋２−ｎ
【０１８８】
本実施の形態ではスイッチ素アレイ１１２における配列方向Ｘに沿う一方Ｘ１側から他方Ｘ２側に向かって第ｍ番目のスイッチ素子Ｔが、第ｍ番目のトリガ信号伝送路Ｇｍに接続されている。発光素子ブロックＣに含まれ、配列方向Ｘに沿う一方Ｘ１側から他方Ｘ２側に向かって第ｎ番目（１≦ｎ≦８）の発光素子Ｌｎのゲート１７と制御信号伝送路Ｇの接続について、ｎが、１≦ｎ≦４のとき、すなわち発光素子ブロックＣに含まれる発光素子ブロック部分Ｂのうち、配列方向Ｘの一方Ｘ１側の発光素子ブロック部分Ｂに含まれる発光素子Ｌ１〜Ｌ４については、第ｎ番目の発光素子Ｌｎのゲート１７と第ｎ番目の制御信号伝送路Ｇｎとが接続され、すなわち発光素子Ｌ１のゲート１７は制御信号伝送路Ｇ１と接続され、発光素子Ｌ２のゲート１７は制御信号伝送路Ｇ２と接続され、発光素子Ｌ３のゲート１７は制御信号伝送路Ｇ３と接続され、発光素子Ｌ４のゲート１７は制御信号伝送路Ｇ４と接続される。またｎが、５≦ｎ≦８のとき、すなわち発光素子ブロックＣに含まれる発光素子ブロック部分Ｂのうち、配列方向Ｘの他方Ｘ２側の発光素子ブロック部分Ｂに含まれる発光素子Ｌ５〜Ｔ８については、第ｎ番目の発光素子Ｌｎのゲート１７と第「２×Ｎ＋２−ｎ」番目の制御信号伝送路Ｇ「２Ｎ＋２−ｎ」とが接続され、すなわち発光素子Ｌ５のゲート１７は制御信号伝送路Ｇ５と接続され、発光素子Ｌ６のゲート１７は制御信号伝送路Ｇ４と接続され、発光素子Ｌ７のゲート１７は制御信号伝送路Ｇ３と接続され、発光素子Ｌ８のゲート１７は制御信号伝送路Ｇ２と接続される。
【０１８９】
トリガ信号伝送路Ｇは、発光素子アレイ１１の配列方向Ｘの他方Ｘ２側まで延び、発光体チップ１２０の配列方向Ｘの他方Ｘ２側の端部で、幅方向Ｙの他方Ｙ２側に屈曲して、信号検出用端子Ｋに接続される。信号検出用端子Ｋは、トリガ信号伝送路Ｇのそれぞれに個別に接続される信号検出用端子Ｋ１，Ｋ２，Ｋ３，Ｋ４，Ｋ５を含んで構成される。信号検出用端子Ｋ１，Ｋ２，Ｋ３，Ｋ４，Ｋ５を総称する場合、および信号検出用端子Ｋ１，Ｋ２，Ｋ３，Ｋ４，Ｋ５のうち不特定のものを示す場合、単に信号検出用端子Ｋと記載する場合がある。信号検出用端子Ｋは、厚み方向Ｚの一方Ｚ１側から見て矩形状に形成され、配列方向Ｘに沿って相互に予め定める間隔Ｗ１１をあけて配列される。信号検出用端子Ｋは、発光信号伝送路接続部Ｆ、走査信号伝送路接続部Ｈおよびスタート信号伝送路接続部１９よりも小さく形成される。信号検出用端子Ｋの幅方向Ｙの他方Ｙ２側の端部と、発光信号伝送路接続部Ｆ、走査信号伝送路接続部Ｈおよびスタート信号伝送路接続部１９の幅方向Ｙの他方Ｙ２側の端部と、配列方向Ｘに揃えて設けられる。信号検出用端子Ｋは、絶縁層１５に積層して設けられる。
【０１９０】
信号検出用端子Ｋ１，Ｋ２，Ｋ３，Ｋ４，Ｋ５は、配列方向Ｘの一方Ｘ１側から他方Ｘ２側に向かって、この順番で配列される。信号検出用端子Ｋ１は、配列方向Ｘにおいて発光信号伝送路接続部Ｆｉに予め定める距離Ｗ１２離間して形成される。また信号検出用端子Ｋ５の配列方向Ｘの他方Ｘ２側の端は、発光体チップ２０の配列方向Ｘの他方Ｘ２側の端から前記距離Ｗ１３離間する。
【０１９１】
図１４は、図１３のｂ１，ｂ２，ｂ３およびｂ４によって外囲される部分を拡大して示す平面図である。なお、同図において、トリガ信号伝送路Ｇおよび発光素子Ｌのゲート１７は図解を容易にするため、斜線を付して示されている。本実施の形態において、共通接続部６４は、厚み方向Ｚの一方Ｚ１側から見てＬ字状に形成される。共通接続部６４は、配列方向Ｘに沿って延びる第１共通部分６４ａと、第１共通部分６４ａに連なり、幅方向Ｙの他方Ｙ２側に延びる第２共通部分６４ｂとを含んで形成される。第１共通部分６４ａは、発光部分６０から幅方向Ｙの他方Ｙ２側に離間し、発光素子ブロックＢに含まれる各発光素子Ｌに設けられる個別接続部６３の幅方向Ｙの他方Ｙ２側の端部に接続される。第１共通部分６４ａは、発光素子ブロックＢの配列方向Ｘの一方Ｘ１側の端部に位置する発光素子Ｌと、他方Ｘ２側の端部に位置する発光素子Ｌとにわたって形成され、発光素子ブロックＢの配列方向Ｘの寸法よりも短く選ばれる。第２共通部分６４ｂは、第１共通部分６４ａの配列方向Ｘの一方Ｘ１側の端部に連なる。
【０１９２】
図１５は、図１４の切断面線ＶＩ−ＶＩから見た発光装置１００の基本的構成を示す一部の断面図である。図１６は、図１４の切断面線ＶＩＩ−ＶＩＩから見た発光装置１００の基本的構成を示す一部の断面図である。図１５および図１６に示す断面図は、図４および図５に示す断面図と同様であり、伝送路接続部分６１に第１絶縁層１５ａを介して積層されるゲート信号伝送路Ｇの本数が異なるだけで、その説明を省略する。ゲート信号伝送路Ｇは、幅方向Ｙの一方Ｙ１側から他方Ｙ２側に向かって、ゲート信号伝送路Ｇ１，Ｇ２，Ｇ３，Ｇ４，Ｇ５がこの順番で配列される。
【０１９３】
図１７は、図１３のｃ１，ｃ２，ｃ３およびｃ４によって外囲される部分を拡大して示す平面図である。なお、同図において、走査信号伝送路Ｓおよびスイッチ素子Ｔの発光部Ｔｓのゲート１１８ａおよび受光部Ｔｒのゲート１１８ｂは、図解を容易にするため、斜線を付して示されている。各スイッチ素子Ｔは、発光部Ｔｓと、受光部Ｔｒと、接続部Ｔｃとをそれぞれ含んで構成される。発光部Ｔｓおよび受光部Ｔｒは、配列方向Ｘに予め定める距離Ｗ１６離間する。各スイッチ素子Ｔの発光部Ｔｓを個別に示す場合、スイッチ素子Ｔの参照符号に添え字「ｓ」を付して記載し、各スイッチ素子Ｔの受光部Ｔｒを個別に示す場合、スイッチ素子Ｔの参照符号に添え字「ｒ」を付して記載し、各スイッチ素子Ｔの接続部Ｔｃを個別に示す場合、スイッチ素子Ｔの参照符号に添え字「ｃ」を付して記載する。例えばスイッチ素子Ｔ１は、発光部Ｔｓ１、受光部Ｔｒ１および接続部Ｔｃ１を有する。
【０１９４】
複数のスイッチ素子Ｔは、配列方向Ｘの他方Ｘ２側に隣接するスイッチ素子Ｔの発光部Ｔｓに受光部Ｔｒを臨ませ、配列方向Ｘの一方Ｘ１側に隣接するスイッチ素子Ｔの受光部Ｔｒに発光部Ｔｓを臨ませて配列される。つまりスイッチ素子Ｔ１の発光部Ｔｓ１は、スイッチ素子Ｔ２の受光部Ｔｒ２に臨み、スイッチ素子Ｔ２の発光部Ｔｓ２は、スイッチ素子Ｔ３の受光部Ｔｒ３に臨む。
【０１９５】
各スイッチ素子Ｔの発光部Ｔｓおよび受光部Ｔｒは、Ｐ型半導体層とＮ型半導体層とが交互に積層されて構成されるＰＮＰＮ構造を有する発光サイリスタによって実現される。発光部Ｔｓおよび受光部Ｔｒは同じ大きさに形成される。スイッチ素子Ｔの発光部Ｔｓおよび受光部Ｔｒは、逆阻止３端子サイリスタと同様な負性抵抗特性を有する。発光部Ｔｓおよび受光部Ｔｒは、ともに図８に示される電圧−電流特性を有する。スイッチ素子Ｔの受光部Ｔｒは、受光によって予め定める部位である受光部Ｔｒのゲート１１８ｂにトリガ信号を発生する。所定のスイッチ素子Ｔの発光部Ｔｓが発光したときに、この所定のスイッチ素子Ｔの配列方向Ｘの他方Ｘ２側に向かう光を、この所定のスイッチ素子Ｔの受光部Ｔｒによって遮り、これによって所定のスイッチ素子Ｔのスイッチ素子Ｔの配列方向Ｘの他方Ｘ２側に隣接するスイッチ素子Ｔの発光部Ｔｓが受光することによってトリガ信号が生成されてしまうことを抑制することができる。
【０１９６】
発光部Ｔｓの予め定める部位である発光部Ｔｓのゲート１１８ａと、受光部Ｔｒの予め定める部位である受光部Ｔｒのゲート１１８ｂとは、接続部Ｔｃによって電気的に接続される。受光部Ｔｒのゲート１１８ｂに生成されたトリガ信号は、接続部Ｔｃを介して発光部Ｔｓのゲート１１８ａに与えられる。発光部Ｔｓのゲート１１８ａにトリガ信号が与えられることによって、発光部Ｔｓのしきい電圧またはしきい電流が低下する。発光部Ｔｓは、走査信号伝送路Ｓに接続され、走査信号伝送路Ｓを介して与えられる走査信号φの電圧よりもしきい電圧が低下し、かつ前記走査信号φが与えられたとき、または走査信号φの電流よりもしきい電流が低下し、かつ前記走査信号φが与えられたとき発光する。走査信号φの電圧とは、走査信号φが与えられることによって、スイッチ素子Ｔの発光部Ｔｓのアノードおよびカソード間に印加される電圧であり、走査信号φの電流とは、走査信号φが与えられることによってスイッチ素子Ｔの発光部Ｔｓに与えられる電流である。
【０１９７】
配列方向Ｘにおける各スイッチ素子Ｔの予め定める間隔Ｗ６および発光部Ｔｓと受光部Ｔｒとの予め定める間隔Ｗ１６は、製造工程における制限を受けるので、スイッチ素子Ｔの厚み方向Ｚの高さの２倍以上に形成されるが、２０μｍ未満に選ばれ、好ましくは１０μｍ以下に選ばれる。本実施の形態では、スイッチ素子Ｔの高さを約４μｍとしており、この場合には予め定める間隔Ｗ６，Ｗ１６は８μｍ程度になる。前記予め定める間隔Ｗ６，Ｗ１６が２０μｍ以上になると、光の伝送効率が大きく低下してしまう。発光部Ｔｓの配列方向Ｘの寸法Ｗ１７および受光部Ｔｒの配列方向Ｘの寸法Ｗ１８は、等しく選ばれ、前記配列方向Ｘの各発光素子Ｌの寸法Ｗ２と等しく選ばれる。
【０１９８】
図１８は、図１７の切断面線ＶＩＩＩ−ＶＩＩＩから見た発光装置１００の基本的構成を示す一部の断面図である。発光部Ｔｓは、基板２１の一表面２１ａ上に順次積層される第１の一方導電型半導体層４２ｓ、第１の他方導電型半導体層４３ｓ、第２の一方導電型半導体層４４ｓ、第２の他方導電型半導体層４５ｓおよびオーミックコンタクト層４７を有する。基板２１の厚み方向Ｚの一表面２１ａに第１の一方導電型半導体層４２ｓが積層される。第１の一方導電型半導体層４２ｓの厚み方向Ｚの一表面に、第１の他方導電型半導体層４３ｓが積層される。第１の他方導電型半導体層４３ｓの厚み方向Ｚの一表面に、第２の一方導電型半導体層４４ｓが積層される。第２の一方導電型半導体層４４ｓの厚み方向Ｚの一表面に、第２の他方導電型半導体層４５ｓが積層される。第２の他方導電型半導体層４５ｓの厚み方向Ｚの一表面にオーミックコンタクト層４７が形成される。オーミックコンタクト層４７の厚み方向Ｚの一表面には、表面電極５０が積層され、第１および第２走査信号伝送路１５ａ，１５ｂのいずれかが接続される。一方導電型半導体層４２ｓ、第１の他方導電型半導体層４３ｓ、第２の一方導電型半導体層４４ｓ、第２の他方導電型半導体層４５ｓおよびオーミックコンタクト層４７の積層体は、略直方体状に形成される。発光部Ｔｓは、長手方向が幅方向Ｙに沿うように配置される。
【０１９９】
受光部Ｔｒは、基板２１の上に順次積層される第１の一方導電型半導体層４２ｒ、第１の他方導電型半導体層４３ｒ、第２の一方導電型半導体層４４ｒ、第２の他方導電型半導体層４５ｒおよび遮光部形成層４６を有する。基板２１の一表面２１ａに第１の一方導電型半導体層４２ｒが積層される。第１の一方導電型半導体層４２ｒの厚み方向Ｚの一表面に、第１の他方導電型半導体層４３ｒが積層される。第１の他方導電型半導体層４３ｒの厚み方向Ｚの一表面に、第２の一方導電型半導体層４４ｒが積層される。第２の一方導電型半導体層４４ｒの厚み方向Ｚの一表面に、第２の他方導電型半導体層４５ｒが積層される。第２の他方導電型半導体層４５ｒの厚み方向Ｚの一表面に遮光部形成層４６が形成される。一方導電型半導体層４２ｒ、第１の他方導電型半導体層４３ｒ、第２の一方導電型半導体層４４ｒ、第２の他方導電型半導体層４５ｒおよび遮光部形成層４６の積層体は、略直方体状に形成される。受光部Ｔｒは、長手方向が幅方向Ｙに沿うように配置される。
【０２００】
発光部Ｔｓの第１の一方導電型半導体層４２ｓおよび受光部Ｔｒの第１の一方導電型半導体層４２ｒを形成する半導体材料は、前述した実施の形態における第１の一方導電型半導体層４２を形成する半導体材料と同様に選ばれる。発光部Ｔｓの第１の一方導電型半導体層４２ｓおよび受光部Ｔｒの第１の一方導電型半導体層４２ｒの厚みは、前述した実施の形態における第１の一方導電型半導体層４２の厚みと同様に選ばれる。
【０２０１】
発光部Ｔｓの第１の他方導電型半導体層４３ｓおよび受光部Ｔｒの第１の他方導電型半導体層４３ｒを形成する半導体材料は、前述した実施の形態における第１の他方導電型半導体層４３を形成する半導体材料と同様に選ばれる。発光部Ｔｓの第１の他方導電型半導体層４３ｓおよび受光部Ｔｒの第１の他方導電型半導体層４３ｒの厚みは、前述した実施の形態における第１の他方導電型半導体層４３と同様に選ばれる。
【０２０２】
発光部Ｔｓの第２の一方導電型半導体層４４ｓおよび受光部Ｔｒの第２の一方導電型半導体層４４ｒを形成する半導体材料は、前述した実施の形態における第１の他方導電型半導体層４４を形成する半導体材料と同様に選ばれる。発光部Ｔｓの第２の一方導電型半導体層４４ｓのうち第２の他方導電型半導体層４５ｓが積層される部分の厚み、および受光部Ｔｒの第２の一方導電型半導体層４４ｒのうち第２の他方導電型半導体層４５ｒが積層される部分の厚みは、前述した実施の形態における第１の他方導電型半導体層４４のうち第２の他方導電型半導体層４５が積層される部分の厚みと同様に選ばれる。
【０２０３】
発光部Ｔｓの第２の他方導電型半導体層４５ｓおよび受光部Ｔｒの第２の他方導電型半導体層４５ｒを形成する半導体材料は、前述した実施の形態における第２の他方導電型半導体層４５を形成する半導体材料と同様に選ばれる。発光部Ｔｓの第２の他方導電型半導体層４５ｓおよび受光部Ｔｒの第２の他方導電型半導体層４５ｒの厚みは、前述した実施の形態における第２の他方導電型半導体層４５の厚みと同様に選ばれる。
【０２０４】
受光部Ｔｒの遮光部形成層４６は、オーミックコンタクト層４７と同じ半導体材料によって形成され、また同じ厚みに形成される。本実施の形態では、一方導電型はＮ型であり、他方導電型はＰ型である。
【０２０５】
発光部Ｔｓおよび受光部Ｔｒは、第１絶縁層１５ａによって覆われる。第１絶縁層１５ａには、走査信号伝送路Ｓが積層して形成される。走査信号伝送路Ｓのうちスイッチ素子アレイ１１２に積層して形成される部分は、表面電極５０に積層される第１絶縁層１５ａ上に形成されて、配列方向Ｘに延びる第１伝送路形成部分１１０と、第１伝送路形成部分１１０に連なり幅方向Ｙの他方Ｙ２に延びる第２伝送路形成部分１１１とを有する。走査信号伝送路Ｓ１の第１伝送路形成部分１１０ａは、走査信号Ｓ１の第１伝送路形成部分１１０ｂの幅方向Ｙの一方Ｙ１に形成され、配列方向Ｘにおいてスイッチ素子Ｔ５の発光部Ｔｓ５からスイッチ素子Ｔ１の発光部Ｔｓ１にわたって延びる。走査信号伝送路Ｓ１の第２伝送路形成部分１１１ａは、第１伝送路形成部１１０ａの配列方向Ｘの他方Ｘ２の端部に連なる。走査信号伝送路Ｓ２の第１伝送路形成部分１１０ａは、配列方向Ｘにおいてスイッチ素子Ｔ４の発光部Ｔｓ４からスイッチ素子Ｔ２の発光部Ｔｓ２にわたって延びる。走査信号伝送路Ｓは、第２絶縁層１５ｂによって覆われる。スイッチ素子アレイ１１２が形成される部分の第２絶縁層１５ｂに積層して、遮光層１６が形成される。第１絶縁層１５ａのうち表面電極５０に積層される部分には、貫通孔５２が形成され、走査信号伝送路Ｓの一部が前記貫通孔５２に形成されて、走査信号伝送路Ｓと表面電極５０とが接触する。
【０２０６】
図１９は、図１７の切断面線ＩＩＸ−ＩＩＸから見た発光装置１００の基本的構成を示す一部の断面図である。スイッチ素子Ｔの発光部Ｔｓの第１の一方導電型半導体層４２ｓと、第１の他方導電型半導体層４３ｓと、第２の一方導電型半導体層４４ｓとの幅方向Ｙの一方Ｙ１の端部は、第２の他方導電型半導体層４５ｓと、オーミックコンタクト層４７との幅方向Ｙの一方Ｙ１の端部よりも、幅方向Ｙの一方Ｙ１に向かって突出し、発光部接続部５４ｓを構成する。スイッチ素子Ｔの発光部Ｔｓの第２の一方導電型半導体層４４ｓのうち、発光部接続部５４ｓを構成する部分４４ｓＡは、第２の他方導電型半導体層４５ｓが積層される部分４４ｓＢよりも厚みが小さく形成される。
【０２０７】
発光部Ｔｓは、第１絶縁層１５ａによって覆われる。第２の一方導電型半導体層４４ｓのうち発光部接続部５４ｓを構成する部分には、ダイオード配線部１５５が接続される。第１絶縁層１５ａのうち、発光部接続部５４ｓに積層される部分には、貫通孔１５６が形成され、前記貫通孔１５６を介して、ダイオード配線部１５５と第２の一方導電型半導体層４４ｓとが接続される。ダイオード配線部１５５は、幅方向Ｙにおいて発光部接続部５４ｓの中間部に接続される。
【０２０８】
第１絶縁層１５ａのうち、発光部接続部５４ｓの幅方向Ｙの一方Ｙ１の端部に積層される部分には、突出部１５２よりも幅方向Ｙの一方Ｙ１寄りに貫通孔５５が形成される。貫通孔５５には、トリガ信号伝送路Ｇの一部が形成され、トリガ信号伝送路Ｇと発光部Ｔｓのゲート１１８ａとなる第２の一方導電型半導体層４４ｓとが接続される。
【０２０９】
第１絶縁層１５ａのうち、第１絶縁層１５ａに積層して形成される部分には、貫通孔５２が形成される。走査信号伝送路Ｓ１，Ｓ２のうちのいずれか一方が貫通孔５２を介して、表面電極５０と接続される。ダイオード配線部１５５は、トリガ信号伝送路Ｇおよび走査信号伝送路Ｓとともに、第２絶縁層１５ｂによって覆われる。第２絶縁層１５ｂには、スイッチ素子Ｔを覆って遮光層１６が積層される。
【０２１０】
図２０は、図１７の切断面線ＩＸ−ＩＸから見た発光装置１００の基本的構成を示す一部の断面図である。スイッチ素子Ｔの受光部Ｔｒの第１の一方導電型半導体層４２ｒと、第１の他方導電型半導体層４３ｒと、第２の一方導電型半導体層４４ｒとの幅方向Ｙの一方Ｙ１の端部は、第２の他方導電型半導体層４５ｒと、遮光部形成層４６との幅方向Ｙの一方Ｙ１の端部よりも、幅方向Ｙの一方Ｙ１に向かって突出し、受光部接続部５４ｒを構成する。スイッチ素子Ｔの受光部Ｔｒの第２の一方導電型半導体層４４ｒのうち、受光部接続部５４ｒを構成する部分４４ｒＡの幅方向Ｙの他方Ｙ２の端部は、第２の他方導電型半導体層４５ｓが積層される部分４４ｓＢよりも厚みが小さく形成される。
【０２１１】
第２の一方導電型半導体層４４ｒの幅方向Ｙの一方Ｙ１の端部１５２の厚みは、第２の一方導電型半導体層４４ｒのうち、第２の他方導電型半導体層４５ｒが積層される部分の厚みと等しく選ばれる。
【０２１２】
第２の一方導電型半導体層４４ｒの幅方向Ｙの一方Ｙ１の端部１５２の厚み方向Ｚの一表面１５２ａには、第１ダイオード構成半導体層１５３が積層される。ダイオード構成半導体層１５３の厚み方向一表面１５３ａには、第２ダイオード構成半導体層１５４が積層される。第２の一方導電型半導体層４４ｒの幅方向Ｙの一方Ｙ１の端部１５２、第１ダイオード構成半導体層１５３および第２ダイオード構成半導体層１５４の積層体は、略直方体形状に形成される。第２の一方導電型半導体層４４ｒの幅方向Ｙの一方Ｙ１の端部１５２、第１ダイオード構成半導体層１５３および第２ダイオード構成半導体層１５４の幅方向Ｙの寸法は、２０μｍ以上、好ましくは３０μｍ以上に選ばれる。
【０２１３】
第１ダイオード構成半導体層１５３および第２ダイオード構成半導体層１５４は、他方導電型の半導体材料によって形成される。第１ダイオード構成半導体層１５３の厚みは、発光部Ｔｓの第２の他方導電型半導体層４５ｒを形成する半導体材料と同じ材料によって形成され、かつ第２の他方導電型半導体層４５ｒと厚みが等しく選ばれる。また第２ダイオード構成半導体層１５４は、遮光部形成層４６を形成する半導体材料と同じ材料によって形成され、かつ遮光部形成層４６と厚みが等しく選ばれる。
【０２１４】
受光部Ｔｒおよび第１および第２ダイオード構成半導体層１５３，１５４の積層体は、第１絶縁層１５ａによって覆われる。第１絶縁層１５ａのうち、第２ダイオード構成半導体層１５４に積層される部分には、貫通孔１５７が形成され、前記貫通孔１５７を介して、ダイオード配線部１５５と第２ダイオード構成半導体層１５４が接続される。ダイオード配線部１５５は第２絶縁層１５ｂによって覆われる。
【０２１５】
第１および第２ダイオード構成半導体層１５３，１５４およびダイオード配線層１５５を介して、受光部Ｔｒのゲート１１８ｂが発光部Ｔｓのゲート１１８ａに接続されることによって、受光部Ｔｒのゲート１１８ｂよりも発光部Ｔｓのゲート１１８ａの電位が高くなる電位差生成用のダイオードが実現される。この電位差形成用ダイオードによって発生する電位差は、このダイオードの拡散電位に相当し、例えばＧａＡｓでこの電位差形成用ダイオードを形成した場合、１．３〜１．５Ｖとなる。
【０２１６】
第１絶縁層１５ａのうち、遮光部形成層４６に積層される部分には、走査信号伝送路Ｓ１，Ｓ２が積層される。ダイオード配線層１５５および走査信号伝送路Ｓ１，Ｓ２は、第２絶縁層１５ｂによって覆われる。第２絶縁層１５ｂには、スイッチ素子Ｔを覆って遮光層１６が形成される。
【０２１７】
図２１は、図１７の切断面線Ｘ−Ｘから見た発光装置１００の基本的構成を示す一部の断面図である。第２のダイオード構成半導体層１５４は、発光部接続部５４ｓの第２の一方導電型半導体層４４ｓよりも、基板２１の一表面２１ａから厚み方向Ｚの一方Ｚ１に離間した位置に形成される。第１絶縁層１５ａのうち、第２のダイオード構成半導体層１５４の厚み方向Ｚの一表面上と、発光部接続部５４ｓの第２の一方導電型半導体層４４ｓの厚み方向Ｚの一表面上との間に形成される部分の表面は、第２のダイオード構成半導体層１５４から第２の一方導電型半導体層４４ｓに向かって基板２１に近接する方向に傾斜する。ダイオード配線部１５５は、第１絶縁層１５ａの前記傾斜した部分に積層されて、発光部Ｔｓから受光部Ｔｒまで延びて形成される。
【０２１８】
ダイオード配線部１５５は、金属材料および合金材料などの導電性を有する材料によって形成され、具体的には金（Ａｕ）、金とゲルマニウムとの合金（ＡｕＧｅ）、金と亜鉛との合金（ＡｕＺｎ）、ニッケル（Ｎｉ）およびアルミニウム（Ａｌ）などによって形成される。ダイオード配線部１５５は、発光信号伝送路Ｅと、第１および第２走査信号伝送路Ｓ１，Ｓ２と、スタート信号伝送路ＳＴと同じ導電性材料によって形成される。ダイオード配線部１５５は、蒸着法などによって導電性材料を第１絶縁層１５ａの表面に積層した後、フォトリソグラフィによってパターニングおよびエッチングして、発光信号伝送路Ｅの個別接続部６３、第１および第２走査信号伝送路Ｓ１，Ｓ２、ゲート信号伝送路Ｇならびにスタート信号伝送路ＳＴと同時に形成される。したがって、ダイオード配線部１５５を作製するために、製造工程が増加することがない。
【０２１９】
各発光素子Ｌ、各スイッチ素子Ｔおよび走査スタート用スイッチ素子Ｔ０は、基板２１の一表面２１ａに、第１の一方導電型半導体層２２，４２ｓ，４２ｒと、第１の他方導電型半導体層２３，４３ｓ，４３ｒと、第２の一方導電型半導体層２４，４４ｓ，４４ｒおよび第１ダイオード構成半導体層１５３と、第２の他方導電型半導体層２５，４５ｓ，４５ｒおよび第２ダイオード構成半導体層１５４と、オーミックコンタクト層２７，４７および遮光部形成層４６とを、それぞれ形成するための半導体材料を、エピタキシャル成長および化学気相成長（ＣＶＤ）法などによって順次積層した後、フォトリソグラフィによってパターニングおよびエッチングして形成される。したがって、一連の製造プロセスにおいて、発光素子Ｌ、スイッチ素子Ｔおよび走査スタート用スイッチ素子Ｔ０ならびにダイオードを同時に形成することができるので、作製時間および製造コストを低減することができる。各半導体層を形成した後、導電体層を蒸着法などによって形成し、フォトリソグラフィによってパターニングおよびエッチングして、表面電極５０，５１を形成する。
【０２２０】
表面電極５０，５１を形成した後、前述したポリイミドなどの樹脂材料をスピンコーティングした後、塗付した樹脂材料を硬化させ、発光信号伝送路Ｅと、走査信号伝送路Ｓと、スタート信号伝送路ＳＴと、ダイオード配線部１５５と、発光素子Ｌ、スイッチ素子Ｔまたは走査スタート用スイッチ素子Ｔ０との接続に必要な各貫通孔２９，３２，５３，５５，１５６，１５７をフォトリソグラフィによってパターニングおよびエッチングして、第１絶縁層１５ａが形成される。
【０２２１】
発光信号伝送路Ｅの個別接続部６３と、走査信号伝送路Ｓと、トリガ信号伝送路Ｇと、スタート信号伝送路ＳＴとは、第１絶縁層１５を形成した後、蒸着法などによって導電性材料を第１絶縁層１５ａの表面に積層した後、フォトリソグラフィによってパターニングおよびエッチングして、同時に形成される。この後、前述したポリイミドなどの樹脂材料をスピンコーティングした後、塗付した樹脂材料を硬化させ、貫通孔３３と、走査信号伝送路Ｓと走査信号伝送路接続部Ｈとを接続するための貫通孔と、走査スタート信号伝送路ＳＴと走査スタート信号伝送路接続部１９とを接続するための貫通孔と、トリガ信号伝送路Ｇとトリガ信号検出用端子Ｋとを接続するための貫通孔とをフォトリソグラフィによってパターニングおよびエッチングして、第２絶縁層１５ｂが形成される。この後、導電体層を蒸着法などによって形成し、フォトリソグラフィによってパターニングおよびエッチングして、共通接続部６４と、発光信号伝送路接続部Ｆ、走査信号伝送路接続部Ｈ、走査スタート信号伝送路接続部１９およびトリガ信号検出用端子Ｋとを形成する。
【０２２２】
図２２は、図１３に示される発光装置１００の基本的構成を示す一部の等価回路を示す回路図である。発光装置１００は、駆動手段２５７をさらに含んでいる。発光装置１００は、図２２の等価回路図に示されるように、スイッチ素子Ｔの発光部Ｔｓのゲート１１８ａに、接続部Ｔｃに含まれるダイオードのアノードが接続され、受光部Ｔｒのゲート１１８ｂに接続部Ｔｃに含まれるダイオードのカソードが接続されている。つまりダイオードは、受光部Ｔｒのゲート１１８ｂよりも、発光部Ｔｓのゲート１１８ａの電位が高くなるように接続される。
【０２２３】
駆動手段２５７は、第１および第２走査信号伝送路Ｓ１，Ｓ２と、スタート信号伝送路ＳＴと、発光信号伝送路Ｅとに接続される。駆動手段２５７は、第１および第２走査信号伝送路Ｓ１，Ｓ２に走査信号φ１，φ２をそれぞれ与え、スタート信号伝送路ＳＴにスタート信号φＳを与え、発光信号伝送路Ｅに発光信号φＥをそれぞれ与える。駆動手段２５７は、駆動用ドライバーＩＣ（Integrated Circuit）によって実現される。
【０２２４】
駆動手段２５７は、外部から基準となるクロックパルス信号を入力して、このクロックパルス信号に基づいて、走査信号φ１，φ２およびスタート信号φＳを同期して出力し、走査信号伝送路Ｓおよびスタート信号伝送路ＳＴにそれぞれ与える。発光装置１００は、前述した画像形成装置８７に搭載される。前記クロックパルス信号は、画像形成装置８７の制御手段９６から与えられる。クロックパルス信号のクロック周期は、画像形成装置８７の制御手段９６における制御周期よりも長く選ばれる。また駆動手段２５７は、クロックパルス信号とともに与えられる画像情報に基づいて、発光信号φＥを出力して、発光信号伝送路Ｅに与える。
【０２２５】
発光装置１００は、スイッチ素子Ｔが前述した発光部Ｔｓおよび受光部Ｔｒを有することによって、所定のスイッチ素子Ｔの発光部Ｔｓが発光したときに、この所定のスイッチ素子Ｔの配列方向Ｘの他方Ｘ２に向かう光を、この所定のスイッチ素子Ｔの受光部Ｔｒによって遮ることができる。これによって前記所定のスイッチ素子Ｔの配列方向Ｘの一方Ｘ１に隣接するスイッチ素子Ｔの受光部Ｔｒに受光させて、前記所定のスイッチ素子Ｔの配列方向Ｘの一方Ｘ１に隣接するスイッチ素子Ｔの発光部Ｔｓのみ、しきい電圧またはしきい電流を低下させることができるので、２本の走査信号伝送路Ｓで前述の実施の形態の発光装置１０と同様に、スイッチ素子Ｔを配列方向Ｘに沿って順番に発光させて、トリガ信号伝送路Ｇに順番にトリガ信号を伝送させることができる。
【０２２６】
スイッチ素子Ｔの発光部Ｔｓのゲート１１８ａと、受光部Ｔｒのゲート１１８ｂとが、受光部Ｔｒから受光部Ｔｒへの電流の流入を制限するダイオードによって接続されているので、受光部Ｔｒが受光したときに、ダイオードの拡散電圧分だけ、受光部Ｔｒのゲート１１８ｂにダイオードを介して接続されている発光部Ｔｓのゲート１１８ａの電位を上昇させることができ、受光部Ｔｒが、受光によってトリガ信号を発生したときに、このトリガ信号が発光素子Ｌのゲート１７に直接与えられてしまうことが防止され、また発光部Ｔｓおよび発光素子Ｌのしきい電圧またはしきい電流が、過剰に低下してしまうことを制限することができる。これによって、発光素子Ｌのしきい電圧またはしきい電流の過剰な低下に伴って発光の誤動作を生じてしまうことが抑制されるとともに、発光信号伝送路Ｅを伝送する発光信号φＥのハイレベルの電圧または電流の範囲を大きく設定することができ、発光素子Ｌの光強度の選択の自由度が向上する。
【０２２７】
第１および第２走査信号伝送路Ｓ１，Ｓ２には、各スイッチ素子Ｔと直列に接続される抵抗成分Ｒφがそれぞれ形成される。第１および第２走査信号伝送路Ｓ１，Ｓ２に形成される抵抗成分Ｒφは、駆動手段２５７から走査信号伝送路Ｓに過電流が流れてしまうことを防止するとともに、各スイッチ素子Ｔに印加される電圧を分圧する分圧抵抗としての機能を有する。またスタート信号伝送路ＳＴにも、走査スタート用スイッチ素子Ｔ０と直列になるように抵抗成分Ｒφが形成される。
【０２２８】
図２３は、駆動手段２５７が、スタート信号伝送路ＳＴに与えるスタート信号φＳと、第１走査信号伝送路１５ａに与える走査信号φ１と、第２走査信号伝送路１５ｂに与える走査信号φ２と、発光信号伝送路Ｅ１に与える発光信号φＥ１と、発光信号伝送路Ｅ２に与える発光信号φＥ２と、発光素子Ｌ１〜Ｌ８の発光強度と、走査スタート用スイッチ素子Ｔ０およびスイッチ素子Ｔ１〜Ｔ５の発光強度とを示す波形図である。発光素子Ｌ１〜Ｌ８および走査スタート用スイッチ素子Ｔ０ならびにスイッチ素子Ｔ１〜Ｔ５の発光強度は、ハイ（Ｈ）レベルのとき発光していることを表し、ロー（Ｌ）レベルのとき発光していないことを表す。図２３において、横軸は時間であって、基準時刻からの経過時間を表す。またここでは、発光素子ブロックＣ１の発光素子Ｌ１〜Ｌ８の全てを点灯させる場合について説明する。
【０２２９】
また同図においてスタート信号φＳ、走査信号φ１，φ２および発光信号φＥについて、縦軸は、信号レベルを表す。信号レベルは、電圧または電流の大きさを表し、スタート信号φＳ、走査信号φ１，φ２および発光信号φＥ１，φＥ２は、ハイ（Ｈ）レベルのとき、高電圧または高電流が信号伝送路に供給され、スタート信号φＳ、走査信号φ１，φ２および発光信号φＥ１，φＥ２は、ロー（Ｌ）レベルのとき、低電圧または低電流が信号伝送路に供給される。スタート信号φＳ、走査信号φ１，φ２および発光信号φＥ１，φＥ２がＬレベルのとき、伝送路に供給される電圧または電流は、各素子のしきい電圧またはしきい電流よりも小さい。電圧の場合では、ハイレベルは、例えば３ボルト（Ｖ）〜１０ボルト（Ｖ）である。電圧の場合では、ローレベルは、例えば０（零）ボルト（Ｖ）である。
【０２３０】
本実施の形態では、Ｈレベルのときのスタート信号φＳ、走査信号φ１，φ２ならびに発光信号φＥ１，φＥ２の電圧を例えば５ボルト（Ｖ）とし、Ｌレベルのスタート信号φＳ、走査信号φ１，φ２ならびに発光信号φＥ１，φＥ２の電圧を例えば０ボルト（Ｖ）とする。走査信号φ１，φ２の波形は同じであり、位相が異なる。
【０２３１】
発光装置１００においても、発光させるべき発光素子Ｌのしきい電圧またはしきい電流を低下させるために、スイッチ素子Ｔの発光状態を、配列方向Ｘに沿って転送する。
【０２３２】
以後、駆動手段２５７の動作について説明する。まず時刻ｔ０で、駆動手段２５７は、スタート信号φＳ、走査信号φ１，φ２ならびに発光信号φＥ１，φＥ２をローレベルとする。スタート信号φＳをローレベルにしておくことによって、走査スタート用スイッチ素子Ｔ０は発光しない。駆動手段２５７は、発光信号φＥ１，φＥ２、スタート信号φＳおよび走査信号φについて、信号レベルをローレベルからハイレベルにすると、次に信号レベルをハイレベルからローレベルにするまで、信号レベルをハイレベルとなるように維持する。また駆動手段２５７は、発光信号φＥ１，φＥ２、スタート信号φＳおよび走査信号φについて、信号レベルをハイレベルからローレベルにすると、次に信号レベルをローレベルからハイレベルにするまで、信号レベルをローレベルとなるように維持する。
【０２３３】
時刻ｔ１で、駆動手段２５７は、スタート信号φＳのみをローレベルからハイレベルに変化させる。時刻ｔ１において、走査信号φ１，φ２および発光信号φＥ１，φＥ２は、ローレベルである。これによって、走査スタート用スイッチ素子Ｔ０がオン状態になり、すなわちターンオンして発光する。スタート信号φＳのハイレベルの信号は、走査スタート用スイッチ素子Ｔ０のしきい電圧またはしきい電流よりも大きい電圧または電流である。
【０２３４】
走査スタート用スイッチ素子Ｔ０の光は、隣接するスイッチ素子アレイ１１２の配列方向Ｘの端部に配置されるスイッチ素子Ｔ１の受光部Ｔｒ１に最も強く入射する。スイッチ素子アレイ１１２の他のスイッチ素子Ｔでは、配列方向Ｘに走査スタート用スイッチ素子Ｔ０から離間した位置に配置されるスイッチ素子Ｔほど、走査スタート用スイッチ素子Ｔ０から照射される光の強度が小さくなる。スイッチ素子Ｔの受光部Ｔｒでは、受光すると光励起によって各半導体層に、受光強度に応じたキャリアが生成される。受光部Ｔｒのゲート１１８ｂおよび発光部Ｔｓのゲート１１８ａは、接続部Ｔｃによって接続されているので、受光部Ｔｒにおいて光励起によって、受光部のゲート１１８ｂにトリガ信号としてのキャリアが生成されると、このトリガ信号は、接続部Ｔｃを介して発光部Ｔｓのゲート１１８ａに与えられ、発光部Ｔｓにおいてもキャリアが生成される。キャリアの生成によって、第２の一方導電型半導体層４４ｓに蓄積される電子が、第２の一方導電型半導体層４４ｓのフェルミ準位を下げ、これによって第１の他方導電型半導体層４３ｓと第２の一方導電型半導体層４４ｓとの接合部分において、なだれ現象が発生しやすくなり、発光部Ｔｓにおけるしきい電圧またはしきい電流を低下させることができる。
【０２３５】
このため、スイッチ素子Ｔの受光部Ｔｒが、光を受光することによってこの受光した受光部Ｔｒと接続部Ｔｃによって接続される発光部Ｔｓのしきい電圧またはしきい電流が低下し、また受光部Ｔｒによって受光する光強度が大きくなるほど、この受光した受光部Ｔｒと接続部Ｔｃによって接続される発光部Ｔｓのしきい電圧またはしきい電流の降下が大きくなるという特性を有する。
【０２３６】
次に走査スタート用スイッチ素子Ｔ０からスイッチ素子Ｔ１への発光状態の転送について説明する。走査スタート用スイッチ素子Ｔ０が発光すると、この光をスイッチ素子Ｔ１の受光部Ｔｒ１が受光し、前述したようにスイッチ素子Ｔ１の発光部Ｔｓ１のしきい電圧が低下する。
【０２３７】
時刻ｔ１が経過した後、時刻ｔ２においてスイッチ素子Ｔ１の発光部Ｔｓ１のしきい電圧はＶＴＨとなっている。走査信号伝送路Ｓ１には、スイッチ素子Ｔ１，Ｔ３，Ｔ５が接続されているが、スイッチ素子Ｔ３，Ｔ５は、走査スタート用スイッチ素子Ｔ０から十分に離れているので、走査スタート用スイッチ素子Ｔ０からの光を受光しても、その光は微弱であるので、その発光部Ｔｓのしきい電圧は、ＶＢＯからほとんど変化しない。
【０２３８】
時刻ｔ２で、駆動手段２５７は、走査信号φ１をローレベルからハイレベルにする。時刻ｔ２において、スタート信号φＳはハイレベルであり、走査信号φ２、発光信号φＥ１，φＥ２はローレベルである。走査信号φ１のハイレベルは、第１走査信号伝送路Ｓ１に接続されるスイッチ素子Ｔ１の発光部Ｔｓ１を除く他のスイッチ素子Ｔ３，Ｔ５の発光部Ｔｓのしきい電圧またはしきい電流うちの最低値よりも、高い電圧または高い電流に選ばれる。
【０２３９】
隣接するスイッチ素子Ｔの発光部Ｔｓからの光を受光することによってしきい電圧またはしきい電流が低下したスイッチ素子Ｔの発光部Ｔｓが接続される走査信号伝送路Ｓに、この走査信号伝送路Ｓに接続される他のスイッチ素子Ｔの発光部Ｔｓのしきい電圧またはしきい電流の最低値よりも高い電圧または電流の走査信号φを与えると、スイッチ素子Ｔには、抵抗成分Ｒφによって分圧された電圧が与えられる。各スイッチ素子Ｔには、抵抗成分Ｒφによって分圧された電圧が徐々に印加されることとなり、同じ走査信号伝送路Ｓに接続される複数のスイッチ素子Ｔのうち、隣接しているスイッチ素子Ｔからの光を受光した受光部Ｔｒを有するスイッチ素子Ｔの発光部Ｔｓに与えられる電圧または電流が、最も早くこのスイッチ素子Ｔの発光部Ｔｓのしきい電圧またはしきい電流よりも大きくなる。これによって、しきい電圧またはしきい電流が最も低いスイッチ素子Ｔの発光部Ｔｓのみが発光し、他のスイッチ素子Ｔは、発光しない。
【０２４０】
走査信号φのハイレベルを前述のように選ぶことによって、しきい電圧またはしきい電流が低下したスイッチ素子Ｔに、より高電圧または高電流を与えて、オン状態に移行させることができ、光走査の速度を向上させることができる。さらに走査信号φのハイレベルの電圧または電流を、スイッチ素子Ｔの変動するしきい電圧またはしきい電流に関係なく決定することができるので、駆動手段２５７の設計が容易となる。
【０２４１】
これによって、時刻ｔ２で、スイッチ素子Ｔ１の発光部Ｔｓ１がオン状態となり、すなわちターンオンして発光する。スイッチ素子Ｔ１の発光部Ｔｓ１がオン状態となった後、時刻ｔ３で、駆動手段２５７は、スタート信号φＳをローレベルにする。これによって、走査スタート用スイッチ素子Ｔ０は、オフ状態となり、すなわちターンオフして消灯する。このようにして、走査スタート用スイッチ素子Ｔ０から、スイッチ素子Ｔ１へと発光状態が遷移する。スタート信号φＳをハイレベルとする時間は、走査信号φ１，φ２をハイレベルとする時間と同じ時間とする。
【０２４２】
時刻ｔ２と時刻ｔ３との間の時間は、走査信号φ１がハイレベルとなる時間の１／１０程度に選ばれる。このように、隣接するスイッチ素子Ｔにおいて与えられる走査信号φ１，φ２がハイレベルとなる時間が重なるように駆動手段２５７が走査信号φを与えることによって、隣接するスイッチ素子Ｔのしきい電圧またはしきい電流が確実に低下している間に、走査信号φをハイレベルとすることができ、光走査を確実に行うことができる。本実施の形態では、走査信号φ１，φ２がハイレベルとなる時間は、１μ秒程度に選ばれる。したがって、時刻ｔ２と時刻ｔ３との間の時間は、０．１μ秒程度に選ばれる。
【０２４３】
スイッチ素子Ｔ１の受光部Ｔｒ１は、受光によってゲート１１８ｂにトリガ信号を発生し、時刻ｔ２においてスイッチ素子Ｔ１の発光部Ｔｓ１がオン状態となると、ハイレベルとされた走査信号φ１がローレベルになるまでは、オン状態を維持する。オン状態となると、スイッチ素子Ｔ１の発光部Ｔｓのゲート１８の電圧は、ほぼ０（零）ボルト（Ｖ）になる。ここで前記スイッチ素子Ｔ１の発光部Ｔｓのゲート１８の電圧とは、このゲート１８と接地される裏面電極２６との電位差である。スイッチ素子Ｔ１の発光部Ｔｓのゲート１８は、発光素子Ｌ５のゲート１７に接続されているので、スイッチ素子Ｔ１の発光部Ｔｓのゲート１８の電圧は、発光素子Ｌ５のゲート１７の電圧と等しくなる。このようにスイッチ素子Ｔ１は、発光素子Ｌ５のゲート１７と裏面電極２６とに印加される電圧を変化させることができる。
【０２４４】
駆動手段２５７は、時刻ｔ３が経過した後、時刻ｔ４で、発光信号φＥ１，φＥ２をローレベルからハイレベルにする。時刻ｔ４では、スイッチ素子Ｔ１の発光部Ｔｓ１がオン状態であるので、発光素子Ｌ５のゲート１７が、ほぼ０（零）ボルト（Ｖ）となっている。時刻ｔ４では、スイッチ素子Ｔ２〜Ｔ５はオフ状態であり、発光素子Ｌ１〜Ｌ４，Ｌ６〜Ｌ８のゲート１７の電圧は、発光素子Ｌ５のゲート１７の電圧よりも高くなっている。時刻ｔ４における発光素子Ｌ５のしきい電圧をＶＴＨ（Ｌ５）とし、時刻ｔ４における発光素子Ｌ１〜Ｌ４，Ｌ６〜Ｌ８のしきい電圧をそれぞれＶＴＨ（Ｌ１），…，ＶＴＨ（Ｌ７），ＶＴＨ（Ｌ８）とすると、発光信号φＥ１，φＥ２のハイレベルＶＨを、発光素子Ｌ５のしきい電圧ＶＴＨ（Ｌ５）よりも大きく、発光素子Ｌ１〜Ｌ４，Ｌ６〜Ｌ８のしきい電圧のうち、最低値のものよりも小さな値に選ぶことによって、発光素子Ｌ５のみを選択的にオン状態として、発光させることができる。発光信号φＥ１，φＥ２のハイレベルの電圧または電流は、等しく選ばれる。
【０２４５】
時刻ｔ４が経過した時刻ｔ５で、駆動手段２５７は、発光信号φＥ１，φＥ２をハイレベルからローレベルにする。これによって、アノード電位が０Ｖとなり、カソードの電位と等しくなるので、発光状態にあった発光素子Ｌ５はオフ状態になり、すなわちターンオフして消灯する。
【０２４６】
時刻ｔ５が経過した時刻ｔ６で、駆動手段２５７は、走査信号φ２をローレベルからハイレベルにする。これによって、スイッチ素子Ｔ２の発光部Ｔｓ２がオン状態となり、すなわちターンオンして発光する。
【０２４７】
スイッチ素子Ｔ２の発光部Ｔｓ２がオン状態となった後、時刻ｔ７で、駆動手段２５７は、走査信号φ１をローレベルにする。これによって、スイッチ素子Ｔ１の発光部Ｔｓ１はオフ状態となり、すなわちターンオフして消灯する。時刻ｔ７で、発光信号φＥ１，φＥ２は、ローレベルである。時刻ｔ７では、スイッチ素子Ｔ１〜Ｔ５および発光素子Ｌ１〜Ｌ８の全てが消灯している。
【０２４８】
時刻ｔ７が経過した時刻ｔ８で、駆動手段２５７は、発光信号φＥ１，φＥ２をローレベルからハイレベルする。これによって、発光信号伝送路Ｅ１，Ｅ２に接続される発光素子Ｌ１〜Ｌ８のうち、スイッチ素子Ｔ２に接続される発光素子Ｌ４，Ｌ６のみがオン状態になり、すなわちターンオンして発光する。それら以外の発光素子Ｌ１〜Ｌ３，Ｌ５，Ｌ７，Ｌ８は、スイッチ素子Ｔ１，Ｔ３〜Ｔ５がオフ状態であるので、消灯している。
【０２４９】
時刻ｔ８が経過した時刻ｔ９で、駆動手段２５７は、発光信号φＥ１，φＥ２をハイレベルからローレベルにする。これによって、発光状態にあった発光素子Ｌ４，Ｌ６はオフ状態になり、すなわちターンオフして消灯する。時刻ｔ９では、発光素子Ｌ１〜Ｌ８の全てが消灯している。
【０２５０】
時刻ｔ９が経過した時刻ｔ１０で、駆動手段２５７は、走査信号φ１をローレベルからハイレベルにする。これによって、スイッチ素子Ｔ３の発光部Ｔｓ３がオン状態となり、すなわちターンオンして発光する。
【０２５１】
スイッチ素子Ｔ３の発光部Ｔｓ３がオン状態となった後、時刻ｔ１１で、駆動手段２５７は、走査信号φ２をローレベルにする。これによって、スイッチ素子Ｔ２の発光部Ｔｓ２はオフ状態となり、すなわちターンオフして消灯する。時刻ｔ１１で、発光信号φＥ１，φＥ２は、ローレベルである。時刻ｔ１１では、発光素子Ｌ１〜Ｌ８の全てが消灯している。
【０２５２】
時刻ｔ１１が経過した時刻ｔ１２で、駆動手段２５７は、発光信号φＥ１，φＥ２をローレベルからハイレベルする。これによって、発光信号伝送路Ｅ１，Ｅ２に接続される発光素子Ｌ１〜Ｌ８のうち、スイッチ素子Ｔ３に接続される発光素子Ｌ３，Ｌ７のみがオン状態になり、すなわちターンオンして発光する。それら以外の発光素子Ｌ１，Ｌ２，Ｌ４〜Ｌ６，Ｌ８は、スイッチ素子Ｔ１，Ｔ２，Ｔ４，Ｔ５がオフ状態であるので、消灯している。
【０２５３】
時刻ｔ１２が経過した時刻ｔ１３で、駆動手段２５７は、発光信号φＥ１，φＥ２をハイレベルからローレベルにする。これによって、発光状態にあった発光素子Ｌ３，Ｌ６はオフ状態になり、すなわちターンオフして消灯する。時刻ｔ１３では、発光素子Ｌ１〜Ｌ８の全てが消灯している。
【０２５４】
時刻ｔ１３が経過した時刻ｔ１４で、駆動手段２５７は、スタート信号φＳおよび走査信号φ２をローレベルからハイレベルにする。これによって、走査スタート用スイッチ素子Ｔ０およびスイッチ素子Ｔ４の発光部Ｔｓ４がオン状態となり、すなわちターンオンして発光する。
【０２５５】
スイッチ素子Ｔ４の発光部Ｔｓ４がオン状態となった後、時刻ｔ１５で、駆動手段２５７は、走査信号φ１をローレベルにする。これによって、スイッチ素子Ｔ３の発光部Ｔｓ３はオフ状態となり、すなわちターンオフして消灯する。時刻ｔ１５で、発光信号φＥ１，φＥ２は、ローレベルである。時刻ｔ１５では、発光素子Ｌ１〜Ｌ８の全てが消灯している。
【０２５６】
時刻ｔ１５が経過した時刻ｔ１６で、駆動手段２５７は、発光信号φＥ１，φＥ２をローレベルからハイレベルする。これによって、発光信号伝送路Ｅ１，Ｅ２に接続される発光素子Ｌ１〜Ｌ８のうち、スイッチ素子Ｔ４に接続される発光素子Ｌ２，Ｌ８のみがオン状態になり、すなわちターンオンして発光する。それら以外の発光素子Ｌ１，Ｌ３〜Ｌ７は、スイッチ素子Ｔ１〜Ｔ３，Ｔ５がオフ状態であるので、消灯している。
【０２５７】
時刻ｔ１６が経過した時刻ｔ１７で、駆動手段２５７は、発光信号φＥ１，φＥ２をハイレベルからローレベルにする。これによって、発光状態にあった発光素子Ｌ２，Ｌ８はオフ状態になり、すなわちターンオフして消灯する。時刻ｔ１７では、発光素子Ｌ１〜Ｌ８の全てが消灯している。
【０２５８】
時刻ｔ１７が経過した時刻ｔ１８で、駆動手段２５７は、走査信号φ１をローレベルからハイレベルにする。これによって、スイッチ素子Ｔ１，Ｔ５の発光部Ｔｓ１，Ｔｓ５がオン状態となり、すなわちターンオンして発光する。
【０２５９】
スイッチ素子Ｔ１，Ｔ５の発光部Ｔｓ１，Ｔｓ５がオン状態となった後、時刻ｔ１９で、駆動手段２５７は、スタート信号φＳおよび走査信号φ２をローレベルにする。これによって、走査スタート用スイッチ素子Ｔ０およびスイッチ素子Ｔ４の発光部Ｔｓ４はオフ状態となり、すなわちターンオフして消灯する。時刻ｔ１９では、発光信号φＥ１，φＥ２は、ローレベルであり、および発光素子Ｌ１〜Ｌ８の全てが消灯している。
【０２６０】
時刻ｔ１９が経過した時刻ｔ２０で、駆動手段２５７は、発光信号φＥ１，φＥ２をローレベルからハイレベルする。これによって、発光信号伝送路Ｅ１，Ｅ２に接続される発光素子Ｌ１〜Ｌ８のうち、スイッチ素子Ｔ１，Ｔ５に接続される発光素子Ｌ１，Ｌ５のみがオン状態になり、すなわちターンオンして発光する。それら以外の発光素子Ｌ２〜Ｌ４，Ｌ６，Ｌ７は、スイッチ素子Ｔ２〜Ｔ４がオフ状態であるので、オフ状態となり消灯している。
【０２６１】
時刻ｔ２０が経過した時刻ｔ２１で、駆動手段２５７は、発光信号φＥ１，φＥ２をハイレベルからローレベルにする。これによって、発光状態にあった発光素子Ｌ１，Ｌ５はオフ状態になり、すなわちターンオフして消灯する。時刻ｔ２１では、発光素子Ｌ１〜Ｌ８の全てが消灯している。
【０２６２】
このように駆動手段２５７が、スタート信号φＳと、走査信号φ１，φ２と、発光信号φＥ１，φＥ２とを供給することによって、発光素子ブロックＣに含まれる発光素子Ｌ１〜Ｌ８を発光させることができる。
【０２６３】
発光素子ブロックＣ１に含まれる発光素子Ｌ１〜Ｌ８を全て点灯させるときには、駆動手段２５７は、発光素子Ｌ５を点灯させた後、発光素子Ｌ４，Ｌ６を点灯させ、次に発光素子Ｌ３，Ｌ７を点灯させ、次に発光素子Ｌ２，Ｌ８を点灯させ、次に発光素子Ｌ１を点灯させ、時刻ｔ２０以降では、駆動手段２５７は、発光素子Ｌ１，Ｌ５を同時に点灯させた後、発光素子Ｌ４，Ｌ６を点灯させ、次に発光素子Ｌ３，Ｌ７を点灯させ、次に発光素子Ｌ２，Ｌ８を点灯させることができる。駆動手段２５７が、時刻ｔ１８においてスイッチ素子Ｔ１，Ｔ５をオン状態とすることによって、スイッチ素子Ｔ１，Ｔ５に接続される発光素子Ｌ１，Ｌ５を同時に発光させることができるようになるので、発光素子Ｌ１〜Ｌ８を発光させるために必要な時間をさらに低減することができる。トリガ信号伝送路Ｇ１〜Ｇ５のうち、制御信号伝送路Ｇ１，Ｇ５は、発光素子ブロックＣに含まれる発光素子Ｌ１〜Ｌ８のうち、それぞれ１つの発光素子Ｌとしか接続されていないので、時刻ｔ１８においてスイッチ素子Ｔ１，Ｔ５をオン状態にして、制御信号伝送路Ｇ１，Ｇ５に同時にトリガ信号信号を伝送させることによって、発光装置１００による感光体ドラム９０への露光の高速化が可能である。
【０２６４】
発光素子Ｌ１〜Ｌ８に与えるトリガ信号をそれぞれ時分割して切り換え、すなわちトリガ信号伝送路Ｇに接続されるスイッチ素子Ｔを順番に発光状態に切り換えて、発光素子Ｌ１〜Ｌ８を発光可能な状態にする場合では、１サイクルの切り換え時間、すなわちスイッチ素子Ｔ１〜Ｔ５の全てを順番に発光状態にする時間は、スイッチ素子Ｔが発光してから消灯するまでの時間をＴｓとすると、Ｔｓ×５（回）の切換時間が必要であるが、発光装置１００では、スイッチ素子Ｔ１，Ｔ５を同じタイミングで発光させることによって、１サイクルの切り換え時間を、Ｔｓ×４（回）にすることができる。したがって、スイッチ素子Ｔ１〜Ｔ５の発光状態が切り換わる１サイクルの切り換え時間を短縮して、各発光素子Ｌ１〜Ｌ８による光走査の周期を短くすることができる。
【０２６５】
発光装置１００においても感光体ドラム９０を露光するときの露光量は、発光素子Ｌの発光強度は一定として、発光素子Ｌの発光する時間によって調整される。すなわち、発光素子Ｌ１〜Ｌ８では、発光信号φＥがハイレベルとなる時間を決定することによって、露光量が決定される。発光素子Ｌの発光強度によって露光量を変更する場合、発光素子Ｌに与える電圧または電流を細かく制御する必要があるので困難であるが、発光時間によって露光量を変更することによって、発光信号φＥがハイレベルとなる時間を調整するだけでよいので、露光量の制御がしやすく、また定電圧または定電流が発光素子Ｌに与えられるので、発光素子Ｌを安定して発光させることができる。発光素子Ｌが発光する時間、言い換えれば発光信号φＥがハイレベルとなる時間は、スイッチ素子Ｔが発光している時間の８０％以下に選ばれる。
【０２６６】
以上のように駆動手段２５７が、スタート信号φＳおよび走査信号φＥ１，φＥ２を繰り返して与えることによって、スイッチ素子Ｔ０〜Ｔ５の発光状態が、配列方向Ｘに沿って順次転送される。スイッチ素子Ｔの発光部Ｔｓが発光しているとき、この発光している発光部Ｔｓに接続されている発光素子Ｌに接続される発光信号伝送路Ｅの発光信号φＥをローレベルからハイレベルにすることによって、この発光しているスイッチ素子Ｔに対応する、すなわち発光している発光部Ｔｓを有するスイッチ素子Ｔに接続されている発光素子Ｌのみを選択的に発光させることができる。
【０２６７】
発光装置１００では、発光素子アレイ１１およびスイッチ素子アレイ１１２を前述したように設けることによって、前述の発光装置１０と同様に装置を小型化することができる。またトリガ信号検出用端子Ｋを用いてスイッチ素子Ｔおよび発光素子Ｌに不良があるか否かを検出することができ、前述した発光装置１０と同様な効果を達成することができる。
【０２６８】
また発光装置１００では、２本の走査信号伝送路Ｓでスイッチ素子Ｔを光走査することができるので、走査信号伝送路接続部Ｈの数を低減して、発光体チップ１２０を回路基板に実装したときの発光体チップ１２０に接続される外部信号伝送路の数を低減して、発光体チップ１２０を回路基板に実装するための作業時間を短縮を図ることができる。
【０２６９】
さらに発光装置１００では、発光素子ブロックＣに含まれ、相互に隣接する発光素子Ｌでは、それぞれのゲート１７が第ｈ番目および第ｈ＋１番目（記号ｈは、１以上Ｎ以下の整数）のトリガ信号信号伝送路Ｇｈ，Ｇｈ＋１に個別に接続されることになる。これによって第１番目〜第Ｎ＋１番目のトリガ信号伝送路Ｇに時分割で順番にトリガ信号を伝送させ、すなわちトリガ信号伝送路Ｇ１〜Ｇ５に接続されるスイッチ素子Ｔの発光部Ｔｓを順番に発光させて、発光素子ブロック部分Ｂに含まれる各発光素子Ｌに発光信号φＥを与えて各発光素子Ｌを発光させたときに、相互に隣接する発光素子Ｌの発光するタイミングの時間的なずれが大きくなってしまうことを抑制することができ、さらに隣接する発光素子Ｌが同じトリガ信号伝送路Ｇに接続されないので、相互に隣接する発光素子Ｌが同時に発光してしまうことを抑制することができる。また相互に隣接する発光素子ブロックＣで、相互に隣接する発光素子Ｌについても、同様にそれぞれのゲート１７が第ｈ番目および第ｈ＋１番目のトリガ信号伝送路Ｇｈ，Ｇｈ＋１に個別に接続されることになるので、発光素子アレイ１１の全域にわたって、相互に隣接する発光素子Ｌ間における発光するタイミングが大きくずれてしまうことを抑制するとともに、同じ相互に隣接する発光素子Ｌが同じタイミングで発光してしまうことが抑制される。
【０２７０】
これによって発光装置１００を、前記感光体ドラム９０を露光する露光装置として用いると、相互に隣接する発光素子Ｌ間における発光するタイミングが大きくずれてしまうことが抑制されるので、感光体ドラム９０に露光される露光位置に不連続点が発生せず、かつ相互に隣接する発光素子Ｌが同時に発光することが抑制されるので、各発光素子Ｌの発光した時の発熱のムラを抑制して、各発光素子Ｌの温度変化による発光特性を揃えることができ、さらに相互に隣接する発光素子Ｌから発生する光が干渉することが防止することができるので、感光体ドラム９０を精度よく露光することができ、画像形成装置８７において、優れた画像品質の記録画像を得ることができる。
【０２７１】
図２４は、複数の発光体チップ１２０によって形成される発光体チップ組立体１８０の基本的構成を示す一部の平面図である。なお、同図は、各発光素子Ｌの光の出射方向を紙面に垂直手前側として配置された発光体チップ組立体１８０の平面を示す。発光体チップ組立体１８０は、前記発光体チップ組立体８０と同様に、画像形成装置の露光装置に用いられる。
【０２７２】
発光体チップ組立体１８０は、前記図１３に示される発光体チップ１２０を複数有し、各発光装置１００の各発光素子Ｌを直線状に配列して構成される。発光体チップ組立体１８０は、プリント配線基板などの回路基板に、発光装置１００の裏面電極２６を臨ませて実装し、発光装置１００の各発光素子Ｌを略直線状に並べることによって形成される。複数の発光体チップ１２０は、前記発光素子Ｌの配列方向Ｘを揃えて２列に配列され、一方の列の発光体チップ１２０の発光素子Ｌと、他方の列の発光体チップ１２０の発光素子Ｌが、配列方向Ｘに連続するように千鳥状に配置される。各発光体チップ１２０は、幅方向Ｙで隣接する発光体チップ１２０に発光素子アレイ１１を臨ませて配置される。発光体チップ１２０では、発光素子アレイ１１の幅方向Ｙの他方Ｙ２のみに、発光信号伝送路接続部Ｆ、走査信号伝送路接続部Ｈおよびスタート信号伝送路接続部１９が設けられるので、一方の列の発光体チップ１２０の発光素子アレイ１１と、他方の列の発光体チップ１２０の発光素子アレイ１１とを近接させて、各発光素子Ｌを略直線状に配置することができる。幅方向Ｙに相互に隣接する一方の列の発光体チップ１２０の発光素子アレイ１１に含まれる発光素子Ｌと、他方の発光体チップ１２０の発光素子アレイ１１に含まれる発光素子Ｌとの幅方向Ｙにおける光軸間の間隔は、発光素子アレイ１１における発光素子Ｌの配列方向Ｘの長さＷ１の１倍〜２倍程度に選ばれ、例えば６００ｄｐｉのとき４２．３μｍに選ばれる。発光体チップ組立体１８０が含む発光体チップ１２０の数は、画像形成装置８７において形成する画像の幅によって決定される。また一方の列の発光体チップ１２０の発光素子アレイ１１の配列方向Ｘの一方Ｘ１の端部の発光素子Ｌと、他方の列の発光体チップ１２０の発光素子アレイ１１の配列方向Ｘの他方Ｘ２の端部の発光素子Ｌとは、配列方向Ｘにおいて予め定める距離Ｗ１離間して設けられる。また一方の列の発光体チップ１２０の発光素子アレイ１１の配列方向Ｘの他方Ｘ２の端部の発光素子Ｌと、他方の列の発光体チップ１２０の発光素子アレイ１１の配列方向Ｘの一方Ｘ１の端部の発光素子Ｌとは、配列方向Ｘにおいて予め定める距離Ｗ１離間して設けられる。
【０２７３】
各発光装置１００の発光信号伝送路接続部Ｆ、走査信号伝送路接続部Ｈおよびスタート信号伝送路接続部１９は、外部の信号伝送路であるボンディングワイヤによって、回路基板の接続すべき部分に電気的に接続される。回路基板には、前述した駆動手段２５７が実装される。駆動手段２５７は、ボンディングワイヤを介して、発光信号伝送路接続部Ｆ、走査信号伝送路接続部Ｈおよびスタート信号伝送路接続部１９に信号を与える。駆動手段２５７を、発光体チップ１２０が実装される回路基板に設けることによって、駆動手段２５７から各発光素子Ｌおよび各スイッチ素子Ｔまでの信号伝送路の距離を短くして、駆動手段２５７から発光信号伝送路接続部Ｆ、走査信号伝送路接続部Ｈおよびスタート信号伝送路接続部１９までの信号伝送路によって伝送される信号にノイズが重畳されてしまうことを抑制することができる。
【０２７４】
本実施の形態の発光装置１００では、スイッチ素子Ｔｂは、トリガ信号伝送路Ｇｄと接続され、記号「ｂ」，「ｄ」は正の整数であり、ｄ＝（Ｎ＋１）＋１−ｂに選ばれているが、本発明のさらに他の実施の形態において、記号「ｂ」，「ｄ」は正の整数であり、ｂ＝ｄに選ばれてもよい。このような構成であっても、発光素子ブロックＣにおいてトリガ信号が与えられる順序が変更されるだけであり、発光装置１００と同様の効果を達成することができる。
【０２７５】
本発明のさらに他の実施の形態では、前述した各実施の形態においてトリガ信号の信号レベルを測定した後、発光装置１０，１００からトリガ信号検出用端子Ｋを、切り離して発光装置を構成してもよい。この場合、発光体チップ２０のうちトリガ信号検出用端子Ｋが形成される部分、すなわち発光体チップ２０，１２０の配列方向Ｘの他方Ｘ２の端部を切断して切り離す。これによって発光装置をより小形に形成することができる。
【０２７６】
本発明のさらに他の実施の形態では、前述した各実施の形態の発光装置において、一方導電型をＰ型とし、他方導電型をＮ型としてもよい。一方導電型をＰ型とし他方導電型をＮ型としても、バイアス電圧の極性を、一方導電型をＮ型とし他方導電型とＰ型としたときとは反対とすることによって、前述の各実施の形態の発光装置と同様の効果を得ることができる。
【０２７７】
本発明のさらに他の実施の形態では、前述した各実施の形態の発光装置において、駆動手５７，２５７を発光体チップ８０，１８０が実装される回路基板に設けるのではなく、画像形成装置本体の制御手段９６が設けられる回路基板などに設ける構成としてもよい。駆動手段５７，２５７を発光体チップ８０，１８０が設けられる回路基板とは異なる場所に設けることによって、発光体チップ８０，１８０が設けられる回路基板をより小型化することができ、感光体ドラム９０の周囲において配置しやすくなる。
【０２７８】
本発明のさらに他の実施の形態では、前述の各実施の形態の発光装置において、各半導体層は、それぞれが多層に形成されてもよい。例えば、第１の一方導電型半導体層は、一方導電型の半導体層が、複数積層されて構成されてもよく、第１の他方導電型半導体層は、他方導電型の半導体層が、複数積層されて構成されてもよく、第２の一方導電型半導体層は、一方導電型の半導体層が、複数積層されて構成されてもよく、第２の他方導電型半導体層は、他方導電型の半導体層が、複数積層されて構成されてもよい。
【０２７９】
なお、本発明は上述の形態に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲において種々の変更、改良等が可能である。
【図面の簡単な説明】
【０２８０】
【図１】本発明の実施の一形態の発光装置１０の基本的構成を示す一部の平面図である。
【図２】図１のａ１，ａ２，ａ３およびａ４によって外囲される部分を拡大して示す平面図である。
【図３】図２の切断面線Ｉ−Ｉから見た発光装置１０の基本的構成を示す一部の断面図である。
【図４】図２の切断面線ＩＩ−ＩＩから見た発光装置１０の基本的構成を示す一部の断面図である。
【図５】図２の切断面線ＩＩＩ−ＩＩＩから見た発光装置１０の基本的構成を示す一部の断面図である。
【図６】図１の切断面線ＩＶ−ＩＶから見た発光装置１０の基本的構成を示す一部の断面図である。
【図７】図１の切断面線Ｖ−Ｖから見た発光装置１０の基本的構成を示す一部の断面図である。
【図８】発光素子Ｌおよびスイッチ素子Ｔ、アノード電圧とアノード電流との関係である順方向電圧−電流特性を示すグラフである。
【図９】図１に示される発光装置１０の基本的構成を示す一部の等価回路を示す回路図である。
【図１０】駆動手段５７が、スタート信号伝送路ＳＴに与えるスタート信号φＳと、第１走査信号伝送路Ｓ１に与える走査信号φ１と、第２走査信号伝送路Ｓ２に与える走査信号φ２と、第３走査信号伝送路Ｓ３に与える走査信号φ３と、および発光信号伝送路Ｅ１に与える発光信号φＥ１と、発光素子ブロックＡ１の発光素子Ｌの発光強度と、走査スタート用スイッチ素子Ｔ０およびスイッチ素子Ｔの発光強度とを示す波形図である。
【図１１】複数の発光体チップ２０によって形成される発光体チップ組立体８０の基本的構成を示す一部の平面図である。
【図１２】発光装置１０を有する画像形成装置８７の基本的構成を示す側面図である。
【図１３】本発明の他の実施の形態の発光装置１００を概略的に示す平面図である。
【図１４】図１３のｂ１，ｂ２，ｂ３およびｂ４によって外囲される部分を拡大して示す平面図である。
【図１５】図１４の切断面線ＶＩ−ＶＩから見た発光装置１００の基本的構成を示す一部の断面図である。
【図１６】図１４の切断面線ＶＩＩ−ＶＩＩから見た発光装置１００の基本的構成を示す一部の断面図である。
【図１７】図１３のｃ１，ｃ２，ｃ３およびｃ４によって外囲される部分を拡大して示す平面図である。
【図１８】図１７の切断面線ＶＩＩＩ−ＶＩＩＩから見た発光装置１００の基本的構成を示す一部の断面図である。
【図１９】図１７の切断面線ＩＩＸ−ＩＩＸから見た発光装置１００の基本的構成を示す一部の断面図である。
【図２０】図１７の切断面線ＩＸ−ＩＸから見た発光装置１００の基本的構成を示す一部の断面図である。
【０２８１】
【図２１】図１７の切断面線Ｘ−Ｘから見た発光装置１００の基本的構成を示す一部の断面図である。
【図２２】図１３に示される発光装置１００の基本的構成を示す一部の等価回路を示す回路図である。
【図２３】駆動手段２５７が、スタート信号伝送路ＳＴに与えるスタート信号φＳと、第１走査信号伝送路１５ａに与える走査信号φ１と、第２走査信号伝送路１５ｂに与える走査信号φ２と、発光信号伝送路Ｅ１に与える発光信号φＥ１と、発光信号伝送路Ｅ２に与える発光信号φＥ２と、発光素子Ｌ１〜Ｌ８の発光強度と、走査スタート用スイッチ素子Ｔ０およびスイッチ素子Ｔ１〜Ｔ５の発光強度とを示す波形図である。
【図２４】複数の発光体チップ１２０によって形成される発光体チップ組立体１８０の基本的構成を示す一部の平面図である。
【図２５】第１の従来の技術の発光装置１の基本構造の概略的な回路構成を示す回路図である。
【図２６】第２の従来の技術の発光装置２の基本構造の概略的な回路構成を示す回路図である。
【図２７】発光装置２の平面図である。
【符号の説明】
【０２８２】
１０，１００  発光装置
１１  発光素子アレイ
１２  スイッチ素子アレイ
Ｅ  発光信号伝送路
Ｇ  トリガ信号伝送路
Ｓ  走査信号伝送路
Ｋ  トリガ信号検出用端子
Ｌ  発光素子
Ｔ  スイッチ素子
１７  発光素子のゲート
１８  スイッチ素子のゲート
２０，１２０  発光体チップ
８０，１８０  発光体チップ組立体
８７  画像形成装置
【図１】
0004763404.tif 000002
【図２】
0004763404.tif 000003
【図３】
0004763404.tif 000004
【図４】
0004763404.tif 000005
【図５】
0004763404.tif 000006
【図６】
0004763404.tif 000007
【図７】
0004763404.tif 000008
【図８】
0004763404.tif 000009
【図９】
0004763404.tif 000010
【図１０】
0004763404.tif 000011
【図１１】
0004763404.tif 000012
【図１２】
0004763404.tif 000013
【図１３】
0004763404.tif 000014
【図１４】
0004763404.tif 000015
【図１５】
0004763404.tif 000016
【図１６】
0004763404.tif 000017
【図１７】
0004763404.tif 000018
【図１８】
0004763404.tif 000019
【図１９】
0004763404.tif 000020
【図２０】
0004763404.tif 000021
【図２１】
0004763404.tif 000022
【図２２】
0004763404.tif 000023
【図２３】
0004763404.tif 000024
【図２４】
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【図２５】
0004763404.tif 000026
【図２６】
0004763404.tif 000027
【図２７】
0004763404.tif 000028