(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
（Ａ）フッ素化合物が、フッ化水素酸、フッ化アンモニウム、酸性フッ化アンモニウム、ケイフッ化水素酸及びケイフッ化アンモニウムよりなる群から選ばれる少なくとも１種のフッ素化合物、（Ｂ）モノエタノールアミン、ジエタノールアミン、Ｎ−メチル−モノエタノールアミン、Ｎ−メチル−ジエタノールアミン、Ｎ，Ｎ−ジメチルモノエタノールアミン、Ｎ，Ｎ−ジエチルモノエタノールアミン、及びＮ，Ｎ−ジエチルイソプロパノールアミンよりなる群から選ばれる少なくとも１種のアミノアルコール類、（Ｃ）ジメチルスルホキシド、ジメチルホルムアミド、ジメチルアセトアミド、Ｎ−メチル−２−ピロリドン、γ−ブチロラクトン、１，３−ジメチル−２−イミダゾリジノン、イソプロピルアルコール、プロピレングリコール、ジプロピレングリコールモノメチルエーテル及びメトキシ−３−メチルブタノールよりなる群から選ばれる少なくとも１種である有機溶剤及び（Ｄ）水を含み、かつ、ヒドロキシルアミンを含まない組成物であり、前記組成物の全量に対し、（Ａ）フッ素化合物濃度が０.０１〜１０質量％、（Ｂ）アミノアルコール類濃度が１０〜８０質量％、（Ｃ）有機溶剤が５〜７０質量％含有し、水素イオン濃度〔ｐＨ〕が９〜１１の範囲内であることを特徴とする、フォトレジストと配線材料や層間材料等とハロゲン系ドライエッチングガスの化学反応により生成するサイドウォール除去液。
【請求項２】
水素イオン濃度〔ｐＨ〕が１０を越え１１までの間であることを特徴とする請求項１に記載のサイドウォール除去液。
【請求項３】
（Ｅ）防食剤を含有することを特徴とする請求項１または２に記載のサイドウォール除去液。
【請求項４】
（Ｅ）防食剤が、糖アルコール類及びトリアゾール化合物から選ばれる少なくとも１種であることを特徴とする請求項３に記載のサイドウォール除去液。
【請求項５】
（Ｅ）防食剤が、グルコース、マンノース、ガラクトース、ソルビトール、マンニトール、キシリトール及びベンゾトリアゾールよりなる群から選ばれる少なくとも１種であることを特徴とする請求項３に記載のサイドウォール除去液。
【請求項６】
サイドウォール除去液の全量に対し、（Ｅ）防食剤を１〜２０質量％含有することを特徴とする請求項３〜５のいずれかに記載のサイドウォール除去液。
【請求項７】
半導体素子の製造工程において、ドライエッチングの際に発生するサイドウォールを請求項１〜６のいずれかに記載のサイドウォール除去液で洗浄する工程を含むことを特徴とする半導体素子の製造方法。
【請求項８】
液晶パネル素子の製造工程において、ドライエッチングの際に発生するサイドウォールを請求項１〜６のいずれかに記載のサイドウォール除去液で洗浄する工程を含むことを特徴とする液晶パネル素子の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明はサイドウォール除去液に関するものであり、さらに詳しくは、半導体素子及び液晶パネル素子の製造工程におけるドライエッチングの際に発生するサイドウォール（フォトレジストの変質物やドライエッチング残渣物等の堆積物及び側壁保護膜）を、低温、短時間で除去でき、しかもその際に半導体を形成するあらゆる材料を腐食することのないサイドウォール除去液に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
従来、半導体素子及び液晶パネル素子の製造工程において、金属配線パターンを得る方法としては、例えば下記の（１）〜（６）の工程が用いられている。
（１） ＳｉＯ2等の絶縁層上に配線材料となるＡｌ等の金属層を形成する。
（２） その上にフォトレジスト層を形成する。
（３） さらにその上にフォトマスクを重ねて露光する。
（４） 現像処理を行ってレジストパターンを形成する。
（５） 露出した金属層をドライエッチング処理する。
（６） レジストパターンを剥離除去することにより金属配線パターンを得る。
【０００３】
また、従来、半導体素子及び液晶パネル素子の製造工程において、コンタクトホールやビアホール部分のパターンを得る方法としては、例えば下記の（７）〜（１２）の工程が用いられている。
（７） Ａｌ等の金属配線層が形成されている層上に層間材料となるＳｉＯ2等の層を形成する。
（８） その上にフォトレジスト層を形成する。
（９） さらにその上にフォトマスクを重ねて露光する。
（１０） 現像処理を行ってレジストパターンを形成する。
（１１） 露出したＳｉＯ2等の層をドライエッチング処理する。
（１２） レジストパターンを剥離除去することによりＳｉＯ2等のコンタクトホールやビアホール部分の目的のパターンを得る。
【０００４】
近年集積回路の高密度化の為に、より微細なパターン形成が必要となってきている。 エッチングにおいては従来は化学薬品を用いたケミカルエッチングが行われていたが、より微細なパターン形成のために、ハロゲン系ガスを用いたドライエッチングが多用されるようになってきている。
【０００５】
ドライエッチングにおいては、サイドウォール（フォトレジストの変質物やドライエッチング残渣物等の堆積物及び側壁保護膜）が生成し、これによって異方性エッチングが可能となっている。 このサイドウォールはドライエッチングの際にフォトレジストと配線材料やＳｉＯ2等の物質とエッチングガスの化学反応により生成するものである。 その結果として、サイドウォールはフォトレジスト由来の有機物、Ａｌ等の金属配線材料やＳｉＯ2等の層間材料等に由来する無機物、エッチングガス由来のハロゲン化物からなる複雑な組成の化合物となっている。
【０００６】
このサイドウォール中にはハロゲンラジカルやハロゲンイオンが閉じこめられているため、そのまま放置しておくと配線材料や層間材料等の各種材料が腐食される（アフターコロージョン）ことになり、半導体素子及び液晶パネル素子の製造において歩留まりの低下をきたす等の問題を生じることになる。 従って、最終的にはサイドウォールの完全な除去が望まれる。また、サイドウォール除去の際に配線材料、層間材料等の各種材料を腐食してはならない。
【０００７】
従来のフッ素系のサイドウォール除去液として例えば、特開平８−２０２０５２号公報には、フッ化水素酸、フッ化アンモニウム、水溶性有機溶媒及び防食剤を含有するサイドウォール除去液の組成物が記載されている。 また、特開平９−１９７６８１号公報には、フッ化水素酸と金属を含まない塩基との塩，水溶性有機溶媒及び水を含有し、水素イオン濃度〔ｐＨ〕が５〜８であるサイドウォール除去液の組成物が記載されている。また、特開平９−２４６２２２号公報には、水溶性フッ素化合物、有機溶媒及び水を含有し、水素イオン濃度〔ｐＨ〕が８．４０〜９．８０ であるサイドウォール除去液の組成物が記載されている。また、特開２０００−１８１０８３号公報には、フッ化水素酸と塩基との塩、硫黄を含まない極性有機溶媒及び水を含有し、水素イオン濃度〔ｐＨ〕が８．５〜１０．０であるサイドウォール除去液の組成物が記載されている。また、特開２０００−２６０７６１号公報には、フッ化アンモニウム、極性有機溶媒、水及び酸性化合物の防食剤を含有し、水素イオン濃度〔ｐＨ〕が５．０未満であるサイドウォール除去液の組成物が記載されている。
【０００８】
さらに、特開２００１−８３７１３号公報には、フッ化水素酸と塩基との塩、水溶性有機溶媒、ヒドロキシルアミン類等の塩基性物質及び水を含有し、水素イオン濃度〔ｐＨ〕が８．５〜１０．０であるサイドウォール除去液の組成物が記載されている。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】
これら従来のフッ素系のサイドウォール除去液は、比較的良好にサイドウォールを除去することが可能であるが、近年、半導体製造工程におけるドライエッチング，アッシング等の処理条件が厳しくなっているため、これらサイドウォールの良好な除去と金属配線材料や層間材料等の防食性の両方を満足させることが非常に困難になっている。つまり、これら従来の技術では、サイドウォールの良好な除去性と金属配線材料や層間材料等の防食性の両方を満足させることができない。
【００１０】
また、ヒドロキシルアミン類等の使用は、安全性、安定性に欠けるため、使用や廃棄に際しての取扱いが困難である。
【００１１】
以上述べたように、金属配線材料や層間材料等を腐食することなく、フォトレジスト形成後のドライエッチングにより生成するサイドウォール（フォトレジストと金属配線材料や層間材料等とエッチングガスの化学反応の結果として生成するような、フォトレジスト由来の有機物、Ａｌ等の金属配線材料やＳｉＯ2等の層間材料等に由来する無機物、エッチングガス由来のハロゲン化物からなる複雑な組成の化合物となっているサイドウォール）を容易に除去でき、安全、安定に使用できるサイドウォール除去液が求められている。 本発明は金属配線材料や層間材料等を腐食することなく、低温でかつ短時間でサイドウォールを除去することを可能とする除去液を提供することを課題の一つとする。
【００１２】
【課題を解決するための手段】
本発明者らは鋭意研究を重ねた結果、（Ａ）フッ素化合物、（Ｂ）アミノアルコール類、（Ｃ）有機溶剤、（Ｄ）水を含み、必要により（Ｅ）防食剤を含む組成物であり、かつ水素イオン濃度〔ｐＨ〕が ９〜１１ の範囲内である組成物が、金属配線材料や層間材料等を腐食することなく、低温でかつ短時間でサイドウォールを除去することが可能であることを見出し、本発明を完成するに至った。
【００１３】
すなわち、本発明は例えば、下記項目からなる。
【００１４】
〔１〕（Ａ）フッ素化合物が、フッ化水素酸、フッ化アンモニウム、酸性フッ化アンモニウム、ケイフッ化水素酸及びケイフッ化アンモニウムよりなる群から選ばれる少なくとも１種のフッ素化合物、（Ｂ）モノエタノールアミン、ジエタノールアミン、Ｎ−メチル−モノエタノールアミン、Ｎ−メチル−ジエタノールアミン、Ｎ，Ｎ−ジメチルモノエタノールアミン、Ｎ，Ｎ−ジエチルモノエタノールアミン、及びＮ，Ｎ−ジエチルイソプロパノールアミンよりなる群から選ばれる少なくとも１種のアミノアルコール類、（Ｃ）ジメチルスルホキシド、ジメチルホルムアミド、ジメチルアセトアミド、Ｎ−メチル−２−ピロリドン、γ−ブチロラクトン、１，３−ジメチル−２−イミダゾリジノン、イソプロピルアルコール、プロピレングリコール、ジプロピレングリコールモノメチルエーテル及びメトキシ−３−メチルブタノールよりなる群から選ばれる少なくとも１種である有機溶剤及び（Ｄ）水を含み、かつ、ヒドロキシルアミンを含まない組成物であり、前記組成物の全量に対し、（Ａ）フッ素化合物濃度が０.０１〜１０質量％、（Ｂ）アミノアルコール類濃度が１０〜８０質量％、（Ｃ）有機溶剤が５〜７０質量％含有し、水素イオン濃度〔ｐＨ〕が９〜１１の範囲内であることを特徴とする、フォトレジストと配線材料や層間材料等とハロゲン系ドライエッチングガスの化学反応により生成するサイドウォール除去液。
【００１５】
〔２〕水素イオン濃度〔ｐＨ〕が１０を越え１１までの間であることを特徴とする〔１〕に記載のサイドウォール除去液。
【００２１】
〔３〕（Ｅ）防食剤を含有することを特徴とする〔１〕または〔２〕に記載のサイドウォール除去液。
【００２２】
〔４〕（Ｅ）防食剤が、糖アルコール類及びトリアゾール化合物から選ばれる少なくとも１種であることを特徴とする〔３〕に記載のサイドウォール除去液。
【００２３】
〔５〕（Ｅ）防食剤が、グルコース、マンノース、ガラクトース、ソルビトール、マンニトール、キシリトール及びベンゾトリアゾールよりなる群から選ばれる少なくとも１種であることを特徴とする〔３〕に記載のサイドウォール除去液。
【００２４】
〔６〕サイドウォール除去液の全量に対し、（Ｅ）防食剤を１〜２０質量％含有することを特徴とする〔３〕〜〔５〕のいずれかに記載のサイドウォール除去液。
【００２５】
〔７〕半導体素子の製造工程において、ドライエッチングの際に発生するサイドウォールを〔１〕〜〔６〕のいずれかに記載のサイドウォール除去液で洗浄する工程を含むことを特徴とする半導体素子の製造方法。
【００２６】
〔８〕液晶パネル素子の製造工程において、ドライエッチングの際に発生するサイドウォールを〔１〕〜〔６〕のいずれかに記載のサイドウォール除去液で洗浄する工程を含むことを特徴とする液晶パネル素子の製造方法。
【００２７】
【発明の実施の形態】
以下、本発明を詳述する。
【００２８】
本発明のサイドウォール除去液において使用する（Ａ）フッ素化合物としては、例えば、フッ化水素酸、フッ化アンモニウム、酸性フッ化アンモニウム、ケイフッ化水素酸、ケイフッ化アンモニウムをあげることができる。これらのフッ素化合物は単独または２種類以上を混合して使用しても何ら支障はない。 これらのフッ素化合物は主にサイドウォールを除去するために有効な成分として作用しており、フッ素化合物の濃度は組成物全体に対して０．０１〜１０質量％の範囲が好ましく、特には好ましくは０．５〜５質量％の範囲が好ましい。 フッ素化合物が０．０１質量％以下では、サイドウォールの除去性が不十分となり、１０質量％以上では、金属配線材料や層間材料等を腐食し易くなる。
【００２９】
本発明で使用するアミノアルコール類としては、式（１）で表される化合物が例示される。
【００３０】
【化３】
0004661007.tif 000002
（但し、式中、Ｒ1は−ＣＨ2ＣＨ2ＯＨまたは−ＣＨ2ＣＨ（ＣＨ3）ＯＨ を示し、Ｒ2は水素、炭素数１〜４のアルキル基、−ＣＨ2ＣＨ2ＯＨ及び−ＣＨ2ＣＨ（ＣＨ3）ＯＨから選ばれるいずれか１種を示し、Ｒ3は水素及び炭素数１〜４のアルキル基から選ばれるいずれか１種を示す。）
【００３１】
更に具体的に例示するとモノエタノールアミン、ジエタノールアミン、Ｎ−メチル−モノエタノールアミン、Ｎ−メチル−ジエタノールアミン、Ｎ，Ｎ−ジメチルモノエタノールアミン、Ｎ，Ｎ−ジエチルモノエタノールアミン、Ｎ，Ｎ−ジブチルモノエタノールアミン、Ｎ−エチルモノエタノールアミン、Ｎ−ｎ−ブチルモノエタノールアミン、Ｎ−ｎ−ブチルジエタノールアミン、Ｎ−ｔ−ブチルモノエタノールアミン、Ｎ−ｔ−ブチルジエタノールアミン、Ｎ，Ｎ−ジエチルイソプロパノールアミン等があげられる。これらのアミノアルコール類は単独または２種類以上を混合して使用しても支障はない。
【００３２】
アミノアルコール類は主にサイドウォールの除去性と金属配線や層間材料等の防食性の兼ね合いを満足するために有効な成分として作用しており、アミノアルコール類の濃度は組成物全体に対して１０〜８０質量％の範囲が好ましく、特に好ましくは組成物全体に対して１０〜５０質量％の範囲が好ましい。 アミノアルコール類の濃度が、この範囲を外れた場合は、高くても低くても金属配線材料や層間材料等を腐食し易くなりやすい。
【００３３】
本発明において、アミノアルコール類の量は、サイドウォール除去液の水素イオン濃度〔ｐＨ〕が９〜１１の範囲内で配合されることが必要である。特開平８−２０２０５２号公報、特開平９−１９７６８１号公報、特開平９−２４６２２２号公報、特開２０００−１８１０８３号公報、特開２０００−２６０７６１号公報、特開２００１−８３７１３号公報等の従来技術に述べられているアルカリ系の剥離剤除去液等は、全てｐＨが１０以下である。これよりｐＨが高いと腐食性が増加し、除去性も悪くなることが記載知られている。本発明では、アミノアルコール類を用いることにより、特にｐＨ９〜１１で良好なサイドウォールの除去性と金属配線や層間材料等の防食性を得ることができる。特にｐＨ１０を越え１１までの間で良好な効果が得ることができる。
【００３４】
本発明で用いる有機溶剤は水溶性であることが好ましく、特に有機概念図によるところの有機性が１５０以下で無機性が６５以上の有機化合物が好ましい。この様な有機溶剤を例示するとジメチルスルホキシド、ジメチルホルムアミド、ジメチルアセトアミド、Ｎ−メチル−２−ピロリドン、γ−ブチロラクトン、１，３−ジメチル−２−イミダゾリジノン、メタノール、エタノール、ｎ−プロピルアルコール、イソプロピルアルコール、ブタノール、エチレングリコール、プロピレングリコール、１，３−ブタンジオール、１，４−ブタンジオール、１，５−ペンタンジオール、グリセリン、アセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、アセトニトリル、乳酸エチル、プロピレングリコールモノメチルエーテル、ジプロピレングリコールモノメチルエーテル、メトキシ−３−メチルブタノール、メチル−３−メトキシプロピオネート等をあげることができる。
【００３５】
これらの有機溶剤は、単独または２種以上を混合して使用しても支障はない。
有機溶剤は、フォトレジスト由来の有機物を除去するために有効な成分として作用しており、有機溶剤の濃度は組成物全体に対して５〜７０質量％の範囲が好ましく、特に好ましくは組成物全体に対して１０〜４０質量％である。 有機溶剤の濃度が５質量％より低ければフォトレジスト由来の有機物の除去性が低下し、７０質量％より高くなればサイドウォールの除去性が低下することになる。
【００３６】
有機概念図においてフォトレジストの主骨格であるノボラックについて検討した結果、有機性が１４０で無機性が１１５となり、有機概念図による有機性が１５０以下で無機性が６５以上である有機溶剤を用いることにより、有効に除去できることになる。有機概念図による有機性と無機性が当該範囲外になれば、フォトレジスト由来の有機物が除去し難くなる。
【００３７】
ここで、この有機概念図は三共出版株式会社（著者：甲田善生）から発行されている「有機概念図−基礎と応用−」から引用したものである。
【００３８】
本発明の組成物では、必要により防食剤を使用することができる。防食剤としては、糖アルコール類、トリアゾール化合物を使用することが可能である。具他適例をあげるとグルコース、マンノース、ガラクトース、ソルビトール、マンニトール、キシリトール、ベンゾトリアゾール等がある。これらの防食剤は単独または２種類以上を混合して使用しても支障はない。 これらの防食剤は主に金属配線や層間材料等の防食に有効な成分として作用しており、防食剤の濃度は組成物全体に対して１〜２０質量％の範囲が好ましく、特に好ましくは組成物全体に対して５〜１０質量％の範囲である。防食剤の濃度が１質量％より低ければ金属配線や層間材料等が腐食する可能性があり、防食剤の濃度が２０質量％より高くなればサイドウォールの除去性が低下することが懸念される。
【００３９】
また、本発明のサイドウォール除去液中には、必要により界面活性剤やキレート剤等を加えることは何ら差し支えない。
【００４０】
本発明に用いられる水の濃度は特に制限はされないが、（Ａ）フッ素化合物、（Ｂ）アミノアルコール類、（Ｃ）有機溶剤、必要により添加される（Ｅ）防食剤、その他の成分濃度を勘案して添加される。
【００４１】
本発明の液組成物は水素イオン濃度〔ｐＨ〕が９〜１１の範囲内であることを特徴とするが、水素イオン濃度〔ｐＨ〕は株式会社堀場製作所製のｐＨメーターとガラスｐＨ電極を用いて測定した値である。
【００４２】
本発明のサイドウォール除去液を使用してサイドウォールを除去する際は、通常は常温で十分であるが、必要に応じて適宜加熱することができる。
【００４３】
本発明のサイドウォール除去液を用い方の図を用いて、例示、説明する。
【００４４】
図１〜図５は、本発明のサイドウォール除去液を用いて金属配線を形成する際に生成するサイドウォールを除去する工程の説明図である。
【００４５】
図１は、シリコン基板１の上にＳｉＯ2等の絶縁層２を、その上に金属配線材料となるＡｌ−Ｃｕ等の金属層３を形成し、その上にポジ型フォトレジスト層４を形成し、さらにその上にフォトマスク５を重ねて露光する工程を示す。光の当たった部分のレジストが、アルカリ水溶液現像液に可溶となる。
【００４６】
図２は、現像処理を行ってレジストパターンを形成する工程を示す。光の当たった部分のレジストが除去される。
【００４７】
図３は、露出した金属層３をドライエッチング処理する工程を示す。レジストが除去された部分の金属層３がエッチングされると同時に、サイドウォール６が形成される。 サイドウォール６は残った金属層３が過剰にエッチングされるのを保護する役割もある。
【００４８】
図４は、アッシングによりレジストパターン４を除去することにより金属配線パターン３を得る工程を示す。
【００４９】
図５は、本発明のサイドウォール除去液を用いて、サイドウォール６を除去する工程を示す。 本発明のサイドウォール除去液を用いることにより、金属配線材料を腐食することなく、低温（６０℃以下、好ましくは２０℃〜５０℃）、かつ短時間（６０分以下、好ましくは 分〜３０分）でサイドウォール６を除去することができる。
【００５０】
図６〜図１０は、本発明のサイドウォール除去液を用いてＳｉＯ2等の層間材料に目的とするコンタクトやビアのパターンを得る際に生成するサイドウォールを除去する工程の説明図である。
【００５１】
図６は、下層に形成された配線パターン７の上にポジ型フォトレジスト層４を形成し、さらにその上にフォトマスク５を重ねて露光する工程を示す。光の当たった部分のレジストが、アルカリ水溶液現像液に可溶となる。
【００５２】
図７は、現像処理を行ってレジストパターンを形成する工程を示す。光の当たった部分のレジストが除去される。
【００５３】
図８は、露出した ＳｉＯ2 等の層間材料層７をドライエッチング処理する工程を示す。レジストが除去された部分のＳｉＯ2等の層間材料層７がエッチングされると同時に、サイドウォール６が形成される。 サイドウォール６は残ったＳｉＯ2等の層間材層７が過剰にエッチングされるのを保護する役割もある。
【００５４】
図９は、アッシングによりレジストパターン４を除去することによりＳｉＯ2等の層間材料に目的とするコンタクトやビアのパターンを得る工程を示す。
【００５５】
図１０は、本発明のサイドウォール除去液を用いて、サイドウォール６を除去する工程を示す。本発明のサイドウォール除去液を用いることにより、ＳｉＯ2等の層間材料を腐食することなく、低温（６０℃以下、好ましくは２０℃〜５０℃）、かつ短時間（６０分以下、好ましくは ３分〜３０分）でサイドウォール６を除去することができる。
【００５６】
本発明を用いた半導体素子、液晶パネル素子の製造方法の例としては、【従来の技術】中に述べた工程（１）〜（６）および（７）〜（１２）のそれぞれの後に本発明のサイドウォール除去液で、サイドウォールを除去する方法がある。
【００５７】
【実施例】
以下に実施例に基づいて本発明を説明するが、本発明はこれに制限されるものではない。
【００５８】
（金属配線基板の作成）
シリコンウェハ上に ＳｉＯ2膜を形成し、その上にＡｌ−Ｃｕ層を製膜した基板を、パターンニングされたノボラックタイプのレジストをマスクとして、ハロゲン系ガスを用いてドライエッチングし、金属配線側壁及び上部にサイドウォールを形成し、続いてアッシングを施してサイドウォール以外のレジストを除去して試験用基板を得た。この時の基板作成方法を図１〜図４に示す。
【００５９】
（コンタクトホール基板の作成）
シリコンウェハ上に金属配線がパターンニングされ、さらに層間絶縁膜としてのＳｉＯ2膜が製膜されている基板上に、パターンニングされたノボラックタイプのレジストをマスクとして、ハロゲン系ガスを用いてドライエッチングし、目的とするコンタクトホールと、コンタクトホールの内壁と底部にサイドウォールを形成し、続いてアッシングを施してサイドウォール以外のレジストを除去して試験用基板を得た。この時の基板作成方法を図６〜図９に示す。
【００６０】
（実施例１〜１０）
上記金属配線基板とコンタクトホール基板を、表１に示す本発明のサイドウォール除去液の組成物に浸漬し（４５℃，１０分）、水リンス、乾燥後、ＳＥＭ（走査型電子顕微鏡）により観察評価した。結果を表１に示す。
【００６１】
このときの評価基準は以下に示す通りである。
【００６２】
（比較例 １ 〜 ９）
上記金属配線基板とコンタクトホール基板を、表２に示す組成の液に浸漬し（４５℃，１０分）、水リンス、乾燥後、ＳＥＭ（走査型電子顕微鏡）により観察評価した。 結果を表２に示す。
【００６３】
表１、表２中の略号等は下記の通りである。
【００６４】
【表１】
0004661007.tif 000003
【表２】
0004661007.tif 000004
【００６５】
（Ａ）フッ素化合物
HF  ：  フッ化水素酸
NH4F・HF  ：  酸性フッ化アンモン
NH4F  ：  フッ化アンモニウム
H2SiF6  ：  ケイフッ化水素酸
(NH4)2SiF6  ：  ケイフッ化アンモニウム
【００６６】
（Ｂ）アミノアルコール類
MEA  ：  モノエタノールアミン
DEA  ：  ジエタノールアミン
MMA  ：  Ｎ-メチル-モノエタノールアミン
MDA  ：  Ｎ-メチル-ジエタノールアミン
DMA  ：  Ｎ,Ｎ-ジメチルモノエタノールアミン
DEA  ：  Ｎ,Ｎ-ジエチルモノエタノールアミン
DIA  ：  Ｎ,Ｎ-ジエチルイソプロパノールアミン
【００６７】
（Ｃ）有機概念図所定範囲内の有機化合物
MMB ： メトキシ３-メチルブタノール
DMF ： ジメチルホルムアミド
DMSO ： ジメチルスルホキシド
DMAc ： ジメチルアセトアミド
NMP ： Ｎ-メチル-２-ピロリドン
γ-BL ： γ-ブチロラクトン
DMI ： １,３-ジメチル-２-イミダゾリジノン
IPA ： イソプロピルアルコール
PG ： プロピレングリコール
DPM ： ジプロピレングリコールモノメチルエーテル
【００６８】
（Ｅ）糖アルコールまたはトリアゾール化合物の防食剤
SOL  ：  ソルビトール
MAN  ：  マンノース
MAT  ：  マンニトール
GUL  ：  グルコース
GAL  ：  ガラクトース
XYL  ：  キシリトール
BTA  ：  ベンゾトリアゾール
【００６９】
0004661007.tif 000005
このときの評価基準は表３に示す通りである。
【００７０】
【表３】
0004661007.tif 000006
表１から、本発明のフッ素化合物、アミノアルコール類、アミンと水を含有することを特徴とするサイドウォール除去液（実施例１〜１０）を用いることにより、金属配線材料やＳｉＯ2膜等の層間材料を腐食することなく、低温でかつ短時間でサイドウォールを除去することが判る。
【００７１】
それに対して、表２に示す組成の液（比較例１〜５）を用いると、サイドウォールの除去性や金属配線材料及びＳｉＯ2膜材料の腐食性において、満足する結果は得られなかった。
【００７２】
【発明の効果】
本発明のサイドウォール除去液を用いることにより、金属配線材料やＳｉＯ2 膜等の層間材料を腐食することなく、低温でかつ短時間でサイドウォールを除去することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】シリコン基板１の上にＳｉＯ2等の絶縁層２を、その上に金属配線材料となるＡｌ−Ｃｕ等の金属層３を形成し、その上にポジ型フォトレジスト層４を形成し、さらにその上にフォトマスク５を重ねて露光する工程を示す。
【図２】現像処理を行ってレジストパターンを形成する工程を示す。
【図３】露出した金属層３をドライエッチング処理する工程を示す。
【図４】 アッシングによりレジストパターン４を除去することにより金属配線パターン３を得る工程を示す。
【図５】本発明のサイドウォール除去液を用いて、サイドウォール６を除去する工程を示す。
【図６】下層に形成された配線パターン７の上にポジ型フォトレジスト層４を形成し、さらにその上にフォトマスク５を重ねて露光する工程を示す。
【図７】現像処理を行ってレジストパターンを形成する工程を示す。
【図８】露出したＳｉＯ2等の層間材料層７をドライエッチング処理する工程を示す。
【図９】アッシングによりレジストパターン４を除去することによりＳｉＯ2等の層間材料に目的とするコンタクトやビアのパターンを得る工程を示す。
【図１０】本発明のサイドウォール除去液を用いて、サイドウォール６を除去する工程を示す。
【符号の説明】
１    シリコン基板
２    絶縁層
３    金属層
４    ポジ型フォトレジスト
５    フォトマスク
６    サイドウォール
７    下層配線層
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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